"式Iで表される化合物。式I中、Xは、m価の炭素数1~36の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基を表す。mは、2~8の整数を表す。R1、R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~8のアルキル基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基及び6~16の芳香族炭化水素基を表し、R1及びR2は互いに結合して、炭素数3~20の脂肪族炭化水素基を形成してもよい。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わってもよく、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルコキシ基に置換されてもよい。mが2以上の場合、複数存在するR1は互いの同一又は相異なり、複数存在するR2は互いの同一又は相異なり、複数存在するR3は互いの同一又は相異なる。]分子量が300~3000の範囲である請求項1記載の化合物。請求項1又は2記載の化合物と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂を、さらに含有する請求項3記載のレジスト組成物。前記樹脂が、式a1-1で表される構造単位、又は式a1-2で表される構造単位を有する樹脂である請求項4記載のレジスト組成物。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2はそれぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基は、カルボニル基との結合手である。を表し、k1は1~7の整数を表す。Ra4及びRa5はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7はそれぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0~3の整数を表す。]溶剤を、さらに含有する請求項3~5のいずれか記載のレジスト組成物。1請求項6記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。半導体の微細加工技術の加工寸法がますます微細化していくこと対応し、電子線や軟X線EUVを露光源とする光リソグラフィー技術が、次世代或いは次々世代の技術として開発が活発化している。しかしながら、式X1で表される化合物を含有するレジスト組成物を、電子線や軟X線EUVを露光源とするリソグラフィー技術に用いたとき、得られるレジストパターンのラインエッジラフネスLERには、いまだ改善の余地があった。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される化合物。式I中、Xは、m価の炭素数1~36の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基を表す。mは、2~8の整数を表す。R1、R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~8のアルキル基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基及び6~16の芳香族炭化水素基を表し、R1及びR2は互いに結合して、炭素数3~20の脂肪族炭化水素基を形成してもよい。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わってもよく、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルコキシ基に置換されてもよい。mが2以上の場合、複数存在するR1は互いの同一又は相異なり、複数存在するR2は互いの同一又は相異なり、複数存在するR3は互いの同一又は相異なる。]2分子量が300~3000の範囲である、前記1記載の化合物。3前記1又2記載の化合物と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。4アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂を、さらに含有する、前記3記載のレジスト組成物。5前記樹脂が、式a1-1で表される構造単位、又は式a1-2で表される構造単位を有する樹脂である、前記4記載のレジスト組成物。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2はそれぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基は、カルボニル基との結合手である。を表し、k1は1~7の整数を表す。Ra4及びRa5はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7はそれぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0~3の整数を表す。]6溶剤を、さらに含有する、前記3~5のいずれか記載のレジスト組成物。71前記6記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の化合物によれば、例えば電子線やEUVを露光源とする光リソグラフィー技術に用いた場合に、優れたラインエッジラフネスLERを有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を得ることができる。本発明は、前記式Iで表される化合物以下、場合により化合物Iという。、並びに該化合物Iと、酸発生剤以下、場合により酸発生剤Bという。を含有するレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物という。を提供する。また、本レジスト組成物は当該化合物Iのほかに、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂以下、場合により樹脂Aという。を含有することもある。さらに、本レジスト組成物は、必要に応じて塩基性化合物以下、場合により塩基性化合物Cという。及び溶剤以下、場合により溶剤Dという。を含有することもある。以下、本レジスト組成物の構成成分を、化合物I、酸発生剤B、樹脂A、塩基性化合物C及び溶剤Dの順に説明し、さらに、本レジスト組成物の調製方法及び本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法に関して説明する。本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。脂肪族炭化水素基のうち、アルキル基のように直鎖状又は分岐状をとることができるものは、そのいずれをも含む。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。以下の置換基の例示において、Cに付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。さらに、本明細書において、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種並びにアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び脂環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素-炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち1価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。該アルキル基の具体例は、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などである。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち2価のものとしては、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。アルカンジイル基の具体例は、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2-プロピリデン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基及び2-メチル-1,4-ブチレン基などである。環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基という。は、典型的には、シクロアルキル基であり、以下に示す単環式及び多環式のいずれをも包含する。脂環式炭化水素基のうち1価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-1~KA-7で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-8~KA-19で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。脂環式炭化水素基のうち2価のものとしては、式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、そのつど定義するが、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられる。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの、並びにベンゾイル基C7などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基及びイソブチリルオキシ基などが挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基C6、ナフチルオキシ基C10、アントニルオキシ基C14、ビフェニルオキシ基C12、フェナントリルオキシ基C14及びフルオレニルオキシ基C13などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。1価の芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。アリール基としては、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントニル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などが挙げられる。2価の芳香族炭化水素基は例えば、ここに例示したアリール基から、さらに水素原子1個と取り去ったアリーレン基を挙げることができる。芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。これらのうち、アルキル基は、鎖式脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、芳香族炭化水素基に任意に有する置換基のうち、アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。<式Iで表される化合物以下化合物Iという場合がある>化合物Iは、前記式Iで表される。繰り返しになるが、式Iを以下に示す。式I中、Xは、m価の炭素数1~36の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基を表す。mは、2~8の整数を表す。R1、R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~8のアルキル基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基及び6~16の芳香族炭化水素基を表し、R1及びR2は互いに結合して、炭素数3~20の脂肪族炭化水素基を形成してもよい。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わってもよく、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルコキシ基に置換されてもよい。mが2以上の場合、複数存在するR1は互いの同一又は相異なり、複数存在するR2は互いの同一又は相異なり、複数存在するR3は互いの同一又は相異なる。]前記式IのXは、炭素数1~36の脂肪族炭化水素基及び炭素数6~20の芳香族炭化水素基であり、その価数は、以下の式IGで示される基の数に応じる。なお、Xの脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基は、式IGで表される基のほかに置換基を有することもあるが、その置換基の置換数は、Xの価数に含まれない。該脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基は、その炭素数が各々の範囲において、すでに例示した1価の脂肪族炭化水素基及び1価の芳香族炭化水素基から水素原子をm―1個取り去った基が挙げられる。mは2~8から選ばれるが、化合物Iの製造上の容易さを考慮すると、mは2~5の範囲が好ましく、2~4の範囲がより好ましい。Xの具体例としては、以下の基が挙げられる。2価のXとしては、などが挙げられる。なお、RX1は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表し、は式IGで表される基との結合手である。3価のXとしては、などが挙げられる。は、式IGで表される基との結合手である。4価以上のXとしては、などが挙げられる。は、式IGで表される基との結合手である。RX1は、前記と同義である。次に、式IGで表される基について説明する。R1、R2及びR3R1~R3のアルキル基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基は各々の炭素数の範囲ですでに例示したものを含む。また、R1及びR2が互いに結合して脂肪族炭化水素基を形成する場合とは、R1及びR2が互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに環脂肪族環を形成することを意味する。かかる環は、単環式の環であっても、多環式の環であってもよい。また、R1~R3のアルキル基、及び脂環式炭化水素基、並びには、R1及びR2が互いに結合して形成する脂肪族炭化水素基は、それを構成するメチレン基の一部が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。例えば、脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、以下の基が挙げられる。なお、ここに示す式w1~式w14で表される基は、炭素数1~4のアルキル基及び炭素数1~4のアルコキシ基などを置換基として有していてもよい。以上の炭化水素基の中でも、R1~R3は炭素数1~6のアルキル基、又はで表される基であると好ましい。また、R1及びR2が結合して形成される脂肪族炭化水素基のうち、好ましいものは例えば、-CR1R2R3で表される基が、となるものである。この場合のR3も炭素数1~6のアルキル基が好ましい。以上、化合物IのR1~R3について、その具体例を挙げつつ説明したが、これらの中でも、R1及びR2が結合して脂肪族炭化水素基を形成していると好ましく、-CR1R2R3で表される基が、前記の式I-g、式I-h、式I-i及び式I-jでそれぞれ表される基であると一層好ましい。本発明の化合物Iは、その分子量が300~3000の範囲であると好ましく、400~2500の範囲であるとさらに好ましく、500~1500の範囲であると一層好ましい。分子量が上記範囲である化合物Iは、当該化合物Iを含有する本レジスト組成物から光リソグラフィー技術好ましいレジストパターンの製造方法は後述する。に用いたとき、より一層優れたラインエッジラフネスのレジストパターンを製造できるという効果がある。また、この本レジスト組成物が溶剤を含有しているとき、基板上への成膜性に優れるという利点がある。かかる分子量は化合物Iの構造式から算出することもできるし、例えば質量スペクトルを測定し、その分子イオンピークの値から求めることもできる。ここで、化合物Iの好適例を、例えばその分子量が上記範囲である場合で具体的に示すと、以下のとおりである。以上の好適例の中でも、式I-1~式I-6で表される化合物Iがさらに好ましい。化合物Iは例えば、以下の方法により製造できる。まず、式IGで表される基を誘導し得る化合物式I-S2で表される化合物を、式IG-S1で表される化合物と、1,1’-カルボニルジイミダゾールとを溶媒中で反応させることにより製造する。この反応を反応式の形式で示すと、以下のとおりである。この反応で用いられる溶媒は例えば、クロロホルム及びアセトニトリルなどである。式IG-S1で表される化合物は公知の方法により製造したり、市場から容易に入手できる市販品を用いたりすることで準備できる。式IG-S1で表される化合物としては例えば、以下の化合物が挙げられる。続いて、前記の方法で得られた式I-S1で表される化合物と、式I-S2で表される化合物とを、溶媒中、触媒の存在下で反応させることにより化合物Iを得ることができる。この反応を反応式の形式で示すと、以下のとおりである。なお、この反応式では式I-S1で表される化合物の当量数などは記載していないが、式I-S1で表される化合物の当量数は、式I-S2で表される化合物に含まれるヒドロキシ基の数mに応じて設定される。この反応で用いられる溶媒は例えば、アセトンなどである。触媒としては炭酸カリウムなどが用いられる。式I-S2で表される化合物も公知の方法により製造したり、市場から容易に入手できる市販品を用いたりすることで準備できる。式IG-S2で表される化合物としては例えば、以下の化合物が挙げられる。<本レジスト組成物>本レジスト組成物は、酸発生剤と、化合物Iとを含む。まず、酸発生剤Bについて説明する。<酸発生剤B>レジスト分野に用いられる酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類される。本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bは、非イオン系又はイオン系のいずれでもよく、これらの混合物であってもよい。非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4-スルホネート、及びスルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタンなどが挙げられる。イオン系酸発生剤としては、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩などが挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、及びスルホニルメチドアニオンなどが挙げられる。また、酸発生剤Bとしては、レジスト分野で使用される酸発生剤特に光酸発生剤だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤又は光変色剤等の放射線光によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜、使用できる。例えば特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bは、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは、以下の式B1で表される酸発生剤以下、場合により酸発生剤B1という。である。なお、以下の説明において、この酸発生剤B1のうち、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基の具体例は、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数1~6のアルキル基において、該アルキル基を構成する水素原子の全部がフッ素原子に置き換わったものが該当する。本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bとしては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子の酸発生剤B1が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1がさらに好ましい。Lb1の2価の脂肪族炭化水素基の具体例は、すでに例示したアルカンジイル基、及び、上述の式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基などである。Lb1の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6式b1-1~式b1-6でそれぞれ示される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の脂肪族飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の脂肪族飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15のの脂肪族飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の脂肪族飽和炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bとしては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基を、Lb1として有する酸発生剤B1がより好ましい。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。Yのアルキル基は、炭素数1~18の範囲ですでに例示したものを含むが、中でも炭素数1~6のアルキル基が好ましいYの脂環式炭化水素基も、炭素数1~18の範囲ですでに例示したものを含むが、以下の式Y1~式Y11で表される基が好ましい。なお、上述のとおり、該アルキル基及び脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。例えば、脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基としては、以下の式Y12~式Y26で表される基などである。Yが脂環式炭化水素基である場合、上記例示のなかでも、好ましくは式Y1~式Y19のいずれかで表される基であり、より好ましくは式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基であり、さらに好ましくは式Y11又は式Y14で表される基である。Yのアルキル基及び脂環式炭化水素基は置換基を有することもある。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~16の脂環式炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1基式中、Rb1は、炭素数1~16のアルキル基、炭素数3~16の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。ここに示す置換基のうち、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ハロゲン原子としては、すでに例示したもののいずれでもよい。アルキル基、脂環式炭化水素基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、アラルキル基及びアシル基の具体例は、各々の炭素数の範囲ですでに例示したものを含む。なお、ヒドロキシ基を有するアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、及びヒドロキシエチル基などが挙げられる。好ましいYである脂環式炭化水素基において、置換基を有する脂環式炭化水素基としては例えば以下のものが挙げられる。Yは、好ましくは置換基を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。酸発生剤B1を構成するスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式b1-1-1~式b1-1-1-9でそれぞれ表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては、なお、Lb2は前記と同義であり、前記式b1-1で表される基であると好ましい。Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基に任意に有することもある置換基として定義したものであり、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。式b1-1-1~式b1-1-9で表されるスルホン酸アニオンの具体例は例えば、特開2010-204646号公報に記載されているスルホン酸アニオンを挙げることができる。酸発生剤B1を構成する有機カチオンZは、オニウムカチオン、例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、及びホスホニウムカチオンなどが挙げられ、好ましくは、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、アリールスルホニウムカチオンである。該有機カチオンZは、好ましくは式b2-1~式b2-4でそれぞれ表されるカチオンである。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、この炭化水素基のうちでは、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11Rb9~Rb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、この脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であると好ましく、この脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であると好ましく、4~12であるとさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。この炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環好ましくは3員環~7員環は脂肪族環又は、該脂肪族環を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっている環である。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一又は相異なり、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一又は相異なり、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一又は相異なり、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一又は相異なる。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては、すでに例示したアシル基と酸素原子とが結合したものである。Rb9~Rb12のアルキル基の好適例は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などである。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基の好適例は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基及びイソボルニル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基の好適例は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基とアルキル基が結合したものは、典型的にはアラルキル基である。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。式b2-1~式b2-4で表される有機カチオンの具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、R19、R20及びR21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。この脂肪族炭化水素基の炭素数は1~12であると好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましく、さらには置換基として、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一又は相異なり、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一又は相異なり、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一又は相異なる。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基である。以上、酸発生剤B1を、それを構成するスルホン酸アニオンと有機カチオンとに分けて説明したが、当該酸発生剤B1は、該スルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。該スルホン酸アニオン及び有機カチオンとは任意に組み合わせることができ、好ましくは、アニオンb1-1-1~アニオンb1-1-9のいずれかとカチオンb2-1-1との組合せ、並びにアニオンb1-1-3~b1-1-5のいずれかとカチオンb2-3との組合せが挙げられる。酸発生剤B1としては、好ましくは、式B1-1~式B1-20でそれぞれ表される塩が挙げられ、より好ましくは、トリアリールスルホニウムカチオンを含む、式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13、式B1-14、式B1-18、式B1-19及びB1-20でそれぞれ表される酸発生剤B1である。以上、本レジスト組成物が含有する化合物I及び酸発生剤Bについて説明してきたが、上述のとおり、本レジスト組成物は、化合物I及び酸発生剤B以外に、任意に、樹脂A、塩基性化合物C及び溶剤Dを含有する。以下、これら樹脂A、塩基性化合物C及び溶剤Dの各々について具体例を示しつつ説明する。<樹脂A>樹脂Aは上述のとおり、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性以下、場合により酸作用特性という。を有するものである。なお、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得るとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。酸作用特性を有する樹脂Aは、その分子内に酸により分解する基以下、場合により酸分解性基という。を有する。このような樹脂Aは、酸分解性基を有するモノマー以下、このモノマーを場合によりモノマーa1といい、該モノマーa1由来の構造単位を構造単位a1という。を重合することによって製造できる。酸作用特性を有する樹脂Aを製造する際には、モノマーa1を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<酸分解性基>酸分解性基とは、酸と接触すると分解脱離基が脱離して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する基を意味する。酸分解性基としては、例えば、式1で表される基酸分解性基1、式2で表される基酸分解性基2などが挙げられる。[式1中、Ra1、Ra2及びRa3Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成する。は結合手を表す。][式2中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の1価の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成する。該1価の炭化水素基及び該2価の炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子に置き換わってもよい。は結合手を表す。]酸分解性基1のRa1~Ra3のアルキル基及び脂環式炭化水素基は、各々の炭素数の範囲において、すでに例示したものを含む。ただし、該脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~16の範囲である。Ra1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合とは、-CRa1Ra2Ra3で表される基が、以下のいずれかの基となる場合である。該2価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~12の範囲である。酸分解性基1としては例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が結合することで、アダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。酸分解性基2のRa1’及びRa2’の炭化水素基は例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基などである。これらの基もすでに例示したもののうち、炭素数20以下の範囲で同じものを含む。ただし、Ra1及びRa2のうち少なくとも1つは水素原子であると好ましい。酸分解性基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。モノマーa1は、酸分解性基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーが好ましく、酸分解性基を有するメタアクリル系モノマーがさらに好ましい。なかでも、酸分解性基1及び/又は酸分解性基2を有するモノマーa1が好ましく、酸分解性基1及び/又は酸分解性基2を有するを有するメタアクリル系モノマーが特に好ましい。酸分解性基を有するメタアクリル系モノマーのうち、炭素数5~20の脂環式炭化水素基を有するモノマーa1が好ましい。このようなモノマーa1を用いて得られる樹脂Aは、脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するものとなるので、該樹脂Aを含有する本レジスト組成物の解像度が一層良好となる傾向がある。<好適な構造単位a1>かかる脂環式炭化水素基を有するモノマーa1を用いて得られる好適な構造単位a1、及び該構造単位a1を有する樹脂Aについて、さらに詳述する。該樹脂Aの中でも、式a1-1で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-1という。又は式a1-2で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-2という。を有する樹脂Aが好ましい。かかる樹脂Aには、構造単位a1-1を単独種で有していてもよく、複数種有していてもよく、構造単位a1-2を単独種で有していてもよく、複数種有していてもよく、構造単位a1-1と構造単位a1-2とを合わせて有していてもよい。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手を表す。で表される基を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は前記と同義である。で表される基を表す。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。]La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は、k1が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは酸素原子又は-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基のうち、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基であり、この炭素数の上限以下の範囲で、すでに例示したものと同じものを含む。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基はそれぞれ独立に、好ましくは炭素数8以下のアルキル基又は炭素数8以下の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6以下のアルキル基又は炭素数6以下の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。構造単位a1-1としては、以下の式a1-1-1、式a1-1-2、式a1-1-3、式a1-1-4、式a1-1-5、式a1-1-6、式a1-1-7及び式a1-1-8[式a1-1-1~式a1-1-8]でそれぞれ表される構造単位a1-1が好ましく、式a1-1-1~a1-1-4のいずれかで表される構造単位a1-1がより好ましい。これらの構造単位a1-1を誘導し得るモノマーa1としては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたものなどが挙げられる。一方、構造単位a1-2としては、以下の式a1-2-1、式a1-2-2式a1-2-3、式a1-2-4、式a1-2-5及び式a1-2-6[式a1-2-1~式a1-2-6]でそれぞれ表されるものが好ましい。これらのなかでも、式a1-2-3又はa1-2-4で表される構造単位a1-2がより好ましく、式a1-2-3で表される構造単位a1-2がさらに好ましい。構造単位a1-2を誘導し得るモノマーa1としては、例えば、1-エチルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレート、1-エチルシクロヘプタン-1-イルメタアクリレート、1-メチルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート及び1-イソプロピルシクロペンタン-1-イルメタアクリレートなどが挙げられる。樹脂Aが構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を有する場合、これらの合計含有割合は、該樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲が一層好ましく、20~60モルの範囲が特に好ましい。また、構造単位a1として、アダマンチル基を有する構造単位a1特に好ましくは、構造単位a1-1を有する場合には、樹脂A中の構造単位a1の合計100モルに対して、アダマンチル基を有する構造単位a1が15モル以上であることが好ましい。このような含有割合で、アダマンチル基を有する構造単位a1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを含有するレジスト組成物から製造されるレジストパターンのドライエッチング耐性が良好となる傾向がある。なお、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合を、上述の範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対する、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーa1の使用量を調整すればよい。樹脂Aが有する構造単位のうち、該樹脂Aが酸作用特性を有するうえで好ましい構造単位a1-1及び構造単位a1-2について詳述したが、これらの中でも構造単位a1-1を樹脂Aが有していると特に好ましい。樹脂Aは、好適な構造単位a1である構造単位a1-1及び構造単位a1-2以外の構造単位a1を有していてもよい。以下、構造単位a1-1及び構造単位a1-2以外の構造単位a1を、当該構造単位a1を誘導するモノマーa1を示すことで説明する。樹脂Aは、以下の式a1-3で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-3という。に由来する構造単位a1を有していてもよい。該モノマーa1-3に由来する構造単位a1を有する樹脂Aは、その主鎖に剛直なノルボルナン環を含むものとなるので、このような樹脂Aを含有する本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを製造できる傾向がある。式a1-3中、Ra9は、水素原子、置換基例えばヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、又は-COORa13で表される基を表し、Ra13は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基などに置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基を表すか、或いはRa10及びRa11は互いに結合して環を形成している。該脂肪族炭化水素基及に含まれる水素原子はヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra9の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基は典型的には、置換基を有していてもよいアルキル基であり、かかるアルキル基のうち、置換基を有さないアルキル基は、その炭素数が1~8の範囲ですでに例示したものを含む。置換基、特にヒドロキシ基を有する脂肪族炭化水素基アルキル基としては例えば、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などである。Ra13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。Ra10~Ra12の脂肪族炭化水素基も典型的には、アルキル基であり、その具体例はRa9の場合と同じである。Ra10とRa11とが結合し、これらが結合する炭素原子とともに形成される環は、シクロへキサン環及びアダマンタン環などである。モノマーa1-3としては例えば、特開2010-204646号公報に記載されたものが用いられる。これらの中でも、以下の式a1-3-1、式a1-3-2、式a1-3-3及び式a1-3-4でそれぞれ表されるモノマーa1-3が好ましく、式a1-3-2又はa1-3-4で表されるモノマーa1-3がより好ましく、式a1-3-2で表されるモノマーa1-3がさらに好ましい。樹脂Aが、モノマーa1-3に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位に対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Aは以下の式a1-4で表されるモノマー以下モノマーa1-4という場合がある。に由来する構造単位a1を有していてもよい。式a1-4中、R10は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。laは0~4の整数を表す。R11は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、laが2以上である場合、複数のR11は互いに同一であっても異なってもよい。R12及びR13はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基又は単結合を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は-NRc-ただし、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表すで表される基に置き換わっていてもよい。Ya3は、置換基を有していてもよい炭素数1~18の炭化水素基を表す。ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基のうち、アルキル基としては、炭素数が1~6の範囲ですでに例示したものを含む。ハロゲン原子を有するアルキル基としては、フッ素原子を有するアルキル基が好ましい。その具体例としては、例えば、塩Iを構成する有機アニオンのQ1及びQ2で説明したペルフルオロアルキル基などである。これらの中でも、R10としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R11のアルコキシ基は、炭素数1~6の範囲において、すでに例示したものを含むが、中でも、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。R11のアシル基及びアシルオキシ基も、その炭素数が2~4の範囲において、すでに例示したものを含む。R12及びR13の炭化水素基は、その炭素数が1~12の範囲において、Ya3の炭化水素基は、その炭素数が1~18の範囲において、すでに例示した脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれかを含む。Xa2の脂肪族炭化水素基は2価の鎖式炭化水素基、2価の脂環式炭化水素基又は、鎖式炭化水素基と脂環式炭化水素基とが組み合わさった2価の基であり、炭素数1~17の範囲ですでに例示した基を適宜組み合わせた基を挙げることができる。モノマーa1-4としては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、以下の式a1-4-1、式a1-4-2、式a1-4-3、式a1-4-4、式a1-4-5、式a1-4-6、及び式a1-4-7[式a1-4-1~式a1-4-7]でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式a1-4-1~式a1-4-5で表されるモノマーがより好ましい。樹脂Aがモノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位に対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲が特に好ましい。樹脂Aは、以下の式a1-5で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-5という。に由来する構造単位a1を有していてもよい。式a1-3中、Ra8は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、単結合、酸素原子又はカルボニル基を表す。A2は炭素数1~6のアルカンジイル基を表す。Ra1~Ra3は、前記と同義である。構造単位a1-5のRa1~Ra3はそれぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基及びヘキシル基であるか、R2及びR3が互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに、炭素数3~12の環を形成していることが好ましく、Ra2及びRa3が互いに結合して環を形成する場合、当該環は、アダマンタン環又はシクロヘキサン環などが好ましい。A2のアルカンジイル基の具体例は、炭素数が1~6の範囲で、すでに例示したものを含む。構造単位a1-5の具体例は例えば、以下に示すものである。樹脂Aが、構造単位a1-5を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位に対して、3~80モルの範囲が好ましく、5~70モルの範囲がより好ましく、5~60モルの範囲が特に好ましい。<酸安定構造単位>樹脂Aは、酸不安定基を含む構造単位a1に加え、酸不安定基を有さない構造単位以下、場合により酸安定構造単位といい、該酸安定構造単位を誘導し得るモノマーを、酸安定モノマーという。を有していると好ましい。該樹脂A中、酸安定構造単位は1種のみを有していてもよく、複数種を有していてもよい。樹脂Aが酸安定構造単位を有する場合、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定めるとよい。構造単位a1の含有割合と酸安定性構造単位の含有割合との比は、構造単位a1/酸安定構造単位で表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。このようにすると、樹脂Aを含有する本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより一層良好になる傾向がある。次に、酸安定構造単位のうち、好ましいものを説明する。酸安定構造単位は、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位以下、場合により酸安定構造単位a2という。及び/又はラクトン環を有する酸安定構造単位以下、場合により酸安定構造単位a3という。を有する樹脂Aは、当該樹脂Aを含有する本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、この本レジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。なお、ここでいう本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法に関しては後述する。まず、酸安定構造単位として好適な、酸安定構造単位a2及び酸安定構造単位a3に関して具体例を挙げつつ説明する。<酸安定構造単位a2>酸安定構造単位a2を樹脂Aに導入する場合、当該樹脂Aを含有する本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定構造単位a2を選択することができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ波長:248nmを露光源とする露光、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線を露光源とする露光に用いる場合には、酸安定構造単位a2として、フェノール性水酸基を有する酸安定構造単位a2-0を樹脂Aに導入することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ波長:193nmを露光源とする露光を用いる場合は、酸安定構造単位a2として、後述の式a2-1で表される酸安定構造単位を樹脂Aに導入することが好ましい。このように、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a21種のみを有していてもよく、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a22種以上を有していてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a2と、それ以外の酸安定構造単位a2とを組み合わせて有していてもよい。酸安定構造単位a2の具体例の1つは、以下の式a2-1で表されるもの以下、場合により酸安定構造単位a2-1という。である。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。で表される基を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。以上、例示した酸安定構造単位a2-1は、例えば、特開2010-204646号公報に記載された酸安定モノマーから誘導される。これらの中でも、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-3及び式a2-1-4でそれぞれ表される酸安定構造単位a2-1がより好ましく、式a2-1-1又はa2-1-3で表される酸安定構造単位a2-1がさらに好ましい。樹脂Aが酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位に対して、3~45モルの範囲が好ましく、5~40モルの範囲がより好ましく、5~35モルの範囲がさらに好ましい。次に、ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位のうち、フェノール性水酸基を有する酸安定構造単位について説明する。該酸安定構造単位は、以下の式a2-0で表されるもの以下、場合により酸安定構造単位a2-0という。が好ましい。式a2-0中、Ra30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一でも異なっていてもよい。Ra30のハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基における炭素数1~6のアルキル基の具体例は、炭素数がこの範囲において、すでに例示したものを含む。ハロゲン原子を有する炭素数1~6のアルキル基とは、該炭素数1~6のアルキル基に含まれる水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換されたものである。なお、ハロゲン原子の具体例もすでに説明したとおりである。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルコキシ基の具体例は、炭素数1~6の範囲で、すでに例示したものを含む。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。酸安定構造単位a2-0の中でも、以下の式a2-0-1、式a2-0-2、式a2-0-3及び式a2-0-4でそれぞれ表されるものが好ましい。かかる構造単位を誘導し得る酸安定モノマーは、例えば、特開2010-204634号公報に記載されている。p-ヒドロキシスチレンやp-ヒドロキシ-α-メチルスチレンといった酸安定構造単位a2-0を誘導し得る酸安定モノマー[以下、場合により酸安定モノマーa2という。]を、樹脂A製造に用いることにより、式a2-0-1又は式a2-0-2で表される酸安定構造単位a2-0を、樹脂Aに導入することができるが、該酸安定モノマーa2にあるフェノール性水酸基を例えば、アセチル基のような保護基で保護し、保護化酸安定モノマーa2とした後、この保護化酸安定モノマーa2を用いて樹脂Aを製造することもできる。保護化酸安定モノマーa2に由来する構造単位を有する樹脂を脱保護処理して、保護基を脱離することにより、酸安定構造単位a2-0を有する樹脂Aを製造できる。ただし、脱保護処理を実施する際には、他の構造単位a1を著しく損なわないようにして、該脱保護処理を実施する必要がある。樹脂Aが酸安定構造単位a2-0を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位に対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~85モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a3>酸安定構造単位a3が有するラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定構造単位a3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aは、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示されるものを酸安定構造単位a3-1といい、式a3-2で示されるものを酸安定構造単位a3-2といい、式a3-3で示されるものを酸安定構造単位a3-3という。[式a3-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。で表される基を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra21は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は互いに同一又は相異なる。式a3-2中、La5は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。で表される基を表す。はカルボニル基との結合手を表す。q1は、0~3の整数を表す。Ra22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は互いに同一又は相異なる。式a3-3中、La6は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。で表される基を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra20は、水素原子又はメチル基を表す。r1は、0~3の整数を表す。Ra23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、r1が2以上の場合、複数のRa23は互いに同一又は相異なる。]式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、式a2-1のLa3で説明したものと同じものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は、k3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子及び、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。なお、p1が2である場合、2つのRa21は互いに同一又は相異なり、q1が2である場合、2つのRa22は互いに同一又は相異なり、r1が2である場合、2つのRa23は互いに同一又は相異なる。以下、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3の各々の好適例を示す。酸安定構造単位a3-1の好適例は、以下の式a3-1-1、式a3-1-2、式a3-1-3及び式a3-1-4でそれぞれ表されるものである。酸安定構造単位a3-2の好適例は、以下の式a3-2-1、式a3-2-2、式a3-2-3及び式a3-2-4でそれぞれ表されるものである。酸安定構造単位a3-3の好適例は、以下の式a3-3-1、式a3-3-2、式a3-3-3及び式a3-3-4でそれぞれ表されるものである。酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3は、特開2010-204646号公報に記載された酸安定モノマーにより誘導できる。上記の酸安定構造単位a3の具体例の中でも、式a3-1-1~式a3-1-2、式a3-2-3~式a3-2-4で表される酸安定構造単位a3がより好ましく、式a3-1-1又は式a3-2-3で表される酸安定構造単位a3がさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a3を有する場合、その含有割合は、該樹脂Aの全構造単位に対して、5~70モルの範囲が好ましく、10~65モルの範囲がより好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましい。<樹脂Aの製造方法>樹脂Aは、構造単位a1を誘導するモノマーa1を、さらに好ましくは、該モノマーa1と、酸安定構造単位を誘導する酸安定モノマーとを共重合させたものであり、より好ましくは、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーa1、酸安定構造単位a2及び/又は酸安定構造単位a3を誘導する酸安定モノマーとを共重合させたものである。樹脂Aは、構造単位a1として、アダマンチル基を有する構造単位a1-1を有することがさらに好ましい。酸安定構造単位a2としては、ヒドロキシアダマンチル基を有する構造単位a2-1を用いることが好ましい。酸安定構造単位a3としては、γ-ブチロラクトン環を有する酸安定構造単位a3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-2の少なくとも1種を有することが好ましい。樹脂Aは、上述したようなモノマーを公知の重合法例えばラジカル重合法に供し、重合共重合することにより製造できる。樹脂Aのより好ましい具体例を構造単位の組み合わせで例示すると、下記A-1~A14の樹脂が挙げられる。以上、樹脂Aが有する構造単位a1及び酸安定構造単位、並びにこれらの組み合わせについて説明したが、これら以外の構造単位を当該樹脂Aは有していてもよく、かかる構造単位としては、レジスト分野で周知の構造単位を挙げることができる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上50,000以下であり、より好ましくは3,000以上30,000以下である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。この分析の詳細な分析条件は、本願の実施例に記載する。<塩基性化合物C>本レジスト組成物が任意に含有することもある塩基性化合物とは、レジスト分野でクエンチャーと呼ばれるものである。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、前記と同義である。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一又は相異なる。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同義である。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一又は相異なる。][式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同義である。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同義である。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は互いに同一又は相異なる。p3が2以上であるとき、複数のRc15は互いに同一又は相異なる。Lc1は、炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同義である。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は互いに同一又は相異なる。r3が2以上であるとき、複数のRc19は互いに同一又は相異なる。s3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一又は相異なる。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1~式C8においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基及びアルカンジイル基の具体例は、各々の炭素数の範囲ですでに例示したものを含む。アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基及び2,2-ジメチルプロピオニル基などが挙げられる。式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6-ジイソプロピルアニリンが挙げられる。式C2で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール及び4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン及び4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン及びビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。<溶剤D>本レジスト組成物が溶剤Dを含有する場合、当該溶剤Dは、化合物Iや樹脂Aなどの種類及びその量に応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。溶剤Dとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。溶剤Dは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>以上、本レジスト組成物が任意に含有する、樹脂A、塩基性化合物C及び溶剤Dについて説明したが、本レジスト組成物はさらにレジスト分野で慣用の成分を含有することもできる。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で慣用の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などが挙げられる。<本レジスト組成物の調製方法>続いて、本レジスト組成物のうち、好ましいものの調製方法を説明する。このような本レジスト組成物は例えば、化合物I、酸発生剤B1及び溶剤Dを混合することで、又は、化合物I、樹脂A、酸発生剤B1及び溶剤Dを混合することで調製することができる。また、必要に応じて塩基性化合物Cや成分Fなどの添加剤を含有させることもある。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、化合物Iなどの種類や化合物Iなどの溶剤Dに対する溶解度などに応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。本レジスト組成物を調製する際に用いる各成分の含有割合は、それらの使用量により調節することができる。溶剤Dの含有量は、化合物Iの種類などに応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して90質量以上があると好ましく、92質量以上であるとより好ましく、94質量以上であるとさらに好ましい。また、該含有量は、99.9質量以下が好ましく、より好ましくは99質量以下である。ここで、溶剤Dの含有量が90質量であるレジスト組成物では、組成物中の固形分の含有量は10質量に相当する。溶剤Dの含有量が上記範囲内であると、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成しやすいという利点がある。なお、この溶剤Dの含有量は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能である。なお、本明細書において固形分とは、本レジスト組成物から溶剤Dを除いた成分の合計を意味する。該固形分の質量及び本レジスト組成物に含まれる各成分の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。本レジスト組成物中の化合物Iの含有量は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、好ましくは、3~99質量であり、より好ましく5~80質量であり、さらに好ましく10~70質量である。酸発生剤Bの含有量は、化合物I100質量部に対して、好ましくは1質量部以上35質量部以下であり、より好ましくは3質量部以上30質量部以下である。本レジスト組成物に樹脂Aを含有させる場合、その含有割合は、レジスト組成物の固形分の総質量に対して、10質量以上80質量以下が好ましい。また、本レジスト組成物に樹脂Aを含有させる場合には、酸発生剤Bの含有量は、化合物Iと樹脂Aの総質量100質量部に対して、1質量部以上35質量部以下であると好ましく、3質量部以上30質量部以下であるとさらに好ましい。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを含有させる場合、その含有割合は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~3質量程度が好ましい。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。このように、化合物I及び酸発生剤B、及び、並びに必要に応じて用いられる、樹脂A、塩基性化合物C、溶剤D又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過などすることにより、本レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法を具体的に示すと、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像する工程を含む方法を挙げることができる。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成したりしてもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートの場合、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、化合物I又は樹脂Aにある酸分解性基が脱保護反応により親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層にある上記化合物Iなどはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、上記化合物Iなどはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違するため、アルカリ水溶液による現像によりレジストパターンを形成することができる。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させて除去することである。未露光部は、上述のとおりアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であるため、基板に残り、当該基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。現像後、好ましくは超純水などでリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物などに有用である。特に、電子線又はEUVを露光源とする光リスグラフィーに用いると、極めて良好なラインエッジラフネスのレジストパターンを製造できる。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。以下の実施例において、化合物の構造は、質量分析LC;Agilent製1100型、MASS;Agilent製LC/MSD型で確認した。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製実施例1:式I-2の化合物Iの合成2-ヒドロキシ-2-メチルアダマンタン30部、クロロホルム210部、1,1’-カルボニルジイミダゾール32部を反応器に仕込み、この混合物を60°C程度まで昇温し、同温度で20時間攪拌した。室温まで冷却した反応溶液に、イオン交換水80部を加え攪拌、静置し、さらに分液して有機層を回収した。回収した有機層を濃縮し、濃縮液にアセトニトリル150部を加え、溶解後、再び、濃縮することで減圧乾燥し、式I-aで表される化合物45部純度98を得た。1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタン2部、アセトン40部及び式I-aで表される化合物16部を反応器に仕込み、さらに、炭酸カリウム0.2部を添加した。その後、60°Cまで昇温し、同温度で20時間攪拌した。室温まで冷却した反応溶液に、クロロホルム100部及びイオン交換水30部を加え、攪拌、静置し、分液して有機層を回収した。回収した有機層に、1シュウ酸水溶液30部を加えて、攪拌、静置し、分液して有機層を回収した。更に回収した有機層にイオン交換水を30部加えて、分液し、有機層を水洗した。水洗後の有機層を濃縮後、アセトニトリル100部を加えて、溶解後、更に濃縮した。濃縮物にメタノール60部を加えて攪拌後、析出した固体を濾過した。次いで、濾別した固体をメタノールで洗浄した。最後に、減圧乾燥して、式I-2で表される化合物8.7部を得た。これを化合物I-2とする。MSESISpectrum:M696.4実施例2:式I-6の化合物Iの合成2,2-ビスヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール2部、アセトン40部及び式I-aで表される化合物15.3部を反応器に仕込み、さらに、炭酸カリウム2部を添加した。その後、室温下で20時間攪拌した。反応溶液に、シュウ酸1.85部及びイオン交換水48部を加え、攪拌した。さらに、アセトン及び水の混合溶媒アセトン:イオン交換水=1:1重量比を100部加え、攪拌後、析出した固体を濾過した。次いで、濾別した固体をイオン交換水で洗浄し、減圧乾燥して、式I-6で表される化合物12部得た。これを化合物I-6とする。MSESISpectrum:M904.5樹脂Aの合成樹脂Aの合成に使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらの化合物モノマーをその式符号に応じて、モノマーAなどという。合成例1樹脂A1の合成モノマーB11.18部、p-アセトキシスチレン14.60部、及びモノマーC3.55部に、1,4-ジオキサン28.82部を加えて溶液とし、この溶液を87°Cまで昇温した。開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、87°Cで6時間保温した。冷却後、反応溶液をメタノール291.41部とイオン交換水124.89部の混合溶媒に注いで、樹脂を沈殿させ、これをろ過した。得られた樹脂及び4-ジメチルアミノピリジン2.93部を、当該樹脂と同量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却後、得られた反応溶液に、氷酢酸2.16部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した樹脂をろ別した。ろ過した樹脂をアセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させるという再沈殿操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約3.4×103の樹脂27.71部を得た。この樹脂を樹脂A1とする。なお、樹脂A1は以下の構造単位を有するものである。合成例2樹脂A2の合成冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、1,4-ジオキサンを13.9部仕込み、85°Cまで昇温した。そこへp-1-エトキシエトキシスチレン9.60部、モノマーD4.3部、モノマーA7.00部、モノマーC2.40部及びアゾビスイソブチロニトリル2.0部を1,4-ジオキサン20.9部に溶解した溶液を、1時間かけて滴下した。その後85°Cを保ったまま6時間攪拌を継続した。冷却したメタノール211部及び水90部の混合溶液を十分冷却し、ここに反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。得られた樹脂をメチルイソブチルケトンに溶解し、p-トルエンスルホン酸0.7部及び水70部を加え6時間攪拌した。静置分液して回収された有機層を、4回程度水洗した後、水洗後の有機層をn-ヘプタン300部に注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、重量平均分子量43×103の樹脂を20.3部得た。この樹脂を樹脂A2とする。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。実施例3~6、比較例1~2レジスト組成物の調製表1に示す各成分を混合して溶解し、さらに後述の溶剤に溶解した後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターでろ過して、レジスト組成物を調製した。<酸発生剤B>B1-2:B1-11:<樹脂>A1:樹脂A1A2:樹脂A2<塩基性化合物C:クエンチャー>塩基性化合物C1:<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル100.0部γ-ブチロラクトン5.0部<比較例化合物>X1:この化合物は、特許文献1記載の方法に従って、製造した。電子線用レジスト組成物としての評価シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を、組成物層の膜厚が0.04μmとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に示す温度で60秒間プリベークした。組成物層を形成したそれぞれのウェハに、電子線描画機株日立製作所製のHL-800D50keVを用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後、ホットプレート上にて表1のPEB欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察した。ラインエッジラフネス評価LER:80nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で露光して製造されたレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、ラインエッジラフネスを求めた。その結果を表2に示す。実施例10実施例1で調製したレジスト組成物と同じものを用い、EUV用レジスト組成物としての評価を行った。EUV用レジスト組成物としての評価シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した。このシリコンウェハに、実施例1のレジスト組成物を組成物層の膜厚が0.05μmとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に示す温度で60秒間プリベークした。組成物層を形成したウェハに、EUV露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後、ホットプレート上にて表1のPEB欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。ラインエッジラフネス評価LER:50nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で露光したリソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、ラインエッジラフネスを求めた。その結果を表3に示す。"