"以下の式Iの化合物[式中、使用される記号および添え字には、以下が適用される:Xは、出現するごとに、同一または異なり、CHまたはCR1であり、ここで、少なくとも1つの基Xは、CR1に等しく、2つのアリールアミノ基の各々において厳密に1つの基XがCR1に等しい場合、これは、窒素原子への結合に対するメタ位であり得ず、さらに、基Yが基Xに結合される場合、そのXは、Cに等しく;Yは、出現するごとに、同一または異なり、単結合、O、S、CR32またはNR3であり;Rは、出現するごとに、同一または異なり、H、D、CHO、C=OR3、P=OR32、S=OR3、S=O2R3、CN、NO2、SiR33、BOR32、OSO2R3、OH、COOR3、CONR32、1~4個のC原子を有する直鎖アルキル基または3~40個のC原子を有する分枝もしくは環状アルキル基または2~40個のC原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基ここで、前記アルキル、アルケニルおよびアルキニル基中の1つ以上のCH2基は、SiR32、C=O、C=S、C=Se、C=NR3、P=OR3、SO、SO2、NR3、-O-、-S-、-COO-または-CONR3-によって置きかえられていてもよく、上述のアルキル、アルケニルおよびアルキニル基は、1つ以上の基R3によって置換されていてもよい、または5~60個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系これらは各々の場合において1つ以上の非芳香族ラジカルR3によって置換されていてもよい、または5~60個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基これらは1つ以上の非芳香族ラジカルR3によって置換されていてもよい、またはこれらの系の組合せであり、ここで、2つのラジカルRは、互いに連結していてもよく、脂肪族もしくは芳香族環系を形成していてもよく;R1は、出現するごとに、同一または異なり、1~40個のC原子を有する直鎖アルキル基または3~40個のC原子を有する分枝もしくは環状アルキル基または2~40個のC原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基ここで、上述のアルキル、アルケニルおよびアルキニル基中の1つ以上のCH2基は、SiR32、C=O、C=S、C=Se、C=NR3、P=OR3、SO、SO2、NR3、-O-、-S-、-COO-または-CONR3-によって置きかえられていてもよく、上述のアルキル、アルケニルおよびアルキニル基は、1つ以上の基R3によって置換されていてもよいであり、ここで、2つ以上のラジカルR1は、互いに連結していてもよく、環系を形成していてもよく;R2は、出現するごとに、同一または異なり、H、D、F、Cl、Br、I、CHO、NAr2、NR32、C=OR3、P=OR32、S=OR3、S=O2R3、CR3=CR32、CN、NO2、SiR33、BOR32、OSO2R3、OH、COOR3、CONR32、1~40個のC原子を有する直鎖アルキル基、アルコキシ基もしくはチオアルキル基または3~40個のC原子を有する分枝もしくは環状アルキル基、アルコキシ基もしくはチオアルキル基または2~40個のC原子を有するアルケニル基もしくはアルキニル基これらの各々は1つ以上のラジカルR3によって置換されていてもよい、ここで、1つ以上の隣接しないCH2基は、SiR32、C=O、C=S、C=Se、C=NR3、P=OR3、SO、SO2、NR3、-O-、-S-、-COO-または-CONR3-によって置きかられていてもよく、1つ以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CN、またはNO2によって置きかえられていてもよい、または5~60個の芳香環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系これらは各々の場合において1つ以上の非芳香族ラジカルR3によって置換されていてもよい、または5~60個の芳香環原子を有するアリールオキシ基もしくはヘテロアリールオキシ基これらは1つ以上の非芳香族ラジカルR3によって置換されていてもよい、またはこれらの系の組合せであり、ここで、2つ以上のラジカルR2は、互いに連結していてもよく、脂肪族環系または芳香族環系を形成していてもよく;R3は、出現するごとに、同一または異なり、H、D、F、Cl、Br、I、CHO、NR42、C=OR4、P=OR42、S=OR4、S=O2R4、CR4=CR42、CN、NO2、SiR43、BOR42、OSO2R4、OH、COOR4、CONR42、1~40個のC原子を有する直鎖アルキル基、アルコキシ基もしくはチオアルキル基または3~40個のC原子を有する分枝もしくは環状アルキル基、アルコキシ基もしくはチオアルキル基または2~40個のC原子を有するアルケニル基もしくはアルキニル基これらの各々は1つ以上のラジカルR4によって置換されていてもよい、ここで、1つ以上の隣接しないCH2基は、SiR42、C=O、C=S、C=Se、C=NR4、P=OR4、SO、SO2、NR4、-O-、-S-、-COO-または-CONR4-によって置きかえられていてもよく、1つ以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CN、またはNO2によって置きかえられていてもよい、または5~60個の芳香環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系これらは各々の場合において1つ以上の非芳香族ラジカルR4によって置換されていてもよい、または5~60個の芳香環原子を有するアリールオキシ基もしくはヘテロアリールオキシ基これらは1つ以上の非芳香族ラジカルR4によって置換されていてもよい、またはこれらの系の組合せであり、ここで、2つ以上のラジカルR3は、互いに連結していてもよく、脂肪族環系または芳香族環系を形成していてもよく;R4は、出現するごとに、同一または異なり、H、D、Fまたは1~20個のC原子を有する脂肪族、芳香族および/またはヘテロ芳香族有機ラジカルであり、ここで、さらに、1個以上のH原子は、DまたはFによって置きかえられていてもよく;2つ以上の同一または異なった置換基R4はまた、互いに連結していてもよく、脂肪族環系または芳香族環系を形成していてもよく;Arは、出現するごとに、同一または異なり、5~60個の芳香族C原子を有するアリールまたはヘテロアリール基であり、これらは1つ以上のラジカルR3によって置換されていてもよく;nは、出現するごとに、同一または異なり、0または1であり、ここで、n=0は、対象とする基Yが存在していないことを意味し;ここで、以下の化合物は除かれる]。式Iの化合物当たり3つ以上の基Xが式CR1の基を表すことを特徴とする、請求項1に記載の化合物。芳香族6員環当たり1~4つの基Xが式CR1の基を表すことを特徴とする、請求項1または2に記載の化合物。式IIに一致することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の化合物:[式中、基RおよびR2は、請求項1において定義される通りであり、さらにA1、A2は、出現するごとに、同一または異なり、式1-1~1-55の群から選択される:式中、破線は、その基からスピロビフルオレン単位への結合を表し、R1は、請求項1において定義される通りであり、A1とA2の両方が式1-1の基を表すことは除かれ、A1とA2の両方が式1-3の基を表すことがさらに除かれる]。2つの基A1およびA2が同一であることを特徴とする、請求項4に記載の式IIの化合物。Rが、出現するごとに、同一または異なり、H、D、または5~14個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系これらは各々の場合において1つ以上の非芳香族ラジカルR3によって置換されていてもよいから選択されることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の化合物。R1が、出現するごとに、同一または異なり、1~10個のC原子を有する直鎖アルキル基または3~10個のC原子を有する分枝もしくは環状アルキル基ここで、上述のアルキル基中の1つ以上のCH2基は、SiR32、C=O、NR3、-O-、-S-、-COO-または-CONR3-によって置きかえられていてもよく、上述のアルキル基は、1つ以上の基R3によって置換されていてもよいを表すことを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の化合物。請求項1~7のいずれか1項に記載の少なくとも1種の化合物と、リン光性ドーパントおよび/またはさらなるマトリックス材料から選択される1種以上のさらなる化合物とを含む混合物。請求項1~7のいずれか1項に記載の少なくとも1種の化合物、および少なくとも1種の溶媒を含む配合物。1つ以上のアリールアミノ基のスピロビフルオレン誘導体への導入のために少なくとも1つの有機金属カップリング反応を用いることを特徴とする、請求項1~7のいずれか1項に記載の化合物を調製するための方法。有機集積回路O-IC、有機電界効果トランジスタO-FET、有機薄膜トランジスタO-TFT、有機発光トランジスタO-LET、有機太陽電池O-SC、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイスO-FQD、発光電気化学電池LEC、有機レーザーダイオードO-laser、または有機エレクトロルミネッセンスデバイスOLEDにおける請求項1~7のいずれか1項に記載の化合物および/または請求項8に記載の混合物の使用。有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける正孔輸送材料として、マトリックス材料として、発光材料として、電子遮断材料として、正孔注入材料としてまたは正孔遮断材料としての請求項1~7のいずれか1項に記載の化合物の使用。電子デバイスのエレクトロルミネッセンス層における請求項8に記載の混合物の使用。請求項1~7のいずれか1項に記載の少なくとも1種の化合物および/または請求項8に記載の混合物を含む電子デバイス。請求項1~7のいずれか1項に記載の化合物が、正孔輸送層もしくは正孔注入層における正孔輸送材料として、および/または発光層におけるマトリックス材料として用いられることを特徴とする、請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。[実施例]I.合成実施例以下の合成は、特に指示がなければ、保護ガス雰囲気下で行われる。開始原料は、特に言及しなければALDRICHまたはABCRから購入される。例1N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-9,9’-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTM1の合成100g211mmolの2,7-ジブロモスピロビフルオレンBeijingAglaiaTechn.Dev.Co.Ltd.および1.5Lの無水トルエン中の60.8g633mmolのNaOtBuを、N2下で、内部温度計、精密ガラス撹拌子および還流冷却器を備えた4lの4つ口フラスコに初期に導入し、N2を通すことによって30分間脱気する。その後、1.65ml8.7mmolのジ-t-ブチルクロロホスフィンおよび1.15g1.5mmolの酢酸パラジウムを添加する。次いで、104.1g527mmolのジ-p-トリルアミンを添加し、混合物を12時間加熱還流する。100mlの酢酸を冷却バッチに滴下添加し、次いで、500mlのエタノールおよびさらに100mlの酢酸を添加する。沈殿した固体をフリットを介して吸引ろ過し、真空中で40°Cにて乾燥させる。結果として生じる固体をジオキサンから5回再結晶させ、真空中で昇華させ105mbar、340°C、無色の固体として63g89mmol、42のN,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-9,9’-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTM1を得る。分析データ:TgDSC123°C、純度>99.98。例2N,N,N’,N’-テトラキス2,4-ジメチルフェニル-9,9’-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTM2の合成この合成は、実施例1と同様に行い、その違いは、ジ-p-トリルアミンの代わりに118.7gのジ2,4-ジメチルフェニルアミンWie-FlexTechnologyを用いることである。ジオキサンからの6回の結晶化および昇華105mbar、350°C後、無色の固体として72g93mmol、45のN,N,N’,N’-テトラキス2,4-ジメチルフェニル-9,9’-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTM2を得る。分析データ:TgDSC128°C、純度>99.98。例3N,N,N’,N’-テトラキス3-メチルフェニル-2’,7’-ジフェニル-9,9’-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTM3の合成開始原料2,7-ジヨード-2’,7’-ジブロモ-9,9’-スピロビフルオレンの合成は、WO2003/020790出願に記載されている。ステップa:この合成は、実施例1と同様に行い、その違いは、ジ-p-トリルアミンの代わりに104.1g527mmolのジ3-メチルフェニルアミンを用い、ジブロモスピロビフルオレンの代わりに153.1g211mmolの2,7-ジヨード-2’,7’-ジブロモ-9,9’-スピロビフルオレンを用いることである。ジオキサンからの結晶化および昇華後、無色の固体として134.5g190mmol、90のN,N,N’,N’-テトラキス3-メチルフェニル-2’,7’-ジブロモ-9,9’-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンを得る。ステップb:134.5g190mmolのN,N,N’,N’-テトラキス3-メチルフェニル-2’,7’-ジブロモ-9,9’-スピロビフルオレン-2,7-ジアミン、50.4g420mmolのベンゼンボロン酸およびリン酸カリウム195.5g、0.92molを4lのフラスコに初期に導入し、次いで、1200mlのトルエン、1200mlの水および475mlのジオキサンを添加する。撹拌しながらアルゴンを通すことによって混合物を30分間脱気する。次いで、トリス-o-トリルホスフィン4.0g、13.2mmolを添加し、混合物を短時間撹拌する。その後、酢酸パラジウムII480mg、2.1mmolを添加する。最終的に、混合物を12時間加熱還流する。さらに10gのボロン酸エステルを添加し、混合物をさらに10時間加熱還流する。次いで、混合物を冷却する。その後、氷酢酸/エタノール1:11500mlを添加する。沈殿した固体を吸引ろ過し、約250mlのトルエンで2回、約450mlの水/エタノール混合物比1:1で2回、最終的に550mlのエタノールで2回すすぐ。熱抽出装置において固体を2lのトルエンで5日間抽出し、その後、脱気したジオキサンから4回再結晶させる。この生成物を5×106mbarおよび約330°Cにて昇華させる。収率:79.9g理論値の49;分析データ:TgDSC146°C、純度>99.98。例4N,N,N’,N’-テトラキス3,4-ジメチルフェニル-9,9’-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTM4の合成この合成は、実施例1と同様に行い、その違いは、ジ-p-トリルアミンの代わりに118.7gのジ3,4-ジメチルフェニルアミンWie-FlexTechnologyを用いることである。ジオキサンからの4回の結晶化および昇華105mbar、345°C後、無色の固体として70g90mmol、43のN,N,N’,N’-テトラキス3,4-ジメチルフェニル-9,9’-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTM4を得る。分析データ:TgDSC133°C、純度HPLC>99.98。比較例C1N,N,N’,N’-テトラキスフェニル-9,9’-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTMC1の合成この合成は、実施例1と同様に行い、その違いは、ジ-p-トリルアミンの代わりに89.2gのジフェニルアミンを用いることである。トルエンからの6回の結晶化および昇華105mbar、320°C後、無色の固体として53.5g82mmol、39のN,N,N’,N’-テトラフェニル-9,9’-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTMC1を得る。分析データ:TgDSC112°C、純度HPLC>99.98。比較例C2N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-9,9-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTMC2の合成この合成は、実施例1と同様に行い、その違いは、ジ-p-トリルアミンの代わりに96.6gのm-メチルフェニルフェニルアミンを用いることである。トルエンからの10回の結晶化および昇華105mbar、320°C後、無色の固体として50.1g74mmol、35のN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-9,9-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTMC2を得る。分析データ:TgDSC102°C、純度HPLC99.98。比較例C3N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタキス-フェニル-9,9’-スピロビフルオレン-2,2’,7,7’-ジアミンHTMC3の合成この合成は、EP1442007実施例1に記載されている通り行う。>99.98の純度を得るために、この生成物を6回再結晶させ、その後2回昇華させる405°C;5×105mbar。TgDSC135°C、純度HPLC>99.98。比較例C4N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス5,6,7,8-テトラヒドロ-1-ナフチル-9,9-スピロビフルオレン-2,7-ジアミンHTMC4の合成この合成は、US7273953実施例17;化合物I-15に記載されている通り行う。>99.98の純度を得るために、この生成物を6回再結晶させ、その後2回昇華させる330°C;2×105mbar。TgDSC121°C、純度HPLC>99.98。II.材料の熱安定性の調査以下の化合物を、OLED製造におけるそれらの蒸着挙動即ち、温度に関して調査する。これらの材料は、その後、対応する温度でのそれらの安定性について、いわゆるテンパーtemper試験において調査する。ここで、以下の手順に従う:a対応する材料が研究用蒸発器Lesker、モデルTUR-035において0.2nm/sの速度で蒸着される温度を決定する。b次いで、材料試料100mgを真空中で石英アンプルに溶融封止し、aで決定した温度より少なくとも50°C高い温度で7日間貯蔵するマッフル炉において。この少なくとも50°Cの増加が経験値に対応し:それは、標準的製造ユニット例えば、Tokkiへの移動時に予期される増加とほぼ同じである。c7日後、アンプルを冷却し、開放し、内部の材料を純度について調査するHPLCおよびH-NMRにより。得られた結果は、以下の表において要約する:この調査は、本発明に係る材料が、HTMC3などの対応するテトラアミノ置換スピロビフルオレンと比較して、用途に関連した温度で増加した熱安定性を有することを示す。III.非晶質膜の形成および安定性2つの石英プレートを、真空蒸着Lesker研究用蒸発器、上を参照されたいにより、以下の化合物各々の100nmの厚さの膜でコーティングする。これらのプレートをアルゴンで満たしたグローブボックスに移し、そこでそれらを外観および透過性について調査する。次いで、これらの膜を、このグローブボックスにおいて2つの異なる温度で4週間貯蔵し、再評価する。調査結果は、以下の表において要約する:目視検査および顕微鏡写真の撮影による膜特性の評価:=無色透明な膜、欠損なし;=無色透明な膜、いくつかの小さい欠損;=透明な膜、多くの小さい欠損;0=明確に視認できるクリスタリットを伴う透明な膜;-=わずかに濁った膜;--=濁った膜;---=非常に濁った膜または完全に結晶化したセグメント。この調査は、本発明に係る材料が、対応する非置換または低級アルキル置換の比較化合物HTMC1およびHTMC2と比較して、改善された膜形成特性および膜安定性を有することを示す。IV.溶液の安定性材料が印刷プロセスにおいて使用するためにも好適であるかどうかを調査するために、材料を有機溶媒に溶解する。溶解は、対応する材料を60°Cにて6時間撹拌することによって窒素飽和溶媒において行う。冷却後、溶液を調査する。貯蔵試験のために、溶液をガラスビンクリーンルーム、清浄な空気に移し、溶媒キャビネットにおいて25°Cにて貯蔵する。4週間後、溶液を再調査する。これらの溶液を、化合物の濃度、任意の結晶化および潜在的な分解について調査するこのため、試料は、各々の場合において、真空中で溶媒がなく、H-NMRおよびHPLCにより純度について調査する。この調査は、本発明に係る材料が、溶液安定性に関して改善された特性、特に低い結晶化および化学的分解を有することを示す。V.デバイス例本発明に係るOLEDおよび先行技術に従うOLEDは、WO04/058911に従う一般的な方法により製造され、それは、本明細書に記載される環境層-厚さ変化、使用された材料に適応される。様々なOLEDに関する結果を以下の例に示す。50nmの厚さを有する構造化されたITOインジウムスズオキシドで被覆されたガラスプレートは、それに対してOLEDが適用される基板を形成する。原則として、OLEDは以下の層構造を有する:基板/正孔輸送層HTL/任意の中間層IL/電子遮断層EBL/発光層EML/任意の正孔遮断層/電子輸送層ETL/任意の電子注入層EILおよび最後にカソード。カソードは、100nmの厚さのアルミニウム層によって形成される。OLEDの正確な構造を表1に示す。OLEDを製造するために使用される材料を表3に示す。全ての材料は、真空チャンバー内で熱蒸着によって適用される。ここで、発光層は、通常、少なくとも1つのマトリックス材料ホスト材料と発光ドーパントエミッタからなり、それは、ある体積比で共蒸着によりマトリックス材料単数または複数と混合される。ここで、H1:SEB195:5のなどの情報は、材料H1が層において95の体積比で存在し、SEB1が層において5の体積比で存在することを意味する。同様に、電子輸送層はまた、2つの材料の混合物からなっていてもよい。OLEDは、標準的な方法により特徴付けられる。この目的のために、エレクトロルミネッセンススペクトル、電流効率cd/Aで測定される、電力効率lm/Wで測定される、および発光密度の関数として、電流-電圧-輝度特性線IUL特性線から計算される外部量子効率EQE、パーセントで測定される、ならびに寿命が決定される。寿命は、発光密度が、ある初期発光密度I0からある比率にまでに降下したことにかかる時間として定義される。記号LD50は、前記寿命が、ルミネッセンス密度が初期発光密度の0.5I0まで50まで、即ち、例えば6000cd/m2から3000cd/m2に降下した時点であることを意味する。本発明に係る化合物は、とりわけ、正孔注入および正孔輸送材料として用いることができる。ここで、本発明に係る化合物HTM1~HTM4が使用される。化合物HTMC2およびHTMC3は、先行技術に従う比較化合物として使用される。青色発光ドーパントSEB1を含むOLEDが示される。OLEDについて得られた性能データは、表2において要約する。O-C1~O-C6と呼ばれる実験は、HTMC材料を使用して行い、比較例としての役割を果たす。本発明に係るOLEDO-1~O-10は、本発明に係る材料を使用して製造される。示した実施例は、本発明に係る材料が、電子デバイスにおける正孔注入材料または正孔輸送材料として使用するのに非常に適していることを確認している。得られた性能データは、先行技術と比較して同様に良好または改善された結果がそれにより得られることを確認している。"