"基板と反対側に上面を持ち、前記上面においてアクセス可能な少なくとも第1及び第2の電極を含む発光構造を前記基板上に形成するステップと、前記少なくとも第1及び第2の電極に接触するための少なくとも第1及び第2の開口を具備する第1の絶縁層を前記少なくとも第1及び第2の電極の上にそれぞれ形成するステップと、前記少なくとも第1及び第2の開口間を絶縁する絶縁壁を前記第1の絶縁層の上に形成するステップと、前記少なくとも第1及び第2の電極に接触するために前記少なくとも第1及び第2の開口内に延在する導電性材料で、前記絶縁壁の間の空間の少なくとも一部を満たすステップと、を有し、前記絶縁壁及び前記導電性材料は、前記基板に頼らない構造的支持を発光素子に供給する、発光装置の製造方法。前記基板の一部又は全てを除去するステップを含む、請求項1記載の方法。前記導電性材料の少なくとも一部に接触するための少なくとも1つの更なる開口を具備する第2の絶縁層を前記導電性材料の上に形成するステップと、前記少なくとも1つの更なる開口を通じて前記導電性材料の前記少なくとも一部に結合される少なくとも1つの導電性コンタクトを形成するステップと、を含む、請求項1記載の方法。第2の絶縁層を前記導電性材料の上に形成するステップと、前記導電性材料から電気的に絶縁されている少なくとも1つの熱コンタクトを前記第2の絶縁層上に形成するステップと、を含む、請求項1記載の方法。前記導電性材料の少なくとも一部が、前記発光装置の少なくとも1つの外縁まで延在している、請求項1記載の方法。前記絶縁壁は、少なくとも100ミクロンの高さを有する、請求項1記載の方法。前記発光構造は、複数の発光素子を含む、請求項1記載の方法。前記絶縁壁を形成するステップは、前記複数の発光素子の電極間に電気的な絶縁を供給するステップを含む、請求項7記載の方法。複数の発光装置が、前記基板上に形成され、前記方法は、前記複数の発光装置を単一化するステップを含む、請求項1記載の方法。前記第1の絶縁層とは反対の方向において、前記発光構造を越えて波長変換層を形成するステップを含む、請求項1記載の方法。前記発光構造を越えてレンズ素子を形成するステップを含む、請求項1記載の方法。少なくとも第1及び第2の電極を含む発光構造と、所望の光出力方向とは反対の方向において、それぞれ、前記少なくとも第1及び第2の電極に接触するための少なくとも第1及び第2の開口を具備する、前記第1及び第2の電極の上の第1の絶縁層と、前記少なくとも第1及び第2の開口間を絶縁する、前記絶縁層の上の1又は複数の絶縁壁と、前記少なくとも第1及び第2の電極に接触するために前記少なくとも第1及び第2の開口内に延在する、前記1又は複数の絶縁壁のそれぞれの両側に配置された導電性材料と、を有し、前記絶縁壁及び前記導電性材料は、構造的支持を発光素子に供給する、発光装置。前記導電性材料の少なくとも一部に接触するための少なくとも1つの更なる開口を具備する、前記導電性材料の上の第2の絶縁層と、前記少なくとも1つの更なる開口を通じて前記導電性材料の前記少なくとも一部に結合される少なくとも1つの導電性コンタクトと、を含む、請求項12記載の装置。前記導電性材料の上の第2の絶縁層と、前記導電性材料から電気的に絶縁されている、前記第2の絶縁層上の少なくとも1つの熱コンタクトと、を含む、請求項12記載の装置。前記導電性材料の少なくとも一部が、前記発光装置の少なくとも1つの外縁まで延在している、請求項12記載の装置。前記絶縁壁は、少なくとも100ミクロンの高さを有する、請求項12記載の装置。前記発光構造は、複数の発光素子を含む、請求項12記載の装置。前記複数の発光素子の電極間に電気的な絶縁を含む、請求項17記載の装置。波長変換層を含む、請求項12記載の装置。レンズ素子を含む、請求項12記載の装置。米国特許公開公報第7,329,905号の技術は、個別のLED構造をピックアンドプレースする必要性を排除し、図1の従来構造に比して、LED構造を越えた基板領域を低減させているが、材料及び/又は製造において、更なるコスト削減又は単純化が、好適であろう。チップスケールパッケージ化された発光装置において、スルーホールビアを供給する必要性を排除することが好適であろう。また、基板に用いられる材料に関して、及び、基板を通じて発光構造に結合することに関して、より多くのオプションを供給することが好適であろう。本発明の一実施形態では、LED構造の成長を支持するために用いられる基板が、LED構造の上の上部構造の作成を支持するために用いられる。当該上部構造は、好ましくは、LED構造から上部構造の上部までの導電性パスを形成する導電性素子を含む一連の層として作成される。次いで、当該構造は、上部構造がLED構造のためのキャリア基板となるように裏返され、元の基板が薄くされるか、除去される。当該構造は、熱伝導及び熱分散とともに、電気伝導及び電気絶縁を促進する材料を用いて作成される。本発明の概念の深い理解を与えるために、以下の説明では、限定よりも例示の目的で、特定の構造、インタフェース、技術などの特定の詳細が説明されている。しかしながら、当該技術分野における当業者にとって、本発明が、これらの特定の詳細から逸脱する他の実施形態において実施されてもよいことが明らかであろう。同様に、この記述の文章は、図面に示されるような実施形態を例示するためのものであって、請求項に明確に記載される限定を超えて、本発明を限定するためのものではない。単純化及び明確化の目的のため、よく知られた装置、回路、及び、方法の詳細な説明は、本発明の説明を不要な詳細で曖昧にしないように、省略されている。本発明の処理及び装置は、図3のフロー図の例、及び、図4の対応する発光装置構造を参照して最も良く理解され得る。本発明は、特に、複数の発光装置をウェハ又は他のキャリア上に作るのによく適しているが、図4及び以下の説明は、単一の発光装置の作成を示している。当該技術分野における当業者は、キャリア上に作成される装置の数は、本発明の原理に関係ないことを理解するであろう。ステップ310において、発光素子416及び関連する電極コンタクト418A,418Bが、基板412上、一般的には、半導体装置及び相互接続層の作成を促進する成長基板上に作られる。発光素子416は、アノードとカソードとの間の発光物質の一般的なサンドイッチ構造に対応する多層として示されている。あらゆる既知の技術が、図4A側面図及び図4B上面図の構造を作るために用いられてもよい。この実施例では、装置は、発光素子416の電極例えば、アノードの1つに結合するための4つのコンタクト領域418Aのセット、及び、他の電極例えば、カソードに結合するためのより大きな周辺領域418Bを供給するように構成されている。ギャップ415が、これらの電極418A,418Bを絶縁している。4つのコンタクト領域418A及び大きな領域418Bの使用は、装置内のより均一な電流密度分布を促進し、ある実施形態では、コンタクト領域418Aは、異なる光出力波長異なる色を供給する個別の発光装置に結合されてもよい。参照しやすいように、ここでは、これらの電極418Aが、共通の電源に結合されると仮定する。ステップ320において、作成された発光素子416がテストされてもよいが、代替的には、テストは、以下で詳述される上部構造の作成が完了後に実施されてもよい。ステップ330において図4C参照、誘電体などの絶縁材料420が、電極を次の導電層から選択位置428A,428Bを除いて絶縁するために、構造に付与される。従来のリソグラフィー技術が、絶縁材料420の上記パターン化された層を供給するために用いられてもよい。以下においてより詳述されるように、光出力は、電極418A,418B及び絶縁体420から離れる方向に装置を出て行くよう意図されており、従って、電極418A,418B及び絶縁層420は、好ましくは、装置内で失われるか、又は、吸収される光の量を低減するために反射性である。あるいは、電極418A,418B又は絶縁体420は、上記反射を供給するための次の層に依存して、透明であってもよい。また、以下においてより詳述されるように、絶縁体420は、好ましくは、熱を伝導するが、電気を伝導しない。ステップ340において図4D参照、相対的に高い絶縁/隔離ディバイダ430が、構造体上の選択位置に作られる。一般的な実施形態では、発光素子416は、約5ミクロンの厚さのオーダであってもよいが、ディバイダ430の高さは、百ミクロンのオーダ又はそれ以上のオーダであってもよい。リソグラフィー技術が、選択位置において硬化されるエポキシ樹脂などの懸濁液を用いて、これらのディバイダ430を作るために用いられてもよい。ディバイダ430は、矩形の断面を持つように示されているが、当該技術分野における当業者は、これらのディバイダ430が、上部領域よりも大きい底部を具備する台形形状を持っていてもよいことを理解するであろう。ステップ350において図4E参照、複数のディバイダ430の間の空間が、金属438A,438Bで満たされる。これらの空間内のシード層の従来的なアプリケーションが用いられてもよく、銅などの金属のオーバめっきが続いて行なわれる。このオーバめっきは、ディバイダ430の上に意図的に延在してもよく、領域438A,438Bを絶縁しつつ、ディバイダ430を露出させるために、機械的又は化学的、あるいは、その両方で、削られてもよい。金属438Aは、絶縁層420におけるギャップ428A内に延在し、これにより、発光素子416の電極コンタクト418Aに接触している。同様に、金属438Bは、ギャップ428B内に延在しており、電極コンタクト418Bに接触している。ステップ360において図4F参照、他の絶縁層442が、選択位置にギャップ448A,448Bを有して、金属438A,438Bの上に付与される。絶縁体420と同様に、絶縁体442は、好ましくは、熱を伝導するが、電気を伝導しない。例えば、絶縁層442は、SiO2又はSi3N4などの樹脂又は無機材料を含んでいてもよい。ステップ370において図4F参照、最終的な金属層が、絶縁層442の上に付与される。この例では、3つの導電性コンタクト444,458A,458Bが形成される。コンタクト458Aにおける金属はギャップ448A内に延在し、金属438Aを通じて電極418Aに接触を供給しており、コンタクト458Bにおける金属はギャップ448B内に延在し、金属438Bを通じて電極418Bに接触を供給している。これらのコンタクト458A,458Bは、電源を発光素子416に結合するための外部コンタクトとして役立つ。当該技術分野における当業者は、2つのコンタクト458A,458Bが図面において議論及び図示されているが、追加的なコンタクトが供給されてもよいことを理解するであろう。例えば、発光素子416は、異なるレベルの照明、異なる色及び色の組み合わせなどを供給するための複数のセグメントを含んでいてもよい。符号444における金属パッドは、下層の金属構造438A,438Bに結合されておらず、熱散逸のための外部コンタクトを供給するのに役立つ。つまり、絶縁層420,442を介した最小の断熱を仮定すれば、金属構造438A,438Bは、発光素子416によって生成された熱を金属パッド444に、金属パッド444からプリント回路基板などの基板に伝導するのに役立つであろう。ステップ380において図4G及び図4H参照、コア金属構造438A,438Bが発光装置のための構造的支持を供給するように、構造体が裏返され、元の成長基板412が、除去されるか、又は、厚みを低減されることを可能とし、これにより、コア金属構造438A,438Bとは反対の方向に、発光素子416の上部を出て行く光の光学的損失を低減している。図4Hの底面図に示されるように、コンタクト444,458A,458Bは、装置への外部接続を促進するために、装置の幅方向に亘って延在してもよい。特に注目すべきことに、本発明の原理を用いて作られた発光装置は、ウェハボンディングを必要とせず、外部コンタクト458A,458Bの位置及び向きは、内部電極418A,418Bの位置及び向きとは略独立しており、これにより、スルーホールビア図2A及び図2Bの符号222参照の使用に比して、かなりの設計自由度を供給できる。図4Gの構造体は、必要に応じて、更に処理されてもよい。例えば、発光素子416によって作り出された色から異なる色、例えば、白色発光装置を作り出すための色の組み合わせを生成するために、波長変換材料例えば、蛍光体の層が付与されてもよい。同様に、特定の光学的品質を供給するために、及び/又は、装置の上部層を保護するために、レンズが、構造体の上部に作られてもよい。当該技術分野における当業者は、図4A~図4Hに図示された特定の構造が、単なる構造例に過ぎないことを理解するであろう。図5~図8は、上記技術を用いて作られ得る幾つかの代替的な構造体を示している。参照しやすいように、これらの図面において、アノード素子は、明るく網掛けされており、カソード素子は、中程度に網掛けされており、熱素子は、暗く網掛けされている。絶縁部は、網掛け無しで示されている。図5は、別個の熱素子自体を持たない構造の例を示している。この例では、壁520が、装置の周囲に沿って延在しており、カソード構造528Bに結合されている。この壁520は、装置の外周を通じて熱を散逸させるように構成されている。外部ヒートシンク又はフィン構造図示省略が、更なる熱散逸を促進するために、周囲に取り付けられてもよい。当該技術分野における当業者は、壁520が、代替的に、構造体528A,528Bから絶縁されてもよく、これにより、発光素子416に電気的に結合されない別個の熱散逸素子を形成することを理解するであろう。図6は、装置の縁部を介してアノード構造528A及びカソード構造528Bへの外部接続を供給する構造の例を示している。この例では、熱素子644が、装置の底部に亘って延在している。図7は、プリント回路基板710に取り付けられた、端部接続装置の他の例を示している。この例では、カソード構造728Bのみが端部に延在しており、アノード構造728Aは、装置の底部におけるコンタクト758Aに延在している。カソード728Bは、はんだ接合730を介してプリント回路基板710上の導電体712Bに結合されてもよく、アノードコンタクト758Aは、はんだボール740を介してプリント回路基板710上の導電体712Aに結合されてもよい。はんだボール又は連続的なはんだ膜の使用を含む、構造体をプリント回路基板に結合する様々な方法が用いられてもよい。図8は、複数のアノードを有する装置の底面図を示している。上述のように、発光装置は、複数の発光素子を含んでいてもよい。別個のコンタクト858A1~858A4を供給することにより、強度又は色が、アノード858A1~858A4の1又は複数の組み合わせを選択的に活性化することによって変更され得る。この例では、共通のカソードコンタクト858Bが示されているが、当該技術分野における当業者であれば、複数のカソードコンタクトが、様々な異なる構成を促進するために供給されてもよいことを理解するであろう。この例では、熱素子844が、アノードコンタクトとカソードコンタクトとの間に配置されている。本発明が、図面及び上記記述において詳細に図示及び説明されてきたが、かかる図示及び説明は、例示であって、限定的なものではないと解釈されるべきであり、本発明は、開示の実施形態には限定されない。開示の実施形態に対する他の変形が、本発明を実施する際、当該技術分野における当業者によって、図面、開示、及び、添付の請求項の研究から、理解及び実施され得る。請求項中、有するなる用語は、他の要素又はステップを除外せず、不定冠詞a又はanは、複数を除外しない。特定の特徴が相互に異なる従属項において言及されているという単なる事実は、これらの特徴の組み合わせが好適に用いられないということを示すものではない。請求項中の任意の参照符号は、本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。"