磁場強度に応じて光の偏光面方位を変化させる媒体を内部に収容したセルと、前記媒体と相互作用する光を、前記セルに出射する光源と、前記セルを透過した前記光を、前記セルに向けて反射するミラーと、前記光を、第1偏光成分および第2偏光成分を含む複数の偏光成分に分離する偏光分離器と、前記ミラーで反射され前記セルを透過した前記光の前記第1偏光成分を検出する第1光検出器と、前記ミラーで反射され前記セルを透過した前記光の前記第2偏光成分を検出する第2光検出器とを有する磁気測定装置。前記偏光分離器は、前記光の光路上において前記セルおよび前記ミラーの間に配置されることを特徴とする請求項1に記載の磁気測定装置。前記光は、前記セルに最初に入射する時点で直線偏光成分を有し、前記第1偏光成分および前記第2偏光成分の偏光面は互いに直交することを特徴とする請求項2に記載の磁気測定装置。前記偏光分離器は、前記光の光路上において前記光源および前記セルの間に配置されることを特徴とする請求項1に記載の磁気測定装置。前記光は、前記偏光分離器に入射する時点で直線偏光成分を有し、前記第1偏光成分および前記第2偏光成分の偏光面は45°の角度をなすことを特徴とする請求項4に記載の磁気測定装置。前記第1光検出器および前記第2光検出器は、前記セルからみて前記偏光分離器と反対側に配置されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の磁気測定装置。前記光源、前記ミラー、前記偏光分離器、前記第1光検出器、および前記第2光検出器を含む光学系を2組有し、前記2組の光学系は、前記セルにおける光路が互いに直交するように配置されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の磁気測定装置。請求項1ないし7のいずれか一項に記載の磁気測定装置を有する生体状態測定装置。非特許文献1ないし3に記載された方法では、偏光面の回転量はわずかであり、高感度化が困難であった。また、特許文献1はポンピングの効率を上げるものであった。本発明は、光ポンピング方式の磁気測定装置において、感度を向上させる技術を提供する。本発明は、磁場強度に応じて光の偏光面方位を変化させる媒体を内部に収容したセルと、前記媒体と相互作用する光を、前記セルに出射する光源と、前記セルを透過した前記光を、前記セルに向けて反射するミラーと、前記光を、第1偏光成分および第2偏光成分を含む複数の偏光成分に分離する偏光分離器と、前記ミラーで反射され前記セルを透過した前記光の前記第1偏光成分を検出する第1光検出器と、前記ミラーで反射され前記セルを透過した前記光の前記第2偏光成分を検出する第2光検出器とを有する磁気測定装置を提供する。この磁気測定装置によれば、光をミラーで反射させない構成と比較して磁場に対する感度を向上させることができる。好ましい態様において、前記偏光分離器は、前記光の光路上において前記セルおよび前記ミラーの間に配置されてもよい。この磁気測定装置によれば、光をミラーで反射させない構成と比較して磁場に対する感度を向上させることができる。別の好ましい態様において、前記光は、前記セルに最初に入射する時点で直線偏光成分を有し、前記第1偏光成分および前記第2偏光成分の偏光面は互いに直交してもよい。この磁気測定装置によれば、第1光検出器の出力信号と第2光検出器の出力信号の差から磁場の情報を得ることができる。さらに別の好ましい態様において、前記偏光分離器は、前記光の光路上において前記光源および前記セルの間に配置されてもよい。この磁気測定装置によれば、光をミラーで反射させない構成と比較して磁場に対する感度を向上させることができる。さらに別の好ましい態様において、前記光は、前記偏光分離器に入射する時点で直線偏光成分を有し、前記第1偏光成分および前記第2偏光成分の偏光面は45°の角度をなしてもよい。この磁気測定装置によれば、第1光検出器の出力信号と第2光検出器の出力信号の差から磁場の情報を得ることができる。さらに別の好ましい態様において、前記第1光検出器および前記第2光検出器は、前記セルからみて前記偏光分離器と反対側に配置されてもよい。この磁気測定装置によれば、光をミラーで反射させない構成と比較して磁場に対する感度を向上させることができる。さらに別の好ましい態様において、前記磁気測定装置は、前記光源、前記ミラー、前記偏光分離器、前記第1光検出器、および前記第2光検出器を含む光学系を2組有し、前記2組の光学系は、前記セルにおける光路が互いに直交するように配置されてもよい。この磁気測定装置によれば、2組の光学系を用いて異なる軸成分の磁場を測定することができる。また、本発明は、上記いずれかの磁気測定装置を有する生体状態測定装置を提供する。この生体状態測定装置によれば、光をミラーで反射させない構成と比較して磁場に対する感度を向上させることができる。1.第1実施形態図1は、第1実施形態に係る磁気センサー1磁気測定装置または磁場測定装置の構成を示すブロック図である。この例で、磁気センサー1は、心磁または脳磁等、生体から発生される磁場を生体の状態の指標として測定する生体状態測定装置心磁計または脳磁計等に用いられる。磁気センサー1は、光源10と、偏光板20と、ハーフミラー30と、ガスセル40と、ミラー50と、偏光分離器60と、PDPhotoDetector、光検出器70と、PD80とを有する。以下の説明において、図中右向きにx軸を、紙面に垂直に向かう向きにy軸を、図中上向きにz軸を有する直交座標系が用いられる。ガスセル40は、内部に空隙を有する箱セルであり、この空隙にはアルカリ金属原子この例ではセシウムCsが封入されている。ガスセル40は、石英ガラスまたはホウケイ酸ガラス等の無機材料により形成される。ガスセル40に封入されているアルカリ金属原子は、測定時には少なくとも一部が気化する。後述するアライメントの緩和時間を長くするため、希ガス等の不活性ガスをアルカリ金属ガスに混ぜたり、ガスセル40の内壁をパラフィン等によりコーティングしてもよい。光源10は、セシウムの吸収線に応じた波長例えばD1線に相当する894nmのレーザービームを出力する装置、例えばチューナブルレーザーである。光源10から出力されるレーザービームは、連続的に一定の光量を有する、いわゆるCWContinuousWave光である。光源10の出力は、ガスセル40に入射する光量が数十μWのオーダーになるように調整される。偏光板20は、レーザービームを特定方向に偏光させ、直線偏光にする素子である。ハーフミラー30は、z軸負方向に向かうレーザービームを透過し、z軸正方向に向かうレーザービームを偏光分離器60の方向に反射する素子である。ハーフミラー30は、例えば、部分偏光ビームスプリッター、または、偏光方位によらず透過率が一定になる無偏光ビームスプリッターである。ミラー50は、ガスセル40を透過したレーザービームを反射し、再度ガスセル40に入射する素子である。ミラー50は、金属膜または誘電体多層膜を用いた反射面を有する。反射面における反射の前後で偏光面が回転すると磁場検出信号にバイアスオフセットが生じるので、ミラー50は、反射面における偏光面の回転角が小さいものが望ましい。偏光分離器60は、入射したレーザービームを、互いに直交する2つの偏光成分のビームに分離する素子である。偏光分離器60は、例えば、ウォラストンプリズムまたは偏光ビームスプリッターである。PD70およびPD80は、レーザービームの波長に感度を有する検出器であり、入射光の光量に応じた電流を出力する。PD70およびPD80が磁場を発生すると測定に影響を与える可能性があるので、非磁性の材料で構成されることが望ましい。また、この例で、PD70およびPD80は、ガスセル40からみて偏光分離器60と同じ側に配置される。レーザービームの経路に沿って説明すると、上記の素子は、以下のように配置されている。レーザービームの経路の最上流には光源10が位置し、以下、上流側から、偏光板20、ハーフミラー30、ガスセル40、およびミラー50の順で配置されている。以上がレーザービームの往路である。レーザービームはミラー50で反射されるので、反射後の経路復路に沿ってさらに説明すると、上流側から、ミラー50、ガスセル40、ハーフミラー30、偏光分離器60、並びにPD70およびPD80の順で配置されている。すなわち、レーザービームは以下のように進行する。光源10から出力されたレーザービームは、偏光板20により、偏光度がより高い直線偏光になる。偏光されたレーザービームはハーフミラー30を透過し、ガスセル40に入射する。ガスセル40を透過しているレーザービームは、ガスセル40に封入されているアルカリ金属原子を励起光ポンピングする。このとき、レーザービームは、磁場の強さに応じた偏光面回転作用を受けて偏光面が回転する。ガスセル40を透過したレーザービームはミラー50で反射し、再びガスセル40に入射する。ガスセル40を透過しているレーザービームは、再度、偏光面回転作用を受ける。ガスセル40を透過したレーザービームはハーフミラー30で反射し、進行方向が90°変換される。進行方向が変換されたレーザービームは、偏光分離器60により2つの偏光成分のビームに分離される。2つの偏光成分のビームの光量は、PD70およびPD80で計測プロービングされる。磁場測定のための原子と光の相互作用偏光面回転作用は、基本的には、ポンプ過程、歳差運動過程、およびプローブ過程の3段階に分けられる。以下、各段階における素子の働きについて説明する。図2は、ポンプ過程における角運動量の存在確率分布を示す図である。より正確には、図2は、スピン角運動量の存在確率がある値以上になる領域のxy平面における断面図中の斜線部分を示している。以下、簡単のため、このような図を単に角運動量の存在確率分布を示す図という。この例で、レーザービームは、セシウムの超微細構造量子数をF=3の基底状態からF’=4の励起状態に励起させる波長を有し、y軸上で振動する電場電場ベクトルEiで表されるを有する直線偏光のビームである。レーザービームによりセシウムの最外殻電子が励起光ポンピングされ、セシウム原子の角運動量より正確にはスピン角運動量は、入射光の電場に沿って偏った分布をする。いま入射光の電場がy軸に沿って振動しているので、角運動量は、図2に示されるように主にy軸正方向および負方向に偏って分布する。すなわち、光ポンピングされたセシウム原子は、y軸正方向および負方向という反平行の2つの角運動量を有する。ここでは、角運動量の分布に生じた異方性を広くアライメントといい、角運動量に異方性分布を生じさせることをアライメントを形成するという。別の言い方をすると、アライメントを形成することは、磁化させることと同じである。図3は、歳差運動過程における角運動量の存在確率分布を示す図である。ここでは、光ポンピングにより図2の状態のアライメントが形成された状態で、z軸方向に静磁場Bが印加された場合を例に説明する。磁場Bは、例えば、被測定物により発圧される磁場である。静磁場Bおよびアライメントの作用により、セシウム原子は、z軸静磁場Bの方向を回転軸として時計回りの回転力を受ける。この回転力により、セシウム原子はxy平面内で回転する。これが歳差運動である。セシウム原子が回転するということは、アライメントが回転するということである。ここでは、磁場が印加されていない状態でのアライメントを基準としたアライメントの回転角をαと表す。単一の原子についてみると、ポンピングにより生じた角運動量の偏り励起状態は時間の経過とともに減少、すなわちアライメントは緩和する。レーザービームはCW光であるので、アライメントの形成と緩和は、同時平行的かつ連続的に繰り返される。その結果、原子の集団全体としてみれば、定常的な時間平均的なアライメントが形成される。図3は、定常的なアライメントを表している。アライメントの回転角αと角運動量の大きさは、歳差運動の周波数ラーモア周波数と、複数の要因で決まる緩和速度とに依存する。定常的アライメントにより、レーザービームは線形二色性の作用を受ける。アライメントの方向は透過軸であり、この方向の偏光成分は主に透過される。アライメントの方向と垂直な方向は吸収軸であり、この方向の偏光成分は主に吸収される。すなわち、透過軸および吸収軸における光の振幅透過係数をt∥およびt⊥と表すと、t∥>t⊥である。入射光の電場Eiの透過軸成分および吸収軸成分は、EicosαおよびEisinαである。ガスセル40を透過した後セシウム原子と相互作用した後の電場Eoの透過軸成分および吸収軸成分は、t∥Eicosαおよびt⊥Eisinαである。t∥>t⊥であるから、電場ベクトルEoは、電場ベクトルEiを基準として回転しているすなわち、レーザービームの偏光面は回転する。この回転角をφと表す。なお、図3の回転角φは、レーザービームの復路においてガスセル40を透過した後の回転角である。なお、より正確には、角運動量がレーザービームの伝播方向に偏る現象アライメント-オリエンテーション変換、AlignmentOrientationConversion、AOCが生じ、その結果として、円複屈折による偏光面の回転ファラデー効果が起こるが、ここではこの現象は無視して説明する。図4は、プローブ過程を説明する図である。定常アライメントにより偏光面回転したレーザービームは、偏光分離器60により2つの偏光成分に分離される。この例で、これら2つの偏光成分は、第1検出軸および第2検出軸の2つの軸に沿った成分に分離される。第1検出軸は、偏光面の回転がない場合φ=0の偏光面に対して45°傾いている。第2検出軸は、偏光面の回転がない場合の偏光面に対して-45°傾いている。PD70およびPD80は、それぞれ第1検出軸および第2検出軸に沿った成分の光量を検出する。ガスセル40を透過したレーザービームの電場ベクトルEoの第1検出軸成分はEocosπ/4-φであり、第2検出軸成分はEosinπ/4-φである。この構成によれば、偏光面の回転がほぼゼロの場合φ≒0、PD70およびPD80に入射するレーザービームの光量はほぼ同じである。逆にいうと、PD70およびPD80に入射するレーザービームの光量に差がある場合、偏光面が回転していることが示される。これはすなわち磁場が存在することを意味する。PD70およびPD80に入射するレーザービームの光量の差は、偏光面の回転角φの関数である。PD70およびPD80の出力信号の差を取ることにより、回転角φの情報が得られる。回転角φは、磁場Bの関数である例えば、非特許文献1の数式2を参照。数式2は線形光学回転に関するものであるが、NMORの場合もほぼ同様の式を用いることができる。すなわち、回転角φから、磁場Bの情報が得られる。磁気センサー1によれば、レーザービームはガスセル40を2回ミラー50における反射を基準とした往路および復路通過する。ガスセル40を1回しか通過しない構成と比較すると、ガスセル40内の光路長が2倍になり、回転角φはより大きくなる。すなわち、磁場に対する感度が向上する。また、磁気センサー1によれば、ミラー50の下部に被測定物を配置することが可能である。ガスセルの下にPD等の要素が配置される構成と比較すると、被測定物とガスセル40との距離を近づけることができ、磁気センサー1によればより大きな信号を検出することができる。2.第2実施形態図5は、第2実施形態に係る磁気センサー2の構成を示すブロック図である。磁気センサー2は、光源10と、偏光板20と、ガスセル40と、ミラー50と、偏光分離器60と、PD70と、PD80とを有する。磁気センサー1の構成と比較すると、磁気センサー2は、ハーフミラー30を有していない点、および、要素の位置関係が異なっている点において相違している。具体的には、磁気センサー2において、偏光分離器60は、レーザービームの光路上においてガスセル40およびミラー50の間に配置されている。また、PD70およびPD80は、ガスセル40からみて偏光分離器60と反対側に配置される。レーザービームの経路に沿って説明すると、上記の素子は、以下のように配置されている。レーザービームの経路の最上流には光源10が位置し、以下、上流側から、偏光板20、ガスセル40、偏光分離器60、およびミラー50の順で配置されている。以上がレーザービームの往路である。レーザービームはミラー50で反射されるので、反射後の経路復路に沿ってさらに説明すると、上流側から、ミラー50、偏光分離器60、ガスセル40、並びにPD70およびPD80の順で配置されている。すなわち、レーザービームは以下のように進行する。光源10から出力されたレーザービームは、偏光板20により、偏光度がより高い直線偏光になる。偏光されたレーザービームは、ガスセル40に入射する。すなわち、レーザービームは、ガスセル40に最初に往路で入射する時点で直線偏光成分を有する。ガスセル40を透過しているレーザービームは、ガスセル40に封入されているアルカリ金属原子を励起光ポンピングする。このとき、レーザービームは、磁場の強さに応じた偏光面回転作用を受けて偏光面が回転する。ガスセル40を透過したレーザービームは、偏光分離器60により2つの偏光成分第1偏光成分および第2偏光成分のビームに分離される。これら2つの偏光成分の偏光面は互いに直交する。2つのビームはミラー50で反射し、再びガスセル40に入射する。ガスセル40を透過しているレーザービームは、再度、偏光面回転作用を受ける。ガスセル40を透過した2つのレーザービームの光量は、PD70およびPD80で計測プロービングされる。図6は、往路のレーザービームにおける歳差運動過程を示す図である。レーザービームによりアルカリ金属原子は励起され、図2に示したアライメントが形成される。ガスセル40を透過した往路のレーザービームは、アライメントにより偏光面の回転作用を受ける。ガスセル40を透過した往路のレーザービームの電場ベクトルEoは、入射光の電場ベクトルEiを基準として角φ回転している。図7は、偏光分離器60を透過した直後のレーザービームの偏光状態を示す図である。偏光分離器60により、入射光はレーザービームAおよびレーザービームBの2つのビームに分離される。レーザービームAの偏光は、入射光の偏光と同じであるφao=φ。レーザービームBの偏光は、入射光の偏光と直角であるφbo=π/2-φ。図8は、復路のレーザービームAにおける偏光面の回転作用を示す図である。復路のレーザービームAも、光ポンピングにより形成されたアライメントの線形二色性作用により、偏光面が回転する。ガスセル40を透過した復路のレーザービームAの電場Eahは、入射光ガスセル40を透過する前の復路のレーザービームAの電場Eaoを基準として角φah回転している。図9は、復路のレーザービームBにおける偏光面の回転作用を示す図である。復路のレーザービームBも、光ポンピングにより形成されたアライメントの線形二色性作用により、偏光面が回転する。ガスセル40を透過した復路のレーザービームBの電場Ebhは、入射光ガスセル40を透過する前の復路のレーザービームBの電場Eboを基準として角φbh回転している。この構成によれば、偏光面の回転がほぼゼロの場合φ≒0°、PD70およびPD80に入射するレーザービームの光量はほぼ同じである。逆にいうと、PD70およびPD80に入射するレーザービームの光量に差がある場合、偏光面が回転していることが示される。図8および図9から明らかなように、電場Eahおよび電場Ebhの大きさすなわちレーザービームAおよびレーザビームBの光量は、アライメントの回転角αとレーザービームの往路の偏光角φとの関数である。PD70およびPD80の出力信号から、回転角φの情報が得られる。回転角φは磁場Bの関数であり、回転角φから磁場Bの情報が得られる。磁気センサー2によれば、レーザービームはガスセル40を2回ミラー50における反射を基準とした往路および復路通過する。ガスセル40を1回しか通過しない構成と比較すると、ガスセル40内の光路長が2倍になり、回転角はより大きくなる。すなわち、磁場に対する感度が向上する。また、磁気センサー2によれば、ミラー50の下部に被測定物を配置することが可能である。さらに、磁気センサー1と比較すると、磁気センサー2はハーフミラー30を有しておらず、より簡易な構成を有している。3.第3実施形態図10は、第3実施形態に係る磁気センサー3の構成を示すブロック図である。磁気センサー3は、光源10と、偏光板20と、ガスセル40と、ミラー50と、偏光分離器60と、PD70と、PD80とを有する。磁気センサー1の構成と比較すると、磁気センサー3は、ハーフミラー30を有していない点、および、要素の位置関係が異なっている点において相違している。磁気センサー2の構成と比較すると、磁気センサー3は、要素の位置関係が異なっている点において相違している。具体的には、磁気センサー3において、偏光分離器60は、レーザービームの光路上において光源10およびガスセル40の間に配置される。また、PD70およびPD80は、ガスセル40からみて偏光分離器60と同じ側に配置される。レーザービームの経路に沿って説明すると、上記の素子は、以下のように配置されている。レーザービームの経路の最上流には光源10が位置し、以下、上流側から、偏光板20、偏光分離器60、ガスセル40、およびミラー50の順で配置されている。以上がレーザービームの往路である。レーザービームはミラー50で反射されるので、反射後の経路復路に沿ってさらに説明すると、上流側から、ミラー50、ガスセル40、並びにPD70およびPD80の順で配置されている。すなわち、レーザービームは以下のように進行する。光源10から出力されたレーザービームは、偏光板20により、偏光度がより高い直線偏光になる。偏光されたレーザービームは、偏光分離器60に入射する。すなわち、レーザービームは、偏光分離器60に入射する時点で直線偏光成分を有する。レーザービームは、偏光分離器60により2つの偏光成分のビームレーザービームAおよびレーザービームBに分離される。2つのレーザービームは、ガスセル40に入射する。ガスセル40を透過しているレーザービームは、ガスセル40に封入されているアルカリ金属原子を励起光ポンピングする。このとき、レーザービームは、磁場の強さに応じた偏光面回転作用を受けて偏光面が回転する。2つのビームはミラー50で反射し、再びガスセル40に入射する。ガスセル40を透過しているレーザービームは、再度、偏光面回転作用を受ける。ガスセル40を透過した2つのレーザービームの光量は、PD70およびPD80で計測プロービングされる。図11は、ポンプ過程における角運動量の存在確率分布を示す図である。この例で、レーザービームAおよびレーザービームBの偏光面電場ベクトルEaiおよびEbiは45°π/4傾いている。図11では、y軸を基準としてレーザービームAの偏光面がπ/8傾いており、レーザービームBの偏光面が-π/8傾いている。図12は、歳差運動過程における角運動量の存在確率分布を示す図である。入射光EaiおよびEbiによるアライメントが、角α回転している。以下、説明のため、ガスセル40に封入されている原子を、以下の3群に分類する。同じビームによりポンピングおよびプローブされる原子レーザビームAによりポンピングされレーザービームAによりプローブされる原子およびレーザビームBによりポンピングされレーザービームBによりプローブされる原子。レーザビームBによりポンピングされレーザービームAによりプローブされる原子。レーザビームAによりポンピングされレーザービームBによりプローブされる原子。以上の3群のうち、ポンピング光とプローブ光が同一である原子については、PD70およびPD80において検出される信号への寄与が同一であるため、ここでは無視する。なお、これらの分類は説明のための仮想的なものであって、ガスセル40に封入されている原子が明確に区別されているわけではない。図13は、レーザービームBにより光ポンピングされた原子によるレーザービームAの偏光面の回転作用を示す図である。レーザービームAは、レーザービームBにより光ポンピングされた原子において形成されたアライメントの線形二色性作用により、偏光面が回転する。ガスセル40を透過した復路のレーザービームAの電場Eaoは、入射光の電場Eaiを基準として角φao回転している。図14は、レーザービームAによりポンピングされた原子によるレーザービームBの偏光面の回転作用を示す図である。レーザービームBは、レーザービームAにより光ポンピングされた原子において形成されたアライメントの線形二色性作用により、偏光面が回転する。ガスセル40を透過した復路のレーザービームBの電場Eboは、入射光の電場Ebiを基準として角φbo回転している。この構成によれば、偏光面の回転がほぼゼロの場合φ≒0°、PD70およびPD80に入射するレーザービームの光量はほぼ同じである。逆にいうと、PD70およびPD80に入射するレーザービームの光量に差がある場合、偏光面が回転していることが示される。図13および図14から明らかなように、電場Eaoおよび電場Eboの大きさすなわちレーザービームAおよびレーザビームBの光量は、アライメントの回転角αとレーザービームの往路の偏光角φとの関数である。PD70およびPD80の出力信号から、回転角φの情報が得られる。回転角φは磁場Bの関数であり、回転角φから磁場Bの情報が得られる。磁気センサー3によれば、レーザービームはガスセル40を2回ミラー50における反射を基準とした往路および復路通過する。ガスセル40を1回しか通過しない構成と比較すると、ガスセル40内の光路長が2倍になり、回転角はより大きくなる。すなわち、磁場に対する感度が向上する。また、磁気センサー3によれば、ミラー50の下部に被測定物を配置することが可能である。ガスセルの下にPD等の要素が配置される構成と比較すると、被測定物とガスセル40との距離を近づけることができ、磁気センサー3によればより大きな信号を検出することができる。さらに、磁気センサー1と比較すると、磁気センサー3はハーフミラー30を有しておらず、より簡易な構成を有している。さらに、この構成では、ポンプ光とプローブ光とが空間的に離間している。例えば、レーザビームBによりポンピングされレーザービームAによりプローブされる原子を考えると、ポンプ光レーザビームBの光路とプローブ光レーザービームAの光路とは異なる位置にある。これにより、励起されてから比較的長い時間経過した後でプローブされるので、ラムゼー共鳴の効果によりアライメントした原子の数を増やすことができ、磁場に対する感度が向上する。4.第4実施形態図15は、第4実施形態に係る磁気センサー4の構成を示すブロック図である。磁気センサー4は、光源、偏光板、偏光分離器、ミラー、および2つのPDを含む光学系を2組有する。第1組の光学系は、光源10、偏光板20、偏光分離器60、ミラー50、PD70、およびPD80を含む。第2組の光学系は、光源11、偏光板21、偏光分離器61、ミラー51、PD71、およびPD81を含む。第1組の光学系と第2組の光学系とは、同じ構成を有しているが、単一のガスセル40に対して互いに直交するように配置されている。各組の光学系における要素の配置は、磁気センサー3と同様である。磁気センサー4によれば、x方向およびz方向の2方向の磁場を検出することができる。なお、磁気センサー4は、第1組の光学系および第2組の光学系に直交する第3組の光学系をさらに有し、3方向の磁場を測定してもよい。別の例で、第1組の光学系および第2組の光学系は、直交していなくてもよい。第1組の光学系および第2組の光学系は、異なる2つの軸に沿った磁場を検出できるものであればよい。5.他の実施形態第1ないし第4実施形態の磁気センサーは、いずれも、磁場強度に応じて光の偏光面方位を変化させる媒体の一例であるアルカリ金属原子を内部に収容したセルガスセル40と、アルカリ金属原子と相互作用する光レーザービームを、セルに出射する光源光源10と、セルを透過した光を、セルに向けて反射するミラーミラー50と、光を、第1偏光成分および第2偏光成分を含む複数の偏光成分に分離する偏光分離器偏光分離器60と、第1偏光成分の光量を検出する第1光検出器PD70と、第2偏光成分の光量を検出する第2光検出器PD80とを有する磁気測定装置である。これらの要素を有していれば、各要素の配置は、第1ないし第4実施形態で説明したものに限定されない。また、レーザービームの波長やガスセル40内に封入される元素はあくまで例示であり、実施形態で説明したものに限定されない。磁場強度に応じて光の偏光面方位を変化させるものであれば、どのような原子媒体が用いられてもよい。さらに、2つの偏光面がなす角度も単なる例示である。例えば、実施形態において偏光面のなす角度が90°と説明されているものであっても、偏光面のなす角度は厳密に90°でなく、誤差を含んでいてもよい。実施形態で説明した構成要素の一部は省略されてもよい。例えば、磁気センサーは、偏光板20を有していなくてもよい。また、磁気センサーは、実施形態で説明した構成要素に加えて、別の構成要素を有してもよい。例えば、磁気センサーは、プロセッサおよび記憶装置を含むコンピュータ装置を有してもよい。PD70およびPD80から出力される信号の記録および解析がこのコンピュータ装置により行われてもよい。