有機若しくは無機高分子に無機粒子を含む複合絶縁樹脂であって、前記粒子中に空隙を包含させ、その空隙の最大長が3μm以下で、かつ5nm以上であることを特徴とする複合絶縁樹脂。請求項1に記載の複合絶縁樹脂において、前記空隙の最大長は、500nm以下で、かつ5nm以上であることを特徴とする複合絶縁樹脂。請求項1又は2に記載の複合絶縁樹脂において、前記有機高分子は、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせたものであることを特徴とする複合絶縁樹脂。請求項1又は2に記載の複合絶縁樹脂において、前記無機粒子のうち、疏水化処理したものを親水性高分子に分散させたものであることを特徴とする複合絶縁樹脂。請求項4に記載の複合絶縁樹脂において、前記親水性高分子は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせであることを特徴とする複合絶縁樹脂。請求項1又は2に記載の複合絶縁樹脂において、前記無機粒子のうち、親水化処理したものを疎水性高分子に分散させたものであることを特徴とする複合絶縁樹脂。請求項6に記載の複合絶縁樹脂において、前記疎水性高分子は、ポリプロピレン、ポリエチレン、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせであることを特徴とする複合絶縁樹脂。請求項1又は2に記載の複合絶縁樹脂において、前記無機粒子のうち、親水化処理したものを親水性高分子に分散させたものであることを特徴とする複合絶縁樹脂。請求項8に記載の複合絶縁樹脂において、前記親水性高分子は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせであることを特徴とする複合絶縁樹脂。請求項1又は2に記載の複合絶縁樹脂において、前記無機粒子のうち、疏水化処理したものを疎水性高分子に分散させたものであることを特徴とする複合絶縁樹脂。請求項10に記載の複合絶縁樹脂において、前記疎水性高分子は、ポリプロピレン、ポリエチレン、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせであることを特徴とする複合絶縁樹脂。絶縁性ガスが充填された容器内に配設された導体を絶縁支持する絶縁スペーサにおいて、前記絶縁スペーサは、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の複合絶縁樹脂から成ることを特徴とする絶縁スペーサ。絶縁性ガスが充填された容器内に配設された導体を絶縁支持する絶縁スペーサが、前記容器内に絶縁支持されているガス絶縁機器において、絶縁スペーサは、請求項12に記載の絶縁スペーサであることを特徴とするガス絶縁機器。請求項13に記載のガス絶縁機器において、前記ガス絶縁機器は、前記絶縁性ガスとしてSF6ガスが充填されているSF6ガス遮断器であることを特徴とするガス絶縁機器。しかしながら、特許文献1に記載の方法は、微細粒子の内部に空隙を設け、この微細粒子を樹脂中に混合させることで低誘電率化を可能とするものであるが、この特許文献1では、LSIなどへの応用事例について述べられているものの、弱電機器とは異なる高電圧機器では、通常、粒子中の空隙は部分放電の原因となるために避けることが必要である。特に、特許文献1では、微細粒子の平均粒子径を1μmとする制限が設けられているが、平均粒子径で定義される粒子では1μmを超える大きさ、例えば101μmにも及ぶ大きさの粒子も含むことが避けられず、このように大きな粒子中に設けられた空隙は、部分放電を起こす原因となり得る。また、後述するように、複合絶縁樹脂の作成の面から考えると、粒子と樹脂の分離を起こしやすいという問題がある。本発明は上述の点に鑑みなされたもので、その目的とするところは、高電圧機器であっても低誘電率化で放電抑制が可能な複合絶縁樹脂及びそれを用いた絶縁スペーサ並びにガス絶縁機器を提供することにある。本発明の複合絶縁樹脂は、上記目的を達成するために、有機もしくは無機高分子に無機粒子を含む電気絶縁用複合樹脂において、前記粒子中に空隙を包含させ、その空隙の最大長が3μm以下で、かつ5nm以上であることを特徴とする。また、本発明では、上記構成に加え、空隙の最大長が500nm以下で、かつ5nm以上であることが好ましい。これにより、特に耐圧を必要とする機器10~100kV超への対応が可能となる。また、本発明では、上記における有機高分子は、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせたものであることが好ましい。上記した樹脂のうちシリコーン樹脂、フッ素樹脂は、比較的コストが高いが絶縁性能は高い。他の樹脂は絶縁性能等で劣る面があるが、コストの面から多用されている。これらの樹脂特性に空隙を設けることによる低誘電率化で放電抑制が可能となる。また、本発明では、上記の無機粒子のうち、疏水化処理したものを親水性高分子、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせに分散させたものであることが好ましい。疏水化によって粒子表面に露出する基として、アルキル基、アリール基などのハイドロカーボン類、フッ素、アルコキシ基等があげられる。これらの基が存在すると、粒子の自己配列現象が起こることが期待できる。粒子の沈降速度に比較し、粒子のブラウン運動が勝る領域では粒子同士が網目状の構造を形成し、トリー型破壊の抑制、複合樹脂強度の強化が期待できる。また、本発明では、上記の無機粒子のうち、親水化処理したものを疎水性高分子、例えばポリプロピレン、ポリエチレン、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂のいずれか、或いはこれらの組み合わせに分散させたものであることが好ましい。親水化によって粒子表面に露出する基として、カルボキシル基、ヒドロキシル基などの酸素を含んだ基があげられる。これらの基が存在すると、粒子の自己配列現象が起こることが期待できる。粒子の沈降速度に比較し、粒子のブラウン運動が勝る領域では粒子同士が網目状の構造を形成し、トリー型破壊の抑制、複合樹脂強度の強化が期待できる。また、本発明では、上記した粒子のうち、親水化処理した粒子を親水性高分子、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせに分散させたものであることが好ましい。これにより、粒子の分離、凝集を抑制し、低誘電率化を再現性よく実現させることができる。また、本発明では、上記した粒子のうち、疏水化処理したものを疎水性高分子、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂のいずれか、或いはこれらの組み合わせに分散させたものであることが好ましい。これにより、粒子の分離、凝集を抑制し、低誘電率化を再現性よく実現させることができる。また、本発明の絶縁スペーサは、絶縁性ガスが充填された容器内に配設された導体を絶縁支持するものであって、上記構成の複合絶縁樹脂から成ることを特徴とし、更に本発明のガス絶縁機器は、絶縁性ガスが充填された容器内に配設された導体を絶縁支持する絶縁スペーサが、上記構成の絶縁スペーサであり、しかも、前記ガス絶縁機器は、前記絶縁性ガスとしてSF6ガスが充填されているSF6ガス遮断器であることを特徴とする。本発明によれば、高電圧機器であっても低誘電率化で放電劣化を抑制することが可能となる効果がある。以下、図示した実施例に基づいて本発明の複合絶縁樹脂について説明する。尚、実施例を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。図1乃至図3に基づいて、本発明の実施例1であるガス絶縁機器例えば、SF6ガス遮断器用の複合絶縁樹脂について説明する。図1は、ガス絶縁機器における絶縁スペーサ付近の概略を示したものである。該図に示す如く、ガス絶縁機器の絶縁スペーサ2付近の構造は、絶縁性ガスであるSF6ガス4が充填されたケーシング容器3内に配設された導体1を絶縁支持する複合絶縁樹脂製の絶縁スペーサ2が、ケーシング3に絶縁支持されて概略構成されている。尚、導体1は100kVの電位を持ち、ケーシング3はアースされている。また、図1において、破線で囲んだ部分が特に電界が高くなりやすい部位であり、複合絶縁樹脂の限界を超えて電界が高くなると、複合絶縁樹脂製の絶縁スペーサ2が最悪の場合、絶縁破壊に至る。そこで、本実施例では、複合絶縁樹脂製の絶縁スペーサ2を、有機若しくは無機高分子に無機粒子を含む絶縁スペーサ2の粒子5中に空隙6を包含させ、その空隙6の最大長を3μm以下で、かつ、5nm以上に形成している。これを図2及び図3を用いて説明する。図2は、本実施例の複合絶縁樹脂絶縁スペーサ2における樹脂の空隙径と樹脂粒子分離速度との関係を示したものである。即ち、各種の条件において粒子の空隙率50~90において粒子と樹脂が分離する速度を示したもので、粒子径、つまり、空隙が大きいほど分離して浮いたり沈降することになる。この図から、空隙の大きさは3μmより小さいことが望ましいことが分かる。また、図3に空気のパッシェン曲線を示す。この図よりパッシェンの極小値、即ち、パッシェンミニマムは、図3の曲線の最低値に相当するX軸上の点であり、空隙径dにして8~10μm程度である。パッシェンミニマムにおいて放電電圧は最も小さくなる。この図から放電がパッシェンミニマムよりは左側使用可能領域、若しくは右側空隙も樹脂も破壊されない領域、即ち、放電がおこりにくい領域を空隙径として利用すべきであることが分かる。図3中の絶縁スペーサ樹脂の耐電界能力は、30kVmm程度が物理的限界である真性破壊電界は更に高いが、樹脂は、その内部に樹脂を注型した場合には、この値が限界となる。現行では、樹脂の比誘電率はシリカ系フィラーを使う場合で35から55、アルミナ系フィラーを使う場合で45から55程度である。従って、樹脂内に生じるボイドには30×30=90kVmm、40×30=120kV、ゆえに90-120kVmmの電界がかかることになる。大まかに言って、これが装置構造から見た限界耐電界性である。そこで、複合絶縁性樹脂製の絶縁スペーサによって確保されるdの値は、120kVmmを超えないように設計する必要がある。図3には、空気の1気圧でのパッシェン曲線に、上記に論じた120kVmmの条件をプロットしている。この図から放電領域と放電しない領域を区別できることが分かる。本実施例にしたがって、3μm以下の空隙を有する微粒子を樹脂中に混合することで、誘電率を抑制しかつ放電も防止できることになる。この3μmという値は、上述の図2で説明した空隙粒子を含む複合絶縁樹脂の製造上の制限にも合致する。また、空隙の大きさが小さい場合には、複合絶縁樹脂が破壊される可能性が生じる。このサイズであっても空隙粒子を用いることはできるが、できれば避けるべきである。特に、5nmより小さくなると、複数の空隙を含む試料の場合に空隙同士の連結が発生しやすくなり、放電不安定性を招く恐れがあるので好ましくない。更に、空隙がパッシェンミニマムよりも大きくなった場合には、放電は起きないものの、異物、特に水などの侵入を招く恐れがあり、機器故障の原因となるため避けなければならない。本実施例では、上記における有機高分子がエポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせたものであることが好ましい。上記した樹脂のうちシリコーン樹脂、フッ素樹脂は、比較的コストが高いが絶縁性能は高い。他の樹脂は絶縁性能等で劣る面があるが、コストの面から多用されている。これらの樹脂特性に空隙を設けることによる低誘電率化で放電抑制が可能となる。また、本実施例では、空隙を包含させた粒子において、粒子ひとつに対する空隙の占める体積が、全体の10~90であることが好ましいい。これにより、粒子自体の強度を維持したまま、樹脂を低誘電率化することが可能となる。また、本実施例では、空隙の最大長が好ましくは500nm以下である。これにより、特に耐圧を必要とする機器10~100kV超への対応が可能となる。また、本実施例では、上記の無機粒子のうち、疏水化処理したものを親水性高分子、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせに分散させたものであることが好ましい。疏水化によって粒子表面に露出する基として、アルキル基、アリール基などのハイドロカーボン類、フッ素、アルコキシ基等があげられる。これらの基が存在すると、粒子の自己配列現象が起こることが期待できる。粒子の沈降速度に比較し、粒子のブラウン運動が勝る領域では粒子同士が網目状の構造を形成し、トリー型破壊の抑制、複合樹脂強度の強化が期待できる。また、本実施例では、上記の無機粒子のうち、親水化処理したものを疎水性高分子、例えばポリプロピレン、ポリエチレン、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂のいずれか、或いはこれらの組み合わせに分散させたものであることが好ましい。親水化によって粒子表面に露出する基として、カルボキシル基、ヒドロキシル基などの酸素を含んだ基があげられる。これらの基が存在すると、粒子の自己配列現象が起こることが期待できる。粒子の沈降速度に比較し、粒子のブラウン運動が勝る領域では粒子同士が網目状の構造を形成し、トリー型破壊の抑制、複合樹脂強度の強化が期待できる。また、本実施例では、上記した粒子のうち、親水化処理した粒子を親水性高分子、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせに分散させたものであることが好ましい。これにより、粒子の分離、凝集を抑制し、低誘電率化を再現性よく実現させることができる。本実施例では、上記した粒子のうち、疏水化処理したものを疎水性高分子、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂のいずれか、或いはこれらの組み合わせに分散させたものであることが好ましい。これにより、粒子の分離、凝集を抑抑制し、低誘電率化を再現性よく実現させることができる。本実施例では、粒子の体積合計が、複合樹脂全体の5vol以上80vol以下であることが好ましい。これにより、望ましい比誘電率と粒子強度を再現性よく実現させることができる。図4a乃至図4eは、本実施例の複合絶縁樹脂における粒子と空隙の存在形態を示したものである。図4aは、真球粒子中に球状の空隙が存在する場合である。図4bは、回転楕円体状の粒子に回転楕円体、若しくは柱状の空隙が存在する場合である。図4cは、回転楕円体の粒子に複数の回転楕円体、若しくは柱状の空隙が存在する場合である。図4dは、不定形粒子中に球状空隙が存在する場合である。図4eは、不定形粒子中に球状空隙が複数存在する場合である。いずれの場合においても、空隙の最大長は3μm以下である。本実施例では、ガラス系有機高分子薄膜にガス発生を起こさせ、更に加熱によって脱ガスとともに3μm以下の孔を形成させ、その薄膜を砕いて多孔質粒子を形成させた。これは、図4eの場合に相当する粒子である。使用した有機高分子は、スピンオングラスと呼ばれるものの一種であり、空隙を作成する前の比誘電率は42であった。このスピンオングラスを加熱発泡で多孔質化することにより、比誘電率は19まで減少した。この膜を砕き、比誘電率48のスペーサ用樹脂に50vol添加した。これについて比誘電率を測定した結果、比誘電率は305となり、元の複合絶縁樹脂に比較して47減少させることができた。上記のようなスピンオングラス形成と脱ガスを利用した多孔質形成は、量産上比較的低コスト化が進んでいくと考えられる。また、スピンオンするガラス系有機高分子は、種類にもよるが、最大径で数100nm以上の空隙を形成することがない。従って、本実施例に適した空隙を形成することができ、低誘電率化の目的を果たすことが可能となる。既に、国内メーカ及び研究所にて、中空のナノシリカが多数試作されている。これは図4の類型に従うと図4a若しくは図4bの形態に近いものである。これらは、単に硬化前の樹脂に混練することで、誘電率の低い樹脂原液を作ることができる。エポキシ樹脂を使った場合について以下に説明する。エポキシ樹脂硬化剤、主剤に対しそれぞれ中空ナノシリカを添加する。非常に小さい10nmオーダーの粒子は、通常、添加量は10wt程度が限界であり、更に加えることも可能であるが、粘度が上昇して注型性に問題が生じることがある。そこで、本実施例では、中空のミクロサイズシリカ40wtを添加する。フィラーは、主剤及び硬化剤の両方に添加しておく。図5に、本発明の複合絶縁樹脂を製造する際に使用される注型装置を示す。該図に示す如く、注型装置は、主剤タンク10、硬化剤タンク11、バルブ12、13及び混合器14から構成される。まず、それぞれフィラーを混入させ十分に分散させた主剤及び硬化剤を、主剤タンク10、硬化剤タンク11に充填する。連続製造装置にしたい場合には、原液を自動供給する装置が必要である。主剤タンク10及び硬化剤タンク11には、望ましい温度本実施例の場合には100°Cに保つためにヒータが内蔵されている。注型用の型が用意できしだい、混合器14を通過して型に流し込まれる。その後、ベーキング炉で樹脂硬化措置が実施され、最終的に型を取って製品用の樹脂部品となる。固化した樹脂中には、低誘電率の中空シリカが多数含まれ、誘電率を通常の樹脂よりも抑制することが可能である。このような本実施例とすることにより、中空のナノシリカを使っても同様に樹脂を低誘電率化できる。また、上記実施例における空隙を包含させた粒子において、粒子ひとつに対する空隙の占める体積は、できるだけ大きい方がよいが、粒子強度など粒子の種類によって全体の10~90であっても誘電率を低下させる効果は得られる。上述した実施例では、有機高分子がエポキシ樹脂であったが、ポリアミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせたものであっても同様の効果を奏する。また、一般的な高電圧機器向けとしては、粒子中の空隙の最大長は、好ましくは500nm以下であることが望ましい。それは図3のパッシェン曲線からも明らかである。本実施例で述べたように、500nm以下であれば、数10~数100kV級であっても電界による破壊をまぬがれることが可能となる。次に、本発明の複合絶縁樹脂において、添加する空隙を持つ粒子のうち、表面を疏水化処理したものと親水性ポリマーの組み合わせについて図6及び図7を用いて説明する。図6に、本発明の複合絶縁樹脂における空隙をもつ粒子の表面修飾の例を示す。該図に示す例では、表面をメチル基によって置換した中空シリカ粒子を用いた図6中、RはCH3などのアルキル類、アルコキシ基、ベンゼン環を含むアリル基、又はCOOH、COOMe、OH、OCOOMeなどの親水基である。これをエポキシ樹脂中に分散させると、エポキシ樹脂は、極性度が比較的高いポリマーであるために、綺麗には分散しない。しかし、粒子が100nm以下の領域では、ミクロブラウン運動が激しいために凝集することはなく、一定の構造を形成することになる。どのような構造が形成されたかを図7を用いて説明する。図7は、本発明の複合絶縁樹脂における表面が疎水化処理されているものと疎水化処理されていないエポキシ樹脂の透過型SEM写真を示す。該図に示す如く、図7aの場合には、比較的均一に粒子分散が起きていることが分かる。一方、図bの場合は、疏水化した粒子を用いた場合であり、網目状の構造が形成されていることが分かる。本発明者等の実験結果によれば、空隙を持つ粒子3の添加で線膨張係数が10以上抑制できる上、破壊じん性も20程度上昇した。このような本実施例によれば、疏水化処理した中空粒子を親水性若しくは極性高分子と組み合わせて用いることにより、誘電率の抑制、線膨張係数の抑制、破壊耐性の向上を両立することが可能となる。尚、本実施例においては、ポリマーが他の親水性高分子、例えば不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のいずれか、又はこれらの組み合わせであったとしても同様の効果を奏する。また、上記した実施例とは異なり、ポリマーが疏水性、中空粒子の表面が親水性であっても同様の構造体を形成することが可能である。また、上記した実施例とは異なり、表面を疎水化した中空粒子を疎水性高分子に、また逆に表面を親水化した中空粒子を親水性高分子に投入することにより、より容易に分散性を向上させることができる。特に、大きさ100nmを超える粒子を混ぜ込む場合には、ミクロブラウン運動による凝集阻害効果が期待できないので、分散性を改善するという意味で望ましい。また、粒子の体積合計が複合樹脂全体の5vol以上80vol以下の範囲であれば、特にシリカでは粒子形成にかかるコストとほしい比誘電率との兼ね合いで自由に空隙率を決めて構わない。