一主面に突起部が形成された支持板に対して、前記突起部の先端面上の回路基板接続用パッドと、前記一主面上の実装用パッドと、前記回路基板接続用パッドと前記実装用パッドとを接続する接続部とを形成する工程と、電子部品が実装された一主面に内部接続用パッドが形成された回路基板と前記支持板とを対向させ、前記回路基板接続用パッドと前記内部接続用パッドとを接続する工程と、前記回路基板と前記支持板との間に絶縁部材を充填して絶縁層を形成する工程と、前記支持板を除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。前記支持板をエッチングして前記絶縁層上に前記実装用パッドを形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。板状の金属部材をエッチングして前記突起部を有する前記支持板を形成する工程を含む、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体パッケージの製造方法。前記回路基板接続用パッド及び前記内部接続用パッドの少なくとも一方にバンプを形成し、前記回路基板接続用パッドと前記内部接続用パッドとを前記バンプを介して接続することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。電子部品が実装された一主面に内部接続用パッドが形成された回路基板と、前記回路基板の前記一主面に形成され前記電子部品を覆う絶縁層と、を備え、前記絶縁層には、一主面に形成された実装用パッドと、前記絶縁層の凹部の底部に形成され前記内部接続用パッドと接続される回路基板接続用パッドと、前記実装用パッド及び回路基板接続用パッドを接続する接続部とが形成されたことを特徴とする半導体パッケージ。前記回路基板接続用パッドが前記内部接続用パッドにバンプを介して接続されたことを特徴とする請求項5に記載の半導体パッケージ。前記実装用パッドの一主面が前記絶縁層の前記一主面に対して面一となるように形成されたことを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体パッケージ。ところで、高集積化や処理信号数の増加により、2つの回路基板間を接続するバンプの数が増加している。このバンプ数の増加に応じてバンプのピッチが小さくなり、バンプ間の隙間が狭くなっている。このため、バンプより内側に実装された半導体チップを封止するための樹脂を、バンプの間から充填し難くなり、十分な封止ができない場合がある。これに対し、バンプ間の隙間を広くするためにバンプを小さくすると、バンプを介して接続される2つの回路基板間の距離が相対的に小さくなり、樹脂を充填し難くなる。本発明の一観点によれば、一主面に突起部が形成された支持板に対して、前記突起部の先端面上の回路基板接続用パッドと、前記一主面上の実装用パッドと、前記回路基板接続用パッドと前記実装用パッドとを接続する接続部とを形成する工程と、電子部品が実装された一主面に内部接続用パッドが形成された回路基板と前記支持板とを対向させ、前記回路基板接続用パッドと前記内部接続用パッドとを接続する工程と、前記回路基板と前記支持板との間に絶縁部材を充填して絶縁層を形成する工程と、前記支持板を除去する工程と、を含む。本発明の一観点によれば、絶縁部材の充填不良を低減することができる。以下、添付図面を参照して一実施形態を説明する。尚、添付図面は、構造の概略を説明するためのものであり、実際の大きさ、比率を表していない。図1に示すように、半導体パッケージ10は、回路基板11の下面に形成された複数の外部接続用パッド12及びバンプ13を介して実装基板101に実装される。回路基板11の上面一主面には半導体チップ14が実装されている。半導体チップ14は電子部品の一例である。また、回路基板11の上面には、半導体チップ14を封止する絶縁層15が形成されている。絶縁層15は、絶縁部材、例えば樹脂により形成される。そして、半導体パッケージ10には、絶縁層15の上面から露出する複数の実装用パッド16が形成されている。例えば、実装用パッド16は、その上面が絶縁層15の上面と面一となるように形成されている。この実装用パッド16には、半導体パッケージ102が実装スタックされる。つまり、半導体パッケージ10は、パッケージオンパッケージPOP:PackageOnPackage構造である。図2に示すように、半導体パッケージ10は、例えば上面から見た形状が正方形に形成されている。半導体パッケージ10の大きさは、例えば一辺の長さが12mmである。半導体パッケージ10は、回路基板11の中央部分の上面に半導体チップ14が実装されている。図3に示すように、回路基板11上の半導体チップ14の周囲には、半導体チップ用パッド17が形成されている。半導体チップ14の上面に形成された電極パッド図示略は、半導体チップ用パッド17にボンディングワイヤ18によって接続されている。半導体チップ14を含む回路基板11の上面には、絶縁層15が形成されている。回路基板11の厚さは、例えば0.1mmである。絶縁層15の厚さは、例えば0.2mmである。図4に示すように、回路基板11の外周部分の上面には、内部接続用パッド19が所定ピッチで形成されている。内部接続用パッド19の上には、バンプ20が形成されている。絶縁層15には、絶縁層15の上面からバンプ20まで達する凹部21が形成されている。凹部21の底部には、回路基板接続用パッド31が形成されている。回路基板接続用パッド31は、内部接続用パッド19にバンプ20を介して接続されている。凹部21の内側面には、筒状の層間接続部32が形成され、回路基板接続用パッド31に電気的に接続されている。絶縁層15の上面の外周部分には、上記した実装用パッド16が形成されている図2参照。層間接続部32の上端凹部21の開口部は、絶縁層15の上面に形成された配線部33により実装用パッド16に接続されている。例えば、配線部33は、その上面が絶縁層15の上面と面一となるように形成されている。このような実装用パッド16、回路基板接続用パッド31、層間接続部32及び配線部33は、図5に示すように、3層の金属膜で形成され、絶縁層15の上面側から金層M1、ニッケル層M2、金層M3の順に形成されている。上記した半導体パッケージ10は、例えば、図6に示す回路基板40から作成される。回路基板40には、回路基板11がマトリックス状図では、5×5に複数個連設して形成されている。この回路基板11は、最終的に半導体チップ14が実装されて個々の半導体パッケージ10として切断位置Cで切り出される。次に、半導体パッケージ10の製造方法を説明する。尚、図が煩雑になるのを避けるため、2つの半導体パッケージ10のみを図示して説明する。まず、回路基板11の製造方法について説明する。例えば図7aに示す回路基板40は、所望の配線パターン図示略やビア図示略を形成したコア基板の両面に例えばセミアディティブ法により半導体チップ用パッド17、内部接続用パッド19及び外部接続用パッド12を形成することによって上記した回路基板11が複数形成される。次いで、図7bに示すように、回路基板40の各回路基板11の上面に半導体チップ14を固定して、半導体チップ14の電極パッドを半導体チップ用パッド17にボンディングワイヤ18により接続する。ボンディングワイヤ18の材料は、例えば金である。次に、実装用パッド16、層間接続部32、配線部33及び回路基板接続用パッド31の製造方法について説明する。図8aに示すように、薄板41を準備する。薄板41の材料は、例えば銅Cuである。図8bに示すように、薄板41に対して、例えばフォトリソグラフィ法によりめっきのためのレジストマスクを形成する。詳述すると、図8bに示すように、薄板41の両面に例えばフォトレジストを塗布しレジスト膜42を形成する。次いで、レジスト膜42に対してフォトマスク図示略を用いて露光する。このフォトマスクは、後述する突起部に対応する開口部を有する。レジスト膜42を現像することにより、図9aに示すように、薄板41には、レジスト膜42aが形成される。次いで、レジスト膜42aで被覆した薄板41に対してエッチング加工を施す。このエッチング加工は、例えば薄板41をエッチング液に浸漬して、所謂ハーフエッチングを行う。エッチング加工後に薄板41からレジスト膜42aを剥離して、図9bに示すように、突起部43を有する支持板44が形成される。突起部43は、内部接続用パッド19に対応する位置で、例えば円柱状に形成されている。次に、図9cに示すように、支持板44の全面に例えば電着塗装法によりレジスト膜45を形成する。次いで、レジスト膜45に対してフォトマスク図示略を用いて露光する。このフォトマスクは、後述する配線に対応する開口部を有する。レジスト膜45を現像することにより、図9dに示すように、開口部が形成されたレジスト膜45aが形成される。次いで、図9eに示すように、レジスト膜45aの開口部から支持板44に対してめっきすることにより、突起部43を含む支持板44上に配線46が形成される。配線46のめっき処理について詳述すると、まず、レジスト膜45aが形成された支持板44を金めっき浴に一定時間浸漬する。金めっき浴のめっき液は、例えばクエン酸一カリウム50g/l、クエン酸三カリウム50g/lから組成される。これにより、突起部43の上に金層M3図5参照が形成される。次いで、金層M3が形成された支持板44をニッケルめっき浴に一定時間浸漬する。ニッケルめっき浴のめっき液は、例えばスルファミン酸ニッケル320g/lから組成される。これにより、金層M3の上にニッケル層M2が形成される。次いで、金層M3及びニッケル層M2が形成された支持板44を金めっき浴に一定時間浸漬して、ニッケル層M2の上に金層M1を形成する。そして、めっき後の支持板44図9e参照からレジスト膜45aを剥離して、図9fに示す突起部43に配線46が形成された支持板44を形成する。このように形成された配線46は、上記した実装用パッド16、回路基板接続用パッド31、層間接続部32及び配線部33に対応する。次いで、図9gに示すように、配線46における突起部43の先端面に対応する部分にバンプ20を形成する。例えば半田リフロー処理によりバンプ20を形成する。このような半田リフロー処理において、配線46では、バンプ20をその融点以上の温度で溶融させることにより、ニッケル層M2とバンプ20とで半田合金が形成される。また、金層M1は、ニッケル層M2の酸化防止を目的として形成されるが、リフロー時に半田合金に溶け込むことで濡れ性を向上させることができる。また、金層M3は、半田合金形成前後において保持され、ニッケル層M2の酸化を防止する。次に、図10aに示すように、半導体チップ14を実装した回路基板40と、配線46が形成された支持板44とを対向させ、内部接続用パッド19にバンプ20が当接した状態で例えば半田リフロー処理を行う。これにより、配線46がバンプ20を介して回路基板40の内部接続用パッド19に接続される。次いで、図10bに示すように、回路基板40と支持板44との間に、例えばトランスファーモールド法により、絶縁性を有する樹脂を充填する。樹脂は、例えばエポキシ系樹脂である。この樹脂は、突起部43の外周面の配線46、つまり層間接続部32の間を通じて充填され、層間接続部32より内側に実装された半導体チップ14が封止される。また、回路基板40と支持板44との間に絶縁層15が形成される。次いで、支持板44に対してエッチング加工を施す。このエッチング加工で使用されるエッチング液は、例えばアルカリエッチング液である。図10cに示すように、エッチング加工により支持板44のみがエッチングされ、絶縁層15には、回路基板接続用パッド31及び層間接続部32が形成される。また、絶縁層15の上面には、支持板44が除去されたことにより互いに離間した実装用パッド16が形成される。また、絶縁層15の上面には、実装用パッド16に接続された配線部33が互いに離間して形成される。次いで、図10dに示すように、回路基板40の下面に形成された各外部接続用パッド12に、例えば半田リフロー処理によりバンプ13を形成する。そして、図10eに示すように、切断位置Cに対応する回路基板40及び絶縁層15を例えばブレードにより切断して、図2に示す半導体パッケージ10が形成される。以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。1半導体パッケージ10は、突起部43が形成された支持板44を用いて形成される。支持板44の突起部43が形成された面には、回路基板接続用パッド31と、実装用パッド16と、回路基板接続用パッド31及び実装用パッド16を接続する接続部層間接続部32及び配線部33がめっきにより形成される。この支持板44は、半導体チップ14が実装された回路基板40と対向配置され、回路基板接続用パッド31がバンプ20を介して内部接続用パッド19に接続される。回路基板40と支持板44との間には、樹脂が充填され絶縁層15が形成される。樹脂は、突起部43層間接続部32を柱状に形成したことで十分に確保された隙間を通じて充填される。従って、回路基板40と支持板44との間に樹脂が充填され易くなり、突起部43より内側に配置された半導体チップ14を封止し、充填不良を低減することができる。2回路基板40には、複数の回路基板11が形成されており図6参照、回路基板40と支持板44との間には、回路基板40の外周部分から樹脂が充填される。このような樹脂の充填において、突起部43間に十分な隙間を確保したことで、回路基板40の中央部分における回路基板11まで樹脂を充填することができる。3回路基板40及び支持板44の間に絶縁層15を形成した後に、配線46を形成した支持板44に対してエッチング加工を施して支持板44のみを除去する。これにより、互いに離間した実装用パッド16や配線部33を絶縁層15に容易に形成することができる。4配線46の突起部43の先端面に対応する部分回路基板接続用パッド31にはバンプ20が形成され、回路基板接続用パッド31がバンプ20を介して回路基板40回路基板11の内部接続用パッド19に接続される。これにより、回路基板接続用パッド31を内部接続用パッド19に半田付けすることができる。5絶縁層15の上に形成された実装用パッド16及び配線部33の上面は、絶縁層15の上面に対して面一となるように形成されており、絶縁層15からの実装用パッド16及び配線部33の剥離の発生が低減できる。6絶縁層15の上には、半導体パッケージ102を実装する実装用パッド16が形成されている。これにより、絶縁層15の上に半導体パッケージ102を直接実装でき、半導体パッケージ102を実装するための回路基板が不要となる。7バンプ20の形成では、バンプ20をその融点以上の温度で溶融させることにより、配線46のニッケル層M2とバンプ20とで半田合金を形成することができる。また、金層M1は、半田合金に溶け込むことで濡れ性を向上させることができる。尚、上記実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。上記実施形態において、支持板44の突起部43の形状は一例であり、適宜変更してもよい。例えば図11aに示すように、突起部43の突出方向の長さを長くして、回路基板接続用パッド31を内部接続用パッド19に直接接続してもよい。回路基板接続用パッド31は、内部接続用パッド19に対して、例えば超音波接続や熱圧着等により接続する。これにより、バンプ20を省略することができる。上記実施形態において、層間接続部32を筒状突起部43の外周面の全周に形成したが、例えば図11bに示すように、外周面の一部に形成してもよい。つまり、層間接続部32は、回路基板接続用パッド31を配線部33に接続可能であれば、その形状を適宜変更してもよい。上記実施形態において、配線部33を省略して層間接続部32に実装用パッド16を接続してもよい。上記実施形態では、バンプ20を配線46上に形成したが、内部接続用パッド19側に形成してもよい。上記実施形態において、バンプ20を例えば導電性ペーストを用いて形成してもよい。上記実施形態において、突起部43を支持板44と別部材で形成してもよい。例えば図11cに示すように、突起部43aを支持板44薄板41と別金属で形成して、突起部43a上に配線46を形成してもよい。この場合、支持板44のみをエッチングすると凹部21内に突起部43aの一部が残る。上記実施形態では、支持板44の突起部43をエッチング加工により形成したが、プレス加工やめっき等の他の方法を用いて形成してもよい。上記実施形態において、絶縁層15を形成した後の支持板44に対するエッチングは、絶縁層15の上面の実装用パッド16や配線部33が離間すれば、支持板44をすべてエッチング除去しなくともよい。例えば凹部21内に突起部43の一部が残ってもよい。これにより、支持板44をエッチングするのに要する時間の短縮を図ることができる。上記実施形態において、凹部21層間接続部32の内側に、絶縁部材例えば樹脂を充填してもよい。上記実施形態において、配線46を形成する金属は、金及びニッケルの組み合わせに限定されず、例えば、金、ニッケル及びパラジウムを用いてもよい。また、単層又は3層以外の複数層で形成してもよい。上記実施形態では、配線46をめっきで形成したが、スパッタリング法等の他の方法を用いて形成してもよい。上記実施形態において、回路基板11と半導体チップ14との接続はワイヤボンディング接続に限定されず、例えばフリップチップ接続でもよい。上記実施形態において、回路基板11上に実装される電子部品は半導体チップ14に限定されない。また、複数の電子部品を実装してもよい。上記実施形態では、回路基板11にBGABallGridArray型の基板を用いたが、例えばLGALandGridArray型の基板を用いてもよい。