基板の一主面に配された、有効画素領域と、基準信号を作成するためのオプティカルブラック領域とを有する固体撮像装置の製造方法であって、前記基板の一主面上に第1メタル層を形成する第1工程と、前記第1メタル層上に第1絶縁膜を形成する第2工程と、前記第2工程後に、前記オプティカルブラック領域を遮光するための第2メタル層を形成する第3工程と、前記第3工程後に平坦化膜を形成することなくパッシベーション層兼層内レンズ形成膜を形成する第4工程と、前記パッシベーション層兼層内レンズ形成膜を加工して、少なくとも前記有効画素領域に層内レンズを形成し、前記層内レンズ形成後の前記パッシベーション層兼層内レンズ形成膜の残膜によりパッシベーション膜を形成する第5工程と、を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記第5工程後に、平坦化膜を形成する第6工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。前記第6工程後に、カラーフィルタを形成する第7工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置の製造方法。前記第7工程後に、マイクロレンズを形成する第8工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置の製造方法。前記第8工程前に、第2平坦化膜を形成する第9工程を含むことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。前記第5工程後に、前記パッシベーション膜のパッド部に対応する部分を除去する第10工程と、前記第9工程後に、前記第6工程で形成された前記平坦化膜、及び、前記第2平坦化膜の一部を除去することにより、前記パッド部を露出する第11工程を含むことを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。前記第5工程において、前記オプティカルブラック領域には、前記層内レンズを形成せずに、前記有効画素領域に形成される層内レンズ形成後の前記パッシベーション層兼層内レンズ形成膜の残膜によりパッシベーション膜を形成することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。しかしながら、図16に示すように、図15のような手法で固体撮像装置を構成すると、受光面から層内レンズ下までの距離が長くなり、逆に集光効率が悪くなってしまうという問題があった。本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、受光面から層内レンズ下までの距離を短縮し、感度低下をもたらすことなく集光効率を高めた固体撮像装置を製造することを目的とする。上記目的を達成するために、基板の一主面に配された、有効画素領域と、基準信号を作成するためのオプティカルブラック領域とを有する固体撮像装置の本発明の製造方法は、前記基板の一主面上に第1メタル層を形成する第1工程と、前記第1メタル層上に第1絶縁膜を形成する第2工程と、前記第2工程後に、前記オプティカルブラック領域を遮光するための第2メタル層を形成する第3工程と、前記第3工程後に平坦化膜を形成することなくパッシベーション層兼層内レンズ形成膜を形成する第4工程と、前記パッシベーション層兼層内レンズ形成膜を加工して、少なくとも前記有効画素領域に層内レンズを形成し、前記層内レンズ形成後の前記パッシベーション層兼層内レンズ形成膜の残膜によりパッシベーション膜を形成する第5工程と、を含む。本発明によれば、受光面から層内レンズ下までの距離を短縮し、感度低下をもたらすことなく集光効率を高めた固体撮像装置を製造することができる。以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。ただし、本形態において例示される構成部品の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものであり、本発明がそれらの例示に限定されるものではない。<第1の実施形態>本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態における固体撮像装置の断面を示す図であって、受光領域と遮光領域を有する固体撮像装置の端部を示している。なお、図1において、図16と同様の構成には同じ参照番号を付し、説明を省略する。図1に示す構成では、図16に示す平坦化膜112による平坦化を行わずに、層間絶縁層及び第3メタル配線層106上に直にパッシべーション部107を構成し、第3メタル配線層106の段差は埋めずにそのままにしておく。このように構成することで、本実施形態の図1に示す構成では、最上のメタル層の段差を埋める平坦化膜112の分、低くすることができるため、図16に示す構成に比べて、受光領域画素102の光電変換素子103から層内レンズ108下までの高さを低く構成することができる。このため集光効率を高めることができ、特にFナンバーが小さくなった時の感度の低下を改善することができる。図2に、図16に示す構成と本実施形態の構成におけるFナンバー依存の特性を示す。図2に示すように、本第1の実施形態の構成では、図16に示す従来の手法を適用した構成と比較して、Fナンバーが小さい時の感度が向上しているのが分かる。次に、図1に示した本第1の実施形態における固体撮像装置の製造工程について、図3から図10を参照して説明する。まず、図3に示すように、シリコンウエハ等からなる半導体部材121を用意して、LOCOS法シリコン局所酸化法、STIシャロートレンチ素子分離法等により素子分離領域122を半導体部材121上に形成する。次に、フォトレジストパターンを形成してイオン注入および熱処理を行い、例えばフォトダイオード光電変換素子103のカソードまたはアノードとなる拡散層を半導体部材121上に形成する。続いて、熱酸化、CVD法化学蒸着法、スパッタリング、塗布法などにより、第1の絶縁膜123を半導体部材121上に形成する。ここで、第1の絶縁膜123の表面をCMP等により平坦化させておくと、次工程におけるパターニング精度を向上させることができる。次に、Al、Mo、W、Ta、Ti、もしくはCu、またはこれらを主成分とする合金からなる金属膜をスパッタリング、CVD法、または電解メッキ法等により第1の絶縁膜123上に形成し、光電変換素子103の受光面の上方に位置する部分をエッチングにより除去することにより、所望の形状の第1のパターン第1メタル配線層104を形成する。次に、SiOまたはこれを主成分とする材料からなる第2の絶縁膜124を、CVD法により、第1の絶縁膜123および第1メタル配線層104の上に形成する。ここで、第2の絶縁膜124の表面をCMP等により平坦化させておくと、次工程におけるパターニング精度を向上させることができる。次に、第1メタル配線層104と同様に、Al、Mo、W、Ta、Ti、もしくはCu、またはこれらを主成分とする合金からなる金属膜をスパッタリング、CVD法、または電解メッキ法等により第2の絶縁膜124上に形成し、光電変換素子103の受光面の上方に位置する部分をエッチングにより除去することにより、所望の形状の第2のパターン第2メタル配線層105を形成する。なお、第1および第2メタル配線層104、105は、光電変換素子103からの電気信号の伝達に用いる配線として機能する他、ある光電変換素子103に入射すべき光が他の光電変換素子103に入射することを防ぐ遮光板としても機能する。次に、SiOまたはこれを主成分とする材料からなる第3の絶縁膜125を、CVD法により、第2の絶縁膜124および第2メタル配線層105の上に形成する。ここで、第3の絶縁膜125の表面をCMP等により平坦化させておくと、次工程におけるパターニング精度を向上させることができる。次に、第1のパターン104、第2のパターン105と同様に、Al、Mo、W、Ta、Ti、もしくはCu、またはこれらを主成分とする合金からなる金属膜をスパッタリング、CVD法、または電解メッキ法等により第2の絶縁膜125上に形成し、受光領域に位置する部分等をエッチングにより除去することにより、所望の形状の第3のパターン第3メタル配線層106を形成する。第3メタル配線層106は、有効画素領域の外側の領域に、基準信号を作成するための遮光領域opticalblackを形成するための遮光部材も含んで形成される。次に、SiN、SiON、またはSiO等で構成されるパッシベーション層兼層内レンズ形成膜107’を、CVD法により、第3メタル配線層106及び第3の絶縁膜125上に形成する。続いて、図3に示すように、層内レンズ108を形成するためのエッチングマスク126をパッシベーション層兼層内レンズ形成膜107’の上にフォトリソグラフィ工程より形成する。その後、図4に示すように、エッチングマスク126を加熱処理によりリフローさせて、層内レンズ108の形状と実質的に同じ形状の凸レンズ形状にする。なお、本実施形態では、層内レンズは遮光領域にも形成される。次に、パッシベーション層兼層内レンズ形成膜107’の全面にエッチングを施し、図5に示すように、パッシベーション層兼層内レンズ形成膜107’にエッチングマスク126の凸レンズ形状を転写して、層内レンズ108を形成する。ここでのエッチングガスには、CF4、CHF3、O2、Ar、Heなどを用いることができる。パッシベーション層兼層内レンズ形成膜107’のエッチング残膜は、パッシベーション層107となる。続いて、図6に示すように、フォトリソグラフィでパッド部128’を開口するために、そのような開口パターンを有するレジストパターン127をパッシベーション層107および層内レンズ108の上に形成し、図7に示すように、パッド部128上に位置するパッシベーション層107をフォトリソグラフィにより除去する。その後、図8に示すように、パッド部128、パッシベーション層107、および層内レンズ108の上に第1の平坦化膜109を形成し、その第1の平坦化膜109の上にカラーフィルタ層110を形成する。カラーフィルタ層110は、その下方にある各光電変換素子103に入射させる光の色に応じたカラーパターンを有している。続いて、図9に示すように、カラーフィルタ層110の上に、第2の平坦化膜109を形成し、マイクロレンズ111をレジストパターニング及びリフローにより形成する。最後に、図10に示すように、パッド部128の上方に残っている第1および第2の平坦化膜109をエッチングにより除去してパッド部128の上方を開口させる。以上の工程により、図1に示す固体撮像装置を製造することができる。<第2の実施形態>次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図11は、本発明の第2の実施形態における固体撮像装置の断面を示す図であって、受光領域と遮光領域を有する固体撮像装置の端部を示している。図11において、図1と同様の構成には同じ参照番号を付し、説明を省略する。図1の構成では、遮光領域である第3メタル配線層106上にも層内レンズ108を形成するので、受光領域と遮光領域との境界においてマイクロレンズ111が傾いて形成されてしまうことを防ぐために、第1の平坦化膜109を厚く形成する必要がある。これに対し、図11に示す第2の実施形態における構成では、遮光領域である第3メタル配線層106上には層内レンズ108を形成しない。これにより、第1の平坦化膜109を図1の構成と比較して更に薄くすることができる。これにより、集光効率を高めることができ、特にFナンバーが小さくなった時の感度の低下を更に改善することができる。図11に示す構成の製造方法は、図12に示すように層内レンズ108を形成するためのエッチングマスク126を遮光領域に構成しないところが異なるが、その他の製造方法は上記第1の実施形態と同様であるため、説明を省略する。なお、図12に示す工程は、図3の工程に対応する。上記の通り本実施形態によれば、光電変換部3からマイクロレンズ111までの距離を短くすることができるため、更に集光効率を上げることができる。<変形例>図13は、本発明における別の固体撮像装置の断面を示す図であって、受光領域と遮光領域を有する固体撮像装置の端部を示している。図13において、図1と同様の構成には同じ参照番号を付し、説明を省略する。図13では、上記第1及び第2の実施形態と異なり、第1メタル配線層104のみを有し、第2メタル配線層105を有しない構成を示している。また、図14は、本発明における別の固体撮像装置の断面を示す図であって、受光領域と遮光領域を有する固体撮像装置の端部を示している。図14に示す構成では第3メタル配線層206の厚みを第2の実施形態における第3メタル配線層106と比較して薄くすると共に、層内レンズ108の厚みをパッシベーション層107の段差とほぼ同じにした場合を示している。このように、図13及び図14に示す構成でも、受光領域画素102の光電変換素子103から層内レンズ108下までの高さを低く構成することができるため、集光効率を高めることができる。