"ガス透過性窓26を有する膜の製造方法であって、シリコンで第1プレート10を製造するステップと、前記第1プレート10に凹部11または貫通穴を形成するステップと、前記第1プレート10の上に、シリコン材料のガス選択透過層21を含むシリコン製の第2プレート20を貼着するステップと、前記第2プレート20に凹部22,40を形成し、前記第2プレートの前記凹部は、少なくとも部分的に前記第1プレートの前記凹部11または貫通穴と重なり、前記第1プレート10および前記第2プレート20の両方により、ガス選択透過層21をそれぞれ含む窓26を有する膜本体25を形成するステップと、を含む方法。前記凹部または貫通穴を形成するステップは、それぞれ、エッチングによってなされる、請求項1の方法。前記ガス選択透過層21は、SiO2からなり、前記第2プレート20の底壁を形成する、請求項2の方法。前記第1プレートの全ての前記凹部11は、多孔性でガスを透過する底壁を含む、請求項1の方法。凹部11または穴を有するシリコン製の第1プレート10と、薄いガス選択層21の底壁によって覆われた穴22,40を有するシリコン製の第2プレート20とを含む膜本体25を備え、前記第1プレート10と前記第2プレート20とは、互いに平面的に当接するガス選択膜。前記第1プレート10の前記凹部11は、多孔性の底壁13を有する、請求項5のガス選択膜。その中にシリコン材料の層21が位置するガス選択透過窓26を有する膜本体25と、前記窓26を加熱するための加熱装置35とを有し、前記加熱装置35は、複数の前記窓26を一緒に加熱する輻射加熱エレメント36によって形成され、前記膜本体25は、輻射吸収体の役目を果たす、ガス選択膜。前記加熱エレメント36は、電気発熱体を含む、請求項7のガス選択膜。前記膜本体25は、熱反射層38を含む、請求項7のガス選択膜。本発明の課題は、選択的にガスを透過できる窓を有する膜の製造方法を提供すること、並びに、デザインおよび製造の簡単な対応する膜を提供することである。本発明に係る方法は、請求項1に規定され、対応するガス選択膜は、請求項5に規定される。本発明によれば、膜本体は、2つの単層シリコンプレートからなり、当該膜本体の厚みの中央部に配置されたガス選択透過性の薄い隔壁を備える2層板によって形成される。第1プレートは、分離して製造でき、その上に形成された選択特性を有する層を備え、そして、第2プレートによって覆われて第2プレートと接着されてもよい2層板は、膜本体に大きな安定性を付与する。さらに、ガス選択分離壁を形成する第2プレートの底壁は、外側の影響から保護される。窓は、異方性エッチングにより形成された傾斜または円錐状のテーパのある側壁を有してもよい。膜は、EP0831964B1に記載されているように、成膜デポジション、酸化および他の半導体技術より知られている方法と同じ製造技術を使用して製造され得る。2層板は、全体に大きな安定性を有する板体を提供し、通常、膜の両側に作用する異なるガス圧に耐えるのにより適する。第1プレートは、凹部または穴が形成されてもよい。凹部を設ける場合、底壁が残る。好ましくは、第1プレートは、ガス透過性となるように多孔化され、その後、ガス選択層を支持する支持壁の役目を果たす。穴を設ける場合、穴は、支持されていない膜の表面の大きさを小さくするために、第1下側プレートの凹部よりも狭い。本発明は、さらに、請求項7に記載のガス選択膜に関する。この膜では、加熱装置が、全ての窓を、輻射吸収体の役目を果たすシリコンディスクとともに加熱する輻射加熱エレメントである。よって、膜の全体の加熱が達成され、膜構造に伝熱体を組み込む必要がない。輻射化熱エレメントは、電気発熱体であってもよく、膜本体は、膜を両側から均一に加熱するために熱反射層を含んでもよい。その最良の実施形態を含み、当業者に本発明の実施を可能にする、本発明の完全で実施を可能にする開示は、添付の図面への参照を含んだ以下の記載において非常に詳細に説明される。図1において、aに、第1プレート10が示されており、そのプレートは、シリコンからなり、約30μmの厚みを有する。この第1プレートは、例えば、エッチング剤としてKOHを用いたフォトメカニカルエッチングによって片側にパターン形成され、それによって凹部11が形成される。異方性KOHエッチングの場合、凹部は、傾斜した側面12と、板面に平行で平坦な底壁13とを有する。さらなる工程において、底壁は、ガスを通すように多孔化される。図1のcは、底壁13が多孔化されてガス透過性であることを示す。底壁13は、第2プレートの頂面とともに、ガス選択透過層のための支持体である連続する表面を形成する。図1dは、やはりシリコンからなり、約300μmの厚みを有する第2プレート20を示す。最初に、第2プレートは、平坦で、その底面に、厚み約12nmの薄いSiO2層であるガス選択透過層21を支持する。層21は、熱成長またはCVD/ALD成膜によって形成されている。図1の図dによれば、第2プレート20は、第1プレート10の上に配置されて例えば陽極接合によって、第1プレート10と接着され、層21が第1プレート10の全面に拡がる。fには、第2のプレート20に、傾斜した側腹23を有する貫通ガス穴22が設けられていることが図示されている。貫通穴は、シリコン層全体に延伸するが、SiO2の層21は貫通しない。全体の膜は、プレート10,20からなる膜本体25によって形成され、膜本体は、窓26を有する。ガス選択透過層21は、窓26の中で露出し、反対側が多孔性の底壁13によって支持されている。ガス選択透過層21は、水晶、水晶硝子、パイレックスガラス、酸化珪素、窒化珪素、または酸窒化珪素のようなシリコン材料からなる。この列挙は、例示のみで、包括的なものではない。そのような薄い層により、重いガスをブロックし、軽いガスの通過を許容し得る。とりわけ、軽いガスは水素およびヘリウムである。したがって、膜は、特に、水素またはヘリウムをトレーサガスとして作動する臭気探知機のような漏れ検知器に適する。図2は、組み立てた状態の第1実施形態の装置を示す。膜本体25は、バキュームポンプ手段不図示に接続されたポンプ開口31が設けられた支持体30に固定されている。黒鉛および炭化珪素または他のセラミック材料からなる加熱体36を含む加熱装置35は、膜本体25の第2プレート20から離して配置されている。加熱体36は、発生した熱を膜本体25に向かって導く反射器37に囲まれており、それによって層21が加熱される。輻射熱は、膜本体25全体に吸収され、層21に伝達される。膜本体25と支持体30との界面には、金属、好ましくは金からなってもよい熱反射層38が設けられている。図3の実施形態は、第1プレート10および第2プレート20のそれぞれ異なる構造においてのみ、第1実施形態と異なる。第2プレート20の底面を形成する層21は、窓26の部分において、第1プレート10に向かって露出している。一方、第2プレート20は、第1プレートのシリコン層を通して延伸するが層21は貫通しない凹部40を有する。凹部40は、電気機械的エッチング陽極酸化によって形成されてもよい2nmから100nmの間の径を有する細い穴である。層21の層圧は、10から21nmである。層21は、第1実施形態図2において第1プレート10の底面に支持されているのに対し、第2実施形態においては第2プレート20のシリコンによって頂部に支持されている。図3は、支持体30と膜本体25との間の熱反射層38も示す。同様に、加熱装置35は、第2プレート20の反対側に配置され、加熱体36および反射器37を含む。本発明は、特定の説明的実施形態に関して説明および図示したが、それらの説明的実施形態は、本発明を限定することを意図しない。当業者は、変形および改良が、以下の特許請求の範囲に規定した本発明の真の範囲を逸脱することなくなし得ることに気付くであろう。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等の範囲内にあるような変形および改良の全てを本発明に含むことが企図される。"