"半導体素子11,12と、少なくとも金属材料を有してなり、前記半導体素子11,12の一面上に配置された金属部材16と、前記半導体素子11,12と前記金属部材16を接合するはんだ17aと、を備える半導体装置であって、前記半導体素子11,12の一面に、前記はんだ17aを取り囲むようにはんだ形状制御部材21が設けられ、前記はんだ形状制御部材21の内周面21aと、前記半導体素子11,12の一面とのはんだ17a側でなす角度θ1が90度未満とされていることを特徴とする半導体装置。前記半導体素子11,12の一面側に配置された第1放熱部材14と、前記半導体素子11,12と前記第1放熱部材14との間に介在する前記金属部材16と、前記第1放熱部材14を接合するはんだ17bと、を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記半導体素子11,12側のはんだ17aと、前記第1放熱部材14側のはんだ17bが繋がって一体的なはんだ17をなし、該はんだ17が前記金属部材16の側面に接していることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記半導体素子11,12の厚さ方向において、前記はんだ形状制御部材21の厚さt1が0.4mm以上であることを特徴とする請求項1~3いずれか1項に記載の半導体装置。前記半導体素子11,12の一面と反対の裏面側に配置され、前記半導体素子11,12と熱的に接続された第2放熱部材13を備えることを特徴とする請求項1~4いずれか1項に記載の半導体装置。前記半導体素子11,12には、該半導体素子11,12の厚さ方向に電流が流れる縦型素子が構成されていることを特徴とする請求項1~5いずれか1項に記載の半導体装置。トランジスタが構成された前記半導体素子11と、ダイオードが構成された前記半導体素子12を少なくとも1組有することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。前記はんだ形状制御部材21は、前記半導体素子11,12の一面側において最表面に位置する保護膜23からなることを特徴とする請求項1~7いずれか1項に記載の半導体装置。前記はんだ形状制御部材21は、前記半導体素子11,12は別部材が、前記半導体素子11,12の一面に固定されてなることを特徴とする請求項1~7いずれか1項に記載の半導体装置。半導体素子11,12と、少なくとも金属材料を有してなり、該半導体素子の一面上に配置された金属部材16と、前記半導体素子11,12と前記金属部材16を接合するはんだ17aと、を備える半導体装置であって、前記半導体素子11,12の一面に、前記はんだ17aを取り囲むようにはんだ形状制御部材21が設けられ、前記はんだ形状制御部材21の内周面21aと、前記半導体素子11,12の一面とのはんだ17a側でなす角度θ1が90度とされ、前記半導体素子11,12の厚さ方向において、前記はんだ形状制御部材21の厚さt1が0.4mm以上であることを特徴とする半導体装置。前記半導体素子11,12の一面側に配置された第1放熱部材14と、前記半導体素子11,12と前記第1放熱部材14との間に介在する前記金属部材16と、前記第1放熱部材14を接合するはんだ17bと、を備えることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。前記半導体素子11,12側のはんだ17aと、前記第1放熱部材14側のはんだ17bが、つながって一体的なはんだ17をなし、該はんだ17が前記金属部材16の側面に接していることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。前記半導体素子11,12の一面と反対の裏面側に配置され、前記半導体素子11,12と熱的に接続された第2放熱部材13を備えることを特徴とする請求項10~12いずれか1項に記載の半導体装置。前記半導体素子11,12には、該半導体素子11,12の厚さ方向に電流が流れる縦型素子が構成されていることを特徴とする請求項10~13いずれか1項に記載の半導体装置。トランジスタが構成された前記半導体素子11と、ダイオードが構成された前記半導体素子12を少なくとも1組有することを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。前記はんだ形状制御部材21は、前記半導体素子11,12の一面側において最表面に位置する保護膜23からなることを特徴とする請求項10~15いずれか1項に記載の半導体装置。前記はんだ形状制御部材21は、前記半導体素子11,12とは別部材が、前記半導体素子11,12の一面に固定されてなることを特徴とする請求項10~15いずれか1項に記載の半導体装置。半導体素子11の一面側に、少なくとも金属を含む金属部材16を配置し、前記半導体素子11と前記金属部材16とをリフローによりはんだ接合するリフロー工程を備える半導体装置の製造方法であって、前記リフロー工程において、前記半導体素子11の一面に、該一面とはんだ17a側でなす角度θ1が90度未満となる内周面25aを有するはんだ形状制御治具25を、前記内周面25aにてはんだ17aを取り囲むように配置して、リフローを実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体素子11の一面側に、少なくとも金属を含む金属部材16を配置し、前記半導体素子11と前記金属部材16とをリフローによりはんだ接合するリフロー工程を備える半導体装置の製造方法であって、前記リフロー工程において、前記半導体素子11の一面に、該一面とはんだ17a側でなす角度θ1が90度の内周面25aを有するとともに、前記一面からの厚さt1が0.4mm以上のはんだ形状制御治具25を、前記内周面25aにてはんだ17aを取り囲むように配置して、リフローを実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体素子11の一面側に、少なくとも金属を含む金属部材16を配置し、前記半導体素子11と前記金属部材16をはんだ17aを介して接続した後の工程として、前記半導体素子11の一面側に配置した放熱部材14と、該放熱部材14と前記半導体素子11の間に介在する前記金属部材16とをリフローによりはんだ接合するリフロー工程を備える半導体装置の製造方法であって、前記リフロー工程において、前記半導体素子11の一面に、該一面とはんだ17a側でなす角度θ1が90度未満となる内周面25aを有するはんだ形状制御治具25を、前記内周面25aにてはんだ17aを取り囲むように配置して、リフローを実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体素子11の一面側に、少なくとも金属を含む金属部材16を配置し、前記半導体素子11と前記金属部材16とをはんだ17aを介して接続した後の工程として、前記半導体素子11の一面側に配置した放熱部材14と、該放熱部材14と前記半導体素子11の間に介在する前記金属部材16とをリフローによりはんだ接合するリフロー工程を備える半導体装置の製造方法であって、前記リフロー工程において、前記半導体素子11の一面に、該一面とはんだ17a側でなす角度θ1が90度の内周面25aを有するとともに、前記一面からの厚さt1が0.4mm以上のはんだ形状制御治具25を、前記内周面25aにてはんだ17aを取り囲むように配置して、リフローを実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。上記したように、半導体素子と金属部材とがはんだ接合される構造においては、半導体素子と金属部材との線膨張係数の相違により熱応力が生じる。この熱応力は、はんだにクラックを生じさせたり、半導体素子にダメージを与えるため、極力小さくすることが好ましい。しかしながら、放熱性や電気伝導性などの観点から、金属部材の線膨張係数を半導体素子に近づけることで熱応力を低減するのは困難である。本発明は上記問題点に鑑み、半導体素子と金属部材のはんだ接合部に生じる熱応力を低減することのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成する為に請求項1に記載の発明は、半導体素子11,12と、少なくとも金属材料を有してなり、半導体素子11,12の一面上に配置された金属部材16と、半導体素子11,12と金属部材16を接合するはんだ17aと、を備える半導体装置であって、半導体素子11,12の一面に、はんだ17aを取り囲むようにはんだ形状制御部材21が設けられ、はんだ形状制御部材21の内周面21aと、半導体素子11,12の一面とのはんだ17a側でなす角度θ1が90度未満とされていることを特徴とする。本発明者は、半導体素子11,12と金属部材16とがはんだ17aを介して接続されてなる半導体装置において、はんだ形状と熱応力との関係について鋭意検討を行った。その結果、はんだ17a側面が半導体素子11,12の一面とはんだ17a側でなす角度θ1を、少なくとも半導体素子11,12の一面から半導体素子11,12の厚さ方向一部の範囲において90度未満とすると、90度以上とする場合に較べて、熱応力を顕著に低減できることが明らかとなった。本発明は、上記知見に基づいており、半導体素子11,12の一面に、はんだ17aを取り囲むようにはんだ形状制御部材21を設け、このはんだ形状制御部材21の内周面21aと半導体素子11,12の一面とのなすはんだ17a側の角度θ1を90度未満としている。これにより、半導体素子11,12の一面とはんだ17a側面とのはんだ17a側でなす角度を、半導体素子11,12の一面からはんだ形状制御部材21の厚さ分の範囲において90度未満とすることができる。そして、半導体素子11,12と金属部材16のはんだ接合部に生じる熱応力を、効果的に低減することができる。上記した発明は、請求項2に記載のように、半導体素子11,12の一面側に配置された第1放熱部材14と、半導体素子11,12と第1放熱部材14のとの間に介在する金属部材16と、第1放熱部材14を接合するはんだ17bと、を備える構成において、より効果的である。本発明によれば、記半導体素子11,12の生じた熱を、金属部材16を介して第1放熱部材14に伝達し、第1放熱部材14から外部に放熱することができる。また、本発明の構成では、半導体素子11,12と第1放熱部材14の間に金属部材16が存在するため、金属部材16と第1放熱部材14との間のはんだ17bが、リフロー時において金属部材16の側面を濡れ広がり、半導体素子11,12側に流れ込むことがある。特に、半導体装置の高さの公差ばらつきを吸収するため、金属部材16と第1放熱部材14との間に余裕をもって多めのはんだ17bを配置すると、リフロー時に半導体素子11,12側にはんだ17bが流れ込みやすくなる。このように、第1放熱部材14側のはんだ17bが半導体素子11側に流れ込むと、半導体素子11上のはんだ17aが増加する。このため、はんだ17a側面と半導体素子11,12の一面とのはんだ17a側でなす角度θ1が90度以上となりやすい。上記特許文献1特開2007-103909号公報では、第1放熱部材に溝部を設けると共に、溝の内面及び金属部材ブロック体との対向面に金メッキ膜からなる濡れ性向上部材を設けることで、金属部材側面への濡れ広がりを抑制するようにしている。しかしながら、第1放熱部材への溝形成に加えて金メッキ処理も必要であり、製造コストが高くなる。これに対し本発明では、半導体素子11,12の一面に上記はんだ形状制御部材21を設ける。したがって、第1放熱部材14側のはんだ17bが流れ込んでも、半導体素子11,12の一面とはんだ17a側面とのはんだ17a側でなす角度を、半導体素子11,12の一面からはんだ形状制御部材21の厚さ分の範囲において90度未満とすることができる。以上から、金属部材16と第1放熱部材14との間のはんだ17bが、金属部材16の側面を濡れ広がって半導体素子11,12側に流れ込んでも、熱応力を低減することができる。また、熱応力を低減しつつ、製造コストを低減することもできる。例えば請求項3に記載のように、半導体素子11,12側のはんだ17aと、第1放熱部材14側のはんだ17bが、つながって一体的なはんだ17をなし、該はんだ17が金属部材16の側面に接する構成において効果的である。このように、第1放熱部材14側のはんだ17bが、リフロー時に金属部材16の側面を濡れ広がって半導体素子11,12側のはんだ17aに流れ込み、両はんだ17a,17bがはんだ17として一体化する場合でも、はんだ形状制御部材21により、半導体素子11,12の一面とはんだ17a側面とのはんだ17a側でなす角度を90度未満とすることができる。また、請求項4に記載のように、半導体素子11,12の厚さ方向において、厚さt1が0.4mm以上とされたはんだ形状制御部材21を採用すると良い。本発明者が確認したところ、はんだ形状制御部材21によってはんだ形状が制御される部分の厚さ、すなわちはんだ形状制御部材21の厚さt1が0.4mm未満では、厚いほど熱応力が低下し、0.4mm以上では熱応力がほぼ飽和状態一定となった。本発明では、この知見に基づき、はんだ形状制御部材21の厚さt1を0.4mm以上としているため、熱応力をより効果的に低減することができる。請求項5に記載のように、半導体素子11,12の一面と反対の裏面側に配置され、半導体素子11,12と熱的に接続された第2放熱部材13を備える構成を採用しても良い。これによれば、半導体素子11,12の生じた熱を、半導体素子11,12の裏面側に放熱することができる。すなわち、放熱性を向上することができる。請求項6に記載のように、半導体素子11,12には、該半導体素子11,12の厚さ方向に電流が流れる縦型素子が構成されても良い。具体的には、請求項7に記載のように、トランジスタが構成された半導体素子11と、ダイオードが構成された半導体素子12を少なくとも1組有する構成を採用することができる。請求項8に記載のように、半導体素子11,12の一面側において最表面に位置する保護膜23を、はんだ形状制御部材21としても良い。これによれば、部品点数を削減することができる。また、半導体プロセスを用いて、位置精度良くはんだ形状制御部材21を形成することができる。一方、請求項9に記載のように、半導体素子11,12とは別部材が、半導体素子11,12の一面に固定されてなるはんだ形状制御部材21を採用することもできる。これによれば、はんだ形状制御部材21の厚さt1や内周面21a形状の設定自由度を向上することができる。次に、請求項10に記載の発明は、半導体素子11,12と、少なくとも金属を含み、該半導体素子11,12の一面上に配置された金属部材16と、半導体素子11,12と金属部材16を接合するはんだ17aと、を備える半導体装置であって、半導体素子11,12の一面に、はんだ17aを取り囲むようにはんだ形状制御部材21が設けられ、はんだ形状制御部材21の内周面21aと、半導体素子11,12の一面とのはんだ17a側でなす角度θ1が90度とされ、半導体素子11,12の厚さ方向において、はんだ形状制御部材21の厚さt1が0.4mm以上とされていることを特徴とする。請求項3で示したはんだ形状制御部材21の厚さt1による効果は、内周面21aと半導体素子11,12の一面とのなすはんだ17a側の角度θ1を90度とした構成においても確認された。本発明では、この知見に基づき、はんだ形状制御部材21の厚さt1を0.4mm以上としているため、角度θ1を90度としながらも熱応力を低減することができる。なお、請求項11~17に記載の発明の作用効果は、請求項2,3,5~9に記載の発明の作用効果とそれぞれ同じであるのでその記載を省略する。次に、請求項18に記載の発明は、半導体素子11の一面側に、少なくとも金属を含む金属部材16を配置し、半導体素子11と金属部材16とをリフローによりはんだ接合するリフロー工程を備える半導体装置の製造方法であって、リフロー工程において、半導体素子11の一面に、該一面とはんだ17a側でなす角度θ1が90度未満となる内周面25aを有するはんだ形状制御治具25を、内周面25aにてはんだ17aを取り囲むように配置して、リフローを実施することを特徴とする。本発明の作用効果は、請求項1に記載の発明の作用効果と同じであるのでその記載を省略する。また、請求項19に記載の発明は、半導体素子11の一面側に、少なくとも金属を含む金属部材16を配置し、半導体素子11と金属部材16とをリフローによりはんだ接合するリフロー工程を備える半導体装置の製造方法であって、リフロー工程において、半導体素子11の一面に、該一面とはんだ17a側でなす角度θ1が90度の内周面25aを有するとともに、一面からの厚さt1が0.4mm以上のはんだ形状制御治具25を、内周面25aにてはんだ17aを取り囲むように配置して、リフローを実施することを特徴とする。本発明の作用効果は、請求項10に記載の発明の作用効果と同じであるのでその記載を省略する。また、請求項20に記載の発明は、半導体素子11の一面側に、少なくとも金属を含む金属部材16を配置し、半導体素子11と金属部材16とをはんだ17aを介して接続した後の工程として、半導体素子11の一面側に配置した放熱部材14と、該放熱部材14と半導体素子11の間に介在する金属部材16とをリフローによりはんだ接合するリフロー工程を備える半導体装置の製造方法であって、リフロー工程において、半導体素子11の一面に、該一面とはんだ17a側でなす角度θ1が90度未満となる内周面25aを有するはんだ形状制御治具25を、内周面25aにてはんだ17aを取り囲むように配置して、リフローを実施することを特徴とする。本発明の作用効果は、請求項1,2に記載の発明の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。また、請求項21に記載の発明は、半導体素子11の一面側に、少なくとも金属を含む金属部材16を配置し、半導体素子11と金属部材16とをはんだ17aを介して接続した後の工程として、半導体素子11の一面側に配置した放熱部材14と、該放熱部材14と半導体素子11の間に介在する金属部材16とをリフローによりはんだ接合するリフロー工程を備える半導体装置の製造方法であって、リフロー工程において、半導体素子11の一面に、該一面とはんだ17a側でなす角度θ1が90度の内周面25aを有するとともに、一面からの厚さt1が0.4mm以上のはんだ形状制御治具25を、内周面25aにてはんだ17aを取り囲むように配置して、リフローを実施することを特徴とする。本発明の作用効果は、請求項10,11に記載の発明の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下の各図相互において互いに同一もしくは均等である部分に、同一符号を付与する。第1実施形態以下においては、半導体素子の厚さ方向を単に厚さ方向と示し、該厚さ方向に垂直な方向を単に垂直な方向と示す。また、平面形状とは、垂直方向に沿う平面形状を示すものとする。図1a,bに示す半導体装置10は、たとえば車両のインバータ回路に組み入れられ、負荷をPWM制御するための装置として適用される。この半導体装置10は、シリコンなどの半導体基板に、周知の半導体プロセスによって素子が構成されてなる半導体素子半導体チップを有している。本実施形態では、半導体素子として、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTが構成された半導体素子11と、転流ダイオードFWDが構成された半導体素子12を有している。これら1組の半導体素子11,12は、ともに厚さ方向に電流が流れるように所謂縦型構造を有しており、厚さ方向に対して垂直な両面に図示しない電極パッドを有している。また、2つの半導体素子11,12は、図1aに示すようにともに平面矩形状とされ、図1bに示すように、垂直方向において異なる位置であって厚さ方向においてほぼ同じ位置に配置されている。このように離間しつつ横並びに配置された半導体素子11,12は、厚さ方向において一対の放熱部材13,14により挟まれている。すなわち、放熱部材13,14の対向領域内に半導体素子11,12が位置している。本実施形態では、放熱部材14が特許請求の範囲に記載の第1放熱部材に相当し、放熱部材13が特許請求の範囲に記載の第2放熱部材に相当する。これら放熱部材13,14は、半導体素子11,12の生じた熱を半導体装置10の外部に放熱する機能を果たすとともに、半導体素子11,12の外部接続端子電極としての機能も果たす。放熱部材13は、半導体素子11のIGBTのコレクタ電極と半導体素子12のFWDのカソード電極を兼ねており、放熱部材14は、半導体素子11のIGBTのエミッタ電極と半導体素子12のFWDのアノード電極を兼ねている。このような放熱部材13,14は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、少なくとも金属材料を用いて形成される。具体的には、銅合金やアルミ合金などの熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属材料からなる。また、図1aに示すように、半導体素子11,12を間に挟む部分が、ほぼ平面矩形状となっている。なお、図1aに示す符号13aは、放熱部材13のうち、後述するモールド樹脂20の外部に引き出されたリード部であり、符号14aは、放熱部材14のうち、後述するモールド樹脂20の外部に引き出されたリード部である。そして、放熱部材13と半導体素子11,12との間には、はんだ15がそれぞれ介在され、はんだ15により半導体素子11と放熱部材14、半導体素子12と放熱部材14が、電気的、熱的、且つ機械的に接続されている。一方、放熱部材14と半導体素子11,12との間には、後述するボンディングワイヤ19の高さを確保するためのブロック体16がそれぞれ配置されている。本実施形態において、ブロック体16が特許請求の範囲に記載の金属部材に相当する。このブロック体16は、放熱部材14と半導体素子11,12との熱伝導、電気伝導経路の途中に位置するため、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、少なくとも金属材料を用いて形成される。具体的には、銅やモリブデンなどの熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属材料からなる。また、ブロック体16は、平面矩形のブロック状をなしており、垂直方向において、半導体素子11のIGBTのエミッタパッド、半導体素子12のFWDのアノードパッドと位置が重なるように配置されている。また、ブロック体16は、垂直方向における大きさが、半導体素子11,12や放熱部材14よりも小さいものとなっている。そして、半導体素子11,12と対応するブロック体16との間には、はんだ17aがそれぞれ介在され、はんだ17aにより半導体素子11と対応するブロック体16、半導体素子12と対応するブロック体16が、電気的、熱的、且つ機械的に接続されている。また、放熱部材14と各ブロック体16との間には、はんだ17bがそれぞれ介在され、はんだ17bにより放熱部材14とブロック体16が、電気的、熱的、且つ機械的に接続されている。これらはんだ17a,17bは同一材料からなる。本実施形態では両はんだ17a,17bが繋がり、はんだ17として一体化されている。また、はんだ17がブロック体16の側面に接触している。また、放熱部材13の周囲には、外部接続用端子として複数本のリード18が設けられている。これらリード18は、リードフレームからなるものである。本実施形態では、半導体素子11のIGBTのゲートパッドと、金やアルミニウムなどからなるボンディングワイヤ19を介して電気的且つ機械的に接続されている。なお、半導体素子11において、ゲートパッドは、IGBTのエミッタパッドと同一面内であって、ブロック体16と対抗しない部分に形成されている。したがって、半導体素子11のブロック体16側放熱部材14側の面にボンディングワイヤ19が接続されている。そして、各放熱部材13,14の一部、放熱部材13,14の間に介在された半導体素子11,12、ブロック体16、各リード18の一部、及びボンディングワイヤ19が、モールド樹脂20にて封止されている。このモールド樹脂20は、エポキシ系樹脂などからなる。また、金型内に樹脂を注入し、成形してなるものである。また、放熱部材13,14の一部、具体的には、半導体素子11,12と対向する面と反対の面がモールド樹脂20から露出されており、この露出面が所謂放熱面となっている。このように、本実施形態に係る半導体装置10は、各半導体素子11,12の両面それぞれにて、放熱部材13,14を介した放熱を行うことができる両面放熱構造となっている。なお、リード18の一部もモールド樹脂20の外部に突出しており、外部機器との電気的な接続が可能となっている。さらに、本実施形態では、半導体素子11,12におけるブロック体16側の面に、はんだ17aを取り囲むように、はんだ形状制御部材21が設けられている。このはんだ形状制御部材21は、少なくとも、はんだ17aなどのリフローに耐える耐熱性を備えた電気絶縁材料からなる。本実施形態では、耐熱性を有する樹脂材料を用いて成形されたはんだ形状制御部材21が、耐熱性接着剤により、半導体素子11,12の一面に貼着されている。すなわち、半導体素子11,12とは別部材のはんだ形状制御部材21を採用している。このように、別部材のはんだ形状制御部材21を採用すると、はんだ形状制御部材21の厚さt1や内周面21aの形状の設定自由度を向上することができる。なお、平板状の樹脂シートに、ドリルやレーザ照射による穴あけなどの加工を施すことで、別部材のはんだ形状制御部材21を形成することもできる。このはんだ形状制御部材21は、垂直方向において、各半導体素子11,12のはんだ付けされる部位の外周を取り囲むように、すなわち、はんだ付けされるパッドエミッタパッド、アノードパッドの外周端にほぼ隣接する形でパッドを取り囲むように環状に設けられている。本実施形態では、平面矩形の環状となっている。このため、リフロー時において、半導体素子11の一面11aからはんだ形状制御部材21の厚さ分の範囲については、はんだ17aの形状を制御規整することができる。次に、本実施形態に係る特徴部分の構成及び効果について説明する。以下においては、半導体素子11,12のうち、半導体素子11について例示する。しかしながら、半導体素子12についても同様である。1本実施形態では、図2に示すように、はんだ形状制御部材21の内周面21aと、半導体素子11の一面11aとのはんだ17a17側でなす角度θ1が90度未満となっている。この効果について以下に説明する。図3は、はんだ形状制御部材21の内周面21aと半導体素子11の一面11aとのはんだ17a側でなす角度θ1と、半導体素子11の一面11aに作用する垂直応力との関係をシミュレーションした結果を示している。なお、上記垂直応力は、はんだ17aを介した半導体素子11とブロック体16などとの線膨張係数の相違に基づいて、半導体素子11の一面11aに作用する熱応力のうち、厚さ方向一面11aに垂直な方向の成分を示すものである。また、はんだ17aは、はんだ形状制御部材21の内周面21a内の開口部分に満たされており、半導体素子11の一面11aとはんだ17a側面とのはんだ17a側でなす角度は、上記角度θ1と等しいものとする。このシミュレーションでは、はんだ形状制御部材21の内周面21aを直線的な傾斜形状、すなわち、内周面21aの開口面積の変化量が、半導体素子11の一面11aからはんだ形状制御部材21の上面ブロック体16側の面まで一定の形状としている。また、半導体素子11,12はシリコンからなり、ヤング率169000MPa、ポアソン比0.2、線膨張係数3.5ppm/°Cとした。放熱部材13,14及びブロック体16は銅からなり、ヤング率122000MPa、ポアソン比0.3、線膨張係数17ppm/°Cとした。はんだ15,17a,17bは、ヤング率52200MPa、ポアソン比0.3、線膨張係数24ppm/°Cとした。モールド樹脂20は、ヤング率12460MPa、ポアソン比0.3、線膨張係数14ppm/°Cとした。また、はんだ形状制御部材21はポリアミドからなり、ヤング率1960MPa、ポアソン比0.3、線膨張係数50ppm/°Cとした。また、はんだ15,17a,17bの厚さをともに100μmとし、はんだ形状制御部材21が、はんだ17aの厚さと同じ厚さ100μmを有するものとした。ここで、はんだ17aの厚さとは、半導体素子11とブロック体16との対向部分の厚さであり、はんだ17bの厚さとは、半導体素子12とブロック体16との対向部分の厚さである。また、角度θ1を60度、75度、90度、135度の4水準とし、それぞれにおいて上記パラメータから垂直応力を求めた。図3に示すように、角度θ1が小さいほど垂直応力は小さい値となった。また、角度θ1が90度以上においては、角度による垂直応力の変化量が大きい、すなわち傾きA1が大きいものとなっている。一方、θ1が90度未満においては、90度以上に較べて角度による垂直応力の変化量が小さく、すなわち傾きA2がA1に較べて小さいものとなっている。したがって、角度θ1を90度未満とすると、半導体素子11と、該半導体素子11にはんだ17aを介して接合される部材少なくともブロック体16との線膨張係数の相違により生じる熱応力を、効果的に低減することができる。また、上記したように、θ1を90度未満とすると、90度以上に較べて角度による垂直応力の変化量が小さいので、角度θ1のばらつきによる垂直応力熱応力のばらつきを低減することもできる。2本実施形態では、半導体素子11と放熱部材14第1放熱部材の間に、ブロック体16金属部材が配置されるとともに、放熱部材14とブロック体16がはんだ17bにより接続される構造の半導体装置10において、1の構成が適用されている。この効果について説明する。上記構成では、ブロック体16と放熱部材14の間のはんだ17bが、リフロー時においてブロック体16の側面を濡れ広がり、半導体素子11はんだ17a側に流れ込むことがある。また、上記した半導体装置10では、半導体装置10における高さの公差ばらつきを吸収するため、ブロック体16と放熱部材14との間に余裕をもって多めのはんだ17bが配置される。このため、放熱部材14側のはんだ17bがリフロー時に半導体素子11側に流れ込みやすい。このように、はんだ17bが半導体素子11側に流れ込むと、半導体素子11上のはんだ17aが増加することとなる。このとき、はんだ17aは、半導体素子11の一面11aにおいてパッドの形成範囲に留まるものの、一面11aの上方においては、パッドの形成範囲よりも外側に広がることとなる。その結果、はんだ17a側面フィレット部分と半導体素子11の一面11aとのはんだ17a側でなす角度が90度以上の大きい角度となる。すなわち、熱応力が大きくなる。これに対し、本実施形態では、半導体素子11の一面11aにはんだ形状制御部材21を設けているので、放熱部材14側のはんだ17bが流れ込んでも、一面11aとはんだ17a側面とのはんだ17a側でなす角度を、一面11aからはんだ形状制御部材21の厚さ分の範囲において90度未満とすることができる。すなわち、熱応力を低減することができる。また、半導体素子11側へのはんだ17bの流れ込みを抑制するために、従来のように放熱部材14の半導体素子対向面に溝を形成したり、金メッキ処理をする必要はないので、熱応力を低減しつつ、製造コストを低減することもできる。3本実施形態では、はんだ形状制御部材21の厚さt1が0.4mm以上となっている。この効果について説明する。ここで、図4に示すように、厚さ方向に沿うはんだ形状制御部材21の厚さ、換言すれば半導体素子11の一面11aからはんだ形状制御部材21の上面ブロック体16側の面までの高さ、をt1とする。また、はんだ形状制御部材21から溢れたはんだ17a17の部分と半導体素子11の一面11aとのはんだ17a17側でなす角度をθ2とする。その上で、厚さt1と上記した垂直応力との関係についてシミュレーションを行った。図5,図6は、はんだ形状制御部材21の上面よりも上方ブロック体16側にはんだ17a17が位置する場合のシミュレーション結果を示している。例えば図5,図6において厚さt1が0.2mmの場合、はんだ17a17のうち、半導体素子11の一面11aから高さ0.2mmの位置までの部分がはんだ形状制御部材21により形状制御され、0.2mmを超える部分が形状制御されていないことを示している。図5では、角度θ2を135度に固定し、はんだ17aのうち、半導体素子11の一面11aとブロック体16の間に位置する部分一面11aとブロック体16の対向距離の厚さが100μm,400μmの2水準について、厚さt1と垂直応力の関係を示している。一方、図6では、はんだ17aのうち、半導体素子11の一面11aとブロック体16の間に位置する部分の厚さを100μmに固定し、角度θ2が105度、120度、135度、150度の4水準について、厚さt1と垂直応力の関係を示している。なお、図5及び図6では、角度θ1が90度のデータを示しているが、90度未満の場合も、同様の傾向を示した。それ以外のシミュレーション条件は、図3と同じである。図5に示すように、半導体素子11の一面11aとブロック体16の対向領域に位置するはんだ17aの厚さによらず、はんだ形状制御部材21の厚さt1が0.4mm未満では、厚さt1が厚いほど垂直応力が小さくなり、0.4mm以上では垂直応力がほぼ飽和状態一定となった。また、図6に示すように、角度θ2によらず、はんだ形状制御部材21の厚さt1が0.4mm未満では、厚さt1が厚いほど垂直応力が小さくなり、0.4mm以上では垂直応力がほぼ飽和状態一定となった。したがって、はんだ形状制御部材21の厚さを0.4mm以上とすると、垂直応力熱応力をより効果的に低減することができる。次に、本実施形態に係る半導体装置10の製造方法について簡単に説明する。先ず、はんだ形状制御部材21が一面に貼着された半導体素子11,12を準備し、放熱部材13の一面内面上に、はんだ15はんだ箔を介して、半導体素子11,12を搭載する。次いで、この半導体素子11,12の上に、はんだ17aはんだ箔を介して、ブロック体16をそれぞれ搭載する。そして、この積層状態で、はんだ15,17aをリフローさせることにより、半導体素子11,12と放熱部材13とをはんだ15を介して接続し、半導体素子11,12とブロック体16とをはんだ17aを介して接続する。このとき、本実施形態では、上記したはんだ形状制御部材21により、半導体素子11,12のはんだ17aの形状が制御される。したがって、熱応力を効果的に低減することができる。次いで、リード18リードフレームと半導体素子11のゲートパッドとをワイヤ20により接続する。なお、ここまでの工程は、上記例に限定されない。例えばブロック体16を積層する前に、半導体素子11,12と放熱部材13とをはんだ接合した状態でワイヤボンディングを実施し、その後、ブロック体16の積層とはんだ接合を行っても良い。次に、ブロック体16における半導体素子11,12と反対の面と、放熱部材14の間にはんだ17bを配置する。なお、はんだ17bは、ブロック体16及び放熱部材14のいずれの面上に配置しても良い。このとき、半導体装置10における高さの公差ばらつきをはんだ17bにて吸収するために、余裕をもって多めのはんだ17bを配置する。なお、半導体素子11,12側に、公差ばらつき吸収のための余剰のはんだ15,17aを設けることは、半導体素子11,12表面へのはんだ15,17aの回り込みによる付着などの不具合が起こるため好ましくない。そして、放熱部材14を下にしてはんだ17bのリフローを行うとともに、上記積層体に荷重を加えて、半導体装置10の高さを所定の高さとなるようにする。このとき、余剰のはんだ17bをブロック体16と放熱部材14の間に供給しているため、ブロック体16と放熱部材14との間のはんだ17bは不足せず、確実な接続を行うことができる。なお、上記荷重の印加などにより、垂直方向に押し出されたはんだ17bが、ブロック体16の側面を濡れ広がり、図1bに示すように、半導体素子1112側に流れ込むことも考えられる。しかしながら、本実施形態では、はんだ形状制御部材21により、半導体素子11,12の少なくとも表面付近のはんだ17a17の形状が制御される。したがって、熱応力を効果的に低減することができる。以上により、半導体装置10を得ることができる。変形例上記実施形態では、半導体装置10が、半導体素子として2つの半導体素子11,12を有する例を示した。しかしながら、半導体素子の個数は特に限定されるものではない。例えば図7に示すように、1つの半導体素子11のみを有する構成を採用することもできる。図7に示す例では、1つの半導体素子11半導体チップに、IGBTとFWDが構成されている。すなわち、半導体素子11には、FWDがIGBTに内蔵された逆導通型半導体素子RC-IGBTが構成されている。本実施形態では、半導体素子11,12におけるブロック体16側放熱部材14側の表面に、はんだ形状制御部材21が設けられる例を示した。しかしながら、半導体素子11,12における放熱部材13側の表面に、はんだ形状制御部材21を設けても良い。この構成においては、上記1,3の構成を適用することができる。この場合、放熱部材13が特許請求の範囲に記載の金属部材に相当することとなる。本実施形態では、半導体素子11と半導体素子12を1組有する例を示した。しかしながら、一対の放熱部材1314の間に、複数組の半導体素子11,12が配置された構成を採用することもできる。本実施形態では、放熱部材14側のはんだ17bが、リフロー時にブロック体16の側面を濡れ広がり、図1bに示すように、半導体素子1112側に流れ込み、半導体素子11,12側のはんだ17aと繋がって、はんだ17として一体化する例を示した。しかしながら、放熱部材14側のはんだ17bが半導体素子1112側に流れ込んで半導体素子1112側のはんだ17aの量が増加しつつ、半導体素子11,12側のはんだ17aと放熱部材14側のはんだ17bが繋がっていない構造の半導体装置10にも好適である。このような半導体装置10としては、例えばはんだ17aのフィレットがブロック体16の側面にわたって形成されるものの、はんだ17a,17bが繋がっていない構造のものがある。第2実施形態図8に示す半導体装置10は、はんだ形状制御部材21の内周面21aと、半導体素子11,12の一面とのはんだ17a17側でなす角度θ1が90度とされ、且つ、はんだ形状制御部材21の厚さt1が0.4mm以上となっていることを特徴とする。それ以外の点は、第1実施形態と同じである。上記1で示したように、角度θ1を90度未満としたほうが、90度以上とする構成に較べて、熱応力を低減することができる。しかしながら、角度θ1が90度においても、図5,6で示したように、厚さt1が0.4mm未満では厚いほど垂直応力が小さくなり、0.4mm以上では垂直応力がほぼ飽和状態一定となった。したがって、本実施形態に係る半導体装置10によれば、垂直応力熱応力を低減することができる。また、図8に示す半導体装置10は、第1実施形態で示した2の構成を有するので、同等の効果を奏することができる。第3実施形態図9に示す半導体装置10は、半導体素子11と、少なくとも金属を含み、半導体素子11の一面上に配置された金属部材16と、半導体素子11と金属部材16を接合するはんだ17aと、はんだ形状制御部材21を備えている。そして、はんだ形状制御部材21が、第1実施形態の1に示す構成、第2実施形態に示す構成、第1実施形態の13に示す構成のいずれかとなっている。したがって、はんだ17aをリフローする際に、はんだ17aの形状をはんだ形状制御部材21にて規整することができる。すなわち、上記した各構成と同等の効果を奏することができる。なお、本実施形態の半導体素子11に構成される素子としては、IGBTに限定されるものではない。また、縦型素子に限定されるものでもない。また、本実施形態に係る半導体装置10では、放熱部材14が存在しないため、金属部材16は上記実施形態に示したブロック体ではない。例えば、金属部材16として、放熱部材、外部接続用端子としてのリード、また放熱部材と外部接続用端子の両方を兼ねるものなどを採用することができる。第4実施形態図10に示す半導体装置10は、半導体素子11と、該半導体素子11の一面に対向配置された放熱部材14第1放熱部材と、半導体素子11と放熱部材14の間に介在されたブロック体16金属部材と、はんだ形状制御部材21を備えている。また、半導体素子11と金属部材16がはんだ17aにより接続され、金属部材16と放熱部材14がはんだ17bにより接続されている。すなわち、第1実施形態に示した構成に対し、放熱部材13第2放熱部材とはんだ15を無くした構成となっている。このような半導体装置10は、半導体素子11と金属部材16をはんだ接合した後、放熱部材14を下として、放熱部材14と金属部材16の接合を行うことで形成される。そして、はんだ形状制御部材21が、第1実施形態の1,2に示す構成、第1実施形態の1,2,3に示す構成、第2実施形態に示す構成のいずれかとなっている。このため、上記構成と同等の効果を奏することができる。第5実施形態図11に示す半導体装置10は、半導体素子11と、該半導体素子11の一面上に配置され、はんだ17aを介して接続された金属部材16と、半導体素子11の一面と反対の裏面側に配置され、半導体素子11と熱的に接続された放熱部材13第2放熱部材と、はんだ形状制御部材21を備えている。すなわち、第1実施形態に示した構成に対し、放熱部材14第1放熱部材とはんだ17bを無くした構成となっている。そして、はんだ形状制御部材21が、第1実施形態の1に示す構成、第1実施形態の1,3に示す構成、第2実施形態に示す構成のいずれかとなっている。このため、上記構成と同等の効果を奏することができる。なお、図11に示す例では、第1実施形態同様、放熱部材13が半導体素子11にはんだ15を介して接続されている。また、第3実施形態に示す半導体装置10同様、半導体素子11に構成される素子としては、IGBTに限定されるものではない。また、縦型素子に限定されるものでもない。また、本実施形態に係る半導体装置10では、放熱部材14が存在しないため、金属部材16は上記実施形態に示したブロック体ではない。例えば、金属部材16として、放熱部材、外部接続用端子としてのリード、また放熱部材と外部接続用端子の両方を兼ねるものなどを採用することができる。また、放熱部材13は、少なくとも放熱機能を有していれば良い。第6実施形態上記実施形態では、はんだ形状制御部材21が、半導体素子11半導体素子12と別部材を、半導体素子11の一面に固定してなる例を示した。これに対し、本実施形態では、半導体素子11の一面側において最表面に位置する保護膜23を、はんだ形状制御部材21とする点を特徴とする。これによれば、部品点数を削減することができる。また、半導体プロセスを用いて、位置精度良くはんだ形状制御部材21を形成することができる。このようなはんだ形状制御部材21は、例えば以下に示す方法にて形成することができる。図12は、半導体装置の製造方法を説明するための図であり、aは半導体ウェハ22を準備した状態示す平面図、bは半導体ウェハ22をドライエッチングする工程を示す断面図である。図13は、便宜上、図12に示す製造方法をチップ単位に拡大した断面図であり、aは半導体ウェハを準備した状態示す図、bはドライエッチング工程を示す図、cはドライエッチング後の状態を示す図である。先ず、半導体ウェハ22を準備する。この半導体ウェハ22には、図12aに示すように、半導体素子11がチップ単位毎に複数個形成されている。なお、各半導体素子11は、スクライブ領域、すなわちカットされる部位であるダイシングラインDLによって区画されている。この状態で、半導体ウェハ22は、図13aに示すように、その最表層としてポリイミドなどからなる保護膜23を有している。次に、図13aに示すように、保護膜23の表面に、レジストなどからなり、所定形状にパターニングされたマスク24を形成する。ここで、マスク24の開口部の輪郭内周面は、平面矩形環状のはんだ形状制御部材21を形成すべく、平面矩形状となっている。また、開口部は、半導体素子11に構成される素子のパッド例えばエミッタパッドに対応して設けられる。そして、マスク24を介して保護膜23をドライエッチングする。このとき、図12b及び図13bに示すように、エッチャントの進行方向異方性エッチングの方向に対して半導体ウェハ22半導体素子11の表面を垂直とするのではなく傾けて配置し、エッチングを行う。これにより、マスク24の開口部に対応する保護膜23の部分がエッチングされて保護膜23に開口部が形成される。このとき、保護膜23の内周面開口部壁面のうち、マスク24の矩形内周面のうちの下方に位置する一辺に対応する内周面のみが、上記した角度θ1が90度未満となる逆テーパ状の内周面23aとなる。そして、マスク24の矩形内周面の4辺を順次下方位置とし、それぞれの状態でエッチングを行う。すなわち4回エッチングを行う。これにより、保護膜23において、平面矩形状の開口部を規定する矩形内周面の全てが、はんだ形状制御部材21の内周面21aに対応した逆テーパ状の内周面23aとなる。このように内周面23aを形成した後、マスク24を除去し、上記したダイシングラインDLにて半導体ウェハ22を、チップ単にダイシングカットすることで、一面にはんだ形状制御部材21が配置された半導体素子11を得ることができる。第7実施形態上記実施形態では、半導体素子11半導体素子12の一面に設けたはんだ形状制御部材21により、はんだ17aの形状を制御規整する例を示した。これに対し、本実施形態では、リフロー工程において、はんだ形状制御治具25を用いることにより、はんだ17a17の形状を制御する点を特徴とする。このため、得られる半導体装置は、はんだ形状制御部材21を有さないものとなる。図14a,bに示す例では、半導体素子11の一面11aに配置した状態で、該一面11aとはんだ17a側でなす角度θ1図示略が90度未満となるような内周面25aを有するはんだ形状制御治具25を用いる。このはんだ形状制御治具25は、リフローに耐えうる耐熱性を有した材料からなる。本実施形態では、カーボン系の材料を用いて構成されている。また、はんだ形状制御治具25が、半導体素子11の側面に接して配置される側面部25bと、該側面部25bから垂直方向に延び、半導体素子11の一面11aに接して配置される上面部25cを有している。そして、上面部25cの端部が内周面25aとなっている。これら側面部25b及び上面部25cは、一体成形されても良いし、別部材として構成され、組み付けることで一体化されてはんだ形状制御治具25をなしても良い。そして、このはんだ形状制御治具25を、内周面25aにてはんだ17a半導体素子11に構成された素子の電極パッドを取り囲むように半導体素子11の一面11aに配置し、リフローを行う。このため、第1実施形態の1で示した構成と同等の効果を奏することができる。なお、図14に示す構成において、はんだ形状制御治具25のうち、半導体素子11の一面11a上に位置する上面部25cの厚さt1図示略を0.4mm以上とすると、第1実施形態の3で示した構成と同等の効果を奏することができる。また、半導体素子11の一面11aに配置した状態で、該一面11aとはんだ17a側でなす角度θ1が90度となる内周面25aを有し、且つ、一面11aからの厚さが0.4mm以上のはんだ形状制御治具25を用いても良い。これによれば、第2実施形態に示した構成と同等の効果を奏することができる。なお、上記した各はんだ形状制御治具25は、上記各実施形態に示した構成の半導体装置10の形成に適用することができる。特に、第1実施形態図1b参照、第2実施形態図8参照、第4実施形態図10参照に記載のように、放熱部材14をさらに備える半導体装置10の形成において、ブロック体16と放熱部材14をリフローはんだ付けする際に上記はんだ形状制御治具25を用いると良い。これによれば、第1実施形態の2で示した構成と同等の効果を奏することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。"