マグネシウムシリサイド粉末Mg2Siであって、下記一般式1一般式1中、LはSn、Geのうち少なくとも一つ以上から選ばれる元素、MはAl、Ag、As、Cu、Sb、P、Bのうち少なくとも一つ以上から選ばれる元素、0≦x≦0.5、0≦y≦0.3で表される粒子径が0.1~100μmであるマグネシウムシリサイド粉末。結晶相がMg2Si単相である請求項1に記載のマグネシウムシリサイド粉末。請求項1または2に記載のマグネシウムシリサイド粉末の製造方法であって、IMg粉末、Si粉末、および上記一般式1に記載のLおよびMを含有する粉末を混合し混合原料を得る工程と、II混合原料を不活性もしくは還元雰囲気中、650°C~800°Cで1~5時間焼成し、マグネシウムシリサイド凝集体を得る工程と、IIIマグネシウムシリサイド凝集体を粉砕し、マグネシウムシリサイド粉末を得る工程と、からなるマグネシウムシリサイド粉末の製造方法。請求項1~3のいずれかに記載のマグネシウムシリサイド粉末を焼結して得られるマグネシウムシリサイド焼結体。請求項4に記載のマグネシウムシリサイド焼結体をそのまま、あるいは外形加工して電極間に付設した熱電変換素子。請求項4に記載のマグネシウムシリサイド焼結体の製造方法であって、Aマグネシウムシリサイド粉末を所定の形状に成形し成形体を得る工程と、B成形体を不活性もしくは還元雰囲気中、850°C~1100°Cで1時間以上焼成し、マグネシウムシリサイド焼結体を得る工程と、からなるマグネシウムシリサイド焼結体の製造方法。本発明は、均一な粒子形状を有するマグネシウムシリサイド粉末、およびその製造方法を提供する。また、本発明で得られたマグネシウムシリサイド粉末から得られる焼結体、熱電変換素子およびそれらの製造方法を提供する。本発明者等は、鋭意検討した結果、特定の粒子径を有するマグネシウムシリサイド粉末により上記課題を解決できることを見出した。すなわち本発明は、下記1~5に記載の事項をその特徴とするものである。1マグネシウムシリサイド粉末Mg2Siであって、下記一般式1一般式1中、LはSn、Geのうち少なくとも一つ以上から選ばれる元素、MはAl、Ag、As、Cu、Sb、P、Bのうち少なくとも一つ以上から選ばれる元素、0≦x≦0.5、0≦y≦0.3で表される粒子径が0.1~100μmであるマグネシウムシリサイド粉末。2結晶相がMg2Si単相である上記1に記載のマグネシウムシリサイド粉末。3上記1または2に記載のマグネシウムシリサイド粉末の製造方法であって、IMg粉末、Si粉末、および上記一般式1に記載のLおよびMを含有する粉末を混合し混合原料を得る工程と、II混合原料を不活性もしくは還元雰囲気中、650°C~800°Cで1~5時間焼成し、マグネシウムシリサイド凝集体を得る工程と、IIIマグネシウムシリサイド凝集体を粉砕し、マグネシウムシリサイド粉末を得る工程と、からなるマグネシウムシリサイド粉末の製造方法。4上記1~3のいずれかに記載のマグネシウムシリサイド粉末を焼結して得られるマグネシウムシリサイド焼結体。5上記4に記載のマグネシウムシリサイド焼結体をそのまま、あるいは外形加工して電極間に付設した熱電変換素子。6上記4に記載のマグネシウムシリサイド焼結体の製造方法であって、Aマグネシウムシリサイド粉末を所定の形状に成形し成形体を得る工程と、B成形体を不活性もしくは還元雰囲気中、850°C~1100°Cで1時間以上焼成し、マグネシウムシリサイド焼結体を得る工程と、からなるマグネシウムシリサイド焼結体の製造方法。本発明によれば、均一な粒子形状を有するマグネシウムシリサイド粉末、およびその製造方法を提供することが可能となる。また、本発明で得られたマグネシウムシリサイド粉末から得られる焼結体およびそれらの製造方法を提供することが可能となる。さらに、本発明で得られたマグネシウムシリサイド焼結体は、例えば熱電変換材料の熱電変換素子として応用可能である。以下、本発明を詳細に説明する。本発明のマグネシウムシリサイド粉末は、下記一般式1一般式1中、LはSn、Geのうち少なくとも一つ以上から選ばれる元素、MはAl、Ag、As、Cu、Sb、P、Bのうち少なくとも一つ以上から選ばれる元素、0≦x≦0.5、0≦y≦0.3で表され、粒子径が0.1~100μmであることを特徴とする。マグネシウムシリサイド粉末の粒子径が0.1μm未満になると、粒子同士の凝集が著しくなる。その結果、後の工程でマグネシウムシリサイド焼結体を製造する際の焼結体の均一性が低下する。一方、マグネシウムシリサイド粉末の粒子径が100μmを超えると、後の工程でマグネシウムシリサイド焼結体を製造する際、マグネシウムシリサイド粒子同士の焼結が進行しにくくなり、焼結体を得ることが困難となる。なお、本発明のマグネシウムシリサイド粉末の粒子径は、例えば走査型電子顕微鏡を用いて、倍率300倍で画像を撮影し、画像中、200個の粒子を無作為に選択してそれぞれの粒子の長径と短径の積の平方根を算出することによって求めることができる。また、本発明のマグネシウムシリサイド粉末の結晶相は、マグネシウムシリサイド単相であることが好ましい。マグネシウムシリサイド以外の結晶相、例えばSiもしくはMgに帰属する結晶相が含有される場合、最終的に得られるマグネシウム焼結体の熱電変換特性が低下する。なお、本発明のマグネシウムシリサイド粉末の結晶相は、例えばX線回折法を用いることによって測定することができる。また、本発明のマグネシウムシリサイド粉末は、例えば下記I~III、IMg粉末、Si粉末、および上記一般式1に記載のLおよびMを含有する粉末を混合し混合原料を得る工程と、II混合原料を不活性もしくは還元雰囲気中、650°C~800°Cで1~5時間焼成し、マグネシウムシリサイド凝集体を得る工程と、IIIマグネシウムシリサイド凝集体を粉砕し、マグネシウムシリサイド粉末を得る工程と、からなる製造方法によって得ることが可能である。まず、Iの工程で用いられるMg粉末、Si粉末および上記一般式1に記載のLおよびMで表される金属元素等の粉末の粒子径は、混合原料の均一性確保の観点から、粒子径250μm以下であることが好ましく、200μm以下であることがより好ましく、180μm以下であることがさらに好ましい。また、Mg粉末、Si粉末およびの上記一般式1に記載のLおよびMで表される金属元素等粉末の純度は、99.5以上であることが好ましい。なお、Mg粉末、Si粉末およびの上記一般式1に記載のLおよびMで表される金属元素等粉末の混合方法としては、例えば、乳鉢での混合、ボールミル、ミキサー、ブレンダー等を好適に用いることができる。また、必要に応じて窒素、アルゴンなどの不活性ガスで置換したグローブボックス内における乳鉢での混合、あるいは不活性ガス置換したボールミル等での混合も好適に用いることができる。次いで、IIの工程では、Iの工程で得られた混合原料を焼成することによって混合原料が合金化し、マグネシウムシリサイド凝集体を得ることができる。焼成する際の雰囲気は、混合原料酸化抑制の観点から、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気、もしくは1~10に希釈した水素などの還元ガス雰囲気であることが好ましい。また、焼成温度は650°C~800°Cであることが好ましい。650°C未満では合金化が十分に進行せず、未反応のMgもしくはSiなどが残留する。一方、800°Cを超えると混合原料の焼結が顕著となり、本発明で規定した粒子径のマグネシウムシリサイド粉末が得られなくなる。また、焼成時間は1~5時間であることが好ましい。1時間未満では合金化が十分に進行せず、未反応のMgもしくはSiなどが残留する。一方、5時間を超えると混合原料の焼結が顕著となり、本発明で規定した粒子径のマグネシウムシリサイド粉末が得られなくなる。なお、混合原料を焼成する際は、混合原料酸化抑制の観点から、カーボン製の坩堝を用いることが好ましい。また、焼成時のMg消失抑制の観点から、坩堝はカーボン製の蓋で密閉することが好ましい。最後に、IIIの工程において、IIの工程で得られたマグネシウムシリサイド凝集体を摩擦や圧縮の力によって粉砕することによって本発明のマグネシウムシリサイド粉末を得ることができる。粉砕方法としては、例えば、乳鉢での粉砕、ボールミル、ロッドミル等を好適に用いることができる。また、必要に応じて窒素、アルゴンなどの不活性ガスで置換したグローブボックス内における乳鉢での粉砕、あるいは不活性ガス置換したボールミル等での粉砕も好適に用いることができる。なお、本発明のマグネシウムシリサイド粉末を用いることによって、マグネシウムシリサイド焼結体を好適に得ることが可能である。また、得られた焼結体は、例えば熱電変換材料の熱電変換素子としても使用可能である。本発明のマグネシウムシリサイド焼結体は、例えば下記AおよびBからなる製造方法によって得ることが可能である。すなわち、Aマグネシウムシリサイド粉末を所定の形状に成形成型し成形成型体を得る工程と、B成形成型を不活性もしくは還元雰囲気中、加圧下、あるいは常圧下で850°C~1100°Cで1時間以上焼成し、マグネシウムシリサイド焼結体を得る工程。ここで、常圧とは、標準大気圧101325Paを中心に上下20の圧力の範囲で製造することである。実際には、大気圧がかかる状態で、材料装置の自重以外の荷重をかけない状態である。まず、Aの工程において、本発明で得られたマグネシウムシリサイド粉末を所定の形状に成形成型する方法として、例えば油圧プレス法、スリップ成型法などを好適に用いることができる。また、Bの工程において成形成型体を焼成する際の雰囲気は、成形成型体酸化抑制の観点から、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気、もしくは1~10に希釈した水素などの還元ガス雰囲気であることが好ましい。また、焼成温度は850°C~1100°Cであることが好ましい。850°C未満では焼結が十分に進行せず、本発明のマグネシウムシリサイド焼結体が得られない。一方、1100°Cを超えるとマグネシウムの消失が顕著となり、本発明のマグネシウムシリサイド焼結体が得られなくなる。また、焼成時間は1時間以上であれば特に限定されない。なお、成形成型体を焼成する際は、成形成型体酸化抑制の観点から、カーボン製の坩堝を用いることが好ましい。また、焼成時のMg消失抑制の観点から、坩堝はカーボン製の蓋で密閉することが好ましい。以下、実施例によって、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1[マグネシウムシリサイド粉末の合成]マグネシウム粉末株式会社高純度化学研究所製、純度99.5質量5.0g、ケイ素粉末株式会社高純度化学研究所製、純度99.5質量2.3g、スズ粉末株式会社高純度化学研究所製、純度99.5質量2.4g、アルミニウム粉末株式会社高純度化学研究所製、純度99.5質量0.028gをそれぞれ秤量し、乳鉢にて30分間混合して混合原料を作製した。混合原料2.5gをカーボン坩堝直径20×40mmに充填してカーボン製の蓋で密閉した後、7水素気流中アルゴン希釈、700°Cで3時間焼成し、マグネシウムシリサイド凝集体を得た。次いで、凝集体を、直径3mmのイットリア安定化ジルコニアボールを媒体としたボールミルにより12時間粉砕し、Mg2Si0.8Sn0.2Al0.01で表されるマグネシウムシリサイド粉末を得た。[粒子径の測定]走査型電子顕微鏡株式会社日立ハイテクノロジーズ製、Miniscopeを用いて倍率300倍で粒子外観を撮影した。写真中、200個の粒子を無作為に選択し、それぞれの長径と短径の積の平方根を粒子径として算出した。測定結果を表1に示した。[結晶相の同定]X線回折装置株式会社リガク製、GeigerflexRAD-IIAを用いて合成例で得たマグネシウムシリサイド粉末の結晶相を同定した。結果を表1に示した。[マグネシウムシリサイド焼結体の作製]マグネシウムシリサイド粉末0.8gを、1軸加圧成型機直径15×50mmに充填し、油圧プレス機にて5t/cm2で1分間加圧してマグネシウムシリサイド成型体を得た。次いで、成型体をカーボン坩堝直径20×40mmに入れてカーボン製の蓋で密閉した後、7水素気流中アルゴン希釈、960°Cで2時間焼成し、マグネシウムシリサイド焼結体を得た。[熱電変換特性の評価]マグネシウムシリサイド焼結体の両端に白金線、およびアルメル-クロム熱電対を接続し、アルゴン気流中、室温25°Cから700°Cまで加熱した。この際、試料両端のアルメル-クロム熱電対間の温度勾配T1-T2によって生じる熱起電力E1-E2から、下記a式に基づいてゼーベック係数αV/Kを算出した。600°Cでの測定結果を表1に示した。α=E1-E2/T1-T2aまた、白金線を通してマグネシウムシリサイド焼結体に1mAの電流を流した場合に生じる電位差から、600°Cでの導電率σS/cmを測定した。測定結果を表1に示した。実施例2組成をMg2Si0.8Sn0.2Al0.005となるように原料を秤量した以外は実施例1と同様にしてマグネシウムシリサイド粉末およびマグネシウムシリサイド焼結体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示した。実施例3組成をMg2Si0.8Sn0.2Al0.03となるように原料を秤量した以外は実施例1と同様にしてマグネシウムシリサイド粉末およびマグネシウムシリサイド焼結体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示した。実施例4組成をMg2SiAl0.005となるように原料を秤量した以外は実施例1と同様にしてマグネシウムシリサイド粉末およびマグネシウムシリサイド焼結体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示した。実施例5組成をMg2SiAl0.03となるように原料を秤量した以外は実施例1と同様にしてマグネシウムシリサイド粉末およびマグネシウムシリサイド焼結体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示した。実施例6マグネシウムシリサイド焼結体を作製する際の焼成温度を900°Cにした以外は実施例1と同様にしてマグネシウムシリサイド粉末およびマグネシウムシリサイド焼結体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示した。実施例7マグネシウムシリサイド焼結体を作製する際の焼成温度を940°Cにした以外は実施例1と同様にしてマグネシウムシリサイド粉末およびマグネシウムシリサイド焼結体を作製し、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示した。本発明の均一な粒子形状を有するマグネシウムシリサイド粉末を用いることにより、大型の焼結体を成形することができ、形状の自由度を高めることができる。また、無次元発電性能指数に二乗で寄与するゼーベック係数が140から190V/Kの値を有し、一乗で寄与する導電率は、250~310S/cmの焼結体を得ることができる。