"A及びBの成分を含むガラス基板研磨用組成物。Aメルカプト基、アルキルチオ基及びアルキル基から選ばれる少なくとも1つの基を有するテトラゾール誘導体B水A、B及びCの成分を含むガラス基板研磨用組成物。Aメルカプト基、アルキルチオ基及びアルキル基から選ばれる少なくとも1つの基を有するテトラゾール誘導体B水C高分子多糖類A、B、C及びDの成分を含むガラス基板研磨用組成物。Aメルカプト基、アルキルチオ基及びアルキル基から選ばれる少なくとも1つの基を有するテトラゾール誘導体B水C高分子多糖類Dアミンテトラゾール誘導体が、メルカプト基、炭素数1~4のアルキルチオ基及び炭素数1~4のアルキル基から選ばれる少なくとも1つの基を有するテトラゾール誘導体である請求項1~3のいずれかに記載の組成物。アミンが一般式R2mN-R1-OHnR1は炭素数2~5の直鎖又は分岐のアルキレン基であり、R2は水素原子又は炭素数1~3のアルキル基を示す。mは0、1又は2、nは1~3の整数であり、mn=3である。で表わされるアミン、モルホリン、N-2-アミノエチルピペラジンである請求項3に記載の組成物。Aを0.01~20重量、Cを0.01~20重量、Dを0.01~20重量、Bを残部、からなる請求項1~5のいずれかに記載の組成物。Aを0.1~5重量、Bを残部、からなる請求項1に記載の組成物。Aを0.1~5重量、Cを0.1~5重量、Bを残部、からなる請求項2に記載の組成物。Aを0.1~5重量、Cを0.1~5重量、Dを0.05~10重量、Bを残部、からなる請求項3に記載の組成物。ガラス基板が、ハードディスクガラス基板である請求項1~9のいずれかに記載の組成物。請求項1~10のいずれかに記載の研磨用組成物及び研磨砥粒を含む研磨スラリー。本発明の課題は、ガラス基板の加工において、仕上げ面粗さ及び表面凹凸欠陥を改善することのできる研磨スラリー並びに当該研磨スラリーを調製するための研磨用組成物を提供することにある。本発明者は、特定の研磨用組成物及び研磨砥粒を含む研磨スラリーが上記課題を解決することを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、下記の発明に係る。1.A及びBの成分を含むガラス基板研磨用組成物。Aメルカプト基、アルキルチオ基及びアルキル基から選ばれる少なくとも1つの基を有するテトラゾール誘導体B水2.A、B及びCの成分を含むガラス基板研磨用組成物。Aメルカプト基、アルキルチオ基及びアルキル基から選ばれる少なくとも1つの基を有するテトラゾール誘導体B水C高分子多糖類3.A、B、C及びDの成分を含むガラス基板研磨用組成物。Aメルカプト基、アルキルチオ基及びアルキル基から選ばれる少なくとも1つの基を有するテトラゾール誘導体B水C高分子多糖類Dアミン4.Aを0.01~20重量、Cを0.01~20重量、Dを0.01~20重量、Bを残部、からなる上記1~3のいずれかに記載の組成物。5.ガラス基板が、ハードディスクガラス基板である上記1~4のいずれかに記載の組成物。6.上記のいずれかに記載の研磨用組成物及び研磨砥粒を含む研磨スラリー。本発明により、各種ガラス基板の加工において、仕上げ面粗さ及び表面凹凸欠陥を改善させることが可能である。更に、研磨速度を向上させることができる。本発明のガラス基板研磨用組成物の各成分について以下に詳しく説明する。Aメルカプト基、アルキルチオ基及びアルキル基から選ばれる少なくとも1つの基を有するテトラゾール誘導体において、アルキルチオ基としては例えば、炭素数1~4の低級アルキルチオ基が挙げられ、アルキル基としては例えば、炭素数1~4の低級アルキル基が挙げられる。具体的には、5-メルカプト-1-メチルテトラゾール、1-[2-ジメチルアミノエチル]-5-メルカプト-1H-テトラゾール、5-メチルチオ-1H-テトラゾール、5-エチルチオ-1H-テトラゾール、5-メチルテトラゾール、5-エチルテトラゾール等が挙げられる。B水としては、イオン交換水もしくは純水等の精製水が好ましい。C高分子多糖類としては、例えば、プルラン、アミロース、アミロペクチン、グリコーゲン、デキストリン、ヒアルロン酸等が挙げられる。Dアミンは、特に限定されないが、例えば、イソプロピルアミン、シクロヘキシルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン等の炭素数1~10の鎖状又は環状のアルキルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、N-メチルモノエタノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、N,N-ジメチルエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、ジグリコールアミン、2-アミノ-2-メチル-1-プロパノール、n-ブタノールアミン、イソブタノールアミン、tert-ブタノールアミン等の炭素数1~10のアルカノールアミン、モルホリン、N-2-アミノエチルピペラジン等の炭素数4~10、好ましくは炭素数4~6の環状アミン等が挙げられる。これらアミンのうち、一般式R2mN-R1-OHnR1は炭素数2~5の直鎖又は分岐のアルキレン基であり、R2は水素原子又は炭素数1~3のアルキル基を示す。mは0、1又は2、nは1~3の整数であり、mn=3である。で表わされるアミン、モルホリン、N-2-アミノエチルピペラジンが好ましい。更に、これら組成物に加え、多価アルコール類を適宜用いても良い。多価アルコール類としては多価アルコール及び多価アルコールのアルキルエーテルを例示でき、例えばエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ブチルカルビトール、ヘキシレングリコール、ブタンジオール、ブチルジグリコール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ソルビトール、スクロース等が挙げられる。研磨用組成物における成分A~Dの含有量は特に限定されないが、成分Aの含有量としては0.01~20重量が好ましく、0.05~10重量がより好ましく、0.1~5重量が更に好ましく、1~5重量が最も好ましい。成分Aの含有量が上記範囲であれば、仕上げ面粗さ及び表面凹凸欠陥の改善効果が得られる。更には、研磨速度も向上できる。高分子多糖類Cの含有量としては0.01~20重量が好ましく、0.05~10重量がより好ましく、0.1~5重量が更に好ましく、1~5重量が最も好ましい。成分Cの含有量を上記範囲であれば、特に表面凹凸欠陥の改善効果が得られる。アミンDの含有量としては0.01~20重量が好ましく、0.05~10重量がより好ましく、0.1~5重量が更に好ましく、1~5重量が最も好ましい。成分Dの含有量を上記範囲であれば、pHをアルカリ性へ調整でき、仕上げ面粗さ及び表面凹凸欠陥の改善効果が得られる。好ましいpH範囲は、8~13である。水Bの含有量は、残部である。本発明の研磨用組成物に研磨砥粒を分散させることにより、本発明の研磨スラリーを得ることができる。研磨砥粒としては、例えば、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、ダイヤモンド、アルミナ、セリア、ジルコニア、チタニアなどの種々公知の研磨砥粒に適用できる。なかでも研磨砥粒としてはコロイダルシリカ及びジルコニアが好ましい。コロイダルシリカの大きさとしては、一般に平均粒子径0.001~1μm、好ましくは0.001~0.5μm、より好ましくは0.001~0.2μm程度が良い。研磨スラリー中のコロイダルシリカの含有量は特に限定されないが、通常40重量以下、好ましくは0.1~20重量が良い。ジルコニアの大きさとしては、一般に平均粒子径0.1~15μm、好ましくは0.1~10μm、より好ましくは0.1~5μm程度が良い。研磨スラリー中のジルコニアの含有量は特に限定されないが、通常20重量以下、好ましくは0.1~10重量が良い。本発明のガラス基板研磨用組成物及び研磨スラリーによって研磨されるガラス基板は特に限定されないが、例えば珪酸を主成分とし、他にガラス中にアルミナ、酸化ナトリウム、酸化カリウム等の金属化合物を含有してもよい。本発明の研磨スラリーは、ガラス基板加工用の研磨スラリーであって、ハードディスクNiP合金基板加工用の研磨スラリーや、通常の鉄やアルミ材料の水溶性切削加工、水溶性研削加工、水溶性研磨加工液とは、区別されるものである。上記通常の加工においては、循環使用が一般的であり、防腐、消泡、防錆などの二次性能等において要求性能が大きく異なる。以下に示す実施例及び比較例においては、以下に示す研磨評価を行った。ただし、本発明は実施例に限定されるものではない。実施例1~8及び比較例1~6下記表1~3に示す成分数値は重量を配合してガラス基板研磨用組成物を調製した。水は純水を用いた。比較例1のN-2-アミノエチルピペラジンAEPは、WO2004/100242特許文献1で用いられる第1級アミノ基を有する脂肪族アミンである。比較例2の炭酸カリウムは、特開2006-315160特許文献2で用いられる炭酸塩である。比較例4~6の1H-テトラゾール、イミダゾール、ベンゾトリアゾールは、一般的に金属材料の研磨スラリーに使用されている複素環化合物である。ガラス基板用研磨スラリーは、研磨用組成物250gを純水2875gで希釈後、コロイダルシリカスラリーアデライトAT-40:シリカ濃度40、一次粒子径10-20nmを1875g添加することによりコロイダルシリカ含有量が15重量の研磨スラリーを調製した。この研磨スラリーを使用し、ハードディスクガラス基板の研磨評価を行った。結果を表1~3に示す。表1~3の研磨後の表面粗さ仕上げ面粗さ、最大高低差及び研磨速度の結果は、比較例1のN-2-アミノエチルピペラジンAEPの各性能を1.00とした相対比較である。実施例1~8及び比較例1~6の特性は以下の方法により測定した。研磨特性評価スウェードパッドニッタハース株式会社製SupremeRN-RをCMP研磨装置ナノファクター製NF-300に設置し、プラテン回転数30回転/分、ヘッド回転数30回転/分、研磨圧力90g/cm2の条件で研磨スラリーを150ml/分の速度で供給しつつ、直径2.5インチのハードディスクガラス基板を研磨時間5分で研磨評価を行った。研磨後の表面粗さ仕上げ面粗さ、最大高低差及び研磨速度を評価することによって研磨評価を行った。なお、研磨後の表面粗さ、最大高低差及び研磨速度の測定方法は以下の方法で測定した。表面粗さ研磨後の表面粗さRaは走査プローブ顕微鏡エスアイアイナノテクノロジー製SPA-400を用いて、AFMモードで測定した。最大高低差最大高低差とは、ガラス表面の最大山Rpと最大谷Rvの距離のことであり、表面凹凸欠陥の評価方法である。研磨後の最大高低差は走査プローブ顕微鏡SPA-400を用いて、AFMモードで測定した。研磨速度研磨前後のガラス基板の重量変化を電子天秤ザルトリウス社製LE225Dにより測定して研磨量を求め研磨速度を求めた。表1より実施例1~3の研磨用組成物は、表面粗さ仕上げ面粗さ及び最大高低差において比較例1~3より改善することが確認できる。表2より実施例2及び4~6の研磨用組成物は、表面粗さ仕上げ面粗さ及び最大高低差において比較例4~6の1H-テトラゾール、イミダゾール、ベンゾトリアゾールより改善されていることが確認できる。表3より高分子多糖類の添加により、最大高低差が大幅に改善することが確認できる。更に、高分子多糖類及びアミンの添加により、表面粗さ仕上げ面粗さ及び最大高低差の両立が可能であることが確認できる。実施例9~10及び比較例7下記表4に示す成分数値は重量を配合してガラス基板研磨用組成物を調製した。水は純水を用いた。比較例7は、水のみである。ガラス基板用研磨スラリーは、研磨用組成物10gを純水170gで希釈後、ジルコニアキシダ化学製:粒子径約4μmを20g添加することによりジルコニア含有量が10重量の研磨スラリーを調製した。この研磨スラリーを使用し、ハードディスクガラス基板の研磨評価を行った。結果を表4に示す。表4の研磨後の表面粗さ仕上げ面粗さ、最大高低差及び研磨速度の結果は、比較例1の各性能を1.00とした相対比較で示した。実施例9~10及び比較例7の特性は以下の方法により測定した。研磨特性評価ウレタンパッドニッタハース株式会社製IC1000をCMP研磨装置ナノファクター製NF-300に設置し、プラテン回転数50回転/分、ヘッド回転数50回転/分、研磨圧力360g/cm2の条件で研磨スラリーを50ml/分の速度で供給しつつ、直径2.5インチのハードディスクガラス基板を研磨時間2分で研磨評価を行った。研磨後の表面粗さ仕上げ面粗さ、最大高低差及び研磨速度を評価することによって研磨評価を行った。なお、研磨後の表面粗さ、最大高低差及び研磨速度の測定方法は以下の方法で測定した。表面粗さ研磨後の表面粗さRaは走査プローブ顕微鏡島津製作所製SPM-9700を用いて、DFMモードで測定した。最大高低差最大高低差とは、ガラス表面の最大山Rpと最大谷Rvの距離のことであり、表面凹凸欠陥の評価方法である。研磨後の最大高低差は走査プローブ顕微鏡島津製作所製SPM-9700を用いて、DFMモードで測定した。研磨速度研磨前後のガラス基板の重量変化を電子天秤ザルトリウス社製LE225Dにより測定して研磨量を求め研磨速度を求めた。表4より実施例9~10の研磨用組成物は、表面粗さ仕上げ面粗さ、最大高低差及び研磨速度において比較例7より改善することが確認できる。"