"互いに略平行な光入射面及び光出射面を有し、前記光入射面あるいは前記光出射面に対して所定の傾斜角度を有する接合面によって接着層を介して接合された複数の透光性基板と、複数の前記透光性基板の間の境界部に交互に設けられ、前記光入射面に入射した光を偏光方向が互いに直交する異なる2種類の直線偏光に分離して一方の直線偏光を透過させ、他方の直線偏光を反射する偏光分離部と、反射された前記他方の直線偏光光束を反射し、光路の向きを変える反射部と、を有する光学素子と、前記光出射面に配置され、前記2種類の直線偏光のうち何れか一方の直線偏光の偏光面を回転させて他方の直線偏光の偏光面と平行な直線偏光に変換して出射する位相差板と、を備え、前記接着層は、紫外線硬化型の接着剤であり、厚みが5μm以上10μm以下であり、前記位相差板は、前記光出射面であって、前記偏光分離部の上部の領域又は前記反射部の上部の領域に配置され、波長λの光に対して位相差Γ1の第1の波長板と、前記波長λの光に対して位相差Γ2の第2の波長板と、を各々の光学軸が交差するように配置してなり、入射する直線偏光の偏光面を回転角θ=90deg回転させた直線偏光に変換して出射する位相差板であって、下式1及び2を満足し、Γ1=360deg1Γ2=180deg2前記第1の波長板の光学軸方位角θ1と前記第2の波長板の光学軸方位角θ2が以下の条件1乃至4のうちの何れかの条件を満足することを特徴とする偏光変換素子。条件1:θ1=-16deg、θ2=45deg条件2:θ1=16deg、θ2=135deg条件3:θ1=74deg、θ2=135deg条件4:θ1=106deg、θ2=45deg前記第1、第2の波長板の材質が無機光学結晶であり、前記第1の波長板の主面における法線と前記無機光学結晶の結晶光学軸とのなす角度を前記第1の波長板の切断角度Z1とし、前記第2の波長板の主面における法線と前記無機光学結晶の結晶光学軸とのなす角度を前記第2の波長板の切断角度Z2としたとき、前記切断角度Z1と前記切断角度Z2とが異なることを特徴とする請求項1に記載の偏光変換素子。前記切断角度Z1と前記切断角度Z2が、Z1=27deg、Z2=18degを満足することを特徴とする請求項1又は2に記載の偏光変換素子。前記位相差板は、前記光学素子の端縁部に、前記偏光分離部と前記反射部とが交互に並べられた方向に沿って接合された基部と、該基部に連続して形成され、且つ前記偏光分離部又は前記反射部の前記光出射面側に配置された複数の位相差部本体と、を備えていることを特徴とする請求項1乃至3何れか一項に記載の偏光変換素子。請求項1乃至4の何れか一項に記載の偏光変換素子において、前記接着層は、変性アクリレート又は変性メタクリレートを主成分とすることを特徴とする偏光変換素子。請求項1乃至5の何れか一項に記載の偏光変換素子において、前記位相差板と前記光出射面とは、接合層により接合され、前記接合層は、シロキサン結合Si-Oを含む原子構造を有するSi骨格と、該Si骨格に結合する脱離基と、を含み、前記Si骨格のうち、前記脱離基が脱離したSi骨格の未結合手が活性手となって、前記位相差板と前記光出射面と接合していることを特徴とする偏光変換素子。請求項1乃至5の何れか一項に記載の偏光変換素子において、前記透光性基板と前記位相差板とは、接合層により接合され、前記接合層は、前記透光性基板に設けられた微結晶連続薄膜と、前記位相差板に設けられた微結晶連続薄膜とを接触させて、前記透光性基板の微結晶連続薄膜と前記位相差板の微結晶連続薄膜との接触界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせる原子拡散接合法により形成される、又は、前記透光性基板及び前記位相差板のうちの何れか一方に設けられた微結晶連続薄膜と、何れか他方に設けられた微結晶構造とを接触させて、前記微結晶連続薄膜と前記微結晶構造との接触界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせる原子拡散接合法により形成されることを特徴とする偏光変換素子。請求項1乃至7の何れか一項に記載の偏光変換素子と、当該偏光変換素子を固定する固定枠と、を備えることを特徴とする偏光変換ユニット。光を出射する光源装置と、請求項8に記載の偏光変換ユニットと、当該偏光変換ユニットからの偏光光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、当該光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、を備えることを特徴とする投射装置。これらの問題に対して、特許文献2、3には、第1の波長板と第2の波長板からなる波長板の例においてこれらの第1、第2の波長板を積層せずに空間的に離間して配置する構成が開示されており、このような構成を偏光変換素子に適用して、偏光変換素子を構成する透光性基板同士を、接着剤を用いずに離間して配置することで、接着剤の劣化や、研磨時に透光性基板の角部が削られることに伴う偏光変換素子の光学特性の劣化の影響を回避することも可能であるが、透光性基板同士の光学軸の交差角度の制御や、各々の波長板の表裏面に反射防止膜を形成し設けなければならない、等の製造上の煩雑性やコスト高、光学素子の大型化等の問題が発生するために好ましくない。さらに、以上説明したような偏光変換素子に用いられる1/2波長板位相差板としては、光の三原色であるR、G、Bの3波長帯を用いる液晶プロジェクターに適用可能なように、所定の波長で位相差が180degとなり、広帯域に亘って偏光変換効率が1となって確実にP偏光をS偏光に変換し、あるいはS偏光をP偏光に変換可能な仕様を有する1/2波長板が求められており、特許文献4等にも、このような仕様を有する1/2波長板が提案されている。本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、接着剤として、耐熱耐光性能に優れた紫外線硬化製樹脂接着剤を用い、更に、入射する光に対して、広帯域に亘って確実に1/2波長板として機能する波長板を備えた偏光変換素子の構造を実現することを目的とする。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例の偏光変換素子は、互いに略平行な光入射面及び光出射面を有し、前記光入射面あるいは前記光出射面に対して所定の傾斜角度を有する接合面によって接着層を介して接合された複数の透光性基板と、複数の前記透光性基板の間の境界部に交互に設けられ、前記光入射面に入射した光を偏光方向が互いに直交する異なる2種類の直線偏光に分離して一方の直線偏光を透過させ、他方の直線偏光を反射する偏光分離部と、反射された前記他方の直線偏光光束を反射し、光路の向きを変える反射部と、を有する光学素子と、前記光出射面に配置され、前記2種類の直線偏光のうち何れか一方の直線偏光の偏光面を回転させて他方の直線偏光の偏光面と平行な直線偏光に変換して出射する位相差板と、を備え、前記接着層は、紫外線硬化型の接着剤であり、厚みが5μm以上10μm以下であり、前記位相差板は、前記光出射面であって、前記偏光分離部の上部の領域又は前記反射部の上部の領域に配置され、波長λの光に対して位相差Γ1の第1の波長板と、前記波長λの光に対して位相差Γ2の第2の波長板と、を各々の光学軸が交差するように配置してなり、入射する直線偏光の偏光面を回転角θ=90deg回転させた直線偏光に変換して出射する位相差板であって、下式1及び2を満足し、Γ1=360deg1Γ2=180deg2前記第1の波長板の光学軸方位角θ1と前記第2の波長板の光学軸方位角θ2が以下の条件1乃至4のうちの何れかの条件を満足する偏光変換素子を特徴とする。条件1:θ1=-16deg、θ2=45deg条件2:θ1=16deg、θ2=135deg条件3:θ1=74deg、θ2=135deg条件4:θ1=106deg、θ2=45deg本適用例によれば、光学素子を作成する際の接着剤として耐熱耐光性能に優れた紫外線硬化製樹脂接着剤を用いることで高耐熱高耐光性であり、更に、光学軸方位角を上記のように設定することで、広帯域の光に対して確実に1/2波長板として機能する位相差板を備えた偏光変換素子の構造を実現することが出来る。また、接着層の厚みが10μm以下であり、十分に薄いため、光入射面などを研磨する際に透光性基板の角部が削られてしまうことがない。従って、光の透過領域が狭くなるという問題もない。[適用例2]本適用例の偏光変換素子は、適用例1に記載の偏光変換素子において、前記第1、第2の波長板の材質が無機光学結晶であり、前記第1の波長板の主面における法線と前記無機光学結晶の結晶光学軸とのなす角度を前記第1の波長板の切断角度Z1とし、前記第2の波長板の主面における法線と前記無機光学結晶の結晶光学軸とのなす角度を前記第2の波長板の切断角度Z2としたとき、前記切断角度Z1と前記切断角度Z2とが異なることを特徴とする。本適用例によれば、各波長板の切断角度を互いに異ならせることにより、それぞれの光学軸方位角に基づく設計位相差を満たしつつ、ハンドリング上都合の良い、ほぼ同等の厚みとすることが出来る。[適用例3]本適用例の偏光変換素子は、適用例1又は2に記載の偏光変換素子において、前記切断角度Z1と前記切断角度Z2が、Z1=27deg、Z2=18degを満足することを特徴とする。本適用例によれば、各波長板を、ハンドリング上最も都合の良い0.3mm前後の厚みとすることが出来る。[適用例4]本適用例の偏光変換素子は、適用例1乃至3の何れかに記載の偏光変換素子において、前記位相差板は、前記光学素子の端縁部に、前記偏光分離膜と前記反射膜とが交互に並べられた方向に沿って接合された基部と、該基部に連続して形成され、且つ前記偏光分離膜又は前記反射膜の前記光出射面側に配置された複数の位相差部本体と、を備えていることを特徴とする。本適用例によれば、位相差板を構成する位相差部本体が、光学素子に直に接合されないので、両者の接合に接着剤を用いる必要が無く、接着剤の劣化による光学特性の劣化を防止出来る。[適用例5]本適用例の偏光変換素子は、適用例1乃至4の何れかに記載の偏光変換素子において、前記接着層は、変性アクリレート又は変性メタクリレートを主成分とすることを特徴とする。本適用例によれば、透明基板の接着に耐熱耐光性能に優れた紫外線硬化製樹脂接着剤を用いることで、偏光変換素子を高耐熱性高耐光性として長寿命とすることが出来る。[適用例6]本適用例の偏光変換素子は、適用例1乃至5の何れかに記載の偏光変換素子において、前記位相差板と前記光出射面とは、接合層により接合され、前記接合層は、シロキサン結合Si-Oを含む原子構造を有するSi骨格と、該Si骨格に結合する脱離基と、を含み、前記Si骨格のうち、前記脱離基が脱離したSi骨格の未結合手が活性手となって、前記位相差板と前記光出射面と接合していることを特徴とする。本適用例によれば、無機的な方法で透光性基板と位相差板とを接合するため、接着剤が熱劣化することなく、偏光変換素子を高耐熱性高耐光性として長寿命とすることが出来る。[適用例7]本適用例の偏光変換素子は、適用例1乃至5の何れかに記載の偏光変換素子において、前記透光性基板と前記位相差板とは、接合層により接合され、前記接合層は、前記透光性基板に設けられた微結晶連続薄膜と、前記位相差板に設けられた微結晶連続薄膜とを接触させて、前記透光性基板の微結晶連続薄膜と前記位相差板の微結晶連続薄膜との接触界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせる原子拡散接合法により形成される、又は、前記透光性基板及び前記位相差板のうちの何れか一方に設けられた微結晶連続薄膜と、何れか他方に設けられた微結晶構造とを接触させて、前記微結晶連続薄膜と前記微結晶構造との接触界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせる原子拡散接合法により形成されることを特徴とする。本適用例によれば、無機的な方法で透光性基板と位相差板とを接合するため、接着剤が熱劣化することなく、偏光変換素子を高耐熱性高耐光性として長寿命とすることが出来る。[適用例8]本適用例の偏光変換ユニットは、適用例1乃至7の何れかに記載の偏光変換素子と、当該偏光変換素子を固定する固定枠と、を備えることを特徴とする。本適用例によれば、本発明の偏光変換素子を備えることで、長寿命で光学特性に優れた偏光変換ユニットとすることが出来る。[適用例9]本適用例の偏光変換ユニットは、光を出射する光源装置と、該光源装置からの光を、1種類の偏光光に変換する適用例8の偏光変換ユニットと、当該偏光変換ユニットからの偏光光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、該光変調装置にて形成された前記光学像を拡大投射する投射光学装置と、を備えることを特徴とする。本適用例によれば、本発明の偏光変換素子を用いることで、長寿命で光学特性に優れた投光装置とすることが出来る。以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態例を詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態に係る偏光変換素子の一例を示す図である。図1に示すように、本発明に係る偏光変換素子1は、上述のPBSアレイである素子本体光学素子10と、素子本体10に選択的に接合された、水晶等の無機光学結晶からなる位相差板積層1/2波長板20と、を備える。水晶等の無機光学結晶は、熱伝導性に優れるため、背景技術で述べた有機系材料で作製した位相板に比べ、耐熱性に優れ、高熱による光学特性の劣化の懸念がない。また、位相差板の材質としては、水晶の他に、リチウムタンタレート、サファイアなども適用可能である。なお、後述する図27に示すように、偏光変換素子1においては、2つの素子本体10を連結して組み込むが、図1では、一部のみを表示している。図1に示すように、素子本体10は、複数の透光性基板11と、複数の透光性基板11の間に交互に設けられた偏光分離膜偏光分離部12及び反射膜反射部13と、複数の透光性基板11の間にそれぞれ設けられて、透光性基板11を接着する接着層14と、を備えている。また、素子本体10は、互いに略平行な光入射面16と、光出射面17と、を有する。また、素子本体10は、光入射面16あるいは光出射面17に対して所定の傾斜角度を有する接合面11aにより複数の透光性基板11を偏光分離膜偏光分離部12と反射膜反射部13とを交互に挟んで接着層14により接合されている。偏光分離膜12は、外部からの入力光S偏光光及びP偏光光のうち、P偏光光を選択的に透過させ、S偏光光を反射させる。反射膜13は、偏光分離膜12により反射されたS偏光光を、光出射面17に向けて反射させる。ここで、接着層14は、その厚みが5μm以上10μm以下である。接着層14は、変性アクリレート又は変性メタクリレートを主成分とする紫外線硬化型の接着剤により形成されるため、上記のような厚みとすることが出来る。従来の紫外線硬化型の接着剤では、変性アクレート又は変性メタクリレートを主成分としていなかったために、粘度が高く、接着層の厚みが10μm以上20μm以下となってしまっていた。このように、接着層の厚みが10μmを超える場合、後に図5乃至図11を用いて説明する偏光変換素子の製造工程において、接着層の端部に歪みが生じてしまう。そのため、光入射面16及び光出射面17を研磨する図11際に、歪み近傍の透光性基板11の角部が削られてしまう。その結果、透光性基板11の光出射面17に、位相差板20を接合する際に、透光性基板11と、位相差板20との間に隙間が生じ、気泡が発生してしまう。これにより、透光性基板11と位相差板20とが十分に接合されず、位相差板20が、剥がれやすくなる。また、透光性基板11と、位相差板20との間に発生した気泡により光の透過率が落ちる。一方、接着層の厚みが、5μm未満の場合は、接着層にごみなどが混入した場合、ごみなどによって、接着層の接着強度が低下する。しかし、接着層の厚みが5μm以上10μm以下であれば、透光性基板11の角部が削れにくい為に気泡が発生せず、位相差板20が透光性基板11から剥がれやすくなったり、光の透過率が落ちたりする不具合を解消することが出来る。なお、本実施形態に用いられる接着剤としては、例えば、UT20、HR54商品名、株式会社アーデル製などが挙げられる。また、図1において、位相差板20は、接合層21により、透光性基板11の光出射面17おける偏光分離膜12の上部の領域に接合されている。この位相差板20は、上記のように水晶により作製された1/2波長板であり、偏光分離膜12を透過したP偏光光をS偏光光に変換する。ただし、偏光変換素子1において、P偏光光に統一して出射する場合には、位相差板20を反射膜13の上部に設けるようにする。なお、接合層21は、分子接合するプラズマ重合膜であり、その主材料は、ポリオルガノシロキサンである。プラズマ重合膜は、プラズマ重合法により形成されてシロキサン結合を含み、結晶化度が45以下であるSi骨格と、このSi骨格に結合する有機基からなる脱離機とを含む。そして、エネルギーを付与して表面付近に存在する脱離基がSi骨格から脱離することにより、接着性を発現する。図2は、プラズマ重合膜の組成を説明する概略図であり、Aは、エネルギーを付与する前の組成を示し、Bは、エネルギーを付与した後の組成を示している。上記したが、図2Aに示すように、プラズマ重合膜は、Si骨格21Bを含むシロキサン結合Si-O21Aと、Si骨格21Bと結合している脱離基21Cと、を含む。図2Aに示すようなプラズマ重合膜よりなる接合層21にエネルギーが付与されると、図2Bに示す通り、図2Aに示されていた脱離基21Cが、Si骨格21Bから脱離する。これにより、接合層21の表面及び内部に、活性手21Dが生じ、活性化される。その結果、接合層21の表面に接着性が発現する。このような接着性が発現すると、接合層21は強固に接合可能となる。なお、接合層21のSi骨格21Bの結晶化度は45以下であることが好ましく、40以下であることがより好ましい。これにより、Si骨格21Bは充分にランダムな原子構造を含むものとなり、これにより、Si骨格21Bの特性が顕在化する。ここで、活性化させるとは、接合層21の表面及び内部の脱離基21Cが脱離して、Si骨格21Bにおいて終端化されていない結合手以下、未結合手またはダングリングボンドともいう。が生じた状態や、この未結合手が水酸基OH基によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことをいう。従って、活性手21Dとは、未結合手ダングリングボンド、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことをいい、このような活性手21Dによれば、接合層21の強固な接合が可能となる。前述の通り、このプラズマ重合膜は、エネルギーが付与されると、その表面及び内部に活性手が生じるため、プラズマ重合膜に強力な接着性が発現する。また、接着剤を用いない無機的な接合方法であるので、接着剤の劣化によって光学特性が影響を受けることがない。また、接着層14の厚みが5μm以上10μ以下であることで、透光性基板11の角部が削れにくいことで、プラズマ重合法により隙間無く接合層21を形成して、透光性基板11と位相差板20とを強力に接合出来る。なお、位相差板20と光出射面17との接合方法は、このプラズマ重合法に限ることはなく、上記した変性メタクリレート又は変性アクリレートを主成分とする接着剤によって接合してもよい。また、接合層21は、プラズマ重合法のみならず、原子拡散接合法により形成してもよい。原子拡散接合法とは、まず、真空容器内におけるスパッタリングやイオンプレーティング等の真空成膜により、素子本体10を構成する透光性基板11及び位相差板20に、それぞれ微結晶連続薄膜を成膜する。そして、微結晶連続薄膜同士を、成膜中又は成膜後に重ね合わせて、接合界面及び結晶粒界において原子拡散を生じさせることにより、透光性基板11及び位相差板20の間で強固に接合する方法である。なお、微結晶連続薄膜同士を重ね合わせるだけでなく、透光性基板11及び位相差板20のいずれか一方に微結晶連続薄膜を形成し、他方に微結晶構造を形成し、そしてこれらの微結晶連続薄膜と微結晶構造とを重ね合わせることにより、原子拡散接合を実施することも出来る。この場合も、接着剤を用いない無機的な接合方法であるので、接着剤の劣化によって光学特性が影響を受けることがない。図3は、他の実施形態に係る偏光変換素子を示す分解斜視図である。図4は、図3の偏光変換素子の一部分を拡大して示した断面図である。なお、図1と同様の構成については、同じ符号を付して詳細な説明を省略している。図3、図4に示す偏光変換素子は、PBSアレイとしての素子本体10と、素子本体10に接合され、1/2波長板として機能し、入射した直線偏光の偏光面を90deg回転させて出射する水晶製の位相差板20と、を備える。素子本体10は、略直方体形状であり、2つの素子本体10A、10Bが向かい合う長手方向の端部同士を互いに接合し、接合面10Cに対して対称関係となっている。この素子本体10は、互いに略平行な光入射面10Dと光出射面10Eとを有する。また、素子本体10は、複数の透光性基板11との間に、長手方向に沿って交互に並んで配置された偏光分離膜12と反射膜13とを有する。また、複数の透光性基板11は、それぞれ光入射面10D或いは、光出射面10Eに対して所定の傾斜角度を有した接合面11aによって接合されている。偏光分離膜12と反射膜13とは、複数の透光性基板11との間の境界部11Bに交互に設けられている。偏光分離膜12は、光入射面10Dに入射した光を、偏光方向が互いに直交する異なる2種類の直線偏光に分離して一方の直線偏光を透過させ、他方の直線偏光を反射させる。本実施形態では、偏光分離膜12は、光入射面10Dに入射したランダム偏光光のうちP偏光光を選択的に透過させ、S偏光光を反射させる。反射膜13は、偏光分離膜12により反射された他方の直線偏光を反射し、光路の向きを変える。即ち、反射膜13は、偏光分離膜12にて反射されたS偏光光を光出射面10Eに向けて反射させる。素子本体10は、図4に示すように、複数の透光性基板11を互いに接合する接着層14を有する。ここで、接着層14は、紫外線硬化型等の光学系接着剤を用いることが出来る。紫外線硬化型の接着剤を用いた場合、粘度が高く、接着層14の厚みは、およそ10μm以上20μm以下程度となる。更に、変性アクリレート又は変性メタクリレートを主成分とする紫外線硬化型の接着剤を用いると、接着層14の厚みを5μm以上10μmと薄くできる。変性アクリレート又は変性メタクリレートを主成分とする紫外線硬化型の接着剤としては、例えば、UT20、HR154商品名、株式会社アーデル製などが挙げられる。接着層14は、所定の厚さW1を有する。位相差板2020A、20Bは、2つの素子本体10A、10Bの光出射面10Eに夫々配置されている。位相差板20は、偏光分離膜12を透過したP偏光光に180degの位相差を生じさせて当該P偏光光の偏光面を90deg回転させるので、反射膜13により反射されたS偏光光の偏光面と平行な直線偏光、即ち、S偏光光に変換して出射する。また、図3に示すように、位相差板20は、櫛状すだれ状である。この位相差板2020A、20Bは素子本体10に接合されて光が透過しない基部20C20C1、20C2と、この基部20Cから延在され、光が透過する位相差部20D20D1、20D2と、を有する。即ち、基部20Cは、素子本体10の光学領域である有効エリアEの外に配置されている。基部20Cの長手方向、即ち、偏光分離膜12と反射膜13とが交互に並べられた方向に沿って、接合されている。そして、一方の位相差板20Aの基部20C1は、素子本体10における長手方向に平行な端縁部のうち一方の端縁部10Fに接合され、他方の位相差板20Bの基部20C2は、一方の位相差板20Aにおける位相差部20D1の先端部20E1に接近している。即ち、一方の位相差板20Aの基部20C1は、他方の位相差板20Bにおける位相差部20D2の先端部20E2に接近しており、他方の位相差板20Bの基部20C2は、一方の位相差板20Aにおける位相差部20D1の先端部20E1に接近している。なお、基部20Cは、その主平面が、長尺の矩形状であり、その幅は、例えば3mmから4mm程度である。基部20Cは、素子本体10に、図示しない接合膜により接合されている。この接合膜は、接着層14と同様に、紫外線硬化型等の光学系接着剤やプラズマ重合膜により設けられている。接合膜は、光路上に配置されない、光学領域である有効エリアEの外側に配置されることが望ましいため、基部20Cと素子本体10の長手方向に並行な端縁部10F、10Gとの間にのみ形成されていることが望ましい。位相差板20位相差部20Dは、いわば短冊状であり、その厚さは基部20Cと同じである。位相差部20Dは、基部20Cから延在され、素子本体10の光出射面10Eにおける偏光分離膜12の上部の領域に配置されている。隣り合う複数の位相差部20Dは、互いに所定幅の隙間W2をもって配置されており、隙間W2には、反射膜13で反射されたS偏光光がそのまま通過する。位相差部20Dは、図4に示すように、それぞれ素子本体10の光出射面10Eに対向する光入射面20Fを有する。この位相差部20Dの光入射面20Fと、素子本体10の光出射面10Eとの間には、僅かな隙間W3が設けられている。そのため、位相差部20Dの光入射面20Fと光学素子310の光出射面10Eとには、それぞれ図示しない反射防止膜が形成されていることが望ましい。図3、図4の構成によれば、位相差板20の位相差部20Dが、素子本体10に接着剤により接着されないので、接着剤の劣化による光学特性の劣化を回避することが出来る。また、複数の位相差部20Dが、基部20Cと一体となっているため、位相差板20の素子本体10への組み付けも容易である。次に、素子本体10の製造工程をより詳しく説明する。製造工程は、大きく分けて膜形成工程と、接着工程と、切断工程と、研磨工程と、から成っている。図5乃至図11は、本実施形態にかかる偏光変換素子、特に素子本体の製造工程を説明する図である。[膜形成工程]最初の膜形成工程では、図5に示すように、まず複数の透光性基板ガラス等の無色透明基板11Aが準備される。これらの透光性基板11Aは、互いに略平行な第1面11A1及び第2面11A2を有している。複数の透光性基板11Aのうち、いくつかの透光性基板11Aの第1面11A1には、偏光分離膜12が形成され、第2面11A2には、反射膜13が形成される。その他の透光性基板11Aの第1面11A1及び第2面11A2には、これらの膜の何れかが形成されるか、あるいは何れの膜も形成されていない。[接着工程]図6に示す接着工程では、偏光分離膜12及び反射膜13が形成された透光性基板11Aと、これらの膜が形成されていない透光性基板11Aと、が接着剤14Aによって交互に貼り合わされる。このとき、偏光分離膜12と反射膜13とが透光性基板11Aを挟んで交互に積層されるようにする。ここで、接着剤14Aとして変成アクリレート又は変性メタクリレートを主成分とする接着剤を使用し、その塗布量は、硬化後の厚みが5~10μmとなるように調整する。次に、図7に示すように、透光性基板11Aの第1面11A1にほぼ垂直な方向から紫外線が照射される。なお、紫外線は、偏光分離膜12及び反射膜13を通過するため、図7中全ての接着剤14Aは同時に硬化される。これにより、偏光分離膜12と透光性基板11Aの間と、反射膜13及び第2の透光性基板の間に、それぞれ接着層14が形成される。そして、複数の透光性基板11Aが接合された積層体400が形成される。なお、透光性基板11Aの第1面11A1にほぼ平行な方向から紫外線を照射してもよい。ここで、接着剤14Aの硬化条件と、各硬化条件によって得られる接着層14の接着強度との関係について説明する。下記の表1に示したように、紫外線UV照射量を変化させて硬化試験1から硬化試験7までを実施した。その結果、引張強度については、表1、図8A、Bに示すようになり、せん断強度については、表1、図9A、Bに示すようになった。すなわち、図8A、Bに示すように、紫外線照射量が15,000mJ/cm2以上45,000mJ/cm2以下、特に20,000mJ/cm2以上35,000mJ/cm2以下の場合、接着層14の引張強度が高くなるため好ましい。また、図9A、Bに示すように、紫外線照射量が15,000mJ/cm2以上60,000mJ/cm2以下、特に25,000mJ/cm2以上50,000mJ/cm2以下の場合は、接着層14のせん断強度が高くなるために好ましい。なお、表1中、各硬化試験は、2回ずつ実施している。引張強度試験、せん断強度試験は、以下の試験方法で実施した。すなわち、10mm×10mmの大きさの白色ガラス板2枚を接着剤14Aで接着して作成した試験品を、引張試験機で、接着面に対し垂直あるいは平行方向に引張加重をかけ、2枚の白色ガラス板が分離した時の加重を測定した。[表1]次に、図10に示すように、切断工程として、第1面11A1と所定の角度θ約45度をなす切断面でほぼ平行に積層体400が切断されて、積層ブロック410が切り出される。図11に示す、続く研磨工程では、切り出された積層ブロック410の切断面410Aを研磨装置500で研磨することにより、偏光変換素子1の素子本体10が得られる。[耐熱性試験]実施例1及び比較例1により、本発明に用いる接着剤接着層の耐熱性について評価した。図12は、実施例1及び従来例1の耐熱性試験を示す図である。実施例1では、接着剤UT20株式会社アーデル製により、2枚のガラス板を貼り合わせ、所定量の紫外線を照射した。これにより、実施例1の試験片600を作製した。一方、比較例1では、従来の接着剤PHOTOボンド300サンライズMSI株式会社製により2枚のガラス板を貼り合わせ、所定量の紫外線を照射した。これにより、比較例1の試験片601を作製した。これら試験片600、601を固定枠610内に固定した後、試験片600、601をプロジェクターの偏光変換素子を設置すべき場所に組み込み、試験片600、601に光源ランプの光が照射された時、試験片の温度が120°Cとなるようにプロジェクターの冷却機構を調整した。図12では、3800時間この環境下に放置した場合の試験結果が示されている。図12に示すように、試験片601の接着層では、一部に黄変620が見られた一方で、試験片600の接着層では、黄変が見られなかった。さらに、試験片600、601をこの環境下に放置し続けた結果、4800時間後に、試験601の接着層では激しい黄変が見られた。一方で、試験片600の接着層では、光学特性に影響のない程度の若干の黄変が見られるに留まった。従って、本発明の接着剤により形成された接着層は耐熱性に優れていることが分かる。[平坦度試験]実施例2から実施例11まで、及び比較例2実施例2から実施例11まで、及び比較例2により、本発明の偏光変換素子における光入射面及び光出射面の平坦度を評価した。図13は、本発明に係る実施例2から実施例6までの平坦度試験の結果を示す図であり、図14は、本発明に係る実施例7から実施例11までの平坦度試験の結果を示す図であり、図16は、比較例2の平坦度試験の結果を示す図である。実施例2から実施例6まで実施例2では、実施例1と同様の接着剤を用いて、後述する図26に示すような素子本体10を作製した。そして、図26に示される左右の2つの素子本体10のうち、左側の素子本体10を用いた。そして、下記の測定方法により、その素子本体10の光入射面16の略中央における断面図を得た。ここで、断面図では、図26の左右方向の断面図である。得られた断面図において、比較的上側に大きく膨らんだ凸部を選び、その凸部の左右近傍の凹部の頂点を線で結んだ。この線から、凸部の頂点までの距離を縦軸のスケールで換算して、高低差を算出した。実施例3から実施例6でも、実施例2と同様に素子本体10を作製して、その光入射面16について測定し、断面図を得た。そして、断面図より、実施例2と同様に、高低差を2点算出した。図13には、それらの結果が示されている。実施例7から実施例11まで、及び比較例2実施例7から実施例11まででは、それぞれ実施例2から実施例6までで作製した素子本体10の光出射面17について、実施例2と同様に断面図を得た。得られた断面図により、実施例2と同様にして、高低差を2点算出した。比較例2では、接着剤として、比較例1と同様の接着剤を用いた以外は、実施例2と同様にして素子本体を作製し、その光出射面を測定した断面図を得た。得られた断面図より実施例2と同様にして、高低差を2点算出した。実施例7から、実施例11まで及び比較例2の結果を、図14、図15に示す。断面図の測定方法としては、レーザー干渉計G102Sフジノン株式会社現富士フイルム株式会社製により、素子本体の光入射面又は光出射面を照射して、素子本体からの反射光と元々の平行光とを干渉させることによって、干渉縞を得る。なお、レーザー干渉計で設定した光の波長は、685nmである。得られた干渉縞を干渉縞解析ソフトウェアフジノン株式会社現富士フイルム株式会社製で解析することにより、光入射面又は光出射面の断面図を得る。図13、図14で示すように、本発明の接着剤を用いた実施例2から実施例11まででは、光入射面及び光出射面における高低差が小さいため、平坦度が優れていることがわかった。一方、図15に示すように、従来の接着剤を用いた比較例では、光入射面における高低差が大きいため、平坦度が悪いことが分かった。[波長板の構造]以下に、本発明の実施の形態に係る位相差板の構成を説明する。図16は、本発明の実施の形態に係る位相差板の一例としての積層1/2波長板の構成を示す図であり、aは斜視図、bは分解斜視図、cは、側面図である。図16aに示すように、本発明に係る積層1/2波長板20は、水晶等の無機光学結晶を用いた第1の波長板30と、第2の波長板40と、を夫々の光学軸31、41が交差するように貼り合わせた構成を備え、全体として、光源側から入射する直線偏光光Aの位相を180degずらし、偏光面を90deg回転させた直線偏光光Bに変換して出射する1/2波長板として機能するように構成する。また、図16bに示すように、第1の波長板30の光学軸方位角をθ1、第2の波長板40の光学軸方位角をθ2とする。なお、光学軸方位角とは、結晶光学軸と、積層波長板に入射する直線偏光光の偏光面とのなす角度である。また、図16cに示すように、第1の波長板30の切断角度水晶板の主面における法線方向と結晶光学軸Z軸との交差角度をいうZ1は、27deg27degZともいうとし、第2の波長板40の切断角度Z2は、18deg18degZともいうとしている。この切断角度の値は、組立工程におけるハンドリングの容易さを考慮したものである。同じ位相差を有する波長板においては、切断角度を90度から小さくする程、複屈折率差異常光屈折率neと常光屈折率noとの差は小さくなり、一方、波長板の厚みは逆に厚くなっていく。特に板厚の薄いシングルモードの波長板においては、加工工程時や組立工程時のハンドリングの観点では、波長板の割れや破損を防ぐために、切断角度を90DegZよりも小さくして、波長板の厚みを大きくした方が有利であるが、切断角度が大きいと、今度は、入射する発散光の影響を受けやすくなる。そこで、本実施形態では、各波長板30、40が、それぞれの光学軸方位角に基づく設計位相差を満たしつつ、ハンドリング上最も都合の良い0.3mm前後の厚みとなるように、切断角度を互いに異ならせることにより、第1の波長板30の板厚t1と第2の波長板40の板厚t2とをほぼ同等0.3mm前後の厚みとなるように設計を行っている。本発明においては、積層1/2波長板20を液晶プロジェクターに組み込む偏光変換素子に用いる場合、所定の設計波長λ、例えば520nmの光緑に対する第1の波長板30の位相差をΓ1、第2の波長板40の位相差をΓ2とし、また、第2の波長板40は、互いに波長帯の異なる複数の波長帯λ1、λ2λ1<λ2の光について、波長λ1の光に対する位相差をΓ21、波長λ2の光に対する位相差をΓ22としたときに、Γ1=360deg1Γ2=180deg2ΔΓ2=Γ22-Γ21/23cos2θ1=1-1-cosΔΓ2/{2{1-cosmΔΓ2}}4ただし、m=2を満足するように、第1及び第2の波長板30、40の厚みを設定する。なお、波長λの光に対する位相差Γと波長板の板厚tとの関係は、Γ=2π/λ×ne-no×tneは異常光の屈折率、neは常光の屈折率である。第1の波長板30の板厚t1、第2の波長板40の板厚t2を0.3mm前後としたいとする上記した製造上の都合を考慮すると、Z1=27degとした時に、t1=0.2753mm、となり、また、Z2=18degとした時に、t2=0.2965mmとなるため、上記板厚の条件を満足することになる。なお、波長板の切断角度が変化することで、上記式におけるne-noの値が変化するものとする。ところで、積層1/2波長板20は、液晶プロジェクターに必要な各波長帯R赤:400nm帯、G緑:500nm帯、B青:675nmにおいて、偏光変換効率が1となり、位相差が180degとなること求められる。第1及び第2の波長板30、40を用いて全体として1/2波長板20を構成する場合に所望する広範囲の波長帯で位相差を180degとするために、積層1/2波長板20を構成する第1及び第2の波長板30、40について、所定の波長例えば、520nmでの夫々の位相差Γ1、Γ2、夫々の光学軸方位角θ1、θ2、切断角度Z1、Z2といったパラメータを種々変化させて最適な位相差、変換効率等を求める手法をとった。その結果、第1の波長板30の位相差Γ1、光学軸方位角θ1及び切断角度Z1と、第2の波長板40の位相差Γ2、光学軸方位角θ2及び切断角度Z2が、Γ1=360deg、θ1=-16deg、Z1=27deg5Γ2=180deg、θ2=45deg、Z2=18deg6を満足するときに、上記RGB3波長帯の光に対して位相差が180degとなり、偏光変換効率がほぼ1となることが見出された。なお、θ1=-16degの場合、切断角Z1=27degである第1の波長板30の板厚は0.2753mmとなり、θ2=45degの場合、切断角Z2=18degである第2の波長板40の板厚は0.2965mmとなる。ここで、設計波長λの取りうる値の範囲は、510≦λ≦530nmとなる。なお、図16において、第1の波長板30と第2の波長板40の光学軸方位角、切断角度を入れ替えても良い。言い換えれば、光の入射方向に対して、第1の波長板30と、第2の波長板40の積層順を入れ替えてもよい。具体的には、第1の波長板30の設計位相差Γ1をΓ1=180degとし、第2の波長板40の設計位相差Γ2をΓ2=360degとし、第1の波長板30の光学軸方位角θ1及び切断角度Z1と、第2の波長板40の光学軸方位角θ2及び切断角度Z2をθ1=45deg、Z1=18deg5’θ2=-16deg、Z2=27deg6’とすることが出来る。この場合、第1の波長板30の板厚t1が0.2965mm、第2の波長板40の板厚t2が、0.2753mmとなる。図17は、本発明の他の実施の形態に係る位相差板の一例としての積層1/2波長板の構成を示す分解斜視図である。図17では、図16における第1の波長板30の光学軸方位角θ1、第2の波長板40の光学軸方位角θ2を互いに鈍角としている。なお、各波長板の切断角度は90degZではなく、図16cに示したものと同様の関係にある。図17に示す場合、第1の波長板30の位相差Γ1、光学軸方位角θ1及び切断角度Z1と、2の波長板の位相差Γ2、光学軸方位角θ2及び切断角度Z2が、Γ1=360deg、θ1=16deg、Z1=27deg7Γ2=180deg、θ2=135deg、Z2=18deg8を満足することにより、上記3波長帯の光に対して位相差が180degとなり、偏光変換効率がほぼ1となる。また、この場合も、第1の波長板30と第2の波長板40の位相差、光学軸方位角、切断角度を下記式7’、8’のように入れ替えても、偏光変換効率をほぼ1とすることが出来る。Γ1=180deg、θ1=135deg、Z1=18deg7’Γ2=360deg、θ1=16deg、Z2=27deg8’図18は、本発明のさらに他の実施の形態に係る位相差板の一例としての積層1/2波長板以下、積層1/2波長板の構成を示す分解斜視図である。これは、図16の構成における各波長板の光学軸方位角をそれぞれ90°回転させたものである。この場合、第1の波長板30の位相差Γ1、光学軸方位角θ1及び切断角度Z1、第2の波長板の位相差Γ2、光学軸方位角θ2及び切断角度Z2が、Γ1=360deg、θ1=74deg、Z1=27deg9Γ2=180deg、θ2=135deg、Z2=18deg10を満足することにより、上記3波長帯の光に対して位相差が180degとなり、偏光変換効率がほぼ1となる。また、図18の場合も、第1の波長板30と第2の波長板40の位相差、光学軸方位角、切断角度を下記式9’、10’のように入れ替えても、偏光変換効率をほぼ1とすることが出来る。Γ1=180deg、θ1=135deg、Z1=18deg9’Γ2=360deg、θ1=16deg、Z2=27deg10’図19は、本発明の他の実施の形態に係る位相差板の一例としての積層1/2波長板以下、積層1/2波長板の構成を示す分解斜視図である。図19では、図18における第1の波長板30の光学軸方位角θ1、第2の波長板40の光学軸方位角θ2を互いに鈍角としている。この場合、第1の波長板30の位相差Γ1、光学軸方位角θ1及び切断角度Z1と第2の波長板の位相差Γ2、光学軸方位角θ2の切断角度Z2が、Γ1=360deg、θ1=106deg、Z1=27deg11Γ2=180deg、θ2=45deg、Z2=18deg12を満足することにより、上記3波長帯の光に対して位相差が180degとなり、偏光変換効率がほぼ1となる。また、図19の場合も、第1の波長板30と第2の波長板40の光学軸方位角、切断角度を下記式11’、12’のように入れ替えても、偏光変換効率をほぼ1とすることが出来る。Γ1=180deg、θ1=45deg、Z1=18deg11’Γ2=360deg、θ1=106deg、Z2=27deg12’次に、上記の光学軸方位角θ1、θ2を以下にして見出したかを説明する。はじめに、本発明に係る積層1/2波長板の実施例を見つけ出した計算手法を簡単に説明する。直線偏光が2枚の波長板を透過した後の偏光状態は、ミューラ行列、又はジョンズ行列を用いて表すことができる。E=R2R1I13ここで、Iは入射光の偏光状態、Eは出射光の偏光状態を表すベクトルである。R1は積層1/2波長板20における第1の波長板30のミューラ行列、R2は第2の波長板40のミューラ行列で、夫々次式で表される。1415第1及び第2の波長板30、4夫々の位相差Γ1、Γ2、光学軸方位角度θ1、θ2を設定して、式14、15よりミューラ行列R1、R2を求める。そして、入射光の偏光状態Iを設定すると、式13より出射光の偏光状態Eを算出することができる。行列としてミューラ行列を用いた場合について説明すると、出射光の偏光状態Eは次式で表される。16Eの行列要素S01、S11、S21、S31はストークスパラメータと呼ばれ、偏光状態を表している。このストークスパラメータを用いて、波長板の位相差Γは次式のように表される。17Γ=2m-1×π但し、mは正の整数このように、式17を用いて位相差を算出することができる。さらに、出射光の偏光状態を表す行列Eと、偏光子の行列Pとの積を計算し、得られた光量を評価値とすれば、偏光状態を正確に判定する。これを変換効率と定義する。具体的には、偏光子の行列Pの透過軸を90degに設定し、行列Pと出射光偏光状態を表す行列Eとの積から得られる行列Tのストークスパラメータより、90deg方向の偏光面成分の光量を算出することができる。出射光偏光状態を表す行列Eと、偏光子の行列Pとの、積は次式のようになる。T=PE18ここで、行列Tは変換効率を表し、その要素のストークスパラメータで表すと次式19のように表される。19ここで、ベクトルTのストークスパラメータのS02が光量を表している。入射光量を1に設定すればS02が変換効率となる。位相差、変換効率とも積層1/2波長板を透過した後の偏光状態を表す行列Eから求めることができる。上記の変換効率を評価基準とし、積層1/2波長板の諸パラメータである第1及び第2の波長板30、40について、所定の波長例えば波長520nmでの夫々の位相差Γ1、Γ2、夫々の光学軸方位角θ1、θ2、切断角度Z1、Z2を種々変化させ、計算機を用いてシミュレーションした。シミュレーションを繰り返し行い、所望の広範囲の波長帯において、変換効率が良い場合の上記パラメータを選び出した。切断角度については、上記した製造上の条件を満たすように、それぞれの波長板の板厚t1、t2が、0.3mm程度となるように選定した。その結果を以下に説明する。図16に示す積層1/2波長板20の第1及び第2の波長板30、40において、第1の波長板30の切断角度が27degZ、第2の波長板40の切断角度が18degZで、設計波長λを520nmとしたとき、第1の波長板30の位相差Γ1、光学軸方位角θ1が夫々360deg、-16deg、第2の波長板の位相差Γ2、光学軸方位角θ2が夫々180deg、35deg≦θ2≦55degに設定した場合に、積層1/2波長板20の変換効率をシミュレーションにより求めた結果良好な波長-変換効率偏光変換効率が得られた後述。なお、光学軸方位角θ1、θ2の範囲は、要求仕様に応じて或いは許容誤差として、設定角度から±5degの範囲で有効である。ここで、図16に示した積層1/2波長板20を構成する第1の波長板30と第2の波長板40の光学的な作用について図20を用いて説明する。図20aは、積層1/2波長板20に入射した直線偏光Aのポアンカレ球上での軌道の推移を説明するための図である。また、図20bは、図20aに示したポアンカレ球において積層1/2波長板20に入射した光線の偏光状態の軌跡をS2軸方向から見た図S1S3平面に投影した図である。さらに、図20cは、本発明に係る積層1/2波長板20の第1の波長板30の機能について説明するために、前記偏光状態の軌跡をS1軸方向から見た図S2S3平面に投影した図である。図20b、cにおいて、直線偏光Aの光線がポアンカレ球の赤道上の所定の位置P0に入射すると、第1の波長板30によって光軸R12θ1を中心にして360deg回転しP1に到達しP0=P1、さらに第2の波長板40によって光軸R22θ2を中心にして180deg回転しP2赤道に到達することによって、積層1/2波長板1を出射する光線が直線偏光A入射光に対してθ=90degだけ回転した直線偏光Bとなって積層1/2波長板20を出射することが分かる。ここで、第2の波長板40の位相差Γ2が入射光の波長の変化によりΔΓ2の位相変化を生じた場合、この位相変化ΔΓ2を第1の波長板30の波長による位相変化ΔΓ1で相殺すれば、積層1/2波長板20の波長依存性を抑圧し広帯域で1/2波長板として機能できる。更に、第2の波長板40の波長による位相変化ΔΓ2は、基板材料の波長分散で決まる一定の数値を有しており、第1の波長板30の波長による位相変化ΔΓ1は、第1の波長板30の面内方位角θ1を調整することでその大きさを可変することが可能である。そこで、第1の波長板30と第2の波長板40との関係式を以下に導出する。入射光の波長が基準波長設計波長λから波長λ1~λ2の間λ1<λ2で変化すると、波長板の有する波長依存性により第1の波長板30及び第2の波長板40の位相差が夫々Γ1及びΓ2より変化する。また、第2波長板の位相差において、Γ21:波長λ1のときの位相差Γ22:波長λ2のときの位相差と定義すると、第2の波長板40の波長による位相変化ΔΓ2は、以下の式を満足する。ΔΓ2=Γ22-Γ21/220図20bにおいて、第2の波長板40に生じた位相変化ΔΓ2により、ポアンカレ球上の座標P0P1がP1に変化したものとし、このP0→P1の距離を近似的に直線x2で表すと、ΔΓ2とx2は下式の関係を満足する。x22=2k2-2k2cosΔΓ221但し、kは、ポアンカレ球の半径を示す。次に同様に、図20cにおいて、第1の波長板30に生じた位相変化ΔΓ1により、ポアンカレ球上の座標P0P1がP1’に変化したものとし、このP0→P1’の距離を近似的に直線x1で表すと、ΔΓ1とx1は下式22の関係を満足する。x12=2r2-2r2cosΔΓ122但し、rは、R1を回転軸としてΓ11回転させる時の半径である。又、rは、第1の波長板30の面内方位角θ1を用いて下式23により表すことができる。r2=2k2-2k2cos2θ123更に、式23を式22に代入すると、式24が得られる。x12=4k21-cos2θ11-cosΔΓ124そこで、第1の波長板30と第2の波長板40の位相変化がお互いに相殺しあうためには、x1≒x2である必要があり、式21と式24よりx12=x222k2-2k2cosΔΓ2=4k21-cos2θ11-cosΔΓ1の関係が成立する。そこで、kを正規化してまとめると式25が得られる。cos2θ1=1-1-cosΔΓ2/{21-cosΔΓ1}25次に、第1の波長板30と第2の波長板40とが同じ分散の基板材料で構成されており、Γ11/Γ22=mとすると、式26が得られる。ΔΓ1=mΔΓ226そこで、式26を式25に代入すると式27が得られる。cos2θ1=1-1-cosΔΓ2/{21-cosmΔΓ2}27式27は、第2の波長板40により生ずる位相変化ΔΓ2により第1の波長板30の面内方位角θ1が決定されることを示している。次に、上述した計算式を用いて積層1/2波長板20を構成する第1の波長板30と第2の波長板40の具体的なパラメータを算出する。具体例として、波長350nm~850nmの帯域における広範囲の波長帯において1/2波長板として機能する積層1/2波長板についてパラメータを算出する。例えば、第1の波長板20の位相差Γ1=360deg、第2の波長板3の位相差Γ2=180degとすると、m=Γ1/Γ2=2となる。次に、θ2については、第2の波長板40に入射する直線偏光の偏光方向を90deg回転した直線偏光として出射させるためにθ2の値を45degとするが、前述のシミュレーションにより得られた解に対して最適化を図るため、可変範囲を±10degと設定し、θ2=45deg±10deg35deg≦θ2≦55deg28とした。図21は、図17に示す構成の積層1/2波長板における直線偏光のポアンカレ球上での軌道の推移を説明するための図である。赤道上の所定の位置P0から偏光方向が赤道に対して平行な方向となる直線偏光Aとして光線が入射すると、第1の波長板30によって光軸R1を中心にして360deg分だけ回転してP1赤道上へ移され、さらに第2の波長板40によって光軸R2を中心にして180deg分だけ回転しP2赤道上に到達し、直線偏光Aに対してθ=90degだけ回転した直線偏光Bとなって1/2波長板20を出射し、図18の場合と同様の1/2積層波長板となっていることが分かる。また、上記式20~27も、図16図20の場合と同様に成立する。図22は、図18に示す構成の積層1/2波長板における直線偏光のポアンカレ球上での軌道の推移を説明するための図である。赤道上の所定の位置P0から偏光方向が赤道に対して平行な方向となる直線偏光Aとして光線が入射すると、第1の波長板30によって光軸R1を中心にして360deg分だけ回転してP1赤道上へ移され、さらに第2の波長板40によって光軸R2を中心にして180deg分だけ回転しP2赤道上に到達し、直線偏光Aに対してθ=90degだけ回転した直線偏光Bとなって1/2波長板20を出射し、図18の場合と同様の1/2積層波長板となっていることが分かる。また、上記式20~27も、図16の場合と同様に成立する。図23は、図19に示す構成の積層1/2波長板における直線偏光のポアンカレ球上での軌道の推移を説明するための図である。赤道上の所定の位置P0から偏光方向が赤道に対して平行な方向となる直線偏光Aとして光線が入射すると、第1の波長板30によって光軸R1を中心にして360deg分だけ回転してP1赤道上へ移され、さらに第2の波長板40によって光軸R2を中心にして180deg分だけ回転しP2赤道上に到達し、直線偏光Aに対してθ=90degだけ回転した直線偏光Bとなって1/2波長板20を出射し、図18の場合と同様の1/2積層波長板となっていることが分かる。また、上記式20~27も、図16の場合と同様に成立する。図24は波長400nmから700nmに対する本発明の積層1/2波長板20の変換効率を示す図であり、各波長板の設計波長λを510nmとして、入射角を-10degから10degまで変化させた場合の、波長毎の偏光変換効率の変化を示すグラフ図である。本発明の積層1/2波長板20は、入射角依存性を有し、入射角が10degでは、高波長となるにつれて偏光変換効率が劣化している。また、入射角-5deg、入射角が-5deg、-10degの場合は、低波長での偏光変換効率が悪く、高波長になるにつれて、偏光変換効率が向上している。しかしながら、全体としては、設計波長510nmでは各入射角において偏光変換効率が0.5以上となり、特に入射角が-10deg~5degでは、400nmから700nmの範囲全体の設計波長において、高い偏光変換効率を示している。また、入射角0degでは、450nmから650nmの範囲にかけてほぼ1と、非常に良好な偏光変換効率となった。液晶プロジェクターで用いる青、緑、赤の波長は夫々400nm帯、500nm帯、675nm帯であるので、上記パラメータの積層1/2波長板20は、液晶プロジェクター等に良好に適用可能である。図25は波長400nmから700nmに対する本発明の積層1/2波長板20の変換効率を示す図であり、各波長板の設計波長λを520nmとして、入射角を-10degから10degまで変化させた場合の、波長毎の偏光変換効率の変化を示すグラフ図である。本発明の積層1/2波長板20は、入射角依存性を有し、入射角が10degでは、高波長となるにつれて偏光変換効率が劣化している。また、入射角-5deg、入射角が-5deg、-10degの場合は、低波長での偏光変換効率が悪く、高波長になるにつれて、偏光変換効率が向上している。しかしながら、全体としては、設計波長510nmでは各入射角において偏光変換効率が0.5以上となり、特に入射角が-10deg~5degでは、400nmから700nmの範囲全体の設計波長において、高い偏光変換効率を示している。また、入射角0degでは、450nmから650nmの範囲にかけてほぼ1と、非常に良好な偏光変換効率となった。液晶プロジェクターで用いる青、緑、赤の波長は夫々400nm帯、500nm帯、675nm帯であるので、上記パラメータの積層1/2波長板20は、液晶プロジェクター等に良好に適用可能である。図26は波長400nmから700nmに対する本発明の積層1/2波長板20の変換効率を示す図であり、各波長板の設計波長λを530nmとして、入射角を-10degから10degまで変化させた場合の、波長毎の偏光変換効率の変化を示すグラフ図である。本発明の積層1/2波長板20は、入射角依存性を有し、入射角が10degでは、高波長となるにつれて偏光変換効率が劣化している。また、入射角-5deg、入射角が-5deg、-10degの場合は、低波長での偏光変換効率が悪く、高波長になるにつれて、偏光変換効率が向上している。しかしながら、全体としては、設計波長530nmでは各入射角において偏光変換効率が0.5以上となり、特に入射角が-10deg~5degでは、400nmから700nmの範囲全体の設計波長において、高い偏光変換効率を示している。また、入射角0degでは、450nmから650nmの範囲にかけてほぼ1と、非常に良好な偏光変換効率となった。液晶プロジェクターで用いる青、緑、赤の波長は夫々400nm帯、500nm帯、675nm帯であるので、上記パラメータの積層1/2波長板20は、液晶プロジェクター等に良好に適用可能である。なお、積層1/2波長板が対応すべき波長帯は、RGBのみならず、他の波長の色を加えた、4波長、5波長にも対応可能としてもよい。図27は、本発明の実施の形態に係る偏光変換素子を組み込んだ偏光変換ユニットの外観を示す図である。図28は、図27の偏光変換ユニットの分解斜視図である。図27、図28に示す偏光変換ユニット120は、ユニット枠200と、本発明の偏光変換素子1と、遮光板210と、レンズアレイ220と、クリップ230と、を備えている。ユニット枠200の一方の開口面図28では下面側からは、後述する2つの偏光変換素子本体を有する偏光変換素子1が挿入され、もう一方の開口面図28では上面側からは、遮光板210とレンズアレイ220とがこの順に挿入される。これらの光学素子210、220は、ユニット枠200に収納された状態で、4つのクリップ230で上下2方向から挟持される。クリップ230は弾性体で形成されているので容易に着脱することができ、偏光変換ユニット120の各部品もユニット枠に容易に着脱することができる。かかるユニット枠200によって、偏光変換素子1を、光源からの光束が偏光変換素子1特に後述のPBS膜に入射する角度が常に一定になってPS変換が正確に行える姿勢で、液晶プロジェクターに組み込むことが出来る。図29は、本発明の実施の形態に係る偏光変換素子を適用した投光装置の一例としての液晶プロジェクターを示す図である。図29に示す投写型表示装置液晶プロジェクター100は、光源110と、第1のレンズアレイ111と、本発明に係る偏光変換素子を組み込んだ偏光変換ユニット120と、重畳レンズ121と、で構成される照明光学系を備えている。また、ダイクロイックミラー131、132と、反射ミラー133とを含む色光分離光学系130を備えている。さらに、入射側レンズ140と、リレーレンズ141と、反射ミラー142、143とを含む導光光学系を備えている。また、3枚のフィールドレンズ144、145、146と、3枚の液晶ライトバルブ150R、150G、150Bと、クロスダイクロイックプリズム160と、投写レンズ170と、を備えている。反射ミラー146は、重畳レンズ121から射出された光を色光分離光学系130の方向に反射する機能を有している。色光分離光学系130は、2枚のダイクロイックミラー131、132により、重畳レンズ121から射出される光を、赤、緑、青の3色の色光に分離する機能を有している。第1のダイクロイックミラー131は、重畳レンズ121から射出される光のうち赤色光成分を透過させるとともに、青色光成分と緑色光成分とを反射する。第1のダイクロイックミラー131を透過した赤色光は、反射ミラー133で反射され、フィールドレンズ144を通って赤光用の液晶ライトバルブ150Rに達する。このフィールドレンズ144は、重畳レンズ121から射出された各部分光束をその中心軸主光線に対して平行な光束に変換する。他の液晶ライトバルブの前に設けられたフィールドレンズ145、146も同様である。第1のダイクロイックミラー131で反射された青色光と緑色光のうちで、緑色光は第2のダイクロイックミラー132によって反射され、フィールドレンズ145を通って緑光用の液晶ライトバルブ150Gに達する。一方、青色光は、第2のダイクロイックミラー132を透過し、導光光学系、すなわち、入射側レンズ140、反射ミラー142、リレーレンズ141、反射ミラー143を通り、さらに、フィールドレンズ146を通って青色光用の液晶ライトバルブ150Bに達する。なお、青色光に導光光学系が用いられているのは、青色光の光路の長さが他の色光の光路の長さよりも長いため、光の拡散等による光の利用効率の低下を防止するためである。すなわち、入射側レンズ140に入射した光束をそのまま、フィールドレンズ146に伝えるためである。3つの液晶ライトバルブ150R、150G、150Bは、入射した光を、与えられた画像情報画像信号に従って変調する光変調手段としての機能を有している。これにより、3つの液晶ライトバルブ150R、150G、150Bに入射した各色光は、与えられた画像情報に従って変調されて各色光の画像を形成する。3つの液晶ライトバルブ150R、150G、150Bから射出された3色の変調光は、クロスダイクロイックプリズム160に入射する。クロスダイクロイックプリズム160は、3色の変調光を合成してカラー画像を形成する色光合成部としての機能を有している。クロスダイクロイックプリズム160には、赤光を反射する誘電体多層膜と、青光を反射する誘電体多層膜と、が4つの直角プリズムの界面に略X字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3色の変調光が合成されて、カラー画像を投写するための合成光が形成される。クロスダイクロイックプリズム160で生成された合成光は、投写レンズ170の方向に射出される。投写レンズ170は、この合成光を投写スクリーン上に投写する機能を有し、投写スクリーン上にカラー画像を表示する。また、後述するような、耐熱耐光性能に優れた本発明の偏光変換素子を備えた偏光変換ユニットを組み込むことで、高輝度高発熱の光源を使って鮮明な映像を長時間投影可能な液晶プロジェクターとすることが出来る。また、本発明にように、本発明の偏光変換素子は、広範囲の波長帯で、確実に1/2波長板として機能する位相差板積層1/2波長板を備えているので、高輝度で鮮明な映像を投射可能な液晶プロジェクターを実現できる。"