"A下記一般式a1-1及びa1-3から選ばれる構造を有する繰り返し単位a1、下記一般式a2で表される繰り返し単位a2、及び、下記一般式a3-1~a3-4から選ばれる構造を有する繰り返し単位a3を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、Cフッ素および/またはケイ素原子を含有し、下記x~zの群から選ばれる基を含有する樹脂、並びにD溶剤、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。xアルカリ可溶性基、yアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、z酸の作用により分解する基。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基を表す。R’は、酸分解性基を表す。R12、R13は、各々独立して水素原子、メチル基、エチル基またはプロピル基を表す。R14は、脂環基を表す。nは0~5の整数を表す。樹脂Aが更に、下記a4-1~a4-3のいずれかの構造を有する繰り返し単位a4を含むことを特徴とする請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基を表す。前記樹脂Cが、xアルカリ可溶性基を含有する樹脂であることを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型レジスト組成物。前記樹脂Cが、yアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を含有する樹脂であることを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型レジスト組成物。前記のアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yが、ラクトン構造を有する基であることを特徴とする請求項4に記載のポジ型レジスト組成物。前記樹脂Cが、z酸の作用により分解する基を含有する樹脂であることを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型レジスト組成物。前記酸の作用により分解する基zが、-COOH基の水素原子を、-CR36R37R38で表される酸で脱離する基で置換した基であることを特徴とする請求項6に記載のポジ型レジスト組成物。上記式中、R36~R38は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表し、R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。化合物Cがラクトン基を有する繰り返し単位を少なくとも1種類有することを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型レジスト組成物。化合物Cがフッ素原子を有する炭素数1~4のアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を含有するアルカリ可溶性化合物であることを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型レジスト組成物。化合物Cがアルコール性水酸基を有し、該アルコール性水酸基のアルコール部分がフッ素化アルコールであることを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型レジスト組成物。前記樹脂Cの含有量が、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~10質量であることを特徴とする請求項1~10のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。前記樹脂Cの含有量が、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~5質量であることを特徴とする請求項11に記載のポジ型レジスト組成物。前記溶剤Dがプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることを特徴とする請求項1~12のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。前記溶剤Dが、乳酸エチルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることを特徴とする請求項1~12のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。さらにE塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項1~14のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。前記化合物Bが下記一般式b-1で表される化合物であることを特徴とする請求項1~15のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。上記一般式中、Rb1~Rb3は各々独立してアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、Rb1~Rb3のうち少なくとも1つはアリール基を表す。Xbは炭素数2~6のフッ化アルキレン基を表す。前記化合物Bがトリフェニルスルホニウムカチオン構造を有することを特徴とする請求項1~16のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。請求項1~17のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。請求項1~17のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。本発明の目的は、上記の様な従来技術の問題点を鑑み、液浸露光時にウォーターマークの発生を抑制しうるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。1A下記一般式a1-1及びa1-3から選ばれる構造を有する繰り返し単位a1、下記一般式a2で表される繰り返し単位a2、及び、下記一般式a3-1~a3-4から選ばれる構造を有する繰り返し単位a3を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、Cフッ素および/またはケイ素原子を含有し、下記x~zの群から選ばれる基を含有する樹脂、並びにD溶剤、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。xアルカリ可溶性基、yアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、z酸の作用により分解する基。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基を表す。R’は、酸分解性基を表す。R12、R13は、各々独立して水素原子、メチル基、エチル基またはプロピル基を表す。R14は、脂環基を表す。nは0~5の整数を表す。2樹脂Aが更に、下記a4-1~a4-3のいずれかの構造を有する繰り返し単位a4を含むことを特徴とする1に記載のポジ型レジスト組成物。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基を表す。3前記樹脂Cが、xアルカリ可溶性基を含有する樹脂であることを特徴とする1または2に記載のポジ型レジスト組成物。4前記樹脂Cが、yアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を含有する樹脂であることを特徴とする1または2に記載のポジ型レジスト組成物。5前記のアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yが、ラクトン構造を有する基であることを特徴とする4に記載のポジ型レジスト組成物。6前記樹脂Cが、z酸の作用により分解する基を含有する樹脂であることを特徴とする1または2に記載のポジ型レジスト組成物。7前記酸の作用により分解する基zが、-COOH基の水素原子を、-CR36R37R38で表される酸で脱離する基で置換した基であることを特徴とする6に記載のポジ型レジスト組成物。上記式中、R36~R38は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表し、R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。8化合物Cがラクトン基を有する繰り返し単位を少なくとも1種類有することを特徴とする1または2に記載のポジ型レジスト組成物。9化合物Cがフッ素原子を有する炭素数1~4のアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を含有するアルカリ可溶性化合物であることを特徴とする1または2に記載のポジ型レジスト組成物。10化合物Cがアルコール性水酸基を有し、該アルコール性水酸基のアルコール部分がフッ素化アルコールであることを特徴とする1または2に記載のポジ型レジスト組成物。11前記樹脂Cの含有量が、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~10質量であることを特徴とする1~10のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。12前記樹脂Cの含有量が、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~5質量であることを特徴とする11に記載のポジ型レジスト組成物。13前記溶剤Dがプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることを特徴とする1~12のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。14前記溶剤Dが、乳酸エチルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることを特徴とする1~12のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。15さらにE塩基性化合物を含有することを特徴とする1~14のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。16前記化合物Bが下記一般式b-1で表される化合物であることを特徴とする1~15のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。上記一般式中、Rb1~Rb3は各々独立してアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、Rb1~Rb3のうち少なくとも1つはアリール基を表す。Xbは炭素数2~6のフッ化アルキレン基を表す。17前記化合物Bがトリフェニルスルホニウムカチオン構造を有することを特徴とする1~16のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。181~17のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。191~17のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。本発明は、上記1~19に係る発明であるが、以下、それ以外の事項例えば、下記<1>~<17>についても記載している。<1>A下記一般式a1-1及びa1-3から選ばれる構造を有する繰り返し単位a1、下記一般式a2で表される繰り返し単位a2、及び、下記一般式a3-1~a3-4から選ばれる構造を有する繰り返し単位a3を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、B活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、Cフッ素および/またはケイ素原子を含有し、下記x~zの群から選ばれる基を少なくとも1つ含有する樹脂、並びにD溶剤、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。xアルカリ可溶性基、yアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、z酸の作用により分解する基。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基を表す。R’は、酸分解性基を表す。R12、R13は、各々独立して水素原子、メチル基、エチル基またはプロピル基を表す。R14は、脂環基を表す。nは0~5の整数を表す。<2>樹脂Aが更に、下記a4-1~a4-3のいずれかの構造を有する繰り返し単位a4を含むことを特徴とする上記1に記載のポジ型レジスト組成物。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基を表す。<3>化合物Cがラクトン基を有する繰り返し単位を少なくとも1種類有することを特徴とする上記1または2に記載のポジ型レジスト組成物。<4>化合物Cがフッ素原子を有する炭素数1~4のアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を含有するアルカリ可溶性化合物であることを特徴とする上記1または2に記載のポジ型レジスト組成物。<5>化合物Cがアルコール性水酸基を有し、該アルコール性水酸基のアルコール部分がフッ素化アルコールであることを特徴とする上記1または2に記載のポジ型レジスト組成物。<6>前記溶剤Dがプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることを特徴とする上記1~5のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<7>前記溶剤Dが、乳酸エチルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることを特徴とする上記1~5のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<8>さらにE塩基性化合物を含有することを特徴とする上記1~7のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<9>前記化合物Bがトリフェニルスルホニウムカチオン構造を有することを特徴とする上記1~8のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<10>前記塩基性化合物Eがトリエタノールアミン化合物であることを特徴とする上記1~9のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<11>前記化合物Bとして、下記一般式b-1またはb-2で表される化合物を含むことを特徴とする上記1~9のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。式中、Rb1~Rb3は各々独立してアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、Rb1~Rb3のうち少なくとも1つはアリール基を表す。Xbは炭素数2~6のフッ化アルキレン基を表す。Yb、Zbは各々独立してアルキル基を表す。<12>更にフッ素原子、シリコン原子、及びフッ素原子とシリコン原子の両方を含む界面活性剤から選択する少なくとも1つを含有することを特徴とする上記1~11のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<13>前記化合物Cが25°Cで固体であることを特徴とする上記1~12のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<14>前記化合物Cがガラス転移温度が、50~200°Cの範囲にあることを特徴とする上記1~13のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<15>前記化合物Cが重量平均分子量1,000~50,000の樹脂であることを特徴とする上記1~14のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<16>前記化合物Cのをポジ型レジスト組成物中の全固形分量に対して0.1~5質量含むことを特徴とする上記1~15のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<17>上記1~16のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。本発明により、液浸露光時にウォーターマークの発生を抑制しうるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法が提供される。更には、本発明のポジ型レジスト組成物は、液浸露光時の膜減りも低減できる。以下、本発明について詳細に説明する。尚、本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。A酸の作用により、アルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂本発明のポジ型レジスト組成物に用いられる、酸の作用により、アルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂樹脂Aともいうは、ラクトン環を有するメタアクリレート単位a1、極性基を有する有機基を有するメタアクリレート単位a2、及び、酸分解性基酸解離性溶解抑制基を有するメタアクリレート単位a3を含む、3成分系以上の共重合体である。ラクトン環をもつアクリル酸若しくはメタクリル酸エステルから誘導された繰り返し単位a1を含むことで、基板との密着性を向上させ、かつ現像液との親和性を高めることができ、膜はがれを抑制できる。極性基を有する有機基を含む繰り返し単位a2としては、具体的には極性基含有脂肪族又は脂環族炭化水素基をもつアクリル酸若しくはメタクリル酸エステルから誘導された構成単位であり、極性基としては、水酸基、シアノ基、アミノ基などを挙げることができるが、水酸基が好ましい。酸分解性基含有アクリル酸若しくはメタクリル酸エステルから誘導される繰り返し単位a3は、高解像性で、優れた耐エッチング性をもつレジストパターンを与える点で、アダマンチル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基等の脂環式基を有していることが好ましい。繰り返し単位a1、a2及びa3の含有割合として、a1を20~60モル、好ましくは20~50モル、a3を30~60モル、好ましくは30~50モル、の範囲内にすると、解像性の優れたレジスト組成物が得られ、また構成単位a2を50モル以下、好ましくは10~40モルの範囲内にすると、優れたレジストパターン形状を与えるため好ましい。繰り返し単位a-1、a-2及びa-3として、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン、例えばアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどから1個又は2個以上の水素原子を除いて形成される基、特にアダマンチル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基などをもつものがあげられる。樹脂Aは、具体的には下記一般式a1-1~a1-3から選ばれる構造を有する繰り返し単位a1、下記一般式a2で表される繰り返し単位a2、及び、下記一般式a3-1~a3-4から選ばれる構造を有する繰り返し単位a3を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂である。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基を表す。R’は、酸分解性基を表す。R12、R13は、各々独立して水素原子、メチル基、エチル基またはプロピル基を表す。R14は、脂環基を表す。nは0~5の整数を表す。酸分解性基は、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基である。酸分解性基として好ましい基は、アルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基を有する基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボン酸基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホン酸基が挙げられる。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01~R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。脂環基は、詳しくは脂環式炭化水素基であり、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6~30個が好ましく、特に炭素数7~25個が好ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよい。以下に、脂環式炭化水素基のうち、脂環式部分の構造例を示す。本発明においては、上記脂環式部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基である。これらの脂環式炭化水素基の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基である。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1~4個のものを挙げることができる。アルキル基、アルコキシ基は、更なる置換基を有していてもよい。アルキル基、アルコキシ基の更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。樹脂Aは、更に、下記a4-1~a4-3のいずれかの構造を有する繰り返し単位a4を含むことが好ましい。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基を表す。A成分の樹脂は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、A成分の樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。A成分の樹脂において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明のポジ型レジスト組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点からA成分の樹脂は芳香族基を有さないことが好ましい。A成分の樹脂として好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol以下であることが好ましい。より好ましくは、一般式Iで表される、酸分解性基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、ラクトン構造を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有するメタアクリレート系繰り返し単位5~30モル、更にその他のメタアクリレート系繰り返し単位を0~20モル含む共重合ポリマーである。A成分の樹脂は、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種および開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のポジ型レジスト組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは60~100°Cである。A成分の樹脂の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、更に好ましくは3,000~20,000、最も好ましくは5,000~15,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は通常1~5であり、好ましくは1~3、更に好ましくは1~2の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。樹脂Aが繰り返し単位a4を含む場合、樹脂A中における繰り返し単位a4の含量は好ましくは0.5モル~20モルであり、より好ましくは1モル~10モルである。繰り返し単位a1~a4はそれぞれ複数種類含まれていても良い。本発明のポジ型レジスト組成物において、A成分の樹脂の組成物全体中の配合量は、全固形分中50~99.99質量が好ましく、より好ましくは60~99.0質量である。また、本発明において、A成分の樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物本発明の感光性組成物は活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B成分あるいは化合物Bとも呼ぶを含有する。そのような光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号等に記載の化合物を用いることができる。さらに米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。B成分は、活性光線の照射によりフロロアルキル鎖好ましくは炭素数2~4を有する酸、または、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸、を発生する化合物であることが好ましい。また、B成分は、カチオン部にフッ素置換されていないアルキル残基好ましくは炭素数1~15またはフッ素置換されていないシクロアルキル残基好ましくは炭素数3~15を有するトリフェニルスルホニウム塩化合物であることが好ましい。活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に有機基を表す。X-は、非求核性アニオンを表し、好ましくはスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、ビスアルキルスルホニルアミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン、BF4-、PF6-、SbF6-などが挙げられ、好ましくは炭素原子を含有する有機アニオンである。好ましい有機アニオンとしては下式に示す有機アニオンが挙げられる。式中、Rc1は有機基を表す。Rc1における有機基として炭素数1-30のものが上げられ好ましくは置換していてもよいアルキル基、アリール基、またはこれらの複数が、単結合、-O-、-CO2-、-S-、-SO3-、-SO2NRd1-などの連結基で連結された基を挙げることができる。Rd1は水素原子、アルキル基を表す。Rc3、Rc4、Rc5は有機基を表す。Rc3、Rc4、Rc5の有機基として好ましくはRb1における好ましい有機基と同じものを挙げることができ、最も好ましくは炭素数1-4のパーフロロアルキル基である。Rc3とRc4が結合して環を形成していてもよい。Rc3とRc4が結合して形成される基としてはアルキレン基、アリーレン基が挙げられる。好ましくは炭素数2~4のパーフロロアルキレン基である。Rc1、Rc3~Rc5の有機基として最も好ましくは1位がフッ素原子またはフロロアアルキル基で置換されたアルキル基、フッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたフェニル基である。フッ素原子またはフロロアルキル基を有することにより、光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上する。また、Rc3とRc4が結合して環を形成することにより光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上する。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。R201、R202及びR203としての有機基の具体例としては、後述する化合物Z1-1、Z1-2、Z1-3における対応する基を挙げることができる。尚、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくともひとつが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物Z1-1、Z1-2、及びZ1-3を挙げることができる。化合物Z1-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基などのアリール基、インドール残基、ピロール残基、などのヘテロアリール基が好ましく、更に好ましくはフェニル基、インドール残基である。アリールスルホニム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数1~15の直鎖、分岐又は環状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状アルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、最も好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物Z1-2について説明する。化合物Z1-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖、分岐、環状2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、最も好ましくは直鎖、分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203としてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10の環状アルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R201~R203としての2-オキソアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。R201~R203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルキル基メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。化合物Z1-3とは、以下の一般式Z1-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。R6c及びR7cは、水素原子又はアルキル基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c~R5cとしてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖及び分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基、炭素数3~8個の環状アルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~8の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。好ましくはR1c~R5cのうちいずれかが直鎖、分岐、環状アルキル基、又は直鎖、分岐、環状アルコキシ基であり、更に好ましくはR1cからR5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。Rx及びRyとしてのアルキル基は、R1c~R5cとしてのアルキル基と同様のものを挙げることができる。2-オキソアルキル基は、R1c~R5cとしてのアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cとしてのアルコキシ基と同様のものを挙げることができる。Rx及びRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。Rx、Ryは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基である。一般式ZII、ZIII中、R204~R207は、各々独立に、置換基を有しててもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。R204~R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204~R207としてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10の環状アルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R204~R207が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。X-は、非求核性アニオンを表し、一般式Iに於けるX-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、更に、下記一般式ZIV、ZV、ZVIで表される化合物を挙げることができる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R206は、アルキル基又は換若しくは未置換のアリール基を表す。R207及びR208は各々独立にアルキル基又はアリール基、電子吸引性基を表す。R207として好ましくはアリール基である。R208として好ましくは電子吸引性基であり、より好ましくはシアノ基、フロロアルキル基である。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内でより好ましくは、一般式ZI~ZIIIで表される化合物である。また、酸発生剤として、下記一般式b-1またはb-2で表される化合物も好ましい。式中、Rb1~Rb3は各々独立してアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、Rb1~Rb3のうち少なくとも1つはアリール基を表す。Xbは炭素数2~6のフッ化アルキレン基を表す。Yb、Zbは各々独立してアルキル基を表す。Rb1~Rb3のアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基、好ましくは炭素数1~4のアルキル基があげられ、シクロアルキル基としては炭素数3~10が好ましく、より好ましくは炭素数4~6である。Xbの炭素数2~6のフッ化アルキレン基としては、パーフルオロアルキレン基が特に好ましい。また、Yb、Zbのアルキル基としては、フッ化アルキル基が好ましく、また炭素数1~6のものが好ましく、より好ましくは炭素数1~4のものである。活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に好ましいものの例を以下に挙げる。酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。2種以上を組み合わせて使用する際には、水素原子を除く全原子数が2以上異なる2種の有機酸を発生する化合物を組み合わせることが好ましい。酸発生剤の組成物中の含量は、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。Cフッ素および/またはケイ素原子を含有する樹脂本発明のレジスト組成物は、フッ素および/またはケイ素原子を含有し、下記x~zの群から選ばれる基を少なくとも1つ含有する樹脂樹脂Cともいうを含有する。xアルカリ可溶性基、yアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、z酸の作用により分解する基。xアルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基を有する基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスカルボニルメチレン基が挙げられる。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましい。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1~50molが好ましく、より好ましくは3~35mol、更に好ましくは5~20molである。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位の具体例を以下に示す。式中RxはH、CH3、CF3またはCH2OHを表す。yアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基としては、例えば、ラクトン構造を有する基、酸無水物、酸イミド基などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを有する繰り返し単位としては、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位のように、連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいはアルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましい。アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1~40molが好ましく、より好ましくは3~30mol、更に好ましくは5~15molである。アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを有する繰り返し単位の具体例としては、下記ラクトン構造及び一般式VIIIで表される構造を挙げることができる。本発明の樹脂Cは、ラクトン環を有する基を有することが好ましい。ラクトン環を有する基としては、ラクトン環を有していればいずれの基でも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造を有する基であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-16のいずれかで表されるラクトン構造を有する基がより好ましい。また、ラクトン構造を有する基が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14である。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数1~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在するRb2は同一でも異なっていてもよく、また、複数存在するRb2同士が結合して環を形成してもよい。一般式LC1-1~LC1-16のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば下記一般式AIで表される繰り返し単位等を挙げることができる。一般式AI中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0は水素原子、メチル基が好ましい。Abは、アルキレン基、単環または多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。好ましくは単結合、-Ab1-CO2-で表される連結基である。Ab1は直鎖、分岐アルキレン基、単環または多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、一般式LC1-1~LC1-16のうちのいずれかで示される基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位は通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。一般式VIIIに於いて、Z2は、-O-又は-NR41-を表す。R41は、水素原子、水酸基、アルキル基又は-OSO2-R42を表す。R42は、アルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。R41及びR42のアルキル基は、ハロゲン原子好ましくはフッ素原子等で置換されていてもよい。一般式VIIIで表される繰り返し単位として、以下の具体例が挙げられるが、本発明は、これらに限定されない。z酸の作用により分解する基酸解性基としては、好ましくは-COOH基、-OH基等のアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。R36とR37、R36とR39とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01~R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。本発明においては、酸分解性基は、アセタール基又は3級エステル基が好ましい。樹脂Cの酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1~80molが好ましく、より好ましくは10~80mol、更に好ましくは20~60molである。本発明のレジスト組成物が樹脂Cを含有することで、感光性膜表層に樹脂Cが偏在化し、液浸媒体が水の場合、感光性膜とした際の水に対する感光性膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。樹脂Cとしては、表面の後退接触角が添加することにより向上する樹脂であれば何でもよいが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂であることが好ましい。感光性膜の後退接触角は60°~90°が好ましく、更に好ましくは70°以上である。樹脂Cの添加量は、感光性膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感光性組成物の全固形分を基準として、0.1~10質量であることが好ましく、より好ましくは0.1~5質量である。樹脂Cは前述のように界面に遍在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。樹脂Cは、フッ素原子を有する炭素数1~4のアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を含有するアルカリ可溶性樹脂であることが好ましい。樹脂Cは、アルコール性水酸基を有し、該アルコール性水酸基のアルコール部分がフッ素化アルコールであることが好ましい。樹脂Cは、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれか及び脂環構造を有する樹脂C1、及び、側鎖にフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位及び側鎖に無置換アルキル基を有する繰り返し単位を含有する樹脂C2の少なくともいずれかであることが好ましい。樹脂Cは、疎水性樹脂HPであることが好ましい。疎水性樹脂HPはトップコートとしても好適に使用できるものである。樹脂HPにおけるフッ素原子または珪素原子は、樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。樹脂HPはアルカリ現像液に可溶であることが好ましい。疎水性樹脂とは、感光性膜に添加することにより、感光性膜表面の水に対する接触角の向上に寄与する樹脂を言う。疎水性樹脂は、表面の後退接触角が添加することにより向上する樹脂であれば何でもよいが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂であることが好ましい。感光性膜は、液浸露光適用時には、前進接触角は、70°~120°に調整される事が好ましく、75°~100°に調整される事が更に好ましい。又、後退接触角は、60°~100°に調整される事が好ましく、70°~90°に調整される事が更に好ましい。疎水性樹脂HPの添加量は、感光性膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感光性組成物の全固形分を基準として、0.1~10質量であることが好ましく、より好ましくは0.1~5質量である。より少ない添加量で、後退接触角を向上させることに寄与する方が好ましため、樹脂のガラス転移点Tgは、50°C~200°Cの範囲にあることが好ましい。又、常温25°Cにおいて、固体であることが好ましい。ここで定義する前進接触角及び後退接触角は、拡張収縮法により測定した前進及び後退接触角であり、具体的にはシリコンウエハー上に調製したポジ型レジスト組成物の上にシリンジで36μLの水滴を作成した後、6μL/秒の速度にて吐出又は吸引し、吐出吸引中の接触角が安定した値を示す。疎水性樹脂は、界面に遍在するものが多いが、界面活性剤Eとは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。また、アルカリ現像液に可溶とは、疎水樹脂膜の、23°Cにおける、2.38wtテトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液に対する溶解量が、現像開始から30秒間の積算で、50nm以上であることを言う。アルカリ現像液に可溶であるためには、現像工程において、感光性樹脂膜が、アルカリ可溶性基を有している事が必要である。アルカリ可溶性基は、樹脂が予め有していても良いし、露光~現像工程の間に、酸の作用により生成しても良いし、アルカリ現像液と反応しアルカリ可溶性基を生成しても良い。樹脂HPは、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環または多環のシクロアルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、さらに他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基の一般式を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57~R61、R62~R64およびR65~R68の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることがさらに好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。以下、一般式F2~F4で表される基を含む繰り返し単位の具体例を示す。式中、X1は、水素原子、-CH3、-F、又は、-CF3を表す。X2は、-F、又は、-CF3を表す。樹脂HPは、珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、または環状シロキサン構造を有する樹脂であることが好ましい。アルキルシリル構造、または環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖もしくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20またはシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニル基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、またはウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。以下に、具体例を示す。式中、X1は、水素原子、-CH3、-F、又は、-CF3を表す。更に、樹脂HPは、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式IIIに於いて、R4は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基を有する基を表す。L6は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式IIIに於ける、R4のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。L6の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、オキシ基が好ましい。樹脂HPがフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、樹脂HPの分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、樹脂HP中10~100質量であることが好ましく、30~100質量であることがより好ましい。樹脂HPの標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000で、より好ましくは1,000~50,000、更により好ましくは2,000~15,000である。樹脂HPは、酸分解性樹脂A同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0~10質量であることが好ましく、より好ましくは0~5質量、0~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジストが得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~5の範囲が好ましく、より好ましくは1~3、さらに好ましくは1~2の範囲である。樹脂HPは、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種および開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のレジスト組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは30~50質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは60~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール特に、メタノールなどまたは水を含む溶媒が好ましい。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、さらに好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。尚、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。以下に樹脂Cの具体例を示す。また、下記表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。本発明のレジスト組成物によるレジスト膜と液浸液との間には、レジスト膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、レジスト上層部への塗布適正、放射線、特に193nmに対する透明性、液浸液難溶性である。トップコートは、レジストと混合せず、さらにレジスト上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、193nm透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂HPはトップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、レジスト膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程がレジスト膜の現像処理工程と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性が好ましいが、レジスト膜との非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。ArFエキシマレーザー波長:193nmにおいて、液浸液として水を用いる場合には、ArF液浸露光用トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。トップコートは、レジスト膜と混合せず、さらに液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、レジスト組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。さらに、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。D溶剤本発明のレジスト組成物は、上記の成分を所定の溶剤に溶解して用いる。溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、炭素数4~10の環状ラクトン、炭素数4~10の、環を含有しても良いモノケトン化合物、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げられる。乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチルを好ましく挙げられる。アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。炭素数4~10の環状ラクトンとしては、例えば、β-プロピオラクトン、β-ブチロラクトン、γ-ブチロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メチル-γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、γ-オクタノイックラクトン、α-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトンが好ましく挙げられる。炭素数4~10の、環を含有しても良いモノケトン化合物としては、例えば、2-ブタノン、3-メチルブタノン、ピナコロン、2-ペンタノン、3-ペンタノン、3-メチル-2-ペンタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-メチル-3-ペンタノン、4,4-ジメチル-2-ペンタノン、2,4-ジメチル-3-ペンタノン、2,2,4,4-テトラメチル-3-ペンタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、5-メチル-3-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-メチル-3-ヘプタノン、5-メチル-3-ヘプタノン、2,6-ジメチル-4-ヘプタノン、2-オクタノン、3-オクタノン、2-ノナノン、3-ノナノン、5-ノナノン、2-デカノン、3-デカノン、、4-デカノン、5-ヘキセン-2-オン、3-ペンテン-2-オン、シクロペンタノン、2-メチルシクロペンタノン、3-メチルシクロペンタノン、2,2-ジメチルシクロペンタノン、2,4,4-トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、4-エチルシクロヘキサノン、2,2-ジメチルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6-トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2-メチルシクロヘプタノン、3-メチルシクロヘプタノンが好ましく挙げられる。アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネートが好ましく挙げられる。アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸-2-メトキシエチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、酢酸-3-メトキシ-3-メチルブチル、酢酸-1-メトキシ-2-プロピルが好ましく挙げられる。ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。好ましく使用できる溶剤としては、常温常圧下で、沸点130°C以上の溶剤が挙げられる。具体的には、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、プロピレンカーボネートが挙げられる。本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好ましい。水酸基を含有しない溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。本発明においては、特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。さらに、乳酸エチルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることがより好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50重量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。E塩基性化合物本発明のポジ型レジスト組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、E塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eで示される構造を有する化合物を挙げることができる。一般式A~E中、R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、炭素数1~20個のアルキル基、炭素数3~20個のシクロアルキル基又は炭素数6~20個のアリール基を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。上記アルキル基は無置換であっても置換基を有するものであってもよく、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、または炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。これら一般式A~E中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。塩基性化合物としては、例えば、置換または無置換の第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、アミド誘導体、イミド誘導体、シアノ基を有する含窒素化合物等が挙げられる。これらのなかで、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類が好ましい。有していてもよい好ましい置換基は、アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、ラクトン基である。これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。本発明のレジスト組成物においては、塩基性化合物Eがトリエタノールアミン化合物であることが好ましい。塩基性化合物の使用量は、ポジ型レジスト組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/塩基性化合物モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。F界面活性剤本発明のポジ型レジスト組成物は、更に界面活性剤を含有することが好ましく、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素原子、シリコン原子、及びフッ素原子とシリコン原子の両方を含む界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物が上記界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、特開2002-277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、新秋田化成株製、フロラードFC430、431、4430住友スリーエム株製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204D、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218、222D株ネオス製等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれるもしくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリオキシアルキレン基としては、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基などが挙げられ、また、ポリオキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体やポリオキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上のポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートなどを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製を挙げることができる。さらに、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体などを挙げることができる。また、本発明では、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ-ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。界面活性剤の使用量は、ポジ型レジスト組成物全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.01~10質量、より好ましくは0.1~5質量である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。界面活性剤の使用量は、ポジ型レジスト組成物の全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.001~1質量である。Gアルカリ可溶性樹脂本発明のポジ型レジスト組成物は、更に、酸分解性基を含有していない、G水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を含有することができ、これにより感度が向上する。本発明においては、分子量1000~20000程度のノボラック樹脂類、分子量3000~50000程度のポリヒドロキシスチレン誘導体をこのようなアルカリ可溶性樹脂として用いることができるが、これらは250nm以下の光に対して吸収が大きいため、一部水素添加して用いるか、又は全樹脂量の30重量以下の量で使用することが好ましい。また、カルボキシル基をアルカリ可溶性基として含有する樹脂も用いることができる。カルボキシル基を含有する樹脂中にはドライエッチング耐性向上のために単環、又は多環の脂環炭化水素基を有していることが好ましい。具体的には酸分解性を示さない脂環式炭化水素構造を有するメタクリル酸エステルとメタアクリル酸の共重合体あるいは末端にカルボキシル基を有する脂環炭化水素基のメタアクリル酸エステルの樹脂などを挙げることができる。Hカルボン酸オニウム塩本発明におけるポジ型レジスト組成物は、Hカルボン酸オニウム塩を含有しても良い。カルボン酸オニウム塩としては、カルボン酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム塩、カルボン酸アンモニウム塩などを挙げることができる。特に、Hカルボン酸オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が好ましい。更に、本発明のHカルボン酸オニウム塩のカルボキシレート残基が芳香族基、炭素-炭素2重結合を含有しないことが好ましい。特に好ましいアニオン部としては、炭素数1~30の直鎖、分岐、単環または多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。さらに好ましくはこれらのアルキル基の一部または全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。フッ素置換されたカルボン酸のアニオンとしては、フロロ酢酸、ジフロロ酢酸、トリフロロ酢酸、ペンタフロロプロピオン酸、ヘプタフロロ酪酸、ノナフロロペンタン酸、パーフロロドデカン酸、パーフロロトリデカン酸、パーフロロシクロヘキサンカルボン酸、2,2-ビストリフロロメチルプロピオン酸のアニオン等が挙げられる。これらのHカルボン酸オニウム塩は、スルホニウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸を適当な溶剤中酸化銀と反応させることによって合成できる。Hカルボン酸オニウム塩の組成物中の含量は、組成物の全固形分に対し、0.1~20質量が適当であり、好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。その他の添加剤本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物等を含有させることができる。このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号、特開平2-28531号、米国特許第4,916,210、欧州特許第219294等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。レジスト組成物の物性本発明のポジ型レジスト組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30~250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30~200nmで使用されることが好ましい。ポジ型レジスト組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。ポジ型レジスト組成物中の全固形分濃度は、一般的には1~10質量、より好ましくは1~8質量、さらに好ましくは1.0~7.0質量である。パターン形成方法本発明のポジ型レジスト組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターは0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。例えば、ポジ型レジスト組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、感光性膜を形成する。当該感光性膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク加熱を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下の波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、F2エキシマレーザー157nm、X線、電子ビーム等であり、更に好ましくは1nm~200nmの波長の光、特にArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV13nm、電子ビームが好ましい。現像工程では、アルカリ現像液を次のように用いる。レジスト組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。さらに、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。また、現像処理または、リンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。活性光線又は放射線の照射時にレジスト膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。また、液浸露光を行なう際に液浸媒体と感光性膜が直接触れ合わないようにするために感光性膜の上にさらにオーバーコート層を設けても良い。これにより感光性膜から液浸媒体への組成物の溶出が抑えられ、現像欠陥が低減する。液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー波長;193nmである場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。また、さらに屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上のレジスト層を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。その添加剤としては水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。合成例樹脂Cの作成メタクリル酸ヘプタフルオロブチル、メタクリル酸t-ブチルを50/50の割合モル比で仕込み、シクロヘキサノンに溶解し、固形分濃度22の溶液450gを調製した。この溶液に和光純薬工業株製重合開始剤V-601を5molを加え、これを窒素雰囲気下、2時間かけて80°Cに加熱したシクロヘキサノン50mLに滴下した。滴下終了後、反応液を2時間撹拌し、反応液HR-1を得た。反応終了後、反応液HR-1を室温まで冷却し、10倍量のメタノールに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂HR-1を回収した。1H-NMRから求めたポリマー組成比は50/50モル比であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は8800、分散度は2.1であった。同様にして、他の各樹脂Cを作成した。樹脂Aの合成例2-エチル-2-アダマンチルメタクリレート0.4molと、α-γ-ブチロラクトンメタクリレート0.4molと、3-ヒドロキシ-1-アダマンチルメタクリレート0.2molとをシクロベンタノン600mlに溶解し、これにAIBN0.1molを加えて溶解させた。得られた溶液を、65-70°Cで、3時間加熱した。得られた反応液を、よく攪拌したイソプロパノール3L中に注ぎ、析出した固形物を濾過により分離した。得られた固形物を、THF600mlに溶解し、よく攪拌したメタノール3L中に注ぎ、析出した固形分を濾過により分離し、乾燥させて、下記樹脂1を得た。同様にして、樹脂2~6を合成した。以下に、構造、組成比、重量平均分子量Mw、分散度Mw/Mnを示す。<レジスト調整>下記表2に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度7質量の溶液を調整し、これを0.1μmのポリエチレンフィルターで濾過してポジ型レジスト溶液を調整した。調製したポジ型レジスト組成物を下記の方法で評価し、結果を下記表に示した。尚、表における各成分について、複数使用した場合の比は質量比である。下記表2中、実施例1、4~11、14~20は、それぞれ、参考例1、4~11、14~20と読み替えるものとする。<露光評価:ウオーターマーク>シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト組成物を塗布し、110°Cで、60秒間ベークを行い、150nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハーをArFエキシマレーザー液浸スキャナーNA0.85,スキャンスピード500mm/sを用い、パターン露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後110°Cで、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。その後、KLA2360KLA社製で、ウエハー状における欠陥分布を検出し、SEMVisionAMAT社製を用いて、欠陥の形状を観察した。図1に示すような直径1μm~5μm程度の円形の欠陥を、ウオーターマーク欠陥として、300mmウエハーにおける個数をカウントした。<露光評価:膜減りマージン>シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト組成物を塗布し、110°Cで、60秒間ベークを行い、150nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハーをArFエキシマレーザー液浸スキャナーNA0.85を用い、パターン露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後110°Cで、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。このとき、75nmL/Sラインアンドスペースパターンを1:1に解像する露光量Eoおよび、過剰露光量により、膜が溶解し始めることによって、パターンの頭部形状の矩形性が損なわれ出す露光量ELossを求め、下記式より、膜減りマージンオーバー露光マージンを算出した。膜減りマージン=ELoss-Eo/Eo×100表2における記号は次の通りである。表における記号は次の通りである。酸発生剤は先に例示したものに対応する。N-1:N,N-ジブチルアニリンN-2:N,N-ジヘキシルアニリンN-3:2,6-ジイソプロピルアニリンN-4:トリ-n-オクチルアミンN-5:N,N-ジヒドロキシエチルアニリンN-6:2,4,5-トリフェニルイミダゾールN-7:トリエタノールアミンW-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製シリコン系W-4:トロイゾルS-366トロイケミカル株製W-5:PF656OMNOVA社製、フッ素系W-6:PF6320OMNOVA社製、フッ素系SL-1:シクロヘキサノンSL-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートSL-3:乳酸エチルSL-4:プロピレングリコールモノメチルエーテルSL-5:γ-ブチロラクトンSL-6:プロピレンカーボネート"