"下記化学式1で表される化合物。前記式において、前記R11は水素、ハロゲン原子、炭素数1~8のアルキル基、及び炭素数1~5のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R1はアルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アルキルエーテル基、及びアルキルカルボニル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R2は水素及び炭素数1~5のアルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記Q1及びQ2は各々独立に水素及びハロゲン原子からなる群から選択された何れか1つである。下記化学式1-aで表される繰り返し単位を含む共重合体。前記式において、前記R11、R21及びR22は各々独立に水素、ハロゲン原子、炭素数1~8のアルキル基、及び炭素数1~5のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R1はアルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アルキルエーテル基、及びアルキルカルボニル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R2は水素及び炭素数1~5のアルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記Q1及びQ2は各々独立に水素及びハロゲン原子からなる群から選択された何れか1つである。前記共重合体は下記化学式2で表される官能基を含む繰り返し単位をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の共重合体。前記式において、前記R3及び前記R4は各々独立に水素、炭素数1~10のアルキル基及び炭素数1~10のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R3、R4及びこれらの組合せからなる群から選択される何れか1つはハロゲン化アルキル基であり、前記nは1~6の整数である。前記化学式2で表される官能基を含む繰り返し単位は下記化学式3-aで表される繰り返し単位であることを特徴とする請求項3に記載の共重合体。前記式において、前記R12、R23及びR24は各々独立に水素、ハロゲン原子、炭素数1~8のアルキル基、及び炭素数1~5のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R3及び前記R4は各々独立に水素、炭素数1~10のアルキル基、及び炭素数1~10のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R3、R4及びこれらの組合せからなる群から選択される何れか1つはハロゲン化アルキル基であり、前記R5は2価炭化水素基であり、前記nは1~6の整数である。前記化学式3-aで表される繰り返し単位は下記化学式4-a、化学式5-a、化学式6-a、化学式7-a、及びこれらの組合せからなる群から選択された何れか1つであることを特徴とする請求項4に記載の共重合体。前記化学式1-aで表される繰り返し単位のモル比率mが0.01≦m≦0.6であり、前記化学式3-aで表される繰り返し単位のモル比率lが0.4≦l≦0.99であり、前記mと前記lの合計は1であることを特徴とする請求項4に記載の共重合体。前記共重合体はゲル透過クロマトグラフィ法により測定される重量平均分子量が1,000~500,000g/molであることを特徴とする請求項2に記載の共重合体。請求項2から7の何れか1項に記載の共重合体を含むレジスト保護膜組成物。前記レジスト保護膜組成物は炭素数4~8のアルコール溶媒をさらに含むことを特徴する請求項8に記載のレジスト保護膜組成物。本発明の目的は、充分な光透過性を有し、レジスト膜との混合intermixingを行い難く、適切な親水性や疏水性を有し、パターン形状の劣化がなく、アルカリ現像液に容易に溶解され、液浸または乾式露光過程で各種欠陥defectの誘発を低減するためのレジスト保護膜組成物に活用可能な化合物、これを含む共重合体、及びその共重合体を含むレジスト保護膜組成物を提供することにある。前記目的を達成するために、本発明の一実施例による化合物は、下記化学式1で表される。前記式において、前記R11は水素、ハロゲン原子、炭素数1~8のアルキル基、及び炭素数1~5のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R1はアルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アルキルエーテル基、及びアルキルカルボニル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R2は水素及び炭素数1~5のアルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記Q1及びQ2は各々独立に水素及びハロゲン原子からなる群から選択された何れか1つである。本発明の一実施例による共重合体は下記化学式1-aで表される繰り返し単位を含む。前記式において、前記R11、R21及びR22は各々独立に水素、ハロゲン原子、炭素数1~8のアルキル基、及び炭素数1~5のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R1はアルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アルキルエーテル基、及びアルキルカルボニル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R2は水素及び炭素数1~5のアルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記Q1及びQ2は各々独立に水素及びハロゲン原子からなる群から選択された何れか1つである。前記共重合体は下記化学式2で表される官能基を含む繰り返し単位をさらに含むものであり得る。前記式において、前記R3及び前記R4は各々独立に水素、炭素数1~10のアルキル基、及び炭素数1~10のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R3、R4及びこれらの組合せからなる群から選択される何れか1つはハロゲン化アルキル基であり、前記nは1~6の整数である。前記化学式2で表される官能基を含む繰り返し単位は下記化学式3-aで表される繰り返し単位であり得る。前記式において、前記R12、R23及びR24は各々独立に水素、ハロゲン原子、炭素数1~8のアルキル基、及び炭素数1~5のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R3及び前記R4は各々独立に水素、炭素数1~10のアルキル基、及び炭素数1~10のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記R3、R4及びこれらの組合せからなる群から選択される何れか1つはハロゲン化アルキル基であり、前記R5は2価炭化水素基であり、前記nは1~6の整数である。前記化学式3-aで表される繰り返し単位は下記化学式4-a、化学式5-a、化学式6-a、化学式7-a及びこれらの組合せからなる群から選択された何れか1つであり得る。前記共重合体は前記化学式1-aで表される繰り返し単位のモル比率mが0.01≦m≦0.6であり、前記化学式3-aで表される繰り返し単位のモル比率lが0.4≦l≦0.99であり、前記mと前記lの合計は1であり得る。前記共重合体はゲル透過クロマトグラフィ法により測定される重量平均分子量が1,000~500,000のものであり得る。本発明の他の一実施例のレジスト保護膜組成物は前記共重合体を含む。前記レジスト保護膜組成物は炭素数4~8のアルコール溶媒をさらに含んでもよい。以下、本発明を詳細に説明する。本明細書で使用する用語の定義は下記の通りである。本明細書で特に言及しない限り、ハロゲン原子はフルオロ、塩素、ブロム、及びヨードからなる群から選択された何れか1つを意味する。本明細書で特に言及しない限り、アルキル基は第1級アルキル基、第2級アルキル基、及び第3級アルキル基を含む。本明細書で特に言及しない限り、全ての化合物または置換基は置換または非置換のものであり得る。ここで、置換とは、水素がハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、チオ基、メチルチオ基、アルコキシ基、ニトリル基、アルデヒド基、エポキシ基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、アセタール基、ケトン基、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリル基、ベンジル基、アリール基、ヘテロアリール基、これらの誘導体及びこれらの組合せからなる群から選択された何れか1つに代替されたものを意味する。本明細書で特に言及しない限り、接頭語のヘテロは、-N-、-O-、-S-、及び-P-からなる群から選択される1~3のヘテロ原子が炭素原子を置換していることを意味する。例えば、ヘテロアルキル基は、アルキル基の炭素原子中の1~3の炭素原子をヘテロ原子が置換しているものを意味する。本明細書で特に言及しない限り、接頭語のハロゲン化は、フルオロ、塩素、ブロム、及びヨードからなる群から選択された何れか1つの原子で水素が置換されたことを意味する。本明細書で特に言及しない限り、シクロアルキル基は、一環式、ニ環式、三環式、四環式を含む。また、アダマンチル基、ノルボルニル基を含む多環式シクロアルキル基を含む。本明細書で特に言及しない限り、アルキルエーテル基は、エーテル基及びアルキル基を含む化合物及びその誘導体を意味し、例えば前記アルキルエーテルは直鎖状エーテルまたは環状エーテルであり得る。本明細書で特に言及しない限り、アルキルカルボニル基は、-CO-を含む化合物及びこれらの誘導体を意味し、例えばアルキル基の炭素が-CO-で置換された化合物であり得る。本明細書で特に言及しない限り、アルキル基は直鎖または分岐鎖の炭素数1~30のアルキル基、ヘテロアルキル基は炭素数1~3のヘテロアルキル基、アリール基は炭素数6~30のアリール基、ヘテロアリール基は炭素数2~30のヘテロアリール基、シクロアルキル基は炭素数3~32のシクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基は炭素数2~32のヘテロシクロアルキル基、アルキルエーテル基は炭素数1~20のアルキルエーテル基、アルキルカルボニル基は炭素数1~20のアルキルカルボニル基、アルコキシ基は炭素数1~10のアルコキシ基を意味する。本明細書で特に言及しない限り、2価炭化水素基はアルカンジイル及びアルケンジイルを含み、前記アルカンジイル及びアルケンジイルの1~3の炭素原子がN、O、S及びPからなる群から選択される1~3のヘテロ原子と置換されたヘテロアルカンジイル及びヘテロアルケンジイルを含む。本明細書で特に言及しない限り、アルカンジイルalkanediylは、アルカンalkaneから水素原子2つを除去した2価の原子団であり、一般式-CnH2n-で表され、アルケンジイルalkenediylは、アルケンalkeneから水素原子2つを除去した2価の原子団であり、一般式-CnHn-で表される。本発明の一実施例による化合物は下記化学式1で表される。前記式において、前記R11は水素、ハロゲン原子、炭素数1~8のアルキル基、及び炭素数1~5のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、好ましくは水素、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、及び炭素数1~3のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり得る。前記R1はアルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アルキルエーテル基、及びアルキルカルボニル基からなる群から選択された何れか1つであり、好ましくは炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のヘテロアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数6~20のヘテロアリール基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数3~20のヘテロシクロアルキル基、炭素数1~10のアルキルエーテル基、及び炭素数1~10のアルキルカルボニル基からなる群から選択された何れか1つであり得る。また、前記R1は、本発明の定義の通り、置換または非置換のものであり、前記R1が置換のものである場合は、好ましくは前記R1の水素がハロゲン元素で置換されたものであり得る。前記R2は水素及び炭素数1~5のアルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記Q1及びQ2は各々独立に水素及びハロゲン原子からなる群から選択された何れか1つであり、好ましくはフルオロ原子であり得る。前記化学式1で表される化合物は下記化学式6で表される化合物であり得る。前記化学式1で表される化合物は下記の方法で合成される。すなわち、前記化学式1で表される化合物の製造方法は、下記化学式7で表される化合物と下記化学式8で表される化合物を溶媒に溶解し、塩基性触媒下で反応させて下記化学式1の化合物を得る段階を含む。前記化学式7、化学式8、及び化学式1において、前記Q3はハロゲン原子であり、好ましくは塩素であり得る。前記R11、R1、R2、Q1及びQ2に関する定義は前記化学式1で表される化合物に関する定義と同一であるため、その記載を省略する。具体的に、前記化学式1で表される化合物の製造方法は、前記化学式7で表される化合物を溶媒に溶解し、前記化学式8で表される化合物を前記溶媒にゆっくり滴加して溶解して反応混合液を製造する第1段階を含む。前記化学式8で表される化合物を前記溶媒にゆっくり滴加して反応混合液を製造する過程は氷浴下で行われる。前記溶媒としては、エステル類、エーテル類、ラクトン類、ケトン類、アミド類、アルコール類、及びこれらの組合せからなる群から選択される何れか1つを使用してもよく、好ましくは前記溶媒はジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、アセトニトリル、トルエン、メチルアセテート、エチルアセテート、及びこれらの組合せからなる群から選択された何れか1つであり得る。前記化学式1で表される化合物の製造方法は、前記第1段階で製造した反応混合液を塩基性触媒下で反応させる過程を含むことができる。前記塩基性触媒は、トリエチルアミン、ジエニルアミン、ピリジン、ジエニルイソプロピルアミン、及びこれらの組合せからなる群から選択された何れか1つを用いてもよく、好ましくはトリエチルアミンを用いることができる。前記第2段階で塩基性触媒下で前記反応混合液を反応させる場合、最小限の反応時間で所望する生成物が得られるため、反応の収率を向上させることができる。前記反応混合液を反応させる反応時間は1~6時間であり、好ましくは1~3時間であり得る。前記化学式1で表される化合物は、前記反応が終了した反応混合液を塩酸溶液2HClで洗って塩基性触媒を除去した後、有機層を採って前記有機層の溶媒を減圧蒸留して除去することにより得られるが、本発明がこれに限定されることはない。本発明の他の一実施例による共重合体は下記化学式1-aで表される繰り返し単位を含む。前記式において、前記R11、R21及びR22は各々独立に水素、ハロゲン原子、炭素数1~8のアルキル基、及び炭素数1~5のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、好ましくは水素、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、及び炭素数1~3のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり得る。前記R1はアルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アルキルエーテル基、及びアルキルカルボニル基からなる群から選択された何れか1つであり、好ましくは炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のヘテロアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数6~20のヘテロアリール基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数3~20のヘテロシクロアルキル基、炭素数1~10のアルキルエーテル基、及び炭素数1~10のアルキルカルボニル基からなる群から選択された何れか1つであり得る。また、前記R1は本発明の定義の通り、置換または非置換のものであり、前記R1が置換のものである場合は、好ましくは前記R1の水素がハロゲン元素で置換されたものであり得る。前記R2は水素及び炭素数1~5のアルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、前記Q1及びQ2は各々独立に水素及びハロゲン原子からなる群から選択された何れか1つであり、好ましくはフルオロ原子であり得る。前記共重合体は下記化学式2で表される官能基を含む繰り返し単位をさらに含むものであり得る。前記式において、前記R3及び前記R4は各々独立に水素、炭素数1~10のアルキル基、及び炭素数1~10のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、好ましくは前記R3及び前記R4は各々独立に水素、炭素数1~7のアルキル基、及び炭素数1~7のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、さらに好ましくは水素、炭素数1~4のアルキル基、及び炭素数1~4のフルオロ化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり得る。前記R3、R4及びこれらの組合せからなる群から選択される何れか1つはハロゲン化アルキル基である。前記nは1~6の整数で、好ましくは前記nは1~3の整数である。前記化学式2で表される官能基を含む繰り返し単位は下記化学式3で表される化合物に由来してもよい。前記式において、前記R12は水素、ハロゲン原子、炭素数1~8のアルキル基、及び炭素数1~5のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、好ましくは水素、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、及び炭素数1~3のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり得る。前記R3及び前記R4は各々独立に水素、炭素数1~10のアルキル基、及び炭素数1~10のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、好ましくは前記R3及び前記R4は各々独立に水素、炭素数1~7のアルキル基、及び炭素数1~7のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、さらに好ましくは水素、炭素数1~4のアルキル基、及び炭素数1~4のフルオロ化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり得る。前記R3、R4及びこれらの組合せからなる群から選択される何れか1つはハロゲン化アルキル基である。前記nは1~6の整数で、好ましくは前記nは1~3の整数である。前記R5は2価炭化水素基であり、好ましくは炭素数1~20のアルカンジイル、炭素数2~20のアルケンジイル、炭素数1~20のヘテロアルカンジイル、炭素数2~20のヘテロアルケンジイル、炭素数3~30のシクロアルカンジイル、炭素数3~30のシクロアルケンジイル、炭素数2~30のヘテロシクロアルカンジイル、炭素数3~30のヘテロシクロアルカンジイルからなる群から選択された何れか1つであり得る。さらに好ましくは、前記R5は-OCH2-、-OCHCl-、-CO-、-COCH2-、-COCH2CH2-、-CH2-O-CH2-、-CH2-O-CH2CH2-、-CH2CH2-O-CH2-、-CH2-O-CH2CH2CH2-、-CH2CH2-O-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-O-CH2-、-CCH32CH2-、-CHCH3CH2-、-CHCH2CH3-、-CHOCH3-、-CCF3OCH3-、-CH2-S-CH2-、-CH2-S-CH2CH2-、-CH2CH2-S-CH2-、-CH2-S-CH2CH2CH2-、-CH2CH2-S-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-S-CH2-、-CHCH2CH-、-CCH2CH2-、-CH2CO-、-CH2CH2CO--CHCH3CH2CO-、-CHOH-、-COHCH3-、-CHF-、-CHBr-、-CHBrCHBr-、-CH=CH-、-CH2CH=CH-、-CH=CHCH2-、-CH=CHCO-、-C7H9-及び-C10H14-からなる群から選択された何れか1つであり、前記R5の水素は炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~30のシクロアルキル基、炭素数6~30のアリール基、及びこれらの組合せからなる群から選択される何れか1つで置換される。前記化学式3で表される化合物は、下記化学式4~7からなる群から選択された何れか1つで表される化合物であり得る。前記化学式2で表される官能基を含む繰り返し単位は下記化学式3-aで表される繰り返し単位であり得る。前記式において、前記R23及びR24は各々独立に水素、ハロゲン原子、炭素数1~8のアルキル基、及び炭素数1~5のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり、好ましくは水素、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、及び炭素数1~3のハロゲン化アルキル基からなる群から選択された何れか1つであり得る。前記式において、前記R12、R3、R4、R5及びnに関する定義は前記化学式3に関する説明と同一であるため、その記載を省略する。前記化学式3-aで表される繰り返し単位は下記化学式4-a、化学式5-a、化学式6-a、化学式7-a及びこれらの組合せからなる群から選択された何れか1つであり得る。前記共重合体は、前記共重合体を含んでレジスト保護膜組成物として使用する時、露光光に対して透明し、液浸露光時の露光用液体に対して相溶性がほぼなく、レジストとの混合を起こさない特性を有する。また、適切な親水性や疏水性を有し、露光過程で各種欠点defectを低減できる。具体的に、前記レジスト保護膜の表面が適切な親水性を持たなければ、露光機のスキャンスピードによりバブル欠点defectやウォーターマーク欠点defectが誘発される虞がある。しかし、本発明の前記レジスト保護膜組成物は、前記化学式1で表される繰り返し単位と共に前記化学式2で表される官能基を含む繰り返し単位を含む共重合体を含むことにより、適切な親水性と溶解度を有しており、レジスト保護膜組成物により形成したフィルムの表面を改善し、欠点defectを低減することができる。前記共重合体は前記化学式1-aで表される繰り返し単位のモル比率mが0.01≦m≦0.6であり、前記化学式3-aで表される繰り返し単位のモル比率lが0.4≦l≦0.99であり、前記mと前記lの合計は1であり、好ましくは0.01≦m≦0.3であり、前記lが0.7≦l≦0.99であり、前記mと前記lの合計は1であり得る。前記共重合体の繰り返し単位の比率が前記範囲である場合、液浸露光法を適用することにより、水との親和力の小さい、適切な疏水性を有することができる。前記共重合体はゲル透過クロマトグラフィ法により測定される重量平均分子量が1,000~500,000であり、好ましくは重量平均分子量が2,000~100,000であり得る。前記重量平均分子量の範囲を有する共重合体を使用すると、保護膜を除去するための溶媒により除去し易く、現像液にも溶解し易くなる。前記共重合体の重量平均分子量が小さ過ぎると、混合を起こすか、液浸露光の場合は純水への溶出が発生する虞があり、大き過ぎると、適切な膜を形成し難いか、アルカリ溶解性が低下する虞がある。本発明のまた他の一実施例によるレジスト保護膜組成物は前記共重合体を含む。前記レジスト保護膜組成物とは、放射線などの光線によるパターンを形成する時、フォトレジスト膜の上層部に保護膜を形成する上層膜形成組成物を意味する。前記レジスト保護膜組成物は、前記共重合体に溶媒をさらに含んで製造してもよい。前記共重合体に前記溶媒をさらに含んで前記レジスト保護膜組成物を製造する場合、前記レジスト保護膜組成物の膜形成性を向上させることができる。前記共重合体を含むレジスト保護膜組成物の全体に対して、前記共重合体を0.1~20重量、好ましくは0.1~10重量、さらに好ましくは0.5~5重量含むように前記溶媒を使用することにより、レジスト保護膜組成物の膜形成性を好適に調節することができる。前記溶媒としては、エステル類、エーテル類、ラクトン類、ケトン類、アルコール類、及びこれらの組合せからなる群から選択される何れか1つを用い、好ましくはアルコール類、エーテル類、及びこれらの組合せからなる群から選択された何れか1つを用いることができる。前記アルコール類溶媒としては、1価アルコール、2価アルコール、3価アルコール、及びこれらの組合せからなる群から選択された何れか1つを含み、好ましくは1価アルコールを含むことができる。前記溶媒として前記1価アルコールを含む場合、保護膜組成物の溶解度を向上させ、レジスト膜の損傷を最小化することができる。前記アルコール類の溶媒としてさらに好ましくは炭素数4~12の1価アルコールを用いてもよく、炭素数4~8の1価アルコールを用いてもよい。前記アルコール類の溶媒として炭素数が4~8の1価アルコールを用いる場合、レジスト保護膜組成物の溶解度を向上させ、レジスト膜の損傷を最小化することができる。前記炭素数4~8の1価アルコールは、具体的に1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール、1-オクタノール、及びこれらの組合せからなる群から選択された何れか1つであり得る。前記エーテル類溶媒としては、ジ-n-ブチルエーテル、ジ-イソブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、ジイソペンチルエチル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-t-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル、及びこれらの組合せからなる群から選択された何れか1つを用いることができるが、これに限定されることはない。前記共重合体を含むレジスト保護膜組成物を使用することにより、膜表面の欠陥defectの形成を防止するために、ビニルスルホン酸タイプの保護膜組成物を用いる場合とほぼ同様のPka値を維持しながらも、重合収率や物性を向上させることができる。前記レジスト保護膜組成物を用いてパターンを形成する方法は、通常のパターン形成方法を用いることができる。具体的には、基板上にフォトレジスト膜を形成する段階、前記フォトレジスト膜上に前記レジスト保護膜組成物を用いてレジスト保護膜を形成する段階、露光する段階、及び現像液を用いて現像する段階を含む。本発明の化合物、これを含む共重合体、及びその共重合体を含むレジスト保護膜組成物は、充分な光透過性を有し、レジスト膜との混合intermixingを行い難く、適切な親水性や疏水性を有し、パターン形状の劣化がなく、アルカリ現像液に容易に溶解され、液浸または乾式露光過程で各種欠陥defectの誘発を低減するためのレジスト保護膜組成物に活用することができる。以下、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように、本発明の実施例について詳細に説明する。しかし、本発明は、様々な形態で実現できるものであり、ここに説明する実施例に限定されることはない。[製造例:単量体及び重合体の合成]合成例12-メチル-アクリル酸1-カルボキシ-ジフルオロ-メチル-プロピルエステル2-Methyl-acrylicacid1-carboxy-difluoro-methyl-propylester単量体の合成1Lのフラスコに、2,2-ジフルオロ-3-ヒドロキシ-ペンタン酸2,2-Difluoro-3-hydroxy-pentanoicacid100gをジクロロメタンdichloromethane、methylenechloride、MC300mlに溶解した。メタクリロイルクロリドmethacryloylchloride67gを氷浴下で前記フラスコに徐々に入れた。前記メタクリロイルクロリドを入れたフラスコを氷浴下で約20分撹拌した後、トリエチルアミンtriethylamine、Et3N78.5gを徐々に滴加した。前記滴加が終わったフラスコを約2時間常温で撹拌して反応液を得た。前記反応液を2の塩酸HCl溶液で2回洗って有機層を採って溶媒を減圧蒸留して除去し、下記反応式1の[A]と表示した化合物を得た。下記反応式1の[A]と表示した化合物の2-メチル-アクリル酸1-カルボキシ-ジフルオロ-メチル-プロピルエステル2-Methyl-acrylicacid1-carboxy-difluoro-methyl-propylester、2,2-difluoro-3-methacryloyloxypentanoicacid101g収率75を得た。1HNMRによりその構造を確認した。1HNMRδ=0.96t、3H、1.40~1.55m、2H、1.93s、3H、3.75m、1H、5.58d、1H、6.15d、1H重合体の合成例1前記反応式1で[A]と表示した2-メチル-アクリル酸1-カルボキシ-ジフルオロ-メチル-プロピルエステル2-Methyl-acrylicacid1-carboxy-difluoro-methyl-propylester、2,2-difluoro-3-methacryloyloxypentanoicacidの化合物10gと2-メチル-アクリル酸4,4,4-トリフルオロ-3-ヒドロキシ-1-メチル-3-トリフルオロメチル-ブチルエステル2-Methyl-acrylicacid-4,4,4-trifluoro-3-hydroxy-1-methyl-3-trifluoromethyl-butylester75gを1,4-ジオキサン1,4-dioxane255gに溶解した後、開始剤のDMABdimethylazobisbutyronitrile5.5gと共にジャケットjacket反応器に入れて撹拌し、反応液を用意した。撹拌器Circulatorの温度を65°Cに設定し、徐々に昇温した後に前記反応液を入れて8時間65°Cで撹拌しながら反応させた。前記反応液の反応が終わると、n-ヘキサンn-hexane3.4Lに前記反応液を滴加して沈殿を形成させた後、濾過して真空乾燥した。前記真空乾燥の後、下記化学式9のような構造の重合体を得た。ポリスチレンに対する前記重合体の重量平均分子量を測定し、分子量は7,800g/molであった。下記化学式9において、下記aは0.9であり、下記bは0.1である。重合体の合成例2前記反応式1で[A]と表示した2-メチル-アクリル酸1-カルボキシ-ジフルオロ-メチル-プロピルエステル2-Methyl-acrylicacid1-carboxy-difluoro-methyl-propylester、2,2-difluoro-3-methacryloyloxypentanoicacid化合物10gと2-メチル-アクリル酸-2-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-1,1,2-トリス-トリフルオロメチル-プロポキシ-エチルエステル2-Methyl-acrylicacid2-3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-1,1,2-tris-trifluoromethyl-propoxy-ethylester113gを1,4-ジオキサン1,4-dioxane255gに溶解した後、開始剤のDMABdimethylazobisbutyronitrile5.5gと共にジャケットjacket反応器に入れて撹拌し、反応液を製造した。撹拌器Circulatorの温度を65°Cに設定し、徐々に昇温した後に前記反応液を8時間65°Cで撹拌しながら反応させた。前記反応液の反応が終わると、n-ヘキサンn-hexane5Lに前記反応液を滴加して沈殿を形成させた後、濾過して真空乾燥した。前記真空乾燥の後、下記の化学式10のような構造の重合体を得た。ポリスチレンに対する前記重合体の重量平均分子量を測定し、分子量は7,500g/molであった。下記化学式10において、下記aは0.9であり、下記bは0.1である。重合体の合成例3前記反応式1で[A]と表示した2-メチル-アクリル酸1-カルボキシ-ジフルオロ-メチル-プロピルエステル2-Methyl-acrylicacid1-carboxy-difluoro-methyl-propylesterの化合物5gとアクリル酸-5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチル-プロピル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステルAcrylicacid5-3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethyl-propyl-bicyclo[2.2.1]hept-2-ylester70gを1,4-ジオキサン1,4-dioxane225gに溶解した後、開始剤のDMABdimethylazobisbutyronitrile5.5gと共にジャケットjacket反応器に入れて撹拌し、反応液を用意した。撹拌器Circulatorの温度を65°Cに設定し、徐々に昇温した後に前記反応液を入れて8時間65°Cで撹拌しながら反応させた。前記反応液の反応が終わると、n-ヘキサンn-hexane5Lに前記反応液を滴加して沈殿を形成させた後、濾過して真空乾燥した。前記真空乾燥の後、下記の化学式11のような構造の重合体を得た。ポリスチレンに対する前記重合体の重量平均分子量を測定し、分子量は6,509g/molであった。下記化学式11において、下記aは0.9であり、下記bは0.1である。重合体の合成例4前記反応式1で[A]と表示した2-メチル-アクリル酸1-カルボキシ-ジフルオロ-メチル-プロピルエステル2-Methyl-acrylicacid1-carboxy-difluoro-methyl-propylesterの化合物5gと2-メチル-アクリル酸-1-シクロヘキシル-4,4,4-トリフルオロ-3-ヒドロキシ-3-トリフルオロメチル-プロピル-ブチルエステル2-Methyl-acrylicacid1-cyclohexyl-4,4,4-trifluoro-3-hydroxy-3-trifluoromethyl-butylester73gを1,4-ジオキサン1,4-dioxane234gに溶解した後、開始剤のDMABdimethylazobisbutyronitrile5.5gと共にジャケットjacket反応器に入れて撹拌し、反応液を用意した。撹拌器Circulatorの温度を65°Cに設定し、徐々に昇温した後に前記反応液を入れて8時間65°Cで撹拌しながら反応させた。前記反応液の反応が終わると、n-ヘキサンn-hexane3.4Lに前記反応液を滴加して沈殿を形成させた後、濾過して真空乾燥した。前記真空乾燥の後、下記の化学式12のような構造の重合体を得た。ポリスチレンに対する前記重合体の重量平均分子量を測定し、分子量は7,359g/molであった。下記化学式12において、下記aは0.9であり、下記bは0.1である。比較重合体の合成例12-メチル-アクリル酸-1-シクロヘキシル-4,4,4-トリフルオロ-3-ヒドロキシ-3-トリフルオロメチル-プロピル-ブチルエステル2-Methyl-acrylicacid1-cyclohexyl-4,4,4-trifluoro-3-hydroxy-3-trifluoromethyl-butylester73gとビニルスルホン酸vinylsulfonicacid4.9gを1,4-ジオキサン1,4-dioxane234gに溶解した後、開始剤のDMABdimethylazobisbutyronitrile5.5gと共にジャケットjacket反応器に入れて撹拌し、反応液を用意した。撹拌器Circulatorの温度を65°Cに設定し、徐々に昇温した後に前記反応液を入れて8時間65°Cで撹拌しながら反応させた。前記反応液の反応が終わると、n-ヘキサンn-hexane3.4Lに前記反応液を滴加して沈殿を形成させた後、濾過して真空乾燥した。前記真空乾燥の後、下記の化学式13のような構造の重合体を得た。ポリスチレンに対する前記重合体の重量平均分子量を測定し、分子量は7,800g/molであった。下記化学式13において、下記aは0.9であり、下記bは0.1である。[実験例:レジスト保護膜の形成及び製造された保護膜の特性測定]実施例1~4及び比較例1レジスト保護膜材料用高分子化合物として、それぞれ前記重合体合成例1~4及び比較重合体の合成例1で合成した化学式9~12及び化学式13で表される重合体を用いた。前記重合体1.0gを4-メチルペンタノール4-methylpentanol25gに溶解し、0.2μmのポリプロピレンフィルタで濾過してレジスト保護膜材料溶液を製造した。シリコン基板上に前記レジスト保護膜材料溶液をスピンコーティングし、100°Cで60秒間ベークした後、50nm膜厚さのレジスト保護膜を形成し、193nmにおける屈折率を測定した。前記レジスト保護膜を形成したシリコン基板を純水で5分間リンスし、リンス前後のレジスト保護膜の膜厚さの変化を観察した。また、前記レジスト保護膜を形成したシリコン基板を2.38重量のTMAH水溶液で現像し、現像後のレジスト保護膜の膜厚さを観察した。また、前記レジスト保護膜を形成した基板を水平に維持し、その上に50ulの純水を滴下して水滴を形成した後、シリコン基板を徐々に傾斜させ、水滴が転落し始めるシリコン基板の角度転落角と後退接触角を測定した。前記測定結果を下記表1に示す。前記表1を参照すると、実施例1~4のレジスト保護膜は撥水性が高く、水に溶解し難いもので、アルカリ溶解性が高く、現像時にアルカリ現像液で簡便に剥離可能なものであることが分かる。また、実施例1~4の高分子化合物化学式9~12は、重合末端にアミノ基またはスルホンアミド基が導入されているが、導入されていないものや比較例と比較しても転落角や後退接触角への悪影響があまりないことが分かる。下記化学式14で表されるレジスト重合体5g、下記化学式15で表される光酸発生剤Mw:8,500g/mol、Mw/Mn:1.75、各繰り返し単位のモル比は1:1:1:1である0.31g及び抑制剤Triisopropanolamine0.07gを80gのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートPGMEAに溶解し、0.2μmのポリプロピレンフィルタで濾過してフォトレジスト膜材料の溶液を製造した。シリコン基板上に膜厚さ90nmの反射防止膜BARCを形成し、前記反射防止膜を形成した基板上に前記製造したフォトレジスト膜材料の溶液を塗布し、110°Cで60秒間ベークして膜厚さ120nmのフォトレジスト膜を形成した。前記フォトレジスト膜上に前記実施例1~4及び比較例1で製造したレジスト保護膜材料を塗布し、100°Cで60秒間ベークしてレジスト保護膜実施例5~8及び比較例2を各々形成した。次に、液浸露光を再現するために露光後の膜に対して純水で5分間リンスした。すなわち、ニコン製造ArFスキャナー306CNA=0.78、6ハーフトーンマスクで露光し、純水を加えながら5分間リンスを行い、110°Cで60秒間の露光後、PEBを行い、2.38重量TMAH現像液で60秒間現像を行った。一方、レジスト保護膜を形成せず、露光、純水リンス、PEB、現像を行う工程、また、露光後に純水リンスの工程を行わない通常の工程も行った比較例3。前記製造されたシリコン基板を切断して80nmのL/Sパターン形状、感度を比較した。また、80nmのL/Sを1:1で解像する露光量を感度とした。前記測定結果を下記表2に示した。前記表2を参照すると、比較例3のように、保護膜なしに露光後で純水リンスを行った場合、パターン形状はT-top形状になった。これは酸が発生して水に溶解した結果と考えられる。また、比較例2は、膜減少形状が発生したが、実施例5~6は、形状の変化はほとんどなかった。以上、本発明の好ましい実施例に対して詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を用いた当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。"