"ドナー元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有するn型拡散層形成組成物を備えた半導体基板に、熱拡散処理を施すこと、前記熱拡散処理のために加熱された半導体基板を、前記熱拡散処理の加熱温度から前記ガラス粉末のガラス転移温度までの間、5°C/分以上300°C/分以下の冷却速度で冷却すること、及び、冷却後に前記半導体基板上に形成されたガラス層をエッチングにより除去すること、を含むn型拡散層の製造方法。前記ドナー元素が、Pリン及びSbアンチモンから選択される少なくとも1種である、請求項1に記載のn型拡散層の製造方法。前記ドナー元素を含むガラス粉末が、P2O3、P2O5及びSb2O3から選択される少なくとも1種のドナー元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3から選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有する、請求項1又は請求項2に記載のn型拡散層の製造方法。前記熱拡散処理の加熱温度から300°Cまでの間の冷却速度が、5°C/分以上300°C/分以下である請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のn型拡散層の製造方法。前記エッチングが、ふっ酸を用いるものである請求項1~請求項4のいずれか1項に記載のn型拡散層の製造方法。半導体基板上に前記n型拡散層形成組成物を塗布して、前記n型拡散層形成組成物を備えた半導体基板を得ることをさらに含む請求項1~請求項5のいずれか1項に記載のn型拡散層の製造方法。請求項1~請求項6のいずれか1項に記載のn型拡散層の製造方法により得られたn型拡散層上に電極を形成すること、を含む太陽電池素子の製造方法。上述のように、n型拡散層形成の際、オキシ塩化リンを用いた気相反応では、本来n型拡散層が必要となる片面通常は受光面、または表面のみならず、もう一方の面非受光面、または裏面や側面にもn型拡散層が形成されてしまう。また、リンを含有する化合物を含む溶液、またはペーストを塗布して熱拡散させる方法でも、気相反応法と同様、表面以外にもn型拡散層が形成されてしまう。そのため、素子としてpn接合構造を有するためには、側面においてはエッチングを行い、裏面においてはn型拡散層をp型拡散層へ変換しなければならない。一般には、裏面に第13族元素であるアルミニウムのペーストを塗布、焼成し、n型拡散層をp型拡散層へ変換している。さらに、従来知られているリン等のドナー元素を含むペーストを拡散源として塗布する方法では、ドナー元素を有する化合物が揮散ガス化して、拡散が必要とされる領域以外にも拡散するため、選択的に特定の領域に拡散層を形成することが難しいという欠点がある。またさらに、n型拡散層の製造の間に、使用された溶液やペーストなどの塗布剤の組成に由来した不要な層が半導体基板上に形成されることがある。このような不要な層を除去するためにエッチングが行われている。しかしながら、前記塗布剤の組成によっては、エッチングなどによっても充分に除去されず、半導体基板上に残渣として残ることがある。本発明は、以上の従来の問題点に鑑みなされたものであり、半導体基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要なn型拡散層を形成させることなく特定の部分にn型拡散層を形成することが可能であり、形成されたn型拡散層上にエッチング残渣のない半導体基板を得るn型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供を課題とする。前記課題を解決する手段は以下の通りである。<1>ドナー元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有するn型拡散層形成組成物を備えた半導体基板に、熱拡散処理を施すこと、前記熱拡散処理のために加熱された半導体基板を、前記熱拡散処理の加熱温度から前記ガラス粉末のガラス転移温度までの間、5°C/分以上300°C/分以下の冷却速度で冷却すること、及び、冷却後に前記半導体基板上に形成されたガラス層をエッチングにより除去すること、を含むn型拡散層の製造方法。<2>前記ドナー元素が、Pリン及びSbアンチモンから選択される少なくとも1種である前記<1>に記載のn型拡散層の製造方法。<3>前記ドナー元素を含むガラス粉末が、P2O3、P2O5及びSb2O3から選択される少なくとも1種のドナー元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3から選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有する前記<1>又は<2>に記載のn型拡散層の製造方法。<4>前記熱拡散処理の加熱温度から300°Cまでの間の冷却速度が、5°C/分以上300°C/分以下である前記<1>~<3>のいずれかに記載のn型拡散層の製造方法。<5>前記エッチングが、ふっ酸を用いるものである前記<1>~<4>のいずれかに記載のn型拡散層の製造方法。<6>半導体基板上に、前記n型拡散層形成組成物を塗布して、前記n型拡散層形成組成物を備えた半導体基板を得ることをさらに含む前記<1>~<5>のいずれかに記載のn型拡散層の製造方法。<7>前記<1>~<6>のいずれかに記載のn型拡散層の製造方法により得られたn型拡散層上に電極を形成することを含む太陽電池素子の製造方法。本発明によれば、半導体基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、不要なn型拡散層を形成させることなく特定の部分にn型拡散層を形成することが可能であり、形成されたn型拡散層上にエッチング残渣のない半導体基板を得る、n型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法が提供される。まず、本発明にかかるn型拡散層形成組成物について説明し、次にn型拡散層形成組成物を用いるn型拡散層及び太陽電池素子の製造方法について説明する。なお、本明細書において工程との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また本明細書において~は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示すものとする。本発明において、組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。本発明にかかるn型拡散層形成組成物は、少なくともドナー元素を含むガラス粉末以下、単にガラス粉末と称する場合があると、分散媒と、を含有し、更に塗布性等を考慮してその他の添加剤を必要に応じて含有してもよい。ここで、n型拡散層形成組成物とは、ドナー元素を含むガラス粉末を含有し、シリコン基板などの半導体基板に塗布した後にこのドナー元素を熱拡散することでn型拡散層を形成することが可能な材料をいう。ドナー元素をガラス粉末中に含むn型拡散層形成組成物を用いることで、所望の部位にn型拡散層が形成され、裏面や側面には不要なn型拡散層が形成されない。したがって、本発明にかかるn型拡散層形成組成物を適用すれば、従来広く採用されている気相反応法では必須のサイドエッチング工程が不要となり、工程が簡易化される。また、裏面に形成されたn型拡散層をp型拡散層へ変換する工程も不要となる。そのため、裏面のp型拡散層の形成方法や、裏面電極の材質、形状及び厚さが制限されず、適用する製造方法や材質、形状の選択肢が広がる。また詳細は後述するが、裏面電極の厚さに起因した半導体基板内の内部応力の発生が抑えられ、半導体基板の反りも抑えられる。なお、本発明にかかるn型拡散層形成組成物に含有されるガラス粉末は焼成により溶融し、n型拡散層の上にガラス層を形成する。しかし従来の気相反応法やリン酸塩含有の溶液またはペーストを塗布する方法においてもn型拡散層の上にガラス層が形成されており、よって本発明において生成したガラス層は、従来の方法と同様に、エッチングにより除去することができる。したがって本発明にかかるn型拡散層形成組成物は、従来の方法と比べても不要な生成物を発生させず、工程を増やすこともない。また、ガラス粉末中のドナー成分は焼成中でも揮散しにくいため、揮散ガスの発生によって表面のみでなく裏面や側面にまでn型拡散層が形成されるということが抑制される。この理由として、ドナー成分がガラス粉末中の元素と結合しているか、又はガラス中に取り込まれているため、揮散しにくいものと考えられる。このように、本発明にかかるn型拡散層形成組成物は、所望の部位に所望の濃度のn型拡散層を形成することが可能であることから、n型ドーパント濃度の高い選択的な領域を形成することが可能となる。一方、n型拡散層の一般的な方法である気相反応法や、リン酸塩含有溶液を用いる方法によってn型ドーパント濃度の高い選択的な領域を形成することは一般的には困難である。本発明に係るドナー元素を含むガラス粉末について、詳細に説明する。ドナー元素とは、半導体基板中にドーピングさせることによってn型拡散層を形成することが可能な元素である。ドナー元素としては第15族の元素が使用でき、例えばPリン、Sbアンチモン、Biビスマス、Asヒ素等が挙げられる。安全性、ガラス化の容易さ等の観点から、P又はSbが好適である。ドナー元素をガラス粉末に導入するために用いるドナー元素含有物質としては、P2O3、P2O5、Sb2O3、Bi2O3及びAs2O3が挙げられ、P2O3、P2O5及びSb2O3から選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。また、ドナー元素を含むガラス粉末は、必要に応じて成分比率を調整することによって、溶融温度、軟化点、ガラス転移点、化学的耐久性等を制御することが可能である。更に以下に記す、ガラス成分物質を含むことが好ましい。ガラス成分物質としては、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、WO3、MoO3、MnO、La2O3、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、TiO2、ZrO2、GeO2、TeO2及びLu2O3等が挙げられ、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3から選択される少なくとも1種を用いることが好ましく、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3から選択される少なくとも1種を用いることがより好ましい。ドナー元素を含むガラス粉末の具体例としては、前記ドナー元素含有物質と前記ガラス成分物質の双方を含む系が挙げられ、P2O5-SiO2系ドナー元素含有物質-ガラス成分物質の順で記載、以下同様、P2O5-K2O系、P2O5-Na2O系、P2O5-Li2O系、P2O5-BaO系、P2O5-SrO系、P2O5-CaO系、P2O5-MgO系、P2O5-BeO系、P2O5-ZnO系、P2O5-CdO系、P2O5-PbO系、P2O5-V2O5系、P2O5-SnO系、P2O5-GeO2系、P2O5-TeO2系等のドナー元素含有物質としてP2O5を含む系、前記のP2O5を含む系のP2O5の代わりにドナー元素含有物質としてSb2O3を含む系のガラス粉末が挙げられる。なお、P2O5-Sb2O3系、P2O5-As2O3系等のように、2種類以上のドナー元素含有物質を含むガラス粉末でもよい。上記では2成分を含む複合ガラスを例示したが、P2O5-SiO2-V2O5、P2O5-SiO2-CaO等、3成分以上の物質を含むガラス粉末でもよい。ガラス粉末中のガラス成分物質の含有比率は、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には、0.1質量以上95質量以下であることが好ましく、0.5質量以上90質量以下であることがより好ましい。具体的には、例えば、ガラス成分物質として、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種を含有するガラスである場合、シリコン基板との反応物が、フッ酸処理時に残渣として残らないため、好ましい。また、ガラス成分物質として酸化バナジウムV2O5を含むガラス例えばP2O5-V2O5系ガラスの場合には、溶融温度や軟化温度を降下させる観点から、V2O5の含有比率は、1質量以上50質量以下であることが好ましく、3質量以上40質量以下であることがより好ましい。ガラス粉末の軟化温度は、拡散処理時の拡散性、液だれの観点から、200°C~1000°Cであることが好ましく、300°C~900°Cであることがより好ましい。ガラス軟化温度は、熱重量示差熱分析装置TGDTAを用いて通常の方法によって測定される。ガラス粉末のガラス転移温度は、熱拡散処理時の温度近傍を避けるため、100°C~700°Cであることが好ましく、300°C~500°Cであることがより好ましい。ガラス転移温度は、本発明においては、[熱重量示差熱分析装置DTG-60H島津製作所製]を用い、測定温度20°C~1000°C、昇温速度10°C/分の条件で測定した値を用いる。ガラス粉末の形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状及び鱗片状等が挙げられ、n型拡散層形成組成物とした場合の基板への塗布性や均一拡散性の点から、略球状、扁平状又は板状であることが望ましい。ガラス粉末の粒径は、100μm以下であることが望ましい。100μm以下の粒径を有するガラス粉末を用いた場合には、平滑な塗膜が得られやすい。更に、ガラス粉末の粒径は50μm以下であることがより望ましい。なお、下限は特に制限されないが、0.01μm以上であることが好ましい。ここで、ガラスの粒径は、平均粒子径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。ドナー元素を含むガラス粉末は、以下の手順で作製される。最初に原料、例えば、前記ドナー元素含有物質とガラス成分物質を秤量し、るつぼに充填する。るつぼの材質としては白金、白金―ロジウム、イリジウム、アルミナ、石英、炭素等が挙げられるが、溶融温度、雰囲気、溶融物質との反応性等を考慮して適宜選ばれる。次に、電気炉でガラス組成に応じた温度で加熱し融液とする。このとき融液が均一となるよう攪拌することが望ましい。続いて得られた融液をジルコニア基板やカーボン基板等の上に流し出して融液をガラス化する。最後にガラスを粉砕し粉末状とする。粉砕にはジェットミル、ビーズミル、ボールミル等公知の方法が適用できる。n型拡散層形成組成物中のドナー元素を含むガラス粉末の含有比率は、塗布性、ドナー元素の拡散性を考慮し決定される。一般には、n型拡散層形成組成物中のガラス粉末の含有比率は、0.1質量以上95質量以下であることが好ましく、1質量以上90質量以下であることがより好ましく、1.5質量以上85質量以下であることがさらに好ましく、2質量以上80質量以下が特に好ましい。次に、分散媒について説明する。分散媒とは、組成物中において上記ガラス粉末を分散させる媒体である。具体的に分散媒としては、バインダーや溶剤が採用される。バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド類、ポリビニルアミド類、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド類、ポリスルホン酸、アクリルアミドアルキルスルホン酸、セルロースエーテル類、セルロース誘導体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース、ゼラチン、澱粉及び澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム類、キサンタン、グア及びグア誘導体、スクレログルカン及びスクレログルカン誘導体、トラガカント及びトラガカント誘導体、デキストリン及びデキストリン誘導体、メタアクリル酸樹脂、メタアクリル酸エステル樹脂例えば、アルキルメタアクリレート樹脂、ジメチルアミノエチルメタアクリレート樹脂等、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、又はこれらの共重合体、他にも、シロキサン樹脂を適宜選択しうる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。バインダーの分子量は特に制限されず、組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することが望ましい。溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-iso-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン等のケトン系溶剤;ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル-n-プロピルエーテル、ジ-iso-プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のエーテル系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸2-2-ブトキシエトキシエチル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン等のエステル系溶剤;アセトニトリル、N-メチルピロリジノン、N-エチルピロリジノン、N-プロピルピロリジノン、N-ブチルピロリジノン、N-ヘキシルピロリジノン、N-シクロヘキシルピロリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤;メタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、t-ブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、t-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールモノエーテル系溶剤;α-テルピネン、α-テルピネオール、ミルセン、アロオシメン、リモネン、ジペンテン、α-ピネン、β-ピネン、ターピネオール、カルボン、オシメン、フェランドレン等のテルペン系溶剤;水が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。n型拡散層形成組成物とした場合、基板への塗布性の観点から、α-テルピネオール、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸2-2-ブトキシエトキシエチルが好ましい。n型拡散層形成組成物中の分散媒の含有比率は、塗布性、ドナー濃度を考慮し決定される。更に、n型拡散層形成組成物は、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば上記ガラス粉末と反応しやすい金属が挙げられる。n型拡散層形成組成物は、半導体基板上に塗布され、高温で熱処理されることでn型拡散層を形成するが、その際に表面にガラスが形成される。このガラスは、ふっ酸等の酸に浸漬して除去されるが、ガラスの種類によっては除去し難いものがある。その場合に、Ag、Mn、Cu、Fe、Zn、Si等の金属を添加しておくことにより、酸洗浄後に容易にガラスを除去することができる。これらのなかでも、Ag、Si、Cu、Fe、Zn及びMnから選択される少なくとも1種を用いることが好ましく、Ag、Si及びZnから選択される少なくとも1種を用いることがより好ましく、Agであることが特に好ましい。前記金属の含有比率は、ガラスの種類や当該金属の種類によって適宜調整することが望ましく、一般的には上記ガラス粉末に対して0.01質量以上10質量以下であることが好ましい。n型拡散層形成組成物の粘度は、塗布性を考慮して、10mPas以上1000000mPas以下であることが好ましく、50mPas以上500000mPas以下であることがより好ましい。次に、本発明にかかるn型拡散層及び太陽電池素子の製造方法について、説明する。本発明にかかるn型拡散層の製造方法は、ドナー元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有するn型拡散層形成組成物を備えた半導体基板に、熱拡散処理を施すこと本明細書では、適宜、熱拡散処理工程という、前記熱拡散処理のために加熱された半導体基板を、前記熱拡散処理の加熱温度から前記ガラス粉末のガラス転移温度の間、5°C/分以上300°C/分以下の冷却速度で冷却すること、及び、冷却後に前記半導体基板上に形成されたガラス層をエッチングにより除去すること本明細書では、適宜、エッチング除去工程という、を含む。一般に、熱拡散処理により加熱されたガラス粉末は溶融するので冷却して、ガラス粉末のガラス転移温度以下になることにより、前記半導体基板上にガラス層が形成される。このとき、ガラス層には、ガラス粉末に由来する結晶成分が含まれる。前記製造方法では、熱拡散処理工程において加熱された半導体基板を、前記熱拡散処理の加熱温度から前記ガラス粉末のガラス転移温度までの間、5°C/分以上300°C/分以下の冷却速度に調整して冷却するので、前記ガラス層中での結晶成分の結晶化が抑制される。この結果、得られたガラス層は結晶を含まないものであるので、冷却後にエッチング処理することによりガラス層を容易に除去することができる。従って、形成されたn型拡散層上にエッチング残渣のないn型拡散層を得ることができる。エッチング処理後にn型拡散層上にエッチング残渣がないことは、例えば、走査型電子顕微鏡を用いた観察により確認することができる。本発明において残渣がない又は残渣が見られない等の表現は、走査型顕微鏡を用いた観察で、100μm×100μmの視野中、例えば長径0.1μm以上の結晶が10個以下であることを意味する。また本明細書では、熱拡散処理を施された半導体基板を常温まで冷却することを、適宜、冷却工程という。以下に、本発明にかかるn型拡散層の製造方法について、図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の太陽電池素子の製造工程の一例を概念的に表す模式断面図である。以降の図面においては、共通する構成要素に同じ符号を付す。なお、以下、p型半導体基板としてシリコン基板を用いる例について説明するが、本発明において半導体基板はシリコン基板に限定されない。図11では、p型半導体基板10であるシリコン基板にアルカリ溶液を付与してダメージ層を除去し、テクスチャー構造をエッチングにて得る。詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン表面のダメージ層を20質量苛性ソーダで除去する。次いで1質量苛性ソーダと10質量イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、テクスチャー構造を形成する図中ではテクスチャー構造の記載を省略する。太陽電池素子は、受光面表面側にテクスチャー構造を形成することにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。図12では、p型半導体基板10の表面すなわち受光面となる面に、上記n型拡散層形成組成物を塗布して、n型拡散層形成組成物層11を形成する。本発明では、塗布方法には制限がないが、例えば、印刷法、スピン法、刷毛塗り、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコーター法、インクジェット法が挙げられる。上記n型拡散層形成組成物の塗布量としては特に制限は無いが、例えば、ガラス粉末量として0.01g/m2~100g/m2とすることができ、0.1g/m2~10g/m2であることが好ましい。なお、n型拡散層形成組成物の組成によっては、塗布後に、組成物中に含まれる溶剤を揮発させるための乾燥工程が必要な場合がある。この場合には、80°C~300°C程度の温度で、ホットプレートを使用する場合は1分~10分、乾燥機などを用いる場合は10分~30分程度で乾燥させる。この乾燥条件は、n型拡散層形成組成物の溶剤組成に依存しており、本発明では特に上記条件に限定されない。また、本発明の製造方法を用いる場合には、裏面のp型拡散層高濃度電界層14の製造方法はアルミニウムによるn型拡散層からp型拡散層への変換による方法に限定されることなく、従来公知のいずれの方法も採用でき、製造方法の選択肢が広がる。したがって、例えば、Bボロン等の第13族の元素を含む組成物13を付与し、高濃度電界層14を形成することができる。前記Bボロン等の第13族の元素を含む組成物13としては、例えば、ドナー元素を含むガラス粉末の代わりにアクセプタ元素を含むガラス粉末を用いて、n型拡散層形成組成物と同様にして構成されるp型拡散層形成組成物を挙げることができる。アクセプタ元素は第13族の元素であればよく、例えば、Bボロン、Alアルミニウム及びGaガリウム等を挙げることができる。またアクセプタ元素を含むガラス粉末はB2O3、Al2O3及びGa2O3から選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。さらにp型拡散層形成組成物をシリコン基板の裏面に付与する方法は、既述のn型拡散層形成組成物をシリコン基板上に塗布する方法と同様である。裏面に付与されたp型拡散層形成組成物を、後述するn型拡散層形成組成物における熱拡散処理と同様に熱拡散処理することで、裏面に高濃度電界層14を形成することができる。尚、p型拡散層形成組成物の熱拡散処理は、n型拡散層形成組成物の熱拡散処理と同時に行なうことが好ましい。次いで、上記n型拡散層形成組成物層11を形成したp型半導体基板10を、600°C~1200°Cで熱拡散処理する。この熱拡散処理により、図13に示すように半導体基板中へドナー元素が拡散し、n型拡散層12が形成される。熱拡散処理には公知の連続炉、バッチ炉等が適用できる。また、熱拡散処理時の炉内雰囲気は、空気、酸素、窒素等に適宜調整することもできる。熱拡散処理時間は、n型拡散層形成組成物に含まれるドナー元素の含有率に応じて適宜選択することができる。例えば、1分間~60分間とすることができ、2分間~30分間であることがより好ましい。また、熱拡散処理によってn型拡散形成組成物中のガラス粉末が溶融し、n型拡散層12の表面に広がる。冷却工程では、熱拡散処理により加熱されたp型半導体基板10を、常温25°Cまで冷却する。冷却手段としては、特に制限はなく、空冷、電気炉の降温速度を制御した冷却等を挙げることができ、中でも、降温速度の制御が可能な点で電気炉を用いた冷却が好ましい。また、100°C/分以上の冷却速度の場合では、降温速度の制御の容易性の点で、空冷が好ましい。冷却により、熱拡散処理によりn型拡散層12の表面に広がった溶融物が冷やされて、リン酸ガラス等のガラス層不図示が形成される。前記冷却工程において常温まで冷却する際に、前記熱拡散処理の加熱温度から前記ガラス粉末のガラス転移温度までの間、5°C/分以上300°C/分以下の冷却速度で冷却する。前記熱拡散処理の加熱温度から前記ガラス粉末のガラス転移温度までの間の冷却速度を、上記範囲にすることにより、前記ガラス粉末に由来する結晶成分の結晶化が抑制される。5°C/分未満の速度では、前記ガラス粉末に由来する結晶成分が結晶化し、ガラス層が形成されたときに該ガラス層内に混在する場合がある。一方、300°C/分を超える冷却温度では、ガラス層の表面のみが急激に冷却されて、ガラス層内部の冷却速度と差が生じ、前記結晶成分の微結晶がガラス層の内部に生成される場合がある。いずれの場合でも、このような結晶成分の結晶が混在したガラス層は、後述するエッチング処理で除去しにくく、エッチング残渣としてn型拡散層12中に存在し、残渣のないn型拡散層12を形成できない。前記冷却速度は、10°C/分以上100°C/分以下とすることが、拡散装置における冷却速度の制御が容易であり、適切な工程時間での処理が可能となるため、好ましい。また、冷却速度を調整する温度範囲は、前記熱拡散処理の加熱温度から前記ガラス粉末のガラス転移温度までの間以外では、特に制限されず、例えば、0.5°C/分~500°C/分とすることができる。また、装置の制御の容易性及び全体の効率の観点から、冷却速度を調整する温度範囲を、前記熱拡散処理の加熱温度から300°Cまでとしてもよい。冷却工程では、上記温度範囲内の冷却速度が上記範囲内であれば、一定の冷却速度で冷却することができ、また速度を変動させて冷却することもできる。速度を変動させて冷却させる場合には、最大の速度差が10°C/分以内とすることができる。また、半導体基板への熱損傷をより小さくする点で、一定の冷却速度で冷却することが好ましい。ここでの一定の冷却速度とは、最も早い速度と最も遅い速度との差が1°C/分以内を意味する。冷却速度の調節は、選択される冷却手段に応じて行われる。例えば、空冷とした場合には、熱電対でモニタリングしながら、常温または低温の基板上に置き、急冷すれば冷却速度が上がり、一方で加熱した基板を用いて徐冷とすれば冷却速度が下がるなど、容易に調節可能である。また、冷却速度を制御可能な電気炉を用いれば、冷却速度を簡単に調節できる。冷却工程後に形成されたn型拡散層12の表面上のリン酸ガラス等のガラス層不図示は、エッチングにより除去する。エッチングとしては、ふっ酸等の酸に浸漬する方法、苛性ソーダ等のアルカリに浸漬する方法等、公知の方法のいずれも適用できる。ふっ酸等の酸に浸漬するエッチング方法を用いる場合、浸漬時間には、とくに制限はなく、一般に、0.5分~30分、好ましくは1分~10分とすることができる。図12及び3に示される、本発明にかかるn型拡散層形成組成物を用いてn型拡散層12を形成する本発明にかかるn型拡散層の形成方法では、所望の部位にn型拡散層12が形成され、裏面や側面には不要なn型拡散層が形成されない。したがって、従来広く採用されている気相反応法によりn型拡散層を形成する方法では、側面に形成された不要なn型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程が必須であったが、本発明の製造方法によれば、サイドエッチング工程が不要となり、工程が簡易化される。また、従来の製造方法では、裏面に形成された不要なn型拡散層をp型拡散層へ変換する必要があり、この変換方法としては、裏面のn型拡散層に、第13族元素であるアルミニウムのペーストを塗布、焼成し、n型拡散層にアルミニウムを拡散させてp型拡散層へ変換する方法が採用されている。この方法においてp型拡散層への変換を充分なものとし、更にp層の高濃度電界層を形成するためには、ある程度以上のアルミニウム量が必要であることから、アルミニウム層を厚く形成する必要があった。しかしながら、アルミニウムの熱膨張率は、基板として用いるシリコンの熱膨張率と大きく異なることから、焼成及び冷却の過程でシリコン基板中に大きな内部応力を発生させ、シリコン基板の反りの原因となっていた。この内部応力は、結晶の結晶粒界に損傷を与え、電力損失が大きくなるという課題があった。また、反りは、モジュール工程における太陽電池素子の搬送や、タブ線と呼ばれる銅線との接続において、素子を破損させ易くしていた。近年では、スライス加工技術の向上から、シリコン基板の厚みが薄型化されつつあり、更に素子が割れ易い傾向にある。しかし本発明の製造方法によれば、裏面に不要なn型拡散層が形成されないことから、n型拡散層からp型拡散層への変換を行う必要がなくなり、アルミニウム層を厚くする必然性がなくなる。その結果、シリコン基板内の内部応力の発生や反りを抑えることができる。結果として、電力損失の増大や、素子の破損を抑えることが可能となる。また、本発明の製造方法を用いる場合には、裏面のp型拡散層高濃度電界層14の製造方法はアルミニウムによるn型拡散層からp型拡散層への変換による方法に限定されることなく、いずれの方法も採用でき、製造方法の選択肢が広がる。例えば、ドナー元素を含むガラス粉末の代わりにアクセプタ元素を含むガラス粉末を用いて、n型拡散層形成組成物と同様にして構成されるp型拡散層形成組成物を、シリコン基板の裏面n型拡散層形成組成物を塗布した面とは反対側の面に塗布し、焼成処理することで、裏面にp型拡散層高濃度電界層14を形成することが好ましい。また後述するように、裏面の表面電極20に用いる材料は第13族のアルミニウムに限定されず、例えばAg銀又はCu銅等を適用することができ、裏面の表面電極20の厚さも従来のものよりも薄く形成することが可能となる。さらに、本発明の製造方法の場合には、所定の温度範囲における冷却速度を、5°C/分~300°C/分とするので、その後のエッチング工程においてエッチング残渣のないn型拡散層を形成することが可能となる。図14では、n型拡散層12の上に反射防止膜16を形成する。反射防止膜16は公知の技術を適用して形成される。例えば、反射防止膜16がシリコン窒化膜の場合には、SiH4とNH3の混合ガスを原料とするプラズマCVD法により形成する。このとき、水素が結晶中に拡散し、シリコン原子の結合に寄与しない軌道、即ちダングリングボンドと水素が結合し、欠陥を不活性化水素パッシベーションする。より具体的には、上記混合ガス流量比NH3/SiH4が0.05~1.0、反応室の圧力が13.3Pa0.1Torr~266.6Pa2Torr、成膜時の温度が300°C~550°C、プラズマの放電のための周波数が100kHz以上の条件下で形成される。図15では、表面受光面の反射防止膜16上に、表面電極用金属ペーストをスクリーン印刷法で印刷塗布乾燥させ、表面電極18を形成する。表面電極用金属ペーストは、1金属粒子と2ガラス粒子とを必須成分とし、必要に応じて3樹脂バインダー、4その他の添加剤を含む。次いで、上記裏面の高濃度電界層14上にも裏面電極20を形成する。前述のように、本発明では裏面電極20の材質や形成方法は特に限定されない。例えば、アルミニウム、銀、銅等の金属を含む裏面電極用ペーストを塗布し、乾燥させて、裏面電極20を形成してもよい。このとき、裏面にも、モジュール工程における素子間の接続のために、一部に銀電極形成用銀ペーストを設けてもよい。図16では、電極を焼成して、太陽電池素子を完成させる。600°C~900°Cの範囲で数秒~数分間焼成すると、表面側では電極用金属ペーストに含まれるガラス粒子によって絶縁膜である反射防止膜16が溶融し、更にp型半導体基板10表面も一部溶融して、ペースト中の金属粒子例えば銀粒子がp型半導体基板10と接触部を形成し凝固する。これにより、形成した表面電極18とp型半導体基板10とが導通される。これはファイアースルーと称されている。表面電極18の形状について説明する。表面電極18は、バスバー電極30、及び該バスバー電極30と交差しているフィンガー電極32で構成される。図2Aは、表面電極18を、バスバー電極30、及び該バスバー電極30と交差しているフィンガー電極32からなる構成とした太陽電池素子を表面から見た平面図であり、図2Bは、図2Aの一部を拡大して示す斜視図である。このような表面電極18は、例えば、上述の金属ペーストのスクリーン印刷、又は電極材料のメッキ、高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着等の手段により形成することができる。バスバー電極30とフィンガー電極32とからなる表面電極18は受光面側の電極として一般的に用いられていて周知であり、受光面側のバスバー電極及びフィンガー電極の公知の形成手段を適用することができる。上記では、表面にn型拡散層、裏面にp型拡散層を形成し、更にそれぞれの層の上に表面電極及び裏面電極を設けた太陽電池素子について説明したが、本発明にかかるn型拡散層形成組成物を用いればバックコンタクト型の太陽電池素子を作製することも可能である。バックコンタクト型の太陽電池素子は、電極を全て裏面に設けて受光面の面積を大きくするものである。つまりバックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面にn型拡散部位及びp型拡散部位の両方を形成しpn接合構造とする必要がある。本発明にかかるn型拡散層形成組成物は、特定の部位にn型拡散部位を形成することが可能であり、よってバックコンタクト型の太陽電池素子の製造に好適に適用することができる。以下、本発明の実施例をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限するものではない。なお、特に記述が無い限り、薬品は全て試薬を使用した。または断りがない限り質量を意味する。[実施例1]粒子形状が略球状で平均粒子径が1μm、軟化温度800°C、ガラス転移温度700°CのP2O5-SiO2-CaO系ガラスP2O5:50、SiO2:43、CaO:7粉末3gと、エチルセルロース2.1gと、テルピネオール24.9gとを自動乳鉢混練装置を用いて混合してペースト化し、n型拡散層形成組成物を調製した。なお、ガラス粒子形状は、株日立ハイテクノロジーズ製TM-1000型走査型電子顕微鏡を用いて観察して判定した。ガラスの平均粒子径はベックマンコールター株製LS13320型レーザー散乱回折法粒度分布測定装置測定波長:632nmを用いて算出した。ガラスの軟化温度、及びガラス転移温度は株島津製作所製DTG-60H型示差熱熱重量同時測定装置を用いて、示差熱DTA曲線により求めた。次に、調製したペーストをスクリーン印刷によってp型シリコン基板表面に塗布し、150°Cのホットプレート上で5分間乾燥させた。次に450°Cに設定したオーブンで1.5分間保持し、エチルセルロースを脱離した。続いて、大気フロー0.9cm/s雰囲気中、900°Cに設定した電気炉で、10分間保持することで熱拡散処理を行った。その後、900°Cから室温25°Cまで、20°C/分の一定の速度で、電気炉の降温速度制御による冷却処理を行って、炉からシリコン基板を取り出した。取り出した基板の塗布した面内では、透明なガラス層が形成されていた。そしてガラス層を除去するため基板をふっ酸に5分間浸漬し、流水洗浄を行った。その後、乾燥を行った。n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面をSEM観察したところ、100μm×100μmの視野において、確認できる残渣は見られなかった。またn型拡散層組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は36Ω/□であり、Pリンが拡散しn型拡散層が形成されていた。さらに、塗布した面内のシート抵抗値のばらつきはσ=0.8であり、均一なn型拡散層が形成されていた。他方、裏面のシート抵抗は1000000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。なお、シート抵抗は、三菱化学株製Loresta-EPMCP-T360型低抵抗率計を用いて四探針法により測定した。また使用したSEM走査型電子顕微鏡は、Philips社のXL30を用いた。[実施例2]熱拡散後の冷却速度を100°C/分とし、冷却を空冷で行った以外は実施例1と同様にn型拡散層形成を行った。n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面を、実施例1と同様にSEM観察したところ、残渣は見られなかった。また塗布した面のシート抵抗は39Ω/□であり、Pリンが拡散しn型拡散層が形成されていた。さらに、塗布した面内のシート抵抗値のばらつきはσ=0.7であり、均一なn型拡散層が形成されていた。他方、裏面のシート抵抗は1000000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。[実施例3]熱拡散後の冷却速度を200°C/分とした以外は実施例2と同様にn型拡散層形成を行った。n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面を、実施例1と同様にSEM観察したところ、残渣は見られなかった。なお、冷却後に形成されていたガラス層は、僅かに白濁していたため、ガラス層の内部で僅かに結晶成分が生成し、混じっていたと考えられる。また塗布した面のシート抵抗は37Ω/□であり、Pリンが拡散しn型拡散層が形成されていた。さらに、塗布した面内のシート抵抗値のばらつきはσ=0.8であり、均一なn型拡散層が形成されていた。他方、裏面のシート抵抗は1000000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。[比較例1]熱拡散後の冷却速度を1°C/minとした以外は実施例1と同様にして、n型拡散層形成を行った。n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面では、熱処理後にガラス層が白濁しており、エッチング処理後にはSEM観察で、1μm程度の結晶が残渣として見られた。また塗布した面のシート抵抗は33Ω/□であり、Pリンが拡散しn型拡散層が形成されていた。さらに、塗布した面内のシート抵抗値のばらつきはσ=0.7であり、均一なn型拡散層が形成されていた。他方、裏面のシート抵抗は1000000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。[比較例2]熱拡散後の冷却速度を500°C/minとした以外は実施例1と同様にして、n型拡散層形成を行った。n型拡散層形成組成物を塗布した側の表面では、熱処理後にガラス層が白濁しており、エッチング処理後にはSEM観察で、0.1μm以下の微結晶が残渣として僅かに見られた。また塗布した面のシート抵抗は35Ω/□であり、Pリンが拡散しn型拡散層が形成されていた。さらに、塗布した面内のシート抵抗値のばらつきはσ=0.8であり、均一なn型拡散層が形成されていた。他方、裏面のシート抵抗は1000000Ω/□以上で測定不能であり、n型拡散層は形成されていなかった。"