空洞部を有する基板と、前記空洞部を覆うようにして前記基板の上方に配設された薄膜状のダイアフラムと、前記ダイアフラムに形成された可動電極板と、前記ダイアフラムに対向させるようにして前記基板の上面に固定されたバックプレートと、前記可動電極板と対向する位置において前記バックプレートに設けた固定電極板とを備えた音響センサであって、前記ダイアフラムは、支持部によって前記基板又は前記バックプレートに支持されており、前記ダイアフラムは、振動時の変位量が極大となる点を複数箇所に有し、前記変位量が極大となる点のうち隣接する極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線上に、前記支持部が存在していることを特徴とする音響センサ。前記ダイアフラムは、間隔をあけて前記基板又は前記バックプレートに設けられた複数個の前記支持部によって部分的に支持されていることを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。前記ダイアフラムは外向きに延出された複数個の梁部を有し、前記梁部が前記支持部によって支持されていることを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記ダイアフラムは、矩形状をしていることを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。前記ダイアフラムは、格子状に配置された複数個の前記支持部によって支持されていることを特徴とする、請求項4に記載の音響センサ。前記矩形状をしたダイアフラムは、4箇所の隅部を前記支持部によって支持され、さらに2つの方向の辺のうち一方の方向の対向する2辺においてのみ隅部と隅部の中間部分を前記支持部によって支持されていることを特徴とする、請求項5に記載の音響センサ。前記ダイアフラムは、外周部を前記支持部によって支持され、さらに、前記変位量が極大となる点のうち隣接する極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線に沿って少なくとも3個の前記支持部によって支持されていることを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。前記変位量が極大となる点のうち隣接する極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線上に位置する前記支持部間の距離が、同じ方向における隅部の支持部どうしの距離よりも短いことを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。前記ダイアフラムの外周部全周が、前記基板又は前記バックプレートに設けられた支持部によって支持されていることを特徴とする、請求項8に記載の音響センサ。前記ダイアフラムが、スリットによって分割されていることを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。前記支持部のうちいずれか2つの支持部を結ぶ線上において、前記ダイアフラムにスリットが形成されていることを特徴とする、請求項10に記載の音響センサ。前記スリットの幅が10μm以下であることを特徴とする、請求項10に記載の音響センサ。前記スリットの長さは、当該スリットの延長方向における前記ダイアフラムの差し渡し長さの1/2以上であることを特徴とする、請求項10に記載の音響センサ。隣接する前記支持部の間の少なくとも一箇所において、前記ダイアフラムと前記基板との間に空隙が形成されていることを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。音響振動が前記空洞部を通って前記ダイアフラムに到達することを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。請求項1に記載した音響センサと、前記音響センサから出力された信号を処理するための回路とを備えたマイクロフォン。本発明は、上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、センサの小型化を妨げることなくセンサのS/N比を向上させることのできる音響センサと、当該音響センサを用いたマイクロフォンを提供することにある。本発明に係る音響センサは、空洞部を有する基板と、前記空洞部を覆うようにして前記基板の上方に配設された薄膜状のダイアフラムと、前記ダイアフラムに形成された可動電極板と、前記ダイアフラムに対向させるようにして前記基板の上面に固定されたバックプレートと、前記可動電極板と対向する位置において前記バックプレートに設けた固定電極板とを備えた音響センサであって、前記ダイアフラムは、支持部によって前記基板又は前記バックプレートに支持されており、前記ダイアフラムは、振動時の変位量が極大となる点を複数箇所に有し、前記変位量が極大となる点のうち隣接する極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線上に、前記支持部が存在していることを特徴としている。なお、可動電極板は、ダイアフラムに設けてあってもよく、ダイアフラム自体が可動電極板となっていてもよい。本発明の音響センサにあっては、ダイアフラムが振動時の変位量が極大となる点を複数箇所に有していて、変位量が極大となる点のうち隣接する極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線上に前記支持部が存在しているので、隣接する極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線上におけるダイアフラムの剛性が高くなる。よって、隣接する極大点どうしのうち一方の極大点の振動が変位量が当該極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線を通過して他方の極大点へ伝播しにくくなる。その結果、隣接する極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線によって仕切られた両側の領域において可動電極板と固定電極板で構成されるキャパシタ実施形態では、音響センシング部が互いに独立するようになる。このような音響センサによれば、前記各キャパシタを並列に接続してあれば、実質的に感度を低下させることなくノイズを低減することが可能になるので、音響センサのS/N比を向上させることができる。また、ダイアフラムを独立して振動可能な複数の領域に分割しているだけであるので、音響センサの小型化が妨げられることがない。本発明に係る音響センサのある実施態様においては、前記ダイアフラムが、間隔をあけて前記基板又は前記バックプレートに設けられた複数個の前記支持部によって部分的に支持されている。かかる実施態様によれば、支持部によってダイアフラムの全周を支持している場合と比べてダイアフラムの剛性を低くすることができ、音響センサの感度を向上させることができる。本発明に係る音響センサの別な実施態様においては、前記ダイアフラムが、外向きに延出された複数個の梁部を有し、前記梁部が前記支持部によって支持されている。かかる実施態様によれば、支持部によるダイアフラムの支持箇所の数が増えてもダイアフラムの剛性が高くなりにくく、音響センサの感度を高くすることができる。本発明に係る音響センサのさらに別な実施態様においては、前記ダイアフラムが、矩形状をしている。ダイアフラムの形状は、矩形状、円板状その他の形状であってもよいが、ダイアフラムの形状を矩形状とすれば、音響センサの出力の線形性が良好となる。本発明に係る音響センサのさらに別な実施態様においては、前記ダイアフラムが、格子状に配置された複数個の前記支持部によって支持されている。たとえば、前記矩形状をしたダイアフラムが、4箇所の隅部を前記支持部によって支持され、さらに2つの方向の辺のうち一方の方向の対向する2辺においてのみ隅部と隅部の中間部分を前記支持部によって支持されていればよい。かかる実施態様によれば、ダイアフラムにおいて4個の支持点で囲まれた領域がそれぞれ変位の極大点を有し、それぞれ実質的に独立して振動可能な領域となる。本発明に係る音響センサのさらに別な実施態様においては、ダイアフラムが、外周部を前記支持部によって支持され、さらに、前記変位量が極大となる点のうち隣接する極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線に沿って少なくとも3個の前記支持部によって支持されている。かかる実施態様によれば、隣接する極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線に沿ったダイアフラムの剛性をより高めることができ、ダイアフラムの各領域の独立性がより高くなる。本発明に係る音響センサのさらに別な実施態様においては、前記変位量が極大となる点のうち隣接する極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線上に位置する前記支持部間の距離が、同じ方向における隅部の支持部どうしの距離よりも短いことを特徴としている。この場合には、前記ダイアフラムの外周部全周が、前記基板又は前記バックプレートに設けられた支持部によって支持されていてもよい。かかる実施態様によれば、隣接する極大点どうしを結ぶ線分と交差する直線に沿ったダイアフラムの剛性をより高めることができ、ダイアフラムの各領域の独立性がより高くなる。本発明に係る音響センサのさらに別な実施態様は、前記ダイアフラムが、スリットによって分割されていることを特徴としている。かかる実施態様によれば、スリットを挟んでその両側でダイアフラムが独立して振動できるようになり、ダイアフラムの独立して振動する領域を増やすことができる。特に、前記支持部のうちいずれか2つの支持部を結ぶ線上において、前記ダイアフラムにスリットを形成すれば、支持部によって分離されたダイアフラムの各領域どうしの独立性をより高めることができる。本発明に係る音響センサのさらに別な実施態様においては、前記スリットの幅が10μm以下となっている。一般的なサイズのMEMS音響センサでは、スリットの幅が10μmを超えるとロールオフ周波数が500Hzにもなって低周波特性が悪化することがあるので、スリットの幅は当該実施態様のように10μm以下であることが望ましい。本発明に係る音響センサのさらに別な実施態様においては、前記スリットの長さが、当該スリットの延長方向における前記ダイアフラムの差し渡し長さの1/2以上となっている。スリットの長さがダイアフラムの幅の1/2よりも短いと、スリットによって分割されたダイアフラムの各領域間における変位の不連続性が損なわれ、全体としてノイズを低減する効果が悪くなるので、スリットの延長方向におけるダイアフラムの差し渡し長さの1/2以上であることが望ましい。本発明に係る音響センサのさらに別な実施態様は、隣接する前記支持部の間の少なくとも一箇所において、前記ダイアフラムと前記基板との間に空隙が形成されている。かかる実施態様によれば、支持部間の空隙をベンチホールとして利用することができる。本発明に係る音響センサのさらに別な実施態様は、音響振動が前記空洞部を通って前記ダイアフラムに到達することを特徴としている。かかる実施態様によれば、半導体基板内の空洞部がフロントチャンバとなり、音響センサの外部の空間がバックチャンバとなるので、バックチャンバの容積を大きくでき、音響センサの感度を向上させることができる。本発明に係るマイクロフォンは、本発明に係る音響センサと、前記音響センサから出力された信号を処理するための回路とを備えたものである。本発明のマイクロフォンは、本発明の音響センサを用いているので、マイクロフォンのS/N比を改善することができる。なお、本発明における前記課題を解決するための手段は、以上説明した構成要素を適宜組み合せた特徴を有するものであり、本発明はかかる構成要素の組合せによる多くのバリエーションを可能とするものである。以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々設計変更することができる。第1の実施形態図4-図6を参照して本発明の実施形態1による音響センサの構造を説明する。図4は実施形態1の音響センサ41を示す断面である。図5は、音響センサ41の平面図である。また、図6は、音響センサ41から天蓋部44を取り除いた状態の平面図である。この音響センサ41はMEMS技術を利用して作製された静電容量型素子である。図4に示すように、音響センサ41は、シリコン基板42半導体基板の上面にアンカー46支持部を介してダイアフラム43振動電極板が設けられ、その上に微小なエアギャップ50空隙を介して天蓋部44が設けられている。単結晶シリコンからなるシリコン基板42には、表面から裏面に貫通したバックチャンバ45空洞部が開口されている。バックチャンバ45は内周面が垂直面となっていてもよく、テーパー状に傾斜していてもよい。ダイアフラム43の外周縁下面を支持するための複数個のアンカー46は、シリコン基板42の上面に設けられている。さらに、シリコン基板42の上面には、ダイアフラム43を囲むようにして土台部51が形成されている。アンカー46及び土台部51は、SiO2によって形成されている。図6に示すように、ダイアフラム43は、略矩形状に形成されている。ダイアフラム43は、導電性を有するポリシリコン薄膜によって形成されていてダイアフラム43自体が可動電極板となっている。ダイアフラム43の四隅と短辺の縁の中央からは、それぞれ梁部47が突出している。ダイアフラム43は、バックチャンバ45の上方を覆うようにしてシリコン基板42の上に配置され、アンカー46によって6箇所の梁部47を支持されている。よって、ダイアフラム43は宙空に支持されるととともに、隣接するアンカー46間においては、音響振動を通過させるための狭いベントホール52が、ダイアフラム43の外周部下面とシリコン基板42の上面との間に形成されている。また、ダイアフラム43からは外側に向けて引出配線53が延びている。ダイアフラム43の全周をシリコン基板42に固定した場合には、ダイアフラム43の拘束力が強くなり、ダイアフラム43のバネ性が高くなって音響センサ41の感度が低下する。そのため、この実施形態では、ダイアフラム43をアンカー46によって飛び飛びに支持して、アンカー46間にベントホール52空隙を形成している。天蓋部44は、SiNからなるバックプレート48固定膜の下面にポリシリコンからなる固定電極板49を設けたものである。天蓋部44は、ドーム状に形成されていてその下に空洞部分を有しており、その空洞部分でダイアフラム43を覆っている。天蓋部44の下面すなわち、固定電極板49の下面とダイアフラム43の上面との間には微小なエアギャップ50空隙が形成されている。固定電極板49とダイアフラム43は互いに対向していてキャパシタを構成している。図5に示すように、天蓋部44のほぼ全体には、上面から下面に貫通するようにして、音響振動を通過させるためのアコースティックホール54音響孔が多数穿孔されている。図4及び図5に示すように、アコースティックホール54は規則的に配列されている。図示例では、アコースティックホール54は、互いに120°の角度を成す3方向に沿って三角形状に配列されているが、矩形状や同心円状などに配置されていてもよい。図4に示すように、天蓋部44の下面には、円柱状をした微小なストッパ55突起が突出している。ストッパ55は、バックプレート48の下面から一体に突出しており、固定電極板49を貫通して天蓋部44の下面に突出している。ストッパ55はバックプレート48と同じくSiNからなるので、絶縁性を有する。このストッパ55は、静電気力によってダイアフラム43が固定電極板49に固着して離れなくなるのを防ぐためのものである。天蓋状をしたバックプレート48の外周縁からは、全周にわたって保護膜56が連続的に延出している。保護膜56は、土台部51とその外側の領域を覆っている。引出配線53は土台部51に固定されており、固定電極板49から延出された引出配線57も土台部51の上面に固定されている。一方、保護膜56には開口があけられており、当該開口を通して引出配線53の上面に可動側電極パッド58が形成され、可動側電極パッド58は引出配線53を通じてダイアフラム43に導通している。また、バックプレート48の上面に設けられた固定側電極パッド59は、スルーホールなどを介して引出配線57に導通し、さらに固定電極板49に導通している。この音響センサ41では、ダイアフラム43がその四隅をアンカー46で支持されているだけでなく、短辺の縁の中央もアンカー46で支持されている。すなわち、ダイアフラム43は6個のアンカー46によって格子状に支持されている。そのため、ダイアフラム43の各短辺中央に位置するアンカー46、46どうしを結ぶラインD図7Aにおいて一点鎖線で示す線分に沿ってダイアフラム43の剛性が高くなり、当該ラインD上でダイアフラム43の変位が最小となる箇所がある。よって、ダイアフラム43は、このラインDを挟んで一方の領域図7Bに示すように4個のアンカー46で囲まれた領域。以下、ダイアフラム領域43aという。と、他方の領域図7Cに示すように4個のアンカー46で囲まれた領域。以下、ダイアフラム領域43bという。とが独立して振動することが可能になり、両ダイアフラム領域43a、43bの内側にそれぞれ大きく変位する変位極大点Gが表れる。そして、ダイアフラム領域43aと固定電極板49の当該領域43aに対向する領域からなるキャパシタによって一方の音響センシング部60aが構成される。また、ダイアフラム領域43bと固定電極板49の当該領域43bに対向する領域からなるキャパシタによって他方の音響センシング部60bが構成される。しかも、両センシング部60a、60bは、天蓋部44内の同じ箇所において一体的に形成され、同じ構造、同じ形状、同じ寸法を有していて、実質的に同一の特性を有している。この音響センサ41にあっては、音響振動がアコースティックホール54を通過して天蓋部44内のエアギャップ50に入ると、薄膜であるダイアフラム領域43a、43bが音響振動によって同じ位相で振動する。ダイアフラム領域43a、43bが振動して各ダイアフラム領域43a、43bと固定電極板49との間の各ギャップ距離が変化すると、音響センシング部60a、60bの静電容量が変化する。この結果、各音響センシング部60a、60bにおいては、ダイアフラム領域43a、43bが感知している音響振動音圧の変化がダイアフラム領域43a、43bと固定電極板49の間の静電容量の変化となり、電気的な信号として出力される。また、ダイアフラム領域43a、43bはいずれも可動側電極パッド58につながっており、固定電極板49は共通しているので、音響センシング部60aキャパシタと音響センシング部60bキャパシタとは、電気的に並列接続されている。この音響センサ41では、ダイアフラム領域43aとダイアフラム領域43bが電気的に導通していて、固定電極板49が共通となっている。しかも、基板42上の同じ位置に音響センシング部60a、60bが設けられていて、両センシング部60a、60bは同位相で音響振動を検知する。そのため、ダイアフラム領域43aと43bがほぼ独立しているとしても、ダイアフラム43の全体としてみれば一つの音響センサ41として作用し、短辺中央にアンカー46を設けていない場合と実質的に変化がない。これに対し、ダイアフラム領域43a、43bは、剛性が高くて変位が最小となるラインDで仕切られていて、ほぼ独立して動くことができる。よって、ラインDの両側においてダイアフラム領域43a、43bは独立して変位することができる。そのため、音響センシング部60aに発生する熱雑音と音響センシング部60bに発生する熱雑音とは、異なる位相の信号として検知される。よって、両センシング部60a、60bのノイズを加え合わせると、ノイズが打ち消し合って小さくなる。その結果、音響センサ41のS/N比が向上する。以上においては、音響センサ41のS/N比が向上する理由を簡単に説明したが、以下においては、等価回路を用いてさらに説明する。図8は、音響センサ41を単純化した等価回路を表している。短辺中央にアンカー46を設けることで分離された2つの音響センシング部60a、60bは、並列に接続された2つの可変キャパシタCP1、CP2で表すことができる。ここで、2つの可変キャパシタCP1、CP2は同じ性能を有している。さらに、音響振動やノイズなどの信号発生源は、可変キャパシタCP1、CP2に直列に接続したそれぞれの交流電源SG1、SG2で表す。この結果、図8に示すように、音響センシング部60aは可変キャパシタCP1と交流電源SG1を直列に接続した回路で表され、音響センシング部60bは可変キャパシタCP2と交流電源SG2を直列に接続した回路で表される。さらに、音響センサ41は、両直列接続回路を並列に接続した等価回路で表される。図8の等価回路における特性又は回路定数を、つぎのような記号で表す。Ca/2[F]:可変キャパシタCP1の静電容量Cb/2[F]:可変キャパシタCP2の静電容量ΔCa/2[F]:可変キャパシタCP1の受圧時の静電容量変化ΔCb/2[F]:可変キャパシタCP2の受圧時の静電容量変化V[V]:音響センサ41への印加電圧Sa[V]:音響センシング部60aの感度出力Sb[V]:音響センシング部60bの感度出力Na[V]:音響センシング部60aのノイズ出力Nb[V]:音響センシング部60bのノイズ出力Sa/Na:音響センシング部60aのS/N比Sb/Nb:音響センシング部60bのS/N比ここで、感度出力とは、交流電源で発生した音響振動によって音響センシング部あるいは、可変キャパシタから出る信号出力であって、電圧×固定キャパシタの静電容量変化/固定キャパシタの静電容量で表される。したがって、音響センシング部60aの感度出力は、Sa=V×ΔCa/2/Ca/2=V×ΔCa/Caとなる。同様に、音響センシング部60bの感度出力は、Sb=V×ΔCb/2/Cb/2=V×ΔCb/Cbとなる。いま、図9に示すように、音響センシング部60aのみに音響振動やノイズが加わった状況を考える。音響センシング部60bでは音響振動やノイズによる信号は発生していないので、音響センシング部60bの交流電源SG2は省略し、可変キャパシタCP1の静電容量は変化しないと考える。まず、交流電源SG1から音響振動だけが出力されているとすると、音響センシング部60aから出力される感度出力は、上記のように、Sa=V×ΔCa/Caとなる。しかし、この音響センシング部60aには、音響センシング部60bのキャパシタCP2が並列に接続されているので、キャパシタCP2は音響センシング部60aに対しては寄生容量として働き、音響センシング部60aの感度を減衰させる。キャパシタCP1とCP2は同じ静電容量を有しているので、音響センサ41から出力される感度出力すなわち、信号処理回路へ入力される感度出力Stotは、次式で表されるように半減する。Stot=Ca/2/{Ca/2Cb/2}×Sa=Sa/2つぎに、電源SG1からノイズだけが出力されている場合を考える。この場合も、音響センシング部60aから出ているノイズ出力をNaとすると、音響センシング部60aに並列に接続されたキャパシタCP2の影響により、音響センサ41から出力されるノイズ出力すなわち、信号処理回路へ入力されるノイズ出力Ntotは、次式で表されるように半減する。Ntot=Ca/2/{Ca/2Cb/2}×Na=Na/2図9とは反対に音響センシング部60bのみに音響振動が加わった状況では、図9の場合と同様に考えて、音響センサ41から出力される感度出力Stotは、音響センシング部60bの感度出力Sbが半減して次式のようになる。Stot=Cb/2/{Cb/2Ca/2}×Sb=Sb/2また、音響センシング部60bのみにノイズが発生している状況を考えると、音響センシング部60aのキャパシタCP1の影響により、音響センサ41から出力されるノイズ出力Ntotは、音響センシング部60bのノイズ出力Nbが半減して次式で表される。Ntot=Cb/2/{Cb/2Ca/2}×Nb=Nb/2つぎに、図8のように、音響センシング部60aと60bで同時に感度出力Sa、Sbとノイズ出力Na、Nbが発生している場合を考える。感度出力とノイズ出力を分けて考える。感度出力は、音響振動を感知する各ダイアフラム領域43a、43bが同一の天蓋部44内において極く近接した位置に配置されているので、両ダイアフラム領域43a、43bは同じ時刻においては同じ位相と振幅で振動している。しかも、音響センシング部60aの可変キャパシタCP1と音響センシング部60bの可変キャパシタCP2は並列に接続されている。その結果、音響センサ41の感度出力Stotは、上で求めた各音響センシング部60a、60bの感度出力Sa/2、Sb/2の和となる。Stot=Sa/2Sb/2ここで、Sa=Sbであるから、上式は、Stot=Saとなる。これは、図10A-図10Cに示すように、音響センサ41では、位相と振幅が同じ2つの信号図10A及び図10Bの感度出力Sa/2、Sb/2が重ね合わされたものが全体の感度出力Stot=Sa図10Cとして出力されることを表し、音響センサ41が音響センシング部60aと60bに分離されていても、音響センサ41の感度出力Stotは、ダイアフラム43の短辺中央にアンカー46を設けていない場合と変わりがないことを示している。一方、ノイズは熱雑音に由来するので、互いに分離している音響センシング部60aと60bではそれぞれ独立してランダムにノイズが発生している。このため音響センシング部60aのノイズと音響センシング部60bのノイズは、図11A及び図11Bに示すように、位相や振幅の揃っていない独立な信号となっている。よって、音響センサ41から出力されるノイズ出力Ntotは、図11Cに示すように、音響センシング部60aから出力されるノイズ出力Na/2と音響センシング部60bから出力されるノイズ出力Nb/2との分散を加法する際の演算で求められる。すなわち、次式のようになる。Stot=√{Na/22Nb/22}ここで、Na=Nbであるから、上式は、Stot=Na/√2となる。上記のように、音響センサ41の感度出力Stotは加算され、ノイズ出力Ntotは分散を加法する際の演算で求められる。その結果、音響センサ41のS/N比は、√2Sa/Naとなり、音響センサ41を音響センシング部60aと60bに分離していない場合と比較すると、S/N比は√2倍となるもしくは、3dB向上する。試作品によれば、ダイアフラム43の短辺中央にアンカー46を設ける前後で感度出力には変化が見られなかったが、ノイズ出力はダイアフラム43の短辺中央にアンカー46を設けることによって約3dB低下した。よって、S/N比は、音響センシング部60aと60bに分離することによって3dB程度高くなった。よって、アンカー46を増やしてダイアフラム43を余分な箇所で支持させることによって音響センシング部60aと60bに分離することにより、音響センサ41のS/N比を向上させられることが定量的に示された。第2の実施形態つぎに、本発明の実施形態2による音響センサを説明する。図12は、音響センサに用いられる実施形態2のダイアフラム43の構造を示す平面図である。天蓋部44その他の構造は実施形態1と同様であるので、説明は省略する。この実施形態では、ダイアフラム43は略矩形状となっている。ダイアフラム43は、合計6個のアンカー46によって四隅と長辺の縁の中央をシリコン基板42上で支持されている。すなわち、ダイアフラム43の短辺は2箇所のアンカー46によって両端を支持されており、長辺は3箇所のアンカー46によって両端と中央を支持されている。このような形態でも、図13に示すように、長辺の縁の中央に位置するアンカー46どうしを結んだラインDの上でダイアフラム43の剛性が高くなり、したがってラインD上で変位が最小となる。また、ラインDの両側のダイアフラム領域43a及び43bの中心が変位の大きな変位極大点Gとなる。よって、ラインDの両側に位置するダイアフラム領域43a、43bがそれぞれ独立した振動膜となる。さらに、これらのダイアフラム領域43a、43bと固定電極板49とによって互いに独立した2個の音響センシング部が構成される。この結果、2個の音響センシング部を並列に接続してあれば、実施形態2の音響センサでも、実施形態1の場合と同様に、S/N比を大きくすることができる。本発明の音響センサでは、一体として構成された1つのキャパシタ構造が独立した振動モードを有する複数の部分音響センシング部60a及び60bに分かれている。すなわち、ダイアフラムが複数の領域に分かれていて、分離されている各領域の内部に独立した変位極大点Gが生じるように構成されている。このために、本発明のある実施形態たとえば、実施形態1、2では、図13に示すように、分離された各ダイアフラム領域43a、43bの変位極大点Gを結ぶ線と直交する方向に定めたラインD上にアンカー46を設けてダイアフラム43を支持させている。このような構造であれば、中央のアンカー46どうしを結ぶラインDの位置ではダイアフラム43の剛性が高くなって変位が最小となる。そして、一方の変位極大点Gと他方の変位極大点Gの間をラインDが通っているので、図13に矢印で示すように、一方の変位極大点Gから他方の変位極大点Gへ変位が伝播しにくく、音響センシング部の独立性を高めることができる。このような構造であれば、複数の音響センシング部が同時に音圧を受けた際には互いに同位相の動きをし、また、自己発生雑音に対しては互いに独立して動作することができる。ただし、本発明の実施形態においては、必ずしも複数の音響センシング部どうしが同じ構造と同じ寸法を有していなければならないという訳ではなく、異なる構造又は異なる寸法を有していて、音響センシング部どうしが異なる特性を有していても差し支えない。図14は、実施形態2の変形例である。図14の変形例では、略矩形状をしたダイアフラム43を格子状に配置したアンカー46で支持している。すなわち、ダイアフラム43の短辺は両端を2箇所のアンカー46で支持されており、ダイアフラム43の長辺は両端とその間を複数個4個以上のアンカー46で支持されている。この場合も、対向しているアンカー46どうしを結ぶラインD上でダイアフラム43の変位が小さくなる。よって、ダイアフラム43は、複数本のラインDにより、中央部が変位極大点Gとなり、かつ、四隅をアンカー46で支持された3つの矩形状をしたダイアフラム領域43a、43b、43cに分離されている。そして、これらのダイアフラム領域43a、43b、43cと固定電極板49によって複数個の独立した音響センシング部が構成される。このように音響センシング部の数を増やすと各ダイアフラム領域の形状や面積は異なっていてもよい。、音響センサのノイズをより低減させることができ、S/N比を向上させる効果が高くなる。第3の実施形態図15は本発明の実施形態3による音響センサ62の断面図である。図16は、実施形態3の音響センサ62に用いられているダイアフラム43の平面図である。実施形態3の音響センサ62にあっては、ダイアフラム43は実施形態1のようにアンカー46によって支持されておらず、単にシリコン基板42の上面に置かれているだけである。一方、バックプレート48の下面のうち、ダイアフラム43に対向する位置からは、ダイアフラム43の上面に当接させるためのアンカー63支持部が下方へ向けて突出している。したがって、ダイアフラム43と固定電極板49との間に電圧が印加されると、ダイアフラム43は静電引力によって固定電極板49へ向けて引き上げられる。上方へ引き上げられたダイアフラム43はアンカー63の下端面に当接して固定され、ダイアフラム43と固定電極板49との間には一定間隔のエアギャップ50が形成される。そして、このダイアフラム43に音響振動が加わると、ダイアフラム43と固定電極板49で構成されるキャパシタの静電容量が変化するので、音響振動が検出される。ダイアフラム43は、図16に示すように円板状をしている。バックプレート48から突出したアンカー63は、ダイアフラム43の外周縁に沿って等間隔で配置されている。さらに、ダイアフラム43の中心を挟んで向き合っているある一対のアンカー63間には、複数個のアンカー63が一定間隔ごとに配列されている。このような音響センサ62では、ダイアフラム43の直径に沿って直線状に配列された複数個のアンカー63に沿ったラインDでダイアフラム43の変位が最小となり、ラインDの両側にそれぞれ変位極大点Gが生じる。また、直径上に一列に並んだアンカー63の方向ラインDの方向は、変位極大点Gどうしを結ぶ方向と直交している。従って、ラインDの両側には、独立したダイアフラム領域43a、43bが形成される。よって、これらのダイアフラム領域43a、43bと固定電極板49によって複数個の独立した音響センシング部が構成される。この結果、このような音響センサ62においても、S/N比を向上させることができる。なお、図16に示した図示例では、円板状のダイアフラム43に対して変位極大点Gどうしを結ぶ方向と直交する方向に5個のアンカー63が並んでいるが、このアンカー63は4個以上であればよい。また、回転対称でない形状のダイアフラム、たとえば矩形状のダイアフラムの場合には、変位極大点Gどうしを結ぶ方向と直交する方向には3個以上のアンカーが並んでいればよい。第4の実施形態図17は、本発明の実施形態4による音響センサに用いられるダイアフラム43の構造を示す平面図である。このダイアフラム43は、長手方向の中央部が内側へくびれた形状となっており、連続したアンカー46によって外周全体がシリコン基板42に固定されている。くびれて幅が狭くなった箇所ではダイアフラム43の剛性が高くなるので、くびれた方向に沿ったラインDの両側が独立して振動可能なダイアフラム領域43a、43bとなる。ダイアフラム領域43a、43bは、いずれも一部欠けた円板状をしており、それぞれに変位極大点Gが生じていて、変位極大点Gどうしを結ぶ方向はラインDと直交している。よって、このような形態でも、ダイアフラム領域43a、43bと固定電極板49によって複数個の独立した音響センシング部が構成される。この結果、このような音響センサ62においても、S/N比を向上させることができる。なお、実施形態3及び4は、矩形状のダイアフラムにも適用することができる。また、たとえば実施形態2において、長辺の中央に位置しているアンカー46をダイアフラム43の内部側へ寄せてもよい。これにより長辺の中央に位置しているアンカー46どうしの距離が、図12に示すものよりも短くなるので、ラインDに沿った方向におけるダイアフラム43の剛性がより高くなる。第5の実施形態図18は、本発明の実施形態5による音響センサに用いられるダイアフラム43の構造を示す平面図である。このダイアフラム43は菱形をしていて、4箇所の隅部をアンカー46によって支持されている。このようなダイアフラム43の場合には、菱形をしたダイアフラム43の短い側の対角線上に位置するラインDでダイアフラム43の変位が最小になる。また、このダイアフラム43は、ラインDの両側にそれぞれ変位が最大となる変位極大点Gを有しているので、ラインDの両側が独立に振動可能なダイアフラム領域43a、ダイアフラム領域43bとなっている。第6の実施形態図19は、本発明の実施形態6による音響センサに用いられるダイアフラム43の構造を示す平面図である。この実施形態では、実施形態2のダイアフラム43図12参照において、そのラインDの位置に沿ってダイアフラム43にスリット64を設けている。このようにラインDに沿ってスリット64を設けると、ダイアフラム領域43aとダイアフラム領域43bの独立性がより高くなり、S/Nの改善効果が高くなる。このスリット64の長さは、ダイアフラム43の幅を50以上横断していることが望ましい。すなわち、スリット64の長さは、スリット64を延長した線上におけるダイアフラム43の幅に対して1/2以上の長さを有していることが望ましい。スリット64は、ダイアフラム領域43a側における変位とダイアフラム領域43b側における変位を隔絶させて不連続にするために設けているが、スリット64の長さがダイアフラム43の幅の1/2よりも短いと、ダイアフラム領域43a側とダイアフラム領域43b側における変位の不連続性が損なわれるからである。また、スリット64の幅は、10μm以下であることが望ましい。スリット64の幅が広すぎるとスリット64を通ってエアギャップ50からバックチャンバ45へ漏れる空気量が増大し、ロールオフ周波数が高くなって音響センサの低周波特性が悪化する。特に、スリット64の幅が10μmを超えると著しくロールオフ周波数が高くなって低周波特性が悪化し、音響センサ41の感度が大きく損なわれるからである。ただし、スリット64の位置は必ずしもラインDの位置に限らない。たとえば、図20に示すようにラインDと直交するようにスリット64を設けてその両側にダイアフラム領域43a、43bを形成してもよい。また、図21に示すように、ダイアフラム43に複数本のスリット64を設けて3個以上のダイアフラム領域43a、43b、43c、43dを形成してもよい。第7の実施形態図22は上記各実施形態の音響センサを用いたMEMSマイクロフォンの断面図である。また、図23は、カバーを外した状態のマイクロフォンの平面図である。このマイクロフォン81は、回路基板82とカバー83からなるパッケージ内に音響センサ65と信号処理回路84ASICを内蔵させたものである。音響センサ65と信号処理回路84は、回路基板82の上面に実装されている。音響センサ65の電極パッド58、59は、それぞれボンディングワイヤ91によって信号処理回路84のパッド85a、85bに接続されている。回路基板82の下面にはマイクロフォン81を外部と電気的接続するための端子88が複数個設けられ、回路基板82の上面には端子88と導通した電極部89a-89c;90a、90bが設けられている。回路基板82に実装された84の各パッド86a-86c;87a、87bは、それぞれボンディングワイヤ92によって電極部89a-89c;90a、90bに接続されている。なお、信号処理回路84のパッドは、音響センサ65へ電源を供給する機能や、音響センサ65の容量変化信号を外部へ出力する機能を有するものである。回路基板82の上面には、音響センサ65及び信号処理回路84を覆うようにしてカバー83が取り付けられている。カバー83の上面には、パッケージ内に音響振動を導き入れるための音導入孔93が開口されている。また、パッケージは電磁シールドの機能を有しており、外部からの電気的な外乱や機械的な衝撃からマイクロフォン81を保護している。したがって、音導入孔93からパッケージ内に入った音響振動は、音響センサ65によって検出され、信号処理回路84によって所定の信号処理を施された後に出力される。ここで、音響センサ65として本発明に係る音響センサを用いているので、S/N比の高いマイクロフォン81となっている。なお、図24は別な構造のマイクロフォン94を示す。このマイクロフォン94では、音導入孔93はカバー83でなく、シリコン基板42の空洞部の下面に対向する位置において回路基板82に開口されている。このマイクロフォン94においては、回路基板82の音導入孔93から音響振動が導入されるので、シリコン基板42の空洞部はフロントチャンバ95となり、パッケージ内部の空間がバックチャンバ45となる。よって、このような形態によれば、バックチャンバ45の体積を大きくすることができ、マイクロフォン81の感度をさらに向上させることができる。最後に述べれば、ダイアフラムにおける変位極大点の表れ方は、アンカー支持部の配置だけで決まるものではなく、ダイアフラムの材質や厚み、およびアンカー支持部の大きさなどのパラメータによっても決まるものである。