胴体と、前記胴体の上に配置された第1リードフレームと、前記第1リードフレームの上に搭載された複数の発光ダイオードと、前記発光ダイオードの上にモールディング部材と、を含み、前記複数の発光ダイオードの間の間隔は前記複数の発光ダイオードのうちの第1発光ダイオードの辺のうち、第1辺の長さ以下の間隔を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。前記複数の発光ダイオードの間の間隔は250μm±50μmの範囲を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記複数の発光ダイオードは辺と辺とが互いに対向するように配置されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記複数の発光ダイオードは少なくとも3個を含み、3個の発光ダイオードのうち、2つの発行ダイオードの間の間隔は同一な間隔を有することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記3個の発光ダイオードのうち、2つの発光ダイオードの間の間隔は250μm±50μmの範囲を含むことを特徴とする、請求項4に記載の発光素子パッケージ。前記胴体の上に前記第1リードフレームと離隔した第2リードフレームを含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記第2リードフレームの上に少なくとも1つの第3発光ダイオードをさらに含むことを特徴とする、請求項6に記載の発光素子パッケージ。前記第1リードフレームの上に配置された複数の発光ダイオードの間の間隔は、第1及び第2リードフレームの上に互いに対応する複数の発光ダイオードの間の間隔より狭い間隔を有することを特徴とする、請求項7に記載の発光素子パッケージ。前記第1発光ダイオードは、他の発光ダイオードより小さいサイズで形成されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記複数の発光ダイオードの間の間隔は前記第1発光ダイオードの辺のうち、小さい辺の長さの少なくとも1/4の間隔を有することを特徴とする、請求項9に記載の発光素子パッケージ。前記胴体の上に上部が開放されたキャビティを含み、前記キャビティの内には前記第1リードフレーム、前記複数の発光ダイオード、及び前記モールディング部材が配置されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記第1発光ダイオードのいずれか一辺の長さは少なくとも250μmの長さを含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。上部が開放されたキャビティを含む胴体と、前記胴体のキャビティの内に配置された第1及び第2リードフレームと、前記第1及び第2リードフレームのうち、第1リードフレームの上に搭載された第1発光ダイオードと、前記第1リードフレームの上に前記第1発光ダイオードから第1間隔で離隔した第2発光ダイオードと、前記第1及び第2発光ダイオードを覆うモールディング部材と、を含み、前記第1間隔は前記第1発光ダイオードの辺のうち、小さい辺の長さ以下の間隔を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。前記第1及び第2発光ダイオードの間の間隔は200μm~300μmの範囲を含むことを特徴とする、請求項13に記載の発光素子パッケージ。前記第1リードフレームの上に搭載された第3発光ダイオードを含み、前記第1乃至第3発光ダイオードの間の間隔は同一な間隔を有することを特徴とする、請求項13に記載の発光素子パッケージ。前記第1間隔は、前記第1発光ダイオードの辺のうち、小さい辺の長さの1/4以上であることを特徴とする、請求項13に記載の発光素子パッケージ。前記第1発光ダイオードのサイズは、前記第2発光ダイオードのサイズより小さいことを特徴とする、請求項13に記載の発光素子パッケージ。前記第1及び第2リードフレームは、前記胴体の側面及び下面に延びることを特徴とする、請求項13に記載の発光素子パッケージ。複数の発光素子パッケージと、複数の発光素子パッケージが配置されたボードと、前記発光素子パッケージの光経路側に配置された光学部材と、を含み、前記複数の発光素子パッケージのうちの少なくとも1つは、胴体と、前記胴体の上に配置された第1リードフレームと、前記第1リードフレームの上に搭載された複数の発光ダイオードと、前記発光ダイオードの上にモールディング部材と、を含み、前記複数の発光ダイオードの間の間隔は前記複数の発光ダイオードのうちの第1発光ダイオードの辺のうち、少なくとも一辺の長さ以下の間隔を含むことを特徴とする、照明システム。前記光学部材は、導光板、プリズムシート、拡散シートのうち、少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項19に記載の照明システム。本発明の目的は、発光素子の間の熱干渉の少ない発光素子パッケージを提供することにある。本発明の他の目的は、1つのリードフレームの上に配置された複数の発光素子の間の間隔を予め設定された範囲に離隔させることによって、放熱効率が改善された発光素子パッケージを提供することにある。本発明に従う発光素子パッケージは、胴体、上記胴体の上に配置された第1リードフレーム、上記第1リードフレームの上に搭載された複数の発光ダイオード、及び上記発光ダイオードの上にモールディング部材を含み、上記複数の発光ダイオードの間の間隔は上記複数の発光ダイオードのうち、第1発光ダイオードの辺のうち、第1辺の長さ以下の間隔を含む。本発明に従う発光素子パッケージは、上部が開放されたキャビティを含む胴体、上記胴体のキャビティの内に配置された第1及び第2リードフレーム、上記第1及び第2リードフレームのうち、第1リードフレームの上に搭載された第1発光ダイオード、上記第1リードフレームの上に上記第1発光ダイオードから第1間隔で離隔された第2発光ダイオード、及び上記第1及び第2発光ダイオードを覆うモールディング部材を含み、上記第1間隔は上記第1発光ダイオードの辺のうち、小さい辺の長さ以下の間隔を含む。本発明に従う照明システムは、複数の発光素子パッケージ、複数の発光素子パッケージが配置されたボード、及び上記発光素子パッケージの光経路側に配置された光学部材を含み、上記複数の発光素子パッケージのうちの少なくとも1つは、胴体、上記胴体の上に配置された第1リードフレーム、上記第1リードフレームの上に搭載された複数の発光ダイオード、及び上記発光ダイオードの上にモールディング部材を含み、上記複数の発光ダイオードの間の間隔は上記複数の発光ダイオードのうち、第1発光ダイオードの辺のうちの少なくとも一辺の長さ以下の間隔を含む。本発明によれば、発光素子の間の熱干渉の少なく、放熱効率が改善された発光素子パッケージを得ることができる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するものではない。図1は本発明の第1実施形態による発光素子パッケージを示す側断面図であり、図2は図1の平面図である。図1及び図2を参照すると、発光素子パッケージ10は、胴体12、キャビティ14、複数のリードフレーム21、23、及び複数の発光ダイオード31、33を含む。上記胴体12は、シリコン材料、セラミック材料、樹脂材料のうち、いずれか1つからなることができ、例えば、シリコンsilicon、シリコンカーバイドsiliconcarbide:SiC、窒化アルミニウムaluminumnitride:AlN、ポリフタルアミドpolyphthalamide:PPA、高分子液晶LiquidCrystalPolymer:LCPのうち、少なくとも1つの材質からなることができ、これに限定するものではない。また、上記胴体12は単層または多層基板の構造物で形成されるか、射出成形されることができ、このような胴体の形状や構造物に対して限定するものではない。上記胴体12は、上部が開放されたキャビティ14を含む。上記キャビティ14の形状は凹型のカップ形状または所定の曲率を有する凹型チューブ形状で形成されることができ、その表面形状は円形または多角形などで形成されることができ、これに対して限定するものではない。上記キャビティ14の側部は上記胴体12と異なる物質で形成される。上記キャビティ14の周りは上記キャビティ14の底面に垂直な軸に対して傾斜して形成されることができ、これに対して限定するものではない。上記複数のリードフレーム21、23の第1部は上記キャビティ14の内で互いに離隔され、第2部は上記胴体12の外側に露出される。上記複数のリードフレーム21、23の第1部の下面は上記胴体12の下面から離隔するように配置される。上記複数のリードフレーム21、23は、リードフレームタイプ、金属薄膜タイプ、PCBPrintedcircuitboardの銅箔層タイプなどで形成される。以下、説明の便宜のために、リードフレームタイプで説明することにし、その厚さは0.1mm~0.5mm範囲を含み、好ましくは、0.1mm~0.2mm範囲でありうる。上記リードフレーム21、23の厚さは放熱効率とパッケージ形態によって変わることができる。上記複数の発光ダイオード31、33は、第1リードフレーム21に接着剤により付着され、ワイヤ37は各発光ダイオード31、33を複数のリードフレーム21、23に電気的に連結させるようになる。他の例として、上記発光ダイオード31、33は、ワイヤボンディング、ダイボンディング、及びフリップボンディング方式を選択的に用いて搭載することができ、このようなボンディング方式に対して限定するものではない。上記発光ダイオード31、33は、複数のリードフレーム21、23に互いに並列または直列に連結され、このような連結方式は、チップ種類、リードフレームの個数、及びその配置形態によって変わることができる。また、上記発光ダイオード31、33は第1リードフレーム21の上にダイペーストDiepasteで搭載されることができ、上記ダイペーストは伝導性材質を含むことができる。上記発光ダイオード31、33は、3族及び5族元素の化合物半導体、例えばAlInGaN、InGaN、GaN、GaAs、InGaP、AlInGaP、InP、InGaAsなどの系列の半導体で形成されたLEDチップを含むことができる。また、上記発光ダイオード31、33のうちの少なくとも1つは、青色LEDチップ、黄色LEDチップ、緑色LEDチップ、赤色LEDチップ、UVLEDチップ、琥珀色LEDチップ、青-緑色LEDチップ等からなることができる。また、上記キャビティ14に配置される発光ダイオード31、33の個数及びその種類は変更できる。また、複数の発光ダイオード31、33は、互いに異なるカラー帯域の光を発光するLEDチップ、または互いに同一なカラー帯域の光を発光するLEDチップで具現されることができ、これに対して限定するものではない。上記キャビティ14にはモールディング部材16が形成される。上記モールディング部材16は、シリコンまたはエポキシのような透光性の樹脂材料を利用することができる。また、上記モールディング部材16の表面は、フラット形態、凹形態、凸形態に形成される。上記モールディング部材16には少なくとも1種類の蛍光体が添加されることもでき、上記蛍光体はYAG、TAG、シリケートSilicate、ナイトライドNitride、及びオキシナイトライドOxynitride系の物質のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記モールディング部材16の上にはレンズ図示せずが形成され、上記レンズは機能または光分布によって凹部または/及び凸部を有する形状のレンズを選択的に配置することができる。上記発光素子パッケージ10は、光度の向上のために複数の発光ダイオード31、33を具備する。上記複数の発光ダイオード31、33は、複数のリードフレーム21、23のうち、第1リードフレーム21の上に搭載される。上記発光素子パッケージ10は、上記第1リードフレーム21の上に複数の発光ダイオード31、33が搭載されることによって、上記発光ダイオード31、33から発生する熱を効果的に放熱できなければならない。実施形態は、上記第1リードフレーム21の上に搭載された複数の発光ダイオード31、33の間の間隔D1を最適化させる。上記の間隔D1はLEDチップの種類及びダイペーストなどを考慮して設計される。上記複数の発光ダイオード31、33は隣接して配置されることができ、その間隔D1は複数の発光ダイオード31、33から発生された熱による相互干渉が各発光ダイオード31、33の動作に大きく影響を与えない程度の最小の距離、あるいは各発光ダイオード31、33での熱放出が円滑になされる最小の距離に設定される。ここで、上記相互干渉の多くは上記第1及び第2発光ダイオード31、33から発生した熱により上記第1及び第2発光ダイオード31、33の間の領域R1の上で発生される。実施形態は、上記複数の発光ダイオード31、33の間の間隔D1は250μm±50μm範囲に離隔することができ、好ましくは220μm~280μm範囲を含むことができる。上記発光ダイオード31、33の間の間隔D1は、1つのリードフレーム21の上に1つの発光ダイオード31での温度特性と殆ど同一または類似の温度特性を有する距離でありうる。上記発光ダイオード31、33の間の間隔D1は、隣接した2つの発光ダイオード31、33から発生した熱による相互干渉が各発光ダイオード31、33の動作特性に影響を与えない最小の間隔でありうる。上記の第1及び第2発光ダイオード31、33の間の領域R1における相互干渉は、上記第1及び第2発光ダイオード31、33の間の間隔D1により改善される。上記複数の発光ダイオード31、33の間の間隔D1より大きい場合、胴体12をより大きくするか、キャビティ14の空間をより大きくしなければならないという問題がありうる。また、複数の発光素子パッケージが配置された発光モジュールの上で色分離現象が発生するか、輝度が不均一な問題が発生することがある。また、複数の発光ダイオード31、33の間の間隔D1より狭くする場合、発光ダイオード31、33の放熱効率は低下するようになり、各発光ダイオード31、33の間の熱干渉により動作特性が低下し、発光素子パッケージの信頼性は低下するようになる。図2は、第1発光ダイオード31の一側面と上記第2発光ダイオード33の一側面が互いに対応するように配置したが、これに限定するものではない。他の例として、上記第1及び第2発光ダイオード31、33の頂点の間が互いに対応するように配置することができ、上記第1発光ダイオード31の頂点と第2発光ダイオード33の一側面とが互いに対応するように配置することができ、その反対に配置することができる。このような配置構造では、上記第1及び第2発光ダイオード31、33の間の間隔は250μm±50μm範囲を満たすように配置することができ、このような間隔は少なくとも2つの発光ダイオードの間の最小距離でありうる。図3は、図1の第1リードフレームの上に2つの発光ダイオードが配置された例を示す図である。図3を参照すると、第1リードフレーム21の上に配置された発光ダイオード31、33は互いに異なるサイズ、または、互いに同一なサイズで搭載されることができ、実施形態は互いに同一なサイズをその例として説明する。また、上記発光ダイオード31、33のサイズは、横B及び縦Aの長さが同一または相異することができ、これに対して限定するものではない。上記発光ダイオード31、33の間の間隔D1は、上記発光ダイオード31、33の横Bまたは/及び縦Aの長さよりは少なくとも狭く形成される。例えば、複数の発光ダイオード31、33のA×Bは300μm×300μmサイズの場合、上記間隔D1は300μmの長さよりは少なくとも狭い間隔でありうる。また、複数の発光ダイオード31、33のA×Bは500μm×400μmまたは500μm×300μmの場合、上記間隔D1は横及び縦のうち、小さい辺の長さよりは少なくとも狭い間隔で形成される。また、複数の発光ダイオード31、33のA×Bは250μm×300μmの場合、上記間隔D1は上記横及び縦のうち、短い辺の長さとは異なる間隔、例えば、より広い間隔またはより狭い間隔で形成される。図4は、第1リードフレーム21の上に3個の発光ダイオード31、33、35が配置された場合である。3個の発光ダイオード31、33、35は2列で配置される。上記3個の発光ダイオード31、33、35のうち、第1及び第2発光ダイオード31、33は第1方向に配列配置され、第3発光ダイオード35は上記第1方向から離隔した列で配置される。上記第1及び第2発光ダイオード31、33は、実質的に2辺が互いに対向するように対応した形態を含む。上記第3発光ダイオード35の中心は、上記第1及び第2発光ダイオード31、33の間に配置されるように搭載することができる。上記3個の発光ダイオード31、33、35は三角形構造を有するように配置され、これに対して限定するものではない。上記3個の発光ダイオード31、33、35は同一なサイズであることがあり、互いに同一なカラー帯域の光を放出するか、互いに異なるカラー帯域の光を放出することができる。上記3個の発光ダイオード31、33、35の間の間隔D1、D2、D3は臨界範囲内の間隔で配置され、例えば、250μm±50μm範囲で形成される。ここで、上記間隔D1は第1及び第2発光ダイオード31、33の間の距離であり、間隔D2は第1及び第3発光ダイオード31、35の間の距離であり、間隔D3は第2及び第3発光ダイオード33、35の間の距離でありうる。実施形態は、説明の便宜のために、対応する2つの発光ダイオードの側面の間の間隔をその例として説明したが、これに対して限定するものではない。上記3個の発光ダイオード31、33、35の横B及び縦Aの長さは互いに同一または相異することができ、これに対して限定するものではない。ここで、上記発光ダイオード31、33、35の間の間隔D1、D2、D3は、発光ダイオード31、33、35のどの一辺AまたはBよりは短く形成され、例えば縦A及び横Bのうち、短い辺の長さよりは少なくとも狭い間隔で形成される。上記間隔D2またはD3は第1実施形態による間隔D1と同一または類似している。好ましくは、3個の発光ダイオード31、33、35のうち、2つの発光ダイオードの間の間隔D1、D2、D3は互いに同一または類似している。図5は、本発明の実施形態において、2つのリードフレームに3個の発光ダイオードを搭載した例である。図5を参照すると、第1リードフレーム21の上に第1及び第2発光ダイオード31、33を予め設定された間隔D1だけ離隔させて配置し、第2リードフレーム23の上に第3発光ダイオード34を配置した例である。上記第2リードフレーム23の上に第3発光ダイオード34を追加しても、上記第1リードフレーム21の上での第1及び第2発光ダイオード31、33の間の間隔D1は250μm±50μm範囲に形成される。ここで、上記第2発光ダイオード33と第3発光ダイオード34との間の間隔は、上記D1よりは少なくとも広い間隔で形成される。図6は、本発明の第4実施形態において、1つのリードフレームの上に互いに異なるサイズの発光ダイオードの間の間隔を示す図である。図6を参照すると、第1リードフレーム21の上に第1及び第2発光ダイオード36、38が搭載される。上記第1発光ダイオード36の横A2及び縦A1は、上記第2発光ダイオード38の横B2及び縦B1の長さよりは1mm以上短い長さを有する。上記第1発光ダイオード36は、横A2と縦A1との長さが互いに異なることがあり、例えば縦A1が横A2の長さより1μm以上大きいことがある。上記第1発光ダイオード36と上記第2発光ダイオード38との間の間隔D3は、2つの発光ダイオード36、38のうち、小さいサイズの短縮長さの1/4以上離隔される。上記間隔D3は、A1/4~A1の以下を満たす範囲に設定される。上記の間隔D3は、第1及び第2発光ダイオード36、38の間の熱干渉が最小であるとか、駆動に影響の少ない範囲に設定される。ここで、上記横A2の長さは少なくとも250μm以上の長さで形成される。上記縦A1の長さは間隔D3の4倍以下の長さで形成される。図7は、本発明の第5実施形態において、1つのリードフレームの上に3個の発光ダイオードの間の間隔を示す図である。図7を参照すると、3個の発光ダイオード36、38A、38Bのうち、第1発光ダイオード36が最も小さいサイズを有する構造である。上記第1発光ダイオード36の横A2及び縦A1の長さは、第2発光ダイオード38Aの横B2及び縦B1の長さより少なくても1mm以上小さい長さを有し、第3発光ダイオード38Bの横C2及び縦C1の長さより少なくても1mm以上小さい長さで形成される。上記第1発光ダイオード36は、横A2と縦A1との長さが異なることがあり、例えば縦A1の長さが横A2の長さより1μm以上大きいことがある。上記第1発光ダイオード36と上記第2発光ダイオード38Aとの間の間隔D3は、第1発光ダイオード36の縦長さA1よりは少なくとも狭い間隔で形成されることができ、例えばD4はA1/4以上及びA1以下を満たすことができる。上記第1乃至第3発光ダイオード36、38A、38Bの間の間隔D4は、全て同一または相違することができ、好ましくはA1/4~A1の範囲を満たすことができる。ここで、上記A1は少なくとも250μm以上の長さで形成される。上記縦長さA1は、間隔D4の4倍以下の長さで形成される。図8は、本発明の第6実施形態において、2つのリードフレームの上に互いに異なるサイズの発光ダイオードの間の間隔を示す図である。図8を参照すると、第1リードフレーム21の上に第1発光ダイオード36が配置され、第2リードフレーム23の上に第2発光ダイオード38Cが配置される。上記第1発光ダイオード36の横A2及び縦A1の長さは第2発光ダイオード38Cの横B2及び縦B1の長さよりは少なくとも短い長さでありうる。上記第1発光ダイオード36は、横長さA2と縦長さA1とが異なることがあり、例えば縦長さA1が横長さA2より1μm以上大きいことがある。上記第1及び第2発光ダイオード36、38Cの間の間隔D5は、上記第1発光ダイオード36の2辺のうち、小さい辺A1の長さより狭い間隔で配置され、好ましくはA1/3~A1以下を満たすことができる。ここで、上記縦長さA1は少なくとも250μm以上の長さで形成される。または、上記縦長さA1は間隔D5の3倍以下の長さで形成される。そして、上記第1発光ダイオード36と第2発光ダイオード38とは互いに異なるリードフレーム21、23に配置されているので、2つの発光ダイオード36、38の間の熱干渉は1つのリードフレームの上に配置されたものよりは低くなるので、図6の間隔D3よりはさらに離隔させることができる。図9は、本発明の第6実施形態による発光素子パッケージを示す平面図である。第2実施形態の説明において、第1実施形態と同一な部分に対しては第1実施形態を参照する。図9を参照すると、第1リードフレーム21Aの上に複数の発光ダイオード31A、33Aを配置し、複数の発光ダイオード31A、33Aは、第1リードフレーム21Aと第2リードフレーム23Aに直列に連結された構成である。上記第1発光ダイオード31Aは第1リードフレーム21Aと第2発光ダイオード33Aにワイヤ37により連結され、第2発光ダイオード33Aは第1発光ダイオード31Aと第2リードフレーム23Aにワイヤ37により連結された構成である。上記第1及び第2発光ダイオード31A、33Aの間の間隔D1は隣接した2つの発光ダイオードの間の熱特性を考慮した最小の距離、例えば、250μm±50μm範囲で形成される。実施形態のパッケージは、トップビュー形態に図示及び説明したが、サイドビュー方式により具現して熱特性が改善された発光素子パッケージを提供することができる。また、複数の発光ダイオードを有するパッケージを用いて光度を改善させることができる。また、ボードの上に複数の発光素子パッケージを配置する時、発光素子パッケージの間の間隔を広げることができる。図10乃至図14は図1のパッケージ構造での熱特性を示す図であり、Aはリードフレームの下で測定した熱特性であり、Bはリードフレームの上で測定した熱特性を示す温度分布図である。ここで、熱特性データを測定するために、発光ダイオードは少なくとも300μm×300μmのサイズであり、電流は発光ダイオードに合う定格電流例:20mA以上を供給するようになり、胴体及びリードフレームは図1の構造を参照することにする。図10は複数の発光ダイオードの間の間隔d1が100μmの場合であり、ABは1つのリードフレームの上に配置された発光ダイオード31、33から発生した熱は相互干渉が発生する。図11は複数の発光ダイオードの間の間隔d2が200μmの場合であり、ABは1つのリードフレームの上に配置された発光ダイオード31、33から発生した熱は相互干渉が発生する。図12は複数の発光ダイオードの間の間隔d3は250μmの場合であり、ABを見ると、1つのリードフレームの上に配置された発光ダイオード31、33から発生した熱の相互干渉は図10及び図11に比べて減る。上記発光ダイオード31、33から発生した熱特性は高温に行くほど相互間の干渉が減った状態を表すようになる。上記間隔d3は複数の発光ダイオード31、33から放出された温度特性が1つの発光ダイオードから放出された温度特性と殆ど同一な特性を有する距離に離隔されることによって、複数の発光ダイオード31、33での放熱は効果的になされることが分かる。上記第1及び第2発光ダイオード31、33の間の領域における相互干渉は図12A及び図12Bの場合と比較して第1及び第2発光ダイオードの間の間隔d3により減少される。図13は複数の発光ダイオードの間の間隔d4は300μmの場合であり、ABは1つのリードフレームの上に配置された発光ダイオード31、33から発生した熱が高温に行くほど相互干渉が殆ど発生しない。また、1つのリードフレームの上に配置された第1及び第2発光ダイオード31及び33から放出された熱による相互干渉は図12A及び図12Bの場合に比べて更に減少する。図14は複数の発光ダイオードの間の間隔d5は500μmの場合であり、ABは1つのリードフレームの上に配置された発光ダイオード31、33から発生した熱が高温に行くほど相互干渉が殆ど発生しない。図15は、本発明の実施形態において、複数の発光ダイオードLEDの間の間隔Dに従う温度Tを示すグラフである。図15を参照すると、実施形態による複数の発光ダイオードLEDの間の間隔D1は250μm±50μmの範囲であり、上記複数の発光ダイオードから発生した温度分布T1は複数の発光ダイオードの間の間隔D1により1つの発光ダイオードの場合の温度分布と同一な分布を表す。実施形態は、複数の発光ダイオード31、33の間の間隔D1を最適化して、発光ダイオード31、33から発生した熱によるパッケージの信頼性を改善させることができる。実施形態による発光素子パッケージの上にはレンズが配置され、上記レンズは、凹型レンズ、凸型レンズ、フレネルレンズ、または凹型と凸型の選択的な組合せを有するレンズを選択的に具備することができる。上記発光素子パッケージと上記レンズとの間は一体で接触または離隔され、これに対して限定するものではない。図16は、図1の発光ダイオードの一例を示す図である。実施形態は、第1発光ダイオードを中心として説明することにし、他の発光ダイオードは第1発光ダイオードを参照することにする。図16を参照すると、第1発光ダイオード31は、基板110、発光構造物145、電流拡散層160、第1電極131、及び第2電極161を含む。上記基板110は、サファイアAl2O3、Si、GaN、SiC、及びGaAs材質で形成され、上記基板110の屈折率は窒化物半導体の屈折率refractiveindex=2.4より低い屈折率を有する材質を含み、例えばサファイアの屈折率は1.75~1.76を有する。上記基板110は伝導性材質または絶縁性材質を含むことができ、上面に凹凸構造が形成される。上記基板110の上には複数の化合物半導体層が形成される。上記複数の化合物半導体層は3族-5族化合物半導体を含み、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する化合物半導体材料で形成される。上記基板110の上には上記アンドープドUndoped半導体層が形成される。上記アンドープド半導体層は、導電型ドーパントがドーピングされず、上記第1及び第2導電型半導体層130、150に比べて格段に低い電気伝導性を有する層であって、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN、AlInNなどから選択できるが、これに対して限定するものではない。上記アンドープド半導体層と上記基板110との間には2つの層の間の格子定数の差を緩和するためにバッファ層図示せずがさらに形成されることもできる。上記バッファ層図示せずの格子定数は、上記基板110の格子定数と上記アンドープド半導体層の格子定数の中間値を有するものに選択される。また、上記バッファ層図示せずはInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN、AlInNなどから選択できるが、これに対して限定するものではない。また、上記バッファ層は2族乃至6族元素の化合物半導体で形成され、これに対して限定するものではない。上記バッファ層図示せずと上記アンドープド半導体層120は全て形成されないか、少なくとも1つが形成されることもでき、これに対して限定するものではない。上記発光構造物145は、第1導電型半導体層130、活性層140、及び第2導電型半導体層150が順次に積層される。上記第1導電型半導体層130の上に第1電極131及び上記第2導電型半導体層150の上に第2電極161が配置される。上記発光構造物145は、上記第1及び第2電極131、161から電源の供給を受けて光を発生するようになる。上記発光構造物145は、青色、緑色、または赤色のような可視光線帯域の光を放出するか、紫外線帯域の光を放出することができる。上記第1導電型半導体層130は、上記基板110、バッファ層、及びアンドープド半導体層のうち、いずれか1層の上に配置される。上記第1導電型半導体層130は、第1導電型ドーパントを含む3族-5族化合物半導体層を含む。上記第1導電型半導体層130は、例えばn型半導体層を含むことができ、上記n型半導体層はInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN、AlInNなどから選択され、Si、Ge、Sn、Cなどのn型ドーパントがドーピングされる。上記第1導電型半導体層130は互いに異なる厚さまたは互いに異なるドーパント濃度を有する少なくとも2層を含むことができ、これに対して限定するものではない。上記活性層140は上記第1導電型半導体層130の上に形成され、上記第1導電型半導体層130を通じて注入される電子または、正孔と上記第2導電型半導体層150を通じて注入される正孔または、電子とが互いに結合され、上記活性層140の形成物質に従うエネルギーバンドEnergyBandのバンドギャップBandGapの差によって光を生成する層である。また、上記活性層140は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子点QuantumDot構造、及び量子線Quantumwire構造のうちの少なくとも1つで形成される。上記活性層140は複数の量子井戸層と複数の障壁層とが交互に積層され、上記量子井戸層及び量子障壁層は互いに異なるエネルギーバンドギャップを有し、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料を含んで形成することができる。上記活性層140の下にはn型ドーパントがドーピングされたクラッド層図示せず及び上にはP型ドーパントがドーピングされたクラッド層が形成され、上記クラッド層図示せずは上記活性層140の量子障壁層または/及び量子井戸層よりエネルギーバンドギャップの高い半導体、例えば、AlGaN層またはInAlGaN層で具現できる。上記活性層140の上には上記第2導電型半導体層150が形成される。上記第2導電型半導体層150は、第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族化合物半導体層を含み、例えば、p型半導体層で具現できる。上記p型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN、AlInNなどから選択され、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントがドーピングされる。一方、上記第1導電型半導体層130はp型ドーパントを含み、上記第2導電型半導体層150はn型ドーパントを含むこともでき、これに対して限定するものではない。また、上記第2導電型半導体層150の上にはn型またはp型ドーパントを含む第3導電型半導体層図示せずが形成されることもでき、これによって、上記発光ダイオードはn-p、p-n、p-n-pまたはn-p-n接合のうち、いずれか1つの接合構造を有することができる。ここで、上記nはn型半導体層、pはp型半導体層、-は2層が直接または間接的に積層された構造を含む。上記活性層140で生成されて放出される光は、上記第1発光ダイオード31の上面及び側面を通じて外部に放出される。たとえ図示してはいないが、上記第1発光ダイオード31の上面及び/または側面には光の抽出効率を向上させるために、凹凸構造、ラフネスroughnessなどが形成される。上記第2電極161と上記第2導電型半導体層150との間には電流拡散性の向上のために電流拡散層160がさらに形成されることもできる。上記基板110と上記各層の上面またはラフネスのような光抽出構造がさらに形成され、これに対して限定するものではない。実施形態は、図16のような基板を有する発光ダイオードを具備し、上記第1発光ダイオードLEDの間の間隔は250μm±50μm範囲であり、好ましくは220μm~280μm範囲を含むことができる。上記複数の発光ダイオードから発生した温度は1つの発光ダイオードの場合の温度分布と同一な分布を表す。実施形態は、複数の発光ダイオードの間の間隔を最適化して、発光ダイオードから発生した熱によるパッケージの信頼性を改善させることができる。図17は、本発明の実施形態による発光ダイオードの例を示す図である。実施形態は、第1発光ダイオードを中心として説明し、他の発光ダイオードは第1発光ダイオードを参照することにする。図17を参照すると、第1発光ダイオード31Aは、複数の化合物半導体層210、220、230を有する発光構造物235、保護層240、複数の伝導層250、支持部材260、絶縁層290、及び電極211を含む。上記第1発光ダイオード31Aは化合物半導体、例えば、3族-5族元素の化合物半導体を含むLEDLightemittingdiodeで具現されることができ、上記LEDは、青色、緑色、または赤色のような光を放出する可視光線帯域のLEDまたはUVLEDであり、実施形態の技術的範囲の内で多様に具現できる。上記発光構造物235は、第1導電型半導体層210、活性層220、及び第2導電型半導体層230を含む。上記第1導電型半導体層210は、第1導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択される。上記第1導電型がN型半導体の場合、上記第1導電型ドーパントはSi、Ge、Sn、Se、TeのようなN型ドーパントを含む。上記第1導電型半導体層210は単層または多層に形成され、これに対して限定するものではない。上記第1導電型半導体層210の上面は光抽出効率のためにラフネスまたは/及びパターン212のような光抽出構造や、電流拡散と光抽出のために透明電極層と絶縁層などが選択的に形成され、これに対して限定するものではない。上記第1導電型半導体層210は複数の半導体層を含み、上記複数の半導体層はドーパント濃度が異なるか、厚さが互いに異なるか、化合物の組成式が互いに異なることがある。上記第1導電型半導体層210は、超格子構造SLS:Superlatticestructuresで形成され、その材質はGaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、SiO2、SiOx、SiN2、SiNx、SiOxNy、または金属物質からなる群から選択される。上記超格子構造は互いに異なる少なくとも2層を交互に繰り返して少なくとも2周期を有して形成され、例えば、InGaN/GaNのような積層構造を含む。上記超格子構造の各層は数Å以上の厚さで形成される。上記第1導電型半導体層210の上には電極211が形成される。上記電極211はパッドであるとか、上記パッドに連結された分岐構造の電極パターンを含むことができ、これに対して限定するものではない。上記電極211は、上面にラフネスパターンが形成され、これに対して限定するものではない。上記第1導電型半導体層210の上面のうち、上記電極211が形成される面は平らに形成され、これに対して限定するものではない。上記電極211は、上記第1導電型半導体層210の上面にオーミック接触されることができ、Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、及びAuのうちのいずれか1つ、または複数の物質を混合して単層または多層に形成することができる。上記電極211は、第1導電型半導体層210とのオーミック接触、金属層の間の接着性、反射特性、伝導性特性などを考慮して上記物質などから選択される。上記活性層220は上記第1導電型半導体層210の下に形成され、多重量子井戸構造で形成され、また量子線Quantumwire構造、量子点Quantumdot構造で形成されることもできる。上記活性層220は3族-5族元素の化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層の周期、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期、InGaN井戸層/AlGaN障壁層の周期、またはInGaN井戸層/InGaN障壁層の周期で形成され、これに対して限定するものではない。上記活性層220は、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する量子井戸層とInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する障壁層を含んで形成される。上記活性層220の上または/及び下には導電型クラッド層が形成されることもでき、上記導電型クラッド層は窒化物系半導体で形成される。上記障壁層のバンドギャップは上記井戸層のバンドギャップより高く、上記導電型クラッド層のバンドギャップは、上記障壁層のバンドギャップより高いことがある。上記第2導電型半導体層230は上記活性層220の下に形成され、第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択される。上記第2導電型がP型半導体の場合、上記第2導電型ドーパントは、Mg、ZnのようなP型ドーパントを含む。上記第2導電型半導体層230は単層または多層に形成され、これに対して限定するものではない。上記発光構造物235は上記第2導電型半導体層230の下に第3導電型半導体層をさらに含むことができ、上記第3導電型半導体層は上記第2導電型半導体層と反対の極性を有することができる。また、上記第1導電型半導体層210がP型半導体層であり、上記第2導電型半導体層230がN型半導体層で具現されることもできる。これによって上記発光構造物235はN-P接合、P-N接合、N-P-N接合、及びP-N-P接合構造のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記第2導電型半導体層230または第3導電型半導体層の下には保護層240及び複数の伝導層250が形成される。以下、説明の便宜のために、発光構造物235の最下層は第2導電型半導体層230を一例として説明する。上記保護層240はチップの外側領域であるチャンネル領域に配置され、上記チャンネル領域はチップサイズの境界であるチップの周り領域となる。上記保護層240の上面の外側は外部に露出されるか、他の物質、例えば、絶縁層290により覆われる。また、上記保護層240の上面はラフネスまたはパターンが形成され、このような保護層240及びそのラフネスまたはパターンはチャンネル領域での光抽出効率を改善させることができる。または、上記ラフネスまたはパターンは上記保護層240の上面の外側に上記保護層240と異なる物質または屈折率が異なる物質を有するラフネスまたはパターンが形成される。上記ラフネスまたはパターンは3族-5族化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどであって、アイソレーションエッチングにより形成される第2導電型半導体を用いて形成される。上記保護層240の上面の内側は所定の幅位で上記第2導電型半導体層230の下面の外側に接触される。ここで、上記の幅は数~数十μm以内であり、チップサイズによって変わることができる。上記保護層240は上記第2導電型半導体層230の下面の周りに、ループ形状、環状、またはフレーム形状などのパターンに形成される。上記保護層240は、連続的なパターン形状または不連続的なパターン形状を含むことができる。上記保護層240は、3族-5族化合物半導体の屈折率より低い物質、例えば、透光性酸化物、透光性窒化物、または透光性絶縁層の材質の中から選択される。上記保護層240は、例えばITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2等から選択的に形成される。上記保護層240はSiO2の場合、その屈折率は2.3位であり、ITO屈折率は約2.1位であり、GaN屈折率は約2.4であって、上記第2導電型半導体層230を通じて保護層240に入射された光は外部に抽出され、この場合、光抽出効率を改善させることができる。上記保護層240は、上記発光構造物235の外壁が湿気に露出されても、互いにショートが発生することを防止して、高湿に強いLEDを提供することができる。上記保護層240を透光性物質で使用する場合、レーザスクライビング時に照射されるレーザが透過されることによって、チャンネル領域でレーザにより金属物質の破片の発生を防止するので、発光構造物235の側壁での層間短絡の問題を防止することができる。上記保護層240は、上記発光構造物235の各層230、240、250の外壁と上記第1伝導層350との間の間隔を離隔させることができる。上記保護層240は、0.02~5μmの厚さで形成され、上記厚さはチップサイズによって変わることができる。上記複数の伝導層250は第1乃至第3伝導層251、252、253を含み、上記第1伝導層251は第2導電型半導体層230にオーミック接触され、その材質は、ITO、IZOIn-ZnO、GZOGa-ZnO、AZOAl-ZnO、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOのような伝導性酸化物を選択的に用いて多層に形成するか、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどで積層することができる。また、上記第1伝導層251には他の物質、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2のうちの選択された物質がさらに形成され、第1伝導層251と第2導電型半導体層230との間に配置される。上記第1伝導層251は上記第2導電型半導体層230の下面に配置され、また上記第1伝導層251は上記保護層240の下面の一部を覆う構造で形成され、例えば、上記保護層240の下面の一部に上記保護層240の幅の80以下に形成される。上記第1伝導層251の下には第2伝導層252が配置され、上記第2伝導層252は上記保護層240の下まで延びる。上記第1伝導層251は、反射金属または/及びシード金属を含むことができ、上記シード金属はメッキ工程のために使われる。これによって、上記第1伝導層251は、オーミック層、シード層、反射層のような層が選択的に形成され、これに対して限定するものではない。上記第2伝導層252は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及びこれらの選択的な組合により構成された物質を選択的に用いて単層または多層に形成される。上記第2伝導層252の下には第3伝導層253が形成され、上記第3伝導層253はベリヤ金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記第3伝導層253は、例えばボンディング層として機能し、その下に支持部材260が接合される。上記第3伝導層253を形成せず、上記第2伝導層252に上記支持部材260をメッキやシートなどにより付着させることができる。上記支持部材260はベース基板であって、銅Cu、金Au、ニッケルNi、モリブデニウムMo、銅-タングステンCu-W、キャリヤウエハ例:Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、GaN等などで具現できる。上記支持部材260は図1の第1リードフレームと電気的に連結され、上記電極211は上記ワイヤにより上記第2リードフレームと電気的に連結される。上記支持部材260から伝導された熱は上記第1リードフレーム21Aに伝導されることによって、放熱効率は改善させることができる。これによって、発光ダイオード31Aの信頼性を改善させることができる。上記発光構造物235の外側面は傾斜して形成され、絶縁層290が形成される。上記絶縁層290は、下段は上記保護層240の上に部分接触されるか、完全に覆う形態に形成される。上記絶縁層290は上記化合物半導体の屈折率例:GaN:2.4よりは低い絶縁物質、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2などで形成される。実施形態は、図17のように、支持部材を有する発光ダイオードを具備し、上記発光ダイオードLEDの間の間隔は250μm±50μm範囲であり、好ましくは伝導性支持部材により200μm~250μm範囲に、さらに狭くなることができる。上記複数の発光ダイオードから発生した温度は1つの発光ダイオードの場合の温度分布と同一な分布を表す。実施形態は、複数の発光ダイオードの間の間隔を最適化して、発光ダイオードから発生した熱によるパッケージの信頼性を改善させることができる。<照明システム>実施形態による発光素子パッケージは複数個が基板の上にアレイされ、上記発光素子パッケージの光経路の上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置される。このような発光素子パッケージ、基板、及び光学部材は、ライトユニットとして機能することができる。上記ライトユニットはトップビューまたはサイドビュータイプに具現されて、携帯端末機及びノートブックコンピュータなどに提供されるか、照明装置及び指示装置などに多様に適用できる。実施形態による発光素子パッケージはライトユニットに適用できる。上記ライトユニットは、複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、図18及び図19に図示された表示装置、図20に図示された照明装置を含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれる。図18は、本発明の実施形態による表示装置の分解斜視図である。図18を参照すると、実施形態による表示装置1000は、導光板1041、上記導光板1041に光を提供する発光モジュール1031、上記導光板1041の下に反射部材1022、上記導光板1041の上に光学シート1051、上記光学シート1051の上に表示パネル1061、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022を収納するボトムカバー1011を含むことができるが、これに限定されるものではない。上記ボトムカバー1011、反射シート1022、導光板1041、及び光学シート1051は、ライトユニット1050と定義することができる。上記導光板1041は光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板1041は透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つを含むことができる。上記発光モジュール1031は、上記導光板1041の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には表示装置の光源として作用するようになる。上記発光モジュール1031は少なくとも1つを含み、上記導光板1041の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。上記発光モジュール1031は基板1033と上記に開示された実施形態による発光素子パッケージ10を含み、上記発光素子パッケージ10は上記基板1033の上に所定間隔でアレイされる。上記基板1033は、回路パターン図示せずを含む印刷回路基板PCB;PrintedCircuitBoardでありうる。但し、上記基板1033は一般のPCBだけでなく、メタルコアPCBMCPCB;MetalCorePCB、軟性PCBFPCB;FlexiblePCBなどを含むこともでき、これに対して限定するものではない。上記発光素子パッケージ10は、上記ボトムカバー1011の側面または放熱プレートの上に搭載される場合、上記基板1033は除去される。ここで、上記放熱プレートの一部は上記ボトムカバー1011の上面に接触される。そして、上記複数の発光素子パッケージ10は、上記基板1033の上に光が放出される出射面が上記導光板1041と所定距離離隔するように搭載され、これに対して限定するものではない。上記発光素子パッケージ10は、上記導光板1041の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに対して限定するものではない。上記導光板1041の下には上記反射部材1022が配置される。上記反射部材1022は、上記導光板1041の下面に入射された光を反射させて上に向かうようにすることで、上記ライトユニット1050の輝度を向上させることができる。上記反射部材1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成されるが、これに対して限定するものではない。上記反射部材1022は、上記ボトムカバー1011の上面であり、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011は、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー1011は上面が開口されたボックスbox形状を有する収納部1012が備えられ、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011はトップカバーと結合されることができ、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011は、金属材質または樹脂材質で形成され、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造される。また、上記ボトムカバー1011は、熱伝導性の良い金属または非金属材料を含み、これに対して限定するものではない。上記表示パネル1061は、例えばLCDパネルであって、互いに対向する透明な材質の第1及び第2基板、そして第1及び第2基板の間に介された液晶層を含む。上記表示パネル1061の少なくとも一面には偏光板が取り付けられ、このような偏光板の取付構造に限定するものではない。上記表示パネル1061は、光学シート1051を通過した光により情報を表示するようになる。このような表示装置1000は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニタ、ラップトップコンピュータのモニタ、テレビなどに適用できる。上記光学シート1051は、上記表示パネル1061と上記導光板1041との間に配置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。上記光学シート1051は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのようなシートのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平または/及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、上記表示パネル1061の上には保護シートが配置され、これに対して限定するものではない。ここで、上記発光モジュール1031の光経路上には光学部材として、上記導光板1041及び光学シート1051を含み、これに対して限定するものではない。図19は、本発明の実施形態による表示装置を示す図である。図19を参照すると、表示装置1100は、ボトムカバー1152、上記に開示された発光素子パッケージ10がアレイされた基板1120、光学部材1154、及び表示パネル1155を含む。上記基板1120及び上記発光素子パッケージ10は、発光モジュール1060と定義することができる。上記ボトムカバー1152、少なくとも1つの発光モジュール1060、及び光学部材1154は、ライトユニットと定義することができる。上記ボトムカバー1152には収納部1153を具備し、これに対して限定するものではない。ここで、上記光学部材1154は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記導光板はPC材質またはPMMAPolymethylmethacrylate材質からなり、このような導光板は除去できる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。上記光学部材1154は上記発光モジュール1060の上に配置され、上記発光モジュール1060から放出された光を面光源したり、拡散、集光などを遂行する。図20は、本発明の実施形態による照明装置の斜視図である。図20を参照すると、照明装置1500は、ケース1510、上記ケース1510に設けられた発光モジュール1530、及び上記ケース1510に設けられ、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1520を含むことができる。上記ケース1510は放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成される。上記発光モジュール1530は、基板1532、及び上記基板1532に搭載される実施形態による発光素子パッケージ10を含むことができる。上記発光素子パッケージ10は、複数個がマトリックス形態または所定間隔で離隔してアレイされる。上記基板1532は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであり、例えば、一般印刷回路基板PCB;PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCB、FR-4基板などを含むことができる。また、上記基板1532は光を効率の良く反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層となることができる。上記基板1532の上には少なくとも1つの発光素子パッケージ10が搭載される。上記発光素子パッケージ10の各々は、少なくとも1つのLEDLightEmittingDiodeチップを含むことができる。上記LEDチップは、赤色、緑色、青色、または白色のような可視光線帯域の発光ダイオード、または紫外線UV;UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール1530は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ10の組合せを有するように配置される。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置することができる。上記連結端子1520は、上記発光モジュール1530と電気的に連結されて電源を供給することができる。上記連結端子1520は、ソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するものではない。例えば、上記連結端子1520はピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。実施形態は、複数の発光ダイオードを有するパッケージにおける熱放出特性が改善できる。実施形態は、複数の発光ダイオードを有するパッケージの信頼性を改善させることができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。