"無置換フタロシアニン及び置換基を有するフタロシアニンを含有するフタロシアニンナノロッドであって、短径が100nm以下であり、その短径に対する長さの比率長さ/短径が10未満であることを特徴とするフタロシアニンナノロッド。無置換フタロシアニンが、一般式1又は2で表されるものである請求項1に記載のフタロシアニンナノロッド。但し、式中、Xは、銅原子、亜鉛原子、コバルト原子、ニッケル原子、錫原子、鉛原子、マグネシウム原子、珪素原子、鉄原子、パラジウム原子、TiO、VO及びAlClからなる群から選ばれる何れかである。置換基を有するフタロシアニンが、一般式3又は4で表されるものである請求項1に記載のフタロシアニンナノロッド。但し、式中、Xは、銅原子、亜鉛原子、コバルト原子、ニッケル原子、錫原子、鉛原子、マグネシウム原子、珪素原子、鉄原子、パラジウム原子、TiO、VO及びAlClからなる群から選ばれる何れかであり、Y1からY4は、フタロシアニン骨格とR1~R4を結合させる結合基を表し、Y1からY4が結合基として存在しない場合には、R1~R4は、-SO3H、-CO2H、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいオリゴアリール基、置換基を有してもよいオリゴへテロアリール基、置換基を有してもよいフタルイミド基又は置換基を有してもよいフラーレン類であり、Y1からY4が、-CH2n-nは1~10の整数を表す、-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-S-、-SO-、又は-SO2-で表される結合基である場合には、R1~R4は、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいオリゴアリール基、置換基を有してもよいオリゴへテロアリール基、置換基を有してもよいフタルイミド基又は置換基を有してもよいフラーレン類であり、a、b、c及びdは各々独立に0~4の整数を表すが、そのうち少なくとも一つは0ではない。置換基を有するフタロシアニンが、一般式5又は6で表されるものである請求項1に記載のフタロシアニンナノロッド。但し、式中、Xは銅原子、亜鉛原子、コバルト原子、ニッケル原子、錫原子、鉛原子、マグネシウム原子、珪素原子、鉄原子、パラジウム原子、TiO、VO及びAlClからなる群から選ばれる何れかであり、Zは下記式a又はbで表される基であり、a、b、c及びdは各々独立に0~4の整数を表すが、そのうち少なくとも一つは0ではない。ここで、nは4~100の整数であり、Qは各々独立に水素原子又はメチル基であり、Q’は炭素数1~30の非環状炭化水素基である。ここで、mは1~20の整数であり、R及びR’は、各々独立に炭素数1~20のアルキル基である。請求項1~4の何れかに記載のフタロシアニンナノロッドと有機溶媒とを必須成分とするインキ組成物。フタロシアニンナノロッドの含有率が0.05~20質量の範囲である請求項5に記載のインキ組成物。前記有機溶媒が、アミド系有機溶媒、芳香族系有機溶媒又はハロゲン系有機溶媒である請求項5に記載のインキ組成物。前記アミド系有機溶媒が、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド又はN,N-ジメチルアセトアミドである請求項7に記載のインキ組成物。前記芳香族系有機溶媒が、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン又はジクロロベンゼンである請求項7に記載のインキ組成物。前記ハロゲン系有機溶媒が、クロロホルム、塩化メチレン又はジクロロエタンである請求項7に記載のインキ組成物。更に造膜性材料を含有してなる請求項5~10の何れかに記載のインキ組成物。造膜性材料がポリメチルメタクリレート、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリスチレン、ポリカーボネート又はポリビニルカルバゾールである請求項11に記載のインキ組成物。請求項1~4の何れかに記載のフタロシアニンナノロッドをチャネル部に含有するトランジスタ。請求項13に記載のトランジスタの製造方法において、請求項5~12の何れかに記載のインキ組成物を製膜することによりチャネル部を作製することを特徴とするトランジスタの製造方法。請求項1~4の何れかに記載のフタロシアニンナノロッドを含有する光電変換素子用材料。請求項15に記載の光電変換素子用材料が、更に電子受容性材料を含む光電変換素子用材料。前記電子受容性材料がフラーレン類、電子受容性ポリマー又はペリレン類である請求項16に記載の光電変換素子用材料。少なくとも正極と負極を有する光電変換素子であって、正極と負極の間に請求項1~4の何れかに記載のフタロシアニンナノロッドを含む膜を有することを特徴とする光電変換素子。請求項18に記載の光電変換素子の製造方法において、正極と負極の間に請求項15~17の何れかに記載の光電変換素子用材料を製膜する工程を有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。請求項1~4に記載のフタロシアニンナノロッドの製造方法において、1無置換フタロシアニンと置換基を有するフタロシアニンとを酸に溶解させた後に、貧溶媒に析出させて複合体を得る工程、2前記1工程で得られる複合体を、溶媒中にて、ナノワイヤ化する工程、3前記2工程で得られるナノワイヤをナノロッド化する工程、を有することを特徴とするフタロシアニンナノロッドの製造方法。請求項20に記載のフタロシアニンナノロッドの製造方法において、2工程で得られるナノワイヤが、短径が100nm以下であって、その短径に対する長さの比率長さ/短径が10以上であるフタロシアニンナノロッドの製造方法。請求項20に記載のフタロシアニンナノロッドの製造方法において、前記複合体を、溶媒中にて、ナノワイヤ化する工程が、前記複合体を、溶媒中に分散させた後、ナノワイヤ化する工程であるフタロシアニンナノロッドの製造方法。請求項20に記載のフタロシアニンナノロッドの製造方法において、前記溶媒が、アミド系有機溶媒又は芳香族系有機溶媒であるフタロシアニンナノロッドの製造方法。前記アミド系有機溶媒が、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド又はN,N-ジメチルアセトアミドである請求項23に記載のフタロシアニンナノロッドの製造方法。前記芳香族系有機溶媒が、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン又はジクロロベンゼンである請求項23に記載のフタロシアニンナノロッドの製造方法。本発明は前記問題点を鑑みてなされたものであり、低コストなウエットプロセスにより、電荷輸送に好適な構造を与える、耐久性に優れた有機半導体材料の提供を図るものである。さらには、壊れにくく軽量、安価、及び高特性たる光電変換素子の提供を図るものである。本発明者は前記目的を達成すべく、鋭意検討した結果、フタロシアニン類をナノロッド化することで、ウエットプロセスに好適な有機半導体材料を提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。さらに、該有機半導体材料を電子供与性材料として用いることにより、耐久性に富み、且つ、電荷輸送性に優れた光電変換素子を安価に提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、電子供与性材料として短径が100nm以下であってその短径に対する長さの比率長さ/短径が10未満であるフタロシアニンナノロッド、該フタロシアニンナノロッドを含有するインキ組成物、該フタロシアニンナノロッドを含有するトランジスタ、該フタロシアニンナノロッドを含有する光電変換素子用材料、及び該フタロシアニンナノロッドを含有する光電変換素子を提供するものである。本発明によれば、本発明によるフタロシアニンナノロッドは、耐久性に富んだフタロシアニン類から構成されるため、高寿命な光電変換素子を提供できる。又、本発明によるフタロシアニンナノロッドは、フタロシアニン顔料微粒子より溶媒分散性に優れるため、インキ組成物を形成することが容易となり、従ってウエットプロセスで製膜することができるため、フレキシブルなプラスチック基板上等に、壊れにくく軽量で安価な光電変換素子を提供することができる。さらに、本発明によるフタロシアニンナノロッドは、フタロシアニン顔料微粒子よりも、粒子全体にわたるフタロシアニン分子の配列制御性が高いため、電荷輸送効率の向上が図れる。又、本発明によるフタロシアニンナノロッドは、フタロシアニンナノワイヤよりアスペクト比が小さい分、電荷輸送効率が向上し、その結果、光電変換特性特に、フィルファクターFFが向上した光電変換素子を提供できる。フタロシアニンナノロッド以下、本発明のフタロシアニンナノロッドについて説明する。本発明の短径が100nm以下であってその短径に対する長さの比率長さ/短径が10未満であるフタロシアニンナノロッドとしては、無置換フタロシアニンと置換基を有するフタロシアニンフタロシアニン誘導体からなる、フタロシアニンナノロッドを挙げることができる。本発明のフタロシアニンナノロッドを構成する無置換フタロシアニンには、一般式1で表されるフタロシアニン、及び式2で表される無金属フタロシアニンを用いることができる。一般式1において、Xとしては、フタロシアニンを構成するものであれば制限はないが、銅原子、亜鉛原子、コバルト原子、ニッケル原子、錫原子、鉛原子、マグネシウム原子、珪素原子、鉄原子、パラジウム原子等の金属原子、又、チタニルTiO、バナジルVO、塩化アルミニウムAlCl等の金属酸化物や金属ハロゲン化物を挙げることができ、中でも銅原子、亜鉛原子、鉄原子が特に好ましい。本発明のフタロシアニンナノロッドを構成する置換基を有するフタロシアニンには、下記一般式3又は4であるフタロシアニン誘導体を用いることが出来る。一般式3において、Xとしては、金属フタロシアニンの中心金属として公知慣用であれば特に限定はないが、好ましいものとして、銅原子、亜鉛原子、コバルト原子、ニッケル原子、錫原子、鉛原子、マグネシウム原子、珪素原子、鉄原子、パラジウム原子等を挙げることができる。又、Xとして、チタニルTiO、バナジルVO、塩化アルミニウムAlCl等の金属酸化物や金属ハロゲン化物を用いることもできる。ここで、一般式4で表されるフタロシアニン誘導体のように、中心金属Xを含まない無金属フタロシアニン誘導体も該置換基を有するフタロシアニンとして用いることができる。一般式3又は4において、Y1からY4は、フタロシアニン骨格とR1からR4を結合させる結合基を表し、Y1からY4が結合基として存在しない場合には、R1からR4は、-SO3H、-CO2H、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいオリゴアリール基、置換基を有してもよいオリゴへテロアリール基、置換基を有してもよいフタルイミド基又は置換基を有してもよいフラーレン類である。一般式3又は4において、Y1からY4は、フタロシアニン環とR1からR4を結合させる結合基であれば、特に制限なく使用することが可能である。このような結合基としては、例えば、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、ビニレン結合、エチニレン、スルフィド基、エーテル基、スルホキシド基、スルホニル基、ウレア基、ウレタン基、アミド基、アミノ基、イミノ基、ケトン基、エステル基等を挙げることができ、より具体的には、-CH2n-nは1から10の整数を表す、-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-S-、-SO-又は-SO2-等である。又、フラーレン類も本発明の結合基として用いることができる。一般式3又は4において、R1からR4は、前記結合基Y1からY4を介してフタロシアニン環と結合しえる官能基である。より具体的に、このような官能基としては、例えば、アルキル基、アルキルオキシ基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシ基、スルホン酸基、シリル基、シラノール基、ボロン酸基、ニトロ基、リン酸基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、ニトリル基、イソニトリル基、アンモニウム塩、フラーレン類、フタルイミド基等を挙げることができ、さらに具体的には、フェニル基やナフチル基等のアリール基、インドイル基やピリジニル基等のヘテロアリール基、メチル基等のアルキル基等を挙げることができる。この中でも具体的に好ましい基としては、-SO3H、-CO2H、置換基を有してもよいアルキル基、エーテル基若しくはアミノ基を有するアルキル基、置換基を有してもよいオリゴアリール基、置換基を有してもよいオリゴヘテロアリール基、置換基を有してもよいフタルイミド基、又は置換基を有してもよいフラーレン類等を挙げることができる。前記置換基を有してもよいアルキル基としては、炭素数1から20のアルキル基を挙げることができるが、特に、メチル基、エチル基、プロピル基等の低級アルキル基が好ましい。又、エーテル基又はアミノ基を有するアルキル基も好ましく、例えば、下記式mは1から20の整数であり、R及びR’は、各々独立に炭素数1から20のアルキル基又はアリール基である。で表される基も用いることができる。前記置換基を有してもよいオリゴアリール基としては、好ましくは、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいオリゴフェニレン基、又は置換基を有してもよいオリゴナフチル基等を挙げることができる。置換基としては、アリール基に置換が可能な通常公知の置換基を挙げることができる。前記置換基を有してもよいオリゴヘテロアリール基としては、好ましくは、置換基を有してもよいピロール基、置換基を有してもよいチオフェン基、置換基を有してもよいオリゴピロール基、置換基を有してもよいオリゴチオフェン基を挙げることができる。置換基としては、ヘテロアリール基に置換が可能な通常公知の置換基を挙げることができる。又、置換基を有してもよいフラーレン類としては、無置換フラーレン、及び通常公知の置換基を有するフラーレン類を挙げることができ、例えば、C60フラーレン、C70フラーレン、[6,6]-フェニルC61酪酸メチルエステルPCBM等を挙げることできる。前記置換基を有してもよいフタルイミド基としては、例えば、ここで、qは1から20の整数である。で表される基を挙げることができる。置換基としては、フタルイミド基に置換が可能な通常公知の置換基を挙げることができる。又、a、b、c及びdは各々独立に0から4の整数を表わし、フタロシアニン環に置換するY1R1からY4R4の置換基数を示す。なお、フタロシアニン環に置換する置換基の数aからdのうち少なくとも一つは0ではない。一般式3で表される置換基を有するフタロシアニンの具体例としては以下が挙げられるが、これらに限らない。なお、ここで、置換基を有するフタロシアニンの式の括弧の横の数字はフタロシアニン分子に対する置換基の平均導入数を表している。この数が小数である理由は、個々の分子についての置換基導入数は整数であるが、実際の使用に当たっては、置換基導入数の異なるものが混在しているためである。ここで、Xは、銅原子又は亜鉛原子、nは1から20の整数、mは置換基の平均導入数を表わす0から4の数値である。ここで、Xは銅原子又は亜鉛原子、nは1から20の整数、mは置換基の平均導入数を表わす0から4の数値であり、R1からR4は、各々独立に水素原子、ハロゲン、炭素数1から20のアルキル基、アルキルオキシ基又はアルキルチオ基を表す。ここで、Xは銅原子又は亜鉛原子、nは1から20の整数、mは置換基の平均導入数を表わす0から4の数値であり、R1からR2は、各々独立に水素原子、ハロゲン、炭素数1から20のアルキル基、アルキルオキシ基又はアルキルチオ基を表す。又、一般式4で表される具体的化合物としては、前記式化5から化13において中心金属が存在しないフタロシアニン誘導体を挙げることができる。一般式3又は4の置換基を有するフタロシアニンフタロシアニン誘導体は、フタロシアニン環に側鎖又は官能基を導入することにより、合成することができる。化5、化6、化7記載のスルホン酸化銅フタロシアニンは銅フタロシアニンを発煙硫酸三酸化硫黄濃度:20中で加熱することにより得ることができ、化10の化合物の合成は、例えば、米国特許2761868号に開示の方法で合成することができる。前記各種置換基を有するフタロシアニンフタロシアニン誘導体は、例えば、特開2005-145896号、特開2007-39561号に記載のある公知慣用のフタロシアニン類合成方法によっても得られ、例えば4-フェノキシ-フタロニトリルや4-フェニルチオ-フタロニトリル、4-1,3-ベンゾチアゾール-2-イル-フタロニトリル等の各種フタロニトリル化合物を、置換基を有しないオルトフタロニトリルに対して任意の比率で混合し、1,8-ジアザビシクロ5,4,0ウンデック-7-エン等の有機塩基存在下で硫酸銅IIや塩化亜鉛II等の金属塩とともにエチレングリコール中で加熱することにより、前記の各種官能基を任意の比率で有するフタロシアニン誘導体を合成できる。ここで該フタロニトリル化合物を原料の一つとして合成できるフタロシアニン誘導体が有する前記の官能基の数は、該フタロニトリル化合物とオルトフタロニトリルとの混合比を変化させることにより任意に変えることができ、例えば平均してフタロシアニン分子あたり、1つの官能基を有するフタロシアニン誘導体を合成したい場合は、該フタロニトリル誘導体とオルトフタロニトリルとの混合を1:3にすればよく、平均して1.5導入したい場合は3:5の比率で、特許文献に記載の方法等を用いて合成することができる。又二種類以上のフタロニトリル化合物とオルトフタロニトリルから、複数種の官能基を有するフタロシアニン誘導体を合成することもできる。さらに置換基を有するフタロニトリル誘導体には前記以外に公知慣用の各種フタロニトリル誘導体が含まれるが、一例として、特開2007-519636号の0001段落の化2、特開2007-526881号の0006段落記載の化2を挙げることができ、さらには特開2006-143680号の0014段落の化2で記載されるオリゴチオフェン類が連結したフタロニトリル誘導体、特開2009-135237号の0021段落の化9記載のフラーレン類を連結したフタロニトリル誘導体等も、本発明で用いることができる置換基を有するフタロシアニンを合成するための原料に含まれる。又、本発明のフタロシアニンナノロッドを構成する置換基を有するフタロシアニンには、下記一般式5又は6であるであるフタロシアニン誘導体を用いることが出来る。式中Xは、金属フタロシアニンの中心金属として公知慣用であれば特に限定はないが、好ましいものとして、銅原子、亜鉛原子、コバルト原子、ニッケル原子、錫原子、鉛原子、マグネシウム原子、珪素原子、鉄原子、パラジウム原子等を挙げることができる。又、Xとして、チタニルTiO、バナジルVO、塩化アルミニウムAlCl等の金属酸化物や金属ハロゲン化物を用いることもできる。ここで、一般式6で表されるフタロシアニン誘導体のように、中心金属Xを含まない無金属フタロシアニン誘導体も該置換基を有するフタロシアニンとして用いることができる。又、Zは下記式a又はbで表される基であり、a、b、c及びdは各々独立に0から4の整数を表すが、そのうち少なくとも一つは0ではない。ここで、nは4から100の整数であり、Qは各々独立に水素原子又はメチル基であり、Q’は炭素数1から30の非環状炭化水素基である。ここで、mは1から20の整数であり、R及びR’は、各々独立に炭素数1から20のアルキル基である。一般式5又は6で表される置換基を有するフタロシアニンフタロシアニン誘導体は、フタロシアニン環が少なくとも1個以上のスルファモイル基で置換された化合物である。導入されるスルファモイル基は、フタロシアニン環1個あたり少なくとも1個であれば特に限定なく用いることができるが、好ましくは1又は2個、より好ましくは1個である。置換される位置は、特に限定はない。最も好ましい本発明のZとして、一般式aで表されるポリアルキレンオキシドコポリマーを挙げることができ、即ち、エチレンオキシドポリマーやエチレンオキシド/プロピレンオキシドコポリマー等のあらゆるポリアルキレンオキシドであり、ブロック重合したものでも、ランダム重合したものでも用いることができる。ここで、Q’は、炭素数1から30の非環状炭化水素基として、直鎖状炭化水素基でも分岐状炭化水素基でもどちらでもよく、炭化水素基は、飽和炭化水素基でも不飽和炭化水素基のどちらでもよい。このような非環状炭化水素基として、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、2-エチル-ヘキシル基、n-ドデシル基、ステアリル基、n-テトラコシル基、n-トリアコンチル基等の直鎖状又は分岐状飽和炭化水素基を挙げることができる。又、直鎖状又は分岐状不飽和炭化水素基としては、炭化水素基が二重結合又は三重結合を有してもよく、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、イソプレン基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ゲラニル基、エチニル基、2-プロピニル基、2-ペンテン-4-イニル基等の直鎖状又は分岐状不飽和炭化水素基を挙げることができる。ポリアルキレンオキシド部分の繰り返し数nには特に制限はないが、分散溶媒との親和性即ち、得られるナノロッドの分散安定性の観点からは、4以上100以下であることが好ましく、より好ましくは5以上80以下、更により好ましくは10以上50以下である。一般式5で表されるフタロシアニン誘導体としては、例えば化17式の化合物が挙げられるが、これに限定されるわけではない。但し、式中、Q及びRは水素原子又はメチル基を表す。nは4から100の数値である。又スルファモイル結合を介してフタロシアニンに結合するポリアルキレンオキシド鎖の導入数mはフタロシアニンが有する4つのベンゼン環に対する平均導入数を表す0から4の数値である。一般式5で表される置換基を有するフタロシアニンフタロシアニン誘導体は、前記のフタロシアニン誘導体のほか、一般式bで表される基をZとして有していてもよい。好ましいR及びR’として、低級アルキル基、特にメチル基を挙げることができ、mとしては、1から6であるものが好ましい。具体的に好ましいフタロシアニン誘導体として以下が挙げられる。なお、ここで、置換基を有するフタロシアニンの式の括弧の横の数字はフタロシアニン分子に対する置換基の平均導入数を表している。この数が小数である理由は、個々の分子についての置換基導入数は整数であるが、実際の使用に当たっては、置換基導入数の異なるものが混在しているためである。一般式5で表される置換基を有するフタロシアニンフタロシアニン誘導体は、公知慣用の方法を組み合わせることにより得ることが出来る。例えば、銅フタロシアニンスルホニルクロライドとポリエーテル主鎖の末端にアミンを持つポリエーテルアミン以下、ポリエーテルモノアミンと略記、又は銅フタロシアニンスルホニルクロライドと下記式で表されるアミンとを反応させればよい。ここで、mは1から20の数値であり、R及びR’は、各々独立に炭素数1から20のアルキル基である。原料となる銅フタロシアニンスルホニルクロライドは、銅フタロシアニンとクロロスルホン酸又は塩化チオニルとの反応により得ることができる。他方の原料であるポリエーテルモノアミンは、公知慣用の方法で得ることができる。例えば、ポリエーテル骨格の末端にある水酸基をニッケル/銅/クロム触媒を用いて還元的にアミノ化することにより得ることができるし、ポリエーテル骨格の末端にある水酸基を光延反応参考文献:シンセシスSynthesis1981年、P.1によりイミド化したのち、ヒドラジン還元によりアミノ化参考文献:ケミカルコミュニケーションズChemicalCommunications、2003年、P.2062することにより得ることができる。ポリエーテルモノアミンは市販品としても提供されており、例えばJEFFAMINEMシリーズ商品名、Huntsman製がある。フタロシアニンナノロッドの製造法次に、本発明に使用されるフタロシアニンナノロッドの製造方法IからIIIについて説明する。製造方法I及びIIはフタロシアニンナノワイヤを製造した後に、該フタロシアニンナノワイヤのアスペクト比を下げることで、ナノロッドを得る方法である。フタロシアニンナノワイヤを製造する方法については、例えば、WO2010/122921号に記載の方法を用いることが出来る。一方、製造方法IIIはフタロシアニン類を低アスペクト比に一次元結晶させる方法である。以下、これらの方法を具体的に説明する。<製造方法I>本製造方法は、a無置換フタロシアニンと置換基を有するフタロシアニンフタロシアニン誘導体とを酸に溶解させた後に、貧溶媒に析出させて複合体を得る工程、b前記複合体をナノワイヤ化する工程、c前記ナノワイヤをナノロッド化する工程とを有するものである。工程a一般にフタロシアニン類は硫酸等の酸溶媒に可溶であることが知られており、まず前記無置換フタロシアニンと前記置換基を有するフタロシアニンとを硫酸、クロロ硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等の酸溶媒に溶解させる。その後に水等の貧溶媒に投入して該無置換フタロシアニンと該置換基を有するフタロシアニン誘導体の複合体を析出させる。ここで、該置換基を有するフタロシアニン誘導体の該無置換フタロシアニンに対する混合比は1から200質量の範囲が好ましく、さらに好ましくは1から120質量である。混合比が1質量以上の場合は、該置換基を有するフタロシアニンが有する置換基官能基又はポリマー側鎖の作用により、後述する工程bにて一方向に結晶成長一次元結晶成長して良好にナノワイヤ化し、一方、200質量以下の範囲にあれば該官能基やポリマー側鎖が結晶成長を阻害するほど多くないため、良好に一次元結晶成長を経てナノワイヤ化し、アモルファス状、板状又は粒子状になることはない。該無置換フタロシアニンと該置換基を有するフタロシアニンの酸溶媒に対する添加量は、未溶解分が無く、完全に溶解できる濃度であれば特に制限はないが、該溶液が十分な流動性を有している程度の粘性を保つ範囲として、20質量以下が好ましい。該無置換フタロシアニンと該置換基を有するフタロシアニンとを溶解させた溶液を水等の貧溶媒に投入して該無置換フタロシアニンと該置換基を有するフタロシアニンの複合体を析出させる際、該溶液は、貧溶媒に対して、0.01から50質量の範囲が好ましい。0.01質量以上であれば、析出する該複合体の濃度も十分高いので、固形分回収が容易であり、50質量以下であれば、すべての該無置換フタロシアニンと該置換基を有するフタロシアニンが析出して固体状の複合体となり、溶解成分がなく、回収が容易となる。前記の貧溶媒としては、無置換フタロシアニン及び置換基を有するフタロシアニンが不溶又は難溶性の液体であれば特に制限はないが、析出する複合体の均質性を高く保つことができ、且つ、後述する微分散微細化工程に好適で、環境負荷の少ない、水又は水を主成分とする水溶液を最も好ましい貧溶媒として挙げることができる。該複合体は、濾紙及びブフナーロートを用いて濾過し、酸性水を除去するともに、濾液が中性になるまで水洗して、含水した状態で回収することができる。回収した複合体は、脱水乾燥して水分を除去するか、又は次工程において水又は水溶性有機溶媒を用いる場合には、含水状態のままであってもよい。前記工程aで得られた無置換フタロシアニンと置換基を有するフタロシアニンの複合体は、透過型電子顕微鏡による観察結果から、形態が無定形であることが確認された。工程b工程bは、前記工程aを経て得られた複合体を、一次元結晶成長させることでナノワイヤ化する工程である。ナノワイヤ化の程度は、得られるナノワイヤの形状が、幅短径が100nm以下であることが好ましく、光電変換効率向上の観点からは幅短径が50nm以下であることが好ましい。ナノワイヤ化の方法は、該複合体をナノワイヤ化することができれば、その方法は特に限定されるものではないが、該複合体を有機溶媒中液相中でナノワイヤ化する方法を挙げることができる。具体的には、該複合体を、有機溶媒中液相中にて、加熱攪拌又は加熱静置することで、該複合体をナノワイヤ化せしめることが出来る。該複合体を有機溶媒中液相中でナノワイヤ化する場合、用いる溶媒は、フタロシアニン類との親和性が低いものでなければ特に制限はないが、例えば、フタロシアニン類との親和性が高いアミド系溶媒及び芳香族系有機溶媒が好ましく、具体的には、フタロシアニンと特に親和性が高いN,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等を最も好適な有機溶媒として挙げることができる。前記アミド系有機溶媒及び芳香族系有機溶媒は単独で用いることもできるが、該アミド系有機溶媒と該芳香族系有機溶媒とを任意の比率で混合して使用することもでき、さらには他の有機溶媒と併用して用いることもできる。アミド系有機溶媒及び芳香族系有機溶媒と併用できる有機溶媒としては、ナノワイヤ化を促進させることができる点から、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエステル類を挙げることができる。これらの有機溶媒は複合体をアミド系有機溶媒又は芳香族系有機溶媒に分散させた後に添加してもよいし、予め前記有機溶媒と混合してから複合体を添加し分散させてもよい。該複合体に対する有機溶媒の添加量に関しては、適当な流動性を有し、且つ、凝集防止の観点から、該複合体の該有機溶媒に対する固形分濃度が0.1から20の範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは1から10である。該複合体をナノワイヤ化する場合の攪拌又は静置時の温度は、5から250°Cの範囲が好ましく、さらに好ましくは20から200°Cである。温度が5°C以上であれば、十分にフタロシアニン類の結晶成長を誘発することができ、目的とする一次元結晶成長により、ナノワイヤへ成長可能であり、又、250°C以下であればナノワイヤの凝集、融着がほとんど見られず、又、幅方向に結晶成長して粗大化することもない。ナノワイヤ化のための攪拌時間又は静置時間には特に限定はないが、フタロシアニンナノワイヤの長さが100nm以上に成長するまでに、少なくとも10分以上攪拌又は静置することが好ましい。該複合体を液相中でナノワイヤ化する場合、該複合体を有機溶媒に単純に投入した後、加熱攪拌又は加熱静置することにより、ナノワイヤ化する方法と、該複合体を有機溶媒中に微分散させてから、加熱攪拌又は加熱静置することにより、ナノワイヤ化する方法が挙げられるが、後述するインキ化を考慮した場合、インキ化のための工程を簡略化することが出来ることから、該複合体を有機溶媒中に微分散させてから、加熱攪拌又は加熱静置することにより、ナノワイヤ化する方法が好ましい。該複合体を有機溶媒中に微分散させてから、加熱攪拌又は加熱静置することにより、ナノワイヤ化する場合、該複合体を有機溶媒中に微分散させる方法として、該複合体を液相中にて微分散させる湿式方法と、該複合体を気相中にて微粒子化微細化した後、有機溶媒に分散させる方法が挙げられるが、工程が簡略化できることから、前者である湿式分散法がより好ましい。湿式分散法としては、工程aで得られた複合体を分散溶媒とともに、ビーズミル、ペイントコンディショナー等の微小ビーズを用いた湿式分散機で処理する方法や、プライミクス社製のT.K.フィルミックスに代表されるメディアレス分散機を用いる方法を挙げることができる。又、超音波ホモジナイザー等を用いて、高出力の超音波照射による処理も適応可能であり、これらの方法を1種又は複数種組み合わせて行なう事ができる。ここで、湿式分散処理に用いる分散溶媒としては、水、有機溶媒、含水有機溶媒等が挙げられる。有機溶媒としては、前記ナノワイヤ化に用いる有機溶媒に加え、エタノールなどのアルコール類、グリコール類、グリコールエステル類を挙げることができ、これらの分散溶媒を1種又は複数種組み合わせて行なう事もできるが、結晶成長や結晶転移の抑制の点でより好ましくは、水、エタノール、メタノール、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、N-メチル-2-ピロリドンである。湿式分散処理を実施するに当たり、該複合体の分散溶媒に対する質量比に関しては特に制限はないが、分散効率の観点から、固形分濃度を1から30質量の範囲で分散処理することが好ましい。分散処理にジルコニアビーズ等の微小メディアを使用する場合は、該複合体の微分散化の程度を鑑みて、そのビーズ径は0.01から2mmの範囲が好ましい。又、微小メディアの使用量は微粒子化の効率と回収効率の観点から、該複合体の分散液に対して、100から1000質量の範囲が最も好適である。湿式分散処理を実施するに当たり、微分散化の程度は、該複合体が粒径1μm未満になることが好ましく、ナノワイヤ化促進という観点から、500nm未満となることが好ましく、さらには、300nm未満となることが好ましい粒径は動的光散乱による。ここで、前記湿式分散処理と前記ナノワイヤ化において、用いる溶媒が異なっていてもかまわない。その際、湿式分散処理を実施した後、湿式分散に用いた溶媒を除去し、微細化された複合体を、ナノワイヤ化溶媒に再分散させる。湿式分散に用いた溶媒を除去する方法としては特に制限はないが、ろ過、遠心分離、ロータリーエバポレーター等による蒸発処理等を挙げることができる。さらに、これらの処理の後、真空乾燥機などを用いて溶媒分を完全に除去するまで乾燥してもよい。ナノワイヤ化溶媒に再分散させる方法は特に限定されるものではないが、公知慣用の、加熱処理、撹拌処理、分散攪拌処理、分散均一処理、超音波照射処理、超音波攪拌処理、超音波均一処理、超音波分散処理等の方法を1種又は複数種組み合わせて行なう事ができる。工程c最後に、工程bを経て得られたナノワイヤを短尺化するアスペクト比を下げることでナノロッド化する。ナノロッド化の方法としては特に限定されるものではないが、前記ナノワイヤを有機溶媒中にて、撹拌処理、分散攪拌処理、分散均一処理、超音波照射処理、超音波攪拌処理、超音波均一処理、超音波分散処理、レーザー照射処理等の方法を1種又は複数種組み合わせて行なう事ができる。これらの処理により、短径が100nm以下であってその短径に対する長さの比率長さ/短径が10未満であるフタロシアニンナノロッドを得ることが出来る。<製造方法II>本製造方法は、水溶性多価アルコール中において、置換基を有するフタロシアニンの存在下、イソインドリン化合物と金属イオンとを反応させナノワイヤを得る工程と該ナノワイヤをナノロッド化する工程とを有することを特徴とするものである。即ち、本製造方法では、先ず、水溶性多価アルコールに、置換基を有するフタロシアニンと、イソインドリン化合物と、金属イオンとを溶解させ、十分攪拌することにより、均一な混合溶液を得る。ここで、撹拌時の温度が80°Cよりも高い場合は混合が不十分な段階で一部にナノレベルより大きなサイズのフタロシアニン結晶が生成したり、収率が低下したりする場合もあるため、80°C以下で行うことが好ましい。該置換基を有するフタロシアニン、該イソインドリン化合物、金属イオンを含む多価アルコール溶液を80°C以下の温度で混合して混合溶液を得た後、この混合溶液を攪拌しながら80から200°Cに加熱することによりイソインドリン化合物と金属イオンとを反応させてナノワイヤを得る。ここで、該攪拌温度は、100から180°Cであることが好ましい。又は、該置換基を有するフタロシアニンを溶解させた水溶性多価アルコール溶液に、該イソインドリン化合物及び金属イオンを含む混合多価アルコール溶液を滴下し、前記と同じ温度範囲に設定しておくことで、イソインドリン化合物と金属イオンとを反応させて、ナノワイヤを得ることもできる。該イソインドリン化合物と金属イオンの混合比に関しては、化学量論的な観点から原料のイソインドリン化合物4モルに対して金属イオンが1から4モルになるように調整することが好ましい。本発明で用いることができる水溶性多価アルコールは、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,2-ブタンジオール、2,3-ブタンジオール等のα-グリコール類及びグリセリンであり、その分子構造中の2つ又は3つの水酸基が結合している炭素原子が隣接しているものが良い。本発明で用いる置換基を有するフタロシアニンとしては、フタロシアニン環が少なくとも1個以上の置換基で置換され、且つ、多価アルコールに対して溶解性を示す化合物を挙げることができ、より具体的には、前記一般式5又は6で表される化合物を挙げることができる。本製造方法における一般式5又は6におけるZは、数平均分子量が1000以上の水溶性ポリマー鎖であれば特に制限はないが、より好ましくは1000以上10000以下の水溶性ポリマーが挙げられる。この様な水溶性ポリマー鎖としては、水溶性を有し水溶性多価アルコールに対して親和性を示すものであれば特に限定無く用いることができるが、より具体的には、ポリアルキレンオキシドを部分構造として有するポリマー鎖が挙げられ、より詳しくは、エチレンオキシドポリマー及びエチレンオキシド/プロピレンオキシドコポリマー等のあらゆるポリアルキレンオキシドを部分構造として有するポリマー鎖であり、ブロック重合したものでも、ランダム重合したものでも用いることができる。好ましくは、Zは前記一般式15で表される基であるアルキレンオキシドコポリマーに由来するポリマー鎖であり、用いる多価アルコールへの溶解性に応じて、その親水性や親油性を最適化することが望ましい。本発明に用いるイソインドリン化合物は、公知慣用の方法によって合成されうる。例えば、オルトフタロニトリル等のフタロニトリル化合物をα-グリコール、グリセリン等の多価アルコールに加熱溶解させながら、1,2-ジアザビシクロ5.4.0ウンデセン-7以下、DBUという等の有機塩基や金属アルコキシドの存在下又は非存在下で反応させ、水溶性多価アルコールに可溶なフタロニトリル化合物と該多価アルコール反応生成物イソインドリン化合物を合成する。本発明で用いることができるフタロニトリル化合物は、オルトフタロニトリルをはじめ、ベンゼン環又はナフタレン環のオルト位に-CN基を2つ有するものをいい、例えば、下記式化20式中の環Aは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン基等の置換基を有していてもよいベンゼン環又はナフタレン環を示す。が挙げられる。フタロニトリル化合物と水溶性多価アルコールの反応温度は有機塩基や金属アルコキシドを添加しない場合、80°C以上ならば問題ないが、高い温度では無金属フタロシアニン化合物を生じるので、濾過等の工程が必要になり好ましくない。又、温度が低い場合は反応が長時間化する場合もあるので、実用上は100から130°Cの範囲で15分から8時間反応させることが好ましく、さらに好ましくは1から3時間反応させるとよい。得られたイソインドリン化合物を含む溶液は反応終了後、直ちに80°C以下に冷却し、それ以上の反応の進行を停止させることが好ましい。又、反応中は窒素雰囲気下に置く等、大気中の水分の混入を避けることが好ましく、該水溶性多価アルコールもあらかじめ脱水しておくことが好ましい。DBU等の有機塩基を添加してフタロニトリル化合物と多価アルコールを反応させる場合は、該有機塩基を用いない場合に比べてより低い温度で反応させることができ、無金属フタロシアニン化合物の生成を抑制する上でも都合がよい。具体的には30から100°Cの範囲で10分から2時間で反応させるとよい。フタロニトリル化合物と水溶性多価アルコールとを反応させる際の質量比に関しては特に限定はないものの、フタロニトリル化合物の濃度が2よりも低い場合は、後に金属フタロシアニン化合物を合成する際の生産性が低くなり、40よりも高い場合は得られた溶液の粘度が著しく高くなり、且つ、無金属フタロシアニン化合物の生成量が多くなる場合もあるため、フタロニトリル化合物の濃度が2から40質量、特に5から20質量の範囲とすることが好ましい。本発明で用いることができる金属イオンとしては金属フタロシアニンの中心金属となり得るすべての金属イオンを挙げることができ、具体的には銅イオン、亜鉛イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、錫イオン、鉛イオン、マグネシウムイオン、珪素イオン、鉄イオン、パラジウムイオン等が挙げられる。これらの金属イオンは、通常、金属塩を水溶性多価アルコールに溶解させることによって反応に供される。塩としては、ハロゲン化物や硫酸塩等を挙げることができる。例えば銅塩の場合は塩化銅IIや硫酸銅IIを好ましい塩として挙げることができる。置換基を有するフタロシアニンの存在下で、イソインドリン化合物と金属イオンとを反応させる際、これらの化合物及び金属イオンを含む水溶性多価アルコール溶液に対して、グリコール系溶媒を加えてもよい。グリコール系溶媒は、生成する金属フタロシアニンナノワイヤとの親和性、及び加熱可能な温度を考慮すると、特にグリコールエステル系溶媒が好ましい。具体的な溶媒としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを挙げることができるが、これに限定されるものではない。グリコール系溶媒が好ましい理由として本発明のフタロシアニンをナノワイヤ化させるための一方向の結晶成長を促進させる作用を挙げることができる。このようにして得られたナノワイヤを製造方法Iの工程cと同様にして、ナノロッド化する。<製造方法III>前記製造方法Iの工程bにおいて、工程aで得られた複合体の一次元結晶成長を経時的にモニタリングすることで、アスペクト比10以上に成長するワイヤ化前に該処理を止め、これにより、アスペクト比が10未満のナノロッドを得ることが出来る。前記で挙げた本発明に使用されるフタロシアニンナノロッドの製造方法IからIIIのうち、Iの製造方法がより好ましい。インキ組成物、光電変換素子用材料本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料は、短径が100nm以下であってその短径に対する長さの比率長さ/短径が10未満であるフタロシアニンナノロッドを含有する。前記フタロシアニンナノロッドは、有機溶媒に分散させることにより、ウエットプロセス印刷又は塗布に適したインキ組成物又は光電変換素子用材料として使用される。該有機溶媒の種類は、フタロシアニンナノロッドを安定分散させるものであれば特に限定されるものではなく、単独の有機溶媒であっても、二種以上を混合した有機溶媒を用いても良いが、フタロシアニンナノロッドを良好且つ安定に分散させることができる点からは、アミド系溶媒が好ましく、具体的には、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、N,N-ジエチルホルムアミド等を挙げることができ、中でもN-メチルピロリドンが特に好ましい。又、フタロシアニンナノロッドに含有される置換基を有するフタロシアニンの種類によって、インキ組成物又は光電変換素子用材料を構成する該溶媒を適宜選択することができ、例えば、化10の誘導体を含有するフタロシアニンナノロッドを良好且つ安定に分散させることができる好ましい有機溶媒として、アミド系溶媒の他に、芳香族系溶媒、ハロゲン化芳香族系有機溶媒、ハロゲン系有機溶媒等を挙げることができる。具体的には、例えば、芳香族系溶媒として、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ハロゲン化芳香族系有機溶媒として、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等を挙げることができる。又、ハロゲン系有機溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の有機溶媒を挙げることができる。この中で、特に好ましいものはジクロロベンゼンである。本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料において、ウエットプロセス印刷又は塗布適性及び造膜性印刷又は塗布後の膜質性付与のためには、組成物中のフタロシアニンナノロッドの含有率を、0.05から20質量とすることが好ましく、特に、0.1から10質量とすることが好ましい。本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料は、フタロシアニンナノロッド以外に、他の電子供与性材料や正孔輸送性材料を含んでも良い。そのような材料としては、例えば、π共役系ポリマー、半導体的性質を示す非π共役系ポリマー、低分子系有機半導体化合物等が挙げられる。ここで、π共役系ポリマーとしては、ポリチオフェン類、ポリ-p-フェニレンビニレン類、ポリ-p-フェニレン類、ポリフルオレン類、ポリピロール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリチエニレンビニレン類等が、半導体的性質を示す非π共役系ポリマーとしてはポリビニルカルバゾールが、低分子系有機半導体化合物としては、可溶性又は溶媒分散性のフタロシアニン誘導体、可溶性又は溶媒分散性のポルフィリン誘導体等が挙げられる。これらのうち、ポリマー系材料には、後述するように、インキ組成物又は光電変換素子用材料にウエットプロセス印刷又は塗布適性及び造膜性印刷又は塗布後の膜質性を付与する効果もある。本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料は、フラーレン類に代表される電子受容性材料を含んでも良い。これにより一回の製膜で光電変換層の形成が可能となる。本発明で用いることができる電子受容性材料としては、例えばナフタレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブCNT類、修飾グラフェン類、ポリ-p-フェニレンビニレンにシアノ基を導入した誘導体CN-PPV、Boramer商品名、TDAResearch製、CF3基又はF基を導入した公知慣用の低分子有機半導体材料又は高分子有機半導体材料等が挙げられる。ここで、ナフタレン誘導体としては、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシリックジイミドNTCDI、N,N-ジアルキル-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシリックジイミドNTCDI-RRは炭素数1から20のアルキル基、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドNTCDA等、ペリレン誘導体としては、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドPTCDA、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックビスベンズイミダゾールPTCBI、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックジイミドPTCDI、N,N-ジアルキル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックジイミドPTCDI-RRは炭素数1から20のアルキル基等、オキサゾール誘導体としては、2-4-ビフェニリル-5-4-t-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、2,5-ジ1-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾールBND等、トリアゾール誘導体としては、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等、フェナントロリン誘導体としては、バソキュプロインBCP、バソフェナントロリンBphen等、フラーレン類としては、C60、C70、C76、C78、C82、C84、C90、C94等の無置換のものと、[6,6]-フェニルC61酪酸メチルエステルPCBM、[5,6]-フェニルC61酪酸メチルエステル[5,6]-PCBM、[6,6]-フェニルC61酪酸ヘキシルエステル[6,6]-PCBH、[6,6]-フェニルC61酪酸ドデシルエステル[6,6]-PCBD、フェニルC71酪酸メチルエステルPC70BM、フェニルC85酪酸メチルエステルPC84BM等が挙げられる。中でも、フラーレン類は電荷分離速度と電子移動速度が速いため、好ましく用いられる。フラーレン類の中でも、PCBMやC70誘導体前記PC70BM等が電荷分離速度と電子移動速度が特に優れ、より高い光電変換効率を得られるため、より好ましい。又、前記電子受容性材料の中で、ポリ-p-フェニレンビニレンにシアノ基を導入した誘導体CN-PPV、Boramer商品名、TDAResearch製等のポリマー系材料電子受容性ポリマーは、電荷分離や電子移動といった半導体的機能以外に、該インキ組成物又は光電変換素子用材料に、ウエットプロセス印刷又は塗布適性及び造膜性印刷又は塗布後の膜質性を付与する効果があるので好ましい。本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料のフタロシアニンナノロッド及び電子受容性材料との混合比に関しては、後述する光電変換素子において、光電変換特性が得られる範囲で任意に選択できるが、フタロシアニンナノロッド/電子受容性材料=1/99から99/1の範囲であることが好ましく、より好ましくは1/9から9/1の範囲であり、さらに好ましくは2/8から8/2の範囲である。本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料で、電子受容性材料を添加した場合には、該フタロシアニンナノロッドと電子受容性材料合計量の含有率が溶媒に対して0.05から20質量とすることが好ましく、特に、0.1から10質量とすることが好ましい。本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料には、ウエットプロセス印刷又は塗布適性及び造膜性印刷又は塗布後の膜質性を付与するために、樹脂成分を、レオロジー調整やバインダー成分として添加することができる。樹脂としては、公知慣用のものであれば特に限定されるものではなく、単独の樹脂であっても、二種以上の樹脂を併用してもかまわないが、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート等が好ましい。これらの樹脂の含有率が多すぎると、粘度が過度に上昇して、印刷や塗布による製膜性に影響を与え、又、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート等は、電気的に不活性なため、その含有率が多すぎると電子供与性材料及び電子受容性材料の濃度が相対的に薄まるため該電子供与性材料及び該電子受容性材料により発現する光電変換特性が低減することになる。従って、インキ組成物又は光電変換素子用材料中の樹脂の含有率としては20質量以下とすることが好ましく、10質量以下とすることがさらに好ましい。本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料には、ウエットプロセス印刷又は塗布適性及び造膜性印刷又は塗布後の膜質性の向上を主な目的として、体質成分や各種界面活性剤等を必要に応じて添加して使用することができる。体質成分としては、光電変換特性を保持できるものであれば公知慣用の、微粒子粉末単体、これら微粒子粉末単体を予め分散剤又は有機溶媒に分散させた分散液を用いることができ、これらを単独又は二種以上を併用して用いてもかまわない。具体的には、アエロジルシリーズ商品名、エボニック製、サイリシア、サイロホービック、サイロピュート、サイロページ、サイロピュア、サイロスフェア、サイロマスク、シルウェル、フジバルーン以上、商品名、富士シリシア製、PMA-ST、IPA-ST以上、商品名、日産化学製、NANOBIC3600シリーズ、NANOBIC3800シリーズ以上、商品名、ビックケミー製等があるが、特に限定するものではない。又、これらは単独又は二種以上を併用しても良い。又、光電変換素子は、膜厚方向に電荷を輸送するため、当該膜の表面平滑性が求められる。このために、インキに添加する体質成分の平均粒径は1から150nmであることが好ましく、5から50nmであるとさらに好ましく、微粒子シリカやアルミナ分散液であるPMA-ST、IPA-ST商品名、日産化学製、NANOBIC3600シリーズ商品名、ビックケミー製が好ましい。平均粒径は例えば動的光散乱法により容易に測定できる。又、これら体質成分は電気的に不活性なため、その含有率が多すぎると電子供与性材料及び電子受容性材料の濃度が相対的に薄まるため該電子供与性材料及び該電子受容性材料により発現する光電変換特性が低減することになる。したがって、インキ組成物又は光電変換素子用材料中の体質成分の含有率としては全固形分中90質量以下、好ましくは70質量以下である。界面活性剤としては、炭化水素系、シリコン系、フッ素系が挙げられ、これらを単独又は二種以上を混合して使用することが出来る。なかでも好ましいフッ素系界面活性剤は、直鎖状のパーフルオロアルキル基を有し、鎖長がC6以上、さらに好ましくはC8以上のノニオン系のフッ素系界面活性剤である。具体的なものとしては例えば、メガファックF-482、メガファックF-470R-08、メガファックF-472SF、メガファックR-30、メガファックF-484、メガファックF-486、メガファックF-172D、メガファックF178RM以上、商品名、DIC製等があるが、特に限定するものではない。又、これらは単独又は二種以上を併用しても良い。これら界面活性剤はインキ組成物又は光電変換素子用材料中、有効成分で5.0質量以下、好ましくは有効成分で1.0質量以下含有される。本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料においては、前記記載の材料を混合して用いる。混合方法としては特に限定されるものではないが、所望の比率で前記記載の材料を溶媒に添加した後、公知慣用の方法、即ち、加熱処理、撹拌処理、分散攪拌処理、分散均一化処理、超音波照射処理、超音波攪拌処理、超音波均一化、超音波分散処理、レーザー照射処理等の方法を1種又は複数種組み合わせて溶媒中に分散混合させる方法が挙げられる。光電変換素子次に、本発明の光電変換素子について説明する。本発明の光電変換素子は、少なくとも一対の電極、すなわち正極と負極を有し、これら電極間に本発明のフタロシアニンナノロッドを含む。図1は本発明の光電変換素子の一例を示す模式図である。図1において符号1は基板、符号2は電極a、符号3は本発明のフタロシアニンナノロッドを含む光電変換層有機半導体層、符号4は電極bである。有機半導体層3は、本発明のフタロシアニンナノロッドを含む膜である。又、有機半導体層3は、本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料より形成される膜である。有機半導体層3が電子受容性材料を含む場合、本発明のフタロシアニンナノロッドと電子受容性材料は混合されていても積層されていてもよい。積層されている場合の一例を図2に示す。電子供与性材料たる本発明のフタロシアニンナノロッドを有する層が正極側、電子受容性材料を有する層が負極側であることが好ましい。従って、図2の符号5が本発明のフタロシアニンナノロッドを有する層、符号6が電子受容性材料を含む層であった場合、符号2の電極aが正極、符号4の電極bが負極となる。なお、積層構造の場合、前記記載のフタロシアニンナノロッド以外のその他の電子供与性材料が本発明のフタロシアニンナノロッドを含む層符号5に含有されていても良いし、又は、電子受容性材料を含む層符号6に含有されていても良い。有機半導体層図1では符号3、図2では符号5と6の厚さは十分に光吸収できる厚みで、且つ、電荷の失活が生じない厚みであれば特に制限はないが、5から1000nmの厚さが好ましく、より好ましくは10から500nm、さらに好ましくは20から300nmの範囲である。積層されている場合は、本発明のフタロシアニンナノロッドを有する層は前記厚さのうち1から500nmの厚さを有していることが好ましく、より好ましくは5から300nmである。有機半導体層は、本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料をウエットプロセス印刷又は塗布によって製膜し、これを乾燥させることにより得ることができる。本発明のインキ組成物又は光電変換素子用材料の製膜方法としては、特に制限なく公知慣用の方式を採用することができ、具体的には、インクジェット法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、凸版反転印刷法、スクリーン印刷法、マイクロコンタクト印刷法、リバースコーター法、エアドクターコーター法、ブレードコーター法、エアナイフコーター法、ロールコーター法、スクイズコーター法、含浸コーター法、トランスファーロールコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレイコーター法、静電コーター法、超音波スプレイコーター法、ダイコーター法、スピンコーター法、バーコーター法、スリットコーター法、ドロップキャスト法等が挙げられる。有機半導体層を図2のごとく積層する場合、前記記載の方法でフタロシアニンナノロッドを含む本発明の光電変換素子用材料を製膜した後に、電子受容性材料を、後述するバッファー層の製膜と同様の公知慣用の方式で積層すればよい。なお、特筆すべきこととして、本発明のフタロシアニンナノロッドは製膜後に耐溶媒性が上がるため、電子受容性材料をウエットプロセスで積層することが可能である。基板1には、シリコン、ガラス、各種樹脂材料等を用いることが出来る。各種樹脂材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルスルホンPES、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネートPC、セルローストリアセテートTAC、セルロースアセテートプロピオネートCAP、アクリル樹脂等を挙げる事ができる。このような樹脂性材料を用いることで、ガラスを用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。一方、基板側から光を入射して用いる場合は、光透過性の良好な材料が好ましく、このような材料として、ガラス、PET、PC、ポリイミド、PES、アクリル樹脂等を挙げることができる。電極a、b用の材料としては、一方の電極には仕事関数の大きな導電性材料、もう一方の電極には仕事関数の小さな導電性材料を使用することが好ましい。仕事関数の大きな導電性材料を用いた電極は正極となる。この仕事関数の大きな導電性材料としては、金、白金、クロム、ニッケル等の金属のほか、透明性を有するインジウム、錫等の金属酸化物、複合金属酸化物インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、フッ素ドープ酸化錫FTO、積層グラフェン、積層修飾グラフェン、ドーピングで導電率を向上させた通常公知の導電性ポリマー導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTが好ましく用いられる。ここで、正極に用いられる導電性材料は、有機半導体層3とオーミック接合するものであることが好ましい。さらに、後述するバッファー層1を用いた場合においては、正極に用いられる導電性材料はバッファー層1とオーミック接合するものであることが好ましい。仕事関数の小さな導電性材料を用いた電極は負極となるが、この仕事関数の小さな導電性材料としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、具体的にはリチウム、マグネシウム、カルシウム等が使用される。又、錫、銀、アルミニウム等も好ましく用いられる。さらに、前記金属からなる合金や前記の金属の積層体からなる電極も好ましく用いられる。ここで、負極に用いられる導電性材料は、有機半導体層3とオーミック接合するものであることが好ましい。さらに、後述するバッファー層2を用いた場合においては、負極に用いられる導電性材料はバッファー層2とオーミック接合するものであることが好ましい。本発明の光電変換素子においては、電極a又は電極bのいずれかに光透過性を有することが好ましい。電極の光透過性は、有機半導体層3に入射光が到達して起電力が発生する程度であれば、特に限定されるものではない。このような導電性材料として、例えば、前記導電性材料のうち、ITO酸化インジウム-酸化錫複合体、FTOフッ素ドープ酸化錫、積層グラフェン、積層修飾グラフェン、ドーピングで導電率を向上させた通常公知の導電性ポリマー導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT等が好適に用いられる。又、これらの材料を導電性が高い金属材料をメッシュ状にしたものと組み合わせて用いることも出来る。電極の厚さは光透過性と導電性とを有する範囲であればよく、電極材料によって異なるが5から10000nm、好ましくは10から5000nm、さらに好ましくは20から300nmが好ましい。なお、もう一方の電極は導電性があれば必ずしも光透過性は必要ではなく、厚さも特に限定されない。電極の形成方法としては、前記材料を原料として、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法等のドライプロセスや、インクジェット法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、凸版反転印刷法、スクリーン印刷法、マイクロコンタクト印刷法、リバースコーター法、エアドクターコーター法、ブレードコーター法、エアナイフコーター法、ロールコーター法、スクイズコーター法、含浸コーター法、トランスファーロールコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレイコーター法、静電コーター法、超音波スプレイコーター法、ダイコーター法、スピンコーター法、バーコーター法、スリットコーター法、ドロップキャスト法のウエットプロセスが挙げられ、材料に応じて適宜使用することができる。より詳しくは、蒸着やスパッタリング等のドライプロセスを用いてパターンマスク等を介して電極形成する方法、蒸着やスパッタリング等のドライプロセスで形成した導電性べた膜を、公知慣用のフォトリソグラフ法-エッチング法で電極形成する方法、蒸着やスパッタリング等のドライプロセスとフォトリソグラフ法-リフトオフ法を組み合わせて電極形成する方法、蒸着やスパッタリング等のドライプロセスを用いて形成した導電性べた膜を、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法等を挙げられる。又、導電性微粒子分散液又は導電性ポリマー溶液若しくは分散液を、直接、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版反転印刷法、マイクロコンタクト印刷法等のウエットプロセスによりパターニングしてもよいし、塗布製膜でべた膜を形成した後、公知慣用ののフォトリソグラフ-エッチング法やレーザアブレーション法等によりパターニングしてもよいし、又、ウエットプロセスとフォトリソグラフ法-リフトオフ法を組み合わせてパターニングしても良い。本発明では、正極と有機半導体層の間にバッファー層1を設けてもよい。バッファー層1は、効率的な電荷の取り出しを可能とするために必要に応じて用いられる。バッファー層1を形成する材料としては、酸化グラフェン、修飾グラフェン、ポリチオフェン類、ポリ-p-フェニレンビニレン類、ポリフルオレン類、ポリビニルカルバゾール類、フタロシアニン誘導体H2Pc、CuPc、ZnPc等、ポルフィリン誘導体等が好ましく用いられる。これらの材料は、ドーピングにより導電性正孔輸送性を高めたものであっても良い。特に、ポリチオフェン類であるポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTやPEDOTにポリスチレンスルホネートPSSをドープしたPEDOT:PSSが好ましく用いられる。バッファー層1の厚さは、5から600nmの厚さが好ましく、より好ましくは10から200nmである。又本発明では、有機半導体層と負極の間にバッファー層2を設けてもよい。バッファー層2は、効率的な電荷の取り出しを可能とするために必要に応じて用いられる。バッファー層2を形成する材料として、前記した電子受容性材料ナフタレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブCNT類、修飾グラフェン類、ポリ-p-フェニレンビニレンにシアノ基を導入した誘導体CN-PPV、Boramer商品名、TDAResearch社製、CF3基又はF基を導入した公知慣用の低分子有機半導体材料又は高分子有機半導体材料等に加え、オクタアザポルフィリン、パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等のパーフルオロ化合物、テトラチオフルバレンやテトラメチルフェニレンジアミン等の電子供与性化合物とテトラシアノキノジメタンやテトラシアノエチレン等の電子受容性化合物とからなる電荷移動錯体、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ガリウム等のn型無機酸化物半導体、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属化合物等を用いることができる。バッファー層2の厚さは、0.5から600nmの厚さが好ましく、より好ましくは1から200nmである。バッファー層の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法等のドライプロセスや、インクジェット法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、凸版反転印刷法、スクリーン印刷法、マイクロコンタクト印刷法、リバースコーター法、エアドクターコーター法、ブレードコーター法、エアナイフコーター法、ロールコーター法、スクイズコーター法、含浸コーター法、トランスファーロールコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレイコーター法、静電コーター法、超音波スプレイコーター法、ダイコーター法、スピンコーター法、バーコーター法、スリットコーター法、ドロップキャスト法のウエットプロセスが挙げられ、材料に応じて適宜使用することができる。又、バッファー層に無機酸化物を用いる場合、ウエットプロセスとして、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶媒又は水に必要に応じて界面活性剤等の分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えばアルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法を用いることができる。これらバッファー層は、単層であってもよく、又、異なる材料を積層したものであってもよい。本発明による光電変換素子は、集積によって太陽電池モジュールを構成することができる。その際、本発明の光電変換素子は、保護シートや接着性封止材により前記の光電変換素子を、水分を含む外気から遮断する構造とすることもできる。太陽電池モジュールとしては、本発明による光電変換素子の電極aと、それに隣接する他の本発明による光電変換素子の電極bとを接触させることにより、本発明による光電変換素子を直列接続させて集積化させたことを特徴とする太陽電池モジュールを挙げることができる。又、隣接する本発明による光電変換素子の電極a同士を接触させ、且つ、隣接する本発明による光電変換素子の電極b同士を接触させることにより、本発明による光電変換素子を並列接続させて集積化させたことを特徴とする太陽電池モジュールであってもよい。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定されるものではない。実施例1<インキ組成物光電変換素子用材料の製造>工程a無置換フタロシアニンとして銅フタロシアニンFastogenBlue5380E商品名、DIC製1.6gと、置換基を有するフタロシアニンとして化10で表されるフタロシアニン誘導体1.2gを濃硫酸関東化学製81gに投入して完全に溶解させ、濃硫酸溶液を調製した。続いて、蒸留水730gを1000mLのビーカーに投入し、これを氷水で十分冷却した後、該蒸留水を撹拌しながら、先に調製した濃硫酸溶液を投入し、無置換銅フタロシアニンと化10で表される銅フタロシアニン誘導体とからなる複合体を析出させた。続いて得られた該複合体を、濾紙を用いてろ過し、蒸留水を用いて十分に洗浄し、含水した該複合体を回収した。工程b工程aで得られた含水複合体12gを容量50mLのポリプロピレン製容器に投入し、さらに蒸留水を加えて、該複合体固形分の水に対する重量比を15とし、次いでφ0.5mmのジルコニアビーズ60gを加えて、ペイントシェイカーを用いて2時間、微分散処理した。続いて該微分散処理により微粒子化した複合体の分散液をジルコニアビーズから分離回収し、さらに蒸留水を加えて重量50gの微粒子化複合体水分散液固形物濃度5を得た。次に、該微粒子化複合体水分散液から10g分取し、さらに濃度5Nの塩酸水和光純薬工業製0.5gを加えて、2000回転で1時間、遠心分離したところ、該微粒子化複合体が沈殿した。上澄みの塩酸水を除去し、含水した該微粒子化複合体に4.5gのN-メチルピロリドンNMP和光純薬工業製を加えて、よく振とうし、このものを100mLナスフラスコに投入し、さらにエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート和光純薬工業製を5.0g追加投入して、1時間撹拌し、その後、オイルバスを用いて、90分かけて145°Cまで昇温した。145°Cに到達後、そのままの温度でさらに30分間加熱を継続した。その後、冷却してから、該分散液を、メンブレンフィルター孔径:0.1μmを用いて濾過し、濾残をオルトジクロロベンゼンでよく洗浄した。該濾残を固形物濃度が2になるようにオルトジクロロベンゼンに投入し、よく振とうすることで、オルトジクロロベンゼンを分散溶媒とする分散液を得た。該分散液の固形分を透過型電子顕微鏡で観察したところ、短径が約50nm以下、短径に対する長さの比率が10以上にまで成長したワイヤ状固形物ナノワイヤが確認され図3参照、又、該固形分のXRD測定を行ったところ、フタロシアニン結晶由来のピークが確認された。以上より、フタロシアニンがナノサイズで一次元結晶成長したフタロシアニンナノワイヤの生成が確認された。工程c工程bで得られたフタロシアニンナノワイヤの分散液を、超音波ホモジナイザー商品名:US300、日本精機製作所製を用いて、氷冷下、7φのホーンを使用し、出力10で30分間処理した。このようにして得られた分散液を回収し、その固形分を走査型電子顕微鏡で観察したところ、短径が約20nm以下、短径に対する長さの比率が5以下であるロッド状固形物が確認された図4参照。以上より、該処理にて、フタロシアニンナノワイヤのナノロッド化フタロシアニンナノロッドの形成が確認された。かくして、本工程において、固形分濃度2のフタロシアニンナノロッド分散液1が製造された。前記フタロシアニンナノロッド分散液1150mgとPCBMフロンティアカーボン製45mgとオルトジクロロベンゼン200mgをサンプル瓶の中に投入し、超音波洗浄機47kHz中で30分間超音波照射することにより光電変換素子用材料1を得た。<光電変換素子の製造>ガラス基板にスパッタリング法により正極となるITO透明導電層を100nm堆積させ、これをフォトリソグラフィー-エッチング法により2mm幅の短冊状にパターニングした。得られたパターンITO付きガラス基板を、中性洗剤、蒸留水、アセトン、エタノールの順にそれぞれにつき15分間超音波洗浄を3回実施した後、30分間UV/オゾン処理し、この上にPEDOT:PSS水分散液AI4083商品名、HCStarck製をスピンコートすることで、PEDOT:PSSよりなるバッファー層1を60nmの厚さでITO透明電極層上に形成した。これを100°Cに加熱したホットプレート上で5分間乾燥した後、該PEDOT:PSS層上に光電変換層用材料1をスピンコートし、膜厚100nmの光電変換層用材料1由来の有機半導体層を形成した。その後、前記有機半導体層が形成された基板と蒸着用メタルマスク2mm幅の短冊パターン形成用を真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度を5×10-4Paまで高めた後、抵抗加熱法によって、負極となるアルミニウムを2mm幅の短冊パターンになるように蒸着堆積した膜厚:80nm。以上のようにして、面積が2mm×2mm短冊状のITO層とアルミニウム層が交差する部分である光電変換素子1を製造した。<光電変換素子の評価>前記光電変換素子1の正極と負極をデジタルマルチメーター6241A、製品名ADC製に接続して、スペクトル形状:AM1.5、照射強度:100mW/cm2の擬似太陽光簡易型ソーラシミュレータXES151Sの照射下ITO層側から照射、大気中で電圧を-0.1Vから0.8Vまで掃引し、電流値を測定した。この時の短絡電流密度印加電圧が0Vのときの電流密度の値。以下、Jscは4.47mA/cm2、開放端電圧電流密度が0になるときの印加電圧の値。以下、Vocは0.56V、フィルファクターFFは0.40であり、これらの値から算出した光電変換効率PCEは1.02であった。なお、FFとPCEは次式により算出した。FF=JVmax/Jsc×Vocここで、JVmaxは、印加電圧が0Vから開放端電圧値の間で電流密度と印加電圧の積が最大となる点における電流密度と印加電圧の積の値である。PCE=Jsc×Voc×FF/擬似太陽光強度100mW/cm2×100実施例2<光電変換素子の製造>実施例1で得た分散液1180mgにオルトジクロロベンゼン180mgを加えインキ組成物2光電変換素子用材料2を得た。光電変換素子用材料1の変わりに光電変換素子用材料2を使用し実施例1と同様に光電変換素子用材料2由来の有機半導体層電子供与性材料層を形成した後、この上に、2重量のPCBM-オルトジクロロベンゼンをスピンコートし電子受容性材料層を積層した以外は実施例1と同様にして光電変換素子2を製造した。<光電変換素子の評価>光電変換素子1の替わりに光電変換素子2を用いる他は、実施例1と同様にして光電変換素子の評価を行った。結果は、Jscが4.25mA/cm2、Vocが0.53V、FFが0.44であり、これらの値から算出したPCEは0.99であった。実施例3<トランジスタの製造>n型のシリコン基板を用意してこれをゲート電極とし、この表面層を熱酸化処理して酸化シリコンからなるゲート絶縁膜を形成した。ここに、実施例2で得たインキ組成物2をスピンコートし、半導体膜チャネル部を形成した。次に、蒸着成膜によって、金薄膜からなるソースドレイン電極をパターン形成し、トランジスタ3を製造した。なお、チャネル長Lソース電極-ドレイン電極間隔を75μm、チャネル幅Wを5.0mmとした。<トランジスタの評価>上記トランジスタ3について、トランジスタ特性を評価した。トランジスタ特性の評価は、デジタルマルチメーターSMU237、ケースレー製を用いて、ゲート電極に0から-80V電圧Vgをスイープ印加し、-80V印加したソースドレイン電極間の電流Idを測定することで行なった。結果は、移動度が10-4、ON/OFF比が104であった。なお、移動度は√Id-Vgの傾きから、周知の方法により求めた。単位はcm2/Vsである。また、ON/OFF比はIdの絶対値の最大値/Idの絶対値の最小値で求めた。実施例4<インキ組成物光電変換素子用材料の製造>数平均分子量約2,000の第一アミン-末端ポリエチレンオキシド/プロピレンオキシドコポリマーSurfonamineB-200商品名、HuntsmanCorporation製692質量部と炭酸ナトリウム66質量部と水150質量部の混合物に、銅フタロシアニンスルホニルクロリドスルホン化度=1210質量部を投入し、5°C~室温で6時間反応させた。得られた反応混合物を真空下で90°Cに加熱して水を除去し、下記化21で表される銅フタロシアニンスルファモイル化合物を得た。前記化合物において、Qは水素原子又はメチル基を表し、プロピレンオキシド/エチレンオキシド=29/6モル比、nの平均値=35である。次に、置換基を有するフタロシアニンフタロシアニン誘導体として化10で表されるフタロシアニン誘導体に変えて化21で表されるフタロシアニン誘導体を、工程bにおける分散溶媒としてオルトジクロロベンゼンに変えてNMPを用いた以外は実施例1と同様にして、フタロシアニンナノロッド分散液4を得た。次に、前記フタロシアニンナノロッド分散液4180mgにNMP180mgを加えインキ組成物4光電変換素子用材料4を得た。<光電変換素子の製造>光電変換素子用材料に光電変換素子用材料2に変えて光電変換素子用材料4を用いた以外は実施例2と同様にして、光電変換素子4を製造した。<光電変換素子の評価>光電変換素子1に変えて光電変換素子4を用いた以外は実施例1と同様にして、光電変換素子の評価を行なったところ、Jscは4.54mA/cm2、Vocは0.58V、FFは0.44であり、これらの値から算出したPCEは1.15であった。<トランジスタの製造>インキ組成物2に変えてインキ組成物4を用いた以外は実施例3と同様にして、トランジスタ4を製造した。<トランジスタの評価>前記トランジスタ4について、トランジスタ特性を評価した。結果は、移動度が10-4、ON/OFF比が103であった。実施例5<インキ組成物光電変換素子用材料の製造>置換基を有するフタロシアニンフタロシアニン誘導体として化10で表されるフタロシアニン誘導体に変えて化6で表されるフタロシアニン誘導体を、工程bにおける分散溶媒としてオルトジクロロベンゼンに変えてNMPを用いた以外は実施例1と同様にして、フタロシアニンナノロッド分散液5を得た。次に、前記フタロシアニンナノロッド分散液5180mgにNMP180mgを加えインキ組成物5光電変換素子用材料5を得た。<光電変換素子の製造>光電変換素子用材料2に変えて光電変換素子用材料5を用いた以外は実施例2と同様にして、光電変換素子5を製造した。<光電変換素子の評価>光電変換素子1に変えて光電変換素子5を用いた以外は実施例1と同様にして、光電変換素子の評価を行なったところ、Jscは5.20mA/cm2、Vocは0.56V、FFは0.39であり、これらの値から算出したPCEは1.15であった。<トランジスタの製造>インキ組成物2に変えてインキ組成物5を用いた以外は実施例3と同様にして、トランジスタ5を製造した。<トランジスタの評価>トランジスタ3に変えて前記トランジスタ5を用いた以外は実施例3と同様にして、トランジスタ特性を評価した。結果は、移動度が10-4、ON/OFF比が104であった。実施例6<インキ組成物光電変換素子用材料の製造>置換基を有するフタロシアニンフタロシアニン誘導体として化10で表されるフタロシアニン誘導体に変えて化8で表されるフタロシアニン誘導体を、工程bにおける分散溶媒としてオルトジクロロベンゼンに変えてNMPを用いた以外は実施例1と同様にして、フタロシアニンナノロッド分散液6を得た。次に、前記フタロシアニンナノロッド分散液6180mgにNMP180mgを加えインキ組成物6光電変換素子用材料6を得た。<光電変換素子の製造>光電変換素子用材料2に変えて光電変換素子用材料6を用いた以外は実施例2と同様にして、光電変換素子6を作製した。<光電変換素子の評価>光電変換素子1に変えて光電変換素子6を用いた以外は実施例1と同様にして、光電変換素子の評価を行なったところ、Jscは4.32mA/cm2、Vocは0.54V、FFは0.40であり、これらの値から算出したPCEは0.92であった。<トランジスタの製造>インキ組成物2に変えてインキ組成物6を用いた以外は実施例3と同様にして、トランジスタ6を製造した。<トランジスタの評価>トランジスタ3に変えて前記トランジスタ6を用いた以外は実施例3と同様にして、トランジスタ特性を評価した。結果は、移動度が10-4、ON/OFF比が103であった。実施例7~実施例31以下、上記実施例と同様にして、下記実施例7~31を行い、各種無置換フタロシアニン及び置換基を有するフタロシアニンを含有するフタロシアニンナノロッドを作製し、該フタロシアニンナノロッドを含有する光電変換素子の特性を評価した。その結果を表1に示す。表中、フタロシアニンナノロッドの作製上参照すべき実施例を記載した。但し、表中のフタロシアニンの置換基のうち、スルホン酸は化6に記載の置換基、イミドは化10に記載の置換基、スルファモイルは化21に記載の置換基を表す。比較例1<光電変換素子の製造>光電変換素子用材料1のフタロシアニンナノロッドのかわりに銅フタロシアニン顔料微粒子を用いた以外は実施例1と同様にして光電変換素子の製造を行なったが、銅フタロシアニン顔料微粒子の溶媒分散性が低いため、製膜性に問題があり、該分散液を用いて光電変換素子を製造することが出来なかった。比較例2<光電変換素子の製造>実施例1で製造したフタロシアニンナノロッドのかわりに、実施例1工程bで製造したフタロシアニンナノワイヤを用いた以外は実施例1と同様にして光電変換素子2’を製造した。<光電変換素子の評価>光電変換素子1の替わりに光電変換素子2’を用いる他は、実施例1と同様にして光電変換特性の評価を行った。結果は、Jscが4.17mA/cm2、Vocが0.56V、FFが0.28であり、これらの値から算出したPCEは0.66であった。以上から、本発明によるフタロシアニンナノロッドは、フタロシアニン顔料微粒子より溶媒分散性に優れるため、インキ組成物を形成することが容易となり、従ってウエットプロセスで光電変換素子を製造できることが分かる。さらに、本発明によるフタロシアニンナノロッドを用いた光電変換素子は、フタロシアニンナノワイヤを用いた光電変換素子より、フィルファクターFFが向上し、その結果、光電変換効率が向上することが分かる。"