半導体光増幅器に基づく半導体光スイッチチップにおいて、基板上に複数のU字型の光導波路の組み合わせから成る光導波路ネットワークを備え、全ての光信号入出射ポートを上記基板の同一端面に設けたことを特徴とする半導体光スイッチチップ。請求項1の半導体光増幅器チップ、3本以上の光ファイバ、レンズを備えた光増幅器モジュールであって、前記光信号入出射ポートと上記光ファイバとを上記レンズを介して結合したことを特徴とする光スイッチモジュール。半導体光増幅器は駆動電流の有無により数ナノ秒単位での高速な光スイッチ動作が可能である。この性質を利用して光スイッチを構成することができる。このような半導体光増幅器に基づく光スイッチにおいてもパッケージ化の際にコストが高いという問題が同様に生じていた。本発明は特願2010-29812における提案を拡張して安価な光スイッチモジュールを提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の半導体光スイッチチップは基板上に複数のU字型の光導波路の組み合わせから成る光導波路ネットワークを備え、全ての光信号入出射ポートを上記基板の同一端面に設けたことを特徴とする。また、本発明のスイッチモジュールは、3本以上の光ファイバ、レンズを備えた光増幅器モジュールであって、前記光信号入出射ポートと上記光ファイバとを上記レンズを介して結合したことを特徴とする。典型的には、ひとつのレンズによって3本以上の入出力光ファイバと半導体光スイッチチップとを上記レンズを介して結合することができる。本発明によれば、TOキャンと呼ばれる安価なパッケージに半導体光スイッチチップを実装し、同軸構造型と呼ばれる安価な光スイッチモジュールの構造を採用することができるので、半導体光スイッチモジュールの組み立てコストの低減に効果がある。図1に本発明の実施例1の半導体光スイッチチップ10の構成を示す。この半導体光スイッチチップ10は半導体光増幅器ベースの光スイッチである。半導体光増幅器は電流を流せば増幅器となるが、電流を流さない場合は減衰器となる。この性質を利用して、駆動電流の有無により光信号のスイッチを行うことができる。図1aに示すようにInP基板1上にInGaAsP系材料によって形成された直線光導波路2、3、4、及び、曲線光導波路5、6から成り立っている。また、図1bに示すように光導波路2、3、4上に電極7、8、9をそれぞれ設けている。電極7、8、9に流す電流を制御することによって光スイッチ動作及び光増幅動作を実現している。制御電流を供給する任意の制御部図示しないを用いて光スイッチ動作及び光増幅動作を制御できる。直線光導波路2、3と曲線光導波路5はU字型の光導波路をなしており、また、直線光導波路3、4と曲線光導波路6は別のU字型の光導波路をなしている。そしてこのふたつのU字型光導波路の組み合わせによりW字型の光導波路ネットワークが形成されている。図2は図1に示した半導体光スイッチチップ10を用いて構成した光スイッチモジュール20の光学系を示す概略図である。光モジュール20は、光スイッチチップ10、光ファイバ11、12、13、レンズ14からなる。光ファイバ11から入射した光信号15は、レンズ14、光導波路3を経て、光導波路5、6に振り分けられる。光導波路5に振り分けられた光信号16は光導波路2とレンズ14を経て光ファイバ13へと送られる。一方、光導波路6に振り分けられた光信号17は光導波路4、レンズ14を経て光ファイバ12へと送られる。光ファイバ11は共通ポートとして機能し、光ファイバ12、13は共通ポートに対する分岐ポートとなっている。したがって、図2に示した光スイッチモジュールは1×2の光スイッチとして機能する。前述のように、図1bに示した電極7、8、9への駆動電流を変化させることによって光信号のオンオフを行う。また、駆動電流を適切に制御することにより中間的な光信号出力制御を得ることもできる。また、光信号を分岐動作させるばかりでなく、分岐ポートからの光信号を共通ポートに合流させるような動作を行うことも可能である。図3は光スイッチモジュール20の具体的構成を示す図である。半導体光増幅器チップ10はTOキャン21内に公知の方法で実装されている。TOキャン21にはウインドー23が設けられている。またレンズ14としてはセルフォックレンズなどの円筒形のレンズが用いられている。TOキャン21とレンズ14とはパイプ22によって結合されている。TOキャン21、レンズ14、及びパイプ22の固定方法としては、接着や溶接などの公知の方法を適宜用いることができる。図3の構造は同軸型の光モジュールとして知られているもので、安価に組み立てられる。また、TOキャンはバタフライパッケージなどに比べて非常に安価である。また、図3の構成ではレンズ14を入力光と出力光の結合に対して共用しているために、この点からもコストが削減可能である。図4に本発明の実施例2の半導体光スイッチチップ30を示す。InP基板35上にInGaAsP系材料によって形成された光導波路36を設けている。光導波路36はポート31、32、33、34の間に、U字型光導波路を組み合わせて、フルメッシュネットワークを構成するように設けられている。光導波路36内に適切に図示しない電極を配置することによってフルメッシュネットワーク間の接続を任意に切り替える光スイッチネットワークを構成することができる。本実施例の光スイッチチップ30を用いて図3に示したのと同様なTOキャンベースの同軸型光モジュールを構成することができる。図5に本発明の実施例3の半導体光スイッチチップ40を示す。InP基板45上にInGaAsP系材料によって形成された光導波路47を設けている。光導波路47はポート41、42、43、44、45の間で、U字型光導波路を組み合わせて、1×4のツリー状ネットワークを構成するように設けられている。光導波路36内に適切に図示しない電極を配置することによって1×4のツリー状ネットワークの接続を任意に切り替える光スイッチネットワークを構成することができる。本実施例の光スイッチチップ40を用いて図3に示したのと同様なTOキャンベースの同軸型光モジュールを構成することができる。