"第1の平面を有する第1のブロックと、第2の平面を有する第2のブロックと、複数のレーザダイオードとを有し、前記第1の平面上に2つの側面を有する溝を有し、前記複数のレーザダイオードは、前記溝の前記側面上と前記第2の平面上に配置され、前記第1のブロックと前記第2のブロックは、前記第1の平面と前記第2の平面が向かい合うようにステム上に配置され、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となっていることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。前記複数のレーザダイオードは、各々が同一面側にp電極とn電極を有し、前記p電極と前記n電極を有する面が、各々のレーザダイオードが配置された前記第1のブロック側、あるいは第2のブロック側となっていることを特徴とする請求項1に記載の多波長半導体レーザ装置。前記溝の前記側面上に配置されたレーザダイオードは、前記第1の平面上にワイヤボンディングされ、前記第2の平面上に配置されたレーザダイオードは、前記第2の平面上にワイヤボンディングされていることを特徴とする請求項1に記載の多波長半導体レーザ装置。第1の平面を有する第1のブロックと、第2の平面を有する第2のブロックと、第3の平面を有する第3のブロックと、複数のレーザダイオードとを有し、前記レーザダイオードは、前記第1の平面上と前記第2の平面上と前記第3の平面上に配置されており、前記第1のブロックと前記第2のブロックと前記第3のブロックが、前記第1の平面と前記第2の平面と前記第3の平面のそれぞれが三角柱形状の側面の一部を構成するようにステム上に配置され、前記複数のレーザダイオードは、各々同一面側にp電極とn電極を有し、前記p電極と前記n電極を有する面を、各々のレーザダイオードが配置された前記第1の平面あるいは前記第2の平面あるいは前記第3の平面側にして配置され、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となっていることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。第1の平面を有する第1のブロックと、第2の平面を有する第2のブロックと、第3の平面を有する第3のブロックと、複数のレーザダイオードとを有し、前記レーザダイオードは、前記第1の平面上と前記第2の平面上と前記第3の平面上に配置されており、前記第1のブロックと前記第2のブロックと前記第3のブロックが、前記第1の平面と前記第2の平面と前記第3の平面のそれぞれが三角柱形状の側面の一部を構成するようにステム上に配置され、前記第1の平面上に配置されたレーザダイオードは前記第1の平面上にワイヤボンディングされ、前記第2の平面上に配置されたレーザダイオードは前記第2の平面上にワイヤボンディングされ、前記第3の平面上に配置されたレーザダイオードは前記第3の平面上にワイヤボンディングされ、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となっていることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。第1のブロック上の第1の平面上に、2つの側面を有する断面V字型の溝を形成する溝形成工程と、前記溝形成工程の後、前記溝の2つの側面に、各々が同一面側にp電極とn電極を有する第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードを、前記p電極と前記n電極を有する面を前記溝の側面側にして載置する第1のマウント工程と、第2のブロック上の第2の平面上に、同一面側にp電極とn電極を有する第3のレーザダイオードを、前記p電極と前記n電極を有する面を前記第2の平面側にして載置する第2のマウント工程と、前記第1のマウント工程と前記第2のマウント工程の後、第1のブロックと第2のブロックを、前記第1の平面と前記第2の平面が向かい合うようにステム上に配置する工程を有することを特徴とする多波長半導体レーザ装置の製造方法。第1のブロック上の第1の平面上に、同一面側にp電極とn電極を有する第1のレーザダイオードを、前記p電極と前記n電極を有する面を前記第1の平面側にして載置する第1のマウント工程と、第2のブロック上の第2の平面上に、同一面側にp電極とn電極を有する第2のレーザダイオードを、前記p電極と前記n電極を有する面を前記第2の平面側にして載置する第2のマウント工程と、第3のブロック上の第3の平面上に、同一面側にp電極とn電極を有する第3のレーザダイオードを、前記p電極と前記n電極を有する面を前記第3の平面側にして載置する第3のマウント工程と、前記第1のマウント工程と前記第2のマウント工程と前記第3のマウント工程の後、前記第1のブロックと前記第2のブロックと前記第3のブロックを、前記第1の平面と前記第2の平面と前記第3の平面のそれぞれが三角柱形状の側面の一部を構成するようにステム上に配置する工程を有することを特徴とする多波長半導体レーザ装置の製造方法。第1のブロック上の第1の平面上に、2つの側面を有する断面V字型の溝を形成する溝形成工程と、前記溝形成工程の後、前記溝の2つの側面に第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードを載置する第1のマウント工程と、前記第1のマウント工程の後、前記第1の平面と前記第1のレーザダイオードおよび前記第2のレーザダイオードとをワイヤボンディングする第1のボンディング工程と、第2のブロック上の第2の平面上に第3のレーザダイオードを載置する第2のマウント工程と、前記第2のマウント工程の後、前記第2の平面と前記第3のレーザダイオードとをワイヤボンディングする第2のボンディング工程と、前記第1のボンディング工程と前記第2のボンディング工程の後、第1のブロックと第2のブロックを、前記第1の平面と前記第2の平面が向かい合うようにステム上に配置する工程を有することを特徴とする多波長半導体レーザ装置の製造方法。第1のブロック上の第1の平面上に第1のレーザダイオードを載置する第1のマウント工程と、前記第1のマウント工程の後、前記第1の平面と前記第1のレーザダイオードとをワイヤボンディングする第1のボンディング工程と、第2のブロック上の第2の平面上に第2のレーザダイオードを載置する第2のマウント工程と、前記第2のマウント工程の後、前記第2の平面と前記第2のレーザダイオードとをワイヤボンディングする第2のボンディング工程と、第3のブロック上の第3の平面上に第3のレーザダイオードを載置する第3のマウント工程と、前記第3のマウント工程の後、前記第3の平面と前記第3のレーザダイオードとをワイヤボンディングする第3のボンディング工程と、前記第1のボンディング工程と前記第2のボンディング工程と前記第3のボンディング工程の後、前記第1のブロックと前記第2のブロックと前記第3のブロックを、前記第1の平面と前記第2の平面と前記第3の平面のそれぞれが三角柱形状の側面の一部を構成するようにステム上に配置する工程を有することを特徴とする多波長半導体レーザ装置の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載の多波長レーザ装置においては、赤外LDと赤色LDが青紫色LD上に接着して配置されているため、赤外LDおよび赤色LDが動作時に発する熱をヒートシンクに効率的に放熱することができないという問題があった。また、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなるという問題があった。この発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、各レーザダイオードチップの発光点間の距離が短く光学設計が容易で放熱特性に優れ、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を提供するものである。この発明に係る多波長半導体レーザ装置は、第1の平面を有する第1のブロックと、第2の平面を有する第2のブロックと、複数のレーザダイオードとを有し、前記第1の平面上に2つの側面を有する断面V字型の溝を有し、前記複数のレーザダイオードは、前記溝の前記側面上と前記第2の平面上に配置され、前記第1のブロックと前記第2のブロックは、前記第1の平面と前記第2の平面が向かい合うようにステム上に配置され、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となっていることを特徴とするものである。また、この発明に係る多波長半導体レーザ装置は、第1の平面を有する第1のブロックと、第2の平面を有する第2のブロックと、第3の平面を有する第3のブロックと、複数のレーザダイオードとを有し、前記レーザダイオードは、前記第1の平面上と前記第2の平面上と前記第3の平面上に配置されており、前記第1のブロックと前記第2のブロックと前記第3のブロックが、前記第1の平面と前記第2の平面と前記第3の平面のそれぞれが三角柱形状の側面の一部を構成するようにステム上に配置され、前記複数のレーザダイオードは、各々同一面側にp電極とn電極を有し、前記p電極と前記n電極を有する面を、各々のレーザダイオードが配置された前記第1の平面あるいは前記第2の平面あるいは前記第3の平面側にして配置され、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となっていることを特徴とするものである。また、この発明に係る多波長半導体レーザ装置は、第1の平面を有する第1のブロックと、第2の平面を有する第2のブロックと、第3の平面を有する第3のブロックと、複数のレーザダイオードとを有し、前記レーザダイオードは、前記第1の平面上と前記第2の平面上と前記第3の平面上に配置されており、前記第1のブロックと前記第2のブロックと前記第3のブロックが、前記第1の平面と前記第2の平面と前記第3の平面のそれぞれが三角柱形状の側面の一部を構成するようにステム上に配置され、前記第1の平面上に配置されたレーザダイオードは前記第1の平面上にワイヤボンディングされ、前記第2の平面上に配置されたレーザダイオードは前記第2の平面上にワイヤボンディングされ、前記第3の平面上に配置されたレーザダイオードは前記第3の平面上にワイヤボンディングされ、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となっていることを特徴とするものである。また、この発明に係る多波長半導体レーザ装置の製造方法は、第1のブロック上の第1の平面上に、2つの側面を有する断面V字型の溝を形成する溝形成工程と、前記溝形成工程の後、前記溝の2つの側面に、各々が同一面側にp電極とn電極を有する第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードを、前記p電極と前記n電極を有する面を前記溝の側面側にして載置する第1のマウント工程と、第2のブロック上の第2の平面上に、同一面側にp電極とn電極を有する第3のレーザダイオードを、前記p電極と前記n電極を有する面を前記第2の平面側にして載置する第2のマウント工程と、前記第1のマウント工程と前記第2のマウント工程の後、第1のブロックと第2のブロックを、前記第1の平面と前記第2の平面が向かい合うようにステム上に配置する工程を有することを特徴とするものである。また、この発明に係る多波長半導体レーザ装置の製造方法は、第1のブロック上の第1の平面上に、同一面側にp電極とn電極を有する第1のレーザダイオードを、前記p電極と前記n電極を有する面を前記第1の平面側にして載置する第1のマウント工程と、第2のブロック上の第2の平面上に、同一面側にp電極とn電極を有する第2のレーザダイオードを、前記p電極と前記n電極を有する面を前記第2の平面側にして載置する第2のマウント工程と、第3のブロック上の第3の平面上に、同一面側にp電極とn電極を有する第3のレーザダイオードを、前記p電極と前記n電極を有する面を前記第3の平面側にして載置する第3のマウント工程と、前記第1のマウント工程と前記第2のマウント工程と前記第3のマウント工程の後、前記第1のブロックと前記第2のブロックと前記第3のブロックを、前記第1の平面と前記第2の平面と前記第3の平面のそれぞれが三角柱形状の側面の一部を構成するようにステム上に配置する工程を有することを特徴とするものである。また、この発明に係る多波長半導体レーザ装置の製造方法は、第1のブロック上の第1の平面上に、2つの側面を有する断面V字型の溝を形成する溝形成工程と、前記溝形成工程の後、前記溝の2つの側面に第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードを載置する第1のマウント工程と、前記第1のマウント工程の後、前記第1の平面と前記第1のレーザダイオードおよび前記第2のレーザダイオードとをワイヤボンディングする第1のボンディング工程と、第2のブロック上の第2の平面上に第3のレーザダイオードを載置する第2のマウント工程と、前記第2のマウント工程の後、前記第2の平面と前記第3のレーザダイオードとをワイヤボンディングする第2のボンディング工程と、前記第1のボンディング工程と前記第2のボンディング工程の後、第1のブロックと第2のブロックを、前記第1の平面と前記第2の平面が向かい合うようにステム上に配置する工程を有することを特徴とするものである。また、この発明に係る多波長半導体レーザ装置の製造方法は、第1のブロック上の第1の平面上に第1のレーザダイオードを載置する第1のマウント工程と、前記第1のマウント工程の後、前記第1の平面と前記第1のレーザダイオードとをワイヤボンディングする第1のボンディング工程と、第2のブロック上の第2の平面上に第2のレーザダイオードを載置する第2のマウント工程と、前記第2のマウント工程の後、前記第2の平面と前記第2のレーザダイオードとをワイヤボンディングする第2のボンディング工程と、第3のブロック上の第3の平面上に第3のレーザダイオードを載置する第3のマウント工程と、前記第3のマウント工程の後、前記第3の平面と前記第3のレーザダイオードとをワイヤボンディングする第3のボンディング工程と、前記第1のボンディング工程と前記第2のボンディング工程と前記第3のボンディング工程の後、前記第1のブロックと前記第2のブロックと前記第3のブロックを、前記第1の平面と前記第2の平面と前記第3の平面のそれぞれが三角柱形状の側面の一部を構成するようにステム上に配置する工程を有することを特徴とするものである。この発明によれば、各レーザダイオードチップの発光点間の距離が短く光学設計が容易で放熱特性に優れ、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。実施の形態1.図1は、実施の形態1に係る多波長半導体レーザ装置の概略斜視図である。また、図2は、本実施の形態1に係る多波長半導体レーザ装置のより詳細な上面図である。本実施の形態における多波長半導体レーザ装置は、金属板材を円板状に成形したステム101と、ステム101の上面に底面が載置された2つのブロック103、109と、ブロック103の一平面105上に形成された断面がV字型の溝107の2つの側面上およびブロック109の一平面111上に設置されたLD113と、ステム101を貫通して設けられたリードピン115と、LD113とリードピン115を繋ぐボンディングワイヤ117と、ステム101に接合された接地ピン図示せずとを備えている。ブロック103、109は、銅合金等の熱伝導率の高い金属材料で形成されており、ブロック103の一平面105に形成された溝107の方向は、溝107の側面上およびブロック109の一平面111上に設置するLD113の光の出射方向共振器方向と一致するように形成されている。本実施の形態では、溝107は、その断面形状が開口方向に向かって広がったV字形状をしている。したがって容易に溝107の側面にLD113をダイボンドすることができる。3つのLD111は、ブロック103に形成された溝107の側面およびブロック109上にそれぞれはんだ付けされている。LD113は、一平面側にn側電極211とp側電極213が形成されている。LD113の、溝107の側面およびブロック109上の設置は、サブマウントを介して設置してもよい。図2に、LD113を、サブマウントを介してブロック103、109に設置した場合の構造を示す。ブロック103、109の表面の一部に絶縁膜201が形成され、この絶縁膜201上に第1の導電膜203が形成されている。第1の導電膜203はサブマウント205の表面上の一部に形成された第2の導電膜207と電気的に接続されている。LD113のp側電極は第2の導電膜207と接続され、n側電極はサブマウント205と直接接続されている。サブマウント205は銅合金等の導電体材料で形成されており、第2の導電膜207は絶縁膜等図示せずを介してサブマウント205上に形成されており、サブマウント205と第2の導電膜207とは電気的に絶縁されている。LD113を、サブマウントを介さずブロックに設置する場合は、LD113のp側電極213は第1の導電膜203に接続され、n側電極211は直接ブロック103、109に接続される。LD113は、各LD113から放出されるレーザ光が、溝107の方向と平行な方向に放射されるように配置されている。リードピン115は、絶縁体を介してステム101を貫通しており、ブロック103、109上の第1の導電膜203とボンディングワイヤ117で電気的に接続される。接地ピン図示せずは、ステム101と溶接で接合されており、ステム101およびブロック103、109およびサブマウント205を介して各LD113のn側電極211と電気的に接続されている。3つのLD113の発振波長は、それぞれ780nm帯赤外、650nm帯赤色、405nm帯青紫色であり、これら3つのLD113の設置順は特に限定されない。ブロック103、109のステムへの設置は、LD113をブロック103、109へダイボンドした後に行う。まず、ブロック103の一平面105に溝107を形成し、溝107の側面上に2つのLD113を設置する。2つのLD113を設置した後、ブロック103をステム101へ設置する。ブロック109へのLD113の設置は、ブロック103をステム101へ設置する前でも後でも構わないが、ブロック109のステム101へ設置は、LD113の設置を設置した後に行う。ブロック103とブロック109は、ブロック103の一平面105に形成された溝107の側面上に設置されたLD113とブロック109の一平面111上に設置されたLD113が向かい合うようにステムへ設置される。ブロック103、109はステムへ設置された後、リードピン115とボンディングワイヤ117で電気的に接続される。このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、3つのLD113をブロック103、109に直接あるいはサブマウントを介してはんだ付けするので、このブロック103、109を介して各LD113の動作時に生じる熱を効率的に外部に放熱することができる。さらに、n側電極211とp側電極213が同じ側に形成されたLD113をブロック103、109あるいはサブマウント205上に設置することにより、リードピン115と各LD113との接続が容易になるので、従来技術に比べてアセンブリプロセスが容易になり、多波長半導体レーザ装置の製造コストを低くすることができる。本実施の形態では、ブロック103に形成した溝107を、その断面形状がV字となっている形状としたが、本発明はこの形状に限定されるものではなく、溝107の対向する側面に対して底面があるような形状であっても構わない。溝107の断面形状が開口方向に向かって広がった形状とすることにより、LD113のダイボンドをより容易に行うことができる。また、本実施の形態では、ブロック103の溝107を形成した同じ平面上にワイヤボンディングを行う形状としたが、本発明はこの形状に限定されるものではなく、溝107を形成する面とワイヤボンディングされる面に段差や突起等があっても構わない。本実施の形態によれば、多波長半導体レーザ装置を、第1の平面105を有する第1のブロック103と、第2の平面111を有する第2のブロック109と、複数の113とを有し、第1の平面105上に2つの側面を有する断面V字型の溝107を有し、複数のレーザダイオード113は、溝107の側面上と第2の平面111上に配置され、第1のブロック103と第2のブロック109は、第1の平面105と第2の平面111が向かい合うように配置され、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となるように構成したので、各LD111の発光点間の距離が短く光学設計が容易で放熱特性に優れ、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。実施の形態2.図3は本発明の他の実施の形態2の多波長半導体レーザ装置の上面図を示す。本実施の形態2における多波長半導体レーザ装置は、3つのLDのそれぞれを個別のブロック上に設置し、各ブロック上の各LDが搭載された面が三角柱形状の側面の一部を構成して各LDが該三角柱の内側に位置するように、ステム上に各ブロックを設置するように構成したものである。本実施の形態2に係る多波長半導体レーザ装置は、金属板材を円板状に成形したステム101と、ステム101の上面に底面が載置された第1のブロック301と第2のブロック303と第3のブロック305と、第1のブロック301と第2のブロック303と第3のブロック305の上に設置された3つのLD113と、ステム101を貫通して設けられたリードピン115と、LD113とリードピン115を繋ぐボンディングワイヤ117と、ステム101に接合された接地ピン図示せずとを備えている。ブロック301、303、305は本実施の形態1と同様、銅合金等の熱伝導率の高い金属材料で形成されている。ブロック301は第1の平面307を有し、ブロック303は第2の平面309を有し、ブロック305は第3の平面311を有している。ブロック301、303、305は、第1の平面307、第2の平面309、第3の平面311を内側にしてこれらの面が三角柱形状の側面の一部となるような構成でステム101上に載置されている。ただし各面は接しておらず、完全な三角柱を形成しているわけではない。3つのブロックの間には間隔が存在する。第1の平面307および第2の平面309および第3の平面311上の各々に、共振器方向が同じ方向となるようにLD113が配置されており、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となっている。3つのLD113は、実施の形態1と同様、一平面側にn側電極とp側電極が形成されており、ブロック上に形成された導電膜を介してリードピンと接続されている。また、LD113は、実施の形態1と同様、サブマウントを介してブロック301、303,305上に設置してもよい。3つのLD113の設置順は特に限定されない。ブロック301、305、307のステム101への設置は、LD113をブロック301、305、307へダイボンドした後に行う。各ブロック301、305、307へのLD113の設置がすべて完了してから、ブロック301、305、307をステム101へ設置しても構わないが、一つのブロックについて、LD113を設置してからステム101へ設置し、その後で次のブロックについて、同様にLD113を設置してからステム101への設置を行っても構わない。ブロック301、305、307は、第1の平面307、第2の平面、第3の平面311を内側にしてこれらの面が三角柱を形成するようにステム101に載置される。ブロック301、305、307はステム101へ設置された後、リードピン115とボンディングワイヤ117で電気的に接続される。このように多波長半導体レーザ装置を構成しても、実施の形態1と同様、3つのLD113をブロック301、303、305に直接あるいはサブマウントを介してはんだ付けするので、このブロック301、303、305を介して各LD111の動作時に生じる熱を効率的に外部に放熱することができる。また、n側電極とp側電極が同じ側に形成されたLD113をブロック301、303、305あるいはサブマウント上に設置することにより、リードピン115と各LD113との接続が容易になるので、従来技術に比べてアセンブリプロセスが容易になり、多波長半導体レーザ装置の製造コストを低くすることができる。本実施の形態2によれば、多波長半導体レーザ装置を、第1の平面307を有する第1のブロック301と、第2の平面309を有する第2のブロック303と、第3の平面311を有する第3のブロック305と、複数のLD113とを有し、LD113は、第1の平面307上と第2の平面309上と第3の平面311上に配置されており、第1のブロック301と第2のブロック303と第3のブロック305が、第1の平面307と第2の平面309と第3の平面311のそれぞれが三角柱形状の側面の一部を構成するようにステム上に配置され、複数のLD113は、各々同一面側にp電極とn電極を有し、p電極とn電極を有する面を、各々のLD113が配置された第1の平面307あるいは第2の平面309あるいは第3の平面311側にして配置され、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となるように構成したので、各LD113の発光点間の距離が短く光学設計が容易で放熱特性に優れ、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。したがってこのような多波長半導体レーザ装置であっても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。実施の形態3.図4は本発明の他の実施の形態3の多波長半導体レーザ装置の上面図を示す。本実施の形態3に係る多波長半導体レーザ装置は、ブロック103の一平面105上に形成された断面がV字型の溝107の2つの側面上およびブロック109の一平面111上に設置されたLD113と、平面105、111上に絶縁膜401を介して形成された導電膜403と、LD113と導電膜403を繋ぐ第1のボンディングワイヤ405と、導電膜403とリードピン115を繋ぐ第2のボンディングワイヤ407とを備えている。その他の構成は実施の形態1と同様である。ブロック103、109は、LD113をブロック103、109へ設置し、第1のボンディングワイヤ405でボンディングした後にステム101へ設置される。ブロック103、109のステム101への設置の後、導電膜403とリードピン115が第2のボンディングワイヤ407でボンディングされる。本実施の形態3のLD113は、表面にp側電極図示せず、裏面にn側電極図示せずを有しており、表面のp側電極はボンディングワイヤ405と接続され、裏面のn側電極は、ブロック103、109と接続される。LD113のブロック103、109との接続は、実施の形態1と同様、サブマウントを介して設置してもよい。本実施の形態3では、サブマウントを介してLD113をブロック103、109上に設置している。サブマウントはブロック103、109とはんだ409で接続されている。このように多波長半導体レーザ装置を構成しても、実施の形態1と同様、3つのLD113を、ブロック103、109に直接あるいはサブマウントを介してはんだ付けするので、このブロック103、109を介して各LD113の動作時に生じる熱を効率的に外部に放熱することができる。本実施の形態3によれば、多波長半導体レーザ装置を、第1の平面105を有する第1のブロック103と、第2の平面111を有する第2のブロック109と、複数の113とを有し、第1の平面105上に2つの側面を有する断面V字型の溝107を有し、複数のレーザダイオード113は、溝107の側面上と第2の平面111上に配置され、第1のブロック103と第2のブロック109は、第1の平面105と第2の平面111が向かい合うように配置され、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となるように構成し、さらに、LD113と導電膜403を第1のボンディングワイヤ405で繋ぐことにより、リードピン115と各LD113とを接続ように構成したので、各LD111の発光点間の距離が短く光学設計が容易で放熱特性に優れ、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。したがってこのような多波長半導体レーザ装置であっても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。実施の形態4.図5は本発明の他の実施の形態の多波長半導体レーザ装置の上面図を示す。本実施の形態4に係る多波長半導体レーザ装置は、ブロック301、303、309の平面307、309、311上に設置されたLD113と、平面307、309、311上に絶縁膜501を介して形成された導電膜503と、LD113と導電膜503を繋ぐボンディングワイヤ505とを備えている。その他の構成は実施の形態2と同様である。ブロック301、303、305は、LD113をブロック301、303、305へ設置し、第1のボンディングワイヤ505でボンディングした後にステム101へ設置される。ブロック301、303、305のステム101への設置の後、導電膜503とリードピン115が第2のボンディングワイヤ507でボンディングされる。また、LD113は、実施の形態1と同様、サブマウントを介して設置してもよい。LD113とブロック301、303、305との接続は、実施の形態3と同様である。このように多波長半導体レーザ装置を構成しても、実施の形態1と同様、3つのLD113を、ブロック301、303、305に直接あるいはサブマウントを介してはんだ付けするので、このブロック301、303、305を介して各LD113の動作時に生じる熱を効率的に外部に放熱することができる。本実施の形態4によれば、多波長半導体レーザ装置を、第1の平面307を有する第1のブロック301と、第2の平面309を有する第2のブロック303と、第3の平面311を有する第3のブロック305と、複数のLD113とを有し、LD113は、第1の平面307上と第2の平面309上と第3の平面311上に配置されており、第1のブロック301と第2のブロック303と第3のブロック305が、第1の平面307と第2の平面309と第3の平面311のそれぞれが三角柱形状の側面の一部を構成するようにステム上に配置され、複数のLD113は各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となるように構成し、さらにLD113と導電膜503を第1のボンディングワイヤ505で繋ぐことにより、リードピン115と各LD113とを接続ように構成したので、各LD113の発光点間の距離が短く光学設計が容易で放熱特性に優れ、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。したがってこのような多波長半導体レーザ装置であっても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、3つのLD113として、発振波長が、それぞれ780nm帯赤外、650nm帯赤色、405nm帯青紫色のLDが用いられているが、それぞれのLDの発振波長は赤/緑/青色の3色となる波長でもよく、また同じ波長のLDであってもよい。なお、図面および明細書では本発明の典型的な好ましい実施形態を開示しており、特定の用語を使用しているが、それらは一般的かつ記述的な意味合いでのみ使用しており、本明細書に記載の特許請求の範囲を限定することを目的とするものではないことは言うまでもない。"