被処理体の外形寸法と略同じ外形寸法を有し前記被処理体全体が載置される試料台上の前記被処理体にレーザ光を相対的に走査しつつ照射して前記被処理体の処理を行うレーザ処理装置において、照射雰囲気を形成するガスを前記被処理体の照射部分近傍に噴射するガス噴射部と、前記試料台の走査方向端部に設けられ、前記走査方向に沿って伸張する端部整流面とを有することを特徴とするレーザ処理装置。前記端部整流面は、試料台に載置された被処理体上面と略同じ高さを有していることを特徴とする請求項2記載のレーザ処理装置。前記走査方向と直交する方向の前記試料台端部に、前記直交方向に沿って伸張する副方向端部整流面が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ処理装置。前記ガス噴射部近傍から前記走査方向に沿って前記被処理体表面と距離を保ちつつ伸張する整流面を備えることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のレーザ処理装置。前記整流面は、前記走査方向における前方および後方に伸張していることを特徴とする請求項4記載のレーザ処理装置。前記整流面は、前記走査における要移動時間が10秒以上となる位置まで走査方向に伸張していることを特徴とする請求項4または5に記載のレーザ処理装置。前記レーザ光がラインビーム形状を有するものであることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のレーザ処理装置。前記被処理体の処理が、非晶質の半導体薄膜からなる被処理体に前記レーザ光を照射して結晶化させるアニール処理であることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載のレーザ処理装置。前記照射雰囲気内の酸素濃度を測定する酸素濃度計を有することを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載のレーザ処理装置。上記の従来装置では、レーザ光に対しアモルファスシリコン基板を試料台とともに移動させてレーザ光の走査を可能にすることで、アモルファスシリコンの任意の領域での処理を可能にしている。このため、上記従来技術のうちイでは、試料台移動前の照射前位置は基板上部が大気と触れ合っているため、試料台が動いた直後の照射面は大気雰囲気が混入しやすい。スイングノズル又はスリット近傍はガスが流れ、目的の雰囲気に置換されるが、照射面内において部分的に大気の中の酸素が混入し、試料台移動直後における照射面内の酸素濃度分布均一性が確保されないという問題がある。また、従来技術のロでも同様に、局所シールド下面外の照射前位置は大気雰囲気であり、照射位置へ動いた直後は照射面内において部分的に大気の中の酸素が混入し、試料台移動直後における照射面内の酸素濃度分布均一性が確保されないという問題がある。これら共通の課題として、照射位置付近のガス流量分布自身も確認する手段が無く、外乱によって分布が乱されても管理されないという問題もある。また、これらの従来装置では、試料台が基板と略同じ外形寸法を有しているため、基板の端部を処理する際には、内側と外側とでガスの流れが異なり、特に端部の外側では、上下に開放されているため、ガスが早期に放散してシールド効果が薄まり、雰囲気内への酸素の流入が起こりやすいという問題もある。本発明は上記事情を背景としてなされたものであり、レーザ光の照射部近傍からその周囲の走査方向に亘ってガス雰囲気を生成することで、雰囲気を適切に確保して良好なレーザ処理を可能にするレーザ処理装置を提供することを目的とする。すなわち、請求項1記載のレーザ処理装置の発明は、被処理体の外形寸法と略同じ外形寸法を有し前記被処理体全体が載置される試料台上の前記被処理体にレーザ光を相対的に走査しつつ照射して前記被処理体の処理を行うレーザ処理装置において、照射雰囲気を形成するガスを前記被処理体の照射部分近傍に噴射するガス噴射部と、前記試料台の走査方向端部に設けられ、前記走査方向に沿って伸張する端部整流面とを有することを特徴とする。請求項1記載の発明によれば、走査方向端部の試料台に端部整流面が設けられていることにより、ガス噴射部から噴射されたガスが拡がりながら端部整流面で下方への拡散が阻止され、よって試料台端部内側と同様に試料台端部外側にガス雰囲気を形成することができ、雰囲気への外方からの大気などの流入を防止することができる。なお、被処理体とレーザ光の相対的な走査は、照射位置が移動するものであれば良く、被処理体とレーザ光のいずれを移動するかは特に限定されず、両方が移動するものであってもよい。通常は、被処理体を載置する試料台を移動させることでレーザ光の走査を可能にする。また、雰囲気を形成するガスの種類は本発明としては特に限定されるものではないが、通常は窒素などの不活性ガスが用いられる。このガスをレーザ光照射部近傍に向けて照射するガス噴射部としては、通常は、レーザビームを囲む形状に形成された噴射口を用いることができる。請求項2記載のレーザ処理装置の発明は、請求項1記載の発明において、前記端部整流面は、試料台に載置された被処理体上面と略同じ高さを有していることを特徴とする。請求項2記載の発明によれば、試料台端部内側と同様のガスの流れが生成され、端部内側と端部外側の雰囲気を同等に維持することができる。なお、端部整流面を被処理体上面よりも僅かに高くすれば、上記作用に加えて被処理体上面を外側から囲む作用も得られ、ガス雰囲気の形成がより確実になされる。請求項3記載のレーザ処理装置の発明は、請求項1または2に記載の発明において、前記走査方向と直交する方向の前記試料台端部に、前記直交方向に沿って伸張する副方向端部整流面が設けられていることを特徴とする。請求項3記載の発明によれば、試料台を回転させて走査方向を変更するような処理においても前記端部整流面と同様の作用を副方向端部整流面によって得ることができる。請求項4記載のレーザ処理装置の発明は、請求項1~3のいずれかに記載の発明において、前記ガス噴射部近傍から前記走査方向に沿って前記被処理体表面と距離を保ちつつ伸張する整流面を備えることを特徴とする。請求項4記載の発明によれば、ガス噴射部から噴射されたガスがレーザ光照射部近傍から周囲に流れる際に、整流面によって上方への拡散が阻止されて被処理体の面方向に沿って走査方向に流れるため、整流面の下方側で広い範囲に亘ってガス雰囲気を形成することができる。この結果、被処理体とレーザ光とが相対的に走査される際に、走査方向前方が早い段階でガス雰囲気が形成され、レーザ光照射に至るときには照射面に対し、酸素濃度を十分に低下させた良好なガス雰囲気下で処理を行うことができる。また、従来の装置では照射面の雰囲気を安定化するために必要としていたガス流量を削減することができる。それとともに、安定化に必要な待ち時間を短縮することが可能である。また、広範囲にガス雰囲気が形成されることで、最大走査速度を大きくすることも可能になる。なお、整流面と被処理体との距離は、あまりに大きいと整流効果が小さくなり、距離が小さすぎると通気抵抗が大きくなりすぎるので、ガス噴射圧力などを考慮して適宜の距離に定める。通常は、該隙間としては1~10mm程度が良好である。整流面は、整流板の設置などにより形成することができるが、板状に限定されず、ブロック状の部材の配置などによって形成することもできる。整流面は、ガス噴射部に連なって連続的に伸張するものが好ましいが、必ずしもガス噴射部に連なっていたり、連続的に伸張するものでなくてもよく、要は整流作用が得られるように配置されているものであればよい。また、請求項4記載の発明によれば、前記整流面および端部整流面による作用が得られるとともに、前記整流面と端部整流面とが対面すると、扁平な通気路が形成され、上下方向へのガスの放散が阻止されるので、ガス雰囲気の形成がより確実かつ迅速になされる。請求項5記載のレーザ処理装置の発明は、請求項4記載の発明において、前記整流面は、前記走査方向における前方および後方に伸張していることを特徴とする。請求項5記載の発明によれば、走査方向の後方側に整流面を設けることで、レーザ処理を行った部分をその後もしばらくはガス雰囲気に保つことができ、レーザ照射後の物性変化などを良好に進行させることができる。請求項6記載のレーザ処理装置の発明は、請求項4または5に記載の発明において、前記整流面は、前記走査における要移動時間が10秒以上となる位置まで走査方向に伸張していることを特徴とする。請求項6記載の発明によれば、レーザ光の照射前または照射後に被処理体表面が少なくとも10秒はガス雰囲気下に置かれることになり、被処理体表面近傍にある酸素を十分且つ確実に排除してレーザ処理を良好にする。なお、上記要移動時間は、15秒以上であるのが望ましく、20秒以上であるのが一層望ましい。請求項7記載のレーザ処理装置の発明は、請求項1~6のいずれかに記載の発明において、前記レーザ光がラインビーム形状を有するものであることを特徴とする。請求項8記載のレーザ処理装置の発明は、請求項1~7のいずれかに記載の発明において、前記被処理体の処理が、非晶質の半導体薄膜からなる被処理体に前記レーザ光を照射して結晶化させるアニール処理であることを特徴とする。請求項9記載のレーザ処理装置の発明は、請求項1~8のいずれかに記載の発明において、前記雰囲気内の酸素濃度を測定する酸素濃度計を有することを特徴とする。請求項9記載の発明によれば、雰囲気内の酸素濃度を測定することで、雰囲気の形成が良好になされているか否かを容易に把握して管理することができ、雰囲気の形成が良好になされていない場合には、ガスの噴射量を増やすなどの処置を行うことができる。以上、説明したように、本発明のレーザ処理装置によれば、被処理体の外形寸法と略同じ外形寸法を有し前記被処理体全体が載置される試料台上の前記被処理体にレーザ光を相対的に走査しつつ照射して前記被処理体の処理を行うレーザ処理装置において、照射雰囲気を形成するガスを前記被処理体の照射部分近傍に噴射するガス噴射部と、前記試料台の走査方向端部に設けられ、前記走査方向に沿って伸張する端部整流面とを有するので、試料台端部側でのガス雰囲気を走査方向内側、外側ともに良好に形成することができる。また、被処理体の搬出、搬入に際し、端部整流面側にガス噴射部を対比させてガスを噴射したままにしておくことで、次に被処理体を処理する際に、走査を開始する被処理体の端部側の雰囲気を早期にガス雰囲気にして処理の効率を高めることができる。また、前記ガス噴射部近傍から前記走査方向に沿って前記被処理体表面と距離を保ちつつ伸張する整流面が設けることにより、走査方向に沿って広範囲にガス雰囲気を形成することができ、レーザ光照射時のガス雰囲気を良好にしてレーザ処理をより良好なものにすることができる。参考形態以下に、本発明の一参考形態のレーザアニール処理装置を図1、2に基づいて説明する。図1に示すように、平面方向軸X及びYを有する試料台12が図示左右方向に移動可能に設置されており、該試料台12の上方に長尺なレーザ照射筒6が配置されている。該レーザ照射筒6の上方にガラスなどにより構成されるレーザ光導入窓4が設けられて封止されている。該レーザ光導入窓4には、レーザ光源1より出力されて光学系2を経たレーザ光3が入射されて、下方側に照射されるように構成されている。これにより、レーザ光3は、試料台12の移動方向との逆の方向に走査されることになる。レーザ照射筒6は、側面にガス供給管5が接続されており、下端側に、図2に示すように、走査方向の前方および後方側に沿って伸張する整流板7a、7bが一体になって設けられており、整流板7a、7b間に形成された長尺なスリットがレーザ光照射口兼ガス噴射口8となっている。したがって、レーザ光照射口兼ガス噴射口8がガス噴射部として機能する。上記レーザ光照射口兼ガス噴射口8には、図2に示すように、複数の酸素濃度測定口15が形成されており、該酸素濃度測定口15には、外部の酸素濃度計16が配管接続されている。次に、上記レーザアニール処理装置の動作について説明する。試料台12に被処理体として、被処理基板9上に形成された非晶質半導体薄膜10を設置する。レーザ光源1からは、パルス状に発振されたレーザビーム3が光学系2を通過して線条となったビームラインビームとなり、レーザ光導入窓4およびレーザ照射筒6内、レーザ光照射口兼ガス噴射口8を通して非晶質半導体薄膜10の照射面11に照射される。また、これに先立ってガス供給管5より雰囲気ガスとして窒素ガスがレーザ照射筒6内に導入され、開口部分であるレーザ光照射口兼ガス噴射口8を通して下方に噴射される。噴射されたガスは、非晶質半導体薄膜10の照射面11近傍に移動するとともに、整流板7a、7bの下面側の整流面によって上方への拡散が阻止され、非晶質半導体薄膜10の上面と整流板7a、7bの下面側の整流面とで形成される通気空間を通して走査方向前方および走査方向後方に整流されつつ拡散してガス雰囲気を形成する。非晶質半導体薄膜10は、前記レーザ光3のパルスに合わせて移動する試料台12によって設定した照射開始位置に移動させた後、一定の速度にて移動しながらレーザ光3を照射することによってレーザ光3が走査されて照射面11が移動し、この移動する照射面11によって非晶質半導体薄膜10の任意の領域が結晶化される。この際に、非晶質半導体薄膜10の走査方向前方13および走査方向後方14は、整流板7a、7bによって整流されたガスによってガス雰囲気が形成されており、酸素を効果的に除外して良好なガス雰囲気が形成されている。また、ガス雰囲気中での酸素濃度も走査方向において略一定に維持することができる。このガス雰囲気によって続いてレーザ照射が行われる非晶質半導体薄膜10の照射面11が早期にガス雰囲気下に置かれ、酸素が十分に除外されていることによりレーザアニールを良好に行うことができる。また、レーザ光照射後もしばらくの間は、整流板7bによって良好なガス雰囲気下に置かれるので、レーザアニールの作用が良好に進行して良質に結晶化がなされる。なお、整流板7a、7bの走査方向の伸張長さは、図3に示すように、レーザ光照射口兼ガス噴射口8の中央から走査方向端部までの長さが、走査に際し20秒以上を要する長さとするのが望ましい。したがって、例えば走査速度は10mm/秒であると、上記長さは200mm以上であるのが望ましい。これは、20秒以上ガス雰囲気下に置くことで酸素を十分に除外して良好なレーザアニールを行うことを可能にするためである。20秒未満、特に10秒未満の長さであると、酸素の除外が十分ではなくてレーザアニールの処理に影響が生じる可能性がある。また、レーザ光照射中及び装置待機中の照射雰囲気は、レーザ光照射口兼ガス噴射口8付近に設置された複数の酸素濃度測定口15から配管接続された酸素濃度計16によって常時、酸素濃度が管理される。この酸素濃度が予め定めた安全値を超えるような場合には、ガスの供給量を増やしたり、走査速度を小さくしたり、警報等を発したり、装置の稼働を呈することによって品質管理を行うことができる。実施形態1次に、本発明の一実施形態を図4に基づいて説明する。なお、上記参考形態と同様の構成については同一の符号を付している。平面方向軸X及びYを有する試料台12が図示左右方向に移動可能に設置されており、該試料台12の上方に長尺なレーザ照射筒6が配置されている。該レーザ照射筒6の上方にレーザ光導入窓4が設けられ封止されている。該レーザ光導入窓4には、レーザ光源1より出力されて光学系2を経たレーザ光3が入射されて、下方側に照射されるように構成されている。これにより、レーザ光は、試料台11の移動方向との逆の方向に走査されることになる。レーザ照射筒6は、側面にガス供給管5が接続されており、下端側にレーザ光照射口兼ガス噴射口8が設けられている。試料台12は、前記走査方向端部において走査方向に沿った端部整流板17a、17bが設けられており、この実施形態では、端部整流板17a、17bの上面は、試料台12に載置される非晶質半導体薄膜10の上面と略同じ高さで、僅かに上方に高くなっている。次に、上記レーザアニール処理装置の動作について説明する。試料台12に被処理体として、被処理基板9上に形成された非晶質半導体薄膜10を設置する。この非晶質半導体薄膜10は、試料台12に全体が載る大きさを有しており、試料台12の外形寸法が僅かに非晶質半導体薄膜10の外形寸法を上回っている。レーザ光源1からは、発振されたレーザビーム3が光学系2を通過して線条となったビームラインビームとなり、レーザ光導入窓4およびレーザ照射筒6内、レーザ光照射口兼ガス噴射口8を通して非晶質半導体薄膜10の照射面11にパルス状に照射される。また、これに先立ってガス供給管5より雰囲気ガスとして窒素ガスがレーザ照射筒6内に導入され、開口部分であるレーザ光照射口兼ガス噴射口8を通して下方に噴射され、照射面11近傍から外方へと拡がってガス雰囲気を形成する。非晶質半導体薄膜10は、前記レーザ光3のパルスに合わせて移動する試料台12によって設定した照射開始位置に移動させた後、一定の速度にて移動しながらレーザ光3を照射することによって、移動する照射面によって任意の領域が結晶化される。この際に、レーザ光3の照射位置が非晶質半導体薄膜10の端部付近に至ると、非晶質半導体薄膜10の走査方向外側では、整流板17aまたは整流板17bによってガスが整流されて走査方向内側と同様にガス雰囲気が形成され、走査方向内側、外側でのガス雰囲気を同程度にすることができる。これにより、非晶質半導体薄膜10の端部も内側と同様にレーザアニール処理によって良質な結晶化を行うことができる。また、上記整流板17aまたは17bは、処理を終了した被処理体を搬出し、新たな非晶質半導体薄膜10を試料台12に搬入、設置する際に、役立たせることができる。すなわち、図5に示すように、上記搬出、搬入に際し、試料台12の移動によってレーザ光照射口兼ガス噴射口8が上記整流板17aまたは17bの上方に位置するように退避させる。通常は、試料台12を移動前の位置に復帰させる。これに合わせ、上記搬出入に際しガスの噴出を停止することなく継続することで、レーザ光照射位置周辺の酸素をある程度排除し、引き続き行うアニール処理に際し、レーザ光の照射開始に先立って行うガス噴射を短時間にして処理開始を早期に行うことを可能にする効果もある。また、この実施形態においても、レーザ光照射中及び装置待機中の照射雰囲気は、レーザ光照射口兼ガス噴射口8付近に設置された複数の酸素濃度測定口15から配管接続された酸素濃度計16によって常時、酸素濃度を管理することができる。この酸素濃度が予め定めた安全値を超えるような場合には、上記参考形態と同様にガスの供給量を増やしたり、走査速度を小さくしたり、警報等を発したり、装置の稼働を停止することによって品質管理を行うことができる。実施形態2次に他の実施形態を図6に基づいて説明する。平面方向軸X及びYを有する試料台12が図示左右方向に移動可能に設置されており、該試料台12の上方に長尺なレーザ照射筒6が配置されている。該レーザ照射筒6の上方にレーザ光導入窓4が設けられて封止されている。該レーザ光導入窓4には、レーザ光源1より出力されて光学系2を経たレーザ光3が入射されて、下方側に照射されるように構成されている。これにより、レーザ光3は、試料台11の移動方向との逆の方向に走査されることになる。レーザ照射筒6は、側面にガス供給管5が接続されており、下端側に、走査方向の前方および後方側に沿って伸張する整流板7a、7bが設けられており、整流板7a、7bに確保された隙間がレーザ光照射口兼ガス噴射口8となっている。したがって、レーザ光照射口兼ガス噴射口8がガス噴射部として機能する。また、試料台12は、前記走査方向端部において走査方向に沿った端部整流板17a、17bが設けられており、この実施形態では、端部整流板17a、17bの上面は、試料台12に載置される非晶質半導体薄膜10の上面と略同じ高さで、僅かに上方に高くなっている。次に、上記レーザアニール処理装置の動作について説明する。試料台12に被処理体として、被処理基板9上に形成された非晶質半導体薄膜10を設置する。この非晶質半導体薄膜10は、試料台12に全体が載る大きさを有しており、試料台12の外形寸法が僅かに非晶質半導体薄膜10の外形寸法を上回っている。レーザ光源1からは、発振されたレーザビーム3が光学系2を通過して線条となったビームラインビームとなり、レーザ光導入窓4およびレーザ照射筒6内、レーザ光照射口兼ガス噴射口8を通して非晶質半導体薄膜10の照射面11にパルス状に照射される。また、これに先立ってガス供給管5より雰囲気ガスとして窒素ガスがレーザ照射筒6内に導入され、開口部分であるレーザ光照射口兼ガス噴射口8を通して下方に噴射される。噴射されたガスは、照射面11近傍に移動するとともに、整流板7a、7bの下面側の整流面によって上方への拡散が阻止され、非晶質半導体薄膜10の上面と整流板7a、7bの下面側の整流面とで形成される通気空間を通して走査方向前方および走査方向後方に整流されつつ拡散する。非晶質半導体薄膜10は、前記レーザ光3のパルスに合わせて移動する試料台12によって設定した照射開始位置に移動させた後、一定の速度にて移動しながらレーザ光3を照射することによって、移動する照射面によって任意の領域が結晶化される。この際に、非晶質半導体薄膜10の走査方向前方13および走査方向後方14は、整流板7a、7bによって整流されたガスによってガス雰囲気が形成されており、酸素を効果的に除外して良好なガス雰囲気が形成されている。また、ガス雰囲気中での酸素濃度も走査方向において略一定に維持することができる。このガス雰囲気によって続いてレーザ照射が行われる。非晶質半導体薄膜10の表面が早期にガス雰囲気下に置かれ、酸素が十分に除外されていることによりレーザアニールを良好に行うことができる。また、レーザ光照射後もしばらくの間は、整流板7bによって良好なガス雰囲気下に置かれるので、レーザアニールの作用が良好に進行して良質に結晶化がなされる。また、この際に、レーザ光3の照射位置が非晶質半導体薄膜10の端部付近に至ると、非晶質半導体薄膜10の走査方向外側では、整流板7aと端部整流板17bまたは整流板7bと端部整流板17aによってガスが整流されて走査方向内側と同様にガス雰囲気が形成され、走査方向内側、外側でのガス雰囲気を同程度に良好にすることができる。これにより、非晶質半導体薄膜10の端部も内側と同様にレーザアニール処理によって良質な結晶化を行うことができる。また、この実施形態においても、レーザ光照射中及び装置待機中の照射雰囲気は、レーザ光照射口兼ガス噴射口8付近に設置された複数の酸素濃度測定口15から配管接続された酸素濃度計16によって常時、酸素濃度を管理することができる。この酸素濃度が予め定めた安全値を超えるような場合には、上記参考形態と同様にガスの供給量を増やしたり、走査速度を小さくしたり、警報等を発したり、装置の稼働を停止することによって品質管理を行うことができる。実施形態3さらに他の実施形態を図7に基づいて説明する。この実施形態では、実施形態1のレーザアニール処理装置において、前記走査方向と直交する方向の試料台12の両端部に、副方向端部整流板27a、27bを設けたものである。該副方向端部整流板27a、27bは、上記走査方向におけるレーザ光の照射およびガスの噴射では、副方向に流れるガスを整流する作用を有するが、さらには、例えば、必要に応じて試料台12を90度回転させた状態で移動させてレーザ光の照射を行う場合、該副方向端部整流板27a、27bが端部整流板17a、17bに変わってガスの整流作用を果たすことができる。なお、該副方向端部整流板27a、27bは、上記実施形態2のレーザアニール処理装置に組み込むことによって同様の効果を得ることもできる。