液体封止引き上げ法によるGaP単結晶の製造方法において、GaP単結晶を加工して得られるGaP単結晶ウエハのウエハ径LWに対する、結晶育成に用いるルツボの内径Lcの比Lc/Lwを1.7以上1.9以下とし、かつ、引き上げ方向の結晶長1mmあたりにおける、育成中のGaP単結晶と融液の間の固液界面形状の凸度の変化量を±1.3mm以内に規制することを特徴とする、GaP単結晶の製造方法。前記固液界面形状の凸度の変化量を±1.0mm以内に規制することを特徴とする、請求項1に記載のGaP単結晶の製造方法。請求項1または2に記載のGaP単結晶の製造方法により得られ、直胴部の平均直径が72~85mmの範囲にあり、かつ、ウエハ径70~80mmのGaP単結晶ウエハを得るためのGaP単結晶であって、該GaP単結晶を、その中心軸を通るように[011]の方位に切断して、エッチングにより成長縞を観察した場合、成長界面の凸度の変化量が±1.3mm以内であることを特徴とする、GaP単結晶。請求項1または2に記載のGaP単結晶の製造方法により得られ、円筒加工がさらに施されたGaP単結晶であって、直胴部の直径が70~80mmの範囲にあり、該直胴部から、厚さ240μm以下のGaP単結晶ウエハを切り出した場合に、反り量が40μm以下であるGaP単結晶ウエハの収率が90以上となることを特徴とする、GaP単結晶。本発明の目的は、ウエハ径が70mm以上と大口径であって、厚さを240μm以下と薄板化した場合であっても、反り量が40μm以下である、GaP単結晶ウエハを収率よく提供することを目的とする。本発明は、液体封止引き上げ法によるGaP単結晶の製造方法に関する。特に、本発明においては、GaP単結晶を加工して得られるGaP単結晶ウエハのウエハ径LWに対する、結晶育成に用いるルツボの内径Lcの比Lc/Lwを1.7以上1.9以下とし、かつ、引き上げ方向の結晶長1mmあたりにおける、育成中のGaP単結晶と融液の間の固液界面形状の凸度の変化量を±1.3mm以内に規制することを特徴としている。前記固液界面形状の凸度の変化量を±1.0mm以内に規制することが好ましい。本発明のGaP単結晶は、上記のGaP単結晶の製造方法により得られ、直胴部の平均直径が72~85mmの範囲にあり、かつ、ウエハ径70~80mmのGaP単結晶ウエハを得るためのGaP単結晶である。特に、本発明のGaP単結晶は、その中心軸を通るように[011]の方位に切断して、エッチングにより成長縞を観察した場合に、成長界面の凸度の変化量が±1.3mm以内であることを特徴とする。また、本発明のGaP単結晶は、上記のGaP単結晶の製造方法により得られ、円筒加工がさらに施され、直胴部の直径が70~80mmの範囲にあり、該直胴部から、厚さ240μm以下のGaP単結晶ウエハを切り出した場合に、反り量が40μm以下であるGaP単結晶ウエハの収率が90以上となることを特徴とする。本発明のGaP単結晶の製造方法では、育成中のGaP単結晶と融液の間の固液界面の下向きの凸面形状を形成するタイミングを適切に調整して、引き上げ方向の結晶長1mmあたりにおける、育成中のGaP単結晶と融液の間の固液界面形状の凸度の変化量を±1.3mm以内に規制している。これにより、得られたGaP単結晶からGaP単結晶ウエハを得る際に、ウエハ径70mm以上の大口径でありながら、厚さ240μm以下まで薄板化した場合であっても、反り量40μm以下のGaP単結晶ウエハを収率よく得ることが可能となる。本発明の特徴は、液体封止引き上げ法LEC法によるGaP単結晶を製造するに際して、引き上げ方向の結晶長1mmあたりにおける、育成中のGaP単結晶と融液の間の固液界面形状の凸度の変化量を±1.3mm以内に規制する点にある。この点について、以下、図1を参照しながら、詳細に説明する。LEC法によるGaP単結晶の製造においては、結晶径の制御は、GaP単結晶と融液の間の固液界面成長界面を基準として、温度勾配が緩い方向へ結晶が成長する性質が利用されている。具体的には、ヒータから融液へ供給する熱量をゆっくり下げることで、結晶径の制御を行っているが、ルツボや種結晶の回転による対流のある熱環境と、結晶質量、結晶径、結晶形状などの推移を加味することで、熱電対起電力やヒータ出力が調整されている。種結晶径より所定の結晶径となるまで肩径を成長させた後、結晶径を一定に保持する直胴部の育成が行なわれる。種結晶をGaP融液に浸漬した直後から肩径の成長段階における固液界面は、フラットまたは凹面形状となっている。なお、フラット形状は、固液界面が結晶中心軸に直交する平面に実質的に沿っている状態を意味し、凹面形状とは、固液界面が結晶中央部において融液側から単結晶側に凹んでいる状態上向きの凸状を意味する。このようなフラットまたは凹面の界面形状では、多結晶化しやすいので、安定して単結晶を得るためには、この界面形状を結晶中央部で融液側に突出する凸面形状下向きの凸状となるように調整する必要がある。このためには、液体封止剤であるB2O3中への放熱量を減らし、かつ、結晶を通じて熱を逃さなければならない。ただし、肩径の成長段階では、肩径を成長させる必要があるため、径方向の温度勾配を緩くする調整が必要となり、このときに肩部からB2O3中へ熱の逃げが起こるため、結晶中央部が凹面となりやすい傾向にある。肩径が成長するにつれて、肩径の中点種結晶外径と本結晶外径の径方向中間点で融液側に向かう凸面が形成され始める。引き上げが進行すると結晶を通じての放熱が徐々に優勢となるために、凸面の中心位置は、肩径の中点付近より結晶の中心軸方向に移動し、最終的に結晶中心軸を中心として中央凸面が形成される。肩径の成長段階の後半から直胴部の成長初期段階にかけて、再び結晶外周部より1~3mm程度の位置に凹面が形成される。この外周凹面は、肩径の成長段階と同様に、熱の一部がB2O3層中へ逃げるために形成されるものである。一方、結晶の頂上部が、B2O3層より上方の不活性ガスに到達すると、結晶表面からの放熱量が次第に多くなり、結晶中心軸を中心とする中央凸面の凸度外周凹面の単結晶側頂部から中央凸面の融液側頂部までの軸方向距離が増加するが、ある段階で放熱と吸熱のバランスがとれるため、凸度の増加が止まる。この中央凸面の凸度が変化する直胴部の成長初期段階の後、直胴部成長段階として、上述のような固液界面の形状を維持しつつ、所定の結晶長に至るまでGaP単結晶を成長させる。GaP単結晶を所定の結晶長まで成長した後の育成終了段階では、GaP融液の量が減少するため、融液表面からルツボ底面までの距離が小さくなる。必要に応じて、GaP単結晶先端部のルツボ底面への底付きを防止する観点から、中央凸面の凸度を減少させるための調整が行われる。このように、各段階を通じて育成された単結晶と融液の固液界面成長界面の形状、特に、肩径の成長段階で中央凸面が形成された段階から育成終了段階までにおける形状は、中央凸面と外周凹面が連続した複合曲面となっているため、中央凸面と外周凹面の境界となる円周上には変曲点Piが連続して存在することとなる。この変曲点Pi付近は、径方向外側から中心への熱の移動が多い場所であるが、変曲点Piから離れるにしたがって、垂直方向の熱の移動が優勢となる。このような熱移動方向の相違により、結晶内の熱膨張に差が生じるため、変曲点Pi付近では引張応力、変曲点Piから遠い位置では圧縮応力が優勢となり、この応力方向の差が結晶内部に残留応力として蓄積され、ウエハ状に加工した場合の反りの原因となる。また、外周凹面の頂部の直径以下、凹面径Dccというと結晶径、中央凸面の凸度の間には、結晶径および凸度が一定の場合には、凹面径Dccはほとんど変化しないが、結晶径が増加した場合または凸度が減少した場合には、凹面径Dccは減少し、結晶径が減少した場合または凸度が増加した場合には、凹面径Dccが増加するという関係がある。このような凹面径Dccの変動は、転位の伝播方向の変化とともに、新たな転位の導入や分岐をもたらす。特に、転位同士が交差や結合した場合に多結晶化が生ずることになる。したがって、中央凸面の凸度の変化量を所定の範囲内とすることにより、単結晶化率を高めることが可能となる。一方、上述した変曲点Piが存在する円周の直径以下、変曲径Dpiというは、中央凸面の凸度が増加した場合に増加する、すなわち、変曲点Piが結晶中心側から外周側へ移動する。一方、変曲径Dpiは中央凸面の凸度が減少した場合に減少する、すなわち、変曲点Piが結晶外周側から中心側へ移動する。この変曲径Dpiは、凹面径Dccの変動に応じても変化する。ただし、凹面径Dccのばらつきは、せいぜい1~3mm程度であるのに対して、凸度のばらつきは、5~20mmと数倍から10倍程度大きいため、変曲径Dpiの凸度の変化量に対する感度は大きなものとなる。このように、変曲点Piの移動変曲径Dpiの変動は、結晶内における圧力方向の変化をもたらし、この変化により結晶内部に蓄積される残留応力が大きなものとなると考えられるため、この残留応力の蓄積を抑制するには、中央凸面の凸度の変化を規制すればよいといえる。また、凹面径Dccの変動は、結晶内における多結晶化につながりやすいが、単結晶化率を高める観点からも、この凹面径Dccの変動と連動する、中央凸面の凸度の変化を規制すればよいこととなる。このような観点から、同一インゴットから切り出したウエハを精査したところ、中央凸面の凸度の変化量が大きい部分では反り量が大きいウエハが、凸度の変化量が小さい部分では反り量が小さいウエハが得られるとの知見が得られた。また、本発明者は、凸度の変化量のウエハの反り量に与える影響は、凸面の向き凹凸量の増減方向にはよらず、凸度の変化量そのものに対して有意であるとの知見も得たことから、この中央凸面の凸度の変化量を少なくすることで、反り量の小さいウエハを得られるとの結論を得て、本発明に至ったものである。なお、上記の知見より、本発明は、成長界面の形状が、中央凸面下向き凸状ではなく、中央凹面上向き凸状を形成している場合にも適用可能であることを意味するが、上述のように、中央凹面を形成している場合には、多結晶化不良やリネージ不良などの他の結晶欠陥をもたらす危険性が高いため、本発明の製造方法では、少なくとも直胴部の成長段階では、成長界面の形状が中央凸面を形成するように調整がなされる。ただし、育成初期である肩径の成長段階の初期では、成長界面はフラットまたは上向き凸状の形状から、上述のように下向き凸状に変化していくことになるが、この際にも、この成長界面の凸度の変化量を規制することが好ましい。本発明に係るGaP単結晶の製造方法において、中央凸面の凸度の変化量を低減させるためには、この中央凸面を形成するタイミングが重要となる。本発明では、この中央凸面が形成されるタイミングを、結晶の頂上部がB2O3層中にある段階としている。特に、肩径成長の早い段階から中央凸面が形成されるようにして、かつ、成長界面の傾斜角をほぼ一定に保持したまま、緩やかに凸度を増加させることが好ましい。中央凸面の形成タイミングが遅い場合には、結晶の頂上部がB2O3層を抜け出たときに放熱量が変化するため、肩径の成長とともに凸度が急激に大きくなり、その後の直胴部の成長段階において、この凸度の変化量を一定範囲内に制御することが困難となる。このように製品となる直胴部における下向き凸度の変化量が所定範囲を超えると、この部分から得られるGaP単結晶ウエハにおいて、大きな反りを生ずる可能性が高くなる。また、上述のように、育成終了段階において、中央凸面の凸度を減少させる調整がなされる際に、下向き凸度の変化量が所定範囲を超えると、この部分から得られるGaP単結晶ウエハについても、大きな反りを生ずる可能性が高くなる。本発明では、上記のような中央凸面の凸度が変化しやすい段階を含む育成の全段階肩径の成長段階で中央凸面が形成された後、育成終了段階までにおいて、引き上げ方向の結晶長1mmあたりにおけるGaP単結晶と融液の間の固液界面形状、すなわち成長界面の中央凸面の凸度の変化量を±1.3mm以内、好ましくは±1.0mm以内に規制している。この凸度の変化量が±1.3mmを超えると、得られたGaP単結晶の結晶内部に蓄積される残留応力が大きくなり、このGaP単結晶から得られたGaP単結晶ウエハの厚さを240μm以下とした場合に、その反り量を40μm以下に規制し、かつ、反り量が40μm以下であるGaP単結晶ウエハの収率を90以上とすることが困難となる。特に、この凸度の変化量を±1.0mm以内に規制することにより、その収率を95以上とすることが可能となる。この中央凸面の凸度の結晶長さが1mmに対する変化量ΔTは、図1に示すように、任意の2箇所位置での単結晶と融液の固液界面形状における中央凸面の凸度外周凹面の単結晶側頂部から中央凸面の融液側頂部Ccvまでの軸方向距離をそれぞれA1、A2とし、任意の引き上げ距離に対する結晶長さをL3とした場合に、ΔT=/L3で表される値で示される。このように中央凸面の凸度の変化量ΔTが所定範囲内となるように調整するためには、目的とする単結晶ウエハの大きさや使用する結晶育成装置に応じて、引き上げ速度、結晶回転/ルツボ回転速度、制御出力や温度プログラムなどの育成条件を適宜調整することが必要となる。たとえば、一般的な結晶育成装置を用いて、目的とするウエハ径70~80mmのGaP単結晶ウエハを得るために、直胴部の平均直径が72~85mmのGaP単結晶を育成する。通常、引き上げ速度を1~6mm/hの範囲で、種結晶の回転速度を1~6rpmの範囲で、石英ルツボの回転速度を種結晶と同方向に1~16rpmの範囲で、それぞれ調整しながら制御する。育成条件の調整幅は結晶育成装置ごとに異なってくるが、いずれの装置においても、上記の引き上げ速度と回転速度を調整することにより、当業者には固液界面形状の凸度を制御することが可能である。回転速度を所定範囲内に調整することで、融液中に強制対流を生じさせ、固液界面形状を制御することが可能となる。結晶とルツボの回転速度が同じである場合、回転速度が速いほど固液界面形状の凸度を小さくすることができるため、凸度の変化量ΔTを小さくすることも可能となるが、多結晶化が発生しやすくなる。また、引き上げ速度についても、この速度が速いほど固液界面形状の凸度を小さくすることが可能となるが、多結晶化が起こりやすくなってしまう。このような観点から、上記育成条件は所定範囲内に制限されることとなる。実際には、このようなGaP単結晶が得られる条件範囲内にて、引き上げ距離に対して結晶径成長速度や質量変化をモニタリングしながら、上記パラメータを含む前記育成条件のそれぞれを適切に調整することとなるが、これらの調整には、所定の育成環境が整備されていることが前提となる。この育成環境は、融液の径方向と縦方向の温度勾配を適正な配置とすることで整備されるが、このためには、保温材の配置、保温材の厚さ、ウエハ径に対するルツボの内径比の設定、ルツボの上部放熱量に対する下部放熱量の比、ルツボ上部の保温性、B2O3層の厚さなどを、目的とする単結晶ウエハの大きさや使用する結晶育成装置に応じて、事前にバランスよく調整することが必要となる。本発明者は、この中でも、ウエハ径に対するルツボの内径比を一定範囲とすることが最も有効であることを見出した。これは、肩径の成長段階の初期に固液成長界面の形状を凸面となるように調整することが比較的容易であるばかりでなく、結晶径を調整するための他のパラメータに対して与える影響が少なく、急激な凸度の変化量を容易に抑制することができるためである。ここで、GaP単結晶の結晶径ではなく、GaP単結晶ウエハのウエハ径を基準とするのは、GaP単結晶の結晶径は、育成中の熱環境などの影響により変動するため、これを基準とすると育成条件の設定が複雑化するためである。GaP単結晶ウエハの製造工程では、GaP単結晶を円筒加工して目的のウエハ径とした後、GaP単結晶ウエハを切り出す。この際の円筒加工による縮径量は、直胴部の平均直径の1~10程度である。内部歪みは外周付近が最も大きく、結晶径が大きいほど歪みが増加傾向となるため、ウエハ径が同一の場合には、この縮径量の内部歪みに対する相関性は低いものとなる。たとえば、ウエハ径70~80mmのGaP単結晶ウエハを得るためには、育成工程において、直胴部の平均直径が72~85mmのGaP単結晶を成長させている。このように、GaP単結晶径とGaP単結晶ウエハのウエハ径との関係が限定されていることから、変動するパラメータである結晶径ではなく、変動しないGaP単結晶ウエハのウエハ径を基準とすることができ、かつ、好ましいといえる。本発明では、結晶育成に用いるルツボの内径をLc、目的とするGaP単結晶ウエハのウエハ径をLwとしたときの、Lc/Lw比が1.7以上1.9以下、好ましくは、1.7以上1.8以下としている。Lc/Lw比が1.7未満の場合には、ルツボ中心部と外周部の高温域との距離が小さく、融液中の温度勾配が大きくなるため、肩径の成長段階におけるヒータ出力や温度の調整量を大きくする必要があるとともに、凸面も形成し難いので、肩径の成長段階において、その後の直胴部の成長段階に影響を与えるような急激な凸度の増加が見られたり、あるいは、直胴部の成長初期段階においてもこのような現象が起きたりして、内部歪みが増大する。さらに、育成終了段階では、調整量が大きくなるため、内部歪みが増加しやすく、反り量の小さいGaP単結晶ウエハを効率よく得ることができない。一方、Lc/Lw比が1.9を超える場合、反り量の小さいGaP単結晶ウエハを得ることはできるが、引き上げ距離を長くする必要があるため、結晶育成に要する時間が長くなる。また、装置上のストロークに制約がある場合に長尺の結晶が得られないため、好ましくない。引き上げ速度を速くして時間短縮を無理に図ろうとすると、温度変動が大きくなり、結果的に多結晶化が多く発生することとなる。また、ヒータ径の大型化によって、保温材の厚さが薄くなることで温度調整が安定しなくなり、多結晶化が発生する場合もある。このように本発明では、育成の全段階でGaP単結晶の中央凸面の凸度の変動を所定範囲内に抑制するための条件として、上記のGaP単結晶ウエハのウエハ径に対する、結晶育成に用いるルツボの内径比Lc/Lwを規制している。このLc/Lw比が本発明の規定する範囲を超えた場合には、他の育成条件を制御しても、上記の中央凸面の凸度の変動を規制する効果が十分に得られない。一方、Lc/Lw比が本発明の規定する範囲にある場合には、その他の育成条件を、目的とするGaP単結晶ウエハのサイズや育成環境などに応じて、当業者は適宜調整することが可能となる。たとえば、一般的な結晶育成装置を用いて、直胴部の平均直径が80~82mmのGaP単結晶を育成する場合には、通常、ヒータ横の保温材の厚さは18~30mmの範囲、保温材とルツボの距離を20~40mm、上部放熱量に対する下部放熱量の比は40~60の範囲、B2O3層の厚さは10~20mmの範囲で、適宜調整される。上記のように、石英ルツボの内径を含む、育成環境に関する条件を調整した上で、結晶育成にあたって、GaP単結晶の育成状況をADCなどの従来からあるプログラムにてモニタリングしながら、上述した育成条件のそれぞれを適宜調節することにより、GaP単結晶の中央凸面の凸度およびその変動を一定範囲内に容易に調整することができる。特に、本発明では、従来考慮されていなかった凸度の変動について、その変動が著しい肩径の成長段階と育成終了段階において、GaP単結晶の結晶内部に歪みが残留することを極力回避することを可能にしている。このようにして得られたGaP単結晶を円筒加工し、[100]方位が主面となるように所定の厚さに切り出した後、鏡面加工を行い、必要に応じてベベル加工を施すことでGaP単結晶ウエハを得ることができる。これらの加工には、公知の手段を用いることができる。なお、円筒加工における加工代は、目的とするGaP単結晶ウエハのウエハ径に対する育成されたGaP単結晶の平均直径の関係に応じるが、目的とするウエハ径が70mmの場合には、GaP単結晶の直胴部の平均直径が72~76mm程度の場合、2~6mm程度となる。本発明の製造方法により得られるGaP単結晶ウエハは、ウエハ径が70mm以上、厚さが240μm以下とした場合であっても、反り量が40μm以下となる。また、GaP単結晶の直胴部の広い範囲にわたって、反り量が40μm以下であるGaP単結晶ウエハを安定的に得ることができる。なお、本発明は、GaP単結晶ウエハの製造のみに限定されるものではなく、LEC法で製造されるGaAsやInPなどのIII-V族化合物半導体の製造においても適用可能である。以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例により、制限されることはない。実施例1内径が130mmφの石英ルツボを用いて、ウエハ径が76mmのウエハを得るためGaP単結晶の製造をおこなった。このときのウエハ径に対するルツボの内径比Lc/Lwは1.71であった。また、ヒータ横の保温材の厚さを22mm、保温材とルツボの距離を22mm、ルツボの下部放熱量に対する上部放熱量の比を45、引き上げ前のB2O3層の厚さを10mmに設定した。圧力容器内に載置されている、石英ルツボ内に、リン化ガリウムGaP多結晶原料2000gと、不純物材料として硫化硫黄Ga2S3を硫黄S換算で50mgを投入し、その上に、液体封止剤として酸化ホウ素B2O3を350g載置した後、圧力容器の上部シャフトに、直径が5mm角、長さが60mmの種結晶を配置した。圧力容器中を真空引きした後、窒素Nガスを15kg/cm2入れて、カーボンヒータにより、ルツボ底の温度にて、GaP多結晶を融点より高い温度である1520°Cまで加熱して、十分に融解させた。その後、固液成長界面近傍がGaPの融点1480°Cの近傍である1470°C付近に調整し、[100]の方位の種結晶をGaP融液中に浸漬し、育成の各段階を通じて、引き上げ距離1mm当たりの凸度の最大変化量が±1.0mm程度となるように、育成条件を調整した。具体的には、種結晶を1~6rpmの回転数の範囲で、石英ルツボを、種結晶と同方向に1~16rpmの回転数の範囲で、それぞれ調整しながら回転させ、引き上げ速度を1~6mm/hの範囲で適宜調整して、制御出力や温度をプログラムで管理しながら、質量1850g、直胴部の平均直径が82mm、結晶長が90mmのインゴットを育成した。このインゴットを直胴部の直径が76mmとなるように円筒加工7.3縮径を施し、種結晶からの軸方向の距離が15~85mmの直胴部をワイヤ切断し、さらに鏡面加工を施し、厚さが200μm、ウエハ径が76mmのウエハを約150枚得た。これらのウエハの反り量を、干渉縞により測定したところ、すべてのウエハの反り量は40μm以下であり、かつ、反り量が30μm以下のウエハの割合は99であった。なお、GaP単結晶を円筒加工した後、肩部およびGaP単結晶底部の凸部分を除いた製品となる部分のうち、引き上げ方向における種結晶に最も近い位置から10mmまでの部分が直胴部の成長初期段階、最も遠い位置から5mmまでの部分が育成終了段階、これらの成長初期段階と育成終了段階の間の部分が直胴部成長段階に相当する。同様の条件で製造した別のサンプルのインゴットを、その中心軸を通るように[011]の方位に縦切りして、エッチングにより成長縞を観察した。成長界面の凸度を種結晶より5mm間隔で確認したところ、種結晶から10mm付近の肩径成長中に中央下向き凸面となり、15mmの位置で5mm、20mmの位置で9mm、25mmの位置で12mmと増加し、かつ、この成長初期段階における中央凸面の引き上げ方向の結晶長1mm当たりの変化量は、最大で0.8mmであった。その後はほぼ一定値を維持し、直胴部成長段階の変化量は、最大でー0.1mmであった。また、育成終了段階の変化量は、最大で-0.4mmであった。なお、GaP単結晶底部の凸度は、7mmであった。実施例2ウエハの厚さを180μmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、GaP単結晶ウエハを得た。1本のインゴットから得られるウエハは約155枚であった。これらのウエハの反り量を、干渉縞により測定したところ、すべてのウエハの反り量は40μm以下であり、かつ、反り量が30μm以下のウエハの割合は95であった。実施例3目的とするウエハ径を73mmとし、Lc/Lwを1.78としたこと以外は、実施例1と同様にして、GaP単結晶の製造を行い、直胴部の平均直径が79mm、結晶長が95mmのインゴットを得た。このインゴットに実施例1と同様の円筒加工7.6縮径を施し、種結晶からの軸方向の距離が20~88mmの部分をワイヤ切断し、さらに鏡面加工を施し、厚さが200μm、ウエハ径73mmのGaP単結晶ウエハを約160枚得た。これらのウエハの反り量を、干渉縞により測定したところ、すべてのウエハの反り量は40μm以下であり、かつ、反り量が30μm以下のウエハの割合は99であった。また、同様の条件で製造した別のサンプルのインゴットを、その中心軸を通るように[011]の方位に縦切りして、エッチングにより成長縞を観察した。成長界面の凸度を種結晶より5mm間隔で確認したところ、種結晶から10mm付近の肩径成長中に中央下向き凸面となり、15mmの位置で5mm、20mmの位置で10mm、25mmの位置で14mmと増加し、かつ、この成長初期段階における中央凸面の引き上げ方向の結晶長1mm当たりの変化量は、最大で1.0mmであった。その後はほぼ一定値を維持し、直胴部成長段階の変化量は、最大でー0.1mmであった。また、育成終了段階の変化量は、最大で-0.4mmであった。なお、GaP単結晶底部の凸度は、8mmであった。実施例4内径が135mmφの石英ルツボを用いたこと、目的とするウエハ径を76mmとし、Lc/Lwを1.78としたこと以外は、実施例1と同様にして、GaP単結晶の製造を行い、直胴部の平均直径が83mm、結晶長が95mmのインゴットを得た。このインゴットに実施例1と同様の円筒加工8.4縮径を施し、種結晶からの軸方向の距離が17~85mmの部分をワイヤ切断し、さらに鏡面加工を施し、厚さが220μm、ウエハ径76mmのGaP単結晶ウエハを約150枚得た。これらのウエハの反り量を、干渉縞により測定したところ、すべてのウエハの反り量は40μm以下であり、かつ、反り量が30μm以下のウエハの割合は99であった。また、同様の条件で製造した別のサンプルのインゴットを、その中心軸を通るように[011]の方位に縦切りして、エッチングにより成長縞を観察した。成長界面の凸度を種結晶より5mm間隔で確認したところ、種結晶から10mm付近の肩径成長中に中央下向き凸面となり、15mmの位置で4mm、20mmの位置で9mm、25mmの位置で11mmと増加し、かつ、この成長初期段階における中央凸面の凸度の変化量がもっとも大きく、引き上げ方向の結晶長1mm当たりの変化量は、最大で1.0mmであった。その後、中央凸面の凸度は緩やかに減少し、直胴部成長段階の変化量は、最大で-0.08mmであった。また、育成終了段階の変化量は、最大で-0.3mmであった。なお、GaP単結晶底部の凸度は、6mmであった。実施例5内径が135mmφの石英ルツボを用いたこと、目的とするウエハ径を76mmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、GaP単結晶の製造を行い、直胴部の平均直径が81mm、結晶長が102mmのインゴットを得た。このインゴットに実施例1と同様の円筒加工6.2縮径を施し、種結晶からの軸方向の距離が15~92mmの部分をワイヤ切断し、さらに鏡面加工を施し、厚さが200μm、ウエハ径76mmのGaP単結晶ウエハを得た。このときのLc/Lwは1.78であった。1本のインゴットから得られるウエハは約170枚であった。これらのウエハの反り量を、干渉縞により測定したところ、すべてのウエハの反り量は40μm以下であり、かつ、反り量が30μm以下のウエハの割合は99であった。また、同様の条件で製造した別のサンプルのインゴットを、その中心軸を通るように[011]の方位に縦切りして、エッチングにより成長縞を観察した。成長界面の凸度を種結晶より5mm間隔で確認したところ、種結晶から10mm付近の肩径形成中に中央下向き凸面となり、15mmの位置で5mm、20mmの位置で9mm、25mmの位置で12mmと増加し、かつ、この成長初期段階における中央凸面の凸度の変化量がもっとも大きく、引き上げ方向の結晶長1mm当たりの変化量は最大で0.8mmであった。その後、中央凸面の凸度は緩やかに減少し、直胴部成長段階の変化量は最大で-0.12mmであった。また、育成終了段階の変化量は最大で-0.3mmであった。なお、GaP単結晶底部の凸度は、7mmであった。実施例6内径が135mmφの石英ルツボを用いたこと、目的とするウエハ径を76mmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、GaP単結晶の製造を行い、直胴部の平均直径が83mm、結晶長が96mmのインゴットを得た。このインゴットに実施例1と同様の円筒加工8.4縮径を施し、種結晶からの軸方向の距離が17~84mmの部分をワイヤ切断し、さらに鏡面加工を施し、厚さが200μm、ウエハ径76mmのGaP単結晶ウエハを得た。このときのLc/Lwは1.78であった。1本のインゴットから得られるウエハは約150枚であった。これらのウエハの反り量を、干渉縞により測定したところ、すべてのウエハの反り量は40μm以下であり、かつ、反り量が30μm以下のウエハの割合は97であった。また、同様の条件で製造した別のサンプルのインゴットを、その中心軸を通るように[011]の方位に縦切りして、エッチングにより成長縞を観察した。成長界面の凸度を種結晶より5mm間隔で確認したところ、種結晶から10mm付近の肩径成長中に中央下向き凸面となり、15mmの位置で7mm、20mmの位置で8mm、25mmの位置で12mmと増加し、かつ、この成長初期段階における中央凸面の凸度の変化量がもっとも大きく、引き上げ方向の結晶長1mm当たりの変化量は、最大で0.8mmであった。その後、中央凸面の凸度は緩やかに増加し、直胴部成長段階の中盤で17mmと最大となり、その変化量は最大で0.4mmであった。その後、直胴部成長段階の後半にかけて中央凸面の凸度は減少に転じ、その変化量は最大で-0.4mmであった。また、育成終了段階の変化量は最大で-0.5mmであった。なお、GaP単結晶底部の凸度は、5mmであった。比較例1内径120mmφの石英ルツボを使用し、液体封止剤としてB2O3を300g投入し、ウエハ径73mmのウエハを得るために、Lc/Lwを1.64としたこと以外は、実施例1と同様にして、GaP単結晶の製造を行い、直胴部の平均直径が81mm、結晶長98mmのインゴットを得た。このインゴットに実施例1と同様の円筒加工6.1縮径を施し、種結晶からの軸方向の距離が5~85mmの部分をワイヤ切断し、さらに鏡面加工を施し、厚さが200μm、ウエハ径73mmのGaP単結晶ウエハを約150枚得た。これらのウエハの反り量を、干渉縞により測定したところ、反り量が40μm以下のウエハの割合は60であり、反り量が30μm以下のウエハの割合は55であった。また、同様の条件で製造した別のサンプルのインゴットを、その中心軸を通るように[011]の方位に縦切りして、エッチングにより成長縞を観察した。成長界面の凸度を種結晶より5mm間隔で確認したところ、種結晶から10mm付近の肩径成長中に中央下向き凸面となり、15mmの位置で1mm、20mmの位置で4mm、25mmの位置で13mmと増加し、かつ、この成長初期段階における中央凸面の凸度の変化量がもっとも大きく、引き上げ方向の結晶長1mm当たりの変化量は1.8mmであった。GaP単結晶の成長をモニタリングしながら、育成条件を制御したものの、中央凸面の凸度の変化量を制御できなかったものと考えられる。その後、中央凸面の凸度は緩やかに増加し、直胴部成長段階の中盤で20mmと最大となり、その変化量は最大で0.17mmであった。その後、成長段階の後半にかけて中央凸面の凸度は減少に転じ、その変化量は最大で-0.2mmであった。また、育成終了段階の変化量は最大で-1.5mmであった。なお、GaP単結晶底部の凸度は、5mmであった。比較例2内径が125mmφの石英ルツボを用いたこと、目的とするウエハ径を76mmとしLc/Lwを1.64としたこと以外は、実施例4と同様にして、GaP単結晶の製造を行い、直胴部の平均直径が83mm、結晶長が95mmのインゴットを得た。このインゴットに実施例1と同様の円筒加工8.4縮径を施し、種結晶からの軸方向の距離が20~80mmの部分をワイヤ切断し、さらに鏡面加工を施し、厚さが200μm、ウエハ径76mmのGaP単結晶ウエハを約140枚得た。これらのウエハの反り量を、干渉縞により測定したところ、反り量が40μm以下のウエハの割合は80であり、かつ、反り量が30μm以下のウエハの割合は75であった。また、同様の条件で製造した別のサンプルのインゴットを、その中心軸を通るように、[011]の方位に縦切りして、エッチングにより成長縞を観察した。成長界面の凸度を種結晶より5mm間隔で確認したところ、種結晶から10mm付近の肩径成長中に中央下向き凸面となり、15mmの位置で2mm、20mmの位置で5mm、25mmの位置で12mmと増加し、かつ、この成長初期段階における中央凸面の凸度の変化量がもっとも大きく、引き上げ方向の結晶長1mm当たりの変化量は1.4mmであった。GaP単結晶の成長をモニタリングしながら、育成条件を制御したものの、中央凸面の凸度の変化量を制御できなかったものと考えられる。その後、中央凸面の凸度は緩やかに増加し、直胴部成長段階の中盤で17mmと最大となり、その変化量は最大で0.4mmであった。その後、成長段階の後半にかけて中央凸面の凸度は減少に転じ、その変化量は最大で-0.4mmであった。また、育成終了段階の変化量は最大で-1.3mmであった。なお、GaP単結晶底部の凸度は、5mmであった。比較例3内径が125mmφの石英ルツボを用いたこと、目的とするウエハ径を76mmとしたこと以外は、実施例4と同様にして、GaP単結晶の製造を行い、直胴部の平均直径が82mm、結晶長が98mmのインゴットを得た。このインゴットに実施例1と同様の円筒加工7.3縮径を施し、種結晶からの軸方向の距離が19~87mmの部分をワイヤ切断し、さらに鏡面加工を施し、厚さが240μm、ウエハ径76mmのGaP単結晶ウエハを得た。このときのLc/Lwは1.64であった。1本のインゴットから得られるウエハは約140枚であった。これらのウエハの反り量を、干渉縞により測定したところ、反り量が40μm以下のウエハの割合は85であり、かつ、反り量が30μm以下のウエハの割合は84であった。また、同様の条件で製造した別のサンプルのインゴットを、その中心軸を通るように、[011]の方位に縦切りして、エッチングにより成長縞を観察した。成長界面の凸度を種結晶より5mm間隔で確認したところ、種結晶から10mm付近の肩径成長中に中央下向き凸面となり、15mmの位置で2mm、20mmの位置で4mm、25mmの位置で11mmと増加し、かつ、この成長初期段階における中央凸面の凸度の変化量がもっとも大きく、引き上げ方向の結晶長1mm当たりの変化量は1.4mmであった。GaP単結晶の成長をモニタリングしながら、育成条件を制御したものの、中央凸面の凸度の変化量を制御できなかったものと考えられる。その後、中央凸面の凸度は緩やかに増加し、直胴部成長段階の中盤で15mmと最大となり、その変化量は最大で0.4mmであった。その後、成長段階の後半にかけて中央凸面の凸度は減少に転じ、その変化量は最大で-0.1mmであった。また、育成終了段階の変化量は最大でも-1.0mmであった。なお、GaP単結晶底部の凸度は、5mmであった。