"高出力レーザビームの分析を可能にする装置であって、互いに平行に且つ間隔をあけて、共通するレーザビームの入射角で載置される一対の高反射ミラー板を含む減衰マルチスポットモジュールと、前記対は、前記レーザビームの供給源と対向する第1面に反射防止コーティングを有すると共に、前記供給源から離れる方向を向く第2面に高反射コーティングを有する第1ミラーを含み、前記対は、前記供給源から離れる方向を向く第2面に反射防止コーティングを有すると共に、前記供給源と対向する第1面に高反射コーティングを有する第2ミラーを含み、前記レーザビームの進行経路から外れたところに、前記第1および第2ミラーによって反射された光を受光するように位置決めされる第1ビームダンプと、前記第1および第2ミラーを透過する光のスポットを検出する第1カメラを含むことにより、前記レーザビームは、前記第1カメラによって分析されるように、実質的に減衰させられる装置。前記供給源および前記減衰マルチスポットモジュールの間に載置される集光レンズを更に含む請求項1の装置。前記供給源および前記集光レンズの間に載置されるダブプリズムを更に含む請求項2の装置。前記レーザビームの進行経路から外れたところに載置される第2カメラを更に含み、前記ダブプリズムは、前記レーザビームからの光の少なくともいくらかを前記第2カメラへ反射させる第1反射面を有する請求項3の装置。高反射ミラー対によって形成される高出力減衰器と、前記高出力減衰器は、前記供給源および前記ダブプリズムの間に載置され、前記ミラー対は、前記供給源と対向する第1面を有する第1高反射ミラーを含み、前記ミラー対は、前記供給源と対向する第1面を有する第2高反射ミラーを含み、前記レーザビームの進行経路から外れたところに載置される第2ビームダンプと、前記第1高反射ミラーは、前記供給源からの光を前記第2ビームダンプへ反射させるものであり、前記レーザビームの進行経路から外れたところに載置される第3ビームダンプとを含み、前記第2高反射ミラーは、前記供給源からの光を前記第3ビームダンプへ反射させる請求項4の装置。前記第1高反射ミラーは、前記レーザビームの進行経路に対して約45度の角度で位置決めされ、且つ前記第2高反射ミラーは、前記レーザビームの進行経路に対して135度の角度で位置決めされることにより、前記第1高反射ミラーは、前記進行経路における変位を生じさせ、前記第2高反射ミラーは、前記レーザビームを前記進行経路へ戻す請求項5の装置。前記第1カメラはピクセル検出器であることを更に含む請求項1の装置。前記第2カメラはピクセル検出器であることを更に含む請求項4の装置。高出力レーザビームの分析を可能にする装置であって、予め定められたレーザビームの入射角で載置される高反射ミラー薄板を含む減衰マルチスポットモジュールと、前記高反射ミラー板は、前記レーザビーム供給源と対向する第1面に高反射コーティングを有すると共に、前記供給源から離れる方向を向く第2面に高反射コーティングを有する第1面を含み、前記レーザビームの進行経路から外れたところに、前記高反射ミラー板によって反射された光を受光するように位置決めされる第1ビームダンプと、前記高反射ミラー板を透過する光のスポットを検出する第1カメラとを含み、前記レーザビームは、前記第1カメラによって分析されるように、実質的に減衰される装置。前記供給源および前記減衰マルチスポットモジュールの間に載置される集光レンズを更に含む請求項9の装置。前記供給源および前記集光レンズの間に載置されるダブプリズムを更に含む請求項10の装置。前記レーザビームの進行経路から外れたところに載置される第2カメラを更に含み、前記ダブプリズムは、前記レーザビームからの光の少なくともいくらかを前記第2カメラへ反射させる第1反射面を有する請求項11の装置。高反射ミラー対によって形成される高出力減衰器と、前記高出力減衰器は前記供給源および前記ダブプリズムの間に載置され、前記ミラー対は、前記供給源と対向する第1面を有する第1高反射ミラーを含み、前記ミラー対は、前記供給源と対向する第1面を有する第2高反射ミラーを含み、前記レーザビームの進行経路から外れたところに載置される第2ビームダンプと、前記第1高反射ミラーは、前記供給源からの光を前記第2ビームダンプへ反射させ、前記レーザビームの進行経路から外れたところに載置される第3ビームダンプとを含み、前記第2高反射ミラーは、前記供給源からの光を前記第3ビームダンプへ反射させる請求項12の装置。前記第1高反射ミラーは、前記レーザビームの進行経路に対して45度の角度で位置決めされ、且つ前記第2高反射ミラーは、前記レーザビームの進行経路に対して135度の角度で位置決めされており、前記第1高反射ミラーは、前記進行経路における変位を生じさせ、前記第2高反射ミラーは、前記レーザビームを前記進行経路へ戻す請求項13の装置。前記第1カメラはピクセル検出器であることを更に含む請求項9の装置。前記第2カメラはピクセル検出器であることを更に含む請求項12の装置。レーザビーム供給源から放射されたレーザビームの分析を可能にする装置であって、前記レーザビームの供給源と対向する第1面に反射防止コーティングを有すると共に、前記供給源から離れる方向を向く第2面に前記レーザビームの1パーセント1よりも少なくを透過させる非吸収高反射コーティングを有する第1ミラーを含むファブリーペロー共振器と、前記ファブリーペロー共振器は、前記供給源から離れる方向を向く第2面に反射防止コーティングを有すると共に、前記供給源と対向する第1面に、前記レーザビームの1パーセント1よりも少なくを透過させる非吸収高反射コーティングを有する第2ミラーを含み、前記第1および第2ミラーは、前記レーザビームの進行経路において、互いに間隔をあけて平行に、且つ軸方向に整列されて載置され、前記第1および第2ミラーは、前記レーザビームに対して、0度より大きく且つ5度よりも小さい角度で傾斜させられ、前記レーザビーム供給源および前記ファブリーペロー共振器の間に載置される集光レンズと、前記集光レンズおよび前記ファブリーペロー共振器を透過する光のスポットを検出する第1ピクセル検出器とを含み、前記集光レンズ、ファブリーペロー共振器、および第1ピクセル検出器は、前記レーザビームの進行経路において、互いに軸方向に整列されており、前記集光レンズは前記レーザビーム供給源の最も近くにあり、前記第1ピクセル検出器は前記レーザビーム供給源から最も離れており、前記ファブリーペロー共振器は、前記集光レンズおよび前記ピクセル検出器の間に載置されており、前記レーザビームが前記第1ピクセル検出器によって分析されるように、前記レーザビームは実質的に減衰され、且つ透過光は、前記ファブリーペロー共振器の各往復で、空間的に水平方向にオフセットされると共に、時間遅延が生じさせられる装置。前記レーザビーム供給源からの光が未加工であると共に集束していないように、前記レーザビーム供給源および前記集光レンズの間に載置されるダブプリズムを更に含む請求項17の装置。前記レーザビームの進行経路から外れたところに載置される第2ピクセル検出器を更に含み、前記ダブプリズムは、前記レーザビームからの光の少なくともいくらかを前記第2ピクセル検出器へ反射させる第1反射面を有し、前記第2ピクセル検出器は、未加工であり集束していないレーザビームを測定する請求項18の装置。新規且つ有用であり、また自明ではない発明により、レーザビームをオンライン実時間分析する可動部品がない小型装置に対して、長期にわたりこれまで果たされていない要求が、今満たされる。新規の装置は、実時間測定、および高出力レーザによって得られるレーザビームの空間プロファイル、真円度、重心、非点収差、およびM2値の分析を可能にする。本装置は、集光レンズおよびカバーガラスを含み、加工用途で使用される光学素子を採用している。新規の装置は、高出力レーザビームを減衰させると共に、複数の集束レーザスポーットをもたらすために、最小限の数の光学素子を採用している。各スポットは、対象となる集束ビームウェストの一部を表す。各スポットは、単一のCCD,CMOSまたは任意の他のピクセル検出器またはカメラに衝突する。従って、本装置は、レーザビーム特性に関する実時間データを提供する。特に、高出力レーザビームの分析を可能にする本発明装置は、平行に、且つ互いに間隔があけられて、共通するレーザビームの入射角で載置される一対の高反射ミラー板を含む減衰モジュールを含む。高反射ミラー板対は、レーザビーム供給源と対向する第1面に反射防止コーティングを有すると共に、レーザビーム供給源から離れる方向を向く第2面に高反射コーティングを有する第1ミラーを含む。高反射ミラー板対は更に、供給源から離れる方向を向く第2面に反射防止コーティングを有すると共に、供給源と対向する第1面に高反射コーティングを有する第2ミラーを含む。第1ビームダンプは、レーザビームの進行経路から外れたところで、第1および第2ミラーによって反射された光を受光するように位置決めされる。第1カメラは、第1および第2ミラーを透過する光のスポットを検出する。レーザビームは、第1カメラによって分析されるように実質的に減衰させられる。集光レンズは、供給源および減衰マルチスポットモジュールの間に載置され、且つ、ダブプリズムは、供給源および集光レンズの間に載置される。第2カメラは、レーザビームの進行経路から外れたところに載置され、且つダブプリズムは、レーザビームからの光の少なくともいくらかを第2カメラへ反射させる第1反射面を有する。高出力減衰器は、高反射ミラー対から形成されると共に、供給源およびダブプリズムの間に載置される。高反射ミラー対は、供給源と対向する第1面を有する第1高反射ミラーと、供給源と対向する第1面を有する第2高反射ミラーを含む。第2ビームダンプは、レーザビームの進行経路から外れたところに載置され、且つ、第1高反射ミラーは、供給源からの光を第2ビームダンプへ反射させる。第3ビームダンプも同様に、レーザビームの進行経路から外れたところに載置され、且つ、第2高反射ミラーは、供給源からの光を第3ビームダンプへ反射させる。第1高反射ミラーは、レーザビームの進行経路に対して45度の角度に位置決めされ、且つ、第2高反射ミラーは、進行経路に対して135度の角度に位置決めされる。第1高反射ミラーは、元の進行経路において屈折に関連する変位を生じさせ、また第2高反射ミラーは、レーザビームを元の進行経路へ戻す。第1および第2カメラは、ピクセル検出器である。各々は、電荷結合素子、相補型MOS等の形態で供給される。本発明の第1の目的は、切断加工、ドリル加工、スクライビング加工、マーキング加工、溶接加工、または他の処理で使用される従来の材料加工システムと併せて、現場で高出力数十キロワットCWを測定することである。別の目的は、可動部品を有していない装置を提供することである。別の重要な目的は、光学素子の数を最小限にすると共に、減光フィルタの使用を回避することである。本発明の上記ならびに他の重要な目的、効果、および特徴は、本説明が進むにつれて明らかになる。従って、本発明は、以下に記載される詳述において例証される構成の特徴、要素の組み合わせ、および部品の配置を含み、また、本発明の範囲は、請求項に示される。本発明の性質および目的をより完全に理解するために、添付の図面と併せて、以下の詳細な説明を参照する。次に図1を参照すると、新規の装置の概略図は、全体として符号10で示されている。市販されている高出力ファイバレーザは、10キロワット10kWを超える出力を有する。中には、20キロワット20kWを超える出力を有するものもある。新規装置は、10キロワットよりも大きな出力のファイバレーザビーム12を、一対の高反射ミラー板16および18を含む減衰モジュール14に取り込む。新規装置が、図2に示すように、高出力レーザ用に構成されるときに、レーザビーム12は、45度45°の入射角で配向される第1板20に衝突する。99パーセント99を超える光が第1水冷式高出力ビームダンプ22へ向けて反射させられ、大部分のレーザ出力が消失させられる。第1板20の高反射面を透過した少しの光は、ゴースト反射を最小限にするために反射防止剤が塗布された第1ミラー板20の第2面に衝突する。光は次に、マイナス45度45°の入射角で配向された第2高反射ミラー板24に衝突するが、これは135度135°の入射角として説明されてもよい。第2高反射ミラー板24は、図示されるように、第1ミラー板20によって作り出される屈折に関連したビームのウォークオフを補償する。補償する高反射ミラー24によって反射された光の略99パーセント99が第2水冷式ビームダンプ26へ向けられる。10キロワット10kWのレーザ出力が装置10に入る場合に、第1ミラー20は約9,900ワット9,900Wを第1液体冷却式ビームダンプ22に放出する。約100ワット100Wは次に、第2ミラー24に衝突し、第2ミラー24は、99ワット99Wを第2液体冷却式ビームダンプ26に向ける。1ワット1Wのレーザ出力が、第2補償板24を透過する。レーザビーム12は、反射防止剤が塗布されているダブプリズム28に向けられる。ダブプリズム28の第1面からの小さな反射は、電荷結合素子CCD30、相補型MOSCMOSまたは図示されていない他のピクセル検出器に向けられて、レーザビーム12の空間プロファイル、重心、および楕円度が測定される。殆どのCCDおよびCMOSカメラは、対角線上で2.54センチメートル1インチよりかなり少ないフォーマットを有する。従って、コリメートされた高出力ファイバレーザは直径が1インチを超えることがあるので、図示されていないビーム縮小テレスコープを使用して、ビーム直径を検出器30まで縮小させてもよい。ダブプリズム28は、ビームプロファイルカメラ30へゴーストのない反射をもたらし、また残りのビームは、集光レンズ32へ光軸に沿ってそれることなく、伝搬する。一対の高反射ミラー14は、図3に示すように、高反射面夫々16a,18aに反射防止剤が塗布される。この対14は、集光レンズ32の下流側に位置決めされる。ミラー16,18は、また図3に示すように、互いに対向する高反射面16b、8b夫々を有する。ミラー16,18の間隔は、数ミクロンから1ミリメートル1mmより大きい値まで調節可能である。第2ミラー18は更に、2個のミラー14を整列させるために、垂直方向および水平方向調整マウントによって調節され、2個のミラーは、ファブリーペロー共振器構成を形成するように互いに平行となる。1ワットの公称減衰出力は、第1反射防止剤塗布面16aを透過することにより、第1ミラー16に入射し、且つ、99パーセントよりも多くのレーザ光は、第1ミラー16を反射させられ、図1および図2に示すように、簡易なビームダンプ34へ送られる。約10ミリワット10mWの残光は、第1高反射ミラー16を透過し、第2高反射ミラー18に衝突する。これら2個のミラー14は互いに平行であり、そのため、約9ミリワット9mWの反射光は、これら2個のミラーの間を伝搬する。各反射で、その出力の約1パーセント1が失われる。第2ミラー18を透過する1パーセント1が、図2に示すように適当なCCD、CMOS,または他の検出器36に向けられ、2個のミラー14の角度、および2個の高反射面の間の空隙によって決まる所定距離だけ離れた一連の焦点が監視される。光軸に沿った各連続スポットの差分は、2d/cosαに基づいており、dはミラー14間の空隙であり、αはミラーへの光の入射角である。検出器上のスポット間の差分は、間隔dが減少するにつれて減少し、これにより、ビームウェスト測定において、より高い分解能がもたらされる。カメラ36に入射する多数のスポット全ては、市販されているソフトウェアで分析され、カメラ36のレンズの焦点において、レーザビーム12のウェストが決定される。カメラ36の位置が設定され、最も小さいスポットは、一連のスポットの中間にある。新規のシステム10は、カメラ36上に、検出器の寸法およびミラー対14の角度によってのみ制限される極めて多数のスポットを有することが可能である。ミラー対14への光の入射角が小さ過ぎるときには、光がそれ自体と干渉する状況を作り出しかねない。従って、このような干渉を回避するために、ミラーの隔離および角度が調節される。図4は、検出器36のようなピクセル検出器に集束した光の強度分布、およびどのようにして光がビームウェストを通り集束するかを示すグラフである。図5は、本発明の第2実施形態を示しており、単一のミラー38がミラー16,18に置き換わっている。図6は、図5の実施形態の反射面の拡大図であり、どのようにして光が減衰されると共に、軸方向の固定遅延を伴い多数のビームに分離されるかを示している。このようにして、上述の目的、および上記の記載から明らかにされた事は効果的に達成され、また、本発明の範囲から逸脱することなく、一定の変更は上記の構成に行われてよいので、上記の説明に含まれあるいは添付の図面に示される全ての事項は、例証的として解釈されるのであって、限定的な意味で解釈されるものではない。また当然のことながら、以下の請求の範囲は、本明細書に記載される発明の包括的および特定の特徴全てを網羅するように意図されており、また、本発明の範囲における全ての記述は、言葉上の問題として、その範囲内にあると言える。"