"式Iで表される化合物。[式I中、Xは、水素原子又はメチル基を表す。nは0又は1を表す。U1及びU2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は-NR-を表す。Lは炭素数1~20の二価の炭化水素基を表し、該炭化水素基中のU1及びU2に隣接しないメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、-NR-又はカルボニル基に置き代わっていてもよい。Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Y1及びY2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を表す。Aは、有機対イオンを表す。]前記式IのY1及びY2がともに、フッ素原子である請求項1記載の化合物。前記式IのXが、水素原子である請求項1又は2記載の化合物。前記式Iのnが1である請求項1~3のいずれか記載の化合物。請求項1~4のいずれか記載の化合物の製造方法であって、式II[式II中、Zは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Xは前記と同じ意味である。]で表される化合物と、式III[式III中、n、U1、U2、L、Y1、Y2及びAは、前記と同じ意味である。]で表される化合物とを反応させる工程を有する製造方法。前記式IIのZが塩素原子である請求項5記載の製造方法。式IIIで表される化合物。[式III中、nは0又は1を表す。U1及びU2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は-NR-を表す。Lは炭素数1~20の二価の炭化水素基を表し、該炭化水素基中のU1及びU2に隣接しないメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、-NR-又はカルボニル基に置き代わっていてもよい。Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Y1及びY2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を表す。Aは、有機対イオンを表す。]前記式IIIのY1及びY2がともに、フッ素原子である請求項7記載の化合物。前記式IIIのnが1である請求項7又は8記載の化合物。本発明の目的は、光酸発生基を側鎖として有する新規化合物及びその製造方法を提供することにある。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される化合物。[式I中、Xは、水素原子又はメチル基を表す。nは0又は1を表す。U1及びU2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は-NR-を表す。Lは炭素数1~20の二価の炭化水素基を表し、該炭化水素基中のU1及びU2に隣接しないメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、-NR-又はカルボニル基に置き代わっていてもよい。Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Y1及びY2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を表す。Aは、有機対イオンを表す。]2前記式IのY1及びY2がともに、フッ素原子である前記1記載の化合物。3前記式IのXが、水素原子である前記1又は2記載の化合物。4前記式Iのnが1である前記1~3のいずれか記載の化合物。5前記1~4のいずれか記載の化合物の製造方法であって、式II[式II中、Zは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Xは前記と同じ意味である。]で表される化合物と、式III[式III中、n、U1、U2、L、Y1、Y2及びAは、前記と同じ意味である。]で表される化合物とを反応させる工程を有する製造方法。6前記式IIのZが塩素原子である前記5記載の製造方法。7式IIIで表される化合物。[式III中、nは0又は1を表す。U1及びU2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は-NR-を表す。Lは炭素数1~20の二価の炭化水素基を表し、該炭化水素基中のU1及びU2に隣接しないメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、-NR-又はカルボニル基に置き代わっていてもよい。Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Y1及びY2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を表す。Aは、有機対イオンを表す。]8前記式IIIのY1及びY2がともに、フッ素原子である前記7記載の化合物。9前記式IIIのnが1である前記7又は8記載の化合物。本発明によれば、分子内に光酸発生基を有する新規化合物及びその製造方法を提供できる。<式Iで表される化合物>本発明は、式Iで表される化合物以下、場合により光酸発生モノマーIという。を提供する。繰り返しになるが、式Iを以下に示す。[式I中、Xは、水素原子又はメチル基を表す。nは0又は1を表す。U1及びU2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は-NR-を表す。Lは炭素数1~20の二価の炭化水素基を表し、該炭化水素基中のU1及びU2に隣接しないメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、-NR-又はカルボニル基に置き代わっていてもよい。Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Y1及びY2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を表す。Aは、有機対イオンを表す。]光酸発生モノマーIについて説明するに当たり、前記式IのX、U1、U2、L、Y1、Y2及びAの各々について具体例を示す。Xは水素原子又はメチル基を表すが、後述する光酸発生モノマーIの製造方法において、入手し易い原料から容易に該光酸発生モノマーIを製造できる点を考慮すると、Xは水素原子であると好ましい。Y1及びY2は、フッ素原子又は炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を表す。ここで、ペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基及びペルフルオロブチル基が挙げられる。該ペルフルオロアルキル基はたとえば、ペルフルオロ-iso-プロピル基、ペルフルオロ-sec-ブチル基及びペルフルオロ-tert-ブチル基などのような分岐鎖であってもよい。その中でもフッ素原子、トリフルオロメチル基及びペンタフルオロエチル基が好ましく、フッ素原子がより好ましい。すなわち、Y1及びY2がともにフッ素原子であると好ましい。U1及びU2はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は-NR-Rは水素原子又は炭素数1~4のアルキル基であるを表す。ここで、-NR-とは、イミノ基又はアルキルイミノ基であり、該アルキルイミノ基としては、メチルイミノ基、エチルイミノ基、プロピルイミノ基及びブチルイミノ基である。該アルキルイミノ基に含まれるアルキル基は直鎖でも分岐鎖でもよく、分岐鎖のアルキル基を含むアルキルイミノ基としては、イソプロピルイミノ基、sec-ブチルイミノ基及びtert-ブチルイミノ基などが挙げられる。以上、U1及びU2の具体例を示したが、これらの中でもU1及びU2はそれぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子であると好ましい。Lは炭素数1~20の炭化水素基を表し、当該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても、芳香族炭化水素基であっても、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基の組み合わせであってもよい。なお、該脂肪族炭化水素基は鎖状であっても、環状であっても、鎖状の脂肪族炭化水素基以下、場合により鎖状脂肪族炭化水素基という。及び環状の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基という。の組み合わせであってもよい。なお、Lの炭化水素基がメチレン基を含む炭化水素基である場合、当該メチレン基のうち、U1又はU2に隣接していないメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、-NR-又はカルボニル基に置き換わってもよい。鎖状脂肪族炭化水素基としては例えば、以下に例示する基が挙げられる。該鎖状脂肪族炭化水素基は、基中に不飽和結合を有しない飽和のものが好ましい。なお、これらの炭化水素基の具体例において、その両端の線は結合手を表すものであり、後述する具体例も同様である。脂環式炭化水素基としては例えば、以下に例示する基が挙げられる。該脂環式炭化水素基も、飽和のものが好ましい。鎖状脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基の組み合わせである脂肪族炭化水素基としては、以下に示すものが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、以下に示すものが挙げられる。芳香族炭化水素基及び脂肪族炭化水素基の組み合わせである炭化水素基としては、以下に示すものが挙げられる。以上、光酸発生モノマーIを構成する、X、U1、U2、Y1、Y2及びLについて説明したが、以下、該光酸発生モノマーIから有機対イオンAを取り除いたアニオン部の具体例を、X、U1、U2、Y1、Y2及びLの組み合わせで示すと、以下の表1~表7に示すものを挙げることができる。なお、表中の番号とは、光酸発生モノマーIの具体例の識別番号を示す。X、U1、U2、Y1、Y2及びLは、上述の例示における符号、又は、具体的な基又は原子で表す例えば、O、Sとはそれぞれ酸素原子、硫黄原子を表し、CF3とはトリフルオロメチル基を表し、NHとはイミノ基を表す。まず、nが0、すなわち、U2及びLを有しない光酸発生モノマーIの具体例を、該光酸発生モノマーI中のX、U1、Y1及びY2の組み合わせで示すと、表1のとおりである。nが1であり、Lが鎖状の脂肪族炭化水素基である場合の光酸発生モノマーIの具体例は、表2及び表3のとおりである。nが1であり、Lは環状の脂肪族炭化水素基である場合の光酸発生モノマーIの具体例は、表4及び表5のとおりである。nが1であり、Lが芳香族炭化水素基又は芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組み合わせである場合の光酸発生モノマーIの具体例は、表6及び表7のとおりである。光酸発生モノマーIにおいて、で表される基と、CH2=CX-で表される基とは互いにパラ位で結合しているものが好ましく、すなわち光酸発生モノマーIは以下の式I’で表されるものが好ましい。式I’中、全ての符号は式Iと同じ意味である。続いて、化合物Iを構成する有機対イオンAについて説明する。該有機対イオンは、オニウムカチオンが好ましく、該オニウムカチオンとしては例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンがより好ましく、アリールスルホニウムカチオンがさらに好ましい。特に好ましいオニウムカチオンを具体的に示すと、式b2-1~式b2-5でそれぞれ表されるカチオンを挙げることができる。以下、式b2-1~式b2-5でそれぞれ表されるカチオンの各々を、その式番号に応じて、カチオンb2-1~カチオンb2-5などという。これらの式b2-1~式b2-5において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18のエーテル結合又はチオエーテル結合を含有してもよい芳香族炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基は飽和のものが好ましい。また、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。また、前記芳香族炭化水素基は複数の芳香環がエーテル結合及び/又はチオエーテル結合で連結されたものであってもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。m2が2以上のとき、複数のRb7は互いに同一であっても異なってもよく、n2が2以上のとき、複数のRb8は互いに同一であっても異なってもよい。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18の鎖状脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11の鎖状脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3~18、より好ましくは炭素数4~12である。Rb12は、炭素数1~12の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基は、炭素数1~12の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10と、及びRb11とRb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの環を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の鎖状脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上である場合、複数のRb13は互いに同一であっても異なってもよく、p2が2以上である場合、複数のRb14は互いに同一であっても異なってもよく、s2が2以上である場合、複数のRb17は互いに同一であっても異なってもよく、u2が2以上である場合、複数のRb18は互いに同一であっても異なってもよく、q2が2以上である場合、複数のRb15は互いに同一であっても異なってもよく、r2が2以上である場合、複数のRb16は互いに同一であっても異なってもよい。Rb30~Rb32は、それぞれ独立に、炭素数1~30の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基は、炭素数1~12の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb31とRb32は互いに結合して、環を形成してもよく、形成された環は酸素原子又は硫黄原子を含んでもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。鎖状脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、1-メチルエチル基イソプロピル基、n-ブチル基、1,1-ジメチルエチル基tert-ブチル基、2,2-ジメチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1,2-ジメチルプロピル基、2,2-ジメチルプロピル基、1-エチルプロピル基、n-ペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、n-ヘキシル基、1-プロピルブチル基、ペンチル基、1-メチルペンチル基、1,4-ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1-メチルヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などのアルキル基が挙げられる。中でも、好ましい鎖状脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基である。好ましい飽和脂環式炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基である。置換基が芳香族炭化水素基である鎖状脂肪族炭化水素基アラルキル基としては、ベンジル基などが挙げられる。Rb9及びRb10が結合して形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11及びRb12が結合して形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。カチオンb2-1~カチオンb2-5の中でも、カチオンb2-1が好ましく、式b2-1-1で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。鎖状脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18である。前記鎖状脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。前記飽和脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上である場合、複数のRb19は互いに同一であっても異なってもよく、w2が2以上である場合、複数のRb20は互いに同一であっても異なってもよく、x2が2以上である場合、複数のRb21は互いに同一であっても異なってもよい。なかでも、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましく、ヒドロキシ基又は炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-1のエーテル結合又はチオエーテル結合を含む化合物の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-5の具体例として、以下のものが挙げられる。化合物Iの具体例を、当該化合物Iを構成するアニオンと、有機対イオンとの組み合わせで表記すると、以下の表8~表13に示すようになる。前記した化合物Iの具体例の中でも、アニオン部に含まれるGが、G-1、G-17、G-18、G-19、G-21、G-23、G-27、G-77、G-88、G-130、G-156、G-171又はG-175のいずれかであり、有機対イオンが、b2-1-1-1、b2-1-1-2、b2-1-1-6、b2-1-1-10、b2-1-13、b2-1-1-22、b2-2-1、b2-2-4、b2-3-8、b2-3-17、b2-4-6、b2-5-1又はb2-5-11のいずれかである化合物Iがさらに好ましい。<化合物Iの製造方法>化合物Iは例えば、式II式II中、X及びZは、前記と同じ意味である。で表される化合物以下、場合により化合物IIという。と、式III式III中、n、U1、U2、L、Y1、Y2及びAはいずれも、前記と同じ意味である。で表される化合物以下、場合により化合物IIIという。とを反応させる工程を有する製造方法により製造することができる。前記工程において、化合物II及び化合物IIIの使用割合当量比は、化合物II:化合物IIIで表して、1:0.5~2であると好ましい。前記工程において、化合物IIと化合物IIIとは例えば、溶媒中、塩基存在下で反応させることが好ましい。この反応に用いる塩基としては、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、ジエチルアニリン及びN-メチルピロリジンなどの有機塩基;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム及び炭酸ナトリウムなどの無機塩基;並びに、これらの混合物などが挙げられる。なお、該塩基の使用量は、化合物II1当量に対して、例えば、1~5当量の範囲であると好ましい。また、この反応に用いる溶媒としては例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、トルエン、ジクロロメタン、酢酸エチル、アセトン、メチルエチルケトン、モノクロロベンゼン、ジオキサン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン及び水、並びに、これらの混合物などが挙げられる。当該溶媒は、用いる化合物IIや化合物IIIの溶解性などを考慮して、適宜、最適なものを選択できる。前記工程において、化合物IIと化合物IIIとを反応させる温度反応温度は例えば、-10~100°Cの範囲から選択できる。反応時間は、反応温度にもよるが、1~30時間から選択される。また、反応途中の反応液を適宜サンプリングして、高速液体クロマトグラフィーやガスクロマトグラフィーなどの分析手段により、反応液中の化合物II又は化合物IIIの消失の度合い、或いは化合物Iの生成の度合いを求めることにより反応時間を定めることもできる。前記工程後の反応液から化合物Iを取り出すのは、抽出、蒸留、再結晶、再沈殿及び各種クロマトグラフィーといった公知の精製手段、あるいはこれらの精製手段を組み合わせることにより実施できる。また、これらの精製手段或いはこれらを組み合わせる手段によれば、反応液から取り出した化合物Iをさらに精製することもできる。<化合物II>化合物IIは、公知の方法により製造することもできるし、市場から容易に入手できる市販品を用いることもできる。例えば、化合物IIはスチレンやα-メチルスチレンを公知の方法によりハロメチル化例えば、クロロメチル化すれば、容易に製造できる。このように、容易に製造できる点や、市販品を入手できる点を考慮すれば、化合物II中のZは、塩素原子であると好ましい。なお、すでに説明したとおり、好ましい化合物Iである、式I’で表される化合物を製造する場合は、CH2=CX-で表される基と、-CH2-Zで表される基とが互いにパラ位で結合している化合物IIを、化合物Iの製造原料として用いればよい。<化合物III>化合物IIIは、化合物Iの製造原料として有用な新規化合物であり、本発明は、化合物IIIに係る発明を含む。化合物IIIの具体例は、上述の基Gの具体例において、結合手メチレン基との結合手を水素原子に置き換えたものが該当する。<化合物IIIの製造方法>化合物IIIは例えば、式IVで表される化合物以下、場合により化合物IVという。と、式Vで表される化合物以下、場合により化合物Vという。とを縮合エステル化反応させることで製造することができる。この反応を、反応式の形式で示すと以下のとおりである。式中の全ての符号は、前記と同じ意味である。この反応において、化合物IV及び化合物Vの使用割合当量比は、化合物IV:化合物Vで表して、1:0.5~2であると好ましい。化合物IVと化合物Vとは例えば、溶媒中で反応させることが好ましい。ここで用いる溶媒は例えば、ジクロロエタン、トルエン、エチルベンゼン、モノクロロベンゼン、アセトニトリル及びN,N-ジメチルホルムアミドなどの非プロトン性溶媒であり、当該非プロトン性溶媒中で、化合物IVと化合物Vとを、20°C~200°C程度の温度条件下、好ましくは、50°C~150°C程度の温度条件下で反応させる。当該溶媒は、用いる化合物IVや化合物Vの溶解性などを考慮して、適宜、最適なものを選択できる。このエステル化反応においては、酸触媒として有機酸p-トルエンスルホン酸など及び/又は無機酸硫酸などを添加してもよい。または、脱水剤として1,1’-カルボニルジイミダゾール及びN,N’-ジシクロヘキシルカルボジイミドなどを添加してもよい。酸触媒を用いたエステル化反応は、ディーンスターク装置を用いるなどして、脱水しながら実施すると、反応時間が短縮化される傾向があることから好ましい。エステル化反応における酸触媒の量は、触媒量でも溶媒に相当するほどの大量でもよいが、通常は、化合物IV1モルに対して、0.001モル程度~5モル程度である。エステル化反応における脱水剤の量は、化合物IV1モルに対して、0.2~5モル程度、好ましくは0.5~3モル程度である。また、化合物IVと化合物Vとを反応させる反応時間は、反応温度にもよるが、1~30時間から選択される。この反応においても、反応途中の反応液を適宜サンプリングすることで反応追跡を行い、適切な反応時間を定めることもできる。以上、化合物Iをその製造方法とともに説明したが、かかる化合物Iはレジスト組成物用樹脂の製造原料として、極めて有用であり、かかる化合物Iを提供できる本発明は、産業上の価値が極めて高いものである。以下、実施例を示して本発明を説明する。実施例1[化合物I-1の合成]化合物I-1の合成スキームを以下に示す。化合物a13.4g;8.8ミリモル及び化合物b50.0g;114.0ミリモルを、脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMF;300gに溶解して溶液とした。この溶液に、炭酸カリウム24.3g;175.8ミリモルを加えて、50°C~54°Cで24時間加熱攪拌した。冷却後、反応溶液を5シュウ酸水で希釈して、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過で除去し、有機層を減圧下に濃縮して、油状物質38.4gを得た。得られた油状物質をクロロホルム80gに溶解した。クロロホルム層をメチル-t-ブチルエーテル200gで、5回分液洗浄した。洗浄後のクロロホルム層を濃縮して、化合物I-1を30.0g得た。収率61.61H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.72~7.62m,15H;7.34~7.28m,4H;6.63q,1H;5.67d,1H;5.265.21d,1H13C-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質クロロホルム:δppm162.55;137.37;136.15;134.41;134.22;131.45;131.09;128.04;126.14;124.34;114.19;113.43;t,J=285Hz;67.6919F-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質フルオロベンゼン:δppm-105.79LC-MS:263.0[M];C18H15S=263.09291.0[M]-;C11H9F2O5S=291.01なお、NMR及びLC-MSの分析条件は次のとおりであり、その他の例における分析条件も同様である。NMR:JEOLECA-500を用いて測定を行った。LC-MS:LC装置:Agilient1100カラム:KinetexC183.0mmφ×50mm移動相溶媒:A液:0.05トリフルオロ酢酸水、B液:アセトニトリル0.05トリフルオロ酢酸添加グラジエント:初期10B液、70A液10分後100B液15分後100B液分析終了流速:0.5mL/min注入量:0.5μL検出器:220、254、280nmUV検出MS装置:HPLC/MSD実施例2[化合物I-2の合成]1化合物eの合成化合物eの合成スキームを以下に示す。化合物c3.0g;6.2ミリモル;特開2011-121937号公報記載の化合物及び、1,1‘-カルボニルジイミダゾールCDI:1.0g;6.2ミリモルを脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMF:20gに溶解した後、28°Cで40分間攪拌した。得られた溶液に、化合物d0.8g;6.3ミリモルの脱水DMF4g溶液を、28°C~31°Cで注加した。反応溶液を同温度で一晩攪拌した。反応溶液を2シュウ酸溶液で希釈して、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過により除去した後、濃縮して、化合物e3.7gを得た。当該化合物eはほぼ定量的に得られた。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.47m,6H;7.41m,6H;7.02m,2H;6.81m,2H;2.39s,9H19F-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質フルオロベンゼン:δppm-103.46LC-MS:305.4[M];C21H21S=305.14283.2[M]-;C8H5F2O5S2=282.962化合物I-2の合成化合物I-2の合成スキームを以下に示す。化合物e2.1g;3.6ミリモル及び、トリエチルアミン0.5g;4.9ミリモルを脱水テトラヒドロフランTHF;10gに溶解して溶液とした。この溶液に、化合物a0.6g;3.9ミリモルの脱水THF5g溶液を、25°Cで注加した。反応溶液を同温度で一晩攪拌した。反応溶液を純水で希釈して、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過により除去した後、濃縮して、油状物質2.5gを得た。得られた油状物質をシリカゲルクロマトグラフィークロロホルム/メタノール展開で精製して、化合物I-2を2.2g収率87.5得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.72~7.62m,15H;7.34~7.28m,4H;6.63q,1H;5.67d,1H;5.265.21d,1H実施例3[化合物I-3の合成]1化合物gの合成化合物gの合成スキームを以下に示す。化合物d0.5g;4.0ミリモル及び、トリエチルアミン0.5g;4.9ミリモルをクロロホルム5gに溶解した。この溶液に、化合物f2.0g;3.2ミリモル;特開2010-100830号明細書記載の化合物のクロロホルム20g溶液を、27°C~28°Cで0.5時間かけて滴下した。反応溶液を同温度で6時間攪拌した。反応溶液を1シュウ酸溶液で希釈して、クロロホルムで抽出した。有機層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過により除去し、濃縮して、化合物g2.1gを得た。当該化合物gはほぼ定量的に得られた。LC-MS:207.4[M];C12H15OS=207.08467.2[M]-;C20H29F2O6S2=467.142化合物I-3の合成化合物I-3の合成スキームを以下に示す。化合物g2.1g;3.1ミリモル及び、トリエチルアミン0.4g;4.0ミリモルを脱水テトラヒドロフランTHF;20gに溶解して溶液とした。この溶液に、化合物a0.5g;3.3ミリモルの脱水THF5g溶液を、25°Cで注加した。反応溶液を同温度で一晩攪拌した。反応溶液を純水で希釈して、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過により除去し、濃縮して、油状物質2.5gを得た。得られた油状物質をシリカゲルクロマトグラフィークロロホルム/メタノール展開で精製して、化合物I-31.9g収率73.7を得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm8.01~8.00m,2H;7.62~7.59m,1H;7.47~7.44m,2H;7.40~7.39m,4H;7.35~7.27m,2H;6.90~6.88m,2H;6.70q,1H;5.74d,1H;5.35s,2H5.23d,1H;5.014.12t,2H;3.75~3.59m,4H;2.78t,2H;2.49~2.26m,4H;1.88~1.24m,20HLC-MS:207.4[M];C12H15OS=207.08583.2[M]-;C29H37F2O6S2=583.20実施例4[化合物I-4の合成]1化合物iの合成化合物iの合成スキームを以下に示す。化合物d7.6g;60.2ミリモル及び、化合物h20.0g;60.0ミリモル:特開2010-100830号公報記載の化合物を無水アセトニトリル100gに溶解して溶液とした。この溶液に、炭酸カリウム10.0g;72.4ミリモルを添加して、一晩室温27°C~29°Cで攪拌した。反応溶液を5希塩酸で酸性pH2とした後、濃縮して、化合物i40gを得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.37~7.28m,2H;6.79~6.74m,2H;3.69t,2H;2.84t,2H;1.75~1.69m,4H2化合物kの合成化合物kの合成スキームを以下に示す。化合物iの3水溶液530g:純分15.9g;42.0ミリモル及び、化合物jの13.4水溶液95g:純分12.7g;42.6ミリモルを混合して、室温27°C程度で3日間攪拌した。反応溶液をクロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過により除去し、濃縮して、化合物k19.0g収率:73.1を得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm9.55;7.89~7.78m,15H;7.24~7.22m,2H;6.77~6.74m,2H;4.24t,2H;2.80t,2H;1.75~1.69m,2H;1.60~1.54m,2H13C-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質クロロホルム:δppm162.08t,J=30Hz;156.65;134.33132.79;131.34;131.21;125.06;123.55;116.08;113.13t,J=284Hz;65.8734.31;26.71;24.8419F-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質フルオロベンゼン:δppm-105.21LC-MS:263.0[M];C18H15S=263.09355.0[M]-;C12H13F2O6S2=355.013化合物I-4の合成化合物I-4の合成スキームを以下に示す。化合物k17.5g;28.3ミリモル及び、化合物a4.3g;28.2ミリモルを、無水アセトニトリル50gに溶解して溶液にした。この溶液に、炭酸カリウム5.9g;42.7ミリモル及び微量のメトキノンを添加して、一晩室温27°C程度で攪拌した。反応溶液を2シュウ酸水200gで希釈して、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過により除去し、濃縮して、油状物質17.4gを得た。得られた油状物質をシリカゲルクロマトグラフィークロロホルム/メタノール展開で精製して、化合物I-4を14.0g収率:67.4得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.72~7.64m,15H;7.34~7.37m,4H;7.29~7.27m,2H;6.89~6.87m,2H;6.70q,1H;5.74d,1H;5.23d,1H;5.014.24t,2H;2.78t,2H;1.84~1.78m,2H;1.68~1.62m,2H13C-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質クロロホルム:δppm162.53t,J=29Hz;157.78;137.15136.21;136.15;134.42;132.79;131.44;131.02;127.54;126.54;126.22;124.28;115.40;113.97;113.30t,J=285Hz;69.6666.11;34.95;26.95;25.0819F-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質フルオロベンゼン:δppm-105.88LC-MS:263.0[M];C18H15S=263.09471.2[M]-;C21H21F2O6S2=471.08実施例5[化合物I-200の合成]1化合物oの合成化合物oの合成スキームを以下に示す。化合物l43.6g;78.1ミリモル及び、ジエチル硫酸化合物m:12.0g;77.8ミリモルを、クロロホルム220g中で、内温26°C~31°Cで3時間攪拌した。得られた反応溶液に、化合物n26g;78.1ミリモルのクロロホルム130g溶液を加えて、さらに一晩室温26°C~29°Cで攪拌した。反応溶液に純水200gを注加して、さらに1時間攪拌した。反応溶液をクロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過により除去し、濃縮して、析出した結晶をろ過した。少量のt-ブチルメチルエーテルで洗浄した後、乾燥して、化合物oを47.3g収率:96.6得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.84~7.77m,12H;4.25t,2H;3.55t,2H;1.93~1.87m,2H;1.78~1.72m,2H;1.33s,27H13C-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質クロロホルム:δppm162.04t,J=30Hz;130.87;128.32122.10;113.09t,J=285Hz;65.3835.07;34.4630.57;28.48;26.5319F-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質フルオロベンゼン:δppm-105.372化合物pの合成化合物pの合成スキームを以下に示す。化合物o34.4g;54.8ミリモル及び、化合物d6.9g;54.8ミリモルを、無水アセトニトリル100gに溶解して溶液とした。この溶液に炭酸カリウム10.1g;73.1ミリモル及び微量のメトキノンを添加して、50°Cで6時間加熱攪拌した。さらに一晩室温~20°Cで攪拌した。反応溶液を5塩酸68gで酸性にして、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過により除去し、濃縮して、化合物pを34.4g収率:93.3得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.95;7.66~7.59m,15H;7.05~7.02m,2H;6.81~6.78m,2H;4.17t,2H;2.61t,2H;1.77~1.67m,2H;1.57~1.52m,2H;1.30s,27HLC-MS:431.4[M];C30H39S=431.28355.2[M]-;C12H13F2O6S2=355.013化合物I-200の合成化合物I-200の合成スキームを以下に示す。化合物p12.1g;18.0ミリモル及び、化合物a4.2g;27.5ミリモルを、無水アセトニトリル60gに溶解して溶液にした。この溶液に炭酸カリウム5.0g;36.2ミリモル及び微量のメトキノンを添加して、60°Cで3時間加熱攪拌した。さらに一晩室温~23°Cで攪拌した。反応溶液を2塩酸95gで希釈して、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過により除去し、濃縮して、油状物質29.1gを得た。得られた油状物質をシリカゲルクロマトグラフィークロロホルム/メタノール展開で精製して、化合物I-200を13.1g収率:92.3得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.82~7.75m,12H;7.50~7.41m,4H;7.33~7.30m,2H;6.99~6.97m,2H;6.74q,1H;5.84d,1H;5.26d,1H;5.084.21t,2H;2.86t,2H;1.76~1.70m,2H;1.61~1.56m,2H;1.32s,27H13C-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質クロロホルム:δppm162.07t,J=30Hz;157.50;157.22;136.64136.53;136.21;131.86;130.86;128.31;127.88;126.25;126.14;122.08;115.58;114.35;113.11t,J=285Hz;69.0065.76;35.0533.63;30.56;26.72;24.7819F-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質フルオロベンゼン:δppm-105.21LC-MS:431.4[M];C30H39S=431.28471.0[M]-;C21H21F2O6S2=471.08参考例1樹脂X1の合成例化合物I-1をモノマーAとして用い、樹脂X1を合成した。モノマーA6.62g、モノマーB8.00g、モノマーC及びモノマーD10.45gを、10:30:30:30のモル比で反応器に仕込み、全モノマー量の1.5重量倍のジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.21gとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル0.96gを全モノマー量に対してそれぞれ1mol、3mol添加し、73°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させた。ろ過後、得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて、メタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させるという操作を2回行って精製し、重量平均分子量Mwが6.5×103の樹脂22.03g:収率65.9を得た。この樹脂は、下記の構造単位を有するものであり、これを樹脂X1とする。参考例2レジスト組成物の調製表Aに示す配合比で、樹脂X1、光酸発生剤P1、クエンチャーQ1及び溶剤S1を混合し、さらに、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターでろ過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>樹脂X1<光酸発生剤>光酸発生剤P1:トリフェニルスルホニウム4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナートを、特開2007-224008号に記載の方法に従って合成した。<クエンチャー>クエンチャーQ1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>溶媒S1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート450部プロピレングリコールモノメチルエーテル150部γ-ブチロラクトン5部[表A]━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━組成物No樹脂光酸発生剤クエンチャー溶剤━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━組成物1X1=10部なしなし溶媒S1━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━参考例3レジスト組成物の評価シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した上で、参考例2で得られたレジスト組成物を乾燥後の膜厚が60nmとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表13のPB欄に示す温度で60秒間プリベークした。レジスト膜を形成したウェハーに、電子線描画機株日立製作所製のHL-800D50KeVを用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表1のPEB欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。シリコンウェハー上のレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、以下の評価を行い、その結果を表Bに示した。実効感度:0.2μmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で表示した。解像度:実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。ラインエッジラフネス評価LER:リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の触れ幅が、15nm以下であるものを○15nmを超え、20nm以下であるものを△、20nmを超えるものを×とした。[表B]━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━例組成物NoPBPEB実効感度解像度LERnm━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━実施例1組成物1110°C110°C2580○━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━これらの結果から、本発明の化合物[化合物I]を用いて得られる樹脂を含むレジスト組成物により形成されたレジストパターンは、LERに優れることが確認された。"