発電機によって供給される交流電圧を整流するために少なくとも1つの整流素子を備えた、車両の電圧供給用発電機装置において、前記整流素子はnチャネルMOS電界効果トランジスタを備え、該nチャネルMOS電界効果トランジスタにおいてゲート、ボディエリアおよびソースエリアが固定的に電気的に互いに接続され、およびドレインエリアがカソードとして機能することを特徴とする発電機装置。前記ボディエリアのドーピングが、表面におけるしきい値電圧低減のために引き下げられることを特徴とする、請求項1に記載の発電機装置。前記整流素子は、pnダイオードの順方向電圧よりも低いオン状態電圧UONを有することを特徴とする、請求項1または2に記載の発電機装置。前記整流素子は、500A/cm2の電流が流れる場合に0.7Vより小さいオン状態電圧UONを有することを特徴とする、請求項3に記載の発電機装置。前記整流素子は、500A/cm2の電流が流れる場合に0.5V~0.7Vの間のオン状態電圧UONを有することを特徴とする、請求項4に記載の発電機装置。ソース接点とゲート接点の前記接続はモノリシックに内蔵されていることを特徴とする、請求項1から5のうちのいずれか一項に記載の発電機装置。前記整流素子は、50nmを超えるゲート酸化層の厚さtoxを備えていることを特徴とする、請求項1から6のうちのいずれか一項に記載の発電機装置。前記整流素子は、20nm未満のゲート酸化層の厚さを備えていることを特徴とする、請求項1から6のうちのいずれか一項に記載の発電機装置。前記整流素子は、ハンダ付け可能な表側および裏側を備えていることを特徴とする、請求項1から8のうちのいずれか一項に記載の発電機装置。前記整流素子は、電圧制限ロードダンプ保護を内蔵していることを特徴とする、請求項1から9のうちのいずれか一項に記載の発電機装置。前記内蔵された電圧制限が、ボディダイオードのアバランシェ降伏によって実行されることを特徴とする、請求項10に記載の発電機装置。前記MOSFETがプレーナー技術によるパワーMOSFETとして、またはトレンチ技術によるパワーMOSFETとして製造されることを特徴とする、請求項1から11のうちのいずれか一項に記載の発電機装置。前記発電機装置は複数の整流素子を備え、それぞれ1つの二極性ダイオード圧入筐体に内蔵されていることを特徴とする、請求項1から12のうちのいずれか一項に記載の発電機装置。前記整流素子に、電圧制限素子が並列に接続されていることを特徴とする、請求項1から13のうちのいずれか一項に記載の発電機装置。