"アジポニトリルの製造方法であって、a1番目の反応ゾーン内で1,3-ブタジエンBDとシアン化水素HCNを含有して成る混合物の反応をゼロ価Niと1番目の燐含有配位子を含有して成る1番目の触媒の存在下で起こさせることで3-ペンテンニトリル3PNと2-メチル-3-ブテンニトリル2M3BNを含有して成る反応生成物を生じさせ、b段階aの2M3BNの少なくとも一部に異性化を2番目の反応ゾーン内でゼロ価Niと2番目の燐含有配位子を含有して成る2番目の触媒の存在下で受けさせることで3PNを含有して成る反応生成物を生じさせ、そしてc3番目の反応ゾーン内で段階bで得た3PNとシアン化水素HCNを含有して成る混合物の反応をゼロ価Niと3番目の燐含有配位子を含有して成る3番目の触媒の存在下およびルイス酸助触媒の存在下で起こさせることでアジポニトリルを含有して成る反応生成物を生じさせる、段階を含んで成り、かつ触媒を前記1番目、2番目および3番目の反応ゾーンの中に反応体および生成物と一緒に流し、前記1番目の反応ゾーンにまたt-ブチルカテコールも前記1番目の反応ゾーンに送り込む1,3-ブタジエン100万部当たりに少なくとも10ppm送り込まれ、前記1番目の反応ゾーンから流れ出る1番目の触媒を1つ以上の蒸留段階で濃縮しそして少なくとも1つの触媒再循環流れとして前記1番目の反応ゾーンに再循環させ、前記1番目の反応ゾーンに再循環させる前記触媒再循環流れの一部と抽出用溶媒の接触を液体/液体抽出段階で起こさせることで溶媒相とラフィネート相を生じさせ、前記溶媒相に触媒が入っておりかつ前記ラフィネート相に触媒分解生成物が入っており、そして前記液体/液体抽出段階で得た前記溶媒相に由来する触媒を前記1番目の反応ゾーンに再循環させる、ことを含んで成る方法。前記触媒再循環流れを液体/液体抽出段階に導入する前の前記流れにゼロ価ニッケルを添加しない請求項1記載の方法。前記液体/液体抽出段階が前記触媒再循環流れの一部、抽出用溶媒およびジニトリルを液体/液体抽出ゾーンに導入しそして前記液体/液体抽出ゾーン内の液体を分離させて触媒を含有して成る溶媒相とジニトリルおよび触媒分解生成物を含有して成るラフィネート相を生じさせることを含んで成る請求項1または請求項2記載の方法。前記液体/液体抽出ゾーンから出て来た前記溶媒相に蒸留を受けさせることで抽出用溶媒を除去しかつ抽出された触媒流れを得て、それを前記1番目の反応ゾーンに再循環させる請求項1から3のいずれか記載の方法。ゼロ価ニッケルを前記抽出された触媒流れに添加しそしてその抽出された触媒流れを前記1番目の反応ゾーンに再循環させる請求項1から4のいずれか記載の方法。前記ラフィネート相に抽出用溶媒、ペンテンニトリル、ジニトリルおよび触媒分解生成物が入っており、ジニトリルを抽出用溶媒、ペンテンニトリルおよび触媒分解生成物から分離し、そしてその分離したジニトリルを前記液体/液体抽出段階に再循環させる、請求項1から5のいずれか記載の方法。前記1番目の燐含有配位子がt-ブチルカテコールと反応しない配位子であり、そして前記ラフィネート相にt-ブチルカテコールが入っている、請求項1から6のいずれか記載の方法。前記3番目の燐含有配位子が二座ホスファイト含有配位子である請求項7記載の方法。前記1番目および3番目の燐含有配位子がt-ブチルカテコールと反応する請求項1から6のいずれか記載の方法。前記1番目の燐含有配位子が単座ホスファイト含有配位子であり、そして前記3番目の燐含有配位子が二座ホスファイト含有配位子である、請求項9記載の方法。前記1番目の燐含有配位子がTTPまたはMTTPであり、前記3番目の燐含有配位子が二座ホスファイト含有配位子である、t-ブチルカテコールがTTPまたはMTTPと反応してクレゾールを包含する触媒分解生成物をもたらし、前記ラフィネート相にクレゾールが入っており、そして前記ラフィネート相に蒸留を受けさせることでクレゾールを除去する、請求項6記載の方法。前記1番目の反応ゾーンにまたt-ブチルカテコールも前記1番目の反応ゾーンに送り込む1,3-ブタジエン100万部当たりに20から100ppm送り込まれる請求項1から11のいずれか記載の方法。前記1番目の燐含有配位子、前記2番目の燐含有配位子および前記3番目の燐含有配位子の各々がホスファイト配位子またはホスホナイト配位子またはホスフィナイト配位子である請求項1から6のいずれか記載の方法。前記1番目の燐含有配位子および前記2番目の燐含有配位子が単座ホスファイト配位子でありそして前記3番目の燐含有配位子が二座ホスファイト配位子である請求項1から6のいずれか記載の方法。"