有底円筒状の容器本体1aと該容器本体1aを蓋閉めするための蓋体1bを有した中空状の円柱形状をなす坩堝1を有し、前記蓋体1bに炭化珪素基板からなる種結晶3を配置すると共に前記容器本体1aに炭化珪素原料5、20、31を配置し、前記炭化珪素原料5、20、31の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶3上に炭化珪素単結晶8を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、前記炭化珪素原料5、20、31の昇華ガス供給面の一部を覆っている形態と、前記炭化珪素原料5、20、31の加熱が開始されてから一定時間後に前記炭化珪素原料5、20、31の昇華ガス供給面の一部から離れて新たな昇華ガス供給面を形成する形態とを成す昇華ガス供給調整部材4、19、30を有し、前記昇華ガス供給調整部材として、円形および板状であって、前記容器本体1aの内径と同じ径であり、前記板に当該板を貫通する窓部19aが設けられており、前記蓋体1bの開口端が前記容器本体1aの開口端に接しつつ重なるように取り付けられると前記円形の板の側面が前記容器本体1aの内壁面に接した状態となるように支持部18を介して前記蓋体1bに一体化された原料蓋19を有し、前記容器本体1a内に炭化珪素原料20が配置され、前記蓋体1bが前記容器本体1aに取り付けられると、前記炭化珪素原料20の表面と前記原料蓋19の端面とが接し、さらに、前記蓋体1bが前記容器本体1aに対して中心軸の軸方向に相対的に移動可能になっており、前記原料蓋19の前記窓部19aから露出する炭化珪素原料20と前記種結晶3との間を成長空間領域21とし、前記坩堝1の加熱が開始されると、前記原料蓋19の前記窓部19aに露出する前記炭化珪素原料20から前記成長空間領域21に昇華ガスが供給され、前記坩堝1の加熱が開始されてから一定時間後に前記蓋体1bが前記容器本体1aから離れるように相対的に移動し、前記原料蓋19が前記炭化珪素原料20から離れることで、前記原料蓋19に接していた前記炭化珪素原料20が前記新たな昇華ガス供給面として前記成長空間領域21に露出し、当該露出部分から昇華ガスが前記成長空間領域21に供給されるようになっていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。円形および板状であって、当該円形の板が前記原料蓋19と重ね合わされた場合、前記円形の板のうち当該原料蓋19の窓部19aに対向する場所に前記板を貫通する窓部22aが設けられており、この窓部22aを構成する内周壁と前記円形の板の外周壁との間の板部分に当該板を貫通する複数の孔部22bが設けられた蓋部材22が、前記炭化珪素原料20の表面に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。有底円筒状の容器本体1aと該容器本体1aを蓋閉めするための蓋体1bを有した中空状の円柱形状をなす坩堝1を有し、前記蓋体1bに炭化珪素基板からなる種結晶3を配置すると共に前記容器本体1aに炭化珪素原料5、20、31を配置し、前記炭化珪素原料5、20、31の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶3上に炭化珪素単結晶8を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、前記炭化珪素原料5、20、31の昇華ガス供給面の一部を覆っている形態と、前記炭化珪素原料5、20、31の加熱が開始されてから一定時間後に前記炭化珪素原料5、20、31の昇華ガス供給面の一部から離れて新たな昇華ガス供給面を形成する形態とを成す昇華ガス供給調整部材4、19、30を有し、前記昇華ガス供給調整部材として、有底円筒状であって、前記容器本体1aの内径よりも径が小さく、前記有底円筒の開口側が前記蓋体1bに一体化されると共に、側部に貫通穴30bが設けられた分離部30を有し、前記容器本体1a内に炭化珪素原料31が配置され、前記蓋体1bが前記容器本体1aに取り付けられると、前記炭化珪素原料31の表面と前記分離部30の底部30cとが接し、さらに、前記蓋体1bが前記容器本体1aに対して中心軸の軸方向に相対的に移動可能になっており、前記分離部30の中空部分において前記底部30cと種結晶3の間を成長空間領域32とし、前記坩堝1の加熱が開始されると、前記分離部30の外壁と前記容器本体1aの内壁との間に露出する前記炭化珪素原料31から発生した昇華ガスが前記分離部30に設けられた前記貫通穴30bを通過して前記成長空間領域32に供給され、前記坩堝1の加熱が開始されてから一定時間後に前記蓋体1bが前記容器本体1aから離れるように相対的に移動し、前記分離部30の前記底部30cが前記炭化珪素原料31から離れることで、前記底部30cに接していた前記炭化珪素原料31が前記新たな昇華ガス供給面として前記容器本体1a内に露出し、当該露出部分から生じた昇華ガスが前記分離部30の外壁と前記容器本体1aの内壁との間の空間および前記貫通穴30bを通過して前記成長空間領域32に供給されるようになっていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。有底円筒状の容器本体1aと該容器本体1aを蓋閉めするための蓋体1bを有した中空状の円柱形状をなす坩堝1を有し、前記蓋体1bに炭化珪素基板からなる種結晶3を配置すると共に前記容器本体1aに炭化珪素原料5、20、31を配置し、前記炭化珪素原料5、20、31の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶3上に炭化珪素単結晶8を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、昇華ガス供給調整部材4、19、30にて前記炭化珪素原料5、20、31の昇華ガス供給面の一部を覆っている状態で前記坩堝1の加熱を開始し、前記炭化珪素原料5、20、31の加熱を開始してから一定時間後に前記昇華ガス供給調整部材4、19、30を前記炭化珪素原料5、20、31の昇華ガス供給面の一部から離して新たな昇華ガス供給面を形成し、前記炭化珪素単結晶8を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。前記昇華ガス供給調整部材として、中空円筒状であって、前記容器本体1aの内径よりも径が小さく、側部に貫通穴4dが設けられた分離壁4を用意して当該分離壁4の一端側4aを前記蓋体1bに一体化し、前記蓋体1bを前記容器本体1aに取り付け、前記分離壁4の他端側4cの端面4eを前記容器本体1aの底面に接触した状態で前記分離壁4の中空部分に炭化珪素原料5を配置し、前記炭化珪素原料5の配置後、前記坩堝1の加熱を開始して、前記分離壁4の中空部分に露出する前記炭化珪素原料5から生じた昇華ガスを前記分離壁4の中空部分のうち前記種結晶3と前記炭化珪素原料5との間の成長空間領域6に供給し、前記坩堝1の加熱を開始してから一定時間後に前記蓋体1bを前記容器本体1aから離すように相対的に移動させて前記分離壁4の他端側4cの端面4eを前記容器本体1aの底面から離すことで、前記分離壁4の他端側4cに接していた前記炭化珪素原料5を前記新たな昇華ガス供給面として前記容器本体1a内に露出させ、当該露出部分から昇華ガスを前記容器本体1aの内壁面と前記分離壁4の外壁面と間の空間に形成されるガス供給通路7および前記貫通穴4dを通過させて前記成長空間領域6に供給し、前記炭化珪素単結晶8を成長させることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。中空円筒状の円筒部材9aと、中空円筒状であって、前記円筒部材9aに一体化されると共に、前記容器本体1aの底面に固定され、さらに通気性を有する断熱部材9bと、を備えて構成されるスライド壁9を前記分離壁4の内壁面に配置し、さらに前記スライド壁9の中空部分に前記炭化珪素原料5を配置し、前記容器本体1aから前記蓋体1bを離すように移動させた際に、前記昇華ガスを前記断熱部材9bを通過させて前記ガス供給通路7に供給することを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。前記昇華ガス供給調整部材として、円形および板状であって、前記容器本体1aの内径と同じ径であり、前記板に当該板を貫通する窓部19aが設けられた原料蓋19を用意し、前記蓋体1bの開口端が前記容器本体1aの開口端に接しつつ重なるように取り付けられると前記原料蓋19の側面が前記容器本体1aの内壁面に接した状態となるように支持部18を介して前記原料蓋19を前記蓋体1bに一体化し、前記容器本体1a内に炭化珪素原料20を配置し、前記蓋体1bを前記容器本体1aに取り付けて、前記炭化珪素原料20の表面に前記原料蓋19の端面を接触させた後、前記坩堝1の加熱を開始して、前記原料蓋19の前記窓部19aに露出する前記炭化珪素原料20から生じる昇華ガスを前記原料蓋19の前記窓部19aから露出する炭化珪素原料20と前記種結晶3との間の成長空間領域21に供給し、前記坩堝1の加熱を開始してから一定時間後に前記蓋体1bを前記容器本体1aから離れるように相対的に移動させ、前記原料蓋19を前記炭化珪素原料20から離すことで、前記原料蓋19に接していた前記炭化珪素原料20を前記新たな昇華ガス供給面として前記成長空間領域21に露出させ、当該露出部分から昇華ガスを前記成長空間領域21に供給し、前記炭化珪素単結晶8を成長させることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。円形および板状であって、当該円形の板が前記原料蓋19と重ね合わされた場合、当該原料蓋19の前記窓部19aに対向する場所に前記板を貫通する窓部22aが設けられており、前記窓部22aを構成する内周壁と前記円形の板の外周壁との間の板部分に当該板を貫通する複数の孔部22bが設けられた蓋部材22を、前記炭化珪素原料20の表面上に配置することを特徴とする請求項7に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。前記昇華ガス供給調整部材として、有底円筒状であって、前記容器本体1aの内径よりも径が小さく、側部に貫通穴30bが設けられた分離部30を用意して当該分離部30の開口側を前記蓋体1bに一体化し、前記容器本体1a内に炭化珪素原料31を配置し、前記蓋体1bを前記容器本体1aに取り付けることで、前記炭化珪素原料31の表面に前記分離部30の底部30cを接触させた後、前記坩堝1の加熱を開始すると、前記分離部30の外壁と前記容器本体1aの内壁との間に露出する前記炭化珪素原料31から発生した昇華ガスを前記分離部30に設けられた前記貫通穴30bを通過させて前記分離部30の中空部分において前記底部30cと種結晶3の間の成長空間領域32に供給し、前記坩堝1の加熱を開始してから一定時間後に前記蓋体1bを前記容器本体1aから離れるように相対的に移動させ、前記分離部30の前記底部30cを前記炭化珪素原料31から離すことで、前記底部30cに接していた前記炭化珪素原料31を前記新たな昇華ガス供給面として前記容器本体1a内に露出させ、当該露出部分から生じた昇華ガスを前記分離部30の外壁と前記容器本体1aの内壁との間の空間および前記貫通穴30bを通過させて前記成長空間領域32に供給し、前記炭化珪素単結晶8を成長させることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。しかしながら、上記従来の技術では、坩堝底部に配されたSiC粉末原料を加熱して昇華させていくと、SiC粉末原料の上層部から主としてシリコンが昇華していくため、SiC粉末原料のうち上層部のシリコンが枯渇して、当該上層部が固まった枯渇層となってしまう。そして、SiC粉末原料の加熱を続けると、当該枯渇層が厚くなってしまい、当該カーボン層がSiC粉末原料の上層部に蓋をする役割をし、未だ昇華していないSiC粉末原料の下層部からの昇華ガスの供給が困難になってしまう。これにより、種結晶に昇華ガスを供給し続けることができなくなり、SiC単結晶の成長速度が低下してしまうという問題がある。本発明は、上記点に鑑み、粉末原料から種結晶に昇華ガスを供給し続けることができるSiC単結晶の製造装置と製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明では、炭化珪素原料5、20、31の昇華ガス供給面の一部を覆っている形態と、炭化珪素原料5、20、31の加熱が開始されてから一定時間後に炭化珪素原料5、20、31の昇華ガス供給面の一部から離れて新たな昇華ガス供給面を形成する形態とを成す昇華ガス供給調整部材4、19、30を有することを特徴とする。これにより、炭化珪素原料5、20、31の昇華ガス供給面の一部を覆っている形態を続けることで昇華ガスの供給が低下しても、昇華ガス供給調整部材が昇華ガス供給面の一部から離れてできる新たな昇華ガス供給面から昇華ガスを供給できるようにすることができる。したがって、種結晶3に昇華ガスを供給し続けることができ、ひいては炭化珪素単結晶8の成長速度の低下を防止することができる。また、具体的な装置として、昇華ガス供給調整部材として、円形および板状であって、容器本体1aの内径と同じ径であり、板に当該板を貫通する窓部19aが設けられており、蓋体1bの開口端が容器本体1aの開口端に接しつつ重なるように取り付けられると円形の板の側面が容器本体1aの内壁面に接した状態となるように支持部18を介して蓋体1bに一体化された原料蓋19を有し、容器本体1a内に炭化珪素原料20が配置され、蓋体1bが容器本体1aに取り付けられると、炭化珪素原料20の表面と原料蓋19の端面とが接し、さらに、蓋体1bが容器本体1aに対して中心軸の軸方向に相対的に移動可能になっており、原料蓋19の窓部19aから露出する炭化珪素原料20と種結晶3との間を成長空間領域21とし、坩堝1の加熱が開始されると、原料蓋19の窓部19aに露出する炭化珪素原料20から成長空間領域21に昇華ガスが供給され、坩堝1の加熱が開始されてから一定時間後に蓋体1bが容器本体1aから離れるように相対的に移動し、原料蓋19が炭化珪素原料20から離れることで、原料蓋19に接していた炭化珪素原料20が新たな昇華ガス供給面として成長空間領域21に露出し、当該露出部分から昇華ガスが成長空間領域21に供給されるようになっていることを特徴とする。このような構成により、一定時間後に原料蓋19の端面に接していた炭化珪素原料20の表面を新たな昇華ガス供給面として昇華ガスを供給できるようにすることができ、成長空間領域21に昇華ガスを供給し続けることができる。こうして、炭化珪素単結晶8の成長速度の低下を防止することができる。この場合、円形および板状であって、当該円形の板が原料蓋19と重ね合わされた場合、前記円形の板のうち当該原料蓋19の窓部19aに対向する場所に板を貫通する窓部22aが設けられており、この窓部22aを構成する内周壁と円形の板の外周壁との間の板部分に当該板を貫通する複数の孔部22bが設けられた蓋部材22を、炭化珪素原料20の表面に配置することができる。これにより、蓋部材22から原料蓋19が離れると、蓋部材22の孔部22bに露出する炭化珪素原料20が新たな昇華ガス供給面となり、当該供給面からも昇華ガスを供給することができる。また、原料蓋19を炭化珪素原料20に直接接触させないようにすることができるので、原料蓋19が炭化珪素原料20に固着することを防止することができる。さらに、別の具体的な装置として、昇華ガス供給調整部材として、有底円筒状であって、容器本体1aの内径よりも径が小さく、有底円筒の開口側が蓋体1bに一体化されると共に、側部に貫通穴30bが設けられた分離部30を有し、容器本体1a内に炭化珪素原料31が配置され、蓋体1bが容器本体1aに取り付けられると、炭化珪素原料31の表面と分離部30の底部30cとが接し、さらに、蓋体1bが容器本体1aに対して中心軸の軸方向に相対的に移動可能になっており、分離部30の中空部分において底部30cと種結晶3の間を成長空間領域32とし、坩堝1の加熱が開始されると、分離部30の外壁と容器本体1aの内壁との間に露出する炭化珪素原料31から発生した昇華ガスが分離部30に設けられた貫通穴30bを通過して成長空間領域32に供給され、坩堝1の加熱が開始されてから一定時間後に蓋体1bが容器本体1aから離れるように相対的に移動し、分離部30の底部30cが炭化珪素原料31から離れることで、底部30cに接していた炭化珪素原料31が新たな昇華ガス供給面として容器本体1a内に露出し、当該露出部分から生じた昇華ガスが分離部30の外壁と容器本体1aの内壁との間の空間および貫通穴30bを通過して成長空間領域32に供給されるようになっていることを特徴とする。これにより、分離部30の底部30cで覆っていた炭化珪素原料31の面を新たな昇華ガス供給面とすることができる。したがって、炭化珪素単結晶8に炭化珪素原料31の昇華ガスを供給し続けることができ、ひいては炭化珪素単結晶8の成長速度の低下を防止することができる。上記では、炭化珪素単結晶の製造装置について述べたが、炭化珪素単結晶の製造方法についても同様のことが言える。例えば、昇華ガス供給調整部材4、19、30にて炭化珪素原料5、20、31の昇華ガス供給面の一部を覆っている状態で坩堝1の加熱を開始し、炭化珪素原料5、20、31の加熱を開始してから一定時間後に昇華ガス供給調整部材4、19、30を炭化珪素原料5、20、31の昇華ガス供給面の一部から離して新たな昇華ガス供給面を形成し、炭化珪素単結晶8を成長させることができる。このように、炭化珪素原料5、20、31を加熱するに際し、第1段階で昇華ガス供給面から昇華ガスを供給し、一定時間後に第1段階における昇華ガス供給面を広くする新たな昇華ガス供給面を形成することにより、昇華ガスの供給の低下を防止でき、炭化珪素単結晶8の成長速度の低下を防止できる。なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。第1実施形態以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1aは、本発明の第1実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成を示したものである。この図に示されるように、SiC単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体1aと円形状の蓋体1bとによって構成されたグラファイト製の坩堝1を備えている。坩堝1内には、蓋体1bの裏面には台座2を介して例えば円形状のSiCの種結晶3が配置されている。さらに、坩堝1内には、グラファイト製であって中空円筒状の分離壁4が配置されている。図1bは、当該分離壁4の外観図である。分離壁4は、容器本体1aや蓋体1bよりも径が小さく、坩堝1のうち蓋体1bに一体にされている。具体的には、分離壁4のうち一端側4aに図1aに示されるフランジ部4bが設けられ、当該フランジ部4bが蓋体1bの内壁に一体にされている。また、分離壁4の他端側4cが蓋体1bの開口端から突出しており、このようにして突出した分離壁4の他端側4cが容器本体1aに収納されている。この場合、容器本体1aの中心軸、蓋体1bの中心軸、分離壁4の中心軸がそれぞれ同じ軸上に配置されている。分離壁4の側部のうち蓋体1b側には複数の貫通穴4dが設けられている。これら複数の貫通穴4dは、分離壁4の外部と中空部分とを繋ぎ、分離壁4の外部から中空部分に昇華ガスを通過させる通路として機能する。なお、分離壁4は、本発明の昇華ガス供給調整部材に相当する。また、図1aに示されるように、分離壁4の他端側4cの端面4eが容器本体1aの底面に接触した状態で、分離壁4の中空部分に昇華ガスの供給源となるSiCの粉末原料5が配置されている。すなわち、分離壁4の中空部分に配置された粉末原料5の表面が昇華ガス供給面となる。そして、分離壁4の中空部分のうち種結晶3と粉末原料5との間を成長空間領域6とすると、粉末原料5からの昇華ガスが成長空間領域6を通過して種結晶3の表面上に再結晶化して、種結晶3の表面にSiC単結晶が成長させられる構成とされている。さらに、容器本体1aの開口端部の外壁面に凹部1cが設けられている。そして、容器本体1aの凹部1cに蓋体1bの開口端部の内壁が接するように差し込まれ、分離壁4の他端側4cの端面4eが容器本体1aの底面に接触すると、図1aに示される形態となる。蓋体1bには、蓋体1bを中心軸に沿って移動させる図示しない駆動機構が設けられており、図示しない制御装置によって蓋体1bの移動が制御されるようになっている。以上が、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の全体構成である。次に、上記SiC単結晶製造装置を用いてSiC単結晶を製造する方法について、図を参照して説明する。図2aは、本実施形態におけるSiC単結晶の製造工程を示した図である。まず、図1aに示されるように、蓋体1bの底部に台座2を介して種結晶3を配置し、当該種結晶3に対向するように、分離壁4の中空部分に粉末原料5を配置する。続いて、坩堝1を図示しない加熱チャンバに設置し、図示しない排気機構を用いてガス排出を行うことで、坩堝1内を含めた外部チャンバ内を真空にし、誘導コイルに通電することで位置が固定されたヒータを誘導加熱し、その輻射熱により坩堝1を加熱することで坩堝1内を所定温度にする。このとき、各誘導コイルへの通電の周波数もしくはパワーを異ならせることにより、ヒータで温度差が発生させられる加熱を行えるようにしている。なお、放射温度計を通じて坩堝1の各部やヒータの測温を行いながら誘導コイルの通電量を制御することで、坩堝1内の温度制御を行う。また、ヒータは例えば粉末原料5に対向する位置に固定されている。加熱チャンバ内には例えば不活性ガスArガス等や水素、結晶へのドーパントとなる窒素などの混入ガスを流入させる。この不活性ガスは排気配管を介して排出される。種結晶3の成長面の温度およびSiC粉末原料5の温度を目標温度まで上昇させるまでは、加熱チャンバ内は大気圧に近い雰囲気圧力にして粉末原料5からの昇華を抑制し、目標温度になったところで、真空雰囲気とする。例えば、成長結晶を4H-SiCとする場合、粉末原料5の温度を2100~2300°Cとし、成長結晶表面の温度をそれよりも10~200°C程度低くして、真空雰囲気は0.01~50Torrとする。このようにして、粉末原料5を加熱することで粉末原料5が昇華し、粉末原料5のうち上層部から昇華ガスが発生する。この昇華ガスは、成長空間領域6内を通過して種結晶3に供給される。そして、上述のように、粉末原料5を加熱し続けると、SiC粉末原料5の上層部のシリコンが枯渇したカーボン層すなわち枯渇層が形成され、この状態が維持されると昇華ガスの供給が低下する。したがって、粉末原料5の加熱を開始して一定時間が経過した後、図2aに示されるように、坩堝1のうち蓋体1bを図示しない駆動機構にて容器本体1aから引き離すように相対的に移動させる。蓋体1bを引き上げるタイミングは、基本的には成長条件、とくに原料温度、雰囲気圧力によって原料5の枯渇状態が変わるため、事前に実験によって成長速度の変化を求めて成長速度が低下を始めた時点、すなわち昇華ガスの発生が低下を始めた時点で引き上げるのがよい。引き上げる高さは、その時点での結晶の成長高さと等しくすることが望ましい。なぜなら、粉末原料5の表面と成長結晶の表面の距離を一定に保つことで、成長速度を決める一つの要因である粉末原料5と成長結晶の表面温度差の変動を小さく抑えることができるからである。よって、一定時間ごとに成長高さに対応した高さに複数回に分けて引き上げてもよいし、連続して成長速度と同じ速度で引き上げてもよい。この場合、蓋体1bの開口端部の内壁が容器本体1aの開口端部の外壁面に設けられた凹部1cに接しながら引き上げられるため、容器本体1aに蓋体1bが差し込まれた形態が維持される。これにより、分離壁4の他端側4cの端面4eが容器本体1aの底面から離れ、分離壁4の他端側4cの内壁面に接していた粉末原料5の下層部が分離壁4の外壁面と容器本体1aの内壁面との間に露出する。この露出部分が新たな昇華ガス供給面となる。すなわち、この粉末原料5の下層部の露出部分から、容器本体1aの内壁面と分離壁4の外壁面とで構成される空間を経由して分離壁4に設けられた各貫通穴4dまでのガス供給通路7を形成することができる。このガス供給通路7は、各貫通穴4dを介して成長空間領域6に合流する。なお、粉末原料の加熱を開始して一定時間が経過した後は、粉末原料は互いに固着して固まった状態になっている。上記のように、分離壁4が引き上げられるまでは、粉末原料5の上層部から成長空間領域6に昇華ガスが供給されていたが、分離壁4の他端側4cの端面4eを容器本体1aの底面から離し、粉末原料5の下層部を容器本体1a内に露出させることで、当該粉末原料5の下層部から発生する昇華ガスを新たなガス供給通路7を介して成長空間領域6に導くことができる。この場合、粉末原料5の上層部と同様に、粉末原料5の下層部においても分離壁4の他端側4cの内壁面や容器本体1aの底面に接する部分に枯渇層が形成される。しかしながら、粉末原料5の下層部に形成される枯渇層は、粉末原料5の上層部に形成されていく枯渇層よりも薄いため、昇華ガスは枯渇層を通過してガス供給通路7に供給される。図2bは、ガス供給通路7を模式的に示した図である。この図に示されるように、粉末原料5の下層部から発生した昇華ガスは、ガス供給通路7を介して分離壁4の各貫通穴4dを通過し、図2aに示される成長空間領域6を経て種結晶3に供給される。これにより、粉末原料5の上層部から供給される昇華ガスが枯渇層によって低減したとしても、粉末原料5の下層部から昇華ガスを供給することができ、昇華ガスを種結晶3に供給し続けることができる。このようにして、種結晶3にSiC単結晶8を形成する。以上説明したように、本実施形態では、SiC単結晶8の成長中に、蓋体1bを容器本体1aから相対的に移動させて、分離壁4の他端側4cの端面4eを容器本体1aの底面から離すことで、粉末原料5の下層部を容器本体1aに露出させると共に、分離壁4の外壁面と容器本体1aの内壁面との間の空間によって形成されるガス供給通路7を形成することが特徴となっている。これにより、粉末原料5の下層部から発生した昇華ガスをガス供給通路7を通過させて分離壁4の各貫通穴4dから成長空間領域6に導くことができる。すなわち、粉末原料5の上層部のシリコンが枯渇して厚い枯渇層が形成され、粉末原料5の上層部からの昇華ガスの供給が困難になったとしても、粉末原料5の下層部から新たに形成されたガス供給通路7を介して成長空間領域6に昇華ガスを供給し続けることができる。第2実施形態本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第1実施形態では、分離壁4の中空部分に粉末原料5を直接配置させていたため、分離壁4に接する粉末原料5が固まった枯渇層と分離壁4とが固着して分離壁4を引き上げることができない可能性がある。そこで、本実施形態では、分離壁4を確実に引き上げることが特徴となっている。図3は、本発明の第2実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成図である。本実施形態にかかる装置は、図1に示される装置において、分離壁4の中空部分にスライド壁9が配置された構成となっている。スライド壁9は、カーボン部材9aと断熱部材9bとで構成される。これらカーボン部材9aおよび断熱部材9bはいずれも中空円筒形状をなしており、容器本体1aの底面側に断熱部材9b、蓋体1b側にカーボン部材9aが配置されて各々が一体化されてスライド壁9が構成されている。断熱部材9bは通気性を有するもので構成され、例えば多孔質材が採用される。なお、カーボン部材9aは、本発明の円筒部材に相当する。そして、カーボン部材9aおよび断熱部材9bの各外壁面が分離壁4の内壁面に接しており、断熱部材9bの開口端が容器本体1aの底面に接している。すなわち、スライド壁9の外壁面と分離壁4の内壁面とは、坩堝1の軸方向に相対的に移動可能になっている。この場合、移動可能な分離壁4に対してスライド壁9の位置を固定するため、断熱部材9bの開口端が接着の方法等によって容器本体1aの底面に固定されている。このようなスライド壁9の中空部分に粉末原料5が配される。粉末原料5の上層部はカーボン部材9aにて囲まれるため、熱が伝わりやすく、昇華しやすくなっている。他方、粉末原料5の下層部は断熱部材9bにて囲まれるため、熱が伝わりにくく、昇華しにくくなっている。次に、上記構成を有する装置を用いてSiC単結晶を製造する方法について、図3および図4を参照して説明する。図4は、本実施形態におけるSiC単結晶の製造工程を示した図である。まず、図3に示される坩堝1を加熱する。上述のように、粉末原料5の上層部に熱が伝わりやすく、下層部に熱が伝わりにくくなっているため、上層部が昇華していく。このようにして、粉末原料5の上層部を優先して昇華させ、一定時間が経過した後、図4に示されるように分離壁4を引き上げる。この段階では、スライド壁9に接する粉末原料5に固着層5aが形成され、粉末原料5とスライド壁9とが一体化された状態になっている。しかしながら、スライド壁9と分離壁4とは接しているだけであるので、スライド壁9の位置を固定した状態で第1実施形態と同様に蓋体1bを容器本体1aから引き離すことで、分離壁4をスライド壁9に対して相対的に移動させることができる。これにより、断熱部材9bの外壁が容器本体1aの内壁に対向することとなる。また、昇華ガスを成長空間領域6に導くガス供給通路7が形成される。分離壁4を移動させる図3に示される状態では、粉末原料5の下層部は断熱部材9bおよび分離壁4によって熱の伝達が抑制されると共に、昇華が抑制されていたが、分離壁4が移動したことによって、粉末原料5の下層部に熱が与えられ、昇華ガスが発生する。すなわち、断熱部材9bは、成長初期段階における粉末原料5の下層部の昇華を抑制するものとして機能すると共に、成長後期段階における粉末原料5の下層部で発生する昇華ガスをガス供給通路7に導く通路として機能する。そして、粉末原料5の下層部で発生した昇華ガスは、断熱部材9bを通過してガス供給通路7に流れ、分離壁4の貫通穴4dを介して成長空間領域6に合流する。こうして、昇華ガスを成長中のSiC単結晶8に供給し続けることができる。以上説明したように、本実施形態では、分離壁4の中空部分にスライド壁9を設けることが特徴となっている。これにより、分離壁4と粉末原料5との固着を防止することができ、分離壁4を確実に引き上げることができる。また、スライド壁9をカーボン部材9aと断熱部材9bとで構成し、粉末原料5の下層部を断熱部材9bで囲うことで、SiC単結晶8の成長初期の段階では、粉末原料5の下層部の昇華を抑制することができ、分離壁4の引き上げ後に粉末原料5の下層部を昇華させるようにすることができる。第3実施形態上記各実施形態では、容器本体1a内に、当該容器本体1a内を分離する分離壁4が設けられた装置について示されたが、本実施形態では、容器そのものを分離して構成された装置を提供することが特徴となっている。図5は、本発明の第3実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成図である。この図に示されるように、SiC単結晶製造装置は、中空円筒状の外側容器11と、この外側容器11の中空部分に配置される有底円筒状の内側容器12と、蓋体13とによって構成されたグラファイト製の坩堝10を備えている。外側容器11の側部は、内壁部11a、外壁部11b、端面部11c、そしてこれらに囲まれた空間とで構成されており、当該空間が粉末原料14が配置される原料室11dとなっている。この原料室11dは、外側容器11の一端側11eから他端側11fまでの側部に可能な限り広く設けられている。なお、原料室11dは、本発明の第1の部屋に相当する。さらに、外側容器11の一端側11eの内壁部11aには、外側容器11の中空部分と原料室11dとを繋ぐと共に、粉末原料14から発生した昇華ガスを外側容器11の中空部分に導く複数の貫通穴11gが設けられている。内側容器12の外径は、外側容器11の内径と同じになっている。したがって、内側容器12が外側容器11の中空部分に差し込まれると、外側容器11の内壁部11aに内側容器12の外壁が接しつつ、当該中空部分に収納される。そして、内側容器12の底面と、外側容器11の他端側11fの底面とが同一面に合わせられている。この場合、内側容器12の高さは、内側容器12の開口端部が外側容器11の内壁部11aに設けられた各貫通穴11gを閉じない高さになっている。このように配置される内側容器12にも、粉末原料15が配置されている。また、外側容器11の一端側11eに円形状の蓋体13が取り付けられて一体化されており、蓋体1bの裏面に台座2を介して例えば円形状のSiCの種結晶3が配置されている。これにより、外側容器11の中空部分のうち種結晶3と粉末原料15との間に成長空間領域16が構成される。以上が、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の全体構成である。なお、蓋体13もしくは外側容器11には、上記各実施形態と同様に、蓋体13および外側容器11を内側容器12から離すように移動させる図示しない駆動機構が設けられている。次に、上記SiC単結晶製造装置を用いてSiC単結晶を製造する方法について、図5および図6を参照して説明する。図6は、本実施形態におけるSiC単結晶の製造工程を示した図である。まず、図5に示されるように、外側容器11の原料室11dに粉末原料14を配置すると共に、内側容器12に粉末原料15を配置し、外側容器11の中空部分に内側容器12を差し込む。そして、蓋体13の底部に台座2を介して種結晶3を配置し、蓋体13を外側容器11に一体化させて図5の坩堝10を構成する。この後、坩堝10を加熱チャンバに設置し、第1実施形態と同様に、坩堝10を加熱する。これにより、図5に示されるように、粉末原料14に対向する位置に固定された図示しないヒータによって、坩堝10の外側容器11が加熱されていく。これにより、外側容器11の原料室11dに配置された粉末原料14が加熱されて昇華し、昇華ガスが原料室11dから各貫通穴11gを介して成長空間領域16に供給される。この昇華ガスは、成長空間領域6を通過して種結晶3に供給され、種結晶3にSiC単結晶8が成長していく。このように、第1段階として、外側容器11に配された粉末原料14を先に昇華させる。この際、内側容器12に配された粉末原料15は外側容器11によってヒータからの熱が遮られるため、外側容器11よりも高く加熱されていない。このため、内側容器12には昇華していない粉末原料15が残された状態となっている。すなわち、第1段階で外側容器11に配された粉末原料14を昇華させた一定時間後、第2段階として、図6に示されるように、図示しない駆動機構によって蓋体13もしくは外側容器11を内側容器12から離すように移動させる。これにより、ヒータの熱が内側容器12に直接与えられることになるため、主として、内側容器12に配された粉末原料15を昇華させることができる。この際、内側容器12の外壁は外側容器11の内壁部11aと接した状態が維持されているため、成長空間領域16は引き続き閉じた空間が維持される。したがって、内側容器12の粉末原料15から生じた昇華ガスは、外側容器11の中空部分、蓋体13、内側容器12によって囲まれた空間において、内側容器12に配置された粉末原料15と種結晶3との間の空間、すなわち成長空間領域16を経てSiC単結晶8に供給される。なお、外側容器11の中空部分、蓋体13、内側容器12によって囲まれた空間は、本発明の第2の部屋に相当する。以上説明したように、本実施形態では、原料室11dに粉末原料14が配された外側容器11と、粉末原料15が配された内側容器12とで坩堝10を構成し、先に外側容器11の粉末原料14を昇華させ、外側容器11を内側容器12から引き離した後、内側容器12の粉末原料15を昇華させることが特徴となっている。これにより、外側容器11の粉末原料14が枯渇しても、当該外側容器11を移動させることで内側容器12を直接加熱することができ、引き続き内側容器12から昇華ガスを供給し続けることができる。第4実施形態本実施形態では、第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第3実施形態では、内側容器12は外側容器11によって囲まれているので、ヒータからの熱が直接与えられないが、間接的であれ、高い温度で加熱され得る。これにより、外側容器11の粉末原料14を昇華させている際に、内側容器12の粉末原料15も昇華してしまい、内側容器12を直接加熱する段階で昇華させることができる粉末原料15が少なくなってしまう可能性がある。そこで、本実施形態では、外側容器11の粉末原料14を昇華させている際に、内側容器12の粉末原料15を極力昇華させないようにすることが特徴となっている。図7は、本発明の第4実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成図である。本実施形態にかかる装置は、図5に示される装置において、外側容器11の原料室11d内のうち内壁部11aに周方向に断熱部材17が配置された構成となっている。当該断熱部材17は、外側容器11の他端側4cに位置し、原料室11d内に配される粉末原料14と内壁部11aとによって挟まれている。次に、上記SiC単結晶製造装置を用いてSiC単結晶を製造する方法について、図7および図8を参照して説明する。図8は、本実施形態におけるSiC単結晶の製造工程を示した図である。まず、図7にしめされる坩堝10を加熱することで、外側容器11の原料室11dに配された粉末原料14を昇華し、昇華ガスを各貫通穴11gを介して成長空間領域16に供給する。これにより、種結晶3に昇華ガスを供給し、種結晶3にSiC単結晶を成長させていく。この場合、外側容器11の原料室11d内に、粉末原料14と内壁部11aとの間に断熱部材17が配置されているため、外側容器11から内側容器12に熱が伝わりにくくなっている。すなわち、断熱部材17によって、外側容器11の粉末原料14を昇華させる成長初期段階では、内側容器12の粉末原料15の昇華を抑制することができる。続いて、外側容器11を内側容器12から離すように坩堝10の軸方向に移動させる。これにより、内側容器12に熱を直接与え、内側容器12に配された粉末原料15を昇華させる。こうして、成長空間領域16に昇華ガスを供給し続け、SiC単結晶8を成長させていく。以上のように、外側容器11に断熱部材17を設けて、外側容器11の原料室11d内に配された粉末原料14を昇華させることで、内側容器12に配された粉末原料15の昇華を抑制することができ、外側容器11の移動後における内側容器12の粉末原料15からの昇華ガスをより長い時間供給し続けることができる。第5実施形態本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態では、SiC単結晶8の成長初期段階では、粉末原料の表面の一部を原料蓋で覆い、一定時間後に原料蓋を粉末原料の表面から離すことによって、粉末原料の表面全体から昇華ガスを供給できるようにし、SiC単結晶8の成長速度の低下を防止することが特徴となっている。すなわち、上記各実施形態と同様に、昇華ガスを2段階供給する。図9は、本発明の第5実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成図である。この図に示されるように、SiC単結晶製造装置は、図1aに示される坩堝1と同様に、有底円筒状の容器本体1aと円形状の蓋体1bとを備えている。蓋体1bの裏面には台座2を介してSiCの種結晶3が配置されている。蓋体1bには、例えば円筒状の支持部18が固定されている。この支持部18は、一端側にフランジ部18aを有し、このフランジ部18aを介して支持部18が蓋体1bに取り付けられている。本実施形態では、支持部18の他端側が蓋体1bの開口端よりも突出している。また、支持部18の他端側に円形で板状の原料蓋19が設けられている。この原料蓋19の径は、容器本体1aの内径と同じになっており、原料蓋19の側面が容器本体1aの内壁面に接した状態になる。さらに、原料蓋19には、板の中心部分に当該板を貫通する窓部19aが設けられている。なお、原料蓋19は、本発明の昇華ガス供給調整部材に相当する。また、支持部18は原料蓋19を固定できるものであれば良く、上記のように円筒状のものの他に、棒形状のものでも構わない。そして、容器本体1a外壁面に設けられた凹部1cに蓋体1bの開口端部の内壁が接するように差し込まれ、坩堝1が構成されている。この状態で、容器本体1aに粉末原料20が配される。この場合、図9に示されるように、粉末原料20の表面と原料蓋19の端面とが接しており、原料蓋19の窓部19aから露出する粉末原料20と種結晶3との間に成長空間領域21が構成される。すなわち、原料蓋19の窓部19aから露出する粉末原料20が昇華ガス供給面となる。そして、第1実施形態と同様に、蓋体1bには、当該蓋体1bを中心軸に沿って移動させる図示しない駆動機構が設けられている。以上が、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の全体構成である。次に、上記SiC単結晶製造装置を用いてSiC単結晶を製造する方法について、図9および図10を参照して説明する。図10は、本実施形態におけるSiC単結晶の製造工程を示した図である。まず、容器本体1aに粉末原料20を配して蓋体1bを取り付ける。これにより、図9に示されるように、粉末原料20の表面の一部が原料蓋19の端面に接し、原料蓋19の窓部19aに位置する粉末原料20のみが成長空間領域21に露出している。この坩堝1を加熱チャンバにて加熱すると、粉末原料20が加熱されて昇華ガスが発生する。しかしながら、原料蓋19の端面が接する粉末原料20の表面からは成長空間領域21に昇華ガスが供給されない。すなわち、SiC単結晶8を成長させる第1段階では、粉末原料20のうち原料蓋19に対向する部分からの昇華ガスの供給を抑制し、原料蓋19の窓部19aに対向する部分から成長空間領域21に昇華ガスを供給する。そして、一定時間後、第2段階として、図9に示されるように、図示しない駆動機構によって蓋体1bを容器本体1aから離すように移動させる。上述のように、粉末原料20を加熱し続けると、シリコンが枯渇して窓部19aから露出する粉末原料20の上層部に枯渇層が形成されて昇華ガスの供給が低下する可能性がある。したがって、蓋体1bを容器本体1aから離すことで原料蓋19を粉末原料20から離し、第1段階に対して粉末原料20から昇華ガスを供給できる表面積を増やす。すなわち、粉末原料20の表面のうち原料蓋19で覆われていた領域が新たな昇華ガス供給面となる。これにより、第1段階で原料蓋19の端面に接していた粉末原料20の表面からも昇華ガスを供給できるようになり、成長空間領域21に昇華ガスを供給し続けることができる。ひいては、SiC単結晶8の成長速度の低下を防止することができる。以上説明したように、本実施形態では、粉末原料20の表面の一部を原料蓋19で覆い、原料蓋19で覆われていない表面から成長空間領域21に昇華ガスを供給し、一定時間後に原料蓋19を粉末原料20から離すことで、粉末原料20の表面全体から昇華ガスを供給できるようにすることが特徴となっている。これにより、SiC単結晶8の成長初期段階に対して昇華ガスを供給できる粉末原料20の表面積を増加させることができる。したがって、SiC単結晶8の成長後半においても昇華ガスを供給し続けることができ、SiC単結晶8の成長速度の低下防止を図ることができる。第6実施形態本実施形態では、第5実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第5実施形態では、SiC単結晶8の成長初期段階では、原料蓋19を粉末原料20の表面に直接接触させているため、原料蓋19が粉末原料20に固着してしまう可能性があった。そこで、本実施形態では、原料蓋19と粉末原料20との間に原料蓋19の固着を防止する蓋部材を設けることが特徴となっている。図11aは、本発明の第6実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成図であり、図11bはaに示される装置に用いられる蓋部材22の平面図である。本実施形態における装置は、図9に示される装置に図11bの蓋部材22が設けられた構成となっている。蓋部材22は、粉末原料20と原料蓋19との固着を防止するためのものであり、蓋部材22の外形は、原料蓋19と同じ円形で板状をなしている。また、本実施形態では、蓋部材22の径は、原料蓋19と同じになっており、板の中心部分に当該板を貫通する窓部22aが設けられている。さらに、蓋部材22には、窓部22aを構成する内周壁と円形板の外周壁との間の板部分に当該板を貫通する複数の孔部22bが設けられている。各孔部22bは、蓋部材22の中心点を通る直線上に配置されている。なお、孔部22bの配置レイアウトは図11bに限らず、他の配置レイアウトでも良い。本実施形態では、原料蓋19、蓋部材22における各窓部19a、22aの位置やサイズは同じになっている。また、蓋部材22は、カーボン材や高融点金属で構成されることが望ましく、例えばタンタルやタングステン等の金属が採用される。また、これらの高融点金属で表面をコートしたカーボン材でもよい。このような構成を有する蓋部材22は、図11に示されるように、粉末原料20上に配置され、当該粉末原料20と原料蓋19とに挟まれた状態とされる。このとき、原料蓋19の窓部19aと蓋部材22の窓部22aとが繋がると共に、蓋部材22の各孔部22bは原料蓋19によって閉じられている。これにより、原料蓋19が蓋部材22と接触して配置されている状態では、粉末原料20の表面のうち各窓部19a、22aの位置に対応する粉末原料20の表面が成長空間領域21に露出することとなる。以上が、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の全体構成である。次に、上記SiC単結晶製造装置を用いてSiC単結晶を製造する方法について、図11および図12を参照して説明する。図12は、本実施形態におけるSiC単結晶の製造工程を示した図である。まず、容器本体1aに粉末原料20を配し、当該粉末原料20上に図11bに示される蓋部材22を載せ、容器本体1aに蓋体1bを取り付ける。そして、第1段階では、坩堝1を加熱して粉末原料20を加熱することで、各窓部19a、22aから成長空間領域21に露出する粉末原料20から昇華ガスを成長空間領域21に供給する。続いて、第2段階として、一定時間後、図12に示されるように、蓋体1bを容器本体1aから離すように移動させる。これによると、第1段階では原料蓋19によって閉じられていた蓋部材22の各孔部22bが成長空間領域21内に開口し、各孔部22b内に露出する粉末原料20から昇華ガスが成長空間領域21に供給される。これにより、粉末原料20のうち各窓部19a、22aから成長空間領域21に露出する部分からの昇華ガスの供給が低下したとしても、粉末原料20のうち蓋部材22の各孔部22bから成長空間領域21に露出する部分からも昇華ガスを成長空間領域21に供給することができる。したがって、成長空間領域21に昇華ガスを供給し続けることができ、SiC単結晶8の成長速度の低下を防止することができる。また、原料蓋19は粉末原料20に直接接触することがなく、蓋部材22の各孔部22bを覆っているのみである。この状態は、図9に示される状態と同じであり、SiC単結晶8の成長初期段階では、第5実施形態と同様に粉末原料20から昇華ガスを供給することができる。そして、本実施形態では、一定時間後に蓋部材22から原料蓋19を離したとしても、粉末原料20上には蓋部材22が配置されているため、原料蓋19が粉末原料20に固着することを防止することができる。第7実施形態本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。第1実施形態では、分離壁4は蓋体1bに一体化され、蓋体1bの移動と共に容器本体1aから離れる構成となっていたが、本実施形態では、分離壁を蓋体1bおよび容器本体1aそれぞれに設けたことが特徴となっている。図13aは、本発明の第7実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成図であり、図13bはaに示される装置に用いられる分離壁23の外観図である。図13aに示される坩堝1内には、図13bに示される中空円筒状の分離壁23が配置されている。この分離壁23は、中空円筒が軸方向に分割された蓋体側分離壁24と容器側分離壁25とによって構成されている。蓋体側分離壁24の一端側にはフランジ部24aが設けられ、当該フランジ部24aが蓋体1bの内壁に一体にされている。また、容器側分離壁25の一端側の端面は、容器本体1aの底面に固定されている。さらに、蓋体側分離壁24の他端側の端部のうち内壁面側に突起部24bが設けられていると共に、容器側分離壁25の他端側の端部のうち外壁面側に突起部25aが設けられている。そして、蓋体1bが容器本体1aに取り付けられると、各分離壁24、25の各他端側の各突起部24b、25aが噛み合い、各分離壁24、25が一体化される。このような構成を有する装置には、分離壁23の中空部分に粉末原料26が配され、容器本体1aの内壁面と分離壁23の外壁面との間の空間に粉末原料27が配されている。この場合、粉末原料26と種結晶3との間に成長空間領域28が構成される。また、粉末原料27は、容器本体1aの内壁面、分離壁23の外壁面、蓋体1bの内壁面、フランジ部24aによって構成される閉じた空間内に配置されることとなる。以上が、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の全体構成である。なお、蓋体側分離壁24と容器側分離壁25との各他端側が接続された状態の分離壁23の中空部分が本発明の第1の部屋に相当し、当該分離壁23の外壁面、容器本体1aの内壁面、蓋体1bの内壁面、フランジ部24aによって構成される閉じた空間が本発明の第2の部屋に相当する。次に、上記SiC単結晶製造装置を用いてSiC単結晶を製造する方法について、図13および図14を参照して説明する。図14は、本実施形態におけるSiC単結晶の製造工程を示した図であり、aは装置の断面構成図、bは分離壁23の外観図である。なお、図14bでは各突起部24b、25aを省略してある。まず、容器本体1a内に容器側分離壁25を固定し、容器側分離壁25の中空部分に粉末原料26、容器本体1aの内壁面と容器側分離壁25の外壁面との間の空間に粉末原料27を配する。そして、フランジ部24aを介して蓋体側分離壁24が取り付けられた蓋体1bを容器本体1aに取り付ける。この坩堝1を加熱チャンバにて加熱すると、粉末原料26、27がそれぞれ加熱されて昇華ガスが発生する。この場合、粉末原料26から生じる昇華ガスは成長空間領域28に供給され、SiC単結晶8の成長に寄与する。他方、粉末原料27から生じる昇華ガスは、容器本体1aの内壁面、分離壁23の外壁面、蓋体1bの内壁面、フランジ部24aによって構成される閉じた空間内に閉じこめられた状態となるため、成長空間領域28に供給されず、SiC単結晶8の成長に寄与しない。したがって、図13に示される第1段階では、分離壁23の中空部分に配された粉末原料26から生じる昇華ガスのみよってSiC単結晶8を成長させていくこととなる。当該第1段階が一定時間続くと、粉末原料26から供給できる昇華ガスが低減するため、第2段階に移行する。すなわち、坩堝1を加熱し始めてから一定時間が経過した後、第2段階として、図14aに示されるように、蓋体1bを容器本体1aから離すように移動させる。これにより、分離壁23のうち蓋体1bに一体化された蓋体側分離壁24も蓋体1bと共に移動し、図14bに示されるように、容器側分離壁25に接触していた蓋体側分離壁24の他端側が容器側分離壁25の他端から離れて分割される。そして、分離壁23の外部と中空部分とが繋がるため、分離壁23の外壁面や容器本体1aの内壁面等によって構成された閉じた空間が分離壁23の中空部分と繋がる。したがって、第1段階で当該閉じた空間に粉末原料27から供給されていた昇華ガスが、各分離壁24、25の各他端側の端部の間の隙間29を介して成長空間領域28に供給される。こうして、SiC単結晶8の成長が継続される。本実施形態では、容器側分離壁25は容器本体1aに固定され、移動可能な蓋体側分離壁24は各粉末原料26、27に接することはないため、蓋体側分離壁24が各粉末原料26、27に固着してしまう等の問題は起こらない。以上のように、粉末原料26からの昇華ガスの供給が低下したとしても、蓋体1bを容器本体1aから移動させて分離壁23を分割することで、分離壁23や容器本体1a等で形成された閉じた空間に充填された昇華ガスを成長空間領域28に供給することができる。このようにして、成長空間領域28に昇華ガスを供給し続けることができ、SiC単結晶8の成長後半における成長速度の低下を防止することができる。第8実施形態本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第1実施形態では、蓋体1bに一体化した分離壁4の中空部分に粉末原料5を配し、SiC単結晶8の成長後半に分離壁4の移動によって粉末原料5の下層部から昇華ガスを供給していたが、本実施形態では、粉末原料の表面に蓋をして昇華ガスの供給を抑制することが特徴となっている。図15aは、本発明の第8実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成図であり、図15bはaに示される装置に用いられる分離部30の外観図である。図15aに示される坩堝1内には、図15bに示される有底円筒状の分離部30が配置されている。この分離部30は、フランジ部30aを介して蓋体1bに一体化されている。また、分離部30の側部には例えば周方向に複数の貫通穴30bが設けられている。各貫通穴30bは、分離部30の外部から中空部分に昇華ガスを通過させる通路として機能する。容器本体1a内には粉末原料31が配されており、当該容器本体1aに蓋体1bが取り付けられると、分離部30の底部30cが粉末原料31の表面に接触した状態となる。これにより、粉末原料31のうち分離部30の底部30cが接していない部分は、容器本体1a内に露出する。すなわち、粉末原料31のうち分離部30の底部30cが接していない領域が昇華ガス供給面となる。本実施形態では、分離部30の中空部分において底部30cと種結晶3の間が成長空間領域32となっている。なお、原料蓋19は、本発明の昇華ガス供給調整部材に相当する。また、蓋体1bには、上述の図示しない駆動機構が設けられている。以上が、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の全体構成である。次に、上記構成を有する装置を用いてSiC単結晶を製造する方法について、図15および図16を参照して説明する。図16は、本実施形態におけるSiC単結晶の製造工程を示した図である。まず、第1段階として、図15aに示される坩堝1を加熱する。この場合、昇華ガスは、粉末原料31のうち分離部30の底部30cが接していない部分から発生し、容器本体1aの内壁面、分離部30の外壁面、フランジ部30a、蓋体1bの内壁面で囲まれた空間に供給される。そして、分離部30の側部に設けられた各貫通穴30bを通過して成長空間領域32に供給され、SiC単結晶8が成長していく。そして、時間の経過と共に粉末原料31のうち分離部30の底部30cが接触していない領域からの昇華ガスの供給が低下すると、第2段階に移行する。すなわち、坩堝1を加熱し始めてから一定時間が経過した後、第2段階では、図16に示されるように、蓋体1bを容器本体1aから離すように移動させる。これにより、粉末原料31から分離部30の底部30cが離れるため、粉末原料31のうち当該底部30cによって覆われていた領域からの昇華ガスの供給が可能となる。つまり、粉末原料31のうち分離部30の底部30cに覆われていた領域が新たな昇華ガス供給面となる。この場合、昇華ガスは分離部30の外壁面、粉末原料31の表面、容器本体1aの内壁面等で構成される空間に供給され、分離部30の外壁面と容器本体1aの内壁面との間の通路、各貫通穴30bを介して、成長空間領域32に導かれる。こうして、分離部30の底部30cに対向する粉末原料31の表面から生じた昇華ガスがSiC単結晶8の成長に寄与することとなる。なお、本実施形態においても、分離部30の底部30cと粉末原料31との間に、例えば図11bに示されるような蓋部材を配置することもできる。この場合、蓋部材を底部30cと同じ形とし、複数の孔部を設けておけば良い。これにより、分離部30の底部30cと粉末原料31との固着を防止できる。以上説明したように、本実施形態では、分離部30の底部30cであらかじめ粉末原料31の表面を覆っておき、一定時間経過後に粉末原料31の表面から分離部30の底部30cを離すことで、当該底部30cに接していた面から昇華ガスを供給できるようにすることが特徴となっている。これにより、SiC単結晶8に粉末原料31の昇華ガスを供給し続けることができ、SiC単結晶8の成長後半における成長速度の低下を防止することができる。他の実施形態上記各実施形態では、2段階に分けて昇華ガスを成長空間領域6、16、21、28、32に供給していたが、例えば第1~第4実施形態では、分離壁4や外側容器11の移動量を複数に分ける事で、複数段階で昇華ガスを供給することもできる。また、数段階に分けるのではなく、連続的に移動させてもよい。この場合の移動速度は成長速度に等しくすると、粉末原料と成長結晶の表面の距離を一定状態で成長させることができて、粉末原料と成長結晶の表面温度差の変動による成長速度の変動を小さくすることもできる。第1実施形態では、図1bに示されるように、複数の貫通穴4dは分離壁4の周方向に一列に設けられているが、各貫通穴4dの配置やサイズは図1bに示される場合に限定されるものではなく、他の配置やサイズであっても構わない。例えば、各貫通穴4dを分離壁4の軸方向に配置することができるし、分離壁4の側面に螺旋状に配置することもできる。また、サイズが異なる複数の貫通穴4dを分離壁4に設けても良い。第8実施形態では、分離部30の側部にのみ貫通穴30bが設けられているが、例えば当該貫通穴30bのサイズの拡大、貫通穴30bの数の増加を図ることや、底部30cに貫通穴30bを設けること等で、第1段階における昇華ガスの供給量を増加させることも可能である。