"材料を移動させるよう適合された運搬システム、前記運搬システムに隣り合って配置された第1の加熱システムであって、前記材料の温度を所定の温度まで上昇させるための熱を提供する第1の加熱システム、及び前記運搬システムに隣り合ってかつ前記第1の加熱システムの下流に配置された第2の加熱システムであって、前記材料の温度を所定の温度で維持するために前記材料に実質的に安定でかつ均一な熱を提供する第2の加熱システムを備えた熱処理装置。前記運搬システムが、複数のドラム、及び前記複数のドラムの周囲に配置されたベルトを含む、請求項1に記載の熱処理装置。前記第1の加熱システムが赤外線ランプを含む、請求項1に記載の熱処理装置。前記第1の加熱システムが約10~100°C/分の範囲の加熱速度を提供する、請求項1に記載の熱処理装置。前記第2の加熱システムが抵抗加熱器を含む、請求項1に記載の熱処理装置。前記第2の加熱システムが約±2°Cの温度均一性を提供する、請求項1に記載の熱処理装置。前記第1の加熱システムが、前記第2の加熱システムよりも大きな材料の温度上昇速度を提供する、請求項1に記載の熱処理装置。前記第2の加熱システムが、前記第1の加熱システムよりも長い寿命を有する、請求項1に記載の熱処理装置。少なくとも1つの基材、前記少なくとも1つの基材にドーパントを適用するドーパント源、適用されたドーパントを有する前記少なくとも1つの基材を移動させる運搬体、前記運搬体に隣り合って配置された第1のヒーターであって、所定の温度への前記少なくとも1つの基材の温度の上昇を提供して、前記少なくとも1つの基材の温度の上昇の際に、前記少なくとも1つの基材において適用されたドーパントの不均一な拡散を最小限に抑えるようにする第1のヒーター、及び前記運搬体に隣り合ってかつ前記第1のヒーターの下流に配置された第2のヒーターであって、前記少なくとも1つの基材の温度を、前記少なくとも1つの基材において適用されたドーパントの拡散のための所定の温度で維持するために前記少なくとも1つの基材に実質的に安定でかつ均一な熱を提供する第2のヒーターを備えた、インラインの拡散システム。前記運搬体が、複数のドラム、及び前記複数のドラムの周囲に配置されたベルトを含む、請求項9に記載のインラインの拡散システム。前記第1のヒーターが赤外線ランプを含む、請求項9に記載のインラインの拡散システム。前記第1のヒーターが約10~100°C/分の範囲の加熱速度を提供する、請求項9に記載のインラインの拡散システム。前記第1のヒーターが複数の第1のヒーターである、請求項9に記載のインラインの拡散システム。前記第2のヒーターが抵抗加熱器を含む、請求項9に記載のインラインの拡散システム。前記第2のヒーターが約±2°Cの温度均一性を提供する、請求項9に記載のインラインの拡散システム。前記第2のヒーターが複数の第2のヒーターを含む、請求項9に記載のインラインの拡散システム。前記第1のヒーターが、前記第2のヒーターよりも大きな基材の温度上昇速度を提供する、請求項9に記載のインラインの拡散システム。前記第2のヒーターが、前記第1のヒーターよりも長い寿命を有する、請求項9に記載のインラインの拡散システム。適用されたドーパントを有する少なくとも1つの基材を移動させる運搬体、前記運搬体に隣り合って配置された第1のヒーターであって、所定の温度への前記少なくとも1つの基材の温度の上昇を提供して、前記少なくとも1つの基材の温度の上昇の際に、前記少なくとも1つの基材において適用されたドーパントの不均一な拡散を最小限に抑えるようにする第1のヒーター、及び前記運搬体に隣り合ってかつ前記第1のヒーターの下流に配置された第2のヒーターであって、前記少なくとも1つの基材の温度を、前記少なくとも1つの基材において適用されたドーパントの拡散のための所定の温度で維持するために前記少なくとも1つの基材に実質的に安定でかつ均一な熱を提供する第2のヒーターを備えた、インラインの拡散システム。前記第1のヒーターが、前記第2のヒーターよりも大きな基材の温度上昇速度を提供する、請求項19に記載のインラインの拡散システム。以下の説明を考慮した後、当業者であれば、本発明の技術を光起電力デバイス、半導体デバイスなどに用いられる基材の拡散及びアニーリングにおいて容易に利用できることを明確に理解するであろう。PV電池又はTFモジュールの製造における1つの処理工程は、ドーパントが基材に拡散してエミッタ層又は接触接合を形成する拡散工程を典型的に含む。一般的な工程は、シリコン材料へのリンの拡散を含む。拡散工程は、歴史的には複数の基材を同時に処理できるバッチ炉において行われてきた。拡散工程は、最大で約950°Cの処理温度を要する場合があり、最大で約20分又はそれ以上の処理時間を要する場合がある。リン濃度、温度、及び時間とシリコンにおける拡散層の抵抗性に関するそれらの影響との間の関係は当技術分野で周知である。PV電池又はTFモジュールの製造における残りの処理工程の多くは、単一の基材が個々に処理され、材料がシステムを通って連続的に進むインラインプロセスである。この技術の基礎は周知であり、半導体、印刷回路基板PCBの製造、低温同時焼成セラミックスLTCC、高温同時焼成セラミックスHTCC、金属アニーリング、及びはんだ付けなどの分野において何年にもわたって用いられている。あるいはまた、少ない数の基材典型的には約50個未満をパレットすなわち基材キャリヤーに載せ、システムを通ってパレットを連続的に運ぶシステム内で処理することができる。このタイプのシステムの例は、減圧下で基材上に薄膜を堆積するのに用いられるインラインのプラズマ化学気相成長PECVD及び物理気相成長PVDシステムを含む。インラインの処理は、とりわけ、基材のハンドリングの減少による破損の減少、より高いスループット、簡単なシステム構成、及び製造ラインを通るバランスの取れた材料の流れのためにバッチ処理に対して利点を有することができる。拡散プロセスのためのインラインシステム及び技術の開発は、盛んに研究が行われている分野となっている。インライン拡散ILDプロセスは2つの工程を典型的に含む。第1の工程では、ドーパント源が基材に適用される。典型的なドーパント原子としては、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムを挙げることができる。当業者であれば、このリストは包括的なものではなく、他のドーパントも用途及び基材材料に応じて使用できることを理解するであろう。ドーパント原子は液体又はペーストにおいてしばしば運ばれる。ドーパント原子を含有する液体又はペーストは、多くの様々な技術を用いて適用することができる。適用技術の例としては、中でも、スプレー式、ロールオン式、エアロゾル、霧fog、スクリーン印刷、インクジェット印刷、浸漬が挙げられる。当業者であれば、このリストは包括的なものではなく、他の技術も使用できることを理解するであろう。第2の工程では、基材は炉の処理チャンバーに運ばれ、そこで基材は所望の温度まで加熱され、その温度で所望の時間にわたり保持される。基材に適用されるドーパント原子の濃度、温度設定値、及び基材がその温度設定値で保持される時間により、拡散層の最終的な抵抗性が決定される。基材は、典型的には連続的に動く運搬システム上で運ばれる。典型的な運搬システムは、中でも、ベルト、ローラー、移動ビーム、及びひもを含む。それゆえ、運搬システムの速度及び加熱時間により、炉の処理チャンバーの全体的な長さが決定される。基材が冷却セクションから出て、ハンドリングすることができそして次の処理工程の準備ができるように基材の温度が約70°C未満まで冷却される。典型的には、炉の処理チャンバーは抵抗加熱器の技術を利用して基材を加熱する。この技術では、高電流が高抵抗ワイヤを流れ、当該ワイヤの温度が上昇して熱放射を放出し基材の温度が上昇する。この技術は周知である。これらのシステムの温度の安定性及び均一性はかなりよく、±2°Cの温度均一性の仕様が容易に達成される。しかしながら、これらのシステムの温度応答は遅い場合があり、室温から所望の拡散温度までの基材の温度上昇速度は遅い。基材の温度上昇速度は、最大で約500°C/分であることができる。典型的な値はより低く、200°C/分未満である。抵抗加熱技術を用いて加熱した基材に関する基材温度対時間のプロットの例が図1に示される。領域Iは室温から所望の設定値までの基材温度の上昇を示している。領域Iに関する時間は典型的には1分と4分又はそれ以上との間である。領域IIは基材温度が所望の拡散温度に維持される時間を示している。領域IIに関する時間は、拡散層の所望の抵抗性に応じて、最大で約20分又はそれ以上でさえありうる。領域IIIは、設定値からハンドリングしかつ次の処理工程の準備をするのに十分低い温度までの基材温度の冷却を示す。ILDシステムのための代わりとなる加熱技術は、加熱源として赤外線ランプIRを使用することを含む。ランプは、基材が非常に強く吸収する波長で放射を出すように選択することができる。ランプの応答は非常に速い場合がある。これによって最大で約900°C/分の典型的な基材の温度上昇速度が可能となる。しかしながら、ランプの寿命は限られたものであり典型的には5,000~8,000時間かつ非常に高価である。ILDシステムは、最大で約100個のランプを必要とする場合がある。各ランプは1年に少なくとも一度取り替える必要がある。これはシステムの所有コストを増大させ、すべてのランプを取り替えるのに要するメンテナンス時間のためにシステムに関する合計の生産時間が減少する。ランプ加熱技術を用いて加熱した基材に関する基材温度対時間のプロットの例が図2に示される。領域Iは室温から所望の設定値までの基材温度の上昇を示している。領域Iに関する時間は典型的には1分未満である。領域IIは基材温度が所望の拡散温度に維持される時間を示している。領域IIに関する時間は、拡散層の所望の抵抗性に応じて、最大で約20分又はそれ以上でさえありうる。領域IIIは、設定値からハンドリングしかつ次の処理工程の準備をするのに十分低い温度までの基材温度の冷却を示す。抵抗加熱技術を用いた場合の基材温度のゆっくりとした上昇の際には、ドーパント原子を供給するのに用いられる液体又はペーストは、均一ではない仕方で、乾燥、蒸発、昇華するか又は基材と反応しうる。これにより不均一な拡散がもたらされ、拡散層の抵抗率の不均一性によって証明されるように、デバイスにおいて不均一なエミッタ又は接触接合層がもたらされる。ランプ系加熱技術の使用により、基材温度を1分未満で所望の設定値まで上昇させることで、上記のゆっくりとした温度上昇速度による不均一性が低減される。ランプの場合には、ドーパント原子を供給するのに用いられる液体又はペーストは、短い時間のためにより均一な仕方で、乾燥、蒸発、昇華するか又は基材と反応することができる。しかしながら、上記のように、ランプ系システムの所有コストは、すべてのランプを1年に少なくとも一度取り替えなければならないので非常に高い。本発明の幾つかの実施態様では、インラインの熱処理設備に適用される多重加熱技術を含む加熱システムが提供される。本発明の幾つかの実施態様では、基材の温度を所望の温度に急速に上昇させる第1の加熱システムが提供される。典型的な加熱速度は10~100°C/秒であることができる。第1の加熱システムのための典型的な加熱技術は、ランプ系加熱システム、ストリップヒーター、高表面エネルギー放射ヒーターすなわちMoSi2ヒーター、マイクロ波加熱システム及びそれらの組み合わせを含む。また、所望の温度で基材を維持する第2の加熱システムが提供される。第2の加熱システムは、要求される最低限のサービスとともにコスト効率の良いやり方において所望の設定値で基材を維持するよう設計される。第2の加熱システムのための典型的な加熱技術は、抵抗加熱システム、ストリップヒーター、高表面エネルギー放射ヒーターすなわちMoSi2ヒーター、マイクロ波加熱システム及びそれらの組み合わせを含む。[例1]本発明の幾つかの実施態様では、第1の加熱システムは少数のIRランプを含む。これらのランプは、基材を運ぶのに用いられる運搬システムの上と下の両方に典型的に配置される。IRランプの数は、典型的には、運搬システムの上に配置される1~5個のランプと、運搬システムの下に配置される1~5個のランプである。第2の加熱システムは、基材を所望の設定値に維持するための抵抗加熱システムを含む。第2の加熱システムは、運搬システムの所与の速度で基材を適切な時間にわたり所望の設定値に維持するのに十分な長さであることができる。運搬システムの速度はシステムの所望の生産によって決定される。図3は例1に記載されるシステムのブロック図を示す。全体のシステム300は、ランプ加熱システム301及び302と抵抗加熱システム303及び304から構成される。基材図示せずは、ドラム305及び306とベルト307から構成される運搬システム上でシステムを通って運ばれる。基材温度対時間のプロットは、IRランプのみを利用したシステムに関連するコスト、休止時間及び費用なしで図2のものと同様である。本発明の教示を含む種々の実施態様が本明細書で示されそして説明されたが、当業者であれば、これらも教示を依然として含む他の多くの実施態様を容易に考え出すことができる。"