EFG法を用いたβ-Ga2O3系単結晶の成長方法であって、種結晶をGa2O3系融液に接触させる工程と、前記種結晶を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ-Ga2O3系単結晶を成長させる工程と、を含み、すべての方向において前記β-Ga2O3系単結晶の幅が前記種結晶の幅の110以下である、β-Ga2O3系単結晶の成長方法。すべての方向において前記β-Ga2O3系単結晶の幅が前記種結晶の幅の100以下である、請求項1に記載のβ-Ga2O3系単結晶の成長方法。すべての方向において前記β-Ga2O3系単結晶の幅が前記種結晶の幅と等しい、請求項2に記載のβ-Ga2O3系単結晶の成長方法。前記β-Ga2O3系単結晶をそのb軸方向に成長させる、請求項1~3のいずれか1項に記載のβ-Ga2O3系単結晶の成長方法。しかし、ブリッジマン法により単結晶を成長させる場合、結晶成長後にルツボを単結晶から引き剥がす必要があるため、ルツボが結晶との密着性の高い材料からなる場合は、成長させた単結晶を取り出すことが難しい。例えば、Ga2O3結晶の成長には、通常、Irからなるルツボが用いられるが、Irはβ-Ga2O3系単結晶に対する密着性が高い。そのため、ブリッジマン法を用いてβ-Ga2O3系単結晶を成長させた場合、ルツボから単結晶を取り出すことが難しい。したがって、本発明の目的は、双晶化が抑えられたβ-Ga2O3系単結晶を得ることができるβ-Ga2O3系単結晶の成長方法を提供することである。本発明の一態様は、上記目的を達成するために、[1]~[4]のβ-Ga2O3系単結晶の成長方法を提供する。[1]EFG法を用いたβ-Ga2O3系単結晶の成長方法であって、種結晶をGa2O3系融液に接触させる工程と、前記種結晶を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ-Ga2O3系単結晶を成長させる工程と、を含み、すべての方向において前記β-Ga2O3系単結晶の幅が前記種結晶の幅の110以下である、β-Ga2O3系単結晶の成長方法。[2]すべての方向において前記β-Ga2O3系単結晶の幅が前記種結晶の幅の100以下である、前記[1]に記載のβ-Ga2O3系単結晶の成長方法。[3]すべての方向において前記β-Ga2O3系単結晶の幅が前記種結晶の幅と等しい、前記[2]に記載のβ-Ga2O3系単結晶の成長方法。[4]前記β-Ga2O3系単結晶をそのb軸方向に成長させる、前記[1]~[3]のいずれか1つに記載のβ-Ga2O3系単結晶の成長方法。本発明によれば、双晶化を効果的に抑えることのできるβ-Ga2O3系単結晶の成長方法を提供することができる。実施の形態本実施の形態においては、EFGEdgedefinedfilmfedgrowth法により、ネッキングや大きく肩を広げる工程を行わずにβ-Ga2O3系単結晶を成長させる。ネッキング工程とは、種結晶を結晶の原料の融液に接触させる際に、細いネック部を形成する工程である。ネック部を形成した後は、所望の大きさになるまで幅を拡げながら結晶を成長させ肩拡げ工程、その後、所望の幅を保ったまま結晶を成長させる。ネッキング工程を行うことにより、種結晶に含まれる転位が成長結晶へ引き継がれることを防止できるが、β-Ga2O3系単結晶を成長させる際にネッキング工程を行う場合、ネッキング工程後の大きく肩を広げる工程において双晶が発生しやすい。なお、結晶の引き上げ速度を上げる等の方法で、ネッキング工程後にβ-Ga2O3系単結晶を急激に冷やすことにより双晶化を抑えることができるが、熱衝撃によりβ-Ga2O3系単結晶にクラックが生じる。図1は、本実施の形態に係るEFG結晶製造装置の一部の垂直断面図である。このEFG結晶製造装置10は、Ga2O3系融液12を受容するルツボ13と、このルツボ13内に設置されたスリット14Aを有するダイ14と、スリット14Aの開口14Bを除くルツボ13の上面を閉塞する蓋15と、β-Ga2O3系種結晶以下、種結晶という20を保持する種結晶保持具21と、種結晶保持具21を昇降可能に支持するシャフト22とを有する。ルツボ13は、β-Ga2O3系粉末を溶解させて得られたGa2O3系融液12を収容する。ルツボ13は、Ga2O3系融液12を収容しうる耐熱性を有するイリジウム等の金属材料からなる。ダイ14は、Ga2O3系融液12を毛細管現象により上昇させるためのスリット14Aを有する。蓋15は、ルツボ13から高温のGa2O3系融液12が蒸発することを防止し、さらにスリット14Aの上面以外の部分にGa2O3系融液12の蒸気が付着することを防ぐ。種結晶20を下降させて毛細管現象で上昇したGa2O3系融液12に接触させ、Ga2O3系融液12と接触した種結晶20を引き上げることにより、平板状のβ-Ga2O3系単結晶25を成長させる。β-Ga2O3系単結晶25の結晶方位は種結晶20の結晶方位と等しく、β-Ga2O3系単結晶25の結晶方位を制御するためには、例えば、種結晶20の底面の面方位及び水平面内の角度を調整する。図2は、β-Ga2O3系単結晶の成長中の様子を表す斜視図である。図2中の面26は、スリット14Aのスリット方向と平行なβ-Ga2O3系単結晶25の主面である。成長させたβ-Ga2O3系単結晶25を切り出してβ-Ga2O3系基板を形成する場合は、β-Ga2O3系基板の所望の主面の面方位にβ-Ga2O3系単結晶25の面26の面方位を一致させる。例えば、101面を主面とするβ-Ga2O3系基板を形成する場合は、面26の面方位を101とする。また、成長させたβ-Ga2O3系単結晶25は、新たなβ-Ga2O3系単結晶を成長させるための種結晶として用いることができる。β-Ga2O3系単結晶25及び種結晶20は、β-Ga2O3単結晶、又は、Cu、Ag、Zn、Cd、Al、In、Si、Ge、Sn等の元素が添加されたβ-Ga2O3単結晶である。β-Ga2O3結晶は単斜晶系に属するβガリア構造を有し、その典型的な格子定数はa0=12.23Å、b0=3.04Å、c0=5.80Å、α=γ=90°、β=103.8°である。β-Ga2O3系単結晶の成長中に発生する双晶は、鏡面対称な2つのβ-Ga2O3系結晶からなる。β-Ga2O3系結晶の双晶の対称面双晶面は、100面である。EFG法によりβ-Ga2O3系単結晶を成長させる場合、ネッキング工程後の大きく肩を広げる工程において双晶が発生しやすい。図3a~cは、本実施の形態の種結晶とβ-Ga2O3系単結晶との境界付近の部分拡大図である。種結晶20及びβ-Ga2O3系単結晶25の幅をそれぞれW1及びW2とすると、図3aにおいてはW1=W2、図3bにおいてはW1>W2、図3cにおいてはW1<W2である。図3a~cのいずれにおいても、種結晶20とβ-Ga2O3系単結晶25との境界近傍には、ネッキング工程により形成されるネック部が存在しない。このため、β-Ga2O3系単結晶25は双晶を含まないか、含んでいても少量である。なお、ネッキング工程を行わない場合であっても、W2のW1に対する比が大きくなると双晶化が進む傾向があるため、W2はW1の110以下であることが求められる。また、上記のW2とW1の関係は、種結晶20とβ-Ga2O3系単結晶25のすべての方向の幅において成り立つ。すなわち、本実施の形態においては、すべての方向においてGa2O3系単結晶25の幅が種結晶20の幅の110以下である。さらに、β-Ga2O3系単結晶25の双晶化をより効果的に抑えるためには、すべての方向においてGa2O3系単結晶25の幅が種結晶20の幅の100以下であることが好ましく、すべての方向においてGa2O3系単結晶25の幅が種結晶20の幅と等しいことがより好ましい。種結晶20の幅W1に対するGa2O3系単結晶25の幅W2は、例えば、Ga2O3系単結晶25を成長させる際の温度条件により制御することができる。この場合は、Ga2O3系単結晶25を成長させる際の温度が低いほどその幅W2が大きくなる。図4は、比較例としての境界近傍にネック部を有する種結晶とβ-Ga2O3系単結晶の部分拡大図である。種結晶120とβ-Ga2O3系単結晶125の境界近傍にはネック部121が存在する。β-Ga2O3系単結晶125はネッキング工程後の大きく肩を広げる工程を経て形成されるため、多くの双晶を含むことが多い。例えば、β-Ga2O3系単結晶125をb軸方向に成長させた場合、主面図4の紙面に平行な面上のb軸に垂直な方向の1cm当たりの双晶の平均数は、30.7~37.0本である。一方、本実施の形態によれば、Ga2O3系単結晶25をb軸方向に成長させた場合であっても、面26上のb軸に垂直な方向の1cm当たりの双晶の平均数がほぼ0本であるGa2O3系単結晶25を形成することができる。以下に、本実施の形態のGa2O3系単結晶25の育成条件の一例について述べる。例えば、Ga2O3系単結晶25の育成は、窒素雰囲気下で行われる。種結晶20は、Ga2O3系単結晶25とほぼ同じ大きさか、より大きいため、通常の結晶育成に用いられる種結晶よりも大きく、熱衝撃に弱い。そのため、Ga2O3系融液12に接触させる前の種結晶20のダイ14からの高さは、ある程度低いことが好ましく、例えば、10mmである。また、Ga2O3系融液12に接触させるまでの種結晶20の降下速度は、ある程度低いことが好ましく、例えば、1mm/minである。種結晶20をGa2O3系融液12に接触させた後の引き上げるまでの待機時間は、温度をより安定させて熱衝撃を防ぐために、ある程度長いことが好ましく、例えば、10minである。ルツボ13中の原料を溶かすときの昇温速度は、ルツボ13周辺の温度が急上昇して種結晶20に熱衝撃が加わることを防ぐために、ある程度低いことが好ましく、例えば、11時間掛けて原料を溶かす。実施の形態の効果本実施の形態によれば、ネッキングや大きく肩を広げる工程を行わずにGa2O3系単結晶を成長させることにより、β-Ga2O3系単結晶の双晶化を効果的に抑えることができる。通常、EFG法によりβ-Ga2O3系単結晶を育成する場合、結晶をそのb軸方向に成長させると特に双晶化しやすい。しかし、本実施の形態によれば、β-Ga2O3系単結晶をb軸方向に成長させる場合であっても双晶化を抑えることができる。以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。