プラズマ処理装置であって、相互に独立して配置された第1及び第2チャンバを有し、基板が投入されかつプラズマ処理されるユニットチャンバアセンブリと、折り曲げられた形状を有し、前記第1及び第2チャンバにプラズマを発生させるユニットプラズマ電極とを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。プラズマ処理装置であって、相互に独立して上下に配置された第1及び第2チャンバを有し、基板が投入されかつプラズマ処理されるユニットチャンバアセンブリと、前記ユニットチャンバアセンブリに配置され、前記基板をプラズマ処理するためのプラズマを発生させるユニットプラズマ電極とを含み、前記ユニットプラズマ電極が、前記第1チャンバに配置され、該第1チャンバの内部にプラズマを発生させる第1電極部と、前記第2チャンバに配置され、該第2チャンバの内部にプラズマを発生させる第2電極部と、前記第1及び第2電極部を相互に接続する折り曲げ部とを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。前記第1電極部の末端が、プラズマ生成のための電磁場を発生させるRFRadioFrequency信号を印加するRFアンテナに接続されており、前記第2電極部の末端が、グラウンドに接続されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記ユニットチャンバアセンブリに前記ユニットプラズマ電極が複数個配置されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記基板が矩形状に形成され、前記複数のユニットプラズマ電極の前記複数の第1電極部が、前記第1チャンバの内部に配置された前記基板の短辺方向と平行に一定間隔をおいて配置されていることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。前記基板が矩形状に形成され、前記複数のユニットプラズマ電極の前記複数の第2電極部が、前記第2チャンバの内部に配置された前記基板の短辺方向と平行に一定間隔をおいて配置されていることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。前記ユニットチャンバアセンブリが、複数個設けられていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記複数のユニットチャンバアセンブリが垂直に一列に配置されていることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理装置。前記折り曲げ部が2つの折り曲げ点を含み、前記ユニットプラズマ電極がコの字または逆コの字から選択されたいずれか1つの形状を有することを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記ユニットプラズマ電極が石英管を含んで構成されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記第1及び第2チャンバのそれぞれにおいて、プロセスガスを供給するガス供給部が設けられていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記第1及び第2チャンバに互いに同量のプロセスガスが供給されるようにしたことを特徴とする請求項11に記載のプラズマ処理装置。そこで、本発明は、上記の従来技術の問題を解決するためになされたものであって、本発明は、複数のプラズマ電極間の相互作用によって発生する電磁場の相殺を最小化することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。また、本発明は、プラズマ電極の数を最小化しながら、高密度のプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置は、相互に独立して配置される第1及び第2チャンバを有し、基板が投入されかつプラズマ処理されるユニットチャンバアセンブリと、折り曲げられた形状を有し、第1及び第2チャンバにプラズマを発生させるユニットプラズマ電極とを含むことを特徴とする。また、本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置は、相互に独立して上下に配置された第1及び第2チャンバを有し、基板が投入されかつプラズマ処理されるユニットチャンバアセンブリと、基板をプラズマ処理するためのプラズマを発生させ、ユニットチャンバアセンブリに配置されたユニットプラズマ電極とを含み、ユニットプラズマ電極は、第1チャンバに配置され、該第1チャンバの内部にプラズマを発生させる第1電極部と、第2チャンバに配置され、該第2チャンバの内部にプラズマを発生させる第2電極部と、第1及び第2電極部を相互に接続する折り曲げ部とを含むことを特徴とする。本発明によれば、複数のプラズマ電極間の相互作用によって発生する電磁場の相殺を最小化することができる。また、本発明によれば、プラズマ電極の数を最小化しながら、高密度のプラズマを発生させることができる。後述する本発明に関する詳細な説明は、本発明が実施できる特定の実施形態を例示として示す添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、相互排他的である必要はないことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定の形状、特定の構造、及び特性は一実施形態に関連し、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態で実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で変更可能であることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は、限定的な意味として受け取るものではなく、本発明の範囲は、適切に説明された場合、その請求項が主張するのと均等なすべての範囲とともに添付した請求項によってのみ限定される。図面において、類似の参照符号は、様々な側面にわたって同一または類似の機能を指し示し、長さ、面積、厚さ、及び形態は、便宜上、誇張して表現されることもある。以下では、当業者が本発明を容易に実施できるようにするために、本発明の好ましい実施形態について、添付した図面を参照して詳細に説明する。図2は、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示す図である。図2を参照すると、本発明のプラズマ処理装置1は、全般的な半導体工程分野において、プラズマを用いるすべての工程を行うことができる。したがって、以下において、基板10をプラズマ処理するとは、基板10上に半導体層を形成することに限らず、基板10上に形成された半導体の表面を改質することや、基板10上に形成された半導体層をエッチングすることなどをすべて含む意味と解釈できることを明らかにする。また、本発明のプラズマ処理装置1で処理される基板10の材質は、ガラス基板であることが好ましいが、これに限定されるものではない。したがって、プラスチック、ポリマー、シリコンウエハ、ステンレススチールなど、多様な材質の基板が本発明のプラズマ処理装置1で処理できることを明らかにする。そして、基板10は、略矩形状に形成される。図2を参照すると、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置1は、ユニットチャンバアセンブリ100を含んで構成できる。ユニットチャンバアセンブリ100は、基本的に、相互に独立して配置された第1チャンバ110及び第2チャンバ120で構成されるユニット体である。第1チャンバ110と第2チャンバ120が独立して配置されるとは、第1チャンバ110と第2チャンバ120が位置的に区分され、互いに異なるプラズマ処理空間を提供する意味と解釈できる。すなわち、互いに異なる基板10が、第1チャンバ110と第2チャンバ120内で独立してプラズマ処理可能である。たとえ、図2には、第1チャンバ110及び第2チャンバ120内で一度に1枚の基板10がプラズマ処理されるものとして示されているが、場合によっては、ボート図示せずなどを用いて、第1チャンバ110及び第2チャンバ120内で複数の基板10をそれぞれ同時にプラズマ処理することもできる。第1チャンバ110及び第2チャンバ120には、工程チャンバの一般的な構成要素が設けられ、基板10に対する独立したプラズマ処理空間を提供することができる。プラズマ処理の信頼性のために、第1チャンバ110及び第2チャンバ120には、ほとんどの構成要素が共通に設けられるが、以下では、共通に設けられる構成要素について説明する。まず、図2に示していないが、第1チャンバ110及び第2チャンバ120には、所定の長さを有する複数の駆動ローラユニットが設置可能である。複数の駆動ローラユニットは、基板10を支持しながら、インライン方式によって基板10を移動させる機能を果たすことができる。より具体的には、複数の駆動ローラユニットは、基板10の下面と接触しながら、後述する基板10の搬出部の方向である基板10の進行方向に回転して、第1チャンバ110及び第2チャンバ120の内部に基板10を搬入させる。そして、複数の駆動ローラユニットは、基板10が搬入されると、基板10に対するプラズマ処理が行われている間に基板10を支持し、基板10に対するプラズマ処理が完了すると、基板10の下面と接触しながら、基板10の進行方向に回転して、外部に基板10を搬出する機能を果たすことができる。複数の駆動ローラユニットは、設置位置によって互いに異なる幅で形成可能であるが、直径はすべて等しく形成されることが好ましい。次に、図2に示していないが、ユニットプラズマ電極200が配置されていない第1チャンバ110及び第2チャンバ120の全面には、所定の幅と高さを有する搬入部が設置可能である。搬入部は、開口して、基板10が搬入される通路としての役割を果たすことができる。プラズマ処理が行われている間には、第1チャンバ110及び第2チャンバ120の密閉のために搬入部が遮断される必要があることから、搬入部には、上下方向に開閉されるドア図示せずが設置可能である。次に、図2に示していないが、搬入部が配置された面に対向する第1チャンバ110及び第2チャンバ120の後面には、所定の幅及び高さを有する搬出部が形成可能である。搬出部は、開口して、基板10が搬出される通路としての役割を果たすことができる。搬入部と同様に、熱処理工程が行われている間には、第1チャンバ110及び第2チャンバ120の密閉のために搬出部が遮断される必要があることから、搬出部には、上下方向に開閉されるドア図示せずが設置可能である。次に、図2に示していないが、第1チャンバ110及び第2チャンバ120には、ヒータが設置可能である。ヒータは、第1チャンバ110及び第2チャンバ120の内部または外部に設けられ、プラズマ処理に必要な熱を基板10に供給する機能を果たすことができる。ヒータは、石英管の内部に発熱体が挿入されている棒状のユニットヒータ図示せずが複数個で構成できる。これに関連し、図2には、基板10が単独で第1チャンバ110または第2チャンバ120に搬入されてプラズマ処理されるものとして示されているが、好ましくは、基板10は、基板ホルダ図示せずに載置された状態で、第1チャンバ110または第2チャンバ120内に搬入されてプラズマ処理されることができる。これは、基板10に対するプラズマ処理過程を行うにあたり、ヒータで基板10を加熱することによって発生し得る基板10の変形を防止するためである。次に、図2に示していないが、第1チャンバ110及び第2チャンバ120には、第1チャンバ110及び第2チャンバ120の内部にプロセスガスを供給するガス供給部が設置可能である。第1チャンバ110及び第2チャンバ120に供給されたガスは、プラズマに変換され、基板10のプラズマ処理に関与することができる。プラズマ処理工程の信頼性、すなわち、第1チャンバ110に配置される基板10と、第2チャンバ120に配置される基板10とが互いに同一の条件でプラズマ処理されるようにするために、第1チャンバ110及び第2チャンバ120には、互いに同量のプロセスガスが供給されるように制御されることが好ましい。このため、本発明のプラズマ処理装置1は、第1チャンバ110及び第2チャンバ120に供給されるプロセスガスの量を制御する制御部図示せずを含んで構成できる。次に、図2に示していないが、第1チャンバ110及び第2チャンバ120には、冷却部が設置可能である。冷却部は、プラズマ工程が完了した基板10を冷却する機能を果たすことができる。このため、冷却部は、水冷式と空冷式を含む公知の様々な冷却手段の構成原理を採用することができる。一方、第1チャンバ110と第2チャンバ120は、相互に独立して左右に配置されてもよいが、好ましくは、図2に示すように、相互に独立して上下に配置可能である。当然のことながら、第1チャンバ110及び第2チャンバ120のいずれか一方が上部に位置すると、他方は下部に位置する。以下では、説明の便宜上、第1チャンバ110が第2チャンバ120の上部に位置すると想定して説明する。次に、図2をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置1は、ユニットプラズマ電極200を含んで構成できる。ユニットプラズマ電極200は、外部から電源を受けてプラズマを発生させる機能を果たすことができる。本発明のユニットプラズマ電極200がプラズマを発生させる方式は、特に制限はないが、好ましくは、誘導結合方式によってプラズマを発生させることができる。つまり、ユニットプラズマ電極200は、高周波電圧を供給するRF電源を受けて電磁場を生成させることにより、第1チャンバ110及び第2チャンバ120内に供給されたプロセスガスをプラズマに変換させることができる。前述したように、プラズマ処理装置1の製造費用またはプラズマ処理装置1の面積を考慮すると、できるだけ少数のユニットプラズマ電極200を用いながら、ユニットプラズマ電極200の空間の活用を極大化することが必要である。このため、本発明では、折り曲げられた形状を有する1つのユニットプラズマ電極200が第1チャンバ110及び第2チャンバ120の両方にプラズマを発生させることを構成上の特徴とする。図3は、本発明の一実施形態にかかるユニットプラズマ電極の構成のみを示す図である。以下では、図2とともに、図3をさらに参照して、ユニットプラズマ電極200の形態及び構成について詳細に説明する。図2をさらに参照すると、1つのユニットプラズマ電極200が第1チャンバ110と第2チャンバ120の両方に配置されていることを確認することができる。このため、本発明のユニットプラズマ電極200は、折り曲げられた形状を有している。より具体的には、本発明のユニットプラズマ電極200は、第1チャンバ110に配置される第1電極部210と、第2チャンバ120に配置される第2電極部220と、第1電極部210及び第2電極部220を相互に接続する折り曲げ部230とを含んで構成される。ここで、折り曲げ部230は、1つ以上の折り曲げ点を有することができ、好ましくは、図3に示すように、2つの折り曲げ点を有することができる。折り曲げ点が2つの場合、図3に示すように、ユニットプラズマ電極200は、コの字または逆コの字形状を有することができる。このような形態でユニットプラズマ電極200が構成されることにより、1つのユニットプラズマ電極200を第1チャンバ110及び第2チャンバ120の両方に配置することが容易になる。図2をさらに参照すると、第1電極部210の末端にはRFアンテナ300が接続され、第2電極部220の末端にはグラウンドGROUND400が接続されることを確認することができる。ここで、RFアンテナ300は、RF信号をユニットプラズマ電極200に印加する機能を果たすことができ、グラウンド400は、印加されたRF信号がユニットプラズマ電極200を介して流れるようにする機能を果たすことができる。図2では、第1電極部210の末端にRFアンテナ300が接続されるものとして示されているが、1つのユニットプラズマ電極200の一端にRFアンテナ300が接続され、他端にグラウンド400が接続されるのであれば、RFアンテナ300がどの電極部に接続されるかはそれほど重要でない。したがって、第2電極部220の末端にRFアンテナ300が接続され、第1電極部210の末端にグラウンド400が接続されてもよい。ただし、以下では、第1電極部210の末端にRFアンテナ300が接続されると想定して説明する。図4は、本発明の一実施形態にかかる、ユニットプラズマ電極にRF信号が流れる様子を概略的に示す図である。図4を参照すると、第1チャンバ110に配置される第1電極部210においてRF信号が印加され、第2チャンバ120に配置される第2電極部220においてRF信号が流出することができる。すなわち、RFアンテナ300から印加されるRF信号は、RFアンテナ300→第1電極部210→折り曲げ部230→第2電極部220→グラウンド400の順に流れることができる。このようなRF信号の流れにより、第1チャンバ110では、第1電極部210によってプラズマが発生及び維持され、第2チャンバ120では、第2電極部220によってプラズマが発生及び維持可能である。一方、ユニットプラズマ電極200は、中空の石英管で構成することができる。石英管は、耐熱性などの物理的な特性に優れているため、ユニットプラズマ電極200の変形を防止するのに役立つ。石英管の内部に形成された中央の空間には、RF信号が流れる所定の金属線図示せずを配置することができる。ここで、金属線としては、導電性に優れた、例えば、銅線などが使用可能である。図5は、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置の外部構成を示す斜視図である。図5を参照すると、本発明のユニットプラズマ電極200を1つのユニットチャンバアセンブリ100に複数個配置できる。すなわち、ユニットチャンバアセンブリ100の第1チャンバ110に第1電極部210が複数個配置し、ユニットチャンバアセンブリ100の第2チャンバ120に第2電極部220が複数個配置することが可能である。図6は、本発明の一実施形態にかかる複数の第1及び第2電極部の配置状態を概略的に示す図である。詳細に説明すると、図6aは、第1チャンバ110の内部に複数の第1電極部210が配置される様子を概略的に示す図であり、図6bは、第2チャンバ120の内部に複数の第2電極部220が配置される様子を概略的に示す図である。図6aを参照すると、第1チャンバ110は、平面形状が略矩形状に形成され、複数のユニットプラズマ電極200の複数の第1電極部210は、第1チャンバ110の内部に配置された基板10の短辺方向と平行に一定間隔をおいて配置可能である。これにより、第1チャンバ110内において基板10に対するプラズマ処理をより均一に行うことができる。図6aをさらに参照すると、第1チャンバ110の内部には、1つの一定の方向、すなわち、上から下方向にRF信号が印加されることを確認することができる。仮に、複数の第1電極部210に印加されるRF信号の方向が互いに逆であれば、RF信号の相殺が生じ得るが、本発明によれば、複数の第1電極部210に印加されるRF信号が同じ方向であるため、信号の減衰現象が現れなくなり、電磁場の強さが均一に維持できるようになる。一方、図6bを参照すると、第2チャンバ120は、平面形状が略矩形状に形成され、第1電極部210と同様に、複数のユニットプラズマ電極200の複数の第2電極部220は、第2チャンバ120の内部に配置された基板10の短辺方向と平行に一定間隔をおいて配置可能である。これにより、第2チャンバ120内において基板10に対するプラズマ処理をより均一に行うことができる。図6bをさらに参照すると、第1電極部210と同様に、1つの一定の方向、すなわち、上から下方向にRF信号が印加されることを確認することができる。前述したように、複数の第2電極部220に印加されるRF信号は同じ方向であるため、信号の減衰現象が現れなくなり、電磁場の強さが均一に維持できるようになる。一方、図7は、ユニットプラズマ電極に接続されるRFアンテナ周辺の構成を示す図である。図7に示すように、RFアンテナ300の外部には、RFアンテナ300を囲むチューブ310が形成されており、チューブ310の外周面には、絶縁部320が形成可能である。絶縁部320は、例えば、プラズマ処理装置1の第1チャンバ110と接するようになるが、RFアンテナ300を固定するためのフランジ330及びワッシャwasher340によって固定可能である。チューブ310は、RFアンテナシールキャップ350及びRFアンテナシールフェルールferrule360によってフランジ330と接するようになり、これにより、プラズマ処理装置1の第1チャンバ110に固定可能である。RFアンテナシールキャップ350とRFアンテナシールフェルール360は、絶縁物質からなり得る。RFアンテナ300及びこれを囲んでいるチューブ310と第1チャンバ110との間をシールするために、1つ以上のOリングOring370をさらに具備することができる。図8は、本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置の様子を示す図である。図8を参照すると、本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置1aは、基本的に、第1チャンバ110a及び第2チャンバ120aで構成されるユニットチャンバアセンブリ100aを複数個含むことができる。図8には、プラズマ処理装置1aに2つのユニットチャンバアセンブリ100aが含まれるものとして示されているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、本発明の利用目的に応じて必要な数のユニットチャンバアセンブリ100aがプラズマ処理装置1aに含まれる。このような複数のユニットチャンバアセンブリ100aは、図8に示すように、垂直に一列に配置されることが好ましい。これにより、第1チャンバ110aと第2チャンバ120aとが交互に垂直に配置される。例えば、プラズマ処理装置1aが2つのユニットチャンバアセンブリ100aを含む場合、垂直に第1チャンバ110a→第2チャンバ120a→第1チャンバ110a→第2チャンバ120aの順に配置されることになる。図8をさらに参照すると、本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置1aにおいて、4枚の基板10aが同時にプラズマ処理されていることを確認することができる。すなわち、本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置1aを用いる場合、一度により多くの基板10aを処理できるようになるため、工程の生産性を向上させることができる。本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置1aは、ユニットチャンバアセンブリ100aを複数個含むことを除けば、上述した本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置1と同一の構成を有する。例えば、折り曲げられた形状を有するユニットプラズマ電極200aが1つのユニットチャンバアセンブリ100aに配置される。したがって、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置1で説明された構成要素は、本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置1aに同様に適用されるため、これに関する詳細な説明は省略する。本発明は、上述したように、好ましい実施形態を挙げて図示及び説明したが、上記の実施形態に限定されず、本発明の精神を逸脱しない範囲内で当業者によって多様な変形及び変更が可能である。そのような変形例及び変更例は、本発明と添付した特許請求の範囲の範囲内に属すると見なさなければならない。