電歪素子の変形により静電容量変化を生じる電歪センサであって、第1の電歪材料層および第1の電歪材料層の両面に各々配置された一対の電極より構成される第1の電歪素子と、第2の電歪材料層および第2の電歪材料層の両面に各々配置された一対の電極より構成される第2の電歪素子と、第1および第2の電歪素子間に挟持された基材とを含む受感部を有し、受感部は、外力の作用を受けることにより変形可能であり、第1の電歪材料層の一対の電極間における第1の静電容量および第2の電歪材料層の一対の電極間における第2の静電容量をそれぞれ測定可能なように、各電極に引出し線が接続され、第1および第2の電歪材料層は、10μm以下の厚みおよび20以上の比誘電率を各々有する、電歪センサ。受感部に外力が作用していない状態下で、第1および第2の電歪素子は、互いに略等しい電歪材料層厚さおよび比誘電率ならびに電極面積を有する、請求項1に記載の電歪センサ。受感部が一端にて固定され、電歪センサは、受感部の各電極に接続された引出し線を通じて第1および第2の静電容量を測定する測定部と、測定部から第1および第2の静電容量の各測定データを受け取り、該各測定データから、受感部の他端での変位量を算出する演算部とを更に有する、請求項1または2に記載の電歪センサ。演算部は、第1および第2の静電容量の各測定データから、第1および第2の電歪材料層の少なくとも一方の比誘電率を算出し、比誘電率の算出データから、受感部の周囲温度を算出する機能を更に有する、請求項3に記載の電歪センサ。しかしながら、従来の非水系固体電解質を用いたセンサでは、当初、素子の変形によりイオンが移動することにより電圧を生じるものの、移動したイオンは、時間の経過と共に平衡状態に向かって動くため、素子が変形状態を維持していても、電圧が低下していくこととなる。具体的には、15分程度の時間が経過すると電圧が低下し始めることが認められる。このため、素子の変形時にすみやかにセンサ計測を行なわなければならず、時間が経過すると、センサの感度が低下するという問題がある。本発明は、素子の変形により電気的変化を生じるセンサであって、時間が経過しても感度が低下しないセンサを提供することを目的とする。本発明者は、バイモルフ構造を有する電歪素子をセンサの受感部に用いるという着想を独自に得、更なる鋭意検討を行った結果、本発明を完成するに至った。本発明の1つの要旨によれば、電歪素子の変形により静電容量変化を生じる電歪センサであって、第1の電歪材料層および第1の電歪材料層の両面に各々配置された一対の電極より構成される第1の電歪素子と、第2の電歪材料層および第2の電歪材料層の両面に各々配置された一対の電極より構成される第2の電歪素子と、第1および第2の電歪素子間に挟持された基材とを含む受感部を有し、受感部は、外力の作用を受けることにより変形可能であり、第1の電歪材料層の一対の電極間における第1の静電容量および第2の電歪材料層の一対の電極間における第2の静電容量をそれぞれ測定可能なように、各電極に引出し線が接続され、第1および第2の電歪材料層は、10μm以下の厚みおよび20以上の比誘電率を各々有する、電歪センサが提供される。本発明の上記電歪センサは、第1の電歪材料層およびその両面に各々配置された一対の電極より構成される第1の電歪素子と、第2の電歪材料層およびその両面に各々配置された一対の電極より構成される第2の電歪素子と、これら電歪素子間に挟持された基材とを含む受感部を用いたものである。かかる受感部は、バイモルフ構造を有する電歪素子より詳細には、2つの電歪素子を基材を介して接合した構造体である。本発明の上記電歪センサによれば、上記受感部を用いているので、受感部が外力の作用を受けることにより変形したときに、第1の電歪素子の変形に応じて第1の静電容量が変化し、また、第2の電歪素子の変形に応じて第2の静電容量が変化する。第1および第2の電歪素子は、それらの間に基材が存在するために異なる変形を生じ、よって、第1および第2の静電容量の変化も異なることとなる。この相違を利用することにより、第1および第2の静電容量の測定値から、受感部に対する外力の作用の大きさを検知することができる。そして、本発明の上記電歪センサによれば、第1および第2の電歪材料層が、10μm以下の厚みおよび20以上の比誘電率を各々有するので、第1および第2の静電容量を比較的大きくすることができ、第1および第2の静電容量の各測定値から、受感部に対する外力の作用の大きさを精度良く求めることができ、その結果、小型で軽量、かつ可撓性のセンサを実現することが可能となった。かかる本発明の電歪センサは、受感部が変形状態を維持している限り、各静電容量の値は変化しないので、時間が経過してもセンサの感度が低下することはないという利点を有する。本発明の1つの態様において、受感部に外力が作用していない状態下で、第1および第2の電歪素子は、互いに略等しい電歪材料層厚さおよび比誘電率ならびに電極面積を有する。かかる態様によれば、第1および第2の電歪素子が等価な条件を有するので、受感部に対する外力の作用の大きさを比較的簡単に算出することができる。なお、本発明において、2つの数値が互いに略等しいとは、これら数値の平均値に対する、これら数値の差の絶対値の割合が10以下、好ましくは0~5であることを意味する。本発明の1つの態様において、受感部が一端にて固定され、電歪センサは、受感部の各電極に接続された引出し線を通じて第1および第2の静電容量を測定する測定部と、測定部から第1および第2の静電容量の各測定データを受け取り、該各測定データから、受感部の他端での変位量を算出する演算部とを更に有する。かかる態様における電歪センサは、センサシステムとしても理解され得、受感部に測定部および演算部を組み合わせて用いることにより、一端で固定された受感部が外力の作用を受けて変形したときの他端での変位量を電気的信号処理により算出することができる。よって、本発明の電歪センサは変位センサとして利用可能である。本発明の上記態様において、演算部は、第1および第2の静電容量の各測定データから、第1および第2の電歪材料層の少なくとも一方の比誘電率を算出し、比誘電率の算出データから、受感部の周囲温度を算出する機能を更に有していてよい。電歪材料層の静電容量は、温度依存性を示すので、第1および第2の静電容量の測定値から、受感部の周囲温度を検知することができる。よって、本発明の電歪センサは温度センサとしても利用可能である。しかしながら、本発明の電歪センサは、測定部および演算部を必ずしも予め有していなくてよい。例えば、別途、静電容量を測定可能な任意の測定器を用いて、受感部の各電極に接続された引出し線を通じて第1および第2の静電容量を測定し、その測定値から、受感部の他端での変位量および必要な場合には受感部の周囲温度をマニュアルで即ち、ユーザ自身が算出してもよい。よって、この場合にも、本発明の電歪センサは変位センサとして利用可能であり、また、温度センサとしても利用可能である。本発明によれば、電歪素子の変形により静電容量変化を生じる電歪センサであって、時間が経過しても感度が低下しない電歪センサが提供される。本発明の2つの実施形態における電歪センサについて、以下、図面を参照しながら詳述する。実施形態1本実施形態は、受感部を有する電歪センサを、外部いわゆる外付けの静電容量測定器に接続して用いる態様に関する。図1を参照して、本実施形態の電歪センサ40は、第1の電歪材料層1および第1の電歪材料層1の両面に各々配置された一対の電極3a、3bより構成される第1の電歪素子10と、第2の電歪材料層11および第2の電歪材料層11の両面に各々配置された一対の電極13a、13bより構成される第2の電歪素子20と、第1および第2の電歪素子10、20間に挟持された基材25とを含む受感部30を有する。第1の電歪材料層1の一対の電極3a、3b間における第1の静電容量C1および第2の電歪材料層11の一対の電極13a、13b間における第2の静電容量C2をそれぞれ測定可能なように、各電極3a、3b、13a、13bには引出し線5a、5b、15a、15bが接続される。電歪素子10、20において、第1の電歪材料層1の厚さd1および第2の電歪材料層11の厚さd2は、いずれも10μm以下とし、例えば1~10μmとし得る。第1の電歪材料層1の比誘電率εr1および第2の電歪材料層11の比誘電率εr2は、いずれも20以上とし、例えば40~50とし得る。厚さが厚く、比誘電率が小さいと、静電容量は小さく、例えば数十pFとなり、浮遊容量にまぎれてしまって、静電容量を精度良く測定することが困難になる。これに対し、厚さ10μm以下および比誘電率20以上とすると、例えば電極面積100mm2以上で、静電容量は1nF以上となり、静電容量の変化量は100pF以上となるので、高精度のセンサが実現される。電歪素子10、20において、電歪材料層1、11は、高分子電歪材料から形成される。高分子電歪材料は、永久双極子を有し、かつ、20以上の比誘電率を示す高分子材料であれば、特に限定されない。高分子電歪材料の例としては、PVDF-TrFE-CFE、PVDF-TrFE-CTFE、PVDF-TrFE-CDFE、PVDF-TrFE-HFA、PVDF-TrFE-HFP、PVDF-TrFE-VC、PVDF-TrFE-VFなどのターポリマーが挙げられるPはポリを、VDFはビニリデンフルオライドを、TrFEはトリフルオロエチレンを、CFEはクロロフルオロエチレンを、CTFEはクロロトリフルオロエチレンを、CDFEはクロロジフルオロエチレンを、HFAはヘキサフルオロアセトンを、HFPはヘキサフルオロプロピレンを、VCはビニルクロライドを、VFはビニルフルオライドを意味する。なかでも、PVDF-TrFE-CFEが、大きな歪みが得られる点で特に好ましい。電歪材料層1、11は、使用する高分子電歪材料および厚さが、異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。また、電歪素子10、20において、一対の電極3a、3bは、互いに略等しい面積S1を有するものとし、一対の電極13a、13bは、互いに略等しい面積S2を有するものとする。一対の電極3a、3bの面積S1および一対の電極13a、13bの面積S2は、特に限定されないが、いずれも、例えば100mm2以上、好ましくは100~1000mm2とし得る。電極3a、3b、13a、13bは、静電容量C1、C2を適切に測定し得るように、電歪材料層1、11の各面をそれぞれ全面被覆していることが好ましい。電極3a、3b、13a、13bの厚さは、適宜設定してよいが、例えば20nm~10μm程度とし得る。電極3a、3b、13a、13bは、電極として機能し得る限り、任意の適切な導電性材料から形成してよい。かかる導電性材料の例としては、Niニッケル、Pt白金、Pt-Pd白金-パラジウム合金、Alアルミニウム、Au金、Au-Pd金パラジウム合金などの金属材料、PEDOTポリエチレンジオキシチオフェン、PPyポリピロール、PANIポリアニリンなどの有機導電性材料などが挙げられる。このうち、有機導電性材料は、クラックが導入され難いので好ましい。電極3a、3b、13a、13bは、使用する導電性材料および厚さが、異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。電歪素子10、20間に挟持される基材25の面積は、一対の電極3a、3bの面積S1および一対の電極13a、13bの面積S2と同等以上とする図示する態様では、基材25の周縁部が電歪素子10、20で覆われずに露出しているが、このことは本発明に必須ではない。基材25の厚さは適宜設定してよいが、例えば数μm~100μm程度とし得る。基材25は、任意の適切な可撓性材料から形成してよい。かかる可撓性材料の例としては、PETポリエチレンテレフタレート、セロファン、塩化ビニル、ポリイミド、ポリエステルなどが挙げられる。また、基材25は、上述したような電歪材料から形成してもよい。受感部30は、全体として可撓性を有し、外力の作用を受けることにより変形可能である。受感部30に外力が作用する限り、受感部30をどのように配置して用いてもよいが、典型的には、図示するように、受感部30をその一端30aにて固定し、他端30bをフリーにして、受感部30の他端30bに外力が効率的に作用するように用いられる図1bに示す態様では、受感部30の他端30b付近に対して、矢印Aにて示す方向に外力を作用させている。しかしながら、受感部30への外力の作用の仕方は、これに限定されず、例えば、電歪素子10、20のいずれかの面に亘って外力が作用してもよい。そして、受感部30の電歪素子10、20が変形することにより、静電容量C1、C2がそれぞれ変化する。電歪素子10、20は、それらの間に基材25が存在するために異なる変形を生じる。例えば、図1bに示すように受感部30が曲がった場合には、基材25の片面側にある電歪素子10は縮むように変形し、もう片面側にある電歪素子20は伸びるように変形する。この結果、静電容量C1、C2は異なる変化を示すこととなる。次に、かかる電歪センサ40の製造方法について説明する。まず、2つの電歪素子10、20を準備する。電歪素子10は、電歪材料層1と、電歪材料層1の両面に各々配置された2つの電極3a、3bとにより構成される。このような電歪素子10は、例えば以下のようにして作製可能である。電歪材料層1の両面に電極3a、3bを形成する。電極材料に金属材料を用いる場合には、蒸着またはスパッタリングなどによって電極を形成できる。電極材料に有機導電性材料を用いる場合には、シルクスクリーン印刷、インクジェット印刷、刷毛塗布などによって電極を形成できる。図示するように、電極3a、3bは電歪材料層1の全面にそれぞれ形成されることが好ましい。電歪素子20は、電歪材料層11と、電歪材料層11の両面に各々配置された2つの電極13a、13bとにより構成される。このような電歪素子20は、電歪素子10と同様にして作製可能である。次に、基材25の両面に、上記のようにして得られた電歪素子10、20を接合させる。この接合は、例えば、熱硬化型または紫外線硬化型などの接着剤を用いて実施できる。以上により、受感部30が作製される。しかしながら、受感部30の作製方法はかかる例に限定されず、例えば、基材25の上に電極3a、13aを予め形成しておき、その電極3a、13aの上に電歪材料を塗布またはキャスティングすることにより電歪材料層1、11をそれぞれ形成し、更に、その電歪材料層1、11の上に電極3b、13bをそれぞれ形成してもよい。加えて、受感部30の電極3a、3b、13a、13bに引出し線5a、5b、15a、15bをそれぞれ接続する。引出し線5a、5b、15a、15bの接続は、任意の適切なタイミングで実施してよく、電歪素子10、20を基板25に接合する前および後のいずれであってもよい。以上のようにして、電歪センサ40が製造される。電歪センサ40は、静電容量を測定可能な任意の測定器に引出し線5a、5b、15a、15bを接続し、受感部30の一端30aを壁面31に固定して使用される。かかる静電容量測定器としては、例えば、市販のLCRメータを使用できるほか、インバータを組み込んだ発振回路を用い、その周波数に基づいて静電容量を測定する方法や、一方の電極から一定時間に亘って一定電流を流しこみ、その時の電極間の電圧変化に基づいて静電容量を測定する方法などを採用した測定器を用いることができる。電歪センサ40は、受感部30に可撓性の柔らかい電歪素子10、20および基材25を用いているため、耐衝撃性が高く、壊れにくいという利点がある。また、かかる電歪素子10、20を用いた電歪センサ40は、小型で軽量であるという利点もある。次に、電歪センサ40の使用方法動作の例について説明するが、本発明の電歪センサは、かかる使用方法に限定されるものではない。変位センサとしての使用電歪センサ40は、変位量を測定する変位センサとして使用することができる。電歪センサ40は、受感部30に外力が作用していない状態無負荷状態では、図1aに示す形態を取っており、受感部30に外力を作用させると負荷状態、図1bに示すように変形する。このときの、受感部30の他端30bにおける変位量xは、変形後の電歪材料層1の静電容量C1および電歪材料層11の静電容量C2を測定することにより算出することができる。以下、その方法についてより詳細に説明する。図1aを参照して、電歪素子10、20において、厚さd1、d2、電極面積S1、S2、比誘電率εr1、εr2はそれぞれ異なっていてもよいが、受感部30の他端30bでの変位量および後述する受感部30の周囲温度の算出を簡単にするためには、互いに略等しいことが好ましい。この使用例においては、受感部に外力が作用していない状態下で、d1=d2=d、S1=S2=S、εr1=εr2=εrTとする。なお、比誘電率εr1、εr2は温度依存性があるが、電歪材料層1、11に同じ材料を使用すれば、同じ温度特性を示す。本明細書において、任意温度T°Cでの比誘電率εrをεrTにて示すものとする。このとき、静電容量測定器を用いて後述する実施形態2では測定部により、電歪材料層1の静電容量C1および電歪材料層11の静電容量C2C1=C2=C0を測定しておいてよい。ここで、受感部30に外力が作用していない状態での、受感部30の周囲温度TがT0°Cであるとすると、以下の式1が成立し、静電容量C0を測定すれば、比誘電率εrT0を算出することができる。式中、C0は、温度T0での、変形前の電歪材料層1の静電容量C1Fおよび電歪材料層11の静電容量C2Fε0は、真空の誘電率=8.854×10-12F/mεrT0は、温度T0°Cでの、電歪材料層1、11の比誘電率-Sは、電極3a、3b、13a、13bの面積m2dは、電歪材料層1、11の初期厚さmをそれぞれ意味する。次に、図1bを参照して、受感部30に外力を矢印Aにて示す方向に作用させると、可撓性の受感部30は外力に応じて変形し、典型的には図示するように円弧状に、第1の電歪素子10を内側に、第2の電歪素子20を外側にして湾曲する。この結果、電歪材料層1の厚さd1がΔdだけ増加しd1=dΔd、電歪材料層11の厚さd2がΔdだけ減少したd2=d-Δdものと仮定する。厚さd1、d2に対して電極面積S1、S2は十分大きいため、電極面積S1、S2は変化しないと見なせるS1=S2=S。ここで、受感部に外力が作用している状態での、受感部30の周囲温度Tを任意温度T°C上記温度T0と同じであっても、ΔTだけ異なっていてもよいとすると、以下の式2、3が成立し、これらから以下の式4が導かれる。式中、C1’は、温度T°Cでの、変形後の電歪材料層1の静電容量C1FC2’は、温度T°Cでの、変形後の電歪材料層11の静電容量C2FεrTは、温度T°Cでの、電歪材料層1、11の比誘電率-Δdは、電歪材料層1、11の厚さの変化量mをそれぞれ意味し、その他の記号は特に断りのない限り上記の通りである以下も同様とする。よって、式4より、変形後の静電容量C1’、C2’の値を静電容量測定器後述する実施形態2では測定部により測定すれば、Δdが算出される。このことは、変形後の周囲温度T°Cがどのような温度であっても換言すれば、温度Tが変形前の温度T0と同じであるか、ΔTだけ異なっているかにかかわらず同様に当て嵌まる。そして、電歪材料層1の長さ方向の歪みs1は、厚さ方向の歪みの1/2と考えて差し支えないので、以下の式5が導かれる。式中、s1は、電歪材料層1の変形による長さ方向の歪み-を意味する。次に、図1bを参照して、受感部30の他端30bにおける変位量xは、電歪材料層1の変形側端部における変位量x1および電歪材料層11の変形側端部における変位量x2に等しいとみなして差し支えない。電歪材料層1に着目し、厚さd1=dおよび長さL1=L0であった電歪材料層1が、図2に示すように、上記のように厚さd1=dΔdに変化した上、電歪材料層1の中心線上にて長さL0を保持したままで内側曲率半径Rおよび中心角θで円弧状に変形したと仮定する。更に、変形前の電歪材料層1の中心線が直線BDに一致すると仮定し、直線BDの長さをL0と仮定する。かかる仮定の下、電歪材料層1の変位量x1は、直角三角形CDBの辺CDの長さに一致することとなる。図2に示す幾何的配置から角度θ’=θ/2であるので、θ/2が十分に小さいとき、変位量x1は以下の式6のように近似できる。式中、x1は、電歪材料層1の変形側端部における変位量mL0は、電歪材料層1の初期長さmθは、円弧状に湾曲した電歪材料層1の中心角-をそれぞれ意味する。他方、電歪材料層1の変形による長さ方向の歪みs1は、電歪材料層1の長さの変化量ΔL0が、電歪材料層1の変形後の内側円弧長さと外側円弧長さの差に等しいと仮定した場合、以下の式7で示される。式中、s1は、電歪材料層1の変形による長さ方向の歪み-L0は、電歪材料層1の初期長さmΔL0は、電歪材料層1の長さの変化量mRは、電歪材料層1の変形後の内側曲率半径mdは、電歪材料層1の初期厚さmΔdは、電歪材料層1の厚さの変化量mθは、円弧状に湾曲した電歪材料層1の中心角-をそれぞれ意味する。そして、上記の式6、7よりθを消去して、以下の式8が導かれる。歪みs1は、この式8で表わされると共に、上記の式5によっても表わされることから、式5、8よりs1を消去して、以下の式9が導かれ、Δdがdに比べて十分に小さいとき、以下の式10で近似される。よって、式9および10より、上記の式4より算出されるΔdを用いれば、電歪材料層1の変形側端部における変位量x1が算出され、ひいては、受感部30の他端30bにおける変位量xが算出される。以上、電歪材料層1に着目したが、電歪材料層11に着目すれば、同様にして、以下の式9’が導かれ、式10’で近似される。式中、x2は、電歪材料層11の変形側端部における変位量m、s2は、電歪材料層11の変形による長さ方向の歪み-dは、電歪材料層11の初期厚さmΔdは、電歪材料層11の厚さの変化量mをそれぞれ意味する。よって、式9’および10’より、上記の式4より算出されるΔdを用いれば、電歪材料層1の変形側端部における変位量x2が算出され、ひいては、受感部30の他端30bにおける変位量xが算出される。電歪材料層1、11のいずれに着目するにせよ、式10および式10’の右辺は等しくなる。よって、上記の式4より算出されるΔdを用いれば、以下の式11より、受感部30の他端30bにおける変位量xを算出することができる。温度センサとしての使用電歪センサ40は、温度を測定する温度センサとして使用することができる。上述の通り、電歪センサ40は、受感部30に外力が作用していない状態無負荷状態では、図1aに示す形態を取っており、受感部30に外力を作用させると負荷状態、図1bに示すように変形する。このときの、受感部30の周囲温度Tは、変形後の電歪材料層1の静電容量C1および電歪材料層11の静電容量C2を測定することにより算出または推定することができる。以下、その方法についてより詳細に説明する。受感部に外力が作用している状態での、受感部30の周囲温度Tが未知温度T°Cであるとする。上記の式2、3は、以下の式12、13に変形される。よって、式12、13より、静電容量C1’、C2’の値を測定し、上記の式4よりΔdが算出されれば、εrTを算出することができる。εrTを算出するのに、式12、13のいずれによってもよく、多少の差が生じても誤差範囲である。電歪材料の比誘電率は、材料組成によって異なる温度依存性を示す。例えば、電歪材料としてPVDF-TrFE-CFEを用いた場合、その比誘電率の温度特性は表1および図3に示す通りである。図3から理解されるように、比誘電率は、少なくとも0~50°Cの温度範囲において直線近似が可能である図3中に示す回帰直線に関し、xは温度°C、yは比誘電率-、R2は決定係数を意味する。よって、式12および/または13から、比誘電率εrTが算出されれば、これを図3中に示す回帰直線式に代入して、変形後の受感部30の周囲温度T°Cを算出することができる。図3に示すグラフそのものから、変形後の受感部30の周囲温度T°Cを目視で見積もってもよい。以上より、電歪センサ40は、変位センサとして使用可能であり、また、温度センサとしても使用可能である。かかる電歪センサ40は、小型で軽量、かつ可撓性のセンサであり、時間が経過してもセンサの感度が低下しないという利点がある。実施形態2本実施形態は、電歪センサが、受感部に加えて、静電容量測定部および演算部を予め有している内蔵している態様に関する。本実施形態の電歪センサは、実施形態1にて図1を参照して上述した受感部30に加えて、受感部30の電極3a、3bに接続された引出し線5a、5bを通じて電歪材料層1の静電容量C1を測定し、および電極13a、13bに接続された引出し線15a、15bを通じて電歪材料層11の静電容量C2を測定する測定部図1に示さずと、測定部から静電容量C1、C2の各測定データを受け取り、該各測定データから、受感部30の他端30bでの変位量を算出する演算部図1に示さずとを更に有する。かかる測定部には、静電容量を測定可能な任意の適切な方法を採用してよく、例えば、インバータを組み込んだ発振回路を用い、その周波数に基づいて静電容量を測定する方法や、一方の電極から一定時間に亘って一定電流を流しこみ、その時の電極間の電圧変化に基づいて静電容量を測定する方法などを採用できる。また、演算部は、例えばプロセッサ、メモリ、その他の電気信号処理を行なうために使用される部材を用いて適宜構成することができる。演算部における演算方法は、実施形態1にて受感部30の他端30bにおける変位量xを算出する方法および受感部30の周囲温度を算出する方法について詳述したのと同様のステップに従って実施することができるが、これに限定されない。更に、本実施形態の電歪センサは、各部材受感部、測定部、演算部などの動作を制御する制御部や、各種データを視覚的に表示するディスプレイなどのインタフェースなどを備えていてもよい。以上、本発明の2つの実施形態における電歪センサおよびその使用方法について詳述したが、本発明は種々の改変が可能であろう。例えば、実施形態1および2では、変位および温度を感知するために、電歪センサを所定の条件例えばd1=d2=d、εr1=εr2=εrT、S1=S2=Sなど下にて使用する場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されず、第1および第2の静電容量の測定値から、受感部に対する外力の作用の大きさを検知する限り、任意の適切な条件下にて、様々な物理量を検知するために使用可能である。よって、本発明の電歪センサは、変位センサおよび温度センサのほか、種々のセンサに利用可能である。本発明の電歪センサは、例えば、位置センサ、速度センサ、加速度センサ、圧力センサ、角度センサ、流速センサ、歪みセンサ、曲げセンサ、触覚センサなどとして利用可能である。具体的には、変位または位置センサは、ロボットや機械の制御または緊急停止などの用途に使用され得る。速度または加速度センサは、エアバッグ作動等の自動車、ゲーム機コントローラ、携帯電話または携帯情報端末、各種ロボット、手ぶれ防止等のためのカメラ、マイクロエレクトロメカニカルシステムMEMS、構造物の振動検知装置などの用途に使用され得る。圧力センサは、侵入物検出、ロードセル、障害物検出、衝突時等の非常作動、マイク、ソナー、カメラ等の精密機器スイッチ、電子楽器等のキーボード、MEMSなどの用途に使用され得る。角度センサは、ポテンショメータ、ロータリーエンコーダなどの用途に使用され得る。流速センサは、風速計、水流計、発電機などの用途に使用され得る。歪みセンサは、荷重計などの用途に使用され得る。曲げセンサは、人工筋肉などの用途に使用され得る。触覚センサは、人工皮膚などの用途に使用され得る。温度センサは、温度計、種々の装置の温度制御または緊急停止などの用途に使用され得る。本実施例は、図1~3を参照して上述した実施形態1の実施例である。まず、電歪材料層として、厚さ12μm、幅10.6mm、長さ20mmのPVDF-TrFE-CFEから成る層を用い、その両面にAlを蒸着して、厚さ20nmのAl電極をそれぞれ形成して、電歪素子を得た。かかる電歪素子を2つ作製し、厚さ38μmのPETから成る基材を、熱硬化型の接着剤を用いて接合した。これにより、受感部を作製し、本実施例の電歪センサを得た。次に、電歪センサの受感部の2つの電歪素子の各一対の電極にそれぞれ引出し線を接続し、受感部の一端を壁面に熱硬化型の接着剤を用いて接合し、図1aに示すように、壁面から受感部を吊り下げた。受感部の周囲温度20°Cにて、受感部に外力が作用していない状態で、基材の両側に位置する電歪材料層の静電容量C1、C2を測定すると、いずれも7.40nFC0であった。ここで、上記の式1から比誘電率εr20°Cを求めたところ、約47であった。その後、受感部の周囲温度を変化させずに、図1bに示すように、受感部の他端30b付近に対して、矢印Aにて示すように横方向に押圧力を加えることによって外力を作用させた。これにより、受感部は円弧状に曲がり、図2に示す中心角θは15°であった。この状態のまま、基材の両側に位置する電歪材料層の静電容量C1、C2を測定すると、内側の電歪材料層の静電容量は7.39nFC1’20°Cであり、外側の電歪材料層の静電容量は7.41nFC2’20°Cであった。ここで、上記の式4より、電歪材料層の厚さの変化量Δdを求めたところ、約0.016μmであった。これは、電歪材料層の厚みd=12μmに対して0.016μm変化したことを意味する。そして、上記の式5より、電歪材料層の長さ方向の歪みs1=s2を求めたところ、約0.00067であった。また、上記の式11より、受感部の他端における変位量xを求めたところ、11mmであった。次に、このように受感部を曲げた状態を維持しながら、周囲温度を30°CΔT=10°Cとして、基材の両側に位置する電歪材料層の静電容量C1、C2を測定すると、内側の電歪材料層の静電容量は7.69nFC1’30°Cであり、外側の電歪材料層の静電容量は7.71nFC2’30°Cであった。なお、このときの静電容量の温度による変化量は、先の静電容量の測定値より0.3nF=C1’30°C-C1’20°C=C2’30°C-C2’20°Cとなり、静電容量の温度による変化割合は約4となる。ここで、上記の式12、13より、電歪材料層の比誘電率εr30°Cを求めたところ、いずれも約49であった。図3より、比誘電率49に対応する温度は、約30°Cであることがわかる。これにより、本実施例の電歪センサで感知された温度が、実際の周囲温度にほぼ等しいことが確認された。