"チョクラルスキー法によりV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を制御してV-リッチ領域からなる酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3old-ASTM以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断してV-リッチ領域からなる円板状のスライスウェーハを得る工程と、前記スライスウェーハの表裏面を平坦化処理する工程と、前記平坦化処理されたウェーハの表裏面をエッチング処理する工程と、前記エッチング処理されたエッチング後のウェーハを、熱処理用部材を用いて枚葉で単数又は複数保持して、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上10時間以下熱処理する工程と、前記熱処理されたウェーハの酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜が除去されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。前記シリコン単結晶インゴットの育成は、窒素ノンドープにて行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。前記育成されたシリコン単結晶インゴット中の窒素濃度は、6.0×1013atoms/cm3以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの製造方法。しかしながら、特許文献4に記載の技術は、シリコンウェーハの表層部のCOP欠陥の低減は可能であるが、より深い領域バルク部においてはその効果は不十分であるという問題がある。更に、特許文献5に記載の技術は、シリコンウェーハを少なくとも2枚以上積層して一群となして熱処理を行うため、その積層状態や積層するウェーハの結晶径によっては、熱処理中、応力が集中する部分のウェーハ例えば、当該一群となした最下部のウェーハにスリップ転位が発生する場合がある。また、BMDの発生を抑制するため、酸素濃度の低いシリコンウェーハを用いて熱処理を行う場合には、酸素によるスリップ転位のピンニング力が低下するため、スリップ転位がより発生しやすくなるという問題もある。加えて、特許文献6に記載の技術は、シリコンウェーハを少なくとも1300°C近傍の温度で熱処理を行うため、スリップ転位が発生する可能性が高くなると共に、熱処理時に使用するウェーハを保持する熱処理用部材がSiCに限定されるため、カーボン等の不純物汚染が問題となる場合もある。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生や不純物汚染を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもCOPやBMD等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によりV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を制御してV-リッチ領域からなる酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3old-ASTM以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断してV-リッチ領域からなる円板状のスライスウェーハを得る工程と、前記スライスウェーハの表裏面を平坦化処理する工程と、前記平坦化処理されたウェーハの表裏面をエッチング処理する工程と、前記エッチング処理されたエッチング後のウェーハを、熱処理用部材を用いて枚葉で単数又は複数保持して、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上10時間以下熱処理する工程と、前記熱処理されたウェーハの酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜が除去されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、を備えることを特徴とする。前記シリコン単結晶インゴットの育成は、窒素ノンドープにて行うことが好ましい。前記育成されたシリコン単結晶インゴット中の窒素濃度は、6.0×1013atoms/cm3以下であることが好ましい。本発明によれば、シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生や不純物汚染を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもCOPやBMD等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法が提供される。本発明者は、熱処理においてCOPを低減させる手段として、1300°C近傍の温度で高温熱処理を行うことにより空孔を拡散させてCOP欠陥を収縮させる方法、及び1200°C近傍の比較的低温で熱処理を行うことによりウェーハ表面から酸素を外方拡散させてウェーハ内部の酸素濃度を固溶限界以下とすることでCOP欠陥の内壁酸化膜を除去させて、そのボイドに格子間シリコンを充填する方法の二種類の方法を提案し、その問題点等を鋭意検討した。その結果、前者においては、1300°C近傍の熱処理温度が要求されるため、熱処理時に使用するウェーハを保持する熱処理用部材がSiCに制限され、カーボン等の不純物汚染が問題となり、更に、スリップ転位などの熱処理起因の転位導入が障害となる一方で、後者においては、COP欠陥の内壁酸化膜が除去される領域、すなわち、酸素の外方拡散で酸素濃度が固溶限界以下となる領域までしかCOP欠陥を低減できず、酸素の外方拡散がされにくい領域、特に、バルク部ではCOP欠陥が低減されにくいという問題があることを見出した。そこで、これらの問題点を解決すべく、COPを低減させる手段として、前記低温熱処理を採用することで、前記高温熱処理の問題点を抑制し、更に、シリコン単結晶インゴットの育成時の酸素濃度を低くすることで、前記低温熱処理における問題も抑制できる点を見出し、本発明を完成するに至った。以下、本発明の実施形態について図面等を参照して詳細に説明する。図1は、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、図1に示すように、シリコン単結晶インゴットを育成する工程S101、スライスウェーハを得る工程S102、平坦化処理する工程S103、エッチング処理する工程S104、熱処理する工程S105、酸化膜を除去する工程S106及び鏡面研磨する工程S107を備える。シリコン単結晶インゴットを育成する工程S101は、チョクラルスキー法によりV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を制御してV-リッチ領域からなる酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3old-ASTM以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する。具体的には、周知の単結晶引上装置を用いて、シリコン融液の液面に種結晶を接触させて、種結晶と石英ルツボとを回転させながら種結晶を引き上げてネック部及び所望の直径まで拡径する拡径部を形成し、その後、所望の直径を一定に保持しながら、V-リッチ領域となるようにV/G値を所定値例えば、0.25~0.35mm2/°Cminに制御して直胴部を形成し、最後に、所望の直径から縮径する縮径部を形成してシリコン融液から切り離すことで行う。前記育成するシリコン単結晶インゴットの酸素濃度の調整は、石英ルツボの回転数や炉内圧力、ヒータ温度などを調整することによって行うことができる。図2は、V/G値と育成されるシリコン単結晶インゴット中の点欠陥分布との関係を模式的に示す概念図である。図2に示すように、ネック部2を形成した後、シリコン単結晶インゴット1の引き上げ速度V値を拡径部3側から縮径部4側にかけて漸減していくと、V/G値も減少し、これに伴って、シリコン単結晶インゴット1中の欠陥分布も変化する。なお、この場合は、G値はほとんど変化しない。引き上げ速度V値が大きい、すなわち、V/G値が大きいときは、原子空孔COPが多く取り込まれたV-リッチ領域5が形成される。このV-リッチ領域5が消滅する臨界V/G値以下では、まず、酸化誘起積層欠陥OxidationinducedStackingFault:以下、OSFと略記するがリング状に発生するリングOSF領域6が形成され、次に、空孔と格子間シリコン濃度との均衡により、原子の不足や余分の少ない無欠陥領域7が形成される。V/G値がさらに減少すると、格子間シリコンが多く取り込まれたI-リッチ領域8が形成される。このように本発明では、V/G値を制御してV-リッチ領域からなる直胴部を有するシリコン単結晶インゴットを育成するため、無欠陥領域からなるシリコン単結晶インゴットを育成するよりも、引き上げ速度V値の高速化を図ることができる。従って、シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、シリコン単結晶インゴットを育成することができる。なお、本願に示すV-リッチ領域からなるとは、前述したリングOSF領域を排除するものではなく、V-リッチ領域及びリングOSF領域の両方を含む場合も含まれる。スライスウェーハを得る工程S102は、周知の切断装置ワイヤソー等を用いて、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断してV-リッチ領域からなる円板状のスライスウェーハを得る。平坦化処理する工程S103は、周知の平坦化処理装置ラッピング装置等を用いて、前記スライスウェーハの表裏面を平坦化処理する。エッチング処理する工程S104は、周知のエッチング装置を用いて、前記平坦化処理されたウェーハの表裏面をエッチング処理する。具体的には、例えば、弗酸、硝酸、酢酸及び水を一定の比率で混合した酸エッチング溶液中に、前記平坦化処理されたウェーハを浸漬させて該ウェーハの表裏面をエッチング処理する。熱処理する工程S105は、周知の熱処理装置縦型熱処理装置等を用いて、前記エッチング処理されたエッチング後のウェーハを、熱処理用部材を用いて枚葉で単数又は複数保持して、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上10時間以下熱処理する。なお、ここでいう熱処理用部材とは、ウェーハを枚葉で単数又は複数保持する周知の縦型ボートや枚葉サセプタのことを指す。このように、酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3以下であるシリコン単結晶インゴットから切断されたウェーハに対して、上記熱処理を行うことで、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生や不純物汚染を抑制することができ、加えて、ウェーハのバルク部においてCOPやBMD等の欠陥を低減させたシリコンウェーハを得ることができる。すなわち、枚葉で単数又は複数保持して熱処理を行うため、従来の熱処理装置を用いることができ、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止することができる。また、ウェーハ同士を積層して熱処理を行わないため、積層によるスリップ転位の発生を防止することができる。更に、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で熱処理を行うため、熱処理時に使用するウェーハを保持する熱処理用部材がSiCに限定されることがなく、シリコンボートも用いることができるため、カーボン等の不純物汚染を抑制することができる。なお、例え、熱処理用部材としてSiCを用いた場合でも、熱処理温度が比較的低温1150°C以上1200°C以下であるため、カーボン等の不純物汚染を抑制することができる。更に、熱処理温度が比較的低温であるため、スリップ転位などの発生も抑制することができる。更に、熱処理するウェーハの酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3以下であるため、当該熱処理において、ウェーハの表層部及びバルク部においてBMDの発生を抑制することができる。更に、雰囲気として、酸化性ガスを用いるため、他のガス水素やアルゴンよりも、ウェーハ内部に格子間シリコンを多く注入させることができ、また、熱処理するウェーハの酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3以下であるため、ウェーハのバルク部においては、COPの内壁酸化膜が溶解されやすくなるため、該バルク部において、COP欠陥の低減を図ることができる。更に、エッチング後のウェーハで熱処理を行うため、研磨後のウェーハよりも、ウェーハ表面と酸化性ガスとの接触面積を大きくすることができる。従って、ウェーハ内部に格子間シリコンを多く注入させることができる。図3は、熱処理におけるウェーハの表層部とバルク部のCOP欠陥が低減するメカニズムを説明するための概念図であり、図3aは最高到達温度が1300°C近傍である熱処理の場合、図3bは最高到達温度が1000°C~1100°Cである熱処理の場合、図3cは最高到達温度が1150°C~1200°Cである熱処理の場合をそれぞれ示す。前記熱処理におけるCOP欠陥が低減するメカニズムは、概ね下記のようなものであると考えられる。最高到達温度が1300°C近傍である場合図3aは、高温であるため、表層部及びバルク部共に、内壁酸化膜の溶解が発生し、その後、内壁酸化膜が除去されたボイドが空孔として拡散し、それによって、COPが消滅されるものと考えられる。最高到達温度が1000°Cから1100°Cである場合図3bは、低温であるため、内壁酸化膜が溶解しにくく、更に、酸化性ガス雰囲気で熱処理が行われるため、酸素Oiが表層部に内方拡散され、表層部のCOPの内壁酸化膜が逆に成長してしまい、表層部にCOPが残留するものと考えられる。なお、前記内方拡散された酸素Oiは、表層部のCOPに取り込まれるためバルク部まで拡散されにくいものの、同様に最高到達温度が低温であるため、バルク部でもCOPの内壁酸化膜が溶解しにくく、これが格子間シリコンi-Siの注入を抑制するため、バルク部においてもCOPが残留するものと考えられる。これに対し、最高到達温度が1150°Cから1200°Cである場合図3cは、温度が図3bと比べると高温であるため、内壁酸化膜は溶解されやすくなっているものの、表層部では、同様に、内方拡散された酸素Oiが表層部のCOPの内壁酸化膜を成長させてしまうため、表層部にはCOPが残留すると考えられる。なお、バルク部では、COP中の内壁酸化膜は溶解され、内壁酸化膜が除去されたボイドに格子間シリコンi-Siが注入され、これによってCOPが消滅するものと考えられる。すなわち、前記熱処理における最高到達温度が1150°C未満である場合には、シリコンウェーハの表層部及びバルク部のCOP欠陥を十分に低減することが難しい。また、前記最高到達温度が1200°Cを超える場合には、前述したような不純物汚染やスリップ転位が発生しやすくなるため好ましくない。前記雰囲気が水素ガスや不活性ガスである場合には、シリコンウェーハの表層部表面から深さ5μm程度のCOP欠陥の低減は可能であるが、より深い領域バルク部においてはその効果は不十分である。前記雰囲気が窒素ガスである場合には、シリコンウェーハのバルク部に空孔が形成されてしまい、バルク部における欠陥の低減の妨げとなるため好ましくない。前記酸化性ガス雰囲気における酸素ガスの分圧は、1以上100以下であることが好ましい。前記酸素分圧が1未満である場合には、シリコンウェーハの内部に導入される格子間シリコンの発生量が低下するため、バルク部のCOP欠陥の低減を十分に図ることができない場合がある。前記酸化性ガスおける酸素ガス以外のガスはアルゴンガスであることが好ましい。アルゴンガスを用いることにより、窒化膜等の他の膜の形成や化学的反応等が生じることがなく、熱処理を行うことができる。前記熱処理を行うシリコンウェーハが研磨後のウェーハである場合には、ウェーハ表面と酸化性ガス雰囲気との接触面積が小さくなるため、格子間シリコンを多く注入することが難しい。また、研磨後のウェーハを用いて、バルク部のCOP欠陥を低減することが出来たとしても、上述した図3cに示すようなメカニズムにより、熱処理後に表層部にCOP欠陥が残留するため、当該表層部を再研磨する必要があり、生産性が低下するため好ましくない。前記熱処理を行うシリコンウェーハが平坦化処理後主に、ラッピング処理後のウェーハである場合には、清浄度という点で好ましくない。前記最高到達温度1150°C以上1200°C以下を保持する保持時間は、5分以上10時間以下であることが好ましい。前記保持時間が5分未満である場合には、図3cに示すようなバルク部におけるCOPの消滅が十分に行う事ができない場合がある。前記保持時間が10時間を越える場合には、熱処理時間が長くなるため、生産性が低下すると共に、その他の不具合不純物拡散、スリップ転位等の発生も懸念されるため好ましくない。前記保持時間は、好ましくは、30分以上3時間以下であり、更に、好ましくは、1時間以上3時間以下である。前記酸化膜を除去する工程S106は、周知の洗浄装置やエッチング装置を用いて、前記熱処理されたウェーハの酸化膜を除去する。具体的には、例えば、フッ酸溶液HF又はバッファードHF溶液NH4FHFに、前記熱処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を接触させて行う。鏡面研磨する工程S107は、周知の鏡面研磨装置を用いて、前記酸化膜が除去されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する。この鏡面研磨における研磨取代は、10μm以上20μm以下であることが好ましい。これにより、ウェーハの表層部に残留したCOPを確実に除去することができる。前記シリコン単結晶インゴットの育成は、窒素ノンドープにて行うことが好ましい。ここでいう窒素ノンドープとは、シリコン単結晶インゴットの育成のため、故意に窒素ドープ例えば、石英ルツボにおけるポリシリコン積載時に窒化膜が形成されたシリコンウェーハ片を同時に積載を行わないことをいう。窒素ドープを行うとシリコン単結晶インゴットの内部,すなわち作製されたシリコンウェーハのバルク中に残留する窒素を起因として,比抵抗の変動やCOP以外の欠陥を形成する場合があるため好ましくない。具体的には、前記育成されたシリコン単結晶インゴット中の窒素濃度は、6.0×1013atoms/cm3以下SIMS二次イオン質量分析装置実測値であることが好ましい。前記シリコン単結晶インゴットを育成する際の酸素濃度は、0.44×1018atoms/cm3old-ASTM以下であることが好ましい。より好ましくは、0.31×1018atoms/cm3以上0.44×1018atoms/cm3old-ASTM以下である。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により限定解釈されるものではない。試験1:実施例1~3、比較例1~6チョクラルスキー法により窒素ノンドープにてV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を0.28~0.32mm2/°Cminに制御して直胴部がV-リッチ領域からなる酸素濃度0.31×1018~0.44×1018atoms/cm3old-ASTM、窒素濃度6.0×1013atoms/cm3以下SIMS実測値、比抵抗39.3~43.3Ωcm、N-type、面方位100であるシリコン単結晶インゴットを育成後、該インゴットの直胴部を切断してV-リッチ領域からなる直径200mmの円板状のスライスウェーハを得た。次に、前記スライスウェーハのラッピング加工を行って、該ウェーハの表裏面を平坦化処理した後、フッ酸濃度49:硝酸濃度69:酢酸:水=1:15:3:1の酸エッチング溶液に浸漬させて、該ウェーハの表裏面をエッチング処理した。次に、前記エッチング処理されたエッチング後のウェーハを、酸素100雰囲気中、最高到達温度及びその保持時間を変化させて熱処理を行った。その際、各条件とも、縦型ボートであるシリコンボートに前記ウェーハを枚葉で10枚づつ保持して熱処理を行った。試験2:比較例7~8チョクラルスキー法により育成するシリコン単結晶インゴットの酸素濃度を1.20~1.30×1018atoms/cm3old-ASTMとして、その他は、試験1と同様な方法で熱処理を行った。熱処理後、試験1及び試験2の全てのアニールウェーハについてHF処理を行って、表裏面の酸化膜を除去し、また、半導体デバイス形成面となる表面側の鏡面研磨を行って、表面から深さ10μm、50μm及び100μmにおけるバルク部の欠陥密度を評価した。欠陥密度の評価は、表面から深さ5μm領域の欠陥数を検出することができるレイテックス社製LSTDスキャナMO601を用いた。また、前記熱処理を行って得られた酸化膜除去後のアニールウェーハについて、ウェーハ裏面に発生するスリップ長をX線トポグラフィ株式会社リガク製XRT300にて評価し、10枚における当該スリップ長の平均値を算出した。更に、酸化膜除去後のアニールウェーハに対して、2段階熱処理780°Cで3時間熱処理した後、1000°Cで16時間熱処理を施した後のバルク部深さ10μm、50μm及び100μmのBMD密度をIRトモグラフィ株式会社レイテックス製MO-411にて測定した。本試験における試験条件及び評価結果を表1に示す。また、図4から図6に、比較例3、実施例2、3のバルク部表面から深さ10μm及び50μmにおけるレイテックス社製LSTDスキャナMO601の表面画像をそれぞれ示す。また、BMD密度は、試験1における全サンプルがバルク部深さ10μm、50μm及び100μmにおいて0.0~5.0×107/cm3であったのに対し、試験2では、1.0~1.2×1010/cm3であった。表1に示すように、最高到達温度°Cが1150°Cから1200°Cである場合実施例1から3は、バルク部深さ10μm、50μm及び100μmにおいて欠陥密度が大きく低減し、スリップ長も大きく抑制され、更に、BMD密度も低密度であることが認められる。これに対し、最高到達温度°Cが1000°Cから1100°Cである場合比較例1から4では、バルク部において、欠陥密度が高いことが認められる。更に、最高到達温度°Cが1250°Cから1300°Cである場合比較例5、6は、スリップ長が大きいことが認められる。また、試験2比較例7、8においては、最高到達温度°Cが1150°Cから1200°Cであっても、バルク部において、欠陥密度が高いことが認められる。試験3:実施例4~6、比較例9~14チョクラルスキー法により育成するシリコン単結晶インゴットの酸素濃度を0.7~0.8×1018atoms/cm3old-ASTMとして、その他は、試験1と同様な方法で熱処理を行った。熱処理後、全てのアニールウェーハについてHF処理を行って、表裏面の酸化膜を除去し、試験1と同様な方法で、バルク部の欠陥密度、スリップ長の評価スリップ長の平均値の算出、BMD密度をそれぞれ評価した。本試験における試験条件及び評価結果を表2に示す。また、BMD密度は、試験3における全サンプルがバルク部深さ10μm、50μm及び100μmにおいて0.0~5.0×107/cm3であった。表2に示すように、酸素濃度を0.7~0.8×1018atoms/cm3old-ASTMであっても、試験1と同様に、最高到達温度°Cが1150°Cから1200°Cである場合実施例4から6は、バルク部深さ10μm、50μm及び100μmにおいて欠陥密度が大きく低減し、スリップ長も大きく抑制され、更に、BMD密度も低密度であることが認められる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"