"磁気記録層の磁化領域用の垂直磁気記録書き込みヘッドであって、基板と、前記磁気記録層に面する端部を有する、前記基板上の積層主磁極と、を含み、前記積層主磁極は、前記基板上の第1のFeCo/NiFe/FeCo三層を含む第1強磁性多層と、第2のFeCo/NiFe/FeCo三層を含む第2強磁性多層と、前記第1強磁性多層と第2強磁性多層との間の反強磁性結合AFC膜と、前記AFC膜の前記基板から離れた側の表面上にあり、かつ当該AFC膜の表面と接触するNiFe合金のAFC隣接層と、を含み、前記第1強磁性多層は前記基板と前記第2強磁性多層との間に配置され、前記AFC膜は、本質的にRuからなり、前記第1強磁性多層のFeCo層上に当該FeCo層に接触して配置され、前記第2強磁性多層のFeCo層が、前記AFC隣接層上に当該AFC隣接層に接触して配置され、前記AFC隣接層は25~95原子パーセントのNiを有し、かつその厚さが10~50オングストロームである、書き込みヘッド。前記AFC隣接層の厚さが13~25オングストロームである、請求項1に記載の書き込みヘッド。前記RuAFC膜の厚さが6.5~9オングストロームである、請求項1に記載の書き込みヘッド。前記積層主磁極が、同一の第1強磁性多層と第2強磁性多層とAFC膜とを有するがAFC隣接層を含まない比較対象の積層主磁極の残留磁気よりも、少なくとも10低い残留磁気を有し、当該比較対象の積層主磁極のAFC膜は、前記第1強磁性多層のFeCo層と前記第2強磁性多層のFeCo層との間に当該両方のFeCo層に接触して配置されている、請求項1に記載の書き込みヘッド。前記積層主磁極が、同一の第1強磁性多層と第2強磁性多層とAFC膜とを有するがAFC隣接層を含まない比較対象の積層主磁極の透磁率よりも、少なくとも30高い透磁率を有し、当該比較対象の積層主磁極のAFC膜は、前記第1強磁性多層のFeCo層と前記第2強磁性多層のFeCo層との間に当該両方のFeCo層に接触して配置されている、請求項1に記載の書き込みヘッド。前記基板と前記第1のFeCo/NiFe/FeCo三層との間にシード層をさらに含む、請求項1に記載の書き込みヘッド。前記シード層が、Ruと、NiCr合金と、NiCr/Ru二層との中から選択される、請求項6に記載の書き込みヘッド。前記第1強磁性多層が、前記シード層と前記AFC膜との間に、FeCo/NiFe/FeCo/NiFe/FeCo多層を含む、請求項6に記載の書き込みヘッド。前記第2のFeCo/NiFe/FeCo三層上にキャッピング層をさらに含む、請求項1に記載の書き込みヘッド。前記キャッピング層が本質的にNiCr合金からなる、請求項9に記載の書き込みヘッド。前記第2強磁性多層が、前記AFC膜と前記キャッピング層との間に、FeCo/NiFe/FeCo/NiFe/FeCo多層を含む、請求項9に記載の書き込みヘッド。前記第1および第2のFeCo/NiFe/FeCo三層に含まれる各NiFe層が、25~95原子パーセントのNiを有し、前記第1および第2のFeCo/NiFe/FeCo三層に含まれる各FeCo層が、40~80原子パーセントのFeを有する、請求項1に記載の書き込みヘッド。前記第1および第2のFeCo/NiFe/FeCo三層に含まれる各NiFe層の厚さが5~100オングストロームであり、前記第1および第2のFeCo/NiFe/FeCo三層に含まれる各CoFe層の厚さが100~1000オングストロームである、請求項1に記載の書き込みヘッド。前記基板と前記AFC膜との間のすべてのNiFe層の合計厚さが、前記AFC膜より上方のすべてのNiFe層の合計厚さの90パーセントよりも大きく、110パーセントよりも小さい、請求項1に記載の書き込みヘッド。成形磁極をさらに含み、当該成形磁極が前記基板であり、かつ、当該成形磁極は、前記積層主磁極の端部から後退した端部を有する、請求項1に記載の書き込みヘッド。前記積層主磁極内に磁束を発生させるための導電コイルをさらに含む、請求項1に記載の書き込みヘッド。基板と、当該基板上の下地層と、当該下地層上の垂直記録層と、を含む回転可能な磁気記録ディスクと、請求項1に記載の書き込みヘッドと、を含む磁気記録ディスクドライブ。磁気記録層の磁化領域用の垂直磁気記録書き込みヘッドであって、成形磁極と、前記磁気記録層に面する端部を有する、前記成形磁極上の積層主磁極と、を含み、前記積層主磁極は、前記成形磁極上の第1のFeCo/NiFe/FeCo三層と、前記第1のFeCo/NiFe/FeCo三層上の本質的にRuからなる反強磁性結合AFC膜と、前記AFC膜の前記成形磁極から離れた側の表面上にあり、かつ当該AFC膜の表面と接触するNiFe合金のAFC隣接層と、前記AFC隣接層上の第2のFeCo/NiFe/FeCo三層と、を含み、前記AFC膜は、前記第1のFeCo/NiFe/FeCo三層の前記成形磁極から最も離れた側のFeCo層上に当該FeCo層に接触して配置され、前記AFC膜の厚さは6.5~9オングストロームであり、前記AFC隣接層は、25~95原子パーセントのNiを有し、かつその厚さが13~25オングストロームであり、前記第2のFeCo/NiFe/FeCo三層の前記AFC膜に最も近い側のFeCo層は、前記AFC隣接層上に当該AFC隣接層層に接触して配置される、書き込みヘッド。前記成形磁極と前記第1のFeCo/NiFe/FeCo三層との間にシード層をさらに含む、請求項18に記載の書き込みヘッド。前記第2のFeCo/NiFe/FeCo三層の上にキャッピング層をさらに含む、請求項18に記載の書き込みヘッド。必要であるのは、低い残留磁気および高い透磁率の双方を兼ね備えた改良型積層主磁極を有する垂直磁気記録書き込みヘッドである。本発明は、改良型の反強磁性結合された積層主磁極MPを備えた垂直磁気記録書き込みヘッドに関する。このMPは、2つの強磁性の多層を有し、その2つの多層のそれぞれは、少なくとも1つのFeCo/NiFe/FeCoの強磁性の三層を含み、かつ、その2つの多層は、本質的にルテニウムRuからなる反強磁性結合AFC膜を横断して反強磁性結合される。その2つの多層の下側の多層は、積層MPが形成される基板とAFC膜との間にあり、上側の多層はAFC膜の上部に位置している。さらに、このMPは、AFC膜の直接上部、すなわちAFC膜の基板に面する側と反対側の面にNiFe層を有しており、このNiFe層は、RuAFC膜と、上側の多層の下側のFeCo層とに接触している。しかし、RuAFC膜の直接下側にはNiFe層は存在しないので、AFC膜の基板に面する側は、下側の多層の上側のFeCo層と直接接触している。RuAFC膜と、RuAFC膜上部のAFC隣接NiFe層と、RuAFC膜の直接下側にNiFe層が存在しないこととの組み合わせによって、先行技術に比べて残留磁気が顕著に低減し、透磁率が顕著に増大したMPがもたらされる。本発明の本質および利点をさらに理解するためには、添付の図面に基づく以下の詳細説明を参照するべきである。図1は、カバーを取り外した状態の従来型磁気記録ハードディスクドライブの概略図である。ディスクドライブは、磁気記録ディスク10と、ディスクドライブハウジングまたはベース18上に支持された回転ボイスコイルモータVCMアクチュエータ17とを包含する。ディスク10は、ほぼ同心のデータトラックを含む磁気記録層RLを有する。ディスク10は、回転中心11を有し、ベース18に取り付けられたスピンドルモータ図示なしによって、70の方向に回転される。アクチュエータ17は、軸19の回りに回動し、剛性のアクチュエータアーム20を含む。通常可撓のサスペンション21は、撓み要素23を含み、アーム20の端部に取り付けられる。撓み部材23には、ヘッドキャリアまたは空気支持スライダ22が取り付けられる。スライダ22のトレーリング表面25上には、磁気記録読み取り/書き込みヘッド図示なしが形成される。撓み部材23およびサスペンション21は、スライダが、回転ディスク10によって生成される空気支持部上で縦揺れpitchおよび横揺れrollすることを可能にする。通常、スピンドルモータによって回転されるハブの上に複数のディスクが積重ねられ、それぞれのディスク面に、別個のスライダおよび読み取り/書き込みヘッドが付属している。図2Aは、スライダ22の一部分の側断面図であって、読み取りヘッド80と、書き込みヘッド30と、データトラックに平行な平面を通るように取られたRL16を含む記録媒体ディスク10とを示す。図2Aに示すように、二重層dual-layer媒体10は、ディスクの基板12上に形成される軟磁性softすなわち相対的に低飽和保磁力の透磁性下地層SUL14の上の垂直磁気データ記録層RL16を含む。このタイプの媒体が、磁気抵抗型MR読み取りヘッド80および単磁極タイプの記録または書き込みヘッド30と共に示されており、これらのヘッドは、RL16上のデータトラックと平行な平面を通る断面において示されている。MR読み取りヘッド80は、MRシールドS1、S2間に配置されるMRセンサー81を含む。書き込みヘッド30は、P2とも呼称される成形磁極34からなるヨークと、P1とも呼称される第1磁束戻り磁極35と、成形磁極34および第1磁束戻り磁極35を接続するヨークスタッド37と、P3とも呼称される第2磁束戻り磁極36と、成形磁極34および第2磁束戻り磁極36を接続するヨークスタッド38と、成形磁極34の回りに断面で示される薄膜コイル39a、39bとを含む。コイル39a、39bは、成形磁極34の回りに巻き付けられたらせんコイルとして表現されているが、このコイルは、コイルがヨークの回りに巻き付けられ、コイルセグメントが実質的に同一平面内に位置するような周知のパンケーキpancake型コイルとしてもよい。成形磁極34の上部にフレア主磁極MP40が形成され、このフレア主磁極MP40は、フレア部分41と、ディスク10の外表面に面する端部43を含む磁極先端部42とを有する。コイル39a、39bを通る書き込み電流が、RL16を通り抜けるMP40からの磁界破線60で示されるを誘起し、その磁界がMP40の下部のRL16の領域を磁化することによって、RL16への書き込みが行われる。磁界60は、RL16から、SUL14が提供する磁束戻り径路を通るように導かれて、磁束戻り磁極35、36に戻る。読み取りヘッド80および書き込みヘッド30は、スライダ22のトレーリング表面25上に堆積される一連の膜として形成される。スライダ22は、ディスク10に面する空気支持面ABSを有する。磁極先端の端部43は実質的にABSの位置にあり、第1および第2戻り磁極35、36は、それぞれ、実質的にABSの位置にあるので磁極先端の端部43とほぼ同一平面にある端部35a、36aを有する。MP40は成形磁極34の上に形成され、成形磁極34はABSから後退した端部34aを有する。図2Aにおいては、ディスク10は、矢印70で指示される方向に、記録ヘッドを通過して動く。RL16は、垂直方向に記録または磁化された領域を有するように表現されているが、この場合、隣接する領域は、矢印で示すように反対向きの磁化方向を有する。反対向きに磁化される隣接領域の間の磁気転移は、MRセンサー81によって、記録されたビットとして検出可能である。図2Aは、また、図2B、2Cにおいてさらに詳述するラップアラウンドwraparoundシールドの一部を形成するトレーリングシールドTS50をも表現している。このトレーリングシールドTS50はオプションである。図2Bは、図2Aの方向線2B-2Bに見た図である。図2Bは、MP40の基板として機能する成形磁極34を示している。成形磁極34は、ABSから後退したその端部34aを有し、フレアMP40のフレア領域41をよく表現している。MPの先端部42とフレア部分41との間の領域はフレア点44と呼ばれる。MP40のフレア点44は、磁束密度が最も高くかつMP40が飽和する点であるので、時にチョークchoke点とも呼称される。MP先端部42は、フレア長さFLと呼ばれる端部43からフレア点44までの高さheightを有する。図2Bに示すように、MP先端部42の両側の壁面は、トラック横断方向におけるその幅を規定し、その幅が、RL16に記録されるデータのトラック幅TWを実質的に規定する。フレア領域41の上部のMP40の領域は、フレア領域41の下部のMP先端部42よりかなり幅が広く、フレア点44は、MP40の幅がABSから離れると共に拡大し始める移行点になっている。図2Bにおける角度θはフレア角度と呼ばれ、90~180°の間、通常約120~150°の間の値である。図2Bは、さらに、MP先端部42を全体的に囲繞するラップアラウンドシールドの一部を形成する側部シールド52、54をも表現している。このラップアラウンドシールドはオプションとして設けられる。図2Cは、ディスク10から見た書き込みヘッド30を表現している。ABSは、媒体10に面するスライダ22の記録層対向表面であり、図2Cにおいては、通常実際のスライダには存在する薄い保護被膜なしに示されている。記録層対向表面というのは、薄い保護被膜でカバーされたスライダまたはヘッドキャリアの表面、被膜がなければヘッドキャリアの実際の外表面、あるいは、被膜の外表面を意味するものとする。また、実質的に記録層対向表面に位置するsubstantiallyattherecording-layer-facingsurfaceという表現は、実際に表面上にあるか、あるいは、表面から僅かに後退した位置にあることを意味するものとする。ディスク10は、書き込みヘッド30に対して、沿トラック方向と呼ばれる方向70に動く。図2Cにおける破線はデータトラックの両側を表す。主磁極の先端部42の端部43の幅が、RL16におけるデータトラックのトラック幅TWを実質的に規定する。成形磁極34は、ABSから後退しているので破線で示されている。方向70に垂直でかつABSの面に平行な方向は、トラック横断方向と呼ばれる。側部シールド52、54およびTS50を含むラップアラウンドシールドは、本出願と同じ譲受人に譲渡された特許特許文献6に、従来型の垂直記録ヘッド用のシールドとして詳細に記述されている。シールド50、52、54は、すべて、実質的に記録層対向表面に位置する端部を有する。シールド50、52、54は、通常相互に連結され、MP先端部42を実質的に囲繞してラップアラウンドwraparoundシールドを形成する。TS50および側部シールド52、54は、MP先端部42から、非磁性の間隙材料、通常アルミナによって分離される。非磁性の間隙材料によってMP先端部42から分離されたシールド50、52、54を含むラップアラウンドシールドは、書き込み磁界の角度を変化させて、書き込み点における書き込み磁界の傾きを改善し、さらに、RLの領域における書き込み中の磁界を遮蔽してトラックに所定外書き込みが行われないようにする。ラップアラウンドシールドは、戻り磁極36に接続されているものとして示されているが、磁束導入flux-conducting材料によって戻り磁極36またはヨークの他の部分のいずれにも接続されないことを意味するフローティングflaotingシールドとしてもよい。書き込みヘッド30の他の変形形態においては、ラップアラウンドシールドの代わりに、側部シールドなしのTSのみを用いることができる。このTSは、フローティングflaotingとしてもよいし、戻り磁極36に接続してもよい。TSを有する垂直磁気記録書き込みヘッドおよびその製造方法は、2005年3月25日に出願された係属中の米国出願第11/090,456号であって、特許文献7として公刊されかつ本出願と同じ譲受人に譲渡された特許出願に記載されている。書き込みヘッド30のヨークおよびシールドは、通常電気めっきによって形成される、NiFe、CoFeおよびNiFeCoの各合金のような軟強磁性材料から形成される。成形磁極34は、高モーメントのFeCo合金のような高モーメント材料から形成される。図2Cは、さらに、MRシールドS1、S2の間に配置されるMRセンサー81を含む磁気抵抗型MR読み取りヘッド80をも表現している。図2Cに示すようなMRヘッド80および書き込みヘッド30を構成する膜は、空気支持スライダ22の端部またはトレーリング表面25である基板上に、一連の薄膜蒸着法、エッチング法およびリソグラフィーによるパターン生成法によって連続的に形成される。図3は、成形磁極34の一部分の上部に形成される先行技術の積層MP40の拡大断面図である。成形磁極34は、通常フォトマスクを通して電気めっきされる。続いて、マスクを取り外し、アルミナAl2O3のような非磁性の絶縁材料を堆積し、化学的機械的研磨CMPによって平坦化して、成形磁極材料34の部分およびアルミナの部分49を含む基板を形成する。引き続いて、積層MP40の各層を、上記のように形成された基板上に全面膜としてスパッタ堆積する。この基板の一部分49はアルミナであり、他の部分は成形磁極34の材料である。積層MP40を構成するすべての層を堆積した後、積層された層を一連のフォトリソグラフィーおよびイオンエッチングの各ステップによって処理して、フレア部分41および磁極先端部42を含む所望の形状のMP40図2Aを形成する。ABSラッピングによって磁極先端部の一部分を取り除き、磁極先端部の端部43にABSを画定する。成形磁極34の端部34aはABSから後退している。この後退は、設計に応じて、通常約1000~2000nmの範囲内である。仕上げられた先行技術の書き込みヘッドの典型的な形状を図2Aに示す。MP40は、例えばRu、NiCr合金またはNiCr/Ru二層のような、基板上の下部シード層102と、シード層102上の底部NiFe層103とを含む。MP40は、また、NiCr合金のような上部キャッピング層104と、キャッピング層104のすぐ下の上部NiFe層105とを含む。MP40は、さらに、AFC膜110の両側に位置する2つの強磁性層を結合する反強磁性結合AFC膜110を含む。シード層102とAFC膜110との間には、少なくとも1つの下部強磁性FeCo/NiFe/FeCo三層120が配置され、AFC膜110とキャッピング層104との間には、少なくとも1つの上部強磁性FeCo/NiFe/FeCo三層130が配置される。それぞれの三層120、130においては、2つの相対的に厚い高モーメントのFeCo層120a、120bおよび130a、130bが、それよりかなり薄いNiFe軟磁性層120cおよび130cによって分離されている。図3においては、付加的なFeCo層122および中間のNiFe層123が、下部三層120とシード層102上の底部NiFe層103との間に配置され、付加的なFeCo層132および中間のNiFe層133が、AFC膜110と上部NiFe層105との間に配置されている。AFC膜110は、そのAFC膜110の両側の2つの強磁性多層170および180それぞれ、FeCo/NiFe/FeCo三層120、130を含むを反強磁性結合するので、2つの強磁性多層のモーメントは反平行になり、ゼロ印加された磁界において相互に本質的に相殺し、その結果、MP40の残留磁気が低くなる。先行技術のMP40は、本出願と同じ譲受人に譲渡された特許特許文献4に詳細に記述されている。特許文献4においては、AFC膜はクロムCrである。本発明は積層MPの改善に関する。図4は、本発明による積層MP240の拡大断面図である。MP240は、図3のMP40とほぼ同じであるが、ルテニウムRuのAFC膜210と、AFC膜210の上部にあり、かつAFC膜210および上部のFeCo/NiFe/FeCo三層の下部のFeCo層230aの両者と接触するNiFe層250とを有する。しかし、RuAFC膜210の底部基板側にはNiFe層は存在しない。RuAFC膜210と、特定の厚さのAFC隣接NiFe層250と、RuAFC膜210の下側にNiFe層が存在しないこととの組み合わせによって、図3に示す積層MPのような先行技術に比べて、残留磁気が顕著に低減し、透磁率が顕著に増大したMPがもたらされるのである。各FeCo層の厚さは好ましくは100~1000Åの範囲内であり、また、そのFeCo層は、好ましくは約40~80原子パーセントのFeを有する高モーメント材料とする。2つの強磁性FeCo/NiFe/FeCo三層内の各NiFe層の厚さは好ましくは5~100Åの範囲内であり、また、そのNiFe層は、好ましくは約25~95原子パーセントのNiを含む軟磁性材料とする。RuAFC膜210は本質的にRuからなる。すなわち、RuAFC膜210は、他のいかなる元素も意図的に添加されていないRuのみであることが望ましい。RuAFC膜210の厚さは、好ましくは6.5~9Åの範囲内である。AFC膜210は、AFC膜210の両側の2つの磁性多層270FeCo/NiFe/FeCo三層220を含むおよび280FeCo/NiFe/FeCo三層230を含むを反強磁性結合するので、2つの強磁性多層のモーメントは反平行になり、ゼロ印加された磁界において相互に本質的に相殺し、その結果、MP240の残留磁気が低くなる。AFC隣接NiFe層250は、NiおよびFeのみから本質的になるNiは25~95原子パーセントの範囲である。また、AFC隣接NiFe層250の厚さは、10~50Åの間、好ましくは13~25Åの間にしなければならないことが判明した。AFC隣接NiFe層250が薄過ぎると、すなわち約10Åより薄いと、残留磁気が容認し難いほど高くなり、透磁率が容認し難いほど低下するであろう。AFC隣接NiFe層250が厚過ぎると、すなわち約50Åより厚いと、Bs、従って透磁率が容認し難いほど低下するであろう。本発明においては、AFC膜210の上部の付加的なNiFe層層230c、233および205の厚さは、これらのNiFe層とAFC隣接NiFe層250との合計厚さが、AFC膜210の下部のNiFe層層220c、223および203の合計厚さと実質的に同じ約10以内になるように低減することができる。従って、一実施形態においては、層220c、223および203の厚さがそれぞれ15Åであり、AFC隣接NiFe層250の厚さが16Åであれば、層230c、233および205のそれぞれの厚さを10Åにすることが可能である。これによって、NiFe材料からの磁気モーメントへの寄与がAFC膜を横断して本質的に均等化され得ることになる。本発明の発見の一部として、図3に示す構造に類似の積層構造と、同じ構造であるが11.5ÅのCrAFC膜の代わりに7.8ÅのRuAFC膜を有する構造とを、透磁率および残留磁気について比較した。RuAFC膜を含み、かつRuAFC膜の両側にFeCo層が直接接触する構造は、同じ構造であるが11.5ÅのCrAFC膜を有する構造よりも50高い透磁率を示した。しかし、RuAFC膜を含む構造は遥かに高い残留磁気をも示した。これによって、Ruを、主磁極の性能に実質的に影響を及ぼすことなく機能等価物としてCrの代わりに用いることは不可能であることが立証された。続いて、7.8ÅのRuAFC膜を含む構造であって、RuAFC膜の両側にFeCo層が直接接触する有する構造を、同じ構造であるが、7.8ÅRuAFC膜の上に16ÅのNi80Fe20AFC隣接層図4の層250を有する構造と比較した。この構造は、図4に示す本発明の構造と同様のものであり、Ru上にNiFeのAFC隣接層を有しない比較対象の構造よりも30高い透磁率と、10低い残留磁気とを示した。AFC膜の下部に付加的なAFC隣接NiFe層を用いることによって、透磁率および残留磁気におけるさらなる改善が得られるか否かを確認するため、7.8ÅのRuAFC膜210の上に16ÅのNi80Fe20AFC隣接層250を有する図4の本発明の構造を、同じ構造であるが、16ÅのNi80Fe20AFC隣接層が7.8ÅRuAFC膜の上ではなく下部に配置された構造と比較した。この構造は、本発明の構造に比べて予想外に高い残留磁気を示した約300高い。それゆえ、本発明においては、単一のAFC隣接NiFe層のみを使用すること、しかも、それをRuAFC膜の上部に配置することが決定的に重要である。本発明においては、図4に示すように、少なくとも1つの下部強磁性多層FeCo/NiFe/FeCo三層220がシード層202とRuAFC膜210との間に配置され、少なくとも1つの上部強磁性多層FeCo/NiFe/FeCo三層230がAFC膜210とキャッピング層204との間に配置される。それぞれの三層220、230においては、2つの相対的に厚い高モーメントFeCo層220a、220bおよび230a、230bが、それよりかなり薄いNiFe軟磁性層220cおよび230cによって分離されている。しかし、下部および上部の強磁性多層は付加的なFeCo層およびNiFe層を含むことができる。図4においては、付加的なFeCo層222と、中間のNiFe層223と、底部NiFe層203とが、下部三層220とシード層202との間に配置され、付加的なFeCo層232と、中間のNiFe層233と、上部NiFe層205とが、AFC膜210とキャッピング層204との間に配置されている。以上、本発明を、好ましい実施形態を参照して具体的に提示し説明したが、当業者は、形態および詳細における種々の変更を、本発明の本質および範囲から逸脱せずになし得ることを理解するであろう。従って、以上開示した本発明は単に例示的なものであって、本発明は、添付の特許請求の範囲に規定される範囲内にのみ限定されると見做されるべきである。"