大気圧又は略大気圧雰囲気下においてプラズマを発生するプラズマ発生源と、前記プラズマを放出する第1の射出口と、前記プラズマと混合されることでエッチャントを生成するエッチングガスを放出する第2の射出口と、前記エッチャントによってエッチングが行われる被処理物の状態を検知する状態検知手段と、を有し、前記状態検知手段によって検知された情報に応じて動作が制御されることを特徴とする大気圧プラズマエッチング装置。請求項1において、少なくとも前記被処理物のエッチングにより生じた副生成物を排気する排気手段を有し、前記被処理物に対して直上又は略直上から前記プラズマ及び前記エッチングガスを放出し、且つ前記副生成物を直上又は略直上へと排気することを特徴とする大気圧プラズマエッチング装置。請求項1又は請求項2において、前記状態検知手段が、光学モニタを用いて前記被処理物の状態を検知することを特徴とする大気圧プラズマエッチング装置。請求項2において、前記状態検知手段が、前記副生成物の分析を行うことで前記被処理物の状態を検知することを特徴とする大気圧プラズマエッチング装置。加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、前記単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁層を介して貼り合わせ、前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、前記単結晶半導体層の状態を検知しながら、大気圧又は略大気圧雰囲気下において発生されたプラズマ及びエッチングガスを混合することで生成されるエッチャントによって前記単結晶半導体層の端部を除去することを特徴とするSOI基板の作製方法。特許文献3で開示される大気圧プラズマエッチング装置を用いて当該単結晶シリコン層の端部を除去する場合は、フォトリソグラフィ法を用いて当該単結晶シリコン層の端部を除去する場合と比較して、当該端部を精度良く除去することが困難である。例えば、大型のガラス基板上に複数の単結晶シリコン層が設けられる場合、当該ガラス基板のうねりが顕在化し、大気圧プラズマエッチング装置と単結晶シリコン層のワーキングディスタンスを一定に保つことが困難である。また、特許文献3で開示される大気圧プラズマエッチング装置を用いて当該単結晶シリコン層の端部を除去する場合は、エッチングの正確な制御が困難である。すなわち、大気圧プラズマエッチング装置を用いて当該単結晶シリコン層の端部を除去する場合には、アンダーエッチングによって当該除去を十分に行うことができない、又はオーバーエッチングによってガラス基板がエッチングされ、コンタミネーションを誘発するといった問題が生じやすい。上述した問題に鑑み、本発明の一態様は、被処理物のエッチングを良好に行うことが可能な大気圧プラズマエッチング装置を提供することを目的の一とする。また、当該大気圧プラズマエッチング装置を用いることで、SOI基板の製造コストの低減及びピーリングの抑制の両立を図ることを目的の一とする。上述した目的は、当該大気圧プラズマエッチング装置に被処理物の状態を検知する状態検知手段を設け、当該状態検知手段によって検知された情報に応じて大気圧プラズマエッチング装置の動作を制御することで達成することが可能である。なお、当該手段としては、光学モニタなどを適用することが可能である。すなわち、本発明の一態様は、大気圧又は略大気圧雰囲気下においてプラズマを発生するプラズマ発生源と、プラズマを放出する第1の射出口と、プラズマと混合されることでエッチャントを生成するエッチングガスを放出する第2の射出口と、エッチャントによってエッチングが行われる被処理物の状態を検知する状態検知手段と、を有し、状態検知手段によって検知された情報に応じて動作が制御されることを特徴とする大気圧プラズマエッチング装置である。また、加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁層を介して貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の状態を検知しながら、大気圧又は略大気圧雰囲気下において発生されたプラズマ及びエッチングガスを混合することで生成されるエッチャントによって単結晶半導体層の端部を除去することを特徴とするSOI基板の作製方法も本発明の一態様である。本発明の一態様の大気圧プラズマエッチング装置においては、被処理物の状態を検知しながらエッチングを行うことが可能である。そのため、被処理物のエッチングを良好に行うことが可能である。また、当該大気圧プラズマエッチング装置を用いてSOI基板を作製することで、当該SOI基板の製造コストの低減及びピーリングの抑制の両立を図ることが可能である。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様に係る大気圧プラズマエッチング装置について図1を参照して説明する。図1Aは、本実施の形態の大気圧プラズマエッチング装置の構成例を示す図である。図1Aに示す大気圧プラズマエッチング装置は、本体10と、本体10に付属する光学モニタ20とを有する。さらに、本体10は、大気圧又は略大気圧雰囲気下においてプラズマを発生するプラズマ発生源11と、プラズマ発生源11で発生したプラズマを外部へ放出する射出口12と、エッチングガスを放出する射出口13とを有する。なお、当該プラズマとしては、アルゴンプラズマなどを適用することが可能である。また、当該エッチングガスとしては、エッチングが行われる被処理物30に応じて適宜選択することが可能である。なお、当該エッチングガスは、外部から本体10へと供給される構成、又は本体10内に設けられたタンクにおいて貯蔵する構成とすることが可能である。図1Aに示す大気圧プラズマエッチング装置は、射出口12から放出されるプラズマと、射出口13から放出されるエッチングガスとを外部において混合することでエッチャントを生成する。また、図1Aに示す大気圧プラズマエッチング装置においては、光学モニタ20が当該エッチャントによってエッチングが行われる被処理物30を透過する光又は被処理物30から反射される光の情報を検出する。なお、当該情報は、光学モニタ20から本体10へと入力される。本体10は、当該情報に基づいてプラズマ発生源11の動作等を制御する。これにより、図1Aに示す大気圧プラズマエッチング装置は、被処理物30の状態を検知しながら被処理物30のエッチングを行うことが可能である。図1Aに示す大気圧プラズマエッチング装置の具体的な動作例を図1Bに示すフローチャートを参照して説明する。図1Bに示すフローチャートは、被処理物30をエッチングする際の動作例を示すフローチャートである。図1Bに示すように図1Aに示す大気圧プラズマエッチング装置は、被処理物30が存在するか否かを光学モニタ20を用いて判別することが可能であり、この結果に応じてエッチャントの生成を続行するかエッチングの続行否かエッチングの終了を選択することが可能である。したがって、図1Aに示す大気圧プラズマエッチング装置においては、アンダーエッチング又はオーバーエッチングの発生を抑制することが可能である。また、図1Aに示す大気圧プラズマエッチング装置においては、プラズマを放出する射出口12を囲んでエッチングガスを放出する射出口13が設けられている。これにより、当該エッチャントの生成領域が広がることなく、所望の領域のみをエッチングすることが可能である。なお、図1Aに示す大気圧プラズマエッチング装置においては、光学モニタ20が本体10に付属する構成について示したが、本実施の形態の大気圧プラズマエッチング装置においては光学モニタ20を本体10に内蔵することも可能である。また、図1Bに示す大気圧プラズマエッチング装置の動作例を示すフローチャートにおいては、被処理物30が存在するか否かを光学モニタ20を用いて判別しながら被処理物30をエッチングする際の動作例について示したが、本実施の形態の大気圧プラズマエッチング装置においては被処理物30の厚さを光学モニタ20を用いて判別し、所望の厚さになった段階でエッチングを終了するという動作を行うことも可能である。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1に示した大気圧プラズマエッチング装置とは異なる構成を有する大気圧プラズマエッチング装置について図2Aを参照して説明する。図2Aは、本実施の形態の大気圧プラズマエッチング装置の構成例を示す図である。図2Aに示す大気圧プラズマエッチング装置は、図1Aに示した大気圧プラズマエッチング装置に吸気口14が付加されている。図2Aに示す大気圧プラズマエッチング装置は、吸気口14においては、被処理物30のエッチングにより生じた副生成物などを排気本体10内に吸気することが可能である。なお、図2Aに示す大気圧プラズマエッチング装置が有する吸気口14以外の構成要素は、図1Aに示した大気圧プラズマエッチング装置と同じである。そのため、それらについての説明は、実施の形態1の説明を援用することとする。図2Aに示す大気圧プラズマエッチング装置においては、エッチングガスを放出する射出口13を囲んで吸気口14が設けられている。また、図2Aに示す大気圧プラズマエッチング装置においては、被処理物30に対して直上又は略直上からプラズマ及びエッチングガスを放出し、且つエッチングにより生じた副生成物などを直上又は略直上へと排気する。これにより、被処理物30のエッチングにより生じた副生成物などの拡散を抑制することが可能である。なお、当該副生成物を排気する手段排気手段は、図2Aを参照して説明した上述の手段に限定されず、当該副生成物を排気するという目的が達成される手段であればどのような手段を用いてもよい。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1又は2に示した大気圧プラズマエッチング装置とは異なる構成を有する大気圧プラズマエッチング装置について図2Bを参照して説明する。図2Bは、本実施の形態の大気圧プラズマエッチング装置の構成例を示す図である。図2Bに示す大気圧プラズマエッチング装置は、図2Aに示した大気圧プラズマエッチング装置が有する光学モニタ20が成分分析手段15に置換されている。図2Bに示す大気圧プラズマエッチング装置は、吸気口14を介して本体10内に吸気された成分を成分分析手段15において分析することが可能である。なお、図2Bに示す大気圧プラズマエッチング装置が有する成分分析手段15以外の構成要素は、図2Aに示した大気圧プラズマエッチング装置と同じである。そのため、それらについての説明は、実施の形態1及び2の説明を援用することとする。図2Bに示す大気圧プラズマエッチング装置においては、成分分析手段15において吸気口14によって排気された成分を分析することが可能である。これにより、当該成分に被処理物30のエッチングにより生じた副生成物が含まれなくなった段階においてエッチングを終了するなど、図1Bに示した動作と同様の動作を行うことが可能である。実施の形態4本実施の形態では、実施の形態1乃至3のいずれか一に示した大気圧プラズマエッチング装置を用いたSOI基板の作製方法例について図3を参照して説明する。まず、単結晶半導体基板100とベース基板120とを準備する図3A、図3B参照。単結晶半導体基板100として、例えば、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板等の第14族元素でなる単結晶半導体基板を用いることができる。また、ガリウムヒ素からなる基板やインジウムリンからなる基板等の化合物半導体基板も用いることができる。市販のシリコン基板としては、直径5インチ約125mm、直径6インチ約150mm、直径8インチ約200mm、直径12インチ約300mm、直径16インチ約400mmサイズの円形のものが代表的である。なお、単結晶半導体基板100の形状は円形に限られず、例えば、矩形状等に加工して用いることも可能である。ベース基板120として、絶縁体でなる基板を用いることができる。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等の電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板、サファイア基板が挙げられる。他にも、ベース基板120として単結晶シリコン基板等の単結晶半導体基板を用いてもよい。本実施の形態では、ガラス基板を用いる場合について説明する。ベース基板120として大面積化が可能で安価なガラス基板に複数の単結晶半導体基板を貼り合わせることで、低コスト化を図ることができる。次に、単結晶半導体基板100の表面から所定の深さに、結晶構造が損傷された脆化領域104を形成する。その後、絶縁層102を介して単結晶半導体基板100とベース基板120とを貼り合わせる図3C参照。脆化領域104は、加速された水素等のイオンを単結晶半導体基板100に照射することにより形成することができる。絶縁層102は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁層を単層で、又は積層させて形成することができる。これらの膜は、熱酸化法、CVD法、スパッタリング法等を用いて形成することができる。なお、絶縁層102として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などの酸化膜系の膜を適用することで単結晶半導体基板100とベース基板120の接合強度を向上させることが可能であり、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化膜系の膜を適用することでベース基板120に含まれる不純物が単結晶半導体基板100に侵入することを抑制することが可能である。本明細書中において、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry及び水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardScatteringを用いて測定した場合に、濃度範囲として酸素が50~70原子、窒素が0.5~15原子、シリコンが25~35原子、水素が0.1~10原子の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、RBS及びHFSを用いて測定した場合に、濃度範囲として酸素が5~30原子、窒素が20~55原子、シリコンが25~35原子、水素が10~30原子の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコン又は窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。次に、熱処理を行い脆化領域104において単結晶半導体基板100を分離することにより、ベース基板120上に絶縁層102を介して単結晶半導体層124を設ける図3D参照。熱処理による温度上昇によって、脆化領域104に形成されている微小な孔には、イオンの照射によって添加された元素が析出し、内部の圧力が上昇する。圧力の上昇により、脆化領域104の微小な孔に体積変化が起こり、脆化領域104に亀裂が生じて、脆化領域104に沿って単結晶半導体基板100が分離する。絶縁層102はベース基板120に接合しているので、ベース基板120上には単結晶半導体基板100から分離された単結晶半導体層124が形成される。また、ここでの熱処理の温度は、ベース基板120の歪み点を越えない温度とする。この熱処理には、拡散炉、抵抗加熱炉等の加熱炉、RTA瞬間熱アニール、RapidThermalAnneal装置、マイクロ波加熱装置等を用いることができる。例えば、RTA装置を用いる場合、加熱温度550°C以上730°C以下、処理時間0.5分以上60分以下で行うことができる。次に、ピーリングを抑制するために単結晶半導体層124の端部及び絶縁層102の端部を除去する。この除去工程は、実施の形態1乃至3のいずれか一に示した大気圧プラズマエッチング装置を用いて行う。すなわち、単結晶半導体層124の端部及び絶縁層102の端部の状態を検知しながら、大気圧又は略大気圧雰囲気下において発生されたプラズマ及びエッチングガスを混合することで生成されるエッチャントによって単結晶半導体層124の端部及び絶縁層102の端部を除去する。これにより、端面エッジ部分が平滑な単結晶半導体層126及び絶縁層128を得る図3E参照。なお、図3Eにおいては、単結晶半導体層124及び絶縁層102の端部を除去する構成について示したが、実施の形態1乃至3のいずれか一に示した大気圧プラズマエッチング装置を用いることで、それらの端部の形状の自由度が向上する。具体的には、実施の形態1乃至3のいずれか一に示した大気圧プラズマエッチング装置を用いることで、絶縁層102を残存させ且つ単結晶半導体層124の端部のみを除去することなどが可能となる。また、製品管理のために単結晶半導体層124にマーク識別番号、ウェーハ識別番号、ウェーハ番号、IDナンバーなどともいわれるが印字されている場合は、単結晶半導体層124の端部を除去するためのエッチングが、単結晶半導体層のマークが付された領域の除去を兼ねていてもよい。以上の工程により、ベース基板120上に絶縁層128を介して単結晶半導体層126が設けられたSOI基板を作製することができる。本実施の形態で示すSOI基板の作製方法においては、単結晶半導体層124の端部及び絶縁層102の端部の除去工程が実施の形態1乃至3のいずれか一に示した大気圧プラズマエッチング装置を用いて行われる。これにより、SOI基板の製造コストの低減及びピーリングの抑制の両立を図ること可能である。