原子層堆積プロセスにより複数の基板を処理するための原子層堆積反応炉の反応チャンバモジュールを用意することと;ひとまとまりの基板群を処理の前に前記反応チャンバモジュールに装入すること、ただし、処理の後に前記反応チャンバモジュールから取り出される経路とは異なる経路を通じて装入することと;を含む方法。前記ひとまとまりの基板群を前記原子層堆積反応炉の前処理モジュールで前処理することと;前記前処理されたひとまとまりの基板群を前記反応炉の前記反応チャンバモジュールで前記原子層堆積プロセスにより処理することと;前記処理されたひとまとまりの基板群を前記反応炉の後処理モジュールで後処理することと;を含み、ここで前記前処理モジュール、前記反応チャンバモジュールおよび前記後処理モジュールは一列に配されている、請求項1に記載の方法。原子層堆積プロセスによる前記処理は、逐次的な自己飽和表面反応により前記基板に材料を堆積させることを含む、請求項2に記載の方法。前記前処理モジュールは前加熱モジュールであり、前記前処理は前記ひとまとまりの基板群を前加熱することを含む、請求項2または3に記載の方法。前記後処理モジュールは冷却モジュールであり、前記後処理は前記ひとまとまりの基板群を冷却することを含む、請求項2から4のいずれかに記載の方法。前記前処理モジュール、反応チャンバモジュールおよび後処理モジュールを含む全処理ラインを通じて前記ひとまとまりの基板群を一方向に運搬することを含む、請求項2から5のいずれかに記載の方法。前記前処理モジュールは第1のロードロックであり;前記方法は、前記第1のロードロック内で、上昇させた圧力下で、前記ひとまとまりの基板群を熱輸送によって前加熱することを含む;請求項2から6のいずれかに記載の方法。前記後処理モジュールは第2のロードロックであり;前記方法は、前記第2のロードロック内で、上昇させた圧力下で、前記ひとまとまりの基板群を熱輸送によって冷却することを含む;請求項2から7のいずれかに記載の方法。各々それ自体にガス流入口およびガス流出口を有する複数の基板サブセットに前記ひとまとまりの基板群を分割すること、および、前記サブセットを同時に前記反応チャンバモジュールで処理することを含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。太陽電池構造に酸化アルミニウムを堆積させることを含む、請求項1から9のいずれかに記載の方法。ひとまとまりの基板群を原子層堆積プロセスにより処理するように構成される原子層堆積反応炉の反応チャンバモジュールと;ひとまとまりの基板群を処理の前に前記反応チャンバモジュールに装入する装入及び取り出し部であって、処理の後に前記反応チャンバモジュールから取り出される経路とは異なる経路を通じて装入することを可能にする、装入及び取り出し部と;を備える機器。前記ひとまとまりの基板群を前処理するように構成される前記原子層堆積反応炉の前処理モジュールと;前記前処理されたひとまとまりの基板群を前記原子層堆積プロセスにより処理するように構成される前記反応炉の前記反応チャンバモジュールと;前記処理されたひとまとまりの基板群を後処理するように構成される前記反応炉の後処理モジュールと;を備え、ここで前記前処理モジュール、前記反応チャンバモジュールおよび前記後処理モジュールは一列に配される、請求項11に記載の機器。原子層堆積プロセスによる前記処理は、逐次的な自己飽和表面反応により前記基板に材料を堆積させることを含む、請求項12に記載の機器。前記前処理モジュールは、前記ひとまとまりの基板群を前加熱するように構成される前加熱モジュールである、請求項12または13に記載の機器。前記後処理モジュールは、前記ひとまとまりの基板群を冷却するように構成される冷却モジュールである、請求項12から14のいずれかに記載の機器。前記機器は前記前処理モジュール、反応チャンバモジュールおよび後処理モジュールを含む全処理ラインを通じて前記ひとまとまりの基板群を一方向に運搬するように構成される、請求項12から15のいずれかに記載の機器。前記前処理モジュールは、上昇させた圧力下で前記ひとまとまりの基板群を熱輸送により前加熱するように構成される第1のロードロックである、請求項12から16のいずれかに記載の機器。前記後処理モジュールは、上昇させた圧力下で前記ひとまとまりの基板群を熱輸送により冷却するように構成される第2のロードロックである、請求項12から17のいずれかに記載の機器。前記反応チャンバモジュールは、各々それ自体にガス流入口およびガス流出口を有する基板サブセットに前記ひとまとまりの基板群を分割する間仕切壁を備えるか、または間仕切壁を受け入れるように構成される、請求項11から18のいずれかに記載の機器。