"基板上に、液体を吐出口から吐出させるために利用される熱エネルギーを発生する素子と、前記素子に接続され、液体を吐出する為のエネルギーを供給する配線層と、前記配線層をインクと電気的に絶縁する為の絶縁層と、前記絶縁層上に、前記素子を覆うように設けられた少なくとも3以上の層からなる保護層とを備え、前記保護層は、直接インクに触れる部分に形成される上部保護層と、上部保護層の下に形成される中間層と、前記中間層と前記絶縁層との間に形成される下部保護層とを備えていることを特徴とする液体吐出ヘッド用基板。前記中間層はタンタル、イリジウム、ルテニウムのうち、少なくとも1つ以上を含んだ材料から形成されることを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッド用基板。前記上部保護層はタンタルを含む材料で形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液体吐出ヘッド用基板。前記上部保護層は、前記中間層上にはα層のタンタルで形成され、前記中間層上を除いた部分はβ層のタンタルで形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板。前記下部保護層は、タンタルを含む材料で形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板。特許文献1に示される、Taによって形成された耐キャビテーション層は当時として必要とされる耐久性を満足するものの、近年は更に耐久性の高い耐キャビテーション膜が必要となった。本発明の目的は、耐キャビテーション層の耐久性を向上させることである。上記課題を解決する為に、本発明におけるインクジェット記録用基板は、液体を吐出口から吐出させるために利用される熱エネルギーを発生する素子と、前記素子に接続され、液体を吐出する為のエネルギーを供給する配線層と、前記配線層をインクと電気的に絶縁する為の絶縁層と、前記絶縁層上に、前記素子を覆うように設けられた少なくとも3以上の層からなる保護層とを備え、前記保護層は、直接インクに触れる部分に形成される上部保護層と、上部保護層の下に形成される中間層と、前記中間層と前記絶縁層との間に形成される下部保護層とを備えている。以上の構成によれば、発熱抵抗体駆動時のキャビテーションによる基板へのダメージを低減することができる。また、その結果、インクジェット記録ヘッドの耐久性の向上が可能となる。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1,2を用いて、本発明の実施形態の液体吐出ヘッドを詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施形態の液体吐出ヘッドの模式的な一部破断斜視図である。本実施形態における液体吐出ヘッド用基板は、長溝状の貫通口からなる、液体を供給するインク供給口10が開口するSi基板1に、複数の発熱抵抗体2が設けられ、また、発熱抵抗体2を保護するための3層からなる保護膜が設けられている。この液体吐出ヘッド基板上に、インクが流れる流路を形成する流路部材と、発熱抵抗体2の各々に対応する吐出口9が設けられたプレート8とが形成されて、液体吐出ヘッドを構成している。インク供給口10から流路に液体が供給されると、流路にそれぞれ設けられた発熱抵抗体2によって、熱エネルギーが液体に付与され、液体に発生した気泡によって吐出口9から液体が吐出される。図2aは図1における、発熱抵抗体近傍を模した部分平面模式図であり、簡素化のために流路部材を形成するプレートは図示していない。図2bは図2aのa‐A断面に沿って基板垂直方向に切断した際の一部を模した部分断面模式図である。なお、以下の製造工程は、発熱抵抗体2を選択的に駆動するためのスイッチングトランジスタ等の半導体素子からなる駆動回路が予め作りこまれた基板に対して実施されるものである。しかし、簡略化のために以下の図ではSiからなる基板1が図示されている。まずSiからなる基板1上には、酸化Siからなる蓄熱層を形成した。なお、駆動回路を予め作りこんだ基板に対しては、それらの駆動回路の製造プロセス中で蓄熱層を形成することが可能である。次に、通電によって発熱するTaSiNからなる発熱抵抗体2と該発熱抵抗体2に電力を供給するためのAlCuからなる配線層3をスパッタリング法によって形成した。本実施形態においては、発熱抵抗体2は約20nmの厚さとなるように形成し、配線層3は約600nmの厚さとなるように形成した。その後、フォトリソグラフィー工程と、Cl2を用いたドライエッチング工程によって配線パターンを形成した後に、再度フォトリソグラフィー工程と、混酸を用いたウェットエッチング工程によって配線層4上の発熱部となる部分をパターニングし、発熱抵抗体2を形成した。さらにその上に、CVD法によって約300nmの厚さとなるようにSiNからなる絶縁層4を形成した。この絶縁層4は、発熱抵抗体2及び配線層3をインクから絶縁することができれば、例えばSiOやSiC、あるいはSiCNなどの絶縁材料を用いても差し支えない。続いて、絶縁層4上にインク吐出の際に発生した泡の消泡時に発生するキャビテーションから発熱抵抗体2を保護するための保護層を形成した。ここで、本実施形態において、該保護層は絶縁層4と中間層6を密着させるための下部保護層5と該中間層6と上部保護層7によって形成している。該保護層を形成するにあたり、まず、スパッタリング法を用いて、Taからなる厚さ約20nmの下部保護層5とIrからなる厚さ約40nmの中間層6を形成した。ただし、本実施形態においては上述のような膜厚で形成を行ったが、下部保護層5は、絶縁層4との密着性を確保できる膜厚であれば支障はなく、好ましくは約5nm~約100nmの厚さとなるように形成する。また、中間層6は、要求される吐出回数分だけ発生するキャビテーション衝撃に耐えうる厚さで形成されることが好ましく、約10nm~約100nmの厚さとなることがさらに望ましい。次に、下部保護層5及び中間層6に対してCl2を含む混合ガスを用いたドライエッチング工程によって発熱抵抗体2を覆うようにパターニングした。本実施形態においては、下部保護層5及び中間層6を1回のドライエッチングによって同時にパターニングしたが各々を別々にパターニングしたとしても本発明で得られる効果に対して何ら支障をきたさない。次に、Taからなる上部保護層7を、スパッタリング法を用いて約100nmの厚さとなるように形成した。ここで、該上部保護層7の膜厚に関しては中間層6を十分に覆うことのできる厚さであれば限定されるものではないが、好ましくは約30nm~約200nmの厚さとなるように形成する。なお、上部保護層7は中間層6の表面にコゲが物理吸着することを防止する機能を有している。コゲとは、インクに含まれる色材および添加物が高温加熱により分子レベルで分解されてできる難溶出性の物質のことを指し、膜面に付着すると吐出が不安定になることが懸念される。その後、上部保護層7の不要な部分をCl2を用いた混合ガスによるドライエッチングで除去し、図2aに示す平面形状あるいは図2bに示す断面形状を得た。以上の工程により、耐久性に優れたインクジェット記録用基板を得ることができた。以下、第2の実施形態から第5の実施形態は、下部保護層5、中間層6、上部保護層7の部分の構成のみが第1の実施形態と異なる形態であり、相違部分に関して以下に説明をする。本実施形態では、図3に示すように下部保護層5の平面形状が中間層6のパターンより大きく、上部保護層7のパターンより小さくなるように形成した。本実施形態では、図4に示すように下部保護層5と上部保護層7を同じパターンで形成し、それよりも小さいパターンで中間層6を形成した。本実施形態では、図5に示すように下部保護層5、中間層6、上部保護層7を同じパターンで形成した。本実施形態では、図6に示すように下部保護層5、中間層6を同じパターンで形成し、それよりも小さいパターンで上部保護層7を形成した。"