"超疎水性表面において:基板上に配置した複数のマイクロ形状構造と;前記マイクロ形状構造内に配置され、前記マイクロ形状構造の間でガスを生成するように構成されているガス生成器と;を具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項1に記載の超疎水性表面において、前記複数のマイクロ形状構造が格子を具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項1に記載の超疎水性表面において、前記複数のマイクロ形状構造がポストを具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項1に記載の超疎水性表面において、前記複数のマイクロ形状構造が様々なジオメトリを具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項1に記載の超疎水性表面において、前記基板がさらに、当該基板上に配置した複数のナノ形状構造を具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項1に記載の超疎水性表面において、前記マイクロ形状構造がさらに、当該マイクロ形状構造上に配置した複数のナノ形状構造を具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項1に記載の超疎水性表面において、前記ガス生成器が、一またはそれ以上の電極を具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項7に記載の超疎水性表面において、前記一またはそれ以上の電極が前記マイクロ形状構造の間に配置されていることを特徴とする超疎水性表面。請求項7に記載の超疎水性表面において、前記一またはそれ以上の電極が電源に動作可能に接続されていることを特徴とする超疎水性表面。請求項1に記載の超疎水性表面において、前記ガス生成器が化学物質を具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項1に記載の超疎水性表面において、前記ガス生成器が加熱エレメントを具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項1に記載の超疎水性表面において、前記ガス生成器が、前記マイクロ形状構造が湿潤状態にあるときに自動的にガスを生成し、前記マイクロ形状構造が非湿潤状態にあるときにガスを生成しないように構成されていることを特徴とする超疎水性表面。液体中で使用する超疎水性表面において:基板上に配置した複数のマイクロ形状構造と、当該マイクロ形状構造の間のガス層と;前記マイクロ形状構造内に配置した第1の電極と;第2の電極と;電源と;を具え、前記マイクロ形状構造中の第1の電極が、前記マイクロ形状構造の一部が湿潤状態にあるときにガスを生成し、前記第1の電極が、前記マイクロ形状構造の前記一部が脱湿潤状態にあるときにガスを生成しないことを特徴とする超疎水性表面。請求項13に記載の超疎水性表面において、前記超疎水性表面が、船殻上に配置されることを特徴とする超疎水性表面。請求項13に記載の超疎水性表面において、前記超疎水性表面が内装パイプ表面に配置されていることを特徴とする超疎水性表面。請求項13に記載の超疎水性表面において、前記超疎水性表面が、数週間液体環境に露出された後、ほぼ付着物がないことを特徴とする超疎水性表面。請求項13に記載の超疎水性表面がさらに、前記マイクロ形状構造の部分上に配置した抗付着コーティングを具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項13に記載の超疎水性表面において、前記複数の超マイクロ形状構造が、ポストと格子の少なくとも一つを実質的に具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項13に記載の超疎水性表面において、前記基板がさらに、当該基板の上に配置した複数のナノ形状構造を具えることを特徴とする超疎水性表面。請求項13に記載の超疎水性表面において、前記前記マイクロ形状構造がさらに、当該マイクロ形状構造の上に配置した複数のナノ形状構造を具えることを特徴とする超疎水性表面。その上に複数のマイクロ形状構造を有する超疎水性表面上の液体中で超疎水性を保持または維持する方法において:前記マイクロ形状構造の少なくとも一部が湿潤状態にあるときに前記マイクロ形状構造内でガスを生成して、前記マイクロ形状構造を脱湿状態に回復するステップを具えることを特徴とする方法。請求項21に記載の方法において、前記ガスが電解によって生成されることを特徴とする方法。請求項21に記載の方法において、前記ガスが化学反応によって生成されることを特徴とする方法。請求項21に記載の方法において、前記ガスが沸騰によって生成されることを特徴とする方法。請求項21に記載の方法において、前記ガスが間欠的に生成されることを特徴とする方法。請求項25に記載の方法において、ガスの生成が自己調整され、前記マイクロ形状構造の少なくとも一部が湿潤状態にあるときにガス生成が自動的に開始し、前記マイクロ形状構造が脱湿状態にあるときに自動的に停止する、ことを特徴とする方法。請求項21に記載の方法において、前記生成したほぼすべてのガスが、前記マイクロ形状構造内に残ることを特徴とする方法。請求項21に記載の方法において、前記超疎水性表面が船殻上に配置されていることを特徴とする方法。請求項21に記載の方法において、前記超疎水性表面が内装パイプ表面に配置されていることを特徴とする方法。請求項21に記載の方法において、前記表面が、数週間液体環境に露出された後、ほぼ付着物がないことを特徴とする方法。超疎水性表面において:基板上に配置された複数の格子であって、高さHとピッチLを有する格子と;前記格子内に配置したガス生成器であって、前記格子間にガスを生成するように構成されたガス生成器と;を具え、前記H対Lの比率が、以下のジオメトリ基準を満たしており:ここで、φ、H、L、θが、それぞれ、前記表面のガス留分、前記格子の高さとピッチ、及び接触角度であり、下付き文字g、adv、及びrecは、それぞれ、格子、前進、及び後退を意味する、ことを特徴とする超疎水性表面。超疎水性表面において:基板上に配置された複数のポストであって、高さHとピッチLを有するポストと;前記ポスト内に配置したガス生成器であって、前記ポスト間にガスを生成するように構成されたガス生成器と;を具え、前記H対Lの比率が、以下のジオメトリ基準を満たしており:ここで、φ、H、L、θが、それぞれ、前記表面のガス留分、前記ポストの高さとピッチ、及び接触角度であり、下付き文字p、adv、及びrecは、それぞれ、ポスト、前進、及び後退を意味する、ことを特徴とする超疎水性表面。図2は、一実施例による超疎水性SHPo表面10を示す図である。ここで用いた超疎水性またはSHPoとは、表面が液体に対して非常に非湿潤である能力を意味する。これは、水、油、あるいはその他の溶剤を含んでいてもよい。SHPo表面10は、その上に配置した複数のマイクロ形状構造14を有する基板12を具える。マイクロ形状構造14は、一般的に、基板12に対して実質的に直交する方向を向いている。マイクロ形状構造14は、ここで用いる場合、微視的構造を意味し、この構造は一般的にマイクロメータスケールであるが、より小さいあるいはより大きいスケールであってもよい。マイクロ形状構造14は、アレイ構造あるいはランダム構造で配置されている。基板12は、何種類の材料で形成されていてもよいが、以下に説明するように、SHPo表面10を形成するのに半導体製造技術を用いる場合は、シリコンを含むものであってもよい。マイクロ形状構造14は、矢印Hで示す高さHを有し、基板12に対して突出している。この高さHはさまざまであるが、抵抗低減などの動的アプリケーション用には通常、数10ミクロン例えば、H=50μmであり、抗付着物などの静的アプリケーション用には、これより小さくてもよい。マイクロ形状構造14は、互いに距離を置いて分離されている。このピッチPは、最も近いマイクロ形状構造14に対する中央-中央の距離であり、図2に矢印Pで示されている。隣合うマイクロ形状構造14間のスペースは、ガス20で満たされており、液体とガスとの間の圧力差によって、図5、7A、及び7Bに示すようにたるんだ、あるいは膨らんだ図示せずメニスカスが形成されている。マイクロ形状構造14の高さHはたるんだメニスカスが基板12に接触しないように十分高くなくてはならない。この高さは、また、ピッチPとも相関する。マイクロ形状構造14は、基板12と同じまたは異なる材料で形成することができる。例えば、いくつかの実施例では、マイクロ形状構造14は、フォトレジストPRあるいはそのようなもので形成することができる。マイクロ形状構造14は、特に疎水性のある材料で作ることができる。代替的に、マイクロ形状構造14の少なくともいくつかの部分をポリテトラフルオロエチレンPTFEまたはそのようなものといった、疎水性コーティング16で被覆するようにしてもよい。図2をさらに参照すると、SHPo表面10は、マイクロ形状構造14内に配置したガス生成器18を具える。ガス生成器18は、マイクロ形状構造14との間にガス20を生成するように構成されている。マイクロ形状構造14は、ガス生成器18で生成したガス20が、隣りのマイクロ形状構造14間に形成された局所化したスペースまたはウエル内にトラップされ、あるいはここで成長するようにスペースが開けられている。ガス20がマイクロ形状構造14の先端に対して大きさが成長すると、ガスがSHPo表面10を横切って水平方向に延び始める。この点について、以下により詳細に説明するように、SHPo表面10は、部分的にあるいは完全に湿潤した状態から非湿潤状態へ回復することができる。一の実施例では、ガス生成器18は、基板12上に配置されているか、あるいは基板12内に埋め込まれている。図2は、基板12上で、隣り合うマイクロ形状構造14間に形成されたスペース内のガス生成器18を示す。代替的に、図3に示すように、ガス生成器18がマイクロ形状構造14の側部に配置されている。ガス生成器18は、一実施例では、電極60である。電極60は、図5に示すように、電源62に操作可能に接続されている。電源62は電極64にも接続されている。図5に示すように、SHPo表面10は液体100に沈められている。この実施例では、液体としての水の電解により電極60上に発生するガス20は、電気的接続の極性に応じて、水素H2または酸素O2である。液体によって、その他のガス例えば、塩素も発生することがある。電極60によって生成したガス20は、隣り合うマイクロ形状構造14間に形成された局所化したスペースまたはウエル内にトラップされるか、そこで成長する。ガスの生成は、この実施例では自己調整される。特に、電解回路が閉じており、ガスの生成はSHPo表面10が部分的にあるいは完全に湿潤した場合にのみ生じる。液体100が隣り合うマイクロ形状構造14間のスペースに侵入すると、回路が閉じて電流が流れ、電解反応が始まり、これによって、マイクロ形状構造14内のガス20を開放する。十分なガスが生成されたのち、電解回路が開き、電解反応が停止する。図5は、例えば、回路の開状態を示す図であり、これは、SHPo表面10が、ガス生成がトリガされた後非湿潤あるいは脱湿潤のいずれかであるためである。ガス生成器18のオンまたはオフを切り替えるのに、回路の検出と制御が不要であるため、この特徴は特に利点がある。さらに別の実施例では、ガス生成器18が、化学反応体例えば、化学物質を具えていてもよい。化学反応体は、液体または液体内に含まれているものである反応体に露出されたときに、ガス20を生成する。次いで、このガス20を用いて、SHPo表面10に対する超疎水性を回復する。例えば、化学物質は、水または水に含まれるそのほかの反応体と反応する。ここでも、ガスの生成は、自己調整する。SHPo表面10が湿潤になったときのみガスが生成され、脱湿状態が達成されると生成が停止する。さらに別の実施例では、ガス生成器18が加熱素子を具えていてもよい。この加熱素子は、湿潤することによってマイクロ形状構造14の中に入り込む液体を加熱し、局所的に沸騰させる。この局所的な沸騰の結果生じたガス20水蒸気が、次いで、湿潤したSHPo表面10を脱湿状態に回復させる。ここでも、ガスの生成は、自己調整する。図4A及び4Bは、SHPo表面10の別の実施例を示す図である。この実施例では、ナノ形状構造22が基板12上に配置されている。ナノ形状構造22は、その名前が示す通り、基板12上にあるマイクロ形状構造14通常、100nmより小さいより小さい微細な突起またはそのようなものであるが、その寸法は必ずしもナノメータでなくともよい。絶対値スケールより重要なことは、ナノ形状構造22がマイクロ形状構造14より有意に小さいことである。以下により詳細に説明するように、基板12がシリコンである場合、ナノ形状構造22は、通常のブラックシリコン製造方法を用いて形成することができる。ナノ形状構造22は、湿潤に対する抵抗が高い、すなわち、ナノ形状構造22の間に液体が浸透する。ナノ形状構造22の使用により、図9A及び9Bに示すように、基板12上の有効接触角度が大きくなり、SHPo表面10の動作レンジを広げることができる。ナノ形状構造22の使用は、SHPo表面10内の欠陥に生じる局所的な湿潤状態を隔離するあるいは最小にすることができる。欠陥は、製造時から存在するか、あるいは、展開した状態にある商用サイズのSHPo表面10において使用中に形成される。これらの欠陥領域は、SHPo表面10の欠陥がない領域に比べると湿潤しやすい傾向にある。ナノ形状構造22を基板12上に配置して、その表面が液体をよりはじくようにすると、これらの欠陥位置に生じる局所的湿潤を閉じ込めて、水平方向に広がらないようにすることができる。SHPo表面10上に形成されたマイクロ形状構造14は、いくつかの形例えば、ポスト、ピラー、格子をとることができる。図6Aに示すように、マイクロ形状構造14は、基板12上に対してほぼ直交する方向を向いたポストを具える。このポストまたはピラーは、図6Aに示すように円形断面形状を有していてもよく、代替的に、多角形またはその他の断面形状を有していてもよい。図6Aは、さらに、基板12を横切って延在する電極60の形のガス生成器18を示す。図6Aは電極60に接続されたポストまたはピラーを示しているが、ポストまたはピラーをここに述べるその他のガス生成様式とともに用いてもよい。図6Bは、基板12の上に配置した格子形状のマイクロ形状構造14を示す。この格子は、基板12の表面にある断続的な壁である。この格子は、ポストまたはピラーに用いられている高さと同様の高さ例えば、マイクロメータを有する。流れの方向に平行に配置された格子を具えるSHPo表面は、一般的に、ポストを具えるSHPo表面に比べて、抵抗低減アプリケーションにより有効である。マイクロ形状構造がポストまたは格子である実施例では、図4A及び4Bに関して上述したような基板12上に、選択的なナノ形状構造22を設けてもよい。図7A乃至7Dは、非湿潤状態図7Aで始まり、次いで部分的に湿潤状態になった図7BSHPo表面10を示す。このような部分的湿潤は、液体100の高い圧力、液体100への拡散によるガス20の喪失、あるいは、SHPo表面10に形成された欠陥を含む要因の結果、生じる。図7Cは、完全に湿潤した状態に達するまでのSHPo表面10のさらなる湿潤を示す図である。この湿潤した状態がガス生成器18をトリガして、ガス20の生成を開始する。ガスは、マイクロ形状構造14内の表面であるいは表面近くで生成し、図7Dに矢印で示すように、侵入してきた液体100を押し戻し始める。ガス生成は、図7Aに示すように非湿潤または脱湿潤状態が回復するまで続く。ガス20の生成は、自己調整され、ガス生成器18は、SHPo表面10が少なくとも部分的に湿潤状態になるまで開始しない。ガス生成器18は、SHPo表面10が脱湿潤状態になるまで続く。図7は、最悪の場合のシナリオに対処するための、完全に湿潤した状態図7Cからの脱湿潤図7Dを示す。実際には、脱湿潤の過程は、マイクロ形状構造14が湿潤すると図7Bと同様すぐに始まり、表面12は実際には常に非湿潤状態である。図8A乃至8Gは、一実施例によるSHPo表面10を製造する方法を示す図である。この実施例では、選択的なナノ形状構造22が図4A及び4BのSHPo表面10に示す公知のブラックシリコン法を用いて基板12上に形成されている。図8Aでは、シリコンウエハといった基板12が提供されている。図8Bでは、ナノ形状構造22が基板12上にランダムナノ形状構造を生成することによって形成されている。ブラックシリコン法では、拡散ステップと、第1のエッチングと第2のエッチングを具える深い反応イオンエッチングDRIEプロセスで、基板12上に針状構造を作る。基本的には、蒸着ステップの間にランダムに蒸着させたポリマが、連続的なエッチングステップのマイクロマスクとして機能する。ブラックシリコンなる用語は、シリコン基板12上で使用するときに、ナノ形状構造22が入射してくる光を吸収するので表面が黒く見えることに由来する。ブラックシリコン法に関するさらなる詳細は、Choietal.,Largeslipofaqueousliquidflowoverananoengineeredsuperhydrophobicsurface,Phys.Rev.Lett.96,0660012006に記載されている。これは、引用により本明細書に組み込まれている。図8Cを参照すると、O2プラズマとピラニア溶液H2SO4:H2O2=4:1体積でを用いて基板30を洗浄し、ブラックシリコン法と電極60層がナノ形状構造22の上に蒸着する間に付着したポリマ残基を除去する。電極層60は、多重蒸着した金属層、例えば、厚さ10nmのCr層と厚さ200nmのAu層を具えていてもよい。電極層60のパターンの形成には、図8D及び8Eに示すような写真リソグラフィック技術を用いることができる。例えば、厚さ8μmのポジPR層32AZ4620を、ナノ形状構造22の上に3000rpmでスピンコートして、110°Cの温度で100秒間ソフト焼成できる。次いで、PR層32を、KarlSussMA6を用いたフォトマスクを介して紫外線UV160mJに露出させて、希釈したAZ400K現像液AZ400K:脱イオン水=1:4体積でで現像する。図8Eを参照すると、各金属層に対してエッチング剤を用いて露出させた金属層を湿エッチングするすなわち、除去する。最後に、残りのPR層32をアセトン、メタノール、及び脱イオン水を用いてすすいで除去し、O2プラズマにかけて完全にPRを除去する。次いで、図8Fを参照すると、写真リソグラフィを用いてナノ形状構造22上にマイクロ形状構造14がパターン形成されている。まず、厚さ50μmのネガティブPRKMPR1050、MicrochemCo.社をナノ形状構造22上に3000rpmでスピンコートし、温度を60°Cから100°Cへ、1分あたり1°Cの割合で上げた後、20分間100°Cに維持して、ホットプレートでソフト焼成する。温度を徐々に上げてゆくことで、PRコーティングにおけるバブルの形成としわが低減され、PR膜の品質が強化される。次いで、図8Fに見られるように、マイクロ形状構造14ポストあるいは格子をPR膜の外に直接パターン形成する。マイクロ形状構造14は、ピッチまたはガスの留分が変化している。ガス留分は、SHPo表面10の空領域と、SHPo表面10の総領域との比0と1.0の間で変化するによって決まる。KMPR膜を、KarlSussMA6を用いて、フォトマスクを介してUV光2000mJに露出させて、100°Cで4分間焼成した後、SU-8現像液で現像し、イソプロパノールですすいだ後、N2ガスで乾かす。表面を疎水性にするために、追加の疎水層34をSHPo表面10上に形成する。疎水層34は、2重量のPTFEテフロンAF溶液-デュポン社を具える。これは、表面にスピンコートすることができる。ガス20が成長して、湿潤状態にあるマイクロ形状構造14内に存在する液体を置換するとき、ガス20は独立したバブルを形成し、マイクロ形状構造14を満たしている連続層内に成長することがエネルギィ的により好ましいものでない限り、表面をそのままにしておく。表面エネルギィは、マイクロ形状構造14の高さ対ピッチの比、SHPo表面10のガス留分、及び、マイクロ形状構造14間の基板12表面上の液体の接触角度といった、いくつかの要因で決まる。一方で、高さ対ピッチの比は、液圧でメニスカスがたるんだり、基板に触れたりしないように十分に大きくなくてはならない。ガス20の安定層がマイクロ形状構造14にポストの形で形成できる上述の条件を満たす幾何学的基準は、以下の式式1で表される。ここで、φ、H、L、θは、ガス留分φ=1-πD2/4L2、D:ポスト径、ポストの高さとピッチ中心から中心までの距離、及び接触角度を、それぞれ表す。θの下付き文字であるadvとrecは、前進と後退を、及びp及びbは、ポストの上面とポスト間の底面すなわち、基板表面をそれぞれ表す。ガス20の安定層がマイクロ形状構造14に格子の形で形成できる上述の条件を満たす幾何学的基準は、以下の式式2で表される。ここで、下付き文字は、格子の上面を表す。図9A及び9Bは、接触角度θbの増加による基板12上のナノ形状構造22の存在が、これらの図面の中で許容ゾーンとしてグラフで表されている上述の基準がどのようにして広がるかを示す図である。この許容ゾーンは、ガスが生成される間にバブルとして表面に残るというよりは、ガス20が水平方向に広がってガス20の層を形成するところであり、一旦ガス20の安定層が形成されると早い時期に壊れることがない。図9Aは、ポスト形状のマイクロ形状構造14のガス留分についての高さ/ピッチを示しており、図9Bは、格子形状のマイクロ形状構造14のガス留分についての高さ/ピッチを示す。図9A及び9Bにみられるように、許容ゾーンの面積は、基板12の表面上の後退する接触角度CAb,recが110°ナノ形状構造22がない基板12から173.4°ナノ形状構造22のある基板12に増えるにつれて、増えている。ナノ形状構造22を有するSHPo表面10を試験すると、SHPo表面10は、新しく生成したガス20が自動的に周辺液圧に適応されると、最大7atmまで水中で完全なガス20の層を維持することができた。更に、ナノ形状構造22の存在が、人工的に欠陥を作った表面上で、湿潤領域を周辺領域に広げることなく、欠陥領域にのみ閉じ込めることによって、この欠陥領域上のガスの回復を支援した。ここに述べた方法とデバイスは、高い液圧例えば、大型船の深い船殻、潜水艦、パイプ流や、生物付着を含む、数多くの実際のアプリケーションに対するSHPo表面10の利用可能性を有意に広げることができる。例えば、大型の海洋ライナーの船殻にかかる水中の圧力は、最大で1-3atmであり、この圧力は、潜水艦にかかる圧力より高い。高圧は、高圧管またはパイプにも存在し、これはSHPo表面10を含むようにすることができる。生物付着は、上述のすべての海洋船と同様に海洋構造体の問題である。ガス20の膜の回復が、抵抗低減を実際に回復することを確認するために、SHPo表面10のスリップ長を、マイクロ形状格子とマイクロ形状ポストの両方について、血流系を用いて水の抵抗を測定することで、測った。マイクロ形状構造14としてマイクロ形状格子を有するSHPo表面10については、マイクロ形状格子マイクロ形状格子の同心アレイが80μmピッチで離れており、SHPo表面10は80のガス留分を有していた。マイクロ形状構造14としてマイクロ形状ポストを有するSHPo表面10については、マイクロ形状ポストが50μmピッチで離れており、SHPo表面10は90のガス留分を有していた。両実施例共、ガス生成器18は電極60であり、ナノ形状構造22が基板12上に存在した。初めに、非湿潤表面におけるスリップ長は、格子についてもポストについても理論値と合致したものが測定された図10に、湿潤なしと記載-電圧オン。SHPo表面10が湿潤した後マイクロ形状構造内のガスをバルク水に拡散させることによって、予想通り、スリップがなくなった図10に湿潤と記載-電圧オフ。電極60を用いた電解ガス再生によってガス膜が表面上で回復すると、スリップ長が湿潤の前に得られた値に近づくことがわかり、再生成ガス層が液体のスリップを誘発する点で元のガス層と同様に有効であることが確認された図10に脱湿潤と記載-電圧オン。各エラーバーは、5個のデータポイントの標準偏差を示す。ここに述べたように、SHPo表面10は、例えば抵抗低減、生物付着防止といった、液体内部の超疎水性が利点である数多くのアプリケーションに有益である。例えば、SHPo表面10は、船舶の船殻や、水環境中で推進されるその他の装置例えば、海洋船舶、潜水艦上に配置することができる。同様に、SHPo表面10は、水またはそのほかの液体を搬送するパイプあるいは管の内側面に配置することができる。SHPo表面10の別の態様は、表面10上の生物付着を含む付着を防止する能力である。生物付着は、海洋輸送すなわち、大きくなった引き網やパイプラインすなわち、ポンピングエネルギィの増大、寿命が短くなるなどの経済的影響に伴う一連の問題である。この問題に対する以前の取り組みのほとんどが、毒性のある抗付着コーティングを含んでおり、結果的に反環境的な効果となり、このコーティングの使用は、近年は国際的に禁止されている。代替として、生物付着の問題に対する非毒性の解決法を開発するリサーチがなされた。一つの有望な取り組みが、マイクロ形状構造のまたはナノ形状構造の疎水性表面すなわち、SHPo表面を使用することである。このような表面は、実験室条件下で抗付着表面として作用することがわかった。しかしながら、現実的にはSHPo状態を維持できなかった。なぜなら、SHPo表面上でトラップしたガスは、実際容易に空になり、その結果SHPo状態が失われてしまうからである。ここに述べたSHPo表面10は、現実的に、SHPo状態を長期間あるいは永遠に維持できる。したがって、SHPo表面10は、表面の生物付着の防止あるいは禁止が期待され、数週間あるいはそれ以上、水環境にさらされた後も実質的に生物付着がない状態を維持することができる。ガス生成器18がSHPo表面10にガス層を回復するように作用する限り、この表面は、理論的には、永久に生物付着を防止することができる。ガス生成が補てんされ、SHPo表面10上のガス層を維持する一方で、この表面をさらに変化させて抗生物付着特性を強化することができる。例えば、マイクロ形状構造14の側壁が疎水性を維持していれば、SHPo表面10の上側面は疎水性である必要はない例えば、この表面は親水性であってもよい。したがって、現存の抗生物付着材例えばコーティングは、自然界では親水性であるが、所定のSHPo表面のSHPo特性を害することなく、SHPo表面10の上側面に塗布することができる。実施例を示して説明したが、ここに述べた発明の概念の範囲を外れることなく、様々な変形を行うことができる。したがって、本発明は、特許請求の範囲及びその均等物以外のものに限定されるものではない。"