"塗布前基材位置決め手段で位置決めされた基材の表面に薄膜材料を塗布する塗布手段と、前記塗布手段に搬入された基材の周縁部を保持するとともに、前記塗布手段内で前記塗布前基材位置決め手段で位置決めされ前記薄膜材料の塗布領域の中心を保持する前記基材の仮想中心と一致するための位置設定部を有する保持枠と、前記保持枠を前記塗布手段に搬入する一方、前記薄膜材料塗布後の前記基材を前記保持枠により保持した状態で前記塗布手段から搬出する保持枠搬送手段と、前記保持枠搬送手段により搬入された前記保持枠により保持された前記基材の表面に担持された前記薄膜材料と基板を当接させて、該基板表面に薄膜を転写する転写手段を備え、更に、前記転写手段は、前記保持枠の前記位置設定部を位置決めするための塗布後基材位置決め手段を有し、前記塗布後基材位置決め手段は、前記転写手段内で前記基材の仮想中心と前記基板の中心を一致させることを特徴とする薄膜形成システム。前記保持枠の前記位置設定部は、基材の仮想中心から等距離に配置された複数の位置決め凹部を備えることを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成システム。更に、前記基材を前記塗布手段に搬入する基材搬送手段を具備し、前記保持枠は、前記基材を挟持する一対の挟持部材を備えており、前記保持枠搬送手段が前記一対の挟持部材の一方部材を前記塗布手段に搬入した後に前記基材搬送手段が前記基材を前記塗布手段に搬入する一方、前記基材への前記薄膜材料の塗布後に、前記保持枠搬送手段が前記一対の挟持部材の他方部材を前記塗布手段に搬入して前記一方部材との間で前記基材を挟持させ、前記一対の挟持部材およびこれに挟持された前記基材を一体的に前記塗布手段から搬出する請求項1ないし2のいずれかに記載の薄膜形成システム。シートフィルム上の塗布膜を転写した後の基板の搬送に対応して基板上の転写膜薄膜の周縁を除去する必要がある。言い換えると塗布膜を基板へ転写後に周縁部除去を行うと残渣が残るので、その残渣を除去するため基板に対して追加処理を行うこととなる。その結果、基板に不必要な汚染物が付着してしまうことがあった。よって、必要な大きさの転写膜を用意して基板に転写することが要望される。即ち、シートフィルムに上に塗布膜を形成する段階で、転写膜としての領域のみを残して塗布膜が形成されるようにする。こうすることで、塗布膜を基板に転写した後に、基板に対して追加処理を行う必要がなくなる。しかしながら、この場合、転写後において周縁部領域の修正を行わないようにするために、転写時に塗布膜の中心と基板の中心とが一致していることが必要になる。そして、先行技術のようにシートフィルムをリングで挟持して塗布装置と転写装置の間で搬送する構造であれば、リング体が塗布装置と転写装置において位置決めされると、シートフィルムの中心と基板の中心はある程度の精度で一致することとなる。けれども、塗布装置において塗布膜を形成する段階で周縁部を除去するのであればより高い精度で塗布膜の中心と基板の中心が一致することが求められる。言い換えると、シートフィルムの中心に塗布膜が形成されたとしても、転写装置において塗布膜の中心がずれてしまうことがあった。なぜなら、リング体を搬送する構造の場合、リング体をそれぞれの装置に対して着脱自在であることが必要なため、バラツキが発生する原因となっていた。この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、シートフィルム上の所定位置に形成された薄膜を基板の所定位置に転写する薄膜形成システムに適した技術を提供することを目的とする。この発明にかかる薄膜形成システムは、上記目的を達成するため、塗布前基材位置決め手段で位置決めされた基材の表面に薄膜材料を塗布する塗布手段と、塗布手段に搬入された基材の周縁部を保持するとともに、塗布手段内で塗布前基材位置決め手段で位置決めされ薄膜材料の塗布領域の中心を保持する基材の仮想中心と一致するための位置設定部を有する保持枠と、保持枠を塗布手段に搬入する一方、薄膜材料塗布後の基材を保持枠により保持した状態で塗布手段から搬出する保持枠搬送手段と、保持枠搬送手段により搬入された保持枠により保持された基材の表面に担持された薄膜材料と基板を当接させて、基板表面に薄膜を転写する転写手段を備え、更に、転写手段は、保持枠の位置設定部を位置決めするための塗布後基材位置決め手段を有し、塗布後基材位置決め手段は、転写手段内で基材の仮想中心と基板の中心を一致させることを特徴とする。本発明に係る薄膜形成システムによれば、保持枠搬送手段により塗布手段に搬入された保持枠は、塗布前基材位置決め手段で位置決めされ、基材の表面に薄膜材料を塗布される。その際、保持枠の位置設定部により薄膜材料の塗布領域の中心が保持する基材の仮想中心と一致する。保持枠搬送手段により薄膜材料塗布後の基材を保持枠により保持した状態で塗布手段から搬出し転写手段に搬入される。転写手段では、塗布後基材位置決め手段により保持枠の前記位置設定部を位置決めする。塗布後基材位置決め手段は、転写手段内で基材の仮想中心と基板の中心を一致させる。よって、基板に転写される薄膜材料は、その塗布領域の中心が基板の中心と一致した状態で転写される。更に、保持枠の位置設定部は、基材の仮想中心から等距離に配置された複数の位置決め凹部を備える。本発明に係る薄膜形成システムにおいて、保持枠の位置設定部は、基材の仮想中心から等距離に配置された複数の位置決め凹部を備えるようにしたので、その位置決め凹部が塗布前基材位置決め手段と塗布後基材位置決め手段により共通に位置決めされる。さらに、位置決め凹部とすることで保持枠の軽量化が達成される。更に、基材を塗布手段に搬入する基材搬送手段を具備し、保持枠は、基材を挟持する一対の挟持部材を備えており、保持枠搬送手段が一対の挟持部材の一方部材を塗布手段に搬入した後に基材搬送手段が基材を塗布手段に搬入する一方、基材への薄膜材料の塗布後に、保持枠搬送手段が一対の挟持部材の他方部材を塗布手段に搬入して一方部材との間で機材を挟持させ、一対の挟持部材およびこれに挟持された基材を一体的に塗布手段から搬出する。本発明に係る薄膜形成システムによれば、一対の挟持部材に挟持された状態で基材が搬送されるので基材が撓むことが防止される。また、保持枠搬送手段が一対の挟持部材の一方部材を塗布手段に搬入した後に基材搬送手段が基材を塗布手段に搬入する一方、基材への薄膜材料の塗布後に、保持枠搬送手段が一対の挟持部材の他方部材を前記塗布手段に搬入して一方部材との間で機材を挟持させるので、基材の仮想中心が保持枠に対してずれることを防止できる。この発明によれば、薄膜形成システムの塗布手段で薄膜材料の塗布領域の中心と基材の仮想中心が一致した状態で基材に薄膜材料が担持され、転写手段で基材の仮想中心が基板の中心と一致した状態に位置決めされる。そのため、薄膜材料が基板の所望領域に転写されることが可能となっている。以下、本発明の実施例を図1乃至図6に基づいて説明する。図1はこの発明にかかる薄膜形成システムの一実施形態を示す図である。より詳しくは、この薄膜形成システムを上部から見たレイアウト図である。また、図2はこの薄膜形成システムによる薄膜形成プロセスを示すフローチャートである。以下の説明においては、このシステムの奥行き方向図1において左右方向をX方向、幅方向図1において上下方向をY方向、高さ方向図1紙面に直交する方向をZ方向とする。この薄膜形成システムは、半導体ウェハ以下、単に基板と称すの表面に例えば絶縁膜としてのSOGSpin-On-Glassによる薄膜を形成するためのシステムであり、より具体的には、基材としての樹脂製のシートフィルム上に薄膜材料を含む塗布液を塗布して塗布膜薄膜を形成し、シートフィルムに担持された薄膜を基板表面に密着させて転写した後にシートフィルムを剥離除去することにより、基板表面に転写膜薄膜のみを残存させるものである。なお、シートフィルムとしては、例えばETFEエチレンテトラフルオロエチレンもしくはPTFEポリテトラフルオロエチレンなどの可撓性を有し、または可塑性を有する有機材料からなるシート状のフィルムを用いることができる。すなわち、この薄膜形成システムにより実行される薄膜形成プロセスでは、図2に示すように、まずシートフィルムを収容したフィルムカセットおよび基板を収容した基板カセットが搬入されるステップS10。これに続いて、以下の各工程:フィルムカセットから取り出されたシートフィルムに薄膜材料を含む塗布液を塗布する塗布工程ステップS20:これを乾燥させてシートフィルム上に薄膜を形成する乾燥工程ステップS30:こうしてシートフィルム上に形成された薄膜を、基板カセットから取り出された基板に転写する転写工程ステップS40:基板からシートフィルムのみを剥離して回収する剥離回収工程ステップS50、を処理すべき基板の全数について行いステップS60、処理済み基板を収容したカセットを搬出することでステップS70、処理が完結する。このシステムでは、図1に示すように上手側図1の左側に、未処理の基板Wを収納した基板カセット11を外部から受け取るインデクサ部1が設けられている。一方、インデクサ部1の下手側図1の右手側には、Y方向に往復移動する基板搬送ロボット2が設置された搬送部TPが設けられている。また、搬送部TPを挟んでインデクサ部1とは反対側に、基板Wに対し後述する所定の処理を行ってその表面に薄膜を形成する薄膜形成部3が設けられている。この薄膜形成システムでは、当該システムを構成する上記各部が制御手段4からの制御指令に基づいて動作する。薄膜形成部3では、その中心部にセンターロボット70が設けられており、これを取り囲むように反転ユニット12、リング載置台13、フィルムカセット載置台14、塗布ユニット20、剥離ユニット15、回収ユニット16、転写ユニット40および乾燥ユニット17の各ユニットが設けられている。またフィルムカセット載置台14および塗布ユニット20に隣接して基材搬送手段であるフィルム搬送ロボット60が設けられている。以下、上記各部の構造や動作について説明するが、これらの各ユニットのうち、反転ユニット12および乾燥ユニット17としては、例えば前述した特許文献1特開2003-100727号公報に記載されたものと同一構造のものを用いることができるので、これらのユニットの構造については詳しい説明を省略する。また、剥離ユニット15、回収ユニット16としては、例えば前述した特許文献2特開2010-50183号公報に記載されたものと同一構造のものを用いることができるので、これらのユニットの構造については詳しい説明を省略する。この薄膜形成システムでは、柔軟なシートフィルムをその形状を保ちながら搬送するために、前述した従来技術でも行われているようにリング状の保持枠を装着したリング体の状態でシステム内を移動させる。ただし、前記従来技術の装置ではシートフィルムが保持枠を装着された状態で外部から搬入されてくるのに対して、本実施形態では、外部からは保持枠未装着のシートフィルム単体を受け入れてシステム内部で保持枠の装着取り外しを行うことにより保持枠をシステム内で循環させるようにしている。保持枠を装着された状態でシートフィルムを受け入れる装置の場合、シートフィルム1枚ごとに1組のリング体が必要であり、多数枚の基板に対して処理を行う場合、大量のリング体を用意しておかなければならず、装置コストおよび基板の処理コストが高くなってしまう。また、本来は極めて薄いシートフィルムもリング体を装着すると嵩張るため、それらを保管するためのスペースが必要となる上に、大量搬送にも適さない。これに対して、以下に詳述するようにシステム内でリング体を循環させるように構成された本実施形態においては、外部からシートフィルムを単体で受け入れるため一度に多数枚のシートフィルムを搬入することができ、またフィルムを積層しておくことにより保管スペースも小さくて済む。さらに、リング体は最少の場合1組、処理効率上より好ましくは数組用意しておけばよいので、装置コストおよび基板処理コストを大幅に低減することが可能である。もちろんリング体を保管するためのスペースも最小限で済む。図3及び図4はリング体の構造を示し、図3は分解組立斜視図、図4は上部リングと下部リングの断面図である。このリング体RFは、上部リングRupと下部リングRdwとで基材としの樹脂製のシートフィルムFの周縁部を挟み込むことによってシートフィルムFを保持したものである。そして、リング体RFが本発明の保持枠として機能する。上部リングRupおよび下部リングRdwは例えばアルミニウムにより同一径に形成された円環であり、このうち上部リングRup上面の一部には4枚の磁性体例えば鉄または鉄系合金材料からなるプレート91が取り付けられている。また、上部リングRupには上記プレート91とは異なる位置に複数の永久磁石92が埋め込まれる一方、下部リングRdwにも同数の永久磁石93が埋め込まれている。永久磁石92と永久磁石93とは、上部リングRupと下部リングRdwとを重ね合わせたときに互いに相対する位置に取り付けられるとともに、互いに引き合う極性となっている。このため、上部リングRupおよび下部リングRdwが直接またはシートフィルムFを挟んで重ね合わせられると、永久磁石の吸着力によって上下リングが一体化される。また、上部リングRupには複数の貫通孔96が穿設される一方、下部リングRdwにも複数の貫通孔97が設けられている。上部リングRupの貫通孔96と、下部リングRdwの貫通孔97とは互いに異なる位置に設けられており、上部リングRupと下部リングRdwとを一体化させたときにそれぞれの貫通孔が重なり合うことがないようになっている。これらの貫通孔96、97の機能については後述する。更に、下部リングRdwには位置設定部98を有する。位置設定部98は、図4に示すように下部リングRdwの下面に等間隔に配置された3個の位置決め凹部99より構成される。この位置決め凹部99は後述する塗布前シートフィルム位置決め手段と塗布後シートフィルム位置決め手段と嵌合する略円筒形状に下部リングRdwを削った凹部で形成される。そして、この3個の位置決め凹部99から下部リングRdwの内側へ等距離にある交差する位置がシートフィルムFの仮想中心FCと設定されるように配置される。言い換えると、仮想中心FC回りに互いに等角度120°間隔で放射状に3個の位置決め凹部99が配置される。即ち、リング体RFにシートフィルムFが保持された時に、シートフィルムFの仮想中心FCに対応する点が位置設定部98の各位置決め凹部99から等距離となる。図5及び図6はセンターロボットの構造を示す図である。より詳しくは、図5はセンターロボット70を上方より見た平面図であり、図6はその側面図である。このセンターロボット70は多関節ロボットであり、ロボット本体701と、そのロボット本体701の頂部に取り付けられた2本の多関節アーム702、703と備えている。このロボット本体701は、回転軸AX1回りに回転し、さらにZ方向に伸縮自在となっている。このセンターロボット70が本発明の保持枠搬送手段として機能する。また、多関節アーム702の先端部には基板Wを保持するための基板ハンド704が取り付けられている。基板ハンド704の上面には基板Wの外周部を把持するための把持爪704aが設けられている。一方、基板ハンド704の下面には図示しない排気装置に連通された多数の小孔が設けられており、基板Wの上面を真空吸着することができる。すなわち、基板ハンド704は、その上面側に基板Wを載置する、またはその下面側で基板Wを真空吸着するという2つの方法で基板Wを保持することができる。また、もう一方の多関節アーム703の先端部には上部リングRupを磁気吸着して保持するためのリングハンド705が取り付けられている。図7及び図8はリングハンドのより詳細な構造を示す図である。このリングハンド705には、図7および図8aに示すように、上部リングRupに取り付けられた4つのプレート91に対応して4つの電磁石706が固設されている。制御ユニット4からの制御指令に応じて電磁石706が励磁されると、上部リングRupのプレート91を電磁吸着して上部リングRupまたは上部リングRupに下部リングRdwやシートフィルムFが一体化されたリング体RFを保持することができる。また電磁石706の励磁を停止することで、上部リングRupまたはリング体RFの保持を解除することができる。なお、この磁気吸着に変えて真空吸着によって保持するようにしてもよい。即ち、リングハンド705の電磁石706に代えて吸引機構の吸着孔を配置するようにしてもよい。また、上部リングRupに穿設された貫通孔96に対応する位置には、上下リングを分離させるための突き出し機構707が設けられている。図8aと図8bは図7のAA-AB線断面図である。図8aに示すように、突き出し機構707は内部に突き出しピン708を収容しており、制御ユニット4からの制御指令に応じてリングハンド705下面から下向きに突き出しピン708を突出させることができる。図8bに示すように、突き出しピン708が下向きに突き出された状態では、突き出しピン708の先端が上部リングRupに設けられた貫通孔96を通して下部リングRdwの上面を下向きに押し出す。これにより、永久磁石92、93によって電磁吸着されている上部リングRupと下部リングRdwとが分離される。このとき、上部リングRupがリングハンド705に保持された状態で下部リングRdwのみを分離するために必要な条件は、プレート91に対する電磁石706の電磁吸引力の合計をF1、突き出しピン708が下部リングRdwを押す力の合計をF2、永久磁石92、93間の電磁吸引力の合計をF3としたとき、F1>F2>F3の関係が成立することである。なお、プレート91に対する電磁石706の電磁吸引力F1については、上部リングRup、下部リングRdw、薄膜を形成されたシートフィルムFおよび基板Wの総重量よりも大きくなければならない。塗布ユニット20について説明する。図9は塗布ユニットの構成を示す図である。また、図10及び図11は図9の塗布ユニットの部分構成を示し、図10はステージ21の断面図、図11はステージ21の平面図である。この塗布ユニット20は、シートフィルムFの保持部である円板状のステージ21と、このステージ21を回転させる回転機構としてのモータ図示省略の回転軸22と、塗布液である例えばSOG液を塗布するためのSOG液用吐出ノズルである塗布手段を構成する塗布ノズル23と、エッジリンスを行うべくシートフィルムFの周縁部分に洗浄液を吐出する洗浄液用吐出ノズルであるエッジリンスノズル24と、塗布液や洗浄液等が塗布ユニット20の周辺に飛散するのを防止する飛散防止カップ25と、制御ユニット26を備えている。制御ユニット26は回転軸22の回転軸AX3周りの回転やステージ21の回転開始位置と回転停止位置を制御する。また、図示しない処理液供給系を制御して塗布ノズル23とエッジリンスノズル24からそれぞれの処理液の吐出動作を制御する。なお、制御ユニット26は、前述制御手段4の一部を構成するものである。このステージ21は、それぞれ円盤形状のステージ上部211とステージ下部218をネジ等により貼り合わせて構成される。ステージ上部211の中央部211aは、図10に示すように、下部リングRdwの厚み分に相当する厚みを有し、ステージ上部211の中央部211a全体はステージ下部218上で円錐台形状を有している。すなわち、ステージ上部211の周縁部211bが下部リングRdwの円環幅WD分だけ中央部211aよりも下部リングRdwの厚みH分だけ低くなっており、下部リングRdwがすっぽりとステージ上部211の周縁部211bに嵌まり込むとともに、下部リングRdw上に載置されているシートフィルムFの中央部がステージ上部211の中央部211aにそのまま載置される。具体的には、リング体RFがセンターロボット70によってステージ21に搬入された後、上部リングRupのみがセンターロボット70により塗布ユニット20外に搬出される。なお、その詳細については後で説明する。また、この実施形態では、下部リングRdwのステージ21への載置を良好に行うために、ステージ上部211の円錐台状の中央部211aが裾野位置で下部リングRdwの内径とほぼ同一外径を有する一方、頂部近傍で下部リングRdwの内径よりも小さくなっており、ステージ下部218の上面における段差部211cにテーパを設けている。また、このステージ上部211の上面周縁には、図10に示すように、吸着孔212が複数個設けられるとともに、ステージ21内部に設けられた連通部214を介して図示を省略する真空ポンプと接続され吸引機構を構成されている。このため、上記のようにステージ21に載置されたシートフィルムFはステージ21にしっかりと真空吸着される。そして、このように構成されたステージ21の周囲を飛散防止カップ25が取り囲む構成になっている。即ち、真空ポンプと連通部214が吸引機構を構成して、吸着孔212が真空チャックとして機能することで、ステージ21が基材保持部に相当し、これらによって基材保持機構が構成される。ステージ下部218のステージ上部211の下面に対向する上面には連通部214が分岐した複数の溝が放射状に形成され、その端部が吸着孔212に連絡されている。そして、吸着孔212に対向したステージ下部218の上面の外側である周縁部にはOリング216が配設される。更に外側の下部リングRdwに対向する部位には電磁石217が埋設されており、この電磁石217の磁気吸着の切り替えによって下部リングRdwがステージ下部218上に固着される。更に、ステージ下部218の下部リングRdwに対向する部位には塗布前シートフィルム位置決め手段219が配置される。なお、塗布前シートフィルム位置決め手段219は本発明の塗布前基材位置決め手段として機能する。塗布前シートフィルム位置決め手段219は前述の下部リングRdwの位置決め凹部99に対応して3個の円筒凸部219a、219b、219cより構成される。円筒凸部219a、219b、219cは、上端ほど小さくなるように微小に傾斜しており、位置決め凹部99との嵌合がスムーズになるように形成される。また、円筒凸部219a、219b、219cからステージ下部218の内側へ等距離にある点がステージ21の回転軸AX3となるように等間隔に配置される。言い換えると、回転軸AX3回りに互いに等角度120°間隔で放射状に円筒凸部219a、219b、219cが配置される。よって、薄膜材料がステージ21上に回転軸AX3上に供給された際に、遠心力で広げられたその塗布領域の中心が円筒凸部219a、219b、219cから等距離となる。こうすることで、ステージ21上に搬入され載置された下部リングRdwは塗布前シートフィルム位置決め手段219により位置決めされ、下部リングRdwの仮想中心FCが回転軸AX3と一致する。その結果、シートフィルムFの仮想中心FCと一致する点が塗布領域の中心に一致することとなる。なお、リング体RFのステージ21上への搬入動作に関しては後述する。更に、吸着孔212はシートフィルムFの周縁部に相当する領域であるステージ上部211の中央部211aの周縁部に図10に示すように配置される。具体的には、吸着孔212は直径1.0mmの吸着孔が3列で円周に沿って等間隔に72個、総計216個が配置される。そして、中央部211aにおける内領域211dには吸気孔212が配置されていない。この内領域211dはシートフィルムFに塗布された薄膜材料の基板Wへの有効転写領域に相当し、中央部211aの内領域211dに隣接する外枠領域211eは非転写有効領域である。このようにすることで、内領域211dに載置されるシートフィルムFの部位には吸着跡が発生しない。一方、外枠領域211eでは吸着孔212によってシートフィルムFは吸引されてステージ上部211の中央部211aに吸着される。この時、内領域211dにおけるステージ上部211とシートフィルムFとの間に空気が十分に吸引しきれずに残存した状態でシートフィルムFが吸着されることがある。この残存空気を塗布ユニット20では後述する動作によって排気し、排除した状態で吸着を達成する。即ち、ステージ上部211においてシートフィルムFの転写有効領域である内領域211dに吸着孔212を配置しない真空チャック構造を採用することで吸着跡が発生することを確実に防止している。ここで、シートフィルムFの厚みは、30μmから200μmで、好ましくは50μmである。厚みが30μmより薄くなるとシートフィルムFをフィルム搬送ロボット60によって搬送するのが困難となり、200μmより厚くなるとリング体RFでシートフィルムFを挟みこんで保持することが困難となる。このようなシートフィルムFをステージ21に載置して塗布膜厚ムラを防止する上で、ステージ上部211の中央部211aで特に有効転写領域である内領域211dの表面の凹凸が影響する。そこで、ステージ上部211は表面がアルマイト処理されたアルミニウムAlまたはアルミナ酸化アルミニウムで成形される。具体的にはアルミナでシートフィルムFの裏面を支持する上面が、JISB0601-2001で定義される最大高さ表面粗さをRzとした時、5μmより小さく好ましくは3μmより小さく形成している。即ち、ステージ上部211の表面粗さの度合いによってシートフィルムFとステージ上部211との密着性が異なるので上記のように設定することでシートフィルムFのしわやたるみに伴う塗布膜厚ムラを低減している。なお、ステージ上部211の表面粗さに関しては内領域211dのみならず、外枠領域を211eに相当する部位を含んだ中央部211aの全面の所望の表面粗さに形成するようにする。図12はこの発明にかかる転写ユニット40の一実施形態を示す図である。この転写ユニット40は、半導体ウエハなどの基板の表面に例えばSOGなどの薄膜を形成するための薄膜形成装置である。この装置では、転写ユニット40の内部に形成される処理空間内に後述する処理チャンバ41が設置されており、基板W表面への薄膜形成は、減圧された処理空間内でこの転写ユニット40により行われる。最初に処理チャンバ41の構成について説明する。説明の便宜上、図12に示すようにX、Y、Zの各方向を定義する。転写ユニット40は、図示しない装置フレーム上に設置された底板411に対し上板412と4つの側面に側板413がそれぞれ装着されることで処理チャンバ41が構成され、該チャンバ内に処理空間SPが形成される。こうして形成された処理空間SP内に、以下に説明する転写機構が設置される。この転写機構は、処理チャンバ41を構成する上板412に固定された上側ブロック42と、底板411に固定された下側ブロック43とを備えており、薄膜形成対象である基板Wと、薄膜材料を塗布された担持体としてのシートフィルムFとを上側下側ブロック42、43で挟み込むことにより、シートフィルムF上の薄膜を基板Wに転写する。なお、以下の説明において、各構成要素に付した符号が42から始まるものは当該要素が上側ブロック42を構成するものであることを意味する一方、43から始まるものは当該要素が下側ブロック43を構成するものであることを意味するものとする。処理空間SP内は、排気管851を介して処理チャンバ41と接続された真空ポンプ85によって真空排気可能になっている。この真空ポンプ85は装置全体を制御する制御ユニット81に制御されており、制御ユニット81からの動作指令に応じて作動して処理空間SP内を排気減圧することができるようになっている。また、制御ユニット81は真空ポンプ85による処理空間SPからの排気量を調整し、処理空間SP内の圧力真空度を制御可能となっている。これにより、薄膜の乾燥状態をコントロールしながら該薄膜を基板Wに転写することができる。処理空間SP内の圧力は、薄膜の種類等に応じて大気圧から数Paまでの範囲内の所定の圧力に設定される。処理空間SPには、第1、第2プレート421、431が上下に対向して収容されている。第1プレート421は処理チャンバ41を構成する上板412の下面に固定された上ベース部材422によって水平に固定支持されており、第2プレート431の上方に位置している。第1プレート421は基板Wが装着される試料台を構成し、第2プレート431と対向する下面423が基板Wの装着面を形成している。第1プレート421の下面423は円形に形成されている。ここで、薄膜形成対象となる基板Wとしては、例えば円板状に形成された半導体ウエハと、この半導体ウエハ上に電極配線をパターニングした構造を有するものがあり、基板Wのパターン形成面側にSOGの薄膜が転写される。第1プレート421の下面423は、平坦性を確保するために研磨された石英板によって形成されており、この石英板に基板Wが装着される。石英は基板Wを汚染する物質を含まないこと、および加工性がよく、必要とする平坦性が容易に得られることなどから基板Wを装着する材料として優れている。第1プレート421は、内部に加熱手段として加熱ヒータ424を具備している。この加熱ヒータ424はヒータコントローラ83と電気的に接続されており、制御ユニット81からの基板温度情報に基づきヒータコントローラ83が加熱ヒータ424を25°C~300°Cの間で加熱制御する。また、上板412には、複数本この実施形態では2本のリフタ425が昇降自在で、しかも水平方向に移動自在に支持されている。各リフタ425の下端部には爪部材426が固着されている。爪部材426はその上面が基板Wの周縁部と係合可能に仕上げられ、基板Wを爪部材426上に載置させることができる。各リフタ425にはリフタ駆動機構82が接続されており、制御ユニット81からの動作指令に応じてリフタ駆動機構82が作動する。これにより、処理空間SP内に搬入された基板Wを爪部材426上に載置可能な基板搬入位置と、爪部材426上に載置された基板Wを第1プレート421の下面423に装着する基板装着位置図12で示す位置とに複数のリフタ425を一体的に移動させることができる。具体的には、リフタ駆動機構82に対して制御ユニット81から下降指令が与えられると、リフタ425は下方に移動し、爪部材426を第1プレート421の下面423の下方側に移動させた後、さらにリフタ425を水平移動させて爪部材426を第1プレート421の下面周縁部と離間して対向させる。これにより、爪部材426が基板搬入位置に位置決めされ、爪部材426への基板Wの載置が可能となる。この状態で、センターロボット70により扉を介して搬入される基板Wを受け入れる。そして、制御ユニット81からリフタ駆動機構82に上昇指令が与えられると、リフタ駆動機構82はリフタ425を上方に移動させて爪部材426上に載置された基板Wを第1プレート421の下面423に密着させる。これにより、爪部材426が基板装着位置に位置決めされ、第1プレート421に基板Wが装着される。第2プレート431は、移動方向Z鉛直方向に沿って昇降自在に設けられた昇降ユニット432に装備され、第1プレート421の下方に軸線を一致させて対向して配置されている。昇降ユニット432は底板411に取り付けられた下ベース部材433を有し、下ベース部材433上に第2プレート431が固定支持されている。第2プレート431はシートフィルムFが装着される転写板を構成し、第1プレート421と対向する上面434がシートフィルムFの装着面を形成している。第2プレート431の上面434は円形に形成されている。シートフィルムFは基板Wより大きい円形に形成され、その表面薄膜形成面には薄膜が形成されている。また、第2プレート431の上面434の平面サイズはシートフィルムFの平面サイズよりも小さく形成されている。このシートフィルムFはリング体FRが後述する上側挟持部および下側挟持部によって移動方向Zに挟み込まれることによって保持されており、第2プレート431はシートフィルムFの裏面シートフィルムの両主面のうち薄膜形成面に対して反対の非薄膜形成面側に配置されている。第2プレート431の上面434は、第1プレート421と同様に石英板によって形成されている。また、第2プレート431には加熱手段として加熱ヒータ435が内蔵されている。この加熱ヒータ435はヒータコントローラ84と電気的に接続されており、制御ユニット81からの基板温度情報に基づきヒータコントローラ84が加熱ヒータ435を25°C~300°Cの間で加熱制御する。昇降ユニット432は、下ベース部材433の下面中央部に一体に垂設された支持軸436を有している。支持軸436は移動方向Zに沿って昇降自在に軸支され、加重モータ437によって昇降されるように構成されている。すなわち、支持軸436の下端には加重モータ437が接続されており、制御ユニット81からの動作指令に応じて加重モータ437が作動することで、昇降ユニット432を移動方向Zに沿って昇降させることができる。昇降ユニット432の昇降により、下ベース部材433上に支持された第2プレート431が移動方向Zに沿って昇降する。また、この実施形態では前述したように一対の上部リングRup、下部リングRdwを用いて一体化したリング体RFを形成し、このリング体RFの状態でシートフィルムFの転写ユニット40内への搬送と、転写ユニット40内での装着を実行している。以下では、図12と図13および図14を参照しつつ、シートフィルムFのハンドリング構成について説明する。図13はリング体およびリング体を挟持する構成を説明するための断面図で、図13aは分解状態を示し、図13bは挟持状態を示す。図14は下クランプ438の平面図である。第1プレート421、第2プレート431の周囲には、一対の上部リングRup、下部リングRdwを上下から挟み込んでリング体RFを保持する上クランプ427および下クランプ438が設けられている。上クランプ427および下クランプ438はそれぞれ、一対の上部リングRup、下部リングRdwとほぼ同じ内径を有する円環状部材であり、上クランプ427の外径が一対の上部リングRup、下部リングRdwの外径よりも小さく形成される一方、下クランプ438の外径が一対の上部リングRup、下部リングRdwの外径よりも大きく形成されている。更に、下クランプ438上面の下部リングRdwに対向する部位には塗布後シートフィルム位置決め手段439が配置される。なお、塗布後シートフィルム位置決め手段439は本発明の塗布後基材位置決め手段として機能する。塗布後シートフィルム位置決め手段439は前述の下部リングRdwの位置決め凹部99に対応して3個の円筒凸部439a、439b、439cより構成される。円筒凸部439a、439b、439cは、上端ほど小さくなるように微小に傾斜しており、位置決め凹部99との嵌合がスムーズになるように形成される。即ち、塗布前シートフィルム位置決め手段219の円筒凸部219a、219b、219cと同じ形状で、更に同じ配置位置で構成される。また、円筒凸部439a、439b、439cから下クランプ438の内側へ等距離にある点PCが基板Wの中心となるように等間隔に配置される。言い換えると、点PC回りに互いに等角度120°間隔で放射状に円筒凸部439a、439b、439cが配置される。即ち、基板Wが第1プレート421に装着されるとその中心と下クランプ438の点PCが一致するように構成される。よって、基板Wが搬入された際に、基板Wの中心が円筒凸部439a、439b、439cから等距離となる。こうすることで、下クランプ438上に搬入され載置されたリング体RFは塗布後シートフィルム位置決め手段439により位置決めされ、リング体RFの仮想中心FCと点PCが一致し、更にシートフィルムFの仮想中心FCと一致する点が基板Wの中心と一致することとなる。このような構成により、上クランプ427および下クランプ438によってリング体RFが上下方向移動方向Zに挟んで保持されると、結果的にシートフィルムFは上部リングRupおよび上クランプ427からなる上側挟持部UHと、下部リングRdwおよび下クランプ438からなる下側挟持部DHとにより保持挟持された状態となる図13b。つまり、下側挟持部DHに載置されたシートフィルムFが上側挟持部UHにより上方から押圧されることによって該シートフィルムFが下側挟持部DHと上側挟持部UHとにより挟持される。以下、下側挟持部DHと上側挟持部UHとをあわせて一対の挟持部という。一対の挟持部UH,DHに挟持されたシートフィルムFは第1プレート421と第2プレート431との間に配置される。具体的には、薄膜が形成されたシートフィルムFの表面薄膜形成面が第1プレート421に対向する一方、シートフィルムFの裏面非薄膜形成面側が第2プレート431に対向するように、シートフィルムFが一対の挟持部UH,DHにより挟持される。図15は図12のAC-AD切断面を上方から見たときの薄膜形成装置を示す図である。2つのクランプのうち下クランプ438は、底板411に立設された複数本この実施形態では3本の円柱体よりなるクランプ受け555上に水平姿勢で支持される。クランプ受け555は第2プレート431の上面434の中心を通り移動方向Zに伸びる軸以下、単に中心軸というJ回りに互いに等角度120°間隔で放射状に配置されている。下クランプ438の上面周縁部円環部にはリング体RFの下端部下リングRdwを収容可能な内部に向けて窪んだ窪部438aが形成されている図13a。そして、リング体RFの下端部を窪部438aに収容させることによって、窪部438aの周囲を取り囲む周面部438bによってリング体RFの水平方向の移動を規制することができる。また、下ベース部材433上には、複数本この実施形態では3本の突き上げピン56が中心軸J回りに互いに等角度120°間隔で放射状に、しかも円周方向に沿ってクランプ受け555の間に位置するように立設されている。一方、下クランプ438の下面には各突き上げピン56に対応して突き上げピン56の先端部を挿入させることが可能なピン挿入孔553図12が形成されている。このため、昇降ユニット432が上昇駆動されると、突き上げピン56の先端部がピン挿入孔553に挿入されるとともに、突き上げピン56の先端部と後端部との間に形成された段差面が下クランプ438の下面と当接する。これにより、突き上げピン56と下クランプ438一対の挟持部UH,DHとが互いに係合する。この状態で昇降ユニット432がさらに上昇駆動されると、下クランプ438がクランプ受け555から離れ、突き上げピン56と下クランプ438とが係合した状態で一体的に上昇する。これにより、第2プレート431と一対の挟持部、つまり上側挟持部UHおよび下側挟持部DHとが一定の位置関係を保ったまま上昇する。図16は突き上げピンと下クランプとが係合した状態を示した図である。突き上げピン56と下クランプ438とが係合した時点では、第2プレート431が一対の挟持部UH,DHに挟持されたシートフィルムFに接触して該シートフィルムFが上方に突き上げられる。これにより、シートフィルムFが緊張し、該シートフィルムFに張力を発生させることができる。ここで、第2プレート431の上面434が円形に形成されるとともに、一対の挟持部UH,DHによりシートフィルムFの周縁部が全周にわたって保持挟持されているため、シートフィルムFに対して周方向に均一な張力を付与することができる。また、この実施形態では、突き上げピン56が下クランプ438と係合する係合部位の第2プレート431に対する移動方向Zにおける相対距離以下、単に相対距離というDを調整することによって、シートフィルムFに発生させる張力の大きさをコントロールすることが可能となっている。具体的には、突き上げピン56の先端部と後端部との間に形成された段差面突き上げピン56が下クランプ438と係合する係合部位から第2プレート431の上面434までの距離相対距離Dを調整することにより、シートフィルムFに発生させる張力の大きさを変更することが可能となっている。つまり、相対距離Dに応じて、第2プレート431がシートフィルムFと接触を開始してから突き上げピン56と下クランプ438とが係合するまでの間にシートフィルムFが第2プレート431によって移動方向Zに沿って突き上げられる量以下、単に突き上げ量というQが変化する。したがって、相対距離Dが調整されることで、突き上げ量Qを変更し、シートフィルムFに発生する張力の大きさを調整することができる。図12に戻って説明を続ける。下クランプ438の下面周縁部には下クランプ438の水平方向における位置を固定するために、複数本の位置決めピン514が下方に延びるように取り付けられている。これら位置決めピン514は下ベース部材433に移動方向Zに沿って形成された貫通孔512に挿通されている。位置決めピン514と貫通孔512の内壁との間にはボールスプライン機構等が介在しており、位置決めピン514はボールスプライン機構等を介して移動方向Zに沿ってのみ可動昇降自在に支持される。つまり、下クランプ438は移動方向Zに直交する方向水平方向に移動するのを規制されながら下ベース部材433に対して移動方向Zに沿って昇降自在に支持される。このような構成によれば、昇降ユニット432第2プレート431を移動方向Zに沿って移動させたとしても、水平方向において第2プレート431と下クランプ438一対の挟持部UH,DHとの間の相対位置関係を確実に固定することができる。このため、第2プレート431と一対の挟持部UH,DHとが互いに水平方向にずれるのを防止することができる。また、もう一方のクランプ、つまり上クランプ427は昇降自在に支持された複数本のロッド428の下端に固着されている。この実施形態では、3本のロッド428が中心軸J回りに互いに等角度120°間隔で放射状に、上クランプ427から上方に伸びるように設けられている。複数本のロッド428の各々には、上クランプ427を移動方向Zに沿って昇降駆動させるためのエアシリンダ429が連結されている。そして、制御ユニット81からの動作指令に応じてエアシリンダ429が作動することで、上クランプ427を移動方向Zに沿って昇降させることができる。具体的には、上クランプ427を上昇させて第2プレート431に対するリング体RFの搬入出を可能とする一方、上クランプ427を下降させて下クランプ438とでリング体RFを挟持して固定することができる。このエアシリンダ429は、処理チャンバ41の外部に突設された支柱414により固定された円板状のプレート415に配設されており、エアシリンダ429から発生するパーティクル等の汚染物質が処理空間SP内に混入するのを防止することができる。なお、上クランプ427を昇降駆動させる駆動機構としては、エアシリンダに限らず、エアシリンダ以外の他の昇降駆動用アクチュエータを用いるようにしてもよい。また、エアシリンダ429と、該エアシリンダ429に圧縮空気を供給するための圧縮空気供給源との間には調圧弁821が介装されている。そして、制御ユニット81からの動作指令に応じて調圧弁821の開度が調整されることにより、ロッド428の推力を一定に保つことが可能となっている。この実施形態では、支持軸436が移動方向Zにおいて受ける加重圧力を検出する荷重センサ86が設けられており、荷重センサ86によって検出された加重圧力に基づいて制御ユニット81が調圧弁821の開度を調整し、ロッド428の推力を一定に保つようにフィードバック制御する。これにより、下クランプ438に載置されたリング体RFを上クランプ427により一定の押圧力で押圧することができる。すなわち、下側挟持部DH上に配置されたシートフィルムFを上側挟持部UHにより上方から一定の押圧力で押圧することが可能となっている。ここで、以上の構成を有するこの薄膜形成システムによる薄膜形成プロセス図2のうち、最初から転写工程までステップS10~S40の動作について説明する。剥離ユニット15および回収ユニット16の構造と、これらを用いた剥離回収工程ステップS50以降のプロセスについては後に詳述する。最初に、外部からフィルムカセットおよび基板カセット11が搬入されるステップS10。基板カセット11はインデクサ部1に設置される一方、フィルムカセットはフィルムカセット載置台14に設置される。薄膜形成部3内には、予め上部リングRupと下部リングRdwとの組が少なくとも1組導入されている。ここでは1組の場合について説明し、複数組の場合については後に説明する。1組のリングは、上下リングが一体化された状態でリング載置台13に置かれている。続いて塗布工程ステップS20が実行される。図17は塗布工程における処理を示すフローチャートである。また、図18および図19は塗布工程における動作を模式的に示す図である。まず、塗布ユニット20内に下部リングRdwを設置するステップS201。より具体的には、センターロボット70が、一体化された状態でリング載置台13に載置された上部リングRupと下部リングRdwを吸着保持してこれを塗布ユニット20内に搬入し、図18aに示すように、塗布ユニット20内に設けられた円筒形のステージ21に載置する。次いで、突き出し機構707を作動させて上下リングの結合を切り離し、図18bに示すように、上部リングRupのみを塗布ユニット20の外部へ搬出する。その結果、下部リングRdwのみが塗布ユニット20のステージ21上に設置された状態となる。なお、リングハンド705は上部リングRupを吸着保持した状態で待機している。下部リングRdwはステージ下部218の電磁石217により磁気吸着されるとともに、塗布前シートフィルム位置決め手段219によって位置決めされる。下部リングRdwの位置決めに関して更に詳細に説明する。図20は、リング体RFの搬入動作を上方から見た模式図で、図中左下から右上に向って動作の進行する状態を表現している。図20に示すように、リングハンド705でリング体RFを保持する時、リングハンド705の電磁石706が上部リングRupのプレート91を吸着保持する。その状態で下部リングRdwの位置設定部98の位置決め凹部99はリングハンド705が塗布ユニット20へ向う方向に対して逆Y字条の配置の向きで保持される。一方、塗布ユニット20のステージ21は、塗布前シートフィルム位置決め手段219の円筒凸部219a、219b、219cの配置が位置決め凹部99と同様に逆Y字条の配置の向きで待機している。即ち、制御ユニット26で回転軸22を回転駆動させ、前もって図20に示す配置の向きになるように回転制御される。なお、この回転制御は、リング体RFの搬入直前に実施されてもよいし、塗布操作の後に原点復帰として行われてもよい。こうすることで、下部リングRdwはステージ下部218の電磁石217により磁気吸着されるとともに、位置決め凹部99に円筒凸部219a、219b、219cが嵌合することで塗布前シートフィルム位置決め手段219によって位置決めされる。その結果、下部リングRdwの仮想中心FCとステージ21に回転軸AX3が一致する。そして、位置決め凹部99に円筒凸部219a、219b、219cが嵌合しない場合、リング体RFはその一部が所定の高さよりは高くなるので、図示しない光学センサでリング体RFの所定位置への有無を検知することで、不良装着が検知される。そして、制御ユニット26を介して制御手段4により装置を停止し、不良装着を表示する。図18に戻って、ステージ21は略鉛直軸周りに回転自在となっており、その中央部211aの上面は平坦に仕上げられている。中央部211aは周縁部211bの上面に対して下部リングRdwの厚み分だけ盛り上がっており、その直径は下部リングRdwの内径とほぼ等しくなっている。そのため、ステージ21上に下部リングRdwが設置された状態では、ステージ21の中央部211aと下部リングRdwの上面とが揃ってほぼ単一の平面をなす。また、ステージ上部211の中央部211aには真空吸着機能が備えられており、載置された物体を真空吸着することができる。次に、フィルムカセットからシートフィルムを1枚取り出し、塗布ユニット20内に搬入するステップS202。具体的には次のようにする。フィルムカセット載置台14と塗布ユニット20との間に設置されたフィルム搬送ロボット60図1は、下面に真空吸着機能を有するリング状のハンド61を備えており、フィルムカセット内に積層されたシートフィルムの1枚を、その周縁部で吸着保持することができる。フィルムカセットの構造としては、例えば前述の特許文献1特開2004-296855号公報に記載されたものを用いることができる。フィルム搬送ロボット60は、図18cに示すように、こうして保持した1枚のシートフィルムFを塗布ユニット20内のステージ21上に搬入する。このときステージ21の中央部211aの真空吸着を開始するとともにハンド61による吸着を解除することにより、シートフィルムFはハンド61からステージ21に受け渡される。ステージ21の中央部211aと下部リングRdwとは上面の高さが揃っているので、シートフィルムFは平らな状態でステージ21上に載置され、吸着保持される。吸着動作は真空ポンプが作動して連通部214を介して全ての吸着孔212から吸気することで216個の吸着孔212がシートフィルムFの裏面を吸引することとなる。次に、塗布ユニット20に設けられたモータ図示省略が作動し、図18dに示すように回転軸22が回転し始め、この回転に伴って、ステージ21、さらにはシートフィルムFが回転される。この時、塗布ノズル23から塗布液を吐出せず、吸着孔212からの吸気を継続して回転することでステージ上部21の中央部211aの吸着孔212が配置されていない内領域211dとシートフィルムFとの間に残存する空気を吸引することでシートフィルムFの波打ち防止作用として機能させる。結果、以後に続く塗布液の塗布中にシートフィルムFの波打ちが残らず、塗布膜厚ムラの発生が防止される。ここでシートフィルムFのみによる回転動作は、回転速度にもよるが残存する空気が吸引される時間を予め実験で求めた時間を事前に制御ユニット26に設定する。具体的にはステージ21は2000rpmの回転速度まで加速され、その状態で所定時間回転する。または、図示しない操作部より設定時間を任意に設定可能に構成してもよく、塗布膜厚ムラが発生した場合に設定時間を十分に長く変更することで制御ユニット26によってステージ21を回転すればよい。更に、断続的に回転制御するようにしてもよい。続いてスピンコート法によりシートフィルムFに薄膜材料を含む塗布液を塗布するステップS203。すなわち、図18dに示すように、ステージ21に連結された回転軸22を図示しない駆動機構により回転駆動することで、ステージ21を回転させる。ステージ20の回転速度は直前に行われた残存空気排気工程より約10rpmまで回転速度を落として回転動作を継続される。そして、その回転中心である回転軸AX3上方に設けた塗布ノズル23から薄膜材料としてのSOGを含む塗布液を所定量シートフィルムF上に供給することにより、シートフィルムF上に薄く均一な塗布液の層を形成する。即ち、少し遅れてシートフィルムFに向かってSOG液を供給する。すると、シートフィルムFの回転に伴う遠心力によって、シートフィルムFの中心から全面にわたってSOG液が塗布される。このとき、シートフィルムFの外側に飛散したSOG液は飛散防止カップ25、さらには図示を省略する排出管を介して塗布ユニット20の外部に排出される。所定量の塗布液が供給された後に、ステージ21の回転速度を10rpmから上昇させて膜厚を均一化するため所定時間振り切り工程を行う。薄膜材料の塗布後、続いてエッジリンス処理を行うステップS204。すなわち、図18dに示すように、振り切り工程の回転速度より低速にしてステージ21を回転させながらシートフィルムFの周縁部に向けて設置されたエッジリンスノズル24から洗浄液を供給することにより、シートフィルムFの周縁部に付着した塗布液を洗い流す。これにより、シートフィルムFには、その周縁部を除く表面に薄膜Rが塗布膜として担持されることとなる。即ち、エッジリンスノズル24よりシートフィルムFの周縁部分に向かって洗浄液が吐出され、ここでも、シートフィルムFの回転は継続されているため、この回転によって、シートフィルムFの周縁部分に付着していた塗布液が除去される。ここで薄膜Rとリング体RFとの位置関係に関して更に詳細に説明する。図20の左側に示すように、下部リングRdwの仮想中心FCとステージ21に回転軸AX3が一致しているので、塗布ノズル23から供給される塗布液は、回転軸AX3上から供給されることでシートフィルムF上の仮想中心FCに一致する点に供給される。その結果、図20の中央に示すように薄膜Rは仮想中心FCを中心として広がり、シートフィルムFの周縁部分に付着していた塗布液が除去されることで下部リング体Rdwの内側に同心円を描くように塗布領域が形成される。即ち、薄膜Rは仮想中心FCを中心とした円形の塗布領域を有する塗布膜となる。次に、上部リングRupを塗布ユニット20内に戻し入れ、下部リングRdwと結合させてリング体RFを形成するステップS205。すなわち、図19aおよびbに示すように、リングハンド705に保持された状態で塗布ユニット20外に待機させていた上部リングRupを再び塗布ユニット20内に搬入し、ステージ21上の下部リングRdwに重ね合わせて一体化させる。これにより、薄膜Rを担持したシートフィルムFを上部リングRupと下部リングRdwとで挟持したリング体RFが形成される。これに続いて、真空ポンプを停止させてシートフィルムFの真空吸着を解除する。ここで、単に真空ポンプを停止させたのみではシートフィルムFがステージ21から剥離しにくい場合には、例えば窒素ガスを連通部214にパージして連通部214および吸着孔212を陽圧するのが望ましい。同時に下部リングRdwとステージ21の磁気吸着を解除する。なお、この実施形態における塗布ユニット20では、塗布液としてSOG液を用いたが、半導体のフォトリソグラフィに用いられるフォトレジスト液等に例示されるように、基板Wに対して形成すべき薄膜を構成する塗布液ならば、特に限定されるものではない。こうして形成されたリング体RFについては、図19cに示すように、リングハンド705により保持したまま塗布ユニット20から搬出しステップS206、乾燥ユニット17に搬入してシートフィルムF上の薄膜Rを完全に乾燥させるステップS70。乾燥ユニット17の構成およびそれにより実行される乾燥工程については特許文献3特開2003-100727号公報に詳しく記載されているのでここでは説明を省略する。次に、上記した転写ユニットの動作について図21ないし図22を参照しつつ説明する。図21は転写工程における処理を示すフローチャートである。また、図22は転写工程における動作を模式的に示す図である。転写工程では、まずリング体RFを転写ユニット40に搬入するステップS401。すなわち、図22aに示すように、センターロボット70がリングハンド705により乾燥ユニット17から取り出した乾燥処理後のリング体RFを転写ユニット40内の下側ブロック43に設置する。本実施形態においては、処理空間SPへの基板WおよびシートフィルムFの搬入に先立って、各突き上げピン56において、下ベース部材433の上面から段差面までの移動方向Zにおける長さが使用されるシートフィルムFの種類や膜厚等に応じて予め調整されているものとする。最初に第1プレート421側に基板Wが搬入される。即ち、基板Wをフェースダウン状態で搬入し、シートフィルムF上の薄膜Rに密着させる。基板カセット11内では、基板Wは薄膜を形成すべき表面を上向きにして、すなわちフェースアップ状態で保管されている。この基板Wは基板搬送ロボット2により基板カセット11から1枚ずつ取り出され反転ユニット12に受け渡される。反転ユニット12により表面を下向き、裏面を上向きのフェースダウン状態に反転された基板Wを、センターロボット70が基板ハンド704の下面で受け取り、図21bに示すように、処理チャンバ41に搬入する。基板ハンド704の下面で基板Wの裏面を吸着保持することにより、薄膜を形成すべき基板表面に触れることなく搬送することができ、また処理チャンバ41へのフェースダウン状態での搬入を簡単に行うことができる。具体的には、制御ユニット81はリフタ駆動機構82に下降指令を与え、図12に示すように、爪部材426を基板搬入位置に位置決めする。それに続いて、薄膜を形成すべき基板Wが扉を通じて処理空間SP内に搬入され、爪部材426の上に載置される。その後、制御ユニット81はリフタ駆動機構82に対して上昇指令を与え、爪部材426を基板装着位置に移動させて基板Wの上面非パターン形成面を第1プレート421の下面423に密着させた状態で基板Wを位置決めする。これにより、第1プレート421に基板Wが装着される。一方、第2プレート431側では、シートフィルムFがリング体RFにより挟持された状態で処理空間SP内に搬入される。ここで、リング体RFを構成する一対の上部リングRupと下部リングRdwに挟まれたシートフィルムFの表面薄膜形成面には予め薄膜Rが形成されており、薄膜形成面を上方に向けてシートフィルムFが扉を通じて搬入される。このとき、上クランプ427はリング体RFの搬入を妨げることのないように上方に退避している。また、第2プレート431の上面434は下クランプ438リング体RFが載置される載置面の下方に位置している。このため、シートフィルムFが搬入される際に、シートフィルムFと第2プレート431とが接触するのを回避することができる。その結果、シートフィルムFに張力が発生していない状態で薄膜が部分的に乾燥して薄膜の均一な乾燥が阻害されてしまうのを防止することができる。そして、リング体RFが下クランプ438上に載置された後、上クランプ427が下降して下クランプ438に載置されたリング体RFが上クランプ427によって押圧される図13b。これによって、シートフィルムFの周縁部が全周にわたって所定の押圧力で均一に押圧され、シートフィルムFにしわや折り曲げが発生するのを防止しながら、シートフィルムFが一対の挟持部、つまり上側挟持部UHおよび下側挟持部DHにより挟持された状態となる。下部リングRdwの転写ユニット40内での位置決めに関して更に詳細に説明する。図20の右側に示すように、リングハンド705でリング体RFを保持する時、リングハンド705の電磁石706が上部リングRupのプレート91を吸着保持する。その状態で下部リングRdwの位置設定部98の位置決め凹部99はリングハンド705が転写ユニット40へ向う方向に対して逆Y字条の配置の向きで保持される。即ち、センターロボット70がリングハンド705により乾燥ユニット17から取り出した乾燥処理後のリング体RFを転写ユニット40内の下側ブロック43に設置する際に、リングハンド705が塗布ユニット20へ向う方向に対してリング体RFを保持する向きと同じ向きで転写ユニット40へリング体RFが搬入される。一方、転写ユニット40の下クランプ438は、塗布後シートフィルム位置決め手段439の円筒凸部439a、439b、439cの配置が位置決め凹部99と同様に逆Y字条の配置の向きで配置されている。こうすることで、下部リングRdwは下クランプ438の窪部438aに載置されるとともに、位置決め凹部99に円筒凸部439a、439b、439cが嵌合することで塗布後シートフィルム位置決め手段439によって位置決めされる。その結果、下部リングRdwの仮想中心FCとした下クランプ438の点PCが一致する。そして、位置決め凹部99に円筒凸部439a、4319b、439cが嵌合しない場合、リング体RFはその一部が所定の高さよりは高くなるので、図示しない光学センサでリング体RFの所定位置への有無を検知することで、不良装着が検知される。そして、制御ユニット81を介して制御手段4により装置を停止し、不良装着を表示する。下クランプ438の点PCは基板Wの中心と一致しており、更に、下クランプ438の点PCは薄膜Rの中心とも一致しているので、結果、薄膜Rの塗布領域の中心は、基板Wの中心と一致する対向位置に塗布後シートフィルム位置決め手段439によって位置決めされる。こうして、基板WおよびシートフィルムFの搬入が完了すると、制御ユニット81は装置各部を制御し、以下に示すように薄膜を基板Wに転写する転写工程を実行する。まず、真空ポンプ85による処理空間SPの排気減圧を開始する。また、ヒータコントローラ83によって加熱ヒータ424に通電して第1プレート421を加熱して基板Wを所望の温度に加熱するとともに、ヒータコントローラ84によって加熱ヒータ435に通電して第2プレート431を加熱してシートフィルムFを所望の温度に加熱する。そして、処理空間SPが所望の圧力まで減圧されると、制御ユニット81より加重モータ437に信号が送られ、昇降ユニット432第2プレート431の上昇駆動を開始する。第2プレート431が上昇すると、一対の挟持部UH,DHに挟持されたシートフィルムFの裏面非薄膜形成面と第2プレート431の上面434とが接触して第2プレート431にシートフィルムFが装着される。このとき、第2プレート431の上面434の平面サイズはシートフィルムFの平面サイズよりも小さく形成されているため、第2プレート431上面434の全面がシートフィルムFにより覆われる。そして、第2プレート431の上面434がシートフィルムFに接触した状態で第2プレート431がさらに上昇すると、シートフィルムFが緊張し、該シートフィルムFに張力が発生する。つまり、一対の挟持部UH,DHに挟持されたシートフィルムFに第2プレート431が突き当てられてシートフィルムFに張力が発生する。その結果、シートフィルムFが加熱ヒータ435によって加熱され、熱膨張により伸張して弛んでいても、その弛みが取り除かれる。また、昇降ユニット432の上昇によって突き上げピン56がクランプ受け555上に載置された下クランプ438と係合する。これによって、移動方向Zにおける下クランプ438一対の挟持部UH,DHに対する第2プレート431の相対位置が固定される。その結果、シートフィルムFに発生する張力の大きさが決定されて固定される。また、第2プレート431の上昇により、下クランプ438一対の挟持部UH,DHがクランプ受け555から突き上げピン56に受け渡される。そして、第2プレート431の上昇とともに一対の挟持部UH,DHがシートフィルムFを挟持しながら移動方向Zに沿って変位する。このとき、上クランプ427に連結されたロッド428がエアシリンダ429内に後退してストロークが短くなると、エアシリンダ429内の圧力が上昇してロッド428の推力が増大する。その結果、シートフィルムFに対する押圧力が増大し、荷重センサ86によって検出される加重圧力が上昇する。そこで、制御ユニット81は荷重センサ86によって検出される加重圧力が一定となるように調圧弁821の開度を調整し、ロッド428の推力を一定に保つようにフィードバック制御する。つまり、シートフィルムFに対する押圧力が一定になるように、第2プレート431がシートフィルムFに接触する前にシートフィルムFに与えられた押圧力に等しくなるよう制御ユニット81からの動作指令によって調圧弁821が制御される。そして、制御ユニット81は昇降ユニット432を上昇させるとともに、シートフィルムFへの押圧力が一定となるように調圧弁821を制御しながらロッド428をエアシリンダ429内に後退させてストロークを短くしていく。これにより、第2プレート431の上昇を阻害することなく、かつ一対の挟持部UH,DHによりシートフィルムFが良好かつ確実に保持される。また、下クランプ438一対の挟持部と突き上げピン56とが互いに係合した状態で一対の挟持部UH,DHと第2プレート431とが一体的に移動方向Zに沿って移動することで、決定された張力をシートフィルムFに付与した状態を維持したままシートフィルムFが上昇する。つまり、第2プレート431と一対の挟持部UH,DHとが一定の位置関係を保ったまま上昇するので、シートフィルムFに与えられた張力の大きさが変化するのを防止することができる。このため、シートフィルムFに張力を安定して与えながらシートフィルムFを基板Wに近接させていくことができる。また、下クランプ438と突き上げピン56とは、突き上げピン56の先端部が下クランプ438のピン挿入孔553に挿入されることで係合している。このため、下クランプ438と突き上げピン56とが係合した状態で移動方向Zに沿って移動する際に、互いの位置関係がずれるのを防止することができる。そして、第2プレート431がさらに上昇すると、シートフィルムF上の薄膜Rが基板Wに密着し、基板Wへの薄膜Rの転写が開始される図22c。また、処理空間SPを排気減圧したまま、基板WとシートフィルムFとが所定の加重で一定時間互いに押し付けられる。その間も基板WとシートフィルムFは所定の温度となるように加熱されている。薄膜Rが基板Wに押し付けられている間もシートフィルムFは一対の挟持部UH,DHにより挟持されながら、一定の張力、つまり下クランプ431と突き上げピン56とが係合することによって決定された張力が付与された状態となっている。このため、シートフィルムFにしわや折り曲げが発生するのを防止して、平坦で均一な膜厚の薄膜を基板Wに形成することができる。そして、一連の加重操作が終了して転写処理が完了すると、ヒータコントローラ83、84により加熱ヒータ424、435の作動を停止させて第1、第2プレート421,431の加熱を停止すると同時に、爪部材426を側方に退避させて爪部材426による基板保持を解除する。続いて、加重の状態が零となるように制御ユニット81から加重モータ437に信号を送り、昇降ユニット432および一対の挟持部UH,DH上クランプ427、リング体RF、下クランプ438を一体的に下降させる。すなわち、制御ユニット81はシートフィルムFに対する押圧力が一定となるように調圧弁821を制御しながらロッド428をエアシリンダ429内から進出させてストロークを長くしていく。その後、昇降ユニット432が下降し、上クランプ427により上方から押圧された状態で下クランプ438およびリング体RFがクランプ受け555上に受け渡される。さらに、昇降ユニット432が下降し、昇降ユニット432第2プレート431が転写前の初期位置に復帰すると、突き上げピン56が下クランプ438から離れる。また、上クランプ427によるリング体RFへの押圧が解除される。これにより、下クランプ438およびリング体RFがクランプ受け555上に支持された状態となる。こうして、第2プレート431が転写前の初期位置に戻った後、真空ポンプ85を停止させる。なお、上記のようにして薄膜Rの密着が完了すると、基板Wは薄膜Rを挟んでシートフィルムFと一体となっており、この一体化状態のままリング体RFを処理チャンバ41から取り出し、シートフィルムFを剥離する剥離ユニット15に搬送する。次に、剥離ユニット15および回収ユニット16の構成およびそれにより実行される剥離工程については特許文献2特開2010-50183号公報に詳しく記載されているのでここでは説明を省略する。なお、これらのユニットは上記した転写工程までを実行することにより形成されるリング体RFと基板Wとが一体化された構造体を処理対象物としている。転写処理が完了すると、センターロボット70は、シートフィルムFに基板Wが貼り付いた状態のままリング体RFを剥離ユニット15に搬送する。そして、剥離ユニット15では剥離処理を実行する。剥離処理で、1つの基板Wについて、基板WからのシートフィルムFの剥離および回収が完了する。一連の動作をワークごとに繰り返すことで多数のワークについての処理を連続的に行うことができる。こうして回収ユニット16に回収貯留されたシートフィルムについては、オペレータが必要なタイミングで扉から取り出し、再利用または廃棄することができる。センターロボット70は、薄膜Rが転写された基板Wを基板ハンド704によって、また上部リングRupと下部リングRdwとを一体的にリングハンド705によって、剥離ユニット15からそれぞれ搬出する。このとき基板Wはフェースダウン状態であり、センターロボット70は基板Wを反転ユニット12に受け渡す。反転ユニット12が基板Wをフェースアップ状態に反転させると、基板搬送ロボット2がこれを受け取って基板カセット11に収容する。これにより1枚の基板Wに対する一連の処理が完結する。そして、基板搬送ロボット2が新たに基板カセット11から未処理基板Wを1枚取り出して上記処理を行う。このとき、基板WとシートフィルムFについては新たにカセットから取り出したものを使用するが、上部リングRupおよび下部リングRdwについては、前の処理で取り外されたものを再度使用する。これを繰り返すことで、複数の基板Wに対して順次薄膜Rを形成することができる。以上説明したように、この実施形態では、塗布ユニット20において塗布前シートフィルム位置決め手段219でシートフィルムF上に仮想中心FCを中心とした塗布領域に薄膜Rをスピン塗布で形成している。次に、転写ユニット40において塗布後シートフィルム位置決め手段439で下部リングRdwの仮想中心FCと基板Wの中心を一致させて転写処理を行い、薄膜Rの中心が基板Wの中心に一致されて転写される。そのため、薄膜R転写時に基板Wに対してずれること防止することができる。なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、半導体基板上にSOG絶縁膜を形成する薄膜形成システムであるが、薄膜の形成対象および薄膜材料についてはこれらに限定されるものではない。例えば、薄膜の形成対象となる基板としては、半導体ウエハの他に液晶パネル用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板や光ディスク用基板などを用いることができる。また、薄膜材料としては、SOGの他にSODSpin-On-Dielectric材料やフォトレジスト材料などを用いることができる。またシートフィルムに対して親水性の表面処理を施す親水処理ユニットなど他の処理ユニットを有するシステムにも本発明を適用することが可能である。"