半導体モジュールであって、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に形成されている第1電極と、前記一方の表面と反対の半導体基板の表面に形成されている第2電極を有する半導体装置と、第1電極と接している第1導電部材と、第2電極と接している第2導電部材と、第2導電部材に接しており、第1導電部材に沿って伸びる第3導電部材と、第1導電部材と第3導電部材の間を絶縁している絶縁部材、を有しており、第3導電部材が、第1導電部材と第2導電部材の間に挟まれることによって、第1導電部材と第2導電部材に対して固定されており、半導体装置が、第1導電部材と第2導電部材の間に挟まれることによって、第1導電部材と第2導電部材に対して固定されている、半導体モジュール。絶縁体により構成されており、半導体装置を取り囲んでおり、第1導電部材に固定されており、外周面に第1ネジ溝が形成されている筒体をさらに有しており、第2導電部材に第2ネジ溝が形成されており、第2ネジ溝が第1ネジ溝に係合していることによって第2導電部材が筒体に固定されている、請求項1に記載の半導体モジュール。前記筒体の外周面に、凹形状または凸形状により構成された第1係合部が形成されており、第3導電部材が貫通孔を有しており、貫通孔の内面に凹形状または凸形状により構成された第2係合部が形成されており、第1係合部が第2係合部と係合する状態で筒体が第3導電部材の貫通孔内に挿入されている、請求項2に記載の半導体モジュール。半導体基板の前記一方の表面に、第1電極及び第2電極よりも小さい電流が流れる第3電極がさらに形成されており、第1導電部材から絶縁された状態で第1導電部材を貫通しており、第3電極に接続されている配線部材、をさらに有する請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体モジュール。第1電極と接している第1導電部材の表面に対して反対側の表面となる第1導電部材の裏面に、凹部が形成されており、配線部材は、凹部が形成されている位置で第1導電部材を貫通しており、凹部内において凹部の底面に沿って伸びており、凹部内の配線部材が、絶縁体に覆われている、請求項4に記載の半導体モジュール。凹部が形成されていない部分の第1導電部材の裏面と凹部内の絶縁体の表面とが連続する平面を形成している請求項5に記載の半導体モジュール。上述したストレスを低減するために、はんだ等のろう材による接合を用いることなく、半導体装置を配線に接続することが検討されている。例えば、日本国特許公開公報H9-252067号以下、特許文献1というには、半導体装置と各電極板を積層し、これらを加圧することで半導体装置と各電極板とを接続した半導体モジュールが開示されている。しかしながら、この半導体モジュールでは、陽極板が半導体モジュールの下面に配置されており、陰極板が半導体モジュールの上面に配置されている。このため、この半導体モジュールを機器に取り付ける際には、半導体モジュールの上面側すなわち、陰極板側と半導体モジュールの下面側すなわち、陽極板側にそれぞれ配線を接続する必要がある。すなわち、この半導体モジュールを機器に取り付ける際には、複雑な配線が必要となる。したがって、本明細書では、より簡単な配線により機器に取り付けることが可能な半導体モジュールを提供する。本明細書が開示する半導体モジュールは、半導体装置と、第1導電部材と、第2導電部材と、第3導電部材と、絶縁部材を有している。半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に形成されている第1電極と、前記一方の表面と反対の半導体基板の表面に形成されている第2電極を有している。第1導電部材は、第1電極と接している。第2導電部材は、第2電極と接している。第3導電部材は、第2導電部材に接しており、第1導電部材に沿って伸びている。絶縁部材は、第1導電部材と第3導電部材の間を絶縁している。第3導電部材は、第1導電部材と第2導電部材の間に挟まれることによって、第1導電部材と第2導電部材に対して固定されている。半導体装置は、第1導電部材と第2導電部材の間に挟まれることによって、第1導電部材と第2導電部材に対して固定されている。この半導体モジュールでは、第1導電部材と第2導電部材の間に挟まれることによって、半導体装置が第1導電部材と第2導電部材に対して固定されている。すなわち、圧力によって半導体装置が固定されている。この半導体モジュールでは、ろう材による接合を用いていないため、半導体装置の発熱時に、半導体装置にストレスが加わり難い。第1導電部材は、半導体装置の第1電極と導通している。また、第3導電部材は、第2導電部材を介して半導体装置の第2電極と導通している。第3導電部材は、第1導電部材に沿って伸びている。したがって、この半導体モジュールを機器に取り付ける際には、簡単に、第3導電部材及び第1導電部材に対する配線を設けることができる。上述した半導体モジュールは、筒体をさらに有していることが好ましい。筒体は、絶縁体により構成されており、半導体装置を取り囲んでおり、第1導電部材に固定されており、その外周面に第1ネジ溝が形成されていることが好ましい。また、第2導電部材に第2ネジ溝が形成されており、第2ネジ溝が第1ネジ溝に係合していることによって第2導電部材が筒体に固定されていることが好ましい。この半導体モジュールでは、第2導電部材を回転させて第2ネジ溝を第1ネジ溝に係合させることで、第2導電部材を筒体に固定することができる。また、このような構成によれば、第2導電部材を回転させることで、第2導電部材と第1導電部材の間に存在する半導体装置と第3導電部材を加圧して固定することができる。すなわち、第2導電部材を筒体に取り付けることで、第2導電部材、第3導電部材、第1導電部材、及び、半導体装置を互いに固定することができる。したがって、この半導体モジュールは、容易に組み立てることができる。また、第3導電部材が第2導電部材から分離された部材であるので、第3導電部材から独立して第2導電部材を回転させることができる。したがって、容易に、第3導電部材を第1導電部材に対して位置合わせすることができる。上述した半導体モジュールは、前記筒体の外周面に、凹形状または凸形状により構成された第1係合部が形成されていることが好ましい。第3導電部材が貫通孔を有しており、貫通孔の内面に凹形状または凸形状により構成された第2係合部が形成されており、第1係合部が第2係合部と係合する状態で筒体が第3導電部材の貫通孔内に挿入されていることが好ましい。このような構成によれば、第2導電部材を回転させるときに、第3導電部材が第1導電部材に対して相対回転することを防止することができる。したがって、確実に、第3導電部材を第1導電部材に対して位置合わせすることができる。上述した半導体モジュールは、半導体基板の前記一方の表面に、第1電極及び第2電極よりも小さい電流が流れる第3電極がさらに形成されていることが好ましい。また、第1導電部材から絶縁された状態で第1導電部材を貫通しており、第3電極に接続されている配線部材をさらに有していることが好ましい。このような構成によれば、第3電極に接続されている配線部材を、第1導電部材側に引き出すことができる。したがって、第1導電部材に近い位置に、第3電極に対する配線を設けることができる。上述した半導体モジュールにおいては、第1電極と接している第1導電部材の表面に対して反対側の表面となる第1導電部材の裏面に、凹部が形成されていることが好ましい。配線部材は、凹部が形成されている位置で第1導電部材を貫通しており、凹部内において凹部の底面に沿って伸びていることが好ましい。凹部内の配線部材が、絶縁体に覆われていることが好ましい。このような構成によれば、第1導電部材の裏面から配線部材が突出しない。第1導電部材の裏面を他の機器に密着させ易い。このため、この構成によれば、半導体モジュールを、容易に機器に取り付けることができる。上述した半導体モジュールは、凹部が形成されていない部分の第1導電部材の裏面と凹部内の絶縁体の表面とが連続する平面を形成していることが好ましい。このような構成によれば、半導体モジュールを、より容易に機器に取り付けることができる。第1実施例図1に示す半導体モジュール10は、ケース40とカバー50内に半導体装置20を収容したアセンブリである。ケース40は、金属により構成された電極板40aと、絶縁体により構成された絶縁部40bを有している。電極板40aは、略平面状に形成されている。絶縁部40bは、フェノール樹脂等の高強度エンジニアリングプラスチックにより構成されている。絶縁部40bは、電極板40a上に固定されている。図1~3に示すように、絶縁部40bは、筒部40cとフランジ部40dを有している。筒部40cは、電極板40aに対して垂直に中心軸が伸びる円筒形状に形成されている。筒部40cの外周面には、ネジ溝40fが形成されている。ネジ溝40fの下側には、凸部40gが形成されている。図3に示すように、凸部40gは、筒部40cの外周面から部分的に突出している部分である。フランジ部40dは、筒部40cの外周面よりも半径が大きい円板状の部分である。フランジ部40dは、凸部40gの下側に形成されている。電極板40aの一部は、絶縁部40bが固定されている部分から外側に引き出された延出部40hとなっている。電極板40a上には、筒部40cの内側の位置に、金属板84、半導体装置20、金属板82、ピン90が設置されている。金属板84は、電極板40a上に設置されている。金属板84は、すず等の比較的柔らかい金属により構成されている。金属板84上には、半導体装置20が設置されている。半導体装置20は、SiCにより構成された半導体基板24を有している。半導体基板24には、MOSFETが形成されている。半導体基板24の下面には、MOSFETのソース電極26と、MOSFETのゲート電極28の複数個が形成されている。図2の点線26、28は、半導体基板24の下面におけるソース電極26とゲート電極28の位置を示している。図2に示すように、半導体基板24は、正方形である。複数のゲート電極28は、半導体基板24の一辺に沿って配列されている。図1に示すように、半導体基板24の上面には、MOSFETのドレイン電極22が形成されている。半導体装置20は、ソース電極26が金属板84と接触するように、金属板84上に設置されている。各ゲート電極28は、金属板84と接触していない。なお、各ゲート電極28には、ソース電極26及びドレイン電極22よりも小さい電流が流れる。金属板82は、半導体装置20上に設置されている。金属板82は、すず等の比較的柔らかい金属により構成されている。金属板82は、半導体装置20のドレイン電極22と接触している。ケース40の電極板40aには、半導体装置20のゲート電極28と対向する位置に、電極板40aを上面から下面に貫通する貫通孔94が形成されている。貫通孔94は複数のゲート電極28が配列されている方向に沿って伸びている。すなわち、全てのゲート電極28と対向するように、平面視したときに略長方形状を有する1つの貫通孔94が電極板40aに形成されている。貫通孔94内には、絶縁部材92が固定されている。絶縁部材92は、PPSポリフェニレンサルファイド等の樹脂材料により構成されている。貫通孔94は、絶縁部材92により塞がれている。ゲート電極28と対向する位置の絶縁部材92には、金属製のピン90が固定されている。図3に示すように、各ゲート電極28と対向する各位置に、1つずつピン90が固定されている。各ピン90は、絶縁部材92を貫通している。したがって、各ピン90の上端は電極板40aの上側に位置しており、各ピン90の下端は電極板40aの下側に位置している。各ピン90の電極板40aよりも上側の部分90aは、弾性変形するバネ部である。各バネ部90aは、湾曲した状態で対応するゲート電極28と接触している。各ピン90は、絶縁部材92によってケース40の電極板40aから絶縁されている。カバー50は、金属により構成されている。カバー50の外表面には、絶縁塗装が施されている。カバー50は、円筒形状の側壁部50bと、その側壁部50bの中心孔の一端を閉塞する平板部50aとを有している。すなわち、カバー50は、カップ形状を備えている。側壁部50bの内周面には、ネジ溝50cが形成されている。カバー50のネジ溝50cは、ケース40のネジ溝40fに係合している。すなわち、ネジ溝40f、50cを用いて、カバー50がケース40に締結されている。カバー50の平板部50aの下面は、金属板82と接している。すなわち、カバー50の平板部50aとケース40の電極板40aによって、金属板84、半導体装置20、金属板82からなる積層体が挟まれている。カバー50はケース40に対して高いトルクで締結されている。したがって、前記積層体は、平板部50aと電極板40aによって加圧されている。この圧力によって、前記積層体を構成する各部材が固定されている。なお、ケース40の電極板40aと金属板84との接触部分、金属板84と半導体装置20のソース電極26との接触部分、半導体装置20のドレイン電極22と金属板82との接触部分、金属板82とカバー50の平板部50aとの接触部分、及び、ピン90と半導体装置20のゲート電極28との接触部分は、はんだ等のろう材によって接合されていない。したがって、カバー50をケース40から取り外すと、前記積層体の各部材を互いに分離させることができる。また、半導体モジュール10は、バスバー30を有している。バスバー30は、金属により構成されている。バスバー30は、リング部30aと、リング部30aから外側に引き出されているプレート部30bを有している。リング部30aは、プレート部30bよりも薄い。図3に示すように、リング部30aの中心孔30cの内面には、凹部30dが形成されている。リング部30aの中心孔30cには、ケース40の筒部40cが挿入されている。リング部30aの凹部30dには、筒部40cの凸部40gが係合している。プレート部30bは、電極板40aの延出部40hから間隔を空けた状態で、延出部40hと略平行に伸びている。リング部30aの上面は、カバー50の側壁部50bの下端と接している。リング部30aの下面は、ケース40のフランジ部40dと接している。リング部30aは、カバー50とケース40によって上下方向に挟まれている。上記の通り、カバー50はケース40に対して高いトルクで締結されている。したがって、リング部30aは、カバー50とケース40によって加圧されている。この圧力によって、バスバー30がカバー50及びケース40に対して固定されている。バスバー30は、フランジ部40dによって電極板40aから絶縁されている。カバー50の平板部50aの上面には、絶縁シート70が設置されている。絶縁シート70の上面には、冷却器60が設置されている。冷却器60は、液循環式の冷却器である。なお、カバー50と絶縁シート70との接触部分、及び、絶縁シート70と冷却器60の接触部分には、グリースが塗布されている。これによって、冷却器60とカバー50の間における熱抵抗が低減されている。以上に説明したように、この半導体モジュール10では、半導体基板24の下面側に位置するソース電極26に対する配線が、ケース40の電極板40aによって構成されている。また、半導体基板24の上面側に位置するドレイン電極22に対する配線が、バスバー30によって構成されている。バスバー30は、ケース40の側面に接続されており、電極板40aと略平行に伸びている。このように、電極板40aとバスバー30が近くに配置されているので、これらに対する外部の配線を容易に設置することができる。また、このように、電極板40aとバスバー30を互いに接近させるとともに、これらを互いに略平行に配置することで、これらの間のインダクタンスを低減することができる。特に、バスバー30は略平板状の部材であるので、バスバー30と電極板40aの間の間隔を、フランジ部40dの厚みによって正確に制御することができる。このため、この間隔をより小さくすることができる。このため、この半導体モジュール10では、電極板40aとバスバー30の間のインダクタンスが極めて低い。また、ゲート電極28に対する配線であるピン90は、ケース40の電極板40aを貫通して電極板40aの下側に引き出されている。このため、カバー50の上面には、配線が設置されない。カバー50の上面に配線が存在しないので、カバー50の上面全体を絶縁シート70を介して冷却器60に接続することができる。このため、冷却器60で半導体装置20を好適に冷却することができる。また、この半導体モジュール10では、半導体装置20が圧力によって固定されており、半導体装置20と周囲の部材とがろう付け等によって接合されていない。したがって、半導体装置20が発熱することで半導体装置20とその周囲の部材が熱膨張した場合に、半導体装置20にストレスが加わり難い。したがって、この半導体モジュール10は寿命が長い。また、この半導体モジュール10では、カバー50自体がドレイン電極22に対する配線の一部になっている。このため、バスバー30をカバー50に接触させるだけで、バスバー30とドレイン電極22を電気的に接続することができる。仮に、バスバーを、カバー50や電極板40aを貫通してドレイン電極22に接続する構造にした場合には、カバー50や電極板40aに貫通孔を形成する必要があり、半導体モジュールの構造が複雑になるとともに、貫通孔のスペースを確保するために半導体モジュールが大型になる。また、半導体モジュール内の配線が長くなるので、配線のインダクタンスも大きくなる。第1実施例の半導体モジュール10では、このような問題が生じない。したがって、小型で配線のインダクタンスが小さい半導体モジュール10を提供することができる。次に、半導体モジュール10の製造方法について説明する。最初に、ケース40を用意し、筒部40c内の電極板40a上に金属板84を載置する。次に、複数のピン90と絶縁部材92とが一体化した部品を、電極板40aの貫通孔94に設置する。次に、金属板84上に半導体装置20を載置する。このとき、ソース電極26を金属板84に接触させ、各ゲート電極28を対応するピン90に接触させる。次に、半導体装置20上に、金属板82を載置する。次に、リング部30aがフランジ部40d上に載置されるように、ケース40上にバスバー30を設置する。次に、カバー50のネジ溝50cをケース40のネジ溝40fと係合させることで、カバー50をケース40に固定する。カバー50をその中心軸回りに回転させることでカバー50を下側に移動させると、カバー50の平板部50aが金属板82と接触する。また、カバー50の側壁部50bの下端が、バスバー30のリング部30aと接触する。そこから、さらにカバー50を回転させると、カバー50の平板部50aが金属板82を半導体装置20に向かって加圧する。すなわち、カバー50の平板部50aとケース40の電極板40aに挟まれている積層体すなわち、金属板84、半導体装置20、金属板82が、その積層方向に加圧される。これによって、積層体の各部材がケース40及びカバー50に対して固定される。同時に、カバー50の側壁部50bがバスバー30のリング部30aをフランジ部40dに向かって加圧する。すなわち、側壁部50bとフランジ部40dに挟まれているリング部30aが加圧される。これによって、バスバー30が、ケース40及びカバー50に対して固定される。なお、金属板84は、隣接するソース電極26及びケース40の電極板40aよりも柔らかい。このため、積層体が加圧されると、金属板84の上面がソース電極26の表面形状に合わせて塑性変形し、金属板84がソース電極26と密着する。同様に、積層体が加圧されると、金属板84の下面が電極板40aの表面形状に合わせて塑性変形し、金属板84が電極板40aと密着する。これによって、ソース電極26と電極板40aとが確実に電気的に接続される。また、金属板82は、隣接するドレイン電極22及びカバー50よりも柔らかい。このため、積層体が加圧されると、金属板82の下面がドレイン電極22の表面形状に合わせて塑性変形し、金属板82がドレイン電極22と密着する。同様に、積層体が加圧されると、金属板82の上面がカバー50の表面形状に合わせて塑性変形し、金属板82がカバー50と密着する。これによって、ドレイン電極22とカバー50とが確実に電気的に接続される。また、積層体が加圧されると、ピン90のバネ部90aが撓む。これによって、ピン90とゲート電極28との間に適切な圧力が加わり、ピン90とゲート電極28とが確実に電気的に接続される。カバー50をケース40に固定したら、カバー50に、絶縁シート70を介して冷却器60を取り付けることで、図1に示す半導体モジュール10が完成する。この半導体モジュール10では、半導体装置20に対する配線がカバー50を貫通していない。したがって、組立時にカバー50を自由に回転させることができる。したがって、ネジ溝40fとネジ溝50cとを係合させて、カバー50をケース40に取り付けることができる。また、このネジ構造によって、カバー50によって前記積層体とバスバー30を加圧して固定することができる。したがって、この半導体モジュール10は、容易に組み立てることができる。また、この半導体モジュール10では、バスバー30がカバー50とは別の部品により構成されている。また、半導体モジュール10の組立時に、バスバー30のリング部30aの中心孔30cに筒部40cを挿入すると、バスバー30の凹部30dが筒部40cの凸部40gと係合する。これにより、バスバー30がケース40に対して相対回転できなくなる。このため、カバー50を回転させてカバー50をケース40に取り付けるときに、バスバー30とケース40との相対位置が変化しない。これにより、バスバー30とケース40の位置ずれが防止されている。したがって、容易に、バスバー30を、電極板40aの延出部40hと対向する位置に固定することができる。なお、第1実施例の半導体モジュール10では、請求項の各構成要素に対して以下のように対応する。ケース40の電極板40aと金属板84によって、請求項における第1導電部材が構成されている。カバー50と金属板82によって、請求項における第2導電部材が構成されている。バスバー30によって、請求項における第3導電部材が構成されている。ケース40のフランジ部40dによって、請求項における絶縁部材が構成されている。ケース40の筒部40cによって、請求項における筒体が構成されている。なお、第1実施例では、バスバー30に凹部30dが形成されており、筒部40cに凸部40gが形成されており、これらが係合していた。しかしながら、バスバー30に凸部が形成されており、筒部40cに凹部が形成されており、これらが係合していてもよい。また、第1実施例の半導体モジュール10は、金属板84を有していたが、金属板84が存在せず、ソース電極26が直接電極板40aと接触していてもよい。また、第1実施例の半導体モジュール10は、金属板82を有していたが、金属板82が存在せず、ドレイン電極22が直接ケース50aと接触していてもよい。次に、第1実施例の半導体モジュール10を変形した変形例の半導体モジュールについて説明する。なお、変形例の各半導体モジュールに関する以下の説明においては、第1実施例と同じ構成の部材には、第1実施例と同じ参照番号を用いる。第1実施例では、絶縁シート70を介してカバー50が冷却器60に固定されていた。しかしながら、カバー50の表面に絶縁膜が形成されており、その絶縁膜を介してカバー50が冷却器60に固定されていてもよい。また、図4に示すように、カバー50に絶縁性のキャップ72を被せて、キャップ72を介してカバー50を冷却器60に固定してもよい。また、第1実施例では、バスバー30の下に筒部40cと一体化されているフランジ部40dが配置されていた。しかしながら、図5に示すように、バスバー30の下に配置されている絶縁体40iが、筒部40cから分離されていてもよい。この場合、絶縁体40iはリング状の部材であり、バスバー30のリング部30aと重なるように配置されている。絶縁体40iとリング部30aは積層された状態で、ケース40とカバー50の間に挟まれている。ケース40とカバー50によって加圧されることによって、バスバー30と絶縁体40iは固定されている。また、図6に示すように、バスバー30の下面に絶縁層40jが形成された部品96を準備し、この部品96を電極板40a上に設置してもよい。このような構成でも、バスバー30を電極板40aから絶縁することができる。また、図7に示すように、一定の直径を有する粒子を含有する流動性の樹脂98を電極板40a上に塗布し、その樹脂98の上にバスバー30を配置してもよい。この場合でも、樹脂98内の粒子によってバスバー30と電極板40aの間の間隔が確保される。なお、バスバー30を設置した後に、樹脂98を硬化させてもよいし、硬化させなくてもよい。第2実施例次に、図8に示す第2実施例の半導体モジュール100について説明する。なお、第2実施例の半導体モジュール100は、電極板40aとピン90以外については、第1実施例の半導体モジュール10と同じ構成を有している。なお、第2実施例の半導体モジュール100についての以下の説明では、第1実施例の半導体モジュール10を構成する各部材に対応する部材に、第1実施例と同じ参照番号を付している。第2実施例の半導体モジュール100では、電極板40aの下面に凹部140が形成されている。図9は、凹部140近傍の拡大断面図を示している。凹部140の底面140aは、凹部140以外の電極板40aの裏面40eよりも上側に位置している。電極板40aに形成されている貫通孔94は、凹部140の底面140aに開口している。ピン90は、凹部140内で折り曲げられている。凹部140内のピン90は、凹部140の底面140aと略平行に伸びている。凹部140内には、2つの絶縁部材142、144が配置されている。絶縁部材142は、ピン90と電極板40aの間に配置されており、ピン90を電極板40aから絶縁している。絶縁部材144は、ピン90の下側に配置されている。絶縁部材142と絶縁部材144の間に隙間が形成されており、その隙間に沿ってピン90が伸びている。絶縁部材144の表面144aは、平面である。絶縁部材144の表面144aは、凹部140以外の電極板40aの裏面40eと略同じ高さに位置している。したがって、表面144aと裏面40eによって、連続する1つの平面が形成されている。ケース40の下面すなわち、表面144aと裏面40eには、絶縁シート170が設置されている。絶縁シート170の下面には、冷却器160が設置されている。第2実施例の半導体モジュール100では、上面側の冷却器60だけでなく、下面側の冷却器160によっても半導体装置20を冷却することができる。以上に説明したように、第2実施例の半導体モジュール100では、電極板40aを貫通しているピン90を折り曲げて凹部140内に収容している。ピン90は、小電流が流れる配線であるため、その直径は小さい。したがって、容易にピン90を折り曲げることが可能であり、好適にピン90を凹部140内に収容することができる。このようにピン90を凹部140内に収容することで、ケース40の下面表面144aと裏面40eを平坦に形成することができる。ケース40の下面が平坦に形成されているので、ケース40の下面全体を絶縁シート170を介して冷却器160に接続することができる。したがって、冷却器160によって効率的に半導体装置20を冷却することができる。この半導体モジュール100では、2つの冷却器60、160によって、半導体装置20の温度上昇をより抑制することができる。なお、第2実施例の半導体モジュール100は、以下のようにして組み立てることができる。まず、凹部140が形成されている電極板40aを用いて、第1実施例と同様の作業を行う。次に、凹部140内に絶縁部材142を設置する。次に、ピン90を折り曲げる。次に、絶縁部材144の表面144aと電極板40aの裏面40eとが平坦となるように、凹部140内に絶縁部材144を設置する。その後、絶縁シート170と冷却器160を取り付けることで、図8に示す半導体モジュール100が完成する。第3実施例次に、図10に示す第3実施例の半導体モジュール200について説明する。なお、第3実施例の半導体モジュール200は、カバー50とケース40以外については、第1実施例の半導体モジュール10と同じ構成を有している。なお、第3実施例の半導体モジュール200についての以下の説明では、第1実施例の半導体モジュール10を構成する各部材に対応する部材に、第1実施例と同じ参照番号を付している。第3実施例の半導体モジュール200は、ケース40が、筒部を有していない。すなわち、ケース40は、電極板40aと絶縁体40d第1実施例のフランジ部40dに相当する部分により構成されている。第3実施例の半導体モジュール200では、カバー50の側壁部50bの下端に、フランジ部50dが形成されている。カバー50のフランジ部50d、バスバー30、及び、絶縁体40dには、これらを貫通する貫通孔152が形成されている。図示していないが、貫通孔152は、3箇所に形成されている。また、電極板40aには、貫通孔152に対応する3箇所に、ネジ孔154が形成されている。貫通孔152を通して、ネジ孔154にネジ162が締結されている。3つのネジ162によって、カバー50がケース40に固定されている。金属板82、半導体装置20、及び、金属板84は、カバー50とケース40に挟まれて固定されている。また、バスバー30は、カバー50とケース40に挟まれて固定されている。なお、3つのネジ162は、絶縁体により構成されている。したがって、カバー50は電極板40aから絶縁されている。このように、第3実施例の構成でも、ネジ162を締め付けることによる加圧によって、半導体装置20とバスバー30を固定することができる。なお、上述した各実施例では、半導体装置がMOSFETであったが、IGBT、ダイオード等、種々の半導体装置に対して、上述した実施例の構成を適用することができる。また、上述した実施例では、ピン90はゲート電極28に対する配線であった。しかしながら、ピン90は他の配線であってもよい。例えば、半導体装置20に流れる電流を検知するための配線例えば、ソース電極26に流れる電流に対して一定の比率を有する電流が流れる配線であってもよいし、半導体装置20の温度を測定するための配線例えば、半導体装置20の温度によって変化する電流が流れる配線であってもよい。以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。