シリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶引上げの条件設定を支援する装置であって、ユーザにより入力されたシリカガラスルツボを個別に特定可能なルツボ特定情報を取得するルツボ特定情報取得部と、前記ルツボ特定情報によって個別に特定されるシリカガラスルツボの三次元形状の測定データを取得する測定データ取得部と、伝熱計算、流体計算及び構造計算からなる群から選ばれる1種以上の計算が可能な計算エンジンを用いて、前記測定データ通りの三次元形状のシリカガラスルツボを用いてシリコン単結晶の引上げを行った場合の結晶欠陥の発生についてシミュレーションデータを得るシミュレーション部と、前記シミュレーション部が用いる加熱温度、引上げ速度及び回転数を含む引上条件を設定し、当初の引上条件に基づいて得られた前記シミュレーションデータの結晶欠陥の発生率が所定の水準を超えている場合には、前記結晶欠陥の発生率が所定の水準以下となる改善引上条件を設定する引上条件設定部と、前記引上げ条件を出力する出力部と、を備える、装置。請求項1に記載の装置において、前記測定データが、前記シリカガラスルツボの三次元形状に関連付けられた特性値のデータを含み、前記シミュレーション部は、前記測定データ通りの三次元形状及び特性値を有するシリカガラスルツボを用いてシリコン単結晶の引上げを行った場合の結晶欠陥の発生についてシミュレーションデータを得るように構成されている、装置。請求項2に記載の装置において、前記特性値が、気泡含有率、表面粗さ、赤外吸収スペクトル及びラマンスペクトルから選ばれる1種以上の特性値である、装置。請求項1~3のいずれかに記載の装置において、前記測定データが、前記シリカガラスルツボのラウンド部の凹凸のデータを含み、前記引上条件が、前記ラウンド部近辺での引き上げ速度、加熱温度及び回転数のタイムテーブルを含む、装置。請求項1~4のいずれかに記載の装置において、ユーザにより入力された多結晶シリコン原料、引上装置の直径、印加される磁場の強さ、引き上げるシリコン単結晶のサイズ、引き上げるシリコン単結晶の長さ、加熱方式、雰囲気ガスの種類、雰囲気ガスの減圧度、連続引上条件、追加原料チャージ条件及び保管条件からなる群から選ばれる1種以上の追加情報を取得する追加情報取得部をさらに備える、装置。請求項1~5のいずれかに記載の装置において、前出力部が、前記測定データをさらに出力するように構成されている、装置。シリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶引上げの条件設定を支援する装置であって、ユーザにより入力されたシリカガラスルツボを個別に特定可能なルツボ特定情報を取得するルツボ特定情報取得部と、前記ルツボ特定情報によって個別に特定されるシリカガラスルツボの三次元形状の測定データを取得する測定データ取得部と、前記測定データを出力する出力部と、を備える、装置。しかしながら、上記文献記載の従来技術は、シリカガラスルツボ毎の特性に適した単結晶シリコンの引上条件の設定に用いることが困難であった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、シリカガラスルツボ毎の特性に適した単結晶シリコンの引上条件の設定を容易にすることを目的とする。本発明によれば、シリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶引上げの条件設定を支援する装置が提供される。この装置は、ユーザにより入力されたシリカガラスルツボを個別に特定可能なルツボ特定情報を取得するルツボ特定情報取得部と、そのルツボ特定情報によって個別に特定されるシリカガラスルツボの三次元形状の測定データを取得する測定データ取得部と、伝熱計算、流体計算及び構造計算からなる群から選ばれる1種以上の計算が可能な計算エンジンを用いて、その測定データ通りの三次元形状のシリカガラスルツボを用いてシリコン単結晶の引上げを行った場合の結晶欠陥の発生についてシミュレーションデータを得るシミュレーション部と、そのシミュレーション部が用いる加熱温度、引上げ速度及び回転数を含む引上条件を設定し、当初の引上条件に基づいて得られたそのシミュレーションデータの結晶欠陥の発生率が所定の水準を超えている場合には、その結晶欠陥の発生率が所定の水準以下となる改善引上条件を設定する引上条件設定部と、その引上げ条件を出力する出力部と、を備える。この構成によれば、ユーザにより入力されたシリカガラスルツボを個別に特定したうえで、そのシリカガラスルツボの三次元形状の測定データに基づいてシミュレーションを行って、結晶欠陥の発生率が所定の水準以下となる改善引上条件を出力することができる。そのため、ユーザは、シリカガラスルツボ毎の特性に適した単結晶シリコンの引上条件の設定を容易に行うことができる。また、本発明によれば、別のシリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶引上げの条件設定を支援する装置が提供される。この装置は、ユーザにより入力されたシリカガラスルツボを個別に特定可能なルツボ特定情報を取得するルツボ特定情報取得部と、そのルツボ特定情報によって個別に特定されるシリカガラスルツボの三次元形状の測定データを取得する測定データ取得部と、その測定データを出力する出力部と、を備える。この構成によれば、ユーザにより入力されたシリカガラスルツボを個別に特定したうえで、そのシリカガラスルツボの三次元形状の測定データを出力する。そのため、ユーザは、そのシリカガラスルツボの三次元形状の測定データに基づいて、シリカガラスルツボ毎の特性に適した単結晶シリコンの引上条件の設定を容易に行うことができる。本発明によれば、シリカガラスルツボ毎の特性に適した単結晶シリコンの引上条件の設定を容易に行うことができる。<シリカガラスルツボの製造条件の設定を支援する装置>図1は、本実施形態の装置の動作原理を説明するための概念図である。本実施形態では、まず、電源、カーボン電極、カーボンモールド、減圧機構などを備えるシリカガラスルツボの製造装置を用いて、モールド上に積層したシリカ粉別名として、石英粉ともいうを熔融してシリカガラスルツボを製造する。具体的には、回転モールドの内表面に平均粒径300μm程度のシリカ粉を堆積させてシリカ粉層を形成するシリカ粉層形成工程と、モールド側からシリカ粉層を減圧しながら、シリカ粉層をアーク熔融させることによってシリカガラス層を形成するアーク熔融工程によって、シリカガラスルツボを製造する。このとき、アーク熔融工程の初期にはシリカ粉層を強く減圧することによって気泡を除去して透明層を形成し、その後、減圧を弱くすることによって気泡が残留した気泡含有層を形成することによって、内表面側に透明層を有し、外表面側に気泡含有層を有する二層構造のシリカガラスルツボを形成することができる。次いで、後述するロボットアームを用いてこのシリカガラスルツボの三次元形状を測定して、シリカガラスルツボの三次元形状の測定データを得る。その後、ユーザの要求に応じて、このシリカガラスルツボの三次元形状の測定データを提供する。そして、その測定データ通りの三次元形状のシリカガラスルツボを用いてチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げを行った場合の結晶欠陥の発生についてシミュレーションを行って、結晶欠陥の発生率が所定の水準以下となる引上条件を設定する。続いて、その結晶欠陥の発生率が所定の水準以下となる引上条件をユーザに提供する。その結果、ユーザは、シリカガラスルツボ毎の特性に適した単結晶シリコンの引上条件の設定を容易に行うことができる。図2は、本実施形態の装置を用いて得られたシリカガラスルツボの三次元形状の測定データを用いて、ユーザが単結晶シリコンの引上げプロセスにおける多結晶シリコン原料のチャージおよび熔融を適切におこなうことについて説明するための概念図である。シリコン単結晶の引き上げ時には、図2aに示すように、ルツボ11内に多結晶シリコン21を充填し、この状態でルツボ11の周囲に配置されたカーボンヒーターで多結晶シリコンを加熱して熔融させて、図2bに示すように、シリコン融液23を得る。シリコン融液23の体積は、多結晶シリコン21の質量によって定まるので、シリコン融液23の液面23aの高さ位置Hは、多結晶シリコン21の質量とルツボ11の内表面の三次元形状によって決まる。本実施形態によれば、ルツボ11の内表面の三次元形状の測定データが提供されるので、ルツボ11の任意の高さ位置までの容積が特定され、従って、シリコン融液23液面23aの高さ位置Hが決定される。シリコン融液23の初期液面の高さ位置Hが決定された後は、種結晶の先端を高さ位置Hまで下降させてシリコン融液23に接触させ、その後、ゆっくりと引き上げることによって、シリコン単結晶を製造することができる。図3は、本実施形態の装置を用いて得られた引上条件のデータを用いて、ユーザが単結晶シリコンの引上げプロセスにおける加熱温度、引上げ速度及び回転数のフィードバック制御をより緻密におこなうことについて説明するための概念図である。シリコン単結晶の引き上げ時には、ルツボ11内に多結晶シリコンを充填し、この状態でルツボ1の周囲に配置されたカーボンヒーターで多結晶シリコンを加熱して熔融させて、図3aに示すように、シリコン融液23を得る。シリコン融液23の体積は、多結晶シリコン21の質量によって定まるので、シリコン融液23の液面23aの初期の高さ位置H0は、多結晶シリコン21の質量とルツボ11の内表面の三次元形状によって決まる。本実施形態によれば、ルツボ11の内表面の三次元形状の測定データが提供されるので、ルツボ11の任意の高さ位置までの容積が特定され、従って、シリコン融液23液面23aの初期の高さ位置H0が決定される。シリコン融液23の液面23aの初期の高さ位置H0が決定された後は、図3aに示すように、種結晶24の先端を高さ位置H0まで下降させてシリコン融液23に接触させ、その後、本実施形態で提供される加熱温度、引上げ速度及び回転数を含む引上条件に従って、ゆっくりと引き上げることによって、シリコン単結晶25の引き上げを行う。図3bに示すように、シリコン単結晶25の直胴部直径が一定の部位を引き上げているときに、液面23aがルツボ11の側壁部11aに位置している場合には、本実施形態で提供される加熱温度、引上げ速度及び回転数を含む引上条件に従って、一定の速度で引き上げると液面23aの降下速度Vはほぼ一定になるので、引き上げの制御は容易である。しかし、図1cに示すように、液面23aがルツボ11のラウンド部11bに到達すると、液面23aの下降に伴ってその面積が急激に縮小するので、液面23aの降下速度Vが急激に大きくなる。降下速度Vは、ラウンド部11bの内表面形状に依存しているが、この内表面形状がルツボ毎に若干異なっているので、降下速度Vがどのように変化するのかを事前に把握することは困難であり、引き上げの自動化の妨げになっていた。本実施形態では、後述する方法によって、ルツボの内表面の三次元形状を正確に測定するので、ラウンド部11bの内表面形状ラウンド部の凹凸のデータが事前に分かり、従って、降下速度Vがどのように変化するのかを正確に予測することができるので、その予測に基づいて、シリコン単結晶25の引き上げ速度等の引き上げ条件を決定してユーザに提供することによって、ラウンド部11bにおいても有転移化を防止し且つ引き上げを自動化することが可能である。図4は、本実施形態の装置の全体構成を説明するための機能ブロック図である。この製造条件設定支援装置1000には、ユーザにより入力されたシリカガラスルツボを個別に特定可能なルツボ特定情報を取得するルツボ特定情報取得部140が設けられている。このルツボ特定情報取得部140は、ユーザがユーザ端末152で入力したシリカガラスルツボの型式、製造ロット、シリアルナンバーなどのシリカガラスルツボを個別に特定可能な情報をインターネット150および構内LAN118を介して取得してもよい。この製造条件設定支援装置1000には、上記のルツボ特定情報によって個別に特定されるシリカガラスルツボの三次元形状の測定データを取得する測定データ取得部102が設けられている。この測定データ取得部102は、外部のサーバ126に格納されているシリカガラスルツボの三次元形状の測定データを構内LAN118を介して取得してもよい。この製造条件設定支援装置1000には、伝熱計算、流体計算及び構造計算からなる群から選ばれる1種以上の計算が可能な計算エンジンを用いて、上記の測定データ通りの三次元形状のシリカガラスルツボを用いてシリコン単結晶の引上げを行った場合の結晶欠陥の発生についてシミュレーションデータを得るシミュレーション部112が設けられている。この製造条件設定支援装置1000には、上記のシミュレーション部112が用いる加熱温度、引上げ速度及び回転数を含む引上条件を設定し、当初の引上条件に基づいて得られたシミュレーションデータの結晶欠陥の発生率が所定の水準を超えている場合には、結晶欠陥の発生率が所定の水準以下となる改善引上条件を設定する引上条件設定部114が設けられている。この製造条件設定支援装置1000には、上記の引上げ条件を出力する出力部116が設けられている。この出力部116は、シリカガラスルツボの三次元形状の測定データ又はシリコン単結晶の引上条件を構内LAN118およびインターネット150を介してユーザ端末152に出力することができる。図5は、本実施形態の装置のシミュレーション部、および引上条件設定部の詳しい構成を説明するための機能ブロック図である。この図に示すように、上記のシミュレーション部112には、伝熱計算エンジン204、流体計算エンジン206、構造計算エンジン208などを格納する計算エンジン記憶部210が設けられている。そして、このシミュレーション部112には、これらの伝熱計算エンジン204、流体計算エンジン206、構造計算エンジン208を計算エンジン記憶部210から読み込んで、応力解析および熱流体解析などの数値解析を行う解析部202も設けられている。このシミュレーション部112には、伝熱計算、流体計算及び構造計算からなる群から選ばれる1種以上の計算が可能な計算エンジンを用いて、測定データ通りの三次元形状のシリカガラスルツボを用いてシリコン単結晶の引上げを行った場合の結晶欠陥の発生について予測する結晶欠陥予測部106が設けられている。この結晶欠陥予測部106には、伝熱計算、流体計算及び構造計算からなる群から選ばれる1種以上の計算が可能な計算エンジンを用いて、測定データ通りの三次元形状のシリカガラスルツボを用いてシリコン単結晶の引上げを行った場合の結晶構造のシミュレーションを行う結晶構造計算部402が設けられている。また、このシミュレーション部112には、結晶欠陥の発生率が超えてはいけない所定の水準閾値を記憶している閾値記憶部404が設けられている。一方、引上条件設定部114には、シミュレーション部112が用いる加熱温度、引上げ速度及び回転数を含む引上条件をデフォルトの引上条件に設定するデフォルト引上条件設定部310が設けられている。このデフォルト引上条件設定部310は、デフォルト記憶部312からそのシリカガラスルツボの型式の場合に一般的に用いられるデフォルト引上条件を読み出す。また、引上条件設定部114には、当初の引上条件に基づいて得られたシミュレーションデータの結晶欠陥の発生率が閾値記憶部404に格納されている所定の水準閾値を超えている場合には、結晶欠陥の発生率が所定の水準以下となる改善引上条件を設定する改善引上条件設定部308が設けられている。この改善引上条件設定部308には、シミュレーション部112が用いる加熱温度、引上げ速度及び回転数を含む引上条件をそれぞれ設定する加熱温度設定部302、引上速度設定部304、回転数設定部306が設けられている。この改善引上条件設定部308は、デフォルト引上条件では結晶欠陥の発生率が所定の水準を超える場合には、そのシリカガラスルツボの三次元形状の個別の測定データおよび後述の追加情報を考慮に入れた上で、結晶欠陥の発生率が所定の水準以下となる改善引上条件を設定する。ここで、図4に戻ると、この製造条件設定支援装置1000には、ユーザにより入力された多結晶シリコン原料、引上装置の直径又は引上装置のメーカー名、シリーズ名など、印加される磁場の強さ磁場の有無の入力を含む、引き上げるシリコン単結晶のサイズ、引き上げるシリコン単結晶の長さ、加熱方式高周波誘導、カーボンヒータなど、雰囲気ガスの種類アルゴン、窒素、水素ガスなど、雰囲気ガスの減圧度、連続引上条件、追加原料チャージ条件及び保管条件天候条件、保管期間などからなる群から選ばれる1種以上の追加情報を取得する追加情報取得部104がさらに設けられている。なお、天候条件は、保管中のルツボに湿度温度が効いてくるクラックが広がるために重要な情報である。この追加情報取得部104は、ユーザがユーザ端末152で入力したこれらの追加情報をインターネット150および構内LAN118を介して取得してもよい。これらの追加情報を考慮に入れてシミュレーション部112がシリコン単結晶の引上げを行った場合の結晶欠陥の発生について予測する場合には、シミュレーションの精度がさらに向上する。そのために、引上条件設定部114がさらに適切な引上条件を設定することができる。その結果、ユーザは、シリカガラスルツボ毎の特性に適した単結晶シリコンの引上条件の設定をさらに容易に行うことができる。図6は、本実施形態の装置で用いるシリカガラスルツボの測定データのデータ構成について説明するためのデータテーブルである。この図に示すように、ルツボ測定データ取得部102は、後述する測定装置128からこの図に示すようなデータ構造を有する測定データを構内LAN118を介してダイレクトに取得することができる。この測定データでは、それぞれの位置A、位置B、位置C、位置D、位置Eごとに、内側XYZ座標、外側XYZ座標、気泡含有率、FT-IRスペクトル、ラマンスペクトル、表面粗さなどのデータがテーブル形式で記録されている。図7は、本実施形態の装置の動作を説明するためのフローチャートである。最初に、この製造条件設定支援装置1000の電力がオンになり一連の動作が開始される。すると、まず、ルツボ特定情報取得部104が、ユーザがユーザ端末152で入力したシリカガラスルツボの型式、製造ロット、シリアルナンバーなどのシリカガラスルツボを個別に特定可能な情報をインターネット150および構内LAN118を介して取得するS102。すると、測定データ取得部102が、外部のサーバ126に格納されているシリカガラスルツボの三次元形状の測定データを構内LAN118を介して取得するS104。一方、追加情報取得部104が、ユーザがユーザ端末152で入力した結晶シリコン原料、引上装置の直径、印加される磁場の強さ、引き上げるシリコン単結晶のサイズ、引き上げるシリコン単結晶の長さ、加熱方式、雰囲気ガスの種類、雰囲気ガスの減圧度、連続引上条件、追加原料チャージ条件及び保管条件などの追加情報を取得するをインターネット150および構内LAN118を介して取得するS106。その後、シミュレーション部112が、伝熱計算、流体計算及び構造計算からなる群から選ばれる1種以上の計算が可能な計算エンジンを用いて、上記の測定データ通りの三次元形状のシリカガラスルツボを用いてシリコン単結晶の引上げを行った場合の結晶欠陥の発生についてシミュレーションデータを得るS108。そして、引上条件設定部114が、上記のシミュレーション部112が用いる加熱温度、引上げ速度及び回転数を含む引上条件を設定し、当初の引上条件に基づいて得られたシミュレーションデータの結晶欠陥の発生率が所定の水準を超えているかどうか判定するS110。その結果、引上条件設定部114は、結晶欠陥の発生率が所定の水準を超えている場合には、結晶欠陥の発生率が所定の水準以下となる改善引上条件を設定するS112。一方、引上条件設定部114は、結晶欠陥の発生率が所定の水準以下の場合には、その引上条件をそのまま用いる。そして、出力部116が、シリカガラスルツボの三次元形状の測定データ又はシリコン単結晶の引上条件を構内LAN118およびインターネット150を介してユーザ端末152に出力するS114。こうして一連の動作が終了する。<シリカガラスルツボの三次元形状測定装置>以下、図8~図11を用いて、上記の実施形態で用いるシリカガラスルツボの三次元形状の測定データを取得するためのシリカガラスルツボの三次元形状測定方法を説明する。<シリカガラスルツボ>図8は、本実施形態の装置で用いるシリカガラスルツボの測定データをロボットアームおよび測距部を用いて測定する方法について説明するための測定工程図である。測定対象であるシリカガラスルツボ11は、内表面側に透明層13と、外表面側に気泡含有層15を有するものであり、開口部が下向きになるように回転可能な回転台9上に載置されている。シリカガラスルツボ11は、曲率が比較的大きいラウンド部11bと、上面に開口した縁部を有する円筒状の側壁部11aと、直線または曲率が比較的小さい曲線からなるすり鉢状の底部11cを有する。本実施形態において、ラウンド部とは、側壁部11aと底部11cを連接する部分で、ラウンド部の曲線の接線がシリカガラスルツボの側壁部11aと重なる点から、底部11cと共通接線を有する点までの部分のことを意味する。言い換えると、シリカガラスルツボ11の側壁部11aが曲がり始める点が側壁部11aとラウンド部11bの境界である。さらに、ルツボの底の曲率が一定の部分が底部11cであり、ルツボの底の中心からの距離が増したときに曲率が変化し始める点が底部11cとラウンド部11bとの境界である。<内部ロボットアーム、内部測距部>ルツボ11に覆われる位置に設けられた基台1上には、内部ロボットアーム5が設置されている。内部ロボットアーム5は、複数のアーム5aと、これらのアーム5aを回転可能に支持する複数のジョイント5bと、本体部5cを備える。本体部5cには図示しない外部端子が設けられており、外部とのデータ交換が可能になっている。内部ロボットアーム5の先端にはルツボ11の内表面形状の測定を行う内部測距部17が設けられている。内部測距部17は、ルツボ11の内表面に対してレーザー光を照射し、内表面からの反射光を検出することによって内部測距部17からルツボ11の内表面までの距離を測定する。本体部5c内には、ジョイント5b及び内部測距部17の制御を行う制御部が設けられている。制御部は、本体部5c設けられたプログラム又は外部入力信号に基づいてジョイント5bを回転させてアーム5を動かすことによって、内部測距部17を任意の三次元位置に移動させる。具体的には、内部測距部17をルツボ内表面に沿って非接触で移動させる。従って、制御部には、ルツボ内表面の大まかな形状データを与え、そのデータに従って、内部測距部17の位置を移動させる。より具体的には、例えば、図8aに示すようなルツボ11の開口部近傍に近い位置から測定を開始し、図8bに示すように、ルツボ11の底部11cに向かって内部測距部17を移動させ、移動経路上の複数の測定点において測定を行う。測定間隔は、例えば、1~5mmであり、例えば2mmである。測定は、予め内部測距部17内に記憶されたタイミングで行うか、又は外部トリガに従って行う。測定結果は、内部測距部17内の記憶部に格納されて、測定終了後にまとめて本体部5cに送られるか、又は測定の度に、逐次本体部5cに送られるようにする。内部測距部17は、本体部5cとは別に設けられた制御部によって制御するように構成してもよい。ルツボの開口部から底部11cまでの測定が終わると、回転台9を少し回転させ、同様の測定行う。この測定は、底部11cから開口部に向かって行ってもよい。回転台9の回転角は、精度と測定時間との考慮して決定されるが、例えば、2~10度である。回転角が大きすぎると測定精度が十分でなく、小さすぎると測定時間が掛かりすぎる。回転台9の回転は、内蔵プログラム又は外部入力信号に基づいて制御される。回転台9の回転角は、ロータリーエンコーダ等によって検出可能である。回転台9の回転は、内部測距部17及び後述する外部測距部19の移動と連動してすることが好ましく、これによって、内部測距部17及び外部測距部19の三次元座標の算出が容易になる。後述するが、内部測距部17は、内部測距部17から内表面までの距離内表面距離、及び内部測距部17から透明層13と気泡含有層15の界面までの距離界面距離の両方を測定することができる。ジョイント5bの角度はジョイント5bに設けられたロータリーエンコーダ等によって既知であるので、各測定点での内部測距部17の位置の三次元座標及び方向が既知になるので、内表面距離及び界面距離が求まれば、内表面での三次元座標、及び界面での三次元座標が既知となる。そして、ルツボ11の開口部から底部11cまでの測定が、ルツボ11の全周に渡って行われるので、ルツボ11の内表面の三次元形状、及び界面の三次元形状が既知になる。また、内表面と界面の間の距離が既知になるので、透明層13の厚さも既知になり、透明層の厚さの三次元分布が求められる。離が既知になるので、透明層13の厚さも既知になり、透明層の厚さの三次元分布が求められる。<外部ロボットアーム、外部測距部>ルツボ11の外部に設けられた基台3上には、外部ロボットアーム7が設置されている。外部ロボットアーム7は、複数のアーム7aと、これらのアームを回転可能に支持する複数のジョイント7bと、本体部7cを備える。本体部7cには図示しない外部端子が設けられており、外部とのデータ交換が可能になっている。外部ロボットアーム7の先端にはルツボ11の外表面形状の測定を行う外部測距部19が設けられている。外部測距部19は、ルツボ11の外表面に対してレーザー光を照射し、外表面からの反射光を検出することによって外部測距部19からルツボ11の外表面までの距離を測定する。本体部7c内には、ジョイント7b及び外部測距部19の制御を行う制御部が設けられている。制御部は、本体部7c設けられたプログラム又は外部入力信号に基づいてジョイント7bを回転させてアーム7を動かすことによって、外部測距部19を任意の三次元位置に移動させる。具体的には、外部測距部19をルツボ外表面に沿って非接触で移動させる。従って、制御部には、ルツボ外表面の大まかな形状データを与え、そのデータに従って、外部測距部19の位置を移動させる。より具体的には、例えば、図8aに示すようなルツボ11の開口部近傍に近い位置から測定を開始し、図8bに示すように、ルツボ11の底部11cに向かって外部測距部19を移動させ、移動経路上の複数の測定点において測定を行う。測定間隔は、例えば、1~5mmであり、例えば2mmである。測定は、予め外部測距部19内に記憶されたタイミングで行うか、又は外部トリガに従って行う。測定結果は、外部測距分19内の記憶部に格納されて、測定終了後にまとめて本体部7cに送られるか、又は測定の度に、逐次本体部7cに送られるようにする。外部測距部19は、本体部7cとは別に設けられた制御部によって制御するように構成してもよい。内部測距部17と外部測距部19は、同期させて移動させてもよいが、内表面形状の測定と外表面形状の測定は独立して行われるので、必ずしも同期させる必要はない。外部測距部19は、外部測距部19から外表面までの距離外表面距離を測定することができる。ジョイント7bの角度はジョイント7bに設けられたロータリーエンコーダ等によって既知であるので、外部測距部19の位置の三次元座標及び方向が既知になるので、外表面距離が求まれば、外表面での三次元座標が既知となる。そして、ルツボ11の開口部から底部11cまでの測定が、ルツボ11の全周に渡って行われるので、ルツボ11の外表面の三次元形状が既知になる。以上より、ルツボの内表面及び外表面の三次元形状が既知になるので、ルツボの壁厚の三次元分布が求められる。<距離測定の詳細>次に、図9を用いて、内部測距部17及び外部測距部19による距離測定の詳細を説明する。図9に示すように、内部測距部17は、ルツボ11の内表面側透明層13側に配置され、外部測距部19は、ルツボ11の外表面側気泡含有層15側に配置される。内部測距部17は、出射部17a及び検出部17bを備える。外部測距部19は、出射部19a及び検出部19bを備える。また、内部測距部17及び外部測距部19は、図示しない制御部及び外部端子を備える。出射部17a及び19aは、レーザー光を出射するものであり、例えば、半導体レーザーを備えるものである。出射されるレーザー光の波長は、特に限定されないが、例えば、波長600~700nmの赤色レーザー光である。検出部17b及び19bは、例えばCCDで構成され、光が当たった位置に基づいて三角測量法の原理に基づいてターゲットまでの距離が決定される。内部測距部17の出射部17aから出射されたレーザー光は、一部が内表面透明層13の表面で反射し、一部が透明層13と気泡含有層15の界面で反射し、これらの反射光内表面反射光、界面反射光が検出部17bに当たって検出される。図8から明らかなように、内表面反射光と界面反射光は、検出部17bの異なる位置に当たっており、この位置の違いによって、内部測距部17から内表面までの距離内表面距離及び界面までの距離界面距離がそれぞれ決定される。好適な入射角θは、内表面の状態、透明層13の厚さ、気泡含有層15の状態等によって、変化しうるが例えば30~60度である。図10は、市販のレーザー変位計を用いて測定された実際の測定結果を示す。図10に示すように、2つのピークが観察されており、Near側のピークが内表面反射光によるピークであり、Far側のピークが界面反射光によるピークに対応する。このように、透明層13と気泡含有層15の界面からの反射光によるピークもクリアに検出されている。従来は、このような方法で界面の特定がなされたことがなく、この結果は非常に斬新である。内部測距部17から内表面までの距離が遠すぎる場合や、内表面又は界面が局所的に傾いている場合には、2つのピークが観測されない場合がある。その場合には、内部測距部17を内表面に近づけたり、内部測距部17を傾けてレーザー光の出射方向を変化させて、2つのピークが観測される位置及び角度を探索することが好ましい。また、2つのピークが同時に観測されなくても、ある位置及び角度において内表面反射光によるピークを観測し、別の位置及び角度において界面反射光によるピークを観測するようにしてもよい。また、内部測距部17が内表面に接触することを避けるために、最大近接位置を設定しておいて、ピークが観測されない場合でも、その位置よりも内表面に近づけないようにすることが好ましい。また、透明層13中に独立した気泡が存在する場合、この気泡からの反射光を内部測距部17が検出してしまい、透明層13と気泡含有層15の界面を適切に検出できない場合がある。従って、ある測定点Aで測定された界面の位置が前後の測定点で測定された界面の位置から大きく所定の基準値を超えてずれている場合には、測定点Aでのデータを除外してもよい。また、その場合、測定点Aからわずかにずれた位置で再度測定を行って、得られたデータを採用してもよい。また、外部測距部19の出射部19aから出射されたレーザー光は、外表面気泡含有層15の表面で反射し、その反射光外表面反射光が検出部19bに当たって検出され、検出部19b上での検出位置に基づいて外部測距部19と外表面の間の距離が決定される。図11は、市販のレーザー変位計を用いて測定された実際の測定結果を示す。図11に示すように、1つのピークのみが観察される。ピークが観測されない場合には、外部測距部19を内表面に近づけたり、外部測距部19を傾けてレーザー光の出射方向を変化させて、ピークが観測される位置及び角度を探索することが好ましい。本発明者らは、ルツボの性能向上や品質管理を容易にするには、ルツボの内表面の三次元形状や透明層の厚さの三次元分布のデータを取得することが必須であると考えたが、ルツボが透明体であるので、光学的に三次元形状を測定することは困難であった。ルツボ内表面に光を照射して画像を取得し、その画像を解析する方法も試してみたが、この方法では、画像の解析に非常に長い時間がかかるため、ルツボの内表面全体の三次元形状の測定には到底使えるものではなかった。このような状況において、本発明者らは、ルツボの内表面に対して斜め方向からレーザー光を照射したところ、ルツボ内表面からの反射光内表面反射光に加えて、透明層と気泡含有層の界面からの反射光界面反射光も検出が可能であることを見出した。透明層と気泡含有層の界面は、気泡含有率が急激に変化する面であるが、空気とガラスの界面のような明確な界面ではないため、透明層と気泡含有層の界面からの反射光が検出可能であることは驚くべき発見であった。そして、上記の実施形態のシリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶引上げの条件設定を支援する装置は、このようなシリカガラスルツボの三次元形状測定装置の開発があって初めて可能になったものである。<シリカガラスルツボの三次元形状に関連付けられた特性値>上記の測定データは、上記のシリカガラスルツボの三次元形状に関連付けられた特性値のデータを含んでいてもよい。この特性値としては、例えば、気泡含有率、表面粗さ、赤外吸収スペクトルおよびラマンスペクトルから選ばれる1種以上の特性値を好適に用いることができる。これらの気泡含有率、表面粗さ、赤外吸収スペクトルおよびラマンスペクトルから選ばれる1種以上の特性値を考慮に入れてシミュレーション部112がシリコン単結晶の引上げを行った場合の結晶欠陥の発生について予測する場合には、シミュレーションの精度がさらに向上する。そのために、引上条件設定部114がさらに適切な引上条件を設定することができる。その結果、ユーザは、シリカガラスルツボ毎の特性に適した単結晶シリコンの引上条件の設定をさらに容易に行うことができる。<ルツボの気泡分布の三次元分布の決定方法>ルツボの内表面の三次元形状が求まった後は、この三次元形状上の複数の測定点において、各測定点に対応した位置のルツボの壁での気泡分布を測定することによって、気泡分布の三次元分布を決定する。各測定点でのルツボの壁での気泡分布の測定方法は、非接触式であれば特に限定されないが、焦点が合った面からの情報を選択的に取得することができる共焦点顕微鏡を用いれば気泡の位置が明確に分かるクリアな画像が取得できるので、高精度な測定が可能である。また、焦点位置をずらしながら各焦点位置の面において画像を取得して合成することによって気泡の三次元配置が分かり、各気泡のサイズが分かるので、気泡分布を求めることができる。焦点位置を移動させる方法としては、1ルツボを移動させたり、2プローブを移動させたり、3プローブの対物レンズを移動させたりする方法がある。測定点の配置は、特に限定されないが、例えば、ルツボの開口部から底部に向かう方向には5~20mm間隔で配置し、円周方向には例えば10~60度間隔である。具体的な測定は、例えば、共焦点顕微鏡用プローブを内部ロボットアーム5の先端に取り付け、内部測距部17と同様の方法で、非接触で内表面に沿って移動させる。内部測距部17を移動させる際には、内表面の大雑把な三次元形状が分かっているだけで内表面の正確な三次元形状は分かっていなかったので、その大雑把な三次元形状に基づいて内部測距部17を移動させていたが、気泡分布の測定時には、内表面の正確な三次元形状が分かっているので、共焦点顕微鏡用プローブを移動させる際に、内表面とプローブとの距離を高精度に制御することが可能である。共焦点顕微鏡用プローブをルツボの開口部から底部まで移動させ、その移動経路上の複数点で気泡分布を測定した後は、回転台9を回転させて、ルツボ11の別の部位の気泡分布の測定を行う。このような方法でルツボの内表面全体に渡って気泡分布を測定することができ、その測定結果により、ルツボの気泡分布の三次元分布を決定することができる。<ルツボの内表面の表面粗さの三次元分布の決定方法>ルツボの内表面の三次元形状が求まった後は、この三次元形状上の複数の測定点において内表面の表面粗さを測定することによって、その三次元分布を決定する。各測定点での表面粗さの測定方法は、非接触式であれば特に限定されないが、焦点が合った面からの情報を選択的に取得することができる共焦点顕微鏡を用いれば、高精度な測定が可能である。また、共焦点顕微鏡を用いれば、表面の詳細な三次元構造の情報を取得することができるので、この情報を用いて表面粗さを求めることができる。表面粗さには、中心線平均粗さRa、最大高さRmax、十点平均高さRzがあり、これらの何れを採用してもよく、表面の粗さを反映する別のパラメータを採用してもよい。なお、測定点の配置および具体的な測定方法は、上記のルツボの気泡分布の三次元分布の決定方法の場合と同様である。<ルツボの内表面の赤外吸収スペクトルの三次元分布の決定方法>ルツボの内表面の三次元形状が求まった後は、この三次元形状上の複数の測定点において内表面の赤外吸収スペクトルを測定することによって、その三次元分布を決定する。各測定点での赤外吸収スペクトルの測定方法は、非接触式であれば特に限定されないが、内表面に向けて赤外線を照射してその反射光を検出し、照射光のスペクトルと反射光のスペクトルの差分を求めることによって測定することができる。なお、測定点の配置および具体的な測定方法は、上記のルツボの気泡分布の三次元分布の決定方法の場合と同様である。なお、測定点の配置および具体的な測定方法は、上記のルツボの気泡分布の三次元分布の決定方法の場合と同様である。<ルツボの内表面のラマンスペクトルの三次元分布の決定方法>ルツボの内表面の三次元形状が求まった後は、この三次元形状上の複数の測定点において内表面のラマンスペクトルを測定することによって、その三次元分布を決定する。各測定点でのラマンスペクトルの測定方法は、非接触式であれば特に限定されないが、内表面に向けてレーザー光を照射してそのラマン散乱光を検出することによって測定することができる。なお、測定点の配置および具体的な測定方法は、上記のルツボの気泡分布の三次元分布の決定方法の場合と同様である。