"p型のIII族窒化物半導体層を含む積層構造が側面に露出している半導体装置であり、p型のIII族窒化物半導体層の露出側面はへき開面であり、p型のIII族窒化物半導体層よりも表面または裏面に近い側の露出側面が、エッチング面またはダイシング面である半導体装置。p型のIII族窒化物半導体層を含む積層構造を形成する工程と、その積層構造の表面または裏面からp型のIII族窒化物半導体層に達しない深さまでエッチングまたはダイシングする工程と、p型のIII族窒化物半導体層を含む残った厚みをへき開する工程とを備えている半導体装置の製造方法。本発明では、p型のIII族窒化物半導体層を含む積層構造を利用して複数の半導体装置を製造し、その後にp型のIII族窒化物半導体層を含む積層構造を切断して個々の半導体装置に分割するのに際して、p型のIII族窒化物半導体層の切断面がn型化することを防止し、p型のIII族窒化物半導体層の切断面に沿ってリ-ク電流が流れるのを防止する。本発明で創作された半導体装置では、p型のIII族窒化物半導体層を含む積層構造が半導体装置の側面に露出している。本発明で創作された半導体装置では、p型のIII族窒化物半導体層の露出側面はへき開面で形成されており、p型のIII族窒化物半導体層より表面または裏面に近い側の露出側面はエッチング面またはダイシング面で形成されている。前記したように、p型のIII族窒化物半導体層をエッチングまたはダイシングして切断すると、切断することで露出した側面に多数の結晶欠陥が発生し、n型化し、リ-ク電流が流れてしまう。本発明で創作された半導体装置では、p型のIII族窒化物半導体層をへき開して分割することから、多数の結晶欠陥が発生することがない。へき開面はn型化しづらく、リ-ク電流も流れにくい。一方、p型のIII族窒化物半導体層よりも表面または裏面に近い深さでは、エッチングまたはダイシングすることによって、各々の素子に分割する位置が決められている。へき開して分割する際のへき開位置が管理され、所定サイズの半導体装置を量産することができる。本発明では、半導体装置の新たな製造方法をも提案する。この製造方法は、p型のIII族窒化物半導体層を含む積層構造を形成する工程と、その積層構造の表面または裏面からp型のIII族窒化物半導体層に達しない深さまでエッチングまたはダイシングする工程と、p型のIII族窒化物半導体層を含む残った厚みをへき開する工程とを備えている。上記の方法によって、所望の位置においてp型のIII族窒化物半導体層をへき開して個々の半導体装置に分割することが可能となる。III族窒化物半導体の積層構造を利用して半導体装置を量産することが可能となる。本明細書に開示されている技術によると、p型のIII族窒化物半導体層が側面に露出している半導体装置において、その露出側面に沿ってリ-ク電流が流れることを防止できる。GaN等のIII族窒化物半導体を利用すると、高耐圧で低損失なパワ-半導体装置を実現できるのにもにかかわらず、実用化にはいくつかの課題が残されている。その一つの課題がp型のIII族窒化物半導体層を切断して個々の半導体装置に分割すると、露出した側面に沿ってリ-ク電流が流れてしまう問題である。本発明によって、その問題に対処することが可能となり、III族窒化物半導体で半導体装置を実用化する際の問題の一つが解決される。下記で説明する実施例の主要な特長を以下に例示する。特長1表面からエッチングし、裏面からダイシングする。特長2p型のIII族窒化物半導体層よりも表面側または裏面側であって厚みが薄い方をエッチングし、厚みが厚い方をダイシングする。特長3エッチングして形成する溝の幅とダイシングして形成する溝の幅は等しい。特長3一方の主電極が半導体装置の表面に形成されており、他方の主電極が半導体装置の裏面に形成されており、電流が半導体装置の表面と裏面の間を流れる。特長4特長3の縦型の半導体装置であり、中間深さにp型のIII族窒化物半導体層が埋め込まれている。p型のIII族窒化物半導体層は縦型の半導体装置の側面にまで伸びている。p型のIII族窒化物半導体層には開口が形成されており、縦型の半導体装置の表面と裏面の間を流れる電流は開口部を通過する。下記の実施例では、表面からドライエッチングして裏面からダイシングするが、下記の変形例も技術的に有用である特長5p型のIII族窒化物半導体層よりも表面側または裏面側であって厚みが厚い方にのみ、個々の半導体装置に分割する位置に沿ってエッチングまたはダイシングしてp型のIII族窒化物半導体層に届かない溝を形成する。ついでブレーキングする。図1は、n-GaN層4、n--GaN層6、p-GaN層8、AlGaN層10の積層構造1を利用して、複数個の半導体装置を作った状態の断面図を示している。p-GaN層8はn--GaN層6の中間の深さに埋めこめられており、複数の箇所に開口8aが形成されている。図1は、3個のトランジスタ30,32,34が形成された部分の断面を示している。トランジスタ30,32,34は同一構造を備えており、その後に分割することで、一枚の積層構造1から複数個の同一仕様の半導体装置30,32,34が量産される。トランジスタ30,32,34の各々は、ソ-ス電極14a,14bと、ゲ-ト電極16と、ドレイン電極2を備えている。ソ-ス電極14a,14bは、AlGaN層10の表面に形成されている。ソ-ス電極14a,14bが形成されている範囲外のAlGaN層10の表面はSiO2膜12で覆われており、SiO2膜12の表面上にゲ-ト電極16が形成されている。ゲ-ト電極16は、ソ-ス14aと開口8aの間の範囲に対向しており、ソ-ス14bと開口8aの間の範囲に対向している。ドレイン電極2は、開口8aの下方に位置している。図2から図4は、個々のトランジスタ30,32,34に分割するプロセスを示している。p-GaN層8はトランジスタ30の形成範囲からトランジスタ32の形成範囲まで連続して伸びており、トランジスタ30とトランジスタ32に分割するためには、p-GaN層8を左右に分割する必要がある。同様に、p-GaN層8はトランジスタ32の形成範囲からトランジスタ34の形成範囲まで連続して伸びており、トランジスタ32とトランジスタ34に分割するためには、p-GaN層8を左右に分割する必要がある。図2は、積層構造1の表面側からドライエッチングして分割用のトレンチ18を形成した様子を示している。本実施例では、反応性イオンエッチングを採用した。さらに詳しく説明すると、誘導結合型の反応性イオンエッチングを採用した。分割用トレンチ18は、トランジスタ30とトランジスタ32に分割する位置、並びにトランジスタ32とトランジスタ34に分割する位置に形成される。分割用トレンチ18は、SiO2膜12とAlGaN層10を貫通してn--GaN層6に進入し、p-GaN層8の直上にまで達している。ただしp-GaN層8には達していない。図3は、積層構造1の裏面側からダイシングして分割用のトレンチ20を形成した様子を示している。分割用トレンチ20は、分割用トレンチ18と同一位置に形成される。分割用トレンチ20は、n-GaN層4を貫通してn--GaN層6に進入し、p-GaN層8の直下にまで達している。p-GaN層8には達していない。分割用トレンチ18と分割用トレンチ20の間に未加工の厚みが残される。その未加工の厚みのなかに、p-GaN層8が含まれる。図3の状態では、p-GaN層8が未加工の状態で残されている。図4は、図3の状態でブレ-キングした後の断面を示している。積層構造1の全体を湾曲させると、分割用トレンチ18と分割用トレンチ20の間の未加工の厚みが局所的に大きく湾曲してへき開する。参照番号22は、へき開することで形成された間隙を示している。これによって、トランジスタ30とトランジスタ32とトランジスタ34に分割される。図3の状態でブレ-キングすると、分割用トレンチ18と分割用トレンチ20の間の未加工の厚みがへき開する。分割用トレンチ18と分割用トレンチ20を形成しておいてブレーキングするために、半導体装置と半導体装置の境界に沿ってへき開する。半導体装置を破壊する位置でへき開することがない。図4の状態で、トランジスタ30,32,34の側面にp-GaN層8のへき開面が露出する。個々の半導体装置30,32,34の側面に露出するp-GaN層8はへき開面である。実験によって、へき開面に形成される結晶欠陥密度は、ドライエッチング面に形成される結晶欠陥密度あるいはダイシング面に形成される結晶欠陥密度よりも、大幅に低いことが確認されている。すなわち、p-GaN層8をドライエッチングして側面に露出させると、その露出面が多くの結晶欠陥を含むドライエッチング面となることから、リ-ク電流が流れやすい。同様に、p-GaN層8をダイシングして側面に露出させると、その露出面が多くの結晶欠陥を含むダイシング面となることから、リ-ク電流が流れやすい。これに対してp-GaN層8をへき開して側面に露出させると、その露出面はへき開面となり、結晶欠陥が少ないことから、リ-ク電流が流れにくい。図5は、個々の半導体装置に分割されて形成されたトランジスタ32を例示している。トランジスタ32の場合、n--GaN層6の上部に、それよりもエネルギバンド幅が広いAlGaN層10が形成されていることから、両者の界面に2次元電子ガスが現れる。トランジスタ32はノ-マリオン型であり、ゲ-ト電極16に電圧をかけなければ、n--GaN層6とAlGaN層10の界面に存在している電子が、p-GaN層8の開口8aを介してn-GaN層4に流れ、ドレイン電極2に流れる。ゲ-ト電極16に電圧をかけなければ、ソ-ス電極14a,14b一方の主電極からドレイン電極2他方の主電極に電子が流れる。ゲ-ト電極16はソ-ス14aと開口8aの間の範囲に対向していることから、ゲ-ト電極16に負の電圧をかければ、その範囲における電子が消失する。ソ-ス電極14aから開口8aに向けて電子が流れなくなる。同様に、ゲ-ト電極16はソ-ス14bと開口8aの間の範囲に対向していることから、ゲ-ト電極16に負の電圧をかければ、その範囲における電子が消失する。ソ-ス電極14bから開口8aに向けて電子が流れなくなる。ゲ-ト電極16に負の電圧をかければ、一方の主電極から他方の主電極に向けて電子が流れなくなる。ゲ-ト電極16に負の電圧をかけたオフ状態でも、ソ-ス電極14a,14bの直下に位置する界面n--GaN層6とAlGaN層10の界面には、電子が存在している。p-GaN層8の側面トランジスタ30,34と分割する際に露出した面に沿ってリ-ク電流が流れれば、オフ状態でのトランジスタ32の特性が低下する。p-GaN層8の露出側面に沿ってリ-ク電流が流れれば、ゲ-ト電極16の直下を流れる電子がゼロであっても、ソ-ス電極14a,14bとドレイン電極2の間に電流が流れてしまう。実際には、図5のトランジスタ32の側面には保護膜が形成され、p-GaN層8の側面は保護膜によっておおわれる。しかしながら、p-GaN層8の側面に沿ってリ-ク電流が流れるのであれば、その側面を保護膜で覆ってもリ-ク電流が流れるのを阻止できない。本発明で露出するというのは、保護膜で覆う前の状態で露出していることをいい、事後的に保護膜で被覆しても露出面に相当する。p-GaN層8をドライエッチングないしダイシングして個々の半導体装置に分割すると、分割する際に露出したp-GaN層8の側面に沿って多くの結晶欠陥が形成され、リ-ク電流が流れてしまう。本実施例では、p-GaN層8をへき開して個々の半導体装置に分割するために、露出側面に沿って形成される結晶欠陥が少なく、リ-ク電流が流れることを防止することができる。図6は、表面側からドライエッチングして分割用のエッチング溝18aを形成し、裏面側からダイシングして分割用のトレンチ20aを形成することで、個々の半導体装置に分割したときの断面を示している。この方式の場合、ダイシングして形成するトレンチ20aの幅Bよりも幅の広いエッチング溝18aを形成しておく必要がある。それに対して図4の実施例によると、エッチング溝18とダイシング溝20の幅をともにBとすることができる。図6の場合、図4による場合よりも、A-Bの幅分だけ無駄が生じる。図7は、p-GaN層をへき開して個々の半導体装置に分割する方法が有用な第2実施例の半導体装置を例示している。参照符号42はAl2O3層であり、44は応力緩和層であり、46はi-GaN層であり、48はp-GaN層であり、50はAlGaN層であり、52はSiO2層であり、54はドレイン電極であり、56はゲート電極であり、58はソース電極である。図7の場合、Al2O3層42は絶縁体であり、p-GaN層48の露出側面に沿ってリーク電流が流れることが問題とならないように思われるかも知れない。図9は、p-GaN層48の露出側面を横方向厚み方向に直交する方向であり、p-GaN層48が広がっている方向に流れるリーク電流80を例示している。図9に例示する場合からも明らかに、p-GaN層48が絶縁層に隣接している場合でも、p-GaN層48の露出側面に沿って流れるリーク電流を防止する技術が必要とされることがある。表面側から分割用トレンチ18を形成し、裏面側から分割用トレンチ20を形成し、両者の間にp-GaN層48を含む未加工の厚みを残し、その未加工の厚みをへき開して個々の半導体装置に分割すれば、分割した際に露出したp-GaN層48の側面に沿って流れるリーク電流を低減することができる。図8は、p-GaN層をへき開して個々の半導体装置に分割する方法が有用な第3実施例の半導体装置を例示している。参照符号62はSi層であり、64は応力緩和層であり、66はi-GaN層であり、68はp-GaN層であり、70はAlGaN層であり、72はSiO2層であり、74はドレイン電極であり、76はゲート電極であり、78はソース電極である。図8の場合、Si層62は不純物を含んでおり、導体である。この場合も、p-GaN層68の露出側面に沿って流れるリーク電流を防止する技術が必要とされる。表面側から分割用トレンチ18を形成し、裏面側から分割用トレンチ20を形成し、両者の間にp-GaN層68を含む未加工の厚みを残し、その未加工の厚みをへき開して個々の半導体装置に分割すれば、分割した際に露出したp-GaN層68の側面に沿って流れるリーク電流を低減することができる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数の目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。また下記に記載する特許請求の範囲の技術的範囲は、実施例に限定されない。実施例はあくまで実施例を例示するものである。例えば、上記の実施例では、p-GaN層を切断する場合を説明した。切断して側面を露出させると結晶欠陥が多く発生してリーク電流が流れやすくなるのは、p-GaN層に限られない。p-III族窒化物半導体層に一般的に認められる性質である。本発明は、p-III族窒化物半導体層に有用である。また上記の実施例では、p-GaN層8に隣接して半導体層6が配置され、p-GaN層48に隣接して絶縁層42が配置され、p-GaN層68に隣接して導体層62が配置されている。ヘき開するに先立って形成しておくエッチング溝とダイシング溝は、半導体層に形成される場合もあれば、絶縁層に形成される場合もあれば、導体層に形成される場合もある。また、上記の実施例では、表面からエッチングして裏面からダイシングしているが、表面からダイシングして裏面からエッチングしてもよいし、表面と裏面の双方からエッチングしてもよいし、表面と裏面の双方からダイシングしてもよい。また、p-GaN層よりも表面側と裏面側の厚みが相違する場合、厚みが厚い方にだけエッチング溝またはダイシング溝を形成すればよく、厚みが薄い方には溝を形成しないでも、p-GaN層を所望の位置で正確にへき開することができる場合がある。また厚みが厚い方をエッチングし、厚みが薄い方をダイシングすることが有効な場合もある。技術範囲は、これらの方式にも及ぶ。"