"a.ガラス基板1上に100nm~1000nmの層厚さを有するTCOthinconductiveoxide:薄い導電性酸化物層2を堆積させ、b.TCO層2上にAl2O3、SiO2、Si3N4及び/またはその混合物からなり、0.5nm~5nmの平均層厚さを有する不活性トップコーティング3を堆積させ、c.ガラス基板1を550~800°Cで加熱した後、酸でエッチングすることを含み、ただしエッチング前に不活性トップコーティングを除去しない被覆ガラス基板の製造方法。ガラス基板1を少なくとも10容量のO2、好ましくは少なくとも15容量のO2の酸素を含有する雰囲気中で加熱する請求項1に記載の方法。TCO層2及び/または不活性トップコーティング3をPVD物理蒸着またはCVD化学蒸着により、好ましくはスパッタリング、特に好ましくはカソードスパッタリング及びマグネトロンスパッタリングにより堆積させる請求項1または2に記載の方法。TCO層2及び/または不活性トップコーティング3を室温で堆積させる請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。不活性トップコーティング3を1nm~4nmの層厚さで堆積させる請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。エッチングを無機及び/または有機酸、好ましくはHF、H2SiF6、SiO2mnH2O、HCl、H2SO4、H3PO4、HNO3、CF3COOH、CCl3COOH、HCOOH及び/またはCH3COOHを用いて実施する請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。被覆ガラス基板であって、少なくともa.ガラス基板1、b.ガラス基板1上の100nm~1000nmの層厚さを有するTCO層2、c.TCO層2上のAl2O3、SiO2、Si3N4及び/またはその混合物からなり、0.5nm~5nmの平均層厚さを有する不活性トップコーティング3を含む該被覆ガラス基板。TCO層2はスズをドープした酸化インジウムITO、アルミニウムをドープした酸化亜鉛AZO、フッ素をドープした酸化スズFTO,SnO2:F、アンチモンをドープした酸化スズATO,SnO2:Sb及び/またはその混合物または合金からなる請求項7に記載の被覆基板。不活性トップコーティング3は1nm~4nmの平均層厚さを有する請求項7または8に記載の被覆基板。不活性トップコーティング3はTCO層2の表面の20~80を被覆している請求項7~9のいずれか1項に記載の被覆基板。ガラス基板1は板ガラスフロートガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス及び/またはその複合物からなる請求項7~10のいずれか1項に記載の被覆基板。TCO層2は<20Ω/sq.、好ましくは<15Ω/sq.、特に好ましく<10Ω/sq.のシート抵抗を有する請求項7~11のいずれか1項に記載の被覆基板。請求項7~12のいずれか1項に記載の被覆基板の太陽電池、エレクトロクロミックグレージング及び/またはディスプレイ、好ましくは薄膜太陽電池における使用。本発明の目的は、低温での規定のTCO堆積透明導電性酸化物及び導電性を実質的に低下させることなくその後のTCO表面構造化を与えるTCO被覆基板の製造方法を提供することである。本発明の目的は、独立請求項1の被覆反射低下基板の製造方法により本発明に従って達成される。好ましい実施形態は従属請求項から明らかになる。本発明の目的は、更に他の請求項に記載の被覆基板及びその使用により達成される。本発明の被覆基板の製造方法は、第1ステップにガラス基板上に100nm~1000nmの層厚さを有するTCO層を堆積させることを含む。TCO層をガラス基板上にCVD化学蒸着、CLD化学液体堆積及び/またはPVD物理蒸着により適用することが好ましい。TCO層をガラス基板上にスパッタリング及び/またはマグネトロンスパッタリングにより適用することが特に好ましい。適用を好ましくは室温で実施し、コーティングプロセスを除いてガラス基板を更に加熱しないことが好ましい。第2ステップでは、化合物Al2O3、SiO2、Si3N4及び/またはその混合物の少なくとも1つを含む0.5nm~5nmの平均層厚さを有する不活性トップコーティングを堆積させる。上記したように、堆積をスパッタリングにより行うことが好ましい。不活性トップコーティングは表面上に分布されている結晶化中心から出発して形成される。これらの結晶化中心は不活性トップコーティングの局部クラスターから形成される。局部クラスターから出発して、不活性トップコーティングはTCO層上で成長する。不活性トップコーティングは0.5nm~5nmの平均層厚さでしか適用されていないので、不活性トップコーティングはTCO層の全体に均一に分布されず、代わりに0.5nm~5nmの層厚さを有する領域、及び不活性トップコーティングがないかまたは0.5nm未満の不活性トップコーティングしか有していないクラスターの外側の領域が形成される。次のステップでは、被覆基板を550~800°Cで加熱及び/または焼戻しし、次いで酸を用いてエッチングする。エッチングは噴霧及び/または浸漬により行う。基板を酸中に完全に浸漬させることが好ましい。エッチング前に不活性トップコーティングを除去しない。加熱及び/または焼戻しを好ましくは30~240秒間行う。本発明に関連して、用語焼戻しは一定温度での加熱または保持を意味する。好ましくは、加熱を少なくとも10容量のO2、好ましくは少なくとも15容量のO2の酸素を含有する雰囲気中で行う。TCO層及び/または不活性トップコーティングの堆積を好ましくはPVD物理蒸着またはCVD化学蒸着により、特に好ましくはスパッタリングにより、とりわけ好ましくはカソードスパッタリング及び/またはマグネトロンスパッタリングにより行う。堆積を室温で行うことが好ましい。不活性トップコーティングを好ましくは1nm~4nmの層厚さで堆積させる。エッチングを好ましくは無機及び/または無機酸、特に好ましくはHF、H2SiF6、SiO2mnH2O、HCl、H2SO4、H3PO4、HNO3、CF3COOH、CCl3COOH、HCOOH、CH3COOH及び/またはその混合物を用いて行う。本発明は更に被覆基板を含む。被覆基板は好ましくはガラスまたはポリマーからなる。この基板の上に100nm~1000nmの層厚さを有するTCO層が適用されている。ガラス基板とTCO層の間にSi3N4、SiO2及び/またはAl2O3からなる30mm~100mmの厚さを有する拡散バリヤ層を適用することが好ましい。TCO層は、Al2O3、SiO2、Si3N4及びその混合物を含有する0.5mm~5mmの厚さの不活性コーティング層を基板から引き離す側に設けられている。不活性トップコーティングがTCO層の表面の20~80を被覆していることが好ましい。本発明に関連して、用語被覆は≧0.5nmの層厚さを有する不活性トップコートの領域を指す。不活性トップコーティングは、TCO層を製造中酸化から保護すると同時に、TCO層の表面上の不活性トップコーティングを有する領域と不活性トップコーティングのない領域の連続により反射防止層として作用する。好ましくは、TCO層はスズをドープした酸化インジウムITO、アルミニウムをドープした酸化亜鉛AZO、フッ素をドープした酸化スズFTO,SnO2:F、アンチモンをドープした酸化スズATO,SnO2:Sb、アルミニウム、亜鉛、インジウム、ガリウム、銀、金、スズ、タングステン、銅、カドミウム、ニオブ、ストロンチウム、ケイ素、亜鉛[sic]、セレン、及び/またはその混合物または合金を含有している。不活性トップコーティングは、好ましくは2nm~4nmの平均層厚さを有する。不活性トップコーティングは、好ましくはケイ素、炭素、ゲルマニウム、Si3N4及び/またはその混合物を含有する。基板は、好ましくは板ガラスフロートガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス及び/またはその複合物を含む。TCO層は、好ましくは<20Ω/sq.、好ましくは<15Ω/sq.、特に好ましく<10Ω/sq.のシート抵抗を有する。本発明は、更に被覆基板の太陽電池及び/またはディスプレイ、好ましくは薄膜太陽電池における高い光学透明性及び導電性を有する接触電極としての使用を含む。以下、本発明を図面、並びに実施例及び比較例を参照しながら詳細に説明する。図面は単に概略図であり、正確な縮尺でない。図面は本発明を決して限定しない。図1は、従来技術の被覆基板の断面を示す。TCO層2はガラスまたはポリマーからなる基板1上に位置している。TCO層2は不活性トップコーティング3により被覆されている。図2は、本発明の基板の断面を示す。TCO層2はガラスまたはポリマーからなる基板1上に位置している。TCO層2は閉鎖されていない不活性トップコーティング3により被覆されている。不活性トップコーティングがないかまたは非常に薄い領域4は酸または塩基でのエッチング手順を受けやすく、不活性トップコーティング3と共に反射防止層として作用する。以下、本発明を実施例及び比較例を参照しながら詳細に説明する。本発明の被覆ガラス基板A及び従来技術のガラス基板Bを製造した。堆積は、例えばUS2007/0029186A1に記載されているようにスパッタリングにより行った。本発明の被覆したガラス基板Aは以下の層構造:ガラス3mm/1/Si3N450mm/拡散バリヤ層/アルミニウムをドープした酸化亜鉛1000nm2/Si3N43を有していた。従来技術のガラス基板Bは以下の層構造:ガラス3mm/1/Si3N450mm/アルミニウムをドープした酸化亜鉛1000nm2を有していた。ガラス基板AとBの両方を空気中650°Cで75秒間加熱した。次いで、冷却したガラス基板AとBを0.5重量HCl中に75秒間浸漬し、蒸留水で濯いだ。ガラス基板AとBの両方について、加熱及び酸処理前のシート抵抗Rv、加熱及び酸処理後のシート抵抗RNを測定し、酸処理後の吸光値及び曇り値を測定した。結果を表1に示す。表1から、加熱及び酸処理後のシート抵抗RNが従来技術のガラス基板Bでは14低下したのに比して、本発明のガラス基板Aでは57と明らかに低下することが認められ得る。TCOコーティングの吸光値及び曇り値が本発明のより薄い不活性トップコーティングにより劣化していないようにこれらの値は実質的に一定のままである。代わりに、本発明の被覆ガラス基板の製造方法によると、シート抵抗を明らかに低下させる。これらの結果は驚くことであり、自明でなかった。"