金属基板上に少なくともアノード側電極、電解質、カソード側電極が積層された金属支持型電解質電極接合体であって、前記金属基板は、気孔率が20~40である多孔質体であり、且つ前記アノード側電極に臨む側の端面に開気孔が形成され、前記アノード側電極は、前記開気孔を充填するとともに、その厚みが10~30μmに設定され、前記金属基板の熱膨張係数と、前記アノード側電極の熱膨張係数との差が5ppm/°C以内であることを特徴とする金属支持型電解質電極接合体。請求項1記載の接合体において、前記アノード側電極は、気孔率が10~40、平均気孔径が3~20μmの範囲内であることを特徴とする金属支持型電解質電極接合体。請求項1又は2記載の接合体において、前記アノード側電極は、酸化ニッケルとジルコニアとを含むサーメットからなることを特徴とする金属支持型電解質電極接合体。請求項1~3のいずれか1項に記載の接合体において、前記電解質の厚みが1~8μmであることを特徴とする金属支持型電解質電極接合体。請求項1~4のいずれか1項に記載の接合体において、前記カソード側電極の厚みが1~30μmであることを特徴とする金属支持型電解質電極接合体。金属基板上に少なくともアノード側電極、電解質、カソード側電極を積層して金属支持型電解質電極接合体を得る金属支持型電解質電極接合体の製造方法であって、気孔率が20~40である多孔質体からなる金属基板における開気孔が形成された一端面に、その熱膨張係数と前記金属基板の熱膨張係数との差が5ppm/°C以内である物質のペーストを、該ペーストをアノード側電極とした際に10~30μmとなる厚みでスクリーン印刷によって塗布するとともに、該ペーストで前記金属基板の前記開気孔を充填する工程と、前記ペーストを前記金属基板の前記一端面ごと、25~100°C/秒の昇温速度で少なくとも1000°Cまで昇温することで選択的に加熱を行い、厚みが10~30μmであり且つ前記金属基板の前記開気孔を充填したアノード側電極を前記ペーストから得る工程と、前記アノード側電極上に、少なくとも、電解質と、カソード側電極とを設ける工程と、を有することを特徴とする金属支持型電解質電極接合体の製造方法。請求項6記載の製造方法において、前記金属基板の残余の一端面側に遮熱板を配設することで該残余の一端面側が加熱されることを抑制することによって、前記ペーストを選択的に加熱することを特徴とする金属支持型電解質電極接合体の製造方法。請求項7記載の製造方法において、前記遮熱板としてセラミックスからなるものを用いることを特徴とする金属支持型電解質電極接合体の製造方法。請求項6~8のいずれか1項に記載の製造方法において、前記アノード側電極を、気孔率が10~40、平均気孔径が3~20μmの範囲内のものとして得ることを特徴とする金属支持型電解質電極接合体の製造方法。請求項6~9のいずれか1項に記載の製造方法において、前記ペーストとして酸化ニッケルとジルコニアとを含むものを用い、前記アノード側電極として酸化ニッケルとジルコニアとを含むサーメットからなるものを形成することを特徴とする金属支持型電解質電極接合体の製造方法。請求項6~10のいずれか1項に記載の製造方法において、1000°C以上に昇温することを特徴とする金属支持型電解質電極接合体の製造方法。請求項6~11のいずれか1項に記載の製造方法において、昇温が終了した後に温度保持を行うことなく降温するか、又は、40秒~30分の温度保持を行った後に降温することを特徴とする金属支持型電解質電極接合体の製造方法。請求項6~12のいずれか1項に記載の製造方法において、赤外線を用いて前記加熱を行うことを特徴とする金属支持型電解質電極接合体の製造方法。請求項6~13のいずれか1項に記載の製造方法において、前記電解質をイオンプレーティングによって厚みが1~8μmのものとして形成することを特徴とする金属支持型電解質電極接合体の製造方法。請求項6~14のいずれか1項に記載の製造方法において、前記カソード側電極をスパッタリング、化学気相成長法、又はスクリーン印刷によって厚みが1~30μmのものとして形成することを特徴とする金属支持型電解質電極接合体の製造方法。溶射による成膜では、固体電解質及び両電極の厚みを十分に小さくすることが容易ではない。そして、固体電解質の厚みが大きくなるとIR損が大きくなり、電極の厚みが大きくなると、燃料電池の運転時の酸化還元に伴う膨張収縮によって割れが発生し易くなる。また、得られた膜の表面の面粗度が大きいので、例えば、金属基板上にアノード側電極を溶射で形成すると、このアノード側電極の上端面が複雑に陥没隆起する。このようなアノード側電極上に厚みが小さな固体電解質を形成すると、固体電解質が前記陥没に進入するので、固体電解質の上端面に陥没が転写されることになる。このような事態が生じると、固体電解質の上端面の一部が陥没しているので、アノード側電極とカソード側電極とが接触して開回路起電圧が低下する。その結果、単位セルの発電特性が低下してしまう。このような不具合を回避するには、固体電解質の厚みを大きくすればよい。しかしながら、この場合、電解質のIR損が大きくなり、起電力が低下する。以上から諒解されるように、MSCを得るに際しては、セラミックス層が金属基板から剥離することを防止することや、電解質電極接合体の小型化を図ることが困難であるという不具合がある。本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、電極が金属基板に対して良好に接合し、しかも、厚み方向寸法を小さく設定することが可能な電解質電極接合体及びその製造方法を提供することを目的とする。前記の目的を達成するために、本発明は、金属基板上に少なくともアノード側電極、電解質、カソード側電極が積層された金属支持型電解質電極接合体であって、前記金属基板は、気孔率が20~40である多孔質体であり、且つ前記アノード側電極に臨む側の端面に開気孔が形成され、前記アノード側電極は、前記開気孔を充填するとともに、その厚みが10~30μmに設定され、前記金属基板の熱膨張係数と、前記アノード側電極の熱膨張係数との差が5ppm/°C以内であることを特徴とする。この構成においては、アノード側電極の厚みが小さい。従って、金属支持型電解質電極接合体の厚み方向寸法を小さく設定することが可能である。さらに、酸化還元に伴って膨張収縮がときに割れが生じ難い。また、金属基板の熱膨張係数と、アノード側電極の熱膨張係数との差が5ppm/°C以内である。このため、アノード側電極が金属基板から剥離し難い。換言すれば、金属基板に対するアノード側電極の接合力が十分に確保される。アノード側電極は、気孔率が10~40、平均気孔径が3~20μmの範囲内であるものが好適である。この場合には、上端面に開気孔陥没が存在したとしても開口径が小さいので、該上端面を略平坦面として近似し得る。従って、この上端面上に形成される電解質の上端面に陥没が転写されることが回避され、その結果、電解質とカソード側電極の接触面積が大きくなる。これにより、酸化物イオンの伝導経路が確保される。アノード側電極の材質としては、燃料電池のアノード側電極として一般的に採用されている物質を採用すればよいが、その好適な具体例としては、酸化ニッケルとジルコニアとを含むサーメットを挙げることができる。なお、電解質及びカソード側電極の各厚みは、例えば、1~8μm、1~30μmに設定することができる。以上のように、本発明においては、アノード側電極、電解質及びカソード側電極の各厚みを小さく設定することができるので、金属支持型電解質電極接合体の厚み方向寸法を小さくすること、すなわち、小型化を図ることが容易である。また、本発明は、金属基板上に少なくともアノード側電極、電解質、カソード側電極を積層して金属支持型電解質電極接合体を得る金属支持型電解質電極接合体の製造方法であって、気孔率が20~40である多孔質体からなる金属基板における開気孔が形成された一端面に、その熱膨張係数と前記金属基板の熱膨張係数との差が5ppm/°C以内である物質のペーストを、該ペーストをアノード側電極とした際に10~30μmとなる厚みでスクリーン印刷によって塗布するとともに、該ペーストで前記金属基板の前記開気孔を充填する工程と、前記ペーストを前記金属基板の前記一端面ごと、25~100°C/秒の昇温速度で少なくとも1000°Cまで昇温することで選択的に加熱を行い、厚みが10~30μmであり且つ前記金属基板の前記開気孔を充填したアノード側電極を前記ペーストから得る工程と、前記アノード側電極上に、少なくとも、電解質と、カソード側電極とを設ける工程と、を有することを特徴とする。熱膨張係数の差、及び昇温速度を上記の範囲に設定するとともに、ペーストを選択的に加熱することにより、金属基板が酸化したり、アノード側電極が金属基板から剥離したりすることを回避することができる。また、スクリーン印刷を採用することにより、厚みが小さく且つ上端面が平坦なアノード側電極を容易に形成することが可能となる。従って、金属支持型電解質電極接合体、ひいては燃料電池の小型化を図ることができる。なお、ペーストを選択的に加熱する一手法としては、金属基板の残余の一端面ペーストが塗布されていない端面側に遮熱板を配設することが挙げられる。この場合、遮熱板が熱を遮断するので、残余の一端面側に熱が伝達されること、換言すれば、加熱されることが抑制される。遮熱板としては、熱伝導度が小さいものが選定される。そのようなものの好適な例としては、コーディエライト等のセラミックスが挙げられる。なお、上記したように、アノード側電極は、気孔率が10~40、平均気孔径が3~20μmの範囲内のものとして得ることが好ましい。また、アノード側電極として酸化ニッケルとジルコニアとを含むサーメットからなるものを形成する場合、酸化ニッケルとジルコニアとを含むペーストを用いてスクリーン印刷を行うようにすればよい。ここで、最終的な到達温度は、1000°C以上であることが好ましい。1000°C未満であると、ペースト中の成分の焼結を進行させることが容易ではないからである。到達温度に達した後、すなわち、昇温が終了した後は、温度保持を行う必要は特にない。上記の昇温の過程でペースト中の成分が十分に焼結するからである。上記したような急速な昇温を行うためには、例えば、赤外線加熱を採用すればよい。また、電解質を形成する手法としては、イオンプレーティングや、パルスレーザデポジションPLD等を採用することができる。この場合、金属基板及びアノード側電極の積層物を加熱する必要がないので、電解質を形成する過程でアノード側電極が金属基板から剥離する懸念を払拭し得る。また、イオンプレーティングによれば、厚みが1~8μmと小さい電解質を容易に、しかも、緻密なものとして形成することが可能である。一方、カソード側電極を形成する手法としては、スパッタリングや、化学的気相成長CVD法等を採用することができる。この場合も金属基板、アノード側電極及び電解質の積層物を加熱する必要がないので、カソード側電極を形成する過程でアノード側電極が金属基板から剥離する懸念を払拭し得る。本発明によれば、アノード側電極の厚みを小さく設定しているので、金属支持型電解質電極接合体の厚み方向寸法を小さく設定すること、ひいては燃料電池の小型化を図ることができる。また、金属基板の熱膨張係数と、アノード側電極の熱膨張係数との差を5ppm/°C以内としているため、アノード側電極が金属基板から剥離し難くなる。すなわち、アノード側電極が金属基板に対して良好に接合する。以下、本発明に係る金属支持型電解質電極接合体及びその製造方法につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施の形態に係る金属支持型電解質電極接合体MSC10の概略全体縦断面説明図である。このMSC10は、金属基板12上に電解質電極接合体14が積層されることで構成されている。勿論、電解質電極接合体14は、アノード側電極16と、カソード側電極18と、両電極16、18の間に介装された固体電解質20とを有する。金属基板12は、気孔率が20~40である多孔質体として形成される。このため、燃料ガスを、該金属基板12を通過させた上で、アノード側電極16に供給することが可能である。気孔率が20未満であると、燃料ガスが拡散することが容易でなくなる。また、気孔率が40を超えるものでは、十分な強度を得ることが容易ではない。多孔質体としての金属基板12は、例えば、いわゆる焼結金属から構成することができる。なお、金属としては、その熱膨張係数と、アノード側電極16の熱膨張係数との差が5ppm/°C以内となる物質が選定される。さらに、耐酸化性に優れ且つ融点が高いものを選定することが好ましい。固体酸化物型燃料電池のアノード側電極16は、例えば、Niとイットリア安定化ジルコニアYSZとのサーメットからなるが、この場合、金属の好適な具体例としては、ステンレス鋼の1種であるSUS430や、ニッケル基合金の1種であるハステロイXが挙げられる。金属基板12が多孔質体であるため、図2に示すように、アノード側電極16に臨む側の端面上端面に開気孔22が存在する。この開気孔22により、上端面に陥没が形成される。すなわち、金属基板12の上端面は平坦ではなく、その面粗度は大きい。この金属基板12上のアノード側電極16は、その下端部で開気孔22を充填している。また、上端面には大きな陥没や隆起等が存在しない。すなわち、上端面は略平坦面である。また、アノード側電極16の厚みは、10~30μmの範囲内に設定される。すなわち、前記特許文献1記載の技術における燃料極アノード側電極16の厚みが80μm、最大では100μmに達するのに対し、本実施の形態では、アノード側電極16の厚みが最大でも30μmと小さい。このように下端部が金属基板12の陥没開気孔22を充填しているにも関わらず上端面が略平坦であり、且つ厚みが小さなアノード側電極16は、後述するように、ペーストをスクリーン印刷にて金属基板12上に塗布した後、焼成処理を施すことで得ることができる。さらに、アノード側電極16は、還元前燃料電池の初回の運転前の気孔率が10~40、平均気孔径が3~20μmの範囲内のものとして形成されることが好ましい。気孔率がこのような範囲にあるアノード側電極16では、燃料ガスが容易に拡散する。従って、電極反応が円滑に進行する。また、平均気孔径が上記した範囲内であると、上端面に開気孔22が存在したとしても、その孔径が小さい。このため、上端面に大きな陥没が形成されることが回避される。アノード側電極16の材質としては、固体酸化物型燃料電池において一般的に採用されているものを選定すればよい。その代表的なものとして、上記したNi-YSZサーメットが挙げられる。又は、Niとスカンジア安定化ジルコニアSSZとのサーメット、NiとイットリウムドープセリアYDCとのサーメット、NiとサマリウムドープセリアSDCとのサーメット、NiとガドリニウムドープセリアGDCとのサーメット等であってもよい。金属基板12の材質を選定するに際しては、アノード側電極16の材質を先ず選定し、該アノード側電極16の材質の熱膨張係数との差が5ppm/°Cであるものを採用すればよい。以上のように構成されるアノード側電極16上には、固体電解質20図1参照が積層される。この固体電解質20は、カソード側電極18で生成した酸化物イオンO2をアノード側電極16に伝導する役割を担う。従って、固体電解質20の材質としては、酸化物イオンを伝導させることが可能であるものが選定される。具体的には、YSZやSSZ等が例示される。固体電解質20の厚みは、1~8μm程度で十分である。このように固体電解質20の厚みを小さくしても、アノード側電極16の上端面が平坦であるので、固体電解質20の下端部がアノード側電極16に埋入することはない。このため、固体電解質20の上端面に陥没が形成されることが回避されるとともに、カソード側電極18との接触面積を大きくすることができる。より好ましい固体電解質20の厚みは、3~5μmである。固体電解質20上にカソード側電極18を直接積層してもよいが、固体電解質20とカソード側電極18との間で相互拡散が生じると、高抵抗の反応生成物層が形成されてしまう。このような不具合を回避するべく、本実施の形態においては、拡散防止層として機能する中間層24を形成している。このような機能を営む中間層24の材質の好適な例としては、セリア系酸化物が挙げられる。一層具体的には、Sm2O3ドープCeO2SDC、Y2O3ドープCeO2YDC、Gd2O3ドープCeO2GDC、La2O3ドープCeO2LDC等が例示される。また、中間層24を拡散防止層として機能させるには、0.5~2μm程度の厚みで十分である。この中間層24上には、カソード側電極18が積層される。該カソード側電極18の好適な材質としては、La-Co-O系ペロブスカイト型酸化物、La-Sr-Co-OLSC系ペロブスカイト型酸化物、La-Sr-Co-Fe-OLSCF系ペロブスカイト型酸化物、Ba-Sr-Co-Fe-O系ペロブスカイト型酸化物の群中から選択されるいずれか1種や、これらのペロブスカイト型酸化物中の1種に対して酸化物イオン伝導体を混合した混合物等を挙げることができる。なお、酸化物イオン伝導体の具体例としては、上記したSDC、YDC、GDC、LDC等が挙げられる。カソード側電極18の厚みは、最大でも1~30μm程度に設定することができる。以上のように、本実施の形態に係るMSC10では、電解質電極接合体14を構成するアノード側電極16、固体電解質20、中間層24及びカソード側電極18の厚みを小さくすることができる。従って、電解質電極接合体14のIR損を小さくすることができるとともに、固体酸化物型燃料電池の運転時における酸化還元に伴う膨張収縮によって割れが発生することを回避することができる。このMSC10は、図3に示すフローに従って、以下のようにして製造することができる。はじめに、金属基板12を準備する。なお、上記したように、アノード側電極16の材質を先ず選定し、この材質の熱膨張係数との差が5ppm/°Cである金属からなる基板を選定する。例えば、アノード側電極16が50NiO-50YSZのサーメット数字は体積であり、この場合、50体積のNiOと50体積のYSZのサーメットであることを表す。以下同じからなる場合、30~700°Cにおける熱膨張係数は11.9ppm/Kである。従って、この場合には、30~700°Cにおける熱膨張係数が6.9~16.9ppm/Kである金属からなる基板を選定すればよい。このような金属の具体例としては、30~700°Cにおける熱膨張係数が12.4ppm/KであるSUS430、15.8ppm/KであるハステロイXを挙げることができる。なお、SUS430又はハステロイXからなり、気孔率が20~40である基板は市販されており、容易に入手し得る。その一方で、アノード側電極16となるペースト、例えば、50NiO-50YSZのペーストを調製する。すなわち、50NiO-50YSZを適切な溶媒に分散させるとともに、粘度等を調節する。次に、図3にS1として示すように、前記ペーストをスクリーン印刷によって金属基板12上に塗布する。周知のように、ペーストは容易に流動する。従って、ペーストは、金属基板12の上端面の陥没開気孔22を充填し、これにより、金属基板12の上端面を平坦化する。また、スクリーン印刷を行った場合、ペーストの上端面が比較的平坦となる。上記したように、ペーストは容易に流動するからである。このため、ペーストの上端面に金属基板12の陥没が転写されることはほとんどない。ペーストは、後述する焼成処理後の厚みが10~30μmとなる厚みで塗布する。そのような厚みは、ペーストに含まれるアノード側電極16となる物質にもよるが、概ね20~50μmであればよい。次に、必要に応じて脱バインダ処理を行う図3のS2。すなわち、大気雰囲気下で約600°C、2時間程度の保持を行えばよい。これにより、ペースト中の溶媒が揮発して固相に変化する。なお、この時点では、ペースト中に含まれてアノード側電極16となる成分の焼結は進行しない。その後、図4に示すように、赤外線ランプ30を有する赤外線加熱炉32を使用して急速加熱を行う図3のS3。この図4につき若干説明する。赤外線加熱炉32の内部では、円環状に配設された複数個の赤外線ランプ30により、金属基板12と前記ペーストとの積層物34が囲繞されている。ここで、前記積層物34は、金属基板12が下方となるようにして、台座36上の遮熱板38に載置されている。なお、台座36の内部には熱電対40が配置されており、赤外線加熱炉32の内部の温度は、この熱電対40によって測定される。遮熱板38は、図4における下方の赤外線ランプ30からの熱を遮蔽するためのものである。このような役割を果たすべく、遮熱板38としては、熱伝導度が低い物質からなるもの、例えば、セラミックスからなるものが選定される。セラミックスの具体例としては、コーディエライトやムライト、アルミナ、炭化ケイ素等が例示される。すなわち、この遮熱板38によって、金属基板12におけるペーストが塗布されていない下端面が加熱されることが抑制される。このため、ペーストが、該ペーストが塗布された金属基板12の上端面ごと、選択的に加熱される。赤外線ランプ30による加熱では、室温から所定の温度に到達するまでの昇温速度を大きくすることができる。本実施の形態においては、昇温速度を25~100°C/秒の範囲内とする。このように比較的急激な昇温を行ったとしても、ペーストと金属基板12との熱膨張係数同士の差が5ppm/°Cの範囲内であるので、ペーストから形成されるアノード側電極16が、金属基板12の熱膨張係数との不整合に起因して金属基板12から剥離することを回避することができる。加熱の最中、ペーストは、該ペースト中の成分例えば、NiO及びYSZが焼結することに伴って若干収縮した後、熱膨張を起こす。一方、金属基板12は、該金属基板12に赤外線ランプ30からの熱が伝達されることが遮熱板38によって防止されているため、さほどは熱膨張を起こさない。このことと、上記したようにアノード側電極16と金属基板12の熱膨張係数が整合されていることとが相俟って、アノード側電極16が金属基板12から剥離することが回避される。従って、金属基板12とアノード側電極16との間に良好な接合強度が確保される。また、金属基板12に到達する熱量が少ないため、該金属基板12が酸化することを回避することもできる。ここで、昇温速度が25°C/秒未満では、所定の温度に到達するに至るまでの昇温時間が長くなるので、金属基板12が酸化する懸念がある。一方、100°C/秒を超えると、ペーストに昇温ムラが発生し易くなるがあるとともに、アノード側電極16と金属基板12との熱膨張量が相違するためにアノード側電極16が金属基板12から剥離する懸念がある。また、到達温度が過度に低いと、ペースト中の成分例えば、NiO及びYSZの焼結が十分でなくなる。一方、過度に高いと金属基板12が溶融してしまう。以上の不都合を回避するべく、到達温度は、1000°C~金属基板12の融点未満の範囲とする。金属基板12が上記したようなステンレス鋼やニッケル基合金からなる場合、到達温度は、例えば、1100~1300°C、一層好適には1200°Cに設定することができる。そして、上記の加熱の間、ペーストが金属基板12の上端面に焼き付けられるとともに、ペースト中の成分の焼結が進行する。その結果、下端部が金属基板12の開気孔22陥没を充填し、且つ厚みが10~30μm、還元前の気孔率が10~40、平均気孔径が3~20μmであるアノード側電極16が形成される。なお、ペーストがNiOを含んでいる場合、この時点では未だ還元されておらず、アノード側電極16にNiOとして含まれている。このアノード側電極16の上端面は、比較的平坦である。しかも、厚みも小さい。上記したように、スクリーン印刷を行っているために、塗布されたペーストの上端面が容易に平坦となるとともに、ペーストを厚みが小さな薄膜として塗布することができるからである。上記の昇温の過程で焼結が十分に進行しているので、到達温度に達した後は、保持することなく急冷するようにしてもよい。又は、40秒~30分の範囲内で所定時間だけ保持するようにしてもよい。このように、本実施の形態によれば、アノード側電極16に対する焼成処理の時間が短い。このため、金属基板12が酸化することを一層防止することができるとともに、アノード側電極16の構成物質が金属基板12に拡散することや、その逆に、金属基板12の構成物質がアノード側電極16に拡散することを回避することができる。以上の作業が終了した後、赤外線加熱炉32から積層物34を取り出す。そして、次に、アノード側電極16の上端面に固体電解質20を形成する図3のS4。固体電解質20は、アノード側電極16と同様にペーストを用いてのスクリーン印刷で形成したり、又は、スラリーを用いるドクターブレード法によってシート状成形体として形成したりするようにしてもよいが、イオンプレーティングやPLDを採用することが好ましい。この場合、積層物34を加熱する必要がないので、固体電解質20を形成する過程でアノード側電極16が金属基板12から剥離することを回避することができるからである。イオンプレーティングを行う場合、固体電解質20の構成物質からなるターゲットを作製する。例えば、YSZからなるターゲットは、YSZの粉末をプレス成形によって圧粉することで得ることができる。次に、チャンバ内で電子銃の作用下にターゲットを蒸発させて蒸気とし、この蒸気を電気的に正又は負とする。一方、前記チャンバ内に収容された積層物34が負電極又は正電極に電気的に接続されているので、前記蒸気が積層物34に電気的に引き寄せられる。その結果として、アノード側電極16の上端面に固体電解質20が成膜される。イオンプレーティングには、厚みが10μmに満たない薄膜を緻密なものとして得られる利点がある。すなわち、この場合、厚みが1~8μm程度の緻密な固体電解質20を容易に得ることができる。次に、必要に応じて固体電解質20の上端面に中間層24を形成する図3のS5。中間層24も、スクリーン印刷やドクターブレード法によって形成することができるが、上記したように積層物34を加熱する必要がないことから、イオンプレーティングが好適である。なお、中間層24の構成物質からなるターゲットは、例えば、SDC又はGDC等の粉末をプレス成形によって圧粉することで得ることができる。この場合、固体電解質20の構成物質からなるターゲットと、中間層24の構成物質からなるターゲットとを同一のチャンバに収容し、上記に準拠して固体電解質20を先ず成膜した後、次いで、中間層24の構成物質からなるターゲットを蒸発させて中間層24を成膜するようにしてもよい。イオンプレーティングを行うことにより、厚みが0.5~2μm程度の緻密な中間層24を形成することが容易となる。以上のようにして中間層24を形成した後、図3のS6に示すように、カソード側電極18を形成する。カソード側電極18も、スクリーン印刷、ドクターブレード法又はイオンプレーティングによって形成することが可能であるが、スパッタリングやCVD法を採用することもできる。この場合においても積層物34を加熱する必要がないので、アノード側電極16、固体電解質20及び中間層24が金属基板12から剥離することを回避することができる。スパッタリングを行う場合、カソード側電極18の構成物質、例えば、PtやAuからなるターゲットに対してアルゴンイオン等を衝突させる。これによりターゲットからスパッタされた元素を、その厚みが0.5~2μm程度となるまで中間層24の上端面に堆積させる。なお、CVD法やイオンプレーティングを行う場合、厚みが2~8μm程度となるまで堆積させればよく、スクリーン印刷を行う場合、厚みを8~30μm程度として塗布するようにすればよい。以上のようにして、カソード側電極18が形成されて電解質電極接合体14が得られるに至る。なお、本発明は、上記した実施の形態に特に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、カソード側電極18の構成物質は、上記した酸化物や、酸化物と酸化物イオン伝導体との混合物に特に限定されるものではなく、PtやAu等の金属であってもよい。このような金属からなる薄膜をスパッタリング、CVD法、スクリーン印刷等で形成することは可能であり、従って、当該金属からなるカソード側電極18を形成することが可能である。また、赤外線加熱炉32を用いて加熱を行う際、例えば、金属基板12の下端面側の赤外線ランプ30を消灯することにより、遮熱板38を用いることなくペーストを選択的に加熱することができる。このことから諒解されるように、遮熱板38を用いることは必須ではない。30~700°Cにおける熱膨張係数が11.9ppm/°Cである50NiO-50YSZのペーストを、30~700°Cにおける熱膨張係数が12.4ppm/°CであるSUS430からなる金属基板12上に、スクリーン印刷にて塗布した。次に、金属基板12とペーストとの積層物34を、大気雰囲気中にて昇温速度を100°C/秒として600°Cまで昇温し、その後、2時間保持した。これにより脱バインダ処理を行った。次に、前記積層物34を、図4に示すように、台座36上のコーディエライト製の遮熱板38に載置して赤外線加熱炉32内に収容した。その後、昇温速度を50°C/秒として1200°Cまで昇温することで、50NiO-50YSZを焼結させてアノード側電極16とした。これを実施例1とする。また、30~700°Cにおける熱膨張係数が11.6ppm/°Cである40NiO-60YSZのペースト、又は12.0ppm/°Cである60NiO-40YSZのペーストを用いた以外は上記に準拠して、SUS430からなる金属基板12上にアノード側電極16を形成した。各々を実施例2、3とする。以上とは別に、30~700°Cにおける熱膨張係数が15.8ppm/°CであるハステロイXからなる金属基板12を用い、実施例1~3に準拠して該金属基板12上にアノード側電極16を形成した。各々を実施例4~6とする。比較のため、30~700°Cにおける熱膨張係数が19.0ppm/°CであるSUS316からなる金属基板を用い、実施例1~6に準拠して該金属基板上にアノード側電極を形成した。各々を比較例1~3とする。以上の実施例1~6及び比較例1~3における金属基板とアノード側電極との熱膨張係数同士の差と、評価結果とを併せて図5に示す。実施例1~6及び比較例1~3のいずれにおいても、金属基板が酸化していないことが認められたが、実施例1~6においてはアノード側電極16にクラックや剥離が発生していなかったのに対し、比較例1~3ではアノード側電極にクラックが発生していた。この理由は、実施例1~3、実施例4~6では、アノード側電極16と金属基板12の熱膨張係数同士の差が5ppm/°C以内と小さいのに対し、比較例1~3では7ppm/°C以上と大きく、熱膨張係数同士が整合していないために一部が金属基板12から剥離したためであると推察される。さらに、赤外線加熱炉32における昇温速度を25°C/秒、100°C/秒とした場合にも上記と同様の結果が得られた。また、赤外線加熱炉32における昇温速度を20°C/秒としたところ、全ての場合で金属基板が酸化していることが認められ、150°C/秒としたところ、全ての場合でアノード側電極にクラックが発生していた。以上のことから、アノード側電極16と金属基板12の熱膨張係数同士の差を5ppm/°C以内に設定し、赤外線加熱炉32における昇温速度を25~100°C/秒とすることにより、金属基板12に対して良好に接合し、且つクラックが認められないアノード側電極16を形成し得ることが諒解される。