研磨パッドが設けられた上定盤を移動させて基板を研磨する方法において、研磨時に前記上定盤は方形の経路に沿って研磨工程を行い、前記上定盤が基板の長軸方向に移動する距離S1及び基板の短軸方向に移動する距離S2は、上定盤に設けられた研磨パッドの直径Dの90~100であることを特徴とする基板研磨方法。前記経路が、長方形であることを特徴とする請求項1に記載の基板研磨方法。前記経路が、正方形であることを特徴とする請求項2に記載の基板研磨方法。前記S1及びS2が、下記の数学式1、2による計算値のうち小さい値を有することを特徴とする請求項3に記載の基板研磨方法;[数学式1]D-d数学式1、2において、d:研磨パッドの周縁部において磨耗された部分の半径方向長さの和、D:研磨パッドが基板に加える圧力が基板磨耗に好適な有効圧力Peff以上になる部分の直径、Pend:研磨パッドにおいて前記磨耗された部分を除いた他の部分のうち、最外郭で研磨パッドが基板に加える圧力、Peff:基板磨耗に好適な、研磨パッドが基板に加える圧力。請求項1から請求項4のうちいずれか1項に記載の基板研磨方法によって生産された大型基板。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、大型基板を研磨する工程において大型基板の中心部と周縁部との研磨量の差研磨偏差を最小化することができる研磨方法を提供することを目的とする。特に、本発明は、研磨パッドの磨耗状態及び研磨パッドが基板に加える圧力も考慮し、前記研磨量の差研磨偏差を最小化する研磨方法を提供することを目的とする。また、本発明は、前記研磨方法によって生産された大型基板を提供することを他の目的とする。上記の課題を達成するため、本発明の望ましい実施例による基板研磨方法は、研磨時に上定盤が方形の経路に沿って研磨工程を行い、前記上定盤が基板の長軸方向に移動する距離S1及び基板の短軸方向に移動する距離S2は、上定盤に設けられた研磨パッドの直径Dの90~100である。望ましくは、前記経路は長方形である。より望ましくは、前記経路は正方形である。望ましくは、前記S1及びS2は下記の数学式1、2による計算値のうち小さい値を有する。[数学式1]D-d数学式1、2において、d:研磨パッドの周縁部において磨耗された部分の半径方向長さの和。D:研磨パッドが基板に加える圧力が基板磨耗に好適な有効圧力Peff以上になる部分の直径。Pend:研磨パッドにおいて前記磨耗された部分を除いた他の部分のうち、最外郭で研磨パッドが基板に加える圧力。Peff:基板磨耗に好適な、研磨パッドが基板に加える圧力。さらに、本発明は、前記研磨方法によって均一に研磨された大型基板を提供する。以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳しく説明する。これに先立ち、本明細書及び請求範囲に使われた用語や単語は通常的や辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者自らは発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義できるという原則に則して本発明の技術的な思想に応ずる意味及び概念で解釈されねばならない。したがって、本明細書に記載された実施例及び図面に示された構成は、本発明のもっとも望ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的な思想のすべてを代弁するものではないため、本出願の時点においてこれらに代替できる多様な均等物及び変形例があり得ることを理解せねばならない。図3は本発明の望ましい実施例による研磨方法において研磨機の上定盤の中心が移動する経路を示した図であり、図4は研磨パッドと基板とが接触した状態を示した断面図である。本発明による研磨方法は、研磨パッド3が設けられた上定盤1が基板2の長軸方向x方向に移動する距離S1、及び短軸方向y方向に移動する距離S2が研磨パッド3の直径Dの90~100であることを特徴とする。図面で点線で示された方形は、研磨するときに上定盤1が移動する経路20を表すが、前記経路20は長方形であることが望ましく、正方形であることがより望ましい。前記経路20が正方形である場合、すなわち、S1とS2とが同じ場合に、研磨偏差が最も小さい。前記S1、S2が前記直径Dの90より小さければ、研磨工程時に大型基板2の中心部を上定盤1が重畳して繰り返して通るため、前記中心部における研磨量が周縁部における研磨量より遥かに多くなることで、研磨偏差が大きくなるという問題点がある。前記S1、S2が前記直径Dの100より大きければ、研磨工程時に上定盤1が大型基板2の中心部を通らない場合が生じ得る。一方、上定盤1に設けられた研磨パッド3が基板2を研磨すれば、研磨パッド3も磨耗されるが、前記磨耗は研磨パッド3の周縁部から発生する。図4に示されたように、研磨パッド3が基板2と接触した状態では、磨耗された周縁部d/2は基板2と接触できないため基板2の研磨に寄与することができない。図4の参照符号dは、磨耗された周縁部の半径方向長さの和を表す。図4には、研磨パッド3の上面に備えられる上定盤1を図示していない。研磨パッド3が基板2を研磨できるためには、研磨パッド3が基板2に所定圧力以下、有効圧力Peffとする以上を加えなければならない。基板2を研磨できるように研磨パッド3が基板2に加える圧力が有効圧力Peff以上になる部分の直径をDとするとき、研磨に有効な部分の直径以下、研磨有効直径DeffとするはD-dとDとのうち小さい値として定義することができる。図5は、研磨パッド3の実際直径DとDとの関係を例示的に示している。前記研磨有効直径Deffが基板2の長軸方向x方向長さa及び短軸方向y方向長さbより大きい場合は、上定盤1を移動させなくても基板2を研磨することができるが、前記研磨有効直径Deffが前記a、bより小さい場合は、上定盤1を移動させながら研磨しなければならない。この場合、前記上定盤1の長軸方向x方向の移動距離S1及び短軸方向y方向の移動距離S2は、次の数学式1、2による計算値のうち小さい値を有することが望ましい。[数学式1]D-d数学式2において、Pendは研磨パッドにおいて磨耗された部分を除いた他の部分のうち、最外郭で研磨パッドが基板に加える圧力を表す。数学式1、2を用いれば、研磨パッド3の磨耗状態及び研磨パッド3が基板2に加える圧力も考慮してS1、S2を決定することができるため、大型基板2をより均一に研磨することができる。図6には、数学式1、2を用いて決定された移動距離S1、S2を有する場合の研磨量を示した。図6と図2とを比べると、図6が図2より研磨偏差が遥かに小さいことが分かる。