基板と、前記基板上に設けられた波長変換部材と、を備える波長変換装置であって、前記波長変換部材は、蛍光体粉末と、前記蛍光体粉末を保持する保持体と、を有し、前記保持体は、前記波長変換部材の上面において、前記蛍光体粉末の側面が露出するように設けられた凹部を有することを特徴とする波長変換装置。前記波長変換部材の上面において、前記蛍光体粉末の上面が露出していることを特徴とする請求項1に記載の波長変換装置。前記波長変換部材の上面において、前記蛍光体粉末を励起するための光が入射されると共に、前記蛍光体粉末から波長変換された光が出射されることを特徴とする請求項1又は2に記載の波長変換装置。請求項1~3のいずれかに記載の波長変換装置と、前記波長変換装置の蛍光体粉末を励起するための光源と、を備えることを特徴とする発光装置。蛍光体粉末と、前記蛍光体を保持する保持体と、焼結を促進させるための助剤と、を焼結して波長変換部材を得る工程と、前記波長変換部材の上面にエッチング処理を施し、前記助剤を優先的にエッチングして前記保持体に前記蛍光体粉末の側面が露出するような凹部を形成する工程と、前記波長変換部材を基板上に載置し、波長変換装置を得る工程と、を具備することを特徴とする波長変換装置の製造方法。しかしながら、従来の波長変換部材は、蛍光体粉末で波長変換された光が蛍光体粉末近傍の保持体を介して外部へ放出されるため、その保持体で光が吸収されてしまい光出力が低下してしまうという問題があった。そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、光出力に優れた波長変換装置を提供することを目的とする。一実施形態に係る波長変換装置は、基板と、基板上に設けられた波長変換部材と、を備えている。波長変換部材は、蛍光体粉末と、蛍光体粉末を保持する保持体と、を有する。さらに、保持体は、波長変換部材の上面において、蛍光体粉末の側面が露出するように設けられた凹部を有する。本発明によれば、光出力を向上させることができる波長変換装置を提供することができる。本発明の一実施形態について、図面を参照しながら、以下に説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を以下のものに特定しない。各図面が示す部材のサイズや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。図1に本実施形態の波長変換装置の断面図を示す。図1に示すように、波長変換装置100は、基板10と、基板10上に設けられた波長変換部材20と、を備えており、波長変換部材20は、蛍光体粉末30と、蛍光体粉末30を保持する保持体40と、を有する。また、保持体40は、波長変換部材20の上面において、蛍光体粉末30の側面が露出するように設けられた凹部50を有する。これにより、光出力に優れた波長変換装置とすることができる。つまり、保持体40は波長変換後の光を完全に透過させることが理想的だが、実際には波長変換後の光の一部は、保持体40自身又は蛍光体粉末30と保持体40との界面で吸収されてしまう。このため、最終的に得られる光出力が低下するという問題があった。そこで、本実施形態では、波長変換部材20の上面に蛍光体粉末30の側面が露出するような凹部50を設けている。これにより、蛍光体粉末30で波長変換した光のうち、保持体40を介さずに直接外部へ放出される成分が増加するので、保持体40での光のロスを抑制することができる。なお、蛍光体粉末30の側面が露出するとは、蛍光体粉末が保持体で覆われていない状態を指す。このため、蛍光体粉末が直接外部にむき出している状態だけでなく、別部材例えば、後述するような無反射の保護膜で被覆される状態も含んでいる。以下、波長変換装置100を構成する各要素について説明する。基板10基板10は、その上に波長変換部材20を設けるための部材である。波長変換部材20に励起光が照射されると、励起光は蛍光体粉末30により波長変換される。このとき、蛍光体粉末30は、波長変換された光だけでなく熱も発する。そこで、基板10は放熱性に優れた材料から構成することができる。例えば、銅やアルミニウムを用いて基板10とすることができる。なお、波長変換装置100に基板10を設けない構成であっても、本発明の効果を得られることは明らかである。波長変換部材20波長変換部材20は、蛍光体粉末30と保持体40とを有する。波長変換部材20は、例えば、蛍光体粉末30と保持体40とを混合させ、SPSSparkPlasmaSintering:放電プラズマ焼結、HIPHotIsostaticPressing:熱間静水圧成形、CIPColdIsostaticPressing:冷間等方加圧成形等の焼結法を用いて形成することができる。波長変換部材20に励起光が照射されると、蛍光体粉末30から波長変換された光が放出される。波長変換部材20の形状は、板状体が好ましい。これにより、基板10上に安定して波長変換部材20を配置することができる。膜厚は、50~500μmであれば、波長変換部材で生じる熱を基板へ効率よく逃がすことができる。本実施形態では、波長440~480nmの青色の励起光により励起し、波長500~540nmの緑色の光を放出するような蛍光体粉末30を用いている。このような条件を満たす蛍光体粉末として、Lu3Al5O12、Y3Al5O12などが挙げられる。保持体40は、蛍光体粉末30を安定に保持するためのバインダーとして機能するものである。保持体40の材料は、有機材料よりも変色しにくい無機材料とすることができる。さらに、酸化物からなる蛍光体粉末を用いる場合、酸化物の無機材料を用いることが好ましい。これにより、蛍光体粉末と保持体とに共通する元素が含まれているため蛍光体粉末と保持体とが良好に結合した波長変換部材を形成することができる。酸化物の保持体として、Al2O3、MgO、ZrO2、BaO、Lu2O3、TiO2、Cr2O3、WO3、V2O5、MoO3、SrO、Na2O、Y2O3、SiO2、B2O3、P2O5、PbO、N2O、K2O、CaOなどが挙げられる。また、波長変換部材20を焼結法により形成する場合、焼結を促進するための助剤図示なしを用いることができる。具体的には、蛍光体粉末30と、保持体40と、助剤と、を混合して焼結することによって波長変換部材20を形成することができる。これにより、比較的低温で焼結しても、蛍光体粉末30と保持体40とが良好に結合した波長変換部材20とすることができる。蛍光体粉末30をLu3Al5O12またはY3Al5O12、保持体40をAl2O3とする場合、助材としてはNH4Cl、AlF3、Ga2O3、H3BO3等を用いることができる。保持体40に形成される凹部50は、蛍光体粉末30、保持体40及び助剤のエッチングレート差を利用して形成することができる。本実施形態では、蛍光体粉末30及び保持体40よりも助剤の方がエッチングレートの高い材料からなる波長変換部材20をCMPChemicalMechanicalPolishing処理することで、助剤を最も早くエッチングし、CMP処理する面に凹部50を形成している。助材は蛍光体粉末30の側面に付着するので、助材を優先的にエッチングすることにより蛍光体粉末30の側面が露出するようにすなわち、上面視において蛍光体粉末30と保持体40とに挟まれるように凹部50を形成することができる。もちろん、波長変換部材20を機械的に研磨したあと、一般的に使用されているドライエッチングやウェットエッチングを行って形成することもできる。また、蛍光体粉末30の上面を露出させれば、保持体40での光の吸収をより抑制することができる。特に、CMP処理により蛍光体粉末30の上面を露出させれば、研磨等で生じた表面近傍のダメージ層を除去することができるので、蛍光体粉末30の波長変換効率をより向上させることができる。CMP処理には、SiO2、CeO2などの砥粒を含んだスラリーを用いることができる。一般的なCMP処理は、研磨対象物のダメージ層を除去するために平坦面を形成することのみを目的としているが、本実施形態では、エッチングレートが異なる複数の材料からなる波長変換部材20をCMP処理し、平坦面と凹部50を同時に形成することを目的としている。また、CMPパッド、波長変換部材20をCMPパッドに押しつける圧力以下、単に加圧とも言う及びCMP処理時間によって、凹部50の深さを調節することができる。CMPパッドとしては、ウレタン製のIC1000または圧縮率が高いスウェードタイプのSUPREMERN-Hなどが挙げられる。CMP処理時の加圧は、低圧であると生産性が低下し易く、高圧であると波長変換部材に亀裂が入り易いため、50~300g/cm2が好ましく、100~200g/cm2がより好ましい。また、CMP処理時間は、特に限定されず、凹部50が形成できるような時間であれば良い。なお、CMP処理を効率よく行うために、CMP処理を行う前にダイヤモンド砥粒等の砥粒を用いて粗く研磨しておくこともできる。ダイヤモンド砥粒の平均粒径が1~3μmであれば、その後のCMP処理を効率よく行うことができる。この研磨は、砥粒のサイズを段階的に小さくし、複数回行うこともできる。また、波長変換部材20の下面も同様に、研磨及びCMP処理を行うこともできる。これにより、基板10上に安定して設置することができる。また、波長変換部材20の上面における蛍光体粉末30の平坦面及び保持体40の平坦面は、面一でも本発明の効果を得ることができるが、蛍光体粉末30を保持体40よりもエッチングレートが低い材料にすることで、蛍光体粉末30の平坦面のほうが保持体40の平坦面よりも上面側に突き出る構成とすることができる。これにより、蛍光体粉末30の側面の露出面積がさらに増大し、蛍光体粉末30から放出される光が保持体40に当たることを抑制できるため、より光出力が向上する。波長変換部材20の上面において、蛍光体粉末30を励起するための光が入射されると共に、蛍光体粉末30から波長変換された光が出射されるように構成することができる。これにより、蛍光体粉末30の側面に入射する励起光の一部が、保持体40を介さずに凹部50を介して蛍光体粉末30へ入射されるため、励起光を効率よく照射することができる。さらに、蛍光体粉末30の側面から放出される光は、保持体40を介さずに凹部50を介して外部に放出されるため、光出力が向上する。なお、波長変換部材20の上面に波長変換部材の保護と光の取り出し効率の向上を目的として無反射の保護膜を設けることもできる。また、波長変換部材の下面すなわち、基板10側の面に光を波長変換部材の上面側へ反射させることを目的として反射膜を設けることもできる。反射膜として、金属、Al2O3などの絶縁膜又は誘電体多層膜を単独で設けることもできるし、これらを組み合わせて設けることもできる。これにより、波長変換装置100の上面から放出する光の出力をより高めることができる。なお、図1では、無反射の保護膜、反射膜を省略してある。波長変換装置100と、波長変換装置100の蛍光体粉末30を励起させるための光源とを備えて発光装置として利用することもできる。これにより、光出力に優れた発光装置とすることができる。光源としては、LEDやLDを用いることができるが、局所的に光を照射できるLDを用いることが好ましい。実施例平均粒径が約10μmのLu3Al5O12:Ceからなる蛍光体粉末30と、Al2O3からなる保持体40を混合させた。その後、助剤としてBaF2を添加し、SPS法により焼結した。この焼結によって得られた波長変換部材20をワイヤーソーにより350μmの厚さに切断した。次に、波長変換部材20の上面を粒径3μmのダイヤモンド砥粒で研磨し、次に粒径1μmのダイヤモンド砥粒で再度研磨を行った。そして、その研磨した面に、SiO2砥粒及びpH調整液からなるスラリーとウレタン製のCMPパッドを用いて、150g/cm2の加圧条件でCMP処理を2時間行った。この結果、波長変換部材20の膜厚は100μmとなり、図2に示すように、波長変換部材20の上面を平坦にすると共に、蛍光体粉末30の側面が露出するような凹部50を形成した。このとき、凹部50の幅は2μmであり、凹部50の深さは約1μmであった。同様に、波長変換部材20の下面も荒削り研磨及びCMP処理を行った。次に、波長変換部材20の上面に無反射の保護膜としてスパッタ法により膜厚76nmのSiO2を形成し、波長変換部材20の下面に反射膜としてスパッタ法により膜厚1000nmのAg膜を形成した。次に、波長変換部材20を4mm×4mmにチップ化した後、膜厚30μmのAu/Snからなる接合膜を介して、銅製の基板10上に載置させて、波長変換装置100を形成した。その後、波長変換装置100の上面にピーク波長445nmの青色レーザ素子を励起光源として照射すると、波長変換装置100からピーク波長540nmの緑色の光が放出し、光出力を向上することができた。