"下記一般式Aで表わされるベンズアルデヒド誘導体に、有機溶剤中、塩基存在下で、下記一般式Bで表わされるアセトアミド誘導体を反応させる工程を有することを特徴とする、下記一般式1で表される塩基発生剤の製造方法。一般式A、一般式B及び一般式1において、R1は、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、アジド基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R2、R3、R4及びR5は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R6及びR7は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R6及びR7のうち少なくとも1つは有機基である。前記塩基が、金属アルコキシドであることを特徴とする、請求項1に記載の塩基発生剤の製造方法。前記塩基が、カリウム-t-ブトキシドであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の塩基発生剤の製造方法。前記有機溶媒が、トルエン、ジメチルホルムアミド及びテトラヒドロフランよりなる群から選択される1種以上の溶媒であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の塩基発生剤の製造方法。前記有機溶媒が、ジメチルホルムアミドであることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の製造方法。特許文献3に記載されたヒドロキシ桂皮酸アミド誘導体からなる塩基発生剤は、これまで、縮合剤として1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩EDCやN,N’-ジシクロヘキシルカルボジイミドDCCを用いて、カルボン酸と塩基性化合物を縮合して製造していた。しかしながら、EDCは工業的に用いるには高価であるという問題があり、DCCは縮合剤由来の固形の廃棄物が大量に生成されるため、目的物との分離が困難であるとともに環境負荷が大きいという問題があった。加えて、前記方法により製造する場合、得られる塩基発生剤の収率は十分なものではないという問題があった。したがって、環境負荷が小さく、安価に製造でき、より収率の高い製造方法が求められていた。本発明は、上記実情を鑑みてなされたものであり、その主目的は、高感度の塩基発生剤を、小さな環境負荷で、安価に、高い収率で製造できる塩基発生剤の製造方法を提供することにある。本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、出発物質として、ベンズアルデヒド誘導体とアセトアミド誘導体を用いることにより、前記縮合剤を用いることなく塩基発生剤を製造することができるとの知見を得た。更に、本発明者らは、塩基存在下でベンズアルデヒド誘導体とアセトアミド誘導体を反応させることにより、塩基発生剤が高い反応収率で得られることを見出した。本発明の下記一般式1で表される塩基発生剤の製造方法は、下記一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体に、有機溶剤中、塩基存在下で、下記一般式Bで表されるアセトアミド誘導体を反応させる工程を有することを特徴とする。一般式A、一般式B及び一般式1において、R1は、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、アジド基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R2、R3、R4及びR5は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R6及びR7は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R6及びR7のうち少なくとも1つは有機基である。本発明で製造される塩基発生剤の製造方法においては、前記塩基が、金属アルコキシドであることが、工業的に入手が容易であり、塩基性が強く、塩基発生剤の収率が高い点から好ましく、中でも、求核性の低いカリウム-t-ブトキシドであることが、塩基発生剤の収率が高い点からより好ましい。本発明で製造される塩基発生剤の製造方法においては、トルエン、ジメチルホルムアミド及びテトラヒドロフランよりなる群から選択される1種以上の溶媒であることが、工業的に入手が容易であり、塩基発生剤の収率が高い点から好ましく、更に、前記有機溶媒がジメチルホルムアミドであることが、塩基発生剤の収率が高い点からより好ましい。本発明に係る製造方法によれば、高感度の塩基発生剤を、小さな環境負荷で、安価に、高い収率で製造できる塩基発生剤の製造方法を提供することができる。原料となるベンズアルデヒド誘導体やアセトアミド誘導体は、化成品を購入出来るかあるいは少ない工程数で得ることができるため、本発明の製造方法は、工業生産性の高い製造方法である。以下、本発明について詳しく説明する。なお、本発明において、電磁波とは、波長を特定した場合を除き、可視及び非可視領域の波長の電磁波だけでなく、電子線のような粒子線、及び、電磁波と粒子線を総称する放射線又は電離放射線が含まれる。本明細書では、電磁波の照射を露光ともいう。なお、波長365nm、405nm、436nmの電磁波をそれぞれ、i線、h線、g線とも表記することがある。塩基発生剤の製造方法本発明の下記一般式1で表される塩基発生剤の製造方法は、下記一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体に、有機溶剤中、塩基存在下で、下記一般式Bで表されるアセトアミド誘導体を反応させる工程を有することを特徴とする。一般式A、一般式B及び一般式1において、R1は、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、アジド基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R2、R3、R4及びR5は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R6及びR7は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R6及びR7のうち少なくとも1つは有機基である。本発明に係る塩基発生剤の製造方法は、上記一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体に、有機溶媒中、塩基存在下で、上記一般式Bで表されるアセトアミド誘導体を反応させる工程を有することにより、小さな環境負荷で、安価に、且つ、高収率で優れた感度を有する塩基発生剤を製造することができる。上記一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体に、有機溶媒中、塩基存在下で、上記一般式Bで表されるアセトアミド誘導体を反応させる工程を有することにより、環境負荷が低く、安価に、優れた感度を有する塩基発生剤を製造することができるのは、未解明ではあるが、次のように推定される。一般式Bで表されるアセトアミド誘導体を用いると、脱水縮合反応を用いなくても発生する塩基性化合物を予め導入することができる。このため、従来のようなカルボン酸と塩基性化合物の脱水縮合反応は不要となり、高価な1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩EDCや、反応時に大量の固形物を生成するN,N’-ジシクロヘキシルカルボジイミドDCC等の縮合剤が不要となるため、環境負荷が低く、安価に製造できる。また、一般式Bで表されるアセトアミド誘導体は、塩基存在下でエノラートアニオンを生じ、当該エノラートアニオンは、前記一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体に対して反応性が高く、位置選択性が高いことが推定される。このため、一般式1で表されるようなトランス体が優位に生成され、高収率で優れた感度を有する塩基発生剤を製造することができるものと推定される。なお、有機溶媒中、酸存在下で、一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体に一般式Bで表されるアセトアミド誘導体を反応させると、一般式1で表される塩基発生剤の反応収率は極めて低いものとなった。本発明で製造される上記式1で表される塩基発生剤は、光塩基発生剤の1種であり、電磁波が照射されるだけでも塩基を発生するが、適宜加熱をすることにより、塩基の発生が促進される。本発明で製造される塩基発生剤は、電磁波の照射と加熱を組み合わせることにより、少ない電磁波照射量で、効率的に塩基を発生することが可能であり、従来の光塩基発生剤と比べて高い感度を有する。本発明の製造方法により製造される上記式1で表される塩基発生剤は、電磁波が照射されることにより、下記式で示されるように、式1中の-CH=CH-C=O-部分がトランス体からシス体へと異性化し、さらに、場合により加熱及び/又は電磁波の照射によって保護基R1が脱保護されると共に、環化し、塩基NHR6R7を生成する。上記塩基発生剤は、種々の高分子前駆体と組み合わせることにより、容易に感光性樹脂組成物を調製することができる。上記の反応により発生した塩基の触媒作用によって、高分子前駆体が最終生成物となる際の反応が開始される温度を下げたり、高分子前駆体が最終生成物となる硬化反応を開始することができる。[一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体、一般式Bで表されるアセトアミド誘導体、一般式1で表される塩基発生剤]上記一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体と上記一般式1で表される塩基発生剤におけるR1~R5は同じであり、上記一般式Bで表されるアセトアミド誘導体と上記一般式1で表される塩基発生剤におけるR6及びR7同じであるため、R1~R7について、以下順に説明する。<R1>上記一般式A及び上記一般式1において、R1は、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。ここで、脱保護可能なとは、-OR1から-OHに変化する可能性があることを表す。R1が水素原子の場合には、本発明に係る塩基発生剤は、環化することで、フェノール性水酸基を消失し、溶解性が変化し、塩基性水溶液等の場合には溶解性が低下する。前記塩基発生剤を感光性樹脂組成物として用いる場合、例えば、感光性樹脂組成物に含まれる高分子前駆体がポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体である場合、当該前駆体の最終生成物への反応による溶解性の低下を更に補助する機能を有し、露光部と未露光部の溶解性コントラストを大きくすることが可能となる。また、R1が加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である場合、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護されて、水酸基を生成する。R1は、本発明で製造される塩基発生剤において脱保護以外の分解が起こらない条件下で、例えば式1中に存在するアミド基が分解しない条件下で、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能なフェノール性水酸基の保護基であれば、特に限定されず用いることができる。例えば、アミド基は、三臭化ホウ素や三塩化アルミニウム等の強ルイス酸や硫酸、塩酸、硝酸等の強酸等が存在する強酸性下における加熱や、水酸化ナトリウム等の強塩基が存在する強塩基性下における加熱により分解する。従って、このような強酸性又は強塩基性条件下での加熱でしか脱保護されない保護基は、本発明の塩基発生剤に用いられる保護基としては不適切である。R1は、溶解性や相溶性の向上或いは合成時の反応性の変化などを目的として、当該塩基発生剤と組み合わせて用いられる化合物の種類や、塩基発生剤の適用方法や合成方法により適宜選択されるものである。加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基としてのR1は、シリル基、シラノール基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、又は1価の有機基から選択することができる。R1としては、下記式2-1~下記式2-6で表される有機基よりなる群から選択される1種以上であることが、式1中に存在するアミド基が分解しない条件下で、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な点から好ましい。式2-1中、R20、R21、R22はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、または1価の有機基であり、R23は1価の有機基であり、R20、R21、R22、R23はそれぞれ互いに結合して環状構造を示していても良い。式2-2中、R24は、1価の有機基である。式2-3中、R25、R26、R27はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、または1価の有機基である。式2-4中、R28は、1価の有機基である。式2-5中、R29は、置換基を有していても良い芳香環である。式2-6中、R30は、1価の有機基である。上記式2-1で表される有機基は、例えば以下のように、フェノール性水酸基とビニルエーテル化合物との反応により得ることができる。式中、R20、R21、R22、及びR23はそれぞれ式2-1と同じである。上記式2-1で表される有機基のR20、R21、R22、R23は、上記反応により得る場合には、用いられるビニルエーテル化合物の構造によって決まる。前記塩基発生剤を感光性樹脂組成物に用いる場合には、上記式2-1で表される有機基は、当該塩基発生剤と組み合わせて用いられる高分子前駆体などの化合物の種類や、適用方法により適宜選択されれば良く、特に限定されるものではない。R20、R21、R22は、水素原子、または、置換または無置換のアルキル基、アリル基、アリール基が好ましい。特に原料入手の容易性から、水素原子であることが好ましい。また、1級、2級、3級のアミノ基や、水酸基などの活性水素原子を有する置換基は化合物の安定性の点から含まないことが好ましい。上記式2-1で表される有機基のR23は、炭素数が1以上の1価の有機基である。R23は、炭化水素原子骨格を有する基が例示される。炭化水素原子骨格を有する基は、ヘテロ原子等の炭化水素原子以外の結合や置換基を含んでいてもよいし、そのようなヘテロ原子の部分が芳香環に組み込まれて複素環となっていても良い。炭化水素原子骨格を有する基としては、例えば、直鎖、分岐鎖、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素原子基、直鎖、分岐鎖又は環状の飽和又は不飽和ハロゲン原子化アルキル基、或いは、フェニル、ナフチル等の芳香族基、さらには、直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素原子骨格中にエーテル結合を含有する基例えば、-R-On-R’、ここでR及びR’は置換又は無置換の飽和又は不飽和炭化水素原子、nは1以上の整数;-R-O-R’m、ここでR及びR’は置換又は無置換の飽和又は不飽和炭化水素原子、mは1以上の整数、-O-R’mはRの末端とは異なる炭素に結合している;などが挙げられる。、直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素原子骨格中にチオエーテル結合を含有する基、直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素原子骨格上にシアノ基、シリル基、ニトロ基、アセチル基、アセトキシ基等のヘテロ原子又はヘテロ原子を含有する基が結合してなるさまざまな基が挙げられる。また、上記式2-1で表される有機基のR23は、R20やR21と連結して環状構造を有していても良い。R23も、1級、2級、3級のアミノ基や、水酸基などの活性水素原子を有する置換基は化合物の安定性の点から含まないことが好ましい。下記式2-1で表される有機基は、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護するが、脱保護する温度は、一般に上記式中のR23において、ビニルエーテル化合物のエーテル結合の酸素原子と直接結合している炭素が、第3級炭素原子以下、単に3級炭素という場合がある<第2級炭素原子以下、単に2級炭素という場合がある<第1級炭素原子以下、単に1級炭素という場合があるの置換基の順で高くなる傾向がある。一方、保護するためのビニルエーテル化合物と水酸基の反応は、一般に上記式中のR23において、酸素原子と結合する炭素が1級炭素<2級炭素<3級炭素の置換基の順で高い反応率を示す傾向がある。そのため、当該塩基発生剤と組み合わせる化合物と使用方法により、脱保護するための加熱温度が選択され、その加熱温度から保護基を適宜選択することが好ましい。なお、本発明において、エーテル酸素に結合する炭素原子式2-1のR23において酸素原子と結合している炭素原子、又は式2-1の有機基を誘導するビニルエーテル化合物のビニル基に結合したエーテル酸素に結合するもう一方の炭素原子について、第1級炭素原子とは、結合している他の炭素原子が0個又は1個の場合をいい、第2級炭素原子とは、結合している他の炭素原子が2個の場合をいい、第3級炭素原子とは、結合している他の炭素原子が3個の場合をいう。前記式2-1中のR23は、炭素数が1~18であることが、分解物の揮発性の点から好ましく、炭素数が3~10であることが更に好ましい。前記式2-1のR23としては特に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、エチニル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、シクロヘキシロキシプロピル基、2-テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。また、前記式2-1においてR23が、R20やR21と連結して環状構造となり、2-テトラヒドロピラニル基等の環状エーテルとなったもの等が挙げられる。上記式2-2で表される有機基は、例えば、フェノール性水酸基と所謂カーボネート系保護基との反応により得ることができる。カーボネート系保護基としては、例えば、tert-ブトキシカルボニル基Boc-、ベンジルオキシカルボニル基Z-、9-フルオレニルメトキシカルボニル基Fmoc-、1,1-ジオキソベンゾ[b]チオフェン-2-イルメトキシカルボニル基Bsmoc-、2-4-ニトロフェニルスルホニルエトキシカルボニル基Nsc-、p-メトキシベンジルオキシカルボニル基ZOMe-、アリルオキシカルボニル基Alloc-、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基Troc-等が挙げられる。前記式2-2のR24としては特に限定されないが、例えば、tert-ブチル基、ベンジル基、9-フルオレニルメチル基、2,2,2-トリクロロエチル基、アリル基、p-メトキシベンジル基、1,1-ジオキソベンゾ[b]チオフェン-2-イルメチル基、2-4-ニトロフェニルスルホニルエチル基、o-ニトロベンジル基等が挙げられる。o-ニトロベンジル基の場合には、電磁波照射により脱保護が可能である。上記式2-3で表される有機基は、例えば、フェノール性水酸基とシリルエーテル系保護基との反応により得ることができる。シリルエーテル系保護基としては例えば、トリメチルシリル基TMS-、tert-ブチルジメチルシリル基TBDMS-、tert-ブチルジフェニルシリル基TBDPS-、トリイソプロピルシリル基TIPS-等が挙げられる。前記式2-3のR25、R26、R27としては特に限定されないが、例えば、メチル基、tert-ブチル基、イソプロピル基等のアルキル基、フェニル基のアリール基が好適に用いられる。上記式2-4で表される有機基は、例えば、フェノール性水酸基と酸塩化物または酸無水物により得ることができる。式2-4で表されるエステル系保護基としては、例えば、アセチル基Ac-、ピバロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。前記式2-4のR28としては特に限定されないが、例えば、メチル基、tert-ブチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基等が好適に用いられる。上記式2-5で表される有機基は、例えば、Williamson反応を用いてフェノール性水酸基とハロゲン原子化物により得ることができる。式2-5で表されるエーテル系保護基としては、例えば、置換基を有していても良いベンジル基等が挙げられる。前記式2-5のR29は置換基を有していても良い芳香環であり、特に限定されないが、置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。特に、式2-5で表される有機基が、o-ニトロベンジル基の場合、すなわち、R29が2-ニトロフェニル基の場合には、電磁波照射により脱保護が可能である。上記式2-6で表される有機基は、例えば、フェノール性水酸基とイソシアネートとの反応により得ることができる。カルバメート系保護基としては、例えば、ベンジルイソシアネート等が挙げられる。前記式2-6のR30としては特に限定されないが、例えば、ベンジル基等が挙げられる。<R2、R3、R4及びR5>上記一般式A及び一般式1において、R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、アジド基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R2、R3、R4及びR5は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素などが挙げられる。有機基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に制限がなく、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン原子化アルキル基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、ヒドロキシイミノ基、エポキシ基、オキセタン基、チイラン基、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、メタアクリロイル基-CO-CR=CH2;ここでRは水素又はメチル基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素原子基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも良い。前記R2~R5の有機基中の炭化水素原子基以外の結合としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、アゾ結合等が挙げられる。耐熱性の点から、有機基中の炭化水素原子基以外の結合としては、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合-N=C-R-、-C=NR-:ここでRは水素原子又は1価の有機基、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合が好ましい。前記R2~R5の有機基中の炭化水素原子基以外の置換基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、エポキシ基、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、オキセタン基、チイラン基、メタアクリロイル基-CO-CR=CH2;ここでRは水素又はメチル基、アミノ基-NH2,-NHR,-NRR’:ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素原子基、アンモニオ基、アジド基-N-N≡N等が挙げられる。上記置換基に含まれる水素原子は、炭化水素原子基によって置換されていても良い。また、上記置換基に含まれる炭化水素原子基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。中でも、R2~R5の有機基中の炭化水素原子基以外の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、エポキシ基、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、オキセタン基、チイラン基、メタアクリロイル基-CO-CR=CH2;ここでRは水素又はメチル基、が好ましい。また、R2~R5は、それらのうち2つ以上が結合して環状構造になっていても良い。環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素原子、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素原子、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる2種以上が組み合されてなる構造であっても良い。例えば、R2~R5は、それらの2つ以上が結合して、R2~R5が結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成していても良い。本発明においては置換基R2~R5に、置換基を1つ以上導入することが好ましい。すなわち、R2、R3、R4及びR5の少なくとも1つが、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、アジド基又は1価の有機基であることが好ましい。置換基R2~R5に、上記のような置換基を少なくとも1つ導入することにより、吸収する光の波長を調整することが可能であり、置換基を導入することで所望の波長を吸収させるようにすることもできる。芳香族環の共役鎖を伸ばすような置換基を導入することにより、吸収波長を長波長にシフトすることができる。また、溶解性を向上させることもできる。本発明の製造方法により製造される塩基発生剤を感光性樹脂組成物に用いる場合には、組み合わせる高分子前駆体との相溶性が向上するようにすることもできる。これにより、組み合わせる高分子前駆体の吸収波長も考慮しながら、感光性樹脂組成物の感度を向上させることが可能である。所望の波長に対して吸収波長をシフトさせる為に、どのような置換基を導入したら良いかという指針として、InterpretationoftheUltravioletSpectraofNaturalProductsA.I.Scott1964や、有機化合物のスペクトルによる同定法第5版R.M.Silverstein1993に記載の表を参考にすることができる。R2~R5としては、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数1~20のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数4~23のシクロアルキル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数4~23のシクロアルケニル基;フェノキシメチル基、2-フェノキシエチル基、4-フェノキシブチル基等の炭素数7~26のアリールオキシアルキル基-ROAr基;ベンジル基、3-フェニルプロピル基等の炭素数7~20のアラルキル基;シアノメチル基、β-シアノエチル基等のシアノ基をもつ炭素数2~21のアルキル基;ヒドロキシメチル基等の水酸基をもつ炭素数1~20のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1~20のアルコキシ基、アセトアミド基、ベンゼンスルホナミド基C6H5SO2NH2-等の炭素数2~21のアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基等の炭素数1~20のアルキルチオ基-SR基、アセチル基、ベンゾイル基等の炭素数1~20のアシル基、メトキシカルボニル基、アセトキシ基等の炭素数2~21のエステル基-COOR基及び-OCOR基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、トリル基等の炭素数6~20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換した炭素数6~20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基、及びメチルチオ基-SCH3、エポキシ基、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、オキセタン基、チイラン基、メタアクリロイル基-CO-CR=CH2;ここでRは水素又はメチル基であることが好ましい。また、上記のアルキル部分は直鎖でも分岐状でも環状でも良い。また、R2~R5としては、それらの2つ以上が結合して、R2~R5が結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成している場合も、吸収波長が長波長化する点から好ましい。また、本発明で製造される塩基発生剤において、R2、R3、R4及びR5の少なくとも1つが水酸基である場合、R2、R3、R4及びR5に水酸基を含まない化合物と比べ、塩基性水溶液等に対する溶解性の向上、および吸収波長の長波長化が可能な点から好ましい。また、特にR5がフェノール性水酸基である場合、シス体に異性化した化合物が環化する際の反応サイトが増えるため、環化しやすくなる点から好ましい。また、R2~R5のうち、R2とR3、R3とR4、R4とR5、並びに、R2とR3及びR4とR5のいずれかに下記式3の部分構造を有することも、感度に優れる点から好ましい。式3において、Xは、2つの酸素原子と結合可能な連結基である。該-O-X-O-部位は、ベンゼン環の3位~6位のうち隣り合う位置に吸収波長を長波長にシフトさせる効果のあるアルコキシ基に類似の置換基が導入され、この2つの置換基が結合した構造である。そのため、このような置換基を有する塩基発生剤は、該ベンゼン環の3位~6位のうち隣り合う位置にアルコキシ基をそれぞれ導入した場合と比べ、-O-X-O-と結合することで、酸素原子が固定され効率よく吸収波長を長波長化し、少ない電磁波照射量で塩基性化合物を発生でき、感度を高めることができると推定される。上記化学式3の部分構造におけるXは、2つの酸素原子と結合可能な連結基であれば特に限定されない。本発明においては、得られる塩基発生剤の高感度化の観点から、上記Xはヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい炭素数1~20の直鎖、分岐又は環状の飽和又は不飽和脂肪族、或いは芳香族炭化水素原子基、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよいケイ素数1~20の直鎖、分岐又は環状のケイ素-ケイ素二重結合を含んでいてもよいケイ化水素原子基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、カーボネート結合、及びスルホニル結合、並びにこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる連結基であることが好ましい。上記Xにおける直鎖、分岐、又は環状の飽和脂肪族炭化水素原子基は、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい。当該飽和脂肪族炭化水素原子基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキシレン基、デシレン基、ドデシレン基、ヘキサデシレン基、オクタデシレン基等のアルキレン基;エチリデン基、プロピリデン基;シクロヘキシレン基、ノルボナレン基、アダマンタレン基等のシクロアルキレン基等が挙げられる。上記Xにおける直鎖、分岐、又は環状の不飽和脂肪族炭化水素原子基は、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい。当該不飽和脂肪族炭化水素原子基としては、例えば、ビニレン基等が挙げられる。また、上記飽和脂肪族炭化水素原子基、及び不飽和脂肪族炭化水素原子基が有していてもよい置換基としては、上記R2~R5の有機基中の炭化水素原子基以外の置換基と同様であってよい。また、上記飽和脂肪族炭化水素原子基、及び不飽和脂肪族炭化水素原子基がヘテロ原子を含む場合としては、飽和脂肪族炭化水素原子基、又は不飽和脂肪族炭化水素原子基に、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、カーボネート結合、スルホニル結合等を含む場合が挙げられる。上記Xにおける芳香族炭化水素原子基は、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい。当該芳香族炭化水素原子基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。また、上記芳香族炭化水素原子基が有していてもよい置換基としては、上記飽和脂肪族炭化水素原子基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。また、上記芳香族炭化水素原子基が、ヘテロ原子を含む場合複素環、その具体例としては、フラン、チオフェン等が挙げられる。上記Xにおける直鎖、分岐、又は環状のケイ化水素原子基は、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい。また、ケイ素-ケイ素二重結合を含んでいてもよい。ここで、本発明において、ケイ化水素原子基とは、2価の場合が-SiH2n-、1価の場合が-SiH2n-Hのケイ素と水素原子のみからなる基であり、nは1以上の自然数である。当該ケイ化水素原子基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、1価の有機基等が挙げられる。これらの置換基は、上記R2~R5において説明したのと同様であってよい。また、当該ケイ化水素原子基がヘテロ原子を含む場合、Xが含む結合としては、上記飽和脂肪族炭化水素原子基において例示したものを挙げることができる。中でも、更に、前記化学式3で表される部分構造が、下記化学式3’で表される部分構造であることが好ましい。化学式3’中、Zは、炭素原子、ケイ素原子、炭素-炭素二重結合-C=C-、又はケイ素-ケイ素二重結合-Si=Si-である。Ra及びRbは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、ニトロソ基、メルカプト基、シラノール基、置換基を有していてもよい1価のケイ化水素原子基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基又は1価の有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Ra及びRbは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいてもよい。nは1~10の整数を表す。Ra及びRbが結合して形成する環状構造としては、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素原子、複素環、及び芳香族炭化水素原子、並びに当該脂環式炭化水素原子、複素環、及び芳香族炭化水素原子よりなる群から選ばれる2種以上が組み合されてなる構造であってもよい。例えば、Zが炭素原子である場合に、n個のRa及びRbのうちのいずれか2個が結合して脂環式炭化水素原子や複素環を形成してもよい。また、Zが炭素-炭素二重結合である場合に、Ra及びRbはZの炭素-炭素二重結合とともに環状構造を形成し、芳香族環を形成していてもよい。Zがケイ素原子である場合に、n個のRa及びRbがそれぞれ有機基であって、炭素原子同士が結合して環状構造を形成していてもよい。n個のRa及びRbがそれぞれ置換基を有していてもよいケイ化水素原子基であって、ケイ素原子同士が結合して環状構造を形成していてもよい。また、当該環状構造は酸素等のヘテロ原子の結合を含んでいてもよい。また、Zがケイ素-ケイ素二重結合である場合に、Ra及びRbはZのケイ素-ケイ素二重結合とともに炭素原子及び/又はケイ素原子により環状構造を形成していてもよく、当該環状構造は、更に、ケイ素-ケイ素二重結合を含んでいても良い。また、Ra及びRbのうちのハロゲン原子及び1価の有機基は、上記R2~R5において説明したのと同様であってよい。nは1~10の整数を表し、好ましくは1~6の整数、更に好ましくは1~3である。以下に、上記式3’で表される部分構造を有する例を示すが、これらに限定されるものではない。また、R2、R3、R4及びR5のいずれかが、下記式4で表される部分構造を有することも、感度が高く、且つ、有機溶剤に対する溶解性や組み合わせる高分子前駆体との親和性に優れる点から好ましい。式4で表される部分構造は、アルコキシ基に類似の置換基であるため、吸収波長を長波長にシフトさせる効果があり、少ない電磁波照射量で塩基性化合物を発生でき、感度を高めることができると推定される。また、式4で表される部分構造は、繰り返し構造であるRcO部位を有するため、溶解性や親和性が良好になると推定される。式4において、Rcは、2つの酸素原子と結合可能な連結基である。Rdは、水素原子、シリル基、シラノール基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、又は1価の有機基である。nは1以上の整数である。上記式4の部分構造は、R2、R3、R4及びR5の少なくとも1つに含まれれば良い。典型的には、R2、R3、R4及びR5のいずれかの位置において、上記式4の部分構造が置換基として直接ベンゼン環に結合している構造が挙げられる。R2、R3、R4及びR5のいずれかが有機基であって、その有機基の一部として上記化学式4の部分構造を有していても良い。R2~R5の2つ以上が結合して、シクロヘキシル基等の脂環式炭化水素原子構造を形成している場合や、R2~R5の2つ以上が結合してそれらが結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン、フルオレン等の縮合環を形成している場合に、当該環状構造に上記式4の部分構造を置換基として有していても良い。上記化学式4の部分構造におけるRcは、2つの酸素原子と結合可能な連結基であれば特に限定されない。また、繰り返し単位に含まれるn個のRcは、それぞれ同一であっても異なっていても良い。本発明においては、高感度化の観点から、上記Rcはヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい炭素数1~20の直鎖、分岐又は環状の飽和又は不飽和脂肪族、或いは芳香族炭化水素原子基、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよいケイ素数1~20の直鎖、分岐又は環状のケイ素-ケイ素二重結合を含んでいてもよいケイ化水素原子基、カルボニル結合、チオカルボニル結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、及びアゾ結合よりなる群から選ばれる連結基であることが好ましい。耐熱性の点から、上記Rcはヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい炭素数1~20の直鎖、分岐又は環状の飽和又は不飽和脂肪族、或いは芳香族炭化水素原子基、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよいケイ素数1~20の直鎖、分岐又は環状のケイ素-ケイ素二重結合を含んでいてもよいケイ化水素原子基、カルボニル結合、チオカルボニル結合、スルホニル結合、及びスルフィニル結合よりなる群から選ばれる連結基であることが好ましい。これらは、上記式3’におけるZと同様のものを用いることができる。中でも、Rcとしては、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい炭素数1~20の直鎖、分岐又は環状の飽和又は不飽和脂肪族、或いは芳香族炭化水素原子基であることが好ましく、置換基を有していてもよい炭素数1~10の直鎖、分岐又は環状の飽和又は不飽和脂肪族炭化水素原子基であることが好ましい。中でも、置換基を有していてもよい炭素数1~6の直鎖、分岐又は環状の飽和脂肪族炭化水素原子基であることが好ましく、更に置換基を有していてもよい炭素数1~3の直鎖、分岐又は環状の飽和脂肪族炭化水素原子基であることが好ましい。ORcの繰り返し数であるnは、1以上の整数である。nは、Rcの構造や分子量によって適宜調整されることが好ましいが、中でも1~20が好ましく、更に1~10が好ましい。Rdは、水素原子、シリル基、シラノール基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、又は1価の有機基であるが、1価の有機基としては、上記R2~R5で挙げた1価の有機基と同様のものを用いることができる。中でも、感度と溶剤溶解性の点から、Rdとしては、1価の有機基が好ましい。R2、R3、R4及びR5としては、例えば、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化して水酸基、カルボキシル基、又はアミノ基となる置換基や、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してイソシアナト基又はチオイソシアナト基となる置換基や、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してアルキニル基となる置換基を有していても良い。加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化して水酸基となる置換基としては、水酸基の末端の水素が上記式2-1~上記式2-6で表わされる有機基よりなる群から選択される1種以上で置換された構造を有することが、合成が容易な点から好ましい。上記式2-1~上記式2-6内の各置換基は、前記R1の中で説明したものと同様のものとすることができる。また、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してカルボキシル基となる置換基としては、カルボキシル基の末端の水素が上記式2-1で表わされる有機基、上記式2-3で表わされる有機基、及び有機基よりなる群から選択される1種以上で置換された構造を有することが、合成が容易な点から好ましい。カルボキシル基の末端の水素が有機基により置換された構造は、エステル基-COOR41;ここで、R41は有機基であるである。中でも、カルボキシル基の末端の水素が、上記式2-1又は上記式2-3で表わされる有機基で置換された構造を有することが、合成が容易な点から好ましい。カルボキシル基の末端の水素が有機基により置換された構造、エステル基-COOR41としては、Williamson反応を用いて、カルボキシル基と水酸基の反応により得ることができる。上記エステル基のR41としては特に限定されないが、例えば、メチル基、tert-ブチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基等が好適に用いられる。また、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してアミノ基-NH2となる置換基としては、アミノ基-NH2の末端の1つの水素が上記式2-2で表わされる有機基で置換された構造を有することが、合成が容易な点から好ましい。また、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してイソシアナト基又はチオイソシアナト基となる置換基としては、公知のイソシアナト基をブロック化する反応や、転移によりイソシアナト基を形成する反応を利用して得ることができる。加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してイソシアナト基又はチオイソシアナト基となる置換基としては、下記式5-1~下記式5-6で表わされる置換基よりなる群から選択される1種以上の構造を含むことが、合成が容易な点から好ましい。下記式5-1~下記式5-6で表わされる置換基は、加熱及び/又は電磁波の照射により解離又は転移して、イソシアナト基又はチオイソシアナト基となる。式5-1中、Qは酸素原子又は硫黄原子であり、R42は有機基である。式5-2中、Ewはそれぞれ独立に電子吸引性基であり、Qは酸素原子又は硫黄原子である。式5-3中、Qは酸素原子又は硫黄原子であり、R43及びR44はそれぞれ独立に水素原子又は有機基である。式5-4中、Qは酸素原子又は硫黄原子であり、nは3~7である。上記式5-1で表される置換基は、イソシアナト基又はチオイソシアナト基と、アルコールやフェノール等の水酸基含有化合物との反応により得ることができる。式5-1のR42としては特に限定されないが、例えば、メチル基、tert-ブチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基等が好適に用いられる。上記式5-2で表される置換基は、イソシアナト基又はチオイソシアナト基と、活性メチレン基を有する化合物との反応により得ることができる。ここで活性メチレン基とは、反応活性を有するメチレン基-CH2-をいい、2つの電子吸引性基で挟まれたメチレン基を意味する。ここでの電子吸引性基とは、カルボニル基、シアノ基、ニトロ基、スルホニル基、スルフィニル基、ホスホノ基などが挙げられる。活性メチレン基を有する化合物としては、例えば、マロン酸ジメチルやマロン酸ジエチル等のマロン酸エステル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル等のアセト酢酸エステル、アセチルアセトン、マロノニトリル、シアノ酢酸エチル、ニトロ酢酸エチル、p-トリススルホニル酢酸エチル、フェニルスルフィニル酢酸エチル、ホスホノ酢酸トリメチル等を用いることができる。中でも、マロン酸エステル、アセト酢酸エステルが反応性の点から好ましい。式5-2のEwは、活性メチレン基を有する化合物における残基であり、特に限定されない。例えば、エステル基-COOR、アシル基-COR、シアノ基-CN、ニトロ基-NO2、スルホニル基-S=O2R、スルフィニル基-S=OR、ホスホ基-P=OOR2等ここで、Rは有機基が挙げられる。上記式5-3で表される置換基は、イソシアナト基又はチオイソシアナト基と、ホルマルドオキシム、アセタルドオキシム、メチルエチルケトンオキシム、シクロヘキサノンオキシム、アセトフェノンオキシム、ベンゾフェノンオキシム、2-ブタノンオキシム又はジエチルグリオキシムなどのオキシムとの反応により得ることができる。式5-3のR43及びR44としては特に限定されないが、例えば、メチル基、tert-ブチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基等が好適に用いられる。上記式5-4で表される置換基は、イソシアナト基又はチオイソシアナト基と、ε-カプロラクタム、δ-バレロラクタム、γ-ブチロラクタムなどのラクタムとの反応により得ることができる。上記式5-5で表される置換基は、下記式のように、触媒を用いてイソシアナト基を二量化させてカルボジイミド化することにより得ることができる。上記式5-5で表される置換基は、加熱により解離し、イソシアナト基を生成する。本発明においては、末端にイソシアナト基を有する塩基発生剤を準備し、当該塩基発生剤を、触媒を用いて二量化することにより得ることができる。ここで触媒としては、例えば、公知のリン系触媒がいずれも好適に用いられ、例えば1-フェニル-2-ホスホリン-1-オキシド、3-メチル-2-ホスホリン-1-オキシド、1-エチル-2-ホスホリン-1-オキシド、3-メチル-1-フェニル-2-ホスホリン-1-オキシド、あるいはこれらの3-ホスホリン異性体などのホスホリンオキシドが挙げられる。式中、Rは有機基である。上記式5-6で表される置換基は、カルボキシル基に、例えばジフェニルリン酸アジド等の酸アジドを反応することにより得ることができる。上記式5-6で表される置換基は、加熱により、クルチウス転移が起こり、イソシアナト基を生成する。本発明においては、末端にカルボキシル基を有する塩基発生剤を準備し、当該塩基発生剤のカルボキシル基に、ジフェニルリン酸アジド等の酸アジドを反応することにより得ることができる。また、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化してアルキニル基となる置換基としては、公知のアルキニル基をブロック化する反応を利用して得ることができる。アルキニル基をブロック化する反応としては、例えば、上記式2-3で表されるシリル基でブロック化する反応等が挙げられる。加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化する官能基は、R2、R3、R4及びR5のいずれかの位置において、置換基として直接ベンゼン環に結合していても良いし、適宜連結基を介してベンゼン環に結合していても良い。R2~R5の2つ以上が結合して、シクロヘキシル基等の脂環式炭化水素構造を形成している場合や、R2~R5の2つ以上が結合してそれらが結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン、フルオレン等の縮合環を形成している場合に、当該環状構造に、加熱及び/又は電磁波の照射により構造の一部が変化する官能基を有していても良い。<R6及びR7>上記一般式B及び一般式1において、R6及びR7は、それぞれ、独立に水素原子又は有機基であるが、R6及びR7のうち少なくとも1つは有機基である。有機基としては、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン原子化アルキル基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素原子基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも良い。R6及びR7における有機基は、通常、1価の有機基であるが、後述する環状構造を形成する場合や、生成するNHR6R7がジアミン等のアミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有する塩基性物質の場合等には、2価以上の有機基となり得る。また、R6及びR7は、それらが結合して環状構造になっていても良い。環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素原子、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素原子、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる2種以上が組み合されてなる構造であっても良い。前記R6及びR7の有機基中の炭化水素原子基以外の結合としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合-N=C-R-、-C=NR-、ここでRは水素原子又は1価の有機基、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、アゾ結合等が挙げられる。耐熱性の点から、有機基中の炭化水素原子基以外の結合としては、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合-N=C-R-、-C=NR-:ここでRは水素原子又は1価の有機基、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合が好ましい。前記R6及びR7の有機基中の炭化水素原子基以外の置換基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、アミノ基-NH2,-NHR,-NRR’:ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素原子基等が挙げられる。上記置換基に含まれる水素原子は、炭化水素原子基によって置換されていても良い。また、上記置換基に含まれる炭化水素原子基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。前記R6及びR7の有機基中の炭化水素原子基以外の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基が好ましい。本発明の製造方法により製造される一般式1で表される塩基発生剤より生ずる塩基はNHR6R7であるため、1級アミン、2級アミン、又は複素環式化合物が挙げられる。また当該塩基には、それぞれ、脂肪族アミン及び芳香族アミンがある。なお、ここでの複素環式化合物は、NHR6R7が環状構造を有し且つ芳香族性を有しているものをいう。芳香族複素環式化合物ではない、非芳香族複素環式化合物は、ここでは脂環式アミンとして脂肪族アミンに含まれる。更に、一般式1で表される塩基発生剤より生ずる塩基は、アミド結合を形成可能なNH基を1つだけ有するモノアミン等の塩基性化合物だけでなく、ジアミン、トリアミン、テトラアミン等のアミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有する塩基性化合物であってもよい。このような塩基性化合物を発生させる塩基発生剤は、一般式Bで表される構造のR6及び/又はR7の1つ以上の末端に、更にNC=OCH3構造を有するアセトアミド誘導体を用いて製造することができる。更に、このような構造を有するアセトアミド誘導体は、例えば、NHR6R7で表される塩基性化合物と無水酢酸を反応させることにより合成する場合には、当該塩基性化合物として、ジアミン、トリアミン、テトラアミン等のアミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有する塩基性化合物を用いることにより合成することができる。脂肪族1級アミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、sec-ブチルアミン、tert-ブチルアミン、ペンチルアミン、イソアミルアミン、tert-ペンチルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘプタンアミン、オクチルアミン、2-オクタンアミン、2,4,4-トリメチルペンタン-2-アミン、シクロオクチルアミン等が挙げられる。芳香族1級アミンとしては、アニリン、2-アミノフェノール、3-アミノフェノール、及び4-アミノフェノール等が挙げられる。脂肪族2級アミンとしては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、エチルメチルアミン、アジリジン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、アゼパン、アゾカン、メチルアジリジン、ジメチルアジリジン、メチルアゼチジン、ジメチルアゼチジン、トリメチルアゼチジン、メチルピロリジン、ジメチルピロリジン、トリメチルピロリジン、テトラメチルピロリジン、メチルピペリジン、ジメチルピペリジン、トリメチルピペリジン、テトラメチルピペリジン、ペンタメチルピペリジン等が挙げられ、中でも脂環式アミンが好ましい。芳香族2級アミンとしては、メチルアニリン、ジフェニルアミン、及びN-フェニル-1-ナフチルアミンが挙げられる。また、アミド結合を形成可能なNH基を有する芳香族複素環式化合物としては、塩基性の点から分子内にイミノ結合-N=C-R-、-C=NR-、ここでRは水素原子又は1価の有機基を有することが好ましく、イミダゾール、プリン、トリアゾール、及びこれらの誘導体等が挙げられる。ジアミン以上のアミンとしてはエチレンジアミン、1,3-プロパンジアミン、1,4-ブタンジアミン、1,5-ペンタンジアミン、1,6-ヘキサンジアミン、1,7-ヘプタンジアミン、1,8-オクタンジアミン、1,9-ノナンジアミン、1,10-デカンジアミン等の直鎖状脂肪族アルキレンジアミン;1-ブチル-1,2-エタンジアミン、1,1-ジメチル-1,4-ブタンジアミン、1-エチル-1,4-ブタンジアミン、1,2-ジメチル-1,4-ブタンジアミン、1,3-ジメチル-1,4-ブタンジアミン、1,4-ジメチル-1,4-ブタンジアミン、2,3-ジメチル-1,4-ブタンジアミン等の分岐状脂肪族アルキレンジアミン;ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン等の一般式NH2CH2CH2NHnHで示されるポリエチレンアミン類;シクロヘキサンジアミン、メチルシクロヘキサンジアミン、イソホロンジアミン、ノルボルナンジメチルアミン、トリシクロデカンジメチルアミン、メンセンジアミン等の脂環式ジアミン;p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-キシリレンジアミン、m-キシリレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族ジアミン;ベンゼントリアミン、メラミン、2,4,6-トリアミノピリミジン等のトリアミン;2,4,5,6-テトラアミノピリミジン等のテトラアミンを挙げることができる。R6及びR7の位置に導入される置換基によって、一般式1で表される塩基発生剤から生成する塩基の熱物性や塩基性度が異なる。当該塩基発生剤を感光性樹脂組成物として用いる場合、高分子前駆体から最終生成物への反応に対する反応開始温度を低下させる等の触媒作用は、塩基性の大きい塩基の方が触媒としての効果が大きく、より少量の添加で、より低い温度での最終生成物への反応が可能となる。一般に1級アミンよりは2級アミンの方が塩基性は高く、その触媒効果が大きい。また、芳香族アミンよりも脂肪族アミンの方が、塩基性が強いため好ましい。また、一般式1で表される塩基発生剤から生成する塩基が、2級アミン及び/又は複素環式化合物である場合には、当該塩基発生剤の感度が高くなる点から好ましい。これは、2級アミンや複素環式化合物を用いることで、アミド結合部位の活性水素原子がなくなり、このことにより、電子密度が変化し、異性化の感度が向上するからではないかと推定される。また、脱離する塩基の熱物性、及び塩基性度の点から、R6及びR7の有機基は、それぞれ独立に炭素数1~20が好ましく、更に炭素数1~12が好ましく、特に炭素数1~8であることが好ましい。一般式1で表される塩基発生剤は、幾何異性体が存在するが、トランス体のみを用いることが好ましい。しかし、合成および精製工程、並びに、保管時等において幾何異性体であるシス体が混ざる可能性もあり、この場合トランス体とシス体の混合物を用いても良いが、溶解性コントラストを高められる点から、シス体の割合が10未満であることが好ましい。また、一般式1で表される塩基発生剤から生ずる塩基は、アミド結合を形成可能なNH基を1つ有するものであることが、合成後の精製の容易性の点から好ましい。中でも特に、感光性樹脂組成物としてポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体と組み合わせた場合には、アミド結合を形成可能なNH基を1つ有するものであることが好ましい。一方、感光性樹脂組成物としてエポキシ系化合物と組み合わせる場合には、一般式1で表される塩基発生剤から生ずる塩基は、アミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有するものであるものも、硬化促進剤としてだけでなく硬化剤としても機能することが可能な点から好適に用いることができる。本発明に係る製造方法においては、一般式BにおけるR6及びR7がいずれも有機基である場合に、一般式1で表される塩基発生剤の反応収率がより高くなる傾向があるので、本発明に係る塩基発生剤の製造方法は、2級アミンを発生させる塩基発生剤の製造に好適である。前記一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体は、所望の構造の誘導体が市販で入手可能ならば、市販品を用いることができる。当該ベンズアルデヒド誘導体は、適宜合成して得てもよい。R1が保護基の場合、前述のように得ることができる。また、R2~R5に各置換基を有するアルデヒドは、例えば、対応する置換基を有するフェノールにDuff反応やVilsmeier-Haack反応を行う、またはジヒドロキシベンズアルデヒドにWilliamson反応などの一般的なエーテル合成手法を用いることで合成できる。その他置換基の導入は、適宜公知の方法を用いて行うことができる。前記一般式Bで表されるアセトアミド誘導体は、所望の構造の誘導体が市販で入手可能ならば、市販品を用いることができる。当該アセトアミド誘導体は、公知の方法を用いて適宜合成して得てもよい。例えば、NHR6R7で表される塩基性化合物に無水酢酸、ハロゲン化アセチル、アセチルアジド等を反応させることにより合成することができる。本発明に係る塩基発生剤の製造方法において用いられる一般式Bで表されるアセトアミド誘導体の使用量は、一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体に対して、1.0~2.0モル当量であることが好ましく、更に1.0~1.3モル当量であることが、副生成物の生成を抑制し、一般式1で表される塩基発生剤の反応収率を向上させる点から好ましい。[有機溶媒]一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体と、一般式Bで表されるアセトアミド誘導体を反応させる工程は、有機溶媒中で行われる。前記有機溶媒は、一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体、後述する塩基、及び、一般式Bで表されるアセトアミド誘導体が溶解し、又これらの化合物と反応しない溶媒を用いることが、塩基発生剤の反応収率を向上させる点から好ましい。中でも、トルエン、ジメチルホルムアミド及びテトラヒドロフランよりなる群から選択される1種以上の溶媒であることが塩基発生剤の反応収率を向上させる点から、より好ましく、更に、ジメチルホルムアミドであることが、塩基発生剤の反応収率を向上させる点からより好ましい。有機溶媒の使用量としては、特に限定されないが、通常、一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体の質量に対して、5倍から30倍程度の量が用いられる。[塩基]本発明に係る塩基発生剤の製造方法において、一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体と、一般式Bで表されるアセトアミド誘導体の反応は、塩基存在下で行われる。当該塩基は、前記アセトアミド誘導体のα位の水素を引き抜き、前記ベンズアルデヒド誘導体との反応を進行させるものと推測される。本発明において用いられる塩基としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウムの他、金属アルコキシド、金属アミド等が挙げられる。中でも、求核性の低い強塩基を用いることが、副反応を抑え、塩基発生剤の反応収率を向上させる点から好ましく、例えば、カリウム-t-ブトキシド、ナトリウム-t-ブトキシド、リチウム-t-ブトキシド、リチウムジイソプロピルアミド、カリウムヘキサメチルジシラジド、リチウムテトラメチルピペリジド等が好適に用いられる。求核性の低い強塩基の中でも、カリウム-t-ブトキシドを用いることが、塩基発生剤の反応収率を向上させる点からより好ましい。前記塩基の添加量は、特に限定されないが、一般式Bで表されるアセトアミド誘導体に対して2.0~6.0モル当量であることが好ましく、さらに2.1~4.0モル当量であることが塩基発生剤の反応収率を向上させる点から好ましい。[その他の反応条件]上記一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体に、有機溶媒中、塩基存在下で、上記一般式Bで表されるアセトアミド誘導体を反応させることができれば、手順は特に限定されない。例えば、当該工程においては、溶媒中に、まず、上記一般式Aで表されるベンズアルデヒド誘導体及び上記一般式Bで表されるアセトアミド誘導体を加えて攪拌し、次に塩基を添加することが挙げられる。上記反応工程における反応温度は、特に制限はないが、10°C~110°C程度であることが望ましい。このような範囲の温度では、反応が遅くならず、良好な収率で生成物を得ることができる。また、これらの反応の反応圧力に特に制限はないが、常圧~0.1MPaが望ましく、常圧がさらに望ましい。また当該工程における反応時間は、上記一般式Bで表されるホスホネート誘導体及び塩基の使用量や反応温度等により変動する場合があるので一概には言えないが、通常1~48時間、好ましくは3~24時間の範囲に設定される。なお、本発明の製造方法で製造された一般式1で表される塩基発生剤は、その後、更に置換基を導入する反応が行われても良い。例えば、予めR2~R5のいずれかとして導入しておいた水酸基等の官能基に、エピクロロヒドリンを反応させてエポキシ基等の反応性官能基を導入したり、保護基を導入しても良い。実施例1:塩基発生剤の合成1000mLフラスコ中、ジメチルホルムアミド195mLに下記化合物6東京化成工業製、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンズアルデヒド19.5g、下記化合物7東京化成工業、1-アセチルピペリジン20.2gを加え攪拌し、カリウム-t-ブトキシド和光純薬製40.3gを加えた。約110°Cで約4時間反応し、冷却後、水195mL及び酢酸32.4gを順に加え、更に氷冷し、析出した結晶をろ過した。得られた結晶20.0gをメタノール600mLに加温、溶解した後、冷却し、晶析させた。氷冷したのち析出した結晶をろ過、乾燥させることにより、化学式8で表される塩基発生剤27.6gを得た収率82.5。なお、固形の廃棄物は生じなかった。得られた塩基発生剤は、NMR日本電子製、JNM-EX270及びLC-MSWaters社製、micromassZQにより構造を確認した。実施例2:塩基発生剤の合成試験管中、テトラヒドロフラン3mLに上記化合物6東京化成工業製、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンズアルデヒド0.304g、上記化合物7東京化成工業製、1-アセチルピペリジン0.254gを加え攪拌し、カリウム-t-ブトキシド和光純薬製0.45gを加えた。反応温度は最高50°Cまでとして、47時間反応し、冷却後、水3mL及び酢酸0.36gを順に加え、更に氷冷し、析出した結晶をろ過した。得られた結晶0.35gをメタノール7mLに加温、溶解した後、冷却し、晶析させた。氷冷したのち析出した結晶をろ過、乾燥させることにより、上記化学式8で表される塩基発生剤0.28gを得た収率54。なお、固形の廃棄物は生じなかった。高速液体クロマトグラフィー日本分光社製、ガリバーにより塩基発生剤の合成を確認した。実施例3:塩基発生剤の合成試験管中、トルエン21mLに上記化合物6東京化成工業製、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンズアルデヒド2.13g、上記化合物7東京化成工業製、商品名:1-アセチルピペリジン1.78gを加え攪拌し、カリウム-t-ブトキシド和光純薬製3.14gを加えた。反応温度は最高100°Cまでとして、8時間反応し、冷却後、水21mL及び酢酸1.7gを順に加え、更に氷冷し、析出した結晶をろ過した。得られた結晶1.9gをメタノール38mLに加温、溶解した後、冷却し、晶析させた。氷冷したのち析出した結晶をろ過、乾燥させることにより、上記化学式8で表される塩基発生剤1.5gを得た収率41。なお、固形の廃棄物は生じなかった。高速液体クロマトグラフィーにより塩基発生剤の合成を確認た。比較例1:塩基発生剤の合成試験管中、ジメチルホルムアミド3mLに上記化合物6東京化成工業製、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンズアルデヒド0.304g、上記化合物7東京化成工業製、商品名:1-アセチルピペリジン0.254gを加え攪拌し、濃硫酸10μLを加えた。反応温度は最高100°Cまでとして、4時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式8で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。比較例2:塩基発生剤の合成試験管中、テトラヒドロフラン3mLに化合物6東京化成工業製、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンズアルデヒド0.304g、化合物7東京化成工業製、1-アセチルピペリジン0.254gを加え攪拌し、濃硫酸10μLを加えた。反応温度は最高65°Cまでとして、4時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式8で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。比較例3:塩基発生剤の合成試験管中、トルエン3mLに化合物6東京化成工業製、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンズアルデヒド0.304g、化合物7東京化成工業製、1-アセチルピペリジン0.254gを加え攪拌し、濃硫酸10μLを加えた。反応温度は最高100°Cまでとして、4時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式8で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。比較例4:塩基発生剤の合成試験管中、ジメチルホルムアミド3mLに化合物6東京化成工業製、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンズアルデヒド0.304g、化合物7東京化成工業製、1-アセチルピペリジン0.254gを加え攪拌し、塩化アルミニウム和光純薬製0.027gを加えた。反応温度は最高100°Cまでとして、8時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式8で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。比較例5:塩基発生剤の合成試験管中、テトラヒドロフラン3mLに化合物6東京化成工業製、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンズアルデヒド0.304g、化合物7東京化成工業製、1-アセチルピペリジン0.254gを加え攪拌し、塩化アルミニウム和光純薬製0.027gを加えた。反応温度は最高65°Cまでとして、8時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式8で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。比較例6:塩基発生剤の合成試験管中、トルエン3mLに化合物6東京化成工業製、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンズアルデヒド0.304g、化合物7東京化成工業製、1-アセチルピペリジン0.254gを加え攪拌し、塩化アルミニウム和光純薬製0.027gを加えた。反応温度は最高100°Cまでとして、8時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式8で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。比較例7:塩基発生剤の合成試験管中、トルエン3mLに化合物6東京化成工業製、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンズアルデヒド0.304g、化合物7東京化成工業製、1-アセチルピペリジン0.254gを加え攪拌し、p-トルエンスルホン酸水和物和光純薬製0.190gを加えた。反応温度は最高120°Cまでとして、5時間反応させた。得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーで測定したところ、上記化学式8で表される塩基発生剤の生成はほとんど見られなかった。"