上部に開口部を有する坩堝と、前記坩堝にフラックスを供給するためのフラックス供給機構と、前記開口部よりも上方に集塵口を有する集塵機構と、前記フラックス供給機構から供給される前記フラックスと前記集塵機構との間にガスを吹き込むためのガス吹き込み機構と、を具備する、シリコンの精製装置。前記ガス吹き込み機構は、前記フラックス供給機構の少なくとも一部の周囲を取り囲むように設けられている、請求項1に記載のシリコンの精製装置。坩堝に溶融シリコンを保持する工程と、前記溶融シリコンにフラックスを添加する工程と、を含み、前記フラックスを添加する工程においては、前記溶融シリコンと前記フラックスとの反応物を前記坩堝上方の集塵機構により吸い込みながら、前記フラックスと前記集塵機構との間にガスを吹き込む、シリコンの精製方法。スラグ法においては、溶融シリコンとフラックスとの反応により白煙が発生するので、一般的に溶融シリコンを保持する容器坩堝の上部に白煙を吸引するための集塵機構が設けられる。しかし、図4に示す従来のシリコンの精製装置においては、集塵機構5を稼動させた状態でフラックス31の添加を行なう場合、粉末状のフラックス31が溶融シリコン2に到達する前に集塵口51の吸引力により集塵されて図4中の矢印Cの方向、集塵粉として回収され処分されることがあった。このような問題を解決するために、フラックス投入管を溶融シリコンの方向に伸長させる方法も考えられる。しかしながら、1500°C程度の高温になる融液の輻射熱で投入管が溶けてしまったり、割れてしまったりすることが考えられる。また、フラックス投入管が酸化消耗するといった問題も考えられる。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、反応前のフラックスが集塵機構により吸引される現象を抑制することのできるシリコンの精製装置およびシリコンの精製方法を提供することにある。本発明は、上部に開口部を有する坩堝と、上記坩堝にフラックスを供給するためのフラックス供給機構と、上記開口部よりも上方に集塵口を有する集塵機構と、上記フラックス供給機構から供給される上記フラックスと上記集塵機構との間にガスを吹き込むためのガス吹き込み機構と、を具備する、シリコンの精製装置である。上記ガス吹き込み機構は、上記フラックス供給機構の少なくとも一部の周囲を取り囲むように設けられていることが好ましい。また、本発明は、坩堝に溶融シリコンを保持する工程と、上記溶融シリコンにフラックスを添加する工程と、を含み、上記フラックスを添加する工程においては、上記溶融シリコンと上記フラックスとの反応物を上記坩堝上方の集塵機構により吸い込みながら、上記フラックスと上記集塵機構との間にガスを吹き込む、シリコンの精製方法にも関する。本発明によれば、反応前のフラックスが集塵機構により吸引される現象が抑制されるため、シリコンの精製における不要なコストを削減することができる。また、フラックスの添加効率が向上するので、シリコンの精製全体の効率を向上させることができる。溶融した精製対象物にフラックスを添加して不純物を除去する方法は、スラグ法として知られる方法であり、精製対象物がシリコンである場合、原料シリコンに含まれるボロンが主として除去される。シリコンを対象としたスラグ法においては、ボロンが除去される限り、ボロン以外の原料シリコンに含まれる他の不純物が同時に除去される場合も含みうる。また、ボロンなどの不純物を除去するとは、たとえば原料シリコン中に含まれるボロンなどの不純物濃度を低減することをいい、必ずしも、全不純物が除去されることを要するものではなく、以下において除去とは同様の意味である。以下、本発明のシリコンの精製装置およびシリコンの精製方法についてさらに詳細に説明する。なお、本願の図面において同一の参照符号を付したものは、同一部分または相当部分を示している。図1に本発明のシリコンの精製装置の一例の概略断面図を示す。また、図2は、図1に示すシリコンの精製装置のA-A断面での概略断面図である。図1に示すように、本実施形態のシリコンの精製装置100は、上部に開口部1aを有する坩堝1と、坩堝1にフラックスを供給するフラックス供給機構3と、開口部1aよりも上方に集塵口51を有する集塵機構5と、コンプレッサ41や外管42から構成されるガス吹き込み機構とを備える。なお、図1においては、坩堝1に溶融シリコン2が保持された状態を示す。本実施形態では、図3に示されるように、フラックス供給機構3の投入管33から供給されるフラックス31と集塵機構5との間に、坩堝1溶融シリコン2の方向図3の矢印Bの方向に向けて、コンプレッサ41から送られたガスを投入管33と外管42の間から吹き込むことで、当該工程により反応前のフラックス31が集塵機構5により吸引される現象を抑制することができる。以下、本実施形態に用いられる材料、部材および機構について説明する。<坩堝>上記坩堝1としては、このようなシリコン精製において用いられる従来公知のものを用いることができる。具体的には、坩堝1を構成する材料が溶融シリコンに対する耐熱性を有するものであればよく、たとえば、黒鉛、シリカ、アルミナ、マグネシア、炭化ケイ素などの公知材料から構成される坩堝を用いることができる。<溶融シリコン>溶融シリコン2は原料シリコンを加熱して形成される溶融物である。図1は、坩堝1に原料シリコンを供給後、加熱することにより溶融シリコン2が形成され、この溶融シリコン2が坩堝1に保持された状態を示している。本実施形態で使用する原料シリコンとしては、金属シリコンが主に用いられるが、太陽電池用単結晶シリコンウエハ製造工程で発生するシリコン端材など、冶金的精製によって太陽電池用シリコンを製造できる材料であれば、いかなるものであってもよい。なお、溶融シリコン2の加熱に用いる装置は図示していないが、抵抗加熱や誘導加熱など、公知の装置や方法を使用すればよい。<フラックス供給機構>フラックス供給機構3は、坩堝にフラックスを供給する機構である。フラックスとは、溶融シリコンから不純物を除去するために、シリコンに添加される成分である。フラックスを構成する成分およびフラックスの組成等については後述する。図1においては、たとえば炭酸ナトリウムと二酸化ケイ素との2種類の成分からなるフラックスを溶融シリコン2に供給するフラックス供給機構3を例示している。フラックス供給機構3は、フラックスを保持するためのタンク32と投入管33とを備えており、タンク32はフラックスを吐出するための開閉可能な吐出口32aを含む。吐出口32aを開くことにより、所望量のフラックスが投入管33から坩堝1の溶融シリコン2に供給される。なお、フラックスは上記2成分に限られるものではなく、後述の各フラックス構成成分の複数の組み合わせが適用される。なお、本実施形態のシリコンの精製装置100において、フラックス供給機構3のタンクに保持されるフラックスは、たとえば、複数のタンクに収容された各フラックス構成成分を所定の比率で混合するフラックス調製機構から供給される。ただし、このようなフラックス調製機構は必須ではなく、別途所定成分のフラックスを入手してフラックス供給機構3のタンクに投入してもよい。<集塵機構>上記スラグ法において、溶融シリコンにフラックスを添加すると、溶融シリコンとフラックスとの反応物である白煙が発生する。このような白煙の発生を放置するとシリコンの精製装置や工場内部を汚染するばかりではなく、フラックスの投入状況や溶融状況を作業者が確認しにくくなり、作業効率が低下するという問題を生じる。この白煙を吸引除去するために、坩堝1の開口部1aの上部に集塵機構5が設けられる。図1および図2に例示するように、本実施形態における集塵機構5は、坩堝1の開口部の外縁の少なくとも一部に沿うように配置された集塵フード52を具備する。この集塵フード52は中空体であって、坩堝1の開口部1aに面した集塵口51と、集塵口51から収集した集塵物を集塵フード52の外部に排出する排出口53とを有している。さらに排出口53は中空体である吸引ダクト54の内部に開口しており、吸引ダクト54の内部空間が図示しない真空ポンプなどによって減圧されることにより、上記白煙を構成するガスや粉塵を回収することができる。ここで集塵口51は図2に示すように分割された複数の開口であってもよいし、また、単一の開口であってもよい。また、集塵機構5は坩堝1と一体化されていてもよく、別個に坩堝1に積載させた形態、または坩堝1上部に他の保持手段により配設する形態として取外しや移動が可能な形態としてもよい。スラグ法の工程に鑑みれば、移動が可能な形態としておくことが好ましい。なお、図1~図3において、集塵口51が鉛直面に設けられる形態を示すが、その開口部分集塵口51がシリコン溶湯面に対面するように下向きに、または傾けて向けられていてもよい。なお、集塵機構5は、シリコン精製工程中常に稼動させていることが好ましいが、フラックス31を添加していない期間たとえば坩堝1に保持された固体状態の原料シリコンの加熱を開始してから溶融終了までの期間は稼動させなくてもよい。<ガス吹き込み機構>図3に示されるように、フラックス供給機構3の投入管33から供給されるフラックス31と集塵機構5との間に、坩堝1溶融シリコン2の方向図3の矢印Bの方向に向けて、ガスが吹き込まれる。このガスは、コンプレッサ41から吹き込まれたガスが投入管33と外管42の間を通して吹き出されたものである図1参照。この場合、ガス吹き込み機構は、コンプレッサ41および外管42から構成される。このようにしてガスが吹き込まれることで、粉末状のフラックス31が溶融シリコン2に到達する前に集塵口51の吸引力により集塵されてしまう現象を抑制することができ、シリコン精製において用いられるフラックスを有効に利用することができる。また、集塵機構5に回収される粉末状のフラックス31の量が少なくなるため、廃棄物を削減することができる。なお、ガスとしては、たとえば、空気または窒素などの不活性ガスを用いることができる。ガス吹き込み機構は、フラックス供給機構3の少なくとも一部の周囲を取り囲むようにガスを吹き込む機構を有することが好ましい。これにより、より確実に粉末状のフラックス31が溶融シリコン2に到達する前に集塵口51の吸引力により集塵されてしまう現象を抑制することができる。なお、ガス吹き込み機構から吹き込まれるガスは、集塵機構5による溶融シリコンにフラックスを添加した際に生じる白煙の集塵を妨げないように、フラックス供給機構3から供給されるフラックス31の周辺付近に吹き込まれることが好ましい。次に、図1のシリコン精製装置を用いた本発明のシリコンの精製方法の一例について説明する。<原料シリコンの溶融工程>まず、図1に坩堝1に原料シリコンを供給後、加熱することにより溶融して溶融シリコン2とする。<フラックスの添加工程>次に、図3に示すように、溶融シリコン2にフラックス31を添加し、溶融スラグを形成する。フラックス31の添加時においては、溶融シリコン2とフラックス31との反応物を坩堝上方の集塵機構5により吸い込みながら、フラックス31と集塵機構5との間にガスを吹き込む。このようなフラックスを添加する工程は繰り返し行ってもよい。また、フラックス31を複数添加する場合は、フラックス31の添加の前に形成された溶融スラグを公知の方法によって排出してもよい。本実施形態におけるフラックス31は、溶融シリコン2の全質量に対して、1回の添加工程あたりに1質量~50質量添加することが好ましく、3質量~10質量添加することがより好ましい。このような添加量とすることによって、溶融シリコン2とフラックス31との反応を効率的かつ十分なものとすることができる。なお、1回の添加工程あたりの添加量とは、フラックス添加と溶融スラグ排出を複数回繰り返す際の各回の添加量を指し、複数回全ての添加量の総和を示すものではない。本実施形態において、上記フラックス31としては、たとえば、二酸化ケイ素と、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の炭酸水素塩およびアルカリ金属のケイ酸塩の少なくともいずれか一種とを含むものが挙げられる。アルカリ金属酸化物としては、酸化リチウムLi2O、酸化ナトリウムNa2O、酸化カリウムK2Oなどを例示することができる。また、アルカリ金属の炭酸塩としては、炭酸リチウムLi2CO3、炭酸ナトリウムNa2CO3、炭酸カリウムK2CO3などを例示することができる。アルカリ金属の炭酸水素塩としては、炭酸水素リチウムLiHCO3、炭酸水素ナトリウムNaHCO3、炭酸水素カリウムKHCO3などを例示することができる。アルカリ金属のケイ酸塩としては、ケイ酸リチウムLi2SiO3、ケイ酸ナトリウムNa2SiO3、ケイ酸カリウムK2SiO3などを例示することができる。これらのアルカリ金属酸化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の炭酸水素塩またはアルカリ金属のケイ酸塩は単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。なかでも取り扱いが容易な点からは、アルカリ金属の炭酸塩が好ましく用いられる。上記アルカリ金属酸化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の炭酸水素塩またはアルカリ金属のケイ酸塩に水和物が存在する場合、それらの水和物も含まれる。上記溶融シリコン2に添加するフラックス31における二酸化ケイ素と、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の炭酸水素塩またはアルカリ金属のケイ酸塩の少なくともいずれか一種との混合比は、二酸化ケイ素の含有量質量部をXとし、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の炭酸水素塩またはアルカリ金属のケイ酸塩の少なくともいずれか一種の含有量質量部をYとすると、これらの含有量比X:Yが、1:0.2~1:20であることが好ましく、X:Yが1:1~1:4であることがより好ましく、このような含有量比である場合は、たとえば、後述の式1の理論反応量モル当量が含まれ、溶融シリコンとの反応性が良好となる。なお、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の炭酸水素塩またはアルカリ金属のケイ酸塩を2種以上混合して用いる場合は、上記含有量Yは、これらの合計量をいうものである。上記理論反応量とは、たとえば、二酸化ケイ素と炭酸ナトリウムとからなるフラックス31を用いる場合、下記式1における化学量論に従う量をいう。式1において反応性生物である二酸化炭素CO2は、気化して坩堝1の開口部11より外部に排出される。また、ケイ酸ナトリウムNa2SiO3はノロとして回収され、その後フラックス原料として再利用される場合もある。Na2CO3SiO2→Na2SiO3CO2...1上記スラグ法においては、溶融シリコン2にフラックス31が添加された反応系溶融液を公知の攪拌手段により攪拌してもよい。フラックス31は、粉粒状であることが好ましい。これらの粉粒状のフラックスの粒子径は、たとえば、1μm~10000μm、より好ましくは50μm~7000μmである。このような粒子径のフラックスを用いる場合は、溶融シリコンとの濡れ性に優れ、また、取り扱いが容易である点で好ましい。上記粒子径は、レーザ回折式粒度分布測定法を用い、その平均値によって決定すればよい。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。以下の本実施例の説明は図1に基づいて行なうが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1純度が99.9質量の原料シリコンボロン含有量5ppm800kgを、坩堝1に投入し、坩堝1の温度を1500°Cに昇温して溶融シリコン2を得た。フラックス31としては、二酸化ケイ素と炭酸ナトリウムとからなるものを用いた。フラックス調製機構図示せずにおいて、2つのタンクにそれぞれ二酸化ケイ素、炭酸ナトリウムを保持させ、この2つのタンクから二酸化ケイ素18kgと炭酸ナトリウム36kgとをフラックス供給機構3に送って混合した後合計54kg、投入管33を介して坩堝1に投入した。坩堝1の開口部1aは直径90cmの円形で、開口部1aより上部に、開口部1aの外縁部分の少なくとも一部に沿うように配置された集塵フード52を設けた。集塵フード52には、集塵口51を等間隔で11個設けており、集塵口51の開口部分は円周に沿った長さを20cm、垂直方向の幅を10cmとした。さらに集塵フード52には、直径37cmの円形の配管である吸引ダクト54が接続され、これをファンによって吸引し、投入したフラックス31、溶融シリコン2とフラックス31との反応により発生した白煙の微粒子、シリコン溶液2の酸化により発生した酸化シリコンなどをフィルタで捕獲および回収する集塵機構5を設けている。そして、フラックス31の投入時において、溶融シリコン2とフラックス31との反応により生じた白煙を集塵機構5により吸い込みつつ、フラックス供給機構3の投入管33から供給されるフラックス31と集塵機構5との間に、坩堝1溶融シリコン2の方向図3の矢印Bの方向に向けて、エアを吹き込んだ。このエアは、コンプレッサ41から吹き込まれたエアが投入管33と外管42の間を通して吹き出されたものである。投入管33の直径は4.8cm、外管42の直径は6.0cmであり、エア吹出圧力は0.6MPaであった。上記フラックス31の投入を25回繰り返すことにより、シリコン中のボロン含有量を0.2ppm以下にすることができた。比較例1エア吹き込みを行なわなかった以外は、実施例1と同様にして、シリコンの精製を行なった。比較例1では、ボロン含有量を0.2ppm以下にするために、27回のフラックスの投入が必要であった。このことから、実施例1では、比較例1に比べて、シリコン精製における不純物の除去に用いるフラックスの使用量を7.4低減できたことが分かる。以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。