"センサを有する基板テーブルであって、該センサは、放射に対して不透明な物質層が設けられた物質のブロックであって、該不透明物質層が放射の透過を許可するよう構成された少なくとも一つのウィンドウを有する、物質のブロックと、前記ウィンドウに位置する波長変換物質と、前記波長変換物質から放出された放射を受けるよう位置付けられた導波路であって、前記物質のブロック中に埋め込まれるとともに、前記波長変換物質から放出された放射を前記物質のブロック中を通って検出器に向けて導くよう構成された導波路と、を備えることを特徴とする基板テーブル。前記不透明物質層およびウィンドウは回折格子の一部を形成することを特徴とする請求項1に記載の基板テーブル。前記ウィンドウは、複数のウィンドウの一つであることを特徴とする請求項1または2に記載の基板テーブル。一組のウィンドウは第1方向に延在しており、前記ウィンドウの少なくともいくつかは、前記第1方向を横断する第2方向において異なる位置を有することを特徴とする請求項3に記載の基板テーブル。前記ウィンドウの少なくともいくつかは異なる高さに設けられていることを特徴とする請求項3または4に記載の基板テーブル。各ウィンドウは、波長変換物質の別々の一部分が設けられていることを特徴とする請求項3から5のいずれかに記載の基板テーブル。前記導波路は、複数の導波路の一つであることを特徴とする請求項3から6のいずれかに記載の基板テーブル。各ウィンドウは、異なる導波路に結合されることを特徴とする請求項3から7のいずれかに記載の基板テーブル。a複数のウィンドウのうち一つまたは複数に位置する波長変換物質、および/または、b一つまたは複数の導波路に設けられたフィルタは、500~2000nmの波長範囲から一つまたは複数の異なる放射波長を選択するよう構成されることを特徴とする請求項3から8のいずれかに記載の基板テーブル。前記検出器は、複数の検出器の一つであることを特徴とする請求項3から9のいずれかに記載の基板テーブル。複数の検出器からの出力信号は、プロセッサにより個別に処理されることを特徴とする請求項10に記載の基板テーブル。前記波長変換物質から放出された放射を増幅するよう構成されたドーパントまたは非線形結晶物質が導波路に設けられ、放射を前記導波路中に直接ポンプするために光学ポンプが配置されており、ポンプ放射は、ドーパントを励起するようにまたは前記非線形結晶物質中の信号を増幅するように設定された波長を有する、ことを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載の基板テーブル。前記波長変換物質は、EUV放射が該波長変換物質に入射したときに、500~2000nmの波長範囲の波長を有する放射を放出するよう構成されることを特徴とする請求項1から12のいずれかに記載の基板テーブル。放射ビームを調整するよう構成された照明系と、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するよう構成された支持部と、センサを有する基板テーブルであって、該センサが、放射に対して不透明な物質層が設けられた物質のブロックであって、該不透明物質層が放射の透過を許可するよう構成された少なくとも一つのウィンドウを有する、物質のブロックと、前記ウィンドウに位置する波長変換物質と、前記波長変換物質から放出された放射を受けるよう位置付けられた導波路であって、前記物質のブロック中に埋め込まれるとともに、前記波長変換物質から放出された放射を前記物質のブロック中を通って検出器に向けて導くよう構成された導波路と、を備え、基板を保持するよう構成された基板テーブルと、前記パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系と、を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。EUV放射ビームをパターニングデバイスでパターニングするステップと、パターン付き放射ビームを投影系で基板テーブルにより支持された基板上に投影するステップと、前記基板テーブルのセンサでEUV放射ビームの光学特性を測定するステップであって、該センサが、放射に対して不透明な物質層が設けられた物質のブロックであって、該不透明物質層が放射の透過を許可するよう構成された少なくとも一つのウィンドウを有する、物質のブロックと、前記ウィンドウに位置する波長変換物質と、前記波長変換物質から放出された放射を受けるよう位置付けられた導波路であって、前記物質のブロック中に埋め込まれるとともに、前記波長変換物質から放出された放射を前記物質のブロック中を通って検出器に向けて導くよう構成された導波路とを備える、ステップと、前記センサで前記基板テーブルと前記パターニングデバイスのアライメントを測定するステップと、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。通常、マスクを基板テーブルと位置合わせするために用いられるセンサは、空間強度分布を作成するために、様々な位置で回折格子によりEUV放射を検出し、光強度を測定する。回折格子は、多数の開口部ウィンドウから成る。いくつかまたは全ての開口部完全回折格子completegratingを透過した光を検出するために、これらの開口部より下方に光検出器が配置される。センサ回折格子の空間像サンプリングスキームの解像度は回折格子グレーチングのサイズにより制限されるので、アライメントセンサプレートは、通常、移動する必要がある回折格子のサイズは、フォトマスク上のスペースを最適に利用するために出来るだけ小さくする必要がある。さらに、現在利用可能な光検出器はかなり大きく、互いに近接した複数の回折格子のために多数の検出器を使用することを妨げる。従って、光強度を正確に測定するために、センサ回折格子は空間中で移動されなければならず、高精度で制御されなければならない。センサの移動は、時間、複雑な制御システム、マシンリソース及び移動時間にわたる安定性を必要とする。加えて、光検出器からの電気信号は、通常弱く、電磁ノイズを拾いやすい。それ故、フォトダイオードとプリアンプとの間の電気信号線はなるべく短くされ、従ってプリアンプは、通常光検出器の近くに配置される。プリアンプは熱を発生し、この熱はアライメントセンサ回折格子の変形の一因となり、最終的に位置合わせした位置の計算ミスを引き起こす可能性がある。さらに、光検出器および電子機器は大きな構造体を形成しておりこれもまた多数の検出器の小型化および使用を阻害する、センサ内部において特別な位置合わせを必要とする。上述した不利点の一つまたは複数を解決するセンサを有する基板テーブルを備えたリソグラフィ装置を提供することが望ましい。本発明の一態様によれば、センサを有する基板テーブルが提供される。該センサは、放射に対して不透明な物質層が設けられた物質のブロックを備える。該物質層は、放射の透過を許可するよう構成された少なくとも一つのウィンドウを有する。センサはさらに、ウィンドウに位置する波長変換物質と、波長変換物質から放出された放射を受けるよう位置付けられた導波路とを備える。導波路は、物質のブロック中に埋め込まれるとともに、波長変換物質から放出された放射を物質のブロック中を通って検出器に向けて導く。物質のブロックは、半導体チップまたは誘電体ブロックであってよい。導波路は、30ミクロン未満の高さおよび/または幅を有してもよい。検出器は、基板テーブル中に設けられてもよい。検出器は、半導体チップ中に設けられてもよく、半導体チップに隣接して設けられてもよい。検出器は、複数の検出器の一つであってもよい。ウィンドウは、複数のウィンドウの一つであってもよい。一組のウィンドウは第1方向に延在しており、該ウィンドウの少なくともいくつかは、前記第1方向を横断するすなわち垂直な第2方向において異なる位置を有してもよい。ウィンドウの少なくともいくつかは、異なる高さに設けられてもよい。各ウィンドウは、波長変換物質の別々の一部分が設けられていてもよい。導波路は、複数の導波路の一つであってもよい。各ウィンドウは、異なる導波路に結合されてもよい。導波路の少なくともいくつかは、前記半導体チップ内部で異なる深さに延在していてもよい。導波路の少なくともいくつかは、横方向に互いに離れて間隔を置かれてもよい。波長変換物質から放出された放射を増幅するよう構成されたドーパントが導波路中に設けられてもよく、放射を導波路中に直接ポンプするために光学ポンプが配置されてもよい。ポンプ放射は、ドーパントを励起するよう設定された波長を有する。波長変換物質は、EUV放射が該波長変換物質に入射したときに、500~2000nmの波長範囲の波長を有する放射を放出するよう構成されてもよい。不透明物質層は、EUV放射に対して不透明であってもよい。不透明物質層は、500~2000nmの波長範囲の放射に対して不透明であってもよい。本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、放射ビームを調整するよう構成された照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するよう構成された支持部と、本発明の上述の態様のいずれかに係る、基板を保持するよう構成された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系と、を備える。本発明の一態様によれば、デバイス製造方法が提供される。この方法は、デバイスを製造するために本発明のリソグラフィ装置を用いるステップを備える。この方法は、センサを用いてEUV放射ビームの光学特性を測定するステップと、センサを用いて基板テーブルとマスクとのアライメントを測定するステップとを含む。本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、放射ビームを調整するよう構成された照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するよう構成された支持部と、センサを有する基板テーブルであって、該センサが、放射に対して不透明な物質層が設けられた物質のブロックであって、該不透明物質層が放射の透過を許可するよう構成された少なくとも一つのウィンドウを有する、物質のブロックと、ウィンドウに位置する波長変換物質と、波長変換物質から放出された放射を受けるよう位置付けられた導波路であって、物質のブロック中に埋め込まれるとともに、波長変換物質から放出された放射を物質のブロック中を通って検出器に向けて導くよう構成された導波路と、を備え、基板を保持するよう構成された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系と、を備える。本発明の一態様によれば、デバイス製造方法が提供される。この方法は、放射ビームを調整するよう構成された照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するよう構成された支持部と、センサを有する基板テーブルであって、該センサが、放射に対して不透明な物質層が設けられた物質のブロックであって、該不透明物質層が放射の透過を許可するよう構成された少なくとも一つのウィンドウを有する、物質のブロックと、ウィンドウに位置する波長変換物質と、波長変換物質から放出された放射を受けるよう位置付けられた導波路であって、物質のブロック中に埋め込まれるとともに、波長変換物質から放出された放射を物質のブロック中を通って検出器に向けて導くよう構成された導波路と、を備え、基板を保持するよう構成された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系と、を備えるリソグラフィ装置を用いるステップと、センサを用いてEUV放射ビームの光学特性を測定するステップと、センサを用いて基板テーブルとパターニングデバイスのアライメントを測定するステップと、を備える。本発明の一態様によれば、デバイス製造方法が提供される。この方法は、パターニングデバイスでEUV放射ビームをパターニングするステップと、パターン付き放射ビームを投影系で基板テーブルにより支持された基板上に投影するステップと、基板テーブルのセンサでEUV放射ビームの光学特性を測定するステップであって、該センサが、放射に対して不透明な物質層が設けられた物質のブロックであって、該不透明物質層が放射の透過を許可するよう構成された少なくとも一つのウィンドウを有する、物質のブロックと、ウィンドウに位置する波長変換物質と、波長変換物質から放出された放射を受けるよう位置付けられた導波路であって、物質のブロック中に埋め込まれるとともに、波長変換物質から放出された放射を物質のブロック中を通って検出器に向けて導くよう構成された導波路とを備える、ステップと、センサで基板テーブルとパターニングデバイスのアライメントを測定するステップと、を備える。図1は、本発明の一実施形態に係る放射源コレクタモジュールSOを含むリソグラフィ装置100を模式的に示す。リソグラフィ装置は、放射ビームB例えばEUV放射を調整するよう構成された照明系イルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクまたはレチクルMAを支持するよう構成されるとともに、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第1位置決め装置PMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、基板例えばレジストコーティングされたウェハWを保持するとともに基板を正確に位置決めするよう構成された第2位置決め装置PWに接続された基板テーブル例えばウェハテーブルWTと、パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの例えば1つまたは複数のダイを含むターゲット部分Cに投影するよう構成された投影系例えば反射投影系PSとを備える。照明系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組合せを含み得るものであり、放射の向きや形状を整え、あるいは放射を制御するためのものである。支持構造MTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否か等のその他の条件に応じた方式で、パターニングデバイスMAを保持する。支持構造は、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いてもよい。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルであってよく、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影系に対して所望の位置にあることを保証してもよい。パターニングデバイスなる用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するために放射ビーム断面にパターンを与えるのに使用される何らかのデバイスを表すと広義に解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、ターゲット部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応していてよい。パターニングデバイスは、透過型であってもよいし、反射型であってもよい。パターニングデバイスの実施例には、マスクやプログラム可能ミラーアレイ、プログラム可能LCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッド型マスクが含まれる。プログラム可能ミラーアレイは例えば、小型ミラーのマトリックス配列で構成される。各ミラーは、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個別的に傾斜可能である。傾斜したミラーは、ミラーマトリックスにより反射された放射ビームにパターンを付与する。投影系は、照明系のように、使用される露光放射に応じて、あるいは真空の使用等のその他の要因に応じて適切とされる、例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、または他の種類の光学素子、あるいはこれらの組合せなどの様々な種類の光学素子を含んでよい。EUV放射に対しては真空を用いることが望ましい。他のガスは過剰に放射を吸収する可能性があるからである。それ故、真空壁および真空ポンプを用いて全ビーム経路に真空環境が与えられてもよい。本明細書で表現するように、本装置は反射型例えば反射マスクを採用するである。リソグラフィ装置は2つ以上2つの場合にはデュアルステージと呼ばれるの基板テーブル及び/または2つ以上のマスクテーブルを備えてもよい。こうした多重ステージ型の装置においては、複数のテーブルは並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブルが露光のために使用されている間に、1以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。図1を参照すると、イルミネータILは放射源コレクタモジュールSOから極端紫外EUV放射ビームを受け取る。EUV光を生成する方法には、EUV範囲内で一つ以上の輝線を持つ例えばキセノン、リチウムまたはスズなどの少なくとも一つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することが含まれるが、これに限定する必要はない。そのような一つの方法しばしばレーザ生成プラズマLPPと呼ばれるでは、必要な輝線元素を有する材料の液滴、ストリームまたはクラスターなどの燃料をレーザビームで照射することによって、必要なプラズマを発生させることができる。放射源コレクタモジュールSOは、図1には示されていない、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザを備えるEUV照射システムの一部であってもよい。得られたプラズマは、例えばEUV放射である出力放射を発し、放射源コレクタモジュール内に配置された放射コレクタを使用して放射が集められる。例えばCO2レーザを使用して燃料を励起するレーザビームを提供するとき、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の存在であってもよい。このような場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、例えば適切な指向ミラー及び/またはビームエキスパンダを備えるビーム搬送系の助けを借りて、レーザから放射源コレクタモジュールへと放射ビームを通過させる。他の場合では、例えば光源が放電生成プラズマEUVジェネレータしばしばDPP源と呼ばれるであるとき、光源は放射源コレクタモジュールの一体部品であってもよい。イルミネータILは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び/または内径の値通常それぞれσouter、σinnerと呼ばれるを調整することができる。加えてイルミネータILは、ファセットフィールドfacettedfield及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他の部品を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。放射ビームBは、支持構造例えばマスクテーブルMTに保持されているパターニングデバイス例えばマスクMAに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス例えばマスクMAから反射された後に、放射ビームBは投影系PSを通過する。投影系PSはビームを基板Wの目標部分Cに合焦させる。第2ポジショナPWと位置センサPS2例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなどの助けを借りて、基板テーブルWTは正確に移動され、放射ビームBの経路に異なる複数の目標部分Cを位置決めする。同様に、第1ポジショナPM及び別の位置センサPS1を使用して、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイス例えばマスクMAを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して、パターニングデバイス例えばマスクMA及び基板Wを位置合わせすることができる。図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも一つで使用することができる。1.ステップモードでは、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射で一つの目標部分Cに投影される間、支持構造例えばマスクテーブルMT及び基板テーブルWTは実質的に静止状態とされるすなわち1回の静的な露光。そして基板テーブルWTがX方向及び/またはY方向に移動されて、異なる目標部分Cが露光される。2.スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、支持構造例えばマスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期して走査されるすなわち1回の動的な露光。支持構造例えばマスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影系PSの拡大縮小特性及び像反転特性により定められる。3.別のモードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、支持構造例えばマスクテーブルMTはプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルWTは移動または走査される。パルス放射源が用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは走査中に基板テーブルWTが移動するたびに、または連続する放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上記のプログラム可能ミラーアレイなどのプログラム可能パターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに直ちに適用することができる。上記のモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードを用いてもよい。図2は、放射源コレクタモジュールSO、照明系IL及び投影系PSを含む装置100をより詳細に示す図である。放射源コレクタモジュールSOは、該コレクタモジュールSOの閉鎖構造220内で真空環境が維持されるように構成され配置されている。一実施形態では、EUV放出プラズマ210は、燃料源200により与えられる必要な線発光元素を有する材料の液滴、流れまたはクラスターなどの燃料を、レーザなどの光源LAから放射されたレーザビーム205で照射することによって生成されてもよい。一実施形態では、EUV放射放出プラズマ210は、放電生成プラズマ光源によって形成されてもよい。EUV放射は、例えばXeガス、Li蒸気、またはSn蒸気等の気体または蒸気によって生成される。この気体または蒸気中で非常に高温のプラズマ210が生成されてEUV領域の電磁スペクトルの放射が発せられる。非常に高温のプラズマ210は、例えば放電により少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生成することにより発生する。効率的に放射を生成するためには、Xe、Li、Sn蒸気またはその他の任意の適するガスまたは蒸気の例えば10Paの分圧が必要である。一実施形態では、EUV放射を生成するために励起されたスズSnのプラズマが提供される。放射源コレクタモジュールSOは、放射コレクタCOを含んでもよい。これは、いわゆる垂直入射型コレクタであってよい。放射コレクタCOで反射した放射は、仮想光源点IFに合焦される。仮想光源点IFは一般に中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールは、閉鎖構造220内の開口221にまたはその近傍に中間焦点IFが位置するように配置される。仮想光源点IFは、放射放出プラズマ210の像である。続いて、放射は照明系ILを横切る。照明系ILは、パターニングデバイスMAにおける所望の放射強度の一様性と同様に、パターニングデバイスMAにおける放射ビーム21の所望の角度分布を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイスfacettedfieldmirrordevice22及び瞳ミラーデバイス24を備えてもよい。支持構造MTによって保持されたパターニングデバイスMAで放射ビーム21が反射すると、パターン付与されたビーム26が形成される。パターン付与されたビーム26は、投影系PSによって、反射素子28、30を経由して基板テーブルWTで保持された基板W上に結像される。一般に、図示よりも多くの素子が照明光学ユニットIL及び投影系PS内に存在してもよい。リソグラフィ装置のタイプに応じて、格子スペクトルフィルタが選択的に存在してもよい。さらに、図に示すよりも多くのミラーが存在してもよい。例えば、1~6個の追加の反射素子が図2に示す投影系PS内に存在してもよい。基板テーブルWTは、本発明の実施形態に係るアライメントセンサASが設けられている。図3は、図1および図2に示す基板テーブルに対応する基板テーブルWTを模式的に示す。アライメントセンサASは、基板テーブルWTに設けられている。アライメントセンサASは、グレーチング1を含む。グレーチング1は一連の線により模式的に表されている。図3には3本の線のみが図示されているが、グレーチング1は任意の適切な数の線を備えてよい。グレーチング1は、例えばアライメントに用いられる回折格子すなわちアライメントグレーチングであってよい。アライメントセンサASは、物質のブロックに形成されている。この物質は、本実施形態では半導体チップ2例えば、シリコンまたは他の適切な半導体から形成されるである。図3において、半導体チップ2の一部の拡大図が基板テーブルWTの下方に示されている。この拡大図から分かるように、アライメントセンサASは、波長変換物質4および導波路5を備える。導波路は、半導体チップ2内に埋め込まれており、波長変換物質4から放出された放射を受け、導く。導波路5は、コア6およびクラッド7を備える。クラッドはコアを取り囲んでいる。コア6は、クラッド7よりも高い屈折率を有する。この屈折率差は十分に大きいので、波長変換物質4から放出された放射は導波路により実質的に閉じ込められ、その結果、放射が導波路5に沿って導かれる。波長変換物質は、例えばEUV放射が入射したときに赤外放射または可視放射を放出する物質であってよい。波長変換物質は、例えば500~2000nmの範囲の放射を放出してもよい。アライメントグレーチング1の一部の拡大図を示す。アライメントグレーチングは、EUV放射に対し不透明な物質層8を備える。この物質層は、ウィンドウ9が設けられている。不透明物質8は、例えばアルミニウム、または他の任意の適切な物質であってよい。不透明物質8はEUV放射を遮断するが、EUV放射はウィンドウ9を通過できる。不透明物質8およびウィンドウ9は、このようにアライメントグレーチングの一部を形成する。図3はまた、A線に沿った半導体チップ2の断面図を模式的に示す。この断面図から分かるように、導波路5は、矩形断面を有するしかし、他の任意の適切な断面形状を有してもよい。コア6の高さhcおよび幅は、波長変換物質4から放出された放射の波長のオーダであってもよいし、またはこれより大きくてもよい。本明細書において、放射の波長は、放射がコア6内にあるときの波長であり、これは、空気中における放射の波長よりも著しく短い。コア6の厚さおよび幅は、変換物質から放出された放射の波長より小さくてもよい。しかしながら、これが著しく小さい場合、放射が導波路に沿って進むときにかなりの放射損失引き起こす可能性がある。一般的に、コア6が小さくなればなるほど、コア内の放射は少なくなり、より多くの放射がコア外となる。コア6外の放射はクラッド7内となるであろう。しかしながら、クラッドが十分に厚くない場合、放射はクラッドから半導体チップ2に漏れ、その結果、検出器による検出に利用可能な放射量は減少する。逆に、コアが大きい場合、より多くの放射がコア内に保持され、検出器による検出に利用できる放射が多くなる。さらに、より大きなコアは、波長変換物質4からより多くの放射を収集する。クラッド7の厚さtclは、波長変換物質4から放出された放射の波長のオーダであってよく、またはこれより大きくてもよい。本明細書において、放射の波長は、放射がクラッド7内にあるときの波長であり、これは、空気中における放射の波長よりも著しく短い。クラッド7は、波長変換物質4から放出された放射の波長と一致する厚さを有してもよいし、クラッドはこれより厚くてもよい。クラッドをより厚くすることにより、クラッドから半導体チップ2に漏れる放射が少なくなるので、放射がコア6に沿って進むときに損失する放射量を低減できる。導波路5の高さhwは、波長変換物質4から放出される放射の波長の3倍またはそれ以上であってよい。導波路5の幅も同様に、波長変換物質4から放出される放射の波長の3倍またはそれ以上であってよい。波長変換物質4は、例えば赤外放射または可視放射を放出してもよい。それ故、コアの高さは、例えば10ミクロン未満、5ミクロン未満、2ミクロン未満、または1ミクロン未満であってよい。コアの幅は、例えば10ミクロン未満、5ミクロン未満、2ミクロン未満、または1ミクロン未満であってよい。クラッドの厚さは、例えば10ミクロン未満、5ミクロン未満、2ミクロン未満、または1ミクロン未満であってよい。導波路の高さおよび/または幅は、従って30ミクロン未満、15ミクロン未満、6ミクロン未満、または3ミクロン未満であってよい。不透明物質8は、例えばAl、Cu、TiN、または他の任意の適切な物質例えば金属であってよい。不透明物質は、例えば約100nmの厚さの層として、または他の適切な厚さの層として設けられてもよい。導波路のコア6は、Si、SiO2、SiC、Si3N4、InGaAsP、または他の任意の適切な材料例えば任意の適切な半導体、例えばIII-V族および/またはII-VI族元素および/またはIV族元素から形成された半導体などから形成されてよい。導波路のクラッド7は、SiO2、Si3N4、SiC、InGaAsP、または他の任意の適切な材料例えば任意の適切な半導体、例えばIII-V族および/またはII-VI族元素および/またはIV族元素から形成された半導体などから形成されてよい。導波路のクラッド7は、半導体チップ2と同じ材料で構成されてもよい。InGaAsPが用いられる場合、これはInPブロックまたはGaAsブロック中に設けられてもよい例えば、半導体チップ2はInPまたはGaAsから形成されてもよい。Si、SiCまたはSi3N4が用いられる場合、これは、SiまたはSiO2ブロック中に設けられてもよい例えば、半導体チップ2はSiから形成されてもよい。あるいは、半導体チップはCdTeから形成されてもよい。半導体チップ2は、任意の適切な半導体材料例えば、III-V族および/またはII-VI族元素から形成された半導体、またはGeなどのIV族元素から形成された半導体から形成されてもよい。半導体チップ2を形成するために用いられる半導体材料は、クラッド7およびコア6を形成するために用いられる材料の格子と整合する格子を有してもよい。半導体チップ2を形成するために用いられる半導体材料は、クラッド7およびコア6の格子寸法に十分近い寸法の格子を有してもよく、その結果、物質界面で生じるストレスのために導波路5が不正確に形成されることがなくなる。InGaAsPが用いられる場合、その光学的特性屈折率を含むおよび機械的特性は、構成材料の相対濃度を変えることにより調整されてもよい。相対濃度を変化させ、光学的特性および機械的特性を調整するために、InxGa1-xAsyP1-yに対し、xおよびyの値が0から1の間で変えられてもよい。同様に、他の材料の光学的特性が構成材料の相対濃度を変えることにより調整されてもよい。上述したように、コア6の屈折率ncはクラッド7の屈折率nclより大きい、すなわちnc>nclである。波長変換物質4で生成された放射の波長は、導波路のコア6およびクラッド7を形成するために用いる材料を選択する際に考慮されてよい例えば、その波長において実質的に透明な材料が選択されてもよい。波長変換物質4は、例えばYAG:Ce、または他の任意の適切なシンチレーション物質などのシンチレーション物質であってよい。シンチレーション物質は、例えばP43であってよい。P43は、母材であるGd2O2Sを活性化するためにTdを用いて形成されたリンである。波長変換物質4は、半導体であってもよい。EUV放射の光子は、約90eVのエネルギーを有しており、従って、半導体物質の電子を励起するのに十分なエネルギーを提供する。半導体物質が直接バンドギャップを有する場合、これらの電子が基底状態に緩和する際に光子が放出される。適切な直接バンドギャップ半導体は、III-V族およびII-VI族からなる半導体である。波長変換物質は、500~2000nmの波長を有する放射を放出することが望ましい。この波長範囲の放射を導くために比較的低損失の導波路が構成されるからである。この波長範囲は、0.6~2.4eVの範囲の光子エネルギーに一致する。この範囲内に含まれるバンドギャップを有する半導体物質が波長変換物質として用いられてもよい。この範囲内のバンドギャップを有する半導体物質は、GaAs約1.4eVのバンドギャップ、AlGaAs約1.42~2.16eVのバンドギャップ、InGaAs約0.36~1.43eVのバンドギャップ、InGaAsP0.9~1.3eVのバンドギャップを含む。他の半導体物質が用いられてもよい。波長変換物質4の特性は、構成材料の相対濃度を変えることにより調整されてよい。導波路5を含む半導体チップ2の製造は、従来のリソグラフィ技術または当技術分野で周知の技術によるものであってよい。導波路およびアライメントグレーチングを形成するためにパターンがレジスト上に露光され、処理およびエッチングされる。パターンは、波長変換物質を形成するために用いられてもよい。リソグラフィ技術は、例えば、SiおよびSi上に成長した物質を用いてもよい。しかしながら、GaAsおよびAlGaAsなどの物質の格子寸法は、Siと異なるので、これらの物質をSiまたは関連物質上に成長させることはできない。従って、波長変換物質4は、成長させるよりむしろ、半導体チップ2上に接着することにより設けられてもよい。例えば、導波路5が形成された時点で、波長変換物質4例えば、InGaAsまたはAlGaAsが導波路の表面上に接着されてもよい。波長変換物質4は、半導体チップに広がるそして潜在的に複数の半導体チップに広がる層として設けられる。代替的な方法では、波長変換物質は、ファンデルワールス結合を用いて半導体チップ2に結合されてもよい。Siチップまたはウェハ上にIII-V族からなる半導体を接着または結合することも可能である。波長変換物質4を導波路上に接着または結合した後に、リソグラフィパターニングおよびエッチングを用いて不要な波長変換物質を除去し、例えば図3に示すように波長変換物質が所望の位置にのみ残るようにしてもよい。追加的な半導体チップ材料およびクラッド材料が従来のリソグラフィ技術を用いて半導体チップ上に設けられてもよい。この後、アライメントグレーチング1が従来のリソグラフィ技術を用いて形成されてもよい。半導体チップ2は、半導体ウェハ基板とも称される上に全て一緒に形成された複数の半導体チップのうちの一つであってよい。クラッド7は、単一物質から形成されてもよいし、物質の組合せから形成されてもよい。コア6の異なる側面上にクラッド7を形成するために、異なる物質が用いられてもよい。例えば、コア6の情報のクラッド7を形成するために用いられる物質は、コアの下方のクラッドを形成するために用いられる物質と異なっていてもよく、および/または、コアの左および/または右側面のクラッドを形成するために用いられる物質と異なっていてもよい。コア6は、異なる物質から形成されてもよい。例えば、コア6を形成するために半導体の交代層が用いられてもよい。一実施形態では、コア6を形成するために、InGaAsPおよびInPの交代層が用いられてもよい。これは、所望の屈折率を有するコア6を設けるためになされてもよい。図3は、一つのウィンドウ9および一つの導波路5のみを示す。図4は、アライメントセンサASの断面図である。図4は、図3ほどは拡大されておらず、従ってより多くのウィンドウおよび導波路を示すことができている。5つの導波路15a-eは、半導体チップ2中において全て互いの真下に位置しているすなわち、それらは実質的に垂直に並べられている。導波路15a-eは、全て異なる深さに設けられており、z方向に分離している。これにより、導波路は、互いに交差することなく、半導体チップ2の一端まで通ることができる。導波路15a-eのそれぞれは、図3に示す構造すなわち、コアがクラッドにより取り囲まれた構造を有してもよい。しかしながら、この構造は、図示を簡略化するために図4から省略されている。導波路15a-eは、x方向に放射を導くよう構成される。図4には、切れ目14が示されている。この切れ目は、導波路15a-eが図3に図示されるよりも著しく長くてもよいことを表す。導波路15a-eは、例えば1cmを超えて延びてもよいし、2cmを超えて延びてもよいし、または3cmを超えて延びてもよい。導波路15a-eは、初めに波長変換物質4から下方に向かって延在し、次に斜めに向かって延在し、次に最終的に水平方向に延在している。導波路15a-eの下方延在部分は異なる長さを有しており、導波路の斜め延在部分もまた異なる長さを有している。これにより、導波路15a-eの水平延在部分を異なる深さに設けることが可能となる。放射が道路波の下方延在部分から斜め延在部分に通過する際に、いくらかの放射が損失する可能性がある。同様に、放射が導波路の斜め延在部分から水平延在部分に通過する際にもいくらかの放射が損失する可能性がある。これは、十分な放射が検出器で受光されており所望の信号対雑音比で放射を検出することが可能であれば、アライメントセンサの動作に影響を及ぼさないであろう。たとえ大きな放射損失が導波路で生じたとしても例えば80の放射損失、アライメントセンサを効果的に用いることが可能である。導波路の放射損失がアライメントセンサの動作に大きな影響を及ぼす可能性がある場合、導波路は、放射損失が所望量未満となるよう構成されてもよい。これは、例えば導波路の異なる部分間に存在する角度が所定値を超えないようにすることにより、達成されてもよい。導波路にコーナーよりむしろカーブを設けることにより達成されてもよい。波長変換物質から放出される放射量が十分に高い場合、導波路の斜め部分は省略されてもよい。導波路は、例えば、代わりに90°のコーナーを含んでもよい。いくらかの放射がこのコーナーで損失するかもしれないが、十分な放射が維持されるので、アライメントセンサを効果的に用いることができる。各導波路15a-eの端部には、検出器16a-eが設けられている。各検出器は、該導波路に沿って進んできた放射を検出するよう構成される。検出器は、例えば、半導体チップ2中に位置してもよい。あるいは、検出器は、図示されるように半導体チップ2に隣接して位置してもよく、例えば基板17中に保持されてもよい。検出器16a-eは、例えばフォトダイオードであってよい。検出器16a-eは、例えば2次元アレイ状に設けられてもよい。検出器16a-eは、例えばCCDアレイであってもよい。検出器16a-eの出力信号は、処理電子装置図示せずに送られる。上述したように、半導体チップ2の表面には不透明物質8が設けられている。不透明物質には、一連のウィンドウ9が設けられている。ウィンドウ9は、一定間隔で分離されており、従って不透明物質8にグレーチング1を形成している。波長変換物質4の一部分は、各ウィンドウ9の真下に設けられている。波長変換物質4の一部分のそれぞれは、半導体チップ2の半導体物質により分離されている。半導体チップ2は、EUV放射に対し不透明であり且つ波長変換物質4から放出される放射に対しても不透明な物質から形成されてよい。半導体チップの物質は、それによって、波長変換物質の一部分間で生じるクロストークが生じるのを防ぐことができる。それに加えてまたは代えて、導波路間でクロストークが生じるのを防ぐために、金属または波長変換物質から放出される放射に対し不透明な他の物質が導波路間に設けられてもよい。例えばクラッド7の外側境界に金属が設けられてもよい。金属は、例えば、0.5ミクロン未満の厚さを有する金属層であってもよい。アライメントの間、EUV放射はアライメントセンサAS上に入射する。不透明物質8上に入射するEUV放射は、遮断される。しかしながら、ウィンドウ9に向かうEUV放射は該ウィンドウを通過し、波長変換物質4上に入射する。波長変換物質4は、EUV放射よりも長い波長の放射例えば、可視または赤外放射を放出する。この放射は、導波路15a-eに沿って導かれ、検出器16a-eに進む。検出器により受けられた放射は、マスクMAと基板テーブルWTとの間のアライメントを得るために用いられる図2参照。本発明の実施形態が図5に模式的に示されている。図5は、上方から見たアライメントセンサの一部の部分断面図を模式的に示す。検出器は図5から省略されている。しかしながら、例えば上述したように検出器が設けられてもよい。アライメントセンサは、半導体チップ2を備え、その上には不透明物質8が設けられている。不透明物質8には、一連のウィンドウ9が設けられており、このウィンドウは一定間隔で分離しておりグレーチング1を形成している。一連の導波路25a-eがx方向に延在している。各導波路25a-eは、異なるウィンドウ9と接続しており、x方向に放射を導くよう構成されている。図5には示されていないが、波長変換物質が各ウィンドウ9に位置している。波長変換物質は、EUV放射を受け、より長い波長の放射例えば可視または赤外放射を放出するよう構成されている。図5から分かるように、各導波路25a-eは、y方向に分離しており、それにより、導波路間でクロストークを生じることなく、放射を導波路により導くことができる。導波路はy方向に分離されているので、導波路は垂直方向すなわちz方向に分離される必要はないが、この方向にも分離されてもよい。導波路25a-eは、例えば、異なる深さを有していてもよいが全て同じ深さで半導体チップ2を通過してもよい。検出器図示せずは、例えば、導波路25a-eのウィンドウ9とは反対側の端部に位置してもよい。本発明の実施形態図示せずでは、いくつかの導波路がz方向に分離していてもよく、y方向に分離していてもよい。導波路は、任意の適切な形態を有してよい。図では検出器まで延びる導波路の一部はx方向に延在しているが、導波路はy方向または他の任意の方向例えばリソグラフィ装置の光軸に対して実質的に横切る方向垂直方向に延在していてもよい。検出器まで延びる導波路の一部は、図では互いに対して平行であるが、導波路は平行でなくてもよい。いくつかの導波路は、それぞれ反対方向に、実質的に反対方向に、または異なる方向に延在していてもよい。この場合、検出器はそれに応じて、導波路により導かれた放射を受けるために異なる位置に設けられてもよい。検出器は、例えば、半導体チップ2の異なる側面上に位置してもよい。別々の導波路が各ウィンドウに対して設けられてもよい。あるいは、導波路は、波長変換物質による波長変換の後に一つより多くのウィンドウから放射を受けるよう構成されてもよい。ただ一つの導波路が全てのウィンドウに対して設けられてもよい。同様に、波長変換物質のただ一部分が全てのウィンドウに対して設けられてもよい。アライメントセンサASは、例えば、パターニングデバイスMAを基板テーブルWTと位置合わせしたいときに用いられてよい。これは、グレーチングの像が基板テーブルWTの近くに形成されるように本明細書ではマスクグレーチング像と呼ばれる、パターニングデバイスMA上に設けられたグレーチングを通り抜けたEUV放射を検出することにより達成される。基板テーブルWTは、アライメントセンサASがマスクグレーチング像とオーバーラップするように位置付けられてもよい。マスクグレーチング像に対する基板テーブルWTの位置が測定され、その結果、パターニングデバイスMAと基板テーブルとの間のアライメントを達成することが可能となる。アライメントグレーチング1の不透明物質8に向かうマスクグレーチング像のEUV放射は透過せず、それ故検出器16a-eにより検出されない。ウィンドウ9EUV放射すなわちアライメントグレーチング1の透過性部分に向かうEUV放射は、波長変換物質4に入射する。このようにして、このEUV放射により波長変換物質4で放出される放射がもたらされ、この放射は導波路15a-e、25a-eに沿って検出器まで進む。検出器により検出される放射量は、アライメントセンサグレーチング1に対するマスクグレーチング像のアライメントに依存する。グレーチング像およびアライメントセンサグレーチング1の両方が同じ周期を有する場合、マスクグレーチング像の明部分がアライメントセンサグレーチングのウィンドウ9と位置合わせされたとき、最大の信号が検出器で検出される。マスクグレーチング像がアライメントグレーチング1の不透明物質8と位置合わせされたとき、最少の信号が検出される。マスクグレーチング像の明部分がアライメントセンサグレーチング1のウィンドウ9と部分的にオーバーラップしているとき、中間の信号が検出される。一アライメント方法では、アライメントグレーチングがマスクグレーチング像中を移動するように、基板テーブルWTはz方向を横切って移動される例えばx方向に移動される。検出器で検出される放射強度は、この移動の間モニタされ、強度変化はマスクグレーチング像に対するアライメントグレーチング1の位置を決定するために用いられる。これにより、パターニングデバイスの位置に対する基板テーブルWTの位置を測定することが可能となり、その結果、パターニングデバイスと基板テーブルとを位置合わせすることが可能となる。グレーチング1の位置が、基板テーブルWTとパターニングデバイスMAの相対位置の正確な測定を達成するのに必要とされるキャプチャ範囲内となるようにするために、粗いアライメントが既に行われていてもよい。この粗いアライメントは、例えば、長周期の別のアライメントグレーチングを用いて行われてもよいし、または他のアライメントシステムを用いて行われてもよい。一実施形態では、検出器16a-eからの出力信号は、プロセッサ図示せずがただ一つの放射強度値を処理するために、全て一緒に加えられてもよい。あるいは、ただ一つの検出器が用いられてもよい。複数の検出器に代えて、導波路15a-eにより届けられた放射を検出するためにただ一つの検出器が用いられてもよい。これらのアプローチのどちらかにより、本リソグラフィ装置のアライメントを従来のリソグラフィ装置ただ一つのフォトダイオードがアライメントグレーチングの直下に位置しているでなされているのと同じように行うことが可能となる。一実施形態では、検出器16a-eからの出力信号はプロセッサにより個別に処理されてもよい。これがなされる場合、ただ一つの放射強度値が用いられる場合よりも多くの情報がプロセッサに提供される。これにより、プロセッサは、従来の方法とは異なる方法でアライメントを測定できる。例えば、基板テーブルを従来技術のシステムよりも小さい走査動作で移動する間に、各導波路から検出された異なる強度が基板テーブルWTとパターニングデバイスMAとの相対位置を測定するために用いられてもよい。検出器16a-eからの出力信号がプロセッサにより個別の処理される一実施形態では、アライメントは、基板テーブルWTまたはパターニングデバイスMAの走査動作を用いることなく測定されてもよい。基板テーブルWTのパターニングデバイスMAに対する整列位置は、検出器16a-eからの信号を比較してどの検出器が最も高い出力信号を有するか見ることにより測定されてもよい。最も高い出力信号を有する検出器は、パターニングデバイスMAから投影されたパターンの中心点を指し示していると考えることができ、この情報を用いて基板テーブルWTおよびパターニングデバイスのアライメントを達成できる。図6は、基板テーブルWTまたはパターニングデバイスMAの走査動作を用いずにアライメントを測定するときに用いられる本発明の一実施形態を模式的に示す。図6は、上方から見たアライメントセンサの一部を示す。EUV放射に対して不透明である物質層108が設けられており、該物質層は二組のウィンドウ109,110を有する。各ウィンドウには、波長変換物質4が設けられている。他の実施形態に関して上述したのと同様に、各ウィンドウから検出器図示せずまで導波路図示せずが通っている。該導波路は、他の実施形態に関して上述したような特性を有してよい。ウィンドウ109,110は、x方向においてジグザク状staggeredである。すなわち、与えられた二組のウィンドウ109,110の各ウィンドウは、隣り合うウィンドウに対してx方向にオフセットしている。x方向のオフセットは互いに等しくてもよいし、異なっていてもよい。x方向のオフセットは、ウィンドウ109,110の各組において同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、図6は、2つのアライメントグレーチング線40a,40bの像を示す。該像は、パターニングデバイスMA図2参照におけるグレーチングの開口部を通過したEUV放射により形成される。該開口部は、投影系PSにより物質層108上に結像される。図から分かるように、像40a,40bは、二組のウィンドウ109,110と部分的にオーバーラップしている。第1の像40aを参照すると、この像は一組のウィンドウのうち第1および第2ウィンドウ109a,bとオーバーラップしていないことが分かる。この像は、一組のウィンドウのうち第3および第4ウィンドウ109cdと部分的にオーバーラップしており、一組のウィンドウのうち第5および第6ウィンドウ109efと完全に重なっている。従って、ウィンドウ中に位置する波長変換物質4から放出された放射を検出する検出器は、像40aのx方向の位置を測定するために用いられる。一組のウィンドウにおける最初の2つのウィンドウ109abからは、ほとんどあるいは全く放射は受光されない。第3のウィンドウ109cからは少量の放射が受光され、第4のウィンドウ109dからは大量の放射が受光される。第5および第6のウィンドウ109efからは、さらに大量の放射が受光される。リソグラフィ装置のプロセッサは、このようにして像40aの左端の位置を測定し、それにより像の位置を測定する。第2の像40bを参照すると、該像は、違ったやり方で一組のウィンドウ110とオーバーラップしていることが分かる。この場合も先と同様に、ウィンドウに接続された検出器により検出された放射強度により、像40bの位置を測定することができる。二組のウィンドウ109,110により、パターニングデバイスMAにおけるアライメントマークの線の像40a,40bの位置を基板テーブルWTの走査動作なしで測定することが可能となる。これにより、パターニングデバイスMAに対する基板テーブルWTのアライメントを基板テーブルの走査動作を行わずに測定することが可能となる。図6には二組のウィンドウ109,110しか図示されていないが、任意の適切な数のウィンドウの組が用いられてよい。同様に、ウィンドウ109,110の各組は6個のウィンドウを備えているが、一組のウィンドウは任意の適切な数のウィンドウを備えてよい。各ウィンドウは別々の導波路および検出器を有するものとして言及されているが、一つより多くのウィンドウが所定の導波路と結びつけられてもよい。検出器は、一つより多くのウィンドウからの放射を受光してもよい。ウィンドウ109,110のx方向における位置の差は、パターニングデバイスMAに対する基板テーブルWTのアライメントが測定される精度を決定する。ウィンドウを小さな間隔でずらすことにより、アライメント測定の精度が高くなり、ウィンドウを大きな間隔でウィンドウをずらすことにより、アライメント測定の精度は低くなる。パターニングデバイスMAに対する基板テーブルWTのy方向におけるアライメントを可能とするために、y方向に延在するウィンドウの組が設けられてもよい。図7は、本発明のさらに別の実施形態に係るアライメントセンサASの一部を上から見た図を模式的に示す。EUV放射に対し不透明な物質層208中に、3つのアライメントグレーチング201a-cが形成されている。グレーチング201a-cは、ウィンドウ209を備える。各ウィンドウは、波長変換物質4を備える。図7の右側は、第1のグレーチング201aにおける一部のウィンドウ、第2のグレーチング201bにおける一部のウィンドウ、および第3のグレーチング201cにおける一部のウィンドウの断面を示す。どの場合にも、波長変換物質4ウィンドウ中に設けられており、導波路215が半導体物質2を介して検出器図示せずまで通っている。第1のグレーチング201aでは、ウィンドウは、半導体物質の表面にまたはその近くに設けられている。第2のグレーチング201bでは、ウィンドウは、半導体物質の凹部中に設けられている。ウィンドウが凹部中に設けられているので、該ウィンドウは、第1のグレーチング201aのウィンドウよりもz方向の位置が低い。第3のグレーチング201cでは、ウィンドウは、半導体物質より上方に設けられている。EUV不透明物質層208は、ウィンドウを半導体物質に対して高くするために、この位置において厚い層として設けられている。第3のグレーチング201cは、z方向において第1のウィンドウ201aの組より高い。グレーチング201a-cのウィンドウは、異なる高さに設けられている。どの場合も、見て分かるように、波長変換物質4はウィンドウの上面にまたはそれに隣接して位置している。図7に示す実施形態によれば、投影系PSの像焦点面に対するアライメントセンサASの位置を測定できる。図7には、パターニングデバイスMAに設けられたアライメントマーク線の像240a、240bが図示されている。これらの像は、シャープなエッジを有するものとして図示されている。しかしながら、実際には、像のエッジのシャープネスは、投影系の像焦点面に対するz方向の位置に依存する。半導体物質2の上面が投影系の像焦点面内にある場合を例とすると、アライメントグレーチング線像240a、240bは、第1のアライメントグレーチングが投影系の像焦点面内またはその近傍にあるので、第1のアライメントグレーチング201aの近くにシャープなエッジを有する。第2のアライメントグレーチング201bは、投影系の像焦点面の真下にある。その結果、アライメントグレーチング像240a、240bは、広がったエッジを有し、第2のアライメントグレーチング201bのウィンドウに入射する放射の強度は減少する。同様に、第3のアライメントグレーチング201cは像焦点面の上方にあり、その結果アライメントグレーチング像240a、240bのエッジは広がり、第3のアライメントグレーチングのウィンドウに入射する放射の強度は減少する。波長変換物質4から放出された放射を受ける検出器図示せずに接続されたプロセッサは、検出器で受けた放射の強度に基づいて、像焦点面が第1のアライメントグレーチング201aのz方向の位置と一致していることをあるいは、それが第2または第3のアライメントグレーチング201b、201cの面よりもこの面に近いことを測定する。このようにして、アライメントセンサASは、基板テーブルをz方向に走査動作することなく、投影系PSの像焦点面に対する基板テーブルWTの位置を測定できる。図3には、3つの異なるz方向レベルでアライメントグレーチングが図示されているが、任意の適切な数のアライメントグレーチングが設けられてもよい。アライメントグレーチングは、任意の適切な高さの組合せで設けられてもよい。基板テーブルWTのz方向位置が測定される精度は、アライメントグレーチング201a-c間のz方向間隔によって決まる。図7には3つのアライメントグレーチング201a-cが図示されているが、任意の数のアライメントグレーチングが設けられてもよい。アライメントグレーチングの所定のz方向間隔において、アライメントグレーチングの数を増やすことにより、投影系PSの焦点面の位置を測定できるキャプチャ範囲が増大する。アライメントグレーチングのz方向間隔は、投影系の焦点面の位置を測定する精度を決定する。z方向間隔を小さくすることにより、精度が高くなり、z方向間隔を大きくすることにより精度が低くなる。基板テーブルWTのz方向の位置についての情報を取得するのに加えて、図7に示すアライメントセンサASは、パターニングデバイスMAに対する基板テーブルWTのx方向のアライメントを測定するために用いられてもよい。図3-5に図解した実施形態に関して説明した特徴もまた、図6および7に図解した実施形態に適用されてよい。実際には、本発明の任意の実施形態の特徴が互いに組み合わされてもよい。波長変換物質4は、EUV不透明物質8の上面と実質的に同一平面上にある上面を有してもよい。波長変換物質4は、EUV不透明物質8に対して二にの適切な高さに設けられてもよい。基板テーブルの走査動作を用いずにアライメントを測定する実施形態では、アライメントセンサグレーチングの周期は、マスクグレーチング像の周期と異なっていてもよい。この場合、アライメントセンサグレーチングの各ウィンドウは、マスクグレーチング像とわずかに異なるオーバーラップを有する。これにより、アライメントセンサグレーチングがマスクグレーチング像と同じ周期を有する場合よりも、アライメントセンサとマスクグレーチング像の相対位置に関してより多くの情報を集めることができる。基板テーブルをパターニングデバイスMAと位置合わせするために基板テーブルWTの走査動作を必要としない実施形態では、アライメントをより速く行うことができ、その結果、リソグラフィ装置のスループットを増大することが可能となる。本発明の実施形態では、導波路は半導体物質例えば半導体チップに埋め込まれてもよい。導波路は、半導体物質例えば半導体チップ内に一体的に形成されると考えられてもよい。また波長変換物質およびアライメントグレーチングが、半導体物質と一体的に形成されると考えてもよい。本明細書では、一体的に形成という用語は、導波路、波長変換物質、アライメントグレーチングおよび半導体物質例えば半導体チップが固体ブロックを形成することを意味すると考えてよい。この構造は有利である。本発明の実施形態のアライメントセンサは、例えば別々に設けられたアライメントグレーチング、波長変換物質、光ファイバ、および検出器を備え、それらが共に結合されるアライメントセンサと比べて環状であるからである。アライメントセンサは、構成要素が互いに対して移動しにくいので、別々に設けられた構成要素を備えるアライメントセンサよりも安定している。別々に設けられた構成要素は互いに切り離されやすいので、本アライメントセンサはまた、別々に設けられた構成要素を備えるアライメントセンサよりも長寿命である。回折格子の各ウィンドウに対し別々の導波路が設けられる実施形態では、回折格子は、任意の所望の長さを有してもよい。回折格子を透過した全ての放射を収集するためにただ一つの導波路が用いられる場合、これは回折格子の長さを制限するであろう。導波路の特性が導波路の断面積を制限するからである。回折格子の各ウィンドウに対し別々の導波路および別々の検出器が用いられる場合、大量の情報がプロセッサで利用可能となる。その結果、アライメントセンサは、パターニングデバイスMAと基板テーブルWTの相対位置以外の特性を測定するために用いることができるすなわち、センサは単なるアライメントセンサではない。例えば、EUV放射ビームの特性がセンサにより測定されてもよい。これらの特性は、EUV放射ビームの強度の空間的および/または時間的な変化、放射ビームの収差、放射ビームの焦点面の位置などを含んでもよい。これらの特性は、パターニングデバイスMAを用いて適切な開口またはパターンをEUV放射ビーム中において位置合わせし、その後、例えばアライメントセンサおよび/またはパターニングデバイスMAの位置の関数として、センサの異なる検出器で受光した放射を測定することにより測定されてもよい。従来のアライメントセンサでは、検出器がアライメントグレーチングの直下に位置している。検出器は、アライメントグレーチングを透過した放射を検出し、電気信号を送信する。検出器は、大きな熱源となる可能性があり、この熱はアライメント測定に誤差をもたらす可能性がある。アライメントセンサは、例えば、基板テーブルWTの端部に位置しており、検出器からの熱が基板テーブルの端部の歪みを生じさせる可能性がある。基板テーブルWTの位置を測定するために干渉計が用いられる場合、この基板テーブルの端部の歪みは、基板テーブルの測定位置に誤差をもたらす可能性がある。本発明の実施形態は、検出器がアライメントグレーチングから離れているそして基板テーブルWTの端部から離れているので、このような不都合を回避できる。検出器は、例えば、検出器から放出された熱がアライメントグレーチングに到達しないほどアライメントグレーチングから十分遠くに位置してもよく、あるいは、検出器に到達した熱がアライメント測定に重大な影響を及ぼさないほど十分遠くに位置してもよい。例えば、検出器は、検出器から放出された熱がアライメントグレーチングと基板テーブルWT上に保持された基板との間において基板テーブルWTの機械的変形を生じさせないほど、アライメントグレーチングから十分遠くに位置してもよい。さらに検出器は、例えば、検出器から放出された熱が基板テーブル端の隣接部に到達しないほど基板テーブルWTの端部から十分遠くに位置してもよく、あるいは熱がアライメントマークと基板テーブル端の隣接部との間において重大な変形を生じさせないほど十分遠くに位置してもよい。検出器は、例えば、冷却装置例えば水の循環を用いた装置などの能動冷却装置に隣接した位置に設けられてもよい。一実施形態では、検出器は、導波路の端部に設けられていない。その代わりとして、追加の導波路が設けられている。この追加の導波路は、導波路に沿って進んだ放射を受け、その放射を導くよう構成される。検出器は、追加の導波路の遠端に設けられてもよい。追加の導波路は、例えば光ファイバであってもよいし、半導体物質中に形成されてもよい。追加の導波路は、例えば、アライメントセンサASから離れて位置する例えば、半導体チップから離れ定置する基板テーブルWTにおける位置に放射を運ぶために用いられてもよい。これは、アライメント測定に影響を及ぼす不要な熱効果の可能性を低減する。追加の導波路は、例えば、基板テーブルWTから離れた位置に放射を運ぶために用いられてもよい。これは、例えば基板テーブルからケーブルとして通る光ファイバを介してなされてもよい。しかしながら、信号は、空間オープンスペースを介して、例えばウェハステージWS上のLEDと真空容器の壁上のフォトダイオードを用いて、ウェハステージWSから真空容器の壁上の検出器に放射を輸送することにより、運ばれてもよい。異なる波長の放射を放出する波長変換物質4が用いられてもよい。例えば図4を参照すると、各導波路15a-eと結合された波長変換物質は、異なる波長を放出してもよい。この場合、導波路15a-eの端部まで進む放射は、一つの追加の導波路例えば光ファイバ中に多重されてもよい。多重化された放射は、追加の導波路に沿って進み、その後、追加の導波路の反対側の端部で分波され、検出されてもよい。分波器は、例えば波長に依存する方法で放射を異なる検出器に導くよう構成された一つまたは複数のグレーチングを備えてもよい。一実施形態では、異なる波長の放射を放出する異なる波長変換物質4に代えて、波長変換物質は、広帯域の放射を放出してもよい。導波路にフィルタが設けられてもよい。各導波路は、異なるフィルタが設けられる。異なるフィルタは、各導波路に対し異なる波長の放射を選択するよう構成される。フィルタは、例えばブラッグブレーチングであってもよい。波長多重が上述した方法でこの実施形態とともに用いられてもよい。一実施形態では、波長多重に代えて、時分割多重が用いられてもよい。これは、異なる波長変換物質4から放出された放射のパルスに異なる遅延を与えることにより達成されてもよい。リソグラフィ装置は、パルスEUV放射を生成する。結果として波長変換物質から放出された放射は、当然パルス化されており、パルスは全て同時に生成される。パルスは、導波路に異なる長さを与えることにより、あるいは波長変換物質4から放出された放射の伝搬を遅延させるよう構成されたフォトニック結晶を設けることにより、時間的に分離されてよい。波長変換物質4から放出された放射のパルスは、従って、検出器に連続して到着するよう構成されてよく、その結果、検出器は、パルスを別々に検出することができる。本発明の図解した実施形態では、x方向に延在するアライメントグレーチングが示されている。y方向に延在するアライメントグレーチングが設けられてもよい。垂直方向に延在する一対のアライメントグレーチングが設けられてもよい。一実施形態では、アライメントグレーチングはウィンドウの二次元アレイを備えてもよい。ウィンドウは、例えば、チェス盤型配置の一連の正方形を備える長方形として形成されてもよい。この場合、両垂直方向例えばx方向およびy方向のアライメントを得るために同じアライメントグレーチングが用いられてもよい。アライメントグレーチングの各ウィンドウから異なる導波路が延在していてもよい。導波路が互いに交差することなくアライメントグレーチングから離れることができるように、導波路の少なくとも一部は、異なる深さに延在していてもよい。検出器は、例えばアレイ状に設けられてもよい。検出器は、例えばCCDアレイを備えてもよい。一実施形態では、検出された放射はプロセッサによりデジタル信号に変換されてもよい。基板テーブルWT上の放射放出体例えばLEDは、デジタル信号を表す変調放射を放出するよう構成されてもよい。基板テーブルから離れて位置する検出器例えばカメラは、放射放出体から放出されたデジタル信号を検出するために用いられてもよい。検出器により検出された信号は、その後、コントローラ、プロセッサ、またはリソグラフィ装置の一部を形成する電子機器に進んでよい。導波路は、導波路に沿って進む放射を増幅するために用いられるドーパントを含んでもよい。ドーパントは、例えば、YAG:CeにおけるCe、または他の任意の適切な物質であってよい。ドーパントの光学的ポンピングは、例えば、LEDやドーパントを励起状態に励起するのに十分短い波長を有する他の光源を用いて与えられてもよいこの波長は、波長変換物質から放出され且つ導波路に沿って進む放射の波長より通常短い。光学的ポンピングは、基板テーブルに含まれる光源を用いて、または基板テーブルに組み込まれていない光源を用いて例えば、ポンピングのために光ファイバを介して所要の位置まで光を運ぶことによりなされてもよい。ドーパントは、放射の損失が非常に高いので検出器において望ましくない信号対雑音比となると見込まれる場合に、導波路に与えられてもよい。また、導波路中の放射を増幅するために適切な非線形結晶物質光パラメトリック増幅に用いられる反転対称のない非線形結晶物質などが用いられてもよい。適切な非線形結晶物質の例は、例えばニオブ酸リチウムLiNbO3、タンタル酸リチウムLiTaO3、ニオブ酸カリウムKNbO3、チタンリン酸カリウムKTP,KTiOPO4、KTAKTiOASO4、リン酸二水素カリウムKDP,KH2PO4、RTPRbTiOPO4、RTARbTiAsPO4、二リン化ゲルマニウムZGP,ZnGeP2、硫化銀ガリウムおよびセレン化ガリウム銀AgGaS2およびAgGaSe2、セレン化ガリウムGaSe、およびセレン化カドミウムCdSeである。半導体チップ2は、リソグラフィ装置の動作の間に役立つ他の構成要素を含んでもよい。例えば、半導体チップ2は、基板テーブルWTに対する基板Wのアライメントを測定するために用いられるアライメントグレーチングまたは他のアライメントマークを含んでもよい。アライメントグレーチングは、例えば、アルミニウムまたは他の任意の適切なマスキング物質を用いて形成されてもよい。アライメントグレーチングは、光センサ、導波路または他の構成要素に接続されていなくてもよい。ウィンドウ9、109、209を覆うようにおよび選択的に不透明物質8も覆うようにジルコニウム層図示せずが設けられてもよい。ジルコニウムは、入射するEUV放射の大部分を透過するが、放射源コレクタモジュールSOから放出される他の波長例えば赤外線、可視線、DUVを遮断する。ジルコニウムは、従って、センサASを用いた測定に対する非EUV放射の影響を低減または除去するのに役立つ。ジルコニウム層は、例えば、約100nmの厚さであってもよいし、あるいは他の任意の適切な厚さであってもよい。ジルコニウム層は、酸化を防ぐために保護層で覆われてもよい。保護層は、例えばTiN例えば約10nm厚であってもよいし、他の任意の適切な物質であってもよい。EUV放射を透過させながら非EUV放射を遮断するために、ジルコニウムに代えて異なる物質が用いられてもよい。本発明の図解された実施形態では、ウィンドウ9は空間である。しかしながら、ウィンドウ9は、少なくとも一部のEUV放射の透過を許す物質すなわち、EUV放射が物質を通って波長変換物質4に進むようにを備えてもよい。ウィンドウ9は、例えば、SiO2から形成されてもよく、あるいは他の任意の適切な物質から形成されてもよい。ウィンドウの真下に設けるのに代えて、ウィンドウ9,109,209に波長変換物質が設けられてもよい。波長変換物質は、ウィンドウ9、109、209内の一部およびウィンドウの下方の一部に設けられてもよい。波長変換物質4は、ウィンドウの上方またはウィンドウの上方の一部に設けられてもよい。この場合、波長変換物質から放出された放射の一部は、不透明物質8により遮断される。一般的に、波長変換物質ウィンドウにあると言われる場合、波長変換物質がウィンドウの上端、ウィンドウ中および/またはウィンドウの真下にあることを意味する。上述したように、導波路は半導体物質例えば半導体チップ2に組み込まれると考えられてもよい。導波路は、半導体物質例えば半導体チップ2に形成された導管内に設けられると考えられてもよい。導波路および半導体チップ2は、固体ブロックを形成するすなわち、導波路と半導体チップとの間の境界に空気が存在しないと考えられてもよい。ウィンドウ9、109、209は、図解された実施形態ではグレーチングを形成しているが、ウィンドウは任意の所望のパターンを形成するよう構成されてもよい。ウィンドウという用語は、ウィンドウが不透明物質8により完全に取り囲まれることを意味することを意図していない。不透明物質は、ウィンドウ9、109、209の一つまたは複数の側面から省略されてもよい。本発明の実施形態では、導波路5,15は波長変換物質4の真下に図示されているが、他の実施形態では、一つまたは複数の導波路は他の部分に位置してもよい。例えば、導波路は、波長変換物質の一部分の一面に位置してもよい。導波路が波長変換物質に接触していることは重要ではない。例えば、波長変換物質と導波路との間にギャップがあってもよい。このギャップは、波長変換物質と導波路との間にある程度の屈折率整合を与える物質で満たされてもよい。半導体チップという用語は、一片の半導体例えば半導体のブロックを意味するものとして解釈される。本発明の実施形態の反動杯導波路は、一片の半導体の内部に設けられる。半導体チップは、内部に埋込導波路が設けられた物質のブロックの一例である。代替例では、物質のブロックは誘電体であってよく、例えばガラス、石英、または他の適切な誘電体であってよい。埋込導波路は、導波路の所望の経路に沿って誘電体の屈折率を局所的に変化させることにより、誘電体のブロックに形成されてもよい。これは、ガラスブロックにおいて、例えばレーザパルスを用いて局所的に屈折率を変化させることによりなされてもよい。導波路という用語は、放射を導く構造を意味すると見なしてよい。導波路は、例えば中心部分と隣接する物質との境界で全反射が生じるように、隣接する物質よりも高い屈折率の物質から形成された中心部分を備える。隣接する物質は、例えば、中心部分これは導波路のコアであってよいを取り囲むクラッドであってよい。あるいは、導波路は金属により取り囲まれた中心部分を備えてもよい。金属は、波長変換物質から放出された放射を閉じ込め、放射が導波路ガイドとしての機能を果たす中心部分に沿って導かれるようにする役割を果たしてよい。金属により取り囲まれる中心部分は、例えば空気であってもよいし、半導体例えばSiO2であってもよい。一実施形態では、導波路は、半導体チップまたは他の物質のブロックに埋め込まれたフォトニック結晶を備えてもよい。フォトニック結晶は、導波路としての機能を果たす。本発明の実施形態を説明する際には直交座標系が用いられている。直交座標件は、上方を表すのに便利な方法であるからである。直交座標系は、本発明または本発明の構成要素が特定の幾何学的配置をとらなければならないことを意味するものではない。物質は不透明として説明されているが、これは、必ずしも少しの放射もそれを通過しないことを意味するものではない。少量の放射は物質を通過してもよいが、これは、放射を透過するよう設計されている物質例えば導波路コアの物質を通過する放射の量よりも著しく少ない。説明した本発明の実施形態は、EUV放射の測定を目的としているが、本発明の実施形態は、他の波長の放射の測定に用いられてもよい。例えば、本発明は、例えばDUVリソグラフィ装置により用いられる波長のDUV放射を測定するために用いられてもよい。IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について本文書において特に言及をしてきたが、本明細書で述べたリソグラフィ装置は、他の応用形態も有していることを理解すべきである。例えば、集積された光学システム、磁気領域メモリ用の誘導及び検出パターンguidanceanddetectionpattern、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造といった応用である。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、本明細書におけるウェハまたはダイという用語のいかなる使用も、それぞれより一般的な用語である基板または目標部分と同義とみなすことができることを認められよう。本明細書で参照された基板は、例えばトラック通常、レジスト層を基板に付加し、露光されたレジストを現像するツール、計測ツール及び/または検査ツールで露光の前後に処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示は、そのような基板処理工具または他の工具に対しても適用することができる。さらに、例えば多層ICを作製するために二回以上基板が処理されてもよく、その結果、本明細書で使用された基板という用語は、複数回処理された層を既に含む基板のことも指してもよい。レンズという用語は、文脈の許す限り、屈折光学部品、反射光学部品、磁気光学部品、電磁光学部品及び静電光学部品を含む様々なタイプの光学部品のうちの任意の一つまたはその組み合わせを指す場合もある。EUV放射という用語は、5-20nmの範囲例えば、13-14nmの範囲、あるいは6.7nmまたは6.8nm等である5-10nmの範囲内の波長を有する電磁気放射を包含するものとみなしてもよい。本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよいことが認められよう。例えば、本発明は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の一つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスクであってもよい。上述の説明は例示であり限定することを意図していない。よって、当業者であれば以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく本発明の変形例を実施することが可能であろう。本発明はまた以下に述べる項により表されることは当業者にとって明らかであろう。1.センサを有する基板テーブルであって、該センサは、放射に対して不透明な物質層が設けられた物質のブロックであって、該不透明物質層が放射の透過を許可するよう構成された少なくとも一つのウィンドウを有する、物質のブロックと、前記ウィンドウに位置する波長変換物質と、前記波長変換物質から放出された放射を受けるよう位置付けられた導波路であって、前記物質のブロック中に埋め込まれるとともに、前記波長変換物質から放出された放射を前記物質のブロック中を通って検出器に向けて導くよう構成された導波路と、を備えることを特徴とする基板テーブル。2.前記物質のブロックは、半導体チップまたは誘電体ブロックである、第1項に記載の基板テーブル。3.前記導波路は、複数の導波路の一つであり、該導波路の少なくともいくつかは、前記半導体チップ内部で異なる深さに延在している、第1項に記載の基板テーブル。4.前記不透明物質層は、EUV放射に対して不透明である、および/または、500~2000nmの波長範囲の放射に対して不透明である、第1項に記載の基板テーブル。5.デバイス製造方法であって、放射ビームを調整するよう構成された照明系と、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するよう構成された支持部と、センサを有する基板テーブルであって、該センサが、放射に対して不透明な物質層が設けられた物質のブロックであって、該不透明物質層が放射の透過を許可するよう構成された少なくとも一つのウィンドウを有する、物質のブロックと、前記ウィンドウに位置する波長変換物質と、前記波長変換物質から放出された放射を受けるよう位置付けられた導波路であって、前記物質のブロック中に埋め込まれるとともに、前記波長変換物質から放出された放射を前記物質のブロック中を通って検出器に向けて導くよう構成された導波路と、を備え、基板を保持するよう構成された基板テーブルと、前記パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系と、を備えるリソグラフィ装置を用いるステップと、前記センサを用いてEUV放射ビームの光学特性を測定するステップと、前記センサを用いて前記基板テーブルと前記パターニングデバイスのアライメントを測定するステップと、を備えるデバイス製造方法。"