"銀粉末、ガラスフリットおよび前記銀粉末同士の焼結を抑制する焼結抑制剤を含んでいる太陽電池用導電性ペーストであって、前記焼結抑制剤は、酸化アルミニウム、酸化珪素および炭化珪素から選択される1種以上を含有している太陽電池用導電性ペースト。前記焼結抑制剤は酸化アルミニウムまたは酸化珪素である請求項1に記載の太陽電池用導電性ペースト。前記ガラスフリットはBi2O3-SiO2-ZnO系のガラスを有するとともに、該ガラス中にB2O3が実質的に含有されていない請求項1または2に記載の太陽電池用導電性ペースト。前記焼結抑制剤の含有質量は、前記銀粉末および前記ガラスフリットの合計含有質量に対して1以上35以下である請求項1乃至3のいずれかに記載の太陽電池用導電性ペースト。前記ガラスフリットの含有質量は、前記銀粉末の含有質量に対して11以上30以下である請求項1乃至4のいずれかに記載の太陽電池用導電性ペースト。半導体基体上に電極を設けた太陽電池素子の製造方法であって、請求項1乃至5のいずれかに記載の太陽電池用導電性ペーストを前記半導体基体上に塗布する塗布工程と、塗布した前記太陽電池用導電性ペーストを焼成して前記半導体基体上に電極層を形成する焼成工程とを含む太陽電池素子の製造方法。半導体基体と、該半導体基体の一主面上の第1領域に配置された反射防止層と、前記半導体基体の一主面上の第2領域に配置された表面電極とを備えている太陽電池素子の製造方法であって、前記半導体基体の前記第1領域および前記第2領域の上に前記反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、請求項1乃至5のいずれかに記載の太陽電池用導電性ペーストを、前記半導体基体の前記第2領域に対応する前記反射防止層上に塗布する塗布工程と、前記太陽電池用導電性ペーストを焼成して該太陽電池用導電性ペーストの下に位置している前記反射防止層を除去することによって、前記反射防止層を前記半導体基体の前記第1領域に配置させて、前記半導体基体の前記第2領域に前記表面電極を形成する焼成工程とを有する太陽電池素子の製造方法。前記焼成工程において、前記電極層を厚み10μm以下に形成する請求項6または7に記載の太陽電池素子の製造方法。前記焼成工程の後に、前記電極層の上に導電層をめっき法によって積層するめっき工程をさらに有する請求項6乃至8のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。以下に、本発明に係る太陽電池用導電性ペースト以下、単にペーストともいう、および、このペーストを用いた太陽電池素子の製造方法の実施形態の例について図面を参照しながら詳細に説明する。<ペーストの基本構成>本実施形態で用いる太陽電池素子の電極形成用のペーストは、銀粉末、ガラスフリットおよび前記銀粉末同士の焼結を抑制する焼結抑制剤を含んでいる。具体的には、ペーストは、銀粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルに加えて、酸化アルミニウム、酸化シリコンおよび炭化シリコンから選択される1種以上を含む焼結抑制剤の粉末を含んでいる。ここで、銀粉末は、平均粒径0.1~5.0μmの球状またはこれと同程度の大きさのフレーク状等の粉末を使用することができる。また、焼結抑制剤は、電極形成用ペーストの焼成の際、銀粉末同士の焼結を抑制することで、電極を設けるシリコン基板等の半導体基体において、その表面の応力を緩和する効果を有するものである。さらに、この焼結抑制剤は、ペーストの焼成温度で分解せず、溶融もしない物質であり、特に酸化アルミニウムであるAl2O3、酸化シリコンであるSiO2または炭化シリコンであるSiCなどの粉末を用いることができる。後述するように、特にAl2O3の粉末またはSiO2の粉末を用いることによって、半導体基体上に塗布したペーストを焼成して形成された電極と半導体基体との密着性が他の材料を用いた場合に比べて良好となるので好適である。また、ペースト中の銀粉末およびガラスフリットの合計含有質量に対して1以上35以下の含有質量=銀粉末およびガラスフリットの合計含有質量100に対して1以上35以下で焼結抑制剤を含んでいることが好ましい。なぜなら、この含有質量の数値範囲内とすることで、焼結抑制効果を十分発揮することができて、シリコン基板等の半導体基体の表面におけるクラックの発生が低減できるからである。また、電極とシリコン基板等の半導体基体との間のコンタクト抵抗が良好になるからである。また、ペースト中に含まれる焼結抑制剤の平均粒径は0.1μm以上5μm以下であることが好ましい。なぜなら、平均粒径をこの数値範囲内とすることで、焼結抑制効果を十分発揮することができて、シリコン基板等の半導体基体の表面におけるクラックの発生が低減できるからであり、さらにスクリーン印刷性が良好であり、所望の電極形状を容易に得ることができるからである。さらに、本実施形態の電極用ペーストに含まれる銀粉末の含有質量に対してガラスフリットの含有質量は1以上30以下=銀粉末の含有質量100に対して1以上30以下であることが好ましい。特に電極の厚みを薄くする平均厚みが10μm以下の場合には、上記含有質量は銀粉末の含有質量に対して11以上30以下であることが好ましい。なぜなら、含有質量をこの数値範囲内にすることによって、シリコン基板等の半導体基体と電極の密着不良が発生しにくく、電極と半導体基体間のコンタクト抵抗が良好になるからである。また、ペーストに含まれるガラスフリットとしては、例えば、SiO2-Bi2O3-PbO系、B2O3-SiO2-Bi2O3系もしくはB2O3-SiO2-PbO系のガラス、または、Bi2O3-SiO2-ZnO系のガラスを有するとともに、このガラス中にはB2O3が実質的に含有されていないもの等の材料を使用することができる。ここで、実質的に含有されていないとは、例えば、0.1質量未満であることをいうものとし、以下の説明においても同様とする。また、ペーストに含まれる有機ビヒクルとしては、エチルセルロース、アクリル樹脂、またはアルキッド樹脂等を溶剤に溶解したものを使用することができる。<太陽電池素子の基本構成>太陽電池素子の基本構成について説明する。図1~3に示すように、太陽電池素子10は、光が入射する受光面図3における上面であり、以下、第1面という9aと、この第1面9aの裏面に相当する非受光面図3における下面であり、以下、第2面という9bを有する。この太陽電池素子10は、一導電型の半導体層である第1半導体層2と、この第1半導体層2における第1面9a側に設けられた逆導電型の半導体層である第2半導体層3とから構成される板状の半導体基体である半導体基板1の第1面9aに設けられた反射防止層4とを備えている。また、太陽電池素子10は半導体基板1の第1面9a上に設けられた第1電極5と、半導体基板1の第2面9b上に設けられた第2電極6を有する。半導体基板1としては、例えば所定のドーパント元素導電型制御用の不純物を有して一導電型例えば、p型を呈する単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板等の結晶シリコン基板が好適に用いられる。なお、太陽電池素子は一般に板状の半導体基体を用いるため、以下、半導体基板を例に説明するが、半導体基体は板状のものに限定されない。<太陽電池素子の具体例>次に、太陽電池素子のより具体的な例について説明する。一導電型例えば、p型を有する第1半導体層2を構成する半導体基板1としては、単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板等の結晶シリコン基板が好適に用いられる。半導体基板1の比抵抗は0.2~2.0Ωcm程度である。また、半導体基板1の厚みは、例えば、250μm以下であるのが好ましく、150μm以下とするのがさらに好ましい。また、半導体基板1の形状は、特に限定されるものではないが、図示されているように、四角形状であれば製法上および多数の太陽電池素子を配列して太陽電池モジュールを構成する際等の観点から好適である。半導体基板1として、p型の導電型を呈する結晶シリコン基板を用いた例を説明する。結晶シリコン基板からなる半導体基板1がp型を呈するようにする場合、ドーパント元素としては、例えば、ボロンあるいはガリウムを用いるのが好適である。第1半導体層2とpn接合を形成する第2半導体層3は、第1半導体層2半導体基板1と逆の導電型を呈する層であり、第1半導体層2における第1面9a側に設けられている。第1半導体層2としてp型の導電型を呈する場合であれば、第2半導体層3はn型の導電型を呈するように形成される。半導体基板1がp型の導電型を呈するシリコン基板において、例えば、第2半導体層3が半導体基板1の表層内に形成される場合には、第2半導体層3は半導体基板1における第1面9a側にリン等の不純物を拡散させることによって形成できる。反射防止層4は、所望の波長領域の光の反射率を低減させて、光生成キャリア量を増大させる役割を果たす。反射防止層4は、例えば、窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化シリコン膜、酸化マグネシウム膜、酸化インジウムスズ膜、酸化スズ膜または酸化亜鉛膜などからなる。反射防止層4の厚みは、構成する材料によって適宜選択されて、適当な入射光に対して無反射条件を実現できるように設定される。例えばシリコンからなる半導体基板1においては、屈折率は1.8~2.3程度、厚み500~1200Å程度が好ましい。また、反射防止層4が窒化シリコン膜からなる場合、パッシベーション効果も有することができるので好適である。半導体基板1の第2面9b側に設けられるBSFBackSurfaceField領域7は、第2面9bの近傍でキャリアの再結合による効率の低下を低減させる役割を有しており、第2面9b側に内部電界を形成するものである。BSF領域7は第1半導体層2と同一の導電型を呈しているが、第1半導体層2が含有する多数キャリアの濃度よりも高い多数キャリア濃度を有している。これは、半導体基板1において一導電型を呈するためにドープされてなるドーパント元素の濃度よりも高い濃度でドーパント元素が存在することを意味する。BSF領域6は、半導体基板1がp型を呈するのであれば、例えば、第2面9b側にボロンまたはアルミニウムなどのドーパント元素を拡散させることによって、これらドーパント元素の濃度が1×1018~5×1021atoms/cm3程度となるように形成されるのが好適である。図1に示すように、第1電極5は、第1出力取出電極5aと、複数の線状の第1集電電極5bとを有する。第1出力取出電極5aの少なくとも一部は、第1集電電極5bと交差している。この第1出力取出電極5aは、例えば、1.3~2.5mm程度の幅を有している。一方、第1集電電極5bは線状であり、その線幅が50~200μm程度であり、第1出力取出電極5aよりも細い。また、第1集電電極5bは、互いに1.5~3mm程度の間隔を空けて複数設けられている。また、このような第1電極5の厚みは、10~40μm程度である。第1電極5は、例えば銀粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクル等からなる電極形成用ペーストをスクリーン印刷等によって所望の形状に塗布した後、これを焼成することによって形成することができる。本実施形態においては、電極形成用ペーストにAl2O3などの焼結抑制剤粉末が含有されているため、第1電極5中にAl2O3などの粒子が分散している。これにより、電極形成時のシリコン基板と電極との密着不良や電極下のシリコン基板表面のクラックの発生を低減することができる。特に好ましい形態として、第1電極5は上述のように形成した下地電極層と、その上にめっき法によって形成した導電層であるめっき電極層から構成される。めっき電極材料としては銅、銀および錫等から適宜選択される材料が好適に用いられ、下地電極層の厚みは1~10μmとし、めっき電極層の厚みは5~30μmとすることが好適である。下地電極層は電極形成用ペーストを塗布して、その後、焼成することで形成される。このため、下地電極層の空孔率が5よりも大きくなる。一方、めっき電極層は空孔率が5以下となるように形成されているので、下地電極層の厚みを10μm以下、好ましくは8μm以下と薄くすることによって、第1電極5の総厚を維持したまま線抵抗を低減することができる。第1電極5の形成においては、焼成中に溶融したガラスフリットが固着して電極の接着強度を向上させているが、ガラスフリット中のガラス成分の多くは半導体基板との界面に存在しやすい。本実施形態では電極形成用ペーストに添加する焼結抑制剤として、特にAl2O3またはSiO2を用いることが好ましい。Al2O3はガラス成分との濡れ性が銀よりも大きく、焼成の際にガラスと吸着しやすいことから、焼成中に溶融したガラス成分の一部が電極内に留まって、これが半導体基板界面に存在するガラス成分と結合することによって、電極の密着強度の改善に寄与する。その効果は、特に下地電極層の厚みを小さくした場合に顕著となる。また、SiO2は主成分がシリコンであることから、その一部が半導体基板に拡散しても特性への影響を低減することができる。また、電極形成用ペーストに用いるガラスフリットとして、後述するように、特に、Bi2O3系のガラスを有するとともに、ペーストにAl2O3を添加することによって、ペースト焼成後の太陽電池素子の各種特性が向上するので好ましい。これは、Al2O3はガラス成分との濡れ性が銀よりも大きく、焼成の際にガラスと吸着しやすいことから、半導体基板1の界面に達するガラスフリット量が低減されるため、ガラスフリットの第2半導体層3への突き抜けによる第2半導体層3のダメージを低減するためと推察される。Bi2O3系のガラスとは、Bi2O3がガラスフリットの成分全体に対して50質量よりも多く含有されていることを意味している。例えば、ガラスフリット全体を100とした場合の含有質量は、Bi2O3が50~90質量、SiO2が0~10質量、ZnOが0~15質量、B2O3が0~10質量、その他の成分ZrO2、BaO、MgO、CaO、TiO2、Cr2O3、Fe2O3、Al2O3、CuOおよび/またはP2O5等が0~15質量である。また、電極形成用ペーストに用いるガラスフリットとして、後述するように、特に、Bi2O3-SiO2-ZnO系のガラスを有するとともに、このガラス中にはB2O3が実質的に含有されていないものを採用して、所定条件でペーストを焼成するとよい。なぜなら、B2O3が含有されているものに比べて、ペースト焼成後の太陽電池素子の各種特性が向上するからである。また、図2に示すように、第2電極6は第2出力取出電極6aと第2集電電極6bとを有する。本実施形態の第2出力取出電極6aの厚みは10~30μm程度、幅は1.3~7mm程度である。第2出力取出電極6aは、上述の第1電極5と同等の材質および製法で形成することができる。例えば銀ペーストを所望の形状に塗布した後、焼成することによって形成してもよい。また、第2集電電極6bは、厚みが15~50μm程度であり、半導体基板1の第2面9bの第2出力取出電極6aの一部を除いた略全面に形成される。この第2集電電極6bは、例えばアルミニウムペーストを所望の形状に塗布した後、焼成することによって形成することができる。<太陽電池素子の製造方法>以下、本実施形態の太陽電池素子10の製造方法について説明する。まず、基本的には、シリコン基板等の半導体基板1に電極を形成する場合の工程としては、上述したペーストを半導体基板1上に塗布する塗布工程と、塗布したペーストを焼成して半導体基板1上に電極層を形成する焼成工程とを含む。また、図1に示すように、シリコン基板等の半導体基板1と、この半導体基板1の一主面上の第1領域1aに配置された反射防止層4と、半導体基板1の一主面上の第2領域1bに配置された表面電極である第1電極5とを備えている太陽電池素子10を製造する場合には、以下の工程を有するものとする。すなわち、半導体基板1の第1領域1aおよび第2領域1bの上に反射防止層4を形成する反射防止層形成工程と、上述したペーストを、半導体基板1の第2領域1bに対応する反射防止層4上に塗布する塗布工程と、塗布したペーストを焼成してこのペーストの下に位置している反射防止層4を除去することによって、反射防止層4を半導体基板1の第1領域1aに配置させて、半導体基板1の第2領域1bに第1電極5を形成する焼成工程とを有する。ここで、上記焼成工程において、上記電極層を厚み10μm以下に形成することが好ましい。また、上記焼成工程の後に、形成した電極層または第1電極5の上に導電層をめっき法によって積層するめっき工程を行なうことが好ましい。次に、より具体的な製造方法について説明する。まず、半導体基体として、第1半導体層2を構成する半導体基板1を準備する。半導体基板1が単結晶シリコン基板の場合は、例えば引き上げ法などによって形成され、半導体基板1が多結晶シリコン基板の場合は、例えば鋳造法などによって形成される。なお、以下では、p型の多結晶シリコンを用いた例によって説明する。最初に、例えば鋳造法によって多結晶シリコンのインゴットを作製する。次いで、そのインゴットを例えば250μm以下の厚みにスライスする。その後、半導体基板1の切断面の機械的ダメージ層および汚染層を除去するために、表面をNaOH、KOH、またはフッ硝酸などの水溶液でごく微量エッチングする除去工程を行なうことが望ましい。なお、このエッチング工程後に、ウエットエッチング法またはドライエッチング法を用いて、半導体基板1の表面に微小な凹凸構造テクスチャを形成するのがさらに望ましい。また、テクスチャの形成条件によっては、上記ダメージ層の除去工程を省略することも可能である。次に、半導体基板1における第1面9a側の表層内にn型の第2半導体層3を形成する。このような第2半導体層3は、ペースト状態にしたP2O5を半導体基板1の表面に塗布して熱拡散させる塗布熱拡散法、ガス状態にしたオキシ塩化リンPOCl3を拡散源とした気相熱拡散法、またはリンイオンを直接拡散させるイオン打ち込み法などによって形成される。この第2半導体層3は0.2~2μm程度の厚み、40~150Ω/□程度のシート抵抗に形成される。なお、第2半導体層3の形成方法は上記方法に限定されるものではなく、例えば薄膜技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜または微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、半導体基板1と第2半導体層3との間にi型シリコン領域を形成してもよい。次に、第2面9b側に第2半導体層3を形成した場合には、第2面9b側のみをエッチングして除去して、p型の導電型領域を露出させる。例えば、フッ酸溶液に半導体基板1における第2面9b側のみを浸して第2半導体層3を除去する。その後、第2半導体層3を形成する際に、半導体基板1の表面に付着した燐ガラスをエッチングして除去する。また、予め第2面9b側に拡散マスクを形成しておき、気相熱拡散法等によって第2半導体層3を形成して、続いて拡散マスクを除去するプロセスによっても、同様の構造を形成することが可能である。以上により、p型半導体層を有する第1半導体層2と第2半導体層3とを備えた半導体基板1を準備することができる。次に、半導体基板1の一主面上である第1領域1aおよび第2領域1bの上に反射防止層4を形成する。反射防止層4は、例えば、PECVDplasmaenhancedchemicalvapordeposition法、蒸着法またはスパッタ法などを用いて形成される。例えば、窒化シリコン膜からなる反射防止層4をPECVD法で形成する場合であれば、反応室内を500°C程度としてシランSiH4とアンモニアNH3との混合ガスを窒素N2で希釈し、グロー放電分解でプラズマ化させて堆積させることで反射防止層4が形成される。次に、半導体基板1の第2面9b側に、一導電型の半導体不純物が高濃度に拡散されたBSF領域7を形成する。製法としては、例えば、三臭化ボロンBBr3を拡散源とした熱拡散法を用いて温度800~1100°C程度で形成する方法、アルミニウム粉末および有機ビヒクル等からなるアルミニウムペーストを印刷法で塗布した後、温度600~850°C程度で熱処理焼成してアルミニウムを半導体基板1に拡散する方法を用いることができる。また、アルミニウムペーストを印刷して焼成する方法を用いれば、印刷面だけに所望の拡散領域を形成することができる上に、第2半導体層3形成時に同時に第2面9b側にも形成されているn型の第2半導体層を除去する必要がない。また、第2面9b側の周辺部のみにレーザービーム等を用いてpn分離pn接合部の連続領域を分離することを行なえばよい。なお、BSF領域7の形成方法は上記方法に限定されるものではなく、例えば薄膜技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜、または微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、第1半導体層2と第3半導体層4との間にi型シリコン領域を形成してもよい。次に、半導体基板1の第2領域1bに、第1電極5第1出力取出電極5a、第1集電電極5bと第2電極6第2出力取出電極6a、第2集電電極6bとを以下のようにして形成する。第1電極5は、銀粉末と、有機ビヒクルと、ガラスフリットと、焼結抑制剤例えば、Al2O3、SiO2またはSiCとを含有する導電性ペーストを用いて作製される。この導電性ペーストを、半導体基板1の第1面9aである第2領域1bに対応する反射防止層4の上に塗布する。その後、最高温度600~850°Cで数十秒~数十分程度焼成することによって、ファイヤースルー法によって反射防止層4を突き破り半導体基板1の第2領域1b上に第1電極5の下地電極層が形成される。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。そして、この塗布後、好ましくは所定温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる。ファイヤースルー法によって、高温下においてガラスフリットと反射防止層4とが反応する。これにより、下地電極層が半導体基板1とコンタクトする。この際、焼結抑制剤として添加されている特にAl2O3はガラス成分との濡れ性が銀よりも大きく、焼成の際にガラスと吸着しやすいことから、焼成中に溶融したガラス成分の一部が電極内に留まって、半導体基板との界面に存在するガラス成分と結合することによって、電極の密着強度の改善に寄与する。次に、めっき法によって下地電極層の上にめっき電極層を形成する。これにより、第1出力取出電極5aおよび第1集電電極5bが形成される。めっき法の具体的方法について説明する。まず、電解めっき液が貯留されているめっき槽内に半導体基板1を浸漬させる。めっき槽内には電解めっき液に対して、金属部材からなる陽極が設けられる。一方、めっき対象物である下地電極層を設けた半導体基板1が陰極となる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加して電流を流すことによって、下地電極層の上に導電層であるめっき電極層が形成される。めっき電極層としては、銅、銀または錫等が用いられる。このとき、電解めっき液はめっき電極層を構成する金属を含んだめっき液が用いられ、陽極の金属部材もめっき層を構成する金属の板が用いられる。また、陽極は不溶性の金属部材でもよく、酸化イリジウム被覆チタンまたは白金被覆チタン等が用いられる。例えば、めっき電極層が銅の場合には、電解めっき液として硫酸銅めっき液、ピロリン酸銅めっき液またはシアン化銅めっき液等が用いられる。また、陽極の金属部材としては含リン銅から成る銅板が用いられる。次に、第2電極6について説明する。まず、第2集電電極6bは、例えばアルミニウム粉末と、有機ビヒクルとを含有するアルミニウムペーストを用いて作製される。このペーストを、第2出力取出電極6aを形成する部位の一部を除いて、第2面9bのほぼ全面に塗布する。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。このようにペーストを塗布した後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる方が作業時にペーストがその他の部分に付着しにくいという観点から好ましい。次に、第2出力取出電極6aは、例えば銀粉末などからなる金属粉末と、有機ビヒクルとガラスフリットを含有する銀ペーストを用いて作製される。この銀ペーストを予め決められた形状に塗布する。なお、銀ペーストは、アルミニウムペーストの一部と接する位置に塗布されることで、第2出力取出電極6aと第2集電電極6bとの一部が重なる。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。この塗布後、好ましくは所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる。そして、半導体基板1を焼成炉内にて最高温度が600~850°Cで数十秒~数十分程度焼成することによって、第2電極6が半導体基板1の第2面9b側に形成される。なお、第2電極6は印刷焼成法による電極形成を用いたが、蒸着もしくはスパッタ等の薄膜形成、またはめっき法を用いて形成することも可能である。以上のようにして、電極形成時のシリコン基板と電極との密着不良や電極下のシリコン基板表面のクラックの発生を低減した信頼性の高い太陽電池素子10を作製することができる。<変形例>なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。例えば、半導体基板1の第2面9b側にパッシベーション膜を設けてもよい。このパッシベーション膜は、半導体基板1の裏面である第2面9bにおいて、キャリアの再結合を低減する役割を有するものである。パッシベーション膜としては、窒化シリコン、酸化シリコンまたは酸化チタンなどが使用できる。パッシベーション膜の厚みは、100~2000Å程度に、PECVD法、蒸着法またはスパッタ法などを用いて形成すればよい。そのため、半導体基板1の第2面9b側の構造はPERCPassivatedEmitterandRearCell構造またはPERLPassivatedEmitterRearLocallydiffused構造に用いられる第2面9b側の構造を用いることができる。また、第1集電電極5bの長手方向に対して交差する両端部に第1集電電極5bと交差する線状の補助電極5cを形成してもよく、めっき法において供給された電流を第1電極5に均一に流すことができ、均一な厚みのめっき電極層を形成することができる。これにより、第1集電電極5bの一部で線切れが生じても、抵抗の上昇を低減し、他の第1集電電極5bを通して第1出力取出電極5aに電流を流すことができるので好適である。また、第2電極6においても第1電極5と同様に、第2出力取出電極6aと、第2出力取出電極6aと交差する複数の線状の第2集電電極6bとを有する形状であってもよく、下地電極層とめっき電極層とを形成してもよい。第1電極5の形成位置において、第2半導体層と同じ導電型であり、第2半導体層よりも厚みが厚い第4半導体層を形成する方が好ましい。このとき第4半導体層は第2半導体層よりもシート抵抗が低く形成される。第4半導体層の厚みを厚く形成することによって、電極とのコンタクト抵抗を低減することができる。第4半導体層の厚みを厚くする方法の一例としては、塗布熱拡散法または気相熱拡散法によって第2半導体層を形成した後、燐ガラスが残存する状態で第1電極5の電極形状に合わせて半導体基板1にレーザービームを照射することによって、燐ガラスから第2半導体層へリンが再拡散し第4半導体層が形成される。なお、本発明は、上述した両面電極型太陽電池素子以外にもバックコンタクト型太陽電池素子等の各種の太陽電池素子に対しても適用が可能である。以下に、具体的な実施例について説明する。なお、参照図面は図1~3である。<実施例1>まず、厚さ260μm、外形156mm×156mm、比抵抗1.5Ωcmの多結晶シリコン基板半導体基板1を用意して、シリコン基板の表面のダメージ層をNaOH溶液でエッチングして洗浄した。次に、ドライエッチング法で第1面9aにテクスチャを形成した。そして、POCl3を拡散源とした気相熱拡散法で第2半導体層3を形成した。このとき、第2半導体層3のシート抵抗は70Ω/□であった。フッ酸溶液による燐ガラスのエッチング除去とレーザービームによるpn分離を行なった後、第1面9aにPECVD法によって反射防止層4となる窒化シリコン膜を形成した。さらに、半導体基板1の第2面9bにアルミニウムペーストを略全面に塗布焼成してBSF領域7と第2集電電極6bを形成した。また、第1面9aと第2面9bに銀ペーストを塗布焼成して、第1電極5になる部位に下地電極層と第2出力取出電極6aとを形成した。第1電極5になる部位において、めっき法によって下地電極層の上に銀めっき電極層を形成することによって第1電極5を形成した。半導体基板1の第1面9aに設ける第1電極5の下地電極層は、銀粉末、B2O3-SiO2-PbO系のガラスフリット、有機ビヒクルおよび焼結抑制剤を表1に示すペーストNo.1~5の組成で混合したものをスクリーン印刷法で塗布し、ピーク温度が850°Cになるように3分間焼成した。表1において、ガラスフリット量とは、ペースト中の銀粉末の含有質量100に対するガラスフリットの質量を示している。また、焼結抑制剤の組成は銀粉末とガラスフリットの合計含有質量100に対する焼結抑制剤の質量を示している。また、ペーストNo.1~14のそれぞれに用いたガラスフリットAにおいて、ガラスフリット全体を100とした場合の含有質量は、B2O3が75質量、SiO2が7質量、PbOが13質量であり、その他の成分ZrO2、BaO、MgO、CaO、TiO2、Cr2O3、Fe2O3、CuOおよび/またはP2O5等が5質量であった。その後、第1出力取出電極5aに銅箔の全面に半田を被覆したインナーリードを溶着して太陽電池素子10を得た。次に、この太陽電池素子10に対して、引張強度試験機を用いて第1出力取出電極5aの密着強度の測定を行なった。測定結果を表1にあわせて示す。表1から明らかなように、焼結抑制剤を添加しなかったペーストNo.1では、第1出力取出電極5aの密着強度は20gfしかなかったのに対し、焼結抑制剤としてAl2O3、SiO2またはSiCをそれぞれ添加したペーストNo.2~14では、いずれのペーストでも形成された第1出力取出電極5aと半導体基板1との密着強度の大幅な改善がみられた。また、ガラスフリット量が12質量であって、焼結抑制剤としてAl2O3、SiO2またはSiCをそれぞれ添加したペーストNo.5~7はいずれも高い密着強度を示したが、これらのうち、焼結抑制剤としてAl2O3を用いたペーストNo.5が最も密着強度が高かった。、また、ガラスフリット量が15質量であって、焼結抑制剤としてAl2O3量が10質量のペーストNo.9を用いた場合には、ペーストNo.1~14中最も密着強度が高かった。また、焼結抑制剤を添加しなかったペーストNo.1では、インナーリードにシリコン基板の表層面が付着してインナーリードが第1出力取出電極5aから外れたのに対して、焼結抑制剤としてAl2O3、SiO2またはSiCをそれぞれ添加したペーストNo.2~14では、シリコン基板が割れてインナーリードが第1出力取出電極5aから外れた。シリコン基板の表面にクラックが発生した場合、シリコン基板が割れず、シリコン基板の表層面のみがインナーリードに付着した状態となることから、シリコン基板が割れてインナーリードが第1出力取出電極5aから外れることはシリコン基板の表面のクラックが低減できたことを意味する。<実施例2>次に、第1電極5に用いるペースト中のガラスフリットとして、Bi2O3系のガラスを用いたものに対して、所定の焼結抑制剤を添加したペーストを用いた太陽電池素子の実施例について説明する。主に上記ペースト中におけるガラスフリットの材料および第1電極5が銀めっき電極層を設けずに上記ぺーストのみで形成されたこと以外は、実施例1と同様であるので、詳細な説明を省略する。ガラスフリットはガラス中にB2O3が実質的に含有されているものと含有されていないものの2種類を用意した。ガラス中にB2O3が実質的に含有されているガラスフリットBにおいて、ガラスフリット全体を100質量とした場合の含有質量は、Bi2O3が75質量、SiO2が2質量、ZnOが11質量、B2O3が9質量、その他の成分ZrO2、BaO、MgO、CaO、TiO2、Cr2O3、Fe2O3、Al2O3、CuOおよび/またはP2O5等が3質量であった。ガラス中にB2O3が実質的に含有されていないガラスフリットCにおいて、ガラスフリット全体を100質量とした場合の含有質量は、Bi2O3が81質量、SiO2が5質量、ZnOが5質量、その他の成分ZrO2、BaO、MgO、CaO、TiO2、Cr2O3、Fe2O3、Al2O3、CuOおよび/またはP2O5等が9質量であった。ペースト中の銀粉末の含有質量に対してガラスフリットの含有質量は5であり、焼結抑制剤組成としてAl2O3を用いた。表2中の焼結抑制剤は銀粉末とガラスフリットの合計含有質量に対する焼結抑制剤の質量を示している。上記のペーストをスクリーン印刷後に、焼成温度850°Cの温度にて、3分間焼成して、太陽電池素子10を作製した。そして、多数の太陽電池素子10のそれぞれについて、変換効率を測定した。なお、変換効率の測定は、JISC8913に基づいて、AM1.5、100mW/cm2の照射の条件下にて測定した。表2から明らかなように、焼結抑制剤としてAl2O3を添加しないガラスフリットBを用いたペーストNo.15では、変換効率が10.68しかなかったのに対し、焼結抑制剤としてAl2O3を添加しないガラスフリットCを用いたペーストNo.19では、変換効率が13.67にもなって改善がみられた。また、焼結抑制剤としてAl2O3を添加したペーストNo.16,17,18、20,21,22は、Al2O3を添加しなかったペーストに対して、電気特性の大幅な改善がみられた。また、ガラスフリットCにおいて焼結抑制剤としてAl2O3を添加したペーストNo.20~22は15を超えた優れた変換効率を示した。さらに、ガラスフリットCを用いて、SiO2の含有質量を変更してただし、ガラスフリットCのSiO2量に比例して他の成分も変化するものとする。作製した太陽電池素子10において、実施例1と同様にして、第1出力取出電極5aの密着強度を測定して、引張強度試験における剥がれの状態について観察した結果を表3に示す。表3のペーストNo.23~30の結果から明らかなように、ガラスフリット中のSiO2の含有量を多くすることによって、密着強度の平均強度および最低強度のいずれも高くなり、しかも剥がれの状態も良好であった。さらに、ペーストNo.24,26,28,30の結果から明らかなように、焼結抑制剤としてAl2O3を添加することによって、Al2O3を添加していないペーストNo.23,25,27,29と比較して、密着強度の大幅な改善がみられた。<実施例3>次に、ガラスフリットAを含有するペーストを用いて形成した第1電極5を有する太陽電池素子10と、ガラスフリットCを含有するペーストを用いて形成した第1電極5を有する太陽電池素子10とを作製した。主に上記ペースト中におけるガラスフリットの材料および第1電極5が銀めっき電極層を設けずに上記ぺーストのみで形成されたこと以外は、実施例1と同様であるので、詳細な説明を省略する。ペースト中の銀粉末の含有質量に対してガラスフリットの含有質量は5であり、焼結抑制剤組成としてAl2O3を用いた。また、表4中の焼結抑制剤は銀粉末とガラスフリットの合計含有質量に対する焼結抑制剤の質量を示している。作製した太陽電池素子の電極に銅箔からなる配線部材を接続し、第1面9a側にエチレンビニルアセテートEVAからなる表側充填材と、ガラスからなる透明部材を設け、第2面9b側にEVAからなる裏側充填材と、ポリエチレンテレフタレートPETからなる裏面保護材を設けてモジュール化し、モジュール化した太陽電池素子に対してプレッシャクッカ試験PCTを行ない、信頼性を評価した。プレッシャクッカ試験の条件は温度125°C、湿度95RH、圧力2MPaの条件で行ない、経過時間300時間、350時間、400時間の変換効率を測定し、初期の変換効率に対する経過時間後の変換効率の割合を表示で表4に示す。なお、変換効率の測定は、JISC8913に基づいて、AM1.5、100mW/cm2の照射の条件下にて測定した。表4から明らかなように、ガラスフリットA,Cを用いたペーストにおいて、焼結抑制剤としてAl2O3を添加しなかったペーストNo.31,35に対して、Al2O3を添加したペーストNo.32~34,36~38では、長時間経過後も変換効率が高い状態で維持されることがわかった。つまり、焼結抑制剤としてAl2O3を添加することによって、太陽電池素子の信頼性の大幅な改善がみられた。また、特にガラスフリットCにおいては、焼結抑制剤としてAl2O3を添加しなかったペーストNo.35に対して、Al2O3を添加したペーストNo.36~38では、長時間経過後も変換効率が高い状態で安定して維持されることがわかった。なお、表4には記載していないが、実験の結果、ガラスフリットCにおける焼結抑制剤としてのAl2O3の最適添加量は0.1~5の範囲と思われる。"