"レーザ発振器から出射されるパルスレーザ光を、シリコンを主成分とする被加工物に照射することでレーザ加工を行うレーザ加工方法であって、前記パルスレーザ光は、パルス幅が30フェムト秒以上100ピコ秒以下、かつ基本波の波長が赤外域であり、前記パルスレーザ光が透過する窓を有する加工容器に前記被加工物を収納し、前記加工容器に六フッ化硫黄の反応性ガスを導入するガス導入ステップと、前記加工容器に導入した反応性ガスの分圧を10kPa以上500kPa以下に保ちながら前記窓を介して前記被加工物に前記パルスレーザ光を照射することで前記レーザ加工を行う加工ステップと、を備えたことを特徴とするレーザ加工方法。前記加工ステップでは、前記加工容器に導入した反応性ガスの分圧を30kPa以上350kPa以下に保つことを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。前記加工ステップでは、前記加工容器に導入した反応性ガスの分圧を200kPa以上350kPa以下に保つことを特徴とする請求項2に記載のレーザ加工方法。前記加工ステップでは、前記加工容器に導入した反応性ガスの分圧を100kPa以上300kPa以下に保つことを特徴とする請求項2に記載のレーザ加工方法。前記加工ステップでは、前記加工容器に導入した反応性ガスの分圧を200kPa以上300kPa以下に保つことを特徴とする請求項3に記載のレーザ加工方法。請求項1乃至5のいずれか1項に記載のレーザ加工方法によって吐出口を加工することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。請求項6記載のインクジェットヘッドの製造方法により製造されたことを特徴とするインクジェットヘッド。しかし、上記非特許文献1,2に記載の超短パルスレーザ光を用いたレーザ加工方法では、イオンや気相での噴出が支配的であったとしても、被加工物から飛散されるシリコン粒子がなくなったわけではない。したがって、更なる高精度かつ高品位なレーザ加工を実現するには、この飛散粒子がデブリとなって被加工物に堆積し固着してしまうのを抑制する必要があった。また、上記特許文献1には、レーザ光を0.55μm以下の波長とすることで、反応性ガスをレーザ光で直接的に解離させてラジカルを含むプラズマを生成させることが開示されている。反応性ガスがレーザ光を吸収し、かつ、レーザ光の光子エネルギが反応性ガス分子の解離に必要なエネルギをもつことが波長選択の制約条件となっている。ところで、産業用に用いられるレーザ発振器の中で、加工に用いられるレーザ光の基本波の波長は赤外域であることが非常に多い。基本波とは、レーザ発振器が用いるレーザ媒質から出る波長のことを指している。高い出力が得やすく、また、レーザ媒質の励起源に半導体レーザを用いることで高い安定性とメンテナンス性を確保することができることなどから、赤外域が基本波のレーザ光が非常に多い。基本波が赤外域のレーザ光に対して非線形光学結晶を用いた高調波変換を行うことで、可視域あるいは紫外域などのより短い波長を得ることができる。しかしながら、高調波変換では、2次高調波変換で20~50程度の損失を伴う。さらに高次の高調波変換ではさらに損失が大きくなる。ところで、産業的に用いられる超短パルスレーザ光の発振方式は複数あるが、基本波は赤外域であることがほとんどである。例示すればチタンサファイアを媒質としたレーザ発振器は0.7~0.9μmであるし、Nd:YVO4を媒質としたレーザ発振器は1.064μm前後である。したがって、高調波変換せずに、基本波が赤外域のレーザ光を用いて反応性ガスをラジカル化できた方がコストの面で望ましい。そこで、本発明は、基本波の波長が赤外域の超短パルスレーザ光でレーザ加工を行う際に、被加工物上に堆積するデブリがより少ないレーザ加工を実現することを目的とするものである。本発明のレーザ加工方法は、レーザ発振器から出射されるパルスレーザ光を、シリコンを主成分とする被加工物に照射することでレーザ加工を行うレーザ加工方法であって、前記パルスレーザ光は、パルス幅が30フェムト秒以上100ピコ秒以下、かつ基本波の波長が赤外域であり、前記パルスレーザ光が透過する窓を有する加工容器に前記被加工物を収納し、前記加工容器に六フッ化硫黄の反応性ガスを導入するガス導入ステップと、前記加工容器に導入した反応性ガスの分圧を10kPa以上500kPa以下に保ちながら前記窓を介して前記被加工物に前記パルスレーザ光を照射することで前記レーザ加工を行う加工ステップと、を備えたことを特徴とする。また、本発明のインクジェットヘッドの製造方法は、前記レーザ加工方法によって吐出口を加工することを特徴とする。また、本発明のインクジェットヘッドは、前記インクジェットの製造方法により製造されたことを特徴とする。本発明によれば、パルス幅が30フェムト秒以上100ピコ秒以下と非常に短いため、ピークパワーが高い。このため、基本波の波長が赤外域であっても六フッ化硫黄の反応性ガスからフッ素ラジカルが得られる。したがって、フッ素ラジカルを発生させるためにパルスレーザ光の高調波変換などを行う必要がない。さらに、加工容器に導入した反応性ガスの分圧を10kPa以上500kPa以下に保つことで、被加工物から飛散した粒子の大半が気中でパルスレーザ光及びフッ素ラジカルにより効率よくガス化され、被加工物表面へのデブリの堆積量が削減される。以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係るレーザ加工装置の概略構成を示す説明図である。本実施形態の被加工物15は、シリコンを主成分とするシリコンウェハである。レーザ加工装置100は、レーザ発振器1と、ビームエキスパンダ2と、fθレンズを有する2軸ガルバノスキャナ3と、窓4aを有する加工容器密閉容器であるチャンバ4と、を備えている。チャンバ4には、ガス供給管5が接続され、ガス供給管5には、ガス管8とガス管10とが分岐して接続されている。ガス管8には、反応性ガスである六フッ化硫黄SF6のガスが導かれ、ガス管8及びガス供給管5を通じてチャンバ4の内部にSF6ガスを導入することができる。また、ガス管10には、置換用ガスである窒素N2のガスが導かれ、ガス管10及びガス供給管5を通じてチャンバ4の内部に窒素ガスを導入することができる。このようにガス管8,10が2系統に分岐しているのは、加工終了後チャンバ開放前に窒素ガス等の置換用ガスを導入するためである。なおガス管の分岐は適宜設ければよく、必須のものではない。ガス供給管5の途中には、圧力計6と、圧力計6の上流側に流路を開閉可能な弁7とが設けられている。この弁7により、チャンバ4へのガスの供給の開始停止をすることができる。また、ガス管8には流路を開閉可能な弁9が設けられ、ガス管10には流路を開閉可能な弁11が設けられている。また、チャンバ4には、排気管12を介して真空ポンプ14が接続され、排気管12には、流路を開閉可能な弁13が設けられている。レーザ発振器1は、基本波の波長が赤外域であるパルスレーザ光を出射する。レーザ発振器1から出射されたパルスレーザ光は、ビームエキスパンダ2によってビーム径が拡大され、2軸ガルバノスキャナ3に導かれる。この2軸ガルバノスキャナ3によりレーザ発振器1から出射されたパルスレーザ光を被加工物15の表面上で加工に適切なエネルギ密度、加工形状に適したスポット形状となるように集光整形を行う。レーザ発振器1から出射されるパルスレーザ光を被加工物15の表面に照射することで被加工物15の表面のレーザ加工が行われる。なお、このほかにたとえば、被加工物15を載置したステージによって移動させてもよいし、ポリゴンミラーによってレーザ光を走査させながら、その走査方向に対して直交する方向に被加工物15をステージで移動させるようにしてもよい。チャンバ4の内部には、被加工物15が収納され、被加工物15が窓4aに相対する位置に配置される。チャンバ4の窓4aは、レーザ光の入射方向にはレーザ光を透過可能な透光部材で構成されており、チャンバ4の内部を気密状態に保持することができるようになっている。被加工物15の表面のレーザ光照射位置付近にはSF6ガスが供給され、適切な分圧でSF6ガスを保持することができる。ところで、本実施形態では、レーザ発振器1はパルス幅が30フェムト秒以上100ピコ秒以下であるパルスレーザ光を出射するよう構成されており、被加工物15にはパルス幅が30フェムト秒以上100ピコ秒以下であるパルスレーザ光が照射される。このパルスレーザ光が被加工物15に照射されて除去加工がなされる。パルスレーザ光のパルス幅とスペクトル幅は相反する関係にあり、パルス幅が短くなるほどスペクトル幅は広くなる。30フェムト秒では、スペクトル幅は50nm程度となる。これ以上スペクトル幅が広いと、ビームを集光照射するためのレンズでの収差が拡大する。また、レンズ透過の際に発生するパルス幅が伸長する現象も無視できなくなってくる。これらの原因により加工精度が低下する。したがって、パルス幅は30フェムト秒以上が好ましい。また、パルス幅100ピコ秒以下のパルスレーザ光による加工では非熱的な加工プロセスとなる。このためレーザ光によるエッチング作用において、被加工物15から噴出する粒子以下、噴出粒子、気体あるいはイオンが支配的となる。我々は、このパルス幅領域のレーザ光による加工における噴出粒子の粒径に着目した。大気中で加工を行った場合、その粒径は数十~数百nm程度と非常に微小である。一方、パルス幅が100ピコ秒以上のレーザによる加工では噴出粒子の粒径は数十~数百μmに達する。これは材料が主として液体の状態で噴出するためと考えられる。噴出粒子の粒径が微小であるということは、反応性ガスによるエッチング効果が噴出粒子に作用する場合、粒子1個の反応時間も非常に短くなることが期待できる。フッ素化合物ガスのフッ素をラジカル化して反応性を得る場合などは、このラジカル化したフッ素の発生領域はごく限られた領域となる。噴出粒子1個のエッチング反応時間が短くなるほど、噴出粒子総量に対するエッチング反応率を高めることができる。したがって、パルス幅は100ピコ秒以下が好ましい。次に、上述したレーザ加工装置100を用いたレーザ加工方法について図1を参照しながら説明する。まず、チャンバ4に被加工物15を収納し、密閉状態とする。そして、弁13を開く。弁7,9,11は閉鎖状態である。この状態で真空ポンプ14を動作させてチャンバ4内の空気を排出した後、弁13を閉じ、弁7,9を開けて、ガス管8,5を通じてチャンバ4の内部に六フッ化硫黄SF6ガスである反応性ガスを導入するガス導入ステップ。このとき、圧力計6をモニタして、チャンバ4に導入した反応性ガスの分圧が所定圧力に達するまで、チャンバ4に反応性ガスを導入する。所定圧力は、本実施形態では、10kPa以上500kPa以下の範囲内の圧力である。次いで、チャンバ4内の反応性ガスの分圧が所定圧力となったら弁7,9を閉じる。そして、この所定圧力を保ちながら窓4aを介して被加工物15にパルスレーザ光を照射することでレーザ加工を行う加工ステップ。なお、真空排気の工程は必須ではないが、短時間高効率なガス導入のために望ましい。フッ素化合物ガスの適切な分圧が保たれるようにして、加工中適宜ガスを循環あるいは置換をさせてもよい。ここで、特許文献1では、光子エネルギの高い短波長領域のレーザ光を用いることで、レーザ光によるフッ素化合物ガス分子の直接励起によってラジカル化を行っていた。これに対し、本実施形態では、パルスレーザ光のパルス幅が非常に短いためピークパワーが高い。このため、パルスレーザ光の照射により、絶縁破壊過程によってフッ素ラジカルが得られると考えられる。これにより、赤外域のパルスレーザ光によってもSF6ガスに反応性が生じ、エッチング作用が発現する。つまり、パルスレーザ光がSF6ガスに照射されると、フッ素ラジカルが発生し、シリコンを主成分とする被加工物15に対してエッチング作用を発現する。被加工物15自体、そしてレーザ光によるエッチング作用によって生成された噴出粒子の双方に対して、このフッ素ラジカルによるエッチング効果が作用する。被加工物15自体へのフッ素ラジカルによるエッチング効果はレーザ加工によるエッチング作用に相乗するため、これによって加工速度は高速化される。さらに、レーザ光によるエッチング作用によって生成された噴出粒子がフッ素ラジカルによってエッチングされ、ガス化する。このため被加工物15へ向かうレーザ光が噴出粒子によって散乱されなくなるため、被加工物15表面に到達するレーザ光のエネルギが増加することで、さらに加工が高速に進む。チャンバ4の窓越しにパルスレーザ光の照射を開始し、ガルバノスキャナ3によってレーザ光を被加工物15表面上で走査させてレーザ加工を進めていく。終了後、弁13を開いて真空ポンプ14によってチャンバ4内部のガス排気を行ったのち、ガス管10より窒素ガスを大気圧まで導入する。そしてチャンバ4を開いて被加工物15を取り出して加工が完了する。以上、本実施形態によれば、パルス幅が30フェムト秒以上100ピコ秒以下と非常に短いため、ピークパワーが高い。このため、パルスレーザ光の基本波の波長が赤外域であっても六フッ化硫黄の反応性ガスからフッ素ラジカルが得られる。したがって、フッ素ラジカルを発生させるためにパルスレーザ光の高調波変換などを行う必要がない。さらに、チャンバ4に導入した反応性ガスの分圧を所定圧力に保つことで、被加工物15から飛散した粒子の大半が気中でパルスレーザ光及びフッ素ラジカルにより効率よくガス化され、被加工物15表面へのデブリの堆積量が削減される。本実施形態で説明したレーザ加工方法は、シリコンを主成分とする被加工物の様々な加工に適用することができる。例えば、インクジェットヘッドの吐出口を製造する時に必要な穴あけ加工や、基板上に形成する冷却流路等を製造する時に必要な溝加工など、インクジェットヘッドの製造に好適に用いることができる。また、ウエハから半導体チップを切り出すためのダイシング加工、貫通電極の穴あけ加工など、半導体装置の製造にも用いることができる。図3は、インクジェットヘッドの概略構成を示す説明図であり、図3を参照しながら、上述のレーザ加工方法が適用されるインクジェットヘッド23について説明する。図3aはインクジェットヘッドの平面図、図3bはインクジェットヘッドの正面図、図3cはインクジェットヘッドの側面図である。図3において、33は基板であり、この基板33上にはインクを吐出するための電気熱変換素子や電気機械変換素子等のインク吐出圧発生素子ヒータ34が設けられている。このインク吐出圧発生素子34は吐出口21に連通するインク流路31内に配されており、個々のインク流路31は共通液室32に連通している。この共通液室32にはインク供給管不図示が接続され、インクタンクよりインク供給管を介してインクが供給される。また、35はインク流路31および共通液室32を形成するための凹部を有する天板であり、基板33と接合されることでインク流路31、共通液室32を形成している。さらに、基板33と天板35との接合体のインク流路端部側には吐出口21が形成されたプレート22が設けられている。このプレート22は、シリコンで形成されている。このようなインクジェットヘッド23は、以下のように作成することができる。まず、ヒータ34と不図示のシフトレジスタ等の集積回路及び電気配線とをシリコン基板にパターニングして基板33を作成する。これとともに、インク流路31及び共通液室32となる凹部と不図示のインク供給口をシリコンプレートにケミカルエッチングすることにより形成して天板35を作成する。その後、インク吐出側端面およびインク流路31とヒータ34の配列が一致するように基板33と天板35とをアライメント接合する。プレート22には、本実施形態のレーザ加工方法でノズル吐出口21を形成する。この吐出口21が形成されたプレート22を、接合された天板35とベースプレートのインク吐出側端面に接着する。以後、不図示のヒータ駆動用の端子をパターニングした電気基板を結合するとともに、アルミ製のベースプレートを基板33に接合し、次いで、各部材を保持するホルダおよびインク供給のためのインクタンクを結合することでインクジェットヘッドを組み立てる。本実施形態のレーザ加工方法を、インクジェットヘッド23の吐出口21の加工に用いることによって、直接シリコン基板に穴をあけることができるため、加工工程を削減することができる。また、加工中の堆積物を削減することができるため、洗浄等の後工程を行なう必要がなく、製造コストを削減することが可能になる。以下に、図1に示した構成のレーザ加工装置によりレーザ加工を行った実験結果を示す。レーザ発振器1にはNd:YVO4をレーザ媒質としたモードロックレーザでパルス幅が10ピコ秒、中心波長が1.064μmのパルスレーザを用いる。レーザ発振器1より出射されたパルスレーザ光を、ビームエキスパンダ2によってビーム径を拡大し、fθレンズを備えた2軸ガルバノスキャナ3に導入する。fθレンズの焦点距離は80mmである。被加工物15は、長さ及び幅がそれぞれ30mm、厚みが0.625mmの単結晶シリコンウェハであり、被加工物15をチャンバ4の内部に載置する。あらかじめ被加工物15は重量を測定しておく。まず弁13を開いて真空ポンプ14によりチャンバ4内部を真空にし、弁13を閉じる。その後弁7および弁9を開いてガス管8からガス管5を通して圧力計6をモニタしながらチャンバ4にSF6ガスを導入する。所定圧力に到達したところで弁7および弁9を閉じる。パルスレーザ光の平均出力を5.3W、繰り返し周波数を350kHzとして、レーザ光を出射する。このときfθレンズを通して集光した被加工物15表面でのパワー密度は約200GW/cm2である。被加工物15表面での走査速度を5m/sとしてガルバノスキャナ3によってスキャン加工を行う。加工完了後、弁13を再び開いて真空ポンプ14によって排気を行い、チャンバ4を真空にする。弁7および弁11を開いて、圧力計6をモニタしながら大気圧に到達するまで窒素ガスを導入する。弁7および弁11を再び閉じた後、チャンバ4を開放し、被加工物15を取り出して加工を完了する。加工完了時の被加工物15の重量を計測した後、さらに被加工材料を超音波洗浄機にて洗浄を行う。そして洗浄後の被加工材料の重量を測定する。被加工物15の加工前の重量から洗浄後の重量を差し引いて得られた重量を除去重量とする。この除去重量をシリコンの比重によって体積に換算した値を除去体積とする。そして被加工物15の洗浄後の重量から加工直後洗浄前の重量から差し引いた値をデブリ重量とする。デブリ重量を除去重量で除した値を相対デブリ堆積量とする。以上の手順を、SF6の圧力を変えて繰り返し、得られた除去体積と相対デブリ堆積量をグラフにあらわしたものを図2に示す。除去体積はSF6圧力が10Paから10kPaにいたるまで単調減少し、SF6圧力が10kPaでは除去体積は1.85mm3となる。これは後述する比較例で示した、大気中でのレーザ加工での除去体積2.66mm3を下回る。そして除去体積はSF6の圧力が10kPaを超えると増加に転じる。除去体積は、SF6の圧力が30kPaで2.93mm3に達し、大気中レーザ加工の除去体積2.66mm3を上回る。除去体積は、このまま増加を続け、SF6圧力が100kPaで6.44mm3、SF6圧力200kPaで最大値7.00mm3に到達する。ここをピークとして減少に転じる。除去体積は、SF6圧力300kPaで6.44mm3、SF6圧力350kPaで3.09mm3となる。さらに、除去体積は、SF6圧力400kPaで2.53mm3となり、大気中でのレーザ加工での除去体積2.66mm3をわずかながら下回る。ここで除去体積の減少傾向が底を打ち、除去体積は、SF6圧力500kPaでも2.49mm3とほとんど変わらなくなる。これに対し、相対デブリ堆積量については、SF6ガスの圧力200Paから10kPaにかけて減少傾向を示す。具体的には、相対デブリ堆積量は、SF6ガスの圧力200Paで91.0となり、これは後述する比較例で示した大気中でのレーザ加工での相対デブリ堆積量75.8を上回っている。そして、SF6圧力が10kPaでは相対デブリ堆積量は7.0~13.2程度である。これは後述する比較例で示した大気中でのレーザ加工での相対デブリ堆積量75.8を大きく下回る結果となった。相対デブリ堆積量は、SF6ガスの圧力10kPaから僅かに上昇するものの、比較例の相対デブリ堆積量75.8を大きく下回っており、SF6ガスの圧力81kPaにてピーク値17.3を迎えた後、更に減少に転じていく。そして相対デブリ堆積量は、SF6ガスの圧力200kPaにて0に達してSF6ガスの圧力500kPaまで0が継続する。なお、被加工物15の重量の計測には最小秤量0.1mgの重量測定器を用いており、相対デブリ堆積量が0というのはこの重量測定器の測定限界以下であることを指す。SF6圧力が200Pa以下の圧力となるに連れて、相対デブリ堆積量が減少しているが、これは雰囲気圧力が低いためにデブリの飛散距離が長くなり、被加工物の外へ飛んだものが多かったためと考えられる。そして、ここから高圧側は概ね圧力に応じて減少傾向であるといえる。これは、圧力が高いほど、SF6分子の密度が高くなることがその要因であると考えられる。いったん10kPaから81kPaまで、僅かに上昇に転じているのは、除去体積の増大に伴ってのものであると考えられる。SF6圧力が10kPaにいたるまではレーザ光焦点付近に被加工物15からの飛散粒子が多量に存在し、これによる散乱の影響を受けているのではないかと考えられる。そして、SF6圧力が10kPaに達したところから、ほとんどの飛散粒子が反応性を有するガスによるエッチング作用によって即座にガス化されるため、散乱の影響が減少する。10kPaより高いSF6圧力では、圧力による絶縁破壊閾値の変化に呼応して増減をしているものと考えられる。[比較例]実施例と同一の構成のレーザ加工装置により加工を行う。レーザの平均出力も実施例と同じく5.3W、繰り返し周波数を350kHzとする。単結晶シリコンウェハであり、長さ幅それぞれ30mm、厚み0.625mmの被加工物15をチャンバ4の内部に載置する。ここで、チャンバ4の排気やガス置換を行わず大気雰囲気のままレーザ加工を実施する。ガルバノスキャナ3によるレーザ光の操作手順も実施例と同一として加工を実施した。そしてチャンバ4を開放し、被加工物15を取り出して加工を完了する。被加工物15の重量測定手順も実施例に準じ、除去体積と相対デブリ堆積量を算出した。除去体積が2.66mm3、相対デブリ堆積量が75.8であった。以上の結果により、デブリ堆積量を抑制するには、SF6ガスの分圧を、10kPa以上500kPa以下の範囲に保つのがよいことがわかる。これにより、被加工物15から飛散した粒子の大半が気中でパルスレーザ光及びフッ素ラジカルにより効率よくガス化され、被加工物15表面へのデブリの堆積量が削減される。更に、以上の結果から、デブリ堆積量を抑制しつつ、加工速度を向上させるには、SF6ガスの分圧を、30kPa以上350kPa以下の範囲に保つのがよい。つまり、比較例よりも加工速度を向上させるには、以上の実験結果から、SF6ガスの分圧が30kPa以上350kPa以下の範囲であるのがよいことがわかる。更に、以上の結果から、SF6ガスの分圧を、200kPa以上350kPa以下の範囲に保つことで、加工速度を向上させつつ、デブリ堆積量を極限まで抑制した加工が実現する。つまり、実験結果から、SF6ガスの分圧が200kPa以上350kPa以下の範囲では、デブリ堆積量は、測定器の測定限界以下となるほど激減することがわかる。また、以上の結果から、SF6ガスの分圧を、100kPa以上300kPa以下の範囲に保つことで、デブリ堆積量を抑制しつつ、加工速度をより効果的に向上させることができる。つまり、実験結果から、デブリ堆積量を抑制しつつ、加工速度を優先的に向上させるには、SF6ガスの分圧を、除去体積がピーク及びその近傍となる範囲として、100kPa以上300kPa以下の範囲とするのがよいことがわかる。更に、以上の結果から、SF6ガスの分圧を、200kPa以上300kPa以下の範囲に保つことで、加工速度をより効果的に向上させることができ、デブリ堆積量を極限まで抑制した加工が実現する。つまり、実験結果から、SF6ガスの分圧を、デブリ堆積量が激減し、かつ除去体積がピーク及びその近傍となるような範囲である200kPa以上300kPa以下の範囲にするのがよいことがわかる。なお、本発明は、以上説明した実施形態及び実施例に限定されるものではなく、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により可能である。"