支持基板1と、前記支持基板1の表面に接合されることにより前記支持基板1と一体化された単結晶炭化珪素層2と、を有し、前記支持基板1は、単結晶炭化珪素より比抵抗が低い材料を用いて構成された基板1aと、当該基板1aを被覆する炭化珪素組成薄膜1bとを備えていることを特徴とする炭化珪素半導体基板。前記基板1aの比抵抗は10mΩcm以下とされていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体基板。前記単結晶炭化珪素層2を挟んで前記支持基板1と反対側には、炭化珪素がエピタキシャル成長されて構成される活性層3が形成されており、前記基板1aは、前記活性層3が形成されるときの温度以上の耐熱性を有することを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体基板。前記基板1aは、多結晶または非晶質の炭化珪素、炭素、金属炭化物、金属窒化物、金属硼化物、導電性セラミックス、高融点金属の少なくともいずれか一つを主成分とする材料を用いて構成されていることを特徴とする請求項3に記載の炭化珪素半導体基板。請求項3または4に記載の炭化珪素半導体基板を用いて構成される炭化珪素半導体装置であって、前記炭化珪素半導体基板には、熱処理を含む工程を行うことにより縦型の半導体素子の構成要素4~9が形成されており、前記基板1aは、前記半導体素子の構成要素4~9が形成されるときの温度以上の耐熱性を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置。単結晶炭化珪素基板10を用意する工程と、前記単結晶炭化珪素基板10の主表面から水素イオンを注入してダメージ層11を形成するダメージ層形成工程と、単結晶炭化珪素より比抵抗が低い材料で構成された基板1aを用意する工程と、前記基板1を炭化珪素組成薄膜1bで被覆した支持基板1を形成する工程と、前記単結晶炭化珪素基板10の前記主表面に前記支持基板1を接合する接合工程と、熱処理することにより、前記ダメージ層11で前記単結晶炭化珪素基板10を剥離し、前記単結晶炭化珪素基板10の一部によって構成される単結晶炭化珪素層2を前記支持基板1上に備えた構造とする剥離工程と、を含む工程を行うことを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。前記接合工程では、前記剥離工程のときの熱処理温度以下の温度と圧力を加えて接合することを特徴とする請求項6に記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。前記支持基板1を形成する工程では、前記基板1aを覆う状態で炭化珪素組成粉末15を配置し、加圧加熱処理することで前記炭化珪素組成粉末15を焼結体化させると共に前記基板1aと一体化させて前記支持基板1を形成することを特徴とする請求項6または7に記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。前記支持基板1を形成する工程では、化学的気相成長法又は物理的気相成長法により前記基板1aを被覆する炭化珪素組成薄膜1bを形成することを特徴とする請求項6または7に記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。前記剥離工程の後に、前記単結晶炭化珪素層2上に炭化珪素をエピタキシャル成長させて活性層3を形成する工程を行い、前記基板1aとして、前記活性層3が形成されるときの温度以上の耐熱性を有するものを用意することを特徴とする請求項6ないし9のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。請求項10に記載の製造方法で形成された炭化珪素半導体基板を用意し、前記炭化珪素半導体基板に熱処理を含む工程を行って縦型の半導体素子の構成要素4~9を形成する工程を行い、前記基板1aとして、前記熱処理を含む工程が行われるときの温度以上の耐熱性を有するものを用意することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。しかしながら、上記特許文献1の製造方法では、水素イオンを注入した単結晶SiC基板をベース基板に接合した後ダメージ層で剥離し、次に剥離した単結晶SiC層上に堆積法によって支持基板を形成し、その後ベース基板を除去してSiC半導体基板を形成している。このため、最終的な形状であるSiC半導体基板に不要なベース基板が中間介在物として必要になり、ベース基板自体のコストは勿論のこと単結晶のSiC領域を単結晶SiC基板から一旦ベース基板に移した後に支持基板に移すという2段階の手順が必要となるためにその工程も煩雑となる。したがって、製造工程を十分に簡略化することができないため、十分な低コストとは言えず、更に安価なSiC半導体基板が望まれている。また、特許文献1および2の製造方法では、支持基板を堆積法により形成しているため、十分な膜厚を得るのに長い時間を要するという問題がある。これは、プロセスコストの増大を引き起こし、本来の目的である低コスト化を妨げることになる。さらに、特許文献1の製造方法で製造されたSiC半導体基板は、その後、単結晶SiC層上に活性層図4中n-型ドリフト層J2が形成され、続いて、酸化膜等のマスクを用いた不純物のイオン注入や熱処理工程等が行われて図4に示すSiC半導体装置が製造される。この場合、支持基板としてタングステン等の金属を用いた場合には、薬品によってマスクを洗浄および除去する際に支持基板が溶解してしまうという問題がある。本発明は上記点に鑑みて、縦型の半導体素子の形成が可能で、かつ高品質な単結晶SiC基板の使用量を減らすことが可能であるSiC半導体基板、SiC半導体装置、SiC半導体基板の製造方法およびSiC半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、支持基板1と、支持基板1の表面に接合されることにより支持基板1と一体化された単結晶SiC層2と、を有し、支持基板1は、単結晶SiCより比抵抗が低い材料を用いて構成された基板1aと、当該基板1aを被覆するSiC組成薄膜1bとを備えていることを特徴としている。このようなSiC半導体基板では、活性層が形成される元の基板が支持基板1と単結晶SiC層2によって構成されている。このため、この元の基板を単結晶SiC基板のみで形成する従来のSiC半導体基板と比較して、高品質な単結晶SiC基板の使用量を減らすことができる。また、基板1aは、単結晶SiCより比抵抗の低い材料を用いて構成されているため、単結晶SiC層2上に活性層を形成して縦型の半導体素子を形成した場合、オン抵抗を低くすることができ、低消費電力動作が可能なSiC半導体装置とすることができる。さらに、支持基板1は、単結晶SiCより比抵抗の低い基板1aと、当該基板1aを被覆する耐薬品性の高いSiC組成薄膜1bを有している。このため、この単結晶SiC層2上に活性層3を形成し、マスクの洗浄および除去を含む工程を行って縦型の半導体素子を形成する場合、当該基板1aが薬品に溶解することを抑制することができる。また、請求項2に記載の発明のように、基板1aの比抵抗を10mΩcm以下とすることができる。通常、基板抵抗成分を低減するために基板を研削して薄板化する手法が取られるが、基板1aの比抵抗を10mΩcm以下とすることにより薄板化しなくても基板抵抗成分が十分に低くなるため、研削工程が不要となり製造コストを下げることができる。さらに、請求項3に記載の発明のように、単結晶SiC層2を挟んで支持基板1と反対側にSiCがエピタキシャル成長されて構成される活性層3を形成し、基板1aとして活性層3が形成されるときの温度以上の耐熱性を有するものを用いることができる。この場合、請求項4に記載の発明のように、基板1aを、多結晶または非晶質のSiC、炭素、金属炭化物、金属窒化物、金属硼化物、導電性セラミックス、高融点金属の少なくともいずれか一つを主成分とする材料を用いて構成することができる。そして、請求項5に記載の発明のように、請求項3または4に記載のSiC半導体基板を用いて構成されるSiC半導体装置であって、SiC半導体基板には熱処理を含む工程を行うことにより縦型の半導体素子の構成要素4~9が形成されており、基板1aとして半導体素子の構成要素4~9が形成されるときの温度以上の耐熱性を有するものを用いることができる。以上説明したSiC半導体基板およびSiC半導体装置は、次の製造方法により製造される。すなわち、請求項6に記載の発明では、単結晶SiC基板10を用意する工程と、単結晶SiC基板10の主表面から水素イオンを注入してダメージ層11を形成するダメージ層形成工程と、単結晶SiCより比抵抗が低い材料で構成された基板1aを用意する工程と、基板1aをSiC組成薄膜1bで被覆して支持基板1を形成する工程と、単結晶SiC基板10の主表面に支持基板1を接合する接合工程と、熱処理することにより、ダメージ層11で単結晶SiC基板10を剥離し、単結晶SiC基板10の一部によって構成される単結晶SiC層2を支持基板1上に備えた構造とする剥離工程と、を含む工程を行うことを特徴としている。このような製造方法により、単結晶SiC層2と、支持基板1とが一体となったSiC半導体基板を製造することができる。このようなSiC半導体基板は、単結晶SiC基板10を剥離することによって単結晶SiC層2を構成したものであるため、高品質な単結晶SiC基板の使用量を減らすことが可能となる。また、ベース基板のような中間介在物を必要とすることもない。したがって、製造コストの低減を図ることができる。また、請求項1に記載の発明と同様に、基板1aをSiC組成薄膜1bで被覆して支持基板1を形成しているため、支持基板1を用いてマスクの洗浄および除去を含む工程を行ってSiC半導体装置を形成する場合、基板1aが薬品に溶解することを抑制することができる。そして、請求項7に記載の発明のように、接合工程では、剥離工程のときの熱処理温度以下の温度と圧力を加えて接合することが好ましい。接合工程の際に、剥離工程のときの熱処理温度より高い温度を加えると、単結晶SiC基板10がダメージ層11で分離した後に再び接合してしまい、その後に熱処理を行っても単結晶SiC基板10から単結晶SiC層2を剥離することができなくなるためである。また、請求項8に記載の発明のように、支持基板1を形成する工程では、基板1aを覆う状態でSiC組成粉末15を配置し、加圧加熱処理することでSiC組成粉末15を焼結体化させると共に基板1aと一体化させて支持基板1を形成することができる。そして、請求項9に記載の発明のように、支持基板1を形成する工程では、化学的気相成長法又は物理的気相成長法により基板1aを被覆するSiC組成薄膜1bを形成することができる。さらに、請求項10に記載の発明のように、剥離工程の後に、単結晶SiC層2上にSiCをエピタキシャル成長させて活性層3を形成する工程を行い、基板1aとして、活性層3が形成されるときの温度以上の耐熱性を有するものを用意することができる。また、請求項11に記載の発明のように、請求項10に記載の製造方法で形成されたSiC半導体基板を用意し、このSiC半導体基板に熱処理を含む工程を行って縦型の半導体素子の構成要素4~9を形成する工程を行い、基板1aとして、半導体素子の構成要素4~9が形成されるときの温度以上の耐熱性を有するものを用意することができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。第1実施形態本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態におけるSiC半導体基板に縦型の半導体素子を形成したSiC半導体装置の断面構成を示す図である。図1に示されるように、本実施形態のSiC半導体装置は、支持基板1の主表面に単結晶SiC基板から剥離したn型SiC層2が備えられ、n型SiC層2の表面にSiCからなるn-型ドリフト層3がエピタキシャル成長させられたSiC半導体基板を用いて構成されている。なお、本実施形態では、n型SiC層2が本発明の単結晶SiC層に相当しており、n-型ドリフト層3が本発明の活性層に相当している。n-型ドリフト層3の表層部における所定領域には、所定深さを有するp型ベース領域4が離間して形成されている。また、p型ベース領域4の表層部には、p型ベース領域4よりも浅い高不純物濃度のn型ソース領域5が形成されている。さらに、n型ソース領域5とn-型ドリフト層3の間におけるp型ベース領域4の表面部およびn-型ドリフト層3の表面には、シリコン酸化膜等で構成されたゲート絶縁膜6が形成され、ゲート絶縁膜6の上にはゲート電極7が形成されている。また、ゲート電極7は図示しない層間絶縁膜にて覆われており、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じてn型ソース領域5およびp型ベース領域4に電気的に接続されるソース電極8が形成されている。そして、支持基板1の裏面側には、ドレイン電極9が形成されている。すなわち、本実施形態のSiC半導体装置は、上記p型ベース領域4やn型ソース領域5等の構成要素を含んで構成される縦型の半導体素子としてパワーMOSFETが形成されたものである。支持基板1は、基板1aと、基板1aとn型SiC層2との間および基板1aとドレイン電極9との間に配置されたSiC組成薄膜1bとを有して構成されている。具体的には、基板1aは、単結晶SiCよりも比抵抗が低い材料であって、n-型ドリフト層3が形成されるときの温度およびp型ベース領域4やn型ソース領域5等の半導体素子の構成要素が形成されるときの温度以上の耐熱性を有する材料、つまりこれらの温度以上の温度に融点を有する材料を用いて構成されている。さらに、好ましくは、基板1aは、比抵抗が10mΩcm以下である材料を用いて構成されるのがよい。本実施形態では、基板1aは、比抵抗が35.9μΩcmであり、融点が3985°Cである炭化タンタル粉末を焼結したものが用いられている。すなわち、本発明の基板1aとは、焼結体を含むものである。以上説明したように、図1に示すSiC半導体装置が構成されている。このように構成された縦型の半導体素子を備えたSiC半導体装置は、単結晶SiC基板を剥離することによってn型SiC層2を構成したものであり、高品質な単結晶SiC基板の使用量を減らすことが可能な構造となる。また、本実施形態では、支持基板1を構成する基板1aを焼結体にて構成しているため、材料の複合化や粒径の制御によって電気伝導性や熱膨張係数、切削の容易さに関わる機械的特性を容易に制御することができる。次に、上記SiC半導体装置に用いられるSiC半導体基板の製造方法について説明する。図2は、本実施形態におけるSiC半導体基板の製造工程を示す断面図である。まず、図2aに示されるように、高品位かつ表面が平坦であり、板厚が約400μm~600μmであるn型の単結晶SiC基板10を用意する。そして、図2bに示されるように、この単結晶SiC基板10の主表面に対して水素イオンを注入し、単結晶SiC基板10に水素と結晶欠陥が高密度に偏析するダメージ層11を形成する。例えば、加速エネルギー200keV、ドーズ量2.0×1017/cm2で単結晶SiC基板10の主表面に水素イオンを注入することにより、約1.3μm程度の深さにダメージ層11を形成する。なお、ダメージ層11の深さは、加速エネルギーを適宜変更することにより変更可能である。また、イオン注入時にチャネリング防止用のキャップ酸化膜を単結晶SiC基板10の表面に形成しておき、イオン注入後に除去するようにしても良い。この場合、キャップ酸化膜により単結晶SiC基板10の主表面にコンタミネーションが付着することを抑制することもできる。また、図2cに示されるように、図2aおよびbとは別工程において、例えばカーボン製の型を構成する中空円柱状のダイ12と、ダイ12の中空部と同径とされた円柱状のパンチ13を用意する。そして、ダイ12の中空部内に炭化タンタル粉末14を配置すると共に、パンチ13を炭化タンタル粉末14を挟むように配置し、4.0kN/cm2の圧力と1600°Cの温度を10分間加えて、図2dに示されるように、炭化タンタルで構成された焼結体からなる基板1aを形成する。このような焼結化処理は放電プラズマ焼結装置やホットプレス装置のような圧力と温度を同時に付加できる装置によって行うことができる。その後、図2eに示されるように、ダイ12の中空部内に周囲がSiC組成粉末15で覆われる状態で上記基板1aを配置すると共に、パンチ13をSiC組成粉末15を挟むように配置する。そして、4.0kN/cm2の圧力と1600°Cの温度を10分間加えてSiC組成粉末15を焼結体に変化させて基板1aと一体化させ、図2fに示されるように、基板1aが数μm~数十μmのSiC組成薄膜1bで覆われた支持基板1を形成する。なお、SiC組成粉末15は市販されているものであっても、メカニカルアロイング等で珪素と炭素から合成したものでも良い。また、SiC組成薄膜1bの抵抗を下げるために炭化チタン等の不純物が添加されていてもよい。その後、単結晶SiC基板10の主表面ダメージ層11を形成する水素イオンの注入を行った一面と、支持基板1のいずれか一方の面を研削等で平坦化する。例えば、600の砥石で粗研削をした後、30000の砥石で仕上げ研削を行い、表面粗度Raが5nm以下になるまで平坦化加工を行う。さらに、この平坦化工程においては、より目の細かい砥石による研削や化学的機械的研磨法等を用いて表面粗度Raがさらに低くなるようにしても良い。次に、図2gに示されるように、ダイ12の中空部内に支持基板1およびダメージ層11を形成しておいた単結晶SiC基板10を配置する。具体的には、支持基板1のうちの平坦化工程を行った側の一面と、単結晶SiC基板10の主表面とが向かい合うように配置する。そして、パンチ13を支持基板1と単結晶SiC基板10とを挟むように配置し、4.0kN/cm2の圧力と800°Cの温度を30分間加えて支持基板1と単結晶SiC基板10との接合を行って単結晶SiC基板10と支持基板1とを一体化させる。なお、この工程で加えられる800°Cの温度は、単結晶SiC基板10がダメージ層11で完全に剥離する温度以下の温度である。すなわち、後述の図2hでは、900°Cの温度を30分間加えることにより単結晶SiC基板10をダメージ層11にて剥離するが、図2gの工程において、例えば、1000°Cの温度を30分間加えて支持基板1と単結晶SiC基板10とを接合しようとすると、加圧しているため、単結晶SiC基板10はダメージ層11で分離剥離した後に再び接合してしまい、その後に加熱しても単結晶SiC基板10からn型SiC層2が剥離しなくなるためである。このため、支持基板1と単結晶SiC基板10との接合工程は、単結晶SiC基板10がダメージ層11で完全に剥離する温度より低い温度で行う。続いて、図2hに示されるように、一体化した支持基板1と単結晶SiC基板10とをダイ12およびパンチ13から取り出し、真空中またはアルゴン等の不活性ガス雰囲気中にて900°Cの温度を30分間加えて単結晶SiC基板10をダメージ層11にて剥離する。これにより、n型SiC層2が接合された支持基板1が得られる。なお、ダメージ層11にて分離された単結晶SiC基板10の残部は再度水素イオンを注入して新たなn型SiC層2を形成するためのSiC素材として再利用される。また、真空中または不活性ガス中にて剥離工程を行うことにより、n型SiC層2の表面に酸化膜が形成されることを抑制することができる。次に、図2iに示されるように、支持基板1に接合されたn型SiC層2側の表面、つまりn型SiC層2のうち支持基板1と接合された一面と反対側の一面に対して研磨や水素エッチング等を行い、ダメージ領域を除去する。そして、低不純物濃度のSiCを約1600°Cの成長温度にてエピタキシャル成長させてn-型ドリフト層3を形成する。このとき、単結晶のn型SiC層2の表面にn-型ドリフト層3を形成しているため、n-型ドリフト層3の結晶性はn型SiC層2の結晶性が引き継がれて単結晶のSiCとなる。以上の工程により、活性領域となる単結晶のSiCで構成されたn型SiC層2およびn-型ドリフト層3と、支持基板1とが一体となったSiC半導体基板が製造される。なお、この状態のSiC半導体基板は、基板1がSiC組成薄膜1bで被覆された状態であり、言い換えるとウェハ状態である。そして、上記製造工程により得られたSiC半導体基板に対して周知のデバイス形成プロセスを実施して縦型の半導体素子を形成することにより、図1に示すSiC半導体装置が製造される。すなわち、n-型ドリフト層3に対して酸化膜等のマスクを用いて不純物をイオン注入し、約1650°Cで熱処理を行うことでp型ベース領域4およびn型ソース領域5を形成する。その後、熱酸化等によってゲート絶縁膜6を形成すると共に、ドープトPoly-Siの成膜およびパターニングによりゲート電極7を形成する。そして、層間絶縁膜の形成工程、コンタクトホールの形成工程、ソース電極8の形成工程、ゲート配線のパターニング工程、ドレイン電極9の形成工程等を行い、適宜ダイシングカットすることにより、図1に示すSiC半導体装置が製造される。以上説明したように、本実施形態のSiC半導体基板の製造方法によれば、活性領域となる単結晶のSiCで構成されたn型SiC層2およびn-型ドリフト層3と、支持基板1とが一体となった縦型の半導体素子が形成可能なSiC半導体基板を製造することができる。このようなSiC半導体基板は、単結晶SiC基板10を剥離することによってn型SiC層2を構成したものであるため、高品質な単結晶SiC基板10の使用量を減らすことが可能となる。また、ベース基板のような中間介在物を必要とすることもなく、製造コストの低減を図ることができる。また、従来のSiC半導体装置では、基板抵抗をできるだけ低くするためにp型ベース領域4およびn型ソース領域5等を形成した後に基板の裏面を研削して薄板化する処理がなされるが、単結晶SiC基板は単結晶SiCの機械的性質により研削に時間がかかるという問題があった。しかしながら、本実施形態のように、支持基板1の基礎となる基板1aの比抵抗を10mΩcm以下とすることで薄板化しなくても良いことや、研削する場合であっても裏面のSiC組成薄膜1bの被覆が薄いことおよび支持基板1の基礎である基板1aがSiCより硬度の低い炭化タンタルであること等により、単結晶SiCと比較して研削性を向上させることができ、研削にかかる時間を短縮することができる。なお、SiC組成薄膜1bは基板1aに対して比抵抗は高いものの、十分にその厚さが薄いために抵抗としては問題にならない。さらに、支持基板1は、基板1aが耐薬品性の高いSiC組成薄膜1bで被覆されている。このため、マスクの洗浄および除去を行う際に基板1aが薬品に溶解することを抑制することができる。すなわち、基板1aとしてSiCより耐薬品性の低い材料、例えば、上記炭化タンタル等を利用することができ、材料の選択性を広くすることができる。また、基板1aは、n-型ドリフト層3が形成されるときの温度およびp型ベース領域4およびn型ソース領域5等の半導体素子の構成要素が形成されるときの温度以上の耐熱性を有する材料を用いて構成されているため、これらの工程の際に温度制限を特に設ける必要はなく、従来通りのデバイス形成プロセスを行うことができる。このため、製造工程が複雑になることもない。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態のSiC半導体装置は、支持基板1の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図3は、本実施形態におけるSiC半導体基板の製造工程を示す図である。まず、図3aおよび図3bに示されるように、図2aおよび図2bと同様に、高品位かつ表面が平坦なn型の単結晶SiC基板10を用意し、この単結晶SiC基板10の主表面に対して水素イオンを注入する工程を行う。また、図3cに示されるように、市販のタングステン板を基板形状に加工したタングステン基板1aを用意し、図3dに示されるように、化学的気相成長法によりタングステン基板1aをSiC組成薄膜1bにて被覆して支持基板1を形成する。なお、SiC組成薄膜1bは、スパッタ装置等を用いて物理的気相成長法等で構成してもよい。また、SiC組成薄膜1bは、窒素等の任意の不純物を導入することにより抵抗値を任意に変化させてもよい。次に、図2fの工程と同様に、支持基板1のいずれか一方の面を研削等で平坦化する。その後は、図3e~gに示されるように、図2g~iと同様に、ダイ12の中空部内に支持基板1および単結晶SiC基板10を配置して接合し、単結晶SiC基板10をダメージ層11にて分離する。そして、支持基板1に接合されたn型SiC層2側の表面に低不純物濃度のSiCをエピタキシャル成長してn-型ドリフト層3を形成することにより、SiC半導体基板が製造される。以上説明したように、本実施形態では、基板1を形成する焼結工程を無くすことができ、上記第1実施形態と比較して製造工程を簡略化することができる。また、本実施形態のように、基板1aとしてタングステン板を用いた場合には、タングステンとSiCの熱膨張係数が約4.5×10-6/K程度とほぼ一致するため、n-型ドリフト層3を形成するときや不純物領域を形成するときに接合面に応力が発生することを抑制でき、支持基板1およびn型SiC層2の反りや割れを抑制することができる。さらに、基板1aをタングステンのような金属材料としてSiC半導体装置を構成した場合、支持基板1のうちn型SiC層2側と反対側の裏面に配置されたSiC組成薄膜1bを研削等で除去することにより、裏面に形成されるドレイン電極9とのコンタクト抵抗は金属同士の接触となるため低抵抗とすることが可能となる。他の実施形態上記第1実施形態では、基板1aを構成する焼結体を炭化タンタルにて構成したものを説明し、上記第2実施形態では、基板1aをタングステン板を用いて構成した例について説明した。しかしながら、これらの材料は単なる一例を示したにすぎず、他の材料、例えば、多結晶または非晶質のSiC、炭素、金属炭化物、金属窒化物、金属硼化物、導電性セラミックス、高融点金属の少なくともいずれか一つを主成分とする材料を用いて焼結体を形成することができるし、これらの材料を用いて形成された基板を用いることができる。そして、これらの材料の中でもより好ましくは、上記第2実施形態で説明したタングステンのように、SiCと熱膨張係数が近いものを用いるのがよい。具体的には、炭化タングステン、金属モリブデン等が挙げられる。なお、これらの材料は、単結晶SiCよりも比抵抗の低い材料である。また、上記第1実施形態では焼結によりSiC組成薄膜1bを基板1aと一体化させる方法について説明したが、上記第2実施形態のように、化学的気相成長法または物理的気相成長法により基板1aにSiC組成薄膜1bを配置してもよい。同様に、上記第2実施形態において、タングステン基板1aに焼結によりSiC組成薄膜1bを配置してもよい。さらに、上記各実施形態では、真空中または不活性ガス雰囲気中で剥離工程を行う例について説明したが、例えば、大気中で剥離工程を行うこともできる。そして、上記各実施形態では、SiC半導体基板に対して縦型の半導体素子としてパワーMOSFETを形成したものを例に挙げて説明したが、例えば、縦型の半導体素子として、ショットキーバリアダイオード等を形成することもできる。すなわち、上記各実施形態の製造方法によって製造したSiC半導体基板は、このような縦型の半導体素子の形成にも適しており、このような縦型の半導体素子を形成する場合にも上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。また、上記各実施形態では、n型SiC層2の上にn-型ドリフト層3を形成した構造について説明したが、p型SiC層の上にn-型ドリフト層を形成するSiC半導体基板を上記のような製造方法によって製造しても構わない。また、上記各実施形態ではnチャネルタイプの縦型半導体素子を例に挙げたが、各部の導電型を逆にしたpチャネルタイプの縦型半導体素子を製造しても良い。さらに、上記各実施形態では、支持基板1と単結晶SiC基板10との接合を4.0kN/cm2の圧力と800°Cの温度を30分間加えて行う例について説明したが、例えば、常温直接接合により行うこともできる。すなわち、まず、支持基板1と単結晶SiC基板10とを真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内の圧力が2×10-6Pa以下になるまで真空引きする。その後、支持基板1のうちの平坦化工程を行った側の一面、および単結晶SiC基板10の主表面ダメージ層11を形成する水素イオンの注入を行った側の一面に対して1分間アルゴンイオンを照射して表面をエッチングし、表面の不純物の除去および表面の活性化を行う。続いて、支持基板1および単結晶SiC基板10のうちアルゴンイオンが照射された面同士を向かい合わせ、200°Cの温度と4.0kN/cm2の圧力を10分間加えて支持基板1と単結晶SiC基板10とを接合することもできる。