配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材であって、前記中間層が、少なくとも、前記配向金属基板上にRFスパッタリング法を用いて形成されたCeO2層と、前記CeO2層上に電子ビーム蒸着法を用いて形成されたY2O3層とを有していることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材。前記Y2O3層の上にバリア層、さらに前記バリア層の上にキャップ層が形成されて中間層が構成されており、前記中間層の上に酸化物超電導薄膜層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導薄膜線材。配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材の製造方法であって、前記中間層の形成工程が、少なくとも、前記配向金属基板上にRFスパッタリング法を用いてCeO2層を形成するCeO2層形成工程と、前記CeO2層上に電子ビーム蒸着法を用いてY2O3層を形成するY2O3層形成工程とを備えていることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材の製造方法。さらに、前記Y2O3層の上にバリア層を形成するバリア層形成工程と、前記バリア層の上にキャップ層を形成するキャップ層形成工程と、前記キャップ層の上に酸化物超電導薄膜層を形成する酸化物超電導薄膜層形成工程とを備えていることを特徴とする請求項3に記載の酸化物超電導薄膜線材の製造方法。しかしながら、従来の方法により作製された酸化物超電導薄膜線材は、上記した用途に好適な高いIcを充分有しているとは未だ言えず、さらなるIcの向上が求められている。そこで、本発明は、従来に比べ高いIcを有する酸化物超電導薄膜線材とその製造方法を提供することを課題とする。本発明者は、上記課題を解決するにあたって、種々の実験、検討を行った結果、中間層に着目するに至った。即ち、従来の酸化物超電導薄膜線材は図3に模式的に示す構造を有している。図3において、1は配向金属基板、2は中間層、3は酸化物超電導薄膜層である。中間層2は、配向金属基板1上にc軸配向した酸化物超電導体の結晶を成長させて酸化物超電導層3を形成させるために設けられるセラミック層であり、一般に、配向金属基板1上にc軸配向したセラミック層を形成させるためのCeO2などのシード層種膜層2aを形成した後、さらに、配向金属基板1中に含まれる金属元素の拡散を防止するためのYSZなどのバリア層拡散防止層2b、および配向金属基板1を構成する金属と酸化物超電導体との格子定数をマッチングさせるためのCeO2などのキャップ層格子マッチング層2cを順に形成させた3層構造で構成されている。この中間層2の上に酸化物超電導薄膜層3が形成されることにより、酸化物超電導薄膜線材が作製される。そして、高いIcの酸化物超電導薄膜線材を得るためには、配向率が高いシード層を配向金属基板上に形成させる必要がある。即ち、配向率が高いシード層2aを形成させることにより、バリア層2bおよびキャップ層2cが高い配向率に形成されるため、この上に形成される酸化物超電導薄膜層3は充分高い配向率でc軸成長することができ、高いIcの酸化物超電導薄膜線材を得ることができる。このシード層としては、従来、RFスパッタリング法を用いて形成させたCeO2層や電子ビーム蒸着法EB法を用いて形成させたY2O3層が採用されている。RFスパッタリング法によるCeO2層の場合、どのような基板であっても高い配向率のシード層を形成させることができる。一方、電子ビーム蒸着法によるY2O3層の場合、高いIcの酸化物超電導薄膜線材を得ることができるが、電子ビーム蒸着法を用いて配向金属基板上に高い配向率でY2O3層を形成することは非常に困難であった。そこで本発明者は、配向金属基板上に、どのような基板であっても高い配向率のCeO2層を形成させやすいRFスパッタリング法を用いてCeO2層を形成させ、このCeO2層の上に電子ビーム蒸着法を用いてY2O3層を形成させることにより、容易に充分に高い配向率のY2O3層を形成させることができ、高いIcの酸化物超電導薄膜線材を得ることができると考えた。そして、実験の結果、このようにして形成された酸化物超電導薄膜線材が、高いIcを有していることを確認し、本発明を完成するに至った。これは、RFスパッタリング法を用いて配向金属基板上に形成されたCeO2層が高い配向率で形成されているため、電子ビーム蒸着法を用いたY2O3層の形成に際して、直下のセラミック層CeO2層の結晶性の影響を受け、高い配向率のセラミック薄膜Y2O3層が形成されたためと考えられる。なお、この高いIcの発現には、Y2O3層の高い配向率に加えて、Y2O3層がCeO2層に比べ、金属基板からの酸素拡散を抑制する機能に優れていることも関係していると考えられる。上記の実験において、本発明者は、製造の効率化を考慮して、CeO2層およびY2O3層の形成を、RFスパッタリング法または電子ビーム蒸着法のいずれか1つの成膜法で行うことについても検討した。しかし、RFスパッタリング法を用いてCeO2層とY2O3層を形成した場合にも、電子ビーム蒸着法を用いてCeO2層とY2O3層を形成した場合にも、得られた酸化物超電導薄膜線材は充分に高いIcが得られていないことを確認した。本発明は、上記の知見に基づくものであり、請求項1に記載の発明は、配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材であって、前記中間層が、少なくとも、前記配向金属基板上にRFスパッタリング法を用いて形成されたCeO2層と、前記CeO2層上に電子ビーム蒸着法を用いて形成されたY2O3層とを有していることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材である。そして、請求項2に記載の発明は、前記Y2O3層の上にバリア層、さらに前記バリア層の上にキャップ層が形成されて中間層が構成されており、前記中間層の上に酸化物超電導薄膜層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導薄膜線材である。また、請求項3に記載の発明は、配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材の製造方法であって、前記中間層の形成工程が、少なくとも、前記配向金属基板上にRFスパッタリング法を用いてCeO2層を形成するCeO2層形成工程と、前記CeO2層上に電子ビーム蒸着法を用いてY2O3層を形成するY2O3層形成工程とを備えていることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材の製造方法である。そして、請求項4に記載の発明は、さらに、前記Y2O3層の上にバリア層を形成するバリア層形成工程と、前記バリア層の上にキャップ層を形成するキャップ層形成工程と、前記キャップ層の上に酸化物超電導薄膜層を形成する酸化物超電導薄膜層形成工程とを備えていることを特徴とする請求項3に記載の酸化物超電導薄膜線材の製造方法である。本発明によれば、従来に比べ高いIcを有する酸化物超電導薄膜線材とその製造方法を提供することができる。以下、本発明を実施例に基づいて説明する。以下に、中間層を設けた配向金属基板の上に、PLD法を用いてYBCO酸化物超電導薄膜層を形成させたYBCO酸化物超電導薄膜線材を例に挙げ、本発明をより具体的に説明する。1.Y系酸化物超電導薄膜線材の構成図1は、本実施例におけるY系酸化物超電導薄膜線材の構成を模式的に示す断面図である。図1に示すように、配向金属基板1上には、21~24の4層で構成される中間層2が形成されており、その上にY系酸化物超電導薄膜層3が形成されている。2.Y系酸化物超電導薄膜線材の作製以下の手順により、実施例のY系酸化物超電導薄膜線材を作製した。1配向金属基材の準備配向金属基板1としては、SUS厚さ100μm上に順にCu層厚さ18μm、Ni層厚さ2.4μmを形成させたクラッド基板を用いた。2中間層の作製イ第1層目の中間層の作製第1層目の中間層21として、配向金属基板1上にRFスパッタリング法を用いて厚さ80nmのCeO2層を作製した。なお、成膜条件は以下の通りである。金属基板の温度:950°C雰囲気:水素ガスを3体積含有したアルゴンガス雰囲気真空度:1.3PaRF出力:1kW成膜速度:40nm/minロ第2層目の中間層の作製第2層目の中間層22として、第1層目の中間層21上に電子ビーム蒸着法を用いて厚さ8nmのY2O3層を作製した。なお、成膜条件は以下の通りである。温度:650°C雰囲気:水素ガスとアルゴンガスの混合ガス真空度:4.6×10-2PaEガン出力:4kV×450mA成膜速度:2.2nm/minハ第3層目の中間層の作製第3層目の中間層23として、第2層目の中間層22上にRFスパッタリング法を用いて厚さ300nmのYSZ層を作製した。なお、成膜条件は以下の通りである。温度:800°C雰囲気:アルゴンガスと酸素ガスの混合ガスRF出力:3.5kW真空度:2Pa成膜速度:174nm/minニ第4層目の中間層の作製第4層目の中間層24として、第3層目の中間層23上にRFスパッタリング法を用いて厚さ80nmのCeO2層を作製した。なお、成膜条件は以下の通りである。金属基板の温度:800°C雰囲気:アルゴンガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気真空度:2.6PaRF出力:2.5kW成膜速度:73nm/min3Y系酸化物超電導層の作製中間層2上にPLD法を用いて厚さ1500nmのY系酸化物超電導層を作製し、本実施例のY系酸化物超電導薄膜線材の作製を完了した。なお、成膜条件は以下の通りである。レーザー:Kr-Fエキシマレーザー周波数:300Hz出力:1J波長:248nm雰囲気:10Pa酸素雰囲気中1比較例1第1層目および第2層目の中間層に替えて、配向金属基板1上にRFスパッタリング法を用いて厚さ200nmのCeO2層を設けたこと以外は実施例と同様にして、比較例1のY系酸化物超電導薄膜線材を作製した。2比較例2第1層目および第2層目の中間層に替えて、配向金属基板1上に電子ビーム蒸着法を用いて厚さ8nmのY2O3層を設けたこと以外は実施例と同様にして、比較例2のY系酸化物超電導薄膜線材を作製した。3.評価1中間層の配向性評価実施例において、第1層目の中間層CeO2層作製後、基板長0.1m毎に、X線回折XRDを用いて、CeO2111およびCeO2200ピーク強度を測定し、以下の式により、配向率を求めた。結果を表1に示す。なお、基板長0.1m毎に測定したのは、長尺基板の位置により配向率が変化することを考慮したためである。配向率=[CeO2200/{CeO2111CeO2200}]×100次に、第2層目の中間層Y2O3層作製後、X線回折XRDを用いて、Y2O3222およびY2O3400ピーク強度を測定した。結果を表1に併せて示す。なお、この測定に際しては、表1に示すようにY2O3222ピーク強度を明確には検出することができなかったが、これは第2層目の中間層Y2O3層の厚みが非常に薄いため、Y2O3222ピーク強度が検出できなかったためと考えられる。次に、第3層目の中間層YSZ層作製後に、同様に、X線回折XRDを用いて、YSZ111およびYSZ200ピーク強度を測定し、同様に配向率を求めた。結果を表1に併せて示す。そして、第1層目の中間層形成後の配向率と第3層目の中間層形成後の配向率とを、基板長mを横軸として図2に示した。表1および図2より、第1層目の中間層CeO2層の形成時には約80であった配向率が、第3層目の中間層YSZ層の形成時には約90の配向率となっていることが分かる。このような結果が得られたのは、第2層目の中間層として形成されたY2O3層が高い配向率で形成されたためと推測することができる。2超電導特性Icの評価実施例、比較例1、2で得られた各酸化物超電導薄膜線材の超電導特性として、77K、自己磁場下におけるIcを測定したところ、実施例では500A/cmであり、比較例1における340A/cm、比較例2における400A/cmに比べ、高いIcを有していることが確認された。このように、配向金属基板とバッファ層との間に、第1層目の中間層としてRFスパッタリング法を用いて形成させたCeO2層を、第2層目の中間層として電子ビーム蒸着法を用いて形成させたY2O3層を設けることにより、より高いIcの酸化物超電導薄膜線材を得ることができる。以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。