基板上の中央部に複数の画素がマトリクッス状に形成された表示領域が配置され、その外側に前記表示領域を囲む周辺画素領域と、前記周辺画素領域を囲むシール領域とが順次に配置されると共に、前記表示領域の表面に画素電極が形成された第1の基板と、表面に透明の対向電極が形成された透明の第2の基板と、前記シール領域から前記周辺画素領域の一部までの前記半導体基板の上方の範囲内に形成された無機酸化膜パターンと、前記無機酸化膜パターンの表面に形成され、前記第1の基板の前記画素電極と前記第2の基板の前記対向電極とを対向させて所定の厚みで接合する、スペーサ粒子を含まないシール接着剤と、前記無機酸化膜パターンと前記第1及び第2の基板との間の間隙に充填された液晶とを有することを特徴とする液晶表示パネル。前記シール接着剤は、05μmから12μmまでの範囲内の厚みを有することを特徴とする請求項1記載の液晶表示パネル。前記無機酸化膜パターンは、その厚みと前記シール接着剤の厚みとの和が15μm以下となるように調整されていることを特徴とする請求項2記載の液晶表示パネル。第1の基板上の中央部に複数の画素がマトリクッス状に形成された表示領域と、前記表示領域を囲む周辺画素領域と、前記周辺画素領域を囲むシール領域とを配置形成すると共に、前記表示領域の表面に画素電極を形成する第1の工程と、前記シール領域から前記周辺画素領域の一部までの前記半導体基板の上方の範囲内に無機酸化膜パターンを形成する第2の工程と、前記無機酸化膜パターンの表面に、スペーサ粒子を含まないシール接着剤を形成する第3の工程と、表面に透明の対向電極が形成された透明の第2の基板と、前記第3の工程により前記無機酸化膜パターンが形成された前記半導体基板とを、前記画素電極と前記対向電極とを対向させて、前記シール接着剤により所定の厚みで接合する第4の工程と、前記無機酸化膜パターンと前記第1及び第2の基板との間の間隙に液晶を充填する第5の工程とを含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。前記第4の工程は、前記シール接着剤の厚みを05μmから12μmまでの範囲内として、前記第1の基板と前記第2の基板とを接合することを特徴とする請求項4記載の液晶表示パネルの製造方法。前記第3の工程は、前記無機酸化膜パターンの厚みと前記シール接着剤の厚みとの和が15μm以下となるように前記無機酸化膜パターンの厚みを調整して形成することを特徴とする請求項5記載の液晶表示パネルの製造方法。従来の液晶表示パネルにおいて、上記の構造と液晶ギャップをシール接着剤7に混合したスペーサ粒子6の粒子径で制御する製造方法にした場合には、図8に30で示すように、基板を貼り合せる際にスペーサ粒子6に圧力が集中して周辺画素領域23の下地回路を破壊してしまうことがあり、その結果として液晶表示パネルの製造歩留りを著しく低下させるという問題がある。この問題を回避する方法として、半導体基板1のシール領域24の幅を予め大きく設計してシール接着剤7を周辺画素領域23に形成しないようにすることが考えられる。しかし、シール領域24の寸法を大きくすると、半導体基板1が大型化してウェハ当たりから取れるパネルの枚数が少なくなり、液晶表示装置のコストアップになるという課題がある。また、シール接着剤7の幅を狭くして周辺画素領域23にはみ出さないようにすることも考えられるが、シール幅を狭くするに伴い高温高湿信頼性が低下して、液晶表示パネルの表示品質を確保できなくなる。液晶表示パネルでは、コストダウン及び生産性向上の観点から電極の更なる小型化が要求され、表示領域の縮小やシール接着剤の幅を細くすることが求められている。しかし、シール接着剤の幅とセルギャップを一定にして表示部液晶容積表示領域を縮小した場合、高温高湿環境下では図9に示すように、表示部液晶容積表示領域が小さくなるに従って浸入水蒸気の影響度が大きくなり、表示品質は悪化する。また、図10に示すように、シール接着剤の幅を細くするほどシール接着剤からの透過水蒸気量が増加するため、シール接着剤の幅が細くなるほど高温高湿信頼性は悪化することになる。次に、表示領域とシール接着剤の幅を一定に保ち、シール接着剤の厚みセルギャップを変えた場合は、図11に示すようにセルギャップが15μmより大きな範囲内ではセルギャップが小さくなるシール接着剤の厚みが薄くなるにしたがって表示領域の液晶層容積が減少し、浸入水蒸気による配向膜や液晶層への品質劣化が顕著となり、高温高湿環境での表示品質が劣化する。図12は、液晶表示パネルへの水蒸気の浸入経路の一例を示す。同図中、図7と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。なお、図12は図示の便宜上、図7の横方向の寸法を圧縮して図示してある。図12に示すように、水蒸気はシール接着剤7自体を透過して侵入する経路30bと、シール接着剤7とガラス基板2との接着界面を通して侵入する経路30aと、シール接着剤7と半導体基板1との接着界面を通して侵入する経路30cとがある。上記のように、シール接着剤7の厚みセルギャップが15μmより大きな範囲ではセルギャップが小さいほど表示品質が劣化する。このように、表示領域の縮小で浸入水蒸気の影響が顕著となる課題を解決するにはシール接着剤幅を太くすることが有効な方法であるが、シール接着剤幅を太くすると液晶表示パネルサイズが大きくなり、コストダウンの面から逆行することになる。また、シール接着剤の厚みセルギャップを薄くして水蒸気の浸入を抑制することは効果があるが、耐湿性のためだけにセルギャップを薄くすることは液晶表示パネル仕様の面から問題となる。本発明は以上の点に鑑みなされたもので、シール接着剤幅を太くすることなく液晶表示パネルの特性や歩留まり等を良好に保ちながら高温高湿環境下での表示品質を向上できる液晶表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルは、基板上の中央部に複数の画素がマトリクッス状に形成された表示領域が配置され、その外側に表示領域を囲む周辺画素領域と、周辺画素領域を囲むシール領域とが順次に配置されると共に、表示領域の表面に画素電極が形成された第1の基板と、表面に透明の対向電極が形成された透明の第2の基板と、シール領域から周辺画素領域の一部までの半導体基板の上方の範囲内に形成された無機酸化膜パターンと、無機酸化膜パターンの表面に形成され、第1の基板の画素電極と第2の基板の対向電極とを対向させて所定の厚みで接合する、スペーサ粒子を含まないシール接着剤と、無機酸化膜パターンと第1及び第2の基板との間の間隙に充填された液晶とを有することを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルは、シール接着剤が、05μmから12μmまでの範囲内の厚みを有することを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルは、無機酸化膜パターンは、その厚みとシール接着剤の厚みとの和が15μm以下となるように調整されていることを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、第1の基板上の中央部に複数の画素がマトリクッス状に形成された表示領域と、表示領域を囲む周辺画素領域と、周辺画素領域を囲むシール領域とを配置形成すると共に、表示領域の表面に画素電極を形成する第1の工程と、シール領域から周辺画素領域の一部までの半導体基板の上方の範囲内に無機酸化膜パターンを形成する第2の工程と、無機酸化膜パターンの表面に、スペーサ粒子を含まないシール接着剤を形成する第3の工程と、表面に透明の対向電極が形成された透明の第2の基板と、第3の工程により無機酸化膜パターンが形成された半導体基板とを、画素電極と対向電極とを対向させて、シール接着剤により所定の厚みで接合する第4の工程と、無機酸化膜パターンと第1及び第2の基板との間の間隙に液晶を充填する第5の工程とを含むことを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、第4の工程が、シール接着剤の厚みを05μmから12μmまでの範囲内として、第1の基板と第2の基板とを接合することを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、第3の工程が、無機酸化膜パターンの厚みとシール接着剤の厚みとの和が15μm以下となるように無機酸化膜パターンの厚みを調整して形成することを特徴とする。本発明によれば、シール接着剤幅を太くすることなく液晶表示パネルの特性や歩留まり等を良好に保ちながら高温高湿環境下での表示品質を向上できる。次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明になる液晶表示パネルの一実施の形態の平面図、図2は、本発明になる液晶表示パネルの一実施の形態の図1のB-B’線に沿う断面図を示す。両図中、同一構成部分には同一符号を付してある。本実施の形態の液晶表示パネル40は反射型液晶表示パネルで、図2に示すように、半導体基板1とガラス基板2との間に液晶8を挟み、シール接着剤43で貼り合わせて形成されている。図1及び図2に示すように、本実施の形態の液晶表示パネル40は、中央部に表示領域21を有し、その周囲にダミー画素領域22が配置され、また、ダミー画素領域22の周囲に周辺画素領域23が配置されている。更に、周辺画素領域23を囲むようにシール領域24’が形成されている。表示領域21は、反射型の矩形状の画素電極25を含んで構成された表示画素が二次元マトリクス状に配列されている。なお、表示画素は、周知の構成であり、また本発明の要旨とは直接の関係がないので図示しないが、直交する複数の行走査線と複数の列信号線との各交差部にそれぞれ形成され、行走査線からの選択信号により1行の画素単位で選択される選択用トランジスタと、保持容量と、画素選択時に列信号線からの映像信号をサンプリングして保持容量に書き込むスイッチングトランジスタと、保持容量の保持電圧を画素電極25に印加するトランジスタなどから構成されている。図2のPxは一画素の幅を示している。また、表示領域21と周辺画素領域23との間に配置されているダミー画素領域22は表示領域21と同等の下地半導体構造半導体積層構造を形成している。これにより、平坦化工程で表示領域21と周辺画素領域23との間の下地配線密度の差を吸収し、周辺画素領域23の近接する表示領域21の平坦化均一性を向上している。また、半導体基板1の表面のダミー画素領域22より外側である周辺画素領域23及びシール領域24’上にセルギャップ相当の膜厚で無機酸化膜パターン41が形成されている。本実施の形態の液晶表示パネル40は、以下の3つの特徴がある。第1の特徴は、液晶表示パネルの歩留りを改善するため、シール接着材にスペーサ粒子を入れずに、セルギャップ相当の厚みを有する無機酸化膜パターン41を形成してセルギャップを制御することでスペーサ粒子による回路破壊を抑制したことである。第2の特徴は、セルギャップ相当の厚みを有する無機酸化膜パターン11を周辺画素領域23上に形成することで、周辺画素領域23上に縮小されたシール領域を形成して表示パネルサイズを縮小したことである。第3の特徴は、液晶表示パネルの耐湿性を改善するため、水蒸気の浸入経路であるシール接着剤43の厚みを薄くすることが有効であることに鑑み、表示領域21を囲むようにセルギャップ相当の厚みを有する無機酸化膜パターン11上にシール接着剤43を05μmから12μmの厚みで形成したことである。次に、本実施の形態の液晶表示パネル40の製造方法について、図3の各工程の素子断面図と共に説明する。まず、図3aに示すように、所定の構造とされた半導体基板1と、表面に透明の対向電極3が形成されているガラス基板2とを用意する。図3aに示すように、半導体基板1には、表示領域21、ダミー画素領域22、周辺画素領域23が形成されており、更にその半導体基板1の表示領域21及びダミー画素領域22の上に画素電極25が形成され、また、周辺画素領域23及びシール領域24’の上にダミーパターン27が形成されている。実装端子26は反射型液晶表示パネルに映像を表示するための電気信号が入力される端子である。更に、ダミー画素領域22より外側である周辺画素領域23及びシール領域24’の各々一部の領域の上方に、表示領域21及びダミー画素領域22を囲むようにセルギャップ相当の膜厚で無機酸化膜パターン41が形成されている。この無機酸化膜パターン41はCVD法やスパッタ法等によりウェハ表面全面に成膜して、フォトエッチングによりパターニングすることによって形成される。一般には、TEOSテトラエトキシシラン;Si4を主材料としCVD法で形成されている。このとき無機酸化膜パターン41の幅は、例えば02~10mmとする。次に、図3bに示すように、半導体基板1の表面の表示領域21からシール領域24’の一部までのうち、表示領域21から周辺画素領域23の一部までの無機酸化膜パターン41が形成されていない画素電極25及びダミーパターン27の表面に配向膜4を形成し、かつ、無機酸化膜パターン41上に配向膜42を形成する。これら配向膜4及び42は、液晶分子を一定方向に配列させるための膜であり、両者の厚み図中、縦方向の長さは同じである。ここで、配向膜4と配向膜42との隣接する端部間には無機酸化膜パターン41の厚み分の段差が生じる。一方、図3bに示すように、ガラス基板2上の対向電極3の表面にも配向膜5が形成される。ただし、この配向膜5は、半導体基板1の表示領域21からシール領域24’の一部までに対応した幅で形成される。これらの配向膜4、42、5は、蒸着法により無機酸化膜を斜め方向に疎な柱状酸化膜を成膜したり、塗布したポリイミド膜をラビングするなどの公知の方法により形成される。次に、図3cに示すように、周辺画素領域23及びシール領域24’の各一部の上方の表示領域21及びダミー画素領域22を囲むように形成されている無機酸化膜パターン41上に、スペーサ粒子を含まないシール接着剤43をディスペンスや印刷などで形成する。シール接着剤43には、熱硬化型エポキシ樹脂、紫外線硬化型エポキシ樹脂を用いることができる。次に、図3dに示すように、シール接着剤43で囲まれた領域に液晶8をディスペンサなどで滴下する。滴下される上記の液晶8は、電圧がかかった場合に分子の向きを変え、光の透過率を増減させる。そして、図2の断面図に示すように、ガラス基板2上の対向電極3が半導体基板1上の画素電極25と対向するように、図3bに示した構造のガラス基板2と図3dに示した構造の半導体基板1とをシール接着剤43により接合して本実施の形態の液晶表示パネル40が製造される。なお、半導体基板1とガラス基板2とを接合するときにシール接着剤43は無機酸化膜パターン41の内側にははみ出さないようにするが、外側は基板端までであればはみ出して形成されてもよい。ただし、シール接着剤43の厚み図2の縦方向の長さは接着強度と耐湿性とを両立するために05μmから12μm厚とする。すなわち、本実施の形態では、図11に示したように、セルギャップが15μm以下の場合には、表示品質が向上することに鑑み、シール接着剤43の厚みと無機酸化膜パターン41との厚みとの和が、15μm以下のセルギャップと同等の厚みとなるようにする。このようにして製造された本実施の形態の液晶表示パネル40によれば、半導体基板1に無機酸化膜パターン41の壁が形成されているため、水蒸気の浸入経路は、図4に示すように、31a、31b、31cで示す経路となる。なお、図4は、図示の便宜上、図2の断面図に比べて横方向の長さを圧縮して図示している。図4に示すように、本実施の形態の液晶表示パネル40によれば、半導体基板1と無機酸化膜パターン41との密着性が良く、半導体基板1と無機酸化膜パターン41との界面及び無機酸化膜パターン41内を水蒸気が通過することはできない。また、シール接着剤43の厚みが従来より薄くできたことにより、シール接着剤43の内部を通る水蒸気の侵入経路31bは水蒸気の浸入は減少し、また、シール接着剤43とガラス基板2との界面の侵入経路31a、及びシール接着剤43と無機酸化膜パターン41との界面の侵入経路31cで侵入する水蒸気も減少する。以下に、シール接着剤43を無機酸化膜パターン41上に05μmから12μmの厚みに薄く形成することによる本実施の形態の効果を列挙する。1シール接着剤43の厚みが12μmより0.5μmに向かって薄くなるに従って、セルギャップが15μm以下に減少し、それに伴い水蒸気の浸入が減少するため、図11に示したように表紙品質が向上し、液晶の信頼性を確保するうえで有効となる。2半導体基板1とガラス基板2とを貼り合せた後の隙間であるセルギャップは無機酸化膜パターン41の厚み高さにより調整することができるため、セルギャップのばらつきを小さく制御できる。3シール接着剤43と液晶8は無機酸化膜パターン41で隔てられているため、シール接着剤43と液晶8のコンタミ発生が小さいので材料選定において自由度が広がる。このようにして、本実施の形態の液晶表示パネル40によれば、高温高湿環境下における液晶8、表示領域21の画素電極25、対向電極3の劣化を改善できるので、液晶画像品質の劣化を抑えることができる。また、本実施形態の液晶表示パネル40によれば、シール接着剤43はスペーサ粒子を含まないのでスペーサ粒子で回路を破壊することなく半導体基板の歩留まりを良好に維持できる。また、周辺回路領域上にシール領域を形成できるため、半導体基板更には表示パネルのサイズを縮小でき、ウェハから取れる数が増えてコストダウンできる。なお、上記の実施の形態では反射型液晶表示パネルについて説明したが、本発明は透過型液晶表示パネルにも適用可能である。