"基板上に一定形状の薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法であって、前記基板上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材を被着するステップと、前記基板上の予め定められた部分にレーザ光を照射し、当該部分の前記マスク用部材に一定形状の開口を設けてマスクを形成するステップと、前記基板上の前記予め定められた部分に前記マスクの前記開口を介して成膜するステップと、前記マスクを剥離するステップと、を含むことを特徴とする薄膜パターン形成方法。前記レーザ光は、波長が400nm以下であることを特徴とする請求項1記載の薄膜パターン形成方法。TFT基板上のアノード電極上に対応色の有機EL層を形成して有機EL表示装置を製造する有機EL表示装置の製造方法であって、前記TFT基板上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材を被着するステップと、前記TFT基板上の特定色のアノード電極上にレーザ光を照射し、当該アノード電極上の前記マスク用部材に画素に対応した形状の開口を設けてマスクを形成するステップと、前記TFT基板上の前記特定色のアノード電極上に前記マスクの前記開口を介して前記特定色の有機EL層を成膜形成するステップと、前記マスクを剥離するステップと、を含むことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。前記有機EL層を成膜形成するステップにおいては、前記有機EL層上に、さらに透明電極層を成膜形成することを特徴とする請求項3記載の有機EL表示装置の製造方法。前記レーザ光は、波長が400nm以下であることを特徴とする請求項3又は4記載の有機EL表示装置の製造方法。しかし、このような従来の薄膜パターン形成方法において、上記特許文献1に記載の方法では、使用するマスクが、一般に、薄い金属板に所定形状の開口を例えばエッチング等により形成して作られるので、開口を高精度に形成することが困難であり、又金属板の熱膨張による位置ずれや反り等の影響で例えば300dpi以上の高精細な薄膜パターンの形成が困難であった。また、上記特許文献2に記載の方法では、上記特許文献1よりも基板とマスクとの密着性は改善されるものの、例えば有機EL表示装置を製造する場合、色毎にマスクを取り替える必要があること、及びTFT基板へのマスクの密着前にTFT基板とマスクとの精密な位置合わせが必要であること等により、有機EL表示装置の発光層形成工程のタクトを短縮することが困難であった。さらに、上記特許文献3に記載の方法では、高精細な薄膜パターンの形成が可能であるものの、高分子材料による層間の材料同士が溶解し易く、例えば有機ELに不可欠なヘテロ構造を持たせることが困難であった。また、溶媒内の不純物の除去が困難であるため、充分な性能を得ることが難しかった。そして、上記特許文献4に記載の方法では、例えば有機EL表示装置の製造においては、複数の画素に対して照射するレーザ光の強度分布が不均一であるため、被照射面での温度分布が不均一となり、その結果、転写層である有機EL層の幅、形状、膜質等にばらつきが生じるという問題がある。また、ドナーフィルムの密着性が悪いときには、未転写領域が発生する場合がある。さらに、ドナーフィルムの剥離を防ぐための保護層や接着層など、機能の異なる複数の層が必要であり、且つ相互に不具合が発生しないようにする必要があり、製造コストを抑えることが難しいという問題がある。そこで、本発明は、このような問題点に対処し、高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする薄膜パターン形成方法及び有機EL表示装置の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明による薄膜パターン形成方法は、基板上に一定形状の薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法であって、前記基板上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材を被着するステップと、前記基板上の予め定められた部分にレーザ光を照射し、当該部分の前記マスク用部材に一定形状の開口を設けてマスクを形成するステップと、前記基板上の前記予め定められた部分に前記マスクの前記開口を介して成膜するステップと、前記マスクを剥離するステップと、を含むものである。このような構成により、基板上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材を被着し、基板上の予め定められた部分にレーザ光を照射し、当該部分のマスク用部材に一定形状の開口を設けてマスクを形成し、基板上の予め定められた部分にマスクの開口を介して成膜した後、マスクを剥離して基板上に一定形状の薄膜パターンを形成する。さらに、前記レーザ光は、波長が400nm以下であり、例えばKrF248nmである。これにより、マスク用部材に波長が400nm以下であり、例えばKrF248nmのレーザ光を照射してマスク用部材をアブレーションする。また、本発明による有機EL表示装置の製造方法は、TFT基板上のアノード電極上に対応色の有機EL層を形成して有機EL表示装置を製造する有機EL表示装置の製造方法であって、前記TFT基板上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材を被着するステップと、前記TFT基板上の特定色のアノード電極上にレーザ光を照射し、当該アノード電極上の前記マスク用部材に画素に対応した形状の開口を設けてマスクを形成するステップと、前記TFT基板上の前記特定色のアノード電極上に前記マスクの前記開口を介して前記特定色の有機EL層を成膜形成するステップと、前記マスクを剥離するステップと、を含むものである。このような構成により、TFT基板上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材を被着し、TFT基板上の特定色のアノード電極上にレーザ光を照射し、当該アノード電極上のマスク用部材に画素に対応した形状の開口を設けてマスクを形成し、TFT基板上の特定色のアノード電極上にマスクの開口を介して特定色の有機EL層を成膜形成した後、マスクを剥離してTFT基板上のアノード電極上に対応色の有機EL層を形成する。さらに、前記有機EL層を成膜形成するステップにおいては、前記有機EL層上に、さらに透明電極層を成膜形成するものである。これにより、TFT基板上の特定色のアノード電極上にマスクの開口を介して特定色の有機EL層を成膜形成した後、さらにその上に透明電極層を成膜形成する。そして、前記レーザ光は、波長が400nm以下であり、例えばKrF248nmである。これにより、マスク用部材に波長が400nm以下であり、例えばKrF248nmのレーザ光を照射してマスク用部材をアブレーションする。請求項1に係る薄膜パターン形成方法の発明によれば、基板に被着させたマスク用部材にレーザ光を照射することにより、開口を形成してマスクを形成するようにしているので、基板とマスクの位置合わせが不要であり、且つマスクが基板面に対して密着固定されるため、従来技術と違って、マスクの撓みや位置ずれが生じたり、マスク下面と基板上面との間の隙間に成膜用の材料分子が回り込んで付着し、薄膜パターンを拡大させたりするおそれがない。したがって、高精細な薄膜パターンの形成を容易に行うことができる。さらに、マスク用部材が透明であるため、マスク用部材を通してアノード電極等の基準となる位置が検出可能であり、開口を位置精度よく形成することができる。また、請求項2に係る発明によれば、マスク用部材の炭素結合が一瞬のうちに破壊されて除去されるため、残渣の無いクリーンな穴あけ加工を行うことができる。さらに、レーザ光照射による熱的過程を使用しないため、レーザ光の照射寸法と同程度でパターン加工することができ、縮小結像手段を用いれば、数μm程度の開口を有するマスク形成も可能である。したがって、より高精細な薄膜パターンを形成することができる。また、請求項3に係る有機EL表示装置の製造方法の発明によれば、TFT基板に被着させたマスク用部材にレーザ光を照射することにより、開口を形成してマスクを形成するようにしているので、TFT基板のアノード電極とマスクの開口との位置合わせが不要であり、且つマスクが基板面に対して密着固定されるため、従来技術と違って、マスクの撓みや位置ずれが生じたり、マスク下面とTFT基板上面との間の隙間に有機EL層の材料分子が回り込んで付着し、有機EL層の薄膜パターンを拡大させたりするおそれがない。したがって、高精細な有機EL層の薄膜パターンの形成を容易に行うことができる。これにより、高精細な有機EL表示装置を製造することができる。さらに、請求項4に係る発明によれば、透明電極を有機EL層の保護膜として機能させることができる。したがって、製造過程で有機EL層が変質するのを防止することができる。そして、請求項5に係る発明によれば、マスク用部材の炭素結合が一瞬のうちに破壊されて除去されるため、残渣の無いクリーンな穴あけ加工を行うことができる。また、レーザ光照射による熱的過程を使用しないため、レーザ光の照射寸法と同程度でパターン加工することができ、縮小結像手段を用いれば、数μm程度の開口を有するマスク形成も可能である。したがって、より高精細な有機EL層の薄膜パターンを形成することができ、より高精細な有機EL表示装置を製造することができる。以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1~4は本発明による有機EL表示装置の製造方法の実施形態を示す工程図である。この有機EL表示装置の製造方法は、TFT基板上のアノード電極上に対応色の有機EL層を形成して有機EL表示装置を製造する方法であり、赤色R有機EL層形成工程と、緑色G有機EL層形成工程と、青色B有機EL層形成工程と、カソード電極形成工程とからなる。図1は、R有機EL層形成工程を示す断面説明図である。このR有機EL層形成工程は、有機材料を真空中で加熱してTFT基板1にその有機材料を蒸着する方法や、インクジェット法などの公知の技術によりTFT基板1の赤色Rに対応したアノード電極2R上に正孔注入層、正孔輸送層、R発光層、電子輸送層等、一般的な積層構造をとるように順次成膜してR有機EL層3Rを形成する工程であり、TFT基板1上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材4を被着する第1ステップと、TFT基板1上のR対応のアノード電極2Rの部分にレーザ光Lを照射し、当該部分の上記マスク用部材4に画素形状の開口5を設けてマスク6を形成する第2ステップと、R対応のアノード電極2R上に上記マスク6の開口5を介してR有機EL層3Rを成膜形成する第3ステップと、マスク6を剥離する第4ステップと、を実行するものである。より詳細には、先ず、第1ステップにおいては、図1aに示すようにTFT基板1のアノード電極2R,2G,2Bを形成した面の上方に、例えば厚みが10μm~30μm程度のポリエチレンテレフタレートPETやポリイミド等の紫外線レーザアブレーションが可能なフィルム状のマスク用部材4を張設した後、同図bに示すように該マスク用部材4をTFT基板1面に被着する。この場合、マスク用部材4の上面を例えばウレタンゴムのような弾性部材で均一に押圧してマスク用部材4をTFT基板1面に密着させるとよい。次に、第2ステップにおいては、図1cに示すように、TFT基板1上のR対応のアノード電極2R上にレーザ光Lを照射し、同図dに示すように当該アノード電極2R上のマスク用部材4に画素に対応した形状の開口5を設けてマスク6を形成する。ここで使用するレーザは、波長が400nm以下のエキシマレーザ13であり、例えばKrF248nmのレーザである。このような紫外線のレーザ光Lの光エネルギーにより、マスク用部材4の炭素結合が一瞬のうちに破壊されて除去されるため、残渣の無いクリーンな穴あけ加工を行うことができる。図5は、上記第2ステップにおいて使用するレーザ加工装置の一構成例を示す正面図である。このレーザ加工装置は、TFT基板1を同図に矢印Aで示す方向に一定速度で搬送しながら、TFT基板1上のマスク用部材4にレーザ光Lを照射して画素に対応した形状の開口5を設けてマスク6を形成するものであり、搬送手段7と、レーザ光学系8と、撮像手段9と、アライメント手段10と、制御手段11と、を備えて構成されている。上記搬送手段7は、上面に複数のエア噴出孔及びエア吸引孔を形成したステージ12上にTFT基板1を載置し、エアの噴出力と吸引力とをバランスさせてTFT基板1を上記ステージ12上に一定量だけ浮上させた状態で、TFT基板1の矢印A方向に平行な縁部を図示省略の移動機構により保持して搬送するものである。上記搬送手段7の上方には、レーザ光学系8が設けられている。このレーザ光学系8は、紫外線のレーザ光LをTFT基板1上の選択されたアノード電極2R~2B上に照射させるものであり、例えばKrF248nmのレーザ光Lを放射するエキシマレーザ13と、レーザ光Lの光束径を拡大すると共に、強度分布を均一化して平行光を後述のフォトマスク15に照射させるカップリング光学系14と、上記搬送手段7のステージ12の上面に対向して配置され、ステージ12の上面に平行な面内にて、矢印A方向と交差する方向に複数の開口17図6参照を形成したフォトマスク15とを備えて構成されている。ここで、上記フォトマスク15について詳細に説明すると、フォトマスク15は、例えば図6に示すように、透明な基板16の一面に設けたクロムCr等の遮光膜28に、TFT基板1の矢印A方向と交差する方向の画素ピッチXの3倍の配列ピッチ3Xで一列に並べて開口17を形成し、他面には、各開口17の中心と中心軸を合致されて複数のマイクロレンズ18を形成したものであり、マイクロレンズ18により開口17をTFT基板1上に縮小投影するようになっている。この場合、開口17の大きさは、マイクロレンズ18の縮小倍率をMとすると、画素サイズのM倍の大きさに形成される。なお、同図aにおいて、斜線を付した領域は、レーザ光Lが照射される領域である。また、上記複数の開口17の中心に対して矢印Aと反対方向に距離Dだけ離れた位置に、矢印A方向と交差する長手中心軸を有する細長状の覗き窓19が形成されている。この覗き窓19は、フォトマスク15の下側を通過するTFT基板1の表面をフォトマスク15の上方から後述の撮像手段9により撮影可能にするためのものであり、窓内には、いずれかの開口17の中心と長手中心軸を合致させて矢印A方向に平行な細線状の少なくとも一本のアライメントマーク20ここでは、一本のアライメントマークで示すが設けられている。上記搬送手段7の上方には、撮像手段9が設けられている。この撮像手段9は、上記フォトマスク15の覗き窓19を通してTFT基板1の表面を撮影するものであり、矢印A方向と交差する方向に複数の受光エレメントを一直線に並べて有するラインカメラである。そして、複数の受光エレメントの並びの中心軸が上記フォトマスク15の覗き窓19の長手中心軸と合致するように配設されている。さらに、撮像手段9の撮影領域をTFT基板1の上側から照明可能に図示省略の照明手段が設けられている。なお、図5において符号21は、撮像系の光路を折り曲げる反射ミラーである。上記フォトマスク15をステージ12の上面に平行な面内にて、矢印Aと交差する方向に移動可能にアライメント手段10が設けられている。このアライメント手段10は、フォトマスク15を移動中のTFT基板1に対して位置合わせするものであり、電磁アクチュエータやモータ等を含んで構成された移動機構によりフォトマスク15を矢印Aと交差する方向に移動させることができるようになっている。上記搬送手段7と、エキシマレーザ13と、撮像手段9と、アライメント手段10とに電気的に接続して制御手段11が設けられている。この制御手段11は、搬送手段7を制御してTFT基板1を矢印A方向に一定速度で搬送させ、エキシマレーザ13を一定間隔で発光させるように制御し、撮像手段9から入力する画像を処理して、TFT基板1に予め設定された基準位置を検出すると共に、該基準位置とフォトマスク15のアライメントマーク20との間の水平距離を演算し、該水平距離が予め定められた距離となるようにアライメント手段10を制御してフォトマスク15を移動させるものである。このように構成されたレーザ加工装置を使用して、上記第2ステップは次のようにして実行される。先ず、搬送手段7のステージ12上面にTFT基板1が位置決めして載置される。次に、搬送手段7は、TFT基板1をステージ12上に一定量だけ浮上させた状態で制御手段11により制御されて矢印A方向に一定速度で搬送を開始する。TFT基板1が搬送されて、フォトマスク15の下側に達し、フォトマスク15の覗き窓19を通して撮像手段9によりTFT基板1に予め形成された矢印A方向と交差する例えばアノード電極或いは所定の箇所に設けたラインパターン等が検出されると、該アノード電極等が検出された時のTFT基板1の位置を基準にして制御手段11によりTFT基板1の移動距離が演算される。そして、該移動距離が予め設定して保存された移動距離の目標値に合致し、TFT基板1のRに対応するアノード電極2Rがフォトマスク15の開口17の真下に達すると制御手段11に制御されてエキシマレーザ13がパルス発光する。一方、TFT基板1の移動中は、TFT基板1に予め形成された矢印A方向に平行な例えば複数のゲート線のうち、予め選択されたアライメントの基準となるゲート線の縁部を撮像手段9により検出し、同時に検出したフォトマスク15のアライメントマーク20との間の水平距離を制御手段11により演算し、該距離が予め設定して保存されたアライメントの目標値と合致するようにアライメント手段10を制御してフォトマスク15を矢印Aと交差する方向に移動させる。これにより、矢印Aと交差する方向に振れながら移動するTFT基板1にフォトマスク15を追従させて位置合わせすることができる。上述したように、TFT基板1のR対応のアノード電極2Rがフォトマスク15の開口17の真下に達するとエキシマレーザ13が発光する。これにより、レーザ光Lがフォトマスク15の照射領域に照射される。そして、フォトマスク15の開口17を通過したレーザ光Lは、マイクロレンズ18により該開口17に対応するTFT基板1のR対応のアノード電極2R上に集光され、該アノード電極2R上のマスク用部材4を除去して開口5を形成する。なお、エキシマレーザ13を連続発光させ、レーザ光の出力光軸側にシャッタを設けてRに対応するアノード電極2Rがフォトマスク15の開口17の真下に達したときにシャッタを開くようにしてもよい。以上の説明は、図5に示すレーザ加工装置を大気中に施設して処理する場合について述べているが、真空中で行う場合には、搬送手段7に静電チャック等によってTFT基板1を保持する保持手段を備え、該保持手段によってTFT基板1を同図に示す矢印A方向に移動させるとよい。なお、以上の説明においては、フォトマスク15に複数の開口17が1列に並べて設けられている場合について説明したが、上記複数の開口17を矢印A方向に、同方向の画素ピッチの整数倍のピッチで複数列設けてもよい。この場合、R対応のアノード電極2R上のマスク用部材4が複数回のレーザ照射により除去されることになる。第3ステップにおいては、図1eに示すように、例えば真空蒸着装置を使用してTFT基板1のRに対応するアノード電極2R上にマスク6の開口5を介して前述と同様に正孔注入層、正孔輸送層、R発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してR有機EL層3Rを成膜形成し、さらに、同図fに示すように該R有機EL層3R上にITO膜からなる透明電極層23を蒸着又はスパッタリング等の公知の成膜技術を使用して成膜形成する。このとき、G対応及びB対応のアノード電極2G,2Bに通電して各アノード電極2G,2Bに一定電圧を印加した状態で真空蒸着を行えば、フィルム状のマスク6がG対応及びB対応のアノード電極2G,2Bに静電吸着されて固定されるため、マスク6が動いてマスク6の開口5とTFT基板1のR対応のアノード電極2Rとの位置ずれが生ずるおそれが無い。また、マスク6がTFT基板1面に密着してマスク6の下面とTFT基板1の上面との間に隙間が生じるおそれが無いため、該隙間に蒸着分子が回りこんで付着し薄膜パターンの形成精度を悪くするという問題も回避することができる。第4ステップにおいては、図1gに示すように、マスク6の縁部を上方に持ち上げてマスク6をTFT基板1面から機械的に剥離する。これにより、R対応のアノード電極2R上にR有機EL層3Rが残りR有機EL層形成工程が終了する。この場合、マスク6の厚みが約10μm~30μmであるのに対してR有機EL層3Rの厚みは100nm程度であるので、マスク6の開口5の側壁に付着するR有機EL層3Rの厚みは極薄く、また、このR有機EL層3Rの開口部の縦横の長さがマスク6の厚みに対して充分に大きいためマスク6を剥離する際に、マスク6とR対応のアノード電極2R上のR有機EL層3Rとが容易に分離する。したがって、R対応のアノード電極2R上のR有機EL層3Rが剥離するおそれがない。なお、G対応及びB対応のアノード電極2G,2Bに電圧を印加させてマスク6をTFT基板1面に静電吸着させた場合には、マスク6を剥離する際に、各アノード電極2G,2Bの印加電圧をオフするか、又は逆極性の電圧を印加してやるとよい。これにより、マスク6の剥離を容易に行うことができる。また、粘着剤を使用してマスク用部材4をTFT基板1面に貼り付けた場合には、上記粘着剤の粘着力よりも大きな力をマスク6に加えて機械的に剥離するとよい。さらに、上記粘着剤が紫外線照射により硬化するものであるときには、紫外線を照射して粘着剤を硬化させ、マスク6とTFT基板1面との界面の粘着力を低下させてからマスク6を剥離するとよい。図2は、G有機EL層形成工程を示す断面説明図である。このG有機EL層形成工程は、TFT基板1の緑色Gに対応したアノード電極2G上に前述と同様に正孔注入層、正孔輸送層、G発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してG有機EL層3Gを形成する工程であり、TFT基板1上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材4を被着するステップ同図a参照と、TFT基板1上のG対応のアノード電極2Gの部分にレーザ光Lを照射し、当該部分の上記マスク用部材4に画素形状の開口5を設けてマスク6を形成するステップ同図b,c参照と、G対応のアノード電極2G上に上記マスク6の開口5を介してG有機EL層3Gを成膜形成するステップ同図d,e参照と、マスク6を剥離するステップ同図f参照と、を実行するもので、R有機EL層形成工程と同様にして行われる。図3は、B有機EL層形成工程を示す断面説明図である。このB有機EL層形成工程は、TFT基板1の青色Bに対応したアノード電極2B上に前述と同様に正孔注入層、正孔輸送層、B発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してB有機EL層3Bを形成する工程であり、TFT基板1上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材4を被着するステップ同図a参照と、TFT基板1上のB対応のアノード電極2Bの部分にレーザ光Lを照射し、当該部分の上記マスク用部材4に画素形状の開口5を設けてマスク6を形成するステップ同図b,c参照と、B対応のアノード電極2B上に上記マスク6の開口5を介してB有機EL層3Bを成膜形成するステップ同図d,e参照と、マスク6を剥離するステップ同図f参照と、を実行するもので、R有機EL層又はG有機EL層形成工程と同様にして行われる。図4は、カソード電極形成工程を示す断面説明図である。このカソード電極形成工程は、TFT基板1の各アノード電極2R,2G,2B上に形成された有機EL層3R,3G,3B上の透明電極層23を電気的に接続するためのものであり、図4に示すように、先ず、公知の成膜技術を使用してTFT基板1上面を覆ってITO膜からなるカソード電極24透明電極を形成する同図a参照。続いて、同様にしてカソード電極24を覆って絶縁性の保護層25を成膜形成し同図b参照、さらにその上に例えばUV硬化性の樹脂を例えばスピンコート又はスプレー塗布して接着層26を形成する同図c参照。そして、上記接着層26上に透明な対向基板27を密着させた後、対向基板27側から紫外線を照射して接着層26を硬化させ、対向基板27をTFT基板1に接合する同図d参照。これにより、有機EL表示装置が完成する。なお、上記実施形態においては、マスク用部材4がフィルム状の形態を成すものである場合について説明したが、本発明はこれに限られず、紫外線レーザアブレーションが可能な材料であれば、液状のものであってもよい。この場合は、マスク用部材4は、TFT基板1面にスピンコート又はディップコートされる。また、以上の説明においては、各有機EL層3R~3B形成時に、有機EL層3R~3B上にさらに透明電極層23を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、有機EL層3R~3B形成時には透明電極層23を形成しなくてもよい。ただし、マスク用部材4が液状のものであるときには、該液状のマスク用部材4によって有機EL層3R~3Bが溶解されるのを防止するために、有機EL層3R~3B上に透明電極層23を保護膜として形成するのがよい。そして、本発明は、有機EL表示装置の製造方法に限られず、高精細な薄膜パターンを形成しようとするものであれば、液晶表示装置のカラーフィルターの形成、又は半導体基板の配線パターンの形成等、如何なるものにも適用することができる。"