"一次レーザ光線を供給するように構成された一次レーザシステムと、像平面を有し、前記一次レーザ光線を受光し、そこから前記像平面にライン像を形成するように構成される光線調節光学系と、a二次レーザ光線を生成する二次レーザシステム、b前記一次レーザ光線の一部から前記二次レーザ光線を供給するように構成されるビームスプリット光学系のいずれかと、前記二次レーザ光線を受光し、そこから前記像平面に二次像を形成するように構成される走査光学系とを備え、前記ライン像は、長軸と、前記長軸に沿った第1量の強度不均一性とを有し、前記二次像は、少なくとも部分的に前記ライン像と重なり、前記ライン像の少なくとも一部に走査され、前記第1量未満の第2量の強度不均一性を有する時間平均化修正ライン像を形成するライン像形成光学システム。前記二次レーザシステムおよび前記走査光学系に動作可能に接続されるコントローラをさらに備え、前記コントローラは、a前記二次レーザ光線の所定量の強度およびb前記ライン像に対する前記二次像の走査速度の少なくとも一方を制御するように構成される請求項1に記載のライン像形成光学システム。前記二次像の強度は実質的に固定であり、前記走査速度は前記長軸に沿った位置に応じて変化する請求項2に記載のライン像形成光学システム。前記走査速度は実質的に一定であり、前記二次像の強度は前記長軸に沿った位置に応じて変化する請求項2に記載のライン像形成光学システム。前記像平面に実質的に配置される表面を有する加工対象物と、前記加工対象物の表面に形成される前記ライン像の放出像を取り込み、前記放出像を代表する電気信号を生成するように配置される放熱検出システムとをさらに備え、前記コントローラは、前記電気信号を受信して処理し、a実質的に一定の強度および選択的に変更される走査速度、b選択的に変更される強度および実質的に一定の走査速度の少なくとも一方を有する前記二次像を走査する走査プロファイルを形成するように構成される請求項1から4のいずれかに記載のライン像形成光学システム。前記コントローラは、前記電気信号のローパスフィルタリングを実行するように構成される請求項5に記載のライン像形成光学システム。前記加工対象物は、半導体ウエハを備える請求項5に記載のライン像形成光学システム。前記二次レーザ光線を通過させるように配置され、前記コントローラに動作可能に接続されて前記選択的に変更される強度を提供する可調減衰器をさらに備える請求項5に記載のライン像形成光学システム。前記一次および二次レーザ光線の波長は実質的に同一である請求項1から8のいずれかに記載のライン像形成光学システム。前記一次および二次レーザシステムの少なくとも一方はCO2レーザ装置を有する請求項1から9のいずれかに記載のライン像形成光学システム。表面を有する半導体ウエハのレーザアニールを実行するライン像形成光学系であって、前記ライン像は、前記半導体ウエハの表面においてウエハ走査経路を走査され、滞留時間tdを有し、前記二次像は、前記滞留時間tdより短いか実質的に同一の走査時間tsを有する請求項1から10のいずれかに記載のライン像形成光学システム。像平面に時間平均化修正ライン像を形成する方法であって、長軸方向に第1量の強度不均一性を有するライン像を前記像平面に形成することと、前記ライン像と少なくとも部分的に重なる二次像を形成することと、走査プロファイルに従って前記ライン像の少なくとも一部に前記二次像を前記長軸方向に沿って走査して、前記第1量未満の第2量の強度不均一性を前記長軸方向に有する前記時間平均化修正ライン像を形成することを備える方法。a実質的に一定の強度および選択的に変更される走査速度、b選択的に変更される強度および実質的に一定の走査速度、ならびにc選択的に変更される強度および選択的に変更される走査速度のいずれか一つを含むように前記走査プロファイルを定義することをさらに備える請求項12に記載の方法。a前記二次像を形成する二次レーザ光線を選択的に減衰すること、およびb前記二次像を形成する前記二次レーザ光線の形成に使用される二次レーザシステムを調節することの少なくとも一方によって前記二次像の強度を制御することとをさらに備える請求項12または13に記載の方法。波長が実質的に同一の光線で前記ライン像および前記二次像を形成することをさらに備える請求項12から14のいずれかに記載の方法。同一または異なるCO2レーザ装置を使用して前記ライン像および前記二次像を形成することをさらに備える請求項12から15のいずれかに記載の方法。複数の半導体構造を含む半導体ウエハの表面に対して前記時間平均化修正ライン像を走査し、前記半導体構造を熱アニールすることをさらに備える請求項12から16のいずれかに記載の方法。前記時間平均化修正ライン像は滞留時間tdを有し、前記二次像は、前記滞留時間tdより短いか実質的に同一の走査時間tsを有する請求項17に記載の方法。隣接する複数の走査経路部を有するウエハ走査経路に前記時間平均化修正ライン像を走査することをさらに備える請求項17に記載の方法。隣接する走査経路部に対して前記時間平均化修正ライン像が5から10重なるように前記ウエハ走査経路を構成することをさらに備える請求項17に記載の方法。前記ライン像の強度プロファイルを決定することと、前記強度プロファイルに基づいて前記走査プロファイルを算出することとをさらに備える、請求項12から20のいずれかに記載の方法。加工対象物上に前記ライン像を形成することと、前記加工対象物からの複数の放出像を計測することにより前記強度プロファイルを計測することとをさらに備える、請求項21に記載の方法。本発明の一態様は、一次レーザ光線を供給するように構成される一次レーザシステムを備えるライン像形成光学システムである。また、ライン像形成光学システムは、像平面を有し、一次レーザ光線を受光し、そこからライン像を像平面に形成するように構成される光線調節光学系を備える。ライン像は、長軸を有し、長軸に沿って第1量の強度不均一性を有する。また、ライン像形成光学システムは、a二次レーザ光線を生成する二次レーザシステム、b一次レーザ光線の一部から二次レーザ光線を供給するように構成されるビームスプリット光学系のいずれかを備える。ライン像形成光学システムは、二次レーザ光線を受光し、そこからライン像と少なくとも部分的に重なる二次像を像平面に形成するように構成される走査光学系をさらに備える。走査光学系は、ライン像の少なくとも一部に対して二次像を走査し、第1量未満の第2量の強度不均一性を有する時間平均化修正ライン像を形成する。このライン像形成光学システムは、二次レーザシステムおよび走査光学系に動作可能に接続されるコントローラをさらに備えることが好ましい。コントローラは、a二次レーザ光線の所定量の強度およびbライン像に対する二次像の走査速度の少なくとも一方を制御するように構成される。このライン像形成光学システムでは、二次像の強度は、実質的に固定であることが好ましく、走査速度は、長軸に沿った位置に応じて変化することが好ましい。このライン像形成光学システムでは、走査速度は実質的に一定であることが好ましく、二次像の強度は、長軸に沿った位置に応じて変化することが好ましい。このライン像形成光学システムは、加工対象物および放熱検出システムをさらに備えることが好ましい。加工対象物は、像平面に実質的に配置される表面を有する。放熱検出システムは、加工対象物の表面に形成されるライン像の放出像を取り込み、放出像を代表する電気信号を生成するように配置される。さらに、コントローラは、電気信号を受信して処理し、a実質的に一定の強度および選択的に変更される走査速度、b選択的に変更される強度および実質的に一定の走査速度の少なくとも一方を有する二次像を走査する走査プロファイルを形成するように構成される。このライン像形成光学システムでは、コントローラが電気信号のローパスフィルタリングを実行するように構成されている。このライン像形成光学システムでは、加工対象物は半導体ウエハを備えることが好ましい。このライン像形成光学システムは、可調減衰器をさらに備えることが好ましい。可調減衰器は、二次レーザ光線を通過させるように配置され、コントローラに動作可能に接続されて選択的に変更される強度を提供する。このライン像形成光学システムでは、一次および二次レーザ光線の波長は実質的に同一であることが好ましい。このライン像形成光学システムでは、一次および二次レーザシステムの少なくとも一方はCO2レーザ装置を有することが好ましい。このライン像形成光学システムは、表面を有する半導体ウエハのレーザアニールを実行するライン像形成光学システムであることが好ましい。このライン像形成光学システムでは、ライン像が半導体ウエハの表面においてウエハ走査経路を走査される。ライン像は滞留時間tdを有する。二次像は、滞留時間tdより短いか実質的に同一の走査時間tsを有する。本発明の第2態様は、像平面に強度均一性が改善されたライン像を形成する方法に関する。この方法は、長軸方向に第1量の強度不均一性を有するライン像を像平面に形成することを備える。また、この方法は、ライン像と少なくとも部分的に重なる二次像を形成することを備える。さらに、この方法は、走査プロファイルに従って、ライン像の少なくとも一部に二次像を長軸方向に走査して、第1量未満の第2量の強度不均一性を長軸方向に有する時間平均化修正ライン像を形成することを備える。この方法は、a実質的に一定の強度および選択的に変更される走査速度、b選択的に変更される強度および実質的に一定の走査速度、ならびにc選択的に変更される強度および選択的に変更される走査速度のいずれか一つを含むように走査プロファイルを定義することをさらに備えることが好ましい。この方法は、a二次像を形成する二次レーザ光線を選択的に減衰すること、およびb二次像を形成する二次レーザ光線の形成に使用される二次レーザシステムを調節することの少なくとも一方によって二次像の強度を制御することをさらに備える。この方法は、波長が実質的に同一の光線でライン像および二次像を形成することをさらに備えることが好ましい。この方法は、同一または異なるCO2レーザ装置を使用してライン像および二次像を形成することをさらに備えることが好ましい。この方法は、複数の半導体構造を含む半導体ウエハの表面に対して時間平均化修正ライン像を走査し、半導体構造を熱アニールすることをさらに備えることが好ましい。この方法では、時間平均化修正ライン像は滞留時間tdを有することが好ましい。また、二次像は、滞留時間tdより短いか実質的に同一の走査時間tsを有することが好ましい。この方法は、隣接する複数の走査経路部を有するウエハ走査経路に時間平均化修正ライン像を走査することをさらに備えることが好ましい。この方法は、隣接する走査経路部に対して時間平均化修正ライン像が5から10重なるようにウエハ走査経路を構成することをさらに備えることが好ましい。この方法は、ライン像の強度プロファイルを決定することと、強度プロファイルに基づいて走査プロファイルを算出することをさらに備えることが好ましい。この方法は、加工対象物上にライン像を形成することと、加工対象物からの複数の放出像を計測することにより強度プロファイルを計測することをさらに備えることが好ましい。本発明のさらなる特徴および利点は、下記の詳細な説明発明を実施するための形態に明記されている。また、それらの一部は詳細な説明の記載内容から当業者にとって直ちに明白となるか、下記の詳細な説明、特許請求の範囲、添付図面を含む、ここに記載された発明を実施することによって認識される。上記の背景技術に関する記載および下記の本発明の詳細な説明に関する記載は、特許請求の範囲に記載されているように、本発明の本質および特徴を理解するための概略または枠組みを提供するものであることを理解すべきである。添付図面は、本発明のさらなる理解を提供するために含まれており、本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する。図面は、本発明の様々な実施形態を図示するものであり、本明細書の記載とともに、本発明の原則および実施を説明する一助となる。ここで、本発明の実施形態を詳細に参照する。なお、添付の図面に実施形態の一例を図示する。図中、同一または同様の部分を参照する為、可能な限り同一または同様の参照番号および符号を使用する。なお、ここで使用するライン像とは、一般的に、像平面で光線により形成される光の細長い強度分布を示しており、古典的な意味で関連する物体を必ずしも必要としない。例えば、上述の光線を像平面でライン状に収束させる光線調節光学系を使用し、ライン像を形成することができる。また、時間平均化ライン像は、強度が所定時間計測され、その時間で平均化されるライン像として定義される。ライン像形成光学システム図1Aは、本発明に係るライン像形成光学システム以下システムと称す10の一例の一般概略図である。参照の為、直交座標系をここに併記する。システム10は、一次レーザシステム200を備える。一次レーザシステム200は、Z方向に延びる光学軸A1に沿って初期の一次レーザ光線22を放射する。一次レーザシステム20の下流には、光線調節光学系30が光学軸A1に沿って配置されている。光線調節光学系30は、初期の一次レーザ光線22を受光し、そこからライン像形成光線32以下一次光線と称する場合もあるを形成するように構成されている。ライン像形成光線32は、XY平面に位置する像平面IP上にライン像36以下一次像と称する場合もあるを形成する。図2は、像平面IP上に形成される理想的なライン像36の概略図である。理想的なライン像36は、短軸幅W1Xおよび長軸長さL1Yを有する。また、図2の理想的なライン像36は、ライン像36の理想的なフラットトップな強度輪郭プロットを示す。図3Aおよび図3Bは、0.025mm以下の幅W1Xおよび10mm以下の長軸長さL1Yを有する理想的なライン像36に関する、距離mmに対する正規化強度の理想的なプロットである。図2については、正規化強度1における鋭利に画定した単一の強度輪郭を有する理想的な強度輪郭プロットとして考えることができる。なお、再び図3Aを参照すると、短軸に沿って単一の最大値を有する例えばガウス型または近ガウス型の滑らかなプロファイル破線状の曲線についても、理想的なライン像36に適した短軸強度プロファイルとなっている。図1Aを再び参照すると、光線調節光学系30は、複数のレンズ、複数のミラー、複数の孔、複数のフィルタ、複数の能動光学要素例えば、可変減衰器等、これらの組み合わせを備えてもよい。光線調節光学系30の一例は、米国特許第7,514,305号明細書、第7,494,942号明細書、第7,399,945号明細書、第6,366,308号明細書、米国特許出願第12/800,203号に開示されており、これらを本願に援用する。一例では、表面44を有する平面状の加工対象物40が像平面IPに配置される。つまり、表面44が実質的に像平面IPに位置する。一例では、加工対象物40は半導体ウエハを有する。ここまでのシステム10の記載では、従前のライン像形成光学系について述べている。しかし、引き続き図1Aを参照すると、本発明に係るシステム10は、二次レーザシステム50も備える。二次レーザシステム50は、Z方向に延びると共に光学軸A1に平行な光学軸A2に沿って初期の二次レーザ光線52を照射する。また、システム10は、光学軸A2に沿って二次レーザシステム50の下流に配置される走査光学系60を備える。実施形態の一例では、二次レーザシステム50と走査光学系60との間に可変減衰器56が配置されている。システム10は、さらにコントローラ70を備える。後述するが、コントローラ70は、二次レーザシステム50、随意の可変減衰器56、走査光学系60に動作可能に接続され、電気制御信号S50,S56随意、S60により、システム10の一部としてのこれら2つのシステム50,60と、随意の可変減衰器56とを連携させるように構成されている。走査光学系60は、初期の二次レーザ光線52を受光し、そこから像平面IPに二次像66を形成する走査レーザ光線62二次光線とも称すを形成するように構成されている。図4を参照すると、走査光学系60は、走査プロファイルに基づいて、少なくともライン像36の一部に対して二次像66を走査するように構成されている。Y方向の矢印68で示されるように、走査プロファイルは、長軸方向即ち、Y方向に一次像36を走査する。一般に、二次像66は、一次像36よりも小さく即ち、より小さな領域を有し、二次像66が固定される場合、少なくとも部分的に一次像36と重なる。図4に示される一例では、二次像66はライン像36と完全に重なる。即ち、二次像66はライン像36の範囲内にある。部分的に重なる二次像66は、ライン像36の境界を越える場合もある。したがって、図4に示されるように二次像66が完全にライン像36と重なる状況を意味する場合もあるが、二次像66はライン像36と少なくとも部分的に重なるということになる。結果的に、ここで理解され使用される二次像66とライン像36との完全な重なりという表現は、二次像66がライン像36を完全に覆う状況を意味しない。場合によっては、二次像66は、ライン像36と完全に重なり、ライン像36の範囲内に十分収まる。即ち、二次像66は、ライン像36の短軸幅W1Xよりも実質的に短い幅W2Xを有する。一例では、ライン像36と二次像66の寸法は、所定の強度値即ち、強度閾値で規定される。以下、走査プロファイルに基づいて、一次像36に対して相対的に二次像66を走査する目的についてより詳細に述べる。後述するが、二次像66の形状は、修正ライン像36 ́を形成する機能を実現する様々な一般形状例えば、直線、円、楕円、長方形、正方形等のいずれであってもよい。図1Bは図1Aと同様であり、初期の一次レーザ光線22の一部22 ́を方向転換させることで初期の二次レーザ光線52を形成するシステム10の実施形態の一例を示している。一例では、光学軸A1に沿ってビームスプリッタBSを配置し、初期の一次レーザ光線22の一部22 ́を方向転換させることにより、この実施形態の一例が実現される。初期の一次レーザ光線22の一部22 ́を光学軸A2に沿って導くために、折り返しミラーFMが随意に使用される。このため、初期の一次レーザ光線22の一部22 ́が初期の二次レーザ光線52として機能することが可能となる。ビームスプリッタBSと折り返しミラーFMとは、初期の一次レーザ光線22の一部22 ́を導き、初期の二次レーザ光線52を形成する光線分割光学系74の一例を構成する。ここで検討される光線分割光学系74の他の変形例には、ビームスプリッタBSの代わりに、初期の一次レーザ光線22の僅かな部分を折り返しミラーFMに向けて屈折させる小型ミラー図示せずを使用する場合が含まれる。一例では、初期の一次レーザ光線22の一部22 ́は、随意の光線調節光学系30 ́によって処理される。また、光線調節光学系30 ́は、調節された二次レーザ光線52、即ち、初期の一次レーザ光線22の一部22 ́より均一な強度を断面に有する光線を形成するように構成されている。光線調節光学系30 ́は、適した二次光線62を形成する走査光学系60による使用に適した二次レーザ光線52を形成するために、複数のレンズ、複数のミラー、複数の孔、複数のフィルタ、複数の能動光学要素例えば、可変減衰器等、これらの組み合わせを有してもよく、この点で光線調節光学系30と同様である。一例では、コントローラ70は、光線調節光学系30 ́に電気的に接続され、制御信号S30 ́によって任意の能動光学要素を制御する。ライン像の強度均一性図5は、従前のライン像形成光学システムによって形成されたライン像36の一例で照射された半導体ウエハの放熱を計測して得られた強度輪郭プロット従来技術である。強度輪郭は正規化強度に基づいている。また、短軸の強度変化を強調するために、短軸方向が拡大されている。図5のライン像36の強度輪郭プロットに関し、図6Aは端軸方向における距離に対する強度をプロットするグラフであり、図6Bは長軸方向における距離に対する強度をプロットするグラフである。図5、図6Aおよび図6Bを参照すると、長軸強度プロファイルは、図6Bの平行な破線で示される範囲において、約20の強度変化を示す。長軸方向のライン像強度プロファイルには、例えば、回折、光学収差、光学誤差ズレ、これらの組み合わせ等、多くの異なる要因に起因し得る強度変化が含まれる。典型的には、動的収差および/またはズレにより、長軸に沿って経時変化する傾きの形で、強度不均一性が引き起こされる。この現象を光線揺らぎと称する場合もある。また、ライン像36の強度プロファイルには、例えば、残留加熱効果または静的ズレによる静的な傾きが含み得る。例えば、アニールプロセスにおいて半導体ウエハに高い温度均一性が要求されるレーザアニール等の特定用途において、長軸方向に相当な例えば、20強度不均一性が生じることを許容することはできない。図7Aは、長軸に沿って比較的高い強度不均一性を有するライン像36の一例の強度輪郭プロットであり、ライン像36の長軸に沿って走査される二次像66の一例を示す。図7Bは、図7Aのライン像36の長軸方向における距離に対する強度のプロットであり、Y方向の矢印68で示すようにライン像36の長軸に沿って走査される二次像66と、走査プロファイルに従って変化する二次像の強度破線69とを示す。ライン像の強度が低い場合、システム10は、二次像66を介してさらに二次強度を供給することにより、一次レーザシステム20および光線調節光学系30のみで形成されるライン像36の強度均一性を改善するように構成されている。実際には、この構成によって、通常は不均一なライン像36の強度プロファイルが埋め合わされ、一次像36と選択的に走査された二次像66との時間平均化された組み合わせ、即ち、修正ライン像36 ́が形成される。図8Aは、修正ライン像36 ́の長軸方向における距離に対する強度のプロットであり、走査プロファイルに従って長軸方向に沿って二次像66を走査することにより形成された時間平均化修正ライン像の強度プロファイルを示す。得られた修正ライン像36 ́は、図2、3Aおよび3Bに示される理想的なフラットトップな強度プロファイルに近い時間平均化強度プロファイルを有する。図8Bは、図8Aの修正ライン像36 ́に対応する強度輪郭プロットである。図8Bの強度輪郭プロットは、図7Aの強度輪郭プロットより長軸方向の強度均一性が高い。修正ライン像36 ́は、時間平均化されており、要求される強度均一性レベル例えば、プラス/マイナス5かそれより良好な数値を実現する。時間平均化は、一次像36の少なくとも一部に対する二次像66の単数または複数の走査経路、一次像36の長さを有する単数の走査経路、一次像36に対する同一方向または前後方向即ち、反対方向の複数の経路のうち、いずれかにつき実行することができる。システム10がレーザアニールに使用される場合、一次レーザシステム20が高出力CO2レーザ装置を備えてもよく、二次レーザシステム50が低出力CO2レーザ装置を備えてもよい。または、図1Bに関して上述したように、単一の高出力CO2レーザ装置を使用して一次レーザ光線32と二次レーザ光線62の両者を形成してもよい。一例では、走査光学系60の操作により、二次像66が一次像36の長軸に沿って走査される。なお、二次像66の走査時間tsは、一次像36の滞留時間tdとほぼ同じかそれより短い。ここで、走査時間tsは、二次像66を走査経路に沿って走査する時間であり、滞留時間tdは、加工対象物40が像平面IPに位置する場合、ライン像36が像平面IPの任意の地点点または加工対象40の表面44上の点に留まる時間である。ライン像36が固定像平面IPまたは像平面IPに配置される加工対象物40に対して相対的に走査される場合例えば、加工対象物40がライン像36に対して相対移動する場合、滞留時間tdは、ライン像36が像平面IPまたは加工対象物40上の任意の点を覆う時間である。上述のシステム及び方法を使用することにより、修正ライン像36 ́は、ライン像36の強度不均一性よりも小さな時間平均化強度不均一性を有することができる。これは、i二次像66をほぼ一定出力に維持し、二次像の走査を調整即ち、加速および/または減速する方法、ii二次像66の出力を選択的に変化させ、実質的に一定速度で二次像66を走査する方法、ii方法iと方法iiとの組み合わせのいずれかで実現することができる。二次像66の強度量を選択的に変化させる必要がある場合、可変減衰器56を使用することができる。このとき、可変減衰器56は、制御信号S56を介してコントローラ70によって制御されることができる。これとは別に、または、これと組み合わせて、コントローラ70は、制御信号S50を使用して二次レーザシステム50を調整することができる。一例では、二次像66がライン像36の所定部分に対してのみ即ち、さらに強度が必要な部分に対してのみ走査されるように、走査プロファイルを構成することができる。これは、一次像36に強度をさらに加える必要のない走査プロファイルの所定部分において、ほぼ強度ゼロの二次像66を使用することで実現することができる。レーザアニールの出力要件レーザアニールの用途に関し、従前のライン像の典型的な強度変化は、通常10から20の間即ち、プラス/マイナス5からプラス/マイナス10にある。ライン像36の出力密度の変化による処理温度の変化は、出力密度変化パラメータμyで説明される。このとき、yは、ライン像36の長軸寸法である。アニール温度が約1300°Cのとき、出力密度変化パラメータμyの典型的な値は、約1から2である。一次像36の典型的な寸法は、長さL1Y=10mmであり、幅W1X=0.1mmである。また、初期の一次レーザ光線22の典型的な出力Pは500Wである。したがって、一次像36に関する出力密度または強度I1エリアA1当たりの出力P1の一例は、下記の通りである。I1=P1/A1=P/L1YW1X=500W/[10mm][0.1mm]=500W/mm2エネルギー密度はE=I1tdにより与えられる。ここで、tdは一次光線32の滞留時間である。そして、エネルギー密度変化はΔE=μI1tdとなる。二次レーザシステム50は、一次像36におけるエネルギー密度変化ΔEを十分補償するエネルギー密度Eを有する二次像66を提供する必要がある。一例では、二次像66の幅W2Xは、一次像36の幅W1Xと実質的に同一、即ち、W1X~W2Xである。この例では、二次像66は、面積A2=W2XW2Y=W1XW2Yを有する。また一例では、ts=vtdこのとき、0<v<1となるように、走査時間ts即ち、一次光線32の滞留時間tdの一部において、二次像66が一次像36に対して走査される。二次レーザシステム50が供給する必要のある出力P2は、下記の等式から推定される。Max{μ}I1td=P2ts/W1XW2Yこの等式をI1=P1/W1XL1Yでまとめると、P2を下記の通り表すことができる。P2=P1{W2Y/L1Y}{Maxμ/v}P1=500W、maxμ=0.02、v=0.1、W2Y=0.1mm、L1Y=10mmのとき、二次出力P2は1W未満となる。10倍の十分な安全域を使用すると、二次出力P2は10W未満となる。この量の二次出力P2は、多くの民生利用可能なCO2レーザ装置によって直ちに供給され、高出力CO2光線の一部の向きを変えることにより得ることができる。二次像の走査および制御一次像36の少なくとも一部に対して、二次像66を長軸方向即ち、Y方向に走査速度Vで等速走査する場合、二次像66は下記のyの関数として与えられる。vP2y=P1μy[W1X/W1Y]このとき、任意の走査時間tsにおける二次像66の中心例えば、重心のyの位置は、y=Vtsで与えられる。滞留時間tdの調整に関し、vは定数から一次像36に沿った距離の関数となる即ち、v→vy。上述の通り、ライン像の不均一性は静的および動的に生じる可能性がある。静的な不均一性は、変調、残留熱などによって引き起こされる可能性があり、動的な不均一性所謂、光線ゆらぎは、光線経路における屈折率の変化および光学振動により引き起こされる可能性がある。ライン像の均一性の動的変化の周波数は、典型的には100Hzを超えることはない。一次像36における静的不均一性を補償する方法の一つとして、少なくとも一つのテストウエハブランケットウエハに対して一次像36を走査することが挙げられる。また、この方法には、各ウエハの放熱を測定し、一次像36の長軸方向における強度変化の測定値を取得することが含まれる。ここで、ウエハからの放熱は一次像36の強度に比例することが想定される。より正確には、プランク方程式によれば、ウエハ温度は強度に比例し、加熱ウエハからの放熱はウエハ温度と相関する。この想定は、一般的にここで検討する強度測定に適している。ウエハ測定の統計分析例えば、平均化は、一次像36の代表的な一次像36R即ち、代表的な強度プロファイルを決定するために使用可能であり、また、代表的な一次像36Rの静的な不均一性図7Aを参照を実質的に補償する二次像66の走査プロファイルを定義するために使用可能である。ここで得られる代表的な一次像36Rは、例えば、コントローラ70のメモリに保存可能であり、製品ウエハの走査時に使用される温度ベースの閉ループ制御に使用可能である。例えば、一次レーザシステム20のレーザ装置や光線調節光学系30の構成要素の老朽化等、システム10の動作パラメータの傾向を説明するために、例えば、一次像36を使用してウエハの露光や測定をさらに実行することにより、代表的な一次像36Rを定期的に更新することができる。また、代表的な一次像36Rは、例えば、光学的再配置、光学部品の交換、レーザ装置の点検または交換等、システム10を含む主な保守手続きの完了といった所定のイベントを考慮し、必要に応じて定期的に更新することもできる。ライン像36の経時変化する強度不均一性を補償するために、リアルタイムフィードバックシステムを使用して、二次像66の走査プロファイルを制御してもよい。再び図1Aを参照すると、一例では、システム10は、放熱検出システム80例えば、CMOS撮像カメラまたはCCDアレイを備える。放熱検出システム80は、約1300°Cの温度で放熱を検出することができ、長軸に沿った放出像放出プロファイルを取り込む。放熱検出システム80は、一次像36を観察し、その放出像を取り込み、取り込んだ放出像を代表する電気信号S80を生成するように配置されている。電気信号S80はコントローラ70に供給される。実施形態の一例では、コントローラ70は、電気信号S80で具現化された放出像を保存し処理するように構成されている。一例では、放熱検出システム80は、200フレーム/秒以上の速度で撮像し、一次像36で生じる強度変化に対して十分なサンプリング周波数を供給する。コントローラ70は、電気信号S80を処理し、光線プロファイル分析例えば、放出像の統計的平均化、測定された放出量の強度への変換を実行し、代表的な一次像36Rを形成する。そして、代表的な一次像36Rに基づいて二次像の走査プロファイルを算出することにより、代表的な一次像36Rのリアルタイム補償が実現する。そして、コントローラ70は、制御信号S50を二次レーザシステム50に供給し、制御信号S60を走査光学系60に供給し、算出済みの二次像の走査プロファイルに従って二次像を走査する。実施形態の一例では、コントローラ70は、パーソナルコンピュータやワークステーション等のコンピュータであるか、そのようなコンピュータを備えるか、プログラム可能な論理装置の任意の組み合わせを活用する独立型制御システムであるか、そのような独立型制御システムを備える。ここで、プログラム可能な論理装置とは、例えば、マイクロプロセッサ、中央演算装置CPU、浮動小数点ゲートアレイFPGA、特定用途向け集積回路ASIC等である。また、コントローラ70は、上述の少なくとも一つのプログラム可能な論理装置に加えて、ハードディスクドライブ等の記憶装置や適した入出力装置例えば、キーボード、ディスプレイ等にプロセッサを接続するバスアーキテクチャを備えてもよい。一例では、FPGAは、放出像分析を実行し、共有メモリを有するリアルタイムコントローラユニットを動作させ、共有メモリへのダイレクトメモリアクセスDMAデータ転送を実行するように構成することができる。この実施形態の変形例では、コントローラ70は、画像取得処理サブシステムを使用して分散論理を活用してもよい。ここで、画像取得処理サブシステムは、画像取得ハードウェアを含み、熱画像データを制御処理するプログラム可能な論理装置例えば、FPGAを活用する。一例では、このサブシステムは、リアルタイム制御サブシステムとコミュニケーションを行なう。リアルタイム制御サブシステムは、マイクロプロセッサおよび関連周辺装置を活用し、リアルタイムオペレーティングシステムを実行することができる。他のシステムコントローラとのコミュニケーションを行い、画像処理に関連する命令および制御機能ならびに二次像66の制御を行なうために、リアルタイム制御サブシステムを活用することができる。サブシステム間の通信は、通信インターフェイス例えば、イーサネット登録商標,RS422、共有論理バス、共有メモリバスの任意の組み合わせによって実行することができる。図9に示されるように、一次像36の強度の動的不安定性は線形の傾きを示す場合が多い。なお、図9では、長軸距離mmに対して強度カウント数がプロットされている。図中、強度プロファイルの傾きが点線88で示されている。強度プロファイルの傾きは、典型的には、通常、約100Hz以下の周波数で経時変化する。上述の傾き等、特定種類の動的強度変化におけるランダムな特性は、強度変化を事前に測定し、二次像66を使用して補償しようとする試みを除外している。パターン化されたウエハ上で測定する場合、放出像は極めて複雑になり得る。図10Aおよび図10Bは、図9と同様の図であり、パターン化されたシリコンウエハ上に形成されるライン像36の測定放出像に関する代表的なプロットである。各プロットは、領域90を有する。領域90では、放出強度が比較的高い空間周波数で変調されるが、これは、ウエハを加工して複数の半導体チップ即ち、集積回路を形成する際に形成される様々な装置構造ライン、形状、貫通孔、切り口、位置合わせマーク等により形成されるウエハパターンに起因するものである。したがって、一例では、電気信号S80で具現化される放熱検出システム80からの放出像が、ローパスフィルタリングされ、静的な代表的一次像36Rと比較可能な方法で処理される。そして、二次像66に対する走査プロファイルが適切に調節される。図10Cは、図10Bと同様である。しかし、図10Cでは、放出像電気信号80Sが、ローパスフィルタによりフィルタリングされ、ウエハパターンに起因する高周波数変調が取り除かれている。任意の周波数f例えば、100Hzで発生する一次像36への変化に対し、放出像の取得およびその後の二次像の走査プロファイル計算を約2fの周波数例えば200Hzで実行する必要がある。レーザアニールシステム半導体処理のレーザアニールは、典型的にはパターン化されたウエハ上で実施される。パターン化されたウエハによる吸収度は、パターン寸法、パターン密度、レーザ光の波長に応じて変化する。パターン寸法よりもはるかに長い波長によるレーザアニールは、散乱を減少させるので、ウエハによる吸収量を増加させることが示されている。図11は、本発明のシステム10を備えるレーザアニールシステム100の概略図である。例えば、米国特許第7,612,372号明細書、第7,154,066号明細書、第6,747,245号明細書には、システム10における使用に適したレーザアニールシステム100の一例が記載されており、これらの特許を本願に援用する。図中、システム10が、一次光線32および走査された二次光線62を生成し、修正ライン像36 ́を形成することが示されている。一次光線32および二次光線62は、所定条件でウエハ40を加熱可能な波長例えば、同一または別個に用意されたCO2レーザ装置が照射する名目上10.6ミクロンの波長を有する。所定条件には、例えば、ウエハ40の加熱、または、予熱加熱源図示せずによるウエハ40の放射線照射が含まれる。このとき、放射線のバンドギャップエネルギーは、ウエハ40の半導体バンドギャップエネルギーよりも大きい。このため、一次光線32および二次光線62は、ウエハ40をアニール温度まで加熱するのに十分な程度にウエハ40に吸収される。米国特許第7,098,155号、第7,148,159号、第7,482,254号には、第3光源によりウエハ40を照射し、CO2レーザ波長でウエハ40の吸収性を高める一例が記載されており、これらの特許は本願に援用される。好適な実施形態では、一次光線32および二次光線62は、同一または実質的に同一な波長を有する。ウエハ40は、上面112を有するチャック110に支持される。一例では、チャック110は、ウエハ40を加熱するように構成されている。また、チャック110はステージ120に支持され、ステージ120はプラテン図示せずに支持される。実施形態の一例では、チャック110は、ステージ120に組み込まれている。実施形態の他の例では、ステージ120は平行移動、回転移動等の移動が可能である。図中、一例として、ウエハ40は、回路例えば、トランジスタ156の一部として、ウエハ40の表面44またはその近傍に形成されるソース領域150Sおよびドレイン領域150Dの形で半導体構造を有することが示されている。なお、図11を簡略化して示すために、回路156のソース領域150Sおよびドレイン領域150Dの寸法は、ウエハ40の寸法に対して極めて誇張して示されている。実際には、ソース領域150Sおよびドレイン領域150Dは、極めて浅く、ウエハ40の約1ミクロン以下の深さに形成されている。ソース領域150Sおよびドレイン領域150Dは、一次像36の放出像を取り込む際に高周波数変調を引き起こし得る上述のウエハパターニングを構成する。実施形態の一例では、レーザアニール装置100は、コントローラ170をさらに備える。コントローラ170は、システム10システム10内のコントローラ70を含む。図1A及び1Bを参照およびステージコントローラ122に電気的に接続されている。ステージコントローラ122は、ステージ120に電気的に連結され、コントローラ70からの指示に基づいてステージ120の動きを制御するように構成されている。コントローラ170は、一般にレーザアニールシステム100の動作を制御するように構成されており、特にシステム10およびステージコントローラ122を制御するように構成されている。実施形態の一例では、コントローラ170は、多くの有名なコンピュータ会社例えば、テキサス州オースティンのデルコンピュータ社のいずれかの利用可能なコンピュータ例えば、パーソナルコンピュータまたはワークステーションであるか、そのようなコンピュータを備える。コントローラ170は、多くの民生利用可能なマイクロプロセッサ、プロセッサの記憶装置例えば、ハードディスクドライブへの接続に適したバスアーキテクチャ、適した入出力装置例えば、キーボード、ディスプレイのいずれかを備えることが好ましい。図11を参照しつつ、図1Aおよび1Bを参照すると、一次光線32は、ウエハ40の表面44に導かれ、表面44上に一次像36を形成する。一方、二次光線62は、上述の通り、走査プロファイルに応じて走査され、一次像36の少なくとも一部に対して二次像66を走査し、修正ライン像36 ́を形成する。実施形態の一例では、矢印180で示されるように、縁40Eを有するウエハ40の表面44に対して修正ライン像36 ́が走査される。図12は、修正ライン像36 ́が走査されるウエハ走査経路200破線の一例の概略図である。ウエハ走査経路200は、n個の直線状走査経路部202-1、202-2、202-3202-j202-nを備える。隣接する直線状走査経路部例えば、202-jと202-j1は、ある直線状走査経路部200から次の直線状走査経路に修正ライン像36 ́をステップ距離DS分だけ移動ステップさせることにより形成される。隣接する走査経路部202のライン像36が少なくとも重なるように、通常、ステップ距離DSはライン像36の長軸長L1Yよりも短い。従前のレーザアニールシステムおよび本発明のレーザアニールシステムにおけるライン像の重なり量について、以下詳細に議論する。修正ライン像36 ́をウエハ走査経路200上で走査することにより、約1ミクロン以下の深さまでウエハ40の表面44が所定温度例えば、1000から1300°Cまで急速に過熱される。これにより、ソース領域150Sおよびドレイン領域150Dにおける不純物が十分に活性化され、不純物が実質的に拡散することなく、ウエハ40の表面44を急速に冷却することができる。これにより、ソース領域150Sおよびドレイン領域150Dの浅さが維持される。直線状走査経路部202におけるウエハ40の表面44に対する修正ライン像36 ́の走査速度は、典型的には25mm/秒から1000mm/秒の範囲にある。一例では、修正ライン像36 ́およびウエハ40の一方または両方が操作中に移動され、ウエハ走査経路200が画定される。スループット強化半導体プロセスのレーザアニールには、アニールされる領域全体に対して極めて正確な温度管理が必要とされる。ほとんどの場合、アニール処理はピーク温度で進められる。図13Aを参照すると、アニール光線が長軸方向に不均一なライン像36を形成する場合、特にライン像36の端部36Eでは、ウエハ走査経路200の隣り合う走査経路部202の間に隙間Gが形成される可能性があり、ステップ距離DSが大き過ぎる場合、十分に露光されない部分が下層のウエハ40図11に生じる。一般に隙間Gが生じるのは、ステップ距離DS=L1Yである場合、即ち、ステップ距離DSがライン像36の長さと同一の場合である。なお、一例として、ライン像36の長軸長L1Yは、ライン像36をウエハ40に対して走査する際にレーザアニールが生じる長軸方向の距離によって定義される。この測定値は、通常、ライン像36の任意の強度閾値に対応し、ライン像走査速度または、滞留時間tdと同等に依存する。したがって、一般に、ウエハ40に対するアニールの均一性を改善するためには、ウエハ走査経路200の隣り合う走査経路部202のライン像を重ねることが必要となる。従前のレーザアニールシステムでは、ウエハ40上の各点がライン像36によって二回走査されるように、隣り合う走査経路部202において、ライン像36を長軸長L1Yの半分以下即ち、DS≦L1Y/2、または、重なりが少なくとも50だけ移動ステップされる。図13Bには、これが概略的に示されている。また、図13Bには、端部36Eにおける強度がかなり不均一な従前のライン像36に関して、2つの重なり合う長軸ライン像プロファイルと、隣り合う走査経路部202のライン像36とが示されている。隣り合う走査経路部202のライン像36を実質的に重ねなければならないため、残念ながらウエハスループットが減少する。一例として、ライン像36の長さが10mmであり、ウエハ走査経路200の隣り合う走査経路部202間のステップ距離DSが5mm即ち、ライン像の重なりが50の場合を検討する。300mmのウエハがレーザアニールされる場合、300mm/5mm=60ステップが必要となる。短いステップ距離DS=2.5mm即ち、ライン像の重なりが75に関しては、ウエハ40上の各点が四回アニールされ、ウエハ走査経路200には120ステップが必要となる。図13Cを参照すると、隣り合う走査経路部202の修正ライン像36 ́に必要な重なりが実質的に少なくなるように、修正ライン像36 ́が端部36E ́において非常に急勾配の強度プロファイルを有するように形成することができる。したがって、隣り合う走査経路部202間のステップ距離DSを大きくし、修正ライン像36 ́の全長L1Yに大きく近づけることにより、スループットが改善される。一例では、隣り合う走査経路部202間の修正ライン像36 ́に必要な重畳量は、50未満であり、5まで小さくすることができる即ち、L1Y/20≦DS≦L1Y/2。修正ライン像36 ́のライン像重なり範囲は、典型的には5から10即ち、L1Y/20≦DS≦L1Y/10である。したがって、修正ライン像36 ́の長さ10mmに対し、ステップ距離DSを9.5mmまで大きくすることができる。このため、300mmのウエハをレーザアニールする際に必要なステップは、僅か32ステップとなる。レーザアニールにおけるウエハスループットは、ウエハ走査経路200の隣り合う走査経路部202間のステップの数と直接的に関連がある。典型的には、ウエハ走査経路200のステップ及び走査に約1秒かかる。したがって、上述のレーザアニールの例に関し、従前のレーザアニールシステムでは、50から75のライン像の重なりに対して約60から120秒間、ウエハをレーザアニールする必要がある。対照的に、本発明のレーザアニールシステム100では、5から10のライン像の重なりに対し、32から34秒かかる。したがって、修正ライン像36 ́を使用したアニール処理を実行することにより、レーザアニールのウエハスループットを2倍近く増加させることができる。当業者には明白であるが、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、本発明に対して様々な修正および変更を加えることができる。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲およびその均等範囲内において本発明の修正および変更を包含する。"