"アニオン性界面活性剤、水及びpH調整剤を含有し、CMP処理後の基板洗浄用である洗浄液。前記CMP処理は、4-ピロン系化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物及びセリア砥粒を含むCMP研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨する請求項1に記載の洗浄液。前記4-ピロン系化合物が下記一般式1で表される化合物である請求項2に記載の洗浄液。[式中、X11、X12及びX13は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の置換基である。]前記CMP研磨液は、pHが2.0以上6.0以下である請求項2又は請求項3に記載の洗浄液。前記アニオン性界面活性剤は、アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも1種を含む請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の洗浄液。前記アニオン性界面活性剤は、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩及びポリアクリル酸アミン塩からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む請求項1~請求項5のいずれか1項に記載の洗浄液。前記アニオン性界面活性剤の重量平均分子量が、100以上150000以下である請求項1~請求項6のいずれか1項に記載の洗浄液。前記アニオン性界面活性剤の含有率が、全質量基準で0.01質量以上2.00質量以下である請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の洗浄液。pHが3.0以上7.0以下である請求項1~請求項8のいずれか1項に記載の洗浄液。4-ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むCMP研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、アニオン性界面活性剤、水及びpH調整剤を含有する洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程と、を有する基板の研磨方法。前記被研磨膜は絶縁膜部位を有する請求項10に記載の基板の研磨方法。前記絶縁膜は酸化ケイ素を含む膜である請求項11に記載の基板の研磨方法。前記洗浄工程は、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面を、洗浄用の定盤に取り付けられた洗浄布に押し当て、前記洗浄液を、前記基板と前記洗浄布との間に供給しながら、前記基板と前記洗浄布とを相対的に動かす工程を含む請求項10~請求項12のいずれか1項に記載の基板の研磨方法。前記4-ピロン系化合物が下記一般式1で表される化合物である請求項10~請求項13のいずれか1項に記載の基板の研磨方法。[式中、X11、X12及びX13は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の置換基である。]前記CMP研磨液は、pHが2.0以上6.0以下である請求項10~請求項14のいずれか1項に記載の基板の研磨方法。前記アニオン性界面活性剤は、アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも1種を含む請求項10~請求項15のいずれか1項に記載の基板の研磨方法。前記アニオン性界面活性剤は、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩及びポリアクリル酸アミン塩からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む請求項10~請求項16のいずれか1項に記載の基板の研磨方法。前記アニオン性界面活性剤の重量平均分子量が、100以上150000以下である請求項10~請求項17のいずれか1項に記載の基板の研磨方法。前記アニオン性界面活性剤の含有率が、全質量基準で0.01質量以上2.00質量以下である請求項10~請求項18のいずれか1項に記載の基板の研磨方法。前記洗浄液のpHが3.0以上7.0以下である請求項10~請求項19のいずれか1項に記載の基板の研磨方法。ところで、前記第1の工程荒削り工程では酸化ケイ素膜の表面電荷はプラスであるため、本発明者らは、静電的相互作用が大きく、高い研磨速度を持つゼータ電位がプラスである4-ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有した研磨液を用いた研磨方法を提案している。また、ILD部の層間絶縁膜のCMP工程は数万Åの二酸化ケイ素膜を研磨する必要がある。そこで、このCMP工程でも高い研磨速度を有するゼータ電位がプラスである4-ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有した研磨液を用いた研磨方法を提案している。しかしながら、上記したようなシャロートレンチ分離を使用した層間絶縁膜のCMPの第2の工程仕上げ工程で使用されるセリア砥粒の研磨液と違い、シャロートレンチ分離を使用した層間絶縁膜の第1の工程荒削り工程や、ILD部のCMP工程で使用する4-ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてCMP工程を行った場合、CMP工程後に生じるコンタミネーションを除去するためにアンモニア洗浄液を使用しても、コンタミネーションの除去に時間を要する場合があった。また、希フッ酸を用いた洗浄方法の場合は、エッチングによる除去法であるため、コンタミネーションは除去できるものの、基板表面状態を荒らしてしまう場合があった。本発明は、上記課題を解決しようとするものであり、4-ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてCMP工程を行った後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを除去することができる洗浄液及び該洗浄液を用いた基板の研磨方法を提供することを目的とする。本発明者らは上記課題を解決すべく、CMP研磨液を用いて絶縁膜のCMP工程を行った後の基板表面を洗浄する洗浄液に配合する洗浄剤について鋭意検討を重ねた。その結果、特定の構造を持つ化合物を洗浄剤とし、水とpH調整剤を組み合わせて使用することによって、高いコンタミネーション除去特性を見出すことに成功した。またかかる洗浄液は4-ピロン系化合物とセリア砥粒を含有するCMP研磨液を用いた絶縁膜のCMP工程後の洗浄液として特に優れていることを見出した。すなわち、本発明の洗浄液は、CMP処理後の基板を洗浄するために用いられるものであり、アニオン性界面活性剤、水及びpH調整剤を含有することを特徴とする。本発明の洗浄液によれば、CMP研磨液を用いた後の絶縁膜表面のコンタミネーションを大幅に低減することが可能となる。特に4-ピロン系化合物とセリア砥粒を含有するCMP研磨液を用いた場合にその効果が高い。かかる効果が奏される要因は必ずしも明らかではないが、本発明者らは下記のように考えている。すなわち、4-ピロン系化合物とセリア砥粒を含有する研磨液において、前記セリア砥粒のゼータ電位はプラスとなる。このため、研磨液中でマイナスのゼータ電位を有する絶縁膜とセリア砥粒とが大きく相互作用することで、絶縁膜に対する高い研磨速度を発現すると考えられる。しかしながら、その一方で、研磨後にセリア砥粒が絶縁膜表面に強固に付着し、コンタミネーションとして残存すると考えられる。従って、そのコンタミネーションは正に帯電しているため、アニオン性界面活性剤を含む洗浄液で洗浄することにより、アニオン性界面活性剤のアニオン基部位がコンタミネーションを覆い、かつ、界面活性剤の有機部位が立体反発することでコンタミネーションを絶縁膜より剥離させることが出来ると推測される。また本発明の洗浄液は、下記一般式1で表される4-ピロン系化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物及びセリア砥粒を含むCMP研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨した後に用いられることが好ましく、前記CMP研磨液は、pHが2.0~6.0であることがより好ましい。式中、X11、X12及びX13は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の置換基である。これにより、基板上に設けられた被研磨膜を良好な研磨速度で研磨でき、かつ、洗浄が効率よく行えるため、研磨終了後の基板表面にコンタミネーションが少ない基板を、短時間で得ることができる。前記アニオン性界面活性剤は、アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物又はその塩からなる群より選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。これにより、表面のコンタミネーションをより効率よく除去することができる。この観点で、前記アニオン性界面活性剤は、メタアクリル酸及びメタアクリル酸アルキルエステルを単量体成分として含む組成物を重合させて得られるアニオン性高分子化合物又はその塩であることが好ましく、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩及びポリアクリル酸アミン塩からなる群より選択される少なくとも1種を含むことがより好ましい。なお、本明細書において、メタアクリル酸とは、アクリル酸及びメタクリル酸を意味し、メタアクリル酸アルキルエステルとは、アクリル酸アルキルエステル及びそれに対応するメタクリル酸アルキルエステルを意味する。前記アニオン性界面活性剤の重量平均分子量は、100以上150000以下であることが好ましい。前記アニオン性界面活性剤の含有率は、全質量基準で0.01質量以上2.00質量以下であることが好ましく、前記アニオン性界面活性剤の含有量は、全質量基準で0.10質量以上1.00質量以下であることがより好ましい。これにより、コンタミネーションをより効果的に除去することができる。前記洗浄液のpHは3.0以上7.0以下であることが好ましい。これにより前記アニオン性界面活性剤のアニオン性基の特性をより有効に利用することができ、コンタミネーションをより効果的に除去することができる。また本発明の基板の研磨方法は、4-ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むCMP研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、アニオン性界面活性剤、水及びpH調整剤を含有する前記洗浄液を用いて、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程とを有する。前記被研磨膜は絶縁膜部位を有することが好ましく、前記絶縁膜は酸化ケイ素を含む膜であることがより好ましい。更に前記洗浄工程は、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面を、洗浄用の定盤に取り付けられた洗浄布に押し当て、前記洗浄液を、前記基板と前記洗浄布との間に供給しながら、前記基板と前記洗浄布とを相対的に動かす工程を含むことが好ましい。この洗浄方法によれば、上述した本発明の洗浄液を用いるため、絶縁膜を有する基板における充分なコンタミネーションの除去を達成できる。したがって、この洗浄方法は酸化ケイ素膜の研磨やメモリセルを有する半導体基板の研磨後の洗浄に適している。また前記CMP研磨液は、上記一般式1で表される4-ピロン系化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物及びセリア砥粒を含むCMP研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨した後に用いられることが好ましく、前記CMP研磨液は、pHが2.0~6.0であることがより好ましい。さらに前記アニオン性界面活性剤は、アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物又はその塩からなる群より選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。これにより、表面のコンタミネーションをより効率よく除去することができる。この観点で、前記アニオン性界面活性剤は、メタアクリル酸及びメタアクリル酸アルキルエステルを単量体成分として含む組成物を重合させて得られるアニオン性高分子化合物又はその塩であることが好ましく、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩及びポリアクリル酸アミン塩からなる群より選択される少なくとも1種を含むことがより好ましい。前記アニオン性界面活性剤の重量平均分子量は、100以上150000以下であることが好ましい。前記アニオン性界面活性剤の含有率は、全質量基準で0.01質量以上2.00質量以下であることが好ましく、前記アニオン性界面活性剤の含有量は、全質量基準で0.10質量以上1.00質量以下であることがより好ましい。これにより、コンタミネーションをより効果的に除去することができる。前記洗浄液のpHは3.0以上7.0以下であることが好ましい。これにより前記アニオン性界面活性剤のアニオン性基の特性をより有効に利用することができ、コンタミネーションをより効果的に除去することができる。本発明によれば、4-ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてCMP工程を行った後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを除去することができる洗浄液及び該洗浄液を用いた基板の研磨方法を提供することができる。本明細書において工程との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また本明細書において~を用いて示された数値範囲は、~の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。さらに本明細書において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。<洗浄液>本実施形態にかかる洗浄液は、CMP処理後の基板洗浄用の洗浄液であり、アニオン性界面活性剤と、水及びpH調整剤を含有することを特徴とする。かかる構成であることにより、CMP工程後に基板上に生じたコンタミネーションを、基板表面を荒らすことなく効率的に除去することができる。前記洗浄液は、一般的なアンモニアを含む洗浄液では充分にコンタミネーションを除去するのに時間を要する場合がある4-ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有するCMP研磨液を用いた半導体基板絶縁膜のCMP工程後の基板の洗浄に、特に好ましく用いることができる。前記洗浄液のpHは特に制限されない。中でもpHの下限は、アニオン性の界面活性剤の酸解離によるアニオンとしての特性の観点から、3.0以上が好ましく、更に4.0以上が好ましい。またpHの上限はコンタミネーション除去性能の観点から7.0以下であると好ましく、更に6.0以下であると更に好ましい。尚、pHは常温25°CにおいてpH測定装置を用いる通常の方法で測定される。このようなpHの範囲であることで、洗浄液とコンタミネーションとの相互作用を大きくできる傾向にある。洗浄液のpHは、例えば後述するpH調整剤によって調整することができる。以下、洗浄液に含まれる各成分について詳細に説明する。アニオン性界面活性剤洗浄液はアニオン性界面活性剤の少なくとも1種を含む。アニオン性界面活性剤は、少なくとも1種のアニオン性基を有するものであれば特に制限なく、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。またアニオン性界面活性剤は、通常用いられるアニオン性界面活性剤から適宜選択して用いることができる。アニオン性界面活性剤が有するアニオン性基としては、例えば、カルボキシ基、フェノール性水酸基、酸無水物基、スルホン酸基、及びリン酸基等が挙げられる。中でもコンタミネーション除去性能の観点から、カルボキシ基であることが好ましい。アニオン性界面活性剤は、コンタミネーション除去性能の観点から、アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましく、ポリメタアクリル酸、ポリメタアクリル酸アンモニウム塩及びポリメタアクリル酸アミン塩からなる群より選ばれる少なくとも1種であることがより好ましい。前記アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物は、例えば、アニオン性基を有するビニル化合物を単量体成分として含む重合性組成物を常法により重合させることで得ることができる。また市販のアニオン性高分子界面活性剤から適宜選択してもよい。前記アニオン性基を有するビニル化合物としては、例えば、メタアクリル酸、β-フリルメタアクリル酸、β-スチリルメタアクリル酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸モノエステル、フマール酸、ケイ皮酸、α-シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸などが挙げられる。これらは1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。前記アニオン性基を有するビニル化合物は、これらの中でもコンタミネーション除去性能の観点から、メタアクリル酸、β-フリルメタアクリル酸、及びβ-スチリルメタアクリル酸からなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましく、メタアクリル酸であることがより好ましい。前記重合性組成物におけるアニオン性基を有するビニル化合物の含有率は特に制限されない。例えば0.01質量以上とすることができ、コンタミネーション除去性能の観点から、0.1質量以上であることが好ましく、1質量以上であることがより好ましい。前記重合性組成物は、アニオン性基を有するビニル化合物に加えて、前記アニオン性基を有するビニル化合物と重合可能でアニオン性基を有しない他の重合性化合物を更に含んでいてもよい。他の重合性化合物としては特に制限されない。例えば、メタアクリル酸アルキルエステル等挙げることができる。メタアクリル酸アルキルエステルとしては、具体的には例えばメタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸ブチル等を挙げることができる。これらは1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、コンタミネーション除去性能の観点から、メタアクリル酸メチルを含むことが好ましい。前記重合性組成物の重合には重合開始剤を用いることができる。重合開始剤としては特に制限されず、熱重合開始剤であっても光重合開始剤であってもよい。重合開始剤としては例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトル、亜硫酸アンモニウム等を挙げることができる。前記重合性組成物における他の重合性化合物の含有率は特に制限されない。例えば0.01質量以下とすることができる。コンタミネーション除去性能の観点から、0.005質量以下であることが好ましく、0.001質量以下であることがより好ましい。前記アニオン性界面活性剤の重量平均分子量は特に制限されない。中でもコンタミネーション除去性能の観点から、100~150,000であることが好ましく、1,000~20,000であることがより好ましく、2,000~10,000であることが更に好ましい。尚、アニオン性界面活性剤の重量平均分子量は、GPCで測定され、標準ポリスチレン換算した値であり、具体的には下記の条件が挙げられる。条件試料:10μL標準ポリスチレン:東ソー株式会社製標準ポリスチレン重量平均分子量:190000、17900、9100、2980、578、474、370、266検出器:株式会社日立製作所社製、RI-モニター、商品名L-3000インテグレーター:株式会社日立製作所社製、GPCインテグレーター、商品名D-2200ポンプ:株式会社日立製作所社製、商品名L-6000デガス装置:昭和電工株式会社製、商品名ShodexDEGASカラム:日立化成工業株式会社製、商品名GL-R440、GL-R430、GL-R420をこの順番で連結して使用溶離液:テトラヒドロフランTHF測定温度:23°C流速:1.75mL/分測定時間:45分前記アニオン性高分子化合物は、アクリル酸及びメタクリル酸から選ばれる少なくとも1種を単量体成分として含む重合性組成物を重合して得られる重合体であることが好ましく、アクリル酸及びメタクリル酸から選ばれる少なくとも1種を0.1質量以上含む重合性組成物を重合して得られる重合体であることがより好ましく、アクリル酸及びメタクリル酸から選ばれる少なくとも1種を1.0質量以上含む重合性組成物を重合して得られる重量平均分子量が1,000~20,000の重合体であることがさらに好ましい。前記アニオン性高分子化合物の塩を構成する塩基は特に制限されず、無機塩基であっても有機塩基であってもよい。塩基としては例えば、アンモニア、水酸化カリウム等の無機塩基、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン等の炭素数1~4のアルキル基を有する有機塩基であるアミン類などを挙げることができる。中でもコンタミネーション除去性能の観点から、アンモニア及びアミン類から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。前記洗浄液におけるアニオン性界面活性剤の含有率は特に制限されず、アニオン性界面活性剤の種類等に応じて適宜選択することができる。中でもアニオン性界面活性剤の含有率の下限は、コンタミネーションを除去させる観点から、洗浄液全質量基準で0.01質量以上が好ましく、0.10質量以上がより好ましい。またアニオン性界面活性剤の含有率の上限は、コンタミネーション除去性能の限界の観点から、2.00質量以下が好ましく、1.00質量以下がより好ましい。水前記洗浄液は水を含む。洗浄液に含まれる水は特に制限されるものではない。中でも脱イオン水、イオン交換水又は超純水が好ましい。なお、前記洗浄液は水に加えて、更に必要に応じて、エタノール、酢酸、アセトン等の極性溶媒等を含んでいてもよい。pH調整剤前記洗浄液はpH調整剤の少なくとも1種を含む。洗浄液のpHは、アニオン性界面活性剤として使用する化合物の種類等によって変化し得るが、pH調整剤を含むことで洗浄液のpHを所望の範囲とすることが容易にできる。pH調整剤としては特に制限はない。例えば、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、ホウ酸、酢酸等の酸性化合物、水酸化ナトリウム、アンモニア水、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等の塩基性化合物などが挙げられる。他の成分本実施形態にかかる洗浄液は、所望とする特性に合わせてその他の成分を更に含有していてもよい。このような成分としては、アミノカルボン酸、環状モノカルボン酸等が挙げられる。これらの成分の添加量は、洗浄液による上記効果を過度に低下させない範囲とすることが望ましく、その範囲の中で適宜選択することができる。<基板の研磨方法>本発明の基板の研磨方法は、4-ピロン系化合物及びセリア砥粒を含み、pHが2.0以上6.0以下であるCMP研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、アニオン性界面活性剤、水及びpH調整剤を含有する洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程とを含み、必要に応じてその他の工程を含んで構成される。[研磨工程]前記被研磨膜を有する基板としては半導体素子製造にかかる基板であることが好ましく、例えば回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に絶縁膜好ましくは、無機絶縁膜が形成された基板が挙げられる。本発明において前記被研磨膜を有する基板は、半導体基板上に絶縁膜が形成された基板であることが好ましく、前記絶縁膜が酸化ケイ素及び窒化ケイ素の少なくとも一方を含むことが好ましく、酸化ケイ素を含むことがより好ましい。また被研磨膜を有する基板は、半導体基板上に酸化ケイ素膜あるいは窒化ケイ素膜、多結晶ケイ素膜が形成された基板であることもまた好ましい。かかる基板を研磨した後、前記洗浄液を用いて洗浄することによって、基板表面、特に酸化ケイ素膜表面に付着した研磨液に含まれる研磨砥粒や研磨くずなどのコンタミネーションを効率的に除去し、基板全面にわたってコンタミネーションの無い、平滑な面とすることができる。基板表面に酸化ケイ素膜を形成する方法としては、低圧CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。低圧CVD法による酸化ケイ素膜の形成は、Si源としてモノシランSiH4、酸素源として酸素O2を用いる。このSiH4-O2系酸化反応を400°C以下の低温で行わせることによって酸化ケイ素膜が形成される。場合によっては、CVD後に1000°C又はそれ以下の温度での熱処理が実施される。プラズマCVD法は、通常の熱平衡下では高温を必要とする化学反応が低温でできる利点を有する。プラズマ発生法には、容量結合型と誘導結合型の2つが挙げられる。反応ガスとしては、Si源としてSiH4、酸素源としてN2Oを用いたSiH4-N2O系ガスや、テトラエトキシシランTEOSをSi源に用いたTEOS-O2系ガスTEOS-プラズマCVD法が挙げられる。基板温度は250°C~400°C及び反応圧力は67Pa~400Paの範囲が好ましい。高温リフローによる表面平坦化を図るために、酸化ケイ素膜にリンPをドープしてもよい。その場合、SiH4-O2-PH3系反応ガスを用いることが好ましい。このように、被研磨膜としての酸化ケイ素膜は、リン、ホウ素等の元素がドープされたものであってもよい。窒化ケイ素膜も酸化ケイ素膜と同様、低圧CVD法、プラズマCVD法等により形成することができる。低圧CVD法では、Si源としてジクロルシランSiH2Cl2、窒素源としてアンモニアNH3を用いる。このSiH2Cl2-NH3系酸化反応を900°Cの高温で行わせることによって窒化ケイ素膜が形成される。プラズマCVD法では、Si源としてSiH4、窒素源としてNH3を用いたSiH4-NH3系ガスが反応ガスとして挙げられる。この場合、基板温度は300°C~400°Cが好ましい。CMP研磨液前記研磨工程においては、4-ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むCMP研磨液以下、単に研磨液ともいうを用いる。前記4-ピロン系化合物としては下記一般式1で表される化合物であることが好ましい。式中、X11、X12及びX13は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の置換基である。X11、X12及びX13における1価の置換基としては、アルデヒド基、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子、フッ素原子、ニトロ基、ヒドラジノ基、置換基を有していてもよい炭素数1~8のアルキル基、炭素数6~12のアリール基及び炭素数1~8のアルケニル基等が挙げられる。また前記アルキル基における置換基としては、水酸基、カルボキシル基、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子及びニトロ基等が挙げられる。中でも置換基を有していてもよい炭素数1~8のアルキル基であることが好ましく、水酸基を有していてもよい炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。また一般式1で表される4ピロン系化合物が、X11、X12及びX13として1価の置換基を有する場合、該置換基は一般式1におけるオキシ基に隣接する炭素原子に結合していることが好ましい。すなわちX11及びX12の少なくとも一方が1価の置換基であることが好ましい。さらにX11、X12及びX13のうち少なくとも2つが水素原子であることが好ましい。前記4-ピロン系化合物として具体的には、5-ヒドロキシ-2-ヒドロキシメチル-4H-ピラン-4-オン別名、5ヒドロキシ-2-ヒドロキシメチル-4-ピロン、3-ヒドロキシ-2-メチル-4H-ピラン-4-オン別名、3ヒドロキシ-2-メチル-4-ピロン、3-ヒドロキシ-2-エチル-4H-ピラン-4-オン別名、3ヒドロキシ-2-エチル-4-ピロンからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物であることが好ましい。4-ピロン系化合物は、上述したような化合物のうちの1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。4-ピロン系化合物を2種以上組み合わせて用いることで、平坦な基板の研磨速度が向上するほか、面内均一性がより向上する効果も得ることができる傾向にある。前記4-ピロン系化合物は、水溶性であることが好ましい。水への溶解性が高い4ピロン系化合物を用いることで、所望の量を良好に研磨液中に溶解させることができ、研磨速度の向上及び砥粒の凝集抑制の効果をより一層高い水準で達成することができる。前記4ピロン系化合物は、常温25°Cの水100gに対する溶解度が0.001g以上であることが好ましく、0.005g以上であることがより好ましく、0.01g以上であることが更に好ましい。尚、溶解度の上限は特に制限はない。前記4-ピロン系化合物の含有量は、研磨液100質量部に対して0.01質量部以上が好ましく、0.02質量部以上がより好ましく、0.03質量部以上が更に好ましい。4ピロン系化合物の含有量が0.01質量部以上であると、0.01質量部未満の場合と比較して安定した研磨速度を得やすい傾向にある。他方4-ピロン系化合物の含有量は、研磨液100質量部に対して5質量部以下が好ましく、3質量部以下がより好ましく、1質量部以下がさらに好ましく、0.5質量部以下が特に好ましい。4ピロン系化合物の含有量が5質量部以下であると、5質量部を超える場合と比較して砥粒の凝集を抑制しやすく、高い研磨速度が達成できる傾向にある。またセリア砥粒は、酸化セリウムを含む粒子であれば特に制限されない。中でも結晶粒界に囲まれた複数の結晶子を持つ多結晶酸化セリウムを含むことが好ましい。かかる構成の多結晶酸化セリウム粒子は、単結晶粒子が凝集した単なる凝集体とは異なっており、研磨中の応力により細かくなると同時に、活性面細かくなる前は外部に曝されていない面が次々と現れる、酸化ケイ素膜に対する高い研磨速度を高度に維持できると考えられる。このような多結晶酸化セリウム粒子については、例えば、国際公開公報WO99/31195号等の記載を参照することができる。セリア砥粒の平均粒径は、50nm以上が好ましく、70nm以上がより好ましく、80nm以上であることがさらに好ましい。平均粒径が50nm以上であると、50nm未満の場合と比較して酸化ケイ素に対する研磨速度を高くすることができる。他方、セリア砥粒の平均粒径は、500nm以下であることが好ましく、300nm以下であることがより好ましく、280nm以下であることが更に好ましく、250nm以下が特に好ましく、200nm以下がより一層好ましい。平均粒径が500nm以下であること、500nmを越える場合と比較して研磨傷の発生を抑制できる。セリア砥粒の平均粒径を制御するためには、従来公知の方法を使用することができる。具体的には、酸化セリウムの粒子製造時の焼成温度、焼成時間、粉砕条件等の制御、濾過、分級等の適用などが挙げられる。尚、セリア砥粒の平均粒径は、セリア砥粒が分散したスラリサンプルを、動的光散乱式粒度分布計で測定した体積分布の中央値を意味する。前記セリア砥粒の含有量は、研磨液100質量部に対して0.1質量部以上が好ましく、0.15質量部以上がより好ましく、0.2質量部以上が更に好ましく、0.25質量部以上が特に好ましい。セリア砥粒の含有量が0.1質量部以上であると、0.1質量部未満の場合と比較して高い研磨速度が達成される傾向にある。他方セリア砥粒の含有量は、研磨液100質量部に対して10質量部以下が好ましく、5.0質量部以下がより好ましく、3.0質量部以下がさらに好ましく、2.0質量部以下が特に好ましく、1.0質量部以下がより一層好ましい。セリア砥粒の含有量が10質量部以下であると、10質量部を超える場合と比較して砥粒の凝集を抑制しやすく、高い研磨速度が達成できる傾向にある。前記CMP研磨液のpHは2.0以上6.0以下であることが好ましく、2.5以上5.0以下であることがより好ましい。pHが6.0以下であるとセリア砥粒の凝集を効果的に抑制できる傾向がある。またpHが2.0以上であると酸化ケイ素膜のゼータ電位の絶対値が大きな値となる傾向にある。尚、CMP研磨液のpHは常温25°CにおいてpH測定装置を用いる通常の方法で測定される。CMP研磨液のpHを2.0以上6.0以下に調整することで、以下の効果が得られると考えられる。1プロトンやヒドロキシアニオンが、4-ピロン系化合物に作用して、当該化合物の化学形態が変化し、基板表面の酸化ケイ素膜又は窒化ケイ素膜に対する濡れ性や親和性が向上する。2セリア砥粒と酸化ケイ素膜との接触効率が向上し、高い研磨速度が達成される。これは例えば、酸化セリウムはゼータ電位の符号が正であるのに対し、酸化ケイ素膜はゼータ電位の符号が負であり、静電引力が働くためと考えることができる。CMP研磨液のpHは、4-ピロン系化合物の種類等に応じて変化しうるため、pHを上記範囲に調整するために、pH調整剤をCMP研磨液に添加してもよい。pH調整剤としては特に制限されない。例えば、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、ホウ酸、酢酸等の酸性化合物、水酸化ナトリウム、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等の塩基性化合物などが挙げられる。尚、生産性向上の点から、pH調整剤を使用することなく、CMP研磨液を調製してもよい。研磨工程においては前記CMP研磨液を用いて被研磨膜を有する基板を研磨する。CMP研磨液を用いて被研磨膜を有する基板を研磨する方法は特に制限されず、通常用いられる研磨方法から適宜選択して適用することができる。具体的には例えば、国際公開公報WO2010/067844号等に記載の研磨方法を、本発明においても好ましく適用することができる。[洗浄工程]本発明における洗浄工程においては、アニオン性界面活性剤、水及びpH調整剤を含有する洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する。特定のCMP研磨液を用いて研磨された基板を、特定の構成を有する洗浄液を用いて洗浄することで、基板表面を荒らすことなく、コンタミネーションを効率的に除去することができる。このような洗浄工程を有する本発明の基板の研磨方法は、コンタミネーションの発生を高度に抑制できることから、シャロートレンチ分離STIにも好適に使用することができる。洗浄工程に用いる洗浄液の詳細は、既述の本発明の洗浄液と同様であり、好ましい態様も同様である。前記洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して前記面を洗浄する方法としては、通常用いられる洗浄方法から適宜選択して適用することができる。本発明においては、基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面を、洗浄用の定盤に取り付けられた洗浄布に押し当て、前記洗浄液を、前記基板と前記洗浄布との間に供給しながら、前記基板と前記洗浄布とを相対的に動かす工程を含む洗浄方法であることが好ましい。かかる洗浄方法であることで、コンタミネーションをより効率的に除去することができる。前記洗浄工程の好ましい実施形態の一例として、基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面を、洗浄用の定盤に取り付けられた洗浄布に押し当て、前記洗浄液を、前記基板と前記洗浄布との間に供給しながら、前記基板と前記洗浄布とを相対的に動かす洗浄方法について以下に説明する洗浄工程に使用する装置としては、例えば一般的な研磨に使用する装置を用いて行うことができる。その詳細としては、表面に絶縁膜を形成した基板を保持するホルダーと、洗浄布パッドを貼り付け可能で、回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある研磨定盤とを有する装置である。具体的には例えば、荏原製作所株式会社製研磨装置型番:EPO-111、EPO-222、F☆REX200、F☆REX300、AppliedMaterials社製の研磨装置商品名:Mirra3400、Reflexion研磨機等を挙げることができる。洗浄布としては、一般的なCMP工程でも使用する不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用できるが、研磨傷の観点からハードパッドよりもソフトパッドの方がより好ましい。また、洗浄布には洗浄液がたまるような溝加工を施すことが好ましい。洗浄条件に制限はないが、定盤の回転速度は基板が飛び出さないように200rpm以下の低回転が好ましく、基板にかける圧力加工荷重は洗浄後に傷が発生しないように100kPa以下が好ましい。洗浄している間、洗浄布には洗浄液をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、洗浄布の表面が常に洗浄液で覆われていることが好ましい。洗浄終了後の基板は、流水中でよく濯ぎ、スピンドライヤ等を用いて基板上に付着した水滴を払い落として乾燥させることが好ましい。このように被研磨膜である無機絶縁膜を上記洗浄液で洗浄することによって、コンタミネーションを除去し、基板全面にわたって平滑な面が得られる。尚、本発明の研磨方法によって得られる基板上のコンタミネーションは以下のようにして評価することができる。すなわち、洗浄工程後の基板の洗浄特性は、無機絶縁膜の洗浄後の表面のパーティクルコンタミネーション量で示すことができる。パーティクル量は少ない方が優れることを意味しており、一般的にはパーティクル量がウエハ1枚当り、50個以下であることが好ましい。パーティクル量が多いと歩留まりの低下や、平坦性悪化のため積層構造を多層化した場合にレジストに段差を生じてしまい、焦点ずれを起こすため、パーティクル量の減少が要求される。本発明の基板の研磨方法は所望の層数を有する半導体基板の製造方法に適用することができる。例えば本発明の基板の研磨方法を用いて、平坦化されたシャロートレンチを形成したあと、酸化ケイ素絶縁膜層の上に、アルミニウム配線を形成し、その配線間及び配線上に、再度既述の方法により酸化ケイ素絶縁膜を形成後、前記CMP研磨剤を用いて研磨し、前記洗浄液を用いた同様の洗浄工程を経て平滑な面とする。この工程を所定数繰り返すことにより、所望の層数を有する半導体基板を製造することができる。本発明の基板の研磨方法は、以下のようなデバイスの製造過程において表面に酸化ケイ素膜を有する基板を研磨するのに適している。デバイスとしては、例えば、ダイオード、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ、サイリスタ等の個別半導体、DRAMダイナミックランダムアクセスメモリー、SRAMスタティックランダムアクセスメモリー、EPROMイレイザブルプログラマブルリードオンリーメモリー、マスクROMマスクリードオンリーメモリー、EEPROMエレクトリカルイレイザブルプログラマブルリードオンリーメモリー、フラッシュメモリ等の記憶素子、マイクロプロセッサー、DSP、ASIC等の理論回路素子、MMICモノリシックマイクロウェーブ集積回路に代表される化合物半導体等の集積回路素子、混成集積回路ハイブリッドIC、発光ダイオード、電荷結合素子等の光電変換素子等が挙げられる。以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、部及びは質量基準である。[CMP研磨液の作製]容器内に、酸化セリウム粉末15.0kg及び脱イオン水84.7kgを入れて混合し、さらに1mol/Lの酢酸を0.3kg添加して、10分間撹拌し、酸化セリウム混合液を得た。得られた酸化セリウム混合液を、別の容器に30分かけて送液した。その間、送液する配管内で、酸化セリウム混合液に対し、超音波周波数400kHzにて超音波照射を行った。超音波照射を経て送液された酸化セリウム混合液を、1000mLビーカー4個に各800g±8gずつ入れた。各ビーカー内の酸化セリウム混合液に対し、外周にかかる遠心力が500Gとなるような条件で、20分間遠心分離を行った。遠心分離後、ビーカーの上澄み画分を採取し、スラリを得た。得られたスラリには、全質量基準で約10.0質量の酸化セリウム粒子が含まれていた。また酸化セリウム粒子の平均粒径は150nmであった。所定量の脱イオン水に、添加剤として表1に記載の4-ピロン系化合物を1の濃度となるように溶解させて、添加剤溶液を得た。次に、上述のスラリと添加剤溶液とを同量混合し、10分間にわたって攪拌し、アンモニアでpH=4.0に調整して表1に記載の研磨液A、Bを得た。なお、上記のアンモニアの添加量は微量であるので、アンモニアの添加後でも、得られた研磨液A、Bには全質量基準で0.5質量の砥粒と、0.08の添加剤が含まれていた。<実施例1~7>[洗浄液の作製]アニオン性界面活性剤として以下のアニオン性界面活性剤A及びBを用意した。アニオン性界面活性剤A:2,2’-アゾビスイソブチロニトルを開始剤にアクリル酸を重合して得られた重量平均分子量4000のポリアクリル酸アンモニウム塩。アニオン性界面活性剤B:亜硫酸アンモニウムを開始剤にアクリル酸を重合して得られた重量平均分子量4000のポリアクリル酸アンモニウム塩。表2に示す濃度となるようにアニオン性界面活性剤と水とを混合し、さらに表2に示すpHとなるようにアンモニアを添加して洗浄液をそれぞれ作製した。なお、上記のアンモニアの添加量は微量であるので、アンモニアの添加後でも、得られた洗浄液におけるポリアクリル酸アンモニウム塩の濃度は実質的に変化しなかった。[基板の研磨方法]絶縁膜CMP評価用試験ウエハとして、以下のウエハを使用した。パターンの形成されていないブランケットウエハとして、Si基板上にPE-TEOS酸化ケイ素膜が膜厚1000nmで成膜されたウエハ直径200mmを使用した。研磨工程研磨装置AppliedMaterials社製商品名Mirra3400を使用し、上記ブランケットウエハの研磨を以下のようにして行った。基板取り付け用の吸着パッドを有するホルダーに、上記ブランケットウエハをセットした。一方、直径480mmの研磨定盤に多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドk-groove溝、RohmandHaas社製、型番:IC-1000を貼り付けた。上記ブランケットウエハの酸化ケイ素膜形成面を下に向けて上記ホルダーを研磨パッド上に載せた。インナチューブ圧力、リテーナリング圧力及びメンブレン圧力は、28kPa、38kPa及び28kPaにそれぞれ設定した。そして、上記のようにして調製した研磨液A、Bそれぞれを、上記研磨定盤に貼り付けられた上記研磨パッド上に200mL/minの流量で滴下しながら、研磨定盤とブランケットウエハとをそれぞれ93min-1、87min-1で回転させて、酸化ケイ素膜を60秒間研磨した。洗浄工程研磨後のブランケットウエハを用いて、以下の方法で洗浄工程を行った。研磨装置AppliedMaterials社製商品名Mirra3400の、保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記研磨後のブランケットウエハをセットし、一方、直径480mmの研磨定盤にRohmandHaas社製発砲ポリウレタン樹脂製の洗浄パッド製品名:POLITEXを貼り付けた。該パッド上に絶縁膜面を下にして前記ホルダーを載せ、さらに加工荷重としてメンブレン圧力、リテーナリング圧力及びインナチューブ圧力をそれぞれ7.0kPa、12.6kPa及び7.0kPaに設定した。定盤上に表2に示す洗浄液を100mL/分の速度で滴下しながら、定盤とウエハとをそれぞれ回転数93min-1、87min-1で洗浄時間60sec作動させてブランケットウエハを洗浄した。洗浄後のウエハを純水でよく洗浄後、乾燥した。その後、欠陥検査装置AppliedMaterials社製、商品名:COMPLUSを用いて、基板表面上のコンタミネーションパーティクルの数を測定した。得られた各測定結果を表2に示す。<比較例1~5>[洗浄液の作製]実施例における洗浄液の作製において、アニオン性界面活性剤の代わりに表3に示す化合物を添加剤として用いたこと以外は、実施例と同様の方法で洗浄液をそれぞれ作製した。作製した洗浄液をそれぞれ用いたこと以外は、実施例と同様にして、基板の研磨を行い、同様の評価をおこなった。各測定結果を表3に示す。尚、ノニオン性界面活性剤Aは、2,4,7,9-テトラメチル-5-デシン-4,7-ジオールであり、pH調整剤として酢酸を使用した。表2及び表3の結果から、研磨液A、B使用後の基板に対してアニオン性界面活性剤を含む洗浄液を用いて洗浄することで優れた洗浄効果が得られ、コンタミネーションを優れた効率で除去できたことが確認できる。また、洗浄工程に起因する基板表面の荒れは観察されなかった。本発明者は発明を実施する最良の形態を明細書に記述している。上記の説明を同業者が読んだ場合、これらに似た好ましい変形形態が明らかになる場合もある。本発明者等は、本発明の異なる形態の実施、並びに、本発明の根幹を適用した類似形態の発明の実施についても充分意識している。また、本発明にはその原理として、特許範囲の請求中に列挙した内容の全ての変形形態、更に、様々な上記要素の任意の組み合わせが利用できる。その全てのあり得る任意の組み合わせは、本明細書中において特別な限定がない限り、あるいは、文脈によりはっきりと否定されない限り、本発明に含まれる。"