"試料にイオンビームを照射するイオンビーム光学システムと、前記試料に接触することが可能なプローブと、前記プローブを駆動させるプローブ駆動装置と、前記プローブに流入する電流を検出するプローブ電流検出装置と、前記試料から微小試料を作成するために前記イオンビーム光学システム及び前記プローブを制御する中央処理装置と、を有し、前記プローブ電流検出装置によって検出したプローブ流入電流に基づいてプローブ形状を検出するプローブ形状生成処理と、前記プローブ形状よりプローブの先端位置を検出するプローブ先端座標抽出処理と、前記プローブの先端位置と前記プローブ形状より前記プローブの外形に近似したプローブ外形線を生成するプローブ外形線抽出処理と、前記プローブ外形線よりプローブの中心線と垂直線を生成するプローブ中心線抽出処理と、前記プローブ先端位置、前記プローブ中心線、前記プローブ垂直線、及び、予め設定されたプローブ先鋭部の形状及び寸法に基づいて加工パターンを生成する加工パターン生成処理と、前記加工パターンに基づいてイオンビーム加工の停止を行うイオンビーム停止処理と、を実行することを特徴とするイオンビーム装置。請求項1記載のイオンビーム装置において、前記イオンビーム停止処理では、イオンビーム照射を開始してから、予め設定したイオンビーム照射時間が経過したらイオンビーム照射を停止するように構成されているイオンビーム装置。請求項1記載のイオンビーム装置において、前記イオンビーム停止処理では、加工中のプローブ画像をモニタし、プローブ画像と加工パターンを比較し、加工パターンとプローブ画像の外形の間の差が所定の値より小さくなったときに、イオンビーム照射を停止するように構成されているイオンビーム装置。請求項1記載のイオンビーム装置において、前記イオンビーム停止処理では、加工中のプローブ画像をモニタし、プローブ画像が変化したら、それに従って加工パターンを変化させ、加工パターンの幅が所定の値より小さくなったときに、イオンビーム照射を停止するように構成されているイオンビーム装置。請求項1記載のイオンビーム装置において、前記加工パターン生成処理では、前記プローブ中心線に対称に、2つ加工パターンを生成し、該2つの加工パターンの内側の線は、前記予め設定されたプローブ先鋭部の形状に対応していることを特徴とするイオンビーム装置。請求項1記載のイオンビーム装置において、前記予め設定されたプローブ先鋭部の形状は矩形であり、前記加工パターンは、前記プローブ中心線に対称に形成された、2つの矩形形状であることを特徴とするイオンビーム装置。請求項1記載のイオンビーム装置において、前記予め設定されたプローブ先鋭部の形状は矩形であり、前記加工パターンは、前記プローブ中心線に対称に形成された、2つの3角形形状であることを特徴とするイオンビーム装置。請求項1記載のイオンビーム装置において、前記プローブ外形線抽出処理では、前記プローブの先端位置を通る直線を設定し、該直線の傾斜を最小二乗法によって求めることによって、前記プローブ外形線を生成することを特徴とするイオンビーム装置。請求項1記載のイオンビーム装置において、前記プローブ形状生成処理では、前記プローブ流入電流に基づいて2値化した画像信号を生成し、該2値化した画像信号からプローブ形状を検出することを特徴とするイオンビーム装置。試料の上側に配置されたプローブの形状を生成するプローブ形状生成ステップと、前記プローブ形状からプローブ先端の位置を検出するプローブ先端位置検出ステップと、前記プローブの形状と前記プローブ先端の位置から前記プローブの外形に近似し且つ前記プローブ先端を通るプローブ外形線を生成するプローブ外形線抽出ステップと、前記プローブ外形線よりプローブの中心線と垂直線を生成するプローブ中心線抽出ステップと、前記プローブ中心線、前記プローブ垂直線、及び、予め設定されたプローブ先鋭部の形状及び寸法に基づいて加工パターンを生成する加工パターン生成ステップと、前記加工パターンに基づいてイオンビームを照射し、該加工パターンの領域にあるプローブを除去するイオンビーム照射ステップと、前記イオンビームの照射を停止するイオンビーム停止ステップと、を有するイオンビーム加工方法。請求項10記載のイオンビーム加工方法において、前記プローブ形状生成ステップでは、前記プローブ流入電流に基づいて2値化した画像信号を生成し、該2値化した画像信号からプローブ形状を検出すること特徴とするイオンビーム加工方法。請求項10記載のイオンビーム加工方法において、前記プローブ形状生成ステップでは、走査イオン顕微鏡像SIM像からプローブ形状を検出すること特徴とするイオンビーム加工方法。請求項10記載のイオンビーム加工方法において、前記イオンビーム停止ステップでは、イオンビーム照射を開始してから、予め設定したイオンビーム照射時間が経過したらイオンビーム照射を停止するように構成されているイオンビーム加工方法。請求項10記載のイオンビーム加工方法において、前記イオンビーム停止ステップでは、加工中のプローブ画像をモニタし、プローブ画像と加工パターンを比較し、加工パターンとプローブ画像の外形の間の差が所定の値より小さくなったときに、イオンビーム照射を停止するように構成されているイオンビーム加工方法。請求項10記載のイオンビーム加工方法において、前記イオンビーム停止ステップでは、加工中のプローブ画像をモニタし、プローブ画像が変化したら、それに従って加工パターンを変化させ、加工パターンの幅が所定の値より小さくなったときに、イオンビーム照射を停止するように構成されているイオンビーム加工方法。イオンビームを照射するイオンビーム光学システムと、前記試料に接触することが可能なプローブと、前記プローブを駆動させるプローブ駆動装置と、前記プローブに流入する電流を検出するプローブ電流検出装置と、前記試料からの2次電子を検出する2次電子検出器と、前記試料から微小試料を作成するために前記イオンビーム光学システム及び前記プローブを制御する中央処理装置と、を有し、前記試料の上に配置されたプローブの形状を検出するプローブ形状生成処理と、前記プローブ形状よりプローの先端位置を検出するプローブ先端座標抽出処理と、前記プローブの先端位置と前記プローブの形状より前記プローブの外形に近似したプローブ外形線を生成するプローブ外形線抽出処理と、前記プローブ外形線よりプローブの中心線と垂直線を生成するプローブ中心線抽出処理と、前記プローブ先端位置、前記プローブ中心線、前記プローブ垂直線、及び、予め設定されたプローブ先鋭部の形状及び寸法に基づいて加工パターンを生成する加工パターン生成処理と、前記加工パターンに基づいたイオンビーム加工の停止を行うイオンビーム停止処理と、を実行することを特徴とするイオンビーム装置。請求項16記載のイオンビーム装置において、前記プローブ外形線抽出処理では、前記プローブの先端位置を通る直線を設定し、該直線の傾斜を最小二乗法によって求めることによって、前記プローブ外形線を生成することを特徴とするイオンビーム装置。請求項16記載のイオンビーム装置において、前記加工パターン生成処理では、前記プローブ中心線に対称に、2つ加工パターンを生成し、該2つの加工パターンの内側の線は、前記予め設定されたプローブ先鋭部の形状に対応していることを特徴とするイオンビーム装置。請求項16記載のイオンビーム加工方法において、前記プローブ形状生成処理では、走査イオン顕微鏡像SIM像からプローブ形状を検出すること特徴とするイオンビーム装置。請求項16記載のイオンビーム加工方法において、前記プローブ形状生成処理では、前記プローブ電流検出装置によって検出したプローブ流入電流に基づいてプローブ形状を検出すること特徴とするイオンビーム装置。試料作製装置では、微小試料片を摘出するためにプローブ先端部は常に細く尖った形状であることが望まれる。しかし、試料作製のための微小試料片を摘出する操作を繰り返すと、プローブ先端部が次第に太くなる。そのため、作業者は試料の作製毎にプローブ再生のための加工を行う必要がある。プローブの加工では、作業者が荷電粒子線装置とプローブ制御装置を操作する必要がある。このためプローブ加工には作業者の高いスキルが要求される。本発明の目的は、プローブ加工の作業スキルを必要とせず、規格化されたプローブを作製することができる装置及び方法を提供する。本発明によると、プローブ電流検出装置によって検出したプローブ流入電流に基づいてプローブ形状を検出するプローブ形状生成処理と、前記プローブ形状よりプローの先端位置を検出するプローブ先端座標抽出処理と、前記プローブの先端位置と前記プローブ形状より前記プローブの外形に近似したプローブ外形線を生成するプローブ外形線抽出処理と、前記プローブ外形線よりプローブの中心線と垂直線を生成するプローブ中心線抽出処理と、前記プローブ先端位置、前記プローブ中心線、前記プローブ垂直線、及び、予め設定されたプローブ先鋭部の形状及び寸法に基づいて加工パターンを生成する加工パターン生成処理と、前記加工パターンに基づいてイオンビーム加工の停止を行うイオンビーム停止処理とを実行する。本発明によると、プローブ加工の作業スキルを必要とせず、規格化されたプローブを作製することができる。図1は、本発明によるイオンビーム装置の例の基本構成を示す。本例のイオンビーム装置は、半導体ウェハや半導体チップ等の基板2にイオンビーム9を照射するイオンビーム光学システム1と、基板2を載置する可動の試料台3と、プローブ4を試料台3とは独立に駆動するプローブ駆動装置5と、プローブ4の流入電流を検出するプローブ電流検出装置6と、イオンビームアシストデポジション用ガスを供給するためのデポジションガス源7と、基板2からの2次電子を検出する2次電子検出器8と、表示装置10、入力装置13、及び、中央処理装置11を有する。イオンビーム光学システム1は、イオンビーム9を基板2上に走査する偏向器12を有する。プローブ4とプローブ駆動装置5によってマニピュレータが構成される。中央処理装置11は、イオンビーム光学システム1、試料台3、プローブ4、プローブ駆動装置5、デポジションガス源7、表示装置10等を制御する。2次電子検出器8によって検出された2次電子検出信号によって、基板2の画像が得られる。この画像は、表示装置10によって表示される。デポジションガス源7は、プローブ4の先端と基板2の所望の位置を接続するための固定接続手段を構成する。イオンビーム光学システム1によるFIB加工によって、基板2から微小試料片を摘出することができる。微小試料片は、プローブ4によって搬送される。本発明によると、プローブ電流検出装置6は、プローブ4の流入電流を増幅し、プローブ流入電流検出信号を生成し、中央処理装置11に送る。中央処理装置11は、プローブ4の流入電流からプローブ形状を検出し、それに基づいて加工パターンを生成する。イオンビーム光学システム1は加工パターンに基づいてプローブの先端を加工する。本例によると、加工パターンを生成するために、好ましくは、プローブ4の流入電流から生成した画像を用いる。それによって、簡単に且つ正確に加工パターンを生成することができる。しかしながら、加工パターンを生成するために、走査イオン顕微鏡像SIM像を用いてもよい。図2及び図3を参照して、本発明のイオンビーム装置における処理の流れを説明する。図2は、イオンビーム装置のうち、プローブ電流検出装置6、中央処理装置11、偏向器12、表示装置10、入力装置13、中央処理装置11、及び、イオンビーム光学システム1からなるブロック図である。プローブ電流検出装置6は、プローブ4への流入電流Ipを検出し、それを増幅し、画像信号Spを生成し、中央処理装置11に供給する。偏向器12はイオンビーム走査信号Sdを生成し、それを中央処理装置11に供給する。中央処理装置11は、プローブ形状生成処理21、プローブ画像格納処理22、プローブ先端座標抽出処理23、プローブ外形線抽出処理24、プローブ中心線抽出処理25、加工パターン生成処理26、及び、イオンビーム停止処理27を実行する。以下に、これらの処理を説明する。プローブ形状生成処理21では、画像信号Spとイオンビーム走査信号Sdから、プローブの形状を検出する。基板2の上側に、プローブの先端が配置されているものとする。イオンビームを基板2上に走査すると、基板2の上側に配置されたプローブ上にもイオンビームが走査される。イオンビームがプローブ上を走査しているときには、プローブ流入電流検出信号Spはゼロとならない。即ち、Sp≠0になる。イオンビームがプローブ上を通り過ぎて、基板上を走査しているときは、プローブ流入電流検出信号Spはゼロとなる。即ち、Sp=0になる。従って、プローブ流入電流検出信号Spを検出することによって、イオンビームがプローブ上を走査しているのか、プローブ上を通り過ぎて基板上を走査しているのかが判る。こうして、Sp≠0からSp=0に変化する点を結ぶことによって、プローブの外形を描くことができる。こうして、プローブ画像は、プローブの外形の輪郭線の座標として得られる。次に、プローブ画像格納処理22では、プローブ形状生成処理23にて得られたプローブ像を、メモリに格納する。メモリに格納されたプローブ像50は、表示装置10にて表示される。図3Aは、プローブ形状生成処理23によって得られたプローブ像50の例を示す。尚、プローブ像50をメモリに保存しないで、直接表示装置10に表示することも可能である。プローブ先端座標抽出処理23では、プローブ像50からプローブ先端51の位置を検出し、その座標を読み取る。この処理の詳細は後に説明する。図3Bは、プローブ先端51が検出された状態を示す。プローブ外形線抽出処理24では、プローブ像50とプローブ先端51の位置から、プローブ像50の外形線52を検出する。外形線52は、プローブ先端とプローブ根元を通る直線であり、プローブ像50の輪郭を近似したものである。外形線52を求めるには、例えば、最小二乗法を用いてよい。先ず、プローブ先端を通る直線の式を設定し、その傾きを最小二乗法により求めればよい。図3Cは、プローブ外形線抽出処理27によって求めた2本の外形線52を示す。プローブ中心線抽出処理25では、2本の外形線52から、プローブ中心線53と、プローブ垂直線54を作成する。中心線53は、2本の外形線52の中点の軌跡として得られる。プローブ中心線53の傾きは、2本のプローブ外形線52の傾きの平均に等しい。中心線53が得られれば、垂直線54を求めることができる。中心線53が傾斜している場合には、中心線53が水平方向または垂直方向に向くように、プローブ像50を回転させる。加工パターン生成処理26では、加工パターンを生成する。加工パターンは、イオンビームを照射し、それによってプローブを削除すべき領域を示す。本例では、加工パターンは矩形とする。中央処理装置11は、プローブ先端座標抽出処理23によって得られたプローブ先端51の座標と、プローブ外形線抽出処理24によって得られた2本のプローブ外形線52と、プローブ中心線抽出処理25によって得られたプローブ中心線53及び垂直線54と、更に、入力装置13を介して入力されたプローブ形状入力情報Siに基づいて、加工パターン201の形状と位置を求める。プローブ形状入力情報Siは、図3E及び図3Fに示すように、予め設定されたプローブ先鋭部の幅D1と長さLである。プローブ形状入力情報Siは、作業者が、入力装置13を介して入力してもよいが、予めメモリに格納しておき、それを読み出してもよい。本例の加工パターンは矩形である。以下に、矩形の4つの頂点55、56、57、58を求める手順を説明する。図3Eに示すように、垂直線54の上に、プローブ先端51からプローブ先鋭部の幅D1の半分の距離D1/2の点を求め、それを第1の頂点55とする。次に、第1の頂点55を通り中心線53に平行な線を引き、プローブ先端51からプローブ先鋭部の長さLに相当する距離の点を第2の頂点56とする。第2の頂点56を通り、垂直線54に平行な線を引き、プローブ外形線52との交点を第3の頂点57とする。第3の頂点57を通り、中心線53に平行な線が垂直線54と交わる点を第4の頂点58とする。4つの頂点55、56、57、58を結ぶ矩形が加工パターン201である。加工パターン201を表す矩形の内側の長辺は、プローブ先鋭部の外形を表し、プローブ中心線53に平行である。尚、加工パターン201は、プローブ像の両側に設定する。イオンビーム光学システム1は、中央処理装置11によって設定された加工パターンに基づいて、FIB加工を行う。図3Fは、FIB加工によって得られたプローブ先鋭部60の例を示す。加工パターンの領域をFIB加工することによって除去すると、予め設定された幅D1と長さLを有するプローブ先鋭部60が得られる。プローブの先端は円錐形である。従って、FIB加工によって加工パターンの領域を除去すると、プローブ先鋭部の断面は細長い形状となる。そこで、プローブを90度回転させて、同様にFIB加工を行えばよい。それによってプローブ先鋭部の断面が正方形となる。中央処理装置11は、次に、イオンビーム停止処理27を行う。本例によると、イオンビーム停止処理27は3つの場合を含む。以下に、図4、図5及び図6を参照してイオンビーム停止処理27を説明する。図4を参照してイオンビーム停止処理の第1の場合を説明する。本例では、プローブ画像と加工パターンより、FIB加工に要する時間を予測し、イオンビーム照射時間を設定する。イオンビーム照射を開始してから、設定したイオンビーム照射時間が経過したら、自動的にイオンビーム照射を停止する。プローブは、円錐形状をしている。このため、プローブの幅と、プローブの厚さは、ほぼ同じである。イオンビーム照射時間は、プローブの根元の幅D2により設定する。例えば、プローブの根元の幅D2が大きければイオンビーム照射時間は長くなり、プローブの根元の幅D2が小さければイオンビーム照射時間は短くなる。図5A、図5B及び図5Cを参照して、イオンビーム停止処理の第2の場合を説明する。本例では、加工中のプローブ画像をモニタし、プローブ画像と加工パターンを比較し、加工パターンを表す矩形の内側の長辺とプローブ画像の外形の間の差が所定の値より小さくなったときに、自動的にイオンビーム照射を停止する。図5Aは、加工開始前における加工パターン201の中のプローブ画像50の外形50aを示す。加工開始前ではプローブ画像50の外形50aは傾斜している。図5Bは、FIB加工により、プローブ画像の外形50aが変形した状態を示す。FIB加工を行うと、プローブ画像の外形50aの傾斜が小さくなり、直線化する。図5Cは、FIB加工によりプローブ画像が小さくなり、外形50aが変化した状態を示す。加工が進むと、加工パターン201を表す矩形の内側の長辺とプローブ画像の外形50aの間の差50bが小さくなる。加工パターン201を表す矩形の内側の長辺とプローブ画像の外形50aの差50bが所定の値より小さくなったら、イオンビーム照射を停止する。本例では、プローブ画像をモニタしながらFIB加工するので、高精度にて、加工パターンの部分を除去することができる。しかしながら、本例では、加工パターン201の形状と位置は固定されている。そのため、図5Cに示すように、プローブ画像が小さくなると、加工パターン201におけるプローブ画像以外の空間が大きくなる。FIB加工では、加工パターンの範囲にイオンビームを照射する。即ち、加工パターン内なら、プローブが存在してもしなくてもイオンビームを照射する。従って、プローブが存在しない領域では、イオンビームの照射は無駄となる。そこで、次の例では、加工パターンを変化させる。図6A~図6Dを参照して、イオンビーム停止処理の第3の場合を説明する。本例では、加工中のプローブ画像をモニタし、プローブ画像が変化したら、それに従って加工パターンを変化させる。FIB加工が進むほど、加工パターンの寸法、特に、幅が小さくなる。加工パターンの幅が所定の値より小さくなったときに、自動的にイオンビーム照射を停止する。図6Aは、加工前の加工パターン201Aを示す。加工パターン201Aの横の寸法をX0、縦の寸法をY0とする。図6Bは、加工開始後の加工パターン201Bを示す。プローブ画像50が小さくなっており、更に、その外形は平坦となっている。加工パターン201Bの横の寸法をX1、縦の寸法をY1とする。加工パターン201Bの横の寸法X1は変化していないが、縦の寸法Y1は小さくなっている。図6Cは、更に、加工が進んだ状態の加工パターン201Cを示す。プローブ画像50が更に小さくなっている。加工パターン201Cの横の寸法をX2、縦の寸法をY2とする。加工パターン201Cの横の寸法X2は変化していないが、縦の寸法Y2は更に小さくなっている。図6Dは、更に、加工が進んだ状態の加工パターン201Dを示す。プローブ画像50が更に小さくなっている。加工パターン201Dの横の寸法をX3、縦の寸法をY3とする。加工パターン201Dの横の寸法X3は変化していないが、縦の寸法Y3は極めて小さくなっている。そこで加工パターン201Dの縦の寸法Y3が所定の値より小さくなったら、自動的にイオンビーム照射を停止する。本例では、加工が進行し、プローブ画像50が小さくなると、それに応じて、加工パターンの縦の寸法Yを小さくする。加工パターンの生成方法は、図3A~図3Fを参照して説明した方法と同様である。この方法では、加工パターンの2本の長辺のうち、内側の長辺の位置は固定され、外側の長辺の位置が変化する。図7は、表示装置10に表示された画面の例を示す。図示のように、画面のプローブ加工開始ボタン70をクリックすると、本発明によるプローブ自動加工が開始される。図8を参照して、本発明によるプローブ自動加工の処理を説明する。ステップS101にて、プローブの流入電流を画像信号へ変換する。ステップS102にて、プローブ形状生成処理21を実行する。即ち、画像信号と走査信号よりプローブ形状情報を生成する。ステップS103にて、プローブ画像格納処理22を実行する。即ち、プローブ形状情報をメモリに貯える。ステップS104にて、プローブ先端座標抽出処理23を実行する。即ち、プローブ形状情報からプローブ先端の座標を抽出する。ステップS105にて、プローブ外形線抽出処理24を実行する。即ち、プローブ先端を通り、プローブの外形の輪郭に近似した直線を抽出する。ステップS106にて、プローブ中心線抽出処理25を実行する。プローブ外形線からプローブの中心線と垂直線を抽出する。ステップS107にて、プローブ中心線が水平または垂直を向いているかを確認する。プローブ中心線が水平または垂直を向いている場合は、ステップS109に進む。プローブ中心線が水平または垂直を向いていない場合は、ステップS108に進み、プローブ中心線が水平または垂直になるように、プローブ形状情報を回転させる。ステップS109にて、加工パターン生成処理26を実行する。ステップS110にて、加工パターンに基づいて、プローブをFIB加工する。ステップS111にて、イオンビーム照射を停止するか否かを判定する。上述のように本例では、3つの場合がある。イオンビーム照射を停止すべきであると判定したときは、ステップS112に進み、イオンビーム停止処理を行う。本例のプローブ自動加工は、中央処理装置11において、ソフトウェアで実行させてもよい。以上のように、本例のイオンビーム装置では、プローブ形状生成処理21、プローブ画像格納処理22、プローブ先端座標抽出処理23、プローブ外形線抽出処理24、プローブ中心線抽出処理25、加工パターン生成処理26、及び、イオンビーム停止処理27を自動的に実行する。本例では、作業者の高い作業スキルを必要とせずに容易かつ高速、確実に規格化されたプローブを作製することができる。図9A及び図9Bを参照して、本発明によるイオンビーム加工方法の第2の例を説明する。上述の第1の例では、加工パターンは矩形であった。本例では、加工パターン202は3角形である。以下に、3角形の3つの頂点55、56、57を求める手順を説明する。本例で用いるイオンビーム装置は、図1に示したイオンビーム装置と同様な構成であってよい。図9Aは、加工パターン生成処理26によって加工パターン202を生成した状態を示す。本例では、図3Eを参照して説明したのと同様に、垂直線54の上に、プローブ先端51からプローブ先端部の幅D1の半分の距離D1/2の点を求め、それを第1の頂点55とする。次に、第1の頂点55を通り中心線53に平行な線を引き、プローブ先端51からプローブ先鋭部の長さLに相当する距離の点を第2の頂点56とする。第2の頂点56を通り、垂直線54に平行な線を引き、プローブ外形線52との交点を第3の頂点57とする。第3の頂点57と第1の頂点55を結ぶ斜線を引く。それによって3角形の加工パターン202が形成される。加工パターン202を表す矩形の内側の長辺は、プローブ先鋭部の外形を表し、プローブ中心線53に平行である。尚、加工パターン202は、プローブ像50の両側に設定する。図9Bは、FIB加工によって得られたプローブ先鋭部60の例を示す。加工パターンの領域をFIB加工することによって除去すると、予め設定された幅D1と長さLを有するプローブ先鋭部が得られる。図10A及び図10Bを参照して、本発明によるイオンビーム加工方法の第3の例を説明する。上述の第1及び第2の例では、予め設定されたプローブ先鋭部の形状は、同一の幅の棒状体であった。また、加工パターンは矩形又は3角形であった。本例では、予め設定されたプローブ先鋭部の形状は、先端が尖った針状体である。また、加工パターンは傾斜3角形である。以下に、3角形の3つの頂点を求める手順を説明する。本例で用いるイオンビーム装置は、図1に示したイオンビーム装置と同様な構成であってよい。図10Aは、加工パターン生成処理26によって加工パターン203を生成した状態を示す。本例では、プローブ先端51を第1の頂点とする。次に、垂直線54の上に、プローブ先端51からプローブ先端部の根元の幅D2の半分の距離D2/2の点を求め、それを補助点55とする。次に、補助点55を通り中心線53に平行な線を引き、補助点55からプローブ先鋭部の長さLに相当する距離の点を第2の頂点56とする。第2の頂点56を通り、垂直線54に平行な線を引き、プローブ外形線52との交点を第3の頂点57とする。第3の頂点57と第1の頂点であるプローブ先端51を結ぶ斜線を引く。それによって傾斜3角形の加工パターン203が形成される。尚、加工パターン203は、プローブ像50の両側に設定する。2つの加工パターン202を表す3角形の内側の傾斜した辺は、プローブ先鋭部の外形を表し、プローブ中心線53に対して対称である。図10Bは、FIB加工によって得られたプローブ先鋭部62の例を示す。加工パターンの領域をFIB加工することによって除去すると、予め設定された根元幅D2と長さLを有する針状のプローブ先鋭部が得られる。図11A及び図11Bを参照して、本発明によるイオンビーム加工方法の第4の例を説明する。上述の例では、予め設定されたプローブ先鋭部の形状は、単一の先端を有する棒状体又は針状体であった。本例では、図11Bに示すように、プローブ先鋭部の形状は2つの先端を有する二股構造である。この場合には、図11Aに示すように、3つの加工パターン204を設定すればよい。プローブ画像の外形の各点及び先端の座標は求められている。従って、加工パターンの形状と位置を、プローブ画像の座標上に設定することにより、FIB加工を自動的に実行することができる。加工パターンは、プローブ中心線に対して対称的な形状を有し、且つ、対称的な位置に配置される。従って、図2及び図8に示したイオンビーム加工方法によって、自動的に加工することができる。本発明によるイオンビーム加工方法の第4の例によると、任意の加工パターンを作成することができるため、プローブの先端の形状を任意の形状に加工できる効果がある。図12A、図12B、及び、図12Cを参照して、プローブ先端を検出する方法の例を説明する。図12Aは、2値化0と1とするした画像信号Spによって表示されたプローブ画像を表す。白い部分はプローブ像を表し、画像信号Sp=1であり、暗い部分は、プローブ像でないことを表し、画像信号Sp=0である。図12Bは図12Aの画像を格納したメモリの内容を模式的に示した図である。この画像は、N×M個の画素によって構成されている。画素の座標はXi,Yji,jは整数で表される。但し、i=0~N、j=0~Mである。NはX方向の視野のデジタル分割数であり、MはY方向の視野のデジタル分割数である。図12Cは、所定のYについて、X方向に沿って画像信号Spを読み出した結果を模式的に示す。高いレベルは、Sp=1、低いレベルは、Sp=0である。例えば、Y=Y0~Ym-1までは、全てのXに対して画像信号Sp=0である。Y=Ym~YMでは、所定のXの範囲に対して画像信号Sp=1である。この情報から、プローブ先端を検出することができる。例えば、Y=Y0~Ymにおいて、各行の画像信号Spを読み出し、立ち上がり0→1と立ち下がり1→0のX間隔が最も小さいところが先端であると判断してよい。図示の例では、座標Xn,Ymがプローブ先端座標と判定する。図13Aに示すように、プローブ像が横向きの場合には、上述のような方法では、プローブ先端を検出することができない。図13Bは、図13Aの画像を格納したメモリの内容を模式的に示したものである。この場合、各YについえX方向に沿って画像信号Spを読み出すと、立ち上がり0→1を検出することはできるが、立ち下がり1→0を検出することはできない。そこで、図13C及び図13Dに示すように、各X値に対してY方向に沿って画像信号Spを読み出せばよい。立ち上がりと立ち下がりのY間隔が最も小さいところを取出せば、その座標がプローブ先端座標となる。本例のプローブ先端位置同定法は、プローブ流入電流検出信号に基づいてプローブ画像を生成している。従って、プローブ以外の領域にて画像信号Sp=1となることはない。そのため、高精度にて、プローブ像を得ることができる。従って、SIM像から画像パターン認識によってプローブ像を得る場合と比較して、高精度にてプローブ画像を得ることができる。本例では、画像信号Spを2値化することにより、ノイズを除去することができる。しかしながら、プローブ像以外の領域にSp=1の特異点が存在し、上述の方法では先端位置を検出することができない場合には、メモリ内の全画素に対して各画素の周辺の画素との平均をとり、スムージング化を行うことで特異点を除去することができる。上述の例では、加工パターンを生成するために、プローブ画像50として、プローブの流入電流像を用いる場合を説明した。しかしながら、プローブの流入電流像の代わりに走査イオン顕微鏡像SIM像を用いてもよい。以上本発明の例を説明したが本発明は上述の例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲にて様々な変更が可能であることは、当業者によって容易に理解されよう。"