溶融鋳型1内に粒子層12;14を形成させ、かつ該粒子層12;14を石英ガラスるつぼの形成下に焼結又は溶融させることによる、単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの製造法において、該粒子層12;14の少なくとも一部をシリカガラス顆粒から作製し、その製造が以下の方法工程:a実質的に均一な回転楕円状のモルホロジーを有する圧縮成形体の形成下に、シリカ粉末をロールブリケッティング法を用いて機械的に圧密化する工程、及びb該圧縮成形体又は該圧縮成形体の破片を熱的に圧密化し、シリカガラス顆粒にする工程を含むことを特徴とする方法。圧縮成形体が1~5mmの範囲内の平均相当径を有する、請求項1記載の方法。個々の圧縮成形体が1~100mm3の範囲内の平均体積を有する、請求項1又は2記載の方法。個々の圧縮成形体が0.6~1.3g/cm3の範囲内の平均密度を有する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。圧縮成形体を焼結又は溶融の前に解砕する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。圧縮成形体を方法工程bによる熱的な圧密化の前に解砕する、請求項5記載の方法。解砕された圧縮成形体が、0.45g/cm3を上回る、有利には0.8~1.1g/cm3の範囲内の嵩密度を有するSiO2顆粒を形成する、請求項5又は6記載の方法。圧縮成形体又は該圧縮成形体の破片を、方法工程bによる熱的な圧密化の前に塩素含有雰囲気中で処理する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。方法工程bによる圧縮成形体又は該圧縮成形体の破片からシリカガラス顆粒への熱的な圧密化を、ヘリウム少なくとも30体積を含有する雰囲気下に、及び/又は0.5バール又はそれを下回る減圧下に行う、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。水素ドープされた石英ガラスからなるシリカガラス顆粒粒子を使用する、請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。方法工程bにより熱的に圧密化されたシリカガラス顆粒を外部粒子層として溶融鋳型の内壁上に施与し、かつ焼結して、少なくとも部分的に不透明な石英ガラスからのるつぼ内壁外部層にする、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。方法工程bにより熱的に圧密化されたシリカガラス顆粒を中間粒子層として外部粒子層上に施与し、かつ焼結して、るつぼ内壁中間層か、又は少なくとも部分的に不透明な石英ガラスからのるつぼ内壁外部層にする、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法。方法工程bにより熱的に圧密化されたシリカガラス顆粒を、焼結又は溶融の際にアークに供し、この中で溶融させ、かつ石英ガラスからのるつぼ形の基体の内壁に、透明な石英ガラスからのるつぼ内壁内部層の形成下に衝突させる、請求項1から12までのいずれか1項記載の方法。方法工程bにより熱的に圧密化されたシリカガラス顆粒を、内部粒子層としてるつぼ形の基体の内壁上に施与し、かつ該基体上で溶融させて、透明な石英ガラスからのるつぼ内壁内部層にする、請求項1から12までのいずれか1項記載の方法。シリカガラス顆粒からの多孔質のるつぼ形の基体を使用し、かつ内部粒子層を減圧の適用下に焼結してるつぼ内壁内部層にする、請求項14記載の方法。直径が公称直径から最大で10の偏差を示すシリカガラス顆粒粒子を使用する、請求項1から15までのいずれか1項記載の方法。実施例1:合成シリカガラス顆粒の製造SiCl4の火炎加水分解により、微粒状の熱分解法シリカを製造する。このために、火炎加水分解バーナーに燃料ガスとして酸素及び水素を供給し、かつSiO2粒子形成のための装入原料としてSiCl4含有ガス粒を供給する。SiO2一次粒子のサイズはナノメートル範囲であり、その際、複数の一次粒子が反応帯域内で集合し、50m2/gの範囲内のBETによる比表面積を有する多少なりとも球状の凝塊体もしくは凝集体の形で生じる。高純度の合成シリカを市販のロールブリケッティング装置を用いて圧密化し、以下の特性を有するタブレット形の回転楕円状圧縮体にする:形状:扁平楕円形相当径:3mm体積:20mm3密度:1.2g/cm3該圧縮成形体は、約50m2/gBETの比表面積及び約0.7g/cm3の嵩密度を有するSiO2顆粒を形成している。次いで、該圧縮成形体を解砕機で解砕し、篩で分級する。120~600μmの粒度範囲分を下記の通りさらに処理し;かつ不適合フラクションをロールブリケッティング装置のシリカ装入原料に混ぜる。このようにして作製されたSiO2顆粒は破片からなり、かつ約50m2/gBETの比表面積、及び、未解砕の顆粒よりも高い約0.9g/cm3の嵩密度を有する。次いで、該顆粒を高炉中で温度約850°Cで処理期間6hの間HCl含有雰囲気に曝し、その際不純物及びヒドロキシル基を排除することによって精製する。処理されたSiO2顆粒は、200質量ppb未満のLi、Na、K、Mg、Ca、Fe、Cu及びMnの不純物の全含分及び30質量ppmのヒドロキシル基含分を有する。そのようにして処理されたSiO2顆粒を、次いで黒鉛型に入れ、真空焼結によりガラス化する。この場合、この型を1600°Cの焼結温度に加熱し、この焼結温度に達した後約60分間保持する。冷却後、多少なりともルーズに連続しているガラス質のSiO2粒子からの塊状物が得られ、この塊状物はわずかな圧力で分離し得る。そのようにして得られたシリカガラス顆粒は、約100~500μmの範囲内の相当径及び1m2/g未満の比表面積BETによるを有するガラス質の気泡不含の石英ガラス粒子からなる。追加的に、このシリカガラス顆粒を温度800°Cで5hの期間にわたって水素含有雰囲気に曝すことによって水素処理する。実施例2:合成シリカガラス顆粒の製造高純度の合成シリカを市販のロールブリケッティング装置を用いて圧密化し、以下の特性を有する球状の圧縮成形体にする:形状:扁長楕円形相当径:1.5mm体積:2.5mm3密度:1.2g/cm3このようにして作製されたSiO2顆粒は同一の形状及びサイズを有する縦長の圧縮成形体からなり、かつ約50m2/gBETの比表面積及び約0.7g/cm3の比較的低い嵩密度を有する。これを、上で実施例1をもとに記載されている通りに精製し、かつ熱的に圧密化する。真空焼結後に得られたシリカガラス顆粒は、均一な寸法微細分なし及び1m2/g未満の比表面積BETによるを有するガラス質の気泡不含の石英ガラス粒子からなる。実施例3:合成シリカガラス顆粒の製造実施例1をもとに説明されている通りに、高純度の合成シリカをロールブリケッティング装置を用いてタブレット形の回転楕円状圧縮体へと加工し、解砕し、かつ精製する。その後に得られたSiO2顆粒を、次いで黒鉛型に入れ、ヘリウム下にガラス化する。その際、この黒鉛型を1600°Cの焼結温度に加熱し、この焼結温度に達した後約60分間保持する。冷却後、多少なりともルーズに連続しているガラス質のSiO2粒子からの塊状物が得られ、この塊状物はわずかな圧力で分離し得る。そのようにして得られたシリカガラス顆粒は、約100~500μmの均一な寸法相当径及び1m2/g未満の比表面積BETによるを有するガラス質の気泡不含の石英ガラス粒子からなる。以下に、合成シリカガラス顆粒を用いた石英ガラスるつぼの製造を、2つの実施例をもとに説明する:実施例4:内部層を有する石英ガラスるつぼの製造図1による溶融装置は、内径75cmの金属製の溶融鋳型1を含み、該溶融鋳型1は外向フランジにより支持体3上に載置されている。支持体3は中心軸4の周囲で回転可能である。溶融鋳型1の内部空間10内にはグラファイト製のカソード5及びアノード6電極5;6が突出しており、これら両電極は-方向矢印7により示されているように-溶融鋳型1内部で全ての空間方向に移動可能である。溶融鋳型1の開口上面は、中央貫通孔を有する水冷金属板の形の熱シールド11により部分的に覆われており、電極5、6は該熱シールド11を貫通して溶融鋳型11内に突出している。熱シールド11は水素用又はヘリウム供給用のガス流入口9と連結している。熱シールド2は、溶融鋳型1の上方の面で、方向矢印22で示されているように水平にx方向及びy方向に移動可能である。支持体3と溶融鋳型1との間の空間は、方向矢印17により表されているように真空装置を用いて真空化可能である。溶融鋳型1は多数の通路8を有しており該通路8は図1においては単に象徴的に底部領域に示されている、該通路8を通じて、鋳型1の外側に隣接する真空17は内側に到達することができる。第一の方法工程において、上述の実施例3をもとに作製されたシリカガラス顆粒を、その縦軸4の周囲で回転する溶融鋳型1に充填する。遠心分離力の作用下に成形型を用いて、溶融鋳型1の内壁上に、機械的に強化された顆粒からの回転対称のるつぼ形の粒子層12を形成させる。粒子層12の平均層厚は約12mmである。第二の方法工程において、顆粒層12の内壁上に、上述の実施例1に従って合成により製造されたシリカガラス顆粒からの内部粒子層14を-同様に成形型の使用及び溶融鋳型1の持続的な回転下に-形成させる。内部粒子層14の平均層厚は、同様に約12mmである。SiO2粒子層12、14のガラス化のために、熱シールド11を溶融鋳型1の開口部の上方に配置し、ヘリウムを流入口9を通じてるつぼ内部空間10へ導入する。電極5;6を熱シールド11の中央開口部を通じて内部空間10へ挿入し、かつ電極5;6の間でアーク点火を行うが、ここで、該アークは図1において灰色の背景で示された範囲としてプラズマ帯域13により示されている。同時に、溶融鋳型1の外側に真空を適用する。電極5;6を熱シールド11と一緒に、図1に示されている側面の位置に配置し、600kW300V、2000Aの出力で衝撃を与えて、粒子層12;14を側壁の範囲内でガラス化させる。プラズマ帯域13をゆっくりと下方へ移動させ、その際、内部粒子層14の石英ガラス粉末が連続的にかつ領域的に溶融して、気泡不含の内部層16となる。底部範囲内で粒子層12;14をガラス化させる際には、熱シールド11及び電極5;6を中央の位置に配置し、かつ電極5;6を下方へと沈める。層を焼結させると、まず密な内部皮膜が生じる。その後、隣接する減圧真空を高めることができ、それにより真空の完全な作用を発揮させることができる。溶融プロセスを終了し、その後溶融前線が溶融鋳型1の内壁に達する。透明な内部層16は平滑で気泡が少なく、約8mmの平均厚さを有する。外部層12は少なくとも部分的に不透明のままである。実施例5:内部層を有する石英ガラスるつぼの製造以下に、この方法様式の変法を、図2に概略的に示されている溶融装置をもとに説明する。図2において、図1と同一の参照符号が用いられている場合には、これは上で図をもとに詳説されているものと同一構造であるか、又は等価の部材及び要素を示すものである。溶融装置は、ここでは全ての空間方向に方向矢印7移動可能な散布管18を有しており、該散布管18は溶融鋳型1の内部空間内に突出しており、かつ貯蔵容器19と連結している。該散布管18は、-方向矢印24で表されている-圧力空気供給用の分岐部23を備えている。貯蔵容器19には、上述の実施例2による、合成により製造され、かつ水素ドープされた純粋な石英ガラスからのシリカガラス顆粒粒子25が充填されている。このシリカガラス顆粒粒子25は微細分のない均一な寸法を有しており、それに応じてその機械的特性に関して定義されており、かつ取扱いが容易である。石英ガラスるつぼの製造に際して、まず、結晶粒からの外部粒子層を、天然由来であって、かつ予め高温塩素処理により精製された、粒度90μm~315μmの範囲内の珪砂から形成する。次いで、該外部粒子層の内壁上に、アーク散乱法により透明でかつ気泡の少ない内部層26を作製する。このために、溶融鋳型1の持続的な回転下に、圧力空気24の供給下に、散布管18を通じて高純度のシリカガラス顆粒25をるつぼ内部空間10に吹き込む。同時に、カソード5とアノード6との間でプラズマ13アークの点火を行う。散布されてプラズマ帯域13に達したシリカガラス顆粒粒子25は、該帯域中で軟化し、かつアークにより生じた圧力によって外部粒子層の内壁に衝突し、該内壁上で、透明な石英ガラスからの内部層26の形成下に溶融する。この場合、内壁の範囲内では2100°Cを上回る最高温度に達するため、外部粒子層は焼結されて、不透明な石英ガラスからの外部層27となる。シリカガラス顆粒粒子25のサイズ及び形状が均一であるため、わずかな局地的な散乱及び内部層26の所定の構造がもたらされる。そのようにして製造された石英ガラスるつぼの内部層26は、2.5mmの平均厚さを有する。該内部層26は平滑で気泡が少なく、かつ不透明な石英ガラスからの外部層27と堅固に結合している。