"時間軸上の隣り合うビットに対応する各光パルス間で偏波を直交させる光変調器において、同一の変調周波数で駆動される第1及び第2の光変調部と、前記第1の光変調部による第1変調光が伝搬する第1の導波路及び前記第2の光変調部による第2変調光が伝搬する第2の導波路を有し、前記第1の導波路が出射端面に対して斜めに形成され、前記第2の導波路が前記第1の導波路と前記出射端面の双方に対して斜めに形成された光導波路素子と、前記第1の導波路から出射された第1変調光と前記第2の導波路から出射された第2変調光の光路を互いに平行にするレンズと、前記第1及び第2変調光の少なくとも一方に位相遅延を付与する位相遅延素子と、前記第1及び第2変調光の少なくとも一方の偏波を回転させて当該2つの変調光間で偏波を直交させる偏波回転部と、前記レンズの後段に設けられ、前記偏波が直交した第1変調光と第2変調光を偏波合成する偏波合成素子と、を備え、前記位相遅延素子の光伝搬方向の厚さは、前記位相遅延素子による位相差と前記偏波合成素子による位相差とによって前記第1変調光の光パルスと前記第2変調光の光パルスがビットインターリーブされる厚さに設定されていることを特徴とする光変調器。前記位相遅延素子は、平板状の形状を有し、光伝搬方向に対する平板の法線の傾斜角を調整可能であることを特徴とする請求項1に記載の光変調器。前記偏波合成素子の光伝搬方向の厚さは、前記偏波合成された第1及び第2変調光間の偏波クロストークの許容最小値に対応する厚さよりも大きく設定されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光変調器。前記光導波路素子と前記レンズが第1筐体に固定されたユニットと、前記位相遅延素子と前記偏波回転部と前記偏波合成素子が出力用光ファイバとともに第2筐体に固定されたユニットと、により構成されたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光変調器。前記光導波路素子と前記偏波回転部と前記位相遅延素子が第1筐体に固定されたユニットと、前記レンズと前記偏波合成素子が出力用光ファイバとともに第2筐体に固定されたユニットと、により構成されたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光変調器。ここで、特許文献1の構成においては、偏波合成を行う複屈折結晶中における2つの偏波変調光の光路差のみを用いて、偏波および時分割の多重化に必要な上述の時間遅延を2つの変調光間に生じさせていた。ところが、上記時間遅延はシステムのビットレートで決められてしまうから、複屈折結晶中の光路差ひいては複屈折結晶の長さ光伝搬方向の結晶厚さを自由に選択することはできない。そのため、複屈折結晶として比較的大型のものを用いる必要があり、装置を小型化することができないという問題がある。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、その目的は、時間軸上の隣り合うビットに対応する各光パルス間で偏波を直交させる光変調器を小型化することにある。本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、本発明の光変調器は、時間軸上の隣り合うビットに対応する各光パルス間で偏波を直交させる光変調器において、同一の変調周波数で駆動される第1及び第2の光変調部と、前記第1の光変調部による第1変調光が伝搬する第1の導波路及び前記第2の光変調部による第2変調光が伝搬する第2の導波路を有し、前記第1の導波路が出射端面に対して斜めに形成され、前記第2の導波路が前記第1の導波路と前記出射端面の双方に対して斜めに形成された光導波路素子と、前記第1の導波路から出射された第1変調光と前記第2の導波路から出射された第2変調光の光路を互いに平行にするレンズと、前記第1及び第2変調光の少なくとも一方に位相遅延を付与する位相遅延素子と、前記第1及び第2変調光の少なくとも一方の偏波を回転させて当該2つの変調光間で偏波を直交させる偏波回転部と、前記レンズの後段に設けられ、前記偏波が直交した第1変調光と第2変調光を偏波合成する偏波合成素子と、を備え、前記位相遅延素子の光伝搬方向の厚さは、前記位相遅延素子による位相差と前記偏波合成素子による位相差とによって前記第1変調光の光パルスと前記第2変調光の光パルスがビットインターリーブされる厚さに設定されていることを特徴とする。また、本発明の光変調器は、上記の光変調器において、前記位相遅延素子は、平板状の形状を有し、光伝搬方向に対する平板の法線の傾斜角を調整可能であることを特徴とする。また、本発明の光変調器は、上記の光変調器において、前記偏波合成素子の光伝搬方向の厚さは、前記偏波合成された第1及び第2変調光間の偏波クロストークの許容最小値に対応する厚さよりも大きく設定されていることを特徴とする。また、本発明の光変調器は、上記の光変調器において、前記光導波路素子と前記レンズが第1筐体に固定されたユニットと、前記位相遅延素子と前記偏波回転部と前記偏波合成素子が出力用光ファイバとともに第2筐体に固定されたユニットと、により構成されたことを特徴とする。また、本発明の光変調器は、上記の光変調器において、前記光導波路素子と前記偏波回転部と前記位相遅延素子が第1筐体に固定されたユニットと、前記レンズと前記偏波合成素子が出力用光ファイバとともに第2筐体に固定されたユニットと、により構成されたことを特徴とする。本発明によれば、時間軸上の隣り合うビットに対応する各光パルス間で偏波を直交させる光変調器を小型化することが可能である。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。図1は、本発明の一実施形態による光変調器の構成を示す上面図である。この光変調器1は、2つの変調光を偏波合成する偏波合成型変調器であって、入力光を変調する変調器本体10と、変調器本体10から出射された光をコリメートするとともに光軸が互いに平行となるよう光路を変換するレンズ20と、レンズ20から出射された2つの光の一方に位相遅延を付与する位相遅延素子90と、レンズ20から出射された2つの光の他方位相遅延素子90を通過しなかった光の偏波を回転させる1/2波長板30aと、1/2波長板30aと同じ光路長を有したガラス板30bと、1/2波長板30aおよびガラス板30bから出射された偏波の異なる光をその光路が一致するよう合成偏波合成する偏波合成素子40と、偏波合成素子40から出射された光を出力用光ファイバ60の入射位置に集光するレンズ50と、偏波合成された光を取り出すための出力用光ファイバ60とを有している。変調器本体10とレンズ20は、筐体70内に固定されている。位相遅延素子90と1/2波長板30aとガラス板30bと偏波合成素子40とレンズ50と出力用光ファイバ60は、筒状の筐体80に収容されてユニット化されている。変調器本体10は、ニオブ酸リチウムLiNbO3:LNと称す基板上に光導波路及び変調電極が形成されてなる光導波路素子LN光変調器である。この変調器本体10の光導波路は、マッハツェンダー導波路MAの両アームにマッハツェンダー導波路MB,MCが設けられ、マッハツェンダー導波路MBの両アームにマッハツェンダー導波路101,102が、マッハツェンダー導波路MCの両アームにマッハツェンダー導波路103,104が、それぞれ設けられた入れ子構造を有する。即ち、変調器本体10への入力光は、マッハツェンダー導波路MAの入力導波路106へ導入され、アーム上のマッハツェンダー導波路MBとMCへ分岐される。また、マッハツェンダー導波路MBへ入力された光は、マッハツェンダー導波路101と102へ分岐され、マッハツェンダー導波路MCへ入力された光は、マッハツェンダー導波路103と104へ分岐される。そして、マッハツェンダー導波路101と102からの出力光は、マッハツェンダー導波路MBにより合波されてマッハツェンダー導波路MAのアーム108へ導入され、マッハツェンダー導波路103と104からの出力光は、マッハツェンダー導波路MCにより合波されてマッハツェンダー導波路MAのアーム109へ導入される。マッハツェンダー導波路101~104は、それぞれに設けられた不図示の変調電極とともにLN光変調器を形成している。各LN光変調器101~104の変調電極には、不図示の駆動回路から例えば25Gb/sの駆動信号が与えられ、各LN光変調器101~104は、25Gb/sで変調された変調光を出力する。マッハツェンダー導波路MBのLN光変調器101と102の変調方式は、ここではDQPSK差動四相位相偏移変調を用いる。マッハツェンダー導波路MCのLN光変調器103と104の変調方式も同様である。DQPSKにより、マッハツェンダー導波路MAのアーム108,109へ導入される光は、50Gb/sの変調光となる。マッハツェンダー導波路MAのアーム108は、LN基板変調器本体10の一端面Mの近傍部分出力導波路1081が、端面Mの法線に対して角度θ1をなすように設けられている。また、同様に、マッハツェンダー導波路MAのアーム109は、端面Mの近傍部分出力導波路1091が、端面Mの法線に対して角度θ2をなすように設けられている。角度θ1,θ2は、アーム108とアーム109がLN基板の内部で交差するような角度である。このような導波路配置により、出力導波路1081からは図1中の下方へ向けて斜めに光が出射され、出力導波路1091からは図1中の上方へ向けて斜めに光が出射されることとなる。なお、出力導波路1081,1091が端面Mに対して斜めに設けられていることにより、端面Mから出力導波路1081,1091への戻り光を低減することができる。レンズ20は、変調器本体10出力導波路1081,1091から出射された2つの光がコリメートされ、且つレンズ20を通過後にこれら2つの光の伝搬方向が互いに平行となるように、その焦点距離f1と配置レンズ20と出力導波路1081,1091の出射端との距離、およびレンズ20の光軸方向が調整されている。上記のとおりレンズ20へ入射される光がレンズ20の光軸に対して斜め方向を向いているため、焦点距離f1とレンズ20の配置の調整により、レンズ20からの出射光を互いに平行にすることが可能である。よって、光路を変換するためのプリズムが必要なく、部品点数の削減と小型化を図ることができる。レンズ20の焦点距離は、f1=1.8mmとする。これは、焦点距離を長くすると、1変調器本体10とレンズ20間の距離が長くなり小型化に反する、2コリメートされた光のビーム径が太くなるため後述する偏波クロストーク劣化の問題が生じる、また、焦点距離を短くすると、3コリメート光とみなせる有効距離が偏波合成素子40の厚さLより短くなってしまうことにより偏波合成素子40からの出射光を完全に偏波合成できない、等の点を考慮したものである。位相遅延素子90は、レンズ20を通過した2つの平行光のうち、出力導波路1081から出射された方の光の光路上に配置されている出力導波路1081から出射された方の光のみ位相遅延素子90を通過し、出力導波路1091から出射された方の光は位相遅延素子90を通過しない。これにより、出力導波路1081から出射された方の光にのみ、位相遅延素子90の厚さ光の伝搬方向の長さに応じた位相遅延が付与される。1/2波長板30aは、レンズ20を通過した2つの平行光のうち、出力導波路1091から出射された方の光の偏波面を90°回転させる。また、ガラス板30bは、出力導波路1081から出射された方の光位相遅延素子90を通過した光に、出力導波路1091から出射された方の光が1/2波長板30aから受ける位相遅延と同じ位相遅延を付与する偏波面は変化させない。これにより、1/2波長板30aを出射した光とガラス板30bを出射した光は、互いに偏波面が直交した90°傾いた状態になる。偏波合成素子40は、平板状に形成された複屈折媒質例えば、ルチルや方解石であり、1/2波長板30aを通過し偏波合成素子40へ入射した光出力導波路1091からの出射光が常光LOとして偏波合成素子40内を伝搬し、ガラス板30bを通過し偏波合成素子40へ入射した光出力導波路1081からの出射光が異常光LEとして偏波合成素子40内を伝搬するように、その光学軸の向きが設定されている。これにより、1/2波長板30aおよびガラス板30bから偏波合成素子40の異なる入射位置に入射された2つの光が同一の光路上に出射されることになる。ここで、偏波合成素子40から同一の光路上に出射された偏波の直交する2つの光の間には、位相遅延素子90による位相遅延と偏波合成素子40中の光路差による位相遅延とを合わせた位相遅延が生じている。この位相遅延2つの位相遅延を合わせたものは、各出力導波路1081,1091から出射される変調光の1ビット分の時間の半分に相当する位相遅延に調整しておく。具体的には、位相遅延素子90の厚さを、後述のように決定される偏波合成素子40の厚さLに応じて、上記条件半ビットの位相遅延が満たされるように定めればよい。このように、本実施形態の光変調器1においては、位相遅延素子90と偏波合成素子40の両者によって、偏波合成素子40から出射される偏波間に半ビットの遅延が付与される。これにより、図5に示すように互いの偏波面が直交する50Gb/sの変調光がビットインターリーブされてなる100Gb/sの変調光が、偏波合成素子40から得られることになる。この構成によれば、偏波合成素子40により付与する位相遅延が少なくてすむため、偏波合成素子40として小型のものを用いることが可能となる。レンズ50は、焦点距離f2を有し、偏波合成素子40を通過した光コリメート光を焦点位置に集光する。出力用光ファイバ60は、その入射側のコア端面がレンズ50の焦点位置にくるようにして配置される。これにより、偏波合成素子40からの光が出力用光ファイバ60へ結合されて、偏波合成およびビットインターリーブされた100Gb/sの変調光が光変調器1の出力として外部へ取り出される。次に、上記の光変調器1を小型にし、且つ偏波クロストークの特性を良好にするための構成について説明する。図1の光変調器1において、偏波合成素子40内を伝搬する異常光LEの伝搬方向は、常光LOの伝搬方向に対し、偏波合成素子40の複屈折常光に対する屈折率noと異常光に対する屈折率neの差に応じた角度θだけ傾いている。このとき、1/2波長板30aおよびガラス板30bから偏波合成素子40へ入射する互いの偏波が直交した2つの光平行光の離間距離をD図1参照とすると、この2つの光が偏波合成素子40を通過して同一光路上に出射されるすなわち偏波合成されるために必要な偏波合成素子40の厚さL常光LOの伝搬方向の長さ、図1参照は、L=D/tanθと表される。上式から、離間距離Dが小さいほど偏波合成素子40の厚さLを小さくすることが可能である。ここで、偏波合成素子401/2波長板30a、ガラス板30bへの入射光はレンズ20によってコリメートされ有限のビーム径を有しているから、上述の離間距離Dが小さすぎると、これら2つの入射光同士が重なって2つのビームがオーバーラップしてしまう。但し、ビームの中心間の距離を離間距離Dと定義するものとする。そうすると、1/2波長板30aへ出力導波路1081からの光の一部が、また、ガラス板30bへ出力導波路1091からの光の一部が、それぞれ望まれない漏れ光として入射してしまうこととなる。このため、偏波合成素子40へ入射する2つの光の離間距離Dが小さい場合には、偏波合成素子40の出射光における2つの偏波間の偏波クロストークが劣化する。したがって、本実施形態の光変調器1では、上記のような偏波クロストークの劣化を防止するために、離間距離Dが小さくなりすぎないよう偏波合成素子40の厚さLに下限値を設けることとする。具体的には、偏波合成素子40の厚さLは、偏波クロストークが光変調器1の伝送特性として許容される最小値よりも大きくなるような範囲に設定することとする。以上、図面を参照してこの発明の一実施形態について詳しく説明してきたが、具体的な構成は上述のものに限られることはなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々な設計変更等をすることが可能である。変形例を以下に列挙する。出力導波路1081,1091とLN基板の端面Mの法線のなす角度θ1,θ2を、端面Mに近いほどアーム108,109間の距離が小さくなる出力導波路1081,1091がLN基板の内部で交差しないような角度とし、変調器本体10の外部においてアーム108,109からの各出射光が交差するようにしてもよい。1/2波長板30aとガラス板30bを変調器本体10の出射側の端面Mに接合させた構成としてもよい。1/2波長板30aによる偏波面の回転角度が45°となるようにし、ガラス板30bに代えて、1/2波長板30aの偏波面回転方向とは反対方向に偏波面を45°回転させる1/2波長板を使用して、この1/2波長板と1/2波長板30aとによって2つの光の偏波面を相対的に90°傾いた状態とするようにしてもよい。図1の光変調器1はレンズ20および50によりコリメート光学系の構成とされているが、コリメート光学系に代えて、集光光学系の構成としてもよい。"