"光記録媒体に情報を記録する記録装置であって、バイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部とを含み、前記光記録媒体に情報を記録するためのレーザ光を出射する、自励発振半導体レーザと、マスタークロック信号を生成すると共に、前記マスタークロック信号と同期した注入信号を前記自励発振半導体レーザのゲイン部に供給する、基準信号生成部と、前記マスタークロック信号に基づいて記録信号を生成し、前記記録信号を前記自励発振半導体レーザの前記過飽和吸収体部にバイアス電圧として印加する、記録信号生成部とを含む記録装置。前記光記録媒体のグルーブに形成されたウォブルから得られる信号が、前記記録信号生成部に供給される、請求項1に記載の記録装置。前記自励発振半導体レーザは、GaInN/GaN/AlGaN材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有する、請求項1に記載の記録装置。前記バイアス電圧は負の値であり、前記自励発振半導体レーザの非発振期間における前記バイアス電圧は、前記自励発振半導体レーザの発振期間におけるバイアス電圧よりも負の方向に大きい請求項3に記載の記録装置。バイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部とを含み、レーザ光を出射する、自励発振半導体レーザと、マスタークロック信号を生成すると共に、前記マスタークロック信号と同期した注入信号を前記自励発振半導体レーザのゲイン部に供給する、基準信号生成部と、前記マスタークロック信号に基づいて所定の信号を生成し、前記所定の信号を前記自励発振半導体レーザの前記過飽和吸収体部にバイアス電圧として印加する、出射信号生成部とを含む光発振装置。記録再生装置においては、光記録媒体から読み取ったウォブル信号や、光記録媒体を回転させるスピンドルモータからの回転同期信号に同期させた記録信号を、光源から出射させる必要がある。しかし、自励発振型のレーザは、一般的にその構造と駆動条件により特有のパルス光周波数に決まってしまう。正確にデータを記録するには、何らかの方法でこの発振周波数を記録装置からの記録信号と同期する必要がある。例えば、本出願人は、先に、特願2010-70924において、発振周波数及び位相を検出し、記録装置のマスタークロックとの間の周波数及び位相エラーを生成し自励発振レーザの駆動信号に加えることにより、フィードバック制御を行う方法を提案している。ただし、この方法の場合は記録データに応じた変調は別途行う必要がある。外部変調によって自励発振型のレーザから連続光を変調させる場合には、例えばEA変調器等の高速変調可能な素子を用いれば、基本的にパルス光周波数を変化させることは可能である。しかし、こうした外部変調器を用いれば、やはりコストは高くなり、また上述のEA変調器の場合には、パルスのON/OFF比が小さくなるという問題もある。そこで、特願2010-70924ではEA変調器に比べて小型で安価な半導体光増幅器SOA:SemiconductorOpticalAmpを提案している。しかし前述の方法でも、二つの素子と自励発振レーザの光をSOAに導く光学系を必要とする。これまでの単一のレーザに比べて小型化が難しく、光学系の調整工程が必要となりコストアップが見込まれる。さらにフィードバック動作は1GHz以上の高い周波数で行うため回路系も高周波設計を必要とし専用ICによりコストアップが発生する。上述した問題の解決のために、本技術においては、単一素子の簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる記録装置及び光発振装置を提供するものである。本技術の記録装置は、光記録媒体に情報を記録する記録装置である。そして、バイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部とを含み、光記録媒体に情報を記録するためのレーザ光を出射する、自励発振半導体レーザを含む。また、マスタークロック信号を生成すると共に、このマスタークロック信号と同期した注入信号を自励発振半導体レーザのゲイン部に供給する、基準信号生成部を含む。さらに、マスタークロック信号に基づいて記録信号を生成し、この記録信号を自励発振半導体レーザの過飽和吸収体部にバイアス電圧として印加する、記録信号生成部とを含む。また、本技術の光発振装置は、バイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部とを含み、レーザ光を出射する、自励発振半導体レーザを含む。また、本技術の光発振装置は、マスタークロック信号を生成すると共に、マスタークロック信号と同期した注入信号を自励発振半導体レーザのゲイン部に供給する、基準信号生成部を含む。そして、本技術の光発振装置は、マスタークロック信号に基づいて所定の信号を生成し、所定の信号を自励発振半導体レーザの過飽和吸収体部にバイアス電圧として印加する、出射信号生成部を含む。上述の本技術の記録装置の構成によれば、基準信号生成部がマスタークロック信号と同期した注入信号を自励発振半導体レーザのゲイン部に供給し、記録信号生成部が記録信号を自励発振半導体レーザの可飽和吸収体部にバイアス電圧として印加する。そして、基準信号生成部において生成した、マスタークロック信号に基づいて、記録信号生成部において記録信号を生成する。これにより、自励発振半導体レーザに供給される注入信号と記録信号とを同期させて、記録信号と同期するように、自励発振半導体レーザから出射されるレーザ光をオンオフすることが可能になる。また、上述の本技術の光発振装置によれば、マスタークロック信号に基づいて所定の信号を生成し、所定の信号を自励発振半導体レーザの過飽和吸収体部にバイアス電圧として印加する出射信号生成部が設けられる。これにより、任意の信号に基づいて、自励発振半導体レーザから出射されるレーザ光をオンオフさせることができる。上述の本技術によれば、自励発振半導体レーザからのレーザ光を変調する変調手段を設けなくても、レーザ光をオンオフすることが可能になる。そして、正確なパルスでレーザ光を出射させることができる。従って、自励発振半導体レーザを用いた記録装置及び光発振装置において、自励発振半導体レーザを含む光源部を小型化することが可能になる。以下、本技術を実施するための形態以下、実施の形態とするについて説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.本技術の記録装置に係る自励発振半導体レーザの一形態2.第1の実施の形態3.第2の実施の形態4.実験例<1.本技術の記録装置に係る自励発振半導体レーザの一形態>まず、本技術の記録装置の具体的な実施の形態の説明に先立ち、本技術の記録装置で使用する光発振装置について説明する。本技術の記録装置に係る自励発振半導体レーザの一形態の概略構成図を、図1A及び図1Bに示す。図1Aは自励発振半導体レーザの斜視図を示し、図1Bは自励発振半導体レーザからレーザ光が出射される状態の模式図を示している。なお、図1A及び図1Bに示す自励発振半導体レーザ1は、非特許文献1に開示されている構成である。この自励発振半導体レーザ1は、図1Aに示すように、ゲイン部Gainsection116と過飽和吸収体部Saturableabsorbersection117とによって構成される。即ち、BS型の自励発振半導体レーザである。可飽和吸収体部117を設けると、吸収体に入射する光の強度が大きくなるにつれて吸収率が低下し、強度の大きいパルスしか透過できないため、より狭いパルスが得られる。また、ゲイン部116にはゲイン電流を注入する。n型GaN基板102の0001面上には、GaInN/GaN/AlGaN材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造が形成されている。このヘテロ構造は、例えばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法によって形成することができる。即ち、n型GaN層103、n型AlGaNクラッド層104、n型GaNガイド層105、二重量子井戸活性層106、p型GaInNガイド層107、p型AlGaN第一クラッド層108、p型AlGaN電子障壁層109が積層されている。さらにその上に、p型GaN/AlGaN超格子第二クラッド層110が形成されている。p型GaN/AlGaN超格子第二クラッド層110の中央部には、図1Aに示すようにリッジ構造が形成されており、リッジ上面には、p型GaN層112が形成されている。また、リッジ側面や、p型GaN/AlGaN超格子第二クラッド層110のリッジが形成されていない部分の上には、SiO2/Si絶縁層111が形成されている。p型GaN層112及びSiO2/Si絶縁層111上には、p型電極113,114がオーミックコンタクトにより形成されている。即ち、ゲイン部116上には主電極113が、過飽和吸収体部117上には副電極114が形成されている。これらの電極113,114は、例えば幅20μmの溝状の分離部115によって分割されており、互いに電気的に分離されている。主電極113と副電極114の長さは、例えば、それぞれ520μm、60μmである。また、n型GaN基板102の下面には、n型の下部電極101がオーミックコンタクトにより形成されている。また、ゲイン部116の前面の劈開面には、反射率10の反射防止膜図1B参照118がコーティングされ、過飽和吸収体部117の後面の劈開面には、反射率95の高反射膜119図1B参照がコーティングされている。図1Bに示すように、この自励発振半導体レーザ1では、副電極114によって、過飽和吸収体部117に逆バイアスの電圧Vsaを加える。このとき、ゲイン部116に対して主電極113から電流Iを注入することにより、矢印A1に示す方向にレーザ光が出射される。本提案者らは、この自励発振半導体レーザ1に対し、過飽和吸収体部117に加えるバイアス電圧を変化させることで、レーザ光のパルス光周波数を制御できることを見いだした。ここで、過飽和吸収体部117に加えるバイアス電圧を一定にし、ゲイン部116に注入する電流を変化させた時に発振するレーザ光のパルス光周波数を調べた。結果を図2Aに示す。図2Aにおいて、横軸はゲイン部116に注入した電流量imAを示し、縦軸は発振したレーザ光のパルス光周波数GHzを示す。また、シンボルaはバイアス電圧Vsaが-1Vの場合であり、シンボルbはバイアス電圧Vsaが-2Vの場合であり、シンボルcはバイアス電圧Vsaが-3Vの場合であり、シンボルdはバイアス電圧Vsaが-4Vの場合である。図2Aより、ゲイン部116に注入する電流量を大きくする程、レーザ光のパルス光周波数が大きくなることがわかる。また、電流を一定とすると、バイアス電圧の変化に応じてレーザ光のパルス光周波数も変化し、バイアス電圧の値が負の方向へいく程、パルス光周波数が小さくなることがわかる。また、自励発振半導体レーザ1において、過飽和吸収体117に加えるバイアス電圧を一定にし、ゲイン部116に加える電流を変化させた時に発振するレーザ光の平均パワーを調べた。結果を図2Bに示す。図2Bにおいて、横軸はゲイン部116に注入した電流量imAを示し、縦軸は発振したレーザ光の平均パワーmWを示す。また、シンボルaはバイアス電圧Vsaが-1Vの場合であり、シンボルbはバイアス電圧Vsaが-2Vの場合であり、シンボルcはバイアス電圧Vsaが-3Vの場合であり、シンボルdはバイアス電圧Vsaが-4Vの場合である。この図2Bより、ゲイン部116に注入する電流量を大きくする程、レーザ光の平均パワーが大きくなることがわかる。また、電流を一定とすると、バイアス電圧の値が負の方向へいく程、レーザ光の平均パワーが小さくなっている。バイアス電圧を変化させると、図2Bからわかるようにレーザ光の平均パワーも変化する。しかし、レーザ光の平均パワーは、ゲイン部116への電流注入量によっても変化させることが可能である。即ち、電流注入量を調整することで、バイアス電圧の変化によって生じるレーザ光の平均パワーの変化を打ち消すことができる。これにより、レーザ光の平均パワーを常に一定としながら、パルス光周波数を変化させるように、制御することができる。同様に、周波数変化による単位時間当たりのパルス数の増加に対応して、平均パワーの制御目標値を補正すれば、ピークパワーを一定にすることも可能である。本技術の記録装置では、図1A及び図1Bに示した自励発振半導体レーザ1のような自励発振半導体レーザを記録用光源として用いる。なお、本技術の記録装置において、使用する自励発振半導体レーザの構成は、図1A及び図1Bに示した自励発振半導体レーザ1の構成に限定されるものではなく、その他の構成の自励発振半導体レーザを使用することも可能である。また、前述したGaInN/GaN/AlGaN材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を用いた自励発振半導体レーザ1からは、波長407nmのレーザ光が出射する。記録装置において情報の記録に使用するレーザ光の波長に応じて、自励発振半導体レーザ1の半導体材料を選定する。<2.第1の実施の形態>続いて、本技術の記録装置の具体的な実施の形態を説明する。本技術の記録装置の第1の実施の形態の概略構成図を、図3に示す。図3に示す記録装置200は、光発振装置10と、PLL回路位相同期回路11と、セクタ同期回路12とを備えている。さらに、図示しないが、自励発振半導体レーザ1から出射したレーザ光を、光記録媒体21に集束照射するための光学系と、信号処理や記録装置の動作制御のための各種回路とを備えている。また、本実施形態の光発振装置10は、レーザ光を出射する自励発振半導体レーザ1と、記録信号生成部13と、基準クロック生成部14と、コンデンサ15及びコイル16によるバイアスTeeとによって構成されている。自励発振半導体レーザ1から出射したレーザ光は、図示しない光学系により、光記録媒体21上に集光される。光記録媒体21は、図示しないスピンドルモータによって回転される。また、レーザ光の集光スポットは、図示しないスレッドモータ等によって光記録媒体21の径方向に随時移動される。従来の光記録媒体用の記録装置では、光記録媒体のグルーブに形成されたウォブルを基準として、データクロックを生成している。そして、このデータクロックに同期して半導体レーザを制御して、情報の記録を行っている。本実施の形態の記録装置200においても、光記録媒体21のグルーブに形成されたウォブル22を基準とする点は同じである。ただし、ウォブル22はデータクロックの生成ではなく、アドレスを検出し、記録セクタの先頭位置を伝える同期信号として用いる。このタイミングに基づき、マスタークロックに同期した記録信号を、記録信号生成部13で生成して記録データとして半導体レーザに供給し、同じくマスタークロックに同期した注入信号を半導体レーザに供給させて、以上により自励発振半導体レーザ1を制御する。光記録媒体21のウォブル22から得られる記録セクタ同期信号は、PLL回路11と、セクタ同期回路12を経て、記録信号生成部13に供給される。基準クロック生成部14は、マスタークロック信号を生成する。この基準クロック生成部14により生成されたマスタークロック信号は、記録信号生成部13に送られる。また、基準クロック生成部14から、マスタークロック信号に同期した注入信号図3のピコ秒外部同期信号を、自励発振半導体レーザ1のゲイン部Gainに接続されたバイアスTeeのコンデンサ15に供給する。バイアスTeeのコイル16には直流電流を供給する。その際に、直流電流は自励発振レーザの発振目標周波数に近い条件で供給する。これにより、バイアスTeeコンデンサ15、コイル16を経て、自励発振に必要な直流電流とマスタークロック信号に同期したAC電流が、自励発振半導体レーザ1のゲイン部Gainに供給される。なお、図3における外部同期信号とは、自励発振半導体レーザ1の外部から供給される、マスタークロックと同期した信号を意味する。記録信号生成部13では、基準クロック生成部14により生成されたマスタークロック信号に合わせて、記録データ図3に示す波形信号を載せることにより、記録信号を生成する。また、この生成された記録信号は、自励発振半導体レーザ1にバイアス電圧Vsaとして入力され、自励発振半導体レーザ1からのレーザ光に記録信号を載せることができる。そして、自励発振半導体レーザ1から出射されるパルス光記録パルスと、記録信号と、マスタークロック信号とを常に同期させることが可能となる。このように、本実施の形態による記録装置200は、その光源として図1に示した自励発振半導体レーザ1を使用していることにより、自励発振するパルス光の初期周波数を電流及び電圧によって設定することができる。このため、電気信号であるマスタークロック信号や、マスタークロック信号に基づいて形成される記録信号、変調信号と、自励発振半導体レーザ1から出射されるパルス光とを常に同期させることができる。これにより、本実施の形態による記録装置200では、データの正確な記録を常に行うことが可能である。上述の本実施の形態の記録装置200によれば、基準信号生成部14において生成したマスタークロック信号と、光記録媒体21のウォブル22から得られる信号とに基づいて、記録信号生成部13が記録信号を生成している。そして、この記録信号を、自励発振半導体レーザ1の可飽和吸収体部にバイアス電圧Vsaとして印加する。また、基準信号生成部14から、マスタークロック信号と同期した注入信号を自励発振半導体レーザ1のゲイン部に供給する。これにより、マスタークロック信号と記録信号とを同期させることができ、かつ、記録信号と同期するように、自励発振半導体レーザ1から出射されるレーザ光をオンオフすることが可能になる。そして、自励発振半導体レーザ1からのレーザ光を変調する変調手段を設けなくても、レーザ光をオンオフして、光記録媒体21へ情報の記録を行うことが可能になる。また、正確なパルスで、レーザ光を出射させることができる。従って、自励発振半導体レーザ1を含む光源部を小型化することが可能になる。なお、本実施形態の光発振装置10は、記録信号生成部13によって、光記録媒体21への記録信号に対応したレーザ光を自励発振半導体レーザ1から出射させる例を挙げたが、自励発振半導体レーザ1から出射させるレーザ光は、任意の信号に対応させてよい。すなわち、光発振装置10において、記録信号生成部13の代わりに、任意の信号を生成する出射信号生成部を用いることにより、任意の信号に対応したレーザ光を出射する光発振装置を構成してもよい。ただし、この場合、この光発振装置のその他の構成は、光発振装置10と同じであってよい。この構成では、出射信号生成部は、マスタークロック信号に基づいて生成した任意の信号を自励発振半導体レーザ1の過飽和吸収体部にバイアス電圧として印加する。出射信号生成部において生成する信号を任意とすることにより、微細加工やバイオイメージング等の様々な分野における光源として、この光発振装置を適用することが可能である。<3.第2の実施の形態>本技術の記録装置の第2の実施の形態の概略構成図を、図4に示す。図4に示す第2の実施の形態の記録装置300では、第1の実施の形態の記録装置200のセクタ同期回路12を設けていない。また、光記録媒体21からPLL回路11を経た信号は、記録信号生成部13ではなく、基準信号生成部14へ送られる構成となっている。これにより、基準信号生成部14において、外部注入信号と光記録媒体21のウォブル22から得られる信号との同期が取られることになる。その他の構成は、図3に示した第1の実施の形態の記録装置200と同様であるので、同一符号を付して重複説明を省略する。上述の本実施の形態の記録装置300によれば、基準信号生成部14において生成したマスタークロック信号と、光記録媒体21のウォブル22から得られる信号とに基づいて、記録信号生成部13が記録信号を生成している。そして、この記録信号を、自励発振半導体レーザ1の可飽和吸収体部にバイアス電圧Vsaとして印加する。また、基準信号生成部14から、マスタークロック信号と同期した注入信号を自励発振半導体レーザ1のゲイン部に供給する。これにより、マスタークロック信号と記録信号とを同期させることができ、かつ、記録信号と同期するように、自励発振半導体レーザ1から出射されるレーザ光をオンオフすることが可能になる。そして、自励発振半導体レーザ1からのレーザ光を変調する変調手段を設けなくても、レーザ光をオンオフして、光記録媒体21へ情報の記録を行うことが可能になる。また、正確なパルスで、レーザ光を出射させることができる。従って、自励発振半導体レーザ1を含む光源部を小型化することが可能になる。<4.実験例>実験1ここで、図1に示した自励発振半導体レーザ1を使用して、ピコ秒のパルス幅の発光をマスタークロック信号と同期させる動作をさせる実験を行った。この実験に用いた構成を、図5に示す。図5に示すように、信号発生器51とパルスパターン発生器パルスジェネレータ52を用いて、これらの発生器51,52を同期させた。コンデンサ53及びコイル54から成るバイアスTeeのコンデンサ53に、正弦波の交流電圧例えば、900mVp-pを印加すると共に、信号発生器51からバイアスTeeのコイル54に、直流電流I例えば、85~105mAを供給した。これにより、自励発振半導体レーザ1のゲイン部116の電極113にパルス電流Imodが供給される。一方、パルスパターン発生器52からは、逆バイアス電圧Vsaを、自励発振半導体レーザ1の可飽和吸収体部117の電極114に供給する。図5に示した実験構成において、パルスパターン発生器52から供給する逆バイアス電圧Vsaを、図6に示すように、-1V~-2Vの一定の電圧として、自励発振半導体レーザ1に供給した。そして、自励発振半導体レーザ1から出射するレーザ光の光出力の大きさを調べた。このとき、図7に示すように、信号発生器51からバイアスTeeを経て得られたパルス電流Imodと、自励発振半導体レーザ1からの光出力とは、同じ周波数で同期する。次に、逆バイアス電圧Vsaを-2Vとして、バイアスTeeのコイル54に印加する直流電流Iを107mAとしたときの、自励発振半導体レーザ1からの光出力をフォトダイオードPDで受光した光出力と、変調信号とをオシロスコープで観察した。得られた波形を、図8に示す。図8より、光出力のパルス幅は約30psecで、パルス間隔は約1nsecであることがわかる。また、変調信号に光出力が同期していることがわかる。実験2次に、図5に示した実験構成を用いて、さらに、ピコ秒発光データを変調する動作をさせる実験を行った。逆バイアス電圧Vsaとして、図9に示すパルス状の電圧を供給した。パルスの最小電圧は、-1V~-2Vの範囲内とした。図10に示すように、逆バイアス電圧Vsaのパルスは、パルス電流Imodのパルスの数個分図10では約8個分の長さとした。このとき、図10に示すように、逆バイアス電圧Vsaの電圧パルスが最小値である期間は、自励発振半導体レーザ1の光出力が大きくなっており、その他の期間は光出力が大幅に小さくなっている。なお、その他の期間の光出力は、ほとんどないのが理想的である。次に、バイアス電圧Vsaを変化させて、自励発振半導体レーザ1からの光出力の変化を調べてみた。それぞれのバイアス電圧における、光出力の時間変化を、図11Aに示す。図11Aの上側は連続してVsa=-900mVとした場合m900mVを示し、図11Aの下側は途中で、Vsaを-900mVから900mVに変化させた場合p900mVを示している。図11Bは、バイアス電圧Vsaの波形であり、破線が図11Aの上側の波形に対応し、実線が図11Aの下側の波形に対応する。図11A及び図11Bより、バイアス電圧Vsaを逆バイアスから順バイアスに変化させることによって、自励発振半導体レーザ1からの光出力を変調して、光出力を大幅に低減できることがわかる。従って、バイアス電圧を変化させることにより、自励発振半導体レーザ1からの光出力をオンオフさせることが可能である。実験3また、図5に示した実験構成を用いて、自励発振半導体レーザ1に印加するバイアス電圧Vsaを0Vから-3Vに変化させた場合における自励発振半導体レーザ1の光出力の変化を調べた。図12Aは、このときに測定された自励発振半導体レーザ1の光出力であり、また、図12Bは、自励発振半導体レーザ1に印加したバイアス電圧Vsaの波形である。図12A,Bからわかるように、バイアス電圧が-3Vになったときに、自励発振半導体レーザ1からの光出力が大きくなっており、印加したバイアス電圧Vsaの波形に従って、自励発振半導体レーザ1の光出力を制御できることが確認された。しかし、図12Aの領域T1に示すように、バイアス電圧Vsaの値が0Vのときにおいても、自励発振半導体レーザ1がわずかにDC発光している。これに対し、自励発振半導体レーザ1に印加するバイアス電圧Vsaを-4.4Vから-3Vに変化させた時における自励発振半導体レーザ1の光出力の変化を同様にして調べた。図13Aは、このときにおける自励発振半導体レーザ1の光出力であり、また、図13Bは、自励発振半導体レーザ1に印加したバイアス電圧Vsaの波形である。図13A,Bに示すように、バイアス電圧Vsaが-4.4Vのときには自励発振半導体レーザ1は発振せず、バイアス電圧Vsaが-3Vに変化すると自励発振半導体レーザ1が発振することが確認された。また、バイアス電圧Vsaが-4.4Vのときには、自励発振半導体レーザ1のDC発光を抑制できている。すなわち、バイアス電圧Vsaを-3.0Vと-4.4Vとで切り替えを行うことにより、自励発振半導体レーザ1の発振期間、及び、自励発振半導体レーザ1の発振が停止された非発振期間を形成することができる。したがって、自励発振半導体レーザ1のオンオフを確実に切り替えることが可能であり、正確な光信号を出射させることができる。また、図14Aに、自励発振半導体レーザ1に印加するバイアス電圧Vsaを-3.6Vから-3.0Vに変化させた場合における自励発振半導体レーザ1の光出力での特性を示し、図14Bに、このときにおけるバイアス電圧Vsaの波形を示す。この場合には、バイアス電圧Vsaが-3.6Vのとき、及び、バイアス電圧Vsaが-3.0Vのときの両方において、自励発振半導体レーザ1が発振することが確認された。ただし、バイアス電圧Vsaが-3.6Vのときに比べて、バイアス電圧Vsaが-3.0Vのときには、レーザ光の発振周波数が大きくなった。これらの現象について、図15及び図16を参照して以下に説明する。図15は、自励発振半導体レーザ1のゲイン部116図1参照に注入した電流値と自励発振半導体レーザ1から出射されたレーザ光のピークパワーとの関係を示す図である。横軸はゲイン部116に注入した電流の電流値であり、縦軸は自励発振半導体レーザ1から出射されたレーザ光のピークパワーである。また、特性L1~L4は、それぞれバイアス電圧Vsaが0V、-1.0V、-3.0V、-5.0Vの場合の光出力の変化である。特性L1に示すように、バイアス電圧Vsaが0Vであっても、自励発振半導体レーザ1が発振することが確認された。ただし、バイアス電圧Vsaがそれぞれ-1.0V、-3.0V、-5.0Vの場合である特性L2~L4と比較すると、バイアス電圧Vsaが0Vの場合は、発振したレーザ光のピークパワーが小さくなっている。また、図15から、バイアス電圧Vsaを負の方向に大きくするほど、自励発振半導体レーザ1の発振に必要とする電流値が大きくなることがわかる。例えば、バイアス電圧Vsaが0Vのときには、ゲイン部116に注入した電流値が約60mAにおいて、自励発振半導体レーザ1が発振し始めたのに対し、バイアス電圧Vsaが-3.0Vのときには、約85mAの電流値で半導体レーザ1が発振し始めた。また、バイアス電圧Vsaが-5.0Vのときには、半導体レーザ1の発振には、100mA以上の電流値が必要である。例えば図15の線L5に示すように、ゲイン部116に注入した電流値が約95mAの場合について説明する。点P1に示すように、バイアス電圧Vsaが-3.0Vのときのレーザ光のピークパワーは大きい。しかし、点P2に示すように、バイアス電圧Vsaが0Vのときにも、わずかながら自励発振半導体レーザ1は発振する。したがって、バイアス電圧Vsaを0Vから-3.0Vに変化させたとしても、自励発振半導体レーザ1を完全にオンオフさせることは困難である。すなわち、この場合が図12A及び図12Bにおいて示した実験結果に相当する。一方で、点P3に示すように、バイアス電圧Vsaが-5.0Vのときには、自励発振半導体レーザ1は発振しない。したがって、バイアス電圧Vsaを-5.0Vから-3.0Vに変化させることで、自励発振半導体レーザ1のオンオフの切り替えを容易に行うことが可能である。この場合が図13A及び図13Bにおいて示した実験結果に相当する。また、図16は、自励発振半導体レーザ1に印加したバイアス電圧Vsaと自励発振半導体レーザ1から出射されたレーザ光のピークパワーとの関係を示す図である。横軸は自励発振半導体レーザ1に印加したバイアス電圧Vsaであり、縦軸は自励発振半導体レーザ1から出射されたレーザ光のピークパワーである。なお、特性L6~L8は、それぞれゲイン部116に注入した電流値が85mA、90mA、95mAの場合の光出力の変化である。図16に示すように、バイアス電圧Vsaを負の方向に大きくすると自励発振半導体レーザ1から出射されるレーザ光のピークパワーは大きくなる。しかし、バイアス電圧Vsaが所定の値を超えると、レーザ光のピークパワーは小さくなっていき、レーザ光の発振が生じなくなる。例えば、ゲイン部116に注入した電流値が約90mAである特性L7の場合を説明する。点P4及び点P5に示すように、バイアス電圧Vsaを-3.0Vから0Vに変化させると、レーザ光のピークパワーは小さくなるものの、発振そのものを停止させることはできない。すなわち、特性L8において、この点P4から点P5へのバイアス電圧Vsaの変化に対するレーザ光の出力の変化が、図12A及び図12B図において示した実験結果に相当する。一方で、点P6に示すように、バイアス電圧Vsaが-4.4Vの時には、自励発振半導体レーザ1は発振しない。したがって、点P4及び点P6に示すように、バイアス電圧Vsaを-3Vから-4.4Vに変化させた時には、完全に自励発振半導体レーザ1を停止させることができる。すなわち、この場合におけるレーザ光の出力の変化が、図13A及び図13Bにおいて示した実験結果に相当する。また、図17Aは、自励発振半導体レーザ1のゲイン部116に注入した電流と、電流の注入により自励発振半導体レーザ1内に蓄積された電荷の密度の関係を示す図であり、図17Bは、このときに自励発振半導体レーザ1から出射される光の波形を示す図である。図17Aにおいて、特性L11は、自励発振半導体レーザ1のゲイン部116に注入した電流値であり、特性L10は、そのときに自励発振半導体レーザ1内に蓄積された電荷の密度である。矢印A1に示すように、ゲイン部116に注入する電流を大きくしていくと、自励発振半導体レーザ1内に蓄積された電荷の密度が高くなる。そして、この電荷密度が線L12に示す発光閾値に到達すると、図17Bに示すパルス光Puが放出される。このとき、パルス光の放出により電荷が消費され、矢印A2に示すように、自励発振半導体レーザ1内の電荷密度は低下する。そして再びゲイン部116に注入される電流によって自励発振半導体レーザ1内に電荷が蓄積され、電荷密度が線L12の発光閾値に到達するとパルス光を放出する。こうした過程を繰り返すことによって、自励発振半導体レーザ1はパルス光の連続発振を行う。線L12に示す、電荷密度に対する発光閾値は、自励発振半導体レーザ1に印加するバイアス電圧Vsaの値によって変化する。例えば、バイアス電圧Vsaを負の方向に大きくすると、線L12に示す電荷密度に対する発光閾値は、矢印A3に示すように大きくなる。このため、電荷密度が発光閾値に到達するまでの時間が長くなるので、パルス光が放出される間隔は長くなり、自励発振半導体レーザ1の発振周波数は小さくなる。このため、図14A及び図14Bに示した実験結果では、バイアス電圧Vsaが-3.0Vから-3.6Vに変化したときに、レーザ光の発振周波数が小さくなっている。また一方で、自励発振半導体レーザ1に蓄積された電荷は、パルス光の放出によって消費される以外に、自励発振半導体レーザ1から自然に流出することでも失われる。このため、自励発振半導体レーザ1に蓄積させることのできる電荷量電荷密度には、限界が存在する。したがって、バイアス電圧Vsaの値を負の方向に大きくし過ぎると、蓄積可能な電荷密度に対して発光閾値が大きくなり過ぎ、発光閾値にまで、電荷密度を高めることができなくなる。このため、図16に示したように、バイアス電圧Vsaを負の方向に所定の値にまで大きくすると、自励発振半導体レーザ1は発振しなくなる。このように、バイアス電圧Vsaには、負の値の領域において、自励発振半導体レーザ1が発振しなくなる閾値が存在する。したがって、自励発振半導体レーザ1のオンオフの切り替えを行う際には、オフ時のバイアス電圧Vsaを、この閾値よりも負の方向に大きい値に設定することが好ましい。言い換えると、こうした設定を行った自励発振半導体レーザ1では、レーザ光の発振が停止された非発振期間におけるバイアス電圧Vsaが、レーザ光の発振が行われる発振期間におけるバイアス電圧Vsaよりも負の方向に大きくなる。このような設定を行うことにより、精度良く、自励発振半導体レーザ1のオンオフの切り替えを行うことができる。本技術は、上述の実施の形態や実験例に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。また、本技術は、以下のような構成を取ることもできる。1光記録媒体に情報を記録する記録装置であって、バイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部とを含み、前記光記録媒体に情報を記録するためのレーザ光を出射する、自励発振半導体レーザと、マスタークロック信号を生成すると共に、前記マスタークロック信号と同期した注入信号を前記自励発振半導体レーザのゲイン部に供給する、基準信号生成部と、前記マスタークロック信号に基づいて記録信号を生成し、前記記録信号を前記自励発振半導体レーザの前記過飽和吸収体部にバイアス電圧として印加する、記録信号生成部とを含む記録装置。2前記光記録媒体のグルーブに形成されたウォブルから得られる信号が、前記記録信号生成部に供給される1に記載の記録装置。3前記自励発振半導体レーザは、GaInN/GaN/AlGaN材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有する、請求項1に記載の記録装置。1または2に記載の記録装置。4前記バイアス電圧は負の値であり、前記自励発振半導体レーザの非発振期間における前記バイアス電圧は、前記自励発振半導体レーザの発振期間におけるバイアス電圧よりも負の方向に大きい1~3に記載の偏光モジュール。5バイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部とを含み、レーザ光を出射する、自励発振半導体レーザと、マスタークロック信号を生成すると共に、前記マスタークロック信号と同期した注入信号を前記自励発振半導体レーザのゲイン部に供給する、基準信号生成部と、前記マスタークロック信号に基づいて所定の信号を生成し、前記所定の信号を前記自励発振半導体レーザの前記過飽和吸収体部にバイアス電圧として印加する、出射信号生成部とを含む光発振装置。"