光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した電圧が印加される固体撮像素子。前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平転送パルスである請求項1に記載の固体撮像素子。前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平最終段転送パルスである請求項1に記載の固体撮像素子。前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、リセットパルスである請求項1に記載の固体撮像素子。前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平転送パルス、リセットパルス、および水平最終段転送パルス以外の、重畳専用のパルスである請求項1に記載の固体撮像素子。光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した駆動電圧が印加される固体撮像素子の駆動方法。光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す読み出しパルスを発生する読み出しパルス発生回路と、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳することにより、駆動電圧を生成する駆動電圧生成回路とを備え、前記駆動電圧生成回路で生成された駆動電圧が、前記読み出しパルス発生回路の電源電圧とされる固体撮像装置。しかしながら、画素の微細化などにより読み出し必要電圧が上がった場合、供給電源電圧とされている読み出し電圧はそれ以上上げることができないため、読み出しが困難になることがあった。本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、新規電源を増やすことなく、読み出し電圧を上げることができるようにするものである。本技術の第1の側面の固体撮像素子は、光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した電圧が印加される。本技術の第1の側面の固体撮像素子の駆動方法は、光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した駆動電圧が印加される。本技術の第2の側面の固体撮像装置は、光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す読み出しパルスを発生する読み出しパルス発生回路と、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳することにより、駆動電圧を生成する駆動電圧生成回路とを備え、前記駆動電圧生成回路で生成された駆動電圧が、前記読み出しパルス発生回路の電源電圧とされる。本技術の第1及び第2の側面においては、光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した駆動電圧が印加される。固体撮像素子または固体撮像装置は、独立した装置であっても良いし、1つの装置を構成している内部ブロックであっても良い。本技術の第1及び第2の側面によれば、新規電源を増やすことなく、読み出し電圧を上げることができる。[固体撮像装置の構成例]図1は、本技術が適用された固体撮像装置の一実施の形態の構成例を示す図である。図1の固体撮像装置10は、インターライン転送方式のCCDイメージセンサである。図1の固体撮像装置10では、画素に対応するセンサ部11が、行水平方向および列垂直方向にマトリクス状に配列されている。センサ部11は、例えば、フォトダイオード等の光電変換素子により構成され、入射光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換して蓄積する。また、固体撮像装置10では、センサ部11の水平方向の個数に対応する本数の垂直転送レジスタ12が水平方向に複数配置されている。1本1列の垂直転送レジスタ12は、垂直方向に配列された複数個のセンサ部11の列と1対1に対応する。そして、マトリクス状のセンサ部11と、それに対応する複数本の垂直転送レジスタ12とで、撮像エリア13が構成されている。各センサ部11で蓄積された信号電荷は、タイミングジェネレータ15から供給される読み出しパルスVTのタイミングに従い、隣接する垂直転送レジスタ12の各内部レジスタに転送される。垂直転送レジスタ12は、たとえば4相の垂直転送パルスVφ1ないしVφ4によって転送駆動され、各センサ部11から読み出された信号電荷を水平ブランキング期間において1走査線1ラインに相当する部分ずつ順に垂直方向に転送する。撮像エリア13の図面上の下側には、水平転送レジスタ14が配置されている。水平転送レジスタ14には、複数本の垂直転送レジスタ12の各々から1ラインに相当する信号電荷が順次転送される。水平転送レジスタ14は、例えば、3相の水平転送パルスHφ1ないしHφ3、および水平最終段転送パルスLHφによって転送駆動され、複数本の垂直転送レジスタ12から移された1ライン分の信号電荷を、水平ブランキング期間後の水平走査期間において順次水平方向に転送する。水平転送パルスHφ1ないしHφ3、および水平最終段転送パルスLHφは第1レベル例えば、ローレベルと第2レベル例えば、ハイレベルをとる駆動パルスである。なお、本実施の形態では、水平転送パルスが上述のように3相駆動方式であるとしているが、3相より多相4相等の駆動や2相の駆動でもよい。垂直転送パルスも同様に4相以外の駆動でもよい。タイミングジェネレータ15は、読み出しパルスVTを発生する読み出しパルス発生回路、4相の垂直転送パルスVφ1ないしVφ4を発生する垂直転送パルス発生回路、3相の水平転送パルスHφ1ないしHφ3を発生する水平転送パルス発生回路、及び、水平最終段転送パルスLHφを発生する水平最終段転送パルス発生回路を有するいずれも不図示。また、タイミングジェネレータ15内には、読み出しパルスVT、垂直転送パルスVφ1ないしVφ4、水平転送パルスHφ1ないしHφ3、及び、水平最終段転送パルスLHφの各駆動パルスを制御する制御部15aが設けられている。なお、以下において、垂直転送パルスVφ1ないしVφ4それぞれを特に区別する必要がない場合には、単に垂直転送パルスVφと称し、水平転送パルスHφ1ないしHφ3それぞれを特に区別する必要が無い場合には、単に水平転送パルスHφと称する。水平転送レジスタ14の転送先側の端部には、たとえばフローティングディフュージョンアンプ構成の電荷検出部16が設けられている。この電荷検出部16は、フローティングディフュージョンFD18、リセットドレインRD19、及び、リセットゲートRG20により構成されている。フローティングディフュージョン18は、水平転送レジスタ14から水平出力ゲート部17を介して供給される信号電荷を蓄積する。リセットドレイン19は、信号電荷を掃き出す。フローティングディフュージョン18とリセットドレイン19の間に設けられたリセットゲート20は、フローティングディフュージョン18の信号電荷を、リセットドレイン19へ排出する。リセットドレイン19には、所定のリセットドレイン電圧VRDが印加され、リセットゲート20には、信号電荷の検出周期でリセットパルスRGφが印加される。リセットパルスRGφは、タイミングジェネレータ15内の制御部15aの下、不図示のリセットパルス発生回路により生成される。フローティングディフュージョン18に蓄積された信号電荷は信号電圧に変換され、出力回路21を介してCCD出力信号CCDoutとして、例えば、図示しないCDS相関二重サンプリング回路に導出される。[従来の駆動制御]次に、固体撮像装置10における駆動制御について説明するが、その前に、図2を参照して、従来の一般的な固体撮像装置における駆動制御について説明する。図2は、従来の一般的な固体撮像装置における各駆動パルスの概略を示す図である。従来の固体撮像装置において、読み出しパルスVTは、例えば、130秒や160秒の1フレームに1回発生する。即ち、読み出しパルスVTは、1垂直同期期間につき1回発生される。この読み出しパルスVTにより、センサ部11で蓄積された信号電荷が、隣接する垂直転送レジスタ12に転送される。続いて、垂直転送レジスタ12に転送された信号電荷は、垂直転送パルスVφVφ1ないしVφ4のタイミングで、垂直方向に1画素ずつ転送され、水平転送レジスタ14まで転送される。この垂直転送パルスVφは、1水平同期期間に1回発生される。水平転送レジスタ14に転送された信号電荷は、水平転送パルスHφHφ1ないしHφ3のタイミングで、水平方向に1画素ずつ転送される。この水平転送パルスHφは、1水平期間内で、1水平ライン分の信号電荷が全て読み出されるように発生される。また、図2に示されるように、垂直転送レジスタ12から水平転送レジスタ14への電荷転送期間中には、水平転送パルスHφは停止される。水平最終段転送パルスLHφは、基本的には、水平転送パルスHφと同様である。水平最終段転送パルスLHφは、例えば、水平転送パルスHφと周波数は同一であるが、振幅電圧やデューティ比が異なる。リセットパルスRGφは、水平最終段転送パルスLHφと同一周期の駆動パルスであるが、リセットパルスRGφにはパルスの休止期間がない。従って、従来の固体撮像装置の駆動制御では、水平転送パルスHφ、水平最終段転送パルスLHφ、及びリセットパルスRGφは、水平転送時のみ使用され、各センサ部11で蓄積された信号電荷の読み出し時、即ち、読み出し制御がオン読み出しパルスVTがハイレベルのタイミングでは使用されていない。[従来の読み出しパルス発生回路および水平転送パルス発生回路の構成]図3は、図2の読み出しパルスVTを発生させる従来の読み出しパルス発生回路31と、図2の水平転送パルスHφを発生させる従来の水平転送パルス発生回路32の構成を示している。読み出しパルス発生回路31は、pチャネルトランジスタ41とnチャネルトランジスタ42のドレインどうしが接続されたCMOSインバータで構成される。pチャネルトランジスタ41のソースは第1の電源電圧に接続され、nチャネルトランジスタ42のソースはGNDに接続されている。第1の電源電圧は、高電圧が必要とされることから、例えば、固体撮像装置に供給される供給電源電圧である12Vとされる。pチャネルトランジスタ41とnチャネルトランジスタ42のゲートには、読み出しパルス発生回路31への入力電圧V1INが印加される。読み出しパルス発生回路31への入力電圧V1INがハイレベル例えば、3Vのとき、読み出しパルス発生回路31が出力する読み出しパルスVTはローレベル0Vとなり、入力電圧V1INがローレベル例えば、0Vのとき、読み出しパルス発生回路31が出力する読み出しパルスVTはハイレベル12Vとなる。一方、水平転送パルス発生回路32も、pチャネルトランジスタ43とnチャネルトランジスタ44のドレインどうしが接続されたCMOSインバータで構成される。pチャネルトランジスタ43のソースは第2の電源電圧に接続され、nチャネルトランジスタ44のソースはGNDに接続されている。第2の電源電圧は、画素読み出しほどの高電圧を必要としないため、第1の電源電圧より低い電圧、例えば、3Vとされる。pチャネルトランジスタ43とnチャネルトランジスタ44のゲートには、水平転送パルス発生回路32への入力電圧V2INが印加される。水平転送パルス発生回路32への入力電圧V2INがハイレベル例えば、3Vのとき、水平転送パルス発生回路32の出力である水平転送パルスHφはローレベル0Vとなり、入力電圧V2INがローレベル例えば、0Vのとき、水平転送パルス発生回路32の出力である水平転送パルスHφはハイレベル3Vとなる。[固体撮像装置10における駆動制御]次に、図1の固体撮像装置10における駆動制御について説明する。図4は、固体撮像装置10における各駆動パルスの概略を示す図である。固体撮像装置10では、図2と図4を比較してわかるように、各センサ部11で蓄積された信号電荷の読み出し時、即ち、読み出し制御がオンのタイミングにおいても、水平転送パルスHφが出力されている点が、従来の駆動制御と異なる。ただし、図2を参照して説明したように、水平転送パルスHφは、水平転送レジスタ14において水平転送時のみ使用され、各センサ部11で蓄積された信号電荷の読み出し時のタイミングでは使用されていないので、水平転送レジスタ14の動作に影響はない。また、固体撮像装置10では、信号電荷の読み出し時、水平転送パルスHφが出力されていることにより、図6を参照して後述するように、読み出しパルスVTの振幅最大出力電圧が、従来よりも大きくなる。[固体撮像装置10の読み出しパルス発生回路および水平転送パルス発生回路の構成]図5は、図4に示した駆動制御を実現するタイミングジェネレータ15の構成例を示している。なお、図5は、タイミングジェネレータ15の一部、即ち、タイミングジェネレータ15全体のうち、読み出しパルスVTと水平転送パルスHφに関する部分のみの構成を示している。また、図5において、図3と対応する部分については同一の符号を付してあり、その説明は適宜省略する。固体撮像装置10のタイミングジェネレータ15では、従来と同様にCMOSインバータ構成とされる読み出しパルス発生回路51及び水平転送パルス発生回路52に加えて、新たにロークランプ回路53が設けられている。ロークランプ回路53は、クランプダイオード61、キャパシタ62、及びpチャネルトランジスタ63により構成される。クランプダイオード61のアノード側は第1の電源電圧12Vに接続され、カソード側は、読み出しパルス発生回路51を構成するpチャネルトランジスタ41のソース、及び、キャパシタ62の一端と接続されている。pチャネルトランジスタ63のゲートは、読み出しパルス発生回路51のpチャネルトランジスタ41とnチャネルトランジスタ42のゲートと共通に接続され、pチャネルトランジスタ63のゲートには、読み出しパルス発生回路51の入力電圧V1INが印加される。pチャネルトランジスタ63のソースとドレインの一方は、キャパシタ62のクランプダイオード61と接続されていない他端と接続され、他方は水平転送パルス発生回路52の出力端子と接続されている。固体撮像装置10では、図4を参照して説明したように、読み出しパルスVTがハイレベル12Vとなる期間、水平転送パルス発生回路52が水平転送パルスHφを出力する。換言すれば、読み出しパルスVTがハイレベル12Vとなる期間、タイミングジェネレータ15の制御部15aは、水平転送パルス発生回路52のpチャネルトランジスタ43とnチャネルトランジスタ44のゲートに、0ないし3VACの入力電圧V2INを印加する。読み出しパルスVTがハイレベル12Vということは、入力電圧V1INがローレベル例えば、0Vである。入力電圧V1INがローレベルであるとき、pチャネルトランジスタ63はオンする。これにより、水平転送パルス発生回路52の出力電圧V2OUTが3Vハイレベルのとき、読み出しパルス発生回路51の出力電圧V1OUTは、第1の電源電圧12Vと第2の電源電圧3Vを加算した15Vとなる。即ち、読み出しパルス発生回路51は、従来、図6左側に示されるような、0Vと12Vのレベルからなる読み出しパルスVTに代えて、図6右側に示されるような、第1の電源電圧である12Vに、0Vと3Vのレベルからなる水平転送パルスHφを重畳させたパルスを、読み出しパルスVTとして、出力する。この読み出しパルスVTにより、固体撮像装置10の各画素において、読み出し時に印加される最大読み出し到達電圧が、クランプダイオード61の電圧降下0.7Vを考慮すると、12V-0.7V3V=14.3Vとなる。以上のように、固体撮像装置10では、読み出しパルス発生回路51の電源を、水平転送パルス発生回路52の出力からのロークランプ構成とすることで、画素に蓄積された信号電荷の読み出し電圧を、従来より上げることができる。具体的には、従来、読み出し電圧が、供給電源電圧12Vであったところを、それよりも高い14.3V最大読み出し到達電圧に上げることができる。従って、例えば、プロセスばらつき等により、従来、固体撮像装置10に対する供給電源電圧12Vでは読み出せなかった場合であっても読み出すことが可能となり、高歩留まり化が可能となる。また、固体撮像装置10に対する供給電源電圧より高電圧とするための別電源を必要としないため、固体撮像装置10の駆動回路構成の簡素化、低消費電力化に貢献することができる。[変形例]上述した例では、固体撮像装置10に対する供給電源電圧12Vに、水平転送パルス発生回路52の出力パルスを重畳ロークランプすることで、読み出しパルスVTの最大読み出し到達電圧を、供給電源電圧よりも高電圧とした。しかし、図2を参照して説明したように、信号電荷の読み出し時のタイミングにおいては、水平最終段転送パルスLHφも使用されていないため、仮に、パルスを出力するように制御しても水平転送レジスタ14の動作に影響はない。また、リセットパルスRGφにはパルスの休止期間がないので、信号電荷の読み出し時のタイミングにおいても出力されている。そこで、上述した水平転送パルスHφに代えて、水平最終段転送パルスLHφ、または、リセットパルスRGφを、固体撮像装置10の供給電源電圧に重畳する構成としてもよい。この場合も、読み出しパルスVTの最大読み出し到達電圧を、供給電源電圧よりも高電圧とすることができる。また、水平転送パルスHφ、水平最終段転送パルスLHφ、または、リセットパルスRGφのいずれのパルスを重畳させるかを選択、指定できるように構成してもよい。さらには、タイミングジェネレータ15内に、重畳専用のパルスを出力するパルス発生回路を設け、そのパルス発生回路が出力するパルスを、固体撮像装置10の供給電源電圧に重畳する構成としてもよい。また、上述した実施の形態では、読み出し電圧を最大電圧とするため、固体撮像装置10の供給電源電圧に、重畳ロークランプする構成としたが、読み出し必要電圧によっては、固体撮像装置10の供給電源電圧より低い電源電圧に重畳する構成としてもよい。この場合も、未使用のパルスを重畳して使用することで、固体撮像装置10全体としての消費電力を低減させることができる。上述した実施の形態では、インターライン転送方式のCCDイメージセンサの例について説明したが、本技術は、フレームインターライン転送方式等のその他の方式にも適用することができる。[固体撮像装置10を適用した電子機器の構成例]図1の固体撮像装置10は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、撮像機能を備えた携帯端末、などの各種の電子機器に適用することができる。そこで、次に、図1に示した固体撮像装置10を構成の一部として備える電子機器について説明する。図7は、電子機器の一例として、図1の固体撮像装置10を撮像デバイスとして備える撮像装置の構成例を示している。図7の撮像装置100は、レンズ等の光学系101、メカニカルシャッタ102、CCD固体撮像素子103、CCD駆動回路104、信号処理回路105、およびシステムコントローラ106を備える。なお、図7の撮像装置100は、その構成の一部または全部がモジュール化された撮像モジュールの形態であってもよい。撮像装置100のCCD固体撮像素子103は、図1の固体撮像装置10のなかの撮像エリア13、水平転送レジスタ14、および電荷検出部16に対応し、CCD駆動回路104が、固体撮像装置10のタイミングジェネレータ15に対応する。被写体図示せずからの光は、レンズ等の光学系101およびメカニカルシャッタ102を経てCCD固体撮像素子103の撮像エリア13に入射する。メカニカルシャッタ102は、CCD固体撮像素子103の撮像エリアへの光の入射を遮断して露光時間を決めるためのものである。CCD固体撮像素子103の出力信号は、信号処理回路105に供給され、自動ホワイトバランス調整などの種々の信号処理が行われた後、撮像信号として外部に導出される。CCD駆動回路104は、システムコントローラ106の制御の下、CCD固体撮像素子103で受光された信号電荷を転送させるための駆動を行う。システムコントローラ106は、メカニカルシャッタ102の開閉制御、CCD駆動回路104の制御、信号処理回路105の制御などを行う。以上のように構成される撮像装置100は、図1の固体撮像装置10を撮像デバイスとして備えているので、撮像装置100全体としても、駆動回路構成の簡素化、低消費電力化に貢献することができる。なお、上述した実施の形態では、CCDイメージセンサについて説明したが、本技術は、CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductorイメージセンサに対しても適用可能である。ただし、CCDイメージセンサでは、上述したように信号電荷の読み出しが全画素同時に行われるのに対して、CMOSイメージセンサでは、信号電荷の読み出しはラインごとに行われる。そこで、本技術をCMOSイメージセンサに適用した場合には、例えば、不使用ライン未読み出しラインに印加される所定の電圧を、垂直方向同列の読み出し行の読み出し電圧に重畳させる構成が考えられる。本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。1光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した電圧が印加される固体撮像素子。2前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平転送パルスである前記1に記載の固体撮像素子。3前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平最終段転送パルスである前記1または2に記載の固体撮像素子。4前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、リセットパルスである前記1乃至3のいずれかに記載の固体撮像素子。5前記所定のパルス発生回路の出力パルスは、水平転送パルス、リセットパルス、および水平最終段転送パルス以外の、重畳専用のパルスである前記1乃至4のいずれかに記載の固体撮像素子。6光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す際の駆動電圧である読み出し電圧として、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳した駆動電圧が印加される固体撮像素子の駆動方法。7光電変換素子で得られた信号電荷を読み出す読み出しパルスを発生する読み出しパルス発生回路と、所定の電源電圧に、所定のパルス発生回路の出力パルスを重畳することにより、駆動電圧を生成する駆動電圧生成回路とを備え、前記駆動電圧生成回路で生成された駆動電圧が、前記読み出しパルス発生回路の電源電圧とされる固体撮像装置。