半導体からなり、電子が走行可能な一次元細線と、前記一次元細線に、前記一次元細線の延伸方向に交差する方向に直流磁場を印加する磁場生成部と、前記一次元細線に、前記一次元細線の延伸方向および前記直流磁場の方向と交差する方向に交流電界を印加することにより、g因子の前記一次元細線の延伸方向または/および前記交流電界の印加方向の成分を前記交流電界の周波数で変調させる電極と、を具備することを特徴とする電子スピン共鳴生成装置。前記電極は、前記一次元細線に前記交流電界を印加することにより、スピン軌道相互作用に起因し前記g因子の前記成分を変調させることを特徴とする請求項1記載の電子スピン共鳴生成装置。前記電極は、前記一次元細線に前記交流電界を印加することにより、磁場ベクトルが前記直流磁場の方向に対し対称になるように前記g因子を変調させることを特徴とする請求項1または2記載の電子スピン共鳴生成装置。前記一次元細線の延伸方向と前記交流電界の方向とは直交していることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の電子スピン共鳴生成装置。前記直流磁場の方向は、前記一次元細線の延伸方向から前記交流電界の方向に45°の方向であることを特徴とする請求項4記載の電子スピン共鳴生成装置。前記一次元細線は、閃亜鉛鉱型結晶構造を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の電子スピン共鳴生成装置。前記スピン軌道相互作用はラシュバスピン軌道相互作用であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の電子スピン共鳴生成装置。半導体からなり、電子が走行可能な一次元細線に、前記一次元細線の延伸方向に交差する方向の直流磁場を印加するステップと、前記一次元細線に、前記一次元細線の延伸方向および前記直流磁場の方向と交差する方向に交流電界を印加することにより、g因子の前記一次元細線の延伸方向および前記交流電界の印加方向の成分を前記交流電界の周波数で変調させるステップと、を含むことを特徴とする電子スピン共鳴生成方法。しかしながら、特許文献1の方法によれば、走行している電子にスピン軌道相互作用に起因する有効磁場が作用するため、静止状態の電子を電子スピン共鳴させることはできない。また、有効磁場を用い電子スピン共鳴を生成するためには、電子が走行する半導体層の面方位が限られてしまう。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、静止状態の電子スピンに対し電子スピン共鳴を生じさせること、または、任意の面方向の半導体層を用いることができることを目的とする。本発明は、半導体からなり、電子が走行可能な一次元細線と、前記一次元細線に、前記一次元細線の延伸方向に交差する方向に直流磁場を印加する磁場生成部と、前記一次元細線に、前記一次元細線の延伸方向および前記直流磁場の方向と交差する方向に交流電界を印加することにより、g因子の前記一次元細線の延伸方向または/および前記交流電界の印加方向の成分を前記交流電界の周波数で変調させる電極と、を具備することを特徴とする電子スピン共鳴生成装置である。本発明によれば、静止状態の電子スピンに対し電子スピン共鳴を生じさせること、または、任意の面方向の半導体層を用いることができる。上記構成において、前記電極は、前記一次元細線に前記交流電界を印加することにより、スピン軌道相互作用に起因し前記g因子の前記成分を変調させる構成とすることができる。上記構成において、前記電極は、前記一次元細線に前記交流電界を印加することにより、磁場ベクトルが前記直流磁場の方向に対し対称になるように前記g因子を変調させる構成とすることができる。上記構成において、前記一次元細線の延伸方向と前記交流電界の方向とは直交している構成とすることができる。上記構成において、前記直流磁場の方向は、前記一次元細線の延伸方向から前記交流電界の方向に45°の方向である構成とすることができる。上記構成において、前記一次元細線は、閃亜鉛鉱型結晶構造を有する構成とすることができる。上記構成において、前記スピン軌道相互作用はラシュバスピン軌道相互作用である構成とすることができる。本発明は、半導体からなり、電子が走行可能な一次元細線に、前記一次元細線の延伸方向に交差する方向の直流磁場を印加するステップと、前記一次元細線に、前記一次元細線の延伸方向および前記直流磁場の方向と交差する方向に交流電界を印加することにより、g因子の前記一次元細線の延伸方向および前記交流電界の印加方向の成分を前記交流電界の周波数で変調させるステップと、を含むことを特徴とする電子スピン共鳴生成方法である。本発明によれば、静止状態の電子スピンに対し電子スピン共鳴を生じさせること、または、任意の面方向の半導体層を用いることができる。まず、図1aから図2bを用い公知の電子スピン共鳴について説明する。図1aは、電子に直流磁場を印加した図、図1bは、電子の準位を示す図である。図1aのように、電子42に直流磁場静磁場を印加する。図1bのように、直流磁場を印加しない状態では、アップスピンとダウンスピンの準位は分離せず1つの準位E0である。直流磁場B0を印加すると、準位E0は、アップスピン準位E1とダウンスピン準位E2とにスピン分離する。この例では、アップスピン準位E1はダウンスピン準位E2より低い。アップスピンとダウンスピンとのスピン分離エネルギーはΔEである。スピン分離エネルギーΔEは、以下の式で表される。ΔE=gμBB0=hΩここで、gはg因子、μBは透磁率、B0は直流磁場、hはプランク定数、Ωは電子の歳差運動の角周波数である。電子は熱分布に従い、アップスピン状態とダウンスピン状態に分布するため、アップスピン状態の電子が多くなる。図2aは、電子に直流磁場と交流磁場を印加した図、図2bは、電子の準位を示す図である。図2aのように、電子42に直流磁場B0に加え、交流磁場B1を印加する。交流磁場B1の方向は直流磁場B0に交差する方向とする。例えば、直流磁場B0と交流磁場B1との方向は直交している。図2bのように、直流磁場B0を印加しない状態では、アップスピンとダウンスピンの準位は分離していない。直流磁場B0を印加すると、アップスピンとダウンスピンの状態にスピン分離する。交流磁場B1の角周波数ωをスピン分離エネルギーΔEに相当する角周波数ωとすると、アップスピン準位E1とダウンスピン準位E2との間でスピン共鳴が生じる。これにより、図2bの破線矢印のように、アップスピン状態とダウンスピン状態が交互に生じるラビ振動が生じる。図3aから図3cを用い公知のラビ振動の生成原理について説明する。図3aから図3cは、ラビ振動が生じる原理を説明する模式図である。図3aのように、直流磁場B0を軸として電子スピンと同じ角周波数Ωで回転する回転座標系を考える。スピン緩和を無視すると、この回転座標系では電子スピンは回転していない。言い換えれば、この回転座標系は、直流磁場B0を打ち消すような座標系である。図3bのように直流磁場B0に直交する交流磁場B1は、右回りと左回りの2つの回転する磁場の重ね合わせである。交流磁場B1の角周波数ωが電子の歳差運動の角周波数、つまり回転座標系の角周波数Ωと同じ場合、左回りの回転する磁場は、回転座標系では角周波数2Ωで回転している。この場合、左回りの回転する磁場の時間平均をとると無視できる。右回りの回転する磁場は、電子スピンの角周波数と同じ方向に回転しているため、回転座標系では、右回りの回転する磁場は静止している。このため、電子スピンが感じる磁場はこの右回転の磁場成分のみとなる。そこで、図3cのように、電子スピンは、回転座標系での静止磁場右回りの磁場方向を軸として歳差運動が起こる。これにより、アップスピン状態とダウンスピン状態が交互に振動する。このように、電子スピン共鳴は、交流磁場B1の角周波数ωが電子の歳差運動の角周波数Ωと一致したときに生じる。次に、図4aから図6を用い、以下の実施例の原理となる点について説明する。すなわち、g因子を変調することにより、電子スピン共鳴を生成できることを説明する。図4aから図4cは、磁場ベクトルの変調方法を説明する図である。図4aのように、X方向からZ方向へ45°の方向に直流磁場B0を印加する場合を考える。このとき、電子の歳差運動の角周波数Ωは、数式1のように表される。g因子は、X成分gxxおよびZ成分gzzを有する。電子の感じる磁場ベクトルBは、g因子の各成分により表される。ここで、角周波数Ωおよび磁場Bはベクトルである。gxxまたは/およびgzzを変調することができれば、図4bのように、電子が感じる磁場ベクトルBの方向が直流磁場B0の方向を中心にX方向とZ方向とに交互に振動する。これは、図4cのように、直流磁場B0に、交流磁場B1を印加することと等価である。よって、電子スピン共鳴を生じさせることができる。図5は、一次元細線を用い、電子スピン共鳴を生じさせる方法を説明する図である。図5のように、X方向に延伸する一次元細線18を形成する。一次元細線18は、半導体からなりX方向に電子が走行可能である。電子は、Y方向およびZ方向には走行できない。半導体層11として障壁層12、井戸層14および障壁層16を積層し、量子井戸構造を形成する。半導体層11をエッチングすることにより、図5のようなX方向に延伸する一次元細線18を形成する。このように、量子井戸構造により二次元構造を形成し、半導体層11を物理的に加工することにより一次元構造を形成する。障壁層12および16並びに井戸層14は、スピン軌道相互作用の大きな半導体を用い形成することが好ましい。例えば、障壁層12および16はInAlAs、井戸層14はInGaAsを用いることができる。一次元細線18として振舞うには、一次元細線18のZ方向、Y方向の幅は、フェルミ波長程度以下の幅である。例えば、一次元細線18のZ方向、Y方向の幅は、電子の波動関数の広がり程度以下の幅である。例えば、Z方向、Y方向の幅は、50nm~100nm以下の幅とすることが好ましい。さらに20nm以下とすることが好ましい。スピン軌道相互作用について説明する。X方向に走行する電子にZ方向に電界が印加される場合について考える。この場合、電子にはY方向に有効磁場Bαが印加される。このように半導体におけるスピン軌道相互作用は電子に対し有効磁場として作用する。例えば、閃亜鉛鉱型結晶構造を有する化合物半導体にはラシュバスピン軌道相互作用とドレッセルハウススピン軌道相互作用との2種類が存在しているドレッセルハウススピン軌道相互作用の強さβは、電子が走行する方向によって定まり、電界によらず一定である。ラシュバスピン軌道相互作用の強さαは、電界により可変である。電子が一次元細線構造の閉じ込め効果によりX方向にのみ走行可能なため、ラシュバスピン軌道相互作用に起因する有効磁場は、Y方向に生じる。Y方向に生じた有効磁場と外部磁場との相互作用によりg因子が変調を受ける。X方向に延伸する一次元細線18に対し、外部磁場が、X方向、Y方向およびZ方向に印加された場合のそれぞれのg因子gxx、gyyおよびgzzは、それぞれ数式2から4となる。ここで、gはスピン軌道相互作用のない場合のg因子、αはラシュバスピン軌道相互作用の強さ、kxは一次元細線方向の電子の波数、μBはボーア磁子、Bx、ByおよびBzはそれぞれ印加された磁場の大きさの各方向成分、<y>はy方向の電子の波動関数の広がり、Zmは電子のz方向の閉じ込め幅、eは素電荷、hはプランク定数である。スピン軌道相互作用による内部有効磁場によってスピン分離するエネルギーΔEαはΔEα=2αkxである。このように波数に依存する。しかし、g因子は磁場の変化によって生み出されるスピン分離エネルギーである。したがって磁場Bのみの関数となるはずである。よって、kx=0とする。これにより、数式2から4は、以下の数式5から7と表される。図6は、数式5から7から計算されるαに対するg因子を示した図である。図6においては、磁場が0T、kx=0m-1、g=4、<y>=10nm、Zm=10nmとしている。図6のように、gxxは、ラシュバスピン軌道相互作用の強さαに対し一定である。gzzおよびgyyは、αが1×10-12eVmまでは、ほぼ一定である。しかし、1×10-12eVmを越えると、gzzは大きくなり、gyyは小さくなる。このように、ラシュバスピン軌道相互作用の強さαに対し、gzzおよびgyyが変化する。ラシュバスピン軌道相互作用の強さαは、電界の大きさが大きくなると大きくなる。よって、電界を変化させることにより、gzzおよびgyyを変化させることができる。以下に、このような電子スピン共鳴を簡単に発生することができる実施例について説明する。図7aは、実施例1に係る電子スピン共鳴生成装置の上面図、図7bは、図7aのX-X断面図、図7cは、図7aのY-Y断面図である。図7aから図7cのように、001面半導体基板10上に、半導体層11として障壁層12、井戸層14および障壁層16が順に形成されている。半導体層11には、基板10まで達する溝30が形成されている。井戸層14のバンドギャップを障壁層12および16より小さくすることにより、電子を井戸層14付近に閉じ込めることができる。これにより、井戸層14内には二次元チャネルが形成される。溝30は、一次元細線18が形成されるように、半導体層11の両側面から形成されている。このように、井戸層14により二次元チャネルを形成し、溝30によりくびれからなる一次元細線18を形成する。障壁層16上には絶縁膜24が形成されている。絶縁膜24上には、金属からなる電極26が形成されている。電極26は、一次元細線18に電界を印加する。溝30により一次元細線18から分離された半導体層11の領域34には、サイド電極32が接触している。サイド電極32により、領域34の半導体層11にサイド電圧を印加することができる。さらに、一次元細線18に直流磁場B0を印加する磁場生成部38が設けられている。磁場生成部38としては、磁化した強磁性体を用いることができる。また、電流により外部磁場を生成するものでもよい。図8は、実施例1に係る電子スピン共鳴生成装置の平面模式図である。図8には、半導体層11およびサイド電極32が図示されている。図8の左から右方向をX方向、の上から下方向をY方向、手前から奥行き方向をZ方向とする。サイド電極32は、図7aの領域34と一体に図示している。サイド電極32には、グランドに対しサイド電圧VSGが印加されている。負のサイド電圧VSGを印加することにより、溝30付近の半導体層11に空乏層36が形成される。空乏層36間に一次元細線18が形成される。サイド電圧VSGの大きさにより、一次元細線18の幅を調整することができる。一次元細線18として振舞うには、一次元視線18の幅は、前述のように、フェルミ波長程度以下の幅であり、数10nm以下であることが好ましい。例えば、図6の計算は10nmを用いている。図9aから図9cは、実施例1における電子スピン共鳴の生成を説明する図である。図9aは、一次元細線18の上面模式図である。図9bは、一次元細線18の側面模式図である。図9aおよび図9bのように、電極26にグランドに対し正負の交流電圧を印加する。これにより、一次元細線18にZ方向と-Z方向に方向が入れ替わる交流電界Eが印加される。図9bのように、磁場生成部38を用い、一次元細線18に、X方向とZ方向との中間の方向に直流磁場B0を印加する。図9cを参照し、交流電界Eの強さおよび方向に応じラシュバスピン軌道相互作用の大きさαおよび方向が変化する。これにより、一次元細線18内の電子42が感じるgzzは、図6のように変化する。よって、電子42の感じる磁場ベクトルBは、図9cの破線矢印のように変調する。これにより、図4cと同様に、電子42は、等価的に直流磁場B0と交流磁場B1を感じる。電子42が感じる交流磁場B1の角周波数ωを直流磁場B0によるスピン分離エネルギーΔEに相当する角周波数ωとなるように、交流電界Eの周波数を設定する。これにより、電子スピン共鳴が生じる。図9aにおいては、交流電界Eの方向をZ方向および-Z方向、直流磁場B0の方向をX方向からZ方向に45°としたが、各方向はこの方向に限られない。磁場生成部38は、一次元細線18の延伸方向に交差する方向に直流磁場B0を印加してもよい。電極26は、一次元細線18の延伸方向および直流磁場B0の方向と交差する方向に交流電界Eを印加してもよい。これにより、g因子の一次元細線18の延伸方向または/および交流電界Eの印加方向の成分を交流電界Eの周波数で変調させる。これにより、交流磁場を用いずに電子スピン共鳴を生じさせることができる。また、電子は走行していなくとも電子スピン共鳴を生じさせることができる。さらに、一次元細線18の方位によらず電子スピン共鳴を生じさせることができる。また、電極26は、一次元細線18に交流電界Eを印加することにより、スピン軌道相互作用に起因しg因子の成分を変調させる。このように、スピン軌道相互作用を用いg因子を変調させることができる。スピン軌道相互作用としては、例えばラシュバスピン軌道相互作用を用いることができる。さらに、電極26は、一次元細線18に交流電界Eを印加することにより、磁場ベクトルΩが直流磁場B0の方向に対し対称になるようにg因子を変調させる。これにより、効率よく電子スピン共鳴を生じさせることができる。さらに、一次元細線18の延伸方向と交流電界Eの方向とは直交していることが好ましい。これらの方向が直交することにより、効率よく電子スピン共鳴を生じさせることができる。また、直流磁場B0の方向は、一次元細線18の延伸方向から交流電界Eの方向に45°の方向であることが好ましい。これにより、効率よく電子スピン共鳴を生じさせることができる。図10は、実施例1に係る電子スピン共鳴装置の半導体積層構造の例を示す図である。基板10から順に、バッファ層50、障壁層12、第1半導体層52、第2半導体層54、第3半導体層56および障壁層16が積層されている。第1半導体層52から第3半導体層56が井戸層14に対応する。基板10は半絶縁性InP基板であり、001面を主面としている。バッファ層50は、膜厚が200nmでアンドープのIn0.52Al0.48As層と、電子濃度が4×1018cm-3で膜厚が6nmのIn0.52Al0.48As層である。障壁層12は、膜厚が15nmでアンドープのIn0.52Al0.48As層である。第1半導体層52は膜厚が5nmでアンドープのIn0.53Ga0.47As0.41InP0.59層である。第2半導体層54は、膜厚が5nmでアンドープのIn0.8GaGa0.2As層である。第3半導体層56は、膜厚が3nmでアンドープのIn0.52Al0.48As0.3In0.53Ga0.47As0.7層である。障壁層16は、膜厚が25nmでアンドープのIn0.52Al0.48As層である。In0.53Al0.47AsおよびIn0.53Ga0.47Asは、InPと格子整合するため、第2半導体層54以外はInPと格子整合し、図4の半導体積層構造は、格子歪の少ない構造となる。絶縁膜24は、例えば、原子層堆積装置を用い形成された、膜厚が150nmの酸化アルミニウムAl2O3を用いることができる。電極26は、絶縁膜24側から膜厚が10nmのCr膜、膜厚が200nmのAu膜とすることができる。サイド電極32は、障壁層16の上に形成された膜厚が200nmのAuGeNi膜を用いることができる。溝30は、幅が例えば約400nmである。溝30間は、例えば約400nmとすることができる。実施例1のように、ラシュバスピン軌道相互作用を用いる場合、一次元細線18は、閃亜鉛鉱型結晶構造を有することが好ましい。特に、一次元細線18は、III-V族化合物半導体であることが好ましい。例えば、一次元細線18としてGaAs、InAs、AlAs、GaP、InP、AlP、GaSb、InSb、AlSb、GaN、InNおよびAlNを用いることができる。また、これらの混晶を用いることができる。また、一次元細線18として、II-IV族化合物半導体を用いることもできる。実施例1では、ラシュバスピン軌道相互作用を用い、ドレッセルハウススピン軌道相互を用いないため、一次元細線18の面方位は、001面に限られない。また、一次元細線18の延伸方向も任意に設定することができる。以上、発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。