"平面状に配置され、各々が長方形の平面形状を有する複数の電極と、前記複数の電極に対応して設けられ、各々が誘電体からなり、かつ、対応する電極の基板側の表面に接して配置される複数のターゲット部材と、前記複数の電極の一方端から第1の周波数を有する高周波電流を前記複数の電極に流す第1の電源と、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する電圧が2つの電極に交互に印加されるように前記第2の周波数を有する電圧を前記複数の電極に印加する第2の電源とを備えるプラズマ装置。前記複数の電極の各々は、前記平面形状を有し、金属からなる平板部材と、前記平板部材の長辺方向において前記平板部材の前記基板側の表面に形成された複数の貫通孔に挿入され、各々の両端が前記平板部材に電気的に接続された複数の容量素子と、前記複数の容量素子を覆う複数の絶縁物とを含む、請求項1に記載のプラズマ装置。前記複数の容量素子の各々は、前記平板部材に並列に接続された複数のコンデンサからなる、請求項2に記載のプラズマ装置。前記複数の貫通孔は、一定の間隔で前記平板部材に形成されている、請求項2または請求項3に記載のプラズマ装置。前記第1の電源と前記複数の電極との間に配置され、前記複数の電極に流れる複数の前記高周波電流を同等に設定する複数のインダクタンスを更に備える、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプラズマ装置。隣接する2つの電極間と前記複数の電極の外側とにおいて、前記電極の長辺方向に沿って配置された複数のガス配管を更に備える、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のプラズマ装置。前記複数のガス配管の各々は、前記電極から前記基板へ向かう方向と反対方向を向いている複数の孔を有する、請求項6に記載のプラズマ装置。しかし、従来のプラズマ装置においては、スパッタ粒子の基板表面への飛来と同時に、負の荷電粒子である電子も基板表面に飛来するため、エネルギーを持った電子によって基板が加熱されるとともに、基板上に形成された膜にダメージを与えるという問題がある。そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板の温度上昇と基板上に形成された膜に対するダメージとを抑制可能なプラズマ装置を提供することである。この発明の実施の形態によれば、プラズマ装置は、複数の電極と、複数のターゲット部材と、第1および第2の電源とを備える。複数の電極は、平面状に配置され、各々が長方形の平面形状を有する。複数のターゲット部材は、複数の電極に対応して設けられ、各々が誘電体からなり、かつ、対応する電極の基板側の表面に接して配置される。第1の電源は、複数の電極の一方端から第1の周波数を有する高周波電流を複数の電極に流す。第2の電源は、第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する電圧が2つの電極に交互に印加されるように第2の周波数を有する電圧を複数の電極に印加する。この発明の実施の形態によるプラズマ装置においては、第1の電源が高周波電流を複数の電極に流すことによって複数の電極に接して配置された複数のターゲット部材の表面近傍に誘導結合によるプラズマが発生する。そして、第2の電源が第2の周波数を有する電圧を複数の電極に印加することによってプラズマ中の電子および正イオンは、それぞれ、異なるターゲット部材に流入し、複数の電極間および複数のターゲット部材の表面近傍に留まる。従って、基板の温度上昇および基板上に形成された膜に対するダメージを抑制できる。本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。図1は、この発明の実施の形態によるプラズマ装置の概略図である。図1を参照して、この発明の実施の形態によるプラズマ装置10は、真空容器1と、電極2,3と、ターゲット部材4,5と、コンデンサ6,7,13~15と、可変インダクタンス8,9と、整合回路11と、高周波電源12と、低周波電源16と、フィルタ17,18と、ガス配管19~21と、基板ホルダー22とを備える。真空容器1は、中空の直方体形状を有し、ステンレスからなる。電極2,3の各々は、長方形の平面形状を有し、金属からなる。そして、電極2,3は、真空容器1の外部において、真空容器1の天井1Aに沿って平面状に配置される。この場合、電極2は、電極3から一定の距離だけ離されている。ターゲット部材4,5は、それぞれ、電極2,3に対応して設けられる。そして、ターゲット部材4,5の各々は、真空容器1の天井1Aに設けられた貫通孔に挿入され、天井1Aに固定される。また、ターゲット部材4は、電極2の基板30側の表面に接して配置され、ターゲット部材5は、電極3の基板30側の表面に接して配置される。更に、ターゲット部材4,5の各々は、SiO2およびSi3N4等の誘電体からなる。更に、ターゲット部材4,5は、水冷機構図示せずによって水冷される。コンデンサ6および可変インダクタンス8は、電極2の一方端と整合回路11との間に直列に接続される。コンデンサ7および可変インダクタンス9は、電極3の一方端と整合回路11との間に直列に接続される。整合回路11は、高周波電源12と可変インダクタンス8,9との間、および高周波電源12と接地電位GNDとの間に接続される。そして、整合回路11は、可変コンデンサ111,112からなる。可変コンデンサ111は、高周波電源12と可変インダクタンス8,9との間に接続される。可変コンデンサ112は、高周波電源12と接地電位GNDとの間に接続される。高周波電源12は、整合回路11の可変コンデンサ111,112に接続される。コンデンサ13は、電極2の他方端とコンデンサ15との間に接続される。コンデンサ14は、電極3の他方端とコンデンサ15との間に接続される。コンデンサ15は、コンデンサ13,14と接地電位GNDとの間に接続される。低周波電源16は、フィルタ17,18に接続される。フィルタ17は、低周波電源16と電極2との間に接続される。フィルタ18は、低周波電源16と電極3との間に接続される。ガス配管19~21は、真空容器1内に配置される。そして、ガス配管19は、平面状に配置された電極2,3の幅方向における一方側の外側において、電極2,3の長辺方向DR1に沿って配置される。ガス配管20は、隣接する電極2,3間において、電極2,3の長辺方向DR1に沿って配置される。ガス配管21は、平面状に配置された電極2,3の幅方向における他方側の外側において、電極2,3の長辺方向DR1に沿って配置される。基板ホルダー22は、支持機構図示せずによって真空容器1の底面1Bに固定される。そして、基板ホルダー22は、ヒーターを内蔵する。なお、プラズマ装置10においては、基板30は、ターゲット部材4,5に対向するように配置される。また、真空容器1内のガスを排気する排気システムが真空容器1に接続されている。この排気システムは、例えば、ターボ分子ポンプとロータリーポンプとを直列に接続した構造からなり、ターボ分子ポンプが真空容器1側に接続される。コンデンサ6は、可変インダクタンス8を介して供給された高周波電流周波数:1MHz~13.56MHzを電極2の一方端から電極2に供給する。コンデンサ7は、可変インダクタンス9を介して供給された高周波電流を電極3の一方端から電極3に供給する。可変インダクタンス8,9は、整合回路11を介して高周波電源12から供給された高周波電流を均等に電極2,3に流す。この場合、電極2に供給される高周波電流I1と電極3に供給される高周波電流I2とを測定し、その測定した高周波電流I1,I2が等しくなるように可変インダクタンス8,9を調整してもよいし、高周波電流I1,I2が等しくなるときのインダクタンス値を予め測定しておき、そのインダクタンス値を可変インダクタンス8,9に設定するようにしてもよい。整合回路11は、高周波電源12から供給された高周波電流を反射波を抑制して可変インダクタンス8,9に供給する。高周波電源12は、高周波電流を発生し、その発生した高周波電流を整合回路11に供給する。コンデンサ13は、電極2を流れた高周波電流をコンデンサ15に供給する。コンデンサ14は、電極3を流れた高周波電流をコンデンサ15に供給する。コンデンサ15は、コンデンサ13,14からの高周波電流を接地電位GNDに流す。低周波電源16は、50Hz~50kHzの範囲の交番電圧を発生し、その発生した交番電圧をフィルタ17,18を介して電極2,3に印加する。この交番電圧は、接地電位を基準として正負に交互に変化する電圧である。フィルタ17は、低周波電源16からの交番電圧の高周波成分を除去し、その高周波成分を除去した交番電圧を電極2に印加する。フィルタ18は、低周波電源16からの交番電圧の高周波成分を除去し、その高周波成分を除去した交番電圧を電極3に印加する。ガス配管19~21の各々は、例えば、アルゴンガスArガスをボンベから真空容器1内に供給する。基板ホルダー22は、基板30を支持するとともに、基板30を所望の温度に加熱する。図2は、図1に示す線II-II間における真空容器1、電極2,3、ターゲット部材4,5、ガス配管19~21および基板ホルダー22の断面図である。図2を参照して、ターゲット部材4は、電極2に接合ボンディングされており、ターゲット部材5は、電極3に接合ボンディングされている。そして、電極2およびターゲット部材4は、ターゲット部材4が真空容器1の天井1Aと一つの平面を形成するように配置される。また、電極3およびターゲット部材5は、ターゲット部材5が真空容器1の天井1Aと一つの平面を形成するように配置される。絶縁フランジ25,26の各々は、略L字形の断面形状を有する。そして、絶縁フランジ25は、電極2およびターゲット部材4と真空容器1の天井1Aとの間に配置され、絶縁フランジ26は、電極3およびターゲット部材5と真空容器1の天井1Aとの間に配置される。接地枠23,24は、例えば、アルミニウムまたはステンレスからなり、真空容器1の天井1Aに固定されている。そして、接地枠23は、絶縁フランジ25の一方端側を塞ぐ。また、接地枠24は、絶縁フランジ26の一方端側を塞ぐ。電極2,3の各々は、幅W1を有する。そして、電極2と電極3との間隔は、間隔D1である。幅W1は、例えば、50mm~200mmであり、間隔D1は、例えば、100mm~200mmである。そして、電極2,3は、相互に等しい面積を有する。また、ターゲット部材4,5は、それぞれ、電極2,3と同じ面積を有する。ターゲット部材4,5と基板30との距離は、例えば、20mm~100mmである。真空容器1は、底面1Bに排気口EXHを有する。排気システムは、排気口EXHに接続され、真空容器1内のガスを排気する。ガス配管19~21は、それぞれ、孔19A,20A,21Aを有する。そして、孔19A,20A,21Aは、電極2,3から基板30へ向かう方向と反対方向を向いている。また、孔19A,20A,21Aは、図1に示すように、電極2,3の長辺方向DR1に複数個設けられている。そして、低周波電源16は、交番電圧を電極2,3に印加する。図3は、図2に示す領域REGの拡大図である。図3を参照して、絶縁フランジ25および電極2には、貫通穴401が設けられており、真空容器1の天井1Aには、タップ穴402が設けられている。そして、絶縁カラー403は、貫通穴401に挿入されている。ボルト404は、絶縁カラー403を通り、タップ穴402にネジ止めされている。これによって、接合された電極2およびターゲット部材4は、真空容器1の天井1Aに固定される。なお、絶縁カラー403は、ボルト404と電極2とを絶縁するために設けられる。また、真空容器1の天井1Aには、絶縁フランジ25に接してOリング405が配置されており、電極2には、絶縁フランジ25に接してOリング406が配置されている。そして、Oリング405,406によって、真空容器1の気密性が保持される。絶縁フランジ25は、その一方端側が空間410内に位置する。そして、絶縁フランジ25の一方端側と真空容器1Aの天井1Aとの間隔D2、および絶縁フランジ25の一方端側とターゲット部材4との間隔D3は、1mm未満に設定される。この場合、間隔D2は、間隔D3と同じであってもよく、異なっていてもよい。また、真空容器1の天井1Aには、タップ穴407が設けられており、接地枠23には、貫通穴408が設けられている。そして、ボルト409は、貫通穴408を通り、タップ穴407にネジ止めされている。これによって、接地枠23は、ターゲット部材4および絶縁フランジ25に接触せず、空間410を塞ぐように真空容器1の天井1Aに固定される。接地枠23は、真空容器1内でプラズマが発生した場合、空間410内での放電を防止するとともに、絶縁フランジ25がプラズマに晒されるのを防止するために設けられる。なお、図2に示す他方側の電極2、ターゲット部材4、接地枠23および絶縁フランジ25の部分も、図3に示す構造と同じ構造からなる。また、図2に示す電極3およびターゲット部材5も、図3に示す電極2およびターゲット部材4と同じ方法によって真空容器1の天井1Aに固定される。図4は、図1に示す線IV-IV間における真空容器1、電極3、ターゲット部材5、および基板ホルダー22の断面図である。図4を参照して、ターゲット部材5は、長辺方向DR1の両端においても接地枠24によって真空容器1の天井1Aに固定される。そして、電極3は、長辺方向DR1の両端においても、ターゲット部材5に接するように絶縁フランジ26によって接地枠24に固定される。なお、電極3、ターゲット部材5、接地枠24および絶縁フランジ26の部分は、図3に示す構造と同じ構造からなる。そして、高周波電源12は、電極3の一方端3Aから高周波電流を電極3に供給する。電極2,3の長辺方向DR1において電極2が真空容器1の天井1Aに固定される機構についても、図4に示す電極3が真空容器1の天井1Aに固定される機構と同じである。プラズマ装置10における動作について説明する。図5は、図1に示すプラズマ装置10の動作を説明するための概念図である。プラズマ装置10を用いてスパッタリングによって膜を基板30上に形成する場合、排気システムを用いて真空容器1内を1×10-3Pa以下に排気する。そして、Arガスをガス配管19~21を介して真空容器1内に導入する。この場合、Arガスの流量は、例えば、50~200sccmである。また、Arガスは、ガス配管19~21の孔19A,20A,21Aから真空容器1の天井1Aに向けて真空容器1内へ供給される。そして、排気システムを用いて真空容器1内の圧力を0.13Pa~133.3Paの範囲に設定する。そうすると、高周波電源12は、例えば、5kWの高周波電力を発生し、その発生した5kWの高周波電力を整合回路11、可変インダクタンス8,9およびコンデンサ6,7を介して電極2,3の一方端へ供給する。また、低周波電源16は、5kWの低周波電力をフィルタ17,18を介して電極2,3に印加する。これによって、交番電圧が電極2,3に印加される。その結果、等しい電流値の高周波電流が長辺方向DR1に電極2,3を流れる。そして、電極2,3を長辺方向DR1に流れる高周波電流によってターゲット部材4,5の周辺に誘導電界が発生し、真空容器1内に導入したArガスによるプラズマ40が発生する。そして、交番電圧によって電極2が正にバイアスされたとき、プラズマ40中の電子がターゲット部材4に流入し、プラズマ40中の正イオンがターゲット部材5に流入する。また、交番電圧によって電極2が負にバイアスされたとき、プラズマ40中の正イオンがターゲット部材4に流入し、プラズマ40中の電子がターゲット部材5に流入する。その結果、プラズマ40中の荷電粒子電子および正イオンは、電極2,3間に跨る領域に留まるとともに、ターゲット部材4,5に流入する。そして、正イオンが流入することによって、ターゲット部材4,5は、スパッタされ、ターゲット部材4,5の構成元素とほぼ同じ構成の膜が基板30上に堆積される。基板30上に膜が堆積されると、高周波電源12は、高周波電力の供給を停止し、低周波電源16は、低周波電力の供給を停止する。そして、Arガスの真空容器1内への供給を停止し、排気システムによって真空容器1内を1×10-3Pa以下に排気する。これによって、スパッタリングによって膜を形成する動作が終了する。このように、プラズマ装置10においては、平板状の電極2,3に一方端から長辺方向DR1に高周波電流を流す。その結果、電極2,3を流れる高周波電流によって誘導電界がターゲット部材4,5の表面近傍に発生し、真空容器1内に導入されたArガスによる誘導結合型のプラズマ40がターゲット部材4,5の表面近傍に発生する。また、低周波電源によって交番電圧が電極2,3に印加されるので、プラズマ40中の電子がターゲット部材4およびターゲット部材5に交互に流入するとともに、プラズマ40中の正イオンがターゲット部材5およびターゲット部材4に交互に流入し、プラズマ40中の荷電粒子電子および正イオンがターゲット部材4,5の近傍に留まる。従って、プラズマ40中の荷電粒子の基板30への流入が抑制され、成膜中の膜の温度上昇および膜へのダメージを抑制できる。また、プラズマ装置10においては、誘導結合によってプラズマを発生するので、磁場を用いることなく、高密度プラズマをターゲット部材4,5の近傍に生成できる。更に、プラズマ装置10においては、磁場を用いないので、プラズマ40の分布が偏らず、ターゲット部材4,5は、スパッタリングによって一様に消費される。従って、ターゲット部材4,5の利用効率を向上できる。更に、プラズマ装置10においては、誘導結合によるプラズマを用いるので、ガス種の分解効率が高く、ターゲット部材4,5の元素とガスの分解種とを効率良く反応させることができる。更に、プラズマ装置10においては、誘導結合によるプラズマを用いるので、低ガス圧下でも高密度のプラズマを生成でき、真空度の良い環境で膜を生成できる。その結果、形成した膜中の不純物を低減できる。更に、プラズマ装置10においては、Arガスは、ガス配管19~21から真空容器1の天井1Aに向かって噴出するので、Arガスの基板30への直接の影響を避けることができ、Arガスを真空容器1内の全体へ分散させることができる。図6は、図1に示すプラズマ装置10における他の電極配置を示す概念図である。図6を参照して、プラズマ装置10においては、電極2,3を電極31~33に代え、ターゲット部材4,5をターゲット部材34~36に代え、可変インダクタンス8,9を可変インダクタンス51~53に代えてもよい。この場合、プラズマ装置10は、インダクタンス41~43を更に備える。電極31~33の各々は、電極2,3と同じ長方形の平面形状を有し、アルミニウムからなる。電極31~33は、電極2,3と同じ方法によってそれぞれターゲット部材34~36に接して配置される。そして、電極31~33は、上述した間隔D1で平面状に配置される。また、電極31~33の面積をそれぞれS31~S33とすると、S31S33=S32の関係が成立する。ターゲット部材34~36は、それぞれ、電極31~33に対応して設けられる。ターゲット部材34~36は、ターゲット部材4,5と同じ方法によって真空容器1の天井1Aに平面状に固定される。そして、ターゲット部材34~36は、それぞれ、電極31~33と同じ面積を有し、電極31~33の基板30側の表面に接して配置される。フィルタ17は、低周波電源16から受けた交番電圧の高周波成分を除去し、その高周波成分を除去した交番電圧をインダクタンス41,42を介して電極31,33に印加する。また、フィルタ18は、低周波電源16から受けた交番電圧の高周波成分を除去し、その高周波成分を除去した交番電圧をインダクタンス43を介して電極32に印加する。3個の電極31~33が用いられる場合、低周波電源16は、電極31,33が同じ極性になり、電極32が電極31,33と逆の極性になるように交番電圧を電極31~33に印加する。電極31~33が用いられる場合、高周波電源12は、電極31,32,33の長辺方向における一方端31A,32A,33Aから電極31~33に高周波電流を供給する。この場合、電極31~33に流れる高周波電流をそれぞれI31~I33とすると、可変インダクタンス51~53は、I31I33=I32の関係が成立するように電極31~33に流れる高周波電流I31~I33を調整する。そして、I31I33=I32の関係が成立するように電極31~33に流れる高周波電流I31~I33を調整する場合、電極31~33に供給される高周波電流I31~I33を測定し、その測定した高周波電流I31~I33の間にI31I33=I32の関係が成立するように可変インダクタンス51~53を調整してもよいし、I31I33=I32の関係が成立するときのインダクタンス値を予め測定しておき、その測定したインダクタンス値を可変インダクタンス51~53に設定するようにしてもよい。電極31,33が正にバイアスされたとき、プラズマ40中の電子がターゲット部材34,36に流入し、プラズマ40中の正イオンがターゲット部材35に流入する。また、電極31,33が負にバイアスされたとき、プラズマ40中の電子がターゲット部材35に流入し、プラズマ40中の正イオンがターゲット部材34,36に流入する。そして、電極31~33の面積S31~S33の間には、上述したように、S31S33=S32の関係が成立する。その結果、電子が流入するターゲット部材の面積は、正イオンが流入するターゲット部材の面積と等しくなり、プラズマ40が安定する。従って、プラズマ装置10が3個の電極31~33を備える場合も、上述したように、プラズマ40中の荷電粒子電子および正イオンは、隣接する電極間=電極31,32間および電極32,33間とターゲット部材34~36の表面近傍とに留まる。よって、プラズマ40中の荷電粒子の基板30への流入が抑制され、成膜中の膜の温度上昇および膜へのダメージを抑制できる。なお、図6においては、コンデンサ6,7に相当するコンデンサが省略されている。図7は、図1に示すプラズマ装置10における更に他の電極配置を示す概念図である。図7を参照して、プラズマ装置10においては、電極2,3を電極61~6nnは3以上の奇数に代え、ターゲット部材4,5をターゲット部材71~7nに代え、可変インダクタンス8,9を可変インダクタンス91~9nに代えてもよい。この場合、プラズマ装置10は、インダクタンス81~8nを更に備える。電極61~6nの各々は、電極2,3と同じ長方形の平面形状を有し、アルミニウムからなる。電極61~6nは、電極2,3と同じ方法によってそれぞれターゲット部材71~7nに接して配置される。そして、電極61~6nは、上述した間隔D1で平面状に配置される。また、電極61~6nの面積をそれぞれS61~S6nとすると、S61S63=S62,S63S65=S64,,S6n-2S6n=S6n-1の関係が成立する。ターゲット部材71~7nは、それぞれ、電極61~6nに対応して設けられる。ターゲット部材71~7nは、ターゲット部材4,5と同じ方法によって真空容器1の天井1Aに平面状に固定される。そして、ターゲット部材71~7nは、それぞれ、電極61~6nと同じ面積を有し、電極61~6nの基板30側の表面に接して配置される。フィルタ17は、低周波電源16から受けた交番電圧の高周波成分を除去し、その高周波成分を除去した交番電圧をインダクタンス81,83,85,,8nを介して電極61,63,65,,6nに印加する。また、フィルタ18は、低周波電源16から受けた交番電圧の高周波成分を除去し、その高周波成分を除去した交番電圧をインダクタンス82,84,,8n-1を介して電極62,64,,6n-1に印加する。n個の電極61~6nが用いられる場合、低周波電源16は、電極61,63,,6nが同じ極性になり、電極62,64,,6n-1が電極61,63,,6nと逆の極性になるように交番電圧を電極61~6nに印加する。電極61~6nが用いられる場合、高周波電源12は、電極61~6nの長辺方向における一方端61A~6nAから電極61~6nに高周波電流を供給する。この場合、電極61~6nに流れる高周波電流をそれぞれI61~I6nとすると、可変インダクタンス91~9nは、I61I63=I62,I63I65=I64,,I6n-2I6n=I6n-1の関係が成立するように電極61~6nに流れる高周波電流I61~I6nを調整する。そして、I61I63=I62,I63I65=I64,,I6n-2I6n=I6n-1の関係が成立するように電極61~6nに流れる高周波電流I61~I6nを調整する場合、電極61~6nに供給される高周波電流I61~I6nを測定し、その測定した高周波電流I61~I6nの間にI61I63=I62,I63I65=I64,,I6n-2I6n=I6n-1の関係が成立するように可変インダクタンス91~9nを調整してもよいし、I61I63=I62,I63I65=I64,,I6n-2I6n=I6n-1の関係が成立するときのインダクタンス値を予め測定しておき、その測定したインダクタンス値を可変インダクタンス91~9nに設定するようにしてもよい。電極61,63,,6nが正にバイアスされたとき、プラズマ40中の電子がターゲット部材71,73,,7nに流入し、プラズマ40中の正イオンがターゲット部材72,74,,7n-1に流入する。また、電極61,63,,6nが負にバイアスされたとき、プラズマ40中の正イオンがターゲット部材71,73,,7nに流入し、プラズマ40中の電子がターゲット部材72,74,,7n-1に流入する。そして、電極61~6nの面積S61~S6nの間には、上述したように、S61S63=S62,S63S65=S64,,S6n-2S6n=S6n-1の関係が成立する。その結果、電子が流入するターゲット部材の面積は、正イオンが流入するターゲット部材の面積と等しくなり、プラズマ40が安定する。従って、プラズマ装置10が3個以上の奇数個の電極61~6nを備える場合も、上述したように、プラズマ40中の荷電粒子電子および正イオンは、隣接する電極間=電極61,62間、電極62,63間、、電極6n-1,6n間とターゲット部材71~7nの表面近傍とに留まる。よって、プラズマ40中の荷電粒子の基板30への流入が抑制され、成膜中の膜の温度上昇および膜へのダメージを抑制できる。なお、図6においては、コンデンサ6,7に相当するコンデンサが省略されている。図8は、図1に示すプラズマ装置10における更に他の電極配置を示す概念図である。図8を参照して、プラズマ装置10においては、電極2,3を電極101~104に代え、ターゲット部材4,5をターゲット部材105~108に代え、可変インダクタンス8,9を可変インダクタンス121~124に代えてもよい。この場合、プラズマ装置10は、インダクタンス113~116を更に備える。電極101~104の各々は、電極2,3と同じ長方形の平面形状を有し、アルミニウムからなる。電極101~104は、電極2,3と同じ方法によってそれぞれターゲット部材105~108に接して配置される。そして、電極101~104は、上述した間隔D1で平面状に配置される。また、電極101~104は、相互に等しい面積を有する。ターゲット部材105~108は、それぞれ、電極101~104に対応して設けられる。ターゲット部材105~108は、ターゲット部材4,5と同じ方法によって真空容器1の天井1Aに平面状に固定される。そして、ターゲット部材105~108は、それぞれ、電極101~104と同じ面積を有し、電極101~104の基板30側の表面に接して配置される。フィルタ17は、低周波電源16から受けた交番電圧の高周波成分を除去し、その高周波成分を除去した交番電圧をインダクタンス113,114を介して電極105,107に印加する。また、フィルタ18は、低周波電源16から受けた交番電圧の高周波成分を除去し、その高周波成分を除去した交番電圧をインダクタンス115,116を介して電極106,108に印加する。4個の電極101~104が用いられる場合、低周波電源16は、電極101,103が同じ極性になり、電極102,104が電極101,103と逆の極性になるように交番電圧を電極101~104に印加する。電極101~104が用いられる場合、高周波電源12は、電極101,102,103,104の長辺方向における一方端101A,102A,103A,104Aから電極101~104に高周波電流を供給する。この場合、可変インダクタンス121~124は、電極101~104に流れる高周波電流が相互に等しくなるように電極101~104に流れる高周波電流を調整する。そして、電極101~104に流れる高周波電流が相互に等しくなるように電極101~104に流れる高周波電流を調整する場合、電極101~104に供給される高周波電流を測定し、その測定した高周波電流が相互に等しくなるように可変インダクタンス121~124を調整してもよいし、電極101~104に流れる高周波電流が相互に等しくなるときのインダクタンス値を予め測定しておき、その測定したインダクタンス値を可変インダクタンス121~124に設定するようにしてもよい。電極101,103が正にバイアスされたとき、プラズマ40中の電子がターゲット部材105,107に流入し、プラズマ40中の正イオンがターゲット部材106,108に流入する。また、電極101,103が負にバイアスされたとき、プラズマ40中の電子がターゲット部材106,108に流入し、プラズマ40中の正イオンがターゲット部材105,107に流入する。そして、電極101~104の面積は、上述したように、相互に等しい。その結果、電子が流入するターゲット部材の面積は、正イオンが流入するターゲット部材の面積と等しくなり、プラズマ40が安定する。従って、プラズマ装置10が4個の電極101~104を備える場合も、上述したように、プラズマ40中の荷電粒子電子および正イオンは、隣接する電極間=電極101,102間、電極102,103間、および電極103,104間とターゲット部材105~108の表面近傍とに留まる。よって、プラズマ40中の荷電粒子の基板30への流入が抑制され、成膜中の膜の温度上昇および膜へのダメージを抑制できる。図9は、図1に示すプラズマ装置10における更に他の電極配置を示す概念図である。図9を参照して、プラズマ装置10においては、電極2,3を電極131~13mmは4以上の偶数に代え、ターゲット部材4,5をターゲット部材141~14mに代え、可変インダクタンス8,9を可変インダクタンス151~15mに代えてもよい。この場合、プラズマ装置10は、インダクタンス161~16mを更に備える。電極131~13mの各々は、電極2,3と同じ長方形の平面形状を有し、アルミニウムからなる。電極131~13mは、電極2,3と同じ方法によってそれぞれターゲット部材141~14mに接して配置される。そして、電極131~13mは、上述した間隔D1で平面状に配置される。また、電極131~13mの面積は、相互に等しい。ターゲット部材141~14mは、それぞれ、電極131~13mに対応して設けられる。ターゲット部材141~14mは、ターゲット部材4,5と同じ方法によって真空容器1の天井1Aに平面状に固定される。そして、ターゲット部材141~143mは、それぞれ、電極131~13mと同じ面積を有し、電極131~13mの基板30側の表面に接して配置される。フィルタ17は、低周波電源16から受けた交番電圧の高周波成分を除去し、その高周波成分を除去した交番電圧をインダクタンス161,163,,16m-1を介して電極131,133,,13m-1に印加する。また、フィルタ18は、低周波電源16から受けた交番電圧の高周波成分を除去し、その高周波成分を除去した交番電圧をインダクタンス162,164,,16mを介して電極132,134,,13mに印加する。m個の電極131~13mが用いられる場合、低周波電源16は、電極131,133,,13m-1が同じ極性になり、電極132,134,,13mが電極131,133,,13m-1と逆の極性になるように交番電圧を電極131~13mに印加する。電極131~13mが用いられる場合、高周波電源12は、電極131~13mの長辺方向における一方端131A~13mAから電極131~13mに高周波電流を供給する。この場合、電極131~13mに流れる高周波電流が相互に等しくなるように電極131~13mに流れる高周波電流を調整する。そして、電極131~13mに流れる高周波電流が相互に等しくなるように電極131~13mに流れる高周波電流を調整する場合、電極131~13mに供給される高周波電流を測定し、その測定した高周波電流が相互に等しくなるように可変インダクタンス151~15mを調整してもよいし、電極131~13mに流れる高周波電流が相互に等しくなるときのインダクタンス値を予め測定しておき、その測定したインダクタンス値を可変インダクタンス151~15mに設定するようにしてもよい。電極131,133,,13m-1が正にバイアスされたとき、プラズマ40中の電子がターゲット部材141,143,,14m-1に流入し、プラズマ40中の正イオンがターゲット部材142,144,,14mに流入する。また、電極131,133,,13m-1が負にバイアスされたとき、プラズマ40中の正イオンがターゲット部材141,143,,14m-1に流入し、プラズマ40中の電子がターゲット部材142,144,,14mに流入する。そして、電極131~13mの面積は、上述したように、相互に等しい。その結果、電子が流入するターゲット部材の面積は、正イオンが流入するターゲット部材の面積と等しくなり、プラズマ40が安定する。従って、プラズマ装置10が4個以上の偶数個の電極131~13mを備える場合も、上述したように、プラズマ40中の荷電粒子電子および正イオンは、隣接する電極間=電極131,132間、電極132,133間、、電極13m-1,13m間とターゲット部材141~14mの表面近傍とに留まる。よって、プラズマ40中の荷電粒子の基板30への流入が抑制され、成膜中の膜の温度上昇および膜へのダメージを抑制できる。上述したように、プラズマ装置10は、平面形状が長方形である2個以上の電極を備えている場合、高周波電流を長辺方向の一方端から2個以上の電極に流し、ターゲット部材の表面近傍に誘導結合によるプラズマ40を発生する。そして、プラズマ40中の荷電粒子電子および正イオンは、電極間およびターゲット部材の表面近傍に留まる。従って、電極が2個以上である場合、荷電粒子の基板30への流入が抑制され、成膜中の膜の温度上昇および膜へのダメージを抑制できる。また、上述した各種の電極2,3、電極31~33、電極61~6n、電極101~104および電極131~13mを用いることによって、成膜中の膜の温度上昇および膜へのダメージを抑制して任意のサイズの基板30上に膜を形成できる。図10は、この発明の実施の形態による他のプラズマ装置の概略図である。この発明の実施の形態によるプラズマ装置は、図10に示すプラズマ装置10Aであってもよい。図10を参照して、プラズマ装置10Aは、図1に示すプラズマ装置10の電極2,3をそれぞれ電極201,301に代えたものであり、その他は、プラズマ装置10と同じである。電極201,301は、それぞれ、電極2,3と同じ方法によってターゲット部材4,5に接して配置される。そして、電極201,301は、相互に同じ面積を有する。図11は、図10に示す電極201の平面図および断面図である。なお、図11のaは、平面図であり、図11のbは、断面図である。図11を参照して、電極201は、平板部材2010と、容量素子2020~2023とを含む。平板部材2010は、長方形の平面形状を有し、金属からなる。容量素子2020~2023は、一定の間隔D4毎に電極201の長辺方向DR1に配置される。間隔D4は、電極201の長さに応じて決定され、例えば、150~300mmである。そして、容量素子2020~2023の各々は、平板部材2010の幅W1の全てにわたって平板部材2010の基板30側の表面2010Aに設けられる。また、容量素子2020~2023の各々は、電極201の長辺方向DR1において、幅W2を有する。幅W2は、例えば、10~40mmである。容量素子2020は、貫通孔2011と、金属板2012,2013と、コンデンサ2014,2015と、絶縁物2016とを含む。貫通孔2011は、平板部材2010を貫通し、幅W2を有する。金属板2012,2013の各々は、略L字形の断面形状を有する。金属板2012は、一方端が貫通孔2011の一方側の平板部材2010と電気的に接続される。金属板2013は、一方端が貫通孔2011の他方側の平板部材2010と電気的に接続される。コンデンサ2014,2015は、金属板2012と金属板2013との間に並列に接続される。絶縁物2016は、金属板2012,2013の一部およびコンデンサ2014,2015を覆うように貫通孔2011内に充填される。容量素子2021~2023の各々は、容量素子2020と同じ構成からなる。このように、電極201は、電気的に、長辺方向DR1にインダクタンスとキャパシタンスとが直列に接続された構成からなる。その結果、電極201の長辺方向DR1におけるインピーダンスが低下する。そして、電極201のインピーダンスは、共振条件を満たす場合に最も小さくなり、電極201の両端間の電位差は、抵抗成分による電位差のみからなる。従って、電極201の長辺方向DR1における距離が長くなっても、電位差の小さいプラズマを生成できる。なお、図10に示す電極301は、図11に示す電極201と同じ構成からなる。また、プラズマ装置10Aにおいて、スパッタリングによって基板30上に膜を形成する動作は、プラズマ装置10において、スパッタリングによって基板30上に膜を形成する動作と同じである。上述したように、プラズマ装置10Aは、長辺方向DR1に配置された複数の容量素子2020~2023を一定の間隔D2で配置した電極201,301を備えるので、電極201,301の長辺方向DR1におけるインピーダンスが低下し、より多くの高周波電流が電極201,301の長辺方向DR1に流れる。従って、プラズマ装置10Aにおいては、プラズマ装置10における効果に加え、誘導結合によるプラズマ40の密度を高くできる。また、プラズマ装置10Aにおいては、電極201,301の長さを長くしても電位差の小さいプラズマを生成できる。なお、プラズマ装置10Aにおいては、複数の容量素子2020~2023は、電極201,301の長辺方向DR1において、一定の間隔D2で配置されていなくてもよい。高周波電流の方向に直交するように容量素子2020~2023が配置されていれば、容量素子2020~2023が配置されない場合に比べ、電極201,301の長辺方向DR1におけるインピーダンスが低下し、プラズマ40の密度を高くできるとともに、電位差の小さいプラズマを生成できるからである。また、プラズマ装置10Aにおいても、プラズマ装置10において電極2,3を電極31~33、電極61~6n、電極101~104および電極131~13mに代えたのと同じ変更がなされてもよい。従って、プラズマ装置10Aにおいても、成膜中の膜の温度上昇および膜へのダメージを抑制して任意のサイズの基板30上に膜を形成できる。上記においては、スパッタ用のガスとしてArガスを用いると説明したが、この発明の実施の形態においては、これに限らず、Arガスと酸素ガスまたは窒素ガスとの混合ガスをスパッタ用のガスとして用いてもよい。また、上記においては、プラズマ装置10,10Aの各々は、電極2,3等の長辺方向DR1に沿って配置され、基板30からターゲット部材ターゲット部材4,5等の方向へ向いた孔19A,20A,21Aを有するガス配管19~21を備えると説明したが、この発明の実施の形態においては、これに限らず、この発明の実施の形態によるプラズマ装置は、真空容器1内にArガスを導入するガス配管を備えていればよい。そして、この発明の実施の形態によるプラズマ装置は、平面状に配置され、各々が長方形の平面形状を有する複数の電極と、複数の電極に対応して設けられ、各々が誘電体からなり、かつ、対応する電極の基板側の表面に接して配置される複数のターゲット部材と、複数の電極の一方端から第1の周波数を有する高周波電流を複数の電極に流す第1の電源と、第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する電圧が2つの電極に交互に印加されるように第2の周波数を有する電圧を複数の電極に印加する第2の電源とを備えていればよい。この発明の実施の形態によるプラズマ装置は、複数の電極と、複数のターゲット部材と、第1および第2の電源とを備えていれば、第1の電源によって複数の電極に高周波電流を流すことにより誘導結合によるプラズマを発生でき、第2の電源によって第2の周波数を有する電圧を複数の電極に交互に印加することにより、プラズマ中の電子および正イオンが相互に異なるターゲット部材に流入する。その結果、プラズマ中の電子および正イオンが複数の電極の間および複数のターゲット部材の表面近傍に留まり、成膜中の膜の温度上昇および膜へのダメージを抑制して基板30上に膜を形成できるからである。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"