基板上にn型窒化物半導体層を形成する工程と、前記n型窒化物半導体層上に発光層を形成する工程と、前記発光層上にp型窒化物半導体層を形成する工程と、前記p型窒化物半導体層を、酸素を含む雰囲気において、第1温度で熱処理する工程と、前記第1温度で熱処理した前記p型窒化物半導体層を、真空雰囲気において、第1温度よりも低い第2温度で熱処理する工程と、を含む窒化物半導体発光素子の製造方法。前記第1温度は、400°C以上700°C以下であり、前記第2温度は、200°C以上である、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記酸素を含む雰囲気の圧力は、1気圧以上であり、前記真空雰囲気は、10Pa以下である、請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記酸素を含む雰囲気中における酸素の含有量は1体積以上30体積以下である、請求項1から3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記p型窒化物半導体層は、AlxInyGazN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1の式で表される窒化物半導体にp型不純物がドープされてなる、請求項1から4のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記p型窒化物半導体層には、Mgがドーピングされている、請求項1から5のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記第2温度で熱処理する工程の後に、前記p型窒化物半導体層上に導電性薄膜を形成する工程をさらに含む、請求項1から6のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。しかしながら、GaN層に対して高温でアニール処理を行なうと、GaN層からのN抜けが起こり易く、N抜けによってGaN層にドナー型欠陥が生じるために、結果的に、GaN層の正孔濃度が低下してしまうという問題がある。また、高温のアニール処理を長時間行なうことにより、発光層としてのMQWMultipleQuantumWell層などにダメージを与えてしまうことが懸念される。さらには、GaN層の正孔濃度は、不純物のドーピング量からすれば、さらに増加させ得るものであって、窒化物半導体発光素子の性能は未だ十分ではない。上記事情に鑑みて、本発明は、高い性能を有する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、基板上にn型窒化物半導体層を形成する工程と、n型窒化物半導体層上に発光層を形成する工程と、発光層上にp型窒化物半導体層を形成する工程と、p型窒化物半導体層を、酸素を含む雰囲気において、第1温度で熱処理する工程と、第1温度で熱処理したp型窒化物半導体層を、真空雰囲気において、第1温度よりも低い第2温度で熱処理する工程と、を含む窒化物半導体発光素子の製造方法である。上記窒化物半導体発光素子の製造方法において、第1温度は、400°C以上700°C以下であり、第2温度は、200°C以上であることが好ましい。上記窒化物半導体発光素子の製造方法において、酸素を含む雰囲気の圧力は、1気圧以上であり、真空雰囲気は、10Pa以下であることが好ましい。上記窒化物半導体発光素子の製造方法において、酸素を含む雰囲気中における酸素の含有量は1体積以上30体積以下であることが好ましい。上記窒化物半導体発光素子の製造方法において、p型窒化物半導体層は、AlxInyGazN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1の式で表される窒化物半導体にp型不純物がドープされてなることが好ましい。上記窒化物半導体発光素子の製造方法において、p型窒化物半導体層には、Mgがドーピングされていることが好ましい。上記窒化物半導体発光素子の製造方法において、第2温度で熱処理する工程の後に、p型窒化物半導体層上に導電性薄膜を形成する工程をさらに含むことが好ましい。本発明によれば、高い性能を有する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することができる。以下、図面を参照しながら、本発明に係る窒化物半導体発光素子の実施の形態を説明する。以下の実施の形態は一例であり、本発明の範囲内で種々の実施の形態での実施が可能である。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。<窒化物半導体発光素子>図1は、本実施の形態の窒化物半導体発光素子の製造方法によって作製され得る窒化物半導体発光素子の一例を模式的に示す斜視図であり、図2は、図1の線II-IIに沿った模式的な断面図である。図1および図2を参照し、窒化物半導体発光素子10は、基板11上に、下部クラッド層12、発光層13、上部クラッド層14がこの順に積層された積層体を有する。上部クラッド層14上には、導電性薄膜15が形成されており、この導電性薄膜15上には、第1電極16が設けられている。また、下部クラッド層12上には第2電極17が設けられている。窒化物半導体発光素子10において、下部クラッド層12、発光層13、および上部クラッド層14によりダブルヘテロ接合が形成されている。また、発光層13は、アンドープ、n型、p型、およびn型とp型の両方の不純物を含んだ各種の半導体層が必要に応じて選択され、これらの半導体層の任意の界面がpn接合面となる。基板基板11としては、Alx1Iny1Gaz1N0≦x1≦1、0≦y1≦1、0≦z1≦1、x1y1z1=1、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3サファイア、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGe、またはZrB2の式で表される材料を少なくとも表面に有する基板を用いることが好ましい。n型窒化物半導体層n型窒化物半導体層としての下部クラッド層12は、発光層13のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、そのギャップ差に基づく電位障壁によって、発光層13内に電子および正孔をせき止める機能を有する。さらに、下部クラッド層12は、基板11と発光層13との間の緩衝層や、第2電極17との良好なオーミック接触のためのコンタクト層をも含み得る。すなわち、下部クラッド層12は単層または複数層のいずれであってもよい。下部クラッド層12が単層の場合には、材料として、Alx2Iny2Gaz2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、0≦z2≦1、x2y2z2=1の式で表される窒化物半導体にSiなどのn型の不純物がドープされてなるものを用いることが好ましい。下部クラッド層12が複数層の場合には、Alx2Iny2Gaz2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、0≦z2≦1、x2y2z2=1の式で表される窒化物半導体にSiなどのn型の不純物がドープされてなるn型窒化物半導体層を含むとともに、アンドープの窒化物半導体層を含んでいてもよい。このような複数層からなる下部クラッド層12の積層構造としては、たとえば、バッファ層、アンドープ層、n型ドーピング層、n型コンタクト層などを適宜選択して積層させた構成とすることができ、より具体的には、InGaN/GaN、InGaN/AlGaN、AlGaN/GaN、InGaN/InGaNのような積層構造としてもよく、複数層が繰り返し積層された周期的な積層構造としてもよい。なお、これらの積層構造は、超格子構造を形成していてもよい。発光層発光層13は、MQW構造、SQW構造SigleQuantumWellなどの積層構造とすることができる。発光層13は、なかでも、障壁層と井戸層とを交互に積層させた、MQW構造であることが好ましい。障壁層および井戸層のそれぞれの厚さは、井戸層が発光する波長により最適な層厚は異なり、井戸層の厚さは、2nm以上20nm以下であることが好ましい。障壁層および井戸層のそれぞれの材料には、Alx3Iny3Gaz3N0≦x3≦1、0≦y3≦1、0≦z3≦1、x3y3z3=1およびAlx4Iny4Gaz4N0≦x4≦1、0≦y4≦1、0≦z4≦1、x4y4z4=1の式で表される窒化物半導体を用いることができる。また、障壁層および井戸層の少なくとも一方に、p型不純物またはn型不純物をドーピングされていてもよい。なお、発光層13が複数の井戸層を含む場合、少なくとも1つの井戸層が発光作用を果たせばよい。p型窒化物半導体層p型窒化物半導体層としての上部クラッド層14は、下部クラッド層12と同様に、発光層13のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有し、そのギャップ差に基づく電位障壁によって、発光層13内に電子および正孔をせき止める機能を有する。さらに、上部クラッド層14は、蒸発防止層、キャリアブロック層、または電流拡散層としての機能する層を含み得る。すなわち、上部クラッド層14は単層または複数層のいずれであってもよい。上部クラッド層14が単層の場合には、材料として、AlxInyGazN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1の式で表される窒化物半導体にMgなどのp型の不純物がドープされてなるものを用いることが好ましい。上部クラッド層14が複数層の場合には、AlxInyGazN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz=1の式で表される窒化物半導体にMgなどのp型の不純物がドープされてなるp型窒化物半導体層を含むとともに、アンドープの窒化物半導体層を含んでいてもよい。このような複数層からなる上部クラッド層14の積層構造としては、たとえば、InGaN/GaN、InGaN/AlGaN、AlGaN/GaN、InGaN/InGaNのような積層構造としてもよく、複数層が繰り返し積層された周期的な積層構造としてもよい。なお、これらの積層構造は、超格子構造を形成していてもよい。また、上部クラッド層14の厚さは、500nm以下であることが好ましい。上部クラッド層14の厚みが500nm以下であることにより、上部クラッド層14の形成時に、発光層13が高い温度で長時間にわたって熱に曝されることを抑制することができるため、発光層13の熱劣化による非発光領域の増大を抑制することができる。本実施の形態において、上部クラッド層14は、3×1017個/cm3以上の正孔濃度を有することができる。コンタクト層ここで、本実施の形態において、上部クラッド層14と導電性薄膜15との間に、コンタクト層を設けることが好ましい。コンタクト層を設けることにより、上部クラッド層14と導電性薄膜15との接触抵抗を低減させることができる。このようなコンタクト層としては、Alx5Iny5Gaz5N0≦x5≦1、0≦y5≦1、0≦z5≦1、x5y5z5=1の式で表される窒化物半導体に、上部クラッド層14よりも高濃度にp型不純物をドープした窒化物半導体層を用いることが好ましい。なお、コンタクト層を形成せず、上部クラッド層14と導電性薄膜15とが直接接触する場合には、上部クラッド層14において、導電性薄膜15側の表面近傍のp型不純物の濃度が高濃度であることが好ましい。導電性薄膜導電性薄膜15は、発光層13からの光を透過させるとともに、接触する半導体層に対するコンタクトを形成してその表面全体に電流を拡散させることにより、その下方にある発光層13の発光面積を拡大する機能を有する。このため、導電性薄膜15の材料としては、コンタクト層または上部クラッド層14に比べて低抵抗の材料を用いることが好ましく、これにより、第1電極16から注入される電流を導電性薄膜15の面方向に拡散させることができる。このような導電性薄膜15を構成する材料としては、たとえば、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、AZOAluminumZincOxide、GZOGalliumZincOxideを好ましく使用することができる。なかでも、透光性およびコンタクト抵抗の観点から、ITOを使用することが特に好ましい。導電性薄膜15の厚さは、100nm以上400nm以下であることが好ましい。導電性薄膜15の厚さが100nm以上であることにより、シート抵抗を低く保つことができ、400nm以下であることにより、導電性薄膜15の高い光透過性を維持することができる。第1電極および第2電極第1電極16および第2電極17は、外部回路と電気的に結線するワイヤーボンドの台座となるものである。第1電極16および第2電極17は、公知の態様で形成することができ、たとえば、Ti、Al、Auなどの材料を用いることができる。また、第1電極16および第2電極17は単層構造に限られず、多層構造であってもよい。第1電極16および第2電極17が多層構造からなる場合には、その最上層としては厚さ500nm以上のAu層を形成することが好ましい。これにより、窒化物半導体発光素子10をパッケージに実装するときに、外部回路とのワイヤーボンド安定性を確保することができる。なお、発光層13からの発光の一部は、上部クラッド層14側の方向に発せられる。したがって、第1電極16は、発光層13から上部クラッド層14側への光取り出し方向に配置される電極となる。他方、図1および図2に示された第2電極17は、基板11が絶縁性材料からなる場合の配置を例示している。すなわち、基板11として絶縁性材料を用いる場合には、第2電極17は下部クラッド層12の一部露出領域上に設けられ、基板11として導電性材料を用いる場合には、第2電極17は基板11の底面上に形成され得る。<窒化物半導体発光素子の製造方法>本実施の形態の窒化物半導体発光素子の製造方法では、窒化物半導体発光素子を製造する際に、形成されたp型窒化物半導体層を、酸素を含む雰囲気において、第1温度で熱処理第1アニール処理した後、真空雰囲気において、第1温度よりも低い第2温度で熱処理第2アニール処理することを特徴とする。図3は、図1に示す窒化物半導体発光素子の製造方法の一例の各工程を図解する模式的な断面図を示す。以下、図3を参照して、本実施の形態の窒化物半導体発光素子10の製造方法について説明する。n型窒化物半導体層の形成まず、基板11をMOCVD装置内に設置し、MOCVD法により、図3aに示すように、基板11上にn型窒化物半導体層としての下部クラッド層12を成長させる。たとえば、MOCVD装置内において、基板11を1000°C以上で加熱し、窒素、水素などのキャリアガスと共に、III族源原料ガス、Siなどのn型不純物を含むドーピングガス、および窒素源原料ガスをMOCVD装置内に導入して、基板11上に下部クラッド層12を成長させる。この場合、III族源原料ガスとしては、たとえば、TMGCH33Ga:トリメチルガリウムガス、TEGC2H53Ga:トリエチルガリウムガス、TMACH33Al:トリメチルアルミニウムガス、TEAC2H53Al:トリエチルアルミニウムガス、TMICH33In:トリメチルインジウムガス、またはTEIC2H53In:トリエチルインジウムガスを用いることができる。また、ドーピングガスとしては、たとえば、SiH4シランガスを用いることができる。また、窒素源原料ガスとしては、たとえば、アンモニアガスを用いることができる。発光層の形成次に、同MOCVD装置内において、MOCVD法により、図3bに示すように、下部クラッド層12上に発光層13を成長させる。たとえば、MOCVD装置内の基板11を1000°C以上で加熱し、Ga源原料ガスおよび窒素源原料ガスをMOCVD装置内に導入して、下部クラッド層12上にGaNからなる障壁層を成長させ、引き続き、In原料ガス、Ga原料ガスおよび窒素源原料ガスをMOCVD装置内に導入して、障壁層上に、InpGa1pN0<p<1からなる井戸層を成長させる。これを繰り返すことにより、周期的な積層構造を有するMQW構造の発光層13を成長させることができる。なお、用いられ得るIII族源原料ガスおよび窒素源原料ガスは、上記と同様である。p型窒化物半導体層の形成次に、同MOCVD装置内において、MOCVD法により、図3cに示すように、発光層13上にp型窒化物半導体層としての上部クラッド層14を成長させる。たとえば、MOCVD装置内において、基板11を1000°C以上で加熱し、窒素、水素などのキャリアガスと共に、III族源原料ガス、Mgなどのp型不純物を含むドーピングガス、および窒素源原料ガスをMOCVD装置内に導入して、発光層13上に上部クラッド層14を成長させる。この場合、ドーピングガスとしては、たとえば、Cp2MgシクロペンタジエニルマグネシウムガスまたはEtCp2Mgビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウムガスを利用することができる。なお、EtCp2Mgガスは常温常圧の条件下で液体なので、その条件下で固体であるCp2Mgガスに比べて、MOCVD装置内への導入量を変化させるときの応答性が良好であって、その蒸気圧を一定に保ちやすい。なお、用いられ得るIII族源原料ガスおよび窒素源原料ガスは、上記と同様である。また、同MOCVD装置内において、MOCVD法により、上部クラッド層14上にコンタクト層を形成してもよい。なお、コンタクト層は上部クラッド層14よりも高濃度にp型不純物がドーピングされてることが好ましいため、コンタクト層の成長において、上部クラッド層14を成長させる場合よりも、ドーピングガスの導入量を増加させることが好ましい。第1アニール処理次に、以上の処理により形成された、基板11、下部クラッド層12、発光層13および上部クラッド層14がこの順に積層された積層体を、酸素を含む雰囲気において、第1温度で熱処理することにより、第1アニール処理を行う。たとえば、上記積層体をアニール炉内に収容し、該アニール炉内に酸素を含むガスを導入してアニール炉内を酸素を含む雰囲気とし、アニール炉内を第1温度で加熱する。なお、上部クラッド層14の上にコンタクト層を形成する場合には、コンタクト層形成後に第1アニール処理を行うことが好ましい。第2アニール処理引き続き、第1アニール処理後の積層体を、真空雰囲気において、第1温度よりも低い第2温度で熱処理することにより、第2アニール処理を行う。たとえば、第1アニール処理後の積層体を収容するアニール炉内を減圧して真空雰囲気にし、アニール炉内を第1温度よりも低い第2温度で加熱する。なお、真空雰囲気とは、雰囲気圧力が10Pa以下の場合をいう。第1アニール処理前の上部クラッド層14には水素Hが取り込まれており、ドーピングされたMgの一部はこの水素HとMg-H複合体を形成して不活性化されている。このため、上部クラッド層14の正孔濃度は、ドーピングされたMgの濃度から想定される濃度よりも低い。このような上部クラッド層14に対して、上記のように、第1アニール処理および第2アニール処理を行うことにより、上部クラッド層14の正孔濃度を高めることができる。その理由は以下のように考えられる。第1アニール処理において、上部クラッド層14を酸素Oを含む雰囲気下で加熱すると、熱エネルギーによってMg-H複合体中のMgと水素Hとの接合手が切断される。そして、酸素Oと上部クラッド層14の表面の水素Hとが反応することによって上部クラッド層14表面から水素Hが脱離され、不活性化していたMgが活性化する。また、第2アニール処理において、アニール炉内を真空雰囲気とし、第1温度よりも低い第2温度で上部クラッド層14を加熱することにより、上部クラッド層14からの水素H脱離を効率的に行なうことができる。酸素Oを含む雰囲気下で第1アニール処理を行なうことにより、第1加熱温度を従来のアニール処理の温度よりも低い温度としても、酸素Oが触媒的な役割を果たし、上部クラッド層14表面からの水素Hの脱離を効率的に行なうことができ、引き続き、真空雰囲気下で第2アニール処理を行うことにより、第2加熱温度を第1加熱温度よりも低い温度としても、上部クラッド層14からの水素Hの脱離を効率的に行なうことができる。したがって、従来よりも低い温度での熱処理によって水素Hの脱離を行なうことができるため、高温での加熱により発生する窒素N抜けを抑制することができる。このように、上部クラッド層14からの水素Hの脱離を効率的に行なうことができるともに、上部クラッド層14からの窒素抜けを抑制することができるため、Mgを活性化するとともに、窒素抜けにより生じるドナー型欠陥の生成を抑制することができ、結果的に、上部クラッド層14の正孔濃度を大きく増加させることができる。ここで、上述の効果を検証するために、次の検討を行った。まず、図4に示すように、サファイア基板21上に、MOCVD法によって、アンドープのGaN層22と、Mgがドープされたp型GaN層23とをこの順に成長させて、積層体20を4個作製した。なお、Mgのドーピング濃度は4×1019個/cm3であった。そして、作製した各積層体20のそれぞれに対し、以下1~4の各処理を行った後、処理後の各積層体20のp型GaN層23の正孔濃度個/cm3をホール測定法により測定した。1アニール処理なし。2N2雰囲気、常圧環境下において800°Cで5分間アニール処理を行った。3N2雰囲気、常圧環境下において800°Cで5分間アニール処理後、O2を含む雰囲気O2が2体積、N2が98体積、常圧環境下において600°Cで10分間アニール処理を行い、引き続き、真空環境下において420°Cで5分間アニール処理を行った。4酸素を含む雰囲気O2が2体積、N2が98体積、常圧環境下において600°Cで10分間アニール処理を行った後、真空環境下において420°Cで5分間アニール処理を行った。なお、上記検討において、常圧環境下とは、1気圧以上をいい、真空環境下とは、10Pa以下をいう。上記1~4の各処理を行った各積層体20のp型GaN層23における正孔濃度を図5に示す。図5を参照し、上記1および従来のアニール処理方法である上記2の場合よりも、上記3および上記4の場合のほうが正孔濃度が高かった。この結果から、p型窒化物半導体層を、酸素を含む雰囲気において、従来のアニール処理の温度よりも低い第1温度で熱処理した後、真空雰囲気において、第1温度よりも低い第2温度で熱処理することにより、p型窒化物半導体層の正孔濃度を高めることができることが確認された。上記の第1アニール処理において、酸素を含むガスとしては、O2、O3、CO、CO2、NO、NO2などを用いることができる。また、第1加熱温度は、400°C以上700°C以下であることが好ましい。これにより、従来のアニール処理に必要な加熱温度たとえば、800°C以上よりも低い温度での水素Hの脱離が可能であるため、窒素抜けを効率的に抑制することができ、また、発光層13へのダメージの影響を抑制することができる。また、第1加熱温度は、600°C以下であることがより好ましい。また、第1アニール処理時に、酸素を含むガスとともに窒素ガスN2をアニール炉内に導入することが好ましい。これにより、上部クラッド層14からの窒素N抜けをさらに抑制することができる。特に、処理室内における酸素の含有量を2体積以上30体積以下とすることが好ましく、これにより、上部クラッド層14からの窒素N抜けが効果的に抑制され、酸素Oと水素Hとの反応を効率的に行うことができる。また、第1アニール処理時の処理室内の圧力は、1気圧以上であることが好ましい。これにより、窒素N抜けを抑制して、酸素Oと水素Hとの反応を効率的に行うことができる。また、第1アニール処理は、0.1分以上60分以下の時間で行なうことが好ましい。また、第2アニール処理は、0.1分以上60分以下の時間で行なうことが好ましい。導電性薄膜の形成図3に戻り、次に、図3dに示すように、上部クラッド層14上に導電性薄膜15を形成する。たとえば、電子線蒸着法、真空蒸着法、スパッタ法またはイオンプレーティング法などを用いることにより、上部クラッド層14上にITOやIZOからなる導電性薄膜15を堆積させることができる。なお、コンタクト層を形成した場合には、コンタクト層上に導電性薄膜15が形成される。また、導電性薄膜15には、アニール処理を行うことが好ましい。これにより、導電性薄膜15の抵抗を低下させることができる。第1電極および第2電極の形成次に、図3eに示すように、導電性薄膜15上に、導電性薄膜15の一部が露出するような所定の形状のマスク18を形成する。マスク18としては、たとえば、フォトリソグラフィ法によって形成されるレジスト膜を用いることができる。そして、図3fに示すように、マスク18の上方からエッチングを行なうことによって、マスク18に覆われていない部分をエッチングして下部クラッド層12の一部を露出させる。その後、マスク18を除去し、上部クラッド層14の表面および下部クラッド層12の表面のそれぞれに、第1電極16としてのp側電極、および第2電極17としてのn側電極を形成することによって、図1および図2に示す窒化物半導体発光素子を製造することができる。以上の理由により、本実施の形態の窒化物半導体発光素子の製造方法によれば、上部クラッド層14の正孔濃度を高めることができ、もって、高い性能を有する窒化物半導体発光素子10を製造することができる。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1本実施例において、図6に示す窒化物半導体発光素子を作製した。以下に、図6の窒化物半導体発光素子の具体的な製造方法について説明する。まず、基板として、表面に凹凸加工が施されたサファイア基板上に、AlNバッファ層、アンドープGaN層、n型GaN層が形成されたテンプレート基板31を用意した。なお、n型GaN層にドープされたSiの濃度は6×1018個cm3であった。このテンプレート基板31をMOCVD装置内に設置し、テンプレート基板31を1000°Cで加熱し、その状態でテンプレート基板31上に、n型窒化物半導体層としての厚さ1.5μmのSiドープGaN層32をMOCVD法により気相成長させた。MOCVD法において、n型不純物のドーピングガスとしてSiH4が用いられ、SiドープGaN層32にドープされたSiの濃度は、6×1018個cm3であった。次に、MOCVD装置内の温度を850°Cまで低下させ、6層の障壁層と6層の井戸層とがそれぞれ交互に積層された周期的な積層構造上にバリア層が設けられた発光層33をMOCVD法により気相成長させた。次に、MOCVD装置内の温度を1100°Cまで昇温し、発光層33上に、MgドープAlGaN層34およびMgドープGaN層35とをこの順に積層させたp型窒化物半導体層を、MOCVD法により気相成長させた。MgドープAlGaN層34およびMgドープGaN層35にドープされたMgの濃度は、それぞれ2×1019個cm3および5×1019個cm3であった。次に、MOCVD装置内の温度を昇温し、MgドープGaN層35上に、コンタクト層としての厚さ20nmのMgドープGaN層36をMOCVD法により気相成長させた。なお、MgドープGaN層36にドープされたMgの濃度は5×1019個cm3であった。次に、テンプレート基板31上に、SiドープGaN層32、発光層33、MgドープAlGaN層34、MgドープGaN層35、およびMgドープGaN層36がこの順に積層された積層体を、アニール炉に設置した。そして、該アニール炉内に2体積のO2ガスと98体積のN2ガスとからなる混合ガスを導入して、アニール炉内の温度を600°Cまで昇温し、この状態で10分間加熱することにより、第1アニール処理を行った。このときのアニール炉内の圧力は1気圧であった。次に、アニール炉内の温度を420°Cまで降温するとともに処理室内を減圧して、10Paの圧力の真空雰囲気にし、この状態で、5分間加熱することにより、第2アニール処理を行った。次に、熱処理後の積層体をアニール炉から取り出し、積層体とITOからなるターゲットとをスパッタ装置内に設置した。そして、積層体のテンプレート基板31を加熱して、積層体の温度を180°Cまで上昇させた後、スパッタ装置内にアルゴンガスを導入し、1.28kWhのスパッタ電力を投入して、MgドープGaN層36上に厚さ320nmのITOからなる導電性薄膜37を形成した。次に、導電性薄膜37が形成された積層体をスパッタ装置から取り出してアニール炉内に設置して、各層の結晶性、密着性、およびコンタクト性の向上を図ることを目的として、当該積層体の熱処理を行なった。熱処理は、アニール炉内を真空雰囲気にして600°Cで加熱した状態で、上記積層体を10分間保持することにより行なった。次に、熱処理後の積層体をアニール炉から取り出し、導電性薄膜37の表面上に所定の形状のマスクを設置したエッチング装置内に設置した。エッチング装置において、マスクの上方から、マスクからの露出部分にある導電性薄膜37、MgドープGaN層36、MgドープGaN層35、MgドープAlGaN層34、発光層33、SiドープGaN層32のそれぞれの一部をエッチングして、SiドープGaN層32の表面を露出させた。次に、エッチング後の積層体をエッチング装置から取り出し、導電性薄膜37の表面および露出したSiドープGaN層32の表面にそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストマスクを形成した。そして、レジストマスクを形成したテンプレート基板を電子線蒸着装置内に設置して、レジストマスクが形成された導電性薄膜37およびSiドープGaN層32のそれぞれの表面上に、Ti膜、Pt膜およびAu膜をこの順序で堆積し、その後、リフトオフによりレジストマスクを除去した。これにより、導電性薄膜37およびSiドープGaN層32のそれぞれの表面上に、Ni膜、Pt膜およびAu膜がこの順序で積層されたp側電極38およびn側電極39が形成された。なお、Ni膜、Pt膜およびAu膜のそれぞれの厚さは、100nm、50nm、500nmであった。次に、p側電極38およびn側電極39が形成された積層体を電子線蒸着装置から取り出し、ランプアニール装置内に設置した。そして、500°Cで熱処理して、図6に示す窒化物半導体発光素子を作製した。比較例1第1アニール処理および第2アニール処理のかわりに、以下のアニール処理を行った以外は、実施例1と同様の方法により、窒化物半導体発光素子を作製した。アニール処理においては、積層体をアニール炉に設置し、該アニール炉内にN2ガスからなる処理ガスを導入して、アニール炉内の温度を800°Cまで昇温し、この状態で5分間加熱することにより、アニール処理を行った。このときのアニール炉内の圧力は1気圧であった。実施例1の窒化物半導体発光素子は、比較例1の窒化物半導体発光素子と比較して、駆動電圧が低く、発光効率が高かった。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。