基板と、前記基板に支持されたソース電極、ドレイン電極および酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成された第1開口部または第1凹部を有する第2絶縁層と、前記基板の法線方向から見たとき、前記酸化物半導体層と重なるように形成された第1遮光層とを有し、前記第1遮光層は、前記第1開口部または第1凹部に形成され、前記第1遮光層の上面は凸状の曲面を有し、かつ、前記第2絶縁層の上面は前記第1遮光層の上面よりも前記基板側にある、半導体装置。前記第2絶縁層の上面と前記第1遮光層の上面の最頂部との距離は、0nm超1500nm以下である、請求項1に記載の半導体装置。前記第1遮光層は、黒色樹脂から形成されている、請求項1または2に記載の半導体装置。前記ソース電極に電気的に接続されたソース配線と、前記基板の法線方向から見たとき、前記ソース配線と重なるように形成された第2遮光層をさらに有し、前記第2絶縁層は、第2開口部または第2凹部をさらに有し、前記第2遮光層は、前記第2開口部または前記第2凹部に形成され、前記第2遮光層の上面は凸状の曲面を有し、かつ、前記第2絶縁層の上面は前記第2遮光層の上面よりも前記基板側にある、請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。前記第2絶縁層の上面と前記第2遮光層の上面の最頂部との距離は、0nm超1500nm以下である、請求項4に記載の半導体装置。前記第2遮光層は、黒色樹脂から形成されている、請求項4または5に記載の半導体装置。前記第2絶縁層上に形成された導電層を有し、前記第2絶縁層と前記第1遮光層とは互いに接して第1界面を形成しており、前記第2絶縁層と前記第2遮光層とは互いに接して第2界面を形成しており、前記第1界面または前記第2界面の少なくとも1部は、前記導電層の下にある、請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置。前記ドレイン電極に電気的に接続されたドレイン配線を有し、前記酸化物半導体層を形成する材料と同一の材料から形成された層上に、前記ソース配線および前記ドレイン配線は形成されている、請求項4から7のいずれかに記載の半導体装置。前記酸化物半導体層は、In、GaおよびZnを含む、請求項1から8のいずれかに記載の半導体装置。前記第2絶縁層は、撥油性を有する、請求項1から9のいずれかに記載の半導体装置。請求項1から10のいずれかに記載の半導体装置を有する、液晶表示装置。垂直配向型の液晶層を有する液晶表示装置であって、前記液晶表示装置の画素領域は、電圧印加時に前記液晶層の液晶分子が、第1方向に沿って配向する第1液晶ドメインと、第2方向に沿って配向する第2液晶ドメインと、第3方向に沿って配向する第3液晶ドメインと、第4方向に沿って配向する第4液晶ドメインとを有し、前記第1方向、第2方向、第3方向および第4方向は、任意の2つの方向の差が90°の整数倍に略等しい4つの方向であり、前記第1液晶ドメイン、第2液晶ドメイン、第3液晶ドメインおよび第4液晶ドメインは、それぞれ他の液晶ドメインと隣接し、かつ、2行2列のマトリクス状に配置されており、前記第1液晶ドメイン、第2液晶ドメイン、第3液晶ドメインおよび第4液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光するように第3遮光層は、形成されており、前記第2絶縁層は、第3開口部または第3凹部をさらに有し、前記第3遮光層は、前記第3開口部または前記第3凹部に形成され、前記第3遮光層の上面は凸状の曲面を有し、かつ、前記第2絶縁層の上面は前記第3遮光層の上面よりも前記基板側にある、請求項11に記載の液晶表示装置。前記第2絶縁層の上面と前記第3遮光層の上面の最頂部との距離は、0nm超1500nm以下である、請求項12に記載の液晶表示装置。前記第3遮光層は、黒色樹脂から形成されている、請求項13に記載の液晶表示装置。前記第2絶縁層上に形成された導電層を有し、前記第3遮光層と前記第2絶縁層とは互いに接して第3界面を形成しており、前記第3界面の少なくとも1部は、前記導電層の下にある、請求項12から14のいずれかに記載の液晶表示装置。請求項10に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第2絶縁層を、撥油性を有する有機材料から形成する工程を包含する、半導体装置の製造方法。請求項10に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第2絶縁層を形成する工程Aと、前記工程Aの後に、フッ素系のガスを用いてプラズマ処理を行い、前記第2絶縁層に撥油性を付与する工程Bとを包含する、半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献1に開示されている層間膜の一部に遮光層が形成されている液晶表示装置において、遮光層の形状によって、液晶層の液晶分子の配向が乱れ、表示不良が生じるという問題がある。本発明は上記課題に鑑みたものであり、その目的は、光によるTFTの特性の変化が生じにくく、表示品位が低下しない半導体装置およびそのような半導体装置の製造方法、ならびに液晶表示装置を提供することである。本発明による実施形態における半導体装置は、基板と、前記基板に支持されたソース電極、ドレイン電極および酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成された第1開口部または第1凹部を有する第2絶縁層と、前記基板の法線方向から見たとき、前記酸化物半導体層と重なるように形成された第1遮光層とを有し、前記第1遮光層は、前記第1開口部または第1凹部に形成され、前記第1遮光層の上面は凸状の曲面を有し、かつ、前記第2絶縁層の上面は前記第1遮光層の上面よりも前記基板側にある。ある実施形態において、前記第2絶縁層の上面と前記第1遮光層の上面の最頂部との距離は、0nm超1500nm以下である。ある実施形態において、前記第1遮光層は、黒色樹脂から形成されている。ある実施形態において、上述の半導体装置は、前記ソース電極に電気的に接続されたソース配線と、前記基板の法線方向から見たとき、前記ソース配線と重なるように形成された第2遮光層をさらに有し、前記第2絶縁層は、第2開口部または第2凹部をさらに有し、前記第2遮光層は、前記第2開口部または前記第2凹部に形成され、前記第2遮光層の上面は凸状の曲面を有し、かつ、前記第2絶縁層の上面は前記第2遮光層の上面よりも前記基板側にある。ある実施形態において、前記第2絶縁層の上面と前記第2遮光層の上面の最頂部との距離は、0nm超1500nm以下である。ある実施形態において、前記第2遮光層は、黒色樹脂から形成されている。ある実施形態において、上述の半導体装置は、前記第2絶縁層上に形成された導電層を有し、前記第2絶縁層と前記第1遮光層とは互いに接して第1界面を形成しており、前記第2絶縁層と前記第2遮光層とは互いに接して第2界面を形成しており、前記第1界面または前記第2界面の少なくとも1部は、前記導電層の下にある。ある実施形態において、上述の半導体装置は、前記ドレイン電極に電気的に接続されたドレイン配線を有し、前記酸化物半導体層を形成する材料と同一の材料から形成された層上に、前記ソース配線および前記ドレイン配線は形成されている。ある実施形態において、前記酸化物半導体層は、In、GaおよびZnを含む。ある実施形態において、前記第2絶縁層は、撥油性を有する。本発明による実施形態における液晶表示装置は、上述の半導体装置を有する。ある実施形態において、上述の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層を有する液晶表示装置であって、前記液晶表示装置の画素領域は、電圧印加時に前記液晶層の液晶分子が、第1方向に沿って配向する第1液晶ドメインと、第2方向に沿って配向する第2液晶ドメインと、第3方向に沿って配向する第3液晶ドメインと、第4方向に沿って配向する第4液晶ドメインとを有し、前記第1方向、第2方向、第3方向および第4方向は、任意の2つの方向の差が90°の整数倍に略等しい4つの方向であり、前記第1液晶ドメイン、第2液晶ドメイン、第3液晶ドメインおよび第4液晶ドメインは、それぞれ他の液晶ドメインと隣接し、かつ、2行2列のマトリクス状に配置されており、前記第1液晶ドメイン、第2液晶ドメイン、第3液晶ドメインおよび第4液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光するように第3遮光層は、形成されており、前記第2絶縁層は、第3開口部または第3凹部をさらに有し、前記第3遮光層は、前記第3開口部または前記第3凹部に形成され、前記第3遮光層の上面は凸状の曲面を有し、かつ、前記第2絶縁層の上面は前記第3遮光層の上面よりも前記基板側にある。ある実施形態において、前記第2絶縁層の上面と前記第3遮光層の上面の最頂部との距離は、0nm超1500nm以下である。ある実施形態において、前記第3遮光層は、黒色樹脂から形成されている。ある実施形態において、上述の液晶表示装置は、前記第2絶縁層上に形成された導電層を有し、前記第3遮光層と前記第2絶縁層とは互いに接して第3界面を形成しており、前記第3界面の少なくとも1部は、前記導電層の下にある。本発明による実施形態における半導体装置の製造方法は、上述の半導体装置の製造方法であって、前記第2絶縁層を、撥油性を有する有機材料から形成する工程を包含する。ある実施形態において、上述の半導体装置の製造方法は、前記第2絶縁層を形成する工程Aと、前記工程Aの後に、フッ素系のガスを用いてプラズマ処理を行い、前記第2絶縁層に撥油性を付与する工程Bとを包含する。本発明によると、光によるTFTの特性の変化が生じにくく、表示品位が低下しない半導体装置およびそのような半導体装置の製造方法、ならびに液晶表示装置が提供される。図面を参照して本発明による実施形態における半導体装置を説明する。本実施形態における半導体装置は、例えば液晶表示装置に用いられる半導体装置TFT基板である。ただし、本発明は、例示する実施形態に限定されない。図1aは、本発明による実施形態における半導体装置100Aの模式的な平面図である。図1bは、図1aのA1-A1’線に沿った半導体装置100Aの模式的な断面図である。図1cは、図1aのA2-A2’線に沿った半導体装置100Aの模式的な断面図である。図2は、図1bに対応する半導体装置100Aの改変例の模式的な断面図である。図1aおよび図1bに示すように、半導体装置100Aは、基板例えばガラス基板1と、基板1に支持されたTFT10を有する。TFT10は、ソース電極6とドレイン電極7と酸化物半導体層5とを有する。TFT10は、例えば画素ごとに形成されている。さらに、半導体装置100Aは、TFT10上に形成された第1絶縁層9と第1絶縁層9上に形成された開口部21aを有する第2絶縁層11と、基板1の法線方向から見たとき、酸化物半導体層5と重なるように形成された遮光層12aとを有する。遮光層12aは、開口部21aに形成されている。遮光層12aの上面は曲面を有し、かつ、第2絶縁層11の上面は遮光層12aの上面よりも基板1側にある。すなわち、遮光層12aの上面は、第2絶縁層11の上面に対して上に凸になっている。なお、ここで例示する開口部21aは貫通孔であるが、開口部21aの代わりに凹部を形成してもよい。ただし、開口部21aは、貫通孔の方が好ましい。詳細は、後述するが、遮光層12aに含まれる酸素が酸化物半導体層5に供給されやすくなるからである。さらに、図1aおよび図1cに示すように、半導体装置100Aは、列方向に延設するソース配線6’と、第1基板の法線方向から見たとき、ソース配線6’と重なるように形成された遮光層12bとを有している。ソース配線6’は、TFT10のソース電極6に電気的に接続している。第2絶縁層11は、さらに開口部21bを有している。遮光層12bは、開口部21bに形成されている。遮光層12bの上面は曲面を有し、かつ、第2絶縁層11の上面は遮光層12bの上面よりも基板1側にある。遮光層12bは、例えばブラックマトリクスBMとして機能する。TFT基板である半導体装置100A上にBMを形成すると、半導体装置100Aを用いて液晶表示装置を製造した場合、半導体装置100Aに対向するカラーフィルタ基板にBMを形成しなくてもよく、さらに、TFT10とBMとの位置ずれを小さくでき、BMをあまり大きくしなくてもよいので、画素の開口率がより大きくなる。なお、ここで例示する開口部21bは貫通孔であるが、開口部21bの代わりに凹部を形成してもよい。遮光層12a、12bの上面が曲面を有し、かつ、第2絶縁層11の上面がそれぞれ遮光層12a、12bの上面よりも基板1側にあると、例えば電圧印加時において、TFT10上の液晶層不図示の液晶分子の配向が所望の配向から乱れることを防ぐことができる。特に、半導体装置100Aを有する液晶表示装置が、垂直配向型の液晶表示装置である場合、上述の効果は顕著に表れる。さらに、遮光層12a、12bの上面が曲面を有し、かつ、第2絶縁層11の上面がそれぞれ遮光層12a、12bの上面よりも基板1側にあると、ラビング処理に起因する不良が発生しにくくなる。遮光層12a、12bは、黒色樹脂から形成されることが好ましい。黒色樹脂は、例えばチタンブラック顔料またはカーボンブラック顔料などを含有したアクリル樹脂から形成される。遮光層12a、12bが、黒色樹脂から形成されると、遮光層12a、12bが、TFT10の酸化物半導体層5に照射される光を吸収するので、TFT10の特性が光により変化することを防ぐことができる。また、後述するが、遮光層12a、12bはインクジェット法にて容易に形成され、製造コスト削減につながる。インクジェット法で遮光層12a、12bを形成すると、所望の領域にのみ遮光層12a、12bが形成されるので、遮光層12a、12bの形成に起因する不良が発生しにくくなる。さらに、黒色樹脂が酸化物半導体層5へ酸素を供給し、酸化物半導体層5の酸素欠損を抑制し得る。第2絶縁層11は、遮光層12a、12bを形成する材料に対して撥油性油をはじき、水をはじかない性質または撥液性水および油をはじく性質を有することが好ましい。第2絶縁層11が、撥油性または撥液性を有すると、遮光層12a、12bの上面が曲面を有するように形成され、かつ、第2絶縁層11の上面が遮光層12a、12bの上面よりも基板1側にあるように形成される。半導体装置100Aは、第2絶縁層11上に導電層13をさらに有している。本実施形態において、導電層13は、例えば画素電極層である。また、遮光層12aと第2絶縁層11とは互いに接触して、界面を形成している。同様に、遮光層12bと第2絶縁層11とは互いに接触して、界面を形成している。遮光層12a、12bと第2絶縁層11との界面の少なくとも一部は、導電層13の下にあることが好ましい。遮光層12a、12bと第2絶縁層11との界面が導電層13の下にあると、例えば、液晶層に含まれる水分が、遮光層12a、12bと第2絶縁層11との隙間から侵入し、TFT10の特性が変化することを防ぐことができる。遮光層12a、12bの上面のそれぞれの最頂部と第2絶縁層11の上面との距離Lは、それぞれ独立に0nm超1500nm以下が好ましい。距離Lがこの範囲にあると、特に、半導体装置100Aを垂直配向型の液晶層を有する液晶表示装置に用いた場合、電圧印加時において、遮光層12a、12bが液晶分子の傾斜方向を規定するので、TFT10上の液晶層の液晶分子が所望の配向となりやすい。図1aおよび図2に示す半導体装置は、TFT10のソース電極6に電気的に接続されたソース配線6’と、TFT10のドレイン電極7に電気的に接続されたドレイン配線7’とを有する。ソース配線6’は、列方向に延設している。ソース配線6’およびドレイン配線7’は、酸化物半導体層5を形成する材料と同一の材料から形成された層上に形成されている。このような構造を有すると、フォトマスクの数が削減された半導体装置の製造方法で図2に示した半導体装置が製造され得る。フォトマスクの数が削減された半導体装置の製造方法は、例えば特許文献4に開示されている。参考までに、特許文献4の開示内容の全てを本明細書に援用する。本実施形態において酸化物半導体層5は、例えば、Inインジウム、GaガリウムおよびZn亜鉛を有するアモルファス酸化物半導体層a-IGZO層である。また、酸化物半導体層5は、例えば、InおよびZnを有し、Gaを有しないアモルファス酸化物半導体a-IZO層、または、Znを有し、InおよびGaを有しないアモルファス酸化物半導体a-ZnO層でもよい。なお、TFT10の半導体層として、酸化物半導体層5の代わりに、例えばアモルファスシリコンa-Si層であってもよい。次に、半導体装置100Aを詳細に説明する。図1a~図1cに示すように、半導体装置100Aは、基板1上に支持されたTFT10および補助容量電極8と、TFT10のドレイン配線7’に電気的に接続された導電層本実施形態において、画素電極層13とを有する。TFT10は、酸化物半導体TFTである。TFT10は、ゲート電極2と、ゲート電極2上に形成された第1ゲート絶縁膜3と、第1ゲート絶縁膜3上に形成された第2ゲート絶縁膜4と、第2ゲート絶縁膜4上に形成された酸化物半導体層5と、酸化物半導体層5上に形成されたソース電極6およびドレイン電極7とを有する。さらに、半導体装置100Aは、TFT10上に形成された第1絶縁層9と、第1絶縁層9上に形成された第2絶縁層11とを有する。導電層13は、第2絶縁層11上に形成され、導電層13の一部は、遮光層12a、12bに接触している。ただし、導電層13は、導電層13の一部と酸化物半導体層5のチャネル領域とが重ならないように形成されている。さらに、半導体装置100Aは、ソース電極6に電気的に接続されたソース配線6’と、ドレイン電極7に電気的に接続されたドレイン配線7’とを有する。ゲート電極2および補助容量電極8は、例えば、Tiチタン/Alアルミニウム/Tiを含有する積層構造を有する。ゲート電極2および補助容量電極8は、Alの代わりに、Cu銅でもよい。ゲート電極2および補助容量電極8の厚さは、それぞれ例えば250nmである。ソース電極6およびソース配線6’、ならびにドレイン電極7およびドレイン配線7’は、例えば、MoN窒化モリブデン/Alアルミニウム/MoNを含有する積層構造を有する。ソース電極6およびソース配線6’、ならびにドレイン電極7およびドレイン配線7’は、Alの代わりにCuでもよい。ソース電極6およびソース配線6’、ならびにドレイン電極7およびドレイン配線7’の厚さは、例えば250nmである。第1ゲート絶縁膜3は、例えば、SiN窒化シリコンから形成されている。第1ゲート絶縁膜3の厚さは、例えば325nmである。第2ゲート絶縁膜4は、例えば、SiO2二酸化シリコンから形成されている。第2ゲート絶縁膜4の厚さは、例えば50nmである。酸化物半導体層5は、例えばIn、GaおよびZnを含有する。酸化物半導体層5の厚さは、例えば50nmである。第1絶縁層9は、例えばSiO2から形成されている。第1絶縁層9の厚さは、例えば250nmである。第2絶縁層11は、例えば感光性の有機材料から形成されている。第2絶縁層11の厚さは、例えば2000nm~4000nmである。導電層13は、例えばITOIndiumTinOxideから形成される。導電層13の厚さは、例えば、50nm~200nmである。次に、発明者が検討した光照射実験について説明する。図3は、半導体装置100A実施例、および、半導体装置100Aの遮光層12aを有しない半導体装置200比較例のそれぞれの閾値電圧の変化量ΔVthと駆動時間単位:時間との関係を表すグラフである。具体的には、半導体装置200不図示は、基板例えばガラス基板1と、基板1に支持されたTFT10を有する。TFT10は、ゲート電極2と、ゲート電極2上に形成された第1ゲート絶縁膜3と、第1ゲート絶縁膜3上に形成された第2ゲート絶縁膜4と、第2ゲート絶縁膜4上に形成された酸化物半導体層5と、酸化物半導体層5上に形成されたソース電極6およびドレイン電極7とを有する。さらに、半導体装置200は、TFT10上に形成された第1絶縁層9と、第1絶縁層9上に形成された第2絶縁層11とを有する。半導体装置200は、遮光層12aおよび開口部21aを有しない。各半導体装置は、LEDLightEmittingDiodeバックライト上で駆動させる。また、LEDバックライトの輝度は、2000cd/m2である。ΔVthは、LEDバックライトの光が照射されていないときの半導体装置100Aおよび200のそれぞれの閾値電圧Vth0と、LEDバックライトからの光が半導体装置100Aおよび200に照射されている環境下において、所定の駆動時間における半導体装置100Aおよび200のそれぞれの閾値電圧Vthtとの差ΔVth=Vth0-Vthtである。図3から分かるように、遮光層12aを有しない半導体装置200では、駆動時間とともにΔVthが大きく変化する。しかしながら、半導体装置100Aでは、半導体装置200よりもΔVthの変化は小さい。これは、LEDバックライトからの光が、半導体装置200の酸化物半導体層に照射され閾値電圧が変化していると考えられる。半導体装置100Aでは、酸化物半導体層5に照射され得る光を遮光層12aが吸収するので、閾値電圧は大きく変化しないと考えられる。また、酸化物半導体層5に光が照射されるとTFTのCV特性静電容量バイアス電圧特性も変化するが、遮光層12aを形成すると、TFTのCV特性の変化は小さくなり、CV特性が安定する。このように、遮光層12aの形成によりTFTの電気特性が安定し、その結果、例えば液晶表示装置の表示品位が安定することが分かった。次に、図4および図5を参照して、本発明による他の実施形態における半導体装置100Bを説明する。なお、半導体装置100Aと共通する構成要素は同じ参照符号を付し、重複する説明を避ける。図4aは、半導体装置100Bの模式的な平面図である。図4bは、図4aのB-B’線に沿った半導体装置100Bの模式的な断面図である。図4cは、導電層13の模式的な平面図である。図4aおよび図4bに示すように、半導体装置100Bは、半導体装置100Aの導電層例えば、画素電極層13が、例えば特許文献5に開示されている画素電極の構造とほぼ同じ構造を有し、さらに、例えば画素の略中央に十字状の遮光層12cを有している半導体装置である。図4cに示すように、導電層例えば、画素電極層13は、第1方向に延びる第1フリンジ部13aおよび第2フリンジ部13bと、第1フリンジ部13a側に位置し、第1方向とは異なる第2方向に延びる複数の第1枝部13aaと、第2フリンジ部13b側に位置し、第2方向に延びる複数の第2枝部13bbと、第1フリンジ部13a側に位置し、第1方向および第2方向とは異なる第3方向に延びる複数の第3枝部13abと、第2フリンジ部13b側に位置し、第4方向に延びる複数の第4枝部13baとを有する。第1枝部13aa、第2枝部13bb、第3枝部13abおよび第4枝部13baのそれぞれの幅は、例えば1.4μm以上8.0μm以下である。また、第1枝部13aaと第3枝部13abとの間の幅、および第2枝部13bbと第4枝部13baとの間の幅w1は、それぞれ例えば1.4μm以上3.2μm以下である。第1枝部13aa間、第2枝部13bb間、第3枝部13ab間および第4枝部13ba間のそれぞれの幅w2は、例えば1.4μm以上3.2μm以下である。第1枝部13aaと第4枝部13baとの間の幅および第2枝部13bbと第3枝部13abとの間の幅w3は、それぞれ例えば1.4μm以上3.2μm以下である。なお、半導体装置100Bの導電層13は、特許文献5または特許文献6に開示されている画素電極と同じ構造を有してもよい。参考のために、特許文献5および6の開示内容の全てを本明細書に援用する。半導体装置100Aおよび100Bは、それぞれ独立に液晶表示装置に用いられる。特に、半導体装置100Bは、垂直配向VAVerticalAlignment型の液晶層を有する液晶表示装置例えば、MVAMultidomainVerticalAlignment型液晶表示装置に用いられる。図5は、半導体装置100Bを有する液晶表示装置500Bの画素電極層の構造と電圧印加時における液晶分子70の配向との関係を説明するための平面図である。VA型液晶表示装置500Bの画素領域は、電圧印加時に液晶層の液晶分子が、第1方向に沿って配向する第1液晶ドメイン71と、第2方向に沿って配向する第2液晶ドメイン72と、第3方向に沿って配向する第3液晶ドメイン73と、第4方向に沿って配向する第4液晶ドメイン74とを有する。第1方向、第2方向、第3方向および第4方向は、任意の2つの方向の差が90°の整数倍に略等しい4つの方向である。第1液晶ドメイン71、第2液晶ドメイン72、第3液晶ドメイン73および第4液晶ドメイン74は、それぞれ他の液晶ドメインと隣接し、かつ、2行2列のマトリクス状に配置されている。図4cに示した導電層13は、電圧印加時に液晶分子70がこのような配向となるような構造を有している。第1液晶ドメイン71、第2液晶ドメイン72、第3液晶ドメイン73および第4液晶ドメイン74のそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光するように、遮光層12cは形成されている。遮光層12cは、第2絶縁層11に形成された開口部21cに形成されている。遮光層12cの上面は曲面を有し、かつ、第2絶縁層11の上面は遮光層12cの上面よりも基板1側にある。上述したように開口部21cは貫通孔であるが、開口部21cの代わりに凹部を形成してもよい。遮光層12cがこのように形成されていると、液晶層の液晶分子が所望の配向をしていない領域輝線領域を遮光層12cにより遮光するので、液晶表示装置の表示品位が向上する。特に、斜め方向から見たときの液晶表示装置の表示品位が向上する。また、液晶パネル内で生じる内部反射光を遮光層12cが吸収するので、液晶表示装置の表示品位が向上する。遮光層12cの幅は、2μm以上5μm以下が好ましい。遮光層12cの幅が、このような範囲にあると輝線領域を十分に遮光でき、画素の開口率があまり低下しない。遮光層12cは、黒色樹脂から形成されている。具体的には、黒色樹脂は、例えばチタンブラック顔料またはカーボンブラック顔料などを含有したアクリル樹脂から形成される。遮光層12cと第2絶縁層11とは、互いに接触して界面を形成している。遮光層12cと第2絶縁層11との界面の少なくとも1つは、導電層13の下にある。このように導電層13を形成すると、例えば液晶層に含まれる水分が、遮光層12cと第2絶縁層11との隙間から侵入し、TFT10の特性が変化することを防ぐことができる。上述したように、遮光層12cにおいても、遮光層12cの上面の最頂部と第2絶縁層11の上面との距離L’不図示は、0nm超1500nm以下が好ましい。距離L’がこの範囲にあると、電圧印加時において、遮光層12cが液晶分子の傾斜方向を規定するので、遮光層12c上の液晶分子が所望の配向となりやすい。次に、半導体装置100Aおよび100Bの製造方法について、図6~図8を参照しながら説明する。図6a~図6dおよび図7a~図7dは、半導体装置100Aの製造方法を説明する模式的な図である。図8a~図8cは、半導体装置100Bの製造方法を説明する模式的な図である。なお、半導体装置100Bは、半導体装置100Aに遮光層12cが形成された半導体装置であるので、半導体装置100Aと併せて説明し、重複する説明を避ける。図6aに示すように、公知の方法で、例えば酸化物半導体層5を有するTFT10を基板例えばガラス基板1上に形成する。また、図7aに示すように、ソース配線6’が基板1上に形成される。次に、図6bおよび図7bに示すように、TFT10上に、第1絶縁層9を形成した後、第1絶縁層9上に撥油性および感光性を有する有機材料から形成された第2絶縁層11を形成する。第2絶縁層11は、低誘電率例えば、誘電率2.0以上4.0以下を有することが好ましい。また、第2絶縁層11は、撥液性を有してもよい。第2絶縁層11は、例えば感光性のノボラック樹脂を含有するレジストを用いて形成された膜をパターニングし、開口部21aおよび開口部21bを形成することによって得られる。なお、図8aに示すように、半導体装置100Bにおいては、開口部21cも形成される。同時に、ドレイン電極7と後に形成される導電層13とを電気的に接続するコンタクトホール22も形成される図6b。第1絶縁層9および第2絶縁層11は、それぞれ公知の方法で形成される。開口部21a~開口部21cの代わりに、それぞれ凹部を形成してもよい。次に、図6cおよび図7cに示すように、黒色樹脂を含む溶液を用いて、例えばインクジェット法により、開口部21aおよび開口部21bに、それぞれ遮光滴12a’、12b’を形成する。インクジェット法により、遮光滴12a’、12b’を形成すると、所望の領域のみに遮光滴12a’、12b’を形成しやすい。なお、図8bに示すように、半導体装置100Bにおいては、開口部21cに遮光滴12c’も形成される。本実施形態において、黒色樹脂を含む溶液として、例えば、チタンブラック顔料を含有したアクリル樹脂をPGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに分散させた溶液を用いた。また、本実施形態において、それぞれの遮光滴12a’~12c’に含まれる固形成分の体積が、形成したい遮光層12a~12cの体積となるようにそれぞれの開口部21a~21cに遮光滴12a’~12c’を形成する。具体的には、例えば、黒色樹脂を含む溶液の固形成分濃度が20であり、L=1500nm図1b参照の場合、1つの開口部21a例えば、開口部21aの底面の形状は正方形であり、1辺が10μm、底面積が100μm2、高さが2μmの場合に滴下される黒色樹脂を含む溶液の体積は、約1600fLフェムトリットルであり、1つの開口部21c例えば、開口部21cの底面の幅が5μm、長さが100μm、底面積が500μm2、高さが2μmの場合に滴下される黒色樹脂を含む溶液の体積は、約8pLピコリットルである。次に、図6dおよび図7dに示すように、例えば減圧乾燥により遮光滴12a’および12b’に含まれる溶媒を蒸発させ、その後、例えば220°C、1時間の条件でベークし、遮光滴12a’および12b’を硬化させて、遮光層12aおよび遮光層12bを形成する。なお、図8cに示すように、半導体装置100Bにおいては、同様に遮光滴12c’を上述の条件で硬化させて、遮光層12cを形成する。第2絶縁層11を撥油性または、撥液性例えば、感光性を有するフッ素樹脂例えば、商品名:オプトエースダイキン工業株式会社製を有する有機材料から形成すると、遮光層12a~12cの上面が曲面を有し、第2絶縁層11の上面が遮光層12a~12cの上面よりも基板1側にある構造となる。その後、図1に示したように、公知の方法で、コンタクトホールをドレイン配線7’まで貫通させた後、導電層13を形成し、半導体装置100Aを製造する。同様に、半導体装置100Bを製造する図4参照。遮光層12aまたは/および遮光層12bと第2絶縁層11との界面上に導電層13の一部があるように導電層13を形成することが好ましい。遮光層12aまたは/および遮光層12bと第2絶縁層11との界面上に導電層13の一部があるように導電層13を形成すると、製造工程を増大させることなく、遮光層12aまたは/および遮光層12bと第2絶縁層11との界面を導電層13の一部で覆うことができる。同様に、遮光層12cと第2絶縁層11との界面上に導電層13の一部があるように導電層13を形成することが好ましい。遮光層12cと第2絶縁層11との界面上に導電層13の一部があるように導電層13を形成すると、製造工程を増大させることなく、遮光層12cと第2絶縁層11との界面を導電層13の一部で覆うことができる。上述の第2絶縁層11を形成する撥油性を有する有機材料は高価である。従って、この有機材料を用いる代わりに、以下に説明する方法で、半導体装置100Aを製造すると安価に製造し得る。半導体装置100Aの他の実施形態における製造方法について、再び図6を参照しながら説明する。なお、説明は省略するが、半導体装置100Bも以下に説明する製造方法で製造し得る。図6bおよび図7bに示したように、上述した方法で、第2絶縁層11までを形成する。ただし、第2絶縁層11を形成する材料は、撥油性または、撥液性を有しなくてもよい。第2絶縁層11は、例えばノボラック樹脂を含有する感光性レジストから形成される。次に、公知の方法で、第2絶縁層11をパターニングし、上述の開口部21aおよび開口部21bを形成する。同時に、ドレイン電極7と後に形成される導電層13とを電気的に接続するコンタクトホール22も形成される。なお、開口部21aおよび開口部21bの代わりに、それぞれ凹部を形成してもよい。次に、開口部21aおよび開口部21bの第2絶縁層11の側面および開口部21aおよび開口部21b付近の第2絶縁層11の上面に撥油性または、撥液性を付与する処理を行う。具体的には、フッ素ガスを用いてプラズマ処理を行う。本実施形態において、フッ素ガスを用いたプラズマ処理として、真空圧ドライエッチング装置を用い、導入ガスをCF4四フッ化炭素:150sccm以上300sccm以下およびHeヘリウム:0sccm以上500sccm以下の条件とし、ガス圧力を50mTorr以上150mTorr以下約6.7Pa以上約20Pa以下の条件とし、使用電力を200W以上300W以下の条件とし、処理時間を20sec以上90sec以下の条件とし、処理温度を40°Cの条件で行った。このような処理が施された部分の第2絶縁層11は、撥油性または撥液性を有する。さらに、フッ素ガスを用いたプラズマ処理の他の処理方法として、ダイレクトタイプの大気圧プラズマ装置を用い、導入ガスをCF4:5.0slm以上15slm以下、および、N2窒素:20slm以上50slm以下の条件とし、ガス圧力を300mTorr以上800mTorr以下約40Pa以上約107Pa以下の条件とし、搬送速度を0.5m/min以上3.0m/min以下の条件とし、処理温度を25°C以上35°C以下の条件で行った。なお、プラズマ処理に用いるガスとしては、CF4の他、例えばSF6六フッ化硫黄、CHF3フルオロホルム、または、C2F6六フッ化エタンを用いてもよい。また、フッ素系ガスにHeやN2などの不活性ガスが混合されていてもよい。このような処理を行うと、処理された部分の第2絶縁層11に撥油性または、撥液性が付与される。次に、図6cならびに図6d、および図7cならびに図7dに示したように、上述した方法で、開口部21aおよび開口部21bに遮光層12aおよび遮光層12bを形成する。このような方法によっても、遮光層12aおよび遮光層12bの上面が曲面を有し、第2絶縁層11の上面が遮光層12aおよび遮光層12bの上面よりも基板1側にある構造となる。その後、図1に示したように、公知の方法で、コンタクトホールをドレイン配線7’まで貫通させた後、導電層13を形成し、半導体装置100Aを製造する。以上、本発明の実施形態により、光によるTFTの特性の変化が生じにくく、表示品位が低下しない半導体装置およびそのような半導体装置の製造方法、ならびに液晶表示装置が提供される。