少なくとも1つの炭化珪素基板に炭化珪素から作られ導電型がp型のエピタキシャル層を形成することにより少なくとも1つのエピタキシャル基板を形成する工程を備え、前記少なくとも1つのエピタキシャル基板は、前記エピタキシャル層が設けられている第1の主表面と前記第1の主表面の反対の第2の主表面とを有し、さらに、前記少なくとも1つのエピタキシャル基板の前記第1の主表面にイオンを注入することにより、前記第1の主表面から所定の深さにおいて前記エピタキシャル層中にイオン注入層を形成する工程と、前記イオン注入層を形成する工程の後に、前記少なくとも1つのエピタキシャル基板を支持部材に固定する工程と、前記イオン注入層を境界として、前記少なくとも1つのエピタキシャル基板を、前記支持部材に固定された第1の層と前記第2の主表面を有する第2の層とに分離することで、前記第2の層を取り除く工程と、前記第1の層の上に炭化珪素層を形成する工程とを備え、前記炭化珪素層を形成する工程は、前記炭化珪素層の少なくとも一部をなすn型層を形成する工程を含み、さらに、前記支持部材を前記第1の層から除去する工程とを備えた、炭化珪素半導体装置の製造方法。前記少なくとも1つのエピタキシャル基板は、複数の炭化珪素基板を含む、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記炭化珪素層を形成する工程は、前記n型層を形成する前に、前記第1の層上に前記炭化珪素層の一部をなすp型層を形成する工程を含む、請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記イオン注入層を形成する工程の後に、前記少なくとも1つのエピタキシャル基板の前記第1の主表面と、前記支持部材の表面との少なくとも一方に中間層を形成する工程とをさらに備え、前記固定する工程は、前記少なくとも1つのエピタキシャル基板を前記支持部材に前記中間層を介して接合する工程を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記中間層はAlN、TaCまたはTiNを含む材料からなる、請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記固定する工程は、前記少なくとも1つのエピタキシャル基板を前記支持部材に着脱可能に固定する工程を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記第1の層の前記第1の主表面と反対の第3の主表面の少なくとも一部は、面方位{0-33-8}を有する、請求項1~6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記炭化珪素半導体装置はIGBTである、請求項1~7のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。しかしながら、pチャネル型IGBTにおけるMOSMetalOxideSemiconductor構造で用いられるキャリアは電子に比して移動度の低い正孔であり、よって特性オン抵抗が高くなる。このため低い特性オン抵抗を実現するためにnチャネル型IGBTが望まれている。nチャネル型IGBTを得るためには、コレクタ層としてのp型層の上にドリフト層としてのn型層を有する構造が必要である。しかしながら、このような構造を有する炭化珪素半導体装置を得るための方法は、従来、十分検討されていなかった。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、たとえばnチャネル型IGBTなどのような、p型層の上にn型層を有する構造を含む炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することである。本発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は以下の工程を有する。少なくとも1つの炭化珪素基板に炭化珪素から作られ導電型がp型のエピタキシャル層を形成することにより、少なくとも1つのエピタキシャル基板が形成される。少なくとも1つのエピタキシャル基板は、エピタキシャル層が設けられている第1の主表面と第1の主表面の反対の第2の主表面とを有している。少なくとも1つのエピタキシャル基板の第1の主表面にイオンを注入することにより、第1の主表面から所定の深さにおいてエピタキシャル層中にイオン注入層が形成される。イオン注入層を形成する工程の後に、少なくとも1つのエピタキシャル基板が支持部材に固定される。イオン注入層を境界として、少なくとも1つのエピタキシャル基板を、支持部材に固定された第1の層と第2の主表面を有する第2の層とに分離することで、第2の層が取り除かれる。第1の層の上に炭化珪素層が形成される。炭化珪素層を形成する工程は、炭化珪素層の少なくとも一部をなすn型層を形成する工程を含む。支持部材が第1の層から除去される。本発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、導電型がp型である第1の層と、第1の層上に炭化珪素層が形成された炭化珪素半導体装置を得ることができる。それゆえ、たとえばnチャネル型IGBTなどのような、p型層の上にn型層を有する構造を含む炭化珪素半導体装置が得られる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、少なくとも1つのエピタキシャル基板は、複数の炭化珪素基板を含む。これにより、大きな炭化珪素基板を得ることができる。よって炭化珪素半導体装置をより効率的に製造することができる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、炭化珪素層を形成する工程は、n型層を形成する前に、第1の層上に炭化珪素層の一部をなすp型層が形成される。これにより、n型層の下に、第1および第2の層が互いに分離された後に形成されたp型層を有する炭化珪素半導体装置が得られる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、イオン注入層を形成する工程の後に、少なくとも1つのエピタキシャル基板の第1の主表面と、支持部材の表面との少なくとも一方に中間層が形成される。固定する工程は、少なくとも1つのエピタキシャル基板を支持部材に中間層を介して接合する工程を含む。これにより、少なくとも1つのエピタキシャル基板が支持基板に中間層により強固に固定される。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、中間層はAlN、TaCまたはTiNを含む材料からなる。これにより、少なくとも1つのエピタキシャル基板が支持基板に強固に固定される。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、固定する工程において、少なくとも1つのエピタキシャル基板が支持部材に着脱可能に固定される。これにより、エピタキシャル基板を支持部材から容易に分離することが可能である。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、第1の層の第1の主表面と反対の第3の主表面の少なくとも一部は、面方位{0-33-8}を有する。これにより、第3の主表面に沿ったキャリア移動度が大きくなる。よって、低い特性オン抵抗を有する炭化珪素半導体装置が得られる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において好ましくは、炭化珪素半導体装置はIGBTである。これにより、nチャネル型IGBTを製造することができる。上記のように本発明によれば、たとえばnチャネル型IGBTなどのような、p型層の上にn型層を有する構造の炭化珪素半導体装置が得られる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。また、本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を、集合面を{}でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、-バーを数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。また角度の記載には、全方位角を360度とする系を用いている。実施の形態1図1に示すように、本実施の形態の炭化珪素半導体装置100は、プレーナゲート構造を有するnチャネル型IGBTである。炭化珪素半導体装置100は、コレクタ層8以降、第1の層8とも称すと、ドリフト層12以下、炭化珪素層12とも称すと、ボディ領域103と、エミッタ領域104と、p領域105と、ゲート絶縁膜108と、ゲート電極109と、層間絶縁膜110と、エミッタコンタクト電極112と、エミッタ配線113と、コレクタ電極114とを有する。コレクタ層8、ドリフト層12、ボディ領域103、エミッタ領域104、p領域105の各々は、炭化珪素SiCから作られており、好ましくはその結晶構造がポリタイプ4Hを有する。コレクタ層8、ボディ領域103およびp領域105の各々はp型を有し、ドリフト層12およびエミッタ領域104の各々はn型を有する。エミッタ領域104の不純物濃度はドリフト層12の不純物濃度よりも高い。p領域105の不純物濃度はボディ領域103の不純物濃度よりも高い。p型を付与するためのアクセプタ不純物は、たとえばアルミニウムAlまたは硼素Bである。n型を付与するためのドナー不純物は、たとえば窒素NまたはリンPである。コレクタ層8が有するアクセプタ型不純物はコレクタ層8のエピタキシャル成長時に導入されたものであり、アクセプタ不純物濃度は、好ましくは1×1017cm3以上1×1021cm3以下であり、より好ましくは1×1019cm3以上1×1020cm3以下である。コレクタ層8の厚さは、好ましくは5μm以上である。ドリフト層12は、コレクタ層8の図中上面側の上に設けられている。ドリフト層12の厚さは、好ましくは75μm以上である。ボディ領域103は、ドリフト層12の上に設けられている。エミッタ領域104は、ボディ領域103によってドリフト層12から隔てられるようにボディ領域103の上に設けられている。p領域105は、エミッタ領域104と接するようにボディ領域103の上に設けられている。ゲート絶縁膜108は、ドリフト層12とエミッタ領域104とをつなぐようにボディ領域103の上に設けられている。ボディ領域103の、ゲート絶縁膜108に対向する面図中、上面の面方位は、好ましくは{0-33-8}であり、より好ましくは0-33-8である。ゲート絶縁膜108は、好ましくは酸化膜であり、たとえば酸化珪素膜である。ゲート電極109は、ゲート絶縁膜108の上に設けられている。ゲート電極109は、導電体から作られており、たとえば、不純物が添加されたポリシリコン、またはアルミニウムAlから作られている。エミッタコンタクト電極112はエミッタ領域104およびp領域105の各々の上に設けられている。エミッタコンタクト電極112は、エミッタ領域104およびp領域105の各々にオーミックに接続された電極であり、好ましくはシリサイドから作られており、たとえばニッケルシリサイドから作られている。エミッタ配線113は、エミッタコンタクト電極112および層間絶縁膜110の各々の上に設けられている。層間絶縁膜110は、ゲート電極109とエミッタ配線113との間を電気的に絶縁するように設けられている。層間絶縁膜110は、たとえば酸化珪素膜である。コレクタ電極114はコレクタ層8の図中下面側に設けられている。コレクタ電極114は、コレクタ層8にオーミックに接続された電極であり、好ましくはシリサイドから作られており、たとえばニッケルシリサイドから作られている。次に、炭化珪素半導体装置100のIGBTとしての動作を説明する。ゲート電極109に印加された正電圧が閾値を超えると、ボディ領域103のうち、ゲート絶縁膜108を介してゲート電極109と対向する領域チャネル領域に反転層が形成される。これによりエミッタ領域104とドリフト層12とが電気的に接続される。よって、エミッタ領域104からドリフト層12へ電子が供給される。これに対応してコレクタ層8からドリフト層12に正孔が供給される。この結果、ドリフト層12において伝導度変調が生じ、これにより、ドリフト層12の抵抗率が顕著に低下する。これによりエミッタコンタクト電極112とコレクタ電極114との間の電気抵抗が顕著に低下する。すなわちIGBTがオン状態となる。一方、ゲート電極109に印加される正電圧が閾値以下の場合、上記チャネル領域に反転層が形成されないためIGBTはオフ状態となる。図2に示すように、炭化珪素半導体装置100の製造方法は、おおよそステップS10~110図2によって行われる。製造方法の詳細について、以下に説明する。図3を参照して、エピタキシャル基板形成工程ステップS10:図2により、エピタキシャル基板17が形成される。具体的には、まず、n型を有する炭化珪素基板1が複数準備される。次に、この炭化珪素基板1の主面上に導電型がp型のエピタキシャル層13が形成される。このp型のエピタキシャル層13は、最終的にはIGBTを構成するコレクタ層となる。このコレクタ層のアクセプタ型不純物濃度は、1×1017cm3以上1×1021cm3以下となるように行われ、より好ましくは1×1019cm3以上1×1020cm3以下となるように行われる。p型のエピタキシャル層13の形成は、たとえばCVDChemicalVaporDeposition法によって行い得る。炭化珪素基板1の上にp型のエピタキシャル層13が形成されてなるエピタキシャル基板17は、p型のエピタキシャル層13が形成されている側の第1の主表面2と、第1の主表面2と反対側の第2の主表面3とを有する。図4を参照して、イオン注入層形成工程ステップS20:図2により、イオン注入層4が形成される。具体的には、エピタキシャル基板17のp型のエピタキシャル層13が形成されている側の面第1の主表面2に水素イオン5が注入される。水素イオン5注入のイオンエネルギーは、100keV~5MeV程度の範囲で選択が可能である。水素イオン5のドーズ量は、たとえば、1×1016cm2~1×1019cm2程度である。より好ましくは、水素イオン5のドーズ量は、1×1017cm2~1×1018cm2程度である。これにより、p型のエピタキシャル層13の内部であって、第1の主表面2から所定の深さたとえば0.1~0.5μmの位置にイオン注入層4が形成される。図5を参照して、エピタキシャル基板を支持部材に固定する工程ステップS30:図2が実施される。図5に示すように、たとえば中間層6が複数のエピタキシャル基板17と支持部材7との両方の表面に成膜される。具体的には、たとえば、窒化アルミニウムAlN薄膜からなる第1の中間層6bが、複数のエピタキシャル基板17の各々の第1の主表面2にスパッタリング法により成膜され、窒化アルミニウムAlN薄膜からなる第2の中間層6aが、支持部材7の表面にスパッタリング法により成膜される。中間層6の材料として、窒化アルミニウムAlNの他に、たとえばタンタルカーバイトTaCや窒化チタンTiNなどの金属化合物が利用可能である。また、支持部材7としては、たとえばモリブデンMo、タングステンWなどが利用可能である。支持部材7に求められる特性としては、支持部材7の熱膨張率が炭化珪素からなるエピタキシャル基板17の熱膨張率と近いことである。好ましくは、支持部材7の熱膨張係数をエピタキシャル基板17の熱膨張係数で除した比は0.8以上1.2以下である。炭化珪素、モリブデンおよびタングステンの熱膨張係数は、それぞれ4.7×1061/K、5.1×1061/Kおよび4.5×1061/Kである。たとえば、支持部材7としてモリブデンが用いられる場合、モリブデンの熱膨張係数を炭化珪素の熱膨張係数で除した比は1.1程度である。また、支持部材7にエピタキシャル基板17を固定した状態でデバイス作成プロセスを実施する場合、支持部材7および中間層6はたとえば1500°C程度の温度環境に曝される。よって、支持部材7および中間層6は1500°C以上の耐熱性を有することが好ましい。より好ましくは、支持部材7および中間層6の融点が2000°C以上である。なお、モリブデンおよびタングステンの融点は、それぞれ2622°Cおよび3382°Cである。また、窒化アルミニウムAlN、タンタルカーバイトTaCおよび窒化チタンTiNの融点は、それぞれ2200°C、3380°Cおよび2950°Cである。上記のように中間層6の融点が炭化珪素の形成温度よりも高ければ、炭化珪素を形成する工程で使用する温度においても接合力を保持することができる。その後、中間層6の表面を化学的に活性化させる。具体的には、複数のエピタキシャル基板17上に形成された第1の中間層6bおよび支持部材7上に形成された第2の中間層6aに対してCMPChemicalMechanicalPolishing処理またはエッチング処理がなされる。本実施の形態では、エピタキシャル基板17および支持部材7の両方に中間層6を形成する場合を示したが、中間層6は、少なくとも1つのエピタキシャル基板17の第1の主表面2と支持部材7の表面との少なくとも一方に形成されていればよい。たとえば、支持部材7にのみ中間層6を形成し、エピタキシャル基板17に中間層6を形成しなくてもよい。この場合、たとえば中間層6にCMP処理がなされた後、エピタキシャル基板17を支持部材7に形成された中間層6に圧着することで、エピタキシャル基板17は中間層6を介して支持部材7に固定される。また、エピタキシャル基板17の第1の主表面2にのみ中間層6を形成し、支持部材7に中間層6を形成しなくてもよい。この場合、たとえば中間層6にCMP処理がなされた後、エピタキシャル基板17に形成された中間層6を支持部材7の表面に圧着することにより、エピタキシャル基板17は中間層6を介して支持部材7に固定される。図6を参照して、中間層6を介してエピタキシャル基板17を支持部材7に接合する工程ステップS30:図2が実施される。具体的には、第2の中間層6aと第1の中間層6bとを接触させて接着することにより、エピタキシャル基板17の第1の主表面2と支持部材7の表面とが中間層6を介して接合される。具体的には、第2の中間層6aが形成されたエピタキシャル基板17の第1の主表面2と第1の中間層6bが形成された支持部材7の表面とが対向するように配置される。エピタキシャル基板17に形成された第2の中間層6aを支持部材7に形成された第1の中間層6bに、たとえば圧着することによりエピタキシャル基板17と支持部材7は中間層6を介して接合される。このようにして、複数のエピタキシャル基板17の各々が支持部材7に貼り合わされる。なお、複数のエピタキシャル基板17の各々を支持部材7の表面上に中間層6を介して搭載する際、なるべくエピタキシャル基板17間の距離が短くなるように複数のエピタキシャル基板17が支持部材7上に並べられる。好ましくは、複数のエピタキシャル基板17が隙間なく支持部材7上に並べられる。図7を参照して、次に、第2の層除去工程ステップS40:図2が実施される。具体的には、熱処理を行うことでエピタキシャル基板17の一部第2の層9を剥離する。これにより、エピタキシャル基板17は、イオン注入層4を境界として2つの層に分離される。より詳細には、エピタキシャル基板17は、イオン注入層4のイオン注入量が一番多い深さの位置を境界として、中間層6を介して支持部材7に接合されている第1の層8と、中間層6と接していない第2の主表面3を有する第2の層9とに分離される。このようにして、第2の層9が取り除かれる。なお、支持部材7側に残された第1の層8の厚みは、たとえば0.1μm~0.5μm程度である。図8を参照して、炭化珪素層形成工程ステップS50:図2が実施される。具体的には、支持部材7に固定されている第1の層8の各々の上に炭化珪素層12がエピタキシャル形成される。炭化珪素層12の少なくとも一部はn型層122を有している。また、炭化珪素層12は、たとえば面方位{0-33-8}を有していてもよい。また、n型層122を形成する前に、第1の層8上に炭化珪素層12の一部をなすp型層121を形成する工程を有していてもよい。この場合、図9に示すように、複数の第1の層8の上にp型層121が形成され、p型層121の上にn型層122が形成される。図9は、図8に示した大口径の炭化珪素基板の一部の領域IXを拡大した図である。図9に示すように、支持部材7の上に第1の層8以降、本実施の形態においてコレクタ層8と称すが形成され、コレクタ層8の上に炭化珪素層12以降、本実施の形態においてドリフト層12と称すが形成されている。図10に示すように、ドリフト層12の上に設けられp型を有するボディ領域103と、ボディ領域103によってドリフト層12から隔てられるようにボディ領域103の上に設けられn型を有するエミッタ領域104とが形成される図2:ステップS60。またボディ領域103の上にp領域105が形成される。ボディ領域103、エミッタ領域104およびp領域105の各々は、イオン注入によって形成され得る。次に、ドリフト層12、ボディ領域103、エミッタ領域104およびp領域105によって構成される表面図中、上面上に、保護層が形成される。保護層は、好ましくは容易に酸化され得る材料からなり、たとえばカーボン層である。次に、上記イオン注入によって注入された不純物を活性化するための活性化アニールが行われる。たとえば、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気中において1700°Cで30分間の加熱が行われる。次に保護層が除去される。保護層の除去は、たとえば保護層の酸化によって行い得る。なお、この活性化アニールの後に、雰囲気ガスとして一酸化窒素NOガスを用いるNOアニールが行われてもよい。温度プロファイルは、たとえば、温度1100°C以上1300°C以下、保持時間1時間程度の条件を有する。これにより、ゲート絶縁膜108とボディ領域103との界面領域に窒素原子が導入される。その結果、界面領域における界面準位の形成が抑制されることで、IGBTのチャネル移動度を向上させることができる。なお、このような窒素原子の導入が可能であれば、NOガス以外のガスが雰囲気ガスとして用いられてもよい。このNOアニールの後にさらに、雰囲気ガスとしてアルゴンArを用いるArアニールが行われてもよい。Arアニールの加熱温度は、上記NOアニールの加熱温度よりも高く、ゲート絶縁膜108の融点よりも低いことが好ましい。この加熱温度が保持される時間は、たとえば1時間程度である。これにより、ゲート絶縁膜108とボディ領域103との界面領域における界面準位の形成がさらに抑制される。なお、雰囲気ガスとして、Arガスに代えて窒素ガスなどの他の不活性ガスが用いられてもよい。図11に示すように、ゲート絶縁膜108が形成される図2:ステップS80。ゲート絶縁膜108はボディ領域103の上においてドリフト層12とエミッタ領域104とをつなぐように形成される。ゲート絶縁膜108の形成は、たとえば熱酸化によって行い得る。熱酸化は、たとえば、酸素雰囲気中における1300°Cでの60分間の加熱により行われる。図12に示すように、ゲート絶縁膜108の上にゲート電極109が形成される図2:ステップS90。この形成は、たとえばCVD法によるポリシリコン膜の形成と、このポリシリコン膜の、RIEReactiveIonEtchingによるパターニングとによって行い得る。図13に示すように、層間絶縁膜110が形成される。具体的には、たとえばCVD法により層間絶縁膜110が形成された後、RIEによりエミッタコンタクト電極112を形成すべき領域に対応する層間絶縁膜110およびゲート絶縁膜108が除去される。そしてこの、層間絶縁膜110およびゲート絶縁膜108が除去された領域上にエミッタコンタクト電極112が形成される。またコレクタ層8上にコレクタ電極114が形成される。エミッタコンタクト電極112およびコレクタ電極114の形成方法は、具体的には、ニッケル膜などの金属膜の成膜とそのシリサイド化とによって行い得る。図14に示すように、支持部材除去工程ステップS100:図2が実施される。支持部材7は化学的エッチングにより除去される。具体的には、支持部材7は溶解により除去される。たとえば、支持部材7の材質がモリブデンMo場合、支持部材7を硝酸により溶解させる。具体的には、30の硝酸に30分程度、支持部材7を浸漬させることにより支持部材7が溶解されて除去される。次に、中間層6が除去される。中間層6の除去は中間層6を機械加工することにより行われる。具体的には、中間層6を研削することにより、中間層6が除去される。図15に示すように、炭化珪素からなる第1の層8の裏面つまり、ドリフト層12と反対側の面にコレクタ電極114が形成される。次に、ダイシング工程ステップS110:図2により、ダイシングが行われる。これにより複数の炭化珪素半導体装置100図1が切り出される。以上により、本実施の形態の炭化珪素半導体装置100が得られる。図18は、第1の層8の図中上側の表面である第3の主表面16を拡大した概略模式図である。第1の層8の第3の主表面16第1の主表面2と反対の面の少なくとも一部は、面方位{0-33-8}を有していてもよい。具体的には、図18に示すように、第3の主表面16は、微視的には、面方位0-33-8を有する面S1と、面S1につながりかつ面S1の面方位と異なる面方位を有する面S2とが交互に設けられることによって構成された、化学的に安定な面である。ここで微視的とは、後述する原子間隔の2倍程度の寸法を少なくとも考慮する程度に詳細に、ということを意味する。好ましくは面S2は面方位0-11-1を有する。第3の主表面16は面S1および面S2によって構成されており、平均的には、面方位0-11-2}からの傾きが5°以内の面を有することが好ましく、実質的に面方位0-11-2}を有することがより好ましい。さらに好ましくは、第3の主表面16は、平均的には、面方位0-11-2からの傾きが5°以内の面を有することが好ましく、実質的に面方位0-11-2を有することがより好ましい。また、第3の主表面16は、平均的には、面方位{0-33-8}からの傾きが5°以内の面を有することが好ましく、実質的に面方位{0-33-8}を有することがより好ましい。さらに好ましくは、第3の主表面16は、平均的には、面方位0-33-8からの傾きが5°以内の面を有することが好ましく、実質的に面方位0-33-8を有することがより好ましい。次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態の製造方法によれば、導電型がp型の第1の層8とその上にn型層を有する炭化珪素層12を形成することができる。それゆえ、p型層の上にn型層を有する構造を含むnチャネル型IGBTなどの炭化珪素半導体装置100が得られる。また、本実施の形態の製造方法は、複数のエピタキシャル基板17を支持部材7に固定することで、炭化珪素からなる大口径の基板を得ることができる。それゆえ、nチャネル型IGBTなどの炭化珪素半導体装置100をより効率的に製造することができる。さらに、本実施の形態の製造方法は、少なくとも1つのエピタキシャル基板が支持部材に中間層を介して接合される。それゆえ、少なくとも1つのエピタキシャル基板が支持基板に強固に固定される。さらに、第3の主表面の少なくとも一部が、面方位{0-33-8}を有する場合は、第3の主表面に沿ったキャリア移動度が大きくなる。それゆえ、低い特性オン抵抗を有するnチャネル型IGBTなどの炭化珪素半導体装置100が得られる。実施の形態2次に、本実施の形態2の炭化珪素半導体装置100の製造方法について説明する。実施の形態2の炭化珪素半導体装置100の製造方法は、実施の形態1の製造方法と比較してステップS30図2において異なっており、その他の工程において実施の形態1に示した製造方法と同様である。本実施の形態2の製造方法では、エピタキシャル基板17を支持部材7に固定する工程図2:ステップS30が以下のように実施される。まず、各エピタキシャル基板17は支持部材7に着脱自在に固定される。具体的には、まず、複数のエピタキシャル基板17の各々の第1の主表面2と支持部材7の表面とを対向させる。その後、複数のエピタキシャル基板17の各々を支持部材7の表面上に搭載する。このとき、なるべくエピタキシャル基板17間の距離が短くなるように複数のエピタキシャル基板17が支持部材7上に並べられる。好ましくは、複数のエピタキシャル基板17が隙間なく支持部材7上に並べられる。このようにして、エピタキシャル基板17の各々が支持部材7に着脱自在に固定される。着脱自在に固定する方法として、各エピタキシャル基板17がたとえば真空チャックにより支持部材7に固定される。具体的には、エピタキシャル基板17は支持部材7を貫通するように設けられた孔15の上に配置される。支持部材7の下方に設けられた真空装置により真空引きすることにより、複数のエピタキシャル基板17の各々は支持部材7に固定される。また、エピタキシャル基板17の各々が、静電チャックにより支持部材7に固定されてもよい。支持部材7は、たとえば炭化珪素層12を形成する工程においてエピタキシャル基板17の各々を固定するサセプタである。サセプタは、炭化珪素をエピタキシャル成長させるときに基板を保持するものである。複数のエピタキシャル基板17がサセプタに固定されていれば、サセプタごとエピタキシャル基板17を成膜装置に搬入することができる。支持部材7にエピタキシャル基板17を固定した状態でデバイス作成プロセスを実施する場合、支持部材7はたとえば1500°C程度の温度環境に曝される。よって、支持部材7は1500°C以上の耐熱性を有することが好ましい。より好ましくは、支持部材7の融点が2000°C以上である。支持部材7に用いられる材料としては、たとえば炭素Cである。好ましくは、支持部材7は、表面にたとえばタンタルカーバイトTaCなどの金属カーバイトが形成された炭素を含んでいる材料からなる。次に、図16に示すように、第2の層除去工程ステップS40:図2が実施される。具体的には、熱処理を行うことでエピタキシャル基板17の一部第2の層9を剥離する。エピタキシャル基板17は、イオン注入層4を境界として2つの層に分離される。より詳細には、エピタキシャル基板17は、イオン注入層4のイオン注入量が一番多い深さの位置を境界として、エピタキシャル基板17は支持部材7に接合されておりp型のエピタキシャル層13の一部である第1の層8と、第2の主表面3を有する第2の層9とに分離される。このようにして、第2の層9が取り除かれる。なお、支持部材7側に残された第1の層8の厚みは、たとえば0.1~0.5μm程度である。図17に示すように、炭化珪素層形成工程ステップS50:図2が実施される。具体的には、支持部材7に着脱自在に固定されている第1の層8上に炭化珪素層12がエピタキシャル形成される。炭化珪素層12の構成は、実施の形態1で説明した構成と同様である。次に、実施の形態1で説明したように、デバイス形成プロセスステップS60~S90:図2が行われる。その後、支持部材除去工程ステップS100:図2により支持部材7が第1の層8の各々から取り外される。第1の層8の各々は支持部材7にたとえば真空チャックによって吸着されることで固定されている。真空引きを停止することで第1の層8を吸着している力がなくなるので、第1の層8は支持部材7から取り外される。次に、ダイシング工程ステップS110:図2によりダイシングが行われる。これにより複数の炭化珪素半導体装置100図1が切り出される。本実施の形態2の製造方法は、支持部材7が着脱自在であるために支持部材7を繰り返し使用して、別の炭化珪素半導体装置100の製造に用いることができる。これにより、炭化珪素半導体装置100の製造コストの低減が可能である。また、本実施の形態2の製造方法は、複数のエピタキシャル基板17の各々を真空チャックにより支持部材7に固定することにより行われる場合、真空チャックの動作によってエピタキシャル基板17を支持部材7から容易に分離することができる。さらに、支持部材7は、炭化珪素層12を形成する工程において少なくとも1つのエピタキシャル基板17の各々を固定するサセプタである場合、サセプタが支持部材7として利用されるので、炭化珪素半導体装置100の製造工程が簡素化される。さらに、支持部材7が表面に金属カーバイトが形成された炭素を含んでいる場合、金属カーバイトは高温耐熱性に優れているため、高温で炭化珪素層12を形成する場合にも利用することができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。