Bがドーピングされたp型シリコンウェーハ上に、ドーパントを含まないシリコンエピタキシャル層を気相成長装置内でエピタキシャル成長させ、SPV法により前記シリコンエピタキシャル層より下層の前記p型シリコンウェーハで少数キャリアを発生させて前記少数キャリアの拡散長を測定することにより、前記p型シリコンウェーハ中のFeの不純物濃度を算出して、前記不純物濃度から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。前記少数キャリアを発生させるための前記SPV法による入射光の侵入深さが前記シリコンエピタキシャル層の厚さより深いことを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置の清浄度評価方法。前記少数キャリアを発生させるための前記SPV法による入射光の侵入深さが20μm以上200μm以下であり、前記シリコンエピタキシャル層の厚さが10μm以下とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の気相成長装置の清浄度評価方法。前記気相成長装置は、n型ドーパントに使用されるn型用気相成長装置であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の気相成長装置の清浄度評価方法。しかし、DLTS法は、接合形成時のウェーハ試料の面状態の影響を強く受け、測定にも長い時間を要するため簡便さに欠ける。また、SPV法は試料の種類n型かp型かにより気相成長装置の清浄度を評価する指標が異なる。n型シリコンエピタキシャルウェーハの場合は、p型に比べ指標が少なくなり気相成長装置の清浄度を正確に評価することが難しい。特に、n型シリコンエピタキシャルウェーハは、Pリン、Asヒ素、Sbアンチモン等がドーピングされるので、不純物Feとn型ドーパント元素がペアを構成せず、解離前後の拡散長を測定できないため、Fe濃度等を算出できない。一方で、n型エピタキシャルウェーハは、先端撮像素子向け製品に用いられることが多く、デバイス特性の不良を防止するために、n型ドーパントを使用する気相成長装置の清浄度に注意が払われる。そこで、n型ドーパントを使用する気相成長装置においても、清浄度を正確に評価するため、p型のエピタキシャル層を形成することが考えられる。しかし、n型ドーパントを使用する気相成長装置において、p型ドーパントをドーピングすることは、p型不純物汚染を引き起こし、ウェーハ特性を狂わし、気相成長装置の特性調整チューニングに多大な時間を要する。本発明の課題は、SPV法により気相成長装置の清浄度を簡易に評価できる気相成長装置の清浄度評価方法を提供する。以下、本発明の実施の形態について述べる。図1は、気相成長装置1の概要を示す断面図である。当該気相成長装置1はn型ドーパントを使用する装置であり、内部にはエピリアクターエピチェンバー反応室2を有する。このエピリアクター2内には、円盤状のサセプター3とサセプター3を板面方向に回転させる回転軸4と、サセプター3上に載置するシリコンウェーハ5と、エピリアクター2の内部を加熱する加熱装置6と、シリコンウェーハ5上に気相を成長させるためにエピリアクター2に原料ガスを導入する導入管7と、気相成長後の反応ガスをエピリアクター2から排出する排出管8と、を有する。シリコンウェーハ5をサセプター3上に載置して、エピリアクター2内に原料ガストリクロロシラン及びキャリアガス例えば、水素ガス等を供給することにより、シリコンウェーハ5上にエピタキシャル層を形成して、エピタキシャルウェーハを製造できる。本発明は、かかる気相成長装置1において気相成長を所定回繰り返した後、装置1内部を洗浄し、洗浄後の気相成長装置1の清浄度を評価する。つまり、気相成長装置1の内部のエピリアクター2における清浄度を評価する。図2は、本発明の気相成長装置1における清浄度評価方法の概要を示すフローチャートである。図2を用いて、本発明の清浄度評価方法の概要を説明する。先ず、試料の基となるシリコンウェーハを準備する工程1。具体的には、Bがドーピングされたp型シリコンウェーハ5aを準備する。このp型シリコンウェーハ5aをn型ドーパント用の気相成長装置1のサセプター3上に載置してp型のシリコンウェーハ5a上にノンドープのシリコンエピタキシャル層9を堆積し、図3に示すようにシリコンエピタキシャルウェーハ10試料を製造する工程2。次に、製造したシリコンエピタキシャルウェーハ10をSPV法により測定分析する少数キャリアの拡散長を測定し、Fe濃度、Feを除く再結合中心密度を算出する。つまり、ウェーハ10自身の汚染を評価する。工程3。最後に、かかるシリコンエピタキシャルウェーハ10の汚染の評価に基づいて、n型ドーパント用の気相成長装置1の清浄度を評価する工程4。図4は本発明の清浄度評価方法の詳細を示すフローチャートである。以下、清浄度評価方法の詳細を説明する。先ず、試料の基となるBドープのp型シリコンウェーハ5aを図1に示す洗浄後のn型ドーパント用の気相成長装置1に搬入するS1。搬入後、図1に示すようにp型シリコンウェーハ5aをエピリアクター2内のサセプター3上に載置し、エピリアクター2を昇温してp型シリコンウェーハ5aの表面に形成された自然酸化膜を水素熱処理により除去するS2。次に、エピリアクター2内を成長温度例えば、1060~1150°Cに設定し、原料ガス例えば、トリクロロシラン等をp型シリコンウェーハ5a上に供給して、p型シリコンウェーハ5a上にノンドープのシリコンエピタキシャル層9を気相成長させて、シリコンエピタキシャルウェーハ10試料を製造するS3。かかる気相成長の際、気相成長装置1の洗浄により発塵等した金属不純物Fe等等がシリコンエピタキシャル層9に取り込まれて、気相成長中の熱処理により当該金属不純物等がシリコンエピタキシャル層9からシリコンウェーハ5a内部に拡散する。当該シリコンエピタキシャルウェーハ10の製造後、エピリアクター2内からシリコンエピタキシャルウェーハ10を搬出してS4、該ウェーハ10の温度が室温となるまで徐冷するS5。徐冷によりシリコンウェーハ5aの内部に拡散したFeと、シリコンウェーハ5aにドープされたBがFe-Bペアを形成する。このFe-Bペアからペア解離後の拡散長を測定するために、Fe-Bペアが解離する温度例えば、200°C~220°Cに設定して、所定時間例えば、2分から10分間加熱処理をするS6。Fe-Bペアの解離状態を維持するため、シリコンエピタキシャルウェーハ10を冷却しS7、周知のSPV測定装置11図5に搬送するS8。そして、SPV法を用いて、Fe-Bペア解離後の拡散長を測定し、予め測定されているFe-Bペア解離前の拡散長を用いてFe濃度不純物濃度を算出する。気相成長装置1の洗浄により発塵等により取り込まれた不純物Feの濃度を算出することで、n型ドーパントを行う気相成長装置1においてもp型ドーパントをドーピングせずに、不純物濃度から気相成長装置1の清浄度を評価できる。図5は、SPV測定装置11の概略を示す。図5に示すようにSPV測定装置11は、シリコンエピタキシャルウェーハ10試料に入射光12aを導入する光源12発光ダイオードと、当該光源12の波長を調整する調整装置13と、当該光源12の光を収束するレンズ14と、該レンズ14により収束した入射光12aを透過する透明電極15と、試料であるシリコンエピタキシャルウェーハ10を挟んで当該透明電極15と対向配置される基準電極16と、当該シリコンエピタキシャルウェーハ10にバイアス電圧を印加する電圧源図示略と、SPV値電圧変化を測定する測定手段17とを有する。図6は、SPV法の測定原理を示す原理図である。図6を用いて、SPV法の測定原理を説明する。SPV法を適用するためには、シリコンエピタキシャルウェーハ10の表面近傍に空乏層を形成する必要がある。そのため、本発明では正孔18となる多数キャリアと同符号の電荷をシリコンエピタキシャルウェーハ10の表面に付着させる。つまり、ウェーハ10の表面に正電荷19電荷の合計が正を付着させる図6。正電荷19によりウェーハ10表面近傍の正孔18図示略は、静電気的に反発してウェーハ10内部に押しやられる。するとウェーハ10の表面近傍には負にイオン化したアクセプタ原子B-のみが出現するため、ウェーハ10の表面近傍は負電荷20電荷の合計が負となる。それ故、ウェーハ10表面近傍には正孔18が存在しない領域空乏層領域が形成される。この空乏層領域には、ウェーハ10表面の正電荷19とウェーハ10内部の負電荷20により、ウェーハ10表面から内部に向け電界が生じる。ここで、ウェーハ10にシリコンのバンドギャップ以上のエネルギーを有する入射光12a例えば、波長が450nm程度を照射すると波長入射光12aの侵入深さに応じてウェーハ10の内部にキャリアが発生する。具体的には、ウェーハ10の表面から所定の深さの領域22において、図6に示すようにプラスとマイナスのキャリア電子21:少数キャリア、正孔18:多数キャリアが発生する。その結果、空乏層領域に形成された電界により多数キャリア正孔18がウェーハ10内部に移動する。一方、少数キャリア電子21はウェーハ10の表面側に移動し、ウェーハ10表面の障壁高さの電位を変化させる。この電位変化SPV値を測定手段17により測定する。入射光12aの侵入深さ波長毎にSPV値を測定することで、侵入深さとSPV値の相関関係から少数キャリアの拡散長を測定する。ウェーハ10におけるノンドープシリコンエピタキシャル層9の近傍で少数キャリアを発生させると、エピタキシャル層9とシリコンウェーハ5aとの界面で、界面電荷による少数キャリアのドリフト、又は界面接合部の影響バンドギャップの影響により、少数キャリアが散乱して拡散長の測定精度が低下する。そのため、入射光12aの侵入深さは、ノンドープシリコンエピタキシャル層9とp型シリコンウェーハ5aの界面より深い場所であることが好ましいが、エピタキシャルウェーハ表面から厚さ方向の深い位置で発生したキャリアがエピタキシャルウェーハ表面に到達するときに発生するSPV値は発生したキャリアの深さに反比例して小さくなる。したがって、例えば、ノンドープシリコンエピタキシャル層9の層厚が10μmの場合、入射光12aの侵入深さは、20μm以上200μm以下が好ましい。入射光12aの侵入深さが200μmを超える深い領域で発生したキャリアによるSPV値は非常に小さくなり、SPV値をとらえることができず、また、入射光12aの侵入深さが20μmに満たないと、ノンドープシリコンエピタキシャル層9近傍で少数キャリアが発生し、拡散長の測定精度が低下するからである。より好ましくは、入射光12aの侵入深さは30μm以上150μm以下である。ノンドープのエピタキシャル層はドーパント等の不純物が極端に少ないため、エピタキシャル層近傍でキャリアを発生させると、キャリアの発生深さとSPV信号強度の相関直線が乱れノンドープエピタキシャル層中ではキャリアの減衰がほとんどないため、測定精度が低下する。そのため、エピタキシャル層の層厚が10μmであれば、3倍程度の30μmの深さとすることでノンドープエピタキシャル層の影響が少なくなる。また、光源12が発光ダイオードの場合は、励起強度が低く発生キャリアも少ないので深い領域で発生したキャリアがエピタキシャルウェーハ表面に辿り着くことでSPV信号が発生しても、到達キャリア量が少ない分、SPV信号が非常に弱くなる。それ故、150μmを超える深さではSPV信号の安定性が劣る。したがって、入射光12aの侵入深さは30μm以上150μm以下であることがより好ましい。また、拡散長は、具体的には、図13に示すSPVの公式1により測定できるが、図13に示すSPVの公式2に示すように、表面再結合速度及び裏面再結合速度を実測することで飽和しない正確な拡散長を測定できる。測定した少数キャリアの拡散長から、例えばZothらにより提案された周知の計算式Fe濃度の計算式からFe濃度を算出できる。更に、Fe濃度からFeの再結合中心密度を換算して、図14に示す計算方法によりFeの再結合中心密度NFeと拡散長Lにより、Feを除く不純物の再結合中心密度Nrを算出する。シリコンウェーハ5aにおいては、Fe、Cu銅、Au金等の重金属不純物が再結合中心となるため、算出した再結合中心密度からFe以外のCu銅、Au金等による汚染の指標が得られる。つまり、Feの不純物濃度からFeを除く重金属不純物の再結合中心密度を算出し、再結合中心密度から気相成長装置1の清浄度を評価できる。以上により、拡散長、Fe濃度、Fe以外の再結合中心密度の指標で気相成長装置の清浄度を評価できる。本発明の効果を調べるために次の実験を行った。n型ドーパント用の気相成長装置1により気相成長を所定回繰り返した後で、当該気相成長装置1を洗浄した。洗浄後の気相成長装置1のサセプター3上にBをドーピングしたp型シリコンウェーハ5a基板抵抗率9~12Ωcmを載置して、当該p型シリコンウェーハ5a上に、ノンドープのシリコンエピタキシャル層9を1100°C程度で3分間、堆積させ層の厚さ:10μm、抵抗率100Ωcm以上、シリコンエピタキシャルウェーハ10を製造した。このエピタキシャル成長工程において取り込まれる不純物洗浄後のFe等の不純物の汚染を把握し、洗浄後における気相成長装置1の清浄度の評価するために、洗浄メンテナンス後における気相成長装置1で製造したシリコンエピタキシャルウェーハ10をSPV法により測定分析して、気相成長装置1の清浄度の推移を把握した。なお、SPV法による測定に際し、シリコンエピタキシャルウェーハ10表面を安定化するために多数キャリアと同符号の電荷をウェーハ10表面に付着させるためにウェーハ10の表面近傍に空乏層を形成するために、HF前処理5HFで2分間純水による水洗10分間を行い、樹脂製ウェーハボックス内に25°Cで24時間放置した。更に、SPV値を測定する直前にSPV測定装置11のホットプレート図5及び図6に図示せずで熱処理190°Cで5分間85°Cで15分間を行いウェーハ10表面の自然酸化膜を安定化した。SPV測定装置11を用い、入射光12aの侵入深さが30μm~150μmの条件でウェーハ10面内177点を測定した。つまり、ノンドープエピタキシャル層9層厚:10μmより下の層であるp-シリコンウェーハ5aの上層部p-シリコンウェーハ5aとエピタキシャル層9との界面から20μm~140μmまでの深さで発生した少数キャリアによるSPV値を求めて、入射光12aの侵入深さとSPV値との関係から少数キャリアの拡散長を測定し、Fe濃度、Feを除く再結合中心密度を算出した。具体的には、エピリアクター2の洗浄メンテナンス後の清浄度の推移を確認するために、洗浄後の気相成長装置1で50枚のウェーハを製造した後にp型シリコンウェーハ5aを用いてシリコンエピタキシャルウェーハ10を製造した。同様に100枚製造後、200枚製造後、500枚製造後の4段階に分けてシリコンエピタキシャルウェーハ10を製造した。また、各段階で製造したシリコンエピタキシャルウェーハ10を上記測定条件でSPV測定装置11により測定し、エピタキシャルウェーハ10を評価した拡散長を測定し、Fe濃度、Fe以外の再結合中心密度を算出した。。以上の方法により、拡散長を測定した結果を図7のグラフに示す。図7は、横軸が気相成長装置1のメンテナンス洗浄後に製造したウェーハの枚数製造回数であり、縦軸がSPV測定装置11により測定した少数キャリアの拡散長である。図7に示すように、ウェーハの製造枚数製造回数が増加する毎に測定される拡散長が長くなる。不純物濃度が高いウェーハは、キャリアの再結合の確率が高くなるため、入射光12aにより生成された少数キャリアが再結合するまでに移動する距離拡散長は一般的に短くなる。それ故、図7のグラフに示すように、製造工程を繰り返す毎に拡散長が長くなることから、ウェーハ中の不純物濃度が次第に減少していると考えられる。そのため、エピタキシャル成長中にエピタキシャルウェーハに取り込まれる不純物濃度も次第に減少し、気相成長装置1の清浄度が次第に回復していると評価できる。図8は、測定した拡散長からFe濃度を算出した結果を示すグラフである。横軸が製造したウェーハの枚数製造回数であり、縦軸が算出したFe濃度である。図8に示すように、ウェーハを50枚製造した後においては、Fe濃度は高い数値を示す。しかし、ウェーハを100枚製造した以降は、ウェーハを50枚製造した後のFe濃度と比べ半分以下のFe濃度を示す。これは、気相成長装置1の洗浄により気相成長装置1の内部に一時的にFe汚染が生じたことFeが発塵したことが原因と考えられる。つまり、装置1の洗浄後にウェーハを50枚製造した時点では、気相成長装置1の洗浄により発生したFeがシリコンエピタキシャル層9に取り込まれ、シリコンウェーハ5aにFeが拡散してFe濃度が高い数値を示したものと考えられる。一方、洗浄後にウェーハを100枚製造した以降では、Fe濃度は、ほぼ横ばいとなっており、気相成長装置1の洗浄によるFe汚染が安定したものと考えられる。そのため、Fe濃度の推移からメンテナンス後の気相成長装置1におけるFe汚染からの回復状況を把握でき、気相成長装置1の清浄度を評価できる。それ故、気相成長装置1によりエピタキシャルウェーハを製造し、該エピタキシャルウェーハを複数回製造した毎にFeの不純物濃度を算出することにより、かかる不純物濃度の推移から気相成長装置1の清浄度を評価し、メンテナンス後の回復状況を判断できる。また、個々のFe濃度から気相成長装置1の不純物汚染を見積もることができる。本実験におけるエピタキシャル成長の熱処理条件は、1100°C程度で3分である。シリコンエピタキシャル層9からシリコンウェーハ5aに拡散するFeは、例えば3分、1100°C程度の熱履歴によりエピタキシャル層9を含む表面から内部の深さ約290μmまで拡散する。そのため、ノンドープエピタキシャル層9中のFe濃度と、入射光12aの侵入深さ150μmのFe濃度は、だいたい同じになると推測できる。よって、ノンドープエピタキシャル層9側からSPV値を測定することで、エピタキシャル成長工程中に取り込んだ不純物Fe濃度を見積もり、間接的に気相成長装置1エピリアクター2の不純物汚染を把握できる。気相成長装置には広くステンレス鋼が用いられるため、ステンレス鋼の主成分であるFe濃度により、気相成長装置の清浄度を効率よく評価できる。図9は、Feを除く再結合中心密度を算出した結果を示すグラフである。横軸が製造したウェーハの枚数製造回数であり、縦軸が算出したFeを除く再結合中心密度である。図9に示すように、ウェーハを100枚製造した後は、ウェーハを50枚製造した後に比べて再結合中心密度が大きく減少して、その後は、ほぼ横ばいの数値を示す。シリコンウェーハ5aにおいては、Fe、Cu、Au等の重金属不純物が再結合中心となるため、装置1の洗浄により一時的に汚染Cu、Au等の汚染が生じることでウェーハを50枚製造した時点では、再結合中心密度が高いものと考えられる。一方、ウェーハを100枚製造した後では、気相成長装置1の洗浄によるCuやAu等の汚染が安定したものと考えることができ、気相成長装置1の清浄度が回復して安定したものと評価できる。それ故、気相成長装置1によりエピタキシャルウェーハを製造し、該エピタキシャルウェーハを複数回製造した毎にFe以外の再結合中心密度を算出することにより、かかるFe以外の再結合中心密度の推移から気相成長装置1の清浄度を評価し、メンテナンス後の回復状況を判断できる。従来例として洗浄後のn型ドーパント用の気相成長装置1において、撮像素子向けエピタキシャルウェーハなどに用いられるような200mmのn/n-エピタキシャルウェーハエピタキシャル層の層厚:10μm、エピタキシャル層の抵抗率10~20Ωcm、シリコンウェーハの抵抗率10~20Ωcmを作製し、気相成長装置1のメンテナンス後における清浄度の推移をSPV法により測定した。ただし、実施例と異なり、SPV法による測定に際し、シリコンエピタキシャルウェーハ表面を安定化させるため多数キャリアと同符号の電荷をウェーハ10表面に付着させるためにSC-1NH4OHH2O2H2O液で前処理を行い、樹脂製ウェーハボックス内に25°Cで48時間放置し、更に、SPV測定装置11では4種類の光学フィルターにより波長を分離し、入射光の侵入深さが11μm~150μmの条件でウェーハ面内177点を測定した。そして、実施例と同様に気相成長装置1のメンテナンス後における清浄度の推移を確認するため、メンテナンス後、50枚、100枚、200枚、500枚製造後毎にシリコンエピタキシャルウェーハを製造して清浄度の推移を測定した。n型シリコンエピタキシャルウェーハは、Bがドープされていないため、SPV測定装置11により得られる情報はSPV値及び拡散長のみである。よって、p型のシリコンエピタキシャルウェーハ10のようにFe濃度を算出できない。図10は、かかるn/n-エシリコンエピタキシャルウェーハを用いて拡散長を測定した結果を示すグラフである。図11は、図10の拡散長の推移を示す表である。図10及び図11に示すように、n型シリコンエピタキシャルウェーハでは、拡散長の推移から気相成長装置の清浄度が次第に回復していると評価できるのみである。一方、図12は実施例のノンドープエピタキシャルウェーハを用いて測定又は算出した、拡散長、Fe濃度、Fe以外の再結合中心密度の推移を示す表である。従来例では、拡散長の良否からしか評価できなかった清浄度が、図12に示すようにノンドープのシリコンエピタキシャルウェーハ10を用いることで、拡散長、Fe濃度、Feを除く再結合中心密度の指標で気相成長装置1エピリアクター2の清浄度を把握できる。具体的には、図10に示すように、従来例では、製造回数が増えるに従い、なだらかに拡散長が伸びているのに対し、実施例では、図7に示すように、製造回数が50回と100回との間を契機にし、拡散長が急激に伸びている。よって、拡散長のデータのみから製造回数が100を超えることでメンテナンス後における気相成長装置1の清浄度が回復すると評価できる。更に、拡散長による気相成長装置1の清浄度の評価だけではなく、Feによる汚染状況やCuやAu等Feを除くによる汚染状況に基づき、気相成長装置1の清浄度を評価できる。つまり、高精度かつ多角的に気相成長装置1の清浄度を評価できる。また、図7~図9に示すように各指標拡散長、Fe濃度、Fe以外の再結合中心密度の推移を把握することで、エピリアクター2のメンテナンス後の回復状況がより判りやすくなる。よって、Feによる汚染状況やCuやAu等Feを除くの汚染状況を分析することで、エピリアクター2の汚染低減対策等にも活用できる。それ故、拡散長、Feの不純物濃度及びFe以外の再結合中心密度から気相成長装置1の清浄度を評価することにより、高精度かつ多角的に気相成長装置1の清浄度を評価でき、汚染状況の分析、汚染対策にも活用できる。なお、実施例では、気相成長装置1としてn型ドーパントを使用する装置として説明したが、p型ドーパントを使用する装置でも同様の効果が得られる。以上、本発明の実施例を説明したが、これはあくまでも例示にすぎず、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づく種々の変更が可能である。