コンデンサーであって、一対の電極と、前記一対の電極の間に配設される金属化誘電体層であって、前記金属化誘電体層内の金属の体積分率が少なくとも約30であるように誘電体材料内に分布した複数の金属凝集体を含む、金属化誘電体層と、を備え、前記複数の金属凝集体は、前記誘電体材料によって互いに分離される、コンデンサー。焼結中にin-situ形成される少なくとも1つの実質的に金属フリーの誘電体層を更に備え、前記少なくとも1つの実質的に金属フリーの誘電体層は、前記電極の少なくとも一方から前記金属化誘電体層を分離する、請求項1に記載のコンデンサー。前記金属の前記体積分率は、約30~約60の範囲にある、請求項1に記載のコンデンサー。前記金属の前記体積分率は、約40~約50の範囲にある、請求項1に記載のコンデンサー。前記金属化誘電体層は、浮遊電極として構成される、請求項1に記載のコンデンサー。前記金属化誘電体層は、電圧端子と電気的結合するための電極として構成される、請求項1に記載のコンデンサー。前記金属化誘電体層は、約0.01ミクロン~約250.0ミクロンの範囲内の厚さを有する、請求項1に記載のコンデンサー。前記金属化誘電体のないコンデンサーより約2倍~約1000倍高いキャパシティブ密度を示す、請求項1に記載のコンデンサー。前記誘電体材料はセラミックを含む、請求項1に記載のコンデンサー。多層コンデンサーであって、複数の電極と、それぞれが前記電極のうちの2つの電極の間に配設される、複数の誘電体層と、を備え、前記誘電体層の少なくとも1つは、内部に複数の金属包含物が分布した誘電体材料を含む金属化部分を有し、前記金属化部分内の金属の体積分率が少なくとも約30であり、前記金属包含物は前記誘電体材料によって別の金属包含物から分離される、多層コンデンサー。焼結中にin-situ形成される少なくとも1つの実質的に金属フリーの誘電体層を更に備え、前記少なくとも1つの実質的に金属フリーの誘電体層は、前記電極の少なくとも1つから前記金属化誘電体層を分離する、請求項10に記載の多層コンデンサー。前記金属化誘電体層内の金属の体積分率は少なくとも約30である、請求項11に記載の多層コンデンサー。前記金属の前記体積分率は、約40~約60の範囲にある、請求項12に記載の多層コンデンサー。金属-誘電体複合材を形成する方法であって、複数の誘電体粒子を金属で被覆することであって、複数の金属被覆された誘電体粒子を形成する、被覆することと、約750°C~約950°Cの温度で前記複数の金属被覆された誘電体粒子を焼結することであって、前記金属被覆を複数の離散的な分離された金属凝集体に変える、焼結することと、を含む、金属-誘電体複合材を形成する方法。約800°C~約945°Cの範囲になるように前記焼結温度を更に選択する、請求項18に記載の方法。少なくとも1つの実質的に金属フリーの誘電体層を焼結中にin-situ形成することを更に含み、前記少なくとも1つの実質的に金属フリーの誘電体層は、前記電極の少なくとも1つから前記金属化誘電体層を分離する、請求項18に記載の方法。少なくとも約30である金属の体積分率で前記金属化誘電体層を形成することを更に含む、請求項16に記載の方法。約40~約60の範囲内にある金属の体積分率で前記金属化誘電体層を形成することを更に含む、請求項16に記載の方法。約0.1ミクロン~約250ミクロンの範囲内の厚さで前記金属化誘電体層を形成することを更に含む、請求項15に記載の方法。前記金属-誘電体複合材は、コンデンサーとして使用され、前記コンデンサーは、前記金属化誘電体のないコンデンサーより約2倍~約1000倍高いキャパシティブ密度を示す、請求項15に記載の方法。ここで開示される実施形態、並びにその特徴及び態様は、キャパシタンス効率を改善するコンデンサー、及び製造方法を提供することに向けられる。より具体的には、改善されたコンデンサーは、誘電体との界面の点において3次元の様相を有する電極層を用いて構成することができる。有利には、3次元コンデンサーの実施形態は、当業者に既知である現在のコンデンサー設計と比べて、コンデンサーを収容するために回路内に必要とされる占有空間を大幅に削減する。必ずしも高k高誘電率誘電体材料を必要とすることもなく、常に増え続けるスタック内に付加的な電極-誘電体-電極構成を追加することもなく、複数のコンデンサーを直列につなぎ合わせることもなく、キャパシティブ密度の増加を実現することができる。幾つかの実施形態では、MLCC等のコンデンサーが開示され、コンデンサーは、1つ又は複数の金属化誘電体層を含み、金属化誘電体層はそれぞれ、電圧端子に結合するために適合した2つの電極間に配設される。組み込まれた金属が、パーコレーションネットワークを形成しない別個の金属包含物を形成することを保証しながら、かなりの量の金属が、誘電体層内に組み込まれ得ることが発見された。実際には、場合によっては、組み込まれた金属の体積分率は、パーコレーションの発生をもたらすことなく、パーコレーション閾値を超え得る。例えば、幾つかの実施形態では、誘電体層内の金属の体積分率は、少なくとも約40であり得る。さらに、幾つかの実施形態では、空乏化誘電体層すなわち、実質的に金属がない、好ましくは完全に金属がない誘電体層は、少なくとも1つの電極、好ましくは金属化層がその間に配設される両方の電極から金属化誘電体層を分離する。こうして、高いキャパシタンスならびに高いキャパシティブ密度を示すコンデンサーが達成され得る。MLCCの例示的な実施形態は、本明細書においてセラミック系コンデンサーとの関連で開示されるが、MLCCの種々の実施形態は必ずしもセラミック系部品を含まなくてもよく、それゆえ、本開示の範囲はセラミック系実施形態には限定されないことは当業者には理解されよう。さらに、開示される実施形態の誘電体層、陽極層及び陰極層は本明細書において包括的にプレート又は層と呼ばれる場合もある。しかしながら、本開示は、3次元コンデンサーの全ての実施形態において導電層又は誘電体層が硬い又は堅いプレートでなければならないように解釈されるべきではない。むしろ、示される特定の例示的な実施形態との関連において解釈されるように、用語プレートは、硬いプレート、又はインク、ペーストを塗布することによって作り出されるプレート、変形可能な物体の構造等を含む、任意のコンポーネント層、又はその作製方法を含むように理解されたい。すなわち、用語プレートは単に3次元コンデンサー内の特定の層を指しており、そのような層は、その層が関連付けられる例示的な実施形態の開示に関して記述される場合がある特徴及び態様によってのみ制限されることを理解されたい。一般的に、本開示において記述される特定の実施形態は、例示のためにのみ与えられ、MLCCの範囲を制限するものと解釈されない。さらに、MLCCの種々の実施形態は種々の構成成分又は材料の選択肢を利用することができるが、本開示における例示的な実施形態に関して記述される例示的な材料は、MLCC内に含まれる場合がある材料又は構成成分の包括的な列挙として意図していない。MLCC、詳細には、陽極層、陰極層、端子、導電性突出部、誘電体又はグリーンテープ層等のコンデンサーの特徴を作り出すために用いられる材料は、実施形態によって例えばコンデンサーが意図される特定の用途に基づいて異なり、おそらく或る特定の実施形態の新規の特徴又は態様を生み出すのに役に立つが、本開示の範囲を制限しない。所与の3次元コンデンサーの種々の構成要素又は特徴のための材料選択は、限定はしないが、電極の場合-銀例えば重量パーセントで約100、銀パラジウム合金重量パーセントで約95Ag:約5パラジウム、パラジウム、並びに限定はしないが、金、白金、イリジウム及びそれらの合金のような他の貴金属、並びに限定はしないが、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブ、ハフニウム及びレニウムのような高融点金属、並びに限定はしないが、ニッケル、ニッケル合金、銅及び銅合金のような卑金属を含み、誘電体層の場合:セラミック及びガラスセラミック、限定はしないが、銀被覆セラミック、パラジウム被覆セラミック、銀パラジウム被覆セラミック等のような貴金属被覆セラミック、並びに銀被覆調製formulatedチタン酸バリウム系誘電体、銀被覆ガラスビーズ、並びに限定はしないが、アルミナ及び酸化タンタルのような無機酸化物を含む。ここで図面を参照すると、例示的な3次元コンデンサーの種々の態様、特徴及び実施形態、並びに製造方法が更に詳細に提示されることになる。なお、同様の参照番号は図面全体を通して同様の構成要素を表す。図面及び詳細な説明において記述されるような例は説明として提供されており、MLCC、詳細には3次元コンデンサーの範囲を制限するものとして意図していない。3次元コンデンサーを形成する方法、又は3次元コンデンサー内に含まれる場合がある構成物の具体的な材料が説明される。それゆえ、3次元コンデンサーのようなMLCCは、添付の特許請求の範囲及び当業者に理解されるようなその等価物の範囲内にある、以下の例の任意の変更及び変形を含む。MLCCの例示的な実施形態によれば、誘電体層において被覆されていないセラミック粒子の代わりに金属被覆されたセラミック粒子又は銀誘電体複合材を用いることによって、3次元コンデンサーの実施形態のようなMLCCを作り出すために用いることができる、改善された製造工程が説明される。被覆された誘電体材料若しくは金属誘電体複合材又は混合物と、改善された製造方法とを合わせて、MLCCを実施することができる。3次元コンデンサーの幾つかの実施形態は、積層セラミックコンデンサーMLCC等を含み、それゆえ、本開示において説明及び図示される3次元コンデンサーの実施形態の多くは、MLCC内の単一の3層を表すことができる単一の電極-誘電体-電極構成EDEのみを示すことを意図していることは理解されたい。図1及び図2は合わせて、本発明の例示的な実施形態による、EDE3層を有するMLCCを生成するために用いることができる1つの例示的な製造方法101を示す。図1を参照すると、MLCCの製造プロセスにおいて、セラミック粉末205を、限定はしないが、溶媒、ポリマー樹脂及び分散剤のような添加剤を含むことができる化合物のような担体に混合入してステップ105、セラミックスラリー210を形成する。セラミックスラリー210を用いて、本プロセスのテープ成形ステップ110において、グリーンセラミックテープ215を成形する。グリーンテープ215は、セラミック粉末スラリーから形成されており、最終的には、コンデンサーの誘電体層としての役割を果たすことになる。例示的なグリーンテープは、セラミックスラリーから形成されるように上述されているが、本発明の実施形態は、セラミック以外に、又はセラミックに加えて、限定はしないが、調整チタン酸バリウム系誘電体、限定はしないが、低温同時焼成セラミックにおいて用いられるCa-B-Si-O系ガラスセラミック、及び高温同時焼成セラミックにおいて用いられるアルミナガラスセラミックのようなガラスセラミック、並びに種々の金属被覆セラミック、並びに無機酸化物及び化合物のような材料から作製されるグリーンテープ構成要素を含むことができることは理解されよう。被覆又は混合のために用いられる金属は、限定はしないが、銀パラジウム合金例えば、銀パラジウム組成の重量パーセントで、約95Ag及び約5Pd、より好ましくは約90Ag及び約10Pd、最も好ましくは約70Ag及び約30Pdの範囲内、並びにパラジウム、パラジウム合金、白金、白金合金、銀、銀合金、金、金合金、及びイリジウム、ロジウム、ルテニウムのような他の貴金属又はそれぞれの合金、並びに、限定はしないが、銅、ニッケル、鉄、コバルト、マンガン、チタン、亜鉛のような卑金属、並びに、限定はしないが、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、タンタル及びニオブのような高融点金属を含むことができる。グリーンテープの表面テクスチャリングは機械的なローラーを用いて行なうこともできる。例えば、グリーンテープ上で転がした後に、ローラー上のテクスチャをグリーンテープ上に転写することができる。その後、成形されると、グリーンテープ215は例示的なプロセスを進み、ステップ120においてスクリーン印刷される。ステップ120におけるスクリーン印刷前に、電極金属粉末220を担体化合物と混合してステップ115、電極インク225を形成する。電極インク225をセラミックグリーンテープ215上にスクリーン印刷してステップ120、最終的なMLCCの単一の誘電体-導体2層を形成する。ステップ120は、図1C~図13に関連して以下で述べる本発明のシステム及び方法の1つの主要な態様である。銀誘電体複合材又は混合物は、グリーンテープステージgreentapestageとも呼ばれ当業者に知られ、スクリーン印刷ステップ120で使用することができる。銀誘電体複合材は、金属例えば、銀被覆された誘電体テープ、金属例えば、銀粉末と混合された誘電体、金属例えば、銀被覆されたセラミック粒子、又は当業者によって理解される金属誘電体複合材を形成するための任意の他の方法を含むことができる。金属被覆されたセラミック粒子が使用される幾つかの実施形態では、セラミック粒子は、約0.01ミクロン~約10.0ミクロンの範囲内のサイズを有する。金属すなわち、銀粉末又は金属すなわち、銀被覆された誘電体テープと混合された誘電体粒子を含む誘電体複合材が、ステップ120で上述した、例示的な未被覆セラミック粉末205の代わりに使用される場合、図14~図22又は図1C~図13に示すMLCCを形成することができる。例えば、幾つかの実施形態では、銀被覆されたセラミック粒子を使用することができる。以下でより詳細に述べるように、或る特定のプロセスパラメーター、例えば、銀被覆されたセラミック粒子についての約850°C~約950°Cの範囲内の焼結温度が使用されると、金属の一部分が、少なくとも一方の電極に近接する領域からその電極にマイグレートし、それにより、その電極に近接して空乏層すなわち、実質的に金属がない層を生成する。場合によっては、電極にマイグレートした金属は、例えば指状突出部の形態で、その電極の表面層の増加をもたらし、それが、次に、後続の処理ステップを通して形成されるコンデンサーのキャパシタンスを増大させ得る。幾つかの実施形態では、電極は、空乏層を生成するため、電極に近接した薄い複合金属-誘電体層内の金属がその電極へマイグレートすることを促進するために、誘電体に組み込まれる金属と共通した少なくとも1つの金属成分を有する。ステップ105~120は繰り返されるので、ステップ125において、それぞれが単一の誘電体-導体2層を含む、複数のスクリーン印刷されたグリーンテープシート230が積重され、スクリーン印刷された導電層と次のシートのグリーンテープの底面とを繰返し並置することによって、EDE3層が作り出されるようにする。ステップ125から生じるスタックは、ステップ130の積層プロセスにおいて積層される。結果として生じる貼り合わせられたスタック235は、その後、ステップ135において、複数の交互配置されたEDE3層を含む個々のセラミックグリーンチップ240に変わる。図1Bにおいて本方法すなわち方法101が継続し、ステップ140において、個々のセラミックグリーンチップ240が焼成プロセスにかけられる。焼成プロセスステップ140では、グリーンセラミックチップ240はベルト式加熱炉等に通され、上記のスラリー内の有機物が除去され、それにより、グリーンセラミックチップ240が焼結されて、EDE3層を含むセラミックコンデンサーチップ245になる。焼結温度は、例えば誘電体-導電性層を形成するために使用される金属に基づいて、選択され得る。一般に、焼結温度は、金属の少なくとも部分的な溶融をもたらすために十分に高い。例として、焼結温度は、卑金属MLCCにおいて、ニッケル被覆されたセラミックの場合、約1100°C~約1500°Cの範囲内、銀被覆されたセラミックの場合、約750°C~約980°Cの範囲にあり得る。ステップ150において、焼結されたセラミックコンデンサーチップ245は、その後、導電性金属粉末255から混合されたステップ145終結インク250に浸漬することによって、2つの端部それぞれにおいて金属化することができる。終結金属化は、交互になっている導電性プレート間陽極と陽極及び陰極と陰極の内部接続、及び回路基板に活用するための電気的接点を提供する。終結されたチップ260は、その後、ステップ155の終結焼成プロセスにおいて再び乾燥及び焼成され、MLCC265になる。幾つかの実施形態では、焼成温度は例えば約750°C~約900°Cの範囲内にあり得る。最後的に、終結金属を保護し、かつハンダ付け接続を容易にするために、ステップ160のめっきプロセスにおいて、MLCC265にスズめっきを施すことができる。製造関連の当業者には既知であるように、MLCC265は、その後、回路内で使うステップ170前に、品質管理のために、ステップ165において検査プロセスを経ることができる。図1C~図13の3次元コンデンサーを構築するための、特有の構成成分選択を伴う改良型製造プロセス:印刷された被覆を有する金属被覆された誘電体テープ又はスラリー金属被覆された誘電体テープを使用した実際のサンプルの焼結後の図:図1Cここで図1Cを参照すると、この図は、銀被覆された誘電体テープ30が図1A~図1Bの方法で使用されるときに生成されるMLCC100Aの断面図を示す。この図は、約1000倍の拡大レベルで走査型電子顕微鏡を使用して生成された。MLCC100Aは、幾つかの層、すなわち、金属電極層10、誘電体層20A本明細書で空乏層20Aとも呼ばれる、金属-誘電体テープ層30本明細書で金属化誘電体層30とも呼ばれる、及び誘電体層40を備える。誘電体層40は、幾つかの実施形態では、空乏層20Aの厚さよりも大きい、例えばこの例では約6倍だけ大きい、厚さを有するとすることができる。同様に、見えるのは、焼結中にマイグレートする金属のポケットpocket又は包含物605である。誘電体層20Aは、銀-誘電体層30からの銀のマイグレーションによってin-situ形成されることがここで留意される。以下は、このMLCC構造100を形成するために使用される例示的な材料である。電極層10は、95/5のAg/Pd約95の銀と約5のパラジウムを含む。誘電体層40は、MRALaboratoriesによって製造されたVLF-220Aq3の製品名で市販製品として販売された、低温焼成可能なCOGタイプチタン酸塩誘電体を含むとすることができ、金属-誘電体すなわち、Ag-誘電体複合材テープ層30は、VLF-220Aq3を被覆している銀の約30重量を含むことができる。焼結温度は、約940°C~約975°Cの範囲にあるとすることができる。コンデンサーチップのサイズは、2018約0.20インチ×約0.18インチ等のサイズを含むことができる。通常、コンデンサーチップを作るために6つの活性層が使用される。典型的な誘電体層の厚さは、約0.001インチ約25ミクロンである。本発明の範囲内には、他のサイズが含まれる場合がある。焼結後に電子顕微鏡によって生成された断面図である図1Cをここで参照すると、コンデンサー100Aは、Ag-誘電体複合材テープ30の上部にAg/Pd電極10をプリントすることによって構築することができ、Ag-誘電体複合材テープ30は、誘電体層40によって絶縁される。誘電体層40は約30ミクロンの厚さを有することができ、一方、Ag-誘電体複合材テープ30は、焼結後に約10ミクロンの厚さを有する。走査型電子顕微鏡画像図1Cでは、明るい色合いの材料は、電極10内のAg/Pd、金属、及びAg-誘電体複合材層30内のAgである。暗い色合いの背景エリアは誘電体を構成する。Ag-誘電体複合材内のAgの電極10へのマイグレーションによって焼結プロセス中に形成され、約5ミクロンの厚さを有する誘電体層20Aは、Ag/Pd電極10と残りのAg-誘電体複合材層30との間に明瞭に見ることができる。Ag-誘電体複合材テープ30内に、金属の包含物又はポケット605が観測される。コンデンサー100Aのキャパシタンスを、誘電体内の金属の混入なしの純粋な誘電体テープだけを用いて作られた同じ寸法及び材料を有するコントロールコンデンサーと比較すると、約5倍500のおおよその増加が観測される。焼結前の図:金属被覆された誘電体テープを使用する例示的な層設計-図2A~図5Aここで図2Aを参照すると、この図は、誘電体層40なしでAg-誘電体複合材テープ30だけを使用して形成することができる別の例示的なコンデンサー構造100Bを示す。具体的には、図2Aは、焼結前のMLCC100Bの構成を示す。図2Aは、焼結前のグリーンステージステップ130~135、図1Aにおけるコンデンサー100Bの構成を示す。図2Aでは、Ag/Pd電極10は、Ag-誘電体複合材テープ30上に直接印刷される。Ag-誘電体複合材テープ30は、その端部の一方を終端50Aで電気的に絶縁される。終端50A、50Bは、限定はしないが、銀を含む材料から作ることができる。Ag-誘電体複合材テープ30の端部の一方の絶縁体は、誘電体40又は揮発性fugitiveインクによって形成された空気充填キャビティ図示せずを含むことができる。絶縁体はまた、図2Bに示すように焼結中にAg/Pd電極10Bを使用して形成することができる。換言すれば、図2Bは、Ag-誘電体複合材テープ30を備える、その端部に絶縁体を有するMLCC100Cの構成を示す。図1Cに関連して述べる誘電体層20Aは、本方法のこの中間ステージ又はフェーズで示す図2Bのこのステージではまだ形成されない。焼結すると、Ag-誘電体複合材テープ30内の銀は、マイグレートし、誘電体複合材テープ30内で誘電体層20A図1Cに示すをin-situ形成する。電極層10及びAg-誘電体複合材テープ30は、図1Aに示すように焼結中に形成される誘電体層20Aと共に、図2Bのコンデンサー構造100Cを形成することができる。2つの誘電体層20A図2Bでは示さずを各Ag-誘電体複合材テープ30内に形成することができることに留意されたい。図2Cは、Ag-誘電体複合材テープ30が電気的に短絡されるMLCC100Dの比較例を示す。具体的には、図2Cは、コンデンサー構造100Dの比較例を示しており、誘電性絶縁体40又はキャビティが終端50Aに近いAg-誘電体複合材テープ30の一端で使用されないときに、全てのAg-誘電体複合材テープ30が、図2A及び図2Bの実施形態と比べて電気的に短絡される。しかし、Ag-誘電体層30を通常通過する電流を短絡させることは、終端50が付加される終結プロセス中に銀マイグレーションが効果的に起こるように許容又は促進される場合に、防止される場合がある。図2Cのこの例示的な実施形態はまた、焼結前ステージを示しており、誘電体層20A図1に示すがまだ形成されていないことを意味する。Ag-誘電体複合材テープ30の代わりにAg-誘電体複合材層30を形成するためにペーストが使用され得る。Ag-誘電体複合材層30は、通常、コンデンサー構造100について焼結ステージ中に銀マイグレーションが起こった後に層30内に電極を形成するために、銀-絶縁体層が十分な金属材料を有することを保証するのに十分に厚くなければならない。図2Cのこの実施形態についてのAg-誘電体複合材層30の典型的な厚さは、一般に、図1Cの説明で述べた約10ミクロンの大きさを含む。in-situ形成される誘電体層厚は、印刷された層厚によって影響を受けるだけでなく、焼結温度、及び金属-誘電体複合材を形成するために使用される金属の性質および誘電体の化学物質等の他の因子によっても影響を受けることが当業者によって理解される。ここで与えられる厚さは、限定因子として使用されるべきでないこと、及び、in-situ形成される誘電体層が薄ければ薄いほど、一般に、より高い又はより増加したキャパシタンス性能をもたらすこともまた理解される。図3は、電極10及びAg-誘電体30が共に誘電体テープ70の表面に印刷される非対称レイアウトを有するMLCC100Eを示す。具体的には、図3は、電極10及び3つのAg-誘電体層30A、30B、及び30Cが共に誘電体テープ70の上部に印刷されるコンデンサー構造100Eの別の例示的な実施形態を示す。この構成では、異なる誘電体層厚を有する2つのタイプのサブコンデンサー構造を形成することができる。図3は、焼結前のグリーンステージにおけるコンデンサー構成を示す、したがって、図1に示す焼結中に形成される誘電体層20Aはまだ形成されていない。1つのサブコンデンサー構造は、Ag/Pd電極10と、隣接する第1の印刷されたAg-誘電体複合材30Aとの間に焼結後に形成される。ここで、残りのAg-誘電体複合材30Aは一方の電極であり、Ag/Pd電極10は他方の電極であり、誘電体空乏層としてin-situ形成される誘電体層20A図示せずと共に薄いコンデンサー構造を形成する。他のコンデンサー構造は、誘電体テープ層70にわたって、Ag/Pd電極10と、第2の印刷されたAg-誘電体複合材30Bとの間に焼結後に形成される。第1のコンデンサー下部構造が、in-situ形成される誘電体の層が薄いため、従来の構造である第2のタイプよりもはるかに大きなキャパシタンスを有することが明らかである。第1の印刷されたAg-誘電体複合材30A、第2の印刷されたAg-誘電体複合材30B、及び第3の印刷されたAg-誘電体複合材30Cは、これらの材料のその各部材製造中に形成される方法が、図2Cの実施形態のAg-誘電体複合材テープ30と異なる。図2A、図2B、及び図2CのAg-誘電体複合材テープ30は、スラリーからテープ成形することによって形成され、一方、第1の印刷されたAg-誘電体複合材30A、30B、及び30Cは、ペーストから印刷することによって形成される。機能材料、Ag-誘電体複合材粉末は同じとすることができる。各コンデンサー100D図2及び100E図3が形成されると、複合材テープ30ならびに複合材30A、30B、及び30Cは、全コンデンサー100D、100Eの動作に関して同じように機能する。図4は、図3の例示的な実施形態の非対称レイアウト100Eに対して、MLCCの対称レイアウト及び焼結前のステージを示す。具体的には、図4のこの例示的な実施形態では、Ag-誘電体複合材30A、30B、30Cペーストから形成されるは、終端50A、50Bに対して交互方式で配置される。図4は焼結前のステージを概略的に示すため、誘電体層20A図1に示すは形成されていない。一方、図3の例示的な実施形態では、Ag-誘電体複合材層30は、一方の終端50Bに接触しているだけである。図5Aは、誘電体層20Aがまだ形成されていない焼結前の例示的なMLCC100Gを示す。具体的には、図5Aは、焼結前のグリーンステージにおける別の例示的なコンデンサー構造100Gを示しており、誘電体層20A図1Cに示すがまだ形成されていないことを意味する。この例示的な実施形態では、Ag-誘電体複合材30A、30B、30Cペーストから形成される及びAg/Pd電極10は共に誘電体テープ70の上部に印刷される。Ag-誘電体複合材30A、30B、30Cは、電流の短絡を防止するために、Ag/Pd電極10のエリアに比べて大きなエリアに印刷される。図5Aのこの例示的な実施形態では、電極10の表面積に対する複合材30A、30B、30Cの表面積は約20大きい。コンデンサー構造100Gはまた、図3に示すものと同じ材料で作られる誘電体テープ層70を有する。焼結後の図:金属被覆された誘電体テープを使用する実際のサンプルの層設計-図5B図5Bは、焼結後の例示的なMLCC100Hの断面図を示す。具体的には、図5bは、焼結後のコンデンサー構造100Hを示す。図5bは、光学顕微鏡によって生成された断面図であり、コンデンサー構造100Hの例示的な実施形態を示しており、誘電体テープ70上に印刷される、印刷されたAg-誘電体複合材30図2A~図5Aの焼結前のステージに示すように、ペーストから形成される内の銀が、電極10内に完全にマイグレートすることを許容され、それにより、焼結中に誘電体層20Aがin-situ形成される。図5Bでは、明るい色合いの材料は、Ag/Pd電極材料10であり、一方、暗い色合いの背景材料は誘電体層70及び20Aである。図5Bに示すように、Ag-誘電体複合材30焼結前の図2A~図5Aに示す内の銀は、電極層10に完全にマイグレート又は移動して、層20A及びその結果得られるコンデンサー構造が形成される。本説明で使用されるとき、insituは、焼結中を意味する。このコンデンサー構造100G及び100Hを、焼結中に銀のマイグレーションによって形成される印刷された薄いコンデンサーを持たない誘電体層及び電極のための、同じサイズを有しかつ同じ材料で形成された従来のコンデンサーと比較すると、キャパシタンスの約6倍約600の増加が観測される。絶縁破壊電圧は、通常、誘電体層が薄いことによって低下しないことも留意される。上述した例示的な実施形態では、キャパシタンスの増加は、通常、Ag-誘電体複合材30からの銀のマイグレーション後に薄い誘電体層20Aが形成されるためである。しかしながら、銀の電極10へのマイグレーションはまた、電極/誘電体界面において不均一な表面を形成する機会を生じる。粗い表面は、通常、電極10の表面積を増加させ、キャパシタンスの増加に寄与する場合がある。電極/誘電体界面において不均一表面をもたらすこれらの変化は、焼結温度によって影響を受ける場合がある。図1C~図5に示すコンデンサーの例示的な実施形態では、コンデンサー100が低温で焼成されると、キャパシタンスの約10の増加が観測された。コンデンサー100G及びHはまた、単に純粋な誘電体でAg-誘電体複合材30を換えることによって作ることができることが指摘されるべきである。これは、Ag-誘電体複合材30において銀の割合がゼロに近づくときと同等である。上記の例示的な実施形態では、銀は、Ag-誘電体複合材30内の金属として使用される。限定はしないが、卑金属MLCC内のNi及びNi/Cuならびに貴金属積層セラミックコンデンサーMLCC内で使用されるAg/Pd合金等の、他の金属又は合金がAg-誘電体複合材30のために使用され得る。場合によっては、Ag-誘電体複合材30内の金属含有量は、マイグレーション後に導電性層を形成するのに十分に高くなければならない。in-situ形成される誘電体層20A、例えば図1Cに示す誘電体層20A、図5Bの誘電体層30の厚さに影響を及ぼすaffectorimpact因子は、金属誘電体複合材30内の金属又は合金の融点、焼結温度、及び、金属誘電体複合材30内の金属含有量である。誘電体40又は誘電体70内のガラスはまた、in-situ形成される誘電体層20Aの厚さに著しく影響を及ぼす場合がある。試験サンプルの焼結後の図:金属被覆された誘電体テープを使用する層設計-図6~図13図6~図13は、金属すなわち、Ag被覆された誘電体テープを使用するMLCC層設計の4つのサンプルについての走査型電子顕微鏡SEMの白黒写真及び光学顕微鏡図を示す。これらのAg被覆された誘電体テープは、MLCCの層を形成する総誘電体厚の約1/3を構成するために使用される。各MLCCの他の2/3は、通常の誘電体テープを含む。これらのサンプルでは、より薄く見える1つの層が、Ag被覆された誘電体テープのシートによって接触されなかったことが留意された。これは、全体の構造が導電性になったことに起因して働かなかった/実行しなかった他の試験サンプルの場合と同様に、全体の構造が導電性になることを防止するために意図的に行われた。これらのサンプルMLCCのカバー層はまた、通常の誘電体テープから作られる。Aと指定された100個のMLCCが、配向が同じになるように処理され、それにより、内部電極が、Ag被覆された誘電体テープ上に直接印刷された。これらの部品は、Ag被覆された層が下をAl2O3セッターの方に向くようにバーンアウトされ焼結された。48個のMLCCが、被覆された層がそれぞれ、バーンアウト及び焼成中に上をセッターから遠くに向くように処理されたラベルB。図6~13に示す4つのサンプルの各グループA及びBは、細分され、2つのプロファイル、940°C/5時間焼結及び975°C/1時間焼結を使用して焼成された。図6~図13に示すサンプルの観測結果図2Cを参照した従来のサンプルと比較して本設計の場合、焼結された微細構造における著しい改善が存在した。975°C/1時間焼結は、940°C/5時間プロファイルよりかなり高密度であるように見える。図6~図13に示す各サンプルにおいて、結合剤バーンアウト及び焼成中の配向によらず、誘電体層30の被覆されたテープ部分内のAgは、実際には95Ag/5Pd内部電極10から遠くにマイグレートするように思われ当業者にとって予想外の結果である、また、電気的性能に最小の影響を及ぼすように見える。これは、一部の層においてAGが重力に抗して上に移動したため予期外であった。一方、当業者は、重力のためにAgが下に移動すると予想するであろう。図6~図13に示すこれらのサンプルの別の観測結果は、Agマイグレーションが、被覆されたテープ誘電体層30内に主に留まるように見え、むしろ純粋な誘電体層20Aであるように見えるものとして集まることである。銀-誘電体複合材内の銀は、電極層内にマイグレートし、また同様に、Ag金属のポケット605を形成するようにマイグレートする。これらのポケット605は、より速いプロファイル焼結トライアルLT-3088A、焼結.975°C/1時間-図10及び図11並びにLT-3088B、焼結.940°C/1時間-図12及び図13においてかなり頻繁に現れるが、より遅いトライアルLT-3088A、焼結.975°C/5時間-図6及び図7並びにLT-3088B、焼結.940°C/5時間-図8及び図9においてサイズが大きい。やはり、これは、Agの多くが、純粋のAgのポケット605として蓄積していることを示唆する。これらのサンプルの別の観測結果は、サンプル断面がいずれも層間剥離を示さないことであった。有効誘電率は、最大のキャパシタンスを示した各グループからの単一部品について計算された。当業者が理解するように、有効誘電率は、観測されるキャパシタンスとコンデンサーの寸法に基づいて計算される。誘電損失は、各グループについて約0.00で測定され、例外として、940°C/5時間で焼結されたLT-3088Aは、約0.00~約0.03の範囲であった。やはり、これらの範囲は、Agと有効層の通常の誘電体部分との間でほとんど反応しないことを示唆する。一方、この誘電体についてのMLCC形態における通常の誘電率Kは、通常、約23である。K平方Ksquaresが、この実行内部95Ag/5Pd電極層は持たないが、MLCCと同じAg被覆された誘電体の層を含むに関しても行われ、測定されたKは、約24.5であることがわかった。やはり、これは、Agが、誘電体に関して大部分は非反応性であり、当業者が理解するように、もしあってもこの形態の伝導にそれほど寄与しないことを示唆する。図6~図13に示し、また、以下で更に詳細に述べられるサンプルについての観測結果の要約金属被覆されたすなわち、Ag被覆された誘電体テープから形成されるMLCC3次元コンデンサーは、MLCC全体のキャパシタンス及び有効誘電率Kを大幅に増加させるように見える。LT-3088Bの1つの場合、上述の通り、その増加は、金属被覆された誘電体テープなしで形成されたMLCCと比べて約5倍であるように見える。図6~図13に示した4つのサンプルの詳細な説明図6~図13は、上記で論じた4つのサンプルを示す。各サンプルは、その種々の層について以下の参照数字を使用する:Ag電極層10;Ag電極層10とAg被覆された誘電体テープ30との間に形成された誘電体層20A;Ag金属のポケット605;及び未被覆の標準的な/正規の誘電体テープ70。具体的には、図6A~図6Cは、約5時間のソーキング、約940°CでMLCC100-1を焼結した後、Ag被覆された誘電体テープ30を使用した第1のサンプルMLCC100-1LT-3088Aの走査型電子顕微鏡SEMによって生成された断面図を示す。より具体的には、図6Aは、約500倍の拡大レベルでの第1のサンプルMLCC100-1のSEM断面図を示す。Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む、幾つかの層の例が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図6Bは、約2000倍の拡大レベルでの図6Aの第1のサンプルMLCC100-1のSEM断面図を示す。Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む、図6Aに示す例より少数であるが幾つかの層の例が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図6Cは、約5000倍の拡大レベルでの図6Aの第1のサンプルMLCC100-1のSEM断面図を示す。Ag被覆された誘電体テープ層30だけが見える。誘電体テープ層30内に形成されたAg金属のポケット605も見える。上述の通り、長いソーキング時間を有するこの例示的な第1のサンプルMLCC100-1及び第2の例示的なサンプルMLCC100-2内の金属すなわち-Agのポケット605は、より長いソーキング時間を有するが数がより頻繁でない第3のサンプルMLCC100-3及び第4のサンプルMLCC100-4のポケット605に比べてサイズが大きい。図7A~図7Dは、図6A~図6Cに示すものに対応する他のサンプルの第1のサンプルMLCC100-1LT-3088Aの光学顕微鏡によって生成された断面図を示す。具体的には、図7A~図7Cは、約100倍の拡大レベルでの第1のサンプルMLCC100-1の光学顕微鏡断面図を示す。図7A~図7Cでは、Ag電極層10、Ag被覆された誘電体テープ層30、及び未被覆の標準的な/正規の誘電体テープ70を含む、幾つかの層が見える。金属のポケット又は包含物605は見えない。図7Aは、第1のサンプルMLCC100-1の第1の実施形態を示し、図7Bは、第1のサンプルMLCC100-1の第2の実施形態を示し、図7Cは、第1のサンプルMLCC100-1の第3の実施形態を示し、各実施形態は、MLCC100の同じバッチ又はセットで製造された。図7Dは、約1000倍の拡大レベルでの第1のサンプルMLCC100-1の光学顕微鏡断面図を示す。この図7Dでは、Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む幾つかの層が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図8A~図8Cは、約5時間のソーキング、約940°CでMLCCを焼結した後に、Ag被覆された誘電体テープを使用した第2のサンプルMLCC100-2LT-3088Bの走査型電子顕微鏡SEMによって生成された断面図を示す。より具体的には、図8Aは、約500倍の拡大レベルでの第2のサンプルMLCC100-2のSEM断面図を示す。Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む、幾つかの層の例が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図8Bは、約2000倍の拡大レベルでの図8Aの第2のサンプルMLCC100-2のSEM断面図を示す。Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む、図8Aに示す例より少数であるが幾つかの層の例が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図8Cは、約5000倍の拡大レベルでの図8Aの第2のサンプルMLCC100-2のSEM断面図を示す。Ag被覆された誘電体テープ層30だけが見える。誘電体テープ層30内に形成されたAg金属のポケット605も見える。上述の通り、より長いソーキング時間を有するこの例示的な第2のサンプルMLCC100-2及び第1の例示的なサンプルMLCC100-1内の金属例えば、Agのポケット605は、より長いソーキング時間を有するが数がより頻繁でない第3のサンプルMLCC100-3及び第4のサンプルMLCC100-4のポケット605に比べてサイズが大きい。図9A~図9Dは、図8A~図8Cに示す第2のサンプルMLCC100-2LT-3088Bに対応する他の第2のサンプルの光学顕微鏡によって生成された断面図を示す。具体的には、図9A~図9Cは、約100倍の拡大レベルでの第2のサンプルMLCC100-2の光学顕微鏡断面図を示す。図9A~図9Cでは、Ag電極層10、Ag被覆された誘電体テープ層30、及び未被覆の標準的な/正規の誘電体テープ70を含む、幾つかの層が見える。金属のポケット又は包含物605は見えない。図9Aは、第2のサンプルMLCC100-2の第1の実施形態を示し、図9Bは、第2のサンプルMLCC100-2の第2の実施形態を示し、図9Cは、第2のサンプルMLCC100-2の第3の実施形態を示し、各実施形態は、MLCC100の同じバッチ又はセットで製造された。図9Dは、約1000倍の拡大レベルでの第2のサンプルMLCC100-2LT-3088Bの光学顕微鏡断面図を示す。この図9Dでは、Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む幾つかの層が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図10A~図10Cは、約1時間のソーキング、約975°CでMLCC100-3を焼結した後に、Ag被覆された誘電体テープ30を使用した第3のサンプルMLCC100-3LT-3088Aの走査型電子顕微鏡SEMによって生成された断面図を示す。より具体的には、図10Aは、約500倍の拡大レベルでの第3のサンプルMLCC100-3のSEM断面図を示す。Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む、幾つかの層の例が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図10Bは、約2000倍の拡大レベルでの図10Aの第3のサンプルMLCC100-3のSEM断面図を示す。Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む、図10Aに示す例より少数であるが幾つかの層の例が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図10Cは、約5000倍の拡大レベルでの図10Aの第3のサンプルMLCC100-3のSEM断面図を示す。Ag被覆された誘電体テープ層30だけが見える。誘電体テープ層30内に形成されたAg金属のポケット605も見える。上述の通り、Ag金属のポケット605は、第3のサンプルMLCC100-3及び第4のサンプルMLCC100-4をより速くソーキング、焼結するときにかなり頻繁に現れるが、第1のサンプルMLCC100-1及び第2のサンプルMLCC100-2を遅くソーキングするときに比べてサイズが小さい。図11A~図11Dは、図10A~図10Cに示す第3のサンプルMLCC100-3LT-3088Aに対応する他の第3のサンプルの光学顕微鏡によって生成された断面図を示す。具体的には、図11A~図11Cは、約100倍の拡大レベルでの第3のサンプルMLCC100-3の光学顕微鏡断面図を示す。図11Aでは、Ag電極層10、Ag被覆された誘電体テープ層30、及び未被覆の標準的な/正規の誘電体テープ70を含む幾つかの層が見える。金属のポケット又は包含物605は見えない。図11Aは、第3のサンプルMLCC100-3の第1の実施形態を示し、図11Bは、第3のサンプルMLCC100-3の第2の実施形態を示し、図11Cは、第3のサンプルMLCC100-3の第3の実施形態を示し、各実施形態は、MLCC100の同じバッチ又はセットで製造された。図11Dは、約1000倍の拡大レベルでの第3のサンプルMLCC100-3の光学顕微鏡断面図を示す。この図11Dでは、Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む幾つかの層が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図12A~図12Cは、約1時間のソーキング、約975°Cで焼結した後に、Ag被覆された誘電体テープ30を使用した第4のサンプルMLCC100-4の走査型電子顕微鏡SEMによって生成された断面図を示す。より具体的には、図12Aは、約500倍の拡大レベルでの第4のサンプルMLCC100-4のSEM断面図を示す。Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む、幾つかの層の例が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図12Bは、約2000倍の拡大レベルでの図12Aの第4のサンプルMLCC100-4LT-3088BのSEM断面図を示す。Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む、図12Aに示す例より少数であるが幾つかの層の例が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図12Cは、約5000倍の拡大レベルでの図12Aの第4のサンプルMLCC100-4のSEM断面図を示す。Ag被覆された誘電体テープ層30だけが見える。誘電体テープ層30内に形成されたAg金属のポケット605も見える。上述の通り、Ag金属のポケット605は、第4のサンプルMLCC100-4及び第3のサンプルMLCC100-3をより速くソーキング、焼結するときにかなり頻繁に現れるが、第1のサンプルMLCC100-1及び第2のサンプルMLCC100-2を遅くソーキングするときに比べてサイズが小さい。図13A~図13Dは、図12A~図12Cに示す第4のサンプルMLCC100-4LT-3088Aに対応する他の第4のサンプルの光学顕微鏡によって生成された断面図を示す。具体的には、図13A~図13Cは、約100倍の拡大レベルでの第4のサンプルMLCC100-4の光学顕微鏡断面図を示す。図13A~図13Cでは、Ag電極層10、Ag被覆された誘電体テープ層30、及び未被覆の標準的な/正規の誘電体テープ70を含む幾つかの層が見える。金属のポケット又は包含物605は見えない。図13Aは、第4のサンプルMLCC100-4の第1の実施形態を示し、図13Bは、第4のサンプルMLCC100-4の第2の実施形態を示し、図13Cは、第4のサンプルMLCC100-4の第3の実施形態を示し、各実施形態は、MLCC100の同じバッチ又はセットで製造された。図13Dは、約1000倍の拡大レベルでの第4のサンプルMLCC100-4の光学顕微鏡断面図を示す。この図13Dでは、Ag電極層10、誘電体層20A、及びAg被覆された誘電体テープ層30を含む幾つかの層が存在する。Ag金属のポケット605も見える。図14~図22の3次元コンデンサーを構築するための、特有の構成成分選択を伴う改良型製造プロセス:金属被覆されたセラミック粒子上述の例示的な被覆されていないセラミック粉末205の代わりに、金属被覆されたセラミック粒子を用いることによって、改良型セラミックコンデンサー製造方法101を用いて、3次元コンデンサーの実施形態を作り出すこともできる。限定はしないが、銀被覆誘電体のような連続微粒子被覆を特徴とする金属被覆されたセラミック粉末が、3次元MLCCの種々の実施形態において利用される。これを書いた時点では、銀被覆ガラスビーズがTechnic社ロードアイランド州ウーンソケット所在及びPottersIndustries社ペンシルバニア州マルバーン所在から入手可能である。通常、金属被覆セラミック粉末の金属被覆は、限定はしないが、貴金属MLCCの場合には銀又は銀パラジウム合金、卑金属MLCCの場合にはニッケル又はニッケル合金のような、電極層を作り出すために用いることができる導電性粉末と一致する。他の実施形態では、一致していなく欠陥のある被覆を有する金属被覆セラミック粉末を用いることができる。さらに、所与の3次元コンデンサーの実施形態に粉末が組み込まれる前の幾つかの金属被覆セラミック粉末に微粒子被覆は実質的に一致しているが、金属被覆セラミック微粒子をペーストに混合するプロセス中において、被覆の連続性に欠陥が生じる場合がある。被覆された微粒子が、連続して一貫した被覆を特徴とするか、又は連続していない欠陥のある被覆を特徴とするかにかからず、被覆された微粒子を用いて、3次元コンデンサーの実施形態の誘電体層を効果的に形成することができる。有利には、金属被覆とセラミック微粒子基質との間に特有の表面張力があるので、焼結温度に晒される結果として、金属被覆の不連続が生じる場合がある。金属被覆された微粒子を所与の焼結温度に晒すことによって、金属被覆が微粒子から流れ、隣接する微粒子間の空隙内に凝集できることは当業者には理解されよう。誘電体微粒子の表面から流れた金属被覆から結果として生成される凝集体は、並置される誘電体微粒子間の空洞内に収まり、同時にMLCC内の陽極層又は陰極層と接触する場合があり、それにより、電極層から誘電体層中へ実質的に垂直に突出する、陽極層又は陰極層の導電性延長部を効果的に作り出す。特に、そして有利には、凝集した金属被覆からなる複数の突出部は、導電層に起因する表面積を増やすことによって、MLCCの全占有空間を拡大することなく、MLCCのキャパシティブ密度を高める役割を果たす。焼結後に、金属被覆の幾つかの凝集体から生じる場合がある突出部の厚みは、約0.001ミクロン~約10ミクロンの範囲にある全粒子厚の1~90であると考えられている。種々の製造パラメーター及び材料パラメーターを利用して、被覆された誘電体微粒子からの導電性被覆の流動及び凝集を制御することができ、それゆえ、特定のプロセスパラメーター設定の組み合わせ又は材料特徴が新規であるか、又は新規の結果を与えることができる場合であっても、プロセスパラメーター設定又は材料特徴の変動は本開示の範囲を制限しないことは当業者には認識されよう。金属被覆微粒子からの金属被覆の流動及び凝集に影響を及ぼすために利用することができる製造パラメーター及び材料特徴は、限定はしないが、金属被覆割合、誘電体層の厚み、焼結温度及び焼結時間を含む。3次元コンデンサーの幾つかの実施形態は、コアシェルセラミック粒子からなる誘電体材料選択を利用することができる。幾つかの実施形態では、コアシェルセラミック粒子におけるコアはBaTiO3の組成を有することができ、一方、シェルはキャパシタンスの温度係数を改良するためにドーパントに富むことができる。組成分布コアシェル構造は、要求された温度範囲にわたって一貫した誘電率を提供することができる。図14は、3次元コンデンサーの1つの例示的な実施形態を形成することができる単一のEDE3層300の断面図を示しており、金属凝集体包含物の形態の3次元構造突出部は誘電体微粒子上の導電性被覆から形成される。誘電体層305は、例えば、金属被覆されたセラミック粒子315を含むことができ、セラミック微粒子上の導電性金属被覆は、限定はしないが、銀パラジウム合金、パラジウム、パラジウム合金、白金、白金合金、銀、銀合金、金、金合金等を含むことができる。EDE3層300の幾つかの実施態様では、誘電体層を有する金属の体積分率は、例えば、少なくとも約10、少なくとも約20、少なくとも約30、又は少なくとも約40、例えば約40~約60の範囲内にあるとすることができる。誘電体微粒子上に銀パラジウム被覆を含むことができる実施形態の非限定的な一例として、銀パラジウム被覆の組成の重量パーセントは、約95Ag及び約5Pd、より好ましくは約90Ag及び約10Pd、最も好ましくは約70Ag及び約30Pdの範囲にあるとすることができる。幾つかの実施形態において用いられる誘電体微粒子上の導電性金属被覆は、限定はしないが、イリジウム、ロジウム及びルテニウムのような他の貴金属及びそれぞれの合金を含むことができる。加えて、幾つかの実施形態は、限定はしないが、銅、ニッケル、鉄、コバルト、マンガン、チタン、亜鉛のような卑金属を含む金属被覆を有する微粒子を含むことができる。さらに、更に他の実施形態は、限定はしないが、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、タンタル及びニオブのような高融点金属で被覆された誘電体微粒子を含むことができると考えられる。さらに、例示的な誘電体層305は被覆されたセラミック粒子で構成されるように記述されるが、層305内の被覆された粒子の誘電体部分は、限定はしないが、セラミック及びガラスセラミック、限定はしないが、銀被覆セラミック、パラジウム被覆セラミック、銀パラジウム被覆セラミック等の貴金属被覆セラミック、並びに銀被覆調製チタン酸バリウム系誘電体、銀被覆ガラスビーズ、並びに限定はしないが、アルミナ及び酸化タンタルのような無機酸化物のような、セラミック以外の誘電体物質で構成される場合もあるとも考えられる。また、セラミック粒子315上の金属被覆320は、誘電体グリーンシートを形成する前には実質的に均一とすることができるが図示せず、焼結後に、金属被覆320は有利には不連続になる。誘電体層305は、2つの電極プレート310Aと310Cとの間に配置されるセラミック粒子315の完全な層として示される。特に、図14の図において、プレート310Aは陽極プレートを表すものとして示され、プレート310Cは陰極プレートを表すものとして示されているが、応用形態の要求に応じて、いずれかの導電性プレート310が充電コンデンサーの陽極又は陰極として動作できることは当業者には理解されよう。誘電体層305のセラミック粒子の粒径は通常、約0.01ミクロン~約10ミクロンの範囲にあるが、当業者によって理解されるように、他の誘電体粒子の粒径の範囲も可能である。上記で説明されたように、セラミックチップの焼結後の金属被覆320の不連続性は主に、限定はしないが、金属とセラミックのような、被覆された誘電体粒子315の異種の材料間の表面張力に起因する。一般的に、焼結温度に達した後に、その温度によって、金属被覆320が流れ、誘電体セラミック粒子315間の空洞325内に凝集する。有利には、溶融した微粒子被覆から生じる凝集した金属320は、冷えて、陽極プレート310A又は陰極プレート310Cのいずれかから誘電体層中に実質的に垂直下方に延在又は突出する複数の3次元構造又は突出部320を形成することになる。導電性材料で構成される3次元構造320の多くは、EDE3層300の陽極プレート310A又は陰極プレート310Cのいずれかとの界面構造330を形成することができる。誘電体粒子315間全てに分散される誘電体材料により、導電性プレート310A、310Cに起因する全表面積を効果的に増やすことができ、それゆえ、コンデンサー300の全キャパシティブ密度を高めることができることは当業者には理解されよう。キャパシティブ密度増加の非限定的な例として、3次元コンデンサーの実施形態は、どこにおいても、従来のコンデンサー設計よりも約10倍~約1000倍の増加したキャパシティ密度capacitydensityを有すると推定されている。それでも、キャパシティ密度増加の上記の範囲は例示のためにのみ与えられ、本開示の範囲に関する制限要因ではない。回路内に同等の、又は概ね同等の占有空間を必要とする他のコンデンサー設計に比べて、所与の3次元コンデンサーの実施形態は、有利には、より高いキャパシティ密度を有することができることは当業者には認識されよう。重要なことには、誘電体微粒子被覆315が凝集する結果として、誘電体層305及び導電層310に対して実質的に垂直な角度以外の角度も考えられ、それゆえ、3次元構造330が種々の層に対して実質的に垂直であるという上記の記述は、3次元コンデンサー300の範囲を制限しないことは当業者には理解されよう。形成される3次元構造315、320は両方とも、所与の導体プレートに起因する全表面積を増やすだけでなく、基本的に、所与のEDE3層300内に複数の小さなマイクロコンデンサー3層構成を形成する。上述の例示的な実施形態のような、3次元コンデンサー315を作り出すために誘電体層305において用いるのに適している金属被覆セラミック粉末は、商品化することができる。革新的なコンデンサー構造は種々の誘電体微粒子材料及び被覆の組み合わせを含むことができるが、或る特定の組み合わせが他の組み合わせよりも好都合である場合がある。さらに、限定はしないが、金属被覆割合の選択、焼結温度及び焼結時間のような種々のパラメーターを用いて、3次元コンデンサー内の3次元構造の特性又は様相を制御できることは当業者には認識されよう。図15は、3次元コンデンサーの1つの例示的な実施形態を形成する単一のEDE層400の断面図を示しており、3次元構造が、誘電体粒子又は被覆された誘電体粒子の誘電体スラリーに混合される金属粒子421から形成される。上述の方法101のステップ120と同じく、電極プレート410A、410Cはグリーンテープ215、405上に印刷され、グリーンテープ215、405は、純粋な誘電体スラリー210から形成される代わりに、金属微粒子421及び誘電体粒子又は金属被覆誘電体微粒子415の混合物から形成される。図14の実施形態に関して上述したように、金属被覆誘電体微粒子は、導電性被覆及び誘電体微粒子の任意の組み合わせで構成できると考えられ、本明細書において、具体的な微粒子及び導電性被覆材料の選択及び組み合わせは例示的のために与えられており、本開示の範囲を制限しないことは理解されよう。同様に、金属微粒子421は、限定はしないが、銀、銀パラジウム合金、ニッケル、ニッケル合金、銅、銅合金等を含む任意の適切な導電性材料で構成することができると考えられる。誘電体粒子415の金属被覆は、金属微粒子421との機械的な混合の結果として不連続になる場合があるが、焼結後に、その被覆は通常流れ、誘電体層に対して実質的に垂直に3次元構造又は突出部420が形成されるように凝集することになり、或る物は上側電極との界面430A上に形成され、或る物は界面430B上に形成されて下側電極に接続され、金属微粒子421が全体にわたって凝集される。図14に示される3次元コンデンサー層の製造は、方法101に関して記述されたものと基本的に同じである。さらに、図14に示される例示的な実施形態の3次元コンデンサーを製造するために、通常、図1及び図2との関連で記述されたような製造プロセスに対して変更が加えられる。具体的には、ステップ105において、MLCC製造時に、セラミック誘電体粉末205の代わりに金属被覆された誘電体315が用いられる場合には、結果として形成される3次元コンデンサーは、図14の実施形態に類似の構造を有することになる。同様に、粉末205の代わりに、導電性微粒子421及び誘電体粒子又は被覆された誘電体微粒子415の機械的な混合が取り入れられる場合には、結果として形成される3次元コンデンサーは、図15の実施形態に類似の構造を有することになる。特有の構成成分選択及び付加的な製造ステップ種々の新規の構成成分選択に対応するために付加的な製造ステップを組み込むことによって、特有のセラミックコンデンサー製造方法101を用いて3次元コンデンサーを作り出すことができる。図16は3次元コンデンサーの例示的な実施形態を形成することができる単一のEDE3層500の断面図を示しており、金属粒子521が誘電体グリーンテープ215、505にしみ込む。金属粒子521が誘電体粒子515間の空隙に押し込まれるように、微細粒子を含む金属粉末をスラリーにして、方法101に関して記述された誘電体グリーンテープ215の表面上に塗布することができる。図14及び図15の実施形態に関して説明されたのと同様に、金属微粒子521は、限定はしないが、銀、銀パラジウム合金、ニッケル、ニッケル合金、銅、銅合金等を含む任意の適切な導電性材料で構成できると考えられる。したがって、金属微粒子の材料選択肢は、当業者であれば思いつくものであり、本開示の範囲を制限しないことは理解されよう。基本的に、微細粒子の金属スラリーを塗布することによって、金属粒子521が誘電体テープ215、505の細孔内に入り込み、それにより、プレート510A、510Cとの界面530を形成する突出部522を作り出すように凝集する可能性がある。有利には、界面を形成する任意の突出部522は、導電性プレート510A、510Cに起因する表面積を効果的に増やす働きをすることができる。再び方法101を参照すると、電極スクリーン印刷ステップ120において電極インク510A、510Bを印刷する前に、適当に小さいサイズの金属微粒子521を含むスラリーの堆積物を誘電体テープ215に付けることができるように、ステップ110の後に、かつスクリーン印刷ステップ120の前に、付加的なステップを追加することができる。図17は、3次元コンデンサーの例示的な実施形態を形成することができる単一のEDE3層600の断面図を示しており、金属粒子621が、誘電体グリーンテープ215、605の中に埋め込まれ、導体プレートは、誘電体層605に隣接する低融点電極材料の層を含む。図16の実施形態と同様に、図17は、誘電体層605に隣接する低融点金属導体611A、611Cを拡散することによって形成される電極構造を示す低融点は、主導体プレート610A、610Cに用いられる材料の融点に対するものである。例えば、約95Ag/約5Pd銀/パラジウム合金の上側電極層610A、610Cの下に100銀電極611A、611Cを用いることによって、焼結ステップ140中に誘電体微粒子615間の空洞に流れ込む金属を増やすことができ、それにより、任意の埋め込まれた金属微粒子621とともに、3次元構造又は突出部622を作り出すことができる。特に、図17の図は、低融点導体層611A、611C及び埋め込まれた金属微粒子621の両方を含む実施形態を示すが、低融点材料が焼結時に誘電体微粒子615間の空隙内に流れ込むのに応じて、導電性突出部を適切に作り出すことができるので、類似の実施形態は埋め込まれた微粒子621を含まない場合があることは理解されよう。図14及び図15の実施形態に関して説明されたものと同じように、金属微粒子621は、限定はしないが、銀、銀パラジウム合金、ニッケル、ニッケル合金、銅、銅合金等を含む任意の適切な導電性材料で構成できると考えられる。したがって、金属微粒子の材料選択肢は、当業者であれば思いつくものであり、本開示の範囲を制限しないことは理解されよう。重要なことには、例示的な図17の実施形態に類似の実施形態では、主導体が誘電体に並置されるように、低融点導体層が主導体の上方に配置されることが要求される場合があることも当業者には認識されよう。再び方法101を参照すると、同じステップにおいてであるが、主電極610の印刷に先行して、低融点電極ペーストが印刷されるように、スクリーン印刷ステップ120内に付加的なステップを追加することができる。図3~図6に関して説明及び図示してきた3次元コンデンサーの例示的な実施形態は、限定はしないが、銀、銀/パラジウム合金、ニッケル、ニッケル合金、銅又は銅合金のような、硬いプレート又は主に導電性微粒子を含む電極層を利用する。しかしながら、3次元コンデンサーの他の実施形態は、限定はしないが、銀被覆セラミック微粒子又は導電性被覆と非導電性材料との任意の組み合わせのような、金属被覆された非導電性材料を含む陽極層及び陰極層を利用する。さらに、3次元コンデンサーの導電層のために金属被覆された非導電性材料を利用するそのような実施形態では、非導電性材料に起因する導電層又は代替的には導電性被覆における具体的な重量パーセントは実施形態によって異なる場合があり、約1~約90の範囲にあるとすることができる。有利には、そのような実施形態は、3次元構造の種々の利点を提供することに加えて、従来のコンデンサー構成よりも優れたコスト削減を実現することができる。図18は、3次元コンデンサーの例示的な実施形態を形成することができる単一のEDE3層700の断面図を示しており、金属被覆された微粒子720を用いて、間に誘電体層705を狭持する導電層710A、710Cを作り出している。例示的な図7の実施形態では、スクリーン印刷ステップ120においてグリーンテープ705上に塗布される電極インク225は、限定はしないが、金属被覆されたセラミック粉末のような導電性被覆微粒子、並びに当業者であれば思いつくことができる任意の他の微粒子及び被覆の組み合わせを含むことができる。有利には、ステップ140において焼結温度に晒すと、電極層710内の溶融した微粒子被覆の凝集によって3次元金属ネットワーク720が生じるときに、インクから機能的な電極層710が形成される。重要なことには、幾つかの実施形態では、電極層710内の3次元金属ネットワーク720は、電極及び誘電体を機械的に混合することによって達成することもできる。図19は、3次元コンデンサーの例示的な実施形態を形成することができる単一のEDE3層800の断面図を示しており、誘電体層805と、電極層810A、810Cとの間に金属被覆セラミック層811A、811Cが形成される。この例示的な実施形態における誘電体層805は、例えば、被覆されていない標準的なセラミックのような誘電体材料から形成することができる。金属被覆セラミック層811はネットワーク構造820を形成し、それぞれの電極層810に電気的に接続される。3次元コンデンサーの図17の実施形態に関して説明された低融点導電層と同様に、標準的な電極810A、810Cを印刷する前に、金属被覆セラミック粒子を含むインクを用いて、ステップ120において金属被覆セラミック層811を印刷することができる代替的には、幾つかの実施形態においては、金属被覆セラミック微粒子層の前に、標準的な電極層を印刷することができる。図3~図8において説明及び図示されてきた3次元コンデンサーの例示的な実施形態は、誘電体微粒子上の導電性被覆の流動を制御させることによって、及び/又は導電性粒子を埋め込むことによって形成される実施形態である。機械的な変換ステップ及び/又は予め設計されたプレート形状を用いる製造プロセス3次元コンデンサーの幾つかの実施形態は、設計された導体/誘電体形状、及び/又は機械的な変換技法によって、誘電体層に対して実質的に垂直に配置される3次元構造を有する。図20は、3次元コンデンサーの例示的な実施形態を形成することができる単一のEDE3層900の断面図を示しており、3次元構造又は突出部920が、陽極層910A及び陰極層910Cから誘電体905中に垂直に突出する。2つの電極910は、誘電体層905によって分離される。例示的な図20の実施形態における誘電体層905は、限定はしないが、被覆されていない標準的なセラミックのような従来の誘電体材料から形成することができるが、種々の実施形態において、上述したのと同じような被覆された微粒子を用いることができると考えられる。当業者によって理解されるような任意の適切な機械的デバイス又は穿孔方法によって、電極突出部920を収容するスロットslot又は穴boreが誘電体905内に作り出される。その後、それらのスロットを導電性材料で満たすことによって、実質的に垂直な3次元電極延長部すなわち指状突出部920が作り出される。それぞれの電極910A、910Cに接続されるとき、電極突出部920は、陽極突出部920及び陰極突出部920の対の間の重なり921のエリアにおいて、主コンデンサー900内に付加的なコンデンサー構成を作り出す。上述の実施形態と同じく、電極延長部920は、主電極プレート910とともに、電極層の有効表面積を増やし、それゆえ、そのような3層900を含むコンデンサーのキャパシティブ密度を高めるように働く。図20において、スロット及び対応する電極突出部920は、断面に対して垂直であるように示されている。しかしながら、エッジ金属化及び終結技法によって主導体プレートのうちの1つに電気的に接続される電極延長部920を設けるために、そのようなレイアウトは図示されないものの、突出部920を断面に対して平行にできることは理解されたい。スロットを作り出すのに適した方法は、限定はしないが、レーザードリリング、機械的なパンチング等を含むことができる。電極突出部を作り出すためにスロットを満たすのに適した方法は、限定はしないが、所与の導体層910から所与の電極920を絶縁するために、誘電体インクを印刷して変化するスロットを満たすこと、又は誘電体テープ上に電極インクを印刷してスロットを満たすことを含むことができる。パターニングはフォトリソグラフィー技術又はインプリント印刷によっても達成することができると考えられる。3次元コンデンサーの実施形態を生み出すために誘電体内の穴を利用するための他の方法は、当業者であれば思いつくものであり、それゆえ、当業者に理解されるように、本明細書において図示され、説明された特定の例示的な実施形態は本開示の範囲を制限しない。図20に示される例示的な実施形態、及び類似の実施形態に関して、パターン密度、それゆえ、キャパシタンスは、スロットを形成する機械的手段、及びスロットを満たす印刷手段の分解能によって制限されることは当業者には明らかであるはずである。図21は、3次元コンデンサーの例示的な実施形態を形成することができる単一のEDE3層1000の断面図を示しており、3次元構造又は突出部1020は、主導体層から誘電体層1005中に突出する。上述の実施形態と同様に、図21の例示的な実施形態は、有利には、誘電体1005に結合される陽極の表面積及び陰極の表面積を増やすことによって、キャパシティブ密度を高める。電極構造1020は、限定はしないが、インプリント印刷、モールディング等のパターニング技法によって形成することができる。すなわち、3次元構造1020は、例示的な方法101のステップ120において電極層1010をスクリーン印刷する前に、誘電体グリーンテープ215に対して、歯を有するダイを当てる例えば、型押しすることによって、改良型グリーンテープの構成成分内に作り出すことができる。例示的な図21の実施形態における誘電体層1005は、被覆されていない標準的なセラミックのような従来の誘電体材料から形成することができるが、全ての実施形態において必要であるとは限らない。改良型グリーンテープをスクリーン印刷すると、電極1010は、グリーンテープを型押し又はモールドすることによって生じた例示的な歯形に起因する、改良型誘電体層1005への突起1020を得る。突起1020は、延長された電極としての役割を果たし、主コンデンサー1000内に電荷を収集する付加的な表面積を効果的に作り出すことができる。図21の例示的な実施形態及び類似の実施形態を製造する場合、製造方法101に対する変更は、テープ成形ステップ110後に又はその最中に、誘電体テープにテクスチャを追加することを含むことができる。特に、3次元コンデンサーの類似の実施形態において、図示されるもの以外の突起1020のパターンを用いることができることは当業者には認識されよう。図22は、誘電体層305内に複数の離散的な金属包含物320を有するが、電極に隣接した空乏層がない、3次元コンデンサー2200の別の例示的な実施形態の断面図を示す。この例示的な実施形態は、図14に示す例示的な実施形態と同様であるため、差異だけが以下で述べられる。この例示的な実施形態によれば、3つの誘電体層305が存在する。これらの3つの誘電体層305は、それらの間に空乏層が配設されない状態で互いに隣接して配置される。空乏層705又は805は、図18及び図19の例示的な実施形態において見出されることができる。空乏層705、805は、実質的に金属フリーの誘電体層である空乏層である。本明細書において記述される複数のプロセス又はプロセスフローにおける或る特定のステップは、所与の3次元コンデンサーの実施形態が、記述したように機能するために、当然他のステップに先行しなければならない。しかしながら、そのような順序又はシーケンスがそこから生じる3次元コンデンサーの機能を変更しない場合には、3次元コンデンサーの製造は、記述されたステップの順序には限定されない。すなわち、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく、幾つかのステップを他のステップの前、後又は他のステップと同時に実行できることを認識されたい。幾つかの場合においては、本発明から逸脱することなく、或る特定のステップを削除することも実行しないこともできる。上述のような3次元コンデンサーは、約1層~約1000層、好ましくは約300層~約500層を含むことができ、誘電体層厚は多くの場合に約1ミクロン~約50ミクロンである。単一の誘電体層のみが利用されるとき、単層コンデンサーが形成され、多くの場合に低温同時焼成セラミックLTCC技術におけるパッシブインテグレーションにおいて見られる。3次元コンデンサーは、0402サイズ約0.04インチ×約0.02インチ程度の小さなサイズを含むこともでき、さらには、0201サイズ約0.02インチ×約0.01インチを含むこともできる。結論したがって、上述した方法101、例示的な実施形態、及び実際のサンプルは、一対の電極図1Dの10及び図14の310A、310C等を含むことができるコンデンサーを開示する。金属被覆された誘電体テープ図1Cの30等、概して図1C~図13に見出される又は金属被覆されたセラミック粒子図14の315等、概して図14~図22に見出されるから形成される金属化誘電体層は、一対の電極の間に配設されることができる。金属化誘電体層は、金属化誘電体層内の金属の体積分率が少なくとも約30になるように、誘電体材料図1及び図6の30等、図14のセラミック粒子320等、図15の誘電体粒子415等内に分布した複数の金属凝集体図1C及び図6の金属ポケット605等、図14の金属被覆320等、図15の金属粒子421等を含むことができる。複数の金属凝集体は、誘電体材料によって互いに分離されることができる。コンデンサーは、金属化誘電体層図1Cの30を電極図1Cの10の少なくとも一方から分離する、図1Cの20A等の、空乏層と呼ばれる少なくとも1つの実質的に金属フリーの誘電体層を含むことができる。金属の体積分率は、約30~約60の範囲内にあるとすることができ、より好ましくは、金属の体積分率は、約40~約60の範囲内にある。金属化誘電体層は、約0.01ミクロン~約50.0ミクロンの範囲内の厚さを有することができる。上述した結果として得られるコンデンサーは、金属化誘電体層がない状態のキャパシタンスの少なくとも5倍であるキャパシタンスを示す場合がある。上述の通り、コンデンサー内の誘電体材料は、セラミックを含むことができる。セラミックは、チタン酸バリウム系セラミック、又は、タンタル酸マグネシウム鉛及びニオブ酸マグネシウム鉛、ガラスセラミック、無機酸化物、アルミナ酸化物、並びにタンタル酸化物等の他のタイプのコンデンサー誘電体の任意の1つを含むことができる。上述の通り、セラミックは、金属凝集体図14に示す被覆320で部分的に被覆される複数のセラミック粒子図14の粒子315等を含むことができる。セラミック粒子は、約0.001ミクロン~約10ミクロンの範囲内のサイズを有することができる。使用される金属凝集体は、銀、パラジウム、ニッケル、金、白金、イリジウム、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブ、ハフニウム、レニウム、ニッケル、及び銅の任意の1つを含むことができる。金属凝集体及び電極の少なくとも一方は、少なくとも1つの金属成分を共通に有する場合もあるし、有しない場合もある。すなわち、金属凝集体及び電極の少なくとも一方は、同じ金属で形成されない場合がある。電極は、銀、パラジウム、ニッケル、金、白金、イリジウム、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブ、ハフニウム、レニウム、ニッケル、及び銅のうちの任意のもので形成されることができる。上述した技法によって形成されるMLCCは、複数の電極及び複数の誘電体層を含むことができ、各誘電体層は2つの電極間に配設される。MLCCの誘電体層の少なくとも一方は、内部に複数の金属包含物が分布される誘電体材料を含む金属化部分を有する。金属化部分内の金属の体積分率は、少なくとも約20、より詳細には少なくとも約30であり、上記包含物は誘電体材料によって別の包含物から分離される。誘電体層の金属化部分は、セラミックと複数の金属包含物の混合物を含むことができる。セラミックは、複数のセラミック粒子を含むことができる。セラミック粒子は、約0.001ミクロン~約10ミクロンの範囲内のサイズを有することができる。コンデンサーの金属包含物及び電極の少なくとも一方は、少なくとも1つの金属成分を共通に有する場合もあるし、有しない場合もある。金属包含物及び少なくとも一方の電極は、同じ金属で形成される場合もあるし、形成されない場合もある。金属包含物は、銀すなわち非酸化性金属を含むことができる。誘電体層は、金属被覆された誘電体テープ又は金属で被覆されたセラミック粒子を含む実質的に2相の構成成分を含むことができる。上述した技法によって生成されるコンデンサーは、図1Cに示すように、一対の電極10及び一対の電極10間に配設された誘電体層30、40を含むことができる。誘電体層30、40は、図1Cに示すように、複数の離散的な金属包含物605を有する少なくとも1つの金属化部分30、及び、一対の電極10の少なくとも一方から上記少なくとも1つの金属化部分30を分離する少なくとも1つの実質的に金属フリーの部分20Aを備えることができる。in-situ形成される空乏層20Aは、約0.1ミクロン~約10ミクロンの厚さを有することができる。金属-誘電体複合材を形成する方法が開示されており、この方法は、A複数の誘電体粒子を金属で被覆することであって、複数の金属被覆された誘電体粒子を形成する、被覆すること図1C~図13に示すように、誘電体テープに金属被覆を塗布すること、又は、図14~図22に示すように、個々に粒子を被覆することと、銀について少なくとも約750°C~約950°Cの温度で複数の金属被覆された誘電体粒子を焼結することであって、上記金属被覆を複数の離散的な分離された金属凝集体に変える、焼結することと、を含む。上記方法は、銀が使用される場合、約750°C~約950°Cの範囲になるように焼結温度を選択することを含む。複数の金属被覆された誘電体粒子は、通常、約0.1時間~10時間の範囲内の継続期間の間に焼結される。上述の通り、上記方法及び上記システムにおいて、複数の誘電体粒子又は誘電体テープは、セラミック材料を含む。誘電体粒子は、約0.001ミクロン~約10ミクロンの範囲内のサイズを有することができる。一方、誘電体粒子に塗布される金属は、銀、パラジウム、ニッケル、金、白金、イリジウム、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブ、ハフニウム、レニウム、ニッケル、及び銅のうちの任意のもので形成されることができる。金属は、実質的に非酸化性とすることができる。上述の例示的な3次元コンデンサーの実施形態は、いわゆる、テーププロセス図1A及び図1Bに示すを利用する。しかしながら、3次元コンデンサーの実施形態は、誘電体スラリーを用いて誘電体層が実際に印刷される、いわゆるウェットプロセスを用いて形成することもできると考えられる。実施形態の詳細な説明を用いて、3次元コンデンサー及びその製造方法を説明してきたが、その実施形態は例として与えられており、本開示の範囲を制限することは意図していない。説明した実施形態は種々の特徴を含むが、3次元コンデンサーの全ての実施形態において必ずしもそれらの特徴の全てが必要とされるとは限らない。3次元コンデンサーの幾つかの実施形態は、それらの特徴、又はそれらの特徴の可能な組み合わせのうちの幾つかしか利用しない。3次元コンデンサー及びその製造方法の実施形態の変形形態は、当業者に理解されるような、本発明の範囲内に含まれる。MLCCと関連して本明細書において開示されるシステム、デバイス、方法及び構成、又はその特徴若しくは態様は、限定はしないが、埋込受動部品の応用形態の場合のセラミック及びプラスチックポリマー基板のような、関連するか、又は類似の他の応用形態において使用できると考えられる。したがって、開示される実施形態、又はその変形形態は、他の応用形態の中でも、低温同時焼成セラミックLTCC応用形態、高温同時焼成セラミックHTCC応用形態、厚膜ハイブリッド回路及びプリント回路基板PCBに組み込むことができることは当業者には認識されよう。さらに、3次元コンデンサー内の電極突出部は、有利には、超伝導体又は超伝導体の応用形態において望ましい場合がある電極表面積の増加を引き起こすので、開示される実施形態、又はその変形形態は、スーパーコンデンサー、又はスーパーコンデンサーの応用形態において利用することができると考えられる。例示的なexemplaryという語は、例、事例、又は例証として役立つservingasanexampleinstanceorillustrationことを意味するために本明細書で使用される。例示的なものとして本明細書で述べる任意の態様は、必ずしも、他の態様に比べて好ましい又は有利であるとして解釈されない。したがって、選択される態様が図示され詳細に述べられるが、添付の特許請求の範囲によって規定される、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、種々の置換及び変更がそれらの態様において行われることができることが理解されるであろう。