電子デバイスであって、ユニタリハウジングを備え、前記ユニタリハウジングは、その内部に1つ以上の内部電子デバイスコンポーネントを保持するあるいは含むように構成されている開口部を有し、かつ、その少なくとも一部が金属で形成されている金属部分を有する第1のハウジングコンポーネントであって、前記金属部分は、前記開口部に隣接して配置されている第1の金属表面領域を含んでいる、第1のハウジングコンポーネントと、前記開口部に配置されている内部電子デバイス部品と、前記開口部に渡って配置されている複数のラミネート金属箔層を含む第2のハウジングコンポーネントであって、前記複数のラミネート金属箔層は、内部に前記開口部が配置されている密閉外部ハウジングを形成するために、1つ以上の超音波接合を介して前記第1の金属表面領域に取り付けられている、第2のハウジングコンポーネントと、前記開口部内に配置されていて、かつ前記超音波接合中に前記開口部に渡って配置される前記複数のラミネート金属箔層の少なくとも一部を支持するように構成されている支持機構とを備えることを特徴とする電子デバイス。前記第2のハウジングコンポーネントは、前記第1のハウジングコンポーネントの前記第1の金属表面領域に、前記複数のラミネート金属箔層の1つ目の単一のラミネート金属箔層を超音波接合し、更に、前記複数のラミネート金属箔層の残りのラミネート金属箔層を1つずつ前記第2のハウジングコンポーネントの上部に順番に超音波接合することによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。前記第2のハウジングコンポーネントは、前記第1のハウジングコンポーネントに、該第2のハウジングコンポーネントが超音波接合される前に形成されることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。前記第1のハウジングコンポーネントは、複数のラミネート金属箔層を1つずつ超音波接合し、そして、その内部に前記開口部を形成することで作成されることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。前記第1のハウジングコンポーネントと前記第2のハウジングコンポーネントとを組み合わせることで、周囲環境から前記開口部を密閉していることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。前記第1のハウジングコンポーネントと前記第2のハウジングコンポーネントとの少なくとも一方は、前記第1のハウジングコンポーネントと前記第2のハウジングコンポーネントとが互いに超音波接合された後に、更に、仕上げ加工が施されていることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。前記仕上げ加工は、機械加工を含んでいることを特徴とする請求項6に記載の電子デバイス。前記ユニタリハウジングの外部部分は、継ぎ目及び接続部分を含んでいないことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子デバイス。デバイスの製造方法であって、その内部に1つ以上の内部電子デバイスコンポーネントを保持するあるいは含むように構成されている開口部を有し、かつ、その少なくとも一部が金属で形成されている金属部分を有する第1のハウジングコンポーネントであって、前記金属部分は、前記開口部に隣接して配置されている金属表面領域を含んでいる、第1のハウジングコンポーネントを選択するステップと、前記第1のハウジングコンポーネントの前記開口部内に内部電子デバイス部品を設置するステップと、複数のラミネート金属箔層で、第2のハウジングコンポーネントを形成するステップであって、前記複数のラミネート金属箔層を互いに超音波溶接することを含む、形成するステップと、前記開口部内に支持機構を配置するステップと、前記開口部が完全に封入されかつ密閉されるように組み合わされたハウジングを形成するために、前記第1のハウジングコンポーネントの前記金属表面領域と、前記開口部に渡って、前記第2のハウジングコンポーネントを取り付けるステップと、を備えることを特徴とする方法。前記取り付けるステップは、前記第2のハウジングコンポーネントを前記第1のハウジングコンポーネントに超音波接合することを含んでいることを特徴とする請求項9に記載の方法。前記内部電子デバイス部品は、その上に前記支持機構を含んでいることを特徴とする請求項10に記載の方法。前記取り付けるステップは、前記第2のハウジングコンポーネントの一部だけを取り付けることを含み、前記形成するステップは、前記第2のハウジングコンポーネントの一部が前記第1のハウジングコンポーネントに取り付けられた後に実行されることを特徴とする請求項11に記載の方法。前記支持機構は、前記取り付けるステップ中に、前記第2のハウジングコンポーネントを支持することを特徴とする請求項12に記載の方法。前記第1のハウジングコンポーネントと前記第2のハウジングコンポーネントとが互いに超音波接合された後に、前記組み合わされたハウジングに対して1つ以上の仕上げ加工手順を実行するステップを更に備えることを特徴とする請求項13に記載の方法。前記1つ以上の仕上げ加工手順は、前記組み合わされたハウジングを機械加工することを含んでいることを特徴とする請求項14に記載の方法。前記組み合わされたハウジングの外部部分は、継ぎ目及び接続部分を含んでいないことを特徴とする請求項15に記載の方法。前記デバイスは、電子デバイスであることを特徴とする請求項9乃至16のいずれか1項に記載の方法。本発明に従う装置及び方法の例示の用途は、本セクションで記載される。これらの例は、本発明の理解における背景を追加し、そして、支援するために単独で提供される。本発明が、これらの特定の詳細のいくつかあるいは全てを使用しないで実現されても良いことは当業者には明らかであろう。他の例では、本発明を不必要に曖昧にすることを回避するために、周知のプロセスステップ群は詳細には説明しない。他の用途も可能であり、そうすることで、以下の例示は、制限されるように解釈されるべきでない。以下の詳細説明では、添付の図面を参照するものであり、これらの図面は、記載の一部を構成するものであり、また、その図面は、本発明の特定の実施形態を例示によって示されるものである。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に記載されているが、これらの例示が制限するものでないことが理解されるべきであり、そうすることで、他の実施形態を使用することができ、また、本発明の範囲及び精神を逸脱することなくその変更を行うことができる。本発明は、様々な実施形態において、セルラー電話、メディアプレーヤ、PDA、携帯型電子ゲーム機、リモートコントロール装置、ラップトップコンピュータ、あるいは他の同様のデバイスのような、パーソナル電子デバイスあるいはコンポーネントに関するものである。このような電子デバイスあるいはコンポーネントは、一体型ユニタリ―の外部ハウジングを有することができ、そうすることで、その電子デバイスの任意の外部表面において知覚される継ぎ目あるいは隙間がないようにすることができる。その結果、電子デバイスが、単一のユニタリハウジングで形成されることになり、これは、多くのユーザに美観的な魅力を高めることになる。このようなデバイスは、特殊な方法で、2つ以上の外部ハウジングコンポーネントを締め付けることによって、例えば、コンポーネント同士を超音波用溶接することによって形成することができる。本発明の様々な実施形態では、金属表面領域を有する、第1の金属ハウジング外部コンポーネントあるいは部分的に金属のハウジング外部コンポーネントが提供される。この金属表面領域は、それに別のコンポーネントの一部を超音波接合することを容易にするために特殊処理されている。いくつかの実施形態では、超音波エネルギーが適切に適用されると、他のコンポーネントへの溶接あるいは接合を容易にする方法において、様々な切り下げundercutsあるいは他の表面凹凸が金属表面領域上に形成され得る。他の実施形態では、そのような超音波接合あるいは溶接は、金属表面に特殊な表面加工を施すことなく、第1のハウジングコンポーネントと第2のハウジングコンポーネントとを結合することができる。図1Aでは、互いに超音波溶接されている金属箔スタック積層の正面斜視図が示されている。超音波接合システム1は、ベースプレート10、スタック20に配置されている複数の金属薄層、及び超音波振動ローラ30を含んでいて、この超音波振動ローラ30は、スタックの最上層に渡って転がり、一方で、押し下げ力35がその超音波振動ローラ30に適用される。いくつかの実施形態では、スタック20の薄層は、金属箔で形成することができ、そうすることで、超音波接合は実質的に低温金属溶接プロセスとなる。他の実施形態では、この薄層は、他のタイプの金属とすることができ、これには、例えば、超音波接合用に適している熱可塑性金属あるいは特殊適合用紙がある。更なる他の実施形態は、様々なタイプの金属層を有するスタック20を含めることができる。これは、特殊仕上げコンポーネントに対して要望されることがあるからである。いくつかの実施形態では、スタック20の様々な層を、その上に1つずつ超音波ローラ30を施すことができ、この超音波ローラ30は、その層の下に既に形成されているスタック上に新規の層を接合することを容易にするものである。加えて、単純なベースプレート10は薄層スタック20を支持するために示されているが、このようなベースプレートは、そのような超音波接合プロセスを容易にするいくつかのコンポーネントを含むことができる。例えば、ベースプレートは、硬質プレートを含むことができ、この硬質プレートは、加熱プレートあるいはアンビルanvilの上部に配置され、これは、接合プロセスのためのベースプレートと層スタックに要求される熱を与えるように構成されている。薄層加工物製造LOMの様々な形態に関連する、様々な追加の要素、特徴及びプロセスを、必要に応じて、適用することもできる。続けて、図1Bでは、溶接プロセス後の図1Aの例示のスタックの側面図が示される。図示されるように、ベースプレート10は、薄膜層スタックを支持し、そして、押し上げ力15をスタック層21及び22上に与えることで、超音波ローラの押し下げ力35に対抗している。超音波ローラの超音波振動の結果として、超音波による機械的な振動25が、スタック層21及び22の金属を通じて伝えられる。押し上げ力15、押し下げ力35の組み合わせと、これらの超音波振動あるいは力25は、拡大領域26で示されるように、薄膜層の金属部分を互いに接合するように作用する。一般的には、適切に適用された超音波振動は、可塑性変形及び原子拡散の少なくとも一方によって、異なる層の金属部分を互いに混合させることができる。容易に理解されるように、超音波振動の大きさ及び周波数は、薄膜層の薄さ、要求される接着強度、及び接合される金属のタイプに対して適切となるように変更することができる。例えば、10から100kHzの範囲の周波数は、多くの金属及び薄さに対して適切である。図2Aを参照すると、これは、完全封入前の例示の電子デバイスの正面斜視図と部分的分解図が示される。電子デバイス100は、内部に形成されている開口部142を有する第1のハウジングコンポーネント140と、その開口部142の周囲に配置される表面領域144を含んでいる。第1のあるいはベースハウジングコンポーネント140は、例えば、金属で形成することができ、また、図示の表面領域144は、別の外部ハウジングコンポーネントを取り付けるために特殊処理されている。ベースハウジングコンポーネント140は、例えば、様々な適切な方法の任意の方法で、機械加工、鍛造、成型、延伸あるいは形成することができる。1つ以上の内部電子デバイス部品150を、開口部142に設置した上で、その開口部142を開放したままにしてアクセス可能にすることができる。電子デバイス部品150は、例えば、1つ以上のプロセッサ、メモリ及びその類を有する完成回路ボードとすることができる。電子デバイス部品150の設置は、例えば、ねじ、留め金、リベット、接着剤、圧入、あるいは任意の他の適切な設置手段で行うことができる。図2Bは、組立及び完全封入後の図2Aの例示の電子デバイスの正面斜視図を示している。電子デバイス102は、第1のハウジングコンポーネント140の上に第2のハウジングコンポーネント120を取り付けることによって完全に封入することができ、そうすることで、開口部142と電子デバイス部品150を、これらのハウジングコンポーネント内に完全に密閉することができる。第2のあるいはリッド蓋ハウジングコンポーネント120は、上述の層スタック20と実質的に同様のものとすることができ、事実、図の拡大部分は、このコンポーネントが、互いに接合された複数の層128を含んでいることを示している。第1のハウジングコンポーネントと第2のハウジングコンポーネントの超音波接合の結果、1つのユニタリハウジングが形成され、その内部において、他の開口部分を存在しない場合には、内部開口部と部品を密閉することができる。一実施形態では、この第2のハウジングコンポーネント120は、第1のハウジングコンポーネント140に取り付ける前に、接合済のスタック化ユニットに個別に形成され、一方で、他の実施形態では、第2のハウジングコンポーネントは、第1のハウジングコンポーネントとデバイス部品の組み合わせの上に層毎に形成される。つまり、第2のハウジングコンポーネント120を、第1のハウジングコンポーネント140の上部表面144の上と、開口部142内に配置される1つ以上の支持機構の上に一度に一層で構築することができる。いくつかの実施形態では、支持機構は、電子デバイス部品150自身とすることができ、つまり、その上部表面を支持機構とすることができる。このような支持機構は、特に、ベースハウジングコンポーネントの開口領域内にベースプレートを効果的に提供するために特に有用であり、そうすることで、リッドハウジングコンポーネントの初期の層が、その上に形成される。特定の例示のように、図2Aの電子デバイス100は、開口部142内に適切に配置されている電子部品150とともに組み立てることできる。そして、単一の薄膜層128を、表面144と電子部品15あるいは、代替の任意の他の適切な支持機構の上表面の上に超音波接合あるいは溶接することができる。第1の薄膜層が接合された後、次に、第2の薄膜層を第1の薄膜層の上に積んで、再度、超音波接合することができる。同様にして、ハウジングコンポーネント120に対して最終的に要望される厚みになるまで、追加の層を既存の層の上に形成することができる。このような超音波接合は、上述の例による、超音波接合システム1に示されるものと同様にして、ロール形成で実現することができる。続いて、図3Aを参照すると、本発明の一実施形態に従って、その外部表面を機械加工し、かつ仕上げ加工した後の、図2Bの例示の電子デバイスの正面斜視図が示される。理解されるように、図2Bに示される結果物は、最終製品である必要はない。このように、様々な精密プロセスを、外部ハウジングに施して、仕上げ加工済の電子デバイス製品104を得ることができる。例えば、リッドコンポーネント120とベースコンポーネント140の両方の様々な領域において、機械加工して、そして仕上げ加工することで、明確な継ぎ目、隙間、あるいは欠落を持たないユニタリ外部ハウジングを有する、丸みを帯びた最終製品が製造される。いくつかの実施形態では、このような機械加工及び仕上げ加工プロセスは、ブロック102が一緒に接合された後に実行することができ、一方で、他の実施形態では、いくつかの機械加工及び仕上げ加工は、接合プロセス中に実行することができる。図3Bは、図3Aの例示の電子デバイスの垂直断面図である。容易に理解されるように、内部電子デバイス部品あるいは部品群150は、開口部142内に存在していて、ここでは、第1のハウジングコンポーネント140と第2のハウジングコンポーネント120によって囲まれている。ここでも、これらのハウジングコンポーネント120、140は最終形態104に、機械加工され、そして仕上げ加工されていて、そうすることで、電子デバイス102の本来のブロック形状は整形されている。図4Aに移ると、本発明の別の実施形態に従う、完全封入前の例示の他の電子デバイスの正面斜視図と部分的な拡大図が示されている。電子デバイス200は、上述の電子デバイス100と実質的に同様のものとすることができるが、ここでは、その内部に形成されている開口部262を有する第1のハウジングコンポーネント260と、その開口部の周囲に配置され、かつ第2のハウジングコンポーネントを接合するように構成されている表面領域とを含んでいる。ここでも、第1のあるいはベースハウジングコンポーネント260は、例えば、金属で形成することができる。同様に、1つ以上の内部電子デバイスコンポーネント250、例えば、回路ボードを、開口部262内に設置することができる。第1のあるいはベースハウジングコンポーネント260は、上述の実施形態と異なるが、このベースハウジングコンポーネントも、薄膜層スタック超音波接合プロセスで形成することができる。拡大図で示されるように、第1のハウジングコンポーネント260は、複数の薄膜層268で構成することができ、この薄膜層268は、上述の方法と同様の方法で互いにその上部で接合されている。このようにして、開口部262は、スタックされかつ接合されている部材の最終ブロックに対する機械加工及び仕上げ加工を施した後に形成することができる。選択的には、薄膜層あるいは箔のそれぞれは、プロセスの進行に応じて、特殊形成あるいは成型することができる。例えば、ハウジングコンポーネント260の下部のいくつかの第1の層は完全な薄板とすることができ、一方で、中間の層及び上部の層はそれぞれ適切なサイズに成型されたセンター穴を有するようにしても良い。図4Bは、組立及び完全封入後の図4Aの例示の電子デバイスを示している。電子デバイス202は、第2のあるいはリッドハウジングコンポーネント220を第1のあるいはベースハウジングコンポーネント260に接合することによって形成することができる。これは、上述の電子デバイス102と実質的に同様にして実現することができ、その違いとしては、第1のハウジングコンポーネント260が、それ自身が層状に接合されたスタックで形成されていることである。図示していないが、ブロックについての様々な機械加工及び仕上げ加工プロセスを施して、上述の電子デバイス104と実質的に同様の最終製品を得ることができることは容易に理解されるであろう。次に、図5に進むと、電子デバイスの製造方法の一例のフローチャートが示される。提示されるステップは図示の目的のためだけに示されていて、必要に応じて、多くの他のステップがこのプロセスに含まれても良いことが理解されるであろう。また、これらのステップの順番は変更することができ、状況に応じて、そのすべではなく、適宜、必要なステップを実行することができる。スタートステップ300の後、プロセスステップ302で、その内部に配置されている開口部を有する第1のハウジングコンポーネントが選択される。プロセスステップ304において、内部電子デバイスコンポーネントが開口部に設置され、プロセスステップ306において、その上に、第2のハウジングコンポーネントが、金属箔層のような複数の薄膜層に形成される。プロセスステップ308において、支持機構が開口部内に配置される。プロセスステップ310において、第2のハウジングコンポーネントを、第1のハウジングコンポーネントに対して超音波接合するあるいは取り付けることができ、そうすることで、開口部が封じられて密閉されるようにする。その後、プロセスは、エンドステップ312で終了する。続いて、図6Aでは、自身に接合されている第1の単一のラミネート箔層を有する例示の電子デバイスの正面斜視図が示されている。電子デバイス400は、上述の電子デバイスと同一あるいは実質的に同様とすることができ、この例は、下部のあるいは第1のハウジングコンポーネント440の上部の層毎に第2のあるいは上部ハウジングコンポーネントを形成するための機能を拡張するように単独で示されている。上述の実施形態と同様に、第1のハウジングコンポーネント440はその内部に開口部を有するとともに、その開口部内部に設置される1つ以上の内部電子デバイス部品450を備える一方で、その開口部は開放したままアクセス可能になっている。ここでも、電子デバイス部品450は、例えば、1つ以上のプロセッサ、メモリ及びその類を有する完成回路ボードであり、また、電子デバイス部品150の設置は、例えば、ねじ、留め金、リベット、接着剤、圧入、あるいは任意の他の適切な設置手段で行うことができる。単一のラミネート金属箔層428は、1つ以上の上部表面領域あるいは位置445において、第1のハウジングコンポーネント440の上部に超音波接合することができる。単一の層428は、開口部の一部と、その内部の電子デバイス部品450とが露出するように部分的に開放されているように示されているが、形成あるいは接合プロセスの一部としての位置である必要はなく、また、1つの層全体が、接合が完了する際には、開口部の全外周の周囲で第1のハウジングコンポーネントに完全に接合されること好ましいことが容易に理解されるであろう。第1のあるいはメインハウジングコンポーネントへの第1の単一の層428の超音波接合あるいは溶接が一旦完了すると、第2の単一の層が、その第1の単一の層の上部全体に超音波接合される。次に、第3の層が、第2の層の上部に接合され、以下、所望の最終的な数の層が互いに1つずつその上部に接合されるまで、継続される。この方法では、第2のハウジングコンポーネントは、第1のハウジングコンポーネントの上部の所定の位置に形成される。図6Bは、本発明の実施形態に従う、全体がラミネート箔層の接合で完全に封入された後の図6Aの例示の電子デバイスの正面斜視図を示している。完全に封入された電子デバイス402は、上述の電子デバイス102と同一あるいは実質的に同様のものとすることができ、また、ここでは、図示の目的のために、第2のハウジングコンポーネント420に接合されている複数の層429を形成する多層接合プロセスによって完全に封入された電子デバイスを示している。ここで、第2のハウジングコンポーネント420は、第1のハウジングコンポーネントに最初に接合される第1の層428によって第1のハウジングコンポーネント420の上部表面群に接合されている。ここでも、1つ以上の内部機構、例えば、電子デバイス部品上の素子群を、第1の層429が接合されている状態で、開口領域に渡る接合に対する支持を提供するために使用することができ、また、封入されたデバイス402を、接合プロセスの後の機械加工により、最終的に製造される形状にすることができる。最後に、図7に進むと、本発明の一実施形態に従う電子デバイスの代替の例示の製造の方法のフローチャートが提供される。ここでも、提示されるステップは図示の目的のためだけに示されていて、必要に応じて、多くの他のステップがこのプロセスに含まれても良いことが理解されるであろう。また、これらのステップの順番は変更することができ、状況に応じて、そのすべではなく、適宜、必要なステップを実行することができる。スタートステップ700の後、プロセスステップ702において、その内部に配置されている開口部を有する第1のハウジングコンポーネントが選択される。上述のように、この第1のハウジングコンポーネントは、単一の薄膜層を複数個互いに超音波接合し、仕上済のブロックを後機械加工することによって形成することができる。あるいは、この第1のハウジングコンポーネントは、鋳造、押出加工、及びその類のような、任意の他の典型的な形成プロセスによって形成することもできる。ここでも、プロセスステップ704において、内部電子デバイスコンポーネントが開口部に設置され、プロセスステップ706において、その上に、支持機構が開口部内に配置される。この支持機構は、電子デバイスコンポーネントあるいはそれらのいくつかの部分の上部表面とすることができる。次のプロセスステップ708において、第1の単一のラミネート金属箔層を、第1のハウジングコンポーネントと支持機構の上部表面群に対して超音波接合するあるいは取り付けることで、開口部が封じられて密閉されるようにする。その後、ステップ710において、要求される数の層が得られるまで、複数のラミネート金属箔層が互いの上部に1つずつ超音波接合されるあるいは取り付けられる。ステップ712において、外部ハウジングが機械加工されることで、最終形状とすることができ、その後、プロセスは、エンドステップ714で終了する。ここでも、各ステップの順序は変更することができ、また、いくつかのステップを同時に実行することができることが理解されるであろう。例えば、第1のハウジングコンポーネントは、金属箔層の任意の超音波接合の前に、最終形状に機械加工することができる。また、超音波接合及び最終製品への追加の機械加工あるいは仕上げ加工による外部ハウジングを形成する特定の方法が、継ぎ目、接続部分、ねじ、あるいは複数の部品からならハウジングにおける見苦しい副産物を含まないように見えるハウジングをもたらすことが理解されるであろう。このような最終製品の美観的な魅力は、複数のコンポーネント及びそのような継ぎ目あるいは接続部分を有する他のハウジングを改善するものである。上述の発明は、明確性及び理解の目的のための図示及び例によって詳細に説明されているが、本発明の成員あるいは本質的な特性を逸脱することなく、いくつかの他の特定の変形及び実施形態で実施できることが理解されるであろう。一定の変更及び変形を実現することができ、また、本発明は、上述の説明に限定されるものではなく、むしろ、添付の請求項の範囲によって定義されるものであることが理解されるであろう。