半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1の導電層と、前記半導体基板上に形成され、前記第1の導電層を露出するように開口する保護膜と、前記保護膜の開口から露出する前記第1の導電層及び前記保護膜上に形成された第2の導電層と、を備え、前記第2の導電層が、その端部よりも内側に凹部を有することを特徴とする半導体装置。前記第1の導電層は凸部を有し、前記第2の導電層の凹部は、前記第1の導電層の凸部に沿って形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記第1の導電層は、深さが前記第1の導電層の厚み以下の凹部を有し、前記第2の導電層の凹部は、前記第1の導電層の凹部に沿って形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記第2の導電層の凹部は少なくとも2つ設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。前記第2の導電層の凹部のうちの最外郭に位置する凹部間に、前記第2の導電層に接続される外部接続用電極の幅以上の間隔が設けられていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。前記第2の導電層の凹部は、平面視したとき直線状であることを特徴とする請求項4もしくは5のいずれかに記載の半導体装置。前記第2の導電層の凹部は、前記第2の導電層に外部接続用電極が接続される際に加えられる超音波の振幅方向に対して垂直な方向に沿った直線形状をしていることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。前記第2の導電層の凹部は、平面視したとき環状であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。前記第2の導電層の凹部で囲まれる領域は、前記第2の導電層に接続される外部接続用電極の投影面積以上の面積を有することを特徴とする請求項8記載の半導体装置。前記第2の導電層の凹部は、断面視したとき、その深さ方向に傾斜していることを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の半導体装置。前記第2の導電層の凹部は、断面視したとき階段状であることを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の半導体装置。前記第1の導電層及び第2の導電層は、銅、アルミニウム、タングステン、チタン、タンタルのうちの少なくとも1種類の単体を用いて、または、銅、アルミニウム、タングステン、チタン、タンタルのいずれかを含む少なくとも1種類の金属化合物を用いて、または、単体と金属化合物を組み合わせて形成されていることを特徴とする請求項1ないし11のいずれかに記載の半導体装置。前記保護膜は、少なくとも1種類の絶縁化合物を用いて形成されていることを特徴とする請求項1ないし12のいずれかに記載の半導体装置。前記保護膜は、SiO2またはSiNの少なくとも一方を用いて形成されていることを特徴とする請求項13記載の半導体装置。半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に第1の導電層を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記第1の導電層を露出するように開口する保護膜を形成する工程と、前記保護膜の開口を通じて、その開口から露出する前記第1の導電層の面積よりも小さい面積の導電層を積層して、前記第1の導電層を凹凸形状にする工程と、前記保護膜の開口から露出する前記第1の導電層及び前記保護膜上に第2の導電層を形成して、前記第2の導電層の端部よりも内側に、前記第1の導電層の凸部に沿った凹部を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に第1の導電層を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記第1の導電層を露出するように開口する保護膜を形成する工程と、前記保護膜の開口を通じて前記第1の導電層に、深さが前記第1の導電層の厚み以下の第1の凹部を形成して、前記第1の導電層を凹凸形状にする工程と、前記保護膜の開口から露出する前記第1の導電層及び前記保護膜上に第2の導電層を形成して、前記第2の導電層の端部よりも内側に、前記第1の導電層の第1の凹部に沿った第2の凹部を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。以上のように、金ワイヤよりも硬い金属ワイヤを用いてワイヤボンディングを行うと、ボンディングパッドを形成している金属が押し出されてスプラッシュが発生する。加えて、ワイヤボンディングを行う際の超音波周波数と圧力が高いと、超音波の振幅方向へ押し出される金属スプラッシュの量が増える。そのため、超音波の振幅方向に発生するスプラッシュの量が多くなり、この超音波の振幅方向に過剰に発生したスプラッシュによって、隣接するボンディングパッド電極同士が接続される不良が起こるおそれがある。例えば、ボンディングワイヤとして銅ワイヤや合金ワイヤなどの金ワイヤよりも硬い金属ワイヤを使用する場合、回路配線基板リードフレーム、基板、テープを約150°C~350°Cの範囲で加熱し、高周波放電のスパークにより先端がボール状になったボンディングワイヤを、半導体素子のアルミニウム電極ボンディングパッド上に超音波、圧力を加えて押し付け、アルミニウムとの合金層を形成させて圧着して、ボンディングパッドとボンディングワイヤを接合させる。しかし、銅や合金などとアルミニウムとを接合する際には、金ワイヤを用いてワイヤボンディングを行う場合よりも超音波周波数と圧力を高くしなければならない。また、銅ワイヤや合金ワイヤの先端のボールは金ワイヤの先端のボールよりも硬い。そのため、銅ワイヤや合金ワイヤなどを用いたワイヤボンディングの場合は、金ワイヤを用いてワイヤボンディングを行う場合よりもスプラッシュが発生しやすくなる。本発明は、例えば、隣接するボンディングパッド同士のスプラッシュによる接続の防止など、隣接する電極同士の接続の防止を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1の導電層と、前記半導体基板上に形成され、前記第1の導電層を露出するように開口する保護膜と、前記保護膜の開口から露出する前記第1の導電層及び前記保護膜上に形成された第2の導電層と、を備え、前記第2の導電層が、その端部よりも内側に凹部を有することを特徴とする。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記第1の導電層は凸部を有し、前記第2の導電層の凹部は、前記第1の導電層の凸部に沿って形成されている。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記第1の導電層は、深さが前記第1の導電層の厚み以下の凹部を有し、前記第2の導電層の凹部は、前記第1の導電層の凹部に沿って形成されている。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記第2の導電層の凹部は少なくとも2つ設けられている。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記第2の導電層の凹部のうちの最外郭に位置する凹部間に、前記第2の導電層に接続される外部接続用電極の幅以上の間隔が設けられている。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記第2の導電層の凹部は、平面視したとき直線状である。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記第2の導電層の凹部は、前記第2の導電層に外部接続用電極が接続される際に加えられる超音波の振幅方向に対して垂直な方向に沿った直線形状をしている。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記第2の導電層の凹部は、平面視したとき環状である。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記第2の導電層の凹部で囲まれる領域は、前記第2の導電層に接続される外部接続用電極の投影面積以上の面積を有する。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記第2の導電層の凹部は、断面視したとき、その深さ方向に傾斜している。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記第2の導電層の凹部は、断面視したとき階段状である。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記第1の導電層及び第2の導電層は、銅、アルミニウム、タングステン、チタン、タンタルのうちの少なくとも1種類の単体を用いて、または、銅、アルミニウム、タングステン、チタン、タンタルのいずれかを含む少なくとも1種類の金属化合物を用いて、または、単体と金属化合物を組み合わせて形成されている。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記保護膜は、少なくとも1種類の絶縁化合物を用いて形成されている。また、本発明の半導体装置の他の側面によれば、前記保護膜は、SiO2またはSiNの少なくとも一方を用いて形成されている。また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1の導電層を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記第1の導電層を露出するように開口する保護膜を形成する工程と、前記保護膜の開口を通じて、その開口から露出する前記第1の導電層の面積よりも小さい面積の導電層を積層して、前記第1の導電層を凹凸形状にする工程と、前記保護膜の開口から露出する前記第1の導電層及び前記保護膜上に第2の導電層を形成して、前記第2の導電層の端部よりも内側に、前記第1の導電層の凸部に沿った凹部を形成する工程と、を具備することを特徴とする。また、本発明の他の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1の導電層を形成する工程と、前記半導体基板上に、前記第1の導電層を露出するように開口する保護膜を形成する工程と、前記保護膜の開口を通じて前記第1の導電層に、深さが前記第1の導電層の厚み以下の第1の凹部を形成して、前記第1の導電層を凹凸形状にする工程と、前記保護膜の開口から露出する前記第1の導電層及び前記保護膜上に第2の導電層を形成して、前記第2の導電層の端部よりも内側に、前記第1の導電層の第1の凹部に沿った第2の凹部を形成する工程と、を具備することを特徴とする。本発明の好ましい形態によれば、第2の導電層に外部接続用電極を接続する際に、第2の導電層を形成している金属や第2の導電層に接続する外部接続用電極を形成している金属を、第2の導電層に設けられた凹部によって受け止めて、その金属が隣の第2の導電層まで押し出されるのを防ぐことができるので、隣接する第2の導電層電極同士の接続を防止することができる。したがって、第2の導電層をボンディングパッドとして使用すれば、ボンディングパッドに金属ワイヤをボンディングする際にスプラッシュが発生しても、隣接するボンディングパッド同士の接続を防止することが可能となる。そのため、半導体装置の高機能化多機能化に伴うパッド数の増加や、チップサイズの縮小化によって、パッドの狭ピッチ化が進んでも、スプラッシュによる不良を防止できることから、ボンディングパッドのサイズの更なる縮小化が可能となる。また、ワイヤボンディングに使用する超音波周波数や圧力を高めても、スプラッシュによる不良を防止できることから、これまで以上に高い超音波周波数や圧力を用いたワイヤボンディングが可能となり、信頼性の更なる向上が実現可能となる。更に、第2の導電層を金属バンプや半田ボール等の外部接続用電極に接合させる電極として使用すれば、熱接着時に金属バンプや半田ボール等から溶け出した金属が、隣の第2の導電層まで流れて、隣接する第2の導電層電極同士が接続する不良を防ぐことができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、同じ要素には同じ符号を付しており、説明を省略する場合もある。また、図面は、理解しやすくするために、それぞれの要素を主体に模式的に示している。実施の形態1図1は本発明の実施の形態1における半導体装置の構成の要部を概略的に示す図であり、図1aは断面図、図1bは平面図である。図1において、1は半導体基板、2は第1の絶縁膜、3は第2の絶縁膜、4はパッシベーション膜、5は第1の導電層、5aは第1の導電層の本体、5bは第1の導電層の凸部、6は第2の導電層、7は第2の導電層の凹部である。図1において、第2の導電層6の、パッシベーション膜4から露出する表面が、ボンディングワイヤを接続するためのボンディングパッド電極である。以下、この実施の形態1における半導体装置について詳しく説明する。半導体基板1には、例えばSi基板を用いることができる。なお、実際の半導体装置では、半導体基板1上にMOSトランジスタやバイポーラトランジスタ等のデバイスが作りこまれているが、図面上は簡略化のため省略している。半導体基板1上には第1の絶縁膜2が形成されている。第1の絶縁膜2には、例えばシリコン酸化膜SiO2膜を用いることができる。この第1の絶縁膜2内に、表面が第1の絶縁膜2から露出する第1の導電層5が形成されている。この第1の導電層5は、半導体装置の配線および、配線とボンディングパッドとの接続領域となる。第1の絶縁膜2および第1の導電層5上には、保護膜の一例としての第2の絶縁膜3が形成されている。第2の絶縁膜3には、例えばシリコン酸化膜SiO2膜を用いることができる。なお、第2の絶縁膜3として、シリコン酸化膜と、そのシリコン酸化膜を挟むシリコン窒化膜SiN膜とからなる積層体を用いてもよい。この第2の絶縁膜3は、第1の導電層5の表面のうち、ボンディングパッドとの接続領域となる部分を露出するように開口している。第2の絶縁膜3の開口から露出する第1の導電層5及び第2の絶縁膜3の開口の周囲の領域上には、第2の導電層6が形成されている。さらに、第2の導電層6の外周部および第2の絶縁膜3上にパッシベーション膜4が形成されている。第2の導電層6の表面のうち、パッシベーション膜4から露出している領域が、この半導体装置の、外部との接続領域としてのボンディングパッドである。したがって、パッシベーション膜4は、第2の導電層6の表面のうちボンディングパッドとなる領域を露出するように開口している。第2の導電層6は、パッシベーション膜4から露出する領域の端部よりも内側に凹部7を有している。つまり、ボンディングパッド電極に凹部7が形成されている。この凹部7により、ボンディングパッドを形成している金属が、ワイヤボンディング時に隣のボンディングパッドまで押し出されることを防止して、隣接するボンディングパッド電極同士の接続を防止することができる。凹部7は、好ましくは、ボンディングパッド第2の導電層6を断面視したときに、パッシベーション膜4から露出する第2の導電層6の端部、すなわちボンディングパッドの端部よりも内側に2箇所以上現れるように形成する。図1aには、ボンディングパッドを断面視したとき凹部7が2箇所に現れる構造を示している。さらに好ましくは、ボンディングパッド第2の導電層6を断面視したときに、第2の導電層の凹部7のうちの最外郭に位置する2つの凹部の間に、ボンディングパッド第2の導電層6に接続されるボンディングワイヤのボール状の端部外部接続用電極の幅以上の間隔を設ける。こうすることで、隣接するボンディングパッド電極同士の接続をより確実に防止することができる。第1の導電層5及び第2の導電層6の材料には、銅、アルミニウム、タングステン、チタン、タンタルのうちの少なくとも1種類を単体で用いてもよいし、それらのうちのいずれかを含む金属化合物のうちの少なくとも1種類を用いてもよいし、単体と金属化合物を組み合わせて用いてもよい。また、保護膜の一例である第2の絶縁膜3の材料には、少なくとも1種類の絶縁化合物を用いることができる。絶縁化合物としては、例えば、SiO2やSiNなどを用いることができる。図2に、ボンディングパッドにボンディングワイヤが接合した状態を示す。図2において、8はボンディングワイヤのボール部、9はボンディングワイヤである。第2の導電層の凹部7のうちの最外郭に位置する凹部よりも内側にボンディングワイヤ9のボール部8を接続すれば、銅ワイヤや合金ワイヤなどの硬い金属ワイヤを用いてワイヤボンディングした際に、超音波の振幅方向にスプラッシュが発生しても、そのスプラッシュは第2の導電層6に形成された凹部7に入り込み、隣のボンディングパッドと接触することはない。したがって、隣接するボンディングパッド電極同士の接続を防止することができる。ボンディングパッド第2の導電層6の凹部7は、第2の導電層6の直下の第1の導電層の本体5aに凸部5bを少なくとも1つ設けることによって、その第1の導電層の凸部5bに沿って形成することができる。第1の導電層の凸部5bは、第2の絶縁膜3の開口の内側、すなわち第2の絶縁膜3から露出する導電層5a上に、導電層を少なくとも1層積層することで形成する。例えば、導電層5aの形成後に、導電層5aと同じ材質、同じ薄膜形成方法を使用して、導電層5aの上に、凸部5bとなる導電層を積層させるなどして、この凸部導電層5bを形成してもよい。薄膜形成方法としては、スパッタリングや電子ビーム蒸着などを使用することができる。第1の導電層の凸部5bの面積は、第2の絶縁膜3から露出する導電層5aの面積第2の絶縁膜3の開口面積よりも小さく設定する。なお、ボンディングパッド第2の導電層6を断面視したときに、第2の導電層の凹部7が3箇所以上現れる構造とする場合には、第1の導電層の本体5aに凸部5bを2つ以上設ける。この実施の形態1では、第2の絶縁膜3から露出する導電層5aの領域内の1箇所に1層の導電層凸部5bが積層されている。第1の導電層の本体5aの膜厚を1.0μmとすると、その上に積層する導電層5bの膜厚は1.0μm以下にする。ここでは、0.9μmとした。このように、膜厚0.9μmの凸部5bを有する第1の導電層5上に、第2の導電層6を例えば膜厚1.0μmで形成する。第2の導電層6は、例えば無電解めっき法などで形成することができる。そうすることで、第2の導電層6を加工することなく、0.9μmの凹部7を第2の導電層6に形成することができる。なお、第2の絶縁膜3から露出する導電層5aの領域内の1箇所に2層以上の導電層を積層して、膜厚0.9μmの凸部5bを1個形成してもよい。このように第1の導電層5を凹凸形状にすることで、第2の導電層6を加工することなく、凹部を有するボンディングパッド第2の導電層6を形成することができる。この実施の形態1では、図1bに示すように、ボンディングパッド第2の導電層6の凹部7は、平面視したとき直線状である。なお、直線状の凹部7は2本以上設けるのが好ましい。図1bに示すような2本の直線状の凹部7を形成する場合、図1aを記述した紙面に垂直な方向において、凸部5bの長さを、第2の絶縁膜3から露出する第1の導電層5の領域と同じ長さに設定する。また、図1aを記述した紙面の左右方向において、凸部5bの幅を、第2の絶縁膜3から露出する第1の導電層5の領域よりも短く設定する。好ましくは、図1aを記述した紙面の左右方向の凸部5bの幅は、第2の導電層の凹部7のうちの最外郭に位置する凹部7の間の間隔が、ボンディングパッド第2の導電層6に接続されるワイヤのボール状の端部外部接続用電極の幅以上となるように設定する。なお、図1aを記述した紙面に垂直な方向の凸部5bの長さを短くした場合、後述する図6bに示すように、ボンディングパッドの凹部7は、平面視したときに正方形または長方形の辺に沿う環状となる。続いて、この実施の形態1における半導体装置の製造方法について説明する。まず半導体基板1上にMOSトランジスタ等のデバイス図では省略を形成した後、層間膜として第1の絶縁膜2を形成する。例えば、第1の絶縁膜2として、CVD法によりシリコン酸化膜SiO2膜を形成する。次に、第1の絶縁膜2に導電層5a用の溝開口を、例えば、リソグラフィ工程とドライエッチング工程を用いて形成する。次に、導電層5aを形成するための金属膜を、例えばスパッタリングや電子ビーム蒸着により被着させ、その被着させた金属膜を平坦化することで、半導体基板1上に導電層5aを形成する。なお、第1の導電層5の金属として例えばCuを用いる場合には、銅の拡散の防止と密着性の向上のために、まずTiN膜を被着させた後に、Cu膜を被着させてもよい。次に、層間膜として第2の絶縁膜3を形成する。例えば、第2の絶縁膜3として、CVD法によりシリコン酸化膜SiO2膜を形成する。なお、第1の導電層5の金属として例えばCuを用いる場合には、シリコン酸化膜とともに、銅の拡散の防止のために、第2の絶縁膜3を挟むシリコン窒化膜SiN膜をCVD法により形成してもよい。第2の絶縁膜3の形成後、第2の絶縁膜3に第2の導電層6用の開口を、例えば、リソグラフィ工程とドライエッチング工程を用いて形成する。これにより、半導体基板1上に、第1の導電層5を露出するように開口する保護膜が形成される。次に、第2の絶縁膜3の開口を通じて、第2の絶縁膜3から露出する導電層5a上に、その露出している領域の面積よりも小さい面積の導電層を積層する。例えば、スパッタリングや電子ビーム蒸着などにより金属膜を被着させて導電層5a上に積層し、その積層された金属膜を平坦化することで、導電層5a上に導電層を積層させることができる。この積層された導電層が第1の導電層の凸部5bとなる。これにより、保護膜から露出する凹凸形状の第1の導電層5が形成される。次に、第2の導電層6を形成するための金属膜を、第2の絶縁膜3の開口から露出する第1の導電層5及び第2の絶縁膜3の開口の外周上に、例えば無電解めっき法などで被着させる。これにより、第1の導電層5の凸部5bに沿った凹部7を有する第2の導電層6が形成される。その後、パッシベーション膜4を形成する。例えば、パッシベーション膜4として、シリコン窒化膜SiN膜をCVD法により形成してもよい。パッシベーション膜4の形成後、リソグラフィ工程とドライエッチング工程を用いて、第2の導電層6の表面のうちボンディングパッド電極となる領域が露出するようにパッシベーション膜4を開口する。これにより、パッシベーション膜4から露出する第2の導電層6の端部よりも内側に、第1の導電層5の凸部5bに沿った凹部7を有するボンディングパッド電極が形成される。以上のように、この実施の形態1では、半導体基板上に、複数の層間絶縁膜と、配線と、外部と電気的に接続するためのボンディングパッド電極とを備えた半導体装置において、外部と電気的に接続するための領域を有する第2の導電層が形成され、その第2の導電層の直下に、配線の領域を有する第1の導電層が形成されている。さらに、第1の導電層は、第2の導電層の直下において導電層が積層された構造になっており、第1の導電層の表面には凹凸が形成されている。このような構成によって、ボンディングパッド電極上に、より深い凹部を形成することができるので、金ワイヤよりも硬い、例えばCuワイヤや合金ワイヤ等の金属ワイヤを使用してワイヤボンディングした場合にスプラッシュが発生しても、隣接するボンディングパッド電極同士の接続を防止することができる。続いて、ボンディングパッド電極の配列方向について説明する。図3は本発明の実施の形態1におけるボンディングパッドの配列方向を示す図である。図3aに示すように、ボンディングパッド電極の配列は、第2の導電層の直線状の凹部7の長手方向が、ワイヤボンディング時に加える超音波の振幅方向に対して垂直方向になるように設定するのが好ましい。このようにすれば、スプラッシュが広がる方向に対して凹部7が形成されるので、隣り合うボンディングパッド電極同士の接続をより確実に防止することができる。また、図3bに示すように、ボンディングパッド電極の形状が長方形の場合、超音波の振幅方向とボンディングパッドの長辺方向が等しいならば、凹部7の長手方向を超音波の振幅方向に対して垂直方向に設定しなくてもよい場合がある。実施の形態2図4は本発明の実施の形態2における半導体装置の構成の要部を概略的に示す断面図である。但し、前述した実施の形態1で説明した要素に対応する要素には同一の符号を付して、説明を省略する。図4においても、第2の導電層6の、パッシベーション膜4から露出する表面が、ボンディングパッド電極である。以下、この実施の形態2における半導体装置について詳しく説明する。図4に示すように、この実施の形態2では、第1の導電層5に凹部10が設けられている。このように第1の導電層に凹部10を設けることにより、その凹部10の直上にボンディングパッド第2の導電層6の凹部7を形成することができる。すなわち、凹部10を設けた第1の導電層5上に、第2の導電層6を例えば無電解めっき法などで形成することにより、第2の導電層6に、第2の導電層6を加工することなく凹部7を形成することができる。この第1の導電層の凹部10は、好ましくは、断面視したとき、第2の絶縁膜3の開口から露出する第1の導電層5の領域内に2箇所以上現れるように形成する。図4aには、断面視したとき凹部10が2箇所に現れる構造を示している。さらに好ましくは、第1の導電層の凹部10のうちの最外郭に位置する凹部の間に、ボンディングパッド第2の導電層6に接続されるボンディングワイヤのボール状の端部外部接続用電極の幅以上の間隔を設ける。また、第1の導電層の凹部10の深さは、第1の導電層5の膜厚以下にする。図4aには、第1の導電層5の膜厚よりも浅い凹部10を、図4bには、第1の導電層5の膜厚と同等程度または同等の深さの凹部10を示している。このようにすれば、第2の導電層の凹部7の深さが、前述の実施の形態1で説明した構造と比較して、より深くなるので、スプラッシュの影響を回避する能力がより向上する。続いて、図4aを用いて具体例を説明する。図4aに示す構造の場合、例えば、第1の導電層5の膜厚を1.0μmとし、第1の導電層の凹部10の深さを0.5μm程度とすると、第1の導電層5の表面と第1の導電層の凹部10の底面との高低差は、0.5μm程度となる。すると、第2の導電層の凹部7の底面とボンディングパッドの外周部パッシベーション膜4から露出する第2の導電層6の外周部の表面との高低差は、第1の導電層5の表面と第1の導電層の凹部10の底面との高低差よりも、第2の絶縁膜3の膜厚分だけ大きくなる。例えば、第2の絶縁膜3の膜厚を1.0μmとした場合には、第2の導電層の凹部7の底面とボンディングパッドの外周部との高低差は、1.5μmとなる。したがって、前述の実施の形態1で説明した構造よりも高い効果を実現できる。次に、図4bを用いて具体例を説明する。図4bに示す構造の場合、例えば、第1の導電層5の膜厚を1.0μm、第1の導電層の凹部10の深さを1.0μm程度、第2の絶縁膜3の膜厚を1.0μmとした場合には、第2の導電層の凹部7の底面とボンディングパッドの外周部との高低差は、2.0μmとなる。このように、図4bに示す構造とすることにより、第2の導電層の凹部7を最も深くすることができる。そのため、押し出される金属スプラッシュの量がより多い場合でも、第2の導電層ボンディングパッドに形成されている凹部7でスプラッシュを受け止めることができ、隣接するボンディングパッド電極同士の接続による不良を防止することができる。続いて、この実施の形態2における半導体装置の製造方法について説明する。この実施の形態2における半導体装置の製造工程のうち、第2の絶縁膜3に第1の導電層5aを露出する開口を形成するまでの工程は、前述の実施の形態1で説明した工程と同様であるので、説明を割愛する。この実施の形態2では、第2の絶縁膜3に第2の導電層6用の開口を形成した後、その開口を通じて第1の導電層5に、深さが第1の導電層5の厚み以下の凹部10をエッチングなどの方法により形成する。これにより、第2の絶縁膜3から露出する凹凸形状の第1の導電層5が形成される。その後、前述の実施の形態1と同様に、第2の導電層6を形成するための金属膜を、第2の絶縁膜3の開口から露出する第1の導電層5及び第2の絶縁膜3の開口の外周上に、例えば無電解めっき法などで被着させ、第1の導電層5の凹部10に沿った凹部7を有する第2の導電層6を形成する。以降の製造工程は、前述の実施の形態1で説明した工程と同様であるので、説明を割愛する。このように、この実施の形態2によれば、第1の導電層5をエッチングするだけで、凹部7を有する第2の導電層6を形成できるので、実施の形態1で説明した構造よりも少ない工程数を実現できる。すわち、実施の形態1で説明した構造では、第1の導電層の本体5a上に金属膜を被着させて積層する工程に加えて、その積層された金属膜を平坦化する工程も必要となり、この実施の形態2の構造よりも工程数が多くなる。続いて、第2の導電層ボンディングパッドの凹部7を断面視したときの側面形状について説明する。第2の導電層の凹部7の側面は、図4に示すように、凹部7の深さ方向に垂直に立ち上がってもよいし、例えば図5aに示すように階段状でもよいし、図5bに示すように、凹部7の深さ方向へ狭まるように傾斜させてもよい。図5aに示す階段形状は、例えば、第1の導電層5に対してエッチングを2回行うことで実現できる。階段の段数は図5aに示すように2段に限るものではなく、エッチングを3回以上行うことで3段以上にすることもできる。また、図5bに示すような傾斜面もエッチングによって実現できる。なお、前述の実施の形態1のように第1の導電層に凸部5bを設ける場合も同様に、第2の導電層の凹部7の一側面内側の側面を、階段状にしてもよいし、凹部7の深さ方向へ狭まるように傾斜させてもよい。階段形状は、例えば、凸部5bの側面形状が階段状となるように、導電層5a上に、互いに面積が異なる複数の導電層を積層させることで実現することができる。傾斜面は、例えば、エッチングによって凸部5bの側面を傾斜面にすることで実現できる。続いて、第2の導電層ボンディングパッドの凹部7を平面視したときの形状について説明する。第1の導電層の凹部10は、エッチングなどの方法により形成することができるので、第1の導電層の凹部10を平面視したときの形状を、容易に、直線状にしたり環状にすることができる。したがって、第2の導電層の凹部7を平面視したときの形状を、容易に、直線状にしたり、環状にすることができる。ここで環状には、多角形の辺に沿う形状や、円形楕円形も含むに沿う形状が含まれる。なお、第1の導電層の凹部10に囲まれる領域の形状は、正方形や、長方形、五角形、真円、楕円形など、第1の導電層にエッチングなどの方法により形成できる形状であればどのような形状でも構わない。第1の導電層の凹部10に囲まれる領域の形状を長方形や楕円形などの長手方向を持つ形状にする場合には、その長手方向がワイヤボンディング時に加えられる超音波の振幅方向に沿うようにボンディングパッド電極を配列するのが好適である。また、第1の導電層5に2重以上の環状の凹部を設けてもよい。また、第1の導電層5に、環状の凹部と直線状の凹部とを組み合わせて設けてもよい。図6に、第2の導電層ボンディングパッドの凹部7を平面視したときの形状を例示する。図6aには、第2の導電層の凹部7を平面視したときの形状を直線状にした場合を示している。この場合、好ましくは、凹部7を少なくとも2本以上形成する。さらに好ましくは、第2の導電層の凹部7のうちの最外郭に位置する2つの凹部の間に、ボンディングパッド第2の導電層6に接続されるボンディングワイヤのボール状の端部外部接続用電極の幅以上の間隔を設ける。図6bには、第2の導電層の凹部7を平面視したときの形状を、ボンディングパッド電極の中央領域を囲むように、四角形の辺に沿う形状にした場合を示している。この場合、好ましくは、第2の導電層の凹部7により囲まれる領域が、ボンディングワイヤのボール状の端部外部接続用電極の投影面積以上の面積となるようにする。このような形状にすることで、どの方向にスプラッシュが発生しても、隣接するボンディングパッド同士の接続を防止することができる。第2の導電層の凹部7を平面視したときの形状を環状にする場合は、例えば図6cや図6dに示すように、六角形や真円の辺に沿う形状など、エッチングなどを使用して形成することができる形状であれば、どのような形状にしても構わない。但し、第2の導電層の凹部7を円形楕円形を含むの辺に沿う形状にする場合、円形の辺に沿って開口するマスクの変わりに、円形に類似する多角形の辺に沿って開口するマスクを用いてもよい。また、前述の実施の形態1のように第1の導電層に凸部5bを設ける場合も同様に、第2の導電層の凹部7を平面視したときの形状を、多角形の辺に沿う形状としたり、円環状楕円状を含むにしてもよい。これは、第1の導電層の凸部5bを平面視したときの形状が多角形状や円形状楕円形状を含むとなるように、第1の導電層の凸部5をエッチングにより削ることで実現できる。但し、第1の導電層の凸部5bを平面視したときの形状を円形状にする場合、円形楕円形を含むの辺に沿って開口するマスクの変わりに、円形に類似する多角形の辺に沿って開口するマスクを用いてもよい。この実施の形態2におけるボンディングパッドの配列方向は、前述した実施の形態1と同様であるので、ここでは説明を省略する。なお、以上の実施の形態1および2では、外部との接続用の電極外部接続用電極がボンディングワイヤである場合について説明したが、本発明は、例えば、外部との接続用の電極が金属バンプや半田ボール等の場合にも応用可能である。すなわち、本発明が主として想定している課題は、隣接するボンディングパッド同士が、ワイヤボンディング時に発生するスプラッシュにより接続することを防止することであるが、外部との接続用の電極として金属バンプや半田ボール等を用いる場合であっても、第2の導電層に凹部が形成されていることにより、熱接着時に金属バンプや半田ボール等が溶け出して、第2の導電層から外へはみ出すことを防ぐという効果を発揮する。