絶縁基板と、その絶縁基板の上に設けられた導体と、この導体の上に設置された半導体チップと、これら絶縁体、導体、ならびに半導体チップを封止するシリコーンゲルを備えるパワーモジュールにおいて、絶縁基板表面を、減圧状態中でプラズマ処理し、このプラズマ処理した雰囲気内で、大気に曝すことなくシリコーンゲルを注型した後、ガスによりパージし、このパージしたガス雰囲気下でシリコーンゲルを加熱硬化処理すること、を特徴とするパワーモジュールの製造方法。パージするガスが、窒素およびもしくは二酸化炭素およびもしくは六フッ化硫黄であること、を特徴とする請求項1に記載のパワーモジュールの製造方法。プラズマ処理、シリコーンゲルの注型、ガスパージ、加熱硬化処理を、insituで行なうこと、を特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワーモジュールの製造方法。図7に、図6に示したパワーモジュールの一部拡大図を示す。図7は図6の右端部分の拡大であり、絶縁基板25が、金属導体21と金属導体22に挟まれた端部を示している。この、絶縁基板25と、シリコーンゲル2と、金属導体21もしくは金属導体22によって形成される3重点26は、電界が最も厳しくなる点である。この界面に欠陥が発生することによって、部分放電および沿面破壊へと進展することになる。したがって、ここに発生する欠陥を発生前に未然に防ぐことが、絶縁特性を改善する上で重要な課題となる。この課題を解決するためには、シリコーンゲル2と絶縁基板25との界面に、微小な欠陥が発生しないようにすることと、それに加えて製造上制御不能な微小欠陥であっても、その欠陥内の雰囲気を絶縁性の高い気体で充填することが肝要である。そこで、本発明によれば、絶縁基板と、その絶縁基板の上に設けられた導体と、この導体の上に設置された半導体チップと、これら絶縁体、導体、ならびに半導体チップを封止するシリコーンゲルを備えるパワーモジュールにおいて、絶縁基板表面を、減圧状態中でプラズマ処理し、このプラズマ処理した雰囲気内で、大気に曝すことなくシリコーンゲルを注型した後、ガスによりパージし、このパージしたガス雰囲気下でシリコーンゲルを加熱硬化処理することとする。本発明の方法では、一連の手順を、insituで行なうことが肝要である。ここで、パージするガスが、窒素およびもしくは二酸化炭素およびもしくは六フッ化硫黄であることが好ましい。これらのガスは、ガス単体でも、他の気体と比べて高い絶縁性を有する上、不活性な性質を有するため、パージガスとして適している。本発明によれば、従来の製造方法で問題となっていた、パワーモジュールの絶縁基板とシリコーンゲルとの界面の欠陥を抑制でき、その結果、部分放電や沿面での絶縁破壊電圧などの、絶縁耐量を大きく向上させることができる。図1に本発明で用いる装置の模式図を示す。図1において、1は、その中で一連の処理を行なう真空チャンバーであり、2は、パワーモジュール12の中に注型されるシリコーンゲルを示す。3は、このシリコーンゲルを注型するための注型用ハンドリング部である。4は、シリコーンゲルを加熱硬化させるための加熱用のヒータであり、5はこのヒータの電源である。6は、真空チャンバー1の内部の真空度を所定のレベルに調節するための真空バルブコンダクタンスバルブであり、7は、真空ポンプである。8は、ガスボンベ9からプラズマ処理の際に、ならびにパージ処理の際にガスを導入するためのバルブであり、10は、真空チャンバー1の中にプラズマを立てるためのプラズマ用電源であり、11は、このプラズマ用電源をオンオフするための電源投入スイッチである。13は放電用のノズルであり、14はプラズマである。これに対して、従来の装置を参考のために図5に図示する。この図5においては、プラズマを立てるためのプラズマ用電源も、真空チャンバー1内をパージするためのガスも存在しない。存在するのは、真空注型を行なうためのシリコーンゲル2ならびにその加熱装置4と、真空チャンバー1のみである。以上の図1に示した装置を用いて、本発明が実施される。[実施例]本発明においては、課題を解決するための手段の項に記載した一連の処理を施すことによって、図6に示した絶縁基板25の表面側においても、微小なパーティクルや表面のガス吸着層を除去できる上、極性基も導入されるため、絶縁基板25とシリコーンゲル2との密着性が向上する。プラズマ処理は、処理時間としては、数十秒から10分程度で十分である。プラズマ処理による絶縁特性の向上は、処理時間と投入する電力とに依存するため、その真空装置における最適ポイントを事前に評価した上で処理時間とその時の投入電力とを定め、評価を行なうことが望ましい。真空条件の例としては、事前に0.1Pa以下を目安に、ロータリーポンプ真空ポンプ7で真空引きした後、ボンベ9から上記した窒素およびもしくは二酸化炭素およびもしくは六フッ化硫黄をバルブ8を通して封入し、10Paないし数万Paの雰囲気下でプラズマ処理を行なう。ガスとしては、上記した窒素およびもしくは二酸化炭素およびもしくは六フッ化硫黄には限られず、空気など、常温で安定で、プラズマ化すると活性になるガスであれば良い。なお、後に述べる、パージ用の窒素およびもしくは二酸化炭素およびもしくは六フッ化硫黄と同じガスを用いれば、ガスボンベを交換する手間を省略することができる。次に、実際の処理工程について図2~図4を用いて説明する。図2において、ガスボンベ9からバルブ8を介してガスが真空チャンバー1内に導入され、プラズマ用電源10の電源投入スイッチがオンであるので、真空チャンバー1内には、プラズマが立つ。一方真空チャンバー1内は、真空バルブ6を介して真空度が調整されるように真空ポンプ7により吸引されている。この時は、ヒーター用電源5はオフになっている。このプラズマ処理後に、真空チャンバー1を大気に開放することなく、シリコーンゲル2を注型用ハンドリング部3により真空注型を行なう。これにより、無垢な、図6に示した絶縁基板25の表面にシリコーンゲル2を直接形成でき、界面での欠陥やボイドの発生が抑制できる。さらに、真空注型後は、直接大気に開放することなく、窒素およびまたは二酸化炭素およびまたは六フッ化硫黄ガスでパージする。そして、このガス雰囲気下で加熱硬化される。加熱硬化の温度時間は、シリコーンゲル2の種類にも依存するが、本実施例では、100°C1時間とした。真空注型の際の装置の様子を図3に示す。ここではプラズマ電源投入スイッチ11はオフとされ、ヒータ用電源5はオンになっている。パワーモジュール12内には、シリコーンゲル2が真空注型されている。図3において、シリコーンゲル2を注型する際には、必要に応じて、パワーモジュール12を移動させるか、プラズマ装置を移動させて注型を行なう。シリコーンゲル2の加熱硬化の際の装置の様子を図4に示す。ここでもプラズマ電源投入スイッチ11はオフであり、ヒータ用電源はオンである。ガスボンベ9からは真空チャンバー1内に、パージガスが導入されている。以上の方法により、微小に発生したボイド内の雰囲気も、放電しにくいガスにより置換されるため、これによって絶縁性能を向上させることができる。肝要なことは、一連の処理、すなわち、プラズマ処理、真空注型、ガスパージ、当該雰囲気での加熱硬化処理を、insituで実施していることである。図2、図3、図4に示したように、一連の処理において、真空チャンバー1が大気に開放されることは無い。一例として、プラズマ処理を行なったあと、ならびにパージ処理を行なった後の絶縁破壊耐量の変化を表1に示す。本実施例によれば、プラズマ処理を施す処理Aことにより、最大で1.35倍ほど絶縁破壊耐量が向上した。さらに、ガスパージによる効果処理Bで、さらに1.5倍ほど、絶縁破壊耐量沿面からの絶縁破壊電圧が向上した。微小ボイドの大きさにも依存するが、大気圧で数十μmのボイドであると想定すると、パッシェン曲線のミニマム付近から右側の領域であり、パッシェン曲線に基づく概算から、ガスのリークや置換がなければ、最大で2~3倍程度の破壊電圧の向上が期待できる。一例として、pd=1.0×10-4Pammでの放電開始電圧火花電圧におけるガス依存性を表2に示す。表2からすると、空気と窒素では、放電開始電圧は700Vと同程度であるが、二酸化炭素では2倍の1.4kV、六フッ化硫黄では3倍の2kVとなっている。ここで、窒素については、放電開始電圧火花電圧が空気と大きな差異はないものの、部分放電劣化による破壊への進展が遅いことが特長の一つである。つまり、空気に比べると、不活性ガスである窒素が封入されているボイドは5倍からそれ以上の寿命を示す。したがって、放電発生後の劣化を抑制する意味では、窒素を適用することが有効となる。