"レーザ光を発する半導体レーザ光源と、該半導体レーザ光源により励起され、光を発するレーザ媒質と、該レーザ媒質が発する前記光を閉じ込め、共振器を構成する2つの反射要素と、前記レーザ媒質を保持する保持具と、を備え、前記共振器内に配設されたセラミック材料で形成された前記レーザ媒質には、前記レーザ媒質が発する前記光の偏光方向が制御されるように応力が発生されることを特徴とするレーザ光源。前記保持具は、前記応力を発生させる応力発生構造を備え、該応力発生構造は、前記レーザ媒質が発する前記光の光路に沿う領域に引張応力を生じさせることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。前記レーザ媒質は、前記応力を発生させるための応力発生構造を備え、該応力発生構造は、前記レーザ媒質が発する前記光の光路に沿う領域に引張応力を生じさせることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。前記レーザ媒質が発する前記光の光路に対して、前記レーザ媒質内の前記レーザ光の光路が傾斜することにより、前記レーザ媒質が発する前記光の光路に沿う領域に熱歪みを生じさせることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。前記応力発生構造は、前記レーザ媒質に形成された溝部を含み、前記レーザ媒質が発する前記光の光路に沿って延びる前記溝部が収縮されることにより、前記引張応力が生ずることを特徴とする請求項3に記載のレーザ光源。前記応力発生構造は、前記レーザ媒質とは異なる材質の充填材料を含み、前記溝部に充填された前記充填材料は、前記溝部を収縮させることを特徴とする請求項5に記載のレーザ光源。前記充填材料は、樹脂材料を含むことを特徴とする請求項6に記載のレーザ光源。前記充填材料は、セラミック材料を含むことを特徴とする請求項6に記載のレーザ光源。前記レーザ媒質は、前記レーザ媒質が発する前記光の光路が形成される第1領域と、該第1領域に隣接する第2領域及び第3領域と、を含み、前記保持具は、前記第2領域及び前記第3領域に圧縮力を加えることにより、前記第1領域に前記引張応力を生じさせることを特徴とする請求項2に記載のレーザ光源。前記半導体レーザ光源は、前記レーザ媒質が発する前記光の前記光路に対して前記レーザ光の前記光路が傾斜するように配設されることを特徴とする請求項4に記載のレーザ光源。前記レーザ媒質は、前記レーザ光が入射される入射端面を含み、該入射端面は、前記レーザ媒質が発する前記光の前記光路に垂直な面に対して傾斜することを特徴とする請求項4に記載のレーザ光源。レーザ光を発する半導体レーザ光源と、該半導体レーザ光源により励起され、光を発するレーザ媒質と、該レーザ媒質が発する前記光の波長を変換する波長変換素子と、前記レーザ媒質が発する前記光を閉じ込め、共振器を構成する2つの反射要素と、前記レーザ媒質を保持する保持具と、を備え、前記共振器内に配設されたセラミック材料で形成された前記レーザ媒質には、前記レーザ媒質が発する前記光の偏光方向が制御されるように応力が発生されることを特徴とする波長変換レーザ光源。レーザ光を発する半導体レーザ光源と、該半導体レーザ光源により励起され、光を発するレーザ媒質と、該レーザ媒質が発する前記光の波長を、変換する波長変換素子と、前記レーザ媒質が発する前記光を閉じ込め、共振器を構成する2つの反射要素と、を備え、前記レーザ媒質に光学的に接合された前記波長変換素子は、前記共振器内に配設され、前記共振器内に配設されたセラミック材料で形成された前記レーザ媒質には、前記レーザ媒質が発する前記光の偏光方向が制御されるように応力が発生されることを特徴とする波長変換レーザ光源。前記レーザ媒質及び前記波長変換素子と異なる材質の充填材料を更に備え、前記レーザ媒質及び前記波長変換素子には、前記レーザ媒質が発する前記光の光路に沿う溝部が形成され、前記溝部に充填された前記充填材料は、前記溝部を収縮させ、前記レーザ媒質が発する前記光の前記光路に沿う領域に引張応力を生じさせることを特徴とする請求項12又は13に記載の波長変換レーザ光源。前記レーザ媒質は、前記レーザ光が入射される入射端面と、該入射端面と反対側の出射端面と、を含み、前記レーザ媒質には、レーザ活性物質が添加され、前記レーザ活性物質の濃度は、前記入射端面から前記出射端面に向けて低下することを特徴とする請求項12乃至14のいずれか1項に記載の波長変換レーザ光源。光を発するレーザ光源と、該レーザ光源に電流を供給するレーザ駆動回路と、前記光を変調し、画像を形成する変調素子と、該変調素子から出射された光を反射する反射ミラーと、前記変調素子を駆動するコントローラと、を備え、前記レーザ光源は、請求項12乃至15のいずれか1項に記載の波長変換レーザ光源を含むことを特徴とする画像表示装置。以下に、レーザ光源、波長変換レーザ光源及び画像表示装置の様々な実施形態が添付の図面を用いて説明される。図中、同様の要素に対して、同様の符号が割り当てられる。同様の要素に関する説明は、冗長となるので、省略される。上述の図28及び図29を用いて、セラミックレーザ媒質を用いた従来のレーザ光源が説明される。図28に示されるレーザ光源900は、一般的に、端面励起型と称される。レーザ光源900は、セラミックレーザ媒質レーザ媒質910を備える。励起光PLは、レーザ媒質910の端面から入力される。レーザ光源900は、励起光PLを発する励起光源920と、励起光源920からの励起光PLを平行光にするコリメートレンズ930と、コリメートレンズ930からの励起光PLをレーザ媒質910へ集光する集光レンズ940と、を更に備える。レーザ光源900は、励起光PLが入射されるレーザ媒質910の入射端面に形成された1060nm帯の高反射光学膜960と、入射端面と反対側の出射端面に形成された1060nm帯の高透過光学膜970と、レーザ媒質910の出射端面側に配設された出力ミラー980と、レーザ媒質910を保持する保持具990を更に備える。かくして、高反射光学膜960と出力ミラー980との間でレーザ共振を発生させるための共振器が形成される。共振器内でのレーザ共振の結果、1060nm帯の発振光LSがレーザ光源900から出力される。図29は、端面励起型のレーザ光源905を示す。レーザ光源905は、円板形のレーザ媒質915を備える。図29に示されるレーザ光源905は、一般的に、ディスクレーザと称される。図28に関連して説明されたレーザ光源900と同様に、励起光PLは、セラミックレーザ媒質レーザ媒質915の端面から入力される。レーザ光源905は、図28に関連して説明されたレーザ光源900と同様に、励起光源920と、コリメートレンズ930と、集光レンズ940と、を備える。集光レンズ940は、励起光源920から発せられた励起光PLをレーザ媒質915に集光する。この結果、レーザ媒質915は、発振光LSを発する。尚、図28に関連して説明されたレーザ光源900と異なり、発振光LSは、励起光PLが入射された面と同一の面から出力される。レーザ光源905は、レーザ媒質915の両端面に形成された1060帯の高反射光学膜965,975を更に備える。高反射光学膜965,975は、レーザ共振器を形成する。レーザ共振器内で発振した1060帯の発振光LSは、励起光PLが入力されたレーザ媒質915の端面から出力される。レーザ光源905は、発振光LSを分離するビームスプリッタ985を更に備える。発振光LSは、ビームスプリッタ985を介して出力される。レーザ光源905ディスクレーザのレーザ媒質915は、平板化されている。レーザ光源905は、レーザ媒質915を保持するための保持具995を備える。保持具995は、平板化されたレーザ媒質915が貼り付けられる保持プレート996を含む。図29に関連して説明されたレーザ光源905によれば、平板化されたレーザ媒質915が保持プレート996に貼り付けられるので、レーザ媒質915からの熱が効率的に取り除かれる。本発明者は、上述のセラミックレーザ媒質レーザ媒質910,915を用いられレーザ光源900,905は、レーザ発振した光がランダム偏光となるので、波長変換といった用途に適用させにくいということを見出した。従来において、レーザ媒質のうちYAGイットリウムアルミニウムガーネット結晶はランダム偏光でしか発振しないことは知られている。したがって、単一偏光化を達成するために、典型的には、レーザ共振器内に偏光制御素子が挿入される。本発明者は、レーザ共振器内への偏光制御素子の挿入は、従来からの課題であるレーザ装置の大型化に加えて、共振器内部の損失の増大をもたらすことを見出した。また、本発明者は、共振器内部の損失の増大は、投入される励起光からレーザ光への変換効率の低下を招来することを見出した。本発明者は、上述のセラミックレーザ媒質を用いたレーザ光源に係る課題に対して、レーザ媒質の内部に局所的な応力を発生させ、偏光比を向上させることができることを新たに見出した。後述される第1実施形態乃至第4実施形態は、上述の知見に基づき、案出された。<第1実施形態>図1は、第1実施形態に従うレーザ光源の構成を概略的に示す模式図である。図1を用いて、第1実施形態に従うレーザ光源が説明される。レーザ光源100は、セラミックレーザ媒質レーザ媒質110と、レーザ媒質110を保持する保持具190と、を備える。本実施形態のレーザ光源100は、レーザ媒質110及び保持具190に特徴付けられる。以下に説明される保持具190の構造は、レーザ媒質110が発する光の偏光方向を制御し、単一偏光化することに貢献する。図28に関連して説明されたレーザ光源900と同様に、本実施形態のレーザ光を発するレーザ光源100は、励起光PLを発する励起光源120と、励起光源120からの励起光PLを平行光にするコリメートレンズ130と、コリメートレンズ130からの励起光PLをレーザ媒質110へ集光する集光レンズ140と、を更に備える。レーザ媒質110は、励起光源120からの励起光PLにより励起され、発振光LSを発する。本実施形態において、励起光源120は、半導体レーザ光源として例示される。図28に関連して説明されたレーザ光源900と同様に、本実施形態のレーザ光源100は、励起光PLが入射されるレーザ媒質110の入射端面に形成された1060nm帯の高反射光学膜160と、入射端面と反対側の出射端面に形成された1060nm帯の高透過光学膜170と、レーザ媒質110の出射端面側に配設された出力ミラー180と、を更に備える。かくして、高反射光学膜160と出力ミラー180との間でレーザ共振を発生させるための共振器が形成される。共振器内でのレーザ共振の結果、1060nm帯の発振光LSがレーザ光源100から出力される。本実施形態において、高反射光学膜160及び出力ミラー180は、反射要素として例示される。保持具の構造:第1の構造レーザ媒質110を保持する保持具190は、例えば、C型の断面を有する本体部191と、本体部191の上面に形成された開口部を閉塞する蓋部192と、を備える。セラミック材料で形成されたレーザ媒質110は、本体部191と蓋部192とにより形成される空間高反射光学膜160と出力ミラー180との間に形成された共振器の内部空間内で保持される。レーザ媒質110は、本体部191内に装着される。その後、蓋部192が本体部191に取り付けられる。このとき、図1に示される如く、本体部191と蓋部192との間に、100~500μmの隙間空隙が形成される。蓋部192は、ネジといった適切な固定具を用いて、本体部191に固定される。このとき、本体部191と蓋部192との間に形成された空隙に起因して、蓋部192は、レーザ媒質110に不均一な応力を生じさせる。当該不均一な応力の発生は、後述されるレーザ光の偏光方向の単一偏光化に貢献する。図2は、保持具190及び保持具190に保持されたレーザ媒質110の概略的な斜視図である。図3及び図4は、図2に示される矢印の方向から見た保持具190及び保持具190に保持されたレーザ媒質110を概略的に示す。図3に示されるレーザ媒質110には、応力は発生していない。図4に示されるレーザ媒質110には応力が発生している。図2乃至図4を用いて、レーザ媒質110中で発生する応力が説明される。図3に示される如く、蓋部192は、本体部191内のレーザ媒質110によって、本体部191から浮き上がっている。例えば、蓋部192と本体部191とを連結するためのネジの締め付けトルクが50cNmに設定されるならば、蓋部192と本体部191との間の空隙は、300μmに設計される。尚、本体部191への蓋部192のネジ止めは、レーザ媒質110の左右領域で行われる。蓋部192が本体部191にネジ止めされると、蓋部192は湾曲し、蓋部192と本体部191との間の空隙は低減する。図4に示される蓋部192と本体部191との間の空隙は、例えば、100μmとなる。この結果、蓋部192に応力SLが生ずる。図4に示される如く、蓋部192は上方に湾曲するので、蓋部192の左右の領域に生ずる応力SLは、レーザ媒質110の上面のうち稜に近い左右領域に垂直方向の圧縮応力CSを生じさせる一方で、当該左右領域の間の中央領域には、圧縮応力CSを生じさせない。この結果、レーザ媒質110の中央領域には、垂直方向の引張応力TSが生ずる。本実施形態において、レーザ媒質110の中央領域は、第1領域として例示される。中央領域の左右の領域は、第2領域及び第3領域として例示される。図2乃至図4に示される保持具190は、蓋部192を用いて、レーザ媒質110に応力を付与することができる。この結果、レーザビームが通過するレーザ媒質110の中央領域に引張応力TSが発生する。図5及び図6は、単一偏光化に関する実験結果を示すグラフである。図5は、レーザ媒質110に応力が生じていないときの実験結果を示す。図6は、上述の本実施形態の原理に従ってレーザ媒質110に応力が生じているときの実験結果を示す。図1乃至図6及び図28を用いて、単一偏光化に関する実験結果が説明される。単一偏光化の実験には、レーザ活性イオンであるNdネオジムが2添加されたYAGイットリウムアルミニウムガーネットセラミックがセラミックレーザ媒質レーザ媒質110として用いられた。励起光源120として、発振波長807nmの半導体レーザ光源が用いられた。図1に示されるように、出力ミラー180は、レーザ媒質110に対向する曲面181を備える。曲面181の曲率半径は、発振した1060nm帯のレーザビーム径が約100μmとなるように設定された。集光レンズ140は、励起光PLと発振した1060nm帯の光との重なり積分が大きくなるように配設された。図5に示される実験結果は、レーザ媒質110に応力が生じていないときに得られたグラフであり、従来のレーザ光源図28に関連して説明されたレーザ光源900に相当する。図6に示される実験結果は、図2乃至図4に関連して説明された原理に従って応力が付加されたレーザ媒質110を用いて得られた。図5に示されるように、レーザ媒質110に応力が生じていないとき、レーザ光源100から発せられる光の縦偏光及び横偏光は略等しい出力であった。このことは、レーザ媒質110に応力が生じていないとき、レーザ光源100から発せられる光は、ランダム偏光であることを意味する。一方、図2乃至図4に関連して説明された原理に従って、レーザ媒質110に応力を生じさせると、10:1の偏光比が得られた。この偏光比は、レーザ光源100の温度変化や出力変化に依存せず、略一定であることを本発明者は確認した。上述の如く、保持具190は、レーザ媒質110セラミックレーザ媒質に応力を生じさせることができるように形成され、レーザ媒質110が発する光の光路に沿う領域レーザ媒質110の長手方向に延びるレーザ媒質110の中央領域に引張応力TSを生じさせる。レーザ媒質110が発する光の光路に沿う領域に生じた引張応力TSは、光の偏光方向を適切に制御し、レーザ光源100の偏光方向が単一偏光化される。本実施形態において説明された保持具190の構造は、応力発生構造として例示される。保持具の構造:第2の構造図7乃至図9は、レーザ媒質110を保持する他の保持具の構造を概略的に示す。図7は、保持具及び保持具に保持されたレーザ媒質110の概略的な斜視図である。図8及び図9は、図7に示される矢印の方向から見た保持具及び保持具に保持されたレーザ媒質110を概略的に示す。図8に示されるレーザ媒質110には、応力は発生していない。図9に示されるレーザ媒質110には応力が発生している。図1、図7乃至図9を用いて、レーザ媒質110中で発生する応力が説明される。第1の構造の保持具190に代えて、レーザ光源100は、第2の構造の保持具190Aを用いて、レーザ媒質110を保持してもよい。図7乃至図9に示される保持具190Aも、第1の構造の保持具190と同様に、レーザ媒質110に適切に応力を生じさせることができる。図7に示される如く、保持具190Aは、例えば、C型の断面を有する本体部191Aと、本体部191Aの上面に形成された開口部を閉塞する蓋部192Aと、を備える。セラミック材料で形成されたレーザ媒質110は、本体部191Aと蓋部192Aとにより形成される空間高反射光学膜160と出力ミラー180との間に形成された共振器の内部空間内で保持される。図8に示される如く、蓋部192Aの下面には、レーザビームが通過する領域に沿って延びる突条193が形成される。また、本体部191Aには、蓋部192Aに形成された突条193に対向する突条194が形成される。突条193,194は、保持具190A内に収容されたレーザ媒質110を挟む。蓋部192Aの下面に形成された突条193及び本体部191Aから若干はみ出したレーザ媒質110によって、蓋部192Aと本体部191Aとの間には空隙が形成される。本体部191Aへの蓋部192Aのネジ止めは、レーザ媒質110の左右領域で行われる。蓋部192Aが本体部191Aに固定されると、蓋部192の左右の領域に応力SLが生ずる。応力SLに起因して、突条193,194は、レーザ媒質110を集中的に押圧し、レーザ媒質110内に圧縮応力CSを生じさせる。突条193からの下向きの圧縮応力CS及び突条194からの上向きの圧縮応力CSがレーザ媒質110の断面の中心でぶつかる結果、レーザ媒質110の断面の中心を横切る水平面HP上において、レーザ媒質110には、水平方向の引張応力TSが生ずる。レーザ媒質110として、セラミックYAGが用いられるならば、偏光方向は横方向に単一偏光化される。保持具190Aの構造によれば、突条193,194は、レーザ媒質110に効果的に応力を生じさせることができる。したがって、保持具190と同様に、蓋部192Aが本体部191Aに対して、50cNmの締め付けトルクでネジ止めされるならば、例えば、50:1の偏光比が得られ、第1の構造の保持具190よりも大きな偏光比が達成される。<第2実施形態>第2実施形態に関連して、応力を発生させるための応力発生構造が形成されたセラミックレーザ媒質が説明される。セラミックレーザ媒質に設けられた応力発生構造は、単一偏光化に好適に貢献する。セラミックレーザ媒質の構造:第3の構造図10乃至図12は、応力発生構造が形成されたセラミックレーザ媒質を概略的に示す。図10は、セラミックレーザ媒質及びセラミックレーザ媒質を保持する保持具の概略的な斜視図である。図11は、図10に示される矢印の方向から見た保持具及び保持具に保持されたレーザ媒質を概略的に示す。図12は、図10に示される矢印の方向から見たレーザ媒質を概略的に示す。図1、図10乃至図12を用いて、セラミックレーザ媒質に設けられた応力発生構造が説明される。応力発生構造が形成されたセラミックレーザ媒質レーザ媒質110Cは、第1実施形態に関連して説明された保持具190第1の構造内に収容される。第1実施形態に関連して説明されたレーザ媒質110に代えて、レーザ光源100は、応力発生構造が形成されたレーザ媒質110Cを用いて、レーザ光を発生させてもよい。図11に示される如く、レーザ媒質110Cは、蓋部192と本体部191との間で直立する左側面111及び右側面112を含む。左側面111には、レーザビームが通過する領域に沿ってレーザ媒質110Cの長手方向に延びる溝部113が凹設される。また、右側面112には、レーザビームが通過する領域に沿ってレーザ媒質110Cの長手方向に延びる溝部114が凹設される。溝部113,114は、レーザ媒質110C内の歪み変形を促す。本実施形態において、溝部113は、溝部114に対向するように形成される。代替的に、レーザ媒質内の歪み変形が増大されるならば、レーザ媒質に形成される溝部は、他の位置に形成されてもよい。本実施形態において、レーザビームが通過する領域レーザ媒質110Cの中央の領域は、第1領域として例示される。溝部113,114が形成された領域は、第2領域及び第3領域として例示される。溝部113,114の間にレーザビームが通過する領域が設けられる。溝部113,114は、上述の如く、レーザ媒質110C内の歪み変形を促すので、レーザビームが通過する領域に効率的に引張応力TSを生じさせ、偏光比を高めることができる。本実施形態において、溝部113,114は、応力発生構造として例示される。図11は、保持具190に固定されたレーザ媒質110Cを示す。第1実施形態と同様に、レーザ媒質110Cとして、2のNdが添加されたYAGセラミックが用いられてもよい。また、励起光源120として、波長807nmの半導体レーザ光源が用いられてもよい。出力ミラー180の曲面181図1参照は、発振した1060nm帯のレーザビーム径が約100μmとなるように設定されてもよい。集光レンズ140は、好ましくは、励起光PLと発振した1060nm帯の光との重なり積分が大きくなるように配設される。レーザ媒質110Cは、例えば、1mm×1mmの端面及び3mmの長さ寸法を有する。溝部113,114は、例えば、ダイシングソーを用いて形成される。溝部113,114の深さ寸法は、例えば、約200μmである。第1実施形態と同様に、蓋部192が本体部191にネジ止めされると、蓋部192は湾曲し、蓋部192と本体部191との間の空隙は低減する。蓋部192は上方に湾曲するので、蓋部192は、溝部113,114が形成された左右領域に垂直方向の圧縮応力CSを生じさせる。圧縮応力CSは、溝部113,114に逃げる即ち、溝部113,114が垂直方向に収縮するようにレーザ媒質110Cは変形する。この結果、レーザビームが通過する領域には一層大きな引張応力TSが生じ、単一偏光化された光の偏光比が増大する。本発明者は、上述のレーザ媒質110C及び保持具190を用いて、偏光比を調査した。蓋部192に応力SLを生じさせる前における蓋部192と本体部191との間の空隙は、500μmであった。本発明者は、500μmの空隙が300μmになるまで、蓋部192を本体部191にネジ止めし、蓋部192に応力SLを生じさせた。尚、ネジの締め付けトルクは、50cNmであった。本実験において、本発明者は、150:1の偏光比を観察した。図12は、レーザ媒質110Cの断面中の応力を概略的に示す。図12に示される如く、レーザビームが通過する領域において、図12中において縦方向の引張応力TSが生じている。したがって、上述の実験において得られた偏光方向は縦偏光となった。セラミックレーザ媒質の構造:第4の構造図13乃至図15は、応力発生構造が形成されたセラミックレーザ媒質を概略的に示す。図13は、セラミックレーザ媒質及びセラミックレーザ媒質を保持する保持具の概略的な斜視図である。図14は、図13に示される矢印の方向から見た保持具及び保持具に保持されたレーザ媒質を概略的に示す。図15は、図13に示される矢印の方向から見たレーザ媒質を概略的に示す。図1、図13乃至図15を用いて、セラミックレーザ媒質に設けられた応力発生構造が説明される。応力発生構造が形成されたセラミックレーザ媒質レーザ媒質110Dは、第1実施形態に関連して説明された保持具190第1の構造内に収容される。第1実施形態に関連して説明されたレーザ媒質110に代えて、レーザ光源100は、応力発生構造が形成されたレーザ媒質110Dを用いて、レーザ光を発生させてもよい。図14に示される如く、レーザ媒質110Dは、左側面111と右側面112との間で延びる上面115及び下面116を含む。上面115には、レーザビームが通過する領域に沿ってレーザ媒質110Dの長手方向に延びる溝部117が凹設される。また、下面116には、レーザビームが通過する領域に沿ってレーザ媒質110Dの長手方向に延びる溝部118が凹設される。代替的に、溝部は、レーザ媒質の側面に形成されてもよい。溝部117,118は、レーザ媒質110D内の歪み変形を促す。本実施形態において、溝部117は、溝部118に対向するように形成される。代替的に、レーザ媒質110D内の歪み変形が増大されるならば、レーザ媒質に形成される溝部は、他の位置に形成されてもよい。応力発生構造は、溝部117,118に埋め込まれた樹脂119接着剤を含む。溝部117,118は、硬化するときに収縮する。溝部117,118内の樹脂119の収縮は、溝部117,118の水平方向の収縮変形を生じさせ、レーザ媒質110Dの断面に応力を生じさせる。本実施形態において、セラミック製のレーザ媒質110Dとは異なる材質の樹脂119は、充填材料として例示される。代替的に、レーザ媒質に形成された溝部を収縮することができる他の材料レーザ媒質とは異質の材料が充填材料として用いられてもよい。溝部117,118の間にレーザビームが通過する領域が設けられる。溝部117,118は、第3の構造に関連して説明されたレーザ媒質110Cの溝部113,114と同様に、レーザ媒質110D内の歪み変形を促すので、レーザビームが通過する領域に効率的に引張応力TSを生じさせ、偏光比を高めることができる。本実施形態において、溝部117,118は、応力発生構造として例示される。樹脂119がレーザ媒質110Dに応力を生じさせるので、保持具190はレーザ媒質110Dに応力を生じさせなくともよい。図1、図13乃至図15を用いて、レーザ媒質110Dに埋設された樹脂によってもたらされる作用及び効果が説明される。第1実施形態と同様に、レーザ媒質110Dとして、2のNdが添加されたYAGセラミックが用いられてもよい。また、励起光源120として、波長807nmの半導体レーザ光源が用いられてもよい。出力ミラー180の曲面181図1参照は、発振した1060nm帯のレーザビーム径が約100μmとなるように設定されてもよい。集光レンズ140は、好ましくは、励起光PLと発振した1060nm帯の光との重なり積分が大きくなるように配設される。レーザ媒質110Dは、例えば、1mm×1mmの端面及び3mmの長さ寸法を有する。溝部117,118は、例えば、ダイシングソーを用いて形成される。溝部117,118の深さ寸法は、例えば、約200μmである。第3の構造に関連して説明されたレーザ媒質110Cと異なり、溝部117,118に流し込まれた接着剤樹脂119の効果に伴う収縮硬化収縮により、レーザ媒質110Dの断面中のレーザビームが通過する領域に引張応力TSが生ずる。本実施形態において、接着剤として、エポキシ樹脂を基材として熱硬化型接着剤が好適に利用される。引張応力TSを生じさせるために、接着剤は、好ましくは、5以上の硬化収縮率を有する。レーザ媒質110Dの温度に起因する偏光比の変動を小さくするために、接着剤は、好ましくは、10ppm/°C以下の線膨張係数を有する。溝部117,118中で収縮する接着剤樹脂119が収縮力CFを、レーザビームが通過する領域の上側及び下側の領域に生じさせると、レーザビームが通過する領域には、高い引張応力TSが生じ、単一偏光化された光の偏光比が増大する。本発明者は、上述のレーザ媒質110D及び樹脂119を用いて、偏光比を調査し、100:1の偏光比を観察した。図15は、レーザ媒質110Dの断面中の応力を概略的に示す。図15に示される如く、レーザビームが通過する領域において、図15中において横方向の引張応力TSが生じている。したがって、上述の実験において得られた偏光方向は横偏光となった。本実施形態において、溝部117,118に充填される充填材料として、樹脂119が用いられている。代替的に、充填後に体積が低減する材料であるならば、樹脂以外の材料例えば、セラミック材料が充填材料として用いられてもよい。例えば、セラミックレーザ媒質に溝部が形成された後、セラミックレーザ媒質とは異なるセラミック材料から形成されたグリーンシート或いはペーストが溝部に充填され、その後、焼成されてもよい。このような手法によっても、上述の効果と同様の効果が達成される。図16は、第1実施形態に関連して説明された第1の構造並びに第2の構造及び第2実施形態に関連して説明された第3の構造及び第4の構造から得られる偏光比を示すグラフである。図4、図9、図12、図15及び図16を用いて、偏光比の比較が説明される。溝部113,114,117,118が形成されない第1の構造及び第2の構造と比べて、溝部113,114,117,118が形成された第3の構造及び第4の構造は、レーザビームが通過する領域により大きな引張応力を生じさせることができる。したがって、比較的高い偏光比を得るためには、第2実施形態に関連して説明された第3の構造及び/又は第4の構造が好ましい。<第3実施形態>第3実施形態に関連して、セラミックレーザ媒質を励起する励起光と光励起により発生した発振光とのオーバーラップを利用した単一偏光化が説明される。図17は、第3実施形態に従うレーザ光源の構成を概略的に示す模式図である。図17を用いて、第3実施形態に従うレーザ光源が説明される。第1実施形態及び/又は第2実施形態に関連して説明された要素と同様の要素には、同様の符号が付されている。これらの要素に対して、第1実施形態及び/又は第2実施形態に関連する説明が援用される。レーザ光源100Eは、第1実施形態に関連して説明されたレーザ光源100と同様に、レーザ媒質110、レーザ媒質110を保持する保持具190、レーザ媒質110の出射端面側に配設された出力ミラー180及びレーザ媒質110に励起光PLを集光する集光レンズ140を備える。集光レンズ140、レーザ媒質110及び出力ミラー180の光軸OXは、一線上に整列している。また、レーザ光源100Eは、励起光PLが入射されるレーザ媒質110の入射端面に形成された1060nm帯の高反射光学膜160と、入射端面と反対側の出射端面に形成された1060nm帯の高透過光学膜170と、を更に備える。かくして、高反射光学膜160と出力ミラー180との間でレーザ共振を発生させるための共振器が形成される。レーザ光源100Eは、励起光PLを発する励起光源120Eと、励起光源120Eからの励起光PLを平行光にするコリメートレンズ130Eと、を更に備える。励起光源120E及びコリメートレンズ130Eの光軸は、光軸OXに対してずらされている。励起光源120Eから発せられた励起光PLは、コリメートレンズ130E及び集光レンズ140を介して、レーザ媒質110に入射される。この結果、高反射光学膜160と出力ミラー180との間でレーザ共振が生じ、発振光LSが出力ミラー180を介して出力される。本実施形態において、上述の如く、光軸OXに対してずらされて配置された励起光源120E及びコリメートレンズ130Eにより、単一偏光化が達成される。光軸OXに対する励起光PLの入射角度の傾斜は、発振光LSの偏光方向と同一面内で設定される。図17中、発振光LSの偏光方向は、垂直方向であるので、光軸OXに対する励起光PLの入射角度の傾斜は、垂直方向に設定される。本実施形態において、光軸OXは、レーザ媒質が発する発振光LSの光路に沿う軸線である。また、励起光源120Eは、半導体レーザ光源として例示される。図18は、図28に関連して説明されたレーザ光源900の光学的設計を概略的に示す模式図である。図17及び図18を用いて、従来の光学的設計と本実施形態の光学的設計との比較がなされる。励起光PLを効率的に発振光LSへ変換するためには、レーザ媒質910内の励起光PL及び発振光LSが重なり合う領域ORの重なり積分が大きくなることが好ましい。したがって、典型的には、発振光LSのビームパスBP1に励起光PLのビームパスBP2が完全に一致するように光学的な設計がなされる。このような設計思想は、ランダム偏光で発振するレーザ媒質910によって発振光LSを得るときにも、同様に適用され、励起光PL及び発振光LSが重なり合う領域ORの重なり積分が最大となるような光学的設計がなされてきた。図17に示される如く、本実施形態において、レーザ媒質110内の励起光PL及び発振光LSが重なり合う領域ORは、光軸OXに対して傾斜している。この結果、レーザ媒質110内に熱歪みが発生する即ち、レーザ媒質110内に応力が生ずる。かくして、光軸OXに対して偏った屈折率分布が生じ、偏光比が増大する。本発明者は、以下に示される条件の下、偏光比の増大を確認した。本発明者は、発振光LSの偏光方向を含む面内で、励起光PLの入射角度を光軸OXに対して傾斜させた外部角において、2°の傾斜角度で。励起光PLが集光されるレーザ媒質110の入射端面近傍の領域211において、励起光PLと発振光LSとの重なり積分が最大となり、レーザ媒質110内での発振光LSのビーム径が最大となる出射端面の近傍の領域212において、励起される領域が光軸OXに対して偏りを生ずるように、励起光源120E及びコリメートレンズ130Eが配置された。出射端面の近傍の領域212において、励起光PLと発振光LSとの重なり積分は60程度であるが、励起光PLのビーム径は小さくなっているので、エネルギ密度は大きく、投入される光エネルギの90以上は、発振光LSが存在する範囲で吸収される。上述の光学的配置の結果、励起光PLが吸収されるときにレーザ媒質110が発生する熱によって、レーザ媒質110内での発振光LSが存在する領域内で、光軸OXに対して偏った屈折率分布が生じ、偏光制御が達成される。図19は、セラミックレーザ媒質を励起する励起光と光励起により発生した発振光とのオーバーラップを利用した単一偏光化を達成する他のレーザ光源を概略的に示す模式図である。図17に関連して説明されたレーザ光源100Eに用いられた要素と同様の要素には、同様の符号が付されている。これらの要素に対して、図17に関連して説明されたレーザ光源100Eに関連する説明が援用される。図19を用いて、セラミックレーザ媒質を励起する励起光と光励起により発生した発振光とのオーバーラップを利用した単一偏光化を達成する他のレーザ光源が説明される。レーザ光源100Fは、図17に関連して説明されたレーザ光源100Eと同様に、励起光源120E、コリメートレンズ130E、集光レンズ140及び出力ミラー180を備える。レーザ光源100Fは、発振光LSを発生させるレーザ媒質110F及びレーザ媒質110Fを保持する保持具190Fを備える。レーザ媒質110Fは、光軸OXに対して直交する面PSに対して傾斜した入射端面213及び出射端面214を含む。面PSに対する入射端面213及び出射端面214の傾斜角度は、例えば、10°に設定される。レーザ光源100Fは、入射端面213に形成された高反射光学膜160及び出射端面214に形成された高透過光学膜170を更に備える。励起光源120Eからの励起光PLは、傾斜した入射端面213で屈折し、レーザ媒質110F内に伝播する。この結果、レーザ媒質110内の励起光PL及び発振光LSが重なり合う領域ORは、光軸OXに対して傾斜し、レーザ媒質110F内で熱歪みを生じさせる。かくして、光軸OXに対して偏った屈折率分布が生じ、偏光比が増大する。本実施形態において、レーザ媒質110Fは、光軸OXに対して直交する面PSに対して傾斜した入射端面213及び出射端面214を含む。代替的に、面PSに対して、入射端面のみが傾斜していてもよい。図20は、本実施形態に従う原理がもたらす単一偏光化に対する効果を説明するグラフである。図20中に示される垂直入射との用語は、図28に示されるように、励起光PLがレーザ媒質910の入射端面に対して、垂直に入射する条件を意味する。図20中に示される入射角シフトとの用語は、図17に示されるように、光軸OXに対して、励起光PLが傾斜している条件を意味する。図20中に示される端面傾斜との用語は、図19に示されるように、レーザ媒質110Fの入射端面213が傾斜している条件を意味する。図20中のグラフの縦軸は、偏光比を表す。図17、図19、図20及び図28を用いて、本実施形態に従う原理がもたらす単一偏光化に対する効果が説明される。図20に示される入射角シフトに対応する偏光比は、光軸OXに対して5°の傾斜角度で励起光PLをレーザ媒質110に入射させたときに得られた。また、図20に示される端面傾斜に対応する偏光比は、光軸OXに対して垂直な面PSに対して10°傾斜した入射端面213に励起光PLを入射させたときに得られた。図20に示されるように、垂直入射の条件と比して、入射角シフト及び端面傾斜の条件下において、大きな偏光比が得られた。特に、端面傾斜の条件下では、レーザ媒質110Fの出射端面214での偏光方向の選択効果に加えて、レーザ媒質110F内での励起光PLと発振光LSとの重なり積分を増大させることが可能であり、より高い偏光比が達成された。図20に示される偏光比の増大効果は、入射角シフトの条件下において、光軸OXに対する励起光PLの傾斜角度が、5°±2.5°の範囲で好適に得られた。また、図20に示される偏光比の増大効果は、端面傾斜の条件下において、光軸OXに垂直な面PSに対する入射端面213の傾斜角度が10°±5°の範囲で好適に得られた。<第4実施形態>第4実施形態に関連して、セラミックレーザ媒質の内部に設けられた材料の密度分布を用いた単一偏光化が説明される。図21は、セラミックレーザ媒質を概略的に示す。図21のセクションaは、セラミックレーザ媒質の概略的な斜視図である。図21のセクションbは、セラミックレーザ媒質の概略的な断面図である。レーザ媒質110Gセラミックレーザ媒質は、レーザ活性物質を含有する第1セラミック要素215と、レーザ活性物質を含有しない第2セラミック要素216と、レーザ活性物質を含有しない第3セラミック要素217と、を備える。第1セラミック要素215は、第2セラミック要素216及び第3セラミック要素217に挟まれるサンドイッチ構造。図21のセクションbに示されるように、第1セラミック要素215は、例えば、長軸長さ約200μm、短軸長さ約80μmの楕円が連接された断面形状を有する。第1セラミック要素215、第2セラミック要素216及び第3セラミック要素217の間で材料の密度を変動させ、第2実施形態に関連して説明された効果と同様の偏光比の増大効果が達成される。第1セラミック要素215、第2セラミック要素216及び第3セラミック要素217の間での材料密度は、第1セラミック要素215、第2セラミック要素216及び第3セラミック要素217の焼結条件圧力の変化により、変化されてもよい。代替的に、第1セラミック要素215、第2セラミック要素216及び第3セラミック要素217の間での材料密度は、第1セラミック要素215、第2セラミック要素216及び第3セラミック要素217間の材料の変化により、変化されてもよい。本発明者は、第1セラミック要素215、第2セラミック要素216及び第3セラミック要素217間の材料を変化させ、偏光比の増大効果を確認した。本発明者は、レーザ活性物質を含有する第1セラミック要素215の材料として、Nd:YGGイットリウムガリウムガーネットを選択し、レーザ活性物質を含まない第2セラミック要素216及び第3セラミック要素217として、YAGイットリウムアルミニウムガーネットを選択した。第1セラミック要素215、第2セラミック要素216及び第3セラミック要素217間で異なる材料が用いられるので、焼結条件の変更を伴うことなく、密度分布屈折率分布が変動される。YGG屈折率:1.95とYAG屈折率:1.82との間の屈折率差は、光閉じ込め作用を生じさせる。したがって、レーザ媒質110Gは、導波路として機能することができる。かくして、励起光から発振光への変換効率が向上する。図21のセクションbに示されるように、第1セラミック要素は、楕円が連接された断面形状を有するので、楕円の中心部には、第2実施形態に関連して説明された引張応力と同様の引張応力が生ずる。この結果、偏光比が増大される。本発明者は、本実施形態に関連して説明されたレーザ媒質110Gを固体レーザ光源に組み込み、偏光比に関する実験を行った。当該実験において、本発明者は、100:1の偏光比を有する発振光基本波光を確認した。<第5実施形態>第5実施形態に関連して、波長変換レーザ光源が説明される。波長変換光源には、第1実施形態及び第2実施形態に関連して説明されたレーザ媒質110,110C,110Dへの応力付加原理が適用され、単一偏光化された発振光が出力される。図22は、第5実施形態に従う波長変換レーザ光源の構成を概略的に示す模式図である。図3、図12、図14及び図22を用いて、第5実施形態に従う波長変換レーザ光源が説明される。第1実施形態及び/又は第2実施形態に関連して説明された要素と同様の要素には、同様の符号が付されている。これらの要素に対して、第1実施形態及び/又は第2実施形態に関連する説明が援用される。波長変換レーザ光源300は、第1実施形態に関連して説明されたレーザ光源100と同様に、励起光源120、コリメートレンズ130、集光レンズ140及び出力ミラー180を備える。波長変換レーザ光源300は、レーザ媒質ユニット350を更に備える。レーザ媒質ユニット350は、レーザ媒質要素351とレーザ媒質要素351を保持する保持具352とを含む。レーザ媒質要素351は、第1実施形態に関連して説明されたレーザ媒質110図3参照、第2実施形態に関連して説明されたレーザ媒質110C図12参照或いはレーザ媒質110Dと樹脂119との組み合わせ図14参照であってもよい。保持具352は、第1実施形態に関連して説明された保持具190、190Aであってもよい。励起光源120は、励起光PLを発する。コリメートレンズ130は、励起光PLを平行光にする。その後、集光レンズ140は、レーザ媒質要素351に励起光PLを集光する。波長変換レーザ光源300は、励起光PLが入射されるレーザ媒質要素351の入射端面に形成された1060nm帯の高反射光学膜160と、入射端面と反対側の出射端面に形成された1060nm帯の高透過光学膜170と、を更に備える。かくして、高反射光学膜160と出力ミラー180との間でレーザ共振を発生させるための共振器が形成される。共振機内でレーザ共振が生じ、1060nm帯のレーザ光LS1が発生する。波長変換レーザ光源300は、レーザ共振器内に配設された波長変換素子310を更に備える。波長変換素子310は、レーザ光LS1の波長を変換し、レーザ光LS1の波長の半分の波長のレーザ光LS2を出力する。レーザ光LS2は、出力ミラー180を通じて、外部に出力される。波長変換動作に対しては、100:1以上の偏光比を有するレーザ光LS1が発生されることが好ましい。したがって、好ましくは、第2実施形態に関連して説明されたレーザ媒質110C第3の構造或いはレーザ媒質110Dと樹脂119との組み合わせ第4の構造がレーザ媒質要素351に用いられる。例えば、第3の構造に関連して説明されたレーザ媒質110Cがレーザ媒質要素351に用いられるならば、レーザ光LS2の出力の増大や周囲の環境温度の増大に起因して、レーザ媒質要素351レーザ媒質110Cは熱膨張する。この結果、レーザビームが通過するレーザ媒質要素351の領域に大きな引張応力が生ずる。レーザ光LS2の出力が増大されるならば、引張応力によって所望の方向に偏光方向が制御されたレーザ光LS1が、波長変換された後、レーザ共振器内で偏光方向に直交する方向の光が発振しようとする。この結果、出力が変化されても、偏光方向は適切に維持される。図23は、第5実施形態に従う他の波長変換レーザ光源の構成を概略的に示す模式図である。図14、図22及び図23を用いて、第5実施形態に従う他の波長変換レーザ光源が説明される。図22に関連して説明された要素と同様の要素には、同様の符号が付されている。これらの要素に対して、図22に関連する説明が援用される。図23に示される波長変換レーザ光源300Hは、図22に関連して説明された波長変換レーザ光源300と同様に、励起光源120、コリメートレンズ130及び集光レンズ140を備える。波長変換レーザ光源300Hは、レーザ媒質要素351H及び波長変換素子310Hを備える。波長変換素子310Hは、レーザ媒質要素351Hに直接的に接合されるマイクロチップ構成。この結果、図22に関連して説明された波長変換レーザ光源300が備える出力ミラー180は不要となる。かくして、波長変換レーザ光源300Hは、図22に関連して説明された波長変換レーザ光源300よりも小型化される。レーザ媒質要素351H及び波長変換素子310Hが接合されるので、図22に関連して説明された保持具352がレーザ媒質要素351Hに応力を生じさせるよりも、上述の第4の構造に関連して説明された原理に従って、樹脂119或いは、他の充填材料がレーザ媒質110Dに応力を生じさせることが好ましい。したがって、図23に示される波長変換レーザ光源300Hは、レーザ媒質要素351Hとして、樹脂119とレーザ媒質110Dとの組み合わせを組み込んでいる。本実施形態において、樹脂119は、レーザ媒質要素351H及び波長変換素子310Hと異なる材質の充填材料として例示される。代替的に、第4の構造に関連して説明された原理に従って、偏光方向の制御を達成する他の材料が充填材料として用いられてもよい。図14に関連して説明された如く、レーザ媒質110Dには、溝部117,118が形成される。波長変換素子310Hには、溝部117,118それぞれに連通する溝部311が形成される。樹脂119例えば、接着剤は、レーザ媒質110D及び波長変換素子310H中においてレーザビームが通過する領域に沿って延びる溝部117,118,311に充填される。この結果、波長変換素子310Hは、レーザ媒質110Dにしっかりと固定され、熱応力に起因するレーザ媒質110Dと波長変換素子310Hとの間の剥離が抑制される。また、樹脂119は、上述の第4の構造に関連して説明された原理に従って、溝部117,118,311を収縮させる。樹脂119は、レーザ媒質110Dだけでなく波長変換素子310Hにも応力を生じさせる。この結果、小型の波長変換レーザ光源300Hであっても、100:1以上の高い偏光比を維持することができる。波長変換素子310Hに溝部311が形成されないならば、波長変換に寄与する偏光方向の基本波は消費される。直接的に接合されたレーザ媒質110D及び波長変換素子310Hが基本波のレーザ共振器として考えられるならば、波長変換に寄与する偏光方向の光の損失は大きくなり、もう一方の偏光方向の基本波が発振しようとする。本実施形態において、樹脂119は、上述の如く、レーザ媒質110D及び波長変換素子310Hの両方に応力を生じさせるので、もう一方の偏光方向を有する基本波の発振は好適に抑制される。かくして、緑色光の安定した出力が達成される。本実施形態において、溝部117,118,311に充填される樹脂119は、接着剤である。代替的に、溝部117,118,311に充填される樹脂119は、接着剤以外の樹脂材料であってもよい。更に代替的に、溝部117,118,311に充填される充填材料として、セラミック材料が用いられてもよい。波長変換素子310Hとして分極反転構造が形成された誘電体材料が用いられるならば、溝部117,118,311に充填される充填材料が硬化される温度は、キュリー点以下より好ましくは、500°C以下に設定されることが好ましい。この結果、分極反転構造は、消滅しにくくなる。図24は、第5実施形態に従う他の波長変換レーザ光源の構成を概略的に示す模式図である。図25は、図24に示されるレーザ媒質に添加されるレーザ活性物質の濃度変化を概略的に示す。図3、図12、図14、図22、図24及び図25を用いて、第5実施形態に従う他の波長変換レーザ光源が説明される。図22に関連して説明された要素と同様の要素には、同様の符号が付されている。これらの要素に対して、図22に関連する説明が援用される。図24に示される波長変換レーザ光源300Iは、図22に関連して説明された波長変換レーザ光源300と同様に、励起光源図24に示されず、コリメートレンズ図24に示されず、集光レンズ140、出力ミラー180、波長変換素子310、保持具352、高反射光学膜160及び高透過光学膜170を備える。波長変換レーザ光源300Iは、保持具352に保持されたレーザ媒質要素351Iを更に備える。レーザ媒質要素351Iには、第1実施形態に関連して説明されたレーザ媒質110図3参照、第2実施形態に関連して説明されたレーザ媒質110C図12参照或いはレーザ媒質110Dと樹脂119との組み合わせ図14参照の原理が適用されてもよい。レーザ媒質要素351Iのレーザ媒質として、セラミックレーザ媒質が用いられる。したがって、レーザ媒質内のレーザ活性物質本実施形態において、Ndの濃度は、傾斜的に変動してもよい図25参照。レーザ活性物質の濃度変化によって、波長変換レーザ光源300Iの動作温度範囲は拡大される。例えば、YAGやYVO4といった単結晶の媒質がレーザ媒質として用いられるならば、図25に示されるようなリニアな濃度変化は得られない。本実施形態において、レーザ媒質要素351Iのレーザ媒質として、セラミックレーザ媒質が用いられるので、レーザ媒質内のレーザ活性物質本実施形態において、Ndは熱拡散され、レーザ媒質内でのリニアな濃度変化が達成される。かくして、波長変換レーザ光源300Iの動作温度範囲は好適に拡大される。図25に示される如く、励起光PLが入射される入射端面213近傍のレーザ活性物質本実施形態において、Ndの濃度は、入射端面213の反対側の出射端面214側の濃度よりも高く設定されてもよい。入射端面213から出射端面214に向けて、レーザ活性物質の濃度は徐々に低減されてもよい。図25に示されるレーザ活性物質の濃度分布を有するセラミックレーザ媒質が用いられるならば、励起レーザの発振波長が温度によりシフトし、入射端面213から0.5mmの領域で吸収されない励起光PLを生じても、入射端面213から0.5mm以上離間した領域において、励起光PLは適切に吸収される。したがって、セラミックレーザ媒質内での励起光PLの吸収量は略一定となる。この結果、従来の波長変換光源は、約20°C~40°Cの動作温度範囲を有するが、本実施形態に従う波長変換レーザ光源300Iの動作範囲は0°C~70°Cの範囲となる。セラミックレーザ媒質全体におけるレーザ活性物質の濃度を単純に増加させるならば、レーザ活性物質自身が発振した光を吸収し、レーザ発振が適切に行われにくい。本実施形態の原理に従うレーザ活性物質の濃度勾配は、上述の課題を適切に解消することができる。第5実施形態に関連して説明された原理は、波長変換レーザ光源に好適に適用される。第5実施形態に関連して説明された原理に基づき、緑色や青色といった可視光或いは紫外光を発生する波長変換レーザ光源が構築される。第6実施形態本実施形態において、上述の第5実施形態に関連して説明された波長変換レーザ光源300,300H,300Iを用いた画像表示装置が説明される。図26は、レーザ光を光源とするレーザプロジェクタ2次元変調素子として強誘電体LCOSを用いたレーザプロジェクタを示す。本実施形態において、レーザプロジェクタは、画像表示装置として例示される。レーザプロジェクタ1000は、青色レーザ光源1100b、赤色レーザ光源1100r及び緑色レーザ光源1100gを備える。レーザプロジェクタ1000は、青色レーザ光源1100b、赤色レーザ光源1100r及び緑色レーザ光源1100gそれぞれに対応するコリメートレンズ1110b、1110r及び1110gを更に備える。青色レーザ光源1100b、赤色レーザ光源1100r及び緑色レーザ光源1100gから発せられたレーザ光は、コリメートレンズ1110b、1110r及び1110gによってそれぞれ平行光にコリメートされる。本実施形態において、青色レーザ光源1100b、赤色レーザ光源1100r及び/又は緑色レーザ光源1100gは、第5実施形態に示された波長変換レーザ光源300,300H,300Iであってもよい。青色レーザ光源1100b、赤色レーザ光源1100r及び/又は緑色レーザ光源1100gは、光を発するレーザ光源として例示される。レーザプロジェクタ1000は、コリメートレンズ1110b、1110r及び1110gによってコリメートされたレーザ光をそれぞれ反射するミラー1120b、1120r及び1120gを更に備える。ミラー1120b、1120r及び1120gはそれぞれ、青波長400-460nm、赤波長600nm以上及び緑波長520-560nm領域に反射特性を持つ誘電体多層ミラーである。ミラー1120gの直後で、青色レーザ光源1100b、赤色レーザ光源1100r及び緑色レーザ光源1100gのビームパスは同軸となるように、コリメートレンズ1110b、1110r及び1110g及びミラー1120b、1120r及び1120gが調整される。レーザプロジェクタ1000は、ビームをスキャンするスキャンミラー1130を更に備える。図26において、スキャンミラー1130は、ミラー1120b、1120r及び1120gからのレーザ光を右方向に屈折させ、スキャンしている。レーザプロジェクタ1000は、ビームを線状の輝線に整形するレンズ1140を更に備える。レンズ1140として、シリンドリカルレンズが用いられてもよい。レーザプロジェクタ1000は、レンズ1150,1160及びレンズ1150,1160の間に配置された拡散板1170を更に備える。レンズ1150,1160は、一対のリレーレンズフィールドレンズである。拡散板1170は、レンズ1140シリンドリカルレンズによって輝線に整形されたビームを、更に帯状にする。レーザプロジェクタ1000は、偏光ビームスプリッタとして用いられるプリズム1180と、強誘電体液晶表示デバイスLCOS1190と、を更に備える。光の偏光方向の回転を通じて、LCOS1190のONOFF制御がなされる。したがって、プリズム1180は、偏光ビームスプリッタとして機能する。本実施形態において、LCOS1190は、光を変調し、画像を形成する変調素子として例示される。ビームは、スキャンミラー1130の前で合波される。その後、スキャンミラー1130によって光路を振られたビームは、S偏光でプリズム1180に入射される。プリズム1180内の反射膜は、S偏光で反射するように設計されている。したがって、S偏光の光は、LCOS1190を照明する。本実施形態において、プリズム1180は、反射ミラーとして例示される。レーザプロジェクタ1000は、投射レンズ1200と、スクリーン1210と、を更に備える。LCOS1190によって反射された光は、投射レンズ1200を通じて、スクリーン1210に投影される。レーザプロジェクタ1000は、コントローラ1220を備える。コントローラ1220は、LCOS1190を駆動するための第1駆動回路1221と、レーザ光源青色レーザ光源1100b、赤色レーザ光源1100r及び緑色レーザ光源1100g及びスキャンミラー1130を駆動するための第2駆動回路1222と、レーザ電流源1223と、を備える。本実施形態において、第2駆動回路1222は、レーザ駆動回路として例示される。ビデオ信号1224は、第1駆動回路1221に入力される。第1駆動回路1221は、その後、LCOS1190を駆動するためのLCOS駆動信号1225を生成する。LCOS駆動信号1225の1つとして生成されるV-SYNC信号1226は、トリガ信号として、第2駆動回路1222へ出力される。第2駆動回路1222は、その後、V-SYNC信号1226に基づき、発光トリガ1227を生成並びに出力する。発光トリガ1227は、スキャンミラー1130の駆動波形と、レーザ光源青色レーザ光源1100b、赤色レーザ光源1100r及び緑色レーザ光源1100gの発光タイミングとを表す。発光トリガ1227は、レーザ電流源1223へ入力される。レーザ電流源1223は、発光トリガ1227に基づき、レーザ光源青色レーザ光源1100b、赤色レーザ光源1100r及び緑色レーザ光源1100gに電流を供給する。上述の一連の動作及び制御を通じて、スクリーン1210上に画像が表示される。第7実施形態本実施形態において、上述の第5実施形態に関連して説明された波長変換レーザ光源300,300H,300Iを用いた画像表示装置が説明される。図27は、レーザ光を用いたヘッドアップディスプレイ装置を概略的に示す。本実施形態において、ヘッドアップディスプレイ装置は、画像表示装置として例示される。ヘッドアップディスプレイ装置2000は、青色レーザ光源2100b、赤色レーザ光源2100r及び緑色レーザ光源2100gを備える。ヘッドアップディスプレイ装置2000は、小型液晶パネル或いはデジタルミラーデバイスDMDといった2次元変調素子2110と、投射レンズ2120と、中間スクリーン2130と、折り返しミラー2140と、これらの要素を制御するためのコントローラ2150と、を更に備える。青色レーザ光源2100b、赤色レーザ光源2100r及び緑色レーザ光源2100gから発せられたレーザ光は、光学系図示せずを介して、合波整形され、その後、2次元変調素子2110を照明する。2次元変調素子2110で変調された光は、投射レンズ2120を介して、中間スクリーン2130に投影される。この結果、中間スクリーン2130上で、描画がなされる。ヘッドアップディスプレイ装置2000は、画像データが入力される入力ポート2160を更に備える。ヘッドアップディスプレイ装置2000を用いて表示される画像のデータは、入力ポート2160から電気信号として入力される。コントローラ2150は、画像データの信号を2次元変調素子2110の駆動信号に変換する。また、コントローラ2150は、画像データの信号に基づき、青色レーザ光源2100b、赤色レーザ光源2100r及び緑色レーザ光源2100gの点灯タイミングを規定するタイミング信号を生成する。コントローラ2150は、タイミング信号に連動して、青色レーザ光源2100b、赤色レーザ光源2100r及び緑色レーザ光源2100gに必要な電流を供給し、青色レーザ光源2100b、赤色レーザ光源2100r及び緑色レーザ光源2100gを点灯させる。上述の如く、中間スクリーン2130に描画された画像を表す表示光2170は、折り返しミラー2140によって、車両のフロントガラス2180上に取り付けられた反射ミラー2190に向けて反射される。反射ミラー2190は、更に、表示光2170をドライバ2200に向けて反射する。この結果、フロントガラス2180越しに表示光2170により表された画像の虚像2210図27中、点線で表される領域を視認することができる。上述の一連の動作及び制御を通じて、ヘッドアップディスプレイ装置2000はドライバ2200に画像を提供することができる。第6実施形態及び第7実施形態に関連して説明された画像表示装置において、例えば、緑色レーザ光源1100g,2100gに、上述の第5実施形態に関連して説明された波長変換レーザ光源300,300H,300Iの原理が適用されてもよい。上述された実施形態は、以下の構成を主に備える。上述の実施形態の一局面に係るレーザ光源は、レーザ光を発する半導体レーザ光源と、該半導体レーザ光源により励起され、光を発するレーザ媒質と、該レーザ媒質が発する前記光を閉じ込め、共振器を構成する2つの反射要素と、前記レーザ媒質を保持する保持具と、を備え、前記共振器内に配設されたセラミック材料で形成された前記レーザ媒質には、前記レーザ媒質が発する前記光の偏光方向が制御されるように応力が発生されることを特徴とする。上記構成によれば、半導体レーザ光源は、レーザ光を発する。レーザ媒質は、半導体レーザ光源により励起され、光を発する。2つの反射要素は、共振器を構成し、レーザ媒質が発する光を閉じ込める。保持具は、レーザ媒質を保持する。共振器内に配設されたセラミック材料で形成されたレーザ媒質には、レーザ媒質が発する光の偏光方向が制御されるように応力が発生されるので、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上記構成において、前記保持具は、前記応力を発生させる応力発生構造を備え、該応力発生構造は、前記レーザ媒質が発する前記光の光路に沿う領域に引張応力を生じさせることが好ましい。上記構成によれば、保持具は、レーザ媒質に応力を生じさせる応力発生構造を備える。応力発生構造は、レーザ媒質が発する光の光路に沿う領域に引張応力を生じさせる。したがって、引張応力の方向に光の偏光方向が制御される。上記構成において、前記レーザ媒質は、前記応力を発生させるための応力発生構造を備え、該応力発生構造は、前記レーザ媒質が発する前記光の光路に沿う領域に引張応力を生じさせることが好ましい。上記構成によれば、レーザ媒質は、応力を発生させるための応力発生構造を備える。応力発生構造は、レーザ媒質が発する光の光路に沿う領域に引張応力を生じさせる。したがって、引張応力の方向に光の偏光方向が制御される。上記構成において、前記レーザ媒質が発する前記光の光路に対して、前記レーザ媒質内の前記レーザ光の光路が傾斜することにより、前記レーザ媒質が発する前記光の光路に沿う領域に熱歪みを生じさせることが好ましい。上記構成によれば、レーザ媒質が発する光の光路に対して、レーザ媒質内のレーザ光の光路が傾斜する結果、レーザ媒質が発する光の光路に沿う領域に熱歪みが生ずる。熱歪みは、レーザ媒質が発する光の光路に対するレーザ光の光路の傾斜方向に、レーザ媒質が発する光の偏光方向を制御する応力を生じさせる。したがって、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上記構成において、前記応力発生構造は、前記レーザ媒質に形成された溝部を含み、前記レーザ媒質が発する前記光の光路に沿って延びる前記溝部が収縮されることにより、前記引張応力が生ずることが好ましい。上記構成によれば、応力発生構造は、レーザ媒質に形成された溝部を含む。レーザ媒質が発する光の光路に沿って延びる溝部が収縮される結果、レーザ媒質が発する光の偏光方向を制御する引張応力が生ずる。したがって、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上記構成において、前記応力発生構造は、前記レーザ媒質とは異なる材質の充填材料を含み、前記溝部に充填された前記充填材料は、前記溝部を収縮させることが好ましい。上記構成によれば、応力発生構造は、レーザ媒質とは異なる材質の充填材料を含む。溝部に充填された充填材料は、溝部を収縮させるので、レーザ媒質が発する光の偏光方向を制御する引張応力が生ずる。したがって、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上記構成において、前記充填材料は、樹脂材料を含むことが好ましい。上記構成によれば、溝部に充填された樹脂材料は、溝部を収縮させるので、レーザ媒質が発する光の偏光方向を制御する引張応力が生ずる。したがって、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上記構成において、前記充填材料は、セラミック材料を含むことが好ましい。上記構成によれば、溝部に充填されたセラミック材料は、溝部を収縮させるので、レーザ媒質が発する光の偏光方向を制御する引張応力が生ずる。したがって、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上記構成において、前記レーザ媒質は、前記レーザ媒質が発する前記光の光路が形成される第1領域と、該第1領域に隣接する第2領域及び第3領域と、を含み、前記保持具は、前記第2領域及び前記第3領域に圧縮力を加えることにより、前記第1領域に前記引張応力を生じさせることが好ましい。上記構成によれば、レーザ媒質は、レーザ媒質が発する光の光路が形成される第1領域と、第1領域に隣接する第2領域及び第3領域と、を含む。保持具が、第2領域及第3領域に圧縮力を加える結果、第1領域にレーザ媒質が発する光の偏光方向を制御する引張応力が生ずる。したがって、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上記構成において、前記半導体レーザ光源は、前記レーザ媒質が発する前記光の前記光路に対して前記レーザ光の前記光路が傾斜するように配設されることが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ光源は、レーザ媒質が発する光の光路に対してレーザ光の光路が傾斜するように配設される結果、レーザ媒質が発する光の光路に沿う領域に熱歪みが生ずる。熱歪みは、レーザ媒質が発する光の光路に対するレーザ光の光路の傾斜方向に、レーザ媒質が発する光の偏光方向を制御する応力を生じさせる。したがって、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上記構成において、前記レーザ媒質は、前記レーザ光が入射される入射端面を含み、該入射端面は、前記レーザ媒質が発する前記光の前記光路に垂直な面に対して傾斜することが好ましい。上記構成によれば、レーザ媒質は、レーザ光が入射される入射端面を含む。入射端面は、レーザ媒質が発する光の光路に垂直な面に対して傾斜するので、レーザ媒質が発する光の光路に沿う領域に熱歪みが生ずる。熱歪みは、レーザ媒質が発する光の光路に対するレーザ光の光路の傾斜方向に、レーザ媒質が発する光の偏光方向を制御する応力を生じさせる。したがって、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上述の実施形態の他の局面に係る波長変換レーザ光源は、レーザ光を発する半導体レーザ光源と、該半導体レーザ光源により励起され、光を発するレーザ媒質と、該レーザ媒質が発する前記光の波長を変換する波長変換素子と、前記レーザ媒質が発する前記光を閉じ込め、共振器を構成する2つの反射要素と、前記レーザ媒質を保持する保持具と、を備え、前記共振器内に配設されたセラミック材料で形成された前記レーザ媒質には、前記レーザ媒質が発する前記光の偏光方向が制御されるように応力が発生されることを特徴とする。上記構成によれば、半導体レーザ光源は、レーザ光を発する。レーザ媒質は、半導体レーザ光源により励起され、光を発する。波長変換素子は、レーザ媒質が発する光の波長を変換する。2つの反射要素は、共振器を構成し、レーザ媒質が発する光を閉じ込める。保持具は、レーザ媒質を保持する。共振器内に配設されたセラミック材料で形成されたレーザ媒質には、レーザ媒質が発する光の偏光方向が制御されるように応力が発生されるので、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上述の実施形態の他の局面に係る波長変換レーザ光源は、レーザ光を発する半導体レーザ光源と、該半導体レーザ光源により励起され、光を発するレーザ媒質と、該レーザ媒質が発する前記光の波長を、変換する波長変換素子と、前記レーザ媒質が発する前記光を閉じ込め、共振器を構成する2つの反射要素と、を備え、前記レーザ媒質に光学的に接合された前記波長変換素子は、前記共振器内に配設され、前記共振器内に配設されたセラミック材料で形成された前記レーザ媒質には、前記レーザ媒質が発する前記光の偏光方向が制御されるように応力が発生されることを特徴とする。上記構成によれば、半導体レーザ光源は、レーザ光を発する。レーザ媒質は、半導体レーザ光源により励起され、光を発する。波長変換素子は、レーザ媒質が発する光の波長を変換する。2つの反射要素は、共振器を構成し、レーザ媒質が発する光を閉じ込める。レーザ媒質に光学的に接合された波長変換素子は、共振器内に配設される。共振器内に配設されたセラミック材料で形成されたレーザ媒質には、レーザ媒質が発する光の偏光方向が制御されるように応力が発生されるので、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上記構成において、波長変換レーザ光源は、前記レーザ媒質及び前記波長変換素子と異なる材質の充填材料を更に備え、前記レーザ媒質及び前記波長変換素子には、前記レーザ媒質が発する前記光の光路に沿う溝部が形成され、前記溝部に充填された前記充填材料は、前記溝部を収縮させ、前記レーザ媒質が発する前記光の前記光路に沿う領域に引張応力を生じさせることが好ましい。上記構成によれば、波長変換レーザ光源は、レーザ媒質及び波長変換素子と異なる材質の充填材料を更に備える。レーザ媒質及び波長変換素子には、レーザ媒質が発する光の光路に沿う溝部が形成される。溝部に充填された充填材料は、溝部を収縮させるので、レーザ媒質が発する光の前記光路に沿う領域に引張応力を生じさせる。引張応力は、レーザ媒質が発する光の偏光方向を制御するので、小型且つ低廉な半導体レーザ光源が提供される。上記構成において、前記レーザ媒質は、前記レーザ光が入射される入射端面と、該入射端面と反対側の出射端面と、を含み、前記レーザ媒質には、レーザ活性物質が添加され、前記レーザ活性物質の濃度は、前記入射端面から前記出射端面に向けて低下することが好ましい。上記構成によれば、レーザ媒質は、レーザ光が入射される入射端面と、入射端面と反対側の出射端面と、を含む。レーザ媒質には、レーザ活性物質が添加される。レーザ活性物質の濃度は、入射端面から出射端面に向けて低下するので、レーザ媒質が吸収するレーザ光の量は安定化される。上述の実施形態の更に他の局面に係る画像表示装置は、光を発するレーザ光源と、前記レーザ光源に電流を供給するレーザ駆動回路と、前記光を変調し、画像を形成する変調素子と、前記変調素子から出射される光を反射する反射ミラーと、前記変調素子を駆動するコントローラと、を備え、前記レーザ光源は、上述の波長変換レーザ光源を含むことを特徴とする。上記構成によれば、レーザ駆動回路が電流を供給すると、レーザ光源は光を発する。画像変調素子は、レーザ光源からの光を変調する。反射ミラーは、変調素子から出射される光を反射する。コントローラは、画像変調素子を駆動し、画像表示装置が表示する画像を制御する。レーザ光源は、上述の波長変換レーザ光源を含むので、長期間に亘って、高い出力を維持することができる。"