焦点位置合わせマークが表面に形成された可動ステージと、可視光を前記可動ステージに向けて照射する光源と、前記可動ステージに対向して設けられた対物レンズと、前記対物レンズが結像した画像を電気信号に変換する光電変換素子と、前記焦点位置合わせマークの前記可動ステージ上の位置および被検査物となる半導体基板の厚さが登録され、前記可動ステージと前記対物レンズの位置関係を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記登録された焦点位置合わせマークを基準にして前記半導体基板の裏面側の焦点位置合わせを行い、前記登録された半導体基板の厚さを基準にして前記半導体基板の表面側の焦点位置合わせを行うことを特徴とする半導体基板の欠陥検査装置。焦点位置合わせマークは、可動ステージ上に等間隔で複数個形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の欠陥検査装置。制御装置は、対物レンズの焦点位置が焦点位置合わせマークの登録された位置に到達するたびに、表面側の焦点位置合わせを行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体基板の欠陥検査装置。焦点位置合わせマークは、可動ステージに掘り込まれており、その底部が真空ポンプラインに接続されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体基板の欠陥検査装置。焦点位置合わせマークの形成された可動ステージに半導体基板を載置し可視光を照射する工程と、前記焦点位置合わせマークを基準にして対物レンズの焦点位置合わせを行ってから前記半導体基板の裏面側を検査する工程と、前記半導体基板の厚さを基準に前記対物レンズを前記可動ステージから遠ざかる方向に移動する工程と、前記半導体基板の表面側に検出された欠陥に基づいて前記半導体基板の表面側の焦点位置合わせを行ってから前記半導体基板の表面側を検査する工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、半導体基板の欠陥検査において、簡易な構成で、高精度かつ効率的に、可視光透過性を有する半導体基板の表裏面への焦点位置合せを行うことにある。本発明に係る半導体基板の検査装置は、焦点位置合わせマークが表面に形成された可動ステージと、可視光を可動ステージに向けて照射する光源と、可動ステージに対向して設けられた対物レンズと、対物レンズが結像した画像を電気信号に変換する光電変換素子と、焦点位置合わせマークの可動ステージ上の位置および被検査物となる半導体基板の厚さが登録され、可動ステージと対物レンズの位置関係を制御する制御装置を備えている。制御装置は、登録された焦点位置合わせマークを基準にして半導体基板の裏面側の焦点位置合わせを行い、登録された半導体基板の厚さを基準にして半導体基板の表面側の焦点位置合わせを行う。本発明によれば、可動ステージに作成した焦点位置合わせマークに焦点位置を合わせる事によって、正確な裏面の焦点位置合わせが可能となり、正確に裏面欠陥を検出できる。同様に、表面の焦点位置合わせ工程では、正確な表面の焦点位置合わせが可能となり、正確に表面欠陥を検出できる。実施の形態1.以下、本発明に係わる半導体基板の欠陥検査装置について、図面に従って説明する。図1は実施の形態1による欠陥検査装置100の全体構成図を示す。欠陥検査装置100は可動ステージ4、対物レンズ6、可動アーム7、光電変換素子8、制御装置コンピュータ9、光源11から構成されている。半導体基板1には可視領域の光を透過する炭化珪素SiC基板や窒化ガリウムGaN基板が好適に用いられる。半導体基板1の表面14と裏面13には表面欠陥2と裏面欠陥3がそれぞれ存在する。半導体基板1は可動ステージ4に表面14を上側にして載置される。可動ステージ4は制御装置9によって制御され、XY方向に移動しかつθ方向に回転する。可動ステージ4には上面の規定位置に焦点位置合わせマークパターン5が形成されている。焦点位置合わせマーク5は可動ステージ4の表面中央に形成されていることが望ましい。対物レンズ6と可動アーム7と光電変換素子8は撮像ユニットを構成する。可動アーム7は制御装置9の制御によってZ軸方向に対物レンズ6を移動する。光源11は可視光12を可動ステージ4に向けて照射する。可視光12は可動ステージ4で反射され対物レンズ6に入射する。制御装置9は対物レンズ6の焦点位置10をZ軸方向に調整する。対物レンズ6で結像された反射像は、光電変換素子8によって電気信号に変換され、制御装置9に記録される。制御装置9には焦点位置合わせマーク5の位置と半導体基板1の厚さが登録されている。制御装置9は、以下に述べるプロセスに従って自動的に欠陥検査装置100の構成部品を制御する。半導体基板1を可動ステージ4に載置した後、対物レンズ6の真下に焦点位置合わせマーク5が来るように可動ステージ4が移動する。次に焦点位置10が焦点位置合わせマーク5の表面をZ軸方向に上下しながら、焦点位置合わせマーク5の画像を取得する。制御装置9は、焦点位置合わせマーク5の画像と予め制御装置9に記録した焦点位置合わせマークのリファレンス画像を比較する。最もリファレンス画像に近い画像を取得した焦点位置10が、半導体基板1の裏面を検査するのに適した焦点位置として、記録される。次に、制御装置9は、半導体基板1の裏面を焦点位置10が半導体基板1の全体を走査するように可動ステージ4を動かす図2参照。走査領域15にわたって、検査画像は2値化され制御装置9に取り込まれる。2値化された検査画像の中で、設定した閾値以上の大きさを有する物体が検査画像の中に存在した場合、その領域疵を欠陥と判断し、裏面の欠陥画像として制御装置9に記録する。続いて、制御装置9は、可動アーム7を操作して、対物レンズ6焦点位置10を半導体基板1の表面から遠ざかる方向に半導体基板1の厚さ分移動させる。裏面を検査した時の要領で対物レンズ6は半導体基板1の表面を走査する図3参照。走査領域15にわたって検査画像は2値化され、制御装置9に取り込まれる。2値化された検査画像の中で、設定した閾値以上の大きさとコントラストを有する疵物体が検査画像の中に存在した場合、欠陥と判断し、表面の焦点位置を調整するための焦点調整用欠陥2aとする。制御装置9は、焦点位置10をZ軸方向に移動しながら、焦点調整用欠陥2aの画像を取り込み、2値化する。2値化した画像の中で最もコントラストのクリアな画像が得られた焦点位置10を、表面を検査するのに適した焦点位置10として、制御装置9は記録する。制御装置9は、対物レンズ6の焦点位置10が裏面全体を走査したのと同じ要領で、半導体基板1の表面全体を走査するように、可動ステージ4を動かす。検査画像は2値化され制御装置9に取り込まれる。2値化された検査画像の中で、設定した閾値以上の大きさが検査画像の中に存在した場合、その領域を表面欠陥2と判断し、表面の欠陥画像として制御装置9に記録する。このように、欠陥検査装置100は可視領域の光源11を用いることで、半導体基板1の微細な欠陥を検出することが可能となり、可動ステージ4に焦点位置合わせマーク5を設けることにより、効率的な表裏面の検査が可能となる。欠陥検査を終了した半導体基板からは一般的な工程を経たのちトランジスタなどの半導体装置が製造される。実施の形態2.実施の形態2に係わる欠陥検査装置の全体構成図を図4に示す。実施の形態2では、焦点位置合わせマーク5が可動ステージ4の表面に複数個設けられている。焦点位置合わせマーク5の位置は制御装置9にあらかじめ登録されている。裏面欠陥検査時には、対物レンズの焦点位置10が焦点位置合わせマーク5の登録位置に到達する度に、裏面焦点の位置合わせを実施する。焦点位置合わせマーク5はランダムに配置されていても構わないが、位置確認が容易になるため広域にわたって周期的に形成されていると望ましい。図4の例では、焦点位置合わせマーク5は等間隔に設けられている。図4のように可動ステージ4に傾きが存在した場合、可動ステージ4の中央の焦点位置合わせマーク5で焦点位置を調整しても、検査エリアが可動ステージ4の中央から離れるほどに、半導体基板1の裏面と対物レンズの焦点位置10のZ軸方向のずれが大きくなる。可動ステージ4の表面に周期的に焦点位置合わせマーク5を形成し、裏面欠陥画像を撮像する工程において、対物レンズの焦点位置10が焦点位置合わせマーク5の登録位置に到達する度に裏面焦点の位置合わせを実施するので、可動ステージ4が傾いていても、半導体基板1の裏面と焦点位置10のZ軸方向のずれを解消できる。また、可動ステージ4のゆがみによる裏面欠陥画像のピンボケを防止できる。周期的に設けられる焦点位置合わせマーク5の別の形態を図5に示す。ここでは、焦点位置合わせマーク5の間隔は、大小大小と2種類の間隔で周期的に繰り返されている。この焦点位置合わせマーク5を用いても、対物レンズの焦点位置10が焦点位置合わせマーク5の登録位置に到達する度に裏面焦点の位置合わせを実施するので、可動ステージ4が傾いていても、半導体基板1の裏面と焦点位置10のZ軸方向のずれを解消できる。実施の形態3.実施の形態3に係わる欠陥検査装置を図6、図7に基づいて説明する。焦点位置合わせマーク5は可動ステージ4の表面に凹状または溝状に掘り込まれている。細穴状に設けられた真空ポンプライン31は個々の焦点位置合わせマーク5を相互に連絡している。真空ポンプライン31には真空ポンプ31が接続されている。図6は可動ステージ4に反った半導体基板1を載置した状態を示している。焦点位置合わせマーク5は底部で真空ポンプライン31に繋がれているため、可動ステージ4に半導体基板1をセットしてから、真空ポンプ30を操作すると、半導体基板1は可動ステージ4に吸着される。半導体基板1の反りが解消されるため、焦点のズレによる測定エラーが減少する図7参照。