不純物を含む表層から要求プロファイルに従って不純物を基板に注入するためのプラズマ処理装置であって、プラズマ処理のためのバイアス電圧を含むプラズマ処理条件と、該プラズマ処理条件によるプラズマ処理時間と、を前記要求プロファイルから設定する設定部と、設定されたバイアス電圧を与えるために基板を保持する基板ホルダと、設定されたプラズマ処理時間、基板にプラズマを作用させるためにプラズマを発生させるプラズマ源と、を備え、前記要求プロファイルは、注入されるべき不純物元素と、不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの注入深さと、第1基準濃度に等しくなる深さと第2基準濃度に等しくなる深さとの深さ差である急峻性と、を含み、前記設定部は、前記注入深さから前記バイアス電圧を設定する第1設定処理と、前記不純物元素と前記急峻性とから前記プラズマ処理時間を設定する第2設定処理と、を実行することを特徴とするプラズマ処理装置。前記設定部は、前記注入深さと前記バイアス電圧との関係を予め有しており、当該関係は、異なる種類の不純物元素に共通であり、前記第1設定処理は、当該関係に基づいて前記注入深さから前記バイアス電圧を設定することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記設定部は、不純物元素の種類ごとに前記急峻性と前記プラズマ処理時間との関係を予め有しており、該プラズマ処理時間は、前記プラズマ処理条件で不純物濃度を前記基準値に飽和させるための飽和時間以上であり、前記第2設定処理は、当該関係に基づいて前記急峻性から前記プラズマ処理時間を設定することを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。前記不純物を含む表層は、不純物濃度が前記基準値に等しくなる深さが前記注入深さよりも浅いことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。ヘリウムガス、またはヘリウムと水素との混合ガスを供給するための気体供給部をさらに備え、前記プラズマ源は、ヘリウムのプラズマ、またはヘリウム及び水素のプラズマを発生させることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。不純物を含む基板の表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのプラズマ処理パラメタ設定部を備え、プラズマ処理パラメタは、プラズマ処理により不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの深さを決定づける主パラメタと、不純物濃度を前記基準値に飽和させる飽和範囲をもつ副パラメタと、を含み、前記設定部は、要求される注入深さから前記主パラメタを設定し、前記飽和範囲に前記副パラメタを設定することを特徴とするプラズマ処理装置。不純物を含む基板の表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのバイアス電圧を設定する設定部を備え、前記設定部は、異なる種類の不純物元素に共通する注入深さとバイアス電圧との関係に基づいて、要求される注入深さからバイアス電圧を設定することを特徴とするプラズマ処理装置。不純物を含む基板の表層から要求される急峻性で不純物を注入するプラズマ処理のために基板のプラズマ処理時間を設定する設定部を備え、前記設定部は、注入されるべき不純物元素についての急峻性とプラズマ処理時間との関係に基づいて、要求される急峻性からプラズマ処理時間を設定することを特徴とするプラズマ処理装置。不純物を含む表層を基板に形成する第1工程と、要求される注入深さまで前記不純物を注入するために前記基板にバイアス電圧を与えて前記表層をヘリウムを含むプラズマで処理する第2工程と、を含み、前記第2工程は、要求される注入深さからバイアス電圧を設定する第1設定処理と、要求される急峻性からプラズマ処理時間を設定する第2設定処理と、を含むことを特徴とする基板処理方法。不純物を含む表層を基板に形成する第1工程と、要求される注入深さまで前記不純物を注入するためにヘリウム及び水素を含むプラズマで前記表層を処理する第2工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。基板の表面に不純物層を成膜する第1工程と、基板に不純物を注入するためにヘリウムを含むプラズマで前記不純物層を処理する第2工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。本発明のある態様の例示的な目的のひとつは、不純物を含む表層から基板に不純物を注入するための、実用性に優れるプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供することにある。本発明のある態様のプラズマ処理装置は、不純物を含む表層から要求プロファイルに従って不純物を基板に注入するためのプラズマ処理装置であって、プラズマ処理のためのバイアス電圧を含むプラズマ処理条件と、該プラズマ処理条件によるプラズマ処理時間と、を前記要求プロファイルから設定する設定部と、設定されたバイアス電圧を与えるために基板を保持する基板ホルダと、設定されたプラズマ処理時間、基板にプラズマを作用させるためにプラズマを発生させるプラズマ源と、を備える。前記要求プロファイルは、注入されるべき不純物元素と、不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの注入深さと、第1基準濃度に等しくなる深さと第2基準濃度に等しくなる深さとの深さ差である急峻性と、を含む。前記設定部は、前記注入深さから前記バイアス電圧を設定する第1設定処理と、前記不純物元素と前記急峻性とから前記プラズマ処理時間を設定する第2設定処理と、を実行する。本発明の別の態様もまた、プラズマ処理装置である。この装置は、不純物を含む基板の表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのプラズマ処理パラメタ設定部を備える。プラズマ処理パラメタは、プラズマ処理により不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの深さを決定づける主パラメタと、不純物濃度を前記基準値に飽和させる飽和範囲をもつ副パラメタと、を含む。前記設定部は、要求される注入深さから前記主パラメタを設定し、前記飽和範囲に前記副パラメタを設定する。本発明のさらに別の態様もまた、プラズマ処理装置である。この装置は、不純物を含む基板の表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのバイアス電圧を設定する設定部を備える。前記設定部は、異なる種類の不純物元素に共通する注入深さとバイアス電圧との関係に基づいて、要求される注入深さからバイアス電圧を設定する。本発明のさらに別の態様もまた、プラズマ処理装置である。この装置は、不純物を含む基板の表層から要求される急峻性で不純物を注入するプラズマ処理のために基板のプラズマ処理時間を設定する設定部を備える。前記設定部は、注入されるべき不純物元素についての急峻性とプラズマ処理時間との関係に基づいて、要求される急峻性からプラズマ処理時間を設定する。本発明のさらに別の態様は、基板処理方法である。この方法は、不純物を含む表層を基板に形成する第1工程と、要求される注入深さまで前記不純物を注入するために前記基板にバイアス電圧を与えて前記表層をヘリウムを含むプラズマで処理する第2工程と、を含む。前記第2工程は、要求される注入深さからバイアス電圧を設定する第1設定処理と、要求される急峻性からプラズマ処理時間を設定する第2設定処理と、を含む。本発明のさらに別の態様もまた、基板処理方法である。この方法は、不純物を含む表層を基板に形成する第1工程と、要求される注入深さまで前記不純物を注入するためにヘリウム及び水素を含むプラズマで前記表層を処理する第2工程と、を含む。本発明のさらに別の態様もまた、基板処理方法である。この方法は、基板の表面に不純物層を成膜する第1工程と、基板に不純物を注入するためにヘリウムを含むプラズマで前記不純物層を処理する第2工程と、を含む。本発明によれば、不純物を含む表層から基板に不純物を注入するための、実用性に優れるプラズマ処理装置及び基板処理方法が提供される。本発明のある態様は、2段階の処理を含む不純物の注入方法である。第1段階は、不純物を含む表層を基板に形成する処理である。不純物表層は、最終的に要求されている注入深さよりも浅く形成されている。この前処理のために使用しうる処理には、例えばイオン注入、プラズマドーピング、または膜形成処理がある。第2段階は、不純物表層から要求される深さへと不純物を注入するためのプラズマによる処理である。不活性ガス例えばヘリウムのプラズマによって不純物元素が基板の表層から深さ方向に押し込まれる。このプラズマ処理を以下ではプラズマ注入と呼ぶことがある。製造されるデバイスの性能をより高めるために、深さ方向の不純物元素の濃度プロファイルを理想のものに近づけることが重要となってきている。所望の深さに良好な急峻性をもつ、いわゆるボックス型のプロファイルが好ましいとされている。プラズマ処理に先立って、プラズマ処理条件が設定される。ところが、一般には、処理条件に含まれる複数のパラメタのそれぞれが不純物プロファイルに影響を与え得る。パラメタをそれぞれ調整して最適な条件を得るには相当の試行錯誤を要する。複数パラメタそれぞれの調整のための効率的な手順は明らかではない。与えられた要求プロファイルから最適な処理条件を求める実用的な手法を提供することが望まれる。本発明者は、プラズマ注入処理のメカニズムについての考察と実験結果とから、比較的単純な手順でプラズマ処理条件を最適に設定することが可能であることを見出した。この手法によれば、所与のプロファイルからシーケンシャルな手順で処理条件を設定することができる。一実施例においては、プラズマ処理条件に含まれる複数のパラメタは、主パラメタと、副パラメタと、その他の付属的なパラメタとに分類される。主パラメタは、プラズマ処理により不純物濃度またはドーズ量が基準値例えば5×1018atoms/cm3に等しくなる基板表面からの深さXjを決定づけるパラメタである。主パラメタは、不純物の注入深さに相対的に大きな影響を与える。付属パラメタは、注入深さに与える影響が相対的に小さいかほとんどないパラメタである。副パラメタは、それらの中間的な位置づけのパラメタである。副パラメタは、注入深さに相対的に大きく影響する範囲と、影響が相対的に小さいかほとんどない範囲とをもつ。例えば、副パラメタの値が小さいときにはその値が増えるにつれて注入深さも大きくなり、値がさらに大きくなると注入深さの増分が縮小していく。つまり、主パラメタのある値に対応する深さXjにおける不純物濃度は副パラメタの値が大きくなると飽和する。副パラメタは、不純物濃度を基準値へと飽和させる飽和範囲を有する。副パラメタを飽和範囲において変化させても、注入深さは実質的に変わらないと評価することができる。プラズマ注入による注入深さは、プラズマ中のイオンを基板に引き込むために基板に与えるバイアス電圧に関係づけられる。バイアス電圧によって注入深さが制御される。この関係は、図面を参照して後述するように、不活性ガスイオンを用いたプラズマ注入の場合、注入する不純物元素の種類に依存しない共通の関係である。よって、主パラメタは例えば、プラズマ注入のために基板に与えるバイアス電圧を表すパラメタである。バイアス電圧はプラズマ中のイオンのもつ注入エネルギーと言い換えることもできるから、主パラメタは、プラズマの基板への注入エネルギーを表すパラメタであるとも言える。また、副パラメタは例えば、プラズマ注入のためのプラズマ処理時間を表すパラメタである。ある時間即ち飽和時間を超えてプラズマ処理を継続しても、設定バイアス電圧に対応する注入深さXjは維持される。不純物元素に共通の関係を使用して、要求される注入深さから主パラメタが直接に設定される。要求深さを実現するようまず主パラメタが設定され、それから残りのパラメタが設定される。好ましくは副パラメタが飽和範囲から選択されることにより、残りのパラメタの設定は、注入深さにほぼ影響しない。こうして、要求される注入深さを与えるプラズマ処理条件をシーケンシャルに設定する手順が提供される。副パラメタまたはその他の付属的パラメタは、要求プロファイルの他の項目例えば急峻性を制御するために設定されてもよい。このようにすれば、要求プロファイルの一項目例えば注入深さの制御のための主パラメタ設定と、他の一項目例えば急峻性の制御のための副パラメタ設定とにプラズマ処理条件の設定処理を細分化することができる。2つの項目を同時に考慮しながら多数のパラメタを最適化するのに比べて、項目ごとに関連する少数のパラメタを設定することにより、効率的な最適条件設定が可能となると見込まれる。そこで、一実施例においては、プラズマ処理装置の設定部は、主パラメタを設定する第1設定処理と、副パラメタを設定する第2設定処理と、を個別的に実行する。第1設定処理は、主パラメタを、要求される注入深さを実現する値に設定してもよい。第1設定処理は、異なる不純物元素に共通する注入深さと主パラメタとの関係を使用して、主パラメタを設定してもよい。第2設定処理は、副パラメタを、要求される急峻性を実現する値に設定してもよい。第2設定処理は、注入されるべき不純物元素についての急峻性と副パラメタとの関係を使用して、副パラメタを設定してもよい。第2設定処理は、飽和範囲から副パラメタの値を選択してもよい。図1及び図2は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理における不純物元素の注入のメカニズムを概念的に説明するための図である。図1には、不純物表層100を有する基板102が示されている。図2には、プラズマ注入処理中の基板102が示されている。本発明の一実施形態に係る基板処理方法は、不純物原子101を含む層を基板表面103に形成する第1工程と、その層よりも深く不純物原子101を注入するための第2工程と、を含む。第2工程の処理条件が、要求される深さ方向の不純物濃度プロファイルを得るよう設定されている。第1工程は、基板102に不純物の供給源を準備するための前処理である。第1工程により得られた基板102が図1に示されている。図1に示されるように、不純物表層100は多数の不純物原子101を含む。不純物原子101は例えば、ホウ素ボロンB、リンP、またはヒ素Asである。基板102を構成する材料は例えばシリコンSiである。不純物表層100を基板102に形成するための前処理は例えば、イオン注入、またはプラズマドーピングである。前処理は、CVD化学蒸着またはPVD物理蒸着等の成膜処理であってもよい。不純物表層100は、上層の堆積膜104と、下層の初期注入層106と、を含む。堆積膜104と初期注入層106との境界は、もとの基板表面即ち、前処理をする前の基板表面103である。堆積膜104は前処理によって基板表面103に堆積した不純物原子101から形成されている。初期注入層106は基板102のごく浅い領域に前処理によって不純物原子101が注入されて形成されている。初期注入層106は基板材料の原子図示せずを含んでもよい。堆積膜104もまた、不純物原子101の衝突によって基板102からはじき飛ばされた基板原子を含んでもよい。初期注入層106は初期注入深さ108を有する。初期注入深さ108は、最終的に基板102に必要とされる要求深さ110よりも浅い。要求深さ110は破線で図1に示す。初期注入深さ108及び要求深さ110はともに、不純物濃度が基準値例えば5×1018atoms/cm3に等しくなる基板表面103からの深さである。初期注入深さ108は例えば、約5nm未満または約10nm未満の深さである。要求深さ110は例えば、約5nmないし10nm程度、または約10nmないし15nm程度の深さである。初期注入深さ108は、基板表面103に飛来する不純物イオンのもつエネルギーによって決定される。よって、第1工程において基板表面103に飛来する不純物イオンのもつエネルギーは、要求深さ110への注入に必要とされるエネルギーよりも小さくてよい。例えば、典型的な低エネルギーイオン注入によって要求深さ110に不純物を注入するには例えば500eV程度の注入エネルギーを要する。それに対して、前処理に例えばイオン注入を用いる場合には200eV程度の注入エネルギーで十分である。そのため、前処理によって表面荒れ等の基板表面103に生じる影響を小さくすることができる。また、得られる濃度プロファイルは主として次のプラズマ注入の処理条件によって決まるので、前処理の処理条件の設定にそれほどの厳密さは要求されない。つまり、前処理は広いプロセスウィンドウを持つ。図2に示されるプラズマ注入は、不活性ガスのプラズマ112を基板102に作用させる処理である。基板102には、不活性ガスイオン114の基板102への到達及び進入を促進するためのバイアス電圧が印加されている。バイアス電圧に相当する大きさの注入エネルギーが不活性ガスイオン114に与えられる。不活性ガスイオン114のもつ注入エネルギーは、基板102の深さ方向の限界となる進入位置を定める。注入エネルギーに応じた深さ位置まで不活性ガスイオン114は到達することができる。バイアス電圧を含むプラズマ処理条件は、不活性ガスイオン114の最大到達深さを要求深さ110とするよう設定されている。プラズマ112から大量の不活性ガスイオン114が基板102の不純物表層100に照射される。不純物表層100の不純物原子101は到来した不活性ガスイオン114により、深い位置へと押し込まれていく。不活性ガスイオン114の押し込み作用により、不純物表層100は初期注入深さ108を越えて深さ方向に広がる。不活性ガスイオン114の最大到達深さは要求深さ110に等しいから、不純物原子101への押し込み作用は、基板表面103から要求深さ110までの深さ範囲に限定される。よって、押し込まれた不純物原子101の到達位置は最大でも要求深さ110に留まる。不純物原子101は要求深さ110を越えては注入されない。到達深さは不活性ガスイオン114の注入エネルギーによって決められているから、不純物元素の種類には依存しないと考えられる。こうして、十分なプラズマ112を作用させることを前提として例えば十分なプラズマ処理時間を前提として、不純物原子101は不活性ガスイオン114により要求深さ110に押し込まれていく。この場合のバイアス電圧は、通常のイオン注入による同深さのものよりも低い電圧で実現出来る。所望の不純物元素について要求される注入深さXjをもつ不純物プロファイルを基板102の表面に実現することができる。また、上述のように、不純物原子101への押し込み作用は要求深さ110までの深さ範囲に留まる。プラズマ処理を継続することによって、要求深さ110を下側境界とするごく薄い深さ範囲に不純物原子101を集積する作用が生じる。よって、その深さ範囲の不純物濃度勾配、即ち深さ増分に対する不純物濃度減少量を小さくすることができる。すなわち、要求深さ110付近において急峻性に優れるプロファイルを実現することができる。使用される不活性ガスの種類は、不純物原子101への押し込み作用と基板表面103の表面荒れとを考慮して選択することが好ましい。不活性ガスの原子量または分子量が小さい場合には押し込み作用が不十分となる可能性がある。逆に不活性ガスの原子量または分子量が大きい場合には、本処理の後工程であるアニール処理をしたときに顕在化する表面荒れが大きくなる可能性がある。これらを考慮して選択される実用上好ましい不活性ガスは、ヘリウムである。この場合、プラズマ112はヘリウムのみを含む。不活性ガスのプラズマ112には、水素が混入されてもよい。後述する水素の結晶回復作用は、基板表面103の表面荒れを軽減する効果を有する。よって、この場合、ヘリウムよりも原子量の大きい不活性ガス例えばアルゴンも採用することができる。図3は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置10の構成を模式的に示す図である。プラズマ処理装置10は、本発明の一実施形態に係るプラズマ注入処理を提供するための装置である。プラズマ処理装置10は、プラズマ注入処理とともに、またはプラズマ注入処理に代えて、プラズマ注入処理の前処理の一例であるプラズマドーピング処理を提供するよう構成されていてもよい。プラズマ処理装置10は、チャンバ12と、気体供給部14と、プラズマ源16と、基板ホルダ18と、を含んで構成される。プラズマ処理装置10は、これらの構成要素及びその他の要素を制御するための制御部11を備える。制御部11は、プラズマ処理条件を設定する設定処理をするための設定部13を備える。後述するように、設定部13は、予め準備されているテーブルまたは関係式を使用して、要求パラメタからプラズマ処理パラメタを設定するための演算をする。そうしたテーブルまたは関係式は、制御部11に付随するメモリ図示せずに記憶されている。設定部13は、要求パラメタに加えて、必要に応じてその他の情報を使用してプラズマ処理パラメタの設定演算をしてもよい。チャンバ12は、内部に真空環境を提供するための真空容器である。チャンバ12には、内部を真空排気するための真空ポンプ20が付設されている。真空ポンプ20は例えばターボ分子ポンプである。真空ポンプ20は真空バルブ22を介してチャンバ12に接続される。真空バルブ22は例えばバリアブルコンダクタンスバルブであり、ターボ分子ポンプの吸入口に取り付けられている。ターボ分子ポンプの後段には粗引きポンプ図示せずが設けられている。チャンバ12はアースに接続されている。真空ポンプ20及び真空バルブ22は、チャンバ12の内部を所望の真空度に制御するための自動圧力調整システムAPCを構成する。この自動圧力調整システムは、チャンバ12の圧力を測定するための圧力センサ図示せず、及び圧力測定値に基づき真空バルブ22及び真空ポンプ20を制御するための圧力コントローラ図示せずをさらに含む。自動圧力調整システムにより、チャンバ12内の真空環境は例えば、プラズマドーピング処理に好ましいプロセスガス圧力範囲に保持される。気体供給部14は、チャンバ12にプロセスガスを供給するために設けられている。気体供給部14は、単一のまたは複数のガス源と、そのガス源をチャンバ12に接続しガスをチャンバ12に導入するための配管系統と、を含む。この配管系統は、チャンバ12に供給するガス流量を制御するためのマスフローコントローラを含んでもよい。気体供給部14が単一のガス源をもつ場合には、複数種類のガスを所望の比率に予め混合したプロセスガスがそのガス源に蓄えられていてもよい。図示の実施例においては、気体供給部14は、不純物ガス源24及びキャリアガス源28を備える。気体供給部14は、不純物ガス源24から供給される不純物ガスの流量を制御するための第1マスフローコントローラ26と、キャリアガス源28から供給されるキャリアガスの流量を制御するための第2マスフローコントローラ30と、を備える。不純物ガスは、基板Wに添加されるべき所望の不純物を含む原料ガス、またはこの原料ガスを希釈ガスで薄めたガスである。原料ガスは所望の不純物に合わせて選択される。原料ガスの分子には不純物元素が含まれる。基板Wに注入する不純物が例えばボロンB、リンP、ヒ素Asである場合にはそれぞれ、原料ガスは例えばB2H6、PH3、AsH3等が使用される。一実施例においては、不純物は、ボロン、リン、ヒ素、ガリウム、ゲルマニウム、及び炭素のうち少なくとも1種であってもよい。原料ガスを希釈するための希釈ガスは例えば、水素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンのいずれかである。あるいは、これらのうち複数種が希釈ガスとして併用されてもよい。希釈ガスは原料ガスのプラズマの着火性を改善するためのアシストガスとして使用されてもよい。一実施例においては、原料ガスとしてB2H6ガスを使用する場合には、ガス源でのボロンの粉末化を避けるために、水素ガスで20以下に希釈して使用される。キャリアガス源28から供給されるキャリアガスは、希釈ガスと同様に、例えば、水素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンのいずれかである。また、これらのうち複数種がキャリアガスとして併用されてもよい。プラズマドーピング処理を提供する場合には、気体供給部14は、第1マスフローコントローラ26により不純物ガスの流量を制御し、第2マスフローコントローラ30によりキャリアガスの流量を制御することにより、所望の流量比で混合ガスをチャンバ12に供給する。一方、本発明の一実施形態に係るプラズマ注入処理を提供する場合には、第2マスフローコントローラ30によりガスの流量を制御することにより、不純物を含まないガスを所望の流量で供給する。プラズマ源16は、気体供給部14からチャンバ12に供給されたガスにプラズマを発生させる。プラズマ源16はチャンバ12に接してその外部に設置されている。一実施例においてはプラズマ源16はICP誘導結合型プラズマと呼ばれるプラズマ発生方式のプラズマ源である。プラズマ源16は、高周波電源32、プラズマ発生用コイル34、及びインシュレータ36を含む。高周波電源32は例えば13.56MHzの交流電源であり、プラズマ発生用コイル34に電力を供給する。プラズマ発生用コイル34はチャンバ12の基板ホルダ18に対向する一面図示の例では上面に取り付けられている。コイル34が取り付けられているチャンバ12の一面には、誘電体の材料で構成されたフランジであるインシュレータ36が設けられている。基板ホルダ18は、プラズマ処理がなされる基板Wを保持するためにチャンバ12の内部に設けられている。基板Wは半導体基板であり、例えばシリコンを主材料とする基板である。基板ホルダ18は、基板Wを保持するために例えば静電チャックまたはその他の固定手段を備えてもよい。一実施例においては、基板ホルダ18は、温度が制御される基板接触部を有し、この基板接触部に基板Wが載置され静電吸着により固定される。こうして基板Wは、プラズマ処理に好ましい基板温度に管理される。また、基板ホルダ18にはバイアス電源38が接続されている。バイアス電源38は、基板ホルダ18に保持された基板Wに向けてプラズマ中のイオンを引きつけるための電位すなわちバイアス電圧を基板Wに与える。バイアス電源38は直流電源、パルス電源、または交流電源である。図示の実施例ではバイアス電源38は交流電源である。この場合、プラズマ発生用の高周波電源32よりは低周波数例えば1MHz以下の交流電源が使用される。よって、以下ではバイアス電源38を低周波電源と称する場合もある。プラズマ注入処理の場合には、基板Wの表層にある不純物原子がプラズマ中のイオンにより、より深い位置へと押し込まれることで注入される。プラズマドーピング処理の場合には、不純物イオンがプラズマから基板Wの表層に注入される。一実施例においては、プラズマ処理装置10を使用してプラズマドーピングの前処理を実行し、引き続き当該プラズマ処理装置10を使用してプラズマ注入処理を実行してもよい。プラズマ処理がされた基板Wに対しては、後工程である熱処理が行われてもよい。この熱処理は、プラズマ処理によって基板Wに生じた結晶欠陥を回復し、注入された不純物を電気的に活性化するための処理である。熱処理は例えば急熱アニール処理RTA、レーザーアニール、フラッシュランプアニール等であり、図示しないアニール装置により行われる。図4は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置10におけるバイアス電力とバイアス電圧との関係を表すグラフである。図4の横軸は、交流電源であるバイアス電源38の供給する電力LFを表す。縦軸は、その電力LFによって基板Wに与えられるバイアス電圧を表す。プラズマ中の不活性ガスイオンは陽イオンであるから、基板が負極となるときにイオンは基板に向けて加速される。バイアス電源38が交流電源であるため、ピークトゥピーク電圧Vppの半値がバイアス電圧の最大値にあたる。この電圧を超える電圧は印加されない。図4には記号◆で表される測定値と、それら測定値から求まる直線関係が示されている。例えば、電力LFが、135W、300W、500W、800Wであるときに、その電力LFに相当するバイアス電圧はそれぞれ、約125V、約250V、約380V、約590Vとなると読み取れる。要求される注入深さに典型的な低エネルギーイオン注入によって不純物を注入するには例えば500eV程度の注入エネルギー、即ち電圧に換算すれば500V程度を要する。よって、図4からわかるように、プラズマ処理のためのバイアス電力LFを600W程度以下の範囲に設定する場合には、典型的な低エネルギーイオン注入よりも低い注入エネルギーで不純物が注入される。例えば図6に示されるように、イオン注入処理のみによって不純物を注入する典型的な方法と同じ深さレベルへの注入が600W程度以下のバイアス電力LFで実現される。このように、比較的低い注入エネルギーで不純物を注入しうることは、本発明の一実施形態に係るプラズマ注入処理の1つの利点である。低い注入エネルギーで効率的に不純物を注入することができる。注入エネルギーが低ければ、基板の表面荒れを小さくすることもできる。また、低い電圧で不純物を注入可能であることにより、製造されるべき基板上のデバイスパターンでのチャージアップを抑制することができる。これにより、デバイス製造の歩留まり向上が期待される。図5は、本発明の一実施形態に係る基板処理システム200を模式的に示す図である。基板処理システム200は、前処理装置202と、プラズマ処理装置204と、を備える。基板処理システム200は、前処理装置202からプラズマ処理装置204に被処理物を搬送するための搬送装置206を備えてもよい。前処理装置202は、対象物の表面に不純物を含む層を形成するための前処理をするための装置である。上述のように前処理は例えば、イオン注入、プラズマドーピング、または成膜処理である。よって、前処理装置202は例えば、イオン注入装置、プラズマ処理装置、または成膜装置である。前処理装置202は、公知の低エネルギーイオン注入装置であってもよい。前処理装置202は、上述のプラズマ処理装置10であってもよい図3参照。すなわち、基板処理システム200は、前処理専用のプラズマ処理装置10と、プラズマ注入処理用のもう1つのプラズマ処理装置204と、を備えてもよい。基板処理システム200は、後処理のための後処理装置図示せずを備えてもよい。後処理装置は例えば、熱処理のための熱処理装置例えばアニール装置である。基板処理システム200は、プラズマ処理装置204から後処理装置に被処理物を搬送するための搬送装置図示せずをさらに備えてもよい。図6は、本発明の一実施形態に係る二次イオン質量分析法SIMSによる分析結果を示すグラフである。図6の縦軸は不純物濃度を示し、横軸は基板表面からの深さを示す。図6は、4つの試料A~DについてのSIMS分析結果を示す。SIMS分析結果がその試料の深さ方向の不純物濃度プロファイルを表す。試料Aは、前処理のみがなされ、プラズマ注入処理はなされていない。試料B~Dは、試料Aと同一処理条件の前処理をしたうえで、それぞれ異なるバイアス電力のもとでプラズマ注入処理をしたものである。試料A~Dに共通する前処理はごく低エネルギーのボロンのイオン注入である。前処理の段階までは、試料A~Dは通常のイオン注入処理で作成されている。そのイオン注入の処理条件は注入エネルギー200eV、ドーズ量1×1015atoms/cm2である。試料B~Dに共通するプラズマ処理条件は、プラズマ発生用の電源出力1500W、ヘリウムガス流量300sccm、ガス圧0.8Pa、処理時間1分である。試料B~Dのバイアス電力はそれぞれ、300W、500W、800Wである。図6からわかるように、プラズマ注入処理をすることにより試料B~D、前処理後の状態試料Aに比べて、ボロンが深くまで注入されていることがわかる。また、プラズマ処理におけるバイアス電力が大きいほどボロンが深くまで注入されている。具体的には、ボロンの濃度が基準値5×1018atoms/cm3まで低下する基板表面からの深さXjは、試料Aが約8nm、試料Bが約10nm、試料Cが約11nm、試料Dが約13nmである。したがって、プラズマ注入処理における注入深さにバイアス電力が大きく影響している。バイアス電力の設定により、不純物の注入深さを制御することが可能であることがわかる。また、イオン注入が比較的緩やかな濃度勾配減少を示すつまり急峻性に劣るのに対して、本プラズマ注入処理は急峻性に優れる傾向があることもわかる。ここで急峻性を例えば、不純物元素濃度が第1基準濃度となる基板表面からの深さから濃度が第2基準濃度に低下する深さまでの深さ差と定義する。深さ差が小さいほうが急峻性に優れる。第1基準濃度は例えば5×1019atoms/cm3であり、第2基準濃度は例えば5×1018atoms/cm3である。図6に示されるように、試料Aに比べて、例えば試料B、Cのほうが急峻性に優れている。図7は、本発明の一実施形態に係る二次イオン質量分析法SIMSによる分析結果を示すグラフである。図7の縦軸は不純物濃度を示し、横軸は基板表面からの深さを示す。図7は、6つの試料B1~B3、P1~P3についてのSIMS分析結果を示す。試料B1~B3は注入した不純物元素がボロンであり、試料P1~P3はリンである。いずれの試料もイオン注入の前処理をしてプラズマ注入処理をしている。試料B1~B3へのイオン注入の処理条件は、注入エネルギー200eV、ドーズ量1×1015atoms/cm2である。試料P1~P3へのイオン注入の処理条件は、注入エネルギー500eV、ドーズ量1×1015atoms/cm2である。イオン注入処理では一般にボロンよりもリンのほうが基板に注入されにくいことから試料P1~P3への注入エネルギーを大きくしているが、これは必須ではない。試料P1~P3についても同じ値の注入エネルギー例えば200eVとしてもよい。プラズマ処理条件は、バイアス電力以外は試料B1~B3、P1~P3に共通である。具体的には、プラズマ発生用の電源出力1500W、ヘリウムガス流量300sccm、ガス圧0.8Pa、処理時間1分である。試料B1~B3のバイアス電力はそれぞれ、300W、500W、800Wである。同様に、試料P1~P3のバイアス電力はそれぞれ、300W、500W、800Wである。図7に示されるように、不純物濃度が基準値5×1018atoms/cm3まで低下する深さXjが、試料B1とP1でほぼ等しく、約9.5nmである。同様に、試料B2とP2とでも約11.5nmほぼ等しく、試料B3とP3とでも約12.5nmほぼ等しいと読み取れる。注入する不純物イオン種によらず同一のバイアス電力で同一の注入深さを実現することができる。イオン注入処理のように不純物元素ごとに注入エネルギーを変える必要がない。したがって、本発明の一実施形態によれば、注入する不純物元素の種類に依存することなく、共通の設定バイアス電力を使用して所望の注入深さに不純物を注入することができる。設定処理を簡素化することができる。また、通常のイオン注入処理で比較的注入しにくいイオン種を比較的低いエネルギーで注入することができるという点でも好ましい。一方、共通のプラズマ処理条件のもとで、急峻性についてはボロンとリンとで異なっている。例えば試料B1と試料P1とではボロン試料B1のほうがリン試料P1よりも急峻性がよい。図8を参照して後述するように、プラズマ処理時間を延ばすことによって急峻性を改善することができると考えられる。なお、プラズマ処理の作用により、基板の表面にアモルファス層が形成される。バイアス電力を300Wとしたときのアモルファス層の厚さを図7に示す。これはエリプソメータで測定した値であり、約16.5nmである。500Wの場合には約24nm、800Wでは約32nmとさらに深くなる。前述の通り不純物の注入深さは10nm程度であるから、基板のアモルファス層と結晶層との界面よりも十分に浅い。したがって、アモルファス層及びその界面は、プラズマ注入処理による不純物プロファイルの制御に関与していないと結論づけられる。また、不純物の注入深さよりもアモルファス界面が深い位置にあるので、後工程の熱処理におけるストッパとして有効に機能しうると考えられる。図8は、本発明の一実施形態に係る二次イオン質量分析法SIMSによる分析結果を示すグラフである。図8の縦軸は不純物濃度を示し、横軸は基板表面からの深さを示す。図8は、4つの試料W~ZについてのSIMS分析結果を示す。いずれの試料もボロンをプラズマドーピングにより基板に注入している。プラズマ処理条件は、バイアス電力が135W、ヘリウム流量が270sccm、ヘリウムで5に希釈したB2H6の流量が30sccm、ガス圧が0.9Paである。試料W~Zはプラズマ処理時間が異なる。試料W~Zの処理時間はそれぞれ、5秒、15秒、30秒、60秒である。図8からわかるように、プラズマ処理時間が30秒に増加するまでは試料W、X、Y、処理時間が増えるにつれて注入深さも増している。ところが、それ以降は増えていない。処理時間が30秒である試料Yと処理時間が60秒である試料Zとでは注入深さがほぼ同じである。不純物濃度が基準値5×1018atoms/cm3まで低下する深さXjは試料Yと試料Zとで等しくなっている。よって、この場合、飽和時間は約30秒である。飽和時間が経過するまではプラズマ処理時間が延びるにつれて注入深さも増えるが、飽和時間以降はプラズマ処理を継続しても飽和時点での注入深さに維持される。一方、急峻性については、試料Yよりも試料Zのほうがいくらか良好である。したがって、プラズマ処理時間を飽和時間よりも長くすることにより、注入深さはバイアス電力から定まる値に保ちつつそのプロファイルの急峻性を調整することができる。図8はプラズマドーピングについての実験結果であるが、こうした深さ及び急峻性の制御可能性についてはプラズマ注入処理についても同様である。図9は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理条件の設定処理を説明するためのフローチャートである。一実施例においてはプラズマ処理装置10はプラズマ処理条件を設定するための設定部13を備え、設定部13が本設定処理を実行する図3参照。設定処理はプラズマ注入処理に先立って実行される。設定部13は、入力データからプラズマ処理条件を設定し、必要に応じて出力する。この設定処理は、第1設定処理S12と第2設定処理S14とを含む。設定部13は、第1設定処理と第2設定処理をそれぞれ個別に実行する。設定部13は、第1設定処理、第2設定処理の順に設定処理を実行してもよいし、これら2つの処理を並行して個別的に実行してもよい。第2設定処理、第1設定処理の順に実行してもよい。前処理の処理条件には依存せずに、プラズマ処理パラメタは設定される。図10は、第1設定処理のためのテーブルの一例を示す。図11は、第2設定処理のためのテーブルの一例を示す。図9に示されるように、設定部13はまず、設定処理に必要とされる情報の入力を受けるS10。この入力データは、基板に実現すべき不純物の深さ方向の濃度プロファイルである要求プロファイルを含む。入力データは、プラズマ処理装置10または制御部11に付随する入力手段への操作者の入力により、または他の制御装置との通信により設定部13に供給される。要求プロファイルは、複数の要求パラメタを含む。要求プロファイルは、例えば、注入されるべき不純物元素を表すパラメタと、不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの注入深さを表すパラメタと、第1基準濃度に等しくなる深さと第2基準濃度に等しくなる深さとの深さ差である急峻性を表すパラメタと、を含む。また、プラズマ処理条件は、複数のプラズマ処理パラメタを含む。プラズマ処理パラメタは例えば、バイアス電圧またはバイアス電力を表すパラメタと、プラズマ処理時間を表すパラメタとを含む。プラズマ処理パラメタは、プラズマ生成のために供給されるガス流量やガス圧を表すパラメタを含んでもよい。設定部13は、要求される注入深さからバイアス電圧を設定する第1設定処理を行うS12。第1設定処理は、注入深さとバイアス電圧との関係に基づいて、注入深さを表す要求パラメタから、バイアス電圧を表すプラズマ処理パラメタを設定する。注入深さとバイアス電圧との関係は例えば、図10に示すテーブルである。この第1テーブルは、異なる種類の不純物元素に共通であり、例えば少なくともボロンとリンに共通である。なお、不純物元素ごとに異なる関係またはテーブルが使用されてもよい。第1テーブルは、複数組の注入深さとバイアス電圧との対応関係を含む。こうした関係は実験によりまたは経験的に定めることができる。第1テーブルは、設定部13または関連するメモリに予め記憶されている。第1テーブルは、注入深さとバイアス電力LFとの関係を表していてもよい。図示の例では、第1テーブルは3組の対応関係を含み、バイアス電力LFが300W、500W、800Wであるときに対応する深さXjはそれぞれ9.8nm、12nm、13nmであるとされている。設定部13は、入力された注入深さに対応するバイアス電圧を第1テーブルから選択する。要求される注入深さの入力値が第1テーブルにある場合には、設定部13は、対応するバイアス電圧を選択する。要求される注入深さの入力値が第1テーブルにない場合には、設定部13は、補間演算により対応するバイアス電圧を求める。例えば、注入深さの入力値に近い2つの値から線形補間によりバイアス電圧を求めてもよい。テーブルに代えて、注入深さとバイアス電圧またはバイアス電力との関係式が使用されてもよい。その場合、設定部13はその関係式の少なくとも係数を予め記憶していてもよい。設定部13は、注入深さとバイアス電圧との関係式に基づいて注入深さからバイアス電圧を演算してもよい。例えば、注入深さDとバイアス電圧Vとの関係がV=aDbという一次式で表すことができる場合には、設定部13は、予め記憶されている係数a、bを使用して注入深さDからバイアス電圧Vを演算してもよい。設定部13は、要求される急峻性からプラズマ処理時間を設定する第2設定処理を行うS14。設定部13は、不純物元素を表す要求パラメタと急峻性を表す要求パラメタとからプラズマ処理時間を表すプラズマ処理パラメタを設定する。急峻性とプラズマ処理時間との関係は、注入されるべき不純物元素の種類ごとに準備されることが好ましい。設定部13は、例えば図11に示す第2テーブルを使用して、プラズマ処理時間を設定する。第2テーブルは、要求される不純物元素及び急峻性と、それに対応するプラズマ処理パラメタとの組を含む。第2テーブルは、プラズマ処理パラメタとして少なくともプラズマ処理時間を含む。第1テーブルと同様に、こうした関係は実験によりまたは経験的に定めることができる。設定部13は、入力された不純物元素及び急峻性に対応するプラズマ処理時間を第2テーブルから選択する。要求される不純物元素及び急峻性の入力値が第2テーブルにある場合には、設定部13は、対応するプラズマ処理時間を選択する。要求される入力値が第2テーブルにない場合には、設定部13は、例えば補間演算により対応するプラズマ処理時間を求める。プラズマ処理時間は、当該プラズマ処理条件において不純物濃度を基準値に飽和させるための飽和時間以上に設定されることが好ましい。それにより、良好な均一性で所望の注入深さXjに不純物を注入することができる。図11に示す第2テーブルは、同一の要求パラメタに対し複数のプラズマ処理パラメタの候補を与える場合がある。設定部13は、プラズマ処理時間が飽和時間以上であることを条件の1つとして、複数の候補からプラズマ処理パラメタを選択してもよい。なお、プラズマ処理時間を飽和時間未満に設定する場合には、設定部13は、バイアス電圧を含む他のプラズマ処理パラメタを適宜補正してもよい。第2テーブルは、図示されるようにバイアス電力LFを表すパラメタを含んでもよい。第1設定処理が既に行われてバイアス電力LFを表すパラメタが設定済みの場合には、設定部13は、要求パラメタの入力値及び設定バイアス電力LFに対応するプラズマ処理時間を第2テーブルから選択してもよい。第1設定処理が未完の場合には、設定部13は、要求パラメタの入力値に対応するプラズマ処理時間及びバイアス電力LFを選択してもよい。この場合、要求される注入深さを保証するために、設定部13は、選択されたバイアス電力LFを補正する補正処理を実行してもよい。第1設定処理は省略されてもよい。第2テーブルはさらに、例えばガス流量などの付属的なプラズマ処理パラメタを含んでもよい。設定部13は、これらの付属パラメタを第2設定処理で設定してもよい。あるいは、第1テーブルが付属パラメタを含み、設定部13は、付属パラメタを第1設定処理で設定してもよい。設定部13は、付属パラメタを設定するための第3設定処理を実行してもよい。付属パラメタは、1つまたは複数の値が候補として予め設定されていてもよい。設定部13は、第1設定処理及び第2設定処理でのプラズマ処理パラメタの設定値に応じて適切な付属パラメタを選択してもよい。設定部13は、設定されたプラズマ処理条件を、プラズマ処理装置10または制御部11に付随する出力手段または表示手段に出力するS16。こうして、本発明の一実施形態に係る設定処理は終了する。制御部11は、設定されたプラズマ処理条件を使用してプラズマ注入処理を実行する。以上の構成を備えるプラズマ処理装置10において図3参照、基板に不純物を注入する際の動作を説明する。操作者は、プラズマ注入処理の処理条件を設定する。そのために、基板に形成すべき不純物プロファイルを決定し、その要求プロファイルを、プラズマ処理装置10に付随する入力手段を通じてプラズマ処理装置10に入力する。プラズマ処理装置10は、上述の第1設定処理及び第2設定処理を含む処理条件設定処理を実行し、要求プロファイルからプラズマ処理条件を求める。また、操作者は、プラズマ注入処理の準備段階として、上述の前処理がなされた基板を用意する。プラズマ処理においてはまず、真空ポンプ20により所望の真空度にチャンバ12が排気され、処理されるべき基板Wがチャンバ12へと搬入される。基板Wは基板ホルダ18に保持される。気体供給部14から所望の流量、圧力で不活性ガスがチャンバに供給される。あるいは気体供給部14により所望の流量比で混合されたプロセスガスがチャンバ12に供給される。このとき自動圧力調整システムにより継続して真空度が調節されている。高周波電源32からプラズマ発生用コイル34に通電して磁界を発生させる。磁界はインシュレータ36を通過してチャンバ12に進入し、プロセスガス例えばヘリウムガスのプラズマを発生させる。バイアス電源38を使用して、基板ホルダ18に保持されている基板Wに電位を発生させる。制御部11は、設定部13により設定されたバイアス電圧またはバイアス電力を発生させるようにバイアス電源38を制御する。それにより、プラズマに存在するイオンが基板Wに向けて加速され、基板Wの表層領域にイオンが飛来し進入する。所定の終了条件が成立したときに高周波電源32及びバイアス電源38からの給電は停止される。ガスの供給も停止される。例えば、設定部13により設定されたプラズマ処理時間が経過したときにプラズマ処理は終了される。処理済みの基板Wはチャンバ12から搬出される。なお、行われたプラズマ注入処理による不純物プロファイルを計測し、計測結果から第1テーブル及び第2テーブルが更新されてもよい。例えば、計測結果の示す要求パラメタとプラズマ処理パラメタとの対応関係が第1テーブル及び第2テーブルに追加されてもよい。以上説明したように、本発明の一実施形態によれば、前処理とプラズマ注入処理とを含む2段階の不純物注入方法が提供される。後工程のプラズマ注入処理の条件設定を適切に行うことにより、前処理の処理条件に依存せずに、所望の不純物プロファイルを実現することができる。注入する不純物元素の種類によらず統一的に、プラズマ注入エネルギーまたは基板へのバイアス設定によって注入深さを制御することができる。プラズマ処理時間の設定により所望の急峻性を得ることができる。バイアスと処理時間とを独立に設定することができるので、処理条件の設定作業が容易となる。以上、本発明を実施の形態にもとづいて説明した。本発明は上記実施形態に限定されず、種々の設計変更が可能であり、様々な変形例が可能であること、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは、当業者に理解されるところである。プラズマ注入処理のためのプラズマには水素が含まれてもよい。プラズマに適量の水素を混入することにより、衝突粒子によるボンバードメント効果ひいてはアモルファス層の密度の偏在が軽減され、アニール処理後において良好な均一性、再現性、急峻性を得ることができる。プラズマへの適量の水素の混入によって、プラズマからのイオン衝突に対する基板表層の結晶の自己回復作用が強化される。つまり、ヘリウムのボンバードメントにより破壊される基板原子例えばシリコン同士の結合にプラズマによりラジカル化またはイオン化された水素が入り込み、瞬間的にシリコンと水素間に結合が生成される。この結合の結合力は弱く、結局はヘリウムのボンバードメントにより破壊される。しかしながら、このシリコン-水素間結合の存在によって、水素を混入しない場合よりも多くのエネルギーが結晶の破壊に必要となる。このため、同一エネルギーでは、結晶の破壊度合いは比較的弱くなる。したがって、プラズマ照射により生じた基板表面アモルファス層における密度の偏在が軽減され、後工程の活性化処理中の欠陥の成長が抑制される。好ましい水素ガス濃度を定めるための1つの観点は水素ガスによる結晶回復作用と不活性ガスによるボンバードメント効果とのバランスを考慮することであり、水素ガス濃度の好ましい範囲は実験的に決めることが可能である。例えば、水素ガスの流量比は、20未満、または10未満、好ましくは3乃至5、または4未満である。また、第1工程と第2工程とは必ずしも別個に行う必要はない。第1工程が終了する前に第2工程が開始されてもよい。前処理をプラズマドーピング処理により行う場合には、注入する不純物を含むプラズマを生成し、そのプラズマのもとでプラズマ注入処理を実行してもよい。プラズマは、注入する不純物を含む化合物をヘリウムガスで希釈したプロセスガスから生成されてもよい。上記のように、さらに水素が混入されてもよい。この場合、副パラメタは、プラズマ処理時間に代えて、またはプラズマ処理時間に加えて、不純物ガス流量を含んでもよい。