"光電変換により信号を生成する画素と、前記画素に基づく信号と時間に対して変化する参照信号とを比較する比較器と、前記比較器が前記画素に基づく信号と前記参照信号との大小関係が逆転することを示す信号を出力するまでの間にカウントを行うカウンタと、制御部とを有し、前記比較器は、第1のトランジスタのゲートに前記参照信号を入力し、第2のトランジスタのゲートに前記画素に基づく信号を入力し、前記画素に基づく信号と前記参照信号との比較を行う第1のアンプを有し、前記制御部は、前記参照信号が第1の変化率で時間に対して変化する場合には、前記比較器の帯域を第1の帯域に設定し、前記参照信号が前記第1の変化率よりも小さい第2の変化率で時間に対して変化する場合には、前記比較器の帯域を前記第1の帯域よりも広い第2の帯域に設定することを特徴とする撮像装置。前記第1のアンプは出力端子を有し、前記出力端子と接続された可変容量を有し、前記制御部は、前記比較器の帯域を前記第1の帯域に設定する場合に、前記第2の帯域に設定する場合よりも、前記可変容量の容量値を大きくすることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。前記可変容量は、互いに並列に接続された複数の容量素子を含むことを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。前記第1のアンプを駆動するための電流を供給する第1の可変電流源をさらに有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の撮像装置。前記第1の可変電流源は、互いに並列に接続された複数の電流源を有することを特徴とする請求項4に記載の撮像装置。前記第1の可変電流源は、カレントミラー回路を有し、前記カレントミラー回路に供給するバイアス値を変化させることで、前記第1の可変電流源が供給する電流量を変化させることを特徴とする請求項4に記載の撮像装置。前記制御部は、前記比較器の帯域を前記第1の帯域に設定する場合に、前記第2の帯域に設定する場合よりも、前記第1の可変電流源が供給する電流を小さくすることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の撮像装置。前記比較器は、前記第1のアンプが出力した信号を増幅する第2のアンプを有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の撮像装置。前記第2のアンプに電流を供給する第2の可変電流源を有することを特徴とする請求項8に記載の撮像装置。前記第2の可変電流源は、互いに並列に接続された複数の電流源を有することを特徴とする請求項9に記載の撮像装置。前記第2の可変電流源は、カレントミラー回路を有し、前記カレントミラー回路に供給するバイアス値を変化させることで、前記第2の可変電流源が供給する電流量を変化させることを特徴とする請求項9に記載の撮像装置。前記制御部は、前記比較器の帯域を前記第1の帯域に設定する場合に、前記第2の帯域に設定する場合よりも、前記第2の可変電流源が供給する電流を小さくすることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の撮像装置。前記制御部は、前記参照信号の時間に対する変化率を制御し、さらに、前記制御部により制御された時間に対する変化率で前記参照信号を生成する参照信号発生回路を有することを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の撮像装置。列並列AD変換器においては、S/Nを向上させるために、比較器の帯域制限を行う方法が有効である。しかしながら、固定的な容量を用いた帯域制限を行った場合には、ランプ参照電圧の傾斜が変化した際に、比較器の帯域が狭すぎて比較器の反転遅延が大きくなりフレームレートが低下する、又は帯域が広すぎてノイズが十分低減できないなどの問題がある。上記理由により、列並列AD変換器を用いた撮像装置では、ランプ参照電圧の傾斜の変化に応じて比較器の帯域を変える必要性がある。本発明の目的は、参照信号の時間に対する変化率に応じて比較器の帯域を制御することにより、ノイズを低減することができる撮像装置を提供することである。本発明の撮像装置は、光電変換により信号を生成する画素と、前記画素に基づく信号と時間に対して変化する参照信号とを比較する比較器と、前記比較器が前記画素に基づく信号と前記参照信号との大小関係が逆転することを示す信号を出力するまでの間にカウントを行うカウンタと、制御部とを有し、前記比較器は、第1のトランジスタのゲートに前記参照信号を入力し、第2のトランジスタのゲートに前記画素に基づく信号を入力し、前記画素に基づく信号と前記参照信号との比較を行う第1のアンプを有し、前記制御部は、前記参照信号が第1の変化率で時間に対して変化する場合には、前記比較器の帯域を第1の帯域に設定し、前記参照信号が前記第1の変化率よりも小さい第2の変化率で時間に対して変化する場合には、前記比較器の帯域を前記第1の帯域よりも広い第2の帯域に設定することを特徴とする。参照信号の時間に対する変化率に応じて比較器の帯域を制御することにより、参照信号の時間に対する変化率にかかわらずフレームレートを一定に保ちながら、低ノイズ化が可能となる。図1は、本発明の実施形態に係る撮像装置の構成例を示すブロック図である。撮像装置は、例えばカメラシステムであり、列並列AD変換器搭載イメージセンサ110の画素領域に入射光を導く被写体像を結像する光学系、例えば入射光像光を撮像面上に結像させるレンズ101を有する。撮像装置は、列並列AD変換器搭載イメージセンサ110と、イメージセンサ110からの画素信号に対し所定の信号処理を行う画像処理部108と、画像処理部108の駆動を制御する全体制御部109とを有する。全体制御部109は、イメージセンサ110内の回路を駆動するスタートパルスやクロックパルスを含む各種タイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、所定のタイミングでイメージセンサ110を駆動する。また、画像処理部108は、RGBの画素出力信号をY,Cb,Cr色空間への変換や、ガンマ補正などの所定の画像処理を施す。画像処理部108で処理された画像信号は、例えばメモリなどの記録媒体に記録される。記録媒体に記憶された画像情報は、プリンタなどによってハードコピーされる。また、画像処理回路108で処理された画像信号は、液晶ディスプレイなどからなるモニターに動画として映し出される。列並列AD変換器搭載イメージセンサ110は、レンズ101によって結像された光を電気信号に変換する画素アレー部102と、AD変換の際に参照信号として用いられるランプ参照信号を発生させるランプ発生回路103とを有する。ランプ参照信号は、時間に対して変化する参照信号である。さらに、イメージセンサ110は、画素アレー部102からのアナログ信号をデジタル信号に変換する列並列AD変換部104と、AD変換時の制御パルスを発生させるタイミング発生回路105とを有する。さらに、イメージセンサ110は、相関二重サンプリングCDSなどの処理をAD変換出力結果に対して行う信号処理部106と、LVDSなどの外部インターフェースI/F部107とを有する。撮像装置は、その他さまざまな機能部位をもつが、本実施形態での特徴的な部位のみを記述した。図2は、図1の列並列AD変換器搭載イメージセンサCMOSイメージセンサ110の構成例を示す図である。図2の画素アレー部209は、図1の画素アレー部102に対応する。図2の列並列AD変換部210は、列並列AD変換部104に対応する。図2のランプ発生回路参照信号発生回路208は、図1のランプ発生回路103に対応する。図2のタイミング発生回路部207は、図1のタイミング発生回路105に対応する。図2の信号処理部206は、図1の信号処理部106に対応する。列並列AD変換器搭載イメージセンサ110は、撮像部としての画素アレー部209と、信号処理部206と、各種駆動パルスのタイミング制御を行うタイミング発生回路部207とを有する。画素アレー部209は、2次元行列状に配列された画素202及び垂直走査部201を有する。さらに、イメージセンサ110は、画素アレー部209の読み出し部としての列並列AD変換部210と、列アンプ203及び比較器204などに流れる電流を制御するバイアス回路211とを有する。さらに、イメージセンサ110は、ランプ参照信号を発生させるランプ発生回路208を有する。列並列AD変換部210は、列アンプ203と、比較器204と、カウンタ205とを有する。カウンタ205は、タイミング発生回路部207が生成するクロック信号CLKのクロック数をカウントする。これらの構成要素のうち、画素アレー部209、垂直走査部201、列並列AD変換部210、ランプ発生回路208、バイアス回路211はアナログ回路により構成される。また、タイミング発生回路部207、信号処理部206はデジタル回路により構成される。各画素202は、フォトダイオードと画素内アンプとを含み、光電変換により信号を生成する。例えば、図7に示すような画素202がマトリックス状行列状に配置されている。図7は、イメージセンサ110の各画素202の構成例を示す図である。画素202は、光電変換素子例えばフォトダイオード701と、転送スイッチである転送トランジスタ706と、画素レベルをリセットするリセットトランジスタ703と、増幅トランジスタ704と、選択トランジスタ705とを有する。フォトダイオード701は、入射光をその光量に応じた量の電荷ここでは電子に光電変換する。転送トランジスタ706は、フォトダイオード701の出力ノードとしてのフローティングディフュージョンFD707とフォトダイオード701との間に接続されている。転送トランジスタ706は、転送制御線LTXを通じて、そのゲート転送ゲートに駆動信号TGが与えられることにより、フォトダイオード701で光電変換された電荷をフローティングディフュージョン707に転送する。リセットトランジスタ703は、電源ラインLVDDとフローティングディフュージョン707との間に接続されている。リセットトランジスタ703は、リセット制御線LRSTを通してそのゲートにリセットRSTが与えられることで、フローティングディフュージョン707の電位を電源ラインLVDDの電位にリセットする。フローティングディフュージョン707は、増幅トランジスタ704を介して、垂直信号線702に接続される。増幅トランジスタ704は、画素202の外部の定電流源とソースフォロアを構成している。そして、選択制御線LSELを通して制御信号アドレス信号又はセレクト信号SELが選択トランジスタ705のゲートに与えられ、選択トランジスタ705がオンする。選択トランジスタ705がオンすると、増幅トランジスタ704はフローティングディフュージョン707の電位を増幅してその電位に応じた電圧を垂直信号線702に出力する。垂直信号線702を通じて、各画素202から出力された電圧は、画素信号読み出し回路としての列並列AD変換部210に出力される。これらの動作は、例えば転送トランジスタ706、リセットトランジスタ703、及び選択トランジスタ705の各ゲートが行単位で接続されていることから、1行分の各画素202について同時に行われる。画素アレー部209に配線されているリセット制御線LRST、転送信号線LTX、及び選択制御線LSELが一組として画素202の配列の各行単位で配線されている。これらのリセット制御線LRST、転送制御線LTX、及び選択制御線LSELは、画素駆動部としての垂直走査部201により駆動される。タイミング制御回路部207は、画素アレー部209、垂直走査部201、信号処理部206、列並列AD変換部210、ランプ発生回路208の信号処理に必要なタイミング信号を生成する。画素アレー部209においては、ラインシャッターを使用した光子蓄積及び排出により、映像や画面イメージを画素行毎に光電変換し、アナログ信号を列並列AD変換部210に出力する。列並列AD変換部210は、列毎でそれぞれ、画素アレー部209のアナログ出力信号とランプ発生回路208からのランプ参照信号とを比較し、デジタル信号を出力する。列並列AD変換部210は、AD変換器が複数列配列されている。各AD変換器は、参照信号を階段状もしくはスロープ状に変化させたランプ参照信号と、行列毎に画素202から垂直信号線702を経由し列アンプ203で増幅して得られるアナログ信号とを比較する比較器204を有する。さらに、各列のAD変換器は、比較時間をカウントし、カウント結果をラッチして保持するカウンタ205を有する。列毎に配置された比較器204は、列アンプ203からの画素信号とランプ参照信号の電圧が等しくなったときに、比較器204の出力を反転し、カウンタ205のカウントを停止し、AD変換を完了させる。本構成では、画素列毎に列アンプ203を用いたが、画素垂直信号線702を直接比較器204に入力する構成であっても良い。本実施形態に係る列並列AD変換部210においては、画素ノイズ及び/又は比較器ノイズを低減するため、アンプ型の比較器の帯域を制限している。比較器204の具体的な構成及び機能については後で詳述する。図3は、本実施形態に係る比較器の構成例を示す回路図である。図3の全体制御部301は図1の全体制御部109に対応し、図3のタイミング発生器302は図1及び図2のタイミング発生回路部105及び207に対応し、図3の比較器304は図2の比較器204に対応する。比較器304は、第1のアンプ305と、第2のアンプ306とを有する複数段構成になっている。そして、第1段目の出力と第2段目の入力の間に複数個の切り替え可能な容量303が接続されている。この容量303は、電源対1段アンプの出力線、又はグランド、又は2段目のアンプの入力トランジスタのドレインソースなどに接続されている。これにより、負荷容量303を切り替えることで、比較器304の初段の帯域を可変にすることができる。ここでは、可変容量303を、複数の容量素子を互いに並列に接続する構成例を示したが、この形式に限らない。また、第1のアンプ電流源307は、バイアス回路211とカレントミラーを構成しており、バイアス電圧バイアス値を変化させるか、ミラー比をスイッチで切り替えることで、比較器304の初段の帯域を可変にすることができる。以下、本実施形態の特徴的な構成を有する比較器304の構成及び機能について詳細に説明する。比較器304は、縦続接続された第1のアンプ305と、第2のアンプ306と、帯域を可変にする切り替え可能な容量303とを有する。第1のアンプ305は、PMOSトランジスタPT301,PT302と、NMOSトランジスタNT301~NT302と、可変容量303、第1のアンプ電流源307とを有する。PMOSトランジスタPT301のソース及びPMOSトランジスタPT302のソースは、電源電位VDDのノードに接続されている。また、PMOSトランジスタPT301及びPT302のゲートは、PMOSトランジスタPT301のドレインに接続されている。PMOSトランジスタPT301及びPT302のドレインは、それぞれNMOSトランジスタNT301及びNT302のドレインに接続される。トランジスタPT302及びNT302のドレインの相互接続点第1のアンプ305の出力端子ND301は、可変容量303及びPMOSトランジスタPT303のゲートに接続されている。NMOSトランジスタ第1のトランジスタNT301のゲートには、ランプ発生回路208からのランプ参照信号RAMPが入力される。NMOSトランジスタ第2のトランジスタNT302のゲートには、列アンプ203からの画素に基づく信号画素信号SIGが入力される。NMOSトランジスタNT301及びNT302のソース同士は接続され、第1のアンプ電流源307に接続されている。また、第1のアンプ電流源307は、比較器304の外部のバイアス回路部211に接続されてカレントミラーを構成している。第1のアンプ電流源307はカレントミラーのバイアス電圧バイアス値を変える、またはミラー比を変えることで電流量を変化させることができる。可変容量303は、信号線と電源の間に挟まれる形で接続されているが、ミラー効果を利用するため、2段目のPMOSトランジスタPT303のドレインに接続しても良い。可変容量303のスイッチは、比較器304の外部のタイミング発生器302に接続されている。第1のアンプ305では、PMOSトランジスタPT301及びPT302によりセルフバイアス型のカレントミラー回路が構成され、NMOSトランジスタNT301及びNT302により第1のアンプ電流源307を電流源とする差動比較部が構成される。第1のアンプ305は、画素信号SIGとランプ参照信号RAMPとの比較を行い、比較結果を出力端子ND301に出力する。容量303は、第1のアンプ305の出力端子ND301に接続される。第2のアンプ306は、PMOSトランジスタPT303及び第2のアンプ電流源308を有する。PMOSトランジスタPT303のソースが電源電位VDDのノードに接続され、ゲートが第1のアンプ305の出力端子ND301に接続されている。PMOSトランジスタPT303のドレインと第2のアンプ電流源308が接続され、その接続点から出力信号OUTが出力される。第2のアンプ電流源308は、比較器304の外部のバイアス回路部211に接続されている。このような構成を有する第2のアンプ306において、PMOSトランジスタPT303により入力及び増幅回路が構成されている。第2のアンプ306は、第1のアンプ305の出力端子ND301の信号を反転増幅し、出力信号OUTを出力する。可変容量303が第1のアンプ305の出力端子ND301とPMOSトランジスタPT303のドレイン間に接続される場合は、ミラー効果の影響により出力端子ND301と電源電位VDDのノードとの間にゲイン倍された容量が接続されたのと等価になる。ここでは、差動対をNMOSトランジスタで構成するアンプ型比較器について示したが、PMOSトランジスタ差動対などで構成された他のアンプ型比較器であってもよい。次に、本実施形態に係る比較器204の動作について、図8のタイミングチャートに関連付けて説明する。図8に示すように、画素ノイズを除去する相関二重サンプリングCDSを行う目的から、画素のリセットレベルのAD変換と光信号レベルのAD変換の2回AD変換を行う。比較器204のNMOSトランジスタNT302のゲートには、画素信号を列アンプ203で増幅した信号SIGが入力される。ここでは、列アンプ203を用いた例を示したが、列アンプ203を用いず、直接、垂直信号線702を比較器204に接続させる構成であっても良い。比較器204のNMOSトランジスタNT301のゲートには、傾斜状のランプ参照信号RAMPが入力される。比較器304は、画素202に基づく信号SIGと時間に対して変化するランプ参照信号RAMPとを比較する。カウンタ205は、ランプ参照信号RAMPの傾斜開始時刻t1及びt3からカウントを開始し、画素信号SIGとランプ参照信号RAMPとの大小関係が逆転して比較器204の出力信号OUTが反転する時刻t2及びt4までの間にカウント値をカウントする。AD変換開始時刻t1の前までは、ランプ参照信号RAMPの電圧値を一定にする。画素リセットレベルN信号に関して、変換開始時刻t1と同時に、ランプ参照信号RAMPの電圧値を傾斜状に変化させる。この時の画素信号SIGは、図7のリセットトランジスタ702により画素レベルがリセットされた状態での画素信号である。ランプ参照信号RAMPと画素信号SIGの電圧レベルが逆転するところで、比較器304の出力信号OUTが反転し、カウンタ205のカウント動作を停止させる。変換開始時刻t1から出力信号OUTが反転するまでの時刻t2の期間内に、カウンタ205によりカウントされたクロック信号CLKのクロック数が、カウント値として、画素リセットレベルN信号のAD変換結果となる。画素の光信号レベルS信号をAD変換する2回目のAD変換動作においても同様に、比較器204は、参照信号RAMP及び画素信号SIGを入力する。この時の画素信号SIGは、図7のリセットトランジスタ703によりリセットされていない状態での画素信号である。AD変換開始時刻t3では、ランプ参照信号RAMPを傾斜状に変化させる。比較器304は、画素信号SIGとランプ参照信号RAMPの大小関係が逆転する時刻t4で出力信号OUTを反転する。カウンタ205は、ランプ参照信号RAMPの傾斜開始時刻t3から出力信号OUTの反転時刻t4までのクロック信号CLKのクロック数をカウント値としてカウントする。時刻t3からt4の期間内にカウントされたカウント値がAD変換結果となる。信号処理部206は、時刻t3~t4におけるカウンタ205のカウント値S信号と時刻t1~t2におけるカウンタ205のカウント値N信号との差分を演算することにより、画素リセットレベルを除去した画素信号を得ることができる。以下、比較器304の動作について詳細に説明する。図4は、比較器304の反転遅延を示す図である。比較器304の第1のアンプ305の差動対のNMOSトランジスタNT301及びNT302には、それぞれランプ参照信号RAMPと列アンプ203の出力である画素信号SIGが入力される。AD変換開始からランプ参照信号RAMPが傾斜状に変化し、画素信号SIGと等しくなったときに、理想的には第1のアンプ305の出力端子ND301の電圧が反転する。ここで、アンプ型比較器においては、帯域制限を行うことでランダムノイズが低減し、S/Nが向上するため、帯域制限用の容量を用いる。しかしながら、この比較器304において、大きな容量負荷303をつけると、帯域の低下と、容量303への充放電によるスルーレートの悪化によって、図4に示すような反転遅延が大きくなるといった問題がおきる。図5は、ランプ参照信号電圧の傾斜と比較器204の反転遅延の関係例を示した図である。横軸にランプ参照信号RAMPの傾斜を示し、縦軸を比較器304の反転遅延を示したものである。横軸は標準設定の傾斜を1として正規化を行っている。また、縦軸は傾斜1の時の反転遅延量で正規化を行っている。図5に示すように、反転時間はランプ参照信号RAMPの傾きと相関関係があり、ランプ参照信号RAMPの傾斜が小さくなるほど反転遅延が大きくなる問題がある。比較器304の反転遅延が増大すると、AD変換時間を延ばさなければならず、結果的にフレームレートを落とさざるをえなくなる。上記の問題を解決するため、本実施形態では、図3に示すように、アンプ型比較器の帯域をランプ参照信号RAMPの傾斜と連動させて制御する。具体的には、列並列AD変換部210のモードを制御する全体制御部301は、ランプ発生回路208及び可変容量303に制御信号をタイミング発生器302を通して出力する。このとき、ランプ参照信号RAMPの傾斜は、画像の照度などから適切となるようなモードが選択される。可変容量303の設定値は、全体制御部301にあらかじめ用意されているランプ参照信号RAMPの傾斜に対応する容量値が選択され、可変容量303のスイッチを切り替える。ランプ参照信号RAMPと可変容量303の対応関係は、あらかじめテーブルなどで用意されていても、逐次関連付けされても、どちらの方法であっても良い。可変容量303とランプ参照信号RAMPの傾斜の関係例を示す。全体制御部301は、ランプ参照信号RAMPの傾斜を小さくした場合、すなわち反転遅延が大きくなる場合に負荷容量303を小さくする。また、ランプ参照信号RAMPの傾斜が大きい場合、すなわち反転遅延が小さい場合には負荷容量303を大きくし、AD変換器全体のノイズを低減させるなどの制御を行う。アンプ型比較器の帯域を制御する他の手段として、第1の可変電流源としての第1のアンプ電流源307の電流量を変える手段がある。具体的には、列並列AD変換部210のモードを制御する全体制御部301は、ランプ発生回路208及びバイアス回路211に制御信号を、タイミング発生器302を通して出力する。バイアス回路部211と第1のアンプ電流源307はカレントミラー回路を構成しており、バイアス回路211のバイアスを変化させることで、第1のアンプ305に流れる電流量と帯域を変化させることができる。また、ランプ参照信号RAMPの傾斜は、画像の照度などから適切となるようなモードが選択される。バイアス回路211の設定値は、全体制御部301にあらかじめ用意されているランプ参照信号RAMPの傾斜に対応するバイアスが選択され、第1のアンプ電流源307の電流値を切り替える。ランプ参照信号RAMPとバイアス回路211の設定値の対応関係は、あらかじめテーブルなどで用意しても、逐次関連付けしても、どちらの方法であっても良い。第1のアンプ電流源307の構成は、説明したものに限らず、電流量を可変に設定できるものであれば良い。また、ここでは第1のアンプ電流源307を例にしたが、第2の可変電流源としての第2のアンプ電流源308が供給する電流量を変化させてもよい。さらに、第1のアンプ電流源307と第2のアンプ電流源308のそれぞれが供給する電流量をともに切り替えても良い。さらに、第1及び第2のアンプ電流源307,308が供給する電流量を変化させる手法として、カレントミラー回路のバイアス電圧を変化させることも考えられる。全体制御部301は、ランプ参照信号RAMPが第1の変化率で時間に対して変化する場合には、比較器304の帯域を第1の帯域に設定する。そして、全体制御部301は、ランプ参照信号RAMPが第1の変化率よりも小さい第2の変化率で時間に対して変化する場合には、比較器304の帯域を第1の帯域よりも広い第2の帯域に設定する。例えば、全体制御部301は、ランプ参照信号RAMPの時間に対する変化率傾斜に応じて比較器304内の容量303を制御する。具体的には、全体制御部301は、ランプ参照信号RAMPの時間に対する変化率が第1の変化率のときには比較器304内の容量303を第1の容量値に設定する。そして、全体制御部301は、ランプ参照信号RAMPの時間に対する変化率が第1の変化率より小さい第2の変化率のときには比較器304内の容量303を第1の容量値より小さい第2の容量値に設定する。全体制御部301は、ランプ参照信号RAMPの時間に対する変化率を第1の変化率に設定するときには容量303を第1の容量値に設定し、ランプ参照信号RAMPの時間に対する変化率を第2の変化率に設定するときには容量303を第2の容量値に設定する。全体制御部301は、ランプ参照信号RAMPの時間に対する変化率を制御する。ランプ発生回路参照信号発生回路208は、全体制御部301により制御された時間に対する変化率でランプ参照信号RAMPを生成する。図6は、反転遅延を一定値以下にする制約のもとで、固定的に容量をつけた場合のノイズ特性602と、ランプ参照信号RAMPの傾斜に応じて可変容量303を制御した場合のノイズ特性601の関係を示した一例である。横軸はランプ参照信号RAMPの傾斜を示し、標準の傾きを1として正規化したものである。縦軸は比較器304の出力信号OUTに現れるノイズ量を示している。ノイズ量はランプ参照信号RAMPの傾斜の傾きが0.1の際のノイズ特性602のノイズ値を1として正規化している。図6から分かるように、本実施形態のノイズ特性601では、ランプ参照信号RAMPの傾斜が大きい際にノイズ性能を大きく改善することが可能となる。可変容量303の切り替えタイミングは、例えばランプ参照信号RAMPの変化タイミングに合わせる、水平同期信号、垂直同期信号に合わせて切り替えるなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。例えば、複数の容量303の容量値をスイッチで切り換える構成を開示したが、容量303の容量値を可変容量素子により変える構成でもよい。また、ランプ参照信号は、時間に対してレベルが直線的に変化するものに限定されず、階段状に変化するものを用いても良い。"