第1金属の粒子を噴出する噴出部と、分子内に酸素を含む酸化性成分を含むガスと前記粒子とを混合させ、混合物を調製する混合部と、前記混合物の温度を、前記第1金属が蒸発する温度に上げるよう前記混合物を加熱する加熱部と、前記加熱部で生成した生成物を冷却する冷却部と、を備えた、金属酸化物ナノファイバ製造装置。前記第1金属が、Si、Ti、Al、Snのいずれかである、請求項1記載の金属酸化物ナノファイバ製造装置。前記噴出部は、前記混合部で調製された前記ガスと前記粒子の前記混合物を噴出する、請求項1記載の金属酸化物ナノファイバ製造装置。前記混合部は、前記噴出部から噴出された前記粒子と前記ガスとを混合する、請求項1記載の金属酸化物ナノファイバ製造装置。前記加熱部に前記ガスが導入され、前記加熱部は前記混合部を兼ねる、請求項1記載の金属酸化物ナノファイバ製造装置。前記冷却部で冷却された生成物を受ける被堆積体を保持する保持部をさらに備えた、請求項1記載の金属酸化物ナノファイバ製造装置。前記冷却部で冷却された生成物を受ける貯留槽をさらに備えた、請求項1記載の金属酸化物ナノファイバ製造装置。前記噴出部に供給される前記粒子の凝集を抑制する振動部をさらに備えた、請求項1記載の金属酸化物ナノファイバ製造装置。前記噴出部は前記第1金属の沸点より高い沸点を有する第2金属の粒子を前記第1金属の粒子と混合して噴出する、請求項1記載の金属酸化物ナノファイバ製造装置。前記混合部は、前記第1金属の沸点より高い沸点を有する第2金属の粒子と、前記第1金属の粒子と、前記ガスとを混合する、請求項1記載の金属酸化物ナノファイバ製造装置。第1金属の粒子を噴出するステップと、分子内に酸素を含む酸化性成分を含むガスと前記粒子とを混合させ、混合物を調製するステップと、前記混合物の温度を、前記第1金属が蒸発する温度に上げるよう前記混合物を加熱するステップと、加熱されて生成した生成物を冷却するステップと、を備えた、金属酸化物ナノファイバの製造方法。前記第1金属が、Si、Ti、Al、Snのいずれかである、請求項11記載の金属酸化物ナノファイバの製造方法。前記第1金属の粒子を噴出する際には、前記混合物の状態で噴出する、請求項11記載の金属酸化物ナノファイバの製造方法。前記混合物を調製する際に、噴出された前記粒子と前記ガスとを混合する、請求項11記載の金属酸化物ナノファイバの製造方法。前記噴出された前記粒子を前記ガスの雰囲気内で加熱することで、前記混合物を調製するステップと、前記混合物を加熱するステップと、を実施する、請求項11記載の金属酸化物ナノファイバの製造方法。冷却された生成物を被堆積体で受け、前記被堆積体の表面に前記ナノファイバを付着させる、請求項11記載の金属酸化物ナノファイバの製造方法。冷却された生成物を貯留槽で受け、前記貯留槽に前記ナノファイバを貯留させる、請求項11記載の金属酸化物ナノファイバの製造方法。前記粒子を加熱する際、前記粒子は前記ガスにのみ接触している、請求項11記載の金属酸化物ナノファイバの製造方法。前記第1金属の粒子を噴出する際に、前記第1金属の沸点より高い沸点を有する第2金属の粒子を前記第1金属の粒子と混合して噴出する、請求項11記載の金属酸化物ナノファイバの製造方法。前記ガスと前記第1金属の粒子とを混合させ、混合物を調製する際に、前記第1金属の沸点より高い沸点を有する第2金属の粒子と、前記第1金属の粒子と、前記ガスとを混合する、請求項11記載の金属酸化物ナノファイバの製造方法。以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明はこれら実施の形態に限定されるものではない。図1は本発明の実施の形態における金属酸化物ナノファイバ製造装置を説明する模式図、図2はこれを用いて金属酸化物ナノファイバを形成する製造手順の概念図である。図1に示すように、本発明の金属酸化物ナノファイバ製造装置以下、製造装置20Aは、ノズル部2と、混合部4Aと、加熱部5と、テーブル7と、冷却部10と、チャンバ11と、減圧ポンプ12とを有している。ノズル部2は金属の粒子1を噴出する噴出部である。混合部4Aは分子内に酸素を含む酸化性成分を含むガス3と粒子1とを混合させ、混合物を調製する。具体的には、混合部4Aは、ガス3と粒子1とを混合し、ノズル部2は、混合部4Aで調製された混合物を噴出する。加熱部5はこの混合物の温度を、所定の温度に上げるよう混合物を加熱する。テーブル7は加熱部5から一定の距離を置いて付着させたい被堆積体である対象物6をセットするための保持部である。加熱部5とテーブル7との間の部分は、加熱部5で加熱されて生成した生成物を冷却する冷却部10として機能する。一旦温度の上がった粒子1は冷却されて繊維形状の金属酸化物ナノファイバ以下、ナノファイバ8となり、対象物6へ到達する。すなわち、テーブル7は冷却部10で冷却された生成物であるナノファイバ8を受ける被堆積体を保持する保持部である。チャンバ11は、ノズル部2、混合部4A、加熱部5、冷却部10、テーブル7を収容している。減圧ポンプ12はチャンバ11の内部を減圧する。次に、図2を参照しながらナノファイバ8が形成される様子を説明する。原料となる金属の粒子1と分子内に酸素を含む酸化性成分を含むガス3とを混合部4Aにおいて混合させる。そして、この混合物をノズル部2より噴出し、加熱部5によって所定の温度に加熱することで粒子1を蒸発させる。所定の温度とは、粒子1がチャンバ11内の圧力下において蒸発する温度である。チャンバ11内の圧力は大気圧以下、100Pa程度以上の範囲内に保たれている。蒸発した金属原子はガス3に含まれる酸素と結合し、金属酸化物が形成される。たとえば粒子1としてSi、ガス3として酸素を用いた場合、Siと酸素とを混合し、加熱することにより、SiO亜酸化シリコンが生成してチャンバ11内雰囲気中に放出される。このSiOが加熱部5から放出され、冷却部10で冷却されることで凝集を起こすと、チャンバ11内雰囲気中の酸素を取り込んでSiO2となり、繊維形状の固形成分として析出し、ナノファイバ8が形成される。その後、テーブル7に予め準備されていた対象物6上に付着することで、対象物6上にナノファイバ8を製造することができる。金属の種類によっても異なるが、例えば粒子1がSiからなる場合、粒子1が加熱部5で1000~1500°Cにて加熱される際にSiO2からなるナノファイバ8が生成する。この生成時にはナノファイバ8も1000°C以上の高温であるが、テーブル7にセットされた対象物6に到達する際にはナノファイバ8は冷却部10で十分冷却されている。そのため対象物6を不用意に加熱してしまうことは少なくなる。このため、ガラス、樹脂やITO基板など温度に対する耐性が低い対象物6にもナノファイバ8を形成することができる。このように、対象物6の選択範囲が広がる。また、VSD法のように、ナノファイバ8の素材が対象物6に制限されない。ノズル部2が上記混合物を噴出するために、ノズル部2内の雰囲気圧力は、ノズル部2外のチャンバ11内の雰囲気よりも高い。そのため、ノズル部2内は混合部4Aから供給されるガス3によって加圧され、チャンバ11内の雰囲気は減圧ポンプ12によって減圧されている。すなわちノズル部2から噴出したガスのうち、粒子1の蒸発した成分と反応しない残分は減圧ポンプ12によりチャンバ11外へ排出され、ノズル部2外のチャンバ11内の雰囲気圧力はノズル部2内の雰囲気圧力よりも低く保たれている。なお、加熱部5によって粒子1とガス3との混合物を加熱する際に、加熱部5における雰囲気圧力を大気圧より低くしておくと、粒子1を構成する金属の蒸発する温度が下がり、蒸発しやすくなるので、ナノファイバ8をより多く形成することができる。この状態は、加熱部5とテーブル7とが設置されたチャンバ11の内部雰囲気の圧力を大気圧より低く設定しておくことによって実現できる。この構成により、ノズル部2での雰囲気の圧力がチャンバ11の雰囲気の圧力より高くなり、より噴出しやすくなり望ましい。ナノファイバ8の形成条件は、たとえばSiO2の場合、雰囲気の全圧および酸素分圧によって変化すると考えられる、Si、SiOの蒸気圧温度、気相SiO生成速度、液相SiO凝集速度等によって決定され、様々なサイズのSiO2ナノファイバの析出が可能となる。なお、温度維持過程での酸素分圧が高すぎると、Siの気化もしくはSiOの気化が適切に行われず、SiO2への凝集および析出が行われなくなり、ナノファイバ8が形成できなくなる。そのため、雰囲気圧力、酸素分圧は粒子1の蒸気圧に鑑みて特に重要なパラメータである。なお、加熱部5によって加熱する領域の圧力が小さい時には、加熱部5からの熱は雰囲気の熱伝導では届かなくなる。この場合は赤外線ランプや、マイクロ高周波を加熱部5として用いて、粒子1の温度を上げればよい。なお、ガス3における、酸化物を形成するために必要な酸化性成分は酸素の他に、亜酸化窒素N2O、一酸化炭素COなど酸化作用を有し酸素を供給するガスも使用可能と考えられる。しかしながら、これらのガスは酸素以外の元素を含むため、金属酸化物の形成およびナノファイバ8の形成過程に影響を及ぼす。そのため、このようなガスを用いるには濃度、温度、圧力などの条件を適切に制御する必要がある。このようにナノファイバ8は、ガス3の分圧と温度とのパラメータを制御することによって所望の形状に形成される。なお、粒子1の大きさと濃度、ファイバ形成領域である加熱部5や冷却部10における雰囲気の圧力、雰囲気の酸素濃度、雰囲気の温度、その結果として変化する中間生成物のSiOの濃度等の条件により析出状態が変わる。そのため、これらの析出状態を変えることによって所望の繊維形状のナノファイバ8を形成することが出来る。例えば、これら条件によって析出状態を変えることでナノファイバ8の直径太さを制御することが可能である。ナノファイバ8の直径は10nm程度から、1μm程度にできる。なお、ナノファイバ8の長さもまた、条件によって制御が可能であるが、一般的に1~500μmである。なお、金属からなる粒子はSiの他、Tiを使えばTiO2ナノファイバ、Alを使えばAl2O3ナノファイバ、Snを使えばSnO2ナノファイバとなると考えられるが、形成条件はTi、AlやSnの蒸発する温度や蒸気圧によって変わる。一般に、金属材料の蒸気圧よりも極端に高い濃度で酸素が供給されると蒸気中で化学反応が起きにくくなると考えられる。一方で、ナノファイバ8を形成するためには酸素酸素原子は不可欠であるので、ナノファイバ8の形成を妨げない程度に酸素濃度を高くすることが良いと考えられる。なお、金属からなる粒子1はその大きさや表面形状によって、表面積が変わるため、同じ雰囲気温度、圧力であっても蒸発量が変化する。より低い温度でナノファイバ8を形成し、ナノファイバ8の径を細くしたい場合にはより粒径の小さな粒子1を用いる方が効率的である。このように、粒子1の粒径が小さいほど、その体積に対する表面積の比率が大きくなり、蒸発しやすくなる。なお、粒子1の粒径が小さすぎると蒸発が速く進みすぎる。したがって粒子1の粒径は1μm以上が好ましいと考えられる。具体的には、粒子1の粒径は100μm以下が好ましく、実際に5μmでナノファイバ8を形成できることを確認している。このように粒子1をナノファイバ8の原料とすることは、従来のCVD法を用いたナノファイバ8の製造方法であるガス供給、基板供給などに比べて汎用性が高いという利点を有する。上述のように、雰囲気から受ける熱エネルギーによって、粒子1を構成する金属が蒸発する効率は、粒子1の大きさが小さいほど、高くなる。このため、粒子1は雰囲気を構成する物質ガス3のみに接触している場合に、最も蒸発効率が良くなる。ただし、粒子1が雰囲気以外の物質に接触していると繊維が形成されないというわけではない。すなわち、粒子1同士が接触していてもよい。あるいは、加熱部5を構成する部材に粒子1が接触してもよい。この場合でも、雰囲気を構成する物質のみに接触している場合と比べて、効率が低減されるものの、繊維は形成される。しかしながら、粒子1ができる限り孤立分散しているほうが、均一性が向上するため好ましく、また加熱部5を構成する部材に接触しないことが好ましい。上記のように、粒子1を雰囲気以外の物質に接触させないためには、例えば図1に示すように、粒子1をノズル部2に供給する途中に振動部15を設ければよい。すなわち、ノズル部2に供給される粒子1の凝集を抑制する振動部15を設けることが好ましい。この場合は、粒子1同士が凝集することを抑制することが可能となる。あるいは、加熱部5の内壁に沿ったガス3の層流を形成して粒子1が加熱部5に接触するのを抑制してもよい。これらの構成は以下に説明する図3A~図5に示す金属酸化物ナノファイバ製造装置にも適用できる。なお、図3Aに示すように混合部4Aに代えて、混合部4Bをノズル部2の後に設けてもよい。図3Aは本発明の実施の形態における他の金属酸化物ナノファイバ製造装置の模式図である。製造装置20Bでは、ノズル部2がガス3の雰囲気下に直接、粒子1を噴出する。すなわち、混合部4Bは、噴出部2から噴出された粒子1とガス3とを混合する。この場合、例えば窒素などの不活性ガスをキャリアガスとして用いることで、ノズル部2から粒子1を噴出することができる。なお、加熱部5における酸素酸化性ガスの割合は、全ガスに対して0.1vol程度にする。さらに、図3Bに示すように、混合部を独立して設けずに、加熱部5にガス3を導入してもよい。図3Bは本発明の実施の形態における他の金属酸化物ナノファイバ製造装置の模式図である。このように、噴出された粒子1をガス3の雰囲気内で加熱してもよい。これによりガス3と粒子1の混合物を調整しつつ、同時にこの混合物を加熱することができる。次に、より好ましい金属酸化物ナノファイバ製造装置の構成について、図4A、図4Bを参照しながら説明する。図4A、図4Bは本発明の実施の形態におけるさらに他の金属酸化物ナノファイバ製造装置の模式図である。金属からなる粒子1を蒸発し、酸化、析出させる過程において、粒子1を構成する金属の沸点より高い沸点を有する第2金属の粒子1Aを所定量投入しておくことが望ましい。粒子1が蒸発後に、第2金属の粒子1Aに選択的に凝集することにより、粒子1を構成する金属の凝集率が高まり、ナノファイバ8がより効率よく形成される。ここで第2金属としては、白金、金、ニッケル、鉄等を用いることが出来るが、どれを選ぶかはナノファイバ8を形成したい粒子1の金属の沸点によって適切に選ぶべきである。なお、粒子1Aは、図4Aに示すように予め粒子1と混合させておけばよい。あるいは、図4Bに示すように混合部4Aに粒子1と粒子1Aとをそれぞれ投入してもよい。また、図3A、図3Bに示す構成において、ノズル部2へ粒子1と粒子1Aとの混合物を供給してもよい。次に、図5を参照しながら図1に示す製造装置20Aの変形例を説明する。図5は本発明の実施の形態におけるさらに他の金属酸化物ナノファイバ製造装置の模式図である。図1に示す製造装置20Aでは、ナノファイバ8を形成温度より低い融点を持つ材料、たとえばガラス、樹脂などの基板である対象物6に形成する。これに対し図5に示す製造装置20Cでは、ナノファイバ8を特定の対象物6上へ形成することなく、貯留槽9にナノファイバ8を回収する。すなわち、テーブル7に代えて貯留槽9が設けられている。ナノファイバ8を回収するための貯留槽9は加熱部5から一定の距離を置いて設けられている。すなわち、加熱部5と貯留槽9との間には冷却部10が設けられ、一旦温度の上がった粒子1は冷却されて繊維形状のナノファイバ8となり、貯留槽9へ到達する。貯留槽9に到達したナノファイバ8は、冷却部10を得て冷めた状態になっている。そのため、貯留槽9はナノファイバ8を凝集することなく回収することができる。貯留槽9には水やオイル、流動パラフィンなどの液体が貯留されている。貯留槽9に貯留する液体は、チャンバ11内の設定圧力に応じて選択される。沸点が低く、蒸気圧の高い液体はチャンバ11内の設定圧力が低いと蒸発しやすいが、その一方、ナノファイバ8を回収後に除去しやすい。一方、沸点が高く、蒸気圧の低い液体はナノファイバ8を回収後に除去しにくいが、チャンバ11内の設定圧力が低めでも使用可能である。このように回収されたナノファイバ8は、例えば、後工程により溶液中に所定量を投入し、混合分散させることも可能であるため、溶液中で高表面積を必要とするアプリケーションなどに有用である。例えば、ナノファイバ8を金属薄膜でコーティングすると、金属薄膜はナノサイズ構造となる。このような材料は、たとえば局在プラズモン共鳴LPR現象を持つ材料として利用できる。この場合、プラズモン効果を利用しその共鳴状態を調べることで、表面における物理的変化たとえば物質付着による誘電率変化、金属薄膜の膜厚変化等を高感度に検出することができる。あるいは、ナノファイバ8の表面に特異的に物質を吸着させるプローブ材料を付着させておけば、溶液中でこれらプローブ材料に対となって吸着する物質を容易に捕捉することができる。たとえば抗原タンパク、一本鎖DNAあるいはペプチド等をナノファイバ8の表面に付着させれば、溶液中でタンパク質やDNA、ペプチド等を容易に捕捉することができる。ナノファイバ8は極めて細く表面積が広く、溶液が浸透されやすいので、これら物質の検出を高精度に行うことができる。なお図1~図4Bでは、粒子1は水平方向に移動、噴出し、ナノファイバ8を形成する構成としている。これ以外に、テーブル7を加熱部5の下方に設置し、テーブル7に対象物6を保持させ、形成されたナノファイバ8を対象物6に付着させることも可能である。このような構成では、ナノファイバ8の対象物6への付着に重力を利用することが可能となり、有用である。またこのような配置は図5に適用してもよい。