被加工物を保持する保持手段と、該保持手段で保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザビーム発生手段と、加工ヘッドとを含み、該加工ヘッドは、該レーザビーム発生手段から発生されたレーザビームを集光する集光レンズと、被加工物に液体を噴射して、該集光レンズで集光されたレーザビームが導光される液柱を形成する液体噴射手段とを有し、該レーザ加工装置は、被加工物と該加工ヘッドとの間で該液柱を所定のタイミングで遮る液体シャッターを形成するシャッター液を噴出するシャッター液噴出手段を具備したことを特徴とするレーザ加工装置。前記シャッター液噴出手段に対向して配設されたシャッター液回収手段を更に具備した請求項1記載のレーザ加工装置。レーザビームを導光して被加工物に照射するためには、液柱は安定した状態に形成されている必要があるため、液柱を形成する液体は例えば数十MPa程度の高圧で噴出される。液柱を形成する液体が噴出された後、液柱が安定した状態になるまでにはしばらく時間がかかるため、被加工物の加工中は常時液体を噴出して安定した液柱を形成しておくことが望ましい。ところが、レーザ加工時に被加工物の一端から他端までレーザビームを照射するには、被加工物から僅か外側にレーザ加工ヘッドがはみ出すようにレーザ加工ヘッドとチャックテーブルとを相対移動させる必要があり、高圧で噴出された液柱によって、被加工物が貼着された粘着シートに溝が形成されたり、粘着シートが分断されて破れてしまう恐れがあるという問題があった。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高圧で噴射された液柱によって、粘着シートに溝が形成されたり粘着シートが分断されてしまう恐れのないレーザ加工装置を提供することである。本発明によると、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段で保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザビーム発生手段と、加工ヘッドとを含み、該加工ヘッドは、該レーザビーム発生手段から発生されたレーザビームを集光する集光レンズと、被加工物に液体を噴射して、該集光レンズで集光されたレーザビームが導光される液柱を形成する液体噴射手段とを有し、該レーザ加工装置は、被加工物と該加工ヘッドとの間で該液柱を所定のタイミングで遮る液体シャッターを形成するシャッター液を噴出するシャッター液噴出手段を具備したことを特徴とするレーザ加工装置が提供される。好ましくは、レーザ加工装置は、シャッター液噴出手段に対向して配設されたシャッター液回収手段を更に具備している。本発明のレーザ加工装置は、加工ヘッドと被加工物の間で液柱を遮る液体シャッターを形成するためのシャッター液噴出手段を備えているため、所定のタイミングで液体シャッターにより液柱を遮ることができ、液柱によって粘着シートに溝が形成されたり粘着シートが分断されてしまうことを防止できる。シャッター液噴出手段に対向してシャッター液回収手段を設けることで、液体シャッターを形成した液体が装置内に飛散して加工ヘッドに付着することを防止できる。液体が加工ヘッドに付着すると、加工ヘッドから液体が滴下し、液柱を乱す恐れがある。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態のレーザ加工装置の外観斜視図が示されている。レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、即ちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持された半導体ウエーハをクランプするクランパ30が設けられている。静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にレーザビーム照射ユニット34が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット34は、ケーシング33中に収容された図4に示すレーザビーム発生ユニット35と、ケーシング33の先端に取り付けられた加工ヘッド36とを含んでいる。レーザビーム発生ユニット35は、図2に示すように、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器62と、繰り返し周波数設定手段64と、パルス幅調整手段66と、パワー調整手段68とを含んでいる。特に図示しないが、レーザ発振器62はブリュースター窓を有しており、レーザ発振器62から出射するレーザビームは直線偏光のレーザビームである。ケーシング33の先端部には、加工ヘッド36とX軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像ユニット38が配設されている。撮像ユニット38は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。撮像ユニット38は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ制御手段40に送信される。コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置CPU42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリROM44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリRAM46と、カウンタ48と、入力インターフェイス50と、出力インターフェイス52とを備えている。56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力エンターフェイス50に入力される。60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。撮像ユニット38で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。一方、コントローラ40の出力インターフェイス52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザビーム照射ユニット34等に制御信号が出力される。ケーシング33の先端には、撮像ユニット38に隣接してシャッター液噴出ユニット70が取り付けられている。図3に示されるように、シャッター液噴出ユニット70は、シャッター液噴出口71aを有するパイプ71と、パイプ71が接続されたシャッター液供給源72と、オン/オフ切替バルブ73とから構成される。加工ヘッド36を挟んでシャッター液噴出ユニット70の反対側にはシャッター液を回収するシャッター液回収ユニット74が配設されている。シャッター液回収ユニット74は、回収容器76と、回収容器76に接続されたフレキシブルなホース78とから構成され、ホース78は吸引源80に接続されている。レーザ加工装置2のレーザビーム照射ユニット34は、レーザビーム発生ユニット35と、加工ヘッド36とから構成される。図3に示されるように、レーザビーム発生ユニット35のパワー調整手段68により所定パワーに調整されたパルスレーザビーム69は、加工ヘッド36のハウジング82に形成されたビーム導入口85から加工ヘッド36内に導入される。ハウジング82内には、レーザビームを反射するミラー84と、レーザビームを集光する集光レンズ86が配設されている。ハウジング82と一体的に液体噴射手段88の液体室92を画成する液体室ハウジング94が形成されている。液体室ハウジング94は、円筒状側壁96と、該側壁96の上面及び下面をそれぞれ閉塞する上壁98及び下壁100とから構成されている。液体室ハウジング96を構成する上壁98には透明窓104が配設されている。液体室ハウジング94を構成する下壁100の中心部には、噴射ノズル106が形成されている。尚、噴射ノズル106の下端である噴射口106aに、集光レンズ86によって集光されるレーザビーム69の集光点が位置づけられる。側壁96には液体室92に開口する液体導入口102が形成されており、液体導入口102は高圧液供給源90に接続されている。高圧液供給源90から高圧液体が液体室92内に供給されると、この高圧液体は噴射ノズル106の噴射口106aから噴射されて液柱108を形成する。液体室ハウジング94の下端部には、エア導入ハウジング110が形成されている。エア導入ハウジング110は、液体室ハウジング94の底壁100に装着された円筒壁112と、円筒壁112の下端部に一体的に形成された環状底壁114と、環状底壁114の上端部に一体的に形成された内壁116とを含んでいる。内壁116の中心部に貫通穴118が形成されており、この貫通穴118中にパイプ120が圧入されている。シャッター液噴出ユニット70のパイプ71はオン/オフ切替バルブ73を介してシャッター液供給源72に接続されている。シャッター液噴出ユニット70のパイプ71の内径、即ちシャッター液噴出口71aの直径はφ0.5mm程度に設定されている。シャッター液噴出ユニット70のパイプ71は、噴出口71aがチャックテーブル28に保持されたウエーハWの上面から約3mmの高さ、加工ヘッド36から噴出される液柱108からX軸方向に約5mmの位置となる様に配設されている。また、オン/オフ切替バルブ73から噴出口71aまでの距離は8cm、噴出水圧は7MPa、オン/オフ切替バルブ73の開閉速度切替速度は0.3秒、液体シャッターのオン/オフ切替時間0.5秒に設定されている。図4を参照すると、粘着シートダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された半導体ウエーハWの斜視図が示されている。ウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された各領域にデバイスDが形成されている。ウエーハWは粘着シートであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、図1に示すチャックテーブル28でダイシングテープTを介してウエーハWを吸引保持し、クランプ30により環状フレームFをクランプすることにより、チャックテーブル28上に支持固定される。半導体ウエーハWをレーザ加工するに当たり、チャックテーブル28に保持されたウエーハWを撮像ユニット38の直下に位置づけ、撮像ユニット38でウエーハWの加工領域を撮像して、よく知られたパターンマッチング等の方法によりターゲットパターンを検出し、加工すべき第1のストリートS1を加工ヘッド36とX軸方向に整列させるアライメントを実施する。次いで、チャックテーブル28を90度回転してから、第1のストリートS1に直交する第2のストリートS2についても同様なアライメントを実施する。アライメントデータはコントローラ40のRAM46に格納する。このアライメント実施時に、ウエーハWの外周縁3点の座標を検出し、この3点の座標位置からウエーハWの中心を検出する。これにより、ウエーハWの外周と第1のストリートS1と第2のストリートS2との交点を求め、これらの交点の座標位置をコントローラ40のRAM46に格納する。第1のストリートS1と第2のストリートS2のレーザ加工時には、RAM46に格納したウエーハWの外周縁の座標に基づいて、シャッター液噴出ユニット70のオン/オフ切替バルブ73をコントローラ40で制御する。以下、このように構成されたレーザ加工装置2の作用について図5乃至図7を参照して説明する。まず、図5に示す加工開始時には、レーザビーム発生ユニット35からのレーザビーム69をOFF、液柱108をON、シャッター液噴出ユニット70からの液体シャッター75をONとなるように制御する。即ち、レーザビーム発生ユニット35のレーザ発振器62をOFF制御し、高圧液供給源90から純水等の高圧液体を、液体噴射手段88の液体室ハウジング94に形成された液体導入口102から液体室92内に導入し、液体室ハウジング94の下壁100に形成された噴射ノズル106から高圧液体を噴射して液柱108を形成する。この液柱108は、エア導入ハウジング110の内壁116の貫通穴118内に圧入されたパイプ120内を通過して噴射される。このとき、シャッター液噴出ユニット70のオン/オフ切替バルブ73をオン制御し、シャッター液噴出ユニット70の噴出口71aからシャッター液75を噴出する。パイプ120から噴出される液柱108はこのシャッター液75に遮られるため、ダイシングテープTに届くことはなく、その結果ダイシングテープTに液柱108により溝が形成されたり、液柱108によりダイシングテープTが分断されたりすることがない。液柱108を遮ったシャッター液75はシャッター液回収ユニット74の回収容器76に回収され、ホース78を介して吸引源80に吸引される。矢印Aは加工送り方向を示している。チャックテーブル28が矢印A方向に加工送りされて、ウエーハWの外周が液柱108の直下に位置付けられると、レーザビーム発生ユニット35のレーザ発振器62がONとなり、パワー調整手段68で所定パワーに調整されたレーザビーム69が加工ヘッド36のビーム導入口85から加工ヘッド36内に導入され、ミラー84で反射されて集光レンズ86で液体噴射手段88の液体室ハウジング94に形成された噴射ノズル106の噴射口106aに集光される。これと同時に、シャッター液噴出ユニット70のオン/オフ切替バルブ73はオフ制御され、噴出口71からのシャッター液の噴出は停止される。よって、図6に示すように、集光レンズ86で集光されたレーザビーム69はパイプ120内を通過する液柱108に導光案内されて、そのビーム径が広がらずに加工点に照射されて第1のストリートS1に沿ってレーザ加工溝を形成する。即ち、レーザ加工中には、レーザビーム69はON、液柱108はON、液体シャッター73はOFFとなる様に制御する。チャックテーブル28がA方向に加工送りされて、ウエーハWの反対側の外周縁が液柱108を通過すると、図7に示すように、シャッター液噴出ユニット70のオン/オフ切替バルブ73がオン制御されて、パイプ71の噴出口71aからシャッター液75の噴出が開始され、液柱108がシャッター液75により遮られる。これと同時に、レーザビーム発生ユニット35からのレーザビーム69もOFFとなる。即ち、レーザビーム発生ユニット35のレーザ発振器62の作動がOFFとなる。液柱108の噴出は続行されるが、この液柱はシャッター液75により遮られるため、液柱108によりダイシングテープTが悪影響を受けることはない。本実施形態では、レーザビーム69、液柱108、シャッター液75を上述したように制御して、ストリートピッチずつ割り出し送りしながら全ての第1のストリートS1に沿ってレーザ加工溝を形成する。次いで、チャックテーブル28を90度回転してから、レーザビーム69、液柱108、シャッター液75を同様に制御しながら、全ての第2のストリートS2に沿ってレーザ加工溝を形成する。以下の加工条件で厚さ200μmのダイシングテープTに貼着された厚さ100μmのシリコンウエーハを加工した。光源:YAGパルスレーザ波長:532nmYAGレーザの第2高調波平均出力:30W繰り返し周波数:50kHz液柱形成ノズル:φ50μm液柱の水圧:32MPa加工送り速度を10mm/sに設定したところ、ダイシングテープTに溝が形成されることなく、テープ自体が分断されることもないことが確認された。また、加工送り速度100mm/sに変更したところ、同様にダイシングテープTに溝が形成されることがなく、テープ自体が分断されることもないことが確認された。