複数のマスク基板それぞれの形状に関する第1のデータを取得する工程と、複数のペリクルそれぞれの形状に関する第2のデータを取得する工程と、前記第1のデータ及び前記第2のデータに基づいて、前記マスク基板と前記ペリクルとの組み合わせを決定する工程と、を備え、前記ペリクルは、ペリクルフレーム及びペリクル膜を含み、前記第2のデータは、複数のペリクルフレームそれぞれの形状及び複数のペリクルフレームそれぞれに貼り付けられたペリクル膜の形状の少なくとも一方に関するデータであり、前記組み合わせを決定する工程は、決定されたマスク基板に決定されたペリクルを貼り付けた場合に、前記決定されたマスク基板の平坦度が規定値よりも小さくなるような組み合わせを決定する工程を含み、前記組み合わせを決定する工程は、前記マスク基板にパターンを形成する前に行われる、或いはパターンが形成されている前記マスク基板に対して行われることを特徴とするフォトマスクの製造方法。複数のマスク基板それぞれの形状に関する第1のデータを取得する工程と、複数のペリクルそれぞれの形状に関する第2のデータを取得する工程と、前記第1のデータ及び前記第2のデータに基づいて、前記マスク基板と前記ペリクルとの組み合わせを決定する工程と、を備えたことを特徴とするフォトマスクの製造方法。前記ペリクルは、ペリクルフレーム及びペリクル膜を含み、前記第2のデータは、複数のペリクルフレームそれぞれの形状及び複数のペリクルフレームそれぞれに貼り付けられたペリクル膜の形状の少なくとも一方に関するデータであることを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクの製造方法。前記組み合わせを決定する工程は、決定されたマスク基板に決定されたペリクルを貼り付けた場合に、前記決定されたマスク基板の平坦度が規定値よりも小さくなるような組み合わせを決定する工程を含むことを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクの製造方法。前記組み合わせを決定する工程は、前記マスク基板にパターンを形成する前に行われることを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクの製造方法。前記組み合わせを決定する工程は、パターンが形成されている前記マスク基板に対して行われることを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクの製造方法。請求項2の方法によって製造されたフォトマスクを用いてパターン転写を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。複数のマスク基板それぞれの形状に関する第1のデータを取得する手順と、複数のペリクルそれぞれの形状に関する第2のデータを取得する手順と、前記第1のデータ及び前記第2のデータに基づいて、前記マスク基板と前記ペリクルとの組み合わせを決定する手順と、を備えたことを特徴とするフォトマスクの製造のためのプログラム。正確なパターン転写を行うことが可能なフォトマスクの製造方法等を提供する。実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、複数のマスク基板それぞれの形状に関する第1のデータを取得する工程と、複数のペリクルそれぞれの形状に関する第2のデータを取得する工程と、前記第1のデータ及び前記第2のデータに基づいて、前記マスク基板と前記ペリクルとの組み合わせを決定する工程と、を備える。以下、実施形態を図面を参照して説明する。図1は、実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示したフローチャートである。まず、複数のマスク基板及び複数のペリクルを用意するS11。マスク基板としてはレチクルを用いる。なお、ここで言うマスク基板とは、基板本体にパターン回路パターンを形成する前のもの例えば、マスクブランクであってもよいし、基板本体にパターン回路パターンを形成した後のもの例えば、フォトマスクであってもよい。また、後述するように、ペリクルはペリクルフレーム及びペリクル膜を備えている。次に、複数のマスク基板それぞれの形状に関する第1のデータを取得するS12。図2は、マスク基板10を模式的に示した図である。マスク基板10は、完全に平坦であることが好ましいが、通常は図2に示すように歪みを有している。そこで、複数のマスク基板10それぞれの形状を測定する。具体的には、マスク基板10の平坦性、すなわち歪み分布を測定する。測定結果は、データ化され、図示しない記憶装置に記憶される。次に、複数のペリクルそれぞれの形状に関する第2のデータを取得するS13。具体的には、複数のペリクルフレームそれぞれの形状及び複数のペリクルフレームそれぞれに貼り付けられたペリクル膜の形状の少なくとも一方に関するデータを取得する。図3に示すようにペリクル20ペリクルフレーム21、ペリクル膜22についても、通常は歪みを有している。そこで、複数のペリクル20それぞれの形状を測定する。具体的には、ペリクル20の平坦性ペリクルフレーム21及びペリクル膜22の少なくとも一方の平坦性、すなわち歪み分布を測定する。測定結果は、データ化され、図示しない記憶装置に記憶される。次に、S12のステップで取得された第1のデータ及びS13のステップで取得された第2のデータに基づいて、マスク基板10とペリクル20との組み合わせを決定するS14。以下、本ステップについて説明を加える。上述したように、マスク基板10は通常は歪みを有している。このような場合、マスク基板10にペリクル20を貼り付けることで、マスク基板10の歪みを低減できる場合がある。また、マスク基板10に歪みがほとんどない場合にも、マスク基板10にペリクル20を貼り付けることでマスク基板10に歪みが発生する場合もある。このような場合にも、ペリクル20を貼り付けた後のマスク基板10の歪みができるだけ小さいことが好ましい。マスク基板10とペリクル20との組み合わせを適切に選ぶことにより、ペリクル20の応力により、ペリクル20を貼り付けた後のマスク基板10の歪みを小さくすることが可能である。一方、通常は1つのリソグラフィプロセスに対して、複数のマスク基板10及び複数のペリクル20が用意されている。そこで、本実施形態では、S12のステップで取得された第1のデータ及びS13のステップで取得された第2のデータに基づいて、複数のマスク基板10及び複数のペリクル20に対する適切な組み合わせを決定する。具体的には、決定されたマスク基板に決定されたペリクルフレームを貼り付けた場合に、決定されたマスク基板の平坦度が規定値よりも小さくなるように組み合わせを決定する。なお、通常はペリクル膜22よりもペリクルフレーム21の方がマスク基板10に対する応力の影響が大きい。したがって、S13のステップで取得された第2のデータとして、ペリクルフレーム21の形状、すなわちペリクルフレーム21の平坦性ペリクルフレーム21の歪み分布のデータのみを用いるようにしてもよい。図4は、マスク基板とペリクルとの組み合わせについて示した図である。図4の例では、5つのマスク基板10a~10eと5つのペリクル20a~20eとを組み合わせる場合を示している。マスク基板の数とペリクルの数とは異なっていてもよい。図4からわかるように、マスク基板10aとペリクル20cとを組み合わせた場合に、マスク基板10aの平坦度が規定値よりも小さくなっている。同様に、マスク基板10bとペリクル20aとを組み合わせた場合、マスク基板10cとペリクル20eとを組み合わせた場合、マスク基板10dとペリクル20bとを組み合わせた場合に、マスク基板の平坦度が規定値よりも小さくなっている。また、本例では、マスク基板10eとペリクル20dとを組み合わせた場合には、マスク基板10eの平坦度が規定値よりも小さくなっていない。マスク基板10とペリクル20とを組み合わせるための第1の方法について説明する。まず、第1番目のマスク基板と第1番目のペリクルとを組み合わせた場合に、第1番目のマスク基板の平坦度が規定値よりも小さくなっているか否かを、シミュレーションによって調べる。平坦度が規定値よりも小さくなっている場合には、第1番目のマスク基板と第1番目のペリクルとを組み合わせることを決定する。平坦度が規定値よりも小さくなっていない場合には、第1番目のマスク基板と第2番目のペリクルとを組み合わせた場合に、第1番目のマスク基板の平坦度が規定値よりも小さくなっているか否かを、シミュレーションによって調べる。このようにして、第1番目のマスク基板について、ペリクルとの組み合わせを決定する。次に、第2番目のマスク基板について、同様にしてペリクルとの組み合わせを決定する。このとき、マスク基板との組み合わせがすでに決まっているペリクルについては除外される。例えば、第1番目のマスク基板と第1番目のペリクルとを組み合わせることがすでに決まっている場合には、第2番目のマスク基板については、第1番目のペリクルとの組み合わせは除外される。以後、同様にして、最後のマスク基板までペリクルとの組み合わせを順次決定する。マスク基板10とペリクル20との組み合わせるための第2の方法について説明する。第2の方法では、用意されたマスク基板及びペリクルについて、組み合わせ数ができるだけ多くなるように、マスク基板とペリクルとの組み合わせを決定する。すなわち、マスク基板の平坦度が規定値よりも小さくなる組み合わせ数ができるだけ多くなるように、マスク基板とペリクルとの組み合わせを決定する。具体的には、種々の既存のアルゴリズムを適用することが可能である。なお、上述した組み合わせを決定する工程は、マスク基板10にパターン回路パターンを形成する前に行ってもよいし、パターン回路パターンがすでに形成されているマスク基板に対して行ってもよい。また、実際にリソグラフィ工程を行う場合には、ペリクル20が貼り付けられたマスク基板10を露光装置にチャックする。したがって、図5に示すように、ペリクル20が貼り付けられたマスク基板10をチャック30に装着した状態で、マスク基板10の歪みが小さくなるように、マスク基板10とペリクル20との組み合わせを決定するようにしてもよい。次に、S14のステップで決定された組み合わせに基づき、マスク基板10にペリクル20を貼り付けるS15。これにより、ペリクル20が貼り付けられたフォトマスクが製造される。以上のように、本実施形態では、1つのリソグラフィプロセス工程に対して用意された複数のマスク基板及び複数のペリクルに対して、マスク基板の形状に関する第1のデータ及びペリクルの形状に関する第2のデータに基づいて、マスク基板とペリクルとの組み合わせを決定する。これにより、所定の基準を満たすマスク基板の平坦度が規定値よりも小さくなるような、マスク基板とペリクルとの組み合わせを決定することができる。したがって、ペリクルが貼り付けられ後のフォトマスクの歪みを小さくすることができる。その結果、歪みの小さいフォトマスクを用いてパターン転写を行うことができ、パターンが微細化されても正確なパターン転写を行うことが可能となる。また、マスク基板の無駄を少なくすることができるため、フォトマスクのトータルコストを低減することが可能となる。また、マスク基板にパターンを形成する前に予め組み合わせを決定しておく場合には、マスク基板にパターンを形成した後に直ちにペリクルを貼り付けることができ、マスク基板へのパーティクルの付着を最小限に抑えることができる。また、パターンがすでに形成されているマスク基板に対して組み合わせを決定する場合には、パターニングによるマスク基板の形状変化平坦性の変化を勘案して組み合わせを決定することができる。図6は、上述した方法を用いた半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。まず、上述した方法によってフォトマスクを製造するS21。次に、製造されたフォトマスクを用いてフォトリソグラフィを行うS22。すなわち、フォトマスクに形成されたパターン回路パターンを半導体基板上のフォトレジストに転写して、フォトレジストパターンを形成する。さらに、フォトレジストパターンを用いて半導体基板や半導体基板上に形成された膜をエッチングするS23。また、上述した実施形態で述べた方法は、該方法の手順が記述されたプログラムによって動作が制御されるコンピュータによって、実現することが可能である。上記プログラムは、磁気ディスク等の記録媒体或いはインターネット等の通信回線有線回線或いは無線回線によって提供することが可能である。具体的には、上述した実施形態で述べた方法の所望の工程或いは所望の工程の組み合わせに基づく手順をプログラムに記述することが可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。