少なくとも、圧電性が消失された単結晶圧電基板に穴が形成されているものであることを特徴とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料。前記穴が形成されている基板表面の面粗さRaが、0.3μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料。前記圧電性が消失された単結晶圧電基板は、LiTaO3またはLiNbO3からなるものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料。前記圧電性が消失された単結晶圧電基板の片面もしくは両面に、ポリイミド、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンエーテル、ベンゾシクロブテンのうち少なくとも一種類以上の樹脂からなる積層回路が形成されているものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料。請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料と同じ素材であり、かつ圧電性を有する単結晶圧電基板に弾性表面波励振検出用の電極が形成されたものであるウエハと、請求項4に記載の弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料に形成された穴が金属材料で充填され、さらに前記金属材料で充填された穴の位置に金属パッドが形成された弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料と、が接合されてなるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハ。請求項5に記載のウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハから切断されることによって得られる気密封止された弾性表面波デバイス。ここで、前記非特許文献1、2及び特許文献3では、キャップ基板の穴形成にサンドブラスト法またはレーザが用いられている。しかしながら、サンドブラスト法は生産性が比較的良好ではあるが、穴形状の制御が難しく、また穴周辺にカケやチッピングが生じてしまう問題がある。また、レーザ加工は高コストとなってしまう問題がある。非特許文献2には、LiTaO3キャップ基板にサンドブラスト法により形成した穴が図示されている。これによると、直径73.23μmのドライフィルムレジスト穴径に対し、サンドブラスト後、直径129.87μmの穴が形成されたことが示されている。つまり、サンドブラスト法を用いてキャップ基板に穴を形成した場合、目的とする穴径よりも実際に基板に形成される穴径が必要以上に広がってしまうという問題があることが示されている。また、弾性表面波デバイスでは、弾性波を利用する回路以外に積層セラミック回路基板等からなるインピーダンス整合回路や位相整合回路などを組み合わせて用いている特許文献4参照が、厚みのある積層セラミック回路基板をそのままウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイスに適用すると、デバイスを低背化しにくいという問題がある。上記問題を解決するために、本発明では、弾性表面波デバイス用のキャップ基板であるパッケージ材料に穴を形成する際に、目的とする径長さ通りの穴径を有する穴を正確に形成することができるパッケージ材料、またそれから製造されるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハ、及びそれから切断されることによって得られ、電気特性と信頼性を確保したまま小型化及び低背化でき、さらにはモジュール搭載が可能であるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも、圧電性が消失された単結晶圧電基板に穴が形成されているものであることを特徴とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料を提供する。このようなパッケージ材料であれば、圧電性が消失されているため、前記弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料に穴を形成する際の振動が圧電効果により電気変位に変換され、該電気変位が新たな振動を発生させることがないため、特に前記穴の開口部でカケやチッピングが生じてしまうことを抑止することができる。さらに、前記カケやチッピングが生じないことから、穴あけ加工時に用いられるマスク材の開口部よりも、前記圧電性が消失された単結晶圧電基板上に形成される穴の開口部の方が大きくなりすぎてしまうことも抑止でき、深さ方向に効率良く穴あけ加工を進行させることができる。また同様に、前記穴を形成する際に静電気が発生した場合であっても、該静電気が圧電効果により機械的変位に変換されないため、該機械的変位によりウエハ等の素材が割れてしまうことを防止することができる。またこのとき、前記穴が形成されている基板表面の面粗さRaが、0.3μm以下であることが好ましい。このようなものであれば、製造されるパッケージ材料の膜厚分布をより均一なものとすることができ、前記パッケージ材料を圧電基板や積層回路等に、より強固に接合させることができる。またこのとき、前記圧電性が消失された単結晶圧電基板は、LiTaO3またはLiNbO3からなるものであることが好ましい。このようなものであれば、一般的な弾性表面波デバイス用圧電基板と同じ材質とすることができるため熱膨張係数を等しくすることができ、このようなパッケージ材料と圧電基板との接合時における加熱による反りの発生をより確実に抑止することができる。さらにこれによって、製造される弾性表面波デバイスをより効果的に気密封止させることができ、信頼性がより良好なものとすることができる。またこのとき、前記圧電性が消失された単結晶圧電基板の片面もしくは両面に、ポリイミド、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンエーテル、ベンゾシクロブテンのうち少なくとも一種類以上の樹脂からなる積層回路が形成されたものとすることができる。このような樹脂からなる積層回路であれば、低損失で厚みの薄い積層回路とすることができ、このような積層回路をパッケージ材料に形成することによって、それから製造される弾性表面波デバイスを低背化でき、さらに信頼性がより良好なものとすることができる。また、本発明では、本発明の弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料と同じ素材であり、かつ圧電性を有する単結晶圧電基板に弾性表面波励振検出用の電極が形成されたものであるウエハと、本発明の積層回路が形成された弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料に形成された穴が金属材料で充填され、さらに前記金属材料で充填された穴の位置に金属パッドが形成された弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料と、が接合されてなるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハを提供する。また、本発明では、該本発明のウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハから切断されることによって得られる気密封止された弾性表面波デバイスを提供する。このようなものであれば、前記のようにキャップ基板となる本発明のパッケージ材料と圧電基板との熱膨張係数が等しく、さらに低損失で厚みの薄い積層回路が形成されている。このため、効果的に気密封止及び低背化され、さらに信頼性の良好な接合ウエハ及び弾性表面波デバイスとすることができる。以上のように、本発明によれば、パッケージ材料の製造時において圧電性が消失された単結晶圧電基板を用いることによって、特に前記穴の開口部におけるカケ及びチッピングや、ウエハ等の素材の割れを防止することができるパッケージ材料とすることができる。また、このようなパッケージ材料と材質の等しい圧電基板と、片面もしくは両面に、ポリイミド、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンエーテル、ベンゾシクロブテンのうち少なくとも一種類以上の樹脂からなる積層回路が形成された本発明のパッケージ材料とを接合することによって、効果的に気密封止及び低背化され、さらに信頼性の良好な接合ウエハ及び弾性表面波デバイスとすることができる。以下、本発明の弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料、それを用いた弾性表面波デバイス接合ウエハ及びそれから切断されてなる弾性表面波デバイスの一例として、図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図1に示したように、本発明の弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料1は、圧電性が消失された単結晶圧電基板2に穴3が形成されている。単結晶圧電基板から圧電性を消失させる方法としては、例えば単結晶圧電基板のキュリー温度以上の温度で加熱すること等が挙げられる。また、形成される穴3の深さとしては特には限定されず、目的とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料の厚さに合わせて適宜調整すれば良い。また、基板裏面まで穴を貫通させても良い。ここで、圧電性が消失された単結晶圧電基板2の穴あけ加工では、例えばサンドブラスト法により穴3を形成することができる。この場合、砥粒が、前記圧電性が消失された単結晶圧電基板2にぶつかる際に、圧電効果により振動が電気変位に変換され、該変換された電気変位が再び圧電効果によって新たな振動を発生させることが無い。このため、特に穴3の開口部におけるカケやチッピングが生じることを抑止できる。また、前記カケやチッピングが生じないことから、穴あけ加工において用いられるマスク材の開口部よりも、前記圧電性が消失された単結晶圧電基板2上に形成される穴3の開口部の方が大きくなりすぎてしまうことも抑止でき、深さ方向に効率よく穴あけ加工を進行させることができる。また同様に、サンドブラスト法により穴3を形成する場合、静電気が発生しても前記圧電性が消失された単結晶圧電基板2においては、圧電効果により静電気が機械的変位に変換されることがないため、該機械的変位によって基板が割れることを防止することができる。また、圧電性が消失された単結晶圧電基板2が、LiTaO3またはLiNbO3からなるものであれば、後述する、弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料1と接合される単結晶圧電基板と同じ材質となるため熱膨張係数を等しくすることができ、接合時における加熱による反りの発生をより確実に抑止することができる。さらにこれによって、製造される弾性表面波デバイスをより効果的に気密封止させることができ、信頼性をより良好なものとすることができるため好ましい。またこのとき、穴3が形成されている基板表面の面粗さRaが0.3μm以下であれば、製造される弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料1の厚さ分布をより均一なものとすることができ、その後接合される圧電基板や積層回路等に、より強固に接合させることができるため好ましい。このようにして製造された弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料1は、図2のように穴3を銅で充填させ、その後片面研削及び両面ポリッシュ加工を行った後に、銅で充填された穴3′の開口部側の表面と、LiTaO3またはLiNbO3からなるYカット単結晶圧電基板とを、Auパッド4a及び4bを介して接合することによって弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料接合ウエハが製造される。尚、Auパッド4aは、銅が充填された穴と電気的にも接合される。ここで図2に示したように、圧電性が消失された単結晶圧電基板2の表面上に、積層回路5を形成しても良い。尚、図2においては、圧電性が消失された単結晶圧電基板2の穴3の開口部とは反対側の表面のみに形成した例を示したが、両面に形成しても良い。この積層回路5は、例えばインピーダンス整合回路や位相整合回路等の整合回路とすることができる。整合回路とした場合、積層回路5の、銅が充填された穴3′に対応する部分と、積層回路5の接合面とは反対側の表面上に形成されるAuパッド4cとが、銅配線6によって電気的に接続される。また、積層回路5の材質としては、ポリイミド、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンエーテル、ベンゾシクロブテンのうち少なくとも一種類以上の樹脂であれば、低損失で厚みの薄い積層回路とすることができるため好ましい。そして、図3に示したように、積層回路5が形成された弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料10と、基板上に弾性表面波励振検出用の電極8が形成され、LiTaO3またはLiNbO3からなり、圧電性を有する単結晶圧電基板7とが気密封止されながら接合され、製造された弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料接合ウエハを室温でダイシングされることによって、弾性表面波デバイス20が製造される。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例14インチ100mmの36°回転YカットLiTaO3単結晶圧電基板200μm厚のウエハを準備した。前記ウエハ中央にシンクロスコープのプローブを当て、ウエハを叩くと電位の変化が検出された。また、このウエハの表面電位を25°C及び200°Cで観測したところ夫々0kV及び3kVであった。次に前記36°回転YカットLiTaO3単結晶圧電基板を、キュリー温度である610°C以上の900°Cで、4時間、N2雰囲気下で加熱した。加熱後のウエハ中央にシンクロスコープのプローブを当て、ウエハを叩いたが電位の変化は検出されなかった。また、このウエハの表面電位を25°C及び200°Cで観測したところ何れも0KVであった。前記の処理により36°回転Yカット単LiTaO3単結晶圧電基板の圧電性及び焦電性を消失させた。次に、前記圧電性が消失された36°回転YカットLiTaO3単結晶圧電基板の表面全面に、サンドブラストにより穴を形成した。ここで穴を開ける基板表面は、面粗さRaが0.12μmのラップ面とした。サンドブラストの砥粒は、アルミナ系の800番を用いて、マスク材にはドライフィルムレジストを使用し、マスク穴径は100μmとした。サンドブラスト処理は、サンドブラストのヘッドを基板全面にわたり3分間で掃引し、これを4回繰り返し処理した。基板面内の穴総数は約6万個とした。このとき、上記穴あけ加工をして形成された穴の深さ方向のプロファイルをレーザー顕微鏡により測定したところ、マスク穴径は100μmであるのに対し、圧電基板上に形成された穴径は101μmで、深さ180μmの穴がウエハ面内で均一に形成されたことがわかった。また、穴の開口部にカケやチッピングが生じてしまうこともなく、マスク材の開口部よりも、圧電基板上に形成された穴の開口部の方が大きくなりすぎてしまうこともなく、深さ方向に効率よく穴あけ加工を進行させることができた。このとき形成された穴のアスペクト比穴深さ/穴径は1.8であった。このときの結果を図4に示す。実施例2引き上げ法により圧電単結晶を引き上げた後、該圧電単結晶に圧電性を持たせるための単一分極処理を行わないブールから得られる36°回転Yカット単LiTaO3単結晶圧電基板を用いたこと以外は実施例1と同様にサンドブラスト法による穴あけ加工を行った。このとき、実施例1とほぼ同様の結果が得られた。実施例3実施例1で得られた弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料の穴の開口面に真空蒸着により金を0.2μmの厚みで蒸着した。次にこの弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料にイオンプレーティング法により銅を付着させ、前記穴を銅で充填させた。このパッケージ材料を片面研削及び両面ポリッシュ加工して厚みを150μmとし、前記穴の開口部及び該穴の開口部と同じ表面上の、デバイス単位セル0.8mm×0.6mmサイズの外周となる部分にAuパッドを5μmの厚さで形成した。次に、前記弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料の穴の開口面とは反対側の面に、ベンゾシクロブテンからなる積層回路厚み30μmを形成した。該積層回路の配線部分には銅を用いて、インピーダンス整合回路とした。次に、前記弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料と同じ材質で、圧電性を有する直径4インチ100mmの36°回転YカットLiTaO3単結晶圧電基板厚み150μm上にSAWデバイスを形成し、SAWデバイスウエハとした。その後、前記弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料と前記SAWデバイスウエハをウエハレベルで接合した。該接合は、前記弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料とSAWデバイスウエハとの接合面をクリーニングした後、1×10-2Paの低真空下、温度300°Cで加熱加圧することで行い、各デバイス単位セルを気密封止した。このようにして接合された接合ウエハの、積層回路側の表面上の単位デバイスセル0.8mm×0.6mmサイズの外周となる部分にAuパッドを5μmの厚さで形成した。この接合ウエハを室温でダイシングし、弾性表面波デバイスであるウエハレベルパッケージSAWデバイスを得た。このようにして製造された弾性表面波デバイスの電気特性をネットワークアナライザで測定したところ、図5に示す特性が得られた。このデバイスについて、湿度85、温度85°C雰囲気下で2000時間放置後、湿度100、温度121°C、2気圧の雰囲気下で96時間放置、及び-85°C~125°Cのヒートサイクルを2000サイクルさせた後の電気的特性を評価したところ、図5とほぼ同様の結果が得られた。比較例1圧電性を有する単結晶圧電基板の基板表面に穴を形成したこと以外は実施例1と同様にサンドブラスト法による穴あけ加工を行った。このとき、上記穴あけ加工をして形成された穴の深さ方向のプロファイルをレーザー顕微鏡により測定したところ、マスク穴径は100μmであるのに対し、圧電基板上に形成された穴径は135μmで、深さ120μmの穴がウエハ面内で均一に形成されたことがわかった。また、穴の開口部に15μmの幅のカケやチッピングが生じ、マスク材の開口部よりも、圧電基板上に形成された穴の開口部の方が極端に大きくなってしまった。このとき形成された穴のアスペクト比穴深さ/穴径は0.9であった。このときの結果を図4に示す。比較例2圧電性を有する4インチ100mmの36°回転YカットLiTaO3単結晶圧電基板を用いて、穴を開ける基板表面は、面粗さRaが0.5μmのラップ面としたこと以外は実施例1と同様にサンドブラスト法による穴あけ加工を行ったところ、穴の開口部に大きなカケやチッピングが多数生じ、また前記圧電性を有する圧電基板とドライフィルムレジストの密着性が悪く、加工途中に穴周辺でドライフィルムレジストが剥離して穴径を制御することが出来なかった。すなわち、弾性表面波用ウエハレベルパッケージ材料を製造することが出来なかった。実施例及び比較例から、圧電性が消失された単結晶圧電基板を用いることによって、穴あけ加工時における穴の開口部でカケやチッピングが生じてしまうことを抑止することができ、さらに穴あけ加工時に用いられるマスク材の開口部よりも、前記圧電性が消失された単結晶圧電基板上に形成される穴の開口部の方が大きくなりすぎてしまうことも抑止でき、深さ方向に効率良く穴あけ加工を進行できることがわかる。さらに、このようにして製造されたパッケージ材料と、圧電性を有する単結晶圧電基板とを接合させることによって、効果的に気密封止及び低背化され、さらに信頼性の良好な接合ウエハ及び弾性表面波デバイスを製造できることがわかる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。