誘導結合型プラズマを発生させるための装置であって、チャンバ中に電磁界経路を形成するウィンドウと該チャンバ中にプロセスガスを導入するように構成されたプロセスガス供給源とを有するプラズマ反応チャンバと、前記チャンバのウィンドウに近接して配設された少なくとも第1および第2のアンテナセグメントを含む高周波アンテナと、前記アンテナセグメントに結合され、前記アンテナセグメント中の高周波電流を共振させるように構成された高周波発生源と、を備え、前記高周波電流によって誘導された電磁界は、前記ウィンドウを通過し、プロセスガスを励起してイオン化し、それによりチャンバ内にプラズマを発生させ、かつ、前記第1のアンテナセグメントが、前記第2のアンテナセグメントを取り囲んでいることを特徴とする装置。発生するプラズマの密度が、前記少なくとも第1および第2のアンテナセグメントがまたがる領域内で実質的に均一であることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記少なくとも第1および第2のアンテナセグメントが、それぞれ、高周波電力を前記チャンバ中の異なる領域に結合し、これにより、前記チャンバ中に全体的に均一なプラズマを発生させることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記少なくとも第1および第2のアンテナセグメントが、単巻コイルからなることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記第1のアンテナセグメントが単巻コイルからなり、前記第2のアンテナセグメントが複巻コイルからなることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記少なくとも第1および第2のアンテナセグメントが、複巻コイルからなることを特徴とする請求項1に記載の装置。更に、同じ電流又は異なる電流が得られるように、前記少なくとも第1および第2のアンテナセグメントの電流を調整するための少なくとも1つの入力側調整コンデンサを含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記少なくとも1つの入力側調整コンデンサが、各々の前記アンテナセグメントにより大きい電流を供給し、これにより前記アンテナセグメントに隣接するプラズマ領域への高周波電力結合がより大きくなるか、又は、各々の前記アンテナセグメントにより小さい電流を供給し、これにより前記プラズマ領域への電力結合がより小さくなることを特徴とする請求項7に記載の装置。一対のアンテナセグメントの電流を調整するために一対の入力側コンデンサが使用され、それらが1回の制御により反対方向に回転されるように構成されていることを特徴とする請求項7に記載の装置。前記少なくとも第1および第2のアンテナセグメントが単一の高周波電力源によって電力供給され、単一の整合回路網によって調整されることを特徴とする請求項1に記載の装置。第1および第2のアンテナセグメントの出力端部が結合され、インピーダンスを介して接地に終端されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記第1および第2のアンテナセグメントの出力端部が、別個の出力側固定コンデンサまたは出力側可変コンデンサを介して接地に終端されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。各々の出力コンデンサが、各アンテナセグメントに沿った電流極値または電圧極値の場所を調整することを特徴とする請求項12に記載の装置。前記第1および第2のアンテナセグメントにおける最大電流の場所が、第2のアンテナセグメントに対する第1のアンテナセグメントの回転位置によって決まり、前記出力側コンデンサは、さらに、電流最大値の場所が方位角的に約180度離れ、かつ半径方向に互いに対向するように前記場所を調整し、それにより方位角不均一電流分布によるプラズマ方位角不均一性を大幅に低減することを特徴とする請求項12に記載の装置。一対の出力コンデンサが前記第1および第2のアンテナセグメント中の電流を調整し、それらは1回の制御により反対方向に回転されるように構成されていることを特徴とする請求項12に記載の装置。前記第1および第2のアンテナセグメントは、同一平面内にある二次元構成、非平面的な三次元構成、またはその組合せで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記第1および第2のアンテナセグメントが同心状に構成されており、一方の前記アンテナセグメントが他方の前記アンテナセグメントよりも小さい直径を有することを特徴とする請求項1に記載の装置。前記三次元構成が、ドーム状又はらせん状であることを特徴とする請求項16に記載の装置。各々の前記アンテナセグメントの形状が、ほぼ円形であることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記少なくとも第1および第2のアンテナセグメントが、前記チャンバのウィンドウの外表面に近接して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記第1および第2のアンテナセグメントの電流が前記セグメントの周りに同じ方位角方向に流れることを特徴とする請求項1に記載の装置。誘導結合型プラズマを発生させるための装置であって、チャンバ中に電磁界経路を形成するウィンドウと、前記チャンバ中にプロセスガスを導入するように構成されたプロセスガス供給源とを有するプラズマ反応チャンバと、前記チャンバのウィンドウに近接して配置された少なくとも第1および第2の複巻アンテナセグメントを含む高周波アンテナと、前記アンテナセグメントに結合され、前記アンテナセグメント中の高周波電流を共振させるように構成された高周波発生源と、を備え、前記高周波電流によって誘導された電磁界は、前記ウィンドウを通過し、プロセスガスを励起してイオン化し、それにより前記チャンバ内にプラズマを発生させ、また、前記第1の複巻アンテナセグメントが、前記第2の複巻アンテナセグメントを取り囲む外側コイルであることを特徴とする装置。発生したプラズマの密度が、前記第1および第2の複巻アンテナセグメントがまたがる領域で実質的に均一であることを特徴とする請求項22に記載の装置。前記少なくとも第1および第2のアンテナセグメントのが、それぞれ高周波電力を前記チャンバ中の異なる領域に結合し、これにより前記チャンバ中に全体的な均一なプラズマが発生させることを特徴とする請求項22に記載の装置。前記第1の複巻アンテナセグメントが平面的な複巻コイルとして構成されており、前記第2の複巻アンテナセグメントが第1および第2の部分を有することを特徴とする請求項22に記載の装置。前記第2の複巻アンテナセグメントの前記第1の部分が平面的な複巻コイルとして構成されており、前記第2の複巻アンテナセグメントの前記第2の部分がらせん状のコイルとして構成されていることを特徴とする請求項25に記載の装置。前記第2の部分には、さらに、前記らせん状のコイル内に中空の誘電体シリンダが設けられ、該中空の誘電体シリンダの中空領域が前記プロセスチャンバに直接接続されていることを特徴とする請求項26に記載の装置。前記らせん状のコイルと前記中空の誘電体シリンダは、プラズマが、前記チャンバ内で、より低い圧力で当たるように構成されており、これにより前記プロセスチャンバの中心部におけるプラズマ密度が高くなることを特徴とする請求項27に記載の装置。前記第1の複巻アンテナセグメントが、第1の平面的な部分と第2の非平面的な部分とを有し、前記第2の複巻アンテナセグメントが第1の平面的な部分と第2の非平面的な部分とを有することを特徴とする請求項22に記載の装置。前記第1の複巻アンテナセグメントの前記第2の部分が、らせん状のコイルとして構成されていることを特徴とする請求項29に記載の装置。前記第2の複巻アンテナセグメントの前記第2の部分が、らせん状のコイルとして構成されていることを特徴とする請求項29に記載の装置。前記第1の複巻アンテナセグメントの全長が、第2の複巻アンテナセグメントの全長と同等であり、それにより前記アンテナセグメント中の電流が、より大きい程度まで調整されることを特徴とする請求項22に記載の装置。更に、同じ電流又は異なる電流が得られるように、前記少なくとも第1および第2のアンテナセグメント内の電流を調整するための少なくとも1つの入力側調整コンデンサを含むことを特徴とする請求項22に記載の装置。前記少なくとも1つの入力側調整コンデンサが、各アンテナセグメントにより大きい電流を供給し、これにより前記アンテナセグメントに隣接するプラズマ領域への高周波電力結合がより大きくなるか、又は、各アンテナセグメントにより小さい電流を供給し、これにより前記プラズマ領域への電力結合がより小さくなることを特徴とする請求項33に記載の装置。前記第1および第2のアンテナセグメント中の電流を調整するために一対の入力側コンデンサが使用され、それらが1回の制御により反対方向に回転されるように構成されていることを特徴とする請求項33に記載の装置。前記少なくとも第1および第2のアンテナセグメント、が単一の高周波電力源によって電力供給され、単一の整合回路網によって調整されることを特徴とする請求項22に記載の装置。前記第1および第2のアンテナセグメントの出力端部が、別個の出力側固定コンデンサまたは出力側可変コンデンサを介して接地に終端されていることを特徴とする請求項22に記載の装置。各出力コンデンサが、各アンテナセグメントに沿った電流極値または電圧極値の場所を調整することを特徴とする請求項37に記載の装置。前記第1および第2のアンテナセグメントにおける電流最大値の場所が、前記第2のアンテナセグメントに対する前記第1のアンテナセグメントの回転位置によって決まり、前記出力側コンデンサは、さらに、電流最大値の場所が方位角的に約180度離れ、かつ半径方向に互いに対向するように前記場所を調整し、それにより方位角不均一電流分布によるプラズマ方位角不均一性を大幅に低減することを特徴とする請求項37に記載の装置。前記第1および第2のアンテナセグメント中の電流を調整するための一対の出力コンデンサが使用され、それらが1回の制御により反対方向に回転されるように構成されていることを特徴とする請求項37に記載の装置。電流最大値の場所を、前記第2の複巻アンテナセグメントの前記第1の部分か又は前記第2の部分にシフトするための出力側コンデンサが使用され、これにより前記複巻アンテナセグメントから前記プラズマへの電力結合に変化が生じることを特徴とする請求項26に記載の装置。電流最大値の場所を、前記第2の複巻アンテナセグメントの前記第1の部分か又は前記第2の部分にシフトするための出力側コンデンサが使用され、これにより前記複巻アンテナセグメントから前記プラズマへの電力結合に変化が生じることを特徴とする請求項30に記載の装置。電流最大値の場所を第2の複巻アンテナセグメントの第1の部分かまたは第2の部分にシフトするために出力コンデンサが使用され、その結果、複巻アンテナセグメントからプラズマへの電力結合に変化が生じることを特徴とする請求項31に記載の装置。さらに、前記出力側コンデンサに関連する入力側コンデンサを含み、前記入力側コンデンサの調整の結果、高周波数の全入力インピーダンスが比較的不変に維持され、それにより一方の複巻アンテナセグメント中の電流が他方の複巻アンテナセグメント中の電流に影響を及ぼさなくなることを特徴とする請求項41に記載の装置。さらに、前記出力側コンデンサに関連する入力側コンデンサを含み、前記入力コンデンサの調整の結果、高周波数の全入力インピーダンスが比較的不変に維持され、それにより一方の複巻アンテナセグメント中の電流が他方の複巻アンテナセグメント中の電流に影響を及ぼさなくなることを特徴とする請求項42に記載の装置。さらに、前記出力側コンデンサに関連する入力側コンデンサを含み、前記入力側コンデンサの調整の結果、高周波数の全入力インピーダンスが比較的不変に維持され、それにより一方の複巻アンテナセグメント中の電流が他方の複巻アンテナセグメント中の電流に影響を及ぼさなくなることを特徴とする請求項43に記載の装置。前記第1および第2のアンテナセグメントが同心状に構成されており、一方の前記アンテナセグメントが他方の前記アンテナセグメントよりも小さい直径を有することを特徴とする請求項22に記載の装置。前記少なくとも第1および第2のアンテナセグメントが前記チャンバのウィンドウの外表面に近接して配置されていることを特徴とする請求項22に記載の装置。前記第1および第2のアンテナセグメント内の電流が前記セグメントの周りに同じ方位角方向に流れることを特徴とする請求項22に記載の装置。誘導結合型プラズマを発生させるための装置であって、チャンバ中に電磁界経路を形成するウィンドウと、該チャンバ中にプロセスガスを導入するように構成されたプロセスガス供給源とを有するプラズマ反応チャンバと、前記チャンバのウィンドウに近接して配置された同様の形状の2つのアンテナセグメントを含む高周波アンテナと、前記アンテナセグメントに結合され、前記アンテナセグメント中の高周波電流を共振させるように構成された高周波発生源と、を備え、前記高周波電流によって誘導された電磁界は、前記ウィンドウを通過し、プロセスガスを励起してイオン化し、それにより前記チャンバ内にプラズマを発生させ、また、前記2つのアンテナセグメントが離間し、中心軸の周りに対称に配置されていることを特徴とする装置。各アンテナセグメントがD字形であり、半円とその直径に略沿った直線とから構成されていることを特徴とする請求項50に記載の装置。前記アンテナセグメントの直線が互いに平行であり、前記ウィンドウの中心領域を覆い、これにより前記中心軸の周りに対称的なプラズマ密度が生じることを特徴とする請求項51に記載の装置。前記2つのアンテナセグメントの入力端部が結合され、また、前記2つのアンテナセグメントの出力端部が結合され、かつ、可変コンデンサを介して接地に終端されていることを特徴とする請求項50に記載の装置。前記2つのアンテナセグメントの前記直線中の電流が同じ方向に流れることを特徴とする請求項51に記載の装置。前記アンテナセグメントが単一の高周波電力源によって電力供給され、単一の整合回路網によって調整されることを特徴とする請求項50に記載の装置。発生したプラズマの密度が、前記アンテナセグメントがまたがる領域内で実質的に均一であることを特徴とする請求項50に記載の装置。前記アンテナセグメントが、それぞれ、高周波電力を前記チャンバの異なる領域中に結合し、これにより前記チャンバ中に全体的に均一なプラズマが生じることを特徴とする請求項50に記載の装置。前記アンテナセグメントが、前記チャンバのウィンドウの外表面に近接して配置されていることを特徴とする請求項50に記載の装置。プラズマ反応チャンバ用の誘導結合型プラズマアンテナシステムであって、離間した第1および第2の同心電流経路を備え、前記同心電流経路内の電流が、同じ方向に流れることを特徴とするシステム。前記同心電流経路が、高周波電力を、前記チャンバ中の半径方向及び方位角的に異なる領域に結合し、かつ、前記チャンバ中で均一なプラズマ分布が得られるように協働することを特徴とする請求項59に記載の装置。前記同心電流経路が、共面二次元構成、非平面的な三次元構成、またはその組合せで構成されていることを特徴とする請求項59に記載の装置。半導体基板の露出した表面を、請求項1に記載の装置中で形成されたプラズマに接触させることによって処理する方法。半導体基板の露出した表面を、請求項22に記載の装置中で形成されたプラズマに接触させることによって処理する方法。半導体基板の露出した表面を、請求項50に記載の装置中で形成されたプラズマに接触させることによって処理する方法。半導体基板の露出した表面を、請求項59に記載の装置中で形成されたプラズマに接触させることによって処理する方法。図1に、本発明のアンテナシステムを組み込むことができるプラズマ発生デバイス100を示す。プラズマ発生デバイス100は、誘電体ウィンドウ120、ガス分配プレート130、ウェハ140、真空チャンバ150、静電チャック160、下側電極170およびアンテナシステム105を含んでいる。アンテナシステム105は、RF整合回路網図示せずとRF発生器図示せずに接続された一組のコイル110を含んでいる。本発明の例示的な実施形態によれば、このアンテナシステムは、Transformer-CoupledPlasmaTCPTM、ラムリサーチコーポレーションの登録商標アンテナシステムである。図3に、本発明の第1の実施形態によるTCPTMアンテナシステム300を示す。この実施形態では、TCPTMアンテナシステム300は2つの単巻コイルを含んでいる。コイル1は中心部の近くに置かれることが好ましく、コイル2は反応器の上部開口の外縁部に向かってより遠くに置かれることが好ましい。高周波RF電流が2つの調整コンデンサC1およびC2を介してコイル1および2の一方の端部に同時に供給される。当技術分野においてよく知られているように、RF入力はRF発生源310によって発生され、RF整合回路網320を介してコンデンサC1およびC2に供給される。調整コンデンサC1およびC2は、それぞれ調整すべきコイル1および2の電流I1およびI2の大きさに対処する。コイル1およびコイル2の反対側の端部は結合され、インピーダンスZTを介して接地に終端される。平面的な単巻コイルによって誘導的に発生した電界は方位角電界半径方向成分Er=0および方位角成分Eθ≠0であるが、中心部では0であるEr=0およびEθ≠0。誘電体ウィンドウ表面の近くでは、プラズマ中の誘導電界および誘導電流J=σEはほぼ駆動コイルの鏡像である。平面的なコイルアンテナは、駆動コイルの半径の2分の1に近い半径をもつドーナツ形プラズマを生成する。2つのコイルを離して置くことによって、これは、2つのコイルの平均半径の2分の1にほぼ等しい半径を有するより漸進的なプラズマドーナツを効果的に発生する。内側コイルからプラズマへの電力結合は内側領域内に局所化され、外側コイルからの電力結合は外側領域内に局所化される。その結果、プラズマ拡散すなわち、電子およびイオンの拡散は中心部および他の場所におけるプラズマ密度をより均一にする傾向がある。上記のように、2つの単巻コイルに関連する回路すなわち、コンデンサC1およびC2およびインピーダンスZTは、コイル1とコイル2における電流の大きさ、すなわちそれぞれI1とI2の比を調整することができる。電流の大きさを調整することによって、反応器の中心部と縁部の間のプラズマ均一性を調整することができる。当業者なら理解できるように、C1およびC2は固定コンデンサでも可変コンデンサでもよい。入力側調整コンデンサC1およびC2は各コイルの入力誘導リアクタンスを部分的に消去する。C1およびC2の値を適切に選択すれば、各脚の入力リアクタンスは同じになり、その結果、共通の発生源から供給されたときのコイル1およびコイル2への入力電流が等しくなる。これらの開始値からC1をより高く、C2をより低く調整すると、コイル1の電流は減少し、コイル2の電流は増大する。方向を逆にすると、反対方向における電流は不平衡になる。調整プロセス中、一方の脚は増大したリアクタンスを有し、他方の脚は減少したリアクタンスを有するので、複合回路の入力インピーダンスは名目上同じままである。コイル1とコイル2の反対側の端部はインピーダンスZTで終端することができる。ZTは、従来のTCPTMシステムの場合と同様に共通のコンデンサか、あるいは接地への電気的に短絡した接続でもよい。ZTは、接地に終端された別個のコンデンサとすることもできる。各コイルが異なる電気的長さを有する場合、各コイルの入力インピーダンスも異なる。電流最大値が名目上各コイル長さの中心部に現れるように、別個の終端コンデンサを選択することができる。2つのコイルが対称的に平衡しているとき、各コイルに流れる電流は名目上同じになる。C1およびC2の値を変化させると、コイル1およびコイル2への不平衡な電流の流れが得られることが当業者なら理解できよう。入力リアクタンスX1およびX2が誘導性であると仮定すると、C2は、例えば、X1>X2という平衡状態から離れて増大すると、I1>I2である。この場合、内側コイルコイル1中の電流は、反応器の中心部により強い誘導結合を生じる外側コイルよりも大きくなる。その結果、比較的高いプラズマ密度がコイル1の下の中心領域内に生じる。別の場合では、外側コイルコイル2中の電流を内側コイル中の電流よりも大きくなるように調整し、それにより反応器壁の近くのような、内側コイルを覆っている領域におけるよりも低いプラズマ密度を補償することができる。上述の2つの単巻コイルの使用法を説明のために簡単に示す。上記の一般原則は複巻コイル、複巻システムに同等に適用可能であることが当業者なら理解できよう。さらに、本発明は図3に示される二次元コイルの構成に限定されるものではなく、代わりに三次元コイル構成として実現することもできる。例えば、コイルは、ドーム形誘電体ウィンドウに一致するように構成するか、あるいは円筒形誘電体ウィンドウの周りにらせん状に構成することができる。上記の一般原則は、複数の巻きの複数のコイルを有するドーム形、らせん状、または他の三次元の構成を同様に適用可能であることが当業者なら理解できよう。図4に、本発明の第2の実施形態によるTCPTMアンテナシステム400を示す。図4には、2つの調整コンデンサC1~C4が取付けられた2つの複巻コイルコイル1およびコイル2が示されている。図から明らかなように、コイル1は中心部に配置されおり、コイル2は反応器の上部開口の外縁部に向かってより遠くに配置されていることが好ましい。RF入力は、調整コンデンサC1およびC2を介してコイル1および2の第1の端部に同時に供給される。コイル1および2の反対側の端部はそれぞれ調整コンデンサC3およびC4を介して終端される。図3を参照して上述した二重のコイル単巻システムの場合と同様に、2つのコイルはより漸進的なドーナツ形プラズマを効果的に発生する。電流I1およびI2は同じ方向に流れるので、コイルからプラズマへの電力結合は領域全体に広がり、単一の平坦化されたドーナツ形プラズマを生成する。電流が不平衡である場合、ドーナツ形電界は中心部または外側においてより強くなる。コイルに沿ってより対称的な電流分布を得るために、各コイルごとに2つのコンデンサが設けられる。例えば、電流最大値ならびに純抵抗性インピーダンス点がコイル1の中心部に現れるように、C1をC3と一緒に調整することができる。コイルの中心部からC1に向かって移動すると、リアクタンスは誘導性になり、コイルの中心部からC3に向かって移動すると、リアクタンスは容量性になり、それにより電流は中心部において最大になり、名目上正弦波の形で中心部から離れて減少する。さらに、C3とC4の調整により上述の方位角不均一プラズマを補償することができる。例えば、図4のコイル1の点P1において最大電流が得られるように、C3を調整することができる。その結果、プラズマへの電力結合はP1の下でより大きくなり、対応するプラズマ密度はより高くなる。これは方位角不均一性を生じる傾向がある。ただし、C4を調整すれば、P1に対向する半径方向軸に沿ったコイル2中の場所P2において最大電流を得ることができる。したがって、P2におけるコイル2のより大きい電力結合がコイル1による影響を相殺し、その結果、より方位角的に均一なプラズマが生じる。C3とC4の調整の別法として、コイル1およびコイル2中の電流最大値がそれぞれP1およびP2のところに現れるように、コイル1の方位角位置をコイル2の方位角位置に対して物理的に回転させることができる。本発明の例示的な実施形態によれば、調整コンデンサC1およびC2は、1回の制御により反対方向に回転するように構成することができる。このようにすると、入力において単一の従来の整合回路網を妨害することなしに、単一の発生器からの1回の制御により電流の不平衡を、ひいてプラズマ不均一性を最適化することができる。同様に、C3とC4を反対方向に調整しても、C1とC2を調整するのと同じ効果が得られる。コイル中の巻数が変化するにつれて、コイルとプラズマの間の相互結合は、変圧器の一次コイルすなわち駆動コイルと二次コイルすなわちプラズマの間の相互結合と同様の形で変化するAlbertJLammの、ObservationsofStandingWavesonanInductivePlasmaCoilModeledasaUniformTransmissionLineJVacSciTechA15巻No.51997年9月/10月2615頁を参照されたい。。巻数の増大/減少はプラズマの密度に影響を及ぼす。例えば、巻数が増大すると相互結合係数が減少し、それによりプラズマ密度が低くなる。一方、コイル長さが短縮された場合、コイル長さにわたって統合された全体的なプラズマの発生が減少する。したがって、各コイルの巻数および全長を最適化して、これら2つのファクタをつりあわせることが可能であることが当業者なら理解できよう。入力側調整コンデンサC1およびC2の値を変化させる影響を説明するために、以下の3つの状況、すなわち、C1の値がC2の値よりも大きい最初の状況、C1とC2の値が等しくなるように調整される第2の状況、およびC1の値がC2の値よりも小さい最後の状況について考えてみる。TCPTMコイルアンテナの複素伝搬定数k=αjβは、コイルアンテナの入力および出力における電圧および電流波形測定値から推測することができるLammを参照されたい。。説明のために、α、βおよび実効特性インピーダンスZ0は3つの状況を通して同じであると仮定する。表Iに各コイルのα、β、Z0、電気的長さ、およびC1~C4の値を示す。表Iにおいて、Zinは各コイルの入力インピーダンスを表す。2つのコイルの全入力インピーダンスは2.1j10.5Ωであり、これは各コイルのZinの約2分の1である。表IIに、1000Wの入力RF電力および表Iに記載されているパラメータが与えられたときのi番目のコイルのIi、Ii’、ViおよびVi’の大きさおよび位相角を掲載する。表IIにおいて、Iiは、ii=1、2番目のコイルの図4のRF入力により近い入力端部における電流を表し、Ii’は、i番目のコイルの図4のC3およびC4により近い出力端部における電流を表し、ViおよびVi’はそれぞれi番目のコイルの入力端部および出力端部における電圧を表す。表IIから明らかなように、RF電流および電圧は2つのコイルの間で不平衡であるが、各コイル内では平衡である。内側コイルの全インピーダンスは外側コイルの全インピーダンスよりも大きいので、内側コイルコイル1の電流と電圧はどちらも外側コイルコイル2の電流と電圧よりも34小さい。各コイルはコイルの中心部の周りに対称的に平衡しており、したがって各コイルの入力電流および電圧の値は大きさが出力値にほとんど等しい。各コイルの中心部から離れると、インピーダンスは、コイルの入力端部に向かって誘導性に支配されるようになり、出力端部に向かって容量性に支配されるようになる。これは、入力電圧と出力電圧の間の位相角の変化から明らかである。C1=C2となるようにC1とC2の値を変化させることが電流I1とI2に及ぼす影響を以下の表IIIおよびIVに示す。2つのコイルの全入力インピーダンスは2.0j11.4Ωであり、これは各コイルのZinの約2分の1である。表IVに、1000Wの入力RF電力および表IIIに記載されているパラメータが与えられたときのi番目のコイルのIi、Ii’、ViおよびVi’の大きさおよび位相角を掲載する。C1=C2およびC3=C4であり、コイル1はコイル2と同等であるので、RF電流および電圧は2つのコイル間ならびに各コイル内で平衡している。最後の状況は、C1の値がC2の値よりも小さくなるようにC1とC2の値を変化させることの影響を示す。2つのコイルの全入力インピーダンスは2.1j10.5Ωであり、これは各コイルのZinの約2分の1である。表VIに、1000Wの入力RF電力および表IIIに記載されているパラメータが与えられたときのi番目のコイルのIi、Ii’、ViおよびVi’の大きさおよび位相角を掲載する。この場合、内側コイルコイル1のRF電流と電圧はどちらも外側コイルコイル2の電流と電圧よりも51大きい。C1とC2を変化させるだけで、他方のコイルの電流および電圧に対してコイルの電流ならびに電圧を実質上調整することができることが、上記の状況から明らかである。図5に本発明の第3の実施形態を示す。図5では、2つの複巻コイルおよび4つの調整コンデンサC1~C4の他に、らせん状のコイルが設けられている。この実施形態によれば、内側コイルコイル1は2つの部分からなる。部分Iは、図4に関して上述した平面的な複巻コイルを表す。部分IIは、平面的な複巻コイルに対して垂直に置かれ、平面的なコイルコイル1およびコイル2の部分Iの軸と同一の軸を有するらせん状のコイルを表す。この実施形態では、内側コイルの電気的長さは、コイル1およびコイル2がそれらの電気的長さに関してより平衡するように延長されている。2つの電気的長さが互いに近接しているとき、各コイルへの電流をより大きい程度まで調整するとともに、より一定の複素入力インピーダンスを維持することができる。本発明によるらせん状のコイルは中心部におけるプラズマへの誘導結合を助ける。らせん状のコイルによって発生される電界も方位角電界であり、中心部において0であるが、この方位角電界の平均半径はらせん状のコイルの直径の程度である。したがって、中心部におけるプラズマをより密にして、よりよい全体的な均一性を得ることができる。らせん状のコイルの中央部にあるシリンダは誘電体材料でできており、中実にすることにより単に巻線を機械的に支持するが、あるいはその軸に沿って中空にすることもできる。後者の場合、中空シリンダは上端部が真空密封され、また、シリンダの中空領域がチャンバに直接接続されるように底端部が開いている。そのような場合、プロセスガスは真空チャンバにだけでなく、中空シリンダにも導入される。シリンダはプラズマ反応器の誘電体ウィンドウの一部と考えることもできる。中空シリンダ中のプラズマ密度は、比較的強い誘導電界および中空陰極効果のためにチャンバ中よりも高くなることがある。中空シリンダ中で生成されるプラズマはチャンバの中心部に拡散する。さらに、一般に10m-トル未満の低圧状況において放電を容易に当てることができるように、比較的高い電圧が終端コンデンサC3によって調整され得る。図6に本発明の第4の実施形態を示す。この実施形態によれば、各コイルコイル1およびコイル2は2つの部分からなる。部分1は平面的な複巻コイルの形態であり、部分2はらせん状のコイルの形態であって平面的な複巻コイルすなわち、部分1に対して直角に置かれ、部分1の軸と同一の軸を有する。入力高周波はコイル1およびコイル2の平面的な複巻コイルからアンテナシステム600に入り、また電流が両方のコイル中を同じ方向に流れるように、らせん状のコイルから出る。コイル1およびコイル2の同等の電気的長さを得るために、コイル2のらせん状のコイル部分2は平面的な複巻コイルコイル2の部分1の最も内側の巻線と同じ半径を有し、コイル1のらせん状のコイル部分2は平面的な複巻コイルコイル1の部分1の最も外側の巻線と同じ半径を有する。コイル1およびコイル2のらせん状のコイルの巻数は、コイル1およびコイル2の電気的全長がほぼ等しくなるように選択される。コイル1および2のリング間の小さな開口が整列していないことは図6から明らかである。開口が整列している構成とすることは可能であるが、そのような構成にすると、開口の場所におけるプラズマへの電力結合が小さくなることが当業者なら理解できよう。入力調整コンデンサC1およびC2および出力調整コンデンサC3およびC4は図3~図5に関して上述したものと同様の形でコイル中の電流分布の調整を可能にする。本実施形態は一方のコイル中の電流を独立して調整できること点で有利である。図3~図5に示した上述の実施形態では、各コイルへの電流は主として、入力インピーダンスを変化させる入力調整コンデンサによって調整される。一方のコイルの入力インピーダンスが変化するにつれて、コイルが電気的に並列に接続されているので、全入力インピーダンスが変化する。これにより一方のコイル中の電流が変化するだけでなく、他方のコイル中の電流も変化することになる。言い換えれば、2つのコイルの電流調整は独立ではない。したがって、全入力インピーダンスのそのような変化を補償するために整合回路網を再同調させなければならない。これは、整合回路網の同調範囲が有限でありかつ制限されているので、すべての用途において実行可能であるとは限らない。図6において、平面的な複巻コイル部分1中の場所か、またはらせん状のコイル部分2中の場所に対して出力コンデンサを調整することによって、各コイルの電流最大値の場所を調整することができる。電流最大値が平面的な複巻コイル中のどこかにあるときには、平面的なコイルがプラズマにより近いので、プラズマへの高周波の電力結合は比較的大きい。同様に、電流最大値がらせん状のコイル中のある場所にある場合、らせん状のコイルがプラズマからより離れており、平面的な複巻コイル中で電流が低下するので、プラズマへの電力結合は弱くなる。したがって、出力コンデンサのみの調整では、最大電流の場所とプラズマへの電力結合の大きさが同時に変化することになる。出力コンデンサが調整されるのと同時に、コイルの比較的不変の入力インピーダンスを維持するために、入力コンデンサは反対方向に調整されることになる。このようにして入力および出力コンデンサを調整することにより、電流の大きさは実質上変化しないが、コイル中の電流定在波パターンがシフトし、これによりプラズマへの電力結合が効果的に変化することが当業者なら理解できよう。その結果、プラズマ均一性を制御可能に維持できるようになる。図7に本発明の第5の実施形態による二重コイル結合システムを示す。図7の二重のコイル結合システムは平行なアンテナエレメントを使用する。2つのコイルコイル1およびコイル2は対称的であり、コイルの各ループは半円と平行とのアンテナエレメントからなる。RFは各コイル平行軸により近いの平行エレメントの中央に同時に供給され、コイルの他の端部は結合され、コンデンサCTを介して接地に終端される。渦巻き状の平面的なコイルとは対照的に、平面的なアンテナ結合方式は常に比較的大きい電界を中心部において生成し、したがってプラズマ均一性を本質的に改善するJJChen他、ParallelAntennaTransformerCoupledPlasmaGenerationSystem米国特許出願第09/052144号、出願日1998年3月31日を参照されたい。従来のTCPTMコイルと同様に、各コイルによって生成されたプラズマはドーナツ形であり、コイル1ではo1の周り、コイル2ではo2の周りを中心とすることができる。単一のTCPTMと比較して、各プラズマドーナツの半径はかなり短く、それにより従来のTCPTMシステムと比較して、プラズマがドーナツの中心部に拡散しやすくなる。この結合システムの利点は、各コイルの電気的長さがほぼ2分の1になるので、各コイルに沿ったRF電流および電圧の変化がより小さくなることである。以上、本発明の原理、好ましい実施形態および動作モードについて説明した。ただし、本発明は上述した特定の実施形態に限定されるものではない。すなわち、上述した実施形態は限定的なものではなく例示的なものであり、当業者であれば、請求の範囲に記載された本発明の範囲から逸脱することなく、それらの実施形態に変更を加えることができることはいうまでもない。