"アルミニウム酸化物又は炭化シリコンの研磨に用いられる研磨剤であって、アルカリ溶液に、フラーレン粒子と、シリカ粒子を混合した研磨剤。前記アルカリ溶液は水酸化カリウムKOH水溶液であり、かつ、このKOH水溶液に水酸化フラーレンのフラーレン粒子を001wt~1wt、シリカ粒子を1~30wtの範囲で混合した請求項1に記載の研磨剤。研磨工程をしたあとの研磨剤に対して、フラーレン粒子を分離し、この分離したフラーレン粒子を混合した請求項1に記載の研磨剤。LED素子やハイパワーデバイスの用途に使用されているアルミニウム酸化物サファイアや炭化シリコンSiC材料の基板を製造する際、難加工材料であることからラッピング、化学的機械的研磨CMPにおいて、加工時間が100時間とかなりかかってしまう半導体工程で適用されているCMPでは、加工時間は約5分程度。したがって、これらの難加工材料の基板を製造するうえで多くの消耗部材研磨剤などや電力がかかり、コストや環境負荷が増大してしまう。そのため、これらの基板材料を高効率に加工する技術が強く求められている。なお、化学的機械的研磨CMPが、高精度研磨であるポリシングの一種であるのに対して、ラッピングは、精度は低いが研磨レートが高い粗加工の研磨法として知られている。通常、サファイア基板の作成プロセスでは、ラッピングにより数百μm程度削り、目的の厚さに近づいた段階で、CMPを行い、表面粗さの少ない面を形成する。表面粗さとしては、ラッピングではサブμmレベルに対して、CMPでは1nm程度まで向上する。本発明は、アルミニウム酸化物サファイアや炭化シリコンSiCなどの難加工材料のラッピングやCMPにおける加工レートを向上させることで、基板製造プロセスにおけるラッピング、CMP工程の時間を短縮させることを目的としている。このことにより、消耗部材使用量や電力消費量を低減させ、環境負荷を低減することができる。本発明のアルミニウム酸化物又は炭化シリコンの研磨に用いられる研磨剤は、アルカリ溶液に、フラーレン粒子と、シリカ粒子を混合して形成される。このアルカリ溶液は、例えば水酸化カリウムKOH水溶液であり、このKOH水溶液に水酸化フラーレンのフラーレン粒子を001wt~1wt、シリカ粒子を1~30wtの範囲で混合する。研磨工程をしたあとの研磨剤に対して、フラーレン粒子を分離し、この分離したフラーレン粒子を混合して、再度使用することができる。本発明によれば、SiCやサファイアの加工効率を向上させることにより、加工時間やコストを低減させることができる。水酸化フラーレンは化学反応性に富み、粒子直径が約1nmと非常に小さく、また一様に分散していることから物理的に研磨粒子として適した材料である。本発明は、水酸化フラーレンを研磨粒子としてスラリーに混合した新たなAl2O3CMP加工技術により、難加工材料の加工時間を短縮することができる。本発明の研磨剤に添加するフラーレン誘導体のフラーレン分子はサッカーボール構造を有しているため、球形に限りなく近い。さらに、硬度もダイヤモンドとほぼ同等であることからサファイアやSiCと接触した際、機械的除去作用が生じる。さらに、フラーレン粒子は反応性が高いことから、材料除去するのに機械的除去作用と同時に化学的除去作用が発生する。しかし、フラーレン粒子を水酸化カリウムKOH水溶液に混合させたのみでは、難加工材料の研磨には適していないことが分かった表1に記載の比較例4参照。サファイア基板のラッピング工程において、ダイヤモンドスラリー粒子径05μmにフラーレンを添加した場合、研磨レートが20程度向上することは、本発明者らが先に発表した非特許文献1参照、また、表1に記載の比較例1参照。ダイヤモンドは硬度が高いために、難加工材料であるサファイアを加工できたものと推測できたが、ダイヤモンドに代えて、ダイヤモンドよりも硬度の低いシリカ微粒子を用いることで効果が得られる点は意外な結果であった。本発明は、フラーレン粒子をコロイダルシリカ研磨剤に混合させることにより、難加工材料の加工効率を向上させる。具体的には、コロイダルシリカSiO2またはその水和物のコロイドで、通常、粒子径が10~300nmで一定の構造を持たないものに水酸化フラーレンを001wt~1wt程度添加した際、加工効率は30以上向上した。ここでは、フラーレンを10回以上、研磨剤としてリサイクルしても、水酸化フラーレンに変化はなかった。後述するように、研磨実験の結果によれば、加工効率はこれまでの研磨剤と比較して30程度向上している。さらに赤外分光による解析結果から、加工前後で水酸化フラーレンの構造が変化していない。このことから、フラーレンは再度使用することが可能となる。実際に使用する際、フラーレンを加工した後のスラリーから遠心分離機で分離し、フラーレンのみを採取し、再度、研磨剤に添加することが可能になる。アルミナ材料についても、サファイア基板と同様な効果検証を行った。その結果、アルミナ材料でも加工効率の向上がみられた。水酸化フラーレン混合スラリーによる加工実験実験条件を表1に示す。研磨装置にはドクターラップを用いた。キャリアにサファイアウェハを取り付け、重りによって荷重を加え、キャリアを受動回転させることで研磨を行う。スラリーには、KOH水溶液に、SiO2とC60nを混合したものを使用した。以下の実験は、C60nを001wt、005wt、01wt混合した3種類のスラリー水酸基の数は6~12について測定したが、水酸基の数をより多くした場合,飽和濃度が上昇するため1wtまでC60nを混合することが可能である。KOH水溶液は、アルカリ領域で溶解度が高くなるために望ましいが、アルカリ溶液でかつ,水酸化フラーレンを溶解できるものであれば、KOH水溶液に限らず、例えば、NaOHを用いることができる。なお、水酸基は6個から44個まで変化できることが知られており、本発明は、そのいずれの水酸基の水酸化フラーレンも使用可能である。また、比較例スラリーとして、KOH水溶液に、比較例1:DiamondとC60nを混合したもの、KOH水溶液に、比較例2:Diamond、比較例3:SiO2、比較例4:C60n、をそれぞれ単独で混合したスラリーを用いた。被加工面の評価は、共焦点レーザ顕微鏡を用いてAl2O3の研磨前後の表面形状を測定し、研磨前後での表面粗さの改善を評価した。Al2O3CMPを行い、研磨前後の表面粗さRaの測定結果を表2に示す。図1は、Al2O3ウェハの研磨後の表面粗さRaを示すグラフである。図1及び表2より、Al2O3の研磨において、スラリーにはDiamondを用いた場合よりも、SiO2を用いた方が表面粗さは改善された。また、C60nを混合していないスラリーと比較してC60nを混合したスラリーの方が表面粗さは改善され、SiO2C60nスラリーを用いたものがRaは最も改善された。Raが最も改善されたSiO2C60nスラリーによる研磨前後の断面プロファイルを図2に示す。図2は、図の上と下にそれぞれ、SiO2C60nスラリーを用いた研磨前後の表面粗さを示している。図2の横軸は計測針の進行距離を表し、縦軸は計測針先端の鉛直方向成分の高さを表している。従って、図2は、サファイア基板の表面プロファイルを表している。図2よりAl2O3表面の凸部が研磨され、表面粗さが改善されて平坦になっていることが確認でき、高い平坦度が得られた。以上より、SiO2とDiamondのモース硬度はそれぞれ65と15であり、SiO2の方がモース硬度が低いため、CMPにおいて表面粗さの改善には機械的作用によるものよりも化学的作用が大きく影響しており、さらにはC60nを混合することにより、C60nが化学的作用を活性化していると考えられる。水酸化フラーレンの濃度による加工特性研磨装置にはドクターラップを用いた。キャリアにサファイアウェハを取り付け、重りによって荷重を加え、キャリアを強制回転させることで研磨を行う。スラリーには、一般に仕上げ研磨加工に用いられるSiO2スラリーにC60nを001wt、005wt、01wt混合した3種類のスラリーを使用する。その他の実験条件や測定方法は実施例1と同じである。SiO2スラリーにC60nを001wt、005wt、01wt混合した3種類のスラリーを用いて、Al2O3CMPを行い、研磨前後の表面粗さRaの測定結果を表3に示す。図3は、C60nの濃度を変化させた場合のAl2O3ウェハの表面粗さRaを示すグラフである。図3及び表3よりAl2O3において、C60nを01wt混合したスラリーが表面粗さRaが171μmから033μmと最も改善されており、C60nの濃度を増大させることで表面粗さRaがより改善された。サファイア表面でのC60nの濃度を増大させることによって、化学的作用が活性化され、表面粗さRaがより改善された。表面粗さRaは、濃度の増大とともに改善されるが、飽和濃度領域を超えたところで析出がおきるため改善効果は減少する。上述したように、水酸基の数を多くした場合,飽和濃度が上昇するため1wtまでC60nを混合することができる。"