ウェーハ又はダイの表面を処理する方法であって、aウェーハ又はダイを用意するステップと、b前記ウェーハ又はダイを支持体上に配置するステップと、c処理されるべき前記表面を包囲する境界部を形成する材料を用意するステップと、d前記処理されるべき表面周りに窪みが形成され、液体が前記窪みから逃げ出ることができないようにするよう前記包囲境界部のための前記材料を被着させるステップと、e前記窪みに処理液を充填するステップとを有する、方法。前記包囲境界部のための前記材料は、リングを形成する、請求項1記載の方法。前記包囲境界部のための前記材料は、ステップdに従って、前記境界部の頂縁からクリーニングしようとする前記表面まで下方に傾斜したベベルが存在するよう被着される、請求項1又は2記載の方法。前記処理液の処理効果は、前記処理液の振動及び/又は加熱によって向上する、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記処理は、クリーニングを含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記クリーニング効果は、ステップe後に前記処理液中に浸かる超音波エミッタによって支援される、請求項4又は5記載の方法。前記窪みは、前記窪みのフロア全体が前記ウェーハ又は前記ダイによって完全に形成されるよう設計されている、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。遠心作用による前記処理液の除去ステップ、及び/又は、吸引及び/又は排出による抽出ステップを更に有する、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。請求項1~8のいずれか一項に記載の方法を実施するよう設計された装置。請求項2~8のいずれか一項に記載の方法の実施に用いられるリングであって、前記リングは、ループ状にぐるりと延びる表面を有し、前記表面は、前記頂縁から斜めに内側の方向に下方に傾斜しており、前記リングは、ループ状にぐるりと延びると共に斜めに下方に傾斜した前記表面の底縁の領域に、圧力を加えることができる表面、Oリング、密封リップ及び真空用の凹部から成る群から選択された密封構造体を有する、リング。排出装置又は吸引による抽出装置を有する、請求項2~8のいずれか一項に記載の方法のためのリング又は請求項10記載のリング。したがって、本発明の目的は、特に処理液が反応する表面を容易に制御することができるウェーハ又はダイ上表面を処理する穏やかな方法を提供することにある。また、好ましくは、ウェーハ上及び更にダイ上の表面を部分的に本発明の方法の一部としての液体で選択的に処理することができることが望ましい。それと同時に、又、好ましくは、本発明の方法をウェーハの処理のための従来プロセスに満足の行く程度に組み込むことができると共に処理速度を増大させることができると共に/或いは処理液の節約を行うことができることが望ましい。この目的は、本発明によれば、ウェーハ又はダイ上の表面領域を処理する方法であって、aウェーハ又はダイを用意するステップと、bウェーハ又はダイを支持体上に配置するステップと、c処理されるべき表面を包囲する境界部を形成する材料を用意するステップと、d、処理されるべき表面周りに窪みが形成され、液体が窪みから逃げ出ることができないようにするよう包囲境界部のための材料を被着させるステップと、e窪みに処理液を充填するステップとを有することを特徴とする方法によって達成される。本発明の目的上、表面という用語は、表面全体か表面の一部かのいずれかを意味している。クリーニング用の物品がウェーハである場合、この物品は、原理的には、3つの表面、即ち、a後側の面又は側、b前側の面又は側電子部品が設けられている可能性がある及びcループ状にぐるりと延びると共にウェーハが円形である場合、ウェーハの周囲に沿ってぐるりと延びる縁面を有する。当業者であれば、当然のことながら、これら定義をダイ及び更に非円形のウェーハに準用することができる。したがって、本発明の方法が更に含むものは、処理中のクリーニング用の物品の表面のうちの2つ以上である。本発明によって提供される方法は、所与のプロセス条件下において、処理液が窪みから非制御状態で逃げ出ることができないようにするよう起こる。これは、接着、機械的固定、包囲材料に真空若しくは重力又はこの包囲材料に及ぼされる力を加えることによって達成できる。当業者であれば、この関連で、所与の要件に合うよう材料を被着させる他の考えられる方法を採用するにあたって困難がないであろう。本発明の目的上、この場合における処理は、好ましくは、クリーニングである。しかしながら、他の場合、処理が例えば親水化又は疎水化目的の表面改質であることが好ましい場合がある。処理は又、1つ又は場合によっては2つ以上の層の被着であっても良い。本発明の目的上、当然のことながら、複数の互いに異なる処理例えば、クリーニングや親水化を平行して又は連続して実施することも又可能である。驚くべきこととして、本発明の方法を従来のウェーハ及び第2の処理方法に申し分なく組み込むことができるということが判明した。それと同時に、処理液のための接触面が窪みによって正確に定められるので有利である。このように、例えば処理されるべきウェーハ/ダイを支持したフィルムを引っ張り状態で取り付けたフレームとして窪みの外部に位置する領域を処理液から保護することが可能である。また、処理液が作用する時間が調節されることも又有利であり、しかも、新鮮な処理液が作用するようになった領域からかかる新鮮な処理液が非制御状態で逃げ出るのでこれを計量しなければならないということが回避される。包囲境界部を作るための材料被着は、材料が処理中のウェーハ/ダイに接触しないように実施されるのが良く、かくして、中央に縁に接触しないで処理されるべきウェーハ/ダイが位置した窪みが作られる。しかしながら、多くの場合、包囲境界部を窪みのフロア全体が処理されるべきウェーハ/ダイによって完全に形成されるように被着形成することも又可能であり、多くの場合、そのようにすることが好ましい。この場合、処理液は、他の装置が又は装置が部分的に問題の窪み中に慎重に導入されないということがない限り、ウェーハ/ダイ及び包囲境界部のための材料にのみ接触する。処理されるべきウェーハ/ダイが窪みのフロアを形成する場合、包囲境界部のための材料は、ウェーハ/ダイの周囲に沿って0.2~2mm、好ましくは0.5~1mmだけ覆うことが好ましい。これにより、ウェーハ/ダイの表面の大部分が処理を受けるようになる。本発明によれば、包囲境界部のための材料は、リングの形態で利用されることが好ましい。かかるリングは、容易に下方に配置でき、これは、適切な設計のものである場合、特に所望の形態以下参照のものである場合、適当な密封機能を実行するようにする上で特に適している。ウェーハという用語が以下の記載中で用いられる場合、これは、別段の明示の指定がなければ、ダイという用語も含む。本発明の方法を実施するため、クリーニング目的のウェーハをフィルム上に貼り合わせることが好ましい。好ましいフィルムは、この目的上、例えば半導体の製造プロセスにおいて今日既に用いられている標準型ダイシングテープ又は裏面研削テープである。実際の例は、リンテックカンパニーLinteccompany製のAdwillD175、AdwillD650、AdwillD678又はAdwillE8320、ウルトロンカンパニーUltroncompany製のDicingTape1044Rであり、ニットーデンコーカンパニーNittoDenkocompany製の同様なテープが存在する。このフィルムは、本発明の方法のステップbの意味の範囲内における支持体として働く。フィルムそれ自体は、好ましくは、フレーム上に引っ張り状態で配置され、そして好ましくは取り付け装置に取り付けられるフレーム上に引っ張り状態で配置されている間。ウェーハ/フィルム向きの取り付け装置のその支持面の少なくとも部分部分が多孔質であることが好ましく、かくして、フィルム及びかくしてフィルム上に貼り付けられたウェーハも又を吸引して支持面に当てることができ、そして真空によってしっかりと又は安定状態に保つことができる。それと同時に、フィルムを引っ張るフレームを追加的に機械的固定によって装置上に保持することが好ましい場合がある。本発明によれば、包囲境界部のための材料をステップdに従って、クリーニングのために境界部の頂縁から表面まで下方に傾斜したベベルが存在するよう被着することが好ましい。ベベルの傾斜角度は、30~60°、好ましくは40~50°、特に好ましくは45°であることが好ましい。これにより、先ず最初に包囲境界部好ましくは、リングの形態をしているのための材料を被着させることによって、窪みを作ることが可能であり、処理液がこの窪み内に導入され、そして処理液がこの窪みから逃げ出ないようにする。次に、適当な滞留時間後、好ましい形態では、処理剤を遠心作用により窪みから除去することが可能である。この目的のため、本発明の方法では、縁及びフロアを含む窪み全体が回転するようにすることが可能であり、かくして、処理液は、遠心力により窪みから放出される。これは、この方法の好ましい形態において下方に傾斜したベベルによって支援される。また、本発明に従って、処理液の処理効果を処理液の振動及び/又は加熱によって向上させることが好ましい。処理は、クリーニングを含むことが好ましい。また、特に、この好ましい場合、本発明によれば、クリーニング効果をステップeの実施後に処理液中に浸かる超音波エミッタによって増強することが好ましい。この超音波エミッタは、処理液を振動させ、かくして処理液が増強状態でその作用を実行することができる。処理液の加熱が本発明に従って採用される場合、処理液が処理されるべき表面に接触する前であっても処理液を加熱することが可能である。しかしながら、処理液を直接又は間接的加熱、例えばIR放射線によって窪み内で加熱することも可能である。間接的加熱は、例えば処理されるべき表面の温度を直接上げることによっても実施できる。既に上述したように、本発明によれば、処理がクリーニングであることが好ましい。この関係で特に好ましくは、シリコーンを含む残留物、特にシリコーン油を含む残留物のクリーニングが行われる。本発明の方法は又、極めて過酷なほど例えば最低10~50μmまでシンニングされたウェーハについて実施可能である。さらに、この方法は又、50μmを超える厚さ、例えば50~200μmの厚さまでシンニングされたウェーハについて特に満足の行く程度に利用できる。本発明の方法は又、遠心作用に加えて又は遠心作用に変えて、吸引による処理液の抽出が装置の適当な部分によって行われるよう設計されているのが良い。代替的に又は追加的に、処理液の除去の少なくとも一部を排出によって実施することが可能である。この目的のため、当業者は、装置全体の一部として排出装置を提供し、これは、窪みの縁の中においてか窪みが影響を受けるクリーニング向きの表面しか備えていないような形態のものである場合、窪みのフロア内かのいずれかで提供されるのが良い。この種の装置は、好ましくは、吸引による抽出を可能にするのに適当な真空が加えられる弁又はコックである。排出装置が排出のための真空が加えられるよう設計されている場合、この排出装置を吸引による抽出用の装置とも呼ばれる。本発明の方法の場合、処理液を利用した後、処理液を再使用のために送り出すことができるよう処理液を集めることも又好ましい場合ある。また、本発明の方法では、クリーニングを目的とした表面をノズルによって圧縮空気により、不活性ガスにより又は他の適当なガスによって乾燥させることが好ましい場合がある。表面処理の本発明の一部をなす別のステップとして、フラッシング用液体を実際の処理後に窪み中に一度又は二度以上導入して処理液の残留量分を除去することが好ましい場合がある。この意味において好ましいフラッシング液体は、有機溶剤、例えば、イソプロパノール、エタノール、アセトン又はガソリン留分及び場合によっては添加剤、例えば洗浄剤と水を混合したものである。本発明に従って用いられるべき処理液は、例えば、ウェーハ上に存在するポリマーを膨潤させ又は溶解させる有機溶剤、例えばNMP、エチルアセテート、DMSO、アセトン、ガソリン留分又はアルコール、塩基性溶液、例えば水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム溶液又はテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液又はアルコール溶液、金属又は半金属表面を酸化させる溶液、例えば硝酸、弗化物含有溶液、例えば弗化水素酸、ブタノンに溶かしたテトラブチルアンモニウムフルオリド若しくはジメチルカーボネートに溶かした弗化カリウム又は添加剤、例えば有機溶剤、例えばエチルアセテート、ヘキサン又はガソリン留分を含むポリジメチルシロキサンを主成分とする配合物及び/又は触媒、例えばホスホロニトリッククロリドphosphoronitrilicchloride及びその誘導体及び/又は貴金属触媒である。本発明の一部は、本発明の方法を実施するよう設計されている装置であり、これは、特に、その好ましい変形例を含む。これは、特に処理液用の窪みが作られ、処理液がこの窪みから逃げ出ることがないよう包囲境界部のための材料の被着を実施することができるこの装置を含む。また、本発明の一部は、本発明の方法の実施に用いられる専用形態のリングであって、リングは、ループ状にぐるりと延びる表面を有し、表面は、頂縁から斜めに内側の方向に下方に傾斜しており、表面は、ループ状にぐるりと延びると共に斜めに下方に傾斜した表面の底縁の付近に密封のための構造体を有することを特徴とするリングである。密封構造体は、好ましくは、リングの内周部のところで下面から突き出たループの状態にぐるりと延びる縁である。ループの状態にぐるりと延びるこの縁の幅は、好ましくは、0.5~5mmであり、特に好ましくは、0.7~2mmである。また、代替的に又は追加的に、リングは、Oリングシールが下面の付近でこのリング内に導入されるよう設計されると共にその内側側部の近くでループの状態にぐるりと延びることが好ましい場合がある。シールは、この場合、Oリングにより構成される。この目的のために密封材料として適したものは、用いられるクリーニング剤と化学的適合性がある弾性材料の全てである。Oリングシールの代替手段として又はこれに加えて、考慮できるのは、密封リップ又は他の断面形状のシールであり、当業者であれば、この場合、妥当な選択を行うであろう。本発明のリング、密封リップ及びOリングシールが納められる溝の好ましい実施形態も又、図面から理解できる。密封プロセスは、本発明のリングに及ぼされる圧力によって起こることが保証できる。密封効果は、この場合、リングに適した材料を選択することによって増強できる。多くの場合、密封は又、クリーニング目的の表面それぞれ、関連のウェーハを弾性フィルム上に貼り合わせることによって支援される。この弾性フィルムは、力がリングによって加えられると僅かに撓み、かくして密封効果が支援される。本発明の有利な特定の特徴を図2及び図3に関する記載によって説明する。以下において図面を参照して本発明を説明する。図1では、シンニングプロセスを受けたウェーハ17がフレーム9上に引っ張り状態に配置されたフィルム11上に貼り付けられている。このフィルムは、多孔質支持面15上に載っており、この支持面には真空13が加えられ、かくして、フィルムは、支持面に固定されると共にこの支持面上にしっかりと保持されている。リング5は、これがウェーハ17周りに窪み3を形成するよう被着されており、窪み3内にはクリーニング剤が注ぎ込まれている。密封リップ19がこの場合、これがクリーニング剤が逃げ出ないように窪みを封止するよう取り付けられている。超音波エミッタ1が窪み3内のクリーニング剤中に浸かっている。超音波エミッタの動作により、クリーニング剤が振動し、かくして、より強力なクリーニングが行われる。クリーニングに要する時間をこのようにして短縮することができる。リング5は、シンニングされたウェーハに向かって下方に傾斜したベベルを有する。このベベルにより、クリーニング剤を滞留時間後に遠心作用によって窪みから除去することができる。この目的のため、リング及び多孔質支持面及び場合によっては支持面の任意他の領域を含む窪み全体が回転するようになっており、かくしてクリーニング剤は、遠心力により窪み3から出される。図2は、200mmウェーハが処理される場合の窪みのためのリングの変形実施形態を示す略図である。この場合、リングは、窪みがウェーハ上のフィルムから封止されるよう設計されている。この目的のため、平均直径がウェーハの外径よりも小さい溝がリングに形成されている。密封コードがこの溝内に挿入され、すると、この密封コードは、リングとウェーハとの間にシールを形成する。このようにして達成されることとして、クリーニング液は、全てフィルムに接触することができず、このことは、フィルムの材料を選択する際に高い融通性が得られることを意味している。サイズの詳細が数値単位mmとして図面に記載されている。図2に示された密封のためのシールリング5は、クリーニング目的の表面に向かって下方に傾斜したベベルの底部領域において、この密封リングが溝内に設けられたOリング20から成るような形態のものである。Oリングは、ループをなしてぐるりと延びている。Oリング20のための溝は、この場合、リング5の内側に位置する境界部がこのリングの下面上の最も低い箇所よりも高いように設計されている。下面上の最も低い箇所は、支持された表面21により形成される。図2の場合、支持面21は、ループをなしてぐるりと延びる1mm幅の表面である。図2に示されたリングは、この場合、密封が存在する状況においてOリング20がウェーハに当接し、他方、支持面21がウェーハを貼り付けたフィルム上に載るように設計されている。しかしながら、支持面21並びにOリングがウェーハ上に位置することも又可能である。図2と関連して、念頭に置くべきこととして、支持面21は、リング5の下面上の最も低い箇所であることが好ましい。図3は、その左側に、本発明のリング5の比較的簡単な形態を示している。これは、ループ周りにぐるりと1mm幅のものである支持面21を有している。また、リング5の場合、フレームのための凹部25が設けられている。図3の左側から理解できるように、凹部25の内端から支持面21まで延びるベベルが設けられている。このベベルは、リングの内部に向かって下方に傾斜するよう形作られている。移行部がベベルによってではなく全体として1つ又は2つ以上の段部によって形成されても良い。図3の右側には、真空のための凹部23が本発明のリング5のために設けられている。この凹部23は、ループをなしてぐるりと延びるキャビティを形成し、真空を吸引による抽出のための通路27を経てこのキャビティに加えることができる。このリング5は、フレームのための凹部25を更に有している。真空を加えると、リングを吸引してこれを支持体に当てる対応の力が真空のための凹部23によって生じる。これにより、シールが存在するようになる。吸引による抽出のための通路27の変形例として、リング5を載せた支持体が多孔質である場合にもシールを提供することが可能であり、そして真空をこれに加えることができ、かくして、リングは下方に吸引されて支持体に押し付けられる。これは、例えば、ウェーハが貼り付けられるフィルムが多孔質である場合に可能である。凹部23をこの種の密封のために設ける必要はない。