Agペーストを介してリードフレームに半導体素子を接合し、それをモールド樹脂中に封入した半導体装置であって、前記Agペーストは、その厚さは70μm以上であり、前記半導体素子の厚さは200μm以下であることを特徴とする半導体装置。前記半導体素子は、縦型構造のデバイスであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。しかしながら、上述したようにモールド樹脂やリードフレームや半導体素子やダイボンディング材等の熱膨張係数や弾性率等の物理特性値の調整をおこなうと、耐熱性や熱伝導率や機械強度等の他の特性の低下を招来するという問題点がある。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、ダイボンディング材を介してリードフレームに半導体素子を接合し、それをモールド樹脂中に封入した半導体装置において、その半導体装置を構成する部材の物理特性値の調整をおこなうことなく、半導体素子やダイボンディング材に発生する熱応力を抑制することが可能な構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体装置は、リードフレームと半導体素子とを接合するダイボンディング材の厚さを40μm以上、好ましくは70μm以上とするか、または半導体素子の厚さを200μm以下とするか、あるいはそれらを組み合わせることを特徴とする。このように、ダイボンディング材を厚くするか、半導体素子を薄くすることによって、半導体素子やダイボンディング材に発生する熱応力が小さくなる。その理由について、図1に示すモデルを用いて説明する。このモデルは、第1の物質1縦弾性定数:E1、熱膨張係数:α1、長さ:L、厚さ:t1と第2の物質2縦弾性定数:E2、熱膨張係数:α2、長さ:L、厚さ:t2とを接合材3厚さ:hにより接合したものである。このモデルについて、Gを横弾性定数とすると、温度Tによる歪みγは一般的につぎの式1で表される。γ=L/2×α2-α1ΔT/√A×h1ただし、A=G/h×1/E2×t21/E1×t1ここで、第1の物質1をリードフレーム、第2の物質2を半導体素子、接合材3をダイボンディング材とすると、上記式1より明らかなように、ダイボンディング材の厚さhを大きくするか、半導体素子の厚さt2を小さくするか、またはダイボンディング材を厚くし、かつ半導体素子を薄くすれば、ダイボンディング材によりリードフレームに半導体素子を接合した物体の温度による歪みγが小さくなる。したがって、この物体に発生する熱応力が小さくなる。この発明によれば、ダイボンディング材の厚さが40μm以上、好ましくは70μm以上であるため、半導体素子やダイボンディング材に発生する熱歪みや熱応力が小さくなる。また、半導体素子の厚さが200μm以下である場合も同様に、半導体素子やダイボンディング材に発生する熱歪みや熱応力が小さくなる。ダイボンディング材の厚さが40μm以上、好ましくは70μm以上であり、かつ半導体素子の厚さが200μm以下であれば、より一層、半導体素子やダイボンディング材に発生する熱歪みや熱応力が小さくなる。本発明によれば、ダイボンディング材の厚さが40μm以上、好ましくは70μm以上であるか、または半導体素子の厚さが200μm以下であるため、半導体素子やダイボンディング材に発生する熱歪みや熱応力が小さくなる。ダイボンディング材の厚さが40μm以上、好ましくは70μm以上であり、かつ半導体素子の厚さが200μm以下であれば、より一層、半導体素子やダイボンディング材に発生する熱歪みや熱応力が小さくなる。したがって、ダイボンディング材、リードフレーム、半導体素子およびモールド樹脂などの、半導体装置を構成する部材の物理特性値を調整しなくても、半導体素子やダイボンディング材に発生する熱応力を抑制することができる。以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。図2は、本発明にかかる半導体装置の一例の概略を示す縦断面図である。この半導体装置は、リードフレーム11に半導体素子12をダイボンディング材13により接合し、それをモールド樹脂14中に封入したものである。半導体素子12の厚さt3は200μm以下である。半導体素子12の厚さの下限値については、特に限定する必要はないが、この半導体装置を実際に使用する際に発生する応力により、半導体素子12が劈開に至ってしまう応力に応じて決まる。つまり、半導体素子12は、実際の使用時に発生する応力によって劈開してしまわない程度の厚さを少なくとも有していればよい。特に限定しないが、たとえば半導体素子12は30μm程度~200μmの厚さを有していればよい。この数値限定の具体的な根拠については後述するが、半導体素子12がこのような厚さを有していることにより、半導体素子12またはダイボンディング材13に発生する熱応力が従来よりも小さくなる。また、たとえば半導体素子12が縦型構造のパワーデバイスで構成されている場合には、従来の500μm厚を200μm厚にすることによって、パワーデバイスのオン抵抗が従来に比べて8低減される。ダイボンディング材13の厚さt4は40μm以上、好ましくは70μm以上である。この数値限定の具体的な根拠については後述する。ダイボンディング材13としては、たとえば熱膨張係数が20ppm/°C以上、好ましくは20~90ppm/°Cのものが好適である。特に限定しないが、一例として、熱膨張係数が29.1ppm/°CのPb半田、熱膨張係数が26.6ppm/°CのSn半田、熱膨張係数が28.7ppm/°Cの93.5Pb-5Sn-1.5Ag半田、熱膨張係数が37ppm/°CのSn-Ag半田、熱膨張係数が85ppm/°CのAgペーストなどが挙げられる。半導体装置の製造プロセスにおいて、ダイボンディング材13を上述した厚さに精度よく制御するため、たとえばダイボンディング材13の供給量を従来よりも多くしたり、またダイボンディング材13の供給を2回おこなうなどによってダイボンディング材13の供給量を最適化するとともに、スクラブ方向や、半導体素子12とリードフレーム11との間隔を最適化する。つぎに、半導体素子12の厚さおよびダイボンディング材13の厚さの数値限定理由について説明する。これらの厚さの有効な範囲を求めるにあたって、本発明者らは以下のような検討をおこなった。まず、本発明者らは、ドレインソース電圧VDSSが30V以上、ドレイン電流が1A以上の縦型のMOSFETよりなるスイッチ素子と制御用ICとを同一のSi半導体基板上に集積した、いわゆるインテリジェントパワースイッチと呼ばれる3.4mm×2.5mmの大きさの半導体素子を、厚さを変えて種々用意した。インテリジェントパワースイッチとは、負荷短絡等の異常状態に対する検出保護機能の制御をICでおこなうものであり、その用途としては異常状態に対する保護スイッチ素子のユニット側で対策することが望まれる。たとえば、自動車の電装品である油圧ソレノイドバルブの制御、ランプの制御等である。そして、これらの半導体素子をダイボンディング材の厚さを種々変えてリードフレームに接合し、それらを樹脂モールドしたSOP-8パッケージ代表的な表面実装パッケージであるをサンプルとして用意した。リードフレームは銅にニッケルメッキをしたものであり、ボンディング部分の大きさは3.8mm×2.6mm、厚さは0.15mmであった。ダイボンディング材として93.5Pb-5Sn-1.5Ag半田熱膨張係数:28.7ppm/°Cを用いた。用意したサンプルに対して、△Tc=90°C、オンおよびオフをそれぞれ60秒、1W印加の条件でパワーサイクル試験を実施した。そして、パワーサイクル試験中の内部発熱の繰り返しによる、ダイボンディング材の繰り返し塑性変形による発熱疲労を評価するため、パワーサイクル40000サイクル後の熱抵抗を測定し、パワーサイクル試験の開始時パワーサイクル0サイクルの熱抵抗と比較し、その変化率を求めた。なお、MOSFETのスイッチング特性と熱応力の発生との間には関連性はない。はじめにダイボンディング材の厚さを40μm以上とする根拠を説明する。半導体素子の厚さを200μmとし、ダイボンディング材の厚さが異なる複数のサンプルについてパワーサイクル試験をおこなった結果を図3に示す。図3は、パワーサイクル試験により得られたダイボンディング材の厚さと、パワーサイクル40000サイクル後の熱抵抗変化率との関係を示す特性図である。ここで、パワーサイクル試験の不良判定基準として、仮にパワーサイクル40000サイクル後に熱抵抗が20以上増加したら不良であるという判定基準を設けるとすると、図3より明らかにダイボンディング材の厚さが40μm以上であれば40000サイクルのパワーサイクル耐量を達成できることがわかる。また、ダイボンディング材がより厚くなれば、40000サイクルを超えるパワーサイクル耐量を達成できることがわかる。たとえば、図3より、ダイボンディング材の厚さが70μm以上であればパワーサイクル40000サイクル後の熱抵抗の増加率はおおよそ11以下である。また、ダイボンディング材の厚さが90μm以上であればパワーサイクル40000サイクル後の熱抵抗の増加率はおおよそ8以下である。また、ダイボンディング材の厚さが100μm以上であればパワーサイクル40000サイクル後の熱抵抗の増加率はおおよそ6以下である。これより、ダイボンディング材の厚さが70μm以上あれば、40000サイクルのパワーサイクル耐量の保証が可能となることがわかる。ダイボンディング材の厚さを40μm以上とするもう一つの理由を説明する。図4~図8は、ダイボンディング材の厚さを20μm図4、従来と同じ厚さの30μm図5、40μm図6、50μm図7、70μm図8および100μm図9として、半導体素子とダイボンディング材との界面における応力σyyの分布をシミュレーションした結果である。この結果から、従来のダイボンディング材の厚さは30μmであるが、この厚さのときの垂直応力が4.5kgf/mm2であるのに対して、たとえばダイボンディング材の厚さを100μmとすれば、垂直応力は3.9kgf/mm2となり、垂直応力が13低減されることがわかる。これは、パワーサイクル耐量をさらに20000サイクル向上させる効果に相当する。また、実際に半導体装置を製造する際の工程能力を考慮し、その6σを許容範囲とすれば、ダイボンディング材の厚さの設計値を100μmとして製造をおこなえば、ダイボンディング材の厚さがもっとも小さくなる方向にばらついたとしても40μmの厚さを確保することができる。したがって、ダイボンディング材の厚さの設計値を100μmとし、実際に製造して得られた半導体装置におけるダイボンディング材の厚さを40μm以上とするのが妥当である。半導体素子の厚さを200μm以下とする根拠を説明する。ダイボンディング材の厚さを100μmとし、半導体素子の厚さが異なる複数のサンプルについてパワーサイクル試験をおこなった結果を図10に示す。図10は、パワーサイクル試験により得られた半導体素子の厚さと、パワーサイクル40000サイクル後の熱抵抗変化率との関係を示す特性図である。図10より明らかなように、半導体素子が薄くなるほど熱抵抗変化率が小さくなり、パワーサイクル耐量が向上することがわかる。また、図11~図13は、半導体素子の厚さを180μm図11、240μm図12および従来と同じ厚さの280μm図13として、半導体素子とダイボンディング材との界面における応力σyyの分布をシミュレーションした結果である。この結果から、従来の半導体素子の厚さは280μmであるが、この厚さのときの垂直応力が4.4kgf/mm2であるのに対して、たとえば半導体素子の厚さを180μmとすれば、垂直応力は4.1kgf/mm2となり、垂直応力が6低減されることがわかる。これは、パワーサイクル耐量をさらに10000サイクル向上させる効果に相当する。ところで、半導体素子およびダイボンディング材のうちの一方のみが上述した厚さの範囲を満たしていてもよいし、両方とも上述した範囲内の厚さであってもよい。ただし、ダイボンディング材の厚さが70μm以上の場合に、40000サイクル以上のパワーサイクル耐量を確保するためには、半導体素子の厚さは200μm以下である必要がある。上述した実施の形態によれば、ダイボンディング材13の厚さが40μm以上、好ましくは70μm以上であるため、半導体素子12やダイボンディング材13に発生する熱歪みや熱応力が小さくなる。また、半導体素子12の厚さが200μm以下である場合にも、半導体素子12やダイボンディング材13に発生する熱歪みや熱応力は小さくなる。ダイボンディング材13の厚さが40μm以上、好ましくは70μm以上であり、かつ半導体素子12の厚さが200μm以下であれば、より一層、半導体素子12やダイボンディング材13に発生する熱歪みや熱応力が小さくなる。したがって、ダイボンディング材13、リードフレーム11、半導体素子12およびモールド樹脂14などの、半導体装置を構成する部材の物理特性値を調整しなくても、半導体素子12やダイボンディング材13に発生する熱応力を抑制することができる。以上において本発明は、半導体装置はSOP-8パッケージを用いた表面実装デバイスに限らず、半導体素子12とリードフレーム11とをダイボンディング材13により接合した構造の半導体装置に広く応用可能である。また、実施の形態においては、発熱疲労を例にして説明したが、本発明は発熱疲労だけでなく、内在応力や外部熱応力の抑制にも有効である。また、半導体素子はインテリジェントパワースイッチだけでなく、単体のMOSFETまたはバイポーラトランジスタ等のスイッチング素子やダイオードにも有効である。