シリコンからなる半導体基板の上に形成され、入射光を光電変換するフォトダイオード、該フォトダイオードで得られた信号を転送するための転送トランジスタ、及び前記信号を増幅するための画素内トランジスタを含む複数の単位画素が一次元状又は二次元状に配列された感光領域を備え、前記画素内トランジスタは、ゲートパターンと上部にシリサイドが形成された拡散層とを含み、前記半導体基板の上において、前記拡散層の表面の少なくとも一辺の近傍にダミーパターンが形成されていることを特徴とする固体撮像装置。前記ゲートパターンから前記拡散層の前記ゲートパターンと反対側の端部までの長さは、前記ゲートパターンの高さの2倍以下であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。一般に、シリサイドを形成するプロセスは、シリコン基板の上に高融点金属膜を堆積した後に高温処理を行い、シリコン基板と接触する部分にのみ選択的にシリサイドを形成する工程からなる。この際に、シリコン基板の上に自然酸化膜が形成されていると、シリサイドの形成が抑制されて抵抗が増大することとなる。このため、シリコン基板の上に高融点金属膜を堆積する直前に、高融点金属膜を堆積させる装置内でアルゴンプラズマを用いたクリーニングをシリコン基板に対して行う。自然酸化膜を除去した後に、真空状態でシリコン基板の上に高融点金属膜を堆積することにより、シリコン基板の上に自然酸化膜が形成されることを防止できる。しかしながら、プラズマクリーニング処理により、シリコン基板へのダメージが増大する。図8に示すように、ダメージを受けたシリコン基板301の上に形成された画素領域内トランジスタ302の拡散層ソース/ドレイン部304の上に高融点金属膜303を形成し、熱処理を行うと、高融点金属膜303は拡散層304を突き抜けるようにシリコン基板301中に異常拡散スパイク305する。画素領域内トランジスタ302の拡散層304にスパイク305が発生した場合には、約5×10-16A/μmのリーク電流により画像欠陥である白キズが生じ、また、フレーム毎の出力が変化するランダムテレグラフシグナルrandomtelegraphsignal:RTSノイズが発生するおそれがある。図9は一般的な固体撮像装置の画素アレイのレイアウトを示しており、半導体基板にフォトダイオードが形成され、そこにシリサイドが形成されていない拡散層401、シリサイドが形成された拡散層402、及びポリシリコンからなるゲートパターン403が形成されている。拡散層401、402は、それぞれSTIshallowtrenchisolationにより素子分離されている。スパイクは、ゲートパターン403に一端側のみが接する拡散層402のうち、ゲートパターン403から拡散層402のゲートパターン403と反対側の端部までの距離で定義されるフィンガー長404が比較的長い領域405において発生する。そこで、白キズ及びRTSノイズを防止するために、このようなスパイクによるリーク電流を抑制する必要がある。本発明は前記の問題に鑑み、その目的は、接合リーク電流が生じる原因となるシリサイド材料のスパイクを防止して、画像欠陥である白キズ及びRTSノイズを低減できるようにすることにある。前記の目的を達成するために、本発明は固体撮像装置を、トランジスタの拡散層の近傍にダミーパターンが形成された構成とする。具体的に、本発明に係る固体撮像装置は、シリコンからなる半導体基板の上に形成され、入射光を光電変換するフォトダイオード、フォトダイオードで得られた信号を転送するための転送トランジスタ、及び信号を増幅するための画素内トランジスタを含む複数の単位画素が一次元状又は二次元状に配列された感光領域を備え、画素内トランジスタは、ゲートパターンとシリサイドが形成された拡散層とを含み、半導体基板の上において、拡散層の表面の少なくとも一辺の近傍にダミーパターンが形成されている。本発明の固体撮像装置によると、拡散層の表面の少なくとも一辺の近傍にシリコンからなるダミーパターンが形成されているため、接合リーク電流が生じる原因となるシリサイド材料のスパイクを防止し、画像欠陥である白キズ及びRTSノイズを低減できる。本発明に係る固体撮像装置において、ゲートパターンから拡散層のゲートパターンと反対側の端部までの長さは、ゲートパターンの高さの2倍以下であることが好ましい。本発明に係る固体撮像装置によると、接合リーク電流が生じる原因となるシリサイド材料のスパイクを防止して、画像欠陥である白キズ及びRTSノイズを低減できる。本発明の一実施形態に係る固体撮像装置について図1~図5を参照しながら説明する。図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置では、シリコンからなる半導体基板に形成された画素領域感光領域10には、複数の単位画素が二次元状に配列されている。それぞれの単位画素には、入射光を光電変換するフォトダイオード、該フォトダイオードで得られた信号を転送するための転送トランジスタ、及び転送された信号を増幅する画素内トランジスタが形成されている。画素領域10のうち、フォトダイオードにはシリサイドが形成されていない複数の拡散層11が形成されている。拡散層11同士の間であり、画素内トランジスタが形成されている領域Aには、シリサイドが上部に形成された複数の拡散層12が形成され、拡散層12同士の間には膜厚が約180nmのポリシリコンからなるゲートパターン13が形成されている。拡散層11、12は、それぞれSTIにより素子分離されている。この拡散層12の最小拡散層幅W1は約0.33μmであり、拡散層11と拡散層12との間の最小素子分離幅W2は約0.22μmである。本実施形態におけるシリサイドの形成は、まず、約0.067Paの圧力下において約145Vの負電圧であるDCバイアス条件でアルゴンプラズマを用いたクリーニングを半導体基板に対して行った後に、コバルトを半導体基板の上に約10nmの厚さで堆積する。この後に、約440°Cで1回目のアニールを60秒間行い、シリコン基板の上の未反応のコバルトを選択除去した後、約750°Cで2回目のアニールを30秒間行うことによりシリサイドが形成される。シリサイドが形成された拡散層12の表面の少なくとも一辺に隣接するSTI領域に例えばポリシリコン等のシリコン材料からなるダミーパターンポリシリコンパターン14が形成されている。一般に、高融点金属を含むシリサイドを形成する場合には、シリコンからなる半導体基板の上の自然酸化膜を除去するために、高融点金属膜を半導体基板に堆積する前に、半導体基板に対してプラズマクリーニングが行われる。このプラズマクリーニングは、基板面に対して45°程度傾いた方向へのエッチング効果が大きいことが知られている。このため、半導体基板のうち、ゲートパターン13から一定の距離概ねゲートパターン13の高さの2倍以上をおいた領域に微小なダメージが形成され易い。その結果、シリサイド形成のための熱処理を行う際に、高融点金属が半導体基板内に異常拡散してスパイクが発生する。図2に示すように、プラズマクリーニングの際のDCバイアスを低減することにより、画像欠陥の原因となる5×10-16A/μm以上のリーク電流を引き起こすスパイクの発生率を軽減することができる。しかしながら、クリーニング効果を維持するために、DCバイアスを下げることが可能な範囲に限界図中のaがあり、スパイクの十分な改善効果が期待できない。そこで、本実施形態においては、シリサイド化する拡散層に隣接した素子分離上にポリシリコンパターン14を設けた。これによりプラズマクリーニングの際に、基板面に対して45°程度の角度で半導体基板に入射されるイオンがポリシリコンパターン14に妨げられるため、半導体基板が受けるダメージを低減することができ、スパイクの発生を大幅に低減することができる。本実施形態においては、拡散層から約150nm離れた位置の1箇所に幅が約0.1μmのポリシリコンパターン14を配置することにより効果が得られる。なお、図1では、ポリシリコンパターン14は拡散層12と同じ長さで図示されているが、拡散層12よりも長くても構わない。図3に示すように、ゲートパターン13から拡散層12のゲートパターン13と反対側の端部までの距離フィンガー長を短くすることにより、プラズマクリーニングの際に、半導体基板がダメージを受ける領域を少なくしてスパイク発生率を低減できる。また、拡散層12の近傍にポリシリコンパターン14を配置していない場合と比較して、拡散層12の近傍にポリシリコンパターンを配置した場合では、よりスパイク発生率を低減でき、フィンガー長を所定の長さb以下にすることにより、スパイクを完全に防止することも可能である。本実施形態においては、拡散層12から約150nm離れた位置の1箇所に幅が約0.1μmのポリシリコンパターン14を配置し、フィンガー長をゲートパターン13の高さの2倍以下となる350nm以下にすることにより、スパイクが発生することを防止できる。次に、スパイクの発生を防止する効果があるポリシリコンパターンの形成のレイアウトについて図4及び図5を参照しながら説明する。図4aに示すように、トランジスタの拡散層12の両側にポリシリコンパターン14を形成してもよい。また、図4bに示すように、トランジスタの拡散層12の表面の3辺の近傍にポリシリコンパターン14を形成してもよい。また、図4a及びbは、ポリシリコンパターン14が、拡散層12に平行に形成される場合を示しているが、図5に示すように、ポリシリコンパターン14は、必ずしも拡散層12に平行でなくてもよい。本発明の一実施形態に係る固体撮像装置によると、プラズマクリーニングによる半導体基板が受けるダメージが低減され、スパイクを防止することができる。その結果、高感度な固体撮像装置を高い製造歩留まりで形成することができる。なお、本実施形態では、STIによる素子分離を対象としているが、LOCOSlocaloxidationofsilliconによる素子分離の場合にも適用できる。本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形及び応用が可能である。本発明の特徴は、スパイクの発生による白キズが増大しない範囲で、後にシリサイドを形成する拡散層に隣接するSTI領域にポリシリコンパターンを配置し、且つフィンガー長を短くすることである。従って、その技術的思想を逸脱しない範囲において、上述のレイアウトを他の同等のレイアウトに置換することは可能である。また、本発明は、MOS型固体撮像装置の製造に特に適するが、画素領域内にシリサイドを形成するトランジスタを備える全ての固体撮像装置に適用することができる。拡散層のレイアウトを上述のレイアウトと同一にすることにより、高感度の固体撮像装置を得ることが可能となる。