"基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜用原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記成膜空間において、前記薄膜用原料ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有し、前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れる板部材であって、前記板部材の電流の流れる方向が途中で屈曲して互いに並行する往路部分と復路部分を有する電極板を、プラズマ生成用電極として備える、ことを特徴とする薄膜形成装置。前記往路部分の長さと前記復路部分の復路部分の長さは等しい、請求項1に記載の薄膜形成装置。前記往路部分と前記復路部分は同じ幅を有し、前記往路部分と前記復路部分の離間距離は、前記往路部分と前記復路部分の幅の1~1.6倍である、請求項1または2に記載の薄膜形成装置。前記電極板の厚さは、0.2mmよりおおきい、請求項1~3のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。前記電極板の第1の主面が前記成膜空間に向くように配置され、前記第1の主面の往路部分と復路部分に、電流方向に沿って延びる溝状の凹部が複数設けられている、請求項1~4のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。前記電極板の第1の主面が前記成膜空間に向くように配置され、前記第1の主面と対向する第2の主面には、前記電流方向と直交する方向に沿って伸びる凹凸を備える、請求項1~5のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。前記凹凸は、前記第2の主面に立設する複数の板部材により形成される、請求項6に記載の薄膜形成装置。図4aは、上述の板状の高周波アンテナ導体を用いたプラズマ成膜装置の一例の構成を簡略化して説明する図である。図4aに示すプラズマ成膜装置100は、電極板102が成膜容器104の成膜室外の、隔壁106の開口部に設けられ、隔壁106の、成膜空間に面する側の面には、誘電体108が設けられる。誘電体108の対向する位置には、薄膜を形成するためのガラス基板Gが配置される。ガラス基板Gは、ヒータ110上に設けられたサセプタ112に載置される。図4bは、成膜空間に磁場を生成する電極板102の概略斜視図である。電極板102は、図4bに示すように、板状の電極である。電極板102の一方の端面は、数10MHzの高周波電源に接続され、電極板102の他方の端面は接地されている。電極板102では、電流がX方向に流れる。この電極板102を用いてプラズマを生成する方式では、上述の互いに隣り合わせた複数の高周波アンテナにより生成された高電圧を用いてプラズマを生成する装置と異なり、生成された磁場を用いてプラズマが生成される。しかし、この電極板102により生成されるプラズマの密度は、アモルファスSi薄膜を形成するには十分でなく、成膜速度が遅いといった問題がある。また、複数本の高周波アンテナに高周波電力を給電することにより誘導結合型プラズマを発生させる上述の公知のプラズマ生成方法およびプラズマ生成装置についても十分なプラズマ密度を均一に生成することができないといった問題がある。そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、プラズマを用いて基板に薄膜を形成するとき、プラズマ密度を均一にして薄膜の形成を効率よく行うことのできる薄膜形成装置を提供することを目的とする。本発明の一態様は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜用原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記成膜空間において、前記薄膜用原料ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有し、前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れる板部材であって、前記板部材の電流の流れる方向が途中で屈曲して互いに並行する往路部分と復路部分を有する電極板を、プラズマ生成用電極として備える。その際、前記往路部分の長さと前記復路部分の復路部分の長さは等しい、ことが好ましい。また、前記往路部分と前記復路部分は同じ幅を有し、前記往路部分と前記復路部分の離間距離は、前記往路部分と前記復路部分の幅の1~1.6倍である、ことが好ましい。前記電極板の厚さは、0.2mmより大きい、ことが好ましい。また、前記電極板の第1の主面が前記成膜空間に向くように配置され、前記第1の主面の往路部分と復路部分に、電流方向に沿って延びる溝状の凹部が複数設けられていてもよい。また、前記電極板の第1の主面が前記成膜空間に向くように配置され、前記第1の主面と対向する第2の主面には、前記電流方向と直交する方向に沿って伸びる凹凸を備える、ことが好ましい。このとき、前記凹凸は、前記第2の主面に立設する複数の板部材により形成されることが好ましい。上述の薄膜形成装置では、生成されるプラズマ密度を均一化し、薄膜の形成を効率よく行うことができる。以下、本発明の薄膜形成装置について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態である薄膜形成装置10の構成を示す概略図である。図1に示す薄膜形成装置10は、生成されるプラズマを用いて、基板に薄膜を形成するCVD装置である。薄膜形成装置10は、電極板を流れる電流によって生成される磁界により、プラズマを生成する方式である。この方式は、モノポールアンテナ等のアンテナ素子等の共振により発生する高電圧によりプラズマを生成する方式と異なる。薄膜形成装置以下、薄膜としてアモルファスSi薄膜を形成する例を用いて、薄膜形成装置10について説明する。薄膜形成装置10は、給電ユニット12と、成膜容器14と、ガス供給部16と、ガス排気部18と、を有する。給電ユニット12は、高周波電源22と、高周波ケーブル24と、マッチングボックス26と、伝送線28,29図2a参照と、電極板30と、を有する。高周波電源22は、例えば、10~1000Wで数10MHzの高周波電力を電極板30に給電する。マッチングボックス26は、高周波ケーブル24を通して提供される電力が電極板30に効率よく供給されるように、インピーダンスを整合する。マッチングボックス26は、キャパシタおよびインダクタ等の素子を設けた公知の整合回路を備える。マッチングボックス26から延びる伝送線28は、例えば、一定の幅を備える銅板状の伝送線路であり、電極板30へ数アンペアの電流を流すことができる。伝送線29は、電極板30から延び接地されている。電極板30は、後述する隔壁32上に固定された板部材であって、この板部材の第1の主面が成膜容器14内の成膜空間に向いて隔壁32に対して並行に配置されている。電極板30は、伝送線28が接続されている端面と伝送線29が接続されている端面との間の、板部材の長手方向に沿って電流を流す。電極板30は、電流の流れる方向が途中で屈曲してコの字形状を成している。この点は、後述する。成膜容器14は、内部空間38を容器内に有し、内部空間38は、隔壁32により上部空間と下部の成膜空間40に区分けされている。成膜容器14は、例えば、アルミニウム等の材質で形成されて内部空間38を0.1~100Paの減圧状態にできるように、密閉されている。成膜容器14の上部空間には、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、電極板30と、を有する。隔壁32の上部空間に面する側には、電極板30が固定されている。電極板30の周囲には、周囲の隔壁32と絶縁するための絶縁部材34が設けられている。一方、隔壁32の成膜空間40に面する側には、誘電体36が設けられている。誘電体36には、例えば石英板が用いられる。誘電体36を設けるのは、プラズマによる電極板30の腐食を防ぎ、かつ効率よくプラズマへ電磁エネルギを供給させるためである。成膜容器14の成膜空間40には、ヒータ42と、サセプタ44と、昇降機構46と、が設けられている。ヒータ42は、サセプタ44に載置するガラス基板20を所定の温度、例えば250°C程度に加熱する。サセプタ44は、ガラス基板20を載置する。昇降機構46は、ガラス基板20を載置したサセプタ44をヒータ42ともに、成膜空間40内を自在に昇降する。成膜プロセス段階では、電極板30に近接するように、ガラス基板20を所定の位置にセットする。ガス供給部16は、ガスタンク48と、マスフローコントローラ50と、を有する。ガスタンク48は、薄膜用原料ガスであるモノシランガスSiH4を貯蔵する。マスフローコントローラ50は、モノシランガスの流量を調整する部分である。例えば形成される膜の膜厚や膜質等の結果に応じてモノシランガスの流量を調整することができる。モノシランガスは、成膜容器14の成膜空間40の側壁から成膜空間40内に供給される。ガス排気部18は、成膜空間40内の側壁から延びる排気管と、ターボ分子ポンプ52と、ドライポンプ54と、を有する。ドライポンプ54は、成膜空間40内を粗引きし、ターボ分子ポンプ52は、成膜空間40内の圧力を所定の減圧状態に維持する。ターボ分子ポンプ52とドライポンプ54とは、排気管で接続されている。電極板図2aは、給電ユニット12に用いられる電極板30の一例の斜視図である。電極板30は、電流が一方の端面30aから他方の端面30bに流れる、長尺状の板部材であって、U字形状を成している。すなわち、電極板30は、その一部分が板部材の長手方向の途中で180度屈曲し、互いに並行する往路部分30cと復路部分30dを有する。電極板30は、プラズマ生成用電極として用いられる。電極板30は、例えば、銅、アルミニウム等が用いられる。電極板30の往路部分30cの端面30aはマッチングボックス26、伝送線28を介して給電を受ける。復路部分30dは、伝送線29を介して接地されている。往路部分30cにおける長さ、すなわち、端面30aから屈曲部にいたる長さと、復路部分30dにおける長さ、すなわち、屈曲部から端面30bにいたる長さとは等しいことが好ましい。これは、後述するプラズマ密度を均一するためである。また、往路部分30cと復路部分30dは同じ幅図中X方向の幅を有する。往路部分30cと復路部分30dの離間距離dは、往路部分30cと復路部分30dの幅の1~1.6倍であることが、均一な磁場を生成することで均一なプラズマを生成する点で好ましい。図3a,bは、電極板と生成されるプラズマの電子密度の関係を説明する図である。図1に示す薄膜形成装置10の電極板30の代わりに図3aに示す電極板60を用いたとき、モノシランガス1.3Paを導入した成膜空間40内で生成されるプラズマの電子密度は、図3bに示すような値となる。電極板60は、電極板30と異なり屈曲部を有さない一方向に伸びる電極板である。このとき、電極板60の端面60aに1kWの高周波電力13.56~60MHzが付与され、端面60bが接地されている。すなわち、図3bに示すように、接地側端面60bの側では電子密度が高く、給電側端面60aの側では電子密度が低い。この理由については、明確ではないが、接地側では電流により生成された磁場に基づいて生成されるプラズマ電流に由来するプラズマが支配的であるのに対し、給電側では高電圧によって生成されるプラズマ電圧に由来するプラズマが支配的であることに起因すると考えられる。給電側では、高電圧のため、電子のエネルギが低く、高密度なプラズマが生成されにくいと考えられるからである。したがって、電極板30では、接地側でプラズマ密度が高くなることを利用して、図2aに示すように、コの字形状の電極板30を用いることにより、給電側のプラズマ密度の低い領域と、接地側のプラズマ密度の高い領域とが混ざり合って、平均的なプラズマ密度を生成する。しかも、往路部分30cと復路部分30dの電流の方向が逆方向になるので、これらの電流により生成される磁場は、電極板30の離間距離dの部分において、磁場は加算される。この結果、成膜空間40で均一な磁場を形成する。したがって、往路部分30cと復路部分30dの長さを略等しくしたコの字形状の電極板30を用いることにより、長手方向の往路部分30cと復路部分30dにおけるプラズマ密度の高低を平均化することができ、均一なプラズマ密度を達成することができる。なお、電極板30を流れる電流の表層は、電極板30の電気抵抗率、流れる電流の周波数、および、電極板30の透磁率に依存して定まる。例えば、銅あるいはアルミニウムを電極板30の材質とし、電流の周波数を数10MHzとする場合、表層の深さはおよそ0.1mm程度である。したがって、第1の主面図2a中の電極板30の下側に向く板面30aと第2の主面図2a中の電極板30の上側に向く板面の表層に流れる電流を考慮して、電極板20の厚さは、0.2mmより厚いことが好ましい。第1変形例図2bは、図2aに示す電極板30と異なる形態の電極板56を示す斜視図である。電極板56は、電流が一方の端面56aから他方の端面56bに流れる、長尺状の板部材であって、U字形状を成している。すなわち、電極板56は、板部材の長手方向の途中で屈曲して互いに並行する往路部分56cと復路部分56dを有する。電極板56は、プラズマ生成用電極として用いられる。電極板56の往路部分56c及び復路部分56dにおける第1の主面図2b中の電極板56の下側の面56eには、電流の流れる方向に延びる一定の深さ及び幅を有する溝状の凹部58を複数備える。このため、電極板56は、第1の主面56eの表面積が第1の主面56eと反対側の第2の主面図2b中の電極板56の上側に向く板面の表面積に対して大きい。電極板56を流れる高周波の電流は表面効果により、第1の主面56e,第2の主面の表層に集まる。しかし、第1の主面56eは、第2の主面に比べて表面積が大きいので、第1の主面56eの表層を流れる電流は、第2の主面に比べて大きい。このため、第1の主面56eの表層を流れる電流により、成膜空間40内に形成される磁場は、凹部58が設けられていない電極板に比べて大きくなる。このため、磁場により生成されるプラズマは高密度化される。しかも、電極板56を用いて磁場を生成するので、薄膜形成装置10は広範囲に均一な磁場を生成することができ、その結果、広範囲に高密度のプラズマを生成することができる。第2変形例図4は、図2aに示される電極板30とは異なる電極板62の斜視図である。電極板62は、電極板30と同様にU字形状を成している。すなわち、電極板62は、板部材の長手方向の途中で屈曲し、互いに並行する往路部分と復路部分を有する。電極板62は、プラズマ生成用電極として用いられる。電極板62の成膜空間40に向く第1の主面62aと対向する第2の主面62bは、電流が流れるX方向に対して直交する方向に延びる複数のフィン状の薄板部材62cが往路部分と復路部分のそれぞれに一定の高さで一定の間隔で立設している。第2の主面62bの側に薄板部材62cを設けるのは、電流の流れる方向の断面積を第2の主面62bの側で大きく変化させることにより、抵抗を大きくするためである。このため、第2の主表面62bに比べて抵抗が小さい第1の主面62aに電流が流れ易くなる。したがって、第1の主面62aに流れる電流を大きくし、第1の主面62aに流れる電流により、成膜空間40内に形成される磁場を、従来に比べて大きくすることができる。また、薄板部材62cは、電極板62を電流が流れることにより発生する熱を放熱する点でも有効である。なお、電極板62の第2の主面62bには、薄板部材62cが設けられることに限定されず、電流の流れる方向と直交する方向に沿って伸びる凹凸を備えればよい。電極板62には、少なくとも、第2の主面62bの表層を流れる電流の抵抗を大きくするような凹凸が設けられるとよい。第3変形例図5は、図2bに示される電極板56とは異なる電極板64の斜視図である。電極板64は、電極板56と同様にU字形状を成している。すなわち、電極板64は、板部材の長手方向の途中で屈曲し、互いに並行する往路部分と復路部分を有する。電極板64は、プラズマ生成用電極として用いられる。電極板64の第1の主面64aは、図2bに示される電極板56の第1の主面56eに設けられる凹部58と同様に、電流の流れるX方向に延びる、一定の深さ及び幅を有する溝状の複数の凹部を備える。このため、第1変形例と同様に、第1の主面64aは、第2の主面64bに比べて表面積が大きく、第1の主面64aの表層を流れる電流は、第2の主面64bに比べて大きい。一方、第2の主面64bには、電流が流れるX方向に対して直交する方向に延びる複数のフィン状の薄板部材64cが往路部分と復路部分のそれぞれに一定の高さで一定の間隔で立設している。このため、第2変形例と同様に、電流の流れる方向の断面積が第2の主面64bの側で大きく変化するので、第2の主面64bにおける抵抗を大きい。このため、第1の主面64aの表面積の効果と合わせてより一層第1の主面64aに電流が流れやすくなる。したがって、第1の主面64aに流れる電流を大きくすることにより、成膜空間40内に形成される磁場を、従来に比べて大きくすることができる。また、薄板部材64cは、電極板64を電流が流れることにより発生する熱を放熱する点でも有効である。なお、電極板62の第2の主面62bには、薄板部材62cが設けられることに限定されず、電流の流れるX方向と直交する方向に沿って伸びる凹凸を備えればよい。電極板62には、少なくとも、第2の主面62bの表層を流れる電流の抵抗を大きくするような凹凸が設けられるとよい。上記第1変形例及び第3変形例では、第1の主面に設ける凹部の深さおよび幅は一定であるが、凹部の深さあるいは幅は場所によって異なってもよい。例えば、第1の主面において電流が流れにくい部分では、電流が流れるように表面積が大きくなるように凹部の深さあるいは幅を変化させてもよい。上記第2変形例及び第3変形例では、フィン状の薄板部材の高さ及び間隔は一定であるが、薄板部材の高さあるいは間隔は場所によって異なってもよい。例えば、第1の主面において電流が流れにくい部分では、第2の主面の表層を流れる電流の抵抗を大きくして第1の主面の電流が増大するように、薄板部材の高さあるいは間隔を変化させてもよい。以上のように、プラズマを生成するために用いる長尺状の板部材である電極板では、電流が一方の端面から他方の端面に流れる。この電極板は、この長手方向の途中で屈曲して互いに並行する往路部分と復路部分を有する。このため、プラズマ密度を均一にすることができる。以上、本発明の薄膜形成装置について詳細に説明したが、本発明の薄膜形成装置は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。"