"チャンバ内にダミー基板を搬送し、前記ダミー基板にダミー処理用ガスを供給し、前記チャンバ内に製品基板を搬送し、前記製品基板に、前記ダミー処理用ガスと異なる、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により薄膜を製造するための金属原料を含む原料ガスを供給する薄膜製造方法。請求項1に記載の薄膜製造方法であって、前記原料ガスを供給する工程は、前記原料ガスに、前記原料ガスと反応する反応ガスと、不活性ガスとを混合した混合ガスを、前記製品基板に供給する薄膜製造方法。請求項2に記載の薄膜製造方法であって、前記ダミー処理用ガスは、前記金属原料を溶解するのに用いられる溶媒のガスに、前記反応ガスと、前記不活性ガスとを混合して得られたガスである薄膜製造方法。請求項2に記載の薄膜製造方法であって、前記ダミー処理用ガスは、前記金属原料を溶解するのに用いられる溶媒のガスを、前記不活性ガスと混合して得られたガスである薄膜製造方法。請求項2に記載の薄膜製造方法であって、前記ダミー処理用ガスは、前記不活性ガスである薄膜製造方法。請求項1に記載の薄膜製造方法であって、前記原料ガスを供給する工程は、前記製品基板に、前記原料ガスと前記原料ガスと反応する反応ガスとを含む混合ガスを供給する薄膜製造方法。請求項6に記載の薄膜製造方法であって、前記ダミー処理用ガスは、前記金属原料を溶解するのに用いられる溶媒のガスと前記反応ガスとが混合されたガスである薄膜製造方法。請求項6に記載の薄膜製造方法であって、前記ダミー処理用ガスは、前記反応ガスである薄膜製造方法。ダミー基板と、製品基板とがそれぞれ搬送されるチャンバと、ダミー処理用ガスと、前記ダミー処理用ガスと異なる、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により薄膜を製造するための金属原料を含む原料ガスとを、前記チャンバ内にそれぞれ供給するための供給機構と、前記チャンバ内に前記ダミー基板が搬送されたときに前記ダミー処理用ガスを前記チャンバ内に供給させ、前記チャンバ内に前記ダミー基板に代えて前記製品基板が搬送されたときに前記原料ガスを前記チャンバ内に供給させる制御手段とを具備する薄膜製造装置。しかしながら特許文献1に記載の成膜方法では、製品用でないダミーウエハにPZT薄膜が成膜される。従ってPZT薄膜の原料となるPb、Zr及びTiの各金属原料の消費量が多くなり、資源の節約を図ることが難しい。また各金属原料にかかるコストも高くなってしまう。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、再現性のよい薄膜を省資源及び低コストで製造することができる薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る薄膜製造方法は、前記チャンバ内にダミー基板を搬送し、前記ダミー基板にダミー処理用ガスを供給することを含む。前記チャンバ内に製品基板が搬送され、前記製品基板に、前記ダミー処理用ガスと異なる、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により薄膜を製造するための金属原料を含む原料ガスが供給される。本発明の一形態に係る薄膜製造装置は、チャンバと、供給機構と、制御手段とを具備する。前記チャンバには、ダミー基板と、製品基板とがそれぞれ搬送される。前記供給機構は、ダミー処理用ガスと、前記ダミー処理用ガスと異なる、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により薄膜を製造するための金属原料を含む原料ガスとを、前記チャンバ内にそれぞれ供給するためのものである。前記制御手段は、前記チャンバ内に前記ダミー基板が搬送されたときに前記ダミー処理用ガスを前記チャンバ内に供給させ、前記チャンバ内に前記ダミー基板に代えて前記製品基板が搬送されたときに前記原料ガスを前記チャンバ内に供給させる。本発明の一実施形態に係る薄膜製造方法は、前記チャンバ内にダミー基板を搬送し、前記ダミー基板にダミー処理用ガスを供給することを含む。前記チャンバ内に製品基板が搬送され、前記製品基板に、前記ダミー処理用ガスと異なる、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により薄膜を製造するための金属原料を含む原料ガスが供給される。この薄膜製造方法では、製品基板に金属原料を含む原料ガスが供給される前に、ダミー基板に原料ガスと異なるダミー処理用ガスが供給される。これによりチャンバ内の環境を成膜条件が満たされる環境とすることが可能となる。この結果、再現性のよい薄膜を省資源及び低コストで製造することができる。前記チャンバ内にダミー基板を搬送し、前記ダミー基板にダミー処理用ガスを供給する前に、チャンバ内にアイドリング用基板が配置された状態で、前記チャンバ内が、成膜処理が行われないアイドリング状態とされてもよい。なお原料ガスには、例えば金属原料を室温常圧の時に溶解するのに用いられる溶媒のガスや、キャリアガスとして用いられる不活性ガス等が含まれる。前記原料ガスを供給する工程は、前記原料ガスに、前記原料ガスと反応する反応ガスと、不活性ガスとを混合した混合ガスを、前記製品基板に供給してもよい。前記ダミー処理用ガスは、前記金属原料を溶解するのに用いられる溶媒のガスに、前記反応ガスと、前記不活性ガスとを混合して得られたガスであってもよい。この薄膜製造方法では、ダミー処理用ガスとして、例えば金属原料を室温常圧の時に溶解するのに用いられる溶媒のガスと、成膜処理で用いられ反応ガス及び不活性ガスとが混合されたガスが用いられる。すなわちダミー処理用ガスとして金属原料を含む原料ガスが用いられないので、再現性のよい薄膜を省資源及び低コストで製造することができる。なお、上記の混合ガスに、キャリアガスとして用いられる不活性ガスが含まれてもよい。前記ダミー処理用ガスは、前記金属原料を溶解するのに用いられる溶媒のガスを、前記不活性ガスと混合して得られたガスであってもよい。このようにダミー処理用ガスとして、例えば金属原料を室温常圧の時に溶解するのに用いられる溶媒のガスと不活性ガスとが混合されたガスが用いられてもよい。この混合ガスに、キャリアガスとして用いられる不活性ガスが含まれてもよい。前記ダミー処理用ガスは、前記不活性ガスであってもよい。このようにダミー処理用ガスとして、不活性ガスのみが用いられてもよい。前記原料ガスを供給する工程は、前記原料ガスと前記原料ガスと反応する反応ガスとを含む混合ガスを、前記製品基板に供給してもよい。前記ダミー処理用ガスは、前記金属原料を溶解するのに用いられる溶媒のガスと前記反応ガスとが混合されたガスであってもよい。前記ダミー処理用ガスは、前記反応ガスであってもよい。このようにダミー処理用ガスとして、反応ガスのみが用いられてもよい。本発明の一実施形態に係る薄膜製造装置は、チャンバと、供給機構と、制御手段とを具備する。前記チャンバには、ダミー基板と、製品基板とがそれぞれ搬送される。前記供給機構は、ダミー処理用ガスと、前記ダミー処理用ガスと異なる、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により薄膜を製造するための金属原料を含む原料ガスとを、前記チャンバ内にそれぞれ供給するためのものである。前記制御手段は、前記チャンバ内に前記ダミー基板が搬送されたときに前記ダミー処理用ガスを前記チャンバ内に供給させ、前記チャンバ内に前記ダミー基板に代えて前記製品基板が搬送されたときに前記原料ガスを前記チャンバ内に供給させる。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。[薄膜製造装置]図1は、本発明の一実施形態に係る薄膜製造装置の構成例を示す模式的な図である。本実施形態の薄膜製造装置により、MOCVD法を利用した強誘電体PZTの薄膜の製造が可能となる。薄膜製造装置100は、有機金属の有機溶媒溶液を供給する原料供給部10と、その溶液を気化して原料ガスを生成する気化器20とを有する。また薄膜製造装置100は、原料ガス、原料ガスと反応する反応ガスとしての酸化ガス、及び不活性ガスを混合させて混合ガスを生成する混合器30と、混合器30と供給ライン33を介して接続される成膜室50とを有する。本実施形態では、原料供給部10、気化器20、混合器30、及びこれらに設けられた各ライン及び各バルブにより供給機構が構成される。原料供給部10は、有機金属の原料溶液及び溶媒が充填されるタンクA,B,C及びDと、各タンクA~Dに供給されるHeヘリウムの供給ライン11とを有する。また原料供給部10は、各タンクA~Dに供給されるHeの圧力により押し出された金属原料溶液及び溶媒を運搬するためのキャリアガスの供給ライン12を有する。本実施形態ではキャリアガスとしてN2窒素が用いられるが、これに限られず他の不活性ガスが用いられてもよい。同様に、各タンクA~Dに供給されるガスもHeに限られず、他の不活性ガスが用いられてもよい。本実施形態では、タンクA~Dに、Pbの原料溶液、Zrの原料溶液、Tiの原料溶液、及び有機系の溶媒がそれぞれ充填される。Pb、Zr及びTiの原料溶液としては、酢酸nブチル溶液中に、各金属原料が0.25mol/Lの濃度で溶解した溶液が用いられる。本実施形態では、各金属原料は、室温常圧時において溶媒に溶解される。Pb原料としては、Pbdpm2ビスジピバロイルメタネート鉛が用いられ、Zr原料としては、Zrdmhd4テトラキス2,6ジメチル3,5ヘプタンジオネートジルコニウムが用いられる。またTi原料としては、TiiPrO2dpm2ビスイソプロポキシドビスジピバロイルメタネートチタンが用いられる。タンクDに充填される溶媒としては酢酸nブチルが用いられる。なお、Pbdpm2は、Pbthd2ビス2,2,6,6テトラメチル3,5ヘプタンジオネート鉛ともいう。溶媒に溶解される各金属原料は、上記のものに限られない。例えばPb原料として、Pbdibm2ビスジイソブチリルメタナート鉛等や、Pbdpm2、及びPbdibm2の両方あるいは少なくとも一方を一部に有する材料が用いられてもよい。またZr原料として、Zrthd4テトラキス2,2,6,6テトラメチル3,5ヘプタンジオネートジルコニウム等や、これらを一部に有する材料が用いられてもよい。そしてTiの原料として、TiMMP4テトラキス1メトキシ2メチル2プロポキシチタン等や、これらを一部に含む材料が用いられてもよい。各金属原料を溶かす溶媒及びタンクDに充填される溶媒も、上記した酢酸nブチルに代えて、例えばトルエン、テトラヒドロフロンTHF、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、又はメチルシクロヘキサン等が用いられてもよい。気化器20は、供給ライン12を介して原料供給部10に接続されており、原料供給部10から気化器20へ、金属原料溶液及び溶媒の液滴が搬送される。気化器20は図示しない加熱手段を有しており、搬送された金属原料溶液及び溶媒が加熱により気化される。これにより金属原料を含む原料ガスが生成される。なお気化効率を向上させるために、金属原料溶液及び溶媒の液滴にガスや超音波等を当てる方法や、微細ノズルを介して予め微細化された液滴を導入する方法等が併用されてもよい。なお原料ガスには、溶媒のガスや、キャリアガスとして用いられる不活性ガス等も含まれている。図1に示すように、気化器20には、混合器30に接続されるRunライン21と、真空排気システム40に接続されるVentライン22とが設けられる。Runライン21にはバルブV1が設けられ、Ventライン22にはバルブV2が設けられる。混合器30は、気化器20により生成された原料ガスと、酸化ガス及び不活性ガスとの混合ガスを生成するものである。そのため、混合器30には酸化ガス供給部31及び不活性ガス供給部32が接続されている。本実施形態では、酸化ガス供給部31によりO2酸素が供給され、不活性ガス供給部32によりN2が供給される。しかしながら、酸化ガスとして例えば一酸化二窒素やオゾン等が供給されてもよい。また不活性ガスとして、アルゴン等が供給されてもよい。成膜室50は、供給ライン33に接続されるチャンバ51と、チャンバ51内に配置されるステージ52とを有する。チャンバ51の天井面にはシャワーノズル53が設けられており、このシャワーノズル53に供給ライン33が接続されている。ステージ52及びシャワーノズル53は、互いに対向する位置にそれぞれ配置される。またチャンバ51内には、図示しない防着板等の部品が洗浄済みの状態で配置される。図1に示すようにステージ52上には、アイドリング用基板S1、ダミー基板S2、及び製品基板S3がそれぞれ配置される。ステージ52は、図示しないヒータや熱電対等の温度センサを有しており、載置された各基板S1~S3をそれぞれ加熱することが可能である。各基板S1~S3を加熱するための加熱手段は、ヒータに限られず種々の加熱手段が採用可能である。後述するように、アイドリング用基板S1は、アイドリング時に用いられる基板であり、ダミー基板S2は、ダミー処理時に用いられる基板である。製品基板S3は、成膜処理によりPZT薄膜が形成される基板である。本実施形態では、アイドリング用基板S1、ダミー基板S2、及び製品基板S3として同じ基板が用いられる。具体的には、100nmのSiO2酸化膜が形成された8インチのSi基板上に、スパッタリング法でIrが70nm成膜された基板が用いられる。しかしながら基板の大きさや材料等は限定されない。チャンバ51は、圧力調整バルブ41を介して、例えばドライポンプやターボ分子ポンプ等を備えた真空排気システム40に接続される。圧力調整バルブ41によりチャンバ51内の圧力を適宜設定することで、様々な成膜圧力条件に容易に対応することが可能である。気化器20から成膜室50までの各ライン、各バルブやシャワーノズル53及び混合器30等を含む各装置は、気化した原料ガスが液化等されないように、図示しない加熱手段により例えば200°C以上の高温状態に保たれる。本実施形態に係る薄膜製造装置100は、上記で説明した各バルブや各装置を制御する制御手段としての図示しない制御ユニットを有している。制御ユニットは、例えばCPUCentralProcessingUnitや、ROMReadOnlyMemory又はRAMRandomAccessMemory等からなるメインメモリ等を有する。制御ユニットから各装置等に、例えば有線あるいは無線を介して制御信号が出力されることで、例えばチャンバ51内へのガスフローやステージ52に載置された各基板S1~S3の加熱等が制御される。[多室型マルチチャンバ型成膜装置]図2は、本実施形態に係る薄膜製造装置100を含む多室型成膜装置の構成例を示す模式的な図である。多室型成膜装置200は、アイドリング用基板S1、ダミー基板S2、及び製品基板S3をそれぞれ搬送することが可能な図示しない搬送ロボットが設けられる搬送室201と、1ロット25枚の基板をそれぞれ搭載することができる2つのストッカー室202とを有する。また多室型成膜装置200は2つの上記薄膜製造装置100を有しており、搬送室201の周囲に2つの上記成膜室50がそれぞれ配置される。成膜室50及びストッカー室202は、仕切りバルブ203を介して搬送室201にそれぞれ接続される。なおストッカー室202の数は2つに限られず、より多くのストッカー室あるいは1つのストッカー室が搬送室201の周囲に配置されてもよい。成膜室50に真空排気システム40がそれぞれ接続されているのと同様に、搬送室201及びストッカー室202にも真空排気システム204がそれぞれ接続されている。これにより各室は、独立して内部を真空雰囲気に排気することが可能である。しかしながら、例えば1つ真空排気システムが併用されて、搬送室201、成膜室50及びストッカー室202の内部が排気されてもよい。この場合、その真空排気システムが、図1に示す真空排気システム40として機能する。また搬送室201にはガス源205が接続されており、このガス源205から導入される不活性ガス等の調圧ガスによって、搬送室201内を所定の圧力に調整できるようになっている。搬送室201の内部圧力の調整は、搬送室201に設けられた図示しない自動圧力調整バルブにより行われる。図2に示すように、ストッカー室202は、仕切りバルブ203を介して大気基板搬送システム206に接続される。大気基板搬送システム206には、複数のウエハカセット207とストッカー室202との間で、例えば成膜未処理又は成膜処理済の製品基板S3等を搬送する図示しない搬送ロボットが設けられる。本実施形態に係る多室型成膜装置200には、ストッカー室202が2つ配置されるので、一方のストッカー室202に基板が全て入れば、他方のストッカー室202に基板を搭載することができる。2室目のストッカー室202に基板が搭載されている場合、1室目のストッカー室202に搭載された基板の成膜プロセスが終了すると、2室目のストッカー室202が真空引きされ、再び基板が成膜室50に運ばれていく。[薄膜製造装置及び多室型成膜装置の動作]図3は、本実施形態に係る薄膜製造装置100及び多室型成膜装置200の動作を示すフローチャートである。図3では、チャンバ51内がアイドリング状態とされる際の動作から、成膜処理が再開され製品基板S3にPZT薄膜が形成されるまでの動作が図示されている。アイドリング状態とは、成膜処理が中断された状態であり、チャンバ51内で成膜処理が行われない状態である。多室型成膜装置200の搬送室201からアイドリング用基板S1がチャンバ51内に搬送されるステップ101。アイドリング用基板S1は、例えば中断される前の成膜処理においてストッカー室202に搭載された複数の基板から選択されてもよい。あるいはアイドリング用基板S1が別途準備されており、それがチャンバ51内に搬送されてもよい。チャンバ51内にアイドリング用基板S1が配置された状態で、チャンバ51内がアイドリング状態とされるステップ102。アイドリング状態ではチャンバ51内の環境が、後に再開される成膜処理における成膜条件を満たす環境に近づくように調整される。本実施形態では、アイドリング状態のチャンバ51内の内部圧力が、成膜圧力条件である約2Torrに調整される。チャンバ51内の内部圧力は、図1に示す不活性ガス供給部32により供給されるN2により調整される。成膜工程では、チャンバ51内のステージ52が有するヒータにより、製品基板S3が600°C以上に加熱される。ヒータからの熱は、チャンバ51内のシャワーノズル53や他の部品にも伝わる。上記したように製品基板S3には、金属であるIrが成膜されているので、ヒータからの熱の一部がIrにより反射される。すなわちヒータから他の部材への放熱の状況は、ステージ52に載置された製品基板S3により影響を受ける。このことを考慮して、本実施形態では、チャンバ51内に、製品基板S3と同じ基板であるアイドリング用基板S1がステージ52に載置され、アイドリング用基板S1が600°C以上に加熱される。これによりアイドリング状態のチャンバ51内の温度環境を成膜条件が満たされる温度環境に精度よく近づけることができる。本実施形態では、アイドリング用基板S1として製品基板S3と同じ基板が用いられた。しかしながら、例えば金属が成膜されており、アイドリング状態のチャンバ51内の温度環境を上記したように調整可能であるのなら、製品基板S3と異なる基板が、アイドリング用基板S1として用いられてもよい。また上記した成膜圧力条件や、製品基板S3及びアイドリング用基板S1の加熱温度は適宜設定されてよい。薄膜製造装置100のチャンバ51内がアイドリング状態に設定されている状態で、成膜処理が再開される。そうすると25枚入りのウエハカセット207から、大気基板搬送システム206に設けられた搬送ロボットにより、所定の枚数の基板がストッカー室202に搬送される。これら複数の基板のうち、チャンバ51に搬送される最初の2枚の基板は、ダミー基板S2として用いられ、以下に示すダミー処理が行われる。その他の基板は製品基板S3として用いられ、ダミー処理後の成膜処理によりPZT薄膜が形成される。基板が搬入されたストッカー室202内は真空排気される。真空排気されたストッカー室202と搬送室201との間にある仕切りバルブ203が開き、搬送室201及びストッカー室202の両方が真空排気される状態となる。ガス源205により搬送室201にN2等の調整ガスが例えば1200sccm供給され、搬送室201の内部圧力が調整される。搬送室201の内部圧力は、設定されたチャンバ51の内部圧力である約2Torrと略等しい圧力、あるいはそれよりも5程度高い圧力に調整される。搬送室201の調圧がほぼ終了するとストッカー室202の1枚目のダミー基板S2が搬送室201を介してチャンバ51に運ばれるステップ103。図1に示す原料供給部10では、Heの供給ライン11から各タンクA~DにHeが供給される。これにより各タンクA~Dの内部圧力が上昇し、各タンクA~Dに充填されていた有機金属の原料溶液及び溶媒がキャリアガスの供給ライン12に押し出される。押し出された金属原料溶液及び溶媒の液滴は、それぞれの流量が液体流量制御器等で制御されて、キャリアガスにより気化器20に運搬される。本実施形態では、液体流量制御器等により、タンクA~Cから押し出されたPb、Zr及びTiの各原料溶液の流量が略0に規制され、酢酸nブチルである溶媒のみが気化器20に運搬される。溶媒の流量は、成膜工程において各金属原料溶液及び溶媒の全体の流量と略等しくなるように制御される。気化器20では、成膜工程が再開すると、タンクDから押し出された溶媒による気化器20のノズルフラッシュが始まり、3分ほどで溶媒及び後に運搬されてくる金属原料溶液を気化できる状態になる。この際、Ventライン22のバルブV2が開けられ、溶媒の気化ガス及びキャリアガスはVentライン22に捨てられる。1枚目のダミー基板S2がチャンバ51内に運ばれステージ52上に載置されると、ステージ52に設けられたヒータによりダミー基板S2が600°C以上に加熱される。ダミー基板S2の温度は3分程で所定の温度に落ち着く。成膜室50におけるダミー基板S2やシャワーノズル53等の部品の温度が所定の温度に飽和すると、Ventライン22のバルブV2が閉じられ、Runライン21のバルブV1が開けられる。そして気化器20により気化された溶媒ガスが混合器30に供給される。混合器30では、気化器20から供給された溶媒ガスと、酸化ガスであるO2及び不活性ガスであるN2とが所定の混合比mol比で混合される。これによりダミー処理用ガスが生成される。混合比は、例えば成膜工程で混合される原料ガス、酸化ガス及び不活性ガスの混合比と略等しくなるように設定される。なお、ダミー処理用ガスに、キャリアガスとして用いられる不活性ガスが含まれてもよい。混合器30により生成されたダミー処理用ガスは、供給ライン33を通って成膜室50のチャンバ51内に供給される。そして加熱されたダミー基板S2にダミー処理用ガスが供給されるステップ104。ダミー処理用ガスは、成膜工程における成膜時間と略等しい時間、ダミー基板S2に供給される。本実施形態では、約15nm/minの成膜レートで約70nmのPZT薄膜が形成される。従って成膜時間は約300秒程度である。しかしながら成膜されるPZT薄膜の厚み、成膜レート、及び成膜に費やされる時間がこれらに限定されるわけではない。ダミー処理用ガスの供給が終了すると、Runライン21のバルブV1が閉じられ、Ventライン22のバルブV2が開けられる。従って溶媒ガスはVentライン22に捨てられる。その後本実施形態では、混合器30に接続された不活性ガス供給部32からN2がチャンバ51内に供給され、チャンバ51内の内部圧力が、成膜圧力条件を満たす圧力約2Torrとなるように設定される。そして1枚目のダミー基板S2がアンロードされ、2枚目のダミー基板S2がチャンバ51内に搬送される。2枚目のダミー基板S2に対しても、上記で説明したのと同様のダミー処理が行われる。本実施形態に係る成膜処理では、ステージ52に載置された製品基板S3の温度を安定させるための時間約3分、成膜時間約300秒、及び成膜後に製品基板S3がアンロードされるまでの時間約60秒等が必要である。これらの時間を合わせると1枚の製品基板S3に対する成膜処理に約10分の時間が費やされる。従って1枚のダミー基板S2に対するダミー処理に費やされる時間も約10分となる。しかしながら成膜処理及びダミー処理に費やされる時間は適宜設定されてよい。2枚目のダミー基板S2に対するダミー処理が終了すると、チャンバ51内に製品基板S3が搬送されるステップ105。これに合わせて、図1に示すキャリアガスの供給ライン12に押し出された各金属原料溶液及び溶媒の液滴が、各流量が制御されて気化器20に運搬される。気化器20により、金属原料溶液主体の気化ガスが生成され、混合器30に運搬される。混合器30により、原料ガス、酸化ガス及び不活性ガスが所定の混合比で混合される。混合比は、例えば成膜されるPZT薄膜の結晶配向を所期のものとするために適宜設定される。混合器30により生成された混合ガスは、供給ライン33を通ってチャンバ51内に配置された製品基板S3に供給されるステップ106。これによりPZT薄膜が製品基板S3上に形成される。成膜が終了すると、Ventライン22のバルブV2が開けられ、金属原料溶液の気化ガスはVentライン22に捨てられる。PZT薄膜が形成された製品基板S3は、搬送室201にアンロードされ、2枚目の製品基板S3がチャンバ51内に搬送される。2枚目の製品基板S3に上記と同様の成膜処理が行われる。以後、製品基板S3がチャンバ51内に搬送され、PZT薄膜の成膜処理が順次行われる。本実施形態に係る薄膜製造装置100により製造されたPZT薄膜の成膜再現性について説明する。そのために本実施形態に係る薄膜製造方法により製造されたPZT薄膜と、比較例として挙げる2つの薄膜製造方法によりそれぞれ製造されたPZT薄膜とを比べる。図4~図6は、第1の比較例として挙げる薄膜製造方法についてのグラフ及び表である。図4は、形成されたPZT薄膜中のPb組成比Pb/ZrTi、及びZr組成比Zr/ZrTiを表すグラフである。図5は、第1の比較例に係る薄膜製造方法の成膜レートnm/minを示すグラフである。図6は、図4及び図5に示すPb組成比、Zr組成比及び成膜レートの再現性を示す表である。第1の比較例に係る薄膜製造方法は、チャンバ内にアイドリング用基板が配置されない状態でチャンバ内がアイドリング状態とされる。そして成膜処理が再開されるとまず2枚のダミー基板に対してダミー処理が行われる。第1の比較例に係るダミー処理では、製品基板に供給される原料ガスがダミー基板にも供給され、ダミー基板にPZT薄膜が形成される。第1の比較例に係る薄膜製造方法では、まず連続して200枚の製品基板に成膜処理が行われる。そして約6時間のアイドリング状態の後に、成膜処理が再開される。図4及び図5では、アイドリング前の50枚グラフに示す150枚~200枚の製品基板と、成膜処理の再開後の50枚グラフに示す201枚~250枚のうちダミー基板201枚~203枚を除く製品基板再開後3枚目からの基板とを測定範囲としている。この範囲から選択された所定の枚数の製品基板の各測定値が図示されている。図4及び図5に示すように、ダミー処理直後の製品基板が多く選択されている。図6に示す再現性は、図4及び図5に示す各測定値のばらつきを示すものである。具体的には、各測定値について、最大値と最小値との差を、最大値と最小値との和で除した結果を、±ので表示したものである。図7~図9は、第2の比較例として挙げる薄膜製造方法についてのグラフ及び表である。図7は、PZT薄膜中のPb組成比及びZr組成比を表すグラフであり、図8は、膜レートを示すグラフである。図9は、図7及び図8に示すPb組成比、Zr組成比及び成膜レートの再現性を示す表である。第2の比較例に係る薄膜製造方法は、チャンバ内にアイドリング用基板が配置された状態でチャンバ内がアイドリング状態とされる。そして成膜処理が再開されるとまず2枚のダミー基板に、原料ガスを用いたダミー処理が行われる。すなわち第2の比較例に係るダミー処理では、第1の比較例に係るダミー処理と同様に、ダミー基板にPZT薄膜が形成される。第2の比較例に係る薄膜製造方法では、まず連続して150枚の製品基板に成膜処理が行われる。そしてアイドリング用基板を用いた約6時間のアイドリング状態の後に、成膜処理が再開される。図7及び図8では、アイドリング前後の各50枚のうちダミー基板を除いた製品基板が測定範囲となっており、この範囲から選択された所定の枚数の製品基板の各測定値が図示される。図7及び図8に示すように、ダミー処理直後に連続して成膜される5枚の製品基板の測定値が図示されている。図4~図6に示す第1の比較例に係る薄膜製造方法と、図7~図9に示す第2の比較例に係る薄膜製造方法とを比べると、第2の比較例に係る薄膜製造方法の方が各測定値の再現性がよいのがわかる。上記したように第2の比較例に係る薄膜製造方法では、チャンバ内にアイドリング用基板が配置された状態でチャンバ内がアイドリング状態とされる。これにより、アイドリング状態でのチャンバ内の温度環境が成膜条件を満たす温度環境に近づけられるので、各測定値の再現性が向上したものと考えられる。図10~図12は、本実施形態に係る薄膜製造方法についてのグラフ及び表である。図10は、PZT薄膜中のPb組成比及びZr組成比を表すグラフであり、図11は、成膜レートを示すグラフである。図12は、図10及び図11に示すPb組成比、Zr組成比及び成膜レートの再現性を示す表である。ここでは、まず連続して150枚の製品基板S3に成膜処理が行われる。そしてアイドリング用基板S1を用いた約6時間のアイドリング状態の後に、成膜処理が再開され、まずダミー処理が行われる。上記したように本実施形態に係るダミー処理は、ダミー基板S2に金属原料を含まないダミー処理用ガスが供給される。図10及び図11では、アイドリング前後の各50枚のうちダミー基板S2を除いた製品基板S3が測定範囲となっており、この範囲から選択された所定の枚数の製品基板S3の各測定値が図示される。図10及び図11に示すように、ダミー処理直後に連続して成膜される5枚の製品基板S3の測定値が図示されている。図7~図9に示す第2の比較例に係る薄膜製造方法と、図10~図12に示す本実施形態に係る薄膜製造方法とを比べると、各測定値と、それらの再現性は略等しい。すなわちダミー処理においてダミー基板S2にPZT薄膜を形成しなくとも、Pb組成比、Zr組成比及び成膜レートの再現性はよいことがわかる。本出願に係る発明者は、アイドリング後に再開される成膜処理についての成膜再現性について以下のように考察した。まずアイドリング用基板S1を配置した状態でチャンバ51内をアイドリング状態とする。これによりアイドリング状態でのチャンバ51内の温度環境が成膜条件を満たす温度環境に近づけることが可能である。次に、アイドリング状態から成膜処理が再開されたときに、チャンバ51内の環境がどのように変化するかについて考察した。上記したように成膜処理では約10分の間隔でチャンバ51に対し製品基板S3が搬送される。本発明者は、この搬送動作によるチャンバ51内の温度環境の変化に着目した。そしてチャンバ51内の温度環境を成膜条件が満たされる温度環境とするためのダミー処理について考察した。この結果、チャンバ51内に搬送されるダミー基板S2に供給されるダミー処理用ガスが、金属原料を含まないガスであっても、チャンバ51内の温度環境を調整することが可能であることがわかった。図10~図12に示すように、金属原料を含まないダミー処理用ガスによるダミー処理でも、アイドリング後の成膜処理についての成膜再現性がよいことがわかる。以上、本実施形態に係る薄膜製造装置100、及び当該装置100による薄膜製造方法では、チャンバ51内にアイドリング用基板S1が配置された状態で、チャンバ51内がアイドリング状態となる。これによりチャンバ51内の環境が成膜条件を満たす環境に近づけられる。そして製品基板S3に金属原料を含む原料ガスが供給される前に、ダミー基板S2に原料ガスと異なるダミー処理用ガスが供給される。これによりチャンバ51内の環境を成膜条件が満たされる環境とすることが可能となる。本実施形態では、ダミー処理用ガスとして、溶媒のガスと、成膜処理で用いられる反応ガス及び不活性ガスとが混合されたガスが用いられる。すなわちダミー処理用ガスとして金属原料が用いられないので、各金属原料の消費量を抑えることができ、再現性のよいPZT薄膜を省資源及び低コストで製造することができる。例えばアイドリング後に100枚の基板に連続して成膜処理を行う場合、最初の2枚をダミー基板S2とすると、第1及び第2の比較例に係る薄膜製造方法と比べて金属原料にかかるコストを2削減することができる。実際には条件確認や日々の装置管理等のために、100枚よりも少ない枚数で成膜処理が行われることも多く、その場合金属原料にかかるコストの削減効果はさらに大きくなる。本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更され得る。上記の実施形態では、ダミー処理用ガスとして、溶媒のガスと、成膜処理で用いられる反応ガス及び不活性ガスとが混合されたガスが用いられる。しかしながら、ダミー処理用ガスとして、溶媒のガスと不活性ガスとが混合されたガス、溶媒のガスと酸化ガスとが混合されたガス、又は酸化ガスと不活性ガスとが混合されたガスが用いられてもよい。あるいは、ダミー処理時において混合器30に溶媒のガスが供給されず、ダミー処理用ガスとしては、混合器30に接続された不活性ガス供給部32からの不活性ガスのみが用いられてもよい。または混合器30に接続された酸化ガス供給部31からの酸化ガスのみが用いられてもよい。さらに、混合器30に供給された溶媒ガスが、酸化ガス又は不活性ガスと混合されず、単独でダミー処理用ガスとして用いられてもよい。図13は、図1に示す薄膜製造装置100の変形例を示す模式的な図である。この薄膜製造装置300では、不活性ガス供給部332が混合器330に接続されず、別途チャンバ351のシャワーノズル353に接続される。成膜工程においては、混合器330により原料ガスと酸化ガスとが混合され、その混合ガスが製品基板S3に供給される。これにより製品基板S3上にPZT薄膜が形成される。このような構成の薄膜製造装置300において、ダミー処理用ガスとして、溶媒ガス、酸化ガス及び不活性ガスのいずれかが混合されたガスが用いられてもよいし、各ガスが単独でダミー処理用ガスとして用いられてもよい。なお不活性ガスが混合される場合は、チャンバ351内にて混合されることになる。また混合器が設けられず、原料ガス、酸化ガス供給部、及び不活性ガス供給部が、それぞれ別個にチャンバに接続されてもよい。この場合、成膜工程においては、チャンバ内にて原料ガス、酸化ガス、及び不活性ガスの混合ガスが生成されることになる。このような構成において、上記で複数例示した混合ガス等が、ダミー処理用ガスとしてそれぞれ用いられてもよい。上記の実施形態では、ダミー処理時において、2枚のダミー基板S2が用いられた。しかしながら、1枚のダミー基板S2が2回チャンバ内に搬送されてもよい。本実施形態では、ダミー基板S2にPZT薄膜が形成されないので、1枚のダミー基板S2を何度も使用することに有利である。またダミー基板S2と製品基板S3とが同じ基板でなくともよい。例えばダミー基板専用の基板が準備され、ダミー処理時にはその基板が繰り返し使用されてもよい。使用されるダミー基板の数や回数は、2枚あるいは2回に限られず、適宜設定可能である。チャンバ内の温度環境や成膜条件が満たされる環境となるのなら、1枚のダミー基板が1回使用されるダミー処理でもよい。アイドリング用基板がダミー基板として用いられてもよい。例えばアイドリング状態のチャンバ内からアイドリング用基板が一度搬出され、再度チャンバ内に搬入される。そしてアイドリング用基板にダミー処理用ガスが供給されてもよい。上記実施形態では、薄膜製造装置100によりPZT薄膜が製造された。しかしながらPZT薄膜以外の薄膜がMOCVD法により製造される場合でも、本発明は適用可能である。そのような薄膜として、例えばランタンドープチタン酸ジルコン酸鉛Pb,LaZr,TiO3;PLZTや、タンタル酸ビスマス酸ストロンチウムSrBi2,Ta2,O9;SBT等の薄膜がある。またガリウムナイトライドGaN、インジウムガリウムナイトライドInGaNあるいは硫化亜鉛ZnS等の薄膜がある。MOCVD法による成膜処理に用いられる反応ガスとして、アンモニアNH3等の還元ガスが用いられる場合がる。この場合、ダミー処理用ガスとして、溶媒ガス、還元ガス及び不活性ガスのいずれかが混合されたガスが用いられてもよいし、各ガスが単独でダミー処理用ガスとして用いられてもよい。上記では図2に示すように、本発明の実施形態に係る薄膜製造装置100を含む装置として、多室型成膜装置200が例示されている。しかしながら例えばエッチング処理装置や洗浄処理装置等の複数の処理装置を含む基板処理装置に、本実施形態の薄膜製造装置100が設けられてもよい。そのような基板処理装置として、例えばクラスタツール型またはインライン型の基板処理装置がある。上記実施形態では、チャンバにダミー基板S2が搬入されてダミー処理用ガスが供給される前に、チャンバ内がアイドリング状態とされた。しかし、本技術は、チャンバをアイドリング状態とする工程を必要としなくてもよい。"