"第1導電型の半導体ウェハのおもて面から、ウェハ内部に向かって第2導電型の拡散領域を形成する工程と、前記半導体ウェハの裏面全域を研削し、前記半導体ウェハの厚さを、前記拡散領域の拡散深さより薄くするため前記半導体ウェハの裏面を研削し研削面の加工層を除去する工程と、前記半導体ウェハの裏面に化学的処理をして該ウェハ裏面の導電型を可視化する工程と、前記半導体ウェハの裏面に露出した拡散領域の外周上の対向する2点の間隔を計測することで、前記拡散領域の所定の深さでの横方向拡散幅を計測する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置に形成される拡散領域の横方向拡散幅の評価方法。前記半導体ウェハの研削前の前記拡散領域の拡散深さの寸法が、前記半導体ウェハの研削後の前記ウェハの厚さの寸法より大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置に形成される拡散領域の横方向拡散幅の評価方法。前記拡散領域と前記半導体基板の二次元画像が顕微鏡を介して得られ、該得られた二次元画像の前記拡散領域の横方向拡散幅を対向するpn接合の間隔で計測することで、前記拡散領域の所定の深さでの横方向拡散幅を得ることを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載の半導体装置に形成される拡散領域の横方向拡散幅の評価方法。前記拡散領域を前記半導体ウェハに複数個所形成し、前記半導体ウェハの裏面に露出した拡散領域の端部に形成されるpn接合で、対向する前記pn接合同士の間隔について、前記複数の前記拡散領域の所定の深さでの横方向拡散幅をそれぞれについて計測することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置に形成される拡散領域の横方向拡散幅の評価方法。前記薄くする工程につづいて、前記研削による加工層を除去する工程を有することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置に形成される拡散領域の横方向拡散幅の評価方法。前記加工層を除去する工程は、研磨もしくはエッチングを用いることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置に形成される拡散領域の横方向拡散幅の評価方法。前記化学的処理が、ステインエッチングであることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体装置に形成される拡散領域の横方向拡散幅の評価方法。しかし、前記した図11に示す深いp拡散領域2の所定の深さT1での横方向拡散幅W1の計測は、光学顕微鏡を用いて行うため誤差が生じる。特に、光学顕微鏡での所定の深さT1の計測では、p拡散領域2の全域を視野に入れる必要があり、拡大率を大きく設定することがきない。そのために、所定の深さT1の計測で数μmの誤差が生じてしまう。横方向拡散幅W1を計測するp拡散領域2の所定の深さT1では、計測箇所がp拡散領域2の底部2c付近図12参照となり、pn接合7は大きく曲がっている。そのため、横方向拡散幅W1は所定の深さT1に大きく依存し、図12示すように所定の深さT1にT5~T6の誤差Δ1があると、この誤差Δ1が拡大されて横方向拡散幅W1にW5~W6の誤差Δ2を生じる。そのため、所定の深さT1の誤差が数μmの場合でも横方向拡散幅W1の誤差は十数μmと拡大される。そのため、従来の断面から横方向拡散幅W1を精度よく計測することが困難になる。また、従来の方法では、平面形状が複雑なp拡散領域の所定の深さT1での横方向拡散幅W1を計測する場合には、全ての計測箇所で切断加工する必要があり、ウェハ面内分布を計測するには時間を要し効率的にできない。また、特許文献1、2および3には、拡散深さが100μmを超える深い拡散領域について、ウェハを裏面から研削し、拡散領域の所定の深さでの横方向拡散幅を計測する方法については記載されていない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、100μm程度の深い拡散領域について、おもて面からの所定の深さにおける横方向拡散層幅を精度よく計測でき、また横方向拡散幅のウェハ面内分布を効率よく計測できる半導体装置に形成された拡散領域の横方向拡散幅の評価方法を提供することにある。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、第1導電型の半導体ウェハのおもて面から、ウェハ内部に向かって第2導電型の拡散領域を形成する工程と、前記半導体ウェハの裏面を研削し、前記半導体ウェハの厚さを、前記拡散領域の拡散深さより薄くするため前記半導体ウェハの裏面全域を研削し研削面の加工層を除去する工程と、前記半導体ウェハの裏面に化学的処理をして該ウェハ裏面の導電型を可視化する工程と、前記半導体ウェハの裏面に露出した拡散領域の外周上の対向する2点の間隔を計測することで、前記拡散領域の所定の深さでの横方向拡散幅を計測する工程と、を含む半導体装置に形成される拡散領域の横方向拡散幅の評価方法とする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記半導体ウェハの研削前の前記拡散領域の拡散深さの寸法が、前記半導体ウェハの研削後の前記ウェハの厚さの寸法より大きいとよい。また、特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、請求項1または2に記載の発明において、前記拡散領域と前記半導体基板の二次元画像が顕微鏡を介して得られ、該得られた二次元画像の前記拡散領域の横方向拡散幅を対向するpn接合の間隔で計測することで、前記拡散領域の所定の深さでの横方向拡散幅を得るとよい。また、特許請求の範囲の請求項4記載の発明によれば、請求項1~3のいずれか一項に記載の発明において、前記拡散領域を前記半導体ウェハに複数個所形成し、前記半導体ウェハの裏面に露出した拡散領域の端部に形成されるpn接合で、対向する前記pn接合同士の間隔について、前記複数の前記拡散領域の所定の深さでの横方向拡散幅をそれぞれについて計測するとよい。また、特許請求の範囲の請求項5記載の発明によれば、請求項1~4のいずれか一項に記載の発明において、前記薄くする工程につづいて、前記研削による加工層を除去する工程を有するとよい。また、特許請求の範囲の請求項6記載の発明によれば、請求項5に記載の発明において、前記加工層を除去する工程は、研磨もしくはエッチングを用いるとよい。また、特許請求の範囲の請求項7記載の発明によれば、請求項1~6のいずれか一項に記載の発明において、前記化学的処理が、ステインエッチングであるとよい。この発明によれば、深い拡散領域の基板おもて面からの所定の深さにおける横方向拡散層幅を精度よく計測でき、また横方向拡散幅のウェハ面内分布を効率よく計測できる。実施の形態を以下の実施例で説明する。<実施例>図1は、この発明の一実施例の半導体装置に形成された拡散領域の横方向拡散幅の評価方法を説明する図であり、同図a~同図dは工程順に示した要部工程断面図である。以下の表記でnは導電型がn型、pは導電型がp型であることを示す。図1の評価方法は、RB-IGBTの深いp拡散領域2の所定の深さT1での横方向拡散幅W1を計測する方法について示したものである。この計測は製造プロセスにウェハを投入する前に、事前にp拡散領域2が設計通りにできるかどうかを確認するために行うものである。したがって、試験用のウェハに所定パターンでp拡散領域2を形成して、このp拡散領域2のウェハのおもて面から所定の深さにおける横方向の拡散幅を計測するものである。まず、同図aに示すように、厚さQ1の厚いnウェハ1のおもて面側に拡散深さT2の深いp拡散領域2を形成する。この厚いnウェハ1の厚さQ1は、製品を製造する際に用いるウェハの製造プロセスへの投入時の厚さである。また、厚いnウェハ1の厚さQ1に形成されるp拡散領域2は、製品となるRB-IGBTの外周を囲むp拡散領域が設計通りに形成されているか否かを評価するものであるので、製品となるRB-IGBT図7参照のp拡散領域2と同様にマスク65の開口をWoとして形成するとよい。あるいは、所定の開口のマスクによって、p拡散領域をnウェハ1の複数個所に形成し、1つのウェハ内における、拡散のばらつきを計測するようにしてもよい。つぎに、同図bに示すように、厚いnウェハ1の裏面1a側から研削し、研削による加工層を研磨もしくはエッチングによって除去して、厚さQ2の薄いnウェハ3にする。エッチングは、例えば、フッ酸HFと硝酸HNO3の水溶液を用いて行う。また、研磨は、例えば、CMPChemicalMechanicalPolishing法を用いて行う。薄いnウェハ3の厚さQ2がp拡散領域2の所定の深さT1に相当する。したがって、厚いnウェハ1の減厚工程後において、薄いnウェハ3の裏面にp拡散領域が露出していない場合は、図8に示すように、p拡散領域2が所定の深さT1に達していないことになる。p拡散領域2が所定の深さT1に達し、さらにそれより深い所定の深さT2達している場合は、薄いnウェハ3の裏面3aにはp拡散領域2の裏面2aが露出する。この薄くなったnウェハ3の厚さQ2、すなわち研削工程研磨エッチング工程によって薄化されるnウェハの厚さの精度は1μm程度以下である。つまり、横方向拡散幅W1を計測するp拡散領域2の所定の深さT1の誤差は1μm程度以下になる。ここで、厚いnウェハの厚さQ1は500μm程度であり、薄いnウェハの厚さQ2は100μm程度である。RB-IGBTの場合、nウェハの厚さは定格電圧に依存しており、定格電圧が高くなる程厚くなる。因みに、前記の厚さQ2を100μmとするのは定格電圧が600V程度の場合である。上記の例では、深いp拡散領域の拡散深さT2を120μm程度とし、所定の深さT1すなわち薄いnウェハ3の厚さQ2は20μm程度小さい100μmとなる。つぎに、同図cおいて、薄いnウェハ3をステインエッチング液5に浸漬して、nウェハ3の裏面3aをステインエッチングして、p拡散領域2の裏面2aとnウェハ3の裏面3aをステインエッチング面2b,3bにして図2に示すように可視化する。図2において、2つの斜線の違いはステインエッチングで生じたp拡散領域2の裏面2aとnウェハ3の裏面3aの色の違い光学顕微鏡像または白黒の濃淡の違いSEM像を示す二次元画像である。p拡散領域2とnウェハ3の境界がpn接合7である。つぎに、図1dにおいて、図2で示す可視化された二次元画像を用いて、対向するpn接合7の間隔W2を光学顕微鏡像6やSEM電子顕微鏡像などから計測する。pn接合7に挟まれた領域がp拡散領域2であり、この対向するpn接合7の間隔W2がp拡散領域2の横方向拡散幅W1である。従って、この対向するpn接合7の間隔W2を計測することで、横方向拡散幅W1を求めることができる。同図dは光学顕微鏡6で計測した図を示し、反射光6aで図2で示す二次元画像が得られる。前記のように、p拡散領域2の所定の深さT1は、薄いnウェハ3の厚さQ2で決まる。この薄いnウェハ3の厚さQ2の誤差は、研削と研磨またはエッチングの精度で決まり、この精度は極めて高い。そのため、薄いnウェハ3の厚さQ2の誤差は1μm程度以下、つまりp拡散領域2の所定の深さT1の誤差を1μm以下従来方法では数μmにすることができる。その結果、横方向拡散幅W1の誤差を数μm程度従来方法では十数μmと小さくすることができて、横方向拡散幅W1を精度よく計測できる。また、図3に示すように、nウェハ3に多数のp拡散領域2を設けて、裏面に露出したp拡散領域2bの横方向拡散幅W1を計測することで、横方向拡散幅W1のウェハ面内分布を効率よく計測することができる。なお、図3では、長方形状のパターンにてp拡散領域を多数形成しているため、pn接合が対向する辺となって表出する。そこで、対向する辺の距離間隔を計測することで横方向の拡散幅を計測することができる。同様に他の2辺について計測を行うことができる。正方形状のパターンでも同様である。p拡散領域の形状は方形に限らず、他の形状としてもよい。例えば、円形状もしくは楕円形状のパターンとしてp拡散領域を多数形成し、裏面に露出した円形状もしくは楕円形状のp拡散領域図示せずの対向する2点間の距離すなわち直径楕円の場合は短径または長径の長さを計測するようにしてもよい。あるいは、製品となるRB-IGBTの外周を囲むp拡散領域と同様に素子領域を囲むようないわゆる口文字状のp拡散領域として形成してもよい図示せず。裏面に露出したp拡散領域のpn接合が対向する部分の距離の計測は、上記の長方形のパターンと同様である。また、図4に示すように、半導体チップのコーナーとなる箇所Bでの所定の深さでの横方向拡散幅W1の計測は、従来のような断面での計測より、本発明のような平面での計測の方がコーナー全域の計測ができるので適している。また、この発明による評価方法は、図6で説明したようなRB-IGBTの深いp拡散領域2の場合に適用できるだけでなく、他の半導体装置において、深い拡散領域の所定の深さでの横方向拡散幅を計測する場合にも適用できる。さらに、図4で示すような複雑な平面パターンの深い拡散領域の所定の深さでの横方向拡散幅を計測する場合にも適している。また、1200Vクラスの耐圧を有するRB-IGBTでは、半導体基板の厚さが200μm程度になる。図5は、裏面に溝を形成したRB-IGBTの要部断面図であり、コレクタ電極や半導体基板の表面層に形成される耐圧終端構造は図示されていない。図中の51aはnドリフト領域であり8aはダイシングラインの側面である。n半導体基板51の厚さQ3は200μmである。このような厚さの半導体基板の一方の面おもて面から他方の面裏面へ到達するような非常に深い拡散領域を形成するのは困難である。そこで、図5に示すように、図1と同様に深さT2例えば120μm程度のp拡散領域2を形成し、n半導体基板の裏面3aからこのp拡散領域2に達する溝59を形成する。溝がp拡散領域2に到達することでp拡散領域2の深さはT1例えば100μmとなる。その溝59の側面にp拡散領域2とpコレクタ領域58に接続されるp拡散層59aを形成している。このp拡散領域2とp拡散層59aが図1のp拡散領域2の働きをする。この場合もp拡散領域2の所定の深さでの横方向拡散幅W1を正確に把握する必要があり、本発明が適用できる。すなわち、図1に示した工程と同様にp拡散領域2を形成し、溝59が到達する予定の深さn半導体基板の厚さとなるまで研削研磨エッチングを行う。そして、裏面に露出したpn接合の間隔W1を計測することで、n半導体基板のおもて面から所定の深さにおけるp拡散領域の横方向拡散幅W1を計測できる。つまり、RB-IGBTを形成した際に、p拡散領域2に溝59が到達してp拡散領域2とp拡散層59が確実に接続されるか否かを評価することができる。なお、1200Vクラスの耐圧を有するRB-IGBTを600Vクラスと同様に、溝59を形成しないでp拡散領域2を裏面3aに達するように形成した場合も本発明を適用することで同様の効果が得られる。また、上記の実施形態では、p型の拡散領域の所定深さにおける横方向拡散幅を計測する場合を例に説明した。本発明によれば、研削して裏面に露出したnp接合の境界部を計測の対象としているので、反対の導電型、すなわちn型の拡散領域を形成した場合にも、この拡散領域の所定深さにおける横方向拡散幅を計測することができる。"