ドーム状構造と柱状構造とからなる金属散乱体と、アンダークラッド、オーバークラッド、及びコアからなる光導波路とから構成され、前記光導波路の伝播光を前記金属散乱体に照射することによりプラズモンを発生するプラズモン変換素子の製造方法であって、基板上に、アンダークラッドを形成するアンダークラッド形成工程と、前記アンダークラッド上に、メッキ用電極パッドと、該メッキ用電極パッドから伸びた前記柱状構造の金属散乱体とを形成する金属構造形成工程と、前記柱状構造の先端以外を非導電材料で覆う被覆形成工程と、前記メッキ用電極パッドに通電することで前記先端に電解メッキを行い、前記先端に前記ドーム状構造の金属散乱体を形成するドーム状金属構造形成工程と、前記アンダークラッドより高屈折率材質の前記コアで、少なくとも前記ドーム状構造の金属散乱体を覆うコア形成工程と、前記コア上に、前記アンダークラッドと略同一の材料特性を有する前記オーバークラッドを形成するオーバークラッド形成工程と、前記メッキ用電極パッドを切断し、該切断された面を研磨する切断研磨工程と、を備えることを特徴とするプラズモン変換素子の製造方法。前記金属構造形成工程の前に、前記アンダークラッドに斜面を有する段差を形成する段差形成工程を有し、前記金属構造形成工程において、前記斜面を含む領域に前記柱状構造の金属散乱体を形成することを特徴とする請求項1に記載のプラズモン変換素子の製造方法。ドーム状構造と柱状構造とからなる金属散乱体と、アンダークラッド、オーバークラッド、及びコアとからなる光導波路とから構成され、前記光導波路の伝播光を前記金属散乱体に照射することによりプラズモンを発生するプラズモン変換素子の製造方法であって、基板上にメッキ用電極パッドと、該メッキ用電極パッドから伸びた前記柱状構造の金属散乱体とを形成する金属構造形成工程と、少なくとも前記柱状構造の金属散乱体を覆うように前記アンダークラッドを形成するアンダークラッド形成工程と、前記アンダークラッドに対し、少なくとも前記柱状構造の金属散乱体の先端を露出させるスルーホールを形成する貫通穴形成工程と、前記メッキ用電極パッドに通電することで電解メッキを行い、前記スルーホールの前記アンダークラッド上に前記ドーム状構造の金属散乱体を形成するドーム状金属構造形成工程と、前記アンダークラッドより高屈折率材質の前記コアで、少なくとも前記ドーム状構造の金属散乱体を覆うコア形成工程と、前記コア上に、前記アンダークラッドと略同一の材料特性を有する前記オーバークラッドを形成するオーバークラッド形成工程と、前記メッキ用電極パッドを切断し、該切断された面を研磨する切断研磨工程と、を備えることを特徴とするプラズモン変換素子の製造方法。前記切断研磨工程において、前記柱状構造の金属散乱体近傍に設けられた電気抵抗体を通電することにより変化する前記電気抵抗体の抵抗値に応じて、前記柱状構造の金属散乱体の研磨量を制御することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のプラズモン変換素子の製造方法。前記コア形成工程において、前記コアを前記ドーム状構造の金属散乱体に向かって先鋭な形状に形成することを特徴とする請求項1から4いずれかに記載のプラズモン変換素子の製造方法。前記コア形成工程の後、前記ドーム状構造の金属散乱体が設けられた側の前記コアを覆うよう遮光膜を形成する遮光膜形成工程を備えることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のプラズモン変換素子の製造方法。前記ドーム状金属構造形成工程において、前記メッキ用電極パッドへの前記通電に従って変化する前記柱状構造の金属散乱体中の電流密度を制御することにより、前記ドーム状構造の金属散乱体の形状および寸法を制御することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のプラズモン変換素子の製造方法。しかしながら、微小な領域で近接場光を発生させるには、数十から数百ナノメートルサイズで金属散乱体を形成する必要がある。特許文献1では、半導体製造で用いられる従来のフォトリソグラフィで製造できると開示されている。しかし、従来のフォトリソグラフィでは、厚さ方向にほぼ同一形状の構造体しか製造できない。このため、金属散乱体の構造には、厚さ方向と平行な側壁があり、この側壁と底面間および側壁と上面間に角部が存在する。このような角部ではプラズモンが伝播しにくいため、伝播損失が発生し、第二部の金属散乱体突端での近接場光強度が低下する。このような現象を回避するため、第一の散乱体は、出来るかぎり曲面で構成されることが望ましいが、従来のフォトリソグラフィでは製造不可能であった。本発明は、上記目的を達成するために、以下の手段を提供する。本発明のプラズモン変換素子の製造方法は、ドーム構造と柱構造からなる金属散乱体と、アンダークラッドとオーバークラッド、コアとからなり、該コアが該アンダークラッドと該オーバークラッドとの間に設けられた光導波路と、から構成されるとともに、前記光導波路が光を集光して前記金属散乱体に光照射するプラズモン変換素子の製造方法であって、基板上に、前記光に対して所定の透過率かつ所定の屈折率を有する材質を成膜して前記アンダークラッドを形成するアンダークラッド成膜工程と、前記アンダークラッド上に、メッキ用電極パッドと、該メッキ用電極パッドから伸びた前記柱構造を形成する金属構造形成工程と、前記柱構造の先端以外を非導電材料で覆う被覆形成工程と、前記メッキ用電極パッドに通電することで前記柱構造先端に電解メッキを行い、前記柱構造先端に前記ドーム構造を形成するドーム構造形成工程と、前記アンダークラッドより高屈折率材質で、少なくとも前記ドーム構造の一部を覆うよう成膜して、前記コアを形成するコア形成工程と、前記コア形成工程の後に、前記アンダークラッドと略同一の材料特性を有する材質で前記コアを覆うよう成膜して、前記オーバークラッドを形成するオーバークラッド形成工程と、前記ドーム構造形成工程の後に、前記メッキ用電極パッドと前記柱構造とを切断し、切断面を研磨する切断研磨工程と、を備えることを特徴とする。かかる特徴によれば、電解メッキを利用して半球状のドーム構造を簡単に製造できる。これにより、金属散乱体の一部を曲面で構成できるため、金属散乱体の表面を伝播するプラズモンの損失が少なく、高強度の近接場光を生成できる。このため、金属散乱体に照射される光から、より高効率に近接場光を生成できる。また、ドーム形状を有する微細な金属散乱体を安価かつ大量に製造できる。また、本発明のプラズモン変換素子の製造方法は、前記金属構造形成工程の前に、前記アンダークラッドに斜面を有する段差を形成する段差形成工程を有し、前記金属構造形成工程において、前記斜面を含む領域に前記柱構造を形成することを特徴とする。また、本発明のプラズモン変換素子の製造方法は、ドーム構造と柱構造からなる金属散乱体と、アンダークラッドとオーバークラッド、コアとからなり、該コアが該アンダークラッドと該オーバークラッドとの間に設けられた光導波路と、から構成されるとともに、前記光導波路が光を集光して前記金属散乱体に光照射するプラズモン変換素子の製造方法であって、基板上にメッキ用電極パッドと、該メッキ用電極パッドから伸びた前記柱構造を形成する金属構造形成工程と、前記光に対して所定の透過率かつ所定の屈折率を有する材質を、少なくとも前記柱構造を覆うよう成膜して、前記アンダークラッドを形成するアンダークラッド成膜工程と、前記アンダークラッドに対し、少なくとも前記柱構造先端を露出させるスルーホールを形成する貫通穴形成工程と、前記メッキ用電極パッドに通電することで電解メッキを行い、前記スルーホール内部及び前記スルーホール先端に前記ドーム構造を形成するドーム構造付柱形成工程と、前記アンダークラッドより高屈折率材質で、少なくとも前記ドーム構造の一部を覆うよう成膜して、前記コアを形成するコア形成工程と、前記コア形成工程の後に、前記アンダークラッドと略同一の材料特性を有する材質で前記コアを覆うよう成膜して、前記オーバークラッドを形成するオーバークラッド形成工程と、前記ドーム構造形成工程の後に、前記メッキ用電極パッドと前記柱構造とを切断し、切断面を研磨する切断研磨工程と、を備えることを特徴とする。かかる特徴によれば、アンダークラッドの厚さ方向に対しても、金属散乱体の柱構造を形成できるため、柱構造の先端を基板側に近接して構成できる。これにより、近接場光発生位置を任意に設計できる。また、本発明のプラズモン変換素子の製造方法は、前記切断研磨工程において、前記金属散乱体近傍に設けられた電気抵抗体の抵抗値を用いて研磨量を制御することを特徴とする。かかる特徴によれば、金属散乱体の柱構造の長さを簡易かつ高精度に制御できる。このため、高精度での金属散乱体の製造が可能となる。また、本発明のプラズモン変換素子の製造方法は、前記コア形成工程において、前記コアを前記ドーム構造に向かって先鋭な形状に形成することを特徴とする。かかる特徴によれば、コアを先鋭化した形状で形成することで、コア内部を伝播する光を集光させることができる。これにより、光を効率よく金属散乱体に照射することが可能となる。また、本発明のプラズモン変換素子の製造方法は、前記コア形成工程の後、前記ドーム構造が設けられた側のコアを覆うよう遮光膜を形成する遮光膜形成工程を備えることを特徴とする。かかる特徴によれば、コアからクラッドへの漏れ光を遮光でき、コアを伝播する光を効率よく金属散乱体に照射でき、高効率の近接場光を生成できる。また、本発明のプラズモン変換素子の製造方法は、前記ドーム構造形成工程もしくは前記ドーム構造付柱形成工程において、前記メッキ用電極パッドに通電する電流密度を用いて、形成するドーム構造の形状および寸法を制御することを特徴とする。かかる特徴によれば、メッキ用電極パッドに通電する電流密度を制御することで、金属散乱体のドーム構造の寸法および形状を任意に形成できる。本発明に係るプラズモン変換素子の製造方法によれば、金属散乱体の一部をドーム状に構成できるため、構造的に角部が少なく、プラズモンの伝播ロスが小さい。このため、金属散乱体に照射される光から、より高効率に近接場光を生成できる。また、ドーム形状を有する微細な金属散乱体を安価かつ大量に製造できる。第1の実施形態以下、本発明に係る第1の実施形態を、図1から図4を参照して説明する。図1は、本発明に係るプラズモン変換素子を用いた情報記録再生装置1を示す構成図である。なお、情報記録再生装置1は、磁気記録層を有する記録媒体Dに対して、熱アシスト磁気記録方式で書き込みを行う装置である。図1に示すように情報記録再生装置1において、スライダ2が固定されたサスペンション3が、キャリッジ11に固定されている。スライダ2とサスペンション3を合わせて、ヘッドジンバルアセンブリ12と呼ぶ。円盤状の記録媒体Dはスピンドルモータ7によって所定の方向に回転する。キャリッジ11はピボット10を中心に回転可能になっており、制御部5からの制御信号によって制御されるアクチュエータ6によって回転し、スライダ2を記録媒体D表面の所定の位置に配置することができる。ハウジング9はアルミニウムなどから成る箱状図1では説明を分かりやすくするため、ハウジング9の周囲を取り囲む周壁を省略しているものであり、上記の部品をその内部に格納している。スピンドルモータ7はハウジング9の底面に固定されている。スライダ2は記録媒体Dに向けて磁場を発生させる磁極図示略と、近接場光スポットを発生する近接場光発生素子図示略と、記録媒体Dに記録された情報を再生する再生素子図示略を有している。磁極と再生素子は、サスペンション3およびキャリッジ11に沿って敷設された可撓基板13、キャリッジ11側面に設けられたターミナル14およびフラットケーブル4を介して制御部5に電気的に接続されている。制御部5は電子回路を備えており、可撓基板13内の電気配線と制御部5の電子回路とが電気的に接続されている。記録媒体Dは1枚でも良いが、図1に示すように複数枚設けても良い。記録媒体Dの枚数が増えれば、ヘッドジンバルアセンブリ12の個数も増加する。図1では記録媒体Dの片面側のみにヘッドジンバルアセンブリ12が設けられている構成を示しているが、両面に設けても良い。よって、ヘッドジンバルアセンブリ12の個数は、最大で記録媒体Dの枚数の倍になる。これにより、情報記録再生装置の記録容量の増加及び装置の小型化を図ることができる。図2は本発明に係るプラズモン変換素子を用いたヘッドジンバルアセンブリ12の拡大図である。サスペンション3は、ステンレス薄板を材料とする、ベースプレート201、ヒンジ202、ロードビーム203、フレクシャ204からなる。ベースプレート201は、その一部に設けられた取り付け穴201aにより、キャリッジ11に固定されている。ヒンジ202はベースプレート201とロードビーム203を接続している。ヒンジ202はベースプレート201とロードビーム203よりも薄くなっており、ヒンジ202を中心としてサスペンション3がたわむようになっている。フレクシャ204はロードビーム203、ヒンジ202に固定された細長い部材であり、ロードビーム203やベースプレート201よりも薄く、かつ略コ字型の開口205が設けられており、たわみやすく出来ている。フレクシャ204のロードビーム203との取り付け面との対面には、薄い板状の樹脂からなる可撓基板13が設けられている。フレクシャ204の先端部には、可撓基板13を経て、略直方体形状のスライダ2が固定されている。図3はスライダ2の構造を説明する説明図である。図3aは、スライダ2のZX平面での断面図、図3bはX軸負側から見たYZ面の詳細図である。なお、図3中、スライダ2のZ軸負側のXY面が、可撓基板13に接続および固定される。スライダ2のZ軸正側のXY面は、記録媒体D図1に対向する面である。この面はABSAirBearingSurfaceと呼ばれており、微細な凹凸形状が設けられている。スライダ2のX軸負側の端部には、近接場光発生素子210が設けられている。近接場光発生素子210は、スライダ2のZ軸負側端面近傍に設けられた半導体レーザ211と、半導体レーザ211のZ軸正側端の近傍に設けられたプラズモン変換素子300とから構成されている。プラズモン変換素子300は、Z軸に平行して設けられた光導波路212と、光導波路212のZ軸正側端面近傍に設けられた金属散乱体215からなる。光導波路212は、アンダークラッド214aとオーバークラッド214b、そしてアンダークラッド214aとオーバークラッド214bの間に挟まれたコア213とからなる。コア213はZ軸正側方向に対して幅が狭くなる構造となっている。金属散乱体215は、Z軸に略平行な直線状の柱構造と、柱構造のZ軸負側端面に接続された略半球状のドーム構造の金属構造体である。なお、金属散乱体のドーム構造は、幅数~百nm程度、柱構造の幅は、ドーム構造の幅より細く、かつ数~数十nm程度である。コア213は、Z軸負側端の幅が数~十μm、Z軸正側端の幅が数十nm~数μm程度である。半導体レーザ211から発する光は、光導波路212に入射し、光導波路212内のコア213をZ軸正側に向けて伝播する。コア213は光の進行方向に対して、先鋭化した構造となっており、光はコア213内部を進むに従って集光されることとなる。コア213で集光された伝播光は、金属散乱体215のドーム構造に照射される。この光は金属散乱体215表面を伝播するプラズモンに変換される。プラズモンは、金属散乱体215のドーム構造から柱構造へとエネルギー密度を上げて伝播し、柱構造先端から記録媒体Dに向けて高密度の近接場光を生成する。上述した構成では、記録媒体Dが回転すると、スライダ2に設けられたABSと記録媒体D間に生じた空気流の粘性から、スライダ2が浮上するための所望の圧力を発生する。スライダ2を記録媒体Dから離そうとする正圧とスライダ2を記録媒体Dに引き付けようとする負圧と、サスペンション3による押しつけ力の釣り合いで、スライダ2は所望の状態で浮上する。記録媒体Dとスライダ2のすきまの最低値は10nm程度もしくはそれ以下となっている。サスペンション3による押しつけ力は主にヒンジ202の弾性により発生している。また、記録媒体D表面のうねりに対して、ヒンジ202およびフレクシャ204がたわむことで、スライダ2は所望の浮上状態を維持することが出来る。また、可撓基板13に設けられた電気配線302は、スライダ2と電気的に接続されている。これにより、制御部5の電子回路からの信号により、スライダ2に設けられた磁極および再生素子を制御することができる。同時に、磁極近傍に設けられた近接場光発生素子210の半導体レーザ211を制御できる。これにより、金属散乱体215で生成された近接場光により記録媒体Dの所望の領域を加熱することができ、記録媒体Dの情報を記録再生することが可能となる。次に、本発明のプラズモン変換素子300の製造工程について図4に示す。なお、図4右図は、図3中ZX面に平行な断面図である。図4左図は、図4a右図に示すA-A’面で矢印方向に観察した断面図である。まず、磁気情報の記録再生を行う磁気ヘッドおよび磁極の各種構造が形成されたアルチック基板上に、酸化タンタルを成膜し、アンダークラッド214aを形成する図4a。この上にレジスト291を塗布、露光および現像を行った後、金2150を成膜する図4b。そして、レジスト291を除去し、一端がメッキ用電極パッド2153、他端が横倒しの柱構造2151を形成する。レジスト292を塗布、露光および現像を行った後、柱構造2151先端とメッキ用電極パッド2153を除く部分をレジスト292が覆うようにする図4c。その後、アルチック基板を金の電解液に沈め、メッキ用電極パッド2153に、所定の電流密度となるよう通電する。電解液に沈められた柱構造2151先端は、電解メッキにより、柱構造2151先端からメッキされ、金のドーム構造2152が形成される図4d。この際、図9に示すように、柱構造2151先端のみを電解液に沈めてもよいし、メッキ用電極パッド2153にメッキ用電気配線を接続し、基板全体を電解液に沈めてもよい。その後、アルチック基板を洗浄し、レジスト292を除去する。この上から、アンダークラッド214aより屈折率が高い酸化タンタルを成膜した後、レジストを塗布、露光現像した後、金のドーム構造2152もしくは柱構造2151に向かって先細りになるようエッチングし、コア213を形成する図4e。その後、その上から、酸化タンタルを成膜し、オーバークラッド214bを形成する図4f。この後、レジストを塗布、露光現像した後、コア213及びアンダークラッド214a、オーバークラッド214bの一端を垂直エッチングする。エッチングする側は、柱構造2151等の金の構造体のない側である。そして、アルチック基板をダイシングして、バー状にし、ダイシング切断面を研磨する。このとき、金の構造体のうち、柱構造2151とメッキ用電極パッド2153とを切断した後、研磨する。なお、柱構造2151が長手方向に所定の長さとなるよう研磨量を制御する。これにより、金の構造体は、柱構造2151とドーム構造2152のみの構造となり、金属散乱体215が形成される。さらに、研磨面にケミカルポリッシングやエッチング等でABS用の微細構造を形成する。そして、バー状の基板をダイシングして個片化し、半導体レーザ211を実装し、スライダ2となる図4g。なお、金属散乱体215を研磨して形成する際、金属散乱体215近傍にELGelectrolappingguideを設けて、これを利用して研磨量を制御してもよい。ELGとは、ELG素子の抵抗値を確認しながら研磨を行って研磨量を制御するものである。具体的には、ELG素子と、ELG素子の両端に接続された一対のパッドを形成する。パッド上にクラッドを形成しないようにし、パッドを介してELG素子に通電しながら研磨する。すると、バーの側面とともにELG素子も研磨され、ELG素子の幅が減少し、電気抵抗が増加する。そこで、ELG素子の電気抵抗と研磨量との相関を予め求めておき、ELG素子の抵抗値をモニタしながら研磨して、抵抗値が所定の値に達した時点で所望の研磨量が得られたと判断して研磨を終了する。なお、1つのメッキ用電極パッド2153に対し、1つの柱構造2151が接続された構成を述べたが、1つのメッキ用電極パッド2153に対し、複数の柱構造2151が接続された構成でも実施可能である。また、ドーム構造2152の形成時において、メッキが進むに従い、柱構造2151先端部分の表面積が大きくなり、電流密度が低下する。メッキ初期の電流値を維持すると、メッキの進行が次第に遅くなる、ドーム構造2152の曲率半径が大きくなるという現象がある。所定の寸法や形状に制御してドーム構造2152を形成するには、電流密度の制御が必要である。また、ここでは光導波路のコア213およびアンダークラッド214a、オーバークラッド214bに酸化タンタルを用いた。コア213を伝播する光に対して透過率が高く、かつアンダークラッド214aとオーバークラッド214bに対して、コア213が所定の屈折率差を有し、微細構造が形成できる材料であれば、実施可能である。一例として、酸化シリコン、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化スズカドミウム、光導波路用樹脂等が挙げられる。なお、同様に金属散乱体215も金だけではなく、近接場光を生成すると同時にメッキできる金属材料、銀、アルミニウム、銅、白金、パラジウム等を用いても実施可能である。また、先鋭化するコア213からの漏れてくる光量を小さくするため、コア213形成した後、先鋭化したコア周囲に遮光膜例えばアルミやクロム等を成膜し、その後、オーバークラッド214bを成膜してもよい。ここでは、アルチック基板、磁気ヘッド構造、近接場光発生素子の順に形成したが、アルチック基板の上に、まず、近接場光発生素子を形成し、その後、磁気情報の記録再生を行う磁気ヘッド構造を形成することも可能である。記録媒体D上で効果的に相互作用する熱源である近接場光発生素子と、磁気情報の記録再生を行う磁気ヘッドとの位置関係から決定すればよい。このようなプラズモン変換素子によって、金属散乱体の曲面からなるドーム構造の寸法、柱構造の寸法、コアと金属散乱体との相互位置について、所定の寸法形状および位置関係で製造することができる。これにより、プラズモン変換素子は、光源からの光を高効率でプラズモンに変換することができ、かつ高強度の近接場光を生成することができる。よって、高性能な情報記録再生装置を提供することができる。さらに、プラズモン変換素子はウェハ状態で一括して大量に形成でき、その後ダイシング等により分離して製造するため、大量かつ低コストの製造が可能となる。第2の実施形態以下、本発明に係る第2の実施形態を、図5から図8を用いて説明する。第1の実施形態と同一箇所については同一符号を付して詳細な説明を省略する。本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、金属散乱体の柱構造が折れ曲がった形状である点、スライダに半導体レーザを搭載しない点である。図5に示すように、プラズモン変換素子300は、コア213とアンダークラッド214a、オーバークラッド214bとからなる光導波路212と、コア213のZ軸正側端面近傍に設けられた金属散乱体215からなる。金属散乱体215は、略半球のドーム構造と、ドーム構造から伸びた略Z字形状に折れ曲がった柱構造からなる。柱構造体のZ軸正側端面は、スライダ2のZ軸正側の端面まで伸びている。柱構造体のZ軸負側端面は、ドーム構造と接続されている。さらに、光導波路212のZ負側端面は、可撓基板13の導波コア303に光学的に接続されている。次に、可撓基板13について、図6を用いて説明する。薄板上の樹脂からなる可撓基板13は、略コ字型開口205を有した形状である。可撓基板13内部には、電気配線302と導波コア303が設けられている。導波コア303は開口205を架橋して設置されている。X軸負側の導波コア303端面には略45度の斜面310が設けられ、斜面310面上には金属薄膜からなる反射膜図示略が設けられている。導波コア303他端には、半導体レーザ211が接続されている。また、電気配線の一端は制御部5と接続されている。制御部5は、半導体レーザ211にも接続されている。可撓基板13の開口205に囲まれた領域のZ軸正側の面に、スライダ2のZ軸負側の面を位置決めした上、固定する。このとき、スライダ2に搭載された磁極および磁気ヘッドと電気配線302とを電気的に接続する。同時に、コア213と導波コア303とを光学的に接続する。上述した構成では、制御部5からの制御信号をうけ、半導体レーザ211が発振する。半導体レーザ211の出射光は、導波コア303の一端から斜面310に向けて伝播する。この伝播光は、斜面310の反射膜で反射し、スライダ2と固定される面図6中、Z軸正側XY面の光出射端220から出射する。この出射光が、スライダ2のコア213に入射し、金属散乱体に照射される。照射された光は、前述の第1の実施形態と同様に、プラズモンに変換され、金属散乱体のZ軸正側端部から高強度の近接場光を生成する。次に、本実施形態のプラズモン変換素子300の製造方法について、図7を用いて説明する。なお、図7左図は、図5中ZX面に平行な断面図である。図7右図は、図7a左図に示すA-A’面で矢印方向に観察した断面図である。まず、磁気情報の記録再生を行う磁気ヘッドおよび磁極の各種構造が形成されたアルチック基板上に、酸化タンタルを成膜し、アンダークラッド214aを形成する図7a。この上にレジスト293を塗布、露光および現像した後、アンダークラッド214aをエッチングする図7b。この上にレジストを塗布、露光および現像を行い、金を成膜した後、そのレジストを除去する。斜面を含むアンダークラッド214aの上面に形成された柱構造2151と、柱構造2151から伸びたメッキ用電極パッド2153を形成する図7c。次に、レジスト294を塗布、露光および現像を行い、先端以外の柱構造2151をレジスト294が覆うように形成する。その後、アルチック基板を金の電解液に沈め、メッキ用電極パッド2153に、所定の電流密度となるよう通電する。電解液に沈められた柱構造2151先端は、電解メッキにより、柱構造2151先端に金のドーム構造2152が形成される図7d。その後、アルチック基板を洗浄し、レジスト294を除去する。この上から、アンダークラッド214aより屈折率が高い酸化タンタルを成膜した後、レジストを塗布、露光現像する。金のドーム構造2152もしくは柱構造2151に向かって先細りになるよう、成膜した酸化タンタルをエッチングし、コア213を形成する図7e。柱構造2151が設けられた側のコア213の上からアルミを成膜し、遮光膜299を成膜する。その後、酸化タンタルを成膜し、オーバークラッド214bを形成する図7f。そして、アルチック基板をダイシングして、バー状にし、ダイシング切断面を研磨する。このとき、金の構造体のうち、柱構造2151とメッキ用電極パッド2153とを切断した後、柱構造2151が長手方向に所定の長さとなるよう研磨量を制御する。これにより、金の構造体は、柱構造2151とドーム構造2152のみの構造となり、金属散乱体215となる図7g。さらに、研磨面にケミカルポリッシングやエッチング等でABS用の微細構造を形成する。そして、バー状の基板をダイシングして個片化し、スライダ2となる。また、図8に示すプラズモン変換素子300の製造方法を用いれば、直角に折れ曲がった柱構造を有する構造も実現可能である。なお、図8左図は、光導波路のコア内部を伝播する光の進行方向と平行な断面図である。図8右図は、図8a左図に示すA-A’面で矢印方向に観察した断面図である。まず、磁気情報の記録再生を行う磁気ヘッドおよび磁極の各種構造が形成されたアルチック基板上に、レジストを塗布、露光現像した後、金を成膜する。このレジストを除去し、横倒しの柱構造2151と、柱構造2151から伸びたメッキ用電極パッド2153を形成する図8a。次に、酸化タンタルを成膜し、アンダークラッド214aを形成する図8b。この上から、レジストを塗布、露光現像し、アンダークラッド214aをエッチングする。柱構造2151先端が露出するようスルーホール2154を形成し、メッキ用電極パッド2153上のアンダークラッド214aを除去する図8c。その後、アルチック基板を金の電解液に沈め、メッキ用電極パッド2153に、所定の電流密度となるよう通電する。まず、電解液に沈められた柱構造2151先端に設けられたスルーホール2154内がメッキされる。その後、アンダークラッド214a上面までメッキが進行し、金のドーム構造2152が形成される図8d。この上から、アンダークラッド214aより屈折率が高い酸化タンタルを成膜した後、レジストを塗布、露光現像する。金のドーム構造2152に向かって先細りになるよう、成膜した酸化タンタルをエッチングし、コア213を形成する図8e。その後、酸化タンタルを成膜し、オーバークラッド214bを形成する図8f。そして、アルチック基板をダイシングして、バー状にし、ダイシング切断面を研磨する。このとき、金の構造体のうち、柱構造2151とメッキ用電極パッド2153とを切断した後、柱構造2151が長手方向に所定の長さとなるよう研磨量を制御する。これにより、金の構造体は、柱構造2151とドーム構造2152のみの構造となり、金属散乱体215となる図8g。その後の工程は、上述の製造工程と同様である。なお、本実施の形態で述べたプラズモン変換素子を搭載したスライダに、前述の第1の実施の形態と同様に、半導体レーザをスライダに搭載することも可能である。このような構成によって、プラズモン変換素子の柱構造先端が磁極および磁気ヘッドにより近接して製造することができる。このため、柱構造先端からの近接場光が磁気媒体を加熱する瞬間と、磁極で記録する瞬間との時間差を短縮できる。これにより、低強度の近接場光でも所望の温度に加熱でき、情報を記録することができるため、低消費電力の情報記録装置を実現できる。なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、上述した実施形態で挙げた構成等はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。また、上述した各実施形態を適宜組み合わせて採用することも可能である。