"植え込み型出力回路を含み、前記植え込み型出力回路は、第1供給ノードを第1出力ノードに制御可能に接続するように構成された第1スイッチと、第2供給ノードを第1出力ノードに対して第1整流器を介して制御可能に接続するように構成された第2スイッチとを備え、第2スイッチは、第2供給ノードが第2スイッチを介して第1出力ノードに接続される場合に、第1スイッチが第1供給ノードを第1出力ノードに接続するのを阻止するように構成されており、かつ、第1出力ノードは第1植え込み型電極に接続されるように構成されている、植え込み型除細動回路。第1スイッチは電圧を用いて第1スイッチの導電状態を制御するように構成された制御入力を含み、かつ、第2スイッチは第2供給ノードを第1スイッチの制御入力に制御可能に接続するように構成されている、請求項1に記載の植え込み型除細動回路。前記制御入力に接続されたフィルタ回路を含み、前記フィルタ回路は、前記制御入力の静電容量を少なくとも部分的に用いて、第1スイッチの立ち上がり時間または立ち下がり時間の少なくとも一方を調節するように構成されている、請求項2に記載の植え込み型除細動回路。第1供給ノードおよび第2供給ノードを介して、第2供給ノードに関して780ボルト以上である第1供給ノードにおける特定の初期電圧で、エネルギーを提供するように構成されたエネルギー源をさらに備える、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の植え込み型除細動回路。前記植え込み型出力回路は、第1供給ノードを第2出力ノードに制御可能に接続するように構成された第3スイッチと、第2供給ノードを第2出力ノードに対して第2整流器を介して制御可能に接続するように構成された第4スイッチとを備え、第4スイッチは、第2供給ノードが第4スイッチを介して第2出力ノードに接続される場合に、第3スイッチが第1供給ノードを第2出力ノードに接続するのを阻止するように構成されており、かつ、第2出力ノードは第2植え込み型電極に接続されるように構成されている、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の植え込み型除細動回路。各第1スイッチ、第2スイッチ、第3スイッチ、および第4スイッチのそれぞれは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTを備える、請求項5に記載の植え込み型除細動回路。前記植え込み型出力回路は、第1出力ノードおよび第2出力ノードを横断する除細動波形を提供するように構成されており、前記除細動波形は、第1スイッチまたは第2スイッチのうちの一方のみがオンに切り替えられ、かつ第3スイッチまたは第4スイッチのうちの一方のみがオンに切り替えられる場合に、特定の極性を有する、請求項5乃至6のいずれか1項に記載の植え込み型除細動回路。前記植え込み型出力回路は、除細動波形の第1部分の間には第1極性を有し、かつ除細動波形の第2部分の間には第2の反対極性を有する除細動波形を提供する、請求項7に記載の植え込み型除細動回路。第1スイッチ、第2スイッチ、第3スイッチ、および第4スイッチはそれぞれ各制御入力を備え、それぞれの各制御入力は、非絶縁電気的結合を用いて、集積回路の一部として含まれる各制御回路に接続されるように構成されている、請求項5乃至8のいずれか1項に記載の植え込み型除細動回路。第1スイッチ、第2スイッチ、第3スイッチおよび第4スイッチの各々は、共通の非半導体基材上に配置された別個の半導体ダイスである、請求項5乃至9のいずれか1項に記載の植え込み型除細動回路。第1電極を有する植え込み型リードをさらに備え、前記植え込み型リードは第1出力ノードを第1電極に接続するように構成されている、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の植え込み型除細動回路。導電性部分を含むハウジングを備え、前記導電性部分は第1植え込み型電極を備える、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の植え込み型除細動回路。植え込み型出力回路を含み、前記植え込み型出力回路は、電圧を用いて第1スイッチの導電状態を制御するように構成された制御入力を有する第1スイッチであって、第1供給ノードを第1出力ノードに制御可能に接続するように構成された第1スイッチと、第2供給ノードを第1出力ノードに対して第1整流器を介して制御可能に接続するように構成され、かつ第2供給ノードを第1スイッチの制御入力に制御可能に接続するように構成された第2スイッチとを備え、第2スイッチは、第2供給ノードが第2スイッチを介して第1出力ノードに接続される場合に、第1スイッチが第1供給ノードを第1出力ノードに接続するのを阻止するように構成されており、かつ、第1出力ノードは第1植え込み型電極に接続されるように構成されている、植え込み型除細動回路。導電部分を含むハウジングを備え、前記導電性部分は第1植え込み型電極を備える、請求項13に記載の植え込み型除細動回路。除細動の送達を制御する方法であって、該方法は、第1スイッチを用いて、第1供給ノードと第1出力ノードとの間の接続を制御する工程と、第2スイッチを用いて、第2供給ノードと第1出力ノードとの間の接続を制御する工程と、第2スイッチを用いて、第2供給ノードが第2スイッチを介して第1出力ノードに接続される場合に、第1スイッチが第1供給ノードを第1出力ノードに接続するのを阻止する工程と、少なくとも第1出力ノードを用いて、心臓に除細動波形を提供する工程とを備える、方法。前記第1出力ノードと第2供給ノードとの間の接続を制御する工程は、第2供給ノードと第1出力との間の経路に整流を提供することを含んでなる、請求項15に記載の方法。第2スイッチを用いて第1スイッチの導電状態を制御することを含み、前記制御する工程は、第1出力ノード、第2供給ノードおよび第1整流器を含む共通経路を用いて、第2供給ノードを第1スイッチの制御入力に制御可能に接続することを含んでなる、請求項16に記載の方法。第3スイッチを用いて、第1供給ノードと第2出力ノードとの間の接続を制御する工程と、第4スイッチを用いて、第2供給ノードと第2出力ノードとの間の接続を制御する工程と、第4スイッチを用いて、第2供給ノードが第3スイッチを介して第2出力ノードに接続される場合に、第3スイッチが第1供給ノードを第2出力ノードに接続することを阻止する工程とを含み、前記心臓に除細動を提供することは第2出力ノードを用いる工程とをさらに備える、請求項15乃至17のいずれか1項に記載の方法。前記心臓へ除細動波形を提供する工程は、第1出力ノードおよび第2出力ノードを横断する除細動波形を提供することを含んでなり、前記除細動波形は、第1スイッチまたは第2スイッチの一方のみがオンに切り替えられ場合、および第3スイッチまたは第4スイッチの一方のみがオンに切り替えられる場合に、特定の極性を有する部分を含む、請求項18に記載の方法。前記心臓に除細動波形を提供する工程は、前記除細動波形の第1部分の間には第1極性を有し、かつ前記除細動波形の第2部分の間には第2の反対極性を有する除細動波形を提供することを含んでなる、請求項19に記載の方法。心臓は様々な物理的および電気的異常によって影響され得る。物理的異常としては、とりわけ、時として虚血に関連する心臓の肥大を挙げることができる。電気的異常としては、とりわけ、梗塞、先天的欠陥、老化または1つ以上の他の要因によるような様々な不整脈を挙げることができる。心室頻脈または心室細動を含むような特定の不整脈は命を脅かし得る。一部の患者において、そのような生命を脅かす不整脈は、植込み型パルス発生器によって提供される低エネルギー電気インパルスを用いて検知し、終結させることができる。そのような低エネルギー電気インパルスとしては抗頻脈性不整脈ペーシングATPを挙げることができるが、そのようなペーシングは特定の不整脈の終結に常に適応される、または有効であるとは限らない。ATPが適応されない、または有効でない場合には、例えば体内植え込み型除細動器AICDなどによって、除細動カウンターショックが提供され得る。AICDは除細動カウンターショックを、皮下に、心外膜に、または心臓内もしくは脈管構造内またはそれらの近傍に位置するような1つ以上の血管内送達可能な植え込み型リードを用いて、提供することができる。一例として、植え込み型心機能管理装置は、除細動ショックを提供するように構成された植え込み型除細動回路を備え得る。前記除細動回路は、特定の波形を有する除細動カウンターショックとして患者に送達するための特定の蓄積エネルギーを提供するために、スイッチングコンバータまたはフライバック回路などを含むような電源を備え得る。一例として、前記電源は比較的低い入力電圧例えば、バッテリーによって提供されるか、または1つ以上の調整電源によって提供されるような約2~5ボルトを用いて動作し得る。一例として、除細動のためのエネルギーは、例えば直列または別の構成例えばコンデンサ積層体に接続された、1つ以上の高圧コンデンサを用いて蓄積され得る。作動中、前記電源は例えば、ブースト構成などを用いて、入力電圧における、またはそれを超えたピーク電圧でエネルギーを蓄積するために、コンデンサ積層体に電荷を送り込むことができる。次いで前記1つ以上のコンデンサに蓄積されたエネルギーを用いて、比較的高いピーク電圧例えば40ボルト未満から780ボルト超を備えた特定波形を有する除細動カウンターショックを提供することができる。一例として、前記除細動回路はまた、前記1つ以上の高圧コンデンサを、胸部において皮下的にまたは経血管的に配置された1つ以上の植え込み型電極などの患者の組織に接触した2つ以上の電極に制御可能に接続するために、植え込み型出力回路または出力ブリッジを含み得る。除細動カウンターショックの送達中、前記出力回路は、例えば単相、2相、または他の波形形状を得るために、前記1つ以上のコンデンサによって提供されるような印加電圧の極性を調節することができる。一例として、前記出力回路を用いて、特定の経路またはベクトルを介してカウンターショックを提供するために電極の特定の組合せを選択することができる。例えば、前記除細動エネルギーは、1つ以上の血管内送達可能なリードアセンブリ上または同アセンブリ内に位置する2つの電極の間、または1つ以上の電極と植え込み型心機能管理装置のハウジングとの間に提供され得る。一例として、前記除細動出力回路は、第1供給ノードを第1出力ノードに制御可能に接続するように構成された第1スイッチと、第2供給ノードを第1出力ノードに対して第1整流器を介して制御可能に接続するように構成された第2スイッチとを備えることができ、かつ第2スイッチは、第2供給ノードが第2スイッチを介して第1出力ノードに接続される場合に、第1スイッチが第1供給ノードを第1出力ノードに接続するのを阻止するように構成され得る。本発明者らは、とりわけ、第1スイッチを阻止する第2スイッチを有することにより、別個の制御スイッチが第1スイッチを阻止する必要を排除することなどによって、出力回路の全体的な複雑さを低減し得ることを認識した。したがって、第2スイッチは、除細動カウンターショック療法電流の経路例えば帰還経路を提供するだけでなく、同時に第1スイッチの状態の制御も行うことができる。一例として、第1スイッチおよび第2スイッチは、絶縁ゲートバイポーラ接合トランジスタIGBJTとも称される絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTを備え得る。本発明者らはまた、IGBTを用いることによって、1つ以上の他のタイプのスイッチング部品を用いるのに比べて、出力回路のコストまたは複雑さを低減させたり、または他の問題を回避したりすることができることも認識した。植え込み型装置のような医療用電子アセンブリにおいて、費用または複雑さの低減はより多くの患者が装置を受け入れることを可能にし得る。これは、そのような低減が公的または民間の保険業者をそのような装置の組み立て、流通、植え込みの費用を介護者または装置製造業者により容易に償還するように動機づけし得るためである。実施例1は、植え込み型除細動回路を備え得る。実施例1において、植え込み型除細動回路は、任意で、第1供給ノードを第1出力ノードに制御可能に接続するように構成された第1スイッチと、第2供給ノードを第1出力ノードに対して第1整流器を介して制御可能に接続するように構成された第2スイッチとを備えた植え込み型出力回路を含み得る。第2スイッチは、第2供給ノードが第2スイッチを介して第1出力ノードに接続される場合に、第1スイッチが第1供給ノードを第1出力ノードに接続するのを阻止するように構成されており、かつ第1出力ノードは第1植え込み型電極に接続されるように構成されている。実施例2において、実施例1の主題は、任意で、電圧を用いて、第1スイッチの導電状態を制御するように構成された制御入力を含む第1スイッチを備え、第2スイッチは第2供給ノードを第1スイッチの制御入力に制御可能に接続するように構成され得る。実施例3において、実施例1~2のいずれか1つ以上の主題は、任意で、前記制御入力に接続されたフィルタ回路を備え、前記フィルタ回路は、前記制御入力の静電容量を少なくとも部分的に用いて、第1スイッチの立ち上がり時間または立ち下がり時間の少なくとも一方を調節するように構成されている。実施例4において、実施例1~3のいずれか1つ以上の主題は、任意で、第1供給ノードにおいて特定の初期電圧で、第1供給ノードおよび第2供給ノードを介して、エネルギーを提供するように構成されたエネルギー源を備える。前記特定の初期電圧は第2供給ノードに関して780ボルト以上である。実施例5において、実施例1~4のいずれか1つ以上の主題は、任意で、第1供給ノードを第2出力ノードに制御可能に接続するように構成された第3スイッチと、第2供給ノードを第2出力ノードに対して第2整流器を介して制御可能に接続するように構成された第4スイッチとを備え得る植え込み型出力回路を含む。第4スイッチは、第2供給ノードが第4スイッチを介して第2出力ノードに接続される場合に、第3スイッチが第1供給ノードを第2出力ノードに接続するのを阻止するように構成され得る。第2出力ノードは第2植え込み型電極に接続されるように構成されている。実施例6において、実施例1~5のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、それぞれ絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTを備える第1スイッチ、第2スイッチ、第3スイッチおよび第4スイッチの各々を有する。実施例7において、実施例1~6のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で第1出力ノードおよび第2出力ノードを横断する除細動波形を提供するように構成された植え込み型の出力を含み、前記除細動波形は、第1スイッチまたは第2スイッチのうちの一方のみがオンに切り替えられ、かつ第3スイッチか第4スイッチのうちの一方のみがオンに切り替えられる場合に、特定の極性を有する。実施例8において、実施例1~7のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、除細動波形の第1部分の間には第1極性を有する除細動波形を提供し、除細動波形の第2部分の間には第2の反対極性を有する除細動波形を提供するように構成された植え込み型出力回路を含む。実施例9において、実施例1~8のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、各制御入力をそれぞれ含み得る第1スイッチ、第2スイッチ、第3スイッチ、および第4スイッチを備え、それぞれの各制御入力は、非絶縁電気的結合を用いて、集積回路の一部として含まれるような各制御回路に接続されるように構成され得る。実施例10において、実施例1~9のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、共通の非半導体基材上に配置された別個の半導体ダイをそれぞれ含む第1スイッチ、第2スイッチ、第3スイッチ、および第4スイッチを備える。実施例11において、実施例1~10のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、第1電極を含む植え込み型リードを備え、前記植え込み型リードは第1出力ノードを第1電極に接続するように構成されている。実施例12において、実施例1~10のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、導電性部分を含むハウジングを備え、前記導電性部分は第1植え込み型電極を備え得る。実施例13は植え込み型除細動回路を含み得る。実施例13は、任意で、実施例1~12のうちの任意の1つ以上の主題を含み得る。実施例13において、植え込み型除細動回路は、任意で、電圧を用いて第1スイッチの導電状態を制御するように構成された制御入力を有する第1スイッチであって、第1供給ノードを第1出力ノードに制御可能に接続するように構成された第1スイッチと、第2供給ノードを第1出力ノードに対して第1整流器を介して制御可能に接続するように構成され、かつ第2供給ノードを第1スイッチの制御入力に制御可能に接続するように構成された第2スイッチとを備えた植え込み型出力回路を含む。第2スイッチは、第2供給ノードが第2スイッチを介して第1出力ノードに接続される場合に、第1スイッチが第1供給ノードを第1出力ノードに接続するのを阻止するように構成されている。第1出力ノードは第1植え込み型電極に接続されるように構成されている。実施例14において、実施例1~13のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、導電性部分を含むハウジングを備え、前記導電性部分は、任意で、第1植え込み型電極を備える。実施例15は、除細動の送達を制御する方法を含み得る。実施例15は、任意で、実施例1~14のいずれか1つ以上の主題を含むことができる。実施例15は、任意で、第1スイッチを用いて第1供給ノードと第1出力ノードとの間の接続を制御することと、第2スイッチを用いて第2供給ノードと第1出力ノードとの間の接続を制御することと、第2供給ノードが第2スイッチを介して第1出力ノードに接続される場合に、第2スイッチを用いて、第1スイッチが第1供給ノードを第1出力ノードに接続するのを阻止することと、少なくとも第1出力ノードを用いて心臓に除細動波形を提供することとを含み得る。実施例16において、実施例1~15のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、第1出力ノードと第2供給ノードとの間の接続を制御することを含み、前記制御することは、第2供給ノードと第1出力との間の経路に整流を提供することを含む。実施例17において、実施例1~16のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、第2スイッチを用いて第1スイッチの導電状態を制御することを含み、前記制御することは、第1出力ノード、第2供給ノードおよび第1整流器を含む共通の経路を用いて、第2供給ノードを第1スイッチの制御入力に制御可能に接続することを含む。実施例18において、実施例1~17のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、第3スイッチを用いて第1供給ノードと第2出力ノードとの間の接続を制御することと、第4スイッチを用いて第2供給ノードと第2出力ノードとの間の接続を制御することと、第2供給ノードが第3スイッチを介して第2出力ノードに接続される場合に、第3スイッチが第1供給ノードを第2出力ノードに接続することを阻止するために第4スイッチを用いることと、任意で第2出力ノードを用いることを含む心臓に除細動を提供することとを含む。実施例19において、実施例1~18のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、第1出力ノードおよび第2出力ノードを横断する除細動波形を提供することを含む心臓に除細動波形を提供することを含み、前記除細動波形は、第1スイッチまたは第2スイッチの一方のみがオンに切り替えられる場合、および第3スイッチまたは第4スイッチの一方のみがオンに切り替えられる場合に、特定の極性を有する部分を含む。実施例20において、実施例1~19のうちの任意の1つ以上の主題は、任意で、心臓に除細動波形を提供することを含み、前記提供することは、除細動波形の第1部分の間には第1極性を有し、かつ除細動波形の第2部分の間には第2の反対極性を有する除細動波形を提供することを含む。実施例21は、実施例1~20の機能のいずれか1つ以上を実施するための手段、または、機器によって実行されたときに、実施例1~20の機能のいずれか1つ以上を前記機器に実施させる指示を含む機械可読媒体を備え得る主題を含むか、またはそれを含むように実施例1~20のいずれか1つ以上の任意の部分またはそれらの任意の部分の組み合わせと任意で組み合わせられ得る。本願において検討する例は、図1~図2、図3A~図3B、図4A~図4Bおよび図5に示されるような植え込み可能であり得る装置を含み得る。しかしながら、一例として、そのような装置はまた、自動式体外除細動器AEDまたは別の外部アセンブリのような体外除細動装置の一部、部分、または構成要素として備えられ得る。これらの例は任意の順列または組合せで組み合わせることができる。本概要は、本特許出願の主題の概要を提供するものである。本概要は、本発明の排他的または網羅的な説明を提供するものではない。本特許出願についてのさらに詳細な情報を提供するために詳細な説明が含められている。除細動、除細動カウンターショック、ショックおよびカルディオバージョンという句は、区別なく用いられ得る。一例として、カルディオバージョンは、固有の心臓の電気的活動に同期してトリガされるか、または与えられ得るような、非細動不整脈を正常洞調律に変換するためのショックを与えることを指し得る。必ずしも一定の縮尺で描かれていない図面において、同一の数字は、異なる視野における類似した構成要素を説明し得る。異なる文字の接尾辞を有する同一の数字は、類似した構成要素の異なる例を表わし得る。図面は、概して、本文書で検討される様々な実施形態を、限定する目的ではなく、例として示している。図1は、概して、例えば第1スイッチ102Aおよび第2スイッチ102Bを備えた植え込み型除細動出力回路106を含み得る植え込み型除細動回路100の一部の例を示している。図1において、第1スイッチ102Aは、例えば制御装置回路122の第1制御出力に接続された、第1制御入力116Aを有し得る。図1において、第2スイッチ102Bは、例えば制御装置122の第2制御出力に接続された、第2制御入力116Bを有し得る。一例として、制御装置回路122および除細動出力回路106は、植え込み型心機能管理装置の一部または部分として備えられ得る。例えば、植え込み型心機能管理装置は、特定の波形を有する除細動カウンターショックとして患者に与えるための特定の蓄積エネルギーを提供するために、スイッチモード電圧変換器またはフライバック回路などのような1つ以上の電源を備え得る。一例として、前記電源は比較的低い入力電圧例えば、バッテリーによって提供されるような約2~5ボルトを用いて動作し得る。一例として、除細動のためのエネルギー例えば0.1ジュール足らずから41ジュール余りまでは、例えば直列にまたは別の構成例えばコンデンサ積層体に接続された、1つ以上の高圧コンデンサを用いて蓄積され得る。作動中、前記電源は例えば、ブースト構成などを用いて、入力電圧における、またはそれを超えたピーク電圧でのエネルギーを蓄積するために、コンデンサ積層体に電荷を送り込むことができる。次に、1つ以上のコンデンサに蓄積されたエネルギーは、比較的高いピーク電圧例えば40ボルト足らずから780ボルト余りまでを含む特定波形を有する除細動カウンターショックを提供するためにエネルギー供給源として用いられ得る。一例として、第1スイッチまたは第2スイッチ102A~102Bは、出力ノード108をVCAPノード118またはVREFノード120に接続するように、制御装置122によって選択的に開放および閉鎖され得る。例えば、図4Aに示すように、VCAPは第1供給ノード例えばコンデンサ積層体の正端子に接続され、VREFは、コンデンサ積層体の第2供給ノード例えば、陰端子または帰還接続に接続され得る。一例として、出力ノード108は、例えば心臓114内またはその近傍に位置する植え込み型電極112例えば、リード、皮下パッチ、心外膜パッチなどの長さに沿って備えられた電極を備えた、植え込み型リード110例えば、皮下リード、血管内送達リードなどに接続され得る。一例として、整流器104または他の構成要素例えば、ダイオード、トランジスタまたはダイオード状の構成に接続されたような他の半導体は、電流が一方向例えば出力ノード108からVREFに向かってに流れることを許容し得るが、反対方向の電流の流れは、例えば特定の逆方向降伏電圧まで、ほとんど完全に阻止することができる。一例として、第1スイッチ102Aは、第2スイッチ102Bが閉鎖されている場合に、例えば第1制御入力116Aに対する電圧制御入力を用いて、VCAPを出力ノード108に接続するのを阻止することができる。そのような電圧制御入力は、論理低電圧レベル、例えば他のノードに対する約0Vなど、に応答して、対応するスイッチを開放することができ、かつ論理高レベル、例えば他のノードに対する12Vまたは別の規定電圧など、に応答して前記スイッチを閉鎖することができる。例えば、VREF120が除細動回路100内の他のノードに対して0V付近のような論理低レベルにあるか、またはそのレベル付近にある場合、そのとき第2制御入力116Bによって制御されるようなスイッチ102Bの閉鎖は、第1制御入力116Aを低にさせることができ、第1スイッチ102Aが閉鎖されるのを阻止する。この阻止は、VCAP118とVREF120との間に短絡が生じるのを防止することができる。図1の一例として、第2スイッチ102Bは、例えば整流器または他の構成要素を介在することなく、第1スイッチ102Aの制御入力116Aに接続され得る。一例として、第1および第2スイッチ102A~102Bの1つ以上は、サイリスター例えば遠隔ゲートサイリスターRGTのようなゲートターンオフGTOサイリスター、またはターンオンおよびターンオフ可制御性を備えるような別のサイリスター、電界効果トランジスタFET、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTなどを含むような電圧制御された半導体素子を備え得る。例えば、制御装置回路122は、1つ以上の制御出力をコンディショニングして、第1スイッチまたは第2スイッチ102A~102Bの第1制御入力または第2制御入力116A~116Bの1つ以上に対して特定の駆動信号を提供するために例えば、制御出力の1つ以上のレベルシフティングを提供するため、または特定の駆動信号などの立ち上がり時間または立ち下がり時間を制限または調節するため等、図4Aに示すような駆動回路を含むか、またはそのような駆動回路に接続され得る。図2は、概して、例えば1つ以上の対応する電極に接続されるように構成された各出力ノードに第1供給ノードまたは第2供給ノードを制御可能に接続するための、多数のスイッチを備え得る植え込み型除細動回路200の一部の例を示している。一例として、除細動出力回路は、図1の出力回路106にそれぞれ類似した1つ以上のブロックを含むような多数の出力ブロックを備え得る。例えば、除細動回路200は、第1出力ノード208A、第2出力ノード208B、および第3出力ノード208Cを備え得る。VCAPノード218のような第1供給ノードは、第1スイッチ202A、第3スイッチ202C、または第5スイッチ202Eのそれぞれを用いて、第1出力ノード~第3出力ノード208A~208Cに選択的に接続され得る。同様に、一例として、VREFノード220のような第2供給ノードは、第2スイッチ202B、第4スイッチ202D、または第6スイッチ202Fの各々を用いて、第1出力ノード~第3出力ノード208A~208Cに選択的に接続され得る。第1~第3出力ノード208A~208Cの各々は、図3A~図3Bに示され検討されるような各植え込み型電極に接続され得る。一例として、制御装置回路222は、2008年12月11日に出願されたDefibrillationShockOutputCircuit代理人整理番号279.F70US1と題され、カーディアックペースメーカーズインコーポレイテッドに譲渡された米国特許出願番号第12/332,497号において検討されているような特定の電極の組合せを横断する特定の除細動カウンターショック波形を提供するように、第1スイッチ、第2スイッチ、第3スイッチ、第4スイッチ、第5スイッチ、または第6スイッチの1つ以上を制御することができる。前記文献は、参照により本願に余すところなく援用され、特に、特定のショック出力ベクトルの提供についての前記文献の検討を本願に援用する。図1に類似して、第2スイッチ、第4スイッチ、または第6スイッチ202B,202Dまたは202Fの1つ以上は、閉鎖時例えば、導通時、第1スイッチ、第2スイッチ、または第5スイッチ202A,202C,または202Eの各々が、第1供給ノード例えばVCAP218を第1出力ノード、第2出力ノード、または第3出力ノード208A~208Cの各々に接続するのを阻止するように構成され得る。図3の例は3つの各出力ノードを備えているが、図1の出力回路106を含むような1つ以上の出力ブロックによって制御または駆動されるような、より少数または多数の出力ノードを用いることができる。図3A~図3Bは、概して、植え込み型除細動出力回路を備え得る植込み型医療装置IMD301を含むシステム300の例を説明している。図3Aは、特定の電極対に送達されるような二相除細動ショック波形325の実例を含む。図3Bは、例えば特定の除細動ショック波形325を得るために用いられる様々なスイッチ状態を説明するダイヤグラムを示している。図3Aにおいて、IMD301は、他の性能の中でも特に、体内植え込み型除細動器を備えるような心機能管理装置を備え得る。図1~図2の例に類似して、埋め込み型医療装置301は、心臓314の中またはその付近に位置するような1つ以上の対応する電極に接続されるように構成された1つ以上の出力ノードを含むことができる。1986年4月2日出願のApparatusforgeneratingmultiphasicdefibrillationpulsewaveformと題された米国特許第4,800,883号、または1989年4月18日出願のBiphasicwaveformsfordefibrillationと題された米国特許第4,821,723号において検討されているような、1つ以上の単相、二相、三相、または多相波形などの、1つ以上の他の除細動波形を図3のシステム300を用いて提供することができる。前記特許は双方ともインターメディクスインコーポレイテッドに譲渡されており、前記特許文献は双方とも参照によりそれぞれ余すところなく本願に援用される。一例として、第1出力308Aは、例えば第1スイッチ302Aまたは第2スイッチ302Bを用いて、第1供給ノードまたは第2供給ノードの一方に選択的に接続され得る。例えば、第1出力308Aは、例えばフィードスルーを介して、IMD301のハウジングの外部で利用可能になるようにされ、IMD301のヘッダー303内のコネクタブロックに接続され得る。同様に、一例として、第2出力ノード308Bは、例えば第3スイッチ302Cまたは第4スイッチ302Dの各々を介して、第1供給ノードまたは第2供給ノードの一方に選択的に接続され得る。例えば、第2出力308Bもまた、例えばフィードスルーを介して、IMD301のハウジングの外部で利用可能になるようにされ、ヘッダー303内のコネクタブロックの別個の部分、またはヘッダー内に少なくとも部分的に収容された別個のコネクタブロックなどに接続され得る。一例として、1つ以上の植え込み型リード導体は、ヘッダー303内に少なくとも部分的に含まれた1つ以上のコネクタブロックを用いるか、または1つ以上の他の電気的もしくは機械的接続を用いて、各第1リード導体310A、または各第2リード導体310Bなどの第1出力または第2出力308A~308Bの各々に接続され得る。一例として、第1リード導体および第2リード導体310A~310Bは、例えば越大腿部または鎖骨下アプローチに従った心臓内の位置への経皮的血管内送達のために構成されたシングルパス除細動リードなどの共通の血管内リードアセンブリ311内に含まれ得る。一例として、第1リード導体および第2リード導体310A~310Bは、例えば皮膚と1つ以上の肋骨との間の皮下位置における植込みのために構成された皮下リードアセンブリ内に備えられ得る。図3Aの一例として、第1リード導体および第2リード導体は1つ以上の先端側電極に接続され得る。例えば、第1リード導体310Aは、心臓314の心房領域またはその付近に位置するような第1植え込み型電極312A例えば、上大静脈SVC内もしくはその付近、または心房内、または他の場所に位置するコイルに接続され得る。同様に、一例として、第2リード導体310Bは、心臓314の心室領域またはその付近に位置する第2植え込み型電極312B例えば、右心室の心尖領域付近または他の場所などで植え込み型リードアセンブリ311の長さに沿って位置するコイルに接続され得る。一例として、第1電極および第2電極312A~312Bは、例えば第1スイッチ、第2スイッチ、第3スイッチ、または第4スイッチ302A~302Dを用いることによって、除細動カウンターショックの送達に用いられ得る。しかしながら、一例として、1つ以上の他の電極を用いることができる。例えば、リードアセンブリは、例えばIMD301内の出力回路ブロックに接続され、冠状静脈洞口などのような別の心臓の位置に送達され得る。別例として、1つ以上の心外膜に位置する電極に接続されるようなリードアセンブリが心膜腔に送られ得る。しかしながら、そのような位置は、除細動エネルギーを先端側に位置する電極間にしか提供できないなどの制限を依然として有し得る。一例として、より広範で様々の可能な経路またはベクトルを提供するために、例えばIMD301のハウジングの導電性部分例えば、カン経路に接続された第3出力ノード312Cを用いることができる。一例として、第5スイッチ302Eおよび第6スイッチ302Fは、例えば図3A~図3Bの二相ショック波形325の実例を提供するために、第1供給ノードおよび第2供給ノードの各々と第3出力ノード312Cとの間の接続を提供することができる。実例において、図3Aにおいて示されるように、第1スイッチ、第2スイッチ、第5スイッチ、および第6スイッチ302A~302B,302E~302Fの導電状態は、二相ショック波形325を提供するために、例えば図3Bのダイヤグラムに従って、制御され得る。図3Bにおいて、第1プロットAは、第1スイッチ302Aに提供される制御信号の論理的な表示例えば図1~図2に示すような電圧制御された入力に対するを表わし得る。プロットAにおいて、低レベル例えば論理的低または0が示される場合、第1スイッチ302Aは開放され得る。同様に、第2プロットB、第3プロットE、および第4プロットFにおいて、第2スイッチ302B、第5スイッチ302E、および第6スイッチ302Fの状態が示され得る。プロットA、B、EおよびFは、図1~図2および図4の制御装置回路などのIMD301内に含まれ得る制御装置回路によって提供されるような制御信号に対応し得る。一例として、前記制御装置回路はマイクロプロセッサーおよび記憶回路を備え得る。前記マイクロプロセッサーは、前記記憶回路に格納された命令を実行または実施する能力を備え得る。例えば、前記マイクロプロセッサーは、ザイログZ80商標命令セット、ARC商標命令セット、または1つ以上の他の命令セットなどの1つ以上の命令セットとのコンパチビリティを有する実行ユニットを備えることができる。一例として、前記記憶回路は、例えば、実施されるべき命令を提供するプログラムコード、情報の中でもとりわけ、治療または感知している構成パラメーターについての情報、またはIMD301の一部として備えられた1つ以上のセンサーから収集された情報のうちの1つ以上を格納するために、読み取り専用メモリ例えばマスクドROMまたは静的ランダムアクセス記憶装置SRAMのうちの1つ以上を備え得る。一例として、除細動出力回路は、図3Bの実例に類似したまたは図4A~図4Bに示すように変更された制御信号の配列を用いるなどして、例えば所望の電極の組合せ例えば2つ以上の電極の間に所望の波形を含む例えば、特定の極性または継続時間などを有する1つ以上のパルスを含む除細動カウンターショックを提供するために、制御され得る。例えば、IMD301は、記憶回路に格納された構成情報などに基づいて、第2電極312Bおよびハウジング接続312C、または1つ以上の他の経路もしくは電極構成を用いて、例えば波形325に示されるような右心室のコイルRVCからカンへの経路を含む利用可能な1つ以上の固定または選択可能な除細動カウンターショックベクトルまたは経路を用いることができる。他の経路としては、SVC電極例えば第1電極312Aとカンとの間、またはSVC電極とRVC電極との間の経路を挙げることができる。一例として、2つ以上の電極は一緒に、例えば共通電極と別の電極との間に経路またはベクトルを提供するために、共通供給ノードに電気的に接続され得る例えば、結び合わされたRVCおよびSVCを用いて、対向電極としてハウジング電極312Cを有して、など。一例として、1つ以上の様々な電極ベクトルまたは経路は、類似のまたは異なる電極構成を用いて、例えば終結または変換されるべき不整脈の型および位置に依存して、または1つ以上の不整脈を終結させることにおける以前の成功または失敗に応答して、IMD301によって自動的に、または利用者例えば臨床医、医師または他の介護者によって手動で選択され得る。例えば、SVCからカンへの経路は心房性不整脈を終結させるために用いられ得る。一例として、RVC-SVCからカンへの経路は上室性不整脈などを終結させるために用いることができる。一例として、第1スイッチ、第3スイッチ、および第5スイッチ302A,302C,302Eなどのハイサイドスイッチは、第2スイッチ、第4スイッチ、および第6スイッチ302B,302D,302Fなどのローサイドスイッチに類似した電気定格を備え得る。しかし、一例として、決定論的かつ予測可能な過渡的スイッチング応答を提供するために例えば、特定の瞬間に時間通りに特定の波形を有する除細動波形を提供するために、ハイサイドスイッチは、プロットAおよびEに示されるように、ローサイドスイッチの若干後に切り替えられ得る。そのとき、ハイサイドスイッチは、例えば特定の除細動パルス例えば図3Bに示すような第1相または第2相を含むパルスのようなが適用される瞬間を正確に制御するように回路を完成させることによって、除細動エネルギーを切り替えるために用いられ得る。図4Aに示すような出力回路の実装などの別の例では、例えばハイサイドスイッチ駆動回路に含まれる1つ以上の構成要素をプリバイアスするために、ハイサイドスイッチングの前、最中、または後に、1個以上の他のスイッチがオンまたはオフに切り替えられ得る。例えば、図4Bの実例に示すように、ローサイドスイッチ302Bはハイサイドスイッチ302Aの前にオンに切り替えられ、かつローサイドスイッチ302Bは、ハイサイドスイッチ302Aのオンへの切り替えと同時に起こるように、またはその切り替えを制御するように、オフに切り替えられ得る。一例として、ショック波形325は、所望の極性を有する1つ以上のパルスを含み得る。例えば、プロットEおよびFに対応する制御信号の交換とともに、プロットAおよびBに対応する制御信号が交換される場合には、波形325の反対の極性を有する波形が提供され得る。そのような交換は、同一の電極間にショック波形を提供することができるが、各相の極性は反転される。したがって、図3Bの実例について、第5スイッチ302Eは除細動波形の第1相の間にハイサイドスイッチとして代わりに用いられ、ハウジング電極312Cを第1供給ノード例えばコンデンサ積層体上に蓄積された電圧に接続し、第2スイッチ302Bは第2電極312Bを介した第2供給ノード例えばコンデンサ積層体の反対の端子への対応する帰還経路を提供することができる。図4Aは、概して、植え込み型除細動回路400の一部の例を説明している。植え込み型除細動回路400は、第1スイッチ402Aおよび第2スイッチ402Bと、制御装置集積回路422の一部として含まれる第1制御出力428Aおよび第2制御出力428A~428Bなどの1つ以上の制御出力への非絶縁接続例えば光学的アイソレーション、変圧器アイソレーションなどを必要としない固体状態接続とを含み得る。一例として、図4Aの回路400は、第1供給ノード418VCAPまたは第2供給ノード420VREFの一方を出力ノード408に制御可能に接続するために用いられ得る。一例として、出力ノード408は出力リード410に接続するように構成され得、出力リード410は心臓414内またはその近傍に位置するような植え込み型電極412Aを備える。図4Aの例の回路構成は、機能において図1に示した出力回路に類似し得る。第2スイッチ402Bが導通している場合、第1スイッチ402Aは出力ノード408を第1供給418VCAPに接続するのを阻止される。例えば各除細動電極に対応する各出力切り替えブロックを提供するために例えば、出力ブリッジを提供するために、図2および図3A~図3Bに示されるように、図4Aの回路構成の多数のブロックまたはコピーがIMDに含まれ得る。例えば、第2植え込み型電極412Bは心臓内またはその近傍などの他の場所に位置することができ、例えば回路400に類似した出力回路を介して、VCAPまたはVREFノードに制御可能に接続される。図4Aにおいて、第1スイッチおよび第2スイッチ402A~402Bは絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTであり得るが、1つ以上の他のスイッチ素子を用いることができる。例えば、第1スイッチ402AなどのハイサイドIGBTは、例えば、患者に外部から適用されたショックから第1スイッチ402Aを保護するため、またはコンデンサ積層体426などの正常な動作電圧範囲を上回る特定のマージンを提供するために約80アンペアを超える順電流定格および1キロボルトを超える逆降伏定格を有し得る。一例として、例えば出力ノード408における出力回路400に示されるインピーダンスが20オーム以上であり、かつコンデンサ積層体426上に蓄積された電圧は約800ボルト以下である場合、第1スイッチまたは第2スイッチ402A~402Bのうちの1つ以上は、約40アンペアに達するか、またはそれを超える、より低い順電流定格を有し得る。図4Aの例において、1つ以上の他の構成要素は、制御装置集積回路422による第1スイッチおよび第2スイッチ402A~402Bのソリッドステート制御を提供するために、他のアプローチによって必要とされ得るような光遮断器、トリガリングトランス、またはトランス結合電源を必要とすることなく、用いられ得る。図4Aの例は、第1整流器404、第2整流器434、コンデンサ432および直列抵抗430を備える。図4Bは、第1スイッチ402A例えばハイサイドスイッチをオンに切り替える、すなわち起動するために、例えば第1制御出力および第2制御出力428A~428Bによって、第1スイッチおよび第2スイッチ402A~402Bに提供され得る制御信号の相対的なタイミングの実例を示している。最初、第1スイッチ402Aをオンに切り替える前に、電流路または電圧バイアス通路が提供され得る。一例として、バイアス通路は第2スイッチ402Bによって提供され得る例えば、第2制御出力428Bによって提供される論理高ポテンシャルを用いるなどして、第2スイッチ402Bが最初にオンに切り替えられ得る。スイッチ402Bを用いることに加えて、またはその代わりに、前記バイアス通路は、VREFノード例えば、コンデンサ積層体426の下側端子に接続され、前記下側端子に参照されるような0V、例えば回路400に類似した別のアームまたは出力回路ブロックを介してバイアスされるに接続された第2電極412Bを含むような、心臓414組織を通る経路を有し得る。これらの一例として、バイアス通路は、第1スイッチ402Aのエミッタにおいて、第2供給ノード420VREFのポテンシャルの電圧、またはそれに近い電圧を提供することができる。一例として、第1制御出力428Aの状態に対応する第1制御波形498は、例えばコンデンサ432を例えば、論理高ポテンシャルまたはその付近の約12Vに充電するために、論理低から論理高へ移行し得る。コンデンサ432の充電中またはその後において、第2制御出力428Bの状態に対応する第2制御波形497は、コンデンサ432の充填を可能にするように、論理高にあり得る。図4A~図4Bの一例として、第2制御出力428Bおよび第2スイッチ402Bは、第1スイッチ402Aをトリガするため例えば第1スイッチ402Aをオンに切耐えるために用いられ得る。参照符号499において、第2制御波形497は、論理高から論理低に移行することができ、コンデンサ432上に蓄積された電圧は、抵抗器430を介して、かつ第1整流器404と並列に、第1スイッチ402Aのゲート-エミッタ部分に与えられ得、第1スイッチ402Aをオンに切り替える例えば、IGBT402Aを導通にバイアスする。第1スイッチ402Aが導通している時間の間、第1スイッチ402Aのゲート-エミッタ部分を横断する電圧は、例えば第1整流器の作動の逆降伏領域における第1整流器404によって提供される制御された電圧を用いることなどによって、制御または維持され得る。例えば、第2整流器434は、第1整流器404を横断する特定のゲート-エミッタ電圧を依然として維持しながら、コンデンサ432が第1制御出力428Aにチャージバックするのを防止し、出力ノード408が第1供給ノード418のVCAP電圧に上昇することを可能にする。一例として、ゲート416の電圧の立ち上がり時間もまた、例えばフィルタ回路によって決定される時定数例えば抵抗器-コンデンサ、すなわちRC時定数を用いて、制御され得る。図4Aの一例として、フィルタ回路は抵抗器430を備え、時定数は抵抗器430と第1スイッチ402Aのゲート容量との組合せによって決定され得る。第1スイッチ402Aは、図4Bに示す所定間隔425の間のような、第1制御出力428Aが論理高にあり、かつ第2制御出力428Bが論理低にある所定間隔の間はオンに切り替えられたままであり得る。一例として、オンに切り替えられた後、次いで、第1スイッチ402Aは、例えば第2制御波形497が所定間隔425の終わりにおいて論理低から論理高に移行して戻ると、オフに切り替えられ得る。したがって、第1スイッチ402Aは、第1出力ノード408、第2供給ノード420VREFおよび第1整流器404を含む、共通経路を用いて制御され得る。一例として、回路400は、例えば第2スイッチ402Bをオンに切り替えることによって、除細動カウンターショック送達の少なくとも一部の間に除細動カウンターショックに帰還経路を提供するために、または別の関電極のために用いられる別の異なる出力回路400をプリバイアスするために例えば上記に検討したような、別のアームをバイアスするために、用いられ得る。例えば、第2電極412Bは第1供給ノード418VCAPに制御可能に接続されることができ、第2スイッチ402Bは、閉鎖時、心臓414を介し、第1出力ノード408を介し、第2スイッチ402Bを介し、コンデンサ積層体426に戻る電流路を提供して、除細動カウンターショック波形の少なくとも一部を提供するための回路を完成する。一例として、第1制御出力および第2制御出力428A~428Bの1つ以上は、例えば出力回路400が用いられていないときにエネルギーを保存するために、それぞれの制御出力が高出力インピーダンスを示す場合のような、論理低または論理高のいずれでもない第3状態を備え得る。図4Aの例において、第3整流器436または第4整流器438などの1つ以上の付加的な整流器が備えられ得る。必要とされるわけではないが、第3整流器および第4整流器436,438は、コンデンサ積層体426のバックチャージングを防止するため、または、例えば出力ノード408、リード410または他の回路構成もしくは導体によって形成されたループの寄生インダクタンスによって少なくとも部分的に引き起こされるスイッチング中のフライバック作用などに起因する、電圧スパイクから第1スイッチおよび第2スイッチ402A~402Bを保護するために、付加的な保護を提供することができる。1つのアプローチにおいて、第1スイッチまたは第2スイッチ402A~402Bには、1つ以上のIGBTの代わりに、比較的大きな逆電圧阻止能力例えば約1キロボルトを有するゲートターンオフGTOサイリスター例えば遠隔ゲートサイリスターRGTまたは他のGTO型デバイスを含むような1つ以上のサイリスターが用いられ得る。しかしながら、GTOは、一般に、スイッチング中の順電流における急変動に対してより敏感であり得る。例えば、GTOがオンに切り替えられるときに、GTOを制御するゲート信号の立ち上がり時間が制限されていない場合には、GTOは、比較的高い電流例えば除細動カウンターショック用電流のスイッチングの間に損傷または破壊され得る。同様に、GTOの順電圧がオフへの切り替えの間に制御されない場合には、GTOは損傷または破壊され得る。GTOは、高度に導電性になるか、または導通をピンチオフするためには時間が限られている必要があるので、そのような損傷または破壊が生じ得る。大きな過渡順電流例えば比較的高いdI/dtを有する電流は、GTOの安全動作領域の外側例えば、GTOの特定の最高接合部温度に関連するような、GTOが比較的信頼性できる動作電流および周波数の範囲の外側にある可能性がある。例えば、ゲート信号立ち上がり時間が急速すぎる場合には、GTOを通る順電流の流れは相応して急速に増大し得る。しかし、初期電流流れは、GTOダイの比較的小領域に集中して、局所的な熱的損傷をもたらし得る例えば、GTOの定格接合部温度を超える。そのような損傷を防止するために、駆動回路を用いて、ゲート信号の立ち上がり時間または立ち下がり時間を調節または制限して、GTOを保護することができる。本発明者らは、例えば1つ以上のGTOの代わりに、1つ以上のIGBTを用いることが出力回路のコストまたは複雑さを低減させ得ることを認識した。例えば、IGBTのゲート入力は立ち上がり時間に対してそれ程敏感ではなく、したがって慎重に制御された立ち上がり時間を有する制御信号を用いる必要がなく、GTOを用いるのに比べて、構成要素の数の低減を可能にする。また、特定の電流定格および逆降伏定格を有するIGBTは、同様な定格のGTOデバイスよりも一般にコストが低くなり得る。一例として、IGBTは、図5A~図5Bの例として下記で検討するような除細動出力回路を収容するモジュールまたはデバイスパッケージに備えられる基板などの、より簡単でより小型の基板レイアウト例えば例示的なIGBTダイの下側には相互接続をほとんど必要としないを用いることができる。本発明者は、例えば1つ以上の電界効果のトランジスタを用いる代わりに、1つ以上のIGBTを用いることは、より小型アセンブリを提供し得ることも認識した。例えば、匹敵する逆降伏、順電流、および順方向オン抵抗特性を有するFETは、対応するIGBTよりも一般に表面積がより大きくなり得る。図5A~図5Bは、概して、図4の回路400を含むような植え込み型除細動出力回路の少なくとも一部を備えるモジュール500A~500Bの例を説明している。図5A~図5Bにおいて、モジュール500A~500Bは、ピンアレイ、ランドアレイ、ボールグリッドアレイ例えば、第1ボール505のような、1つ以上のハンダボールまたは突起を含むを備えるか、または別の機械的結合または電気的相互接続スキームを備えるような、表面実装技術SMTアセンブリであり得る。例えば、モジュール500A~500Bは、例えば非半導体基材に実装されるか、または同基材を用いた、2つ以上の半導体ダイスまたは他の部品もしくは構成要素と、対応する相互接続とを含むような多重チップモジュールであり得る。図5Aに示すような一例として、第1部分503A、第2部分504または第3部分503Bを備えるような基材が提供され得る。一例として、例えば図1~図2、図3A~図3B、図4A~図4Bの第1スイッチ、第2スイッチ、または他のスイッチに用いられる1つ以上のIGBTは、第1部分503Aまたは他のところにに実装され得る。例えば、第1のIGBT502A、第2のIGBT502Bまたは第3のIGBT502Cは、それぞれ、はんだ、導電性エポキシ、または例えば、アルミニウム、銅、金などを用いた第1ワイヤボンド506Aまたは第2ワイヤボンド506Bなどの1つ以上のワイヤボンドを用いるなどして、1つ以上の他の構成要素例えば、図4に示されると共に、例えば第1部分503A上において、共通の非半導体基材上に各々実装された別個の半導体ダイスであり得る。一例として、第1部分503A、第2部分504、または第3部分503Bは、有機またはセラミック基材材料、例えば、可撓性または硬質基板材料例えばポリイミド材料、ガラス-エポキシ積層物、ビスマレイミドトリアジンBT積層物、高温または低温同時焼成セラミック材料、または別の材料または硬質材料と可撓性材料との組合せなど、を含み得る。一例として、構成要素がモジュール500Aの第1部分503Aに実装されている間、またはその後に、第1部分503A、第2部分504、または第3部分503Bは、成形作業、ダムアンドフィル作業、または他の技術の1つ以上を用いるなどして、例えば熱硬化性材料例えばエポキシ樹脂または熱可塑性材料などを含有するカプセル材料507によって少なくとも部分的に包囲され得る。例えば、前記カプセルの材料は、IGBT502A~502Cまたは1つ以上の他の構成要素を水分または他の汚染物質から隔離する、または増強された高電圧絶縁を提供する例えば絶縁破壊を抑制または低減するために、1つ以上の気密封止を提供することができる。一例として、第2部分503Bは、より小型のモジュール500Bを提供するために、第2部分504によって提供されるように、回転され得る。ボール505などの1つ以上のハンダバンプまたはハンダボールは、リフローソルダリングまたは1つ以上の他の工程ステップを用いるなどして、モジュール500Bを別のアセンブリに取り付けるために用いられ得る。一例として、1つ以上のGTOデバイスが1つ以上のIGBT502A~502Cの代わりに用いられる場合、GTOデバイスダイ例えば遠隔ゲートサイリスターのようなはメサ状構造を有することができ、GTOデバイスの裏面には多数の金属接続を含み得る。メサ型構造は、主に平面型のデバイスと比較して、GTOを機械的損傷により影響され易くし得る例えば、ダイ不動態化に対するダイの周囲における欠損または他の損傷は電気的性能に影響を与え得る。従って、そのような構造は製造中の歩留まりに影響を与え、利用可能な供給者のプールを制限することよって製造上の融通性を低下させ得る。GTOの裏側の多数の金属接続は、他の型のスイッチングデバイスを用いるのに比べて、例えば、図5A~5Bに示されるマルチチップパッケージのパッケージ設計をより複雑にし得る。例えば、隣接する金属パッドは、リフローソルダリング中に、または製造中に導電性エポキシによって、不注意に架橋され得る。対照的に、本発明者は、とりわけ、第1IGBT~第3IGBT502A~502Cのうちの1つ以上のようなIGBTは、モジュール基板の第1部分503Cに対面するIGBTの部分上に複式接続ではなく単一コレクタ接続を有し得ることを認識した。一例として、前記IGBTのうちの2つ以上がハイサイドスイッチとして用いられる場合、それらの各々のコレクタ接続は、モジュールの第1部分503A上、または第1部分503Aの内の1つ以上の金属領域のレイアウトを単純化するように、一般に共有することができる。図6は、概して、図1~図2、図3A~図3B、図4A~図4B、または図5A~図5Bの1つ以上の除細動出力回路に含まれるような、例えば第1スイッチおよび第2スイッチを制御するための方法600の例を説明している。参照符号602では、一例として、第1供給ノードと第1出力ノードとの間の接続は、例えば第1スイッチを用いて制御され得る。参照符号604において、一例として、第2供給ノードと第1出力ノードとの間の接続は第2スイッチを用いて制御され得る。第1スイッチおよび第2スイッチは、図1~図2、図3A~図3B、図4A~図4B、または図5A~図5Bで検討したような1つ以上のIGBTまたは他のスイッチング回路構成またはデバイスを含むことができる。例えば、参照符号606において、第2スイッチは、第2供給ノードが第2スイッチを介して第1出力ノードに接続される場合に、第1スイッチが第1供給ノードを第1出力ノードに接続するのを阻止するように構成され得る。一例として、参照符号608において、除細動カウンターショックは、少なくとも第1出力ノードを用いて心臓に提供され得る。例えば、出力回路は、例えば、特定の初期電圧、相数、各相の継続時間、相間遅延などを有する除細動カウンターショック波形を提供するために、図1または図4A~図4Bに示すような1つ以上のブロックを含み得る。付加的な注釈上記の詳細な説明は、詳細な説明の一部を形成する添付図面への言及を含む。前記図面は、例証として、本発明が実施され得る特定の実施形態を示している。これらの実施形態はまた本願では例とも称される。そのような例は示されているか、または記載されているものに加えて要素を含むことができる。しかしながら、本発明者らはまた、示されているか、または記載されているそれらの要素のみが備えられた例も企図する。さらに、本発明者らはまた、本願に示されているか、または記載されている特定の例またはその1つ以上の態様、または他の例またはその1つ以上の態様に関して、示されているか、または記載されているそれらの要素の任意の組合せまたは順列またはそれらの1つ以上の態様を用いた例も企図する。本文書において参照した全ての刊行物、特許および特許文献は、参照により個々に援用されるかのように、参照により余すところなく本願に援用される。本文書と、そのように参照により援用された文書との間で用法が一致しない場合には、援用された参考文献における用法は、本文書のそれに対する補足であると考えられるべきであり、相容れない矛盾については、本文書における用法が支配する。本文書において、用語aまたはanは、特許文献において共通であるように、任意の他の例または少なくとも1つまたは1つ以上の使用から独立して、1つまたは1つより多くを包含するように用いられる。この文書において、用語またはは、別段の指示がない限り、AまたはBは、AだがBではない、BだがAではない、およびAおよびBを含むように、非排他的論理和を示す。添付する請求項において、用語備えるおよび前記~においては、備えるおよび前記~においてという各用語の平易な英語の相当語句として用いられる。また、以下の請求項において、用語備えるおよび備えるは非制限的である、すなわち、請求項においてそのような用語の後に列記されたものに加えて要素を含むシステム、装置、物品またはプロセスは、依然としてその請求項の範囲内にあると見なされる。さらに、以下の請求項において、用語第1、第2、および第3などは、単に標識として用いられており、それらの対象に対して数的な要件を課するようには意図されない。本願に記載した方法の例は、少なくとも一部分において、機械によって実施されるか、またはコンピューターによって実施され得る。いくつかの例としては、上記の例に記載したような方法を行なう電子デバイスを構成するように作動可能な命令によってコード化されたコンピューター可読媒体または機械可読媒体が挙げられる。そのような方法の実施は、マイクロコード、アセンブリ言語コード、高水準言語コードなどのようなコードを含み得る。そのようなコードは、様々な方法を行なうためのコンピューター可読命令を含み得る。前記コードは、コンピュータプログラム製品の一部を形成してもよい。さらに、前記コードは、実行の間に、または他の時に、1つ以上の揮発性または不揮発性有形コンピューター可読媒体上に具体的に格納されてもよい。これらのコンピューター可読媒体としては、ハードディスク、リムーバル磁気ディスク、リムーバル光ディスク例えばコンパクトディスクおよびデジタルビデオディスク、磁気カセット、メモリーカードまたはメモリースティック、ランダムアクセスメモリーRAM、読出し専用メモリーROMなどがあげられるが、これらに限定されるものではない。上記の説明は、例示であり、限定的なものではないことが意図される。例えば、上述の例またはそれらの1つ以上の態様は互いに組み合わせて用いてもよい。上記の説明の検討により、当業者などによって、他の実施形態が用いられ得る。要約書は、読者が技術的な開示の性質を迅速に確認することができるようにするために、米国特許法施行規則第1.72条bに準拠するように提供される。要約書は、特許請求の範囲または意味を解釈または限定するためには用いられないという理解で提出されている。また、上記の詳細な説明において、様々な特徴は開示を簡素化するためにグループ化されてもよい。これは、権利請求されていない開示された特徴が任意の請求項に対して必須であることを意図するものと解釈されるべきでない。むしろ、本発明の主題は、特定の開示された実施形態のすべての特徴に満たない状態にあることがある。したがって、以下の特許請求の範囲は、これにより詳細な説明に援用され、各請求項は、本発明の別個の実施形態として自立している。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及び係る特許請求の範囲が権利を享受する均等物の全範囲に関連して決定されるべきである。"