"I族元素、III族元素およびVI族元素を含む化合物半導体を有する第1の半導体層と、該第1の半導体層上に配置された、該第1の半導体層とともにpn接合を形成する第2の半導体層とを備えており、前記第1の半導体層は、該第1の半導体層における前記III族元素の平均モル濃度よりも前記第2の半導体層の近傍における前記III族元素のモル濃度の方が小さい、光電変換装置。前記III族元素はガリウムを含み、前記第1の半導体層における前記ガリウムの平均モル濃度よりも前記第2の半導体層の近傍における前記ガリウムのモル濃度の方が小さい、請求項1に記載の光電変換装置。前記第1の半導体層における前記ガリウムのモル濃度は、前記第1の半導体層の前記第2の半導体層側の部位から前記第1の半導体層の前記第2の半導体層と反対側の部位に向かって大きくなっている、請求項2に記載の光電変換装置。前記I族元素は銅を含み、前記第1の半導体層は、前記第2の半導体層の近傍における前記銅のモル濃度よりも前記第1の半導体層における前記銅の平均モル濃度の方が小さいことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換装置。前記VI族元素はセレンを含み、前記第1の半導体層は、該第1の半導体層における前記セレンの平均モル濃度よりも前記第2の半導体層の近傍における前記セレンのモル濃度の方が大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の光電変換装置。カルコパイライト系の光電変換装置において、I-III-VI族化合物半導体からなる光吸収層は、該光吸収層の内部において、I族元素とVI族元素とが部分的に異相を生成し、該異相の生成によって短絡が生じる可能性があった。そこで、本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は光吸収層内のI族とVI族との異相生成を低減して光電変換効率を向上させることにある。本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、I族元素、III族元素およびVI族元素を含む化合物半導体を有する第1の半導体層と、該第1の半導体層上に配置された、該第1の半導体層とともにpn接合を形成する第2の半導体層とを備えている。本実施形態において、前記第1の半導体層は、該第1の半導体層における前記III族元素の平均モル濃度よりも前記第2の半導体層の近傍における前記III族元素のモル濃度の方が小さい。本発明の一実施形態に係る光電変換装置によれば、第1の半導体層におけるIII族元素の平均モル濃度よりも、第2の半導体層の近傍における第1の半導体層のIII族元素のモル濃度の方が小さいため、第2の半導体層の近傍以外の第1の半導体層内のI族元素およびVI族元素の少なくとも一方を相対的に減らすことができる。それゆえ、本実施形態では、第2の半導体層と第1の半導体層との界面におけるpn接合の品質を維持しつつ、第1の半導体層内のI族元素およびVI族元素の少なくとも一方の量を減らすことにより、I族元素とVI族元素との異相生成を低減することができる。その結果、本実施形態では、光電変換効率を向上させることができる。以下に本発明の光電変換装置の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の一実施形態に係る光電変換装置10は、図1および図2に示すように、基板1と、第1の電極層2と、第1の半導体層に相当する光吸収層3と、第2の半導体層に相当するバッファ層4と、第2の電極層5とを含んでいる。光電変換装置10は、図1に示すように、複数並べて形成されており、光電変換モジュール11を構成している。そして、光電変換装置10は、光吸収層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。隣接する光電変換装置10同士は、光吸収層3に設けられた接続導体7によって、第2の電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。この第3の電極層6は、隣接する光電変換装置10の第1の電極層2としての機能を兼ねている。この構成により、隣接する光電変換装置10同士は、互いに直列接続されている。なお、一つの光電変換装置10内において、接続導体7は光吸収層3およびバッファ層4を分断するように設けられている。そのため、光電変換装置10では、第1の電極層2と第2の電極層5とで挟まれた光吸収層3とバッファ層4とで光電変換が行なわれる。さらに、本実施形態のように、第2の電極層5上に集電電極8が設けられていてもよい。次に、光電変換装置10の各部材について説明する。基板1は、光電変換装置10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂等が挙げられる。第1の電極層2および第3の電極層6は、Moモリブデン、Alアルミニウム、TiチタンまたはAu金等の導電体が用いられ、基板1上にスパッタリング法または蒸着法等で形成される。光吸収層3は、光を吸収するとともに、バッファ層4と協働して光電変換を行うものである。光吸収層3は、カルコパイライト系化合物半導体を含んでなり、第1の電極層2上および第3の電極層上に設けられている。ここで、カルコパイライト系化合物半導体とは、I-B族元素11族元素ともいうのようなI族元素と、III-B族元素13族元素ともいうのようなIII族元素と、VI-B族元素16族元素ともいうのようなVI族元素との化合物半導体であるCIS系化合物半導体ともいう。カルコパイライト系化合物半導体としては、例えば、CuIn,GaSe2CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2CIGSSともいうおよびCuInS2CISともいうが挙げられる。なお、CuIn,GaSe2とは、Cu、In、GaおよびSeから主に構成された化合物をいう。また、CuIn,GaSe,S2とは、Cu、In、Ga、SeおよびSから主に構成された化合物をいう。光吸収層3は、光電変換効率を高めるという観点から、例えば、1.0~2.5μmの厚みであるのがよい。そして、本実施形態において、光吸収層3は、光吸収層3におけるIII族元素の平均モル濃度よりもバッファ層4の近傍におけるIII族元素のモル濃度の方を小さくしている。これにより、バッファ層4の近傍以外の光吸収層3内のI族元素およびVI族元素の少なくとも一方をIII族元素に対して相対的に減らすことができる。より詳細に言えば、I族元素の量およびVI族元素の量をIII族元素の量で割った値が、バッファ層4の近傍以外の光吸収層3内において減っているということになる。それゆえ、本実施形態では、バッファ層4と光吸収層3との界面におけるpn接合の品質を維持しつつ、光吸収層3内のI族元素およびVI族元素の少なくとも一方の量を減らすことにより、I族元素とVI族元素との間で生じ得る異相生成を低減することができる。この異相とは、光吸収層3で所望される化合物とは異なるものを指す。具体的に、例えば、I族元素がCu銅、III族元素がInインジウム、Gaガリウム、VI族元素がSeセレンを含む場合、所望される化合物はCuInSe2、CuGaSe2またはCuInSe2とCuGaSe2との混合物である。しかしながら、光吸収層3内には、CuInSe2およびCuGaSe2とは異なる構造を有するCu2Seが部分的に生成される。そして、このCu2Seが異相となる。このCu2Seは、導電性を有しているため、光吸収層3内で短絡が生じて光電変換効率の低下を引き起こす場合がある。これに対し、本実施形態では、光吸収層3内のCuI族元素およびSeVI族元素の少なくとも一方を減らすことにより、光吸収層3におけるCu2Seの発生を低減することができる。一方で、光電変換装置10は、光吸収層3とバッファ層4との界面でpn接合を形成している。このpn接合部では、I族元素、III族元素およびVI族元素が所定の割合であるほうが望ましい。具体的に、例えば、I族元素がCu、III族元素がIn、Ga、VI族元素がSeを含む場合、pn接合が形成される付近、すなわち、光吸収層3のバッファ4の近傍において、その組成モル比が、Cu:InGa:Se=1:1:2が理想である。そのため、本実施形態では、バッファ層4の近傍における光吸収層3を理想のモル比を維持しつつ、バッファ層4の近傍以外の光吸収層3の各種元素の濃度を制御している。なお、光吸収層3のバッファ層4の近傍とは、図2中の積層方向Aにおける光吸収層3の厚みの1/10を指す。また、光吸収層3における平均のモル濃度としては、I族元素がCu、III族元素がIn、Ga、VI族元素がSeを含む場合、例えば、Cuが22~24mol、InおよびGaが26~28mol、Seが48~52molである。また、光吸収層3のバッファ層4の近傍におけるIII族元素In、Gaのモル濃度は、上記した光吸収層3におけるIII族の平均モル濃度の1以上小さい。さらに、本実施形態において、III族元素がガリウムを含む場合、光吸収層3におけるガリウムの平均モル濃度よりもバッファ層4の近傍におけるガリウムのモル濃度の方が小さいほうがよい。そのため、上記構成において、III族元素としてさらにインジウムを含んでいる場合、光吸収層3の厚み方向において、インジウムは、ガリウムのモル濃度と逆の分布を示すようになる。このとき、バッファ層4の近傍における光吸収層3のガリウムのモル濃度は、当該近傍を除く部位における光吸収層3のガリウムのモル濃度よりも0.5~2.5mol程度小さければよい。このような形態であれば、光吸収層3の深さ方向積層方向Aの逆方向に対して生じるバンドギャップを変化させることができる。これにより、光吸収層3内に生じる電界によって光励起されたキャリアがバッファ層4側に輸送されやすくなる。その結果、光電変換装置10の短絡電流および光電変換効率が向上する。また、III族元素がガリウムを含む場合、光吸収層3におけるガリウムのモル濃度は、光吸収層3のバッファ層4側の部位から光吸収層3のバッファ層4と反対側の部位に向かって大きくなっていてもよい。すなわち、光吸収層3におけるガリウムのモル濃度は、バッファ層4側から光吸収層3の深さ方向に向かうにつれて大きくなっている。このような形態であれば、上述したバンドギャップを徐々に変化させることができるため、より短絡電流および光電変換効率が向上する。さらに、本実施形態において、I族元素がCuを含む場合、光吸収層3は、バッファ層4の近傍におけるCuのモル濃度よりも光吸収層3におけるCuの平均モル濃度の方が小さいほうがよい。このように、光吸収層3におけるCuの平均モル濃度を小さくすれば、Cu2Seの生成を低減することができる。Cu2Seは、CuとSeとがCu:Se=2:1の割合で結合するため、光吸収層3内でCuの割合を減らす、すなわち、Cuのモル濃度を小さくするようにした方が、VI族元素Seを減らすよりも、より効率良くCu2Seの生成を低減できる。このような場合、バッファ層4の近傍におけるCuのモル濃度は、光吸収層3におけるCuの平均モル濃度の1以上大きければよい。さらに、本実施形態において、VI族元素がSeを含む場合、光吸収層3は、該光吸収層3におけるSeの平均モル濃度よりもバッファ層4の近傍におけるSeのモル濃度の方が大きいほうがよい。このように、バッファ層4の近傍におけるSeのモル濃度を大きくすれば、pn接合付近における欠陥をSeで効率良く埋めることができるため、pn接合の品質を向上させることができる。このような場合、バッファ層4の近傍におけるSeのモル濃度は、光吸収層3におけるSeの平均モル濃度の2以上大きければ、より良好なpn接合が可能である。光吸収層3の各種元素のモル濃度は、例えば、断面を電子顕微鏡観察しながらエネルギー分散型X線分析法EDS:EnergyDispersivexraySpectroscopyを用いて測定できる。また、他の方法としては、エッチング等で光吸収層3を厚み方向に削りながらX線光電子分光法XPS:Xrayphotoelectronspectroscopy、オージェ電子分光AES:AugerElectronSpectroscopy等で測定してもよい。また、光吸収層3におけるIII族元素の平均モル濃度は、例えば、上記いずれかの方法で測定する場合、光吸収層3の任意の10点の断面積層方向Aにおける断面を選択して測定し、その数値の平均値とすればよい。また、バッファ層4の近傍における各種元素のモル濃度は、光吸収層3のバッファ層4との接合面から深さ方向積層方向Aと逆方向に光吸収層3の厚みの1/10の領域において、任意の10点の断面積層方向Aにおける断面を選択して測定し、その数値の平均値とすればよい。このような光吸収層3は、例えば、次のようにして作製される。まず、第1の電極層2を有する基板1上に、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含むカルコパイライト系化合物の原料溶液を塗布することにより第1前駆体を形成するA1工程。次に、上記第1前駆体を仮焼加熱処理することにより仮焼第1前駆体を形成するA2工程。このA2工程における仮焼第1前駆体の形成温度は250~350°Cである。次に、窒素やアルゴン等の不活性雰囲気中で上記仮焼第1前駆体を加熱することにより光吸収層3の第1層を形成するA3工程。このA3工程における第1層の形成温度は400~600°Cである。次に、この第1層上にI-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含むカルコパイライト系化合物の原料溶液を塗布することにより第2前駆体を形成するA4工程。次に、窒素やアルゴン等の不活性雰囲気中で上記第2前駆体を仮焼加熱処理することにより仮焼第2前駆体を形成するA5工程。このA5工程における仮焼第2前駆体の形成温度は250~350°Cである。次に、VI-B族元素を含む雰囲気または窒素やアルゴン等の不活性雰囲気中で上記第2前駆体を加熱することにより第2層を形成するA6工程。このA6工程における第2層の形成温度は400~600°Cである。次に、第2層上にI-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含むカルコパイライト系化合物の原料溶液を塗布することにより第3前駆体を形成するA7工程。次に、窒素やアルゴン等の不活性雰囲気中で上記第3前駆体を仮焼加熱処理することにより仮焼第3前駆体を形成するA8工程。このA8工程における仮焼第3前駆体の形成温度は250~350°Cである。次に、VI-B族元素を含む雰囲気または窒素やアルゴン等の不活性雰囲気中で上記第3前駆体を加熱することにより第3層を形成するA9工程。このA9工程における第3層の形成温度は400~600°Cである。上述した工程に用いる原料溶液としては、例えば、I-B族金属と、III-B族金属と、含カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基性有機溶剤とを含んだものが好ましい。このような原料溶液は、含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む溶媒以下、含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む溶媒を混合溶媒Sともいうを用いることによって、I-B族金属およびIII-B族金属を良好に溶解させて6wt以上混合溶媒Sに対する、I-B族金属およびIII-B族金属の合計の濃度の原料溶液を作製できる。つまり、このような混合溶媒Sを用いることにより、含カルコゲン元素含有有機化合物のみ、またはルイス塩基性有機溶剤のみでI-B族金属およびIII-B族金属の溶液を作製した場合に比べ、比較的、高濃度の溶液を得ることができる。よって、この原料溶液を用いて被膜状の前駆体を形成することにより、一度の塗布でも比較的厚い良好な前駆体を得ることができ、その結果、所望の厚みの光吸収層3を容易にかつ良好に作製することができる。含カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物である。カルコゲン元素とは、VI-B族元素のうちのS硫黄、Seセレン、Teテルルをいう。カルコゲン元素がS硫黄である場合、含カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステルおよびスルホン酸アミド等が挙げられる。好ましくは、金属と錯体を形成して金属溶液を良好に作製できるという観点からは、チオール、スルフィド、ジスルフィド等が良い。特に塗布性を高めるという観点からは、フェニル基を有するものが好ましい。このようなフェニル基を有するものとしては、例えば、チオフェノール、ジフェニルスルフィド等およびこれらの誘導体が挙げられる。カルコゲン元素がSeである場合、含カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、セレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシド、セレノン等が挙げられる。好ましくは、金属と錯体を形成して金属溶液を良好に作製できるという観点からは、セレール、セレニド、ジセレニド等が良い。特に塗布性を高めるという観点からは、フェニル基を有するものが好ましい。このようなフェニル基を有するものとしては、例えば、フェニルセレノール、フェニルセレナイド、ジフェニルジセレナイド等およびこれらの誘導体が挙げられる。カルコゲン元素がTeである場合、含カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、テルロール、テルリド、ジテルリド、等が挙げられる。ルイス塩基性有機溶剤とは、ルイス塩基となり得る有機溶剤である。ルイス塩基性有機溶剤としては、ピリジン、アニリン、トリフェニルフォスフィン等およびこれらの誘導体が挙げられる。特に塗布性を高めるという観点からは、沸点が100°C以上であるものが好ましい。好ましくは、上記I-B族金属と上記含カルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しており、上記III-B族金属と上記含カルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しており、上記含カルコゲン元素含有有機化合物と上記ルイス塩基性有機溶剤とが化学結合していることが好ましい。これにより、8wt以上のより高濃度の原料溶液を作製できる。I-B族金属と含カルコゲン元素含有有機化合物との化学結合、III-B族金属と含カルコゲン元素含有有機化合物との化学結合および含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤との化学結合とは、I-B族金属と含カルコゲン元素含有有機化合物中のカルコゲン元素との配位結合等の化学的な結合、III-B族金属と含カルコゲン元素含有有機化合物中のカルコゲン元素との配位結合等の化学的な結合、および、含カルコゲン元素含有有機化合物中のカルコゲン元素とルイス塩基性有機溶剤との配位結合等の化学的な結合であり、例えば、NMRNMR:NuclearMagneticResonance法により、確認することができる。そして、この方法によれば、I-B族金属と含カルコゲン元素含有有機化合物との化学結合は、カルコゲン元素の多核NMRのピークシフトとして検出できる。また、III-B族金属と含カルコゲン元素含有有機化合物との化学結合はカルコゲン元素の多核NMRのピークシフトとして検出できる。また、含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤との化学結合は有機溶剤由来のピークのシフトとして検出できる。好ましくは、I-B族金属と含カルコゲン元素含有有機化合物との化学結合のモル数は、含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤との化学結合のモル数の0.1~10倍の範囲であるのがよい。混合溶媒Sは、取り扱い性の観点からは、室温で液状となるような組み合わせであることが好ましい。含カルコゲン元素含有有機化合物は、ルイス塩基性有機溶剤に対して0.1~10倍であるのがよい。これにより、I-B族金属と含カルコゲン元素含有有機化合物との化学結合、III-B族金属と含カルコゲン元素含有有機化合物との化学結合および含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤との化学結合を良好に形成することができ、高濃度のI-B族金属およびIII-B族金属の溶液を得ることができる。混合溶媒Sに、I-B族金属およびIII-B族金属を溶解させて溶液を作製する方法としては、上記混合溶媒SにI-B族金属およびIII-B族金属を直接溶解させればよい。なお、I-B族金属およびIII-B族金属は、いずれかが金属塩であってもよい。光吸収層3にI-III-VI化合物半導体の成分以外の不純物が残るのを抑制するという観点からは、I-B族金属およびIII-B族金属を混合溶媒Sに直接溶解させることが好ましい。なお、I-B族金属およびIII-B族金属を混合溶媒Sに直接溶解させるというのは、単体金属の地金または合金の地金を直接、混合溶媒Sに混入し、溶解させることをいう。これにより、単体金属の地金または合金の地金を、一旦、他の化合物例えば塩化物などの金属塩に変化させた後に溶媒に溶解させるという余計な工程は必要なく、工程が簡略化できるとともに、光吸収層3を構成する元素以外の元素が含まれるのを抑制することができ、光吸収層3の純度を高めることができる。I-B族金属はCu銅やAg銀などのI-B族金属である。I-B族金属は1種の元素であってもよく、2種以上の元素であってもよい。2種以上の元素である場合、混合溶媒Sに、I-B族金属を溶解させて溶液を作製する方法としては、上記混合溶媒Sに2種以上のI-B族金属の混合物を一度に溶解させてもよい。あるいは、各元素のI-B族金属をそれぞれ上記混合溶媒Sに溶解させた後、これらを混合してもよい。III-B族金属はGaガリウムやInインジウムなどのIII-B族金属である。III-B族金属は1種の元素であってもよく、2種以上の元素であってもよい。2種以上の元素である場合、混合溶媒Sに、III-B族金属を溶解させて溶液を作製する方法としては、上記混合溶媒Sに2種以上のIII-B族金属の混合物を一度に溶解させてもよい。あるいは、各元素のIII-B族金属をそれぞれ上記混合溶媒Sに溶解させた後、これらを混合してもよい。そして、本実施形態では、上記したA1工程、A4工程、A7工程でそれぞれ用いている原料溶液の組成を変えることにより、光吸収層3内のI族元素、III族元素およびVI族元素のモル濃度を制御している。具体的に、III族元素の各工程に使用する原料溶液のモル濃度の大小関係は、A7工程<A4工程<A1工程である。また、I族元素およびVI族元素の各工程に使用する原料溶液のモル濃度の大小関係は、A1工程<A4工程<A7工程である。このように、各種元素のモル濃度を調製した原料溶液を各工程で使い分けることにより、光吸収層3の積層方向における各種元素のモル濃度を調製できる。それゆえ、光吸収層3の積層方向Aに沿って、III族元素のインジウムおよびガリウムの濃度を変える場合、各工程に使用する原料溶液のインジウムおよびガリウムのモル濃度を適宜調製したものを用いればよい。なお、上述した製法は、A1~A9工程を経て3層の半導体層より成る光吸収層3で例示しているが、さらに多くの半導体層を積層させて光吸収層3を作製してもよい。この場合は、基板1側の半導体層よりもバッファ層4側に設ける半導体層が、I族元素およびVI族元素のモル濃度が大きく、且つIII族元素のモル濃度が小さくなるように原料溶液を調製すればよい。なお、光吸収層3は、上述した原料溶液の塗布による方法だけでなく、例えば、蒸着法を用いて作製してもよい。このとき、基板1側の半導体層よりもバッファ層4側に設ける半導体層が、例えば、I族元素およびVI族元素のモル濃度が大きく、且つIII族元素のモル濃度が小さくなるように、各種元素の蒸着速度を変えることで、各種元素の量を制御すればよい。光電変換装置10は、上記半導体層を光吸収層3として用い、この光吸収層3上にバッファ層4が形成される。バッファ層4とは、光吸収層3に対してヘテロ接合を行う層をいう。また、光吸収層3がp型半導体であるため、バッファ層4はn型半導体である。好ましくはリーク電流を低減するという観点からは、バッファ層は、抵抗率が1Ωcm以上の層であるのがよい。バッファ層4としては、例えば、CdS、ZnS、ZnO、In2S3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が挙げられ、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で形成される。なお、InOH,Sとは、InとOHとSとから主に構成された化合物をいう。Zn,InSe,OHは、ZnとInとSeとOHとから主に構成された化合物をいう。Zn,MgOは、ZnとMgとOとから主に構成された化合物をいう。バッファ層4は光吸収層3の吸収効率を高めるため、光吸収層3が吸収する光の波長領域に対して光透過性を有するものが好ましい。バッファ層4がインジウムを含む場合、第2の電極層5は酸化インジウムを含むことが好ましい。第2の電極層5が酸化インジウムを含むことで、透明性が高いとともに高い導電率を有することができる。さらに、バッファ層4にインジウムを含むことで、バッファ層4と第2の電極層5が同じ元素を含み、層間の元素の相互拡散による導電率の変化を抑制することができる。また、光吸収層3はインジウムを含むカルコパイライト系の材料であり、バッファ層4はインジウムを含み、第2の電極層5が酸化インジウムを含むことが好ましい。このような形態では、光吸収層3、バッファ層4、第2の電極層5がすべてインジウムを含むことにより、層間の元素の相互拡散による導電率やキャリア濃度の変化を低減することができる。光電変換装置10の耐湿性を向上するという観点からは、バッファ層4はIII-VI族化合物を主成分として含むことが好ましい。なお、III-VI族化合物とは、III-B族元素とVI-B族元素との化合物である。また、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、バッファ層4を構成する化合物のうち、III-VI族化合物が50mol以上、より好ましくは80mol以上であることをいう。さらに光電変換装置10の耐湿性を向上するという観点からは、バッファ層4を構成する金属元素のうち、Zn元素が50原子以下、より好ましくは20原子以下であるのがよい。また、バッファ層4は、その厚みが10~200nmであり、好ましくは100nm以上であるのがよい。これにより、高温高湿条件化における光電変換効率の低下を特に効果的に抑制することができる。第2の電極層5は、ITO、ZnO等の0.05~3.0μmの透明導電膜である。第2の電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成される。第2の電極層5は、バッファ層4よりも抵抗率の低い層であり、光吸収層3で生じた電荷を取り出すためのものである。電荷を良好に取り出すという観点からは、第2の電極層5の抵抗率が1Ωcm未満でシート抵抗が50Ω/□以下であるのがよい。第2の電極層5は光吸収層3の吸収効率を高めるため、光吸収層3の吸収光に対して光透過性を有するものが好ましい。光透過性を高めると同時に光反射ロス防止効果および光散乱効果を高め、さらに光電変換によって生じた電流を良好に伝送するという観点から、第2の電極層5は0.05~0.5μmの厚さとするのが好ましい。光電変換装置10の耐湿性を向上するという観点からは、第2の電極層5はIII-VI族化合物を主成分として含むことが好ましい。なお、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、第2の電極層5を構成する化合物のうち、III-VI族化合物複数種のIII-VI族化合物がある場合、その合計が50mol以上、より好ましくは80mol以上であることをいう。さらに光電変換セル10の耐湿性を向上するという観点からは、第2の電極層5を構成する金属元素のうち、Zn元素が50原子以下、より好ましくは20原子以下であるのがよい。光電変換装置10において、バッファ層4と第2の電極層5とを合わせた部分、すなわち、光吸収層3と集電電極8とで挟まれる部分は、III-VI族化合物を主成分として含むことが好ましい。なお、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、このバッファ層4と第2の電極層5とを合わせた部分を構成する化合物のうち、III-VI族化合物複数種のIII-VI族化合物がある場合、その合計が50mol以上、より好ましくは80mol以上であることをいう。さらに光電変換セル20の耐湿性を向上するという観点からは、このバッファ層4と第2の電極層5とを合わせた部分を構成する金属元素のうち、Zn元素が50原子以下、より好ましくは20原子以下であるのがよい。光電変換装置10は、複数個並べてこれらを電気的に接続し、光電変換モジュール11とすることができる。隣接する光電変換装置10同士を容易に直列接続するために、図1に示すように、光電変換装置10は、光吸収層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。そして、光吸収層3に設けられた接続導体7によって、第2の電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。接続導体7は、第2の電極層5を形成する際に同時形成して一体化することが好ましい。これにより、工程を簡略化できるとともに第2の電極層5との電気的な接続信頼性を高めることができる。接続導体7は、第2の電極層5と第3の電極層6とを接続するとともに、隣接する光電変換装置10の各光吸収層3も分断するように形成されている。このような構成により、隣接する光吸収層3でそれぞれ光電変換を良好に行い、直列接続で電流を取り出すことができる。集電電極8は、第2の電極層5の電気抵抗を小さくする機能を有する。光透過性を高めるという観点からは、第2の電極層5の厚さはできるだけ薄いことが好ましいが、薄いと導電性が低下してしまう。しかしながら、第2の電極層5上に集電電極8が設けられていることにより、光吸収層3で発生した電流を効率よく取り出すことができる。その結果、光電変換装置10の発電効率を高めることができる。集電電極8は、例えば、図1に示すように、光電変換装置10の一端から接続導体7にわたって線状に形成されている。これにより、光吸収層3の光電変換により生じた電荷を第2の電極層5を介して集電電極8に集電した後、接続導体7を介して隣接する光電変換装置10に良好に導電させることができる。よって、集電電極8が設けられていることにより、第2電極層5を薄くしても光吸収層3で発生した電流を効率よく取り出すことができる。その結果、発電効率を高めることができる。集電電極8は光吸収層3への光を遮るのを抑制するとともに良好な導電性を有するという観点からは、50~400μmの幅を有するのが好ましい。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストを所定のパターンに印刷し、これを硬化することによって形成することができる。集電電極8は、半田を含むことが好ましい。これにより、曲げ応力に対する耐性を高めることができるとともに、抵抗をより低下させることができる。また、集電電極8は、融点の異なる金属を2種以上含み、少なくとも1種の金属を溶融させ、他の少なくとも1種の金属は溶融しない温度で加熱して硬化したものがよい。これにより、低い融点の金属が溶融して集電電極8を緻密化し、抵抗を下げることができるとともに、加熱して硬化させる際に溶融した金属が広がろうとするのを高い融点の金属によって低減することができる。集電電極8は、平面視して光吸収層3の外周端部まで達するように設けられているとよい。このような形態では、集電電極8が光吸収層3の外周部を保護し、光吸収層3の外周部での欠けを抑制して光吸収層3の外周部においても光電変換を良好に行うことができる。また、この光吸収層3の外周部で発生した電流を外周端部まで達する集電電極8によって効率よく取り出すことができる。その結果、このような形態では、光電変換効率を高めることができる。このように光吸収層3の外周端部に達する集電電極8によって光吸収層3の外周部を保護することができるため、第1の電極層2と集電電極8との間に設けられた部材の合計厚みを小さくすることができる。よって、部材の削減をすることができるとともにこれらの作製工程も短縮化することができる。また、第1の電極層2と集電電極8との間に設けられた部材の合計厚み光吸収層3とバッファ層4と第2の電極層5との合計厚みは、1.06~3.2μmであればよい。具体的には、光吸収層3の厚みを1.0~2.5μm、バッファ層4の厚みを0.01~0.2μm、第2の電極層5の厚みを0.05~0.5μmとすればよい。また、集電電極8が達している光吸収層3の外周端部において、集電電極8の端面、第2の電極層5の端面および光吸収層3の端面が面一になっていることが好ましい。これにより、光吸収層3の外周端部で光電変換した電流を良好に取り出すことができる。なお、集電電極8が平面視して光吸収層3の外周端部のほうまで達しているほうがよい。これにより、光吸収層3の外周端部を基点とした欠けの進行が低減され得る。このとき、光吸収層3の最も外側の外周端部と集電電極8の端部との距離が1000μm以下程度であればよい。なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。"