選択エミッタ太陽電池を製造する方法であって、p型ベース層を含む基板を提供するステップと、イオン注入によって、前記p型ベース層の前面の少なくとも第1の領域にドーパントを導入するステップと、イオン注入によって、前記p型ベース層の前面の少なくとも第2の領域にドーパントを導入するステップであって、前記第2の領域は、前記第1の領域よりも高濃度にドープされ、前記第1及び第2の領域に導入されるドーパントは、n型の伝導性である、ステップと、前記基板をアニールするステップであって、該アニールするステップは、炉内で前記基板をある温度に加熱して前記注入による損傷をアニールし、前記第1及び第2の領域からのドーパントを活性化させ、前記第1及び第2の領域からのドーパントを前記基板内のより深部に移動させ、前記p型ベース層の前面に選択エミッタ層を形成する、ステップと、前記アニールするステップにおいて前記炉に酸素を導入するステップであって、前記選択エミッタ層の少なくとも前面に不動態化酸化物層を形成する、ステップと、を有する方法。前記基板は、単結晶のチョクラルスキシリコン基板である、請求項1に記載の方法。前記ドーパントは、リンを含む、請求項1又は請求項2に記載の方法。少なくとも前記第1の領域にドーパントを導入するステップは、前記p型ベース層の前面の前記第1及び第2の領域に均一にドーパントを導入するステップを含み、少なくとも前記第2の領域にドーパントを導入するステップは、前記p型ベース層の前面の少なくとも前記第2の領域にマスクを通して追加のトーパントを導入するステップを含む、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の方法。前記基板をアニールするステップは、前記選択エミッタ層の前面と前記p型ベース層の裏面との間に電気的分路を形成せず、前記基板をアニールするステップは、リンケイ酸塩ガラスを形成しない、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の方法。前記不動態化酸化物層の前面に非晶質窒化シリコン層を蒸着させ、それによって反射防止層を形成するステップをさらに有する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の方法。前記非晶質窒化シリコン層に、1つ以上の前面コンタクトを、前記p型ベース層の前面の前記第2の領域と位置合わせしてスクリーン印刷するステップをさらに有する、請求項6に記載の方法。前記p型ベース層の裏面に1つ以上のアルミニウム製裏面コンタクトをスクリーン印刷するステップをさらに有する、請求項7に記載の方法。前記1つ以上の前面コンタクト及び前記裏面コンタクトを同時焼成して、前記太陽電池との電気的接続を提供するステップをさらに有する、請求項8に記載の方法。前記前面コンタクトがフリットを含み、該フリットにより、前記1つ以上の前面コンタクトが前記非晶質窒化シリコン層及び前記不動態化酸化物層を貫通することで、前記選択エミッタ層との電気的接続が提供される、請求項7から請求項9のいずれか1項に記載の方法。前記前面コンタクト及び前記裏面コンタクトを同時焼成するステップは、さらに、前記前面コンタクト及び前記裏面コンタクトの同時焼成中に、前記p型ベース層の裏面と前記裏面コンタクトとの界面において液相エピタキシャル再成長によってアルミニウムドープpシリコン層を形成するステップを含み、前記裏面コンタクトは、前記アルミニウムドープpシリコン層との電気的接続を提供する、請求項9又は請求項10に記載の方法。前記第1及び第2の領域にドーパントを導入するステップを、単一の注入工程中に行う、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の方法。太陽電池であって、p型ベース層を含むシリコン基板と、イオン注入によって前記p型ベース層の上に形成されるn型エミッタ層であって、1つ以上の第1のドープ領域と、1つ以上の第2のドープ領域とを有する選択エミッタであり、前記1つ以上の第2のドープ領域は、前記1つ以上の第1のドープ領域よりも高濃度にドープされる、n型エミッタ層と、前記p型ベース層と前記エミッタ層との界面におけるp-n接合と、前記エミッタ層の前面に形成される不動態化酸化物層であって、前記p-n接合及び前記不動態化酸化物層は、単一のアニールサイクル中に形成される、不動態化酸化物層と、を備える太陽電池。前記不動態化酸化物層の前面に形成される反射防止層をさらに備える、請求項13に記載の太陽電池。前記反射防止層は、非晶質窒化シリコン層を含む、請求項14に記載の太陽電池。前記反射防止層の前面に形成されて、前記反射防止層を通じて前記エミッタ層と電気通信関係にある1つ以上のスクリーン印刷された前面コンタクトと、前記p型ベース層の裏面に形成される1つ以上のスクリーン印刷された裏面コンタクトとをさらに備える、請求項14又は請求項15に記載の太陽電池。前記p型ベース層の裏面と前記1つ以上の裏面コンタクトとの界面において液相エピタキシャル再成長によって形成されるアルミニウムドープpシリコン層をさらに備え、前記1つ以上の裏面コンタクトは、前記アルミニウムドープpシリコン層と電気通信関係にある、請求項16に記載の太陽電池。前記1つ以上の前面コンタクトは、スクリーン印刷された銀ペーストから形成され、前記1つ以上の裏面コンタクトは、スクリーン印刷されたアルミニウムペーストから形成される、請求項16又は請求項17に記載の太陽電池。前記1つ以上の前面コンタクトは、前記エミッタ層の前記より高濃度にドープされた1つ以上の第2のドープ領域と位置合わせされることで接触抵抗が減少する、請求項16から請求項18のいずれか1項に記載の太陽電池。太陽電池であって、p型ベース層を含む基板を提供するステップと、イオン注入によって、前記p型ベース層の前面の少なくとも第1の領域にドーパントを導入するステップと、イオン注入によって、前記p型ベース層の前面の少なくとも第2の領域にドーパントを導入するステップであって、前記第2の領域は、前記第1の領域よりも高濃度にドープされ、前記第1及び第2の領域に導入されるドーパントは、n型の伝導性である、ステップと、前記基板をアニールするステップであって、該アニールするステップは、炉内で前記基板をある温度に加熱して前記注入による損傷をアニールし、前記第1及び第2の領域からのドーパントを活性化させ、前記第1及び第2の領域からのドーパントを前記基板内のより深部に移動させ、前記p型ベース層の前面に選択エミッタ層を形成する、ステップと、前記アニールするステップにおいて前記炉に酸素を導入するステップであって、前記選択エミッタ層の少なくとも前面に不動態化酸化物層を形成する、ステップとによって製造される太陽電池。