"下記一般式[1]で示されることを特徴とする縮合多環化合物。[1]一般式[1]において、R1乃至R2およびR5は、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、アリール基、複素環基からそれぞれ独立に選ばれる。R3乃至R4は、炭素数1以上4以下のアルキル基である。前記アリール基および前記複素環基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基の少なくともひとつを置換基として有してよい。前記一般式[1]において、前記R5はフェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の縮合多環化合物。前記フェニル基および前記ビフェニル基および前記フルオレニル基は、炭素数1以上4以下のアルキル基、アリール基、複素環基の少なくともひとつを置換基として有してよい。前記アリール基および前記複素環基はアルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基の少なくともひとつを置換基として有してよい。下記一般式[2]及至[4]で示されることを特徴とする請求項2に記載の縮合多環化合物。一般式[2]及至[4]において、R1乃至R2は、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、アリール基、複素環基からそれぞれ独立に選ばれる。R3乃至R4は、炭素数1以上4以下のアルキル基である。前記アリール基および前記複素環基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基の少なくともひとつを置換基として有してよい。一般式[2]乃至[4]中のArはアリール基または複素環基であり、前記アリール基および前記複素環基はアルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基の少なくともひとつを置換基として有してよい。一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された有機化合物層とを有し、前記有機化合物層は請求項1乃至3に記載の縮合多環化合物を有することを特徴とする有機発光素子。前記有機化合物層はホスト材料とゲスト材料とを有する発光層であり、前記ホスト材料は前記縮合多環化合物であることを特徴とする請求項4に記載の有機発光素子。前記ゲスト材料は燐光発光化合物であることを特徴とする請求項5に記載の有機発光素子。複数の画素を有し、前記画素は、請求項4乃至6のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子に接続されたスイッチング素子とを有する表示装置。画像を表示するための表示部と画像情報を入力するための入力部とを有し、前記表示部は複数の画素を有し、前記画素は請求項4乃至6のいずれかに記載の有機発光素子と前記有機発光素子と接続するスイッチング素子とを有することを特徴とする画像入力装置。特許文献1に記載のトリフェニレンはT1が高く、かつ熱安定性に優れた化合物である。しかし、このトリフェニレンは、分子平面性が高いので、分子間での会合が起こりやすいという課題があり、また4H-シクロペンタ[def]トリフェニレンおよびトリフェニレンを母骨格に有する化合物も同様の課題があった。分子間での会合は、化合物の特性を変化させるので好ましくない。そこで、本発明は分子間での会合しにくい安定な新規縮合環化合物を提供することを目的とする。また、それを有する発光効率が高く、かつ駆動電圧の低い有機発光素子を提供することである。よって本発明は、下記一般式[1]で示されることを特徴とする縮合多環化合物を提供する。[1]一般式[1]において、R1乃至R2およびR5は、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、アリール基、複素環基からそれぞれ独立に選ばれる。R3乃至R4は、炭素数1以上4以下のアルキル基である。前記アリール基および前記複素環基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基の少なくともひとつを置換基として有してよい。本発明によれば、分子間での会合をしにくい安定な新規縮合環化合物を提供できる。また、本発明の新規縮合多環化合物を有機発光素子に用いることで、発光効率が高く、かつ駆動電圧の低い有機発光素子を提供できる。本発明は、下記一般式[1]で示されることを特徴とする縮合多環化合物である。[1]一般式[1]において、R1乃至R2およびR5は、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、アリール基、複素環基からそれぞれ独立に選ばれる。R3乃至R4は、炭素数1以上4以下のアルキル基である。前記アリール基および前記複素環基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基の少なくともひとつを置換基として有してよい。一般式[1]のR1乃至R2およびR5における炭素数1以上4以下のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基である。一般式[1]のR3乃至R4における炭素数1以上4以下のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基である。一般式[1]のR1乃至R2およびR5におけるアリール基の具体例としてはフェニル基、ナフチル基、ペンタレニル基、インデニル基、アズレニル基、アントリル基、ピレニル基、インダセニル基、アセナフテニル基、フェナントリル基、フェナレニル基、フルオランテニル基、アセフェナントリル基、アセアントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ペリレニル基、ペンタセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基などが挙げられる。特に好ましいのは、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基である。一般式[1]のR1乃至R2およびR5における複素環基の具体例としては複素環基としては、チエニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピロリル基、ピリジル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ターチエニル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナントロリル基などが挙げられる。特に好ましいのはジベンゾチオフェニル基、ピリジル基である。上記アリール基および上記複素環基が有してもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基、フェニル基、ビフェニル基などのアリール基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基などの複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基などのアミノ基、メトキシル基、エトキシル基、プロポキシル基、フェノキシル基などのアルコキシル基などが挙げられる。本発明に係る縮合多環化合物は、一般式[1]におけるR3乃至R4にアルキル基を有するため、分子間での会合を抑制できる。また、本発明に係る縮合多環化合物は分子会合が生じないため、会合状態による吸収、発光も観測されない。さらに、本発明に係る縮合多環化合物は一般式[1]におけるR5をフェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基を置換する化合物が好ましい。なぜならば、R5に上記の置換基を有する化合物は、分子間での会合をさらに抑制し、かつガラス転移温度を向上させるからである。R5にフェニル基を有する化合物を一般式[2]で、R5にビフェニル基を有する化合物を一般式[3]で、R5にフルオレニル基を有する化合物を一般式[4]で、それぞれ示す。一般式[2]乃至[4]におけるArは、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基のいずれかである。それぞれの置換基の具体例は、先に記載した一般式[1]おける置換基の例と同一である。一般式[2]乃至[4]の中でも一般式[3]が特に好ましい。一般式[3]で示される縮合多環化合物は、分子間での会合を抑制する効果が特に高いためである。本発明に係る化合物の一例として、下記の例示化合物番号A-2-8の化合物を挙げる。その比較の化合物として、下記の比較化合物番号e-1の化合物を挙げる。以下ではA-2-8とe-1とを比較し、本発明に係る縮合多環化合物を説明する。本発明に係る縮合多環化合物の構造の一部として下記のH-1が挙げられる。以下では、H-1とトリフェニレンH-2とを比較する。H-1はトリフェニレンH-2に比べ、以下の4つの性質が異なる。1.蛍光量子収率が高い。2.昇華性が高い。3.イオン化ポテンシャルIPが低い。4.分子間での会合をしにくい。1.蛍光量子収率の比較トリフェニレンH-2はC3対称性に起因し、発光に関する遷移特性は対称禁制である。すなわち、対称性が高いため、ほとんど発光しない。一方、本発明に係る新規縮合多環化合物の部分構造H-1は、対称性が低いため、対称禁制が緩和され、蛍光収率がトリフェニレンに比べ高い。表1にその蛍光収率の実測値を示す。尚、蛍光収率の測定は濃度1×10-6mol/lのシクロヘキサン溶液中で行った。装置は絶対PL量子収率測定装置浜松ホトニクス社製C9920を用い、励起波長は300nmの条件で測定した。表1に示すとおり、H-1はH-2よりも蛍光量子収率が高い。すると、それぞれを母骨格に有するA-2-8とe-1との比較の結果も同様になることが考えられるので、A-2-8の方がe-1よりも蛍光量子収率が高いと考えられる。以上の効果により、本発明に係る新規縮合多環化合物H-1の誘導体は有機発光素子用発光材料として用いた場合、高効率の発光素子を提供することができる。2.昇華温度の比較次に、本発明に係る縮合多環化合物であるA-2-8と比較化合物であるe-1との昇華温度を比較する。化合物の昇華温度が高い場合、化合物を真空蒸着等により昇華する際に高い温度が必要になるので、化合物が熱分解する場合がある。従って、昇華温度は低い方が蒸着には有利である。A-2-8とe-1との構造上の相違点であるH-1とH-2とを比較することで両者の比較とする。H-2の構造は分子平面性が非常に高いため、分子間の重なりが強い。すると分子間での会合が起こりやすいので、H-2は結晶格子エネルギーが高い。そもそも、結晶格子エネルギーが高い化合物は昇華温度が高い。従って、H-2は昇華温度が高い。一方、H-1は、トリフェニレンを炭素で架橋することで、架橋炭素に対して上下に突き出たアルキル基が平面性を崩す役割を果たし、分子間の重なりを抑制する効果がある。その結果、H-1はH-2よりも結晶格子エネルギーが低い。結晶格子エネルギーが低いので、H-2よりも昇華温度が低い。A-2-8とe-1との構造上の相違点は、部分構造としてH-1を有するか、H-2を有するという点だけである。すると、H-1とH-2との比較の結果は、そのままA-2-8とe-1との比較の結果と同一であると考えられる。H-1とH-2とを比較すると、H-1はH-2よりも昇華温度が低い。従って、A-2-8はe-1よりも昇華温度が低い。A-2-8は真空蒸着する際には、蒸着温度がe-1よりも低いので、化合物が熱分解しにくいので好ましい。尚、表2においてΔ-5温度は10°C/分の速度で温度上昇させたときの重量が5減量したときの温度を示す。装置はTGDTA測定装置Rigaku社製ThermoPlusTG8120を用いた。この数値が小さいほど、昇華温度が低いことを意味する。3.イオン化ポテンシャルの比較本発明に係る縮合多環化合物と比較化合物とのイオン化ポテンシャルについて比較する。化合物のイオン化ポテンシャルが低い場合、有機発光素子の有機化合物層にその化合物を用いると駆動電圧を低くできるため好ましい。H-1の構造を含む化合物である本発明に係る新規縮合多環化合物は、トリフェニレンの炭素間がアルキル基を有する炭素で架橋されているので、トリフェニレン環は電子供与されている。そのため、H-1はトリフェニレンH-2に比べてイオン化ポテンシャルが低い。H-1と同様にトリフェニレンの内部がアルキル基を有する炭素で架橋されている化合物である本発明に係る化合物もH-2を含む化合物に比べるとイオン化ポテンシャルが低いと考えられる。さらに、本発明に係る新規縮合多環化合物のH-1の部分にアルキル基が置換する場合、その効果はさらに大きくなる。表2に示すように、H-1の構造を含む化合物であるA-2-8は、H-2の構造を含む化合物であるe-1より0.22eVイオン化ポテンシャルが低い。尚、表2においてイオン化ポテンシャルの測定はガラス基板上に真空蒸着により成膜した、厚さ20nmの蒸着膜を大気光電子分光装置理研計器社製AC-3によって測定した。以上の効果は、実施例12及び比較例2で示すように、有機発光素子の発光層のホスト材料としてA-2-8を用いた場合にe-1を用いた場合より、電流が流れやすく、低電圧で4000cd/m2の発光を観測した。本発明の新規縮合多環化合物H-1を用いた化合物を有機発光素子における発光層のホスト材料として用いた場合、正孔輸送層からの注入障壁を低下させ、有機発光素子の駆動電圧を低下させる効果がある。4.分子間での会合を抑制することについての説明本発明に係る新規縮合多環化合物H-1が分子間の重なりが少ないので、化合物の発光特性に関して、分子会合による濃度消光や、エキサイマー発光を抑えることができる。本発明に係る新規縮合多環化合物は、有機発光素子の発光層のホスト材料に用いることが好ましい。なぜならば、ホールが注入されやすく、かつ濃度消光やエキサイマー発光を抑制できるからである。ここで、ホスト材料とは、発光層が有する化合物の中で最も重量比が大きい化合物である。また、ゲスト材料とは、発光層が有する化合物の中で、重量比がホスト材料よりも小さく、かつ主たる発光をする化合物である。そして、アシスト材料とは、発光層が有する化合物の中で重量比がホスト材料よりも小さく、かつ発光を助ける化合物である。本発明に係る縮合多環化合物の具体例を以下に示す。しかし、本発明はこれらに限られるものではない。例示化合物の性質1A群について表3にA群の例示化合物の代表例の希薄溶液中でのT1の実測値を示す。尚、T1の測定はトルエン溶液1×10-4mol/lを77Kに冷却し、励起波長350nmにて燐光発光スペクトルを測定し、第一発光ピークをT1とした。装置は日立製分光光度計U-3010を用いた。A-2-2、A-2-4、A-2-6及びA-2-8は一般式[3]においてR1及びR2が水素原子でR3及びR4がメチル基で、Arが各々異なる置換基を有するものである。これらのT1はすべて、470nm以上472nm以下の範囲に含まれ、かつほぼ等しい。A-1-8、A-2-6及びA-3-1は一般式[2]及至[4]においてR1及びR2が水素原子でR3及びR4がメチル基で、Arがジメチルフルオレニル基であるが、T1はすべて、470nm以上472nm以下の範囲に含まれかつほぼ等しい。以上の2点から、本発明の一般式[2]及至[4]において、Ar基の単体でのT1が母骨格H-1の単体のT1より低い場合、T1は母骨格H-1に起因する値となる。すなわち、分子全体のT1は母骨格のT1と置換基のT1とで低い方に起因する値となる。上記の場合となるAr基としては、ジメチルフルオレニル基、ジベンゾチオフェニル基、フェナンスレニル基、トリフェニレニル基、ナフチル基等が挙げられる。この場合は分子全体のT1はすべて470nm以上472nm以下程度の範囲の値となる。以上により、A群の例示化合物はT1が470nm以上472nm以下程度の範囲であり、T1のエネルギーが高い。緑燐光を発光する燐光発光化合物のT1は490nm以上530nm以下であり、本発明に係る化合物はそれよりも高いT1エネルギーを有する。従って、本発明に係る縮合多環化合物は緑燐光を発光する有機発光素子の発光層のホスト材料に用いることが好ましい。同じ発光層に含まれるゲスト材料にエネルギーを移動させる場合、エネルギーの損失が小さいためである。さらに、本発明に係る縮合多環化合物は赤燐光を発光する有機発光素子の発光層のホスト材料もしくは緑燐光を発光する有機発光素子の電子輸送層の電子輸送材料として用いることができる。この場合緑燐光発光する化合物は発光層のゲスト材料である。2B群についてB群に例示する化合物は一般式[1]及至[4]においてArに蛍光量子収率が高い縮合多環例えばピレン、アントラセン、ペリレンが置換するものである。これらの化合物は蛍光量子収率が高く、蛍光発光する有機発光素子の発光層のホスト材料として用いる場合、高効率の発光素子を提供することができる。3C群についてC群に例示する化合物は一般式[1]において、R1乃至R2およびR5がアリール基である化合物群を示す。これらは、母骨格H-1を覆うように嵩高いアリール基が置換するため、分子間での会合を抑制効果が非常に大きく、ガラス転移温度も高い。また、蛍光量子収率が高い、ビフェニル基、フルオレニル基を置換することで、蛍光量子収率が増大する。合成ルートの説明本発明に係る縮合多環化合物の合成ルートの一例を説明する。本発明の母骨格である中間体a-4は、4ブロモフルオレン中間体a-1及びクロロブロモヨードベンゼンとの鈴木-宮浦カップリング反応、ヘック反応により合成することができる。a-4は各々の一般式[1]及至[3]の化合物を合成する原料として有効なクロロ体に導くことができる。中間体a-4はクロロ体以外のハロゲン体、トリフラート体またはピナコールボロン体でも良い。また、中間体a-4においてR1及びR2が水素原子である中間体a-6を用いことで、Ar1とAr2の2種類のアリール基を中間体a-6から選択することができる。有機発光素子の説明次に本実施形態に係る有機発光素子を説明する。本実施形態に係る有機発光素子は一対の電極の一例である陽極と陰極とそれらの間に配置された有機化合物層とを有し、この有機化合物層が一般式[1]及至[3]で示される有機化合物の少なくともいずれかを有する素子である。本発明に係る有機化合物を用いて作製される有機発光素子の層構成としては、基板上に、順次陽極、発光層、陰極を設けた構成のものが挙げられる。他にも順次陽極、正孔輸送層、電子輸送層、陰極を設けた構成のものが挙げられる。また順次陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を設けたものや順次陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を設けたものや順次、陽極、正孔輸送層、発光層、正孔エキシトンブロッキング層、電子輸送層、陰極を設けたものが挙げられる。ただしこれら5種の多層型の例はあくまでごく基本的な素子構成であり、本発明に係る化合物を用いた有機発光素子の構成はこれらに限定されるものではない。本発明の一般式[1]及至[3]で表される有機化合物を発光層のホスト材料またはゲスト材料として用いることができる。特に燐光ホスト材料として用いた場合、490nmから660nmの領域に発光ピークを持つ緑から赤領域に発光するゲスト材料と組み合わせた場合、三重項エネルギーのロスが少ないため、発光素子の効率が高い。本発明に係る縮合多環化合物をホスト材料として用いる場合、発光層の中のホスト材料が占める割合は、70wt以上99.9wt以下であることが好ましく、90wt以上99.5wt以下であることがさらに好ましい。なお、本発明に係る有機化合物をゲスト材料として用いる場合、ホスト材料に対するゲスト材料の濃度は0.1wt以上30wt以下であることが好ましく、0.5wt以上10wt以下であることがより好ましい。本実施形態に係る有機発光素子は本発明に係る有機化合物以外にも、必要に応じて従来公知の低分子系及び高分子系の材料等を一緒に使用することができる。以下にこれらの化合物例を挙げる。正孔注入性材料あるいは正孔輸送性材料としては、正孔移動度が高い材料であることが好ましい。正孔注入性能あるいは正孔輸送性能を有する低分子及び高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン、その他導電性高分子が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。ホスト材料としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレン誘導体、縮合環芳香族化合物例えばナフタレン誘導体、フェナントレン誘導体、フルオレン誘導体、クリセン誘導体、など、有機金属錯体例えば、トリス8-キノリノラートアルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体、有機イリジウム錯体、有機プラチナ錯体等およびポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリアセチレン誘導体等の高分子誘導体が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。ゲスト材料としては、以下に示す、燐光発光性のIr錯体や、プラチナ錯体等が挙げられる。例示化合物K-1乃至K-3およびK-5は緑色の光を発する化合物である。また、蛍光発光性のドーパントを用いることもでき、縮環化合物例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、アントラセン誘導体、ルブレン等、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、スチルベン誘導体、トリス8-キノリノラートアルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体、及びポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体等の高分子誘導体が挙げられる。電子注入性材料あるいは電子輸送性材料としては、ホール注入性材料あるいはホール輸送性材料のホール移動度とのバランス等を考慮し選択される。電子注入性能あるいは電子輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。陽極材料としては、仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン等の金属単体あるいはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウムITO、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物である。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーでもよい。これらの電極物質は単独で使用してもよいし複数併用して使用してもよい。また、陽極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。一方、陰極材料としては、仕事関数の小さなものがよい。例えば、リチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えば、マグネシウム-銀、アルミニウム-リチウム、アルミニウム-マグネシウム等が使用できる。酸化錫インジウムITO等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は単独で使用してもよいし、複数併用して使用してもよい。また、陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。本実施形態に係る有機発光素子において、本実施形態に係る有機化合物を含有する層及びその他の有機化合物からなる層は、以下に示す方法により形成される。一般には真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング法、プラズマあるいは、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、LB法、インクジェット法等により層を形成する。ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で形成する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ABS樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として1種単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。有機発光素子の用途本発明に係る有機発光素子は、表示装置や照明装置に用いることができる。他にも電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライトなどがある。表示装置は本実施形態に係る有機発光素子を表示部に有する。この表示部は複数の画素を有する。この画素は本実施形態に係る有機発光素子と発光輝度を制御するためのスイッチング素子の一例としてTFT素子とを有し、この有機発光素子の陽極または陰極とTFT素子のドレイン電極またはソース電極とが接続されている。本実施形態に係る有機発光素子を有する表示装置は、PC等の画像表示装置として用いることができる。表示装置は、エリアCCD、リニアCCD、メモリーカード等からの画像情報を入力する入力部を有し、入力された画像を表示部に出力する画像入力装置でもよい。また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部として、外部から入力された画像情報を表示する画像出力機能と操作パネルとして画像への加工情報を入力する入力機能との両方を有していてもよい。また表示装置はマルチファンクションプリンタ、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルカメラの表示部に用いられてもよい。本実施形態に係る照明装置は、有機発光素子とその有機発光素子に接続されたインバータ回路とを有する。照明光の色は白色でも昼白色でも単色光でもよく、特に限定されない。次に本実施形態に係る有機発光素子を使用した表示装置について図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る有機発光素子と、有機発光素子に接続するスイッチング素子の一例であるTFT素子とを示した表示装置の断面模式図である。本図では有機発光素子とTFT素子との組が2組図示されている。構造の詳細を以下に説明する。この表示装置は、ガラス等の基板1とその上部にTFT素子又は有機化合物層を保護するための防湿膜2が設けられている。また符号3は金属のゲート電極3である。符号4はゲート絶縁膜4であり、5は半導体層である。TFT素子8は半導体層5とドレイン電極6とソース電極7とを有している。TFT素子8の上部には絶縁膜9が設けられている。コンタクトホール10を介して有機発光素子の陽極11とソース電極7とが接続されている。表示装置はこの構成に限られず、陽極または陰極のうちいずれか一方とTFT素子ソース電極またはドレイン電極のいずれか一方とが接続されていればよい。有機化合物層12は本図では多層の有機化合物層を1つの層の如く図示をしている。陰極13の上には有機発光素子の劣化を抑制するための第一の保護層14や第二の保護層15が設けられている。本実施形態に係る表示装置においてスイッチング素子に特に制限はなく、例えばTFT素子やMIM素子等が挙げられる。TFT素子は単結晶シリコン型やa-Si型の素子等を用いてもよい。以下、本発明について実施例を用いて詳細に説明する。なお本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1[例示化合物A-2-8の合成]以下に示す合成スキームにより合成した。化合物b-3の合成300ml三ツ口フラスコに、化合物b-1、7.0g26.0mmol、化合物b-2、7.57ml52.0mmol、トルエン100ml、トリエチルアミン20mlを入れ、窒素雰囲気中、室温で攪拌下、[1,1’-ビスジフェニルホスフィノプロパン]ジクロロニッケル、1.4gを添加した。80度に昇温し、8時間攪拌した。反応後有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムトルエン、ヘプタン混合、展開溶媒で精製し、化合物b-3白色オイル7.45g収率90.3を得た。化合物b-5の合成300ml三ツ口フラスコに、窒素雰囲気中、化合物b-3、9.69g35.9mmol、化合物b-4、17.053.6mmol、炭酸セシウム、32.5g100mmolをトルエン100ml、エタノール50ml及び水50mlを入れ、窒素雰囲気中、室温で攪拌下、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、2.07gを添加した。80度に昇温し、12時間攪拌した。反応後有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムトルエン、ヘプタン混合、展開溶媒で精製し、化合物b-5白色オイル9.56g収率69.7を得た。化合物b-6の合成200ml三ツ口フラスコに、窒素雰囲気中、化合物b-5、4.2g11.0mmol、DBU、3.34g44.0mmol及びDMF80mlを入れ、窒素雰囲気中、室温で攪拌下、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド、1.54gを添加した。150度に昇温し、24時間攪拌した。反応後、DMFを留去し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムトルエン、ヘプタン混合、展開溶媒で精製し、化合物b-6透明固体1.73g収率52.0を得た。例示化合物A-2-8の合成100ml三ツ口フラスコに、化合物b-6、0.50g1.66mmol、化合物b-7、0.765g1.66mmol、リン酸カリウム、0.185g、トルエン30ml、水、0.2mlを入れ、窒素雰囲気中、室温で攪拌下、酢酸パラジウム、20mg及び化合物b-8、79mgを添加した。80度に昇温し、5時間攪拌した。反応後有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムトルエン、ヘプタン混合、展開溶媒で精製し、例示化合物A-2-8白色固体0.751g収率75を得た。質量分析法により、例示化合物A-2-8のMである603を確認した。また、1HNMR測定により、例示化合物A-2-8の構造を確認した。1HNMRCDCl3,400MHzσppm:8.91s,1H,8.72d,1H,8.39d,1H,8.33d,1H,8.22‐8.13m,3H,8.01d,1H,7.86‐7.59m,14H,7.50‐7.49m,2H,1.70s,6H以下の化合物についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定した。例示化合物A-2-8のT1の測定値は470nmであった。尚、T1の測定はトルエン溶液1×10-4mol/lを77Kに冷却し、励起波長350nmにて燐光発光スペクトルを測定し、第一発光ピークをT1として用いた。測定装置は日立製分光光度計U-3010を用いた。例示化合物A-2-8についてイオン化ポテンシャルを測定したところ、6.16eVであった。尚、イオン化ポテンシャルの測定はガラス基板上に真空蒸着により成膜した、厚さ20nmの蒸着膜を大気光電子分光装置理研計器社製AC-3を用いて測定した。実施例2[例示化合物A-1-2の合成]実施例1と同様にして、化合物b-7を以下の化合物c-1に変えて、例示化合物A-1-2を合成した。質量分析法により、例示化合物A-1-2のMである572を確認した。また、実施例1と同様にして例示化合物A-1-2についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、471nmであった。実施例3[例示化合物A-1-8の合成]実施例1と同様にして、化合物b-7を以下の化合物c-2に変えて、例示化合物A-1-8を合成した。質量分析法により、例示化合物A-1-8のMである536を確認した。また、実施例1と同様にして例示化合物A-1-2についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、472nmであった。実施例4[例示化合物A-2-2の合成]実施例1と同様にして、化合物b-7を以下の化合物c-3に変えて、例示化合物A-2-2を合成した。質量分析法により、例示化合物A-2-2のMである648を確認した。また、実施例1と同様にして例示化合物A-2-2についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、470nmであった。実施例5[例示化合物A-2-4の合成]実施例1と同様にして、化合物b-7を以下の化合物c-4に変えて、例示化合物A-2-4を合成した。質量分析法により、例示化合物A-2-4のMである596を確認した。また、実施例1と同様にして例示化合物A-2-4についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、472nmであった。実施例6[例示化合物A-2-6の合成]実施例1と同様にして、化合物b-7を以下の化合物c-5に変えて、例示化合物A-2-6を合成した。質量分析法により、例示化合物A-2-6のMである613を確認した。また、実施例1と同様にして例示化合物A-2-6についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、472nmであった。実施例7[例示化合物A-3-1の合成]実施例1と同様にして、化合物b-7を以下の化合物c-6に変えて、例示化合物A-3-1を合成した。質量分析法により、例示化合物A-3-1のMである652を確認した。また、実施例1と同様にして例示化合物A-3-1についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、472nmであった。実施例8[例示化合物A-4-2の合成]実施例1と同様にして、化合物b-1を以下の化合物c-7に変えて、化合物b-7を以下の化合物c-8に変えて、例示化合物A-4-2を合成した。質量分析法により、例示化合物A-4-2のMである760を確認した。また、実施例1と同様にして例示化合物A-4-2についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、473nmであった。実施例9[例示化合物A-4-3の合成]実施例1と同様にして、化合物b-1を以下の化合物c-7に変えて、化合物b-7を以下の化合物c-9に変えて、例示化合物A-4-3を合成した。質量分析法により、例示化合物A-4-3のMである639を確認した。また、実施例1と同様にして例示化合物A-4-3についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、473nmであった。実施例10[例示化合物A-5-2の合成]100ml三ツ口フラスコに、化合物b-6、0.50g1.66mmol、化合物c-10、0.284g0.70mmol、リン酸カリウム、0.185g、トルエン30ml、0.2mlを入れ、窒素雰囲気中、室温で攪拌下、酢酸パラジウム、20mg及び化合物b-8、79mgを添加した。80度に昇温し、5時間攪拌した。反応後有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムトルエン、ヘプタン混合、展開溶媒で精製し、例示化合物A-5-2白色固体0.332g収率69を得た。質量分析法により、例示化合物A-5-2のMである687を確認した。また、実施例1と同様にして例示化合物A-4-3についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、470nmであった。実施例11[例示化合物A-5-3の合成]実施例10と同様にして化合物c-10を以下の化合物c-11に変えて、例示化合物A-5-3を合成した。質量分析法により、例示化合物A-5-3のMである727を確認した。また、実施例1と同様にして例示化合物A-5-3についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、471nmであった。比較例1[比較化合物e-1の合成]実施例1と同様にして、化合物b-6をブロモトリフェニレンに変えて、比較化合物e-1を合成した。質量分析法により、比較化合物e-1のMである562を確認した。比較化合物e-1についてイオン化ポテンシャルを測定したところ、6.38eVであった。尚、イオン化ポテンシャルの測定はガラス基板上に真空蒸着により成膜した、厚さ20nmの蒸着膜を大気光電子分光装置理研計器社製AC3を用いて測定した。実施例12本実施例では、基板上に順次陽極/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極が設けられた構成の有機発光素子を以下に示す方法で作製した。ガラス基板上に、陽極としてITOをスパッタ法にて膜厚120nmで製膜したものを透明導電性支持基板ITO基板として使用した。このITO基板上に、以下に示す有機化合物層及び電極層を、10-5Paの真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着によって連続的に製膜した。このとき対向する電極面積は3mm2になるように作製した。正孔輸送層30nmd-1発光層30nmホストA-2-8、ゲスト:d-2重量比15ホールエキシトンブロッキング層10nmd-3電子輸送層30nmd-4金属電極層11nmLiF金属電極層2100nmAl得られた有機発光素子について、ITO電極を正極、Al電極を負極にして、4.0Vの印加電圧をかけたところ、電流密度5.54mA/cm2であった。また、発光輝度が4000cd/m2の時の電圧は4.0V、発光効率は69cd/Aで、CIE色度座標0.35,0.62の緑色発光が観測された。比較例2実施例12と同様にして、発光層ホストである、A-2-8を以下の比較化合物e-1変えて以外は同様にして有機発光素子を作成した。得られた有機発光素子について、ITO電極を正極、Al電極を負極にして、4.0Vの印加電圧をかけたところ、電流密度0.52mA/cm2であった。また、発光輝度が4000cd/m2の時の電圧は4.8V、発光効率は69cd/Aで、CIE色度座標0.35,0.62の緑色発光が観測された。実施例13[例示化合物C-1-1の合成]以下に示す合成スキームにより例示化合物C-1-1を合成した。化合物b-11の合成50ml三ツ口フラスコに、化合物b-6、0.906g3.0mmol、化合物b-9、1.52g6.0mmol、化合物b-10、0.161g0.60mmolシクロヘキサン20mlを入れ、窒素雰囲気中、室温で攪拌下、1,5‐シクロオクタジエンメトキシイリジウムIダイマー、0.20gを添加した。100度に昇温し、8時間攪拌した。反応後有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムトルエン、ヘプタン混合、展開溶媒で精製し、化合物b-11白色固体1.08g収率65を得た。化合物b-13の合成50ml三ツ口フラスコに、窒素雰囲気中、化合物b-11、1.0g1.81mmol、化合物b-12、0.501g2.16mmol、炭酸ナトリウム、0.954g9mmolをトルエン15ml、エタノール5ml及び水10mlを入れ、窒素雰囲気中、室温で攪拌下、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、0.104gを添加した。80度に昇温し、5時間攪拌した。反応後有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムトルエン、ヘプタン混合、展開溶媒で精製し、化合物b-13白色固体0.905g収率82.5を得た。例示化合物C‐1-1の合成50ml三ツ口フラスコに、化合物b-13、0.60g1.0mmol、化合物b-14、0.165g1.20mmol、リン酸カリウム、1.06g、トルエン30ml、水、0.2mlを入れ、窒素雰囲気中、室温で攪拌下、酢酸パラジウム、20mg及び化合物b-8、79mgを添加した。80度に昇温し、5時間攪拌した。反応後有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムトルエン、ヘプタン混合、展開溶媒で精製し、例示化合物C-1-1白色固体0.55g収率76を得た。質量分析法により、例示化合物C-1-1のMである724を確認した。また、1HNMR測定により、例示化合物C-1-1の構造を確認した。1HNMRCDCl3,400MHzσppm:8.96s,1H,8.81d,1H,8.58d,2H,8.03‐8.02m,4H,7.89s,2H,7.83‐7.79m,3H,7.75‐7.70m,6H,7.65‐7.59m,6H,7.53‐7.46m,6H,7.42‐7.37m,3H,1.81s,6H以下の化合物についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定した。例示化合物C-1-1のT1の測定値は482nmであった。尚、T1の測定はトルエン溶液1×10-4mol/lを77Kに冷却し、励起波長350nmにて燐光発光スペクトルを測定し、第一発光ピークをT1として用いた。測定装置は日立製分光光度計U-3010を用いた。実施例14[例示化合物C‐1-2の合成]実施例13と同様にして化合物b-12を以下の化合物c-12に変えて、化合物b-14を以下の化合物c-13に変えて、例示化合物A-5-3を合成した。質量分析法により、例示化合物C‐1-2のMである844を確認した。また、実施例13と同様にして例示化合物C‐1-2についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、473nmであった。実施例15[例示化合物A‐1-13の合成]実施例1と同様にして化合物b-7を以下の化合物c-14に変えて、例示化合物A‐1-13を合成した。質量分析法により、例示化合物A‐1-13のMである724を確認した。また、実施例13と同様にして例示化合物A‐1-13についてトルエン希薄溶液中でのT1を測定したところ、472nmであった。実施例16実施例12と同様にして、発光層ホストである、A-2-8を例示化合物C-1-1変えた以外は同様にして有機発光素子を作成した。得られた有機発光素子について、ITO電極を正極、Al電極を負極にして、4.0Vの印加電圧をかけたところ、電流密度0.48mA/cm2であった。また、発光輝度が4000cd/m2の時の電圧は4.6V、発光効率は63cd/Aで、緑色発光が観測された。"