"内部に冷媒15が流れる冷媒通路が形成されたケース20と、前記冷媒通路内に一部が配置され、内部に設けられた素子を含む素子モジュール21と、を備え、前記素子モジュール21のうち前記冷媒15と接触する部分は、絶縁材料によって形成された、冷却器。前記素子モジュール21は、前記冷媒15に接触する第1絶縁基板50と、前記第1絶縁基板50と対向すると共に前記第1絶縁基板50から間隔をあけて配置され、前記冷媒15と接触する第2絶縁基板51と、前記第1絶縁基板50および前記第2絶縁基板51の間に充填され、絶縁材料から形成された樹脂部52とを含み、前記素子は、前記第1絶縁基板50と前記第2絶縁基板51との間に設けられ、前記樹脂部52内に配置された、請求項1に記載の冷却器。前記第1絶縁基板50は、前記第2絶縁基板51と対向する第1内側面54と、前記第1内側面54に対して前記第2絶縁基板51と反対側に位置する第1外側面53とを含み、前記第2絶縁基板51は、前記第1絶縁基板50と対向する第2内側面56と、前記第2内側面56に対して前記第1絶縁基板50と反対側に位置する第2外側面55とを含み、前記樹脂部52は、前記第1絶縁基板50および第2絶縁基板51の間から前記第1外側面53および前記第2外側面55に達し、前記第2外側面55の一部を覆うように形成され、前記第1外側面53には、前記樹脂部52から露出して前記冷媒15と接触する第1冷却面が形成され、前記第2外側面55には、前記樹脂部52から露出して前記冷媒15と接触する第2冷却面が形成され、前記第1絶縁基板50と前記第2絶縁基板51と前記素子とを、前記第1絶縁基板50および前記第2絶縁基板51の配列方向から見ると、前記素子は、前記第1冷却面および前記第2冷却面内に位置する、請求項2に記載の冷却器。前記樹脂部52は、前記第1絶縁基板50および第2絶縁基板51の間から前記第1外側面53および前記第2外側面55の一部を覆うように形成され、前記第1絶縁基板50および第2絶縁基板51の外周に沿って延びる縁部を含み、前記第1冷却面は、前記第1外側面53のうち前記縁部から露出する部分に形成され、前記第2冷却面は、前記第2外側面55のうち前記縁部から露出する部分に形成され、前記冷媒通路の内表面には、前記縁部の一部を受け入れる受入部が形成された、請求項3に記載の冷却器。前記第1絶縁基板50は、前記第1冷却面から張り出す複数の第1冷却フィンを含み、前記第2絶縁基板51は、前記第2冷却面から張り出す複数の第2冷却フィンを含む、請求項3に記載に冷却器。前記第1絶縁基板50および前記第2絶縁基板51は、セラミックスから形成された、請求項2に記載の冷却器。前記第1絶縁基板50は、前記第2絶縁基板51と対向する第1内側面54と、前記第1内側面54に対して前記第2絶縁基板51と反対側に位置する第1外側面53とを含み、前記第2絶縁基板51は、前記第1絶縁基板50と対向する第2内側面56と、前記第2内側面56に対して前記第1絶縁基板50と反対側に位置する第2外側面55とを含み、前記素子は、第1単位素子D1と、前記第1単位素子D1よりも発熱量の多い第2単位素子Q1とを含み、前記第1単位素子D1は前記第2内側面56よりも前記第1内側面54に近い位置に設けられ、前記第2単位素子Q1は前記第1内側面54よりも前記第2内側面56に近い位置に設けられ、前記第2外側面55と前記冷媒通路の内壁面との間の距離は、前記第1外側面53と前記冷媒通路の内壁面との間の距離よりも小さい、請求項2に記載の冷却器。前記冷媒通路の内表面には、複数の凹部または複数の凸部の少なくとも一方が形成された、請求項1に記載の冷却器前記ケースは、樹脂成形によって一体成形された、請求項1に記載の冷却器。2006-339239号公報に記載された半導体装置においては、発熱素子の電極が冷媒に直接接触しており、絶縁性冷媒以外の冷媒を採用することができないという問題がある。特開2010-177529号公報に記載された半導体装置においては、ヒートシンク上にトランジスタが配置されているため、トランジスタを冷媒内に浸漬した場合よりも冷却効率が低くなる。特開2006-166604号公報に記載された電力変換装置においても、パワー半導体モジュールは、冷却液内に浸漬されていないため、パワー半導体モジュールを冷却液内に浸漬した場合よりも冷却効率が低くなる。特開2005-57212号公報に記載された浸漬式両面放熱パワーモジュールにおいては、冷却水と接触するパッケージが絶縁材料で形成されていない。このため、膜厚の厚い熱伝導性絶縁層を採用する必要が生じたり、パワー素子とパッケージの内壁面との間の距離を広くする必要が生じる。この結果、放熱モジュールが大型化するという問題が生じる。特開2008-283067号公報に記載された冷却器においては、冷却管の間に配置された半導体モジュールと冷却管との熱膨張係数が異なり、半導体モジュールが高温となると、半導体モジュールが損傷するおそれがある。その一方で、半導体モジュールと冷却管との間に隙間が設けられると、半導体モジュールの冷却効率が著しく低下するという問題が生じる。また、上記冷却器と同様の問題が特開2005-191527号公報に記載された積層型冷却器においても生じる。本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、各種の冷媒を採用することができると共に、小型で高い冷却性能を発揮することができる冷却器を提供することである。本発明に係る冷却器は、内部に冷媒が流れる冷媒通路が形成されたケースと、冷媒通路内に一部が配置され、内部に設けられた素子を含む素子モジュールとを備える。上記素子モジュールのうち冷媒と接触する部分は、絶縁材料によって形成される。好ましくは、上記素子モジュールは、冷媒に接触する第1絶縁基板と、第1絶縁基板と対向すると共に第1絶縁基板から間隔をあけて配置され、冷媒と接触する第2絶縁基板と、第1絶縁基板および第2絶縁基板の間に充填され、絶縁材料から形成された樹脂部とを含む。上記素子は、第1絶縁基板と第2絶縁基板との間に設けられ、樹脂部内に配置される。好ましくは、上記第1絶縁基板は、第2絶縁基板と対向する第1内側面と、第1内側面に対して第2絶縁基板と反対側に位置する第1外側面とを含む。上記第2絶縁基板は、第1絶縁基板と対向する第2内側面と、第2内側面に対して第1絶縁基板と反対側に位置する第2外側面とを含む。上記樹脂部は、第1絶縁基板および第2絶縁基板の間から第1外側面および第2外側面に達し、第2外側面の一部を覆うように形成される。上記第1外側面には、樹脂部から露出して冷媒と接触する第1冷却面が形成される。上記第2外側面には、樹脂部から露出して冷媒と接触する第2冷却面が形成される。上記第1絶縁基板と第2絶縁基板と素子とを、第1絶縁基板および第2絶縁基板の配列方向から見ると、素子は、第1冷却面および第2冷却面内に位置する。好ましくは、上記樹脂部は、第1絶縁基板および第2絶縁基板の間から第1外側面および第2外側面の一部を覆うように形成され、第1絶縁基板および第2絶縁基板の外周に沿って延びる縁部を含む。上記第1冷却面は、第1外側面のうち縁部から露出する部分に形成され、第2冷却面は、第2外側面のうち縁部から露出する部分に形成される。上記冷媒通路の内表面には、縁部の一部を受け入れる受入部が形成される。好ましくは、上記第1絶縁基板は、第1冷却面から張り出す複数の第1冷却フィンを含む。上記第2絶縁基板は、第2冷却面から張り出す複数の第2冷却フィンを含む。好ましくは、上記第1絶縁基板および第2絶縁基板は、セラミックスから形成される。好ましくは、上記第1絶縁基板は、第2絶縁基板と対向する第1内側面と、第1内側面に対して第2絶縁基板と反対側に位置する第1外側面とを含む。上記第2絶縁基板は、第1絶縁基板と対向する第2内側面と、第2内側面に対して第1絶縁基板と反対側に位置する第2外側面とを含む。上記素子は、第1単位素子と、第1単位素子よりも発熱量の多い第2単位素子とを含み、第1単位素子は第2内側面よりも第1内側面に近い位置に設けられ、第2単位素子は第1内側面よりも第2内側面に近い位置に設けられる。上記第2外側面と冷媒通路の内壁面との間の距離は、上記第1外側面と冷媒通路の内壁面との間の距離よりも小さい、好ましくは、上記冷媒通路の内表面には、複数の凹部または複数の凸部の少なくとも一方が形成される。好ましくは、上記ケースは、樹脂成形によって一体成形される。本発明に係る冷却器によれば、各種の冷媒を採用することができ、小型で高い冷却性能を得ることができる。以下に、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。また、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下に複数の実施の形態が存在する場合、特に記載がある場合を除き、各々の実施の形態の構成を適宜組み合わせることは、当初から予定されている。図1は、本発明の1つの実施の形態に係る半導体素子の冷却装置が適用されるPCUの主要部の構成を示す回路図である。なお、図1に示されるPCU100は、車両を駆動する回転電機の制御装置である。図1を参照して、PCU100は、コンバータ110と、インバータ120,130と、制御装置140と、コンデンサC1,C2とを含む。コンバータ110は、バッテリBとインバータ120,130との間に接続され、インバータ120,130は、それぞれ、モータジェネレータMG1,MG2と接続される。コンバータ110は、パワートランジスタQ13,Q14と、ダイオードD13,D14と、リアクトルLとを含む。パワートランジスタQ13,Q14は直列に接続され、制御装置140からの制御信号をベースに受ける。ダイオードD13,D14は、それぞれパワートランジスタQ13,Q14のエミッタ側からコレクタ側へ電流を流すようにパワートランジスタQ13,Q14のコレクタ-エミッタ間にそれぞれ接続される。リアクトルLは、バッテリBの正極と接続される電源ラインPL1に一端が接続され、パワートランジスタQ13,Q14の接続点に他端が接続される。このコンバータ110は、リアクトルLを用いてバッテリBから受ける直流電圧を昇圧し、その昇圧した昇圧電圧を電源ラインPL2に供給する。コンバータ110は、インバータ120,130から受ける直流電圧を降圧してバッテリBを充電する。インバータ120,130は、それぞれ、U相アーム121U,131U、V相アーム121V,131VおよびW相アーム121W,131Wを含む。U相アーム121U、V相アーム121VおよびW相アーム121Wは、ノードN1とノードN2との間に並列に接続される。同様に、U相アーム131U、V相アーム131VおよびW相アーム131Wは、ノードN1とノードN2との間に並列に接続される。U相アーム121Uは、直列接続された2つのパワートランジスタQ1,Q2を含む。同様に、U相アーム131U、V相アーム121V,131VおよびW相アーム121W,131Wは、それぞれ、直列接続された2つのパワートランジスタQ3~Q12を含む。各パワートランジスタQ3~Q12のコレクタ-エミッタ間には、エミッタ側からコレクタ側へ電流を流すダイオードD3~D12がそれぞれ接続されている。インバータ120,130の各相アームの中間点は、それぞれ、モータジェネレータMG1,MG2の各相コイルの各相端に接続されている。モータジェネレータMG1,MG2においては、U,V,W相の3つのコイルの一端が中点に共通接続されて構成される。コンデンサC1は、電源ラインPL1,PL3間に接続され、電源ラインPL1の電圧レベルを平滑化する。コンデンサC2は、電源ラインPL2,PL3間に接続され、電源ラインPL2の電圧レベルを平滑化する。インバータ120,130は、制御装置140からの駆動信号に基づいて、コンデンサC2からの直流電圧を交流電圧に変換してモータジェネレータMG1,MG2を駆動する。制御装置140は、モータトルク指令値、モータジェネレータMG1,MG2の各相電流値、およびインバータ120,130の入力電圧に基づいてモータジェネレータMG1,MG2の各相コイル電圧を演算し、その演算結果に基づいてパワートランジスタQ1~Q11をオン/オフするPWMPulseWidthModulation信号を生成してインバータ120,130へ出力する。また、制御装置140は、上述したモータトルク指令値およびモータ回転数に基づいてインバータ120,130の入力電圧を最適にするためのパワートランジスタQ12,Q13のデューティ比を演算し、その演算結果に基づいてパワートランジスタQ12,Q13をオン/オフするPWM信号を生成してコンバータ110へ出力する。さらに、制御装置140は、モータジェネレータMG1,MG2によって発電された交流電力を直流電力に変換してバッテリBを充電するため、コンバータ110およびインバータ120,130におけるパワートランジスタQ1~Q14のスイッチング動作を制御する。PCU100の動作時において、コンバータ110およびインバータ120,130を構成するパワートランジスタQ1~Q14およびダイオードD1~D14は発熱する。したがって、これらの半導体素子の冷却を促進するための冷却装置を設ける必要がある。図2は、インバータ120を冷却する冷却回路10を模式的に示す回路図である。この図2に示すように、冷却回路10は、車両のラジエータ内に設けられた熱交換器11と、ポンプ12と、冷却器13と、冷媒15が内部を流れる冷媒管14とを備える。冷媒管14は、熱交換器11とポンプ12との間と、ポンプ12と冷却器13との間と、冷却器13と熱交換器11との間とを接続する。熱交換器11は、外気を用いて冷媒15を冷却する。冷却された冷媒15は、ポンプ12によって冷却器13に供給され、冷却器13は内部に設けられたインバータ120の各素子を冷却する。冷却器13から排出された冷媒15は、熱交換器11に供給され、熱交換器11内で冷却される。図3は、冷却器13の断面図であり、図4は、冷却器13の側断面図である。図3に示すように、冷却器13は、内部を冷媒15が流れるケース20と、ケース20の内部に設けられた複数の素子モジュール21,22,23,24,25,26とを備える。ケース20は、ケース20の内部に間隔をあけて配置された複数の仕切板32,33を含み、この仕切板32,33によってケース20内に複数の冷媒通路34,35,36が形成されている。なお、冷媒通路34と、冷媒通路35と、冷媒通路36とは直列的に接続されている。ケース20の周壁部には、供給口30と排出口31とが形成されており、供給口30と冷媒通路34とが連通し、排出口31と冷媒通路36とが連通している。このため、供給口30から冷媒通路34内に入り込んだ冷媒15は、冷媒通路34と、冷媒通路35と冷媒通路36とを順次流れ、排出口31から排出される。素子モジュール21の内部には、パワートランジスタQ1およびダイオードD1が設けられている。同様に、素子モジュール22,23,24,25,26内には、パワートランジスタQ2,Q3,Q4,Q5,Q6と、ダイオードD2,D3,D4,D5,D6とが設けられている。図4に示すように、ケース20は、上面が開口するケース本体41と、ケース本体41の開口部を覆う上壁部42と、上壁部42上に敷き詰められたポッティング材43とを含む。なお、ケース本体41および上壁部42は、たとえば、絶縁性材料から形成されている。仕切板32および仕切板33は、ケース本体41の底面に一体的に形成されており、仕切板32および仕切板33は、ケース本体41の底面から上方に向けて突出している。そして、ケース本体41の側壁部と仕切板33との間に冷媒通路36が形成されており、仕切板33および仕切板32の間に冷媒通路35が形成されている。また、仕切板32と、ケース本体41の側壁部との間に冷媒通路34が形成されている。冷媒15は、冷媒通路34、冷媒通路35および冷媒通路36の上端部まで満たされている。冷媒通路34には、素子モジュール21の下端部を受け入れる受入部44と、素子モジュール21の上端部を受け入れる受入部47とが形成されている。媒通路35には、素子モジュール24の下端部を受け入れる受入部45と、素子モジュール24の上端部を受け入る受入部48とが形成されている。冷媒通路36には、素子モジュール25の下端部を受け入れる受入部46と、素子モジュール25の上端部を受け入れる受入部49とが形成されている。受入部44、45,46は、ケース本体41の底面を凹ますことで形成されており、受入部47,48,49は、上壁部42に形成された貫通孔である。素子モジュール21,24,25の下端部は、受入部44,45,46にはめ込まれ、素子モジュール21,24,25の上端部は、受入部47,48,49に嵌め込まれている。素子モジュール21,24,25の上端部が、受入部47,48,49に嵌め込まれることで、各素子モジュール21,24,25の位置決めがされており、受入部44,45,46は、素子モジュール21,24,25の下端部よりも僅かに幅広に形成されている。素子モジュール21,24,25の上端面からは、各々電極配線が突出しており、各電極配線は、ポッティング材43を貫通している。素子モジュール21,24,25のうち、上端部および下端部の間に位置する部分は、冷媒通路34,35,36内に配置されており、素子モジュール21,24,25の当該部分は、冷媒15と直接接触する。このように、各素子モジュールを直接冷媒15に接触させることで、冷却器13の素子の冷却効率は高くなっている。各素子モジュール21~26は、いずれも、実質的に同じ構造となっている。そこで、代表的に素子モジュール21の構造を説明する。図5は、素子モジュール21の側面図であり、この図5および図3に示すように、ダイオードD1およびパワートランジスタQ1が冷媒15の流通方向に配列している。なお、この図5に示す例においては、ダイオードD1がパワートランジスタQ1よりも冷媒15の流通方向の上流側に配置されているが、パワートランジスタQ1をダイオードD1よりも冷媒15の流通方向の上流側に配置してもよい。一般的に、パワートランジスタQ1の発熱量の方がダイオードD1の発熱量よりも多い。このため、パワートランジスタQ1を冷媒15の流通方向の上流側に配置することで、ダイオードD1によって暖められていない冷媒15でパワートランジスタQ1を冷却することができ、パワートランジスタQ1を良好に冷却することができる。図6は、図5のVI-VI線における断面図であり、図7は、図5のVII-VII線における断面図である。図6において、素子モジュール21は、冷媒15と接触する絶縁基板50と、絶縁基板50と対向すると共に、絶縁基板50から間隔をあけて配置された絶縁基板51と、絶縁基板50および絶縁基板51の間に充填された絶縁樹脂52と、パワートランジスタQ1およびダイオードD1と、電極板57,58とを含む。絶縁基板51および絶縁樹脂52は、たとえば、セラミックス、アルミナ酸化アルミニウムAl2O3、窒化アルミ窒化アルミニウムなどの絶縁材料から形成されている。絶縁基板50は、外側面53と、絶縁基板51と対向する内側面54とを含む。外側面53は、内側面54に対して絶縁基板51と反対側に配置され、外側面53の一部は、冷媒15と接触する。絶縁基板51は、外側面55と、絶縁基板50と対向する内側面56とを含む。外側面55は、内側面56に対して絶縁基板50と反対側に配置されており、外側面55の一部は、冷媒15に直接接触している。電極板58は、絶縁基板51の内側面56に設けられており、電極板57は、絶縁基板50の内側面54に設けられている。図7に示すように、電極板57の上端部には、電極配線74が形成されており、さらに、電極板58の上端部には、電極配線73が形成されている。図6において、パワートランジスタQ1は、電極板58に固定されており、パワートランジスタQ1の一方の主表面が半田60によって電極板58に固定されている。パワートランジスタQ1の他方の主表面は、半田61によって電極板57の台座部に固定されている。ダイオードD1は、電極板57に固定されており、ダイオードD1の一方の主表面が半田62によって電極板57に固定されている。さらに、ダイオードD1の他方の主表面は半田63によって電極板58の台座部に固定されている。パワートランジスタQ1およびダイオードD1は、絶縁基板50と絶縁基板51との間に位置しており、絶縁樹脂52は絶縁基板50および絶縁基板51の間に充填されている。このため、パワートランジスタQ1およびダイオードD1は、絶縁樹脂52内に位置しており、パワートランジスタQ1およびダイオードD1が冷媒15と接触することが防止されている。絶縁樹脂52は、絶縁材料から形成されており、たとえば、BMC、エポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂やPPS、PBTなどの絶縁性の熱可塑性樹脂などから形成されている。図6および図7を参照して、絶縁樹脂52は、絶縁基板50と絶縁基板51との間から絶縁基板50の外側面53および絶縁基板51の外側面55に達し、外側面53および外側面55の一部を覆うように形成された縁部70を含む。縁部70は、絶縁基板50および絶縁基板51の外周縁部に沿って環状に形成されている。縁部70は、絶縁基板50,51の上辺部に沿って形成された上辺部70aと、絶縁基板50,51の下辺部に沿って形成された下辺部70bと、絶縁基板50,51の側辺部に沿って延びる側辺部70cとを含む。図7および図5において、上辺部70aおよび下辺部70bは、絶縁基板50および絶縁基板51の間から絶縁基板50,51の周縁部をとおり、外側面53,51に達するように形成されている。そして、上辺部70aおよび下辺部70bは、外側面53および外側面55の一部を覆うように形成されている。図6および図5に示すように、側辺部70cは、外側面53および外側面55と面一となるように形成されている。外側面53には、縁部70から露出する部分に冷却面71が形成されており、外側面55にも、縁部70から露出する冷却面72が形成されている。図4に示すように、各素子モジュール21,24,25の上辺部70aが受入部47,48,49に嵌め込まれ、下辺部70bが受入部44,45,46に嵌め込まれることで、素子モジュール21,24,25がケース20に固定されている。上辺部70aの上面は、上壁部42の上面より上方に位置しており、冷媒通路34の外側に位置している。電極配線73,74は、上辺部70aの上面から上方に突出しており、電極配線73,74が冷媒15と接触することが抑制されている。その一方で、素子モジュール21のうち、冷媒通路34内に位置して冷媒15と接触する部分は、絶縁材料によって形成されている。これにより、冷媒15として、絶縁冷媒に限られず、LLCロングライフクーラントなどの冷媒を採用することができる。これに伴い、一般的に車両に搭載されている冷却回路内に、図1に示す冷却回路10を組み込むこともでき、車両搭載機器のコンパクト化も図ることができる。素子モジュール21を絶縁基板50および絶縁基板51の配列方向から見ると、図5に示すように、パワートランジスタQ1およびダイオードD1は、絶縁基板51の冷却面72内に位置している。同様に、素子モジュール21の絶縁基板50を平面視すると、パワートランジスタQ1およびダイオードD1は、冷却面71内に位置している。このため、冷却面71および冷却面72に冷媒15が直接接触することで、パワートランジスタQ1およびダイオードD1が良好に冷却される。さらに、絶縁樹脂52の一部である上辺部70aを利用して、素子モジュール21をケース20に固定することで、部品点数の低減が図られている。本実施の形態1に係る冷却器13においては、上辺部70aと受入部47,48,49に嵌め込むことで各素子モジュール21,24,25の位置決めがなされている。絶縁基板50,51の上端部は、受入部47よりも下方に離れている。このため、受入部47の内壁面と上辺部70aとの間で熱応力が生じたとしても、絶縁基板50,51に大きな熱応力が加えられることが抑制されており、絶縁基板50,51の損傷の損傷が抑制されている。図8は、素子モジュールの絶縁樹脂52を充填するときの製造工程を示す断面図である。この図8に示すように、絶縁樹脂52を充填する際には、絶縁樹脂52が形成されていない素子モジュールを樹脂モールド装置80内に配置する。樹脂モールド装置80は、金型81と金型82とを含み、金型81および金型82によって樹脂モールド装置80内にはキャビティ83が形成されている。金型81には、キャビティ83と連通し、樹脂材料84が供給される供給口85が形成されている。そして、絶縁樹脂52を形成する際には、まず、素子モジュールをキャビティ83内に配置する。素子モジュールの絶縁基板50は、金型81の内壁面と接触し、絶縁基板51は、金型82と接触する。絶縁基板50の外側面のうち、金型81と接触している部分が冷却面71となり、絶縁基板51の外側面のうち、金型82と接触している部分が冷却面72となる。このように、絶縁基板50,51が金型81,82の内壁面と接触している状態で、キャビティ83内に樹脂材料84を充填する。この際、仮に、金型81,80の内壁面と絶縁基板50,51の外側面その間に僅かな隙間が形成されていると、冷却面71,72に僅かな樹脂が形成されることになる。本実施の形態に係る冷却器13においては、冷却面71,72の略全面に冷媒15が接触するため、冷却面71,72の一部に薄膜状の樹脂膜が形成されたしても、パワートランジスタQ1およびダイオードD1の冷却効率は殆ど低下しない。このため、絶縁樹脂52を形成する工程において、絶縁基板50,51に過大な荷重を加える必要がなく、絶縁基板50,51に加えられ荷重を低く抑えることができる。これにより、素子モジュールの製造過程において、絶縁基板50,51が損傷することを抑制することができ、歩留りの向上を図ることができる。また、図4において、ケース本体41は、上方に向けて開口する箱型形状に形成されており、仕切板32,33は、ケース本体41の底面から上方に向けて延びるように形成されている。このようなケース本体41および仕切板32,33は、射出成型によって簡単に一体的に樹脂成形することができ、冷却器13の製造工程数の低減が図られている。実施の形態2図9から図11および適宜図3などを用いて、本実施の形態2に係る冷却器13について説明する。なお、図9から図11に示す構成のうち、上記図1から図8に示す構成と同一または相当する構成については同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。図9は、本実施の形態2に係る冷却器13に搭載された素子モジュール21を示す断面図である。この図9に示す素子モジュール21は、冷却面71に設けられた複数の冷却フィン91と、冷却面72に設けられた複数冷却フィン90とを備える。冷却フィン90,91は、高さ方向に間隔をあけて複数形成されている。図10は、図9に示す素子モジュール21の側面図である。この図10に示すように、各冷却フィン90は、素子モジュール21の幅方向に延びている。換言すれば、各冷却フィン90は、冷媒15の流通方向に延びている。これにより、冷却フィン90によって、冷媒15の流通抵抗が過大に大きくなることが抑制されている。なお、冷却フィン91も冷却フィン90と同様に、冷媒15の流通方向に延びるように形成されている。図11は、冷却フィン90の変形例を示す素子モジュール21の側面図である。この図11に示す例においては、各冷却フィン90は、斜め方向に延びるように形成されている。このため、各冷却フィン90は、冷媒15の流通方向に対して交差するように配置されており、冷媒15が冷却フィン90の間を流れる際に、冷媒15の流れが乱され、乱流が生じやすくなっている。冷媒15の流れが乱流となることで、冷媒15による冷却効率を向上させることができる。なお、この図11に示す例においては、冷却フィン91も、冷却フィン90と同様に形成されている。このように、冷却フィン90,91は、様々な形状を採用することができる。実施の形態3図12および上記図6を用いて、本実施の形態3に係る冷却器13について説明する。図12は、本実施の形態3に係る冷却器13の断面図である。ここで、図6において、ダイオードD1は、絶縁基板51の内側面56よりも絶縁基板50の内側面54に近い位置に設けられており、パワートランジスタQ1は、絶縁基板50の内側面54よりも絶縁基板51の内側面56に近い位置に設けられている。図12において、素子モジュール21に着目すると、冷媒15は、絶縁基板50と素子モジュール21の内壁面との間と、絶縁基板51と仕切板32との間を流れる。そして、絶縁基板50の外側面とケース20の内壁面との間に形成された流路の流路幅W1よりも、絶縁基板51の外側面と仕切板32との間に形成された流路の流路幅W2の方が小さい。このため、絶縁基板51と仕切板32との間を流れる冷媒15の流速の方が、絶縁基板50とケース20の内壁面との間を流れる冷媒15の流速よりも速くなる。これにより、ダイオードD1よりも発熱量が多いパワートランジスタQ1が良好に冷却され、パワートランジスタQ1が高温となることを抑制することができる。なお、素子モジュール22も、素子モジュール21と同様に配置されており、素子モジュール21のパワートランジスタQ2が良好に冷却されている。素子モジュール23,24は、素子モジュール23,24と仕切板32との間の距離よりも、素子モジュール23、24と仕切板33との距離が小さくなるように配置されている。これにより、仕切板33と素子モジュール23,24の間を流れる冷媒15の流速は、仕切板32と素子モジュール23,24との間を流れる冷媒15の流速よりも速くなり、パワートランジスタQ3,Q4を良好に冷却することができる。なお、パワートランジスタQ3,Q4は、仕切板32と対向する絶縁基板よりも、仕切板33と対向する絶縁基板に近い位置に配されている。素子モジュール25,26は、素子モジュール25,26と仕切板33との間の距離よりも、ケース20の内壁面と素子モジュール25,26との間の距離の方が小さくなるように、配置されている。これにより、仕切板33と素子モジュール25,26の間を流れる冷媒15の流速よりも、ケース20の内壁面と素子モジュール25,26との間を流れる冷媒15の流速の方が速くなる。パワートランジスタQ5,Q6は、仕切板33よりもケース20の内壁面に近い位置に配置されているため、流速の速い冷媒15によって良好に冷却される。実施の形態4図13を用いて、本実施の形態4に係る冷却器13について説明する。図13は、本実施の形態4に係る冷却器13の断面図である。この図13に示すように、ケース20の内表面、仕切板32の表面および仕切板33の表面には、複数の凸部95および凹部96が形成されている。このように、冷媒通路34,35,36の内表面に複数の凸部95および凹部96を形成することで、冷媒通路34,35,36内を流れる冷媒15の流れを乱流とすることができる。これにより、各素子が良好に冷却される。なお、図13に示す例においては、複数の凹凸部を形成した例について説明したが、凹部のみを形成してもよく、さらには、凸部のみを形成するようにしてもよい。実施の形態5図14および図15を用いて、本実施の形態5に係る冷却器13について説明する。図14は、本実施の形態5に係る冷却器13に搭載された素子モジュール21を示す側面図である。この図14に示すように、パワートランジスタQ1およびダイオードD1は、素子モジュール21の高さ方向に配列している。この図14に示す例においては、パワートランジスタQ1は、ダイオードD1の上方に配置されている。図15は、本実施の形態5に係る冷却器13の断面図である。この図15において、素子モジュール21の絶縁基板51は、仕切板32と対向しており、絶縁基板50は、ケース本体41の内壁面と対向するように配置されている。同様に、素子モジュール24の絶縁基板51は、仕切板33と対向しており、素子モジュール21の絶縁基板50は、仕切板32と対向するように配置されている。素子モジュール25の絶縁基板50は、ケース本体41の内壁面と対向しており、素子モジュール25の絶縁基板51は、仕切板33と対向するように配置されている。パワートランジスタQ1,Q4、Q5は、絶縁基板50よりも絶縁基板51に近接するように配置されている。仕切板32のうち、素子モジュール21のパワートランジスタQ1と対向する部分には、素子モジュール21に向けて膨出部97が形成されている。さらに、仕切板33のうち、素子モジュール24のパワートランジスタQ4と対向する部分には、素子モジュール24に向けて張り出す膨出部98が形成されている。ケース20内壁面のうち、素子モジュール25のパワートランジスタQ5と対向する部分には、素子モジュール25に向けて張り出す膨出部99が形成されている。このため、膨出部97,98,99と素子モジュール21,23,25との間を流れる冷媒15の流速は、冷媒通路3435,36の他の部分を流れる冷媒15の流速よりも速くなる。この結果、パワートランジスタQ1、Q4,Q5を良好に冷却することができる。なお、上記実施の形態1~5においては、図1に示すインバータ120の冷却装置について説明したが、インバータ130の冷却器やコンバータ110を冷却する冷却器にも適用することができることはいうまでもない。また、1つの冷却器でインバータ120、130およびコンバータ110の各素子を冷却するようにしてもよい。さらに、インバータ120を冷却する冷却器と、インバータ130を冷却する冷却器と、コンバータ110を冷却する冷却器とを接続する際には、冷媒15の流通方向に直列的に接続する。具体的には、図16に示すように、冷却回路10は、インバータ120の素子を冷却する冷却器13Aと、インバータ130の素子を冷却する冷却器13Bと、コンバータ110の素子を冷却する冷却器13Cとを含む。そして、冷媒管14は、冷却器13Aと、冷却器13Bと冷却器13Cとを直列に接続している。以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"