1×107cm-2以下の貫通転位密度を有する第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と、第2導電型窒化ガリウム系クラッド層と、複数の井戸層および障壁層を含む量子井戸構造を有しており前記第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と前記第2導電型窒化ガリウム系クラッド層との間に設けられた活性領域とを備え、前記量子井戸構造は、420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられており、前記井戸層の各々は、アンドープInXGa1-XN0<X<0.14、Xは歪み組成領域を含み、前記障壁層は、アンドープInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X領域を含む、ことを特徴とする半導体発光素子。1×107cm-2以下の貫通転位密度を有する第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と、第2導電型窒化ガリウム系クラッド層と、複数の井戸層および障壁層を含む量子井戸構造を有しており前記第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と前記第2導電型窒化ガリウム系クラッド層との間に設けられた活性領域とを備え、前記量子井戸構造は、波長420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられており、前記井戸層の各々は、アンドープInXGa1-XN0<X<0.14、Xは歪み組成領域を含み、前記障壁層は、n型ドーパントを含むInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X領域を含む、ことを特徴とする半導体発光素子。前記井戸層の厚さが4nm以上である、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された半導体発光素子。主面を有するIII族窒化物基板を更に備え、前記第1導電型窒化ガリウム系クラッド層、前記活性領域および前記第2導電型窒化ガリウム系クラッド層を含む半導体領域は、前記III族窒化物基板の前記主面上に設けられている、ことを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか一項に記載された半導体発光素子。前記III族窒化物基板は貫通転位密度1×107cm-2以下である、ことを特徴とする請求項4に記載された半導体発光素子。前記III族窒化物基板は貫通転位密度1×107cm-2以下である窒化ガリウム基板である、ことを特徴とする請求項4に記載された半導体発光素子。半導体発光素子を作製する方法であって、420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられた量子井戸構造を有する活性領域を貫通転位密度1×107cm-2以下の窒化ガリウム系クラッド領域上に形成する工程を備え、前記井戸層の成膜温度は前記障壁層の成膜温度より小さく、前記量子井戸構造の井戸層はアンドープInXGa1-XN0<X<0.14、Xは歪み組成領域を含み、前記量子井戸構造の障壁層はアンドープInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成領域を含む、ことを特徴とする方法。半導体発光素子を作製する方法であって、420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられた量子井戸構造を有する活性領域を貫通転位密度1×107cm-2以下の窒化ガリウム系クラッド領域上に形成する工程を備え、前記井戸層の成膜温度は前記障壁層の成膜温度より小さく、前記量子井戸構造の井戸層はアンドープInXGa1-XN0<X<0.14、Xは歪み組成領域を含み、前記量子井戸構造の障壁層はn型ドーパントを含むInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成領域を含む、ことを特徴とする方法。前記井戸層の厚さが4nm以上であり、前記井戸層の厚さが10nm以下である、ことを特徴とする請求項7または請求項8に記載された方法。前記窒化ガリウム系クラッド領域をIII族窒化物基板上に成長する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項7~請求項9のいずれか一項に記載された方法。前記III族窒化物基板の貫通転位密度は1×107cm-2以下である、ことを特徴とする請求項10に記載された方法。前記III族窒化物基板は貫通転位密度1×107cm-2以下である窒化ガリウム基板である、ことを特徴とする請求項10に記載された方法。上記の文献に記載された発光素子に加えられる電流の密度が低いとき、発光素子の外部量子効率が高い。しかしながら、電流密度が高くなるにつれて、外部量子効率が低下する。InGaN系活性層を用いた青色発光素子波長420nm以上490nm以下では、低い電流密度では高い発光効率が得られている。この理由としては、インジウム組成のゆらぎに起因する局在準位が発光に寄与するので高い発光効率が得られていると考えられている。つまり、InGaN系活性層のインジウム組成の空間的な変化ゆらぎに応じてポテンシャルも空間的に変化する。しかしながら、電流密度が大きくなると上記の局在準位からキャリアが溢れるようになり、局在準位の周辺も発光に寄与するようになる。これ故に、大きな電流密度では、全体としての発光効率が低下する。この発光効率の低下を小さくすることについて検討した結果によれば、高電流密度において発光効率の低下を小さくするためには、InGaN層のインジウム組成のゆらぎが小さいことが好ましい。インジウム組成を小さくすると、インジウム組成のゆらぎが小さくなる。ところが、単にインジウム組成を小さくしてインジウム組成のゆらぎを小さくするだけでは、発光波長が所望の波長からシフトしてしまう。所望の波長で発光素子を発光させるためには、インジウム組成を小さくすることに加えて、InGaN井戸層の厚さを大きくすることが必要である。しかしながら、非特許文献3等に記載されているように、0001サファイア基板を用いるInGaN系発光ダイオードにおいて井戸層の厚みが増加すると、LEDの出力が低下することが知られている。本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、高い電流に密度においても外部量子効率の低下が小さい半導体発光素子を提供することを目的としており、またこの半導体発光素子を作製する方法を提供することを目的とする。本発明の一側面によれば、半導体発光素子は、a1×107cm-2以下の貫通転位密度を有する第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と、b第2導電型窒化ガリウム系クラッド層と、c複数の井戸層および障壁層を含む量子井戸構造を有しており前記第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と前記第2導電型窒化ガリウム系クラッド層との間に設けられた活性領域とを備え、前記量子井戸構造は、420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられており、前記井戸層の各々は、アンドープInXGa1-XN0<X<0.14、Xは歪み組成領域を含み、前記障壁層は、アンドープInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X領域を含む。この半導体発光素子によれば、井戸層のIn組成Xが小さいので、In組成のゆらぎに起因した局在準位が井戸層において減少する。局在準位の減少により、活性領域は貫通転位密度に敏感になる。また、単に井戸層のIn組成Xを下げると発光波長がシフトするので、このシフトを無しに波長420nm以上490nm以下の波長範囲の光を得るために井戸層を厚くする。しかしながら、井戸層を厚くするとInGaN井戸層の結晶品質が低下する。転位に敏感になることおよび井戸層を厚くすることの影響を小さくするために、貫通転位密度1×107cm-2以下の下地層上に活性領域を設ける。このため、高電流密度での外部量子効率の低下を抑制できる。本発明の別の側面によれば、半導体発光素子は、a1×107cm-2以下の貫通転位密度を有する第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と、b第2導電型窒化ガリウム系クラッド層と、c複数の井戸層および障壁層を含む量子井戸構造を有しており前記第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と前記第2導電型窒化ガリウム系クラッド層との間に設けられた活性領域とを備え、前記量子井戸構造は、波長420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられており、前記井戸層の各々は、アンドープInXGa1-XN0<X<0.14、Xは歪み組成領域を含み、前記障壁層は、n型ドーパントを含むInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X領域を含む。この半導体発光素子によれば、井戸層のIn組成Xが小さいので、In組成のゆらぎに起因した局在準位が井戸層において減少する。局在準位の減少により、活性領域は貫通転位密度に敏感になる。また、単に井戸層のIn組成Xを下げると発光波長がシフトするので、このシフトを無しに波長420nm以上490nm以下の波長範囲の光を得るために井戸層を厚くする。しかしながら、井戸層を厚くするとInGaN井戸層の結晶品質が低下する。また、InGaN井戸層の厚みを厚くすると、順方向電圧Vfが上昇する。転位に敏感になることおよび井戸層を厚くすることの影響を小さくするために、貫通転位密度1×107cm-2以下の下地層上に活性領域を設ける。加えて、順方向電圧Vfの上昇は、障壁層にSiをドープすることにより小さくできる。このため、高電流密度での外部量子効率の低下を抑制できる。本発明に係る半導体発光素子では、前記井戸層の厚さが4nm以上であることが好ましい。また、井戸層の厚さが10nm以下であることが好ましい。この半導体発光素子によれば、InGaN井戸層の厚みを厚くすると、高電流密度での外部量子効率の低下が起こりにくくなると考えられる。本発明に係る半導体発光素子は、d主面を有するIII族窒化物基板を更に備え、前記第1導電型窒化ガリウム系クラッド層、前記活性領域および前記第2導電型窒化ガリウム系クラッド層を含む半導体領域は、前記III族窒化物基板の前記主面上に設けられている。この半導体発光素子によれば、基板がIII族窒化物半導体からなるので、基板と井戸層のInGaNとの格子定数差を小さくすることができ、InGaN井戸層の結晶品質の低下を抑えることができる。本発明に係る半導体発光素子では、前記III族窒化物基板は貫通転位密度1×107cm-2以下であることが好ましい。この半導体発光素子では、基板の貫通転位密度が1×107cm-2以下であると下地層や井戸層のInGaN結晶に引き継がれる貫通転位の数も少なくなり、InGaN井戸層の厚みを大きくしたときも、InGaN井戸層の結晶品質の低下を縮小できる。本発明に係る半導体発光素子では、前記III族窒化物基板は貫通転位密度1×107cm-2以下である窒化ガリウム基板であることが好ましい。この半導体発光素子では、窒化ガリウム基板の貫通転位密度が1×107cm-2以下であると下地層や井戸層のInGaN結晶に引き継がれる貫通転位の数も少なくなり、InGaN井戸層の厚みを大きくしたときも、InGaN井戸層の結晶品質の低下を縮小できる。本発明の更なる別の側面は、半導体発光素子を作製する方法である。この方法は、a420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられた量子井戸構造を有する活性領域を貫通転位密度1×107cm-2以下の窒化ガリウム系クラッド領域上に形成する工程を備え、前記井戸層の成膜温度は前記障壁層の成膜温度より小さく、前記量子井戸構造の井戸層はアンドープInXGa1-XN0<X<0.14、Xは歪み組成領域を含み、前記量子井戸構造の障壁層はアンドープInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成領域を含む。この方法によれば、井戸層の成膜温度を障壁層の成膜温度より小さくすると共に、井戸層のIn組成を低くすることによって、In組成ゆらぎが抑制される。このため、高電流密度での外部量子効率の低下を抑制できる。井戸層のIn組成を低くすると、In組成ゆらぎに起因した局在準位の数が減少する。ところが、局在準位の減少により、活性領域は、転位の影響を強く受けるようになる。つまり、活性領域の結晶品質は、活性領域および下地層の貫通転位密度に敏感になる。また、単に井戸層のIn組成を下げると、発光波長がシフトしてしまう。このシフトを防ぎ波長420nm以上490nm以下の発光を得るために、井戸層の厚みを増加する必要がある。井戸層を厚くするとInGaN井戸層の結晶品質が低下する。転位に敏感になることおよび井戸層を厚くすることの影響を小さくするために、下地層の貫通転位密度1×107cm-2以下とする。本発明の更なる別の側面は、半導体発光素子を作製する方法である。この方法は、a420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられた量子井戸構造を有する活性領域を貫通転位密度1×107cm-2以下の窒化ガリウム系クラッド領域上に形成する工程を備え、前記井戸層の成膜温度は前記障壁層の成膜温度より小さく、前記量子井戸構造の井戸層はアンドープInXGa1-XN0<X<0.14、Xは歪み組成領域を含み、前記量子井戸構造の障壁層はn型ドーパントを含むInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X領域を含む。この方法によれば、井戸層の成膜温度を障壁層の成膜温度より小さくすると共に、井戸層のIn組成を低くすることによって、In組成ゆらぎが抑制される。このため、高電流密度での外部量子効率の低下を抑制できる。井戸層のIn組成を低くすると、In組成ゆらぎに起因した局在準位が減少する。ところが、局在準位の減少により、活性領域は、転位の影響を強く受けるようになる。つまり、活性領域の結晶品質は、活性領域および下地層の貫通転位密度に敏感になる。また、単に井戸層のIn組成を下げると、発光波長がシフトしてしまう。このシフトを防ぎ波長420nm以上490nm以下の発光を得るために、井戸層の厚みを増加させる。井戸層を厚くするとInGaN井戸層の結晶品質が低下する。下地層の貫通転位密度が1×107cm-2以下であれば、転位に敏感になることおよび井戸層を厚くすることの影響を小さくできる。また、InGaN井戸層の厚みを厚くすると、順方向電圧Vfが上昇するけれども、障壁層にSiをドープすることにより順方向電圧Vfの増加を小さくすることができる。本発明に係る方法では、前記井戸層の厚さが4nm以上であることが好ましく、また井戸層の厚さが10nm以下であることが好ましい。この方法によれば、InGaN井戸層の厚みを厚くすると、高電流密度での外部量子効率の低下が起こりにくくなると考えられる。本発明に係る方法は、b前記窒化ガリウム系クラッド領域をIII族窒化物基板上に成長する工程を更に備えることができる。この方法によれば、基板がIII族窒化物半導体からなるので、井戸層のInGaNと基板のIII族窒化物半導体との格子定数差を小さくすることができ、InGaN井戸層の結晶品質の低下を抑えることができる。本発明に係る方法では、前記III族窒化物基板の貫通転位密度は1×107cm-2以下であることが好ましい。この方法では、基板の貫通転位密度が1×107cm-2以下であると下地層や井戸層のInGaN結晶に引き継がれる貫通転位の数も少なくなり、InGaN井戸層を厚くしても、InGaN井戸層の結晶品質への貫通転位の影響を小さくできる。本発明に係る方法では、前記III族窒化物基板は貫通転位密度1×107cm-2以下である窒化ガリウム基板であることが好ましい。この方法では、窒化ガリウム基板の貫通転位密度が1×107cm-2以下であるので、井戸層のInGaN結晶における貫通転位の数も少なくなり、InGaN井戸層を厚くしたときも、InGaN井戸層の結晶品質の低下が縮小できる。本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。以上説明したように、本発明によれば、高い電流に密度においても外部量子効率の低下が小さい半導体発光素子が提供されると共に、この半導体発光素子を作製する方法が提供される。本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の半導体発光素子、および半導体発光素子を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。第1の実施の形態図1は、本実施の形態に係る半導体発光素子を示す図面である。この半導体発光素子は、例えば発光ダイオードであることができる。半導体発光素子11は、第1導電型の窒化ガリウム系クラッド層13と、第2導電型の窒化ガリウム系クラッド層15と、活性領域17とを含む。窒化ガリウム系クラッド層13は、1×107cm-2以下の貫通転位密度を有する。活性領域17は、第1導電型の窒化ガリウム系クラッド層13と第2導電型の窒化ガリウム系クラッド層15との間に設けられている。活性領域17は、複数の井戸層19および障壁層21を含む量子井戸構造17aを有しており、また量子井戸構造17aは420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられている。井戸層19の各々は、アンドープInXGa1-XN0<X<0.14、Xは歪み組成領域を含む。障壁層21は、アンドープInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X領域を含む。ここで、本実施の形態では、インジウム組成Xは、歪み組成で示されており、緩和組成ではない。歪み組成とは結晶が下地結晶のa軸に格子整合して歪んでいることを仮定した組成であり、緩和組成とは結晶が下地結晶の影響を受けておらず歪んでいないことを仮定した組成である。この半導体発光素子11によれば、井戸層19のIn組成0<X<0.14、Xは歪み組成が小さいので、In組成Xの空間的なゆらぎが抑制され、またこのゆらぎに起因した局在準位の数が少なくなる。しかしながら、局在準位の減少により、活性領域は、むしろ転位の影響を強く受けるようになる。つまり、厚い井戸層19の結晶品質は、これまで以上に活性領域17および下地層例えば、領域13の貫通転位密度に敏感になる。また、単に井戸層19のIn組成Xを下げると、発光波長がシフトしてしまう。このシフトを無しに波長420nm以上490nm以下の波長範囲の光を得るために、井戸層19の厚みDWを厚くする。ところが、井戸層19の厚みDWを厚くすると井戸層19の結晶品質が低下する。転位に敏感になることおよび井戸層19を厚くすることの影響を小さくするために、1×107cm-2以下の貫通転位密度を有する下地層上に活性領域17を設ける。これ故、半導体発光素子11の外部量子効率の低下を高電流密度において抑制できる。半導体発光素子11では、窒化ガリウム系クラッド層13および窒化ガリウム系クラッド層15のバンドギャップエネルギは井戸層19のバンドギャップエネルギより大きい。窒化ガリウム系クラッド層13は、例えばGaN、AlGaNからなる。窒化ガリウム系クラッド層15は、例えばAlGaN、GaNからなる。多くの青色発光ダイオードでは、井戸層の厚みとして3nm程度を用いているけれども、インジウム組成を値を小さくしているので各井戸層19の厚さは4nm以上であることが好ましい。4nm以上にすると電流密度を上げたとき外部量子効率の低下を小さくできるという利点がある。また、各井戸層19の厚さが10nm以下であることが好ましい。10nm以下にするとInGaN井戸層の結晶品質が良好になるという利点がある。この半導体発光素子によれば、InGaN井戸層19の厚みを厚くすると、厚いInGaN井戸層のIn組成のゆらぎが小さくなる一方で、In組成のゆらぎによる局在準位の総和は、厚いInGaN井戸層の全体で増加する。In組成のゆらぎの縮小と共に井戸層の全体での局在準位の増加により、低電流密度での外部量子効率を維持できると共に高電流密度での外部量子効率の低下が起こりにくくなると考えられる。InGaN井戸層19の厚みDWを大きくするとInGaN井戸層19の結晶品質が低下する可能性があるけれども、下地層の貫通転位密度が1×107cm-2以下であるので、InGaN井戸層19の結晶品質の低下を抑えることができる。半導体発光素子11は、III族窒化物基板23を更に備えることができる。基板がIII族窒化物半導体をからなるので、井戸層19のInGaNと基板23との格子定数差を小さくすることができ、InGaN井戸層19の結晶品質の低下を抑えることができる。また、III族窒化物基板23は貫通転位密度1×107cm-2以下であることが好ましい。この半導体発光素子11では、基板23の貫通転位密度が1×107cm-2以下であると下地層や井戸層19のInGaN結晶に引き継がれる貫通転位の数も少なくなり、InGaN井戸層19の厚みDWを大きくしたときも、InGaN井戸層19の結晶品質の低下を縮小できる。III族窒化物基板23は窒化ガリウム基板であることが好ましい。窒化ガリウム基板は、貫通転位密度1×107cm-2以下である窒化ガリウムからなる。この窒化ガリウム上に下地層や井戸層を成長すれば、InGaN結晶に引き継がれる貫通転位の数も少なくなり、InGaN井戸層の結晶品質が良好になる。III族窒化物基板23の表面23a上には、半導体領域25が設けられている。半導体領域25は、窒化ガリウム系クラッド層13、活性領域17および窒化ガリウム系クラッド層15を含んでおり、さらに第1導電型の窒化ガリウム系半導体中間層27と、第2導電型のコンタクト層29とを含む。半導体発光素子11は、第2導電型のコンタクト層29に設けられた第1のオーミック電極31と、基板23の裏面23bに設けられた第2のオーミック電極33とを含む。半導体発光素子11の一例として、発光ダイオードは窒化ガリウム系クラッド層13:n-GaNSiドープ窒化ガリウム系クラッド層15:p-Al0.12Ga0.88NMgドープ活性領域17の井戸層19:In0.11Ga0.89N歪み組成、5nm活性領域17の障壁層21:In0.01Ga0.99N歪み組成、15nm窒化ガリウム系半導体中間層27:n-Al0.12Ga0.88Nコンタクト層29:p-GaN第1のオーミック電極31アノード:Ni/Au半透明電極第2のオーミック電極33カソード:Ti/Alを含む。図2は、本実施の形態に係る半導体発光素子の変形例を示す図面である。半導体発光素子11aは、活性領域37を有している。活性領域37は、複数の井戸層39および障壁層41を含む量子井戸構造37aを有しており、また量子井戸構造37aは420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられている。井戸層39の各々は、アンドープInXGa1-XN0<X<0.14、Xは歪み組成領域を含む。障壁層41は、n型ドーパントを含むInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X領域を含む。本実施の形態のインジウム組成X、Yは、歪み組成で示されており、緩和組成ではない。半導体領域35は、窒化ガリウム系クラッド層13、活性領域37および窒化ガリウム系クラッド層15を含んでおり、さらに第1導電型の窒化ガリウム系半導体中間層27と、第2導電型のコンタクト層29とを含む。この半導体発光素子11aでは、井戸層39のIn組成0<X<0.14、Xは歪み組成を小さくするので、In組成Xの空間的なゆらぎが抑制され、またこのゆらぎに起因した局在準位の数が少なくなる。ところが、局在準位の減少により、活性領域は、むしろ転位の影響を強く受けるようになる。つまり、活性領域37の結晶品質は、これまで以上に、活性領域37および下地層例えば、領域13の貫通転位密度に敏感になる。また、単に井戸層39のIn組成Xを下げると、発光波長がシフトしてしまう。このシフトを無しに420nm以上490nm以下の波長範囲の光を得るために、井戸層39の厚みDWを厚くする。しかしながら、井戸層39の厚みDWを厚くすると井戸層39の結晶品質が低下する。また、InGaN井戸層39の厚みを厚くすると、順方向電圧Vfが上昇する。転位に敏感になることおよび井戸層39を厚くすることの影響を小さくするために、1×107cm-2以下の貫通転位密度を有する下地層上に活性領域37を設けると共に、障壁層41にn型ドーパント例えば、Siをドープすることにより順方向電圧Vfの増加を小さくする。このため、半導体発光素子11aの外部量子効率の低下を高電流密度において抑制できる。実験例1:好適な例有機金属気相成長法を用いて、青色波長420nm以上490nm以下発光ダイオードを作製する。原料には、トリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、トリメチルインジウムTMIn、アンモニアNH3、モノシランSiH4、シクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用いることができる。0001C面を有する窒化ガリウム基板を準備する。窒化ガリウム基板はn導電性を示し、また貫通転位密度は1×106cm-2である。有機金属気相成長炉のサセプタ上に窒化ガリウム基板を配置する。次いで、窒化ガリウム基板のサーマルクリーニングを行う。サーマルクリーニングの条件は、炉内圧力30kPaに制御しながらアンモニアガスNH3および水素ガスH2を有機金属気相成長炉に供給して、摂氏1050度の基板温度で10分間の熱処理を行う。続いて、成膜工程を行う。摂氏1050度の基板温度および炉内圧力101kPaに変更した後に、原料ガスTMGa、TMAl、NH3、SiH4を用いて、厚さ50nmのn型Al0.12Ga0.88N中間層を成長する。炉内圧力101kPaを維持すると共に摂氏1100度の基板温度に変更した後に、原料ガスTMGa、NH3、SiH4を用いて、厚さ2μmのn型GaNバッファ層を成長する。バッファ層の成長速度は、4μm/hである。次いで、障壁層および井戸層を交互に成長する。障壁層の成長では、101kPaの炉内圧力を維持すると共に摂氏900度の基板温度に変更した後に、原料ガスTMGa、TMIn、NH3を用いて、厚さ15nmのアンドープIn0.01Ga0.99N層を堆積する。井戸層の成長では、101kPaの炉内圧力を維持すると共に摂氏800度の基板温度に変更した後に、原料ガスTMGa、TMIn、NH3を用いて、厚さ5nmのアンドープIn0.11Ga0.89N層を堆積する。井戸層および障壁層の成長は、必要な回数だけ繰り返される。本実施例では、6周期の量子井戸構造を形成する。上記の井戸層および障壁層は歪み組成で示されており、歪み組成In0.01Ga0.99N障壁層およびIn0.11Ga0.89N井戸層は、それぞれ、緩和組成In0.02Ga0.98N障壁層およびIn0.17Ga0.89N井戸層である。多くの場合に緩和組成で表現される。その後、炉内圧力101kPaを維持すると共に摂氏1050度の基板温度に変更した後に、原料ガスTMGa、TMAl、NH3、Cp2Mgを用いて、厚さ20nmのp型Al0.12Ga0.88Nクラッド層を成長する。次いで、原料ガスTMGa、NH3、Cp2Mgを用いて、厚さ150nmのp型GaNコンタクト層を成長する。これによりLEDエピタキシャル基板が完成する。引き続いて、有機金属気相成長炉からLEDエピタキシャル基板を取り出して、p型コンタクト層上に半透明電極のアノードを作製する。半透明電極のサイズは、400μm角電極面積:1.6×10-3cm2である。また、窒化ガリウム基板の裏面にカソードのための電極を作製する。そして、500μm角の青色LEDチップAを作製する。図3は、この青色LEDチップAにおける電流-光出力の特性を示す図面である。図4は、青色LEDチップAにおける電流-外部量子効率の特性を示す図面である。これらの結果は、青色LEDチップに室温においてパルス電流を印加しながら光出力の測定を行うことにより得られる。これらの測定結果によれば、青色LEDチップAは、電流20mA電流密度12.5A/cm2の印加において、ピーク波長450nmを有する発光スペクトル実質的に単一のピークを示す。光出力は4.6mWであり、外部量子効率は8.2である。また、青色LEDチップAは、電流200mA電流密度125A/cm2の印加において、ピーク波長438nmを有する発光スペクトル実質的に単一のピークを示す。光出力は34mWであり、外部量子効率5.9である。電流密度12.5A/cm2における外部量子効率は、電流密度125A/cm2における外部量子効率の約72である。電流密度12.5A/cm2における駆動電圧は3.6ボルトである。このLEDチップAをエポキシ樹脂で封止して、LEDランプを作製する。このLEDランプは、電流密度125A/cm2において、438nmのピーク波長、170mWの光出力、30の外部量子効率を示す。実験例2:薄い井戸層井戸層の組成および厚みを除いて、実験例1と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。井戸層の組成歪み組成はIn0.14Ga0.86N緩和組成ではIn0.22Ga0.78Nからなり、また厚さ3nmを有する。実験例1と同様にして、青色LEDチップBが作製される。図5は、この青色LEDチップBにおける電流-光出力の特性を示す図面である。図6は、青色LEDチップBにおける電流-外部量子効率の特性を示す図面である。なお、参考のために、図5および図6には、青色LEDチップAの電流-光出力特性および電流-外部量子効率特性も示されている。これらの測定結果によれば、青色LEDチップBは、電流20mA電流密度12.5A/cm2の印加において、ピーク波長448nmを有する発光スペクトル実質的に単一のピークを示す。光出力は4.4mWであり、外部量子効率は7.9である。また、青色LEDチップBは、電流200mA電流密度125A/cm2の印加において、ピーク波長439nmを有する発光スペクトル実質的に単一のピークを示す。光出力は28mWであり、外部量子効率は5.0である。電流密度12.5A/cm2における外部量子効率は、電流密度125A/cm2における外部量子効率の約63である。電流密度12.5A/cm2における駆動電圧は3.2ボルトである。このLEDチップAをエポキシ樹脂で封止して、LEDランプを作製する。このLEDランプは、電流密度125A/cm2において、439nmのピーク波長、140mWの光出力、25の外部量子効率を示す。実験例3:サファイア基板有機金属気相成長法を用いて、青色発光ダイオードを作製する。原料には、トリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、トリメチルインジウムTMIn、アンモニアNH3、モノシランSiH4、シクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用いることができる。c面サファイア基板を準備する。有機金属気相成長炉のサセプタ上にサファイア基板を配置する。次いで、サファイア基板上に、GaNバッファ層を作製する。GaNバッファ層は、原料ガスTMGa、NH3およびH2を有機金属気相成長炉に供給して、摂氏500度の基板温度で成長される。続いて、摂氏1100度の基板温度に変更した後に、原料ガスTMGa、TMAl、NH3、SiH4を用いて成長速度4μm/hで厚さ5μmのn型GaNバッファ層を成長する。次いで、障壁層および井戸層を交互に成長する。障壁層の成長では、101kPaの炉内圧力を用いると共に摂氏900度の基板温度に変更した後に、原料ガスTMGa、TMIn、NH3を用いて、厚さ15nmのアンドープIn0.01Ga0.99N層を堆積する。井戸層の成長では、101kPaの炉内圧力を用いると共に摂氏800度の基板温度に変更した後に、原料ガスTMGa、TMIn、NH3を用いて、厚さ5nmのアンドープIn0.11Ga0.89N層を堆積する。井戸層および障壁層の成長は、必要な回数だけ繰り返される。この例では、6周期の量子井戸構造を形成する。上記の井戸層および障壁層は歪み組成で示されている。その後、摂氏1050度の基板温度に変更した後に、原料ガスTMGa、TMAl、NH3、Cp2Mgを用いて、厚さ20nmのp型Al0.12Ga0.88Nクラッド層を成長する。次いで、原料ガスTMGa、TMAl、NH3、Cp2Mgを用いて、厚さ150nmのp型GaNコンタクト層を成長する。これによりLEDエピタキシャル基板が完成する。引き続いて、有機金属気相成長炉からLEDエピタキシャル基板を取り出して、p型コンタクト層上に半透明電極のアノードを作製する。半透明電極のサイズは、400μm角電極面積:1.6×10-3cm2である。また、窒化ガリウム基板の裏面にカソードのための電極を作製する。そして、500μm角の青色LEDチップCを作製する。図7は、この青色LEDチップCにおける電流-光出力の特性を示す図面である。図8は、青色LEDチップCにおける電流-外部量子効率の特性を示す図面である。なお、参考のために、図7および図8には、青色LEDチップAの電流-光出力特性および電流-外部量子効率特性も示されている。これらの測定結果によれば、青色LEDチップCは、電流20mA電流密度12.5A/cm2の印加において、ピーク波長434nmを有する発光スペクトル実質的に単一のピークを示す。光出力は2.0mWであり、外部量子効率は3.4である。また、青色LEDチップCは、電流200mA電流密度125A/cm2の印加において、ピーク波長424nmを有する発光スペクトル実質的に単一のピークを示す。光出力は29mWであり、外部量子効率は5.0である。電流密度12.5A/cm2における外部量子効率は、電流密度125A/cm2における外部量子効率の約68である。このLEDチップCをエポキシ樹脂で封止して、LEDランプを作製する。このLEDランプは、電流密度125A/cm2において、438nmのピーク波長、116mWの光出力、20の外部量子効率を示す。樹脂封止前のLEDチップの光取り出し効率を比較すると、サファイア基板上に作製されたLEDの発光効率は窒化ガリウム基板上に作製されたLEDの発光効率より高い。実験例4:井戸層の成長温度は障壁層の成長温度と同じ井戸層の成長温度および障壁層の成長温度を除いて、実験例1と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。青色LEDチップDは、電流20mA電流密度12.5A/cm2の印加において、光出力は1mW以下である。実験例5:Siドープ障壁層厚さ15nmのIn0.01Ga0.99N障壁層にSiドープで成長することを除いて、実験例1と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。青色LEDチップEの電流-光出力特性、電流-外部量子効率特性および発光波長は、実験例1の青色LEDチップAとほぼ同じである。電流密度12.5A/cm2における駆動電圧は3.2ボルトである。実験例6:低転位サファイアテンプレート有機金属気相成長法を用いて、青色発光ダイオードを作製する。サファイア基板上に低温バッファ層を成長した後に、窒化ガリウムエピタキシャル層を形成する。この窒化ガリウムエピタキシャル層上に、SiO2からなる選択成長用マスクを形成する。このマスクを用いて有機金属気相成長法により、窒化ガリウムのラテラルオーバー成長を行う。成長された窒化ガリウム領域は、1×107cm2以下の貫通転位密度を有する領域を含む。実験例5と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。1×107cm2以下の貫通転位密度を有する領域上に、アノード1.6×10-3cm2の半透明電極を作製すると共に、ドライエッチングにより露出されたn-GaN層上にカソード電極を作製する。この青色LEDチップFの電流-光出力特性、電流-外部量子効率特性、発光波長および電流密度12.5A/cm2における駆動電圧は、実験例5の青色LEDチップEとほぼ同じである。実験例7:SiC基板有機金属気相成長法を用いて、青色発光ダイオードを作製する。導電性のSiC基板上にAlNバッファ層を成長した後に、窒化ガリウムエピタキシャル層を形成する。この窒化ガリウムエピタキシャル層上に、SiO2からなる選択成長用マスクを形成する。このマスクを用いて有機金属気相成長法により、窒化ガリウムのラテラルオーバー成長を行う。成長された窒化ガリウム領域は、1×107cm2以下の貫通転位密度を有する領域を含む。実験例5と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。成長された窒化ガリウム領域は、1×107cm2以下の貫通転位密度を有する領域を含む。実験例5と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。1×107cm2以下の貫通転位密度を有する領域上に、アノード1.6×10-3cm2の半透明電極を作製すると共に、SiC基板の裏面にカソード電極を作製する。青色LEDチップGの電流-光出力特性、電流-外部量子効率特性、発光波長および電流密度12.5A/cm2における駆動電圧は、実験例5の青色LEDチップEとほぼ同じである。実験例8:井戸層のインジウム組成依存性実験例1で用いた作製条件を用いて、インジウム組成の異なる井戸層を有する青色LEDチップを作製する。図9は、電流密度125A/cm2における外部量子効率のインジウム組成に関する依存性を示す図面である。図10は、電流密度12.5A/cm2における外部量子効率に対する電流密度125A/cm2における外部量子効率の比百分率のインジウム組成に関する依存性を示す図面である。図10を参照すると、インジウム組成が小さくなるにつれて、外部量子効率の比が大きくなる。この比の値は、インジウム組成0.14、0.11、0.10、0.09において、それぞれ、63.3、79.0、72.3、82.3である。インジウム組成0.14での値はほぼ65であるが、インジウム組成の他の値では65よりも大きいので、インジウム組成0.14未満の井戸層では好適な特性が得られる。外部量子効率の比65を基準にする理由は従来の青色LEDの標準的な値だからである。実験例9:井戸層の厚み依存性実験例1で用いた作製条件を用いて、厚みの異なる井戸層を有する青色LEDチップを作製する。図11は、電流密度125A/cm2における外部量子効率の井戸層の厚みに関する依存性を示す図面である。図12は、電流密度12.5A/cm2における外部量子効率に対する電流密度125A/cm2における外部量子効率の比百分率の井戸層の厚みに関する依存性を示す図面である。図12を参照すると、井戸層の厚みが大きくなるにつれて、外部量子効率の比が大きくなる。この比の値は、井戸層の厚み3nm、4.5nm、5nm、5.5nmにおいて、それぞれ、63.3、79.0、72.3、82.3である。井戸層の厚み3nmでの値はほぼ65であるが、井戸層の他の厚みでは65よりも大きいので、発明者らの他の実験の結果を勘案して井戸層の厚み4nm以上の井戸層で好適である。第2の実施の形態図13A、図13B、図14Aおよび図14Bは、本実施の形態に係る半導体発光素子を作製する方法を示す図面である。貫通転位密度1×107cm-2以下のn型の窒化ガリウム基板51を準備する。この窒化ガリウム基板51を有機金属気相成長炉53のサセプタ上に配置する。図13Aに示されるようにと、有機金属気相成長炉53を用いて、窒化ガリウム基板51上にn型AlGaN膜55を成長する。AlGaN膜55上にn型窒化ガリウム系半導体膜57を成長する。窒化ガリウム系半導体膜57に先立ってAlGaN膜55を堆積すると、窒化ガリウム基板51の表面に比べて、窒化ガリウム系半導体膜57の成長に好適な表面が提供される。窒化ガリウム基板51を用いているので、窒化ガリウム系半導体膜57の貫通転位密度は1×107cm-2以下である。図13Bに示されるように、活性領域59を窒化ガリウム系半導体膜57上に形成する。活性領域59は量子井戸構造を有しており、この量子井戸構造は、420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられている。量子井戸構造の井戸層はアンドープInXGa1-XN0<X<0.14、Xは歪み組成領域を含むと共に、量子井戸構造の障壁層はアンドープInYGa1-YN0<Y<0.05、Yは歪み組成領域を含む。井戸層の成膜温度例えば、摂氏800度は障壁層の成膜温度例えば、摂氏900度より小さい。井戸層の成膜温度は、例えば、摂氏750度以上であることが好ましく、また井戸層の成膜温度は、例えば、摂氏850度以下であることが好ましい。障壁層の成膜温度は、例えば、摂氏850度以上であることが好ましく、また障壁層の成膜温度は、例えば、摂氏950度以下であることが好ましい。なお、量子井戸構造の障壁層として、アンドープInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成領域に替えて、n型ドーパントを含むInYGa1-YN0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X領域を用いることもできる。また井戸層の厚さが4nm以上であることが好ましい。また、井戸層の厚さが10nm以上であることが好ましい。この方法によれば、井戸層の成膜温度を障壁層の成膜温度より小さくすると共に井戸層のIn組成を低くすることによって、In組成ゆらぎが抑制される。井戸層のIn組成を低くすると、In組成ゆらぎに起因した局在準位の数が減少する。ところが、局在準位の減少により、活性領域は、むしろ転位の影響を強く受けるようになる。つまり、活性領域59の結晶品質は、活性領域59および下地層57の貫通転位密度に敏感になる。また、単に井戸層のIn組成を下げると、発光波長がシフトしてしまう。このシフトを防ぎ波長420nm以上490nm以下の発光を得るために、井戸層の厚みを厚くする必要がある。井戸層の厚みを厚くするとInGaN井戸層の結晶品質が低下する。下地層57の貫通転位密度1×107cm-2以下とするので、転位に敏感になることおよび井戸層を厚くすることの影響を小さくできる。このため、高電流密度での外部量子効率の低下を抑制できる。図14Aに示されるように、有機金属気相成長炉53を用いて、活性領域59上にp型窒化ガリウム系半導体膜61を成長する。p型窒化ガリウム系半導体膜61は、例えばGaNまたはAlGaNからなることができる。p型窒化ガリウム系半導体膜61およびn型窒化ガリウム系半導体膜57のバンドギャップエネルギは、活性領域59の井戸層のバンドギャップエネルギより大きい。このため、p型窒化ガリウム系半導体膜61およびn型窒化ガリウム系半導体膜57は、クラッド層として働く。図14Bに示されるように、有機金属気相成長炉53を用いて、p型窒化ガリウム系半導体膜61上にp型窒化ガリウム系半導体膜63を成長する。p型窒化ガリウム系半導体膜63は、例えばInGaN、GaNまたはAlGaNからなることができる。以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、高い電流に密度においても外部量子効率の低下が小さい半導体発光素子を作製する方法が提供される。好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。実施の形態では、基板として、GaN基板、サファイアテンプレート、SiC基板を例示したが、これらの限定されること無く、本発明は、AlN、ZrB2等も用いることができる。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。