支持板に第1パッド径を有する突起状の半田ボール搭載部を形成するとともに、半田ボール搭載部に半田ボールを搭載する工程と、半導体チップが実装され、半導体チップの実装面に前記半田ボール搭載部の第1パッド径よりも小さい第2パッド径を有する接続パッドが形成された回路基板と前記支持板とを対向配置し、支持板の半田ボール搭載部と回路基板の接続パッドとを、半田ボール搭載部の第1パッド径と接続パッドの第2パッド径との差に基づき半田ボールから形成される円錐台状の半田層を介して接続する工程と、前記支持板と回路基板の半導体チップ実装面との間に樹脂層を形成する工程と、前記支持板を除去し、前記円錐台状の半田層に沿って前記樹脂層に円錐台状のビアを形成する工程と、リフロー処理を行うことにより、前記ビア内で前記円錐台状の半田層を球面状の半田層に形成するとともに球面状の半田層の一部をビアを介して樹脂層から露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記半田ボールは、球状の銅コアの表面に半田層を形成してなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半田ボールは、球状の鉛フリー半田ボールの表面に低融点半田層を形成してなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記支持板はエッチング処理を介して除去されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記支持板は研磨処理を介して除去されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。半導体チップが実装され、半導体チップ実装面に接続パッドが形成された回路基板と、前記回路基板の半導体チップ実装面に形成された樹脂層と、前記接続パッドに接続されるとともに前記樹脂層から一部露出された状態で設けられた実装用端子とを備えた半導体装置において、前記実装用端子は、支持板に形成され前記接続パッドのパッド径よりも大きいパッド径を有する突起状の半田ボール搭載部に搭載された半田ボールと前記接続パッドとを、半田ボール搭載部のパッド径と接続パッドのパッド径との差に基づき半田ボールから形成される円錐台状の半田層を介して接続するとともに、前記回路基板の実装面と支持板との間に前記樹脂層を形成し、支持板を除去して円錐台状の半田層に沿って樹脂層に円錐台状のビアを形成した後リフロー処理を行うことにより、ビア内で円錐台状の半田層を球面状の半田層に形成するとともに球面状の半田層の一部をビアを介して露出させることにより形成されていることを特徴とする半導体装置。前記半田ボールは、球状の銅コアの表面に半田層を形成してなることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。前記半田ボールは、球状の鉛フリー半田ボールの表面に低融点半田層を形成してなることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。前記支持板はエッチング処理を介して除去されることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれかに記載の半導体装置。前記支持板は研磨処理を介して除去されることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれかに記載の半導体装置。しかしながら、レーザビームによる穴あけプロセスを使用して半田ボールをビア内で露出させる場合、モールド樹脂層が厚いために加工時間がかかり、また、レーザ加工が困難である等の問題がある。また、レーザ加工により形成されるビアは、上側が拡径された円錐状でテーパ状であることからビア相互が干渉して、回路基板の上側で半田ボール間の狭ピッチ化に対応することは困難である。更に、ビアはレーザ穴あけプロセスのようなレーザ加工により形成されており、このようにレーザ加工によりモールド樹脂層を除去してビアを形成する場合には、半田ボールの表面から完全にスミアとなる樹脂成分を除去することは極めて困難である。これに起因して、半田ボールの表面に、樹脂成分の皮膜が残存してしまい、この結果、半田リフロー処理を行ったとしても、ビア内の半田ボールと上側の回路基板の下面に形成された半田ボールとを確実に半田接続することは困難なものである。これにより、半導体パッケージ基板相互の電気的接続信頼性が著しく低下してしまう虞が多分に存する。本願は前記従来の技術における問題点を解消するためになされたものであり、スミア等を発生させることなく高い接続信頼性を有するとともに、狭ピッチ化に容易に対応することができ、低コストでPOP構造を実現する接続パッドを形成することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。本願に開示されている半導体装置の製造方法は、支持板に第1パッド径を有する突起状の半田ボール搭載部を形成するとともに、半田ボール搭載部に半田ボールを搭載する工程と、半導体チップが実装され、半導体チップの実装面に前記半田ボール搭載部の第1パッド径よりも小さい第2パッド径を有する接続パッドが形成された回路基板と前記支持板とを対向配置し、支持板の半田ボール搭載部と回路基板の接続パッドとを、半田ボール搭載部の第1パッド径と接続パッドの第2パッド径との差に基づき半田ボールから形成される円錐台状の半田層を介して接続する工程と、前記支持板と回路基板の半導体チップ実装面との間に樹脂層を形成する工程と、前記支持板を除去し、前記円錐台状の半田層に沿って前記樹脂層に円錐台状のビアを形成する工程と、リフロー処理を行うことにより、前記ビア内で前記円錐台状の半田層を球面状の半田層に形成するとともに球面状の半田層の一部をビアを介して樹脂層から露出させる工程とを含む。ここに、前記半田ボールは、球状の銅コアの表面に半田層を形成してなることが望ましく、また、球状の鉛フリー半田ボールの表面に低融点半田層を形成してなることが望ましい。前記支持板は、エッチング処理を介して除去されることが望ましく、また、研磨処理を介して除去されることが望ましい。本願に開示されている半導体装置は、半導体チップが実装され、半導体チップ実装面に接続パッドが形成された回路基板と、前記回路基板の半導体チップ実装面に形成された樹脂層と、前記接続パッドに接続されるとともに前記樹脂層から一部露出された状態で設けられた実装用端子とを備えた半導体装置において、前記実装用端子は、支持板に形成され前記接続パッドのパッド径よりも大きいパッド径を有する突起状の半田ボール搭載部に搭載された半田ボールと前記接続パッドとを、半田ボール搭載部のパッド径と接続パッドのパッド径との差に基づき半田ボールから形成される円錐台状の半田層を介して接続するとともに、前記回路基板の実装面と支持板との間に前記樹脂層を形成し、支持板を除去して円錐台状の半田層に沿って樹脂層に円錐台状のビアを形成した後リフロー処理を行うことにより、ビア内で円錐台状の半田層を球面状の半田層に形成するとともに球面状の半田層の一部をビアを介して露出させることにより形成されていることを特徴とする。ここに、前記半田ボールは、球状の銅コアの表面に半田層を形成してなることが望ましく、また、球状の鉛フリー半田ボールの表面に低融点半田層を形成してなることが望ましい。前記支持板は、エッチング処理を介して除去されることが望ましく、また、研磨処理を介して除去されることが望ましい。本願に開示された半導体装置の製造方法及び半導体装置では、半導体装置の実装用端子は、支持板に形成され接続パッドのパッド径よりも大きいパッド径を有する突起状の半田ボール搭載部に搭載された半田ボールと接続パッドとを、半田ボール搭載部のパッド径と接続パッドのパッド径との差に基づき半田ボールから形成される円錐台状の半田層を介して接続するとともに、回路基板の実装面と支持板との間に樹脂層を形成し、支持板を除去して円錐台状の半田層に沿って樹脂層に円錐台状のビアを形成した後リフロー処理を行うことにより、ビア内で円錐台状の半田層を球面状の半田層に形成するとともに球面状の半田層の一部をビアを介して露出させることにより形成される。このとき、樹脂層に形成されるビアは、支持板を除去した時点で、半田ボール搭載部のパッド径と接続パッドのパッド径との差に基づき半田ボールから形成される円錐台状の半田層に沿って円錐台状に形成される。かかるビアは、レーザ加工により形成される場合と比較して、レーザ等の設備が不要であるから低コストで形成することができる。また、前記のようにビアはレーザ加工によることなく形成されることから、実装用端子となる球面状の半田層の表面にスミアとなる樹脂成分が残存することは全くなく、POP構造を実現するに際して、高い接続信頼性をもって半導体パッケージ基板相互を接続することができる。更に、支持板の半田ボール搭載部のパッド径と回路基板上の接続パッドとのパッド径の差及び半田ボール搭載部に搭載される半田ボールにおける半田量を調整することにより、半田ボールから形成される円錐台状の半田層の形状及びサイズを正確に設計することができるので、かかる円錐台状の半田層に沿って形成されるビアの形状及びサイズも正確に設計することができる。従って、回路基板上でビア間のピッチを自在に配置して実装用端子間の狭ピッチ化に対してフレキシブルに対応することができる。以下、本願の第1実施形態に係る半導体装置について図1に基づき説明する。図1において、第1実施形態に係る半導体装置1は回路基板2を備えており、回路基板2の上面半導体チップ実装面には半導体チップ3が搭載されている。半導体チップ3の両側には、それぞれ1つの接続パッド4が形成されている。各接続パッド4には、半田ボール5が搭載されている。半田ボール5としては、球状の銅コア5Aの表面に半田層5Bを形成したものが使用される。銅コア5Aの径は50μm~200μm前後であり、半田層5Bを含む半田ボールの全径は80μm~300μmである。前記回路基板2上面には、半導体チップ3を被覆するとともに、各半田ボール5の上端部が露出されるようにビア6を有するモールド樹脂層7が形成されている。回路基板2の下面には、複数個の接続端子8が形成されており、各接続端子8には、半田ボール9が搭載されている。続いて、前記のように構成される半導体装置1の製造方法について図2に基づき説明する。先ず、銅製支持板10上に半田ボール5を搭載するための突起状の半田ボール搭載部11が形成され、この後半田ボール搭載部11に半田ボール5が搭載される。かかる銅製支持板10の製造方法について図3に基づき詳細に説明する。半田ボール搭載部11を有する銅製支持板10を形成するには、先ず、図3Aに示す銅製薄板Kを用意し、図3Bに示すように、銅製薄板Kの片側全面にフォトレジストを塗布形成してフォトレジスト膜12を形成する。この後、半田ボール搭載部11に対応する部分のみにフォトレジスト膜12が残存するように半田ボール搭載部11に対応する部分以外の部分が開口されたマスクで被覆し、通常に従い露光、現像を行う。これにより、図3Cに示すように、半田ボール搭載部11に対応する部分のみがフォトレジスト膜12で被覆され、他の部分からはフォトレジスト膜12が除去される。この後、銅製薄板Kを銅エッチング液に浸漬し、所謂ハーフエッチングが行われる。これにより、銅製薄板Kにおいてフォトレジスト膜12で被覆されていない部分半田ボール搭載部11に対応しない部分がエッチングされ、その厚さが薄くされる。この状態で、フォトレジスト膜12が存在する半田ボール搭載部11に対応する部分の厚さはそのまま維持されるので、その後、レジスト膜12を剥離すると、図3Dに示すように、銅製薄板Kから半田ボール搭載部11を有する銅製支持板10が形成される。半田ボール搭載部11は、図3Dに示すように、半田ボールを搭載する面に向かって狭くなる円錐台形状とすることが好ましい。ここに、半田ボール搭載部11のパッド径は、210μm~400μmの範囲で形成されている。前記のように銅製支持板10に半田ボール搭載部11を形成した後、半田リフロー処理を行うことにより各半田ボール搭載部11に対して半田ボール5が搭載される図3E。図2に戻って説明を続けると、半導体チップ3が実装された回路基板2における各接続パッド4に対して、銅製支持板10の各半田ボール5を対向当接するとともに、半田リフロー処理を行う。これにより、図2Aに示すように、銅製支持板10の各半田ボール5が回路基板2における各接続パッド4に半田接続される。尚、半田ボール5は、球状の銅コア5Aの表面に半田層5Bを形成したものを使用していることから、銅コア5Aを介して銅製支持板10と回路基板2との間の隙間を正確かつ確実に確保することができる。ここに、回路基板2に形成された各接続パッド4のパッド径は、50μm~200μmの範囲に形成されており、前記銅製支持板10の半田ボール搭載部10のパッド径120μm~400μmよりも小さくされている。前記のように、銅製支持板10の半田ボール搭載部11のパッド径と回路基板2の接続パッド4のパッド径との間には差が設けられており、かかるパッド径の差に基づき、銅製支持板10の半田ボール5を半田リフロー処理により回路基板2の接続パッド4に接続すると、図2Aに示すように、半田ボール5の表面に形成された半田層5Bは下向きの円錐台状の半田層に形成される。これより、銅製支持板10の半田ボール5と回路基板2上の接続パッド4とは、下側向かって縮径し上側に向かって拡径した円錐台状の半田層5Bを介して接続される。続いて、図2Bに示すように、所謂トランスファーモールド法により、回路基板2の実装面と銅製支持板10との間にエポキシ系樹脂を充填し、モールド樹脂層7を形成する。この後、例えば、アルカリエッチング液メルテックス社製、商品名:Aプロセスによりエッチングを行い、銅製支持板10のみを選択的に除去する図2C。この状態において、モールド樹脂層7には、円錐台状の半田層5Bに沿って円錐台状のビア6が形成されている。更に、半田リフロー処理を行い、回路基板2の下面に形成された各接続端子8には半田ボール9が搭載される図2D。このとき、前記した円錐台状の半田層5Bは、半田層5Bの表面張力に基づき、銅コア5Aの表面に沿って球面状の半田層5Bに形成され、かかる球面状の半田層5Bの一部は、ビア6を介してモールド樹脂層7から露出される。これにより、半導体装置1が製造される。半導体装置1において、モールド樹脂層7の各ビア6から露出されている半田層5Bの上端部は、他の回路基板等とを接続するための実装用端子となる。前記のように製造された半導体装置1には、図4に示すように、他のパッケージ基板13がスタックされ、POP構造が形成される。ここで、半導体装置1に対して他のパッケージ基板13をスタックする方法について図4に基づき説明する。図4において、パッケージ基板13の下面において形成された各接続端子には、半田ボール14が搭載されており、先ず、図4Aに示すようにパッケージ基板13の各半田ボール14と半導体装置1にて各ビア6から露出されている半田ボール5半田層5Bの上端部とが対向配置される。更に、図4Bに示すように、パッケージ基板13の各半田ボール14を、各半田ボール5が露出される各ビア6に配置して、パッケージ基板13を半導体装置1上にプリスタックする。前記のように、パッケージ基板13を半導体装置1にプリスタックした状態で、半田リフロー処理が行われる。これにより、パッケージ基板13の各半田ボール14と半導体装置1の各半田ボール5とが相互に溶融接続される。この状態が図4Cに示されている。ここに、パッケージ基板13を半導体装置1にプリスタックする際、半導体装置1におけるモールド樹脂層7には、各半田ボール5半田層5Bの一部が露出するように逆円錐台状のビア6が形成されているので、パッケージ基板13の各半田ボール14を簡単に各ビア6に配置することが可能となり、結果的に、半導体装置1に対するパッケージ基板13の搭載を容易且つ確実に行うことができる。前記第1実施形態に係る半導体装置1及びその製造方法によれば、半導体装置1の実装用端子半田ボール5は、支持板10に形成されて接続パッド4のパッド径よりも大きいパッド径を有する突起状の半田ボール搭載部11に搭載された半田ボール5と接続パッド4とを、半田ボール搭載部11のパッド径と接続パッド4のパッド径との差に基づき半田ボール5から形成される円錐台状の半田層5Bを介して接続するとともに、回路基板2の実装面と支持板10との間にモールド樹脂層7を形成し、支持板10を除去して円錐台状の半田層5Bに沿ってモールド樹脂層7に円錐台状のビア6を形成した後半田リフロー処理を行うことにより、ビア6内で円錐台状の半田層5Bを球面状の半田層5Bに形成するとともに球面状の半田層5Bの一部をビア6を介して露出させることにより形成される。このとき、モールド樹脂層7に形成されるビア6は、支持板10を除去した時点で、半田ボール搭載部11のパッド径と接続パッド4のパッド径との差に基づき半田ボール5から形成される円錐台状の半田層5Bに沿って円錐台状に形成される。かかるビア6は、レーザ加工により形成される場合と比較して、レーザ等の設備が不要であるから低コストで形成することができる。また、前記のようにビア6はレーザ加工によることなく形成されることから、実装用端子半田ボール5となる球面状の半田層5Bの表面にスミアとなる樹脂成分が残存することは全くなく、POP構造を実現するに際して、高い接続信頼性をもって半導体パッケージ基板相互を接続することができる。更に、支持板10の半田ボール搭載部11のパッド径と回路基板2上の接続パッド4とのパッド径の差及び半田ボール搭載部11に搭載される半田ボール5における半田層5Bの半田量を調整することにより、半田ボール5から形成される円錐台状の半田層5Bの形状及びサイズを正確に設計することができるので、かかる円錐台状の半田層5Bに沿って形成されるビア6の形状及びサイズも正確に設計することができる。従って、回路基板2上でビア6間のピッチを自在に配置して実装用端子間の狭ピッチ化に対してフレキシブルに対応することができる。尚、前記実施例1では、銅製薄板Kのエッチングを行うことにより半田ボール搭載部11を形成した銅製支持板10が使用されているが、これに限らず、例えばNi等のように半田ボール搭載部を残してエッチング液で選択的に除去可能な金属の薄板であれば、支持板として使用することができる。続いて、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法について図5に基づき説明する。ここに、図5に示す半導体装置の製造方法では、第1実施形態の製造方法で使用されている銅製支持板10に代えて、半田ボール5を搭載する上基板20が使用される。上基板20は、半田ボール搭載パッド21が形成されており、かかる半田ボール搭載パッド21は、120μm~400μmのパッド径を有する。各半田ボール搭載パッド21には、半田リフロー処理により前記半田ボール5が搭載されている。先ず、図5Aに示すように、半導体チップ3が実装された回路基板2における各接続パッド4に対して、上基板20の半田ボール搭載パッド21に搭載された半田ボール5を対向当接するとともに、半田リフロー処理を行う。これにより、図5Aに示すように、上基板20の各半田ボール5が回路基板2における各接続パッド4に半田接続される。尚、半田ボール5は、球状の銅コア5Aの表面に半田層5Bを形成したものを使用していることから、銅コア5Aを介して上基板20と回路基板2との間の隙間を正確かつ確実に確保することができる。ここに、前記第1実施形態の場合と同様、回路基板2に形成された各接続パッド4のパッド径は、50μm~200μmの範囲に形成されており、前記上基板20の半田ボール搭載パッド21のパッド径よりも小さくされている。前記のように、上基板20の半田ボール搭載パッド21のパッド径と回路基板2の接続パッド4のパッド径との間には差が設けられており、かかるパッド径の差に基づき、上基板20の半田ボール5を半田リフロー処理により回路基板2の接続パッド4に接続すると、図5Aに示すように、半田ボール5の表面に形成された半田層5Bは下向きの円錐台状の半田層に形成される。これより、上基板20の半田ボール5と回路基板2上の接続パッド4とは、下側向かって縮径し上側に向かって拡径した円錐台状の半田層5Bを介して接続される。続いて、図5Bに示すように、所謂トランスファーモールド法により、回路基板2の実装面と上基板20との間にエポキシ系樹脂を充填し、モールド樹脂層7を形成する。この後、上基板20側から研磨処理を行い、上基板20のみを選択的に除去する図5C。この状態において、モールド樹脂層7には、円錐台状の半田層5Bに沿って円錐台状のビア6が形成されている。更に、半田リフロー処理を行い、回路基板2の下面に形成された各接続端子8には半田ボール9が搭載される図5D。このとき、前記した円錐台状の半田層5Bは、半田層5Bの表面張力に基づき、銅コア5Aの表面に沿って球面状の半田層5Bに形成され、かかる球面状の半田層5Bの一部は、ビア6を介してモールド樹脂層7から露出される。これにより、前記第1実施形態の半導体装置と同一の半導体装置1が製造される。半導体装置1において、モールド樹脂層7の各ビア6から露出されている半田層5Bの上端部は、他の回路基板等とを接続するための実装用端子となる。前記第2実施形態に係る半導体装置1及びその製造方法においても、第1実施形態に係る半導体装置及びその製造方法におけると同一の前記効果を得ることができる。続いて、第3実施形態に係る半導体装置及びその製造方法につき図6に基づき説明する。ここに、第3実施形態に係る半導体装置及びその製造方法は、基本的に前記した第1実施形態に係る半導体装置1及びその製造方法と同一であり、銅製支持板10の半田ボール搭載部11に搭載される半田ボールとして、球状の鉛フリー半田ボールの表面に低融点半田層を形成した半田ボールが使用されている点で異なっているだけである。従って、以下においては、半田ボールの構成上の相違点から生じる第3実施形態に特有の構成にのみ着目して説明することとする。第3実施形態に係る半導体装置を製造するには、図6Aに示すように、半田ボール22として、球状の鉛フリー半田ボール22Aの表面に低融点半田層22Bを形成した半田ボールを搭載した銅製支持板10を使用し、半導体チップ3が実装された回路基板2における各接続パッド4に対して、銅製支持板10の各半田ボール22を対向当接するとともに、半田リフロー処理を行う。これにより、図6Aに示すように、銅製支持板10の各半田ボール22が回路基板2における各接続パッド4に半田接続される。このとき、第1実施形態の場合と同様、銅製支持板10の半田ボール搭載部11のパッド径と回路基板2の接続パッド4のパッド径との間には差が設けられており、かかるパッド径の差に基づき、銅製支持板10の半田ボール22を半田リフロー処理により回路基板2の接続パッド4に接続すると、図6Aに示すように、鉛フリー半田ボール22A表面に形成された低融点半田層22Bは下向きの円錐台状の半田層に形成される。これより、銅製支持板10の半田ボール22と回路基板2上の接続パッド4とは、下側向かって縮径し上側に向かって拡径した円錐台状の低融点半田層22Bを介して接続される。この後、第1実施形態の場合と同様にして、所謂トランスファーモールド法により、回路基板2の実装面と銅製支持板10との間にエポキシ系樹脂を充填し、モールド樹脂層7を形成した後、エッチング処理により銅製支持板10のみを選択的に除去し、更に、半田リフロー処理を行って、回路基板2の下面に形成された各接続端子8には半田ボール9が搭載される図6B。このとき、前記した円錐台状の低融点半田層22Bと鉛フリー半田ボール22Aとは、相互に溶融一体化され、このように溶融一体化された半田層がその表面張力に基づき球面状に形成されるとともに、かかる球面状の半田層の一部は、ビア6を介してモールド樹脂層7から露出される。これにより、第3実施形態に係る半導体装置1が製造され、モールド樹脂層7の各ビア6から露出されている半田層の上端部は、他の回路基板等とを接続するための実装用端子となる。前記した第3実施形態に係る半導体装置1及びその製造方法によっても、前記第1実施形態に係る半導体装置及びその製造方法と同一の効果を得ることができる。尚、本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であること勿論である。例えば、前記第1及び第2実施形態では、銅製支持板10の半田ボール搭載部11及び上基板20の半田ボール搭載パッド21に搭載される半田ボール5として銅コア5Aの表面に半田層5Bを形成した半田ボールを使用し、また、第3実施形態では銅製支持板10の半田ボール搭載部11に搭載される半田ボール22として、鉛フリー半田ボール22Aの表面に低融点半田層22Bを形成した半田ボールを使用していたが、通常の半田ボールを使用することも可能である。この場合には、銅製支持板10や上基板20に形成した半田ボールが下側の回路基板2に届かない可能性があることから、半導体装置1を製造するにつき、先ず、回路基板2の各接続パッド4に半田ボールを接続搭載しておく。この後、突起状の半田ボール搭載部11を有する銅製支持板10を回路基板2上に載置するとともに、半田リフロー処理を行うことにより、半田ボールが銅製支持板10の半田ボール搭載部11に接続する。このとき、半田ボールから形成される半田層は、銅製支持板10の半田ボール搭載部11のパッド径と回路基板2の接続パッド4のパッド径との間の差に基づき、円錐台状に形成される。この後は、前記第1乃至第3実施形態の場合と同様の処理が行われる。