"電極部が形成された基板上に半導体発光素子を実装した半導体発光装置において、前記電極部の表面に反射層を設けたことを特徴とする半導体発光装置。前記半導体発光素子が青色発光素子であって、前記電極部の最外層がAu層である請求項1記載の半導体発光装置。半導体発光素子3から発せられた光の大半は透光性樹脂5を通って直接外部へ出射するが、その一部はチップ基板1および電極部2,2’に当たって反射して外部へ出射する。このとき前記のように、チップ基板1は乳白色であるため半導体発光素子3からの光の大部分はそのまま反射されるのに対し、電極部2,2’は金色であるため半導体発光素子3からの光の一部は電極部2,2’で吸収される。このため半導体発光装置の発光効率が低下していた。Auの色相には黄味が混じっているため青色が吸収されやすく、半導体発光素子として青色発光素子を用いた場合に特に発光効率の低下が問題となっていた。本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、半導体発光素子からの光が電極部で吸収されるのを防止し、半導体発光装置の発光効率を向上させることをその目的とするものである。本発明によれば、電極部が形成された基板上に半導体発光素子を実装した半導体発光装置において、前記電極部の表面に反射層を設けたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。ここで前記半導体発光素子が青色発光素子であって、前記電極部の最外層がAu層である場合に本発明の効果が特に奏される。さらには、青色発光素子の中でも下面に電極を形成できるSiC系発光素子の場合に高い効果が得られる。半導体発光装置の発光効率をさらに向上させる観点から、半導体発光素子を実装した側の基板表面にも反射層を設けるのがよい。本発明の半導体発光装置では、電極部を形成した基板上に半導体発光素子を実装し、電極部の表面には反射層を設けたので、半導体発光素子から発せられた光が電極部で吸収されることがなくなり、発光効率を向上させることができる。特に、半導体発光素子が青色発光素子であって、電極部の最外層がAu層である場合に発光効率が格段に向上する。半導体発光素子からの光が電極部で吸収されることなく反射されるようにするため本発明者が鋭意検討を重ねた結果、電極部に反射層を設ければよいという一見単純な着想ながらこれまで試みられていなかった着想に基づき本発明をなすに至った。以下、図に基づき本発明を詳述する。図1は、本発明の半導体発光装置の一実施態様を示す斜視図である。図1の半導体発光装置はチップ型であって、その基本構成は図4に示した前述の従来の半導体発光装置と同じであるのでその説明は省略し、従来の半導体発光装置と異なる部分について説明する。図1の半導体発光装置では、Cu,Ni,Auの各層が電解メッキにより順に積層形成された電極部2,2’がチップ基板1上に形成されている。もちろん電極部2,2’の材質および構成はこれに限定されるものではない。そして電極部2,2’の最外層であるAu層の表面には白色樹脂からなる反射層6が形成されている。電極部2,2’上に形成する反射層6は、半導体発光素子3から発せられた光を反射する層であればよく、例えば白色樹脂を塗布したものの他、AlやAgといった白色系金属を箔として貼着またはメッキしたものでもよい。白色樹脂としては例えば酸化チタンなどの白色顔料や白色染料をエポキシ樹脂などの樹脂に分散混合したものが例示される。なお、チップ基板の上面を透光性樹脂で封止する場合には、百数十度程度まで加熱するので、白色顔料や染料を分散混合する樹脂はこの加熱に耐えるものである必要がある。電極部に白色樹脂を塗布する方法としては、例えばシルク印刷、吹き付け、刷毛塗り、カーテンフローコータ、グラビアコート、ロールコート、バーコートなどの従来公知の方法を用いることができる。白色系金属をメッキして電極部2,2’上に反射層6を形成する場合には、化学蒸着や無電解メッキなどの化学メッキ、真空蒸着、スパッタ蒸着、イオンプレーティングなど従来公知の方法でメッキを行うことができる。図1の半導体発光装置では、反射層6は、半導体発光素子3を実装した基板側の電極部上にのみ形成され、基板1の側面および裏面の電極部には形成されていない。基板1の側面および裏面は半導体発光素子3からの光がそもそも当たらないからである。もちろん、生産性などの理由から基板1の側面および裏面の電極部表面に反射部6を形成しても構わない。また、反射層6が絶縁性である場合には、電極部2,2’上のワイヤボンディング領域および半導体発光素子ボンディング領域には、反射層6を形成せずに電極部2,2’を露出させておく必要がある。反射層6の層厚としては半導体発光素子3からの光を反射できる厚みであれば特に限定はなく、一般に数μm~数百μm程度が好ましい。図1の半導体発光装置のチップ基板1は、ガラス繊維を含有したエポキシ樹脂で形成されているのでその色相は乳白色である。このため半導体発光素子3からの光の大部分を反射する。しかし、チップ基板1によっては白色系でないものもある。このようなチップ基板を用いる場合には反射効率を高めるため、少なくとも半導体発光素子3を実装した側の基板表面に、電極部2,2’と同様に反射層6を設けるのが望ましい。なお、基板表面に形成する反射層は絶縁性である必要がある。本発明で用いる半導体発光素子には特に限定はなく、従来公知のものが使用できる。例えば、GaN系やSiC系などの青色発光素子や、GaAs系、AlGaAs系、AlGaInP系、InP系などの赤色発光素子や緑色発光素子などが挙げられる。ここで、半導体発光素子が青色発光素子で、電極部の最外層がAu層である場合には、Au層に青色が吸収されて発光効率が特に悪くなるので、この場合には本発明の構成にすれば発光効率が一段と高くなる。青色発光素子の中でも、SiC系発光素子の場合には発光素子の下面に電極を形成できるので発光素子を電極部上に直接固着できる。このため、電極部のAu層による青色吸収の影響が大きく、本発明の効果が顕著に現れる。一方、GaN系発光素子は、その製法上、サファイヤのような絶縁性の基板にp形層n形層が積層された構造となるので半導体発光素子の下面に電極を形成できない。このため発光素子を電極部上に直接固着することができず、通常はチップ基板上に固着している。したがってこの種の発光素子の場合には電極部のAu層による青色吸収の影響は少なく本発明の構成による効果は低い。このようなチップ型半導体発光装置は例えば次のようにして作製される。チップ型装置の製造工程図の一例を図2に示す。銅箔21を両面に貼着した絶縁性基板1に金型やルータで複数本のスリット11を設けて複数本の桟12を形成する同図a。そしてフォトレジストの塗布露光現像を行って、電極部の上面部と下面部となる電極パターン部分をフォトレジストで被覆し、このレジストパターンをエッチレジストとして不要部分の銅箔21をエッチングにより除去する同図b。次に、無電解メッキにより端子電極の側面部となる桟の側面にCu層22を形成する同図c。そして、桟12の側面を含む電極パターン部分にCu,Ni,Auの各層23を電解メッキにより積層形成する同図d。次に、半導体発光素子およびボンディングワイヤのボンディング領域を除いて、電極部の上面部となる電極パターン部分に白色樹脂をシルク印刷により塗布し反射層6を形成する同図e。上記のように作製した絶縁性基板1に対し、各桟12における一方の電極部2上の反射層6が形成されていない領域に、それぞれ半導体発光素子3をボンディングする。そして、各半導体発光素子3の上面電極不図示ともう一方の電極部2’上の反射層6が形成されていない領域との間をボンディングワイヤ4によって結線する同図f。この状態の平面図を図3に示す。そして、各桟12にその長手方向に並ぶ各チップボンディング部の全てに半導体発光素子3をボンディングし、かつ所定のワイヤボンディングを行った後、例えばトランスファモールド法によって各桟12の上面をその長手方向に透光性樹脂5で一連に覆って封止体を形成する図2g。そしてダイシングなどで一定長さごとに桟を切断して図1に示したチップ型半導体発光装置を得る。本発明の半導体発光装置は例えば液晶表示装置のバックライト、光ファイバ通信用やフォトカプラ用などの装置内の点光源、家電機器における表示器などに用いられる。"