"下記一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される構成単位を含む高分子化合物。[式1-1及び式2-1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基又は-O-RARAは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を示し、RAが複数存在する場合、RAは互いに同一でも異なっていてもよい。で表される基を示す。]前記一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される構成単位におけるそれぞれの2本の結合手のうち、少なくとも一方に、置換基を有していてもよいアリーレン基、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基が結合している、請求項1に記載の高分子化合物。前記アリーレン基が、2,7-フルオレンジイル基である、請求項2に記載の高分子化合物。前記アリーレン基が、1,3-フェニレン基である、請求項2に記載の高分子化合物。前記一般式1-1及び一般式2-1において、R6及びR9がそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基である、請求項1~4のいずれか一項に記載の高分子化合物。前記一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される第1構成単位と、下記一般式3で表される第2構成単位と、下記一般式4で表される第3構成単位及び下記一般式5で表される第4構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位と、を含む請求項1~5のいずれか一項に記載の高分子化合物。[式3中、R11及びR12はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を示す。][式4中、Ar3は置換基X群から選択される1又は2以上の置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基X群から選択される1又は2以上の置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基、又は、アリーレン基及び2価の芳香族複素環基からなる群より選ばれる同一又は異なる種の基が2以上連結した2価の基該基は、置換基X群から選択される1又は2以上の置換基を有していてもよい。を示す。<置換基X群>アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、-O-RAで表される基、-S-RAで表される基、-C=O-RAで表される基、-C=O-O-RAで表される基、-NRA2で表される基、シアノ基、フッ素原子。ここでRAは請求項1に記載のものと同義であり、RAが複数存在する場合、RAは互いに同一でも異なっていてもよい。][式5中、Ar4、Ar5、Ar6及びAr7はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基、又はアリーレン基若しくは2価の芳香族複素環基が2以上連結した置換されていてもよい2価の基を表す。R13、R14及びR15はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基又はアリールアルキル基を表す。cは0~3の整数を示し、dは0又は1を示す。]前記一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される第1構成単位と、下記一般式3で表される第2構成単位と、下記一般式5で表される第4構成単位と、を含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の高分子化合物。[式3中、R11及びR12はそれぞれ請求項6に記載のものと同義である。][式5中、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、R13、R14、R15、c及びdはそれぞれ請求項6に記載のものと同義である。]前記高分子化合物が共役系高分子化合物である、請求項1~7のいずれか一項に記載の高分子化合物。前記高分子化合物における、前記一般式1-1及び一般式2-1で表される第1構成単位の合計含有量が、前記第1構成単位、前記第2構成単位、前記第3構成単位及び前記第4構成単位の総含有量基準で、0.1モル以上20モル以下である、請求項6~8のいずれか一項に記載の高分子化合物。前記高分子化合物における、前記第1構成単位、前記第2構成単位、前記第3構成単位及び前記第4構成単位の総含有量が、前記高分子化合物の総量基準で、80重量以上である、請求項6~9のいずれか一項に記載の高分子化合物。下記一般式6及び/又は一般式7で表される化合物。[式6及び式7中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10はそれぞれ請求項1に記載のものと同義であり、Ar1及びAr2はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を示し、a及びbはそれぞれ独立に0又は1を示す。Z1とZ2はそれぞれ独立に、置換基A群又は置換基B群を示す。<置換基A群>塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、-O-S=O2R16R16は置換されていてもよいアルキル基、又はアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子若しくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基を示す。で表される基。<置換基B群>-BOR172R17は水素原子又はアルキル基を示し、2個存在するR17は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。で表される基、-BF4Q1Q1はリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウムの1価の陽イオンを示す。で表される基、-MgY1Y1は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。で表される基、-ZnY2Y2は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。で表される基、-SnR183R18は水素原子又はアルキル基を示し、3個存在するR18は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。で表される基。]前記一般式6及び/又は一般式7において、R6及びR9がそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基である、請求項11に記載の化合物。下記一般式6及び/又は一般式7で表される第1単量体と、下記一般式3Mで示される第2単量体と、を含む単量体組成物を重合する、請求項1~10のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。[式6及び式7中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、Ar1、Ar2、a、b、Z1及びZ2はそれぞれ請求項11に記載のものと同義である。][式3M中、R11及びR12はそれぞれ請求項6に記載のものと同義であり、Z3及びZ4はそれぞれ独立に、請求項11における置換基A群又は置換基B群を示す。]請求項1~10のいずれか一項に記載の高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料とを含有する、高分子組成物。請求項1~10のいずれか一項に記載の高分子化合物、又は、請求項14に記載の高分子組成物を含有する、溶液。請求項1~10のいずれか一項に記載の高分子化合物、又は、請求項14に記載の高分子組成物を含有する、有機薄膜。請求項16に記載の有機薄膜を備える、発光素子。請求項17に記載の発光素子を備える、面状光源。請求項17に記載の発光素子を備える、表示装置。しかしながら、従来の高分子化合物を用いた発光素子は、その発光効率が必ずしも十分ではない。そこで、本発明は、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することを目的とする。本発明はまた、当該高分子化合物を含む高分子組成物、溶液、有機薄膜、発光素子、面状光源及び表示装置を提供することを目的とする。本発明はさらに、高分子化合物の製造方法及び原料化合物を提供することを目的とする。すなわち本発明は、下記一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される構成単位を含む高分子化合物を提供する。[式1-1及び式2-1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基又は-O-RARAは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を示し、RAが複数存在する場合、RAは互いに同一でも異なっていてもよい。で表される基を示す。]このような高分子化合物によれば、発光効率に優れる発光素子が得られる。本発明の高分子化合物は、上記一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される構成単位におけるそれぞれの2本の結合手のうち、少なくとも一方に、置換基を有していてもよいアリーレン基、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基が結合していることが好ましい。このような高分子化合物によれば、発光効率に一層優れる発光素子が得られる。また、本発明の高分子化合物は、上記アリーレン基が、2,7-フルオレンジイル基であることが好ましい。このような高分子化合物によれば、発光効率に一層優れる発光素子が得られる。また、本発明の高分子化合物は、上記アリーレン基が、1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基であることが好ましく、1,3-フェニレン基であることがより好ましい。また、本発明の高分子化合物は、前記一般式1-1及び一般式2-1において、R6及びR9が、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基であることが好ましい。このような高分子化合物によれば、発光効率に一層優れる発光素子が得られる。また、本発明の高分子化合物は、上記一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される第1構成単位と、下記一般式3で表される第2構成単位と、下記一般式4で表される第3構成単位及び下記一般式5で表される第4構成単位からなる群から選ばれる少なくとも一種の構成単位と、を含むことが好ましい。[式3中、R11及びR12はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を示す。][式4中、Ar3は置換基X群から選択される1又は2以上の置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基X群から選択される1又は2以上の置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基、又は、アリーレン基及び2価の芳香族複素環基からなる群より選ばれる同一又は異なる種の基が2以上連結した2価の基該基は、置換基X群から選択される1又は2以上の置換基を有していてもよい。を示す。<置換基X群>アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、-O-RAで表される基、-S-RAで表される基、-C=O-RAで表される基、-C=O-O-RAで表される基、-NRA2で表される基、シアノ基、フッ素原子。ここでRAは上述のものと同義であり、RAが複数存在する場合、RAは互いに同一でも異なっていてもよい。][式5中、Ar4、Ar5、Ar6及びAr7はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基、又はアリーレン基若しくは2価の芳香族複素環基が2以上連結した置換されていてもよい2価の基を表す。R13、R14及びR15はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基又はアリールアルキル基を表す。cは0~3の整数を示し、dは0又は1を示す。]また、本発明の高分子化合物は、上記一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される第1構成単位と、下記一般式3で表される第2構成単位と、下記一般式5で表される第4構成単位とを含むことが好ましい。[式3中、R11及びR12はそれぞれ上述のものと同義である。][式5中、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、R13、R14、R15、c及びdはそれぞれ上述のものと同義である。]このような高分子化合物によれば、発光効率に一層優れる発光素子が得られる。また、本発明の高分子化合物は、共役系高分子化合物であることが好ましい。このような高分子化合物によれば、発光効率に一層優れる発光素子が得られる。本発明の高分子化合物における、上記一般式1-1及び一般式2-1で表される第1構成単位の合計含有量は、上記第1構成単位、上記第2構成単位、上記第3構成単位及び上記第4構成単位の総含有量基準で、0.1モル以上20モル以下であることが好ましい。このような高分子化合物によれば、発光効率に一層顕著に優れる発光素子が得られる。上記高分子化合物における、上記第1構成単位、上記第2構成単位、上記第3構成単位及び上記第4構成単位の総含有量は、上記高分子化合物の総量基準で、80重量以上であることが好ましい。これにより、高分子化合物による上記の効果が一層顕著に奏される。また、下記一般式6及び/又は一般式7で表される化合物モノマーを提供する。[式6及び式7中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10はそれぞれ上述のものと同義であり、Ar1及びAr2はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を示し、a及びbはそれぞれ独立に0又は1を示す。Z1とZ2はそれぞれ独立に、置換基A群又は置換基B群を示す。<置換基A群>塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、-O-S=O2R16R16は置換されていてもよいアルキル基、又はアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子若しくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基を示す。で表される基。<置換基B群>-BOR172R17は水素原子又はアルキル基を示し、2個存在するR17は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。で表される基、-BF4Q1Q1はリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウムの1価の陽イオンを示す。で表される基、-MgY1Y1は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。で表される基、-ZnY2Y2は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。で表される基、-SnR183R18は水素原子又はアルキル基を示し、3個存在するR18は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。で表される基。]このような化合物は、上記高分子化合物を製造するための原料モノマーとして有用である。本発明の化合物は、上記一般式6及び/又は一般式7において、R6及びR9はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基であることが好ましい。このような化合物は、上記高分子化合物を製造するための原料モノマーとしてより有用である。本発明はまた、下記一般式6及び/又は一般式7で表される第1単量体と、下記一般式3Mで示される第2単量体とを含む単量体組成物を重合する、上記高分子化合物の製造方法を提供する。[式6及び式7中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、Ar1、Ar2、a、b、Z1及びZ2はそれぞれ上述のものと同義である。][式3M中、R11及びR12はそれぞれ上述のものと同義であり、Z3及びZ4はそれぞれ独立に、上述の置換基A群又は置換基B群を示す。]本発明はまた、上記高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料とを含有する、高分子組成物を提供する。このような高分子組成物は、発光素子の製造に好適に使用でき、得られる発光素子は発光効率に優れたものとなる。本発明はまた、上記高分子化合物、又は、上記高分子組成物を含有する、溶液を提供する。これらの溶液によれば、上記高分子化合物を含有する有機薄膜を容易に製造することができる。本発明はまた、上記高分子化合物、又は、上記高分子組成物を含有する、有機薄膜を提供する。これらの有機薄膜は、発光効率に優れる発光素子の製造に有用である。本発明はまた、上記有機薄膜を備える、発光素子を提供する。上記高分子化合物を用いて製造された発光素子は、発光効率に優れたものとなる。本発明はまた、上記の優れた発光効率を有する発光素子を用いた面状光源及び表示装置を提供する。本発明によれば、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することができる。また本発明は、当該高分子化合物を含む高分子組成物、溶液、有機薄膜、発光素子、面状光源及び表示装置を提供することができる。さらに本発明は、高分子化合物の製造方法及び高分子化合物の原料化合物を提供することができる。以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。本明細書中、構成単位とは、高分子化合物中に1個以上存在する単位構造を意味する。構成単位は、繰り返し単位すなわち、高分子化合物中に2個以上存在する単位構造として高分子化合物中に含まれることが好ましい。n価の芳香族複素環基とは、芳香族性を有する複素環式化合物から、芳香環に直接結合する水素原子のうちn個を除いた原子団を意味し、縮合環構造を有するものも含む。複素環式化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する原子として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子等のヘテロ原子を含むものをいう。芳香族複素環式化合物とは、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等のヘテロ原子を含む複素環式化合物であり、該複素環自体が芳香族性を示すもの、並びに、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等のヘテロ原子を含む複素環それ自体は芳香族性を示さなくとも、該複素環に芳香環が縮環されているもの、を意味する。n価の縮合芳香族複素環基とは、上記n価の芳香族複素環基のうち、縮合環を有するものを表す。Meはメチル基を示し、Etはエチル基を示し、Buはブチル基を示し、Phはフェニル基を示す。また、本明細書において、アリーレン基には、一般式1-1及び一般式2-1で表される基は含まれないものとする。<高分子化合物>[第1構成単位]本実施形態の高分子化合物は、下記一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される構成単位第1構成単位を含む。式1-1及び式2-1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10以下、R1~R10と言う。はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基又は-O-RARAは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を示し、RAが複数存在する場合、RAは互いに同一でも異なっていてもよい。で表される基を示す。一般式1-1と一般式2-1で示される構成単位の両方が、高分子化合物に含まれていてもよい。一般式1-1及び一般式2-1中、R1~R10におけるアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常1~20であり、好ましくは1~12である。該炭素数には置換基の炭素数は含まれない。上記アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、ドデシル基等が挙げられる。上記アルキル基における水素原子は、アリール基、1価の芳香族複素環基、-O-RAで表される基、-S-RAで表される基、-C=O-RAで表される基、-C=O-O-RAで表される基、シアノ基又はフッ素原子等で置換されていてもよい。フッ素原子で置換されたアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基が例示できる。一般式1-1及び一般式2-1中、R1~R10におけるアリール基は、芳香族炭化水素から、芳香環に直接結合する水素原子1個を除いた原子団であり、縮合環を有するものを含む。上記アリール基は、炭素数が通常6~60であり、好ましくは6~48であり、より好ましくは6~20であり、さらに好ましくは6~14である。該炭素数には置換基の炭素数は含まれない。上記アリール基としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-テトラセニル基、2-テトラセニル基、5-テトラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-ペリレニル基、3-ペリレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、1-ビフェニリル基、2-ビフェニリル基、2-フェナンスレニル基、9-フェナンスレニル基、6-クリセニル基、1-コロネニル基等が挙げられる。上記アリール基における水素原子は、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、-O-RAで表される基、-S-RAで表される基、-C=O-RAで表される基、-C=O-O-RAで表される基、シアノ基又はフッ素原子等で置換されていてもよい。一般式1-1及び一般式2-1中、R1~R10における1価の芳香族複素環基は、炭素数が通常3~60であり、好ましくは3~20である。該炭素数には置換基の炭素数は含まれない。上記1価の芳香族複素環基としては、1,3,4-オキサジアゾール-2-イル基、1,3,4-チアジアゾール-2-イル基、2-チアゾリル基、2-オキサゾリル基、2-チエニル基、2-ピロリル基、2-フリル基、2-ピリジル基、3-ピリジル基、4-ピリジル基、2-ピラジニル基、2-ピリミジニル基、2-トリアジニル基、3-ピリダジニル基、5-キノリル基、5-イソキノリル基、2-カルバゾリル基、3-カルバゾリル基、2-フェノキサジニル基、3-フェノキサジニル基、2-フェノチアジニル基、3-フェノチアジニル基等が挙げられる。上記1価の芳香族複素環基における水素原子は、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、-O-RAで表される基、-S-RAで表される基、-C=O-RAで表される基、-C=O-O-RAで表される基、シアノ基又はフッ素原子等で置換されていてもよい。RAにおけるアルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基としては、上述のR1における基と、同様のものが例示できる。一般式1-1及び一般式2-1中、R1~R10における-O-RAで表される基としては、RAがアルキル基である場合として、直鎖、分岐又は環状のアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。上記アルコキシ基は、炭素数が通常1~20であり、好ましくは1~12である。上記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、2-メトキシエチルオキシ基、2-エトキシエチルオキシ基等が挙げられる。また、一般式1-1及び一般式2-1中、R1~R10における-O-RAで表される基としては、RAがアリール基である場合として、炭素数が通常6~60、好ましくは6~30のアリールオキシ基が挙げられる。該アリール基部分としては、上述のR1で表されるアリール基と同様のものが挙げられる。より具体的には、上記アリールオキシ基としては、フェノキシ基、C1~C12アルコキシフェノキシ基C1~C12アルコキシは、アルコキシ部分の炭素数が1~12であることを示し、以下同様である。、C1~C12アルキルフェノキシ基C1~C12アルキルは、アルキル部分の炭素数が1~12であることを示し、以下同様である。、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。さらに、一般式1-1及び一般式2-1中、R1~R10における-O-RAで表される基としては、RAが1価の芳香族複素環基である場合として、炭素数が通常3~60であり、好ましくは3~20である基が挙げられる。該1価の芳香族複素環基としては、上述のR1における1価の芳香族複素環基と同様のものが挙げられる。一般式1-1及び一般式2-1中、R1~R10は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基であることが好ましい。これにより、本実施形態の高分子化合物の安定性が向上する。本実施形態の高分子化合物の安定性を良くし、且つ当該高分子化合物を用いた発光素子の発光効率をより良くするため、一般式1-1及び一般式2-1中のR3及びR10は、水素原子であることがより好ましい。一般式1-1及び一般式2-1中、R6及びR9は、得られる発光素子の発光効率が一層優れるので、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基が好ましく、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基がより好ましく、置換基を有していてもよいアリール基がさらに好ましい。これにより、モノマー合成が容易になり、かつ、本実施形態の高分子化合物の安定性が向上する。第1構成単位の具体例としては、以下の式1-001~1-022及び式2-001~2-022で表される構造が挙げられる。本実施形態の高分子化合物は、上記一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される構成単位におけるそれぞれの2本の結合手のうち、少なくとも一方に、置換基を有していてもよいアリーレン基、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基が結合していることが好ましい。この置換基を有していてもよいアリーレン基の具体例としては、以下の式1’-001~1’-011で表される構成単位が挙げられる。式中、Rは水素原子、又は、下記置換基X群のうちのいずれかの基を示し、Raは、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基を示し、それぞれ置換基を有していてもよく、複数存在するRは同一でも異なっていてもよく、複数存在するRaは同一でも異なっていてもよい。その中でも、1,4-フェニレン式1’-001、1,3-フェニレン式1’-002、及び2,7-フルオレンジイル式1’-010が好ましい。置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基の具体例としては、後述するAr3で表される2価の芳香族複素環基4-101~4-117と同様の置換基が挙げられる。第1構成単位は、本実施形態の高分子化合物中に、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。[第2構成単位]本実施形態の高分子化合物は、一般式3で表される構成単位第2構成単位を含むことが好ましい。一般式3中、R11及びR12はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を示す。一般式3中、R11及びR12におけるアルキル基としては、上述のR1におけるアルキル基と同様のものが挙げられるが、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、2-メチルブチル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、ドデシル基が好ましい。一般式3中、R11及びR12におけるアリール基としては、上述のR1におけるアリール基と同様のものが挙げられるが、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよい1-ナフチル基、置換基を有していてもよい2-ナフチル基が好ましい。一般式3中、R11及びR12における1価の芳香族複素環基としては、上述のR1における1価の芳香族複素環基と同様のものが挙げられる。一般式3中、R11及びR12における基としては、本実施形態の高分子化合物の耐熱性と溶解性が良好となるので、置換基を有していてもよいアリール基、又は、置換基を有していてもよいアルキル基が好ましく、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基若しくは置換アミノ基で置換されていてもよいアリール基、又は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基若しくは置換アミノ基で置換されていてもよいアルキル基であり、さらに好ましくは、4-トリル基、4-ブチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-ヘキシルフェニル基、4-オクチルフェニル基、4-2-エチルヘキシルフェニル基、4-3,7-ジメチルオクチルフェニル基、3-トリル基、3-ブチルフェニル基、3-tert-ブチルフェニル基、3-ヘキシルフェニル基、3-オクチルフェニル基、3-2-エチルヘキシルフェニル基、3-3,7-ジメチルオクチルフェニル基、ベンジル基、3,5-ジメチルフェニル基、3,5-ジ-tert-ブチルフェニル基、3,5-ジヘキシルフェニル基、3,5-ジオクチルフェニル基、3,4-ジヘキシルフェニル基、3,4-ジオクチルフェニル基、4-ヘキシルオキシフェニル基、4-オクチルオキシフェニル基、4-2-エトキシエトキシフェニル基、4-4’-tert-ブチルビフェニリル基、9,9-ジヘキシルフルオレン-2-イル基、9,9-ジオクチルフルオレン-2-イル基、ペンチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、又は、3,7-ジメチルオクチル基である。第2構成単位は、本実施形態の高分子化合物中に、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。[第3構成単位]本実施形態の高分子化合物は、一般式4で表される構成単位第3構成単位:上記式3で表される構成単位とは異なる。を含有する場合が好ましい。一般式4中、Ar3は置換基X群から選択される1又は2以上の置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基X群から選択される1又は2以上の置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基、又は、アリーレン基及び2価の芳香族複素環基からなる群より選ばれる同一又は異なる種の基が2以上連結した2価の基該基は、置換基X群から選択される1又は2以上の置換基を有していてもよい。を示す。ここで置換基X群は、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、-O-RAで表される基、-S-RAで表される基、-C=O-RAで表される基、-C=O-O-RAで表される基、-NRA2で表される基、シアノ基及びフッ素原子、から構成される。RAが複数存在する場合、RAは互いに同一でも異なっていてもよい。一般式4中、Ar3におけるアリーレン基は、炭素数が通常6~60であり、好ましくは6~48であり、より好ましくは6~30であり、さらに好ましくは6~14である。該炭素数には置換基の炭素数は含まない。上記アリーレン基としては、1,4-フェニレン基式4-001、1,3-フェニレン基式4-002、1,2-フェニレン基式4-003等のフェニレン基;ナフタレン-1,4-ジイル基式4-004、ナフタレン-1,5-ジイル基式4-005、ナフタレン-2,6-ジイル基式4-006、ナフタレン-2,7-ジイル基式4-007等のナフタレンジイル基;4,5-ジヒドロフェナントレン-2,7-ジイル基式4-008等のジヒドロフェナントレンジイル基;フルオレン-3,6-ジイル基式4-009;式4-010~式4-012で表されるベンゾフルオレンジイル基;アントラセン-2,6-ジイル基式4-013、アントラセン-9,10-ジイル基式4-014等のアントラセンジイル基等が挙げられる。これらのアリーレン基における水素原子は、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、-O-RAで表される基、-S-RAで表される基、-C=O-RAで表される基、-C=O-O-RAで表される基、-NRA2で表される基、シアノ基又はフッ素原子等で置換されていてもよい。式中、Rは水素原子、又は、上記置換基X群のうちのいずれかの基を示す。Raは、上記と同義である。複数存在するRは同一でも異なっていてもよく、複数存在するRaは同一でも異なっていてもよい。上記一般式4中、Ar3で表される2価の芳香族複素環基としては、本実施形態の高分子化合物の安定性が良好となるため、2価の縮合芳香族複素環基が好ましい。該2価の縮合芳香族複素環基は、炭素数が通常6~60であり、好ましくは8~20である。該炭素数には置換基の炭素数は含まない。上記2価の縮合芳香族複素環基としては、キノリン-2,6-ジイル基式4-101等のキノリンジイル基;イソキノリン-1,4-ジイル基式4-102等のイソキノリンジイル基;キノキサリン-5,8-ジイル基式4-103等のキノキサリンジイル基;カルバゾール-3,6-ジイル基式4-104、カルバゾール-2,7-ジイル基式4-105等のカルバゾールジイル基;ジベンゾフラン-4,7-ジイル基式4-106、ジベンゾフラン-3,8-ジイル基式4-107等のジベンゾフランジイル基;ジベンゾチオフェン-4,7-ジイル基式4-108、ジベンゾチオフェン-3,8-ジイル基式4-109等のジベンゾチオフェンジイル基;ジベンゾシロール-4,7-ジイル基式4-110、ジベンゾシロール-3,8-ジイル基式4-111等のジベンゾシロールジイル基;フェノキサジン-3,7-ジイル基式4-112、フェノキサジン-2,8-ジイル基式4-113等のフェノキサジンジイル基;フェノチアジン-3,7-ジイル基式4-114、フェノチアジン-2,8-ジイル基式4-115等のフェノチアジンジイル基;ジヒドロアクリジン-2,7-ジイル基式4-116等のジヒドロアクリジンジイル基;式4-117で表される2価の基等が挙げられる。これらの2価の縮合芳香族複素環基において、式中、Rは水素原子、又は、上記置換基X群のうちのいずれかの基を示す。Raは、上記と同義である。複数存在するRは同一でも異なっていてもよく、複数存在するRaは同一でも異なっていてもよい。一般式4中、Ar3におけるアリーレン基及び2価の芳香族複素環基からなる群より選ばれる同一又は異なる種の基が2以上連結した2価の基は、炭素数が通常4~60であり、好ましくは12~60である。該炭素数には置換基の炭素数は含まない。このような基としては、下記式4-201~4-208で表される基が挙げられる。上記式中、Rは上記と同義である。複数存在するRは同一でも異なっていてもよい。Ar3としては、本実施形態の高分子化合物の安定性が良好となり、且つ当該高分子化合物を用いた発光素子の発光効率がより良好となるので、1,4-フェニレン基式4-001、1,3-フェニレン基式4-002、9,10-ジヒドロフェナントレン-2,7-ジイル基式4-008、フルオレン-3,6-ジイル基式4-009、式4-010で表される2価の基、式4-011で表される2価の基、式4-012で表される2価の基、アントラセン-2,6-ジイル基式4-013、アントラセン-9,10-ジイル基式4-014、カルバゾール-3,6-ジイル基式4-104、カルバゾール-2,7-ジイル基式4-105、ジベンゾフラン-4,7-ジイル基式4-106、ジベンゾフラン-3,8-ジイル基式4-107、ジベンゾチオフェン-4,7-ジイル基式4-108、ジベンゾチオフェン-3,8-ジイル基式4-109、ジベンゾシロール-4,7-ジイル基式4-110、ジベンゾシロール-3,8-ジイル基式4-111、フェノキサジン-3,7-ジイル基式4-112、フェノチアジン-3,7-ジイル基式4-114、ジヒドロアクリジン-2,7-ジイル基式4-116、式4-117で表される2価の基、式4-201で表される2価の基、式4-202で表される2価の基、式4-207で表される2価の基が好ましい。Ar3としては、本実施形態の高分子化合物の安定性が良好となり、且つ当該高分子化合物を用いた発光素子の発光効率がより良好となるので、上記Rが水素原子、アルキル基、アリール基又は1価の芳香族複素環基であることが好ましく、上記Rが水素原子又はアルキル基であることがより好ましい。また、上記Raがアルキル基又はアリール基であることが好ましい。第3構成単位は、本実施形態の高分子化合物中に、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。[第4構成単位]本実施形態の高分子化合物は、該高分子化合物を用いて得られる発光素子の発光効率が一層良好となり、且つ耐熱性が向上することから、一般式5で表される構成単位第4構成単位を含むことが好ましい。一般式5中、Ar4、Ar5、Ar6及びAr7はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基、又はアリーレン基若しくは2価の芳香族複素環基が2以上連結した置換されていてもよい2価の基を表す。R13、R14及びR15はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基又はアリールアルキル基を表す。cは0~3の整数を示し、dは0又は1を示す。一般式5中、Ar4、Ar5、Ar6及びAr7で表される基としては、非置換若しくは置換のアリーレン基であることが、本実施形態の高分子化合物の安定性が良好になり、かつ、該高分子化合物を用いた発光素子の発光効率がより優れるので好ましい。一般式5中、Ar4、Ar5、Ar6及びAr7におけるアリーレン基としては、上記式1’-010で表される基、及び、上記Ar3で表される構成単位と同様のものが挙げられる。一般式5中、Ar4、Ar5、Ar6及びAr7における2価の芳香族複素環基としては、上記Ar3における2価の芳香族複素環基と同様のものが挙げられる。一般式5中、Ar4、Ar5、Ar6及びAr7におけるアリーレン基若しくは2価の芳香族複素環基が2以上連結した置換されていてもよい2価の基としては、上記一般式4の基のうち、式4-201~4-208で表される基が例示できる。また、Ar4、Ar5、Ar6及びAr7には上記式1’-010で表される基を含有する基も含まれる。一般式5中、R13、R14、R15としては、本実施形態の高分子化合物の安定性が良好となり、且つ当該高分子化合物を用いた発光素子の発光効率がより良好になるので、アルキル基、アリール基又は1価の芳香族複素環基であることが好ましく、アリール基であることがより好ましい。一般式5中、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7で示される基のうち、同一の窒素原子に結合する基同士が、単結合、又は、-O-、-S-、-C=O-、-C=O-O-、-NRA-、-C=O-NRA-若しくは-CRARA-で表される基を介して結合していてもよい。これにより、通常5~7員環が形成される。一般式5で表される構成単位としては、下記式5-001~5-005で表される構成単位が好ましい。式中、R及びRaは、上記と同義である。一般式5で表される構成単位としては、本実施形態の高分子化合物の安定性が良好となり、且つ当該高分子化合物を用いた発光素子の発光効率が一層優れることから、上記式5-001~5-005中のRが水素原子、アルキル基、アリール基又は1価の芳香族複素環基であるものが好ましく、水素原子又はアルキル基であるものがより好ましい。また、上記式5-001~5-005中のRaとしては、アルキル基又はアリール基が好ましい。第4構成単位は、本実施形態の高分子化合物中に、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。[置換基について]上記-S-RAで表される基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常1~20のアルキルチオ基;炭素数が通常6~60のアリールチオ基が挙げられる。上記-C=O-RAで表される基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常1~20のアルキルカルボニル基;炭素数が通常6~60のアリールカルボニル基が挙げられる。上記-C=O-O-RAで表される基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常1~20のアルキルオキシカルボニル基;炭素数が通常6~60のアリールオキシカルボニル基が挙げられる。上記-NRA2で表される基としては、炭素数が通常1~20のアルキル基及び炭素数が通常6~60のアリール基からなる群から選ばれる2個の基により置換されたアミノ基が挙げられる。[本実施形態の高分子化合物の構成連鎖]本実施形態の高分子化合物は、当該高分子化合物を用いて得られる発光素子の発光効率がより良好となることから、一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される構成単位と、一般式3で表される構成単位とが、直接結合した構成連鎖を含有することが好ましい。また、高分子化合物が共役系高分子化合物であることが、発光素子の作製に用いた場合に得られる発光素子の発光効率が一層優れるので、好ましい。ここで、共役系高分子化合物とは、主鎖骨格上に共役系が広がった高分子化合物であり、ポリフルオレン、ポリフェニレン等のアリーレン基を構成単位とするポリアリーレン;ポリチオフェン、ポリジベンゾフラン等の2価のヘテロ芳香族基を構成単位とするポリへテロアリーレン;ポリフェニレンビニレン等のポリアリーレンビニレン、また、それらの構成単位が組み合わされた共重合体が例示される。また、主鎖内にヘテロ原子等を構成単位中に含んでいても実質的に共役がつながるものであればよく、構成単位としてトリフェニルアミンから導かれる構成単位を含んでいてもよい。本実施形態の高分子化合物は、当該高分子化合物を用いて得られる発光素子の発光効率がさらに良好となるので、一般式1-1及び/又は2-1で表される第1構成単位の合計含有量が、上記第1構成単位、上記第2構成単位、上記第3構成単位及び上記第4構成単位の総含有量基準で、0.01~90モルであることが好ましく、0.1~50モルであることがより好ましく、0.1~20モルであることがさらに好ましく、0.1~10モルであることが特に好ましい。本実施形態の高分子化合物は、発光素子の作製に用いた場合に得られる発光素子の発光効率をより優れたものとするためには、一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される上記第1構成単位、一般式3で表される上記第2構成単位、一般式4で表される上記第3構成単位及び一般式5で表される上記第4構成単位の総含有量が、高分子化合物の総量基準で、80重量以上であることが好ましく、90重量以上であることがより好ましい。本実施形態の高分子化合物が一般式5で表される第4構成単位を含有する場合、第4構成単位の含有量が、上記第1構成単位、上記第2構成単位、上記第3構成単位及び上記第4構成単位の総含有量基準で、0.5モル以上であることが好ましく、1モル以上であることがより好ましい。また、上記含有量は、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に得られる発光素子の発光効率をより優れたものとするためには、20モル以下であることが好ましく、10モル以下であることがより好ましい。本実施形態に係る高分子化合物としては、例えば、第1構成単位を必須とし、これに第2構成単位、第3構成単位及び第4構成単位のうち少なくとも一種の構成単位を組み合わせた高分子化合物P1~P21が挙げられる。ここで、高分子化合物P1~P21における第1構成単位、第2構成単位、第3構成単位及び第4構成単位の総含有量は、高分子化合物の総量基準で100重量である。なお、P5、P6、P9~P14、P18については、第1構成単位と第3構成単位とが結合した形で記載した。本実施形態の高分子化合物は、末端基に重合性基がそのまま残っていると、該高分子化合物を用いて作製した発光素子の発光特性や寿命が低下する可能性がある。そのため、末端基は安定な基例えば、アリール基又は1価の芳香族複素環基であることが好ましい。本実施形態の高分子化合物は、如何なる共重合体であってもよく、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体等のいずれであってもよい。本実施形態の高分子化合物は、発光材料、電荷輸送材料等として有用であり、使用する際には、その他の化合物と併用し、後述の高分子組成物として用いてもよい。本実施形態の高分子化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー以下、GPCというによるポリスチレン換算の数平均分子量Mnは、通常、1×103~1×108であり、好ましくは1×104~1×106である。また、本実施形態の高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは、通常、1×103~1×108であり、成膜性が良好になり、且つ高分子化合物から得られる発光素子の発光効率がより良好となるので、好ましくは1×104~5×106である。発光素子等を作製するための様々なプロセスに対する耐久性や、発光素子の駆動中の発熱による安定性、耐熱性がより良好となるので、本実施形態の高分子化合物のガラス転移温度は、70°C以上であることが好ましい。本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子は、高発光効率で駆動できる高性能の発光素子である。したがって、該発光素子は、液晶ディスプレイのバックライト、照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の表示装置に有用である。さらに、本実施形態の高分子化合物は、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の伝導性薄膜用材料、蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料としても用いることができる。<高分子化合物の製造方法>本実施形態の高分子化合物は、例えば、下記一般式6及び/又は一般式7で表される化合物第1単量体と、下記一般式3Mで表される化合物第2単量体とを含む単量体組成物から製造することができる。この単量体組成物を必要に応じて有機溶媒に溶解させ、アルカリや適切な触媒、配位子を用いた公知のアリール-アリールカップリング等の重合方法により共重合することにより、本実施形態の高分子化合物を製造することができる。一般式6及び一般式7中、R1~R10はそれぞれ上記のものと同義であり、Ar1及びAr2はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を示し、a及びbはそれぞれ独立に0又は1を示す。Z1とZ2はそれぞれ独立に、置換基A群又は置換基B群を示す。ここで置換基A群は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、及び、-O-S=O2R16R16は置換されていてもよいアルキル基、又はアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子若しくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基を示す。で表される基から構成される。また、置換基B群は、-BOR172R17は水素原子又はアルキル基を示し、2個存在するR17は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。で表される基、-BF4Q1Q1はリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウムの1価の陽イオンを示す。で表される基、-MgY1Y1は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。で表される基、-ZnY2Y2は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。で表される基、及び、-SnR183R18は水素原子又はアルキル基を示し、3個存在するR18は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。で表される基から構成される。R16、R17及びR18におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、2-メチルブチル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、ドデシル基等が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。これらのアルキル基の炭素数は、通常1~20であり、好ましくは1~15であり、より好ましくは1~10である。R16におけるアリール基としては、一般式1-1中のR1におけるアリール基と同様のものが例示できるが、高分子化合物の合成が容易になり、かつ、重合時の反応性が良好になるので、フェニル基、4-トリル基、4-メトキシフェニル基、4-ニトロフェニル基、3-ニトロフェニル基、2-ニトロフェニル基及び4-トリフルオロメチルフェニル基が好ましい。-O-S=O2R16で表される基としては、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、4-メチルフェニルスルホニルオキシ基、4-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ基等が挙げられる。-BOR172で表される基としては、下記式で表される基等が挙げられる。-BF4Q1で表される基としては、-BF4-Kで表される基等が挙げられる。-SnR183で表される基としては、トリメチルスタニル基、トリエチルスタニル基、トリブチルスタニル基等が挙げられる。式3M中、R11及びR12は、上記のものと同義である。また、Z3及びZ4はそれぞれ独立に、上記置換基A群及び置換基B群からなる群から選ばれる基を示す。一般式6及び/又は一般式7におけるZ1及びZ2が、いずれも上記置換基A群から選ばれる基である場合、Z3及びZ4のうち少なくとも一方は上記置換基B群から選ばれる基である。一般式6及び/又は一般式7におけるZ1及びZ2が、いずれも上記置換基B群から選ばれる基である場合、Z3及びZ4のうち少なくとも一方は上記置換基A群から選ばれる基であることが好ましい。また、本実施形態の高分子化合物の製造に際し、上記単量体組成物は下記一般式4Mで表される化合物第3単量体及び/又は下記一般式5Mで表される化合物第4単量体をさらに含むことが好ましい。式4M中、Ar3は一般式4中のAr3と同義であり、Z5及びZ6は、それぞれ独立に、上記置換基A群及び上記置換基B群からなる群から選ばれる基を示す。式5M中、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、R13、R14、R15、c及びdは、それぞれ一般式中のAr4、Ar5、Ar6、Ar7、R13、R14、R15、c及びdと同義であり、Z7及びZ8は、それぞれ独立に、上記置換基A群及び上記置換基B群からなる群から選ばれる基を示す。本実施形態の高分子化合物の製造方法においては、一般式6のモノマーと一般式7のモノマーが混合したものを用いてもよく、その混合比率は制限されない。第1単量体、第2単量体、第3単量体及び第4単量体は、予め合成し単離したものを用いてもよく、反応系中で合成してそのまま用いてもよい。得られる高分子化合物を発光素子に用いる場合、その純度が発光素子の性能に影響を与える。そのため、これらの単量体は蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製されていることが好ましい。重合方法としては、Suzukiカップリング反応により重合する方法ケミカルレビューChem.Rev.,第95巻,2457-2483頁1995年、Grignard反応により重合する方法Bull.Chem.Soc.Jpn.,第51巻,2091頁1978年、Ni0触媒により重合する方法プログレスインポリマーサイエンスProgressinPolymerScience,第17巻,1153~1205頁,1992年、Stilleカップリング反応を用いる方法ヨーロピアンポリマージャーナルEuropeanPolymerJournal,第41巻,2923-2933頁2005年等が挙げられる。これらのうち、Suzukiカップリング反応により重合する方法、Ni0触媒により重合する方法が、原料が合成し易く、かつ、重合反応操作が簡便になるので好ましく、高分子化合物の構造制御のし易さも考慮すると、Suzukiカップリング反応、Grignard反応、Stilleカップリング反応等のアリール-アリールクロスカップリング反応により重合する方法がより好ましく、Suzukiカップリング反応により重合する反応が特に好ましい。置換基A群及び置換基B群からなる群から選ばれる基としては、重合反応の種類に応じて適切な基を選択すればよいが、Suzukiカップリング反応により重合する方法を選択する場合は、合成が簡便であり、かつ、各化合物が取り扱い易いので、置換基A群から選ばれる基としては塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましく、臭素原子がより好ましく、置換基B群から選ばれる基としては-BOR172で表される基が好ましい。重合方法としては、第1単量体、第2単量体、並びに、第3単量体及び/又は第4単量体を、必要に応じて適切な触媒や塩基とともに反応させる方法が挙げられる。Suzukiカップリング反応により重合する方法を選択する場合、所望の分子量を有する高分子化合物を得るためには、第1単量体、第2単量体、第3単量体、第4単量体が有する置換基A群から選ばれた基例えば、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子の合計モル数と、置換基B群から選ばれた基例えば、-BOR172の合計モル数との比率を調整すればよい。通常、前者のモル数に対する後者のモル数の比率を、0.95~1.05とすることが好ましく、0.98~1.02とすることがより好ましく、0.99~1.01とすることがさらに好ましい。本実施形態の高分子化合物の製造方法においては、一般式6で表される化合物の全単量体に対する仕込み比率を、0.1モル以上とすることが好ましく、20モル以下とすることが好ましい。これにより、全構成単位の合計に対する一般式1-1及び/又は一般式2-1で表される第1構成単位の比率が、0.1モル以上20モル以下である高分子化合物を容易に製造することができる。本実施形態の高分子化合物の好ましい一実施形態として、第1構成単位と第2構成単位とが連結した構成連鎖を含有する高分子化合物がある。このような高分子化合物の製造方法としては、アリール-アリールクロスカップリング反応を用いた重合であり、第1構成単位と、第2構成単位とが直接結合することが可能となるように、対応する単量体第1単量体及び第2単量体の重合性基を選択する方法や、一般式6及び/又は一般式7のAr1、Ar2として一般式3で表される基を有するものを用いる方法が挙げられる。具体的には、Suzukiカップリング反応により重合する場合、第1単量体として一般式6及び/又は一般式7におけるZ1及びZ2が-BOR172で表される基又は-BF4Q1で表される基である化合物を用い、且つ第2単量体として式3MのZ3及びZ4が塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子である化合物を用いることが好ましい。同様に、第1単量体として一般式6におけるZ1及びZ2が塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子である化合物を用い、第2単量体としてZ3及びZ4が-BOR172で表される基又は-BF4Q1で表される基である化合物を用いることが好ましい。このような単量体を用いると、Suzukiカップリング反応がクロスカップリング反応であることから、第1構成単位と第2構成単位とが直接結合される。本実施形態の高分子化合物の製造方法においては、触媒の存在下、単量体を重合することが好ましい。触媒としては、Suzukiカップリング反応により重合する場合、パラジウム[テトラキストリフェニルホスフィン]、[トリスジベンジリデンアセトン]ジパラジウム、パラジウムアセテート、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム等のパラジウム錯体等の遷移金属錯体、並びにこれらの遷移金属錯体にトリフェニルホスフィン、トリ-tert-ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の配位子が配位した錯体等が挙げられる。また、Ni0触媒により重合する場合、Ni0触媒としては、ニッケル[テトラキストリフェニルホスフィン]、[1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパン]ジクロロニッケル、[ビス1,4-シクロオクタジエン]ニッケル等のニッケル錯体等の遷移金属錯体、並びにこれらの遷移金属錯体にトリフェニルホスフィン、トリ-tert-ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピリジル等の配位子が配位した錯体等が挙げられる。上述の触媒は、予め合成したものを用いてもよいし、反応系中で調製したものをそのまま用いてもよい。また、これらの触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。触媒の使用量は、触媒としての有効量であればよく、例えば、重合反応における全単量体の合計100モルに対して、遷移金属のモル数換算で通常0.0001~300モルであり、好ましくは0.001~50モルであり、より好ましくは0.01~20モルである。Suzukiカップリング反応による重合においては、塩基を用いることが好ましく、塩基としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。塩基の使用量は、重合反応における全単量体の合計100モルに対して、通常50~2000モルであり、好ましくは100~1000モルである。重合反応は、溶媒の非存在下で行っても、溶媒の存在下で行ってもよいが、通常、有機溶媒の存在下で行う。ここで有機溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等が挙げられる。一般的に、副反応を抑制するために、脱酸素処理を行った溶媒を用いることが望ましい。有機溶媒は一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。有機溶媒の使用量は、重合反応における全単量体の合計濃度が、0.1~90重量になる量であることが好ましく、1~50重量になる量であることがより好ましく、2~30重量となる量であることがさらに好ましい。重合反応の反応温度は、好ましくは-100~200°Cであり、より好ましくは-80~150°Cであり、さらに好ましくは0~120°Cである。また、反応時間は、通常、1時間以上であり、好ましくは2~500時間である。本実施形態の高分子化合物の製造方法において、Z1、Z2として-MgY1で表される基を有する単量体を用いる場合、重合反応は脱水条件下で行うことが好ましい。一方、重合反応がSuzukiカップリング反応である場合、使用する塩基を水溶液として用いてもよく、また、溶媒として、前記有機溶媒に水を加えて用いてもよい。重合反応において、本実施形態の高分子化合物の末端に重合性基例えばZ1、Z2が残存するのを避けるために、連鎖停止剤として、下記式11で示される化合物を用いてもよい。これにより、末端がアリール基又は1価の芳香族複素環基である高分子化合物を得ることができる。式中、Ar8は置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を示し、Z9は上記置換基A群及び上記置換基B群からなる群から選ばれる基を示す。Ar8におけるアリール基、1価の芳香族複素環基としては、それぞれ上述のR1として例示されたアリール基、1価の芳香族複素環基と同様のものが例示できる。重合反応の後処理は、公知の方法で行うことができ、例えば、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応溶液を加えて、析出させた沈殿を濾過、乾燥する方法で行うことができる。本実施形態の高分子化合物の純度が低い場合には、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、クロマトグラフィー例えば、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製すればよいが、本実施形態の高分子化合物を発光素子に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えることがあるので、縮合重合後、再沈殿、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。<モノマー製造方法>本実施形態で高分子化合物の製造に使用される、一般式6及び/又は一般式7で表される化合物すなわち、モノマーの製造方法に関して説明する。一般式6及び/又は一般式7で示される化合物の製造方法は、下記反応式R1で示すことができ、重合性基Z2を一つ有する一般式8及び/又は一般式9で示される化合物と重合性基Z1を一つ有する一般式10で示される化合物を反応させることにより合成できる。反応式R1中、R1~R10、Ar1、Ar2、a、b、Z1及びZ2はそれぞれ上記のものと同義である。Xは酸素原子又はカルボニル基を示す。一般式8及び/又は一般式9において、Xは酸素原子が好ましい。一般式8及び/又は一般式9で示される化合物でXが酸素原子である化合物は、例えば、Synlett2006,No.13,2035やOrg.Lett.,2008,10,3757に示される合成法で合成することができる。一般式10で示される化合物は、例えば、Can.J.Chem.1992,Vol.70,1015に記載の合成法で合成することができる。一般式6及び/又は一般式7で示されるモノマーは上記一般式8及び/又は一般式9と一般式10で示される化合物を使用し、例えば、J.Am.Chem.Soc.,1952,Vol.73,1075.に記載の方法で反応させることにより合成することができる。Z1及びZ2が塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子である場合、モノマーの製造が容易になるのでより好ましい。上記反応式R1でZ1及びZ2が塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子である化合物は、例えば、有機合成化学協会誌,1999,Vol.57,503に記載の方法に従い、Suzukiカップリング反応による重合で有用である、ホウ酸誘導体に変換することもできる。さらに、ホウ酸誘導体は、例えば下記一般式12で示されるヨードブロモ化合物を用い、選択的Suzukiカップリング反応例えば、Org.Lett.,2005,Vol.7,4229に記載の方法により、ホウ酸由来の基を下記一般式13で示される基に変換することもできる。式12中、Arは置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基、又はアリーレン基若しくは2価の芳香族複素環基が2以上連結した置換されていてもよい2価の基を表す。式13中、Arは上記と同じ意味を表す。これらの化合物は、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、活性炭処理、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。<高分子組成物>本実施形態の高分子組成物は、高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料とを含有する。正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリp―フェニレンビニレン及びその誘導体、ポリ2,5-チエニレンビニレン及びその誘導体等が挙げられる。その他にも、特開昭63-70257号公報、特開昭63-175860号公報、特開平2-135359号公報、特開平2-135361号公報、特開平2-209988号公報、特開平3-37992号公報、特開平3-152184号公報に記載されたものも挙げられる。正孔輸送材料の含有量は、高分子組成物中の高分子化合物100重量部に対して、好ましくは1~500重量部、より好ましくは5~200重量部である。電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。その他にも、特開昭63-70257号公報、特開昭63-175860号公報、特開平2-135359号公報、特開平2-135361号公報、特開平2-209988号公報、特開平3-37992号公報、特開平3-152184号公報に記載されたものも挙げられる。電子輸送材料の含有量は、高分子組成物中の高分子化合物100重量部に対して、好ましくは1~500重量部、より好ましくは5~200重量部である。発光材料としては、低分子蛍光発光材料、燐光発光材料等が挙げられる。具体例としては、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素等の色素類、8-ヒドロキシキノリンを配位子として有する金属錯体、8-ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、スチルベン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラアリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロファン系、アセチレン系等の低分子化合物の蛍光性材料、イリジウム錯体、白金錯体等の金属錯体、三重項発光錯体等が挙げられる。その他にも、特開昭57-51781号公報、特開昭59-194393号公報等に記載されたものも挙げられる。発光材料の含有量は、高分子組成物中の高分子化合物100重量部に対して、好ましくは1~500重量部であり、より好ましくは5~200重量部である。その発光材料としては、本実施形態の発光材料を用いることが好ましい。<溶液>本実施形態の高分子化合物は、有機溶媒に溶解又は分散させて、溶液又は分散液以下、単に溶液と言う。としてもよい。このような溶液は、インク、液状組成物等と呼ばれる。上記溶液は、高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料を含有していてもよい。ここで、有機溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒;トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒;シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒;エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体;メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒;ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒;等が挙げられる。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。これらの有機溶媒のうち、ベンゼン環を含む構造を有し、融点が0°C以下であり、且つ沸点が100°C以上である有機溶媒を含むと、粘度及び成膜性が良好になるので好ましい。上記溶液によれば、本実施形態の高分子化合物を含有する有機薄膜を容易に製造することができる。具体的には、上記溶液を基板上に塗布して、加熱、減圧等により有機溶媒を留去することにより、本実施形態の高分子化合物を含有する有機薄膜が得られる。有機溶媒の留去は、使用される有機溶媒に応じて適宜条件を変更することができ、例えば、50~150°C程度の加温、10-3Pa程度の減圧により行うことができる。塗布には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。上記溶液の好適な粘度は印刷法によっても異なるが、好ましくは25°Cにおいて0.5~500mPasである。また、インクジェットプリント法のように上記溶液が吐出装置を経由する場合、吐出時の目詰まりや飛行曲がりを防止するために25°Cにおける粘度は0.5~20mPasであることが好ましい。<有機薄膜>本実施形態の有機薄膜は、本実施形態の高分子化合物を含有する。また有機薄膜は、高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料を含有していてもよい。本実施形態の有機薄膜は、上述のように上記溶液から容易に製造することができる。本実施形態の有機薄膜は、後述する有機発光素子における発光層として好適に使用することができる。また、有機半導体素子にも好適に使用できる。本実施形態の有機薄膜は、上記高分子化合物を含有するため、発光素子の発光層として使用した場合に当該発光素子の発光効率が非常に優れたものとなる。<発光素子>本実施形態の発光素子は、上記有機薄膜を備える。具体的には、本実施形態の発光素子は、陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極の間に存在する上記高分子化合物を含有する層と、を有する。ここで、上記高分子化合物を含有する層は上記有機薄膜からなる層であることが好ましく、当該層は発光層として機能することが好ましい。以下、上記高分子化合物を含有する層が、発光層として機能する場合を、好ましい一実施形態として例示する。本実施形態の発光素子の構成としては、以下のa~dの構造が挙げられる。なお、/は、その前後の層が隣接して積層していることを示す例えば、陽極/発光層とは、陽極と発光層とが隣接して積層していることを示す。。a陽極/発光層/陰極b陽極/正孔輸送層/発光層/陰極c陽極/発光層/電子輸送層/陰極d陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極なお、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。正孔輸送層と電子輸送層とを総称して電荷輸送層と呼ぶ場合がある。また、発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤー層と呼ぶ場合がある。各層の積層成膜は、それぞれ各層の構成成分を含有する溶液を用いて行うことができる。溶液からの積層成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。発光層の厚さは、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、通常、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~200nmである。正孔輸送層は、上述する正孔輸送材料を含有することが好ましい。正孔輸送層の成膜は、いかなる方法で行ってもよいが、正孔輸送材料が高分子化合物である場合には、正孔輸送材料を含有する溶液から成膜することが好ましく、正孔輸送材料が低分子化合物である場合には、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含有する混合溶液から成膜することが好ましい。成膜方法としては、上述の塗布法と同様の方法を用いることができる。上記高分子バインダーは、電荷輸送を極度に阻害しないものであって、可視光に対する吸収が強くないものが好ましい。高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。正孔輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しないような厚さが必要であるので、通常、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~200nmである。電子輸送層は、上述する電子輸送材料を含有することが好ましい。電子輸送層の成膜は、いかなる方法で行ってもよいが、電子輸送材料が高分子化合物である場合には、電子輸送材料を含有する溶液から成膜する方法、電子輸送材料を溶融して成膜する方法が好ましい。また、電子輸送材料が低分子化合物である場合には、電子輸送材料の粉末を用いて真空蒸着法により成膜する方法、電子輸送材料を含有する溶液から成膜する方法、電子輸送材料を溶融して成膜する方法が好ましい。電子輸送材料を含有する溶液から成膜する方法としては、上述の塗布法と同様の方法が例示できる。また、溶液中に高分子バインダーが含有していてもよい。上記高分子バインダーは、電荷輸送を極度に阻害しないものであって、可視光に対する吸収が強くないものが好ましい。高分子バインダーとしては、ポリN-ビニルカルバゾール、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリp-フェニレンビニレン及びその誘導体、ポリ2,5-チエニレンビニレン及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。電子輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しないような厚さが必要であるので、通常、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~200nmである。電極に隣接して設けられた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層正孔注入層、電子注入層と呼ぶことがある。電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して上記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。なお、積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して選択すればよい。電荷注入層を設けた発光素子としては、以下のe~pの構造を有するものが挙げられる。e陽極/電荷注入層/発光層/陰極f陽極/発光層/電荷注入層/陰極g陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極h陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極i陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極j陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極k陽極/電荷注入層/発光層/電荷輸送層/陰極l陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極m陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極n陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷輸送層/陰極o陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極p陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極電荷注入層としては、I導電性高分子を含む層、II陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極中の陽極材料と正孔輸送層中の正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含有する層、III陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極中の陰極材料と電子輸送層中の電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含有する層等が挙げられる。電荷注入層がI導電性高分子を含む層である場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10-5S/cm~103S/cmが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10-5S/cm~102S/cmがより好ましく、10-5S/cm~101S/cmが特に好ましい。かかる範囲を満たすために、導電性高分子に適量のイオンをドープしてもよい。ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンとしては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、カチオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。電荷注入層の厚さは、1~100nmであることが好ましく、2~50nmであることがより好ましい。導電性高分子としては、電極や隣接する層の材料との関係で選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。また、電荷注入層としては、金属フタロシアニン銅フタロシアニン等、カーボン等を含有する層も挙げられる。絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の厚さは、通常、0.1~20nmであり、好ましくは0.5~10nm、より好ましくは1~5nmである。絶縁層に用いる材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた発光素子としては、以下のq~abの構造を有するものが挙げられる。q陽極/絶縁層/発光層/陰極r陽極/発光層/絶縁層/陰極s陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極t陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/陰極u陽極/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極v陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極w陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/陰極x陽極/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極y陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極z陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極aa陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極ab陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極本実施形態の発光素子は、陽極又は陰極に隣接して基板を備えることが好ましい。基板としては、電極及び各層を形成する際に形状や性状が変化しないものが好ましく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が挙げられる。不透明な基板の場合には、該基板が接する電極とは反対側の電極が、透明又は半透明であることが好ましい。本実施形態の発光素子において、通常は、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であり、陽極が透明又は半透明であることが好ましい。陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズオキサイドITOからなる複合酸化物、インジウム亜鉛オキサイドからなる複合酸化物等の導電性無機化合物を用いて作製された膜、NESA、金、白金、銀、銅等が用いられる。また、陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機透明導電膜を用いてもよい。また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、通常、10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、さらに好ましくは50nm~500nmである。陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、該金属のうち2種以上を含む合金、該金属のうち1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1種以上とを含む合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。陰極の厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、通常、10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、さらに好ましくは50nm~500nmである。また、陰極と発光層又は陰極と電子輸送層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び/又は保護カバーを装着することが好ましい。保護層としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該保護カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを容易に防ぐことができる。該空間に窒素やアルゴン等の不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。本実施形態の高分子化合物、又は本実施形態の高分子組成物を含有する発光素子は、曲面状光源、平面状光源等の面状光源例えば、照明;セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ、液晶表示装置例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等の表示装置等に有用である。また、本実施形態の高分子化合物は、これらの作製に用いられる材料として好適である以外にも、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の伝導性薄膜用材料、蛍光を発する発光性薄膜材料、高分子電界効果トランジスタの材料等としても有用である。本実施形態の発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、上記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。さらに、ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等に用いることができる。以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC島津製作所製、商品名:LC-10Avpを用いて以下の測定条件により求めた。<測定条件>測定する高分子化合物は、約0.05重量の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに10μL注入した。GPCの移動相としてテトラヒドロフランを用い、2.0mL/分の流速で流した。カラムとして、PLgelMIXED-Bポリマーラボラトリーズ製を用いた。検出器には示差屈折率検出器島津製作所製、商品名:RID-10Aを用いた。<ベンゾ[k]フルオランテン骨格を含むモノマーの合成>[実施例1]{化合物1の合成}1Lの4つ口ナスフラスコに、5-ブロモフタル酸無水物23.2g、100.2mmolを入れ、THF430mLを加えて溶解させた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。-66°Cまで冷却した後、リチウムトリ-tert―ブトキシアルミニウムヒドリド100.2mL、100.2mmol、1.0MTHF溶液を滴下した。-65°C以下で2時間攪拌後、水100mL及び希塩酸400mLを加えて、反応を停止させた。反応溶液を水層と有機層とに分液し、水層を酢酸エチル400mLで2回抽出して得られた有機層と前記有機層とを合わせた後、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過し、濃縮することで、白色固体として化合物1を23.5g得た。この段階でこれ以上の精製は行わず、次の反応に用いた。{化合物2の合成}300mLのナスフラスコに化合物123.45gを入れ、メタノール232mLを加えて溶解させた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。80°Cで6時間加熱して還流させた。その後、放冷して得られた溶液を、濃縮し、酢酸エチル100mL及び水100mLを加えて、水層と有機層とに分液した。次いで、水層を酢酸エチル100mLで抽出して得られた有機層と前記有機層とを合わせて得られた有機層を飽和食塩水100mLで洗浄した。洗浄した有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過し、濃縮することで、淡黄色オイルとして化合物2を20.3g得た。{化合物3の合成}1Lの4つ口ナスフラスコに、化合物216.2gを入れ、THF267mLを加えて溶解させた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。0°Cまで冷却した後、フェニルマグネシウムブロミド110.0mL、110.0mmol、1.0MTHF溶液を滴下し、この温度で3時間撹拌した後、希塩酸200mLを滴下して、反応を停止させた。反応溶液を水層と有機層とに分液し、水層を酢酸エチル300mLで2回抽出して得られた有機層と前記有機層とを合わせて得られた有機層を水300mLで洗浄した。洗浄した有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過し、濃縮することで、化合物3を22.1g得た。{化合物4の合成}300mLのナスフラスコに、化合物322.1g、及び、5-ブロモアセナフチレン12.1g、52.2mmolを入れ、キシレン182mLを加えて溶解させた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。150°Cで4時間加熱して還流させた後、室温まで放冷し、p-トルエンスルホン酸2.98gを加え、110°Cで5時間攪拌した。その後、放冷して得られた溶液を、溶媒を減圧留去した。着色成分除去のために、ヘキサン/トルエン=20/1の混合液100mLに溶解後、水層と有機層とに分液し、水層をトルエン200mLで2回抽出して得られた有機層と前記有機層とを合わせて得られた有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液200mL、及び、水200mLで洗浄した。洗浄した有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過し、濃縮することで得られた粗生成物をシリカゲルカラムヘキサンを用いて精製することで、淡黄色固体として化合物4化合物4a、4bの混合物を13.3g得た。1H-NMRの測定によれば、2種の異性体4a、4bが1:1のモル比率で生成していた。LC-MSAPPI、positive:[MH]561.8[実施例2]{化合物5の合成}200mLの4つ口フラスコに、化合物4化合物4a、4bの混合物5.0g、8.75mmol、ビスピナコレートジボロン4.89g、酢酸カリウム5.15gを入れた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。そこに、1,4-ジオキサン50mL、塩化パラジウムジフェニルホスフィノフェロセンPdCl2dppf0.43g、及びジフェニルホスフィノフェロセンdppf0.29gを加え、105°Cで17時間攪拌した。得られた溶液を、室温まで冷却した後、セライトをプレコートした漏斗で濾過した。濾液を減圧濃縮して得られた濃縮物をヘキサンに溶解させた後、活性炭を加えて70°Cで1時間加熱しながら攪拌した。得られた混合物を、室温まで冷却した後、セライトをプレコートした漏斗で濾過した。濾液を減圧濃縮して得られたオイルにアセトニトリル200mLを加えて析出した固体を、濾取することで黄色固体として化合物5化合物5a、5bの混合物を3.7g得た。{化合物6の合成}500mLの3つ口フラスコに、化合物5化合物5a、5bの混合物3.61g、5.00mmol、及び、3-ブロモヨードベンゼン5.72g及び、炭酸銀2.76gを入れた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。そこに、THF122mL、及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム289mgを加え、50°Cで7時間加熱した。得られた溶液を、室温まで冷却した後、セライトをプレコートした漏斗で濾過した。濾液を減圧濃縮して得られた濃縮物をシリカゲルカラムヘキサン/クロロホルム=5/1を用いて精製することで、淡黄色固体として化合物6化合物6a、6bの混合物を1.36g得た。LC-MSAPPI、positive:[MH]714.9[実施例3]{化合物7の合成}300mLの4つ口ナスフラスコに、マグネシウム4.6g、及びTHF50mLを入れた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。3,5-ジヘキシルブロモベンゼン40.9gを滴下した後、THF75mLを加えて1時間加熱して還流させ、Grignard試薬を調製した。1Lの4つ口ナスフラスコに、化合物215.3gを入れ、THF300mLに溶解させた。先ほど調製したGrignard試薬を-5°C以下で滴下し、この温度で5時間攪拌後、希塩酸300mLを滴下して、反応を停止させた。反応溶液を水層と有機層とに分液し、水層をクロロホルム250mLで2回抽出して得られた有機層と前記有機層とを合わせて得られた有機層を飽和食塩水300mLで洗浄した。洗浄した有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過し、濃縮することで、化合物7を42.6g得た。{化合物8の合成}500mLのナスフラスコに、化合物742.6g、及び、5-ブロモアセナフチレン17.1g、62.9mmolを入れ、キシレン290mLを加えて溶解させた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。150°Cで4時間加熱して還流させた後、室温まで放冷し、p-トルエンスルホン酸3.59gを加え、110°Cで4時間攪拌した。その後、放冷して得られた溶液を水層と有機層とに分液し、水層をトルエン200mLで2回抽出して得られた有機層と前記有機層とを合わせて得られた有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液300mL、及び、飽和食塩水200mLで洗浄した。洗浄した有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過し、濃縮することで得られた粗生成物をシリカゲルカラムヘキサンを用いて精製することで、淡黄色オイルとして化合物8化合物8a、8bの混合物を8.9g得た。{化合物9の合成}300mLの4つ口フラスコに、化合物8化合物8a、8bの混合物8.9g、9.82mmol、ビスピナコレートジボロン5.49g、酢酸カリウム5.84gを入れた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。そこに、1,4-ジオキサン44mL、塩化パラジウムジフェニルホスフィノフェロセンPdCl2dppf0.48g、及びジフェニルホスフィノフェロセンdppf0.34gを加え、105°Cで8.5時間攪拌した。得られた溶液を、室温まで冷却した後、セライトをプレコートした漏斗で濾過した。濾液を減圧濃縮して得られた濃縮物をヘキサンに溶解させた後、活性炭を加えて70°Cで1時間加熱しながら攪拌した。得られた混合物を、室温まで冷却した後、セライトをプレコートした漏斗で濾過した。濾液を減圧濃縮することで黄色オイルとして化合物9化合物9a、9bの混合物を10.5g得た。LC-MSESI、KCl:[MK]1032.6{化合物10の合成}200mLのナスフラスコに、化合物9化合物9a、9bの混合物9.75g、9.82mmol、3-ブロモヨードベンゼン28.3g、及び、炭酸銀27.3gを入れた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。そこに、THF100mL、及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム567mgを加え、35°Cで37時間加熱した。得られた溶液を、室温まで冷却した後、セライト及びシリカゲルをプレコートした漏斗で濾過した。濾液を減圧濃縮して得られた濃縮物をシリカゲルカラムヘキサン/クロロホルム=5/1を用いて精製することで、淡黄色オイルとして化合物10化合物10a、10bの混合物を3.90g得た。LC-MSAPPI、positive:[MH]1049.3[実施例4]{化合物11の合成}300mLのナスフラスコに5-ブロモアセナフチレン10.0g、43.27mmolを入れ、フラスコ内の気体をアルゴンで置換した後、無水テトラヒドロフラン102mLを入れ、-78°Cに冷却した。その後、n-ブチルリチウムのヘキサン溶液2.73mol/L、17mLを15分かけて滴下し、1時間保温した。その後、2-イソプロポキシ-4455-テトラメチル-132-ジオキサボロラン10.1g、54.5mmolを15分かけて滴下し、30分撹拌した。その後、室温まで昇温し、水1gを加え、濃縮することで得られた濃縮物を、シリカゲルカラムヘキサン/トルエン=3/1を用いて精製することで、黄赤色固体として化合物11を10.3g得た。{化合物12の合成}アルゴン置換した300mLのナスフラスコに化合物115.2g、15mmol、炭酸銀8.3g、30mmol、m-ブロモヨードベンゼン17.2g、60mmol、及び、無水テトラヒドロフラン174mLを入れ、室温で窒素を10分バブリングした。50°Cに昇温後、パラジウム[テトラキストリフェニルホスフィン]0.87g、0.75mmolを入れ、6時間保温しながら撹拌した。反応液を室温まで冷却後、水及びトルエンを入れて、水層と有機層とに分液した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過後、濃縮することで得られた濃縮物を、シリカゲルカラムヘキサンを用いて精製することで、オレンジ色オイルとして化合物12を5.9g得た。{化合物13の合成}300mLのナスフラスコに、化合物79.7g、10mmol、及び、化合物123.9g、10mmolを入れ、キシレン124mLを加えて溶解させた後、フラスコ内の気体を窒素で置換した。140°Cで加熱して還流させながら1時間撹拌した後、110°Cまで冷却し、p-トルエンスルホン酸0.53gを加え、110°Cで5時間攪拌した。その後、室温まで放冷し、水とトルエンを加えて、水層と有機層とに分液し、有機層をさらに5重量炭酸ナトリウム水で洗浄した。洗浄した有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過し、濃縮することで得られた濃縮物をシリカゲルカラムヘキサンを用いて精製することで、淡黄色固体として化合物13化合物13a、13bの混合物を5.8g得た。1H-NMRの測定によれば、2種の異性体13a、13bが1:1のモル比率で生成していた。LC-MSAPCI、positive:[MH]973<高分子化合物A~Jの合成>[実施例5]下記式K-12種の構成単位の存在比モル比は、およそ50:50で表される構成単位と、下記式K-2で表される構成単位を、10:90のモル比で有する重合体高分子化合物Aの合成。アルゴン雰囲気下、下記式M-2-B:で表される化合物1.285g、2.00mmolと、下記式M-2-Br:で表される化合物0.878g、1.60mmolと、実施例1で合成した化合物40.225g、0.40mmolと、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mgと、トルエン50mLとを混合し、105°Cで加熱した。反応液に20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液6.6mLを滴下し、2時間40分還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸24mg、トルエン5mLを加え、さらに18.5時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、有機層を、水26mLで2回、3重量酢酸水溶液26mLで2回、水26mLで2回洗浄し、得られた溶液をメタノール400mLに滴下したところ沈殿物が生じたので、それを濾取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン80mLに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール400mLに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物Aを0.62g得た。高分子化合物Aのポリスチレン換算数平均分子量は1.14×105であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.97×105であった。[実施例6]下記式K-12種の構成単位の存在比モル比は、およそ50:50で表される構成単位と、下記式K-2で表される構成単位と、下記式K-3で表される構成単位と、下記式K-4で表される構成単位と、3:14:5:78のモル比で有する重合体高分子化合物Bの合成。アルゴン雰囲気下、下記式M-3-Br:で表される化合物0.163g、0.20mmolと、下記式M-2-B:で表される化合物0.360g、0.56mmolと、下記式M-4-B:で表される化合物1.064g、1.44mmolと、下記式M-4-Br:で表される化合物1.083g、1.68mmolと、実施例1で合成した化合物40.067g、0.12mmolと、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mgと、トルエン50mLとを混合し、105°Cで加熱した。反応液に20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液6.6mLを滴下し、2時間40分還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸24mg、トルエン5mLを加え、さらに18.5時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、有機層を、水26mLで2回、3重量酢酸水溶液26mLで2回、水26mLで2回洗浄し、得られた溶液をメタノール400mLに滴下したところ沈殿物が生じたので、それを濾取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン80mLに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール400mLに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物Bを1.33g得た。高分子化合物Bのポリスチレン換算数平均分子量は9.40×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.59×105であった。[実施例7]下記式K-12種の構成単位の存在比モル比は、およそ50:50で表される構成単位と、下記式K-2で表される構成単位と、下記式K-3で表される構成単位と、下記式K-5で表される構成単位と、下記式K-6で表される構成単位とを5:14:5:36:40のモル比で有する重合体高分子化合物Cの合成。アルゴン雰囲気下、下記式M-3-Br:で表される化合物0.163g、0.20mmolと、下記式M-2-B:で表される化合物0.360g、0.56mmolと、下記式M-5-B:で表される化合物1.104g、1.44mmolと、下記式M-6-Br:で表される化合物1.031g、1.60mmolと、実施例1で合成した化合物40.112g、0.20mmolと、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mgと、トルエン50mLとを混合し、105°Cで加熱した。反応液に20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液6.6mLを滴下し、2時間40分還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸24mg、トルエン5mLを加え、さらに18.5時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、有機層を、水26mLで2回、3重量酢酸水溶液26mLで2回、水26mLで2回洗浄し、得られた溶液をメタノール400mLに滴下したところ沈殿物が生じたので、それを濾取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン80mLに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール400mLに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物Cを1.36g得た。高分子化合物Cのポリスチレン換算数平均分子量は1.03×105であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は3.02×105であった。[実施例8]下記式K-72種の構成単位の存在比モル比は、およそ50:50で表される構成単位と、下記式K-2で表される構成単位と、下記式K-3で表される構成単位と、下記式K-5で表される構成単位と、下記式K-6で表される構成単位とを、3:14:5:36:42のモル比で有する重合体高分子化合物Dの合成。アルゴン雰囲気下、下記式M-3-Br:で表される化合物0.163g、0.20mmolと、下記式M-2-B:で表される化合物0.360g、0.56mmolと、下記式M-5-B:で表される化合物1.104g、1.44mmolと、下記式M-6-Br:で表される化合物1.083g、1.68mmolと、実施例2で合成した化合物60.086g、0.12mmolと、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mgと、トルエン50mLとを混合し、105°Cに加熱した。反応液に20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液6.6mLを滴下し、2時間40分還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸24mg、トルエン5mLを加え、さらに18.5時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、有機層を、水26mLで2回、3重量酢酸水溶液26mLで2回、水26mLで2回洗浄し、得られた溶液をメタノール400mLに滴下したところ、沈殿物が生じたので、それを濾取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン80mLに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール400mLに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物Dを1.49g得た。高分子化合物Dのポリスチレン換算数平均分子量は1.18×105であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は3.32×105であった。[実施例9]下記式K-72種の構成単位の存在比モル比は、およそ50:50で表される構成単位と、下記式K-2で表される構成単位と、下記式K-5で表される構成単位と、下記式K-6で表される構成単位とを10:14:36:40のモル比で有する重合体高分子化合物Eの合成。アルゴン雰囲気下、下記式M-2-B:で表される化合物0.360g、0.56mmolと、下記式M-5-B:で表される化合物1.104g、1.44mmolと、下記式M-6-Br:で表される化合物1.031g、1.60mmolと、実施例2で合成した化合物60.286g、0.40mmolと、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mgと、トルエン50mLとを混合し、105°Cに加熱した。反応液に20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液6.6mLを滴下し、2時間40分還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸24mg、トルエン5mLを加え、さらに18.5時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、有機層を、水26mLで2回、3重量酢酸水溶液26mLで2回、水26mLで2回洗浄し、得られた溶液をメタノール400mLに滴下したところ沈殿物が生じたので、それを濾取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン80mLに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール400mLに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物Eを1.3g得た。高分子化合物Eのポリスチレン換算数平均分子量は8.30×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.79×105であった。[実施例10]下記式K-72種の構成単位の存在比モル比は、およそ50:50で表される構成単位と、下記式K-2で表される構成単位と、下記式K-3で表される構成単位と、下記式K-4で表される構成単位と、5:14:5:76のモル比で有する重合体高分子化合物Fの合成。アルゴン雰囲気下、下記式M-3-Br:で表される化合物0.163g、0.20mmolと、下記式M-2-B:で表される化合物0.360g、0.56mmolと、下記式M-4-B:で表される化合物1.064g、1.44mmolと、下記式M-4-Br:で表される化合物1.031g、1.60mmolと、実施例2で合成した化合物60.143g、0.20mmolと、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mgと、トルエン50mLとを混合し、105°Cに加熱した。反応液に20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液6.6mLを滴下し、2時間40分還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸24mg、トルエン5mLを加え、さらに18.5時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、有機層を、水26mLで2回、3重量酢酸水溶液26mLで2回、水26mLで2回洗浄し、得られた溶液をメタノール400mLに滴下したところ沈殿物が生じたので、それを濾取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン80mLに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール400mLに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物Fを1.4g得た。高分子化合物Fのポリスチレン換算数平均分子量は8.00×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.90×105であった。[実施例11]下記式K-82種の構成単位の存在比モル比は、およそ50:50で表される構成単位と、下記式K-2で表される構成単位と、下記式K-5で表される構成単位と、下記式K-6で表される構成単位とを10:14:36:40のモル比で有する重合体高分子化合物Gの合成。アルゴン雰囲気下、下記式M-2-B:で表される化合物0.360g、0.56mmolと、下記式M-5-B:で表される化合物1.104g、1.44mmolと、下記式M-6-Br:で表される化合物1.031g、1.60mmolと、実施例3で合成した化合物100.420g、0.40mmolと、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mgと、トルエン50mLとを混合し、105°Cに加熱した。反応液に20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液6.6mLを滴下し、2時間40分還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸24mg、トルエン5mLを加え、さらに18.5時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、有機層を、水26mLで2回、3重量酢酸水溶液26mLで2回、水26mLで2回洗浄し、得られた溶液をメタノール400mLに滴下したところ沈殿物が生じたので、それを濾取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン80mLに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール400mLに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物Gを1.4g得た。高分子化合物Gのポリスチレン換算数平均分子量は7.00×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.07×105であった。[実施例12]下記式K-92種の構成単位の存在比モル比は、およそ50:50で表される構成単位と、下記式K-2で表される構成単位と、下記式K-3で表される構成単位と、下記式K-4で表される構成単位と、5:14:5:76のモル比で有する重合体高分子化合物Hの合成。アルゴン雰囲気下、下記式M-3-Br:で表される化合物0.163g、0.20mmolと、下記式M-2-B:で表される化合物0.360g、0.56mmolと、下記式M-4-B:で表される化合物1.064g、1.44mmolと、下記式M-4-Br:で表される化合物1.031g、1.60mmolと、実施例4で合成した化合物130.195g、0.20mmolと、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mgと、トルエン50mLとを混合し、105°Cに加熱した。反応液に20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液6.6mLを滴下し、2時間40分還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸24mg、トルエン5mLを加え、さらに18.5時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、有機層を、水26mLで2回、3重量酢酸水溶液26mLで2回、水26mLで2回洗浄し、得られた溶液をメタノール400mLに滴下したところ沈殿物が生じたので、それを濾取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン80mLに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール400mLに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物Hを1.4g得た。高分子化合物Hのポリスチレン換算数平均分子量は8.8×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.53×105であった。[合成例1]下記式K-10で表される構成単位と、下記式K-2で表される構成単位を、10:90のモル比で有する重合体高分子化合物Iの合成。アルゴン雰囲気下、下記式M-2-B:で表される化合物1.285g、2.00mmolと、下記式M-2-Br:で表される化合物0.878g、1.60mmolと、下記式M-10-Br:で表される化合物0.275g、0.40mmolと、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mgと、トルエン50mLとを混合し、105°Cで加熱した。反応液に20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液6.6mLを滴下し、2時間40分還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸24mg、トルエン5mLを加え、さらに18.5時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、有機層を、水26mLで2回、3重量酢酸水溶液26mLで2回、水26mLで2回洗浄し、得られた溶液をメタノール400mLに滴下したところ沈殿物が生じたので、それを濾取することで沈殿物を得た。該沈殿物をトルエン80mLに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール400mLに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物を濾取し、乾燥させることにより、高分子化合物Iを1.10g得た。高分子化合物Iのポリスチレン換算数平均分子量は1.80×105であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は4.81×105であった。[合成例2]下記式K-11で表される構成単位と、下記式K-12で表される構成単位と、下記式K-2で表される構成単位を、47.5:2.5:50のモル比で有する重合体高分子化合物Jの合成。アルゴン雰囲気下、下記式M-2-Z:で表される化合物3.863g、7.283mmolと、下記式M-3-Z1:で表される化合物3.177g、6.919mmolと、下記式M-2-Z2:で表される化合物156.3mg、0.364mmolと、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム4.9mgと、第四級アンモニウムクロライドの0.74Mトルエン溶液アリクアトAliquat登録商標336、シグマアルドリッチ社製、3.1mLと、トルエン50mLを混合し、105°Cに加熱した。反応液に炭酸ナトリウム水溶液2.0M、14mLを滴下し、16.5時間還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸0.5g、トルエン140mLを加え、さらに18.5時間還流させた。次いで、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム0.75g及び水50mLを添加した。得られた混合物を油浴85°C中、16時間撹拌した。得られた反応生成物から、水層を除去し、有機層を水100mLで3回洗浄し、次いでシリカゲル及び塩基性アルミナのカラムに通した。次いで、こうして得られた溶液をメタノールに沈殿させる操作を2回繰り返した後、得られた沈殿物を濾取し、60°Cで真空乾燥させることにより、高分子化合物Jを4.2g得た。高分子化合物Jのポリスチレン換算数平均分子量は4.40×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は1.24×105であった。<有機EL素子の作製と評価>[実施例13]スパッタ法により45nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、ポリチオフェンスルホン酸のエチレングリコールモノブチルエーテル/水=3/2の混合溶液シグマアルドリッチ社、商品名:PlexcoreOC1200を用いてスピンコートにより50nmの厚さで成膜し、ホットプレート上で170°Cで15分間乾燥させた。次に、上記膜上に、合成例2で合成した高分子化合物Jを0.7重量のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約20nmの厚みに成膜した。その後、ホットプレート上で180°C、60分間加熱した。次に、実施例5で合成した高分子化合物Aをキシレン溶媒中に1.3重量の濃度で溶解させ、さらに上記膜上に、スピンコートにより2100rpmの回転速度で成膜した。得られた膜の厚さは約60nmであった。これを窒素ガス雰囲気下、130°Cで10分間乾燥させた後、陰極としてフッ化ナトリウムを約3nm、次いでアルミニウムを約80nm真空蒸着して、有機EL素子を作製した。なお、真空蒸着の際は、真空度が1×10-4Pa以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。得られた有機EL素子に電圧を印加したところ、この有機EL素子から高分子化合物Aに由来する470nmにピークを有する有機EL発光が得られた。該有機EL素子は2.6Vから発光が開始し、4.2Vで1000cd/m2の発光を示し、最大発光効率は11.9cd/Aであった。[実施例14]実施例13において、高分子化合物Aに代えて、実施例6で合成した高分子化合物Bをキシレン溶媒中に1.0重量の濃度で溶解させ、スピンコートにより800rpmの回転速度で成膜した以外は実施例13と同様にして、有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に電圧を印加したところ、高分子化合物Bに由来する470nmにピークを有する有機EL発光が得られた。該有機EL素子は2.7Vから発光が開始し、4.5Vで1000cd/m2の発光を示し、最大発光効率は14.2cd/Aであった。[実施例15]実施例13において、高分子化合物Aに代えて、実施例7で合成した高分子化合物Cをキシレン溶媒中に1.3重量の濃度で溶解させ、スピンコートにより2100rpmの回転速度で成膜した以外は実施例13と同様にして、有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に電圧を印加したところ、高分子化合物Cに由来する470nmにピークを有する有機EL発光が得られた。該有機EL素子は2.7Vから発光が開始し、4.4Vで1000cd/m2の発光を示し、最大発光効率は14.1cd/Aであった。[実施例16]実施例13において、高分子化合物Aに代えて、実施例8で合成した高分子化合物Dをキシレン溶媒中に1.3重量の濃度で溶解させ、スピンコートにより2400rpmの回転速度で成膜した以外は実施例13と同様にして、有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に電圧を印加したところ、高分子化合物Dに由来する470nmにピークを有する有機EL発光が得られた。該有機EL素子は2.7Vから発光が開始し、4.4Vで1000cd/m2の発光を示し、最大発光効率は9.6cd/Aであった。[実施例17]実施例13において、高分子化合物Aに代えて、実施例9で合成した高分子化合物Eをキシレン溶媒中に1.3重量の濃度で溶解させ、スピンコートにより1600rpmの回転速度で成膜した以外は実施例13と同様にして、有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に電圧を印加したところ、高分子化合物Eに由来する480nmにピークを有する有機EL発光が得られた。該有機EL素子は2.8Vから発光が開始し、4.7Vで1000cd/m2の発光を示し、最大発光効率は7.2cd/Aであった。[実施例18]実施例13において、高分子化合物Aに代えて、実施例10で合成した高分子化合物Fをキシレン溶媒中に1.3重量の濃度で溶解させ、スピンコートにより1800rpmの回転速度で成膜した以外は実施例13と同様にして、有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に電圧を印加したところ、高分子化合物Fに由来する475nmにピークを有する有機EL発光が得られた。該有機EL素子は2.8Vから発光が開始し、4.7Vで1000cd/m2の発光を示し、最大発光効率は7.6cd/Aであった。[実施例19]実施例13において、高分子化合物Aに代えて、実施例11で合成した高分子化合物Gをキシレン溶媒中に1.3重量の濃度で溶解させ、スピンコートにより1290rpmの回転速度で成膜した以外は実施例13と同様にして、有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に電圧を印加したところ、高分子化合物Gに由来する480nmにピークを有する有機EL発光が得られた。該有機EL素子は2.8Vから発光が開始し、4.7Vで1000cd/m2の発光を示し、最大発光効率は6.9cd/Aであった。[実施例20]実施例13において、高分子化合物Aに代えて、実施例12で合成した高分子化合物Hをキシレン溶媒中に1.3重量の濃度で溶解させ、スピンコートにより1750rpmの回転速度で成膜した以外は実施例13と同様にして、有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に電圧を印加したところ、高分子化合物Hに由来する480nmにピークを有する有機EL発光が得られた。該有機EL素子は2.8Vから発光が開始し、5.0Vで1000cd/m2の発光を示し、最大発光効率は8.0cd/Aであった。[比較例1]実施例13において、高分子化合物Aに代えて、合成例1で合成した高分子化合物Iをキシレン溶媒中に1.3重量の濃度で溶解させ、スピンコートにより2150rpmの回転速度で成膜した以外は実施例13と同様にして、有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に電圧を印加したところ、高分子化合物Iに由来する480nmにピークを有する有機EL発光が得られた。該有機EL素子は3.2Vから発光が開始し、5.6Vで1000cd/m2の発光を示し、最大発光効率は6.3cd/Aであった。"