荷電粒子ビームを試料上に成型されたショットで照射して所定パターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、前記荷電粒子ビームを所定の副偏向領域の位置に偏向させる主偏向器と、前記荷電粒子ビームを前記副偏向領域内の所定のショット位置に偏向させる副偏向器と、前記試料を載置して異動させるステージと、を備える描画部と、前記荷電粒子ビームの偏向を制御し、前記所定パターンの重複定義及び前記重複定義通りの描画を許可する偏向制御部と、前記ステージの移動を制御するステージ制御部と、前記偏向制御部と前記ステージ制御部に対する制御を行う制御計算機と、から構成される制御部と、を備え、前記偏向制御部は、前記所定の副偏向領域の位置決めを行う主偏向制御部と、前記所定のショット位置の制御を行う副偏向制御部と、前記副偏向領域におけるショット面積を加算し、描画面積を求める面積カウンタと、前記所定の副偏向領域の描画処理が行われる際に、前記描画面積が設定値を超えるか否かを判断し、前記描画面積が設定値を超える場合に、前記描画処理を中断させ、前記所定の副偏向領域の位置決めを再度前記主偏向制御部に行わせ、前記描画処理を再開させる判定部と、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。荷電粒子ビームを試料上に成型されたショットで照射して所定パターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、前記荷電粒子ビームを所定の副偏向領域の位置に偏向させる主偏向器と、前記荷電粒子ビームを前記副偏向領域内の所定のショット位置に偏向させる副偏向器と、前記試料を載置して異動させるステージと、を備える描画部と、前記荷電粒子ビームの偏向を制御し、前記所定パターンの重複定義及び前記重複定義通りの描画を許可する偏向制御部と、前記ステージの移動を制御するステージ制御部と、前記偏向制御部と前記ステージ制御部に対する制御を行う制御計算機と、から構成される制御部と、を備え、前記偏向制御部は、前記所定の副偏向領域の位置決めを行う主偏向制御部と、前記所定のショット位置の制御を行う副偏向制御部と、前記所定の副偏向領域における総照射面積を算出する面積算出部と、前記所定の副偏向領域の描画処理が行われる際に、前記総照射面積が予め定められている設定値を超えるか否かを判断し、前記設定値を超える場合に、前記荷電粒子ビームの整定時間を、前記総照射面積が前記設定値を超えない場合の整定時間よりも長く設定する判定部と、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。成形された荷電粒子ビームが照射されて所定パターンを描画する描画処理が行われる試料上において、前記所定パターンの重複定義及び前記重複定義通りの描画が許可された所定の副偏向領域の位置決めを行うステップと、前記所定の副偏向領域内のショット位置の制御を行うステップと、前記荷電粒子ビームの整定時間終了後に、前記荷電粒子ビームのショットを照射するステップと、ショット面積を加算し、照射面積を求めるステップと、前記照射面積と予め定められている設定値とを比較するステップと、前記照射面積が前記設定値よりも大きな場合に、前記描画処理を中断させるステップと、再度前記所定の副偏向領域の位置決めを行い、前記描画処理を再開させるステップと、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。ゼロサイズの前記荷電粒子ビームのショットを照射した後に、前記描画処理を中断するステップが行われることを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム描画方法。成形された荷電粒子ビームが照射されて所定パターンを描画する描画処理が行われる試料上において、前記所定パターンの重複定義及び前記重複定義通りの描画を許可された所定の副偏向領域の位置決めを行うステップと、前記所定の副偏向領域におけるショットの総照射面積を算出するステップと、前記総照射面積と予め定められている設定値とを比較するステップと、前記所定の副偏向領域における前記総照射面積が前記設定値よりも大きい場合に、前記荷電粒子ビームの整定時間を、前記総照射面積が設定値を超えない場合よりも長く設定するステップと、前記設定された前記整定時間に基づいて前記描画処理を行うステップと、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。しかしながら、特許文献1に記載の発明、或いは、図7、図8を用いて説明した方法では、斜線を形成するに当たって以下のような不都合が生ずる可能性がある。すなわち、なるべく滑らかに斜線を形成するべくショットSを重複するように照射すると、特に図9に示すように、1つのサブフィールド副偏向領域SF内に複数の斜線を形成しなければならない場合には、描画対象となる1つの副偏向領域SFの全面積よりも入力で定義された重複パターンに従って生成されるショットSによって照射される面積の方が大きくなってしまう可能性がある。また、そもそもショットSを重複させて描画させることを認めているため、誤ってショットSが重複してしまっても当該重複を排除することができない場合も考えられる。これらのような状態では、ショットSが副偏向領域SFに重複して照射されることによって、ショットSの照射領域、つまり、副偏向領域SF内の温度上昇がどこまでになるかを予測することができない。特に高速サイクルでショットSを照射した場合にこの傾向が顕著である。また、微細なパターン以外の領域にて、例えば、当該微細なパターンに比べれば大きなパターンが定義される場合であってこの大きなパターンが重複してしまうと、副偏向領域SFのような局所領域ではその結果生成される多数のショットのほとんどすべてのショットが重複することになる。そのためショット数が増加し、より温度上昇が顕現しやすく激しい温度上昇を防ぐことができない。当該温度上昇が予め想定される範囲内で済むのであれば問題はないが、あまりに副偏向領域SF内の温度が高温になってしまうと、レジストヒーティングによる寸法精度の劣化が生じ、さらにはレジストが過熱により蒸発、或いは、飛散し、荷電粒子ビーム描画装置内部を汚染してしまうことにもなりかねない。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、副偏向領域内においてショットが重複して照射される場合に、副偏向領域における温度上昇を確実に抑制することが可能な荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することにある。本発明の実施の形態に係る特徴は、荷電粒子ビームを試料上に成型されたショットで照射して所定パターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、荷電粒子ビームを所定の副偏向領域の位置に偏向させる主偏向器と、荷電粒子ビームを副偏向領域内の所定のショット位置に偏向させる副偏向器と、試料を載置して異動させるステージと、を備える描画部と、荷電粒子ビームの偏向を制御し、前記所定パターンの重複定義及び前記重複定義通りの描画を許可する偏向制御部と、ステージの移動を制御するステージ制御部と、偏向制御部とステージ制御部に対する制御を行う制御計算機と、から構成される制御部と、を備え、偏向制御部は、所定の副偏向領域の位置決めを行う主偏向制御部と、所定のショット位置の制御を行う副偏向制御部と、副偏向領域におけるショット面積を加算し、描画面積を求める面積カウンタと、所定の副偏向領域の描画処理が行われる際に、描画面積が設定値を超えるか否かを判断し、描画面積が設定値を超える場合に、描画処理を中断させ、所定の副偏向領域の位置決めを再度主偏向制御部に行わせ、描画処理を再開させる判定部とを備える。本発明の実施の形態に係る特徴は、荷電粒子ビームを試料上に成型されたショットで照射して所定パターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、荷電粒子ビームを所定の副偏向領域の位置に偏向させる主偏向器と、荷電粒子ビームを副偏向領域内の所定のショット位置に偏向させる副偏向器と、試料を載置して異動させるステージと、を備える描画部と、荷電粒子ビームの偏向を制御し、所定パターンの重複定義及び重複定義通りの描画を許可する偏向制御部と、ステージの移動を制御するステージ制御部と、偏向制御部とステージ制御部に対する制御を行う制御計算機と、から構成される制御部と、を備え、偏向制御部は、所定の副偏向領域の位置決めを行う主偏向制御部と、所定のショット位置の制御を行う副偏向制御部と、所定の副偏向領域における総照射面積を算出する面積算出部と、所定の副偏向領域の描画処理が行われる際に、総照射面積が予め定められている設定値を超えるか否かを判断し、設定値を超える場合に、荷電粒子ビームの整定時間を、総照射面積が設定値を超えない場合の整定時間よりも長く設定する判定部とを備える。本発明の実施の形態に係る特徴は、荷電粒子ビーム描画方法において、成形された荷電粒子ビームが成型して照射されて所定パターンを描画する描画処理が行われる試料上において、所定パターンの重複定義及び重複定義通りの描画が許可された所定の副偏向領域の位置決めを行うステップと、所定の副偏向領域内のショット位置の制御を行うステップと、荷電粒子ビームの整定時間終了後に、荷電粒子ビームのショットを照射するステップと、ショット面積を加算し、照射面積を求めるステップと、照射面積と予め定められている設定値とを比較するステップと、照射面積が設定値よりも大きな場合に、描画処理を中断させるステップと、再度所定の副偏向領域の位置決めを行い、描画処理を再開させるステップとを備える。荷電粒子ビーム描画方法において、ゼロサイズの荷電粒子ビームのショットを照射した後に、描画処理を中断するステップが行われることが望ましい。本発明の実施の形態に係る特徴は、荷電粒子ビーム描画方法において、成形された荷電粒子ビームが照射されて所定パターンを描画する描画処理が行われる試料上において、所定パターンの重複定義及び重複定義通りの描画が許可された所定の副偏向領域の位置決めを行うステップと、所定の副偏向領域におけるショットの総照射面積を算出するステップと、総照射面積と予め定められている設定値とを比較するステップと、所定の副偏向領域における総照射面積が設定値よりも大きい場合に、荷電粒子ビームの整定時間を、総照射面積が設定値を超えない場合よりも長く設定するステップと、設定された整定時間に基づいて描画処理を行うステップとを備える。本発明によれば、描画パターンの重複によって、副偏向領域内においてショットが重複して照射される場合に、副偏向領域における温度上昇を確実に抑制することが可能な荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。第1の実施の形態図1は、本発明の実施の形態における荷電粒子ビーム描画装置1の全体構成を示すブロック図である。なお、以下の実施の形態においては、荷電粒子ビームの一例として電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは電子ビームに限られるものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームであっても良い。荷電粒子ビーム描画装置1は、試料に所定のパターンを描画する装置であり、特に可変成形型の描画装置の一例である。図1に示すように、荷電粒子ビーム描画装置1は、大きく描画部2と制御部3を備えている。描画部2は、電子鏡筒4と描画室6を備えている。電子鏡筒4内には、電子銃41と、この電子銃41から照射される荷電粒子ビーム電子ビームBの光路に沿って、照明レンズ42と、ブランキング偏向器43と、ブランキングアパーチャ44と、第1の成形アパーチャ45と、投影レンズ46と、成形偏向器47と、第2の成形アパーチャ48と、対物レンズ49と、副偏向器50と、主偏向器51とが順に配置されている。描画室6の中には、XYステージ61が配置される。XYステージ61上には、描画時には試料となるマスク等の試料Mが配置される。試料Mは、実際にはXYステージ61上に直接載置されるわけではなくXYステージ61と試料Mとの間に設けられる保持部材によって保持されるが、図1においては図示を省略する。ブランキング偏向器43は、例えば、2極、或いは、4極等の複数の電極によって構成される。また、成形偏向器47、副偏向器50、主偏向器51は、例えば、4極、或いは、8極等の複数の電極によって構成される。図1では、成形偏向器47、副偏向器50、主偏向器51、それぞれの偏向器ごとに1つの偏向アンプしか記載していないが、各電極にそれぞれ少なくとも1つの偏向アンプが接続される。制御部3は、制御計算機31と、ブランキングアンプ33と、成形偏向アンプ34と、副偏向アンプ35と、主偏向アンプ36とを備えている。また、制御計算機31内には、偏向制御部32実施の形態によって偏向制御部32A、或いは、偏向制御部32Bがあるが、まとめて示す場合には適宜偏向制御部32と表わす及びステージ制御部37が設けられている。一方、制御計算機31には、図1では図示を省略しているが、例えば、メモリ、磁気ディスク装置等の記憶装置や荷電粒子ビーム描画装置1と外部とを接続するための外部インターフェイスI/F回路とが備えられていても良い。偏向制御部32、ブランキングアンプ33、成形偏向アンプ34、副偏向アンプ35、主偏向アンプ36は、図示しないバスを介して互いに接続されている。なお、以下においては、成形偏向アンプ34、副偏向アンプ35、主偏向アンプ36を適宜まとめてDACDigitaltoAnalogConverterアンプと表わす。ブランキングアンプ33は、ブランキング偏向器43に接続される。また、成形偏向アンプ34は、成形偏向器47に接続される。副偏向アンプ35は副偏向器50に、主偏向アンプ36は主偏向器51に接続される。ブランキングアンプ33、成形偏向アンプ34、副偏向アンプ35、主偏向アンプ36に対しては、偏向制御部32から、それぞれ独立した制御用のデジタル信号が出力される。デジタル信号が入力された成形偏向アンプ34、副偏向アンプ35、主偏向アンプ36は、それぞれのデジタル信号をアナログ電圧信号に変換し、増幅させて偏向電圧として接続された各偏向器に出力する。このようにして、各偏向器には、それぞれ接続されるDACアンプから偏向電圧が印加される。かかる偏向電圧によって電子ビームが偏向させられる。なお、荷電粒子ビーム描画装置1には、上述したように電子ビームEBを取り囲むように成形偏向器47、副偏向器50、主偏向器51が4極、或いは、8極設けられており、電子ビームEBを挟んで各々一対4極の場合は2対、8極の場合は4対配置されている。そして成形偏向器47、副偏向器50、主偏向器51ごとにそれぞれDACアンプが接続されている。但し、図1には成形偏向器47、副偏向器50、主偏向器51に接続されているDACアンプをそれぞれ1つずつのみ示し、その他のDACアンプの表示を省略している。ステージ制御部37は、XYステージ61と制御計算機31とに接続し、XYステージ61の動きを検出するとともに、XYステージ61の上に載置される試料Mが所望の位置となるように描画処理に合わせてXYステージ61を移動させる。制御計算機31内には、図1では特に図示されていないが、例えば、データ処理部、設定部、演算部といった各部が設けられている。これらの各部は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良く、ハードウェアで構成されても良い。また、ソフトウェアとハードウェアとの組み合わせで構成されても良い。またこれら各部が上述したようにソフトウェアを含んで構成される場合、制御計算機31に入力される入力データ、或いは、演算された結果は、都度図示しないメモリに記憶される。なお、図1に示す本発明の実施の形態における荷電粒子ビーム描画装置1には、本発明の実施の形態を説明する上で必要な構成のみを示している。従って、その他の構成、例えば、各レンズを制御する制御回路等が付加されていても良い。荷電粒子ビーム描画装置1は、以下のように動作して対象へ描画を行う。電子銃41放出部から放出された電子ビームEBは、ブランキング偏向器43内を通過する際、ブランキング偏向器43によってONの状態にされている場合に電子ビームEBがブランキングアパーチャ44を通過するように制御される。一方、OFFの状態では、電子ビームEB全体がブランキングアパーチャ44で遮蔽されるように偏向される図1において破線で示している。ブランキングアンプ33からの偏向電圧で電子ビームEBをONとしたときにブランキングアパーチャ44を通過した電子ビームEBが1回の電子ビームのショットとなる。以上のようにブランキング偏向器43とブランキングアパーチャ44とを通過することによって生成された各ショットの電子ビームEBは、照明レンズ42により矩形の孔を持つ第1の成形アパーチャ45全体を照明する。ここで電子ビームEBをまず矩形に成形する。そして、第1の成形アパーチャ45を通過した第1のアパーチャ像の電子ビームEBは、投影レンズ46により第2の成形アパーチャ48上に投影される。第1の成形アパーチャ45を通過した電子ビームEBの向きを制御するための偏向電圧が成形偏向アンプ34から成形偏向器47に印加される。第2の成形アパーチャ48上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。第2の成形アパーチャ48を通過した電子ビームEBの照射位置を制御するための偏向電圧が副偏向アンプ35から副偏向器50に対して、さらに主偏向アンプ36から主偏向器51に対して出力される。第2の成形アパーチャ48を通過し第2のアパーチャ像とされた電子ビームEBは、対物レンズ49により焦点を合わせられ、連続的に移動するXYステージ61に配置された試料Mの所望する位置に照射される。図2は、本発明の実施の形態における試料Mと主偏向領域MF、副偏向領域SFとの関係を説明する説明図である。図2に示すように、荷電粒子ビーム描画装置1を用いて所定のパターンを描画する場合には、描画対象試料となる、例えばマスク、或いは、評価用基板の描画領域は、主偏向器51により偏向可能な幅で、例えば、Y方向にストライプ状の複数の単位描画領域ストライプNに分割される。さらに、各ストライプNにおいてX方向にも、例えば、ストライプNのY方向の幅と同じ幅で区切られる。この区切られた領域が主偏向器51により偏向可能な主偏向領域MFとなる。また、主偏向領域MFをさらに細分化した領域が副偏向領域サブフィールドSFとなる。ここで副偏向器50は、電子ビームEBの副偏向領域SF内におけるショットSの位置を制御するために用いられる。従って、副偏向領域SF内で描画されるショットSの描画面積は、重複を許可された状態で照射されない限り、副偏向領域SFの面積を超えることはない。一方、重複してショット可能とした場合、ショットSが描画される面積は描画対象となる1つの副偏向領域SFの面積を超えることになる。図3は、本発明の第1の実施の形態における偏向制御部32Aの内部構成を示すブロック図である。偏向制御部32Aは、主偏向制御部32aと、副偏向制御部32bと、面積カウンタ32cと、判定部32dと、送信部32eとから構成される。このうち、主偏向制御部32aは、主偏向アンプ36を介して主偏向器51に偏向電圧を印加する。また、副偏向制御部32bは、副偏向アンプ35を介して副偏向器50に偏向電圧を印加する。面積カウンタ32cは、1つの副偏向領域SFにおけるショットの面積を加算して、描画面積を求める。また、判定部32dは、面積カウンタ32cにおいて加算された描画面積を別途予め定められている設定値と比較して、副偏向領域に対する描画処理の流れを決定する。なお、面積カウンタ32c、判定部32dの詳細な働きについては、描画処理の流れを説明する際に併せて説明する。また、図3に示す第1の実施の形態における偏向制御部32Aの内部構成については、第1の実施の形態を説明する上で必要と思われる構成のみを示し、その他の機能を備える構成についてはその図示を省略している。図4は、本発明の第1の実施の形態における描画処理の流れを示すフローチャートである。まず、主偏向データとステージ位置情報等により偏向電圧を求め、主偏向制御部32aより主偏向アンプ36へ出力する主偏向位置決めを行いST1、図2に示すストライプNの中から描画対象となる主偏向領域MF内の副偏向領域SFの位置が決定される。このとき、副偏向領域SFにおいては、予め描画パターンの重複定義が行われ、重複定義通りの描画が許可されている。次いで、副偏向領域SFにおける描画処理を開始するST2。また、描画処理の開始に関する信号を受信した面積カウンタ32cは、これまで加算されてきた、直前の描画処理において描画された副偏向領域SFの面積の累積情報をクリアにするST3。面積カウンタ32cは、1つの副偏向領域SFごとに電子ビームEBによってショットされた面積描画面積をカウントする。当該面積カウンタ32cにおいてカウント描画面積は、後述する判定部32dにおいて描画処理を継続するか否かの判定を行う際の材料となる。ここで、判定部32dは、主偏向器51主偏向アンプ36の整定時間セトリング時間が経過したか否かを判断するST4。試料Mに電子ビームEBを照射して描画処理を行う際、主偏向アンプ36からの偏向電圧が安定した状態にあることが大切である。照射の準備が整わないうちに照射を開始すると、描画される図形パターンの位置がずれてしまい、最終的に不適切な描画処理となってしまう。そこで、主偏向領域MFの位置制御が開始され主偏向アンプ36からの偏向電圧が安定してショットを打つことが可能となるまでの時間を整定時間とする。整定時間が経過したことが確認されるとST4のYES、描画対象となる副偏向領域SFの位置を確定するべく副偏向制御部32bが位置の制御と行うとともに、照射されるショットSの偏向を行うST5。副偏向領域SFに電子ビームEBが照射されると、1つのショットSで照射された面積ショット面積が面積カウンタ32cに加算されるST6。描画処理に当たって、1度のショットでどのくらいの面積に対して電子ビームEBが照射されるかに関する情報は、偏向制御部32Aに入力される。そこで、副偏向制御部32b、或いは、判定部32dから描画面積に関する情報が面積カウンタ32cに送られて、当該副偏向領域SFにおいて描画された面積が加算される。1つのショットSが照射される度に面積カウンタ32cに描画された面積が加算されるため、判定部32dは都度当該描画面積が予め定められている設定値よりも大きいか否かを判定するST7。本発明の実施の形態においてはショットSの重複定義を行い、重複定義通りの描画を許可することにより重ね合わせて描画するため、描画対象となる副偏向領域SFの面積よりも実際に照射された描画された面積が大きくなる。そのため、副偏向領域SFに照射される電子ビームEBのエネルギーを基に、副偏向領域SF内の温度が上昇する。ショットSが重複して照射されない場合は、照射のエネルギー等の条件から当該副偏向領域SF内の温度が最大でどのくらいまで上昇するかはある程度計算することによって求めることができる。従って、当該計算値を基に適宜照射の条件を変更して温度上昇の調整を図ることが可能である。しかしながら、ショットSが重複して照射される場合には、どの程度の温度上昇が見込めるかについては、最大の重複の回数や程度が定まっていないため必ずしも計算にて算出することができない。また、重ね合わせて照射するということは、同一の場所に複数回照射することになるため、この場所においては放熱する速度に対し電子ビームの照射による温度上昇の速度が速く、温度が低下せずに一方的に上昇していくこともあると考えられる。従って、描画面積面積カウンタ32cにて加算された面積が設定値を超えた場合には、これ以上ショットSを重ねて照射することを中断し、一旦描画処理自体を終了させる。描画処理の終了により主偏向アンプ36の位置制御を改めて行う必要が生ずるが、この処理の実行と整定の時間の間に放熱させて副偏向領域SFにおける温度上昇を抑制する。ここで設定値は、予め定められているが、その設定は自由に行うことが可能である。設定値を決定するに当たっては、例えば、主偏向アンプ36の整定時間を参考にすることができる。整定時間の間に限って副偏向領域SFの放熱が行われることを考えると、この整定時間が短い場合には、それだけ早い段階で描画処理を終了させて温度の上昇を制限する必要がある。従って、設定値は、描画処理の対象とされる副偏向領域SFにおいて描画される面積を基準として設定される。描画処理の対象とされる副偏向領域SFにおいて描画される面積に対して、例えば、副偏向領域SFの面積の50~100となるように設定される。このようにして設定される設定値と面積カウンタ32cに加算される実際に描画された面積とを比較して、後者が依然として前者よりも大きな値を示していると判定部32dが判定した場合にはST7のNO、このまま描画処理を継続しても副偏向領域SFにおける温度上昇を制限範囲内にすることができる。従って、判定部32dは、描画処理を行う際の情報内にサブフィールドエンド情報が含まれていないか判断しST8、含まれていない場合にはST8のNO、そのまま対象となる副偏向領域SFに対して描画処理が継続して行われる。ここでサブフィールドエンド情報とは、描画対象となる副偏向領域SFへの描画処理を終了させるための指示情報のことである。描画処理が進みサブフィールドエンドまで到達した場合にはST8のYES、そこで当該副偏向領域SFに対する描画処理が終了するST9。判定部32dによって描画面積が設定値よりも大きいと判定された場合には、判定部32dはショットSのシーケンスデータの中にサブフィールドエンド情報を追加するST10。なお、一連の描画処理の関する情報に、もともとこのサブフィールドエンドが含まれている場合には、サブフィールドエンドを追加した後、1度副偏向領域SFの位置制御及びショットが必要となる。その場合には、副偏向制御部32bが位置制御を行い、再度副偏向領域SFに対してショットSが照射されるST11。このとき0サイズの空ショットを照射することにより、ブランキングではカットしきれない電子ビームEBを確実にカットすることができ、誤パターンの照射を防止することができる。この段階で、副偏向領域SFに対する描画処理は中断されるST12。但し、このままでは副偏向領域SFにおける描画処理が途中であり、定義される図形パターンは未完成のままである。そこで、判定部32dで、改めて主偏向制御部32aに入力される主偏向データを生成するST13。なお、ここで生成される主偏向データについては、描画処理が終了するまでその処理が行われていた副偏向領域SFに対して行われるものであることから、中断前の描画処理と同じ副偏向領域SFの座標を持つデータでなければならない。また、判定部32dによってサブフィールドエンドが追加され描画処理が中断された後も、XYステージ61は依然として偏向制御部32Aの制御とは関係なく制御計算機31の指示に基づいて移動している。従って、中断前の状態から改めて副偏向領域SFの描画を開始しようとしても、試料Mが載置されているXYステージ61が移動していることから、この移動量を主偏向電圧に反映させる必要がある。そこで、ステップST1に戻り、再度主偏向位置決めを行った後、中断したところから改めて当該副偏向領域SFに対する描画処理が再開される。以上説明した通り、描画面積が設定値よりも大きな値となった場合に、適宜描画処理を中断し、主偏向アンプ36の整定時間を利用して描画対象となる副偏向領域SFへのショットSの照射によって上昇した温度をマスク基板内に拡散させる時間をとることで低下させることによって、副偏向領域内においてショットが重複して照射される場合に、副偏向領域における温度上昇を確実に抑制することが可能な荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することができる。さらに、副偏向領域における温度上昇を確実に抑制することができれば、試料面におけるレジストの想定した制限値以上の温度上昇を回避することができる。レジストの温度が上昇すると、レジストの感度が高くなり、ショットの照射によって形成された図形パターンの仕上がり寸法が大きくなってしまう。このように仕上がり寸法が大きくなることは、換言すれば、もともと予定していた寸法精度が劣化することに他ならない。従って、副偏向領域及びレジストの温度上昇を確実に抑制することで、高い寸法精度を確保することが可能となる。また、副偏向領域における温度上昇を確実に抑制することによって、レジストヒーティングによる寸法精度の劣化が生じ、さらには更にレジストが過熱することにより蒸発、或いは、飛散し、荷電粒子ビーム描画装置内部を汚染してしまうことを回避することができる。第2の実施の形態次に本発明における第2の実施の形態について説明する。なお、第2の実施の形態において、上述の第1の実施の形態において説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、同一の構成要素の説明は重複するので省略する。第2の実施の形態においては、副偏向領域の同一場所に重複してショットを照射することによる温度上昇を確実に抑制するべく、照射されるショットの間隔を空けることによって対処する点で、第1の実施の形態における態様と相違する。図5は、本発明の第2の実施の形態における偏向制御部32Bの内部構成を示すブロック図である。偏向制御部32Bは、主偏向制御部32aと、副偏向制御部32bと、面積算出部32fと、判定部32gと、送信部32eとから構成される。このうち、第2の実施の形態における偏向制御部32Bにおいては、面積算出部32fと判定部32gとが第1の実施の形態における偏向制御部32Aと相違する。なお、判定部32gについては、偏向制御部32Aにおける判定部32dと略同じ機能を果たすが、比較する対象及び比較の結果の対応が第1の実施の形態とは大きく異なる。面積算出部32fは、描画対象となる副偏向領域SFにおいてショットにより照射される面積を算出する。第2の実施の形態においては、当該面積以下、総照射面積と表わすが、描画対象となる副偏向領域SFの面積を基にどのくらいの割合となるかを基準として副偏向領域SFにおける温度上昇の抑制のための対処を行うか否かを判定する。従って、面積算出部32fは、当該判定の基礎となる総照射面積を算出する。また、判定部32gは、上述した対処を行うべく判定を行う。もし、総照射面積が後述する設定値を超えた場合、判定部32gは、その対処方法として、整定時間を長く取り副偏向領域SFへ照射されるショットの間隔空ける方法を採用する。具体的には、以下説明する。図6は、本発明の第2の実施の形態における描画処理の流れを示すフローチャートである。第2の実施の形態においては、まず、面積算出部32fが、次に描画処理が行われる副偏向領域SFにおける総照射面積を算出するST21。副偏向領域SFの描画処理は、対象となる副偏向領域における全ての描画処理が終了した後に、次に対象となる副偏向領域への描画処理が開始される。従って、ここで次のとは、現在描画処理が行われている副偏向領域を副偏向領域SF1とし、この副偏向領域SF1の次に描画処理が行われる副偏向領域を副偏向領域SF2とした場合における、副偏向領域SF2を指す。なお、描画処理のスループットを考慮すれば、描画処理が開始される直前に描画対象となる副偏向領域SFの総照射面積を算出することも可能ではあるが、現在描画処理が行われている副偏向領域SF1の次に描画処理が行われる予定の副偏向領域SF2に関する総照射面積の算出を副偏向領域SF1の描画処理が完了する以前に、副偏向領域SF1およびそれに先行する副偏向領域SFの描画と並行して行うのがより好ましい。その上で、まず、主偏向データとステージ位置情報等により偏向電圧を求め、主偏向制御部32aより主偏向アンプ36へ出力する主偏向位置決めを行い、副偏向領域SFでの描画処理が開始される。このとき、実施形態1と同様に、副偏向領域SFにおいては、予め描画パターンの重複定義が行われ、重複定義通りの描画が許可されている。この時点では、上述したように、既に描画処理の対象となる副偏向領域SFに関する総照射面積は、面積算出部32fによって算出されている。従って、面積算出部32fは事前に制御計算機31からショットのシーケンスデータを入手している。副偏向領域SFでの描画処理が開始されると、判定部32gは、面積算出部32fから総照射面積に関する情報を入手し、当該総照射面積が予め定められている設定値よりも大きな値を示すか否か判断するST22。ここで設定値とは、副偏向領域SFの総面積を基に算出される値であり、例えば、副偏向領域SFの面積の80~100となるように設定することが可能である。判定部32gは、総照射面積と上述した設定値とを比較しいずれの値が大きいか判定する。その結果、前者が後者よりも小さな値を示していると判定される場合にはST22のNO、通常の整定時間に従って副偏向制御部32bの制御によりショットの照射を行うST23。これは、総照射面積が設定値よりも小さい場合、ショットを重複して照射しても、特別な対処をすることなく照射の対象となる副偏向領域SF内における温度上昇を想定レベル以下に抑制することが可能と判断されるためである。そして、副偏向領域SFでの描画処理が終了するまで描画処理が行われる。一方、総照射面積が設定値よりも大きな値を示していると判定される場合にはST22のYES、判定部32gは、通常よりも長い時間の整定時間を用いて描画処理を行うよう対処するST24ように副偏向制御部32bに指令を行う。また、特定の整定時間の設定の方法については、例えば、通常の整定時間の1倍より大きい時間を設定する、或いは、通常の整定時間に所定の時間を付加して設定する、といった方法を挙げることができる。このとき総照射面積に応じて整定時間を変動させても良い。以上説明した通り、副偏向領域へ照射されるショットの整定時間を伸ばすことによってショット照射の時間間隔を空け、温度拡散の時間余裕をとることで副偏向領域内における温度上昇を緩和させ、副偏向領域内においてショットが重複して照射される場合に、副偏向領域における温度の一方的な上昇を確実に抑制することが可能な荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することができる。また、第1の実施の形態において説明した通り、レジストの温度上昇も抑制することによって、高い寸法精度を確保するとともに、さらにはレジストが過熱により蒸発、或いは、飛散し、荷電粒子ビーム描画装置内部を汚染してしまうことを回避することも可能となる。本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図していない。この実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。