"光導電層および前記光導電層上の表面層を有し、前記光導電層と前記表面層との間にN層ただし、Nは3以上の奇数である。の中間層を有する電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面に中心波長がλ[μm]である画像露光光を照射して、前記電子写真感光体の表面に潜像を形成するための画像露光装置とを有する電子写真装置において、前記光導電層の屈折率をn0とし、前記光導電層側から1番目の中間層の屈折率をn1とし、前記光導電層側からi番目ただし、iは1以上N以下の整数である。の中間層の屈折率をniとし、前記光導電層側からN番目の中間層の屈折率をnNとし、前記表面層の屈折率をnN1とし、前記光導電層側からi番目の中間層の膜厚をdi[μm]とした場合、屈折率n0、n1、ni、nNおよびnN1が下記式1を満たし、n0>n1>>ni>>nN>nN11前記光導電層側から奇数番目の各中間層については、屈折率niが下記式2をそれぞれ満たしただし、iが1の場合、ni-1は前記光導電層の屈折率n0であり、iがNの場合、ni1は前記表面層の屈折率nN1である。、前記光導電層側から奇数番目の各中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式3を満たすことになるための整数piただし、piは正の整数である。がそれぞれ存在し、前記光導電層側から奇数番目の中間層の中から2層の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された2層の中間層に挟まれている各中間層の屈折率niと膜厚di[μm]の積nidiの和が下記式4を満たすことになるための整数qただし、qは0以上の整数である。が存在する組み合わせが1組以上存在することを特徴とする電子写真装置。前記各piが1または2である請求項1に記載の電子写真装置。前記Nが5以上の奇数である請求項1または2に記載の電子写真装置。前記光導電層側から偶数番目の中間層のうち、1層以上の偶数番目の中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式5を満たすことになるための整数qiただし、qiは0以上の整数である。が存在する請求項1~3のいずれか1項に記載の電子写真装置。前記各qiが1、2、3または4である請求項4に記載の電子写真装置。前記Nが5以上の奇数であり、前記光導電層側から偶数番目の中間層のうち、1層以上の偶数番目の中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が前記式5を満たすことになるための整数qiただし、qiは0以上の整数である。が存在し、残りの偶数番目の中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が前記式3を満たすことになるための整数piただし、piは正の整数である。が存在する請求項4または5に記載の電子写真装置。前記Nが下記式6ただし、kは正の整数である。を満たす整数であり、N=4k-16前記光導電層側から2k番目の中間層を中心として対称な配置となる2層の偶数番目の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された2層の偶数番目の中間層の屈折率niおよび膜厚di[μm]がどちらも前記式5を満たす組み合わせが1組以上存在する請求項4~6のいずれか1項に記載の電子写真装置。前記Nが下記式7ただし、hは正の整数である。を満たす整数であり、N=4h17前記光導電層側から偶数番目の各中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式8を満たすことになるための整数siただし、siは2si-1/2h1が奇数でない数になる正の整数である。がそれぞれ存在する請求項1~3のいずれか1項に記載の電子写真装置。前記siが下記式9ただし、saは2sa-1/2h1が奇数でない数になる正の整数であり、miは0以上の整数である。を満たす整数であるsi=sa2h1mi9請求項8に記載の電子写真装置。前記siが16h9/2未満である請求項8または9に記載の電子写真装置。前記Nが下記式6ただし、kは正の整数である。を満たす整数であり、N=4k-16前記光導電層側から偶数番目の各中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式10を満たすことになるための整数uiただし、uiはui/k1が奇数でない数になる正の整数である。がそれぞれ存在する請求項1~3のいずれか1項に記載の電子写真装置。前記各uiが下記式11ただし、uaはua/k1が奇数でない数になる正の整数であり、viは0以上の整数であるを満たす整数であるui=ua2k1vi11請求項11に記載の電子写真装置。前記uiが8k1以下である請求項11または12に記載の電子写真装置。前記Nが11以下の奇数である請求項1~13のいずれか1項に記載の電子写真装置。前記光導電層がアモルファスシリコンで構成された層であり、前記中間層および前記表面層がアモルファスシリコンカーバイドまたはアモルファスシリコンナイトライドで構成された層である請求項1~14のいずれか1項に記載の電子写真装置。光導電層および前記光導電層上の表面層を有し、前記光導電層と前記表面層との間にN層ただし、Nは3以上の奇数である。の中間層を有する電子写真感光体であって、中心波長がλ[μm]である画像露光光の被照射体である電子写真感光体において、前記光導電層の屈折率をn0とし、前記光導電層側から1番目の中間層の屈折率をn1とし、前記光導電層側からi番目ただし、iは1以上N以下の整数である。の中間層の屈折率をniとし、前記光導電層側からN番目の中間層の屈折率をnNとし、前記表面層の屈折率をnN1とし、前記光導電層側からi番目の中間層の膜厚をdi[μm]とした場合、屈折率n0、n1、ni、nNおよびnN1が下記式1を満たし、n0>n1>>ni>>nN>nN11前記光導電層側から奇数番目の中間層については、屈折率niが下記式2をそれぞれ満たしただし、iが1の場合、ni-1は前記光導電層の屈折率n0であり、iがNの場合、ni1は前記表面層の屈折率nN1である。、前記光導電層側から奇数番目の中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式3を満たすことになるための整数piただし、piは正の整数である。がそれぞれ存在し、前記光導電層側から奇数番目の中間層の中から2層の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された2層の中間層に挟まれている各中間層の屈折率niと膜厚di[μm]の積nidiの和が下記式4を満たすことになるための整数qただし、qは0以上の整数である。が存在する組み合わせが1組以上存在することを特徴とする電子写真感光体。前記光導電層側から偶数番目の中間層のうち、1層以上の偶数番目の中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式5を満たすことになるための整数qiただし、qiは0以上の整数である。が存在する請求項16に記載の電子写真感光体。前記Nが下記式7ただし、hは正の整数である。を満たす整数であり、N=4h17前記光導電層側から偶数番目の各中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式8を満たすことになるための整数siただし、siは2si-1/2h1が奇数でない数になる正の整数である。がそれぞれ存在する請求項16に記載の電子写真感光体。前記Nが下記式6ただし、kは正の整数である。を満たす整数であり、N=4k-16前記光導電層側から偶数番目の各中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式10を満たすことになるための整数uiただし、uiはui/k1が奇数でない数になる正の整数である。がそれぞれ存在する請求項16に記載の電子写真感光体。従来技術のように、表面層と光導電層との間に、屈折率および膜厚を最適化した反射防止層を設ければ、表面層と光導電層との界面における反射を抑えることができ、その結果、所定の波長の画像露光光に対する電子写真感光体の感度の変動を抑制することができる。しかしながら、実際の電子写真装置の画像露光光源としてよく使用される半導体レーザーには、発振波長の中心波長に対して±数nm程度の半値幅が存在することが多く、LEDには、20nm程度の半値幅が存在することが多い。また、半導体レーザーには、発振波長に0.2nm/°C程度の温度依存性例えば50°C差で10nmがあることも知られている。したがって、10nmから数10nm程度の範囲の波長の画像露光光に対する電子写真感光体の感度の変動を抑制する必要がある。従来技術では、そのような広い範囲の波長では、十分な反射防止機能が発揮されない場合があり、画像露光光の波長に対する許容範囲が狭いという課題があった。本発明では、画像露光光の波長に対する許容範囲が広い電子写真装置を提供すること、および、その電子写真装置に用いられる電子写真感光体を提供することを目的とする。本発明は、光導電層および前記光導電層上の表面層を有し、前記光導電層と前記表面層との間にN層ただし、Nは3以上の奇数である。の中間層を有する電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面に中心波長がλ[μm]である画像露光光を照射して、前記電子写真感光体の表面に潜像を形成するための画像露光装置とを有する電子写真装置において、前記光導電層の屈折率をn0とし、前記光導電層側から1番目の中間層の屈折率をn1とし、前記光導電層側からi番目ただし、iは1以上N以下の整数である。の中間層の屈折率をniとし、前記光導電層側からN番目の中間層の屈折率をnNとし、前記表面層の屈折率をnN1とし、前記光導電層側からi番目の中間層の膜厚をdi[μm]とした場合、屈折率n0、n1、ni、nNおよびnN1が下記式1を満たし、n0>n1>>ni>>nN>nN11前記光導電層側から奇数番目の各中間層については、屈折率niが下記式2をそれぞれ満たしただし、iが1の場合、ni-1は前記光導電層の屈折率n0であり、iがNの場合、ni1は前記表面層の屈折率nN1である。、前記光導電層側から奇数番目の各中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式3を満たすことになるための整数piただし、piは正の整数である。がそれぞれ存在し、前記光導電層側から奇数番目の中間層の中から2層の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された2層の中間層に挟まれている各中間層の屈折率niと膜厚di[μm]の積nidiの和が下記式4を満たすことになるための整数qただし、qは0以上の整数である。が存在する組み合わせが1組以上存在することを特徴とする電子写真装置である。また、本発明は、光導電層および前記光導電層上の表面層を有し、前記光導電層と前記表面層との間にN層ただし、Nは3以上の奇数である。の中間層を有する電子写真感光体であって、中心波長がλ[μm]である画像露光光の被照射体である電子写真感光体において、前記光導電層の屈折率をn0とし、前記光導電層側から1番目の中間層の屈折率をn1とし、前記光導電層側からi番目ただし、iは1以上N以下の整数である。の中間層の屈折率をniとし、前記光導電層側からN番目の中間層の屈折率をnNとし、前記表面層の屈折率をnN1とし、前記光導電層側からi番目の中間層の膜厚をdi[μm]とした場合、屈折率n0、n1、ni、nNおよびnN1が下記式1を満たし、n0>n1>>ni>>nN>nN11前記光導電層側から奇数番目の中間層については、屈折率niが下記式2をそれぞれ満たしただし、iが1の場合、ni-1は前記光導電層の屈折率n0であり、iがNの場合、ni1は前記表面層の屈折率nN1である。、前記光導電層側から奇数番目の中間層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式3を満たすことになるための整数piただし、piは正の整数である。がそれぞれ存在し、前記光導電層側から奇数番目の中間層の中から2層の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された2層の中間層に挟まれている各中間層の屈折率niと膜厚di[μm]の積nidiの和が下記式4を満たすことになるための整数qただし、qは0以上の整数である。が存在する組み合わせが1組以上存在することを特徴とする電子写真感光体である。本発明によれば、画像露光光の波長に対する許容範囲が広い電子写真装置を提供することができる。また、その電子写真装置に用いられる電子写真感光体を提供することができる。また、実際の電子写真装置の画像露光光源としてよく使用される半導体レーザーには、発振波長の中心波長に対して±10nmから±20nm程度の個体差が存在することが多い。ところが、電子写真装置を量産するにあたり、個体差のある半導体レーザーごとに電子写真感光体を作り分けることは事実上困難である。この点、画像露光光の波長に対する許容範囲が広い本発明の電子写真感光体を用いることによって、その程度の個体差が半導体レーザーに存在しても、感度変動の少ない電子写真装置を容易に量産することができる。本発明の電子写真感光体は、光導電層および光導電層上の表面層を有し、光導電層と表面層との間に中間層を有する電子写真感光体である。そして、本発明では、下記式1に示すように、光導電層、中間層および表面層の各層の屈折率が光導電層から表面層に向かって単調減少する構成としている。なお、光導電層の屈折率をn0と表している。また、光導電層側から1番目の中間層の屈折率をn1と表し、光導電層側からi番目ただし、iは1以上N以下の整数である。の中間層の屈折率をniと表し、光導電層側からN番目の中間層の屈折率をnNと表している。また、表面層の屈折率をnN1と表している。以下、同様である。n0>n1>>ni>>nN>nN11表面層の屈折率は、大気の屈折率に近いほど、表面層と大気との界面=電子写真感光体の表面での反射を抑えることができる。また、表面層の屈折率nN1、中間層の屈折率niおよび光導電層の屈折率n0の差が小さくなるほど、各界面による反射率は小さくなるため、好ましい。なお、光導電層から表面層に向かって屈折率が単調減少する構成では、表面層側から入射光は必ず低屈折率の層から高屈折率の層へ進むので、各層の界面による反射光の位相は、入射光に対して必ずπずれることになる。本発明では、中間層の層数N層を3以上の奇数としている。これは、本発明では、光導電層側から奇数番目の中間層以下奇数層とも記す。と、光導電層側から偶数番目の中間層以下偶数層とも記す。に異なる役割を与えて、総合的に反射防止機能を発揮させるためである。各奇数層については、屈折率がそれぞれ下記式2を満たすように屈折率を調整することで、奇数層が隣接する2つの界面の振幅反射率をほぼ等しくすることができる。また、表面層、中間層および光導電層の各層の屈折率が上記式1を満たす条件下、各奇数層について、屈折率および膜厚が下記式3を満たすことになるための整数piただし、piは正の整数である。がそれぞれ存在するように屈折率および膜厚を調整することで、奇数層が隣接する2つの界面によって反射される光の位相差をほぼπに制御することができる。なお、光導電層側からi番目の中間層の膜厚をdi[μm]と表している。以下、同様である。これらの結果、奇数層が隣接する2つの界面による反射光は、互いに打ち消し合うことになる。この効果は、被照射体である電子写真感光体の表面に波長λ[μm]である光を照射した場合において最も発揮されるが、波長λ[μm]からずれた波長の光では、その効果が低下してしまう。そこで、本発明では、波長λ[μm]からずれた波長領域において、各奇数層が打ち消しきれずに残る合成反射ベクトルを偶数層によって低減させる機能を付与している。すなわち、奇数層の中から2層の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された2層の奇数層に挟まれている各中間層の屈折率niと膜厚di[μm]の積nidiの和が下記式4を満たすことになるための整数qただし、qは0以上の整数である。が存在する組み合わせが1組以上存在するように奇数層および偶数層の屈折率および膜厚を調整する。その結果、選択された2層の奇数層で打ち消しきれずに残った2つの合成反射ベクトルの位相が、π/2よりも大きく、3π/2よりも小さくなるため、弱め合う関係となる。その結果、波長λ[μm]を中心とする広い波長範囲で反射防止機能を得ることができる。なお、本発明において、中心波長がλ[μm]である画像露光光とは、25°C環境下における発振波長の中心波長がλ[μm]である画像露光光源半導体レーザーなどから出力される画像露光光を意味する。中間層3層構成を例に挙げて、図1および図7を参照しながら具体的に説明する。図1A-1、B-1およびC-1は、本発明を適用した中間層3層構成の断面図である。図1A-2、B-2およびC-2は、図1A-1、B-1およびC-1に示す中間層に、表面層側から波長λよりも長波長λΔλの光が入射したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。ただし、屈折率niの層光導電層側からi番目の中間層と屈折率ni-1の層光導電層側からi-1番目の中間層の界面での反射光をri,i-1と表し、反射光r4,3の位相を0ゼロとしている。同様に、図1A-3、B-3およびC-3は、波長λの光が入射したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。また、図1A-4、B-4およびC-4は、波長λより短波長λ-Δλの光が入射したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。中間層3層構成の場合、表面層と光導電層との間以下中間層部とも記す。には4つの界面が存在するので、4つの界面で発生する4つの反射光が弱め合う関係になれば良い。例えば、各奇数層が隣接する2つの界面による2つの反射光を合成した合成反射ベクトルを考えると、4つの反射光は2つの合成反射ベクトルに集約される。したがって、中間層3層構成の場合、2つの合成反射ベクトルが弱め合う関係、すなわち、2つの合成反射ベクトルの位相差がπ/2よりも大きく、3π/2よりも小さくなれば良い。その中でも、2つの合成反射ベクトルの位相差がπに近くなるほど、その効果は大きくなる。図1に示す例では、各層の屈折率は、上記式1を満たし、光導電層から表面層に向けて単調減少する構成である。また、奇数層である中間層第1層および中間層第3層の屈折率は、上記式2を満たしている。奇数層の屈折率の最適値は、それぞれの奇数層が隣接する2層の偶数層の屈折率の相乗平均であり、図1に示す例では、すべての奇数層の屈折率は、隣接する2層の偶数層の屈折率の相乗平均としている。また、潜像形成に用いられる画像露光光の中心波長をλとした場合、奇数層である中間層第1層および中間層第3層の屈折率と膜厚の積は、それぞれ上記式3に係る条件を満たしている。奇数層の屈折率と膜厚の積の最適値は、λ/4の奇数倍であり、図1に示す例では、すべての奇数層の屈折率と膜厚の積をλ/4としている。中間層3層構成の場合、奇数層は中間層第1層と中間層第3層であるから、奇数層に挟まれる中間層は中間層第2層のみである。したがって、本発明では、中間層第2層の屈折率と膜厚の積が、上記式4に係る条件を満たすことになる。図1A-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/12の例を示しており、上記式4に係る条件を満たしている。図1B-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積が5λ/12の例を示しており、上記式4に係る条件を満たしている。図1C-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/2の例を示しており、上記式4に係る条件を満たしている。図1A-1、B-1およびC-1の例は、図1A-3、B-3およびC-3に示すとおり、波長λの光が入射した場合、反射光r4,3と反射光r3,2の位相差はπとなり、反射光r4,3と反射光r3,2が打ち消し合うことになる。同様に、反射光r2,1と反射光r1,0の位相差はπとなり、反射光r2,1と反射光r1,0とが打ち消し合うので、中間層全体の反射光は0ゼロになる。しかしながら、図1A-2、B-2およびC-2に示すとおり、波長λよりも長波長λΔλの光が入射した場合、反射光r4,3と反射光r3,2の位相差はπ-πΔλ/λとなる。よって、反射光r4,3と反射光r3,2とが完全には打ち消し合わず、合成反射ベクトルr3が残ることになる。同様に、反射光r2,1と反射光r1,0の位相差はπ-πΔλ/λとなり、反射光r2,1と反射光r1,0とが完全に打ち消し合わず、合成反射ベクトルr1が残ることになる。また、図1A-4、B-4およびC-4に示すとおり、波長λよりも短波長λ-Δλの光が入射した場合も、同様の理由から、合成反射ベクトルr1およびr3が残ることになる。中間層第2層が上記式4に係る条件を満たしている例を、図1A-2、B-2、C-2、A-4、B-4およびC-4に示す。これらの例では、図に示すとおり、波長λからずれた波長において、中間層第1層で打ち消しきれずに残った合成反射ベクトルr1と、中間層第3層で打ち消しきれずに残った合成反射ベクトルr3の位相差が、π/2よりも大きく、3π/2より小さくなる。このため、合成反射ベクトルr1とr3が弱め合う関係になる。よって、波長λを中心とした広い波長範囲で反射防止機能を得ることができる。これらの中でも、図1C-1の例は、偶数層である中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/2である。また、図1C-1の例は、後述する式5に係る条件も満たしている。中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/2の場合、合成反射ベクトルr1とr3の位相差がほぼπとなるので、合成反射ベクトルr1とr3は効果的に弱め合う関係になる。図7A-1は、従来技術を適用した中間層3層構成の断面図である。図7A-1は、すべての中間層の屈折率と膜厚の積がλ/4の例を示しており、上記式4に係る条件を満たしていない。この場合、図7A-2およびA-4に示すとおり、波長λからずれた波長において、合成反射ベクトルr1とr3の位相差は-π/2よりも大きく、π/2よりも小さくなる。よって、合成反射ベクトルr1とr3とが強め合う関係になる。特に、図7A-1の例は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/4であるから、合成反射ベクトルr1とr3の位相差はほぼ0ゼロとなり、合成反射ベクトルr1とr3は最も強め合ってしまう関係になる。次に、中間層5層構成を例に挙げて、図2および図7を参照しながら具体的に説明する。図2A-1、B-1、C-1、D-1、E-1、F-1、G-1およびH-1は、本発明を適用した中間層5層構成の断面図である。図2A-2、B-2、C-2、D-2、E-2、F-2、G-2およびH-2は、図2A-1、B-1、C-1、D-1、E-1、F-1、G-1およびH-1に示す中間層に、表面層側から波長λよりも長波長λΔλの光が入射したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。ただし、反射光r6,5の位相を0ゼロとしている。中間層5層構成の場合、中間層部には6つの界面が存在するので、6つの界面で発生する6つの反射光が弱め合う関係になれば良い。例えば、各奇数層が隣接する2つの界面による2つの反射光を合成した合成反射ベクトルを考えると、6つの反射光は3つの合成反射ベクトルに集約される。したがって、3つの合成反射ベクトルのうち、少なくとも2つの合成反射ベクトルの位相差がπ/2よりも大きく、3π/2よりも小さい場合、少なくもと2つの合成反射ベクトルが弱め合う関係になるので、本発明の効果が得られる。特に、2つの合成反射ベクトルの位相差がπに近くなるほど、その効果は大きくなる。あるいは、3つの合成反射ベクトルが互いにほぼ等位相間隔になる場合も、3つの合成反射ベクトルが互いに弱め合うので、本発明の効果が得られる。図2に示す例では、中間層3層構成の場合と同様に、各奇数層の屈折率は隣接する2層の偶数層の屈折率の相乗平均とし、屈折率と膜厚の積はλ/4としている。図2A-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/8、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/2の例を示しており、中間層第4層が上記式4に係る条件を満たしている。図2A-1の例は、図2A-2に示すとおり、合成反射ベクトルr3とr5の位相差がほぼπとなり、合成反射ベクトルr3とr5が弱める関係になるので、本発明の効果が得られる。図2B-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/2、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/4の例を示しており、中間層第2層が上記式4に係る条件を満たしている。図2B-1の例は、図2B-2に示すとおり、合成反射ベクトルr3およびr5に対して、合成反射ベクトルr1の位相差がほぼπとなり、合成反射ベクトルr3およびr5に対して、合成反射ベクトルr1が弱める関係になるので、本発明の効果が得られる。図2C-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/8、中間層第3層の屈折率と膜厚の積がλ/4、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/8の場合を示している。したがって、中間層第2層から中間層第4層の屈折率と膜厚の積の和がλ/2となり、上記式4に係る条件を満たしている。図2C-1の例は、図2C-2に示すとおり、合成反射ベクトルr1とr5の位相差がほぼπとなり、合成反射ベクトルr1とr5は弱め合う関係になるので、本発明の効果が得られる。図2D-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/2、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/2の例を示しており、中間層第2層と中間層第4層が上記式4に係る条件を満たしている。図2D-1の例は、図2D-2に示すとおり、合成反射ベクトルr1およびr5に対して、合成反射ベクトルr3の位相差がほぼπとなり、合成反射ベクトルr1およびr5に対して、合成反射ベクトルr3が弱める関係になるので、本発明の効果が得られる。図2E-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積が5λ/12、中間層第4層の屈折率と膜厚の積が5λ/12の例を示しており、中間層第2層と中間層第4層が上記式4に係る条件を満たしている。また、図2E-1の例は、後述する上記式8および9に係る条件も満たしている。図2E-1の例は、図2E-2に示すとおり、3つの合成反射ベクトルr1、r3およびr5の位相差がそれぞれほぼ2π/3となる。つまり、合成反射ベクトルr1、r3およびr5が互いにほぼ等位相間隔となるので、3つの合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になるので、本発明の効果が得られる。図2F-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/12、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/12の例を示しており、中間層第2層と中間層第4層が上記式4に係る条件を満たしている。また、図2F-1の例は、後述する式8および9に係る条件も満たしている。図2F-1の例は、図2F-2に示すとおり、3つの合成反射ベクトルr1、r3およびr5の位相差がそれぞれほぼ2π/3となる。つまり、合成反射ベクトルr1、r3およびr5が互いにほぼ等位相間隔となるので、3つの合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になるので、本発明の効果が得られる。図2G-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積が5λ/12、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/12の例を示しており、中間層第2層と中間層第4層が上記式4に係る条件を満たしている。また、図2G-1の例は、後述する式8に係る条件も満たしている。図2G-1の例は、図2G-2に示すとおり、合成反射ベクトルr1とr5に対し、合成反射ベクトルr3が弱める関係になるため、本発明の効果が得られる。図2H-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積が7λ/12、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/12の例を示しており、中間層第2層と中間層第4層が上記式4に係る条件を満たしている。また、図2H-1の例は、後述する式8および9に係る条件を満たしている。図2H-1の例は、図2H-2に示すとおり、3つの合成反射ベクトルr1、r3およびr5の位相差がそれぞれほぼ2π/3となる。つまり、合成反射ベクトルr1、r3およびr5が互いにほぼ等位相間隔となるので、3つの合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になるので、本発明の効果が得られる。図7B-1は、従来技術を適用した中間層5層構成の断面図である。図7B-1は、すべての中間層の屈折率と膜厚の積がλ/4の例を示しており、上記式4に係る条件を満たしていない。この場合、図7B-2およびB-4に示すとおり、波長λからずれた波長において、合成反射ベクトルr1、r3およびr5の位相差は-π/2よりも大きく、π/2よりも小さくなるため、強め合う関係になる。特に、図7B-1の例は、各偶数層の屈折率と膜厚の積がλ/4であるから、合成反射ベクトルr1、r3およびr5の位相差がほぼ0ゼロとなり、合成反射ベクトルr1、r3およびr5が互いに最も強め合ってしまう関係になる。次に、中間層7層構成を例に挙げて、図3を参照しながら具体的に説明する。図3A-1、B-1、C-1、D-1、E-1、F-1、G-1、H-1およびI-1は、本発明を適用した中間層7層構成の断面図である。図3A-2、B-2、C-2、D-2、E-2、F-2、G-2、H-2およびI-2は、図3A-1、B-1、C-1、D-1、E-1、F-1、G-1、H-1およびI-1に示す中間層に、表面層側から波長λよりも長波長λΔλの光が入射したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。ただし、反射光r8,7の位相を0ゼロとしている。中間層7層構成の場合、中間層部には8つの界面が存在するので、8つの界面で発生する8つの反射光が弱め合う関係になれば良い。例えば、各奇数層が隣接する2つの界面による2つの反射光を合成した合成反射ベクトルを考えると、8つの反射光は4つの合成反射ベクトルに集約される。したがって、中間層7層構成の場合、4つの合成反射ベクトルが弱め合う関係、すなわち、4つの合成反射ベクトルのうち、少なくとも2つの合成反射ベクトルの位相差がπ/2よりも大きく、3π/2よりも小さくなれば、少なくもと2つの合成反射ベクトルが弱め合う関係になり、本発明の効果が得られる。特に、2つの合成反射ベクトルの位相差がπに近くなるほど、その効果は大きくなる。あるいは、4つの合成反射ベクトルが互いにほぼ等位相間隔になる場合も、4つの合成反射ベクトルが互いに弱め合うので、本発明の効果が得られる。図3に示す例では、中間層3層構成の場合と同様に、各奇数層の屈折率は隣接する2層の偶数層の屈折率の相乗平均とし、屈折率と膜厚の積はλ/4としている。図3A-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/4、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/4、中間層第6層の屈折率と膜厚の積がλ/2の例を示しており、中間層第6層が上記式4に係る条件を満たしている。図3A-1の例は、図3A-2に示すとおり、合成反射ベクトルr1、r3およびr5に対して、合成反射ベクトルr7の位相差がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルr1、r3およびr5に対して、合成反射ベクトルr7が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。図3B-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/4、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/2、中間層第6層の屈折率と膜厚の積がλ/4の例を示しており、中間層第4層が上記式4に係る条件を満たしている。図3B-1の例は、図3B-2に示すとおり、合成反射ベクトルr1およびr3に対して、合成反射ベクトルr5およびr7の位相差がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルr1およびr3に対して、合成反射ベクトルr5およびr7が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。図3C-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/2、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/4、中間層第6層の屈折率と膜厚の積がλ/4の例を示しており、中間層第2層が上記式4に係る条件を満たしている。図3C-1の例は、図3C-2に示すとおり、合成反射ベクトルr3、r5およびr7に対して、合成反射ベクトルr1の位相がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルr3、r5およびr7に対して、合成反射ベクトルr1が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。図3D-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/4、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/2、中間層第6層の屈折率と膜厚の積がλ/2の例を示しており、中間層第4層と中間層第6層が上記式4に係る条件を満たしている。図3D-1の例は、図3D-2に示すとおり、合成反射ベクトルr1、r3およびr7に対して、合成反射ベクトルr5の位相がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルr1、r3およびr7に対して、合成反射ベクトルr5が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。図3E-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/2、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/4、中間層第6層の屈折率と膜厚の積がλ/2の例を示しており、中間層第2層と中間層第6層が上記式4に係る条件を満たしている。図3E-1の例は、図3E-2に示すとおり、合成反射ベクトルr1およびr7に対して、合成反射ベクトルr3およびr5の位相差がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルr1およびr7に対して、合成反射ベクトルr3およびr5が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。図3F-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/2、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/2、中間層第6層の屈折率と膜厚の積がλ/4の例を示しており、中間層第2層と中間層第4層が上記式4に係る条件を満たしている。図3F-1の例は、図3F-2に示すとおり、合成反射ベクトルr1、r5およびr7に対して、合成反射ベクトルr3の位相がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルr1、r5およびr7に対して、合成反射ベクトルr3が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。図3G-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/2、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/2、中間層第6層の屈折率と膜厚の積がλ/2の例を示しており、中間層第2層、中間層第4層、中間層第6層が上記式4に係る条件を満たしている。図3G-1の例は、図3G-2に示すとおり、合成反射ベクトルr1およびr5に対して、合成反射ベクトルr3、r7の位相差がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルr1およびr5に対して、合成反射ベクトルr3およびr7が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。図3H-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/2、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/8、中間層第6層の屈折率と膜厚の積がλ/2の例を示しており、中間層第2層と中間層第6層が上記式4に係る条件を満たしている。図3H-1の例は、図3H-2に示すとおり、合成反射ベクトルr1とr3の位相差、および、合成反射ベクトルr5とr7の位相差がそれぞれほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルr1とr3、および、合成反射ベクトルr5とr7とが弱める関係となり、本発明の効果が得られる。図3I-1は、中間層第2層の屈折率と膜厚の積がλ/8、中間層第4層の屈折率と膜厚の積がλ/8、中間層第6層の屈折率と膜厚の積がλ/8の場合を示している。したがって、中間層第2層から中間層第4層の屈折率と膜厚の積の和がλ/2となり、式4に係る条件を満たしている。また、中間層第4層から中間層第6層の屈折率と膜厚の積の和もλ/2となり、式4に係る条件を満たしている。さらに、中間層第2層、中間層第4層、中間層第6層がそれぞれ、後述する式10に係る条件も満たしている。図3I-1の例は、図3I-2に示すとおり、合成反射ベクトルr1とr5の位相差、合成反射ベクトルr3とr7の位相差がそれぞれほぼπとなっている。よって、合成反射ベクトルr1とr5が弱め合う関係であり、合成反射ベクトルr3とr7が弱め合う関係である。あるいは、別の見方として、合成反射ベクトルr1、r3、r5およびr7が互いにほぼ等位相間隔になっているので、4つの合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になっているとも言える。よって、波長を含む比較的広い波長範囲で反射防止機能を得ることができる。本発明の効果を得るためには、奇数層の屈折率と膜厚の積を上記式3に係る条件を満たすようにする必要があり、λ/4の奇数倍に等しい場合が最適である。少なくとも、最適値から±λ/64の範囲で効果が得られることが確認された。また、画像露光光の波長に対する許容範囲を考慮すると、各奇数層の膜厚は薄い方が好ましい。また、上記式3中の各piは1または2であることが好ましい。また、中間層の層数は、多くなるほど、画像露光光の波長に対する許容範囲が広がるので、5層以上Nが5以上の奇数がより好ましい。一方、中間層の層数の増加は、電子写真感光体を製造する際の工程を増加させるので、コストなどの面から多すぎないほうが良い。露光光源に半導体レーザーなどのレーザーダイオードやLEDを使用するデジタル式の電子写真装置の場合、使用する波長範囲が比較的狭いので、中間層の層数は、11層以下Nが11以下の奇数でも、本発明の効果が十分に得られる。また、本発明の効果をより良く得るためには、偶数層のうち、1層以上の偶数層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式5を満たすことになるための整数qiただし、qiは0以上の整数である。が存在することが好ましい。その中でも、1層以上の偶数層の屈折率と膜厚の積がλ/2の倍数になるように調整することが最適である。少なくとも、最適値から±λ/32の範囲で効果が得られることが確認された。また、その中でも、画像露光光の波長に対する許容範囲を考慮すると、各偶数層の膜厚も薄い方が好ましく、上記式5中の各qiは1、2、3または4であることが好ましい。また、その中でも、中間層の層数が5層以上Nが5以上の奇数であり、1層以上の偶数層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が上記式5を満たすことになるための整数qiただし、qiは0以上の整数である。が存在し、残りの偶数層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が上記式3を満たすことになるための整数piただし、piは正の整数である。が存在することが好ましい。また、中間層の層数Nが、下記式6ただし、kは正の整数である。を満たす整数であり、N=4k-16光導電層側から2k番目の中間層を中心として対称な配置となる2層の偶数層を選択する組み合わせの中に、選択された2層の偶数層の屈折率niおよび膜厚diがどちらも上記式5を満たす組み合わせが1組以上存在することが好ましい。そのような例としては、図3B-1、E-1、G-1およびH-1が挙げられ、これらの例では、4つの合成反射ベクトルr1、r3、r5およびr7のうち、弱め合う合成反射ベクトルが2組になり、より好ましい。上記の2層の偶数層の組み合わせとしては、例えば中間層の層数が7k=2のとき、中間層第2層と中間層第6層の組み合わせが当てはまる。また、中間層の層数が11k=3のとき、中間層第2層と中間層第10層の組み合わせ、および、中間層第4層と中間層第8層の組み合わせが当てはまる。また、中間層の層数Nが、下記式7ただし、hは正の整数である。を満たす整数であり、N=4h17各偶数層については、屈折率niおよび膜厚di[μm]が下記式8を満たすことになるための整数siただし、siは2si-1/2h1が奇数でない数になる正の整数である。がそれぞれ存在することも、各奇数層が接する2つの界面による反射光から定義される合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になるため、好ましい。また、その中でも、上記式8中の各siが下記式9ただし、saは2sa-1/2h1が奇数でない数になる正の整数であり、miは0以上の整数である。を満たす整数であることが、各奇数層が接する2つの界面による反射光から定義される合成反射ベクトルが中心波長に対して互いにほぼ等位相間隔となるため、好ましい。si=sa2h1mi9また、画像露光光の波長に対する許容範囲を考慮すると、各奇数層の膜厚は薄い方が好ましい。上記式8中の各siは16h9/2未満であることが好ましい。また、中間層の層数Nが、上記式6を満たす整数であり、各偶数層については、屈折率および膜厚が下記式10を満たすことになるための整数uiただし、uiはui/k1が奇数でない数になる正の整数である。がそれぞれ存在することが、各奇数層が接する2つの界面による反射光から定義される合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になるため、好ましい。また、その中でも、上記式10中の各uiが下記式11ただし、uaはua/k1が奇数でない数になる正の整数であり、viは0以上の整数であるを満たす整数であることが、各奇数層が接する2つの界面による反射光から定義される合成反射ベクトルが中心波長に対して互いにほぼ等位相間隔となるため、好ましい。ui=ua2k1vi11また、画像露光光の波長に対する許容範囲を考慮すると、各奇数層の膜厚は薄い方が好ましい。上記式10中の各uiは8k1以下であることが好ましい。また、光導電層がアモルファスシリコンで構成された層である電子写真感光体以下アモルファスシリコン感光体とも記す。の場合、プラズマCVD法などによって、基体上に各層を積層して形成することが一般的である。このような電子写真感光体の場合、光導電層の原料ガスに用いるSiH4ガスや、これに加えて用いられるCH4、N2およびNH3などの原料ガスの流量および流量比、ならびに、反応圧力および印加電力などを調整することで、光導電層、中間層および表面層の屈折率の調整が容易にできる。また、各層の膜厚は、形成時間や形成速度によって調整することができる。よって、光導電層がアモルファスシリコンで構成された層である電子写真感光体の場合、中間層および表面層は、アモルファスシリコンカーバイドやアモルファスシリコンナイトライドやアモルファスシリコンオキサイドで構成された層であることが好ましい。実施例1および比較例1<電子写真感光体アモルファスシリコン感光体の製造>本実施例では、図5に示すプラズマCVD装置を用いて、電子写真感光体アモルファスシリコン感光体の製造を行った。図5に示すプラズマCVD装置500は、反応容器502の中にアースに接続された円筒状の導電性の基体513、ヒーター504、および、原料ガス供給管507が設置されている。さらに、カソード電極501には、インピーダンス整合回路505を介して高周波電源506が接続されている。503aおよび503bは絶縁部材である。原料ガス供給バルブ509の上流には、不図示の原料ガス供給装置が接続され、原料ガス供給管507を通じて、SiH4,H2,CH4,NO,B2H6,PH3,CF4,Ar,Heなどの原料ガスを反応容器502の中に所望の流量で供給可能な構成になっている。508はガス分岐管である。また、メイン排気バルブ511の下流には、不図示の排気装置が接続され、反応容器502の内部を減圧可能な構成となっている。510は排気配管であり、512は圧力計である。次に、図5に示すプラズマCVD装置を使った、アモルファスシリコン感光体の製造手順を説明する。まず、直径84mm、長さ381mm、肉厚3mmのアルミニウム製の円筒状の基体513の表面に鏡面加工を施して脱脂洗浄する。洗浄した基体513を反応容器502の中に設置する。次に、不図示の排気装置を稼動し、反応容器502の中を排気する。圧力計512の表示を見ながら、反応容器502の中の圧力が所望の圧力、例えば1Pa以下になったところで、ヒーター504に電力を供給し、基体513を例えば50°Cから350°Cの所望の温度に加熱する。このとき、不図示のガス供給装置より、原料ガス供給管507を通じて、Ar、Heなどの不活性ガスを反応容器502の中に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。次に、表1に示す形成条件にしたがって、不図示のガス供給装置より下部阻止層の形成に用いる原料ガスを反応容器502の中に所望の流量で供給する。それとともに、圧力計512の表示を見ながらメイン排気バルブ511を操作し、反応容器502の中の圧力が所望の圧力になるように調整する。所望の圧力が得られたところで高周波電源506より高周波電力を印加するとともにインピーダンス整合回路505を操作し、反応容器502の中にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、下部阻止層の形成を行う。下部阻止層が所定の膜厚に到達したら、高周波電力の印加を停止し、下部阻止層の形成を終了する。以上と同様の手段によって、順次、光導電層、中間層、表面層を形成する。なお、下部阻止層と光導電層との間には、原料ガス流量、圧力、電力などを変化させながら連続して形成することによって、層間に変化層を形成することもできる。また、光導電層は、電荷輸送層や電荷発生層などに機能分離した多層構成としてもよい。すべての層の形成が終了したら、原料ガス供給バルブ509を閉じて原料ガスの供給を終え、メイン排気バルブ511を開き、反応容器502の中を所望の圧力、例えば、1Pa以下まで排気する。排気終了後、必要に応じて反応容器502の中をパージし、メイン排気バルブ511を閉じ、不図示のガス供給装置より原料ガス供給管507を通じて不活性ガスを反応容器502の中に供給して大気圧に戻した後、基体513を取り出す。本実施例および比較例では、図6に示す層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。図6中、601は導電性の基体であり、602は下部阻止層であり、603は光導電層であり、604は中間層中間層部であり、6041~6043は中間層の各層であり、605は表面層である。本実施例では、中間層を3層構成とし、中間層第2層に上部阻止層の機能を付与して、負帯電用のアモルファスシリコン感光体とした。実施例1-4、実施例1-7および比較例1-1のアモルファスシリコン感光体をそれぞれ2本、それ以外はそれぞれ1本製造した。なお、各奇数層の屈折率は、隣り合う2層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整した。各層の屈折率は、分光エリプソメトリー測定器:J.A.Woollam社製M-2000、解析ソフト:WVASE32により測定した。測定条件として、入射光の入射角度を60,65,70度とした。得られたデータから解析ソフトを用いて、各層の屈折率の波長分散を求め、波長0.66μm660nmの屈折率を代表値とした。また、各実施例および比較例の中間層第2層の膜厚は、表2に示す条件にそれぞれ変更した。なお、中間層の第1層および中間層第3層の膜厚は、4πnd/λがπとなる膜厚に調整した。ただし、λは0.66μm660nmである。<評価1>本実施例および本比較例で製造した電子写真感光体について、表面層が摩耗することによって生じる電子写真感光体の感度変動を以下の方法で代替評価を行った。まず、表面層の摩耗を再現するために、研磨機によって表面層の研磨を行った。また、感度変動は電子写真感光体の反射率を測定することで、代替評価を行った。表面層の研磨は、マグネットローラーに磁性粉体を担持させた磁気ブラシで電子写真感光体の表面を摺擦する研磨器を用いた。研磨条件は、電子写真感光体を90rpmで回転し、電子写真感光体の方向に900Gの磁極を持つマグネットを内包した直径16mmのマグネットローラーを電子写真感光体の回転方向とは逆方向に240rpmで回転させた。また、電子写真感光体とマグネットローラーとの間隔を0.4mm、マグネットローラーと板状の磁性体規制ブレードとの間隔を1.0mmに調節した。磁性粉体には、同和鉄粉工業株現DOWAIPクリエイション株製のCu-Znフィライト商品名:DFC450を用いた。反射率の測定は、大塚電子株製の分光光度計商品名:MCPD-2000を用いて、波長0.64~0.68μm640~680nmの範囲を評価した。評価に用いた波長範囲は、アモルファスシリコン感光体を搭載した電子写真装置に搭載されている画像露光光源の発振波長が660nm0.66μmであることが多いことと、半値幅や温度依存性などを考慮して決定した。電子写真感光体の感度変動を次の方法で定義測定した。まず、製造した電子写真感光体の0.64~0.68μm640~680nmの各波長に対する反射率の測定を上記装置を用いて行い、研磨機にて所定時間表面層が10nm研磨される時間研磨するごとに同様の測定を行った。表面層を200nm研磨し終えるまでの各波長における反射率の最大値と最小値との差および平均値算術平均を求め、最大値と最小値との差を平均値で割った値を各波長の変動率とした。そして、各波長の変動率の中で最も大きかった波長のときの変動率の値を代表値として電子写真感光体の感度変動と定義した。比較例1-1で製造した電子写真感光体の感度変動変動率:0.26を基準値とし、基準値の30未満の場合をA、基準値の30以上60未満の場合をB、基準値の60以上90未満の場合をC、基準値の90以上110未満の場合をD、基準値の110以上の場合をEとした。つまり、評価結果がA、BおよびCのとき、本発明の効果が得られていると考えられる。評価結果を表2に示す。評価の結果、偶数層である中間層第2層の4πnd/λが3π/2より大きく、5π/2より小さい実施例1で良い結果が得られた。特に、4πnd/λが2π±π/8である場合がより優れた効果が得られた。<評価2>本実施例および本比較例で製造した電子写真感光体をキヤノン株製の電子写真装置商品名:iRC6800の改造機に搭載して評価を行った。この改造機の改造ポイントを以下に説明する。画像露光光源を、発振波長の中心波長が0.66μm660nmのレーザーダイオード半導体レーザーから発振波長の中心波長が0.68μm680nmのレーザーダイオード半導体レーザーに変更した。また、一次帯電を負帯電の構成とし、露光方式を反転現像プロセスとするためにデジタル-イメージング露光方式に変更した。また、黒現像器に換えて表面電位計を設置した。なお、表面層の研磨を行う前に、電子写真感光体の暗部電位が-500Vになる帯電条件を決定し、明部電位が-150Vになる露光条件を決定した。評価1で表面層を10nm研磨するごとに、電子写真感光体を前述の電子写真装置の改造機に搭載し、前述の帯電条件および露光条件の下、ベタ白画像全面非露光とベタ黒画像全面露光を出力し、電子写真感光体の暗部電位と明部電位の測定を行った。暗部電位と明部電位との差を感度と定義し、表面層を200nm研磨し終えるまでの感度の最大値と最小値との差を感度変動と定義した。比較例1-1で製造した電子写真感光体の感度変動11Vを基準値とし、基準値の30未満の場合をA、基準値の30以上60未満の場合をB、基準値の60以上90未満の場合をC、基準値の90以上110未満の場合をD、基準値の110以上の場合をEとした。つまり、評価結果がA、BおよびCのとき、本発明の効果が得られていると考えられる。評価結果を表2に示す。評価の結果、偶数層である中間層第2層の4πnd/λが3π/2より大きく、5π/2より小さい実施例1で良い結果が得られた。評価2と評価1の結果は一致しており、評価1によって本発明の効果を確認できることがわかった。<評価3>実施例1-4、実施例1-7および比較例1-1で製造したアモルファスシリコン感光体を評価2で用いた電子写真装置の改造機を用いて、実使用環境を想定した感度変動の評価を行った。ただし、本評価では、表面電位計に換えて黒現像器を設置して、印字率4のA4テストパターンで200万枚の画像出力を行った。初期および10万枚ごとに黒現像器に換えて表面電位計を設置し、評価2と同様の方法で感度測定を行った。200万枚の連続通紙試験を終えるまでの感度の最大値と最小値との差を感度変動と定義した。比較例1-1で製造した電子写真感光体の感度変動11Vを基準値とし、基準値の30未満の場合をA、基準値の30以上60未満の場合をB、基準値の60以上90未満の場合をC、基準値の90以上110未満の場合をD、基準値の110以上の場合をEとした。つまり、評価結果がA、BおよびCのとき、本発明の効果が得られていると考えられる。評価結果を表2に示す。評価の結果、偶数層である中間層第2層の4πnd/λが3π/2より大きく、5π/2より小さい範囲の実施例1で良い結果が得られた。評価3と評価1の結果は一致しており、評価1によって本発明の効果を確認できることがわかった。実施例2および比較例2本実施例および比較例では、実施例1と同じ電子写真装置の改造機を用いて、実施例1-4とほぼ同じ形成条件でアモルファスシリコン感光体を各1本ずつ製造した。ただし、本実施例では、中間層第3層の膜厚を表3に示す条件に種々変更した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例1で説明した評価1の方法および基準で行った。評価結果を表3に示す。評価の結果、奇数層である中間層第3層の4πnd/λがπ±π/16の範囲である実施例2でより良い結果が得られた。実施例3および比較例3本実施例および比較例では、実施例1と同じ電子写真装置の改造機を用いて、実施例1-4とほぼ同じ形成条件でアモルファスシリコン感光体を各1本ずつ製造した。ただし、中間層第3層の屈折率および膜厚を表4に示す条件に種々変更した。なお、各実施例の中間層第3層の4πnd/λがπになるように膜厚を調整した。また、アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例1で説明した評価1の方法および基準で行った。評価結果を表4に示す。評価の結果、中間層第3層の屈折率を中間層第2層の屈折率と表面層の屈折率の相乗平均に対して±2以内の実施例3でより良い結果が得られた。実施例4および比較例4本実施例では、実施例1と同じ電子写真装置の改造機を用いて、中間層5層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。なお、本実施例では、中間層を表5の条件として、中間層第2層に上部阻止層の機能を付与した。それ以外の層は実施例1と同じ条件として各1本ずつ製造した。なお、中間層のうち、各奇数層の屈折率は隣り合う2層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整し、膜厚は4πnd/λがπとなる膜厚に調整した。一方、各偶数層の膜厚は表6に示す条件に種々変更した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例1で説明した評価1の方法および基準で行った。評価結果を表6に示す。評価の結果、実施例4-1および4-2は、中間層第2層から第4層までの屈折率と膜厚の積の和をΣndとした場合、4πΣnd/λが2πの倍数であり、優れた感度変動抑制効果が得られた。実施例4-3~4-6は少なくとも1層以上の偶数層の4πnd/λが2πであり、より良い効果が得られた。一方、すべての中間層の4πnd/λがπである比較例4では、各合成反射ベクトルが弱め合わないため、効果が得られなかった。実施例5および比較例5本実施例および比較例では、実施例1と同じ電子写真装置の改造機を用いて、中間層7層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。なお、本実施例では、中間層を表7の条件として、中間層第4層に上部阻止層の機能を付与した。それ以外の層は実施例1と同じ条件で各1本ずつ製造した。なお、中間層のうち、各奇数層の屈折率は隣り合う2層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整し、各奇数層の膜厚は4πnd/λがπとなる膜厚に調整した。一方、各偶数層の膜厚は表8に示す条件に種々変更した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例1で説明した評価1の方法および基準で行った。評価結果を表8に示す。評価の結果、いずれの実施例もいずれかの偶数層の膜厚が4πnd/λが2πと等しくなるため、優れた感度変動抑制効果が得られた。それらの中でも、中間層第4層に対して、各中間層の膜厚が満たす式の配列が対称になっている中間層第2層の4πnd/λと中間層第6層の4πnd/λとが等しい実施例5-2、5-4、5-6および5-8でより良い効果が得られた。一方、すべての中間層の4πnd/λがπである比較例5では、各合成反射ベクトルが弱め合わないため、効果が得られなかった。実施例6本実施例では、実施例1と同じ電子写真装置の改造機を用い、同様の方法によって、実施例1-4とほぼ同じアモルファスシリコン感光体を製造した。ただし、本実施例では、中間層第2層の膜厚を表9に示す膜厚に変更して、各1本ずつ製造した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例1で説明した評価1の方法および基準で行った。評価結果を表9に示す。評価の結果、本実施例では偶数層の膜厚が4πnd/λがπの偶数倍となる膜厚に調整されているため、優れた感度変動抑制効果が得られた。ただし、中間層第2層の膜厚は薄い方が良好であり、4πnd/λが8π上記式5においてqi=4以下となる膜厚がより好ましい範囲であった。つまり、上記式4中の各qiは、1、2、3または4がより好ましい。実施例7本実施例では、実施例1と同じ電子写真装置の改造機を用い、同様の方法によって、実施例1-4とほぼ同じアモルファスシリコン感光体を製造した。ただし、本実施例では、中間層第1層および中間層第3層の膜厚を表10に示した膜厚に変更して、各1本ずつ製造した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例1で説明した評価1の方法および基準で行った。評価結果を表10に示す。評価の結果、奇数層の4πnd/λがπの奇数倍となる膜厚に調整されているため、優れた感度変動抑制効果が得られた。ただし、中間層第1層および中間層第3層の膜厚は薄い方が良好であり、4πnd/λが3π上記式3においてpi=2以下となる膜厚がより好ましい範囲であった。つまり、上記式3中の各piは、1または2がより好ましい。実施例8本実施例では、実施例4とほぼ同様の中間層5層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。ただし、本実施例では、各偶数層の膜厚を表11の条件として、各1本ずつ製造した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例1で説明した評価1の方法および基準で行った。評価結果を表11に示す。評価の結果、すべての実施例の偶数層が上記式8に係る条件を満たしており、優れた感度変動抑制効果が得られた。それらの中でも、上記式9に係る条件を満たす実施例8-1~8-5、8-8および8-9において、より良い効果が得られた。ただし、各偶数層の膜厚は薄い方が良好であり、4πnd/λが23π/3以下となる膜厚がより好ましい範囲であった。実施例9本実施例では、実施例5とほぼ同様の中間層7層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。ただし、本実施例では、各偶数層の膜厚を表12の条件として、各1本ずつ製造した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例1で説明した評価1の方法および基準で行った。評価結果を表12に示す。評価の結果、各実施例の偶数層が上記式10に係る条件を満たしており、優れた感度変動抑制効果が得られた。それらの中でも、上記式11に係る条件を満たす実施例9-1~9-6および9-8において、より良い効果が得られた。ただし、各偶数層の膜厚は薄い方が良好であり、4πnd/λが15π/2以下となる膜厚がより好ましい範囲であった。実施例10本実施例では、実施例1と同じ電子写真装置の改造機を用いて、中間層9層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。なお、本実施例では、中間層を表13の条件として、中間層第4層に上部阻止層の機能を付与した。それ以外の層は実施例1と同じ条件で各1本ずつ製造した。なお、本実施例では、各奇数層の屈折率は隣り合う2層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整し、各奇数層の膜厚は4πnd/λがπになる膜厚に調整した。一方、各偶数層の膜厚を表14の条件に種々変更した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例1で説明した評価1の方法および基準で行った。評価結果を表14に示す。評価の結果、偶数層が上記式8および9に係る条件を満たす実施例10-1において、優れた感度変動抑制効果が得られた。また、偶数層が上記式5に係る条件を満たす実施例10-2においても、優れた感度変動抑制効果が得られた。実施例11本実施例では、実施例1と同じ電子写真装置の改造機を用いて、中間層11層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。なお、本実施例では、中間層を表15の条件として、中間層第6層に上部阻止層の機能を付与した。それ以外の層は実施例1と同じ条件で各1本ずつ製造した。なお、本実施例では、各奇数層の屈折率は隣り合う2層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整し、各奇数層の膜厚は4πnd/λがπになる膜厚に調整した。一方、各偶数層の膜厚は表16の条件に種々変更した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例1で説明した評価1の方法および基準で行った。評価結果を表16に示す。評価の結果、偶数層が上記式10および11に係る条件を満たす実施例11-1において、優れた感度変動抑制効果が得られた。また、偶数層が上記式5に係る条件を満たす実施例11-2においても、優れた感度変動抑制効果が得られた。実施例12本実施例では、実施例1と同じ電子写真装置の改造機を用いて、中間層3層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。ただし、中間層および表面層の材料としてアモルファスシリコンナイトライドを用い、表17に示す形成条件でアモルファスシリコン感光体を1本製造した。なお、各奇数層の屈折率は隣り合う2層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整し、各奇数層の膜厚は4πnd/λがπになる膜厚に調整した。一方、各偶数層の膜厚は4πnd/λが2πになる膜厚に調整した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例1で説明した評価1の方法および基準で行った。評価の結果、Bであり、優れた効果が確認された。"