粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層がコーティングされた金属箔を提供するステップと、前記粗さが形成されたプライマー樹脂層を絶縁層に転写するステップと、残存する金属箔の防錆物質を除去するために、前記プライマー樹脂層を還元処理するステップと、前記粗さが形成されたプライマー樹脂層にメッキを施すステップと、を含むメッキ層の形成方法。前記還元処理するステップは、還元性物質を含む還元性溶液に浸漬処理するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のメッキ層の形成方法。前記プライマー樹脂層の転写ステップは、前記プライマー樹脂層が前記絶縁層に接着されるように、前記金属箔を前記絶縁層に積層するステップと、エッチングにより前記金属箔を除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のメッキ層の形成方法。前記プライマー樹脂層をメッキするステップは、前記プライマー樹脂層にパラジウムPdを吸着させるステップと、前記プライマー樹脂層に無電解メッキを施すステップと、を含むことを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項に記載のメッキ層の形成方法。粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層がコーティングされた金属箔を提供するステップと、前記粗さが形成されたプライマー樹脂層を絶縁層に転写するステップと、残存する金属箔の防錆物質を除去するために、前記プライマー樹脂層を還元処理するステップと、前記粗さが形成されたプライマー樹脂層に回路パターンを形成するステップと、を含む回路基板の製造方法。前記還元処理するステップは、プライマー樹脂層を、還元性物質を含む還元性溶液に浸漬処理するステップを含むことを特徴とする請求項5に記載の回路基板の製造方法。前記プライマー樹脂層の転写ステップは、前記プライマー樹脂層が前記絶縁層に接着されるように、前記金属箔を前記絶縁層に積層するステップと、エッチングにより前記金属箔を除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項5または請求項6に記載の回路基板の製造方法。前記回路パターンを形成するステップは、前記プライマー樹脂層にシード層を形成するステップと、前記シード層を電極として電解メッキにより前記回路パターンを形成するステップと、を含む請求項5から請求項7の何れか1項に記載の回路基板の製造方法。前記シード層を形成するステップは、前記プライマー樹脂層にパラジウムPdを吸着させるステップと、前記無電解メッキにより前記シード層を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項8に記載の回路基板の製造方法。本発明は、均一なメッキ層を形成できるメッキ層の形成方法及びこれを用いた回路基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明の一実施形態によれば、粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層のコーティングされた金属箔を提供するステップと、上記粗さが形成されたプライマー樹脂層を絶縁層に転写するステップと、残存する金属箔の防錆物質を除去するために、上記プライマー樹脂層を還元処理するステップと、上記粗さが形成されたプライマー樹脂層をメッキするステップと、を含むメッキ層の形成方法が提供される。上記還元処理するステップは、還元性物質を含む還元性溶液に浸漬dipping処理するステップを含むことができる。上記プライマー樹脂層の転写ステップは、上記プライマー樹脂層が上記絶縁層に接着されるように、上記金属箔を上記絶縁層に積層するステップと、エッチングにより上記金属箔を除去するステップとを含むことができる。上記プライマー樹脂層をメッキするステップは、上記プライマー樹脂層にパラジウムPdを吸着させるステップと、上記プライマー樹脂層に上記無電解メッキを施すステップとを含むことができる。また、本発明の他の実施形態によれば、粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層がコーティングされた金属箔を提供するステップと、上記粗さが形成されたプライマー樹脂層を絶縁層に転写するステップと、残存する金属箔の防錆物質を除去するために、上記プライマー樹脂層を還元処理するステップと、上記粗さが形成されたプライマー樹脂層に回路パターンを形成するステップと、を含む回路基板の製造方法が提供される。上記還元処理するステップは、還元性物質を含む還元性溶液に浸漬処理するステップを含むことができる。上記プライマー樹脂層の転写ステップは、上記プライマー樹脂層が上記絶縁層に接着されるように、上記金属箔を上記絶縁層に積層するステップと、エッチングにより上記金属箔を除去するステップとを含むことができる。上記回路パターンを形成するステップは、上記プライマー樹脂層にシード層を形成するステップと、上記シード層を電極として電解メッキにより上記回路パターンを形成するステップとを含むことができる。上記シード層を形成するステップは、上記プライマー樹脂層にパラジウムPdを吸着させるステップと、上記無電解メッキにより上記シード層を形成するステップとを含むことができる。本発明によれば、プライマー樹脂に残存する防錆物質を除去することにより、未メッキ現象の発生を防止し、均一なメッキ層を形成することができる。また、プライマー樹脂に形成された粗さが、防錆物質の除去過程で損傷されることなく、メッキ層とプライマー樹脂との接着力を高めることができる。以下では、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を示す順序図であり、図2ないし図11は、本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を説明するための図である。本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法は、金属箔を提供するステップS110、プライマー樹脂層の転写ステップS120、還元処理するステップS130及び回路パターンを形成するステップS140を含む。ステップS110での金属箔を提供するステップは、粗さが形成された一面に、プライマー樹脂層がコーティングされた金属箔10を提供する。すなわち、金属箔10の粗さを用いてプライマー樹脂層20に粗さを形成する。このとき、プライマー樹脂は密着力の高い物質であって、回路パターン45と絶縁層30との結合力を高めることができる。図2に示すように、本実施例では、粗さが形成された金属箔10の一面にプライマー樹脂を噴射するか、またはフィルム形態で積層して、粗さが形成されたプライマー樹脂層20を形成する。ステップS120でのプライマー樹脂層の転写ステップでは、粗さが形成されたプライマー樹脂層20を絶縁層30に転写する。すなわち、本実施例では、絶縁層30の密着力を高めるための接着層として、粗さが形成されたプライマー樹脂層20を用いる。図3及び図4に示すように、本実施例では、ステップS112で、プライマー樹脂層20がコーティングされた金属箔10を絶縁層30に積層して、プライマー樹脂層20を絶縁層30に接着させる。そして、ステップS114で、エッチングにより金属箔10を除去し、絶縁層30に粗さが形成されたプライマー樹脂層20を形成する。一方、金属箔10を除去する方法は、本実施例に限定されず、剥離のような公知の様々な方法を用いて金属箔10を除去することができる。ステップS130での還元処理するステップは、プライマー樹脂層20に残存する金属箔10の防錆物質12が除去されるように、プライマー樹脂層20を還元処理する。通常、金属箔10は、酸化防止の目的でケイ素SiやクロムCr、ニッケルNiなどからなる防錆物質12により防錆処理されている。このため、図4に示すように、金属箔10から分離されたプライマー樹脂層20に防錆物質12が残存する場合がある。防錆物質12が残存する部分には、メッキが形成されにくくなり、防錆物質12は、回路パターン45の形成に必要なメッキ層の形成を妨害することになる。したがって、本実施例では、図9等に示すような回路パターン45を形成する前に、プライマー樹脂層20に残存する防錆物質12を除去する還元処理を行う。すなわち、防錆物質12を還元処理してイオン化させることにより、プライマー樹脂層20から防錆物質12を容易に除去することができる。例えば、防錆物質12としての酸化クロミウムをクロムイオンに還元させた後に、除去することができる。特に、本実施例では、プライマー樹脂層20に形成された粗さが還元処理過程で損傷されないように、ステップS132で、プライマー樹脂層20を、還元性物質を含む還元性溶液6に浸漬処理する。図5に示すように、本実施例では、還元性溶液6が入っている水槽5に、プライマー樹脂層20が形成された基板を縦に浸漬して還元処理を行う。還元性溶液6で防錆物質12がイオン化され、還元性溶液6中に溶け出ることになる。これにより、図6に示すように、プライマー樹脂層20の粗さを損傷せず、防錆物質12を除去することができる。一方、還元処理方法は、本実施例に限定されず、還元性溶液6を噴射するなど様々な方法を用いることができる。ステップS140の回路パターンを形成するステップでは、粗さが形成されたプライマー樹脂層20に回路パターン45を形成する。特に、本実施例では、防錆物質12が除去されたプライマー樹脂層20に、メッキにより均一なメッキ層を形成し、該メッキ層を回路パターン45の形成に必要なシード層40として用いることができる。そして、シード層40を電極として電解メッキにより回路パターン45を形成することができる。図7に示すように、本実施例では、還元処理されたプライマー樹脂層20に、メッキによりシード層40を形成する。具体的に、プライマー樹脂層20にパラジウムを吸着させた後に、無電解メッキによりシード層40を形成することができる。このとき、プライマー樹脂層20における防錆物質12は除去されたので、プライマー樹脂層20にパラジウムが均一に吸着され、均一なシード層40を形成することができる。その後、図8ないし図11に示すように、セミアディティブ法を用いて微細な回路パターン45を形成する。上述したように、粗さの形成されたプライマー樹脂層20が接着されている絶縁層30は、密着力が向上されて、微細な回路パターン45が形成されても回路パターン45の剥離現象を防止することができる。具体的に、シード層40にメッキレジスト50を選択的に積層した後に、メッキレジスト50が積層されていない部分に電解メッキにより回路パターン45を形成する。その後、メッキレジスト50を除去し、その後、シード層40をフラッシュエッチングにより除去して、各回路パターン45を分離する。以上では、本発明の実施例を参照して説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、添付の特許請求の範囲に記載した本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できよう。上述した実施例の以外でも、多数の実施例が本発明の特許請求範囲内に存在する。