"アンテナを備え該アンテナの先端からプラズマを発生させるアンテナ型プラズマCVDを用い、該アンテナが配設された処理室内に、基材上に形成されカーボンナノチューブ成長の核となる触媒材料層と、該基材と該触媒材料層との間に設けられ該基材と該触媒材料層との反応を防止する反応防止層とを備える基板を、該アンテナに発生するプラズマの発生領域に対し、該領域で発生したラジカルに副生するイオンの攻撃を避け得ると共に該ラジカルがラジカル状態を維持して到達し得る距離を存して保持し、カーボンナノチューブの原料となる気体の流通下、該処理室内を所定の圧力に減圧し、該アンテナにプラズマを発生させて該基板上にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの製造方法において、該アンテナにプラズマを発生させる前に、該処理室内に水素のみを流通して該触媒材料層を還元し、該触媒材料層を還元した後、該カーボンナノチューブの原料となる気体として、一酸化炭素のみ、一酸化炭素及び一酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体、二酸化炭素のみ、二酸化炭素及び二酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体からなる群から選択されるいずれか1種の気体を流通させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記一酸化炭素及び一酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体は、一酸化炭素と水素との混合気体であることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。請求項2記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記一酸化炭素と水素との混合気体は、一酸化炭素と水素とを1:1のモル比で含むことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記二酸化炭素及び二酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体は、二酸化炭素とメタンとの混合気体であることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。請求項4記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記二酸化炭素とメタンとの混合気体は、二酸化炭素とメタンとを1:1のモル比で含むことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記基板は前記触媒材料層上に形成された保護層を備え、該触媒材料層は0.1~1.0nmの厚さに相当する量を有し、該保護層は0.15~1.0nmの厚さに相当する量を有することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。請求項6記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記触媒材料層はFe又はCoを含み、前記保護層はAlを含むことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。しかしながら、プラズマCVD法等により基板上に形成されたカーボンナノチューブを製造するときに、一酸化炭素と二酸化炭素と水素との混合ガスを用いると、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることが難しいという不都合がある。本発明は、かかる不都合を解消して、プラズマCVD法により基板上にカーボンナノチューブを形成するときに、一酸化炭素又は二酸化炭素を用いて、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができるカーボンナノチューブの製造方法を提供することを目的とする。かかる目的を達成するために、本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、アンテナを備え該アンテナの先端からプラズマを発生させるアンテナ型プラズマCVDを用い、該アンテナが配設された処理室内に、基材上に形成されカーボンナノチューブ成長の核となる触媒材料層と、該基材と該触媒材料層との間に設けられ該基材と該触媒材料層との反応を防止する反応防止層とを備える基板を、該アンテナに発生するプラズマの発生領域に対し、該領域で発生したラジカルに副生するイオンの攻撃を避け得ると共に該ラジカルがラジカル状態を維持して到達し得る距離を存して保持し、カーボンナノチューブの原料となる気体の流通下、該処理室内を所定の圧力に減圧し、該アンテナにプラズマを発生させて該基板上にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの製造方法において、該アンテナにプラズマを発生させる前に、該処理室内に水素のみを流通して該触媒材料層を還元し、該触媒材料層を還元した後、該カーボンナノチューブの原料となる気体として、一酸化炭素のみ、一酸化炭素及び一酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体、二酸化炭素のみ、二酸化炭素及び二酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体からなる群から選択されるいずれか1種の気体を流通させることを特徴とする。本発明のカーボンナノチューブの製造方法によれば、前記アンテナ型プラズマCVDの前記処理室内に、まず、水素のみを流通して前記触媒材料層を還元する。次いで、前記カーボンナノチューブの原料となる気体以下、原料ガスと略記するの流通下、前記処理室内を所定の圧力に減圧し、前記アンテナにプラズマを発生させることにより、前記基板上にカーボンナノチューブを形成する。前記触媒材料層の還元を水素と前記原料ガスとの混合ガスにより行うと、その後、前記アンテナにプラズマを発生させてもカーボンナノチューブが形成されないか、又は著しく品質の低いカーボンナノチューブが形成され、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができない。前記基板上にカーボンナノチューブを形成するとき、前記基板は、前記アンテナに発生するプラズマの発生領域に対し、該領域で発生したラジカルに副生するイオンの攻撃を避け得ると共に該ラジカルがラジカル状態を維持して到達し得る距離を存して保持されている。そこで、前記原料ガスとして、一酸化炭素のみ、一酸化炭素及び一酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体、二酸化炭素のみ、二酸化炭素及び二酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体からなる群から選択されるいずれか1種の気体を流通させることにより、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができる。本発明のカーボンナノチューブの製造方法によれば、前記原料ガスは一酸化炭素のみ又は二酸化炭素のみのいずれか一方でもよいが、一酸化炭素及び一酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体又は、二酸化炭素及び二酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体を用いることにより、過剰の水素又は酸素の副生を阻止することができる。この結果、水素又は酸素によりカーボンナノチューブの形成が阻害されることを防止して、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができる。前記一酸化炭素又は二酸化炭素のいずれかと反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体としては、例えば、水素、炭化水素化合物、含酸素炭化水素化合物等を挙げることができる。前記炭化水素化合物は、メタン、エタン、プロパン等の飽和化合物であってもよく、エチレン、アセチレン等の不飽和化合物であってもよい。また、前記含酸素炭化水素化合物としては、例えば、メタノール、エタノール等のアルコールを挙げることができる。次に、前記一酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体が炭化水素化合物CnHmである場合を例として、一酸化炭素COとの化学反応式を示す。m/2COCnHm→m/2nCm/2H2O...11式から、一酸化炭素COのモル比を調整することにより、炭化水素化合物CnHmとの反応の結果として、化学量論的に過不足無く水を生成することができることが明らかである。また、炭化水素化合物CnHmにおいて、n=0、m=2とすれば、水素H2となる。そこで、前記一酸化炭素及び一酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体が、一酸化炭素と水素との混合気体であるときには、1式から明らかなように、一酸化炭素と水素とを1:1のモル比で含むことが好ましい。次に、前記二酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体が炭化水素化合物CnHmである場合を例として、二酸化炭素CO2との化学反応式を示す。mCO24CnHm→m4nC2mH2O...22式から、二酸化炭素CO2のモル比を調整することにより、炭化水素化合物CnHmとの反応の結果として、化学量論的に過不足無く水を生成することができることが明らかである。また、炭化水素化合物CnHmにおいて、n=1、m=4とすれば、メタンCH4となる。そこで、前記二酸化炭素及び二酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体が、二酸化炭素とメタンとの混合気体であるときには、2式から明らかなように、二酸化炭素とメタンとを1:1のモル比で含むことが好ましい。前記一酸化炭素及び一酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体が一酸化炭素と水素とを1:1のモル比で含む場合、又は前記二酸化炭素及び二酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体が、二酸化炭素とメタンとを1:1のモル比で含む場合には、いずれも低分子の化合物が1:1という単純なモル比で反応するので、より確実に過不足無く水を生成することができる。前記原料ガスとして一酸化炭素と水素とを流通するときに、水素の方が多いと形成されたカーボンナノチューブのsp2結合が水素により破壊され、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができないことがある。一方、一酸化炭素の方が多いと、前記プラズマ発生領域で炭素ラジカルが発生する際に酸素イオンが副生し、該酸素イオンにより前記基板が攻撃されて、成長中のカーボンナノチューブがエッチングされるため、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができないことがある。また、前記原料ガスとして二酸化炭素とメタンとを流通するときに、メタンの方が多いと、二酸化炭素の酸素とメタンの水素とにより水を生成する際に余剰の水素が生成する。この結果、形成されたカーボンナノチューブのsp2結合が水素により破壊され、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができないことがある。一方、二酸化炭素の方が多いと、前記のように水を生成する際に余剰の酸素が生成する。この結果、前記プラズマ発生領域で炭素ラジカルが発生する際に酸素イオンが副生し、該酸素イオンにより前記基板が攻撃されて、成長中のカーボンナノチューブがエッチングされるため、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができないことがある。また、本発明のカーボンナノチューブの製造方法において、前記基板は前記触媒材料層上に形成された保護層を備え、該触媒材料層は0.1~1.0nmの厚さを備え、該保護層は0.15~1.0nmの厚さを備えるものを用いることができる。前記触媒材料層は、例えば、Fe又はCoを含んでおり、前記保護層は、例えば、Alを含んでいる。次に、添付の図面を参照しながら本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法は、図1又は図2に示すアンテナ型プラズマCVD装置を用いて実施することができる。図1に示すアンテナ型プラズマCVD装置1は、箱形のチャンバー処理室2を備え、天井部にカーボンナノチューブの原料となる気体以下、原料ガスと略記するを導入する原料ガス導入部3を備える。また、底部側面にはチャンバー2内のガスを排出するガス排出部4を備えている。ガス排出部4は例えば図示しない真空ポンプに接続されている。また、例えば、プラズマCVD装置1においては、チャンバー2の天井部には、マイクロ波導波管5及びアンテナ6が備えられており、所定の周波数例えば2.45GHzのマイクロ波の印加によりアンテナ6の先端部6aにプラズマを集中発生させるようになっている。この結果、先端部6aの周囲にプラズマ発生領域7が形成される。チャンバー2内には、マイクロ波導波管5に対向する位置に基板加熱部8が上下動自在に設けられており、基板加熱部8上に基板9が載置されている。CVD装置1では、基板加熱部8を上下動させることにより、マイクロ波導波管5直下のプラズマ発生領域7と基板9との距離dを調整するようになっている。また、図2に示すアンテナ型プラズマCVD装置11は、管状のチャンバー処理室12を備え、チャンバー12の一方の端部から原料ガスを導入すると共に、他方の端部からチャンバー12内のガスを排出するようになっている。チャンバー12のガス排出側の端部は例えば図示しない真空ポンプに接続されている。また、チャンバー12の原料ガス導入側の端部近傍には、CVD装置1と同様のマイクロ波導波管5及びアンテナ6が備えられており、所定の周波数例えば2.45GHzのマイクロ波の印加によりアンテナ6の先端部6aにプラズマを集中発生させるようになっている。この結果、先端部6aの周囲にプラズマ発生領域7が形成される。導入される原料ガスに対し、プラズマ発生領域7の下流側には、チャンバー12を挟んで1対の基板加熱部13a,13bが、チャンバー2の長さ方向に沿ってプラズマ発生領域7に対して進退自在に設けられている。そして、チャンバー12内には、基板加熱部13bに対向して基板載置部14が設けられ、基板載置部14上に基板15が載置されている。CVD装置11では、基板加熱部13a,13bを進退させることにより、プラズマ発生領域7と基板15との距離dを調整するようになっている。次に、図1のアンテナ型プラズマCVD装置1を用いる場合を例として、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法について説明する。本実施形態では、まず、Si等の基材上に、スパッタ法を用いてバッファ層となるAl層を所定の厚さに製膜する。次に、前記Al層を大気暴露した後、該Al層上に、スパッタ法を用いてFe又はCoからなりカーボンナノチューブの成長の核となる触媒材料層を、例えば0.1~1.0nmの範囲の厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を、例えば0.15~1.0nmの範囲の厚さに製膜して基板9を形成する。基板9において、前記バッファ層は、前記基材と前記触媒材料層との反応を防止する反応防止層として作用する。次に、基板加熱部8上に基板9を載置して、基板9がプラズマ発生領域7に対し、該プラズマ発生領域7で発生したラジカルに副生するイオンの攻撃を避け得ると共に該ラジカルがラジカル状態を維持して到達し得る距離dを存して保持する。次に、チャンバー2内の圧力が例えば3×10-3Pa以下になるまで真空引きした後、原料ガス導入部3から水素を流通し、チャンバー2内の圧力が例えば2.67kPaになるように調節する。そして、基板9を例えば700°Cまで昇温させながら、例えば5分間アニールすることにより、前記触媒材料層を還元する。次に、原料ガス導入部3から水素を流通すると共に、原料ガスとして、一酸化炭素のみ、一酸化炭素及び一酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体、二酸化炭素のみ、二酸化炭素及び二酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体からなる群から選択されるいずれか1種の気体を流通し、例えば60Wの出力のマイクロ波を印加することによりアンテナ6の先端部6aにプラズマを集中発生させる。ここで、原料ガス導入部3から前記一酸化炭素及び一酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体として、一酸化炭素と水素とを流通するときには、一酸化炭素と水素とのモル比が1:1となるようにする。また、原料ガス導入部3から前記二酸化炭素及び二酸化炭素と反応したときに化学量論的に過不足無く水を生成することができる気体との混合気体として、二酸化炭素とメタンとを流通するときには、二酸化炭素とメタンとのモル比が1:1となるようにする。この結果、基板9上に欠陥の少ない優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができる。次に、本発明の実施例及び比較例を示す。実施例1本実施例では、まず、Si基材上に、スパッタ法を用いてバッファ層となるAl層を5nmの厚さに製膜した。次に、前記Al層を大気暴露した後、該Al層上に、スパッタ法を用いてFeからなる触媒材料層を0.5nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を0.5nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、基板加熱部8上に基板9を載置し、プラズマ発生領域7との距離dを50mmに設定した。次に、チャンバー2内の圧力が3×10-3Pa以下になるまで真空引きした後、原料ガス導入部3から10sccmの流量で水素ガスを流通し、チャンバー2内の圧力が2.67kPaになるように調節した。次に、基板9を700°Cまで昇温させながら、5分間アニールすることにより、前記触媒材料層を還元した。次に、原料ガス導入部3から、水素を10sccmの流量で流通すると共に、原料ガスとして二酸化炭素とメタンとを1:1のモル比で合計40sccmの流量で流通した。ここで、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度は80モルである。次に、前記ガス流通下に、波長2.45GHz、出力60Wのマイクロ波を印加することによりアンテナ6の先端部6aにプラズマを集中発生させ、カーボンナノチューブの形成を30分間行った。その後、室温まで冷却して、得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正したGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。前記カーボンナノチューブのラマンスペクトルでは、1600cm-1付近にグラファイト網面に由来するGバンドが観察され、1300cm-1付近に欠陥に由来するDバンドが観察される。従って、GバンドとDバンドとの強度の比G/Dが大きいほど、欠陥が少なく優れた品質を備えているということができる。結果を表1に示す。また、図3に、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度とGバンドとDバンドとの強度の比G/Dとの関係を示す。また、本実施例で得られたカーボンナノチューブのラマンスペクトルを図4aに、走査型顕微鏡写真を図4bに示す。図4aから、本実施例で得られたカーボンナノチューブは、GバンドとDバンドとの強度の比G/Dが大きく、優れた品質を備えることが明らかである。また、図4bから、本実施例で得られたカーボンナノチューブは、前記基板に対して垂直に配向していることが明らかである。実施例2原料ガス導入部3から、水素を40sccmの流量で流通すると共に、原料ガスとして二酸化炭素とメタンとを1:1のモル比で合計10sccmの流量で流通した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。ここで、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度は20モルである。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正したGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。また、図3に、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度とGバンドとDバンドとの強度の比G/Dとの関係を示す。実施例3原料ガス導入部3から、水素を25sccmの流量で流通すると共に、原料ガスとして二酸化炭素とメタンとを1:1のモル比で合計25sccmの流量で流通した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。ここで、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度は50モルである。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正したGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。また、図3に、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度とGバンドとDバンドとの強度の比G/Dとの関係を示す。実施例4原料ガス導入部3から、水素ガスを全く流通せず、原料ガスとして二酸化炭素とメタンとを1:1のモル比で合計50sccmの流量で流通した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。ここで、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度は100モルである。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正したGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。また、図3に、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度とGバンドとDバンドとの強度の比G/Dとの関係を示す。実施例5原料ガス導入部3から、水素を45sccmの流量で流通すると共に、原料ガスとして二酸化炭素とメタンとを1:1のモル比で合計5sccmの流量で流通した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。ここで、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度は10モルである。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正したGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。また、図3に、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度とGバンドとDバンドとの強度の比G/Dとの関係を示す。表1から、原料ガスとしての二酸化炭素とメタンとのモル比を1:1とすることにより、GバンドとDバンドとの強度の比G/Dが大きくなり、優れた品質を備えるカーボンナノチューブを得ることができることが明らかである。これは、原料ガスを前記組成とすることにより、過不足無く水が生成し、カーボンナノチューブ内のsp2結合の破壊要因となる水素の生成が抑制されるためであると考えられる。また、表1及び図3から、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度が高くなるほど、GバンドとDバンドとの強度の比G/Dが大きくなり、流通ガスの全量に対する原料ガスの濃度が100モルであるときにG/Dが最も大きくなることが明らかである。実施例6本実施例では、Feからなる触媒材料層の厚さを0.1nm、保護層となるAl層の厚さを0.15nmとして基板9を形成した以外は、実施例4と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正したGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表2に示す。尚、表2には、実施例4の基板の構成及びバックグラウンドを補正したGバンドとDバンドとの強度の比G/Dを共に示す。実施例7本実施例では、Feからなる触媒材料層の厚さを0.2nm、保護層となるAl層の厚さを0.2nmとして基板9を形成した以外は、実施例4と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正したGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表2に示す。また、本実施例で得られたカーボンナノチューブのラマンスペクトルを図5に示す。実施例8本実施例では、Feからなる触媒材料層の厚さを1.0nm、保護層となるAl層の厚さを1.0nmとして基板9を形成した以外は、実施例4と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正したGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表2に示す。表2から、前記触媒材料層と前記保護層との厚さがそれぞれ0.15~1.0nmの範囲であるときに、GバンドとDバンドとの強度の比G/Dが大きくなり、優れた品質を備えるカーボンナノチューブを得ることができることが明らかである。前記触媒材料層と前記保護層との厚さがそれぞれ0.2nmであるときに、GバンドとDバンドとの強度の比G/Dが最も大きくなることが明らかである。実施例9本実施例では、まず、Si基材上に、スパッタ法を用いてバッファ層となるAl層を5nmの厚さに製膜した。次に、前記Al層を大気暴露した後、該Al層上に、スパッタ法を用いてFeからなる触媒材料層を0.5nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を1.0nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、基板加熱部8上に基板9を載置し、プラズマ発生領域7との距離dを50mmに設定した。次に、チャンバー2内の圧力が3×10-3PaPa以下になるまで真空引きした後、原料ガス導入部3から50sccmの流量で水素ガスを流通し、チャンバー2内の圧力が2.67kPaになるように調節した。次に、基板9を700°Cまで昇温させながら、5分間アニールすることにより、前記触媒材料層を還元した。次に、原料ガス導入部3から、水素を全く流通せず、一酸化炭素のみを50sccmの流量で流通した。ここで、流通ガスの全量に対する一酸化炭素の濃度は100モルである。次に、前記ガス流通下に、波長2.45GHz、出力60~90Wのマイクロ波を印加することによりアンテナ6の先端部6aにプラズマを集中発生させ、カーボンナノチューブの形成を30分間行った。その後、室温まで冷却して、得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表3に示す。また、図6に、流通ガスの全量に対する一酸化炭素の濃度とGバンドとDバンドとの強度の比G/Dとの関係を示す。実施例10本実施例では、原料ガス導入部3から、水素を25sccmの流量で流通すると共に、一酸化炭素を25sccmの流量で流通した以外は、実施例9と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。ここで、流通ガスの全量に対する一酸化炭素の濃度は50モルである。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表3に示す。また、図6に、流通ガスの全量に対する一酸化炭素の濃度とGバンドとDバンドとの強度の比G/Dとの関係を示す。実施例11本実施例では、原料ガス導入部3から、水素を45sccmの流量で流通すると共に、一酸化炭素を5sccmの流量で流通した以外は、実施例9と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。ここで、流通ガスの全量に対する一酸化炭素の濃度は10モルである。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表3に示す。また、図6に、流通ガスの全量に対する一酸化炭素の濃度とGバンドとDバンドとの強度の比G/Dとの関係を示す。実施例12本実施例では、Feからなる触媒材料層を0.1nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を0.15nmの厚さに製膜して基板9を形成し、原料ガス導入部3から、水素を10sccmの流量で流通すると共に、一酸化炭素を40sccmの流量で流通した以外は、実施例9と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。ここで、流通ガスの全量に対する一酸化炭素の濃度は80モルである。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表3に示す。実施例13本実施例では、原料ガス導入部3から、水素を25sccmの流量で流通すると共に、一酸化炭素を25sccmの流量で流通した以外は、実施例12と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。ここで、流通ガスの全量に対する一酸化炭素の濃度は50モルである。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表3に示す。実施例14本実施例では、原料ガス導入部3から、水素を全く流通せず、一酸化炭素のみを50sccmの流量で流通した以外は、実施例12と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。ここで、流通ガスの全量に対する一酸化炭素の濃度は100モルである。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表3に示す。表3及び図6から、原料ガスとして一酸化炭素と水素との混合気体を用いた場合に、一酸化炭素と水素とのモル比を1:1とすること実施例10,13により、GバンドとDバンドとの強度の比G/Dが最も大きくなり、優れた品質を備えるカーボンナノチューブを得ることができることが明らかである。これは、原料ガスを前記組成とすることにより、過不足無く水が生成し、カーボンナノチューブ内のsp2結合の破壊要因となる水素の生成が抑制されるためであると考えられる。比較例1本比較例では、触媒材料層の還元を、原料ガス導入部3から10sccmの流量で水素ガスを流通すると共に、原料ガスとして二酸化炭素とメタンとを1:1のモル比で合計40sccmの流量で流通し、基板9を700°Cまで昇温させながら、5分間アニールすることにより行った以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。次に、本比較例で得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析した。本比較例で得られたカーボンナノチューブのラマンスペクトルを図7に示す。図7と、実施例1で得られたカーボンナノチューブのラマンスペクトル図4aとを比較すると、触媒材料層の還元を水素のみで行うことにより、優れた品質を備えるカーボンナノチューブを得ることができることが明らかである。比較例2本比較例では、プラズマを全く発生させなかったこと以外は、実施例9と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析したが、通常のカーボンナノチューブの生成で観察されるGバンド及びDバンドは認められなかった。この結果をカーボンナノチューブが成長した実施例9と比較すると、カーボンナノチューブの成長にプラズマが寄与していることが明らかである。"