基板と、基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された高温超伝導層とを含んでなる高温超伝導線材において、前記基板は、SUS310s、またはシリコンSiが0.01~1、モリブデンMoが1~5で含有されるステンレス鋼からなり、該基板を成す金属結晶粒は12μm以下の平均粒径を有し、前記高温超伝導層はReBCOReBa2Cu3O7、Re=Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Y系高温超伝導物質を使用することを特徴とする高温超伝導線材。前記バッファ層が酸化イットリウムY2O3/マグネシアMgO/マンガン酸ランタンLaMnO3であることを特徴とする請求項1に記載の高温超伝導線材。前記バッファ層がアルミナAl2O3/酸化イットリウムY2O3/マグネシアMgO/セリアCeO2であることを特徴とする請求項1に記載の高温超伝導線材。本発明は、かかる問題点を解決するためのもので、その目的は、高温超伝導線材において基板を成す物質の種類および組成比と金属結晶粒の粒径を調節したステンレス鋼を基板として用いることにより、良好な電解研磨が行われるとともに、臨界電流特性が向上した、高温超伝導線材を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は、基板と、基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された高温超伝導層とを含んでなる高温超伝導線材において、前記基板は、SUS310s、またはシリコンSiが0.01~1、モリブデンMoが1~5で含有されるステンレス鋼からなり、該基板を成す金属結晶粒は12μm以下の平均粒径を有し、前記高温超伝導層はReBCOReBa2Cu3O7、Re=Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Y系高温超伝導物質を使用することを特徴とする、高温超伝導線材を技術的要旨とする。また、前記バッファ層は、酸化イットリウムY2O3/マグネシアMgO/マンガン酸ランタンLaMnO3、またはアルミナAl2O3/酸化イットリウムY2O3/マグネシアMgO/セリアCeO2であることが好ましい。上記課題解決手段によって、本発明は、高温超伝導線材において基板を成す物質およびその組成比と金属結晶粒の粒径を調節したステンレス鋼を基板として用いることにより、既存のハステロイ金属基板に比べて非磁性を帯びながらより低廉であり、既存のステンレス鋼基板に比べては良好な電解研磨が行われて表面粗さが少ないため、バッファ層の厚さを減少させることができて経済的かつ高品位の超伝導層を蒸着することができるから、臨界電流密度の向上による超伝導線材の特性を顕著に改善させるという効果がある。本発明は、超伝導線材、特に高温超伝導線材に関するものであって、基板、基板上に形成されたバッファ層、およびバッファ層上に形成された高温超伝導層を含んでなる。特に、本発明における基板は、SUS310s、またはシリコンSiが0.01~1、モリブデンMoが1~5で含有されるステンレス鋼からなり、該基板を成す金属結晶粒は12μm以下の平均粒径を有し、前記高温超伝導層はReBCOReBa2Cu3O7、Re=Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Y系高温超伝導物質を使用する。これにより、既存のハステロイ金属基板に比べて非磁性を帯びながらより低廉であり、既存のステンレス鋼基板に比べては良好な電解研磨が行われて表面粗さが少ないため、バッファ層の厚さを減少させることができて経済的かつ高品位の超伝導層を蒸着することができるから、臨界電流密度の向上によって超伝導線材の全体的な特性を向上させる。以下、本発明の実施例について説明する。高温超伝導線材を製造するために、まず、SUS310s基板、またはシリコンSiが0.5、モリブデンMoが1で必ず含有され、鉄50、ニッケル18、クロム24、マンガン1.5、その他炭素が含有されたステンレス鋼基板を使用するが、このような基板を成す金属結晶粒は8μmの平均粒径を有する。前記基板を成す成分のうち、シリコンの含量はステンレス鋼基板の全体重量に対して0.01~1であり、モリブデンMoの含量は1~5であるが、ここで、シリコンの含量が0.01より小さければ、ステンレス鋼の強度を向上させるためのFe-Cr化合物の析出が殆ど生じなくて問題があり、シリコンの含量が1より大きければ、過剰のFe-Cr化合物の析出により電解研磨特性の低下および脆性が発生するという問題があって、強度および電解研磨特性が最も向上したことを示す0.01~1のシリコン含量を持つことが最も好ましい。また、前記モリブデンを1~5の含量で添加することにより、Fe-Cr化合物の生成を調節して強度および電解研磨特性を共に向上させる。前記基板は、金属結晶粒の平均粒径が12μm以下にならなければならず、これより結晶粒の粒径が大きければ、基板を成す金属成分が結晶粒に沿って拡散する程度が増加し、結晶粒の粒径は12μm以下にならなければならない。このような基板における結晶粒の調節は圧延および熱処理方法によって可能になる。結晶粒の粒径が12μm以上であれば、高温強度が低下し、電解研磨の際に粒界過エッチングの原因にもなる。前記組成および結晶粒を有するステンレス鋼基板上にバッファ層として酸化イットリウムY2O3/マグネシアMgO/マンガン酸ランタンLaMnO3、またはアルミナAl2O3/酸化イットリウムY2O3/マグネシアMgO/セリアCeO2を使用する。本発明の一実施例としては、アルミナAl2O3/酸化イットリウムY2O3/マグネシアMgO/セリアCeO2を使用した。それぞれのバッファ層は公知の薄膜蒸着方法によって形成することができ、本実施例では電子ビーム蒸着およびスパッタ法によって全体緩衝層を100nmの厚さに形成した。前記バッファ層上には高温超伝導層を蒸着し、ガドリニウムバリウム銅酸化物超伝導体GdBa2Cu3O7、GdBCOまたはサマリウムバリウム銅酸化物超伝導体SmBa2Cu3O7、SmBCOを使用した。前記高温超伝導層の蒸着は同時蒸発法を用いて1~2μm程度の厚さに形成した。図1は本発明の一実施例に係る基板の電解研磨前、後に対する電子顕微鏡写真を示す。図1に示すように、本発明に係る基板は電解研磨に有利であって表面粗さが改善され、基板上に蒸着されるバッファ層および高温超伝導層の厚さを減らすことができ、臨界電流密度を向上させて超伝導線材全体の特性を向上させる。図2は本発明の一実施例に係る基板の表面粗さを示す電子顕微鏡写真を示すもので、10μm×10μmの領域内における平均表面粗さが2.0nm以下であって、本発明に係る基板が電解研磨に有利であった。既存のハステロイ基板の場合は大部分、電解研磨の際に粒界生成物により表面粗さが2.0nm以上であった。図3は本発明の一実施例に係る基板の磁化特性を測定したデータであって、77Kでほぼ非磁性特性を示した。図4は既存のハステロイ基板を使用した場合と本発明の一実施例に係る基板を使用した場合高温超伝導層としてはガドリニウムバリウム銅酸化物超伝導体GdBa2Cu3O7、GdBCOを使用に物理的特性を測定したデータであって、77Kでの弾性率はそれぞれ143.6GPa、114.3GPaを示し、降伏強度は両方とも800MPa以上であった。本発明に係るステンレス基板は、磁気的物理的特性が既存のハステロイ基板のそれと同一またはより向上し、ステンレス鋼に比べて10倍以上の高価であるハステロイ基板の代替品としての使用可能性が十分であることを確認することができた。図5は本発明に係る高温超伝導線材図4の超伝導線材に対する臨界電流密度を測定したデータであって、既存のハステロイ基板よりは本発明に係る基板を使用した場合に臨界電流密度がさらに高いか或いは類似したことを観察することができた。ハステロイ基板を使用した場合には臨界電流密度が450Aであった。ステンレス鋼基板を使用した場合、575A基板としてSUS310sを使用した場合、SUS1または475A基板として、シリコンSiが0.5、モリブデンMoが1で必ず含有され、鉄50、ニッケル18、クロム24、マンガン1.5、その他炭素が含有されたステンレス鋼基板を使用した場合、SUS2で相対的に優れた値を示した。図6は既存の米国特許米国登録特許US6541121B2技術に対するステンレス鋼基板を使用した場合に、本発明の一実施例に係るバッファ層と超伝導層を同様に蒸着し、保護層としてAgをコートした場合の表面写真を示すもので、本発明の一実施例と同一の厚さにバッファ層と超伝導層を形成した場合より表面粗さが高かった。これはAg保護層が容易に破損して高温超伝導線材の全体特性を低下させる原因になる。このように本発明に係る組成および結晶粒を有する基板を用いて超伝導層を形成した高温超伝導線材の場合に、基板に対して電解研磨が有利であって表面粗さの減少によるバッファ層または超伝導層の厚さを減少させることができ、臨界電流密度を向上させることができるから、高温超伝導線材の全体特性の向上および製造コストの節減に寄与することができる。