"励起用レーザ光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザから出力される励起用レーザ光により基本波長の赤外レーザ光を出力する固体レーザ素子と、前記固体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を1/2に変換する波長変換素子と、前記基本波長の赤外レーザ光を反射し、前記波長変換素子から出力された基本波長の1/2波長のレーザ光を透過する反射鏡と、を備え、前記固体レーザ素子の相対する面に金属薄膜のクラッドを設けたことを特徴とするレーザ光源装置。前記クラッドの金属薄膜は、電気伝導度が1×106S/m以上であって熱伝導度が10W/mK以上の材質であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置。前記固体レーザ素子は、スラブ形状であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置。前記半導体レーザと、前記固体レーザ素子と、前記波長変換素子と、前記反射鏡とが、1つの基台に一体的に支持されたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のレーザ光源装置。しかしながら、固体レーザ素子としてセラミック導波路構造を形成する場合には変換ロスを減らすためにセラミック導波路を狭くする必要があり、またゴミ付着や支持部材の接触でレーザ光の漏れを防止するためにセラミック導波路の外面にクラッドを設ける必要がある。クラッドはシリカSiO2などで作られているが、セラミック導波路外面には数μmの厚みのシリカ層が形成されるためにその製造工法が難しく製造時間がかかるという課題がある。さらに、クラッドは硬く厚いシリカ層であるためにセラミック導波路はフレキシブル性が無くなるのでヒビ割れや欠けが発生しやすくなりその取り扱いがしにくくなるという課題がある。本発明は、このような従来技術の問題点を解消すべく案出されたものであり、セラミック導波路に用いられるクラッドを簡単な製造工法で形成させることができ、またセラミック導波路を取り扱いやすいフレキシブルなものにさせることができるレーザ光源装置を提供することにある。上記課題を解決するために本発明のレーザ光源装置は、励起用レーザ光を出力する半導体レーザと、半導体レーザから出力される励起用レーザ光により基本波長の赤外レーザ光を出力する固体レーザ素子と、固体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を1/2に変換する波長変換素子と、基本波長の赤外レーザ光を反射し、波長変換素子から出力された基本波長の1/2波長のレーザ光を透過する反射鏡と、を備え、固体レーザ素子の相対する面に金属薄膜のクラッドを設けたことを特徴とする。本発明によれば、セラミック導波路である固体レーザ素子にクラッドを設けることで光学系の簡素化ができ、その固体レーザ素子のクラッドを金属薄膜にしたことでクラッド形成の工法が簡易になり、そのクラッド層厚を薄くすることができる。また、固体レーザ素子は取り扱いやすいフレキシブルなものになるのでヒビ割れや欠けが発生しにくくなりその取り扱いが容易になる。さらに、クラッドを金属薄膜にしたことで導電性が良くなり、帯電によるクラッドへのゴミ付着防止ができレーザ光の漏れを防止することができる。さらに、クラッドを金属薄膜にしたことで熱伝導性が良くなり固体レーザ素子内部からの放熱をしやすくすることができる。これらにより、レーザ光源装置を安価でコンパクトなものにさせることができる。請求項1に記載の発明は、励起用レーザ光を出力する半導体レーザと、半導体レーザから出力される励起用レーザ光により基本波長の赤外レーザ光を出力する固体レーザ素子と、固体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を1/2に変換する波長変換素子と、基本波長の赤外レーザ光を反射し、波長変換素子から出力された基本波長の1/2波長のレーザ光を透過する反射鏡と、を備え、固体レーザ素子の相対する面に金属薄膜のクラッドを設けたことを特徴とするレーザ光源装置であって、固体レーザ素子にクラッドを設けることで光学系の簡素化ができるとともにクラッド本来の役目であるゴミや欠けによって固体レーザ素子からのレーザ光が漏れるのを防止し、その固体レーザ素子のクラッドを金属薄膜にしたことでクラッド形成の工法が簡易になりそのクラッド層厚を薄くすることができる。また、固体レーザ素子は取り扱いやすいフレキシブルなものになるのでヒビ割れや欠けが発生しにくくなりその取り扱いが容易になる。さらに、クラッドを金属薄膜にしたことで導電性が良くなり、帯電によるクラッドへのゴミ付着防止ができレーザ光の漏れを防止することができ、クラッドを金属薄膜にしたことで熱伝導性が良くなり固体レーザ素子内部からの放熱をしやすくすることができる。これらにより、レーザ光源装置を安価でコンパクトなものにさせることができる。請求項2に記載の発明は、クラッドの金属薄膜は、電気伝導度が1×106S/m以上であって熱伝導度が10W/mK以上の材質であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置であって、クラッドを電気伝導度が高く熱伝導度の高い金属薄膜で構成することで、クラッドは電気伝導や熱伝導が良好になるので帯電によるゴミ付着を防止することができ、そして固体レーザ素子内で発生する熱も放熱しやすくなる。請求項3に記載の発明は、固体レーザ素子は、スラブ形状であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置であって、スラブ形状を取り入れることでレーザ光源装置の光学系を簡素化し構成部品を減らすことができ、レーザ光源装置の小型化やコストダウンを図ることができる。請求項4に記載の発明は、半導体レーザと、固体レーザ素子と、波長変換素子と、反射鏡とが、1つの基台に一体的に支持されたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のレーザ光源装置であって、この構成を採ることで光軸調整が容易にでき、高出力のレーザ光を出力することができるともに、スラブ形状を取り入れることでレーザ光源装置の光学系を簡素化することや光学系の構成部品を減らすことができ、レーザ光源装置の小型化やコストダウンができる。以下、本発明のレーザ光源装置について図面を用いて説明する。なお、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であり、技術的に良好な条件の限定が記載されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する記載が無い限り、これらの条件に限られるものでは無い。第1の実施形態以下、本発明の第1の実施形態を、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態における画像表示装置の概略構成図である。この画像表示装置1は、所要の画像をスクリーンSに投影表示するものであり、緑色レーザ光を出力する緑色レーザ光源装置2と、赤色レーザ光を出力する赤色レーザ光源装置3と、青色レーザ光を出力する青色レーザ光源装置4と、映像信号に応じて各レーザ光源装置2~4からのレーザ光の変調を行う液晶反射型の空間光変調器5と、各レーザ光源装置2~4からのレーザ光を反射させて空間光変調器5に照射させるとともに空間光変調器5から出射された変調レーザ光を透過させる偏光ビームスプリッタ6と、各レーザ光源装置2~4から出射されるレーザ光を偏光ビームスプリッタ6に導くリレー光学系7と、偏光ビームスプリッタ6を透過した変調レーザ光をスクリーンSに投射する投射光学系8とを備えている。この画像表示装置1は、いわゆるフィールドシーケンシャル方式でカラー画像を表示するものであり、各レーザ光源装置2~4から各色のレーザ光が時分割で順次出力され、各色のレーザ光による画像が視覚の残像効果によってカラー画像として認識される。リレー光学系7は、各レーザ光源装置2~4から出射される各色のレーザ光を平行ビームに変換するコリメータレンズ11~13と、コリメータレンズ11~13を通過した各色のレーザ光を所要の方向に導く第1および第2のダイクロイックミラー14,15と、ダイクロイックミラー14,15により導かれたレーザ光を拡散させる拡散板16と、拡散板16を通過したレーザ光を収束レーザに変換するフィールドレンズ17とを備えている。投射光学系8からスクリーンSに向けてレーザ光が出射される側を前側とすると、青色レーザ光源装置4から青色レーザ光が後方に向けて出射され、この青色レーザ光の光軸に対して緑色レーザ光の光軸および赤色レーザ光の光軸が互いに直交するように、緑色レーザ光源装置2および赤色レーザ光源装置3から緑色レーザ光および赤色レーザ光が出射され、この青色レーザ光、赤色レーザ光、および緑色レーザ光が、2つのダイクロイックミラー14,15で同一の光路に導かれる。すなわち、青色レーザ光と緑色レーザ光が第1のダイクロイックミラー14で同一の光路に導かれ、青色レーザ光および緑色レーザ光と赤色レーザ光が第2のダイクロイックミラー15で同一の光路に導かれる。第1および第2のダイクロイックミラー14,15は、表面に所定の波長のレーザ光を透過および反射させるための膜が形成されたものであり、第1のダイクロイックミラー14は、青色レーザ光を透過するとともに緑色レーザ光を反射させる。第2のダイクロイックミラー15は、赤色レーザ光を透過するとともに青色レーザ光および緑色レーザ光を反射させる。これらの各光学部材は、筐体21に支持されている。この筐体21は、各レーザ光源装置2~4で発生した熱を放熱する放熱体として機能し、アルミニウムや銅などの熱伝導性の高い材料で形成されている。緑色レーザ光源装置2は、側方に向けて突出した状態で筐体21に形成された取付部22に取り付けられている。この取付部22は、リレー光学系7の収容スペースの前方と側方にそれぞれ位置する前壁部23と側壁部24とが交わる角部から側壁部24に直交する向きに突出した状態で設けられている。赤色レーザ光源装置3は、ホルダ25に保持された状態で側壁部24の外面側に取り付けられている。青色レーザ光源装置4は、ホルダ26に保持された状態で前壁部23の外面側に取り付けられている。赤色レーザ光源装置3および青色レーザ光源装置4は、いわゆるCANパッケージで構成され、レーザ光を出力するレーザチップが、ステムに支持された状態で缶状の外装部の中心軸上に光軸が位置するように配置されたものであり、外装部の開口に設けられたガラス窓からレーザ光が出射される。この赤色レーザ光源装置3および青色レーザ光源装置4は、ホルダ25,26に開設された取付孔27,28に圧入するなどしてホルダ25,26に対して固定される。青色レーザ光源装置4および赤色レーザ光源装置3のレーザチップの発熱は、ホルダ25,26を介して筐体21に伝達されて放熱され、各ホルダ25,26は、アルミニウムや銅などの熱伝導率の高い材料で形成されている。緑色レーザ光源装置2は、励起用レーザ光を出力する半導体レーザ31と、励起用レーザ光により励起されて基本レーザ光赤外レーザ光を出力する固体レーザ素子34と、基本レーザ光の波長を変換して半波長レーザ光緑色レーザ光を出力する波長変換素子35と、固体レーザ素子34とともに共振器を構成する凹面ミラー36と、励起用レーザ光および基本波長レーザ光の漏洩を阻止するガラスカバー37と、各部を支持する基台38と、各部を覆うカバー体39とを備えている。この緑色レーザ光源装置2は、基台38を筐体21の取付部22に取り付けて固定され、緑色レーザ光源装置2と筐体21の側壁部24との間に所要の幅例えば0.5mm以下の間隙が形成される。これにより、緑色レーザ光源装置2の熱が赤色レーザ光源装置3に伝わりにくくなり、赤色レーザ光源装置3の昇温を抑制して、温度特性の悪い赤色レーザ光源装置3を安定的に動作させることができる。また、赤色レーザ光源装置3の所要の光軸調整代例えば0.3mm程度を確保するため、緑色レーザ光源装置2と赤色レーザ光源装置3との間に所要の幅例えば0.3mm以上の間隙が設けられている。図2は、本発明の実施形態における緑色レーザ光源装置の斜視図である。図2に示すように、半導体レーザ31、固体レーザ素子34、波長変換素子35、および凹面ミラー36は、基台38に一体的に支持されている。基台38の底面51は光軸方向に対して平行となる。なおここでは、基台38の底面51に対して直交する方向を高さ方向とし、この高さ方向および光軸方向に対して直交する方向を幅方向とする。また、基台38の底面51に近接する側を下、底面51と相反する側を上として説明するが、これは実際の装置の上下方向と必ずしも一致するものではない。半導体レーザ31は、レーザ光を出力するレーザチップ41をマウント部材52に実装したものである。レーザチップ41は、光軸方向に長い帯板状をなし、光出力面を固体レーザ素子34側に向けた状態で、板状をなすマウント部材52の一面の幅方向の略中心位置に固着されている。この半導体レーザ31は、取付部材53を介して基台38に固定される。この取付部材53は、銅あるいはアルミなどの熱伝導性の高い金属で形成されており、これによりレーザチップ41の発熱が基台38に伝達されて放熱することができる。また、固体レーザ素子34は、基台38に一体的に形成された固体レーザ素子支持部58に支持される。波長変換素子35は、固体レーザ素子支持部58に保持される。この固体レーザ素子支持部58は、波長変換素子35の幅方向の位置および光軸方向に対する傾斜角度を調整することができるように、基台38に対して、幅方向に移動可能に、且つ光軸方向に対して略直交する軸周りに回動可能に設けられている。波長変換素子35は位置調整作業の前に固体レーザ素子支持部58に接着剤で固定され、位置調整作業の後に、固体レーザ素子支持部58と基台38とが接着剤で互いに固定される。凹面ミラー36は、基台38に一体的に形成された凹面ミラー支持部61に支持される。これにより、半導体レーザ31から出力されたレーザ光の光軸と固体レーザ素子34および波長変換素子35との光軸調整が容易にでき、高出力の緑色レーザ光を出力することができる。なお、本実施形態では半導体レーザ31から出力されたレーザ光を収束させるためのレンズ系を備えていない。すなわち、半導体レーザ31から出力されたレーザ光は直接クラッド構造を有する固体レーザ素子34に入力される。この構成を採ることにより緑色レーザ光源装置2の光学系の構成部品を減らすことができ、緑色レーザ光源装置2の小型化やコストダウンができる。図3と図4を用いて、緑色レーザ光源装置2の光学系の構成とそこを通過するレーザ光の状況について説明する。図3は、本発明の実施形態における緑色レーザ光源装置の光学系の構成図であり、図4は、本発明の実施形態における緑色レーザ光源装置におけるレーザ光の状況を示す模式図である。図3において、半導体レーザ31のレーザチップ41は、波長808nmの励起用レーザ光を出力する。また、固体レーザ素子34は、いわゆるセラミック製造法を用いて作られた多結晶であり、波長808nmの励起用レーザ光により励起されて波長1064nmの基本波長レーザ光を出力する。この固体レーザ素子34は、光の直線透過性の高いイットリウムアルミニウムガーネットを使用したものである。このイットリウムアルミニウムガーネットは基本結晶構造が立方構造を有しているので複屈折が無く結晶界面での光散乱が無いという特徴を持つので前述したように光の直線透過性の高い多結晶焼結物として用いられている。すなわち、固体レーザ素子34はセラミックで構成されているので安価な素子である。この固体レーザ素子34はレーザ光が通る導波路でスラブ形状をしており、その外側にはレーザ光を導波路内に閉じ込めるとともにゴミ付着、欠け発生そして支持部材の影響によるレーザ光の漏れを防止するために固体レーザ素子34の上下面にクラッド100を備えている詳細は後述する。固体レーザ素子34の半導体レーザ31に対向する面には、波長808nmの励起用レーザ光に対する反射防止の機能と、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する高反射の機能とを備える膜42が形成されている。また、固体レーザ素子34の波長変換素子35に対向する面には、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する反射防止の機能を備える膜43が形成されている。波長変換素子35は、いわゆるSHGSecondHarmonicsGeneration素子であり、固体レーザ素子34から出力される波長1064nmの基本波長レーザ光赤外レーザ光の縦方向の偏光を持つ光のみの波長を変換して波長532nmの縦方向の偏光を持つ半波長レーザ光緑色レーザ光を生成する。波長変換素子35の固体レーザ素子34に対向する面には、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する反射防止の機能と、波長532nmの半波長レーザ光に対する高反射の機能とを備える膜44が形成されている。また、波長変換素子35の凹面ミラー36に対向する面には、波長1064nmの基本波長レーザ光および波長532nmの半波長レーザ光に対する反射防止の機能を備える膜45が形成されている。凹面ミラー36は、波長変換素子35に対向する側に凹面を有し、この凹面には、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する高反射の機能と、波長532nmの半波長レーザ光に対する反射防止の機能とを備える膜46が形成されている。なお、この凹面ミラー36の曲率Rは、共振器の共振モード安定条件を満たすことや共振器内で必要なビーム径を形成することから求められ、共振器内の波長やビーム径および共振器間隔などより計算され、本実施形態ではこの曲率Rは20mmに設定している。図4に示すように、上述した光学系の構成により固体レーザ素子34の膜42と凹面ミラー36の膜46との間で、波長1064nmの基本波長レーザ光が共振して増幅される。波長変換素子35では、固体レーザ素子34から入射した波長1064nmの基本波長レーザ光の一部が波長532nmの半波長レーザ光に変換され、変換されずに波長変換素子35を通過した波長1064nmの基本波長レーザ光は、凹面ミラー36で反射されて波長変換素子35に再度入射し、波長532nmの半波長レーザ光に変換される。この波長532nmの半波長レーザ光は、波長変換素子35の膜44で反射されて波長変換素子35から出力される。ここで、固体レーザ素子34から波長変換素子35に入力して波長変換素子35で波長変換されて波長変換素子35から出力されるレーザ光のビームB1と、凹面ミラー36で一旦反射されて波長変換素子35に入力して膜44で反射されて波長変換素子35から出力されるレーザ光のビームB2とが互いに重なり合う状態では、波長532nmの半波長レーザ光と波長1064nmの基本波長レーザ光とが干渉を起こして出力が低下する。そこでここでは、波長変換素子35を光軸方向に対して傾斜させて、入力面および出力面での屈折作用により、レーザ光のビームB1、B2が互いに重なり合わないようにして、波長532nmの半波長レーザ光と波長1064nmの基本波長レーザ光との干渉を防ぐようにしており、これにより出力低下を避けることができる。なお、図1に示したガラスカバー37には、波長808nmの励起用レーザ光および波長1064nmの基本波長レーザ光が外部に漏洩することを防止するためにこれらのレーザ光を透過しない膜が形成されている。これより、図5および図6を用いて固体レーザ素子34のクラッド構造について説明する。図5は、本発明の実施形態における固体レーザ素子にクラッドを取り付けた状況を示す概略図で、図6は、本発明の実施形態における固体レーザ素子のクラッドの製作工程を示す工程図である。最初に、図5を用いて固体レーザ素子34に金属製のクラッドを設けることになった変遷について説明する。ただし、図5のaからdまでに記載されている部材で同じ機能を持つものは符号番号を略している。図5aは従来の緑色レーザ光源装置2の光学系の構成を示している。半導体レーザ31から出力されたレーザ光は収束光学系33で収束され、固体レーザ素子34に入力される。この場合には収束光学系33でレーザ光が収束され、固体レーザ素子34の入力面のセンターポイントに入力される。入力されるレーザ光の光束は200μm程度の大きさである。レーザ光をこの程度の光束にするのは波長変換素子35での半波長への変換効率を高めることや光束が大きいとレーザ光の外部への漏れが大きくなるのを防止するためである。また、固体レーザ素子34はクラッド構成を備えていない。これは収束光学系33によるレーザ光の収束効果により、固体レーザ素子34の外面に付着したゴミや欠けの影響が大きくないためである。しかし、緑色レーザ光源装置2は収束光学系33を備えているので装置全体が大型化しコスト高になってしまう。この構成で単に収束光学系33を無くした場合は50程度の変換ロスが発生してしまう。図5bはコストダウンや小型化のために収束光学系33を取り外し、固体レーザ素子34をスラブ形状にした時の緑色レーザ光源装置2の光学系の構成を示している。半導体レーザ31は固体レーザ素子34に近接して設置されている。半導体レーザ31から出力されたレーザ光はすぐに固体レーザ素子34に入射される。前述したように波長変換素子35に入力する光束の大きさは小さい方が良い。このために固体レーザ素子34をスラブ形状すなわち平板状にし、レーザ光の導波路にさせる。すなわち、固体レーザ素子34に入力されるレーザ光は略光軸と平行に入力するので固体レーザ素子34の側壁に対する入射角が大きく、このレーザ光は全反射の条件を満たすことになる。固体レーザ素子34を導波路形状にしてレーザ光を閉じ込めることで、半導体レーザ31の発光波長808nmの励起用レーザ光を発光波長1064nmのレーザ光への変換を向上させることができる。しかし、固体レーザ素子34を薄いスラブ形状にしたために固体レーザ素子34の外面に付着したゴミや欠けによって固体レーザ素子34からのレーザ光の漏れが発生しやすくなってしまう。図5cはゴミや欠けそして固体レーザ素子34を支持する支持部材によって固体レーザ素子34からのレーザ光が漏れるのを防止するために固体レーザ素子34の上下両面にクラッド100を備えた時の緑色レーザ光源装置2の光学系の構成を示している。クラッド100は厚さ数μmのSiO2でよく知られているスパッタ法で生成されている。しかし、セラミックでできている固体レーザ素子34上にSiO2の数μmのクラッド層を形成する場合、厚い膜を生成する必要があり硬い素材を用いるためにその形成にはかなり長い時間がかかってしまう。さらに、クラッド100は厚さ数μmのSiO2で厚く構成されているので、クラッド100を備えた固体レーザ素子34は硬くフレキシブル性が無い。したがって、固体レーザ素子34は取り扱い時などで応力が発生しやすくヒビや割れが発生しやすくなる。図5dは本実施形態の緑色レーザ光源装置2の光学系の構成を示している。クラッド100は厚さ数百nmの金属膜で構成されている。使用する金属はアルミニウムAl、銀Ag、クロムCr、タンタルTaそしてチタンTiなどから適宜選択される。これらの金属は、波長808nmの光学反射も良好なうえ、電気伝導度や熱伝導度も良好な性質を有している。参考として、アルミニウムの電気伝導度は4×107S/m、熱伝導度は236W/mKで、銀の電気伝導度は6×107S/m、熱伝導度は420W/mKで、クロムの電気伝導度は0.7×107S/m、熱伝導度は94W/mKで、タンタルの電気伝導度は0.7×107S/m、熱伝導度は58W/mKで、そしてチタンの電気伝導度は0.2×107S/m、熱伝導度は22W/mKである。各金属の光学反射率も80以上である。すなわち、クラッド100を形成する金属として、電気伝導度が1×106S/m以上、熱伝導度が10W/mK以上のものを選択すれば良い。このように、クラッド100を金属薄膜で構成することで、クラッド本来の役目であるゴミや欠けによって固体レーザ素子34からのレーザ光が漏れるのを防止し、固体レーザ素子34はフレキシブルで扱いやすいものになる。また、クラッド100は電気伝導や熱伝導も良好になるので帯電によるゴミ付着を防止することができ、そして固体レーザ素子34内で発生する熱も放熱しやすくなる。次に、図6を用いて固体レーザ素子34にクラッド100を設ける工程について説明する。図6では、従来のクラッド構造すなわちSiO2で構成されているクラッド図5c参照と本実施形態である金属膜のクラッド図5d参照との工程を比較しているが、相違する部分はクラッド形成の工程である。バルク材料、入出射面研磨、上下面研磨そしてコーティング形成については相違していない。図6に示しているように、SiO2で構成されるクラッドはスパッタ法で厚さ数μmの厚膜として形成される。その材質が硬いSiの酸化物であるために工法が煩雑で且つ厚膜であるのでその厚膜の生成時間がかなりかかってしまう。一方、金属薄膜で構成されるクラッドはよく知られているスパッタ法あるいは抵抗加熱蒸着法で厚さ数百nmのアルミニウムあるいは銀の薄膜で形成される。その材質が柔らかい金属であるために工法が簡易で且つ薄膜であるのでその薄膜の生成時間が短くてすむ。また、薄膜生成工法としてスパッタ法や蒸着法を選択できるので工法の自由度が高くなる。ここで、スパッタ法と抵抗加熱蒸着法の概要を説明しておく。最初に、スパッタ法については、真空チャンバー内に薄膜として付けたい金属あるいは金属酸化物をターゲットとして設置し、高電圧をかけてイオン化させた希ガス元素普通はアルゴンを用いるや窒素普通は空気由来を衝突させる。するとターゲット表面の原子がはじき飛ばされ、基板に到達して製膜する工法であり、酸化物のスパッタリングには、ターゲットに金属酸化物を用いる方法の他に金属をターゲットとして用い、製膜時の雰囲気中に酸素を含ませることにより金属酸化物を形成する反応性スパッタリング法を用いることもある。次に、抵抗加熱蒸着法については、真空にした容器の中で、金属からなる蒸着材料を抵抗体である容器に設置し、その抵抗体に電力を印加することで加熱し、金属を気化もしくは昇華して、離れた位置に置かれた基板の表面に付着させ薄膜を製膜する工法である。以上のことにより、セラミック導波路にクラッドを設けることで光学系の簡素化ができ、そのセラミック導波路のクラッドを金属薄膜にしたことでクラッド形成の工法の自由度が高くなるとともに薄膜生成工法も簡易になりそのクラッド層厚も薄くすることができる。また、セラミック導波路は取り扱いやすいフレキシブルなものになるのでヒビ割れや欠けが発生しにくくなりその取り扱いが容易になる。さらに、クラッドを金属薄膜にしたことで導電性が良くなり、帯電によるクラッドへのゴミ付着防止ができレーザ光の漏れを防止することができ、クラッドを金属薄膜にしたことで熱伝導性が良くなりセラミック導波路内部からの放熱をしやすくすることができる。これらにより、レーザ光源装置を安価でコンパクトなものにさせることができる。"