設定温度において、モードホップを生じることなく一定の波長の単一縦モードの励起光を、設定出力値で出射する半導体レーザと、前記半導体レーザを駆動する駆動装置と、前記設定温度において出力効率が最大であり、光ノイズが一定値以下の、且つ前記励起光の出力値が前記設定出力値である場合に所定の出力値である出力光を、前記励起光から生成する固体レーザモジュールと、前記半導体レーザの温度と前記固体レーザモジュールの温度を調整する単一の温度調整装置と、前記出力光が前記所定の出力値であるように前記駆動装置を制御し、且つ前記半導体レーザ及び前記固体レーザモジュールの温度が前記設定温度であるように前記温度調整装置を制御する制御装置とを備えることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。前記固体レーザモジュールが、前記励起光によって励起されて発振光を出力するレーザ結晶と、前記発振光の高調波光を発生し、該高調波光を前記出力光として出力する波長変換結晶とを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。前記レーザ結晶と前記波長変換結晶とが一体構造であることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。前記波長変換結晶が、周期的分極反転構造を有する擬似位相整合結晶であることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。前記レーザ結晶が、ネオジウムイオンがドープされたイットリウムバナデートであることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。前記設定温度における前記励起光の波長が、前記固体レーザモジュールにおける吸収効率が最大の波長であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。設定温度においてモードホップを生じることなく一定の波長の単一縦モードの励起光を設定出力値で出射する半導体レーザを選別するステップと、前記設定温度において出力効率が最大であり、光ノイズが一定値以下の、且つ前記励起光の出力値が前記設定出力値である場合に所定の出力値である出力光を前記励起光から生成する固体レーザモジュールを選別するステップと、選別された前記半導体レーザと選別された前記固体レーザモジュール、及び前記半導体レーザと前記固体レーザモジュールの温度を調整する単一の温度調整装置を用いて、前記半導体レーザの前記励起光によって前記固体レーザモジュールが励起される半導体レーザ励起固体レーザ装置を構成するステップと、前記半導体レーザ励起固体レーザ装置において、前記出力光が前記所定の出力値であるように前記半導体レーザを制御し、且つ、前記半導体レーザ及び前記固体レーザモジュールの温度が前記設定温度であるように前記温度調整装置を制御するステップとを含むことを特徴とするレーザ光の出力方法。前記設定温度と選別時の前記半導体レーザの温度との差分を考慮して、前記半導体レーザが選別されることを特徴とする請求項7に記載のレーザ光の出力方法。前記設定温度と選別時の前記固体レーザモジュールの温度との差分を考慮して、前記固体レーザモジュールが選別されることを特徴とする請求項7又は8に記載のレーザ光の出力方法。半導体レーザ励起固体レーザ装置では、光ノイズが小さく安定した第2高調波発生光SHG光を出力することが望まれる。このために、モードホップが発生しない温度に半導体レーザの温度が設定され、SHG光の出力効率以下においてSHG出力効率という。が高く、且つ光ノイズの小さい温度に固体レーザモジュールの温度が設定される。このとき、半導体レーザと固体レーザモジュールを個別に温度制御して、半導体レーザと固体レーザモジュールをそれぞれ最適な温度にすることにより、上記設定条件を満たすようにチューニングされた半導体レーザ励起固体レーザ装置を使用することができる。しかしながら、半導体レーザと固体レーザモジュールのそれぞれに温度調整装置を用意することにより、半導体レーザ励起固体レーザ装置の消費電力が増大する。一方、消費電力を抑制するために単一温調構成を採用したポータブルなグリーンレーザポインタなどでは、半導体レーザと固体レーザモジュールの設定条件を同時に最適化することが困難であるという問題があった。上記問題点に鑑み、本発明は、光ノイズが小さく安定したSHG光を出力し、且つ、消費電力が抑制された半導体レーザ励起固体レーザ装置及びレーザ光の出力方法を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、イ設定温度において、モードホップを生じることなく一定の波長の単一縦モードの励起光を、設定出力値で出射する半導体レーザと、ロ半導体レーザを駆動する駆動装置と、ハ設定温度において出力効率が最大であり、光ノイズが一定値以下の、且つ励起光の出力値が設定出力値である場合に所定の出力値である出力光を、励起光から生成する固体レーザモジュールと、ニ半導体レーザの温度と固体レーザモジュールの温度を調整する単一の温度調整装置と、ホ出力光が所定の出力値であるように駆動装置を制御し、且つ、半導体レーザ及び固体レーザモジュールの温度が設定温度であるように温度調整装置を制御する制御装置とを備える半導体レーザ励起固体レーザ装置が提供される。本発明の他の態様によれば、イ設定温度においてモードホップを生じることなく一定の波長の単一縦モードの励起光を設定出力値で出射する半導体レーザを選別するステップと、ロ設定温度において出力効率が最大であり、光ノイズが一定値以下の、且つ励起光の出力値が設定出力値である場合に所定の出力値である出力光を励起光から生成する固体レーザモジュールを選別するステップと、ハ選別された半導体レーザと選別された固体レーザモジュール、及び半導体レーザと固体レーザモジュールの温度を調整する単一の温度調整装置を用いて、半導体レーザの励起光によって固体レーザモジュールが励起される半導体レーザ励起固体レーザ装置を構成するステップと、ニ半導体レーザ励起固体レーザ装置において、出力光が所定の出力値であるように半導体レーザを制御し、且つ、半導体レーザ及び固体レーザモジュールの温度が設定温度であるように温度調整装置を制御するステップとを含むレーザ光の出力方法が提供される。本発明によれば、光ノイズが小さく安定したSHG光を出力し、且つ、消費電力が抑制された半導体レーザ励起固体レーザ装置及びレーザ光の出力方法を提供できる。図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。本発明の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置1は、図1に示すように、励起光L1を出射する半導体レーザ10と、励起光L1に励起されて出力光L2を生成する固体レーザモジュール30と、半導体レーザ10の温度と固体レーザモジュール30の温度を同時に調整する単一の温度調整装置40とを備える。半導体レーザ10は、駆動装置20によって駆動されて、特定の設定温度において、モードホップを生じることなく一定の波長の単一縦モードの励起光L1を、特定の設定出力値で出射する。固体レーザモジュール30は、上記設定温度において出力効率が最大であり、光ノイズが一定値以下の出力光L2を出射する。励起光L1の出力値が設定出力値である場合に、出力光L2は所定の出力値である。半導体レーザ励起固体レーザ装置1においては、制御装置50が、出力光L2が所定の出力値であるように駆動装置20を制御し、且つ、半導体レーザ10及び固体レーザモジュール30の温度が設定温度であるように温度調整装置40を制御する。半導体レーザ10から出射された励起光L1は集光レンズ15によって集光され、集光された励起光L1が固体レーザモジュール30に入射される。固体レーザモジュール30は励起光L1によって励起されて出力光L2を発生する。固体レーザモジュール30の詳細は後述する。固体レーザモジュール30から出射された出力光L2は、ビームスプリッタ60によって分光される。分光された出力光L2の一部は、受光素子65に入射され、電気信号に変換される。受光素子65は、出力光L2の出力値に応じた電気的な出力信号Spを制御装置50に送信する。受光素子65には、例えばフォトダイオードなどを採用可能である。出力信号Spを受信することにより、制御装置50は、出力光L2の出力値をリアルタイムでモニタできる。制御装置50は、出力光L2の出力値が所定の範囲内であるように半導体レーザ10の励起光L1の出力を調整するために、駆動装置20を制御する。図1に示すように、半導体レーザ10、固体レーザモジュール30及び温度調整装置40は、支持台80に搭載されている。温度調整装置40によって支持台80の温度を調整することにより、半導体レーザ10の温度と共に固体レーザモジュール30の温度が調整される。温度調整装置40は、例えばペルチェ素子などを使用した構成を採用可能である。支持台80には、熱伝導率の高い材料、例えばアルミニウム材やインバー材などを採用可能である。支持台80に取り付けられた温度検出装置70によって、半導体レーザ10と固体レーザモジュール30の温度が検出される。温度検出装置70は、検出した温度を電気的な温度信号STとして制御装置50に送信する。温度検出装置70には、例えばサーミスタなどを採用可能である。温度信号STを受信することにより、制御装置50は、半導体レーザ10と固体レーザモジュール30の温度をリアルタイムでモニタできる。制御装置50は、半導体レーザ10及び固体レーザモジュール30の温度が所定の設定温度であるように、温度調整装置40を制御する。以下に、固体レーザモジュール30の詳細について説明する。固体レーザモジュール30は、励起光L1によって励起されて発振光を出力するレーザ結晶31と、レーザ結晶31の出力する発振光の高調波光を発生し、その高調波光を出力光L2として出力する波長変換結晶32とを備える。レーザ結晶31は、例えばネオジウムNdイオンがドープされたイットリウムバナデートNd:YVO4である。また、NdイオンがドープされたイットリウムアルミニウムガーネットNd:YAGやガドリニウムバナデートNd:GdV04、リチウムイットリウムフロライドNd:YLFなども、レーザ結晶31に採用可能である。波長変換結晶32は、例えば強誘電体結晶に周期的分極反転構造が形成された擬似位相整合結晶などを使用可能である。波長変換結晶32には、タンタル酸リチウムLT結晶やニオブ酸リチウムLN結晶、或いは、酸化マグネシウムMgOがドープされたLT結晶やLN結晶が使用される。例えば、レーザ結晶31にNd:YVO4を採用して、半導体レーザ10の励起光L1によって波長が1064nm程度の発振光を励起する。このとき、半導体レーザ10の励起光L1の波長は、レーザ結晶31における吸収効率の高い波長、例えば809nm程度に設定される。レーザ結晶31に生じた発振光が波長変換結晶32によって波長532nm程度の第2高調波発生光SHG光に波長変換され、緑色の出力光L2が固体レーザモジュール30から出力される。固体レーザモジュール30には、レーザ結晶31と波長変換結晶32を接着剤やオプティカルコンタクト法で一体化し、端面にミラーコートが形成された構造を固体レーザモジュール30に採用できる。図1に示した固体レーザモジュール30は、レーザ結晶31と擬似位相整合結晶である波長変換結晶32とを一体構成した例である。また、固体レーザモジュール30を、特開2007-225786号公報に記載された製造方法によって製造される、ダミー材で挟んだ波長変換結晶とレーザ結晶とを接着剤やオプティカルコンタクト法で一体化した構造にしてもよい。或いは、レーザ結晶31と波長変換結晶32とを共振器に配した構造を採用できる。図2に、レーザ結晶31と波長変換結晶32とを分離して配置し、ハッチングで示したそれぞれの外側の端面をミラーコーティングして共振器を構成する例を示す。また、YVO4レーザ結晶の発振ゲイン幅に対して十分に広く、例えば0.8nm以上の自由スペクトル空間FSRとなる厚みに加工されたYVO4レーザ結晶又は波長変換結晶を用いることにより、単一縦モード発振が可能な固体レーザモジュール30を実現できる。半導体レーザ励起固体レーザ装置1に使用される半導体レーザ10及び固体レーザモジュール30を選別するために、以下のように波長と出力値に関する特性が調査される:A半導体レーザについて、モードホップを生じることなく、所定の波長、例えば809±0.5nmの波長で発振する温度TLDの範囲が調査される。B半導体レーザについて、モードホップを生じることなく、所定の波長、例えば809±0.5nmの波長で発振する出力値PLDの範囲が調査される。C固体レーザモジュールについて、SHG出力効率が高く、且つ、SHG光の光ノイズが小さい温度TSHGの範囲が調査される。D固体レーザモジュールについて、所望のSHG光の出力値が得られる励起用半導体レーザの出力値PSHGの範囲が調査される。項目Aで半導体レーザ10を選別するための基準となる波長は、所望の波長の出力光L2が固体レーザモジュール30から出射されるように設定される。このとき、レーザ結晶31や波長変換結晶32の特性が考慮される。SHG光の光ノイズについては、例えばrms1以下である場合に光ノイズが小さいと判断される。なお、基準となるrms値は、半導体レーザ励起固体レーザ装置1に要求される出力特性などに応じて任意に規定される。半導体レーザ励起固体レーザ装置1に使用される半導体レーザ10及び固体レーザモジュール30は、温度TLDと温度TSHGとで一致する範囲があり、且つ一致する温度範囲の下で出力値PLDと出力値PSHGとで一致する範囲がある組み合わせで選別される。項目A~Dについて、測定装置に依存しない真の値、或いは測定装置を用いた測定値により、波長及び出力値が調査される。ただし、半導体レーザ励起固体レーザ装置1において設定される設定値と、項目A~Dについて得られた真の値又は測定値との間には、特定装置に依存する固有の差分が存在する。このため、これらの差分を考慮して、半導体レーザ10及び固体レーザモジュール30を選別する必要がある。半導体レーザ10について、真の温度TLD1及び測定温度TLD2と設定温度TGLMとの関係、真の出力値PLD1及び測定出力値PLD2と設定出力値PGLMとの関係を図3aに示す。図3aにおいて、真の温度TLD1と設定温度TGLMとの差分をΔTLD1、測定温度TLD2と設定温度TGLMとの差分をΔTLD2として表している。また、真の出力値PLD1と設定出力値PGLMとの差分をΔPLD1、測定出力値PLD2と設定出力値PGLMとの差分をPLD2として表している。また、固体レーザモジュール30について、真の温度TSHG1及び測定温度TSHG2と設定温度TGLMとの関係、真の出力値PSHG1及び測定出力値PSHG2と設定出力値PGLMとの関係を図3bに示す。図3bにおいて、真の温度TSHG1と設定温度TGLMとの差分をΔTSHG1、測定温度TSHG2と設定温度TGLMとの差分をΔTSHG2として表している。また、励起用半導体レーザについての真の出力値PSHG1と設定出力値PGLMとの差分をΔPSHG1、測定出力値PSHG2と設定出力値PGLMとの差分をΔPSHG2として表している。図3a、図3bに示した固有の差分を考慮した設定温度TGLMと設定出力値PGLMは、以下の式1~8により表される。半導体レーザ10に関して、真の値が分かっている場合:TGLM=TLD1-ΔTLD11PGLM=PLD1-ΔPLD12半導体レーザ10に関して、測定装置Aにより測定値が得られた場合:TGLM=TLD2-ΔTLD23PGLM=PLD2-ΔPLD24固体レーザモジュール30に関して、真の値が分かっている場合:TGLM=TSHG1-ΔTSHG15PGLM=PSHG1-ΔPSHG16固体レーザモジュール30に関して、測定装置Bにより測定値が得られた場合:TGLM=TSHG2-ΔTSHG27PGLM=PSHG2-ΔPSHG28例えば、半導体レーザ10の出力する励起光L1の波長が809±0.5nmであり、この波長でモードホップが生じない温度の範囲がT1LD1~T2LD1、出力値の範囲がP1LD1~P2LD1であることが測定装置Aによる測定によって判明したとする。このとき、式1~式4から、設定温度TGLMの範囲T1GLM~T2GLMと、設定出力値PGLMの範囲P1GLM~P2GLMが定まる。この特性を有する半導体レーザ10と組み合わせることが可能な固体レーザモジュール30は、真の値が分かっている場合には、式5~式6から、以下の式9~式10の関係を満たす必要がある:T1GLMΔTSHG1<TSHG1<T2GLMΔTSHG19P1GLMΔPSHG1<PSHG1<P2GLMΔPSHG110或いは、測定装置Bによる測定値を用いて式7~式8から、式11~式12の関係を満たす固体レーザモジュール30が選別される:T1GLMΔTSHG2<TSHG2<T2GLMΔTSHG211P1GLMΔPSHG2<PSHG2<P2GLMΔPSHG212上記のように、半導体レーザ10に関する条件から固体レーザモジュール30を選別することができる。或いは、固体レーザモジュール30に関する条件から、その固体レーザモジュール30と組み合わせることが可能な半導体レーザ10を選別してもよい。以下に、測定値を用いて半導体レーザ10及び固体レーザモジュール30を選別する方法を、より具体的に説明する。例えば、SHG光として緑色の出力光L2を得るために、半導体レーザ10の出射する励起光L1の波長が、固体レーザモジュール30における吸収効率の高い809±0.5nmに設定される。そして、設定された波長を中心とする発振波長について測定を行い、設定温度TGLMと設定出力値PGLMの範囲が決定される。具体的には、出力値を一定にして駆動温度を変化させて、調査対象の半導体レーザの発振波長を光スペクトルアナライザなどを用いて測定する。例えば、出力値を例えば120mWに設定し、駆動温度の1°C毎に測定を行う。測定時の出力値の設定値は、半導体レーザ励起固体レーザ装置1で使用頻度の多い出力値などにする。駆動温度の測定値と設定値との差分ΔTLD2は例えば-2°Cである。なお、半導体レーザ10の選別を容易にするために、半導体レーザ励起固体レーザ装置1で使用頻度の多い出力値から±10mV程度の範囲で測定をしておくことが好ましい。図4に、半導体レーザ10の波長シフトやモードホップについて、温度との関係を測定した結果を示す。図4に示した例では、半導体レーザ10の出力値が120mWの場合に、図4中に丸印で示した温度が42°C~44°Cの範囲において波長808.7nmの励起光がモードホップなしで出力される。測定に用いた測定装置Aによる誤差ΔTLD2が2°Cである場合、半導体レーザ10の測定に基づく半導体レーザ励起固体レーザ装置1の設定温度TGLMの範囲は、40°C~42°Cである。なお、図4中に示した矢印RTは、出力値を上げると波長特性が高温方向にシフトし、出力値を下げると波長特性が低温方向にシフトすることを示している。つまり、温度設定だけでは所望の発振波長特性を得ることができない。このため、駆動温度を一定にして出力値を変化させて、調査対象の半導体レーザの発振波長を光スペクトルアナライザなどを用いて測定する。例えば、駆動温度を40°C付近に設定し、出力値の10mW毎に測定を行う。駆動温度の測定値と設定値との差分ΔTLD2は例えば-2°Cである。図5に、半導体レーザ10の波長シフトやモードホップについて、出力値と波長との関係を測定した結果を示す。図5に示した例では、半導体レーザ10の温度が42°Cの場合に、図5中に丸印で示した出力値110mW~140mWの範囲において波長が808.7nmの励起光がモードホップなしで出力される。測定に用いた測定装置Aによる誤差ΔPLD2が0mWである場合、半導体レーザ10の設定出力値PGLMの範囲は、110mW~140mWである。なお、図5中に示した矢印RPは、温度を上げると波長特性が高出力方向にシフトし、温度を下げると波長特性が低出力方向にシフトすることを示している。つまり、波長特性に関連するパラメータで駆動温度と出力値の両方を測定することにより、所望の発振波長でモードホップの発生のない設定か否かを確認することができる。固体レーザモジュール30に関しては、以下の測定が行われる。即ち、励起用半導体レーザの駆動温度と出力値を一定にして調査対象の固体レーザモジュールの温度を変化させ、SHG光の出力値と光ノイズを測定する。例えば、調査対象の固体レーザモジュールの温度の1°C毎に測定を行い、温度の測定値と設定値との差分ΔTSHG2は-1°Cとする。なお、励起用半導体レーザと調査対象の固体レーザモジュールにそれぞれ別個に温度調節装置が用意された測定装置によって、調査対象の固体レーザモジュールの特性は測定される。励起用半導体レーザの駆動温度と出力値は、SHG光について所望の出力値が得られる値に設定される。このとき、励起用半導体レーザは、固体レーザモジュールでの吸収効率が最大となる波長で、且つモードホップを生じない駆動温度と出力値に調整される。図6に、励起用半導体レーザの発振波長を809±0.5nm、且つモードホップが生じない駆動パラメータに固定したままで、固体レーザモジュール30の温度に対するSHG出力Eと光ノイズNの強度について測定した結果を示す。図6に示した例では、固体レーザモジュール30の温度が42°Cの場合に、SHG出力Eの効率が最大であり、且つ光ノイズNが小さく、特性が良好であると判断できる。測定に用いた測定装置Bによる誤差ΔTSHG2が1°Cである場合、固体レーザモジュール30の測定に基づく半導体レーザ励起固体レーザ装置1の設定温度TGLMは、41°Cである。更に、図6に特性を示した固体レーザモジュール30において、励起用半導体レーザの出力値が120mWの時に所望のSHG出力値が得られるのであれば、図4~図5に特性を示した半導体レーザ10と図6に特性を示した固体レーザモジュール30とは、以下のようなマッチング条件を満たす組み合わせである。即ち、励起光L1の波長が808.7nm、設定温度TGLMが41°C、モードホップが発生しない、というマッチング条件が満たされる。ここでマッチング条件とは、半導体レーザ10に関する選別条件と固体レーザモジュール30に関する選別条件とが重なる部分の条件である。マッチング条件を満たす半導体レーザ10と固体レーザモジュール30の組み合わせが、半導体レーザ励起固体レーザ装置1に使用される構成要素として選別される。以上に説明したように、例えば測定結果を用いて、固体レーザモジュール30のSHG出力効率が良く、且つ光ノイズが小さい設定温度TGLMの範囲と、所望のSHG出力値が得られる半導体レーザ10の設定出力値PGLMについて、設定温度TGLMの範囲の条件と設定出力値PGLMの範囲の条件を満たす半導体レーザ10と固体レーザモジュール30との組み合わせが選別される。選別された半導体レーザ10と固体レーザモジュール30を用いて、所望の特性を有する半導体レーザ励起固体レーザ装置1を構成できる。なお、マッチング条件を満たす半導体レーザ10の駆動温度や出力値の前後例えば±10mW程度や、固体レーザモジュール30のSHG出力効率や光ノイズ特性の条件を満たす温度の前後例えば±2°C程度においても、マッチング条件を満たす半導体レーザ10と固体レーザモジュール30の組み合わせを選別することが好ましい。これにより、使用環境温度などの外乱が大きく生じた場合においても、その影響が半導体レーザ励起固体レーザ装置1の出力光L2に現れにくく、安定した特性を保持することが可能である。図7に、光アイソレータ90を更に備える半導体レーザ励起固体レーザ装置1の変形例を示す。光アイソレータ90によって、半導体レーザ10への戻り光に起因する光ノイズの発生を抑制することができる。光アイソレータ90は、半導体レーザ10と固体レーザモジュール30との間に配置される。図7では半導体レーザ10と集光レンズ15との間に光アイソレータ90を配置した例を示したが、集光レンズ15と固体レーザモジュール30との間に光アイソレータ90を配置してもよい。縦モードが単一モードの半導体レーザ10は、発振閾値が低く電気-光変換効率が高いため、駆動電流を小さくできる。また、電気-光変換効率が高いために半導体レーザ10の発熱が小さく、温度制御に要する電力を抑制できる。このため、半導体レーザ励起固体レーザ装置1を、例えば乾電池駆動によるポータブル使用することが可能である。しかし、単一縦モードの半導体レーザでは、駆動条件によっては隣接する縦モード間のモードホップが1nm程度生じる。このため、使用する励起用半導体レーザがモードホップを起こした場合、固体レーザモジュールの出力が不安定になることが知られている。このモードホップについては、励起用半導体レーザの温度だけでなく出力設定条件によっても生じる。このため、モードホップが起こらないようにするためには、励起用半導体レーザの温度と出力値の両方を制御する必要がある。また、単一縦モード発振の固体レーザモジュールを用いた場合においても、温度によっては縦モード間のモードホップが生じる。この現象は自動出力制御APC回路を備えたレーザ装置であっても出力光が安定せず、光ノイズが発生する。しかしながら、実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置1においては、半導体レーザ10と固体レーザモジュール30が満たすべき特性について予め調査され、それぞれの特性を満足する半導体レーザ10と固体レーザモジュール30の組み合わせが選別される。一般的に、半導体レーザ10や固体レーザモジュール30は、作製ロット毎、或いは作製ロット内で、波長特性やレーザ特性のばらつきがある。このため、予め調査した個々の特性に基づいて採用可能な半導体レーザ10と固体レーザモジュール30を選別することにより、半導体レーザ励起固体レーザ装置1の組み立てが容易になる。そして、選別された半導体レーザ10と固体レーザモジュール30を使用し、且つ、設定温度TGLM及び設定出力値PGLMを維持するように半導体レーザ10と固体レーザモジュール30を制御することによって、単一温調構成を採用する半導体レーザ励起固体レーザ装置1においても、光ノイズなどの出力特性が良好に安定し、且つ消費電力が抑制される。つまり、単一温調構成を採用することにより小型化及び低消費電力を実現し、且つ出力特性が良好な半導体レーザ励起固体レーザ装置1を実現することができる。その他の実施形態上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、固体レーザモジュール30にヒートシンク材を設置することにより、レーザ結晶31から発生する熱が容易に放熱される。これにより、レーザ結晶31から効率よく出力レーザ光を得ることができる。図8に、固体レーザモジュール30の周囲をヒートシンク材100で覆った例を示す。図8は、出力光L2の光軸方向から見た図である。ヒートシンク材100には、例えば熱伝導率がガラス以上のシリコンSi材や銅Cu材が使用される。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。