"下部配線を形成するステップと、前記下部配線と電気的に接続されるように第1電極層を形成するステップと、前記第1電極層の上に、前記第1電極層と物理的に接触するように電流制御層を形成するステップと、前記電流制御層の上に、前記電流制御層と物理的に接触するように第2電極層を形成するステップと、前記第2電極層の上に、前記第2電極層と異なる材料で腐食抑制層を形成するステップと、前記腐食抑制層、第2電極層、電流制御層、及び第1電極層を覆うように層間絶縁層を形成するステップと、前記層間絶縁層中に、その下部開口の全部が前記腐食抑制層上に開口するようにビアホールを形成するステップと、前記ビアホールの内部を水を含む洗浄液で洗浄するステップと、を有する、電流制御素子の製造方法。下部配線を形成するステップと、前記下部配線と電気的に接続されるように第1電極層を形成するステップと、前記第1電極層の上に、前記第1電極層と物理的に接触するように電流制御層を形成するステップと、前記電流制御層の上に、前記電流制御層と物理的に接触するように第2電極層を形成するステップと、前記第2電極層の上に、前記第2電極層と異なる材料で腐食抑制層を形成するステップと、前記腐食抑制層、第2電極層、電流制御層、及び第1電極層を覆うように層間絶縁層を形成するステップと、前記層間絶縁層中に、その下部開口において前記腐食抑制層が露出し、第2電極層が露出しないように溝を形成するステップと、前記溝の内部を水を含む洗浄液で洗浄するステップと、を有する、電流制御素子の製造方法。前記ビアホールを形成するステップは、前記腐食抑制層が、前記層間絶縁層の厚み方向から見て、前記ビアホールの下部開口の全外周において外側にはみ出るように、ビアホールを形成するものである、請求項1に記載の電流制御素子の製造方法。前記腐食抑制層を形成するステップは、前記第2電極層を構成する材料の標準電極電位よりも高い標準電極電位を有する材料で腐食抑制層を形成するものである、請求項1または2に記載の電流制御素子の製造方法。前記腐食抑制層を形成するステップは、0以上の標準電極電位を有する材料で腐食抑制層を形成するものである、請求項1または2に記載の電流制御素子の製造方法。前記腐食抑制層を形成するステップは、貴金属により腐食抑制層を形成するものである、請求項1または2に記載の電流制御素子の製造方法。前記腐食抑制層を形成するステップは、導電性を有する金属酸化物により腐食抑制層を形成するものである、請求項1または2に記載の電流制御素子の製造方法。前記第1電極層を形成するステップは、窒化タンタルと窒化チタンとタングステンと金属酸化物からなる群より選ばれた少なくとも一つの材料により第1電極層を形成するものであり、前記電流制御層を形成するステップは、窒化シリコンにより電流制御層を形成するものであり、第2電極層を形成するステップは、窒化タンタルと窒化チタンとタングステンと金属酸化物からなる群より選ばれた少なくとも一つの材料により第1電極層を形成するものである、請求項1または2に記載の電流制御素子の製造方法。請求項1または2に記載の電流制御素子の製造方法により電流制御素子を形成するステップと、前記電流制御素子と直列に接続され、極性の異なる2種類の電気的パルスが印加されることにより高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に変化するバイポーラ型の抵抗変化素子を形成するステップとを有する、不揮発性記憶素子の製造方法。層間絶縁層に形成されたビアホールの下部開口を覆うように形成された電流制御素子であって、前記ビアホールの下部開口の下部に、かつ前記下部開口の全部を覆うように形成された腐食抑制層と、前記腐食抑制層の下に形成され、前記腐食抑制層と異なる材料で構成される第2電極層と、前記第2電極層の下に形成され、前記第2電極層と物理的に接触する電流制御層と、前記電流制御層の下に形成され、前記電流制御層と物理的に接触する第1電極層と、を備え、前記第1電極層と前記電流制御層と前記第2電極層とでMSMダイオードおよびMIMダイオードのいずれか一方を構成し、前記第1電極層と下部配線とが電気的に接続されている、電流制御素子。下部配線と、前記下部配線と電気的に接続された第1電極層と、前記第1電極層上に形成され、前記第1電極層と物理的に接触する電流制御層と、前記電流制御層上に形成され、前記電流制御層と物理的に接触する第2電極層と、前記第2電極層上に形成され、前記第2電極層と異なる材料で構成される腐食抑制層と、その下部開口において前記腐食抑制層が露出するように層間絶縁層中に形成された溝を充填するように構成された上部配線と、を備え、前記第1電極層と前記電流制御層と前記第2電極層とでMSMダイオードおよびMIMダイオードのいずれか一方を構成し、前記第2電極層は、前記腐食抑制層を介して前記上部配線と電気的に接続され、前記第2電極層と前記上部配線とが物理的に接触しない、電流制御素子。前記腐食抑制層が、前記層間絶縁層の厚み方向から見て、前記ビアホールの下部開口の全外周において外側にはみ出るように形成されている、請求項10に記載の電流制御素子。前記第2電極層を構成する材料の標準電極電位よりも、前記腐食抑制層を構成する材料の標準電極電位の方が高い、請求項10または11に記載の電流制御素子。前記腐食抑制層を構成する材料の標準電極電位が0以上である、請求項10または11に記載の電流制御素子。前記腐食抑制層を構成する材料が貴金属である、請求項10または11に記載の電流制御素子。前記腐食抑制層を構成する材料が導電性を有する金属酸化物である、請求項10または11に記載の電流制御素子。前記第1電極層と前記第2電極層とが、窒化タンタルと窒化チタンとタングステンと金属酸化物からなる群より選ばれた少なくとも一つの材料により構成され、前記電流制御層が窒化シリコンにより構成される、請求項10または11に記載の電流制御素子。前記下部配線と電気的に接続することで帯電するように構成されている、請求項10または11に記載の電流制御素子。請求項10乃至18のいずれかに記載の電流制御素子と、前記電流制御素子と直列に接続され、極性の異なる2種類の電気的パルスが印加されることにより高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に変化するバイポーラ型の抵抗変化素子とを備える、不揮発性記憶素子。しかしながら、従来の双方向ショットキーダイオードでは、実際に製造すると、電圧電流特性が個々のダイオードの間でばらつき、低電流不良素子が発生するという問題があった。正常な素子では2V印加時に約100μA程度の電流が流れるが、不良素子では、2V印加時に1nA程度しか流れない。このように素子間のばらつきが大きく、電流駆動能力が低い素子が発生すると、モジュールとして抵抗変化型記憶装置に組み込んだ際、電流駆動能力が低いダイオード素子と接続された抵抗変化素子では、抵抗状態は変化せず素子の動作不良が発生する。本発明は、かかる課題に対応するものであり、抵抗変化型の不揮発性記憶装置に用いることのできる双方向型の電流制御素子印加電圧に対して良好な双方向性の整流特性を有する素子およびこれを用いた不揮発性記憶素子もしくは不揮発性記憶装置において、電圧電流特性が個々の電流制御素子の間でばらつくという問題を抑制することを目的とする。本発明者らは、上記課題、特に、許容電流の大きな双方向ダイオードにおいて、電圧電流特性が個々のダイオードの間でばらつくという問題を解決すべく鋭意検討した。その結果、製造工程中にダイオードの電極が腐食することにより、双方向ダイオードの電圧電流特性がばらつき、電流駆動能力の低い素子が発生することが分かった。よって、例えば、ビアホール内部に形成されるコンタクトプラグの下面と、ダイオードの上部電極との間に、導電性の腐食抑制層を設けることにより、特性のばらつきを抑制できる。すなわち上述した課題を解決するために、本発明の電流制御素子の製造方法は、下部配線を形成するステップと、下部配線と電気的に接続されるように第1電極層を形成するステップと、第1電極層の上に、第1電極層と物理的に接触するように電流制御層を形成するステップと、電流制御層の上に、電流制御層と物理的に接触するように第2電極層を形成するステップと、第2電極層の上に、第2電極層と異なる材料で腐食抑制層を形成するステップと、腐食抑制層、第2電極層、電流制御層、及び第1電極層を覆うように層間絶縁層を形成するステップと、層間絶縁層中に、その下部開口の全部が腐食抑制層上に開口するようにビアホールを形成するステップと、ビアホールの内部を水を含む洗浄液で洗浄するステップと、を有する。かかる構成では、ダイオードの第2電極層が腐食抑制層により保護され、第2電極層がビアホールの底部に露出することがない。ダイオードの第2電極に接続されるコンタクトプラグを形成する際、ビアホール内部を洗浄しても、第2電極層は腐食抑制層により保護されるため腐食せず、電圧電流特性が個々の電流制御素子の間でばらつくという問題を回避することができる。また、本発明の電流制御素子の他の製造方法は、下部配線を形成するステップと、下部配線と電気的に接続されるように第1電極層を形成するステップと、第1電極層の上に、第1電極層と物理的に接触するように電流制御層を形成するステップと、電流制御層の上に、電流制御層と物理的に接触するように第2電極層を形成するステップと、第2電極層の上に、第2電極層と異なる材料で腐食抑制層を形成するステップと、腐食抑制層、第2電極層、電流制御層、及び第1電極層を覆うように層間絶縁層を形成するステップと、層間絶縁層中に、その下部開口において腐食抑制層が露出するように溝を形成するステップと、溝の内部を水を含む洗浄液で洗浄するステップと、を有する。かかる構成では、ダイオードの第2電極層が腐食抑制層により保護され、第2電極層が溝の底部に露出することがない。ダイオードの第2電極に接続される上部配線を形成する際、溝内部を洗浄しても、第2電極層は腐食抑制層により保護されるため腐食せず、電圧電流特性が個々の電流制御素子の間でばらつくという問題を回避することができる。上記電流制御素子の製造方法において、ビアホールを形成するステップは、腐食抑制層が、層間絶縁層の厚み方向から見て、ビアホールの下部開口の全外周において外側にはみ出るように、ビアホールを形成するものであってもよい。上記電流制御素子の製造方法において、腐食抑制層を形成するステップは、第2電極層を構成する材料の標準電極電位よりも高い標準電極電位を有する材料で腐食抑制層を形成するものであってもよい。上記電流制御素子の製造方法において、腐食抑制層を形成するステップは、0以上の標準電極電位を有する材料で腐食抑制層を形成するものであってもよい。上記電流制御素子の製造方法において、腐食抑制層を形成するステップは、貴金属により腐食抑制層を形成するものであってもよい。上記電流制御素子の製造方法において、腐食抑制層を形成するステップは、導電性を有する金属酸化物により腐食抑制層を形成するものであってもよい。上記電流制御素子の製造方法において、第1電極層を形成するステップは、窒化タンタルと窒化チタンとタングステンと金属酸化物からなる群より選ばれた少なくとも一つの材料により第1電極層を形成するものであり、電流制御層を形成するステップは、窒化シリコンにより電流制御層を形成するものであり、第2電極層を形成するステップは、窒化タンタルと窒化チタンとタングステンと金属酸化物からなる群より選ばれた少なくとも一つの材料により第1電極層を形成するものであってもよい。また、本発明の不揮発性記憶素子の製造方法は、上記電流制御素子の製造方法により電流制御素子を形成するステップと、電流制御素子と直列に接続され、極性の異なる2種類の電気的パルスが印加されることにより高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に変化するバイポーラ型の抵抗変化素子を形成するステップとを有する。本発明に係る電流制御素子は、層間絶縁層に形成されたビアホールの下部開口を覆うように形成された電流制御素子であって、前記ビアホールの下部開口の下部に、かつ前記下部開口の全部を覆うように形成された腐食抑制層と、前記腐食抑制層の下に形成され、前記腐食抑制層と異なる材料で構成される第2電極層と、前記第2電極層の下に形成され、前記第2電極層と物理的に接触する電流制御層と、前記電流制御層の下に形成され、前記電流制御層と物理的に接触する第1電極層と、を備え、前記第1電極層と前記電流制御層と前記第2電極層とでMSMダイオードおよびMIMダイオードのいずれか一方を構成し、前記第1電極層と下部配線とが電気的に接続されている。かかる構成では、ダイオードの第2電極層が腐食抑制層により保護され、第2電極層がビアホールの底部に露出することがない。ダイオードの第2電極に接続されるコンタクトプラグを形成する際、ビアホール内部を洗浄しても、第2電極層は腐食抑制層により保護されるため腐食せず、電圧電流特性が個々の電流制御素子の間でばらつくという問題を回避することができる。なお、下部開口とは、ビアホールの上下両端に形成される2つの開口のうち、下側の開口をいい、下部開口の下部とは、かかる下側の開口の下方を意味する。また、本発明の他の電流制御素子は、下部配線と、下部配線と電気的に接続された第1電極層と、第1電極層上に形成され、第1電極層と物理的に接触する電流制御層と、電流制御層上に形成され、電流制御層と物理的に接触する第2電極層と、第2電極層上に形成され、第2電極層と異なる材料で構成される腐食抑制層と、その下部開口において腐食抑制層が露出するように層間絶縁層中に形成された溝を充填するように構成された上部配線と、を備え、第1電極層と電流制御層と第2電極層とでMSMダイオードおよびMIMダイオードのいずれか一方を構成し、第2電極層は、腐食抑制層を介して上部配線と電気的に接続され、第2電極層と上部配線とが物理的に接触しない。かかる構成では、ダイオードの第2電極層が腐食抑制層により保護され、第2電極層が溝の底部に露出することがない。ダイオードの第2電極に接続される上部配線を形成する際、溝内部を洗浄しても、第2電極層は腐食抑制層により保護されるため腐食せず、電圧電流特性が個々の電流制御素子の間でばらつくという問題を回避することができる。上記電流制御素子において、腐食抑制層が、層間絶縁層の厚み方向から見て、ビアホールの下部開口の全外周において外側にはみ出るように形成されていてもよい。上記電流制御素子において、第2電極層を構成する材料の標準電極電位よりも、腐食抑制層を構成する材料の標準電極電位の方が高くてもよい。上記電流制御素子において、腐食抑制層を構成する材料の標準電極電位が0以上であってもよい。上記電流制御素子において、腐食抑制層を構成する材料が貴金属であってもよい。上記電流制御素子において、腐食抑制層を構成する材料が導電性を有する金属酸化物であってもよい。上記電流制御素子において、第1電極層と第2電極層とが、窒化タンタルと窒化チタンとタングステンと金属酸化物からなる群より選ばれた少なくとも一つの材料により構成されていてもよい。上記電流制御素子において、電流制御層が窒化シリコンにより構成されていてもよい。上記電流制御素子は、下部配線と電気的に接続することで帯電するように構成されていてもよい。本発明の不揮発性記憶素子は、上記電流制御素子と、該電流制御素子と直列に接続され、極性の異なる2種類の電気的パルスが印加されることにより高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に変化するバイポーラ型の抵抗変化素子とを備える。本発明の不揮発性記憶装置は,上記不揮発性記憶素子がマトリクス状に配置されたメモリアレイと、メモリアレイから少なくとも一つの不揮発性記憶素子を選択する選択回路と、選択回路により選択された不揮発性記憶素子に極性の異なる2種類の電気的パルスを印加することにより、不揮発性記憶素子に含まれる抵抗変化素子の抵抗状態を、高抵抗状態と低抵抗状態との間で可逆的に変化させる書き込み回路と、を備える。本発明の上記目的、他の目的、特徴、及び利点は、添付図面参照の下、以下の好適な実施態様の詳細な説明から明らかにされる。本発明は上記のような構成を有し、抵抗変化型の不揮発性記憶装置に用いることのできる双方向型の電流制御素子印加電圧に対して良好な双方向性の整流特性を有する素子およびこれを用いた不揮発性記憶素子もしくは不揮発性記憶装置は、電圧電流特性が個々の電流制御素子の間でばらつくという問題を抑制することができる。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。第1実施形態[構成]図1は、本発明の実施の形態に係る電流制御素子の概略構成の一例を示した図であって、図1Aは断面図、図1Bは層間絶縁層の厚み方向から見た平面図である。図1Aに示すように、電流制御素子100は、層間絶縁層102に形成されたビアホール104の下部開口を覆うように形成された電流制御素子であって、ビアホール104の下部開口105の全部を覆うように形成された腐食抑制層106と、腐食抑制層106の下に形成され、腐食抑制層106と異なる材料で構成される第2電極層108ここでは上部電極108と、第2電極層108の下に形成され、第2電極層108と物理的に接触する電流制御層110と、電流制御層110の下に形成され、電流制御層110と物理的に接触する第1電極層112ここでは下部電極112と、を備え、第1電極層112と電流制御層110と第2電極層108とでMSMダイオードおよびMIMダイオードのいずれか一方を構成する。図1Bに示すように、腐食抑制層106が、層間絶縁層102の厚み方向から見て、ビアホール104の下部開口105の全外周において外側にはみ出るように形成されているのが好ましい。第2電極層108を構成する材料の標準電極電位標準水素電極を基準0Vとする電位よりも、腐食抑制層106を構成する材料の標準電極電位の方が高いことが好ましい。つまり、腐食抑制層106を構成する材料は第2電極層108を構成する材料よりも酸化されにくい材料で構成されることが好ましい。あるいは、腐食抑制層106を構成する材料は第2電極層108を構成する材料よりも耐腐食性が高い材料で構成されることが好ましい。また、腐食抑制層106を構成する材料の標準電極電位が0以上であることが好ましい。腐食抑制層106は、導電性材料で構成されることが好ましく、より好適にはイリジウム標準電極電位:1.16Vで構成される。腐食抑制層106を構成する材料は、貴金属であってもよく、導電性を有し、第2電極層108を構成する材料の標準電極電位よりも高い標準電極電位を有する金属酸化物例えば、IrO2、MoO2、RuO2等の金属酸化物であってもよい。基板には、シリコン単結晶基板または半導体基板を用いることができるが、これらに限定されるわけではない。電流制御素子100は比較的低い基板温度で形成することが可能であるため、樹脂材料などの上に電流制御素子100を形成することができる。ビアホール104の内部には、コンタクトプラグ114が形成されていてもよい。腐食抑制層106と、ビアホール104の内部のコンタクトプラグ114とが、下部開口105において物理的に接触する。第2電極層108は、例えば、腐食抑制層106とコンタクトプラグ114とを介して、上部配線図示せずへと接続されうる。第1電極層112と第2電極層108とは、それぞれ、電流制御層110を構成する材料より仕事関数が大きい材料で構成され、腐食抑制層を構成する材料は貴金属であることが好ましい。例えば、電流制御層110が窒化シリコンにより構成される場合、第1電極層112と第2電極層108とは、それぞれ、窒化タンタル、窒化チタン、及びタングステンからなる群より選ばれた少なくとも一つの材料より構成されていてもよい。また、第1電極層112と第2電極層108とは、それぞれ、電流制御層110を構成する材料より仕事関数が大きい金属酸化物で構成されていてもよい。一例としては、電流制御層110が窒化シリコンSiNx、xの値は0<x≦0.85を満足するで構成され、第1電極層112が窒化タンタルTaN、TaとNとのモル比はTa:N=1:1が好ましいで構成され、第2電極層108が窒化タンタルTaN、TaとNとのモル比はTa:N=1:1、標準電極電位は0.48Vが好ましいで構成される。かかる構成では、第1電極層112と電流制御層110との間でショットキー接触が形成され、第2電極層108と電流制御層110との間でショットキー接触が形成されることにより、電流制御素子100はMSMダイオードとして機能する。MSMダイオードは、両方向の電圧極性において、電圧の絶対値が小さい時には抵抗が大きく、電圧の絶対値が所定の値を超えて大きくなると急激に抵抗が小さくなる非線形な電圧電流特性[オンオフ特性]を有するダイオードであり、両方向に電流を流すことができる。SiNxにおけるxの値はSi原子1モルに対する窒素原子のモル数であって、窒化の程度組成比を示す。SiNxの電気伝導特性はxの値によって大きく変化する。具体的には、いわゆる化学量論組成x=1.33、つまりSi3N4では絶縁体であるが、これより窒素の比率を小さくすると即ち、xの値を小さくするとSiNxは次第に半導体として振舞うようになる。MSMダイオードは金属電極間に半導体をはさんだ構造であり、金属と半導体層のショットキー接合で形成でき、MIMダイオードより高い電流供給能力が期待できる。MSMダイオードやMIMダイオードは、バリスタのように結晶粒界等の特性を使用しないので、製造工程中の熱履歴等に左右されにくく、ばらつきの少ない電流制御素子を得ることが期待できる。このようにMSMダイオードの電流制御層110にSiNxを利用した場合、電流制御層110に接する第1電極層112および第2電極層108は、SiNxと良好なショットキー界面が得られる窒化タンタルで構成するのが好ましい。窒化タンタルはCu配線とも整合性がよいため、本件発明者らは窒化タンタルで構成された電極について鋭意検討を行った。図2は、窒化タンタル電極を用いたMSMダイオード素子101の概略構造の一例を示す模式図である。図3は、図2のMSMダイオード素子の電圧電流特性を示す図である。図2において、MSMダイオード素子101と、図1の電流制御素子100とで共通する要素については、同一の符号および名称を付して説明を省略する。MSMダイオード素子101の電流制御層110を構成するSiNxにおけるxは0.3、電流制御層110の厚さは10nmで、第1電極層112と電流制御層110とが接する部分の大きさ、および、第1電極層112と第2電極層108とが接する部分の大きさは、いずれも0.5μm×0.5μmであった。図3に示すように、1.75Vの電圧において300μA以上の電流値を確保できた。この時の電流密度は120000A/cm2であった。以上の結果から、窒化タンタルからなる電極と、SiNxからなる電流制御層とを組み合わせることで、許容電流電流駆動能力の大きな双方向型のMSMダイオード素子が得られることが分かった。[製造方法]図4、図5、図6は、本発明の第1実施形態に係る電流制御素子の製造方法の一例を示した図である。以下、図4、図5、図6を参照しつつ、本実施形態に係る電流制御素子の製造方法を説明する。まず、図4Aに示すように、例えば単結晶シリコンからなる基板図示せずの上に下部配線118を形成し、下部配線118を覆うように、例えばSiO2で構成された厚さ200nmの層間絶縁層115を熱酸化法により形成し、層間絶縁層115を貫通して下部配線118に達するようにコンタクトプラグ116を形成し、コンタクトプラグ116の上端面を覆うように、例えばTaNからなる厚さ100nmの第1電極層112を、Taターゲットをアルゴンと窒素との混合ガス雰囲気の下でスパッタリングすることにより、形成する第1電極層を形成するステップ。次に、図4Bに示すように、第1電極層112の上に、第1電極層112と物理的に接触するように、例えばSiNxからなる厚さ10nmの電流制御層110を、多結晶シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガス雰囲気の下でスパッタリングすることにより、形成する第1電極層の上に、第1電極層と物理的に接触するように電流制御層を形成するステップ。SiNxにおけるxの値は、スパッタ条件アルゴンと窒素とのガス流量比等を変えることにより変化させうる。次に、図4Cに示すように、電流制御層110の上に、電流制御層110と物理的に接触するように、例えばTaNからなる厚さ50nmの第2電極層108を、Taターゲットをアルゴンと窒素との混合ガス雰囲気の下でスパッタリングすることにより、形成する電流制御層の上に、電流制御層と物理的に接触するように第2電極層を形成するステップ。次に、図5Aに示すように、第2電極層108の上に、第2電極層108と異なる材料例えば、イリジウムの腐食抑制層106を、例えばスパッタ法により、形成する第2電極層の上に、第2電極層と異なる材料で腐食抑制層を形成するステップ。なお、第1電極層112、電流制御層110、第2電極層108、腐食抑制層106の形成方法は特に限定されず、スパッタ法でなくてもよい。次に、図5Bに示すように、第1電極層112と電流制御層110と第2電極層108と腐食抑制層106とをパターニングする第1電極層と電流制御層と第2電極層と腐食抑制層とをパターニングするステップ。次に、図5Cに示すように、腐食抑制層106、第2電極層108、電流制御層110、及び第1電極層112を覆うように、例えばSiO2からなり腐食抑制層106上の最終仕上がり膜厚が200nmとなるよう層間絶縁層102を、形成する腐食抑制層を覆うように層間絶縁層を形成するステップ。次に、図6Aに示すように、層間絶縁層102に、その下部開口の全部が腐食抑制層106により覆われるようにビアホール104を形成する層間絶縁層に、その下部開口の全部を腐食抑制層上に開口するようにビアホールを形成するステップ。次に、図6Bに示すように、ビアホール104の内部を水を含む溶媒洗浄液で洗浄するビアホールの内部を水を含む溶媒で洗浄するステップ。次に、図6Cに示すように、ビアホール104の内部にコンタクトプラグ114を形成するビアホールの内部にコンタクトプラグを形成するステップ。具体的には、例えば、密着層としてTiが10nm、配線の主材料であるWのバリア層としてTiNが10nm、CVD法により順次形成された後、CVD法によりビアホール104の内部をタングステンで埋め込む。なお、タングステンの代わりに、例えば銅を用いてもよい。その場合は銅に対するバリア層例えばTaやTaNを先に形成する。なお、図5Bのステップ第1電極層112と電流制御層110と第2電極層108と腐食抑制層106とをパターニングするステップにおいて同時に同じマスクでパターンニングすることは必須ではない。例えば、第1電極層112や電流制御層110や第2電極層108や腐食抑制層106をそれぞれ形成する時に各層毎にパターニングすることとしてもよい。この場合には、第1電極層112と電流制御層110と第2電極層108と腐食抑制層106とがまとめてパターニングされず、図5Bのステップが不要となる。また、図6Cでビアホール104の内部に形成されるのは、必ずしもビアホール内に埋め込まれ、表面を平坦化されたコンタクトプラグ114である必要はなく、通常のビア配線の一部がビアホール内で下層の配線と接続したものが形成されてもよい。[実験例1]実験例1では、下部電極に接続される配線フローティング配線、接地されていない下部配線の面積が異なる2種類の構成配線パターン1、配線パターン2について複数の電流制御素子を作成し、電圧電流特性を確認した。まず、Si基板上にアルミニウムを堆積させてパターニングにより下部配線118を形成した。配線パターン1では、下部配線118の面積を約69μm2とした。配線パターン2では、下部配線118の面積を約6700μm2とした。該下部配線118の形成された基板上に、SiO2からなる層間絶縁層115下部配線上の最終膜厚:200nmを形成した。その後、マスクとエッチングにより、底部に配線が露出するように、直径0.26μmの下部ビアホールを形成し下部ビアホールをドライエッチングにより形成し、ドライエッチングで生じたポリマーのエッチング残渣を、弱フッ酸系洗浄液を用いて除去した。下部ビアホールが形成された状態で、汚染物質を除去する目的で、ウェハの表面と裏面に純水によるスピン洗浄を実施した。その後、チタンTiと、窒化チタンTiNをこの順に堆積させ、さらにその内部をタングステンWにより充填して下部コンタクトプラグ116を形成した。層間絶縁層115および下部コンタクトプラグ116の上端面をCMPにより同一平面上に露出させたあと、窒化チタンTiN、厚さ20nm、窒化タンタルTaN、TaとNとのモル比はTa:N=1:1、厚さ100nm、第1電極層112、窒化シリコンSiNx、SiとNとのモル比はSi:N=1:0.3、厚さ10nm、電流制御層110、窒化タンタルTaN、TaとNとのモル比はTa:N=1:1、厚さ50nm、第2電極層108をこの順に堆積させた。下部コンタクトプラグ116に重なるように、0.5μm×0.5μmの正方形にパターニングすることにより電流制御素子MSMダイオードを形成した。さらに、電流制御素子を覆うように、SiO2からなる層間絶縁層102厚さ600nmを形成した。その後、マスクとエッチングにより、底部に電流制御素子の第2電極層108が露出するように、直径0.26μmの上部ビアホール104をドライエッチングにより形成し、ドライエッチングで生じたポリマーのエッチング残渣を、弱フッ酸系洗浄液を用いて除去した。電流制御素子の上部電極108上にビアホール104が形成された状態で汚染物質を除去する目的で、ウェハの表面と裏面を水によるスピン洗浄を実施した。その後、チタンTiと、窒化チタンTiNをこの順に堆積させ、さらにその内部をタングステンWにより充填してコンタクトプラグ114を形成した。最後に、アルミニウムを堆積させてパターニングすることにより上部配線を形成した。以上の方法で、配線パターン1および配線パターン2のそれぞれについて、1枚のウエハ上に44個の電流制御素子を形成し、それぞれの素子について電圧電流特性を測定した。配線パターン1については、電流を10-8A、10-7A、5×10-7A、10-6A、5×10-6A、10-5A、2×10-5A、5×10-5A、10-4Aと変化させ、下部電極112と上部電極108との間の電圧を測定した。配線パターン2については、同じ電流でも電圧が44個の素子の間で大きくばらついたため、電圧を0.25V、0.5V、0.75V、1V、1.25V、1.5V、1.75V、2Vとして、下部電極と上部電極との間の電流を測定した。図7A及び図7Bは、実験例1で作成し、測定された電圧電流特性を示す図であり、図7Aは配線パターン1における電圧電流特性を示す図、図7Bは配線パターン2における電圧電流特性を示す図である。図7A及び図7Bに示すように、配線パターン1では電圧電流特性がほぼ均一であったのに対し、配線パターン2では44個の素子の間で電圧電流特性に大きなばらつきが見られた。また、2Vで10-9A以下というように、電圧を上げても電流があまり流れない素子電流の駆動能力が低い素子もいくつか見られた。配線パターン2において電圧電流特性に大きなばらつきが生じた原因を検討するために、素子の断面を、走査型電子顕微鏡を用いて観察した。図8は、実験例1における配線パターン2の電流制御素子の断面を観察した結果であって、図8Aは走査型電子顕微鏡写真、図8Bは図8Aをトレースした図である。図8において、1002が層間絶縁層SiO2、1004がタングステン領域W、1006がバリア層TiN、1008が密着層Ti、1010が上部電極TaNのうちの変色した部分、1012が上部電極TaNのうちの変色していない部分、1014は電流制御層SiNx、1016は下部電極TaN、1018はバリア層TiN、1020が密着層Ti、1022がバリア層TiN、1024がタングステン領域Wである。図8に示すように、配線パターン2の電流制御素子では、上部ビアホールの近傍において、上部電極108TaNが変色しており、TaNが変質していると想像された。かかる変質により、上部電極108の抵抗値などがばらついた結果、電圧電流特性が大きくばらついたと推察された。[実験例2]実験例2では、実験例1において上部電極に変質が生じた原因を検討するために、素子の断面を走査型オージェ電子分光分析装置SAM:ScanningAugerMicroprobeを用いて測定した。実験例2では、実験例1の配線パターン2と同様の構成であって、実験例1と同様の製造方法を用いて作成したサンプルのうち、電圧電流特性が特に悪かったもの測定困難だったものについて測定を行った。電圧電流特性が悪いサンプルは、上部電極108の変質がより激しいと考えられたからである。図9は、実験例2における電流制御素子の観察結果を示す図である。図9Aは断面の走査型電子顕微鏡写真、図9Bは図9AのPoint1およびPoint2における走査型オージェ電子分光分析装置による測定スペクトルを示している。図9Bにおいて、横軸は放出されたオージェ電子の運動エネルギー、縦軸はその相対的な強度である。図9Aに示すように、実験例2で測定したサンプルは、上部電極の変質がより激しく、本来であれば図中のBの位置にある上部電極108の上端面が、場所によって図中のAの位置にまで盛り上がっていることが分かる。また、上部電極108のうち、変色している部分1010は、ビアホール104の底面よりもさらに外側にまで広がっていることが分かる。このような変質の状態を見ると、変質はビアホール104を形成する時のドライエッチングによるものではなく、ビアホール104を形成した後の、ビアホール洗浄に由来するものと推察される。図9Bに示すように、酸素をほとんど含まない領域コンタクトプラグであるPoint1で測定したスペクトルの酸素のピーク1に比べ、上部電極108の変色した部分1010であるPoint2で測定したスペクトルの酸素のピーク2はより大きかった。このことから、上部電極108の変色部分1010は、酸化されたことにより変質しているものと推察された。Taでは表面に酸化皮膜による不動態を形成することによって、耐食性が向上することが知られている。しかしながら、コンタクト形成時には、TaNの酸化層やTa酸化物の皮膜は高抵抗層となるため、除去しなければならない。酸化皮膜をもたないTaは腐食しやすく、ビアホール104内の洗浄時の水洗プロセスでTa酸化物が形成されたと考えられる。電流制御素子の製造においては、上部ビアホール104を洗浄する時点で、上部電極108が、下部電極112や下部コンタクトプラグ116を介して、下部配線118と電気的に接続されている。実験例2や、実験例1の配線パターン2では、下部配線118の面積が大きく、帯電しやすくなっている。下部配線118に蓄積された荷電は、上部電極108にまで流れ込み、上部電極108を帯電させる。加えて、上部ビアホール104内を洗浄液で洗浄するために、帯電と水と酸素とが複合的に作用して金属表面に局部電池が生じ、上部電極108が酸化され、変質が進行すると考えられる。Ta酸化の総反応式は、2Ta5H2O52O2→2TaOH5化学反応式は2Ta→2Ta510eアノード反応52O25H2O10e→10OHカソード反応酸化されたTaおよびTaNは2TaOH5や、TaONを形成し、電流制御素子の上部電極108の電気抵抗が高くなる。その結果、電圧電流特性がばらつく。実用化されたデバイスの製造プロセスにおいても、上部ビアホール104を洗浄する時点で、素子と電気的に接続された下部配線118の面積が大きくなり、帯電しやすくなることはしばしばあることである。大面積の下部配線118が原因となって、電流制御素子の上部電極108の変質が生じやすくなり、電圧電流特性のばらつきが大きくなるとすれば、実用化されたデバイスの製造プロセスにおいて深刻な問題となる虞がある。かかる問題を解決するためには、上部電極108の酸化による変質を抑制する必要がある。実験例1および実験例2の配線パターン2は、下部配線118として大きなパッドを有する構成であったが、パッドではなく、長い配線がフローティング配線接地されていない配線となっている場合でも同様な問題が生じうる。そこで本発明者らは、上部電極108の上に、酸化されにくい材料を腐食抑制層106として配置し、上部電極108を保護することで、かかる問題が解決しうることに想到した。一般に標準電極電位は酸化されやすさの一つの指標として用いられ、この値が大きければ酸化されにくく、小さければ酸化されやすいことを意味する。Taの標準電極電位は-0.6であり、水素の電位より電極電位が低く、酸化されやすいと推察された。腐食抑制層106の材料としては、導電性を有し、かつ酸化されにくい材料が好適である。具体的には、上部電極108の材料よりも酸化還元電位標準電極電位が高い材料であることが好ましく、例えば、標準電極電位が0以上である材料や、貴金属白金、パラジウム、イリジウム等が好適に用いられる。また、腐食抑制層106の材料として、すでに酸化されているいために酸化されにくいものを用いてもよい。例えば、導電性を有する、IrO2、MoO2、RuO2等の金属酸化物、や貴金属を含む化合物を用いてもよい。以下、腐食抑制層106の有無による電圧電流特性のばらつきの違いを検討した結果を実験例3として説明する。[実験例3]実験例3の電流制御素子では、下部配線118を、実験例1の配線パターン2と同様の構成とした。実験例3における電流制御素子の製造方法は、上部電極108となる窒化タンタルの層を堆積させた後、電流制御素子をパターニングする前に、腐食抑制層106となるイリジウムIrの層を堆積させた他は、実験例1と同様とした。実験例3における電流制御素子の構成は、上部電極108の上にイリジウムからなる腐食抑制層106が配設されている他は、実験例1と同様とした。腐食抑制層106の厚さは30nmであった。実験例3においても、1枚のウエハ上に44個の電流制御素子を形成して、それぞれの素子について電圧電流特性を測定した。図10は、実験例3で測定された電圧電流特性を示す図であり、図10Aは腐食抑制層106を設けた電流制御素子の電圧電流特性を示す図、図10Bは腐食抑制層を設けない電流制御素子の電圧電流特性を示す図である。なお、図10Bは図7Bと同じ図である。図10Aに示すように、腐食抑制層106を設けることにより、電流制御素子の電圧電流特性のばらつきは劇的に小さくなった。図11は、実験例3における電流制御素子の断面を観察した結果であって、図11Aは走査型電子顕微鏡写真、図11Bは図11Aをトレースした図である。図11において、1102が層間絶縁層SiO2、1104がタングステン領域W、1106がバリア層TiN、1108が密着層Ti、1110が腐食抑制層Ir、1112が上部電極TaN、1114は電流制御層SiNx、1116は下部電極TaN、1118はバリア層TiN、1120が密着層Ti、1122がバリア層TiN、1124がタングステン領域Wである。図11に示すように、実験例3の素子では、上部電極108に図6で見られたような変色した部分がない。このことから、実験例3において、上部電極108の変質が抑制されていることが分かる。上部ビアホール104の底には腐食抑制層106Irが露出しており、ビアホール104は上部電極108TaNの上面に達していない。すなわち、上部ビアホール104の内部を洗浄する時には、上部電極108が腐食抑制層106により保護される。その結果、上部電極108の酸化による変質が抑制されたと考えられる。[実験例4]次に、実験例3と同様の構成であって、電流制御層110を構成するSiNxのxの値を変化させた場合の整流特性を検討した。電流制御層110SiNx層の厚さは10nm、xの値は0.3、0.45、0.6とした。図12は、実験例4で測定された電圧電流特性を示す図である。素子の電流値が200μA電流密度:80000A/cm2の時、SiNxにおけるxの値が、x=0.3では2V、x=0.45では2.45V、x=0.6では315Vと、それぞれで良好な双方向型ダイオード両方の電圧極性において、非線形なオンオフ特性を有する特性が得られた。[変形例]図13は、本発明の第1実施形態の変形例に係る不揮発性記憶素子の概略構成の一例を示す図であって、図13Aは断面図、図13Bは等価回路図である。図13に示すように、本実施形態の電流制御素子を、極性の異なる2種類の電気的パルスが印加されることにより高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に変化するバイポーラ型の抵抗変化素子150例えば、下部電極120、抵抗変化層121、上部電極122とからなると組み合わせることにより、つまり、双方向型の電流制御素子として利用することにより、バイポーラ型の抵抗変化素子150を用いたクロスポイント型の不揮発性記憶素子160を実現することができる。電流制御素子の第1電極層112と抵抗変化素子150の上部電極122とは、コンタクトプラグ116で接続されている。抵抗変化素子150の下部電極120と下部配線118とは、コンタクトプラグ119で接続されている。下部配線118は例えばワード線、上部配線103は例えばビット線としうる。バイポーラ型の不揮発性記憶素子160は、異なる極性の2つの閾値電圧で抵抗変化を制御する。本実施形態で形成した電流制御素子は、SiNxの組成窒素の濃度を変えること電極と半導体層の電位障壁を変化させることによって電圧電流特性を調整できるので、抵抗変化素子に合わせた電圧電流特性ONOFF領域の設定を容易に実現できる。抵抗変化素子150は、抵抗変化層121を下部電極120と上部電極122とで挟む構造となっている。抵抗変化層121として酸素不足型のタンタル酸化物以下、Ta酸化物と表記を用いる。ここで、酸素不足型のTa酸化物とは、化学量論的な組成を有するタンタル酸化物と比較して酸素の含有量原子比:総原子数に占める酸素原子数の割合が少ないタンタル酸化物をいう。通常、化学量論的な組成を有する酸化物は、絶縁体、あるいは非常に高い抵抗値を有する。Ta酸化物の場合、化学量論的な酸化物の組成はTa2O5であって、TaとOの原子数の比率O/Taは2.5である。したがって、酸素不足型のTa酸化物において、TaとOの原子比は0より大きく、2.5より小さいことになる。また、抵抗変化層121を挟む上部電極122にはイリジウムIrを、下部電極120には窒化タンタルTaNを使用する。抵抗変化素子150は、バイポーラ型の抵抗変化素子である。上記Ta酸化物からなる抵抗変化層121に、所定の極性の異なる電気パルス電圧の絶対値が所定値である極性の異なる電気パルスを印加すると、低抵抗状態と高抵抗状態との間で抵抗値が可逆的に遷移する。すなわち、下部電極120を基準として上部電極122に、電圧の絶対値が第1の値であり第1の極性を有する第1の電気パルスを印加すると、抵抗変化素子150は低抵抗状態下部電極120と上部電極122との間の電気抵抗が小さい状態から高抵抗状態下部電極120と上部電極122との間の電気抵抗が大きい状態に変化し、下部電極120を基準として上部電極122に、電圧の絶対値が第2の値第1の値と等しくてもよく、異なっていてもよいであり第1の極性と異なる第2の極性を有する第2の電気パルスを印加すると高抵抗状態から低抵抗状態に変化する。これをバイポーラ型の抵抗変化と呼び、バイポーラ型の抵抗変化素子を、バイポーラ型双方向型の電流制御素子と組み合わせることで、本変形例の不揮発性記憶素子160を構成できる。なお、抵抗変化層121は酸素不足型のTa酸化物に限定されるわけではなく、ニッケルNi、ニオブNb、チタンTi、ジルコンZr、ハフニウムHf、コバルトCo、鉄Fe、銅Cu、クロムCr等の遷移金属の酸素不足型の酸化膜を抵抗変化層に使用しても良い。また、抵抗変化素子の下部電極120および上部電極122は、Irの他にPt、Pd、Ag、Cu等のほか、それらの合金を用いてもよい。また、電流制御素子は抵抗変化素子の下に配置してもよい。第2実施形態[構成]図15は、本発明の実施の形態に係る電流制御素子の概略構成の一例を示した図であって、図15Aは図15CのA-A‘線に沿って切った断面図、図15Bは図15CのB-B‘線に沿って切った断面図、図15Cは、層間絶縁層の厚み方向から見た平面図である。図15Aおよび図15Bに示すように、電流制御素子200は、下部配線218と、下部配線218と電気的に接続された第1電極層212と、第1電極層212上に形成され、第1電極層212と物理的に接触する電流制御層210と、電流制御層210上に形成され、電流制御層210と物理的に接触する第2電極層208と、第2電極層208上に形成され、第2電極層と異なる材料で構成される腐食抑制層206と、その下部開口205において腐食抑制層206が露出するように層間絶縁層202中に形成された溝204を充填するように構成された上部配線214と、を備え、第1電極層212と電流制御層210と第2電極層208とでMSMダイオードおよびMIMダイオードのいずれか一方を構成し、第2電極層208は、腐食抑制層206を介して上部配線214と電気的に接続され、第2電極層208と上部配線214とが物理的に接触しないように構成されている。図15Aおよび図15Bに示す例では、上部配線214と腐食抑制層206とは物理的に接触し、腐食抑制層206と第2電極層208とは物理的に接触している。下部配線218と、第1電極層212とは、コンタクトプラグ216により電気的に接続されているが、コンタクトプラグ216は必須ではなく、省略されてもよい。また、下部配線218と、第1電極層212とを同一部材によって構成してもよい。溝とは、細長い線状の開口をいう。一本の溝の下側には、複数の電流制御素子200が形成されていることが好ましい。図15Cに示す例では、腐食抑制層206が、層間絶縁層202の厚み方向から見て、上部配線214の短手方向において上部配線214の外側にはみ出るように形成されているが、腐食抑制層206が、層間絶縁層202の厚み方向から見て、上部配線214によって完全に覆われていてもよい。あるいは、上部配線214が、層間絶縁層202の厚み方向から見て、腐食抑制層206の短手方向の外側に向かってはみ出すように形成されていてもよい。図15Cに例示するように、本実施形態の電流制御素子は、第1平面において第1方向に沿って互いに平行に延びる複数の下部配線218と、第1平面と平行な第2平面において第1方向と交差する第2方向に沿って互いに平行に延びる複数の上部配線214との間の立体交差点のそれぞれに形成されていてもよい。上部配線214は、例えば、Cuを主成分とする導電層により構成されうる。上部配線の幅及び厚さは、例えば、250nm及び300nmとしうる。第1電極層212と、電流制御層210と、第2電極層208と、腐食抑制層206と、層間絶縁層202と、下部配線218と、コンタクトプラグ216とについては、第1実施形態における第1電極層112と、電流制御層110と、第2電極層108と、腐食抑制層106と、層間絶縁層102と、下部配線118と、コンタクトプラグ116と同様の構成とすることができるので、詳細な説明は省略する。[製造方法]図16、図17、図18は、本発明の第2実施形態に係る電流制御素子の製造方法の一例を示した図である。以下、図16、図17、図18を参照しつつ、本実施形態に係る電流制御素子の製造方法を説明する。図16A、図16B、図16C、図17A、図17B、図17Cに示す工程は、第1実施形態において図4A、図4B、図4C、図5A、図5B、図5Cに示した工程と同様としうるので、詳細な説明を省略する。図17Cに示す工程の後、図18Aに示すように、層間絶縁層202に、その下部開口において腐食抑制層206が露出し、第2電極208が露出しないように溝204を形成する層間絶縁層に、その下部開口において腐食抑制層が露出するように溝を形成するステップ。このとき、基板から溝204の底までの高さは一定であり、かつ、基板から腐食抑制層206の上端面までの高さと一致することが好ましい。次に、図18Bに示すように、水を含む洗浄液で溝204の内部を洗浄する水を含む洗浄液で溝の内部を洗浄するステップ。次に、図18Cに示すように、溝204の内部に上部配線214を形成する溝の内部に上部配線を形成するステップ。具体的には、例えば、密着層としてTiが10nm、配線の主材料であるWのバリア層としてTiNが10nm、CVD法により順次形成された後、CVD法によりビアホール104の内部をタングステンで埋め込む。なお、タングステンの代わりに、例えば銅を用いてもよい。その場合は銅に対するバリア層例えばTaやTaNを先に形成する。なお、図18Cに示すステップは必須ではなく、省略されてもよい。[変形例]図19は、本発明の第2実施形態の変形例に係る不揮発性記憶素子の概略構成の一例を示す図であって、図19Aは断面図、図19Bは等価回路図である。図19に示すように、本変形例では、本実施形態の電流制御素子を、極性の異なる2種類の電気的パルスが印加されることにより高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に変化するバイポーラ型の抵抗変化素子250例えば、下部電極220、抵抗変化層221、上部電極とからなると組み合わせる。かかる構成では、本実施形態の電流制御素子を双方向型の電流制御素子として利用することにより、バイポーラ型の抵抗変化素子250を用いたクロスポイント型の不揮発性記憶素子260を実現することができる。電流制御素子の第1電極層212と抵抗変化素子250の上部電極とは、同一部材で構成されている。すなわち、第1電極層212を抵抗変化素子250の上部電極としても機能させている。なお、第1電極層212と、抵抗変化素子250の上部電極とを別部材としてもよい。さらに、第1電極層212と、抵抗変化素子250の上部電極との間にコンタクトプラグを配設してもよい。抵抗変化素子250の下部電極220と下部配線218とは、コンタクトプラグ219で接続されているが、コンタクトプラグ219は省略してもよい。下部配線218は例えばワード線、上部配線214は例えばビット線としうる。バイポーラ型の不揮発性記憶素子260において、上記以外の構成は、第1実施形態の変形例における不揮発性記憶素子160と同様としうる。よって、詳細な説明を省略する。上記説明から、当業者にとっては、本発明の多くの改良や他の実施形態の創出がなされ得る。従って、上記説明は、例示としてのみ解釈されるべきであり、本発明を実行する最良の態様を当業者に教示する目的で提供されたものである。本発明の精神を逸脱することなく、その構造及び/又は機能の詳細を実質的に変更できる。"