"シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前王記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1SOI基板の一方の面のシリコン層に前記振動梁に引張の応力を付与する不純物高濃度含有層と不純物低濃度含有層を少なくとも一層成膜する不純物含有層成膜工程。2前記SOI基板の一方の面のシリコン層と前記不純物含有層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対向隙間形成工程。3前記SOI基板の酸化シリコンをエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前王記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1シリコン基板の一方の面に、前記振動梁に引張の応力を付与する不純物高濃度含有層と不純物低濃度含有層を少なくとも一層成膜する不純物含有層成膜工程。2前記不純物含有層とシリコン基板の一方の面あるいは前記不純物含有層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対向隙間形成工程。3前記シリコン基板の一方の面をエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。このような装置においては、以下の問題点がある。従来例では、振動梁が基板に対して垂直に振動し、振動梁,励振電極,振動検出電極が積層構造となっているため、製造プロセスにおいて多くの加工工程が必要となっていた。従来例では、エピタキシャル成長を行った後にボロン濃度の差を利用してエッチングをストップさせ振動子を形成する。この方法ではボロン濃度をある程度以上に高い濃度にしておかなければならないため、利用できるボロン濃度が限られており、この制限のため振動梁の張力制御が充分できない。また、振動梁の形状は不純物の濃度差によって決まるためバラツキが大きい。更に、通常のエピタキシャル方式では振動子中の欠陥や転位の発生により振動子張力の制御を精度よく行うことが難しく、振動子が厚い場合には高張力を発生することができない。このため、通常のエピタキシャル方式では、厚く高張力を持った振動子を形成することが出来ない。一方、通常の拡散方式では、張力を持った厚い振動子を形成しようとすると、拡散長を伸ばす必要があるため、長時間の拡散が必要となってしまう。例えば、300ueを超える高張力を発生することができなかった。更に、振動子をエピタキシャル法にて作成する時、その膜厚が約5umを越える程度に厚い場合、張力が低下してしまうため高さ方向に厚い振動子を形成することができなかった。本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、精度が良く高張力を有する振動梁を具備する振動式トランスデューサを提供することにある。このような課題を達成するために、本発明では、請求項1の振動式トランスデューサの製造方法においては、シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前王記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1SOI基板の一方の面のシリコン層に前記振動梁に引張の応力を付与する不純物高濃度含有層と不純物低濃度含有層を少なくとも一層成膜する不純物含有層成膜工程。2前記SOI基板の一方の面のシリコン層と前記不純物含有層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対向隙間形成工程。3前記SOI基板の酸化シリコンをエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。本発明の請求項2の振動式トランスデューサの製造方法においては、シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段と、を具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前王記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサの製造方法において、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記振動梁を挟んで前記基板面に平行に対向して対向隙間を有して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2,第3の電極板と、を具備し、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与されるシリコン単結晶の振動梁が、下記の工程を含む振動式トランスデューサの製造方法。1シリコン基板の一方の面に、前記振動梁に引張の応力を付与する不純物高濃度含有層と不純物低濃度含有層を少なくとも一層成膜する不純物含有層成膜工程。2前記不純物含有層とシリコン基板の一方の面あるいは前記不純物含有層にエッチングにより前記対向隙間を形成する対向隙間形成工程。3前記シリコン基板の一方の面をエッチングして前記振動梁を形成する振動梁エッチング形成工程。本発明によれば、次のような効果がある。振動梁は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンの原子よりも原子半径の小さいボロンやりんを不純物として振動梁に添加することで振動梁に張力を与える。エピタキシャル法により不純物含有膜を形成する場合、単層で膜厚の厚い膜を形成すると、結晶欠陥などにより振動梁の張力が緩和してしまう。本発明では、振動梁を形成する不純物高濃度含有層の間に不純物低濃度含有層を導入することで、結晶欠陥の発生を抑制して、振動梁の高張力を保持することができる。不純物含有膜の間に導入するシリコン層の層数を増やしたり、膜厚を厚くしたり、不純物含有膜の不純物濃度を調整することで振動梁の張力の値を制御することができる。様々な振動梁対向隙間形状の構造を作製することができる。以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は、例えば、本発明の製造方法が適用される振動式トランスデューサの一例の要部構成説明図で、aは要部平面図、bは要部断面図である。図1は、例えば、本願出願人が2010年9月10に出願した、特願2010-203032号公報振動トランスデューサとその製造方法に示されている。図1において、振動梁32は、真空室33内に設けられ、基板31測定ダイアフラムに対して引張の応力が付与され、基板31の面311に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有するシリコン単結晶よりなる。第1の電極板34は、基板31の面311に平行に設けられ、振動梁32に一端が接続され、板状をなす。第2,第3の電極板35,36は、振動梁32を挟んで、基板31の面311に平行に対向して対向隙間37,38を有して設けられ、振動梁32と第1の電極板34と共に、基板31の面311に平行な一平面状をなし、板状をなす。39はシェルである。図2は、本発明の一実施例の要部製作工程説明図である。図2aに示す如く、SOI基板101が準備される。図2bは、不純物含有層成膜工程で、SOI基板101の一方の面のシリコン層に、振動梁32に引張の応力を付与する不純物高濃度含有層102を、例えば、エピタキシャル法を用いて一層成膜する。図2cは、対向隙間形成工程で、SOI基板101の一方の面のシリコン層と、不純物高濃度含有層102にエッチングにより対向隙間37,38を形成する。図2dは、振動梁エッチング形成工程で、SOI基板101の酸化シリコンをエッチングして振動梁32を形成する。この結果、振動梁32は、測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁32に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンの原子よりも原子半径の小さいボロンやりんを不純物として振動梁32に添加することで振動梁32に張力を与える。エピタキシャル法により不純物含有膜を形成する場合、単層で膜厚の厚い膜を形成すると、結晶欠陥などにより振動梁32の張力が緩和してしまう。本発明では、振動梁32を形成する不純物高濃度含有層102の間に不純物低濃度含有層を導入することで振動梁32の高張力を保持することができる。不純物高濃度含有層102の間に導入するシリコン層の層数を増やしたり、膜厚を厚くしたり、不純物高濃度含有層102の不純物濃度を調整することで振動梁32の張力の値を制御することができる。様々な振動梁32対向隙間37,38形状の構造を作製することができる。図3は、本発明の他の実施例の要部構成説明図である。図2実施例では振動梁32は2層で形成されたが、本実施例では、振動梁32の層数を増やした実施例である。図3aに示す如く、SOI基板101が準備される。図3bは、不純物含有層成膜工程で、SOI基板101の一方の面のシリコン層に、第1の不純物高濃度含有層201を、例えば、エピタキシャル法を用いて成膜する。図3cは、不純物含有層成膜工程で、第1の不純物高濃度含有層201の上に、不純物低濃度含有層202を成膜する。図3dは、不純物含有層成膜工程で、不純物低濃度含有層202の上に、第2の不純物高濃度含有層203を成膜する。図3eは、対向隙間形成工程で、第1の不純物高濃度含有層201と不純物低濃度含有層202と第2の不純物高濃度含有層203とSOI基板101の一方の面のシリコン層とにエッチングにより対向隙間37,38を形成する。図3fは、振動梁エッチング形成工程で、SOI基板101の酸化シリコンをエッチングして、振動梁32を形成する。この結果、振動梁32は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁32に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンの原子よりも原子半径の小さいボロンやりんを不純物として振動梁32に添加することで振動梁32に張力を与える。エピタキシャル法により不純物含有膜を形成する場合、単層で膜厚の厚い膜を形成すると、結晶欠陥などにより振動梁32の張力が緩和してしまう。本発明では、振動梁32を形成する不純物高濃度含有層201,203の間に、不純物低濃度含有層202を導入することで振動梁32の高張力を保持することができる。不純物含有膜の間に導入するシリコン層の層数を増やしたり、膜厚を厚くしたり、不純物含有膜の不純物濃度を調整することで振動梁32の張力の値を制御することができる。様々な振動梁32対向隙間37,38形状の構造を作製することができる。図4は、本発明の他の実施例の要部構成説明図である。図2、図3実施例では、基板としてSOIウエハ101を用いたが、シリコン層のみからなる基板を用いた実施例である。図4aに示す如く、シリコン層301からなるウエハが準備される。図4bは、不純物含有層成膜工程で、シリコン基板301の一方の面に、振動梁32に引張の応力を付与する不純物高濃度含有層302を、例えば、エピタキシャル法を用いて一層成膜する。図4cは、対向隙間形成工程で、シリコン基板301の一方の面と、不純物高濃度含有層302にエッチングにより対向隙間37,38を形成する。図4dは、振動梁エッチング形成工程で、シリコン基板301の一方の面をエッチングして振動梁32を形成する。なお、図4c2に示すが如く、シリコン基板301の一方の面までエッチングを行っても良く、また、図4d2に示すが如く、振動梁32に、シリコン基板301の一方の面が含まれていても良い。この結果、振動梁32は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁32に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンの原子よりも原子半径の小さいボロンやりんを不純物として振動梁32に添加することで振動梁32に張力を与える。エピタキシャル法により不純物含有膜を形成する場合、単層で膜厚の厚い膜を形成すると、結晶欠陥などにより振動梁32の張力が緩和してしまう。本発明では、振動梁32を形成する不純物高濃度含有層を導入することで振動梁32の高張力を保持することができる。不純物含有膜の間に導入するシリコン層の層数を増やしたり、膜厚を厚くしたり、不純物含有膜の不純物濃度を調整することで振動梁32の張力の値を制御することができる。様々な振動梁32対向隙間37,38形状の構造を作製することができる。図5は、本発明の他の実施例の要部構成説明図である。図4実施例では振動梁32は1,2層で形成されたが、本実施例では、振動梁32の層数を増やした実施例である。図5aに示す如く、シリコン層401からなるウエハが準備される。図5bは、不純物含有層成膜工程で、シリコン基板401の一方の面に、振動梁32に引張の応力を付与する第1の不純物高濃度含有層402を、例えば、エピタキシャル法を用いて一層成膜する。図5cは、不純物含有層成膜工程で、第1の不純物高濃度含有層402の上に、不純物低濃度含有層403を成膜する。図5dは、不純物含有層成膜工程で、不純物低濃度含有層403の上に、第2の不純物高濃度含有層404を成膜する。図5eは、対向隙間形成工程で、第1の不純物高濃度含有層402と不純物低濃度含有層403と第2の不純物高濃度含有層404にエッチングにより対向隙間37,38を形成する。図5fは、振動梁エッチング形成工程で、シリコン基板401の一方の面をエッチングして、振動梁32を形成する。なお、図5e2に示すが如く、シリコン基板401の一方の面までエッチングを行っても良く、また、図5f2に示すが如く、振動梁32に、シリコン基板401の一方の面が含まれていても良い。この結果、振動梁32は測定圧力が加えられていない時でも張力を与えておかないと測定圧力が加えられることによって振動梁32に座屈を起こして測定できない状態になる。このためシリコンの原子よりも原子半径の小さいボロンやりんを不純物として振動梁32に添加することで振動梁32に張力を与える。エピタキシャル法により不純物含有膜を形成する場合、単層で膜厚の厚い膜を形成すると、結晶欠陥などにより振動梁32の張力が緩和してしまう。本発明では、振動梁32を形成する不純物高濃度含有層402,404の間に不純物低濃度含有層403を導入することで振動梁32の高張力を保持することができる。不純物含有膜の間に導入するシリコン層の層数を増やしたり、膜厚を厚くしたり、不純物含有膜の不純物濃度を調整することで振動梁32の張力の値を制御することができる。様々な振動梁32対向隙間37,38形状の構造を作製することができる。なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。"