"表面粗さRzが05μm以下であり、表面において面の割合が60以上を占めるグラフェン製造用銅箔。銅箔基材の表面にCuめっき層及び/又はCuスパッタ層を形成してなり、表面粗さRzが05μm以下であり、表面において面の割合が60以上を占めるグラフェン製造用銅箔。前記銅箔基材が電解銅箔である請求項2に記載のグラフェン製造用銅箔。前記電解銅箔のドラム面側に前記Cuめっき層及び/又は前記Cuスパッタ層を形成してなる請求項3に記載のグラフェン製造用銅箔。請求項1~4のいずれかに記載のグラフェン製造用銅箔を用いたグラフェンの製造方法であって、所定の室内に、加熱した前記グラフェン製造用銅箔を配置すると共に水素ガスと炭素含有ガスを供給し、前記グラフェン製造用銅箔の前記銅めっき層の表面にグラフェンを形成するグラフェン形成工程と、前記グラフェンの表面に転写シートを積層し、前記グラフェンを前記転写シート上に転写しながら、前記グラフェン製造用銅箔をエッチング除去するグラフェン転写工程と、を有するグラフェンの製造方法。しかしながら、特許文献1のように単結晶の金属基板を製造することは容易でなく極めて高コストであり、又、大面積の基板が得られ難く、ひいては大面積のグラフェンシートが得難いという問題がある。又、Niの金属箔を用いて化学気相成長法でグラフェンを製膜すると、Ni中に炭素が固溶し、その後冷却する過程でNi中の炭素が再析出するため、グラフェンの層数が不均一になるという問題がある。一方,非特許文献1には、Cuを基板として使用することが記載されているが,Cu箔上では短時間にグラフェンが面方向に成長せず,Si基板上に形成したCu層を焼鈍で粗大粒として基板としている。この場合、グラフェンの大きさはSi基板サイズに制約され,製造コストも高い。そこで、本発明者はグラフェン成長用の基材である銅箔を鋭意検討した結果、銅箔表面を極めて平滑にし、かつ銅層の面方位を均一にした銅箔を発明した。上記銅箔を用いることで、グラフェンの成長を妨げる因子を抑制し、銅箔表面に均一なグラフェンが製膜される。すなわち、本発明は、大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔の提供を目的とする。本発明のグラフェン製造用銅箔は、表面粗さRzが05μm以下であり、表面において面の割合が60以上を占める。又、本発明のグラフェン製造用銅箔は、銅箔基材の表面にCuめっき層及び/又はCuスパッタ層を形成してなり、表面粗さRzが05μm以下であり、表面において面の割合が60以上を占める。前記銅箔基材が電解銅箔であることが好ましい。前記電解銅箔のドラム面側に前記Cuめっき層及び/又は前記Cuスパッタ層を形成してなることが好ましい。又、本発明のグラフェンの製造方法は、前記グラフェン製造用銅箔を用い、所定の室内に、加熱した前記グラフェン製造用銅箔を配置すると共に、水素ガスと炭素含有ガスを供給し、前記グラフェン製造用銅箔の前記銅めっき層の表面にグラフェンを形成するグラフェン形成工程と、前記グラフェンの表面に転写シートを積層し、前記グラフェンを前記転写シート上に転写しながら、前記グラフェン製造用銅箔をエッチング除去するグラフェン転写工程と、を有する。本発明によれば、大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能とする銅箔が得られる。以下、本発明の実施形態に係るグラフェン製造用銅箔及びグラフェンの製造方法について説明する。なお、本発明においてとは、特に断らない限り、質量を示すものとする。本発明のグラフェン製造用銅箔としては、電解銅箔又は圧延銅箔を用いることができる。銅箔の組成としては、純度998以上であることが好ましく、又、銅箔の厚みは特に制限されないが、一般的には5~150μmである。さらに、ハンドリング性を確保しつつ、後述するエッチング除去を容易に行うため、銅箔の厚みを12~50μmとすると好ましい。銅箔の厚みが12μm未満であると、破断し易くなってハンドリング性に劣り、厚みが50μmを超えるとエッチング除去がし難くなる場合がある。本発明のグラフェン製造用銅箔は、表面粗さRzが05μm以下であり、表面において面が60以上を占める。これは、銅箔表面が平滑であるほど、グラフェンの成長を妨げる段差が少なくなり、グラフェンが銅箔表面に均一に製膜されるためである。又、表面において面の割合を60として面への配向を高くすることにより、その上にグラフェンが安定して結晶成長する。なお、銅箔表面において面の割合が70以上であることが好ましく、80以上であることが更に好ましく、90以上であることがより好ましい。なお、銅箔表面において面の割合の上限は特に設ける必要は無いが、製造性等を考慮すると99.9以下が好ましく、99以下がより好ましい。なお、RzはJISB0601-1994に準拠して十点平均粗さを測定する。又、電解銅箔の場合、Rzはドラム回転方向に垂直な方向で測定し、圧延銅箔の場合、Rzは圧延垂直方向で測定する。ところで、銅箔単体の表面のRzを05μm以下に平滑にするのは容易ではない。例えば、電解銅箔のドラム面銅箔が析出する陰極ドラム側は反対面より平滑であるが、それでもRzが12~14μm程度である。また、圧延銅箔のRzは07μm程度である。そこで、電解銅箔又は圧延銅箔からなる銅箔基材の表面にCuめっき層又はCuスパッタ層を形成すると、表面粗さRzが05μm以下で、かつ面が60以上を占める表面を容易に形成することができる。特に、上記銅箔の表裏面のうち、より平滑な面例えば、電解銅箔の場合はドラム面の上にCuめっき層若しくはCuスパッタ層を形成するか、又は上記平滑面の上にCuめっき層を形成し、Cuめっき層の上にCuスパッタ層を形成することが好ましい。なお、FIB等によりCu層の断面の金属組織の観察をすることにより、Cuスパッタ層であるか、又はCuめっき層であるかを判定することができる。一般的にCuスパッタ層は再結晶を起こしにくいため、結晶粒は微細である。また、Cuめっき層は再結晶を起こすため、Cuめっき層の結晶粒はCuスパッタ層で観察される結晶粒よりも大きい場合が多い。なお、銅箔の表面のRzは特に限定されないが、製造性等を考慮すると0.005μm以上、好ましくは0.01μm以上、より好ましくは0.05μm以上である。銅箔の表面のRzを0.01μm程度にする方法には、例えば鏡面仕上げにした陰極ドラムを用いて電解銅箔を製造して銅箔基体自体の粗さを小さくし、または、鏡面仕上げにした圧延ロールを用いて圧延銅箔を製造して銅箔基体自体の粗さを小さくすると共に、上述のように銅箔基体の上にCuめっき層やCuスパッタ層を十分厚め例えば20μm程度に形成する方法等がある。銅箔基材の組成及び厚みは、上記した銅箔単体の値と同様としてよい。Cuめっき層は、公知の光沢銅めっきにより形成することができる。光沢銅めっきは、市販の光沢剤を含む硫酸銅めっき浴を用いて電気めっきすることにより形成することができる。めっき浴組成の一例としては、Cuイオン:70~100gL、硫酸:80~100gL、Clイオン:40~80mgL、ビス3-スルフォプロピルジスルファイド2ナトリウム:10~30mgL、ジアルキルアミノ基含有重合体:10~30mgLが挙げられる。又、めっき条件は、例えば平均電流密度:20~100Adm2、めっき浴温度:45~65°Cとすることができる。Cuめっき層の厚みは、例えば10~20μmとすることができる。又、Cuスパッタの厚みは例えば01~10μmとすることができる。スパッタ条件は例えば、Cuターゲットを用いたArガス中で、放電電圧500~700V、放電電流15~25A、真空度39~67x102Paとすることができる。さらに、上記したCuめっき層とCuスパッタ層を積層してもよく、その順序はいずれが上層であってもよい。以上のように規定したグラフェン製造用銅箔を用いることで、大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産することができる。<グラフェン製造用銅箔の製造>本発明の実施形態に係るグラフェン製造用銅箔は、例えば以下のようにして製造することができる。まず、所定の組成の銅インゴットを製造し、熱間圧延を行った後、焼鈍と冷間圧延を繰り返し、圧延板を得る。この圧延板を焼鈍して再結晶させ,所定の厚みまで圧下率を80~99.9好ましくは85~99.9、更に好ましくは90~99.9として最終冷間圧延して銅箔を得る。又、電解銅箔は、回転する陰極ドラムと、これに対向する陽極との間に電解液を供給し、陰極となるドラム面に電解銅箔を析出させることで製造できる。上記銅箔の平滑面に、Cuめっき層及び/又はCuスパッタ層を形成することで、銅箔自身よりもさらに平滑な表層をもつグラフェン用銅箔を得る。<グラフェンの製造方法>次に、図1を参照し、本発明の実施形態に係るグラフェンの製造方法について説明する。まず、室真空チャンバ等100内に、上記した本発明のグラフェン製造用銅箔10を配置し、グラフェン製造用銅箔10をヒータ104で加熱すると共に、室100内を減圧又は真空引きする。そして、ガス導入口102から室100内に炭素含有ガスGを水素ガスと共に供給する図1a。炭素含有ガスGとしては、二酸化炭素、一酸化炭素、メタン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン、アルコール等が挙げられるがこれらに限定されず、これらのうち1種又は2種以上の混合ガスとしてもよい。又、グラフェン製造用銅箔10の加熱温度は炭素含有ガスGの分解温度以上とすればよく、例えば1000°C以上とすることができる。又、室100内で炭素含有ガスGを分解温度以上に加熱し、分解ガスをグラフェン製造用銅箔10に接触させてもよい。このとき、グラフェン製造用銅箔10を加熱することで、銅めっき層及び/又は銅スパッタ層が半溶融状態になって銅箔表面の凹部に流動し、グラフェン製造用銅箔10の最表面の凹凸が小さくなる。そして、このように平滑となったグラフェン製造用銅箔10の表面に分解ガス炭素ガスが接触し、グラフェン製造用銅箔10の表面にグラフェン20を形成する図1b。そして、グラフェン製造用銅箔10を常温に冷却し、グラフェン20の表面に転写シート30を積層し、グラフェン20を転写シート30上に転写する。次に、この積層体をシンクロール120を介してエッチング槽110に連続的に浸漬し、グラフェン製造用銅箔10をエッチング除去する図1c。このようにして、所定の転写シート30上に積層されたグラフェン20を製造することができる。さらに、グラフェン製造用銅箔10が除去された積層体を引き上げ、グラフェン20の表面に基板40を積層し、グラフェン20を基板40上に転写しながら、転写シート30を剥がすと、基板40上に積層されたグラフェン20を製造することができる。転写シート30としては、各種樹脂シートポリエチレン、ポリウレタン等のポリマーシートを用いることができる。グラフェン製造用銅箔10をエッチング除去するエッチング液としては、例えば硫酸溶液、過硫酸ナトリウム溶液、過酸化水素、及び過硫酸ナトリウム溶液又は過酸化水素に硫酸を加えた溶液を用いることができる。又、基板40としては、例えばSi、SiC、Ni又はNi合金を用いることができる。<試料の作製>銅箔基材として、電解銅箔はJX日鉱日石金属株式会社製の厚みの18μmのJTC製品名箔、圧延銅箔としてはJX日鉱日石金属株式会社製のタフピッチ銅JISH3100合金番号C1100以下TPCと記載する。からなる厚み18μmの箔を使用した。<実施例1>表1の電解銅箔基材のドラム面側に、以下のCuめっき浴によりCu電気めっき層を厚み6μm形成した。めっき浴温を55°Cとし、めっき時の平均電流密度を50A/dm2とした。Cuめっき浴:Cuイオン100g/L、硫酸80g/L、Clイオン50mg/L、ビス3-スルフォプロピルジスルファイド2ナトリウム30mg/L、ジアルキルアミノ基含有重合体30mg/L<実施例2>表1の電解銅箔基材のドラム面側に、以下のCuめっき浴によりCu電気めっき層を厚み4μm形成した。めっき浴温を55°Cとし、めっき時の電流密度を30A/dm2とした。Cuめっき浴:Cuイオン100g/L、硫酸80g/L、Clイオン50mg/L、ビス3-スルフォプロピルジスルファイド2ナトリウム10mg/L、ジアルキルアミノ基含有重合体10mg/L<実施例3>表1の電解銅箔基材のドラム面側に、以下のCuめっき浴によりCu電気めっき層を厚み10μm形成した。めっき浴温を55°Cとし、めっき時の平均電流密度を50A/dm2とした。Cuめっき浴:Cuイオン100g/L、硫酸80g/L、Clイオン50mg/L、ビス3-スルフォプロピルジスルファイド2ナトリウム20mg/L、ジアルキルアミノ基含有重合体20mg/L<実施例4>実施例1の電解銅箔基材ドラム面側にCu電気めっき層を厚み6μm形成し、そのCu電気めっき層の上にCuスパッタにより厚み0.5μmのCuスパッタ層を形成した。Cuスパッタ条件:Arガス、放電電圧500V、放電電流15A、真空度5x102Pa<実施例5>表1の圧延銅箔基材の表面に、Cuスパッタにより0.5μmのCuスパッタ層を形成した。Cuスパッタ条件:Arガス、放電電圧500V、放電電流15A、真空度5x102Pa<実施例6>実施例1の電解銅箔基材ドラム面側にCu電気めっき層を厚み20μm形成し、そのCu電気めっき層の上にCuスパッタにより厚み2.0μmのCuスパッタ層を形成した。Cuスパッタ条件:Arガス、放電電圧500V、放電電流15A、真空度5x102Pa。<比較例1>表1の電解銅箔をそのまま用いた。<比較例2>表1の圧延銅箔をそのまま用いた。<表面の方位>得られた試料の表面の111、200、311、220、331面のX線回折積分強度をそれぞれ測定した。測定は、リガク製RINT2500を使用し、X線照射条件はCo管球を使用し、管電圧25KV、管電流20mAとした。そして、表面の111面の割合を以下の式で算出した。表面の111面の割合=111面のX線回折積分強度-/{111面のX線回折積分強度-200面のX線回折積分強度-311面のX線回折積分強度-220面の回折積分強度-331面のX線回折積分強度-}×100<表面粗さRzの測定>得られた試料の表面粗さを測定した。非接触のレーザー表面粗さ計コンフォーカル顕微鏡レーザーテック社製HD100Dを使用し、JISB0601-1994に準拠して十点平均粗さRzを測定した。測定基準長さ0.8mm、評価長さ4mm、カットオフ値0.8mm、送り速さ0.1mm/秒の条件で測定位置を変えて10回行ない、以下の各方向で10回の測定での値を求めた。なお、銅箔基材が電解銅箔の場合、Rzはドラム回転方向に垂直な方向で測定し、銅箔基材が圧延銅箔の場合、Rzは圧延垂直方向で測定した。<グラフェンの製造>各実施例のグラフェン製造用銅箔縦横100X100mmを真空チャンバーに設置し、1000°Cに加熱した。真空圧力:02Torr下でこの真空チャンバーに水素ガスとメタンガスを供給し供給ガス流量:10~100ccmin、銅箔を1000°Cまで30分で昇温した後、1時間保持し、銅箔表面にグラフェンを成長させた。グラフェンが表面に成長した銅箔のグラフェン側にPETフィルムを張り合わせ、銅箔を酸でエッチング除去した後、四探針法でグラフェンのシート抵抗を測定した。なお、エッチングの反応時間は予め反応時間とシート抵抗との関係を調査し、シート抵抗が安定するために必要な時間とした。グラフェンのシート抵抗が400Ω/□以下であれば、実用上問題はない。得られた結果を表に示す。表1から明らかなように、表面粗さRzが05μm以下であり、表面において面が60以上を占める各実施例の場合、グラフェンのシート抵抗が400Ω/□以下となり、グラフェンの品質が優れていた。一方、表面粗さRzが05μmを超え、表面において面が60未満の比較例1の場合、グラフェンのシート抵抗が400Ω/□を超え、グラフェンの品質が劣った。又、表面粗さRzが05μmを超えた比較例2の場合も、グラフェンのシート抵抗が400Ω/□を超え、グラフェンの品質が劣った。"