矩形状のセラミック基板と、前記セラミック基板の上面に設けられた、半導体素子が実装される第1金属板と、前記セラミック基板の下面に設けられた第2金属板とを備え、前記第2金属板の下面には、複数の同心円状の溝が設けられているとともに、複数の前記溝の最外周に位置する溝が、前記第2金属板の外周の一部と重なって切欠きになっていることを特徴とする半導体モジュール基板。請求項1に記載の半導体モジュール基板であって、前記半導体素子が実装される領域は、平面透視して前記溝で囲まれていることを特徴とする半導体モジュール基板。請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール基板であって、前記切欠きの深さおよび複数の前記溝の深さは、前記第2金属板の外周から内側に向かうにつれて次第に小さくなっていることを特徴とする半導体モジュール基板。矩形状のセラミック基板と、前記セラミック基板の上面に設けられた、半導体素子が実装される第1金属板と、前記セラミック基板の下面に設けられた第2金属板とを備え、前記第1金属板の上面には、前記半導体素子が実装される領域を囲む複数の同心円状の溝が設けられているとともに、複数の前記溝の最外周に位置する溝が、前記第1金属板の外周の一部と重なって切欠きになっていることを特徴とする半導体モジュール基板。請求項4に記載の半導体モジュール基板であって、前記切欠きの深さおよび複数の前記溝の深さは、前記第1金属板の外周から内側に向かうにつれて次第に小さくなっていることを特徴とする半導体モジュール基板。しかしながら、単に金属板の表面に、セラミック基板の外形に相似する溝を設ける構造では、セラミック基板に対して熱応力を低減することができるが、実際には半導体素子を実装した状態の半導体モジュール基板を駆動すると、熱応力が半導体素子側からセラミック基板にも加わるため、セラミック基板が破壊される虞がある。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、セラミック基板にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体モジュール基板を提供することを目的とする。本発明の一実施形態における半導体モジュール基板は、矩形状のセラミック基板と、前記セラミック基板の上面に設けられた、半導体素子が実装される第1金属板と、前記セラミック基板の下面に設けられた第2金属板とを備え、前記第2金属板の下面には、複数の同心円状の溝が設けられているとともに、複数の前記溝の最外周に位置する溝が、前記第2金属板の外周の一部と重なって切欠きになっていることを特徴とする。本発明の半導体モジュール基板は、セラミック基板にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体モジュール基板を提供することができる。<半導体モジュール基板の構成>本実施形態に係る半導体モジュール基板1は、矩形状のセラミック基板2と、セラミック基板2の上面に設けられた、半導体素子3が実装される第1金属板4と、セラミック基板2の下面に設けられた第2金属板5とを備えている。また、半導体モジュール基板1は、第2金属板5の下面には、複数の同心円状の溝Dが設けられているとともに、溝Dの最外周に位置する溝D1が、第2金属板5の外周の一部と重なって切欠きになっている。セラミック基板2は、例えば、アルミナ質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスまたはムライト質セラミックス等のセラミック材料、あるいはこれらのセラミック材料の混合材料から成る。セラミック基板2は、半導体素子3の発した熱を第2金属基板5に伝達しやすく、かつ絶縁性を有する材料が用いられる。セラミック基板2は、平面視したときに、例えば、一辺の長さが3mm以上150mm以下に設定されている。また、セラミック基板2の厚みは、例えば、0.15mm以上2mm以下に設定されている。また、セラミック基板2の熱伝導率は、例えば、16W/mK以上2000W/mK以上に設定される。セラミック基板2の熱膨張係数は、例えば、3ppm/°C以上11ppm/°Cに設定されている。また、セラミック基板2は、第1金属板4および第2金属板5と接続される接合部にメタライズ層が形成されている。なお、メタライズ層上には、ロウ材との濡れ性を良好にするために、電気メッキまたは無電解メッキ等のメッキ形成方法によって、例えば、厚さ1μm以上3μm以下のニッケルメッキ層が被着されている。第1金属板4および第2金属板5は、平面視したとき、矩形状に形成された板状の部材である。第1金属板4は、セラミック基板2の上面に設けられる。また、第2金属板5は、セラミック基板2の下面に設けられる。第1金属板4または第2金属板5は、セラミック基板2に対して、例えば、銀ロウまたは銀-銅ロウ等のロウ材を介して接合される。なお、金属板とセラミック基板2とは、半田付け法、活性金属法または金属粒子接合法を用いて接合することができる。第1金属板4または第2金属板5は、例えば、銅、鉄-ニッケル-コバルト合金または銅-タングステン合金等の金属材料から成る。第1金属板4または第2金属板5の熱膨張係数は、例えば、4ppm/°C以上23ppm/°Cに設定される。第1金属板4または第2金属板5は、例えば、それらの金属材料を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工または打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定の形状にして製作される。第1金属板4および第2金属板5は、平面視したときに外形がセラミック基板2よりも小さく設定されている。第1金属板4および第2金属板5は、平面視したときに、例えば、一辺の長さが2.5mm以上145mm以下に設定されている。また、第1金属板4および第2金属板5の厚みは、例えば、0.1mm以上2mm以下に設定されている。第1金属板および第2金属板5は、外表面に耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性が良い金属、例えば、厚さ0.5μm以上9μm以下のニッケル層と厚さ0.5μm以上5μm以下の金層を順次、メッキ形成法によりメッキ層を被着させておく。メッキ層は第1金属板5および第2金属板5が酸化腐蝕するのを有効に抑制できるとともに、セラミック基板2に対して強固に接合することができる。半導体素子3は、第1金属板4上に搭載される。半導体素子3は、例えば、パワー半導体であるパワーMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor、ショットキーダイオード、JFETJunctionFieldEffectTransistor等である。また、高発熱量を伴う半導体素子等を用いることができる。また、半導体素子3は、光を電力に変換する機能を備えた光電変換素子であってもよい。半導体素子3は、例えば、III-V族化合物半導体を含んでいる太陽電池素子である。半導体素子3は、光起電力効果により、受けた光を即時に電力に変換して出力電圧を出力することができる。太陽電池素子は、例えば、InGaP/GaAs/Ge3接合型セルの構造である。インジウムガリウムリントップセルは、660nm以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ガリウムヒ素ミドルセルは、660nm以上890nm以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ゲルマニウムボトムセルは、890nm以上2000nm以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。3つのセルは、トンネル接合を介して直列に接続されている。開放電圧は、3つのセルの起電圧の和である。なお、半導体素子3の大きさは、例えば、平面視したときの一辺の長さが3mm以上15mm以下であって、上下方向の厚みが0.3mm以上5mm以下に設定されている。第2金属板5の下面には、複数の同心円状の溝Dが設けられている。溝Dは、第2金属板5の下面に対して、切削加工等の金属加工法を用いて形成することができる。複数の溝Dのうち、最外周に位置する溝D1は、平面視して第2金属板5の外周の一部と重なって、該重なった個所が切欠きになっている。第2金属板5は、第2金属板5の下面が外部の部材と、例えば例えば、銀ロウまたは銀-銅ロウ等のロウ材を介して接合される。ロウ材は、内部にボイドが存在している状態のまま固化すると、ボイドが熱によって膨張収縮することで、第2金属板5が外部の部材から剥離する虞が大きくなる。ボイドは、ロウ材が固化する前に、第2金属板5と外部の部材とが接合される際に空気が混入することで発生する。そこで、第2金属板5の下面に溝Dを設けることで、ロウ材が溝Dによって移動しやすくなり、第2金属板5と外部の部材との接合時に混入していた空気が、溝Dに沿って第2金属板5の平坦な個所にまで移動して抜けやすくすることができる。その結果、第2金属板5の下面には、ボイドを発生しにくくすることができ、熱によって第2金属板5が外部の部材から剥離するのを抑制することができる。なお、ここで、外部の部材とは、ヒートシンク等である。また、最外周に位置する溝D1は、第2金属板5の外周の一部と重なって、該重なった個所が切欠きになっている。第2金属板5は、平面視して矩形状であって、その外周の一辺と溝D1の一部が重なる。そして、溝D1の直径は、第2金属板5の四辺のうち最も短い一辺の長さよりも短く設定されている。その結果、溝D1は、第2金属板5と重なる領域内に円形状として形成される。溝D1を第2金属板5の外周の一部と重なるように形成される。セラミック基板2と第2金属5との熱膨張差に起因して生じる応力が特に集中するのは、第2金属板5の外周におけるセラミック基板2との接合部であって、その第2金属板5の外周の厚さを薄くすることができることから、セラミック基板との熱膨張差に起因して生じる応力を小さくすることができる。また、最内周に位置する溝D2は、平面透視して溝D1と半導体素子3の実装領域との間に位置している。半導体素子3の発する熱は、第1金属板4からセラミック基板2を介して第2金属板5に伝わる。仮に、平面透視して半導体素子3と重なる領域に溝D2が設けられていると、半導体素子3の発した熱が、溝D2によって第2金属板5の下面にまで略均一に伝わりにくくなる。その結果、第2金属板5から外部に向かって放熱するのに、熱が局所的に第2金属板5から外部に伝わる虞があり、第2金属板5と外部との部材との間で剥離する可能性が高まる。そこで、平面透視して半導体素子3と重なる領域に溝D2を設けないようにすることで、半導体素子3から下方に向かって伝わる熱にむらが発生するのを抑制することができ、第2金属板5が外部の部材から剥離するのを効果的に抑えることができる。また、複数の溝Dは、第2金属板5の下面に対して、同心円状に設けられることで、第2金属板5が熱によって膨張収縮するのを第2金属板5全体で略均一になるように調整することができ、第2金属板5からセラミック基板2に加わる応力が局所的に集中するのを抑制することができる。その結果、セラミック基板2の特定個所に応力が集中しにくくすることができ、セラミック基板2が破壊されるのを抑制することができる。また、半導体素子3が実装される領域は、平面透視して溝Dで囲まれる領域内に位置するように配置されている。つまり、半導体素子3が溝Dによって囲まれることで、半導体素子3が駆動時に発生する熱が、半導体素子3を中心に広がるように伝わる。そして、溝Dが設けられることで、第2金属板5が大気と接する面積を大きく確保することができ、半導体素子3の熱を大気中に効率よく放散することで、第2金属板5の熱膨張を低減し、セラミック基板2が破壊されるのを抑制することができる。溝Dは、直径の大きさが、例えば、2mm以上144mm以下に設定されている。また、溝Dの深さは、例えば、0.05mm以上1.9mm以下に設定されている。また、溝Dの第2金属板5の平らな個所に沿った平面方向の大きさは、例えば、1.5mm以上143.5mm以下に設定されている。また、複数の溝Dの深さは、第2金属板5の内側から外周に向かうに従って、大きくなるように設定されている。複数の溝Dの深さを、内側から外周に向かって漸次大きくなるようにすることで、第2金属板5は中央部から外周に向かうに従って薄くなる。結果、半導体素子3からの熱は、第2金属板5の中央部から外周に向けて効率よく伝達されつつ、第2金属板5の熱膨張、熱収縮によって中央部から外周に向かうに従って大きくなる応力は、第2金属板5の内側から外周に向かうに従って大きくなる溝Dによって緩和されるとともに、中央部から外周に向かうに従って薄くなる第2金属板5によってさらに低減することができる。第1金属板4の上面にも第2金属板5に設けられた溝Dと同様に、複数の溝Dxが設けられている。溝Dxは、平面透視して第2金属板5の溝Dと重なるように設けられている。溝Dxと溝Dが重なるように配置されることで、セラミック基板2に対して、第1金属板4および第2金属板5から加わる応力を上下対称に加わるように調整することができる。その結果、セラミック基板2が、第1金属板4または第2金属板5から加わる応力によって破壊されるのを抑制することができる。また、溝Dxは、平面視して半導体素子3の実装領域の周囲に設けられている。溝Dxが設けられることで、半導体素子3をロウ材を介して第1金属板4上に実装するときに、ロウ材が周囲に漏れ出るのを溝Dxにて抑えることができる。ロウ材が周囲に流れ出ようとすると、溝Dxによって漏れ出たロウ材の一部を溜めることができる。本実施形態に係る半導体モジュール基板1は、第2金属板5に複数の溝Dを設けるとともに、溝D1を第2金属板5の外周の一部と重なるように設けることで、半導体素子3または外部からセラミック基板2に加わる熱応力を緩和することができ、セラミック基板2にクラックが発生するのを抑制することができる。このようにして、セラミック基板2にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体モジュール基板1を提供することができる。本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。なお、溝は第1金属板4の溝Dと第2金属板5の溝Dxは、上下面同一形状でなく、溝Dと溝Dxを異形状にしてもよい。また、溝Dと溝Dxは、一部が不連続であっても構わない。<半導体モジュール基板の製造方法>ここで、半導体モジュール基板1の製造方法を説明する。まずは、セラミック基板2、第1金属板4および第2金属板5を準備する。第1金属板4および第2金属板5は、例えば、鉄-ニッケル-コバルト合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。そして、溝Dについても、切削加工を用いて第1金属板4および第2金属板5に形成することができる。また、セラミック基板2は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合、グリーンシートは、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、溶剤または分散剤等を混合添加してペースト状とし、ドクターブレード法やカレンダーロール法等によって形成される。平板形状のグリーンシートに金型を用いた打ち抜きを施すことによってそれぞれの形状に合わせて製作される。未硬化のセラミック基板2は、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の高融点金属粉末に有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加してなる導電ペーストを、セラミック基板2の上面の所定位置にスクリーン印刷法等によって印刷塗布する。そして、未硬化のセラミック基板2は、第1金属板4および第2金属板5のそれぞれとの接合部に該当する位置にメタライズ層が形成される。さらに、グリーンシートを、約1600°Cの温度で焼成することにより、焼成後に、セラミック基板2が製作される。また、電気メッキまたは無電解メッキ等のメッキ形成方法によって、メタライズ層上に厚さ1μm以上3μm以下のニッケルメッキ層が形成される。そして、セラミック基板2のニッケルメッキ層に対して、第1金属板4および第2金属板5が銀ロウまたは銀-銅ロウ等のロウ材を介して接合されることによって半導体モジュール基板1が製作される。最後に、半導体モジュール基板1の上面に半導体素子3、例えば、金-錫半田または金-ゲルマニウム半田等の材料で接着固定される。そして、半導体モジュールが製作される。