"陽極と陰極とを有し、少なくとも1層の発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、下記一般式1で表される化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、下記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に下記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。さらに、このアルキル基の炭素原子の内1つ以上が酸素原子、硫黄原子、窒素原子で置き換えられていても良い。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。式中、R6、R7は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。-は結合手を表す。X、Y、Z1、Z2およびZ3は炭素原子または窒素原子を表す。AはX-Z3とともに5員または6員の炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。B0はZ1-Y-Z2とともに5員の含窒素複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。X1-L-X2は二座の配位子を表し、X1、X2は各々独立して、炭素原子、窒素原子、酸素原子、燐原子から選ばれる。LはX1、X2とともに二座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。mは1、2、または3を表し、nは0、1または2を表すが、nは中心金属Mの原子価よりも小さい。nmは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。Z3-M、M-X2において-は共有結合を表し、Z1...M、M...X1において...は配位結合を表す。陽極と陰極とを有し、少なくとも1層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、下記一般式2または3で表される化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、前記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。前記一般式4中、R6、R7は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。-は結合手を表す。Z、Z3は炭素原子または窒素原子を表す。Y1およびZ2は一方が炭素原子を表し、もう一方が窒素原子を表す。A1はC-Z3とともに5員または6員の炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。B1はZ2-Y1-Nとともに5員の含窒素複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。B2はZ-N-Cとともに5員の含窒素複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。X1-L-X2は二座の配位子を表し、X1、X2は各々独立して、炭素原子、窒素原子、酸素原子、燐原子から選ばれる。LはX1、X2とともに二座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。mは1、2、または3を表し、nは0、1または2を表すが、nは中心金属Mの原子価よりも小さい。nmは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。Z3-M、M-X2において-は共有結合を表し、C...M、N...M、M...X1において...は配位結合を表す。陽極と陰極とを有し、少なくとも1層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、下記一般式2a、2b、3aまたは3bで表される化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、前記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。前記一般式4中、R6、R7は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。Z、Z3、Z4、Z5、Z6は炭素原子または窒素原子を表し、Z4とZ5の少なくとも一方、またはZとZ6の少なくとも一方は窒素原子を表す。Y1、およびZ2は一方が炭素原子を表し、もう一方が窒素原子を表す。A1はC-Z3とともに5員または6員の炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。X1-L-X2は二座の配位子を表し、X1、X2は各々独立して、炭素原子、窒素原子、酸素原子、燐原子から選ばれる。LはX1、X2とともに二座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。mは1、2、または3を表し、nは0、1または2を表すが、nは中心金属Mの原子価よりも小さい。nmは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。Z3-M、M-X2において-は共有結合を表し、C...M、N...M、M...X1において...は配位結合を表す。陽極と陰極とを有し、少なくとも1層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、下記一般式2c、2d、3cまたは3dで表される化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、前記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。前記一般式4中、R6、R7は水素原子または置換基であり、少なく一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。Y1、およびZ2は一方が炭素原子を表し、もう一方が窒素原子を表す。Z、Z4、Z5、Z6は炭素原子または窒素原子を表し、Z4とZ5の少なくとも一方、またはZとZ6の少なくとも一方は窒素原子を表す。X1-L-X2は二座の配位子を表し、X1、X2は各々独立して、炭素原子、窒素原子、酸素原子、燐原子から選ばれる。LはX1、X2とともに二座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。mは1、2、または3を表し、nは0、1または2を表すが、nは中心金属Mの原子価よりも小さい。nmは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。M-X2において-は共有結合を表し、C...M、N...M、M...X1において...は配位結合を表す。前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dで表される化合物において、R1、R2がともに前記一般式4で表わされる基、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基から選ばれる基であることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記Mが白金またはイリジウムであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。陽極と陰極とを有し、少なくとも1層の発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が少なくとも1種のホスト化合物と少なくとも1種のゲスト化合物を含有しており、かつ、前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dで表される化合物が該ゲスト化合物として発光層を構成するホスト化合物全体に対して、10質量以上含有されていることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。発光層にフルオレン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、またはこれらの縮環化合物誘導体を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体を含有することを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。構成層として、前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dのいずれかで表される化合物を少なくとも1種含有する有機層を有し、該有機層がウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dのいずれかで表される化合物を部分構造とする重合体を少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。白色発光することを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1~11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。請求項1~11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。請求項1~4のいずれか1項に記載の前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dのいずれかで表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dのいずれかで表される化合物における置換基のうち、少なくとも一つは重合性の置換基であることを特徴とする請求項14記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、高輝度発光域2000cd/m2超において、高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機EL素子材料、それを用いた有機EL素子、照明装置及び表示装置を提供することである。特に、白色発光で、高い発光効率を示し、且つ駆動電圧が低く、発光寿命の長い有機EL素子材料を提供することである。さらに、高い発光効率を示し、且つ駆動電圧が低く、且つ発光寿命の長い有機EL素子材料を生産性の高いウェットプロセスを用いて提供することである。本発明の上記目的は、下記の構成により達成された。1.陽極と陰極とを有し、少なくとも1層の発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、下記一般式1で表される化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、下記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に下記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。さらに、このアルキル基の炭素原子の内1つ以上が酸素原子、硫黄原子、窒素原子で置き換えられていても良い。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。式中、R6、R7は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。-は結合手を表す。X、Y、Z1、Z2およびZ3は炭素原子または窒素原子を表す。AはX-Z3とともに5員または6員の炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。B0はZ1-Y-Z2とともに5員の含窒素複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。X1-L-X2は二座の配位子を表し、X1、X2は各々独立して、炭素原子、窒素原子、酸素原子、燐原子から選ばれる。LはX1、X2とともに二座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。mは1、2、または3を表し、nは0、1または2を表すが、nは中心金属Mの原子価よりも小さい。nmは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。Z3-M、M-X2において-は共有結合を表し、Z1...M、M...X1において...は配位結合を表す。2.陽極と陰極とを有し、少なくとも1層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、下記一般式2または3で表される化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、前記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。前記一般式4中、R6、R7は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。-は結合手を表す。Z、Z3は炭素原子または窒素原子を表す。Y1およびZ2は一方が炭素原子を表し、もう一方が窒素原子を表す。A1はC-Z3とともに5員または6員の炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。B1はZ2-Y1-Nとともに5員の含窒素複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。B2はZ-N-Cとともに5員の含窒素複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。X1-L-X2は二座の配位子を表し、X1、X2は各々独立して、炭素原子、窒素原子、酸素原子、燐原子から選ばれる。LはX1、X2とともに二座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。mは1、2、または3を表し、nは0、1または2を表すが、nは中心金属Mの原子価よりも小さい。nmは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。Z3-M、M-X2において-は共有結合を表し、C...M、N...M、M...X1において...は配位結合を表す。3.陽極と陰極とを有し、少なくとも1層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、下記一般式2a、2b、3aまたは3bで表される化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、前記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。前記一般式4中、R6、R7は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。Z、Z3、Z4、Z5、Z6は炭素原子または窒素原子を表し、Z4とZ5の少なくとも一方、またはZとZ6の少なくとも一方は窒素原子を表す。Y1、およびZ2は一方が炭素原子を表し、もう一方が窒素原子を表す。A1はC-Z3とともに5員または6員の炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。X1-L-X2は二座の配位子を表し、X1、X2は各々独立して、炭素原子、窒素原子、酸素原子、燐原子から選ばれる。LはX1、X2とともに二座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。mは1、2、または3を表し、nは0、1または2を表すが、nは中心金属Mの原子価よりも小さい。nmは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。Z3-M、M-X2において-は共有結合を表し、C...M、N...M、M...X1において...は配位結合を表す。4.陽極と陰極とを有し、少なくとも1層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、下記一般式2c、2d、3cまたは3dで表される化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする前記3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、前記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。前記一般式4中、R6、R7は水素原子または置換基であり、少なく一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。Y1、およびZ2は一方が炭素原子を表し、もう一方が窒素原子を表す。Z、Z4、Z5、Z6は炭素原子または窒素原子を表し、Z4とZ5の少なくとも一方、またはZとZ6の少なくとも一方は窒素原子を表す。X1-L-X2は二座の配位子を表し、X1、X2は各々独立して、炭素原子、窒素原子、酸素原子、燐原子から選ばれる。LはX1、X2とともに二座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。mは1、2、または3を表し、nは0、1または2を表すが、nは中心金属Mの原子価よりも小さい。nmは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。M-X2において-は共有結合を表し、C...M、N...M、M...X1において...は配位結合を表す。5.前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dで表される化合物において、R1、R2がともに前記一般式4で表わされる基、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基から選ばれる基であることを特徴とする、前記1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。6.前記Mが白金またはイリジウムであることを特徴とする前記1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。7.陽極と陰極とを有し、少なくとも1層の発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が少なくとも1種のホスト化合物と少なくとも1種のゲスト化合物を含有しており、かつ、前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dで表される化合物が該ゲスト化合物として発光層を構成するホスト化合物全体に対して、10質量以上含有されていることを特徴とする前記1~6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。8.発光層にフルオレン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、またはこれらの縮環化合物誘導体を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体を含有することを特徴とする前記1~7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。9.構成層として、前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dのいずれかで表される化合物を少なくとも1種含有する有機層を有し、該有機層がウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする前記1~8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。10.前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dのいずれかで表される化合物を部分構造とする重合体を少なくとも1種を含有することを特徴とする前記1~9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。11.白色発光することを特徴とする前記1~10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。12.前記1~11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。13.前記1~11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。14.前記1~4のいずれか1項に記載の前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dのいずれかで表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。15.前記一般式1、2、3、2a、2b、2c、2d、3a、3b、3cまたは3dのいずれかで表される化合物における置換基のうち、少なくとも一つは重合性の置換基であることを特徴とする前記14記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。本発明により、高輝度発光域2000cd/m2超において、高い発光効率を示し、且つ駆動電圧が低く、発光寿命の長い有機EL素子を提供することができた。また、当該発明者らの検討の結果、本発明により、素子駆動時の駆動電圧の上昇を大幅に低減する事が出来、さらには素子駆動中の発光素子のダークスポット発生も大幅に低減させる事に成功し、有用な有機EL素子を提供することが出来た。また、該素子を用いた高効率な白色発光照明装置、表示装置用の白色発光光源を提供することができた。さらに、生産性の高いウェットプロセスを用いた有機EL素子用に有用な有機EL素子材料を得ることができた。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、請求項1~14のいずれか1項に規定される構成により、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を用いた照明装置及び表示装置を提供することができた。また、本発明者等は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用に有用な有機EL素子材料を分子設計することに成功した。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料は、白色発光素子として高輝度発光域において高い発光効率を発揮するとともに、発光寿命を著しく向上させる事ができた。以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。《金属錯体金属錯体化合物ともいう》本発明に係る金属錯体金属錯体化合物ともいうについて説明する。本発明者等は、有機EL素子の発光層に用いる有機EL素子材料に着目、特に発光ドーパントとして用いる金属錯体化合物について種々検討した。本発明者らは、金属錯体の基本骨格に特定の置換基を導入することで、発光効率の低下原因となる発光ドーパントの励起子の相互作用を抑制し、発光ドーパントへの過剰な電子あるいは正孔の注入による寿命劣化の改善を図るという着目点の下に種々の錯体を検討した。検討の結果、本発明で開示している特定の置換基の導入によって、発光ドーパントへの過剰な電子あるいは正孔の注入を抑制しつつ金属錯体上での電荷の再結合による励起子の生成が促進され、さらに、発光ドーパントの励起子の相互作用を抑制することで、発光効率が向上し、同時に発光素子の発光寿命も延すことができた。さらに、予想外の効果として素子駆動時の駆動電圧の上昇を大幅に低減する事が出来たうえ、さらには発光素子のダークスポットも大幅に低減させる事に成功し、有用な有機EL素子を提供することが出来た。本発明に係る一般式1~3のいずれかで表される遷移金属錯体化合物は、各々Mで表される遷移金属元素の価数により、複数の配位子を有することができるが、前記配位子は全て同一でもよく、また、各々異なる構造を有する配位子を有していてもよい。ここで、配位子とは、一般式1~3のいずれかで表される構造から遷移金属元素Mと副配位子を除いた部分が、各々配位子である。従来公知の配位子また、所謂配位子としては、当該業者が周知の配位子配位化合物ともいうを必要に応じて配位子として併用することができる。本発明に記載の効果を好ましく得る観点からは、錯体中の配位子の種類は、好ましくは1~2種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは1種類である。従来公知の金属錯体に用いられる配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinationCompoundsSpringer-Verlag社H.Yersin著1987年発行、有機金属化学-基礎と応用-裳華房社山本明夫著1982年発行等に記載の配位子例えば、ハロゲン配位子好ましくは塩素配位子、含窒素ヘテロ環配位子例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど、ジケトン配位子なとが挙げられる。元素周期表の8~10族の遷移金属元素本発明に係る、一般式1、2、3のいずれかで表される化合物遷移金属錯体、金属錯体、金属錯体化合物ともいうの形成に用いられる金属としては、元素周期表の8~10族の遷移金属元素単に遷移金属ともいうが用いられるが、中でも、イリジウム、白金が好ましい遷移金属元素として挙げられる。本発明に係る遷移金属錯体の含有層本発明に係る一般式1~3のいずれかで表される遷移金属錯体化合物の含有層としては、電荷を輸送する層電荷輸送層であれば特に制限はないが、正孔輸送層または発光層、発光層または電子阻止層が好ましく、より好ましくは発光層または電子阻止層であり、特に好ましくは発光層である。また、発光層に含有する場合は、発光層中の発光ドーパントとして用いることにより、本発明の有機EL素子の外部取り出し量子効率の効率アップ高輝度化や発光寿命の長寿命化を達成することができる。尚、本発明の有機EL素子の構成層についてのは、後に詳細に説明する。まず、本発明に係る前記一般式1~3のいずれかで表される化合物について説明する。《一般式1~3のいずれかで表される化合物》一般式1~3のいずれかで表される化合物において、R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、前記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。さらに、このアルキル基の炭素原子の内1つ以上が酸素原子、硫黄原子、窒素原子で置き換えられていても良い。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。R6、R7は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。-は結合手を表す。X、Y、Z、Z1、Z2およびZ3は炭素原子または窒素原子を表す。AはX-Z3またはC-Z3とともに5員または6員の炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。A1はC-Z3とともに5員または6員の炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。AまたはA1により形成される6員の炭化水素環としては、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、ベンゼン環などが挙げられる。更に、後述する置換基を有していても良い。AまたはA1により形成される5員または6員の複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環などが挙げられる。AまたはA1により形成される環としては、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリミジン環が好ましく、より好ましくはベンゼン環である。B0はZ1-Y-Z2とともに5員の含窒素複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。B1はN-Y1-Z2とともに5員の含窒素複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。B2はC-N-Zとともに5員の含窒素複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。B0、B1またはB2により形成される5員の含窒素複素環としては、例えば、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。B0、B1またはB2により形成される環としては、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環が好ましく、より好ましいのは、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環である。尚、これらの各環は各々更に、後述する置換基を有していても良い。X1-L-X2は二座の配位子を表し、X1、X2は各々独立して、炭素原子、窒素原子、酸素原子、燐原子から選ばれる。LはX1、X2とともに二座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。mは1、2、または3を表し、nは0、1または2を表すが、nは中心金属Mの原子価よりも小さい。nmは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。Z3-M、M-X2において-は共有結合を表し、Z1...M、N...M、C...M、M...X1において...は配位結合を表す。一般式1~3のいずれかで表される化合物において、R3~R8で各々表される置換基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、シクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等、アルケニル基例えば、ビニル基、アリル基等、アルキニル基例えば、エチニル基、プロパルギル基等、アリール基例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等、ヘテロアリール基例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基例えば、1,2,4-トリアゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基前カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等、複素環基例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等、シクロアルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等、アリールオキシ基例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等、アルキルチオ基例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等、シクロアルキルチオ基例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等、アリールチオ基例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等、アリールオキシカルボニル基例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等、スルファモイル基例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニル基等、アシル基例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2-エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等、アシルオキシ基例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等、アミド基例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2-エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等、カルバモイル基例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2-エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2-ピリジルアミノカルボニル基等、ウレイド基例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド基等、スルフィニル基例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2-ピリジルスルフィニル基等、アルキルスルホニル基例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジルスルホニル基等、アミノ基例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基等、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等、フッ化炭化水素基例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等、ホスホノ基等が挙げられる。これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよく、また、複数の置換基が存在する場合、各々の置換基は同一でも異なっていてもよく、お互いに連結して環を形成しても良い。<好ましい金属錯体の構造>本発明の、前記一般式1、2または3で表される化合物として、より好ましいものは、前記一般式2a、2b、3aまたは3bで表される化合物である。《一般式2a、2b、3aまたは3bのいずれかで表される化合物》本発明に係る一般式2a、2b、3aまたは3bのいずれかで表される化合物について説明する。R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、前記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。さらに、このアルキル基の炭素原子の内1つ以上が酸素原子、硫黄原子、窒素原子で置き換えられていても良い。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。R6、R7は水素原子または置換基であり、少なく一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。Z、Z3、Z4、Z5、Z6は炭素原子または窒素原子を表し、Z4とZ5の少なくとも一方、またはZとZ6の少なくとも一方は窒素原子を表す。Y1、およびZ2は一方が炭素原子を表し、もう一方が窒素原子を表す。A1はC-Z3とともに5員または6員の炭化水素環基または複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。A1により形成される6員の炭化水素環としては、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、ベンゼン環などが挙げられる。更に、後述する置換基を有していても良い。AまたはA1により形成される5員または6員の複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環などが挙げられる。AまたはA1により形成される環としては、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリミジン環が好ましく、より好ましくはベンゼン環である。一般式2aにおいて、N-Y1-Z2とともに形成される5員の含窒素複素環はイミダゾール環、またはピラゾール環である。一般式2bにおいて、N-Y1-Z2とともに形成される5員の含窒素複素環はトリアゾール環である。一般式3aにおいて、N-C-Nとともに形成される5員の含窒素複素環はイミダゾール環である。一般式3bにおいて、N-C-Nとともに形成される5員の含窒素複素環はトリアゾール環である。X1-L-X2は二座の配位子を表し、X1、X2は各々独立して、炭素原子、窒素原子、酸素原子、燐原子から選ばれる。LはX1、X2とともに二座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。mは1、2、または3を表し、nは0、1または2を表すが、nは中心金属Mの原子価よりも小さい。nmは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。C-M、Z3-M、M-X2において-は共有結合を表し、C...M、N...M、M...X1において...は配位結合を表す。一般式2a、2b、3aまたは3bのいずれかで表される化合物において、R3~R8で各々表される置換基としては、一般式1~3のいずれかで表される化合物において、置換基として示したものと同じものが挙げられる。<より好ましい金属錯体の構造>本発明の、前記一般式1、2または3で表される化合物として、より好ましいものは、前記一般式2c、2d、3cまたは3dで表される化合物である。《一般式2c、2d、3cまたは3dのいずれかで表される化合物》本発明に係る一般式2c、2d、3cまたは3dのいずれかで表される化合物について説明する。R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、前記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。さらに、このアルキル基の炭素原子の内1つ以上が酸素原子、硫黄原子、窒素原子で置き換えられていても良い。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。R6、R7は水素原子または置換基であり、少なく一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。Z、Z3、Z4、Z5、Z6は炭素原子または窒素原子を表し、Z4とZ5の少なくとも一方、またはZとZ6の少なくとも一方は窒素原子を表す。Y1、およびZ2は一方が炭素原子を表し、もう一方が窒素原子を表す。一般式2cにおいて、N-Y1-Z2とともに形成される5員の含窒素複素環はイミダゾール環、またはピラゾール環である。一般式2dにおいて、N-Y1-Z2とともに形成される5員の含窒素複素環はトリアゾール環である。一般式3cにおいて、N-C-Nとともに形成される5員の含窒素複素環はイミダゾール環である。一般式3dにおいて、N-C-Nとともに形成される5員の含窒素複素環はトリアゾール環である。X1-L-X2は二座の配位子を表し、X1、X2は各々独立して、炭素原子、窒素原子、酸素原子、燐原子から選ばれる。LはX1、X2とともに二座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表す。mは1、2、または3を表し、nは0、1または2を表すが、nは中心金属Mの原子価よりも小さい。nmは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。C-M、M-X2において-は共有結合を表し、C...M、N...M、M...X1において...は配位結合を表す。一般式2c、2d、3cまたは3dのいずれかで表される化合物において、R3~R8で各々表される置換基としては、一般式1~3のいずれかで表される化合物において、置換基として示したものと同じものが挙げられる。《本発明の特定の置換基》本発明においては、一般式1、2、または3で表される化合物の置換基として、下記一般式5で表される置換基を有することで発明の目的を達成することができる。R1、R2は水素原子または置換基であり、少なくとも一方は、前記一般式4で表わされる基であるか、あるいは、α-位よりも先に前記一般式4で表わされる基を有するアルキル基であるか、あるいは、α-位よりも先に分岐構造または環状構造を有する炭素数4以上のアルキル基であり、さらにR1とR2の合計の原子数が5以上である。さらに、このアルキル基の炭素原子の内1つ以上が酸素原子、硫黄原子、窒素原子で置き換えられていても良い。R3は置換基を表し、aは0または1~3の整数を表す。aが2または3の時R3は互いに同じであっても異なっていても良い。R4は置換基を表し、bは0または1~4の整数を表す。bが2、3または4の時R4は互いに同じであっても異なっていても良い。R5は置換基を表し、cは0または1~2の整数を表す。cが2の時R5は互いに同じであっても異なっていても良い。R6、R7は水素原子または置換基であり、少なく一方は置換基である。R8は置換基を表し、dは0または1~3の整数を表す。dが2または3の時R8は互いに同じであっても異なっていても良い。一般式4、または5のいずれかで表される部分構造において、R3~R8で各々表される置換基としては、一般式1~3のいずれかで表される化合物において、置換基として示したものと同じものが挙げられる。以下に、一般式5で表される置換基の例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。《重合性の置換基》一般式1~3のいずれかで表される化合物において、R1~R5で各々表される置換基は、前述のアルケニル基以外にもスチリル基、エポキシ基、オキセタニル基、アクリル基、メタクリル基等の重合性基を有していても良い。更に、一般式1~3のいずれかで表される化合物は前記重合性基同士、もしくは他の重合性モノマーと反応して重合体を形成することが出来る。複数の一般式1~3のいずれかで表される部分構造が重合体中に存在する場合、各々の一般式1~3のいずれかで表される部分構造は同一でも異なっていても良い。<一般式1~3のいずれかで表される化合物の重合方法>一般式1~3のいずれかで表される化合物の重合体ポリマーは改訂高分子合成の化学化学同人高分子合成の実験法化学同人第4版実験化学講座28高分子合成丸善等に記載の方法を用いて合成することが出来る。好ましい重合方法としては1重縮合、2ラジカル重合、3イオン重合、4重付加、付加縮合等が挙げられ、重合性基の種類によって使い分けることが可能である。一般式1~3のいずれかで表される化合物の重合体は上記方法を用い、ホモポリマーとすることも可能であり、複数のモノマーと組み合わせたコポリマーとすることも可能である。前記一般式1~3において、X1-L-X2は2座の配位子を表し、X1、X2は各々独立に炭素原子、窒素原子、酸素原子または燐原子から選ばれる。LはX1、X2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。X1-L1-X2で表される2座の配位子の具体例としては、置換または無置換のフェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾールなどのオルトメタル化可能な配位子、1,3-ジフェニルイミダゾリウムカルベンなどのカルベン配位子、ピラザボール、ビピリジンなどの配位性窒素のみからなる配位子、アセチルアセトンなどのβジケト化合物、ピコリン酸などの配位性窒素と酸素酸基を有する配位子、等が挙げられる。mは1、2または3の整数を表し、nは0、1または2の整数を表すが、mnは2または3であり、これは中心金属Mの配位数の半分に等しい。nは0または1が好ましい。以下にX1-L-X2で表わされる2座の配位子の例を示すが本発明はこれに限定されない。配位子は金属Mに結合している形で示した。以下、本発明に係る前記一般式1~3で表される化合物金属錯体、金属錯体化合物ともいうの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの金属錯体は、例えば、OrganicLetter誌、vol3、No.16、2579~2581頁2001、InorganicChemistry,第30巻、第8号、1685~1687頁1991年、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁2001年、InorganicChemistry,第40巻、第7号、1704~1711頁2001年、InorganicChemistry,第41巻、第12号、3055~3066頁2002年、NewJournalofChemistry.,第26巻、1171頁2002年、OrganicLetter誌、vol8、No.3、415~418頁2006、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。以下に、本発明に係る金属錯体の合成例を示すが、本発明はこれらに限定されない。以下に、代表的な化合物の合成例を示す。例示化合物A-57の合成Step1:1-2,6-ジブロモフェニル-1H-イミダゾールの合成500mlの四頭フラスコに2,6-ジブロモアニリン62.7g250mmol、メタノール100mlを入れ、冷却管を取り付けた。この中に、攪拌しながらグリオキザール水溶液4036.3ml250mmolを添加し、室温で2時間攪拌した。グリオキザールを添加すると反応液は黄色に変わり、間も無く黄色沈殿が多量に析出して若干発熱し、内温は35°C程度まで上がった後、室温に戻った。2時間攪拌後、塩化アンモニウム26.7g500mmol、ホルムアルデヒド水溶液3819.7ml250mmol、メタノール200mlを加えて過熱を開始し、1時間環流下に反応した。ここに、りん酸29.4g300mmolを滴下し、さらに3時間環流下に反応した。反応後は放冷し一晩静置した。反応液をナス型コルベンに移しメタノールを減圧濃縮によって除去した。濃縮した反応液に氷冷水400mlを加え溶解した。この中に、水酸化カリウム500mmolの100ml水溶液をゆっくりと加えて中和した。pH5程度から結晶の析出が始まった。水酸化カリウム水溶液を全量添加したところでpHは7程度だった。さらに、炭酸カリウム水溶液でpH8に調整した。析出した結晶をろ過し水で十分に洗浄した。60°Cの乾燥器で1昼夜乾燥した後、ヘキサン100mlで2度懸濁しヘキサン可溶物を溶解除去した。懸濁液をろ過し、ヘキサンで洗浄した後、60°Cの乾燥器で1昼夜乾燥し、1-2,6-ジブロモフェニル-1H-イミダゾール49.0g収率65を得た。Step2:1-2,2′′,6,6′′-テトラメチル-[1,1′:3′,1′′-ターフェニル]-2′-イル-1H-イミダゾールの合成2000mlの四頭フラスコに窒素雰囲気下で1-2,6-ジブロモフェニル-1H-イミダゾール45.3g150mmol、2,6-ジメチルフェニルボロン酸54.0g360mmol、トルエン1200mlを入れ、冷却管を取り付けた。これに、炭酸カリウム110g800mmolを添加し、1時間ほど窒素ガスを吹き込んで窒素置換した。次いで、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0錯体10.4g9mmolを添加し、10時間加熱環流下に反応した。反応液は室温まで冷却後、不溶物をろ過除去し、次いで塩水で中性まで洗浄後に減圧濃縮した。濃縮した後に得られた組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン:酢酸エチル=90:10~70:30によって精製し、1-2,2′′,6,6′′-テトラメチル-[1,1′:3′,1′′-ターフェニル]-2′-イル-1H-イミダゾール23.8g収率45を得た。Step3:2-ブロモ-1-2,2′′,6,6′′-テトラメチル-[1,1′:3′,1′′-ターフェニル]-2′-イル-1H-イミダゾールの合成300mlの四頭フラスコに窒素雰囲気下で1-2,2′′,6,6′′-テトラメチル-[1,1′:3′,1′′-ターフェニル]-2′-イル-1H-イミダゾール21.2g60mmol、脱水テトラヒドロフラン100mlを入れ、攪拌溶解したのち、ドライアイスーアセトン浴にて内温-70°Cまで冷却した。ここに、n-ブチルリチウムのヘキサン溶液2.6M24.2ml63mmolを内温-60°C以下で1時間かけて滴下し、滴下終了後さらに-60°C以下で1時間反応した。次いで、臭素63mmolを内温-60°C以下で1時間かけて滴下し、さらに30分間反応した。その後、冷却浴をはずして室温までゆっくりと昇温した。内温20°Cになったところで、塩水で洗浄後に減圧濃縮した。濃縮した後に得られた組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン:酢酸エチル=90:10~70:30によって精製し、2-ブロム1-2,2′′,6,6′′-テトラメチル-[1,1′:3′,1′′-ターフェニル]-2′-イル-1H-イミダゾール17.6g収率68を得た。Step4:2-フェニル-1-2,2′′,6,6′′-テトラメチル-[1,1′:3′,1′′-ターフェニル]-2′-イル-1H-イミダゾールの合成500mlの四頭フラスコに窒素雰囲気下で2-ブロモ1-2,6-ジブロモフェニル-1H-イミダゾール17.3g40mmol、フェニルボロン酸6.1g50mmol、トルエン300mlを入れ、冷却管を取り付けた。これに、炭酸カリウム13.8g100mmolを添加し、1時間ほど窒素ガスを吹き込んで窒素置換した。次いで、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0錯体3.0g2.6mmolを添加し、10時間加熱環流下に反応した。反応液は室温まで冷却後、不溶物をろ過除去し、次いで塩水で中性まで洗浄後に減圧濃縮した。濃縮した後に得られた組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン:酢酸エチル=90:10~70:30によって精製し、2-フェニル-1-2,2′′,6,6′′-テトラメチル-[1,1′:3′,1′′-ターフェニル]-2′-イル-1H-イミダゾール9.4g収率55を得た。Step5:錯体Aの合成窒素雰囲気下で2-フェニル-1-2,2′′,6,6′′-テトラメチル-[1,1′:3′,1′′-ターフェニル]-2′-イル-1H-イミダゾール1.07g2.5mmolを2-エトキシエタノール12mlに溶解した溶液に、塩化イリジウム3水和物、350mg1.0mmol及び4mlの水を加え、窒素雰囲気下で5時間還流した。反応液を冷却し、メタノール15mlを加え、析出した結晶を濾取した。得られた結晶を更にメタノールで洗浄し、乾燥後780mg収率72の錯体Aを得た。Step6:錯体Bの合成窒素雰囲気下で錯体A、740mg0.36mmol及び炭酸ナトリウム、2.0gを2-エトキシエタノール30mlに懸濁させた。この懸濁液にアセチルアセトン0.5g5.0mmolを加え、窒素雰囲気下で5時間還流した。反応液を冷却後、減圧濾過によって固形物を濾取した。次いで炭酸ナトリウム及び無機塩を水洗で除去すると、レモンイエローの結晶として錯体Bが得られた。得られた結晶を更にメタノール/水=1/1混合溶液で洗浄し、乾燥後495mg収率60の錯体Bを得た。Step7:例示化合物A-57の合成窒素雰囲気下で錯体B、490mg0.43ミリモル及びで2-フェニル-1-2,2′′,6,6′′-テトラメチル-[1,1′:3′,1′′-ターフェニル]-2′-イル-1H-イミダゾール515mg1.2ミリモルをエチレングリコール30mlに懸濁させた。窒素雰囲気下に反応温度180~190°Cの間で2時間反応させ、錯体Bの消失を確認したところで反応終了とした。反応液を冷却し、メタノール30mlを加え、析出した結晶を濾取した。得られた結晶を更にメタノールで洗浄し、乾燥後収量540mg収率85の粗生成物を得た。この粗生成物を少量のヘキサン-テトラヒドロフラン=1:1に溶解し、シカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン-テトラヒドロフラン=1:1によって精製し505mg収率80の例示化合物A-57を得た。精製した化合物が目的物であることをMASS、1H-NMRにより確認した。1H-NMR400MHz、重水素化塩化メチレンケミカルシフトδ,ピーク形状,プロトン数:δ=2.10s,18H,CH3-,2.20s,18H,CH3-,7.10d,3H,イミダゾール環の>CH,7.18d,3H,イミダゾール環の>CH,7.1~7.4m,9H,ジキシリルベンゼン環の>CH,7.4~7.6m,18H,キシリル環の>CH,7.25m,3H,ベンゼン環の>CH,7.45m,3H,ベンゼン環の>CH,7.65m,3H,ベンゼン環の>CH,7.75m,3H,ベンゼン環の>CH日立製作所製F-4500を用いて測定した例示化合物A-57の溶液におけるPL発光極大波長は、458nmT=77K、2-メチルテトラヒドロフラン中、464nm室温、塩化メチレン中であった。本発明のその他の化合物も上記の合成例と同様の合成方法を用い、適切な原料を用いることで収率良く合成することができる。《有機EL素子の構成層》本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。i陽極/発光層/電子輸送層/陰極ii陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極iii陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極iv陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極v陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極本発明の有機EL素子においては、青色発光層の発光極大波長は430nm~480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510nm~550nm、赤色発光層は発光極大波長が600nm~640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。《発光層》本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm~5μmの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは2nm~200nmの範囲に調整され、特に好ましくは、10nm~20nmの範囲である。発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により成膜して形成することができる。本発明の有機EL素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパントリン光ドーパントリン光発光性ドーパントともいうや蛍光ドーパント等の少なくとも1種類とを含有することが好ましい。ホスト化合物発光ホスト等ともいう本発明に用いられるホスト化合物について説明する。ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が20以上であり、且つ室温25°Cにおいてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20以上であることが好ましい。ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で併用してもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子をさらに高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。また、本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物蒸着重合性発光ホストでもよく、このような化合物を1種または複数種用いても良い。以下に、本発明に好ましく用いられるホスト化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tgガラス転移温度である化合物が好ましい。公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。特開2001-257076号公報、同2002-308855号公報、同2001-313179号公報、同2002-319491号公報、同2001-357977号公報、同2002-334786号公報、同2002-8860号公報、同2002-334787号公報、同2002-15871号公報、同2002-334788号公報、同2002-43056号公報、同2002-334789号公報、同2002-75645号公報、同2002-338579号公報、同2002-105445号公報、同2002-343568号公報、同2002-141173号公報、同2002-352957号公報、同2002-203683号公報、同2002-363227号公報、同2002-231453号公報、同2003-3165号公報、同2002-234888号公報、同2003-27048号公報、同2002-255934号公報、同2002-260861号公報、同2002-280183号公報、同2002-299060号公報、同2002-302516号公報、同2002-305083号公報、同2002-305084号公報、同2002-308837号公報等。発光ドーパント本発明に係る発光ドーパントについて説明する。本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント蛍光性化合物ともいう、リン光ドーパントリン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいうを用いることができるが、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点からは、本発明の有機EL素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント単に、発光材料ということもあるとしては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。リン光ドーパント本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温25°Cにてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25°Cにおいて0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁1992年版、丸善に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率0.01以上が達成されればよい。リン光ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。リン光ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。本発明に係るリン光ドーパントは、好ましくは元素の周期表で8~10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物白金錯体系化合物、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。本発明に係るリン光ドーパントとして用いられる化合物としては、上記の本発明に係る一般式1~3のいずれかで表される遷移金属錯体化合物が好ましい。また、以下に示すような従来公知の発光ドーパントを併用してもよい。蛍光ドーパント蛍光性化合物ともいう蛍光ドーパント蛍光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。《注入層:電子注入層、正孔注入層》注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第2編第2章電極材料123~166頁に詳細に記載されており、正孔注入層陽極バッファー層と電子注入層陰極バッファー層とがある。陽極バッファー層正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリンエメラルディンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。陰極バッファー層電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm~5μmの範囲が好ましい。《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11-204258号公報、同11-204359号公報、及び有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の237頁等に記載されている正孔阻止ホールブロック層がある。正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたカルバゾール誘導体、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭素原子のいずれかひとつが窒素原子で置き換わったものを示すを含有することが好ましい。また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO最高被占分子軌道レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。1米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98Gaussian98、RevisionA.11.4,M.J.Frisch,etal,Gaussian,Inc.,PittsburghPA,2002.を用い、キーワードとしてB3LYP/6-31Gを用いて構造最適化を行うことにより算出した値eV単位換算値の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。2イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置ModelAC-1を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3nm~100nmであり、更に好ましくは5nm~30nmである。《正孔輸送層》正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル;N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPD;2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン;N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサン;ビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン;ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルフェニルメタン;N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ4-メトキシフェニル-4,4′-ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル;4,4′-ビスジフェニルアミノクオードリフェニル;N,N,N-トリp-トリルアミン;4-ジ-p-トリルアミノ-4′-4-ジ-p-トリルアミノスチリルスチルベン;4-N,N-ジフェニルアミノ-2-ジフェニルビニルベンゼン;3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン;N-フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′-ビスN-1-ナフチル-N-フェニルアミノビフェニルNPD、特開平4-308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA等が挙げられる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型-Si、p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、特開平11-251067号公報、J.Huanget.al.著文献AppliedPhysicsLetters802002,p.139に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5nm~200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。《電子輸送層》電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねるとしては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス8-キノリノールアルミニウムAlq、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5nm~200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、同10-270172号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。《陽極》有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm~1000nm、好ましくは10nm~200nmの範囲で選ばれる。《陰極》一方、陰極としては仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50nm~200nmの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1nm~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。《支持基板》本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板以下、基体、基板、基材、支持体等とも言うとしては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートCAP、セルロースアセテートフタレートTAC、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホンPES、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン商品名JSR社製あるいはアペル商品名三井化学社製といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度25±0.5°C、相対湿度90±2RHが0.01g/m224h以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10-3ml/m224hatm以下、水蒸気透過度が、10-5g/m224h以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004-68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1以上であることが好ましく、より好ましくは5以上である。ここに、外部取り出し量子効率=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。《封止》本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。具体的には、ガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、JISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/m224hatm以下、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度25±0.5°C、相対湿度90±2RHが、1×10-3g/m224h以下のものであることが好ましい。封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2-シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型二液混合を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80°Cまでに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等、硫酸塩例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等、金属ハロゲン化物例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等、過塩素酸類例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。《保護膜、保護板》有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。《光取り出し》有機EL素子は空気よりも屈折率の高い屈折率が1.7~2.1程度層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15から20程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面透明基板と空気との界面に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法米国特許第4,774,435号明細書、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法特開昭63-314795号公報、素子の側面等に反射面を形成する方法特開平1-220394号公報、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法特開昭62-172691号公報、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法特開2001-202827号公報、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法特開平11-283751号公報等がある。本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5~1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中透明基板内や透明電極内に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中透明基板内や透明電極内でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2~3倍程度が好ましい。回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。《集光シート》本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm~100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルムBEF等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、株きもと製拡散フィルムライトアップ等を用いることができる。《有機EL素子の作製方法》本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極からなる有機EL素子の作製法を説明する。まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm~200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。次に、この上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物薄膜を形成させる。これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセススピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。本発明に係る有機EL材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは、50nm~200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を、陰極を-の極性として電圧2~40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。《用途》本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置家庭用照明、車内照明、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、新編色彩科学ハンドブック日本色彩学会編、東京大学出版会、1985の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング社製で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、実施例において用いられる化合物の構造を下記に示す。実施例1《青色発光有機EL素子1-1の作製》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm成膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα-NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてH-1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに比較化合物E-1を100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α-NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明支持基板に蒸着し、膜厚40nmの正孔輸送層を設けた。更に、H-1と比較化合物E-1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚40nmの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。更に、BAlqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止層を設けた。その上に、更に、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して更に膜厚40nmの電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。次に、電子輸送層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム110nmを蒸着、成膜して陰極を形成し、有機EL素子1-1を作製した。《有機EL素子1-2~1-48の作製》有機EL素子1-1の作製において、発光層のホスト化合物であるH-1、ドーパント化合物である比較化合物E-1を表1、2に示す化合物に置き換え、表1、2記載のドーピング濃度となるように蒸着速度を調整した以外は同様にして、有機EL素子1-2~1-48を作製した。《有機EL素子の評価》得られた有機EL素子1-1~1-48を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面陰極側を、厚み300μmのガラス基板を封止用ガラスカバーとして用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤東亞合成社製ラックストラックLC0629Bを適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラスカバー側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図1、図2に示すような照明装置を形成して評価した。図1は照明装置の概略図を示し、有機EL素子101はガラスカバー102で覆われているなお、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス純度99.999以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で行った。図2は照明装置の断面図を示し、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。外部取り出し量子効率、駆動電圧各有機EL素子を室温約23~25°C、初期輝度1000cd/m2、2000cd/m2、4000cd/m2を与える電流で定電流駆動して、点灯開始直後の駆動電流[mA]を測定することにより、外部取り出し量子効率ηを算出した。ここで、発光輝度の測定はCS-1000コニカミノルタセンシング製を用いた。また、同時に点灯開始直後の駆動電圧を測定した。半減寿命下記に示す測定法に従って、半減寿命の評価を行った。各有機EL素子を室温約23~25°C、初期輝度1000cd/m2、2000cd/m2、4000cd/m2を与える電流で定電流駆動して、初期輝度の1/2それぞれ、500cd/m2、1000cd/m2、2000cd/m2になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。駆動電圧上昇半減寿命の評価を行った素子について、輝度半減時の駆動電圧を測定し、評価開始時の駆動電圧との差を求め駆動電圧上昇とした。ダークスポット各有機EL素子を室温下、初期輝度1000cd/m2、2000cd/m2、4000cd/m2を与える電流で定電流駆動して連続点灯を行った際の発光面を目視で評価した。無作為に抽出した10人による目視評価で連続点灯時間10時間経過後の各素子において×:ダークスポットを確認した人数が5人以上の場合△:ダークスポットを確認した人数が1-4人の場合○:ダークスポットを確認した人数が0人の場合とした。CIE各有機EL素子の2000cd/m2での発光を測定しCIE色度値を算出した。ここで、色度の測定はCS-1000コニカミノルタセンシング製を用いた。以上の評価結果を表1、2に示す。表1、2から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、外部取り出し量子効率が高く、駆動電圧も低い、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、半減寿命評価後の駆動電圧の上昇が抑えられ、ダークスポットの生成も抑えられていることもわかる。特に、高濃度にドーピングしたさいに、高輝度発光時の効率が向上し、さらに高輝度駆動時の発光寿命の改善がみられる。実施例2《白色発光素子及び白色照明装置の作製-2》《白色発光有機EL素子2-1》実施例1の透明電極基板の電極を50mm×50mmにパターニングし、その上に実施例1と同様に正孔輸送層としてα-NPDを25nmの厚さで成膜し、更に、H-4の入った前記加熱ボートと比較化合物E-1の入ったボート及びIr-9の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるH-4と発光ドーパントとして比較化合物E-1、及びIr-9の蒸着速度が100:6:0.6になるように調節し、膜厚30nmの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。次いで、BAlqを10nm成膜して正孔阻止層を設けた。更に、Alq3を40nmで成膜し電子輸送層を設けた。次に、実施例1と同様に電子輸送層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム150nmを蒸着、成膜した。《有機EL素子2-2~2-33の作製》有機EL素子2-1の作製において、発光層のホスト化合物であるH-4、ドーパント化合物であるIr-9および比較化合物E-1の中、H-4及びE-1を表3、4に示す化合物に置き換え、Ir-9は一定とし、表3、4記載のドーピング濃度となるように蒸着速度を調整した以外は同様にして、有機EL素子2-2~2-33を作製した。《有機EL素子の評価》得られた有機EL素子2-1~2-33を評価するに際しては、実施例1と同様にして白色照明装置を作製し、同様の評価を行った。評価結果を表3、4に示す。表3、4から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、外部取り出し量子効率が高く、駆動電圧も低い、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、半減寿命評価後の駆動電圧の上昇が抑えられ、ダークスポットの生成も抑えられていることもわかる。特に、高濃度にドーピングしたさいに、高輝度発光時の効率が向上し、さらに高輝度駆動時の発光寿命の改善がみられる。特に、白色発光素子においては上記の効果が大きい。実施例3《白色発光素子及び白色照明装置の作製-2》《白色発光有機EL素子3-1》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA-45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSS、Bayer社製、BaytronPAl4083を純水で70に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により製膜した後、200°Cにて1時間乾燥し、膜厚30nmの第1正孔輸送層を設けた。この基板を窒素雰囲気下に移し、第1正孔輸送層上に、50mgの化合物Dを10mlのトルエンに溶解した溶液を1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。180秒間紫外光を照射し、光重合架橋を行った後、60°Cで1時間真空乾燥し第2正孔輸送層とした。次に、化合物E60mg、E-13.6mg、Ir-140.2mgをトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。15秒間紫外光を照射し、光重合架橋を行わせ、さらに真空中150°Cで1時間加熱を行い、発光層とした。更に、化合物F20mgをトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。15秒間紫外光を照射し、光重合架橋を行わせ、さらに真空中80°Cで1時間加熱を行い、正孔阻止層とした。続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して、更に膜厚40nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続き、実施例1と同様にしてフッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、白色発光有機EL素子3-1を作製した。《有機EL素子3-2~3-30の作製》有機EL素子3-1の作製において、発光層のホスト化合物である化合物E、ドーパント化合物であるIr-14および比較化合物E-1の中、化合物Eおよび比較化合物E-1を表5に示す化合物に置き換え、Ir-14は一定とし、表5記載のドーピング濃度となるように塗布濃度を調整した以外は同様にして、有機EL素子3-2~3-30を作製した。《有機EL素子の評価》得られた有機EL素子3-1~3-30を評価するに際しては、実施例1と同様にして白色照明装置を作製し、同様の評価を行った。評価結果を表5に示す。表5から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、外部取り出し量子効率が高く、駆動電圧も低い、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、半減寿命評価後の駆動電圧の上昇が抑えられ、ダークスポットの生成も抑えられていることもわかる。特に、高濃度にドーピングしたさいに、高輝度発光時の効率が向上し、さらに高輝度駆動時の発光寿命の改善がみられる。特に、白色発光素子においては上記の効果が大きい。実施例4《白色発光素子及び白色照明装置の作製-3》《白色発光有機EL素子4-1》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA-45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSS、Bayer社製、BaytronPAl4083を純水で70に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により製膜した後、200°Cにて1時間乾燥し、膜厚30nmの第1正孔輸送層を設けた。この基板を窒素雰囲気下に移し、第1正孔輸送層上に、50mgの化合物Dを10mlのトルエンに溶解した溶液を1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。180秒間紫外光を照射し、光重合架橋を行った後、60°Cで1時間真空乾燥し第2正孔輸送層とした。次に、化合物E60mg、比較化合物E-13.6mg、Ir-140.2mgをトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。15秒間紫外光を照射し、光重合架橋を行わせ、さらに真空中150°Cで1時間加熱を行い、発光層とした。更に、化合物F20mgをトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。15秒間紫外光を照射し、光重合架橋を行わせ、さらに真空中80°Cで1時間加熱を行い、正孔阻止層とした。続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して、さらに膜厚40nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続き、実施例1と同様にしてフッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子4-1を作製した。《有機EL素子4-2~4-27の作製》有機EL素子4-1の作製において、発光層のホスト化合物である化合物E、ドーパント化合物であるIr-14および比較化合物E-1を表6に示す化合物に置き換え、Ir-14は一定とし、表6記載のドーピング濃度となるように塗布濃度を調整した以外は同様にして、有機EL素子4-2~4-27を作製した。《有機EL素子の評価》得られた有機EL素子4-1~4-27を評価するに際しては、実施例1と同様にして照明装置を作製し、同様の評価を行った。評価結果を表6に示す。表6から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、外部取り出し量子効率が高く、駆動電圧も低い、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、半減寿命評価後の駆動電圧の上昇が抑えられ、ダークスポットの生成も抑えられていることもわかる。特に、高濃度にドーピングしたさいに、高輝度発光時の効率が向上し、さらに高輝度駆動時の発光寿命の改善がみられる。特に、白色発光素子においては上記の効果が大きい。"