シリコン基板の一面に不純物を接触させた状態で、前記シリコン基板の他面側からシリコン基板を透過する赤外レーザ光を照射する第1段階と、前記赤外レーザ光を前記シリコン基板と前記不純物との界面領域に集光させて前記シリコン基板を加熱する第2段階と、前記不純物を前記シリコン基板内にドーピングする第3段階と、を行なうことを特徴とするレーザードーピング方法。前記不純物を挟んで前記シリコン基板とは反対側に可視光を透過する透明基板を設けたことを特徴とする請求項1記載のレーザードーピング方法。前記1段階は、シリコン基板に対する吸収率が最も高い波長帯の赤外レーザ光を照射した後、シリコン基板に対する透過率の最も高い波長帯の赤外レーザ光を照射することを特徴とする請求項1又は2記載のレーザードーピング方法。前記3段階は、前記透明基板側から該透明基板を透過して前記不純物に可視光波長帯のレーザ光を照射することを特徴とする請求項2記載のレーザードーピング方法。前記透明基板には、前記赤外レーザ光の照射目標位置となる基準マークが形成されており、前記基準マークを前記透明基板側から検出し、その位置情報に基づいて前記シリコン基板に対する前記赤外レーザ光の照射位置を調整する、ことを特徴とする請求項2記載のレーザードーピング方法。シリコン基板の一面に不純物を接触させた状態で、前記シリコン基板の他面側からシリコン基板を透過する赤外レーザ光を照射して、前記不純物を前記シリコン基板内にドーピングするレーザードーピング装置であって、可視光を透過する透明基板からなり、上面に前記不純物を介在させた状態で前記シリコン基板を保持するステージと、前記ステージに対向して設けられ、前記赤外レーザ光を前記シリコン基板と前記不純物との界面領域に集光させる集光手段と、前記赤外レーザ光を前記集光手段に照射するレーザ光学系と、を備えたことを特徴とするレーザードーピング装置。前記ステージには、前記シリコン基板に予め設定されたドーピング位置に対応して前記赤外レーザ光の照射目標位置となる基準マークが形成されており、さらに、前記ステージの下方に設けられ、前記ステージを透過して前記基準マークを撮影する撮像手段と、前記撮像手段により撮影して検出された前記基準マークの位置情報に基づいて前記集光手段と前記ステージとを相対的に平行移動し、前記集光手段と前記シリコン基板との位置合わせをするアライメント機構と、を備えたことを特徴とする請求項6記載のレーザードーピング装置。しかし、このような従来のレーザードーピング方法においては、半導体の表面に塗布されたドーパントである不純物の層側からレーザ光を照射するものであったので、大きなレーザエネルギーによって不純物が飛散してしまい、不純物のドーピングができなかったり、ドーピング効率が悪くなったりするという問題があった。そこで、本発明は、このような問題点に対処し、不純物の飛散を抑止すると共に効率のよいドーピングを実施しようとするレーザードーピング方法及びレーザードーピング装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明によるレーザードーピング方法は、シリコン基板の一面に不純物を接触させた状態で、前記シリコン基板の他面側からシリコン基板を透過する赤外レーザ光を照射する第1段階と、前記赤外レーザ光を前記シリコン基板と前記不純物との界面領域に集光させて前記シリコン基板を加熱する第2段階と、前記不純物を前記シリコン基板内にドーピングする第3段階と、を行なうものである。このような構成により、シリコン基板の一面に不純物を接触させた状態で、シリコン基板の他面側からシリコン基板を透過する赤外レーザ光を照射し、赤外レーザ光をシリコン基板と不純物との界面領域に集光させてシリコン基板を加熱し、不純物をシリコン基板内にドーピングする。また、前記不純物を挟んで前記シリコン基板とは反対側に可視光を透過する透明基板を設けたものである。これにより、不純物を挟んでシリコン基板とは反対側に設けた可視光を透過する透明基板により、不純物の飛散をより抑止する。さらに、前記1段階は、シリコン基板に対する吸収率が最も高い波長帯の赤外レーザ光を照射した後、シリコン基板に対する透過率の最も高い波長帯の赤外レーザ光を照射するものである。これにより、シリコン基板の上記他面側から赤外レーザ光を照射する際に、シリコン基板に対する吸収率が最も高い波長帯の赤外レーザ光を照射し、その後、シリコン基板に対する透過率の最も高い波長帯の赤外レーザ光を照射する。さらにまた、前記3段階は、前記透明基板側から該透明基板を透過して前記不純物に可視光波長帯のレーザ光を照射するものである。これにより、シリコン基板の上記他面側から赤外レーザ光を照射した後、透明基板側から該透明基板を透過して不純物に可視光波長帯のレーザ光を照射する。また、本発明によるレーザードーピング装置は、シリコン基板の一面に不純物を接触させた状態で、前記シリコン基板の他面側からシリコン基板を透過する赤外レーザ光を照射して、前記不純物を前記シリコン基板内にドーピングするレーザードーピング装置であって、可視光を透過する透明基板からなり、上面に前記不純物を介在させた状態で前記シリコン基板を保持するステージと、前記ステージに対向して設けられ、前記赤外レーザ光を前記シリコン基板と前記不純物との界面領域に集光させる集光手段と、前記赤外レーザ光を前記集光手段に照射するレーザ光学系と、を備えたものである。このような構成により、可視光を透過する透明基板からなるステージにより、その上面に不純物を介在させた状態でシリコン基板を保持し、レーザ光学系によりシリコン基板を透過する赤外レーザ光をステージに対向して設けられた集光手段に照射し、集光手段によりシリコン基板の不純物に接触した面とは反対側の他面側から赤外レーザ光を照射してシリコン基板と不純物との界面領域に集光させ、不純物をシリコン基板内にドーピングする。さらに、前記ステージには、前記シリコン基板に予め設定されたドーピング位置に対応して前記赤外レーザ光の照射目標位置となる基準マークが形成されており、さらに、前記ステージの下方に設けられ、前記ステージを透過して前記基準マークを撮影する撮像手段と、前記撮像手段により撮影して検出された前記基準マークの位置情報に基づいて前記集光手段と前記ステージとを相対的に平行移動し、前記集光手段と前記シリコン基板との位置合わせをするアライメント機構と、を備えたものである。これにより、撮像手段によりステージを透過して、シリコン基板に予め設定されたドーピング位置に対応してステージに設けられた赤外レーザ光の照射目標位置となる基準マークを撮影し、検出された基準マークの位置情報に基づいてアライメント機構により集光手段とステージとを相対的に平行移動して集光手段とシリコン基板との位置合わせをする。請求項1に係るレーザードーピング方法の発明によれば、シリコン基板を透過させてシリコン基板と不純物との境界領域に赤外レーザ光を集光するようにしているので、不純物の飛散を抑止することができる。また、先にシリコン基板側を加熱し、その後不純物を加熱することができるので、効率のよいドーピングを行なうことができる。また、請求項2に係る発明によれば、不純物の飛散をより抑止することができる。したがって、不純物のドーピングをより効率よく行なうことができる。さらに、請求項3に係る発明によれば、シリコン基板をより効率よく加熱して不純物のドーピングを行なうことができる。さらにまた、請求項4に係る発明によれば、可視光レーザ光の波長を適宜選択してドーピング深さを制御することができる。そして、請求項5に係る発明によれば、透明基板に設けた基準マークを検出してシリコン基板に対する赤外レーザ光の照射位置を調整することができ、シリコン基板に予め設定されたドーピング領域に対するドーピングの位置精度を向上することができる。また、請求項6に係るレーザードーピング装置の発明によれば、シリコン基板を透過させてシリコン基板と不純物との境界領域に赤外レーザ光を集光するようにしているので、不純物の飛散を抑止することができる。また、先にシリコン基板側を加熱し、その後不純物を加熱することができるので、効率のよいドーピングを行なうことができる。さらに、請求項7に係る発明によれば、ステージに設けた基準マークを検出してシリコン基板に対する赤外レーザ光の照射位置を調整することができ、シリコン基板に予め設定されたドーピング領域に対するドーピングの位置精度を向上することができる。以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明によるレーザードーピング装置の第1の実施形態を示す正面図である。このレーザードーピング装置は、シリコン基板の一面に不純物を接触させた状態で、シリコン基板の他面側からシリコン基板を透過する赤外レーザ光を照射して、不純物をシリコン基板内にドーピングするもので、ステージ1と、レーザ光学系2と、集光手段3と、撮像手段4と、アライメント機構5とからなる。上記ステージ1は、上面に不純物6を介在させた状態でシリコン基板7を保持するものであり、可視光を透過する透明な、例えばガラス基板からなっている。また、上記ステージ1は、図2に示すように、その上面にシリコン基板7に予め設定されたドーピング位置に対応して赤外レーザ光Lの照射目標位置となる複数の基準マーク8が形成されており、後述のアライメント機構5に対して着脱可能となっている。上記ステージ1の上方には、レーザ光学系2が設けられている。このレーザ光学系2は、赤外レーザ光Lを後述の集光手段3に照射させるもので、シリコン基板7に対する透過率の高い、例えば波長が約1.5μm~約6μmの赤外レーザ光を放射するCrTmHo-YAGレーザやCO2レーザのレーザ光源9と、該レーザ光源9から放射された赤外レーザ光Lを集光手段3まで導く、レーザビームエキスパンダを含む導光部材10とを備えて構成されている。上記ステージ1とレーザ光学系2との間には、ステージ1の上面に対向して集光手段3が設けられている。この集光手段3は、赤外レーザ光Lをシリコン基板7と不純物6との界面領域に集光させるものであり、集光レンズである。上記ステージ1の下方には、撮像手段4が設けられている。この撮像手段4は、ステージ1を透過して赤外レーザ光Lの照射目標位置となる上記基準マーク8を撮影するもので、2次元カメラであり、集光手段3の光軸に撮像中心を合致させて設けられている。上記ステージ1をXY平面内を2次元方向に駆動可能にアライメント機構5が設けられている。このアライメント機構5は、撮像手段4により撮影して検出されたステージ1の基準マーク8の位置情報に基づいてステージ1をXY方向に移動させて、シリコン基板7のドーピング領域を集光手段3の光軸に合致させるように位置合わせをするものである。次に、このように構成されたレーザードーピング装置を使用して行うレーザードーピング方法について、図3のフローチャートを参照して説明する。先ず、ステップS1においては、可視光に対して透明なステージ1上に不純物6を介在させた状態でシリコン基板7を位置決めして保持する。ステップS2においては、集光手段3による赤外レーザ光Lの照射位置にシリコン基板7のドーピング領域を位置付ける。この場合、先ず、アライメント機構5を駆動してステージ1をXY面内を平行移動し、ステージ1に予め設けられた例えば図2における左上端の基準マーク8aをステージ1の下方に設けられた撮像手段4の視野内に位置付ける。続いて、撮像手段4により、上記基準マーク8aを撮影してその中心位置を検出し、該中心位置と、例えば撮像手段4の撮像中心との間の位置ずれ量を補正するようにアライメント機構5により、ステージ1をXY方向に微動する。これにより、集光手段3とシリコン基板7との位置合わせが完了する。ステップS3においては、レーザ光源9をパルス発振し、集光手段3を介して赤外レーザ光Lをシリコン基板7の不純物6とは反対側の面7aに照射する。この場合、赤外レーザ光Lの強度は、シリコン基板7が溶解されない程度に設定される。ステップS4においては、赤外レーザ光Lを面7a側からシリコン基板7を透過させてシリコン基板7と不純物6との界面領域に集光する。これにより、先ず、シリコン基板7が上記赤外レーザ光Lの一部を吸収して発熱する。ステップS5においては、シリコン基板7の熱によって不純物6が加熱され、不純物6がシリコン基板7内にドーピングする。ステップS6においては、シリコン基板7に予め設定された複数のドーピング領域に対する不純物6のドーピングを全て終了したか否かを判定する。ここで、まだ終了しておらず、NO判定となるとステップS2に戻って、次のドーピング領域が集光手段3に対して位置付けられる。この動作は、上述と同様にして、アライメント機構5を駆動してステージ1をXY面内を平行移動し、ステージ1に設けられた例えば図2における左上端の基準マーク8aの右隣の基準マーク8bをステージ1の下方に設けられた撮像手段4の視野内に位置付ける。続いて、撮像手段4により、上記基準マーク8bを撮影してその中心位置を検出し、該中心位置と、例えば撮像手段4の撮像中心との間の位置ずれ量を補正するようにアライメント機構5により、ステージ1をXY方向に微動する。以降、ステップS6において、全てのドーピング領域に対するドーピングが終了して、YES判定となるまで、ステップS2~S6が繰り返し実行される。なお、上記第1の実施形態においては、集光手段3が1つの集光レンズである場合について説明したが、本発明はこれに限られず、集光手段3は、シリコン基板7に予め設定された複数のドーピング領域に対応して複数のマイクロレンズを設けたマイクロレンズアレイであってもよい。この場合、上記複数のマイクロレンズのうち、一定距離はなれたいずれか2つのマイクロレンズの光軸に撮像中心を合致させて2つの撮像手段4を設け、ステージ1には、上記2つのマイクロレンズに対応して2つの基準マーク8を形成するとよい。これにより、2つの撮像手段4によりステージ1の基準マーク8を撮影して該2つの基準マーク8を夫々2つの撮像手段4の視野中心に位置付けた後、赤外レーザ光Lを照射すれば、シリコン基板7に予め設定された複数のドーピング領域に対して1回のドーピング動作により、不純物6をドーピングすることができる。また、上記第1の実施形態においては、ステージ1側を移動して集光手段3とシリコン基板7との位置合わせをする場合について説明したが、集光手段3側を移動してもよい。図4は、本発明によるドーピング装置の第2の実施形態を示す正面図である。このドーピング装置は、シリコン基板7の一面に不純物6を接触させた状態で、シリコン基板7を一定方向に一定速度で移動しながら、シリコン基板7の他面側からシリコン基板7を透過する赤外レーザ光Lを照射して、不純物6をシリコン基板7内にドーピングするものであり、搬送手段11と、レーザ光学系2と、集光手段3と、撮像手段4と、アライメント機構5とからなる。上記搬送手段11は、可視光を透過する透明な、例えばガラス基板からなるステージ1の上面に不純物6を介在させた状態でシリコン基板7を保持するもので、図示省略の移動機構により図4に示す矢印A方向に一定速度でステージ1を移動するようになっている。また、ステージ1の一面には、図2に示すように、シリコン基板7に予め設定された複数のドーピング領域に対応して赤外レーザ光Lの照射目標となる複数の基準マーク8が形成されている。なお、ステージ1は、移動機構に対して着脱可能となっている。上記搬送手段11の上方には、前述と同様のレーザ光学系2が設けられており、シリコン基板7に対する透過率の高い、例えば波長が約1.5μm~約6μmの赤外レーザ光Lを放射するCrTmHo-YAGレーザやCO2レーザのレーザ光源9と、該レーザ光源9から放射された赤外レーザ光Lを後述のマイクロレンズアレイ12まで導く、レーザビームエキスパンダを含む導光部材10とを備えて構成されている。上記搬送手段11とレーザ光学系2との間には、ステージ1の上面に対向して集光手段としてのマイクロレンズアレイ12が設けられている。このマイクロレンズアレイ12は、赤外レーザ光Lをシリコン基板7と不純物6との界面領域に集光させるものであり、図5に示すように、矢印Aで示すシリコン基板7の搬送方向以下基板搬送方向というと交差する方向に、シリコン基板7に予め設定された同方向の複数のドーピング領域に対応して複数のマイクロレンズ13を少なくとも1列に設けたものである。上記搬送手段11のステージ1の下方には、上記マイクロレンズアレイ12による赤外レーザ光Lの照射位置に対して、基板搬送方向手前側に一定距離はなれた位置を撮影可能に撮像手段4が設けられている。この撮像手段4は、ステージ1に形成された上記基準マーク8を撮影するもので、ステージ1の上面に平行な面内にて基板搬送方向と交差する方向に複数の受光エレメントを一直線に並べて受光面としたラインカメラであり、受光面の基板搬送方向に平行な中心線がマイクロレンズアレイ12のいずれかの1つのマイクロレンズ13の中心と合致するように配設されている。上記マイクロレンズアレイ12を駆動可能にアライメント機構5が設けられている。このアライメント機構5は、撮像手段4により撮影して検出されたステージ1の基準マーク8の位置情報に基づいてマイクロレンズアレイ12を基板搬送方向と交差する方向に移動させて、マイクロレンズアレイ12の複数のマイクロレンズ13とシリコン基板7の複数のドーピング領域との位置合わせをするものである。次に、このように構成されたレーザードーピング装置を使用して行うレーザードーピング方法について、図6に示すフローチャートを参照して説明する。先ず、ステップS11においては、可視光に対して透明なステージ1上に不純物6を介在させた状態でシリコン基板7を位置決めして載置する。ステップS12においては、ステージ1を図4に示す矢印A方向に一定速度で移動を開始する。ステップS13においては、レーザ光照射位置に対して基板搬送方向手前側の位置で撮像手段4によりステージ1の下側からステージ1に予め設けられた例えば図2に示す基準マーク8のうち、基板搬送方向先頭側の複数の基準マーク8を撮影し、これを処理して複数の基準マーク8の基板搬送方向と交差する方向の位置を検出する。そして、該複数の基準マーク8の位置にて、予め選択された基準マーク8の位置と撮像手段4の撮影中心との間の水平距離を算出した後、アライメント機構5を駆動して上記水平距離が予め設定して保存された目標値と合致するように、マイクロレンズアレイ12を基板搬送方向と交差する方向に移動し、マイクロレンズアレイ12とシリコン基板7との位置合わせをする。ステップS14においては、上記基板搬送方向先頭側の複数の基準マーク8を検出してからシリコン基板7が移動する距離を監視し、シリコン基板7が所定距離移動して上記基板搬送方向先頭側の複数の基準マーク8がマイクロレンズアレイ12の各マイクロレンズ13の真下に到達すると、レーザ光源9がパルス発振し、赤外レーザ光Lが放射される。ステップS15においては、レーザ光源9から放射された赤外レーザ光Lは、マイクロレンズアレイ12を介してシリコン基板7の不純物6とは反対側の面7aに照射し、シリコン基板7を透過してシリコン基板7と不純物6との界面領域に集光する。これにより、先ず、シリコン基板7が上記赤外レーザ光Lの一部を吸収して発熱する。ステップS16においては、シリコン基板7の熱によって不純物6が加熱され、不純物6がシリコン基板7内にドーピングする。ステップS17においては、シリコン基板7に予め設定された複数のドーピング領域に対する不純物6のドーピングが全て終了したか否かを判定する。ここで、まだ終了しておらず、NO判定となるとステップS14に戻り、ステップS17においてYES判定となるまで、ステップS14~S17が繰り返し実行される。これにより、シリコン基板7が上記基準マーク8の基板搬送方向における配列ピッチと同距離だけ移動する毎にレーザ光源9がパルス発振し、後続のドーピング領域に対するドーピングが実行される。なお、上記第1及び第2の実施形態においては、シリコン基板7を透過する赤外レーザ光Lを使用してドーピングする場合について説明したが、本発明はこれに限られず、シリコン基板7に対する吸収率が最も高い波長帯、例えば1.2μm近傍の赤外レーザ光Lを照射した後、シリコン基板7に対する透過率の最も高い波長帯、例えば約1.5μm~約6μmの赤外レーザ光Lを集光手段3を介して照射してもよい。または、シリコン基板7の不純物6に接触した面とは反対側の面にシリコン基板7を透過する赤外レーザ光Lを照射すると共に、ステージ1の下側からステージ1を透過して不純物6に可視光波長帯、例えば308nm又は800nmのレーザ光を別の集光手段を介して照射してもよい。