下記化学式で示されるドデカカルボニルトリルテニウムDCRからなる化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物において、鉄Feの濃度が1ppm以下であることを特徴とする化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物。更に、リチウムLi、ナトリウムNa、マグネシウムMg、アルミニウムAl、カルシウムCa、カリウムK、チタンTi、バナジウムV、クロムCr、マンガンMn、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cu、亜鉛Zn、ストロンチウムSr、イットリウムY、モリブデンMo、イリジウムIr、白金Pt、金Au、鉛Pb、トリウムTh、ウランUの濃度がいずれも1ppm以下である請求項1記載の化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物。鉄Fe、リチウムLi、ナトリウムNa、マグネシウムMg、アルミニウムAl、カルシウムCa、カリウムK、チタンTi、バナジウムV、クロムCr、マンガンMn、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cu、亜鉛Zn、ストロンチウムSr、イットリウムY、モリブデンMo、イリジウムIr、白金Pt、金Au、鉛Pb、トリウムTh、ウランUの濃度の合計が1ppm以下である請求項1又は請求項2記載の化学蒸着用ルテニウム化合物請求項1~請求項3のいずれかに記載の化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物の製造方法であって、ルテニウム塩と一酸化炭素とを溶媒中で反応させてルテニウムを直接カルボニル化して粗DCRを得る合成工程と、前記合成工程で得られる粗DCRを昇華法により精製する精製工程とからなり、前記合成工程は、反応条件を反応圧3.0~6.5MPa、反応温度75~125°C、反応時間8~20時間とし、前記精製工程は、条件を真空度50Pa以下、加熱温度80°C~110°C、冷却温度20°C以下とする方法。合成工程により得られる粗DCRのFe濃度を10ppm以下とする請求項4記載の化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物の製造方法。昇華法による精製工程の後、更に、再結晶法によりDCRを精製する請求項4又は請求項5記載の化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物の製造方法。DCRは、上記の通り、適切な装置構成により良好なルテニウム薄膜を製造可能な原料化合物といえる。もっとも、実用化に向けた改良要求もいまだなされているところである。DCRへの改良要求としては、まず、形成される薄膜の高品質化が挙げられる。これは、どの原料化合物に対しても挙げられる改良事項であるが、DCRを用いたルテニウム膜は、極めて低い確率であるが、断線等の成膜不良が生じることがあり、製品歩留まりのための改善が求められている。そして、DCR特有の改良要求として、薄膜製造後に原料容器を開放する際に発火するという現象がたまに見られる点がある。この発火現象は、使用前の原料化合物には見られないが、一度使用された後の残物が発火性を有するというものである。そして、かかる発火現象は、作業の安全性を損ない、装置保安のコスト高にも繋がることから防ぐことが好ましい。本発明は、上記課題のもとになされたものであり、発火現象が生じ難く安全性が確保されていると共に、高品質なルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造することができるDCRからなる有機ルテニウム化合物を提供する。本発明者等は、上記課題を解決するため、従来から入手可能であるDCRを基に成膜反応前後の原料化合物の状態を検討した。その結果、これまでのDCRを使用して成膜を行った場合、原料化合物が昇華しきるまで成膜を行っても、原料容器中に残渣が残留することを確認した。このDCR昇華後の残渣については、単純に考えるならば原料化合物中の不純物と考えられるが、この検討段階において、加熱により生じた不純物の化合物や、DCRの変質の可能性についての考察を排除することは得策ではない。そこで、本発明者等は、従来のDCRの詳細な成分分析を行うと共に、従来のDCRの製造工程、薄膜製造中気化中の原料化合物の状態等について調査検討し、残渣の発生要因及び発火現象との関連についての考察を行った。その結果、まず、従来のDCRには、数10~100ppm前後の不純物質が含まれており、特に鉄Feが多く含有されていることを見出した。そして、本発明者等は、鉄が残渣の主要因であるとした場合、発火現象の要因はこの残渣にあると考えた。即ち、鉄は、DCRの合成過程で混入したと推定できるが、混入する鉄はペンタカルボニル鉄FeCO5を生成する。ペンタカルボニル鉄は、光により自然発火性のあるカルボニル鉄Fe2CO9と一酸化炭素に分解する物質であり、原料容器開封時の光がこの分解反応を生じさせ、発火現象が生じると考えられる。また、合成時のDCRは発火しないのに、使用後に発火が生じるのは、生成時のペンタカルボニル鉄はDCR結晶中に包まれているが、使用後ではDCR結晶表面でペンタカルボニル鉄が濃縮され、空気に接触しやすくなるためと考えられる。以上の検討結果から、本発明者等はルテニウム膜形成用原料としてのDCRには、鉄濃度の規制が必要であるとの考察を得た。上記課題を解決する本発明は、下記化学式で示されるドデカカルボニルトリルテニウムからなる化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物において、鉄Feの濃度が1ppm以下であることを特徴とする化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物である。上記の通り、本発明に係る化学蒸着原料用有機ルテニウム化合物は、鉄の濃度を規制するものである。この鉄濃度の上限を1ppmとするのは、発火現象の要因となる残渣の発生を抑制するため、及び、ルテニウム薄膜の品質確保のための上限値である。より好ましくは、鉄濃度は0.5ppm以下に低減するのが好ましい。残渣発生のより確実な抑制のためである。また、化学蒸着原料用有機ルテニウム化合物として、他の不純物が低減されていることがより好ましい。この規制すべき不純物としては、リチウムLi、ナトリウムNa、マグネシウムMg、アルミニウムAl、カルシウムCa、カリウムK、チタンTi、バナジウムV、クロムCr、マンガンMn、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cu、亜鉛Zn、ストロンチウムSr、イットリウムY、モリブデンMo、イリジウムIr、白金Pt、金Au、鉛Pb、トリウムTh、ウランUが挙げられる。これらの鉄以外の不純物元素濃度は、いずれも1ppm以下であることが好ましい。より好ましくは、鉄以外の不純物元素濃度も0.5ppm以下とする。また、鉄を含めた上記不純物元素濃度の合計が、1ppm以下であることが特に好ましい。次に、本発明に係る有機ルテニウム化合物であるDCRの製造方法について説明する。本発明に係るDCRの製造方法は、ルテニウム塩と一酸化炭素とを溶媒中で反応させる合成工程と、前記合成工程で得られる粗DCRを昇華法により精製する精製工程とからなるものである。本発明に係る方法は、DCRの合成工程と得られたDCRの精製工程の2つの工程よりなるものである。ここで、DCRの合成工程としては、ルテニウム塩を一酸化炭素により直接カルボニル化する方法以下、直接法と称するを基礎とする。DCRの製造方法としては、直接法のほか、例えば、ルテニウム塩を原料とし、これをアセチルアセトナト塩と反応させて得られるアセチルアセトナトルテニウムを中間体とし、中間体をカルボニル化する方法も知られているが、中間体を経由する方法は工程数が多くなり不純物混入の機会が増えるため好ましくないことから直接法を採用するものである。そして、本発明では、直接法によるDCR合成の条件として、反応圧3.0~6.5MPa、反応温度75~125°C、反応時間8~20時間と設定する。これらの反応条件の中でも特に反応圧については、注意を要する条件である。これは、一酸化炭素による反応装置の構成材料への腐食を考慮するものである。即ち、一酸化炭素の腐食性は、通常は無視できる程度と考えられているが、高圧下では高圧容器の材料である鉄ニッケルクロム等の金属と反応して、金属カルボニル化合物を生成する傾向がある。工業的なDCR合成装置は、ステンレス等の鋼製の高圧容器を使用することが想定されることから、反応圧を上昇させると装置腐食による鉄の混入が懸念される。かかる観点より、本発明では、カルボニル化反応を進行させることができ、かつ、一酸化炭素の腐食性を生じさせない圧力として、上記範囲の反応圧を設定している。尚、反応温度、反応時間について上記条件を設定するのは、この範囲を逸脱すると収率が大幅に低減するからである。合成工程における原料であるルテニウム塩は、塩化ルテニウム、酸化ルテニウム、硝酸ルテニウム、ヘキサアンミンルテニウムクロライド、酢酸ルテニウムが好ましい。これらは市販されている物質であり、容易に手に入れることができるからである。特に、塩化ルテニウムが好ましい。尚、この原料は高純度のものが当然好ましい。また、アセチルアセトナトルテニウムトリスアセチルアセトナトルテニウムIIIも市販品が存在することから、高純度のものであれば出発原料として使用可能である。尚、DCR等の有機金属化合物の合成においては、触媒作用を有する補助金属を用いることが多いが、補助金属の適用は、不純物の混入の要因となることから、本発明では補助金属の添加は不要である。以上のDCRの合成工程は、この工程自体が不純物特に鉄の含有量が低減された工程である。この合成工程におけるDCRは粗DCRと称するが、粗DCRの鉄濃度は、10ppm以下とするのが好ましい。精製工程は、粗DCR中の鉄濃度を更に低減させる工程である。この精製工程は昇華法による。一般的な化合物精製においては、昇華法の他、蒸留、再結晶、カラムクロマト等が知られているが、DCRについては固体であり融点が高く、溶媒への溶解度が低いことに加え、混入する不純物との分離が再結晶などでは達成できないため、昇華法が最適である。昇華法による精製の条件は、真空度50Pa以下、加熱温度80°C~110°C、冷却温度20°C以下とする。真空度は50Paを超えると昇華速度が低下し、昇華時間が大幅に長くなる。加熱温度は80°C未満では昇華時間が大幅に遅くなり、110°Cを超えると昇華速度は速くなるものの、DCRの熱分解が部分的に生じるおそれがあり、結果的に収率が大幅に低減するからである。尚、本発明では、合成された粗DCRを昇華法で精製することを必須とするが、昇華法による精製後のDCRに他の精製法再結晶、カラムクロマトグラフィー等を用いて再度精製を行っても良い。例えば、昇華法により精製を行った後、再結晶法で再度精製を行っても良い。鉄濃度自体は、昇華法による精製で十分低減されるが、昇華の際に微量同伴する有機物等を十分除去する場合には、再結晶により再精製を行うと良い。以上説明したように、本発明に係る有機ルテニウム化合物は、鉄濃度が低減されたDCRからなるものである。本発明は、使用後の残渣を発生させることがなく、残渣による発火現象を抑制する。これにより、薄膜製造の安全性が確保され作業性が良好となる。また、不純物である鉄は、原料気化の際にDCRと同伴して気化するとルテニウム薄膜に混入するおそれがあり、これが断線や電気特性低下の要因となると考えられる。従って、鉄濃度が制限された本発明に係る有機ルテニウム化合物は、高品質のルテニウム薄膜を製造することを可能とする。第1実施形態:塩化ルテニウム25.4gを溶媒である300mLのメタノールに溶解した。この溶液を容量1Lのオートクレーブに投入し、ここに反応圧6.5MPaまで一酸化炭素を封入した。その後125°Cで8時間加熱して反応させた。合成反応後、反応液を冷却し、濾過して濾取物を取り出し、橙色のDCR粗結晶15.4gを得た。合成したDCR粗結晶をICPにて鉄濃度を測定したところ、7ppmであった。上記合成工程で得たDCR粗結晶を昇華法にて精製した。精製工程は梨型昇華器にDCR粗結晶を投入し、下記条件にて昇華を行なった。真空度:1Pa温度:95°C昇華時間:6時間冷却水温度:8°C昇華終了後冷却部に採取されたDCR結晶について、ICP-MSにて不純物元素を測定したところ、下記結果を得た。比較例:ここでは、従来のDCRの製造方法として、アセチルアセトナトルテニウムを経由する方法にてDCRを製造した特許文献2。塩化ルテニウム15gとアセチルアセトナトナトリウム22gを600mLのメタノールに溶解した。溶液をオートクレーブに投入し、一酸化炭素水素モル比3:1の混合ガスで12MPaに加圧した。その後、160°Cで4時間加熱した。合成反応後、反応液を再結晶により精製した。反応液を冷却し、濾過して濾取物をベンゼン1000mLに投入し、加熱を行い完全に溶解させた。その後、0°Cの冷蔵庫に放置した。12時間後、析出した結晶を濾過し、橙色のDCR結晶9.4gを得た。合成したDCR結晶をICP-MSにて不純物濃度を測定したところ、下記結果を得た。上記第1実施形態と比較例とを対比すると、反応圧を規制しつつルテニウム化合物を直接カルボニル化する第1実施形態は、粗DCRのFe濃度も比較的低く、また、昇華法による精製と組み合わせることでFe濃度を1ppm以下にすることができる。一方、比較例は、再結晶による精製を考慮してもFe濃度が120ppmよりかなり高いものとなっている。これは、比較例は、第1実施形態と同じく塩化ルテニウムを出発原料としつつも、アセチルアセトナトルテニウムを経由するため反応工程が多くその分不純物混入の可能性が高いこと、及び、アセチルアセトナトルテニウムのカルボニル化の反応圧が比較的高く反応容器からの鉄の混入が生じやすくなっていること、が要因と考えられる。第2実施形態:上記第1実施形態及び比較例で製造したDCRを用いて、CVD法によりルテニウム薄膜を作成した。固体原料容器にDCR10gを封入し、成膜条件として、原料容器における加熱温度を80°Cとし、キャリアガスを一酸化炭素、反応ガスを水素とした。この成膜試験を5回行い、成膜後原料容器を開封したときの発火の有無、更に、原料容器中の残渣量を評価した。その結果を表3に示す。尚、この試験は、第1実施形態の精製工程を行なっていない粗DCR結晶も原料として使用して評価した。表3から、鉄濃度が120ppmの比較例は、残渣量が多く、また5回中3回の発火現象を示している。対して第1実施形態は、残渣が全くなく発火現象も観察されない。尚、精製工程を行なわない粗DCR結晶参考例も、比較例よりは好適な結果であったものの、精製を行なう第1実施形態よりは劣る。従って、鉄濃度の徹底的な低減が必要であることが確認できる。第3実施形態:第1実施形態のDCR合成工程を基に、合成反応カルボニル化の反応条件に関し検討を行った。ここでは、反応圧、反応温度、反応時間を変化させてDCR粗DCRを合成し、収率及びFe濃度を評価した。尚、その他の反応条件原料、溶媒は、第1実施形態と同様とした。この結果を表4に示す。表4から、反応圧を低くすることは、Fe濃度の低減に有効であるといえる。反応温度も同様の傾向がある。しかし、これらを低くすることは同時に収率を低下させるといえる。従って、合成反応後の粗DCRについては、精製昇華工程をしなければならないことを考慮し、収率と純度とのバランスを考慮した条件設定が好ましいといえる。第4実施形態:ここでは、第1実施形態のDCR製造工程を基に、精製工程昇華工程の条件についての検討を行った。第1実施形態で合成された粗DCRFe濃度7ppmについて、昇華工程の真空度、昇華温度を変化させて粗DCRの精製を行なった。その他の条件昇華時間、冷却温度は、第1実施形態と同様とした。この結果を表5に示す。表5から、いずれの精製条件でも、Fe濃度が0.5ppm以下の好適なDCRが得られることが確認できた。