"下記式1で表される化合物。式中、Rは、下記式2~4のいずれかで表される基である。R1は、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーロキシ基、アルコキシアルコキシ基、シロキシ基、又はこれらの基と2価の基とが結合した基であり、前記2価の基は、置換もしくは無置換のアルキレンオキシ基、置換もしくは無置換のアリーレンオキシ基、置換もしくは無置換のシリレンオキシ基、これらの基が2以上結合した基、又はこれらの基と、エステル結合、炭酸エステル結合又はエーテル結合が結合した基である。R2は、水素原子、R1で表される基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~10の芳香族基又は酸素原子を含む基である。式1に複数あるR、R1及びR2は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。式中、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を2つ以上組み合わせた基、又はアルキレン基及びエーテル結合から選択される1つ以上と置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を組み合わせた基であり、置換基を有する場合の置換基は、臭素、フッ素、ニトリル基、又は炭素数1~10のアルキル基である。R3は、式5で表される基である。R3’-L-O-5Lは、下記式6~8で表される基から選択される1つ又は2つ以上が連結されているものであり、任意の連結順を取る。式6~8で表される基がそれぞれ複数含まれる場合、同一でも異なっていてもよい。式中、R4’~R7’はそれぞれ、水素原子、アルキル基又はヘテロ原子含有アルキル基であり、下記式iで表される脂環構造含有基と結合して環状構造を形成していてもよく、複数のR4’~R7’が互いに結合して環状構造を形成していてもよい。R3’は下記式iで表される基である。式中、Nは、エポキシ基、オキセタニル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アセトキシ基、窒素含有官能基、硫黄含有官能基、カルボニル基、カルボキシ基、アリールオキシ基、炭素-炭素2重結合から選択される1以上の基を有する炭素数1~20の単官能性基又は多官能性基である。R8は、ヘテロ原子、環状構造を有してもよい炭素数1~10の2価の置換もしくは無置換の炭化水素基である。p及びqは、それぞれ独立に、0以上の整数であり、p及びqのうち少なくとも1つは1以上である。複数のR8は同一であっても、異なっていてもよく、複数のNは同一であっても、異なっていてもよい。R4、R5は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、又はこれら基のうち2以上を組み合わせた基である。A1は、アルキレン基、エーテル結合、アルキレン基を2以上組み合わせた基、又はアルキレン基1以上とエーテル結合1以上を組み合わせた基である。xは1~5、yは0~3、zは0~4の整数である。複数のR3、R4、R5、Ar、A1、L、x、y及びzは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。前記式1の同一芳香族環上のR1のうち、少なくとも1つが水酸基である請求項1に記載の化合物。前記Nが酸素含有基又は窒素含有基である請求項1又は2に記載の化合物。請求項1~3のいずれか1項に記載の化合物及び溶剤を含有するフォトレジスト組成物。光酸発生剤を含有する請求項4に記載のフォトレジスト組成物。塩基性有機化合物をクエンチャーとして含有する請求項4又は5に記載のフォトレジスト組成物。架橋剤を含有する請求項4~6のいずれか1項に記載のフォトレジスト組成物。請求項4~7のいずれか1項に記載のフォトレジスト組成物を用いた微細加工方法。請求項8に記載の微細加工方法により作製した半導体装置。請求項9に記載の半導体装置を備えた装置。本発明は、高感度、ラインエッジラフネスの低減に効果的なネガ型フォトレジストに用いることのできる環状化合物を提供することを目的とする。本発明によれば、以下の化合物等が提供される。1.下記式1で表される化合物。式中、Rは、下記式2~4のいずれかで表される基である。R1は、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーロキシ基、アルコキシアルコキシ基、シロキシ基、又はこれらの基と2価の基とが結合した基であり、前記2価の基は、置換もしくは無置換のアルキレンオキシ基、置換もしくは無置換のアリーレンオキシ基、置換もしくは無置換のシリレンオキシ基、これらの基が2以上結合した基、又はこれらの基と、エステル結合、炭酸エステル結合又はエーテル結合が結合した基である。R2は、水素原子、R1で表される基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~10の芳香族基又は酸素原子を含む基である。式1に複数あるR、R1及びR2は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。式中、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を2つ以上組み合わせた基、又はアルキレン基及びエーテル結合から選択される1つ以上と置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を組み合わせた基であり、置換基を有する場合の置換基は、臭素、フッ素、ニトリル基、又は炭素数1~10のアルキル基である。R3は、式5で表される基である。R3’-L-O-5Lは、下記式6~8で表される基から選択される1つ又は2つ以上が連結されているものであり、任意の連結順を取る。式6~8で表される基がそれぞれ複数含まれる場合、同一でも異なっていてもよい。式中、R4’~R7’はそれぞれ、水素原子、アルキル基又はヘテロ原子含有アルキル基であり、下記式iで表される脂環構造含有基と結合して環状構造を形成していてもよく、複数のR4’~R7’が互いに結合して環状構造を形成していてもよい。R3’は下記式iで表される基である。式中、Nは、エポキシ基、オキセタニル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アセトキシ基、窒素含有官能基、硫黄含有官能基、カルボニル基、カルボキシ基、アリールオキシ基、炭素-炭素2重結合から選択される1以上の基を有する炭素数1~20の単官能性基又は多官能性基である。R8は、ヘテロ原子、環状構造を有してもよい炭素数1~10の2価の置換もしくは無置換の炭化水素基である。p及びqは、それぞれ独立に、0以上の整数であり、p及びqのうち少なくとも1つは1以上である。複数のR8は同一であっても、異なっていてもよく、複数のNは同一であっても、異なっていてもよい。R4、R5は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、又はこれら基のうち2以上を組み合わせた基である。A1は、アルキレン基、エーテル結合、アルキレン基を2以上組み合わせた基、又はアルキレン基1以上とエーテル結合1以上を組み合わせた基である。xは1~5、yは0~3、zは0~4の整数である。複数のR3、R4、R5、Ar、A1、L、x、y及びzは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。2.前記式1の同一芳香族環上のR1のうち、少なくとも1つが水酸基である1に記載の化合物。3.前記Nが酸素含有基又は窒素含有基である1又は2に記載の化合物。4.1~3のいずれか1項に記載の化合物及び溶剤を含有するフォトレジスト組成物。5.光酸発生剤を含有する4に記載のフォトレジスト組成物。6.塩基性有機化合物をクエンチャーとして含有する4又は5に記載のフォトレジスト組成物。7.架橋剤を含有する4~6のいずれか1項に記載のフォトレジスト組成物。8.4~7のいずれか1項に記載のフォトレジスト組成物を用いた微細加工方法。9.8に記載の微細加工方法により作製した半導体装置。10.9に記載の半導体装置を備えた装置。本発明によれば、高感度、ラインエッジラフネスの低減に効果的なネガ型フォトレジストに用いることのできる環状化合物を提供できる。本発明の化合物は下記式1で表される。式中、Rは、下記式2~4のいずれかで表される基である。R1は、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数1~20好ましくは1~6の直鎖状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーロキシ基、アルコキシアルコキシ基、シロキシ基、又はこれらの基と2価の基とが結合した基である。好ましくは、同一芳香族環上のR1のうち、少なくとも1つが水酸基である。さらに好ましくは、同一芳香族環上のR1のうち、1つのみが水酸基である。より好ましくは、同一芳香族環上のR1のうち、1つが水酸基であり、他の1つが置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状アルコキシ基又は置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐アルコキシ基である。よりさらに好ましくは、同一芳香族環上のR1のうち、1つが水酸基であり、他の1つが置換もしくは無置換の炭素数1又は2の直鎖状アルコキシ基である。上記2価の基は、置換もしくは無置換のアルキレンオキシ基、置換もしくは無置換のアリーレンオキシ基、置換もしくは無置換のシリレンオキシ基、これらの基が2以上結合した基、又はこれらの基と、エステル結合-CO2-、炭酸エステル結合-CO3-又はエーテル結合-O-が結合した基である。尚、上記の各基が置換しているときの置換基は、メチル基、エチル基等のアルキル基、ケトン基、エステル結合、アルコキシ基、ニトリル基、ニトロ基又は水酸基である。R2は、水素原子、R1で表される基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~10の芳香族基又は酸素原子を含む基である。式1に複数あるR、R1及びR2は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。式中、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基例えばフェニレン基等、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を2つ以上組み合わせた基、又はアルキレン基及びエーテル結合から選択される1つ以上と置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を組み合わせた基であり、置換基を有する場合の置換基は、臭素、フッ素、ニトリル基、又は炭素数1~10のアルキル基である。R3は、式5で表される基である。R3’-L-O-5Lは、下記式6~8で表される基から選択される1つ又は2つ以上が連結されているものであり、任意の連結順を取る。式6~8で表される基がそれぞれ複数含まれる場合、同一でも異なっていてもよい。式中、R4’~R7’はそれぞれ、水素原子、アルキル基又はヘテロ原子含有アルキル基であり、下記式iで表される脂環構造含有基と結合して環状構造を形成していてもよく、複数のR4’~R7’が互いに結合して環状構造を形成していてもよい。好ましくはR4’~R7’はそれぞれ、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。R3’は下記式iで表される基である。式中、Nは、エポキシ基、オキセタニル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アセトキシ基、窒素含有官能基、硫黄含有官能基、カルボニル基、アリールオキシ基、アルキルオキシ基、炭素-炭素2重結合から選択される1以上の基を有する炭素数1~20の単官能性基又は多官能性基である。R8は、ヘテロ原子、環状構造を有してもよい炭素数1~10の2価の置換もしくは無置換の炭化水素基であり、好ましくは炭素数1~6のアルキレン基である。p及びqは、それぞれ独立に、0以上の整数であり、p及びqのうち少なくとも1つは1以上である。pは好ましくは0~1の整数である。qは好ましくは1~2の整数であり、好ましくは1である。複数のR8は同一であっても、異なっていてもよく、複数のNは同一であっても、異なっていてもよい。R8の置換基は、メチル基、エチル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ケトン基、エステル結合、アルコキシ基、ニトリル基、ニトロ基又は水酸基である。R4、R5は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、又はこれら基のうち2以上を組み合わせた基である。A1は、アルキレン基、エーテル結合、アルキレン基を2以上組み合わせた基、又はアルキレン基1以上とエーテル結合1以上を組み合わせた基である。xは1~5、好ましくは1である。yは0~3、好ましくは1である。zは0~4、好ましくは0である。複数のR3、R4、R5、Ar、A1、L、x、y及びzは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素又はアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が好ましい。炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素又はアルキル基としては、t-ブチル基、iso-プロピル基、iso-ブチル基、2-エチルヘキシル基等が好ましい。炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素又はアルキル基としては、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビアダマンチル基、ジアダマンチル基等が好ましい。炭素数6~10の芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基等が好ましい。アルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基、アダマンチルオキシメチル基等が好ましい。シリル基としては、トリメチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基等が好ましい。尚、上記の各基は置換基を有していてもよく、具体的には、メチル基、エチル基等のアルキル基、ケトン基、エステル結合、アルコキシ基、ニトリル基、ニトロ基又は水酸基である。直鎖状アルコキシ基、分岐アルコキシ基、環状アルコキシ基、アリーロキシ基、アルコキシアルコキシ基、シロキシ基、アルキレンオキシ基、アリーレンオキシ基、シリレンオキシ基としては、上記の対応する基が酸素原子と結合した1価又は2価の基が挙げられる。アリーレン基、アルキレン基としては、上記の対応する2価の基が挙げられる。式iのNは、炭素数1~20の単官能性基又は多官能性基である。Nは、エポキシ基、オキセタニル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アセトキシ基、窒素含有官能基例えばアミノ基、アミド基、硫黄含有官能基例えばメルカプト基、カルボニル基、カルボキシ基、アリールオキシ基、炭素-炭素2重結合から選択される1以上の基を有する。好ましくはエポキシ基、オキセタニル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基を有する。これらは架橋を形成しうる基である。単官能性基又は多官能性基は脂肪族基例えばアルキル基及び/又は芳香族基を含んでもよい。エポキシ基含有基として、グリシジル基、及びグリシジルオキシアルキル基、グリシジルオキシカルボニルアルキル基、グリシジルアミノ基等のグリシジル基含有基等が挙げられる。ヒドロキシ基含有基として、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。アミノ基含有基として、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、モルホリノメチル基等が挙げられる。カルボニル基含有基として、ホルミル基、カルボキシ基、酸無水物基等が挙げられる。炭素-炭素2重結含有基として、ビニル基、イソプロペニル基等が挙げられる。Nとして具体的には以下の基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。式中、点線は結合位置を示す。Nは、より好ましくはエポキシ基、カルボニル基等の酸素含有基、アミノ基、アミド基等の窒素含有基である。上記各基の置換基として、Arの置換基を例示できる。式1においてRが反応性基第1の反応性基を含む基であるカリックスレゾルシナレン第1の前駆体と、第2の反応性基を含む化合物第2の前駆体とを反応させると、第1の反応性基と第2の反応性基が反応、結合し、第1の反応性基を含む基と第2の前駆体が所望のRとなる。第2の前駆体は同時に1~5種反応させることができる。以下に具体的に製法を例示する。製法1対応するカリックスレソルシナレン化合物、第2の前駆体、炭酸水素ナトリウム、溶媒としてジメチルホルムアミドを加え、窒素気流下80°Cで加熱反応させた後、反応溶液を水に投入することにより生ずる沈殿をろ別、精製することによって得ることができる。製法2対応するカリックスレソルシナレン化合物、第2の前駆体、水素化ナトリウム、溶媒としてテトラヒドロフランを加え、窒素気流下、0°Cで反応させた後、反応溶液を水に投入し生ずる沈殿をろ別、精製することによって得ることができる。製法3対応するカリックスレソルシナレン化合物、第2の前駆体、溶媒としてN-メチルピロリドンを加え、窒素気流下、室温でトリエチルアミン、DBUを添加、反応させた後、反応溶液を水に投入することにより生ずる沈殿をろ別精製することによって得ることができる。上記製法1,2,3において、溶媒としてジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン及びN-メチルピロリドンをそれぞれ用いているがこれらに限定されず、反応剤、原料が溶解すれば他の溶媒を用いてもよい。他の溶媒としては、例えば含ハロゲン溶媒、含酸素溶媒、芳香族溶媒トルエンが挙げられる。上記製法1,2,3において、反応剤の塩基として炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水素化ナトリウム、トリエチルアミン、DBUをそれぞれ用いているがこれらに限定されず、他の有機塩基、無機塩基を用いてもよい。反応温度は、好ましくは-100°C~100°Cであり、特に好ましくは-50°C~80°Cである。本発明のフォトレジスト組成物ネガ型フォトレジスト組成物は本発明の化合物フォトレジスト基材及び溶剤を含む。フォトレジスト基材の含有量は、溶剤を除く全組成物中で好ましくは50~99.9重量であり、より好ましくは75~95重量である。フォトレジスト基材として用いる場合において、本発明のフォトレジスト基材は、1種類の化合物でもよく、2種以上の混合物でもよい。本発明のフォトレジスト組成物に使用される溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;乳酸メチル、乳酸エチルEL等の乳酸エステル類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチルPE等の脂肪族カルボン酸エステル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの溶剤は、単独で又は2種以上を使用することができる。組成物中の溶剤以外の成分、即ちフォトレジスト固形分の量は所望のフォトレジスト層の膜厚を形成するために適する量とするのが好ましい。具体的にはフォトレジスト組成物の全重量の0.1~50重量が一般的であるが、用いる基材や溶剤の種類、あるいは、所望のフォトレジスト層の膜厚等に合わせて規定できる。溶剤は全組成物中好ましくは50~99.9重量配合する。本発明のフォトレジスト組成物は、基材の分子が、EUV及び/又は電子線に対して活性なクロモフォアを含み単独でフォトレジストとしての能力を示す場合には特に添加剤は必要としないが、フォトレジストとしての性能感度を増強する必要がある場合は、必要に応じて、クロモフォアとして光酸発生剤PAG等を含むことが一般的である。光酸発生剤としては、特に限定されず、化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩等のオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキル又はビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリビススルホニルジアゾメタン類等のジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤等多種のものが知られている。オニウム塩系酸発生剤としては、下記式a-0で表される酸発生剤が例示できる。[式中、R51は、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基、又は直鎖、分岐鎖又は環状のフッ素化アルキル基を表し;R52は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、直鎖又は分岐鎖状のアルキル基、直鎖又は分岐鎖状のハロゲン化アルキル基、又は直鎖又は分岐鎖状のアルコキシ基であり;R53は置換基を有していてもよいアリール基であり;u’’は1~3の整数である。]式a-0において、R51は、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基、又は直鎖、分岐鎖又は環状のフッ素化アルキル基を表す。前記直鎖又は分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。前記環状のアルキル基としては、炭素数4~12であることが好ましく、炭素数5~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。前記フッ素化アルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。また、フッ化アルキル基のフッ素化率アルキル基中全水素原子の個数に対する置換したフッ素原子の個数の割合は、好ましくは10~100、さらに好ましくは50~100であり、特に水素原子を全てフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。R51は、直鎖状アルキル基又はフッ素化アルキル基であることが最も好ましい。R52は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基、直鎖、又は分岐鎖状のハロゲン化アルキル基、又は直鎖又は分岐鎖状のアルコキシ基である。R52において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。R52において、アルキル基は、直鎖又は分岐鎖状であり、その炭素数は好ましくは1~5、より好ましくは1~4、最も好ましくは1~3である。R52において、ハロゲン化アルキル基は、アルキル基中の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基である。ここでのアルキル基は、前記R52におけるアルキル基と同様のものが挙げられる。置換するハロゲン原子としては上記ハロゲン原子について説明したものと同様のものが挙げられる。ハロゲン化アルキル基において、水素原子の全個数の50~100がハロゲン原子で置換されていることが望ましく、全て置換されていることがより好ましい。R52において、アルコキシ基としては、直鎖状又は分岐鎖状であり、その炭素数は好ましくは1~5、より好ましくは1~4、最も好ましくは1~3である。R52は、これらの中でも水素原子が好ましい。R53は置換基を有していてもよいアリール基であり、置換基を除いた基本環母体環の構造としては、ナフチル基、フェニル基、アントラセニル基等が挙げられ、本発明の効果やArFエキシマレーザー等の露光光の吸収の観点から、フェニル基が望ましい。置換基としては、水酸基、低級アルキル基直鎖又は分岐鎖状であり、その好ましい炭素数は5以下であり、特にメチル基が好ましい等を挙げることができる。R53のアリール基としては、置換基を有しないものがより好ましい。u’’は1~3の整数であり、2又は3であることが好ましく、特に3であることが望ましい。式a-0で表される酸発生剤の好ましいものとしては、以下の化学式で表されるものを挙げることができる。式a-0で表される酸発生剤は1種又は2種以上混合して用いることができる。式a-0で表される酸発生剤の他のオニウム塩系酸発生剤としては、例えば下記式a-1又はa-2で表される化合物が挙げられる。[式中、R1~R3,R5,R6は、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリール基又はアルキル基を表し;R4は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基を表し;R1~R3のうち少なくとも1つはアリール基を表し、R5及びR6のうち少なくとも1つはアリール基を表す。]式a-1中、R1~R3はそれぞれ独立に置換又は無置換のアリール基又はアルキル基を表す。R1~R3のうち、少なくとも1つは置換又は無置換のアリール基を表す。R1~R3のうち、2以上が置換又は無置換のアリール基であることが好ましく、R1~R3の全てが置換又は無置換のアリール基であることが最も好ましい。R1~R3のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6~20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部又は全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。前記アリール基の置換基であるアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基が最も好ましい。前記アリール基の置換基であるアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記アリール基の置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。R1~R3のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数1~5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デカニル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。これらの中で、R1~R3は全てフェニル基であることが最も好ましい。R4は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基を表す。前記直鎖又は分岐のアルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。前記環状のアルキル基としては、前記R1で示したような環式基であって、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。前記フッ素化アルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。また。該フッ化アルキル基のフッ素化率アルキル基中のフッ素原子の割合は、好ましくは10~100、さらに好ましくは50~100であり、特に水素原子を全てフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。R4としては、直鎖又は環状のアルキル基、又はフッ素化アルキル基であることが最も好ましい。式a-2中、R5及びR6はそれぞれ独立に置換又は無置換のアリール基又はアルキル基を表す。R5及びR6のうち、少なくとも1つは置換又は無置換のアリール基を表す。R5及びR6の全てが置換又は無置換のアリール基であることが好ましい。R5~R6の置換又は無置換のアリール基としては、R1~R3の置換又は無置換のアリール基と同様のものが挙げられる。R5~R6のアルキル基としては、R1~R3のアルキル基と同様のものが挙げられる。これらの中で、R5~R6は全てフェニル基であることが最も好ましい。式a-2中のR4としては上記式a-1のR4と同様のものが挙げられる。式a-1、a-2で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネート又はノナフルオロブタンスルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネート又はノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネート又はそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-メチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネート又はそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル4-ヒドロキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネート又はそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネート又はそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネート又はそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネート又はそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネート又はそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネート又はそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル1-4-メトキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネート又はそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。また、これらのオニウム塩のアニオン部がメタンスルホネート、n-プロパンスルホネート、n-ブタンスルホネート、n-オクタンスルホネートに置き換えたオニウム塩も用いることができる。また、前記式a-1又はa-2において、アニオン部を下記式a-3又はa-4で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができるカチオン部はa-1又はa-2と同様。[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表し;Y,Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。]Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は2~6であり、好ましくは炭素数3~5、最も好ましくは炭素数3である。Y,Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1~10であり、好ましくは炭素数1~7、より好ましくは炭素数1~3である。Xのアルキレン基の炭素数又はY,Zのアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶剤への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、Xのアルキレン基又はY,Zのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基又はアルキル基中のフッ素原子の割合、即ちフッ素化率は、好ましくは70~100、さらに好ましくは90~100であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。本発明において、光酸発生剤として以下の式40~45で示される化合物も使用できる。式40中、Qはアルキレン基、アリーレン基又はアルコキシレン基であり、R15はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基又はハロゲン置換アリール基である。前記式40で示される化合物は、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシフタルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-10-カンファースルホニルオキシフタルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-10-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシナフチルイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシナフチルイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシナフチルイミド、N-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-パーフルオロベンゼンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシナフチルイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシナフチルイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エンー2,3-ジカルボキシイミド及びN-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシナフチルイミドからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式41中、R16は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、任意に置換された直鎖、分枝又は環状アルキル基、任意に置換されたアリール基、任意に置換されたヘテロアリール基又は任意に置換されたアラルキル基である。前記式41で示される化合物は、ジフェニルジスルフォン、ジ4-メチルフェニルジスルフォン、ジナフチルジスルフォン、ジ4-tert-ブチルフェニルジスルフォン、ジ4-ヒドロキシフェニルジスルフォン、ジ3-ヒドロキシナフチルジスルフォン、ジ4-フルオロフェニルジスルフォン、ジ2-フルオロフェニルジスルフォン及びジ4-トルフルオロメチルフェニルジスルフォンからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式42中、R17は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、任意に置換された直鎖、分枝又は環状アルキル基、任意に置換されたアリール基、任意に置換されたヘテロアリール基又は任意に置換されたアラルキル基である。前記式42で示される化合物は、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-4-メチルフェニルアセトニトリル及びα-メチルスルホニルオキシイミノ-4-ブロモフェニルアセトニトリルからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式43中、R18は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、1以上の塩素原子及び1以上の臭素原子を有するハロゲン化アルキル基である。ハロゲン化アルキル基の炭素原子数は1~5が好ましい。式44及び45中、R19及びR20はそれぞれ独立に、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基等の炭素原子数1~3のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等の炭素原子数1~3のアルコキシ基、又はフェニル基、トルイル基、ナフチル基等のアリール基であり、好ましくは、炭素原子数6~10のアリール基である。L19及びL20はそれぞれ独立に1,2-ナフトキノンジアジド基を有する有機基である。1,2-ナフトキノンジアジド基を有する有機基としては、具体的には、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニル基、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニル基、1,2-ナフトキノンジアジド-6-スルホニル基等の1,2-キノンジアジドスルホニル基を好ましいものとして挙げることができる。特に、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニル基及び1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニル基が好ましい。pは1~3の整数、qは0~4の整数、かつ1≦pq≦5である。J19は単結合、炭素原子数1~4のポリメチレン基、シクロアルキレン基、フェニレン基、下記式44aで表わされる基、カルボニル基、エステル結合、アミド結合又はエーテル結合を有する基である。Y19はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はアリール基であり、X20は、それぞれ独立に下記式45aで示される基である。式45a中、Z22はそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、R22はそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアルコキシ基であり、rは0~3の整数である。その他の酸発生剤として、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスtert-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスn-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスn-プロピルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、1,3-ビスシクロヘキシルスルホニルアゾメチルスルホニルプロパン、1,4-ビスフェニルスルホニルアゾメチルスルホニルブタン、1,6-ビスフェニルスルホニルアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスシクロヘキシルスルホニルアゾメチルスルホニルデカン等のビススルホニルジアゾメタン類、2-4-メトキシフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-メトキシナフチル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、トリス2,3-ジブロモプロピル-1,3,5-トリアジン、トリス2,3-ジブロモプロピルイソシアヌレート等のハロゲン含有トリアジン誘導体等が挙げられる。これらの光酸発生剤の中で、特に好ましくは活性光線又は放射線の作用により有機スルホン酸を発生する化合物が好ましい。PAGの配合量は、溶剤を除く全組成物中0~40重量、好ましくは5~30重量、さらに好ましくは5~20重量である。本発明においては、放射線照射により酸発生剤から生じた酸のレジスト膜中における拡散を制御して、未露光領域での好ましくない化学反応を阻止する作用等を有する酸拡散制御剤クエンチャーをフォトレジスト組成物に配合してもよい。この様な酸拡散制御剤を使用することにより、フォトレジスト組成物の貯蔵安定性が向上する。また解像度が向上するとともに、電子線照射前の引き置き時間、電子線照射後の引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。このような酸拡散制御剤としては、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デカニルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミン;1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン等の環状アミン等の窒素原子含有塩基性化合物、塩基性スルホニウム化合物、塩基性ヨードニウム化合物等の電子線放射分解性塩基性化合物が挙げられる。酸拡散制御剤は、単独で又は2種以上を使用することができる。クエンチャーの配合量は、溶剤を除く全組成物中0~40重量、好ましくは0.01~15重量である。また、本発明の組成物は架橋剤を配合してもよい。架橋剤としては、特に限定されず、これまでに知られている化学増幅型のネガ型レジスト組成物に用いられている架橋剤の中から任意に選択して用いることができる。具体的には、例えば2,3-ジヒドロキシ-5-ヒドロキシメチルノルボルナン、2-ヒドロキシ-5,6-ビスヒドロキシメチルノルボルナン、シクロヘキサンジメタノール、3,4,8又は9-トリヒドロキシトリシクロデカン、2-メチル-2-アダマンタノール、1,4-ジオキサン-2,3-ジオール、1,3,5-トリヒドロキシシクロヘキサン等のヒドロキシ基又はヒドロキシアルキル基あるいはその両方を有する脂肪族環状炭化水素又はその含酸素誘導体が挙げられる。また、メラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、尿素、エチレン尿素、プロピレン尿素、グリコールウリル等のアミノ基含有化合物にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基又は低級アルコキシメチル基で置換した化合物、エポキシ基を有する化合物が挙げられる。これらのうち、メラミンを用いたものをメラミン系架橋剤、尿素を用いたものを尿素系架橋剤、エチレン尿素、プロピレン尿素等のアルキレン尿素を用いたものをアルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリルを用いたものをグリコールウリル系架橋剤、エポキシ基を有する化合物を用いたものをエポキシ系架橋剤という。架橋剤としては、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリル系架橋剤、及びエポキシ系架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましく、特にグリコールウリル系架橋剤が好ましい。メラミン系架橋剤としては、メラミンとホルムアルデヒドとを反応させて、アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基で置換した化合物、メラミンとホルムアルデヒドと低級アルコールとを反応させて、アミノ基の水素原子を低級アルコキシメチル基で置換した化合物等が挙げられる。具体的には、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン、ヘキサプロポキシメチルメラミン、ヘキサブトキシブチルメラミン等が挙げられ、なかでもヘキサメトキシメチルメラミンが好ましい。尿素系架橋剤としては、尿素とホルムアルデヒドとを反応させて、アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基で置換した化合物、尿素とホルムアルデヒドと低級アルコールとを反応させて、アミノ基の水素原子を低級アルコキシメチル基で置換した化合物等が挙げられる。具体的には、ビスメトキシメチル尿素、ビスエトキシメチル尿素、ビスプロポキシメチル尿素、ビスブトキシメチル尿素等が挙げられ、なかでもビスメトキシメチル尿素が好ましい。アルキレン尿素系架橋剤としては、下記一般式C-1で表される化合物が挙げられる。[式C-1中、R5’とR6’はそれぞれ独立に水酸基又は低級アルコキシ基であり、R3’とR4’はそれぞれ独立に水素原子、水酸基又は低級アルコキシ基であり、vは0又は1~2の整数である。]R5’とR6’が低級アルコキシ基であるとき、好ましくは炭素数1~4のアルコキシ基であり、直鎖状でもよく分岐状でもよい。R5’とR6’は同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。同じであることがより好ましい。R3’とR4’が低級アルコキシ基であるとき、好ましくは炭素数1~4のアルコキシ基であり、直鎖状でもよく分岐状でもよい。R3’とR4’は同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。同じであることがより好ましい。vは、0又は1~2の整数であり、好ましくは0又は1である。アルキレン尿素系架橋剤としては、特に、vが0である化合物エチレン尿素系架橋剤及び/又はvが1である化合物プロピレン尿素系架橋剤が好ましい。上記一般式C-1で表される化合物は、アルキレン尿素とホルマリンを縮合反応させることにより、また、この生成物を低級アルコールと反応させることにより得ることができる。アルキレン尿素系架橋剤の具体例としては、例えば、モノ及び/又はジヒドロキシメチル化エチレン尿素、モノ及び/又はジメトキシメチル化エチレン尿素、モノ及び/又はジエトキシメチル化エチレン尿素、モノ及び/又はジプロポキシメチル化エチレン尿素、モノ及び/又はジブトキシメチル化エチレン尿素等のエチレン尿素系架橋剤;モノ及び/又はジヒドロキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び/又はジメトキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び/又はジエトキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び/又はジプロポキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び/又はジブトキシメチル化プロピレン尿素等のプロピレン尿素系架橋剤;1,3-ジメトキシメチル4,5-ジヒドロキシ-2-イミダゾリジノン、1,3-ジメトキシメチル-4,5-ジメトキシ-2-イミダゾリジノン等を挙げられる。グリコールウリル系架橋剤としては、N位がヒドロキシアルキル基及び炭素数1~4のアルコキシアルキル基の一方又は両方で置換されたグリコールウリル誘導体が挙げられる。かかるグリコールウリル誘導体は、グリコールウリルとホルマリンとを縮合反応させることにより、また、この生成物を低級アルコールと反応させることにより得ることができる。グリコールウリル系架橋剤の具体例としては、例えばモノ,ジ,トリ及び/又はテトラヒドロキシメチル化グリコールウリル;モノ,ジ,トリ及び/又はテトラメトキシメチル化グリコールウリル;モノ,ジ,トリ及び/又はテトラエトキシメチル化グリコールウリル;モノ,ジ,トリ及び/又はテトラプロポキシメチル化グリコールウリル;モノ,ジ,トリ及び/又はテトラブトキシメチル化グリコールウリル等が挙げられる。エポキシ系架橋剤としては、エポキシ基を有するものであれば特に限定されず、任意に選択して用いることができる。その中でも、エポキシ基を2つ以上有するものが好ましい。エポキシ基を2つ以上有することにより、架橋反応性が向上する。エポキシ基の数は、2つ以上であることが好ましく、より好ましくは2~4つであり、最も好ましくは2つである。エポキシ系架橋剤として好適なものを以下に示す。架橋剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。架橋剤の含有量は、本発明の化合物100質量部に対し、1~50質量部であることが好ましく、3~30質量部がより好ましく、3~15質量部がさらに好ましく、5~10質量部が最も好ましい。本発明においては、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解制御剤、増感剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料、顔料等を適宜、添加含有させることができる。溶解制御剤は、環状化合物のアルカリ現像液に対する溶解性が高すぎる場合に、その溶解性を低下させて現像時の溶解速度を適度にする作用を有する成分である。溶解制御剤としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、アセナフテン等の芳香族炭化水素類;アセトフェノン、ベンゾフェノン、フェニルナフチルケトン等のケトン類;メチルフェニルスルホン、ジフェニルスルホン、ジナフチルスルホン等のスルホン類等を挙げることができる。さらに、例えば、酸解離性官能基が導入されたビスフェノール類、t-ブチルカルボニル基が導入されたトリスヒドロキシフェニルメタン等をも挙げることができる。これらの溶解制御剤は、単独で又は2種以上を使用することができる。溶解制御剤の配合量は、使用する環状化合物の種類に応じて適宜調節されるが、固形成分全重量の0~50重量が好ましく、0~40重量がより好ましく、0~30重量がさらに好ましい。増感剤は、照射された放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を有し、レジストの見掛けの感度を向上させる成分である。このような増感剤としては、例えば、ベンゾフェノン類、ビアセチル類、ピレン類、フェノチアジン類、フルオレン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの増感剤は、単独で又は2種以上を使用することができる。増感剤の配合量は、固形成分全重量の0~50重量が好ましく、0~20重量がより好ましく、0~10重量がさらに好ましい。界面活性剤は、本発明のフォトレジスト組成物の塗布性やストリエーション、レジストとしての現像性等を改良する作用を有する成分である。このような界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれでも使用することができる。これらのうち、ノニオン系界面活性剤が好ましい。ノニオン系界面活性剤は、フォトレジスト組成物に用いる溶剤との親和性がよく、より効果がある。ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等の他、以下商品名で、エフトップジェムコ社製、メガファック大日本インキ化学工業社製、フロラード住友スリーエム社製、アサヒガード、サーフロン以上、旭硝子社製、ペポール東邦化学工業社製、KP信越化学工業社製、ポリフロー共栄社油脂化学工業社製等の各シリーズ製品を挙げることができるが、特に限定はされない。界面活性剤の配合量は、固形成分全重量の0~2重量が好ましく、0~1重量がより好ましく、0~0.1重量がさらに好ましい。また、染料あるいは顔料を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できる。さらに、接着助剤を配合することにより、基板との接着性を改善することができる。酸拡散制御剤を配合した場合の感度劣化を防ぎ、またレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸又はその誘導体を含有させることができる。尚、これらの化合物は、酸拡散制御剤と併用することもできるし、単独で用いてもよい。有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸等が好適である。リンのオキソ酸又はその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸又はそれらのエステル等の誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸又はそれらのエステル等の誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸及びそれらのエステル等の誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。レジストパターンを形成するには、まず、シリコンウェハー、ガリウムヒ素ウェハー、アルミニウムで被覆されたウェハー等の基板上に本発明のフォトレジスト組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布手段によって塗布することによりレジスト膜を形成する。必要に応じて、基板上に表面処理剤を予め塗布してもよい。表面処理剤としては、例えばヘキサメチレンジシラザン等のシランカップリング剤重合性基を有する加水分解重合性シランカップリング剤等、アンカーコート剤又は下地剤ポリビニルアセタール、アクリル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等、これらの下地剤と無機微粒子とを混合したコーティング剤が挙げられる。必要に応じて、大気中に浮遊するアミン等が侵入するのを防ぐために、レジスト膜に保護膜を形成してもよい。保護膜を形成することにより、放射線によりレジスト膜中に発生した酸が、大気中に不純物として浮遊しているアミン等の酸と反応する化合物と反応して失活し、レジスト像が劣化し感度が低下することを防止できる。保護膜用の材料としては水溶性かつ酸性のポリマーが好ましい。例えば、ポリアクリル酸、ポリビニルスルホン酸等が挙げられる。高精度の微細パターンを得るため、また露光中のアウトガスを低減するため、放射線照射前露光前に加熱するのが好ましい。その加熱温度は、フォトレジスト組成物の配合組成等により変わるが、20~250°Cが好ましく、より好ましくは40~150°Cである。次いで、KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線等の放射線により、レジスト膜を所望のパターンに露光する。露光条件等は、フォトレジスト組成物の配合組成等に応じて適宜選定される。本発明においては、高精度の微細パターンを安定して形成するために、放射線照射後露光後に加熱するのが好ましい。露光後加熱温度PEBは、フォトレジスト組成物の配合組成等により変わるが、20~250°Cが好ましく、より好ましくは40~150°Cである。次いで、露光されたレジスト膜をアルカリ現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成できる。アルカリ現像液としては、例えば、モノ-、ジ-あるいはトリアルキルアミン類、モノ-、ジ-あるいはトリアルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH、コリン等のアルカリ性化合物の1種以上を溶解した、好ましくは1~10重量、より好ましくは1~5重量のアルカリ性水溶液を使用する。アルカリ現像液には、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類や界面活性剤を適量添加することもできる。これらのうちイソプロピルアルコールを10~30重量添加することが特に好ましい。尚、このようなアルカリ性水溶液からなる現像液を用いた場合は、一般に、現像後水で洗浄する。本発明の化合物をフォトレジスト基材として用いる場合、例えば酸発生剤、架橋剤を併用すると、KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線等の放射線により、レジスト膜を所望のパターンに露光すると、酸発生剤から酸が発生し、酸が作用して本発明の化合物同士、若しくは添加した架橋剤との間で架橋が起こり、本発明の組成物はアルカリ現像液に対して不溶となる。一方、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶のままであり、これをアルカリ現像することによりレジストパターンが形成できる。本発明の組成物を用いると、高感度、低ラインエッジラフネスでの高微細加工が可能である。アルカリ現像液に対する非溶解性については、形成するパターンのサイズ、使用するアルカリ現像液の種類等の現像条件により、好ましい非溶解性が異なるため一概に規定することはできないが、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液をアルカリ現像液として用いる場合、フォトレジスト基材からなる薄膜の現像液溶解速度で表される非溶解性としては、1ナノメートル/秒未満が好ましく、0.5ナノメートル/秒未満が特に好ましい。尚、場合によっては上記アルカリ現像後、ポストベーク処理を行ってもよいし、基板とのレジスト膜の間には有機系又は無機系の反射防止膜を設けてもよい。レジストパターンを形成した後、エッチングすることによりパターン配線基板が得られる。エッチングは、プラズマガスを使用するドライエッチング、アルカリ溶液、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等を用いるウェットエッチング等公知の方法で行うことができる。レジストパターンを形成した後、銅めっき、はんだめっき、ニッケルめっき、金めっき等のめっき処理を行うこともできる。エッチング後の残留レジストパターンは、有機溶剤やアルカリ現像液より強アルカリ性の水溶液で剥離することができる。上記有機溶剤としては、PGMEA、PGME、EL、アセトン、テトラヒドロフラン等が挙げられ、強アルカリ水溶液としては、例えば、1~20重量の水酸化ナトリウム水溶液、及び1~20重量の水酸化カリウム水溶液が挙げられる。剥離方法としては、例えば、浸漬方法、スプレイ方式等が挙げられる。またレジストパターンが形成された配線基板は、多層配線基板でもよく、小径スルーホールを有していてもよい。本発明のフォトレジスト組成物を用いてレジストパターンを形成した後、金属を真空蒸着し、その後レジストパターンを溶液で溶離する方法、即ちリフトオフ法により配線基板を形成することもできる。本発明のフォトレジスト組成物を用いて微細加工方法により、半導体装置を作製できる。この半導体装置は、テレビ受像機、携帯電話、コンピュータ等の電気製品電子機器、ディスプレイ、コンピュータ制御する自動車等の様々な装置に備えることができる。本発明の化合物は公知の成形方法によって各種成形品シリコンウェハ等の基板に形成した薄膜、フィルム、薄板、ファイバー等を製造することができる。成形方法としては、射出成型法、射出圧縮成型法、押出成型法、ブロー成型法、加圧成型法、トランスファー成型法、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、キャスト法、蒸着法、熱CVD法、プラズマCVD法、プラズマ重合法等が挙げられ、これら成形方法を所望の製品の形態、性能に応じて適宜選択できる。また、本発明の化合物を用いて上記の方法により薄膜を得て、得られた薄膜を熱、紫外線、深紫外線、真空紫外線、極端紫外線、電子線、プラズマ、X線等により硬化環化付加反応させてもよい。スピンコーティング法等により本発明の化合物を薄膜に形成する場合、本発明の化合物を有機溶媒に溶解させて塗料として用いることができる。有機溶媒としては、クロロホルム、ジクロロメタン、1,1,2,2-テトラクロロエタン、ジクロロエタン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、テトラクロロベンゼン、ジメチルホルムアミドDMF、N-メチルピロリドンNMP、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシドDMSO、アニソール、アセトフェノン、ベンゾニトリル、ニトロベンゼン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフランTHF、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン等が挙げられる。塗料中における本発明の化合物の濃度は、塗料の粘度や薄膜形成方法等を考慮して適宜調製すればよい。薄膜の厚さは特に限定されないが、一般に10nm~10μm程度のものが好適に使用される。薄膜の膜厚は、エリプソメータ、反射光学式膜厚計等による光学的膜厚測定、触針式膜厚測定器やAFM等による機械的膜厚測定が可能である。本発明の薄膜は、フォトレジスト薄膜としての用途の他、光学レンズ、光ファイバー、光導波路、フォトニック結晶等の種々の光情報処理装置向け光学薄膜、半導体用層間絶縁膜、半導体用保護膜等のULSI装置向け薄膜、液晶ディスプレー、液晶プロジェクター、プラズマディスプレー、ELディスプレー、LEDディスプレー等の画像表示装置向け薄膜、CMOSイメージセンサ、CCDイメージセンサ等に使用される薄膜として有用である。さらにこれら薄膜は、CPU、DRAM、フラッシュメモリ等の半導体装置、情報処理用小型電子回路装置、高周波通信用電子回路装置等の電子回路装置、画像表示装置、光情報処理用装置、光通信用装置等の部材、表面保護膜、耐熱膜において利用することもできる。合成例1窒素気流下、容量200ミリリットルの丸底フラスコに、3-メトキシフェノール東京化成工業株式会社製50.0g402.8ミリモル、4-ホルミル安息香酸東京化成工業株式会社製60.5g402.8ミリモル、脱水ジクロロメタン500ミリリットルを加えて氷水浴に浸漬させ、5°C以下に冷却した。この混合物に対して、三フッ化ホウ素エーテル付加体和光純薬工業株式会社製60.8ミリリットル483.6ミリモルを内温が15°Cを越えないように滴下した後、室温まで昇温して8時間撹拌を継続した。反応溶液を氷水浴で冷却し、ゆっくり水を滴下してクエンチし、析出した固体をろ別した。さらに、ろ別した析出物を中性になるまで水洗し、その後、N-メチル-2-ピロリドンに溶解させ、酢酸エチルで再沈し、析出した固体をろ別することにより、環状化合物Aを得た収量94.4g。1H-NMR測定の結果を図1に示す。1H-NMRスペクトルから、得られた化合物が下記式1の構造であることを確認した。合成例22-オキシラン-2-イルエチルブロモアセテートの合成窒素気流下、3-ブテン-1-オール15g208.0mmol、脱水エーテル300mlにトリエチルアミン34.8ml249.6mmolを加え氷冷した。この溶液にブロモ酢酸ブロミド21.7ml249.6mmolを滴下した。滴下終了後、室温まで昇温し、そのまま攪拌を行った。反応溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。残渣を減圧蒸留することにより3-ブテニルブロモアセテートを得た収量35.5g183.9mmol。窒素気流下、3-ブテニルブロモアセテート35.5g183.9mmolをジクロロメタン300mlに溶解し氷冷した。これに、65含量のm-クロロ過安息香酸58.9g221.8mmolを加え8時間攪拌をおこなった。亜硫酸水素ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧下溶媒を留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、2-オキシラン-2-イルエチルブロモアセテートを得た収量28.9g149.7mmol。1H-NMR:1.85m,1H,2.01m,1H,2.531H,2.811H,3.89s,2H,4.35t,2HCDCl3合成例37-オキサ―ビシクロ[4.1.0]ヘプタン-3-イルメチルブロモアセテートの合成窒素気流下、3-シクロヘキセン-1-メタノール15.6ml133.72mmol、トリエチルアミン22.3ml160.42mmolをジエチルエーテル450mlに溶し氷冷した。この溶液に、ブロモ酢酸ブロミド14ml160.71mlを滴下した。滴下終了後、そのまま8時間攪拌を行なった。反応溶液を氷冷水に投入後酢酸エチルを加えた。有機層を分離、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、減圧下溶媒を留去した。残渣を減圧蒸留することにより、3-シクロヘキセン-1-メチルブロモアセテート19.57g88.3mmolを得た。窒素気流下、得られた化合物をジクロロメタン300mlに溶解し氷冷した。これに、m-クロロ過安息香酸26.9g~65含量を加え8時間攪拌をおこなった。亜硫酸水素ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧下溶媒を留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、7-オキサ―ビシクロ[4.1.0]ヘプタン-3-イルメチルブロモアセテートを得た収量18.3g73.46mmol。1H-NMR:1.0-2.27H,3.192H,3.85s,2H,3.982HCDCl3実施例1化合物2の合成窒素気流下、100ml丸底フラスコに合成例1で得たカリックスレゾルシナレン化合物2.0g1.95mmol、N-メチル-2-ピロリドン30mlを封入し溶解させた。合成例2で得た2-オキシラン-2-イルエチルブロモアセテート2.24g10.72mmolを加えた。次に、トリエチルアミン1.50ml10.72mmolを加え10分攪拌し、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エンDBU0.48ml3.22mmolを加えた。そのまま、20時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム溶液を加えることで反応を停止させた。続いて、酢酸エチルにて反応溶液を抽出し、純水及び飽和食塩水にて洗浄した。得られた溶液を濃縮し、酢酸エチル及びヘキサンの混合溶媒にて再沈殿させ、目的物を得た収量2.10g、収率70.0。1H-NMRスペクトルから、得られた化合物が下記式2の構造であることを確認した。1H-NMR:1.6-1.958H,2.684H,2.984H,3.4-3.712H,4.298H,4.878H,5.1-5.3,5.51-5.71,6.15-6.4,6.5112H,6.6-6.88H,7.4-7.68H,8.9-9.1,9.1-9.24HCD32SO実施例2化合物3の合成合成例3で得た化合物を使用した以外は実施例1と同様な方法によりフォトレジスト基材3を得た。1H-NMRスペクトルから、得られた化合物が下記式の構造であることを確認した。1H-NMR:0.9-2.128H,3.0-3.18H,3.4-3.712H,3.8-4.08H,5.1-5.3,5.51-5.71,6.15-6.4,6.5112H,6.6-6.88H,7.4-7.68H,8.9-9.1,9.1-9.24HCD32SO比較例1化合物4の合成滴下漏斗、ジムロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ1Lに、窒素気流下で、レゾルシノール22g、0.2molと、アセトアルデヒド8.8g,0.2molと、脱水エタノール200mlを導入した。この溶液を攪拌しながら85°Cまで加熱、次いで濃塩酸3575mlを、滴下漏斗を用いて滴下した後、引き続き85°Cで3時間攪拌した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却、1時間静置後、生成した粗結晶を濾別した。これをメタノールで2回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、目的とする下記化合物4収率95を得た。フォトレジスト組成物実施例3基材、PAG光酸発生材、クエンチャー、架橋剤、溶剤からなるフォトレジスト組成物を作製し、電子線を使用してシリコンウェハにパターンを形成した。基材として、実施例1で得た化合物2、PAGとしてトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、クエンチャーとして1,4-ジアザビシクロ2,2,2オクタン、そして架橋剤としてMX270三和ケミカル社製を使用した。各成分の配合を表1に示す。これらの固体成分の濃度が2重量となるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させ、フォトレジスト組成物とした。実施例4、比較例2表1に示すように、基材で使用する化合物及び配合を変更した他は、実施例3と同様にしてフォトレジスト組成物を調製した。上記実施例3,4及び比較例2で得たフォトレジスト組成物を、それぞれ、ヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施したシリコンウェハ上にスピンコートし、表1に示す温度でプリベーク露光前ベークPBすることにより薄膜を形成した。次いで、この薄膜を有する基板に対して電子線描画装置加速電圧50kVを用いて描画し、表1に示す温度で露光後ベークPEBした後、濃度が2.38重量のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間現像処理し、純水にて60秒洗浄、その後、窒素気流により乾燥した。走査型電子顕微鏡による観察結果から得られた、サイズが1/1のライン/スペースパターンを作製した際の解像度ハーフピッチと感度必要な電子線ドーズ量及びラインエッジラフネスLERの結果を表2に示す。LERは50nm、1:1ラインアンドスペースパターンについて測定を実施した。尚、クエンチャーとして1,4-ジアザビシクロ2,2,2オクタンの代わりにトリn-オクチルアミンを用いても結果は同一であった。基材PAGクエンチャー架橋剤中の数字は配合量質量部である。LERは3nm以下を○、3nm<LER<4nmを△、4nm以上を×とした。"