"導電性酸化物粒子と、加熱により硬化するバインダーと、を含み、バインダーが、一般式1:R1SiOR23式中、R1は、炭素数が1~12の1価の炭化水素基であり、R2は、炭素数:1~4の直鎖または分岐アルキル基であるで示される、オルガノトリアルコキシシランおよび/またはその加水分解物を含むことを特徴とする、薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物。一般式1:R1SiOR23で示される、オルガノトリアルコキシシランおよび/またはその加水分解物を、バインダー:100質量部に対して、50~95質量部含む、請求項1記載の薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物。さらに、シランカップリング剤を含む、請求項1または2記載の薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物。導電性酸化物粒子と、硬化したバインダーと、を含み、硬化したバインダーが、一般式1:R1SiOR23式中、R1は、炭素数が1~12の1価の炭化水素基であり、R2は、炭素数:1~4の直鎖または分岐アルキル基であるで示されるオルガノトリアルコキシシランの加水分解物を含むことを特徴とする、薄膜太陽電池向け透明導電膜。請求項4記載の薄膜太陽電池向け透明導電膜を含む、薄膜太陽電池。基材、透明電極層、光電変換層、および透明導電膜を、この順に備える薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法であって、基材の透明電極層上に形成された光電変換層上に、請求項1~3のいずれか1項記載の透明導電膜用組成物を、湿式塗工法により塗布して透明導電塗膜を形成した後、透明導電塗膜を有する基材を、130~400°Cで焼成して、厚さ:0.03~0.5μmの透明導電膜を形成することを特徴とする、薄膜太陽電池向け透明導電膜の製造方法。湿式塗工法が、スプレーコーティング法、ディスペンサーコーティング法、スピンコーティング法、ナイフコーティング法、スリットコーティング法、インクジェットコーティング法、ダイコーティング法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、またはグラビア印刷法である、請求項6記載の薄膜太陽電池向け透明導電膜の製造方法。本発明は、上記の湿式塗工法により製造される透明導電膜を改良することを課題とする。本発明者らは、透明導電膜用組成物を改良し、湿式塗工法で用いられる透明導電膜の屈折率と、光電変換層の屈折率の差を大きくすることにより、透明導電膜-光電変換層界面での反射光が増加し、この増加した光電変換層への戻り光により、薄膜太陽電池の発電効率を向上させることができることを見出した。同様の手法は、サブストレート型太陽電池やバルクシリコン太陽電池にも適用可能である。本発明は、以下に示す構成によって上記課題を解決した薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物、および透明導電膜に関する。1導電性酸化物粒子と、加熱により硬化するバインダーと、を含み、バインダーが、一般式1:R1SiOR23式中、R1は、炭素数が1~12の1価の炭化水素基であり、R2は、炭素数:1~4の直鎖または分岐アルキル基であるで示される、オルガノトリアルコキシシランおよび/またはその加水分解物を含むことを特徴とする、薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物。2一般式1:R1SiOR23で示される、オルガノトリアルコキシシランおよび/またはその加水分解物を、バインダー:100質量部に対して、50~95質量部含む、上記1記載の薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物。3さらに、シランカップリング剤を含む、上記1または2記載の薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物。4導電性酸化物粒子と、硬化したバインダーと、を含み、硬化したバインダーが、一般式1:R1SiOR23式中、R1は、炭素数が1~12の1価の炭化水素基であり、R2は、炭素数:1~4の直鎖または分岐アルキル基であるで示されるオルガノトリアルコキシシランの加水分解物を含むことを特徴とする、薄膜太陽電池向け透明導電膜。5上記4記載の薄膜太陽電池向け透明導電膜を含む、薄膜太陽電池。6基材、透明電極層、光電変換層、および透明導電膜を、この順に備える薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法であって、基材の透明電極層上に形成された光電変換層上に、上記1~3のいずれか記載の透明導電膜用組成物を、湿式塗工法により塗布して透明導電塗膜を形成した後、透明導電塗膜を有する基材を、130~400°Cで焼成して、厚さ:0.03~0.5μmの透明導電膜を形成することを特徴とする、薄膜太陽電池向け透明導電膜の製造方法。7湿式塗工法が、スプレーコーティング法、ディスペンサーコーティング法、スピンコーティング法、ナイフコーティング法、スリットコーティング法、インクジェットコーティング法、ダイコーティング法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、またはグラビア印刷法である、上記6記載の薄膜太陽電池向け透明導電膜の製造方法。本発明1の透明導電膜用組成物は、湿式塗工法で光電変換層上に塗布、焼成することができる。硬化後の透明導電膜には、マイクロポア構造が形成されると考えられ、このマイクロポア構造により透明導電膜の屈折率が低下する。したがって、透明導電膜の屈折率と、光電変換層の屈折率の差が大きくなり、透明導電膜-光電変換層界面での反射光が増加し、この増加した光電変換層への戻り光で、薄膜太陽電池の発電効率を向上させることが可能な透明導電膜を簡便に得ることができる。本発明4によれば、透明導電膜-光電変換層界面での反射光が増加し、この増加した光電変換層への戻り光により、発電効率が向上した薄膜太陽電池を簡便に得ることができる。本発明6によれば、高額な真空設備を用いずに、透明導電膜の形成が可能であり、発電効率の高い薄膜太陽電池を簡便に、低コストで製造することができる。以下、本発明を実施形態に基づいて具体的に説明する。なお、は特に示さない限り、また数値固有の場合を除いて質量である。スーパーストレート型薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物本発明の薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物以下、透明導電膜用組成物というは、導電性酸化物粒子と、加熱により硬化するバインダーと、を含み、バインダーが、一般式1:R1SiOR23式中、R1は、炭素数が1~12の1価の炭化水素基であり、R2は、炭素数:1~4の直鎖または分岐アルキル基であるで示される、オルガノトリアルコキシシランおよび/またはその加水分解物を含むことを特徴とする。導電性酸化物粒子は、透明導電膜用組成物の硬化物、すなわち透明導電膜に導電性を付与する。導電性酸化物粒子としては、ITOIndiumTinOxide:インジウム錫酸化物、ATOAntimonyTinOxide:アンチモンドープ酸化錫の酸化錫粉末やAl、Co、Fe、In、Sn、およびTiからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属を含有する酸化亜鉛粉末等が好ましく、このうち、ITO、ATO、AZOAluminumZincOxide:アルミドープ酸化亜鉛、IZOIndiumZincOxide:インジウムドープ酸化亜鉛、TZOTinZincOxide:スズドープ酸化亜鉛が、より好ましい。また、導電性酸化物微粒子の平均粒径は、分散媒中で安定性を保つため、10~100nmの範囲内であることが好ましく、このうち、20~60nmの範囲内であると、より好ましい。ここで、平均粒径は、QUANTACHROMEAUTOSORB-1による比表面測定によるBET法で測定する。バインダーは、一般式1:R1SiOR23式中、R1は、炭素数が1~12の1価の炭化水素基であり、R2は、炭素数:1~4の直鎖または分岐アルキル基であるで示される、オルガノトリアルコキシシランおよび/またはその加水分解物を含む。このオルガノトリアルコキシシランおよび/またはその加水分解物は、透明導電膜中でマイクロポア構造を形成すると考えられ、このマイクロポア構造により透明導電膜の屈折率を低下させることができる。R1としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等のアルキル基;シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;2-フェニルプロピル基等のアラルキル基;フェニル基、トリル基等のアリール基等からなる群より選択される少なくとも1種を含む官能基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、またはフェニル基が加水分解反応制御、マイクロポア構造形成の観点から、より好ましい。また、R1は、透明導電膜に応力緩和性を付与するので、ヒートサイクル試験での変換効率低下を抑制し、長期的に安定な薄膜太陽電池を提供することができる。R2としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられ、メチル基、エチル基またはメチルエチル基が加水分解反応制御の観点から、より好ましい。オルガノトリアルコキシシランとしては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリスメトキシエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等が挙げられ、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン及びフェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシランが、加水分解反応制御の観点から好ましい。触媒として利用する酸としては、塩酸、硝酸、リン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、クエン酸等が挙げられ、硝酸、ギ酸、酢酸が、加水分解反応制御の観点から好ましい。加水分解に用いるのは、イオン交換水、純水が好ましい。オルガノトリアルコキシシラン1モルに対して、触媒は、1×10-3~1×10-1モルが好ましく、水は、2~10モルが好ましい。触媒として用いる、酸アルカリに関しては、極力低濃度のものをゆっくりと添加し、加水分解及び重縮合反応を緩やかに制御することが好ましい。加水分解液の重縮合を促進させるために利用するアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、モノメチルアミン、モノエチルアミン等が挙げられ、アンモニア、モノエチルアミンが、重縮合反応制御および低残留不純物の観点から好ましい。例えば、アンモニアを用いた場合には、水および水と有機溶媒の混合物100質量部に対して、0.001~1重量部程度が好ましい。反応にもちいる有機溶媒としては、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、イソブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、アセトン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジアセトンアルコールが挙げられ、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、ジアセトンアルコールが好ましい。有機溶媒は、1種でも、2種以上を混合してもよい。加水分解条件としては、加水分解反応及び重縮合反応速度を極力緩やかなものとし、粒子を生成させず溶解した加水分解物を得るため、温度は、好ましくは0~60°C、より好ましくは、0~50°Cであり、時間は、好ましくは30~360分、より好ましくは、60~240分である。オルガノトリアルコキシシランの加水分解物は、シルセスキオキサンを含むと、マイクロポア構造を形成し易い観点から好ましい。オルガノトリアルコキシシランは、加水分解反応が進行すると、シルセスキオキサンになる。ここで、シルセスキオキサンは、シロキサン結合で構成される含ケイ素ポリマーであり、R1SiO3/2で示され、以下の式1:を基本構成単位とするポリシロキサンの総称である。バインダーは、加熱により硬化するポリマー型バインダー又はノンポリマー型バインダーのいずれか一方又は双方を含む組成物を含むと、透明導電膜の密着性および加工性を向上させるため、好ましい。ポリマー型バインダーとしては、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエステル、アルキッド樹脂、ポリウレタン、アクリルウレタン、ポリスチレン、ポリアセタール、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、セルロース、およびシロキサンポリマー等が挙げられる。また、ポリマー型バインダーには、アルミニウム、シリコン、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銀、銅、亜鉛、モリブデンまたは錫の、金属石鹸、金属錯体、金属アルコキシドまたは金属アルコキシドの加水分解体が含まれることが好ましい。ノンポリマー型バインダーとしては、金属石鹸、金属錯体、金属アルコキシド、ハロシラン類、2-アルコキシエタノール、β-ジケトン、およびアルキルアセテートなどが挙げられる。また、金属石鹸、金属錯体、または金属アルコキシドに含まれる金属は、アルミニウム、シリコン、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銀、銅、亜鉛、モリブデン、錫、インジウムまたはアンチモンであると好ましく、シリコン、アルミニウムのアルコキシド例えば、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、アルミニウムエトキシド、アルミニウムイソプロポキシドが、より好ましい。これらポリマー型バインダー、ノンポリマー型バインダーが、加熱により硬化することで、低温での低いヘイズ率及び体積抵抗率の透明導電膜の形成を可能とする。なお、金属アルコキシドは、加水分解物、またはこの脱水物でもよい。バインダーは、使用する他の成分に応じてカップリング剤を加えるのが好ましい。カップリング剤は、シルセスキオキサンとマイクロポア構造を形成したり、導電性酸化物粒子や、バインダーとの結合性を向上したり、透明導電膜用組成物により形成される透明導電膜と、基材に積層された光電変換層または導電性反射膜との密着性を向上するため添加される。カップリング剤としては、シランカップリング剤、アルミカップリング剤及びチタンカップリング剤などが挙げられる。シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシランCH2=CHSiOCH2CH33、ビニルトリメトキシシランCH2=CHSiOCH33、ビニルトリス2-メトキシエトキシシランCH2=CHSiOCH2CH2OCH33、式2:で表される3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、式3:で表される3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシランHSCH2CH2CH2SiOCH33、3-メルカプトプロピルトリエトキシシランHSCH2CH2CH2SiOCH2CH33、3-アミノプロピルトリエトキシシランH2NCH2CH2CH2SiOCH2CH33、3-アミノプロピルトリメトキシシランH2NCH2CH2CH2SiOCH33、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシランO=C=NCH2CH2CH2SiOCH2CH33、3-イソシアネートプロピルトリメトキシシランO=C=NCH2CH2CH2SiOCH33、式4:で表される3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、式5:で表される3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、式6:で表される3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、式7:で表されるN-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシランが挙げられる。これらの中で、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシランが、加水分解反応制御、マイクロポア構造形成の点から好ましい。透明導電膜用組成物は、透明導電膜用組成物中の固形分導電性酸化物粒子、およびバインダー等:100質量部に対して、導電性酸化物粒子を98~65質量部含むと好ましく、95~70質量部含むと、より好ましい。上限値を越えると密着性が低下し、下限値未満では導電性が低下するからである。バインダーの含有量は、透明導電膜用組成物中の固形分導電性酸化物粒子、およびバインダー等:100質量部に対して、5~50質量部であると好ましく、10~30質量部であると、より好ましい。一般式1:R1SiOR23で示される、オルガノトリアルコキシシランおよび/またはその加水分解物の含有量は、バインダー:100質量部に対して、50~95質量部含むと好ましい。上限値を超えると透明導電膜の密着性および加工性が低下する場合があり、下限値未満では十分な増反射の効果が得られ難い。カップリング剤を含有する場合のカップリング剤の含有量は、透明導電膜用組成物に占める固形分導電性酸化物粒子、バインダー、およびシランカップリング剤等:100質量部に対して、0.2~10質量部が好ましく、0.3~7質量部がより好ましい。透明導電膜用組成物は、成膜を良好にするために、分散媒を含むと好ましい。分散媒としては、水;メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン類;トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素類;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド類;ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類やエチレングリコール等のグリコール類;エチルセロソルブ等のグリコールエーテル類等が挙げられる。分散媒の含有量は、良好な成膜性を得るために、透明導電膜用組成物:100質量部に対して、65~99質量部であると好ましい。また、使用する成分に応じて、低抵抗化剤や水溶性セルロース誘導体等を加えることが好ましい。低抵抗化剤としては、コバルト、鉄、インジウム、ニッケル、鉛、錫、チタンおよび亜鉛の鉱酸塩および有機酸塩からなる群より選ばれた1種又は2種以上が好ましい。例えば、酢酸ニッケルと塩化第二鉄の混合物、ナフテン酸亜鉛、オクチル酸錫と塩化アンチモンの混合物、硝酸インジウムと酢酸鉛の混合物、アセチル酢酸チタンとオクチル酸コバルトの混合物等が挙げられる。これら低抵抗化剤の含有量は、導電性酸化物粉末:100質量部に対して、0.2~15質量部が好ましい。水溶性セルロース誘導体は、非イオン化界面活性剤であるが、他の界面活性剤に比べて少量の添加でも導電性酸化物粉末を分散させる能力が極めて高く、また、水溶性セルロース誘導体の添加により、形成される透明導電膜の透明性も向上する。水溶性セルロース誘導体としては、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース等が挙げられる。水溶性セルロース誘導体の添加量は、導電性酸化物粉末:100質量部に対して、0.2~5質量部が好ましい。透明導電膜用組成物は、所望の成分を、常法により、ペイントシェーカー、ボールミル、サンドミル、セントリミル、三本ロール等によって混合し、導電性酸化物粒子、シルセスキオキサン粒子等を分散させ、製造することができる。無論、通常の攪拌操作によって製造することもできる。スーパーストレート型薄膜太陽電池向け透明導電膜本発明の薄膜太陽電池向け透明導電膜以下、透明導電膜というは、導電性酸化物粒子と、硬化したバインダーと、を含み、硬化したバインダーが、一般式1:R1SiOR23式中、R1とR2は、上記のとおりあるで示される、オルガノトリアルコキシシランの加水分解物を含むことを特徴とする。透明導電膜導電性酸化物粒子、オルガノトリアルコキシシランの加水分解物については、上述のとおりであり、硬化したバインダーは、上述のバインダーを硬化させたもの、すなわち、上述の薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物を硬化させたものである。本発明の透明導電膜の製造方法は、基材、透明電極層、光電変換層、および透明導電膜を、この順に備える薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法であって、基材の透明電極層上に形成された光電変換層上に、上記透明導電膜用組成物を、湿式塗工法により塗布して透明導電塗膜を形成した後、透明導電塗膜を有する基材を、130~400°Cで焼成して、厚さ:0.03~0.5μmの透明導電膜を形成することを特徴とする。まず、基材、透明電極層、光電変換層、および透明導電膜を、この順に備える薄膜太陽電池の光電変換層上に、上記透明導電膜用組成物を、湿式塗工法により塗布する。ここでの塗布は、焼成後の厚さが、0.03~0.5μm、好ましくは0.05~0.2μmの厚さとなるようにする。続いて、この塗膜を、温度20~120°C、好ましくは25~60°Cで、1~30分間、好ましくは2~10分間乾燥する。このようにして透明導電塗膜を形成する。上記基材は、ガラス、セラミックスもしくは高分子材料からなる透光性基板のいずれか、またはガラス、セラミックス、高分子材料、およびシリコンからなる群より選ばれた2種類以上の透光性積層体を使用することができる。高分子基板としては、ポリイミドやPETポリエチレンテレフタレート等の有機ポリマーにより形成された基板が挙げられる。更に上記湿式塗工法は、スプレーコーティング法、ディスペンサーコーティング法、スピンコーティング法、ナイフコーティング法、スリットコーティング法、インクジェットコーティング法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、またはダイコーティング法のいずれかであることが好ましいが、これに限られるものではなく、あらゆる方法を利用できる。スプレーコーティング法は、透明導電膜用組成物を圧縮エアにより霧状にして基材に塗布する、または分散体自体を加圧し霧状にして基材に塗布する方法であり、ディスペンサーコーティング法は、例えば、透明導電膜用組成物を注射器に入れ、この注射器のピストンを押すことにより注射器先端の微細ノズルから分散体を吐出させて、基材に塗布する方法である。スピンコーティング法は、透明導電膜用組成物を回転している基材上に滴下し、この滴下した透明導電膜用組成物を、その遠心力により基材周縁に拡げる方法であり、ナイフコーティング法は、ナイフの先端と所定の隙間をあけた基材を水平方向に移動可能に設け、このナイフより上流側の基材上に透明導電膜用組成物を供給して、基材を下流側に向って水平移動させる方法である。スリットコーティング法は、透明導電膜用組成物を狭いスリットから流出させて基材上に塗布する方法であり、インクジェットコーティング法は、市販のインクジェットプリンタのインクカートリッジに透明導電膜用組成物を充填し、基材上にインクジェット印刷する方法である。スクリーン印刷法は、パターン指示材として紗を用い、その上に作られた版画像を通して透明導電膜用組成物を基材に転移させる方法である。オフセット印刷法は、版に付けた透明導電膜用組成物を、直接基材に付着させず、版から一度ゴムシートに転写させ、ゴムシートから改めて基材に転移させる、透明導電膜用組成物の撥水性を利用した印刷方法である。ダイコーティング法は、ダイ内に供給された透明導電膜用組成物を、マニホールドで分配させてスリットより薄膜上に押し出し、走行する基材の表面を塗工する方法である。ダイコーティング法には、スロットコート方式やスライドコート方式、カーテンコート方式がある。最後に、透明導電塗膜を有する基材を、大気中または窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で、130~400°C、好ましくは150~350°Cの温度で、5~60分間、好ましくは15~40分間保持して焼成する。ここで、焼成後の透明導電膜の厚さが0.03~0.5μmの範囲となるように透明導電膜用組成物を塗布する理由は、焼成後の厚さが0.03μm未満、又は0.5μmを越えると、増反射効果が十分に得られないからである。塗膜を有する基材の焼成温度を130~400°Cの範囲としたのは、130°C未満では、複合膜における透明導電膜において表面抵抗値が高くなりすぎる不具合が生じるからである。また、400°Cを越えると、低温プロセスという生産上のメリットを生かせない、すなわち、製造コストが増大し、生産性が低下してしまう。また、特にアモルファスシリコン、微結晶シリコン、またはこれらを用いたハイブリッド型シリコン太陽電池は比較的熱に弱く、焼成工程によって変換効率が低下するからである。塗膜を有する基材の焼成時間を5~60分間の範囲としたのは、焼成時間が下限値未満では、複合膜における透明導電膜において表面抵抗値が高くなりすぎる不具合が生じるからである。焼成時間が上限値を越えると、必要以上に製造コストが増大して生産性が低下してしまい、また、太陽電池セルの変換効率が低下する不具合を生じるためである。以上により、本発明の透明導電膜を形成することができる。このように、本発明の製造方法は、湿式塗工法を使用することにより、真空蒸着法やスパッタ法などの真空プロセスを可能な限り排除できるため、より安価に透明導電膜を製造できる。また、本発明の透明導電膜は、オルガノトリアルコキシシランの加水分解物を含有するため、シルセスキオキサン構造を代表構造とするマイクロポアが形成されると考えられ、透明導電膜の屈折率が低下する。光電変換層と透明導電膜との間の屈折率差が、従来よりも大きくなると、透明導電膜から光電変換層への反射光が増えて、光閉じ込め効果により光電変換効率が向上する。また、オルガノトリアルコキシシランの加水分解物シルセスキオキサン等は、炭化水素基を持つ構造のため、透明導電膜に応力緩和性を付与する。例えば、-40~90°Cでの冷熱サイクルを繰り返すヒートサイクル試験を用いた加速耐久性試験後での変換効率の低下が、従来品と比べて少なく、長期的に安定な薄膜太陽電池となる。薄膜太陽電池本発明の薄膜太陽電池は、上記の薄膜太陽電池向け透明導電膜を含む。図1に、本発明の薄膜太陽電池の断面の一例を示す。図1は、スーパーストレート型薄膜太陽電池の場合である。スーパーストレート型薄膜電池は、基材10、透明電極層3、光電変換層2、透明導電膜1、導電性反射膜4の順に備えており、基板10側から太陽光が入射する。入射した太陽光の多くは、導電性反射膜4で反射され、光電変換層2に戻り、変換効率を向上させている。ここで、透明導電膜1と光電変換層2の界面でも太陽光の反射は起きており、本発明の透明導電膜用組成物を用いた透明導電膜1は、屈折率が低いため、透明導電膜1と光電変換層2の界面での反射光を増加させ、薄膜太陽電池の発電効率を向上させることができる。以下に、実施例により、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。表1~3で示す組成数値は、質量部を示すになるように、合計が60gで、100cm3のガラス瓶中に入れ、直径:0.3mmのジルコニアビーズ:100gを用いて、ペイントシェーカーで6時間分散することにより、実施例1~20、比較例1の透明導電膜組成物を作製した。なお、表1~3の比率の欄では、導電性酸化物粒子を導と、カップリング剤をカップと省略した。ここで、R1SiOR23を含む結合剤1~5と、バインダーとして用いたSiO2結合剤1~7は、以下のようにして、作製した。R1SiOR23を含む結合剤1500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、140gのメチルトリメトキシシランと、140gのメチルアルコールを加え、攪拌しながら、1.7gの60硝酸を120gの純水に溶解した溶液を、一度に加え、その後50°Cで3時間反応させ、加水分解反応液を得た。さらに、0.1gのアンモニア水を、30gの純水と70gのエタノール混合液に添加させたアルカリ溶液を、120分かけてチューブポンプを用いて、加水分解反応液に投入させることにより製造した。R1SiOR23を含む結合剤2500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、140gのメチルトリエトキシシランと、140gのメチルアルコールを加え、攪拌しながら、1.5gのギ酸を120gの純水に溶解した溶液を一度に加え、その後50°Cで3時間反応させ、加水分解反応液を得た。さらに、0.05gのアンモニア水を、30gの純水と70gのエタノールの混合液に添加させたアルカリ溶液を、90分程度かけてチューブポンプを用いて、加水分解反応液に投入することにより製造した。R1SiOR23を含む結合剤3200cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、0.5gのメチルトリメトキシシランと、2.3gのフェニルトリメトキシシランと、80gのエタノールを加え、攪拌しながら、0.03gのギ酸を8gの純水に溶解した溶液を一度に加え、その後20°Cで1時間反応させることにより加水分解液Aを得た。500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、0.25の水酸化カリウムを、100gの純水に溶解した溶液を加え、撹拌しながら20°Cに保持し、そこに加水分解液Aを、チューブポンプを用いて2時間かけて滴下し、滴下後、更に2時間撹拌して製造した。R1SiOR23を含む結合剤4500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、120gのメチルトリエトキシシランと、25gのフェニルトリエトキシシランと、140gのエタノールを加え、攪拌しながら、0.05gの硝酸を30gの純水に溶解した溶液を、チューブポンプを用いて90分かけて滴下し、滴下後30°Cで4時間反応させることにより製造した。R1SiOR23を含む結合剤5500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、140gのメチルトリメトキシシランと、10gの3-アミノプロピルトリメトキシシランと、140gのメチルアルコールを加え、攪拌しながら1.7gの60硝酸を120gの純水に溶解した溶液を、一度に加え、その後50°Cで3時間反応させ、加水分解反応液を得た。さらに、0.1gのアンモニア水を、30gの純水と70gのエタノール混合液に添加させたアルカリ溶液を、120分かけてチューブポンプを用いて、加水分解反応液に投入させることにより製造した。SiO2結合剤1500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、140gのテトラエトキシシランと、140gのエチルアルコールを加え、攪拌しながら、1.7gの60硝酸を120gの純水に溶解した溶液を一度に加え、その後50°Cで3時間反応させることにより製造した。SiO2結合剤2500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、85gのテトラエトキシシランと、100gのエチルアルコールを加え、攪拌しながら室温で、0.09gの60硝酸を110gの純水に溶解した溶液を、チューブポンプを用いて10~15分の時間をかけて投入した。その後、得られた混合溶液に、あらかじめ混合しておいた45gのアルミニウムトリ-sec-ブトキシドと、60gのエチルアルコールの混合溶液を、チューブポンプを用いて10~15分の時間をかけて投入した。室温にて30分程度攪拌した後、50°Cで3時間反応させることにより製造した。SiO2結合剤3500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、115gのテトラエトキシシランと、175gのエチルアルコールを加え、攪拌しながら、1.4gの35塩酸を110gの純水に溶解した溶液を一度に加え、その後45°Cで3時間反応させることにより製造した。SiO2結合剤4500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、130gのテトラエトキシシランと、145gのエチルアルコールを加え、攪拌しながら、1.25gの30アンモニア水を124gの純水に溶解した溶液を一度に加え、その後45°Cで3時間反応させることにより製造した。SiO2結合剤5500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、145gのテトラエトキシシランと、140gのエチルアルコールを加え、攪拌しながら、0.015gの60硝酸を115gの純水に溶解した溶液を一度に加え、その後50°Cで3時間反応させることにより製造した。SiO2結合剤6500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、140gのテトラエトキシシランと、5gの3-グリシドキシプロピルトリエトキシランと、140gのエチルアルコールを加え、攪拌しながら、1.7gの60硝酸を120gの純水に溶解した溶液を一度に加え、その後50°Cで3時間反応させることにより製造した。SiO2結合剤7500cm3のガラス製の4つ口フラスコを用い、145gのテトラエトキシシランと、2gのビニルトリエトキシシランと、140gのエチルアルコールを加え、攪拌しながら、0.015gの60硝酸を115gの純水に溶解した溶液を一度に加え、その後50°Cで3時間反応させた。カップリング剤シランカップリング剤にはビニルトリエトキシシランを用いた。チタンカップリング剤には、式8:で表されるジアルキルパイロホスファイト基を有するチタンカップリング剤を用いた。混合溶媒混合溶媒1には、イソプロパノール、エタノール及びN,N-ジメチルホルムアミドの混合液質量比4:2:1を、混合溶媒2には、エタノール、ブタノールの混合液質量比98:2を用いた。ノンポリマー型バインダーノンポリマー型バインダー1には、2-n-ブトキシエタノールと3-イソプロピル-2,4-ペンタンジオンの混合液を、ノンポリマー型バインダー2には、2,2-ジメチル-3,5-ヘキサンジオンとイソプロピルアセテートの混合液質量比1:1を、ノンポリマー型バインダー3には、2-イソブトキシエタノールと2-ヘキシルオキシエタノールとn-プロピルアセテートの混合物質量比4:1:1を用いた。実施例1~20実施例1では、表1の配合比で、分散媒となるエタノール中に、導電性酸化物粒子として平均粒径25nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤1を、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、25質量の比率で混合した。実施例2では、分散媒となるIPA中に、導電性酸化物粒子として平均粒径25nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤1と、SiO2結合剤1を、90対10の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、30質量の比率で混合した。実施例3では、分散媒となるエタノール中に、導電性酸化物粒子として平均粒径40nmのATO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤2と、SiO2結合剤2を、85対15の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、10質量の比率で混合した。実施例4では、分散媒となるIPA中に、導電性酸化物粒子として平均粒径30nmのTZO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤2と、SiO2結合剤1を、70対30の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、30質量の比率で混合した。実施例5では、分散媒となるエタノール中に、導電性酸化物粒子として平均粒径30nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤3と、SiO2結合剤5を、85対15の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、15質量の比率で混合した。実施例6では、分散媒となる混合溶媒1中に、導電性酸化物粒子として平均粒径35nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤3と、シランカップリング剤を含むSiO2結合剤7を、80対20の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、20質量の比率で混合した。実施例7では、分散媒となるエタノール中に、導電性酸化物粒子として平均粒径40nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤1と、SiO2結合剤4を、70対30の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、20質量の比率で混合した。実施例8では、分散媒となるエタノール中に、導電性酸化物粒子として平均粒径25nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤4と、ノンポリマー型バインダー1を、90対10の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、30質量の比率で混合し、さらに化学式8で表されるジアルキルパイロホスファイト基を有するチタンカップリング剤を、塗膜形成後の固形物分となる導電性酸化物粒子とバインダー成分を合わせた組成物質量に対して0.5質量の比率で混合した。実施例9では、分散媒となる混合溶媒2中に、導電性酸化物粒子として平均粒径50nmのATO粉末を混合し、バインダーとしてシランカップリング剤を含むR1SiOR23を含む結合剤5と、SiO2結合剤2を、70対30の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、30質量の比率で混合した。実施例10では、分散媒となる混合溶媒1中に、導電性酸化物粒子として平均粒径30nmのATO粉末を混合し、バインダーとしてシランカップリング剤を含むR1SiOR23を含む結合剤5と、SiO2結合剤1を、60対40の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、15質量の比率で混合した。実施例11では、分散媒となる混合溶媒2中に、導電性酸化物粒子として平均粒径40nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤1と、ノンポリマー型バインダー3を、80対20の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、30質量の比率で混合した。実施例12では、分散媒となる混合溶媒2中に、導電性酸化物粒子として平均粒径35nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤2と、シランカップリング剤を含むSiO2結合剤6を、65対35の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、25質量の比率で混合した。実施例13では、分散媒となるエタノール中に、導電性酸化物粒子として平均粒径30nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤2と、SiO2結合剤3を、90対10の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、25質量の比率で混合し、さらにシランカップリング剤信越シリコーン株製KBE-1003を、塗膜形成後の固形物分となる導電性酸化物粒子とバインダー成分を合わせた組成物質量に対して0.7質量の比率で混合した。実施例14では、分散媒となるIPA中に、導電性酸化物粒子として平均粒径25nmのIZO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤1と、SiO2結合剤2と、ノンポリマー型バインダー2を、65対30対5の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、25質量の比率で混合した。実施例15では、分散媒となるブタノール中に、導電性酸化物粒子として平均粒径25nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤3と、SiO2結合剤4を、60対40の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、10質量の比率で混合した。実施例16では、分散媒となるIPA中に、導電性酸化物粒子として平均粒径25nmのIZO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤4と、SiO2結合剤7と、ノンポリマー型バインダー1を、70対20対10の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、25質量の比率で混合した。実施例17では、分散媒となる混合溶媒1中に、導電性酸化物粒子として平均粒径25nmのIZO粉末を混合し、バインダーとしてシランカップリング剤を含むR1SiOR23を含む結合剤5と、SiO2結合剤3を、90対10の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、30質量の比率で混合した。実施例18では、分散媒となる混合溶媒1中に、導電性酸化物粒子として平均粒径30nmのTZO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤3と、SiO2結合剤5と、ノンポリマー型バインダー3を、85対12対3の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、15質量の比率で混合した。実施例19では、分散媒となる混合溶媒1中に、導電性酸化物粒子として平均粒径50nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤1と、SiO2結合剤2を、75対25の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、15質量の比率で混合した。実施例20では、分散媒となるIPA中に、導電性酸化物粒子として平均粒径40nmのATO粉末を混合し、バインダーとしてシランカップリング剤を含むR1SiOR23を含む結合剤5と、SiO2結合剤1と、シランカップリング剤を含むSiO2結合剤7を、55対30対15の割合で混合したものを、透明導電膜用組成物中の固形分に対して、30質量の比率で混合した。比較例1比較例1では、分散媒となるIPA中に、導電性酸化物粒子として平均粒径25nmのITO粉末を混合し、バインダーとしてSiO2結合剤1を、透明導電膜用組成物中の固形分に対して30質量の比率で混合した。透明導電膜用組成物評価屈折率評価については、実施例1~20、比較例1に示す透明導電膜用組成物について、光学定数が既知のガラス基板に対して、湿式塗工法スピンコーティング法、ダイコーティング法、スプレーコーティング法、オフセット印刷法により透明電極膜を成膜後、160~220°Cで20~60分焼成することにより、厚さ0.05~0.2μmの透明導電膜を形成した。その膜に対して、分光エリプソメトリー装置J.A.WoollamJapan株製M-2000を用いて測定し、透明電極膜部分についてデータを解析し、光学定数を求めた。解析した光学定数から、633nmの値を屈折率とした。表1~3に、これらの結果を示す。図1に示すように、まず一方の主面に厚さ50nmのSiO2層図示せずが形成されたガラス基板を基板10として準備し、このSiO2層上に表面に凹凸テクスチャを有しかつFフッ素ドープされた厚さ800nmの表面電極層SnO2膜3を、透明電極層3として形成した。この透明電極層3にはレーザー加工法を用いてパターニングすることによりアレイ状とするとともに、それらを電気的に相互接続する配線を形成した。次に透明電極層3上にプラズマCVD法を用いて、光電変換層2を形成した。この光電変換層2は、この実施例では、基板10側から順に、p型a-Si:H非晶質単価シリコン、i型a-Si非晶質シリコン及びn型μc-Si微結晶炭化シリコン、からなる膜を積層して得た。上記光電変換層2を、レーザー加工法を用いてパターニングした。こちらを既に成膜が進んでいる太陽電池セルとして実施例にて示した透明導電膜用組成物評価に利用した。実施例1~20、比較例1に示す透明導電膜用組成物について、既に成膜が進んでいる太陽電池セルに対して、焼成後の厚さが0.07~0.15μmとなるように湿式塗工法スピンコーティング法、ダイコーティング法、スプレーコーティング法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法で、塗布した後、温度25~60°Cの低温で5分間乾燥して、透明導電膜1を形成した。表1~3に、塗装方法を示す。次いで、この透明導電膜1上に次の方法で調製した導電性反射膜用組成物を、焼成後の厚さが0.05~2.0μmとなるように湿式塗工法で塗布した後、温度25~60°Cの低温で5分間乾燥して導電性反射膜を形成した。次いで、160~220°Cで20~60分焼成することにより、太陽電池セル上に複合膜を形成した。表1~3に、透明導電膜1の焼成後膜厚を示す。ここで、膜厚は、日立ハイテクノロジーズ製走査型電子顕微鏡SEM、装置名:S-4300、SU-8000による断面観察により測定した。なお、導電性反射膜用組成物の調製方法は以下のようにした。まず、硝酸銀を脱イオン水に溶解して、金属イオン水溶液を調製した。また、クエン酸ナトリウムを脱イオン水に溶解して、濃度が26重量のクエン酸ナトリウム水溶液を調製した。このクエン酸ナトリウム水溶液に、35°Cに保持された窒素ガス気流中に粒状の硫酸第一鉄を直接加えて溶解させ、クエン酸イオンと第一鉄イオンを3:2のモル比で含有する還元剤水溶液を調製した。次いで、上記窒素ガス気流を35°Cに保持した状態で、マグネチックスターラーの攪拌子を還元剤水溶液中に入れ、攪拌子を100rpmの回転速度で回転させて、上記還元剤水溶液を攪拌しながら、この還元剤水溶液に上記金属塩水溶液を滴下して合成した。ここで、還元剤水溶液への金属塩水溶液の添加量は、還元剤水溶液の量の1/10以下になるように、各溶液の濃度を調整することで、室温の金属塩水溶液を滴下しても反応温度が40°Cに保持されるようにした。また、上記還元剤水溶液と金属塩水溶液との混合比は、還元剤として加えられる第一鉄イオンの当量が、金属イオンの当量の3倍となるように調整した。還元剤水溶液への金属塩水溶液の滴下が終了した後、混合液の攪拌をさらに15分間続けることにより、混合液内部に金属粒子を生じさせ、金属粒子が分散した金属粒子分散液を得た。金属粒子分散液のpHは5.5であり、分散液中の金属粒子の化学量論的生成量は、5g/リットルであった。得られた分散液は、室温で放置することにより、分散液中の金属粒子を沈殿させ、沈殿した金属粒子の凝集物をデンカンテーションにより分離した。分離した金属凝集物に脱イオン水を加えて分散体とし、限外濾過により脱塩処理した後、さらにメタノールで置換洗浄することにより、金属銀の含有量を50質量とした。その後、遠心分離機を用い、この遠心分離機の遠心力を調整して、粒径が100nmを超える比較的大きな銀粒子を分離することにより、一次粒子径10~50nmの範囲内の銀ナノ粒子を数平均で、71含有するように調整した。即ち、数平均ですべての銀ナノ粒子100に対する一次粒子径10~50nmの範囲内を占める銀ナノ粒子の割合が、71になるように調整した。得られた銀ナノ粒子は、炭素骨格が炭素数3の有機主鎖の保護剤が化学修飾されていた。次に、得られた金属ナノ粒子10質量部を、水、エタノールおよびメタノールを含む混合溶液90質量部に添加混合することにより分散させた。さらに、この分散液に添加物としてポリビニルピロリドンを4質量と、クエン酸銀を1質量と、金属ナノ粒子の比率が95質量となるように加えることで、導電性反射膜用組成物を得た。得られた導電性反射膜用組成物を、透明導電膜1上に焼成後の厚さが0.05~2.0μmとなるように湿式塗工法で塗布した後、160~220°Cで20~60分間の熱処理条件で焼成することにより、透明導電膜1上に導電性裏面反射膜4を形成した。次いで、太陽電池セルとして発電効率を評価するにあたり、導電性反射膜上に補強膜として、補強膜用組成物をダイコーティング装置により、既に導電性反射膜まで成膜が進んでいる太陽電池セル上に塗布して、補強膜用組成物を焼成後の厚さが350nmになるように、真空乾燥により補強膜用塗布膜から溶媒を離脱させた後に、太陽電池セルを熱風乾燥炉内で180°Cに20分間保持して、補強膜用塗布膜を熱硬化させ、導電性反射膜用補強膜を得た。なお、補強膜用組成物の調製方法は以下のようにした。まず、導電性酸化物微粒子として平均粒径25nmのITO粒子を8質量と、カップリング剤としてジアルキルパイロホスファイト基を有するチタンカップリング剤を2質量と、分散媒としてエタノール及びブタノールの混合液質量比98:2を90質量とを混合し、室温にて800rpmの回転速度で1時間攪拌した。次にこの混合物60gを100ccのガラス瓶中に入れ、直径0.3mmのジルコニアビーズ100gを用いてペイントシェーカーで6時間分散することにより、ITO粒子の分散液を調製した。ここで、ジアルキルパイロホスファイト基を有するチタンカップリング剤は、上記式8で示される。次に、ITO粒子の分散液4質量を、分散媒であるエタノール86質量と混合した後、SiO2結合剤1を10質量でさらに混合し、補強膜用組成物のベース液を得た後、このベース液95質量と、添加剤としてフュームドシリカ分散液5質量とを混合し、超音波振動器により室温にて10分間分散混合して混合物を全体になじませ、補強膜用組成物である塗液を調製した。導電性反射膜用補強膜まで形成された太陽電池セルは、光電変換層2および、その上に成膜した透明導電膜1、導電性反射膜4、および導電性反射膜用補強膜を、レーザー加工法を用いてパターニングを実施した。太陽電池セルの評価方法としては、レーザー加工法を用いてパターンニングを実施した加工後の基板にリード線配線を実施し、IV特性カーブを確認した際の出力特性及び短絡電流であるJscの値を、実施例と同様の製造方法にて得た光電変換層を用い、透明導電膜、導電性反射膜、補強膜が全てスパッタ法により形成されたスーパーストレート型太陽電池セルを100とした際の相対出力評価を行った。表1~3に、これらの結果を示す。ここで、全てスパッタ法により形成されたスーパーストレート型太陽電池セルとは、図1に示すように、先ず一方の主面に厚さ50nmのSiO2層図示せずが形成されたガラス基板を基板10として準備し、このSiO2層上に表面に凹凸テクスチャを有しかつFフッ素ドープされた厚さ800nmの表面電極層SnO2膜3を形成した。この透明電極層3にはレーザー加工法を用いてパターニングすることによりアレイ状とするとともに、それらを電気的に相互接続する配線を形成した。次に透明電極層3上にプラズマCVD法を用いて、光電変換層2を形成した。この光電変換層2は、この実施例では、基板10側から順に、p型a-Si:H非晶質単価シリコン、i型a-Si非晶質シリコン及びn型μc-Si微結晶炭化シリコン、からなる膜を積層して得た。上記光電変換層2を、レーザー加工法を用いてパターニングした後、マグネトロンインライン式スパッタリング装置を用いて、光電変換層2上に、厚さ80nmの透明導電膜ZnO層1及び厚さ200nmの導電性反射膜銀電極層4を順次形成したものである。表1~3から明らかなように、実施例1~20の全てで、屈折率が低く、相対発電効率は108~122と高く、相対短絡電流密度も102~106と高かった。特に、オルガノトリアルコキシシランおよび/またはその加水分解物を、バインダー:100質量部に対して、55~90質量部含む実施例2~20では、相対発電効率が113~122と非常に高く、相対短絡電流密度も103~106と、実施例1より高かった。また、シランカップリング剤を含む実施例16、17、20では、相対発電効率が121~122と、著しく高かった。これに対して、バインダーとして、一般式1:R1SiOR23式中、R1、R2は、特定の炭化水素基であるで示される、オルガノトリアルコキシシランおよび/またはその加水分解物を含まない比較例1では、屈折率が高く、相対発電効率、相対短絡電流密度ともに、略100であった。なお、バインダーとしてR1SiOR23を含む結合剤1を100質量部含む実施例1は、最も屈折率が低かったが、導電性反射膜用補強膜まで形成した後に行うレーザー加工によるパターンニングの際の加工性が悪かったため、相対発電効率、相対短絡電流密度が低下したと考えられる。以上のように、本発明の透明導電膜用組成物は、湿式塗工法で光電変換層上に塗布、焼成することができ、バインダーとして、一般式1:R1SiOR23式中、R1、R2は、特定の炭化水素基であるで示される、オルガノトリアルコキシシランおよび/またはその加水分解物を含む化合物を用いることで屈折率の低い透明導電膜を得ることができた。したがって、薄膜太陽電池の発電効率を向上させることが可能な透明導電膜を簡便に得ることができることがわかった。"