"III族金属窒化物の非極性面を有する基板を研磨加工し、前記非極性面の平均表面粗さRaを1nm以下とする研磨加工工程、次いで、前記基板を不活性雰囲気下で熱処理する熱処理工程、および次いで、前記基板の前記非極性面を、ハロゲン含有ガスを用いて反応性ドライエッチングするか、または化学機械研磨加工する加工工程を有することを特徴とする、III族金属窒化物の加工された非極性面を有する基板の製造方法。前記熱処理を700°C以上、1150°C以下の温度で行うことを特徴とする、請求項1記載の方法。前記不活性雰囲気の圧力が、0.1MPa以上、0.98MPa以下であることを特徴とする、請求項1または2記載の方法。前記III族金属窒化物が窒化ガリウムであることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一つの請求項に記載の方法。請求項1~4のいずれか一つの請求項に記載の方法によって得られたことを特徴とする、III族金属窒化物の加工された非極性面を有する基板。しかし、特許文献1特許第4479657には、窒化物の非極性面例えば、m面GaN基板やAlN基板の無歪研磨加工技術は開示されていない。また、以下の理由から、窒化物の非極性面の無歪研磨加工は困難と考えられる。すなわち、窒化ガリウムのc面の場合には、反応性イオンエッチング後にウエットエッチングすることで表面を洗浄している。しかし、m面などの非極性面は、c面に比べて化学的に弱く、例えばc面と同じ手法では、きわめて平坦な表面を形成しつつ、その表面を良好な状態に仕上げることは困難である。本発明の課題は、III族金属窒化物の非極性面を有する基板を研磨加工することで平坦な表面を形成しつつ、かつその表面の加工歪みを取り除くことによって、III族金属窒化物の無歪研磨加工面を得ることである。本発明は、III族金属窒化物の非極性面を有する基板を研磨加工し、前記非極性面の平均表面粗さRaを1nm以下とする研磨加工工程、次いで基板を不活性雰囲気下で熱処理する熱処理工程、および次いで、基板の非極性面を、ハロゲン含有ガスを用いて反応性ドライエッチングするか、または化学機械研磨加工する加工工程を有することを特徴とする。本発明によれば、研磨加工工程で、III族金属窒化物の非極性面のRaを1nm以下とする。この段階では、非極性面に加工変質層が形成される。すなわち、加工変質層の表面には、機械的応力の印加によって生じた結晶性の乱れに起因する、非晶質層、多結晶層、モザイク層が生ずる。これらはミクロに見た場合の結晶方位のずれを伴うため、X線の回折角度が本来の角度からずれることになり、X線ロッキングカーブの半値幅に直接反映する傾向がある。一方、モザイク層と完全結晶層との間には、応力漸移層歪み層が生成し,残留する。この後に、例えば塩素プラズマを利用した反応性イオンエッチングを実施してみたが、Raはかえって1nmを大きく超えて増大し、平坦な表面が得られなくなることが判明した。このため、本発明者は、窒化物の非極性面の平面研磨加工工程と反応性イオンドライエッチング工程の間に、不活性雰囲気下での熱処理工程を挟むことによって、反応性ドライエッチング後にもRa1nm以下の平坦面が得られ、かつ非極性面の加工歪みが除去されることを見いだし、本発明に到達した。本発明者は、更に、窒化物の非極性面を研磨加工し、かつ上記の熱処理を施した後に、反応性イオンエッチングの代わりに化学機械研磨加工することによって、やはりRaが1nm以下の平坦面が得られ、かつ非極性面の加工歪みが除去されることを見いだした。本発明では、まず、III族金属窒化物の非極性面を有する基板を研磨加工し、前記非極性面の平均表面粗さRaを1nm以下とする。窒化物本発明が対象とするIII族金属窒化物は、例えば、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムおよびこれらよりなる混晶AlInGaNを例示できる。III族金属窒化物は、意図しない不純物を含むことができる。また、導電性制御を目的として意図的に導入される、Si、Ge、Be、Mg、Zn、Cdといったドーパントを含むことができる。窒化物の非極性面III族金属窒化物のウルツ鉱構造は、m面、c面、およびa面を有する。これらの各結晶面は結晶学的に定義されるものである。また、非極性面III族金属窒化物とは、基板表面がm面またはa面のIII族金属窒化物である膜または単結晶基板を意味している。つまり、非極性面とは、基板の表面であってよく、基板上に形成された膜の表面であってよい。フラックス法によって非極性面窒化物膜を育成する場合には、単結晶の育成方向は、a面の法線方向であってよく、またm面の法線方向であってもよい。研磨加工研磨加工の段階では、以下の砥粒を好適に使用できる。粗研磨:270のビドリファイドボンドダイヤモンド砥石固定砥粒中間研磨:3ミクロンダイヤモンドスラリー仕上げ研磨:1/8ミクロンダイヤモンドスラリーまた、研磨加工は、銅定盤、ケメット錫定盤、純錫定盤などを用いて実施可能である。平均表面粗さRaを良好に維持するために、フェーシング機構付きの研磨機を用いることが好ましい。更に、研磨加工後の非極性面のRaは、AFM原子間力顕微鏡によって測定できる。また、研磨加工後の非極性面、あるいは最終的に得られた非極性面のRaの下限値は特にないが、実際上は、0.2nm以上であってよい。熱処理工程研磨加工後に、基板を不活性雰囲気下で熱処理する。反応性イオンエッチングや化学機械研磨の前に熱処理工程を行うことで、最終的に得られる非極性面のRaを1nm以下に抑えることができるのと共に、非極性面の加工歪みを著しく低減させることができる。この熱処理工程を入れない場合には、反応性イオンエッチングや化学機械研磨後にRaが1nmを超えて大きくなってしまう。この作用効果が得られた理由は明らかではないが、研磨加工により非極性面に生成した加工変質層が熱処理時に変質して変質層を生成し、これが次の反応性イオンエッチングや化学機械研磨後に平坦で歪みのない表面を残すように除去されるものと思われる。これらは本発明者の発見である。熱処理温度は、本発明の作用効果の観点からは、700°C以上が好ましく、750°C以上が更に好ましい。また、1150°C以下が好ましく、1100°C以下が更に好ましい。熱処理温度が高いほど、処理時間を短時間にすることが出来るが、700°C未満では、熱処理時間を100時間としてもその効果が少なく、現実的でなかった。また、1150°Cを超えると、300気圧以上の圧力が必要となるので、装置が大掛かりとなり、費用面から現実的でない。熱処理時の雰囲気は不活性雰囲気である。不活性雰囲気としては、窒素、アルゴン、ネオンやこれらの混合物が好ましい。また、最終的に得られる非極性面を平坦化し、歪みを低減するという観点から、不活性雰囲気の圧力は、0.1MPa以上とすることが好ましく、0.3MPa以上とすることが更に好ましく、また、0.98MPa以下とすることが好ましく、0.7MPa以下とすることが更に好ましい。反応性ドライエッチング次いで、ハロゲン含有ガスを用いて基板の非極性面を反応性ドライエッチングする。ハロゲン含有ガスとしては、塩素、フッ素、臭素などのハロゲンガス、あるいは、塩化水素、フッ化水素、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ素等のハロゲン化合物ガスがある。ハロゲン含有ガスをRIEチャンバに導入し、減圧し10-3~10Pa、電極間に交流電力好ましくは周波数~13.56MHz:出力1kW~0.3kWを印加してハロゲンプラズマを生成し、非極性面のドライエッチングを行う。化学機械研磨あるいは、基板の非極性面を化学機械研磨する。化学機械研磨とは、砥粒自体が有する表面化学作用によって、機械的研磨効果を増大させ、高速かつ平滑な研磨面を得る技術である。研磨装置としては、ロータリータイプ、ベルトタイプのものを利用できる。砥粒としては、コロイダルシリカ粒径0.05ミクロン、コロイダルアルミナ粒径0.05ミクロンが好ましい。研磨液中の化学成分としては、酸アルカリなど被研磨膜を改質する成分、砥粒の分散剤、界面活性剤、キレート剤、防食剤などが含まれていてよい。また、研磨パッドとしては、発泡性の樹脂を使用したタイプ、無発泡の樹脂を使用したタイプ、不織布でできたタイプ、ウレタンフォームでできたタイプ、不織布とウレタンフォームとを使った積層タイプの研磨パッドを例示できる。研磨条件の一例としては、pH12の強アルカリ性のコロイダルシリカのスラリーを用い、ウレタンパッドにて05Kgfcm2の圧力、定盤回転数30rpmの条件にて約12hrかけることによって、約01ミクロン研磨することができる。加工歪みの有無本発明では、加工歪みの除去されたIII族金属窒化物の非極性面を作製できる。この加工歪みは、X線回折ピーク、PLによって検出する。すなわち、X線回折装置を用い、X線を4個2組の結晶から成るモノクロメーターによって高度に単色化して試料に照射し、この試料から回折するX線のピークを得る。X線を基板の非極性面に照射しながら基板を回折中心軸周りに回転させた際に得られる回折強度をプロットし、X線ロッキングカーブを得る。このX線ロッキングカーブの裾の強度が主ピーク強度の1/5000以下となればよい。また、研磨加工前の非極性面からのPL発光強度を測定し、また最終的に得られた非極性面からのPL発光強度を測定し、両者を対比する。研磨加工前の非極性面からのPL発光強度/得られた非極性面からのPL発光強度の比率に有意差がなければ、加工歪みは残留していないとしてよい。研磨加工後の非極性面のRa、最終的な非極性面のRaは、AFM原子間力顕微鏡によって測定する。実施例1m面GaN基板の表面をダイヤモンドスラリー日本エンギス株式会社製、平均粒径18ミクロンを用いて、研磨加工した。AFM日本電子株式会社製による表面平均粗さRaは02~04nmの範囲であった。その後、窒素雰囲気炉の内部で、アルミナ製の匣鉢に基板を配置した。99999の窒素ガスを用い、真空引きと置換を数回行って窒素雰囲気にしたのち、ゲージ圧で01MPa約2気圧に加圧し、1150°Cで30分間熱処理を行った。その後、Cl2BCl3混合ガスにてRIEを行い、約1ミクロンエッチングした。反応性イオンエッチング用のチャンバは、エッチングガス導入口、ガス排出口を有し、真空排気装置で真空に引くことができ、上部電極と下部電極が対向して設けられアンテナから高周波電力をチャンバ内へ導入できる。予め圧力10-4Pa以下に減圧したエッチングチャンバ内に基板をロードした。エッチングチャンバ内にエッチングガスとしてCl2BCl3混合ガスを導入し、チャンバ内の圧力を0.2Paに制御した。上部電極、下部電極に高周波電力を印加し、プラズマを発生させた。得られた非極性面の表面粗さをAFMで測定したところ、表面平均粗さRaは02~04nmの範囲であった。また、X線回折測定およびPLにて、表面の残留歪みの有無を調べた。X線回折測定では、X線源は、Cukα1であり、0002反射を用いた。裾の強度がピークの110000程度であり、十分な強度比があることがわかった。裾の強度とは、ピーク位置から5000秒離れた位置の強度と、-5000秒離れた位置の強度との平均値である。また、PL発光強度は未加工のものと有意差がなかったことから、残留歪がほとんどないと判断した。実施例2実施例1において、熱処理温度を750°Cとした以外は実施例1と同様にし、基板を加工した。得られた非極性面の表面粗さをAFMで測定したところ、表面平均粗さRaは02~04nmの範囲であった。また、X線回折測定およびPLにて、表面の残留歪みの有無を調べた。X線回折測定では、裾の強度がピークの110000程度であり、十分な強度比があることがわかった。また、PL発光強度は未加工のものと有意差がなかったことから、残留歪がほとんどないと判断した。実施例3実施例1において、熱処理温度を1100°Cとした以外は実施例1と同様にし、基板を加工した。得られた非極性面の表面粗さをAFMで測定したところ、表面平均粗さRaは02~04nmの範囲であった。また、X線回折測定およびPLにて、表面の残留歪みの有無を調べた。X線回折測定では、裾の強度がピークの110000程度であり、十分な強度比があることがわかった。また、PL発光強度は未加工のものと有意差がなかったことから、残留歪がほとんどないと判断した。窒素雰囲気での熱処理をしなかったこと以外は、実施例1と同様にして、基板の加工を行った。加工後の表面粗さを測定したところ、表面平均粗さRaは11~14nmの範囲であり、大きかった。実施例1において、a面GaN基板を用い、かつ窒素雰囲気での熱処理をしなかった。それ以外は、実施例1と同様にして、基板の加工を行った。加工後の表面粗さを測定したところ、表面平均粗さRaは21~35nmの範囲であり、m面を加工した場合よりも更に大きかった。実施例4m面GaN基板の表面をダイヤモンドスラリー日本エンギス製、平均粒径18ミクロンを用いて、研磨した。AFMによる表面平均粗さRaは02~04nmの範囲であった。その後、窒素雰囲気炉の内部にアルミナ製の匣鉢に基板を配置した。99999の窒素ガスを用い、真空引きと置換を数回行って窒素雰囲気にしたのち、ゲージ圧で01MPa約2気圧に加圧し、1150°Cで30分間熱処理を行った。その後、アルカリ性pH12のコロイダルシリカ砥粒と硬質ウレタンパッドを用い、12時間CMPした。ワークにかかる圧力は、5Kgfcm2とし、パッドの回転数は30rpm、ワークの回転数は、10rpmとした。表面粗さをAFMで測定したところ、表面平均粗さRaは02~04nmの範囲であった。得られた非極性面の表面粗さをAFMで測定したところ、表面平均粗さRaは02~04nmの範囲であった。また、X線回折測定およびPLにて、表面の残留歪みの有無を調べた。X線回折測定では、裾の強度がピークの110000程度であり、十分な強度比があることがわかった。また、PL発光強度は未加工のものと有意差がなかったことから、残留歪がほとんどないと判断した。実施例5実施例4において、熱処理温度を750°Cとした以外は実施例1と同様にし、基板を加工した。得られた非極性面の表面粗さをAFMで測定したところ、表面平均粗さRaは02~04nmの範囲であった。また、X線回折測定およびPLにて、表面の残留歪みの有無を調べた。X線回折測定では、裾の強度がピークの110000程度であり、十分な強度比があることがわかった。また、PL発光強度は未加工のものと有意差がなかったことから、残留歪がほとんどないと判断した。実施例6実施例6において、熱処理温度を1100°Cとした以外は実施例1と同様にし、基板を加工した。得られた非極性面の表面粗さをAFMで測定したところ、表面平均粗さRaは02~04nmの範囲であった。また、X線回折測定およびPLにて、表面の残留歪みの有無を調べた。X線回折測定では、裾の強度がピークの110000程度であり、十分な強度比があることがわかった。また、PL発光強度は未加工のものと有意差がなかったことから、残留歪がほとんどないと判断した。比較例3窒素雰囲気での熱処理をしなかったこと以外は実施例4と同様にして、基板の加工を行った。加工後の表面粗さを測定したところ、表面平均粗さRaは15~22nmの範囲であり、大きかった。比較例4実施例4において、基板をa面GaN基板に変更し、熱処理を行わなかった。それ以外は実施例4と同様にして基板を加工した。加工後の表面粗さを測定したところ、表面平均粗さRaは23~38nmの範囲であり、m面の場合よりもさらに大きかった。"