"光ファイバを製造する方法において、炉内の加熱されたガラス源から光ファイバを線引きする工程、25°Cおよび1気圧の圧力での空気中における光ファイバの冷却速度より遅い速度で前記光ファイバを冷却するために該光ファイバを処理装置内に維持することによって、該光ファイバを処理する工程、および前記炉および前記処理装置の少なくとも一方における圧力が0.01から0.08気圧の範囲内にあるように該炉および該処理装置の前記少なくとも一方における圧力を減少させる工程、を有してなる方法。前記圧力が0.02から0.650気圧の範囲にあることを特徴とする請求項1記載の方法。前記光ファイバが、500°C超の温度で前記処理装置から出ることを特徴とする請求項1記載の方法。前記圧力を減少させる工程が、異なる冷却速度を提供するために各段階が異なる減圧を有するように、前記処理装置の多段階で圧力を減少させる工程を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。前記多段階が、隣接する段階の間にオリフィスを用いることにより達成され、これにより、前記光ファイバが該オリフィスを通過することができることを特徴とする請求項1記載の方法。前記処理装置が、前記炉と反対の端部に形成されたシールを含み、該シールが、前記光ファイバが前記処理装置をそこを通って出るその中の開口を有し、前記方法が、非接触芯出し装置により前記ファイバを芯出しすることによって、前記処理装置の前記シールを出る前記光ファイバの配置を制御する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の方法。前記シールが、異なる開口サイズを有する複数の開口を含む、前記光ファイバが前記複数の開口を通って出ることを特徴とする請求項6記載の方法。前記光ファイバが、0.2秒以下の期間に亘り20メートル/秒超の速度で前記処理装置を通過し、少なくとも800°Cの温度降下だけ冷却されることを特徴とする請求項1記載の方法。光ファイバを製造する方法において、炉内の加熱されたガラス源から光ファイバを線引きする工程、および前記炉内の圧力が0.05から0.80気圧の範囲にあるように該炉内の圧力を減少させる工程、を有してなる方法。前記炉がヘリウムを実質的に含まないことを特徴とする請求項9記載の方法。1つの実施の形態によれば、光ファイバを製造する方法が提供される。この方法は、裸の光ファイバを炉内でプリフォームから線引きする工程を含む。この方法は、光ファイバが25°Cおよび1気圧の圧力で空気中にあった場合に生じるであろう冷却速度より遅い速度で光ファイバを冷却するために光ファイバを処理装置内に維持することによって、光ファイバを処理する工程も含む。この方法はさらに、炉および処理装置の少なくとも一方における圧力が0.01から0.08気圧の範囲内にあるように、炉および処理装置の少なくとも一方における圧力を減少させる工程を含む。別の実施の形態によれば、光ファイバを炉内の加熱されたガラス源から線引きする工程を含む、光ファイバを製造する方法が提供される。この方法は、炉内の圧力が0.01から0.08気圧の範囲内にあるように炉内の圧力を減少させる工程も含む。さらに別の実施の形態によれば、光ファイバを製造する方法が提供される。この方法は、光ファイバを炉内の加熱されたガラス源から線引きする工程を含む。この方法は、25°Cおよび1気圧の圧力での空気中における光ファイバの冷却速度より遅い速度で光ファイバを冷却するために光ファイバを処理装置内に維持することによって、光ファイバを処理する工程であって、その光ファイバが500°Cより高い温度で処理装置から出るものである工程も含む。この方法はさらに、処理装置内の圧力が0.01から0.08気圧の範囲内にあるように処理装置内の圧力を減少させる工程を含む。さらにまた別の実施の形態によれば、光ファイバ製造システムが提供される。このシステムは、光ファイバがそこから線引きされるガラス源を収容し、加熱するように適合された炉を含む。このシステムは、加熱されたガラス源から線引きされた光ファイバを処理するための処理装置も含む。その処理区域は、光ファイバが25°Cおよび1気圧の圧力で空気中にあった場合に生じるであろう冷却速度より遅い速度で光ファイバを冷却する。このシステムは、炉および処理装置の少なくとも一方における圧力を0.01から0.08気圧の範囲の圧力まで減少させるように構成された真空ポンプも含む。追加の特徴および利点が、以下の詳細な説明に述べられており、一部は、その説明から当業者に容易に明白となるか、または以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付図面を含む、ここに記載された実施の形態を実施することによって、認識されるであろう。先の一般的な説明および以下の詳細な説明は、単なる例示であり、請求項の性質および特徴を理解する上での概要または骨子を提供することが意図されていることを理解すべきである。添付図面は、さらなる理解を提供するために含まれており、本明細書に包含され、その一部を構成する。図面は、1つ以上の実施の形態を図解し、説明と共に、様々な実施の形態の原理および動作を説明する働きをする。ここで、現在好ましい実施の形態を詳しく参照する。その実施例が添付図面に図解されている。できる限り、同じまたは同様の部品を称するために、図面全体に亘り同じ参照番号が用いられる。前記光ファイバ製造システムおよび方法は、減圧された炉および処理装置の使用によって、光ファイバを製造する。この光ファイバ製造システムおよび方法の実施の形態が、図1~13と関連してここに記載されており、図面全体に亘り、同様の番号が同じまたは対応する要素を示す。ここで用いた裸の光ファイバという句は、プリフォームとも称される加熱されたガラス源から直接線引きされ、その外面に保護被覆層を施す前例えば、裸の光ファイバが高分子系材料により被覆される前の光ファイバを意味する。この光ファイバ製造システムおよび方法により、ここに開示された効率的かつ効果的なファイバ冷却およびファイバ芯出し技法を使用して、欠陥が減少した光ファイバを製造することができる。図1を参照すると、1つの実施の形態による光ファイバ製造システム10が概して示されている。このシステム10は、約2,000°Cの温度まで加熱され得る炉12を含む。ガラス光ファイバプリフォーム14が炉12内に配置され、加熱されたプリフォームからファイバが線引きされて、裸の光ファイバ20が製造される。プリフォーム14は、どのようなガラスまたは材料から構成されていてもよく、光ファイバの製造に適するようにドープされていてもよい。1つの実施の形態によれば、裸の光ファイバ20がプリフォーム14から一度線引きされたら、裸の光ファイバ20は、徐冷管と示され記載された処理装置18内で冷却される。1つの実施の形態によれば、徐冷管または処理装置18は、炉12の出口に一体に連結されて示されている。しかしながら、処理装置18は、他の様式で炉12から離れていても、または他の実施の形態によりそこに他の様式で接続されていても差し支えないことが認識されよう。ここに用いたように、処理装置という用語は、裸の光ファイバ20が、25°Cおよび1気圧の圧力での空気中における光ファイバの冷却速度より遅い速度で冷却される線引き炉12の下流にある装置を称し、ここに示され記載された管を含んでもよい。処理装置18は、例えば、約2,100°Cと1,600°Cの間の温度で処理装置18に入り、25°Cおよび1気圧の圧力での空気中における光ファイバの冷却速度より遅い速度で光ファイバ20を徐冷するように、炉12の出口に連結されてもよい。ファイバは、好ましくは500°Cより高い温度で処理装置18から出る。ファイバが、処理区域で処理されない同一設計のファイバと比べて、減衰を減少させるのに十分な時間に亘り徐冷処理装置内で処理されることが好ましい。例えば、コア中の酸化ゲルマニウムが0.5質量パーセント未満である光ファイバについてまた、酸化ゲルマニウムを含まないコアを有するファイバについて、ファイバが、好ましくは、少なくとも、ファイバの温度が1,800°Cと1,200°Cの間にある期間に亘り、より好ましくは、ファイバの温度が1,700°Cと1,200°Cの間にある間、さらにより好ましくは、ファイバの温度が1,600°Cと1,300°Cの間にある間、処理区域内で処理される徐冷される。コア中の酸化ゲルマニウムが0.5質量パーセント超である光ファイバについて、ファイバが、好ましくは、ファイバの温度が1,600°Cと900°Cの間にある期間に亘り、より好ましくは、ファイバの温度が1,500°Cと1,000°Cの間にある間、さらにより好ましくは、ファイバの温度が1,400°Cと1,000°Cの間にある間、処理区域内で処理される徐冷される。しかしながら、この処理装置は大気圧より低い圧力を使用するので、これらの温度範囲はその処理装置内で達成できると同時に、処理装置が大気圧約1気圧以上にあった場合に加わるであろう量より著しく少ない熱量しか加えられない。芯出し装置32は、線引き炉の底部から、好ましくは1メートル以内、より好ましくは0.5メートル以内、さらにより好ましくは20センチメートル以内、最も好ましくは15センチメートル以内に配置される。処理装置18内でのファイバの平均冷却速度は、処理装置中へのファイバの入口点でのファイバの表面温度ファイバの入口表面温度から、処理装置18から出るファイバの出口点でのファイバの表面温度を引いたものを、処理装置18内のファイバの総滞在時間で割ったものとして定義される。1つの実施の形態において、光ファイバは、ファイバの入口表面温度からファイバの出口表面温度を引いたものを、処理装置の処理区域中の光ファイバの総滞在時間で割ったものとして定義される、5,000°C/秒未満の、処理装置の処理区域における平均冷却速度に暴露される。真空ポンプ22に接続された1つ以上の減圧または真空ポート25を有する徐冷または処理装置18が示されている。真空ポンプ22は、処理装置18内に減圧または不完全真空を作り出し、図示した実施の形態において、そこに接続された炉12内にも減圧または不完全真空を作り出してもよい。図示した実施の形態において1つの真空ポート25に連結された1つの真空ポンプ22が示されている。しかしながら、処理装置18および/または炉12の1つ以上のチャンバ内に所望の減圧を達成するために、1つ以上の真空ポートおよび/または1つ以上の真空ポンプを用いてもよいことが認識されよう。処理装置18が、裸の光ファイバ20を、それが炉12から出口ポート28に通過するときに、制御環境下で冷却するように構成されていることが都合よい。その上、炉12の入力として、G1と示されている不活性ガスを提供するガス入口16が示されている。その不活性ガスは、炉12に到達する周囲ガスの量を減少させるために、1つの実施の形態において、アルゴンArを含んでよい。別の実施の形態によれば、不活性ガスは窒素N2を含んでよい。炉12および処理装置18の様々な位置に複数のガス入口を用いてもよいことが認識されよう。炉12および処理装置18内の減圧により、ヘリウムHeなどの高価なガスが必要ないように、その中のガスの密度が減少することが都合よい。炉12および処理装置18内に提供される減圧によって、アルゴンおよび/または窒素ガスの密度が、ヘリウムの密度に近い密度レベルまで減少し、さらに、線引き炉内の温度分布が均一になる。図1に示した実施の形態において、プリフォーム14から線引きされた裸の光ファイバ20は、炉12の底部を通って出て、処理装置18を通り、出口ポート28を通って出て、次いで、1つ以上の流体軸受50を通過する。流体軸受50は、裸の光ファイバ20を、第1のまたは実質的に垂直な通路に沿った動きから、第2の通路にシフトさせ、さらに、大気圧の周囲空気中で裸の光ファイバ20を冷却させるであろう。1つ以上の流体軸受50としては、その開示をここに引用する、2007年11月26日に出願された米国特許出願第11/986764号米国仮特許出願第60/861587号として出願された、および2007年11月29日に出願された米国特許出願第11/998366号に開示された流体軸受が挙げられる。周囲空気による冷却後、次いで、裸の光ファイバ20は被覆ユニット60に送られ、そこで、裸の光ファイバ20の外面に一次保護被覆層が塗布される。被覆ユニット60を出た後、保護層を備えた光ファイバは、牽引手段またはローラ62などの製造システム10内の様々な処理段階を通り、ファイバ貯蔵スプール64上へと進むことができる。ローラ62の内の1つを用いて、光ファイバがシステム全体を通じて線引きされ、最終的に貯蔵スプール64上に巻き付けられながら、光ファイバに必要な張力を提供してもよい。光ファイバ製造システム10は、1つ以上の所望の冷却速度で線引きされた裸の光ファイバ20を冷却するために、炉12の出口で処理装置18を利用する。処理装置18は、炉の出口の一端から延在する長い管および裸の光ファイバ20がそこを通って出る管の反対端の出口ポート28の小さなオリフィス26を含む。管18は、1.0から10mの、より好ましくは2から8メートルmの範囲の長さを有してよい。いくつかの実施の形態において、管18は、3メートル超、4メートル超、いくつかの場合には、5メートル超の長さを有してよい。処理装置18の長さをより長くすることにより、ファイバをより速い速度で線引きすることができ、さらに、減衰を所望のように減少させるのに必要な滞在時間が達成される。例えば、20メートル/秒超、25メートル/秒超、いくつかの場合には、30メートル/秒超の速度でファイバを線引きしながら、そのような装置内で減衰を著しく減少させることができる。例えば、1つの実施の形態において、処理装置の長さは約6メートルである。出口ポート28の下流にある第1の流体軸受50は、裸の光ファイバ20がオリフィス26を通って進みながら、そのファイバの横のXY位置を安定化させるために、オリフィス26に近接した非接触ファイバ芯出し装置として働き、したがって、裸の光ファイバ20がオリフィス26の側面に触れる可能性を排除する。芯出し装置として働く第1の流体軸受50は、1つの実施の形態によれば、出口ポート28から2メートル78.8インチ未満に配置され、より好ましくは、出口オリフィス26から30.5cm12インチ未満に配置される。炉12および処理装置18の内部は、真空ポンプ22により1気圧より実質的に低く、好ましくは0.01から0.80気圧の範囲にある減圧まで排気される。図示した実施の形態において、真空ポンプ22が、管の出口ポート28の上流に位置する真空ポート25でガスを排気する。真空ポンプ22により提供される減圧は、炉12内の時間的に変化する流動を抑圧し、それによって、ファイバの直径を安定化させるためにヘリウムを使用する必要を排除し、管18内の裸の光ファイバ20の対流冷却を抑制し、管18を、ファイバの減衰を改善する徐冷装置にする。炉12の上部を封止し、炉12に進入する周囲空気、特に酸素による炉の劣化を避けるために処理装置18の出口オリフィス26に小さい円形開口を設けることによって、周囲空気の進入が最小にされる。出口オリフィス26のサイズは、ある実施の形態によれば、約125マイクロメートルの直径を有する裸の光ファイバに適した、1から2mmの範囲の直径であってよい、または裸の光ファイバ20の直径より約10倍大きくてもよい。炉12のガス入口16から管18内の排気ポート25へと流れる、アルゴンなどの不活性ガスを低レベルで流動させることにより、残留空気が、出口オリフィス26を通り、管18を上昇して、炉12に移動するのを阻止してもよい。オリフィス26を通って処理装置18に進入する周囲空気は、超音速であるかもしれない高速でオリフィス26に進入する。この高速空気により、裸の光ファイバ20が振動し、それゆえ、XY方向に横へと動くかもしれない。過剰の横への動きによりファイバ20がオリフィス26と接触し得、これにより、ファイバの強度が損なわれ、線引きプロセスが妨害されるかもしれない。非接触ファイバ芯出し装置50を用いることによって、ファイバ20は、オリフィス26の直近において横方向またはXY方向に安定化される。第1の流体軸受芯出し装置50は、裸の光ファイバ20が処理装置18の構造と機械的に接触するのを防ぐために裸の光ファイバを芯出しするための非接触装置である。機械的接触とは、線引きプロセスにおける固体構成部材との接触を意味する。1つの実施の形態によれば、光ファイバ製造システム10が、ファイバの直径の制御を改善し、かつ炉12を徐冷管18に連結し、両方の内圧を減少させることによって、光ファイバの徐冷の量を多くできることが都合よい。減圧により、炉12内の熱伝達の対流成分が減少し、対流の安定性が改善される。その効果は、熱伝達がより安定になり、これによりファイバの直径の制御が改善されることである。処理装置18内の低圧は、所望の冷却速度を達成させるために冷却の対流成分を減少させることによって、冷却速度をさらに減少させる。炉12および処理装置18内の減圧は、0.01から0.80気圧7.6~608.0トールの範囲にあってよく、これにより、各熱伝達率が最大に減少する。他の実施の形態によれば、その圧力は、0.02から0.65気圧15.2~494.0トールの範囲、より好ましくは、0.05から0.5気圧38.2~380.0トールの範囲にあってよい。減圧により、処理装置18内の冷却を遅くすることができるのに対し、圧力が高くなると、徐冷を行うために外壁を加熱することなどにより、処理装置18を加熱することが望ましいかもしれないことが理解されよう。裸の光ファイバ20における光学損失を最大に減少させるために、1,600°Cと1,300°Cの間の温度に関する冷却速度は、ファイバのコアが、できるだけ多くの欠陥、または密度変動を直すことができるように、5,000°C/秒以下、より好ましくは3,000°C/秒以下、最も好ましくは約2,000°C/秒以下であるべきである。処理装置18内、特に処理区域内の冷却速度は、速い冷却領域については1,500°C/秒から4,000°C/秒の冷却速度、および遅い冷却領域については1,600°C/秒から1,300°C/秒の冷却速度などの、多数の冷却速度を含んでよい。1つの実施の形態によれば、光ファイバ20は、0.2秒以下の期間に亘り20メートル/秒を超える速度で処理装置18を通過し、少なくとも800°C/秒の温度降下だけ冷却されてよい。20メートル/秒超、より好ましくは25メートル/秒超、最も好ましくは30メートル/秒超の速度で、約2,000°C/秒の冷却速度を達成することは、約6メートル以上の長さの処理装置18により促進される。裸の光ファイバ20が一度1,300°Cに到達したら、そのファイバをより急速に冷却することが望ましく、それゆえ、裸の光ファイバ20は、1,300°C未満、より好ましくは1,200°C未満、いくつかの実施の形態においては、1,100°C未満の温度で処理装置18を出るであろう。裸の光ファイバ20は、制御された冷却のために処理装置18内に留まらなければならず、500°C超の温度で処理装置18を出る、いくつかの実施の形態においては、800°C超の温度で処理装置18を出る。管18の底部は、出口オリフィス26内で裸の光ファイバの適切な芯出しを確実にするために、芯出し装置50の近くに配置されている。1つの実施の形態において、出口オリフィス26は、そのオリフィスの直径の少なくとも2倍の長さを有する。処理装置18内、特に処理区域内の冷却速度は、損失の減少を最大にするために、1,600°Cから1,300°Cの範囲内で制御可能であろう。温度範囲の下端での遅い冷却により、ファイバのコアの仮想温度がさらに減少するかもしれず、これにより、密度の変動の数が減少し、損失が改善されるであろう。1つの実施の形態によれば、処理装置18は、裸の光ファイバ20を1,600°Cから1,450°Cに最初に徐冷し、次いで、1,450°Cから1,300°Cまで冷却速度を減少させ、次いで、1,300°C未満では冷却を加速させるように構成されていてよい。処理装置18内でのファイバの冷却を加速させるまたは遅くするための方法の冷が、以下に与えられている。図2に示された1つの実施の形態によれば、光ファイバ製造システム10は、真空ポンプ25に接続された第1の真空ポート25Aおよび第2の真空ポート25Bを有する二段階真空などの、多段階の減圧または不完全真空を用いてもよい。この二段階真空の実施の形態について、第1のオリフィス26が出口ポート28にあり、第2のオリフィス24が出口ポート28から約1メートル上にあってよい。オリフィス24と26の間の底部区域で約0.9と0.4気圧の間の減圧を、オリフィス24の上の上部区域において0.4と0.2気圧の間の減圧を生じさせるために、第1のオリフィス26は、1ミリメートルの直径などの第1のサイズの円形直径を有してよく、第2のオリフィス24は、1.5ミリメートルの直径などの、第1のオリフィスの直径よりも大きい第2のサイズの円形直径を有してもよい。これにより、オリフィス24の上の区域またはチャンバで第1の冷却速度速度1およびオリフィス24の下の区域またはチャンバで第2の冷却速度速度2がもたらされる。この例において、裸の光ファイバ20は、熱伝達効率の尺度である熱伝達率hが、レイノルズ数に、それゆえ、圧力に依存するので、圧力がより高い領域でより迅速に冷却される。例えば、空気中におけるファイバのカセおよびマツオにより刊行された熱伝達の相関関係JPolySciA325412554によれば、Nu=hD/κ=0.42Re0334、式中、Nuはヌセルト数無次元の熱伝達率であり、κは周囲空気の熱伝導率であり、ReはVfD/νであり、Vfはファイバの速度であり、Dはファイバの直径であり、νは周囲空気の運動粘度=μ/ρであり、式中、μは空気の動力学粘度であり、ρは密度である。熱伝導率および粘度は、圧力とはほぼ関係ないので、h≒P0334である。それゆえ、圧力を2倍にすると、熱伝達率hが約25パーセント増加する。その上、多数のオリフィス24および26、特に3つ以上のオリフィス図3および4を参照を使用することによって、各オリフィスを横切る圧力降下が減少するので、ファイバの振動が減少する。より多くのオリフィスを加えることによって、裸の光ファイバ20の全体の振動が減少するであろう。振動が減少することにより、裸の光ファイバ20がオリフィス24および26と接触しそうになくなり、それゆえ、オリフィス24と26および第1の流体軸受芯出し装置50の間の距離が延長され、処理装置18を、長さを短く設計できるであろう。大気圧でのまたはその辺りでの周囲空気における冷却速度が、減圧での冷却速度よりも実質的に速いので、ファイバの温度は、芯出し装置50を通ることによって、著しく減少するであろう。その上、熱伝導率κの低い第1のガスを、処理装置18の上部区域を通過するようにガスG1の入口16で炉に入れてよく、熱伝導率κの高い第2のガスを、G2と付されたガス入口30で入れられる、処理装置18の下部区域に用いてもよい。例えば、アルゴンArをガスG1として上部でパージし、第1の真空ポート25Aを介して除去する場合、熱伝達率hは、両方が同じ圧力である場合でさえも、下部区域において40パーセントほど高くあり得る。多数のオリフィスの実施の形態において、ガスの組成は、例えば、各区域でアルゴンをパージすることによって、各オリフィス間で変えても差し支えない。図2に示された実施の形態において、1つの実施の形態によれば、速度1の冷却区域は、冷却速度の速い速度2の冷却区域に対して、遅い冷却速度であってよい。しかしながら、他の実施の形態によれば、速度1と速度2の冷却区域は同じであってよく、または速度2の区域が速度1の冷却区域よりも遅い冷却速度を有してよいことが認識されよう。さらに別の実施の形態によれば、処理装置18内の3つ以上の冷却速度を作り出すために、3つ以上のオリフィスおよび/または3つ以上の真空ポートを用いてもよいことが理解されよう。裸の光ファイバ20が処理装置18を通って移動しながら、そのファイバ20がガスの境界層を獲得する。この境界層は、各オリフィスで少なくともある程度剥ぎ取られ、それによって、乱流へと移行する傾向が減少し、それによって、ファイバの安定性がさらに改善される。熱伝達も、より厚い境界層と比べて、より薄い境界層のために大きい。しかしながら、圧力がより低いと、この境界層はより迅速に成長する。オリフィス間の各チャンバ内の圧力は、例えば、各チャンバに通じるオリフィスのサイズを変えることによりオリフィスは、虹彩などの調節可能な絞りであって差し支えないまたは調節可能弁により各チャンバから排気されるガス流量を変えることにより、個別に制御することができる。そうすることにより、熱伝達率は、ファイバの振動を最小にしながら、最適化することができる。別の実施の形態によれば、出口ポート28は、図3に示されるものなどの、多重オリフィスシール28’を使用してもよい。このシールは、互いの周りに実質的に芯出しされたすなわち同心の、ファイバ20の予測される軌道の周りで芯出しされた4つの円形オリフィス130A~130Dを含む。これら4つのオリフィスは、図示した実施の形態において、異なるサイズの開口を有する。隣接するオリフィスの間のチャンバ内の空間は、多数の圧力段階を形成するために真空ポンプに接続されていてよい。一例によれば、オリフィス130Aは約2.5と5.0mmの間の直径を有し、オリフィス130Bは約2.0と4.0mmの間の直径を有し、オリフィス130Cは約1.5と3.0mmの間の直径を有し、オリフィス130Dは約1.0と2.5mmの間の直径を有してよい。ファイバ20が出口ポート28’を出るときにオリフィス130A~130Dで異なるサイズの直径を設けることによって、各オリフィスでの境界層が剥ぎ取られ、それにより、乱流が減少し、ファイバが出口ポート28を出るときのファイバの安定性が改善される。1つの実施の形態によれば、隣接するオリフィス間の距離は0.5から4.0インチ1.25から10cmの範囲にあってよい。図4を参照すると、第3の実施の形態による、処理装置18に3つのオリフィスを用いた光ファイバ製造システム10が示されている。この実施の形態において、出口ポート28は第1のオリフィス26を使用する。第2のオリフィス24は第1のオリフィス26の上すなわち上流に位置しており、第3のオリフィス23は第2のオリフィス24の上すなわち上流に位置している。真空ポンプ22に接続された真空ポート25が、第2のオリフィス24と第3のオリフィス23との間に位置している。この実施の形態において、炉は圧力PFと示される圧力を有するのに対し、第2と第3のオリフィス24と23の間の減圧は圧力P1を有し、第1のオリフィス26と第2のオリフィス24との間の減圧は第3の圧力P2を有する。1つの実施の形態において、圧力P1の中間区域の圧力は炉の圧力PF未満であり、下部区域の圧力P2は第2の圧力P1より大きい。それゆえ、異なる冷却速度を達成するために、処理装置18の3つの別個の区域またはチャンバ内に3つの別個の減圧が与えられるであろう。所望の圧力を達成するために、オリフィス23,24および26の1つ以上のサイズが、同じであっても、異なるサイズのものであってもよいことが認識されよう。各区域またはチャンバ内で適切な圧力を選択することによって、裸の光ファイバ20の制御された冷却が行われるであろう。図5を参照すると、第4の実施の形態による、処理装置18内でファイバ20をさらに冷却するために、ファイバ20と熱伝達関係にある1つ以上のファン80を備えた光ファイバ製造システム10が示されている。処理装置18内で裸の光ファイバ20をさらに冷却するために、チャンバ82内の対流冷却ガスを循環させる1つ以上のファン80が示されている。このチャンバ82は、裸の光ファイバ20と直接的に流体対流接触した、不活性ガスなどのガスを有する閉回路チャンバを備えてもよい。ファン80はさらに、チャンバ82内の対流冷却速度をさらに向上させ、これは、冷却速度を調節し、所望の冷却速度を達成するようにファンの速度に基づいて制御されてもよい。その上、所望の冷却速度を達成するために、処理装置18をさらに所望なように冷却するように、裸の光ファイバ20と間接的な熱伝達関係にある1つ以上のファンを用いてもよいことが認識されよう。冷却ファン80は、熱伝達を増加させる直交流を提供するために、、急激冷却区域において処理装置18の下部区域に示されるように用いても、または他のどこかに用いても差し支えない。図6を参照すると、第5の実施の形態による、処理装置18と熱伝達関係にある加熱区域を提供する1つ以上の電気ヒータ90を用いた光ファイバ製造システム10が示されている。1つの実施の形態によれば、1つ以上のヒータ90は、200°Cから600°Cの範囲の高温を提供するために、処理装置18の外部に施された電気ヒータコイルを含んでもよい。さらに特別な実施の形態によれば、加熱区域の温度は約300°Cであってよい。ヒータ90は、処理装置18の冷却速度をさらに制御する。徐冷区域部分を、過去に行われていたよりも少ない程度で加熱することよって、減圧でより遅い冷却速度を実現してもよい。例えば、壁の温度が300°Cの空気中での0.2気圧での冷却速度は、1.0気圧での900°Cの処理装置18に等しいであろう。その結果、加熱された処理装置18を用いたいくつかの実施の形態において、処理装置は、圧力を約0.02から0.50気圧15.2~380.0トール、より好ましくは0.05から0.3気圧38.2~228トールの範囲に維持しながら、約200°Cから600°Cの温度に加熱される。一方で、速い冷却区域における熱伝達は、壁が加熱されないであろうから、加速させてもよい。徐冷区域の冷却速度を最適化するために、1,300°Cから1,450°Cの重要な領域において、速度が最も遅くなるように、温度プロファイルを調節しても差し支えない。遅い冷却区域と速い冷却区域における熱伝達率をさらに分離させ、ファイバを所望のように最適に冷却するために、多数のオリフィス、異なるガス、下部区域における1つ以上のファン、上部区域における加熱区域、および他の変更などの実施の形態のいくつかを一緒に使用し、組み合わせてもよいことがさらに認識されよう。さらに別の実施の形態は、ガスが、徐冷区域においてファイバと同じ方向に移動し、より速い冷却区域においてファイバと反対の方向に移動するように、真空ポート25の位置を最適化する工程を含んでよい。一例によれば、ガスの速度がファイバの速度の半分である場合、熱伝達率hは、徐冷区域において、おおよそ20パーセント減少し、速い冷却区域において同量増加し得る。1つの実施の形態において、真空ポート25は、空気ジェットが軸通路からそれるのを防ぐように、環状排気によって最適に施してもよい。図7を参照すると、第6の実施の形態による、線状非接触芯出し装置32を用いた光ファイバ製造システム10が示されている。この線状非接触ファイバ芯出し装置32は、裸の光ファイバ20が出口オリフィス26と機械的に接触するのを防ぐように、オリフィス26を出る裸の光ファイバ20を芯出しするために出口ポート28に近接して配置されている。芯出し装置32は、ファイバ20を、直線に沿って通過するときに芯出しする線状芯出し装置である。ここに用いたように、線状という用語は、実質的に真っ直ぐな線を称する。芯出し装置32は、出口オリフィス26から1メートル以内に配置されていてよく、好ましくは出口オリフィス26から0.5メートル以内、より好ましくは20センチメートル以内、最も好ましくは15センチメートル以内に配置されている。1つの実施の形態において、芯出し装置32のファイバの入口側要素32Aの上部は、出口オリフィス26の2.54センチメートル1.0インチから15センチメートルの範囲内にある。第1の実施の形態による、芯出し装置32が図8~10により詳しく示されている。一方の側で裸の光ファイバ20を芯出しするための第1の線状芯出し要素32Aおよび反対側で裸の光ファイバ20を芯出しするための第2の線状芯出し要素32Bを有する芯出し装置32が図8に示されている。第1と第2の芯出し要素32Aおよび32Bの各々は、図9に示されるような、楔形開口44をもたらす高圧流体空気通路38を有する。この楔形通路44は、1つの実施の形態によれば、10°から60°の範囲にある壁の間の全角θをもたらす対向した角度の付けられた側壁を有する。この範囲は、図9における水平線に対して5°から30°の半角と等しい。別の実施の形態によれば、楔は、1°から60°の範囲、より好ましくは10°から60°、さらにより好ましくは40°から60°の壁の間の全角θをもたらす角度の付けられた側壁を有する。さらに別の実施の形態によれば、全角θは1°から10°の範囲にある。裸の光ファイバ20は、楔形通路44を通って流体供給通路38から吐出される高圧流体によって、楔形開口44内に浮遊されている。そうすることによって、空気ジェットにより供給通路38を通じて供給される空気45などのガスが、図10に示されるように裸の光ファイバ20の両側で流れて、芯出し装置32のどの構造との接触も防ぐ様式で裸の光ファイバ20を浮遊させる流体軸受を形成する。この流体、一般に、ガスおよび典型的に乾燥空気は、線引き張力下にある裸の光ファイバが楔形通路44の領域内に維持され、実質的にその通路内のファイバ20の下に存在する圧力差の結果として、通路44内に浮揚されるような領域に強制される。それゆえ、裸の光ファイバ20は、楔形通路44内に自動的に配置され、芯出しされる。図9に示されるように、個々の芯出し要素32Aおよび32Bの各々は、第1の側面部材34と第2の側面部材36から作製されてもよい。空気供給通路38は、部材34と36の界面にあるスロットとして形成してもよい。第1の側面部材34と、第2の側面部材36は、それぞれ、空気通路38から導かれる楔形通路44を一緒に形成する、角度の付けられた壁40、および角度の付けられた壁42を有する。空気供給通路38のスロットおよび楔形通路44は、ファイバ20に適用される空気クッションの有効長LCを画成する深さまたは長さを有する。図9には芯出し要素32Bが示されているが、芯出し要素32Aを、同様であるが、要素32Bに対して180°に向けられた図8に示すように形成してよいことが認識されよう。第1と第2の芯出し要素32Aおよび32Bの各々は、楔形通路44の頂点で供給通路38の出口から周囲環境に流れる高速空気により、容積が広がる通路44内に配置された裸の光ファイバ20を芯出しするための線状または直線部分を提供する。ファイバ20に施される空気の速度は、25メートル/秒m/sから500m/sの範囲にあってよい。要素32Aおよび32Bの各々による芯出しが施されるファイバ要素の長さLCは、0.5cmから100cmの範囲などの、数ミリメートルと数センチメートルの間であり得る。芯出し要素32Aおよび32Bは、壁の間の方向に強力な芯出し力を生じるが、他の方向には揚力しか生じず、それよって、空気供給通路38の出口から離れるように裸の光ファイバ20を引っ張る。図示されるように複数の対の線状芯出し要素32Aおよび32Bを組み合わせることによって、ファイバの張力の変動にほとんどまたは全く影響せずに、裸の光ファイバ20を反対の横方向に芯出しすることができる。芯出し力を増加させる必要がある場合には、複数の対の線状芯出し要素32Aおよび32Bを直列に用いることができ、芯出し効果を方向に依存しなくするために、各後の対を、前の対に対して裸の光ファイバ20の周りに0°と180°の間のいくらか回転させる。図10に示されるように、楔形通路44内の裸の光ファイバ20は、ファイバ20と、楔形側壁40および42との間の接触を防ぐ様式で、ファイバ20と、壁40および42との間を通過する強制高圧空気45上で浮遊する。この高圧空気45は、通路38を出て、楔形通路44を通って外側に通過するときに圧力が減少し、よって、圧力の降下によって、製造プロセス中に生じるかもしれない線引き張力の変化にもかかわらず、ファイバ20が極わずかしか動かない。第2の実施の形態による、線状非接触光ファイバ芯出し装置132が、図11から13に示されている。処理装置18を出る裸の光ファイバ20を芯出しするために、芯出し装置132を、図7に示された芯出し装置32の代わりに使用してもよい。この実施の形態において、芯出し管要素136が、芯出し力の角度依存性を非常に低くするために用いられる。管136は、円筒開口を画成する側壁、および裸の光ファイバ20を受け入れ、排出するための第1と第2の反対の端部を有する。その上、芯出し装置132は、管136の側壁の周囲に放射状に配置され、光ファイバを管136内に実質的に芯出しし、管136の側壁との機械的接触を防ぐように、裸の光ファイバ20に向かって放射状に内側に、空気などの高圧流体を方向付けるための空気ジェットと流体連通して接続するように適合された複数の流体吐出ポート134を備えている。流体吐出ポート134で吐出される空気流は、裸の光ファイバ20と管136の内壁との間を流れ、反対の端部から出る。図示した実施の形態において、空気ジェットを備えた図示せず流体吐出ポート134は、少なくとも8個の等角に離れた流体吐出ポート134を含む。この実施の形態において、裸の光ファイバ20は、ファイバの直径DFより1倍から20倍大きい直径を有する直線の円形管136の内部に位置しているであろう。1つの実施の形態によれば、管136は、1ミリメートル未満の円形断面内径を有してよく、これは、約125マイクロメートルの外径を有する裸の光ファイバ20にうまく働く。1つの実施の形態において、ファイバ20の外径DFに対する管136の内径DTの比は、20:1未満、より好ましくは10:1未満である。管136内にその軸に沿っていくつかのスロット孔またはポート134があり、一連の空気ジェットがファイバと管136の壁との間の間隙に入ることができる。ファイバ20を配置することによって、管136内の空気流が変化するかもしれず、これにより、圧力成分および摩擦成分の両方を有する芯出し力が生じ、それによって、裸の光ファイバ20が管136内に芯出しされる。1つの実施の形態によれば、管136は、50センチメートル未満、より好ましくは25センチメートル未満などの長さLTを有してよい。流体吐出ポート134は、管の長さLTの90パーセント未満の長さLPを有してよい。1つの実施の形態によれば、線状非接触光ファイバ芯出し装置32および132が、裸の光ファイバ20の出口ポートとの機械的接触を防ぐように、処理装置18の出口ポート28を出る裸の光ファイバ20を都合よく芯出しすることが認識されよう。線状非接触光ファイバ芯出し装置32または132は、裸の光ファイバ20を芯出しするために、光ファイバ製造システム内の他の位置に用いてもよいことが理解されよう。その上、裸の光ファイバ20を芯出しするために用いられる強制空気が、処理装置18における制御された冷却後に、光ファイバが芯出し装置32を通過するときに、その光ファイバの冷却速度を増加させることが認識されよう。芯出し装置の下流で、光ファイバは、1つ以上の流体軸受を通過してよく、また線引き機構およびスプールに巻き付けられる前に、被覆ユニットにより被覆されてもよい。ここに記載した方法は、通信用途に使用するためのシングルモードまたはマルチモード光ファイバ、特にそこに気密被覆を施す必要のない光ファイバを製造するために使用しても差し支えない。これらの方法は、ヘリウム冷却装置を使用する必要なく用いることができる。上述した実施の形態のいずれにおいても、芯出し装置は、処理装置の出口オリフィスから、好ましくは1メートル以内、より好ましくは0.5メートル以内、さらにより好ましくは20cm以内、最も好ましくは15cm以内に配置される。請求項の精神または範囲から逸脱せずに、様々な改変および変更を行えることが当業者には明白であろう。"