"リチウムイオンを吸蔵放出可能な正極と、リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極と、リチウム塩を含む非水電解液と、を有し、可逆的に充放電可能なリチウムイオン二次電池において、前記正極は、金属板と、前記金属板表面に形成される金属膜と、正極活物質と、を含み、前記金属膜は、111配向のルテニウム,オスミウム,パラジウム,白金からなる群より選ばれる1種以上の金属を含み、前記正極活物質は、下記式1LiCoxNi1-xO2ただし、0≦x≦11で表される化合物であり、前記金属膜表面にエピタキシャル成長して形成され、前記正極活物質の結晶構造のc軸が前記金属膜に対して垂直な方向になるように、前記正極活物質が形成されていることを特徴とする、リチウムイオン二次電池。リチウムイオンを吸蔵放出可能な正極と、リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極と、リチウム塩を含む非水電解液と、を有し、可逆的に充放電可能なリチウムイオン二次電池において、前記正極は、金属板と、前記金属板表面に形成される金属膜と、正極活物質と、を含み、前記金属膜は、110配向の銀及び/又はアルミニウムを含み、前記正極活物質は、下記式2LiCoyNi1-yO2ただし、0≦y≦12で表される化合物であり、前記金属膜表面にエピタキシャル成長して形成され、前記正極活物質の結晶構造のc軸が前記金属膜に対して水平な方向になるように、前記正極活物質が形成されていることを特徴とする、リチウムイオン二次電池。前記正極活物質のc軸方向の格子間隔が、格子間隔を制御しない場合と比較して、1以上拡大されていることを特徴とする、請求の範囲第1項又は第2項に記載のリチウムイオン二次電池。前記金属膜と前記正極活物質との格子ミスマッチが7以下であることを特徴とする、請求の範囲第1項又は第2項に記載のリチウムイオン二次電池。前記式1中、x=1である、又は、前記式2中、y=1であることを特徴とする、請求の範囲第1項又は第2項に記載のリチウムイオン二次電池。正極活物質であるコバルト酸リチウムの結晶構造は、リチウム層リチウムイオン層とコバルト層CoO2層;二酸化コバルト層とがc軸高さ方向の結晶軸方向に交互に積み重なった積層構造である。そして、リチウムイオンがコバルト層間から非水電解液中に放出されたり、非水電解液中のリチウムイオンがコバルト層間に吸蔵されたりすることにより、充放電が行われる。しかしながら、電池を繰り返し充放電させると、2つのコバルト層間のc軸方向の間隔が狭くなることがある。その結果、相転移による結晶構造の変化が生じる場合がある。これにより、コバルト酸リチウムを用いたリチウムイオン二次電池の特性劣化が生じることがある。そして、この変化が電池の寿命を決定することから、このような特性劣化に対する対策が切望されている。また、正極活物質と電極板との密着度接合強度が低い場合、電池を繰り返し充放電させると、正極活物質と電極板との間で界面剥離を生じ、電池の寿命が低下することがある。そのため、正極活物質と電極板との密着度を向上させて剥離を防止することが好ましい。しかしながら、前記した特許文献1及び特許文献2には、電池の特性劣化例えば寿命の低下等を改善させることができる技術は一切開示されていない。従って、特許文献1及び特許文献2に記載の技術に拠っては、電池の特性が劣化し、電池寿命が短くなる可能性がある。これらに鑑み、本発明が想起された。即ち、その目的は、長寿命のリチウムイオン二次電池を提供することにある。本発明者らは前記課題を解決するべく鋭意検討した結果、電極板と正極活物質との間に特定の金属を含む金属膜を設けることにより前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。本発明によれば、長寿命のリチウムイオン二次電池を提供することができる。以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態本実施形態を説明する。なお、以下の説明において、コバルト酸リチウムや各金属における配向面は、特に指定しない限り、金属結晶における配向面である。従って、例えばコバルト酸リチウムの001面とは、コバルト酸リチウム結晶の001面を表すものとする。[1.第1実施形態]リチウムイオン二次電池に適用される正極は、非水電解液中のリチウムイオンを吸蔵放出可能な構成を備える。具体的には、図1に示すように、本実施形態に係るリチウムイオン二次電池に適用される正極7aは、正極金属箔1と、正極金属箔1の表面に積層される格子間隔制御膜2と、格子間隔制御膜2において正極金属箔1とは逆側に積層される正極活物質層3と、により構成される。正極金属箔1は、正極として用いられる電極板即ち正極板である。正極金属箔1は、アルミニウムAl、銅Cu等の導電性金属からなる。正極金属箔1は箔状であり、リチウムイオン二次電池等の電池に通常使用される電極板料を適宜用いればよい。格子間隔制御膜2は、ルテニウムRu、オスミウムOs、パラジウムPd又は白金Ptを含むものである。これらは、2種以上が任意の比率及び組み合わせで併用されてもよい。正極7aがこのような格子間隔制御膜2を有することにより、正極活物質層3をより強固に正極金属箔1に固定することができる。格子間隔制御膜2を構成する前記金属は111配向である。このような配向で正極金属箔1表面に格子間隔制御膜2を形成する方法としては、例えば真空蒸着、スパッタリング法、化学気相成長CVD;ChemicalVaporDeposition法等が挙げられる。格子間隔制御膜2には、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、前記金属以外の他の金属及び他の材料が含まれていてもよい。なお、以下の説明では、説明を簡略化するために、格子間隔制御膜2に他の金属及び他の材料が含まれないものとしている。正極活物質層3は、格子間隔制御膜2の表面に積層されるものである。正極7aにおける正極活物質層3としては、正極活物質としてのコバルト酸リチウムLiCoO2を含んで構成される。ただし、本実施形態に適用可能な正極活物質としては、コバルトとニッケルとの原子構造が類似具体的には格子定数がほぼ同じしているという観点から、コバルトの一部をニッケルで置換した化合物も好ましく適用可能である。即ち、正極活物質層3に適用可能な正極活物質としては、以下の式1で表される化合物である。LiCoxNi1-xO2ただし、0≦x≦11ただし、前記式1で表される化合物のうち、汎用されており入手がし易いという観点から、x=1の化合物、即ち、コバルト酸リチウムが好ましい。従って、本実施形態においては、正極活物質としてコバルト酸リチウムを用いるものとして説明している。また、正極活物質層3は、前記式1の正極活物質以外の正極活物質、又は、正極活物質以外の材料を適宜含んでいてもよい。ただし、以下においては、説明の便宜上、正極活物質層3はコバルト酸リチウムのみを含むものとして、本実施形態を説明している。正極活物質層3は、本実施形態においては、格子間隔制御膜2の表面にコバルト酸リチウムがエピタキシャル成長して形成される。正極活物質層3の形成方法は特に制限されない。例えば、形成方法としては、スパッタリング法、化学気相成長CVD;ChemicalVaporDeposition法、レーザ活性化法等を用いることができる。図2に示すように、本実施形態においては、正極活物質層3を構成する結晶構造のc軸が、格子間隔制御膜2の表面に対して垂直な方向になるように正極活物質層3が形成されている。即ち、コバルト酸リチウムの001面最密結晶面は、正極金属箔1の表面に対して平行な方向になっている。これらの構造は、X線結晶構造解析や電子顕微鏡により確認することができる。また、正極活物質層3は、コバルト層コバルト酸CoO2-層16及びリチウム層Li17が交互に積層して構成される。そして、コバルト層16及びリチウム層17はそれぞれ、正極金属箔1に対して平行になるように形成されている。そして、正極7aが用いられたリチウムイオン二次電池の充放電時、隣接する2つのコバルト層16間から、その間のリチウム層17を構成するリチウムイオンが外部へ放出或いは外部から吸蔵される以下、この現象を単にリチウムイオンの吸蔵放出と言う。。このようにして、正極7aと非水電解液との間で、リチウムイオンのやり取りが行われる。本発明者らが検討したところによると、リチウムイオンの吸蔵放出が多く繰り返される即ち、充放電サイクルが増加すると、隣接する2つのコバルト層16の間隔図2の紙面上下方向の間隔は通常は狭くなる。この間隔が狭くなるとリチウムイオンの非水電解液の移動も行われにくくなる。そのため、充放電サイクルの増加に伴いリチウムイオンの吸蔵放出が行われにくくなり、リチウムイオン二次電池の電池容量が低下する。さらには、隣接する2つのコバルト層16の間隔が狭くなり、近接する原子同士の原子間距離も短くなる。そのため、近接する原子同士が結合し易くなり、その結果、コバルト酸リチウムの結晶構造も変化し易くなる。そして、相転移等を引き起こしてコバルト酸リチウムの結晶構造が変化すると、電池の性能が劣化する。また、コバルト酸リチウム正極活物質層3が正極7aから剥離し易くなる。これらのことに鑑み、本発明が創案された。具体的には、図1及び図2に示すように、正極金属箔1と正極活物質層3との間に格子間隔制御膜2を設ける。これにより、隣接する2つのコバルト層16の間隔を拡げることができる。そのため、リチウムイオンの出入り吸蔵放出が行われ易くなり、電池の高容量化を図ることができる。しかも、リチウムイオンの出入りが繰り返されて層間隔が狭くなっても、依然として十分な間隔を有している。そのため、コバルト酸リチウムの結晶構造が変化しにくく、良好なサイクル特性を示す。以下、格子間隔制御膜2に含まれうる4つの金属Ru、Os、Pd、Ptについて、図3~図6を参照しながら説明する。前記したように、正極活物質層3に含まれる正極活物質としてのコバルト酸リチウムは、エピタキシャル成長して正極活物質層3を形成している。そのため、コバルト酸リチウムは、格子間隔制御膜2を構成する金属上でエピタキシャル成長させる必要がある。従って、格子間隔制御膜2を構成する金属としては、コバルト酸リチウムの最近接原子間距離に近い金属を用いることが重要である。そして、このような金属として、具体的には、例えばニッケルNi、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、オスミウムOs、ルテニウムRu、イリジウムIr、アルミニウムAl、銀Ag、タンタルTa、ハフニウムHf、ジルコニウムZr、バナジウムV、白金Pt、金Au等が挙げられる。以下、これらの例示列挙した金属を、候補金属1と呼称する。ちなみに、候補金属1は、格子ミスマッチの絶対値が13以下の金属である。本明細書において、格子ミスマッチとは、目的金属における最近接原子間距離をコバルト酸リチウムにおける最近接原子間距離で除して得られた値である。なお、コバルト酸リチウムの格子間隔とコバルト酸リチウムの格子間隔即ち格子ミスマッチが大きすぎるとが異なりすぎると、コバルト酸リチウムをエピタキシャル成長させることができない可能性がある。また、格子ミスマッチが大きすぎると、コバルト酸リチウムがアモルファスになる可能性がある。候補金属1は、コバルト酸リチウムに対する格子ミスマッチが13以下と小さい。そのため、格子間隔制御膜2の表面に、コバルト酸リチウムをエピタキシャル成長させることができる。そして、コバルト酸リチウムの001面と候補金属1の111面とが接続した場合に、最近接原子間距離のミスマッチが最も小さくなる。この時に、コバルト酸リチウムのエピタキシャル成長が促進される。ただし、コバルト酸リチウムを単にエピタキシャル成長させたとしても、コバルト酸リチウムが容易に剥離すれば接合強度に課題がある。そこで、分子動力学ソフトウェアアクセルリス社製MaterialsStudioに搭載のForciteを用い、候補金属1格子間隔制御膜2とコバルト酸リチウム正極活物質層3との接合強度を評価した。具体的には、コバルト酸リチウムの001面と候補金属1の111面とにおける界面剥離強度を評価した。その結果を図3に示す。図3では、剥離エネルギが大きいほど剥離強度が大きく、剥離しにくいことを表している。図3に示すように、格子間隔制御膜2を構成する金属として金Auを用いた場合、他の金属と比べて剥離エネルギが著しく小さかった。そのため、界面剥離が生じやすいことがわかった。また、Ni、Co、Cu、Pd、Os、Ru、Ir、Al、Ag、Ta、Hf、Zr又はVを用いた場合、特に高い剥離エネルギを示した。そのため、これらの金属Ni、Co、Cu、Pd、Os、Ru、Ir、Al、Ag、Ta、Hf、Zr又はVを格子間隔制御膜2に適用した場合、正極活物質層3が特に剥離しにくいことがわかった。ただし、イリジウムIrは、触媒活性作用を有することがある。そのため、格子間隔制御膜2にイリジウムを適用しようとすると、正極7aの製造工程でコバルト酸リチウムに不純物が付着することがある。そして、このような不純物が付着すると正極としての性能が低下する可能性がある。そこで、格子間隔制御膜2に適用可能な金属として、イリジウムは除外した。次に、Ni、Co、Cu、Pd、Os、Ru、Al、Ag、Ta、Hf、Zr又はVの111面格子間隔制御膜2上にコバルト酸リチウム正極活物質層3をエピタキシャル成長させた場合の、コバルト酸リチウムの安定性を評価した。具体的には、候補金属1の111面上にコバルト酸リチウムをエピタキシャル成長させた場合の原子拡散係数を、前記の分子動力学ソフトウェアを用いて評価した。得られた結果が図4である。図4に示すグラフにおいて、横軸はコバルト酸リチウムの001面と候補金属1の111面との格子ミスマッチ、縦軸はコバルト酸リチウムについての原子拡散係数の相対比D/D0を示している。なお、Dは格子ミスマッチの存在する格子間隔制御膜を用いた場合の原子拡散係数であり、D0は格子ミスマッチの存在しない格子間隔制御膜を用いた場合の拡散係数である。図4に示すように、格子ミスマッチの絶対値が大きくなるほど、相対比D/D0が大きくなる。これは、格子ミスマッチが大きいほど、結晶の安定性が低下することを示している。特に、格子ミスマッチの絶対値が7以上である場合、相対比が急激に増加し、結晶がアモルファス的になることがわかった。また、候補金属1のうち、Co、Ni、Cu、V、Zr、Hf又はTaを格子間隔制御膜2に適用した場合、コバルト酸リチウムが不安定となり、コバルト酸リチウムの結晶格子をc軸方向に拡げる効果が十分に得られないと考えられる。一方、格子ミスマッチの絶対値が7以下の、Ru、Os、Pd、Pt、Al又はAgを適用した場合、コバルト酸リチウムは安定であることが分かった。コバルト酸リチウムのc軸を正極金属箔1と垂直方向になるようにエピタキシャル成長させた場合、コバルト層16及びリチウム層17は正極金属箔1に対して平行になる。そして、このような場合、図5に示すように、c軸方向の格子間隔を拡げるためには、コバルト酸リチウムの001面における格子間隔最近接格子間距離は短くする必要がある。換言すれば、図5に示すコバルト層16を紙面横方向に圧縮する必要がある。圧縮することにより、ポアソン比分だけc軸方向の間隔が拡がる。そのため、図4における格子ミスマッチがマイナスとなる金属を格子間隔制御膜2に適用することにより、c軸方向の格子間隔が拡げられる。従って、これらの金属のうち、c軸方向に格子間隔を拡げる効果があるのは、Ru、Os、Pd及びPtとなる。次に、候補金属1であるNi、Co、Cu、Pd、Os、Ru、Al、Ag、Ta、Hf、Zr、V及びPtの各金属の111面上にコバルト酸リチウムをエピタキシャル成長させた場合の、コバルト酸リチウムのc軸方向の格子の広がり拡大率を評価した。評価は、前記の界面剥離強度と同様にして行った。その結果を図6に示す。図6に示すように、Pd、Os、Ru又はPtを格子間隔制御膜2に適用した場合に、格子間隔を制御しない場合と比較して、格子間隔を1以上拡げられることが分かった。特にこれらの金属は、2以上の拡大率を有していた。一方、Al又はAgを適用した場合には、拡大率はマイナスの値であった。即ち、Al又はAgを適用した場合には、c軸方向の格子間隔は短くなることが分かった。従って、c軸方向の格子間隔を増加させるためには、Pd、Os、Ru又はPtを用いることが好ましいことが分かった。以上の結果より、正極活物質の電極7からのはく離を防止し、c軸方向の格子間隔を広げるためには、正極金属箔1上に111配向のPd、Os、Ru又はPtにより構成される格子間隔制御膜2を形成し、その上に正極活物質層3をエピタキシャル成長にて形成すればよいことが分かった。また、これにより、正極活物質層3を格子間隔制御膜2上に安定して形成できる。正極活物質層3における正極活物質のc軸方向の格子間隔を通常よりも拡げた結晶構造とすることにより、充放電時にリチウムイオンが外部へ放出された場合でも、c軸方向の格子間隔が極端に短くなることを抑制することができる。そのため、格子間隔が短くなることによる、正極活物質の構造劣化を防止することができる。これにより、サイクル特性に優れた長寿命のリチウムイオン二次電池が提供できる。また、正極金属箔1と正極活物質層3との間に剥離強度の高い格子間隔制御膜2を設けることにより、電池を繰り返し充放電させた場合でも、正極活物質層3が電極7aからはく離することを防止することができる。これにより、サイクル特性に優れた長寿命のリチウムイオン二次電池が提供できる。さらに、c軸の格子間隔が拡げられることにより、リチウムイオンが移動吸蔵放出し易くなる。そのため、電池の容量を大容量化することができる。[2.第2実施形態]次に、第2実施形態に係る正極を、図7~図12を参照しながら説明する。第2実施形態に係る正極正極7bは、基本的には、前記した第1実施形態に係る正極正極7aと同様である。そこで、以下の説明では、第1実施形態に係る正極と異なる点について主に説明し、同様の点についての詳細な説明は省略する。また、前記の第1実施形態と同様の部材については同様の符号や名称を付すものとし、その詳細な説明は省略する。図7に示す正極7bは、正極金属箔1表面に、格子間隔制御膜4と正極活物質層5とがこの順で積層されている。格子間隔制御膜4は、銀Ag及び/又はアルミニウムAlを含むものである。格子間隔制御膜4に含まれる金属は、110配向となっている。このような配向を有するAg及び/又はAlを含む格子間隔制御膜4を形成するためには、正極金属箔1表面に対して目的金属を例えば圧延等することにより、110配向を有する格子間隔制御膜4を形成することができる。格子間隔制御膜4には、前記した格子間隔制御膜2と同様、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、前記金属以外の他の金属及び他の材料が含まれていてもよい。なお、以下の説明では、説明を簡略化するために、格子間隔制御膜4に他の金属及び他の材料が含まれないものとしている。また、正極活物質層5は、正極活物質としての下記式2で表される化合物が含まれるものである。LiCoyNi1-yO2ただし、0≦y≦12前記式2で表される化合物は、前記式1で表される化合物と同様であるため、その詳細な説明は省略する。また、以下の説明においては、式1同様y=1が好ましいため、正極活物質としてコバルト酸リチウム即ち前記式2中、y=1を例に説明する。さらに、正極活物質層5は、前記式2の正極活物質以外の正極活物質、又は、正極活物質以外の材料を適宜含んでいてもよい。ただし、以下においては、説明の便宜上、正極活物質層5はコバルト酸リチウムのみを含むものとして、本実施形態を説明している。正極7bにおける正極活物質層5の構造を図8に示す。正極活物質層5は、前記した正極活物質層3と同様、格子間隔制御膜4上にエピタキシャル成長されたものである。図8に示すように、正極活物質層5を構成するコバルト酸リチウムのc軸が、格子間隔制御膜4の表面と平行即ち水平になっている。また、正極活物質層5は、コバルト層18とリチウム層19とからなる。そして、コバルト層18及びリチウム層19は、正極金属箔1及び格子間隔制御膜4に対して垂直になっている。即ち、コバルト酸リチウムの001面第二稠密結晶面は、正極金属箔1に対して垂直な方向になっている。そして、2つのコバルト層18間からリチウムイオンが出入りすることで、電池の充放電が可能となっている。なお、正極活物質層5は、前記した正極活物質層3と同様にして形成できる。即ち、配向が制御された具体的には110配向の格子間隔制御膜4が形成されているため、このように制御された格子間隔制御膜4に対して安定な状態図8に示す110配向で正極活物質層5が形成される。第1実施形態同様、本発明者らが検討したところによると、隣接する2つのコバルト層18間の距離を拡げることにより、電池特性に優れた電池を提供できることを見出した。即ち、第1実施形態では、コバルト酸リチウムのc軸が正極金属箔1と垂直のときに拡げた場合について示したが、第2実施形態では、c軸が正極金属箔1と平行のときに拡げた場合を示す。以下、格子間隔制御膜4に含まれうる2つの金属について、図9~図12を参照しながら説明する。まず、正極活物質であるコバルト酸リチウムが、110配向の金属からなる格子間隔制御膜4上でエピタキシャル成長をすることが重要である。そのため、格子間隔制御膜4を構成する金属の最近接原子間距離が、コバルト酸リチウムにおける最近接原子間距離に近いことが重要である。この点を踏まえ、格子間隔制御膜4に含まれる金属として、例えばニッケルNi、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、オスミウムOs、ルテニウムRu、イリジウムIr、アルミニウムAl、銀Ag、タンタルTa、ハフニウムHf、ジルコニウムZr、バナジウムV、白金Pt、金Au等が挙げられる。以下、これらの金属を候補金属2と呼称する。候補金属2は、コバルト酸リチウムに対する格子ミスマッチが13以下と小さい。そのため、格子間隔制御膜4の表面に、コバルト酸リチウムをエピタキシャル成長させることができる。そして、コバルト酸リチウムの110面と候補金属2の110面とが接続した場合に、最近接原子間距離のミスマッチが最も小さくなる。この時に、コバルト酸リチウムのエピタキシャル成長が促進される。ただし、コバルト酸リチウムを単にエピタキシャル成長させたとしても、コバルト酸リチウムが容易に剥離すれば接合強度に課題がある。そこで、第1実施形態と同様にして、候補金属2格子間隔制御膜4とコバルト酸リチウム正極活物質層5との接合強度を評価した。具体的には、コバルト酸リチウムの110面と候補金属2の110面とにおける界面剥離強度を評価した。その結果を図9に示す。図9では、剥離エネルギが大きいほど剥離強度が大きく、剥離しにくいことを表している。図9に示すように、格子間隔制御膜4を構成する金属として金Auを用いた場合、他の金属と比べて剥離エネルギが著しく小さかった。そのため、界面剥離が生じやすいことがわかった。また、Ni、Co、Cu、Pd、Os、Ru、Ir、Al、Ag、Ta、Hf、Zr又はVを用いた場合、特に高い剥離エネルギを示した。そのため、これらの金属Ni、Co、Cu、Pd、Os、Ru、Ir、Al、Ag、Ta、Hf、Zr又はVを格子間隔制御膜4に適用した場合、正極活物質層5が特に剥離しにくいことがわかった。ただし、イリジウムIrは、触媒活性作用を有することがある。そのため、格子間隔制御膜4にイリジウムを適用しようとすると、正極7bの製造工程でコバルト酸リチウムに不純物が付着することがある。そして、このような不純物が付着すると正極としての性能が低下する可能性がある。そこで、格子間隔制御膜4に適用可能な金属として、イリジウムは除外した。次に、Ni、Co、Cu、Pd、Os、Ru、Al、Ag、Ta、Hf、Zr又はVの110面格子間隔制御膜4上にコバルト酸リチウム正極活物質層5をエピタキシャル成長させた場合の、コバルト酸リチウムの安定性を評価した。具体的には、候補金属2の110面上にコバルト酸リチウムをエピタキシャル成長させた場合の原子拡散係数を、前記の分子動力学ソフトウェアを用いて評価した。得られた結果が図10である。図10に示すグラフにおいて、横軸はコバルト酸リチウムの110面と候補金属2の110面との格子ミスマッチ、縦軸はコバルト酸リチウムについての原子拡散係数の相対比D/D0を示している。なお、Dは格子ミスマッチの存在する格子間隔制御膜を用いた場合の原子拡散係数であり、D0は格子ミスマッチの存在しない格子間隔制御膜を用いた場合の拡散係数である。図10に示すように、格子ミスマッチの絶対値が大きくなるほど、相対比D/D0が大きくなる。これは、格子ミスマッチの絶対値が大きいほど、結晶の安定性が低下することを示している。特に、格子ミスマッチの絶対値が7以上である場合、相対比が急激に増加し、結晶がアモルファス的になることがわかった。また、候補金属2のうち、Co、Ni、Cu、V、Zr、Hf又はTaを格子間隔制御膜4に適用した場合、コバルト酸リチウムが不安定となり、コバルト酸リチウムの結晶格子をc軸方向に拡げる効果が十分に得られないと考えられる。一方、格子ミスマッチの絶対値が7以下の、Ru、Os、Pd、Pt、Al又はAgを適用した場合、コバルト酸リチウムは安定であることが分かった。コバルト酸リチウムのc軸を正極金属箔1と平行方向になるようにエピタキシャル成長させた場合、コバルト層18及びリチウム層19は正極金属箔1に対して垂直になる。そして、このような場合、図11に示すように、c軸方向の格子間隔を拡げるためには、コバルト酸リチウムの110面の格子間隔最近接格子間距離は長くする必要がある。換言すれば、図10における格子ミスマッチがプラスとなる金属を格子間隔制御膜4に適用することにより、c軸方向の格子間隔が拡げられる。従って、これらの金属のうち、c軸方向に格子間隔を拡げる効果があるのは、Al又はAgとなる。次に、候補金属2であるNi、Co、Cu、Pd、Os、Ru、Al、Ag、Ta、Hf、Zr、V及びPtの各金属の110面上にコバルト酸リチウムをエピタキシャル成長させた場合の、コバルト酸リチウムのc軸方向の格子の広がり拡大率を評価した。評価は、第1実施形態と同様にして行った。その結果を図12に示す。図12に示すように、Al又はAgを格子間隔制御膜4に適用した場合に、格子間隔を制御しない場合と比較して、格子間隔を1以上拡げられることが分かった。特にAgは、2以上の拡大率を有していた。一方、Pd、Os、Ru又はPtを適用した場合には、拡大率はマイナスの値であった。即ち、Pd、Os、Ru又はPtを適用した場合には、c軸方向の格子間隔は短くなることが分かった。従って、c軸方向の格子間隔を増加させるためには、Al又はAgを用いることが好ましいことが分かった。以上の結果より、正極活物質の電極7からのはく離を防止し、c軸方向の格子間隔を広げるためには、正極金属箔1上に110配向のAl又はAgにより構成される格子間隔制御膜4を形成し、その上に正極活物質層5をエピタキシャル成長にて形成すればよいことが分かった。また、これにより、正極活物質層5を格子間隔制御膜4上に安定して形成できる。正極活物質層5における正極活物質のc軸方向の格子間隔を通常よりも拡げた結晶構造とすることにより、充放電時にリチウムイオンが外部へ放出された場合でも、c軸方向の格子間隔が極端に短くなることを抑制することができる。そのため、格子間隔が短くなることによる、正極活物質の構造劣化を防止することができる。これにより、サイクル特性に優れた長寿命のリチウムイオン二次電池が提供できる。また、正極金属箔1と正極活物質層5との間に剥離強度の高い格子間隔制御膜4を設けることにより、電池を繰り返し充放電させた場合でも、正極活物質層4が電極7bからはく離することを防止することができる。これにより、サイクル特性に優れた長寿命のリチウムイオン二次電池が提供できる。さらに、c軸の格子間隔が拡げられることにより、リチウムイオンが移動し易くなる。そのため、電池の容量を大容量化することができる。[3.リチウムイオン二次電池]次に、正極7a,7bが適用されるリチウムイオン二次電池の構成を、図13を参照しながら説明する。図13に示すリチウムイオン二次電池100は、詳細は後記するが、図1に示すシート状の正極7aを芯材に捲回して得られるものである。なお、説明の簡略化のために、図13に示す正極7として前記の正極7aを適用しているが、正極7bであっても同様に適用可能である。リチウムイオン二次電池100以下、単に電池100と記載する。は、図13に示すように、正極7正極7aと、負極8と、正極7及び負極8の間に介在するセパレータ9と、リチウム塩を含む非水電解液図示しないとを備える。電池100は円筒形状であるが、角型、ラミネート型等であってもよい。正極7と負極8との間には、前記のように、セパレータ9が配設される。これにより、正極7と負極8との接触短絡を避けることができる。電池100は円筒形状であるため、正極7、セパレータ9及び負極8をこの順で積層して、図示しない芯材に捲回することで、図13に示す形態とすることができる。負極8はリチウムイオンを吸蔵放出可能なものである。また、負極8、セパレータ9並びに非水電解液及びリチウム塩としては任意のものを用いることができるため、それらの詳細な説明を省略する。また、電池100は正極板リード片11と、負極リード片12と、電池缶13と、密閉蓋部13aと、絶縁板14と、パッキン15とを備える。電池缶13及び密閉蓋部13aは、例えばステンレス鋼SUS等で構成される。正極板リード片11は、正極7と密閉蓋部13aとを電気的に接続する。これにより、電池蓋部13aが電池100の正極として機能する。また、負極リード片12は、負極9と電池缶13の底部とを電気的に接続する。これにより、電池缶13本体具体的には電池缶13の底部が電池100の負極として機能する。なお、電池缶13と密閉蓋部13aとは、パッキン15により電気的に絶縁されている。電池100は、前記のように、リチウムイオンを吸蔵放出可能な正極と、リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極と、リチウム塩を含む非水電解液とを有するため、可逆的に充放電可能な構成となっている。そして、電池100は、充放電を繰り返しても、正極活物質が電極板からはく離することなく、しかも正極活物質の劣化が抑制される、長寿命でしかも高容量のリチウムイオン二次電池である。"