基材と、前記基材上にパターン状に形成され、かつ有機半導体材料を含む複数の有機半導体層とを有する有機半導体素子を製造する際に用いられる有機半導体素子用製造装置であって、前記基材を配置するステージ、および前記ステージ上に配置された前記基材上に有機半導体材料を含む有機半導体層用塗工液を塗工して有機半導体層を形成する塗工手段を有し、前記ステージおよび前記塗工手段の位置を相対的に変化させることにより、前記基材上に複数の有機半導体層をパターン状に形成する有機半導体層形成機構と、前記基材上に形成された前記有機半導体層を遮光する遮光機構とを有することを特徴とする有機半導体素子用製造装置。前記遮光機構が、前記有機半導体層形成機構全体を覆うものであることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体素子用製造装置。前記遮光機構が、前記有機半導体層が形成された後に前記有機半導体層を遮光することが可能となるように、前記有機半導体層形成機構の一部を覆うものであることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体素子用製造装置。基材上に有機半導体材料を含む有機半導体層用塗工液をパターン状に塗工して複数の有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程を有する有機半導体素子の製造方法であって、前記有機半導体層形成工程では、前記基材上における前記有機半導体層用塗工液の塗工位置を変化させることにより前記複数の有機半導体層をパターン状に形成し、かつ前記有機半導体層形成工程中に受光する光量が各々の前記有機半導体層の間で同等となるように前記複数の有機半導体層を形成することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、有機半導体素子を製造するに際して、1つの有機半導体素子が有する複数の有機半導体層を均質なものとすることが可能な有機半導体素子用製造装置および有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。本発明は、基材と、上記基材上にパターン状に形成され、かつ有機半導体材料を含む複数の有機半導体層とを有する有機半導体素子を製造する際に用いられる有機半導体素子用製造装置であって、上記基材を配置するステージ、および上記ステージ上に配置された上記基材上に有機半導体材料を含む有機半導体層用塗工液を塗工して有機半導体層を形成する塗工手段を有し、上記ステージおよび上記塗工手段の位置を相対的に変化させることにより、上記基材上に複数の有機半導体層をパターン状に形成する有機半導体層形成機構と、上記基材上に形成された上記有機半導体層を遮光する遮光機構とを有することを特徴とする有機半導体素子用製造装置を提供する。本発明によれば、上述の遮光機構を有することから、有機半導体層に外光が照射されることによる劣化を抑制することが可能となる。よって、本発明の有機半導体素子用製造装置を用いた場合は、複数の有機半導体層を経時的にパターン状に形成した場合であっても、複数の有機半導体層が受光する光量を同等なものとすることが可能となることから、複数の有機半導体層を均質に形成することが可能となる。よって、本発明の有機半導体素子用製造装置を用いることにより、複数の有機半導体層の電気的特性が同等である高性能な有機半導体素子を製造することが可能となる。本発明においては、上記遮光機構が、上記有機半導体層形成機構全体を覆うものであることが好ましい。これにより、有機半導体素子の製造時において有機半導体層へ光が照射されることを好適に防止することが可能となるため、1つの有機半導体素子における複数の有機半導体層をより均質に形成することが可能となる。本発明においては、上記遮光機構が、上記有機半導体層が形成された後に上記有機半導体層を遮光することが可能となるように、上記有機半導体層形成機構の一部を覆うものであってもよい。有機半導体層形成機構全体を覆う場合に比べ、有機半導体素子用製造装置における有機半導体層形成機構の視認性が向上し、有機半導体素子を製造する際の作業効率を向上させることができる。また、有機半導体素子用製造装置を利便性に優れたものとすることができる。本発明は、基材上に有機半導体材料を含む有機半導体層用塗工液をパターン状に塗工して複数の有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程を有する有機半導体素子の製造方法であって、上記有機半導体層形成工程では、上記基材上における上記有機半導体層用塗工液の塗工位置を変化させることにより上記複数の有機半導体層をパターン状に形成し、かつ上記有機半導体層形成工程中に受光する光量が各々の上記有機半導体層の間で同等となるように上記複数の有機半導体層を形成することを特徴とする有機半導体素子の製造方法を提供する。本発明によれば、有機半導体層形成工程において、有機半導体層形成工程中に受光する光量が各々の上記有機半導体層の間で同等となるように上記複数の有機半導体層を形成することから、本発明の製造方法により製造された有機半導体素子における複数の有機半導体層を均質に形成することが可能となる。よって、複数の有機半導体層の電気的特性が同等である高性能な有機半導体素子を製造することが可能となる。本発明においては、有機半導体素子の製造時において形成される複数の有機半導体層が受光する光量を同等なものとすることが可能となるため、1つの有機半導体素子が有する複数の有機半導体層を均質なものとすることが可能なるといった作用効果を奏する。以下、本発明の有機半導体素子用製造装置および有機半導体素子の製造方法について説明する。A.有機半導体素子用製造装置まず、本発明の有機半導体素子用製造装置以下、単に製造装置と称して説明する場合がある。について説明する。本発明の製造装置は、基材と、上記基材上にパターン状に形成され、かつ有機半導体材料を含む複数の有機半導体層とを有する有機半導体素子を製造する際に用いられるものであって、上記基材を配置するためのステージ、および上記ステージ上に配置された上記基材上に有機半導体材料を含む有機半導体層用塗工液を塗工して有機半導体層を形成する塗工手段を有し、上記ステージおよび上記塗工手段の位置を相対的に変化させることにより、上記基材上に複数の有機半導体層をパターン状に形成する有機半導体層形成機構と、上記基材上に形成された上記有機半導体層を遮光する遮光機構とを有することを特徴とするものである。本発明によれば、上述の遮光機構を有することから、有機半導体層に外光が照射されることによる劣化を抑制することが可能となる。よって、本発明の製造装置を用いた場合は、複数の有機半導体層を経時的にパターン状に形成した場合であっても、複数の有機半導体層が受光する光量を同等なものとすることが可能となることから、複数の有機半導体層を均質に形成することが可能となる。よって、本発明の有機半導体素子用製造装置を用いることにより、複数の有機半導体層の電気的特性が同等である高性能な有機半導体素子を製造することが可能となる。ここで、本発明の製造装置は、製造される1つの有機半導体素子において、複数の有機半導体層が受光する光量を同等とすることにより、複数の有機半導体層を均質に形成することを特徴とするものである。このような製造装置としては、遮光機構の形態により2つの態様に大別される。具体的には、上記遮光機構が、上記有機半導体層形成機構全体を覆うものである態様以下、第1態様とする。と、上記遮光機構が、上記有機半導体層が形成された後に上記有機半導体層を遮光することが可能となるように、上記有機半導体層形成機構の一部を覆うものである態様以下、第2態様とする。とに大別される。以下、各態様について説明する。I.第1態様本発明の製造装置の第1態様について説明する。本態様の製造装置は、上記有機半導体層形成機構および遮光機構を有するものであり、上記遮光機構が上記有機半導体層形成機構全体を覆うものであることを特徴とするものである。ここで、本態様の製造装置について、図を用いて説明する。図1aは本発明の製造装置を用いて製造される有機半導体素子の概略平面図であり、図1bは図1aのA-A線断面図である。また、図2aは本態様の製造装置の一例を示す概略図であり、図2bは図2aの製造装置に用いられる有機半導体層形成機構を示す概略図である。本態様の製造装置は、図1a、bに示すように、基材1αと、基材1α上にパターン状に形成され、かつ有機半導体材料を含む複数の有機半導体層1βとを有する有機半導体素子1を製造する際に用いられるものである。また、図2a、bに示すように、本態様の製造装置100は、基材1αを配置するステージ11、およびステージ11上に配置された基材1α上に有機半導体材料を含む有機半導体層用塗工液1β’を塗工して有機半導体層1βを形成する塗工手段12を有し、ステージ11および塗工手段12の位置を相対的に変化させることにより、基材1α上に複数の有機半導体層1βをパターン状に形成する有機半導体層形成機構10と、基材α上に形成された有機半導体層1βを遮光する遮光機構20とを有するものである。また、本態様においては、遮光機構20が有機半導体層形成機構10全体を覆うものである。図2aにおいては、遮光機構20が、有機半導体層形成機構10の全体を覆う本体部21と、本体部21の一部に形成された窓部22と、必要に応じて窓部22を遮光することが可能な窓部用遮光手段23とを有する例について示している。また、図2bに示すように、本態様の有機半導体層形成機構10は、上述したステージ11および塗工手段12の他にも、例えば塗工手段12に有機半導体層用塗工液1β’を供給する供給手段13、塗工手段12の有機半導体層用塗工液1β’の塗工量や、塗工手段12の位置等またはステージ11の位置等を制御する制御手段14を有していてもよい。なお、図2bにおいては、有機半導体層形成機構10がインクジェット印刷装置である例を示しており、塗工手段12としてインクジェットノズル、供給手段13としてインクジェットノズル用供給手段を有する例について示している。図3は、本態様の製造装置の他の例を示す概略断面図である。図3においては、有機半導体層形成機構10がフレキソ印刷装置である例について示しており、塗工手段12として印刷版、供給手段13として印刷版に転写され、有機半導体層用塗工液1β’から形成される転写層を形成する転写層形成手段13を有する例について示している。なお、図3において説明していない符号については、図2a、bと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。本態様においては、上記遮光機構が上記有機半導体層形成機構全体を覆うものであることにより、有機半導体素子の製造時において有機半導体層へ光が照射されることを好適に防止することが可能となるため、1つの有機半導体素子における複数の有機半導体層をより均質に形成することが可能となる。以下、本態様の製造装置の各構成について説明する。1.遮光機構本態様の遮光機構は、基材上に形成された有機半導体層を遮光するものであり、かつ有機半導体層形成機構全体を覆うものである。本態様の遮光機構としては、所望の遮光性を有し、かつ有機半導体層形成機構全体を覆うことが可能なものであれば特に限定されない。本態様においては、なかでも、遮光機構が、図2a、図3に示すように、有機半導体層形成機構10の全体を覆う本体部21と、本体部21の一部に形成された窓部22と、必要に応じて窓部を遮光することが可能な窓部用遮光手段23を有するものであることが好ましい。ここで、本態様における遮光機構としては、例えば本体部のみを有する構成であってもよいが、この場合は有機半導体層を形成する工程の前後において遮光機構内部の様子を観察することが困難となることから、有機半導体素子の製造時における作業効率が低下してしまうことが考えられる。一方、遮光機構が上述した本体部、窓部、および窓部用遮光手段を有する場合は、窓部から遮光機構内部の様子を観察することができ、有機半導体層を形成する工程において、必要なときに、窓部用遮光手段を用いて窓部を遮光することにより有機半導体層形成機構全体を遮光することが可能となる。よって、上述した構成とすることにより、有機半導体素子の製造時における作業効率を高いものとすることができる。また、これにより本態様の製造装置を利便性に優れたものとすることができる。上記遮光機構に用いられる本体部としては、所望の遮光性を有し、かつ有機半導体層形成機構を覆うことができるものであれば特に限定されない。このような本体部の形状については、有機半導体層形成機構の種類等に応じて適宜選択される。本体部の遮光性としては、有機半導体層の電気的特性を損なわないように、有機半導体層に照射される光を遮断することが可能であれば特に限定されない。具体的には、有機半導体層に照射される全ての波長領域の光を遮光可能な程度であってもよく、上記全ての波長領域の光のうち、有機半導体層に含まれる有機半導体材料が吸収する波長の光を遮光可能な程度であってもよい。上記本体部の遮光性が、上記全ての波長領域の光を遮光可能な程度である場合は、有機半導体層に用いられる有機半導体材料の種類によらず、上記本体部を使用することが可能となる。一方、上記本体部の遮光性が上記有機半導体材料が吸収する波長の光を遮光可能な程度である場合は、遮光機構内部の視認性が向上することから、有機半導体素子を製造する際の作業性および製造装置の利便性を高いものとすることができる。また、本体部の遮光性については、本態様の製造装置を用いて製造される有機半導体素子に用いられる有機半導体材料等によって、本体部の材質等を調整することにより調整される。上記遮光機構に用いられる窓部としては、上記本体部の一部に形成され、かつ遮光機構の内部を観察することが可能なものであれば特に限定されないが、なかでも、有機半導体層形成機構の塗工手段、およびステージ上に配置された基材を観察可能なものであることが好ましい。ステージ上に基材を配置する際に、塗工手段との位置関係を好適に調整することが可能となるからである。上記窓部の本体部における形成位置および大きさ等については、有機半導体層形成機構の種類等に応じて適宜選択することができる。上記遮光機構に用いられる窓部用遮光手段としては、所望の遮光性を有し、窓部全体を覆うことで遮光機構内部に照射される光を遮断することが可能であり、かつ必要に応じて窓部を開閉することができるものであれば特に限定されない。上記窓部用遮光手段としては、例えば、シャッター、カバー、扉、カーテン、遮光材料または有機半導体材料が吸収する波長領域をカットする材料を含むガラス製もしくはプラスチック製のフィルター等を挙げることができ、なかでもシャッターであることが好ましい。有機半導体素子の製造工程中に容易に窓部の開閉を行うことが可能となるからである。窓部用遮光手段の形状、大きさ等については、有機半導体層機構の種類に応じて適宜調整される。また、窓部用遮光手段の遮光性については、上述した本体部の遮光性と同様とすることができるのでここでの説明は省略する。2.有機半導体層形成機構本態様における有機半導体層形成機構は、上記基材を配置するステージ、および上記ステージ上に配置された上記基材上に有機半導体材料を含む有機半導体層用塗工液を塗工して有機半導体層を形成する塗工手段を有するものであり、上記ステージおよび上記塗工手段の位置を相対的に変化させることにより、上記基材上に複数の有機半導体層をパターン状に形成するものである。なお、ステージおよび塗工手段の位置を相対的に変化させることにより、基材上に複数の有機半導体層をパターン状に形成するとは、ステージおよび塗工手段の位置を相対的に変化させることにより、ステージ上に配置された基材上における有機半導体層用塗工液の塗工位置を変化させることにより上記複数の有機半導体層をパターン状に形成することを指す。ここで、基材上における有機半導体層用塗工液の塗工位置を変化させることにより上記複数の有機半導体層をパターン状に形成することについて、例を挙げて説明する。図4は、本態様の製造装置を用いて製造される有機半導体素子の他の例を示す概略平面図であり、基材上に有機半導体層を形成する際の有機半導体層用塗工液の塗工位置を説明するための図である。図4に示すような複数の有機半導体層1βは、例えば、以下のように、有機半導体層用塗工液の塗工位置を変化させることによりパターン状に形成されるものである。まずx方向に矢印の順に有機半導体層用塗工液の塗工位置を変化させて1つのライン状に有機半導体層1βを形成する。次に、y方向に1つのライン分1つの矢印分だけ塗工位置を変化させた後、再びx方向に矢印の順に有機半導体層用塗工液の塗工位置を変化させて1つのライン状に有機半導体層1βを形成する。上述した手順を繰り返して、有機半導体層用塗工液の塗工位置を変化させることにより、図4に示すような複数の有機半導体層1βをパターン状に形成することができる。よって、本態様における有機半導体層形成機構は、上述したように有機半導体層用塗工液の塗工位置を変化させることが可能となるように、ステージおよび塗工手段の位置を相対的に変化させるものである。また、本態様における有機半導体層形成機構は、ステージまたは塗工手段の少なくとも一方が移動手段を有するものである。以下、本態様における有機半導体層形成機構の各構成について説明する。1塗工手段本態様における塗工手段としては、ステージ上に配置された基材上の所望の位置に有機半導体層用塗工液を塗工して有機半導体層を形成することができれば特に限定されるものではない。例えば、インクジェット印刷装置、スプレーコーター印刷装置、ディスペンサー印刷装置、ノズルジェット印刷装置に用いられる各種のノズルや、フレキソ印刷装置、グラビア印刷装置、スクリーン印刷装置、オフセット印刷装置、グラビアオフセット印刷装置、マイクロコンタクト印刷装置、反転印刷装置等に用いられる印刷版等を挙げることができる。また、本態様の塗工手段は、有機半導体層形成機構の所定の位置に固定されたものであってもよく、移動手段以下、塗工用移動手段とする。を有するものであってもよいが、塗工用移動手段を有するものであることが好ましい。上記塗工手段が塗工用移動手段を有することにより、基材上における有機半導体層の形成位置を精度高く調整することが可能となるからである。上記塗工用移動手段は、一般的な種々の印刷装置に用いられるものと同様とすることができる。例えば、インクジェット印刷装置、スプレーコーター印刷装置、ディスペンサー印刷装置、ノズルジェット印刷装置において各種のノズルの位置を変化させる移動機構や、フレキソ印刷装置等において印刷版が配置されるロール部材、グラビア印刷装置においてのロール部材やスクリーン印刷装置においてのスキージ移動機構等を挙げることができる。2ステージ本態様におけるステージは基材を配置するために用いられるものである。このようなステージとしては、一般的な印刷装置に用いられるものと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。本態様におけるステージは、有機半導体層形成機構に固定されるものであってもよく、移動手段以下、ステージ用移動手段とする。を有するものであってもよいが、移動手段を有するものであることが好ましい。上記ステージがステージ用移動手段を有するものであることにより、基材上に効率良く有機半導体層を形成することが可能となるからである。上記ステージ用移動手段については、一般的な種々の印刷装置に用いられるものと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。3その他の構成本態様における有機半導体層形成機構は、上述した塗工手段およびステージを有するものであれば特に限定されず、必要な構成を適宜選択して追加することができる。以下、このような構成について説明する。iフィドゥーシャルカメラ上記有機半導体層形成機構はフィドゥーシャルカメラを有していることが好ましい。ここで、フィドゥーシャルカメラは、基材上に塗工手段を用いて有機半導体層を形成する際に基材上を撮影するものであり、有機半導体層の形成位置を確認するために用いられるものである。本態様の製造装置は、遮光機構内で有機半導体層を形成するものであることから、フィドゥーシャルカメラを有することにより、有機半導体層の形成途中であっても、有機半導体層用塗工液の塗工位置、すなわち、ステージおよび塗工手段の位置を調整して有機半導体層の形成位置等の修正を行うことが可能となる。上記フィドゥーシャルカメラは、通常、光源を有するものである。このような光源としては、基材上に形成された有機半導体層の電気的特性を低下させないものであり、かつ基材上を撮影することが可能となるものであれば特に限定されないが、有機半導体層用塗工液に含まれる有機半導体材料の吸収波長領域以外の光を用いたものであることが好ましい。具体的な光源については、有機半導体材料により適宜選択される。ii供給手段本態様の有機半導体層形成機構は、通常、塗工手段に有機半導体層用塗工液を供給する供給手段を有するものである。上記供給手段としては、塗工手段に所望の量の有機半導体層用塗工液を供給することが可能であれば特に限定されず、通常、塗工手段の種類に応じて適宜選択される。例えば、上記塗工手段がインクジェット印刷装置、スプレーコーター印刷装置、ディスペンサー印刷装置、ノズルジェット印刷装置に用いられる各種のノズルである場合は、上記供給手段としては各種のノズル用供給手段を挙げることができる。また、例えば上記塗工手段が印刷版である場合は、印刷版に転写され、有機半導体層用塗工液から形成される転写層を形成する転写層形成手段を挙げることができる。具体的には、フレキソ印刷装置であれば樹脂製凸版からなるフレキソ版、グラビア印刷装置であれば金属製凹版からなるグラビア版、スクリーン印刷装置であればスクリーン版等が挙げられる。iii制御手段本態様の有機半導体層形成機構は、通常、塗工手段における有機半導体層用塗工液の塗工量や、塗工用移動手段、またはステージ用移動手段等を制御する制御手段を有するものである。上記制御手段については、一般的な印刷装置に用いられるものと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。4有機半導体層形成機構本態様における有機半導体層形成機構は、上述したように、ステージまたは塗工手段の少なくとも一方が移動手段を有するものであればよいが、ステージおよび塗工手段の両方が移動手段を有するものであることが好ましい。ステージおよび塗工手段の両方が移動手段を有することにより、有機半導体層を製造効率高く製造することが可能となり、また、基材上における有機半導体層形成用塗工液の塗工位置についても精度高く制御することが可能となるからである。本態様における有機半導体層形成機構としては、上述した構成を有するものであれば特に限定されない。例えば、インクジェット印刷装置、スプレーコーター印刷装置、ディスペンサー印刷装置、ノズルジェット印刷装置、フレキソ印刷装置、グラビア印刷装置、スクリーン印刷装置、オフセット印刷装置、グラビアオフセット印刷装置、マイクロコンタクト印刷装置、反転印刷装置等を挙げることができる。本態様における有機半導体層形成機構としては、インクジェット装置であることが好ましい。インクジェット装置は、基材上に直接描画することにより、有機半導体層を形成することが可能であり、有機半導体層用塗工液の使用効率に優れているからである。また、インクジェットノズルから有機半導体層用塗工液を吐出することにより初めて、有機半導体層用塗工液中の有機半導体材料が外気に曝されるものであることから、有機半導体層の劣化をより少ないものとすることができるからである。また、本態様における有機半導体層形成機構としては、塗工手段として、印刷版を用いる印刷装置であることも好ましい。印刷版を用いた印刷装置においては、通常、有機半導体層用塗工液は、予め所定の厚みを有する転写層として形成された後、印刷版に供給される。また、上記転写層は、通常、外気や外光等が存在する条件下で形成されるものであることから、印刷版に転写されて基材上に塗工される前に、有機半導体材料の劣化が進む可能性が考えられる。本態様の製造装置は、有機半導体層形成機構全体を覆う遮光機構を有するものであることから、転写層の形成工程についても遮光機構内で行うことが可能となるため、有機半導体材料の劣化を好適に抑制することが可能となるからである。5その他上記有機半導体層形成機構により形成される有機半導体層のパターン形状としては、ステージおよび塗工手段の位置を相対的に変化させることにより形成することが可能なものであれば特に限定されず、製造される有機半導体素子の用途等に応じて適宜選択させる。本態様においては、なかでも、複数のライン状に複数の有機半導体層を形成可能なパターン形状であることが好ましい。上記パターン形状とすることにより、上記有機半導体層形成機構を用いて容易に複数の有機半導体層を形成することができるからである。また、上記有機半導体層形成機構を用いて有機半導体層を形成する際に用いられる基材や、有機半導体層用塗工液に用いられる有機半導体材料、その他の成分については一般的な有機半導体素子を製造する際に用いられるものと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。また、上記有機半導体層形成機構を用いて形成される有機半導体層は、一般的なものとすることができる。例えば、有機半導体トランジスタの有機半導体層等を挙げることができる。3.その他の構成本態様の製造装置は上述した遮光機構および有機半導体層形成機構を有するものであれば特に限定されず、必要な構成を適宜選択して追加することができる。例えば、基材の加熱機構、アライメント機構、ライン生産用の運搬機構などが必要に応じて追加されていてもよい。II.第2態様本発明の製造装置の第2態様について説明する。本態様の製造装置は、上記有機半導体層形成機構および遮光機構を有するものであり、上記遮光機構が、上記有機半導体層が形成された後に上記有機半導体層を遮光することが可能となるように、上記有機半導体層形成機構の一部を覆うものであることを特徴とするものである。なお、本態様において有機半導体層が形成された後に有機半導体層を遮光するとは、本態様の製造装置を用いて製造された1つの有機半導体素子において、複数の有機半導体層が受光する光量を同等とすることが可能となるように有機半導体層を遮光することを指し、具体的には、基材上に有機半導体層用塗工液が塗布されて有機半導体層が形成された直後に有機半導体層を遮光する場合だけではなく、基材上に有機半導体層が形成されてから、上記有機半導体層の電気的特性を損なわない程度に所定の時間が経過した後に上記有機半導体層を遮光する場合を含む概念である。ここで、本態様の製造装置について図を用いて説明する。図5は、本態様の製造装置の一例を示す概略図である。図5に示すように、本態様の製造装置100は、有機半導体層形成機構10および遮光機構20を有するものであり、遮光機構20が、基材1α上に有機半導体層1βが形成された後に上記有機半導体層1βを遮光することが可能となるように、上記有機半導体層形成機構10の一部を覆うものである。なお、図5においては、遮光機構20が、有機半導体層1βが形成された基材1α上を、有機半導体層1βがライン状に形成されるごとに覆うことが可能となるものである例について示している。図6は、本態様の製造装置の他の例を示す概略図である。図6においては、遮光機構20が、有機半導体層用塗工液1β’が塗工されて有機半導体層1が形成される有機半導体層形成領域に開口部を有し、かつ上述した有機半導体層形成領域以外の基材1α上全面を覆うことが可能となるものである例について示している。本態様においては、上記遮光機構が、上記有機半導体層が形成された後に上記有機半導体層を遮光することが可能となるように、上記有機半導体層形成機構の一部を覆うものであることにより、有機半導体層形成機構全体を覆う場合に比べ、有機半導体素子用製造装置における有機半導体層形成機構の視認性が向上し、有機半導体素子を製造する際の作業効率を向上させることができる。また、有機半導体素子用製造装置を利便性に優れたものとすることができる。以下、本態様の製造装置に用いられる各構成について説明する。1.遮光機構本態様における遮光機構は、基材上に形成された有機半導体層を遮光するものであり、かつ上記有機半導体層が形成された後に上記有機半導体層を遮光することが可能となるように、上記有機半導体層形成機構の一部を覆うものである。上記遮光機構としては、所望の遮光性を有し、かつ上記有機半導体層が形成された後に上記有機半導体層を遮光することが可能となるように、上記有機半導体層形成機構の一部を覆うことができるものであれば特に限定されない。本態様においては、少なくとも有機半導体層が形成された基材上を覆うことが可能な構成を有するものであることが好ましい。このような構成としては、例えば、有機半導体層が形成された基材を有機半導体層が形成されるごとに覆うことが可能となる構成以下、Aの構成とする。や、有機半導体層用塗工液が塗工されて有機半導体層が形成される有機半導体層形成領域に開口部を有し、かつ上述した有機半導体層形成領域以外の基材上全面を覆うことが可能となる構成以下、Bの構成とする。を挙げることができる。遮光機構がAの構成を有する場合、遮光機構と上記基材との位置関係の変化の頻度としては、形成される複数の有機半導体層が受光する光量を同等とすることが可能であれば特に限定されない。例えば、1つの有機半導体層が形成されるごとに上述した位置関係が変化してもよく、所定のパターンに有機半導体層が形成されるごとに上述した位置関係が変化してもよい。本態様においては、なかでも、所定のパターンに有機半導体層が形成されるごとに上述した位置関係が変化することが好ましく、1つ以上のライン状に有機半導体層が形成されるごとに上述した位置関係が変化することがより好ましい。ここで、有機半導体層の劣化防止の観点からは、1つの有機半導体層が形成されるごとに上述した位置関係が変化することが最も好ましいが、この場合は、有機半導体層を形成する時間が多く必要となり、有機半導体素子の製造効率が大幅に低下する恐れがある。なお、1つ以上のライン状に有機半導体層が形成されるごとに上述した位置関係が変化する場合は、有機半導体層を効率よく形成することが可能となるため好適である。なお、図5に示すように、1つのラインを構成する複数の有機半導体層1βを形成するに際して、1つずつ有機半導体層1βを形成する場合は、1つの有機半導体層1βの電気的特性を他の有機半導体層1βの電気的特性と同等とすることが可能となる程度に、塗工時間等を調整して有機半導体層1βが形成される。上記Aの構成を有する遮光機構としては、具体的には、有機半導体層が形成されるごとに基材上を覆うことが可能なシャッターを有する遮光手段を備えたものを挙げることができる。一方、遮光機構がBの構成を有する場合は、上述した開口部としては、形成される複数の有機半導体層が受光する光量を同等とすることが可能であれば特に限定されない。本態様においては、なかでも、所定のパターンに有機半導体層が形成される有機半導体層領域に開口部を有するものであることが好ましく、1つ以上のライン状に有機半導体層が形成される有機半導体層領域に開口部を有するものであることが好ましい。なお、この理由については、上述したAの構成において説明した理由と同様とすることができる。また、上述した開口部および基材の位置関係は、変化するものである。上記Bの態様を有する遮光機構としては、具体的には、基材を覆うことが可能な遮光性の箱状の構成と、上記箱状の構成の所望の部位を必要に応じて開閉できるシャッターを有する複数の遮光手段を備えたものを挙げることができる。上記遮光機構を備えた製造装置においては、まず、1つの遮光手段を開くことにより開口部を設け、開口部に有機半導体層形成機構の塗工手段を用いて有機半導体層等塗工液を基材上に塗工する。塗工後は遮光手段を閉じることにより、基材上に形成された有機半導体層を遮光することが可能となる。続いて、他の遮光手段を開いて開口部を設け、かつ上記開口部上に塗工手段を移動させて、上述した同様の手順が行われる。上述した説明においては、主にAの態様およびBの態様を有する遮光機構について説明したが、本態様の遮光機構は、上述した態様に限定されるものではない。2.有機半導体層形成機構本態様の有機半導体層形成機構としては、上述した第1態様の項において説明したものと同様のものを用いることが可能であるが、なかでもインクジェット印刷装置であることが好ましい。3.その他本態様の製造装置について、上述した事項以外については、第1態様の製造装置と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。III.その他の態様本発明の製造装置は、上述した第1態様および第2態様の形態に限定されるものではない。例えば、有機半導体層形成機構のステージおよび塗工手段を覆う遮光機構を有し、かつ制御部等の構成については、遮光機構の外側に配置される形態等を挙げることができる。IV.用途本発明の製造装置は、基材および複数の有機半導体層を有する有機半導体素子を製造する際に用いられるものであり、例えば複数の有機半導体トランジスタを有するアレイ基板等を製造する際に用いられる。B.有機半導体素子の製造方法次に、本発明の有機半導体素子の製造方法について説明する。本発明の有機半導体素子の製造方法は、基材上に有機半導体材料を含む有機半導体層用塗工液をパターン状に塗工して複数の有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程を有する製造方法であって、上記有機半導体層形成工程では、上記基材上における上記有機半導体層用塗工液の塗工位置を変化させることにより上記複数の有機半導体層をパターン状に形成し、かつ上記有機半導体層形成工程中に受光する光量が各々の上記有機半導体層の間で同等となるように上記複数の有機半導体層を形成することを特徴とする製造方法である。本発明によれば、有機半導体層形成工程において、有機半導体層形成工程中に受光する光量が各々の上記有機半導体層の間で同等となるように上記複数の有機半導体層を形成することから、本発明の製造方法により製造された有機半導体素子における複数の有機半導体層を均質に形成することが可能となる。よって、複数の有機半導体層の電気的特性が同等である高性能な有機半導体素子を製造することが可能となる。I.有機半導体層形成工程本発明における有機半導体層形成工程について説明する。本工程に用いられる基材、有機半導体層用塗工液については、上述したA.有機半導体素子用製造装置の項で説明したため、ここでの説明は省略する。また、本工程に用いられる有機半導体層の形成方法としては、上記基材上における有機半導体層用塗工液の塗工位置を変化させることにより上記複数の有機半導体層をパターン状に形成し、かつ有機半導体層形成工程中に受光する光量が各々の上記有機半導体層の間で同等となるように上記複数の有機半導体層を形成することが可能となる方法であれば特に限定されない。上記形成方法としては、例えば上述したA.有機半導体素子用製造装置の項で説明した製造装置を用いて、有機半導体層を形成する方法を挙げることができる。本工程において形成される有機半導体層については、上述したA.有機半導体素子用製造装置の項で説明したものと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。II.その他本発明の有機半導体素子の製造方法は、上述した有機半導体層形成工程を有するものであれば特に限定されず、他にも必要な工程を適宜選択して追加することができる。また、このような工程については、有機半導体素子の種類に応じて適宜選択される。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、本発明について、実施例を挙げて説明する。実施例<薄膜トランジスタの作製>以下に示す手順によりトップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタを作製した。ガラス基材上に撥水性のアクリル系樹脂をスピンコートし、熱硬化させることでガラス基材全面を覆う撥水性平坦化層を形成した。次いで平坦化層全面上へAu40nmを真空蒸着法で成膜した。このAu膜上にポジ型のフォトレジストをスピンコートで成膜し、フォトマスクを介しての露光と水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液濃度238での現像でフォトレジストをソース電極ドレイン電極形状にパターニングした。この基板をエッチャント関東化学製AURUM304へ投入することで、エッチングにより上記レジストと同じくソースドレイン電極状にパターニングした。続いてAu膜上に残ったレジストを剥離し、Au膜からなるソースドレイン電極を形成した。有機半導体素子用製造装置として、インクジェット印刷装置有機半導体層形成機構と、上記インクジェット印刷装置を覆う本体部、上記本体部の一部に形成された窓部、および全ての上記窓部に設けられたシャッターを有する遮光機構を有する製造装置を用いた。このソース電極ドレイン電極を含む基板を、インクジェット印刷装置内のステージに固定し、カートリッジにはポリチオフェンをトリクロロベンゼンに0.5wtの濃度で溶解させた有機半導体層用塗工液をセットした。塗布のための位置合わせなどの初期設定を終えた後に、全ての窓部のシャッターを閉め、インクジェット装置内を遮光した。次いで基板上のソースドレイン電極上へ有機半導体層用塗工液を塗工した。塗工したパターンは100本のラインからなり、1ラインにつき50箇所のチャネル部があることから計5000箇所のチャネル部を持つトランジスタアレイパターンであった。塗工の開始から終了までに20分を要した。塗工完了後、上述の基板をインクジェット装置から取り出し、150°Cのホットプレート上へ1分置くことで塗工した膜を乾燥させた。次いで直ちに基板上へアクリル系樹脂をスピンコートし、UV露光と加熱硬化によりゲート絶縁層厚さ;1μmを形成した。さらにゲート電極上へメタルマスクを介してAlを蒸着してゲート電極を形成し、トップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタを完成させた。<評価>作製したトランジスタ素子をソースドレイン電圧-50V、ゲート電圧を20V~-50Vで変化させて電流-電圧特性を測定した。トランジスタの移動度は最初の塗工部が0.21cm2/Vs、最後の塗工部が0.20cm2/Vsであり、基板面全体では0.20±0.02cm2/Vsと均一な特性を得た。比較例<薄膜トランジスタの作製>基板上へのソースドレイン電極の形成までは実施例1と同様に行った。ソースドレイン電極を含む基板を、上述の製造装置のインクジェット印刷装置のステージに固定し、カートリッジにはポリチオフェンをトリクロロベンゼンに0.5wtの濃度で溶解させた有機半導体層用塗工液をセットした。塗布のための位置合わせなどの初期設定を終えた後に、全ての窓部のシャッターを開けたままで基板上のソースドレイン電極上へ有機半導体層用塗工液を塗工した。塗工したパターンは実施例と同じものであり、塗工の開始から終了までに20分を要した。塗工完了後、実施例と同様にゲート絶縁層とゲート電極を形成し、トップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタを完成させた。作製したトランジスタ素子をソースドレイン電圧-50V、ゲート電圧を20V~-50Vで変化させて電流-電圧特性を測定した。トランジスタの移動度は最初の塗工部が0.025cm2/Vs、最後の塗工部が0.20cm2/Vsであり、塗工中の光酸化によって移動度に約10倍の差が示された。基板面全体では0.11±0.09cm2/Vsと不均一な特性であった。