水平状態に配置され、一側にプロセスガス導入口が設けられ、他側に炉口が設けられた炉本体と、前記炉口を閉塞する閉塞体と、前記炉本体内を加熱する加熱体と、前記炉本体内に水平状態に載置され、半導体ウェーハを立てて前記プロセスガス導入口から導入されるプロセスガスの導入方向と平行な方向に前記半導体ウェーハを複数平行保持させる横型ボートと、前記横型ボートの前記プロセスガス導入口側に単数又は複数立てて前記半導体ウェーハと平行保持させて設けられ、前記平行保持させた半導体ウェーハへの前記プロセスガスの直接的な接触を遮蔽すると共に、前記半導体ウェーハを横型ボートに平行保持させた際、前記横型ボートより上方に位置する前記半導体ウェーハの上方領域の外周部近傍を通過する前記プロセスガスのガス流速をSO10は含まず、前記上方領域と前記横型ボートとの間である前記半導体ウェーハの側方領域の外周部近傍を通過する前記プロセスガスのガス流速をSO20は含まずとしたときに、SO1<SO2の関係を満たすように、前記側方領域の外周部近傍を通過する前の前記プロセスガスを整流するプロセスガス整流板と、を備えることを特徴とする横型拡散炉。前記プロセスガス整流板は、前記横型ボートに平行保持させる半導体ウェーハと略同一の形状で構成された主部と、前記主部を前記横型ボートに立てて前記半導体ウェーハと平行保持させた際、前記半導体ウェーハの側方領域の外周部近傍と水平方向に平行する前記主部の側方領域に設けられた整流部と、を備え、前記整流部は、前記主部の側方領域の外周端から前記炉本体の内壁方向に向かって延在する板状で構成された延在部と、前記延在部に設けられ、前記延在部を前記プロセスガスの導入方向に平行して貫通する貫通口と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の横型拡散炉。前記貫通口は、円環状に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の横型拡散炉。請求項1乃至3いずれかに記載の横型拡散炉を用いて前記半導体ウェーハを熱処理することを特徴とする半導体ウェーハの熱処理方法。前記熱処理はデポ拡散であることを特徴とする請求項4に記載の半導体ウェーハの熱処理方法。しかしながら、特許文献4に記載された技術は、複数の開口部を設けたガス送出管を新たに設ける必要があり、また、横型ボートに平行保持された半導体ウェーハ間にプロセスガスがうまく流入するように前記ガス送出管の開口部の位置を調整しなければならず横型拡散炉が煩雑化する問題があった。また、特許文献4に記載された技術は、プロセスチューブ内に導入するガス導入管からプロセスチューブの円筒軸方向に平行して、かつ、前記ガス送出管の開口部から前記プロセスチューブの円筒軸方向に向けて2方向からプロセスガスを導入するため、プロセスチューブ内でプロセスガスが対流する場合があり、拡散層深さを面内均一に制御するには限界があるものであった。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法を提供することを目的とする。本発明に係る横型拡散炉は、水平状態に配置され、一側にプロセスガス導入口が設けられ、他側に炉口が設けられた炉本体と、前記炉口を閉塞する閉塞体と、前記炉本体内を加熱する加熱体と、前記炉本体内に水平状態に載置され、半導体ウェーハを立てて前記プロセスガス導入口から導入されるプロセスガスの導入方向と平行な方向に前記半導体ウェーハを複数平行保持させる横型ボートと、前記横型ボートの前記プロセスガス導入口側に単数又は複数立てて前記半導体ウェーハと平行保持させて設けられ、前記平行保持させた半導体ウェーハへの前記プロセスガスの直接的な接触を遮蔽すると共に、前記半導体ウェーハを横型ボートに平行保持させた際、前記横型ボートより上方に位置する前記半導体ウェーハの上方領域の外周部近傍を通過する前記プロセスガスのガス流速をSO10は含まず、前記上方領域と前記横型ボートとの間である前記半導体ウェーハの側方領域の外周部近傍を通過する前記プロセスガスのガス流速をSO20は含まずとしたときに、SO1<SO2の関係を満たすように、前記側方領域の外周部近傍を通過する前の前記プロセスガスを整流するプロセスガス整流板と、を備えることを特徴とする。前記プロセスガス整流板は、前記横型ボートに平行保持させる半導体ウェーハと略同一の形状で構成された主部と、前記主部を前記横型ボートに立てて前記半導体ウェーハと平行保持させた際、前記半導体ウェーハの側方領域の外周部近傍と水平方向に平行する前記主部の側方領域に設けられた整流部と、を備え、前記整流部は、前記主部の側方領域の外周端から前記炉本体の内壁方向に向かって延在する板状で構成された延在部と、前記延在部に設けられ、前記延在部を前記プロセスガスの導入方向に平行して貫通する貫通口と、を備えることが好ましい。前記貫通口は、円環状に形成されていることが好ましい。本発明に係る半導体ウェーハの熱処理方法は、請求項1乃至3いずれかに記載の横型拡散炉を用いて前記半導体ウェーハを熱処理することを特徴とする。前記熱処理はデポ拡散であることが好ましい。本発明によれば、横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法が提供される。以下、本発明に係る横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法について、実施の形態及び実施例を用いて詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る横型拡散炉の半導体ウェーハを載置した状態での横断面を示す概念図である。図2は、図1に示す横型拡散炉のA-A線で切ったときの炉本体内の縦断面及び半導体ウェーハの外周部近傍を通過するプロセスガスのガス流速が前記外周部近傍の特定領域毎に異なる態様を示す概念図である。本発明に係る横型拡散炉1は、図1、2に示すように、水平状態に配置され、一側にプロセスガス導入口10aが設けられ、他側に炉口10bが設けられた炉本体10と、前記炉口10bを閉塞する閉塞体15と、前記炉本体10内を加熱する加熱体20と、前記炉本体10内に水平状態に載置され、半導体ウェーハWを立てて前記プロセスガス導入口10aから導入されるプロセスガスPAの導入方向と平行な方向に前記半導体ウェーハWを複数平行保持させる横型ボート30と、前記横型ボート30の前記プロセスガス導入口10a側に単数又は複数図1では複数立てて前記半導体ウェーハWと平行保持させて設けられ、前記平行保持させた半導体ウェーハWへの前記プロセスガスPAの直接的な接触を遮蔽すると共に、前記半導体ウェーハWを横型ボート30に平行保持させた際、前記横型ボート30より上方に位置する前記半導体ウェーハWの上方領域O1の外周部近傍を通過する前記プロセスガスPAのガス流速をSO10は含まず、前記上方領域O1と前記横型ボート30との間である前記半導体ウェーハWの側方領域O2の外周部近傍を通過する前記プロセスガスPAのガス流速をSO20は含まずとしたときに、SO1<SO2の関係を満たすように、前記側方領域O2の外周部近傍を通過する前の前記プロセスガスPAを整流するプロセスガス整流板40と、を備えることを特徴とする。なお、本発明でいう外周部近傍とは、前記半導体ウェーハWの外周端から炉本体10の内壁方向に向かって30mmまでの前記横型ボート30より上方に位置する領域である。炉本体10及び閉塞体15は、周知の構造のものが用いられ、例えば、シリカガラスSiO2で構成されている。加熱体20は、例えば、炉本体10内の所定領域の外周部を円筒状に囲繞するように設けられている。横型ボート30は、周知の構造のもの例えば、特開2009-111064号に記載されているような横型ボートが用いられ、例えば、シリカガラスSiO2で構成されている。本発明に係る横型拡散炉1は、上述したような構成を備えているため、横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる。図3は、本発明における発明の効果のメカニズムを説明するための概念図である。なお、図3では、説明を簡便にするために、炉本体10、閉塞体15、加熱体20及び横型ボート30等を省略している。本発明に係る横型拡散炉1は、図2に示すような流速分布SO1<SO2となっているため、ガス流速が遅いプロセスガス流れ流速SO1は、ガス流速が早いプロセスガス流れ流速SO2の方向に取り込まれるように対流が生じると考えられる。また、プロセスガス流れ流速SO1は、重量の影響により当該ガス流れの一部に下降気流が生じるものと考えられる。この対流及び下降気流の影響により、多くのプロセスガスが前記平行保持された半導体ウェーハW間に流入するため、半導体ウェーハWの中心部にも多くのプロセスガスを供給することができる。従って、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができると考えられる。また、本発明に係る横型拡散炉1は、前述したようなガス送出管を新たに設ける必要がなく、プロセスガス整流板40のみを周知の構造の横型ボート30の前記プロセスガス導入口10a側に半導体ウェーハWと平行保持させるだけで足りるため、横型拡散炉が煩雑化することもない。次に、横型拡散炉1に用いられるプロセスガス整流板40について具体的態様を説明する。図4は、図1に示す横型拡散炉をB-B線で切ったときの炉本体10内の縦断面を示す概念図である。図5は、横型ボート30に保持しない状態での図4に示すプロセスガス整流板40の平面a及び平面aのα方向から見た側面を示す概念図である。プロセスガス整流板40は、図4、5に示すように、横型ボート30に平行保持させる半導体ウェーハWと略同一の形状で構成された主部42と、前記主部42を前記横型ボート30に立てて前記半導体ウェーハWと平行保持させた際、前記半導体ウェーハWの側方領域O2の外周部近傍と水平方向に平行する前記主部42の側方領域O2aに設けられた整流部44と、を備える。ここでいう半導体ウェーハWと略同一の形状とは、主部42が半導体ウェーハWと直径、厚さ共に略同一であることをいう。また、ここでいう略同一とは、半導体ウェーハWと主部42を比較して直径及び厚さ共に、その差が5以内であることをいう。前記整流部44は、前記主部42の側方領域O2aの外周端から前記炉本体10の内壁方向に向かって延在する板状で構成された延在部44aと、前記延在部44aに設けられ、前記延在部44aを前記プロセスガスPAの導入方向に平行して貫通する円環状の貫通口44bと、を備えている。すなわち、前記プロセスガス整流板40は、主部42により前記平行保持させた半導体ウェーハWへの前記プロセスガスPAの直接的な接触を遮蔽すると共に、前記整流部44により前記半導体ウェーハWの側方領域O2の外周部近傍を通過する前の前記プロセスガスPAを整流する。なお、前記ガス流速SO2の調整は、前記延在部44aに設けられた円環状の貫通口44bの開口面積によって制御することができる。すなわち、開口面積を小さくすればガス流速SO2を早くすることができ、大きくすればガス流速SO2を遅くすることができる。このようなプロセスガス整流板40を用いることで、図2に示すようなガス流速分布SO1<SO2とすることができる。図6は、図5に示すプロセスガス整流板40の他の実施形態を示す平面a及び平面aのα方向から見た側面bを示す概念図である。図6に示すプロセスガス整流板40Aは、前記主部42を前記横型ボート30に立てて前記半導体ウェーハWと平行保持させた際、前記半導体ウェーハWの側方領域O2の外周部近傍と水平方向に平行する前記主部42の側方領域O2aに設けられた整流部44Aを備え、前記整流部44Aは、前記主部42の側方領域O2aの外周端から前記炉本体10の内壁方向に向かって延在する板状で構成された延在部44Aaと、前記延在部44Aaに設けられ、前記延在部44Aaを前記プロセスガスPAの導入方向に平行して貫通し、前記主部42の外周部の周縁方向に平行して形成された複数の円状の貫通口44Abと、を備えるすなわち、前記プロセスガス整流板40Aは、主部42により前記平行保持させた半導体ウェーハWへの前記プロセスガスPAの直接的な接触を遮蔽すると共に、前記整流部44Aにより前記半導体ウェーハWの側方領域O2の外周部近傍を通過する前の前記プロセスガスPAを整流する。なお、前記ガス流速SO2の調整は、前記延在部44Aaに設けられた複数の円状の貫通口44Abの開口面積によって制御することができる。このようなプロセスガス整流板40Aを用いることで、図2に示すようなガス流速分布SO1<SO2とすることができる。図7は、図5に示すプロセスガス整流板40の他の実施形態を示す平面a及び平面aのα方向から見た側面bを示す概念図である。図7に示すプロセスガス整流板40Bは、前記主部42を前記横型ボート30に立てて前記半導体ウェーハWと平行保持させた際、前記半導体ウェーハWの上方領域O1及び側方領域O2の外周部近傍と水平方向に平行する前記主部42の上方領域O1a及び側方領域O2aに設けられた整流部44Bを備え、前記整流部44Bは、前記主部42の上方領域O1aの外周端から前記炉本体10の内壁方向に向かって延在する板状で構成された延在部44Ba1と、前記延在部44Ba1に設けられ、前記延在部44Ba1を前記プロセスガスPAの導入方向に平行して貫通する円環状の貫通口44Bb1と、前記主部42の側方領域O2aの外周端から前記炉本体10の内壁方向に向かって延在する板状で構成された延在部44Ba2と、前記延在部44Ba2に設けられ、前記延在部44Ba2を前記プロセスガスPAの導入方向に平行して貫通する円環状の貫通口44Bb2と、を備え、前記貫通口44Bb1の開口面積は、前記貫通口44Bb2の開口面積より大きいことを特徴とする。すなわち、前記プロセスガス整流板40Bは、主部42により前記平行保持させた半導体ウェーハWへの前記プロセスガスPAの直接的な接触を遮蔽すると共に、前記整流部44Bにより前記半導体ウェーハWの上方領域O1及び側方領域O2の外周部近傍を通過する前の前記プロセスガスPAを整流する。このようなプロセスガス整流板40Bを用いることで、図2に示すようガス流速分布SO1<SO2とすることができる。図8は、図5に示すプロセスガス整流板40の他の実施形態を示す平面a及び平面aのα方向から見た側面bを示す概念図である。図8に示すプロセスガス整流板40Cは、前記主部42を前記横型ボート30に立てて前記半導体ウェーハWと平行保持させた際、前記半導体ウェーハWの上方領域O1及び側方領域O2の外周部近傍と水平方向に平行する前記主部42の上方領域O1a及び側方領域O2aに設けられた整流部44Cを備え、前記整流部44Cは、前記主部42の上方領域O1aの外周端から前記炉本体10の内壁方向に向かって延在する板状で構成された延在部44Ca1と、前記延在部44Ca1に設けられ、前記延在部44Ca1を前記プロセスガスPAの導入方向に平行して貫通し、前記主部42の外周部の周縁方向に平行して形成された複数の円状の貫通口44Cb1と、前記主部42の側方領域O2aの外周端から前記炉本体10の内壁方向に向かって延在する板状で構成された延在部44Ca2と、前記延在部44Ca2に設けられ、前記延在部44Ca2を前記プロセスガスPAの導入方向に平行して貫通し、前記主部42の外周部の周縁方向に平行して形成された複数の円状の貫通口44Cb2とを備え、前記貫通口44Cb1の開口面積は、前記貫通口44Cb2の開口面積より大きいことを特徴とする。すなわち、前記プロセスガス整流板40Cは、主部42により前記平行保持させた半導体ウェーハWへの前記プロセスガスPAの直接的な接触を遮蔽すると共に、前記整流部44Cにより前記半導体ウェーハWの上方領域O1及び側方領域O2の外周部近傍を通過する前の前記プロセスガスPAを整流する。このようなプロセスガス整流板40Cを用いることで、図2に示すようガス流速分布SO1<SO2とすることができる。前記プロセスガス整流板40、40A、40B、40Cは、例えば、シリカガラス石英ガラスで構成されている。図9は、本発明の比較例に係るプロセスガス整流板の形態を示す平面a及び平面aのα方向から見た側面bを示す概念図である。図9に示すプロセスガス整流板40Dは、図7に示すプロセスガス整流板40Bにおいて、前記貫通口44Bb1が貫通口44Db1に置き換えられた構成を備えており、前記貫通口44Db1の開口面積と、貫通口44Bb2の開口面積とが略同一である。ここでいう略同一とは、当該開口面積の差が5以内であることを示す。このようなプロセスガス整流板40Dを用いる場合には、図2に示すようなガス流速分布SO1<SO2とすることが難しいため、図3に示すような対流を起こすことが難しいと考えられる。従って、半導体ウェーハW間にプロセスガスが流入する量が少なくなるため、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することが難しいと考えられる。図10は、本発明の他の比較例に係るプロセスガス整流板の形態を示す平面a及び平面aのα方向から見た側面bを示す概念図である。図10に示すプロセスガス整流板40Eは、図7に示すプロセスガス整流板40Bにおいて、貫通口44Bb1を有しない、すなわち、前記主部42の上方領域O1aは、前記延在部44Ba1のみで構成され、主部42の上方領域O1aを通過するプロセスガスPAを遮蔽する形態である。このようなプロセスガス整流板40Eを用いる場合には、少なくともプロセスガス整流板40Eに隣接する平行保持された半導体ウェーハWの上方領域O1の外周近傍には、プロセスガスPAが流れない、すなわち、プロセスガスPAのガス流速SO1が0となるため、前記隣接する半導体ウェーハW間にはプロセスガスPAが流入しにくくなるため、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することが難しいと考えられる。また、図示しないが、図7において貫通口44Bb2を有しない、すなわち、前記主部42の側方領域O2aは、前記延在部44Ba2のみで構成され、主部42の側方領域O2aを通過するプロセスガスPAを遮蔽する形態や、前記貫通口44Bb1、44Bb2の両方を有しない形態である場合でも同様の理由により、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することが難しいと考えられる。前記プロセスガス整流板は、前記主部42を前記横型ボート30に立てて前記半導体ウェーハWと平行保持させた際、前記半導体ウェーハWの上方領域O1の外周部近傍と水平方向に平行する前記主部42の上方領域O1aには、前記整流部が設けられていないこと図5及び図6に示すプロセスガス整流板40、40Aであることが好ましい。言い換えれば、前記整流部は、前記主部42の側方領域O2aのみに設けられていることが好ましい。前記半導体ウェーハWの上方領域O1の外周部近傍と水平方向に平行する前記主部42の上方領域O1aに整流部を設けた場合例えば、図7、図8に示す整流部44B、44Cには、前記ガス流速SO1が高くなる場合があり、図3に示すような下降気流が弱くなる又は発生しない場合があると考えられる。そのため、半導体ウェーハW間にプロセスガスPAが流入する量が少なくなる場合があると考えられる。更に、前記主部42の上方領域O1aに設けられた整流部44B、44Cの延在部44Ba1、44Ca1に接触したプロセスガスPAは、当該延在部44Ba1、44Ca1の上方と、前記貫通口44Bb1、44Cb1にガス流れが分岐されることになり、少なくともプロセスガス整流板に隣接する平行保持された半導体ウェーハWの上方領域O1の外周近傍を通過するプロセスガスPAが少なくなる場合があると考えられる。そのため、半導体ウェーハW間にプロセスガスPAが流入する量が少なくなる場合があると考えられる。従って、図5及び図6に示すプロセスガス整流板40、40Aを用いることで、より中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる。前記貫通口は、円環状に形成されていることが更に好ましい。すなわち、図5に示すプロセスガス整流板40を用いることが更に好ましい。このように、貫通口を円環状図5に示すような貫通口44bとすることで、複数の円状の貫通口図6に示すような貫通口44Abよりも、横型ボート30に保持された半導体ウェーハWの側方領域O2の外周部近傍に平均的に多くの量のプロセスガスPAを供給することができる。従って、図5に示すプロセスガス整流板40を用いることで、より中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる。前記プロセスガス導入口10aから導入されるプロセスガスPAの流量は、10l/min以上20l/min以下であることが好ましい。前記流量が10l/min未満である場合には、前記半導体ウェーハWの上方領域O1に供給するプロセスガスPAの流量が少なくなるため、半導体ウェーハ間にプロセスガスPAを流入させることが難しくなる場合がある。前記流速が20l/minを超える場合には、プロセスガスのガス流速が高くなるため、図3に示すような下降気流が弱くなる又は発生しない場合があり、半導体ウェーハW間にプロセスガスPAが流入する量が少なくなる場合がある。前記半導体ウェーハW又は主部42の上方領域O1O1aは、前記半導体ウェーハW又は主部42を横型ボート30に設置した際における半導体ウェーハW又は主部42の中心点Oを通過する垂線HLの中心点Oより上方の上方線と半導体ウェーハW又は主部42の外周部との交点Wpからウェーハ外周部の外周両方向に向かって、30°以上60°以下図でいうと、θ1が60°以上120°以下の領域であり、前記半導体ウェーハW又は主部42の側方領域O2O2aは、前記上方領域O1O1aから下方のウェーハ外周部の両側領域であって、前記上方領域O1O1aから下方に60°以上90°以下図でいうとθ2が60°以上90°の領域であることが好ましい。このような構成とすることで、図3に示すような対流及び下降気流が起こりやすくなるため、多くのプロセスガスを前記平行保持された半導体ウェーハW間に効率よく流入させることができ、半導体ウェーハWの中心部にも多くのプロセスガスを供給することができるため好ましい。なお、前記側方領域O2O2aから下方のウェーハ外周部の領域O3O3aは、前記半導体ウェーハW又は主部42を横型ボート30に保持する保持領域である。本発明に係る半導体ウェーハの熱処理方法は、上述した横型拡散炉1を用いて前記半導体ウェーハを熱処理することを特徴とする。本発明に係る半導体ウェーハの熱処理方法は、デポ拡散に適用することができる。デポ拡散は、FZ法やMCZ法で引上げたシリコンインゴットをスライスして、ラッピング処理あるいはエッチング処理を施したウェーハを、前述したような横型拡散炉1内に投入し、リン、ボロン等の不純物を含むドープガスと、窒素、酸素等のキャリアガスとの混合ガスプロセスガス雰囲気下で、熱処理する方法である。また、本発明に係る半導体ウェーハの熱処理方法は、スランプ拡散にも適用することができる。スランプ拡散は、デポ拡散を行ったウェーハに対して、アルゴンガス等の不活性ガスプロセスガス雰囲気下で熱処理を行う方法である。本発明に係る半導体ウェーハの熱処理方法は、このような構成を備えることで、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる。前記熱処理は、デポ拡散であることが好ましい。拡散ウェーハの拡散層深さの面内均一性は、デポ拡散において形成する拡散層源の面内均一性に大きく依存される。従って、本発明に係る拡散ウェーハの熱処理方法を、デポ拡散処理に適用することで、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造する上で最も高い効果を得ることができる。また、本発明に係る半導体ウェーハの熱処理方法は、例えば、半導体ウェーハに酸化膜を形成する酸化膜形成熱処理にも適用することもできる。酸化膜形成熱処理は、半導体ウェーハを上述したような横型拡散炉内に投入し、酸化性ガス雰囲気下で例えば1100°Cで熱処理する方法である。このような構成を備えることで、半導体ウェーハの表面に形成する酸化膜の膜厚を高精度に制御することができる。図11は、本発明の実施形態の他の態様に係る横型拡散炉の半導体ウェーハを載置した状態での横断面を示す概念図である。前記横型ボート30に載置するプロセスガス整流板40、40A、40B、40C図11では40は、図11に示すように、前記横型ボート30の前記プロセスガス導入口10a側に単数又は複数立てて、更に、プロセスガスPAの導入方向と平行な方向に複数平行保持されている半導体ウェーハ間例えば、5枚以上20枚以下毎に図11では5枚毎にに各々単数又は複数図11では単数前記半導体ウェーハと平行保持させて設けてもよい。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により限定解釈されるものではない。MCZ法で育成したN型、面方位<100>、直径125mm、抵抗19~24Ωcm、厚さ1.0mmのラッピング処理後のシリコンウェーハ50枚を1ロットとして、各シリコンウェーハの拡散層深さが225±5μm狙いとなるように、デポ拡散を行った。デポ拡散では、図1に示す横型拡散炉1にて、図5に示すプロセスガス整流板40θ1=90°、θ2=75°を用いて、横型ボート30に1ロット分、シリコンウェーハを平行保持して、酸素、窒素およびオキシ塩化リンPOCl3の混合ガス雰囲気下で、当該混合ガスのガス流量を15l/minとし、1130°Cの温度で4時間熱処理を行って、ウェーハの両面に高濃度のリン不純物の含有層拡散層源を形成した。なお、ここで用いたプロセスガス整流板40の材料はシリカガラスで行った。そして、デポ拡散を行ったウェーハの両面に生成したリンガラス層を除去した後に、周知の方法により、前記デポ拡散を行った1ロットすべてを1バッチで、酸素をアルゴンで希釈したガス雰囲気下、1250°Cの温度で前記拡散層深さが225±5μmとなるように熱処理時間を調整してスランプ拡散を行った。次に、得られた拡散ウェーハの拡散層深さをSRSpreadingResistance法により測定した。ここで、面内の測定箇所は、ウェーハ中心部、同心円上の外周部4箇所の計5箇所図12参考とし、前記5箇所で計測した拡散層深さの最大値から最小値を減算した値をそのウェーハ面内の拡散層深さバラツキとし、1ロット50枚における面内拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値を算出した。また、ウェーハ中心部と外周部4箇所との半径方向拡散層深さバラツキ外周部1における拡散層深さから中心部における拡散層深さを減算した値、外周部2における拡散層深さから中心部における拡散層深さを減算した値、外周部3における拡散層深さから中心部における拡散層深さを減算した値及び外周部4における拡散層深さから中心部における拡散層深さを減算した値の計4つ値を算出し、その後、前記算出した4つの値の平均値を算出してこれをウェーハ毎の半径方向拡散層深さバラツキとし、これの1ロット50枚における半径方向拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値を算出した。なお、前記外周部4箇所における具体的な測定位置は、外周部1、外周部2、外周部3では、それぞれウェーハ外周から5mmの位置、外周部4では、オリフラから5mmの位置を測定した。図1に示す横型拡散炉1にて、図6に示すプロセスガス整流板40Aθ1=90°、θ2=75°を用いて、その他は実施例1と同様な方法にて、デポ拡散及びスランプ拡散を行った。得られた拡散ウェーハの拡散層深さをSRSpreadingResistance法により実施例1と同様な条件で測定して、実施例1と同様な算出方法により1ロット50枚における面内拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値及び半径方向拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値を算出した。図1に示す横型拡散炉1にて、図7に示すプロセスガス整流板40Bθ1=90°、θ2=75°を用いて、その他は実施例1と同様な方法にて、デポ拡散及びスランプ拡散を行った。得られた拡散ウェーハの拡散層深さをSRSpreadingResistance法により実施例1と同様な条件で測定して、実施例1と同様な算出方法により1ロット50枚における面内拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値及び半径方向拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値を算出した。図1に示す横型拡散炉1にて、図8に示すプロセスガス整流板40Cθ1=90°、θ2=75°を用いて、その他は実施例1と同様な方法にて、デポ拡散及びスランプ拡散を行った。得られた拡散ウェーハの拡散層深さをSRSpreadingResistance法により実施例1と同様な条件で測定して、実施例1と同様な算出方法により1ロット50枚における面内拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値及び半径方向拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値を算出した。比較例1図1に示す横型拡散炉1にて、図9に示すプロセスガス整流板40Dθ1=90°、θ2=75°を用いて、その他は実施例1と同様な方法にて、デポ拡散及びスランプ拡散を行った。得られた拡散ウェーハの拡散層深さをSRSpreadingResistance法により実施例1と同様な条件で測定して、実施例1と同様な算出方法により1ロット50枚における面内拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値及び半径方向拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値を算出した。比較例2図1に示す横型拡散炉1にて、図10に示すプロセスガス整流板40Eθ1=90°、θ2=75°を用いて、その他は実施例1と同様な方法にて、デポ拡散及びスランプ拡散を行った。得られた拡散ウェーハの拡散層深さをSRSpreadingResistance法により実施例1と同様な条件で測定して、実施例1と同様な算出方法により1ロット50枚における面内拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値及び半径方向拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値を算出した。比較例3流速変化部44が設けられていない主部42のみで構成されたプロセスガス整流板を用いて、その他は実施例1と同様な方法にて、デポ拡散及びスランプ拡散を行った。得られた拡散ウェーハの拡散層深さをSRSpreadingResistance法により実施例1と同様な条件で測定して、実施例1と同様な算出方法により1ロット50枚における面内拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値及び半径方向拡散層深さバラツキ分布MAX値、MIN値、AVE値を算出した。上記実施例1~4及び比較例1~3における面内拡散層深さバラツキ分布及び半径方向拡散層深さバラツキ分布についてまとめて表1に示す。表1に示すように、実施例1~4は、比較例1~3のいずれよりも中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が向上することが認められた。更に、実施例4プロセスガス整流板40Cよりも実施例3プロセスガス整流板40B、実施例3プロセスガス整流板40Bよりも実施例2プロセスガス整流板40A、更には、実施例2プロセスガス整流板40Aよりも実施例1プロセスガス整流板40が拡散層深さの面内均一性が更に向上することが認められた。