サファイア基板上に窒化物半導体層を形成し、前記サファイア基板から分離した前記窒化物半導体層を用いて自立した窒化物半導体基板を作製する窒化物半導体基板の製造方法において、分離された前記窒化物半導体層の表裏面の欠陥密度差に起因する反りによる前記窒化物半導体層のC軸の半径方向内方への傾きを相殺するように、予め前記サファイア基板表面のC軸には半径方向外方に傾きを持たせたことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。しかしながら、上述した従来方法で作製した窒化物半導体層22には、表裏面に欠陥密度差が存在することから、結晶格子が歪み内部応力が生じて、下地基板21から剥離した後の窒化物半導体層22は、どのようにしても裏面22bが裏面側に凸形状中心部が出っ張る形状になるように反ってしまう図4b。このように反った窒化物半導体層22は、研磨などで平坦な加工を施したとしても、表面22aの面内の各位置で面方位が一様な方向に向いていないため、窒化物半導体自立基板23のオフ角が面内でばらついてしまうという問題が発生する図4c。ここでいうオフ角とは、表面の各位置の法線の、主たる面方位からのずれの角度あるいは表面と、主たる結晶面とのなす角度のことであり、オフ角がばらつくというのは、表面の各位置の法線の、主たる面方位からずれの角度が一様にならず、面内の位置によって、ずれの角度が異なってしまうことである。面内のオフ角がばらつくと、その上に形成した発光素子デバイスの発光波長のばらつきに大きな影響を与え、著しく歩留まりを低下させてしまう。さらに面内でオフ角がばらついている窒化物半導体自立基板23図4cを種結晶として、その上にエピタキシャル成長しても、配向性は引き継がれるので、エピタキシャル層を厚く成長してスライスして得られる自立基板も、結局オフ角がばらついてしまうことになる。また、面方位が一様に揃っている窒化物半導体基板上に成長しても、貫通転位の減少などによる表裏面の欠陥密度差により、再び反ってしまうため、オフ角ばらつきの原因となる。本発明は、上記課題を解決し、オフ角ばらつきの小さい、窒化物半導体基板を製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。本発明の第1の態様は、サファイア基板上に窒化物半導体層を形成し、前記サファイア基板から分離した前記窒化物半導体層を用いて自立した窒化物半導体基板を作製する窒化物半導体基板の製造方法において、分離された前記窒化物半導体層の表裏面の欠陥密度差に起因する反りによる前記窒化物半導体層のC軸の半径方向内方への傾きを相殺するように、予め前記サファイア基板表面のC軸には半径方向外方に傾きを持たせたことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法である。本発明によれば、オフ角ばらつきの小さい窒化物半導体自立基板が得られる。また、得られた窒化物半導体自立基板上にLEDやLDなどの半導体発光素子を作製した場合の歩留りを著しく向上させることができる。以下、本発明に係る窒化物半導体基板の製造方法の実施形態を図面を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る窒化物半導体基板の製造方法の工程を概略的に示す工程図である。本実施形態の窒化物半導体基板の製造方法は、まず、下地基板としてC面サファイア基板1を準備し、C面サファイア基板上1に窒化物半導体層2を形成する図1a。窒化物半導体層2は、例えば、InXAlYGa1XYN0≦X、0≦Y、0≦XY≦1層などである。窒化物半導体層2の形成方法には、有機金属気相成長法MOVPE法やハイドライド気相成長法HVPE法、或いはこれらを組み合わせた気相成長法などが用いられる。次に、サファイア基板1上に形成した窒化物半導体層2を、サファイア基板1から分離する図1b。分離方法除去方法は、剥離図示例のほか、研磨、エッチングなどの方法を用いてもよい。最後に、分離された窒化物半導体層2の表面2a及び裏面2bを研磨し図1bの破線部分を残し、洗浄処理などすることで、自立した窒化物半導体基板3を作製する図1c。なお、図1における矢印は、C軸結晶の主たる面方位である。自立した窒化物半導体基板3は、分離された窒化物半導体層2から1枚のみ取得しても、窒化物半導体層3を厚くエピタキシャル成長させてスライスすることにより複数枚の窒化物半導体自立基板を取得してもよい。なお、窒化物半導体の自立基板は、搬送などの基板処理が可能な強度を有する基板であって、基板の厚さは、例えば200μm以上が好ましい。上記実施形態の製造方法で特徴とするところは、窒化物半導体層2を形成するための下地となるサファイア基板1の表面におけるC軸の傾きの方向と大きさを所定範囲に規定したことにある。従来用いられているサファイア基板の表面C面は、図4aに示すように、オフ角が小さくC軸が表面にほぼ垂直に揃っており、このサファイア基板上にエピタキシャル成長される窒化物半導体層も配向性が引き継がれてC軸が一様に揃って形成される。しかし、サファイア基板上に形成される窒化物半導体層は、その表面の欠陥密度が小さく、裏面の欠陥密度が大きいため、必ず窒化物半導体層の表面が凹形状に反るように内部応力が働く。このため、分離された窒化物半導体層は、図4bに示すように、欠陥密度差に起因した内部応力により歪んで表面が凹形状に反ってしまい、研磨などで平坦な加工を施した窒化物半導体自立基板は、図4cに示すように、C軸が半径方向内方に傾き、オフ角が面内でばらついてしまう。そこで、本実施形態では、分離された窒化物半導体層2の表裏面の欠陥密度差に起因する反りによる窒化物半導体層2のC軸の半径方向内方への傾きを見込んで、このC軸の半径方向内方への傾きを相殺して分離後の窒化物半導体層2中のC軸がほぼ一様に揃うように、予めサファイア基板1表面のC軸を半径方向外方に傾きを持たせるようにしている。すなわち、図1に示すように、サファイア基板1のC軸の傾きが、分離後の窒化物半導体層2の欠陥密度差に起因した反りによるC軸の傾きをキャンセルする向きに同程度に傾いていれば、分離後の窒化物半導体層2に反りが生じても、C軸はほぼ一様に揃い、凹形状の窒化物半導体層2表面を研磨することにより、窒化物半導体自立基板3の面内のオフ角のばらつきは小さくなる。このように、サファイア基板1のC軸のオフ角の方向と大きさを規定することによって、分離後の窒化物半導体層2のC軸の傾きのばらつきを制御し、結果としてオフ角ばらつきの小さい、C軸の一様に揃った窒化物半導体自立基板3が得られる。窒化物半導体層2の成長条件にもよるが、窒化物半導体層2が欠陥密度差によって生じるC軸の傾き半径方向内方のばらつきは、03°~07°程度あり、これに対してサファイア基板1のオフ角ばらつきを反対方向基板の半径方向外方に03°~1°傾けてやることにより、窒化物半導体基板3のオフ角ばらつきを実用上問題のない、03°以下に制御することが可能になる。分離後の窒化物半導体層2の欠陥密度差に起因した反りによる半径方向内方のC軸の傾きは、窒化物半導体層2の中心部では小さく、外周部に行くほど大きくなる。従って、分離後の窒化物半導体層2のC軸が一様に揃うようにするためには、サファイア基板1表面の半径の半分よりも内側では、サファイア基板1のC軸の半径方向外方への傾きが、03°より小さいことが好ましい。また、サファイア基板1表面の半径の半分を含む外側では、サファイア基板1のC軸の傾きが半径方向外方に傾いているのが好ましく、更には、サファイア基板1表面の半径の半分を含む外側では、サファイア基板1のC軸の半径方向外方への傾きが外側に行くほど大きくなるのが好ましい。次に、本発明の実施例を説明する。[実施例1]ボイド形成剥離法VoidassistedSeparationMethod:VAS法を用いてサファイア基板上にGaNエピタキシャル層を成長させ、その後、サファイア基板を除去することにより、自立したGaN基板を得て、その評価を行った。VAS法は、サファイア基板とGaN成長層との間に網目構造を有する窒化チタンの薄膜を挟み込んで結晶成長を行う方法であるが、その詳細は、例えば上記の非特許文献1に記載されている。以下に、本実施例のGaN自立基板の製造方法について説明する。まず、直径2インチのサファイアC面基板上に、MOVPE法により、トリメチルガリウムTMGとNH3を原料として、アンドープGaN層を300nmの厚さに成長させた。次に、このGaNエピタキシャル基板上に、Ti薄膜を20nmの厚さに蒸着し、これを電気炉に入れて、20のNH3と80のH2の混合ガスの雰囲気中にて、1050度で20分間熱処理を施した。その結果、アンドープGaN層の一部がエッチングされて高密度の空隙ボイドが発生してボイド形成GaN層に変化するとともに、Ti薄膜が窒化されて表面にサブミクロンの微細な穴が高密度に形成された穴形成TiN層に変化した。この基板をHVPE炉に入れ、GaNを全体で800μmの厚さに堆積させた。Gaメタルのボートは900°Cに加熱し、基板側は1100°Cとし、キャリアガスとして水素5と窒素95の混合ガスを用いた。原料ガスとしてHClガスとGaを反応させてGaClを生成させ、同時にアンモニアガスを供給し、成長の開始時にはV/III比が10になるように流量を調整した。この条件で、GaNの核がTiN層上に3次元の島状に成長し、次いで結晶同士が横方向に成長して互いに結合し、表面の平坦化が進行していった。この様子は、成長時間を変えて炉外に取り出した基板表面及び断面を顕微鏡観察することにより確認した。さらに成長時間を延ばして成長を続けた。GaN結晶成長の終了後、HVPE装置を冷却する過程で、GaN層はボイド層を境にサファイアの下地基板から自然に剥離し、800μm厚さのGaN自立基板が得られた。このGaN自立基板の作製を、従来用いられている通常のサファイア基板オフ角のばらつきは01°以下と、実施例のサファイア基板とについて行った。実施例のサファイア基板は、サファイア基板表面の各点におけるC軸の半径方向外方への傾きの最大値と最小値との差であるC軸の傾きのばらつき半径方向外方へのオフ角のばらつきが、03°以上1°以下であって、サファイア基板表面の半径の半分よりも内側では、サファイア基板のC軸の半径方向外方への傾きが、03°より小さく、サファイア基板表面の半径の半分を含む外側では、サファイア基板のC軸の傾きが半径方向外方に傾き、且つC軸の半径方向外方への傾きが外側に行くほど大きくなっているサファイア基板を用いた。用いるサファイア基板のオフ角のばらつきが異なる以外は、全て上記した同一の製造条件でGaN自立基板を作製し、得られたGaN自立基板のオフ角のばらつきを測定した。その結果、通常のサファイア基板オフ角のばらつき01°以下を用いた場合には、GaN自立基板のオフ角のばらつきは045°であり、本実施例のサファイア基板を用いた場合には、GaN自立基板のオフ角のばらつきは、023°以下であった。ここで、オフ角のばらつきを、基板面内の複数点のオフ角のうち、オフ角の最大値-オフ角の最小値と定義し、基板面内のオフ角のばらつきを求めた。具体的には、オフ角の測定にはX線回折装置を用い、図2に示すように、2インチ508mmの基板の中心を通る直線上にある5mm間隔の10点の位置におけるオフ角を測定して、オフ角のばらつきを求めた。成長条件によって、サファイア基板のC軸のオフ角のばらつきを適時、選択しなければならないが、サファイア基板のオフ角のばらつき半径方向の外向きが03°以上~1°以下に入っていれば、大多数の成長条件に対して、成長した窒化物半導体基板のオフ角のばらつきを実用上問題のない、03°以内に抑え込めることが分かった。[実施例2]実施例1で作製したGaN基板上に、次に示す発光素子構造の成長層を形成した。図3は、本実施例2に係わる窒化物系半導体発光素子を示す構造断面図である。本実施例2の半導体層には、量子井戸構造を有している。発光ダイオード用の多層膜は、有機金属気相成長MOCVD法により作製した。有機金属原料として、トリメチルガリウムTMG、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルインジウムTMI、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用いた。ガス原料として、アンモニアNH3、シランSiH4を用いた。また、キャリアガスとして、水素及び窒素を用いた。本実施例の半導体発光素子は、次のようにして製造した。まず、上記の実施例1により得られたGaN自立基板オフ角のばらつきを異にする11を用いて、GaN自立基板11上に、1050°Cにて、Siをキャリア濃度1×1019cm3ドープしたn型GaN層12を4μmの膜厚で成長させた。次に800°Cで、活性層として、厚さ10nmのGaN障壁層134層と、厚さ3nmのIn01Ga09N井戸層143層とが交互に積層された多重量子井戸構造MQWを有するInGaN系活性層15を成長させた。その上部に、p型Al01Ga09Nクラッド層16と、p型GaNコンタクト層17とをこの順で形成した。更に、p型GaNコンタクト層17上に正電極19、GaN自立基板11裏面に負電極18を形成した後、チップ化して作製した。その後、図2に示す上記オフ角の測定箇所と同じ10点の箇所からチップを選んで、ELElectroLuminescence測定により、各チップの発光波長を測定し、基板面内の発光波長のばらつきを求めた。ここで、発光波長の最大値-発光波長の最小値を発光波長のばらつきと定義した。本実施例で作製した全サンプルについて、発光波長のばらつきを測定した結果を表1に示す。表1に示すように、オフ角のばらつきの小さいサンプルでは、発光波長のばらつきが小さくなる結果が得られた。