"導電性の中芯を持ち、半導体ウェハ上の特定箇所に導電性インクを付着させるインカーと、前記半導体ウェハ上のパッドにプロービングする端子と、前記導電性インクを介して前記中芯と前記端子との間に流れる電流を測定する測定器とを備えることを特徴とする半導体製造装置。前記半導体ウェハを搭載するステージと、前記ステージの高さと前記インカーの動作を制御する制御部とを更に備え、前記電流が前記測定器により測定されない場合に、前記制御部は、前記ステージの高さを上昇させ、前記インカーを制御して再び前記半導体ウェハに前記導電性インクを付着させることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。導電性の中芯を持つインカーにより半導体ウェハ上の特定箇所に導電性インクを付着させる工程と、前記半導体ウェハ上のパッドに端子をプロービングさせる工程と、前記中芯と前記端子との間に流れる電流を測定器により測定する工程とを備え、前記導電性インクを介して前記中芯と前記端子との間に流れる電流が前記測定器により測定された場合に、前記半導体ウェハ上に前記導電性インクが正しく付着したと判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体ウェハ上の第1及び第2のパッドを含む特定箇所に導電性インクを付着させる工程と、前記導電性インクを付着させた後に、前記第1及び第2のパッドにそれぞれ第1及び第2の端子をプロービングする工程と、前記第1の端子と前記第2の端子との間に流れる電流を測定器により測定する工程とを備え、前記導電性インクを介して前記第1の端子と前記第2の端子との間に流れる電流が前記測定器により測定された場合に、前記半導体ウェハ上に前記導電性インクが正しく付着したと判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。導電性の中芯を持ち、半導体ウェハ上の特定箇所に導電性インクを付着させるインカーと、前記導電性インクの所定の最小半径の位置に配置される第1の端子と、前記導電性インクの所定の最大半径の位置に配置される第2の端子と、前記中芯と前記第1の端子との間に流れる電流と、前記中芯と前記第2の端子との間に流れる電流とをそれぞれ測定する測定器とを備えることを特徴とする半導体製造装置。導電性の中芯を持つインカーにより半導体ウェハ上の特定箇所に導電性インクを付着させる工程と、前記導電性インクの所定の最小半径の位置に第1の端子を配置し、前記導電性インクの所定の最大半径の位置に第2の端子を配置する工程と、前記中芯と前記第1の端子との間に流れる電流と、前記中芯と前記第2の端子との間に流れる電流とをそれぞれ測定器により測定する工程とを備え、前記導電性インクを介して前記中芯と前記第1の端子との間に流れる電流が前記測定器により測定され、前記中芯と前記第2の端子との間に流れる電流が測定されない場合に、前記半導体ウェハ上に前記導電性インクが正しく付着したと判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。導電性の先端筒部と、前記先端筒部を貫通する絶縁性の中芯とを持ち、半導体ウェハ上の特定箇所に導電性インクを付着させるインカーと、前記導電性インクを介して前記先端筒部と前記半導体ウェハとの間に流れる電流を測定する測定器とを備えることを特徴とする半導体製造装置。導電性の先端筒部と、前記先端筒部を貫通する絶縁性の中芯とを持つインカーにより半導体ウェハ上の特定箇所に導電性インクを付着させる工程と、前記導電性インクを介して前記先端筒部と前記半導体ウェハとの間に流れる電流を測定器により測定する工程とを備え、前記導電性インクを介して前記先端筒部と前記半導体ウェハとの間に流れる電流が前記測定器により測定されない場合に前記導電性インクの高さが規定内であり、電流が測定された場合に規定外と判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。導電性の中芯を持ち、半導体ウェハ上の特定箇所に絶縁性インクを付着させるインカーと、前記中芯と前記半導体ウェハとの間に存在する前記絶縁性インクの容量を測定する測定器とを備えることを特徴とする半導体製造装置。導電性の中芯を持つインカーにより半導体ウェハ上の特定箇所に絶縁性インクを付着させる工程と、前記中芯と前記半導体ウェハとの間に存在する前記絶縁性インクの容量を測定器により測定する工程とを備え、測定された前記容量が所定範囲内の場合に、前記半導体ウェハ上に前記絶縁性インクが正しく付着したと判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。しかし、従来の方法では、半導体ウェハの表面と裏面を電気的に導通させるスルーホールなどを設けなければならなかった。また、インクの大きさを制御することはできなかった。さらに、絶縁性インクを用いることもできなかった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、第1の目的は、半導体ウェハの表面と裏面が電気的に導通していない場合でも、インクの付着を検知することができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を得るものである。第2の目的は、インクの大きさを制御することができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を得るものである。第3の目的は、絶縁性インクを用いた場合でも、インクの付着を検知することができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を得るものである。本発明に係る半導体製造装置は、導電性の中芯を持ち、半導体ウェハ上の特定箇所に導電性インクを付着させるインカーと、前記半導体ウェハ上のパッドにプロービングする端子と、前記インクを介して前記中芯と前記端子との間に流れる電流を測定する測定器とを備えることを特徴とする。本発明により、半導体ウェハの表面と裏面が電気的に導通していない場合でも、インクの付着を検知することができる。本発明の実施の形態に係る半導体製造装置及び半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体製造装置を示す図である。インカー1は、導電性インク2を収納するインク壷3と、先端筒部4と、インク壷3及び先端筒部4を貫通する導電性の中芯5とを持つ。端子6は、半導体ウェハ7上のパッド8にプロービングする。測定器9は、導電性インク2を介して中芯5と端子6との間に流れる電流を測定する。ステージ10は、半導体ウェハ7を搭載する。制御部11は、ステージ10の高さとインカー1の動作を制御する。続いて、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、制御部11がインカー1にインク打ち命令を出すと、インク壷3に収納された導電性インク2を中芯5が先端筒部4を通して押し出して半導体ウェハ7に付着させる。次に、半導体ウェハ7上のパッド8に端子6をプロービングさせる。そして、中芯5と端子6との間に流れる電流を測定器9により測定する。この結果、導電性インク2を介して中芯5と端子6との間に流れる電流が測定器9により測定された場合に、半導体ウェハ7上に導電性インク2が正しく付着したと判定する。一方、電流が測定器9により測定されない場合に、制御部11は、ステージ10の高さを上昇させ、インカー1を制御して再び半導体ウェハ7に導電性インク2を付着させる。本実施の形態では、半導体ウェハ7上のパッド8に端子6をプロービングさせ、導電性インク2を介して中芯5と端子6との間に流れる電流を測定する。これにより、半導体ウェハ7の表面と裏面が電気的に導通していない場合でも、導電性インク2の付着を検知することができる。また、電流が測定器9により測定されない場合に、制御部11は、ステージ10の高さを上昇させ、再びインカー1にインク打ち命令を出す。このフィードバック機能により半導体ウェハ7に確実に導電性インク2を付着させることができるため、空打ちを無くすことができる。実施の形態2.本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法について図2~図4を参照して説明する。まず、半導体ウェハ7上に形成された複数のチップについて不良品か良品かの判定を行い、図2に示す不良チップ12を抽出する。不良チップ12は第1及び第2のパッド13,14を有する。次に、図3に示すように、インカー1により半導体ウェハ7上の不良チップ12の第1及び第2のパッド13,14を含む領域に導電性インク2を付着させる。次に、図4に示すように、第1及び第2のパッド13,14にそれぞれ第1及び第2の端子15,16をプロービングする。そして、第1の端子15と第2の端子16との間に流れる電流を測定器9により測定する。この結果、導電性インク2を介して第1の端子15と第2の端子16との間に流れる電流が測定器9により測定された場合に、不良チップ12上に導電性インク2が正しく付着したと判定する。これにより、半導体ウェハ7の表面と裏面が電気的に導通していない場合でも、導電性インク2の付着を検知することができる。また、第1及び第2の端子15,16として、ウェハテストで用いるプローブ針を兼用することができる。実施の形態3.図5は、本発明の実施の形態3に係る半導体製造装置を示す図である。第1の端子15は、導電性インク2の所定の最小半径の位置に配置される。第2の端子16は、導電性インク2の所定の最大半径の位置に配置される。測定器9は、中芯5と第1の端子15との間に流れる電流と、中芯5と第2の端子16との間に流れる電流とをそれぞれ測定する。続いて、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、インカー1により半導体ウェハ7上の不良チップ12に導電性インク2を付着させる。この際、導電性インク2の所定の最小半径の位置に第1の端子15を配置し、導電性インク2の所定の最大半径の位置に第2の端子16を配置する。そして、中芯5と第1の端子15との間に流れる電流と、中芯5と第2の端子16との間に流れる電流とをそれぞれ測定器9により測定する。この結果、導電性インク2を介して中芯5と第1の端子15との間に流れる電流が測定器9により測定され、中芯5と第2の端子16との間に流れる電流が測定されない場合に、半導体ウェハ7上に導電性インク2が正しく付着したと判定する。これにより、導電性インク2の半径を制御することができる。実施の形態4.図6及び図7は、本発明の実施の形態4に係る半導体製造装置を示す図である。本実施の形態では、インカー1の先端筒部17は導電性であり、中芯18は絶縁性である。測定器9は、導電性インク2を介して先端筒部17と半導体ウェハ7との間に流れる電流を測定する。続いて、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、インカー1により半導体ウェハ7上の特定箇所に導電性インク2を付着させる。この導電性インク2はインカー1の先端筒部17と半導体ウェハ7との間に存在する。そして、導電性インク2を介して先端筒部17と半導体ウェハ7との間に流れる電流を測定器9により測定する。この結果、図6に示すように導電性インク2が低くて先端筒部17に接触せず、導電性インク2を介して先端筒部17と半導体ウェハ7との間に流れる電流が測定器9により測定されない場合に、導電性インク2の高さが規定内と判定する。一方、図7に示すように導電性インク2が高くなり先端筒部17に接触して、電流が測定された場合に、規定外と判定する。これにより、導電性インク2の高さを制御することができる。実施の形態5.図8は、本発明の実施の形態5に係る半導体製造装置を示す図である。本実施の形態では、絶縁性インク19を用いる。測定器20は、中芯5と半導体ウェハ7との間に存在する絶縁性インク19の容量を測定する。続いて、本発明の実施の形態5に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、インカー1により半導体ウェハ7上の特定箇所に絶縁性インク19を付着させる。次に、中芯5と半導体ウェハ7との間に存在する絶縁性インク19の容量を測定器20により測定する。この測定された容量が所定範囲内の場合に、半導体ウェハ7上に絶縁性インク19が正しく付着したと判定する。これにより、絶縁性インク19を用いた場合でも、インクの付着を検知することができる。"