壁面に排気口を有する真空槽と、前記排気口に接続され、前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、前記真空槽内に配置され、成膜材料を保持する材料保持部と、前記材料保持部に保持された前記成膜材料から前記成膜材料の粒子である成膜粒子を放出させる放出手段と、前記成膜粒子が入射する位置に配置され、基板を保持する基板保持部と、を有する成膜装置であって、前記成膜粒子を溶解できる洗浄液に溶解しない素材で形成された中空のタンクを有し、前記タンクの内部は前記真空槽の内部と接続され、前記真空槽の底面には排液口が設けられた成膜装置。壁面に排気口を有する真空槽と、前記排気口に接続され、前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、前記真空槽内に複数の原料ガスを導入するガス導入部と、前記真空槽内に導入された前記原料ガスを化学反応させて成膜粒子を生成する反応手段と、前記成膜粒子が入射する位置に配置され、基板を保持する基板保持部と、を有する成膜装置であって、前記成膜粒子を溶解できる洗浄液に溶解しない素材で形成された中空のタンクを有し、前記タンクの内部は前記真空槽の内部と接続され、前記真空槽の底面には排液口が設けられた成膜装置。前記成膜粒子はLi又はLi3PO4のいずれか一方であり、前記洗浄液はH2Oを含有する請求項1記載の成膜装置。前記真空槽内に配置され、前記真空槽内を乾燥させる乾燥手段を有する請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の成膜装置。前記排液口に接続され、前記洗浄液の水素イオン指数を検出する検出部を有する請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の成膜装置。前記真空槽内に前記成膜粒子と反応しない不活性ガスを導入する不活性ガス導入部を有する請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の成膜装置。真空排気された真空槽内で、基板に成膜粒子を入射させ、前記基板に前記成膜粒子の薄膜を形成する成膜装置の洗浄方法であって、前記真空槽内から前記基板を搬出した後、前記真空槽内に前記成膜粒子を溶解できる洗浄液を導入し、前記真空槽の内部に付着した前記成膜粒子に前記洗浄液を接触させ、前記成膜材料を前記洗浄液に溶解させ、前記洗浄液を前記真空槽から排出する洗浄工程を有する成膜装置の洗浄方法。前記真空槽内から排出された前記洗浄液の水素イオン指数を検出し、検出結果に基づいて、前記洗浄工程を繰り返すか又は前記洗浄工程を終了するかのいずれか一方に決定する請求項7記載の成膜装置の洗浄方法。前記真空槽内に前記洗浄液を導入する前に、前記真空槽内に前記成膜粒子と反応しない不活性ガスを導入し、前記真空槽内の圧力を前記真空槽の外側の圧力以上にする不活性ガス導入工程を有し、前記洗浄工程では、前記不活性ガスの導入を継続して前記真空槽内の圧力を前記真空槽の外側の圧力以上に維持しながら、前記真空槽内に前記洗浄液を注入し、前記真空槽内のガスを前記真空槽の外側に排出する請求項7又は請求項8のいずれか1項記載の成膜装置の洗浄方法。前記洗浄工程を終了した後、前記真空槽内を乾燥させる乾燥工程を有する請求項7乃至請求項9のいずれか1項記載の成膜装置の洗浄方法。前記成膜粒子はLi又はLi3PO4のいずれか一方であり、前記洗浄液はH2Oを含有する請求項7乃至請求項10のいずれか1項記載の成膜装置の洗浄方法。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、洗浄作業者に安全であり、従来より短時間かつ低コストで真空槽内の付着物を洗浄できる成膜装置及び成膜装置の洗浄方法を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、壁面に排気口を有する真空槽と、前記排気口に接続され、前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、前記真空槽内に配置され、成膜材料を保持する材料保持部と、前記材料保持部に保持された前記成膜材料から前記成膜材料の粒子である成膜粒子を放出させる放出手段と、前記成膜粒子が入射する位置に配置され、基板を保持する基板保持部と、を有する成膜装置であって、前記成膜粒子を溶解できる洗浄液に溶解しない素材で形成された中空のタンクを有し、前記タンクの内部は前記真空槽の内部と接続され、前記真空槽の底面には排液口が設けられた成膜装置である。本発明は、壁面に排気口を有する真空槽と、前記排気口に接続され、前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、前記真空槽内に複数の原料ガスを導入するガス導入部と、前記真空槽内に導入された前記原料ガスを化学反応させて成膜粒子を生成する反応手段と、前記成膜粒子が入射する位置に配置され、基板を保持する基板保持部と、を有する成膜装置であって、前記成膜粒子を溶解できる洗浄液に溶解しない素材で形成された中空のタンクを有し、前記タンクの内部は前記真空槽の内部と接続され、前記真空槽の底面には排液口が設けられた成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記成膜粒子はLi又はLi3PO4のいずれか一方であり、前記洗浄液はH2Oを含有する成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記真空槽内に配置され、前記真空槽内を乾燥させる乾燥手段を有する成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記排液口に接続され、前記洗浄液の水素イオン指数を検出する検出部を有する成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記真空槽内に前記成膜粒子と反応しない不活性ガスを導入する不活性ガス導入部を有する成膜装置である。本発明は、真空排気された真空槽内で、基板に成膜粒子を入射させ、前記基板に前記成膜粒子の薄膜を形成する成膜装置の洗浄方法であって、前記真空槽内から前記基板を搬出した後、前記真空槽内に前記成膜粒子を溶解できる洗浄液を導入し、前記真空槽の内部に付着した前記成膜粒子に前記洗浄液を接触させ、前記成膜材料を前記洗浄液に溶解させ、前記洗浄液を前記真空槽から排出する洗浄工程を有する成膜装置の洗浄方法である。本発明は成膜装置の洗浄方法であって、前記真空槽内から排出された前記洗浄液の水素イオン指数を検出し、検出結果に基づいて、前記洗浄工程を繰り返すか又は前記洗浄工程を終了するかのいずれか一方に決定する成膜装置の洗浄方法である。本発明は成膜装置の洗浄方法であって、前記真空槽内に前記洗浄液を導入する前に、前記真空槽内に前記成膜粒子と反応しない不活性ガスを導入し、前記真空槽内の圧力を前記真空槽の外側の圧力以上にする不活性ガス導入工程を有し、前記洗浄工程では、前記不活性ガスの導入を継続して前記真空槽内の圧力を前記真空槽の外側の圧力以上に維持しながら、前記真空槽内に前記洗浄液を注入し、前記真空槽内のガスを前記真空槽の外側に排出する成膜装置の洗浄方法である。本発明は成膜装置の洗浄方法であって、前記洗浄工程を終了した後、前記真空槽内を乾燥させる乾燥工程を有する成膜装置の洗浄方法である。本発明は成膜装置の洗浄方法であって、前記成膜粒子はLi又はLi3PO4のいずれか一方であり、前記洗浄液はH2Oを含有する成膜装置の洗浄方法である。NH3ガスが発生しないので、安全である。また洗浄作業中に発生するH2ガスは真空槽から直接排気設備へと排気されるので、発生するガスに洗浄作業者が暴露されることはない。従って、作業者の保護具や除害設備などの安全対策のコストが不要になる。洗浄作業中に真空槽内を大気に開放しないので、洗浄作業後に短時間で成膜作業を再開することができ、ダウンタイムを短縮できる。成膜に使用されなかったLiを回収することができ、成膜材料のコストを節約できる。<成膜装置の構造>本発明の成膜装置の構造を真空蒸着装置を例に説明する。図1は真空蒸着装置である成膜装置10aの内部構成図を示している。成膜装置10aは、壁面に排気口16を有する真空槽11と、排気口16に接続され、真空槽11内を真空排気する真空排気部12と、真空槽11内に配置され、成膜材料を保持する材料保持部32aと、材料保持部32aに保持された成膜材料から成膜材料の粒子である成膜粒子を放出させる放出手段30aと、成膜粒子が入射する位置に配置され、基板21を保持する基板保持部22aとを有している。排気口16は真空槽11の壁面のうち、後述する防着板41の上端より高い位置に設けられている。排気口16には主排気管45が気密に接続され、真空排気部12は主排気バルブ46を介して主排気管45に接続されている。主排気バルブ46を開くと、真空排気部12は真空槽11内を真空排気できるようになっている。材料保持部32aはここでは抵抗加熱用のボートであり、ボートの内側に成膜材料を保持できるように構成されている。成膜材料は例えばLi又はLi3PO4のいずれか一方である。基板保持部22aは材料保持部32aの上方に配置され、材料保持部32aと対面する部分に複数枚の基板21を保持できるように構成されている。放出手段30aは電源装置33を有している。電源装置33は材料保持部32aに電気的に接続されている。電源装置33から材料保持部32aに直流電圧が印加されると、材料保持部32aは抵抗加熱により発熱して、材料保持部32aに保持された成膜材料を加熱し、成膜材料から成膜材料の粒子である成膜粒子を放出させるようになっている。成膜装置10aのうち真空槽11内で基板21に成膜粒子を入射させる部分を成膜部50aと呼ぶと、成膜部50aはここでは基板保持部22aと、材料保持部32aと、放出手段30aとで構成されている。材料保持部32aと基板保持部22aとの間の空間である放出空間の外側には、成膜材料から放出された成膜粒子が入射する位置に防着板41が配置されている。防着板41は筒形状にされ、放出空間を取り囲むように配置されており、成膜材料から放出された成膜粒子が真空槽11の壁面に付着することを防止している。真空槽11の外側には、成膜粒子を溶解できる洗浄液に溶解しない素材で形成された中空のタンク19が配置されている。洗浄液は例えばH2Oを含有する液体である。タンク19の内部中空の部分は給液バルブ43を介して真空槽11の内部と接続されている。タンク19の内部に洗浄液を蓄液し、給液バルブ43を開くと、洗浄液は真空槽11の内側に導入されるようになっている。真空槽11の底面には排液口15が設けられ、排液口15は排液バルブ44を介して真空槽11の外側に配置された排液設備61に接続されている。排液バルブ44を閉じた状態で真空槽11内に洗浄液を導入すると、洗浄液は真空槽11の底から天井に向かって徐々に溜められるようになっており、排液バルブ44を開くと、真空槽11内に溜められた洗浄液は、排液口15から真空槽11の外側の排液設備61に排出されるようになっている。本実施例では、排液設備61は、排出された洗浄液から成膜材料の元素を回収するように構成されている。排液口15には、水素イオン指数pHを検出する検出部17が接続され、排液口15から排出された洗浄液のpHを検出できるようになっている。本発明の成膜装置10aの検出部17は、排液口15に接続された構造に限定されず、真空槽11内に配置されていてもよいが、排液口15に接続されている方が、装置の構造が単純であり、また真空槽11内の洗浄液の濃度むらによらずに洗浄液のpHを検出できるので好ましい。真空槽11内には、真空槽11内を乾燥させる乾燥手段34が配置されている。乾燥手段34はここではシースヒーターであり、真空槽11の内壁面に沿って配置されている。乾燥手段34は更に防着板41の裏面真空槽11の内壁面と対面する面に沿って配置されていてもよい。乾燥手段34は電源装置33に電気的に接続されている。電源装置33から乾燥手段34に直流電圧が印加されると、乾燥手段34は発熱して、真空槽11の内壁面や防着板41の表面に付着した洗浄液の水分を蒸発させるように構成されている。真空槽11の壁面のうち、防着板41の上端より高い位置には給気口13が設けられている。真空槽11の外側には、真空槽11内に成膜粒子と反応しない不活性ガスを導入する不活性ガス導入部18が配置されている。不活性ガスは例えばArガスである。不活性ガス導入部18は給気バルブ49を介して給気口13に接続され、給気バルブ49を開くと、不活性ガスは給気口13から真空槽11内に導入されるようになっている。真空槽11の外側には、大気圧にされた排気設備62が配置されている。主排気管45には副排気管47の一端が接続され、副排気管47の他端は副排気バルブ48を介して排気設備62に接続されている。主排気バルブ46と副排気バルブ48と給気バルブ49と給液バルブ43と排液バルブ44とを全て閉じると、真空槽11内は真空槽11の外側の大気と絶縁されるようになっている。主排気バルブ46を閉じておき、真空槽11内の圧力が真空槽11の外側の圧力よりも高いときに、副排気バルブ48を開くと、真空槽11内のガスは排気口16と副排気管47を通って真空槽11の外側の大気圧におかれた排気設備62に排出されるようになっている。本発明の成膜装置は、上述したような真空蒸着装置に限定されず、スパッタ装置などの他の物理蒸着装置も本発明に含まれる。本発明の成膜装置の構造をスパッタ装置を例に説明する。図2はスパッタ装置である成膜装置10bの内部構成図を示している。符号10bの成膜装置の構成のうち、符号10aの成膜装置の構成と同じ部分には同じ符号を付して示している。符号50bは成膜装置10bの成膜部を示している。成膜部50bの構成は、符号10aの成膜装置の成膜部50aの構成と異なるが、他の部分の構成は符号10aの成膜装置の構成と同じである。符号10aの成膜装置の構成と同じ部分の説明は省略する。成膜部50bは、真空槽11内に配置され、成膜材料31を保持する材料保持部32bと、材料保持部32bに保持された成膜材料31から成膜材料31の粒子である成膜粒子を放出させる放出手段30bと、成膜粒子が入射する位置に配置され、基板21を保持する基板保持部22bと、を有している。材料保持部32bはバッキングプレートであり、成膜材料31はバッキングプレートの表面に密着して取り付けられている。成膜材料31は例えばLi又はLi3PO4のいずれか一方である。基板保持部22bは平板形状に形成され、成膜材料31と対面する位置に、成膜材料31と平行に配置されている。基板保持部22bは成膜材料31と対面する面に基板21を保持できるように構成されている。放出手段30bは、スパッタガス導入部51と、電源装置33とを有している。スパッタガス導入部51は真空槽11に接続され、真空槽11内にスパッタガスを導入できるように構成されている。スパッタガスは例えばArガスである。電源装置33は材料保持部32bと基板保持部22bとに電気的に接続されている。真空槽11内を真空排気した後、真空槽11内にスパッタガス導入部51からスパッタガスを導入し、電源装置33から材料保持部32bと基板保持部22bとの間に直流電圧又は交流電圧を印加すると、成膜材料31と基板21との間で放電が生じて、スパッタガスがプラズマ化される。スパッタガスのイオンは負電位にされた成膜材料31に入射して、成膜材料31をスパッタし、成膜材料31から成膜粒子を放出させるようになっている。図2では材料保持部32bの上方に基板保持部22bが配置されているが、成膜材料31と基板21とが対向して配置されるならば、本発明はこの構成に限定されず、材料保持部32bの下方に基板保持部22bが配置されていてもよいし、材料保持部32bと基板保持部22bとがそれぞれ鉛直に立てられた状態で横に並べて対向して配置されていてもよい。本発明の成膜装置は、上述した真空蒸着装置やスパッタ装置などの物理蒸着装置に限定されず、化学蒸着装置CVD装置も本発明に含まれる。本発明の成膜装置の構造をCVD装置を例に説明する。図3はCVD装置である成膜装置10cの内部構成図を示している。符号10cの成膜装置の構成のうち、符号10a、10bの成膜装置の構成と同じ部分には同じ符号を付して示している。符号50cは成膜装置10cの成膜部を示している。成膜部50cの構成は符号10a、10bの成膜装置の成膜部50a、50bの構成と異なるが、他の部分の構成は符号10a、10bの成膜装置の構成と同じである。符号10a、10bの成膜装置の構成と同じ部分の説明は省略する。成膜部50cは、真空槽11内に複数の原料ガスを導入するガス導入部30c1と、真空槽内に導入された原料ガスを化学反応させて成膜粒子を生成する反応手段30c2とを有している。ガス導入部30c1は、一面に複数の放出孔が設けられた中空の放出容器52と、複数の原料ガスを放出する原料ガス放出部53とを有している。放出容器52は真空槽11内に配置されている。原料ガス放出部53は真空槽11の外側に配置され、真空槽11の側壁を気密に貫通する配管54を介して放出容器52に接続されている。基板保持部22cは平板形状に形成され、放出容器52の放出孔が設けられた面以下放出面と呼ぶと対面する位置に、放出面と平行に向けられて配置され、放出面と対面する表面に基板21を保持できるように構成されている。反応手段39c2は、電熱器23と、電源装置33とを有している。電熱器23は基板保持部22cに取り付けられ、電源装置33は電熱器23に電気的に接続されている。原料ガス放出部53から放出容器52内に原料ガスを導入すると、原料ガスは放出容器52の放出孔から基板21に向けて放出される。電源装置33から電熱器23に直流電圧を印加すると、電熱器23は発熱して、基板保持部22cに保持された基板21は加熱され、基板21上の原料ガスは基板21の熱により化学反応して成膜粒子が生成されるようになっている。図3では放出容器52の放出面の下方に基板保持部22cが配置されているが、放出容器52の放出面と基板21とが対向して配置されるならば、本発明はこの構成に限定されず、放出容器52の放出面の上方に基板保持部22cが配置されていてもよいし、放出容器52の放出面と基板保持部22cとがそれぞれ鉛直に立てられた状態で横に並べて対向して配置されていてもよい。<成膜装置を用いた成膜方法>図1を参照し、真空蒸着装置である成膜装置10aを用いた成膜方法を説明する。給液バルブ43と排液バルブ44と給気バルブ49と副排気バルブ48とを閉じて、真空槽11内を真空槽11の外側の大気から絶縁させておく。主排気バルブ46を開いて、真空排気部12により真空槽11内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽11内の真空雰囲気を維持する。不図示の搬送ロボットにより、真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、真空槽11内に成膜材料としてここではLi又はLi3PO4のいずれか一方を搬入し、材料保持部32a内に配置する。不図示の搬送ロボットにより、真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、真空槽11内に基板21を搬入し、基板保持部22aに保持させる。電源装置33から材料保持部32aに直流電圧を印加して、材料保持部32aを発熱させ、材料保持部32a内の成膜材料を蒸発させる。成膜材料から放出された成膜粒子の一部は基板21に入射し、基板21に成膜粒子の薄膜が形成される。他の成膜粒子は防着板41や材料保持部32aに入射し、防着板41や材料保持部32aに付着する。材料保持部32aに付着した成膜粒子は再び蒸発されるが、防着板41に付着した成膜粒子は防着板41に堆積する。基板21表面に所定の膜厚の薄膜を形成した後、電源装置33から材料保持部32aへの電圧印加を停止する。不図示の搬送ロボットにより、真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、成膜した基板21を真空槽11の外側に搬出する。次いで成膜した基板21とは別の基板21を、不図示の搬送ロボットにより、真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、真空槽11内に搬入し、上述の成膜作業を繰り返す。図2を参照し、スパッタ装置である成膜装置10bを用いた成膜方法を説明する。給液バルブ43と排液バルブ44と給気バルブ49と副排気バルブ48とを閉じて、真空槽11内を真空槽11の外側の大気から絶縁させておく。主排気バルブ46を開いて、真空排気部12により真空槽11内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽11内の真空雰囲気を維持する。材料保持部32bにはあらかじめ成膜材料31であるLi又はLi3PO4のいずれか一方が密着して取り付けられている。不図示の搬送ロボットにより、真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、真空槽11内に基板21を搬入し、基板保持部22bに保持させる。スパッタガス導入部51から真空槽11内にスパッタガスとしてここではArガスを導入し、電源装置33から材料保持部32bと基板保持部22bとの間に直流電圧又は交流電圧を印加して、導入されたスパッタガスをプラズマ化し、成膜材料31をスパッタする。成膜材料31から放出された成膜粒子の一部は基板21に入射し、基板21に成膜粒子の薄膜が形成される。他の成膜粒子は防着板41や成膜材料31に入射して付着する。成膜材料31に付着した成膜粒子は再びスパッタされるが、防着板41に付着した成膜粒子は防着板41に堆積する。基板21表面に所定の膜厚の薄膜を形成した後、電源装置33から基板保持部22bと材料保持部32bへの電圧印加を停止し、スパッタガス導入部51からのスパッタガスの導入を停止する。不図示の搬送ロボットにより、真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、成膜した基板21を真空槽11の外側に搬出する。次いで成膜した基板21とは別の基板21を、不図示の搬送ロボットにより、真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、真空槽11内に搬入し、上述の成膜作業を繰り返す。図3を参照し、CVD装置である成膜装置10cを用いた成膜方法を説明する。給液バルブ43と排液バルブ44と給気バルブ49と副排気バルブ48とを閉じて、真空槽11内を真空槽11の外側の大気から絶縁させておく。主排気バルブ46を開いて、真空排気部12により真空槽11内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽11内の真空雰囲気を維持する。不図示の搬送ロボットにより、真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、真空槽11内に基板21を搬入し、基板保持部22cに保持させる。電源装置33から電熱器23に直流電圧を印加して、基板21を加熱する。原料ガス放出部53から放出容器52内に原料ガスを導入し、放出容器52の放出孔から基板21に向けて原料ガスを放出する。原料ガスは基板21の熱により化学反応して成膜粒子を生成する。生成された成膜粒子の一部は基板21に付着し、基板21に成膜粒子の薄膜が形成される。他の成膜粒子は防着板41に付着して堆積する。基板21表面に所定の膜厚の薄膜を形成した後、原料ガス放出部53からの原料ガスの供給を停止し、電源装置33から電熱器23への電圧印加を停止する。不図示の搬送ロボットにより、真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、成膜した基板21を真空槽11の外側に搬出する。次いで成膜した基板21とは別の基板21を、不図示の搬送ロボットにより、真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、真空槽11内に搬入し、上述の成膜作業を繰り返す。符号10a~10cのいずれの成膜装置においても、成膜作業を繰り返すにつれて、防着板41に付着した成膜粒子の膜厚は厚くなる。防着板41から付着した成膜粒子が剥離して基板21に付着すると、不純物になる。従って、防着板41から付着した成膜粒子が剥離する前に、後述する洗浄方法により防着板41から付着した成膜粒子を除去する。<成膜装置の洗浄方法>本発明の成膜装置10a~10cの洗浄方法を説明する。図1~図3を参照し、タンク19内に成膜粒子を溶解できる洗浄液をあらかじめ蓄液しておく。洗浄液にはここでは純水又はH2Oを含有する液体を使用する。真空槽11の内部で成膜粒子が付着した部分である付着領域を洗浄液に浸漬させる時間の長さと、洗浄工程を終了させるときの洗浄液のpHの閾値を、試験やシミュレーションによりあらかじめ定めておく。真空槽11内に基板21が配置されている場合には、不図示の搬送ロボットにより、真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、基板21を真空槽11の外側に搬出しておく。主排気バルブ46を閉じて、真空槽11内の真空排気を停止する。給液バルブ43と排液バルブ44と給気バルブ49と副排気バルブ48とは予め閉じられており、真空槽11内は真空槽11の外側の大気から絶縁されている。先ず不活性ガス導入工程として、給気バルブ49を開いて、不活性ガス導入部18から給気口13を介して真空槽11内に、成膜粒子と反応しない不活性ガスを導入し、真空槽11内の圧力を真空槽11の外側の圧力以上の大きさにする。不活性ガスはここではArガスを使用する。副排気バルブ48を開いて、排気口16を介して真空槽11内の不活性ガスを真空槽11の外側に排出する。以後、真空槽11内の圧力が真空槽11の外側の圧力以上の大きさを維持するように、不活性ガス導入部18からの不活性ガスの導入を継続する。次いで洗浄工程として、給液バルブ43を開いてタンク19から真空槽11内に洗浄液を導入する。洗浄液が真空槽11内の付着領域に付着した成膜粒子に接触すると、LiH2O→LiOHH2の化学反応により、成膜粒子は洗浄液に溶解し、H2ガスが発生する。成膜粒子が溶解した洗浄液の水素イオン指数pHは成膜粒子が溶解する前より大きくなる。発生したH2ガスは不活性ガスと共に排気口16と副排気管47を通って真空槽11の外側に搬出される。従来とは異なりNH3ガスが発生することはなく、洗浄作業者に安全である。また洗浄作業者は発生したH2ガスに暴露されることはなく、安全である。真空槽11内で成膜粒子が付着した部分全体に洗浄液が接触するように、洗浄液の水面の高さが防着板41の上端より高くなるまで洗浄液を真空槽11内に導入した後、給液バルブ43を閉じて、洗浄液の導入を停止する。排気口16と給気口13は防着板41の上端より高い位置に配置されており、洗浄液が排気口16や給気口13に浸入することはなく、洗浄液を導入しながら、給気口13からの不活性ガスの導入と、排気口16からのガスの排気とを継続できるようになっている。あらかじめ決めておいた時間、付着領域を洗浄液に浸漬させた後、排液バルブ44を開いて真空槽11内から洗浄液を排出する。真空槽11内から排出された洗浄液のpHを検出部17により検出する。洗浄液を排出し終えたら、排液バルブ44を閉じる。検出部17の検出結果があらかじめ決めておいた閾値より大きかったら、上述の不活性ガス導入工程と洗浄工程とを繰り返す。検出部17の検出結果が閾値以下であったら、洗浄工程を終了する。洗浄工程を終了した後、乾燥工程として、乾燥手段34により真空槽11内に付着した洗浄液の水滴を蒸発させ、真空槽11内を乾燥させる。洗浄液の水蒸気は不活性ガスと共に排気口16と副排気管47を通って真空槽11の外側に搬出される。次いで、給気バルブ49を閉じて真空槽11内への不活性ガスの導入を停止する。副排気バルブ48を閉じて、真空槽11内を真空槽11の外側の大気から絶縁させる。主排気バルブ46を開き、真空排気部12により真空槽11内を真空排気する。真空槽11内を大気に開放せずに洗浄作業を行うので、洗浄作業を終えてから真空排気するまでに要する時間が従来より短縮される。真空排気された真空槽11内を乾燥手段34により再度乾燥させる。洗浄液の水蒸気は真空排気部12により真空排気される。真空槽11内の真空雰囲気を維持したまま、不図示の搬送ロボットにより、未成膜の基板21を真空槽11内に搬入し、上述の成膜作業を再開する。上記説明では、洗浄液に防着板41を浸漬させて防着板41に付着した成膜粒子を洗浄液に溶解させたが、本発明の成膜装置の洗浄方法は、真空槽11内で防着板41に付着した成膜粒子を洗浄液に溶解させて除去できるならばこの方法に限定されず、防着板41にシャワー状に洗浄液を噴きかけて防着板41に付着した成膜粒子を洗浄液に溶解させてもよい。本発明の成膜装置の洗浄方法は、上述のように真空排気された真空槽11内に洗浄液を導入する前に不活性ガスを導入する方法に限定されず、真空排気された真空槽11内に不活性ガスを導入せずに真空槽11内に洗浄液を導入し、発生するガスを真空排気部12により真空槽11の外側に排出してもよい。ただし、真空雰囲気中に洗浄液を導入すると予期せぬ問題が生じる虞があるので、不活性ガスを導入した後で洗浄液を導入する方が好ましい。