"オプトエレクトロニクス半導体部品100を製造する方法であって、aキャリア1を形成するステップであって、前記キャリア1が、上面12と、前記キャリア1の前記上面12とは反対側に位置する下面11と、前記キャリア1の前記上面12に配置される少なくとも1つの接続領域13と、を有する、ステップaと、b前記キャリア1の前記上面12に、少なくとも1個のオプトエレクトロニクス部品2を貼り付けるステップであって、前記オプトエレクトロニクス部品2が、前記キャリア1とは反対側に少なくとも1つのコンタクト領域22を有する、ステップbと、c前記コンタクト領域22と前記接続領域13とに電気的絶縁材料3を塗布するステップであって、前記電気的絶縁材料3に、充填材41の異質粒子42が存在しない、ステップcと、d前記電気的絶縁材料3の露出した領域と、前記オプトエレクトロニクス部品2の露出した領域と、前記キャリア1の露出した領域とに、電気的絶縁層4を形成するステップであって、前記電気的絶縁層4が、前記充填材41の異質粒子42を、事前定義可能な濃度で含んでいる、ステップdと、e前記コンタクト領域22の上の領域と、前記接続領域13の上の領域とにおいて、少なくとも前記電気的絶縁材料3を除去し、これによって前記電気的絶縁材料3における少なくとも2つの開口部5を形成するステップeと、f前記電気的絶縁層4の上と、前記開口部5の少なくとも一部分とに、導電性材料8を配置するステップであって、前記導電性材料8が、前記コンタクト領域22を前記接続領域13に導電接続する、ステップfと、を含んでいる、方法。前記電気的絶縁材料3および前記電気的絶縁層4が、同一の材料を含んでいる、請求項1に記載の方法。前記コンタクト領域22の上の領域、もしくは前記接続領域13の上の領域、またはその両方において、前記電気的絶縁層4が除去され、これによって前記開口部5が形成される、請求項1または請求項2のいずれかに記載の方法。前記電気的絶縁層4が、少なくとも1種類のルミネセンス変換材料を含んでいる、請求項1から請求項3のいずれかに記載の方法。ステップdの前に、前記オプトエレクトロニクス部品2の放射通過領域23の少なくとも一部分に前記電気的絶縁材料3が塗布され、前記電気的絶縁材料3が、放射に対して透過性である、請求項1から請求項4のいずれかに記載の方法。次いで、ステップdの前に、前記オプトエレクトロニクス部品2とは反対側の前記電気的絶縁材料3の外側領域32に、少なくとも1層の変換層6が形成される、請求項5に記載の方法。前記電気的絶縁層4が、放射に対して反射性、または放射に対して吸収性であり、前記電気的絶縁層4が、前記オプトエレクトロニクス部品2の露出した領域と、前記電気的絶縁材料3の露出した領域と、前記変換層6の露出した領域とに、形成され、前記オプトエレクトロニクス部品2とは反対側の前記変換層6の外側領域62に、前記電気的絶縁層4が存在しないままである、請求項6に記載の方法。前記コンタクト領域22の上の領域において前記変換層6が除去され、これによって、前記開口部5の少なくとも1つが形成される、請求項6または請求項7のいずれかに記載の方法。前記変換層6が、垂直方向Vにおいて前記電気的絶縁層4と同じ高さにある、請求項6から請求項8のいずれかに記載の方法。ステップcの前に、前記キャリア1の前記上面12における少なくとも1つの電子素子9が、横方向Lにおいて前記オプトエレクトロニクス部品2から隔てて、前記キャリア1に配置され、前記キャリア1に前記電子素子9が配置された後、最初に、前記電子素子9の露出した領域に前記電気的絶縁材料3が塗布され、次いで、前記電気的絶縁材料3の露出した領域に前記電気的絶縁層が形成される、請求項1から請求項9のいずれかに記載の方法。オプトエレクトロニクス半導体部品100であって、-キャリア1であって、上面12と、前記キャリア1の前記上面12とは反対側に位置する下面11と、前記上面12に配置されている少なくとも1つの接続領域13と、を有する、前記キャリア1と、-前記キャリア1の前記上面12に配置されている少なくとも1個のオプトエレクトロニクス部品2であって、前記キャリア1とは反対側に少なくとも1つのコンタクト領域22を有する、前記少なくとも1個のオプトエレクトロニクス部品2と、-前記オプトエレクトロニクス部品2の放射通過領域23上に塗布された電気的絶縁材料3であって、充填材41の異質粒子42が存在しない、前記電気的絶縁材料3と、-横方向Lにおいて前記電気的絶縁材料3に直接隣接している電気的絶縁層4であって、前記充填材41の異質粒子42を事前定義可能な濃度で含んでいる、前記電気的絶縁層4と、-前記コンタクト領域22の上において前記電気的絶縁材料3に形成されている材料開口部51と、を備え、-前記材料開口部51の領域において、前記コンタクト領域22の少なくとも一部分に、前記電気的絶縁材料3が存在しない、オプトエレクトロニクス半導体部品100。前記オプトエレクトロニクス部品2とは反対側の前記電気的絶縁材料3の外側領域32に、少なくとも1層の変換層6が形成され、前記電気的絶縁層4が、放射に対して反射性、または放射に対して吸収性であり、前記キャリア1とは反対側の前記変換層6の外側領域62に、前記電気的絶縁層4が存在しない、請求項11に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品100。前記変換層6に形成されている層開口部52と、前記電気的絶縁材料3に形成されている前記材料開口部51とが、垂直方向Vにおいて少なくとも一部分が合致し、前記材料開口部51と前記層開口部52が1つの開口部5を形成している、請求項11または請求項12に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品100。前記接続領域13の上において、前記電気的絶縁層4および前記電気的絶縁材料3に、さらなる開口部5’が形成され、前記接続領域13の少なくとも一部分に、前記電気的絶縁材料3が存在しない、請求項13に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品100。前記キャリア1とは反対側の前記電気的絶縁層4の面の一部分と、前記開口部5,5’の少なくとも一部分とに配置されている導電性材料8であって、前記コンタクト領域22を前記接続領域13に導電接続している、前記導電性材料8、を備えている、請求項14に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品100。本発明の目的は、オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法であって、半導体部品の電気コンタクトに関連する材料が節約される方法、を開示することである。本方法の少なくとも一実施形態によると、最初のステップaにおいて、キャリアを形成し、このキャリアは、上面と、キャリアの上面とは反対側に位置する下面とを有する。キャリアは、回路基板または金属リードフレームとすることができる。さらには、例えば膜としてフレキシブルにキャリアを具体化することも考えられる。キャリアは、導電性材料例えば金属、電気的絶縁材料例えば熱硬化性プラスチック材料、熱可塑性プラスチック材料、セラミック材料、のうちの少なくとも1種類によって、形成することができる。キャリアが電気的絶縁材料によって形成される場合、キャリアはその上面もしくは下面またはその両方に、導体トラックおよびコンタクト領域を有することができる。上面および下面には、それぞれ、キャリアの外側領域の一部分によって形成される領域が存在する。このうち下面における領域は、キャリアが実装された状態においてコンタクトキャリア例えば回路基板に面するキャリアの外側領域の一部分である。キャリアの下面のこの領域は、一例として実装領域であり、完成した半導体部品をコンタクトキャリア上に実装する役割を果たすことができる。さらに、キャリアは、その上面に配置された少なくとも1つの接続領域を有する。本方法の少なくとも一実施形態によると、次のステップbにおいて、キャリアの上面に、少なくとも1個のオプトエレクトロニクス部品を貼り付け、オプトエレクトロニクス部品は、キャリアとは反対側に少なくとも1つのコンタクト領域を有する。少なくとも1つのコンタクト領域は、オプトエレクトロニクス部品との電気的接触を形成する役割を果たし、導電性材料例えば金属によって形成されている。接続領域とオプトエレクトロニクス部品は、一例として、横方向に互いに並んで配置されている。この場合、横とは、キャリアの主延在方向に平行な方向を意味する。オプトエレクトロニクス部品は、一例として、コンタクト領域とは反対側の外側領域において、キャリアのコンタクト領域の上に、接合されている、はんだ付けされている、または導電的に接着接合されている。オプトエレクトロニクス部品は、特に、放射を受信する半導体チップ、または放射を放出する半導体チップとすることができる。一例として、半導体チップはルミネセンスダイオードチップすなわち発光ダイオードチップまたはレーザダイオードチップである。本方法の少なくとも一実施形態によると、次のステップcにおいて、コンタクト領域と接続領域とに電気的絶縁材料を塗布する。電気的絶縁材料とコンタクト領域の間と、電気的絶縁材料と接続領域の間には、隙間および中断部のいずれも形成されないことが好ましい。電気的絶縁材料は、一例として、接続領域もしくはコンタクト領域またはその両方の、キャリアとは反対側の外面を、完全に覆っている。さらに、電気的絶縁材料は、コンタクト領域の側面領域および接続領域の側面領域も覆うことができる。電気的絶縁材料には、充填材の異質粒子foreignparticlesofafillerが存在しない。この場合、充填材の異質粒子が存在しないとは、電気的絶縁材料の中に外部から充填材の異質粒子が意図的に導入されていないことを意味する。ただし、例えば製造公差の範囲内で、充填材の異質粒子の残渣が電気的絶縁材料中に存在していてもよい。しかしながら、電気的絶縁材料中に存在する異質粒子の濃度は、電気的絶縁材料の物理的特性もしくは化学的特性またはその両方に悪影響を及ぼさない程度に低いことが好ましい。本方法の少なくとも一実施形態によると、次のステップdにおいて、電気的絶縁材料の露出した領域と、オプトエレクトロニクス部品の露出した領域と、キャリアの露出した領域とに、電気的絶縁層を形成する。この電気的絶縁層は、電気的絶縁材料およびオプトエレクトロニクス部品を、それぞれの露出した領域において、確実に係止した状態でinapositivelylockingmanner覆っていることが好ましい。一例として、キャリアの上面における露出した領域も、その一部分または全体が電気的絶縁層によって覆われている。電気的絶縁層は、充填材の異質粒子を、事前定義可能な濃度で含んでいる。すなわち、電気的絶縁層の材料には、充填材の異質粒子が外部から意図的に導入されている。例えば、製造公差の範囲内で、または電気的絶縁層から電気的絶縁材料中に異質粒子が拡散することによって、電気的絶縁材料にも充填材の異質粒子が含まれる場合、電気的絶縁材料における充填材の異質粒子の濃度は、電気的絶縁層における充填材の異質粒子の濃度と比較して、無視できる程度であることが好ましい。本方法の少なくとも一実施形態によると、次のステップeにおいて、コンタクト領域の上の領域と、接続領域の上の領域とにおいて、少なくとも電気的絶縁材料を除去し、これによって電気的絶縁材料における少なくとも2つの開口部を形成する。これらの開口部それぞれは、電気的絶縁材料を完全に貫いて垂直方向に延び、コンタクト領域および接続領域の少なくとも一部分には、電気的絶縁材料が存在しない。この場合、垂直方向は、横方向に直角な方向を意味する。開口部は、一例として、少なくとも1つの側面領域を有する。開口部の少なくとも1つの側面領域は、少なくとも一部分を電気的絶縁材料によって形成することができる。本方法の少なくとも一実施形態によると、次のステップfにおいて、電気的絶縁層の上と、開口部の少なくとも一部分とに、導電性材料を配置し、導電性材料は、コンタクト領域を接続領域に導電接続する。すなわち、導電性材料は、オプトエレクトロニクス部品をキャリアの接続領域に導電接続し、この場合、導電性材料は、オプトエレクトロニクス部品と接続領域との間、キャリアとは反対側の電気的絶縁層の外面の少なくとも一部分に延在している。この場合、導電性材料は、電気的絶縁層の外側領域の一部分の上に直接塗布することができる。導電性材料は、一例として、金属または導電性接着剤によって形成される。オプトエレクトロニクス部品とキャリアの接続領域との間の導電接続は、完全に導電性材料によって形成されることが好ましい。開口部は、一例として、導電性材料によって完全に満たされている。少なくとも一実施形態によると、最初のステップaにおいて、キャリアを形成し、このキャリアは、上面と、キャリアの上面とは反対側に位置する下面と、キャリアの上面に配置される少なくとも1つの接続領域とを有する。次のステップbにおいて、キャリアの上面に少なくとも1個のオプトエレクトロニクス部品を貼り付け、オプトエレクトロニクス部品は、キャリアとは反対側に少なくとも1つのコンタクト領域を有する。次のステップcにおいて、コンタクト領域と接続領域とに電気的絶縁材料を塗布し、電気的絶縁材料には充填材の異質粒子が存在しない。さらなるステップdにおいて、電気的絶縁材料の露出した領域と、オプトエレクトロニクス部品の露出した領域と、キャリアの露出した領域とに、電気的絶縁層を形成し、電気的絶縁層は、充填材の異質粒子を、事前定義可能な濃度で含んでいる。次のステップeにおいて、コンタクト領域の上の領域と、接続領域の上の領域とにおいて、少なくとも電気的絶縁材料を除去し、これによって電気的絶縁材料における少なくとも2つの開口部を形成する。次のステップfにおいて、電気的絶縁層の上と、開口部の少なくとも一部分とに、導電性材料を配置し、導電性材料は、コンタクト領域を接続領域に導電接続する。この場合、オプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための本発明の方法は、特に、以下の洞察に基づいている。すなわち、事前定義可能な濃度で充填材の異質粒子を含んでいる電気的絶縁層を除去することによって、オプトエレクトロニクス部品の電気コンタクトを露出させる方法では、電気的絶縁層を除去した後に、コンタクトの接触領域に充填材の異質粒子の残渣が残ることがある。接触領域に残る充填材の異質粒子の残渣に起因して、オプトエレクトロニクス部品の電気的接触の接続性が低下することがある。さらには、充填材の残留異質粒子によって、オプトエレクトロニクス部品のコンタクト領域が損傷することがある。したがって、オプトエレクトロニクス半導体部品を製造する方法として、オプトエレクトロニクス部品の電気コンタクトの損傷を回避できると同時に、電気的接触の接続性が改善される製造方法を開示する目的で、本発明の方法は、特に、以下の発想を利用する。すなわち、オプトエレクトロニクス部品の電気コンタクトに電気的絶縁材料を塗布し、この電気的絶縁材料には充填材の異質粒子が存在しない。さらなるステップにおいて、電気的絶縁材料の露出した領域に電気的絶縁層を形成し、この電気的絶縁層には、充填材の異質粒子が事前定義可能な濃度で含まれている。言い換えれば、充填材の異質粒子が存在しない電気的絶縁材料が、電気コンタクトと電気的絶縁層との間に配置されている。すなわち、オプトエレクトロニクス部品の電気コンタクトの接触領域に直接接触するのは、電気的絶縁材料のみである。言い換えれば、電気コンタクトを露出させるとき、電気的絶縁材料が、異質粒子と電気コンタクトとの間のスペーサとしての役割を果たす。したがって、電気コンタクトと充填材の異質粒子とが直接接触することが回避される。したがって、電気コンタクトの上の領域において電気的絶縁材料を除去するとき、除去後にコンタクト領域上に残る充填材の異質粒子の残渣を最小限にすることが可能である。結果として、本方法においては、オプトエレクトロニクス部品の電気コンタクトの損傷を回避することが可能であり、これにより、オプトエレクトロニクス半導体部品の寿命が延びるのみならず、例えば、半導体部品の光出力を高めることも可能である。本方法の少なくとも一実施形態によると、電気的絶縁材料および電気的絶縁層は、同一の材料を含んでいる。一例として、電気的絶縁層および電気的絶縁材料は、充填材の異質粒子を除いて、同一の材料によって形成されている。これにより、例えば、電気的絶縁層が電気的絶縁材料から横方向に剥離することが回避され、これは有利である。なぜなら、充填材の異質粒子を除いて、電気的絶縁層と電気的絶縁材料の互いに隣接する界面が、最大限に類似する特性を有するためである。一例として、電気的絶縁材料の熱膨張係数と、電気的絶縁層の熱膨張係数は、一致している。少なくとも一実施形態によると、コンタクト領域の上の領域、もしくは接続領域の上の領域、またはその両方において、電気的絶縁層が除去され、これによって開口部が形成される。電気的絶縁層は、一例として、電気的絶縁材料の露出した領域すべてと、オプトエレクトロニクス部品の露出した領域とを、完全に覆っている。さらに、例えば、キャリアの上面における露出した領域すべても、電気的絶縁層によって完全に覆われている。開口部は、電気的絶縁層および電気的絶縁材料の両方を貫いて、垂直方向に途切れなしに連続的に延びている。開口部の側面領域は、電気的絶縁材料と電気的絶縁層の両方によって形成されている。少なくとも一実施形態によると、電気的絶縁層は、少なくとも1種類のルミネセンス変換材料を含んでいる。ルミネセンス変換材料は、主としてオプトエレクトロニクス部品において生成された電磁放射の少なくとも一部分を、異なる波長を有する電磁放射に変換する役割を果たす。本方法の少なくとも一実施形態によると、ステップdの前に、オプトエレクトロニクス部品の放射通過領域の少なくとも一部分に電気的絶縁材料が塗布され、電気的絶縁材料は放射に対して透過性である。例えば、電気的絶縁材料は透明である。例えば、オプトエレクトロニクス部品において生成された電磁放射が、放射通過領域を介してオプトエレクトロニクス部品から取り出される、または、放射通過領域を通じてオプトエレクトロニクス部品に入った電磁放射が、オプトエレクトロニクス部品によって検出される。放射に対して透過性とは、特に、電気的絶縁材料が、電磁放射の少なくとも80、好ましくは90以上を透過させることを意味する。電気的絶縁層は、一例として、横方向において電気的絶縁材料に直接隣接している。このことは、電気的絶縁層が、電気的絶縁材料もしくはオプトエレクトロニクス部品またはその両方を、部分的または完全に囲んでいることを意味する。少なくとも一実施形態によると、次いで、ステップdの前に、オプトエレクトロニクス部品とは反対側の電気的絶縁材料の外側領域に、少なくとも1層の変換層を形成する。オプトエレクトロニクス部品と変換層は、垂直方向において少なくとも一部分が重なっていることが好ましい。この場合、重なっているとは、垂直方向に直交する仮想平面上にオプトエレクトロニクス部品および変換層を数学的に投影するmathematicalprojectionsとき、それぞれの少なくとも一部分が合致することを意味する。変換層は、主としてオプトエレクトロニクス部品において生成された電磁放射の少なくとも一部分を、異なる波長を有する電磁放射に変換する役割を果たす。本方法の少なくとも一実施形態によると、電気的絶縁層は、放射に対して反射性、または放射に対して吸収性であり、電気的絶縁層は、オプトエレクトロニクス部品の露出した領域と、電気的絶縁材料の露出した領域と、変換層の露出した領域とに、形成される。放射に対して反射性とは、特に、電気的絶縁層が、自身に入射する電磁放射の少なくとも80、好ましくは90以上を反射することを意味する。電気的絶縁層は、一例として、外部の観察者から白色に見える。この目的のため、一例として、放射に対して反射性の粒子を電気的絶縁層の中に導入し、この粒子は、例えば、TiO2、BaSO4、ZnO、AlxOyのうちの少なくとも1種類の材料によって形成されている、またはこれらの材料のうちの1種類を含んでいる。放射に対して反射性の粒子は、例えば、少なくとも20重量、最大で50重量の濃度で例えば30重量の濃度で、電気的絶縁層の中に導入する。電気的絶縁層が放射に対して吸収性である場合、電気的絶縁層は外部の観察者から黒またはそれ以外の色に見える。この場合、例えば、電気的絶縁層にカーボンブラック粒子を導入する。オプトエレクトロニクス部品とは反対側の変換層の外側領域には、電気的絶縁層が存在しないままである。存在しないとは、オプトエレクトロニクス部品とは反対側の変換層の外側領域が、電気的絶縁層によって覆われておらず、かつ、垂直方向において変換層の下流に電気的絶縁層が配置されていないことを意味する。したがって、放射は、電気的絶縁層に当たることなく、妨げられずに変換層から出ることができる。電気的絶縁層の材料残渣は、製造公差の範囲内で、変換層の外側領域に存在していてもよいが、材料残渣によって覆われる外側領域は、最大で10、好ましくは最大で5である。本方法の少なくとも一実施形態によると、コンタクト領域の上の領域において変換層が除去され、これによって、開口部の少なくとも1つが形成される。言い換えれば、この開口部は、変換層および電気的絶縁材料の両方を貫いて、垂直方向に途切れなしに連続的に延びている。コンタクト領域の上の開口部の側面領域は、一例として、その全体が変換層および電気的絶縁材料によって形成されている。本方法の少なくとも一実施形態によると、変換層は、垂直方向において電気的絶縁層と同じ高さにある。すなわち、横方向において変換層と電気的絶縁層との間に隙間および中断部のいずれも形成されていない。一例として、変換層と電気的絶縁層によって、途切れのない連続的な平面が形成されている。変換層は外側から見えて、例えば外部の観察者から何らかの色に見えることが好ましい。少なくとも一実施形態によると、ステップcの前に、キャリアの上面における少なくとも1つの電子素子を、横方向においてオプトエレクトロニクス部品から隔てて、キャリアに配置する。この場合、キャリアに電子素子を配置した後、最初に、電子素子の露出した領域に電気的絶縁材料を塗布し、次いで、電気的絶縁材料の露出した領域に電気的絶縁層を形成する。電子素子との接触は、例えば、オプトエレクトロニクス部品の場合と同様に形成される。すなわち、開口部を介して電子素子との接触を形成し、この開口部は、電気的絶縁材料もしくは電気的絶縁層またはその両方に形成され、その少なくとも一部分に導電性材料が配置される。電子素子は、一例として、静電帯電に起因する損傷に対する保護回路ESD保護回路とも称するを含んでいる、または、このような保護回路である。一例として、電子素子は、接触を形成する役割を果たす開口部を除いて、電気的絶縁材料によって、確実に係止された状態で完全に覆われている。さらに、この電気的絶縁材料を、電気的絶縁層によって、確実に係止した状態で覆うならば、例えば外部の観察者に対して電子素子を完全に隠す、もしくは電子素子を電気的絶縁層によって完全に覆うことができる。さらには、オプトエレクトロニクス半導体部品を開示する。本オプトエレクトロニクス半導体部品は、一例として、上に記載した1つまたは複数の実施形態に関連して説明したように、本発明の方法によって製造することができる。すなわち、本発明の方法に関して開示した特徴は、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品にもあてはまり、逆も同様である。少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品はキャリアを備え、このキャリアは、上面と、キャリアの上面とは反対側に位置する下面と、上面に配置されている少なくとも1つの接続領域と、を有する。少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、キャリアの上面に配置されている少なくとも1個のオプトエレクトロニクス部品であって、キャリアとは反対側に少なくとも1つのコンタクト領域を有する、少なくとも1個のオプトエレクトロニクス部品、を備えている。少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、オプトエレクトロニクス部品の放射通過領域上に塗布された電気的絶縁材料を備え、電気的絶縁材料には充填材の異質粒子が存在しない。少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、横方向において電気的絶縁材料に直接隣接している電気的絶縁層を備え、電気的絶縁層は、充填材の異質粒子を事前定義可能な濃度で含んでいる。少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、コンタクト領域の上において電気的絶縁材料に形成されている材料開口部materialopeningを備えている。材料開口部の横方向における境界は、一例として、材料開口部の少なくとも1つの側面領域によって形成されている。この側面領域は、その全体を電気的絶縁層によって形成することができる。材料開口部は、電気的絶縁材料を貫いて垂直方向に連続的に延びていることが好ましい。少なくとも一実施形態によると、材料開口部の領域において、コンタクト領域の少なくとも一部分には、電気的絶縁材料が存在しない。すなわち、コンタクト領域と材料開口部は、垂直方向において少なくとも一部分が重なっている。少なくとも一実施形態によると、オプトエレクトロニクス部品とは反対側の電気的絶縁材料の外側領域に、少なくとも1層の変換層が形成され、この場合、電気的絶縁層は、放射に対して反射性、または放射に対して吸収性であり、キャリアとは反対側の変換層の外側領域には、電気的絶縁層が存在しない。電気的絶縁層は、一例として、横方向において変換層とオプトエレクトロニクス部品の両方に完全に接している。一例として、電気的絶縁層は、変換層の側面領域と、オプトエレクトロニクス部品の露出した領域と、キャリアの露出した領域とを、確実に係止した状態で、完全に覆っている。少なくとも一実施形態によると、変換層に形成されている層開口部layeropeningと、電気的絶縁材料に形成されている材料開口部は、垂直方向において少なくとも一部分が合致し、層開口部と材料開口部は、1つの開口部を形成している。少なくとも一実施形態によると、接続領域の上、電気的絶縁層および電気的絶縁材料に、さらなる開口部が形成され、接続領域の少なくとも一部分には、電気的絶縁材料が存在しない。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、導電性材料を備え、この導電性材料は、キャリアとは反対側の電気的絶縁層の面の一部分と、開口部の少なくとも一部分とに配置され、コンタクト領域を接続領域に導電接続している。以下では、本発明の方法および本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品について、例示的な実施形態および関連する図面に基づいて、さらに詳しく説明する。例示的な実施形態および図面において、同じ構成要素または同じ機能の構成要素には、同じ参照数字を付してある。図示した要素は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。図1Aは、本発明の方法のステップaおよびステップbを示し、最初にキャリア1を形成し、このキャリア1は、上面12と、キャリア1の上面12とは反対側に位置する下面11とを有する。キャリア1は、例えば、セラミック材料によって形成される。キャリア1の導体トラック121,123は、キャリア1の上面12および下面11における領域の一部を形成している。最初に、キャリア1の下面11とは反対側の導体トラック121の外側領域上に、電気コンタクト層122を形成する。この電気コンタクト層122にオプトエレクトロニクス部品2を貼り付ける。オプトエレクトロニクス部品2は、キャリア1とは反対側にコンタクト領域22を有する。オプトエレクトロニクス部品2は、紫外線放射または可視光を放出する放射放出半導体チップとすることができる。横方向L1においてオプトエレクトロニクス部品2から隔てて、コンタクト層122の上に電子素子9を貼り付ける。電子素子9は、キャリア1とは反対側にコンタクト領域91を有する。電子素子9との電気的接触と、オプトエレクトロニクス部品2との電気的接触は、一例として、これらの両方を、めっきスルーホールによって、導体トラック123を介して形成することができる。このようなめっきスルーホールは、一例として、キャリア1の上面12から、キャリアの下面11の方向に、キャリア1を完全に貫いて延びている。完成後のオプトエレクトロニクス半導体部品100は、一例として、このようなめっきスルーホールを使用することで、表面実装可能である。図1Bは、キャリア1および電子素子9を、横方向L2に沿って示している。横方向L1および横方向L2は、キャリア1の主延在面に平行な仮想平面内にある。この場合、横方向L1および横方向L2は、この平面内で互いに直交している。図1Bに示したように、接続領域13は、キャリア1とは反対側の導体トラック121の外側領域上に、横方向L2において電子素子9から隔てて形成され、この場合、垂直方向Vにおいて接続領域13と導体トラック121との間に電気コンタクト材料122が配置されている。図2Aは、次のステップcにおけるキャリア1を、図1Bと同様に横方向L2に沿って示し、接続領域13の露出した領域すべてと、電気コンタクト材料122の露出した領域と、さらには電子素子9およびコンタクト領域91に、放射に対して透過性の電気的絶縁材料3を塗布する。この塗布は、一例として、ディスペンシング、噴射、またはポッティングによって行うことができる。電気的絶縁材料3には、充填材41の異質粒子42が存在しない。この実施形態の場合、電気的絶縁材料3はシリコーンによって形成される。図2Bは、キャリア1を横方向L1に沿って示し、オプトエレクトロニクス部品2の放射通過領域23と、オプトエレクトロニクス部品2のコンタクト領域22と、電子素子9およびコンタクト領域91の露出した領域すべてとが、電気的絶縁材料3によって完全に覆われている。図3に示したように、次のステップにおいて、オプトエレクトロニクス部品2とは反対側の電気的絶縁材料3の外側領域32に、変換層6を形成する。図4Aに示したように、次のステップdにおいて、電気的絶縁材料3の露出した領域すべてと、オプトエレクトロニクス部品2の露出した領域と、さらにはキャリア1の上面12における領域とに、電気的絶縁層4を形成する。電気的絶縁層4は、上に挙げた領域を、確実に係止した状態で覆っていることが好ましい。電気的絶縁層は、充填材41の異質粒子42を備えている。この実施形態の場合、電気的絶縁層は、マトリックス材料例えば、シリコーン、エポキシド、またはシリコーンとエポキシドからなる混合物などによって形成され、マトリックス材料の中には、事前定義可能な濃度で充填材41が導入されている。図4Aに示した例示的な実施形態においては、充填材41は放射に対して反射性の材料であり、この場合、異質粒子42は放射に対して反射性の粒子であり、特に、TiO2によって形成することができる。言い換えれば、電気的絶縁層4は、外部の観察者からは白色に見える。この場合、キャリア1およびオプトエレクトロニクス部品2の領域のうち電気的絶縁層4によって覆われている領域と、電子素子9は、完全に隠れている。電気的絶縁層4は、垂直方向Vにおいて変換層6と同じ高さにある。この場合、オプトエレクトロニクス部品2とは反対側の変換層6の外側領域62には、電気的絶縁層4が存在しない。図4Bは、図4Aに示したアセンブリを横方向L2に沿って示し、このアセンブリは、キャリア1と、オプトエレクトロニクス部品2と、電子素子9と、電気的絶縁材料3および電気的絶縁層4とからなる。図4Bにおいて理解できるように、接続領域13も、電気的絶縁材料3によって、確実に係止された状態で完全に覆われ、この場合も、電気的絶縁材料3の露出した領域すべてが、電気的絶縁層4によって、確実に係止された状態で覆われている。図5Aは、さらなるステップeおよびステップfを示している。最初に、垂直方向Vにおいてオプトエレクトロニクス部品2のコンタクト領域22の上と、電子素子9のコンタクト領域91の上の両方において、電気的絶縁材料3および電気的絶縁層4を除去する。開口部5が形成されることで、コンタクト領域22およびコンタクト領域91の少なくとも一部分には、電気的絶縁層4および電気的絶縁材料3が存在しない。次のステップfにおいて、これらの開口部に導電性材料8を配置し、導電性材料8は開口部5を完全に満たす。さらに図から理解できるように、キャリア1とは反対側の電気的絶縁層4の外側領域の一部にも、導電性材料8を配置する。ステップeおよびステップfを行った後、オプトエレクトロニクス半導体部品100を完成させることができる。図5Bは、図5Aに示したオプトエレクトロニクス半導体部品100を、横方向L2に沿って示している。この場合、図から理解できるように、接続領域13の上にも、電気的絶縁層4および電気的絶縁材料3を貫く開口部5が、垂直方向Vに形成されている。この開口部5に導電性材料8が配置され、この場合も、導電性材料8は、接続領域13の上に形成されている開口部5を完全に満たしている。図5Cは、図5Aおよび図5Bに示したオプトエレクトロニクス半導体部品100を概略平面図として示している。図から理解できるように、導電性材料8は、電子素子9のコンタクト領域91と、オプトエレクトロニクス部品2のコンタクト領域22の両方を、それぞれ接続領域13に電気的に接触接続し、接続領域13と2つのコンタクト領域22,91との間に、横方向L2に連続的に延在している。図6は、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品100を、横方向L2に沿って断面図として示している。このオプトエレクトロニクス半導体部品100は、上面12と、上面12とは反対側に位置する下面11とを有するキャリア1を備えている。さらに、オプトエレクトロニクス半導体部品100は、上面12に配置されている接続領域13を備えている。キャリア1とは反対側の導体トラック121の外側領域上には、コンタクト層122が形成されている。コンタクト層122にオプトエレクトロニクス部品2が貼り付けられている。オプトエレクトロニクス部品2は、キャリア1とは反対側にコンタクト領域22を有する。さらには、オプトエレクトロニクス部品2の放射通過領域23に電気的絶縁材料3が塗布され、放射通過領域23を完全に覆っている。さらに、図6において理解できるように、オプトエレクトロニクス部品2とは反対側の電気的絶縁材料3の外側領域32に、変換層6が形成されている。コンタクト領域22の上において電気的絶縁材料3に材料開口部51が形成されている結果として、コンタクト領域22の少なくとも一部分には電気的絶縁材料3が存在しない。さらに、材料開口部51の上に、垂直方向Vに、変換層6に層開口部52が形成され、この層開口部は、垂直方向Vにおいて材料開口部51と合致している。層開口部51および材料開口部52によって、途切れのない連続的な開口部5が形成されている。さらには、接続領域13の上にも、電気的絶縁層4および電気的絶縁材料3に、垂直方向Vにさらなる開口部5’が形成され、したがってこの場合も、接続領域13の少なくとも一部分には、電気的絶縁材料3が存在しない。コンタクト領域22と接続領域13との間には、キャリア1とは反対側の電気的絶縁層4の面の上に直接的に、導電性材料8が横方向L2に連続的に延在している。この場合、導電性材料8は、開口部5および開口部5’の中に配置され、これらを完全に満たしている。すなわち、導電性材料8は、コンタクト領域22を接続領域13に導電接続している。電気的絶縁層4は、放射に対して反射性、または放射に対して吸収性であり、キャリア1とは反対側の変換層6の外側領域62と、垂直方向Vにおいて同じ高さにあり、外側領域62には電気的絶縁層4が存在しない。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含し、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102010044560.6号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に援用される。"