貫通孔が形成された第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に設けられた第2導電型の不純物拡散層と、前記半導体基板の一面側において前記不純物拡散層と電気的に接続して設けられた受光面電極と、前記貫通孔を介して前記半導体基板の他面側に引き出されて前記受光面電極に電気的に接続して設けられた引き出し電極と、前記半導体基板の他面側において前記半導体基板と電気的に接続するとともに前記引き出し電極と電気的に分離された裏面電極と、を備え、前記引き出し電極は、前記貫通孔の内部に単体金属からなる金属部材が充填されて構成され、導電性材料を介して前記受光面電極に電気的に接続されること、を特徴とする太陽電池。前記金属部材は、平坦部の一面上に少なくとも一つの突起部が設けられて構成され、前記突起部が前記貫通孔に充填され、前記平坦部の一面側が前記半導体基板の他面側に当接して配置されること、を特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記金属部材は、前記平坦部の一面上に所定の間隔をおいて複数個の前記突起部が形成され、前記突起部間に働く応力を緩和する応力緩和構造を有すること、を特徴とする請求項2に記載の太陽電池。前記金属部材は、少なくとも前記平坦部における前記半導体基板の他面側との当接面が絶縁膜で被覆されていること、を特徴とする請求項2または3に記載の太陽電池。前記金属部材は、前記突起部の上面および前記平坦部の他面の一部を除いた全面が絶縁膜で被覆されていること、を特徴とする請求項4に記載の太陽電池。前記裏面電極が前記半導体基板の他面側の全面に形成されていること、を特徴とする請求項5に記載の太陽電池。前記裏面電極が前記貫通孔の周辺部を除いた前記半導体基板の他面側の全面に形成され、前記引き出し電極と裏面電極とを電気的に分離する分離溝を前記周縁部に備えること、を特徴とする請求項4に記載の太陽電池。前記金属部材は、前記突起部の上面が粗面化されていること、を特徴とする請求項2~7のいずれか1つに記載の太陽電池。前記金属部材が一対の雄型部材および雌型部材からなり、前記雄型部材と前記雌型部材とにより前記半導体基板を挟むことにより前記金属部材と前記半導体基板とが固定されること、を特徴とする請求項2~7のいずれか1つに記載の太陽電池。前記平坦部の一面側が接着剤により前記半導体基板の他面側に固定されること、を特徴とする請求項2~7のいずれか1つに記載の太陽電池。前記単体金属が、銅を主体とする銅系金属であること、を特徴とする請求項1~10のいずれか1つに記載の太陽電池。第1導電型の半導体基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記半導体基板の一面側に第2導電型の不純物拡散層を形成する不純物拡散層形成工程と、前記半導体基板の一面側において前記不純物拡散層と電気的に接続する受光面電極を形成する受光面電極形成工程と、前記貫通孔を介して前記半導体基板の他面側に引き出された引き出し電極を形成する引き出し電極形成工程と、前記受光面電極と前記引き出し電極とを導電性材料を介して電気的に接続する接続工程と、前記半導体基板の他面側において前記半導体基板と電気的に接続する裏面電極を形成する裏面電極形成工程と、を含み、前記引き出し電極形成工程では、単体金属からなる金属部材を前記貫通孔に充填すること、を特徴とする太陽電池の製造方法。前記金属部材は、平坦部の一面上に少なくとも一つの突起部が設けられて構成され、前記突起部が前記貫通孔に充填され、前記平坦部の一面側が前記半導体基板の他面側に当接して配置されること、を特徴とする請求項12に記載の太陽電池の製造方法。前記金属部材は、前記平坦部の一面上に所定の間隔をおいて複数個の前記突起部が形成され、前記突起部間に働く応力を緩和する応力緩和構造を有すること、を特徴とする請求項13に記載の太陽電池の製造方法。前記金属部材は、少なくとも前記平坦部における前記半導体基板の他面側との当接面が絶縁膜で被覆されていること、を特徴とする請求項13または14に記載の太陽電池の製造方法。前記金属部材は、前記突起部の上面および前記平坦部の他面の一部を除いた全面が絶縁膜で被覆されていること、を特徴とする請求項15に記載の太陽電池の製造方法。前記裏面電極を前記半導体基板の他面側の全面に形成すること、を特徴とする請求項16に記載の太陽電池の製造方法。前記裏面電極を前記貫通孔の周辺部を除いた前記半導体基板の他面側の全面に形成し、前記引き出し電極と裏面電極とを電気的に分離する分離溝を前記周縁部に形成すること、を特徴とする請求項15に記載の太陽電池の製造方法。前記金属部材は、前記突起部の上面が粗面化されていること、を特徴とする請求項13~18のいずれか1つに記載の太陽電池の製造方法。前記金属部材が一対の雄型部材および雌型部材からなり、前記雄型部材と前記雌型部材とにより前記半導体基板を挟んで前記金属部材と前記半導体基板とを固定すること、を特徴とする請求項13~18のいずれか1つに記載の太陽電池の製造方法。前記平坦部の一面側を接着剤により前記半導体基板の他面側に固定すること、を特徴とする請求項13~18のいずれか1つに記載の太陽電池の製造方法。前記単体金属が、銅を主体とする銅系金属であること、を特徴とする請求項12~21のいずれか1つに記載の太陽電池の製造方法。請求項1~11のいずれか1つに記載の構造を有する太陽電池セルの少なくとも2つ以上が電気的に直列または並列に接続されてなること、を特徴とする太陽電池モジュール。以上のプロセスを踏まえて前述のスルーホールの径が大きく、且つ、数多くのスルーホールを開けるという方針を考えると、この方針は実用性に乏しいことがわかる。何故ならば、スルーホールの形成はレーザーを用いた枚葉処理であり、スルーホールの数が多くなるほど生産性は落ちるからである。したがって、小さいスルーホールを数多く開けるよりも、数は少ないものの大きなスルーホールを開ける方が実用的であると言えるが、ここでもまた問題が生じる。MWTセルの場合は、導電性ペーストをスルーホールに充填することによって表面電極を裏面側に配置するが、充填したペーストをスルーホール内に保持し、そのまま硬化させる、または焼成しなくてはならない。しかしながら、導電性ペーストの粘度が高すぎる場合には、裏面から印刷した導電性ペーストと表面から印刷した導電性ペーストとがスルーホール内で接触し難くなる。また、導電性ペーストの粘度が低すぎる場合には、スルーホール内に導電性ペーストを保持できないため、スルーホールの抵抗が増加する。更に、導電性ペーストの粘度が低い場合においては、印刷ステージを汚す可能性が高くなり、生産性にも悪影響を与える。このような問題を解決するために、特許文献4では、スルーホールに導電性ペーストを充填する際、基板の裏面に配置した支持体によりスルーホールの裏面を覆い、印刷、乾燥させる事でスルーホール内にペーストを保持させる。特許文献4の方法によれば、スルーホール内に導電性ペーストを保持でき、スルーホールでの抵抗損失を減らすことが可能である。しかしながら、導電性ペーストの抵抗率は同種の金属よりも抵抗率が1桁以上も大きく、このため、スルーホール全体に導電性ペーストが充填されたとしても、十分に抵抗を下げる事ができず光電変換効率が低下する、という問題がある。なお、EWTセルの場合にはスルーホール内の導電に拡散層を利用するのでこのような問題は生じない。しかし、拡散層の抵抗率と導電性ペーストの抵抗率とを比べると、後者の方が圧倒的に小さいため、MWTセルの方が高い変換効率が得られると考えられており、現時点ではMWTセルの検討の方が盛んである。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、光電変換効率に優れ、且つ生産性の高い太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュールを得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池は、貫通孔が形成された第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に設けられた第2導電型の不純物拡散層と、前記半導体基板の一面側において前記不純物拡散層と電気的に接続して設けられた受光面電極と、前記貫通孔を介して前記半導体基板の他面側に引き出されて前記受光面電極に電気的に接続して設けられた引き出し電極と、前記半導体基板の他面側において前記半導体基板と電気的に接続するとともに前記引き出し電極と電気的に分離された裏面電極と、を備え、前記引き出し電極は、前記貫通孔の内部に単体金属からなる金属部材が充填されて構成され、導電性材料を介して前記受光面電極に電気的に接続されること、を特徴とする。本発明によれば、光電変換効率に優れ、且つ生産性の高い太陽電池が得られる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。また、平面図であっても、図面を見易くするためにハッチングを付す場合がある。実施の形態1.図1-1は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セル1を受光面から見た平面図である。図1-2は、太陽電池セルを受光面と反対側の面裏面から見た平面図である。図1-3は、図1-1の線分A-Aにおける要部断面図である。実施の形態1にかかる太陽電池セル1は、スルーホール貫通穴を介して表面電極を裏面に引き出して配置した構造を有するMWTセルである。太陽電池セル1は、複数のスルーホール貫通孔Hが設けられたシリコン基板10の受光面上に反射防止膜14と受光面電極21とを有する。シリコン基板10は、p型のシリコン基板11と、シリコン基板10の受光面側の表面に設けられてn型の不純物が拡散されたn型不純物拡散層12と、シリコン基板10の裏面側の表面に設けられて高濃度不純物を含んだp層BackSurfaceField:BSF層13とを有する。n型不純物拡散層12は、その一部がスルーホールHの内面およびシリコン基板10の裏面におけるスルーホールの周囲の領域まで回り込んで形成されている。受光面電極21は、シリコン基板10の受光面側においてn型不純物拡散層12に電気的に接続する表面n電極であり、いわゆるグリッド電極である。反射防止膜14は、受光面電極21がファイヤースルーを用いて形成されているため、シリコン基板10の受光面側において受光面電極21の下部には殆ど存在せず、受光面電極21の下部以外の領域に存在する。図1-3では、シリコン基板10との位置関係を示すために参考に図示している。シリコン基板10のスルーホールHには、裏面n電極である引き出し電極22が埋設されている。引き出し電極22は、受光面電極21に電気的に接続しており、スルーホールHを介してシリコン基板10の裏面側に引き出されている。なお、図1-1では、反射防止膜14を透過させて引き出し電極22を示している。図2-1は、引き出し電極22を構成する金属部材である金属プラグの外観を示す斜視図である。すなわち、引き出し電極22は、スルーホールHの内部に単体金属からなる金属プラグが充填されて構成されている。金属プラグは、平坦部221の一面上に円柱状の複数の突起部222が設けられて構成されている。突起部222は、シリコン基板10の面内において図1-1の線分A-Aと直交する方向において隣接するスルーホールH同士の間隔と同じ所定の間隔で平坦部221の一面上に設けられている。そして、突起部222がスルーホールHに充填され、平坦部221の一面側がシリコン基板10の裏面n型不純物拡散層12に当接して配置されている。ここで、単体金属とは不導電性の不純物を含有しない金属であり、合金も含む。また、金属プラグは、突起部の上面222aが受光面電極21と電気的に接続するため、半田や受光面電極21の電極材料ペーストとの接合性が良好な材料が好ましい。そして、単体金属は、引き出し電極が銀Ag、ガラスなどを含む電極材料ペーストから形成される場合よりも引き出し電極22の抵抗率を低減するために、抵抗率が低い材料が好ましい。このような材料としては、例えば銅Cuを主体とする銅系材料、銀Agを主体とする銀系材料、ニッケルNiを主体とするニッケル系材料などが挙げられる。その中でも、銅系材料は安価であり、金属プラグの材料として好ましい。金属プラグの表面は、平坦部221の他面の一部に設けられた接続領域221aおよび突起部の上面222aを除いた全面が絶縁膜図示せずで被覆されている。すなわち、突起部の上面222aおよび接続領域221aは、絶縁膜が被覆されていない。接続領域221aは、太陽電池セルなどの外部部材と引き出し電極22との電気的相互接続をするための領域である。接続領域221aには、半田や導電性接着剤を介して導電性のタブ等が接続される。なお、接続領域221aの位置は、外部部材との電気的相互接続の方法により柔軟に対応するものであって、設置場所を限定するものではない。また、絶縁膜は、少なくとも平坦部221におけるシリコン基板10の裏面側との当接面を被覆していればよい。図2-1に示した金属プラグでは、平坦部221の一面上に複数の突起部222が形成され、金属プラグの長手方向における平坦部221の端部側の他面中央部に接続領域221aが設けられている。これは、金属プラグの一形態であり、金属プラグは例えば図2-2に示すように平坦部221の一面上に一つの突起部222が形成された形態とされてもよい。図2-2は、引き出し電極22を構成する他の金属プラグの外観を示す斜視図である。図2-2に示すような金属プラグの場合は、各スルーホールHに充填された各金属プラグの接続領域221a同士が半田や導電性接着剤を介して導電性のタブが電気的に相互接続される。シリコン基板10の裏面上には、シリコン基板10のうちp型の導電型を有するBSF層13に電気的に接続する裏面p電極24と、裏面p電極24の表面上の所定領域に設けられた接続用裏面p電極25とを備えている。裏面p電極24は、アルミニウムを主体とする電極材料ペーストを印刷焼成して形成されたアルミニウム電極である。接続用裏面p電極25は、銀を主体とする電極材料ペーストを印刷焼成して形成された銀電極である。裏面p電極24と接続用裏面p電極25とによりp電極23が構成される。また、裏面p電極24と引き出し電極22とは、シリコン基板10の裏面に回り込んだn型不純物拡散層12の表面からシリコン基板11の内部まで達するpn分離溝51により電気的に分離されている。なお、図1-1においては理解の容易のため受光面電極21が5本設けられた例を示しているが、実際にはより多くの本数の受光面電極21が設けられる。また、図1-1においては各受光面電極21に対して2つの引き出し電極22が設けられているが、受光面電極21の本数と引き出し電極22の数との対応は、受光面電極21の本数等により柔軟に対応するものであって、設置数を限定するものではない。すなわち、例えば10本の受光面電極21に対して引き出し電極22が1つ設けられる等の形態としてもよい。つぎに、実施の形態1にかかる太陽電池セル1の製造方法について図3-1~図3-7、図4を参照して説明する。図3-1~図3-7は、実施の形態1にかかる太陽電池セル1の製造方法を示す要部断面図である。図4は、実施の形態1にかかる太陽電池セル1の製造方法を示すフローチャートである。なお、ここではp型のシリコン基板の使用を仮定しているが、拡散材料を適切なものに変更すれば、n型のシリコン基板を適用しても同様の太陽電池セルが作製できる。まず、p型のシリコン基板11以下、基板11と呼ぶ場合があるの所定の位置に、円筒状のスルーホールHを形成する図3-1、ステップS10。なお、スルーホールHの形成方法は特に限定されず、例えばレーザーを用いて形成することが可能である。また、スルーホールHの形状も特に限定されない。レーザーを用いてスルーホールHを形成する場合は、径の小さいスルーホールHを数多く開けるよりも、数は少ないものの径の大きなスルーホールHを開ける方が生産性の観点から有利である。つぎに、基板11の表面にテクスチャーと呼ばれる微小凹凸を形成し、またスルーホールHの周辺部のダメージ層を除去するステップS20。テクスチャーにより太陽電池の表面反射率は低減し、高い光電変換効率を得ることができる。一般に結晶系シリコン太陽電池のテクスチャーの形成にはウェットエッチングが用いられる。ウェットエッチングによるテクスチャーの形成時に、基板スライス時のダメージが除去されるとともに、スルーホールHの形成時にレーザーにより導入されたスルーホールHの周辺部のダメージ層も除去される。ドライエッチングによってテクスチャーを形成する場合でもテクスチャーの形成前にアルカリによるスライスダメージの除去工程があり、そこでスルーホールの周辺部のダメージ層は除去される。つぎに、基板11をオキシ塩化リンPOCl3ガス雰囲気中で加熱することにより、基板11の表面にリンPが拡散したn型不純物拡散層12以下、拡散層12と呼ぶ場合があるを形成して半導体pn接合を形成する。そして、拡散層12の形成直後の表面には拡散処理中に表面に堆積したガラス質燐珪酸ガラス、PSG:PhosphoSilicateGlass層が形成されている。このため、基板11をフッ酸水溶液等に浸漬してPSG層をエッチング除去する図3-2、ステップS30。なお、SODを用いて拡散層12を形成しても構わない。つぎに、基板11の受光面側に反射防止膜14として例えばプラズマCVDPECVD法により窒化シリコンSiN膜PECVD-SiN膜を形成する図3-3、ステップS40。なお、基板11が単結晶Si基板であれば、反射防止膜14としてシリコン熱酸化膜SiO2を使用する選択肢もある。また、SODとしてリンPがドープされた二酸化チタンTiO2を用いれば、拡散層12の形成と同時に反射防止膜14を形成するというプロセスも可能である。つぎに、p電極23を印刷する。例えばスクリーン印刷によって、基板11の裏面側にp電極23として裏面p電極24の形状に電極材料ペーストであるアルミニウムペースト24aを塗布し、さらに接続用裏面p電極25の形状に電極材料ペーストである銀ペーストを塗布し、乾燥させる図3-4、ステップS50。なお、図中ではアルミニウムペースト24aのみを示している。つぎに、突起部222がスルーホールHに収まるように、引き出し電極22となる金属プラグを基板11の裏面側から挿入設置する図3-5、ステップS60。つぎに、例えばスクリーン印刷によって、基板11の受光面側に表面n電極である受光面電極21の形状に電極材料ペーストである銀ペースト21aを塗布し、乾燥させる図3-6、ステップS70。銀ペースト21aは、スルーホールH内の金属プラグに接触するようにスルーホールHの上部を埋めて塗布される。ここで、スルーホールHは金属プラグによって塞がれているため、印刷時に銀ペースト21aがスルーホールHから漏れて印刷ステージを汚すことがない。また、金属プラグに設けられた平坦部221が、従来は印刷により形成されていた裏面n電極に相当するため、これまで必要であった裏面n電極の印刷工程を省略することができる。つぎに、基板11の表面および裏面の電極ペーストを例えば600°C~900°C程度の温度で同時に焼成することで、基板11の表側では銀ペースト21a中に含まれているガラス材料で反射防止膜14が溶融している間に銀材料がシリコンと接触し再凝固する。これにより、受光面電極21が得られ、受光面電極21と基板11のシリコンとの導通が確保される。また、スルーホールH内では、銀ペースト21a中に含まれている銀材料が金属プラグと接触し再凝固する。これにより、受光面電極21は、引き出し電極22と電気的機械的に接続されるステップS80。このように導電性ペーストにより受光面電極21と金属プラグとの電気的接続を得るので、金属プラグの突起部222の上面は粗面化されていた方が、導電性ペーストの突起部222への接続が良くなる。平坦部221に複数の突起部222が形成された金属プラグを使用した場合、焼成時に基板11と金属プラグとの熱膨張係数の差により平坦部221隣接する突起部222間に熱応力が加わり、金属プラグがたわむことが考えられる。そこで、図5に示すように平坦部221隣接する突起部222間にストレスリリース部223、すなわち平坦部221隣接する突起部222間に働く応力を緩和する応力緩和構造を設けることで金属プラグのたわみを解消できる。図5は、ストレスリリース部223を備えた金属プラグの平面図である。また、アルミニウムペースト24aも基板11のシリコンと反応して裏面p電極24が得られ、かつ裏面p電極24の直下にBSF層13が形成される。これにより、p型のシリコン基板11と、n型不純物拡散層12と、BSF層13とを有するシリコン基板10が得られる。また、銀ペースト21aの銀材料がアルミニウムと接触し再凝固して接続用裏面p電極25が得られる図3-7。なお、図中では受光面電極21、引き出し電極22および裏面p電極24のみを示している。つぎに、レーザーによるアイソレーションを行う図3-7、ステップS90。すなわち、シリコン基板10の裏面に回り込んだ拡散層12の表面からシリコン基板11の内部まで達するpn分離溝51をレーザーにより形成し、裏面p電極24と引き出し電極22とを電気的に分離する。以上の工程を経て、実施の形態1にかかる太陽電池セル1が完成する。その後、複数の太陽電池セル1が電気的に直列または並列に相互接続されて太陽電池モジュールが作製される。図6は、太陽電池セル1の相互接続方法の一例を模式的に示す断面図である。図6では、シリコン基板10の面内において図1-1の線分A-Aと直交する方向における断面を示している。図6に示すように引き出し電極22において突起部の上面222aおよび接続領域221aを除いた全面が絶縁膜224で被覆され、半田ペースト31と導電性のタブ32などの新たな部材により太陽電池セル1同士の相互接続を行う場合は、金属プラグの接続領域221aが平坦部221の他面突起部222が設置されていない側の面にある方が作業性が良い。また、裏面p電極24は、シリコン基板10の裏面においてスルーホールHを除くほぼ全面に形成できる。この場合はシリコン基板10の裏面に接している電極は裏面p電極24のみであり、BSF層の面積を広く確保することができる。このため、シリコン基板10で発生したキャリアの再結合に起因した開放電圧の低下を招き難く、高い開放電圧が得られる、という利点もある。この形態ではpn分離溝は不要である。図7は、太陽電池セル1の相互接続方法の他の例を模式的に示す断面図である。図7では、シリコン基板10の面内において図1-1の線分A-Aと直交する方向における断面を示している。図7に示すように金属プラグの平坦部221を太陽電池セル1の外側に延長して相互接続を行う場合は、接続領域221aが平坦部221の一面突起部222が設置されている側の面にある方が作業性が良い。また、裏面p電極24は、シリコン基板10の裏面においてスルーホールHを除くほぼ全面に形成できる。この場合はシリコン基板10の裏面に接している電極は裏面p電極24のみであり、BSF層の面積を広く確保することができる。このため、シリコン基板10で発生したキャリアの再結合に起因した開放電圧の低下を招き難く、高い開放電圧が得られる、という利点もある。この形態ではpn分離溝は不要である。なお、金属プラグにおける接続領域221aの配置位置は、相互接続の方法によって適宜柔軟に対応すればよい。また、半田ペースト31の代わりに導電性接着剤を使用することもできる。また、図6および図7においては引き出し電極22の接続方法に注目して示しており、太陽電池セル1の一部の部材を省略して図示している。上述した実施の形態1においては、単体金属からなる金属プラグをスルーホールHに配置し、この金属プラグを介して受光面電極21を引き出して基板11の裏面に設置する。一般に導電性ペーストは金属粒子、有機成分、ガラスフリット等で構成されているため、その抵抗率は単体金属と比較して1桁以上大きい。そこで、従来、導電性ペーストを充填して形成されていたスルーホールH内の電極を、単体金属により構成することにより、スルーホールHでの抵抗損失が低減することができ、光電変換効率の高い太陽電池セルが実現できる。また、実施の形態1においては、金属プラグをスルーホールHに配置するため、受光面電極21の形成時にスルーホールH全体に導電性ペーストを充填する必要がない。これにより、導電性ペーストの印刷が容易になる。更に金属プラグがスルーホールHに配置された状態で導電性ペーストの印刷が行われるため、印刷の際に印刷ステージを汚すことが無く、生産性を向上させることができる。したがって、実施の形態1によれば、引き出し電極22の抵抗が低く光電変換効率に優れ、且つ生産性の高い太陽電池セルが得られる。なお、上記においては、金属プラグは受光面電極21の形成に用いる導電性ペーストの接着力でのみで保持されおり、突起部222の径によっては、金属プラグの自重を支えきれないという問題が生じる可能性がある。この場合は、ストレスリリース部223を除く平坦部221の一部に接着剤を塗布し、金属プラグをシリコン基板10に固定することで対処可能である。実施の形態2.実施の形態1では導電性ペーストにより受光面電極21と金属プラグとの電気的接続を得ているが、半田ペーストの印刷およびリフローを用いてもこれらの電気的接続を得ることができる。以下、実施の形態2にかかる太陽電池セルの製造方法について図8-1~図8-8、図9を参照して説明する。図8-1~図8-8は、実施の形態2にかかる太陽電池セルの製造方法を示す要部断面図である。図9は、実施の形態2にかかる太陽電池セルの製造方法を示すフローチャートである。なお、図8-1~図8-8において、図3-1~図3-7と同様の部材については同じ符号を付している。実施の形態2にかかる太陽電池セルの製造方法において、図8-1~図8-4およびステップS10~ステップS50に示したアルミニウムペースト24aの塗布までのプロセスは、図3-1~図3-4および図4に示したプロセスと同じである。ただし、シリコン基板10の裏面においてスルーホールHを除くほぼ全面に裏面p電極24となるアルミニウムペースト24aを塗布する。なお、ここでは、接続用裏面p電極25の形成の説明は省略する。アルミニウムペースト24aの塗布後、例えばスクリーン印刷によって、基板11の受光面側に表面n電極である受光面電極21の形状に電極材料ペーストである銀ペースト21aを塗布し、乾燥させる図8-5、ステップS110。このとき、銀ペースト21aは、基板11の受光面側におけるスルーホールHの周囲の領域を除いて塗布される。つぎに、基板11の表面および裏面の電極ペーストを同時に焼成する図8-6、ステップS120。これにより、基板11の表側では銀ペースト21a中に含まれているガラス材料で反射防止膜14が溶融している間に銀材料がシリコンと接触し再凝固する。これにより、受光面電極21が得られ、受光面電極21と基板11のシリコンとの導通が確保される。この段階では、受光面電極21はスルーホールHの位置において分割されている。また、アルミニウムペースト24aも基板11のシリコンと反応して裏面p電極24が得られ、かつ裏面p電極24の直下にBSF層13が形成される。これにより、p型のシリコン基板11と、n型不純物拡散層12と、BSF層13とを有するシリコン基板10が得られる。なお、裏面p電極24は、シリコン基板10の裏面においてスルーホールHの周囲の領域を除くほぼ全面に形成される。つぎに、レーザーによるアイソレーションを行う図8-6、ステップS130。すなわち、シリコン基板10の裏面に回り込んだ拡散層12の表面からシリコン基板11の内部まで達するpn分離溝51をレーザーにより形成し、裏面p電極24と、後に形成される引き出し電極22とを電気的に分離する。つぎに、突起部222がスルーホールHに収まるように、引き出し電極22となる金属プラグを基板11の裏面側から挿入設置する図8-7、ステップS140。つぎに、基板11の表面におけるスルーホールHおよびその周辺受光面電極21の形成されていない領域に半田ペーストを印刷しステップS150、リフローを行うことにより、受光面電極21を半田33により金属プラグに電気的機械的に接続する図8-8、ステップS160。以上の工程を経て、実施の形態2にかかる太陽電池セルが完成する。上述した実施の形態2においても、スルーホールH内の電極を単体金属により構成することにより、実施の形態1の場合と同様に引き出し電極22の抵抗が低く光電変換効率に優れた太陽電池セルが得られる。また、受光面電極21の形成時にスルーホールHに導電性ペーストを充填する必要がない。これにより、導電性ペーストの印刷が容易になる。更に印刷の際に導電性ペーストで印刷ステージを汚すことが無く、生産性を向上させることができる。実施の形態3.図10-1は、従来のMWTセルを裏面から見た平面図である。図10-2は、図10-1の線分B-Bにおける要部断面図であり、スルーホールHの存在しない領域の要部断面図である。図11-1は、実施の形態3にかかる太陽電池セルを裏面から見た平面図である。図11-2は、図11-1の線分C-Cにおける要部断面図であり、スルーホールHの存在しない領域の要部断面図である。実施の形態3にかかる太陽電池セルでは、引き出し電極22である金属プラグの平坦部221は絶縁膜224で被覆されている。なお、図11-1においては、引き出し電極22の平坦部221および絶縁膜224を透過して見ている。従来のMWTセルでは、図10-1および図10-2に示すように、電極間の短絡が生じないように裏面n電極122を形成する領域には裏面p電極24が形成されていてはいけなかった。一方、図11-1および図11-2に示すような実施の形態3にかかる太陽電池セルでは、従来のMWTセルの裏面n電極122に相当する引き出し電極22である金属プラグの平坦部221は絶縁膜224で被覆されている。このため、図11-1および図11-2に示すように、裏面p電極24上に金属プラグの平坦部221が配置されても支障は無く、電極間の短絡が生じない。この場合、アイソレーションはシリコン基板10の裏面側のスルーホールHの周辺部のみに行えばよい。すなわち、図11-1に示すように、pn分離溝51は、シリコン基板10の裏面側のスルーホールHの周辺部のみに形成される。また、図10-1および図10-2に示すような従来のMWTセルの電極構造では、シリコン基板10の裏面に裏面n電極と裏面p電極との両方が接していたため裏面p電極24の形成されていない領域の直下にはBSF層が形成されず、BSF層がシリコン基板10の裏面の全面には形成されない。このため、シリコン基板10で発生したキャリアがそれぞれの電極に到達するまでに再結合してしまう確率が高く、概して図12に示すような一般的な太陽電池セルよりも開放電圧が低いという問題があった。図12は、従来の一般的な太陽電池セルの構成を模式的に示す斜視図である。図12に示す太陽電池セル100は、p型のシリコン基板101と、p型のシリコン基板101の受光面側の表面に設けられてn型の不純物が拡散されたn型不純物拡散層102とによりpn接合を形成した光電変換部を有する。また、太陽電池セル100は、n型不純物拡散層102上に反射防止膜103と櫛形の受光面電極104とを有する。受光面電極104は、バス電極105とグリッド電極106とにより構成される。また、p型のシリコン基板101の裏面の全面に裏面電極107を有し、裏面電極107覆われたp型のシリコン基板101の裏面側の表面にはBSF層108が設けられている。一方、実施の形態3にかかる太陽電池セルでは、シリコン基板10の裏面に接しているのは裏面p電極24のみであり、BSF層の面積を広く確保することができる。このため、シリコン基板10で発生したキャリアの再結合に起因した開放電圧の低下を招き難く、高い開放電圧が得られる、という利点もある。また、図1-1~図1-3に示した実施の形態1にかかる太陽電池セルでは、図10-1および図10-2の場合と同様に引き出し電極22の周囲に裏面p電極24の形成されていない領域がライン状に存在する。そして、シリコン基板10に裏面において、裏面p電極24の形成されていない領域の直下にはBSF層13が形成されず、この領域での再結合の影響が懸念される。このため、キャリアの再結合に起因した開放電圧の低下を抑制する効果は、実施の形態1にかかる太陽電池セルよりも実施の形態3にかかる太陽電池セルの方が高い。上述した実施の形態3においても、スルーホールH内の電極を単体金属により構成することにより、実施の形態1の場合と同様に引き出し電極22の抵抗が低く光電変換効率に優れた太陽電池セルが得られる。また、実施の形態3にかかる太陽電池セルでは、BSF層の面積を広く確保することができ、高い開放電圧が得られる。実施の形態4.実施の形態1~実施の形態3では金属プラグが一つの導体で形成されていたが、金属プラグは2つの部材で構成してもよい。図13は、実施の形態4にかかる金属プラグの形態を示す断面図である。図13に示す金属プラグは、一対の雄型部材41および雌型部材42からなる。雄型部材41は、実施の形態1~実施の形態3の金属プラグと同様の構成を有し、平坦部411と突起部412を有する。雄型部材41は、少なくとも平坦部441におけるシリコン基板10の裏面側との当接面が絶縁膜により被覆されている。雌型部材42は、羽根部421と円筒形の突起部422を有する。突起部422の外径は、スルーホールHの径と略同等とされる。突起部422の内径は、突起部412の外径と略同等とされる。そして、図14に示すように雌型部材42の羽根部421と雄型部材41の平坦部411とによりシリコン基板10を挟んで金属プラグとシリコン基板10とを固定し、シリコン基板10から金属プラグが抜けにくくすることができる。図14は、実施の形態4にかかる金属プラグとシリコン基板10との配置関係を示す要部断面図である。なお、図14においては金属プラグの接続方法に注目して示しており、太陽電池セル1の一部の部材を省略して図示している。このような金属プラグを用いる場合は、実施の形態2における図8-7のプロセスにおいて雌型部材42を受光面側からスルーホールHに挿入する。そして、基板11の表面におけるスルーホールHおよびその周辺受光面電極21の形成されていない領域に半田ペーストを印刷し、リフローを行うことにより、受光面電極21を半田により雌型部材42に電気的機械的に接続する。つぎに、雄型部材41を受光面側からスルーホールHに挿入し、雄型部材41と雌型部材42とを電気的機械的に接続する。なお、平坦部411の一部に接着剤を塗布し、金属プラグを基板11に固定してもよい。上述した実施の形態4においても、スルーホールH内の電極を単体金属により構成することにより、実施の形態1の場合と同様に引き出し電極22の抵抗が低く光電変換効率に優れた太陽電池セルが得られる。また、受光面電極21の形成時にスルーホールHに導電性ペーストを充填する必要がない。これにより、導電性ペーストの印刷が容易になる。更に印刷の際に導電性ペーストで印刷ステージを汚すことが無く、生産性を向上させることができる。