"基板5上に、レーザ架橋性材料を含み、未架橋または部分的に架橋された形態を示す保護層10を堆積する段階、保護層10上にトランジスタのソース電極およびドレイン電極6,7またはゲート8を形成するための導電層4を堆積する段階、導電層4をレーザエッチングし、トランジスタのソース電極およびドレイン電極6,7またはゲート8を形成する段階、誘電体層9を堆積する段階、ゲート8、またはソース電極およびドレイン電極6,7を堆積し、半導体層11がソース電極およびドレイン電極6,7の表面に堆積される段階、を含む有機トランジスタの製造方法。ゲート8、またはソース電極およびドレイン電極6,7の堆積が、導電層4’の堆積およびレーザエッチングによって実施されることを特徴とする、請求項1に記載の有機トランジスタの製造方法。誘電体層9が未架橋または部分的に架橋された形態を示すレーザ架橋性材料によって形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の有機トランジスタの製造方法。保護層10が誘電体層9と、ゲート8またはソース電極およびドレイン電極6,7との間に堆積されることを特徴とする、請求項1または2に記載の有機トランジスタの製造方法。有機トランジスタがハイゲート構造のトランジスタであり、半導体層11がソース電極およびドレイン電極6,7のレーザエッチングと誘電体層9の堆積との間に堆積されることを特徴とする、請求項1から4の何れか一項に記載の有機トランジスタの製造方法。有機トランジスタがロウゲート構造のトランジスタであり、半導体層11がソース電極およびドレイン電極6,7の堆積後に堆積されることを特徴とする、請求項1から4の何れか一項に記載の有機トランジスタの製造方法。レーザエッチングがUVレーザ、有利にはエキシマレーザによって実施されることを特徴とする、請求項1から6の何れか一項に記載の有機トランジスタの製造方法。レーザエッチングの後、保護層10、および任意に誘電体層9が架橋段階、有利には光または熱架橋を受けることを特徴とする、請求項1から7の何れか一項に記載の有機トランジスタの製造方法。未架橋または部分的に架橋された形態を示すレーザ架橋性材料が電気的に絶縁性であることを特徴とする、請求項1から8の何れか一項に記載の有機トランジスタの製造方法。未架橋または部分的に架橋された形態を示すレーザ架橋性材料が5未満の誘電率を有することを特徴とする、請求項1から9の何れか一項に記載の有機トランジスタの製造方法。未架橋または部分的に架橋された形態を示すレーザ架橋性材料が、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート、ポリウレタン、シリコン、ポリイミドおよびコポリイミド、ポリシルセスキオキサン、ポリベンゾシクロブテン、ポリケイ皮酸ビニル、ペルフルオロ脂肪族ポリマー、およびポリビニルフェノールからなる群から選択されることを特徴とする、請求項1から10の何れか一項に記載の有機トランジスタの製造方法。基板5、少なくとも部分的に架橋される材料を含む層10、ソース電極およびドレイン電極6,7、有機または無機半導体11、誘電体層9、ゲート8を含む、請求項1から5、および7から11の何れか一項に記載の方法によって製造することができる、ハイゲート構造有機トランジスタ。基板5、少なくとも部分的に架橋される材料を含む層10、ゲート8誘電体層9、ソース電極およびドレイン電極6,7、有機または無機半導体11、を含む、請求項1から4、および6から11の何れか一項に記載の方法によって製造することができる、ロウゲート構造有機トランジスタ。本発明は、レーザアブレーション法に特有のキャップ状突起、およびパターン端におけるビードの出現を低減することを可能にする。本発明は、レーザによってエッチングされることが意図される金属層を保護するための、未架橋の、または部分的に架橋された形態を示すレーザ架橋性材料の使用に基づく。言い換えれば、本発明はレーザアブレーションまたはエッチングによって金属層を構造化する方法に関し、この方法によれば保護層は、エッチングされる、またはアブレーションされる金属層の背部に配置される。より詳細には、本発明は、レーザで金属層をエッチングする方法に関し、この方法は以下の段階を含む。基板上に、レーザ架橋性材料を含み、未架橋の、または部分的に架橋された形態を示す保護層を堆積する段階、保護層上に導電層を堆積する段階、導電層をレーザエッチングする段階。本発明による方法を実行するのに適する基板は、プラスチック基板PEN、PETなど、10から200nmの間の範囲の厚みを有する金属Au、Al、Ag、Pdなどで覆われたプラスチック基板、または金属表面Au、Alまたは導電性表面例えば、PEDOTPSSであってよい。特徴的には、本発明によれば、保護層は未架橋の、または部分的に架橋された形態で現れるレーザ架橋性材料を含むか、またはレーザ架橋性材料で形成される。したがって、本発明の基本的な原則は、レーザ出力の一部を吸収することができ、それによってレーザ加工された金属層に少ない損傷を生じる材料の存在である。実は、架橋ポリマーの最終的な性質はその架橋度に依存している。完全に架橋したポリマー材料は、幾つかの架橋点しか持たず、より弾性的性質を有するポリマーと比較して硬いJ.Phys.Chem.C2009,113,11491-11506。この弾性により波を吸収することができ、低い架橋度は架橋を可能にする。言い換えれば、本発明は、アブレーションされる高さの下の層を完全に架橋しないという事実に基づく。したがって、レーザビームの過剰なエネルギーは、この保護層によって部分的に吸収され、エッチング端効果は有意に弱まる。さらに、エッチングに必要な出力によれば、アブレーションはこの出力において1ショットで、または低い出力において数ショットで、実行されてよい。そのような保護層は、典型的には10から1,500nm、有利には100から1,000nmの範囲の厚みを有する。保護層は、当業者に知られる方法、例えばスピンコーティングによって、基板上に堆積されてよい。本発明において、用語レーザLightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiationが、非常に高いコヒーレンスおよび高い指向性の出力を有する、非常に限定された単色光ビームに集中された放射を生成する装置を示すために用いられる。そのような装置は、例えば紫外範囲UVで放射を行うエキシマレーザであり、その波長は100から400nm、特に157、248、308、および351nmである。知られるように、そのような装置は一般的に対象となる層を構造化するために、またはパターンを形成するためにマスクと組み合わせて使用される。典型的には、そのような装置は、10から1,000mJ/cm2の範囲の、例えば54mJ/cm2に等しいフルエンスを有する。パルス幅は10から150nsの範囲で変化してよく、例えば30nsに等しく、パルス数も変化してよく、典型的には1から10の間である。本発明において、表現レーザ架橋性は、レーザの作用の下で、前記材料が高分子鎖間のリンクの形成によって、3次元のネットワークを形成することができることを意味する。実際には、各々、光架橋性または熱架橋性のどちらであるかに従って、UV光の作用またはレーザに関連する熱の作用の下で、結果的に材料が部分的に、または完全に架橋される。レーザへの露出の後、材料が部分的にのみ架橋された場合、特にUVランプ数百ワットの出力で数分を用いて、架橋が独立して継続され、完全な光架橋または熱架橋をもたらしてよい。典型的には、本発明において使用されるレーザ架橋性材料はポリマーである。そのような材料は、想定される用途に適用されるための他の特定の性質を有してもよい。有機トランジスタ製造において、非架橋または部分的に架橋された形態のレーザ架橋性材料は、有利には電気絶縁性である。架橋性ポリマーに関して、半導体との良好な電気的互換性を有することはさらに有利である。これを達成するために、5未満の誘電率を有する材料が好ましい。そのような材料は、例えば、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート、ポリウレタン、シリコン、ポリイミドおよびコポリイミド、ポリシルセスキオキサン、ポリベンゾシクロブテン、ポリケイ皮酸ビニル、ペルフルオロ脂肪族ポリマー、およびポリビニルフェノールからなる群から選択される。本発明の有利な用途であるトランジスタの製造において、ソースおよびドレイン電極、任意にゲートをエッチングする段階は、特に注意を有し、本発明の方法の実施を必要とする。本発明は有機トランジスタの製造方法に関し、この方法は以下の段階を含む。基板上に、レーザ架橋性材料を含み、未架橋または部分的に架橋された形態を示す保護層を堆積する段階、保護層上にトランジスタのソースおよびドレイン電極またはゲートを形成するための導電層を堆積する段階、導電層をレーザエッチングし、トランジスタのソースおよびドレイン電極またはゲートを形成する段階、誘電体層を堆積する段階、誘電体層表面に、ゲート、またはソースおよびドレイン電極を堆積する段階。この方法において、通常はトランジスタに関して、半導体層がソースおよびドレイン電極の表面にさらに堆積される。特定の実施形態によれば、方法の最後における、ゲート、またはソース電極およびドレイン電極の堆積は、導電層の堆積およびレーザエッチングによって実施される。本発明によれば、誘電体層は、未架橋または部分的に架橋された形態を示すレーザ架橋性材料によっても形成される。他の形態として、保護層が誘電体層およびゲート、またはソース電極およびドレイン電極の間に堆積される。本発明による方法は、ハイゲート構造およびロウゲート構造の双方のトランジスタを製造することを可能にする。ハイゲート構造は、典型的には以下の連続する層を含む。基板ソース電極およびドレイン電極、有機または無機半導体、ゲート誘電体、ゲート。この構造において、保護層は、基板およびドレインおよびソース電極を形成するために使用される金属層の間、および/またはゲートおよびそのゲート誘電体の間に配置される。後者の場合、誘電体が保護層として働いてよい点に注意されたい。本発明による方法によりハイゲート構造のトランジスタを製造するために、半導体層が、ソース電極およびドレイン電極のレーザエッチングの後、および誘電体層の堆積の前に堆積される。この構造において、その上ソースおよびドレインの場合または下ゲートの場合に堆積される半導体層を阻害しないように、ポリマーは有利には電気絶縁性である。ポリマーは、有利には、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート、ポリウレタン、およびシリコンを含む群から選択される。本発明は、以下の構造を含むハイゲート構造有機トランジスタを得ることを可能にする。基板少なくとも部分的に架橋される材料を含む層、ソース電極およびドレイン電極、有機または無機半導体、誘電体層、ゲート。上述したように、少なくとも部分的に架橋される材料を含む層は、誘電体層およびゲートの間に存在してもよい。他の実施形態によれば、本発明による方法は、ロウゲート構造の有機トランジスタの製造を可能にする。ロウゲート構造は、通常以下の連続する層を含む。基板、ゲート、ゲート誘電体、ソース電極およびドレイン電極、有機または無機半導体。本発明による方法によりロウゲート構造のトランジスタを製造するために、半導体層が、ソース電極およびドレイン電極の堆積の後、堆積される。本発明によれば、保護層は基板およびゲートの間に与えられる。有利には、誘電体層は、未架橋または部分的に架橋された形態を示すレーザ架橋性材料によって形成される。他の実施形態によれば、保護層は誘電体層およびドレインおよびソース電極の間に与えられる。この構造において、ポリマーは、有利には、ポリイミドおよびコポリイミド、ポリシルセスキオキサン、ポリベンゾシクロブテン、ポリケイ皮酸ビニル、ペルフルオロ脂肪族ポリマー、およびポリビニルフェノール、およびポリアクリレートを含む群から選択される。本発明は、以下の構造を含むロウゲート構造有機トランジスタを得ることを可能にする。基板少なくとも部分的に架橋される材料を含む層、ゲート、誘電体層、ソース電極およびドレイン電極、有機または無機半導体。上述したように、少なくとも部分的に架橋される材料を含む層は、誘電体層およびソースおよびドレイン電極の間に存在してもよい。言い換えれば、有機トランジスタの製造における、金属層をレーザエッチングから保護するための、未架橋または部分的に架橋された形態を示すレーザ架橋性材料の使用は、幾つかの形態を有してよい。ハイゲート構造のトランジスタに関して、基板とソースおよびドレイン電極との間に挿入される層、および/またはゲートの下、または、誘電体とゲートとの間に挿入される層の下の誘電体層。ロウゲート構造のトランジスタに関して、基板とゲートとの間に挿入される層、および/またはソースおよびドレイン電極の下の、または誘電体とソースおよびドレイン電極との間に挿入される層の下の、誘電体層。本発明は、レーザによって加工される金属層の下に配置される、未架橋または部分的にのみ架橋された架橋性材料の存在の有益な効果を明らかに提供する。キャップ状突起および溶融された端部が大きく減少し、並びに電気的性質の改善が見られる。本発明の、前述のおよび他の特徴、および有利な点は、添付される図面に関連する以下の実施形態に関する、以下の非制限的説明において議論される。1.ハイゲート構造ハイゲート構造に関連する本発明の実施が、図2Bに説明される。これは主に、基板5と導電レベル4との間の未架橋または部分的に架橋された絶縁ポリマー10の堆積に基づき、結果的に絶縁ポリマー10は架橋可能である。a.絶縁性の架橋性ポリマーハイゲート構造に使用することができる絶縁性の架橋性ポリマーは、以下から選択されてよい。ポリアクリレートエポキシ樹脂エポキシアクリレートポリウレタンシリコンこの構造において、絶縁体10は、もしもそれが未架橋または部分的に架橋される場合、上部層4のアブレーションの段階においてキャップ状突起を減少させることができる。それは、上に堆積される半導体層11を阻害しないように、電気的に絶縁性でなくてはならない。b.ハイゲート構造の製造方法段階1:基板5段階2:基板5上の未架橋絶縁体10の堆積段階3:全表面上での導電層4の堆積段階4:ソース電極およびドレイン電極6,7を形成するための、マスク1を介した導電層4のレーザアブレーションによるエッチング段階5:絶縁体10の熱または光架橋段階6:半導体11、誘電体9、およびゲート8の連続的な堆積による有機電界効果トランジスタを得る段階2.ロウゲート構造ロウゲート構造に関連する本発明の実施が、図3Bおよび3Cに説明される。これは主に、基板5と導電レベル4との間の未架橋または部分的に架橋された絶縁ポリマー10の堆積に基づき、結果的に絶縁ポリマー10は架橋可能である。a.誘電性の架橋性ポリマーロウゲート構造に使用することができる誘電性架橋性ポリマー10は、以下のリストから選択されてよいA.Fachettietal.AdvMater,2005,17,p1705。これは例えば光架橋性有機誘電性樹脂、より具体的にはエポキシタイプの樹脂である。これは、49.5重量のポリ4-ビニルフェノールPVP、49.5重量のトリグリシジルトリメチロールプロパンエーテル、0.5重量のベンゾイルペルオキシド、および0.5重量のトリフェニルスルホニウムトリフラートの混合物である。この混合物は、シクロヘキサノン中に10重量で希釈され、基板5上にシルクスクリーン印刷またはスピンによって堆積される。得られたフィルムは、加熱板上において5分間100°Cでアニーリングされ、ポリマー薄層の残余の溶媒が蒸発する。誘電体10は、例えば以下の条件のUV量を適用することによって、架橋される。ランプ出力600W10分のアイソレーションb.ロウゲート構造のトランジスタの製造方法段階1:金属レベル1をフォトリソグラフィまたはレーザアブレーションによってエッチングし、ゲート8を形成する。エッチ端はトランジスタの電気的性質においてゲートレベルで殆ど損傷がなく、ゲートはチャネルと比較して非常に幅が広く、したがってキャップ状突起の効果はチャネルの外側に位置する。しかしながら、本発明による方法は、基板5と金属レベル1との間に、ソースおよびドレインのエッチングに関して以降に述べるのと同じ条件で架橋性ポリマーを介在させることによって、ゲート8をエッチングするために実施されてもよい段階2:上述のエポキシ型誘電体10のスピンコーティング、PEN/Au基板530nm上の100°Cにおける5分間のアニール。誘電体の厚みが約800nm。段階3:表面全体にわたる金導電層430nmのPVD。段階4:ソースおよびドレイン電極6,7を形成するための、導電層4のエキシマレーザアブレーションフルエンス54mJ/cm2、λ=248nm、1-30nsパルス。段階5:誘電体ポリマーの熱または光架橋、より詳細には、アイソレーションによる架橋UVランプ、10分、600W。段階6:P型半導体11、例えば変性ペンタセンの堆積。この後、フッ化脂肪族ポリマー誘電体による封入。図3Cによれば、保護層10が、ゲート8をレーザアブレーションから保護するために、基板5上にさらに堆積される。c.2つのサンプルAおよびBの比較比較のために、セクションbにおいて議論された方法が、2つのサンプルAおよびBにおいて実施される。サンプルBには、段階5における、すなわちレーザアブレーションの後の、アイソレーションUVランプ、10分、600Wによる架橋を備える、段階1~6が厳密に適用される。サンプルAは、段階2の後に、すなわちレーザアブレーションの前に、そのようなUVランプアイソレーション10分、600Wを受ける。したがって、サンプルAおよびBの間の大きな相違は、架橋性ポリマー10が、各々、金属層4のレーザアブレーションの前、または後に、架橋されることである。2つのサンプルの特徴は、図4および5に説明される。図4では、架橋された誘電体Aに関して、アブレーションを受けた上部の層上にキャップ状突起および溶融された金属が有意に存在することが観察できた。逆に、未架橋誘電体Bの場合、アブレートされた上部層の上のキャップ状突起および溶融金属の有意の減少が観察できた。図5は、電気特性の観点から、サンプルAと比較してサンプルBが非常に良好であるという事実を説明する。実は、サンプルBのID-VD曲線は、2つのソースおよびドレイン電極の間の非常に良好な接触および良好な電子注入を示す。この方法に起因して、チャネルへの電子注入、並びに電子移動度は改善される。したがって電流はオープン状態においてより多い。"