"セラミックス材料とガラス粉末とバインダーとを含む材料で構成された複数のセラミックス成形体を形成するセラミックス成形体形成工程と、前記セラミックス成形体上に、液滴吐出法により、金属粒子と前記金属粒子が分散する分散媒と有機物とを含む導体パターン形成用インクを吐出し、導体パターン前駆体を形成する導体パターン前駆体形成工程と、前記導体パターン前駆体を形成した複数のセラミックス成形体を積層し、積層体を得る積層工程と、前記積層体を加熱する加熱工程と、を有し、前記加熱工程では、加熱開始から500°Cに昇温するまでは、酸素濃度が1以上14以下の雰囲気下において加熱処理を行い、500°C以上に昇温して加熱する際は、酸素濃度が10以上30以下の雰囲気下において加熱処理を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。前記加熱工程では、加熱開始から前記バインダーの前記積層体からの加熱除去が完了する脱脂完了温度に達するまでの過程の250°C以上350°C以下の間において、平均昇温速度を変化させるものであり、前記変化前の平均昇温速度よりも、前記変化後の平均昇温速度のほうが速い請求項1に記載の配線基板の製造方法。前記脱脂完了温度は、その温度に保持することで前記積層体の重量減少が完了する温度であり、前記脱脂完了温度は650°C以下である請求項2に記載の配線基板の製造方法。前記変化後の平均昇温速度は、前記変化前の平均昇温速度の1.5倍以上20倍以下である請求項2または3に記載の配線基板の製造方法。前記変化前の平均昇温速度は、0.1°C/分以上2.0°C/分以下である請求項2ないし4のいずれかに記載の配線基板の製造方法。前記変化後の平均昇温速度は、0.15°C/分以上40.0°C/分以下である請求項2ないし5のいずれかに記載の配線基板の製造方法。請求項1ないし6のいずれかに記載の配線基板の製造方法により製造されたことを特徴とする配線基板。本発明の目的は、クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を提供すること、前記配線基板を効率よく製造することのできる製造方法を提供することにある。このような目的は、下記の本発明により達成される。本発明の配線基板の製造方法は、セラミックス材料とガラス粉末とバインダーとを含む材料で構成された複数のセラミックス成形体を形成するセラミックス成形体形成工程と、前記セラミックス成形体上に、液滴吐出法により、金属粒子と前記金属粒子が分散する分散媒と有機物とを含む導体パターン形成用インクを吐出し、導体パターン前駆体を形成する導体パターン前駆体形成工程と、前記導体パターン前駆体を形成した複数のセラミックス成形体を積層し、積層体を得る積層工程と、前記積層体を加熱する加熱工程と、を有し、前記加熱工程では、加熱開始から500°Cに昇温するまでは、酸素濃度が1以上14以下の雰囲気下において加熱処理を行い、500°C以上に昇温して加熱する際は、酸素濃度が10以上30以下の雰囲気下において加熱処理を行うことを特徴とする。これにより、クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することができる。本発明の配線基板の製造方法では、前記加熱工程では、加熱開始から前記バインダーの前記積層体からの加熱除去が完了する脱脂完了温度に達するまでの過程の250°C以上350°C以下の間において、平均昇温速度を変化させるものであり、前記変化前の平均昇温速度よりも、前記変化後の平均昇温速度のほうが速いことが好ましい。これにより、クラック、断線、短絡等が発生するのをより効果的に防止することができ、形成した導体パターンの導通不良をより確実に防止することができる。本発明の配線基板の製造方法では、前記脱脂完了温度は、その温度に保持することで前記積層体の重量減少が完了する温度であり、前記脱脂完了温度は650°C以下であることが好ましい。これにより、クラック、断線、短絡等が発生するのをより効果的に防止することができ、形成した導体パターンの導通不良をより確実に防止することができる。本発明の配線基板の製造方法では、前記変化後の平均昇温速度は、前記変化前の平均昇温速度の1.5倍以上20倍以下であることが好ましい。これにより、積層体を構成するセラミックス成形体の熱膨張による急激な形状変化を十分に抑制し、導体パターン前駆体に亀裂が入るのを防止するとともに、信頼性の高い配線基板をより効率よく製造することができる。本発明の配線基板の製造方法では、前記変化前の平均昇温速度は、0.1°C/分以上2.0°C/分以下であることが好ましい。これにより、積層体を構成するセラミックス成形体の熱膨張による急激な形状変化を十分に抑制し、導体パターン前駆体に亀裂が入るのを防止するとともに、信頼性の高い配線基板をより効率よく製造することができる。本発明の配線基板の製造方法では、前記変化後の平均昇温速度は、0.15°C/分以上40.0°C/分以下であることが好ましい。これにより、積層体を構成するセラミックス成形体の熱膨張による急激な形状変化をより効果的に抑制することができ、導体パターン前駆体に亀裂が入るのをより確実に防止することができる。本発明の配線基板は、本発明の製造方法により製造されたことを特徴とする。これにより、信頼性の高い配線基板を提供することができる。以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。《導体パターンおよび配線基板》まず、本発明の配線基板の製造方法により製造される導体パターンおよび配線基板について説明する。図1は、本発明の配線基板の製造方法により製造される配線基板の一例を示す断面図である。図1に示すように、配線基板セラミックス回路基板30は、セラミックス基板31が多数例えば10枚から20枚程度積層されてなる積層基板32と、この積層基板32の最外層、すなわち一方の側の表面に形成された、微細配線等からなる導体パターン回路20Aとを有して形成されたものである。積層基板32は、積層されたセラミックス基板31、31間に、導体パターン回路20を備えている。導体パターン20は、後述するような金属粒子が水系分散媒に分散した導体パターン形成用インク1により形成されたパターン導体パターン前駆体、以下、単に前駆体ともいう。10を加熱する焼結することにより形成される薄膜状の導体パターンであって、銀粒子が相互に結合されてなり、少なくとも導体パターン表面において前記銀粒子同士が隙間なく結合している。導体パターン20の比抵抗は、20μΩcm未満であることが好ましく、15μΩcm以下であることがより好ましい。このときの比抵抗は、インクの付与後、650°C以上で加熱、乾燥した後の比抵抗をいう。上記比抵抗が20μΩcm以上になると、導電性が要求される用途、すなわち回路基板上に形成する電極等に用いることが困難となる。なお、上記のような導体パターン20は、携帯電話やPDA等の移動通話機器の高周波モジュール、インターポーザー、MEMSMicroElectroMechanicalSystems、加速度センサー、弾性表面波素子、アンテナや櫛歯電極等の異形電極、その他各種計測装置等の電子部品等に適用することができる。なお、導体パターン20は、導体パターン前駆体10を焼結処理として160°C以上で20分以上の条件で加熱することにより得られる。なお、この導体パターン前駆体10の焼結は、後述するようにセラミックス成形体15の脱脂、焼結とともに行うことができる。なお、導体パターン20Aも、導体パターン20と同様に、後述するような導体パターン形成用インクにより形成されたものとなっている。セラミックス基板31は、シート状をなしており、導体パターン20を支持する。また、セラミックス基板31には、導体パターン20に接続するコンタクトビア33が形成されている。このような構成によって導体パターン20は、上下に配置された導体パターン20、20間が、コンタクト33によって導通したものとなっている。なお、セラミックス基板31は、後述するように、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等のセラミックス粉末と、バインダーとを含む材料をシート状にし、その後、加熱処理焼結処理することにより得られる基板である。以上のような配線基板30は、後述するような本発明の方法を用いて形成されているため、導体パターン20の導通不良が防止された信頼性の高いものとなっている。また、上述したような配線基板30は、各種の電子機器に用いられる電子部品となるものであり、各種配線や電極等からなる回路パターン、積層セラミックスコンデンサ、積層インダクター、LCフィルタ、複合高周波部品等を基板に形成してなるものである。《配線基板の製造方法》次に、上述した配線基板の製造方法本発明の配線基板の製造方法について説明する。図2は、本発明の配線基板セラミックス回路基板の製造方法の概略の工程を示す説明図、図3は、図1の配線基板セラミックス回路基板の製造工程説明図、図4は、加熱工程における、縦軸に加熱温度、横軸に時間をとったときの加熱温度の履歴の一例を示すグラフである。本実施形態の配線基板の製造方法は、セラミックス材料とガラス粉末と有機物とを含む材料で構成された複数のセラミックス成形体15を形成するセラミックス成形体形成工程と、セラミックス成形体15上に、インクジェット法液滴吐出法により、導体パターン形成用インク1を吐出し、上述した導体パターン20Aとなるべき導体パターン前駆体10を形成する導体パターン前駆体形成工程と、導体パターン前駆体10を形成した複数のセラミックス成形体15を積層し、積層体17を得る積層工程と、積層体17を加熱焼結する加熱工程とを有している。以下、各工程について詳細に説明する。[セラミックス成形体形成工程基板準備工程]セラミックス成形体セラミックスグリーンシートは、例えば、以下のようにして形成する。まず、原料粉体として、平均粒径が1μm以上2μm以下のアルミナAl2O3や酸化チタンTiO2等からなるセラミックス粉末セラミックス材料と、平均粒径が1μm以上2μm以下のホウ珪酸ガラス等からなるガラス粉末とを用意し、これらを適宜な混合比、例えば1:1の重量比で混合する。このように、セラミックス成形体15の材料として、ガラス材料を含むことにより、以下のような効果が得られる。ガラス材料は、焼結時において溶融し、導体パターン20を形成されるセラミックス基板31に固定、密着させる機能を有している。このため、形成される導体パターン20および配線基板30はより信頼性の高いものとなる。次に、得られた混合粉末に適宜なバインダー結合剤や可塑剤、有機溶剤分散剤等の有機物を加え、混合撹拌することにより、スラリーを得る。ここで、バインダーとしては、ポリビニルブチラールが好適に用いられるが、これは水に不溶であり、かつ、いわゆる油系の有機溶媒に溶解しあるいは膨潤し易いものである。次に、得られたスラリーを、ドクターブレード、リバースコーター等を用いてPETフィルム上にシート状に形成し、製品の製造条件に応じて数μm以上数百μm以下の厚さのシートに成形し、その後、ロールに巻き取る。続いて、製品の用途に合わせて切断し、さらに所定寸法のシートに裁断する。本実施形態では、例えば1辺の長さを200mmとする正方形状に裁断する。次に、必要に応じて所定の位置に、CO2レーザー、YAGレーザー、機械式パンチ等によって孔開けを行うことでスルーホール貫通孔を形成する。そして、このスルーホールに、金属粒子が分散した厚膜導電ペーストを充填することにより、コンタクト33となるべき部位コンタクト前駆体16を形成する。厚膜導電ペーストとしては、後述するような導体パターン形成用インクを用いることができる。以上により、複数のセラミックス成形体15を準備する。[導体パターン前駆体形成工程]まず、上記のようにして得られたセラミックス成形体15の一方の側の表面に、導体パターン20となる導体パターン前駆体10を、コンタクト前駆体16に連続した状態に形成する。すなわち、図3aに示すようにセラミックス成形体15上に、導体パターン形成用インク以下単にインクともいう1を液滴吐出インクジェット法により付与し、前記導体パターン前駆体10を形成する。本実施形態において、導体パターン形成用インクの吐出は、後述するようなインクジェット装置液滴吐出装置100を用いることにより行うことができる。インクジェット装置100を用いることにより、インク1を、セラミックス成形体15基材S上の所望する場所に所望の量、精度良く吐出し、配することができる。なお、形成した導体パターン前駆体10について、さらに乾燥処理を施してもよい。乾燥処理は、上記の液滴吐出時におけるセラミックス成形体15の加熱温度と同様の条件で行うことができる。また、液滴吐出方法によりインク1を付与してから、セラミックス成形体15を加熱して水等の水系分散媒を蒸発させ、当該加熱後の導体パターン前駆体10の上に再度インク1を付与する、といった工程を繰り返し行うことで、厚膜の導体パターン前駆体10を形成してもよい。このような場合、セラミックス成形体15に一旦付与されたインク1の粘度が上昇することから、インク1がセラミックス成形体15上に過度に濡れ広がることを防止し、導体パターン前駆体10の厚さ、線幅等をより精度よく目的のものとすることができる。このようにして導体パターン前駆体10を形成したら、同様の工程により、導体パターン前駆体10を形成したセラミックス成形体15を必要枚数、例えば10枚から20枚程度作製する。[積層工程]次いで、これらセラミックス成形体15からPETフィルムを剥がし、図3bに示すようにこれらを積層することにより、積層体17を得る。この際に、積層するセラミックス成形体15については、上下に重ねられるセラミックス成形体15間で、それぞれの導体パターン前駆体10が必要に応じてコンタクト前駆体16を介して接続するように配置する。その後、セラミックス成形体15を構成するバインダーのガラス転移点以上に加熱しつつ、各セラミックス成形体15同士を圧着する。これにより、積層体17を得る。[加熱工程]このようにして積層体17を形成したら、例えば、ベルト炉などによって加熱処理する。これにより、各セラミックス成形体15は焼結されることで、図1に示すようにセラミックス基板31となり、また、導体パターン前駆体10は、これを構成する銀コロイド粒子が焼結して配線パターンや電極パターンからなる導体パターン回路20となる。そして、このように積層体17が加熱処理されることで、この積層体17は図1に示した積層基板32となる。ところで、近年、配線基板を構成する配線導体パターンは、微細化、高密度化の傾向にあり、このため、従来の配線基板の製造方法では、このような積層体を焼結加熱する際に、配線にクラック、断線、短絡等が入りやすく、結果として形成した配線の一部に導通不良が生じてしまうといった問題があった。その結果、最終的に得られる配線基板の信頼性が低下してしまうといった問題があった。これに対して、本発明では、加熱工程における加熱処理を、加熱開始から500°Cに達するまでは、酸素濃度が1以上14以下の雰囲気下において行い、500°C以上に加熱する際は、酸素濃度が1以上10以下の雰囲気下において行う点に特徴を有し、これにより、上記問題を解決することができることを見出した。すなわち、加熱開始から500°Cに達するまでの加熱処理を酸素濃度が1以上14以下の雰囲気下で行うことにより、導体パターン前駆体中の有機物導体パターン形成用インク由来の有機物を不完全燃焼させ、炭化した状態で導体パターン前駆体中に残存させる。これにより、導体パターン前駆体中の有機物の完全燃焼による体積の収縮を抑制することができ、導体パターン前駆体にクラック等が生じるのを抑制することができる。さらにその後、500°C以上に昇温する際の加熱処理を酸素濃度が10以上30以下の雰囲気下において行うことにより、導体パターン前駆体中の有機物が炭化した炭化物カーボンを完全燃焼させる。この炭化物が燃焼するタイミングと、セラミックス成形体が焼結によって収縮するタイミングとは比較的近いことにより、導体パターン前駆体の熱収縮とセラミックス成形体の熱収縮とが近いタイミングで起こることとなる。その結果、最終的に形成される配線導体パターンにクラック、断線、短絡等が発生するのを防止することができるとともに、セラミックス成形体に亀裂クラックが入るのを防止することができ、形成した導体パターンの導通不良をより確実に防止することができる。その結果、信頼性の高い配線基板を得ることができる。なお、本発明において、加熱開始から500°Cに達するまでの雰囲気中の酸素濃度は1以上14以下であるが、1以上10以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン前駆体中の有機物をより確実に炭化させることができ、有機物の燃焼による体積収縮をより確実に防止することができる。また、本発明において、500°C以上に加熱する際の雰囲気中の酸素濃度は10以上30以下であるが、15以上30以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン前駆体中の炭化物をより確実に燃焼させることができ、導通率の高い配線とすることができる。また、加熱工程において、加熱開始から、上述した有機物の積層体からの加熱除去が完了する温度脱脂完了温度に達するまでの過程の250°C以上350°C以下の範囲内で、昇温速度を変化させるのが好ましい。具体的には、変化前の平均昇温速度よりも変化後の平均昇温速度を速くすることが好ましい。これにより、焼結の際に導体パターン前駆体にクラック等が入るのをより確実に防止することができ、また、金属粒子が蒸発、昇華等により焼失するといった現象をより効果的に抑制することができる。その結果、得られる導体パターンで導通不良が発生するのをより効果的に防止することができる。例えば、図4に示すように、平均昇温速度が変化前までは、緩やかに温度を上げていき、積層体を構成するセラミックス成形体の熱膨張による急激な形状変化を抑制し、導体パターン前駆体導体パターンに亀裂が入るのをより確実に防止し、その後、平均昇温速度を速くし、積層体を焼結させることで脱脂時間焼成時間を短縮することができる。また、金属粒子を焼結融着させることでバルク化させ、蒸発、昇華等により焼失するといった現象をより効果的に抑制することができる。その結果、最終的に得られる配線基板の信頼性をより高いものとすることができるとともに、効率よく配線基板を得ることができる。なお、脱脂完了温度は、バインダーの積層体からの加熱除去が完了する温度のことを示すが、言い換えると、その温度を保持することで積層体の重量減少が完了する温度のことをいう。そして、脱脂完了温度は、具体的には、650°C以下である。これにより、形成した導体パターンの導通不良をより確実に防止することができる。変化後の平均昇温速度は、変化前の平均昇温速度の1.5倍以上20倍以下であるのが好ましく、5倍以上18倍以下であるのがより好ましく、10倍以上15倍以下であるのがさらに好ましい。これにより、積層体17を構成するセラミックス成形体15の熱膨張による急激な形状変化を十分に抑制し、導体パターン前駆体10導体パターン20にクラック等が入るのを防止するとともに、信頼性の高い配線基板30をより効率よく製造することができる。また、変化前の平均昇温速度は、0.1°C/分以上2.0°C/分以下であるのが好ましく、0.3°C/分以上1.0°C/分以下であるのがより好ましい。これにより、積層体17を構成するセラミックス成形体15の熱膨張による急激な形状変化をより効果的に抑制することができ、導体パターン前駆体10導体パターン20にクラック等が入るのをより確実に防止することができる。また、変化後の平均昇温速度は、0.15°C/分以上40.0°C/分以下であるのが好ましく、2.0°C/分以上10.0°C/分以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン前駆体10導体パターン20にクラック等が入るのをより効果的に防止することができるとともに、信頼性の高い配線基板30をより効率よく製造することができる。なお、脱脂完了温度に達した後、一定時間その温度を保持し、その後、本加熱工程における最大加熱温度まで温度を上昇させる。ここで、積層体17の最大加熱温度としては、セラミックス成形体15中に含まれるガラス材料ガラス粉末の軟化点以上とするのが好ましく、具体的には、600°C以上900°C以下とするのが好ましい。このようにガラスの軟化点以上の温度、すなわち前記温度範囲にまで加熱温度を上げることにより、得られるセラミックス基板31のガラス成分を軟化させることができる。したがって、その後常温にまで冷却し、ガラス成分を硬化させることにより、積層基板32を構成する各セラミックス基板31と導体パターン20との間がより強固に固着するようになる。また、このような温度範囲で加熱することにより、得られるセラミックス基板31は、900°以下の温度で焼結されて形成された、低温焼結セラミックスLTCCとなる。ここで、セラミックス成形体15上に配されたインク1中の金属は、加熱処理によって互いに融着し、連続することによって導電性を示すようになる。このような加熱処理によって導体パターン20は、セラミックス基板31中のコンタクト33に直接接続させられ、導通させられて形成されたものとなる。ここで、この導体パターン20が単にセラミックス基板31上に載っているだけでは、セラミックス基板31に対する機械的な接続強度が確保されず、したがって衝撃等によって破損してしまうおそれがある。しかしながら、本実施形態では、前述したようにセラミックス成形体15中のガラスを一旦軟化させ、その後硬化させることにより、導体パターン20をセラミックス基板31に対し強固に固着させている。したがって、形成された導体パターン20は、機械的にも高い強度を有するものとなる。なお、このような加熱処理により、導体パターン20Aについても前記導体パターン20と同時に形成することができ、これによってセラミックス回路基板配線基板30を得ることができる。《液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置》次に、上述した配線基板の製造方法に用いる液滴吐出装置インクジェット装置について図面を参照しつつ説明する。図5は、液滴吐出装置インクジェット装置の一例を示す斜視図、図6は、液滴吐出ヘッドの一例を示す断面図である。図5において、X方向はベース130の左右方向であり、Y方向は前後方向であり、Z方向は上下方向である。液滴吐出装置インクジェット装置100は、基材Sセラミックス成形体15上に金属粒子が水系分散媒に分散した導体パターン形成用インクを吐出し、導体パターンを形成するための装置である。液滴吐出装置100は、図5に示す液滴吐出ヘッドインクジェットヘッド。以下、単にヘッドと呼ぶ110と、ベース130と、テーブル140と、制御装置190と、テーブル位置決め手段170と、ヘッド位置決め手段180とを有している。ベース130は、テーブル140、テーブル位置決め手段170、およびヘッド位置決め手段180等の液滴吐出装置100の各構成部材を支持する台である。テーブル140は、テーブル位置決め手段170を介してベース130に設置されている。また、テーブル140は、基材S本実施形態ではセラミックス成形体15を載置するものである。また、テーブル140の裏面には、ラバーヒータ図示せずが配設されている。テーブル140上に載置されたセラミックス成形体15は、その上面全体がラバーヒータにて所定の温度に加熱されるようになっている。セラミックス成形体15に着弾したインク導体パターン形成用インク1は、その表面側から水系分散媒の少なくとも一部が蒸発する。このとき、セラミックス成形体15は加熱されているので、水系分散媒の蒸発が促進される。そして、セラミックス成形体15に着弾したインク1は、乾燥とともにその表面の外縁から増粘し、つまり、中央部に比べて外周部における固形分粒子濃度が速く飽和濃度に達することから表面の外縁から増粘していく。外縁の増粘したインク1は、セラミックス成形体15の面方向に沿う自身の濡れ広がりを停止するため、着弾径しいては線幅の制御が容易になる。セラミックス成形体15の加熱温度としては、例えば、40°C以上100°C以下で行うのが好ましく、50°C以上70°C以下で行うのがより好ましい。このような条件とすることにより、水系分散媒が蒸発した際に、クラックが発生するのをより効果的に防止することができる。テーブル位置決め手段170は、第1移動手段171と、モータ172とを有している。テーブル位置決め手段170は、ベース130におけるテーブル140の位置を決定し、これにより、ベース130におけるセラミックスグリーンシート15の位置を決定する。第1移動手段171は、Y方向と略平行に設けられた2本のレールと、当該レール上を移動する支持台とを有している。第1移動手段171の支持台は、モータ172を介してテーブル140を支持している。そして、支持台がレール上を移動することにより、基材Sを載置するテーブル140は、Y方向に移動および位置決めされる。モータ172は、テーブル140を支持しており、θz方向にテーブル140を揺動および位置決めする。ヘッド位置決め手段180は、第2移動手段181と、リニアモータ182と、モータ183、184、185とを有している。ヘッド位置決め手段180は、ヘッド110の位置を決定する。第2移動手段181は、ベース130から立設する2本の支持柱と、当該支持柱同士の間に当該支持柱に支持されて設けられ、2本のレールを有するレール台と、レールに沿って移動可能でヘッド110を支持する支持部材図示せずとを有している。そして、支持部材がレールに沿って移動することにより、ヘッド110は、X方向に移動および位置決めされる。リニアモータ182は、支持部材付近に設けられており、ヘッド110のZ方向の移動および位置決めをすることができる。モータ183、184、185は、ヘッド110を、それぞれα,β,γ方向に揺動および位置決めする。以上のようなテーブル位置決め手段170およびヘッド位置決め手段180とにより、インクジェット装置100は、ヘッド110のインク吐出面115Pと、テーブル140上の基材Sとの相対的な位置および姿勢を、正確にコントロールできるようになっている。図6に示すように、ヘッド110は、インクジェット方式液滴吐出方式によってインク1をノズル突出部118から吐出するものである。本実施形態では、ヘッド110は、圧電体素子としてのピエゾ素子113を用いてインクを吐出させるピエゾ方式を用いている。ピエゾ方式は、インク1に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えないなどの利点を有する。ヘッド110は、ヘッド本体111と、振動板112と、ピエゾ素子113とを有している。ヘッド本体111は、本体114と、その下端面にノズルプレート115とを有している。そして、本体114を板状のノズルプレート115と振動板112とが挟み込むことにより、空間としてのリザーバ116およびリザーバ116から分岐した複数のインク室117が形成されている。リザーバ116には、図示せぬインクタンクよりインク1が供給される。リザーバ116は、各インク室117にインク1を供給するための流路を形成している。また、ノズルプレート115は、本体114の下端面に装着されており、インク吐出面115Pを構成している。このノズルプレート115には、インク1を吐出する複数のノズル118が、各インク室117に対応して開口されている。そして、各インク室117から対応するノズル118に向かって、インク流路が形成されている。振動板112は、ヘッド本体111の上端面に装着されており、各インク室117の壁面を構成している。振動板112は、ピエゾ素子113の振動に応じて振動可能となっている。ピエゾ素子113は、その振動板112のヘッド本体111と反対側に、各インク室117に対応して設けられている。ピエゾ素子113は、水晶等の圧電材料を一対の電極不図示で挟持したものである。その一対の電極は、駆動回路191に接続されている。そして、駆動回路191からピエゾ素子113に電気信号を入力すると、ピエゾ素子113が膨張変形または収縮変形する。ピエゾ素子113が収縮変形すると、インク室117の圧力が低下して、リザーバ116からインク室117にインク1が流入する。また、ピエゾ素子113が膨張変形すると、インク室117の圧力が増加して、ノズル118からインク1が吐出される。なお、印加電圧を変化させることにより、ピエゾ素子113の変形量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子113の変形速度を制御することができる。すなわち、ピエゾ素子113への印加電圧を制御することにより、インク1の吐出条件を制御し得るようになっている。制御装置190は、インクジェット装置100の各部位を制御する。例えば、駆動回路191で生成する印加電圧の波形を調節してインク1の吐出条件を制御したり、テーブル位置決め手段170およびヘッド位置決め手段180を制御することにより基材Sへのインク1の吐出位置を制御する。以上のようなインクジェット装置100を用いることにより、インク1を、セラミックス成形体15基材S上の所望する場所に所望の量、精度良く吐出し、配することができる。《導体パターン形成用インク》次に、本発明の配線基板の製造方法に適用される導体パターン形成用インクインク1について説明する。導体パターン形成用インク1は、前述した液滴吐出装置液滴吐出ヘッドによって導体パターン前駆体を形成するのに用いるインクである。なお、本実施形態では、導体パターン形成用インク1として、金属粒子としての銀粒子が水系分散媒に分散した分散液を用いた場合について代表的に説明する。導体パターン形成用インク1は、金属粒子と、金属粒子が分散する分散媒と、有機物有機バインダーとを含んでなるものである。以下、導体パターン形成用インク1の各構成成分について詳細に説明する。水系分散媒本実施形態では、導体パターン形成用インク1として、水系分散媒を含むものを用いる。このように、導体パターン形成用インク1が分散媒として水系分散媒を含むものであることにより、より好適に、セラミックス成形体15上に吐出された導体パターン形成用インク1から当該分散媒をセラミックス成形体15中に吸収させることができ、セラミックス成形体15上に、金属粒子が濃縮された層導体パターン前駆体10をより好適に形成することができる。その結果、形成される導体パターン20の信頼性をより高いものとすることができる。なお、本発明において、水系分散媒とは、水および/または水との相溶性に優れる液体例えば、25°Cにおける水100gに対する溶解度が30g以上の液体で構成されたもののことを指す。このように、水系分散媒は、水および/または水との相溶性に優れる液体で構成されたものであるが、主として水で構成されたものであるのが好ましく、特に、水の含有率が70wt以上のものであるのが好ましく、90wt以上のものであるのがより好ましい。これにより、上述した効果がより顕著に発揮される。水系分散媒の具体例としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ブタノール、プロパノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒、1,4-ジオキサン、テトラヒドロフランTHF等のエーテル系溶媒、ピリジン、ピラジン、ピロール等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N-ジメチルホルムアミドDMF、N,N-ジメチルアセトアミドDMA等のアミド系溶媒、アセトニトリル等のニトリル系溶媒、アセトアルデヒド等のアルデヒド系溶媒等が挙げられ、これらのうち、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。また、導体パターン形成用インク1中における水系分散媒の含有量は、20wt以上80wt以下であることが好ましく、25wt以上70wt以下であることがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インク1の粘度を好適なものとしつつ、分散媒の揮発による粘度の変化を少ないものとすることができる。銀粒子次に、銀粒子金属粒子について説明する。銀粒子は、形成される導体パターン20の主成分であり、導体パターン20に導電性を付与する成分である。また、銀粒子は、導体パターン形成用インク1中において分散している。銀粒子の平均粒径は、1nm以上100nm以下であるのが好ましく、10nm以上30nm以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インク1の吐出安定性をより高いものとすることができるとともに、微細な導体パターンを容易に形成することができる。なお、本明細書では、平均粒径とは、特に断りのない限り、体積基準の平均粒径のことを指すものとする。また、導体パターン形成用インク1中において、銀粒子の平均粒子間距離は、1.7nm以上380nm以下であるのが好ましく、1.75nm以上300nm以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インク1の粘度をより適度なものとすることができ、吐出安定性に特に優れたものとなる。また、導体パターン形成用インク1中に含まれる銀粒子分散剤が表面に吸着していない銀粒子金属粒子の含有量は、0.5wt以上60wt以下であるのが好ましく、10wt以上45wt以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン20の断線をより効果的に防止することができ、より信頼性の高い導体パターン20を提供することができる。また、銀粒子金属粒子は、その表面に分散剤が付着した銀コロイド粒子金属コロイド粒子として、水系分散媒中に分散していることが好ましい。これにより、銀粒子の水系分散媒への分散性が特に優れたものとなり、導体パターン形成用インク1の吐出安定性が特に優れたものとなる。分散剤としては、特に限定されないが、COOH基とOH基とを合わせて3個以上有し、かつ、COOH基の数がOH基と同じか、それよりも多いヒドロキシ酸またはその塩を含むことが好ましい。これらの分散剤は、銀粒子の表面に吸着してコロイド粒子を形成し、分散剤中に存在するCOOH基の電気的反発力によって銀コロイド粒子を水溶液中に均一に分散させてコロイド液を安定化する働きを有する。このように、銀コロイド粒子が安定して導体パターン形成用インク1中に存在することにより、より容易に微細な導体パターン20を形成することができる。また、導体パターン形成用インク1によって形成されたパターン前駆体10において銀粒子が均一に分布し、クラック、断線等が発生しにくいものとなる。これに対して、分散剤中のCOOH基とOH基の数が3個未満であったり、COOH基の数がOH基の数よりも少ないと、銀コロイド粒子の分散性が十分に得られない場合がある。このような分散剤としては、例えば、クエン酸、りんご酸、クエン酸三ナトリウム、クエン酸三カリウム、クエン酸三リチウム、クエン酸三アンモニウム、りんご酸二ナトリウム、タンニン酸、ガロタンニン酸、五倍子タンニン等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。また、分散剤は、COOH基とSH基とを合わせて2個以上有するメルカプト酸またはその塩を含んでいてもよい。これらの分散剤は、メルカプト基が銀微粒子の表面に吸着してコロイド粒子を形成し、分散剤中に存在するCOOH基の電気的反発力によってコロイド粒子を水溶液中に均一に分散させてコロイド液を安定化する働きを有する。このように、銀コロイド粒子が安定して導体パターン形成用インク1中に存在することにより、より容易に微細な導体パターン20を形成することができる。また、導体パターン形成用インク1によって形成されたパターン前駆体10において銀粒子が均一に分布し、クラック、断線等が発生しにくいものとなる。これに対して、分散剤中のCOOH基とSH基の数が2個未満すなわち片方のみであると、銀コロイド粒子の分散性が十分に得られない場合がある。このような分散剤としては、例えば、メルカプト酢酸、メルカプトプロピオン酸、チオジプロピオン酸、メルカプトコハク酸、チオ酢酸、メルカプト酢酸ナトリウム、メルカプトプロピオン酸ナトリウム、チオジプロピオン酸ナトリウム、メルカプトコハク酸二ナトリウム、メルカプト酢酸カリウム、メルカプトプロピオン酸カリウム、チオジプロピオン酸カリウム、メルカプトコハク酸二カリウム等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。導体パターン形成用インク1中における銀コロイド粒子の含有量は、1wt以上60wt以下であるのが好ましく、5wt以上50wt以下であるのがより好ましい。銀コロイド粒子の含有量が前記下限値未満であると、銀の含有量が少なく、導体パターン20を形成した際、比較的厚い膜を形成する場合に、複数回重ね塗りする必要が生じる。一方、銀コロイド粒子の含有量が前記上限値を超えると、銀の含有量が多くなり、分散性が低下し、これを防ぐためには攪拌の頻度が高くなる。また、銀コロイド粒子の熱重量分析における500°Cまでの加熱減量は、1wt以上25wt以下が好ましい。コロイド粒子固形分を500°Cまで加熱すると、表面に付着した分散剤、後述する還元剤残留還元剤等が酸化分解され、大部分のものはガス化されて消失する。残留還元剤の量は、僅かであると考えられるので、500°Cまでの加熱による減量は、銀コロイド粒子中の分散剤の量にほぼ相当すると考えられる。加熱減量が1wt未満であると、銀粒子に対する分散剤の量が少なく、銀粒子の充分な分散性が低下する。一方、25wtを超えると、銀粒子に対する残留分散剤の量が多なり、導体パターンの比抵抗が高くなる。但し、比抵抗は、導体パターン20の形成後に加熱焼結して有機分を分解消失させることである程度改善することができる。そのため、より高温で焼結されるセラミックス基板等に有効である。有機物有機バインダーまた、導体パターン形成用インク1は、有機物有機バインダーを含んでいる。有機物は、導体パターン形成用インク1を用いて形成された導体パターン前駆体10において、銀粒子の凝集を防止するものである。すなわち、形成された導体パターン前駆体10において、有機バインダーは、銀粒子同士の間に存在することで銀粒子同士が凝集して、パターンの一部に亀裂クラックが生じることを防止できる。また、焼結時においては、有機バインダーは、分解されて除去されることができ、導体パターン前駆体10中の銀粒子同士は、結合して導体パターン20を形成する。また、導体パターン形成用インク1が有機物を含むものであることにより、セラミックス成形体15に対する導体パターン前駆体10の密着性を特に優れたものとすることができ、導体パターン前駆体10を構成する金属粒子の不本意な部位への流れ出しがより確実に防止される。その結果、クラック、断線、短絡等の発生をより効果的に防止し、導体パターン20をより高い精度で形成することができる。すなわち、最終的に得られる導体パターン20の信頼性を特に高いものとすることができる。有機バインダーとしては、特には限定されないが、例えば、ポリエチレングリコール200重量平均分子量200、ポリエチレングリコール300重量平均分子量300、ポリエチレングリコール400平均分子量400、ポリエチレングリコール600重量平均分子量600、ポリエチレングリコール1000重量平均分子量1000、ポリエチレングリコール1500重量平均分子量1500、ポリエチレングリコール1540重量平均分子量1540、ポリエチレングリコール2000重量平均分子量2000等のポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール200重量平均分子量:200、ポリビニルアルコール300重量平均分子量:300、ポリビニルアルコール400平均分子量:400、ポリビニルアルコール600重量平均分子量:600、ポリビニルアルコール1000重量平均分子量:1000、ポリビニルアルコール1500重量平均分子量:1500、ポリビニルアルコール1540重量平均分子量:1540、ポリビニルアルコール2000重量平均分子量:2000等のポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリグリセリンエステル等のポリグリセリン骨格を有するポリグリセリン化合物が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。また、ポリグリセリンエステルとしては、例えば、ポリグリセリンのモノステアレート、トリステアレート、テトラステアレート、モノオレエート、ペンタオレエート、モノラウレート、モノカプリレート、ポリシノレート、セスキステアレート、デカオレエート、セスキオレエート等が挙げられる。この中でも、有機物有機バインダーとして、ポリグリセリン化合物を用いた場合、以下のような効果が得られる。ポリグリセリン化合物は、導体パターン形成用インク1を用いて形成された導体パターン前駆体10を乾燥脱分散媒した際に、導体パターン前駆体10にクラックが発生するのを特に好適に防止することができる。これは、以下のように考えられる。導体パターン形成用インク1中にポリグリセリン化合物が含まれることにより、銀粒子金属粒子の間に高分子鎖が存在することとなり、ポリグリセリン化合物が銀粒子同士の距離を適度なものとすることができる。さらに、ポリグリセリン化合物は比較的沸点が高いため、水系分散媒の除去時においては除去されず、銀粒子の周囲に付着する。以上により、水系分散媒除去時において、ポリグリセリン化合物が銀粒子を包み込んだ状態が長く続き、水系分散媒の揮発による急激な体積収縮が避けられるとともに銀の粒成長凝集が妨げられる結果、導体パターン前駆体10中のクラックの発生が抑制されると考えられる。また、ポリグリセリン化合物は、導体パターン20を形成する際の焼結時において、断線が発生するのをより確実に防止することができる。これは、以下のように考えられる。ポリグリセリン化合物は、上記酸素濃度条件下における加熱開始から500°Cに昇温するまでの加熱処理では、不完全燃焼しやすく、炭素数も多く、脱水反応により炭化しやすい化合物であるため、導体パターン前駆体10の体積収縮をより効果的に抑制することができる。また、上記酸素濃度条件下における500°C以上に昇温する加熱処理では、より確実にその炭化物を燃焼除去することができる。その結果、最終的に形成される配線導体パターンにクラック、断線、短絡等が発生するのをより確実に防止することができる。また、このようなポリグリセリン化合物を含むことにより、導体パターン形成用インク1の粘度をより適度なものとすることができ、インクジェットヘッド110からの吐出安定性をより効果的に向上させることができる。また、成膜性も向上させることができる。ポリグリセリン化合物としては、上述した中でも、ポリグリセリンを用いるのが好ましい。ポリグリセリンは、セラミックス成形体15の温度変化による膨張収縮への追従性が特に優れるとともに、セラミックス成形体15の焼結後には、導体パターン20中からより確実に除去することができる成分である。その結果、導体パターン20の電気的特性をより高いものとすることができる。さらに、ポリグリセリンは、水系分散媒への溶解度も高いので、好適に用いることができる。有機物有機バインダーは、その重量平均分子量が300以上3000以下であるのが好ましく、400以上1000以下であるのがより好ましく、400以上600以下であるのがさらに好ましい。これにより、導体パターン形成用インク1を用いて形成されたパターンを乾燥した際に、クラックの発生をより確実に防止することができる。これに対し、有機バインダーの重量平均分子量が前記下限値未満であると、有機バインダーの組成によっては、水系分散媒を除去する際に有機バインダーが分解しやすい傾向があり、クラックの発生を防止する効果が小さくなる。また、有機バインダーの重量平均分子量が前記上限値を超えると、有機バインダーの組成によっては、排除体積効果等により導体パターン形成用インク1中への溶解性、分散性が低下する場合がある。また、導体パターン形成用インク1中に有機バインダーの含有量は、1wt以上30wt以下であるのが好ましく、5wt以上20wt以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インク1の吐出安定性を特に優れたものとしつつ、クラック、断線の発生をより効果的に防止することができる。これに対して、有機バインダーの含有量が前記下限値未満であると、有機バインダーの組成によっては、クラックの発生を防止する効果が小さくなる場合がある。また、有機バインダーの含有量が前記上限値を超えると、有機バインダーの組成によっては、導体パターン形成用インク1の粘度を十分に低いものとすることが困難な場合がある。乾燥抑制剤また、導体パターン形成用インク1は、乾燥抑制剤を含んでいてもよい。なお、乾燥抑制剤は、上述した有機物としても認識することもできる。乾燥抑制剤は、導体パターン形成用インク1中の水系分散媒の不本意な揮発を防止するものである。その結果、インクジェット装置の吐出部付近において水系分散媒が揮発することを防止でき、導体パターン形成用インク1の粘度の上昇、乾燥が抑えられる。導体パターン形成用インク1は、このような乾燥抑制剤を含む結果、導体パターン形成用インク1の液滴の吐出安定性が特に優れたものとなる。すなわち、導体パターン形成用インク1の液滴の重量のばらつきが小さいものとなり、目詰まり、飛行曲がり等が少ないものとなる。また、特に、インクジェット装置に導体パターン形成用インク1を充填した後に、長期間例えば、5日間運転を行わずにインクジェット装置を待機状態とした場合であっても、導体パターン形成用インク1を、均一な量で、目的とする位置に精度よく吐出することができる。このような乾燥抑制剤としては、下記式Iで示される化合物、アルカノールアミン、糖アルコール、多糖類等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。ただし、R、R’は、それぞれ、Hまたはアルキル基である。上記式Iで表される化合物は、水素結合性の高い成分である。このため、水との親和性が高く、適度な水分を保持することができ、導体パターン形成用インク1の水系分散媒の不本意な揮発を防止することができる。また、上記化合物は、比較的燃焼しやすく、導体パターン20を形成する際には導体パターン形成用インク1内からより容易に除去酸化分解することができる。また、上述したような化合物は、金属粒子銀粒子が前述したように表面に分散剤が付着したコロイド粒子である場合、表面の分散剤と水素結合により結合し、金属粒子の分散安定性を向上させる効果を有している。これにより、導体パターン形成用インク1の吐出安定性に優れるとともに、保存安定性にも優れたものとなる。上述したように、本発明で用いる上記式Iで表される化合物中における、R、R’は、それぞれ、水素またはアルキル基であるが、R、R’は、ともに水素であるのが好ましい。すなわち、尿素であるのが好ましい。これにより、上述したような保湿性を特に高いものとすることができ、特に優れた吐出安定性を得ることができる。また、金属粒子が上述したようなコロイド粒子として存在する場合に、特に優れた分散安定性を示すものとなる。このような上記式Iで表される化合物の導体パターン形成用インク1中における含有量は、5wt以上25wt以下であるのが好ましく、8wt以上20wt以下であるのがより好ましく、10wt以上18wt以下であるのがさらに好ましい。これにより、導体パターン形成用インク1の不本意な乾燥をより効率よく防止することができる。その結果、導体パターン形成用インク1の吐出安定性を特に優れたものとすることができる。アルカノールアミンは、保湿性の高い成分であるとともに、金属粒子が前述したようなコロイド粒子である場合に、コロイド粒子表面の分散剤の官能基を活性化させることができ、金属粒子の分散安定性をより高いものとすることができる。アルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノプロパノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノールアミン等各種のものを挙げることができる。また、アルカノールアミンは、第3級アミンであるのが好ましい。第3級アミンは、アルカノールアミンの中でも、特に保湿性が高く、上記効果をより顕著なものとすることができる。また、第3級アミンの中でも、取り扱いやすさや、保湿性の高さ等の観点から、特に、トリエタノールアミンを用いるのが好ましい。導体パターン形成用インク1中におけるアルカノールアミンの含有量は、1wt以上10wt以下であるのが好ましく、3wt以上7wt以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インク1の吐出安定性をより効果的に優れたものとすることができる。糖アルコールは、糖類のアルデヒド基およびケトン基を還元して得られるものである。また、糖アルコールは、高い保湿性を有する化合物である。また、糖アルコールは、分子量あたりの酸素数が多いため、雰囲気が糖アルコールの分解温度に達すると、容易に分解して除去される。このため、導体パターン20を形成する際には、導体パターン前駆体10の温度を糖アルコールの分解温度よりも高くすることで、形成される導体パターン20内から糖アルコールを確実に除去酸化分解することができる。糖アルコールとしては、例えば、トレイトール、エリスリトール、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、アラビトール、リビトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール、スレイトール、グリトール、タリトール、ガラクチトール、アリトール、アルトリトール、ドルシトール、イディトール、グリセリングリセロール、イノシトール、マルチトール、イソマルチトール、ラクチトール、ツラニトール等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。上述したような糖アルコールの、導体パターン形成用インク1中における含有量は、3wt以上20wt以下であるのが好ましく、5wt以上15wt以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インク1の水系分散媒の揮発をより確実に抑制することができ、導体パターン形成用インク1は、より長期にわたって液滴の吐出安定性が特に優れたものとなる。多糖類は、保湿性の高い成分であるとともに、後に詳述するようなポリグリセリン化合物とともに含むことにより、導体パターン形成用インクを用いて形成される導電パターンにおいて、不本意なクラック、断線等が発生するのを確実に防止することができ、形成される導体パターンの信頼性を高いものとすることができる。導体パターン形成用インクは、常温25°Cで固体の多糖類を含むのが好ましい。これにより、形成される導体パターンの信頼性を特に優れたものとすることができる。多糖類の重量平均分子量は、1,000以上5,000以下であるが、1,200以上4,500以下であるであるのが好ましく、1,500以上4,000以下であるのがより好ましい。これにより、上述したような効果がより顕著に発揮される。多糖類としては、例えば、セルロース、グアーガム、デンプンアミロース、アミロペクチン、プルラン、デキストリン、フルクタン、グルコマンナン、アガロース、アガロペクチン、カラギーナン、キチン、キトサン、ペクチン、アルギン酸、ヒアルロン酸、マルトデキストリン、またはこれらの誘導体例えば、カルボニル基が還元された多糖類等等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。導体パターン形成用インクは、上記の中でも、常温25°Cで固体のマルトデキストリンを含むのが好ましい。これにより、液滴の吐出安定性、形成される導体パターンの信頼性を特に優れたものとすることができる。また、導体パターン形成用インクは、多糖類として、カルボニル基が還元された多糖類を含むのが好ましい。これにより、液滴の吐出安定性、形成される導体パターンの信頼性を特に優れたものとすることができる。上述したような多糖類の、導体パターン形成用インク1中における含有量は、1wt以上28wt以下であるのが好ましく、2.2wt以上10.5wt以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インク1の水系分散媒の揮発をより確実に抑制することができ、導体パターン形成用インク1は、より長期にわたって液滴の吐出安定性が特に優れたものとなる。また、多糖類は、炭素数も多く、環状構造を有し、脱水反応により炭化しやすい化合物であるため、導体パターン前駆体10の体積収縮をより効果的に抑制するうえで、ポリグリセリンとともに効果がある。また、上記酸素濃度条件下における500°C以上に昇温する加熱処理では、より確実にその炭化物を燃焼除去することができる。その結果、最終的に形成される配線導体パターンにクラック、断線、短絡等が発生するのをより確実に防止するうえで、好適である。表面張力調整剤また、導体パターン形成用インク1は、表面張力調整剤を含んでいてもよい。なお、表面張力調整剤は、上述した有機物としても認識することもできる。表面張力調整剤は、導体パターン形成用インク1とセラミックス成形体15との接触角を所定の角度に調整する機能を有している。表面張力調整剤としては、各種界面活性剤を用いることができ、1種または2種以上を組み合わせて用いることができるが、アセチレングリコール系化合物を含むことが好ましい。アセチレングリコール系化合物は、少ない添加量で、導体パターン形成用インク1とセラミックス成形体15との接触角を所定の範囲に調整することができる。このように、導体パターン形成用インク1とセラミックス成形体15との接触角を所定の範囲に調整することにより、より微細な導体パターン20を形成することができる。また、吐出した液滴内に気泡が混入した場合であっても、速やかに気泡を除去することができる。その結果、形成される導体パターン20でのクラック、断線の発生をより効果的に防止することができる。アセチレングリコール系化合物としては、例えば、サーフィノール104シリーズ104E、104H、104PG-50、104PA等、サーフィノール400シリーズ420、465、485等、オルフィンシリーズEXP4036、EXP4001、E1010等サーフィノールおよびオルフィンは、日信化学工業株式会社の商品名等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。また、導体パターン形成用インク1中には、HLB値が異なる2種以上のアセチレングリコール系化合物を含んでいるのが好ましい。導体パターン形成用インク1とセラミックス成形体15との接触角を所定の範囲により容易に調整することができる。特に、導体パターン形成用インク1中に含まれる2種以上のアセチレングリコール系化合物のうち、最もHLB値が高いアセチレングリコール系化合物のHLB値と、最もHLB値が低いアセチレングリコール系化合物のHLB値との差が、4以上12以下であるのが好ましく、5以上10以下であるのがより好ましい。これにより、より少ないアセチレングリコール系化合物の添加量で、導体パターン形成用インク1とセラミックス成形体15との接触角を所定の範囲により容易に調整することができる。導体パターン形成用インク1中に2種以上のアセチレングリコール系化合物を含むものを用いる場合、最もHLB値の高いアセチレングリコール系化合物のHLB値は、8以上16以下であるのが好ましく、9以上14以下であるのがより好ましい。また、導体パターン形成用インク1中に2種以上のアセチレングリコール系化合物を含むものを用いる場合、最もHLB値の低いアセチレングリコール系化合物のHLB値は、2以上7以下であるのが好ましく、3以上5以下であるのがより好ましい。導体パターン形成用インク1中に含まれる表面張力調整剤の含有量は、0.001wt以上1wt以下であるのが好ましく、0.01wt以上0.5wt以下であるのがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インク1とセラミックス成形体15との接触角をより効果的に所定の範囲に調整することができる。その他の成分なお、導体パターン形成用インク1の構成成分は、上記成分に限定されず、上記以外の成分を含んでいてもよい。このような成分としては、例えば、チオ尿素等が挙げられる。また、導体パターン形成用インク1の粘度は、特に限定されないが、2.0mPas以上12.0mPas以下であることが好ましく、5.0mPas以上10.0mPas以下であることがより好ましい。これにより、液滴の吐出安定性を優れたものとすることができるとともに、セラミックス成形体15に着弾した導体パターン形成用インク1の不本意な濡れ広がりをより確実に防止することができ、微細な線幅の導体パターン前駆体10を形成することができる。以上、本発明について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、本発明の配線基板の製造方法は、任意の目的の工程が1または2以上追加されてもよい。また、前述した実施形態では、金属粒子を溶媒に分散してなる分散液として、コロイド液を用いる場合について説明したが、コロイド液でなくてもよい。以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。[1]導体パターン形成用インクA、Bの調製10N-NaOH水溶液を3mL添加してアルカリ性にした水50mLに、クエン酸3ナトリウム2水和物17g、タンニン酸0.36gを溶解した。得られた溶液に対して3.87mol/L硝酸銀水溶液3mLを添加し、2時間攪拌を行い銀コロイド液を得た。得られた銀コロイド液に対し、導電率が30μS/cm以下になるまで透析することで脱塩を行った。透析後、3000rpm、10分の条件で遠心分離を行うことで、粗大金属コロイド粒子を除去した。この銀コロイド液に、乾燥抑制剤としてのマルトデキストリンと、キシリトールと、有機バインダーとしてのポリグリセリンと、表面張力調整剤としてのサーフィノール104PG-50日信化学工業社製およびオルフィンEXP4036日信化学工業社製とを添加し、さらに濃度調整用のイオン交換水を添加することにより、表1に示すような導体パターン形成用インクを得た。なお、導体パターン形成用インク中における、銀コロイド粒子の含有量は40wt、マルトデキストリンの含有量は5wt、キシリトールの含有量は6wt、ポリグリセリンの含有量は9wt、サーフィノール104PG-50の含有量は0.02wt、オルフィンEXP4036の含有量は0.006wt、水の含有量は39.974wtであった。[2]配線基板の製造実施例1[セラミックスグリーンシートセラミックス成形体形成工程]まず、以下のようにしてセラミックスグリーンシートセラミックス成形体を用意した。平均粒径が1~2μm程度のアルミナAl2O3と酸化チタンTiO2等からなるセラミックス粉末と、平均粒径が1~2μm程度のホウ珪酸ガラス等からなるガラス粉末とを1:1の重量比で混合し、バインダー結合剤としてポリビニルブチラール、可塑剤としてジブチルフタレートを加え、混合撹拌することにより得たスラリーを、ドクターブレードでPETフィルム上にシート状に形成したものをセラミックスグリーンシートとし、1辺の長さを200mmとする正方形状に裁断したものを使用した。[導体パターン前駆体形成工程]上記のようにして得られた導体パターン形成用インクを、それぞれ図5、6に示すようなインクジェット装置に投入した。まず、上記導体パターン形成用インクを搭載した上記インクジェット装置を用いて描画を行い、インクが安定して吐出されることを確認した。次に、上記セラミックスグリーンシートを60°Cに昇温保持した。各吐出ノズルからそれぞれ1滴当り15ngの液滴を順次吐出し、線幅が50μm、厚み15μm、長さが10.0cmのライン導体パターン前駆体を20本描画した。そして、このラインが形成されたセラミックスグリーンシートを乾燥炉に入れ、60°Cで30分間加熱して乾燥した。上記のようにして、ラインが形成されたセラミックスグリーンシートを第1のセラミックスグリーンシートとした。次に、別のセラミックスグリーンシートに上記の金属配線の両端位置に機械式パンチ等によって孔開けを行うことで計40箇所に直径100μmのスルーホールを形成し、得られた各実施例および各比較例の導体パターン形成用インクを充填することでコンタクトビアを形成した。さらに、このコンタクトビア上に2mm角のパターンを、得られた各実施例および各比較例の導体パターン形成用インクを用いて上記液滴吐出装置を用いて端子部を形成した。この端子部が形成されたセラミックスグリーンシートを第2のセラミックスグリーンシートとした。[積層工程]次に、第2のセラミックスグリーンシートの下に第1のセラミックスグリーンシートを積層し、さらに無加工のセラミックスグリーンシートを補強層として2枚積層し、生の積層体を得た。この生の積層体を20ブロック作成した。次に、生の積層体を、95°Cの温度において、250kg/cm2の圧力で30分間プレスした。[加熱工程]その後、酸素濃度5の雰囲気中において、平均昇温速度1.0°C/分変化前の平均昇温速度で約5時間かけて300°Cまで昇温し、その後、平均昇温速度10.0°C/分変化後の平均昇温速度で約30分間かけて脱脂完了温度600°Cまで昇温した。なお、温度が500°Cに達した時に雰囲気中の酸素濃度を25に変更した。その後、4時間保持した後、5.0°C/分で最高温度最大加熱温度890°Cまで昇温した。さらに、最高温度890°Cで30分間保持した後、冷却して、セラミックス回路基板配線基板を得た。実施例2~4加熱開始から500°Cに達するまでの雰囲気中の酸素濃度および500°C以上に加熱する際の雰囲気中の酸素濃度を表1に示すように変更した以外は、前記実施例1と同様にしてセラミックス回路基板配線基板を製造した。実施例5加熱工程において、平均昇温速度0.1°C/分変化前の平均昇温速度で約50時間かけて290°Cまで昇温し、その後、平均昇温速度0.15°C/分変化後の平均昇温速度で約34時間かけて脱脂完了温度600°Cまで昇温した以外は、前記実施例1と同様にしてセラミックス回路基板配線基板を製造した。実施例6加熱工程において、平均昇温速度2.0°C/分変化前の平均昇温速度で約2.5時間かけて320°Cまで昇温し、その後、平均昇温速度30.0°C/分変化後の平均昇温速度で約20分間かけて脱脂完了温度600°Cまで昇温し、さらに、最高温度890°Cで15分間保持した以外は、前記実施例1と同様にしてセラミックス回路基板配線基板を製造した。実施例7加熱工程において、平均昇温速度1.0°C/分変化前の平均昇温速度で約5時間かけて300°Cまで昇温し、その後、平均昇温速度10.0°C/分変化後の平均昇温速度で約25分間かけて脱脂完了温度550°Cまで昇温した以外は、前記実施例1と同様にしてセラミックス回路基板配線基板を製造した。実施例8加熱工程において、平均昇温速度0.5°C/分変化前の平均昇温速度で約10時間かけて300°Cまで昇温し、その後、平均昇温速度10°C/分変化後の平均昇温速度で約25分間かけて脱脂完了温度550°Cまで昇温した以外は、前記実施例1と同様にしてセラミックス回路基板配線基板を製造した。比較例加熱開始から500°Cに達するまでの雰囲気中の酸素濃度および500°C以上に加熱する際の雰囲気中の酸素濃度を表1に示すように変更した以外は、前記実施例1と同様にしてセラミックス回路基板配線基板を製造した。上記実施例および比較例における、加熱開始から500°Cに達するまでの雰囲気中の酸素濃度、500°C以上に加熱する際の雰囲気中の酸素濃度、変化前の平均昇温時間、変化後の平均昇温時間、最大加熱温度等を表1に示す。なお、表中、加熱開始から500°Cに達するまでの雰囲気中の酸素濃度をX[]、500°C以上に加熱する際の雰囲気中の酸素濃度をY[]と示した。[3]信頼性の評価各実施例および比較例で得られたセラミックス回路基板について、20本の導体パターン上に形成された端子部間にテスタをあて、導通の有無を確認し、下記評価基準により配線基板の信頼性を評価した。なお、導通率とは、導通できた良品の数を総数で除して得られる数値を示す。A:20ブロック全てにおいて導通率が100であった。B:20ブロック中導通率が100を含み、他は95以上であった。実用可。C:20ブロック全てにおいて導通率が100未満であった。実用不可。[4]クラック発生率の評価各実施例および比較例で得られたセラミックス回路基板について、導体パターンと垂直方向に基板中央部にて破断し、断面をSEMで観察を行った。1本の導体パターンの破断面に対し、幅あるいは厚みが5μm以上の空隙をクラックと判断し、クラック発生率を評価した。なお、クラック発生率とは、20本の導体パターン中で発生したクラック数を総数で除して得られる数値を示す。A:20ブロック全てにおいてクラック発生率が0であった。B:20ブロック中クラック発生率が0または、10未満であった。実用可。C:20ブロック全てにおいてクラック発生率が10以上であった。実用不可。この結果を、表1に合わせて示した。表1に示すように、本発明の製造方法で得られた配線基板は、いずれも導通率が高く、信頼性の高いものであった。また、本発明の製造方法は、比較的短時間で効率よく信頼性の高い配線基板を得られるものであった。これに対して、比較例では、満足な結果が得られなかった。"