"絶縁性セラミックからなる基体と、タングステンの珪化物、炭化物、及び、窒化物の少なくともいずれか一種を含む導電性セラミックから形成され、前記基体中に埋設される発熱素子とを備えたセラミックヒータの製造方法であって、少なくとも導電性セラミック粉末を含む素子材料を成形して、前記発熱素子となるべき素子成形体を得る素子成形工程と、少なくとも絶縁性セラミック粉末及びバインダを含む基体材料の中に、前記素子成形体を埋設した上で、プレスすることにより、前記素子成形体と、前記基体となるべき絶縁成形体とが一体化された保持体を得る保持体成形工程と、不活性ガス雰囲気下において前記保持体を仮焼する不活性ガス仮焼工程と、前記不活性ガス仮焼工程の後、酸素雰囲気下において前記保持体を仮焼する酸化仮焼工程とを含み、前記バインダは、アクリル系バインダであり、前記不活性ガス仮焼工程において、前記バインダの重量を92以上95以下減少させることを特徴とするセラミックヒータの製造方法。前記酸化仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を220°C以上320°C以下としたことを特徴とする請求項1に記載のセラミックヒータの製造方法。前記不活性ガス仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を450°C以上650°C以下としたことを特徴とする請求項1又は2に記載のセラミックヒータの製造方法。前記絶縁成形体の肉厚が0.2mm以上1.5mm以下とされることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のセラミックヒータの製造方法。しかしながら、絶縁成形体を薄肉に形成すると、半割絶縁成形体の合わせ面などにおいて接合力の低下を招いてしまい、不活性ガス雰囲気下で仮焼した仮焼体に割れ等の破損が生じてしまうおそれがある。これに対して、仮焼体の破損を防止すべく、接合力に優れるアクリル系バインダを用いることが考えられるが、この場合には、仮焼による炭素の除去が不十分となってしまうおそれがある。基体中に残存する炭素の量残炭量が多くなると、基体内部にメリライト相やJ相等の窒素を含んだ粒界相が生成されやすくなってしまい、セラミックヒータ使用時の高温下において粒界相の酸化が生じやすくなってしまう。その結果、セラミックヒータの耐久性が低下してしまうおそれがある。本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、その目的は、基体材料のバインダとしてアクリル系バインダを用いることで接合力の向上を図りつつ、アクリル系バインダを用いることに伴う残炭量の増大をより確実に防止することができるセラミックヒータの製造方法を提供することにある。以下、上記目的を解決するのに適した各構成につき、項分けして説明する。なお、必要に応じて対応する構成に特有の作用効果を付記する。構成1.本構成のセラミックヒータの製造方法は、絶縁性セラミックからなる基体と、タングステンWの珪化物、炭化物、及び、窒化物の少なくともいずれか一種を含む導電性セラミックから形成され、前記基体中に埋設される発熱素子とを備えたセラミックヒータの製造方法であって、少なくとも導電性セラミック粉末を含む素子材料を成形して、前記発熱素子となるべき素子成形体を得る素子成形工程と、少なくとも絶縁性セラミック粉末及びバインダを含む基体材料の中に、前記素子成形体を埋設した上で、プレスすることにより、前記素子成形体と、前記基体となるべき絶縁成形体とが一体化された保持体を得る保持体成形工程と、不活性ガス雰囲気下において前記保持体を仮焼する不活性ガス仮焼工程と、前記不活性ガス仮焼工程の後、酸素雰囲気下において前記保持体を仮焼する酸化仮焼工程とを含み、前記バインダは、アクリル系バインダであり、前記不活性ガス仮焼工程において、前記バインダの重量を92以上95以下減少させることを特徴とする。上記構成1によれば、バインダとして接合力に優れるアクリル系バインダが用いられるため、焼成体の割れを抑制しつつ、絶縁成形体をより薄肉に形成することができる。その結果、焼成体の外形形状を最終的なセラミックヒータの外形形状に極力近づけることができ、材料コストの低減を図ることができる。一方で、アクリル系バインダを用いることで、仮焼時において炭素を十分に除去できないことが懸念されるが、上記構成1によれば、不活性ガス仮焼工程におけるバインダの重量減少が95以下とされており、バインダを完全に炭化させることなく、有機物の状態である程度残存させるように構成されている。そのため、不活性ガス仮焼工程後の酸化仮焼工程において、バインダの燃焼が促進されることとなり、バインダを効果的に除去することができる。その結果、最終的な残炭量を十分に小さなものとすることができ、耐久性の低下をより確実に防止することができる。尚、不活性ガス仮焼工程においてバインダを多量に残存させてしまうと、酸化仮焼の際にバインダが激しく燃焼してしまい、素子成形体の膨張ひいては絶縁成形体の破損を招いてしまうおそれがある。従って、絶縁成形体の破損をより確実に防止するという点から、不活性ガス仮焼行程におけるバインダの重量減少を92以上とすることが好ましい。構成2.本構成のセラミックヒータの製造方法は、上記構成1において、前記酸化仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を220°C以上320°C以下としたことを特徴とする。一般的な酸化仮焼においては、炭素をより確実に燃焼除去するために、加熱温度が500°C以上とされる。しかしながら、上記構成1のようにWの炭化物等により発熱素子を形成する場合に、加熱温度を500°C以上としてしまうと、Wの炭化物等が急激に酸化することとなってしまい、その結果、絶縁成形体が破損してしまうおそれがある。この点、上記構成2によれば、酸化仮焼工程における加熱温度が320°C以下と比較的低温とされているため、Wの炭化物等の急激な酸化を抑制することができ、絶縁成形体の破損をより確実に防止することができる。また、バインダが有機物の状態である程度残存しているため、加熱温度が比較的低温であっても、炭素の燃焼除去を促進することができる。すなわち、酸化仮焼における加熱温度を比較的低温とすることで、Wの炭化物等の酸化抑制を図りつつ、加熱温度を低温とすることに伴い懸念される残炭量の増大という事態が、上記構成1を採用することでより確実に防止されるようになっている。尚、酸化仮焼工程における加熱温度が過度に低いと、バインダの除去効率が低下してしまい、製造コストの増大を招いてしまうおそれがある。従って、バインダを比較的短時間で効率よく除去可能とし、製造コストの増大抑制を図るという観点から、酸化仮焼工程における加熱温度を220°C以上とすることが好ましい。構成3.本構成のセラミックヒータの製造方法は、上記構成1又は2において、前記不活性ガス仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を450°C以上650°C以下としたことを特徴とする。上記構成3によれば、不活性ガス仮焼工程におけるバインダの重量減少を比較的容易に92以上95以下とすることができ、上記構成1をより確実に、かつ、より容易に実現することができる。構成4.本構成のセラミックヒータの製造方法は、上記構成1乃至3のいずれかにおいて、前記絶縁成形体の肉厚が0.2mm以上1.5mm以下とされることを特徴とする。上記構成4によれば、絶縁成形体表面から素子成形体表面までの絶縁成形体の肉厚幅が1.5mm以下とされているため、研磨加工における焼成体の削り代を減少させることができるとともに、研磨加工に要する工数を少なくすることができる。その結果、製造コストを低減させることができる。一方で、絶縁成形体の肉厚が0.2mm以上とされているため、絶縁成形体の接合力を十分に確保することができる。従って、仮焼後における保持体仮焼体の破損を効果的に防止することができる。以下に、一実施形態について図面を参照して説明する。まず、セラミックヒータ4を備えるセラミックグロープラグ1以下、グロープラグ1と称すについて、図1,b及び図2を参照しつつ説明する。図1aは、グロープラグ1の縦断面図であり、図1bは、グロープラグ1の正面図である。また、図2は、セラミックヒータ4を中心に示す部分拡大断面図である。尚、図1,2においては、図の下側をグロープラグ1セラミックヒータ4の先端側、上側を後端側として説明する。図1a,bに示すように、グロープラグ1は、ハウジング2、中軸3、セラミックヒータ4、外筒5、端子ピン6等を備えている。ハウジング2は、所定の金属材料例えば、S45C等の鉄系素材によって形成されるとともに、軸線CL1方向に沿って延びる軸孔7を有している。さらに、ハウジング2の長手方向中央部外周には、グロープラグ1をエンジンのシリンダヘッド等に取付けるための雄ねじ部8が形成されている。併せて、ハウジング2の後端部外周には断面六角形状をなす鍔状の工具係合部9が形成されており、前記シリンダヘッド等にグロープラグ1雄ねじ部8を取付ける際には、当該工具係合部9に使用される工具が係合されるようになっている。また、ハウジング2の軸孔7には、金属製で丸棒状をなす前記中軸3が収容されている。さらに、当該中軸3の先端部は、導電性の金属材料例えば、SUS等の鉄系素材によって形成された円筒状の接続部材10の後端部に圧入されており、接続部材10の先端部に、前記セラミックヒータ4の後端部が圧入されている。つまり、中軸3とセラミックヒータ4とが接続部材10を介して機械的かつ電気的に接続された状態となっている。加えて、中軸3の先端側には、その外径が先端側に向けて細径化されてなる括れ部13が形成されており、当該括れ部13によって、中軸3に伝わる応力の緩和等が図られている。尚、接続部材10に代えて、所定のリード線などにより前記中軸3とセラミックヒータ4とを電気的に接続することとしてもよい。さらに、前記中軸3の後端部には、金属製の前記端子ピン6が加締め固定されている。また、端子ピン6の先端部及びハウジング2の後端部の間には、両者間における直接的な電気的導通を防止すべく、絶縁性素材からなる絶縁ブッシュ11が設けられている。加えて、軸孔7内の気密性の向上等を図るべく、ハウジング2及び中軸3の間には、絶縁ブッシュ11の先端部に接触するようにして絶縁性素材からなるOリング12が設けられている。併せて、前記外筒5は、所定の金属材料により筒状に形成されており、自身の先端からセラミックヒータ4の先端部を露出させた状態で、セラミックヒータ4の軸線CL1方向に沿った中間部分を保持している。さらに、外筒5は、自身の後端部が軸孔7に挿入された状態で、ハウジング2及び外筒5の接触面外縁に沿ってレーザー溶接を施すことで、ハウジング2に接合されている。次に、セラミックヒータ4の詳細について説明する。図2に示すように、セラミックヒータ4は、絶縁性セラミックによって構成されるとともに、軸線CL1方向に延びる筒状の基体21と、その内部に埋設された、導電性セラミックよりなる長細いU字状の発熱素子22とを備えている。基体21は、自身の先端部を除いて略同一の外径を有するように形成されている。また、発熱素子22は、一対の棒状のリード部23,24と、前記リード部23,24の先端部同士を連結する連結部25とを備え、当該連結部25のうち特に先端側の部分が発熱部26となっている。発熱部26は、いわゆる発熱抵抗体として機能する部位であり、曲面状に形成されたセラミックヒータ4の先端部分において、その曲面に沿うようにして断面略U字状をなしている。また、本実施形態においては、発熱部26の断面積がリード部23,24の断面積よりも小さくなるようにして構成されており、通電時には、前記発熱部26において積極的に発熱が行われるようになっている。さらに、前記リード部23,24は、それぞれセラミックヒータ4の後端側に向けて互いに略平行に延設されている。加えて、一方のリード部23の後端側には、電極取出部27が外周方向に突設されており、当該電極取出部27は、セラミックヒータ4の外周面に露出している。また、他方のリード部24の後端側にも、電極取出部28が外周方向に突設されており、当該電極取出部28は、セラミックヒータ4の外周面に露出している。尚、前記一方のリード部23の電極取出部27は、軸線CL1方向に沿って、前記他方のリード部24の電極取出部28よりも後端側に位置している。加えて、電極取出部27の露出部分は、接続部材10の内周面に接触しており、接続部材10に接続された中軸3と前記リード部23との電気的導通が図られている。また、電極取出部28の露出部分は、外筒5の内周面に対して接触しており、外筒5に接合されたハウジング2とリード部24との電気的導通が図られている。すなわち、本実施形態では、中軸3とハウジング2とが、グロープラグ1において、セラミックヒータ4の発熱部26に通電するための陽極陰極として機能するようになっている。加えて、本実施形態において、発熱素子22は、導電性材料、及び、セラミック材料例えば、窒化珪素やアルミナ等からなる導電性セラミック粉末と、バインダーワックス、可塑剤とを含む素子材料が仮焼後、焼成されることで形成されている。また、導電性材料として、タングステンWの珪化物、炭化物、及び、窒化物の少なくともいずれか一種が含有されている。尚、素子材料は、バインダやその他の各種焼結助剤等を含んで構成されることとしてもよい。一方で、前記基体21は、少なくとも絶縁性セラミック粉末例えば、窒化珪素やアルミナ等、及び、バインダを含む基体材料が焼成されることで形成されている。本実施形態においては、前記バインダとしてアクリル系バインダが用いられる。尚、当該アクリル系バインダとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体、具体的には、アクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル-メタクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。次いで、上述したセラミックヒータ4の製造方法について、図3を参照しつつ説明する。尚、特に明記しない部位については、従来公知の方法により製造されるものとする。まず、素子成形工程S1において、上述した発熱素子22の前駆体である素子成形体31図4参照を成形する。詳述すると、まず、原料調整工程S11において、導電性材料にセラミック材料を加えたものを水の中でスラリー状にするとともに、スプレードライを施し、乾燥させることで粉末状の素子材料を得る。次いで、成形工程S12において、素子材料にバインダを混入したものを混錬するとともに、当該素子材料を射出成形することで、素子成形体31を作製する。素子成形体31は、図4に示すように、未焼成のリード部32,33と、リード部32,33の先端側図の左側を連結するU字形状の未焼成の連結部34とを備えている。次いで、素子成形工程S1とは別に、半割絶縁成形体成形工程S2において、基体21の半分を構成する第1半割絶縁成形体41図4参照を形成する。すなわち、絶縁性セラミック粉末及びアクリル系バインダ等を窒化珪素製の球石を使用して水の中で40時間湿式混合する。次いで、スプレードライを施し、粉末状とすることで基体材料を得る。そして、得られた基体材料を所定の金型装置図示せずによりプレス成形することで、第1半割絶縁成形体41が形成される。尚、金型装置としては、例えば、平面視長方形状の開口を有する枠形状の外枠と、当該外枠に対して上下動可能な下型及び上型とを備えたものが用いられる。第1半割絶縁成形体41の成形にあたっては、まず、前記外枠の開口に下型の凸部を挿通させた上で、外枠の開口内に、前記基体材料を所定量充填する。そして、前記外枠内にて前記上型を下動させ、所定圧力で基体材料をプレスする。これにより、収容凹部41Sの形成された第1半割絶縁成形体41が得られる。尚、素子成形体31の成形と、第1半割絶縁成形体41の成形とは、どちらを先に行うこととしてもよい。次いで、保持体成形工程S3において、素子成形体31と、半割絶縁成形体41及び前記基体材料とを用いて保持体51図5参照の成形が行われる。この保持体51の成形に際しても所定の金型装置図示せずが使用される。尚、金型装置は、例えば上記同様の枠形状をなす外枠と、当該外枠に対して上下動可能な下型及び上型とを備えている。保持体成形工程S3においては、まず、前記外枠の開口に下型の凸部を挿通させた上で、当該凸部の上に第1半割絶縁成形体41をセットする。次いで、セットされた第1半割絶縁成形体41の収容凹部41Sに、素子成形体31を設置する。次に、前記外枠の開口内に、前記基体材料を充填し、上型の凸部を開口に挿通した上で、上型を下動させ、所定圧力でプレスする。これにより、図5に示すように、外枠の開口内に充填された基体材料が成形され、第2半割絶縁成形体42が成形される。また、両半割絶縁成形体41,42が一体化されてなる絶縁成形体43が形成されるとともに、素子成形体31と絶縁成形体43とが一体化されてなる保持体51が得られる。尚、本実施形態では、後述する研磨工程S8における研削量を低減すべく、絶縁成形体43が比較的薄肉に形成されており、絶縁成形体43の肉厚幅が非常に小さなもの本実施形態では、1.5mm以下とされている。一方で、絶縁成形体43特に、両半割絶縁成形体41,42間の接合力を十分に確保すべく、絶縁成形体43の肉厚は所定値本実施形態では、0.2mm以上とされている。次いで、不活性ガス仮焼工程S4において、前記保持体51を、不活性ガス雰囲気例えば、窒素ガスやアルゴンガスの雰囲気下で、炉内の温度を450°C~650°C例えば、約550°Cとした電気炉に投入して加熱する。加熱により、素子成形体31中の可塑剤や絶縁成形体43中のバインダが除去されるが、この工程S4においては、絶縁成形体43中のバインダの重量を92以上95以下減少させるように換言すれば、バインダを完全に炭化させることなく、有機物の状態である程度残存させるように加熱温度や加熱時間が設定される。続いて、保持体が酸化仮焼工程S5に供される。すなわち、酸素雰囲気で、炉内の温度を220°C以上320°C以下とした電気炉内に、保持体51を投入して仮焼する。その後、離型剤塗布工程S6において、保持体51の外表面全体に離型剤が塗布される。続いて、保持体51が焼成工程S7に供される。この工程では、いわゆるホットプレス法による焼成が行われる。すなわち、図示しないホットプレス焼成炉を用いて、非酸素雰囲気下で保持体51を加圧加熱することにより、図6bに示す焼成体61を得る。尚、焼成工程においては、焼成後の焼成体61が略円柱状となるように、上述したセラミックヒータ4の外形に準じた形状の凹部を有するカーボン治具が用いられる。また、保持体51は、図6aにおいて矢印で示すように一軸加圧条件下で加圧される。その後、研磨工程S8において、焼成体61に各種研磨加工を施すことで、上述したセラミックヒータ4が得られる。尚、研磨加工としては、公知のセンタレス研磨機を用いて焼成体61の外周を研磨し、電極取出部27,28を外周面から露出させるセンタレス研磨や、基体21の先端部に曲面加工を施し、外周面と発熱部26との距離の均一化を図るためのR研磨などがある。続いて、得られたセラミックヒータ4と、従来公知の手法により製造したハウジング2等とを組付ける。これにより、上述したグロープラグ1を得ることができる。以上詳述したように、本実施形態によれば、バインダとして接合力に優れるアクリル系バインダが用いられるため、焼成体61の割れを抑制しつつ、上述のように絶縁成形体43を薄肉に形成することができる。その結果、焼成体61の外形形状を最終的なセラミックヒータ4の外形形状に極力近づけることができ、材料コストの低減を図ることができる。また、本実施形態においては、不活性ガス仮焼工程S4におけるバインダの重量減少が95以下とされており、バインダを完全に炭化させることなく、有機物の状態である程度残存させるように構成されている。そのため、酸化仮焼工程S5において、バインダの燃焼が促進されることとなり、バインダを効果的に除去することができる。その結果、最終的な残炭量を十分に小さなものとすることができ、耐久性の低下をより確実に防止することができる。加えて、不活性ガス仮焼行程S4におけるバインダの重量減少が92以上とされているため、酸化仮焼時におけるバインダの燃焼を比較的穏やかなものとすることができる。その結果、酸化仮焼工程S5における絶縁成形体43の破損をより確実に防止することができる。さらに、酸化仮焼工程S5における加熱温度が320°C以下と比較的低温とされているため、素子成形体31を構成するWの炭化物等の急激な酸化を抑制することができる。また、バインダが有機物の状態としてある程度残存しているため、加熱温度が比較的低温であっても、炭素の燃焼除去を促進することができる。すなわち、酸化仮焼における加熱温度を比較的低温とすることで、Wの炭化物等の酸化抑制を図りつつ、加熱温度を低温とすることに伴い懸念される残炭量の増大という事態を、バインダの重量減少を95以下とすることでより確実に防止できるようになっている。併せて、酸化仮焼工程S5における加熱温度が220°C以上とされているため、バインダを比較的短時間で効率よく除去することができ、製造コストの増大抑制を図ることができる。また、不活性ガス仮焼工程S4における加熱温度が450°C以上650°C以下とされているため、当該工程S5におけるバインダの重量減少を比較的容易に92以上95以下とすることができる。さらに、絶縁成形体43の幅肉厚が1.5mm以下とされているため、研磨加工における焼成体61の削り代や研磨工程の工数を減少させることができ、製造コストを低減させることができる。一方で、絶縁成形体43の幅は0.2mm以上とされているため、絶縁成形体43の接合力を十分に確保することができ、仮焼後における保持体51の破損を効果的に防止することができる。次いで、上記実施形態によって奏される作用効果を確認すべく、基体材料のバインダとしてワックス系バインダを用いた保持体のサンプルと、基体材料のバインダとしてアクリル系バインダを用いた保持体のサンプルとを作製するとともに、各サンプルについて不活性ガス仮焼工程後の仮焼体と、焼成工程後の焼成体との評価を行った。すなわち、不活性ガス窒素ガス仮焼工程における加熱温度を変更することで、不活性ガス仮焼前におけるバインダの重量に対する不活性ガス仮焼後のバインダの重量の減少割合バインダ重量減少割合を種々変更させるとともに、仮焼体における破損の有無を確認した。その上で、各サンプルに対して酸化仮焼を行い、基体に残存する炭素量酸化仮焼後炭素量質量を測定した。その後、焼成を行った上で、X線回折を用いて焼成体の結晶相を観察し、結晶相におけるメリライト相の有無を確認した。表1に、ワックス系バインダを用いるとともに、絶縁成形体の肉厚を1.5mmとしたサンプルの試験結果を示し、表2に、アクリル系バインダを用いるとともに、絶縁成形体の肉厚を1.5mmとしたサンプルの試験結果を示し、表3に、アクリル系バインダを用いるとともに、絶縁成形体の肉厚を0.1mm~1.5mmの範囲で変更したサンプルの試験結果を示す。尚、表1~3中の仮焼体の破損においては、仮焼体に破損が生じていた場合に×とし、仮焼体に破損が生じていなかった場合に○とした。さらに、表1~3中の焼成体の結晶相においては、焼成体の結晶相にメリライト相が生成されていた場合に×とし、焼成体の結晶相にメリライト相が生成されていなかった場合に○とした。また、各サンプルともに、Wの炭化物等を含む材料により素子成形体を形成した。加えて、バインダの重量減少は、電子天秤を用いて測定した。尚、酸化仮焼後炭素量は、基体に残存する全炭素量のうち、バインダによる炭素量を示す。表1に示すように、ワックス系バインダを用いたサンプルサンプルAは、炭素を十分に除去することができていたものの、仮焼体特に半割絶縁成形体の合わせ面に破損が生じてしまうことが明らかとなった。これは、ワックス系バインダは接合力が比較的弱いため、絶縁成形体を薄肉としたことで前記合わせ面における接合力が不足してしまったことによると考えられる。また、表2に示すように、アクリル系バインダを用いた一方で、サンプルAと同様に、不活性ガス仮焼後におけるバインダ重量減少割合を95超としたサンプルサンプル1~3は、炭素の除去が不十分0.34以上となってしまい、焼成体の結晶相に耐久性低下を招くメリライト相が生成されてしまった。これは、アクリル系バインダは接合力に優れる反面、不活性ガス仮焼により炭素が除去されにくいこと、及び、不活性ガス仮焼において多くのバインダを蒸発させたことで、不活性ガス仮焼後に少量だけ残存したバインダが完全に炭化したものとなり、その後の酸化仮焼において、炭化したバインダがほとんど燃焼しなかったことに起因すると考えられる。一方で、不活性ガス仮焼時における加熱温度を低めに設定して、不活性ガス仮焼後におけるバインダ重量減少割合を92未満とし、多くのバインダを残存させたサンプルサンプル4は、酸化仮焼により炭素が十分に除去されたものの、仮焼体に破損が生じてしまうことが確認された。これは、多くのバインダを残存させた状態で酸化仮焼を行ったことで、バインダが激しく燃焼してしまったためであると考えられる。これに対して、不活性ガス仮焼後におけるバインダの割合を92以上95以下としたサンプルサンプル5~13は、仮焼体の破損が生じることなく、炭素を十分に除去できることが明らかとなった。これは、不活性ガス仮焼の際にバインダが有機物の状態である程度残存することとなり、酸化仮焼時にバインダの燃焼が促進されたこと、また、バインダの残存量を比較的少なめにしたことで、燃焼を促進しつつも、その燃焼が比較的穏やかなものとなったことに起因すると考えられる。また、表3に示すように、絶縁成形体の肉厚を0.2mm以上1.5mm以下としたサンプルサンプル14~16においても仮焼体に破損は生じず、焼成体の結晶相にメリライト相の生成はなかったが、肉厚を0.1mmとしたサンプルサンプル17においては、仮焼体に破損が生じた。以上の試験結果より、接合力の向上を図るためにアクリル系バインダを用いた場合において、アクリル系バインダを用いることに伴う残炭量の増大というデメリットを解消しつつ、仮焼体の破損をより確実に防止するためには、不活性ガス仮焼工程において、バインダの重量を92以上95以下減少させることが好ましいといえる。また、仮焼体の破損をより一層確実に防止するためには、絶縁成形体の肉厚を0.2mm以上とすることがより好ましいといえる。尚、基本的に絶縁成形体の肉厚が1.5mmを超えた場合でも、不活性ガス仮焼工程において、バインダの重量を92以上95以下減少させることで、仮焼後の炭素量が減少するとともに、仮焼体の破損や焼成体における結晶相の異常は生じないが、研磨工程における工数や焼成体の研削量が増大してしまうおそれがある。従って、製造コストの低減を図るという観点から、絶縁成形体の肉厚を1.5mm以下とすることが好ましい。尚、サンプル2,3の試験結果を比べてみると、両サンプルともに炭素の除去が不十分であったが、サンプル3においては仮焼体の破損も生じていた。これは、酸化仮焼時における加熱温度を350°Cと高くしたことで、酸化仮焼の際にWの炭化物等が急激に酸化してしまったためであると考えられる。従って、仮焼体の破損をより一層確実に防止するという点から、酸化仮焼工程において、保持体の加熱温度を320°C以下とすることがより好ましいといえる。また、上記試験結果の示す通り、不活性ガス仮焼工程における加熱温度を450°C以上650°C以下とすることで、バインダの重量減少を比較的容易に92以上95以下とすることができるといえる。尚、上記試験では、アクリル系バインダとしてアクリル酸エチルの共重合体を用いたが、電子天秤により、他のアクリル系バインダにおいても上記試験と同様の傾向となることすなわち、不活性ガス仮焼工程におけるバインダの重量減少を92~95とすることで、最終的な残炭量を低減できることが確認された。尚、上記実施形態の記載内容に限定されず、例えば次のように実施してもよい。勿論、以下において例示しない他の応用例、変更例も当然可能である。a上記実施形態では、絶縁成形体43を成形するにあたって、粉末プレス成形法が用いられているが、他の成形方法例えば、射出成形法やシート成形法等により絶縁成形体を成形することとしてもよい。b上記実施形態において、素子成形体31は、射出成形法により形成されているが、他の成形手法により素子成形体を得ることとしてもよい。従って、例えば、所定のバインダを配合した素子材料をシート成形することで導電性のシートを作製するとともに、当該導電性のシートを所定の金型により打抜くことで素子成形体を得ることとしてもよい。また、素子材料に所定のバインダ及び溶媒を混合したスラリーを作製するとともに、当該スラリーを第1半割絶縁成形体の収容凹部に流し込み、乾燥溶媒揮発させることで素子成形体を得ることとしてもよい。c上記実施形態のセラミックヒータ4は、丸棒状、すなわち、断面円形状である場合に具体化されているが、必ずしも断面円形状である必要はなく、例えば、断面楕円形状や断面長円形状、断面多角形状であってもよい。また、絶縁性の基体を板状に複数形成して、その間に発熱体を挟み込んだいわゆる板状ヒータに、本発明の技術思想を適用することとしてもよい。d上記実施形態では、素子成形体31のリード部32,33は連結部34により連結されているが、リード部32,33の後端側に、両者を接続するサポート部を一体的に形成することとしてもよい。この場合には、比較的細く、また、焼成前であり強度の低い連結部34への応力の集中を防止でき、連結部34の割れや折れ等をより確実に防止することができる。尚、前記サポート部を設けた場合、当該サポート部は焼成工程後に切断されることとなる。"