基板本体と、前記基板本体の表面に設けられ、電子部品の端子を接続するための電極を有する配線パターンと、前記配線パターンの前記電極の周囲に選択的に形成され、前記電極より半田の濡れ性が低い被覆膜と、を備えるインターポーザ基板。請求項1に記載のインターポーザ基板に於いて、前記被覆膜は金属膜であるインターポーザ基板。請求項2に記載のインターポーザ基板に於いて、前記金属膜は、少なくともCr、Fe、Coのいずれかを含むインターポーザ基板。基板本体の表面に、電子部品の端子を接続するための電極を有する配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンの前記電極の周囲に、前記電極より半田の濡れ性が低い被覆膜を選択的に形成する工程と、を備えるインターポーザ基板の製造方法。請求項4に記載のインターポーザ基板の製造方法に於いて、前記被覆膜を選択的に形成する工程は、前記配線パターンの表面及び側面に、前記電極より半田の濡れ性が低い金属を成膜する工程と、前記配線パターンの表面に成膜された金属を選択的に除去して、前記電極を露出させる工程と、を備えるインターポーザ基板の製造方法。請求項5に記載のインターポーザ基板の製造方法に於いて、前記配線パターンの表面及び側面に前記金属を成膜する工程は、前記配線パターンを給電層とする電解鍍金により、前記配線パターンの表面及び側面に前記金属を堆積させる工程を備えるインターポーザ基板の製造方法。請求項5又は6に記載のインターポーザ基板の製造方法に於いて、前記電極を露出させる工程は、前記配線パターンの表面に成膜された金属にレーザ光を照射して、前記金属を部分的に溶融させる工程を備えるインターポーザ基板の製造方法。請求項5乃至7のいずれかに記載のインターポーザ基板の製造方法に於いて、前記配線パターンの表面及び側面に金属を成膜する工程は、前記配線パターンの表面及び側面に、少なくともCr、Fe、Coのいずれかを成膜する工程を備えるインターポーザ基板の製造方法。請求項4乃至8のいずれかに記載のインターポーザ基板の製造方法に於いて、さらに、前記被覆膜を選択的に形成する工程の後、置換鍍金法により、前記電極の表面にSnを含む膜を形成する工程を備えるインターポーザ基板の製造方法。基板本体と、前記基板本体の表面に設けられる、電極を有する配線パターンと、前記配線パターンの前記電極の周囲に選択的に形成され、前記電極より半田の濡れ性が低い被覆膜と、を備えるインターポーザ基板と、前記電極に接続される端子を有する電子部品と、前記電極及び前記端子を接合する半田材と、を備える電子装置。ところで、電子部品の端子ピッチを狭小化するために、端子自身を小型化することがある。端子自身を小型化すると、電子部品及びインターポーザ基板の隙間が必然的に狭小化する。これにより、電子部品及びインターポーザ基板の隙間に於いて、インターポーザ基板の表面に形成されるソルダーレジストの厚さが相対的に増加している。このため、電子部品及びインターポーザ基板の隙間に充分な分量のアンダーフィル材を充填できず、電子部品及びインターポーザ基板の接合強度を低下させることがある。開示の技術は、電子部品及びインターポーザ基板の隙間を狭小化しても、電子部品及びインターポーザ基板の隙間を充分に確保することが出来るインターポーザ基板、インターポーザ基板の製造方法、及び電子装置を提供する。開示の技術の一観点によれば、基板本体と、前記基板本体の表面に設けられ、電子部品の端子を接続するための電極を有する配線パターンと、前記配線パターンの前記電極の周囲に選択的に形成され、前記電極より半田の濡れ性が低い被覆膜と、を備えるインターポーザ基板が提供される。開示の技術によれば、電子部品及びインターポーザ基板の隙間を狭小化しても、電子部品及びインターポーザ基板の隙間を充分に確保することが出来る。[第1の実施形態]先ず、図1-図13を参照しながら、第1の実施形態を説明する。[回路基板10の構成]図1は、第1の実施形態にかかる回路基板10の平面図であって、複数の配線パターン12のうち、4つの配線パターン12だけを輪郭を示し、残りの配線パターン12を1点鎖線で示している。図2は、第1の実施形態にかかる回路基板10の断面図であって、図1中のII-II線に於ける断面を示している。図3は、第1の実施形態にかかる配線パターン12の拡大図であって、aは配線パターン12の平面図、bはaのb-b線に於ける断面図、cはaのc-c線に於ける断面図である。図1、図2に示すように、第1の実施形態にかかる回路基板10は、基板本体11と、基板本体11の第1の搭載面P1に形成される複数の配線パターン12と、配線パターン12を個別に被覆する金属膜13と、基板本体11の第2の搭載面P2に形成される複数の外部接続パッド14と、を備える。基板本体11は、例えば平面視で矩形状に形成されていて、基板本体11の内部には、配線パターン12及び外部接続パッド14を電気的に接続する内部積層配線11aを備えている。基板本体11の種類は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、例えばビスマレイミドトリアジン樹脂製基板を用いている。配線パターン12は、それぞれ、基板本体11の各辺の近傍から基板本体11の中央に近づくように延在していて、配線パターン12の延在方向の所定位置に於いて、基板本体11の内部に配置された内部積層配線11aに電気的に接続されている。図3に示すように、配線パターン12は、基板本体11の第1の搭載面P1から突出していて、第1の搭載面P1と平行な表面12aと、第1の搭載面P1と交差する側面12bと、を有している。配線パターン12の材料は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、例えばCuなどの金属を用いている。金属膜13は、配線パターン12の表面12a及び側面12bを被覆していて、配線パターン12に於ける、基板本体11の各辺の近傍には、配線パターン12の表面12aを部分的に露出させるパッド開口13aが形成されている。パッド開口13aは、平面視で矩形状に形成されていて、該パッド開口13aから露出する配線パターン12の表面12aを、例えば半導体素子などの電子部品30の突起端子32を接続させるための電極パッド15として規定している。従って、回路基板10は、基板本体11の第1の搭載面P1に、該基板本体11の各辺と平行に配列される複数の電極パッド15を備えている。電極パッド15の配列ピッチは、電子部品30の突起端子32の配列ピッチに応じて決めれば良いが、本実施形態では、約25μmとしている。電極パッド15の、配列ピッチ方向に於ける幅寸法は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、約25μmとしている。電極パッド15の個数、即ち配線パターン12の個数は、電子部品30の突起端子32の個数に応じて決めれば良いが、本実施形態では、例えば400個としている。金属膜13の材料としては、配線パターン12の材料よりもSn半田の濡れ性が低い金属、即ち配線パターン12の材料に比べて、Snと化合物を形成しにくい金属が用いられる。例えば、配線パターン12の材料として、Cuを使用する場合、金属膜13の材料として、CuよりもSnの濡れ性が低い、例えばCr、Fe、Coなどを使用しても良い。Cr、Fe、Coの少なくとも2種類を含有する合金を使用しても良い。Cr、Fe、Coなどの金属は、Snの濡れ性が非常に低いので、Snが溶融しても、Cr、Fe、Coなどの金属に接続されることはない。金属膜13の厚さは、約50nm以上であれば良いが、本実施形態では、約100nm~200nm、即ち約0.1μm~0.2μmとしている。金属膜13は、後述するように、電解鍍金により堆積されるので、ほぼ均一な厚さとなるが、図3に示すように、電極パッド15の近傍の領域Raでは、それ以外の領域Rbよりも約1~10nmだけ厚くなる。外部接続パッド14は、基板本体11の第2の搭載面P2に配列されている。外部接続パッド14は、本実施形態にかかる回路基板10を、例えばマザーボードなどの外部回路基板40に接続するときに使用される。外部接続パッド14の材料は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、例えばCuなどの金属を用いている。[回路基板10の製造工程]図4-図12は、第1の実施形態にかかる回路基板10の製造工程の説明図であって、aは図1中のII-II線に於ける断面図、bは1つの配線パターン12及びその周囲領域の平面図である。図面の簡単化のため、図4-図12は、基板本体11に埋め込まれた内部積層配線11aを省略している。先ず、図4に示すように、基板本体11の第1の搭載面P1にシードメタル図示しないを形成して、該シードメタル上に、第1の感光性フィルム21を貼り付ける。シードメタルは、特に限定されるものではないが、本実施形態では、例えばCuなどの金属を用いている。第1の感光性フィルム21の厚さは、特に限定されるものではないが、本実施形態では、約5μm~10μmとしている。続いて、第1の露光マスク図示しないを用いて、第1の感光性フィルム21に、配線パターン12に対応する露光パターン領域を形成する。続いて、第1の感光性フィルム21に現像液を供給して、第1の感光性フィルム21に形成された露光パターン領域を除去する。こうして、第1の感光性フィルム21に、配線パターン12に対応する第1の開口21aを形成する。次に、図5に示すように、シードメタルを給電層とする電解鍍金により、第1の感光性フィルム21の第1の開口21a内に、例えばCuなどの金属を堆積させ、基板本体11の第1の搭載面P1に、複数の配線パターン12を形成する。電解鍍金は、堆積した金属の厚さが第1の感光性フィルム21の厚さと同等になるまで実施される。配線パターン12を形成する前もしくは後に、基板本体11の第2の搭載面P2に、外部接続パッド14を形成しても良い。外部接続パッド14は、配線パターン12と同様に、感光性フィルムを鍍金レジストとして、電解鍍金により製造しても良い。次に、図6に示すように、第1の感光性フィルム21に薬液を供給して、第1の感光性フィルム21を基板本体11から剥離する。薬液の種類は、第1の感光性フィルム21の種類に応じて決めれば良い。第1の感光性フィルム21を剥離した後、薬液を除去するための洗浄を実施しても良い。次に、図7に示すように、基板本体11の第1の搭載面P1に、第2の感光性フィルム22を貼り付ける。第2の感光性フィルム22の厚さは、特に限定されるものではないが、本実施形態では、例えば配線パターン12の厚さより、少なくとも100nm~200nm、即ち0.1μm~0.2μmだけ厚くしている。続いて、第2の露光マスク図示しないを用いて、第2の感光性フィルム22に、金属膜13に対応する露光パターン領域を形成する。金属膜13は、配線パターン12の表面12a及び側面12bに形成され、約0.1μmの厚さを有していることから、本実施形態では、配線パターン12に対応する領域と、配線パターン12の周囲の約0.1μmの領域に、露光パターン領域を形成する。従って、第1の露光マスクの設計データを流用すれば、第2の露光マスクを簡単に製造することができる。続いて、第2の感光性フィルム22に現像液を供給して、感光性フィルム22に形成された露光パターン領域を除去する。こうして、第2の感光性フィルム22に、配線パターン12を個別に露出させる、配線パターン12より幅広の第2の開口22aを形成する。次に、図8に示すように、シードメタル及び配線パターン12を給電層とする電解鍍金により、第2の感光性フィルム22の第2の開口22a内に、例えばCr、Fe、Coなどの金属を堆積させ、配線パターン12の表面12a及び側面12bに金属膜13を形成する。このように、第2の感光性フィルム22を鍍金レジストとし、かつ、配線パターン12を給電層とすることで、配線パターン12の表面12a及び側面12bに選択的に金属を堆積させることが出来る。電解鍍金は、堆積した金属が第2の感光性フィルム22の第2の開口22aを充填するまで実施される。このため、金属膜13の厚さは、配線パターン12及び第2の開口22aの隙間と同等、即ち約0.1μm~0.2μmとなる。次に、図9に示すように、第2の感光性フィルム22に薬液を供給して、第2の感光性フィルム22を基板本体11から剥離する。薬液の種類は、第2の感光性フィルム22の種類に応じて決めれば良い。第2の感光性フィルム22を剥離した後、薬液を除去するための洗浄を実施しても良い。続いて、基板本体11の第1の搭載面P1に形成されていたシードメタルを、例えばフラッシュエッチングにより除去する。エッチャントとしては、例えば硫酸及び過酸化水素の混合溶液を用いても良い。次に、図10に示すように、配線パターン12の表面12aに形成された金属膜13に於ける、基板本体11の各辺の近傍位置、即ち電極パッド15に対応する位置に、例えばパルス状のレーザ光を照射して、金属膜13を部分的に溶融させる。レーザとしては、例えばYAGレーザなどが採用される。レーザ光の条件は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、パルスエネルギーを約2~4J、パルス幅を約2~4ms、パルス照射の繰り返し数を約20pps~50ppsとしている。レーザ光の波長は、後述するように、配線パターン12及び金属膜13の材料に応じて決定される。溶融した金属膜13は、レーザ光の照射領域から周辺領域に流動してゆき、当該周辺領域の金属膜13上で自然冷却により硬化する。このため、溶融した金属膜13は、電極パッド15に戻ることはない。従って、レーザ光の照射領域では、下地の配線パターン12の表面12aが部分的に露出する。こうして、回路基板10の第1の搭載面P1に、配線パターン12の露出領域からなる電極パッド15が形成される。本実施形態では、金属膜13を溶融させて、レーザ光の照射領域から周辺領域に流動させるため、レーザ光の照射領域の近傍領域Raは、それ以外の領域Rbに比べて、金属膜13が約0.1nm~10nmだけ厚くなる。本実施形態では、金属膜13を選択的に除去するために、レーザ光を使用しているが、例えばサンドブラスト又はバイトなどの除去加工を使用しても良い。サンドブラスト又はバイトなどの除去加工を使用する場合、例えば、金属膜13の除去領域を選択的に開口させるメタルマスクを用いれば、金属膜13の除去作業を容易に行うことができる。次に、図11に示すように、例えば無電解置換鍍金により、電極パッド15の表面に、Sn膜16を堆積させる。Sn膜16の厚さは、特に限定されるものではないが、本実施形態では、約1μm~2μmとしている。無電解置換鍍金は、鍍金液中のSnを電極パッド15のCuと置換させ、電極パッド15にSnを堆積させる。しかし、Snは、Cr又はFeとの置換性が悪いので、Cr又はFeを材料とする金属膜13の表面にSnが堆積することはない。従って、金属膜13のパッド開口13aから露出する配線パターン12の表面12a、即ち電極パッド15の表面にのみ、選択的にSn膜16が堆積される。無電解置換鍍金の各種条件は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、鍍金温度を約60°C、鍍金時間を約60分としている。本実施形態にかかるSn膜16は、例えばBi、In、Zn、Ag、Sb、Cuの少なくとも1つを含むSn系合金でも良い。次に、図12に示すように、必要に応じて、Sn膜16を加熱により溶融して、ボール状の予備半田17としても良い。電極パッド15の周囲には、Snの濡れ性が低い金属膜13が形成されているため、Sn膜16を溶融しても、電極パッド15の周囲に予備半田17が濡れ広がることがない。従って、予備半田17は、配線パターン12の表面12aに於ける、電極パッド15以外の領域に流出することがない。さらに、予備半田17は、配線パターン12の側面12bに流出することもない。以上の工程を経て、本実施形態にかかる回路基板10が製造される。ここで、金属膜13に照射するレーザ光の波長について説明する。図13は、第1の実施形態にかかる金属膜13の材料ごとの光反射率のグラフである。図13に示すように、0.5μm~10μmの波長範囲では、Cuの光反射率がCr又はFeの光反射率よりも大きい。従って、0.5μm~10μmの波長のレーザ光を照射すると、Cr又はFeを材料とする金属膜13は、Cuを材料とする配線パターン12よりも多くの光エネルギーを吸収する。このため、配線パターン12を溶融することなく、金属膜13だけを選択的に溶融することができる。0.6μm~4.0μmの波長範囲では、Cuの反射率と、Cr又はFeの反射率との差異が拡大するので、さらに高い選択性で金属膜13だけを溶融することができる。0.8μm~2.0μmの波長範囲では、Cuの反射率と、Cr又はFeの反射率との差異が、さらに拡大するので、より高い選択性で金属膜13だけを溶融することができる。1.0μm~2.0μmの波長領域では、Cuの反射率と、Cr又はFeの反射率との差異がさらに拡大するので、より高い選択性で金属膜13だけを溶融することができる。Cr又はFe以外の金属、例えばCrと類似の性質のCoを使用する場合も、レーザ光の波長を、例えば0.5μm~10μm、好ましくは0.6μm~4.0μm、より好ましくは0.8μm~2.0μm、さらに好ましくは1.0μm~2.0μmとすれば良い。本実施形態のように、レーザとして、例えばYAGレーザを採用するなら、YAG2倍波を利用することで、0.532μmの波長を、YAG1倍波を利用することで、1.064μmの波長を実現しても良い。但し、Fe又はCoは、500°C以上に加熱すると、Snと金属間化合物を形成して、Snの濡れ性が高くなる可能性があるため、加熱温度が500°C未満となるように、レーザ光の条件、例えばパルスエネルギー、パルス幅、パルス照射の繰り返し数の少なくとも1つを調整することが好ましい。本実施形態では、配線パターン12の表面12aに規定される電極パッド15の周囲に、配線パターン12の材料よりもSnの濡れ性が低い金属膜13を形成することで、電極パッド15に供給されるSn膜16の濡れ広がりを防止している。このため、回路基板10の第1の搭載面P1に、ソルダーレジストを形成する必要がない。従って、電子部品30の突起端子32の小型化に付随して、回路基板10及び電子部品30の隙間が狭化しても、回路基板10及び電子部品30の接続がソルダーレジストにより阻害されることがない。しかも、配線パターン12の側面12bを、配線パターン12の材料よりもSnの濡れ性が低い金属膜13で被覆しているので、予備半田17の材料であるSnが配線パターン12の側面12bに接触することがない。このため、予備半田17のSnが配線パターン12の側面12bのCu、特に側面12bの基板本体11近傍のCuと化合物を形成して、基板本体11から電極パターン12を浮き上がらせることがない。本実施形態では、配線パターン12を給電層とする電解鍍金を実施することで、配線パターン12の表面12a及び側面12bに、金属膜13となるCr、Fe、Coなどの金属を堆積させている。このため、配線パターン12の表面12a及び側面12bだけに、選択的に金属膜13を形成することができる。即ち、配線パターン12と配線パターン12との隙間から露出する第1の搭載面P1に金属膜13が存在しない。従って、電子部品30の突起端子32の小型化に付随して、回路基板10及び電子部品30の隙間が狭化しても、回路基板10及び電子装置30の接続が金属膜13により阻害されることもない。しかも、配線パターン12を給電層とする電解鍍金を実施して、配線パターン12の表面12a及び側面12bに、金属膜13となるCr、Fe、Coなどの金属を堆積させているので、金属膜13の厚さを均一にすることができる。即ち、金属膜13に、配線パターン12を露出させるピンホールなどが発生することがない。従って、金属膜13を非常に薄くしても、配線パターン12の被覆を確実に実現することができる。本実施形態では、金属膜13を部分的に溶融して、電極パッド15の周辺領域に金属膜15を流動させている。このため、電極パッド15の周辺領域では、電気鍍金の直後よりも金属膜13が厚くなる。従って、電解鍍金により堆積させるべき金属膜13の厚さを小さくすることができ、結果として、回路基板10の製造時間を短縮することができる。なお、本実施形態にかかる回路基板10は、ソルダーレジストを形成する必要はないが、ソルダーレジストの追加することを排除するものではない。[第2の実施形態]次に、図14、15を参照しながら、第2の実施形態を説明する。[電子装置100の構成]図14は、第2の実施形態にかかる電子装置100の断面図である。図面の簡単化のため、図14は、基板本体11に埋め込まれた内部積層配線11aを省略している。図14に示すように、第2の実施形態にかかる電子装置100は、第1の実施形態にかかる回路基板10と、回路基板10の第1の搭載面P1に搭載される、例えば半導体素子などの電子部品30と、を備える。さらに、電子装置100は、回路基板10の第2の搭載面P2に搭載される、例えばマザーボードなどの外部回路基板40と、回路基板10及び電子部品30の隙間に充填されるアンダーフィル樹脂50と、を備えることもある。電子部品30は、部品本体31と、部品本体31の回路面31aに形成された複数の突起端子32と、を有する。突起端子32は、それぞれ予備半田17を介して、回路基板10の電極パッド15に接続されている。突起端子32としては、例えば金ボールバンプを用いても良い。突起端子32の配置及び個数は、それぞれ回路基板10の電極パッド15の配置及び個数に対応している。外部回路基板40は、基板本体41と、基板本体41に形成された複数の電極パッド42と、を備える。電極パッド42は、半田材18を介して、回路基板10の外部接続パッド14に接続されている。電極パッド42の配置及び個数は、それぞれ回路基板10の外部接続パッド14の配置及び個数に対応している。アンダーフィル樹脂50は、金属膜13、予備半田17、突起端子32、回路基板10の第1の搭載面P1、及び電子部品30の回路面31aを被覆していて、回路基板10及び電子部品30間に、充分な接合強度を確保している。アンダーフィル樹脂50の材料としては、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂などの樹脂材料が用いられる。[電子装置100の製造工程]図15は、第2の実施形態にかかる電子装置100の製造工程の説明図である。先ず、図15aに示すように、ボンディングヘッド60のノズル61により、電子部品30を吸着面62に保持する。続いて、ボンディングヘッド60を駆動して、電子部品30の突起端子32を、それぞれ回路基板10の電極パッド15に位置決めする。次に、図15bに示すように、ボンディングヘッド60を降下させて、電子部品30の突起端子32を、回路基板10の電極パッド15に形成された予備半田17に押圧する。このとき、ボンディングヘッド60に埋め込まれた加熱ヒータ図示しないを作動させて、電極パッド15に形成された予備半田24を溶融させる。こうして、回路基板10の電極パッド15に電子部品30の突起端子32を接続させる。ボンディングヘッド60による荷重は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、電子部品30の突起端子32ごとに約3gとしている。次に、図15cに示すように、回路基板10及び電子部品30の隙間に、例えば熱硬化性を有するエポキシ系の液状樹脂を注入する。このとき、回路基板10の第1の搭載面P1には、ソルダーレジストが存在しないので、液状樹脂は、回路基板10及び電子部品30の隙間を円滑に流動することができる。このため、例えば空気の巻き込みに起因して、樹脂中にボイドが発生することが抑制される。さらに、ソルダーレジストが存在しないことで、回路基板10及び電子部品30の隙間が大きくなるので、より多くの樹脂を注入することが出来る。樹脂としては、特に限定されるものではないが、本実施形態では、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂を用いている。回路基板10及び電子部品30の隙間が樹脂で充填されたら、例えば恒温槽内で樹脂を加熱して、該樹脂を硬化させることで、回路基板10及び電子部品30の隙間に、アンダーフィル樹脂60を形成する。樹脂の硬化条件は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、加熱温度を約150°Cとし、加熱時間を約120分としている。続いて、必要に応じて、回路基板10の第2の搭載面P2に配列された外部接続パッド14に、半田ボール18を取り付けても良い。以上のプロセスを経て、電子装置100が製造される。さらに、回路基板10に電子部品30を搭載した後、該回路基板10を、外部回路基板40に搭載しても良い。例えば、回路基板10の外部接続パッド14に取り付けられた半田ボール18を、それぞれ外部回路基板40の電極パッド42に搭載して、例えば炉内で加熱することにより、半田ボール18を溶融して、回路基板10の外部接続パッド14及び外部回路基板40の電極パッド42を電気的に接続すれば良い。本実施形態では、第1の実施形態にかかる回路基板10の第1の搭載面P1に、例えば半導体素子などの電子部品30を搭載している。第1の実施形態にかかる回路基板10は、電極パッド15の周囲に配置された、配線パターン12の材料よりもSnの濡れ性が低い金属膜13により、電極パッド15に配置される予備半田17の濡れ広がりを防止する。このため、回路基板10の第1の搭載面P1にソルダーレジストを形成する必要がない。しかも、配線パターン12と配線パターン12との隙間に、金属膜13が形成されることもない。このため、電子部品30の突起端子32の小型化に付随して、回路基板10及び電子部品30の隙間が狭小化しても、回路基板10及び電子部品30間に、より大きな隙間を確保することができる。これにより、回路基板10及び電子部品30の隙間に充填されるアンダーフィル樹脂50の体積が増加するので、電子部品30の突起端子32の小型化に付随する、回路基板10及び電子部品30の接合強度の低下を防止することができる。さらに、回路基板10及び電子部品30の隙間にソルダーレジストが存在しないこと、及び配線パターン12と配線パターン12の隙間に金属膜12が存在しないことから、回路基板10及び電子部品30の隙間への液状樹脂の注入性が高まり、空気などの巻き込みによるボイドの発生も抑制することができる。第1、第2の実施形態につき、以下に付記を開示する。付記1基板本体と、前記基板本体の表面に設けられ、電子部品の端子を接続するための電極が規定される配線パターンと、前記配線パターンの前記電極の周囲に選択的に形成され、前記電極より半田の濡れ性が低い被覆膜と、を備える回路基板。付記2付記1に記載の回路基板に於いて、前記被覆膜は金属膜である回路基板。付記3付記2に記載の回路基板に於いて、前記金属膜は、少なくともCr、Fe、Coのいずれかを含む回路基板。付記4付記1乃至3のいずれかに記載の回路基板に於いて、前記被覆膜の厚さは、50nm以上である回路基板。付記5基板本体の表面に、電子部品の端子を接続するための電極が規定される配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンの前記電極の周囲に、前記電極より半田の濡れ性が低い被覆膜を選択的に形成する工程と、を備える回路基板の製造方法。付記6付記5に記載の回路基板の製造方法に於いて、前記被覆膜を選択的に形成する工程は、前記配線パターンの表面及び側面に、前記電極より半田の濡れ性が低い金属を成膜する工程と、前記配線パターンの表面に成膜された金属を選択的に除去して、前記電極を露出させる工程と、を備える回路基板の製造方法。付記7付記6に記載の回路基板の製造方法に於いて、前記配線パターンの表面及び側面に前記金属を成膜する工程は、前記配線パターンを給電層とする電解鍍金により、前記配線パターンの表面及び側面に前記金属を堆積させる工程を備える回路基板の製造方法。付記8付記6又は7に記載の回路基板の製造方法に於いて、前記電極を露出させる工程は、前記配線パターンの表面に成膜された金属にレーザ光を照射して、前記金属を部分的に溶融させる工程を備える回路基板の製造方法。付記9付記6乃至8のいずれかに記載の回路基板の製造方法に於いて、前記配線パターンの表面及び側面に金属を成膜する工程は、前記配線パターンの表面及び側面に、少なくともCr、Fe、Coのいずれかを成膜する工程を備える回路基板の製造方法。付記10付記5乃至9のいずれかに記載の回路基板の製造方法に於いて、さらに、前記被覆膜を選択的に形成する工程の後、置換鍍金法により、前記電極の表面にSnを含む膜を形成する工程を備える回路基板の製造方法。付記11付記5乃至10のいずれかに記載の回路基板の製造方法に於いて、前記被覆膜の厚さは、50nm以上である回路基板の製造方法。付記12基板本体と、前記基板本体の表面に設けられ、電極が規定される配線パターンと、前記配線パターンの前記電極の周囲に選択的に形成され、前記電極より半田の濡れ性が低い被覆膜と、を備える回路基板と、前記電極に接続される端子を有する電子部品と、前記電極及び前記端子を接合する半田材と、を備える電子装置。