少なくとも第1の金属元素と第2の金属元素を有する酸化物よりなる第1の膜を基板上に形成する工程と、前記第1の膜を加熱処理し、第1の金属元素を主たる金属成分とする酸化物の結晶を含む第1の層と、第1の層より基板側にあり、第2の金属元素を主たる金属成分とする酸化物よりなる第2の層を形成する工程と、前記第1の層に接して、酸化物よりなる第2の膜を形成し、加熱処理する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1において、前記第2の膜は半導体性酸化物膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1もしくは2において、前記第2の膜における金属元素に対する第2の金属元素の比率は0.2以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至3において、前記第1の膜は、DCスパッタリング法で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。基板と、前記基板上の絶縁性酸化物層と、前記絶縁性酸化物層に接して設けられた半導体性酸化物層と、を有し、前記半導体性酸化物層は少なくとも第1の金属元素と第2の金属元素を有し、前記絶縁性酸化物層における第1の金属元素の濃度は、前記基板に面する部分よりも、前記半導体性酸化物層に接する部分の方が高く、前記絶縁性酸化物層における第2の金属元素の濃度は、前記基板に面する部分よりも、前記半導体性酸化物層に接する部分の方が低いことを特徴とする半導体装置。請求項5において、前記第1の金属元素は亜鉛であることを特徴とする半導体装置。請求項5あるいは6において、前記第2の金属元素はガリウムであることを特徴とする半導体装置。請求項5乃至7において、前記半導体性酸化物層はアモルファス状態を含むことを特徴とする半導体装置。請求項5乃至7において、前記半導体性酸化物層は単結晶状態であることを特徴とする半導体装置。請求項5乃至8において、前記半導体性酸化物層は結晶を有することを特徴とする半導体装置。請求項9あるいは10において、前記半導体性酸化物層はc軸配向した結晶を有することを特徴とする半導体装置。半導体性酸化物は水素や水の混入などが生じると、その電気伝導度が変化することが知られている。このような現象は、半導体性酸化物を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動要因となる。また、半導体性酸化物を用いた半導体装置は、可視光や紫外光を照射することで電気的特性が変化する。このような問題に鑑み、半導体性酸化物膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産をおこなうことのできる半導体装置の作製プロセスを提供することを課題の一とする。また、新規の半導体装置を提供することを課題とする。さらに、新規の半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。本明細書で開示する本発明の一態様は、少なくとも第1の金属元素と第2の金属元素を有する酸化物よりなる第1の膜を基板上に形成する工程と、第1の膜を加熱処理し、第1の金属元素を主たる金属成分とする酸化物の結晶を含む第1の層と、第1の層より基板側にあり、第2の金属元素を主たる金属成分とする酸化物よりなる第2の層を形成する工程と、第1の層に接して、酸化物よりなる第2の膜を形成し、加熱処理する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。上記において、第2の膜は半導体性酸化物膜であってもよい。用いる半導体性酸化物としては、少なくともインジウムInあるいは亜鉛Znを含むことが好ましい。特にInとZnを含むことが好ましい。また、該半導体性酸化物を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウムGaを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズSnを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウムHfを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウムAlを有することが好ましい。また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタンLa、セリウムCe、プラセオジムPr、ネオジムNd、サマリウムSm、ユウロピウムEu、ガドリニウムGd、テルビウムTb、ジスプロシウムDy、ホルミウムHo、エルビウムEr、ツリウムTm、イッテルビウムYb、ルテチウムLuのいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。例えば、半導体性酸化物として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるIn-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn-Mg系酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物、In-Ga系酸化物、三元系金属の酸化物であるIn-Ga-Zn系酸化物、In-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al-Zn系酸化物、In-Hf-Zn系酸化物、In-La-Zn系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化物、In-Nd-Zn系酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物、In-Gd-Zn系酸化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、In-Ho-Zn系酸化物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、In-Yb-Zn系酸化物、In-Lu-Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn系酸化物、In-Hf-Ga-Zn系酸化物、In-Al-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Hf-Zn系酸化物、In-Hf-Al-Zn系酸化物を用いることができる。なお、ここで、例えば、In-Ga-Zn系酸化物とは、InとGaとZnを主たる金属成分として有する酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外の金属元素が入っていてもよい。また、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される酸化物を用いることもできる。ここで、Mは、Zn、Ga、Al、Sn及びInから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びSn、またはGa及びInなど2種類の金属を用いてもよい。また、半導体性酸化物としてIn-Zn系酸化物を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=1:1~1:20モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1~1:2、さらに好ましくはIn:Zn=1.5:1~15:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=3:4~15:2とする。例えば、In-Zn系酸化物の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=1:1:Xのとき、X>1、好ましくはX>1.5とする。また、In:Ga:Zn=1:1:1=1/3:1/3:1/3あるいはIn:Ga:Zn=2:2:1=2/5:2/5:1/5の原子比のIn-Ga-Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。あるいは、In:Sn:Zn=1:1:1=1/3:1/3:1/3、In:Sn:Zn=2:1:3=1/3:1/6:1/2あるいはIn:Sn:Zn=2:1:5=1/4:1/8:5/8の原子比のIn-Sn-Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。しかし、これらに限られず、必要とする半導体特性移動度、しきい値、ばらつき等に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間結合距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。例えば、In-Sn-Zn系酸化物では比較的容易に高い移動度が得られる。しかしながら、In-Ga-Zn系酸化物でも、バルク内欠陥密度を低減することにより移動度を上げることができる。なお、例えば、In、Ga、Znの原子数比がIn:Ga:Zn=a:b:cabc=1である酸化物の組成が、原子数比がIn:Ga:Zn=A:B:CABC=1の酸化物の組成の近傍であるとは、a、b、cが、a―A2b―B2c―C2≦r2、を満たすことをいい、rは、例えば、0.05とすればよい。他の酸化物でも同様である。半導体性酸化物は単結晶でも、非単結晶でもよい。後者の場合、アモルファスでも、多結晶でもよい。また、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でも、非アモルファスでもよい。また、上記において、第2の膜における金属元素に対する第2の金属元素の比率は0.2以上であってもよい。また、第1の膜の成膜時の温度は200°C以上400°C以下としてもよい。また、上記において第1の膜は、マイクロ波プラズマスパッタリング法周波数100MHz以上のマイクロ波を用いるスパッタリング法、RFスパッタリング法周波数1kHz以上100MHz未満の電磁波を用いるスパッタリング法、ACスパッタリング法周波数1kHz未満、典型的には100Hz以下の交流を用いるスパッタリング法、サイクルスパッタリング法とも言うやDCスパッタリング法直流を用いるスパッタリング法、電圧をパルス状に印加するパルスDCスパッタリング法を含むのいずれかで作製されるとよい。特に、大面積基板への成膜等の量産性を考慮するとACスパッタリング法やDCスパッタリング法を採用するとよい。定電圧を印加する通常のDCスパッタリング法では、異常アーク放電が発生することがある。この現象は導電性酸化物の成膜では顕著である。異常アーク放電を防止するためには、パルス的に電圧を印加するとよい。この方法はパルスDCスパッタリング法と呼ばれる。ACスパッタリング法では、異常アーク放電を防止する必要がないため、パルスDCスパッタリング法に比較すると、プラズマ発生時間の割合が2倍以上高く、さらに量産性がよい。また、上記において、加熱処理は、200°C以上でおこなわれるものとし、好ましくは400°C以上700°C未満でおこなうとよい。また、加熱処理の雰囲気に関しては、酸素もしくは窒素を含む雰囲気とするとよい。さらに、圧力は10Pa以上1気圧以下とするとよい。また、本明細書で開示する本発明の一態様は、基板と、基板上の絶縁性酸化物層と、絶縁性酸化物層に接して設けられた半導体性酸化物層と、を有し、半導体性酸化物層は少なくとも第1の金属元素と第2の金属元素を有し、絶縁性酸化物層における第1の金属元素の濃度は、基板に面する部分よりも、半導体性酸化物層に接する部分の方が高く、絶縁性酸化物層における第2の金属元素の濃度は、基板に面する部分よりも、半導体性酸化物層に接する部分の方が低いことを特徴とする半導体装置である。上記において、第1の金属元素は亜鉛であってもよい。また、第2の金属元素はガリウムであってもよい。さらに、上記において半導体性酸化物層はアモルファス状態を含んでもよい。また、半導体性酸化物層は結晶を有していてもよい。さらには、単結晶状態であってもよい。また、その結晶は基板に垂直な面にc軸が配向する構造c軸配向構造を有してもよい。本発明人は、亜鉛を含有するガリウム酸化物膜を加熱処理すると、表面に亜鉛が偏析し、結晶化する現象を見出した。すなわち、当初、膜中に均一に分布していた亜鉛は、加熱処理により、表面に偏析し、主として酸化亜鉛よりなる極めて結晶性の高い結晶となる。一方、その他の部分では、亜鉛濃度が十分に低く、十分な絶縁性が得られる。例えば、非特許文献1の図12の記載から、酸化亜鉛と酸化ガリウムを50対50で合成した物質は、アモルファス状態で5×10-3Ω-1cm-1の導電率が得られることがわかる。一方、酸化亜鉛と酸化ガリウムを25対75で合成した物質は十分な絶縁性が示される。この現象は、上記の加熱処理条件において、ガリウムの蒸気圧に比して、亜鉛の蒸気圧が高いため生じる。したがって、ガリウムと亜鉛に限らず、他の2以上の金属元素の組み合わせであっても、そのような条件を満たすものであれば、起こりえるものである。例えば、ガリウムと亜鉛の酸化物の代わりにガリウムとアルミニウムと亜鉛を有する酸化物を用いてもよい。さらに、酸化物膜中の亜鉛の濃度を調べると、酸化亜鉛の結晶のある表面付近は著しく濃度が高いが、その部分を除いても、表面に向かって増加する傾向がある。その一方、ガリウムの濃度は表面に向かって低下する傾向がある。このような現象もガリウムの蒸気圧に比して、亜鉛の蒸気圧が高いため生じる。また、本発明人は、このような酸化亜鉛の結晶に接して、結晶となった際に酸化亜鉛と結晶整合性のよい組成の半導体性酸化物を堆積し、加熱処理をおこなうと、比較的、低温で優れた結晶性を示す半導体性酸化物を得ることができることを見出した。例えば、In:Ga:Zn=1:1:NN=0.5あるいは自然数という組成を有する酸化物は、格子定数が酸化亜鉛と非常に近い。このような組成あるいはその組成に近い組成を有する膜を上記の結晶化した酸化亜鉛上に堆積して、400~700°Cで加熱処理すると、酸化亜鉛を核として結晶成長が進行し、酸化亜鉛の結晶性を反映した高度にc軸配向した結晶が得られる。加熱温度や時間によっては、単結晶とみなせるような高度に結晶化した状態となることもあるし、アモルファス状態を含んでいることもある。このような現象はヘテロエピタキシャル成長として知られている現象である。上記の例は酸化亜鉛を核として、In-Ga-Zn系酸化物の結晶成長をおこなう例であるが、その他の材料においても同様に実施できる。こうして得られる結晶性半導体性酸化物層をトランジスタに用いることで、安定した電気的特性を有し、且つ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。さらに、加熱処理温度を450°C以下とすることで、大きなガラス基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産をおこなうこともできる。また、このようにして得られる結晶性半導体性酸化物層上に別の結晶性半導体性酸化物層を形成するための成膜と加熱処理のプロセスを繰り返しおこなってもよい。上記に示した態様により、課題の少なくとも一を解決することができる。第1の結晶性半導体性酸化物層と第2の結晶性半導体性酸化物層の積層を有するトランジスタは、トランジスタに光照射をおこない、またはバイアス-熱ストレスBT試験をおこなってもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減でき、安定した電気的特性を有する。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。ゆえに本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、以下の実施の形態のいずれかで開示された構造や条件等の項目は、他の実施の形態においても適宜、組み合わせることができる。なお、以下に説明する構成において、同様のものを指す符号は異なる図面間で共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略することもある。なお、以下の実施の形態では、主としてトランジスタを用いた表示装置について本発明の技術思想を適用した例を示すが、本発明の技術思想は表示装置に適用することに限られないことは容易に理解される。また、以下の実施の形態で用いるゲート、ソース、ドレイン等の用語は、説明を簡略におこなうために用いるものであり、それらの意味を限定的に解釈すべきではない。例えば、本来であれば、半導体領域上に設けられた絶縁膜上に半導体領域を横断するように設けられた導電性領域およびそれと一体のものと表現すべきものを、本明細書では、単にゲート電極と呼ぶ。また、ソースとドレインは本明細書では特に区別せず、一方をソースと呼んだ場合に他方をドレインと呼ぶ。また、本明細書で用いられている導電性酸化物、半導体性酸化物、絶縁性酸化物という用語については、絶対的な意味がないことを注意すべきである。同じ組成で同じ物性を示す酸化物であっても、用途によって、その呼び名が異なることがある。例えば、DCスパッタのターゲットとして用いる場合には、導電性酸化物と呼ぶが、トランジスタの半導体層として用いる場合は半導体性酸化物と呼ぶことがある。さらに、本明細書で酸化物というのは、その物質化合物を含むに含まれる窒素、酸素、フッ素、硫黄、セレン、塩素、臭素、テルル、ヨウ素の占める割合モル比が全体の25以上で、かつ、以上の元素に対する酸素の割合モル比が70以上のものをいう。また、本明細書で金属元素とは、希ガス元素、水素、ホウ素、炭素、窒素、16族元素酸素等、17族元素フッ素等、珪素、燐、ゲルマニウム、砒素、アンチモン以外の全ての元素のことである。さらに、本明細書において、ある1つの金属元素を主たる金属成分とする、とはその物質中に金属元素が複数ある中で、当該金属元素が金属元素全体の50以上を占める場合を言う。また、n種の金属元素M1、M2、、Mnを主たる金属成分とするとは、金属元素M1、M2、、Mnのそれぞれの占める比率の総和が金属元素全体の{1-2-n×100}[]以上を占める場合を言う。なお、本明細書において記載されている膜中の主たる成分でない元素の濃度は、特に断らない限り、二次イオン質量分析法により決定する。一般に、二次イオン質量分析法により、単層あるいは多層の膜の深さ方向の元素の濃度の分析をおこなうと、特に微量元素の場合、基板と膜あるいは膜と膜の界面では元素濃度が異常に高くなる傾向があるが、このような部分の濃度は正確な値ではない上、測定ごとのばらつきも大きい。そこで、このように信頼性の低い界面付近の濃度を採用することを避け、その他の濃度の安定した部分を膜の正確な濃度の指標とすることが望まれる。そのため、本明細書では、二次イオン質量分析法により決定される濃度は、分析対象を分析した得られた値の最低値を用いものとする。実施の形態1本実施の形態では上記の技術思想を用いてトランジスタを有する表示装置を作製する例を示す。図1A乃至Fに本実施の形態の表示装置の作製工程断面を示す。本実施の形態に示すトランジスタは、半導体として半導体性酸化物を用いるものであり、ゲート電極が基板側に位置するボトムゲート型で、かつ、ソース電極とドレイン電極がともに半導体層の上面にコンタクトするトップコンタクト型である。以下、作製工程の概略を説明する。図1Aに示すように、絶縁表面を有する基板101上に、ゲート電極102、酸化珪素あるいは酸化窒化珪素等の第1のゲート絶縁物103および酸化物膜104を形成する。第1のゲート絶縁物103は設けなくともよい。また、酸化物膜104は、本実施の形態ではガリウムと亜鉛の酸化物で、ガリウムの比率、Ga/GaZnは、0.2以上0.8未満、好ましくは0.3以上0.7未満とするとよい。基板101に使用することができる基板に大きな制限はないが、絶縁表面を有する必要がある。例えば、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いるとよいが、これに限られず、石英、サファイヤ等の絶縁体、あるいは炭化珪素のように十分に絶縁性の高い半導体を用いてもよい。さらには、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等のそれほど絶縁性の高くない半導体あるいはドーピングによって導電性を高めた半導体や銅、アルミニウム等の表面に絶縁膜を形成したものを用いてもよい。また、基板にトランジスタにとって好ましくない不純物が含まれている場合には、それらをブロッキングする機能を有する絶縁性の材料例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化珪素等の膜を表面に設けることが望ましい。なお、本実施の形態では、同様な機能を第1のゲート絶縁物103に持たせることもできる。ゲート電極102は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅等の金属元素またはこれらを主たる金属元素とする合金材料を用いて、単層または積層して形成することができる。ゲート電極102に用いる材料の仕事関数により、得られるトランジスタのしきい値等が変化するので、必要とするしきい値に応じた材料の選択をする必要がある。第1のゲート絶縁物103の厚さは、酸化物膜104の組成と厚さに応じて決定される必要がある。そのことについては後述する。また、第1のゲート絶縁物103は公知のスパッタリング法、CVD法等で形成すればよい。酸化物膜104はマイクロ波プラズマスパッタリング法、RFプラズマスパッタリング法、ACスパッタリング法もしくはDCスパッタリング法で形成する。いずれの方法を採用するかは、ターゲットの導電率、ターゲットの大きさ、基板の面積等を考慮して決定するとよい。用いるターゲットは、酸化物膜104が上記の値となるように、ガリウムと亜鉛の比率を調整した酸化物とすればよい。なお、スパッタリングの際に、雰囲気や成膜面の温度によっては、ターゲットの組成と得られる膜の組成が異なり、例えば、ターゲットは導電性であっても、得られる膜の亜鉛の濃度が低下して、絶縁性もしくは半導体性となることがある。本実施の形態では、亜鉛とガリウムの酸化物を用いるが、亜鉛は200°C以上での蒸気圧がガリウムよりも高いので、基板101を200°C以上に加熱すると酸化物膜104の亜鉛の濃度はターゲットの亜鉛の濃度よりも低くなる。したがって、そのことを考慮して、ターゲットの亜鉛の濃度は高めに決定する必要がある。一般に亜鉛の濃度が増加すると、酸化物の導電率が向上するので、DCスパッタリング法を適用するには好ましい。スパッタリングのターゲットは、酸化ガリウムと酸化亜鉛の粉末を混合して仮焼成した後、成型し、焼成して得ることができる。あるいは、粒径100nm以下の酸化ガリウムと酸化亜鉛の粉末を十分に混合し、成型しただけのものでもよい。酸化物膜104は、水素や水などが混入しにくい方法で作製するのが望ましい。成膜時の雰囲気は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または、希ガスと酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、酸化物膜104への水素、水、水酸基、水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が十分に除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望ましい。成膜時の基板温度を100°C以上600°C以下好ましくは200°C以上400°C以下とすることによっても、上記の不純物の混入を防止できる。加えて、排気手段として、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプなどの吸着型の真空ポンプ、あるいは、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものを用いるとよい。以上のような排気手段を用いて排気した成膜室は、水素分子や、水H2Oなどの水素原子を含む化合物などがより好ましくは炭素原子を含む化合物とともに除去されているため、当該成膜室で成膜した酸化物膜104に含まれる不純物の濃度を低減できる。次に、これらを形成した基板101を適切な雰囲気、例えば、圧力を10Pa乃至1気圧とし、酸素雰囲気、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気のいずれかとする条件において、400°C乃至700°Cで10分乃至24時間の加熱をおこなう。すると、図1Bに示すように、酸化物膜104が変質し、表面付近に亜鉛の濃度の高い半導体性酸化物層104aが形成され、その他の部分が亜鉛の濃度の低い絶縁性酸化物層104bとなる。なお、加熱時間が長いほど、かつ、加熱温度が高いほど、さらには、加熱時の圧力が低いほど、亜鉛が蒸発しやすく、半導体性酸化物層104aが薄くなる傾向がある。半導体性酸化物層104aの厚さは3nm乃至15nmとすることが好ましい。半導体性酸化物層104aの厚さは上述のとおり、加熱時間、加熱温度、加熱時の圧力によって制御でき、また、酸化物膜104の組成および厚さによっても制御できる。酸化物膜104の組成は、ターゲットの組成に加えて、成膜時の基板温度によっても制御できるので、これらを適切に設定すればよい。得られた半導体性酸化物層104aは結晶性を有し、X線回折法による結晶構造の分析において、c面の回折強度に対する、a面、あるいはb面の回折強度の比率が0以上0.3以下であるというc軸配向性を示す。本実施の形態では、半導体性酸化物層104aは亜鉛を主たる金属成分とする酸化物である。一方、絶縁性酸化物層104bにおけるガリウムの比率、Ga/GaZnは0.7以上、好ましくは、0.8以上となるようにするとよい。なお、絶縁性酸化物層104bにおけるガリウムの比率は表面に近い部分、例えば、半導体性酸化物層104aに接する部分が最も低く、基板に向かって高くなる。逆に、亜鉛の比率は、表面に近い部分が最も高く、基板に向かって低くなる。なお、この熱処理においては、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属も半導体性酸化物層104aの表面付近に偏析し、さらには蒸発するため、半導体性酸化物層104aにおいても絶縁性酸化物層104bにおいてもその濃度が十分に低くなる。これらは、トランジスタにおいては好ましくない元素であるので、トランジスタを構成する材料には可能な限り含まれないようにすることが好ましい。これらのアルカリ金属は亜鉛以上に蒸発しやすいので、加熱処理工程は、これらを除去する上でも有効である。このような処理により、例えば、半導体性酸化物層104aや絶縁性酸化物層104bにおけるナトリウムの濃度は、5×1016cm-3以下、好ましくは1×1016cm-3以下、さらに好ましくは1×1015cm-3以下とするとよい。同じく、リチウムの濃度は5×1015cm-3以下、好ましくは1×1015cm-3以下、カリウムの濃度は5×1015cm-3以下、好ましくは1×1015cm-3以下とするとよい。このようにして、得られる絶縁性酸化物層104bもトランジスタのゲート絶縁物として機能する。すなわち、トランジスタのゲート絶縁物の厚さは、第1のゲート絶縁物103の厚さと絶縁性酸化物層104bの厚さの和である。したがって、第1のゲート絶縁物103の厚さは、絶縁性酸化物層104bを考慮して決定する必要がある。絶縁性酸化物層104bの厚さは、酸化物膜104の厚さのみならず、酸化物膜104に含まれる亜鉛の比率にも依存する。一般に、亜鉛の比率が高いほど、絶縁性酸化物層104bは薄くなる。したがって、上述のとおり、第1のゲート絶縁物103の厚さは、酸化物膜104の組成と厚さに応じて決定される必要がある。例えば、一般的な液晶表示装置、あるいはエレクトロルミネッセンス表示装置に用いられるトランジスタの場合、ゲート絶縁物の厚さは50nm乃至1μmである。例えば、酸化物膜104の厚さを200nm、酸化物膜104中のガリウムの比率、Ga/GaZnを0.5とした場合、得られる絶縁性酸化物層104bの厚さは、100nm乃至150nmである。なお、絶縁性酸化物層104bは、ガリウムを主たる金属元素とするため、その比誘電率は、酸化珪素の約2.5倍である。もし、第1のゲート絶縁物103を酸化珪素で形成し、全体のゲート絶縁物第1のゲート絶縁物103と絶縁性酸化物層104bの厚さを酸化珪素換算で200nmとするのであれば、第1のゲート絶縁物103の厚さは、140nm乃至160nmとすればよい。なお、最適なゲート絶縁物の厚さは、ゲート電極に印加される電圧等によって適宜設定されるものである。一般に、印加される電圧が低ければ、ゲート絶縁物は薄く設定され、印加される電圧が高ければ、ゲート絶縁物は厚く設定される。本実施の形態では、絶縁性酸化物層104bはガリウムを主たる金属元素とするものであり、化学式ではGaxZn1-xOyただしX≧0.7と表現されるが、ここで、x/21<y<x/21.5となるように、すなわち、酸素が化学量論比よりも過剰となることが好ましい。なお、酸化物膜104中に、イットリウムなどの3族元素、ハフニウムなどの4族元素、アルミニウムなどの13族元素などの不純物元素を含ませることで、後に得られる絶縁性酸化物層104bのエネルギーギャップを拡大させて絶縁性を高めても良い。これらの不純物を含まない酸化ガリウムのエネルギーギャップは4.9eVであるが、上述の不純物を、例えば0を超えて20原子以下程度含ませることで、そのエネルギーギャップを6eV程度まで拡大することができる。その後、図1Cに示すように、半導体性酸化物膜105を形成する。本実施の形態では、半導体性酸化物として、In-Ga-Zn系酸化物を採用する。すなわち、In-Ga-Zn系酸化物をターゲットとしてスパッタリング法により形成する。酸化物ターゲットの充填率は、90以上100以下、好ましくは95以上99以下とする。充填率の高い酸化物ターゲットを用いることにより、得られる半導体性酸化物膜を緻密な膜とすることができる。ターゲットの組成比は、例えば、In:Ga:Zn=1:1:1[モル比]とすることができる。なお、ターゲットの材料および組成をこれに限定する必要はない。例えば、In:Ga:Zn=1:1:0.5[モル比]、In:Ga:Zn=2:1:3[モル比]、In:Ga:Zn=3:1:2[モル比]の組成比の酸化物ターゲットを用いることもできる。なお、後述するように、得られる半導体性酸化物膜の組成に関しては、金属成分におけるガリウムの比率モル比が0.2以上であるものが好ましい。例えば、In:Ga:Zn=1:1:1である場合は、ガリウムの比率は0.33であり、In:Ga:Zn=1:1:0.5の場合は、0.4である。半導体性酸化物膜105は、水素や水などが混入しにくい方法で作製するのが望ましい。成膜時の雰囲気は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または、希ガスと酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、半導体性酸化物膜105への水素、水、水酸基、水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が十分に除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望ましい。また、半導体性酸化物膜105の厚さは、3nm以上30nm以下とするのが望ましい。半導体性酸化物膜を厚くしすぎると例えば、膜厚を50nm以上、トランジスタがノーマリーオンとなってしまうおそれがあるためである。成膜時の基板温度を100°C以上600°C以下好ましくは200°C以上400°C以下とすることによっても、上記の不純物の混入を防止できる。加えて、排気手段として、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプなどの吸着型の真空ポンプ、あるいは、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものを用いるとよい。以上のような排気手段を用いて排気した成膜室は、水素分子や、水H2Oなどの水素原子を含む化合物などが炭素原子を含む化合物とともに除去されているため、当該成膜室で成膜した半導体性酸化物膜105に含まれる不純物の濃度を低減できる。また、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属も半導体性酸化物をトランジスタに用いる場合においては好ましくない元素であるので、トランジスタを構成する材料には可能な限り含まれないようにすることが好ましい。特にアルカリ金属のうち、ナトリウムは半導体性酸化物に接する絶縁性酸化物中に拡散し、ナトリウムイオンとなる。あるいは半導体性酸化物内において、金属元素と酸素の結合を分断し、あるいは結合中に割り込む。その結果、トランジスタ特性の劣化例えば、ノーマリーオン化しきい値の負へのシフト、移動度の低下等をもたらす。また、特性のばらつきの原因ともなる。このような問題は、特に半導体性酸化物中の水素の濃度が十分に低い場合において顕著となる。したがって、半導体性酸化物中の水素の濃度が5×1019cm-3以下、特に5×1018cm-3以下である場合には、アルカリ金属の濃度を十分に低くすることが強く求められる。例えば、半導体性酸化物膜105におけるナトリウムの濃度は、5×1016cm-3以下、好ましくは1×1016cm-3以下、さらに好ましくは1×1015cm-3以下とするとよい。同じく、リチウムの濃度は5×1015cm-3以下、好ましくは1×1015cm-3以下、カリウムの濃度は5×1015cm-3以下、好ましくは1×1015cm-3以下とするとよい。その後、半導体性酸化物膜105に対して、熱処理第1の熱処理をおこなう。この第1の熱処理によって、半導体性酸化物層104aの結晶を核として、半導体性酸化物膜105が結晶成長し、図1Dに示すようにc軸配向した半導体性酸化物膜105aとなる。同時に、半導体性酸化物膜105中の、過剰な水素水や水酸基を含むを除去し、半導体性酸化物膜105の構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することもできる。さらに、この第1の熱処理によって、第1のゲート絶縁物103や絶縁性酸化物層104b中の過剰な水素水や水酸基を含むを除去することも可能である。第1の熱処理の温度は、250°C以上650°C以下とする。なお、第1の熱処理の結果、半導体性酸化物層104aと半導体性酸化物膜105とは一体となり半導体性酸化物膜105aとなるため、その界面は判然としない。第1の熱処理は、例えば、抵抗発熱体などを用いた電気炉に被処理物を導入し、窒素雰囲気下でおこなうことができる。この間、半導体性酸化物膜105は大気に触れさせず、水や水素の混入が生じないようにする。熱処理装置は電気炉に限られず、加熱されたガスなどの媒体からの熱伝導、または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いても良い。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて熱処理をおこなう装置である。ガスとしては、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。例えば、第1の熱処理として、熱せられた不活性ガス雰囲気中に被処理物を投入し、数分間熱した後、当該不活性ガス雰囲気から被処理物を取り出すGRTA処理をおこなってもよい。GRTA処理を用いると短時間での高温熱処理が可能となる。また、被処理物の耐熱温度を超える温度条件であっても適用が可能となる。なお、処理中に、不活性ガスを、酸素を含むガスに切り替えても良い。酸素を含む雰囲気において第1の熱処理をおこなうことで、酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができるためである。なお、不活性ガス雰囲気としては、窒素、または希ガスヘリウム、ネオン、アルゴン等を主成分とする雰囲気であって、水、水素などが含まれない雰囲気を適用するのが望ましい。例えば、熱処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上すなわち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とする。第1の熱処理は、以上のように半導体性酸化物膜105を形成した直後に限らず、半導体性酸化物膜105を形成した後のどのタイミングにおいておこなうことも可能である。また、同様な熱処理は、一回に限らず複数回おこなっても良い。そして、図1Eに示すように、半導体性酸化物膜105aと絶縁性酸化物層104bをエッチングすることで、目的とする形状例えば、島状を有する半導体性酸化物膜105bを得る。エッチングには、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法を用いればよい。なお、ここでのエッチングに際しては、第1のゲート絶縁物103をエッチングストッパーとして用いてもよい。その後、N型の導電性を示す半導体性酸化物膜と金属等の導電膜を堆積する。これらの成膜にはスパッタリング法を用いればよい。N型の半導体性酸化物膜としては、酸化インジウム、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム等を用いればよい。なお、N型の半導体性酸化物膜は、ソース電極やドレイン電極と半導体性酸化物膜105bとの接触抵抗を低減する目的で設けるが、ソース電極やドレイン電極に用いる金属の種類によっては設けなくてもよい。導電膜としては、例えば、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン等から選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を主たる金属成分とする金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下又は上の一方または双方にチタン、モリブデン、タングステンなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜を積層させた構成としても良い。そして、これらを目的とする形状に加工し、N型半導体性酸化物膜106aおよび106bと、ソース電極107aとドレイン電極107bを形成する。以上でトランジスタの基本的な構造が完成する。なお、導電膜のエッチングの際に、半導体性酸化物膜105bの一部もエッチングされ、半導体性酸化物膜105bに溝部凹部が形成されることもある。また、酸素、オゾンなどの酸化性のガスを用いたプラズマ処理をおこない、露出している半導体性酸化物膜105bの表面に付着した吸着水などを除去してもよい。なお、このプラズマ処理の際には、ガス中の窒素やアルゴンの濃度は50未満とすることが好ましい。さらに、スパッタ法あるいはCVD法等で第1の絶縁物108を形成する。なお、上記のプラズマ処理をおこなった場合、当該プラズマ処理後に、基板101を大気雰囲気に取り出さずに、連続して第1の絶縁物108の成膜をおこなうと、半導体性酸化物膜105bの表面に大気成分特に水が吸着されないので望ましい。第1の絶縁物108は、代表的には酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、または酸化窒化アルミニウムなどの無機絶縁物を用いて形成することができる。特に、後述する理由から酸化物であることが好ましく、化学量論比以上の酸素を含有していることが好ましい。第1の絶縁物108の形成後、第2の熱処理をおこなうのが望ましい。第2の熱処理の温度は、150°C以上600°C以下、好ましくは250°C以上450°C以下とする。第2の熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気水の含有量が20ppm以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下の空気、または希ガスアルゴン、ヘリウムなどの雰囲気下でおこなえばよい。また、熱処理装置に導入する窒素、酸素、または希ガスの純度を、6N以上好ましくは7N以上即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。第2の熱処理においては、半導体性酸化物膜105bと第1の絶縁物108とが接した状態で加熱される。したがって、第1の熱処理によって減少してしまう可能性のある半導体性酸化物膜105bの酸素を、第1の絶縁物108より供給することができる。これによって、半導体性酸化物膜105bの電荷捕獲中心を低減することができる。第1の熱処理と第2の熱処理を適用することで、半導体性酸化物膜105bを、その主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することができる。高純度化された半導体性酸化物膜105bにはドナーに由来するキャリアが極めて少なくなる。キャリア濃度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満とすることができる。次に、表面が平坦な第2の絶縁物109を形成する。第2の絶縁物109は各種有機材料を用いて形成すればよい。そして、第1の絶縁物108と第2の絶縁物109を選択的にエッチングして、ドレイン電極107bに達するコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールを介して、ドレイン電極107bと接触する表示用電極110を形成する図1F。表示用電極110には、透光性のものや反射性のものを用いることができる。前者としては、In-Sn系酸化物やZn-Al系酸化物等のバンドギャップが3電子ボルト以上の導電性酸化物を用いることができる。また、金属ナノワイヤ-や厚さ3nm以下の炭素膜グラフェン等を用いることもできる。後者としては、各種金属材料アルミニウム、銀等の膜を用いることができる。反射性の表示用電極においては白色を表示するには、その表面に不規則な凹凸を設けるとよい。図6には上記の作製工程を上方より見た様子を示す。図6の点Aと点Bを結ぶ点線の断面が図1に相当する。図6Aは、図1Aに示される状態に相当するものであるが、ここでは、第1のゲート絶縁物103や酸化物膜104等は表示していない。図6Bは図1Eに示される状態に相当する。また、図6Cは図1Eで示される工程と、図1Fで示される工程の中間の状態を示す。すなわち、図1Eの工程の後、N型半導体性酸化物膜106aおよび106bと、ソース電極107aとドレイン電極107bを形成した直後の様子を示す。本実施の形態では、ガリウムを主たる金属元素とする絶縁性酸化物層104bを用いるが、このような材料を、特に金属元素に占めるガリウムの比率が0.2以上の半導体性酸化物と接触させるような構造とすると、半導体性酸化物膜との界面における電荷捕獲を十分に抑制することができる。このことにより、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。本実施の形態では、トランジスタを用いた表示装置の作製工程を示したが、本実施で開示された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器例えば、集積回路でも実施できることは明らかである。実施の形態2本実施の形態では実施の形態1で示したトランジスタとは異なる構造のトランジスタを有する表示装置を作製する例を示す。図2A乃至Fに本実施の形態の表示装置の作製工程断面を示す。本実施の形態に示すトランジスタは、半導体として半導体性酸化物を用いるものであり、ボトムゲート型である。また、ソース電極とドレイン電極はともに半導体層の下面にコンタクトするボトムコンタクト型である。以下、作製工程の概略を説明する。ただし、実施の形態1と同じ符号で示される構造物に関しては、用いる材料や使用する手段、条件等は、特に断らない限りは、実施の形態1で示したものを用いればよい。図2Aに示すように、絶縁表面を有する基板101上に、ゲート電極102、第1のゲート絶縁物103および酸化物膜104を形成する。第1のゲート絶縁物103の厚さは、実施の形態1で説明したことと同じ理由から酸化物膜104の組成と厚さに応じて決定される必要がある。第1のゲート絶縁物103は設けなくともよい。酸化物膜104は、本実施の形態ではガリウムと亜鉛の酸化物で、その比率、Ga/GaZnは、0.2以上0.8未満、好ましくは0.3以上0.7未満とするとよい。次に、これらを形成した基板101を適切な雰囲気、例えば、圧力を10Pa乃至1気圧とし、酸素雰囲気、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気のいずれかとする条件において、400°C乃至700°Cで10分乃至24時間の加熱をおこなう。すると、図2Bに示すように、酸化物膜104が変質し、表面付近に亜鉛の濃度が高く、結晶性の半導体性酸化物層104aが形成され、その他の部分が亜鉛の濃度の低い絶縁性酸化物層104bとなる。絶縁性酸化物層104bにおけるガリウムの比率、Ga/GaZnは0.7以上、好ましくは、0.8以上となるようにするとよい。その後、金属等の導電膜を堆積し、これを目的とする形状に加工し、図2Cに示すように、ソース電極107aとドレイン電極107bを形成する。これらの上に半導体性酸化物膜を形成し、半導体性酸化物膜と絶縁性酸化物層104bをエッチングすることで、図2Dに示すように、目的とする形状例えば、島状を有する半導体性酸化物膜105bを得る。エッチングには、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法を用いればよい。さらに、実施の形態1で示した第1の熱処理をおこない、特に、半導体性酸化物層104aに接する部分の半導体性酸化物膜105bを結晶化せしめ、半導体性酸化物膜105aを得る図2E参照。さらに、第1の絶縁物108を形成する。第1の絶縁物108の形成後、第2の熱処理をおこなってもよい。次に、表面が平坦な第2の絶縁物109を形成する。そして、第1の絶縁物108と第2の絶縁物109を選択的にエッチングして、ドレイン電極107bに達するコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールを介して、ドレイン電極107bと接触する表示用電極110を形成する図2F。本実施の形態で示すトランジスタが、実施の形態1で示すものと異なる点は、半導体性酸化物膜105とソース電極107aとドレイン電極107bとの上下関係のみである。したがって、上方から見たトランジスタの構造は、図6Cで示されるものとほとんど同じである。本実施の形態でも、ガリウムを主たる金属元素とする絶縁性酸化物層104bを用いるが、このような材料を、特に金属元素に占めるガリウムの比率が0.2以上の半導体性酸化物と接触させるような構造とすると、半導体性酸化物膜との界面における電荷捕獲を十分に抑制することができる。このことにより、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。本実施の形態では、トランジスタを用いた表示装置の作製工程を示したが、本実施で開示された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器例えば、集積回路でも実施できることは明らかである。実施の形態3本実施の形態では上記の実施の形態で示したトランジスタとは異なる構造のトランジスタを有する表示装置を作製する例を示す。図3A乃至Fに本実施の形態の表示装置の作製工程断面を示す。本実施の形態に示すトランジスタは、半導体として半導体性酸化物を用いるものであり、ゲートが半導体層の上に形成されるトップゲート型である。また、ソース電極とドレイン電極はともに半導体層の上面にコンタクトするトップコンタクト型である。以下、作製工程の概略を説明する。ただし、実施の形態1と同じ符号で示される構造物に関しては、用いる材料や使用する手段、条件等は、特に断らない限りは、実施の形態1で示したものを用いればよい。図3Aに示すように、基板101上に、酸化物膜111を形成する。なお、酸化物膜111はその後の熱処理等の工程により絶縁性の酸化物となるので基板101の表面は導電性を呈するものであっても構わない。また、基板にトランジスタにとって好ましくない不純物が含まれている場合には、それらをブロッキングする機能を有する絶縁性の材料例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化珪素等の膜を基板101と酸化物膜111の間に設けることが望ましい。なお、酸化物膜111の種類によっては、その後の熱処理で同様な機能を持たせることもできる。酸化物膜111は本実施の形態ではガリウムと亜鉛の酸化物で、その比率、Ga/GaZnは、0.2以上0.8未満、好ましくは0.3以上0.7未満とするとよい。酸化物膜111はDCスパッタリング法あるいはパルスDCスパッタリング法で形成するとよい。酸化物膜111は実施の形態1の酸化物膜104と同様に作製できる。次に、基板101を適切な雰囲気、例えば、圧力を10Pa乃至1気圧とし、酸素雰囲気、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気のいずれかとする条件において、400°C乃至700°Cで10分乃至24時間の加熱をおこなう。すると、図3Bに示すように、酸化物膜111が変質し、表面付近に亜鉛の濃度が高く、結晶性の半導体性酸化物層111aが形成され、その他の部分が亜鉛の濃度の低い絶縁性酸化物層111bとなる。絶縁性酸化物層111bにおけるガリウムの比率、Ga/GaZnは0.7以上、好ましくは、0.8以上となるようにするとよい。本実施の形態では、絶縁性酸化物層111bはガリウムを主たる金属元素とするものであり、化学式ではGaxZn1-xOyただしX≧0.7と表現されるが、ここで、x/21<y<x/21.5となるように、すなわち、酸素が化学量論比よりも過剰となることが好ましい。また、本実施の形態では、絶縁性酸化物層111bはガリウムを主たる金属元素とする酸化物であるため、水素やアルカリ金属をブロッキングする機能を有する。その後、図3Cに示すように、半導体性酸化物層111aの上に半導体性酸化物膜105を形成する。半導体性酸化物膜105の作製条件等については、実施の形態1を参照すればよい。さらに、実施の形態1で示した第1の熱処理をおこなうことで、半導体性酸化物膜105を結晶化させ、半導体性酸化物膜105aを得る図3D参照。そして、半導体性酸化物膜105をエッチングすることで、目的とする形状例えば、島状を有する半導体性酸化物膜105bを得る。エッチングには、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法を用いればよい。なお、ここでのエッチングに際しては、絶縁性酸化物層111bをエッチングストッパーとして用いるとよい。その後、実施の形態1で示したようなプラズマ処理をおこなってもよい。その後、N型の導電性を示す半導体性酸化物膜と金属等の導電膜を堆積し、これを目的とする形状に加工し、N型半導体性酸化物膜106aおよび106bと、ソース電極107aとドレイン電極107bを形成する図3E参照。なお、N型半導体性酸化物膜106aおよび106bは設けなくてもよい。さらに、ゲート絶縁物112を堆積する。ゲート絶縁物112の作製方法は、実施の形態1の第1のゲート絶縁物103の作製方法を参照すればよい。また、その厚さは、作製するトランジスタが必要とするものとすればよい。ゲート絶縁物112上にはゲート電極113を形成する。ゲート電極113は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅等の金属元素またはこれらを主たる金属元素とする合金材料を用いて、単層または積層して形成することができる。ゲート電極113に用いる材料の仕事関数により、得られるトランジスタのしきい値等が変化するので、それに応じた選択をする必要がある。以上でトランジスタの基本的な構造が完成する。さらに、スパッタ法あるいはCVD法等で第1の絶縁物108を形成する。第1の絶縁物108の形成後、第2の熱処理をおこなってもよい。次に、表面が平坦な第2の絶縁物109を形成する。そして、第1の絶縁物108と第2の絶縁物109を選択的にエッチングして、ドレイン電極107bに達するコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールを介して、ドレイン電極107bと接触する表示用電極110を形成する図3F参照。本実施の形態で示すトランジスタが、実施の形態1で示すものと大きく異なる点は、半導体性酸化物膜105とゲート電極113との上下関係である。しかしながら、図1Fにおけるゲート電極102の基板面内での位置と、図3Fにおけるゲート電極113のそれとはほとんど同じである。したがって、上方から見たトランジスタの構造は、図6Cで示されるものとほとんど同じである。本実施の形態でも、ガリウムを主たる金属元素とする絶縁性酸化物層111bを用いるが、このような材料を、特に金属元素に占めるガリウムの比率が0.2以上の半導体性酸化物膜と接触させるような構造とすると、半導体性酸化物膜との界面における電荷捕獲を十分に抑制することができる。このことにより、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。本実施の形態では、トランジスタを用いた表示装置の作製工程を示したが、本実施で開示された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器例えば、集積回路でも実施できることは明らかである。実施の形態4本実施の形態では実施の形態3で示したトランジスタと同様にトップゲート型であるが、ソース電極とドレイン電極はともに半導体層の下面にコンタクトするボトムコンタクト型のトランジスタを有する表示装置を作製する例を示す。図4A乃至Fに本実施の形態の表示装置の作製工程断面を示す。以下、作製工程の概略を説明する。ただし、実施の形態1あるいは3と同じ符号で示される構造物に関しては、特に断らない限りは、それらの実施の形態で示したものを用いればよい。図4Aに示すように、基板101上に、酸化物膜111を形成する。実施の形態3と同様に、基板101の表面は導電性を呈するものであっても構わない。酸化物膜111は本実施の形態ではガリウムと亜鉛の酸化物で、その比率、Ga/GaZnは、0.2以上0.8未満、好ましくは0.3以上0.7未満とするとよい。酸化物膜111の厚さは100nm乃至1000nmとするとよい。次に、基板101を適切な雰囲気、例えば、圧力を10Pa乃至1気圧とし、酸素雰囲気、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気のいずれかとする条件において、400°C乃至700°Cで10分乃至24時間の加熱をおこなう。すると、図4Bに示すように、酸化物膜111が変質し、表面付近に亜鉛の濃度が高く、結晶性の半導体性酸化物層111aが形成され、その他の部分が亜鉛の濃度の低い絶縁性酸化物層111bとなる。絶縁性酸化物層111bにおけるガリウムの比率、Ga/GaZnは0.7以上、好ましくは、0.8以上となるようにするとよい。その後、金属等の導電膜を堆積し、これを目的とする形状に加工し、ソース電極107aとドレイン電極107bを形成する。その後、ソース電極107aとドレイン電極107bの上に半導体性酸化物膜を形成し、これをエッチングすることで、目的とする形状例えば、島状を有する半導体性酸化物膜105bを得る図4C参照。さらに、実施の形態1で示した第1の熱処理をおこない、特に、半導体性酸化物層104aに接する部分の半導体性酸化物膜105bを結晶化せしめ、半導体性酸化物膜105aを得る図4D参照。さらに、図4Eに示すように、ゲート絶縁物112を堆積し、ゲート絶縁物112上にはゲート電極113を形成する。さらに、スパッタ法あるいはCVD法等で第1の絶縁物108を形成し、その上に表面の平坦な第2の絶縁物109を形成する。そして、第1の絶縁物108と第2の絶縁物109を選択的にエッチングして、ドレイン電極107bに達するコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールを介して、ドレイン電極107bと接触する表示用電極110を形成する図4F参照。本実施の形態では、トランジスタを用いた表示装置の作製工程を示したが、本実施で開示された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器例えば、集積回路でも実施できることは明らかである。実施の形態5本実施の形態では、上記の実施の形態で示したトランジスタとは異なるトランジスタを有する表示装置の例を示す。図5Aに示すトランジスタは、半導体層の上下に2つのゲート電極を有するデュアルゲート構造のトランジスタの一つである。トランジスタは、絶縁表面を有する基板101上に、第1のゲート電極102、第1のゲート絶縁物103、ガリウムを主たる金属元素とする絶縁性酸化物層104b、半導体性酸化物膜105b、N型半導体性酸化物膜106aおよび106b、ソース電極107a、ドレイン電極107b、第2のゲート絶縁物112、第2のゲート電極113を有する。さらに、本実施の形態で示す表示装置は、平坦な表面を有する絶縁物109と、絶縁物109と第2のゲート絶縁物112を貫いて、ドレイン電極107bに達するコンタクトホールを介して、ドレイン電極107bに接続する表示用電極110を有する。上記において、第2のゲート絶縁物112、第2のゲート電極113の材料、作製方法等は実施の形態3あるいは4のゲート絶縁物112、ゲート電極113のものを参照すればよい。その他の構成物は、実施の形態1に記載された内容を参照すればよい。半導体性酸化物層をトランジスタの半導体層に用いた場合、半導体装置の製造工程によっては、トランジスタのしきい値電圧がマイナス側、或いはプラス側にシフトすることがある。そのため、上述のトランジスタのように、第2のゲート絶縁物112上に第2のゲート電極113を設けてデュアルゲート型の構造とし、しきい値電圧の制御をおこなうことのできる構成が好適であり、第1のゲート電極102または第2のゲート電極113の電位を制御することにより適切な値のしきい値電圧に制御することができる。また、第1のゲート電極102及び第2のゲート電極113は、外部からの光の照射を遮断し、半導体性酸化物膜105bに光が照射されることによるトランジスタの電気特性変動を抑制することができる。本実施の形態では、トランジスタを用いた表示装置の作製工程を示したが、本実施で開示された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器例えば、集積回路でも実施できることは明らかである。実施の形態6本実施の形態では、実施の形態5で示したデュアルゲート構造のトランジスタとは異なるデュアルゲート構造を有するトランジスタを有する表示装置の例を図5Bに示す。この表示装置は、絶縁表面を有する基板101上に、第1のゲート電極102、第1のゲート絶縁物103、ガリウムを主たる金属元素とする絶縁性酸化物層104b、ソース電極107a、ドレイン電極107b、半導体性酸化物膜105b、第2のゲート絶縁物112、第2のゲート電極113を有する。さらに、本実施の形態で示す表示装置は、平坦な表面を有する絶縁物109と、絶縁物109と第2のゲート絶縁物112を貫いて、ドレイン電極107bに達するコンタクトホールを介して、ドレイン電極107bに接続する表示用電極110を有する。上記において、第2のゲート絶縁物112、第2のゲート電極113の材料、作製方法等は実施の形態3あるいは4のゲート絶縁物112、ゲート電極113のものを参照すればよい。その他の構成物は、実施の形態1あるいは2に記載された内容を参照すればよい。図5Bに示す表示装置において、図5Aとの差異は半導体性酸化物膜105bとソース電極107aおよびドレイン電極107bとの上下関係である。実施の形態7実施の形態1乃至6に開示する表示装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。また、実施の形態1乃至6に開示された構造を有するトランジスタは表示装置以外にも用いることができ、例えば、各種集積回路メモリ装置を含むおよびそれらを組み込んだ電子機器、電化製品などで使用できる。