第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物の上に透光性層と、前記透光性層の上に蛍光体層と、を含み、前記蛍光体層はパターンを含み、前記蛍光体層のパターンは前記透光性層を露出させないか、前記透光性層の一部を露出させるか、または前記透光性層及び前記発光構造物の一部を露出させることを特徴とする、発光素子チップ。前記蛍光体層は、前記発光構造物の側面の一部または側面の全部にも形成されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子チップ。前記透光性層は、2乃至200μmの厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子チップ。前記蛍光体層は、5乃至500μmの厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子チップ。前記蛍光体層のパターン後、残った蛍光体層の面積が前記発光素子チップの発光面積の30乃至90であることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子チップ。前記側面に形成された蛍光体層は、パターンを含むことを特徴とする、請求項2に記載の発光素子チップ。前記側面に形成された蛍光体層の厚さは、前記透光性層の上に形成された蛍光体層の厚さの2倍以下であることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子チップ。前記発光構造物の下側に形成された第2電極層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子チップ。前記発光構造物の水平幅は、前記第2電極層の水平幅より小さいことを特徴とする、請求項8に記載の発光素子チップ。前記発光構造物の下側に形成された非伝導性基板をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子チップ。第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物の上に透光性層と、前記透光性層の上に蛍光体層と、を含み、前記透光性層は、前記発光構造物の上面と側面の上に形成されることを特徴とする、発光素子チップ。前記透光性層は、2乃至200μmの厚さを有することを特徴とする、請求項11に記載の発光素子チップ。前記蛍光体層は、パターンを含むことを特徴とする、請求項11に記載の発光素子チップ。前記蛍光体層のパターンは、前記透光性層を露出させないか、前記透光性層の一部を露出させるか、または前記透光性層及び前記発光構造物の一部を露出させることを特徴とする、請求項13に記載の発光素子チップ。前記蛍光体層は、5乃至500μmの厚さを有することを特徴とする、請求項13に記載の発光素子チップ。前記蛍光体層のパターン後、残った蛍光体層の面積が前記発光素子チップの発光面積の30乃至90であることを特徴とする、請求項13に記載の発光素子チップ。前記発光構造物の下側に形成された第2電極層をさらに含むことを特徴とする、請求項11に記載の発光素子チップ。前記発光構造物の水平幅は前記第2電極層の水平幅より小さいことを特徴とする、請求項17に記載の発光素子チップ。前記発光構造物の下側に形成された非伝導性基板をさらに含むことを特徴とする、請求項11に記載の発光素子チップ。パッケージ胴体と、前記パッケージ胴体に設けられた1つ以上の電極層と、前記電極層に電気的に連結された請求項1または請求項11に記載された発光素子を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。本発明の目的は、発光面に蛍光体層を具備することによって、自体的に白色光を形成する発光素子チップ、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供することにある。本発明に従う発光素子チップは、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に透光性層と、上記透光性層の上に蛍光体層と、を含み、上記蛍光体層はパターンを含み、上記蛍光体層のパターンは上記透光性層を露出させないか、上記透光性層の一部を露出させるか、または上記透光性層及び上記発光構造物の一部を露出させる。また、本発明に従う発光素子チップは、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に透光性層と、上記透光性層の上に蛍光体層と、を含み、上記透光性層は上記発光構造物の上面と側面の上に形成される。また、本発明に従う発光素子パッケージは、パッケージ胴体と、上記パッケージ胴体に設けられた第3電極層及び第4電極層と、上記第3電極層及び第4電極層に電気的に連結された上記発光素子と、を含む。また、照明システムは、基板と、上記基板の上に設けられた発光素子パッケージを含む発光モジュールと、を含み、上記発光素子パッケージは、パッケージ胴体と、上記パッケージ胴体に設けられた第3電極層及び第4電極層と、上記第3電極層及び第4電極層に電気的に連結された上記発光素子と、を含む。以下、本発明に従う発光素子チップ、発光素子パッケージ、及び照明システムを添付の図面を参照しつつ説明する。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。実施形態図1は、本発明の第1実施形態に従う発光素子チップの断面図である。第1実施形態に従う発光素子チップ100は、発光構造物110、上記発光構造物110の上に形成された透光性層130、及び上記透光性層130の上に形成された蛍光体層140を含むことができる。実施形態に従う発光素子チップによれば、発光素子チップ自体に蛍光体層140を具備することによって、自体的に白色光を形成することができる。また、実施形態によれば、発光素子チップの発光面と蛍光体層140との間に熱伝導度が低い、かつ透光性がある透光性層130を挿入することによって、発光構造物110の発光面から発生した熱が蛍光体層140に伝達されることを抑制して蛍光体の波長変換効率を増加させることができる。上記透光性層130は、シリコンゲルなどで形成できるが、これに限定されるのではない。上記透光性層130は、約2~200μmで形成できるが、これに限定されるのではない。上記透光性層130は、発光構造物110の上の第1電極120より厚く、例えば2μm以上で形成できるが、これに限定されるのではない。また、上記透光性層130は、発光素子チップの全体高さの半分以下、例えば200μm以下で形成できるが、これに限定されるのではない。上記透光性層130は、上記発光構造物110の上面と側面の上に形成できるが、これに限定されるのではない。例えば、上記透光性層130は上記発光構造物110の上面のみに形成されることもでき、上記透光性層130は上記発光構造物110の側面のみに形成されることもできる。上記蛍光体層140は約5~500μmで形成できるが、これに限定されるのではない。上記蛍光体層140は青色光を黄色光に波長変換できる範囲、例えば、5μm以上の厚さで形成されることができ、発光素子チップのサイズを考慮して500μm以下の厚さで形成できるが、これに限定されるのではない。実施形態で、上記第1電極120は電気的に連結されたラインパターンであることがあり、第1電極120の一部は露出されたパッド電極図示せずと電気的に連結できる。実施形態で、上記発光構造物110の水平幅は第2電極層105の水平幅より小さいことがあるが、これに限定されるのではない。実施形態に従う発光素子チップによれば、発光素子チップ自体に蛍光体層を具備することによって、自体的に白色光を形成することができる。また、実施形態によれば、発光素子チップで発生した熱が蛍光体層に伝達されることを抑制して、蛍光体層の波長変換効率を増加させることができる。以下、図2乃至図5を参照して第1実施形態に従う発光素子チップの製造方法を説明する。まず、図2のように実施形態の発光素子チップは第2電極105の上に形成された発光構造物110を含むことができる。上記第2電極105は、オーミック層、反射層、結合層、伝導性基板のうち、少なくとも1つ以上を含むことができる。上記発光構造物110は、第2導電型半導体層116、活性層114、及び第1導電型半導体層112を含むことができる。以下、上記第2電極105の上に形成された発光構造物110の製造工程を説明する。まず、第1基板図示せずを用意する。上記第1基板は、サファイアAl2O3基板、SiC基板などでありえるが、これに限定されるのではない。以後、上記第1基板の上に第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を含む発光構造物110を形成することができる。上記第1導電型半導体層112は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、InPのうち、いずれか1つ以上で形成できる。上記第1導電型半導体層112は、化学蒸着方法CVD、分子線エピタキシーMBE、スパッタリング、または水酸化物蒸気相エピタキシーHVPEなどの方法を使用してN型GaN層を形成することができる。また、上記第1導電型半導体層112は、チャンバーにトリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びシリコンSiのようなn型ドーパントを含むシランガスSiH4が注入されて形成できる。この際、実施形態は上記第1基板図示せずの上にアンドープドundoped半導体層図示せずを形成し、上記アンドープド半導体層の上に第1導電型半導体層112を形成することによって、基板と発光構造物との間の結晶格子差を減らすことができる。上記活性層114は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子線QuantumWire構造、または量子点QuantumDot構造のうち、少なくともいずれか1つで形成できる。例えば、上記活性層114は、トリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びトリメチルインジウムガスTMInが注入されて多重量子井戸構造が形成できるが、これに限定されるのではない。上記活性層114は、上記活性層114の井戸層/障壁層はInGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAsInGaAs、/AlGaAs、GaPInGaP/AlGaPのうち、いずれか1つ以上のペア構造で形成できるが、これに限定されるのではない。上記井戸層は、上記障壁層のバンドギャップより低いバンドギャップを有する物質で形成できる。上記活性層114の上または/及び下には導電型クラッド層が形成できる。上記導電型クラッド層はAlGaN系半導体で形成されることができ、上記活性層114のバンドギャップよりは高いバンドギャップを有することができる。上記第2導電型半導体層116は、第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。上記第2導電型半導体層116は、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択できる。上記第2導電型半導体層116がP型半導体層の場合、上記第2導電型ドーパントはP型ドーパントとして、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどを含むことができる。上記第2導電型半導体層116は単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第2導電型半導体層116は、チャンバーにトリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びマグネシウムMgのようなp型ドーパントを含むビセチルサイクロペンタジエニルマグネシウムEtCp2Mg{MgC2H5C5H42}が注入されてp型GaN層が形成できるが、これに限定されるのではない。実施形態で、上記第1導電型半導体層112はN型半導体層、上記第2導電型半導体層116はP型半導体層で具現できるが、これに限定されるのではない。また、上記第2導電型半導体層116の上には上記第2導電型と反対の極性を有する半導体、例えばN型半導体層図示せずを形成することができる。これによって、発光構造物110はN-P接合構造、P-N接合構造、N-P-N接合構造、P-N-P接合構造のうち、いずれか1構造で具現できる。以後、上記第2導電型半導体層116の上に第2電極105を形成する。上記第2電極105は、オーミック層図示せず、反射層図示せず、結合層図示せず、第2基板図示せずなどを含むことができる。上記第2電極105は、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi、アルミニウムAl、白金Pt、金Au、タングステンW、モリブデンMo、またはドーパントが注入された半導体基板のうち、少なくともいずれか1つで形成されることもできる。例えば、上記第2電極105はオーミック層を含むことができ、正孔注入を効率的にすることができるように、単一金属、金属合金、金属酸化物などを多重で積層して形成できる。例えば、上記オーミック層は、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IZONIZONitride、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち、少なくとも1つを含んで形成されることができるが、このような材料に限定されるのではない。また、上記第2電極105が反射層を含む場合、上記反射層は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち、少なくとも1つを含む金属または合金で形成できる。また、上記反射層は、上記金属または合金とIZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO等の透光性伝導性物質を用いて多層で形成することができ、例えば、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどで積層できる。また、上記第2電極105が結合層を含む場合、上記反射層が結合層の機能をするか、上記結合層は、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むことができる。また、第2電極105は第2基板を含むことができる。上記第2基板は効率的に正孔を注入できるように電気伝導性に優れる金属、金属合金、または伝導性半導体物質からなることができる。例えば、上記第2基板は、銅Cu、銅合金CuAlloy、金Au、ニッケルNi、モリブデンMo、銅-タングステンCu-W、キャリアウエハ例えば、Si、Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe、SiC等のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記第2基板を形成させる方法は、電気化学的な金属蒸着方法やユーテクティック共晶あるいは共融金属を用いたボンディング方法などを使用することができる。以後、上記第1導電型半導体層112が露出されるように上記第1基板を除去する。上記第1基板を除去する方法は、レーザリフトオフLaserLiftOff方法または化学的リフトオフChemicalLiftOff方法を利用することができる。また、上記第1基板は物理的に磨き出すことによって除去することもできる。これによって、図2に図示された第2電極105の上に形成された発光構造物110を形成することができる。上記第1基板の除去後、発光構造物110に対するエッチング工程を進行して発光構造物110の側壁が所定の傾斜を有することができるが、これに限定されるのではない。次に、上記発光構造物110の上に第1電極120を形成することができる。上記第1電極120は電気的に連結されたラインパターンでありうる。このような第1電極120は、パッド電極図示せずと電気的に連結できる。次に、図3のように、上記発光構造物110の上に透光性層130を形成する。例えば、第1パターン310を発光構造物110の側面に形成し、これをバリアにして透光性層130を形成することができる。上記透光性層130は約2~200μmで形成できるが、これに限定されるのではない。上記透光性層130は発光構造物110の上の第1電極120より厚く、例えば2μm以上で形成できるが、これに限定されるのではない。また、上記透光性層130は、発光素子チップの全体高さの半分以下、例えば200μm以下で形成できるが、これに限定されるのではない。上記透光性層130はシリコンゲルなどで形成できるが、これに限定されるのではない。実施形態によれば、発光素子チップの発光面と蛍光体層140との間に熱伝導度が低い、かつ透光性のある透光性層130を挿入することによって、発光構造物110の発光面から発生した熱が蛍光体層140に伝達されることを抑制して、蛍光体の波長変換効率を増加させることができる。次に、図4のように上記第1パターン310を除去し、第2パターン320を形成した後、上記第2パターン320をバリアにして透光性層130の上に蛍光体層140を形成することができる。上記蛍光体層140は約5~500μmで形成できるが、これに限定されるのではない。上記蛍光体層140は、青色光を黄色光に波長変換することができる範囲、例えば、5μm以上の厚さで形成されることができ、発光素子チップのサイズを考慮して500μm以下の厚さで形成できるが、これに限定されるのではない。上記蛍光体層140は、チップを保護し、光抽出効率を増加させるために蛍光体を含む封入材encapsulatingmaterialで形成できる。上記封入材は、エポキシ封入材やシリコン封入材などが利用できるが、これに限定されるのではない。上記蛍光体はホスト物質及び活性物質を含むことができ、例えば、イットリウムアルミニウムガーネットYAGのホスト物質にセリウムCe活性物質が、シリゲート系列のホスト物質にユロピウムEu活性物質を採用できるが、これに限定されるのではない。上記封入材の封入方法には、ディスペンシング、キャスティングモールディング、トランスファーモールディング方法、真空プリンティング方法、スクリーンプリンティングなどにより進行できる。次に、図5のように上記第2パターン320を除去することによって、第1実施形態に従う発光素子チップ100を完成することができる。実施形態に従う発光素子チップによれば、発光素子チップ自体に蛍光体層を具備することによって、自体的に白色光を形成することができる。また、実施形態によれば、発光素子チップで発生した熱が蛍光体層に伝達されることを抑制して、蛍光体層の波長変換効率を増加させることができる。図6は、本発明の第2実施形態に従う発光素子チップ102の断面図である。第2実施形態は、上記第1実施形態の技術的な特徴を採用することができる。第2実施形態の上記蛍光体層は、透光性層130の上に形成された第1蛍光体層141と上記発光構造物110の側面の一部または側面の全部に形成された第2蛍光体層142を含むことができる。上記第2蛍光体層142は、発光構造物の側面の全部に形成されたものと図示されているが、これに限定されるのではない。第2実施形態で、蛍光体層140を形成する方法は、透光性層130を形成した後、上記透光性層130と離隔する第3パターン図示せずをバリアにより形成した後、蛍光体層140を形成できるが、これに限定されるのではない。第2実施形態は、発光素子チップの発光面から放出されて透光性層の側面を通じて抽出される青色光等の割合を調節することによって、視野角に従う色温度偏差等の光特性を制御することができる。例えば、第1蛍光体層141は第1厚さT1を有することができ、第2蛍光体層142は第2厚さT2を有することができる。第2実施形態で、第2厚さT2は第1厚さT1の2倍以下で形成できる。図6では、第2厚さT2が第1厚さT1より薄く図示したが、これに限定されるのではなく、第2厚さT2は0<T2≦2T1の範囲を有することができる。第2実施形態は、第2蛍光体層142の第2厚さT2を調節することによって、透光性層の側面を通じて抽出される光の割合を調節することによって、視野角に従う色温度偏差等の光特性を制御することができる。また、第2実施形態は、第2蛍光体層142が発光構造物110の側面に全部または一部形成される割合に従って発光構造物の側面を通じて抽出される光の割合を調節することによって、視野角に従う色温度偏差等の光特性を制御することができる。図7aは、本発明の第3実施形態に従う発光素子チップ103の断面図である。第3実施形態は、第1実施形態及び第2実施形態の技術的な特徴を採用することができる。第3実施形態は、蛍光体層143がパターンされた蛍光体層でありうる。第3実施形態は、第1実施形態のように蛍光体層を形成した後、所定のパターニング工程を進行するか、第4パターン図示せずを形成した状態で蛍光体層を形成し、第4パターンをリフトオフして形成できるが、これに限定されるのではない。第3実施形態によれば、発光素子チップの上にパターンされた蛍光体層143を形成することによって、パターンされた蛍光体層により光が抽出される面積が増大して、光抽出効率が増大できる。第3実施形態は、図7aのように上記パターンされた蛍光体層143により上記透光性層130の一部が露出できるが、これに限定されるのではない。また、上記パターンされた蛍光体層143により上記透光性層130及び上記発光構造物110の一部が露出されることもできる。また、第3実施形態は、パターンされた蛍光体層143が発光構造物の側面にも形成できる。これによって、発光構造物110の側面に発光される光も白色光で発光できる。また、パターンされた蛍光体層143は、上記発光構造物110の側面を全部覆うことでなく、一部のみに形成されることによって、側面に形成されるパターンされた蛍光体層143の厚さなどを調節して発光素子チップの色温度を調節することもできる。第3実施形態で、上記パターンされた蛍光体層143の面積が上記発光素子チップの発光面積の30乃至90に調節することによって、発光素子チップの色温度を調節することもできる。図7bは、第4実施形態に従う発光素子チップ104の断面図である。第4実施形態は、上記第1実施形態乃至第3実施形態の技術的な特徴を採用することができる。第4実施形態に従う発光素子チップ104は、パターンされた蛍光体層143bは上記透光性層130を露出させないことがある。第4実施形態によれば、発光素子チップの上にパターンされた蛍光体層143bを形成することによって、パターンされた蛍光体層により光が抽出される面積が増大して光抽出効率が増大できる。図8aは、本発明の第5実施形態に従う発光素子チップ200の断面図である。第5実施形態は水平型発光素子チップに対する例であり、上記第1乃至第4実施形態の技術的な特徴を採用することができる。第5実施形態に従う発光素子チップ200は、基板205の上に第1導電型半導体層212、活性層212、及び第2導電型半導体層216を含んで形成された発光構造物210と、上記発光構造物210の上に形成された透光性層230と、上記透光性層230の上に形成された蛍光体層240と、を含むことができる。上記第1導電型半導体層212の上には第3電極222が、第2導電型半導体層216の上には第4電極226が形成できる。図8bは、本発明の第6実施形態に従う発光素子チップ202の断面図である。第6実施形態は、上記第1乃至第5実施形態の技術的な特徴を採用することができる。第6実施形態は、パターンされた蛍光体層240bにより上記透光性層230の一部が露出できるが、これに限定されるのではない。また、上記パターンされた蛍光体層240bにより上記透光性層230及び上記発光構造物210の一部が露出されることもできる。また、第6実施形態は、基板205にPSSPatternedSapphireSubstrate207を形成して光抽出効率を増大させることができる。実施形態に従う発光素子チップ、発光素子パッケージ、及び発光素子チップの製造方法によれば、発光素子チップ自体に蛍光体層を具備することによって、自体的に白色光を形成することができる。また、実施形態によれば、発光素子チップで発生した熱が蛍光体層に伝達されることを抑制して、蛍光体層の波長変換効率を増加させることができる。また、実施形態によれば、多様な形状の蛍光体層を形成することによって、視野角に従う色温度偏差等の光特性を制御することができる。また、実施形態によれば、発光素子チップの上に蛍光体層をパターニングすることによって、光抽出効率を向上させることができる。図9は、本発明の実施形態に従う発光素子チップの平面図である。実施形態によれば、第1電極120を電気的に連結し、透光性層130の上部に露出されるパッド電極125をさらに含むことができ、上記パッド電極125は1つ以上で形成できる。例えば、垂直型発光素子の場合にも大容量の発光素子の場合、パッド電極125が2つ以上で形成できるが、これに限定されるのではない。図10は、本発明の実施形態に従う発光素子チップが設けられた発光素子パッケージ500を説明する図である。実施形態に従う発光素子パッケージ500は、胴体部505、上記胴体部505に設けられた第5電極層510及び第6電極層520、上記胴体部505に設けられて上記第5電極層510及び第6電極層520と電気的に連結される発光素子チップ100、及び上記発光素子チップ100を囲むモールディング部材540を含むことができる。上記胴体部505は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、上記発光素子チップ100の周囲に傾斜面が形成できる。上記第5電極層510及び第6電極層520は互いに電気的に分離され、上記発光素子チップ100に電源を提供する役割をする。また、上記第5電極層510及び第6電極層520は、上記発光素子チップ100で発生した光を反射させて光効率を増加させる役割をすることができ、上記発光素子チップ100で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。上記発光素子チップは、第1実施形態100、第2実施形態102、第3実施形態103、及び第4実施形態200に例示された発光素子チップが適用されることができ、上記発光素子チップ100は、上記胴体部505の上に設置されるか、上記第5電極層510または第6電極層520の上に設置できる。上記発光素子チップ100は、ワイヤ530を介して上記第5電極層510及び/または第6電極層520と電気的に連結されることができ、図9で1つのワイヤ530が使われたものが例示されているが、これに限定されるのではなく、第4実施形態が適用される場合、複数のワイヤが使用できる。上記モールディング部材540は、上記発光素子チップ100を囲んで上記発光素子チップ100を保護することができる。実施形態に従う発光素子チップ及び発光素子パッケージによれば、発光素子チップ自体に蛍光体層を具備することによって、自体的に白色光を形成することができる。また、実施形態によれば、発光素子チップで発生した熱が蛍光体層に伝達されることを抑制して蛍光体層の波長変換効率を増加させることができる。また、実施形態によれば、多様な形状の蛍光体層を形成することによって、視野角に従う色温度偏差等の光特性を制御することができる。また、実施形態によれば、発光素子チップの上に蛍光体層をパターニングすることによって、光抽出効率を向上させることができる。実施形態に従う発光素子パッケージは、複数個が基板の上にアレイされ、上記発光素子パッケージから放出される光の経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シート、蛍光シートなどが配置できる。このような発光素子パッケージ、基板、及び光学部材は、バックライトユニットとして機能するか、照明ユニットとして機能することができ、例えば、照明システムは、バックライトユニット、照明ユニット、指示装置、ランプ、及び街灯を含むことができる。図11は、本発明の実施形態に従う照明ユニットの斜視図1100である。但し、図11の照明ユニット1100は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。図11を参照すれば、上記照明ユニット1100は、ケース胴体1110、上記ケース胴体1110に設けられた発光モジュール部1130、及び上記ケース胴体1110に設けられ、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1120を含むことができる。上記ケース胴体1110は、放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。上記発光モジュール部1130は、基板1132、及び上記基板1132に載置される少なくとも1つの発光素子パッケージ500を含むことができる。上記基板1132は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることができ、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記基板1132は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などで形成できる。上記基板1132の上には上記少なくとも1つの発光素子パッケージ500が載置できる。上記発光素子パッケージ500の各々は少なくとも1つの発光ダイオードLED:LightEmittingDiode100を含むことができる。上記発光ダイオード100は、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード及び紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール部1130は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ500の組合せを有するように配置できる。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。上記連結端子1120は、上記発光モジュール部1130と電気的に連結されて電源を供給することができる。図11の図示によれば、上記連結端子1120はソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1120はピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。図12は、本発明の実施形態に従うバックライトユニットの分解斜視図1200である。但し、図12のバックライトユニット1200は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。実施形態に従うバックライトユニット1200は、導光板1210、上記導光板1210に光を提供する発光モジュール部1240、上記導光板1210の下に反射部材1220、及び上記導光板1210と発光モジュール部1240と反射部材1220とを収納するボトムカバー1230を含むことができるが、これに限定されるのではない。上記導光板1210は、光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板1210は透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つを含むことができる。上記発光モジュール部1240は、上記導光板1210の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には上記バックライトユニットが設けられるディスプレイ装置の光源として作用するようになる。上記発光モジュール部1240は上記導光板1210と接することができるが、これに限定されるのではない。具体的には、上記発光モジュール部1240は、基板1242、及び上記基板1242に載置された多数の発光素子パッケージ500を含むが、上記基板1242が上記導光板1210と接することができるが、これに限定されるのではない。上記基板1242は、回路パターン図示せずを含む印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoardでありうる。但し、上記基板1242は一般PCBだけでなく、メタルコアPCBMCPCB:MetalCorePCB、軟性PCBFPCB:FlexiblePCBなどを含むこともできるが、これに対して限定するのではない。そして、上記多数の発光素子パッケージ500は、上記基板1242の上に光が放出される発光面が上記導光板1210と所定距離離隔するように載置できる。上記導光板1210の下には上記反射部材1220が形成できる。上記反射部材1220は上記導光板1210の下面に入射された光を反射させて上に向かうようにすることによって、上記バックライトユニットの輝度を向上させることができる。上記反射部材1220は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1230は、上記導光板1210、発光モジュール部1240、及び反射部材1220などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー1230は上面が開口されたボックスbox形状で形成できるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1230は、金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形等の工程を用いて製造できる。実施形態に従う発光素子チップ、発光素子パッケージ、及び照明システムによれば、発光素子チップ自体に蛍光体層を具備することによって、自体的に白色光を形成することができる。また、実施形態によれば、発光素子チップで発生した熱が蛍光体層に伝達されることを抑制して蛍光体層の波長変換効率を増加させることができる。また、実施形態によれば、多様な形状の蛍光体層を形成することによって、視野角に従う色温度偏差等の光特性を制御することができる。また、実施形態によれば、発光素子チップの上に蛍光体層をパターニングすることによって、光抽出効率を向上させることができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。