原材料を除去加工するため、特にワイヤソーでウェハをソーイングするための、減少された水吸収を有する研磨材用の加工液、特に切削液を製造するための、式IR1[OEOxAOyH]z式中、R1は、炭素原子1~20個を有するz価のアルキル基を表し、EOは、エチレンオキシ基を表し、AOは、炭素原子3~10個を有するアルキレンオキシ基を表し、xは、3~12、特に5~10の数を表し、yは、0~10、特に4~8の数を表し、zは、1~6、特に1~3の数を表すで示される化合物の使用。式I中で、R1が、炭素原子5~10個を有するz価のアルキル基、特にペンチルを表す、請求項1記載の使用。25°CでV2A鋼上の前記切削液の接触角が25~50°である、請求項1又は2記載の使用。前記ウェハが半導体、特にシリコンである、請求項1から3までのいずれか1項記載の使用。前記加工液、特に切削液が、スラリ中で切削粒と共に使用され、その際に切削粒として金属粒、炭化物粒、窒化物粒、金属酸化物粒、ホウ化物粒又はダイヤモンド粒が使用される、請求項1から4までのいずれか1項記載の使用。前記加工液、特に切削液が、前記原材料の除去加工中又は除去加工後に、特に切削後に、得られた摩耗物の分離のために後処理される、請求項1から5までのいずれか1項記載の使用。式IR1[OEOxAOyH]z式中、R1は、炭素原子5~10個を有するz価のアルキル基であり、EOは、エチレンオキシ基であり、AOは、炭素原子3~10個を有するアルキレンオキシ基であり、xは、3~12、特に5~10の数であり、yは、0.5~10、特に4~8の数であり、zは、1~6、特に1~3の数であるで示される少なくとも1種の化合物を含有する、加工液、特に切削液。R1がペンチルである、請求項7記載の加工液、特に切削液。25°CでV2A鋼上の前記加工液、特に切削液の接触角が25~50°である、請求項7記載の加工液、特に切削液。原材料を除去加工するため、特にソーを用いて切削粒、特に炭化ケイ素粒製の切削粒を使用して被削材、特に半導体、特にシリコンからウェハをソーイングする際の、請求項7から9までのいずれか1項記載の加工液、特に切削液の使用。原材料をポリシングするため、特にシリコン製のウェハ又はプラスチック製の原材料をポリシングするため、特にレンズ製造のための、請求項7から9までのいずれか1項記載の加工液の使用。切削液と切削粒との、特に金属、炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物、コランダム又はダイヤモンド製の切削粒を有するスラリを使用してソーを用いて物からウェハを切削する方法であって、前記切削液が、請求項7から9までのいずれか1項記載の切削液であり、前記切削液を、原材料の除去加工中又は除去加工後に、特に切削後に、得られた摩耗物を分離するために場合により後処理することを特徴とする、ウェハを切削する方法。加工液と研磨物質とのスラリを使用して、原材料、特にシリコン又はプラスチック製の原材料をポリシングする方法であって、加工液として、請求項7から9までのいずれか1項記載の加工液を使用することを特徴とする、原材料をポリシングする方法。請求項12から13までのいずれか1項により得られる、ウェハ、特にシリコンウェハ。式IIR1OEOxAOyH式中、R1は、2-メチルブチル又は3-メチルブチルを表し、かつEO、AO、x及びyは、請求項1に記載された意味を有するで示される化合物。