"半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発熱抵抗体、測温抵抗体、及び、シリコン酸化膜を含む電気絶縁体と、前記半導体基板の一部を除去して形成したダイヤフラム部と、を有し、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体が前記ダイヤフラム部上に形成され、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体の上層に前記電気絶縁体として形成されたシリコンナイトライド膜を備えた熱式空気流量センサにおいて、前記シリコンナイトライド膜は、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体パターンに対応した段差が形成され、さらに、前記シリコンナイトライド膜を多層構造としたことを特徴とする熱式空気流量センサ。請求項1に記載の熱式空気流量センサにおいて、前記シリコンナイトライド膜を二層構造とし、一層目の膜厚よりも二層目の方が膜厚が薄いことを特徴とする熱式空気流量センサ。請求項1に記載の熱式空気流量センサにおいて、前記多層構造の膜の内、最上位に位置する膜の膜厚が他の膜厚よりも薄いことを特徴とする熱式空気流量センサ。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発熱抵抗体、測温抵抗体、及び、シリコン酸化膜を含む電気絶縁体と、半導体基板の一部を除去して形成したダイヤフラム部と、を有し、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体が前記ダイヤフラム部上に形成され、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体上に前記電気絶縁体として形成されたシリコン酸化膜が配置され、前記シリコン酸化膜上にシリコンナイトライド膜が積層された熱式空気流量センサにおいて、前記シリコン酸化膜の表面を平坦化したことを特徴とする熱式空気流量センサ。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発熱抵抗体、測温抵抗体、及び、シリコン酸化膜を含む電気絶縁体と、半導体基板の一部を除去して形成したダイヤフラム部と、を有し、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体が前記ダイヤフラム部上に形成され、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体上に前記電気絶縁体として形成されたシリコン酸化膜が配置され、前記シリコン酸化膜上にシリコンナイトライド膜が積層された熱式空気流量センサにおいて、前記シリコン酸化膜の表面を前記発熱抵抗体の膜厚未満で除去したことを特徴とする熱式空気流量センサ。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発熱抵抗体、測温抵抗体、及び、シリコン酸化膜を含む電気絶縁体と、半導体基板の一部を除去して形成したダイヤフラム部と、を有し、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体が前記ダイヤフラム部上に形成され、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体上に前記電気絶縁体として形成されたシリコン酸化膜が配置され、前記シリコン酸化膜上にシリコンナイトライド膜が積層された熱式空気流量センサにおいて、前記シリコン酸化膜の表面を前記発熱抵抗体の膜厚未満で除去し、前記シリコンナイトライド膜を多層構造としたことを特徴とする熱式空気流量センサ。請求項1乃至4にいずれかに記載の熱式空気流量センサにおいて、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体にはヒロックが形成されていることを特徴とする熱式空気流量センサ。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発熱抵抗体、測温抵抗体、及び、シリコン酸化膜を含む電気絶縁体と、半導体基板の一部を除去して形成したダイヤフラム部とを有し、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体が前記ダイヤフラム部上に形成され、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体上に前記電気絶縁体として形成されたシリコン酸化膜が配置され、前記シリコン酸化膜上にシリコンナイトライド膜が積層された熱式空気流量センサにおいて、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体にはヒロックが形成され、前記シリコン酸化膜の表面の段差が、前記発熱抵抗体の膜厚さ未満であることを特徴とする熱式空気流量センサ。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発熱抵抗体、測温抵抗体、及び、シリコン酸化膜を含む電気絶縁体と、半導体基板の一部を除去して形成したダイヤフラム部とを有し、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体が前記ダイヤフラム部上に形成され、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体上に前記電気絶縁体として形成されたシリコン酸化膜が配置され、前記シリコン酸化膜上にシリコンナイトライド膜が積層された熱式空気流量センサにおいて、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体にはヒロックが形成され、前記シリコン酸化膜の表面の段差が、前記発熱抵抗体の膜厚さ未満であり、前記シリコンナイトライド膜は多層構造であることを特徴とする熱式空気流量センサ。特許文献1に提案されている熱式空気流量センサは、発熱抵抗体や測温抵抗体が形成されている領域がダイヤフラム構造となっており、前記両抵抗体の表面には、プラズマCVDchemicalVaporDeposition法によって形成されたシリコン酸化膜、シリコンナイトライド膜、シリコン酸化膜が積層される。一般にCVD法によって形成した膜は粗な膜原子密度が低いであることから、緻密化を目的に高温1000°Cの熱処理が行われるが、シリコンナイトライド膜はこの熱処理の際に特に高い応力を発生させる。発熱抵抗体や測温抵抗体は、モリブデン膜等の金属膜が堆積パターニングされたものであり、その表面に堆積された、シリコン酸化膜、シリコンナイトライド膜表面には、上記金属膜の膜厚に応じた段差が生じる。シリコンナイトライド膜の高い応力は、この段差部に集中し、場合によっては膜内にクラックが発生する。クラックが発生すると、表面から酸素や水分が吸入して抵抗体が酸化する。酸化が進行すると抵抗体の抵抗が変化するので空気流量計測に誤差を生じさせる。本発明の目的は、計測誤差を低減した熱式空気流量センサを提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の熱式空気流量センサは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発熱抵抗体、測温抵抗体、及び、シリコン酸化膜を含む電気絶縁体と、前記半導体基板の一部を除去して形成したダイヤフラム部と、を有し、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体が前記ダイヤフラム部上に形成され、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体の上層に前記電気絶縁体として形成されたシリコンナイトライド膜を備えた熱式空気流量センサにおいて、前記シリコンナイトライド膜は、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体パターンに対応した段差が形成され、さらに、前記シリコンナイトライド膜を多層構造とした。本発明によれば、計測誤差を低減した熱式空気流量センサを提供することができる。以下、本発明の実施例を説明する。本発明の第一の実施例である熱式空気流量センサを図1と図2を用いて説明する。図1は熱式空気流量センサの概略平面図、図2は図1のA-A′位置における断面図である。本実施例の熱式空気流量センサ熱式空気流量計に用いられる測定素子は、図1に示すように、シリコン基板1、発熱抵抗体10、空気温度を測定するための測温抵抗体9,11、端子電極12、ダイヤフラム部6を備えている。なお、8はダイヤフラム部6の端部である。図2を用いて本実施例の製造方法を説明する。シリコン基板1を熱酸化して下部電気絶縁膜となる熱酸化膜2を形成し、熱酸化膜2の上にモリブデンMo膜を150nm厚ほど堆積してパターニングを行うことにより、発熱抵抗体10、測温抵抗体9,11を形成する。下部電気絶縁膜は熱酸化膜2だけでも良いが、シリコンナイトライドSiN膜やシリコン酸化膜SiO2を積層しても良い。また、構造発熱抵抗体10、測温抵抗体9,11はモリブデン膜ではなくプラチナ等の金属膜で形成しても良い。次に発熱抵抗体10、測温抵抗体9,11の上に上部電気絶縁膜となる、シリコン酸化膜3を500nm程度プラズマCVD法により堆積し、その後、膜の緻密化を目的に800°C以上で熱処理を行う。この際にはモリブデン堆積膜厚に相当する段差13が形成される。次に2回に分けてシリコンナイトライド膜4を200nm程度堆積する。この際、一回目のシリコンナイトライド膜堆積後に熱処理を行い、次に2回目のシリコンナイトライド膜堆積後に熱処理を行うという具合に、膜堆積後には必ず熱処理を行う。また、この熱処理温度はシリコンナイトライド膜の緻密化が可能な800°C以上とする。シリコン酸化膜3の段差13上にシリコンナイトライド膜4が堆積されるので、シリコンナイトライド膜4にも段差14が形成される。その後、シリコン酸化膜5を300~500nmの膜厚でプラズマCVD法により堆積し、その後、800°C以上で熱処理を行う。次にポリイミド系の樹脂膜を堆積パターニングして、PIQ膜15を形成する。図1に示す端子電極12はシリコン酸化膜5形成後の上部電気絶縁膜にコンタクト用の穴を開けてアルミニウムや金等を堆積して形成する図示せず。最後に、裏面よりシリコン酸化膜等をマスク材として、KOHなどのエッチング液を用いてダイヤフラム部6を形成する図示せず。ダイヤフラム部6は、ドライエッチング法を用いて形成しても良い。図2の符号7は、マスク材であるエッチングマスク端部の位置を示しており、符号7で示すエッチングマスク端部から外側をマスク材で覆い、エッチングを行うことにより、ダイヤフラム部6の部分のシリコン基板材が除去される。本実施例では、上部電気絶縁膜はシリコン酸化膜3及びシリコンナイトライド膜4、シリコン酸化膜5の三層の膜で構成させたが、さらに多くの層からなる膜で構成しても良い。次に、本実施例の作用効果について説明する。シリコンナイトライド膜4を単層膜で形成した場合に発生するクラックの原因を検討したところ、シリコンナイトライド膜4堆積後の高温の熱処理によって、シリコンナイトライド膜4が緻密化し、膜内に1000MPa程度の高い引張り応力が生じ、この応力が段差14の表面で集中して発生することが我々の解析から明らかとなった。熱式空気流量センサでは、発熱抵抗体10を常時200~300°C程度に発熱させるが、この発熱温度が高ければ高いほど空気流量センサの感度が増す。発熱抵抗体10が発熱すると、その周りに配置される熱酸化膜2、シリコン酸化膜3、シリコンナイトライド膜4、シリコン酸化膜5に熱が印加されることになる。これらの膜は、熱処理温度により膜応力が変化する。そのため、高温の熱処理を行わない場合には、発熱抵抗体10の発熱によって膜応力が変化し、ダイヤフラムが変形し、発熱抵抗体10、測温抵抗体9,11の抵抗値がピエゾ抵抗効果により変化して空気流量検出の誤差を生じさせる。本実施例ではこれを防ぐために、上部、下部電気絶縁膜堆積後には必ず800°C以上の熱処理を施している。また、一般的なLSIでは、配線材料にアルミニウムを用いており、アルミニウム膜堆積後には、シリコン酸化膜やシリコンナイトライド膜の電気絶縁膜が形成される。アルミニウムの融点は550°C程度であるので、アルミニウム上に形成されるシリコン酸化膜やシリコンナイトライド膜堆積後には500°C以上の高温のアニールが実施されず、そのため、シリコンナイトライド膜中には高い引張りの応力は発生しない。また、LSIの発熱温度は最高で125°Cと低く、発熱による膜応力変化もほとんどない。さらにLSIはダイヤフラム構造となっていないので、膜応力変化による基板の反り量もほとんどなく、そのため、LSI電気的特性への影響もない。これらのことから、シリコンナイトライド膜4に発生するクラックの課題は熱式空気流量センサ特有である。シリコンナイトライド膜4中に発生する応力解析結果を図3に示す。発生応力はシリコンナイトライド膜4表面に集中することが分かる。また、発生応力のシリコンナイトライド膜4厚依存性を図4に示す。発生応力は膜厚の減少とともに減少する。この結果から、発生応力低減にはシリコンナイトライド膜4の薄膜化が有効となるが、シリコンナイトライド膜4の薄膜化は、ダスト衝突時のダイヤフラム強度を低下させる。そのため、シリコンナイトライド膜4の薄膜化は対策として好ましくない。応力集中個所は、図3に示すようにシリコンナイトライド膜4の表面であった。また、シリコンナイトライド膜4内に発生する応力の発生源は熱処理による膜収縮であった。さらに、シリコンナイトライド膜4の薄膜化により発生応力が低減した。この薄膜化による低応力化は、膜厚が薄くなることで、膜収縮量が減少し発生応力が減少したものである。以上のことから、シリコンナイトライド膜4を多層膜で形成し、最後に形成される膜の膜厚を薄くすることで表面に発生応力が減少すると考えられる。具体的には、1層目の膜堆積後に熱処理を行って膜収縮をさせ、2回目の膜堆積後に熱処理を実施する。本方法により、シリコンナイトライド膜4表面に発生する応力は2層目の膜収縮分だけとなる。そのため、膜厚を変えることなく発生応力を減少させることができる。本方法を適用することにより、図5に示すように1層目と2層目に界面が形成される。また、2層構造における、1層目と2層目の膜厚比は、2層目の方を多くしてもトータルの膜厚より、2層目の膜厚が薄くなるので効果があるが、1層目よりも2層目の方を薄くした方が応力低減には有効である。上記の第一の実施例はシリコンナイトライド膜4を2層まで記載したが、当然ながら3層、4層膜構造としてもよい。いずれの場合でも多層膜内の各々の膜厚を同じ膜厚とするか、または、最後に形成される膜の膜厚を多層膜内の各々の膜に比べて最小とすると、シリコンナイトライド膜4表面に発生応力が効果的に低減される。第二の実施例は第一の実施例の製造方法のみが異なるので、図6a~cを用いてその製造方法を説明する。まず、図6aに示すように、シリコン基板1を熱酸化して下部電気絶縁膜となる熱酸化膜2を形成し、熱酸化膜2の上にモリブデンMo膜を150nm堆積してパターニングを行うことにより、発熱抵抗体10、測温抵抗体9,11を形成する。下部電気絶縁膜は熱酸化膜2だけでも良いが、シリコンナイトライドSiN膜やシリコン酸化膜SiO2を積層しても良い。また、発熱抵抗体10、測温抵抗体9,11はモリブデン膜ではなくプラチナ等の金属膜で形成しても良い。発熱抵抗体10、測温抵抗体9,11の上に上部電気絶縁膜となる、シリコン酸化膜3を600nm~700nm程度の厚さでプラズマCVD法により堆積し、その後、膜の緻密化を目的に800°C以上の熱処理を行う。この際、膜厚に相当する段差13が形成される。次に図6bに示すように、機械研磨CMPによりこの段差14を平坦化し、シリコン酸化膜3の膜厚を約500nmとする。ここで言う平坦化とは、発熱抵抗体10、測温抵抗体9,11のパターンに応じて段差がないことを言う。その後、図6Cに示すように、シリコンナイトライド膜4を200nm程度堆積し、シリコンナイトライド膜4の緻密化を目的に800°C以上の熱処理を行う。その後、シリコン酸化膜5を300~500nmの膜厚でプラズマCVD法により堆積し、その後、800°C以上で熱処理を行う。その後は実施例1と同じ方法により、端子電極12、ダイヤフラム部6を形成する。次に、本実施例の作用効果について説明する。シリコンナイトライド膜4内のクラックの発生原因は高い膜応力と段差形成による応力集中である。実施例1では膜応力を低減した。実施例2では、機械研磨によりこの段差14を除去したので応力集中が抑制され、クラックの発生が抑制される。一般的なLSI配線層形成での平坦化は、下層配線と上層配線を接続するコンタクト配線の接続不良を無くすために行われ、本実施例のように電気絶縁膜のクラック発生を防止するためではない。そのため、平坦化の目的が異なる。発生応力の低減は図6bに示すようにシリコン酸化膜3を完全に平坦化しなくても、図7に示すように、段差を低減することで小さくなる。機械研磨、エッチバック方式により段差を低減できるので発生応力が小さくなり、クラックの発生を抑制できる。この際のエッチング量は、当然ながら、発熱抵抗体10、測温抵抗体9,11の膜厚よりも小さくなる。また、この場合には図8に示すように、発熱抵抗体10や測温抵抗体9,11が堆積されている領域のA膜厚と、堆積されていない領域のB膜厚で、機械研磨後のシリコン酸化膜3の膜厚はB>Aとなり、さらに、発熱抵抗体10、測温抵抗体9,11のパターンに応じた段差14が残るものとなる。段差を低減した場合では、実施例1に示したシリコンナイトライド4の多層膜化を併用することで、さらに応力が低減し、クラック発生抑止に有効であることは言うまでもない。発熱抵抗体10、測温抵抗体9,11に金属材料を用いて高温のアニールを行うと図9に示すようにヒロック16部分的な盛り上がりが発生する場合がある。このヒロック16が発生すると段差13が拡大し、発生応力が大きくなる。そのため、ヒロック16が発生した場合では実施例1,2に示した方法は特に有効となる。"