"基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された多層反射膜を保護する保護膜と、該保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜と、該基板の多層反射膜とは反対面上に形成された導電膜を有した、波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、前記基板は石英を主成分とし、酸化チタンTiO2を含む材料で形成され、前記多層反射膜は前記基板上にモリブデンを材料とする層と珪素を材料とする層とが重ねられた層が複数重ねられることで構成された多層構造で形成され、前記保護膜は前記多層反射膜上に形成され、単層構造もしくは積層構造となっており、ルテニウムまたはシリコンSiのいずれかを含む材料で形成され、積層構造の場合はその最上層がルテニウムRuの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、前記吸収膜は、前記保護膜上に形成され、単層構造もしくは積層構造となっており、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、積層構造の場合はその最上層がタンタルTaの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、前記基板の多層反射膜とは反対面上に形成された裏面導電膜は、単層構造もしくは積層構造となっており、クロムまたはタンタルまたはタンタルのいずれかを含む材料で形成されることを特徴とする反射型マスク。前記請求項1の反射型マスクブランクにおいて、前記吸収膜を選択的に除去することで回路パターンが形成され、前記回路パターンを除く前記回路パターンの周囲の部分に、前記吸収膜と前記保護膜と前記多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域が形成され、前記基板に対して対向位置の裏面導電膜の一部が前記枠状の領域と略同形状を選択的に除去した枠状の領域が形成されることを特徴とする反射型マスク。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、半導体基板で多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域からEUVおよびDUVの反射を除去した反射型露光用マスクを提供することにある。請求項1に記載の発明は、基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された多層反射膜を保護する保護膜と、該保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜と、該基板の多層反射膜とは反対面上に形成された導電膜を有した、波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、前記基板は石英を主成分とし、酸化チタンTiO2を含む材料で形成され、前記多層反射膜は前記基板上にモリブデンを材料とする層と珪素を材料とする層とが重ねられた層が複数重ねられることで構成された多層構造で形成され、前記保護膜は前記多層反射膜上に形成され、単層構造もしくは積層構造となっており、ルテニウムまたはシリコンSiのいずれかを含む材料で形成され、積層構造の場合はその最上層がルテニウムRuの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、前記吸収膜は、前記保護膜上に形成され、単層構造もしくは積層構造となっており、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、積層構造の場合はその最上層がタンタルTaの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、前記基板の多層反射膜とは反対面上に形成された裏面導電膜は、単層構造もしくは積層構造となっており、クロムまたはタンタルまたはタンタルのいずれかを含む材料で形成されることを特徴とする。請求項2に記載の発明は、前記請求項1の反射型マスクブランクにおいて、前記吸収膜を選択的に除去することで回路パターンが形成され、前記回路パターンを除く前記回路パターンの周囲の部分に、前記吸収膜と前記保護膜と前記多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域が形成され、前記基板に対して対向位置の裏面導電膜の一部が前記枠状の領域と略同形状を選択的に除去した枠状の領域が形成されることを特徴とする反射型マスクである。本発明によれば、EUVおよびDUVの反射を除去する手段として、半導体基板で多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域の吸収層、保護層および多層反射膜の一部を選択的に除去して枠状の領域を形成し、また、基板に対して対向位置の裏面導電膜の一部を除去し、前記枠状の領域と略同形状の枠状領域を形成することを特徴とするフォトマスクを提供できる。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。本発明ではその説明のため、膜と記載しているが、膜を層と理解してもよい。先ず、本発明の第1の実施形態について図1を参照して説明する。図1は、反射型マスクブランクス10の断面図である。より具体的には、EUV光を用いた露光に使用するマスク用のブランクスである。EUV光の波長は、例えば13.5nmである。基板11の一面上に、多層反射膜12、保護膜13、吸収膜14を、この順に形成する。基板11の、多層反射膜12とは反対側面には裏面導電膜15を積層して形成する。多層反射膜12、保護膜13、吸収膜14及び裏面導電膜15は、公知のスパッタリング法を用いて形成することができる。吸収膜14は、図1aで示す単層14aの場合と、図1bで示す積層の場合がある。また、裏面導電膜15についても図1aで示す単層15aの場合と図1bで示す積層15bの場合がある。次に、本発明の2の実施形態について、図2を参照して説明する。図2は、図1で示した反射型マスクブランクス10を用いた露光用反射型マスク100であって、図2aはそのマスク100の平面図、図2bはそのマスク100の断面図である。この図2abに示すように、回路パターンAの領域の外側に位置して、吸収膜14、保護膜13及び多層反射膜12の一部にわたり遮光枠領域Bを形成した構造である。また、裏面導電膜15には上記遮光枠領域Bに対向して一部重なる遮光枠領域Cを形成する。この遮光枠領域Cは遮光枠領域B以上の幅で形成する。次に、本マスクの製造方法を図3乃至図6に示す。ここで、図3は工程のステップを示し、図4乃至図6は各工程での加工状態の断面図を示す。まず、図1のブランクスを用意し、吸収膜14に回路パターンAと領域Bを形成する。つまり、電子線に反応を示す化学増幅系や非化学増幅系レジスト21を吸収膜14に塗布し、所定の回路パターンAと遮光枠領域Bを描画する、その後に、アルカリ溶液などで現像を行い、これにより形成したレジスト21のパターンをマスクにして、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによるエッチングを行い、不要なレジスト21のパターンを酸素プラズマによる灰化や硫酸やオゾン水などの酸化薬液による分解ないしは有機溶剤などで溶解除去する。その後、必要に応じて、酸アルカリ系薬品やオゾンガスや水素ガスなどを溶解した超純水や有機アルカリ系薬品、界面活性剤などによる洗浄処理と、遠心力を利用したスピン乾燥を行う。以上の工程により回路パターンAと遮光枠領域Bが形成される。次に、遮光枠領域Bの保護膜13と多層反射膜12の部分を形成する。まず、上記のマスクに紫外線または電子線に反応を示すレジスト21を塗布する。この後、遮光枠領域Bを露光または電子線で描画する。前記同様、現像、エッチング、レジストの除去、洗浄を行い、領域Bを完成する。エッチング工程では、まず、保護膜13の除去を、フッ素系ガスプラズマを用い、多層反射膜12は保護膜13と同じくフッ素系ガスプラズマもしくは塩素ガス系プラズマを交互に用いる方法で行ない、遮光枠領域Bを形成する。これに引き続き、裏面導電膜15上に紫外線または電子線に反応を示すレジスト21を塗布する。次に、遮光枠領域Cを露光または電子線で描画する。前記と同じく現像、エッチング、レジストの除去、洗浄を行い、遮光枠領域Cを完成させる。以上の工程により反射型マスク100が完成する。遮光枠領域Bの形成だけでは基板11を一旦透過して裏面導電膜15から反射して再度戻ってくる光成分を除去しきれない。しかし、本発明では、裏面導電膜を単層型もしくは積層型とし、基板11側をアウトオブバンド光に対する反射防止膜としているが、裏面導電膜15にさらに遮光枠領域Cを設けることにより、アウトオブバンド光が半導体基板側に導かれず、半導体基板上に塗布されたレジストの感光を避けることが可能となった。本発明の別の実施形態について図7を引用して説明する。前記実施形態では回路パターンAの形成後に遮光枠領域B,Cを形成したが、必ずしも、この順番である必要はない。本実施例では、遮光枠領域Cを最初に形成し、次に、領域Aを、その次に遮光枠領域Bを形成する工程を示す。これらの工程を説明する図面は図4乃至図6を引用し、図7にその工程フローを示す。各工程の説明は図4乃至図6の場合と同じであるために省略する。本発明は前記実施形態そのままに限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない限り、変形して具体化できる。また、明細書に示される事項の適宜の組み合わせによって種々の発明を想定できるものである。"