少なくとも1つ以上の電極を有する第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップ上に搭載され、且つ前記電極を通じて前記第1の半導体チップと電気的に接続された第2の半導体チップと、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間に充填された充填材とを備え、前記第1の半導体チップの周縁部を取り囲むようにチップ拡張部が設けられ、それにより、前記第1の半導体チップと前記チップ拡張部とから拡張型半導体チップが構成され、前記チップ拡張部上には、前記電極と電気的に接続された少なくとも1つ以上の接続端子が設けられており、前記チップ拡張部は、少なくとも1つ以上の凸部又は凹部を有していることを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記充填材は前記凸部又は前記凹部によってせき止められていることを特徴とする半導体装置。請求項1又は2に記載の半導体装置において、前記チップ拡張部は、凸部及び凹部の両方を有していることを特徴とする半導体装置。請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとのチップ積層体は、樹脂パッケージにより封止されており、前記凸部の頂部は、前記樹脂パッケージの内部又は表面に配置されていることを特徴とする半導体装置。請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記凹部の深さは、前記第1の半導体チップの厚さ以下であることを特徴とする半導体装置。請求項1~5のいずれか1項5に記載の半導体装置において、前記接続端子は、前記チップ拡張部における前記凹部以外の他の部分上に設けられており、前記凹部は、前記他の部分よりも前記第1の半導体チップの近くに設けられており、前記凹部の深さは、前記電極と前記接続端子との電気的接続を確保可能な深さに設定されていることを特徴とする半導体装置。請求項1~6のいずれか1項5に記載の半導体装置において、前記接続端子は、前記凸部上に設けられており、前記凸部は、前記接続端子の形成が可能で且つ前記接続端子に対してワイヤボンディングの実施が可能な幅を有していることを特徴とする半導体装置。請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記凹部の幅は、前記第1の半導体チップの側端部から前記第2の半導体チップの側端部までの距離よりも大きいことを特徴とする半導体装置。請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記凸部の内部に、前記電極と前記接続端子とを電気的に接続する配線が形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1~9のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記凸部は、前記第2の半導体チップと接していることを特徴とする半導体装置。請求項1~10のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記凸部又は前記凹部の側壁は、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの積層方向に対して傾斜を有していることを特徴とする半導体装置。請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとのチップ積層体を搭載する基材をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。請求項12に記載の半導体装置において、前記基材は基板であり、前記基板における前記チップ積層体の搭載面には、少なくとも1つ以上のボンディングパッドが設けられており、前記接続端子と前記ボンディングパッドとはボンディングワイヤによって電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。請求項13に記載の半導体装置において、前記基板における前記チップ積層体の搭載面の反対面には、少なくとも1つ以上の外部電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。請求項12に記載の半導体装置において、前記基材はリードフレームであり、前記接続端子と前記リードフレームとはボンディングワイヤによって電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。請求項15に記載の半導体装置において、前記リードフレームにおける前記チップ積層体の搭載面の反対面には、少なくとも1つ以上の外部電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。しかしながら、特許文献1に開示されている従来の半導体装置では、下段側半導体チップ上に、アンダーフィル樹脂の流れ出しを防止するための領域ダム形成領域を確保する必要があるので、チップサイズが大きくなってしまうという問題、及び、ダム形成領域には配線を配置できないなどの設計上の制約が付加されてしまうという問題等が生じる。また、特許文献1に開示されている樹脂の流れ出し防止方法は、下段側半導体チップの表面上での加工を必要とするので、下段側半導体チップと上段側半導体チップとのチップサイズの関係によっては当該方法を実施できない場合がある。以上のように、特許文献1に開示されている従来技術によると、アンダーフィル樹脂の流れ出しの防止対策が半導体パッケージの小型化や薄型化の障害となったり、又は、チップオンチップ構造においてアンダーフィル樹脂の流れ出しの防止対策を適用できなかったりする場合がある。本発明は、以上に述べた従来技術の問題点を解決するものであり、チップサイズの増大や配線配置に対する制約を招くことなく、チップオンチップ構造において半導体チップ間に充填する充填剤の流れ出しを確実に防止することを目的とする。前記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、少なくとも1つ以上の電極を有する第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップ上に搭載され、且つ前記電極を通じて前記第1の半導体チップと電気的に接続された第2の半導体チップと、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間に充填された充填材とを備え、前記第1の半導体チップの周縁部を取り囲むようにチップ拡張部が設けられ、それにより、前記第1の半導体チップと前記チップ拡張部とから拡張型半導体チップが構成され、前記チップ拡張部上には、前記電極と電気的に接続された少なくとも1つ以上の接続端子が設けられており、前記チップ拡張部は、少なくとも1つ以上の凸部又は凹部を有している。本発明に係る半導体装置において、前記充填材は前記凸部又は前記凹部によってせき止められていてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記チップ拡張部は、凸部及び凹部の両方を有していてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとのチップ積層体は、樹脂パッケージにより封止されており、前記凸部の頂部は、前記樹脂パッケージの内部又は表面に配置されていてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記凹部の深さは、前記第1の半導体チップの厚さ以下であってもよい。本発明に係る半導体装置において、前記接続端子は、前記チップ拡張部における前記凹部以外の他の部分上に設けられており、前記凹部は、前記他の部分よりも前記第1の半導体チップの近くに設けられており、前記凹部の深さは、前記電極と前記接続端子との電気的接続を確保可能な深さに設定されていてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記接続端子は、前記凸部上に設けられており、前記凸部は、前記接続端子の形成が可能で且つ前記接続端子に対してワイヤボンディングの実施が可能な幅を有していてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記凹部の幅は、前記第1の半導体チップの側端部から前記第2の半導体チップの側端部までの距離よりも大きくてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記凸部の内部に、前記電極と前記接続端子とを電気的に接続する配線が形成されていてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記凸部は、前記第2の半導体チップと接していてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記凸部又は前記凹部の側壁は、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの積層方向に対して傾斜を有していてもよい。本発明に係る半導体装置において、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとのチップ積層体を搭載する基材をさらに備えていてもよい。この場合、前記基材は基板であり、前記基板における前記チップ積層体の搭載面には、少なくとも1つ以上のボンディングパッドが設けられており、前記接続端子と前記ボンディングパッドとはボンディングワイヤによって電気的に接続されていてもよく、また、前記基板における前記チップ積層体の搭載面の反対面には、少なくとも1つ以上の外部電極が設けられていてもよい。或いは、前記基材はリードフレームであり、前記接続端子と前記リードフレームとはボンディングワイヤによって電気的に接続されていてもよく、また、前記リードフレームにおける前記チップ積層体の搭載面の反対面には、少なくとも1つ以上の外部電極が設けられていてもよい。本発明によれば、第1の半導体チップの周縁を取り囲むチップ拡張部に凸部又は凹部を設けているため、第1の半導体チップと第2の半導体チップとの間に充填する充填材の流れ出しを前記凸部又は前記凹部によって防止することができる。ここで、前記凸部又は前記凹部を第1の半導体チップ本体ではなくチップ拡張部に設けているため、チップサイズの増大及びそれに伴うコストの増大、並びにチップ上における配線配置に対する制約を招くことなく、充填材の流れ出し防止効果を得ることができる。また、第1の半導体チップの表面上での加工を伴うことなく、前記凸部又は前記凹部を形成することができるので、第1の半導体チップと第2の半導体チップとのチップサイズの大小関係に関わらず、充填材の流れ出し防止効果を得ることができる。さらに、前記凹部を深く形成する場合には、第1の半導体チップの厚さを増大させることなくチップ拡張部の厚さを増大させれば良いので、チップ厚の増大に伴うコストの増大を伴うことなく、充填材の流れ出し防止効果を得ることができる。第1の実施形態以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。基板8上に、接合部材11を挟んで半導体チップ1が搭載されている。半導体チップ1は、例えばロジックやメモリ等の集積回路を有しており、回路形成面を上向き基板8の反対向きにして基板8上に実装されている。半導体チップ1の回路形成面上には、複数のバンプ電極3が設けられている。バンプ電極3としては、例えば半田ボール等のボール状導電体を用いてもよい。半導体チップ1の回路形成面上には、半導体チップ2が搭載されている。半導体チップ2は、例えばロジックやメモリ等の集積回路を有しており、回路形成面を下向き半導体チップ1の向きにして半導体チップ1上に実装されている。ここで、半導体チップ1と半導体チップ2とはバンプ電極3を通じて電気的に接続されている。また、半導体チップ1と半導体チップ2との間には充填材4が充填されている。充填材4としては、例えばエポキシ樹脂等のアンダーフィル樹脂を用いてもよい。また、充填材4は、半導体チップ1と半導体チップ2とを電気的に接続した後に、任意の箇所1箇所又は複数箇所から充填してもよい。或いは、予め充填材4を半導体チップ1上に塗布しておき、その後、半導体チップ2を実装してもよい。本実施形態においては、半導体チップ1の周縁部を取り囲むようにチップ拡張部5aが設けられており、半導体チップ1とチップ拡張部5aとから拡張型半導体チップが構成されている。チップ拡張部5aは、例えば樹脂から構成されており、半導体チップ1に対応する中央部がくり抜かれた矩形の平面形状を有している。具体的には、例えば打ち抜き加工やくり抜き加工等の加工方法を用いて樹脂基材を所定の形状に加工することにより、チップ拡張部5aを形成してもよい。また、複数の樹脂基材を組み合わせることにより、中央部に開口部を有するチップ拡張部5aを形成してもよい。本実施形態の特徴として、チップ拡張部5aは、半導体チップ1の回路形成面よりも高く突き出た凸部を有しており、当該凸部上にはワイヤボンディング用接続端子7が設けられている。また、半導体チップ1上にはバンプ電極3と電気的に接続するように配線6aが形成されていると共に当該配線6aはチップ拡張部5a上を延伸してワイヤボンディング用接続端子7と接続しており、これにより、バンプ電極3とワイヤボンディング用接続端子7とが電気的に接続されている。配線6aとしては、例えばめっき金属膜等の導電材料を用いてもよい。尚、基板8における半導体チップ1及び2の搭載面にはボンディングパッド9が設置されており、ボンディングパッド9とワイヤボンディング用接続端子7とはボンディングワイヤ10を通じて電気的に接続されている。ボンディングワイヤ10としては、例えば金や銅などからなるワイヤを用いてもよい。また、基板8における半導体チップ1及び2の搭載面の反対面には、ボンディングパッド9と電気的に接続する外部電極12a及び12bが形成されている。外部電極12a及び12bとしては、例えばボール電極を用いてもよい。以上のようにして、半導体チップ1及び2は、配線6a、ワイヤボンディング用接続端子7、ボンディングワイヤ10及びボンディングパッド9を通じて、外部電極12a及び12bと電気的に接続されている。また、半導体チップ1及び2の積層体は、ボンディングワイヤ10などと共に基板8上において樹脂パッケージ13により封止されている。以上に説明したように、本実施形態によると、半導体チップ1の周縁を取り囲むチップ拡張部5aに凸部を設けている。このため、半導体チップ1と半導体チップ2との間に充填する充填材4の充填量が多い場合や、充填材4として低粘性のアンダーフィル樹脂を用いた場合にも、充填材4がチップ拡張部5a上のワイヤボンディング用接続端子7まで流れ出してくることを前記凸部によって防止することができる。すなわち、前記凸部によって充填材4をせき止めることができる。また、前記凸部を半導体チップ1本体ではなくチップ拡張部5aに設けているため、チップサイズの増大及びそれに伴うコストの増大、並びにチップ上における配線配置に対する制約を招くことなく、充填材4の流れ出し防止効果を得ることができる。また、半導体チップ1の表面上での加工を伴うことなく、前記凸部を形成することができるので、半導体チップ1と半導体チップ2とのチップサイズの大小関係に関わらず、充填材4の流れ出し防止効果を得ることができる。尚、本実施形態においては、チップ拡張部5aに凸部を1つ設けたが、凸部を複数設けてもよい。また、ワイヤボンディング用接続端子7並びにそれに対応するボンディングパッド9及びボンディングワイヤ10も複数設けてもよい。また、本実施形態において、チップ拡張部5aの凸部は、半導体チップ1の回路形成面に対して垂直な側壁を有していた。しかし、これに代えて、チップ拡張部5aの凸部の側壁が、半導体チップ1の回路形成面の法線方向つまり半導体チップ1及び2の積層方向に対して傾斜を有していてもよい。また、チップ拡張部5aの凸部が丸みを帯びた形状を有していてもよい。また、本実施形態において、チップ拡張部5aの凸部の頂部は、樹脂パッケージ13の内部に位置していた。しかし、これに代えて、チップ拡張部5aの凸部が半導体チップ2と干渉しない限り、チップ拡張部5aの凸部の頂部が樹脂パッケージ13の表面に達していてもよい。また、本実施形態のように、チップ拡張部5aの凸部上にワイヤボンディング用接続端子7を設ける場合には、当該凸部は、ワイヤボンディング用接続端子7の形成が可能で且つワイヤボンディング用接続端子7に対してボンディングワイヤ10の接続つまりワイヤボンディングの実施が可能な幅を有していることが好ましい。また、本実施形態において、半導体チップ1及び2の積層体を基板8上に搭載したが、これに代えて、例えばリードフレーム等の他の基材上に搭載してもよい。また、チップの積層数も特に限定されるものではなく、3つ以上の半導体チップを積層させてもよい。第1の実施形態の第1変形例以下、本発明の第1の実施形態の第1変形例に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図2は、本変形例に係る半導体装置の構成を示す断面図である。尚、図2において、図1に示す第1の実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、重複する説明を省略する。図2に示すように、本変形例が第1の実施形態と異なっている点は、チップ拡張部5aの凸部の側壁が、半導体チップ1の回路形成面の法線方向つまり半導体チップ1及び2の積層方向に対して傾斜垂直よりも緩い傾斜を有していることである。本変形例によると、第1の実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、チップ拡張部5aの凸部の側壁が緩い傾斜を有しているため、半導体チップ1及びチップ拡張部5aからなる拡張型半導体チップと半導体チップ2との隙間が大きくなるため、アンダーフィル樹脂等の充填材4の充填を容易に行うことができる。尚、本変形例では、チップ拡張部5aの凸部の側壁に緩い傾斜を持たせたが、これに代えて、チップ拡張部5aの凸部を丸みを帯びた形状に加工した場合にも、本変形例と同様の効果を得ることができる。第1の実施形態の第2変形例以下、本発明の第1の実施形態の第2変形例に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図3は、本変形例に係る半導体装置の構成を示す断面図である。尚、図3において、図1に示す第1の実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、重複する説明を省略する。図3に示すように、本変形例が第1の実施形態と異なっている点は、半導体チップ1及び2の積層体が、リードフレーム20上に搭載されていることである。また、チップ拡張部5a上のワイヤボンディング用接続端子7は、ボンディングワイヤ10を通じてリードフレーム20に電気的に接続されている。このように、本変形例では、半導体チップ1及び2は、配線6a、ワイヤボンディング用接続端子7及びボンディングワイヤ10を通じて、リードフレーム20と電気的に接続されている。また、半導体チップ1及び2の積層体は、ボンディングワイヤ10及びリードフレーム20などと共に樹脂パッケージ13により封止されている。但し、リードフレーム20の端部は樹脂パッケージ13から露出している。以上に説明した本変形例によると、第1の実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、半導体チップ1及び2のチップ積層体を実装するための基材として、リードフレーム20を用いているための、半導体装置半導体パッケージの薄型化及び低コスト化が可能となる。第1の実施形態の第3変形例以下、本発明の第1の実施形態の第3変形例に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図4は、本変形例に係る半導体装置の構成を示す断面図である。尚、図4において、図1に示す第1の実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、重複する説明を省略する。図4に示すように、本変形例が第1の実施形態と異なっている点は、半導体チップ1及び2の積層体が、リードフレーム21上に搭載されていることである。また、チップ拡張部5a上のワイヤボンディング用接続端子7は、ボンディングワイヤ10を通じてリードフレーム21に電気的に接続されている。また、リードフレーム21におけるボンディングワイヤ10の接続部分の下面半導体チップ1及び2の搭載面の反対面には、外部電極22が形成されている。このように、本変形例では、半導体チップ1及び2は、配線6a、ワイヤボンディング用接続端子7、ボンディングワイヤ10、及びリードフレーム21を通じて、外部電極22と電気的に接続されている。また、半導体チップ1及び2の積層体は、ボンディングワイヤ10及びリードフレーム21などと共に樹脂パッケージ13により封止されている。但し、外部電極22は樹脂パッケージ13から露出している。以上に説明した本変形例によると、第1の実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、半導体チップ1及び2のチップ積層体を実装するための基材として、パッケージ下面に外部電極22を持つリードフレーム21を用いているための、半導体装置半導体パッケージの小型化が可能となる。第2の実施形態以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図5は、本実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。尚、図5において、図1に示す第1の実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、重複する説明を省略する。図5に示すように、本実施形態においては、半導体チップ1の周縁部を取り囲むようにチップ拡張部5bが設けられており、半導体チップ1とチップ拡張部5bとから拡張型半導体チップが構成されている。チップ拡張部5bは、例えば樹脂から構成されており、半導体チップ1に対応する中央部がくり抜かれた矩形の平面形状を有している。具体的には、例えば打ち抜き加工やくり抜き加工等の加工方法を用いて樹脂基材を所定の形状に加工することにより、チップ拡張部5bを形成してもよい。また、複数の樹脂基材を組み合わせることにより、中央部に開口部を有するチップ拡張部5bを形成してもよい。本実施形態の特徴として、チップ拡張部5bは、半導体チップ1の回路形成面よりも低い底面を持つ凹部を有しており、チップ拡張部5bにおける当該凹部以外の他の部分上にワイヤボンディング用接続端子7が設けられている。ここで、チップ拡張部5bにおいて、前記凹部は、前記他の部分よりも半導体チップ1の近くに設けられている。また、半導体チップ1上にはバンプ電極3と電気的に接続するように配線6bが形成されていると共に当該配線6bは前記凹部を含むチップ拡張部5b上を延伸してワイヤボンディング用接続端子7と接続しており、これにより、バンプ電極3とワイヤボンディング用接続端子7とが電気的に接続されている。配線6bとしては、例えばめっき金属膜等の導電材料を用いてもよい。以上のようにして、半導体チップ1及び2は、配線6b、ワイヤボンディング用接続端子7、ボンディングワイヤ10及びボンディングパッド9を通じて、外部電極12a及び12bと電気的に接続されている。以上に説明したように、本実施形態によると、半導体チップ1の周縁を取り囲むチップ拡張部5bに凹部を設けている。このため、半導体チップ1と半導体チップ2との間に充填する充填材4の充填量が多い場合や、充填材4として低粘性のアンダーフィル樹脂を用いた場合にも、充填材4がチップ拡張部5b上のワイヤボンディング用接続端子7まで流れ出してくることを前記凹部によって防止することができる。すなわち、前記凹部によって充填材4をせき止めることができる。また、前記凹部を半導体チップ1本体ではなくチップ拡張部5bに設けているため、チップサイズの増大及びそれに伴うコストの増大、並びにチップ上における配線配置に対する制約を招くことなく、充填材4の流れ出し防止効果を得ることができる。また、半導体チップ1の表面上での加工を伴うことなく、前記凹部を形成することができるので、半導体チップ1と半導体チップ2とのチップサイズの大小関係に関わらず、充填材4の流れ出し防止効果を得ることができる。さらに、前記凹部を深く形成する場合には、半導体チップ1の厚さを増大させることなくチップ拡張部5bの厚さを増大させれば良いので、チップ厚の増大に伴うコストの増大を伴うことなく、充填材4の流れ出し防止効果を得ることができる。また、本実施形態によると、半導体装置半導体パッケージの高さに対する制限などの理由により、図1に示す第1の実施形態のような凸部を有するチップ拡張部5aを用いることができない場合にも、凹部を有するチップ拡張部5bによって、半導体パッケージの高さを抑えながら、充填材4の流れ出し防止効果を得ることができる。尚、本実施形態においては、チップ拡張部5bに凹部を1つ設けたが、凹部を複数設けてもよい。また、ワイヤボンディング用接続端子7並びにそれに対応するボンディングパッド9及びボンディングワイヤ10も複数設けてもよい。また、本実施形態において、チップ拡張部5bの凹部は、半導体チップ1の回路形成面に対して垂直な側壁を有していた。しかし、これに代えて、チップ拡張部5bの凹部の側壁が、半導体チップ1の回路形成面の法線方向つまり半導体チップ1及び2の積層方向に対して傾斜を有していてもよい。また、チップ拡張部5bの凹部が丸みを帯びた形状を有していてもよい。また、本実施形態のように、チップ拡張部5bの厚さ凹部以外の他の部分の厚さを半導体チップ1の厚さと同じに設定する場合には、前記凹部の深さを最大、半導体チップ1の厚さと同じ深さまで設定可能である。但し、前記凹部の深さは、充填材4の流れ出し防止効果を確実に得るためには深いほどよいが、バンプ電極3とワイヤボンディング用接続端子7とを接続する配線6bの形成が可能な深さつまり、バンプ電極3とワイヤボンディング用接続端子7との電気的接続を確保可能な深さに設定する必要がある。また、前記凹部の幅半導体チップ1とチップ拡張部5bとの接続方向の幅も、充填材4の流れ出し防止効果を確実に得るためには大きいほどよいが、例えば半導体チップ1の側端部から半導体チップ2の側端部までの距離半導体チップ1の回路形成面に沿った方向の距離よりも前記凹部の幅を大きくしてもよい。また、本実施形態において、半導体チップ1及び2の積層体を基板8上に搭載したが、これに代えて、例えばリードフレーム等の他の基材上に搭載してもよい。また、チップの積層数も特に限定されるものではなく、3つ以上の半導体チップを積層させてもよい。第2の実施形態の変形例以下、本発明の第2の実施形態の変形例に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図6は、本変形例に係る半導体装置の構成を示す断面図である。尚、図6において、図1に示す第1の実施形態及び図5に示す第2の実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、重複する説明を省略する。図6に示すように、本変形例が第2の実施形態と異なっている点は、チップ拡張部5bに複数例えば2つの凹部が設けられていることである。ここで、チップ拡張部5bにおけるワイヤボンディング用接続端子7の形成箇所非凹部と比べて、前記各凹部は半導体チップ1の近くに設けられている。また、本変形例では、バンプ電極3とワイヤボンディング用接続端子7とを電気的に接続する配線6bを、前記各凹部を含むチップ拡張部5b上を延伸させる際に、配線6bの形成後に前記各凹部に挟まれた部分凸状の樹脂部分をチップ拡張部5bに付加してもよい。本変形例によると、第2の実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、チップ拡張部5bに複数の凹部を設けているため、アンダーフィル樹脂等の充填材4が流れ出す量が多い場合であっても、前記各凹部によって充填材4の流れ出しを確実に防止することができる。このため、例えば、バンプ電極3として、より小径な半田ボールを使用して、半導体チップ1と半導体チップ2とを狭い積層間隔で実装した半導体装置半導体パッケージにおいても、充填材4の流れ出し防止効果を確実に得ることができる。尚、本変形例において、チップ拡張部5bの各凹部は、半導体チップ1の回路形成面に対して垂直な側壁を有していた。しかし、これに代えて、チップ拡張部5bの各凹部の側壁が、半導体チップ1の回路形成面の法線方向つまり半導体チップ1及び2の積層方向に対して傾斜を有していてもよい。また、チップ拡張部5bの各凹部が丸みを帯びた形状を有していてもよい。また、本変形例のように、チップ拡張部5bの厚さ凹部以外の他の部分の厚さを半導体チップ1の厚さと同じに設定する場合には、前記各凹部の深さを最大、半導体チップ1の厚さと同じ深さまで設定可能である。但し、前記各凹部の深さは、充填材4の流れ出し防止効果を確実に得るためには深いほどよいが、バンプ電極3とワイヤボンディング用接続端子7とを接続する配線6bの形成が可能な深さつまり、バンプ電極3とワイヤボンディング用接続端子7との電気的接続を確保可能な深さに設定する必要がある。また、前記各凹部の幅半導体チップ1とチップ拡張部5bとの接続方向の幅も、充填材4の流れ出し防止効果を確実に得るためには大きいほどよいが、例えば半導体チップ1の側端部から半導体チップ2の側端部までの距離半導体チップ1の回路形成面に沿った方向の距離と比較して、前記各凹部の合計幅を大きくしてもよい。第3の実施形態以下、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図7は、本実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。尚、図7において、図1に示す第1の実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、重複する説明を省略する。図7に示すように、本実施形態においては、半導体チップ1の周縁部を取り囲むようにチップ拡張部5cが設けられており、半導体チップ1とチップ拡張部5cとから拡張型半導体チップが構成されている。チップ拡張部5cは、例えば樹脂から構成されており、半導体チップ1に対応する中央部がくり抜かれた矩形の平面形状を有している。具体的には、例えば打ち抜き加工やくり抜き加工等の加工方法を用いて樹脂基材を所定の形状に加工することにより、チップ拡張部5cを形成してもよい。また、複数の樹脂基材を組み合わせることにより、中央部に開口部を有するチップ拡張部5cを形成してもよい。本実施形態の特徴として、チップ拡張部5cは、凸部及び凹部の両方を有している。ここで、凹部は、凸部よりも半導体チップ1の近くに設けられており、半導体チップ1の回路形成面よりも低い底面を持つ。また、チップ拡張部5bにおける凸部の上及び当該凸部から見て半導体チップ1の反対側に位置する部分の上には、ワイヤボンディング用接続端子7a及び7bが設けられている。また、半導体チップ1上にはバンプ電極3と電気的に接続するように配線6cが形成されていると共に当該配線6cは前記凹部を含むチップ拡張部5c上を延伸してワイヤボンディング用接続端子7a及び7bと接続しており、これにより、バンプ電極3とワイヤボンディング用接続端子7a及び7bとが電気的に接続されている。配線6cとしては、例えばめっき金属膜等の導電材料を用いてもよい。ここで、配線6cをチップ拡張部5c上を延伸させる際に、配線6cの形成後に、ワイヤボンディング用接続端子7aと接続する配線部分を側壁上に持つ前記凸部をチップ拡張部5cに付加してもよい。或いは、チップ拡張部5c上において前記凸部の両側壁及び上面を経由するように配線6cを形成してもよい。尚、基板8における半導体チップ1及び2の搭載面にはボンディングパッド9a及び9bが設置されており、ボンディングパッド9aとワイヤボンディング用接続端子7aとはボンディングワイヤ10aを通じて電気的に接続されていると共にボンディングパッド9bとワイヤボンディング用接続端子7bとはボンディングワイヤ10bを通じて電気的に接続されている。ボンディングワイヤ10a及び10bとしては、例えば金や銅などからなるワイヤを用いてもよい。また、基板8における半導体チップ1及び2の搭載面の反対面には、ボンディングパッド9a及び9bと電気的に接続する外部電極12a及び12bが形成されている。外部電極12a及び12bとしては、例えばボール電極を用いてもよい。以上のようにして、半導体チップ1及び2は、配線6c、ワイヤボンディング用接続端子7a及び7b、ボンディングワイヤ10a及び10b、並びにボンディングパッド9a及び9bを通じて、外部電極12a及び12bと電気的に接続されている。以上に説明したように、本実施形態によると、半導体チップ1の周縁を取り囲むチップ拡張部5cに凸部及び凹部を設けているため、第1及び第2の実施形態と同様の効果を得ることができると共に、次のような効果を得ることができる。すなわち、チップ拡張部5cに凸部及び凹部を設けているため、ワイヤボンディング用接続端子7a及び7bの形成位置に高低差を生じさせることができる。このため、ボンディングワイヤ10a及び10bのそれぞれの配置高さに差を設けてボンディングワイヤ10a及び10bの間の干渉を低減することができる。従って、本実施形態のパッケージ構成によれば、ワイヤ本数が多い場合にも、対応するワイヤボンディング用接続端子を異なる複数の高さ位置に配列することができるので、ボンディングワイヤ間の干渉を回避するためにパッケージ高さを増大させる程度を抑制することができる。尚、本実施形態においては、チップ拡張部5cに凸部及び凹部を1つずつ設けたが、凸部及び凹部をそれぞれ複数設けてもよい。また、ワイヤボンディング用接続端子数並びにそれに対応するボンディングパッド数及びボンディングワイヤ数も特に限定されるものではない。また、本実施形態において、チップ拡張部5cの凸部及び凹部は、半導体チップ1の回路形成面に対して垂直な側壁を有していた。しかし、これに代えて、チップ拡張部5cの凸部及び凹部の側壁が、半導体チップ1の回路形成面の法線方向つまり半導体チップ1及び2の積層方向に対して傾斜を有していてもよい。また、チップ拡張部5cの凸部及び凹部が丸みを帯びた形状を有していてもよい。また、本実施形態において、チップ拡張部5cの凸部の頂部は、樹脂パッケージ13の内部に位置していた。しかし、これに代えて、チップ拡張部5cの凸部が半導体チップ2と干渉しない限り、チップ拡張部5cの凸部の頂部が樹脂パッケージ13の表面に達していてもよい。また、本実施形態のように、チップ拡張部5cの凸部上にワイヤボンディング用接続端子7aを設ける場合には、当該凸部は、ワイヤボンディング用接続端子7aの形成が可能で且つワイヤボンディング用接続端子7aに対してボンディングワイヤ10aの接続つまりワイヤボンディングの実施が可能な幅を有していることが好ましい。また、本実施形態のように、チップ拡張部5cの厚さを半導体チップ1の厚さと同程度に設定する場合には、前記凹部の深さを最大、半導体チップ1の厚さと同じ深さまで設定可能である。但し、前記凹部の深さは、充填材4の流れ出し防止効果を確実に得るためには深いほどよいが、バンプ電極3とワイヤボンディング用接続端子7a及び7bとを接続する配線6cの形成が可能な深さつまり、バンプ電極3とワイヤボンディング用接続端子7a及び7bとの電気的接続を確保可能な深さに設定する必要がある。また、前記凹部の幅半導体チップ1とチップ拡張部5cとの接続方向の幅も、充填材4の流れ出し防止効果を確実に得るためには大きいほどよいが、例えば半導体チップ1の側端部から半導体チップ2の側端部までの距離半導体チップ1の回路形成面に沿った方向の距離よりも前記凹部の幅を大きくしてもよい。また、本実施形態において、半導体チップ1及び2の積層体を基板8上に搭載したが、これに代えて、例えばリードフレーム等の他の基材上に搭載してもよい。また、チップの積層数も特に限定されるものではなく、3つ以上の半導体チップを積層させてもよい。第4の実施形態以下、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図8は、本実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。尚、図8において、図1に示す第1の実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、重複する説明を省略する。図8に示すように、本実施形態においては、半導体チップ1の周縁部を取り囲むようにチップ拡張部5dが設けられており、半導体チップ1とチップ拡張部5dとから拡張型半導体チップが構成されている。チップ拡張部5dは、例えば樹脂から構成されており、半導体チップ1に対応する中央部がくり抜かれた矩形の平面形状を有している。具体的には、例えば打ち抜き加工やくり抜き加工等の加工方法を用いて樹脂基材を所定の形状に加工することにより、チップ拡張部5dを形成してもよい。また、複数の樹脂基材を組み合わせることにより、中央部に開口部を有するチップ拡張部5dを形成してもよい。本実施形態の特徴として、チップ拡張部5dは、半導体チップ1の回路形成面よりも高く突き出た凸部を有している。また、チップ拡張部5dにおける凸部の上及び当該凸部から見て半導体チップ1の反対側に位置する部分の上には、ワイヤボンディング用接続端子7a及び7bが設けられている。また、半導体チップ1上にはバンプ電極3と電気的に接続するように配線6dが形成されていると共に当該配線6dは前記凹部を含むチップ拡張部5d上を延伸してワイヤボンディング用接続端子7a及び7bと接続しており、これにより、バンプ電極3とワイヤボンディング用接続端子7a及び7bとが電気的に接続されている。配線6dとしては、例えばめっき金属膜等の導電材料を用いてもよい。ここで、配線6dをチップ拡張部5d上を延伸させる際に、配線6dの形成後に、ワイヤボンディング用接続端子7aと接続する配線部分を内部に持つ前記凸部をチップ拡張部5dに付加してもよい。尚、基板8における半導体チップ1及び2の搭載面にはボンディングパッド9a及び9bが設置されており、ボンディングパッド9aとワイヤボンディング用接続端子7aとはボンディングワイヤ10aを通じて電気的に接続されていると共にボンディングパッド9bとワイヤボンディング用接続端子7bとはボンディングワイヤ10bを通じて電気的に接続されている。ボンディングワイヤ10a及び10bとしては、例えば金や銅などからなるワイヤを用いてもよい。また、基板8における半導体チップ1及び2の搭載面の反対面には、ボンディングパッド9a及び9bと電気的に接続する外部電極12a及び12bが形成されている。外部電極12a及び12bとしては、例えばボール電極を用いてもよい。以上のようにして、半導体チップ1及び2は、配線6d、ワイヤボンディング用接続端子7a及び7b、ボンディングワイヤ10a及び10b、並びにボンディングパッド9a及び9bを通じて、外部電極12a及び12bと電気的に接続されている。以上に説明したように、本実施形態によると、半導体チップ1の周縁を取り囲むチップ拡張部5dに凸部を設けているため、第1の実施形態と同様の効果を得ることができると共に、次のような効果を得ることができる。すなわち、チップ拡張部5dに凸部を設けているため、ワイヤボンディング用接続端子7a及び7bの形成位置に高低差を生じさせることができる。このため、ボンディングワイヤ10a及び10bのそれぞれの配置高さに差を設けてボンディングワイヤ10a及び10bの間の干渉を低減することができる。従って、本実施形態のパッケージ構成によれば、ワイヤ本数が多い場合にも、対応するワイヤボンディング用接続端子を異なる複数の高さ位置に配列することができるので、ボンディングワイヤ間の干渉を回避するためにパッケージ高さを増大させる程度を抑制することができる。また、ワイヤボンディング用接続端子7aと接続される配線6dをチップ拡張部5dの凸部の内部に形成しているため、ワイヤボンディング用接続端子7aとの接続部分の配線6dを例えばアンダーフィル樹脂等の充填材4から離隔することが可能となる。従って、本実施形態のパッケージ構成によれば、ワイヤボンディング用接続端子数が多い場合にも、充填材4に起因する悪影響を防止することができる。尚、本実施形態においては、チップ拡張部5dに凸部を1つ設けたが、凸部を複数設けてもよい。また、ワイヤボンディング用接続端子数並びにそれに対応するボンディングパッド数及びボンディングワイヤ数も特に限定されるものではない。また、本実施形態において、チップ拡張部5dの凸部は、半導体チップ1の回路形成面に対して垂直な側壁を有していた。しかし、これに代えて、チップ拡張部5dの凸部の側壁が、半導体チップ1の回路形成面の法線方向つまり半導体チップ1及び2の積層方向に対して傾斜を有していてもよい。また、チップ拡張部5dの凸部が丸みを帯びた形状を有していてもよい。また、本実施形態において、チップ拡張部5dの凸部の頂部は、樹脂パッケージ13の内部に位置していた。しかし、これに代えて、チップ拡張部5dの凸部が半導体チップ2と干渉しない限り、チップ拡張部5dの凸部の頂部が樹脂パッケージ13の表面に達していてもよい。また、本実施形態のように、チップ拡張部5dの凸部上にワイヤボンディング用接続端子7aを設ける場合には、当該凸部は、ワイヤボンディング用接続端子7aの形成が可能で且つワイヤボンディング用接続端子7aに対してボンディングワイヤ10aの接続つまりワイヤボンディングの実施が可能な幅を有していることが好ましい。また、本実施形態において、半導体チップ1及び2の積層体を基板8上に搭載したが、これに代えて、例えばリードフレーム等の他の基材上に搭載してもよい。また、チップの積層数も特に限定されるものではなく、3つ以上の半導体チップを積層させてもよい。第4の実施形態の変形例以下、本発明の第4の実施形態の変形例に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図9は、本変形例に係る半導体装置の構成を示す断面図である。尚、図9において、図1に示す第1の実施形態及び図8に示す第4の実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、重複する説明を省略する。図9に示すように、本変形例が第4の実施形態と異なっている点は、チップ拡張部5dの凸部が半導体チップ2の側面に接していることである。本変形例によると、第4の実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、半導体チップ2のサイズに合わせてチップ拡張部5dの凸部を半導体チップ2と接するように形成することにより、半導体チップ1と半導体チップ2との間の空間を密閉することができるので、当該空間に例えばアンダーフィル樹脂等の充填材4を密封することが可能になる。従って、充填材4の流れ出しをより確実に防止することができると共に、半導体チップ1と半導体チップ2との間の空間への外部からの異物の浸入を確実に防止することができる。尚、本変形例においては、例えば、予め半導体チップ1の回路形成面上に充填材4を塗布しておき、その後、半導体チップ1上に半導体チップ2を搭載することによって、半導体チップ1と半導体チップ2との間に充填材4を充填してもよい。