"集積回路素子の電極aと回路配線基板の導体配線cをボールボンディング法によって接続するための線径L508μm以下のボンディングワイヤWであって、芯材1が純度99.99質量以上の銅及び不可避不純物からなり、その芯材1の外周全面に、Pdによる厚みt20.010~0.090μmの被覆層2を形成し、調質熱処理を、炉温度:400°C以上800°C以下、ワイヤ走行速度:30~90m/分で行って、室温での引張試験による引張強さTSRと250°Cでの引張試験による引張強さTSHとの比HR=TSH/TSR×100が50~70となるようにして、前記銅からなる芯材1の再結晶組織と粗大化した二次再結晶組織の境界が発生し難くなっていることを特徴とするボンディングワイヤ。上記被覆層2の外周部に炭素濃度:1~80質量の炭素濃縮層3を有し、その炭素濃縮層3の厚みt3が0.0001~0.0005μmであることを特徴とする請求項1に記載のボンディングワイヤ。請求項2に記載のボンディングワイヤWの製造方法であって、上記純度99.99質量以上の銅及び不可避不純物からなる芯材1にPdを被覆し、その被覆線に拡散熱処理を施して芯材1と被覆層2の密着性を高めた後、潤滑剤を塗布して伸線し、その後、その伸線を洗浄工程を経て酸素遮断状態で上記調質熱処理を行い、前記洗浄工程の洗浄度合を調整することによって前記被覆層2の表面に前記潤滑剤からなる上記炭素濃縮層3を形成することを特徴とするボンディングワイヤの製造方法。以上のように、耐酸化金属で銅線を被覆したボンディングワイヤWは、従来から、種々の工夫がなされてそれなりに好評を得ている。しかし、近年は低コスト化のため、作業の高速化が求められており、さらに接合強度を向上させる必要がある。また、電子部品の小型化に伴い、ループを低背化ループ高さ図5のhを低くしたり、限られたスペースに配線したりするために、多段に積層された電極aにボンディングしたりする必要がある。その多段積層の場合、一層目のボンディングは、そのループをできるだけ低くする必要があり、二層目以降は、その一層目以降のボンディングワイヤ接続線Wを超えてボンディングすることとなるから、従来より、高いループループ高さhを要求される。そのループを高くする際、通常、図3d鎖線で示すくせ付けが行われ、そのくせ付けがフレキシブルに行い得るワイヤWが求められている。この発明は、そのような実状の下、上記要求に応えることを課題とする。上記課題を達成するために、この発明は、上記の集積回路素子の電極aと回路配線基板の導体配線cをボールボンディング法によって接続するための線径L:508μm以下のボンディングワイヤWであって、芯材1が純度99.99質量以上の銅及び不可避不純物からなり、その芯材1の外周全面に、Pdによる厚みt2:0.010~0.090μmの被覆層2を形成し、かつ、室温での引張試験による引張強さTSRと250°Cでの引張試験による引張強さTSHとの比HR=TSH/TSR×100が50~70となるようにしたのである。ボンディングワイヤWの線径Lを、50.8μm以下としたのは、上述の特許文献1ではその径Lを50μm以下としているが、50.8μm以下であれば、50μm以下と変わらない程度でもって、上記ボールbをより小さくできるからである実施例4参照。また、線径Lの下限は特に規定しないが、12μm未満ではボンディング前にオペレータがワイヤWをキャピラリー10aに通すのが困難になり、作業性が悪くなる。芯材1の銅純度を99.99質量以上残部が不可避不純物としたのは、高導電性を担保するためである。被覆層2の厚みt2は薄いほど、ボールbの硬度が低くなり、Siチップ電極aの損傷の可能性が低くなるが、薄すぎると、ステッチボンド接合の際に芯材1の銅が露出する度合いが大きくなり、被覆層2を有さない銅ワイヤ程度のステッチボンド接合性しか発現できない。例えば、後記の実施例と比較例の実験結果から理解できるように、2回以上のマシンストップが生じる恐れがある。このため、その実施例と比較例の実験結果から、被覆層2の厚みt2は0.010μm以上とする。なお、ステージ温度:150°C程の低温度でのボールボンディングの時には、連続ボンディング性の実験結果からその厚みt2を0.040μm以上とする。ステージ温度を低くすると、ステッチボンド接合に要する荷重が大きくなり、被覆層2の厚みt2が0.010μm以上から0.040μm未満の範囲では芯材1の銅が露出する度合いが大きくなり、連続ボンディング性が損なわれることがあるからである。一方、被覆層2が厚いと、ボールbの硬度が高くなり、Siチップ電極aの損傷による不良の可能性が高くなる。このため、後記の実施例と比較例の実験結果から、被覆層2の厚みt2は0.090μm以下とする。被覆金属をPdとしたのは、これらの貴金属が電子材料の被覆材として一般的であり、入手が比較的容易であるからである。また、Pdの融点は1554°Cと、銅の融点1083°Cよりも高いのでボールbを作製するための放電棒gでの放電時にPdが先に溶けず、銅が溶融して表面張力によって真上にワイヤを這い上がっていき、良好な真球状のボールbを得ることができる。Pdの純度については、より純度が高いほどボールbの硬度を低くできるため、芯材1の純銅と同様に99.99質量以上残部が不可避不純物とすることが好ましい。これらの構成のボンディングワイヤWの製造方法には種々のものが採用できるが、例えば、純度99.99質量以上の銅からなる芯材1の外周全面に、Pdによる被覆層2を形成し、その被覆線を拡散熱処理して芯材と被覆層の密着性を高めた後、線径50.8μm以下まで伸線し、さらに、調質熱処理を行って、被覆層2の厚みt2:0.010~0.090μmとした構成を採用できる。上記被覆層2は、電解メッキ、無電解メッキ、蒸着法等の周知の手段によって形成され、一般に、ワイヤWは大きな線径の銅ロッドをダイスと呼ばれるツールに順次貫通させていくことにより、所定の線径に仕上げられるため、この工程途中の適宜な線径で被覆層2を上記手段により形成する。このとき、被覆する際の芯材1の線径は作業性コストにより決定されるが、製造装置の制限から0.2~0.8mmが一般的である。外周全面にPdを被覆された被覆線は200~500°Cで拡散熱処理を施して前記芯材1と被覆層2の密着性を高めた後、線径50.8μm以下まで伸線することで、被覆層2の厚みt2を0.010~0.090μmとすることができる。その後、ワイヤWに調質熱処理を施す。その調質熱処理は、所定の線径まで伸線を行いリールに巻きとられたワイヤWを、巻き戻して管状の熱処理炉中に走行させ、再び巻き取りリールで巻き取ることによって連続熱処理を行う。管状の熱処理炉中には窒素ガスもしくは窒素に微量の水素を混合させたガスを流す。この調質熱処理において、後記の実施例と比較例の対比から、ワイヤWの室温20~25°Cでの引張試験による引張強さTSRと250°Cでの引張試験による引張強さTSHの比HRTSH/TSR×100が50~70となるように調整する。通常、HRは調質熱処理時間及び処理温度によって左右され、50未満にするには、室温での引張強さTSRを高くする必要があるため、低温もしくは短時間で調質熱処理を行う。この場合、低温、短時間であることから、ワイヤWの銅の結晶組織は加工ひずみが残る微細組織となる。一方、上記図3hの放電棒gの放電によってそのワイヤWにボールbを形成する際、そのボールbからキャピラリー10aに向かってある長さのワイヤWは、溶融したのち再結晶した結晶組織の粗大化した熱影響部図5のe参照が生じる。このため、そのボールbから所要距離に結晶組織の境界ができる。この結晶組織の境界がループの途中にあるとその部分に亀裂が生じたり、場合によっては破断したりする不具合の原因となるため、ワイヤを高いループ形状ループ高さでボンディングすることができなくなる。また、HRが70を超えるようにするためには、室温での引張強さTSRを低くする必要があるため、高温もしくは長時間で調質熱処理を行う。この場合、高温、長時間であることから、ワイヤWの銅の結晶組織が粗大化して脆弱となり、ボンディング時のくせ付けするわん曲部分で結晶粒界から亀裂が生成したり破断したりする不具合の原因となる。以上から、この発明によるワイヤWのHRを50~70とすれば、後記の実施例と比較例の対比から、微細組織と粗大化した再結晶組織の境界が発生しないため、ループの途中で亀裂が生じることがなく、また、ワイヤWの結晶組織が粗大化していないため、くせ付けのときに結晶粒界から亀裂が生じることもない、と考える。このため、ワイヤWに亀裂が発生することなく、フレキシブルにくせ付けが可能になる。そのHR:50~70は、調質熱処理時間及び処理温度を実験等によって適宜に設定して得る。例えば、炉長:50cmの場合、その炉温度は400°C以上800°C以下として、ワイヤ走行速度は30~90m/分で熱処理を行う。このとき、調質熱処理時間は0.33~1秒となる。完成したワイヤWは所定のスプールに小分けされて巻き上げられ、このスプールをボンディング装置に取り付けてワイヤWを繰り出すことによってボンディングに使用するが、被覆層2の表面状態により、ワイヤW同士が密着し、繰り出しができなくなる可能性がある。特許文献4には被覆層2の表面に酸化層を設けることでこの繰り出し性を向上させると記述されているが、Pd表面の酸化層を制御することは実際には難しい。そのワイヤWの密着を防ぐため、被覆層2表面に炭素濃縮層を設けることが好ましい。この炭素濃縮層の炭素濃度は1~80質量とする。その炭素濃度が1質量未満では密着を防ぐ効果が発現できず、80質量を超えると、ステッチボンド接合性が下がり、連続ボンディング性が損なわれる恐れがある。炭素濃縮層の形成には、ワイヤを金属密着防止剤に浸漬したり、ワイヤに金属密着防止剤を吹き付けたりなど様々な方法があるが、伸線潤滑剤の濃度を調整して伸線後のワイヤWの表面に潤滑剤が一部残るように、余分な伸線潤滑剤や異物などの除去を目的とした洗浄を行った後、調質熱処理を行うことで、前記一部残った潤滑剤からなる炭素濃縮層を設ける方法が経済的である。このとき、調質熱処理は大気中で行うとワイヤW上に残した伸線潤滑剤が酸素と反応して飛散してしまうため、窒素ガス中もしくは水素―窒素混合ガス中など酸素を遮断した状態で行うものとする。後記の実施例と比較例の実験結果から、炭素濃縮層の厚みを0.0001~0.0005μmとする。この炭素濃縮層の厚みが0.0001μm未満であると、上記の繰り出し性を向上させるには至らず、0.0005μmを超えると、ステッチボンド接合性が下がり、連続ボンディング性が損なわれる恐れがある。この発明は、以上のようにしたので、安定した接合強度を有する純銅にPdを被覆したボンディングワイヤを得ることができる。純度99.99質量以上で0.2~0.8mm径の銅線を用意し、その銅線にPdを電解メッキ法によって被覆し、その被覆線に拡散熱処理を施して銅線芯材1と被覆層2の密着性を高めた後、水溶性の伸線潤滑剤を介在させて線径12~50.8μmまで伸線し、さらに、引張強さの比HRが45~78となるように窒素ガス中で調質熱処理を行い、被覆層2の厚みt2:0.002~0.12μmのボンディングワイヤWを得た。このとき、伸線時の潤滑剤の濃度を調整するとともに、伸線後の洗浄において、ワイヤWの表面に潤滑剤が一部残るように余分な潤滑剤や異物などの除去した後、炉長:50cmの酸素遮断状態で、炉温度:400°C以上800°C以下、ワイヤ走行速度:30~90m/分での熱処理によって上記調質熱処理を行って、厚みt3:0.0009μm以下の炭素濃縮層3を設けた。この方法によって、表1に示す実施例1~16及び比較例1~9の各ボンディングワイヤWを製作し、そのボンディングワイヤWの連続ボンディング性、1st接合部のSiチップ電極aの損傷度合、ワイヤの繰り出し性及びループ形状亀裂の有無の評価を下記の方法で行った。その評価結果を表1に示す。被覆層皮膜層2の厚みt2蛍光X線膜厚計で、X線を照射し発生した蛍光X線の強度を皮膜厚さに換算して皮膜厚とした。炭素濃縮層3の厚みt3Arイオンで深さ方向に単位時間のスパッタを行い、その都度炭素濃度を測定していき、最外層の炭素濃度の1/2の濃度になったところまでを炭素濃縮層3の厚みt3とするオージェ分光分析法AESで測定した。厚さの換算には一般的なSiO2換算を用いた。室温での引張強度TSR、250°Cでの引張強度TSH室温23°Cにおいて、100mmのワイヤを10mm/分の引張速度にて引張試験を行い、破断した際の荷重を引張試験前のワイヤWの断面積で除した値を引張強度とした。また、250°Cにおいても同様の試験を行うが、250°Cの雰囲気に試料をセットした後、低下した温度が250°Cに復帰した20秒後に引張試験を行うようにした。HR上記TSRとTSHから、HR=TSH/TSR×100として求めた。例えば、表1における実施例1の線径20μmのワイヤWのTSRは234MPa、TSHは143MPaであり、HRは143/234×100=61となる。ループ高さh1st接合部と2nd接合部の高さが同じであるフラットボンドにおいて、1st接合部および2nd接合部の接地点を基準として最高地点のワイヤまでの高さhを表す図5参照。ワイヤ径Lの3倍~5倍の高さhのときを低ループ、10倍以上の高さhのときを高ループとし、表1においては、それぞれ低、高とした。連続ボンディング性ボンディングマシンで10,000回の連続ボンディングを行い、マシンストップが発生しなければA、1回のマシンストップが発生すればB、2回以上のマシンストップが起こればDとした。このとき、ステージ温度が低くなれば、その連続ボンディングが困難になることから、200°C、150°Cの2水準で行った。1st接合部のSiチップ損傷ボンディング後、1st接合部直下のSiチップ損傷を評価するために、1st接合部および電極膜を王水で溶解し、Siチップのクラックを光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡SEMで観察した。このとき、100個の接合部を観察して5μm以下の微小なピットが1個もしくはまったく見られない場合はA、5μm以上のクラックが認められた場合はDとした。ワイヤの繰り出し性ボンディング装置に取り付けるためのスプールに完成品を500m巻き取り、そのスプールを巻き取り方向とは逆の方向に回転させることによって、ワイヤWを自然落下させて、ワイヤの繰り出し性を評価した。自然落下させるときのスプールから接地点までの距離を1mとし、500m分の自然落下中、ワイヤの引っかかりが2回以下ならA、3回以上ならば使用上問題があると判断して評価をDとした。ループ形状亀裂の有無ボンディング後のループを走査型電子顕微鏡SEMで確認し、ワイヤ表面の亀裂の有無により判定した。ワイヤ表面が平滑に弧を描き、どこにも亀裂が生じていないものの評価をAとし、ワイヤ径の3以上の亀裂が生じているものは使用上問題があると判断して評価をDとした。総合評価連続ボンディング性の評価が200°C150°CともにAであり、かつ1st接合部のSiチップ損傷、ワイヤの繰り出し性及びループ形状の評価がすべてAのものをA、連続ボンディング性の評価が200°CではAであり、150°CではBであり、かつ他の全ての評価がすべてAのものをBとした。また、他の評価のひとつでもDのあるものについては実用上問題であるのでDとした。この試験結果から、被覆層厚皮膜厚t2が0.010μm未満であると、200°C及び150°Cの両連続ボンディング性が低下し比較例4、9、0.01μm以上0.040μm未満であると、前者の連続ボンディング性が満足できるものとなり実施例4~6、8、11~13、比較例8、さらに0.040μm以上となると、両者の連続ボンディング性が満足できるものとなることが理解できる実施例1~3、7、9、10、14~16、比較例1、2、5、6。ただし、被膜層厚t2が0.040μm以上でも、炭素濃縮層3の厚さt3が0.0005μmを超えると、200°C及び150°Cの両連続ボンディング性が低下する比較例7。一方、被覆層厚t2が0.090μmを越えると、ボールbが硬くなって、Siチップ電極aの損傷が認められるようになる比較例1~3、5~7。また、炭素濃縮層3の厚さt3が0.0001μm未満であると、ワイヤWが正常に繰り出されずに引っかかりが生じ比較例5、6、0.0001μm以上では問題なく繰り出すことができる実施例1~15、比較例1~4、7~9。但し、ボールボンディング法による接続時、スプールから引き出されるワイヤWにはボンディング装置から引き出し力が加わるため、ボンディング装置によっては、上記ワイヤの繰り出し性においてDのものであっても、支障がない場合がある。この場合、実施例16に示すように、炭素濃縮層3が殆ど無い場合でも厚さt3≒0.00、被覆層2の厚みt2:0.010~0.090μm、HR:50~70であれば、他の評価においてAを得ていることから、そのワイヤWは使用し得る。さらに、HRが50未満では、そのHR:45比較例8を示す図2bの写真に示すように、銅の結晶組織は加工ひずみが残る繊維組織軟化が少ない結晶組織となり、上記図3hの放電棒gによってそのワイヤWにボールbの形成する際、銅の結晶組織が粗大化し、上記結晶組織の境界ができるため、ループ形状に亀裂の問題が生じ比較例5、8、同70を超えると、そのHR:71比較例9を示す図2cの写真のように、銅の結晶組織が粗大化し過軟化結晶組織粗大化した二次再結晶組織となり、ループが高い場合、ループ形状に亀裂の問題が生じ比較例4、ループが低い場合でも、破断が発生し連続ボンディング性に支障が生じる恐れがある比較例7、9。これに対し、HRが50~70であると、そのHR:65実施例9を示す図2aの写真に示すように、良好な再結晶組織となって、繊維組織と粗大化した二次再結晶組織の境界が発生し難いため、くせ付けのときに結晶粒界から亀裂が生じることもなかった実施例1~16、比較例1~3、6。"