"LiNbO3からなる圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されたIDT電極と、前記IDT電極を覆うように前記圧電基板の上に形成された誘電体層とを備え、前記IDT電極の電極指ピッチで決まる波長をλとしたときに前記誘電体層の厚みが0.2λ以上である弾性表面波装置であって、前記圧電基板のオイラー角φ,θ,ψのψの絶対値が0°より大きい、弾性表面波装置。前記ψの絶対値が15°以下である、請求項1に記載の弾性表面波装置。前記φが0°±5°の範囲内にあり、前記θが30°~40°の範囲内にある、請求項1または2に記載の弾性表面波装置。前記誘電体層の厚みが0.25λ以上である、請求項1~3のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。前記誘電体層は、酸化ケイ素からなる誘電体層を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。前記誘電体層は、前記酸化ケイ素からなる誘電体層と、前記酸化ケイ素からなる誘電体層の上に形成されており、窒化ケイ素からなるさらなる誘電体層とを含む、請求項5に記載の弾性表面波装置。前記IDT電極は、Pt,Au,Ag,Cu,W及びTaからなる群から選ばれた金属、または、Pt,Au,Ag,Cu,W及びTaからなる群から選ばれた金属の一種以上を含む合金からなる導電層を含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。本発明者は、鋭意研究の結果、圧電基板としてLiNbO3基板を用い、IDT電極を覆う誘電体層の厚みを、IDT電極の電極指のピッチで規定される波長λの0.2倍以上とした弾性表面波装置においては、高次モードに起因するスプリアスが生じることを見出した。本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、LiNbO3基板の上に、IDT電極を覆うように厚み0.2λ以上の誘電体層が形成されている弾性表面波装置において、高次モードに起因するスプリアスを抑圧することにある。本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、IDT電極と、誘電体層とを備えている。圧電基板は、LiNbO3からなる。IDT電極は、圧電基板の上に形成されている。誘電体層は、IDT電極を覆うように圧電基板の上に形成されている。IDT電極の電極指ピッチで決まる波長をλとしたときに、誘電体層の厚みは、0.2λ以上である。圧電基板のオイラー角φ,θ,ψのψの絶対値が0°より大きい。本発明に係る弾性表面波装置のある特定の局面では、ψの絶対値が15°以下である。この構成によれば、弾性表面波装置の耐電力性を向上することができる。本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、θが30°~40°の範囲内にあり、φが0°±5°の範囲内にある。本発明に係る弾性表面波装置の別の特定の局面では、誘電体層の厚みが0.25λ以上である。この場合、高次モードに起因するスプリアスがより生じやすくなるため、高次モードを抑圧できる本発明が特に効果的である。本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、誘電体層は、酸化ケイ素からなる誘電体層を含む。この場合、圧電基板と誘電体層との周波数温度係数の符号が逆となる。従って、弾性表面波装置の周波数温度特性を改善することができる。本発明に係る弾性表面波装置のさらに別の特定の局面では、誘電体層は、酸化ケイ素からなる誘電体層と、酸化ケイ素からなる誘電体層の上に形成されており、窒化ケイ素からなるさらなる誘電体層とを含む。この場合、窒化ケイ素からなるさらなる誘電体層の厚みを調整することにより弾性表面波装置の周波数特性を調整することができる。本発明に係る弾性表面波装置のまた他の特定の局面では、IDT電極は、Pt,Au,Ag,Cu,W及びTaからなる群から選ばれた金属、または、Pt,Au,Ag,Cu,W及びTaからなる群から選ばれた金属の一種以上を含む合金からなる導電層を含む。この導電層は、比重が重いため、弾性表面波の反射係数を高めることができる。本発明では、圧電基板のオイラー角φ,θ,ψのψの絶対値が0°より大きい。このため、高次モードに起因するスプリアスを抑圧することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態について、図1及び図2に示す1ポート型の弾性表面波共振子である弾性表面波装置1を例に挙げて説明する。但し、弾性表面波装置1は、単なる例示である。本発明は、弾性表面波装置1に何ら限定されない。本発明に係る弾性表面波装置は、例えば弾性表面波フィルタ装置や弾性表面波分波器であってもよい。図1は、本実施形態に係る弾性表面波装置の略図的平面図である。図2は、本実施形態に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。図2に示すように、弾性表面波装置1は、LiNbO3からなる圧電基板10を備えている。圧電基板10の主面10aの上には、互いに間挿し合う一対のくし歯状電極からなるIDT電極11が形成されている。IDT電極11の材質は、導電材料である限りにおいて特に限定されない。IDT電極11は、例えば、Al,Pt,Au,Ag,Cu,Ni,Ti,Cr及びPdからなる群から選ばれた金属、もしくは、Al,Pt,Au,Ag,Cu,Ni,Ti,Cr及びPdからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金により形成することができる。IDT電極11は、上記金属や合金からなる複数の導電層の積層体により構成されていてもよい。もっとも、IDT電極11は、Pt,Au,Ag,Cu,W及びTaからなる群から選ばれた金属、または、Pt,Au,Ag,Cu,W及びTaからなる群から選ばれた金属の一種以上を含む合金といった比重の重い導電材料からなる導電層を有していることが好ましい。その場合、弾性表面波の反射係数を大きくすることができる。主面10aの上には、IDT電極11を覆うように誘電体層12が形成されている。誘電体層12の材質は、特に限定されないが、誘電体層12は、圧電基板10と逆符号の周波数温度係数TCF:TemperatureCoefficientofFrequencyを有する酸化ケイ素や窒化ケイ素により形成されていることが好ましい。その場合、弾性表面波装置1の周波数温度特性を改善することができる。誘電体層12の厚みは、IDT電極11により励振された弾性波が弾性表面波となるような厚みである限りにおいて特に限定されない。誘電体層12の厚みは、例えば、0.6λ以下程度とすることができる。具体的には本実施形態では、誘電体層12は、圧電基板10の主面10aの上に形成されており、酸化ケイ素からなる第1の誘電体層13と、第1の誘電体層13の上に形成されており、窒化ケイ素からなる第2の誘電体層14とを有する。この場合、第2の誘電体層14の厚みを調整することにより、弾性表面波装置1の周波数特性を調整することができる。なお、本発明においては、誘電体層は、単一の誘電体層により構成されていてもよいし、3層以上の誘電体層の積層体により構成されていてもよい。本実施形態において、IDT電極11の電極指ピッチで決まる波長をλとすると、誘電体層12の厚みは、0.2λ以上であり、0.25λ以上であることが好ましい。この場合、例えば、圧電基板10のオイラー角φ,θ,ψのψが0°であると高次モードに起因するスプリアスが発生する。まず、このことを具体例に基づいて説明する。図3は、以下の条件のときの弾性表面波装置のリターンロスを示すグラフである。なお、図3において、0.236で示すグラフは、誘電体層の厚みが0.236λλ=4.3μmであるときのグラフである。0.247で示すグラフは、誘電体層の厚みが0.247λλ=4.1μmであるときのグラフである。0.260で示すグラフは、誘電体層の厚みが0.260λλ=3.9μmであるときのグラフである。0.274で示すグラフは、誘電体層の厚みが0.274λλ=3.7μmであるときのグラフである。0で示すグラフは、誘電体層の厚みが0λλ=1.87μm、すなわち、誘電体層が形成されていないときのグラフである。図3に示すグラフの条件誘電体層あり圧電基板:カット角が129°のLiNbO3基板ψ=0°IDT電極:圧電基板側から、Ti層厚み10nm、AlCu層厚み130nm、Ti層厚み10nm、Pt層厚み780nm及びNiCr層厚み10nmの積層体IDT電極のDuty:0.475誘電体層:圧電基板側から、厚み1014nmのSiO2層及び厚み40nmのSiN層の積層体誘電体層なし圧電基板:カット角が127.5°のLiNbO3基板ψ=0°IDT電極:圧電基板側から、Ti層厚み10nm、AlCu層厚み130nm、Ti層厚み10nm、Pt層厚み33nm及びNiCr層厚み10nmの積層体IDT電極のDuty:0.4図3に示すグラフより、ψが0°である場合は、誘電体層の厚みが0.2λを上回ると高次モードに起因するスプリアスが生じ、誘電体層の厚みが0.25λ以上となると高次モードに起因するスプリアスがより大きくなることが分かる。ここで、本実施形態では、圧電基板10のオイラー角φ,θ,ψのψの絶対値が0°より大きくされている。このため、厚みが0.2λ以上である誘電体層を形成したときに生じ得る高次モードに起因するスプリアスを抑制することができる。次に、この効果について、具体例に基づいて説明する。図4は、以下の条件を満たすときの、ψが0°、5°、10°、15°であるときの弾性表面波装置のインピーダンス特性を表すグラフである。図4に示すグラフの条件波長λ:1.9μm圧電基板:カット角が127.5°のLiNbO3基板IDT電極:圧電基板側から、Ti層厚み10nm、AlCu層厚み130nm、Ti層厚み10nm、Pt層厚み33nm及びNiCr層厚み10nmの積層体IDT電極のDuty:0.475誘電体層:圧電基板側から、厚み623nm0.328λのSiO2層及び厚み20nmのSiN層の積層体図4に示すグラフから、ψが0°であるときは、高次モードに起因するスプリアスが大きく現れる。ψの絶対値を0°よりも大きくすることにより、高次モードに起因するスプリアスを抑圧できることが分かる。なお、ψの絶対値を0°よりも大きくすることにより、高次モードに起因するスプリアスを抑圧できるのは、以下の理由によるものと考えられる。すなわち、図5にも示すように、伝搬角ψの絶対値を0°から大きくするにつれて、圧電基板10の速い横波の音速を遅くすることができる。不要波である高次モードの音速よりも圧電基板10の速い横波音速が遅いと、高次モードが圧電基板10の厚み方向に漏洩し、その結果、高次モードに起因するスプリアスを抑圧できる。このとき、高次モードの音速が圧電基板10の速い横波より速ければ速いほど、高次モードが圧電基板側へ漏洩する割合が大きくなり、スプリアス抑制の改善効果が顕著となる。よって、伝搬角ψの絶対値を0°から大きくするにつれて、抑圧効果も大きくなる。しかしながら、圧電基板10の伝搬角ψの絶対値が大きくなりすぎると、弾性表面波装置1の耐電力性が低下する傾向にある。このため、伝搬角ψの絶対値は、15°以下であることが好ましく、10°以下であることがより好ましい。次に、このことについて具体例に基づいて説明する。図6は、図4に示す弾性表面波装置と同じ弾性表面波装置の1750MHz~2000MHzにおけるインピーダンス特性を示すグラフである。この弾性表面波装置は、レイリー波を使用するものであり、SH波は不要波となる。図6に示すように、伝搬角ψの絶対値が大きくなると、不要波であるSH波に起因するスプリアスの周波数位置が、使用するレイリー波の共振周波数に近くなっていき、弾性表面波装置の耐電力性が悪化する傾向にある。これは以下の理由による。すなわち、フィルタ帯域には電力が印加されるが、このとき、レイリー波の共振周波数とSH波に起因するスプリアスの周波数が近いと、フィルタ帯域近傍あるいはフィルタ帯域内にスプリアスが存在することとなり、スプリアスの周波数帯域にも電力が印加されてしまう。その結果、共振子は急速に発熱して、フィルタの耐電力性が劣化する。図7は、伝搬角ψと、SH波に起因するスプリアスの周波数/レイリー波の共振周波数との関係を表すグラフである。図7に示すように、伝搬角ψの絶対値を15°以下にすることにより、SH波に起因するスプリアスの周波数/レイリー波の共振周波数を1.02以上とすることができ、10°以下とすることにより、SH波に起因するスプリアスの周波数/レイリー波の共振周波数をさらに大きくすることができる。従って、耐電力性を改善する観点からは、伝搬角ψの絶対値は、15°以下であることが好ましく、10°以下であることがより好ましい。圧電基板10のオイラー角φ,θ,ψのφ及びθは特に限定されない。θは、例えば30°~40°とすることができる。φは、0°±5°の範囲内とすることができる。なお、本発明において、オイラー角、結晶軸及び等価なオイラー角の意味は以下の通りとする。オイラー角:本発明において、基板の切断面と表面波の伝搬方向を表現するオイラー角φ,θ,ψは、文献弾性波素子技術ハンドブック日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会、第1版第1刷、平成3年1月30日発行、549頁記載の右手系オイラー角である。すなわち、例えば、LiNbO3基板の結晶軸X、Y、Zに対し、Z軸を軸としてX軸を反時計廻りにφ回転しXa軸を得る。次に、Xa軸を軸としてZ軸を反時計廻りにθ回転しZ′軸を得る。Xa軸を含み、Z′軸を法線とする面を基板の切断面とする。そして、Z′軸を軸としてXa軸を反時計廻りにψ回転した軸X′方向を表面波の伝搬方向とする。結晶軸:オイラー角の初期値として与える結晶軸X、Y、Z軸をc軸と平行とし、X軸を等価な3方向のa軸のうち任意の1つと平行とし、Y軸はX軸とZ軸を含む面の法線方向とする。等価なオイラー角:本発明におけるオイラー角φ,θ,ψは結晶学的に等価であればよい。例えば、文献日本音響学会誌36巻3号、1980年、140~145頁によれば、LiNbO3基板は三方晶系3m点群に属する結晶であるので、1式が成り立つ。Fφ,θ,ψ=F60°-φ,-θ,180°-ψ=F60°φ,-θ,ψ=Fφ,180°θ,180°-ψ=Fφ,θ,180°ψ1ここで、Fは、電気機械結合係数ks2、伝搬損失、TCF、PFA、ナチュラル一方向性などの任意の表面波特性である。PFAのナチュラル一方向性は、例えば伝搬方向を正負反転してみた場合、符号は変わるものの絶対量は等しいので実用上等価であると考える。"