少なくとも1のアリール基を含むホストポリマーとDπΑなる構造を有する非線型光学クロモフォアゲストを含む電気光学ポリマーであって、ここでDはドナーであり;πはπブリッジであり;Aはアクセプタであり;少なくとも1のアリール基がD、π、もしくはAのうちの少なくとも1つに共有的に結合されており;及び少なくとも1の該アリール基は、クロモフォアの脱配向化を阻止する、ホストポリマー分子の一部との少なくとも1の非共有的相互作用を有する、電気光学ポリマー。該非共有的相互作用がパイ相互作用、サイズ相互作用、又は予め組織化された結合相互作用である、請求項1の電気光学ポリマー。パイ相互作用が、嵩高い基における少なくとも1のパイ系と、該ホストポリマーにおける少なくとも1のパイ系を含む、請求項2の電気光学ポリマー。嵩高い基における該パイ系が、アリール、多環式アリール、ヘテロアリール、多環式ヘテロアリール基を含む、請求項3の電気光学ポリマー。該ホストポリマーにおけるパイ系が、アリール、多環式アリール、ヘテロアリール、多環式ヘテロアリール基を含む、請求項4の電気光学ポリマー。該嵩高い基におけるパイ系が、該ホストポリマーにおけるパイ系のパイ相互作用をするドナーもしくはパイ相互作用をするアクセプタと相補的であるところの、パイ相互作用をするドナーもしくはパイ相互作用をするアクセプタである、請求項5の電気光学ポリマー。該電気光学ポリマーが、ガラス転移温度を有し、及び該嵩高い置換基が、該ガラス転移温度より低い温度でのクロモフォアの脱配向化を阻止する、請求項1の電気光学ポリマー。該クロモフォアが、少なくとも2つの嵩高い基を含む、請求項1の電気光学ポリマー。1の該嵩高い基がDに結合され、及び、1の該嵩高い基がπもしくはAに結合されている、請求項8の電気光学ポリマー。該クロモフォアが120°C超の融点を有し;該ポリマーが120°C超のガラス転移温度を有し;及び電気光学コンポジットが120°C超のガラス転移温度を有する、請求項1の電気光学ポリマー。該クロモフォアの装填密度が20重量超である、請求項10の電気光学ポリマー。該クロモフォアの装填密度が約35重量超である、請求項10の電気光学ポリマー。Dが下記を含む、請求項1の電気光学ポリマー。ここで、R1は独立にアルキル、ヘテロアルキル、アリール、又はヘテロアリール基を含み;R2は互いに独立にH、アルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を含み;R3は互いに独立にハロゲン、アルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を含み;nは0~3であり、及びR1は嵩高い基を含む。該電気光学クロモフォアがπもしくはAに結合された嵩高い基をさらに含む、請求項13の電気光学ポリマー。請求項1の非線型クロモフォアを含む電気光学コンポジットであって、該コンポジットは85°C、100時間後で80超の経時安定性を有する、電気光学コンポジット。請求項1の電気光学ポリマーを含む、電気光学デバイス。該電気光学デバイスが、マッハ‐ツェンダ干渉計、マイケルソン干渉計、マイクロリング共振器、又は方向性結合器を包含する、請求項16の電気光学デバイス。配向された非線型光学クロモフォア及びホストポリマーを含む電気光学ポリマーであって、該非線型光学クロモフォアは2以上の嵩高い基で置換されており、及び該ホストポリマーは該嵩高い基と協働して該クロモフォアの脱配向化を阻止するように構成されている、電気光学ポリマー。非線型光学クロモフォアがDπΑなる構造を有し、ここでDはドナーであり;πはπブリッジであり;Aはアクセプタであり;Dは嵩高い基で置換されており;及びπは嵩高い基で置換されている、請求項18の電気光学ポリマー。該嵩高い基と該ポリマーがパイ相互作用を介して協働する、請求項19の電気光学ポリマー。該嵩高い基がアリール基を含む、請求項20の電気光学ポリマー。該アリール基が、独立に、アリール炭化水素、多環式アリール炭化水素、ヘテロアリール、又は多環式ヘテロアリールである、請求項21の電気光学ポリマー。該ホストポリマーがポリカーボネート、ポリアリーレンエーテル、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエステル、ポリアクリレート、又はこれらのコポリマーである、請求項21の電気光学ポリマー。該ホストポリマーが150°C超のTgを有し、及び、ポリスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリイミドエステル、ポリアリールエーテル、ポリメタクリル酸エステル、ポリエーテルケトン、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾビスオキサゾール、ポリアリールオキサイド、ポリエーテルイミド、ポリフルオレン、ポリアリーレンビニレン、ポリキノリン、ポリビニルカルバゾール、又はこれらのコポリマーである、請求項21の電気光学ポリマー。請求項18の電気光学ポリマーを含む電気光学デバイスであって、該電気光学デバイスは85°Cで2000時間後に5超増加しないνπを有する、電気光学デバイス。請求項18の電気光学ポリマーを含む電気光学デバイスであって、該電気光学デバイスは85°Cで2000時間後に10超増加しないνπを有する、電気光学デバイス。請求項18の電気光学ポリマーを含む電気光学デバイスであって、該電気光学デバイスは85°Cで2000時間後に15超増加しないνπを有する、電気光学デバイス。請求項18の電気光学ポリマーを含む電気光学デバイスであって、該電気光学デバイスは85°Cで2000時間後に20超増加しないνπを有する、電気光学デバイス。非線型光学クロモフォア及びホストポリマーを含む電気光学ポリマーであって、該非線型光学クロモフォアは、少なくとも1のアリール基を含む嵩高い置換基を有し、及び該ホストポリマーは該置換基のアリール基と相互作用するように選択されるアリール基を有する、電気光学ポリマー。該置換基が2又は3つのアリール基を含む、請求項29の電気光学ポリマー。該クロモフォアがDπΑなる構造及び下記構造を有する3級基を有し、ここでDはドナーであり;πはπブリッジであり;Aはアクセプタであり;Xは置換基中心であり;Ar1、Ar2及びAr3はアリール基であり;及びLはD、πもしくはΑに結合された共有リンカーである、請求項30の電気光学ポリマー。DπΑなる構造を有する非線型光学クロモフォアを含む電気化学ポリマーであって、ここでDはドナーであり;πはπブリッジであり;Aはアクセプタであり、及びD、π、もしくはAのうちの少なくとも1つは、少なくとも1のアリール基を含む嵩高い基に共有結合されており、並びに該電気光学ポリマーは、アリール基がアルキル基に置換された場合よりも、高い経時安定性を有する、電気化学ポリマー。該嵩高い基が、少なくとも2つのアリール基を含み、及び該電気光学ポリマーは、アリール基がアルキル基に置換された場合よりも、高い経時安定性を有する、請求項32の電気光学ポリマー。該嵩高い基が、少なくとも3つのアリール基を含み、及び該電気光学ポリマーは、アリール基がアルキル基に置換されたときよりも、高い経時安定性を有する、請求項33の電気光学ポリマー。非線型光学クロモフォア及びホストポリマーを含む電気光学ポリマーであって、該非線型光学クロモフォアは、少なくとも2つのアリール基を含む置換基を有し;該ホストポリマーは少なくとも2つのアリール基を含むサブユニットを含み:及び該非線型光学クロモフォアの該アリール基は、優先的に該サブユニットのアリール基と並ぶ、電気光学ポリマー。該ホストポリマーがポリスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリイミドエステル、ポリアリールエーテル、ポリメタクリル酸エステル、ポリエーテルケトン、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾビスオキサゾール、ポリアリールオキサイド、ポリエーテルイミド、ポリフルオレン、ポリアリーレンビニレン、ポリキノリン、ポリビニルカルバゾール、又はこれらのコポリマーである、請求項35の電気光学ポリマー。しかし、クロモフォアの濃度を増加するためのいくつかの技術は、経時安定性を減じる。一の実施態様は、ホストポリマーとDπΑなる構造を有する非線型光学クロモフォアゲストを含む電気光学ポリマーであって、ここでDはドナーであり;πはπブリッジであり;及びAはアクセプタであり;嵩高い置換基がD、π、もしくはAのうちの少なくとも1つに共有的に結合されており;及び該嵩高い置換基は、クロモフォアの脱配向化を阻止する、ホストポリマー分子の一部との少なくとも1の非共有的相互作用を有する、電気光学ポリマーである。一の実施態様は、配向された非線型光学クロモフォア及びホストポリマーを含む電気光学ポリマーであって、該非線型光学クロモフォアは2以上の嵩高い基で置換されており、及び該ホストポリマーは該嵩高い基と協働して該クロモフォアの脱配向を阻止するように構成されている、電気光学ポリマーである。一の実施態様は、非線型光学クロモフォアであって、DπΑなる構造を有し、ここでDはドナーであり、πはπブリッジであり、Aはアクセプタであり、及びここで、D、π、もしくはAのうちの少なくとも1つが、少なくとも3つのアリール基と直接結合された置換基中心を有する置換基に共有的に結合されている。他の実施態様は、DπΑなる構造を有する非線型光学クロモフォアゲストを含む電気光学ポリマーであって、ここでDはドナーであり、πはπブリッジであり、Aはアクセプタであり、及びD、π、もしくはAのうちの少なくとも1つは、少なくとも1つのアリール基に直接結合された置換基中心を含む置換基に共有的に結合されており、及び該電気光学ポリマーはアリール基がアルキル基に置換された場合より高い経時安定性を有する。実施態様に従い、複数のアリール基が該置換基中心に結合されていてよい。他の実施態様は、以下を含む方法である:aDπΑなる構造を有する非線型光学クロモフォアを含むポリマーを用意する工程、ここでDはドナーであり、πはπブリッジであり、Aはアクセプタであり、及びD、π、もしくはAのうちの少なくとも1つが、少なくとも1つのアリール基に直接結合された置換基中心を含む置換基に共有的に結合されている、工程;b該ポリマーを配向させて電気光学ポリマーを形成する工程であって、ここで該電気光学ポリマーはアリール基がアルキル基で置換された場合より高い経時安定性を有する。他の実施態様は、該非線型光学クロモフォア及び電気光学ポリマーを備える電気光学デバイスを包含する。以下の詳細な記載において、添付図面が参照されるが、それらは本明細書の一部である。図面において、類似の記号は、特段の記載が無い限り、典型的には類似の構成要素を特定する。詳細な説明に記載された発明を示す実施態様及び図面は、限定的であることを意味するものではない。ここに提示された手段の精神又は範囲から逸脱することなく、他の態様も使用されてよく、及び他の変更も可能である。一実施態様によれば、有機クロモフォアはアリール置換基を備える。該アリール置換基は該クロモフォアに追加の立体的嵩を付与し得、及び該クロモフォアのより高い密度を可能とする。該アリール置換基は、熱的、時間的、及び/又は他の安定性向上をも付与し得る。一実施態様は、DπΑなる構造を有する二次の非線型光学クロモフォアであり、ここでDはドナーであり、πはπブリッジであり、及びAはアクセプタであり、及びD、π、もしくはAのうちの少なくとも1つは、少なくとも2つのアリール基、好ましくは3つのアリール基に直接結合されている置換基中心を含む置換基に共有的に結合されている。ドナー、πブリッジ及びアクセプタ等の用語の意味及びDπΑクロモフォアの一般的合成方法は、当業界で公知であり、例えば米国特許第6716995号明細書を参照されたく、該明細書は引用により本明細書に包含される。ドナー化学構造D又はDn、ここでnは整数、で表されるは、低い酸化ポテンシャルを有する原子又は一群の原子を含み、ここで該原子又は一群の原子はアクセプタAにπブリッジを介して電子を供与する。該ドナーDは、アクセプタAよりも低い電子親和性を有するので、少なくとも外部電界が無い状態では、該クロモフォアは一般に分極されており、ドナーD上はより低い電子密度を有する。典型的には、ドナー基は該ヘテロ原子に直接結合されている原子のp-軌道と共役することができる孤立電子対を有する少なくとも1のヘテロ原子を含み、該孤立電子対を、該ヘテロ原子に直接結合された原子のp-軌道へと動かして結合させ、該ヘテロ原子と該ヘテロ原子に直接結合された原子の多重度を形式的に増加し即ち、単結合が形式的に二重結合へ、二重結合が形式的に三重結合へと転換される、該ヘテロ原子が形式的に正の電荷を帯びるような共役構造を採ることができる。該ヘテロ原子に直接結合された原子のp-軌道は、空であるか、又は、該ヘテロ原子以外の他の原子との多重結合の一部であってよい。該ヘテロ原子は、パイ結合を有する原子の置換基であってよく、又はヘテロ環中にあってもよい。ドナー基の非限定的な例は、R2N、及びRnX1であり、ここでRはアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、X1はO、S、P、Se、もしくはTeであり、及びnは1もしくは2である。ドナー基中の炭素とヘテロ原子の合計数は、約30であり、該ドナー基はアルキル、アリール又はヘテロアリールでさらに置換されていてよい。用語ドナー及びアクセプタは当業界において周知であり、理解されている。例えば、米国特許第5670091号、5679763号、及び6090332号を参照されたい。アクセプタ化学構造A又はAn、ここでnは整数、で表されるは、低い還元ポテンシャルを有する原子又は一群の原子であり、該原子又は一群の原子は、ドナーからπブリッジを介して電子を受容することができる。該アクセプタAはドナーDより高い電子親和性を有するので、少なくとも外部電界が無い状態では、該クロモフォアは一般に分極されており、ドナーD上よりも高い電子密度を有する。典型的には、アクセプタ基はパイ結合二重結合又は三重結合の一部である電気陰性のヘテロ原子を少なくとも1つ含み、パイ結合の孤立電子対を、該ヘテロ原子へと動かし、及びそれに付随してパイ結合の多重度を減じ即ち、二重結合が形式的に単結合へ、三重結合が形式的に二重結合へと転換される、該ヘテロ原子が形式的に負の電荷を帯びるような共役構造を採ることができる。該ヘテロ原子はヘテロ環の一部であってよい。アクセプタの非限定的な例は、NO2、CN、CHO、COR、CO2R、PO3、SOR、SO2R、及びSO3Rであり、ここでRはアルキル、アリール又はヘテロアリールである。アクセプタ基中の炭素とヘテロ原子の合計数は、約30であり、該アクセプタ基はアルキル、アリール又はヘテロアリールでさらに置換されていてよい。用語ドナー及びアクセプタは当業界において周知であり、理解されている。例えば、米国特許第5670091号、5679763号、及び6090332号を参照されたい。πブリッジ又は電子的共役ブリッジ化学構造π又はπn、ここでnは整数、で表されるは原子又は一群の原子を含み、それを介して電子が上で定義した電子供与ドナーから上で定義した電子受容アクセプタへと、該ブリッジ内の軌道を通して非局在化される。このような基は当業界で周知である。典型的には、該軌道は、アルケン、アルキン、中性もしくは荷電芳香族環、及び中性もちくは荷電ヘテロ環系等に見られる炭素二重sp2又は三重sp軌道上のp-軌道である。加えて、該軌道はホウ素又は窒素等の原子上のp-軌道であってよい。さらに、該軌道は、有機金属もしくはハイブリッド有機金属のp、d、もしくはf軌道であってもよい。それを通して電子が非局在化されるところの軌道を含む該ブリッジの原子は、本発明において臨界原子criticalatomsと呼ばれる。該ブリッジ中の臨界原子の数は1~約30であってよい。該臨界原子は有機もしくは無機基により置換されていてよい。該置換基は、クロモフォアのポリマーマトリックスへの溶解度を向上する観点から、該クロモフォアの安定性を高める観点から、もしくは他の目的から選ばれる。該置換基又は複数の置換基のいずれかのものは、単結合、単一原子、ヘテロ原子、金属原子例えば有機金属、脂肪族鎖、アリール環、官能基、もしくはこれらの組み合わせを含む、種々の結合を介してD、π及びAのうちの1又は2以上に共有的に結合されていてよい。該置換基中心は、複数の原子例えばアリールもしくは脂肪族環を有してよく、単一原子例えば炭素、ケイ素、もしくは金属原子又はこれらの組み合わせ例えば1のアリール基が環系の1の原子に結合され及び他の2つのアリール基が該環系の他の原子に結合されているであってよい。例えば、いくつかの実施態様において、該置換基中心には、炭素原子、ヘテロ原子、もしくは金属原子が包含される。他の実施態様では、該置換基中心は炭素原子、ケイ素原子、スズ原子、硫黄原子、窒素原子もしくはリン原子である。1の実施態様において、該置換基中心は3、4、5もしくは6員環、例えばベンゼン環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、イミダゾール環、ピロール環、チアゾール環、オキサゾール環、ピラゾール環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、又はトリアゾール環である。該置換基中心に結合されたアリール基は、アルキル基、ヘテロ原子、アリール基、もしくはこれらの組み合わせによってさらに置換されていてよい。例えば、いくつかの実施態様において、アリール基は、各々独立に、フェニル環、ナフチル環、ビフェニル基、ピリジル環、ビピリジル基、チオフェン基、フラン基、イミダゾール基、ピロール基、チアゾール基、オキサゾール基、ピラゾール基、イソチアゾール基、イソオキサゾール基、トリアゾール基、もしくはアントラセニル基を含む。一実施態様において、該置換基は下記構造を含み:ここで、Xは置換基中心であり、Ar1、Ar2及びAr3はアリール基であり;LはD、π、又はAに結合された共有リンカーである。種々の実施態様において、XはC、Si、N、B、Sn、S、S、SO2、P、P、もしくは任意の種類の芳香族環である。いくつかの実施態様において、Ar1、Ar2及びAr3は、各々独立に、置換もしくは非置換のフェニル環、置換もしくは非置換のベンジル環、置換もしくは非置換のナフチル環、置換もしくは非置換のビフェニル環、置換もしくは非置換のピリジル環、置換もしくは非置換のビピリジル環、置換もしくは非置換のチオフェン環、置換もしくは非置換のベンゾチオフェン環、置換もしくは非置換のイミダゾール環、置換もしくは非置換のチアゾール環、置換もしくは非置換のチエノチオフェン環、置換もしくは非置換のキノリン環、又は置換もしくは非置換のアントラセニル環を含む。いくつかの実施態様において、Lは下記構造を含み:ここで、R1は互いに独立に、H、アリール基もしくはハロゲンであり;Y1はC2、O、S、N、NC、C2、C6H6、OC6H6、もしくはチオフェニルであり;nは0~6であり;及びmは1~3である。これらの非線型光学クロモフォアを備える電気光学ポリマーは、高い電気光学係数を示し得る。経時安定性はアルキル基によってアリール基が置換されているクロモフォアを備える電気光学ポリマーに比べて顕著に高くなり、アリール基はクロモフォア中の嵩高い基とポリマー上のアリール基の間のπパイ‐πパイ相互作用本発明においてパイ相互作用とも呼ばれるを有する。本明細書において、記号πは、クロモフォアの共役πブリッジというよりも、広く、当業界で知られているような直鎖もしくは環状の1又は2以上の多重結合の系を指す。アリール基は、アルキル基より立体的に大きい場合がある。クロモフォアの単数もしくは複数の嵩高いアリール基とポリマーのアリール基の間のパイ相互作用は、パイ相互作用を高めるアリール基の立体的に相補的な配置により高められる例えば、クロモフォアの嵩高い基の中の置換基中心の周囲に四面体状に配置されたアリール基は、ポリマー骨格中の炭素の周囲に四面体状に配置されたアリール基と、より効率的に好ましくパイ相互作用例えば積み重ねする。ドナー、アクセプタ及びπブリッジ部は、L基に共役結合されていてよい官能基を備えていてよい。実施態様に従い、Dは下記のうちの1つを含み:πは以下のうちの1つを含み:及び、Aは下記のうちの1つを含み:ここでR1は、互いに独立に、H、アルキルもしくはアルコキシ基のような脂肪族基、又はアリール基である。R2は、互いに独立に、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、もしくは置換もしくは非置換のアリール基である;Zは単結合、CHCH、C≡C、NNもしくはNCHである;Y2は互いに独立にCH2、O、S、N、Si、S、S02、CHもしくはC2である;R3は互いに独立に、シアノ基、ニトロ基、エステル基、もしくはハロゲンである;及びR1、R2、もしくはR3の少なくとも1つは置換基を備え、mは1~6であり、及びnは1~4である。別の実施態様では、Dは以下のいずれかの構造を有し、式中、Xは置換基中心であり、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、およびAr6はアリール基であり、Ar7は共役芳香族基であり、DのR1は互いに独立してH、アルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、またはヘテロアリール基であり、pは2~6であり、lは0~2であり、mは1~3であり、nは1~3であり、πは以下のいずれかの構造を有し、ここで、πのR1は独立にを含むか、またはH、アルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、もしくはヘテロアリール基であり、Lは共有結合リンカーであり、zは12ビニレン、14フェニレン、または25チオフェニレンであり、Y2はS、OまたはSiR22であり、ここで、R2は脂肪族基であり、mは1~3である。いくつかの実施態様では、XはCまたはSiである。別の実施態様では、πはを含み、Aはであり、ここで、R1は互いに独立してH、アルキル基、またはハロゲンであり、Zは単結合またはCHCHであり、Y2はO、S、C2であり、R2は互いに独立してアルキル基またはアリール基であり、m1~3である。いくつかの実施態様では、非線型光学クロモフォアは図1に示す構造のいずれかを含み、ここで、X、R1、およびR2は上記に記載したとおりであり得る。別の実施態様では、Aは以下の構造を有し、式中、R2は、互いに独立して、H、分枝状もしくは非分枝状のアルキルもしくはアルコキシ基のような脂肪族基、または置換もしくは非置換アリール基である。R3は、互いに独立して、シアノ、CF3、ニトロ基、エステル基、ハロゲン、または置換もしくは非置換アリール基であり、Y2はCH2、O、S、N、Si2、またはC2である。別の実施態様では、πのR1の少なくとも1つがを含む。一実施態様によれば、非線型光学クロモフォアはDπΑなる構造を有し、ここで、Dはドナーであり、πはπブリッジであり、Aはアクセプタであり、D、π、またはAのうちの少なくとも1つが、以下のものの少なくとも1つを含む置換基に共有結合しており、ここで、XはCまたはSiであり、Y1はC2、O、S、N、NC、C2であり、Y3はNまたはPであり、Ar1、Ar2、およびAr3はアリール基である。アリール基、D、π、およびAは、例えば上記に記載したとおりであり得る。他の実施態様は、上記に記載した非線型光学クロモフォアの1つ以上を含む、電気光学コンポジットおよびポリマーを含む。典型的には、ポリマーは電場により配向され電気光学活性を誘発する。自己組織化または光誘起配向のようなその他の技術を使用することもできる。非線型光学クロモフォアはポリマーマトリックスに共有結合されていてもよく例えば側鎖ポリマーまたは架橋ポリマーのように、あるいはポリマーマトリックスホスト中のゲストとして存在していてもよい例えばコンポジット材料。非線型クロモフォアはまた、ポリマーマトリックス中のゲストとして存在して、それから配向の前、途中、または後にマトリックスに共有結合もしくは架橋されてもよい。マトリックスとして使用できるポリマーとしては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリーレンエーテル、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエステル、ポリアクリレート、およびこれらのコポリマーが含まれる。いくつかの実施態様では、クロモフォア上の嵩高い基が、ポリマーホストとクロモフォアゲストとの間の物理的相互作用を変化させることによってTgを変化させ電気光学EOポリマーの光損失を低下させるために使用される。本発明者らは、クロモフォア上の隔離性例えば嵩高い基の特定の化学構造を選択することにより、ホストポリマーとゲスト分子との間の物理的相互作用を増加させ得ることを発見した。物理的相互作用は、例えば、パイ‐パイ相互作用、Tgより有意に低い温度においてはクロモフォアの動きを妨害するサイズ相互作用例えば、Tgにおいてポリマーコンポジット中に十分な自由体積がなくて、嵩高い基のひいてはクロモフォアの併進運動一般的にこれがクロモフォアの緩和のために必要とされるができない状態、および、嵩高い基がポリマー中の立体配座的に定まった空間に優先的に収まる、予め組織化された結合相互作用、またはこれらのあらゆる組合せを含み得る。いくつかの実施態様では、物理的相互作用は、嵩高い基のモイエティ部分およびポリマー鎖上のアリール基間のファンデルワールス力例えばケーソム、デバイ、またはロンドン力により制御または補足される。このような非共有結合的相互作用は、Tgより低い温度における経時安定性を増加させ、光損失を減少させる一方で、クロモフォアの装填密度を向上させ、配向により誘導される整列化の度合いに対する架橋の有害作用を回避し得る。パイ‐パイ相互作用は当該技術分野において知られており、例えば1つのパイ系ともう1つのパイ系例えば芳香族、複素芳香族、アルケン、アルキン、またはカルボニル官能基、部分的に帯電した原子もしくは原子団例えば、極性結合におけるH、F、または完全に帯電した原子もしくは原子団例えばNR3、BR3との間の相互作用を含み得る。パイ‐パイ相互作用は、ポリマーホストに対するクロモフォアゲストの親和性を増加させ、クロモフォア運動クロモフォアの緩和および脱配向のためにはこれが一般的に必要とされるに対するエネルギー障壁を増加させ得る。いくつかの実施態様では、パイ相互作用は、例えばポリマー鎖間の相互作用を増加させることによりポリマーのTgを上昇させること、または例えばポリマーホストとクロモフォアゲストとの間の相互作用を増加させることによりポリマーコンポジットのTgを上昇させることに使用され得る。いくつかの実施態様では、嵩高い基のパイ相互作用が、当該嵩高い基上のパイ相互作用性モイエティを、パイ相互作用を有しないかまたはパイ相互作用が弱いモイエティに置き換えた場合と比べてポリマーコンポジットのTgを上昇させる。いくつかの実施態様では、クロモフォア上のパイ相互作用基は、ポリマー鎖上のパイ相互作用基と優先的に相互作用するように選択される。そのような優先的な相互作用としては、例えば、嵩高い基上のパイ相互作用ドナー/アクセプタと、ポリマー鎖の相補的なパイ相互作用アクセプタ/ドナー、あるいは、クロモフォア上およびポリマー鎖上のパイ相互作用基間の空間的な面対面および/または縁対面相互作用、あるいはこれらのあらゆる組合せが含まれ得る。いくつかの実施態様では、クロモフォアの嵩高い基上の1つもしくは複数のモイエティと、ポリマー鎖上の複数もしくは1つのモイエティとの間の面対面および面対縁相互作用のような、複数の相互作用が、相互作用強度および経時安定性を上昇させ得る。クロモフォア上の嵩高いアリール基とポリマー上のアリール基との間のパイ相互作用は、そのパイ相互作用を増強させるアリール基の相補的な幾何学的配置により、増強され得る例えば、クロモフォアの嵩高い基における置換基中心の周りに四面体的に配置されたアリール基は、ポリマー骨格における炭素原子の周りに四面体的に配置されたアリール基と、より効率的に優先的パイ相互作用例えば積み重なりをすることができ、このことは平面図図14Aおよびx軸沿いに90°回転させた角度からの側面図図14B、部分的なパイ相互作用が示されているにより示されている。他の実施態様では、ポリマーは、その鎖がクロモフォア上のパイ相互作用基との面対面図15Aまたは面対縁図15B相互作用を好む一定の立体配座およびパイ相互作用基の空間的分布例えば事前組織化をとるという理由に基づいて選択され得る。いくつかの実施態様は、ポリマー上およびクロモフォア上のパイ相互作用基間で、複数の面対面相互作用たとえば図15C、または面対面および面対縁パイ相互作用の組合せ例えば図15Dを有し得る。他の実施態様では、パイ相互作用ドナーは電子豊富なp系または軌道を通常は有し、パイ相互作用アクセプタは電子に乏しいp系または軌道を通常は有する。いくつかの実施態様では、クロモフォア上の嵩高い基が、ポリマー鎖上のパイ相互作用アクセプタまたはパイ相互作用ドナーと相補的なパイ相互作用ドナーまたはパイ相互作用アクセプタを有する。いくつかの実施態様では、そのようなパイ相互作用アクセプタとして、例えば、ピリジン、ピラジン、オキサジアゾール等のような複素環が含まれ、パイ相互作用ドナーとして、例えば、チオフェン、フラン、カルバゾール等のような複素環が含まれ得る。パイ相互作用ドナー/アクセプタはまた、電子供与性/求引性置換基由来の、電子豊富な/電子に乏しいアリール基を含み得る。いくつかの実施態様では、嵩高い基は、ポリマー鎖上のパイ相互作用ドナーと相補的な少なくとも1つのパイ相互作用アクセプタを含む。いくつかの実施態様では、嵩高い基は、ポリマー鎖上のパイ相互作用アクセプタと相補的な少なくとも1つのパイ相互作用ドナーを含む。いくつかの実施態様では、嵩高い基のサイズが、コンポジットのTgより有意に例えば20°C低い温度ではポリマー自由体積におけるクロモフォアの併進運動/脱配向を妨げる。いくつかの実施態様では、嵩高い基は実質的に三次元的である例えば、嵩高い基が、置換基中心原子の周りに嵩形成モイエティを実質的に平面的または直線的な配置で有するのではなく、置換基中心原子の周りに四面体的または三方両錐形的に配置された嵩形成モイエティを有する。そのような三次元性は、平面的または直線的な嵩高い基の場合と比較して、嵩高い基が、そしてひいてはクロモフォアが、自由体積を通じて併進運動する可能性を低下させ得る。嵩形成基は、例えば、5つ以上の炭素原子を有する有機モイエティを独立して含み得る。いくつかの実施態様では、嵩形成基は、環のような立体配座的に硬直された構造を独立して含み得る。環は脂肪族、芳香族、またはそれらのあらゆる組合せであり得る。いくつかの実施態様では、嵩形成基は、アリール基芳香族、多環芳香族、置換芳香族、複素芳香族、多環複素芳香族、および置換複素芳香族を独立して含み得る。他の実施態様では、嵩高い基は、ポリマーの立体配座的/空間的に定まった領域例えばポケットに優先的に収まる。そのような領域は、嵩高い基との相互作用のために予め組織化されているということができる。そのような事前組織化は、ポリマー骨格が予め定められた立体配座をとること、または、ポリマーの基例えばペンダント基が予め定められた立体配座をとることによりもたらされ得る。いくつかの実施態様では、ポリマーの予め組織化された領域は、嵩高い基上の相補的なモイエティと優先的に相互作用するよう空間的に配置された、パイ相互作用基、パイ相互作用原子、形状相互作用基、H結合基、等を有し得る。ポリマー上の予め組織化された領域と嵩高い基の相互作用は、上記で記述したいずれかの相互作用またはそれらのあらゆる複数の組合せを含み得る。いくつかの実施態様では、事前組織化は、安定化相互作用のみの場合と比較して、追加的な安定性を提供する。例えば、予め組織化されたポケットの一部分が嵩高い基上のパイ相互作用モイエティとパイ相互作用し、予め組織化されたポケットの別の部分が該嵩高い基の同一のまたは異なるモイエティとファンデルワールス力により相互作用し得る。他の実施態様では、クロモフォアは2つ以上の嵩高い基を含み得る。いくつかの実施態様では、クロモフォアは、ドナー上に少なくとも1つの嵩高い基を有し、pブリッジまたはアクセプタ上に少なくとも1つの嵩高い基を有する。クロモフォアの異なる部分に2つ以上の嵩高い基があることは、ポリマー骨格との相互作用を増加させ、併進運動および脱配向をより困難にさせ得る。一実施態様は、配向された非線型光学クロモフォアおよびホストポリマーを含み、ここで、非線型光学クロモフォアは2つ以上の嵩高い基により置換されており、ホストポリマーは、嵩高い基と協働してクロモフォア脱配向を妨げるように構成されている。いくつかの実施態様では、非線型光学クロモフォアは、DπΑなる構造を有し、Dは嵩高い基により置換されており、πは嵩高い基により置換されている。別の実施態様では、嵩高い基とポリマーとがパイ相互作用を介して協働する。別の実施態様では、嵩高い基はアリール基を含む。いくつかの実施態様では、アリール基は、独立に、アリール炭化水素、アリール多環炭化水素、ヘテロアリール、または多環ヘテロアリールである。いくつかの実施態様では、ホストポリマーは、ポリカーボネート、ポリアリーレンエーテル、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエステル、ポリアクリレート、またはそれらのあらゆるコポリマーであり得る。いくつかの実施態様では、ホストポリマーは150°Cより高いTgを有し、ポリスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリイミドエステル、ポリアリールエーテル、ポリメタクリル酸エステル、ポリエーテルケトン、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾビスオキサゾール、ポリアリールオキシド、ポリエーテルイミド、ポリフルオレン、ポリアリーレンビニレン、ポリキノリン、ポリビニルカルバゾール、またはこれらのあらゆるコポリマーであり得る。別の実施態様は、本明細書に記載されるポリマーのいずれかを含む電気光学デバイスであり、ここで、デバイスのVπは85°Cで2000時間後において作動可能である。いくつかの実施態様では、電気光学デバイスは、85°Cで2000時間後に5を超えて増加しないVπを有する。いくつかの実施態様では、電気光学デバイスは、85°Cで2000時間後に10を超えて増加しないVπを有する。いくつかの実施態様では、電気光学デバイスは、85°Cで2000時間後に15を超えて増加しないVπを有する。いくつかの実施態様では、電気光学デバイスは、85°Cで2000時間後に20を超えて増加しないVπを有する。いくつかの実施態様では、電気光学ポリマーは、非線型光学クロモフォアおよびホストポリマーを含み、ここで、非線型光学クロモフォアは、少なくとも1つのアリール基を含む嵩高い置換基を有し、ホストポリマーは、上記置換基のアリール基と相互作用するよう選択されたアリール基を有する。いくつかの実施態様では、置換基は2つまたは3つのアリール基を有する。いくつかの実施態様では、クロモフォアはDπΑなる構造を有し、トリアリール基は以下の構造を有し、ここで、Dはドナーであり、πはπブリッジであり、Aはアクセプタであり、Xは置換基中心であり、Ar1、Ar2、およびAr3はアリール基であり、Lは、D、π、またはAに連結された共有結合リンカーである。別の実施態様では、電気光学ポリマーは、DπΑなる構造を有する非線型光学クロモフォアを含み、ここで、Dはドナーであり、πはπブリッジであり、Aはアクセプタであり、D、π、またはAのうちの少なくとも1つが、少なくとも1つのアリール基を含む嵩高い基に共有結合しており、該電気光学ポリマーは、上記アリール基をアルキル基で置き換えた場合と比べて、より高い経時安定性を有する。いくつかの実施態様では、嵩高い基は少なくとも2つのアリール基を含み、該電気光学ポリマーは、上記アリール基をアルキル基で置き換えた場合と比べて、より高い経時安定性を有する。別の実施態様では、嵩高い基は少なくとも3つのアリール基を含み、該電気光学ポリマーは、上記アリール基をアルキル基で置き換えた場合と比べて、より高い経時安定性を有する。別の実施態様では、電気光学ポリマーは非線型光学クロモフォアおよびホストポリマーを含み、ここで、非線型光学クロモフォアは、少なくとも2つのアリール基を含む置換基を有し、ホストポリマーは、少なくとも2つのアリール基を含むサブユニットを含み、非線型光学クロモフォアのアリール基は、上記サブユニットのアリール基と優先的に並ぶ例えば、図14に示す整列化。いくつかの実施態様では、ホストポリマーはポリスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリイミドエステル、ポリアリールエーテル、ポリメタクリル酸エステル、ポリエーテルケトン、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾビスオキサゾール、ポリアリールオキシド、ポリエーテルイミド、ポリフルオレン、ポリアリーレンビニレン、ポリキノリン、ポリビニルカルバゾール、またはこれらのあらゆるコポリマーである。嵩高い基を有するクロモフォアを様々なホストポリマーと共に含むコンポジットの適合性および安定性EO特性を含むを研究した。優れた適合性によって低い光損失が達成され、そのことは明確な単一Tg転移によっても証明される。様々なホストポリマーを用いてEO係数を調べ、それらの経時安定性を異なる温度にて観察する。一方で、これらEOコンポジットから変調器モジュレーターを作成し、それらの安定性をさらに確認する。いくつかの実施態様は、嵩高い基を含むクロモフォア構造を有する。そのようなクロモフォアはホストポリマーと優れた適合性を示し、高いガラス転移温度をもたらす。2つのクロモフォアの例を図1~4に示す。これらのクロモフォアを、異なるガラス転移温度を有する様々なホストポリマーと共に使用して、ゲスト‐ホスト系を研究した。図6における28、29、および30のようなホストポリマーは、低Tgから高Tgまでのポリカーボネートファミリーに属する。いくつかの実施態様では、ホストポリマーの高いTgは、同じクロモフォアを有するEOコンポジットに、より高いTgをもたらす。いくつかの実施態様によれば、120°Cより高いガラス転移温度を有するホストポリマーを使用することにより、高いTg>120°Cを有するEOコンポジットを作成することができる。他の実施態様では、>120°Cのガラス転移温度を有するホストポリマーおよび>120°Cの融点またはTgを有するクロモフォアを使用することにより、高いTg>120°Cを有するEOコンポジットを作成することができる。例えば、クロモフォア23b図4を28Tg286°Cに含むEOコンポジットは、167°CのコンポジットTgを有する。同様に、23bクロモフォアをホストポリマー29Tg165°C中に含むEOコンポジットは、193°CのコンポジットTgを有するという結果が示された。どちらの系も、最高使用温度85°Cの長期適用において改善された安定性を示した。クロモフォア23aは同様に改善された安定性を有する下記表1および2。別の実施態様では、電気光学コンポジットは、ホストポリマー中に重量にして35超のクロモフォアの装填を含み、コンポジットのTgはクロモフォア自体の融点またはTgよりも高い。いくつかの実施態様では、クロモフォアの装填は重量にして少なくとも45であり、コンポジットのTgは150°Cより高い。別の実施態様では、ホストポリマーは、クロモフォアと混合すると高Tgの非晶質コンポジットを形成する、低Tgの半結晶性ポリマーであり得る。いくつかの実施態様では、クロモフォア上の嵩高い基と半結晶性ホストポリマーのモイエティとの間の非共有結合的相互作用が、非晶質コンポジットのTgを上昇させる。いくつかの実施態様によれば、150°Cより高いTgを有する他のホストポリマーを、嵩高い基を有するクロモフォアと組み合わせて使用して、高Tgを有し、従って短期間および/または長期間にわたって高温安定性を有するコンポジットEO材料を製造することができる。例示的な高Tgホストポリマーは、以下のポリマー系および/またはそれらの組合せから形成し得る:ポリスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリイミドエステル、ポリアリールエーテル、ポリメタクリル酸エステル、ポリエーテルケトン、ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾビスオキサゾール、ポリアリールオキシド、ポリエーテルイミド、ポリフルオレン、ポリアリーレンビニレン、ポリキノリン、ポリビニルカルバゾール、およびこれらのコポリマー。一実施態様によれば、電気光学ポリマーは、DπΑなる構造を有する非線型光学クロモフォアを含み、ここで、Dはドナーであり、πはπブリッジであり、Aはアクセプタであり、D、π、またはAのうちの少なくとも1つが、アリール基と直接結合した置換基中心Xを含む置換基に共有結合しており、該電気光学ポリマーは、上記アリール基をアルキル基で置き換えた場合と比べて、より高い経時安定性を有する。電気光学ポリマーは、側鎖型、架橋型、デンドリマー型、またはコンポジット型材料であり得る。一実施態様によれば、置換基中心Xは少なくとも3つのアリール基に結合しており、該電気光学ポリマーは、上記アリール基をアルキル基で置き換えた場合と比べて、より高い経時安定性を有する。一実施態様によれば、電気光学コンポジットは、85°Cで100時間後に80を超える経時安定性を有する。他の実施態様は、電気光学コンポジットを作るための様々な方法、およびそれらに由来するデバイスを含み、ここで、この電気光学コンポジットは、上記に記載したクロモフォアを含む。一実施態様によれば、一方法は、aDπΑなる構造を有する非線型光学クロモフォアを含むポリマーを提供する工程であって、Dはドナーであり、πはπブリッジであり、Aはアクセプタであり、D、π、またはAのうちの少なくとも1つが、アリール基と直接結合した置換基中心を含む置換基に共有結合している工程、およびb上記ポリマーを配向して電気光学ポリマーを形成する工程であって、該電気光学ポリマーは、上記アリール基をアルキル基で置き換えた場合と比べて、より高い経時安定性を有する工程を含む。典型的には、アリール基はアルキル基よりも立体的に大きい。典型的には、ポリマーは、例えばスピン堆積、浸漬コーティング、またはスクリーン印刷により、フィルムとして提供し得る。この薄いフィルムは、例えばドライエッチング、レーザー焼灼、および光化学的退色により、デバイス構造に改変することもできる。あるいは、ポリマーは、例えばポリマー融解物を型入れ加工または加熱エンボス加工することにより提供され得る。配向は、例えば、コンタクトポーリングまたはコロナポーリングを含み得る。別の方法実施態様では、置換基中心が少なくとも3つのアリール基に結合しているか、または少なくとも3つのアリール基により置換されており、該電気光学ポリマーは、上記アリール基を独立にアルキル基で置き換えた場合と比べて、より高い経時安定性を有する。いくつかの実施態様では、ポリマーはコンポジットである。いくつかの方法実施態様では、アリール基はアルキル基よりも立体的に大きい。別の方法実施態様では、ポリマーはあるTgを有し、このポリマーのTgは、上記アリール基をアルキル基で置き換えた場合と比べて約5°C以内であり、このポリマーの経時安定性は、上記アリール基をアルキル基で置き換えた場合と比べてより高い。別の実施態様は、下記ドナー24、図5を含む非線型光学クロモフォアを含む電気光学ポリマーであり、ここで、R1は、独立して、アルキル、ヘテロアルキル、アリール、またはヘテロアリール基を含み、R2は、互いに独立して、H、アルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、またはヘテロアリール基を含み、R3は、互いに独立して、ハロゲン、アルキル基、ヘテロアルキル基、アリール基、またはヘテロアリール基を含み、nは0~3である。この実施態様によるクロモフォアは、例えば、図5に示す一般的スキーム25~27に従って調製することができる。この実施態様によるクロモフォアは、強い供与性基のために優れた非線型性を有し、R1位置において多くの官能基により誘導体化することができる。一実施態様では、R1はポリマーホストと相互作用する嵩高い基を含み、πブリッジはポリマーホストと相互作用する嵩高い基を含む。他の実施態様は、上記に記載した非線型光学クロモフォア、電気光学コンポジット、および電気光学ポリマーを含む電気光学デバイスである。デバイスは、平板導波路、独立した薄フィルム、シングルおよびマルチ‐モード光導波路、ならびに受動的な他のポリマー例えば、アクリレートのような被覆ポリマーを含み得る。デバイスはまた、上記クロモフォアのいずれかおよび/または他の非線型光学クロモフォアの組合せを有するポリマーを有し得る。さらに、特定のデバイスは、上記クロモフォアのいずれかを含む2つ以上の異なるコンポジットおよび/またはポリマーを有し得る例えば、1つのクロモフォアを有しており屈折率が比較的高い電気光学導波路コアポリマー、および、同じクロモフォアをより低濃度で有するかまたは異なるクロモフォアを有することにより被覆の屈折率がより低くなっている被覆ポリマー。いくつかの実施態様では、電気光学デバイスは、マッハツェンダー干渉計、マイケルソン干渉計、マイクロリング共振器、または方向性結合器を包含する。[実施例]下記の合成例は、図2に関連する。化合物2:氷浴中の化合物1のジオキサン溶液に、tBuOKとメチルチオグリコラートとを加えた。反応物を80°Cに2時間加熱し、その後120°Cに30分間加熱した。その後、ジオキサンのほとんどは、蒸留により除去した。1ブロモブタンとDMSOとを加えた。反応物を150°Cに2時間加熱した。反応物を室温まで冷却した後、氷水中の酢酸を用いて、反応物を酸性化した。生成物をジクロロメタンで抽出した。ジクロロメタン層を分離し、MgS04で乾燥させ、ろ過し、溶媒を蒸発させて粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、107グラムの液状生成物2を得た。化合物3:化合物2を窒素雰囲気下において乾燥エーテル中に溶解させた。フラスコをドライアイスアセトン冷却浴にて冷却した。LiAlH4を加えた。冷却浴を取り除き、反応物の温度を室温まで上げ、反応物を6時間室温に維持した。フラスコを氷浴中で冷却した。メタノールを滴下により加え、反応を停止させた。ブラインを加えた。有機層を分離した。水層をエーテルで抽出した。一緒に合わせた有機層をMgS04で乾燥させ、漏斗中に充填されたシリカゲルを用いてろ過した。溶媒を蒸発させた後、化合物3を465グラムで得た。化合物4:化合物3をクロロホルム中に溶解させた。フラスコを氷浴中で冷却させながら、トリフェニルホスフィン臭化水素酸塩を加えた。反応物を0°Cで30分間攪拌した後、室温で14時間攪拌し、その後3時間還流させた。反応混合物をエーテル中で2回沈殿させ、893gの生成物4を得た。化合物6:化合物4と化合物5とを窒素雰囲気下において乾燥THF中に混合し、氷浴中で冷却した。tBuOK1MのTHF15ml溶液は、ニードルを用いて混合物中に滴下した。反応物を室温で一晩攪拌し、水を用いて反応を停止させた。混合物は、酢酸を用いて中和した。生成物を塩化メチレンで抽出し、フラッシュカラムでヘキサン塩化メチレン混合液を用いて精製し、310グラムの化合物6を得た。化合物7:化合物6を窒素雰囲気下において乾燥THF中に溶解させた。nBuLiを78°Cにてニードルを用いて滴下することにより加えた。反応物を70分間30°Cに維持した。その後、DMFを78°Cにてニードルを用いて加えた。45分後、反応を氷水で終了させた。生成物を塩化メチレンで抽出し、MgS04で乾燥させ、溶媒を蒸発させ、フラッシュカラムにより精製して、化合物7を得た。化合物9:化合物7と化合物8とを窒素雰囲気下において10mlのエタノールおよび5mlの乾燥THF中に混合した。混合物を45°Cに加熱した。反応はTLCによりモニターした。化合物7が反応混合物から消失した時、溶媒を回転式エバポレーターで蒸発させた。残留物をフラッシュカラムにより精製し、塩化メチレン溶液をメタノールで処理して沈殿させ、103グラムの化合物9を黒色粉末として得た。米国特許第7078542号は参照により本明細書に組み込まれる。化合物10:全量569グラムの化合物9を窒素雰囲気下においてTHF中に溶解させた。5mlの2NHClを加えた。反応物を室温で攪拌し、反応をTLCでモニターした。化合物9が反応混合物から消失した時、塩化メチレンおよびブラインを加えた。混合物を飽和炭酸水素ナトリウム溶液で中和した。有機層を分離し、MgS04で乾燥させ、溶媒を蒸発させ、引き続いてフラッシュカラムにより精製して、569gの化合物10を得た。化合物11:化合物10を塩化メチレンと混合した。フラスコを氷浴中で冷却した。トリフェニルクロロシランとイミダゾールとを連続して加えた。反応物を攪拌し、反応をTLCでモニターした。30分後、化合物10は反応混合物から消失した。塩をろ過により除去した。生成物をフラッシュカラムにより精製し、塩化メチレン溶液をメタノールで処理して沈殿させ、410グラムの化合物11を得た。他のクロモフォアは、同様の反応および他の出発物質を用いて調製された。例えば、XCである場合には、塩化トリチルが、化合物11を得るための反応に類似した反応において用いられ得る。APCジフェノールカルボナート、米国特許第6750603号を参照中30wtの化合物11は、r3381pmVという非常に良好なEO活性、および85°Cで20時間後において92保持という非常に良好な経時安定性を示した。マッハツェンダMachZehnderモジュレータを用いた経時安定性試験では、85°Cで100時間後においてνπが95超の保持率を示した。下記の合成例は、図3に関連する。化合物13:化合物12を70mLのTHF中に溶解させ、1NHCl溶液を加えた。反応物を室温で2時間攪拌した。混合物をCH2Cl2で抽出し、NaHCO3溶液および水で洗浄し、MgSO4で乾燥させた。減圧下溶媒を蒸発させた後、生成物をカラムクロマトグラフィーで溶出溶媒としてCH2Cl2MeOHを用いて精製した。全量165gの化合物13を収率67で得た。化合物14:化合物13と塩化トリフェニルシリルとを20mLのCH2Cl2中に溶解させた。イミダゾールを加えた後、混合物を室温で15時間攪拌した。その後、生成物をろ過し、溶媒を減圧下除去した。生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物14を固体として得た。非晶質ポリカルボナート中50の化合物14を含むコンポジットは、r33が90pmV、光学損失が0881dBcm、Tgが140°C、屈折率が155ミクロンで16711であり、マッハツェンダモジュレータによる経時安定性が上述のAPC中30の化合物11と同様であった。APC中24の化合物12を含むコンポジットは、アリール基がアルキル基で置換されているものであるが、r33が50pmV、光学損失が144dBcm、Tgが140°C、屈折率が155ミクロンで16038であり、そしてずっと低い経時安定性を示した。化合物16:攪拌子を入れた3L三ツ口フラスコに125グラムのトリメチルテトラヒドロキノリンと102グラムの無水炭酸カリウムとを入れた。フラスコを冷却器と共に、500mlの乾燥DMF中1733グラムの臭化pブロモベンジルを含む漏斗を追加してセットした。フラスコ内の雰囲気を窒素で満たした。700mlの乾燥DMFをフラスコに加えた。フラスコを氷水浴で冷却した。攪拌し続けながら、フラスコに取り付けられている追加漏斗からフラスコ内に臭化pブロモベンジルを滴下した。添加が完了した後、反応物を3時間室温で維持した。反応物を14時間一晩55~60°Cで加熱した。フラスコ内容物を室温まで冷却し、1リットルのヘキサンをフラスコに加えた。10分間攪拌した後、固形分をろ過により除去した。溶液は、回転式エバポレーターを用いて溶媒を蒸発させて乾燥させた。混合物を酢酸エチルに溶解させ、ブラインで2回洗浄し、MgSO4で乾燥させ、ろ過し、溶媒を蒸発させた。生成物は、クロマトグラフカラムに充填されたシリカゲルを用いるクロマトグラフィーにより、移動相としてヘキサンDCMを用いて精製した。化合物17:追加漏斗を備え、攪拌子を入れた2Lフラスコに、先のステップで得られた6666グラムの化合物16を入れた。フラスコを脱気し、乾燥窒素で満たした。無水THFをフラスコ内に加えた。フラスコをドライアイスアセトン浴で冷却した。nBuLiを、追加漏斗からゆっくり加えた。反応物を25時間60°Cで維持した。557グラムのトリフェニルクロロシランと200mlの無水THFとを入れた別の3L三ツ口フラスコを準備し、ドライアイスアセトン浴で冷却した。攪拌しながら、第1のフラスコから得られるリチウム化溶液を第2のフラスコ内に1時間に亘り加えた。反応物を一晩攪拌し、酢酸水溶液とブライン溶液で反応を停止させた。有機層を分離し、ブラインで1回洗浄し、MgSO4で乾燥させ、ろ過し、溶媒を蒸発させて乾燥させた。生成物をシリカゲルカラムで移動相としてヘキサンDCMを用いて精製した。化合物18:147グラムの化合物17を窒素雰囲気下において、3Lのフラスコに入れた1000mlの乾燥DMF中に溶解させた。NBSを500mlのDMFと共に追加漏斗中に入れた。フラスコを氷浴で冷却し、アルミホイルで覆って反応物に光が当たらないようにした。NBS溶液をLM667に滴下して加えた。反応物を一晩室温で攪拌した。DMFを蒸発させた。混合物をヘキサン酢酸エチル中で攪拌した。沈殿物をろ過により除去した。溶液から溶媒を蒸発させた。残留混合物をメタノール中で攪拌した。固形分をろ過により回収した。メタノールを用いた洗浄をもう1回繰り返した。固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサンDCM21で精製し、真空下で乾燥させた。化合物18の収率は95である。化合物19:150グラムの化合物18を、攪拌子と追加漏斗とを備える3L三ツ口フラスコに入れた。フラスコ内に窒素を4回流して満たした。1200mlの無水THFをカニューレ挿入により加えた。フラスコをドライアイスアセトン浴で冷却した。286mlのtBuLiを追加漏斗から滴下して加えた。滴下が完了した後、漏斗を25mlのTHFで洗浄した。その後、THF中のDMFを漏斗から滴下して加えた。冷却浴を取り除き、反応物温度を氷浴水浴中で0°Cに到達させた。反応を酢酸水溶液でクエンチし、pH値が約7になるようにした。ブラインと500mlのヘキサンとを混合物中に注ぎ入れた。有機層を分離し、MgSO4で乾燥させ、ろ過し、溶媒を蒸発させた。生成物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィーでヘキサンDCMとメタノール洗浄により精製した。対応するアルデヒドの収率は85であった。アルデヒドを、攪拌子を入れた1リットルのフラスコに入れた。乾燥THFを加えた。混合物をいくらか加熱しながら攪拌し、均一な溶液を得た。フラスコを氷浴で冷却した。186グラムの水素化ホウ素ナトリウムを加えた。フラスコを窒素で満たした。50mlのTHF中25mlのエタノールを2時間に亘り、追加漏斗から加えた。反応物を18時間室温で攪拌させ続けた。溶液がほとんど澄明になると、反応が完全変換に達する。反応が終了した時、ブラインを反応物に加え、45分間高速で攪拌し続ける。有機層を分離し、MgSO4で乾燥させ、溶媒を蒸発させた。生成物は、フラッシュカラムクロマトグラフィーでヘキサン酢酸エチルを用いて精製した。化合物19の収率は95であり、化合物19は、さらに特性評価をすることなく、直接次のステップに用いた。化合物20:全量25グラムの化合物19を1Lフラスコ内のクロロホルム中に溶解させた。フラスコを氷浴で冷却した。クロロホルム中に溶解させたPh3PHBrをLM671に1時間くらいに亘って滴下した。室温で3時間攪拌した後、ディーンスターク還流トラップを取り付け、6時間に亘るクロロホルム水留出物の共沸除去によって、反応物から水を分離した。反応物を冷却し、溶媒を蒸発させて約100mlの溶液を得た。攪拌し続けながら、この濃厚な溶液を乾燥エチルエーテル中で沈殿させた。ろ過により回収した生成物をDCM中に溶解させ、乾燥エーテル中で再び沈殿させた。緑色を帯びた生成物を1日間に亘り真空下で乾燥させた。化合物20の収率は85である。プロトンNMRを測定し、化合物の構造を特徴付けた。化合物21:フラスコ内の200mlの乾燥ジクロロメタン中、全量01molの化合物22を氷水で冷却した。イミダゾールを加えた。フラスコを窒素で満たし、tブチルジメチルクロロシランをシリンジで滴下することにより加えた。反応物を1時間攪拌した。沈殿物をろ過により除去した。溶液をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を蒸発させた。生成物10をシリカゲルを用いるフラッシュクロマトグラフィーにより精製した。対応するTBDMSエーテルの収率は85である。TBDMSエーテルは、攪拌子を備えるフラスコに入れた。フラスコを脱気し、窒素で再充填した。nBuLiヘキサン溶液をニードルから滴下して加えた。反応物を2時間に亘り10°C~20°Cに維持した。その後、DMFを78°Cで加えた。反応を酢酸水溶液でクエンチした。有機層を分離し、ブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を蒸発させた。2つの位置異性体からなる生成物の混合物をクロマトグラフカラムにより精製した。化合物21の収率は60である。化合物23:フラスコに化合物20を入れ、脱気した。乾燥THFをフラスコに加えた。nBuLiヘキサン溶液を20°Cで滴下により加えた。反応物を1時間に亘り氷浴中で攪拌した。第2のフラスコにて、化合物21を乾燥THF中に溶解させた。第1のフラスコ内の混合物を、第2のフラスコに冷却下で攪拌しながら加えた。混合物を室温で16時間に亘り攪拌した。反応は、水およびブラインを加えることにより停止させた。有機層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過し、溶媒を蒸発させて乾燥させた。混合物をフラッシュクロマトグラフィーにより精製して、対応するWittigカップリング生成物を収率66で得た。カップリング生成物は、攪拌子を備えるフラスコ内の乾燥THF中に溶解させた。nBuLiヘキサン溶液をシリンジで加えた。反応物を2時間に亘り20°Cに維持した。THF中のDMFを加えた。反応は、ブラインおよび酢酸を用いてクエンチした。有機層を分離し、水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、Buchner漏斗を用いてろ過した。混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーでジクロロメタンヘキサン混合液を移動相として用いて精製し、対応するアルデヒドを得た。アルデヒドを窒素雰囲気下においてフラスコ内のアセトン中に溶解させた。3NHCl水溶液を加えた。混合物を室温で攪拌し、反応をTLCでモニターした。反応が完了した時、混合物は、飽和炭酸水素ナトリウム溶液を用いて中和した。アセトンを蒸発させた。生成物をTHFで抽出し、フラッシュカラムクロマトグラフィーで移動相としてTHFDCMを用いてさらに精製し、対応する脱保護アルコールを得た。:フラスコ内の脱保護アルコールを乾燥ジクロロメタン中に溶解させた。塩化トリチル、ジイソプロピルエチルアミン、4ジメチルアミノピリジンを加えた。反応物を16時間に亘り攪拌した。沈殿物をろ過した。溶液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過し、溶媒を蒸発させた。生成物をフラッシュクロマトフラフィーで精製して、対応するトリチルエーテルを得た。トリチルエーテルと2ジシアノメチレン3シアノ4メチル5トリフルオロメチル5フェニル25ジヒドロフランとをフラスコ内のメタノール中に混合した。反応物を6時間に亘り60°Cで加熱した。フラスコ内容物を室温に冷却した。混合物をろ過した。濾液は、メタノールまたはエタノール洗浄と組み合わせたカラムクロマトグラフィーにより精製し、クロモフォア化合物23aを得た。:脱保護アルコールと2ジシアノメチレン3シアノ4メチル5トリフルオロメチル5フェニル25ジヒドロフランとを60°Cで窒素雰囲気下、フラスコ内のエタノール中で攪拌した。反応をTLCでモニターした。6時間後、フラスコ内容物を室温に冷却した。Buchner漏斗を用いたろ過により、暗色固体を回収した。この物質は、シリカゲルカラムクロマトグラフィーと再結晶によりさらに精製して、黒色粉末状のクロモフォアアルコールを収率60で得た。クロモフォアアルコールは、攪拌子を備えるフラスコ内の乾燥ジクロロメタン中に溶解させた。イミダゾールとトリフェニルクロロシランとを加えた。反応をTLCによりモニターした。30分後、沈殿物をろ過した。溶液をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過し、溶媒を蒸発させた。この化合物は、フラッシュカラムクロマトグラフィー、結晶化、およびヘキサンを用いた洗浄によりさらに精製した。化合物23bの収率は70である。ゲストホストEOポリマーは、クロモフォア23aおよび23bとホストポリマー28~30とを用いて調製した。EOポリマーの特性は表1および表2に示されている。物質番号の後に記載されている括弧内の数値は、クロモフォアの装填重量である。高いTgを有するホストポリマーを用いると、同じクロモフォアを用いた場合に、より高いTgを有するEOコンポジットが得られることになる。表1および表2において、29を用いたコンポジットは、28を用いたコンポジットよりも、同じ装填量でより高いTgを示す。これらのコンポジットは、同様の光学損失とEO係数とを有する。EOポリマーの長期間に亘る安定性を調べるために、加速劣化試験を行った。これらの試験において、EOポリマーフィルムは、インジウムスズ酸化物を基板として用いて配向させた。配向させたサンプルをその後、酸素に関連する劣化の可能性を避けるために真空環境下に封入し、様々な高温に設定したオーブンの中に置いた。EO係数r33の減衰を最長2000時間までの時間の関数としてモニターした。EOポリマーコンポジット2823aについては85°C、100°C、および110°Cで調べた。85°Cにおいて、r33は2000時間の試験の後、初期r33の94のままであった。本発明者らはまた、2823bおよび2923bについて85°C、100°C、および110°Cで調べた。28および29のTgはそれぞれ167°Cおよび193°Cである。グラフ図7B~Dは、それぞれの温度において最長1800時間までの劣化時間における試験された規格化r33値を示す。図7Bにおいて、29のコンポジットは28のコンポジットよりもわずかに良好な安定性を示した。これらのコンポジットそれぞれのTgと85°Cという試験条件との間の温度差が大きいために、安定性の差違は比較的小さい。100°Cでは、29のコンポジットは28のコンポジットよりも25良い安定性を示した。110°Cでは、29のコンポジットは28のコンポジットよりも9良い安定性を示した。29のコンポジットは、それぞれの温度において28のコンポジットよりも高い経時安定性を示し、安定性の差は、より高い適用温度においてより著しいことがわかった。ホストポリマーのTgがより高いことに因る効果は、コンポジットのTgを著しく高くするということであり、したがって、安定性という測定されるEO係数を向上させるということであった。文献に提案された異なるモデルのなかで、我々は、Lindsayら、Polymer4866056616頁、これは引用により本明細書に包含され、により報告された一つが、実験結果とモデル予測との間の良い整合性を示し、且つ最も我々の仕事に関連深いことを発見した。我々は、等温エージングモデルJonscher式をLindsayの双曲線正接モデルアプローチと共に、我々の配向EOポリマー系の減衰の温度依存性をモデル予測し及び活性化エネルギーを導くために適用した。モデルにおいて、ER及びEPは硬いガラス状態及び柔軟な状態、夫々の、活性化エネルギーである。Tc及びDは中心温度及び遷移ゾーンの幅である。2823aについて、3つの異なる温度85、100及び110°Cでの実験データ及びJonscher式を用いたカーブフィッティングの結果を図7Eに示す。我々の実験データとモデル結果との良い整合性を見ることができる。Jonscher式フィッティングに基づいて、我々はテストした5つの温度の総てについてフィッティングパラメータτ時定数及びj指数を得た。我々はこれらのτ及びjを用いて、25年後における我々のEO材料のr33減衰もしくはνπ増加をさらに外挿して求めた。図7Bは2823aの85、100及び110°Cにおける規格化されたνπの増加の25年後への外挿を示す。85°Cでの作動では、モデルはわずか114倍のνπ増加を予測する。これは、他の現存するEOポリマー系、例えば、Lindsayにより報告されたCLDPI80°C、図7B、に比べた顕著な改良である。我々は、EOポリマー2814、2823a、2823b、及び2923bについて、Lindsayにより提案された双曲線正接モデル:を用いたカーブフィッティングの結果も示す図8。比較目的で、我々はCLDPICLDAPECについてもカーブもプロットした。活性化エネルギー、2814及び2823bシステムは類似の範囲である。さらに、2814から2823aもしくは2823bへのスイッチングで、材料の安定性が激しく低下する遷移ゾーンが顕著に高い温度範囲へと押し上げられるこの場合、約20°C高い。類似の挙動が2923bについて見られた。85°C及び110°Cで、2823bと2923bを比較するためにもJonscher式を用いた図9。85°Cでは、長時間安定性において顕著な差が無かった。110°Cでは、2923bが33の増加及び2923bが81の増加を示した。これは、より高いTgポリマー系例えば29が高い動作温度では長時間安定性において有利であることを示す。反転リブ導波路と23a及び23bを備えるマッハ‐ツェンダーポリマー変調器を3インチウェハ上に形成した。デバイスのプロセスフローを図10に示す。底面電極をスパッタしてパターン形成し、ウェハをチオール及び極性基を有する接着促進剤で処理し、次いで、底面クラッドLP202C熱硬化型架橋ゾル‐ゲル材料もしくはUV15LVを塗布し及び硬化させた。次いで、反転リブ導波路を該ボトムクラッド上に形成した。ボトムクラッド及び導波路リブのプラズマ表面処理後、ホストポリマーとクロモフォア23aもしくは23bからなるコンポジットのコア層を施与し及び熱硬化した。トップクラッドLP33ND熱硬化型架橋ゾル‐ゲル材料を塗布し及びコア層を表面処理した後熱硬化した。デバイスの光学材料スタック材料の総てが構成された後、ポーリング電極を施与してパターン化した後、164°C~220°Cの温度で、750V~950Vのバイアス電圧を印加してクロモフォアを配向させるポーリング工程を行った。ポーリング温度及び電圧の選択は、コア材料に依存する。該ポーリング電極は、活性長21cmの動作電極としても作用するようにもデザインされた。該デバイスを試験のために個々のチップへとダイシングした。電極の構造を図11に、及びポリマー変調器のうちの1つの断面図を図12に示す。光学的挿入損失、半波長電圧、及び消光比を測定した。デバイスνπ及び挿入損失を表3に示す。28がホストポリマーのときの23aと23bの間には顕著な差はない。これらの挿入損失も似ている。23bをホストポリマー29と用いた場合には、νπがより高い。2823bを用いたマッハツェンダーデバイスを、85°Cで1300~300時間まで調べた図13A。2823bデバイスの規格化されたνπはベースライン初期VTTの約102~104倍増加することが分かり、これは、r33の2~4の減少に相当し、薄膜のr33テストによく相当する。25年特性を予測するためのJonscherモデルの使用により、2823b材料で作られたデバイスは25年間に亘って、νπの11の増加を示すことが予測される。より高いTgコア2923b55についてデバイスのνπ安定性も調べた。100及び110°Cで、夫々、265時間後、VTTが初期VTTに対して104及び107で増加した。我々は、より高いTgのホストポリマー29を含む、より高いTgコアを用いたデバイスのより良好な安定性を観察した。我々は、2923b55について150°C及び170°C迄で30分間さらにテストし、そしてVTTが初期VTTに対して、夫々、112及び149倍で増加することを見出した。これは高い温度への短時間の暴露はデバイス特性を損なわず、従って、この材料から作られたデバイスは、より高められた温度での加工に適合性であり、及び/又は短時間高温条件によりもたらされる故障に対して免疫性であることを示す。ここに種々の側面及び態様が開示されたが、他の側面及び態様も企図される。ここに開示された種々の側面及び実施態様は、例示を目的としたものであり、本発明を限定することを意図されたものではなく、真の発明の範囲と精神は、以下の請求項に示される。