"半導体基板の内部に配置された平板状の空洞と、該空洞内の下側の面に配置された凸状の島と、を具備することを特徴とする半導体基板。前記空洞がSON構造を構成する空洞であり、前記凸状の島が前記空洞の下側のシリコン面に配置されることを特徴とする半導体基板。凸状の島の高さが前記空洞の厚さの10以上、50以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体基板。同一半導体基板の表面に第1ホールで構成される第1ホール群と前記第1ホールの深さより深い第2ホールで構成される第2ホール群とを形成する工程と、水素雰囲気で1000°C以上の高温でアニール処理して、前記第1ホール群から形成されるSON構造の第1空洞と該第1空洞と繋がって前記第2ホール群から形成されるSON構造の第2空洞を同時に形成して一つの大きな空洞とし該一つの大きな空洞の下側のシリコン面に凸状の島を形成する工程とを含むことを特徴とするダイアフラムを有する半導体基板の製造方法。同一のマスクを用いて前記第1ホールおよび前記第2ホールを形成し、前記第1ホールの直径より前記第2ホールの直径が大きいことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。異なるマスクを用いて前記第1ホールおよび前記第2ホールをそれぞれ形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記第1ホールおよび前記第2ホールの平面形状が1.2μm以下の円内に含まれる円形もしくは多角形とし、前記第1ホールおよび前記第2ホールのそれぞれのホール比率が20以上で60以下の範囲にあり、前記第1ホールおよび前記第2ホールのそれぞれのアスペクト比が3以上で8以下の範囲にあり、前記第1ホールの深さより前記第2ホールの深さが深いことを特徴とする請求項4ないし6のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体基板の空洞の上側をダイアフラムとする半導体装置。しかしながら、図27に示すダイアフラムの製造方法では、ダイアフラム59を構成する凹み55を高精度に形成するためには、エッチング量を高精度に制御して、シリコンメンブレン56の厚み精度を確保する必要である。しかし、凹み55の深さは数100μmと大きく、数10μmの厚さのシリコンメンブレン56を形成するためには、エッチングでは加工精度に限界がある。そのため、エッチングで加工した場合にはシリコンメンブレン56の厚みにばらつきが生じる。そのばらつきを考慮してシリコンメンブレン56の厚みを決めるとシリコンメンブレン56の厚さは厚くなり、ダイアフラム59の小型化を困難にする。例えば、圧力センサの感度を確保するためには、凹み55の直径が1mm程度、深さが数100μm程度で、シリコンメンブレン56の厚さJのバラツキをμmオーダーに制御することはエッチング加工では限界を超えている。そのため、圧力センサは大型化し低コスト化するのが困難になる。また、凹み55を形成したシリコン基板51の開口部側の裏面をガラス板58に貼り合わせる必要がある。良好に貼り合わせるためには、裏面52を平坦で、清浄な面にすることが必要であるが、裏面52に汚れや欠陥があると、良好な貼り合わせが行なわれず、良品率の低下を招き、製造コストが増大する。また、特許文献1で記載されたSON構造では、圧力センサの感度を増大するために、図28aに示すように、シリコン基板80に形成されたSON構造の空洞65の面積Rを大きくすると、圧力センサ用のゲージ抵抗や出力信号処理用の電気回路を形成する半導体プロセス中の熱ストレスおよび成膜応力、空洞内外の圧力差等で、図28bに示すように、空洞65が潰れる場合がある。空洞65内のシリコン面66の面積Rが大きくなると、接触する面積S0が大きくなり、上下のシリコン面66が固着する場合が生じる。この固着が強固な場合には、半導体プロセス中の熱ストレスによりシリコンメンブレン68にクラック69が導入されることがある。このクラック69の導入を阻止するためには、シリコンメンブレン68の厚さ70を厚くする必要がある。しかしシリコンメンブレン68の厚さ70が厚くなると、圧力センサの感度と精度が低下する。それを防ぐには、空洞65の面積Rを大きくする必要がある。そうすると、ダイアフラム67の寸法が大きくなり圧力センサの小型化が困難になる。この発明の目的は、前記の課題を解決して、半導体プロセス中に熱ストレスで空洞内の上下のシリコン面が固着することがない半導体基板およびその製造方法を提供することにある。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供することにある。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、半導体基板の表面に配置された平板状の空洞と、該空洞内の下側の面に配置される凸状の島を具備する構成にする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記空洞がSON構造を構成する空洞であり、前記凸状の島が前記空洞の下側のシリコン面に配置される構成とする。また、特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、請求項1または2に記載の発明において、凸状の島の高さが前記空洞の厚さの10以上、50以下であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項4に記載の発明によれば、同一半導体基板の表面に第1ホールで構成される第1ホール群を前記第1ホールの深さより深い第2ホールで構成される第2ホール群が取り囲むように前記第1ホールおよび前記第2ホールを形成する工程と、水素雰囲気で1000°C以上の高温でアニール処理して、前記第1ホール群から形成されるSON構造の第1空洞と該第1空洞と繋がって前記第2ホール群から形成されるSON構造の第2空洞を同時に形成して前記ダイアフラムを構成する一つの大きな空洞とし該一つの大きな空洞の下側のシリコン面に凸状の島を形成する工程とを含むダイアフラムを有する半導体基板の製造方法であって、前記第1ホールおよび前記第2ホールの平面形状が1.2μm以下の円内に含まれる円形もしくは多角形とし、前記第1ホールおよび前記第2ホールのそれぞれのホール比率が20以上で60以下の範囲にあり、前記第1ホールおよび前記第2ホールのそれぞれのアスペクト比が3以上で8以下の範囲にあり、前記第1ホールの深さより前記第2ホールの深さが深い半導体基板の製造方法とする。また、特許請求の範囲の請求項5記載の発明によれば、請求項4に記載の発明において、同一のマスクを用いて前記第1ホールおよび前記第2ホールを形成し、前記第1ホールの直径より前記第2ホールの直径が大きいとよい。また、特許請求の範囲の請求項6記載の発明によれば、請求項4に記載の発明において、異なるマスクを用いて前記第1ホールおよび前記第2ホールをそれぞれ形成するとよい。この発明によると、SON構造を有する半導体基板およびその製造方法において、SON構造を構成する空洞内の下側のシリコン面に凸状の島を形成することで、空洞が潰れても空洞内の上側のシリコン面と下側のシリコン面が固着することがなくなる半導体基板及びその製造方法を提供することができる。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供することができる。実施の形態を以下の実施例で説明する。図1は、この発明の第1実施例の半導体基板の構成図であり、同図aは要部断面図、同図bは凸状の島が形成された空洞内の下側のシリコン面の要部平面図である。この半導体基板は、ダイアフラム100となるSON構造101を有するシリコン基板1であり、SON構造101を構成する一つの大きな空洞2内では下側のシリコン面3に凸状の島4が形成されている。ここで示す図は模式的な構成図である。このダイアフラム100の表面層に図示しないゲージ抵抗や電気回路を形成する必要がある。このゲージ抵抗や電気回路を形成する半導体プロセスで、一つの大きな空洞2が潰れて、図2に示すように、一つの大きな空洞2内の下側のシリコン面3の凸状の島4の島の頂上8に上側のシリコン面9が接触することがある。しかし、島の頂上8の面積ST0が小さいために、接触面積が小さくなり、一つの大きな空洞2が潰れても下側のシリコン面3凸状の島4の頂上8と上側のシリコン面9は半導体プロセス中に固着することはない。そのため、一つの大きな空洞2上のシリコンメンブレンとなるシリコン層5へのクラックの導入は起こらない。よって、シリコンメンブレンとなるシリコン層5の厚さFを薄くすることができ、一つの大きな空洞2の下側のシリコン面の面積SSを小さくできて高精度で小型のダイアフラム100を有するシリコン基板1を製造することができる。前記の図1では一つの大きな空洞2内の下側のシリコン面3に形成される凸状の島4の平面形状が円形の例を示したが、凸状の島4の平面形状はこれに限らず、四角形や多角形などでも構わない。また、図1の一つの大きな空洞2を形成する段階で、一つの大きな空洞2うちのシリコン面3,9に図12cに示すような突起37などが発生する場合がある。しかし凸状の島4の高さNに比べて突起37の高さが小さければ一つの大きな空洞2をダイアフラム100として用いることができる。しかし、突起37の高さより島の高さNを確実に大きくするためには、量産工程に流す前に実験で製造条件を求める必要がある。また、シリコンメンブレンとなるシリコン層5にゲージ抵抗や電気回路を形成した後、ダイアフラム100を有するシリコン基板1をケースに収納して圧力センサが製造される。本発明のダイアフラム100を有するシリコン基板1を用いることで、高精度で小型の半導体装置圧力センサを低コストで製造することができる。尚、前記ダイアフラム100はシリコン基板1に形成されたSON構造101を利用したが、将来はSiCやGaNなどの半導体基板の表面層に空洞を形成した構造をダイアフラムとして利用することも考えられる。図3~図11は、この発明の第2実施例の半導体基板の製造方法であり、工程順に示した要部製造工程図である。各図において、aは要部平面図、bはaのX-X線で切断した要部断面図である。これはSON構造101のダイアフラム100を有するシリコン基板1の製造方法である。尚、各工程図は模式的に示した工程図である。1まず、裏面15を矢印16の方向に研削して例えば300μm程度に薄くしたシリコン基板1上にホール形成用のマスクとなるたとえばシリコン酸化膜17を形成する図3。尚、研削後のシリコン基板1の厚さは300μmより厚くする場合やシリコン基板1を研削しない場合もある。2つぎに、シリコン酸化膜17上に、ホール形成領域を開口させたパターンで、レジスト開口部18aを有するレジストマスク19を形成する。このとき、レジストマスク19は、直径が小さな第1ホールで構成される第1ホール群21と直径が大きな第2ホールで構成される第2ホール群23の2種類のホール群を形成できる第1レジスト開口部20aおよび第2レジスト開口部22aを有する。このレジストマスク19は第1レジスト開口部20aを第2レジスト開口部22aが取り囲むパターンになっている図4。3つぎに、このレジストマスク19を用いてシリコン酸化膜17をエッチングし、第1ホール群21と第2ホール群23を形成すためのシリコン酸化膜マスク24を形成する。このシリコン酸化膜マスク24にはレジストマスク19の第1レジスト開口部20aに対応する第1酸化膜開口部20bと第2レジスト開口部22aに対応する第2酸化膜開口部22bが形成される。これらの第1、第2酸化膜開口部20b,22bを総称してシリコン酸化膜開口部18bとする図5。4つぎに、レジストマスク19を除去し、このシリコン酸化膜マスク24を用いて、例えば反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtchingなどによる異方性エッチングによって、シリコン基板1をエッチングし、第1ホール群21を構成する第1ホール20と第2ホール群23を構成する第2ホール22を同時に形成する。その際、第1ホール20および第2ホール22の側壁には図示しないSiO2系の側壁保護膜が生成される。また、このエッチングでは第1ホール群21を構成する小さな直径D1の第1ホール20の深さT1が浅く、第2ホール群23を構成する大きな直径D2の第2ホール22の深さT2が深くなる。また、第1ホール群21は第2ホール群23で取り囲まれている図6。5つぎに、HFフッ酸系エッチング液等を用いてエッチングをおこない、側壁保護膜およびシリコン酸化膜マスク24を除去した後、洗浄と乾燥を行なう図7。6つぎに、水素ガス雰囲気、または、水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気で1000°C以上の高温のアニール処理を行う。この高温でのアニール処理時に、第1ホール20および第2ホール22の底面が丸まるとともに、ホール開口部18が丸まる図8。7さらに、6の工程を続けるとある時点でホール開口部18が閉塞し、たとえば、その下に各ホールに対応する分離した縦長のボイド25が形成される。この段階では隣接するボイド25の間には隔壁26が存在する図9。8さらに、7の工程を続けると、シリコン基板1の表面下に分離して形成されたボイド25が表面エネルギーを下げるように丸まりが進展し、隔壁26が消失してボイド25同士が接続して一つの大きな空洞2が形成される図10。第1ホール群21で形成された第1空洞27と第2ホール群23で形成された第2空洞28が繋がってダイアフラム100を構成する一つの大きな空洞2が形成される。このとき、第1ホール群21で形成された第1空洞27の下側のシリコン面の高さN1例えば、シリコン基板1の裏面15を基準にしては、第2ホール群23で形成された第2空洞28の下側のシリコン面の高さN2例えば、シリコン基板1の裏面15を基準にしてより高くなる。そのため、一つの大きな空洞2の下側のシリコン面3には凸状の島4が形成され、下側のシリコン面3は凹凸になる。凸状の島4の高さNはN2-N1である。一つの大きな空洞2上にはキャップ層6閉塞されたシリコン層が形成される。つまり、一つの大きな空洞2の厚さG空洞の厚さとはここでは上側のシリコン面9と下側のシリコン面3の間隔で第2空洞28の厚さG2に等しいは、第1空洞の厚さG1は、第2空洞の厚さG2より小さい。9最後に、一つの大きな空洞2が形成された後、シリコン基板1上にエピタキシャル成長層7を形成する図11。このエピタキシャル成長層7の形成は一つの大きな空洞2が形成された時点もしくはボイド25が形成された時点から開始され、SON構造101を形成するチャンバー内で供給ガスを切り替えることで行なわれる。ダイアフラム100を有するシリコン基板1としては、前記のエピタキシャル成長層7を形成しない場合もある。その場合はSON構造101のキャップ層6がシリコンメンブレンの働きをする。エピタキシャル成長層7を形成しない場合は、キャップ層6の厚さは2μm前後となった。図12は、ホール群を構成する個々のホールの直径D、間隔M、深さTと、アニール処理で形成される空洞31との関係について説明する図であり、同図aはホール32を形成した要部平面図、同図bはホール32を形成した要部断面図、同図cは空洞31を形成した要部断面図である。ここでは実験的に形成した空洞、ホールおよびホール群の符号を31、32,33として前記の符号と分けた。空洞31を形成するには、例えば、平面形状が円形のホール32の場合、その直径Dは1.2μm以下とする必要がある。尚、ホール32の平面形状としては、直径Dが1.2μm以下の円内に形成される円形もしくは多角形とする。ホール直径Dが大きいと、ホール32が変形して空洞31が形成されるまでの時間が長くなる。具体的には、ホール直径Dが1.2μm超になると、1時間以上のアニール処理時間が必要になり、製造コストが増大しする。また、空洞31の形成には、多数のホール32で構成されたホール群33を形成する必要がある。また、空洞31の形成には、ホール比率Hが大きく影響する。このホール比率Hについて説明する。ホール群33ここではホール32が9個集まった場合を示すを形成するシリコン基板1の面積をS、ホール群33の総開口面積をSh=一個のホール32の面積×ホール個数としたとき、ホール比率HはSh/S×100となる。また、ホール群33を形成するためのシリコン基板1の体積をV=S×T、ホール群33を形成するために総ホール体積をVh=Sh×Tとしたとき、ホール比率HはVh/V×100となる。前記の面積Sはホール群33の包絡線34点線で示す内の面積のことである。面積Sはホール群33を構成するホール32の数が多い場合数十個~数百個には最外周のホール32の中心を結んだ線の内側の面積としてもよい。このホール比率Hが20未満の場合、各ホール32の変形が進展しホール32に対応するボイドがそれぞれ形成されるが、ボイド同士の間隔が大きくボイド同士が接触することができずに一つの大きな空洞31は形成できない.また、ホール比率Hが60超のときは、各ホール32の変形が進展してもホール開口部35が閉じることができず、変形が進むことで、ホール32に囲まれた領域が隔壁36として残り、一つの大きな空洞31は形成できない。さらにアニール処理を続けた場合、隔壁36はシリコン基板1中に取り込まれて平坦な底面の大きな凹みとなり一つの大きな空洞31は形成できない。一方、ホール直径Dが1.2μm以下で、ホール比率Hが20以上、60以下の場合は一つの大きな空洞31が形成され、ダイアフラムとして利用できる。但し、ホール比率Hが45以上60以下では、一つの大きな空洞31は形成されるが、空洞31内の上下のシリコン面には多数の突起37凹凸が形成される場合がある。しかし、突起37の高さが低い場合には、空洞31をダイアフラムとして用いることは可能である。また、空洞31の形成にはホール32のアスペクト比AsT/Dが影響する。アスペクト比Asが3未満と小さい場合、ホール32が変形する際に開口を閉じることができずに、空洞31になる前のボイドが形成されない。また、ボイドを形成しようとして、長時間のアニール処理を行うと、隔壁36がシリコン基板1に取り込まれて、底面が平坦な凹みとなり一つの大きな空洞31は形成できない。また、アスペクト比Asが8を超えて大きな場合、ホール32の底部からの変形が進むことで、図13に示すように、上下に複数ここでは2個並んだ空洞31a,31bが形成され、一つの大きな空洞31は形成できない。前記のことから、空洞31が形成できる条件として、ホール直径Dが1.2μm以下、ホール比率Hが20以上で60以下、ホールのアスペクト比Asが3以上で8以下の範囲である。図14は、シリコン基板1aに第1ホール群21と第2ホール群23の2種類のホール群をそれぞれ離して形成した図であり、同図aは浅い第1ホール20で構成された第1ホール群21と深い第2ホール22で形成された第2ホール群23の要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。ここでは前記の製造工程で形成されたホール、ホール群、空洞と同一諸元でこれらを実験的に形成したので、これらの符号を前記の製造工程で用いた符号と同一にした。図15は、図14の第1ホール群21および第2ホール群23で形成した第1空洞27および第2空洞28の図であり、同図aは空洞内の下側のシリコン面の要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。前記の図15はSON構造を有するシリコン基板1a上に6μm程度の厚さのエピタキシャル成長層6を形成した図である。また、第1空洞27および第2空洞28を形成するための第1ホール20および第2ホール22を点線で示した。図14および図15において、第1空洞27および第2空洞28を形成するための条件は、例えば、第1ホール群21を構成する第1ホール20の諸元は、第1ホール直径D1=0.8μm、第1ホール間隔M1=0.5μm、第1ホール深さT1=5.0μmである。また第2ホール群23を構成する第2ホール22の諸元は、第2ホール直径D2=0.9μm、第2ホール間隔M2=0.4μm、第2ホール深さT2=6.0μmである。また、ホール間隔M1,M2は隣接するホール端部間の最短距離である。また、第1ホール群21および第2ホール群23の平面形状は最外周に位置するホールの端部を結んだ包絡線で示す形状であり、ここでは八角形である。また、空洞27,28の平面形状は八角形の角が空洞化の過程で丸味を帯びるのでここでは円形とした。第1ホール20と第2ホール22を同一のシリコン基板1aに同時にエッチングして形成する。ホールの深さTはホールの直径Dに依存し、直径D1の小さな第1ホール20の深さT1は浅くなり、直径D2の大きな第2ホール22の深さT2は深くなる。その後、アニール処理して厚みGが異なる第1空洞27厚みG1と第2空洞28厚みG2が互いに離れて形成される。また、空洞27,28上のシリコン層5はキャップ層6とエピタキシャル成長層7を合せた層である。第1ホール群21で形成された第1空洞27上のシリコン層5の厚さF1と第2ホール群23で形成された第2空洞28上のシリコン層5の厚みF2は共に8.1μmで同じである。第1空洞27の厚みG1は1.4μmと薄く、第2空洞28の厚みG2は1.9μmと厚く、ホール深さTの差1μmが反映されて両者で0.5μmと大きく異なる。また、第1空洞27および第2空洞28の平面形状は円形で、その直径は10μm程度である。図16は、図15の空洞の電子顕微鏡像の図であり、同図aは第1空洞27のA部拡大図、同図bは第2空洞28のB部拡大図である。空洞27,28の端部円内は丸みを帯びている。第1空洞27の厚みは1.4μmであり第2空洞28の厚みは1.9μmである。つぎに、図14で用いた第1ホール20および第2ホール22の諸元で一つの大きな空洞を形成することについて具体的な数値を挙げて説明する。図17は、図15の第1空洞27と第2空洞28を接続して一つの大きな空洞2をシリコン基板1bに形成した場合の図であり、同図aは空洞内の下側のシリコン面の要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。図17aでは一つの大きな空洞2を形成するための第1ホール20と第2ホール22を点線で示した。ここでは第1ホール群21を2個とした場合である。第1ホール群21と第2ホール群23が隣接する箇所での第1ホール20と第2ホール22の間の最大間隔K拡大した図に示すは0.5μmである。第1ホール群21の直径P1は10μm程度である。隣接する第1ホール群21間の間隔Q1は10μm程度である。第1空洞27間の間隔Q2は10μm程度である。厳密にはQ1>Q2であるがその差は小さいのでここでは共に10μm程度と等しいものとした。また、第1ホール群21を第2ホール群23が取り囲んでいる。第1ホール群21および第2ホール群23をアニール処理することで、第1ホール群21で形成される第1空洞27および第2ホール群23で形成される第2空洞28が繋がって一つの大きな空洞2が形成される。この一つの大きな空洞2内の下側のシリコン面3には凸状の島4が形成される。この凸状の島4は第1空洞27が形成される領域に形成される。凸状の島4の頂上8下側のシリコン面3の一部でもあるの直径P2はホール群21,23の直径P1にほぼ等しく10μm程度である。凸状の島4の高さNは、第2空洞28の厚さG2-第1空洞27の厚さG1=1.9μm-1.4μm=0.5μmである。一つの大きな空洞2の厚さG=第2空洞の厚さG2が1.9μmであり、凸状の島4の高さNが0.5μmであるのでこの空洞2の厚さGの25程度である。一つの大きな空洞2の厚さGは厚い箇所で1.9μm=G2、薄い箇所で1.4μm=G1である。また、凸状の島4の頂上8の総面積ST=一つの島4の頂上の面積×島4の個数は、一つの大きな空洞2内の下側のシリコン面3の面積SSの50以下とするとよい。50超では島4の頂上8の総面積STが増大して上側のシリコン面9と島4の頂上8が固着する場合が生じる。図16では一つの島の頂上8の面積をST0とするとST=ST0×2になる。この凸状の島4の高さNは、一つの大きな空洞2の厚さG=G2の10~50の範囲にあるとダイアフラムとして使用可能である。10未満では、一つの大きな空洞2の上側のシリコン面9が撓んだときに島以外の下側のシリコン面3にも上側のシリコン面9が接触して接触面積を広げ、固着する場合が生じる。一方、50超では、一つの大きな空洞2の上側のシリコン面9の撓み量が小さくなり、例えば、圧力センサに利用した場合、感度が低下する惧れがある。一つの大きな空洞2内の上側のシリコン面9が1.4μm撓むと下側のシリコン面3に形成される凸状の島4の頂上8に接触する。しかし、一つの大きな空洞2内の下側のシリコン面3に凸状の島4が無い平坦な場合に比べて、凸状の島4があるために上下のシリコン面9,3の接触面積は小さくなる。このように、一つの大きな空洞2内の下側のシリコン面3に凸状の島4を形成することで、半導体プロセス中に熱ストレスで一つの大きな空洞2が潰れても、上下のシリコン面9,3の接触面積が小さいので、上下のシリコン面9,3同士の固着は起こらない。これらのことは、当然、前記した図3~図11の工程で製造されるダイアフラム100を有するシリコン基板1にも当てはまる。その結果、半導体プロセス中にシリコン層5シリコンメンブレンが撓んで一つの大きな空洞2が潰れたとしても、この空洞2の上下のシリコン面9,3が固着しないため、半導体プロセスによる熱ストレスでシリコン層5にクラックが導入されることが防止できる。その結果、高精度で小型のダイアフラム100を有するシリコン基板1を高良品率低コストで形成することができる。尚、ホール群を3種類以上として一つの大きな空洞を形成しても構わない。この場合、最も浅いホールで構成されたホール群で形成される凸状の島に空洞内の上側のシリコン面が接触する。そのため、本発明では、多数のホール群がある場合には、最も浅いホールで構成されたホール群の寸法が重要になる。図18~図26は、この発明の第3実施例の半導体基板の製造方法であり、工程順に示した要部製造工程断面図である。各図において、aは要部平面図、bはaのX-X線で切断した要部断面図である。実施例2と異なるのは、第1ホール群21および第2ホール群23を形成する際に、専用のシリコン酸化膜マスク24a,24bをそれぞれ用いて別々に形成している点である。また、各工程図は模式的な工程図である。1まず、裏面15を矢印16の方向に研削して例えば300μm程度に薄くしたシリコン基板1上にホール形成用のマスクとなるたとえばシリコン酸化膜17aを形成する図18。尚、研削後のシリコン基板1の厚さは300μmより厚くする場合やシリコン基板1を研削しない場合もある。2つぎに、シリコン酸化膜17a上に、ホール形成領域を開口させたパターンでレジストマスク19aを形成する。このレジストマスク19aは浅い第1ホール20で構成される第1ホール群21を形成するための第1レジスト開口部20aを有する図19。3つぎに、このレジストマスク19aを用いてシリコン酸化膜17aをエッチングし、第1ホール群21を形成すための第1酸化膜開口部20bを有するシリコン酸化膜マスク24aを形成する図20。4つぎに、この第2開口部20bを有するシリコン酸化膜マスク24aを用いて、例えば反応性イオンエッチングRIEなどによる異方性エッチングによって、シリコン基板1のエッチングを行い、浅い第1ホール群21を形成する。その際、第1ホール20の側壁には図示しないSiO2系の側壁保護膜が生成される。この第1ホール20の深さはT1である図21。5つぎに、HFフッ酸系エッチング液等を用いてエッチングをおこない、側壁保護膜およびシリコン酸化膜マスク24aを除去し、洗浄と乾燥を行なう。図22。6つぎに、再度形成したシリコン酸化膜17b上に、ホール形成領域を開口させたパターンで再度レジストマスク19bを形成する。このレジストマスク19bは深い第2ホール22で構成される第2ホール群23を形成できる第2レジスト開口部22aを有する。このレジストマスク19bのパターンは第1ホール群21を第2ホール群23が取り囲むようにする。また、ここでは第1ホール群21および第2ホール群23のホール径D1、D2は実施例2の場合と同じD1<D2にする。勿論、D1=D2、D1>D2としても構わない図23。7つぎに、このレジストマスク19bを用いてシリコン酸化膜17bをエッチングし、第2ホール群23を形成すための第2酸化膜開口部22bを有する第2シリコン酸化膜マスク24bを形成する図24。8つぎに、このシリコン酸化膜マスク24bを用いて、例えば反応性イオンエッチングRIEなどによる異方性エッチングによって、シリコン基板1bのエッチングを行い、深い第2ホール群23を形成する第2ホール22深さT2>第1ホール20深さT1。その際、ホールの側壁には図示しないSiO2系の側壁保護膜が生成される。また、第1ホール群21を第2ホール群23が取り囲むように形成される図25。9つぎに、HFフッ酸系エッチング液等を用いてエッチングをおこない、側壁保護膜およびシリコン酸化膜マスク24bを除去し、洗浄と乾燥を行なう。この段階で図8と同じになる図26。10これ以降の工程は、実施例2の6の工程以降と同じであるので説明は省略する。また、この例では、先に浅い第1ホール群21を形成した後、深い第2ホール群23を形成したが、逆に深い第2ホール群23を先に形成しても構わない。また、第1ホール20の深さT1を第2ホール22の深さT2より深くしても構わない。前記の第1ホール群21および第2ホール群23を構成する第1ホール20および第2ホール22は、ホール直径D1、D2は1.2μm以下、ホール比率Hは20以上で60以下、ホールのアスペクト比Asは3以上で8以下の範囲内でホール直径D、ホール比率H、ホールのアスペクト比Asを決めるとよい。前記の実施例2では、第1ホール群21および第2ホール群23を同一のシリコン酸化膜マスク24を用いて同時に形成したため、ホール直径Dとホール深さTが連動した。しかし、実施例3では、それぞれのホール群21,23に対応したシリコン酸化膜マスク24a、24bを用いて、それぞれのホール群21,23に対応してエッチングを行なったため、ホール直径Dとホール深さTは連動しない。そのため、第1ホールの深さT1および第2ホールの深さT2はホール直径D1、D2に依存しないでそれぞれ独立に決定することができる。その結果、製造条件のマージンが大きくなり、製造がし易くなる。また、実施例3の場合も実施例2と同様の効果を得ることができる。"