基板に描画すべき回路パターンを表すパターンデータと、前記基板に描画すべきマークを表すマークデータとから生成された描画データに基づいて荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記基板に対する前記荷電粒子線の位置決め精度に関連する情報を取得する取得部と、前記取得部で取得された情報に基づいて、前記マークの描画領域を決定する決定部と、前記決定部で決定された描画領域に前記マークが描画されるように、前記パターンデータと前記マークデータとを合成して前記描画データを生成する生成部と、を有することを特徴とする描画装置。前記基板において前記マークを描画可能な領域を表す領域情報を保持する保持部を更に有し、前記決定部は、前記保持部に保持された領域情報が表す領域の中から前記マークの描画領域を決定する、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記取得部は、前記位置決め精度に関連する情報として、前記基板の平面度を表す平面度情報を取得し、前記決定部は、前記平面度情報に基づいて、前記平面度が許容範囲内にある領域から前記マークの描画領域を決定する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の描画装置。前記決定部は、前記平面度が許容範囲内にある領域に前記マークが描画されるように、前記マークの形状及び寸法を決定する、ことを特徴とする請求項3に記載の描画装置。前記取得部は、前記位置決め精度に関連する情報として、前記描画装置のキャリブレーションの実行時刻を表す時刻情報を取得し、前記決定部は、前記時刻情報に基づいて、前記キャリブレーションの実行時刻後の予め定められた期間内に前記マークが描画されるように、前記マークの描画領域を決定する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の描画装置。前記取得部は、前記位置決め精度に関連する情報として、前記描画装置の環境を表す環境情報を取得し、前記決定部は、前記環境情報に基づいて、前記環境が許容範囲内にあるタイミングで前記マークが描画されるように、前記マークの描画領域を決定する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の描画装置。前記取得部は、前記位置決め精度に関連する情報として、前記回路パターンを構成するパターン要素の密度を表す密度情報を取得し、前記決定部は、前記密度情報に基づいて、前記密度が予め定められた値以上となるパターン要素群の描画と並行して前記マークが描画されるように、前記マークの描画領域を決定する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の描画装置。前記パターンデータから前記回路パターンを構成するパターン要素を選択する選択部を更に有し、前記決定部は、前記選択部で選択されたパターン要素を描画と並行して前記マークが描画されるように、前記マークの描画領域を決定する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の描画装置。前記基板の上に形成された層のそれぞれについて、マークの描画領域を表すマーク領域情報を記憶する記憶部を更に有し、前記決定部は、前記マーク領域情報に基づいて、既に形成されたマークの描画領域と重ならないように、新たなマークの描画領域を決定する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の描画装置。請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行うステップと、前記ステップで描画を行われた前記基板を現像するステップと、を有することを特徴とする物品の製造方法。従来技術では、基板に描画すべきパターンだけではなく、アライメントマークや検査マークなどのマークも設計データに含まれているため、パターンの描画直前に、マークの描画位置や描画タイミングを変更することができない。しかしながら、近年要求されているような微細なパターンを描画するためには、基板の状態や荷電粒子線描画装置の状態に応じて、マークの描画位置や描画タイミングを変更するのが好ましい。例えば、基板の表面又は裏面にゴミなどが付着して基板の平面度が損なわれている領域にアライメントマーク検査マークを描画する場合を考える。この場合、かかるアライメントマークを用いて荷電粒子線と基板との位置合わせアライメントを行うと、アライメント誤差が増加しうる。また、荷電粒子線描画装置は、露光装置と比較して、パターンの描画に時間がかかる。従って、重要パターンクリティカルパターンの描画タイミングとアライメントマークの描画タイミングとのずれによって、その後の描画露光における重要パターンに対するアライメント誤差が増加しうる。本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、例えば、描画装置におけるマークの描画に有利な技術を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、基板に描画すべき回路パターンを表すパターンデータと、前記基板に描画すべきマークを表すマークデータとから生成された描画データに基づいて荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記基板に対する前記荷電粒子線の位置決め精度に関連する情報を取得する取得部と、前記取得部で取得された情報に基づいて、前記マークの描画領域を決定する決定部と、前記決定部で決定された描画領域に前記マークが描画されるように、前記パターンデータと前記マークデータとを合成して前記描画データを生成する生成部と、を有することを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、描画装置におけるマークの描画に有利な技術を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本発明の一側面としての描画装置1の構成を示す図である。描画装置1は、荷電粒子線電子線を用いて基板にパターンを描画するリソグラフィ装置である。描画装置1は、本実施形態では、マルチビーム型の描画装置として構成されているが、シングルビーム型の描画装置として構成されていてもよい。描画装置1は、複数の電子源10a、10b及び10cと、荷電粒子光学系20と、偏向器30と、ダイナミックフォーカスコイル40と、ダイナミックスティグコイル50と、基板ステージ60と、描画データ生成部70と、制御部80とを有する。電子源10a、10b及び10cのそれぞれは、例えば、電子銃を含み、荷電粒子線電子線の照射ON及び非照射OFFが個別に制御される。荷電粒子光学系20は、電子源10a、10b及び10cのそれぞれからの荷電粒子線を基板STに導く光学系である。偏向器30は、荷電粒子光学系20によって基板STに導かれる荷電粒子線を偏向走査する。ダイナミックフォーカスコイル40は、偏向器30を動作させた際に、荷電粒子光学系20を通過する荷電粒子線に発生する偏向収差に応じて、荷電粒子線のフォーカス位置を補正する。ダイナミックスティグコイル50は、荷電粒子光学系20を通過する荷電粒子線に発生する偏向収差に応じて、荷電粒子線の非点収差を補正する。基板ステージ60は、基板STを保持して移動する。描画装置1において、電子源10a、10b及び10c、荷電粒子光学系20、偏向器30、ダイナミックフォーカスコイル40、ダイナミックスティグコイル50及び基板ステージ60は、描画処理部を構成する。かかる描画処理部は、制御部80の制御下で、描画処理を行う。描画データ生成部70は、CADデータやベクトルデータをビットマップデータに変換する機能などを有し、基板STに描画すべきパターンに対応する描画データを生成する。描画データ生成部70については、後で詳細に説明する。制御部80は、CPUやメモリなどを含み、描画装置1の全体動作を制御する。例えば、制御部80は、描画データ生成部70で生成された描画データに基づいて描画処理部を構成する各部を制御して、荷電粒子線を基板STの上で走査させることで基板STにパターンを描画させる。ここで、図2を参照して、描画データ生成部70による描画データの生成の概要について説明する。図2は、描画データ生成部70の基本的な構成を示す図である。描画データ生成部70は、記憶部702と、取得部704と、保持部706と、決定部708と、生成部710とを含む。記憶部702は、CADデータやベクトルデータである設計データを記憶する。上述したように、従来技術では、設計データは、基板に描画すべき回路パターンを表すパターンデータ及び基板を計測又は検査するために基板に描画すべきマークアライメントマークや検査マークを表すマークデータを含んでいる。換言すれば、従来技術では、回路パターンとマークデータとを区別することなく、1つの設計データとして記憶していた。一方、本実施形態では、記憶部702は、基板STに描画すべき回路パターンを表すパターンデータPDと、基板STに描画すべきマークを表すマークデータMDとをそれぞれ別のデータとして記憶する。但し、マークデータMDのうち、描画位置精度に厳しくなく、装置状況に応じて柔軟に描画領域描画位置を変更する必要がないマークや描画領域を固定したいマークを表すマークデータは、パターンデータPDの一部としてもよい。取得部704は、基板STに対する荷電粒子線の位置決め精度に関連する情報PIを取得する。ここで、情報PIは、例えば、基板STの各位置での平面度を表す面形状情報平面度情報SI、描画装置1のキャリブレーションの実行時刻を表す時刻情報TI、描画装置1の環境を表す環境情報EIなどの少なくとも1つを含む。保持部706は、基板STにおいてマークアライメントマークや検査マークなどを描画可能な領域を表す領域情報MDRを保持する。ここで、マークを描画可能な領域とは、その領域内であれば自由にマークを描画することが可能である領域である。また、領域情報MDRは、ユーザが任意に設定してもよいし、描画装置1が基板STに描画すべき回路パターンパターンデータPDから自動的に設定してもよい。決定部708は、取得部704で取得された情報PIに基づいて、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域の中から、基板STに描画される回路パターンに対するマークの描画領域を決定する。換言すれば、決定部708は、情報PI及び領域情報MDRを解析することで、基板STにおけるマークの最適な描画領域描画タイミングやマークの形状及び寸法を決定する。また、決定部708は、決定したマークの描画領域を表す第1マーク情報FMIと、決定したマークの形状及び寸法を表す第2マーク情報SMIとを生成して生成部710に入力する。なお、決定部708は、取得部704で取得された情報PIに基づいて、保持部706で保持した領域情報MDRに関わらず、マークの描画領域を任意に決定することも可能である。生成部710は、決定部708で決定した描画領域にマークが描画されるように、記憶部702に記憶したパターンデータPDとマークデータMDとを合成して描画データDDを生成する。具体的には、生成部710は、第1マーク情報FMI及び第2マーク情報SMIに基づいて、パターンデータPDとマークデータMDとを合成した合成データを生成し、かかる合成データをビットマップデータに変換することで描画データDDを生成する。描画装置1において、描画領域描画位置と描画タイミングとは一体的なものであって、描画領域が決定されれば描画タイミングも決定され、描画タイミングが決定されれば描画領域も決定される。従って、描画領域の要請から描画タイミングが決定される場合と、描画タイミングの要請から描画領域が決定される場合とがある。また、描画装置1では、描画を開始する前にある程度の量例えば、1チップ分のパターンデータとマークデータとを合成して描画データを生成する場合と、描画順にパターンデータとマークデータとを合成して描画データを順次生成する場合とがある。以下で説明する各実施形態は、どちらの場合にも対応可能であるが、第2の実施形態描画タイミングの要請から描画領域が決定される場合では、描画順にパターンデータとマークデータとを合成して描画データを順次生成する場合を想定している。但し、第2の実施形態であっても、条件次第では、描画を開始する前にある程度の量のパターンデータとマークデータとを合成して描画データを生成することも可能である。以下、各実施形態において、描画データ生成部70について具体的に説明する。<第1の実施形態>図3は、第1の実施形態における描画データ生成部70の構成を示す図である。基板STの上の領域のうち、ゴミが付着している領域や面形状が荒れている領域にアライメントマークや検査マークなどのマークを描画することは、アライメント精度や検査精度を低下させる要因となる。従って、このような領域にマークを描画することを回避する必要がある。そこで、本実施形態では、取得部704は、基板STに対する荷電粒子線の位置決め精度に関連する情報PIとして、基板STの各位置での平面度を表す面形状情報SIを取得する。基板STの上のゴミが付着している領域や面形状が荒れている領域などは、基板面内のフォーカス偏差を検査する工程において、フォーカス位置がその他の領域と大きく異なる。従って、面形状情報SIは、基板面内のフォーカス偏差から取得することが可能である。決定部708は、面形状情報SIに基づいて、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域のうち、平面度が許容範囲内にある領域必要な平面度を満たす領域、例えば、ゴミが付着していない領域からマークの描画領域を決定する。但し、領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が十分に存在していない場合には、決定部708は、マークの形状及び寸法を変更することが可能である。換言すれば、決定部708は、必要な平面度を満たす領域にマークが描画されるように、マークの形状及び寸法を決定することが可能である。一般的に、マークの形状と寸法とは一体的に決定されるものであり、マークの寸法を変更すれば、それに伴ってマークの形状も変更される。領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が存在しない場合には、決定部708は、その旨を通知するためのエラー又は警告メッセージを描画装置1の表示部不図示に表示したり、制御部80のメモリなどにエラーログを記録したりする。また、領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が存在しない場合には、決定部708は、領域情報MDRや面形状情報SIに関わらず、デフォルトで指定されている描画領域をマークの描画領域として決定してもよい。本実施形態によれば、基板STの平面度に応じて、アライメントマークや検査マークなどのマークを描画する描画領域を決定変更することができるため、アライメント精度や検査精度の低下を低減防止することが可能となる。また、本実施形態では、マルチビーム型の描画装置であってもシングルビーム型の描画装置であっても、マークの描画領域が決定されれば、マークの描画位置に応じて描画タイミングは一意に決定される。<第2の実施形態>図4は、第2の実施形態における描画データ生成部70の構成を示す図である。本実施形態では、描画装置1の状態をリアルタイムで監視し、かかる描画装置1の状態に応じて割り込みをかけてアライメントマークや検査マークなどのマークを描画する。従って、パターンデータPDは描画順に読み出され、或いは、微小領域に分割され、割り込みがかかった際に、パターンデータPDとマークデータMDとを合成して描画データDDを生成する。そこで、本実施形態では、取得部704は、描画装置1のキャリブレーションの実行時刻を表す時刻情報TIや描画装置1の環境を表す環境情報EIを取得する。決定部708は、取得部704で取得した時刻情報TIや環境情報EIに基づいて、マークを描画する描画条件を満たすときに、マーク描画フラグをたててマークの描画領域を決定する。ここで、環境情報EIは、例えば、基板STの温度を表す温度情報を含む。取得部704が環境情報EIを取得する場合、決定部708は、基板STの温度が所定の温度に到達したタイミングでマークが描画されるように、マークの描画領域描画タイミングを決定する。換言すれば、決定部708は、環境情報EIに基づいて、描画装置1の環境が許容範囲内にあるタイミングでマークが描画されるように、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域からマークの描画領域を決定する。これにより、基板STの温度変化に影響されることなく、基板STに描画することが可能となる。また、取得部704が時刻情報TIを取得する場合、決定部708は、描画装置1のキャリブレーションが行われた直後のタイミングでマークが描画されるように、マークの描画領域描画タイミングを決定する。換言すれば、決定部708は、時刻情報TIに基づいて、描画装置1のキャリブレーションの実行時刻後の予め定められた期間内にマークが描画されるように、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域からマークの描画領域を決定する。描画装置1においては、実際には、回路パターンやマークを描画する描画タイミングは予め検知することが可能であり、回路パターンやマークを描画する前に十分な余裕をもって描画データを生成することが可能な場合もある。例えば、描画装置1のキャリブレーションのスケジュールが決まっている場合などには、1チップ分のパターンデータPDとマークデータMDとを合成して描画データDDを生成してから描画を開始することも可能である。また、本実施形態では、環境情報EIや時刻情報TIに応じてマークの描画タイミングが一意に決定されているが、マークの描画ごとやマークの種類ごとに描画タイミングを変更してもよい。マルチビーム型の描画装置の場合、描画範囲が大画角であるため、回路パターンとマークとを同時に描画することが可能である。従って、回路パターンを描画するタイミングと同じタイミングでマークが描画されるように、マークの描画領域描画タイミングを決定することができる。具体的には、マーク描画フラグをたてたとき又はそれにできるだけ近いときに、マークが描画されるように、マークを描画可能な領域からマークの描画領域を決定する。一方、シングルビーム型の描画装置の場合、回路パターンとマークとを同時に描画することが不可能である。従って、マーク描画フラグをたててからできるだけ近いときに、マークが描画されるように、マークを描画可能な領域からマークの描画領域を決定する。但し、シングルビーム型の描画装置の場合、マークを描画する際に基板ステージ60を移動させなければならないこともあるため、マルチビーム型の描画装置と比較して、マークの描画精度が低下する可能性がある。また、取得部704は、環境情報EIや時刻情報TIに加えて、面形状情報SIを取得することも可能である。この場合、マークの描画領域を決定する前に、面形状情報SIに基づいて、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域から平面度が許容範囲外である領域を除外しておいてもよい。このように、保持部706で保持した領域情報MDRを更新することによって、環境情報EIや時刻情報TIに基づいたマークの描画領域の決定を効率的に行うことができる。また、第1の実施形態と同様に、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が十分に存在していない場合には、決定部708は、マークの形状及び寸法を変更することが可能である。更に、領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が存在しない場合には、決定部708は、その旨を通知するためのエラー又は警告メッセージを描画装置1の表示部不図示に表示したり、制御部80のメモリなどにエラーログを記録したりする。また、領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が存在しない場合には、決定部708は、環境情報EI、時刻情報TIに関わらず、デフォルトで指定されている描画領域をマークの描画領域として決定してもよい。本実施形態によれば、描画装置1の装置状態に応じて、アライメントマークや検査マークなどのマークを描画する描画領域を決定変更することができるため、アライメント精度や検査精度の低下を低減防止することが可能となる。<第3の実施形態>図5は、第3の実施形態における描画データ生成部70の構成を示す図である。荷電粒子線で基板STに描画を行う描画装置1は、露光装置と比較して、パターンの描画に時間がかかるため、パターンの描画中にアライメント精度が低下することがある。従って、本実施形態では、重要な回路パターンクリティカルパターンの描画タイミングとアライメントマークなどのマークの描画タイミングとを合わせることで、描画タイミングのずれに起因するアライメント精度の低下を低減防止する。そこで、本実施形態では、描画データ生成部70は、記憶部702に記憶したパターンデータPDを解析して、回路パターンを構成するパターン要素の密度集積度を表す密度情報DIを算出する算出部712を含む。換言すれば、算出部712は、密度情報DIを取得する取得部として機能する。また、決定部708は、算出部712で算出された密度情報DIに基づいて、密度が予め定められた値以上となるパターン要素パターン要素群、即ち、クリティカルパターンを特定する。そして、決定部708は、特定したクリティカルパターンの描画と並行してマークが描画されるように、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域からマークの描画領域を決定する。このように、本実施形態では、クリティカルパターンの描画タイミングに応じてマークの描画領域描画タイミングを決定する。但し、基板STの上の複数のチップ領域ショット領域の全てに同じ回路パターンが描画される場合には、チップ領域の全てに対してマークを描画する必要はない。また、基板STのチップ領域ごとに、マークの描画領域描画タイミングを変更してもよい。マルチビーム型の描画装置の場合、上述したように、描画範囲が大画角であるため、回路パターンとマークとを同時に描画することが可能である。従って、クリティカルパターンの描画と並行してマークが描画されるように、マークの描画領域描画タイミングを決定することができる。具体的には、クリティカルパターンを描画するタイミング又はそれにできるだけ近いタイミングでマークが描画されるように、マークを描画可能な領域からマークの描画領域を決定する。一方、シングルビーム型の描画装置の場合、回路パターンとマークとを同時に描画することが不可能である。従って、クリティカルパターンを描画するタイミングからできるだけ近いタイミングでマークが描画されるように、マークを描画可能な領域からマークの描画領域を決定する。但し、シングルビーム型の描画装置の場合、マークを描画する際に基板ステージ60を移動させなければならないこともあるため、マルチビーム型の描画装置と比較して、マークの描画精度が低下する可能性がある。また、取得部704が面形状情報SIを取得している場合には、マークの描画領域を決定する前に、面形状情報SIに基づいて、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域から平面度が許容範囲外である領域を除外しておいてもよい。このように、保持部706で保持した領域情報MDRを更新することによって、密度情報DIに基づいたマークの描画領域の決定を効率的に行うことができる。また、第1の実施形態と同様に、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が十分に存在していない場合には、決定部708は、マークの形状及び寸法を変更することが可能である。更に、領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が存在しない場合には、決定部708は、その旨を通知するためのエラー又は警告メッセージを描画装置1の表示部不図示に表示したり、制御部80のメモリなどにエラーログを記録したりする。また、領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が存在しない場合には、決定部708は、密度情報DIに関わらず、デフォルトで指定されている描画領域をマークの描画領域として決定してもよい。本実施形態によれば、基板STに描画する回路パターンを構成するパターン要素例えば、クリティカルパターンに応じて、アライメントマークなどのマークを描画する描画領域を決定変更することができる。従って、クリティカルパターンの描画タイミングとアライメントマークなどのマークの描画タイミングとを合わせることが可能となり、描画タイミングのずれに起因するアライメント精度の低下を低減防止することができる。<第4の実施形態>図6は、第4の実施形態における描画データ生成部70の構成を示す図である。第3の実施形態では、算出部712で算出された密度情報DIに基づいて、決定部708がクリティカルパターンを自動的に特定している。本実施形態では、回路パターンを構成するパターン要素のうち、着目するパターン要素例えば、クリティカルパターンをユーザが任意に指定できるようにする。そこで、本実施形態では、描画データ生成部70は、記憶部702に記憶したパターンデータPDから回路パターンを構成するパターン要素を選択する選択部714を含む。選択部714は、ユーザの指定に応じて、回路パターンを構成するパターン要素から着目するパターン要素を選択する。そして、決定部708は、選択部714で選択されたパターン要素の描画と並行してマークが描画されるように、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域からマークの描画領域を決定する。なお、描画データ生成部70が算出部712を含む場合には、算出部712で算出された密度情報DIをユーザに提供し、ユーザは密度情報DIを参照しながら着目するパターン要素を指定することも可能である。このように、本実施形態では、選択部714で選択されたパターン要素の描画タイミングに応じてマークの描画領域描画タイミングを決定する。但し、基板STの上の複数のチップ領域ショット領域の全てに同じ回路パターンが描画される場合には、チップ領域の全てに対してマークを描画する必要はない。また、基板STのチップ領域ごとに、マークの描画領域描画タイミングを変更してもよい。マルチビーム型の描画装置の場合、上述したように、描画範囲が大画角であるため、回路パターンとマークとを同時に描画することが可能である。従って、選択部714で選択されたパターン要素の描画と並行してマークが描画されるように、マークの描画領域描画タイミングを決定することができる。具体的には、選択部714で選択されたパターン要素を描画するタイミング又はそれにできるだけ近いタイミングでマークが描画されるように、マークを描画可能な領域からマークの描画領域を決定する。一方、シングルビーム型の描画装置の場合、回路パターンとマークとを同時に描画することが不可能である。従って、選択部714で選択されたパターン要素を描画するタイミングからできるだけ近いタイミングでマークが描画されるように、マークを描画可能な領域からマークの描画領域を決定する。但し、シングルビーム型の描画装置の場合、マークを描画する際に基板ステージ60を移動させなければならないこともあるため、マルチビーム型の描画装置と比較して、マークの描画精度が低下する可能性がある。また、取得部704が面形状情報SIを取得している場合には、マークの描画領域を決定する前に、面形状情報SIに基づいて、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域から平面度が許容範囲外である領域を除外しておいてもよい。このように、保持部706で保持した領域情報MDRを更新することによって、選択部714で選択されたパターン要素の描画タイミングに基づいたマークの描画領域の決定を効率的に行うことができる。また、第1の実施形態と同様に、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が十分に存在していない場合には、決定部708は、マークの形状及び寸法を変更することが可能である。更に、領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が存在しない場合には、決定部708は、その旨を通知するためのエラー又は警告メッセージを描画装置1の表示部不図示に表示したり、制御部80のメモリなどにエラーログを記録したりする。また、領域情報MDRが表す領域に必要な平面度を満たす領域が存在しない場合には、決定部708は、選択部714で選択されたパターン要素の描画タイミングに関わらず、デフォルトで指定されている描画領域をマークの描画領域として決定してもよい。本実施形態によれば、基板STに描画する回路パターンを構成するパターン要素から選択されたパターン要素例えば、クリティカルパターンに応じて、アライメントマークなどのマークを描画する描画領域を決定変更することができる。従って、選択されたパターン要素の描画タイミングとアライメントマークなどのマークの描画タイミングとを合わせることが可能となり、描画タイミングのずれに起因するアライメント精度の低下を低減防止することができる。<第5の実施形態>図7は、第5の実施形態における描画データ生成部70の構成を示す図である。本実施形態では、面形状情報SI、環境情報EI及び時刻情報TIに加えて、基板STに形成されている各層に描画されたマークの描画領域を表すマーク領域情報MMIに基づいて、その上に形成されるターゲット層のマークの描画領域を決定する。そこで、本実施形態では、描画データ生成部70は、基板STの上に形成された層のそれぞれについて、マークの描画領域を表すマーク領域情報MMIを管理する管理部716を含む。そして、決定部708は、ターゲット層について、管理部716で管理されたマーク領域情報MMIに基づいて、領域情報MDRが表す領域のうちターゲット層の下の層に描画されたマークと重ならない領域をマークの描画領域として決定する。これにより、ターゲット層に描画されたマークとターゲット層の下の層に描画されたマークとが重なってしまうことを防止することが可能となる。また、管理部716は、基板STに形成される層にマークが描画されるたびに、かかるマークが描画された領域をマーク領域情報MMIに反映させる。なお、管理部716は、基板STの上に形成されている層に描画されたマークの描画領域だけではなく、基板STの上にこれから形成される層に描画されるマークの描画領域もマーク領域情報MMIとして管理する。管理部716で管理されるマーク領域情報MMIは、例えば、基板STの平面度の計測結果面形状情報SIをトリガーとして更新変更される。図8を参照して、管理部716で管理されるマーク領域情報MMIが更新される際の決定部708の処理について説明する。図8では、面形状情報SIをトリガーとしてマーク領域情報MMIが更新される場合を例として説明する。但し、描画装置1の環境例えば、温度の変化やキャリブレーションによる荷電粒子線のビームシフトの発生をトリガーとしてマーク領域情報MMIを更新してもよい。S802において、取得部704は、基板STの各位置での平面度を表す面形状情報SIを取得する。S804において、決定部708は、管理部716で管理されたマーク領域情報MMIを参照して、ターゲット層であるn番目の層に描画されるマークの描画領域を特定する。S806において、決定部708は、取得部704で取得された面形状情報SIS802に基づいて、S804で特定されたマークの描画領域が必要な平面度を満たす領域であるかどうかを判定する。S804で特定されたマークの描画領域が必要な平面度を満たす領域である場合には、管理部716で管理されているマーク領域情報MMIを更新することなく、処理を終了する。一方、S804で特定されたマークの描画領域が必要な平面度を満たす領域でない場合には、S808に移行する。S808において、決定部708は、取得部704で取得された面形状情報SIS802に基づいて、保持部706で保持した領域情報MDRが表す領域から必要な平面度を満たす領域を抽出する。S810において、決定部708は、S808で抽出した領域を、n番目の層に描画されるマークの描画領域として仮決定する。S812において、決定部708は、S810で仮決定されたマークの描画領域、即ち、n番目の層に描画されるマークの描画領域として仮決定された領域を管理部716に通知する。S814において、決定部708は、管理部716で管理されたマーク領域情報MMIを参照して、n番目の層の下の層、即ち、1~n-1番目の層に描画されているマークの描画領域を抽出する。S816において、決定部708は、S810で仮決定されたマークの描画領域から、S814で抽出されたマークの描画領域を除外して、n番目の層に対してマークを描画可能な複数の領域マーク描画可能領域群を定義する。S818において、決定部708は、S816で定義されたマーク描画可能領域群から1つの領域任意の領域を選択し、n番目の層に描画されるマークの描画領域として決定する。S820において、決定部708は、S818と同様に、n番目の層の上に形成されるn1~m番目の層のそれぞれに描画されるマークの描画領域を決定する。また、決定部708は、S818でn番目の層に描画されるマークの描画領域として決定された領域、及び、S820でn1~m番目の層のそれぞれに描画されるマークの描画領域として決定された領域を管理部716に通知する。そして、管理部716は、決定部708からの通知が反映されるように、マーク領域情報MMIを更新する。S820において、決定部708は、管理部716で管理されたマーク領域情報MMIを参照して、n1~m番目の層のそれぞれに描画されるマークの描画領域が互いに重なっていないかどうかを判定する。n1~m番目の層のそれぞれに描画されるマークの描画領域が互いに重なっていない場合には、処理を終了する。一方、n1~m番目の層のそれぞれに描画されるマークの描画領域が互いに重なっている場合には、S818に移行し、マーク描画可能領域群から新たな領域を選択し、n番目の層に描画されるマークの描画領域として決定する。なお、S818及びS820を繰り返してもn~m番目の層のそれぞれに描画されるマークの描画領域を決定できない場合や基板STの上の各層に必要な平面度を満たす領域が存在しない場合もある。このような場合には、その旨を通知するためのエラー又は警告メッセージを描画装置1の表示部不図示に表示したり、制御部80のメモリなどにエラーログを記録したりする。また、このような場合には、デフォルトで指定されている描画領域をマークの描画領域として決定する。また、本実施形態では、基板STの上の下層基板側の層から上層の順序でマークの描画領域を決定しているが、マークの描画領域を決定する層の順序を限定するものではない。例えば、マークの描画領域を優先して決定したい層があることも考えられるため、マークの描画領域を決定する優先順位を各層に設定し、かかる優先順位に応じてマークの描画領域を決定してもよい。図9は、管理部716で管理されるマーク領域情報MMIの一例を示す図である。マーク領域情報MMIは、基板STの上の各層のマーク情報を含み、それらのマーク情報は、互いに関連付けられている。従って、各層に描画されるマークの描画領域やマークの形状などが変更されても、マーク領域情報MMIを参照することで、後工程例えば、アライメント工程や検査工程などを問題なく行うことができる。なお、図9では、n番目の層のマーク情報とnm番目の層のマーク情報とが示されている。図9を参照するに、n番目の層のマーク情報には、アライメントマークの描画可能領域、検査マークの描画可能領域、n層の描画の際にアライメントに用いるアライメントマークの描画領域及び形状が含まれている。また、n番目の層のマーク情報には、n層の検査に用いる検査マークの描画領域及び形状、n層に描画されたアライメントマークの描画領域及び形状、n層に描画された検査マークの描画領域及び形状も含まれている。アライメントマークの描画領域は、アライメントマークの描画可能領域に含まれる領域から選択され、検査マークの描画領域は、検査マークの描画可能領域に含まれる領域から選択されている。また、nm番目の層の位置合わせにn番目の層に描画されたアライメントマークを用いる場合には、n番目の層のマーク情報に含まれる、n番目の層に描画されたアライメントマークの描画領域及び形状を参照する。同様に、nm番目の層の検査にn番目の層に描画された検査マークを用いる場合には、n番目の層のマーク情報に含まれる、n番目の層に描画された検査マークの描画領域及び形状を参照する。本実施形態によれば、基板STの各層に描画されるアライメントマークや検査マークなどのマークが重ならないように即ち、既に形成されたマークの描画領域と重ならないように、新たなマークを描画する描画領域を決定変更することができる。各実施形態で説明したように、描画装置1は、アライメント精度や検査精度の低下を低減防止することが可能であり、荷電粒子線と基板STとの位置合わせを高精度に行うことができる。従って、描画装置1は、高いスループットで経済性よく高品位な物品半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等を提供することができる。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置1を用いて潜像パターンを形成する工程基板に描画を行う工程と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、描画装置は、描画装置本体部、及び、かかる描画装置本体部とネットワークで接続するコンピュータシステムで構成されている。従って、描画装置本体部からの情報のフィードバックが不要である場合には、パターンデータとマークデータとを合成して描画データを生成する処理は、コンピュータシステムで行われてもよい。