"第1導波路と第2導波路を含み、前記第1導波路と前記第2導波路の各々において、2n値nは1以上の整数の強度レベルを有する変調駆動信号で搬送光を変調する光変調器と、前記第1導波路から出力される第1の光信号と、前記第2導波路から出力される第2の光信号との間に所定の位相差を与える位相シフト部と、前記位相差が与えられた前記第1の光信号と前記第2の光信号を合波して得られる多値光変調信号の一部を検出して光電変換する光検出器と、前記検出された変調信号の交流成分の変化を検出するモニタ部と、前記検出された交流成分の変化に基づいて、前記第1導波路に与える第1バイアス電圧と前記第2導波路に与える第2バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出される交流成分のパワーが大きくなるように制御する制御部と、を備える光送信装置。前記制御部は、前記第1導波路に与える第1バイアス電圧と、前記第2導波路に与えられる第2バイアス電圧と、前記位相シフト部に与えられる第3バイアス電圧を、同時または時分割方式で制御し、前記検出される交流成分のパワーが小さくなるように前記第3バイアス電圧を制御することを特徴とする請求項1に記載の光送信装置。低周波信号を生成する低周波信号生成回路と、前記低周波信号を直流電圧に重畳して前記第1バイアス電圧及び前記第2バイアス電圧を生成するバイアス回路と、をさらに備え、前記モニタ部は、前記交流成分に含まれる前記低周波信号を検出し、前記制御部は、前記第1バイアス電圧と前記第2バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出された前記低周波信号がゼロに近づくように制御することを特徴とする請求項1に記載の光送信装置。低周波信号を生成する低周波信号生成回路と、前記低周波信号を直流電圧に重畳して前記第1バイアス電圧、前記第2バイアス電圧、及び前記第3バイアス電圧を生成するバイアス回路と、をさらに備え、前記モニタ部は、前記交流成分に含まれる前記低周波信号を検出し、前記制御部は、前記検出された前記低周波信号がゼロに近づくように前記第1バイアス電圧、前記第2バイアス電圧、及び前記第3バイアス電圧を制御することを特徴とする請求項2に記載の光送信装置。前記制御部は、前記検出された前記低周波信号がプラスならば、前記第1のバイアス電圧または前記第2のバイアス電圧を正方向に変化させ、前記第3のバイアス電圧を負方向に変化させ、前記検出された前記低周波信号がマイナスならば、前記第1のバイアス電圧または前記第2のバイアス電圧を負方向に変化させ、前記第3のバイアス電圧を正方向に変化させることを特徴とする請求項4に記載の光送信装置。光変調器の第1導波路と第2導波路を伝送する光を、2n値nは1以上の整数の強度レベルを有する変調駆動信号でそれぞれ変調し、前記第1導波路から出力される第1の光信号と、前記第2導波路から出力される第2の光信号との間に所定の位相差を与え、前記位相差が与えられた前記第1の光信号と前記第2の光信号を合波して得られる多値光変調信号の一部を検出して光電変換し、前記検出された変調信号の交流成分の変化を検出して、前記第1導波路に与える第1バイアス電圧と、前記第2導波路に与えられる第2バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出される交流成分のパワーが大きくなるように制御する、ことを特徴とする光送信装置の制御方法。更に、前記検出された交流成分の変化に基づいて、前記第1導波路に与える第1バイアス電圧と、前記第2導波路に与えられる第2バイアス電圧と、前記位相シフト部に与えられる第3バイアス電圧を、同時または時分割方式で制御し、前記第3バイアス電圧の制御は、前記検出される交流成分のパワーが小さくなるように制御することを特徴とする請求項6に記載の光送信装置の制御方法。直流電圧に低周波信号を重畳して前記第1バイアス電圧及び前記第2バイアス電圧を生成し、前記交流成分に含まれる前記低周波信号を検出し、前記検出された前記低周波信号がゼロに近づくように、前記第1バイアス電圧と前記第2バイアス電圧の少なくとも一つを制御する、ことを特徴とする請求項6に記載の制御方法。直流電圧に低周波信号を重畳して前記第1バイアス電圧、前記第2バイアス電圧、及び前記第3バイアス電圧を生成し、前記交流成分に含まれる前記低周波信号を検出し、前記検出された前記低周波信号がゼロに近づくように、前記第1バイアス電圧、前記第2バイアス電圧、及び前記第3バイアス電圧を制御することを特徴とする請求項7に記載の制御方法。請求項1~5のいずれか1項に記載の光送信装置と、前記光送信装置から出力される変調信号を伝送する伝送路と、前記伝送路を介して前記変調信号を受信する光受信装置と、を含む光伝送システム。図3に、図2A及び図2Bの公知技術を16QAM変調方式に適用した場合の課題を示す。16QAM変調に用いる4値の駆動信号のレベルを1、2、3、4とする。16QAM変調においても、LN変調器の駆動電圧対光強度特性の谷が、バイアス最適点となる。図3Aに示すように、バイアス最適時には、駆動信号1、4のレベルで2f0成分最適点で発生する成分が発生し、中間レベルの2,3のレベルでf0成分が発生する。中間レベル2,3のf0成分は逆位相となり、互いに打ち消し合うので、結局はバイアス最適状態で発生する成分は2f0成分となる。これに対して、図3Bのように、バイアス電圧2×Vπの振幅の中心が駆動電圧対光強度信号特性の谷からずれた状態バイアスずれ時では、駆動信号1と4のレベルにおいてもf0成分が発生するが、1,4のレベルで発生するf0成分実線と、中間の2,3のレベルで発生するf0成分破線が逆位相となり、かつ強度が異なるため、バイアスのずれ度合いによっては、f0成分がまったく検出されないか、検出されても制御に用いることができない程度に小さいものとなる。したがって、従来のバイアス制御手法を16QAM、64QAMなどの多値変調に適用しても安定した伝送信号特性を得ることができない。そこで、光変調部のバイアス制御を効果的に行って安定した伝送信号特性を得ることのできる光送信装置と光変調制御方法、およびそれを適用した光伝送システムを提供することを課題とする。第1の観点では、光送信装置は、第1導波路と第2導波路を含み、前記第1導波路と前記第2導波路の各々において、2n値nは1以上の整数の強度レベルを有する変調駆動信号で搬送光を変調する光変調器と、前記第1導波路から出力される第1の光信号と、前記第2導波路から出力される第2の光信号との間に所定の位相差を与える位相シフト部と、前記位相差が与えられた前記第1の光信号と前記第2の光信号を合波して得られる多値光変調信号の一部を検出して光電変換する光検出器と、前記検出された変調信号の交流成分の変化を検出するモニタ部と、前記検出された交流成分の変化に基づいて、前記第1導波路に与える第1バイアス電圧と前記第2導波路に与える第2バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出される交流成分のパワーが大きくなるように制御する制御部と、を備える。第2の観点では、光送信装置の制御方法を提供する。この制御方法は、光変調器の第1導波路と第2導波路を伝送する光を、2n値nは1以上の整数の強度レベルを有する変調駆動信号でそれぞれ変調し、前記第1導波路から出力される第1の光信号と、前記第2導波路から出力される第2の光信号との間に所定の位相差を与え、前記位相差が与えられた前記第1の光信号と前記第2の光信号を合波して得られる多値光変調信号の一部を検出して光電変換し、前記検出された変調信号の交流成分の変化を検出して、前記第1導波路に与える第1バイアス電圧と、前記第2導波路に与えられる第2バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出される交流成分のパワーが大きくなるように制御する、ことを特徴とする。第3の観点では、光伝送システムを提供する。光伝送システムは、第1の観点で上述した光送信装置と、前記光送信装置から出力される変調信号を伝送する伝送路と、前記伝送路を介して前記変調信号を受信する光受信装置と、を含む。2n値nは1以上の整数の強度レベルを有する変調駆動信号で変調を行う光変調方式の光送信装置、光伝送システムにおいて、安定した伝送信号特性を得ることができる。以下で、図面を参照して本発明の実施例を説明する。実施例では、16QAMなどの多値変調部を有する光送信機において、光変調部の出力のAC交流成分のパワーの変化に基づいて、I/Q変調器のIアーム及びQアームのバイアスと、位相シフト部のバイアスと、を個別に制御する。I/Q変調器のバイアスと、位相シフト部のバイアスを独立して制御するという技術思想は、I/Q変調器のバイアスずれに対する変調出力信号の変動と、位相シフト部のバイアスずれに対する変調出力信号の変動は、異なる特性を示すという新たな知見に基づくものである。実施例の構成と手法は、2n値nは1以上の整数の強度レベルを有する変調駆動信号を用いて位相変調を行う任意の光送信装置に適用可能である。n=1の場合は、2値の駆動信号による直交位相変調QPSKに適用され、n=2の場合は4値の駆動信号による16QAM変調に適用され、n=4の場合は8値の駆動信号による64QAM変調に適用可能である。また、256QAMn=16など、より多値の変調方式にも本発明の原理は適用可能である。I/Q変調器のバイアスずれと、位相シフト部のバイアスずれは独立して検出、制御可能である。また、I/Q変調器のIアームのバイアスずれと、Qアームのバイアスずれも個別に検出、制御が可能である。したがって、Iアームバイアス、Qアームバイアス、位相シフト部バイアスの中の少なくとも1つを制御することによって、ドリフト動作点ずれや位相シフトずれを防止して、バイアス値を最適に設定することができる。以下で、具体的な実施例に基づいて発明を詳細に説明する。実施例では、I/Q変調器のIアームのバイアス、Qアームのバイアス、π/2位相シフト部のバイアスという3つのバイアスすべてを制御する例を中心として説明する。また、実施例では、変調部において光変調器の一例としてLN変調器を用いているが、これに限定されるものではなく、マッハツェンダ型の光変調器に適用可能である。たとえば、半導体マッハツェンダ型変調器にも同様に適用される。図4は、実施例1の光送信装置10Aの概略構成図である。実施例1では、光変調部20のモニタ出力のAC交流成分のパワー変化に基づいて、I/Qアームのバイアスと、π/2位相シフト部のバイアスとを制御する。光送信装置10Aは、光変調部20と、光変調部20の出力信号の一部を光電変換する光検出器PD:フォトダイオード21と、検出された変調信号から交流成分以下AC成分と略称するのパワーを抽出するモニタ部39と、抽出されたAC成分のパワー変化に基づいて光変調部20に与えるバイアス電圧を制御する制御部35とを含む。モニタ部39と制御部35で、バイアス制御部30を構成する。モニタ部39と制御部35は別回路、別FPGAFieldProgrammableGateArray、別プロセッサで構成してもよいし、ひとつの回路、FPGAFieldProgrammableGateArray、プロセッサとして構成してもよい。また、PD21とAC成分抽出部33の間に、電気信号の帯域を制限するローパスフィルタLPF32を挿入してもよい。光変調部20は、光源17と、I/Q変調器18と、π/2位相シフト部19を含む。I/Q変調器18は、Iアーム第1導波路18Iと、Qアーム18Q第2導波路を有する。π/2位相シフト部19は、Iアーム18Iから出力される光信号と、Qアーム18Qから出力される光信号との間にπ/2の位相差を与える。π/2位相シフト部19は、たとえばI/Q変調器18とともにLiNbO3結晶基板上にモノリシックに形成され、バイアス印加電極19aを有する。π/2位相シフト部19は、物理的な導波路長を異ならせる、あるいは温度差により光学長を調整することによって、2つの光信号の間に位相差を与える。光送信装置10Aはまた、ディジタル信号処理部11、ディジタルアナログコンバータDAC12、13、電気アンプ14、15を有する。ディジタル信号処理部11は、2つの符号系列を生成する。符号系列は、ディジタルアナログコンバータ12、13によって4つの電気波形を有するアナログ駆動信号に変換され、電気アンプで振幅調整されてI/Q変調器18のIアーム18IとQアーム18Qに入力される。Iアーム18IとQアーム18Qに入力されるアナログ駆動信号振幅Vπは、符号が反転した相補的な駆動信号であり、駆動振幅は2×Vπとなる。光源LD17から出射された光は、分岐されて、Iアーム18IとQアーム18Qの各々に入力される。Iアーム18IとQアーム18Qは、それぞれ4値のアナログ駆動信号により、駆動振幅2×Vπで入力光を変調する。アーム18I、18Qから出力される2つの光信号は、π/2位相シフト部19でπ/2の位相差が与えられ、合波されて、光変調部20から出力される。光変調部20の出力光信号は、4段階の振幅と4段階の位相を有する16QAM光変調信号となる。光変調部20の変調出力光の一部は、PD21で光電変換されて、バイアス制御部30に入力される。π/2の位相差が与えられた2つの光信号の合波と、PD21への分波は、図示しない光カプラにより行なうことができる。モニタ部39は、AC成分抽出部33と、AC成分パワー検出部34を含む。AC成分抽出部33は、入力された電気信号からAC交流成分を抽出する。AC成分抽出部33は、たとえば、直流成分を遮断し交流成分のみを透過させるカップリングコンデンサである。AC成分パワー検出部34は、図示しない光スペクトルアナライザの光スペクトルに基づき、抽出されたAC成分のパワー値積分値を検出する。検出されたAC成分パワー値は、制御部35に供給される。制御部35は、AC成分パワー検出部の検出値に基づいて、Iアーム18I、Qアーム18Q、及びπ/2位相シフト部19のそれぞれに与えるバイアス電圧を制御する。制御部35は、Iアーム18I、Qアーム18Q、及びπ/2位相シフト部19に対するバイアス制御を切り替えるスイッチ36を含む。具体的には、制御部35は、aIアーム18IとQアーム18Qに与えるバイアス電圧を、PD21の出力におけるAC成分パワーが大きくなるように最大となるように制御する。他方、bπ/2位相シフト部19に与えるバイアス電圧を、PD21の出力におけるAC成分パワーが小さくなるように最小となるように制御する。この個別制御の原理を、図5と図6を参照して説明する。図5は、Iアーム18IまたはQアーム18Qのバイアスずれに対するモニタ信号の電気スペクトル変化のシミュレーション結果である。モニタ信号は、図4のAC成分抽出部33の出力矢印Eで示す個所をモニタリングした信号スペクトルである。Iアーム18IとQアーム18Qの場合、図5Bのように、バイアス最適点、すなわちバイアス電圧がI/Q変調器18の駆動電圧対光強度特性の谷にある地点図2B参照で、モニタ信号のAC成分パワーが最大となる。図5Aや図5Cのように、バイアスが最適点からずれると、全体的にモニタ信号のAC成分パワーが下がる方向に変化する。そこで、このAC成分パターの変化を利用して、AC成分パワーが最大になる方向に、Iアーム18Iのバイアス電圧と、Qアーム18Qのバイアス電圧を制御する。図6は、π/2位相シフト部19のバイアスずれに対するモニタ信号の電気スペクトル変化のシミュレーション結果である。このモニタ信号も、図4のAC成分抽出部33の出力の信号スペクトルである。π/2位相シフト部の場合、図5とは逆に、図6Bのバイアス最適点で、AC成分パワーが最小となる。図6A、図6Cのように、バイアスがずれると、全体的にAC成分のパワーが大きくなる方向に変化する。そこで、このAC成分の変化を利用して、AC成分パワーが最小になる方向にπ/2位相シフト部19のバイアス電圧を制御する。この構成によると、PD出力のAC成分の大きさをそのままモニタリングして、Iアーム18I、Qアーム18Q、π/2位相シフト部19のバイアス電圧にフィードバックすることができる。実施例1の構成では、低周波信号を発生させて光信号に重畳する、あるいは別途検出波を搬送波に重畳する、などの追加の構成、工程を要しないので、制御が直接的かつ簡便であり、装置構成も簡単になる。図7は、PD21の全出力のAC成分をモニタリングしたときのバイアスずれとAC成分変化の関係を示すグラフである。図7Aは、Iアーム18IまたはQアーム18Qのバイアスずれ[×Vπ]に対するACパワーの変化を示し、図7Bは、π/2位相シフト部19のバイアスずれ[度]に対するAC成分の変化を示す。図7Aの場合、バイアスずれがゼロのときに、ACパワーが最大になる。他方、図7Bでは、バイアスずれがゼロのときすなわち位相差がπ/2のときに、ACパワーが最小になる。これらのAC成分のパワー変化を用いて、I/Q変調器18と、π/2位相シフト部19のバイアスを、フィードバック制御する。図8は、PD21とAC成分抽出部33との間に、カットオフ周波数が100MHzのLPF32を挿入したときの、バイアスずれに対するAC成分変化のシミュレーション結果である。LPF32による帯域制限を行なった場合にも、図7と同程度の感度でAC成分変化を得ることが可能である。この構成では、回路の帯域を抑制できるので、汎用部品で実用化でき、小型化、低コスト化に貢献する。図9A~図9Cは、実施例1をQPSK変調、64QAM変調に拡張する例を示す図である。図9AはQPSK変調、図9Bは16QAM変調、図9Cは64QAM変調の特性であり、それぞれ、IアームまたはQアームバイアスずれに対するAC成分のパワー変化を、LN駆動信号波形及び光変調信号波形に対応づけて示している。図9A~図9Cのシミュレーション結果から明らかなように、駆動信号波形が2nnは1以上の整数の強度レベルを持つ変調方式では、16QAMと同様に、バイアス最適点でACモニタ成分の強度が最大となることがわかる。したがって、実施例1の構成と手法は、16QAM以外に、2nnは1以上の整数の強度レベルで変調される多値変調方式に適用可能である。この場合、図4に示す光変調部20とバイアス制御部30の構成は同じであり、I/Q変調器LN変調器18に入力される駆動信号の波形が異なるだけである。図10は、実施例1の制御フローを示す。制御部35は、Iアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフト部バイアスに対する制御を、スイッチ36で時間分割により順次切り換える。便宜上、Iアームバイアスに対する処理を処理A、Qアームバイアスに対する処理を処理B、π/2位相シフト部バイアスに対する処理を処理Cとする。制御が開始されると、まずAC成分パワー値を初期値AC0に設定するS101。初期値AC0は、たとえば0ゼロとする。次に、処理対象をA、B、Cの中から選択するS102。各処理Iアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフト部バイアスのモニタリング及びバイアス設定は別個に行なわれるので、制御対象としては、Iアームバイアスのみ、あるいはQアームバイアスのみを制御する、IアームバイアスとQアームバイアスの双方を制御する、π/2位相シフト部バイアスのみを制御する、Iアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフト部バイアスのすべてを制御する、など、光送信装置10Aの動作状態に応じて、適宜選択することができる。一例として、のようにIアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフト部バイアスの3つを順次選択して制御することとする。制御部35は、まずIアームバイアス処理Aを制御対象に設定するS102。すなわち、バイアスがIアームにのみ与えられるようにスイッチングする。モニタ部39のACパワー検出部34は、PD21の出力信号からAC成分パワー値ACnを検出し、検出結果を制御部35に供給するS103。制御部35は、最後に受け取ったIアームのAC成分パワー値を、前回値ACn1として格納しており、今回のモニタ値ACnを、前回の値ACn1と比較するS104。制御部35は、前回のACパワー値との比較回数がN回に達するまでS105でNO、比較結果に基づいてバイアスを設定するS106。たとえば、Iアームバイアスに着目した処理において、今回のAC成分パワー値が、前回値よりも大きい場合ACn>ACn1、それはAC成分のパワーが最大値最適点に向かう方向にバイアスが変化していることを示す図7A、図8A参照。この場合、制御部35は、現在のバイアスを維持する。今回のAC成分パワー値が、前回値よりも小さい場合ACn<ACn1は、最適点から離れていることを示すので、バイアスをプラス側またはマイナス側へ変化させる。これまでの処理で、バイアスずれ値が小さくなる方向にバイアスを変化させている場合は、図7A、図8Aのプラス側でバイアス調整行なっているので、バイアスをマイナス側に変化させる。これまでの処理で、バイアスのずれ値が大きくなる方向に変化させている場合は、図7A、図8Aのマイナス側でバイアス調整を行なっているので、バイアスをプラス側に変化させる。なお、バイアスを変化させるステップサイズは、あらかじめ所定の値に設定しておく、または可変にしてもよい。Iアーム18IおよびQアーム18Qのバイアス調整のステップサイズと、π/2位相シフト部19のバイアス調整のステップサイズは異なっていてもよい。バイアスの設定後、制御部35はAC成分パワー値を記憶し、nをインクリメントしてS103に戻る。すなわち、AC成分パワー検出部34から今回値ACnn=n1を取得しS103、格納した直前の値ACn1と比較しS104、nがNに達するまで、バイアスの設定を行なうS105、106。N回の処理が終了するとS105でYES、Iアームバイアスに対する制御が終了し、S102に戻る。S102で、制御部35は、制御対象を、Qアームバイアス処理Bに切り換える。これにより、バイアスがQアームに与えられる。最初に与えられるバイアスは、たとえば前回最後に設定されていたバイアス値である。Qアームについても、Iアームと同様に、S103~S106をN回繰り返して、Qアームバイアスを最適に設定する。次に、S102で、制御部35は、π/2位相シフト部バイアスの処理処理Cに切り換える。π/2位相シフト部バイアスの場合、S103~S105はIアームバイアス、Qアームバイアスと同様であるが、S106のバイアス設定の判断は、Iアームバイアス処理A及びQアームバイアス処理Bと逆になる。すなわち、今回のAC成分パワー値が、前回値よりも小さい場合ACn<ACn1、AC成分パワーが最小値に向かう方向にバイアスが変化していることを意味する図7B、図8B参照。この場合、制御部35は、現在のバイアスを維持する。今回のAC成分パワー値が、前回値よりも大きい場合ACn>ACn1は、最適点位相シフト量がπ/2となる点から離れていることを意味するので、バイアスをプラス側またはマイナス側へ変化させる。これまでの処理で、バイアスずれ値が小さくなる方向にバイアスを変化させている場合は、バイアスずれの調整を図7B、図8Bのプラス側で行なっているので、バイアスをマイナス側に変化させる。これまでの処理で、バイアスずれ値が大きくなる方向に変化させている場合は、バイアスずれの調整を図7B、図8Bのマイナス側で行なっているので、バイアスをプラス側に変化させる。π/2位相シフト部バイアスに対する処理CをN回実施したならばS105でYES、制御部35は、再度、制御対処を処理Aに切り換えるS102。このようにして、変調光のAC成分のパワー変化に基づいて、Iアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフト部バイアスを順次制御する。図4では図示していないが、制御部35は、各処理A,B,Cごとに、前回のACパワー値やバイアス値を格納する記憶部や、カウンタを有する。これらについては一般的な手段を用いることができるので、説明を省略する。図11は、実施例2の光送信装置10Bの構成図である。実施例2では、光変調部20に与えるバイアス電圧に低周波信号f0を重畳し、検出されたAC成分に含まれる低周波信号f0の変化から、バイアスを最適点へ制御する。光送信装置10Bの光変調部20、PD21、ディジタル信号処理部11、DAC12、13、電気アンプ14、15の構成は、実施例1と同様である。光送信装置10Bのバイアス制御部40は、AC成分抽出部33、AC成分パワー検出部34、任意で設けるLPF32に加えて、同期検波部41、低周波信号生成部42、DCバイアス回路43、制御部45を有する。LPF32、AC成分抽出部33、AC成分パワー検出部34、及び同期検波部41で、モニタ部49を構成する。モニタ部49、低周波信号生成部42、DCバイアス回路43、制御部45は別回路、別FPGAFieldProgrammableGateArray、別プロセッサで構成してもよいし、ひとつの回路、FPGAFieldProgrammableGateArray、プロセッサとして構成してもよい。低周波信号生成部42は、I/Q変調器18の変調波の周波数シンボル周波数よりも低い低周波信号f0を生成し、低周波信号f0をDCバイアス回路43に供給する。DCバイアス回路43は、生成したDCバイアス電圧に低周波信号f0を重畳する。これによりDCバイアス電圧は周波数f0で変化することになる。DCバイアス回路43はスイッチ47を有し、制御部45の切換手段46の指示に基づいて、低周波信号f0が重畳されたバイアス電圧を、Iアーム18I、Qアーム18Q、π/2位相シフト部19に、順次切り換えて供給する。すなわち、制御対象として着目する個所に、低周波信号f0が重畳されたバイアス電圧を印加する。PD21は、光変調部20から出力される変調光の一部を受け取って光電変換し、検出信号をバイアス制御部40のAC成分抽出部33に供給する。AC成分抽出部33と、AC成分パワー検出部34の動作、機能は、実施例1と同様である。異なる点は、AC成分抽出部33で抽出され、パワーが検出されたAC成分に、重畳された低周波信号成分f0が含まれている点である。AC成分パワー検出部34の出力は同期検波部41に供給される。同期検波部41は、低周波信号生成部42で生成される低周波信号f0を用いて、同期検波により、AC成分に含まれる低周波成分f0を抽出する。抽出結果は、モニタ信号として制御部45に入力される。制御部45は、モニタ信号f0が実質的にゼロになるように、DCバイアス回路43が生成するDCバイアスを制御する。この動作を、図12を参照して説明する。図12は、モニタ信号AC成分から抽出されたf0信号の強度とバイアスずれの関係を示すグラフである。図12Aは、IアームバイアスまたはQアームバイアスの特性を、図12Bはπ/2位相シフト部バイアスの特性を示す。図12Aのグラフは、図7A及び図8Aに示したAC成分の最大点からの変化を低周波信号f0の変化として表わしたものである。図12Bのグラフは、図7B及び図8Bに示したAC成分の最小点からの変化を低周波信号f0の変化として表わしたものである。Iアームバイアス及びQアームバイアスと、π/2位相シフト部バイアスでは、変化の方向が逆である。縦軸の信号強度でマイナスの値となっているのは、低周波信号成分f0の位相が反転していることを示す。Iアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフト部バイアスのすべてにおいて、最適点縦軸のバイアスずれがゼロとなる点でモニタ信号f0成分はゼロである。また、最適点の前後で、f0成分の位相が反転している。したがって、モニタされた低周波信号f0がゼロ付近になるように、または、低周波信号f0の位相反転する点を見つけるように、またはこれらの組み合わせによって、バイアスの最適点を検出する。この方法では、モニタ信号f0の符号±によって変動方向を検知することができる。IアームバイアスとQアームバイアスにおいて、検出されたモニタ信号f0の値がプラスならば、バイアスを正方向に設定し、検出されたモニタ信号f0の値がマイナスならば、バイアスを負方向に設定する。他方、π/2位相シフト部バイアスについては、変化の方向が逆なので、検出されたモニタ信号f0がプラスならば、バイアスを負方向に設定し、検出されたモニタ信号f0マイナスならば、バイアスを正方向に設定する。IアームバイアスとQアームバイアスで、f0がゼロになる方向へのバイアス制御は、実施例1のAC成分パワーが最大になる方向へのバイアス制御に対応する。π/2位相シフトバイアスで、f0がゼロになる方向へのバイアス制御は、実施例1のAC成分パワーが最小になる方向へのバイアス制御に対応する。実施例2でも、Iアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフトバイアスに対するモニタリング及び制御を、共通のバイアス制御部40により時分割で制御する。制御部45は切換制御手段46を有し、DCバイアス回路43のスイッチ47の動作を制御する。図13は、実施例2の制御フローの例を示す。便宜上、Iアームバイアスに対する処理を処理A、Qアームバイアスに対する処理を処理B、π/2位相シフト部バイアスに対する処理を処理Cとする。制御が開始されると、制御部45は、Iアームバイアス処理Aを制御対象に設定するS201。制御部45の切換制御手段46は、バイアスがIアームに与えられるようにDCバイアス回路43のスイッチ47を制御する。低周波信号生成部42により低周波信号f0が生成され、DCバイアスに重畳されるS202。低周波信号f0が重畳されたバイアスは、着目しているIアーム18Iに与えられる。ACパワー検出部34により、PD21の出力信号からAC成分が検出されS203、同期検波により低周波信号f0がモニタ信号として抽出されるS204。制御部45は、検出回数がN回に達するまでS205でNO、モニタ信号に基づいてバイアスを設定するS206。上述したように、Iアームバイアスの場合、検出されたモニタ信号の符号がプラスの場合は、バイアスを正方向に変化させる。検出されたモニタ信号の符号がマイナスの場合はバイアスを負方向に変化させる。バイアスを変化させるステップサイズはあらかじめ適切な値に決める、または、回を追う毎に小さくする、つまり可変してもよい。処理がN回繰り返されたならばS205でYES、制御部45は、処理をQアームバイアス処理Bの制御に切り換えるS201。処理Bの制御は処理Aと同様である。Qアームバイアスの処理がN回繰り返されたなら、π/2位相シフト部バイアス処理Cの制御に移行するS201。π/2位相シフト部バイアスでは、検出されたモニタ信号f0がプラスの値ならば、バイアスを負方向に変化させ、検出されたモニタ信号f0がマイナスの値ならば、バイアスを正方向に変化させるS206。バイアスを変化させるステップサイズは、あらかじめ適切な値に決めておく。このステップサイズは、IアームバイアスやQアームバイアスの調整のためのステップサイズとは異なる値であってもよい。π/2位相シフト部バイアスに対する処理CをN回実施したならばS205でYES、制御部45は、再度、制御対処を処理Aに切り換えるS201。このようにして、変調光のAC成分に含まれる低周波信号f0の変化に基づいて、Iアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフト部バイアスを順次制御する。実施例2では、DCバイアスに低周波信号を重畳することによって、制御の感度を向上することができる。なお、実施例2で同期検波部41を省略することは可能である。同期検波を行なわずに低周波信号成分f0を検出する場合は、変化の方向符号は検出されずに大きさのみが検出されることになる。この場合は、実施例1と同様に、前回の検出値を記憶しておき、今回の検出値と前回の検出値とを比較してバイアス制御を行う。実施例2の方法によると、前回値との比較を行わなくても、モニタ信号の符号プラスまたはマイナスから直接変化の方向を知ることができる。また、制御感度が向上する。図14は、実施例3の光送信装置10Cの概略構成図である。実施例3では、複数の低周波信号を用いて周波数分割によりバイアス制御を行う。具体的には、Iアームバイアスに周波数f1、Qアームバイアスに周波数f2、π/2位相シフト部バイアスに周波数f3の低周波信号を重畳する。光信号装置10Cの構成は、基本的に実施例2の構成と同様である。異なる点は、バイアス制御部50の低周波信号生成部52は、f1~f3の3種類の低周波信号を生成する点にある。実施例3でも、Iアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフト部バイアスの制御を時分割で行う。したがって、低周波信号生成部52は、制御部55の指示に基づき、Iアームバイアスの制御時には低周波信号f1を生成し、Qアームバイアスの制御時には低周波信号f2を生成し、π/2位相シフト部バイアスの制御時には低周波信号f3を生成する。低周波信号f1、f2、f3は、I/Q変調部18のシンボルレートよりも低い周波数である。DCバイアス回路53は、制御部55の切換制御部手段56の指示に基づいて、Iアームバイアス制御時には、低周波信号生成部52から受け取った低周波信号f1をバイアス電圧に重畳し、スイッチ57をIアーム18I側に切り換えて、低周波信号f1が重畳されたバイアス電圧をIアーム18Iに印加する。同様に、Qアームバイアス制御時には、低周波信号生成部52から受け取った低周波信号f2をバイアス電圧に重畳し、スイッチ57をQアーム18Q側に切り換えて、低周波信号f2が重畳されたバイアス電圧をQアーム18Qに印加する。π/2位相シフト部バイアスの制御時には、低周波信号生成部52から受け取った低周波信号f3をバイアス電圧に重畳し、スイッチ57をπ/2位相シフト部19側に切り換えて、低周波信号f3が重畳されたバイアス電圧をπ/2位相シフト部19のバイアス印加電極19aに印加する。モニタ部59は、光変調部20の出力である16QAM光変調信号の一部を、PD21から電気信号として受け取る。AC成分抽出部33、AC成分パワー検出部34の動作は実施例1、2と同様である。同期検波部51の動作は実施例2と同様である。同期検波部51により検出されるモニタ信号f1とf2は、図12Aのモニタ信号foと同様の変化の方向を示す。モニタ信号f3は、図12Bのモニタ信号f0と同様の変化の方向を示す。なお、モニタ部59、低周波信号生成部52、DCバイアス回路53、制御部55は別回路、別FPGAFieldProgrammableGateArray、別プロセッサで構成してもよいし、ひとつの回路、FPGAFieldProgrammableGateArray、プロセッサとして構成してもよい。図15は、実施例3の制御フローを示す図である。便宜上、Iアームバイアスに対する処理を処理A、Qアームバイアスに対する処理を処理B、π/2位相シフト部バイアスに対する処理を処理Cとする。制御が開始されると、制御部55は、Iアームバイアス処理Aを制御対象に設定するS301。制御部55の切換制御手段56は、バイアスがIアーム18Iに与えられるように、DCバイアス回路53のスイッチ57を制御する。また、Iアームバイアス用の低周波信号f1が生成されるように、低周波信号生成部52を制御する。低周波信号生成部52により低周波信号f1が生成され、DCバイアスに重畳されるS302。低周波信号f1が重畳されたバイアスは、着目しているIアーム18Iに与えられる。ACパワー検出部34によりPD21の出力信号からAC成分が検出されS303、同期検波により低周波信号f1がモニタ信号として検出されるS304。制御部55は、検出回数がN回に達するまでS305でNO、モニタ信号に基づいてバイアスを設定するS306。モニタ信号f1の符号がプラスならば、バイアスを正方向に設定する。モニタ信号f1の符号がマイナスならば、バイアスを負方向に設定する。処理がN回繰り返されたならばS305でYES、制御部55は、制御対象をQアームバイアス処理Bに切り換えるS301。制御部55の切換制御手段56は、バイアスがQアーム18Qに与えられるように、DCバイアス回路53のスイッチ57を制御する。また、Qアームバイアス用の低周波信号f2が生成されるように、低周波信号生成部52を制御する。低周波信号生成部52により低周波信号f2が生成されて、DCバイアスに重畳されるS302。低周波信号f2が重畳されたバイアスは、着目しているQアーム18Qに与えられる。ACパワー検出部34によりPD21の出力信号からAC成分が検出されS303、同期検波により低周波信号f2がモニタ信号として検出されるS304。制御部55は、検出回数がN回に達するまでS305でNO、モニタ信号に基づいてバイアスを設定するS306。バイアスの設定は、Iアームバイアスの制御と同様である。処理がN回繰り返されたならばS305でYES、制御部55は、処理をπ/2位相シフト部バイアス処理Cの制御に切り換えるS301。制御部55の切換制御手段56は、バイアスがπ/2位相シフト部19に与えられるように、DCバイアス回路53のスイッチ57を制御する。また、Qアームバイアス用の低周波信号f3が生成されるように、低周波信号生成部52を制御する。低周波信号生成部52により低周波信号f3が生成されて、DCバイアスに重畳されるS302。低周波信号f3が重畳されたバイアスは着目しているπ/2位相シフト部19に与えられる。ACパワー検出部34によりPD21の出力信号からAC成分が検出されS303、同期検波により低周波信号f3がモニタ信号として検出されるS304。制御部55は、検出回数がN回に達するまでS305でNO、モニタ信号に基づいてバイアスを設定するS306。バイアス設定は、検出されたモニタ信号f3の符号がプラスのときはバイアスを負方向に設定し、モニタ信号f3の符号がマイナスのときはバイアスを正方向に設定する。π/2位相シフト部バイアスに対する処理CをN回実施したならばS305でYES、制御部55は、再度、制御対処を処理Aに切り換えるS301。このようにして、変調光のAC成分に含まれる低周波信号f0の変化に基づいて、Iアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフト部バイアスを順次制御する。実施例3では、それぞれのバイアス制御対象に応じた低周波信号を重畳することで、モニタリング及び制御の精度をさらに向上することができる。図16は、実施例3の変形例である光送信装置10Dの概略構成図である。図14及び図15に示した構成、手法では、ひとつのバイアス制御部50によりIアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフト部バイアスを時分割で制御した。変形例では、Iアームバイアス、Qアームバイアス、π/2位相シフト部バイアスのそれぞれに対応してバイアス制御部60A、60B、60Cを設けて、同時処理を行なう。Iアームバイアス用のバイアス制御部60Aは、モニタ部59と、制御部65と、DCバイアス回路63と、低周波信号生成部62を有する。モニタ部59の構成、動作は、図14に示すモニタ部と同様である。低周波信号生成部62は、Iアームバイアス用に低周波信号f1を生成する。生成された低周波信号f1は、DCバイアス回路63と、同期検波部51に入力される。制御部65は、同期検波部51で検出されたAC成分中の低周波成分f1の変動に基づいて、Iアームバイアスを調整する。Qアームバイアス用のバイアス制御部60Bは、Iアームバイアス用のバイアス制御部60Aと同様の構成である。異なる点は、低周波信号生成部62が、Qアームバイアス用に低周波信号f2を生成する点である。π/2位相シフト部バイアス用のバイアス制御部60Cも、バイアス制御部60A、60Bと同様の構成である。異なる点は、低周波信号生成部62が、π/2位相シフト部バイアス用に低周波信号f3を生成する点と、制御部65によるバイアス調整の方向が、バイアス制御部60A,60Bと逆方向になる点である。図17は、実施例3の変形例の制御フローを示す。変形例では、Iアームバイアスに対する処理処理Aと、Qアームバイアスに対する処理処理Bと、π/2位相シフト部バイアスに対する処理処理Cを並列で行う。Iアームバイアスの制御では、Iアームバイアス用の低周波信号f1がバイアス電圧に重畳されるS401。光変調部20の出力の一部からAC成分が検出されS402、同期検波により低周波信号f1がモニタ信号として検出されるS403。制御部65は検出されたモニタ信号に基づいてバイアスを設定するS404。バイアス設定後、ステップS403、S404を繰り返す。Qアームバイアスの制御では、Qアームバイアス用の低周波信号f2がバイアス電圧に重畳されるS411。光変調部20の出力の一部からAC成分が検出されS412、同期検波により低周波信号f2がモニタ信号として検出されるS413。対応するバイアス制御部60Bの制御部65は、検出されたモニタ信号に基づいてバイアスを設定するS414。バイアス設定後、ステップS413、S414を繰り返す。π/2位相シフト部バイアスの制御では、π/2位相シフト部バイアス用の低周波信号f3がバイアス電圧に重畳されるS421。光変調部20の出力の一部からAC成分が検出されS422、同期検波により低周波信号f3がモニタ信号として検出されるS423。対応するバイアス制御部60Cの制御部65は、検出されたモニタ信号に基づいてバイアスを設定するS424。バイアス設定後、ステップS423、S424を繰り返す。変形例の方法では、N回繰り返し後に処理対象を切り換える必要がない。以上述べたように、多値の電気信号で変調を行うディジタル処理を適用した光送信装置において、AC成分の変化を利用したLN変調器バイアスのフィードバック制御により、伝送システム全体として安定した伝送信号特性を得ることができる。また、モニタ部を共用する場合は、回路規模の増大を防ぐことができる。図18は、実施例1~3の任意の光送信装置を用いた光伝送システム100の概略構成図である。光伝送システム100は、上述した光送信装置10と、光送信装置10から出力される変調信号を伝送する伝送路101と、伝送路を介して変調信号を受信する光受信装置110を含む。光送信装置10は、光源17と、光源から照射された光を2n値nは1以上の整数の強度レベルを有する変調駆動信号を用いて位相変調する変調部20と、変調部20に与えられるバイアス電圧を制御するバイアス制御部30あるいは40、50、60A~60Cを有する。バイアス制御部30あるいは40、50、60A~60Cの動作は、実施例1-3で説明したとおりである。伝送路101は、石英ファイバ、プラスチックファイバ等、適切な光ファイバで構成されている。光受信装置110は、図示はしないが、一例として、受信した光信号を各変調成分に分離し、光電変換し、ディジタル変換した後に、ディジタル信号処理により復調する。光伝送装置10として実施例1-3の構成を採用することで、16QAM、64QAMなどの多値変調を適用した光伝送システムにおいて、安定した伝送信号特性を得ることが可能になる。以上の説明について以下の付記を提示する。付記1第1導波路と第2導波路を含み、前記第1導波路と前記第2導波路の各々において、2n値nは1以上の整数の強度レベルを有する変調駆動信号で搬送光を変調する光変調器と、前記第1導波路から出力される第1の光信号と、前記第2導波路から出力される第2の光信号との間に所定の位相差を与える位相シフト部と、前記位相差が与えられた前記第1の光信号と前記第2の光信号を合波して得られる多値光変調信号の一部を検出して光電変換する光検出器と、前記検出された変調信号の交流成分の変化を検出するモニタ部と、前記検出された交流成分の変化に基づいて、前記第1導波路に与える第1バイアス電圧と前記第2導波路に与える第2バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出される交流成分のパワーが大きくなるように制御する制御部と、を備える光送信装置。付記2前記制御部は、前記第1導波路に与える第1バイアス電圧と、前記第2導波路に与えられる第2バイアス電圧と、前記位相シフト部に与えられる第3バイアス電圧を、同時または時分割方式で制御し、前記検出される交流成分のパワーが小さくなるように前記第3バイアス電圧を制御することを特徴とする付記1に記載の光送信装置。付記3低周波信号を生成する低周波信号生成回路と、前記低周波信号を直流電圧に重畳して前記第1バイアス電圧及び前記第2バイアス電圧を生成するバイアス回路と、をさらに備え、前記モニタ部は、前記交流成分に含まれる前記低周波信号を検出し、前記制御部は、前記第1バイアス電圧と前記第2バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出された前記低周波信号がゼロに近づくように制御することを特徴とする付記1に記載の光送信装置。付記4前記低周波信号生成部は、前記第1バイアス電圧及び前記第2バイアス電圧に共通に重畳される単一の周波数を生成することを特徴とする付記3に記載の光送信装置。付記5前記低周波信号生成部は、前記第1バイアス電圧に重畳される第1の低周波信号f1と、第2バイアス電圧に重畳される前記第2の低周波信号f2を生成し、前記モニタ部は、前記交流成分に含まれる前記第1の低周波信号と、前記交流成分に含まれる前記第2の低周波信号を検出し、前記制御部は、前記検出された前記第1の低周波信号がゼロに近づくように前記第1バイアス電圧を制御し、前記検出された前記第2の低周波信号がゼロに近づくように前記第2バイアス電圧を制御する、ことを特徴とする付記3に記載の光送信装置。付記6前記制御部は、前記第1導波路に与えられる前記第1バイアス電圧の制御と、前記第2導波路に与えられる前記第2バイアス電圧の制御を切り換えて制御することを特徴とする付記1に記載の光送信装置。付記7前記モニタ部と前記制御部は、前記第1バイアス電圧の制御と前記第2バイアスの制御の各々に対して設けられ、前記第1バイアス電圧の制御と、前記第2バイアス電圧の制御が並列に行われることを特徴とする付記1に記載の光送信装置。付記8低周波信号を生成する低周波信号生成回路と、前記低周波信号を直流電圧に重畳して前記第1バイアス電圧、前記第2バイアス電圧、及び前記第3バイアス電圧を生成するバイアス回路と、をさらに備え、前記モニタ部は、前記交流成分に含まれる前記低周波信号を検出し、前記制御部は、前記検出された前記低周波信号がゼロに近づくように前記第1バイアス電圧、前記第2バイアス電圧、及び前記第3バイアス電圧を制御することを特徴とする付記2に記載の光送信装置。付記9前記制御部は、前記検出された前記低周波信号がプラスならば、前記第1のバイアス電圧または前記第2のバイアス電圧を正方向に変化させ、前記第3のバイアス電圧を負方向に変化させ、前記検出された前記低周波信号がマイナスならば、前記第1のバイアス電圧または前記第2のバイアス電圧を負方向に変化させ、前記第3のバイアス電圧を正方向に変化させることを特徴とする付記8に記載の光送信装置。付記10前記低周波信号生成部は、前記第1バイアス電圧、前記第2バイアス電圧、及び前記第3バイアス電圧に共通に重畳される単一の周波数を生成することを特徴とする付記8に記載の光送信装置。付記11前記低周波信号生成部は、前記第1バイアス電圧に重畳される第1の低周波信号と、第2バイアス電圧に重畳される前記第2の低周波信号と、前記第3バイアス電圧に重畳される第3の低周波信号を生成し、前記モニタ部は、前記交流成分に含まれる前記第1の低周波信号、前記第2の低周波信号、及び前記第3の低周波信号をそれぞれ検出し、前記制御部は、前記検出された前記第3の低周波信号がゼロに近づくように前記第3バイアス電圧を制御する、ことを特徴とする付記8に記載の光送信装置。付記12光変調器の第1導波路と第2導波路を伝送する光を、2n値nは1以上の整数の強度レベルを有する変調駆動信号でそれぞれ変調し、前記第1導波路から出力される第1の光信号と、前記第2導波路から出力される第2の光信号との間に所定の位相差を与え、前記位相差が与えられた前記第1の光信号と前記第2の光信号を合波して得られる多値光変調信号の一部を検出して光電変換し、前記検出された変調信号の交流成分の変化を検出して、前記第1導波路に与える第1バイアス電圧と、前記第2導波路に与えられる第2バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出される交流成分のパワーが大きくなるように制御する、ことを特徴とする光送信装置の制御方法。付記13更に、前記検出された交流成分の変化に基づいて、前記第1導波路に与える第1バイアス電圧と、前記第2導波路に与えられる第2バイアス電圧と、前記位相シフト部に与えられる第3バイアス電圧を、同時または時分割方式で制御し、前記第3バイアス電圧の制御は、前記検出される交流成分のパワーが小さくなるように制御することを特徴とする付記12に記載の光送信装置の制御方法。付記14直流電圧に低周波信号を重畳して前記第1バイアス電圧及び前記第2バイアス電圧を生成し、前記交流成分に含まれる前記低周波信号を検出し、前記検出された前記低周波信号がゼロに近づくように、前記第1バイアス電圧と前記第2バイアス電圧の少なくとも一つを制御する、ことを特徴とする付記12に記載の制御方法。付記15前記低周波信号は、前記第1バイアス電圧及び前記第2バイアス電圧に共通に用いられることを特徴とする付記12に記載の光変調制御方法。付記16前記低周波信号は、前記第1バイアス電圧に重畳される第1の低周波信号と、第2バイアス電圧に重畳される前記第2の低周波信号を含み、前記交流成分に含まれる前記第1の低周波信号を検出して、前記検出された前記第1の低周波信号がゼロに近づくように前記第1バイアス電圧を制御し、前記交流成分に含まれる前記第2の低周波信号を検出して、前記検出された前記第2の低周波信号がゼロに近づくように前記第2バイアス電圧を制御する、ことを特徴とする付記12に記載の制御方法。付記17直流電圧に低周波信号を重畳して前記第1バイアス電圧、前記第2バイアス電圧、及び前記第3バイアス電圧を生成し、前記交流成分に含まれる前記低周波信号を検出し、前記検出された前記低周波信号がゼロに近づくように、前記第1バイアス電圧、前記第2バイアス電圧、及び前記第3バイアス電圧を制御することを特徴とする付記13に記載の制御方法。付記18前記検出された前記低周波信号がプラスならば、前記第1のバイアス電圧または前記第2のバイアス電圧を正方向に変化させ、前記第3のバイアス電圧を負方向に変化させ、前記検出された前記低周波信号がマイナスならば、前記第1のバイアス電圧または前記第2のバイアス電圧を負方向に変化させ、前記第3のバイアス電圧を正方向に変化させることを特徴とする付記17に記載の制御方法。付記19付記1~11のいずれか1に記載の光送信装置と、前記光送信装置から出力される変調信号を伝送する伝送路と、前記伝送路を介して前記変調信号を受信する光受信装置と、を含む光伝送システム。"