ダイオードに電流を供給する電流供給回路と、前記ダイオードのカソードと前記電流供給回路のグランドとの間の電流路上に設置される電流制限抵抗と、前記ダイオードのカソードと前記電流供給回路のグランドとの間の電位差が所定電圧を超えた場合に、前記ダイオードに対する電流の供給を遮断する保護回路と、を備える、ことを特徴とする電源回路。前記保護回路は、スイッチオンにより前記ダイオードに対する電流の出力を開始し、スイッチオフにより電流の出力を遮断するスイッチング素子と、前記ダイオードのカソードと前記電流供給回路のグランドとの間に設置され、前記ダイオードのカソードと前記電流供給回路のグランドとの間の電位差が所定の電位を超えた場合に電流を通過させ、所定電圧以下の場合に電流を遮断するツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードが電流を通過させた場合に、前記スイッチング素子をスイッチオフして前記ダイオードに対する電流の供給を遮断するスイッチング制御手段と、を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の電源回路。前記スイッチング制御手段は、前記ダイオードに流れる電流を検出する電流検出手段、をさらに備え、前記電流検出で検出される電流が所定の閾値を越えたときに、前記スイッチング素子をスイッチオフして前記ダイオードに対する電流の供給を遮断する、ことを特徴とする請求項2に記載の電源回路。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電源回路と、前記電源回路により電流が供給される発光ダイオードと、を備える、ことを特徴とする照明装置。しかしながら、特許文献1に記載のLED点灯回路は、LEDの両端電圧と基準電圧とを比較して異常を検出しているために、コンパレータやオペアンプ等の集積回路を使用する必要がある。集積回路はダイオードやトランジスタ等の単独の素子と比べて高価であるため、特許文献1の回路では、安価に回路を構成できないという問題がある。本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、LED等のダイオードに発生した異常を検出できる安価な電源回路および照明装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の第1の観点にかかる電源回路は、ダイオードに電流を供給する電流供給回路と、前記ダイオードのカソードと前記電流供給回路のグランドとの間の電流路上に設置される電流制限抵抗と、前記ダイオードのカソードと前記電流供給回路のグランドとの間の電位差が所定電圧を超えた場合に、前記ダイオードに対する電流の供給を遮断する保護回路と、を備える、ことを特徴とする。上記目的を達成するため、本発明の第2の観点にかかる照明装置は、上記電源回路と、前記電源回路により電流が供給される発光ダイオードと、を備える、ことを特徴とする。LED等のダイオードに発生した異常を検出できる安価な電源回路および照明装置を提供することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。本実施形態のLED点灯回路100は、LED200に発生した異常、例えば、LED200を構成する複数の発光ダイオードの1つに発生した短絡を検出する機能を備えた電源回路であり、図1に示すように、定電流回路110と、短絡保護回路120と、LED200とから構成される。定電流回路110は、LED200に流れる電流以下、LED電流というを一定に保つ機能を備えた回路であり、例えば、FET等のスイッチング素子を高速にオンオフすることによってLED電流を制御するチョッパ回路である。定電流回路110の2つの入力端子Vin端子と入力側GND端子は、それぞれ、直流電源装置300のVdd端子正極側電極端子とGND接地端子負極側電極端子に接続されており、また、定電流回路110の2つの出力端子Vout端子と出力側GND端子は短絡保護回路120に接続されている。短絡保護回路120は、LED点灯回路100を異常発熱等の事故から保護するための回路であり、図1に示すように、スイッチング素子121と、電流制限抵抗122と、制御IC123と、ダイオード124と、コンデンサ125と、コイル126と、コンデンサ127と、電圧検出回路130とから構成される。スイッチング素子121は、Nチャネル型のMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorから構成される。スイッチング素子121のドレインはコイル126の一端に、ソースは電流制限抵抗122の一端に、また、ゲートは制御IC123の出力端子の1つであるGATE端子に接続されている。スイッチング素子121は、制御IC123からゲートに制御IC123のGATE端子に設定された所定電圧以下、設定電圧というが印加されると、ドレイン-ソース間を接続スイッチオンして電流を通過させる。スイッチング素子121は、制御IC123からゲートにGND電圧設置電圧が印加されると、ドレイン-ソース間を切断スイッチオフしてLED200に流れる電流を遮断する。電流制限抵抗122は、LED200に流れる電流を制限するための抵抗である。電流制限抵抗122は、LED200のVL端子LED200のカソード側と定電流回路110のGND端子との間の電流路上に設置されており、LED200のVL端子と定電流回路110のGND端子との間に電位差を発生させる。電流制限抵抗122の一端はスイッチング素子121のソースに、他端は定電流回路110のGND端子に接続されている。また、電流制限抵抗122の一端スイッチング素子121のソースに接続されている側は、図1に示すように、制御IC123のCS端子に接続されている。制御IC123は、プロセッサ等から構成される。制御IC123のVin端子は定電流回路110のVout端子に、GND端子は定電流回路110のGND端子に接続されている。また、制御IC123のCS端子は電流制限抵抗122の一端に接続されており、制御IC123は、CS端子より入力された電流制限抵抗122の一端の電圧と、内部のメモリ図示せずに予め記憶しておいた電流制限抵抗122の抵抗値とに基づいてLED電流を算出する。また、制御IC123は、スイッチング素子121を制御するためのポート出力端子であるGATE端子を備えている。制御IC123は、CS端子に入力された電圧に基づいて算出したLED電流が所定の電流値以下である場合、スイッチング素子121のゲートに設定電圧を印加して、スイッチング素子121のドレイン-ソース間を接続する。また、算出したLED電流が所定の電流値を超えると、LED200を過電流から保護するため、スイッチング素子121にGND電圧を印加して、スイッチング素子121のドレイン-ソース間を遮断する。また、制御IC123は、LED200に発生した短絡を検知するためのFB端子を備えている。FB端子は制御IC123内部でプルアップ抵抗図示せずに接続されていて、定常状態では制御IC123のVin端子電圧動作電圧V1に保たれている。FB端子は、後述の電圧検出回路130つまり、抵抗133の一端に接続されており、電圧検出回路130によってLED200の短絡が検出されるとつまり、電圧検出回路130によってFB端子がGND電圧に落とされると、制御IC123は、LED200に短絡が発生したものとして、スイッチング素子121に対する設定電圧の印加を停止するすなわち、スイッチング素子121のゲートにGND電圧を印加する。ダイオード124、コンデンサ125、及び、コイル126は、スイッチング素子121がスイッチングした際の急峻な電圧電流の変化から、LED200等を保護するためのサージ吸収用の素子として機能する。ダイオード124のカソードは、定電流回路110のVout端子、LED200のVH端子、及びコンデンサ125の一端に、アノードは、スイッチング素子121のドレインおよびコイル126の一端に接続されている。また、コンデンサ125の一端は、定電流回路110のVout端子、LED200のVH端子、およびダイオード124のカソードに、他端は、LED200のVL端子、コイル126の一端、及び電圧検出回路130つまり、ツェナーダイオード131のカソードに接続されている。また、コイル126の一端は、定電流回路110のVout端子、LED200のVH端子、及びダイオード124のカソードに、他端は、LED200のVL端子、コイル126の一端、及びツェナーダイオード131のカソードに接続されている。コンデンサ127は、制御IC123はFB端子から漏れ出した電流を蓄えるための容量であり、一端は、制御IC123のFB端子、及び抵抗133の一端に、他端は、定電流回路110のGND端子に接続されている。電圧検出回路130は、LED200に発生した短絡を検出し、制御IC123のFB端子をGND電圧に落とすことで、制御IC123にLED200の短絡を通知するための回路であり、LED200のVL端子と定電流回路110GND端子との間に配置される。電圧検出回路130は、図1に示すように、ツェナーダイオード131と、トランジスタ132と、抵抗133とで構成される。ツェナーダイオード131は、ツェナー電圧Vzの定電圧ダイオードから構成される。ツェナーダイオード131のカソードはトランジスタ132のベースに、アノードはLED200のVL端子に接続されている。LED200を構成する複数の発光ダイオードの1つに短絡が発生すると、ツェナーダイオード131は、アノードからカソードに電流を流して、トランジスタ132のベースに電圧を加える。トランジスタ132は、NPN型のトランジスタから構成される。トランジスタ132のベースはツェナーダイオード131のカソードに、エミッタは定電流回路110のGND端子に、コレクタは抵抗133の一端に接続される。LED200に短絡が発生し、ツェナーダイオード131を介してベースに電圧が加わると、トランジスタ132はエミッタ-コレクタ間を接続する。抵抗133は、トランジスタ132がスイッチングした際の急峻な電圧の変化から制御IC123のFB端子を保護するためのサージ吸収用の素子として機能する。抵抗133の一端はトランジスタ132のコレクタに、他端は制御IC123のFB端子に接続されている。LED200は、LED点灯回路100の光源として機能する。LED200は、無機結晶の発光ダイオードから構成され、図2に示すように、順方向電圧降下がそれぞれVfの3つの発光ダイオード201~203が直列に配置された構成となっている。LED200のVH端子は、定電流回路110のVout端子、ダイオード124のカソード、およびコンデンサ125の一端に接続されている。また、LED200のVL端子は、コンデンサ125の一端、コイル126の一端、及びツェナーダイオード131のカソードに接続されている。次に、このような構成を有するLED点灯回路100の動作について説明する。ユーザ等により直流電源装置300に電源が投入されると、直流電源装置300は定電流回路110に対して電源電圧Vddの印加を開始する。定電流回路110はLED200に対する出力電流を一定に保ちながら、制御IC123に対して動作電圧V1の印加を開始する。制御IC123に動作電圧V1の印加が開始されると、制御IC123は、FB端子に対し、プルアップ抵抗を介して電流を流す。そうすると、FB端子に接続されたコンデンサ127は、FB入力端子から漏れ出した電流で電荷を蓄えていく。コンデンサ127に電荷が蓄えられるに従い、FB端子は徐々に昇圧していき、FB端子が所定の電荷を超えて所定の電位に達したところで、制御IC123は、スイッチング素子121のゲートに設定電圧の印加を開始する。スイッチング素子121のゲートに設定電圧の印加が開始されると、スイッチング素子121はドレイン-ソース間を接続する。これにより、LED200のVL端子はコイル126、スイッチング素子121、および電流制限抵抗122を介して定電流回路110のGND端子と接続されることになり、LED200は点灯を開始する。制御IC123は、CS端子を常時モニタしていて、所定時間毎に、CS端子に入力された電流制限抵抗122の一端の電圧を、あらかじめ内部のメモリ図示せずに保存しておいた電流制限抵抗122の抵抗値で除算することによってLED200に流れる電流値を算出する。そして、制御IC123は、算出した電流が一定値を超えた場合、LED200に過度の電流が流れているものとして、スイッチング素子121のゲートにGND電圧を印加する。そうすると、スイッチング素子121はドレイン-ソース間を切断し、LED200には電流が流れなくなる。次に、LED200を構成する発光ダイオードの1つに短絡が発生した場合の短絡保護回路120の動作について説明する。図3に示すように、LED200を構成する発光ダイオードの1つ図3では発光ダイオード201に短絡が発生すると、LED200の電圧降下は、短絡した発光ダイオードの電圧降下Vf分だけ小さくなるので、LED200のVL端子電圧は、Vf分だけ上昇するすなわち、電流制限抵抗122にVf分だけ大きな電圧が加わる。VL端子電圧が上昇し、図4Aに示すように、ツェナー電圧Vzを超えると、ツェナーダイオード131は、アノードからカソードに電流を流す。そうすると、トランジスタ132のベースV2には、図4Bに示すように、電圧が加わるので、これによりトランジスタ132のエミッタ-コレクタ間が接続される。そうすると、制御IC123のFB端子は、抵抗133及びトランジスタ132を介して定電流回路110のGND端子に接続されることになり、制御IC123のFB端子は、図4Cに示すように、GND電圧0Vになる。制御IC123は、FB端子がGND電圧になったのを検知すると、スイッチング素子121のゲートに対する設定電圧の印加を停止するつまりスイッチング素子121のゲートにGND電圧を印加する。ゲートにGND電圧が印加されると、スイッチング素子121はドレイン-ソース間を遮断し、その結果、LED200のVL端子と定電流回路110のGND端子との接続が切断され、LED200には電流が流れなくなる。本実施形態によれば、LED200のVL端子と定電流回路110のGND端子との間の電圧が所定の電圧を越えたか否かを検出することによって、LED200の短絡を検出しているので、従来方法のように、LED200の両端電圧と基準電圧とを比較するために、高価なオペアンプを使用する必要はない。また、従来方法のように、LED200の両端電圧と基準電圧とを比較して短絡を検出しようと思えば、LED200の両端電圧VH端子-VL端子間電圧を制御IC123にフィードバックする必要があるが、LED200のVL端子電圧と制御IC123のGND端子電圧との間には電位差があるので、高価なフォトカプラを使用してLED200の両端電圧を制御IC123にフィードバックする必要がある。しかし、本実施形態では、ツェナーダイオード131のGNDとなる電位と制御IC123のGNDとなる電圧は同電位であるので、わざわざ高価なフォトカプラを使用して、LED200の両端電圧を制御IC123にフィードバックする必要はない。なお、LED200は無機結晶から構成される発光ダイオードに限られない。有機分子から構成される有機EL等であってもよい。また、LEDや有機EL等以外の他のダイオードであってもよい。また、スイッチング素子121は、Nチャネル型のMOSFETに限られない。Pチャネル型のMOSFET、Pチャネル型のJFETJunctionFET、Nチャネル型のJFET等のNチャネル型のMOSFET以外のユニポーラトランジスタ電界効果トランジスタであってもよい。また、PNP型、NPN型のバイポーラトランジスタであってもよい。また、定電流回路110は、降圧チョッパ回路、昇圧チョッパ回路、フライバックコンバータ、フォワードコンバータ等のスイッチング制御型のDC/DCコンバータであってもよい。このとき、DC/DCコンバータのスイッチング制御に使用する制御ICと制御IC123とを一体のものとしてもよい。上記の実施形態の一部または全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。付記1ダイオードに電流を供給する電流供給回路と、前記ダイオードのカソードと前記電流供給回路のグランドとの間の電流路上に設置される電流制限抵抗と、前記ダイオードのカソードと前記電流供給回路のグランドとの間の電位差が所定電圧を超えた場合に、前記ダイオードに対する電流の供給を遮断する保護回路と、を備える、ことを特徴とする電源回路。付記2前記保護回路は、スイッチオンにより前記ダイオードに対する電流の出力を開始し、スイッチオフにより電流の出力を遮断するスイッチング素子と、前記ダイオードのカソードと前記電流供給回路のグランドとの間に設置され、前記ダイオードのカソードと前記電流供給回路のグランドとの間の電位差が所定の電位を超えた場合に電流を通過させ、所定電圧以下の場合に電流を遮断するツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードが電流を通過させた場合に、前記スイッチング素子をスイッチオフして前記ダイオードに対する電流の供給を遮断するスイッチング制御手段と、を備える、ことを特徴とする付記1に記載の電源回路。付記3前記スイッチング制御手段は、前記ダイオードに流れる電流を検出する電流検出手段、をさらに備え、前記電流検出で検出される電流が所定の閾値を越えたときに、前記スイッチング素子をスイッチオフして前記ダイオードに対する電流の供給を遮断する、ことを特徴とする付記2に記載の電源回路。付記4付記1乃至3のいずれかに記載の電源回路と、前記電源回路により電流が供給される発光ダイオードと、を備える、ことを特徴とする照明装置。