"MWTシリコン太陽電池の製造方法であって、1in型シリコンウェハの前面と裏面との間のビアを形成する孔およびii前記前面の全体および前記孔の内部を覆って延在するp型エミッタを有する前記n型シリコンウェハを提供するステップ、2前記シリコンウェハの前記孔に導電性金属ペーストを適用して少なくとも前記孔の内部にメタライゼーションを提供するステップ、3適用された前記導電性金属ペーストを乾燥するステップ、および4乾燥した前記導電性金属ペーストを焼成することによって、前記ウェハが700から900°Cのピーク温度に達するステップを含み、前記導電性金属ペーストが、ファイアスルー性がないか、またはわずかなだけのファイアスルー性を有し、かつa銀、銅およびニッケルからなる群から選択される微粒子の導電性金属の少なくとも1つ、b少なくとも1つの微粒子のp型ドーパントおよびc有機ビヒクルを含み、前記少なくとも1つの微粒子のp型ドーパントがホウ素、アルミニウムおよびp型シリコン合金からなる群から選択され、前記p型シリコン合金が、シリコンおよびホウ素を含む合金、シリコンおよびアルミニウムを含む合金、ならびにシリコン、ホウ素およびアルミニウムを含む合金からなる群から選択される、方法。前記n型シリコンウェハが、前記孔の内部は除外したその前面に、ARC層を有する、請求項1に記載の方法。前記有機ビヒクル含有量が、導電性金属ペースト組成物の全体に対して、10から45wt.である、請求項1または2に記載の方法。前記導電性金属が、前記導電性金属ペースト中に50から92wt.の割合で存在する、請求項1、2または3に記載の方法。前記導電性金属が銀である、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記導電性金属ペーストが、微粒子のイリジウム、微粒子の白金および微粒子のパラジウムからなる群から選択される、少なくとも1つの他の微粒子の金属を、前記導電性金属ペーストに含まれる微粒子の金属の全体に対して、合計割合で0.5から5wt.含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記導電性金属ペースト中の前記少なくとも1つのp型ドーパントの合計含有量が、0.5から10wt.-である、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。前記p型シリコン合金が、共晶のアルミニウム/シリコン合金AlSi12である、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記導電性金属ペーストが、成分dとして、i550から611°Cの範囲の軟化点温度を有し、SiO2を11から33wt.、Al2O3を0超から7wt.、およびB2O3を2から10wt.含む鉛フリーガラスフリット、ならびにii571から636°Cの範囲の軟化点温度を有し、PbOを53から57wt.、SiO2を25から29wt.、Al2O3を2から6wt.、およびB2O3を6から9wt.含む鉛含有ガラスフリットからなる群から選択される少なくとも1つのガラスフリットを含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。1つまたは複数の前記鉛フリーガラスフリットが、40から73wt.のBi2O3を含む、請求項9に記載の方法。前記導電性金属ペースト中の、型iおよびiiからなる群から選択されるガラスフリットの合計含有量が、0.25から8wt.である、請求項9または10に記載の方法。前記導電性金属ペーストが、導電性金属層または導電性金属プラグとして適用される、請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。前記導電性金属ペーストが印刷によって適用される、請求項1~12のいずれか一項に記載の方法。焼成が、同時焼成として、1前記前面に適用されて、MWTシリコン太陽電池に典型的なパターンで配置された薄い導電性金属コレクタ配線の形態の前面メタライゼーションを形成する、導電性金属ペースト、2前記裏面に適用されて銀の裏面コレクタコンタクトを形成する、裏面の銀ペーストからなる群から選択される少なくとも1つの金属ペーストと共に実行される、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。請求項1~14のいずれか一項に記載の方法によって作製されたMWTシリコン太陽電池。本発明はn型シリコン基材を有するMWTシリコン太陽電池の製造方法に関する。同時に、この方法は、そのようなMWTシリコン太陽電池のアノードのバックコンタクトの製造方法である。この方法は、1in型シリコンウェハのウェハの前面と裏面との間のビアを形成する孔およびii前面の全体および孔の内部を覆って延在するp型エミッタを有するn型シリコンウェハを提供するステップ、2少なくとも孔の内部にメタライゼーションを提供するためにシリコンウェハの孔に導電性金属ペーストを適用するステップ、3適用した導電性金属ペーストを乾燥するステップ、および4乾燥した導電性金属ペーストを焼成し、それによって、ウェハが700から900°Cのピーク温度に達するステップを含み、導電性金属ペーストは、ファイアスルー性がないか、または乏しく、かつa銀、銅およびニッケルからなる群から選択される微粒子の導電性金属の少なくとも1つ、b少なくとも1つの微粒子のp型ドーパントおよびc有機ビヒクルを含み、少なくとも1つの微粒子のp型ドーパントはホウ素、アルミニウムおよびp型のシリコン合金からなる群から選択され、このp型シリコン合金は、シリコンおよびホウ素を含む合金、シリコンおよびアルミニウムを含む合金、ならびにシリコン、ホウ素およびアルミニウムを含む合金からなる群から選択される。したがって本発明は、そのように製造されたMWTシリコン太陽電池、および、その太陽電池の、それぞれそのように製造されたアノードのバックコンタクトにさらに関する。明細書および特許請求の範囲において、用語p型シリコン合金が使われている。それは、p型のシリコン合金、すなわち、そのようなシリコン合金において、ホウ素、および/または、アルミニウムの割合がシリコン合金を確実にp型の性質を有するようにするのに十分に高いということを意味する。本発明の方法は、向上した電気的効率を有するMWTシリコン太陽電池の製造を可能にする。焼成された導電性金属ペーストは、孔に、すなわちシリコンウェハの孔の内部のp型シリコンエミッタ表面によいオーミックコンタクトを有し、かつ、よく付着する。良好な付着は、MWTシリコン太陽電池の長い耐用年数に関して重要である。理論に束縛はされないが、本発明の方法のステップ3および4が実行される場合、せいぜい乏しいファイアスルー性しかない導電性金属ペーストは、p型エミッタを損傷しないか、または著しくは損傷しないと考えられる。分路特性を避けるために、p型エミッタの損傷を避けたり、減らしたりすることは重要である。本発明の方法のステップ1において、in型シリコンウェハのウェハの前面と裏面との間のビアを形成する孔およびii前面の全体および孔の内部を覆って延在するp型エミッタを有するn型シリコンウェハが提供される。このシリコンウェハは、シリコン太陽電池の製造のために従来使われているように単結晶または多結晶シリコンのウェハであり、p型領域およびn型領域の両方ならびにpn接合を有する。通常このシリコンウェハはその前面に、たとえば、TiOx、SiOx、TiOx/SiOx、SiNx、または、特にSiNx/SiOxの誘電体スタックのARC層を有する。そのようなARC層が存在する場合でも、ARC層は、孔の内部、さらに、任意選択的に、孔の端のまわりの狭い縁部を除外している。そのようなシリコンウェハは当業者に周知であり、簡潔にするために、背景技術の項に明示的に言及する。上記背景技術の項に記述されているように、このシリコンウェハは、前面の伝導性金属コレクタ配線、および/または、カソードの銀の裏面コレクタコンタクトを既に提供され得る。本発明の方法のステップ2において、ファイアスルー性がないか、または乏しく、かつa銀、銅およびニッケルからなる群から選択される微粒子の導電性金属の少なくとも1つ、b少なくとも1つの微粒子のp型ドーパントおよびc有機ビヒクルを含む、導電性金属ペーストが、少なくとも孔の内部にメタライゼーションを提供するために、シリコンウェハの孔に適用される。本発明の方法の特定の実施形態において、導電性金属ペーストは成分dとして、i550から611°Cの範囲の軟化点温度を有し、SiO2を11から33wt.重量、Al2O3を0超から7wt.0>to7wt.、特に5から6wt.、およびB2O3を2から10wt.含む鉛フリーガラスフリット、ii571から636°Cの範囲の軟化点温度を有し、PbOを53から57wt.、SiO2を25から29wt.、Al2O3を2から6wt.およびB2O3を6~9wt.含む鉛含有ガラスフリットからなる群から選択される少なくとも1つのガラスフリットを含む。明細書および特許請求の範囲において、用語軟化点温度が使われている。それは、示差熱分析DTAによって10K/分の加熱速度で測定されたガラス遷移温度を意味するものとする。導電性金属ペーストは、銀、銅およびニッケルからなる群から選択される微粒子の導電性金属を少なくとも1つを含む。好ましくは、微粒子の導電性金属は銀である。この微粒子の銀は、銀、または、1つまたは複数の他の金属たとえば銅を有する銀合金で構成されてもよい。銀合金の場合には、銀の含有量は、たとえば99.7から100未満wt.である。微粒子の導電性金属または銀は、界面活性剤でコーティングしていなくても、または、少なくとも部分的にコーティングしていてもよい。界面活性剤は、ステアリン酸、パルミチン酸、ラウリン酸、オレイン酸、カプリン酸、ミリスチン酸、およびリノール酸ならびにそれらの塩類、たとえばアンモニウム塩、ナトリウム塩またはカリウム塩から選択されてもよいが、これらに限定はされない。微粒子の導電性金属または銀の平均粒子径は、たとえば、0.5から5μmの範囲にある。微粒子の導電性金属または銀は、導電性金属ペーストの中で、導電性金属ペースト組成物全体に対して、50から92wt.、または、一実施形態において、65から84wt.の割合で存在してもよい。本明細書および特許請求の範囲において、用語平均粒子径が使われている。それは、レーザー散乱によって測定された平均粒子径平均粒子直径、d50を意味するものとする。平均粒子径に関して本明細書および特許請求の範囲においてなされたすべての記述は、導電性金属ペースト組成物中に存在する関連の材料の平均粒子径に関するものである。銀、銅およびニッケルからなる群から選択された導電性金属の少量の割合を、1つまたは複数の他の微粒子の金属に置き換えることは可能である。他のそのような微粒子の金属の割合は、導電性金属ペーストに含まれている微粒子の金属合計に対して、たとえば、0から10wt.である。導電性金属の少量の割合を置き換える微粒子の金属として、微粒子のイリジウム、微粒子の白金、および/または、微粒子のパラジウムを、導電性金属ペーストが含むことは特に好都合であり得る。微粒子のイリジウム、白金、および/または、パラジウムは、導電性金属ペースト中の微粒子の金属の全体に対して、たとえば、合計割合で0.5から5wt.含まれていてもよい。導電性金属ペーストは少なくとも1つの微粒子のp型ドーパントを含み、少なくとも1つの微粒子のp型ドーパントはホウ素、アルミニウムおよびp型のシリコン合金からなる群から選択され、このp型シリコン合金は、シリコンおよびホウ素を含む合金、シリコンおよびアルミニウムを含む合金、ならびにシリコン、ホウ素およびアルミニウムを含む合金からなる群から選択される。少なくとも1つの微粒子のp型ドーパントの平均粒子径は、たとえば0.5μmから10μm未満の範囲にある。導電性金属ペースト中の少なくとも1つのp型ドーパントの合計含有量は、たとえば、0.5から10wt.-、または、一実施形態において1から5wt.-、または、特に1.5から3wt.-である。p型シリコン合金は、シリコンおよびホウ素を含む合金、シリコンおよびアルミニウムを含む合金、ならびにシリコン、ホウ素およびアルミニウムを含む合金からなる群から選択される。それらは、ホウ素とのシリコンの二元合金;アルミニウムとのシリコンの二元合金;アルミニウムおよびホウ素とのシリコンの三元合金;ホウ素、およびアルミニウム以外の化学元素とのシリコンの合金;アルミニウム、およびホウ素以外の化学元素とのシリコンの合金;ならびに、アルミニウム、ホウ素、およびアルミニウムとホウ素以外の化学元素とのシリコンの合金を含む。微粒子のp型シリコン合金として、ホウ素とのシリコンの二元合金、アルミニウムとのシリコンの二元合金、ならびに/または、アルミニウムおよびホウ素とのシリコンの三元合金の粉末を使用することが好ましい。二元合金、特にアルミニウムとのシリコンの二元合金が、特にp型シリコン合金として好ましい。p型シリコン合金中のシリコン含有量は、たとえば5から20wt.-に範囲にある。特に好ましいアルミニウムとのシリコンの二元合金の場合には、シリコン含有量はたとえば10から15wt.-の範囲にある。共晶のアルミニウム/シリコン合金AlSi12は最も好ましい。導電性金属ペーストは有機ビヒクルを含む。様々な不活性の粘性物質を有機ビヒクルとして使うことができる。有機ビヒクルは、微粒子の成分微粒子の金属、微粒子のp型ドーパントガラスフリット、さらに、任意選択的に存在する無機の微粒子成分が適切な安定度を有して分散されるものであり得る。有機ビヒクルの特性、特にレオロジー特性は、導電性金属ペースト組成物に良好な適用特性を与えるようなものであり得て、不溶性固体の安定した分散、適用に対して適切な粘性およびチキソトロピー、ペースト固体の適切なぬれ性、良好な乾燥速度、ならびに良好な焼成特性を含む。導電性金属ペーストにおいて使われる有機ビヒクルは非水性の不活性液であり得る。有機ビヒクルは、有機溶媒または有機溶媒混合物であってもよく、一実施形態において、有機ビヒクルは有機高分子が溶けた有機溶媒溶液であってもよい。一実施形態において、この目的に使われるポリマーはエチルセルロースであってもよい。単独でまたは組合せにおいて使われてもよいポリマーの他の例として、エチルヒドロキシエチルセルロース、ウッドロジン、フェノール樹脂および低級アルコールのポリメタクリレートが挙げられる。適切な有機溶媒の例として、エステルアルコール、および、αもしくはβテルピネオールなどのテルペン、またはそれらと他の溶媒との混合物が挙げられ、他の溶剤として、灯油、フタル酸ジブチル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテルアセタート、ヘキシレングリコールおよび高沸点アルコールなどがある。さらに、本発明の方法のステップ2での導電性金属ペーストの適用の後に急速な硬化を促進するために、揮発性有機溶剤を有機ビヒクルに含むことができる。これらおよび他の溶媒の様々な組合せが、所望の粘性および揮発性の必要条件を得るために調剤され得る。導電性金属ペースト中の有機ビヒクルの含有量は、ペーストを適用する方法および使用される有機ビヒクルの種類に依存し得て、またそれは変わることがあり得る。導電性金属ペースト組成物の全体に対して、その含有量は、一実施形態において、10から45wt.であってもよく、または、一実施形態において、12から35wt.の範囲にあってもよい。10から45wt.の数値は、有機溶媒、入れ得る有機高分子および入れ得る有機添加物を含む。導電性金属ペースト中の有機溶媒含有量は、導電性金属ペースト組成物の全体に対して、5から25wt.、または一実施形態において10から20wt.の範囲にあってもよい。有機高分子は、導電性金属ペースト組成物の全体に対して、有機ビヒクルにおいて、0から20wt.、または、一実施形態において5~10wt.の範囲の割合で、存在してもよい。本発明の方法の特定の実施形態において、導電性金属ペーストは、i550から611°Cの範囲の軟化点温度を有し、SiO2を11から33wt.、Al2O3を0超から7wt.、特に5から6wt.、およびB2O3を2から10wt.含む鉛フリーガラスフリット、ii571から636°Cの範囲の軟化点温度を有し、PbOを53から57wt.、SiO2を25から29wt.、Al2O3を2から6wt.およびB2O3を6~9wt.含む鉛含有ガラスフリットからなる群から選択される少なくとも1つのガラスフリットを含む。型iの鉛フリーガラスフリットの場合には、SiO2、Al2O3およびB2O3の重量百分率は、合計が100wt.にならず、不足のwt.-は1つまたは複数の他の酸化物によって特に与えられ、たとえば、Na2Oのようなアルカリ金属酸化物、MgOのようなアルカリ土類金属酸化物ならびにBi2O3、TiO2およびZnOのような金属酸化物が挙げられる。型iの鉛フリーガラスフリットは、40から73wt.-、特に、48から73wt.-、のBi2O3を含み得る。Bi2O3、SiO2、Al2O3およびB2O3の重量百分率は、合計が100wt.-になることもあり、ならないこともある。それらの合計が100wt.-にならない場合、不足のwt.-は、1つまたは複数の他の酸化物によって特に与えられ、たとえば、Na2Oのようなアルカリ金属酸化物、MgOのようなアルカリ土類金属酸化物ならびにTiO2およびZnOのような金属酸化物が挙げられる。型iiの鉛含有ガラスフリットの場合には、PbO、SiO2、Al2O3およびB2O3の重量百分率は、合計が100wt.-になることもあり、ならないこともある。それらの合計が100wt.-にならない場合、不足のwt.-は、1つまたは複数の他の酸化物によって特に与えられ、たとえば、Na2Oのようなアルカリ金属酸化物、MgOのようなアルカリ土類金属酸化物ならびにTiO2およびZnOのような金属酸化物が挙げられる。導電性金属ペーストが、型iの鉛フリーガラスフリットならびに型iiの鉛含有ガラスフリットを含む場合、両方のガラスフリット型の間の比は任意であってもよく、言いかえれば、0超から無限の範囲であってもよい。好ましくは、導電性金属ペーストは、本発明の方法の特定の実施形態において使用されるとき、型iおよび/または型iiのガラスフリット以外のガラスフリットを含まない。群iおよび/またはiiから選択された、1つまたは複数のガラスフリットは、無機バインダとしての働きをする。ガラスフリットの平均粒子径は、たとえば、0.5から4μmの範囲にある。導電性金属ペースト中の、群iおよび/またはiiから選択されたガラスフリットの合計含有量は、本発明の方法の特定の実施形態において使用されるとき、たとえば、0.25から8wt.、または、一実施形態において、0.8から3.5wt.である。ガラスフリットの調製は周知であり、たとえば、ガラスの成分を、特に成分の酸化物の形態で、共に融解すること、およびそのように融解した組成物を水に注入し、フリットを形成することにある。当技術分野で周知のように、加熱は、たとえば、1050から1250°C範囲のピーク温度で、融解物が全体的に液体になり、均質になり、通常0.5から1.5時間実施され得る。ガラスは、フリットの粒径を低減し、実質的に一様な大きさのフリットを得るために、水または不活性の低粘度、低沸点の有機液体を有するボールミルにおいて粉砕されてもよい。次いで、それは、微粒子を分離するために水または前記有機液体の中で沈殿されてもよく、微粒子を含む上澄み液は除去されてもよい。他の選別の方法が、同様に使用されてもよい。導電性金属ペーストは1つまたは複数の有機添加物を含んでもよく、たとえば、界面活性剤、シックナー、レオロジー改質剤および安定剤である。有機添加物は有機ビヒクルの一部分であり得る。しかしながら、導電性金属ペーストを調製する場合、有機添加物を別個に付加することも可能である。有機添加物は、導電性金属ペーストの中で、導電性金属ペースト組成物の全体に対して、たとえば合計で0から10wt.存在してもよい。本発明の工程において使用される導電性金属ペーストは、粘性の組成物であり、微粒子の金属、微粒子のp型ドーパントおよびガラスフリットを有機ビヒクルと機械的に混合することによって調製されてもよい。一実施形態において、従来のロールミリングと同等の分散技術である、パワーミキシングpowermixingという製造方法が使用されてもよく、ロールミリングまたは他の混合技術を使用することもできる。導電性金属ペーストは、そのままで使用でき、または、たとえば、付加的な有機溶媒の付加によって希釈されてもよく、それに応じて、導電性金属ペーストの他のすべての成分の重量百分率は減少し得る。導電性金属ペーストの適用粘性は、BrookfieldHBT粘度計および14スピンドルを使用してユーティリティーカップによって10rpmのスピンドル速度および25°Cで測定される場合、20から350Pasであり得る。導電性金属ペーストは、少なくとも孔の内部にメタライゼーションを提供するために、すなわち、少なくとも孔の内部のメタライゼーションを形成するために、シリコンウェハの孔に適用される。導電性金属ペーストは、導電性金属層貫通孔の形態で、または導電性金属プラグ導電性金属で満たされた孔の形態で、適用されてもよい。導電性金属ペーストの適用方法は、印刷、たとえば、スクリーン印刷であってもよい。その適用は、孔の前面からおよび/または裏面から実行されてもよい。導電性金属ペーストは、少なくとも孔の内部をメタライゼーションで覆うように、適用される。すなわち導電性金属ペーストは、孔の内部だけまたは孔の端のまわりの狭い縁部も覆うように、適用されてもよく、それによって、狭い縁部が、孔の前面の縁のまわりで、孔の裏面の縁のまわりで、または両者のまわりで存在していてもよいことになる。本発明の方法のステップ2において適用される導電性金属ペースト以外に、付加的な第2の導電性金属ペーストを適用することは可能であり、そのような場合、孔のメタライゼーションは、一方の導電性金属ペーストを孔の前面から、他方は、それらの裏面から、適用することによって形成され、孔の内部のメタライゼーションは、本発明の方法のステップ2において使用される、ファイアスルー性がないか、または乏しいファイアスルー性しかない導電性金属ペーストから適用される。本発明の方法のステップ3において、ステップ2で適用された導電性金属ペーストは、たとえば、1分から100分の間、乾燥され、シリコンウェハは100から300°Cの範囲のピーク温度に達する。乾燥は、たとえば、ベルト式、回転式、または静止式の乾燥機、特に、IR赤外線ベルト式乾燥機を使用して、実行することができる。本発明の方法のステップ4において、乾燥された導電性金属ペーストは、孔のメタライゼーションの完成したものを形成するために焼成される。これらのメタライゼーションは、MWTシリコン太陽電池のエミッタコンタクトおよびアノードのバックコンタクトとしての働きをする。ステップ4の焼成は、たとえば、1分から5分の間、シリコンウェハは700から900°Cの範囲のピーク温度に達するようなされてもよい。焼成は、たとえば、単一ゾーンまたは多重ゾーンのベルト炉、特に、多重ゾーンIRベルト炉を使用して実行することができる。焼成は、不活性ガス雰囲気内で、または酸素の存在下、たとえば、空気の存在下において行われてもよい。不揮発性の有機材料および乾燥中に蒸発しなかった有機部分を含む有機物質は、焼成中に除去されてもよく、すなわち燃やされ、および/または、炭化されてもよく、特に燃やされてもよい。焼成中に除去される有機物質は、有機溶媒、任意選択的に存在する有機高分子および任意選択的に存在する有機添加物を含む。少なくとも本発明の方法の特定の実施形態の場合に、焼成中に、もう一つのプロセスが起こっており、すなわち微粒子の導電性金属を有するガラスフリットの焼結である。焼成は、いわゆる同時焼成として、MWTシリコン太陽電池に典型的なパターンで配置され、導電性金属ペーストから適用された薄い導電性金属コレクタ配線の形態の前面メタライゼーション、および/または、裏面の銀ペーストから適用された、銀の裏面コレクタコンタクトと共に実行されてもよい。以下の実施例は、銀ペーストのファイアスルー性の測定を示す。実施例は、焼成された銀ペーストとn型シリコン基板表面との間の付着力が、どのように試験されたかをさらに示し、それによって、付着力試験は、従来のサンプルn型シリコンウェハを使用して行なわれたが、その理由は焼成された銀ペーストとMWTシリコン太陽電池ウェハの孔の内部との間の付着力を検査することは可能でないからである。1試験サンプルの製造i実施例銀ペースト1から3銀ペースト1から3の組成を表1に表示する。ペーストは銀の粉末平均粒子径2μm、有機ビヒクル高分子樹脂および有機溶媒およびガラスフリット平均粒子径8μmを含む。表2に、使用したガラスフリットの型の組成データを提供する。iiTLMサンプルの形成Si基板厚さ200μm、面積243cm2の多結晶のシリコンウェハで、n型リンバルクシリコンであり、p型BBr3拡散エミッタと、酸によるテクスチャ付きの表面と、ウェハのエミッタ上にCVDによって適用された厚さ75nmのSiNxのARC層とを備えているの前面に、銀ペースト1~3を、幅127μmおよび厚さ6μmの、相互の間で2.2mmの距離を有する平行のフィンガー配線としてスクリーン印刷した。銀ペーストは焼成の前に乾燥した。次いで、印刷されたウェハを、Despatch炉において3000mm/minのベルト速度で焼成し、ゾーン温度は、ゾーン1=500°C、ゾーン2=525°C、ゾーン3=550°C、ゾーン4=600°C、ゾーン5=925°Cと設定し、最終ゾーンは890°Cに設定し、したがってウェハは800°Cのピーク温度に達した。TLMサンプルを製造するために、焼成されたウェハを続いてレーザースクライブして、さらに10mmx28mmのTLMサンプルへ分割した。そこでは平行の銀のメタライゼーション配線は互いに接触していなかった。レーザースクライブを、Optek社から供給された1064nmの赤外線レーザーを使用して実行した。iii付着力測定のためのサンプルの形成不活性化されていないSi基板厚さ200μm、面積243cm2の多結晶のシリコンウェハで、n型リンバルクシリコンであり、p型BBr3拡散エミッタと、酸によるテクスチャ付きの表面とを備えているの前面に、幅2mmおよび厚さ25μmのバスバーとして、銀ペースト1~3をスクリーン印刷し、さらに乾燥した。次いで、印刷されたウェハをDespatch炉において3000mm/minのベルト速度で焼成し、ゾーン温度を、ゾーン1=500°C、ゾーン2=525°C、ゾーン3=550°C、ゾーン4=600°C、ゾーン5=925°Cと設定し、最終ゾーンは890°Cに設定し、したがってウェハは800°Cのピーク温度に達した。2試験手順および結果iTLM測定TLMサンプルを、接触抵抗率を測定する目的の、GPSolar社から入手可能なGP4-TestPro計測器にそれらを入れることにより測定した。測定を、20°Cで、サンプルを暗所に置いて実行した。装置の検査プローブは、TLMサンプルの隣接した6つの細線の銀の電極に接触し、接触抵抗率ρcが記録された。ii焼成付着力測定付着力試験については、Semtek社PVSolderingMachine,ModelSCB-160から市販の自動はんだ付け装置を使用した。はんだプロセスは、半田リボン62Sn-36Pb-2AgをフラックスKester952Sと共に塗布すること、さらに、塗布された半田リボンおよびバスバーに10本の加熱されたピンの力を加えることを含み、シリコン基板上に焼成された銀表面の濡れを引き起こし、結果としてバスバーとリボンとの間の付着が得られた。加熱されたピンは260°Cの温度に設定し、目的のサンプルを配置するはんだ付け予備加熱プレートは、180°Cに設定した。付着力を、バスバーに沿う複数のポイントで、100mm/sの速度、および90°の角度で半田リボンを引っ張り、測定した。バスバーをはがす力を、ニュートンNで測定した。表3に、測定した接触抵抗率および平均付着力データを示す。"