"処理室に設けられた大気圧雰囲気のプラズマ放電部と、前記プラズマ放電部に高周波電力を供給する高周波電源と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給源と、被処理体の裏面を保持する被処理体保持手段とを備えたプラズマ処理装置において、前記プラズマ放電部は、一対の電極が誘電体内に平行に配置され、該誘電体の表面にプラズマを生成する面放電型の誘電体バリア放電方式のプラズマ源であり、前記プラズマ放電部において、前記被処理体が所定の被処理体保持面に保持され、前記プラズマ放電部において、前記誘電体の表面と前記被処理体保持面とが実質的に同じ高さにあり、前記プラズマが、前記被処理体保持面とは反対側の前記被処理体の表面近傍の前記大気圧雰囲気中に生成されるように構成されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1において、前記プラズマ放電部の表面と前記被処理体保持面との隙間Gがゼロであり、前記被処理体に対してプラズマを生成する側の面に、希ガスで希釈された処理ガスを供給するように構成されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1において、前記プラズマ放電部の表面と前記被処理体保持面で保持された前記被処理体の裏面との間に微小の隙間Gがあり、前記微小の隙間に放電抑制ガスを供給する放電抑制ガス供給部を備えている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項3に記載のプラズマ処理装置において、前記被処理体に対してプラズマを生成する側の面には、希ガスで希釈された処理ガスを供給し、前記被処理体に対して、前記プラズマ源が設置された側の面には、前記処理ガスよりも放電しにくい放電抑制ガスを供給するように構成されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1において、前記プラズマ放電部は、平面形状が略矩形であり、前記一対の電極が、前記誘電体内に該誘電体膜の厚み方向においてその中央よりも前記誘電体表面側に偏って埋設されており、前記被処理体を前記プラズマ放電部の表面と平行な前記被処理体保持面に沿って搬送する複数のローラーを備えている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。処理室に設けられた大気圧雰囲気のプラズマ放電部と、前記プラズマ放電部に高周波電力を供給する高周波電源と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給源と、被処理体の裏面を保持する被処理体保持手段とを備えたプラズマ処理装置において、前記プラズマ放電部は、一対の電極の1つが円筒状の誘電体内に配置され、該円筒状の誘電体の表面にプラズマを生成する面放電型の誘電体バリア放電方式のプラズマ源であり、被処理体は前記プラズマ源に略接触するように設置され、前記被処理体に対して、前記プラズマ源を設置した面とは反対側の面に前記プラズマを生成するように構成されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項6に記載のプラズマ処理装置において、前記プラズマ放電部は、前記1つの電極に相当する金属製の円筒部品の外周に前記誘電体の層が形成され、該誘電体の層の外周に前記一対の電極の他の方が螺旋状に巻かれた構造となっている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項6に記載のプラズマ処理装置において、前記プラズマ放電部は、前記1つの電極に相当する金属製の円筒部品の内側に前記誘電体層が形成され、該誘電体の層の内側に前記一対の電極の他の方が螺旋状に巻かれた構造となっている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。一対の電極が誘電体内に平行に配置され、該誘電体の表面にプラズマを生成する面放電型の誘電体バリア放電方式のプラズマ源を有する大気圧プラズマ処理装置により、大気圧雰囲気で処理体を処理するプラズマ処理方法であって、前記被処理体の裏面を、前記プラズマ源に対して実質的に接触するようにして配置し、前記被処理体に対して、前記プラズマ源が設置された面とは反対側の前記大気圧雰囲気中にプラズマを生成し、該プラズマにより前記被処理体の表面を処理する、ことを特徴とするプラズマ処理方法。請求項9において、前記被処理体の裏面を、前記プラズマ源に対して隙間Gがゼロとなるようにして配置し、前記被処理体に対してプラズマを生成する側の面に、希ガスで希釈された処理ガスを供給する、ことを特徴とするプラズマ処理方法。成膜等に用いる大気圧プラズマ装置では、例えば特許文献1に記載されたような平行平板型の誘電体バリア放電方式が、主に用いられている。この平行平板型の誘電体バリア放電方式では、2枚の放電電極間でプラズマを生成し、例えばこの放電電極間に被処理体を挿入し、あるいは放電電極の下方近傍に被処理体を配置し、成膜処理を行う。この方式の課題として、被処理体の他に、プラズマ源である放電電極の表面も成膜されてしまうことが挙げられる。この放電電極側に付いた膜は、剥がれ落ちて異物となり、被処理体への成膜処理を阻害する。そのため、放電電極にある一定以上の膜が付着したら、放電電極の交換、掃除が必要となり、これが装置の稼働率を低下させ、量産性を損なう原因となる。一方、特許文献2に記載の面放電方式のプラズマ処理装置は、平行に配列されプラズマを発生させる線状電極が誘電体に埋設され、この線状電極の配列面を、被処理体の処理面表面と、例えば2mmの、間隙をもって対向するように配置し、被処理体を搬送手段で搬送するように構成されている。この方式でも、平行平板型の誘電体バリア放電方式と同様に、被処理体の他に、プラズマ源の表面も成膜されてしまうという課題が挙げられる。本発明の目的は、主に被処理体の成膜に用いる大気圧プラズマ処理装置であって、被処理体以外の部位への成膜を抑制した、大気圧プラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法を提供することにある。本発明の代表的なものを示すと次のとおりである。すなわち、本発明のプラズマ処理装置は、処理室に設けられた大気圧雰囲気のプラズマ放電部と、前記プラズマ放電部に高周波電力を供給する高周波電源と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給源と、被処理体の裏面を保持する被処理体保持手段とを備えたプラズマ処理装置において、前記プラズマ放電部は、一対の電極が誘電体内に平行に配置され、該誘電体の表面にプラズマを生成する面放電型の誘電体バリア放電方式のプラズマ源であり、前記プラズマ放電部において、前記被処理体が所定の被処理体保持面に保持され、前記プラズマ放電部において、前記誘電体の表面と前記被処理体保持面とが実質的に同じ高さにあり、前記プラズマが、前記被処理体保持面とは反対側の前記被処理体の表面近傍の前記大気圧雰囲気中に生成されるように構成されている、ことを特徴とする。本発明によれば、プラズマは被処理体表面近傍のみに生成されるため、プラズマ放電部や処理容器内壁への成膜を抑制できるため、装置のクリーニング周期を延ばし、量産性を向上させることが可能である。本発明のプラズマ処理装置は、一対の電極アンテナとアースが1つの誘電体内に面状に形成されている面放電型の誘電体バリア放電方式のプラズマ放電プレートを有し、大気圧雰囲気で被処理体の裏面を該プラズマ放電プレートに密着させ、該プラズマ放電プレートに対して反対側の被処理体表面の近傍にプラズマを生成して、成膜処理を行うようにしている。さらに、成膜のための処理ガスには、ヘリウムやアルゴンなど、放電しやすい希ガスで希釈された処理ガスを用い、該処理ガスはプラズマ生成側の空間に供給され、被処理体の裏面と放電プレートの間には、必要に応じて、処理ガスに比べて放電しにくい、例えば窒素を供給することによって、放電プレートと被処理体の裏面との間に生じたわずかな隙間での放電を抑制させる。なお、本発明における大気圧雰囲気とは、処理ガスの圧力が大気雰囲気と同等であることを指す。以下、図面を参照しながら、本発明を具体的に適用したプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法の実施例について詳細に説明する。まず、本発明の第1の実施例について図1ないし図4を用いて説明する。図1は、第1の実施例の大気圧プラズマ処理装置の全体構成を示している。この大気圧プラズマ処理装置は、例えば厚さ1mm、幅1m、長さ20mの樹脂やガラス基板にアモルファスSiやダイアモンドライクカーボンDLC膜を成膜するのに用いられる。図2図2A~2Cは、大気圧プラズマ処理装置のプラズマ放電部付近の断面構造及び動作説明図である。図3は、大気圧プラズマ処理装置の放電部の断面図2AにおけるA-A‘を上方から見た概要を示している。プラズマ放電部1は大気雰囲気の筐体16内に設置される。プラズマ放電部1は、平面形状が略矩形となっている。筐体16は、壁面が電気的に接地された処理室を形成している。複数のローラー17により、プラズマ放電部1の表面のプラズマ6の生成領域に沿って被処理体を搬送し保持する被処理体保持面B-B‘が形成されている。被処理体7は、その裏面側が複数のローラー17及びプラズマ放電部1の表面によって保持され、被処理体保持面B-B‘に沿って筐体16内のプラズマ放電部1の上を通過する構造となっている。このとき、被処理体7の表側がプラズマ6に面しながら搬送される。なお、被処理体7の搬送手段はローラーに限定されるものではなく、ベルトやその他の搬送手段を用いても良いことは言うまでもない。プラズマが生成される筐体16内の空間には、シャワーヘッド8を介して、プラズマ生成用の処理ガスを供給する。プラズマ生成用の処理ガスは、処理ガス供給源9-1からガス供給ライン10-1を介してシャワーヘッド8に供給される。プラズマ生成用の処理ガスは、放電しやすいヘリウムやアルゴンなどの希ガスで希釈されたガスとする。プラズマ放電部1と被処理体7との間に隙間23が存在する場合詳細は後述するには、放電しにくい窒素ガスなどの放電抑制ガスを、プラズマ放電部1の端に設置した放電抑制ガス供給部1414-1,14-2,1-3から供給するように構成する。放電抑制ガスは、ガス供給源9-2から、ガスライン10-2ないし10-4を介してガス供給部14-1ないし14-3に供給される。さらに、筐体16には、排気ライン1212-1,12-2を介して排気系11が接続されている。また、筐体16の被処理体保持面B-B‘の近傍に設けられた被処理体の出入り口には、ガス雰囲気切り換え器13が設置されている。図2A及び図3に詳細を示すように、プラズマ放電部1は、平坦な表面を有する誘電体5と、この誘電体5に埋設され高周波電源3に接続された一対の電極4とを有している。この一対の電極4は、アンテナとアースの2種類の電極4-1と4-2が交互に平行に誘電体5内に設置された構造になっている。電極4-1と4-2は、プラズマ放電のための高周波電源3に接続されている。図2Aに示すように、誘電体5はプラズマ6を生成する放電部側で薄くなっており、その厚さT1は概ね10μm~数mmである。対して、プラズマを生成しない側の誘電体層の厚さT2はT1の10倍以上としている。すなわち、一対の電極は誘電体膜5の厚み方向においてその中央よりも放電部側に偏って埋設されている。また、プラズマ放電部1は、該プラズマ放電部の放電側の誘電体表面が被処理体保持面B-B‘と実質的に同じ高さ、すなわち誘電体1の表面が被処理体7の裏面に接触、あるいは実質的に接触する高さ位置に設置されている。Eは電極4の直径を示している。アンテナとアースの2種類の電極の幅Lには、電極4-1と電極4-2間の幅L1と、電極4―2と電極4―1間の幅L2がある。このアンテナとアースの2種類の電極の幅LL1,L2は、4被処理体の厚さDと誘電体表面層の厚さT1と、プラズマ放電部1と被処理体7との間にできる隙間Gの合計よりも大きい方が望ましい。即ちL>DGTの式が成り立つ方が望ましい。これにより、一対の電極4間に高周波電力が印加され電流が流れることに伴い発生する電気力線18が、被処理体7の成膜側表側に十分しみ出る。これを図2B,図2Cの動作説明図で説明する。被処理体7は、基板部7Aと、この基板部の上にプラズマを利用して成膜されるSiN膜、ダイアモンドライクカーボン膜等の薄膜層7Bとから構成される。図2Bは、プラズマ放電部1の表面と被処理体保持面B-B‘とが実質的に一致し、プラズマ放電部1の表面と被処理体7の裏面との隙間Gがゼロ隙間が無く、被処理体7と放電部1が密着しているの状態を示している。一対の電極4間に高周波電力が印加されることに伴い発生する電気力線18は、その一部が、誘電体膜5固体層、被処理体7固体層を経て、筐体16内の大気圧雰囲気気体層に到達し、その電界がプラズマ生成用の処理ガスに作用してプラズマを生成する。即ち、被処理体7の表面側22の近傍の大気圧雰囲気のみで、プラズマ生成に必要な強度の電界を形成することが可能となり、プラズマ6が形成される。なお、プラズマ放電部1の表面と被処理体7の裏面との隙間Gはゼロ隙間が無く、被処理体7と放電部1が密着しているであることが望ましい。しかし、被処理体7の材質や構造などによっては、被処理体7の搬送を円滑に行うために、図2Cに示したように、プラズマ放電部1の表面と被処理体を搬送し保持するための被処理体保持面B-B‘とを予め微小距離だけ離し、プラズマ放電部1の表面と被処理体7の裏面との間にわずかな隙間23を形成する必要のある場合もある。しかしこのような隙間23があると、その隙間23内の電界によってプラズマが生成される恐れがある。このような場合には、プラズマ放電部1と被処理体7の隙間23には、放電しにくい窒素ガスなどの放電抑制ガスを、プラズマ放電部1の端に設置した放電抑制ガス供給部14から供給するように構成する。これにより、隙間Gがゼロでない場合、窒素ガスでは放電しないが、希ガスで希釈された処理ガスでは放電するように、プラズマ放電用電源3の高周波電力の電圧を調整することで、被処理体7の表面側22の近傍の大気圧雰囲気のみでプラズマを生成することが可能である。すなわち一対の電極4間に高周波電力が印加されることに伴い発生する電気力線18は、その一部が、誘電体膜5固体層、放電抑制ガス層、被処理体7固体層を経て、筐体16内の大気圧雰囲気気体層に到達し、その電界がプラズマ生成用の処理ガスに作用してプラズマを生成する。また、処理ガスは、アモルファスSiの成膜では希ガスにSiH4ガスを添加した混合ガスをベースとして、必要に応じて水素などを添加したガスを用いる。SiN膜の成膜ではSiH4とH2とN2またはアンモニアの混合ガスを希ガスで希釈した処理ガスを用いる。ダイアモンドライクカーボン膜の生成では、アセチレンなどの炭化水素ガスに必要に応じて水素などを添加したガスを希ガスで希釈したものを用いるのが望ましい。なお、実施例1において、放電抑制ガスのガス供給部14は複数個あるが、被処理体7が放電抑制ガス供給部14の上に無い場合には、放電抑制ガスを供給しないようにすることが望ましい。また、プラズマ放電部1は筐体16内に複数個設置しても良く、この場合、被処理体7がプラズマ放電部の放電面全体の上に無いときは放電を止めるようにした方がよい。処理室筐体16内のガス雰囲気は、概ね被処理体の表面側では成膜用の処理ガス、被処理体の裏面側では窒素ガスとなっている方が望ましい。この場合、筐体の上方は排気ライン12-1を介して、排気ポンプなどから構成される排気系11-1で排気され、筐体の下方は、排気ライン12-2を介して排気系11-2から排気される。また、排気系11-1で集めたガスをガス供給系9-1に供給して、一部を循環させるようにしてもよい。当然、排気系11-2で集めたガスをガス供給系9-2に供給して、一部を循環させるようにしてもよい。筐体16における被処理体が出入りする部分には、ガス雰囲気を切り換えるための装置13が設置されている。この構造例を図4に示す。ガス雰囲気切り替え装置は仕切板28により3つの領域に区切られている。中央部にはガス供給ライン10-9を介して窒素や、希ガスなどを供給する。供給したガスは隣の領域に流れ込み、ガス流29-2は、処理室から流れ込むガス流29-3と、合流してガス流29-4となり、排気ライン12-4によって排気される。また、ガス雰囲気切り替え装置13に、ガスライン10-9から供給したガスのうち、図面において左側に流れるガス29-5は、大気雰囲気から流れ込むガス流29-6を合流してガス流29-7となり、ガス排気ライン12-3を介して排気される。これにより、大気が処理室内、即ち筐体16内に流入しないようにしている。また、筐体16内の雰囲気大気圧雰囲気の圧力をP1、大気雰囲気の圧力をP3としたとき、概ねP1<P3の関係が成り立つことが望ましい。即ち、プラズマ放電部1により生成されるプラズマは大気圧放電によるプラズマであるが、厳密には大気雰囲気よりも若干減圧された例えば09気圧でもよい。本実施例によれば、プラズマは被処理体の表面近傍の大気圧雰囲気にのみ生成されるため、プラズマ放電部や処理容器内壁への成膜を抑制できる。そのため、プラズマ処理装置のクリーニング周期を延ばし、量産性を向上させることが可能である。次に、本発明の第2の実施例を図5ないし図6を用いて説明する。実施例1と同等の構成については説明を省略する。本実施例では、フレキシブル基板対応のロールトゥーロールRoll-to-Roll式の大気圧成膜プラズマ装置の概要を示している。円筒外周にプラズマを生成することができるプラズマ源1が筐体16内に設置されている。被処理体7はロール19-1から供給され、ロール19-2で巻き取られるように構成されている。そして、被処理体7は円筒型のプラズマ放電部1に角度θの距離だけ接触するようになっている。プラズマ源1の構造は図6に示す電極構造となっている。図6に示す円筒型放電プラズマ源は、円筒状の誘電体絶縁体5-1の表面に2本の電極導線4-1と4-2を平行に螺旋状に巻き付け、その上から、ガラスやアルミナ、イットリアなどの誘電体層5-2を形成した構造となっている。電極導線4-1と4-2はプラズマ放電用の高周波電源3に接続されている。このプラズマ放電部は、電極4から見て、円筒の内側部分の誘電体層の厚さT1が電線から見て外周側にある誘電体層の厚さT2に対して例えば10倍以上厚くなっている。また2本の電極の間隔L1、及び、螺旋状に巻いたときの電極の間隔L2は概ね同等の幅となっている。また、被処理体7の厚さをD、被処理体7と放電部にできる隙間をGとすると、L1≒L2>DGT2となっていることが望ましい。もちろんGは、ほとんど0mmであることが望ましい。被処理体7の表面側20、即ち成膜処理を行う面が接している空間24には、処理ガス供給系9-1から供給された処理ガスを、ガス供給ライン10-1、及び、シャワーヘッド8を介して供給される。処理ガスは実施例1と同様に希ガスで希釈されたガスを用いる。被処理体7の裏側21が接している空間25にはガス供給源9-2からガス供給ライン10-2を介してガス供給口14から窒素ガスなど、処理ガスに対して放電しにくいガスを供給する。これにより、プラズマ6はプラズマ源1に接している被処理体の表面側に生成され、被処理体が接していない方図の下側部分ではプラズマは生成しないようにしている。なお、筐体16の被処理体の出入り口には、処理室である筐体内に大気が入らないように、ガス雰囲気切り換え器13が設置されている。プラズマを生成する側24の空間大気圧雰囲気の圧力をP1、プラズマを生成しない側の空間25の圧力をP2、筐体周りの大気雰囲気の圧力をP3としたとき、P1<P2<P3となるように若干の圧力差が生じるようにするのが望ましい。そのため、プラズマ放電空間側24には排気ライン12-1を介して排気ポンプなどから構成されている排気系11-1に接続されている。また、プラズマを生成しない空間側25には排気ダクト12-2を介して、排気系11-2に接続されている。本実施例でも、プラズマは被処理体の表面近傍の大気圧雰囲気にのみ生成されるため、プラズマ放電部や処理容器内壁への成膜を抑制できる。そのため、プラズマ処理装置のクリーニング周期を延ばし、量産性を向上させることが可能である。[変形例1]次に、本発明の第2の実施例の変形例を、図7図7A,図7Bを用いて説明する。図7Aに示したプラズマ放電部は、電極4-2に相当する金属製の円筒30の外周にイットリアやアルミナなどの誘電体層5が形成されており、その外周に電極導線4-1を螺旋状に巻いた構造となっている。また、図7Bは図7AのRの部分を拡大して示した構造例である。金属製の円筒30の表面に螺旋状の溝ネジ溝を設けて、その上から誘電体層5を形成し、誘電体層上に現れた溝に沿って、電極4-1を巻くようにすると製造が簡単になるメリットがある。また、電極4-1の間隔ピッチをS3とすると、1/2×S3>DGの関係式が成り立つようにするのが望ましい。本実施例でも、プラズマは被処理体の表面近傍の大気圧雰囲気にのみ生成されるため、プラズマ放電部や処理容器内壁への成膜を抑制できる。そのため、プラズマ処理装置のクリーニング周期を延ばし、量産性を向上させることが可能である。次に実施例3について図8ないし図9を用いて説明する。実施例1または実施例2と同等の構成部分は説明を省略する。本実施例では容器の内部など奥まった部分の表面に対してプラズマ処理を施す装置の概要を示している。筐体16内には、プラズマ放電部1-1と1-2が設置されている。プラズマ放電部1-1は実施例1と同等構造からなる平板型のプラズマ源であり、例えば容器底部など、処理対象物の壁面が平面の部分に対して設置される。プラズマ放電部1-2は円筒型の内側にプラズマを生成するものであり、例えば図9に示した電極構造となっている。本実施例ではプラズマ放電部1-1と1-2の内側の保持空間部に、被処理体である容器7が保持される。被処理体である容器は、例えば搬送ロボットにより、保持空間部に搬入され、プラズマ処理の後、搬出される。図9に示した円筒内周放電プラズマ源は、誘電体5の内部に、誘電体バリア放電用の電極4-1と4-2が対になって螺旋状に巻いた状態で閉じこめられている。電極4-1と4-2はプラズマ生成のための高周波電源3に接続されている。誘電体5のうち、電極4から見て、円筒の内側部分の誘電体5-2の厚さT1は、電極4から見て外側の誘電体5-1の厚さT2に対して、例えば10倍以上厚くなっている。これにより、プラズマは円筒の内側部分に生成されるようにしている。容器とプラズマ源の距離等の寸法については、図9に示したプラズマ源を用いた場合、被処理体7容器の壁面の厚さD、プラズマ源と容器の距離G、誘電体層の厚さT1、電極間隔L1、L2の関係はL1≒L2>DGT1となることが望ましい。なお、電極間隔L1、L2の値が異なるとき、小さい間隔値のL1またはL2に対して、上記不等式が成り立つようにするのが望ましい。これにより、被処理体である容器が、保持空間部に搬入され、この容器内壁面に沿ってプラズマが生成され、容器内部にプラズマ処理を施すことが可能となる。また、本実施例でも、プラズマは被処理体の表面近傍の大気圧雰囲気のみ、換言すると容器内部のみに生成されるため、成膜処理を行う場合には、プラズマ放電部や処理装置内壁への成膜を抑制できる。そのため、プラズマ処理装置のクリーニング周期を延ばし、量産性を向上させることが可能である。[変形例2]次に、本発明の第3の実施例の変形例を、図10図10A,図10Bを用いて説明する。図10Aに示した円筒内周放電プラズマ源は、金属製の円筒部品30の内側に誘電体層5が形成されており、その内側に電極4が螺旋状に設置されている。また、図10Bは図10AにおけるP部分の構造例を示したものである。図10Bの例では、円筒型の金属部品30の内側にネジ溝を形成し、その後、誘電体層5を形成することによって、電極4を等間隔に簡便に設置しやすくしている。容器内には、処理ガスを供給するためのガスライン10-1と容器内のガスを排気するためのガスライン12が設置されている。また、容器内の処理ガスが筐体内に拡散するのを抑制するため蓋15が設置されている。処理ガスは実施例1と同様に、希ガスで希釈したガスを用い、また、滅菌を行う場合は、例えば酸素ガスを希ガスで希釈した混合ガスを用いる。筐体16内、且つ、容器の外側の空間には、処理ガスに比べて放電しにくい、例えば窒素ガスをガスライン10-2から供給するようになっている。図10Aに示したプラズマ源を用いた場合は、図10Bにおいて電極のピッチをS3としたときL3≒L1L2,L1=L2、1/2×S3>DGの関係が成り立つのが望ましい。これにより、被処理体7としての容器内壁面に沿ってプラズマが生成され、容器内部にプラズマ処理を施すことが可能となる。"