発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に一端が接続され、ゲート電極の電位を保持する保持容量と、を含む複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給するデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する基準電圧線と、前記データ線に供給する前記データ電圧及び前記基準電圧線に供給する前記基準電圧を制御する制御回路と、を有する表示装置であって、前記制御回路は、1フレーム期間に、各画素に前記データ線を介して前記データ電圧を供給し、前記保持容量に前記データ電圧を書き込んだ後、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧を、いずれかを先に順に前記基準電圧線に供給し、各画素において、前記第1電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、の和が、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくなるよう制御することを特徴とする表示装置。発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に一端が接続され、ゲート電極の電位を保持する保持容量と、を含む複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給するデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する基準電圧線と、前記データ線に供給する前記データ電圧及び前記基準電圧線に供給する前記基準電圧を制御する制御回路と、前記画像データの平均輝度に基づいて、前記画像データが高輝度データか低輝度データかを判定する画像データ判定手段と、を有する表示装置であって、前記制御回路は、1フレーム期間に、各画素に前記データ線を介して前記データ電圧を供給し、前記保持容量に前記データ電圧を書き込んだ後、前記画像データ判定手段での判定結果に基づいて、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧とを、いずれかを先に順に前記基準電圧線に供給し、各画素において、前記第1電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、の和が、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくなるよう制御することを特徴とする表示装置。前記制御回路は、前記第1電圧が供給される期間での前記発光素子の発光レベルを、前記第2電圧が供給される期間での前記発光素子の発光レベルよりも高く、前記画像データが前記低輝度データと判定された場合、前記第1電圧が供給される期間を、予め決められた発光デューティで規定される発光期間の1/X倍X>1とし、前記第2電圧が供給される期間では前記発光素子を発光させず、各画素において、前記第1電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量を、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくなるよう制御することを特徴とする請求項2に記載の表示装置。前記制御回路は、前記第1電圧が供給される期間での前記発光素子の発光レベルを、前記第2電圧が供給される期間での前記発光素子の発光レベルよりも高く、前記第1電圧と前記第2電圧との差は、前記画像データが前記低輝度データと判定された場合よりも、前記高輝度データと判定された場合の方が小さく、前記第1電圧が供給される期間と、前記第2電圧と、前記第2電圧が供給される期間を、前記画像データが前記低輝度データと判定された場合と前記高輝度データと判定された場合とで等しくなるよう制御することを特徴とする請求項2に記載の表示装置。発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に一端が接続され、ゲート電極の電位を保持する保持容量と、を有する複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給するデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する基準電圧線と、前記データ線に供給する前記データ電圧及び前記基準電圧線に供給する前記基準電圧を制御する制御回路と、前記画像データの平均輝度に基づいて、前記画像データが高輝度データか低輝度データかを判定する画像データ判定手段と、を有する表示装置であって、前記制御回路は、1フレーム期間に、各画素に前記データ線を介して前記データ電圧を供給し、前記データ電圧を前記保持容量に書き込んだ後、前記画像データ判定手段で高輝度データと判定された場合には、予め決められた所定電圧を前記基準電圧線に供給し、前記画像データ判定手段で低輝度データと判定された場合には、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧とを、いずれかを先に順に前記基準電圧線に供給し、前記画像データ判定手段で高輝度データと判定された場合、各画素において、前記所定電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量が、前記画像データに応じて決まる前記発光素子の発光量と等しく、前記画像データ判定手段で低輝度データと判定された場合、各画素において、前記第1電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、の和が、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくなるよう制御することを特徴とする表示装置。前記画像データ判定手段は、1フレーム毎の画像データに対して高輝度データか、低輝度データか、を判定することを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の表示装置。前記画像データ判定手段は、複数フレーム毎の画像データに対して高輝度データか、低輝度データか、を判定することを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の表示装置。前記制御回路は、前記第1電圧が供給された後の前記ゲート電極の電位と、前記第2電圧が供給された後の前記ゲート電極の電位と、のうち一方が前記保持容量への前記データ電圧の書き込み後に、1フレーム期間に前記画素を一定の発光レベルで発光させて、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量を得るための電圧を印加した時の前記ゲート電極の電位よりも大きく、他方が前記保持容量へのデータ電圧の書き込み後に、1フレーム期間に前記画素を一定の発光レベルで発光させて、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量を得るための電圧を印加した時の前記ゲート電極の電位よりも小さくなるように、前記第1電圧及び前記第2電圧を制御することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の表示装置。前記第1電圧が供給された期間での前記発光素子の発光レベル、及び前記第2電圧が供給された期間での前記発光素子の発光レベルは、ともに発光色毎に異なることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の表示装置。前記データ線と前記基準電圧線は、同一の配線であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の表示装置。前記複数の画素はマトリクス状に配置されており、前記保持容量への前記データ電圧の書き込みと、前記書き込み後の前記第1電圧が供給された期間での前記発光素子の発光及び前記第2電圧が供給された期間での前記発光素子の発光と、が1行ずつ順に全画素に対して行われることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の表示装置。請求項1乃至11のいずれか1項に記載の表示装置を表示パネルとして備えたことを特徴とするデジタルスチルカメラ。発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を保持する保持容量と、を含む複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数のデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数の基準電圧線と、が配置された表示装置の駆動方法であって、1フレーム期間毎に、各画素に、前記データ電圧を前記データ線から供給し、前記保持容量に書き込んだ後、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧を、いずれかを先に順に前記基準電圧線から供給し、各画素では、前記第1電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、の和を、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくすることを特徴とする表示装置の駆動方法。発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を保持する保持容量と、を含む複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数のデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数の基準電圧線と、が配置され、かつ前記画像データの平均輝度に基づいて、前記画像データが高輝度データか低輝度データかを判定する画像データ判定手段を有する表示装置の駆動方法であって、1フレーム期間毎に、各画素に、前記データ電圧を前記データ線から供給し、前記保持容量に書き込んだ後、前記画像データ判定手段での判定結果に基づいて、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧を、いずれかを先に順に前記基準電圧線から供給し、各画素では、前記第1電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、の和を、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくすることを特徴とする表示装置の駆動方法。発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を保持する保持容量と、を含む複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数のデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数の基準電圧線と、が配置され、かつ前記画像データの平均輝度に基づいて、前記画像データが高輝度データか低輝度データかを判定する画像データ判定手段を有する表示装置の駆動方法であって、1フレーム期間毎に、各画素に、前記データ電圧を前記データ線から供給し、前記保持容量に書き込んだ後、前記画像データ判定手段で高輝度データと判定した場合には、予め決められた電圧を前記基準電圧線から供給し、前記画像データ判定手段で低輝度データと判定した場合には、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧を、いずれかを先に順に前記基準電圧線から供給し、前記画像データ判定手段で高輝度データと判定した場合、各画素では、前記電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量を、前記画像データに応じて決まる前記発光素子の発光量と等しくし、前記画像データ判定手段で低輝度データと判定した場合、各画素では、前記第1電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、の和を、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくすることを特徴とする表示装置の駆動方法。しかしながら、特許文献1に開示の画素回路では、TrのVthのばらつきをキャンセルすることはできるが、移動度のばらつきをキャンセルすることができない。更に、Vthキャンセルにかける時間が短いと、十分にキャンセルすることができない。このため、表示の輝度ムラが十分に抑制できないという問題があった。本発明者らは検討を重ねた結果、2種類の輝度レベルで発光させることにより表示の輝度ムラが抑制可能であることを新たに見出した。そこで、本発明は、1つの階調表示データに対して、階調表示データを1回書き込み、表示したい階調表示データに応じた2種類の輝度レベルで発光させることにより輝度ムラを抑制する表示装置及びその駆動方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に一端が接続され、ゲート電極の電位を保持する保持容量と、を含む複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給するデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する基準電圧線と、前記データ線に供給する前記データ電圧及び前記基準電圧線に供給する前記基準電圧を制御する制御回路と、を有する表示装置であって、前記制御回路は、1フレーム期間に、各画素に前記データ線を介して前記データ電圧を供給し、前記保持容量に前記データ電圧を書き込んだ後、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧を、いずれかを先に順に前記基準電圧線に供給し、各画素において、前記第1電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、の和が、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくなるよう制御する。また、本発明に係る表示装置は、発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に一端が接続され、ゲート電極の電位を保持する保持容量と、を含む複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給するデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する基準電圧線と、前記データ線に供給する前記データ電圧及び前記基準電圧線に供給する前記基準電圧を制御する制御回路と、前記画像データの平均輝度に基づいて、前記画像データが高輝度データか低輝度データかを判定する画像データ判定手段と、を有する表示装置であって、前記制御回路は、1フレーム期間に、各画素に前記データ線を介して前記データ電圧を供給し、前記保持容量に前記データ電圧を書き込んだ後、前記画像データ判定手段での判定結果に基づいて、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧とを、いずれかを先に順に前記基準電圧線に供給し、各画素において、前記第1電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、の和が、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくなるよう制御する。更に、本発明に係る表示装置は、発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に一端が接続され、ゲート電極の電位を保持する保持容量と、を有する複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給するデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する基準電圧線と、前記データ線に供給する前記データ電圧及び前記基準電圧線に供給する前記基準電圧を制御する制御回路と、前記画像データの平均輝度に基づいて、前記画像データが高輝度データか低輝度データかを判定する画像データ判定手段と、を有する表示装置であって、前記制御回路は、1フレーム期間に、各画素に前記データ線を介して前記データ電圧を供給し、前記データ電圧を前記保持容量に書き込んだ後、前記画像データ判定手段で高輝度データと判定された場合には、予め決められた所定電圧を前記基準電圧線に供給し、前記画像データ判定手段で低輝度データと判定された場合には、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧とを、いずれかを先に順に前記基準電圧線に供給し、前記画像データ判定手段で高輝度データと判定された場合、各画素において、前記所定電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量が、前記画像データに応じて決まる前記発光素子の発光量と等しく、前記画像データ判定手段で低輝度データと判定された場合、各画素において、前記第1電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧が供給される期間での前記発光素子の発光量と、の和が、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくなるよう制御する。そして、本発明に係る表示装置の駆動方法は、発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を保持する保持容量と、を含む複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数のデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数の基準電圧線と、が配置された表示装置の駆動方法であって、1フレーム期間毎に、各画素に、前記データ電圧を前記データ線から供給し、前記保持容量に書き込んだ後、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧を、いずれかを先に順に前記基準電圧線から供給し、各画素では、前記第1電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、の和を、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくする。また、本発明に係る表示装置の駆動方法は、発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を保持する保持容量と、を含む複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数のデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数の基準電圧線と、が配置され、かつ前記画像データの平均輝度に基づいて、前記画像データが高輝度データか低輝度データかを判定する画像データ判定手段を有する表示装置の駆動方法であって、1フレーム期間毎に、各画素に、前記データ電圧を前記データ線から供給し、前記保持容量に書き込んだ後、前記画像データ判定手段での判定結果に基づいて、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧を、いずれかを先に順に前記基準電圧線から供給し、各画素では、前記第1電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、の和を、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくする。更に、本発明に係る表示装置の駆動方法は、発光素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を保持する保持容量と、を含む複数の画素と、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数のデータ線と、基準電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給する複数の基準電圧線と、が配置され、かつ前記画像データの平均輝度に基づいて、前記画像データが高輝度データか低輝度データかを判定する画像データ判定手段を有する表示装置の駆動方法であって、1フレーム期間毎に、各画素に、前記データ電圧を前記データ線から供給し、前記保持容量に書き込んだ後、前記画像データ判定手段で高輝度データと判定した場合には、予め決められた電圧を前記基準電圧線から供給し、前記画像データ判定手段で低輝度データと判定した場合には、予め決められた互いに異なる第1電圧と第2電圧を、いずれかを先に順に前記基準電圧線から供給し、前記画像データ判定手段で高輝度データと判定した場合、各画素では、前記電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量を、前記画像データに応じて決まる前記発光素子の発光量と等しくし、前記画像データ判定手段で低輝度データと判定した場合、各画素では、前記第1電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、前記第2電圧を供給した期間での前記発光素子の発光量と、の和を、前記画像データに応じて予め決められた前記発光素子の発光量と等しくする。本発明によれば、1つの階調表示データに対して、2種類の輝度レベルで発光させることにより表示装置の輝度ムラを抑制することができる。また、1つの階調表示データを2種類の輝度レベルで発光させる時に、基準電圧を変化させることで、階調表示データを1回の書き込みで済ませることができるので、各画素への書き込み時間を十分長く確保することができる。以下、発光素子として有機EL素子OLEDを用いた有機EL表示装置を例に挙げて本発明について説明するが、本発明の表示装置はこれに限定されるものではなく、自発光素子の発光を制御しうる装置であれば好ましく適用される。図1は本発明の表示装置の一例であり、表示装置の全体構成を示している。図1の表示装置は画素1を3m行×n列m、nは自然数のマトリクス状に配置した画像表示部以下、表示領域ということもある。を備えている。画素1は有機EL素子と、ゲート電極の電位に応じた電流を有機EL素子に供給する駆動トランジスタと、駆動トランジスタのゲート電極に一端が接続され、ゲート電極の電位を保持する保持容量を有する。有機EL素子、駆動トランジスタ、保持容量等により画素回路図2参照が構成されている。フルカラー表示装置の場合、Rを表示する画素、Gを表示する画素、Bを表示する画素の組を表示単位として画像表示部に配置される。また、図1の表示装置は画像データに応じたデータ電圧を駆動トランジスタのゲート電極に供給するデータ線7基準電圧を駆動トランジスタのゲート電極に供給する基準電圧線と兼用と、制御回路を備えている。データ線7は基準電圧線を兼ねているが、データ線7と基準電圧線を別々に設けても良い。制御回路は制御線5、6に供給する制御信号P1、P2を制御する行制御回路3と、データ線7に供給するデータ電圧及び基準電圧線に供給する基準電圧を制御する列制御回路4と、行制御回路3と列制御回路4の動作を制御するドライバIC10を有する。制御回路は行制御回路3、列制御回路4及びドライバIC10と同様の機能を有していれば、図1の構成でなくても良い。行制御回路3にはドライバIC10から制御信号が入力され、行制御回路3の各出力端子から画素回路の動作を制御する複数の制御信号P11~P1m、P21~P2mが出力される。行制御回路3の各出力端子から出力された制御信号の1つであるP1は、制御線5を介して各行の画素回路に入力され、他の制御信号であるP2は制御線6を介して各行の画素回路に入力される。図1では行制御回路3の各出力端子から出力される制御線を2本としたが、2本でなくても良く、画素回路の構成次第では制御線が1本でも良いし、3本以上でも良い。列制御回路4にはドライバIC10から画像データが入力され、列制御回路4の各出力端子から画像データに応じた階調表示データであるデータ電圧Vdataが出力される。列制御回路4から出力されたデータ電圧Vdataは、データ線7を介して各列の画素回路に入力される。図1では列制御回路4が表示領域近傍に描かれているが、電気的に接続されていればCOG等の別基板上にあっても良い。ここで言う画像データとは、1フレーム画面を構成する全画素に入力されるデータ電圧の元となるデータのことである。図2は本発明の表示装置に好適に用いられ、一般的に知られている有機EL素子等の自発光素子を含む画素回路の一例である。図2の画素回路2は有機EL素子と、階調表示データに応じた電流を有機EL素子に供給する回路である電流供給回路部と、電流供給回路部に接続された複数の信号入力用配線制御線5、6、データ線7と、電力供給配線VCC配線、CGND配線を有する。電流供給回路部はゲート電極の電位に応じた電流を有機EL素子に供給する駆動トランジスタTr2と、書き込み対象となる画素回路2を選択するための画素回路選択手段と駆動トランジスタTr2の閾値補償手段を兼ねるトランジスタTr1を有する。また、駆動トランジスタTr2のゲート電極の電位を保持する保持容量C1と、発光期間制御手段であるトランジスタTr3と、発光輝度制御手段である基準電圧線を有する。データ電圧Vdataを供給するデータ線7は基準電圧Vrefを駆動トランジスタTr2のゲート電極に供給する基準電圧線としての働きも兼ねている基準電圧線兼データ線である。基準電圧線とデータ線7は別々の配線として接続を切り替えても良い。図2では駆動トランジスタTr2としてP型トランジスタPMOSを使用しているが、N型トランジスタNMOSを使用しても良い。また、トランジスタTr1、Tr3としてNMOSを使用しているが、PMOSを使用しても良い。駆動トランジスタTr2、トランジスタTr1、Tr3としては薄膜トランジスタTFTが好適に用いられる。トランジスタTr1は駆動トランジスタTr2のドレインとゲートの間を接続するスイッチング手段であるが、駆動トランジスタTr2のドレインとゲートの間の接続を制御できればこれに限らない。駆動トランジスタTr2がNMOSの場合も、トランジスタTr1は駆動トランジスタTr2のドレインとゲートの間を接続する。トランジスタTr3は駆動トランジスタTr2のドレインと有機EL素子のアノードの間を接続するスイッチング手段であるが、駆動トランジスタTr2のドレインと有機EL素子のアノードの間の接続を制御できればこれに限らない。制御線5、6はトランジスタTr1、Tr3の動作を制御するが、前記2つのNMOSトランジスタの動作を制御できれば制御線は2本でなくても良い。走査信号兼オートゼロ信号P1を供給する制御線5は、トランジスタTr1のゲートに接続され、発光期間制御信号P2を伝達する制御線6は、トランジスタTr3のゲートに接続されている。保持容量C1は一端がデータ電圧Vdataを供給するデータ線7に接続され、他端が駆動トランジスタTr2のゲート及びトランジスタTr1のソースに接続されている。有機EL素子のアノードはトランジスタTr3のソースに接続され、有機EL素子のカソードはCGND配線に接続されている。VCC配線は駆動トランジスタTr2のソースに接続されている。図3は図2の画素回路の従来の駆動方法を示すタイミングチャートの一例であり、i行目の画素について、時間軸を共通にして、データ線7の電位変化、制御線5、6の電位変化、有機EL素子の発光パターン発光状態を表している。本駆動方法は1フレーム期間をAプリチャージ期間、B書き込み期間、C他行書き込み期間、D発光期間の4つの期間に分けて動作させる駆動方法である。図3において、ABの期間で画素回路内の駆動トランジスタTr2の閾値がキャンセルされると同時に、データ電圧Viがi行目の画素に書き込まれ、保持容量C1に保持される。Aの期間ではプリチャージ動作時にデータ電圧に関らず有機EL素子に電流が流れて一瞬発光するが、階調表示には影響を与えない発光である。そして、Cの期間において、該当行i行以降の行の画素に同様に、閾値がキャンセルされると同時にデータ電圧が書き込まれていく。その後、Dの期間において、データ線7にVSLの電圧が印加され、全ての行で同時に、各画素回路の保持容量C1に保持されたデータ電圧と駆動トランジスタTr2の電流駆動能力に応じた電流が有機EL素子に供給される。このように、1フレーム期間内では、Dの期間において、駆動トランジスタTr2の電流駆動能力に応じてプログラムされた階調表示データに対応した一定の電流が有機EL素子に供給されることになる。そして、図3の発光パターンのように、1フレーム期間内では有機EL素子は一定の輝度で発光し続ける。図4は画像データに応じた発光パターンを示す図であり、従来の発光パターンと本発明の表示装置の発光パターンの一例を並べて示している。縦軸は発光レベルであり、高い部分が発光状態、最も低い部分は非発光状態を示しており、従来の発光パターンでは各発光パルスの高さ、即ち発光レベルは各画素に供給される階調表示データによって決まっていた。横軸は時間であり、パルス幅は1つの画像を表示する期間に、画素が実際に発光している時間を示している。以下、1フレーム期間における1画素の発光量積算発光量を1フレーム内で平均化した値を平均輝度平均発光レベルとして本発明を説明する。発光レベルと輝度とは同義である。図4Aは高輝度画像データの場合の、ある画素の発光パターンである。一定輝度で一定期間発光する従来の発光パターンに比べて、2種類の異なる輝度で発光させ、2種類の異なる輝度で発光させて従来の発光パターンと同一の平均輝度、すなわち1フレーム内において同一の発光量を得ることを特徴とする。図4Aでは第1の発光レベルでの発光期間と第2の発光レベルでの発光期間の総和を従来の発光パターンの発光期間と同じにしている。このため、ある期間従来よりも高輝度な第1発光レベルで発光させる期間以下、この期間の発光をダミーパルスということもある。があり、その分、残りの発光期間の輝度は下げて、第2発光レベルで発光させている。図4Bは中輝度画像データの場合の、ある画素の発光パターンである。高輝度画像データの場合と同様に、2種類の異なる発光レベルで発光させて従来の発光パターンと同一の平均輝度発光量を得ることを特徴とする。図4Bでも第1の発光レベルでの発光期間と第2の発光レベルでの発光期間の総和を従来の発光パターンの発光期間と同じにしている。このため、ある期間従来よりも高輝度な第1発光レベルで発光させる期間があり、その分、残りの発光期間の輝度は下げて、第2発光レベルで発光させている。第1発光レベルと第2発光レベルはどちらも、高輝度画像データに応じたデータ電圧が書き込まれた時に比べて発光レベルが下がっている。図4Cは低輝度画像データの場合の、ある画素の発光パターンである。高輝度画像データの場合と同様に、2種類の異なる発光レベルで発光させて従来の発光パターンと同一の平均輝度発光量を得ることを特徴とする。図4Cでも第1の発光レベルでの発光期間と第2の発光レベルでの発光期間の総和を従来の発光パターンの発光期間と同じにしている。このため、ある期間従来よりも高輝度な第1発光レベルで発光させる期間があり、その分、残りの発光期間の輝度を下げる。この時第2発光レベルはほぼ非発光である黒表示と同等の発光レベルになることがある。第1発光レベルと第2発光レベルの切り替えは基準電圧発光輝度制御信号により行われ、各画素に2種類のデータ電圧を書き込む必要はない。第1発光レベルで発光させるときには基準電圧として第1電圧を基準電圧線から供給し、第2発光レベルで発光させるときには基準電圧として第2電圧を基準電圧線から供給する。第1電圧が供給される期間での発光素子の発光量と、第2電圧が供給される期間での発光素子の発光量との和が、画像データに応じて予め決められた発光素子の発光量図4では従来の発光パターンにおける発光量と等しくなるように制御する。第1発光レベルで発光させるタイミングは発光期間中の最後でなくても良く、最初でも、途中でも良い。但し、第2発光レベルで発光している時は、第2発光レベルでの発光中か、第2発光レベルでの発光と連続していることが好ましい。発光レベルを制御する基準電圧の変更のみで切り替えられるからである。ここで、図5及び図6を用いて表示の輝度ムラの見え方と輝度ムラの原因となるTr特性のばらつきについて説明する。図5は一般的なPMOSトランジスタのVg-Id特性のグラフである。特性Vthおよびμが異なる2種類のトランジスタのVg-Id曲線をグラフに描いている。これはトランジスタ特性のばらつきが存在している事を想定している。横軸はゲート-ソース間電圧Vg、縦軸はドレイン電流Idである。ドレイン電流の値はトランジスタのサイズを設計することで調整可能である。表示装置で使用されるドレイン電流の範囲は、設計される表示装置の輝度、コントラスト、発光素子の発光効率により決定される。ここでは、コントラストである電流比が10万対1を想定し、ゲート電圧で制御しやすい電流範囲として、100pA~10μAを使用範囲として、画像の黒~白を表現すると想定する。使用範囲において、図5の2種類のVg-Id曲線の差に注目すると、電流が大きい領域100nA~10μAでは同一のVgが印加された時に、ドレイン電流に対する電流差の割合は小さい。一方、電流が小さい領域1nA~100nAでは同一のVgが印加された時に、ドレイン電流に対する電流差の割合は大きくなっている。更に電流が小さい領域~1nAでは同一のVgが印加された時に、ドレイン電流に対する電流差の割合は大きいが、電流の絶対値が非常に小さく、電流差としても小さな値になる。この小さな電流を表示装置に用いると、発光素子に流れ込む電流量が小さく、ほぼ黒表示となり、電流差に起因する輝度差があっても、どちらも黒表示と認識され、ほとんど視認できなくなる。なお、使用する電流範囲が多少異なっていても、電流が大きい領域では電流が小さい領域に対して、相対的に、電流差の割合は小さくなる。一方、図6は表示装置の輝度とその明るさにおける輝度ムラ部分との輝度差の割合を示すスジムラ輝度ムラ率のグラフである。図6のスジムラ率は一般的なLTPSプロセスで作成されたTrを用いた表示装置のスジムラスジ状の輝度ムラ特性の一例である。スジムラ率スジ状の輝度ムラ率は、スジムラ率={スジムラ画素の輝度-スジムラ画素周辺の画素の平均輝度}÷スジムラ画素周辺の画素の平均輝度で表される。スジムラ画素周辺の画素の平均輝度は、スジムラ画素周辺の画素の平均輝度=スジムラ画素の左右方向各5画素の平均輝度で表される。ここで、スジムラ画素とは、全画素に同じデータ電圧を書き込んで発光させた場合に、周囲の画素とは目視で異なる輝度を表示する画素を指している。図6から分かるように、輝度が高い領域ではスジムラ率が低く、輝度が低い領域ではスジムラ率が高くなっている。スジムラ率は画素回路内のPMOSトランジスタ特性のばらつきに起因している。そのため、図5に示したように、PMOSトランジスタの電流量が大きく電流差が小さい領域、即ち図6の輝度が高い領域では、スジムラ率が低い。逆に、PMOSトランジスタの電流量が小さく電流差が大きい領域、即ち図6の輝度が低い領域では、スジムラ率が高い。輝度がとても低い領域0.5cd/m2以下では、基準となる明るさが小さくなり測定限界に近づく為、見かけ上スジムラ率が低くなっている。同時に、一般的なスジムラの視認限界も図示してある。輝度がある程度高い場合、例えば、5cd/m2以上では、スジムラ率が2以上の時に視認されると言われている。輝度が低くなると、人間の視覚特性により、視認できる最低スジムラ率が高くなる。例えば、1cd/m2付近ではスジムラ率が3以上の時に視認されると言われている。図6のスジムラ特性では、0.5~5cd/m2付近でスジムラが視認される例を表している。次に、図7及び図8を用いて、2種類の発光レベルで発光させることにより、輝度ムラを抑制させるメカニズムについて説明する。図7は、Trの閾値ばらつきをある程度キャンセルした後、全画素に従来のように単一の発光レベルで同じデータ電圧に基づいて表示させた場合にみられる画像表示部の輝度ムラについて、階調特性を示したグラフである。横軸は階調、縦軸は輝度で示しており、トランジスタ特性に置き換えると、横軸がゲート電圧、縦軸がドレイン電流とみなすことができる。グラフ中の曲線はある1つのトランジスタ特性そのものである。ここで、トランジスタ特性の電流ばらつきについて考える。電流が大きい領域では、トランジスタの電流ばらつきは平均的な電流が大きいために、ばらつき量の比率が相対的に小さくなる。逆に、電流が小さい領域では、電流ばらつきの絶対値は小さくなるものの、平均的な電流も小さくなり、結果としてばらつき量の比率が大きくなる傾向がある。このようなトランジスタを用いて表示装置の輝度ムラの視認性について考える。有機EL素子のような自発光素子の輝度は流れる電流にほぼ比例する。そのため、輝度ムラの大きさは電流量のばらつきにほぼ比例する。データ電圧の高階調領域、即ち画素に流れる電流量が大きい領域Cにおいては、電流のばらつきの比率が小さく、表示装置として輝度ムラが視認されにくい。領域Cよりやや輝度が低くなる、データ電圧の中階調領域、即ち画素に流れる電流量がやや小さい領域Bにおいては、電流のばらつきの比率が大きく、表示装置として輝度ムラが視認されやすい。領域Bよりさらに輝度が低くなる、データ電圧の低階調領域、即ち画素に流れる電流量がとても小さい領域Aにおいては、電流のばらつきがあるものの、電流の絶対値がとても小さい。その結果、輝度がとても低くなり、ばらつきによる輝度差の絶対量も小さく、輝度ムラとして視認されにくくなる。図8は、同じデータ電圧に基づいて全画素を2種類の発光レベルで発光させた場合における階調と平均輝度、輝度ムラの見え方の関係を説明する図である。発光レベルを示す曲線が、電流が小さくばらつきが目立つ輝度の範囲ハッチングした領域にかかっている間は、輝度ムラが視認される階調となる。第1発光レベルの方が第2発光レベルに対して、輝度が高く発光期間が短いとする。この2つの発光レベルとは、瞬間的に光っている輝度である。言い換えると、それぞれの発光レベルで発光デューティ100で発光させた時の平均輝度と同じである。表示装置としては、第1発光レベルと第2発光レベルの発光量の和を1フレーム時間で平均化合成した輝度が視認される平均輝度であり、図8の点線曲線bのようになる。この内第1発光レベルの発光量成分も図8の点線曲線cで示した。従来は単一発光で図8の点線曲線bを表していた。最も低階調の領域、即ち図8Dよりも低い階調領域では、第2発光レベルは黒であり、第1発光レベルの短時間の発光でのみ階調表示が行われる。しかも、第1発光レベルの輝度自体が図7Aレベルのとても低い輝度であるため輝度ムラが視認されにくい。次に、図8Dの階調領域では、第2発光レベルは黒であり、第1発光レベルの短時間の発光でのみ階調表示が行われる。第1発光レベルの輝度は図7Bレベルの輝度ムラが見える輝度で発光しているのだが、第1発光レベルは短時間であり、視認される輝度としては点線曲線bで描かれた合成された輝度になる。その結果、輝度がとても小さく、輝度ムラが視認されにくい。図8DとEの間の階調領域では、曲線aの様に第1発光レベルの輝度は図7Cレベルの輝度ムラが小さい輝度で発光しており、しかも、視認される輝度としては点線曲線bで描かれた合成された輝度である。その結果、輝度ムラが小さい上に輝度がとても小さく、輝度ムラが視認されない。続いて、図8Eの階調領域は、単一発光で表示するとムラが目立っていた領域である。ところが、曲線aの様に第1発光レベルの輝度は図7Cレベルの輝度ムラの視認されにくい高輝度での発光である。第2発光レベルも、曲線dで示した様に、図7Aレベルのとても低い輝度であり輝度ムラが視認されにくい。これら2つの輝度ムラが視認されにくい発光同士を合成しているので、合成された輝度においても、輝度ムラは視認されにくい。次に、図8Fの階調領域では、第1発光レベルの輝度は図7Cレベルの輝度ムラの視認されにくい高輝度での発光である。第2発光レベルは図7Bレベルの輝度ムラが見える輝度で発光している。この時、合成された輝度において、第2発光レベル起因の輝度ムラは存在しているものの、第1発光レベルの輝度ムラの視認されにくい発光と合成されることにより、輝度ムラの比率が低下する。その結果、合成された輝度では輝度ムラが視認されにくくなる。続いて、図8Fよりも高階調領域では、第1発光レベルの輝度は図7Cレベルの輝度ムラの視認されにくい高輝度での発光である。第2発光レベルも図7Cレベルの輝度ムラの視認されにくい輝度で発光している。これら2つの輝度ムラが視認されにくい発光同士を合成しているので、合成された輝度においても輝度ムラは視認されにくい。このようにして、単一発光レベルで輝度ムラが目立つ階調が存在する駆動においても、各画素を2種類の発光レベルで発光させることにより、全階調領域において、輝度ムラを低減させることが可能になるのである。つまり、各画素を2種類の輝度レベルで発光させ、トランジスタの電流ばらつきが大きい領域を使用せずに、トランジスタの電流ばらつきが小さい、又は電流ばらつきが目立たない領域を使用して階調表示を行うことで輝度ムラの抑制をより効果的に行うことができる。また、各画素を2種類の発光レベルで発光させる効果として、第1発光レベルだけでは、発光期間が短く、合成された輝度が明るさとして不足する場合がある。或いは、第1発光レベルが非常に大きくなってしまう懸念がある。それを補う為に、第2発光レベルの発光を加えることで、所望の合成された輝度を得ることができる。ここで、駆動トランジスタがPMOSの場合を例に挙げ、第1の発光レベルで発光させるときの基準電圧である第1電圧、第2の発光レベルで発光させるときの基準電圧である第2電圧を用いて、第1の発光レベルの上限について説明する。第1電圧及び第2電圧は各画素に書き込まれるデータ電圧に依存しない電圧で、かつ第1発光レベルと第2発光レベルの平均発光レベルで白から黒までの階調を表示できるような値に設定する必要がある。データ電圧と輝度との関係はディスプレイの特性によって予め決まっているため、第1電圧が高すぎると低階調が黒くつぶれ、第1電圧が低すぎると黒が浮いてしまう。従って、これらの条件を満たす範囲内に第1電圧が設定され、第1電圧と白の階調表示データ電圧との差で発光する発光レベルが第1発光レベルの上限となる。次に、図8Eの階調領域と図8Fの階調領域の境界にある階調について更に詳しく説明する。この階調において第2発光レベルが設定される。この階調は、各画素を第2発光レベルだけで発光させて表示を行った時、スジムラが目立つ領域のなかで、もっとも低い階調である。この階調より高くすると第2発光レベル単独の発光によりスジが目立つ領域Fとなる。この時、第1発光レベルの発光を加えることにより、平均輝度が上昇し、第2発光レベル単独の発光に比べて、相対的にスジムラ成分の比率が減少するため、スジムラを目立たなくすることができる。この時加えられる第1発光レベルの発光量は、第1発光レベルだけで発光デューティ100で光らせた時にスジムラが目立たなくなる発光量である。この階調を表示する時、第1発光レベルの発光量は、発光デューティ100にして第1発光レベルの発光量と同じ発光量が得られる輝度レベルにしてもスジムラは目立たない、境界の発光量である。しかし、実際には、第1発光レベルは、発光期間を短く設定して同量の発光にするため、発光デューティ100にした時の発光レベルよりも高くなっている。その結果、スジムラは十分余裕を持って目立たない階調での発光になっている。そこに第2発光レベルが追加されるので、第2発光レベルによるスジムラ成分は視認されない。つまり、第1発光レベルだけで十分にスジムラが目立たない輝度以上の階調を表示する場合であれば、第2発光レベルはスジムラが目立つような輝度でも、1フレームではスジムラの目立たない発光が可能になる、ということである。逆に、第1発光レベルだけで十分にスジムラが目立たない輝度以下の階調を表示する場合であれば、第2発光レベルはスジムラが目立たないような輝度に設定しなくてはならない。これを第1条件とする。また、第2条件として、第2発光レベルは第1発光レベルとの差が小さい方が好ましい。なぜなら、第1発光レベルの輝度を抑制できるからである。そのため、なるべく第2発光レベルが高くなるように設定する。ただし、第2発光レベルと第1発光レベルとの差が小さくなるほどスジムラ抑制効果が低くなるため、第2発光レベルと第1発光レベルとの差をある程度残す必要がある。具体的には、第2発光レベルだけではムラが目立つ範囲の輝度の下限になるように第2発光レベルを設定する。この第1条件と第2条件の両方を満たすような第2発光レベルになるように、第2電圧を決定する。以下に、本発明の表示装置及びその駆動方法の好適な実施形態を示す。[第1の実施形態]本実施形態の表示装置は図1の表示装置であり、画素回路は図2の画素回路である。図9は本実施形態における図2の画素回路の動作を示すタイミングチャートの一例であり、時間軸を共通にして、データ線7の電位変化、制御線5、6の電位変化、発光パターン発光状態を表している。本実施形態では1フレーム期間を下記A~Dの4つの期間に分けて動作する。Aプリチャージ期間この期間では、トランジスタTr1及びトランジスタTr3をオンに設定することにより、駆動トランジスタTr2のゲート電位を下げてオンに設定する。データ線7はi行のデータ電圧VdataViに設定され、保持容量C1のデータ線7側にデータ電圧を印加する。具体的な動作は以下のとおりである。制御線5及び6がHighにセットされると、トランジスタTr1及びトランジスタTr3はオンに変わり、トランジスタTr1により駆動トランジスタTr2のドレインとゲートが接続され、一時的にダイオード接続状態となる。つまり、駆動トランジスタTr2がオン状態となる。データ線7はデータ電圧VdataViに設定される。B書き込み期間この期間では、トランジスタTr3をオフに設定することにより、駆動トランジスタTr2のゲートに閾値電圧が設定される。保持容量C1は駆動トランジスタTr2のゲート電圧と保持容量C1のデータ線7側の電極にかかるデータ電圧の差分の電圧を保持する。具体的な動作は以下のとおりである。制御線6はLowに設定され、トランジスタTr3がオフに設定される。短い時間が経過した後、保持容量C1はデータ電圧と駆動トランジスタTr2のゲート電圧閾値電圧との間の差分の電圧オートゼロ電圧を記憶する。そして、ゲート電圧、より正確には駆動トランジスタTr2のVgsゲート-ソース間電圧を駆動トランジスタTr2の閾値電圧にセットする。この動作によって、次に駆動トランジスタTr2の閾値電圧変化や閾値電圧ばらつきに関係なくデータ電圧に応じた所定の駆動電流を有機EL素子に供給することができる。C他行書き込み期間この期間では、トランジスタTr1をオフに設定することにより、データ線7の電位が他行のデータ電圧に変化しても、保持容量C1に保持された電位差を維持する。具体的な動作は以下のとおりである。制御線5は、Lowにセットされ、プログラム対象行i行のサンプリング期間が終了する。その後、データ線7は次の行i1行のデータ電圧Vi1になり、次の行i1行のプログラムが速やかに開始される。この時、保持容量C1に保持された電位差は、駆動トランジスタTr2側で電荷の移動が無い為、保持される。D発光期間この期間では、保持容量C1の両端にかかる電位差が維持されているので、データ線7の電圧を基準電圧Vrefに設定することで、駆動トランジスタTr2のゲート電位を所望の電圧に設定する。そして、トランジスタTr3をオンに設定することにより、駆動トランジスタTr2の駆動電圧に応じた電流を有機EL素子に供給している。この時、発光輝度制御手段として、基準電圧Vrefを発光期間内で変化させることで、発光期間Dでの発光を第1発光レベルと第2発光レベルの2種類の発光レベルで発光させて輝度ムラを抑制する。具体的な動作は以下のとおりである。データ線7の電圧は最終行のデータ電圧VnからVref2に変化する。保持容量C1の両端にかかる電位差が維持されているので、駆動トランジスタTr2のゲート電位が書き込み期間に書き込んだ電圧に対応した、所望の階調表示を行う電圧に設定される。また、制御線6がHighに設定され、トランジスタTr3がオンに設定される。よって、駆動トランジスタTr2によって供給される電流は、有機EL素子に流れるようになる。つまり、駆動トランジスタTr2は一定の電流源のように機能する。発光期間Dの前半では、各データ線7の電圧VdataをVref2に設定する。これは、駆動トランジスタTr2のゲート電圧が、所望の階調表示を行うゲート電圧よりもやや高くなるように、即ち電流がやや小さくなるようにVref2を設定しておく。その結果、第2発光レベルで有機EL素子が発光する。発光期間Dの後半では、各データ線7の電圧VdataをVref1に設定する。その結果、第2発光レベルと異なる第1発光レベルで有機EL素子が発光する。第2発光レベルの輝度をやや低くしていたので、第1発光レベルの輝度は第2発光レベルの輝度より大きく設定する。こうすることにより、本実施形態では輝度ムラを抑制できる。輝度ムラを抑えるメカニズムは既に説明したので省略する。なお、本実施形態では、1フレーム期間内で発光レベルを変化させるためにデータ線の電位を変化させている。一方、電源配線VCC配線の電位を変化させることにより、発光レベルを変化させるという方法も考えられる。しかし、一般的に、電源配線はデータ線に比べて流す電流量が大きく、低抵抗化のために配線を幅広くしている。その結果、電源配線は寄生容量が大きくなる。また、データ線は他の配線に比べ電圧を変化させる頻度が高いので、配線容量を小さく設計する。そのため、電源配線の電圧を変化させる場合に比べて、データ線の電圧を変化させた方が消費電力が小さくなる。このように、本実施形態において制御回路は下記1及び2の制御を行う。11フレーム期間に、各画素にデータ線を介してデータ電圧を供給し、保持容量にデータ電圧を書き込んだ後、予め決められた互いに異なる第1電圧Vref1と第2電圧Vref2を、いずれかを先に順に基準電圧線に供給する。2各画素において、第1電圧が供給される期間での有機EL素子の発光量と、第2電圧が供給される期間での有機EL素子の発光量と、の和が、画像データに応じて予め決められた有機EL素子の発光量と等しくなるように制御する。また、本実施形態のような制御回路を有していなくても、このような制御回路の機能を有していれば、本明細書に記載の構成に限るものではない。例えば、ドライバIC内に制御回路の機能の一部を組み込み、ドライバICの出力を直接画素に接続する構成でも良い。このように、有機EL表示装置に配置された複数のデータ線と複数の基準電圧線で、1フレーム期間毎に、上記1及び2の駆動を実施することにより本発明の効果が得られる。データ線7の電圧をVref1に設定するタイミングは発光期間中であればいつでも良い。また、発光期間前半の輝度である第2発光レベルを、所望の階調表示を行う為に一定レベルで発光させた場合の輝度に比べて、やや低くさせる方法は次のとおりである。Vref2の電圧をやや高くなるように設定するのではなく、データ電圧Vdataを予め電流がやや小さくなるように演算処理して画素に書き込んでも良い。Vref1、Vref2はデータ線経由で画素に入力されており、画素の発光色により、Vref1、Vref2の両方、又は片方を変化させても良い。表示としては、第1発光レベルと第2発光レベルの差が、発光色によりそれぞれ異なる。その結果として、ホワイトバランスが最適に調整されたり、ダミーパルスの強度を変えたりすることができる。例えば、輝度ムラが視認されにくい青色の発光に関しては、ダミーパルスを小さく、或いは入力させなくても輝度ムラが視認されない場合がある。そのような時には青色画素には、他の発光色に比べてダミーパルスの大きさを変える事が好ましい。なぜなら、ダミーパルスの輝度が高すぎる場合、消費電力の増加につながるおそれがあるからである。また、第1電圧が供給された後、第2電圧が供給された後、の駆動トランジスタTr2のゲート電極の電位をそれぞれVa1、Va2とすると、第1電圧と第2電圧は制御回路によりVa1とVa2が以下の電位になるように制御するのが好ましい。Va1とVa2のうち一方が、保持容量C1へのデータ電圧の書き込み後に、1フレーム期間に画素を一定の発光レベルで発光させて、画像データに応じて予め決められた有機EL素子の発光量を得るための電圧を印加した時のゲート電極の電位よりも大きい。Va1とVa2のうち他方が、保持容量C1へのデータ電圧の書き込み後に、1フレーム期間に画素を一定の発光レベルで発光させて、画像データに応じて予め決められた有機EL素子の発光量を得るための電圧を印加した時のゲート電極の電位よりも小さい。これは後述の第2乃至第5の実施形態にも適用できる。輝度は発光色毎に異なるため、第1電圧が供給された期間での有機EL素子の発光レベル、及び第2電圧が供給された期間での有機EL素子の発光レベルは、ともに発光色毎に異なっているのが好ましい。以上のように、本実施形態によれば2種類の発光レベルによる発光で階調表示を行うことで、ばらつきの小さい大電流による発光と、輝度ムラが視認されにくい低輝度の発光を利用することが可能になり、輝度ムラを抑制することができる。[第2の実施形態]本実施形態の表示装置の全体構成は第1の実施形態とほぼ同じであるが、画像データ判定手段を有し、画像データ判定手段での判定結果により発光期間Dの発光方法を変える点が第1の実施形態と異なる。本実施形態の表示装置の画素回路は第1の実施形態と同じである。図10は画像データ判定手段を経由する場合の、表示装置に入力される映像信号画像データの流れの一例である。表示装置に画像データが入力されると、まず、画像データ判定手段で、1フレーム毎に1フレーム分の画像データの平均輝度に基づいて、画像データが高輝度な画像データ高輝度データか、低輝度な画像データ低輝度データか、判定される。判定基準はデータ量、或いは表示する電流量を基準として任意に設定可能である。表示する電流量を基準にする場合、例えば表示装置に流れる駆動電流が最大となる全画素白色表示に対して1/2の電流となる画像データを閾値とする。そして、1フレーム期間にこの閾値以上の駆動電流を表示装置に流して発光させる画像データであれば、高輝度画像データと判別することもできる。上記の判定結果に基づいて、高輝度の画像であれば、列制御回路4において、ダミーパルスの発光が行えるように2種類のVref信号を発光期間時にデータ線7に入力する。同時に映像信号演算部において、ダミーパルスの発光量に相当する輝度を下げた書き込み用画像データを作成し、列制御回路4に入力する。画像データを書き込み用画像データに変換せずにダミーパルスを追加すると、ダミーパルスの発光量分だけ元の画像データの発光量より多くなってしまう。その発光量増加分を相殺するために、予め書き込み用画像データの輝度レベルを下げておく。また、ダミーパルスの発光量増加分を相殺する方法としては、画像データを書き込み用画像データに変換して輝度レベルを下げるのではなく、Vref2電圧を調整して第2発光レベルを下げるという手法でもよい。一方、低輝度の画像であれば、列制御回路4、或いは行制御回路3において、発光デューティを1/X倍に縮める信号をデータ線7、或いは制御線6に入力する。例えば、白最大輝度レベルを1とし、画像データ判定手段で画像データの平均輝度が低輝度と判定する輝度範囲の最大輝度レベルをAとすると、1/A=X。事前にXは2や4といった計算しやすい自然数に決めておく。具体的には、データ線7で発光デューティを1/X倍に縮める場合、Vref2をほぼ非発光レベルに設定し、全体の1/Xの期間をVref1に設定する。制御線6で発光デューティを1/X倍に縮める場合、図2の制御線6のHigh期間、即ち図2のトランジスタTr3がONの期間を全体の1/Xの期間に設定する。また、同時に映像信号演算部において、発光デューティを縮める前の輝度が維持されるように、輝度がX倍になるような書き込み用画像データを作成し、列制御回路4に入力する。そして、列制御回路4から出力されたデータ電圧がデータ線7を通じて画素回路2に入力される。その結果、画素は所望の輝度で発光する。なお、画像データの判定単位は、1フレーム毎の画像データ単位で輝度の判定を行わなくても良く、演算量削減のために複数フレーム毎の画像データ単位で輝度の判定をしても良い。また、高画質化のために1フレーム期間内を複数の行や列といったブロックに分割して判定を行っても良い。本実施形態のように、発光輝度制御手段として列方向に伸びたデータ線7を用いる場合には、画像データの最小判定単位を列単位とするのが好ましい。発光輝度制御手段が行方向に伸びた制御線6により行われる場合画素回路2の例としては図20のような画素回路の場合には、画像データの最小判定単位を行単位とするのが好ましい。また、本実施形態のように行方向に伸びた制御線6による発光期間制御手段と、列方向に伸びたデータ線7による発光輝度制御手段とを組み合わせて、表示領域を行、列で分割したブロック単位とすることも可能である。また、画像データの判定基準は、ある画像データブロックの平均輝度で判定を行わなくても良く、ある画像データブロックの最大輝度データや最小輝度データに基づいて画像データが高輝度な画像データか、低輝度な画像データか判定しても良い。図11は本実施形態に係る表示装置の画像データに応じた発光パターンの一例を示す図である。図11Aは高輝度画像データの場合の発光パターンである。一定輝度で一定期間発光する従来の発光パターンに比べて、複数の異なる発光レベルで発光することを特徴とする。図11Aでは、従来の発光パターンと同一の輝度を得るために、発光期間の総和は同じだが、ある期間従来よりも高輝度で発光させる期間ダミーパルス発光期間があり、その分、残りの発光期間の輝度を下げている。なお、高輝度で発光させるタイミングは発光期間中の最後でなくても良く、最初でも、途中でも良い。図11Bは低輝度画像データの場合の発光パターンである。一定輝度で一定期間発光する従来の発光パターンに比べて、発光デューティを縮めて、その分高輝度で発光することを特徴とする。次に、本実施形態における図2の画素回路の動作について図9、図12及び図13のタイミングチャートを用いて説明する。発光期間D以外の期間については第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。本実施形態では、画像データ判定手段での判定結果により、画像データが高輝度データか低輝度データかにより、この後の駆動方法が変化する。画像データが高輝度データの場合、第1の実施形態における駆動と全く同じであり、図9の駆動を行う。一方、画像データが低輝度データの場合、図12の駆動を行う。発光期間Dの発光期間を短縮し、その分、瞬時輝度を上昇させて、所望の輝度を得つつ、輝度ムラの抑制を行う。具体的な動作は以下のとおりである。発光期間Dの中で発光デューティを1/X倍に縮める。その為に、発光期間Dの前半の1/Xの期間では、各データ線7の電圧VdataをVref3に設定する。これは、駆動トランジスタTr2によって有機EL素子に供給される電流が、Vdataを図3のVref0に設定した時に対してX倍になるような電圧である。その結果、有機EL素子にX倍の電流が流れ、第1発光レベルは通常のX倍の輝度になり、有機EL素子が発光する。発光期間Dの残りの期間では、各データ線7の電圧VdataをVref4に設定する。Vref4は、駆動トランジスタTr2がOFF状態になるような電圧である。その結果、有機EL素子は非発光の状態になる。その結果、1フレーム単位では所望の輝度が得られる。そして、その際、輝度ムラも抑制される。ここで、輝度ムラを抑えるメカニズムを説明する。図7において、第2発光レベルがほぼゼロであった場合、合成された輝度が減少する。しかし、第1発光レベルを合成された輝度に対して高輝度化することにより、電流ばらつきの小さな領域での発光と電流ばらつきが大きい領域での発光は、短期間の発光に留める事で、合成された輝度が輝度ムラの目立たない低輝度にする事ができる点は同じである。第2発光レベルがほぼゼロであっても、輝度ムラを見えにくくする効果はなくならない。また、発光デューティを1/X倍に縮める事で、発光輝度をX倍にする事ができ、その効果として、低輝度で表示したい場合においても、第1発光レベルをばらつきが小さい大電流領域で使用することができ、良好に輝度ムラを抑制することが可能となる。尚、高輝度領域で発光輝度をX倍にすると、瞬時電流が過剰に流れ、駆動電圧の上昇等の弊害が発生してしまう。このように、本実施形態において制御回路は下記1及び2の制御を行う。11フレーム期間に、各画素にデータ線を介してデータ電圧を供給し、保持容量にデータ電圧を書き込んだ後、判定された輝度データ毎に予め決められた、互いに異なる第1電圧Vref3と第2電圧Vref4とを、いずれかを先に順に基準電圧線に供給する。2各画素において、第1電圧が供給される期間での有機EL素子の発光量と、第2電圧が供給される期間での有機EL素子の発光量と、の和が、画像データに応じて予め決められた有機EL素子の発光量と等しくなるように制御する。また、本実施形態のような制御回路を有していなくても、有機EL表示装置に配置された複数のデータ線と複数の基準電圧線で、1フレーム期間毎に、上記1及び2の駆動を実施することにより本発明の効果が得られる。更に、低輝度データと判定された場合、本実施形態において制御回路は本実施形態の1及び2の制御に加え、下記3~5の制御を行うと、本発明の効果を得るのにより好ましい。3第1電圧Vref3が供給される期間での有機EL素子の発光レベルを、第2電圧Vref4が供給される期間での有機EL素子の発光レベルよりも高くなるように制御する。4第1電圧Vref3が供給される期間を、予め決められた発光デューティで規定される発光期間の1/X倍X>1とし、第2電圧Vref4が供給される期間では有機EL素子を発光させないように制御する。5各画素において、第1電圧Vref3が供給される期間での有機EL素子の発光量を、画像データに応じて予め決められた有機EL素子の発光量と等しくなるように制御する。本実施形態でデータ線7の電圧をVref3に設定するタイミングは発光期間中であればいつでも良い。発光中の輝度である第1発光レベルを所望の階調表示を行う為に一定レベルで発光させた場合の輝度に比べて、X倍に設定する方法は次のとおりである。Vref3の電圧は、駆動トランジスタTr2によって有機EL素子に供給される電流が、図3のVref0に設定した時に対してX倍になるような電圧に設定しても良い。或いはVref3の電圧はVref0と同様の電圧のままで、画像データを予め電流がX倍になるような書き込み用画像データに演算処理して画素に書き込んでも良い。また、図13の駆動のように、Vdataは発光期間Dの間Vref3の電圧を維持して、代わりに、図12でVdataをVref3からVref4に変化させたタイミングでP2をLowにすることで、発光デューティを1/X倍に縮めることもできる。図12でVdataをVref3からVref4に変化させたタイミングでP2をLowにすると、非発光状態になる。以上のように、本実施形態によれば画像データが高輝度データであれば、ダミーパルスによる2種類の発光レベルで各画素を発光させて階調を表示し、輝度ムラを抑制する。また、画像データが低輝度データであれば、2種類の発光レベルのうち低輝度側の第2発光レベルをほぼゼロとし、かつ高輝度側の第1発光レベルの発光期間を1/X倍して、発光輝度をX倍することで、良好に輝度ムラを抑制する事が可能となる。[第3の実施形態]本実施形態の表示装置の全体構成と画素回路は第2の実施形態と同じであるが、画像データ判定手段の結果に応じた発光期間Dの発光パターンが第2の実施形態と異なる。図14は本実施形態の高輝度画像と低輝度画像の発光パターンの模式図であり、図15は本実施形態の動作の一例を示すタイミングチャートである。本実施形態は画像データ判定手段により、高輝度画像データと判定された場合、第1発光レベルの輝度を下げ、第2発光レベルの輝度に近づける事を特徴としている。図15のタイミングチャートでは、発光期間Dの第2発光レベルでの発光を行う為に、各データ線7の電圧VdataをVref2に設定する。高輝度画像データと判定された場合も、低輝度画像データと判定された場合も、Vref2は同じ電圧にする。高輝度画像データと判定された場合と低輝度画像データと判定された場合では、ほとんどの画素で画像データが異なっているので、発光レベルは異なっている。次に、第1発光レベルで発光を行う。その時、低輝度画像データと判定された場合、各データ線7の電圧VdataをVref5に設定する。一方、高輝度画像データと判定された場合、各データ線7の電圧VdataをVref6に設定する。第1発光レベルの輝度を下げ、第2発光レベルの輝度に近づけるためである。Vref6はVref5よりも高い電圧であり、Vref5よりもVref2に近い電圧である。こうすることにより、高輝度画像データ表示時には、所望の輝度を得る時に、第1発光レベルの値を抑制させて、ピーク電力を抑えることができる。輝度ムラも高輝度側においては、トランジスタの大電流領域に近く、輝度ムラが目立ちにくい為、第1発光レベルと第2発光レベルの輝度差を大きくしなくても、輝度ムラが視認されにくい。一方、低輝度画像データ表示時においては、画像データが低輝度である為に第2発光レベルの発光量を小さくしておき、同時に第1発光レベルの瞬時輝度を高くしておく。低輝度画像データであるため、第1発光レベルの瞬時輝度を高くしても所望の輝度が得られるように第2発光レベルの発光量が小さくなるような基準電圧にしておく。また、輝度ムラも低輝度側においては、トランジスタの小電流領域に近く、輝度ムラが目立ちやすい為、第1発光レベルを高くして、輝度ムラを視認されにくくする。なお、高輝度画像データと判定された場合と低輝度画像データと判定された場合の境界付近の画像データでは、第1発光レベルの輝度が低輝度画像データと判定された場合の方が明るくなるような場合も起こりうる。しかし、第1発光レベルで発光している期間での発光量と、第2発光レベルで発光している期間での発光量の和で階調表示を行う為、予め画像データを調整しておくことで、階調表示の連続性γ特性は維持できる。このように、本実施形態において制御回路は第2の実施形態の1及び2の制御に加え、下記3~5の制御を行う。3第1電圧Vref5、Vref6が供給される期間での有機EL素子の発光レベルを、第2電圧Vref2が供給される期間での有機EL素子の発光レベルよりも高くなるように制御する。4第1電圧と第2電圧との差は、低輝度データと判定された場合よりも、高輝度データと判定された場合の方が小さくなるように制御する。5第1電圧が供給される期間と、第2電圧Vref2と、第2電圧が供給される期間を、低輝度データと判定された場合よりも、高輝度データと判定された場合とで等しくなるようにする。以上のように、本実施形態では低輝度データと判定された場合も高輝度データと判定された場合も輝度ムラを抑制できる。[第4の実施形態]本実施形態の表示装置の全体構成と画素回路は第2及び第3の実施形態と同じであるが、画像データ判定手段の結果に応じた発光期間Dの発光パターンが第2及び第3の実施形態と異なる。図16は本実施形態の高輝度画像と低輝度画像の発光パターンの模式図であり、図17は本実施形態の動作の一例を示すタイミングチャートである。画像データ判定手段により、高輝度画像データと判定された場合、第2発光レベルでの発光期間を短くし、第1発光レベルでの発光期間t1を長くする。図17のタイミングチャートでは発光期間Dの実線部のように、第1発光レベルでの発光を行う期間t1を長くする。一方、画像データ判定手段により、低輝度画像データと判定された場合、第2発光レベルでの発光期間を長くし、第1発光レベルでの発光期間t2を短くする。図17のタイミングチャートでは発光期間Dの破線部のように、第1発光レベルでの発光を行う期間t2を短くする。こうすることにより、高輝度画像データ表示時には、第1発光レベルの期間を長くし、第1発光レベルでの発光量を増やすことで、所望の高輝度を得やすくなる。輝度ムラも、トランジスタの大電流領域である第1発光レベルの発光量が増えて、輝度ムラが視認されにくい。一方、低輝度画像においては、第1発光レベルの発光期間を短くしてあるため、低階調を表現しやすい。つまり、表示装置に表示される画像の黒が沈み、深くなり、良好な画質を得ることができる。以上のように、本実施形態では、輝度ムラをダミーパルスにより抑制しつつ、コントラストの良い画質を得ることが可能となる。[第5の実施形態]本実施形態の表示装置の全体構成と画素回路は第2乃至第4の実施形態と同じであるが、画像データ判定手段の結果に応じた発光期間Dの発光パターンが第2乃至第4の実施形態と異なる。本実施形態は輝度ムラ抑制効果が他の実施形態に比べて小さいため、表示装置自体の輝度ムラが小さい場合に好適に適用できる。図18は本実施形態の高輝度画像と低輝度画像の発光パターンの模式図であり、図19は本実施形態の動作の一例を示すタイミングチャートである。画像データ判定手段により、高輝度画像データと判定された場合、単一の第1発光レベルで発光する。図19の発光期間Dの実線部のように、発光期間中はVdataをVref1に設定し、第1発光レベルでのみ発光を行う。一方、画像データ判定手段により、低輝度画像データと判定された場合、第1発光レベルと第2発光レベルとの2種類の発光レベルで発光を行う。図19の発光期間Dの破線部のように、前半では、各データ線7の電圧VdataはVref2に設定し、発光期間Dの後半では、各データ線7の電圧VdataはVref1に設定する。そうして、発光期間Dの前半では第2発光レベルで発光し、後半では第1発光レベルで発光する。こうすることにより、高輝度画像データ表示時には、第1発光レベルの期間を長くし、第1発光レベルでの発光量を増やすことで、所望の高輝度を得やすくなる。輝度ムラも、表示装置自体の輝度ムラが小さいという事と、トランジスタの比較的大電流領域である第1発光レベルでは、輝度ムラが視認されにくい。また、瞬時のピーク電流を抑制できる為、消費電力の最大値を抑制する効果が得られる。一方、低輝度画像においては、2種類の発光レベルで発光を行うため、輝度ムラが視認されにくい。このように、本実施形態において制御回路は下記1及び2の制御を行う。11フレーム期間に、各画素にデータ線を介してデータ電圧を供給し、保持容量にデータ電圧を書き込んだ後、高輝度データと判定された場合には、予め決められた所定電圧Vref1を基準電圧線に供給する。低輝度データと判定された場合には、予め決められた互いに異なる第1電圧Vref1と第2電圧Vref2とを、いずれかを先に順に基準電圧線に供給する。2高輝度データと判定された場合、各画素において、所定電圧が供給される期間での有機EL素子の発光量が、画像データに応じて決まる有機EL素子の発光量と等しくなるように制御する。低輝度データと判定された場合、各画素において、第1電圧が供給される期間での有機EL素子の発光量と、第2電圧が供給される期間での有機EL素子の発光量と、の和が、画像データに応じて予め決められた有機EL素子の発光量と等しくなるように制御する。また、本実施形態のような制御回路を有していなくても、有機EL表示装置に配置された複数のデータ線と複数の基準電圧線で、1フレーム期間毎に、上記1及び2の駆動を実施することにより本発明の効果が得られる。以上のように、本実施形態では、輝度ムラをダミーパルスにより抑制しつつ、消費電力の増加を抑えている。[第6の実施形態]本実施形態の表示装置の全体構成は第2乃至第5の実施形態と同じであるが、画素回路が異なる。第1乃至第5の実施形態は発光期間が全画素同一、即ち1行毎に書き込みを行い、全画素の書き込みが終了した後に、全画素一括で発光を行う駆動方法、発光パターンである。一方、本実施形態では、図20のように、1行毎に走査型の発光を行う画素回路2を有していることを特徴とする。つまり、保持容量へのデータ電圧の書き込みと、書き込み後の第1電圧が供給された期間での有機EL素子の発光及び第2電圧が供給された期間での有機EL素子の発光と、が1行ずつ順に全画素に対して行われる。本発明は発光パターンが制御できれば画素回路の構成に依存せず、本発明の効果を得ることができる。以下に、本実施形態の駆動方法について、図20~図23を用いて詳しく説明する。図20は、図1の表示装置等の本発明に係る表示装置に好適に用いられる有機EL素子を含む画素回路2の一例である。図20において、画素回路2は有機EL素子、階調表示データに応じた電流を有機EL素子に供給する回路である電流供給回路部、電流供給回路部に接続された複数の信号入力用配線と電力供給配線を有する。電流供給回路部は、ゲート電極の電位に応じた電流を有機EL素子に供給する駆動トランジスタTr2と、書き込み対象となる画素回路を選択するための画素回路選択手段を有する。また、駆動トランジスタTr2のゲート電極の電位を保持する保持容量C1と、発光期間制御手段と、発光輝度制御手段を有する。図20では駆動トランジスタTr2としてPMOSを使用しているが、NMOSを使用しても良い。また、トランジスタTr1としてNMOSを使用しているが、PMOSを使用しても良い。駆動トランジスタTr2、トランジスタTr1としてはTFTが好適に用いられる。画素回路選択手段として、トランジスタTr1があり、そのゲートは制御信号P1を供給する制御線5に繋がれている。保持容量C1は一端に駆動トランジスタTr2のゲートが接続され、他端には制御信号P2を供給する制御線6が接続される。図20の画素回路において、発光期間制御手段と、発光輝度制御手段は、保持容量C1と制御線6の組合せでその役割を担っている。発光期間を制御する、即ち発光状態から消灯状態に変化させる為には、制御線6の電位を大きく上昇させ、駆動トランジスタTr2をOFFするようなゲート電位にすれば良い。同様に、発光レベル変更を変更する場合にも、制御線6の電位を変化させることで、駆動トランジスタTr2のゲート電位が変化するため、画素回路の階調表示データを書き換えずに発光レベルを変化させることが可能である。電流供給回路部に信号を入力する複数の信号入力用配線としては、階調表示データであるデータ電圧Vdataを入力するデータ線7、制御信号を入力する複数の制御線5、6を使用している。電力供給配線の電位を変更したり等の工夫により、画素選択のための走査信号P1だけで、発光期間制御や発光レベル制御も含めて電流供給回路部を動作させることも可能であり、その場合には、制御線を1本とすることも可能である。しかし、電流供給回路部の動作を簡潔に制御するために複数の信号が必要な場合には、必要な数の制御線を用いるのが好適である。電流供給回路部は、図20に示すように、データ電圧設定手段を有しており、制御線6により、データ線7と保持容量のデータ線7側の電極との接続を制御している。なお、データ線7の電圧を保持容量C1のデータ線7側の電極に印加できれば、図20に示すデータ電圧設定手段でなくても良い。電力供給配線としては、図20では高電圧電源配線VCC配線が駆動トランジスタTr2のソースに接続され、低電圧電源配線CGND配線が有機EL素子のカソードに接続されているが、これらに限定されない。例えば、高電圧電源配線を有機EL素子のアノードに接続しても良い。そして、有機EL素子のカソードを駆動トランジスタTr2の一端に接続し、低電圧電源配線を駆動トランジスタの残りの一端に接続しても良い。図20の画素回路2の動作について、画像データが高輝度画像データと判定された場合の駆動方法を、図21のタイミングチャートを用いて説明する。画素回路の該当書き込み行i行において、1フレーム期間の最初のサンプリング期間に制御線5をHiレベルにし、保持容量C1のデータ線7側の電極とデータ線7との間を通電して、保持容量C1のデータ線7側の電極に、データ電圧Vdata1を設定する。このとき、制御線6はHiレベルにしておく。この時、画素回路2は第1発光レベルで発光する電流を有機EL素子に供給する。Vdata1は図23の映像信号演算部において、入力された映像信号に応じたデータ電圧Vdata0よりも、輝度が低くなる電圧である。次に、制御線5をLowレベルにし、保持容量C1のデータ線7側の電極とデータ線7との間を切断し、保持容量C1にデータ電圧Vdata1を保持させる。次に、制御線6をLowレベルにする。その結果、駆動トランジスタTr2のゲートの電位が制御線6の変位に応じて下がりVdata1からVdata2となる。この時、画素回路は第2発光レベルで発光する電流を有機EL素子に供給する。該当書き込み行i行の次行i1行の書き込み開始、及び第2発光レベルの開始タイミングはi行から1水平期間分遅れたタイミングで開始される。このように、順次書き込みと第2発光レベルの開始タイミングが走査されていく。上記は、駆動トランジスタTr2がPMOSの例だが、NMOSの場合は、制御線6のHiレベルとLowレベルを逆にすれば同様の駆動が実現できる。なお、低階調画像にダミーパルスを入力して、図21のような駆動を行うと、画質やコントラストが低下する恐れがあるため、低階調画像では異なる駆動方法により輝度ムラの抑制を行う。画像データが低輝度画像データと判定された場合の駆動方法を、図22のタイミングチャートを用いて説明する。画素回路2の1フレーム期間の最初のサンプリング期間に、制御線5をHiレベルにし、保持容量C1のデータ線7側の電極とデータ線7との間を通電して、保持容量C1のデータ線7側の電極に、データ電圧Vdata3を設定する。このとき、制御線6をLowレベルにしておくと、画素回路2は第3の発光レベルで発光する電流を有機EL素子に供給する。Vdata3は図23の映像信号演算部において、入力された映像信号画像データに応じたデータ電圧Vdata0に比べて、発光デューティを縮めた割合に応じて輝度が高くなるように設定された電圧である。この時、電流量が大きくなるので、ばらつきが小さく輝度ムラの目立たない領域で発光することができる。次に、制御線5をLowレベルにし、保持容量C1のデータ線7側の電極とデータ線7との間を切断し、保持容量C1にデータ電圧Vdata3を保持させる。次に、制御線6をHiレベルにする。その結果、駆動トランジスタTr2のゲートの電位が制御線6の変位に応じて上昇しVdata3からVdata4となる。この時、画素回路は有機EL素子への電流供給がほぼゼロになり、ほぼ非発光な状態になる。このようにして発光期間を制御し、輝度ムラを抑制する。上記は、駆動トランジスタTr2がPMOSの例だが、NMOSの場合は、制御線6のHiレベルとLowレベルを逆にすれば同様の駆動が実現できる。なお、高階調画像で発光デューティを縮めて、図22のような駆動を行うと、所望の電流を得るためには瞬間電流の最大量が大きくなり過ぎ、消費電力が増加する恐れがある。そのため、高階調画像では前述した図21のような2種類の輝度による発光を行うことで表示装置全体の最大電流量を抑えつつ、輝度ムラの抑制を行う。但し、消費電力が小さい表示装置においては、第1の実施形態のように、画像データにより駆動方法を分けずに、2種類の輝度による発光を行うことで輝度ムラの抑制を行っても良い。なお、本実施形態では、1フレーム期間内で発光レベルを変化させるために走査線の電位を変化させている。一方、電源配線VCC配線の電位を変化させることにより、発光レベルを変化させるという方法も考えられる。しかし、一般的に、電源配線は走査線に比べて流す電流量が大きく、低抵抗化のために配線を幅広くしている。その結果、電源配線は寄生容量が大きくなる。そのため、電源配線の電圧を変化させる場合に比べて、走査線の電圧を変化させた方が消費電力が小さくなる。また、別の回路構成として、図24のような構成でも良い。この画素回路は図20の画素回路に、有機EL素子のアノードと定電位の電源配線VCC配線との間に容量C2を設けた画素回路である。図25は図24の画素回路の駆動方法の一例を示すタイミングチャートと発光パターンである。入力する制御信号等の駆動方法は図21と全く同じであるが、容量C2が追加されたために、発光パターンが異なる。第2発光レベルから第1発光レベルに変化する時に、駆動トランジスタTr2から供給される電流がすべて有機EL素子に流れず、一部はC2を充電するように流れていく。そのため、輝度の変化がゆるやかになり、発光レベルもあまり上昇しない。また、第1発光レベルから第2発光レベルに変化する時も、C2にチャージされていた電荷が有機EL素子に流れ、輝度の変化がゆるやかになる。この結果、駆動トランジスタTr2から流れる電流は、図21とほぼ同じように2種類の大きさの電流が流れ、トランジスタのばらつきを抑えて輝度ムラが視認されにくい電流が供給される。一方、有機EL素子は、容量C2のおかげで、電流変化が緩やかになり、最大電流を抑制できる。その結果、消費電力の増加を抑えたり、有機EL素子の劣化を抑えたりすることができる。以上のように、本実施形態では、画素回路の構成に拠らず、走査型の発光を行う表示装置においても、高階調表示時のみダミーパルスを追加して2種類の輝度による発光で階調表示を行うことで、ばらつきの小さい大電流によるダミーパルス発光を利用できる。このため輝度ムラを抑制することができる。また、コントラストを低下させる恐れがある低階調表示時には、発光デューティを縮めてばらつきの小さい大電流による発光を行うことで、輝度ムラを抑制することができる。[第7の実施形態]第6の実施形態で説明した表示装置とその駆動方法は、1行ずつ書き込みを行う毎に、順次発光を開始する。この順次発光に合わせて第1発光レベルと第2発光レベルで発光し始めるタイミングも順次走査していた。これに対し、本実施形態では、1行ずつ書き込みを行う毎に、第2発光レベルで順次発光を開始する点は同じであるが、第1発光レベルで発光させるタイミングを全行で同一にする。画素回路は図20の画素回路に適用可能である。図26にそのタイミングチャートを示す。書き込みは1行ずつ走査して行っているが、1フレーム期間内の垂直ブランキング期間内に全行一括で第1発光レベルでの発光を行う。f発光パターンの第1発光レベル、第2発光レベルは該当画素に書き込まれたデータによりそれぞれ異なるが、第2発光レベルから第1発光レベルに変化するタイミングが全画素或いは複数行まとめて共通になっている。この駆動方法の長所は、第6の実施形態に比べて、制御信号P2を走査させる必要が無く、全行一括でパルスを入力することができることである。即ち、制御信号P2を全行共通にしている。その結果、制御信号P2を走査させるための走査回路を削減でき、表示装置としてシンプルで周辺回路部の小さな表示装置を使うことができる。[第8の実施形態]本実施形態は、第1乃至第7の実施形態の表示装置を電子機器に用いた一例である。図27は、本発明に係る第8の実施形態を示すデジタルスチルカメラシステムの一例のブロック図である。図中、50はデジタルスチルカメラシステム、51は撮影部、52は映像信号処理回路、53は表示パネル、54はメモリ、55はCPU、56は操作部を示す。本発明に係る表示装置は、表示パネル53に使用される。図27において、撮影部51で撮影した映像又はメモリ54に記録された映像を、映像信号処理回路52で信号処理し、表示パネル53で見ることができる。CPU55では、操作部56からの入力によって、撮影部51、メモリ54、映像信号処理回路52などを制御して、状況に適した撮影、記録、再生、表示を行う。また、表示パネル53は、この他にも各種電子機器の表示部として利用できる。