IGBTであって、半導体基板と、エミッタ電極と、コレクタ電極と、ゲート電極を有しており、半導体基板の上面に、当該上面を平面視したときに折れ曲がった形状に伸びているトレンチが形成されており、トレンチの内面は、絶縁膜に覆われており、ゲート電極は、トレンチの内部に配置されており、エミッタ電極は、半導体基板の上面に形成されており、コレクタ電極は、半導体基板の下面に形成されており、半導体基板の内部に、n型半導体により構成されており、前記絶縁膜に接しており、エミッタ電極に対してオーミック接続されているエミッタ領域と、p型半導体により構成されており、エミッタ領域に隣接する位置で前記絶縁膜に接しているとともにトレンチの内側コーナー部で前記絶縁膜に接しており、エミッタ電極に対してオーミック接続されているボディ領域と、n型半導体により構成されており、ボディ領域の下側に形成されており、ボディ領域によってエミッタ領域から分離されており、トレンチの下端部の前記絶縁膜に接しているドリフト領域と、p型半導体により構成されており、ドリフト領域の下側に形成されており、ドリフト領域によってボディ領域から分離されており、コレクタ電極に対してオーミック接続されているコレクタ領域、が形成されている、ことを特徴とするIGBT。ボディ領域を上部ボディ領域と下部ボディ領域に分離している障壁領域をさらに有しており、上部ボディ領域は、エミッタ領域に接しており、障壁領域は、n型半導体により構成されており、上部ボディ領域の下側に形成されており、下部ボディ領域は、障壁領域の下側に形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載のIGBT。ボディ領域とドリフト領域の間に、高濃度n型領域が形成されており、高濃度n型領域は、n型半導体により構成されており、ボディ領域に接しており、ボディ領域によってエミッタ領域から分離されており、ドリフト領域に接しており、ボディ領域をドリフト領域から分離しており、ドリフト領域よりも高いn型不純物濃度を有する、ことを特徴とする請求項1または2に記載のIGBT。ボディ領域が、エミッタ電極に対してオーミック接続されている第1領域と、第1領域を介してエミッタ電極と導通している第2領域を有しており、第1領域が、前記絶縁膜と接しておらず、第2領域が、前記絶縁膜と接しており、エミッタ領域が、トレンチの内側コーナー部の前記絶縁膜と接していない、ことを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載のIGBT。半導体基板の上面を平面視したときにトレンチによって仕切られた四角形の領域が形成されており、四角形の領域内にエミッタ領域とボディ領域が形成されており、半導体基板を平面視したときに、四角形の領域内において、エミッタ領域が前記絶縁膜と接している境界線の総距離が、ボディ領域が前記絶縁膜と接している境界線の総距離より短い、ことを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載のIGBT。半導体基板の上面を平面視したときにトレンチによって仕切られた四角形の領域が形成されており、四角形の領域内にエミッタ領域とボディ領域が形成されており、四角形の領域のアスペクト比が0.4~2.5の範囲内である、ことを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載のIGBT。IGBTで生じる損失を低減するために、IGBTのオン抵抗を低下させることが望まれている。特許文献1のようにストライプ状に伸びるゲート電極を有するIGBTでは、メサ幅隣り合うゲート電極の間の間隔を小さくすると、オン抵抗を下げることができる。しかしながら、メサ幅を小さくするには、微細な加工が可能な製造プロセスが必要となり、IGBTの製造コストが増大してしまう。したがって、本明細書では、上述したメサ幅を減少させる技術とは異なる構成によって、IGBTのオン抵抗を低下させることができる技術を提供する。本明細書が開示するIGBTは、半導体基板と、エミッタ電極と、コレクタ電極と、ゲート電極を有している。半導体基板の上面には、当該上面を平面視したときに折れ曲がった形状に伸びているトレンチが形成されている。トレンチの内面は、絶縁膜に覆われている。ゲート電極は、トレンチの内部に配置されている。エミッタ電極は、半導体基板の上面に形成されている。コレクタ電極は、半導体基板の下面に形成されている。半導体基板の内部には、エミッタ領域と、ボディ領域と、ドリフト領域と、コレクタ領域が形成されている。エミッタ領域は、n型半導体により構成されており、前記絶縁膜と接しており、エミッタ電極に対してオーミック接続されている。ボディ領域は、p型半導体により構成されており、エミッタ領域に隣接する位置で前記絶縁膜と接しているとともにトレンチの内側コーナー部で前記絶縁膜と接しており、エミッタ電極に対してオーミック接続されている。ドリフト領域は、n型半導体により構成されており、ボディ領域の下側に形成されており、ボディ領域によってエミッタ領域から分離されており、トレンチの下端部の前記絶縁膜と接している。コレクタ領域は、p型半導体により構成されており、ドリフト領域の下側に形成されており、ドリフト領域によってボディ領域から分離されており、コレクタ電極に対してオーミック接続されている。なお、エミッタ領域は、何れの位置で絶縁膜と接していてもよい。例えば、エミッタ領域は、トレンチの内側コーナー部で絶縁膜と接していてもよいし、それ以外の位置で絶縁膜と接していてもよい。また、ボディ領域は、エミッタ領域に隣接する位置で前記絶縁膜と接しているとともにトレンチの内側コーナー部で前記絶縁膜と接していれば、その他の位置で絶縁膜と接していてもよく、接していなくてもよい。また、上記のトレンチの内側コーナー部とは、トレンチが折れ曲がっている部分すなわち、コーナーの内側の部分を意味する。また、上面を平面視したときに折れ曲がった形状に伸びているトレンチには、三差路状や四差路状に交差しているトレンチも含まれる。交差するトレンチは、折れ曲がった形状に伸びるトレンチを組み合わせたものとみなすことができる。このIGBTをオンさせると、絶縁膜と接している範囲のボディ領域にチャネルが形成され、チャネルを通ってエミッタ領域からドリフト領域に電子が流れる。電子は、ドリフト領域を通過してコレクタ領域へ流れる。これと同時に、コレクタ領域からドリフト領域にホールが流入し、ドリフト領域の電気抵抗が低下する。ドリフト領域内のホールは、ボディ領域へ向かって流れる。このとき、ゲート電極の下方のドリフト領域に存在するホールは、ゲート電極を迂回するように流れるので、ゲート電極の下端部の側面近傍のドリフト領域ではホールの濃度が高くなる。特に、トレンチの内側コーナー部の近傍のドリフト領域では、ゲート電極を迂回するホールが集中する。このため、内側コーナー部近傍のドリフト領域では、ホールの濃度が極めて高くなり、電気抵抗が極めて低くなる。このIGBTでは、トレンチの内側コーナー部の絶縁膜に接するようにボディ領域が形成されている。すなわち、内側コーナー部の絶縁膜に接する位置にチャネルが形成される。この内側コーナー部のチャネルを通って、内側コーナー部近傍のドリフト領域すなわち、上述した電気抵抗が極めて低い領域に電子が流入する。このため、電子は、低損失でドリフト領域を通過することができる。したがって、このIGBTは、オン抵抗が低い。上述したIGBTは、ボディ領域を上部ボディ領域と下部ボディ領域に分離している障壁領域をさらに有していることが好ましい。上部ボディ領域は、エミッタ領域に接していることが好ましい。障壁領域は、n型半導体により構成されており、上部ボディ領域の下側に形成されていることが好ましい。下部ボディ領域は、障壁領域の下側に形成されていることが好ましい。このような構成によれば、障壁領域によって、ホールがドリフト領域から上部ボディ領域に流れることが抑制される。したがって、ドリフト領域のホールの濃度をより上昇させることが可能であり、IGBTのオン抵抗をさらに低下させることができる。若しくは、上述したIGBTは、ボディ領域とドリフト領域の間に、高濃度n型領域が形成されていてもよい。高濃度n型領域は、n型半導体により構成されており、ボディ領域と接しており、ボディ領域によってエミッタ領域から分離されており、ドリフト領域と接しており、ボディ領域をドリフト領域から分離しており、ドリフト領域よりも高いn型不純物濃度を有することが好ましい。このような構成によれば、高濃度n型領域によって、ホールがドリフト領域からボディ領域に流れることが抑制される。したがって、ドリフト領域のホールの濃度をより上昇させることが可能であり、IGBTのオン抵抗をさらに低下させることができる。上述した何れかのIGBTは、ボディ領域が、エミッタ電極に対してオーミック接続されている第1領域と、第1領域を介してエミッタ電極と導通している第2領域を有していることが好ましい。第1領域は、前記絶縁膜と接していないことが好ましい。第2領域は、前記絶縁膜と接していることが好ましい。エミッタ領域は、トレンチの内側コーナー部の前記絶縁膜と接していないことが好ましい。仮に、エミッタ領域がトレンチの内側コーナー部の絶縁膜と接しているとすると、内側コーナー部近傍のエミッタ領域から第1領域までの距離が長くなり、そのエミッタ領域近傍の第2領域の電位が高くなり易い。このため、ホールが第2領域からエミッタ領域内に流入し、IGBTがラッチアップするおそれがある。上述した構成のように、エミッタ領域がトレンチの内側コーナー部の絶縁膜と接しないように形成されていると、エミッタ領域近傍の第2領域の電位が上がり難いので、ラッチアップが起こり難くなる。上述した何れかのIGBTは、半導体基板の上面を平面視したときにトレンチで仕切られた四角形の領域が形成されており、四角形の領域内にエミッタ領域とボディ領域が形成されており、半導体基板を平面視したときに、四角形の領域内において、エミッタ領域が前記絶縁膜と接している境界線の総距離が、ボディ領域が前記絶縁膜と接している境界線の総距離より短いことが好ましい。このように、エミッタ領域が絶縁膜と接している境界線の総距離を短くすることで、チャネルを流れる電流密度を上昇させることができる。このため、IGBTの飽和電流が低くなり、IGBTに過電圧が印加されたときにIGBTに高い電流が流れることを抑制することができる。また、上述した何れかのIGBTは、半導体基板の上面を平面視したときにトレンチで仕切られた四角形の領域が形成されており、四角形の領域内にエミッタ領域とボディ領域が形成されており、四角形の領域のアスペクト比が0.4~2.5の範囲内であることが好ましい。アスペクト比が上記の範囲内であれば、IGBTのオン抵抗を効果的に低下させることができる。図1~3に示すように、IGBT10は、半導体基板20と、エミッタ電極50と、コレクタ電極60を有している。図2、3に示すように、エミッタ電極50は半導体基板20の上面20aの略全体に形成されており、コレクタ電極60は半導体基板20の下面20bの略全体に形成されている。なお、図1では、半導体基板20の内部の各領域の配置を図示するために、エミッタ電極50等の半導体基板20の上面20aより上側の構造の図示を省略している。半導体基板20の上面20aには、トレンチ70a及び70b以下、これらをまとめてトレンチ70という場合があるが形成されている。図2、3に示すように、トレンチ70は、深さ方向においては、半導体基板20の上面20aに対して略垂直にすなわち、各図のZ方向に伸びている。図1に示すように、トレンチ70aは、半導体基板20の上面20aを平面視したときに、X方向に直線状に伸びている。また、トレンチ70bは、半導体基板20の上面20aを平面視したときに、Y方向に直線状に伸びている。なお、X方向はY方向に対して直交する方向である。トレンチ70aとトレンチ70bは、三差路状に交差するように形成されている。トレンチ70a及び70bによって、半導体基板20の上面20aが、四角形の領域に仕切られている。以下では、トレンチ70によって仕切られた領域を、セル12と呼ぶ。各セル12は、正方形の領域である。各セル12は、X方向においては直線状に配列されており、Y方向においては半セル分だけX方向に位置をずらした状態で配列されている。上述したトレンチ70aとトレンチ70bが三差路状に交差している部分は、トレンチ70が折れ曲がって伸びているものとみることができる。例えば、図1のトレンチ70a-1とトレンチ70b-1を連続した1つのトレンチとみると、このトレンチは90度に折れ曲がって伸びているといえる。この場合、このトレンチのコーナーの内側の部分以下、内側コーナー部というは図1の参照番号72-1に示す部分である。また、図1のトレンチ70a-2とトレンチ70b-1を連続した1つのトレンチとみると、このトレンチも90度に折れ曲がって伸びているといえる。この場合、このトレンチの内側コーナー部は図1の参照番号72-2に示す部分である。このように、トレンチ70aとトレンチ70bの交差部分はトレンチ70が折れ曲がって伸びている部分とみなすことができ、各交差部分はそれぞれ内側コーナー部72を有している。したがって、1つのセルは、4つの内側コーナー部72を有している。トレンチ70の内面すなわち、底面と内壁面は、絶縁膜76に覆われている。トレンチ70内には、ゲート電極80が形成されている。ゲート電極80は、トレンチ70内に隙間無く充填されている。ゲート電極80は、絶縁膜76を介して半導体基板20の内部の半導体層に対向している。ゲート電極80は、絶縁膜76によって半導体基板20の内部の半導体層から絶縁されている。また、図2、3に示すように、ゲート電極80の上面は絶縁膜78に覆われており、その絶縁膜78を覆うようにエミッタ電極50が形成されている。絶縁膜78によって、ゲート電極80はエミッタ電極50から絶縁されている。なお、ゲート電極80は、図示しない位置でパッドに接続されており、そのパッドを通じてゲート電極80の電位を制御することができる。次に、各セル12内の半導体基板20内の半導体層の構造について説明する。なお、各セル12の構造は互いに等しいので、以下では、1つのセル12の構造について説明する。図4は、1つのセル12の拡大視した平面図を示している。図2~4に示すように、半導体基板20の内部には、エミッタ領域22と、上部ボディ領域24と、障壁領域30と、下部ボディ領域32と、ドリフト領域34と、コレクタ領域36が形成されている。上部ボディ領域24は、ボディコンタクト領域26と、低濃度ボディ領域28を有している。ボディコンタクト領域26は、p型不純物濃度が高いp型半導体により構成されている。ボディコンタクト領域26は、半導体基板20の上面20aを含む上面20a近傍の領域以下、上面20a側の表層領域というに形成されている。ボディコンタクト領域26は、セル12の略中央に形成されている。ボディコンタクト領域26は、絶縁膜76と接触していない。ボディコンタクト領域26は、エミッタ電極50に対してオーミック接続されている。エミッタ領域22は、n型不純物濃度が高いn型半導体により構成されている。1つのセル12の中に4つのエミッタ領域22が形成されている。各エミッタ領域22は、半導体基板20aの上面20a側の表層領域に形成されている。各エミッタ領域22は、ボディコンタクト領域26の周囲に形成されており、ボディコンタクト領域26と接している。各エミッタ領域22は、セル12の角部内側コーナー部72近傍の領域を避けるように形成されている。各エミッタ領域22は、絶縁膜76の直線状に伸びている部分と接している。各エミッタ領域22は、エミッタ電極50に対してオーミック接続されている。低濃度ボディ領域28は、ボディコンタクト領域26よりもp型不純物濃度が低いp型半導体により構成されている。低濃度ボディ領域28は、セル12の角部の上面20a側の表層領域に形成されている。すなわち、低濃度ボディ領域28は、エミッタ領域22及びボディコンタクト領域26が形成されていない範囲の上面20a側の表層領域に形成されている。さらに、低濃度ボディ領域28は、エミッタ領域22及びボディコンタクト領域26よりも下側の深さにおいて、セル12の横方向すなわち、X方向とY方向の全域に亘って形成されている。図3に示すように、表層領域の低濃度ボディ領域28はエミッタ領域22及びボディコンタクト領域26の下側の深さの低濃度ボディ領域28と繋がっている。低濃度ボディ領域28は、エミッタ領域22及びボディコンタクト領域26と接している。低濃度ボディ領域28は、エミッタ電極50と接している。但し、低濃度ボディ領域28のn型不純物濃度が低いので、低濃度ボディ領域28はエミッタ電極50に対してショットキー接続されている。低濃度ボディ領域28は、ボディコンタクト領域26を介してエミッタ電極50と導通している。低濃度ボディ領域28は、絶縁膜76と接している。特に、図3、4に示すように、低濃度ボディ領域28は、内側コーナー部72に存在する絶縁膜76と接している。障壁領域30は、n型不純物濃度が低いn型半導体により構成されている。障壁領域30は、低濃度ボディ領域28の下側の深さにおいて、セル12の横方向の全域に亘って形成されている。障壁領域30は、低濃度ボディ領域28と接している。障壁領域30は、低濃度ボディ領域28によって、エミッタ領域22及びボディコンタクト領域26から分離されている。障壁領域30は、絶縁膜76と接している。下部ボディ領域32は、ボディコンタクト領域26よりもp型不純物濃度が低いp型半導体により構成されている。下部ボディ領域32は、障壁領域30の下側の深さにおいて、セル12の横方向の全域に亘って形成されている。下部ボディ領域32は、障壁領域30と接している。下部ボディ領域32は、障壁領域30によって、低濃度ボディ領域28から分離されている。下部ボディ領域32は、絶縁膜76と接している。ドリフト領域34は、n型不純物濃度が低いn型半導体により構成されている。ドリフト領域34は、下部ボディ領域32の下側の深さにおいて、半導体基板20の横方向の全域に亘って形成されている。ドリフト領域34は、下部ボディ領域32と接している。ドリフト領域34は、下部ボディ領域32によって、障壁領域30から分離されている。トレンチ70の下端部は、ドリフト領域34まで達している。ドリフト領域34は、トレンチ70の下端部の絶縁膜76と接している。コレクタ領域36は、p型不純物濃度が高いp型半導体により構成されている。コレクタ領域36は、半導体基板20の下面20bを含む下面20b近傍の領域以下、下面20b側の表層領域というにおいて、半導体基板20の横方向の全域に亘って形成されている。コレクタ領域36は、コレクタ電極60に対してオーミック接続されている。コレクタ領域36は、ドリフト領域34と接している。コレクタ領域36は、ドリフト領域34によって下部ボディ領域32から分離されている。図4の距離La1~La4は、上面20a側の表層領域内の4つの低濃度ボディ領域28が絶縁膜76と接している境界線の、上面12aを平面視したときに計測される距離を示している。図3の距離Lb1~Lb4は、4つのエミッタ領域22が絶縁膜76と接している境界線の、上面12aを平面視したときに計測される距離を示している。距離Lb1~Lb4の総和Lbは、距離La1~La4の総和Laよりも小さい。次に、IGBT10の動作について説明する。IGBT10をオンさせる際には、コレクタ電極60とエミッタ電極50の間にコレクタ電極60がプラスとなる電圧を印加した状態で、ゲート電極80に閾値以上の電圧を印加する。すると、絶縁膜76に接している範囲の上部ボディ領域24と下部ボディ領域32がn型に反転し、チャネルが形成される。例えば、図2に示す断面においては、Y方向に伸びるトレンチ70bの絶縁膜76に接する範囲の上部ボディ領域24と下部ボディ領域32にチャネルが形成される。また、図1に示すように、図3の断面は、X方向に伸びるトレンチ70aの絶縁膜76近傍の半導体層の断面である。したがって、図3の断面に現れている上部ボディ領域24と下部ボディ領域32の全体に、X方向に伸びるゲート電極80によってチャネルが形成される。チャネルが形成されると、電子が、エミッタ電極50から、エミッタ領域22とチャネルを通ってドリフト領域34に流入する。これと同時に、ホールが、コレクタ電極60から、コレクタ領域36を通ってドリフト領域34に流入する。すると、ドリフト領域34の電気抵抗が伝導度変調現象によって低下する。ドリフト領域34に流入した電子は、ドリフト領域34とコレクタ領域36を通過して、コレクタ電極60へと流れる。このようにして、電子がエミッタ電極50からコレクタ電極60に流れることで、IGBTに電流が流れる。また、ドリフト領域34に流入したホールは、図2、図3の矢印100に示すように、下部ボディ領域32と障壁領域30を通過して上部ボディ領域24へ流れ、その後、ボディコンタクト領域26からエミッタ電極50へ流れる。このとき、障壁領域30がホールの流れを遮る障壁となる。したがって、ホールが上部ボディ領域24へ流れることが抑制される。これによって、ドリフト領域34内のホールの濃度が上昇するので、ドリフト領域34の電気抵抗がより低減される。また、ゲート電極80にはプラスの電位が印加されているので、ゲート電極80の下方のドリフト領域34内のホールは、図2、3の矢印102に示すように、ゲート電極80を避けるように流れる。このホールの流れを、XY方向において図示すると、図5の矢印104に示す流れとなる。図5から明らかなように、トレンチ70の内側コーナー部72では、X方向に伸びるトレンチ70a内のゲート電極80を避けるホールの流れと、Y方向に伸びるトレンチ70b内のゲート電極80を避けるホールの流れとが合流する。したがって、内側コーナー部72近傍のドリフト領域34図3の領域38では、ホールの濃度が極めて高くなり、電気抵抗が極めて低くなる。また、上述したように、内側コーナー部72の絶縁膜76に接する上部ボディ領域24と下部ボディ領域32には、チャネルが形成されている。したがって、図3の矢印110に示すように、多くの電子が、内側コーナー部72近傍のチャネルを通って内側コーナー部72近傍のドリフト領域34である領域38に流入する。領域38の電気抵抗が極めて低いので、電子は、ドリフト領域34でほとんど損失を生じさせることなくコレクタ電極60へ流れる。以上に説明したように、IGBT10では、トレンチ70が折れ曲がった形状に形成されている。また、上部ボディ領域24と下部ボディ領域32では、内側コーナー部72の絶縁膜76に接する範囲にチャネルが形成され、その内側コーナー部72のチャネルからドリフト領域34に電子が流入するようになっている。一方、内側コーナー部72近傍のドリフト領域34すなわち、領域38には、ホールが集中する。さらに、障壁領域30によってドリフト領域34にホールを蓄積する効果も得られる。これによって、IGBT10のオン抵抗が低減されている。なお、障壁領域30によってドリフト領域34へホールを蓄積させる構造と、内側コーナー部72近傍のドリフト領域34にホールを集中させる構造は、何れか一方のみを採用してもIGBT10のオン抵抗を低減させることができる。しかしながら、これらの両方を採用することが好ましい。図6は、従来のストライプ状のゲート電極を有するIGBT200と、実施例のIGBT10から障壁領域30を取り除いた構造を有するIGBT100と、実施例のIGBT10のそれぞれのオン抵抗を評価するシミュレーションを行った結果を示すグラフである。横軸はメサ幅を示しており、縦軸がオン抵抗を示している。図示するように、何れのIGBTでも、メサ幅が小さくなるほど、オン抵抗は減少する。また、図6から明らかなように、従来のIGBT200ではメサ幅を極めて小さくしなければオン抵抗を減少させることができないのに対し、IGBT10及びIGBT100ではメサ幅をそれほど小さくしなくてもオン抵抗を減少させることができる。このシミュレーションでは、IGBT100ではメサ幅を従来のIGBT200の約5倍としたときでもIGBT200と同等のオン抵抗が得られ、IGBT10ではメサ幅を従来のIGBT200の約25倍としたときでもIGBT200と同等のオン抵抗が得られた。このように、実施例の構成によれば、微細加工を行うことなく、IGBTのオン抵抗を低減させることができる。また、上述したように、実施例の技術は、メサ幅を小さくすることなく、IGBTのオン抵抗を低減させることができる。これによって、IGBTの飽和電流IGBTのコレクタ-エミッタ間電圧が過大となったときに流れるコレクタ電流の上昇を抑制することができる。すなわち、メサ幅を小さくしてオン抵抗を低減させる手法では、メサ幅を小さくすることでチャネル密度基板表面の単位面積あたりに存在するチャネルの面積が増加する。このため、IGBTがオンしているときにチャネルからドリフト領域に多量の電子が供給され、これに応じてコレクタ領域からドリフト領域に供給されるホールも増える。その結果、過電圧が印加されたときに大電流が流れ易くなり、飽和電流は高くなる。一方、実施例の技術では、メサ幅を小さくすることなくIGBTのオン抵抗を低減させることができるので、IGBTの飽和電流が上昇することを抑制することができる。特に実施例のIGBT10では、上述したように、距離Lb1~Lb4の総和Lbが、距離La1~La4の総和Laよりも小さい。距離Lb1~Lb4に示す領域エミッタ領域22からチャネルに電子が流入する領域は、チャネルの幅が最も小さい。このため、総和Lbが小さくなっていることで、実質的なチャネル密度が低くなり、飽和電流をより低減させることができる。なお、実施例の技術によれば、メサ幅を小さくすることなくオン抵抗を低減させることができるが、本技術はメサ幅を小さくすること自体を否定する技術ではない。本技術とメサ幅を小さくする技術の両方を採用することで、IGBTのオン抵抗をより低くすることができる。すなわち、本技術とメサ幅を小さくする技術を組み合わせて用いることもできる。また、実施例のIGBT10では、1つのセル12の中に4つのエミッタ領域22が形成されていたが、エミッタ領域22の数が4つより少なくてもよい。例えば、図7に示すように、セル12内のエミッタ領域22が2つであってもよい。このようにエミッタ領域22を構成すると、上述した距離の総和Lbがより短くなるので、飽和電流をより低くすることができる。また、上述した実施例では、セル12の角部の表層領域に低濃度ボディ領域28が形成されていたが、図8に示すように、セル12の角部の表層領域にエミッタ領域22が形成されていてもよい。但し、セル12の角部の表層領域にエミッタ領域22が形成されていると、以下の問題が生じる場合がある。図9は、図8のIX-IX線における断面を示しており、図9の矢印120は、エミッタ領域22の下側の低濃度ボディ領域28内のホールがボディコンタクト領域26まで流れる際の経路を示している。セル12の角部の表層領域にエミッタ領域22が形成されていると、エミッタ領域22の端からボディコンタクト領域26に向かう方向図8のIX-IX線で示す方向がセル12の対角方向に伸びることになるので、エミッタ領域22の端からボディコンタクト領域26までの距離が長くなる。したがって、図9の矢印120に示すホールの移動経路も長くなる。この移動経路が長くなると、低濃度ボディ領域28の電気抵抗によって、エミッタ領域22の下の低濃度ボディ領域28の電位が高くなる。この電位が高くなり過ぎると、図9の矢印122に示すように、ホールがエミッタ領域22に流入し、IGBTがラッチアップする。実施例1のIGBT10のように、セル12の角部の表層領域に低濃度ボディ領域28を形成しておき、エミッタ領域22をボディコンタクト領域26により近い領域内に形成しておくことで、IGBTのラッチアップが生じ難くなる。また、実施例のIGBT10では、セルの形状が正方形であった。しかしながら、セルの形状は、長方形であってもよい。図10は、セルのアスペクト比セルのX方向の長さと、セルのY方向の長さの比と、IGBTのオン抵抗との関係を示している。図10に示すように、アスペクト比が1すなわち、セルが正方形の場合にオン抵抗が最小となる。また、アスペクト比が0.4~2.5の範囲で、IGBTのオン抵抗をより効果的に低減できることが分かった。また、図11~19は、変形例のIGBTにおけるトレンチ70の配置半導体基板の上面を平面視したときの配置を示している。なお、図11~19では、図の見易さを考慮してトレンチ70をハッチングで示している。なお、図11~19では、トレンチ70内及び半導体層内の構造の図示を省略しているが、トレンチ70内にはゲート電極、絶縁膜が形成されており、半導体層内にはIGBTの各領域が形成されている。図11~19の配置でも、トレンチ70が折れ曲がっているので、その内側コーナー部近傍でドリフト領域の電気抵抗が低くなり、IGBTのオン抵抗を低減することができる。なお、図11では、ゲート電極が四差路を形成しているが、このような構成を採用する場合には、IGBTの製造工程でトレンチ70内にゲート電極を埋め込む際にトレンチ70の交差箇所で巣電極材料が存在しない空間が形成されやすい。したがって、三差路の方が好ましい。また、図13はセルを三角形とした例を示しており、図14はセルを六角形とした例を示している。また、図15~図17は、セルを構成しないトレンチ70で囲まれた領域が存在しない場合の例を示している。また、図18及び19は、ダミートレンチ電極98を有している例を示している。ダミートレンチ電極98は、ゲート電極と同様にしてトレンチ70内に形成されているが、外部に接続されていない電極である。すなわち、ダミートレンチ電極98の電位はフローティングしている。ダミートレンチ電極98は、IGBTのオフ時における半導体層の電位分布を制御するための電極である。図11~19に示すようにトレンチ70が配置されている場合でも、トレンチ70の内側コーナー部によって、IGBTのオン抵抗を低減させることができる。また、上述した実施例のIGBT10では、障壁領域30が形成されており、これによってドリフト領域34にキャリアを蓄積した。しかしながら、図20に示すように、ドリフト領域34とボディ領域24の間に、ドリフト領域34よりもn型不純物濃度が高い高濃度n型領域42が形成されていてもよい。この構成では、高濃度n型領域42が、ドリフト領域34からボディ領域24にホールが流れる際に障壁となる。したがって、この構成でも、ドリフト領域34にホールを蓄積させて、ドリフト領域34のオン抵抗を低減させることができる。また、内側コーナー部72を有する構成で十分にオン抵抗を低減させることができる場合には、障壁領域30や高濃度n型領域42を形成しなくてもよい。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。