基板と、前記基板上に順次形成されたn型半導体層、活性層及びp型半導体層を有し第1放出光を出す発光構造物と、前記第1放出光の一部を吸収して他の波長の第2放出光に変換させるよう配置された波長変換用薄膜パターンとを含み、前記波長変換用薄膜パターンは、第1放出光を選択的に通過させるオープン領域を形成することを特徴とする白色発光素子。前記波長変換用薄膜パターンは、前記p型半導体層の上面に形成されることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。前記波長変換用薄膜パターンは、前記基板の下面に形成されることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。前記波長変換用薄膜パターンは、前記発光構造物と基板との間に形成されることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。前記第1放出光と第2放出光とが結合して白色光を出すことを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。前記p型半導体、活性層及びn型半導体は、窒化物半導体からなることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。前記波長変換用薄膜パターンは、前記波長変換用薄膜に入射した第1放出光を90以上吸収することを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。前記波長変換用薄膜パターンは、同一物質で構成されることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。前記波長変換用薄膜パターンは、波長を変換できる蛍光体、金属シリケート、酸化物、または半導体であることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。前記半導体は、AlGaInPまたはZnSeであることを特徴とする請求項9に記載の白色発光素子。前記金属シリケートは、ユーロピウム-シリケートであることを特徴とする請求項9に記載の白色発光素子。前記ユーロピウム-シリケートは、EuxSiyOz0<x<30、0<y<30、0<z<30の組成式を有する物質からなることを特徴とする請求項11に記載の白色発光素子。前記第1放出光は青色光で、前記第2放出光は緑色から赤色に至る波長帯の光、または黄色光であることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。前記第1放出光は青色から緑色に至る波長帯の光で、前記第2放出光は赤色光であることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。前記基板と反対側の前記発光構造物の上面方向から白色光が放出されることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。前記発光構造物と反対側の前記基板の下面方向から白色光が放出されることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。本発明は、上記の問題点を解決するためのものであって、本発明の目的は、カラーバランスcolorbalanceの調節が容易で、均一な発光特性を得ることができ、小型化に適した高品質の白色発光装置を提供することにある。上述の技術的課題を達成すべく、本発明による白色発光素子は、基板と、上記基板上に順次形成されたn型半導体層、活性層及びp型半導体層を有し第1放出光を出す発光構造物と、上記第1放出光の一部を吸収して他の波長の第2放出光に変換させるよう配置された波長変換用薄膜パターンとを含み、上記波長変換用薄膜パターンは、第1放出光を選択的に通過させるオープン領域を形成する。上記第1放出光と第2放出光とが結合して白色光を出すことが出来る。本発明の一実施形態によると、上記波長変換用薄膜パターンは、上記p型半導体層の上面に形成されることが出来る。本発明の他の実施形態によると、上記波長変換用薄膜パターンは、上記基板の下面に形成されることが出来る。本発明のまた異なる実施形態によると、上記波長変換用薄膜パターンは、上記発光構造物と基板との間に形成されることが出来る。本発明によると、上記波長変換用薄膜パターンは、上記第1放出光の波長を変換できる蛍光体、金属シリケート、酸化物、または半導体であることが出来る。例えば、上記蛍光体は、YAG:CeまたはTAG:Ceであることができ、上記半導体はAlGaInPまたはZnSeであることが出来る。また、上記金属シリケートは、ユーロピウム-シリケートであることが出来る。上記ユーロピウム-シリケートは、EuxSiyOz0<x<30、0<y<30、0<z<30の組成式を有する。好ましくは、上記波長変換用薄膜パターンは、この薄膜に入射した第1放出光を90以上吸収できるような厚さを有する。上記波長変換用薄膜パターンがユーロピウム-シリケートからなる場合、上記波長変換用薄膜パターンはその厚さが1乃至3μmであることが出来る。上記波長変換用薄膜パターンは同一物質で構成される。好ましくは、上記p型半導体、活性層及びn型半導体は、窒化物半導体からなることが出来る。また上記基板は、サファイア、SiCまたはGaN基板であることが出来る。本発明の好ましい一実施形態によると、上記第1放出光は青色光で、上記第2放出光は緑色から赤色に至る波長帯の光、または黄色光である。また、本発明の好ましい他の実施形態によると、上記第1放出光は、青色から緑色に至る波長帯の光で、上記第2放出光は赤色光である。本発明の好ましい一実施形態によると、上記基板と反対側の上記発光構造物の上面方向から白色光が放出されることが出来る。また、本発明の好ましい他の実施形態によると、上記発光構造物と反対側の上記基板の下面方向から白色光が放出されることが出来る。本明細書において、窒化物半導体とは、AlxGayIn1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1で表現される2成分系bianary、3成分系ternaryまたは4成分系quaternary化合物半導体を意味する。本発明によると、波長変換用薄膜パターンを使用することにより、カラーバランスを容易に調節することができ、色組合を合わせるに有利である。また、パッケージのない単一チップのみで白色光を作ることができ、従来の発光素子に比べて大きさを小さくすることができ、製作工程が単純で製造費用が少ない。波長変換用薄膜パターンの大きさを調節することができるため、同一色を発する高品質の白色発光を得ることが出来る。以下、添付の図面を参照に本発明の実施形態を詳しく説明する。しかし、本発明の実施形態は、様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限られるのではない。本発明の実施形態は、当業界において平均的な知識を有している者に本発明をより完全に説明するため提供される。従って、図面において要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることができ、図面上の同一符号で表示される要素は同一要素である。本発明において用いられる波長変換用薄膜パターン物質としては、波長を変換させる蛍光体、金属シリケート、酸化物、半導体などがある。図2は、本発明の実施形態による波長変換用薄膜パターンに使用できるユーロピウム-シリケートの発光スペクトラムを示したグラフである。詳しくは、Eu2O3及びSiターゲットを使用して蒸着した後、N2雰囲気で1000°Cで熱処理したユーロピウム-シリケートの発光スペクトラムを示したグラフである。このユーロピウム-シリケートは、シリケート内にユーロピウムがドーピングされた物質であって、EuxSiyOz0<x<30、0<y<30、0<z<30の組成式を有する。この発光スペクトラムは、青色乃至紫外線を励起光として使用して得た発光スペクトラムである。図2に図示された通り、上記ユーロピウム-シリケートは、緑色乃至赤色波長帯の光を出し、約570nmの黄色波長において最大の強度を表す。従って、このユーロピウム-シリケートは、青色光を吸収して緑色乃至赤色波長帯の光を出したり、黄色光を出す蛍光体または波長変換物質として容易に使用されることが出来る。図3のa及び図3のbは、各々本発明の一実施形態による白色発光素子の概略的な断面図及び上部平面図である。図3のa及び図3のbを参照すると、白色発光素子100は、基板101上に形成された発光構造物150を含む。発光構造物150は、n型半導体層102、活性層103、p型半導体層104を備える。上記発光構造物150は、n型半導体層102の一部領域が露出されたメサ構造を有する。n型半導体102の一部露出された領域上にはn側電極105が形成され、p型半導体層104上にはp側電極106が形成されている。p型半導体層104上には、波長変換用薄膜パターン即ち、パターニングされた波長変換用薄膜107が形成されている。上記波長変換用薄膜パターン107は、p型半導体層104を選択的に露出させるよう形成されている。この素子100の白色光出力光は、基板101と反対側の発光構造物150の上面方向から出力される。即ち上記p型半導体層104の上面が光出射面となる。上記基板101としては、透明なサファイア基板、シリコンカーバイドSiC、GaN基板などが使用されることが出来る。サファイア基板は、比較的低価で、高温で安定しているため、青色または緑色発光素子用の基板として多く使用される。上記発光構造物150は、窒化物半導体物質からなることが出来る。窒化物半導体の発光構造物150は、例えば有機金属気相蒸着法MOCVD、MetalOrganicChemicalVaporDeposition、分子ビーム成長法MBE、MolecularBeamEpitaxyまたはハイドライド気相蒸着法HVPE、HydrideVaporPhaseEpitaxyのような蒸着工程を使用して形成されることが出来る。上記活性層103は、電子-正孔の再結合により光を発光する層であって、単一または多重量子井戸構造を有することが好ましい。例えば、活性層103は、InGaN、AlGaN、AlGaInN、またはGaNなどの窒化物半導体層で構成される。上記活性層103からは、第1放出光の青色光Bを発生する。上記波長変換用薄膜パターン107は、第1放出光青色光Bの波長を変換できる蛍光体、金属シリケート、酸化物、または半導体であることが出来る。上記蛍光体としては、YAG:Ce、TAG:Ceなどの黄色蛍光体を使用することが出来る。上記半導体は、AlGaInPまたはZnSeである物質からなることができ、上記金属シリケートは、ユーロピウム-シリケート例えば、EuxSiyOz0<x<30、0<y<30、0<z<30からなることが出来る。波長変換用薄膜パターン107は、スパッタリング、化学気相蒸着ChemicalVaporDeposition、CVD、プラズマ化学気相蒸着PlasmaEnhancedCVD、金属有機化学気相蒸着MetalOrganicCVDなどの従来の蒸着または成長装備を用いて波長変換用薄膜を形成した後、これを選択的にエッチングすることによって製作することが出来る。上記波長変換用薄膜パターン107は、p型半導体層104を選択的に露出させるよう形成されている。即ち、上記波長変換用薄膜パターン107は、第1放出光Bを選択的に通過させるオープン領域を形成する。従って、発光構造物150から薄膜パターン107側へ進行する第1放出光青色光;Bの一部B1は、波長変換用薄膜パターン107物質を通過せずにp型半導体層104の上面から放出され、他の一部B2は、波長変換用薄膜パターン107物質に吸収されることが出来る。波長変換用薄膜パターン107に吸収された第1放出光B2は、薄膜パターン107により第2放出光に変換される。第2放出光は、黄色光Yまたは緑色乃至赤色波長帯の光RGである。上記第1放出光B2と第2放出光RGまたはYとの結合は白色光を作ることになる。上記波長変換用薄膜パターン107は、同一物質で形成されることが出来る均一な材料。好ましくは、波長変換用薄膜パターン107の厚さは、これに入射した第1放出光B2の吸収率が90以上、さらに好ましくは、上記第1放出光B2の吸収率が99以上になるようにする。上記波長変換用薄膜パターン107がユーロピウム-シリケートからなる場合、好ましくは、波長変換用薄膜パターン107の厚さは1乃至3μmであることが出来る。波長変換用薄膜パターン107は、一般的にフォトリソグラフィーPhoto-Lithography工程を通じて製作されることが出来る。このように、第1放出光に対して90以上の吸収率を有するよう薄膜パターン107を厚くした場合、波長変換用薄膜パターン107の面積と薄膜パターン107によりオープンされた領域Aの面積との相対的な割合を調節することによって、カラーバランスcolorbalanceを非常に容易に調節することが出来る。即ち、薄膜パターン107の全体面積を広くすると、オープンされた領域Aが相対的に狭くなって上記オープンされた領域Aから放出される第1放出光B1が減少し、薄膜パターン107に吸収される第1放出光B2が増加する。従って、この薄膜パターン107によって得られる第2放出光RGまたはYが増加することになる。逆に、薄膜パターン107の全体面積を狭くすると、オープンされた領域Aが相対的に広くなって上記オープンされた領域Aから放出される第1放出光B1が増加し、薄膜パターン107に吸収される第1放出光B2が減少する。従って、この薄膜パターン107によって得られる第2放出光RGまたはYが減少することになる。このように薄膜パターン107の面積とオープンされた領域Aの面積との相対的な割合を変えることにより、カラーバランスの調節が容易で色組合を合わせるに有利となる。図3のaを参照すると、オープンされた領域Aを通過した第1放出光青色光;B1は、波長変換用薄膜パターン107によって得られた第2放出光緑色乃至赤色波長帯の光RGまたは黄色光Yと結合して白色光を作ることになる。基板101の下面にさらに反射層未図示を形成させると、光出射面であるp型半導体層104の上面からの光の放出をさらに増加させることが出来る。図3の実施形態の変形例として、図3のbにおいて、オープンされた領域Aに波長変換用薄膜パターンを形成し、薄膜パターン107の位置にオープンされた領域を形成することも出来る。即ち、図3のbにおいて薄膜パターン107の位置とオープンされた領域Aの位置とを相互変えることが出来る。薄膜パターン107の具体的な形状は、特定実施例に限られず、多様に具現されることが出来る。このように波長変換用薄膜を使用することにより、蛍光体を入れるパッケージがなくとも白色光を得ることができ、白色発光素子を小型化することが出来る。また、波長変換用薄膜パターンの面積とオープンされた領域の面積との相対的な割合を変えることにより、カラーバランスの調節が容易で色組合を合わせることが有利である。さらに、波長変換用薄膜パターンは、波長変換用薄膜を蒸着した後に選択的にエッチングすることによって製作することができ、製造工程が比較的単純で製造費用が低減されるという長所がある。また、波長変換用薄膜の厚さ調節によるのではなく、薄膜パターンの面積とオープンされた領域の面積との相対的な割合を調節して白色光を合わせるため、各々の製品から同一色を得ることが容易で均一特性の白色光を得ることが出来る。図4のa及び図4のbは、各々本発明のまた異なる実施形態による白色発光素子200の概略的な断面図及び上部平面図である。図4に図示された実施形態は図3の実施形態の変形例であって、波長変換用薄膜パターン107が基板101の下面Sに形成され、光出射面が上記基板101の下面Sということから相違である。上記基板101の下面からの光の放出を増大させるため、p型半導体層104の下面にさらに反射層未図示を形成することが出来る。発光構造物150内の活性層103から発生する第1放出光Bと、波長変換用薄膜107によって得られた第2放出光RGまたはYとは、図3に図示された実施形態と同一である。上記第1放出光青色光;Bの一部B1はオープンされた領域A ́から放出され、一部B2は波長変換用薄膜パターン107に吸収される。波長変換用薄膜パターン107は、吸収された第1放出光B2を第1放出光B2と異なる波長の第2放出光緑色乃至赤色波長帯の光RGまたは黄色光Yに変換させる。オープンされた領域A ́を通過した第1放出光B1と波長変換用薄膜パターン107によって得られた第2放出光RGまたはYとが結合して白色光を作ることになる。図4の実施形態の変形例として、図4のbにおいて、オープンされた領域Aに波長変換用薄膜パターンを形成し、薄膜パターン107の位置にオープンされた領域を形成することが出来る。図5のa及び図5のbは、各々本発明のまた異なる実施形態による白色発光素子300の概略的な断面図及び上部平面図である。図5に図示された実施形態は、発光構造物250から発生する第1放出光が青色から緑色に至る波長帯の光BGということと波長変換用薄膜パターン207が第1放出光BGを第2放出光の赤色光Rに変換させるということから図3の実施形態と差がある。図5のa及び図5のbを参照すると、上記発光構造物250内の活性層203から発生した第1放出光BGの一部B1G1は、オープンされた領域Aから放出される。第1放出光BGの他の一部B2G2は、波長変換用薄膜パターン207に吸収され第2放出光Rとして放出される。上記白色発光素子300は、上記第1放出光B1G1と上記第2放出光Rとの混色により白色光を出力する。上記基板101の下面にさらに反射層未図示を形成させると、光出射面であるp型半導体層104の上面からの光の放出をさらに増加させることが出来る。図6のa及び図6のbは、各々本発明のまた異なる実施形態による白色発光素子400の概略的な断面図及び上部平面図である。図6に図示された実施形態は図5の実施形態の変形例であって、波長変換用薄膜パターン207が基板101の下面S上に形成され、上記基板101の下面Sが光出射面ということから差がある。上記基板101の下面からの光放出を増大させるため、p型半導体層104の下面にさらに反射層未図示を形成することが出来る。発光構造物250から発生する第1放出光BGと波長変換用薄膜207によって得られた第2放出光Rとは、図5に図示された実施形態と同一である。上記第1放出光BGの一部B1G1は、オープンされた領域A ́から放出され、一部B2G2は、波長変換用薄膜パターン207に吸収され第2放出光Rに変換された後に放出される。白色発光素子400は、上記第1放出光B1G1と波長変換により得られた第2放出光Rとの混色によって白色光を具現する。図7は、本発明のまた異なる実施形態による白色発光素子500の概略的な断面図である。図7の実施形態は図3の実施形態の変形例であって、波長変換用薄膜107が基板101と発光構造物150との間に形成されるということに差がある。光出射面は、p型半導体層104の上面である。光の放出を増大させるため、基板101の下面にさらに反射層未図示を形成することが出来る。発光構造物150内の活性層103から発生する第1放出光Bと波長変換用薄膜107によって得られた第2放出光RGまたはYとは、図3に図示された実施形態と同一である。上記第1放出光青色光;Bの一部B1はp型半導体層104の上面から放出され、一部B2は波長変換用薄膜パターン107に吸収される。波長変換用薄膜パターン107は、吸収された第1放出光B2を第1放出光B2と異なる波長の第2放出光緑色乃至赤色波長帯の光RGまたは黄色光Yに変換させる。第2放出光RGまたはYは、波長変換することなくp型半導体層104の上面から放出される。p型半導体層104の上面へ放出された第1放出光B1は、波長変換用薄膜パターン107により得られた第2放出光RGまたはYと結合して白色光を作ることになる。図8は、本発明のまた異なる実施形態による白色発光素子600の概略的な断面図である。図8の実施形態は図7の実施形態の変形例であって、光出射面が基板101の下面Sということから相違である。発光構造物150内の活性層103から発生する第1放出光Bと波長変換用薄膜107によって得られた第2放出光RGまたはYは、図7に図示された実施形態と同一である。上記第1放出光Bの一部B1は基板101の下面Sから放出され、一部B2は波長変換用薄膜パターン107に吸収される。波長変換用薄膜パターン107は、吸収された第1放出光B2を第1放出光B2と異なる波長の第2放出光RGまたはYに変換させる。第2放出光RGまたはYは、波長変換することなく基板101の下面Sから放出される。基板101の下面Sから放出された第1放出光B1は、波長変換用薄膜パターン107により得られた第2放出光RGまたはYと結合して白色光を作ることになる。図9は、本発明のまた異なる実施形態による白色発光素子700の概略的な断面図である。図9に図示された実施形態は、発光構造物250から発生する第1放出光が青色から緑色に至る波長帯の光BGということと波長変換用薄膜パターン207が第1放出光BGの一部を第2放出光の赤色光Rに変換させるということから図7の実施形態と差がある。図9を参照すると、上記発光構造物250内の活性層203から発生した第1放出光BGの一部B1G1は、p型半導体層104の上面から放出される。第1放出光BGの他の一部B2G2は、波長変換用薄膜パターン207に吸収され第2放出光Rとして放出される。上記白色発光素子700は、上記第1放出光B1G1と上記第2放出光Rとの混色により白色光を出力する。上記基板101の下面にさらに反射層未図示を形成させると、光出射面であるp型半導体層104の上面からの光の放出をさらに増加させることが出来る。図10は、本発明のまた異なる実施形態による白色発光素子800の概略的な断面図である。図10に図示された実施形態は図9の実施形態の変形例であって、光出射面が基板101の下面Sということから相違である。発光構造物250内の活性層203から発生する第1放出光BGと波長変換用薄膜207により得られた第2放出光Rは、図9に図示された実施形態と同一である。上記第1放出光BGの一部B1G1は、基板101の下面Sから放出され、一部B2G2は波長変換用薄膜パターン207に吸収される。波長変換用薄膜パターン107は、吸収された第1放出光B2G2を第1放出光B2G2と異なる波長の第2放出光Rに変換させる。第2放出光Rは、波長変換することなく基板101の下面Sから放出される。基板101の下面Sから放出された第1放出光B1G1は、波長変換用薄膜パターン207により得られた第2放出光Rと結合して白色光を作ることになる。上記の実施形態によると、波長変換用薄膜パターンを使用することにより、蛍光体を入れるパッケージがなくとも白色光を得ることができ、白色発光素子を小型化することが出来る。また波長変換用薄膜をパターン化することにより、各々の製品から同一色を得ることが容易で、均一特性の白色光を得ることが出来る。また、波長変換用薄膜パターンの面積とオープンされた領域の面積との相対的な割合を変えることにより、カラーバランスの調節を容易にすることができ、色組合を合わせるに有利である。さらに、波長変換用薄膜パターンは、波長変換用薄膜を蒸着した後に選択的にエッチングすることによって製作することができ、製造工程が比較的単純で製造費用が低減されるという長所がある。本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求範囲により限定される。また、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で様々な形態の置換、変形及び変更が出来るということは当技術分野の通常の知識を有している者には自明である。