"基板上に設けられた第1の配線層と、前記第1の配線層上に設けられ、開口を有する絶縁膜と、前記第1の配線層上の前記絶縁膜の開口に対向する領域に設けられると共に、前記第1の配線層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御膜と、前記絶縁膜上の選択的な領域に設けられた半導体層と、前記絶縁膜上において前記半導体層と電気的に接続されると共に、前記第1の配線層と前記開口を通じて電気的に接続された第2の配線層とを備えた回路基板。前記表面エネルギー制御膜は、前記第1の配線層の表面を前記絶縁膜の表面よりも濡れにくくする機能を有する請求項1に記載の回路基板。前記表面エネルギー制御膜は、前記第1の配線層および前記絶縁膜の各表面の濡れ性を略均一化させる機能を有する請求項1に記載の回路基板。前記基板上に1または複数の薄膜トランジスタが配設され、前記薄膜トランジスタは、チャネル層としての前記半導体層と、前記第1の配線層と同層に設けられると共に、前記絶縁膜を挟んで前記半導体層に対向配置されたゲート電極と、それぞれが、前記第2の配線層の一部として設けられるか、または前記第2の配線層と同層に設けられたソース電極およびドレイン電極とを有する請求項1に記載の回路基板。前記半導体層は有機半導体よりなる請求項1に記載の回路基板。前記薄膜トランジスタを有するバックプレーンBackplaneである請求項4に記載の回路基板。基板上に第1の配線層を形成する工程と、前記第1の配線層上に、開口を有する絶縁膜を形成する工程と、前記第1の配線層上の前記絶縁膜の開口に対向する領域に、前記第1の配線層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御膜を形成する工程と、前記表面エネルギー制御膜を形成した後、前記絶縁膜上の選択的な領域に半導体層を形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記半導体層と電気的に接続されると共に、前記開口を通じて前記第1の配線層と電気的に接続された第2の配線層を形成する工程とを含む回路基板の製造方法。前記表面エネルギー制御膜を、前記第1の配線層の表面が前記絶縁膜の表面よりも濡れにくくなるように機能させる請求項7に記載の回路基板の製造方法。前記絶縁膜を形成する工程中または前記絶縁膜を形成した後、前記第1の配線層の表面の前記開口に対向する領域に酸化膜を形成し、前記酸化膜に対してシランカップリング処理を施すことにより、前記表面エネルギー制御膜を形成する請求項8に記載の回路基板の製造方法。前記絶縁膜を形成する工程において、酸素ガスを用いたドライエッチングによって前記開口を形成しつつ、前記酸化膜を形成する請求項9に記載の回路基板の製造方法。前記表面エネルギー制御膜を、前記第1の配線層および前記絶縁膜の各表面の濡れ性が略均一となるように機能させる請求項7に記載の回路基板の製造方法。前記半導体層を形成する工程では、有機半導体を前記絶縁膜上の全面に渡って塗布法により成膜した後、パターニングする請求項7に記載の回路基板の製造方法。前記半導体層をレーザーアブレーション法によりパターニングする請求項12に記載の回路基板の製造方法。複数の画素を含む表示部と、前記表示部を駆動する回路基板とを備え、前記回路基板は、基板上に設けられた第1の配線層と、前記第1の配線層上に設けられ、開口を有する絶縁膜と、前記第1の配線層上の前記絶縁膜の開口に対向する領域に設けられると共に、前記第1の配線層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御膜と、前記絶縁膜上の選択的な領域に設けられた半導体層と、前記絶縁膜上において前記半導体層と電気的に接続されると共に、前記第1の配線層と前記開口を通じて電気的に接続された第2の配線層とを有する表示装置。前記回路基板は、前記基板上に1または複数の薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタは、チャネル層としての前記半導体層と、前記第1の配線層と同層に設けられると共に、前記絶縁膜を挟んで前記半導体層に対向配置されたゲート電極と、それぞれが、前記第2の配線層の一部として設けられるか、または前記第2の配線層と同層に設けられたソース電極およびドレイン電極とを有する請求項14に記載の表示装置。前記半導体層は有機半導体よりなる請求項14に記載の表示装置。前記回路基板は、前記薄膜トランジスタを有するバックプレーンBackplaneである請求項15に記載の表示装置。複数の画素を含む表示部と、前記表示部を駆動する回路基板と、を有する表示装置を備え、前記回路基板は、基板上に設けられた第1の配線層と、前記第1の配線層上に設けられ、開口を有する絶縁膜と、前記第1の配線層上の前記絶縁膜の開口に対向する領域に設けられると共に、前記第1の配線層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御膜と、前記絶縁膜上の選択的な領域に設けられた半導体層と、前記絶縁膜上において前記半導体層と電気的に接続されると共に、前記第1の配線層と前記開口を通じて電気的に接続された第2の配線層とを有する電子機器。上記のような層間配線接続を行う場合、2つの配線層間には、絶縁膜が存在することから、その絶縁膜の一部に開口コンタクトホールを設け、この開口を通じて配線間の接続が確保される。ところが、特にTFTの半導体層を塗布形成する場合、上記開口部分において成膜不良が生じ、半導体層のパターン精度が低下してしまうという問題がある。本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、半導体層を精度良くパターン形成することが可能な回路基板およびその製造方法と、そのような回路基板を備えた表示装置とを提供することにある。本開示の回路基板は、基板上に設けられた第1の配線層と、第1の配線層上に設けられ、開口を有する絶縁膜と、第1の配線層上の絶縁膜の開口に対向する領域に設けられると共に、第1の配線層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御膜と、絶縁膜上の選択的な領域に設けられた半導体層と、絶縁膜上において半導体層と電気的に接続されると共に、第1の配線層と開口を通じて電気的に接続された第2の配線層とを備えたものである。本開示の回路基板の製造方法は、基板上に第1の配線層を形成する工程と、第1の配線層上に、開口を有する絶縁膜を形成する工程と、第1の配線層上の絶縁膜の開口に対向する領域に、第1の配線層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御膜を形成する工程と、表面エネルギー制御膜を形成した後、絶縁膜上の選択的な領域に半導体層を形成する工程と、絶縁膜上に、前記半導体層と電気的に接続されると共に、開口を通じて第1の配線層と電気的に接続された第2の配線層を形成する工程とを含むものである。本開示の回路基板および回路基板の製造方法では、第1の配線層上に開口を有する絶縁膜を介して第2の配線層が設けられることにより、第1および第2の配線層は、絶縁膜の開口を通じて電気的に接続される。ここで、第1の配線層上の上記開口に対向する領域に、表面エネルギー制御膜を有することにより、開口部分における第1の配線層の表面エネルギーが制御される。絶縁膜上に半導体層を塗布形成する際、その膜厚むら等の成膜不良が発生しにくい。本開示の表示装置は、複数の画素を含む表示部と、前記表示部を駆動する回路基板としての上記本開示の回路基板とを有するものである。本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。本開示の回路基板および回路基板の製造方法によれば、第1の配線層上に開口を有する絶縁膜を介して第2の配線層を設けることにより、これらの第1および第2の配線層を絶縁膜の開口を通じて電気的に接続することができる。第1の配線層上の上記開口に対向する領域に、表面エネルギー制御膜を設けるようにしたので、第1の配線層の表面エネルギーを制御することができ、半導体層の成膜不良を抑制できる。よって、半導体層を精度良くパターン形成することが可能となる。以下、本開示における実施形態について図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。1.実施の形態有機TFTを備えた回路基板の例2.変形例1製造プロセスの他の例3.変形例2製造プロセスの他の例4.適用例回路基板を備えた表示装置および電子機器の例<実施の形態>[回路基板の構成]図1は、本開示の一の実施の形態に係る回路基板回路基板1の概略構成を表す斜視図である。回路基板1は、例えばいわゆるバックプレーンBackplaneとして好適に用いられるものである。この回路基板1は、例えば1または複数の駆動用の半導体素子例えば、薄膜トランジスタ等のアクティブ素子が集積されたものである。このような回路基板1では、例えば半導体素子の外部において、互いに異なる層に設けられた配線同士が接続された層間配線接続がなされた層構造を有する。本実施の形態では、そのようなバックプレーンにおける層構造の一例として、有機半導体よりなる薄膜トランジスタトランジスタ部10Aの外部配線接続部10Bにおいて、層間配線接続がなされた構造を例に挙げて説明する。トランジスタ部10Aは、例えばいわゆるボトムゲート構造かつトップコンタクト構造を有する有機TFTである。このトランジスタ部10Aは、基板10上の選択的な領域にゲート電極11Aを有しており、このゲート電極11A上には、ゲート絶縁膜12を挟んで半導体層13が設けられている。半導体層13は、ゲート絶縁膜12上において、ゲート電極11Aと対向する選択的な領域にパターン形成されている。この半導体層13上には、一対のソースドレイン電極14aが半導体層13と電気的に接続されて配設されている。配線接続部10Bは、互いに異なる層に設けられた第1配線層11Bと第2配線層14との接続領域である。この配線接続領域10Bでは、第1配線層11Bおよび第2配線層14間の他の層ここではゲート絶縁膜12に、開口H1ゲート絶縁膜12を貫通するコンタクトホールが設けられている。配線接続部10Bでは、第1配線層11Bおよび第2配線層14が、この開口H1を通じて電気的に接続されている。尚、この第1配線層11B上の開口H1に対向する部分には、詳細には、後述の表面エネルギー制御膜15が形成されている。尚、開口H1は、ゲート絶縁膜12の表面または裏面に閉曲線を描く、孔状のものに限定されるものではない。即ち、開口H1は、切り欠きや溝等をも広く含む概念であり、ゲート絶縁膜12の少なくとも一部分が除去されていれば、必ずしも閉曲線を描かなくともよい。第1配線層11Bは、トランジスタ部10Aのゲート電極11Aと同層基板10上に設けられている。第2配線層14は、トランジスタ部10Aのソースドレイン電極14aと同層に設けられているあるいは、ソースドレイン電極14aが第2配線層14の一部となっている。本実施の形態では、ゲート電極11Aおよび第1配線層11Bが同一工程においてそれぞれパターン形成され、ソースドレイン電極14aと第2配線層14が同一工程においてそれぞれパターン形成されるようになっている。基板10は、例えばポリイミド,ポリエチレンテレフタレート,ポリエーテルサルフォン,ポリエチレンナフタレート,ポリカーボネート,液晶ポリマーなどのプラスチックシートや、表面に絶縁処理が施されたステンレス,アルミニウムAl,銅Cu等の金属シートが用いられる。ゲート電極11Aは、トランジスタ部10Aに印加されるゲート電圧Vgによって半導体層13中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有するものである。このゲート電極11Aおよび第1配線層11Bは、表面に酸化膜を形成し易い導電膜材料であることが望ましい。詳細は後述するが、第1配線層11Bは、ゲート電極11Aと同一工程において形成されるためゲート電極11Aと同一材料により構成されるが、本実施の形態では、表面エネルギー制御膜15を形成する際に、第1配線層11Bの表面を酸化させるためである。このような導電膜材料としては、例えばアルミニウム,チタンTi,白金Pt,金Au,パラジウムPd,クロムCr,ニッケルNi,モリブデンMo,ニオブNb,ネオジムNd,ルビジウムRb,ロジウムRh,アルミニウムAl,銀Ag,タンタルTa,タングステンW,銅、インジウムInおよび錫Snのうちの1種からなる単層膜、もしくはこれらのうちの2種以上からなる積層膜が挙げられる。このように第1配線層11Bとしては、様々な材料を用いることができるが、後述の製造プロセスにおいて、第1配線層11Bの表面を酸化させる必要があるため、この観点においては、第1配線層11Bには、酸化し易い材料が用いられることが望ましい。ゲート絶縁膜12は、例えばポリビニルフェノール,ジアリルフタレート,ポリイミド,ポリメタクリル酸メチル,ポリビニルアルコール,ポリエステル,ポリエチレン,ポリカーボネート,ポリアミド,ポリアミドイミド,ポリエーテルイミド,ポリシロキサン,ポリメタクリルアミド,ポリウレタン,ポリブタジエン,ポリスチレン,ポリ塩化ビニル,ニトリルゴム,アクリルゴム,ブチルゴム,エポキシ樹脂,フェノール樹脂,メラミン樹脂,ウレア樹脂,ノボラック樹脂,フッ素系樹脂などのうちの1種よりなる単層膜、またはそれらのうちの2種以上よりなる積層膜である。ゲート絶縁膜12は、塗布形成後にエッチングによってパターニングされるが、材料によっては、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、グラビア印刷等の印刷技術によってパターン形成してもよい。半導体層13は、ゲート電圧の印加によりチャネルを形成するものであり、例えばperiXanthenoxanthene誘導体などの有機半導体よりなる。有機半導体料としては、この他にも、ペンタセン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、ルブレン、ポリチオフェン、ポリアセン、ポリフェニレンビニレン、ポリピロール、ポルフィリン、カーボンナノチューブ、フラーレン、グラフェンおよび金属フタロシアニンのうちのいずれか1種の誘導体、2種以上の混合物が挙げられる。この半導体層13は、例えば上記材料をスピンコート法、スリットコート法などの塗布法を用いて成膜した後、これをパターニングすることにより形成される。一対のソースドレイン電極14aは、それぞれが半導体層13に電気的に接続されると共に、半導体層13上において互いに電気的に分離されて配設されている。これらのソースドレイン電極14aはそれぞれ、ソース電極またはドレイン電極として機能するものであり、上記ゲート電極11Aにおいて列挙したものと同等の導電膜材料から構成されている。これらのソースドレイン電極14aはそれぞれ、第2配線層14の一部を構成するか、第2配線層14と同層に設けられている。ここでは、第2配線層14の一部が、半導体層13上にオーバーラップして設けられており、この部分が一方のソースドレイン電極として機能している。第2配線層14は、例えばソースドレイン電極14aと同一材料により構成され、同一工程においてパターン形成される。このような回路基板1において、本実施の形態では、配線接続領域10Bにおいて、第1配線層11Bの表面の開口H1に対向する領域に、表面エネルギー制御膜15が形成されている。図2に、配線接続領域10B付近を拡大したものを示す。このように、詳細には、第1配線層11Bと第2配線層14との間には、表面エネルギー制御膜15が介在している。表面エネルギー制御膜15は、第1配線層11Bの表面エネルギーを制御する機能、具体的には、ゲート絶縁膜12の表面エネルギーよりも小さくする、あるいは略均一化する機能を有している。本実施の形態では、この表面エネルギー制御膜15が、第1配線層11Bの表面エネルギーをゲート絶縁膜12よりも小さくする機能第1配線層11Bの表面をゲート絶縁膜12の表面よりも濡れにくくする機能を有している。換言すると、第1配線層11Bおよびゲート絶縁膜12の濡れ性の差が大きく、第1配線層11Bの表面詳細には表面エネルギー制御膜15の上面において相対的に撥液性が高く、ゲート絶縁膜12の表面において相対的に親液性が高くなっている。表面エネルギー制御膜15の厚みは、例えば1~2nm程度であり、第1配線層11Bおよび第2配線層14に比べて非常に薄く形成されている。この表面エネルギー制御膜15は、上記機能を有する薄膜から構成されていればよいが、本実施の形態では、例えばケイ素または有機ケイ素化合物を含んでいる。詳細は後述するが、第1配線層11Bの表面に酸化膜を形成し、この酸化膜とシランカップリング剤を反応させることにより、表面エネルギー制御膜15を形成するためである。[回路基板1の製造方法]図3~図6は、回路基板1の製造方法を説明するための図である。回路基板1は、例えば次のようにして製造することができる。まず、図3Aに示したように、基板10上の選択的な領域にゲート電極11Aおよび第1配線層11Bを一括形成する。具体的には、まず、基板10上の全面に、上述した導電膜材料、例えばアルミニウムまたはチタンを、例えばスパッタリング法により堆積させた後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、所定の形状にパターニングする。続いて、図3Bに示したように、基板10上の全面に渡って、ゲート絶縁膜12を成膜する。具体的には、基板10上の全面にわたって、例えばスピンコート法により、上述したゲート絶縁膜材料、例えばPVP溶液を塗布し、乾燥させる。次いで、図3Cに示したように、ゲート絶縁膜12上に、例えばポジ型の感光性樹脂材料を塗布した後、露光および現像等の工程を経て、配線接続領域10Bに対応する領域に開口110aを有するフォトレジスト膜110を形成する。続いて、図4Aに示したように、フォトレジスト膜110をマスクとして、ゲート絶縁膜12の選択的の領域をエッチングする。この際、例えば反応ガスとして酸素O2を用いたドライエッチングを行う。例えば、上記のようにゲート絶縁膜12としてPVPを用いた場合には、酸素ガスを用いたドライエッチングが好適である。このようにして、ゲート絶縁膜12のエッチングが進行すると、図4Bに示したように、第1配線層11Bの表面が露出し、ゲート絶縁膜12に開口H1が形成される。このとき、本実施の形態では、酸素ガスによって、第1配線層11Bの表面が酸化される第1配線層11Bの表面に酸化膜11b1が形成される。例えば、第1配線層11Bおよびゲート電極11Aとしてアルミニウムまたはチタンを用いた場合には、酸化膜11b1として、酸化アルミニウムAlOxまたは酸化チタンTiOxが形成される。次いで、図5Aに示したように、シランカップリング処理を行う。具体的には、上記のようにしてゲート絶縁膜12に開口H1を形成した基板10を、シランカップリング剤に浸漬する。これにより、シランカップリング剤は、第1配線層11Bの表面に形成された酸化膜11b1と選択的に反応し、第1配線層1Bの表面にのみ、上記のようにケイ素または有機ケイ素化合物を含む表面エネルギー制御膜15が形成される。尚、フォトレジスト膜110上にも、シランカップリング剤が付着することがあるが、最終的には後述のようにフォトレジスト膜110は剥離するため問題はない。シランカップリング剤としては、例えばオクタデシルトリシクロロシランOTSを用いることができる。この後、図5Bに示したように、フォトレジスト膜110を剥離する。これにより、ゲート絶縁膜12の表面が露出すると共に、その開口H1では、第1配線層11Bの表面が表面エネルギー制御膜15で覆われた状態となる。本実施の形態では、表面エネルギー制御膜15により、第1配線層11Bの表面エネルギーがゲート絶縁膜12よりも小さくなり、即ち、開口H1から露出した第1配線層11Bでは、ゲート絶縁膜12よりも濡れにくくなる。次いで、ゲート絶縁膜12上に半導体層13をパターン形成する。この際、まず、図6Aに示したように、基板10の全面にわたって、有機半導体材料、例えばperiXanthenoxanthene化合物溶液を塗布する。このとき、上記のような第1配線層11Bおよびゲート絶縁膜12の各表面エネルギーの差により、有機半導体材料は、第1配線層11B上においてはじかれ、ゲート絶縁膜12上にのみ付着し易くなる。その後、塗布した有機半導体材料を加熱することにより、ゲート絶縁膜12上には、膜厚が略均一な半導体層13が形成される後述の比較例のように、極端に厚みが大きくなる箇所が生じにくい。続いて、図6Bに示したように、半導体層13のパターニングを行う。具体的には、例えばレーザーアブレーション法等により、不要な領域13aにレーザ光Lを照射し、これを選択的に除去することで、所望の領域13b1に半導体層13を残存させる。ここでは、トランジスタ部10aのゲート電極11Aに対向する領域にのみ半導体層13を残存させる。この際、本実施の形態では、開口H1に対向する領域13b2については、半導体層13が元々塗布されていないため、レーザ照射を行わずに済むパターニングの対象とならない。即ち、塗布形成された半導体層13のうち、ゲート絶縁膜12上に略均一な厚みで形成された部分に対してパターニングを行えばよいため、半導体層13を精度良く加工できる。これにより、図6Cに示したように、半導体層13がゲート絶縁膜12上の選択的な領域に形成される。また、開口H1に対向する領域では、上記のようにレーザ照射の対象とならないため、表面エネルギー制御膜15は除去されることなく、第1配線層11Bの表面に残る。最後に、図7に示したように、第2配線層14およびソースドレイン電極14aを一括形成する。具体的には、まず、基板10上の全面にわたって、上述した導電膜材料を、例えばスパッタリング法により堆積させた後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、所定の形状にパターニングする。この際、第2配線層の一部を開口H1に対向する領域まで延在形成することにより、この開口H1を通じて第1配線層11Bおよび第2配線層14の電気的接続が確保される。また、ここでは、第2配線層14の一部を半導体層13上にオーバーラップするように形成し、このオーバーラップした部分を一方のソースドレイン電極14aとして機能させる。ここで、上述したように、第1配線層11B上には表面エネルギー制御膜15が残存するため、実際には、第1配線層11Bと第2配線層14との間に表面エネルギー制御膜15が介在するが、このことは、所望の電気抵抗を確保することを妨げない。これは、表面エネルギー制御膜15が、第1配線層11Bおよび第2配線層14に比べて非常に薄く形成されることから、表面エネルギー制御膜15による電気抵抗の増加は、実質的に無視できる程度のものであるためである。以上により、基板10上にトランジスタ部10Aおよび配線接続部10Bが形成される。これにより、図1に示した回路基板1を完成する。[作用効果]本実施の形態の回路基板1では、トランジスタ部10Aが配設されると共に、配線接続部10Bによる層間配線接続がなされる。具体的には、配線接続部10Bにおいて、ゲート絶縁膜12に開口H1を設けることにより、この開口H1を通じて第1配線層11Bおよび第2配線層14の電気的接続が確保される。これにより、回路基板1では、例えば後述の表示装置等を駆動するためのバックプレーンとして好適な層構造を実現できる。このような層構造において、第1配線層11B上の開口H1に対向する領域に表面エネルギー制御膜15を設けることにより、第1配線層11Bの表面エネルギーが制御される濡れ性が変化する。具体的には、本実施の形態では、表面エネルギー制御膜15が、第1配線層11Bの表面エネルギーがゲート絶縁膜12よりも小さくなる第1配線層11Bがゲート絶縁膜12よりも濡れにくくなるように機能させる。これにより、半導体層13の形成プロセスにおいて、成膜不良が発生しにくくなる。ここで、図8および図9A,Bを参照して、比較例に係る回路基板の製造方法について説明する。比較例では、本実施の形態と同様にして、基板101上にゲート電極102Aおよび第1配線層102Bを形成後、ゲート絶縁膜103を成膜し、図8に示したように、フォトレジスト膜104を用いて開口H1を形成する。但し、比較例では、この開口H1の形成後に、本実施の形態のようなシランカップリング処理を行わず、即ち表面エネルギー制御膜15を形成することなく、有機半導体材料を塗布した。この結果、例えば図9Aに示した半導体層105aのように、開口H1付近に、他よりも膜厚が厚い部分X1が生じ、あるいは図9Bに示した半導体層105bのように、開口H1付近において膜厚むらX2が生じてしまう。このように、特に配線接続のための開口H1に対向する領域では、他の領域と表面状態および物理的形状が異なるために、半導体層105a,105bの膜厚が不均一になり、むらが生じ易い。この場合、次のような理由から半導体層のパターニングが困難となる。即ち、上述のように、レーザーアブレーション法等によるパターニングの際には、不要部分に対して選択的にレーザ光を照射するため、開口H1部分に半導体層が形成されている場合には、この部分についてもレーザ照射を行う必要がある。比較例のように、開口H1付近における半導体層の膜厚が他の部分よりも大きいと、精度良くパターニングすることが困難である。これに対し、本実施の形態では、上記半導体形成プロセス図6A~Cにおいて説明したように、開口H1において露出した第1配線層11Bの表面に表面エネルギー制御膜15が設けられていることにより、半導体層13を、開口H1を避けてゲート絶縁膜12上に略均一な膜厚で成膜することができる。このため、半導体層13のパターニングの際には、開口H1に対向する領域13b2に対してはレーザ照射を行わずに済み、ゲート絶縁膜12上に略均一な厚みで形成された部分に対してのみパターニングを行えばよい。このため、半導体層13を精度良く加工できる。このように、本実施の形態では、表面エネルギー制御膜15を利用することにより、ゲート絶縁膜12上に半導体層13が略均一な膜厚で塗布され、これによってそのパターニングが容易となる。以上説明したように、本実施の形態では、第1配線層11B上に開口H1を有するゲート絶縁膜12を介して第2配線層14を設けることにより、その開口H1を通じて第1配線層11Bおよび第2配線層14を電気的に接続することができる。ここで、第1配線層11B上の開口H1に対向する領域に、表面エネルギー制御膜15を設けることにより、第1配線層11Bの表面エネルギーを制御することができ、半導体層13の成膜不良を抑制できる。よって、回路基板1では、半導体層13を精度良くパターン形成することが可能となる。次に、上記実施の形態の変形例変形例1,2に係る回路基板の製造方法について説明する。尚、以下では、上記実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。<変形例1>図10A,Bは、変形例1に係る回路基板の製造方法を説明するための断面図である。上記実施の形態では、表面エネルギー制御膜15の形成手法として、第1配線層11Bの表面の酸化膜11b1とシランカップリング剤とを反応させる手法を例に挙げた。この際、酸化膜11b1は、開口H1のドライエッチングプロセスにおいて使用する酸素ガスを利用して形成したが、酸化膜11b1の形成手法はこれに限定されない。例えば、ゲート絶縁膜12のドライエッチングの際に、反応ガスとして酸素ガスを用いない場合等には、開口H1の形成プロセス図10A後に、第1配線層11Bの表面に酸化処理を施す図10Bことにより形成してもよい。このように、第1配線層11Bの酸化膜11b1の形成手法は特に限定されず、例えばシランカップリング処理を行うよりも前に形成すればよい。但し、開口H1の形成プロセスにおいて酸化膜11b1を形成可能な上記実施の形態では、本変形例よりも工程数を削減することができる。<変形例2>図11A,Bは、変形例2に係る回路基板の製造方法を説明するための断面図である。本変形例では、上記実施の形態と同様、基板10上に、トランジスタ部10Aおよび配線接続部10Bを有する層構造において、第1配線層11Bの表面の開口H1に対向する領域に、第1配線層11Bの表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御膜25が設けられている。但し、本変形例の表面エネルギー制御膜25は、上記実施の形態の表面エネルギー制御膜15と異なり、第1配線層11Bの表面エネルギーをゲート絶縁膜12の表面エネルギーに近づける第1配線層11Bおよびゲート絶縁膜12の各表面の濡れ性を略均一化する機能を有している。本変形例では、半導体層13を塗布する前に、図11Aに示したように、第1配線層11Bの表面の開口H1に対向する領域に表面エネルギー制御膜25を形成する。この後、図11Bに示したように、基板10の全面に渡って半導体材料を塗布すると、上記実施の形態と異なり、開口H1付近およびゲート絶縁膜12上の全領域において、表面の濡れ性が略均一となるため、半導体層13が開口H1を含む全ての領域において均一な膜厚で形成され易い。これにより、上述したようにレーザーアブレーション法により半導体層13をパターニングする際には、開口H1部分についてもレーザ照射し、除去する必要が生じるが、基板10の全域において半導体層13の膜厚が略均一であるため、良好なパターン精度を実現することができる。<適用例>上記実施の形態および変形例で説明した回路基板1は、表示装置の駆動基板として好適に用いることができる。表示装置としては、例えば液晶表示装置、有機EL表示装置、電子ペーパーディスプレイ等が挙げられる。図12に、表示駆動回路の一例について模式的に示す。この駆動基板では、基板10上に、表示領域Sに画素駆動回路140が設けられ、表示領域Sの周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130が設けられている。画素駆動回路140は、例えばアクティブマトリクス方式により駆動される駆動回路である。この画素駆動回路140では、列方向に沿って信号線120A、行方向に沿って走査線130Aがそれぞれ複数配置されている。各信号線120Aと各走査線130Aとの交差部が、各画素PXLに対応している。各信号線120Aは、信号線駆動回路120に接続され、この信号線駆動回路120から信号線120Aを介して各画素PXLに画像信号が供給されるようになっている。各走査線130Aは走査線駆動回路130に接続され、この走査線駆動回路130から走査線130Aを介して各画素PXLに走査信号が順次供給されるようになっている。また、このような回路基板1を駆動基板として備えた表示装置は、以下の適用例1~6に係る電子機器に搭載することができる。具体的には、上記表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機およびスマートフォンSmartphone等の携帯端末機器、あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用可能である。言い換えると、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。適用例1図13は、適用例1に係るテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル511およびフィルターガラス512を含む映像表示画面部510を有しており、映像表示画面部510が、上記表示装置に相当する。適用例2図14は、適用例2に係るデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部521、上記表示装置としての表示部522、メニュースイッチ523およびシャッターボタン524を有している。適用例3図15は、適用例3に係るノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体531,文字等の入力操作のためのキーボード532および上記表示装置としての表示部533を有している。適用例4図16は、適用例4に係るビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部541,この本体部541の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ542,撮影時のスタート/ストップスイッチ543および上記表示装置としての表示部544を有している。適用例5図17は、適用例5に係る携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部ヒンジ部730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。ディスプレイ740またはサブディスプレイ750が、上記表示装置に相当する。適用例6図18Aおよび図18Bは、適用例6に係るスマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部810、非表示部820および操作部830を有している。操作部830は、図18Aに示したように表示部810と同じ面前面に形成されていても、図18Bに示したように表示部810とは異なる面上面に形成されていてもよい。以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて説明したが、本開示内容はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、回路基板に配設された薄膜トランジスタトランジスタ部10Aとして、ボトムゲート構造およびトップコンタクト構造を有する有機TFTを例示したが、薄膜トランジスタの構造はトップゲート構造であってもよいし、ボトムコンタクト構造であってもよい。また、有機TFTに限らず、無機半導体または酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにも適用可能である。また、上記実施の形態等では、本開示における半導体層が薄膜トランジスタのチャネルとして機能する場合を例示したが、回路基板に配設される半導体素子は、薄膜トランジスタに限らず、ダイオード等の他のアクティブ素子であってもよい。例えばバックプレーンとして使用される場合に、層間配線接続を必要とする半導体素子を有する回路基板全般に適用可能である。更に、上記実施の形態等では、互いに異なる層に形成される第1配線層11Bおよび第2配線層14の2つの配線層を電気的に接続した層構造を例示したが、本開示の回路基板は、3つ以上のレイヤーに配線層が設けられてなる層構造についても適用可能である。また、それらのうちの少なくとも2つの配線層が電気的に接続されていればよいが、3つ以上の配線層が互いに電気的に接続されていてもよい。尚、本開示は、以下の1~18に記載したような構成であってもよい。1基板上に設けられた第1の配線層と、前記第1の配線層上に設けられ、開口を有する絶縁膜と、前記第1の配線層上の前記絶縁膜の開口に対向する領域に設けられると共に、前記第1の配線層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御膜と、前記絶縁膜上の選択的な領域に設けられた半導体層と、前記絶縁膜上において前記半導体層と電気的に接続されると共に、前記第1の配線層と前記開口を通じて電気的に接続された第2の配線層とを備えた回路基板。2前記表面エネルギー制御膜は、前記第1の配線層の表面を前記絶縁膜の表面よりも濡れにくくする機能を有する上記に記載の回路基板。3前記表面エネルギー制御膜は、前記第1の配線層および前記絶縁膜の各表面の濡れ性を略均一化させる機能を有する上記に記載の回路基板。4前記基板上に1または複数の薄膜トランジスタが配設され、前記薄膜トランジスタは、チャネル層としての前記半導体層と、前記第1の配線層と同層に設けられると共に、前記絶縁膜を挟んで前記半導体層に対向配置されたゲート電極と、それぞれが、前記第2の配線層の一部として設けられるか、または前記第2の配線層と同層に設けられたソース電極およびドレイン電極とを有する上記~のいずれかに記載の回路基板。5前記半導体層は有機半導体よりなる上記~のいずれかに記載の回路基板。6前記薄膜トランジスタを有するバックプレーンBackplaneである上記またはに記載の回路基板。7基板上に第1の配線層を形成する工程と、前記第1の配線層上に、開口を有する絶縁膜を形成する工程と、前記第1の配線層上の前記絶縁膜の開口に対向する領域に、前記第1の配線層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御膜を形成する工程と、前記表面エネルギー制御膜を形成した後、前記絶縁膜上の選択的な領域に半導体層を形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記半導体層と電気的に接続されると共に、前記開口を通じて前記第1の配線層と電気的に接続された第2の配線層を形成する工程とを含む回路基板の製造方法。8前記表面エネルギー制御膜を、前記第1の配線層の表面が前記絶縁膜の表面よりも濡れにくくなるように機能させる上記に記載の回路基板の製造方法。9前記絶縁膜を形成する工程中または前記絶縁膜を形成した後、前記第1の配線層の表面の前記開口に対向する領域に酸化膜を形成し、前記酸化膜に対してシランカップリング処理を施すことにより、前記表面エネルギー制御膜を形成する上記またはに記載の回路基板の製造方法。10前記絶縁膜を形成する工程において、酸素ガスを用いたドライエッチングによって前記開口を形成しつつ、前記酸化膜を形成する上記~のいずれかに記載の回路基板の製造方法。11前記表面エネルギー制御膜を、前記第1の配線層および前記絶縁膜の各表面の濡れ性が略均一となるように機能させる上記に記載の回路基板の製造方法。12前記半導体層を形成する工程では、有機半導体を前記絶縁膜上の全面に渡って塗布法により成膜した後、パターニングする上記~のいずれかにに記載の回路基板の製造方法。13前記半導体層をレーザーアブレーション法によりパターニングする上記に記載の回路基板の製造方法。14複数の画素を含む表示部と、前記表示部を駆動する回路基板とを備え、前記回路基板は、基板上に設けられた第1の配線層と、前記第1の配線層上に設けられ、開口を有する絶縁膜と、前記第1の配線層上の前記絶縁膜の開口に対向する領域に設けられると共に、前記第1の配線層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御膜と、前記絶縁膜上の選択的な領域に設けられた半導体層と、前記絶縁膜上において前記半導体層と電気的に接続されると共に、前記第1の配線層と前記開口を通じて電気的に接続された第2の配線層とを有する表示装置。15前記回路基板は、前記基板上に1または複数の薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタは、チャネル層としての前記半導体層と、前記第1の配線層と同層に設けられると共に、前記絶縁膜を挟んで前記半導体層に対向配置されたゲート電極と、それぞれが、前記第2の配線層の一部として設けられるか、または前記第2の配線層と同層に設けられたソース電極およびドレイン電極とを有する上記に記載の表示装置。16前記半導体層は有機半導体よりなる上記またはのいずれかにに記載の表示装置。17前記回路基板は、前記薄膜トランジスタを有するバックプレーンBackplaneである上記~のいずれかに記載の表示装置。18複数の画素を含む表示部と、前記表示部を駆動する回路基板と、を有する表示装置を備え、前記回路基板は、基板上に設けられた第1の配線層と、前記第1の配線層上に設けられ、開口を有する絶縁膜と、前記第1の配線層上の前記絶縁膜の開口に対向する領域に設けられると共に、前記第1の配線層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御膜と、前記絶縁膜上の選択的な領域に設けられた半導体層と、前記絶縁膜上において前記半導体層と電気的に接続されると共に、前記第1の配線層と前記開口を通じて電気的に接続された第2の配線層とを有する電子機器。"