"垂直チップスタック内に配置された、上に電子部品を有する複数の熱放散電子チップと、前記チップスタックの裏面に取り付けられた冷却板と、前記チップスタックの前面に取り付けられた、流体キャビティを定めるシリコンキャリアサンドイッチと、前記冷却板、及び前記シリコンキャリアサンドイッチの前記流体キャビティに冷却流体を供給するように構成された入口マニホルドと、前記冷却板、及び前記シリコンキャリアサンドイッチの前記流体キャビティから前記冷却流体を受け取るように構成された出口マニホルドとを備え、前記冷却板、前記シリコンキャリアサンドイッチ、前記入口マニホルド、及び前記出口マニホルドは、前記冷却流体を前記電子部品から電気的に絶縁するような構成及び、寸法にされる、装置。前記シリコンキャリアサンドイッチは互いに接合された上半分及び下半分を含む、請求項1に記載の装置。前記シリコンキャリアサンドイッチが、前記チップスタックからの熱を前記冷却流体内に伝導するように構成された複数のピンフィンを前記流体キャビティ内にさらに備える、請求項2に記載の装置。前記ピンフィンが円形断面を有する、請求項3に記載の装置。前記ピンフィンが液滴形断面を有する、請求項3に記載の装置。前記ピンフィンが均一な列状に配置される、請求項3に記載の装置。前記ピンフィンが互い違いの列状に配置される、請求項3に記載の装置。前記ピンフィンが、100乃至200ミクロンのピッチ及び100乃至200ミクロンの高さを有する、請求項3に記載の装置。前記シリコンキャリアサンドイッチが、前記チップスタックからの熱を前記冷却流体内に伝導するように構成された複数のプレートフィンを前記流体キャビティ内にさらに備える、請求項2に記載の装置。前記シリコンキャリアサンドイッチが、前記垂直チップスタックに隣接する表面を有し、前記装置が、前記シリコンキャリアサンドイッチの、前記垂直チップスタックに隣接する前記表面の上に設けられた再分配配線をさらに備える、請求項2に記載の装置。前記冷却流体を送り込むためのポンプと、前記ポンプ、前記入口マニホルド、及び前記出口マニホルドに連結された、外部シンクへの熱移動により前記冷却流体を冷却するための外部熱交換器とをさらに備える、請求項1に記載の装置。前記シリコンキャリアサンドイッチに取り付けられた少なくとも1つのラミネート構造体と、前記ラミネート構造体内に埋め込まれた少なくとも1つの光学部品とをさらに備える、請求項1に記載の装置。前記シリコンキャリアサンドイッチは、第1のシリコンキャリアサンドイッチを含み、前記冷却板は、第2のシリコンキャリアサンドイッチを含み、前記装置が、前記第1のシリコンキャリアサンドイッチの、前記チップスタックとは反対側の面の上の第1の一連の電気的相互接続と、前記第2のシリコンキャリアサンドイッチの、前記チップスタックとは反対側の面の上の第2の一連の電気的相互接続とをさらに備える、請求項1に記載の装置。電子装置を操作する方法であって、垂直チップスタック内に配置された、上に電子部品を有する複数の熱放散電子チップと、前記チップスタックの裏面に取り付けられた冷却板と、前記チップスタックの前面に取り付けられた、流体キャビティを定めるシリコンキャリアサンドイッチと、前記冷却板及び前記シリコンキャリアサンドイッチの前記流体キャビティと流体連通する入口マニホルドと、前記冷却板及び前記シリコンキャリアサンドイッチの前記流体キャビティからの冷却流体と流体連通する出口マニホルドと、を備え、前記冷却板、前記シリコンキャリアサンドイッチ、前記入口マニホルド、及び前記出口マニホルドは、前記冷却流体を前記電子部品から電気的に絶縁するような構成及び寸法にされた装置を準備することと、冷却された冷却流体を前記入口マニホルドに供給することと、温められた冷却流体を前記出口マニホルドから排出することとを含む方法。電子装置を製造する方法であって、垂直チップスタック内に配置された、上に電子部品を有する複数の熱放散電子チップを準備することと、前記チップスタックの裏面に冷却板を取り付けることと、前記チップスタックの前面に、流体キャビティを定めるシリコンキャリアサンドイッチを取り付けることと、入口マニホルドを、前記冷却板及び前記シリコンキャリアサンドイッチに、前記冷却板及び前記シリコンキャリアサンドイッチの前記流体キャビティと流体連通するように組み付けることと、出口マニホルドを、前記冷却板及び前記シリコンキャリアサンドイッチに、前記冷却板及び前記シリコンキャリアサンドイッチの前記流体キャビティと流体連通するように組み付けることとを含む方法。前記シリコンキャリアサンドイッチの上半分と下半分とを互いに接合して前記シリコンキャリアサンドイッチを形成することをさらに含む、請求項15に記載の方法。前記チップスタックからの熱を冷却流体内に伝導するように構成された複数のピンフィンを前記流体キャビティ内に形成することをさらに含む、請求項16に記載の方法。前記フィンを形成するステップにおいて、前記ピンフィンは、円形断面及び液滴形断面のうちの少なくとも1つを有する、請求項17に記載の方法。前記フィンを形成するステップにおいて、前記ピンフィンは均一な列状に配置される、請求項17に記載の方法。前記フィンを形成するステップにおいて、前記ピンフィンは互い違いの列状に配置される、請求項17に記載の方法。前記フィンを形成するステップにおいて、前記ピンフィンは、100乃至200ミクロンのピッチ、及び100乃至200ミクロンの高さを有する、請求項17に記載の方法。前記チップスタックからの熱を冷却流体内に伝導するように構成された複数のプレートフィンを前記流体キャビティ内に形成することをさらに含む、請求項16に記載の方法。少なくとも1つのラミネート構造体を前記シリコンキャリアサンドイッチに取り付けることと、少なくとも1つの光学部品を前記ラミネート構造体の中に埋め込むこととをさらに含む、請求項15に記載の方法。垂直チップスタック内に配置された、上に電子部品を有する複数の熱放散電子チップと、前記チップスタックの前面に取り付けられた、流体キャビティを定めるシリコンキャリアサンドイッチと、前記シリコンキャリアサンドイッチの前記流体キャビティに冷却流体を供給するように構成された入口マニホルドと、前記シリコンキャリアサンドイッチの前記流体キャビティから前記冷却流体を受け取るように構成された出口マニホルドと、前記シリコンキャリアサンドイッチの、前記チップスタックとは反対側の面の上の第1の一連の電気的相互接続と、前記チップスタックの裏面の上の第2の一連の電気的相互接続とを備え、前記シリコンキャリアサンドイッチ、前記入口マニホルド、及び前記出口マニホルドは、前記冷却流体を前記電子部品から電気的に絶縁するような構成及び寸法にされる、装置。前記シリコンキャリアサンドイッチは、互いに接合された上半分及び下半分と、前記チップスタックからの熱を前記冷却流体内に伝導するように構成された、前記流体キャビティ内の複数のフィンとを含む、請求項24に記載の装置。垂直チップスタックの温度管理に関する従来技術の上記の問題を克服するための、熱除去の方法を提供する。本発明の原理は、対称型シリコンキャリア流体キャビティ及びマイクロチャネル冷却板を組み合せて用いた垂直集積チップスタックの両面熱除去に関する技術を提供する。一態様において、例示的な装置は、垂直チップスタック内に配置された複数の熱放散電子チップを含む。電子チップは、その上に電子部品を有する。さらに、チップスタックの裏面に取り付けられた冷却板、チップスタックの前面に取り付けられた、流体キャビティを定めるシリコンキャリアサンドイッチ、冷却板及びシリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティに冷却流体を供給するように構成された入口マニホルド、並びに、冷却板及びシリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティから冷却流体を受け取るように構成された出口マニホルドが含まれる。冷却板、シリコンキャリアサンドイッチ、入口マニホルド、及び出口マニホルドは、冷却流体を電子部品から電気的に絶縁するような構成及び寸法にされる。別の態様において、電子装置を操作する例示的な方法は、垂直チップスタック内に配置された複数の熱放散電子チップこの電子チップはその上に電子部品を有する、チップスタックの裏面に取り付けられた冷却板、チップスタックの前面に取り付けられた、流体キャビティを定めるシリコンキャリアサンドイッチ、冷却板及びシリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティと流体連通する入口マニホルド、並びに、冷却板及びシリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティからの冷却流体と流体連通する出口マニホルドを含む装置を準備するステップを含む。冷却板、シリコンキャリアサンドイッチ、入口マニホルド、及び出口マニホルドは、冷却流体を電子部品から電気的に絶縁するような構成及び寸法にされる。さらなるステップは、冷却した冷却流体を入口マニホルドに供給すること、及び温められた冷却流体を出口マニホルドから排出することを含む。さらに別の態様において、電子装置を製造する例示的な方法は、垂直チップスタック内に配置された複数の熱放散電子チップこの電子チップはその上に電子部品を有するを準備するステップと、チップスタックの裏面に冷却板を取り付けるステップと、チップスタックの前面に、流体キャビティを定めるシリコンキャリアサンドイッチを取り付けるステップと、入口マニホルドを、冷却板及びシリコンキャリアサンドイッチに、冷却板及びシリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティと流体連通するように組み付けるステップと、出口マニホルドを、冷却板及びシリコンキャリアサンドイッチに、冷却板及びシリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティと流体連通するように組み付けるステップとを含む。さらに別の態様において、例示的な装置は、垂直チップスタック内に配置された複数の熱放散電子チップを含む。電子チップはそのうえに電子部品を有する。さらに、チップスタックの前面に取り付けられた、流体キャビティを定めるシリコンキャリアサンドイッチが含まれる。入口マニホルドは、冷却流体をシリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティに供給するように構成され、出口マニホルドは、シリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティから冷却流体を受け取るように構成される。第1の一連の電気的相互接続が、シリコンキャリアサンドイッチの、チップスタックとは反対側の面上に存在する。第2の一連の電気的相互接続が、チップスタックの裏面上に存在する。シリコンキャリアサンドイッチ、入口マニホルド、及び出口マニホルドは、冷却流体を電子部品から電気的に絶縁するような構成及び寸法にされる。本明細書で用いる場合、動作を推進することは、動作を実行すること、動作を容易にすること、動作を実行する助けとなること、又は動作が実行されるようにすることを含む。本発明のこれら及び他の特徴、態様及び利点は、添付の図面と関連して読まれるべき、以下の本発明の例証的な実施形態の詳しい説明から明らかとなるであろう。本発明の1つ又は複数の実施形態は、上記の技術の長所を、あまり複雑にせずに有利に組み合せて、吸熱体としてシリコンキャリア及び裏面冷却板を用いた両面スタック冷却を提供する。C4制御された崩壊によるチップ接続、ControlledCollapseChipConnectionを通じて送り込まれる誘電体流体を用いた前面冷却が既に提案されている。しかし、これらの冷媒は熱物性が不十分なので、特に高さが低いキャビティ内においては、限られた熱除去能力しか得られず、その結果、もたらされる熱流束容量は低い。水の優れた熱特性を使用することは、電食及びはんだボール間の短絡のため不可能である。本発明の1つ又は複数の実施形態により、対称型シリコンキャリア流体キャビティを用いると、電気的入力部及び出力部I/Oが冷媒から絶縁されるので、水を用いることができる。業界では、これらの電気的相互接続はシリコン貫通ビアTSVと呼ばれる。1つ又は複数の実施形態において、熱的に限定されたチップスタックの熱除去容量を2倍にするために、スタックの両面を、裏面のみの冷却と対比して、熱移動のために考慮に入れる。裏面に、マイクロチャネル冷却板が適用される。これは、対称型シリコンキャリア流体キャビティに接続される。層間冷却に比べて、高い相互接続密度を有する活性層を通して流体を送り込む必要がないので、複雑さは劇的に減少する。100乃至200ミクロンの中程度のピッチ、及び2つのシリコンキャリアの対称的な組み合わせが、許容できる質量流量を伴う十分に大きな流体キャビティをもたらす。同時に、非対称的構成の場合にはマイクロバンプボンディング中に問題を引き起こすシリコンキャリアの歪みが、解消される。その結果、チップスタック設計において、特に層数及び熱流束のレベルにおいて、最少の複雑さで高い自由度がもたらされ、シリコンキャリアの歪みが減少し、パッケージング歩留まりが向上する。さらに、シリコンキャリアへの流体接続は、PCBからではなく裏面冷却器から設けることができる。1つ又は複数の実施形態において、複数の熱放散電子チップが垂直チップスタック内に配置され、画定された流体キャビティ及び電気的に絶縁されたシリコン貫通ビアTSVを含むシリコンキャリアサンドイッチの上に装着される。両面チップスタック冷却は、チップスタックの裏面に取り付けられた冷却板の使用により、並びに、チップスタックの前底部又はパッケージ面に取り付けられたシリコンキャリアサンドイッチにより達成される。入口マニホルドは、冷却板、及びシリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティの両方に冷却流体を供給するように構成され、他方、出口マニホルドは、冷却板、及びシリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティの両方から冷却流体を受け取るように構成される。TSVは、電気信号、電源及び接地の接続が、下層の基板又はパッケージから上のチップスタックまで効果的に形成されるように、しかし、全ての接続がシリコンキャリアサンドイッチ内の冷却流体流から電気的に絶縁されるように、構築される。本発明の別の態様により、シリコンキャリアサンドイッチは、歪み又は反りが無視できる応力が均衡化された対称型サンドイッチを形成するように互いに接合される、上半分及び下半分を含む。本発明のさらに別の態様により、複数のTSVは、流体キャビティ内でピンフィンを形成し、これらはチップスタックからの熱を冷却流体に伝導するように構成される。図3は、両面冷却パッケージの例示的な実施形態の断面図である。図4は、シリコンキャリアボンディング技術の詳細を示す。同様の要素は同じ番号を有する。矢印320は冷媒の流れを示し、矢印322は熱流束を表す。エッチングされたチャネル又はピンフィン構造体325を有する2つのシリコンキャリア324を、薄膜はんだ327で背中合わせに接合して、流体キャビティ316を有する対称型シリコンキャリアサンドイッチ314を形成する。図5から判るように、ピンフィン325又はマイクロチャネル5999は、この図面の平面図で最もよく判るように、冷却流体の通過を可能にする。図4で最も良く判るように、薄膜はんだパターンが絶縁リング401即ち、ある意味で、電気的絶縁でなく流体保全性絶縁であるが、リングは流体がパッドに達するのを防ぎ、従って流体密封をもたらして電気的短絡を防ぐことに留意されたいを形成して、電気的相互接続電気ボンディングパッド403を冷媒に触れないように密封する。これにより、熱輸送流体としての水の使用が可能になる。シリコン貫通ビアTSVこれがピンフィン325を形成するのピッチ範囲は、例えば100乃至200ミクロンであり、TSVの高さは、例えば、側面毎に75乃至150ミクロンである。キャビティ全体の高さは、例えば100乃至200ミクロンとすることができる。1つ又は複数の実施形態において、TSVの高さは、流体圧力を支えることができるキャビティを形成するのに十分な余剰シリコン厚を有するよう、キャビティの高さを超えなければならない。シリコンキャリアサンドイッチ314の対称的配置は、歪みを最少にして、ボールグリッドアレイのボンディング中の歩留まりの向上をもたらす。シリコン又は金属の裏面冷却板302が、熱界面材料TIM306を用いてチップスタック308説明のために4層スタックを示すに装着される。一体型マニホルド304が、前面及び裏面の熱除去キャビティに流体を送る。金属冷却板の場合には熱的不適合による機械的応力を減らすために、弾性ポリマーガスケット310が用いられる。前面の流体入口及び出口は、はんだボールのマイクロC4アレイ387から空間的に隔てられておりて、電食を引き起こすアンダーフィルエポキシ312を通しての水分拡散を防ぐ。この両面冷却板の発想は、垂直集積チップスタックからの熱除去をほぼ2倍にする。アレイ387は、例えば、30乃至100ミクロンのピッチを有することができることに留意されたい。C4アレイ389は、上記の構造体をラミネート391、3999に装着するのに用いられることに留意されたいアレイ389は、例えば、150乃至200ミクロンピッチを有することができる。ラミネート391、3999は、例えば、有機ビルドアップ基板、又はセラミックのシングル若しくはマルチチップモジュールとすることができる。部分391及び部分3999は両方ともラミネートを表し、部分391は配線層であり、部分3999は付加的な配線層である。1つ又は複数の実施形態において、ラミネートは、コアを有する又は有しない多層有機ビルドアップ基板である。付加的なアンダーフィル層312が、ラミネート391、3999と対称型シリコンキャリアサンドイッチ314との間のC4を保護するために施される。これは、対称型シリコンキャリアサンドイッチ314とチップスタック308との間で用いたのと同じアンダーフィル材料312であってもよく、同じでなくてもよい。シリコンキャリアサンドイッチの底部ラミネート側の大ピッチの電気的接続を、シリコンキャリアサンドイッチの上部垂直チップスタックの側の小ピッチの電気的接続に変換するために、1つ又は複数の再分配配線層397が、シリコンキャリアサンドイッチの、垂直チップスタック308に隣接する面上に設けられることに留意されたい。図5は、TSVと適合する例示的な流体キャビティ構造を示す。これらは、506,508に示すような円形ピンフィンの2つの異なる配置、並びに、510に示すような液滴型ピンフィンを含む。他の型式の構造は、504におけるような、マイクロチャネル5999を形成する従来のプレートフィン5997、及び、512におけるような、粗面マイクロチャネルを形成する接続されたピンフィンを含む。502におけるように、フィンを有さない開放チャンバを少なくとも部分的に用いることもでき、これは、熱移動及びIO数を犠牲にして冷却流体の圧力低下を小さくする。さらに、この場合には、機械的補強ピンの数が減るので、機械的完全性を慎重に考慮する必要がある。図6は、図3に類似するが、埋め込まれた光通信部を有する、別の例示的な両面冷却パッケージの断面図を示す。図3及び図4の要素と類似の要素には同じ参照符号を付し、再び説明することはしない。パッケージ上on-packageシリコンフォトニクス及び埋込み光学的パッケージ外off-package通信部などの埋込み光学技術は、温度上昇及びその変動に敏感である。両面冷却は、チップスタック内の絶対温度並びに温度変動及び勾配を著しく減少させる。さらに、シリコンキャリアは、埋込み導波管691を備えた垂直キャビティ面発光レーザVCSEL693のための熱接地面として機能することができる。当業者であれば、ウェハ貫通ビアの形成に詳しく、本明細書の教示が与えられれば、ウェハ貫通ビア技術を用いて本発明の1つ又は複数の実施形態を作成することができるであろうことに留意されたい。しかし、慎重を期して、2008年11月6日に公開されたAndry他によるThrough-WaferViasと題する、同一出願人に譲渡された特許文献1の完全な開示が、全ての目的のためにその全体が引用により本明細書に明示的に組み入れられ、2005年6月9日に公開されたEdelstein他によるSiliconchipcarrierwithconductivethrough-viasandmethodforfabricatingsameと題する、同一出願人に譲渡された特許文献2の完全な開示が、全ての目的のために引用によりその全体が本明細書に明示的に組み入れられ、2009年2月10日に発行されたAndry他によるConductiveThroughViaProcessforElectronicDeviceCarriersと題する、同一出願人に譲渡された特許文献3の完全な開示が、全ての目的のためにその全体が引用により本明細書に明示的に組み入れられる。本発明の1つ又は複数の実施形態は、冷却流体と電気的入力及び出力との間に接触がないので、有利なことに冷却流体としての水の使用を可能にするので、実施形態は誘電体冷却に限定されない。水は、ポンプ3003によって供給することができ、シリコン流体キャビティ及びマイクロチャネル冷却板を通過したときに得た熱を捨てるために外部熱交換器3001を経て送ることができる。本発明の1つ又は複数の実施形態は、有利なことにチップスタックからの熱を伝導する固体TSVの使用を可能にする。これらTSVは、流体キャビティ316内でピンフィンとして機能し、それら自体は冷却流体の導管として機能する必要はない。チップスタックは様々な既知の技術を用いて作成することができる。少なくとも幾つかの場合には、隣り合うチップの間に流体搬送構造体を挿入する必要はない。さらに、1つ又は複数の実施形態の別の利点は、シリコンキャリアサンドイッチによる、反りの低減である。多様な代替案が可能である。図7-図10は、種々の代替的実施形態の断面図を示す。同様の要素には同じ参照符号を付した。図7は、図3及び図6に類似の、片側入力/出力を伴う両面熱除去を示す。図8は、両側入力/出力を伴う両面熱除去を示す。ここでは、裏面冷却板自体が例えば、シリコンキャリアサンドイッチである。図9は、両側入力/出力を伴う片面熱除去を示す。これには、裏面冷却板がなく、例えば、別々の入口及び出口マニホルドを用いることができる。裏面には、要素389に類似の要素989、ビア9888、及び、例えば前述のラミネート391、3999に類似のものとすることができるラミネート991、9999があることに留意されたい。他の図面について説明したのと類似の方式で、他の要素を構築して配置することができる。図10は、両側入力/出力を伴う両面熱除去を示す。ここでもまた、裏面冷却板自体が例えば、シリコンキャリアサンドイッチである。これまでの考察を前提として、一般的に言えば、本発明の態様による例示的な装置は、垂直チップスタック308内に配置された複数の熱放散電子チップを含むことが理解されるであろう。電子チップは、その上に電子部品を有する。冷却板302が、チップスタック308の裏面に取り付けられる。冷却板302は、例えば、金属又はシリコン冷却板とすることができ、幾つかの場合には、それ自体をシリコンキャリアサンドイッチとして実現することができる。シリコンキャリアサンドイッチ314は、流体キャビティ316を定め、チップスタック308の前面に取り付けられる。入口マニホルド例えば、マニホルド304の左側は、冷却板302、及びシリコンキャリアサンドイッチ314の流体キャビティ316に冷却流体を供給するように構成される。出口マニホルド例えば、マニホルド304の右側は、冷却板302、及びシリコンキャリアサンドイッチ314の流体キャビティ316から冷却流体を受け取るように構成される。冷却板302、シリコンキャリアサンドイッチ314、入口マニホルド、及び出口マニホルド例えば、一体型マニホルド304は、冷却流体を電子部品から電気的に絶縁するような構成及び寸法にされる例えば、図4に示すように。好ましくは、シリコンキャリアサンドイッチ314は、互いに接合された例えば、はんだ327で上半分及び下半分324を有し、幾つかの場合には、シリコンキャリアサンドイッチは、流体キャビティ316内に複数のピンフィンをさらに含み、これらのピンフィン325は、随意にシリコン貫通ビアを含むことができる。ピンフィンは、チップスタック308からの熱を冷却流体内に伝導する矢印322参照ように構成される。図5から判るように、ピンフィンは、506、508におけるように円形断面を有することができ、又は、ピンフィンは、510におけるように液滴形断面を有することができる。508から判るように、ピンフィンは均一な列状に配置することができ、他の場合には、506から判るように、ピンフィンは互い違いの列状に配置することができる。一例として、非限定的に、ピンフィンは約100乃至200ミクロンのピッチ、及び約100乃至200ミクロンの高さを有することができる。他の場合において、シリコンキャリアサンドイッチ314は、504及び512から判るように、チップスタックからの熱を冷却流体内に伝導するように構成された、複数のプレートフィンを流体キャビティ内にさらに含む。上述のように、ポンプ3003を設けて冷却流体を送り込むことができ、外部熱交換器3001をポンプ、入口マニホルド、及び出口マニホルドに連結して、外部シンク例えば、周囲空気、別の液体などへの熱移動によって冷却流体を冷却することができる。幾つかの場合において、少なくとも1つのラミネート構造体391、3999がシリコンキャリアサンドイッチ314に取り付けられる。ラミネート構造体391はさらに、その後でBGA又はLGAアレイを用いてより大きな回路基板に取り付けられる、第1レベルのパッケージ基板とすることができる。これは、以下で論じるように、要素391をC4アレイ389でサンドイッチ314に取り付け、次にこのサンドイッチ314をマイクロC4はんだボール387でスタック308の前面に取り付けることによって行うことができる。幾つかの場合には、少なくとも1つの光学部品がラミネート構造体内に埋め込まれる例えば、埋込み導波管691を備えた垂直キャビティ面発光レーザVCSEL693の考察を参照されたい。さらに、これまでの考察を前提として、一般的に言えば、本発明の別の態様による、電子装置を製造する例示的な方法は、垂直チップスタック308内に配置される複数の熱放散電子チップを準備することを含むことが理解されるであろう。電子チップは、その上に電子部品を有する。付加的なステップは、冷却板302をチップスタック308の裏面に取り付けることを含む。さらなるステップは、流体キャビティ316を定めるシリコンキャリアサンドイッチ314をチップスタック308の前面に取り付けることを含む。付加的なステップは、入口マニホルド例えば、304の左側を、冷却板302及びシリコンキャリアサンドイッチ314に、冷却板及びシリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティ316と流体連通するように組み付けること、並びに、出口マニホルド例えば、304の右側を、冷却板及びシリコンキャリアサンドイッチに、冷却板及びシリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティと流体連通するように組み付けることを含む。単一のマニホルド304を用いる場合、これら2つの組み付けステップは通常同時に行われる。さらなるステップは、シリコンキャリアサンドイッチの上半分と下半分324とを互いに接合してシリコンキャリアサンドイッチを形成する例えば、はんだ又は他の導電性接着材料327を用いてことを含むことができる。さらなるステップは、複数のシリコン貫通ビアを、チップスタック308からの熱を矢印322のように冷却流体内に伝導するように構成されたピンフィン325として、流体キャビティ316内に形成することを含むことができる。例えば、説明したピンフィンの構成及び寸法のいずれをも用いることができる。他の場合には、付加的なステップは、チップスタックからの熱を冷却流体内に伝導するように構成された複数のプレートフィン例えば、504、512参照を流体キャビティ316内に形成することを含む。幾つかの場合において、付加的なステップは、少なくとも1つのラミネート構造体391、3999をシリコンキャリアサンドイッチ314に取り付けることを含む。図面における非限定的な例に示すように、これは、要素391を、C4アレイ389でサンドイッチ314に取り付け、次にこのサンドイッチ314をマイクロC4はんだボール387でスタック308の前面に取り付けることによって行うことができる。図6で最も良く判るように、付加的なステップは、少なくとも1つの光学部品をシリコンキャリアサンドイッチ内に埋め込むことを含むことができる。さらにまた、これまでの考察を前提として、一般的に言えば、本発明の別の態様による、電子装置を操作する例示的な方法は、説明した種類の装置を準備すること、冷却された冷却流体を入口マニホルドに供給すること、及び、温められた冷却流体を出口マニホルドから排出することを含むことが理解されるであろう。さらに別の態様において、図9を再び参照すると、例示的な装置は、垂直チップスタック308内に配置された複数の熱放散電子チップを含む。電子チップは、その上に電子部品を有する。さらに、チップスタック308の前面に取り付けられた、流体キャビティ316を定めるシリコンキャリアサンドイッチ314が含まれる。入口マニホルド304の左側は、シリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティに冷却流体を供給するように構成され、出口マニホルド304の右側は、シリコンキャリアサンドイッチの流体キャビティから冷却流体を受け取るように構成される。第1の一連の電気的相互接続389が、シリコンキャリアサンドイッチの、チップスタック308とは反対側の面上に存在する。第2の一連の電気的接続989が、チップスタック308の裏面上に存在する。シリコンキャリアサンドイッチ314、入口マニホルド304の左側、及び出口マニホルド304の右側は、冷却流体を電子部品から電気的に絶縁するような構成及び寸法にされる。幾つかの実施形態において、シリコンキャリアサンドイッチ314は、図4におけるように、互いに接合された上半分及び下半分、並びに、チップスタックからの熱を冷却流体内に伝導するように構成された、流体キャビティ内の複数のフィンを含む。本明細書で説明した異なる種類のフィンのいずれをも用いることができる。さらに別の態様において、図10を再び参照すると、両側電気入力-出力を伴う両面熱除去もまた可能である。ここでは、シリコンキャリアサンドイッチ314が第1のシリコンキャリアサンドイッチであり、冷却板302が第2のシリコンキャリアサンドイッチである。第1の一連の電気的相互接続389が、第1のシリコンキャリアサンドイッチの、チップスタックとは反対側の面上に存在する。第2の一連の電気的相互接続1089が、第2のシリコンキャリアサンドイッチの、チップスタックとは反対側の面上に存在する。本明細書で用いる用語は、特定の実施形態を説明するためだけのものであり、本発明の限定を意図したものではない。本明細書で用いる場合、単数形1つのa、1つのan及びそのtheは、文脈が明白にそうでないことを示さないかぎり、複数形を同様に含むことを意図したものである。さらに、用語含むcomprises及び/又は含んでいるcomprisingは、本明細書で用いる場合、記述された特徴、整数、ステップ、操作、要素、及び/又は構成要素の存在を指定するが、1つ又は複数の他の特徴、整数、ステップ、操作、要素、構成要素、及び/又はそれらの群の存在又は付加を排除するものではないことが理解されよう。添付の特許請求の範囲における全ての手段又はステップと機能との組合せミーンズ又はステッププラスファンクション要素の対応する構造、材料、動作、及び等価物は、その機能を、明確に特許請求される他の特許請求された要素との組合せで実行するためのあらゆる構造、材料、又は動作を含むことが意図されている。本発明の説明は、例証及び説明を目的として提示したものであり、網羅的であること、又は本発明を開示した形態に限定することを意図したものではない。本発明の範囲及び趣旨から逸脱しない多くの修正及び改変が当業者には明らかとなるであろう。実施形態は、本発明の原理及び実際的用途を最も良く説明するために、そして、当業者が、企図した特定の用途に適した種々の修正を伴う種々の実施形態に関して本発明を理解できるように選択され、説明された。"