"直流電源と負荷との間に制御回路により制御されるスイッチ用の第1のFET電界効果トランジスタが接続されて成る電源装置に対し、前記第1のFETの端子間電圧に比例した比例電流を生成する電流変換回路と、容量素子を含む一次遅れ回路として構成され、該比例電流が流されるよう該電流変換回路に直列接続され、その接続点の電圧を過電流検出用電圧として用いるようにした過電流検出用電圧発生回路と、該過電流検出用電圧と比較基準電圧とを比較して過電流検出信号を生成し、前記制御回路へ入力する過電流検出回路とを付加すると共に、該過電流検出信号が入力されて来たとき前記第1のFETをオフして過電流保護をする構成を前記制御回路内に設けたことを特徴とする過電流保護電源装置。過電流検出用電圧発生回路が、容量素子と第2の抵抗との並列接続体と、該並列接続体に直列接続された第3の抵抗と、該並列接続体と第3の抵抗との直列接続体に並列接続された第4の抵抗とにより構成されていることを特徴とする請求項1記載の過電流保護電源装置。直流電源と負荷との間に制御回路により制御されるスイッチ用の第1のFET電界効果トランジスタが接続されて成る電源装置に対し、前記第1のFETの端子間電圧に比例した比例電流を生成する電流変換回路と、第5の抵抗で構成される第1過電流検出用電圧発生回路と、容量素子を含む一次遅れ回路として構成される第2過電流検出用電圧発生回路と、前記比例電流が流されるよう前記電流変換回路に直列接続する回路を、当初は前記第1過電流検出用電圧発生回路に、次には前記第2過電流検出用電圧発生回路にと交互に切り替える切替回路であって、前記電流変換回路との接続点の電圧が過電流検出用電圧として用いられるようにされた切替回路と、該過電流検出用電圧と比較基準電圧とを比較して過電流検出信号を生成し、前記制御回路へ入力する過電流検出回路とを付加すると共に、該過電流検出信号の入力状況に応じて前記第1過電流検出用電圧発生回路,前記第2過電流検出用電圧発生回路の切り替えを行って過電流の種類を判別する過電流種類判別回路を前記制御回路内に設け、過電流の種類によって異なる保護動作をするようにしたことを特徴とする過電流保護電源装置。第2過電流検出用電圧発生回路が、容量素子と第2の抵抗との並列接続体と、該並列接続体に直列接続された第3の抵抗と、該並列接続体と第3の抵抗との直列接続体に並列接続された第4の抵抗とにより構成されていることを特徴とする請求項3記載の過電流保護電源装置。切替回路が、第1過電流検出用電圧発生回路に直列接続された第3のFETと、第2過電流検出用電圧発生回路に直列接続された第4のFETと、過電流種類判別回路からLレベルの信号が入力されると第3のFETがオン、第4のFETがオフし、Hレベルの信号が入力されると第3のFETがオフ、第4のFETがオンする回路とにより構成されていることを特徴とする請求項3または4記載の過電流保護電源装置。過電流種類判別回路が、過電流検出のHレベル信号の入力より第1の所定時間はHレベル信号を出力するタイマ部と、過電流検出のHレベル信号の入力が第2の所定時間継続した場合Hレベル信号を出力するディジタルフィルタ部と、タイマ部の出力がHレベルからLレベルになってから、第3の所定時間内に過電流検出のHレベル信号が発生する毎にカウントアップし、カウントが所定回数Nに達すればHレベル信号を出力し、該時間内に入力が無い場合はリセットされるカウンタ部と、一方の入力端子に過電流検出信号が入力され、他方の入力端子は前記タイマ部の出力端子と接続された第1のOR回路と、一方の入力端子は前記タイマ部の出力端子と接続され、他方の入力端子は前記ディジタルフィルタ部の出力端子と接続されたAND回路と、一方の入力端子は該AND回路の出力端子と接続され、他方の入力端子は前記カウンタ部の出力端子と接続された第2のOR回路とにより構成され、該第2のOR回路から出力されるHレベル信号は第1のFETをオフするのに使用し、前記第1のOR回路から出力される信号は切替回路の切り替えに使用するようにしたことを特徴とする請求項3,4または5記載の過電流保護電源装置。前記した従来の技術では、スイッチ用のFET12の温度を検出して保護動作をする回路と、デッドショート時に流れるような大電流を制限する電流制限回路との2種類の保護回路を設けなければならず、部品コストが大になるという問題点があった。本発明は、このような問題点を解決することを課題とするものである。前記課題を解決するため、本願で提案する第1の発明の過電流保護電源装置では、直流電源と負荷との間に制御回路により制御されるスイッチ用の第1のFET電界効果トランジスタが接続されて成る電源装置に対し、前記第1のFETの端子間電圧に比例した比例電流を生成する電流変換回路と、容量素子を含む一次遅れ回路として構成され、該比例電流が流されるよう該電流変換回路に直列接続され、その接続点の電圧を過電流検出用電圧として用いるようにした過電流検出用電圧発生回路と、該過電流検出用電圧と比較基準電圧とを比較して過電流検出信号を生成し、前記制御回路へ入力する過電流検出回路とを付加すると共に、該過電流検出信号が入力されて来たとき前記第1のFETをオフして過電流保護をする構成を前記制御回路内に設けることとした。上記の過電流検出用電圧発生回路は、容量素子と第2の抵抗との並列接続体と、該並列接続体に直列接続された第3の抵抗と、該並列接続体と第3の抵抗との直列接続体に並列接続された第4の抵抗とにより構成することが出来る。本願で提案する第2の発明の過電流保護電源装置では、直流電源と負荷との間に制御回路により制御されるスイッチ用の第1のFETが接続されて成る電源装置に対し、前記第1のFETの端子間電圧に比例した比例電流を生成する電流変換回路と、第5の抵抗で構成される第1過電流検出用電圧発生回路と、容量素子を含む一次遅れ回路として構成される第2過電流検出用電圧発生回路と、前記比例電流が流されるよう前記電流変換回路に直列接続する回路を、当初は前記第1過電流検出用電圧発生回路に、次には前記第2過電流検出用電圧発生回路にと交互に切り替える切替回路であって、前記電流変換回路との接続点の電圧が過電流検出用電圧として用いられるようにされた切替回路と、該過電流検出用電圧と比較基準電圧とを比較して過電流検出信号を生成し、前記制御回路へ入力する過電流検出回路とを付加すると共に、該過電流検出信号の入力状況に応じて前記第1過電流検出用電圧発生回路,前記第2過電流検出用電圧発生回路の切り替えを行って過電流の種類を判別する過電流種類判別回路を前記制御回路内に設け、過電流の種類によって異なる保護動作をすることとした。上記の第2過電流検出用電圧発生回路は、容量素子と第2の抵抗との並列接続体と、該並列接続体に直列接続された第3の抵抗と、該並列接続体と第3の抵抗との直列接続体に並列接続された第4の抵抗とにより構成することが出来る。上記の切替回路は、第1過電流検出用電圧発生回路に直列接続された第3のFETと、第2過電流検出用電圧発生回路に直列接続された第4のFETと、過電流種類判別回路からLレベルの信号が入力されると第3のFETがオンし、第4のFETがオフするように制御し、Hレベルの信号が入力されると第3のFETがオフし、第4のFETがオンするように制御する回路とにより構成することが出来る。更に上記の過電流種類判別回路は、過電流検出のHレベル信号の入力より第1の所定時間はHレベル信号を出力するタイマ部と、過電流検出のHレベル信号の入力が第2の所定時間継続した場合Hレベル信号を出力するディジタルフィルタ部と、タイマ部の出力がHレベルからLレベルになってから、第3の所定時間内に過電流検出のHレベル信号が発生する毎にカウントアップし、カウントが所定回数Nに達すればHレベル信号を出力し、該時間内に入力が無い場合はリセットされるカウンタ部と、一方の入力端子に過電流検出信号が入力され、他方の入力端子は前記タイマ部の出力端子と接続された第1のOR回路と、一方の入力端子は前記タイマ部の出力端子と接続され、他方の入力端子は前記ディジタルフィルタ部の出力端子と接続されたAND回路と、一方の入力端子は該AND回路の出力端子と接続され、他方の入力端子は前記カウンタ部の出力端子と接続された第2のOR回路とにより構成され、該第2のOR回路から出力されるHレベル信号は第1のFETをオフするのに使用し、前記第1のOR回路から出力される信号は切替回路の切り替えに使用するようにすることが出来る。本発明の過電流保護電源装置によれば、1種類の保護回路で、通常の小規模の過電流に対する保護は勿論、デッドショート時のような大規模の過電流に対しても保護を行うことが出来るようになり、部品コストを低減することが出来るようになった。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態を示す図である。図1において、1は過電流保護電源装置、2はスイッチ部、3は制御回路、4は電流変換回路、5は過電流検出回路、6は過電流検出用電圧発生回路、11は直流電源、12はFET、13は配線、14は負荷、20はスイッチ、21は抵抗、40は抵抗、41はオペアンプ、42はFET、50はコンパレータ、51は比較基準電源、60~62は抵抗、63は容量素子、VSは過電流検出用電圧である。まず過電流保護電源装置1の概要を説明する。直流電源11とFET12と負荷14はこの順に直列接続され、電力供給の主回路を形成している。電流変換回路4は、FET12のドレインソース間電圧VDSに比例した電流Iを発生させる回路である。過電流検出用電圧発生回路6は、電圧VDSに比例した電流Iを基に、過電流検出用電圧VSを発生させる回路である。過電流検出回路5は、過電流になったかどうかを判定する回路である。制御回路3は、スイッチ部2あるいは過電流検出回路5からの信号を受けて、FET12をオンしたりオフしたりする信号を生成し、その信号でFET12を制御する回路である。次に、各回路について詳細に説明する。電力供給の主回路中のFET12は、スイッチ用として用いられている。FET12と負荷14との直列接続体に対して並列に、電流変換回路4と過電流検出用電圧発生回路6との直列接続回路が接続される。電流変換回路4は、抵抗40とFET42の直列接続体とオペアンプ41とで構成される。該直列接続体の抵抗40側の端部は直流電源11とFET12との接続点に接続され、該直列接続体のFET42側の端部は過電流検出用電圧発生回路6に接続される。オペアンプ41の反転入力端子は抵抗40とFET42との接続点図1中のA点に接続され、非反転入力端子はスイッチ用FET12と負荷14との接続点図1中のB点に接続され、出力端子はFET42のゲートに接続される。オペアンプ41は、点A,Bの電圧VA,VBが等しくなるようFET42を制御する。その結果、抵抗40における電圧降下はFET12における電圧降下VDSと等しくなる。抵抗40の抵抗値をR40とし、FET42を流れる電流ドレインソースを流れる電流をIとした場合、次式が成り立つ。R40×I=VDS...1故にI=VDS/R40...2即ち、電流Iは、電圧VDSに比例した電流となっている。この電流Iが過電流検出用電圧発生回路6へ供給される。なお、FET12のオン抵抗をRONとし、FET12を流れる電流ドレイン電流をIDとすると、次式が成り立つ。VDS=RON×ID...323式より、IはIDに比例したものであることも分かる。過電流検出用電圧発生回路6は、抵抗と容量素子例えばコンデンサとから成る一次遅れ回路で構成される。図示した例では、抵抗62と容量素子63との並列接続体に抵抗61が直列接続され、その直列接続体に抵抗60が並列接続された構成とされている。そして、抵抗60と抵抗61との接続点が電流変換回路4に接続されている。本発明では、過電流検出用電圧発生回路6の両端間に生ずる電圧を、過電流検出電圧として利用する。その電圧は、電流変換回路4と過電流検出用電圧発生回路6との接続点をSとすると、S点の電圧VSとして現れる。FET12を流れる電流IDが増大すれば電圧VDSが増大し、それに比例して電流Iも増大する。電圧VSは、その電流Iを抵抗と容量素子とから成る回路である過電流検出用電圧発生回路6に流した時に、該回路の両端間に生ずる電圧降下であるから、電流Iが増大すれば増大する。従って電圧VSは、過電流検出電圧として利用し得る。過電流事故が生じたという場合、電流は急激に増大する。従って、電流はステップ関数的に増大すると言うことが出来る。そこで、ステップ関数的に増大する電流Iが、過電流検出用電圧発生回路6に流れたときに生ぜしめられる過電流検出用電圧VSを求めると、次式の如くになる。VS=RTH{1-exp-t/τ}K×I...4但し、tはステップ関数的な電流Iが与えられてから過電流事故発生からの時間であり、τは過電流検出用電圧発生回路6の時定数である。抵抗60,61,62の抵抗値をそれぞれR60,R61,R62とし、容量素子63の容量をC63とすると、τ,RT,H,Kはそれぞれ次の通りである。τ=C63×R62R60R61/R60R61R62...5RT=R61R62R60/R60R61R62...6RTは容量素子C63を切り離した状態にした時の合成抵抗H=R60×R62/R61R62R60R61...7K=R61R60R61R62/R61R62R60R61...8そして、HとKの和を取ってみれば分かるように、両者の間には次の関係がある。HK=1...9過電流検出回路5は、コンパレータ50と比較基準電源51とで構成される。コンパレータ50の反転入力端子には比較基準電源51の電圧V51が入力され、非反転入力端子には過電流検出用電圧VSが入力される。コンパレータ50の出力は制御回路3に入力される。VS>V51となった時、コンパレータ50からHレベルの出力が出される。これが、過電流検出信号である。スイッチ部2は、電源の投入,停止FET12のオン,オフをするスイッチ信号を発生する部分であり、例えばスイッチ20と抵抗21とが直列接続されて構成される。スイッチ20をオンするとHレベルの信号が制御回路3へ入力される。制御回路3は、スイッチ部2あるいは過電流検出回路5から入力されて来る信号に基づき、電源の投入,停止を制御する信号を生成し、FET12を駆動するに適した形に加工して、FET12のゲートに供給する。過電流検出用電圧発生回路6の回路定数の設定大きな過電流の場合、FET12が所定温度まで上昇するのを待って過電流保護動作を行っていたのでは、手遅れになるので、本発明では過電流検出用電圧VSが所定値V51まで増大したのを検出して、過電流保護を行うこととしている。では、VSが所定値V51まで増大することを、温度が所定温度まで上昇するのよりも早くすることが出来るのかという点が問題になるが、以下に述べるように、発明者が得た知見に基づき回路を構成し、回路定数を設定することにより、早くすることが可能となる。過電流が流れ始めた時をt=0とし、電流がほぼ増大し終えた時をt=∞とすると、それぞれの時の過電流検出用電圧発生回路6の等価回路は、図4に示すようになる。図41はt=0の時の等価回路である。過電流事故発生により電流が急増した時は、過電流検出用電圧発生回路6の容量素子63は直流的には短絡状態となるから、抵抗62を短絡し、等価回路は抵抗61と抵抗60との並列回路となる。説明の便宜上、この等価回路を容量素子短絡状態等価回路と言うことにする。この回路の合成抵抗をR0とすると、R0は次式のようになる。R0=R60×R61/R60R61...10図42はt=∞の時の等価回路である。この時は、容量素子63の充電は充分になされ、過電流検出用電圧発生回路6の容量素子63は直流的には回路から除去された状態となるから、等価回路は抵抗61,62の直列接続体と抵抗60との並列回路となる。この等価回路を説明の便宜上、容量素子除去状態等価回路と言うことにする。この回路の合成抵抗をR∞とすると、R∞は次式のようになる。R∞=R60R61R62/R60R61R62...11また、当初t=0の時の過電流検出用電圧VSをVS0とおき、上昇し終えた時t=∞の時に到達する過電流検出用電圧VSをVS∞とおき、VS∞に対するVS0の比を検出電圧当初到達比と名付けその値をXとすれば、Xは次式で表されるなおXは上記のような比の値であるから、Xの最大値は1。X=VS0/VS∞=R0×I/R∞×I=R0/R∞=R61R60R61R62/R60R61R61R62...12そして、検出電圧当初到達比Xをいろいろに変えて例えば、0.713、0.8、0.85、0.9等にシミュレーションした結果、Xを大にする程、FET12の温度上昇具合に比べて、過電流検出用電圧VSの立上りが早くなるという重要な事実があることが判明した。このことは、Xが大になるよう過電流検出用電圧発生回路6の回路定数を設定することにより、FET12の温度が所定温度に達するのよりも早くVSをV51に到達せしめ、過電流を検知することが出来ることを意味している。この知見を基に、Xを大に設定することにより、通常の過電流は勿論、デッドショート時のような大きな過電流が流れた時も、FET12が熱破壊される前にFET12をオフすることが可能となる。ただ、検出電圧当初到達比Xをあまり大にすると、電源投入のためにFET12がオンされた時に流れる正常な突入電流に対しても、VSが比較基準電圧V51より大となる程に大きな値となってしまう。そのため、過電流が流れたと誤判定して、過電流保護動作FET12オフをしてしまう恐れがある。従って、検出電圧当初到達比Xの設定は、電源投入時の突入電流によっては保護動作をしないよう、注意深く行う必要がある。正常時の動作最初スイッチ20をオンすると、制御回路3はFET12をオンする信号を生成し、FET12へ送出する。FET12がオンされると、直流電源11から負荷14への電力の供給が開始される。FET12を流れる電流IDが正常範囲であれば、電圧VDSも大にはならず、電流変換回路4で生成される電流Iも小である。そのため、過電流検出用電圧発生回路6で発生される電圧VSは、過電流検出回路5の比較基準電源51の電圧V51より小であり、過電流検出回路5の出力はLレベル信号である。Lレベル信号が入力された制御回路3は、FET12をオフする信号を生成することはなく、FET12のオンは継続される。電力供給を終了したい時には、再度スイッチ20をオンする。すると制御回路3は、FET12をオフする信号を生成し、FET12をオフする。過電流時の動作過電流時の動作の概要は次の通りである。FET12の電流IDが過電流になると、電圧VDSは増大し、電流変換回路4で生成される電流Iもそれに比例して増大する。そのため、過電流検出用電圧発生回路6で発生される過電流検出用電圧VSも増大し、比較基準電源51の電圧V51より大となり、過電流検出回路5の出力はHレベル信号となる。Hレベル信号が入力された制御回路3は、FET12をオフする信号を生成し、FET12をオフして過電流保護をする。過電流時の動作の詳細は、次の通りである。過電流になり電流IDが急増すると、電圧VDSや電流Iもステップ関数的に急増する。すると、過電流検出用電圧発生回路6の容量素子63は瞬間的に短絡状態となる。その時の過電流検出用電圧発生回路6は、図41に示す如き回路と等価になる容量素子短絡状態等価回路。この瞬間の過電流検出用電圧VSは、図41の回路にIが流れた時に生ずる電圧降下であるから、次式のようになる10式参照。VS={R60×R61/R60R61}×I...13これは4式にt=0を代入した時に得られるVSと一致している。一方、電流Iのステップ関数的急増の後、時間が充分に経過したとすると、過電流検出用電圧発生回路6は、図42示す如き回路と等価になる容量素子除去状態等価回路。このときの過電流検出用電圧VSは、図42の回路にIが流れた時生ずる電圧降下であるから、次式のようになる11式参照。VS={R60R61R62/R60R61R62}×I...14これは4式にt=∞を代入した時に得られるVSと一致している。つまり、過電流検出用電圧VSの値は、時間の経過と共に13式の値から14式の値に向かって変化して行く。その途中で、VSが比較基準電源51の電圧V51より大となった時、過電流検出回路5からHレベル信号の過電流検出信号が出され、FET12がオフされる。従って、デッドショート時のような大電流が流れた時でも、FET12が熱破壊されるに至るより早くVS>V51となるよう、X値等を考慮して回路定数を設定しておけば、従来例の電流制限回路130のような保護回路を別に設ける必要はなく、1種類の過電流保護回路で済む。第2の実施形態図2は、本発明の第2の実施形態を示す図である。符号は図1のものに対応し、7は切替回路、8は第1過電流検出用電圧発生回路、9は第2過電流検出用電圧発生回路、30は過電流種類判別回路、31はタイマ部、32はディジタルフィルタ部、33はカウンタ部、34はOR回路、35はAND回路、36はOR回路、70,71は抵抗、72,73はFET、74は反転回路、75,76はFET、80は抵抗である。第2過電流検出用電圧発生回路9の構成は、図1の過電流検出用電圧発生回路6の構成と同様である。説明の便宜上、名称を変えただけである。第2の実施形態は、過電流が検出された場合、過電流を次の3つの種類に判別し、それぞれに応じて保護の仕方を変えるようにしたものである。1デッドショート時のような大きな過電流以下大過電流というが流れた場合には、速やかにFET12をオフして過電流保護を行う。2大過電流ほどに大きくはない通常の過電流以下小過電流というが長時間流れる場合には、所定時間流れたところでFET12をオフする。3小過電流が短時間だけ流れた場合には、保護動作をしない。電源投入時の突入電流は短時間しか流れないから、この種類に入る。まず過電流保護電源装置1の構成の概要を説明する。図1の第1の実施形態と共通する構成についての説明は、省略ないしは簡単に済ます。図1の第1の実施形態では、電流変換回路4に対して過電流検出用電圧発生回路6を直列接続していた。しかし第2の実施形態では、電流変換回路4に直列接続する回路を、切替回路7により、第1過電流検出用電圧発生回路8か、または第2過電流検出用電圧発生回路9図1の過電流検出用電圧発生回路6に相当かに切り替えるようにしている。第1過電流検出用電圧発生回路8または第2過電流検出用電圧発生回路9の両端間に生ずる電圧降下その電圧は電流変換回路4と切替回路7との接続点Sに現れるを、過電流検出用電圧VSとし、これが過電流検出回路5に入力されるよう構成される。過電流検出回路5の出力は制御回路3に入力され、過電流種類判別回路30により過電流の種類が判別され、種類に応じてFET12を制御する出力や切替回路7を制御する出力が出されるよう構成されている。次に各回路について詳細に説明する。第1過電流検出用電圧発生回路8は抵抗80で構成され、第2過電流検出用電圧発生回路9は図1の過電流検出用電圧発生回路6と同様に構成される。切替回路7は、抵抗70,71、FET72,73、反転回路74、FET75,76で構成される。FET75,76は切替スイッチの役割を果たすFETであり、FET76は電流変換回路4と第1過電流検出用電圧発生回路8との間に接続され、FET75は電流変換回路4と第2過電流検出用電圧発生回路9との間に接続される。FET72はFET75のゲートとアース間に接続され、FET73はFET76のゲートとアース間に接続される。反転回路74の入力端子はFET72のゲートに接続され、反転回路74の出力端子はFET73のゲートに接続される。抵抗70,71は直流電源11より動作電圧を導くための抵抗である。切替回路7の切替動作を制御する制御回路3からの信号は、FET72のゲート及び反転回路74の入力端子に入力される。制御回路3内には、過電流種類判別回路30が設けられる。過電流種類判別回路30は、発生した過電流が大過電流か小過電流か、あるいはまた小過電流でも短時間だけ流れたものか長時間流れているものかを判別する回路である。なお、本発明では、生成される過電流検出用電圧VSの値が、次の2つの大小関係を満たすよう予め回路定数を設定しておく。1大過電流の場合には、第1過電流検出用電圧発生回路8及び第2過電流検出用電圧発生回路9のいずれで生成されても、VS>V51となる過電流と判定されること。2小過電流の場合には、第1過電流検出用電圧発生回路8で生成されればVS>V51となる過電流と判定されるが、第2過電流検出用電圧発生回路9で生成されればVS<V51となる過電流とは判定されないこと。過電流種類判別回路30は、タイマ部31,ディジタルフィルタ部32,カウンタ部33,OR回路34,AND回路35,OR回路36で構成される。タイマ部31,ディジタルフィルタ部32,カウンタ部33は、それぞれ次のような機能を有するものとして構成される。タイマ部31...Hレベル入力が入って来た時から第1の所定時間T1経過するまでHレベル出力を出し続ける。ディジタルフィルタ部32...Hレベル入力が第2の所定時間T2継続した時にHレベル出力を出す。カウンタ部33...前のHレベル入力から第3の所定時間T3内に次のHレベル入力が入って来る毎にカウントアップされ、所定回数Nに達した時にHレベル出力を出す。第3の所定時間T3内に次のHレベル入力が入って来ない時はリセットされる。タイマ部31,ディジタルフィルタ部32,カウンタ部33の各入力端子およびOR回路36の一方の入力端子は、過電流検出回路5からの出力が入力されるよう接続構成される。OR回路36の他方の入力端子は、タイマ部31の出力端子と接続される。AND回路35の一方の入力端子は、タイマ部31の出力端子と接続され、他方の入力端子はディジタルフィルタ部32の出力端子と接続される。OR回路34の一方の入力端子は、カウンタ部33の出力端子と接続され、他方の入力端子はAND回路35の出力端子と接続される。OR回路34の出力は、FET12をオフする信号を生成するのに用いられる。OR回路36の出力は、切替回路7へ送られてFET72のゲートへ入力、切替動作を行うのに用いられる。過電流が流れた場合の動作は、次の通りである。1大過電流の場合切替回路7では当初はFET76がオンされ、電流変換回路4には第1過電流検出用電圧発生回路8が直列接続されている。この状態でデッドショートが発生し大過電流が流れると、点Sに生成される過電流検出用電圧VSはV51より大となる。そのため過電流検出回路5の出力はHレベル信号となり、それが制御回路3に入力される。このHレベル信号は、タイマ部31,ディジタルフィルタ部32,カウンタ部33に入力される。すると、それぞれ次のように動作する。タイマ部31...直ちにHレベル信号を出力すると共に、T1の計時を開始する。ディジタルフィルタ部32...T2の計時を開始する。カウンタ部33...カウント値が1にされると共に、T3の計時を開始する。更に、このHレベル信号はOR回路36の一方の入力端子にも入力されるので、OR回路36からHレベル信号が出て、切替回路7のFET72のゲートおよび反転回路74へ入力される。その結果、FET72,75がオンされると共に、反転回路74の出力がLレベル信号とされ、FET73,76がオフされる。これらのことにより、電流変換回路4に直列接続される回路は、第1過電流検出用電圧発生回路8から第2過電流検出用電圧発生回路9へ切り替えられる。大過電流の場合には、第2過電流検出用電圧発生回路9に切り替えられても、生成されるVSはV51より大となるように回路定数が設定されているから、過電流検出回路5からは切替え後も引き続いてHレベル信号が出力される。ディジタルフィルタ部32に注目すると、これにHレベル信号が入力され続けて第2の所定時間T2が経過すると、ディジタルフィルタ部32からHレベル信号が出力され、AND回路35の一方の入力端子へ入力される。AND回路35の他方の入力端子にはタイマ部31の出力が入力されているが、タイマ部31の出力は、第1の所定時間T1が経過するまではHレベル信号を維持し続けるようにされている。従って、AND回路35の両方の入力端子にHレベル信号が入力されることになり、AND回路35からはHレベル信号が出力され、それがOR回路34の出力をHレベル信号とする。これにより、FET12がオフされる。かくして、大過電流の場合、第2過電流検出用電圧発生回路9への切替え後、直ちにFET12がオフされ、保護がなされる。なお、上記のような動作をさせるためには、T2が経過する時点ではまだタイマ部31からHレベル信号が出力し続けているT1は経過しないようにしておかなければならないから、T1>T2の関係となるよう設定しておく必要がある。2小過電流だが長時間所定時間以上流れる場合第1過電流検出用電圧発生回路8が接続されている状態で過電流が発生すると、VSがV51より大となり、過電流検出回路5の出力がHレベル信号となり、それが制御回路3に入力される。そのHレベル信号は、OR回路36の一方の入力端子に直接入力される共に、タイマ部31を経て第1の所定時間T1の間中、他方の入力端子に入力され続ける。そのため、OR回路36からは、T1の間Hレベル信号が出力され続ける。大過電流の場合で述べたように、OR回路36からHレベル信号が出ると、切替回路7のFET76はオフされFET75がオンされるから、第1過電流検出用電圧発生回路8から第2過電流検出用電圧発生回路9へ切替えられ、その状態は第1の所定時間T1の間維持される。なお、過電流検出回路5から制御回路3に入力されて来たHレベル信号は、カウンタ部33にも入力され、カウントアップする最初だからカウント1になる。またディジタルフィルタ部32にも入力される。ディジタルフィルタ部32は、もし第2の所定時間T2が経過するまでHレベル信号が入力され続けるならば、Hレベル信号を出力しようという状態になる。小過電流の場合、第2過電流検出用電圧発生回路9で生成される過電流検出用電圧VSは、V51には達しないように回路が予め作られているので、過電流検出回路5の出力はLレベル信号となる。この状態でT1が経過すると、タイマ部31から出ていたHレベル信号も途絶えるので、OR回路36の出力はLレベル信号に変る。そのため、切替回路7のFET72はオフされ反転回路74の出力はHレベル信号となる。その結果、FET75はオフされFET76がオンされ、第2過電流検出用電圧発生回路9から第1過電流検出用電圧発生回路8へと切替えられる。ディジタルフィルタ部32は、第2過電流検出用電圧発生回路9に切替えられ、過電流検出回路5からの出力がLレベル信号になり、Hレベル信号が途絶えた時点で、前回Hレベル信号が入力された効果はなくなり、ディジタルフィルタ部32の状態はいったん振り出しに戻る。従って、ディジタルフィルタ部32からHレベル信号が出力されることはない。小過電流が長時間流れる場合、第1過電流検出用電圧発生回路8に復帰させた時でもまだ小過電流が続いているから、第1過電流検出用電圧発生回路8で生成されるVSは依然としてV51より大である。従って、また過電流検出回路5からHレベル信号が出力され、制御回路3に入力され、過電流種類判別回路30は先程と同様の動作を行う。但し、カウンタ部33のカウント値は、またHレベル信号が入力されたことによりカウントアップし、1つだけ増加した値となる。以後、小過電流が流れている間中、第1過電流検出用電圧発生回路8と第2過電流検出用電圧発生回路9との切替,復帰が繰り返される。カウンタ部33の値は、過電流検出回路5からHレベル信号が入力される度にカウントアップされ、所定回数Nに達したところで、Hレベル信号を出力する。1回の切替,復帰に要する時間は一定=T1であるから、カウント値がNに達するまでの時間も所定の一定時間N回到達時間となる。つまり、小過電流がその所定時間N回到達時間流れると、カウント値はNに達し、カウンタ部33からHレベル信号が出力される。この出力はOR回路34へ入力され、Hレベル信号を出力させ、FET12をオフさせる。即ち、小過電流でも所定時間N回到達時間流れていると、FET12をオフする。そうする理由は、小過電流でも長時間流れていると、FET12や配線13等を焼損する恐れがあるので、その保護をする必要があるからである。3小過電流だが短時間所定時間以下しか流れなかった場合ここで言う短時間とは、カウンタ部33のカウント値が所定回数Nに達しない程度の時間のことである。この場合には、小過電流が流れている間は第1過電流検出用電圧発生回路8と第2過電流検出用電圧発生回路9との間の切替,復帰を繰返すだけである。従って、第1過電流検出用電圧発生回路8にした時は、過電流検出回路5から過電流検出信号が発せられるが、第2過電流検出用電圧発生回路9にした時は発せられないということを繰返す。カウンタ部33のカウント値は、第1過電流検出用電圧発生回路8を接続している状態で過電流検出信号が入力される毎に、カウントアップされるが、この場合の小過電流はカウント値が所定回数Nに達しない内に解消し、通常電流に戻るものであり、戻った後は過電流検出信号は入力されて来なくなる。入力されて来ない状態が第3の所定時間T3継続すると、カウンタ部33はリセットされる。これで過電流種類判別回路30は、元の状態に戻り、結局、FET12をオフするという保護動作はなされない。電源投入時に流れる突入電流は短時間しか流れないから、この場合短時間小過電流の場合に該当する。従って、突入電流が流れた時にFET12がオフされるというような誤遮断が生ずることはなくなる。なお、小過電流の場合、次の過電流検出信号が過電流種類判別回路30に入って来るのは、切替周期のT1後ゆえ、T3はそれより大にしておく必要があるもしT1より小ならばカウントアップする前にリセットされてしまう。従って、T1~T3の大小関係は、T3>T1>T2となる。"