"広帯域光源と光ファイバアンプとを選択してFBGセンサに光を入力し、前記広帯域光源を選択した際には、FBGセンサからの光を、第一の光スイッチ及び第二の光スイッチを介して計測側の光カプラにより分割し、更に計測側の光カプラで分割した一方の光をブラッグ波長計測手段によりひずみ信号として計測し、前記光ファイバアンプを選択した際には、FBGセンサからの光を、第一の光スイッチ及びアンプ側の光カプラを介して光ファイバアンプに戻し、光の周回に伴う自己励起によりファイバリングレーザにしてアンプ側の光カプラから出射し、出射した光を、第二の光スイッチを介して計測側の光カプラにより分割し、更に計測側の光カプラで分割した一方の光をブラッグ波長計測手段によりひずみ信号として計測すると共に、計測側の光カプラで分割した他方の光をAE計測用の光電変換器によりAE信号として計測する、ことを特徴とするFBGセンサの計測方法。FBGセンサに光を入力し且つ選択可能に接続される広帯域光源及び光ファイバアンプと、FBGセンサからの光を複数の方向に切替可能にする第一の光スイッチと、第一の光スイッチで切り換えた一方の光を分割して光ファイバアンプに戻すアンプ側の光カプラと、第一の光スイッチで切り換えた他方の光と、アンプ側の光カプラで分割した他方の光とを選択的に入射させる第二の光スイッチと、第二の光スイッチからの光を分割する計測側の光カプラと、計測側の光カプラで分割した一方の光を計測するブラッグ波長計測手段と、計測側の光カプラで分割した他方の光を計測するAE計測用の光電変換器とを備え、前記光ファイバアンプを選択した際には、第一の光スイッチにより光を周回させて増幅し、自己励起によりファイバリングレーザとなるように構成したことを特徴とするFBGセンサの計測装置。光ファイバアンプは、ファイバリングレーザを発光するように、エリビウム添加光ファイバアンプまたは半導体光アンプであることを特徴とする請求項2に記載のFBGセンサの計測装置。広帯域光源と光ファイバアンプは、切換用の光スイッチの切換、またはいずれか一方の電源の入力により選択可能にしたことを特徴とする請求項2又は3に記載のFBGセンサの計測装置。AE計測用の光電変換器からの出力電圧を処理して信号を調整する信号調整手段を備えたことを特徴とする請求項2-4のいずれかに記載のFBGセンサの計測装置。このようにFBGセンサ1によりひずみ信号やAE信号を計測するにあたっては、広帯域光源3または波長可変レーザ光源を使用することが一般的であるが、広帯域光源3による超音波計測、特に過渡的な信号のAE信号を検知する場合はSN比が小さくなるという問題があった。また波長可変レーザ光源を用いてひずみ信号を計測する場合には、波長可変レーザの掃引時間のため多点のFBGセンサアレイではセンサ間の位相がずれるという問題があり、高速でのひずみ信号の計測が困難であった。また波長可変レーザにより超音波を計測するためには、非常に線幅の狭いレーザ光をFBGセンサのブラッグ波長の変化に追随させる必要があり、大きなひずみ変化を伴う構造体への適用が困難であった。更に波長可変レーザによりひずみ信号とAE信号を同時に計測することは、波長可変レーザの特性上不可能であった。本発明は、斯かる実情に鑑み、広帯域光源またはレーザ光でひずみ信号及びAE信号を計測し得るFBGセンサの計測方法及び計測装置を提供しようとするものである。本発明のFBGセンサの計測方法は、広帯域光源と光ファイバアンプとを選択してFBGセンサに光を入力し、前記広帯域光源を選択した際には、FBGセンサからの光を、第一の光スイッチ及び第二の光スイッチを介して計測側の光カプラにより分割し、更に計測側の光カプラで分割した一方の光をブラッグ波長計測手段によりひずみ信号として計測し、前記光ファイバアンプを選択した際には、FBGセンサからの光を、第一の光スイッチ及びアンプ側の光カプラを介して光ファイバアンプに戻し、光の周回に伴う自己励起によりファイバリングレーザにしてアンプ側の光カプラから出射し、出射した光を、第二の光スイッチを介して計測側の光カプラにより分割し、更に計測側の光カプラで分割した一方の光をブラッグ波長計測手段によりひずみ信号として計測すると共に、計測側の光カプラで分割した他方の光をAE計測用の光電変換器によりAE信号として計測するものである。本発明のFBGセンサの計測装置は、FBGセンサに光を入力し且つ選択可能に接続される広帯域光源及び光ファイバアンプと、FBGセンサからの光を複数の方向に切替可能にする第一の光スイッチと、第一の光スイッチで切り換えた一方の光を分割して光ファイバアンプに戻すアンプ側の光カプラと、第一の光スイッチで切り換えた他方の光と、アンプ側の光カプラで分割した他方の光とを選択的に入射させる第二の光スイッチと、第二の光スイッチからの光を分割する計測側の光カプラと、計測側の光カプラで分割した一方の光を計測するブラッグ波長計測手段と、計測側の光カプラで分割した他方の光を計測するAE計測用の光電変換器とを備え、前記光ファイバアンプを選択した際には、第一の光スイッチにより光を周回させて増幅し、自己励起によりファイバリングレーザとなるように構成したものである。本発明のFBGセンサの計測装置において光ファイバアンプは、ファイバリングレーザを発光するように、エリビウム添加光ファイバアンプまたは半導体光アンプであることが好ましい。本発明のFBGセンサの計測装置において、広帯域光源と光ファイバアンプは、切換用の光スイッチの切換、またはいずれか一方の電源の入力により選択可能にすることが好ましい。本発明のFBGセンサの計測装置において、AE計測用の光電変換器からの出力電圧を処理して信号を調整する信号調整手段を備えることが好ましい。本発明のFBGセンサの計測方法及び計測装置によれば、広帯域光源または光ファイバアンプを選択してFBGセンサに光を入力し、広帯域光源を選択した場合には、広帯域光でひずみ信号を計測することが可能となり、光ファイバアンプを選択した場合には、光を周回させて増幅し、自己励起によりファイバリングレーザとし、ファイバリングレーザでひずみ信号及びAE信号を計測することが可能となり、必要に応じて広帯域光及びファイバリングレーザを選択し、ひずみ信号及びAE信号を計測することができるという優れた効果を奏し得る。以下、本発明のFBGセンサの計測方法及び計測装置を実施する形態例を図1、図2を参照して説明する。実施の形態例のFBGセンサの計測方法及び計測装置は、測定対象の構造体図示せずに配置されるFBGセンサ11と、FBGセンサ11に光ファイバ12を介して光を入力し且つ選択可能に接続される広帯域光源13及び光ファイバアンプ14と、FBGセンサ11で発生した反射光を分離する光サーキュレータ15と、光サーキュレータ15からの光を複数の方向へ切り換える第一の光スイッチ16と、第一の光スイッチ16の一方に接続されたアンプ側の光カプラ17と、第一の光スイッチ16の他方及びアンプ側の光カプラ17に接続され且ついずれか一方に切り換える第二の光スイッチ18と、第二の光スイッチ18に接続されて波長を分割する波長分割器19と、波長分割器19に接続されて光を分割する計測側の光カプラ20と、各計測側の光カプラ20の一方に接続されて光を処理するブラッグ波長計測手段21と、各計測側の光カプラ20の他方に接続されて光を処理するAE計測用の光電変換器22と、各ブラッグ波長計測手段21及びAE計測用の光電変換器22に接続される信号調整手段22a、計測器23、データ収録器24とを備えている。検査対象の構造体図示せずに配置されるFBGセンサ11は、光ファイバ12のコア部分に光軸方向に沿って一定の間隔で回折格子を形成しており、検査対象のひずみや温度変化により反射波長を変化させ、構造体のひずみ変化及び温度変化を検出するようになっている。広帯域光源13は、広帯域光を光サーキュレータ15を介してFBGセンサ11へ光を連続的に出力するようになっている。一方、光ファイバアンプ14は、エリビウム添加光ファイバアンプErbiumdopedfiberamplifierEDFAまたは半導体光アンプSemiconductoropticalamplifierSOAであって、微弱な広帯域光を、光サーキュレータ15を介してFBGセンサ11へ連続的に出力するようになっている。また光ファイバアンプ14は、第一の光スイッチ16及びアンプ側の光カプラ17により光を周回して自己励起し、ファイバリングレーザレーザ光を出射するようになっている。ここで光ファイバアンプ14を用いたファイバリングレーザは、単一波長のレーザ光を発信するものであるため、複数の波長のFBGセンサ11を接続した場合には対応できないという問題がある。そこで、このような場合には、複数の波長のFBGセンサ11に対応して、エリビウム添加光ファイバEDF等の増幅媒体を複数並列に配置すると共に、増幅媒体を励起させる固体レーザPumpLDを備え、更に各FBGセンサ11の波長帯域に分波及び合波を行う波長分波器を備えることが好ましい。また光ファイバアンプ14を複数並列に配置しても良い。また広帯域光源13及び光ファイバアンプ14から光サーキュレータ15までの間には、広帯域光源13及び光ファイバアンプ14を選択し得る切換用の光スイッチ25を備えている。更に切換用の光スイッチ25の代わりに、広帯域光源13と光ファイバアンプ14のいずれか一方の電源を入力し、広帯域光源13と光ファイバアンプ14を適宜選択するようにしても良い。光サーキュレータ15は、光による導波の方向を制御するように構成されており、具体的には、広帯域光源13または光ファイバアンプ14からの光をFBGセンサ11へ導波させると共に、FBGセンサ11からの反射光を第一の光スイッチ16へ導波するようになっている。ここで光サーキュレータ15から第一の光スイッチ16までの間には、光サーキュレータ15からの光を分割する補助用の光カプラ26を備え図1では90:10の分割を示す、更に補助用の光カプラ26に光スペクトルアナライザ27を接続して光源の光スペクトルをモニタするようにしても良い。第一の光スイッチ16は、光サーキュレータ15からの光を複数の方向図1では二方向に切替可能にするように、アンプ側の光カプラ17側に対応して接続される一チャンネル側一方と、第二の光スイッチ18側に対応して接続される二チャンネル側他方とを備えており、広帯域光源13を選択した際には、二チャンネル側他方の選択となって光サーキュレータ15からの光を第二の光スイッチ18へ出力し、光ファイバアンプ14を選択した際には、一チャンネル側一方の選択となって光サーキュレータ15からの光をアンプ側の光カプラ17へ出力するようにしている。アンプ側の光カプラ17は、第一の光スイッチ16からの光を99:1で分割するように構成されており、99一方の光を光ファイバアンプ14に戻し、1他方の光を第二の光スイッチ18へ出力するようにしている。ここでアンプ側の光カプラ17が分割する光の割合は、99:1に限定されるものでなく、多くの割合の光を光ファイバアンプ14に戻して自己励起によりファイバリングレーザとするならば特定の数値に限定されるものではない。またアンプ側の光カプラ17は、光を分割するならば他の手段でも良い。第二の光スイッチ18は、第一の光スイッチ16で切り換えた二チャンネル側の光と、アンプ側の光カプラ17で分割した1の光とを選択的に入射させるように、アンプ側の光カプラ17側に対応して接続される一チャンネル側一方と、第一の光スイッチ16側に対応して接続される二チャンネル側他方を備えており、広帯域光源13を選択した際には、二チャンネル側を選択して第一の光スイッチ16からの光を入射させ、光ファイバアンプ14を選択した際には、一チャンネル側を選択してアンプ側の光カプラ17からの光を入射させるようになっている。波長分割器19は、波長の変化に対応し得るように、第二の光スイッチ18からの光に対して波長を複数図1では4つに分割しており、分割した波長に応じて光を複数の計測側の光カプラ20図1では4つへ出力するようになっている。ここで波長分割器19は、実施の形態例では波長を4つに分割しているが、他の数に分割しも良い。計測側の光カプラ20は、夫々、波長分割器19からの光を50:50に分割するように構成されており、50一方の光をブラッグ波長計測手段21に出力すると共に、50他方の光をAE計測用の光電変換器22に出力するようになっている。ブラッグ波長計測手段21は、計測側の光カプラ20からの光を入射させるWDMWavelengthDivisionMultiplexing波長分割多重フィルタ28a,28b,28c,28dと、WDMフィルタ28a,28b,28c,28dからの反射光を受ける第一の光電変換器29と、WDMフィルタ28a,28b,28c,28dからの透過光を受ける第二の光電変換器30とを備え、計測側の光カプラ20からの光を受けて反射光や透過光を電気的なひずみ信号に変換し、計測器23及びデータ収録器24へ送るようになっている。またブラッグ波長計測手段21は、WDMフィルタ28a,28b,28c,28d、第一の光電変換器29、第二の光電変換器30に限定されるものではなく、光スペクトラムアナライザ図示せずを用いても良いし、他の計測方法や装置を用いても良い。ここで、夫々のブラッグ波長計測手段21に備えられたWDMフィルタ28a,28b,28c,28dは、光ファイバ通信のバンド帯に対応するものであり、図1では、WDMフィルタ28aは1531nm、WDMフィルタ28bは1551nm、WDMフィルタ28cは1571nm、WDMフィルタ28dは1591nmとなっている。またブラッグ波長計測手段21の個数は、4つに限定されるものでなく、他の個数でも良い。AE計測用の光電変換器22は、計測側の光カプラ20からの光を受けて電気的なAE信号に変換し、計測器23及びデータ収録器24へ送るようになっている。ここで第二の光スイッチ18からAE計測用の光電変換器22までの間は、特許文献2に記載されている方法及び装置でAE信号を計測する際に必要であったファイバファブリペローフィルタFFPを不要にしている。またAE計測用の光電変換器22の個数は、4つに限定されるものでなく、他の個数でも良い。信号調整手段22a、計測器23及びデータ収録器24は、必要に応じて、ブラッグ波長計測手段21で計測したひずみ信号、またはAE計測用の光電変換器22で計測したAE信号を処理するようになっている。ブラッグ波長計測手段21で計測したひずみ信号の場合には、計測器23及びデータ収録器24で、検査対象物の構造体におけるひずみや温度変化のひずみ信号に処理し、記録するようになっている。一方、AE計測用の光電変換器22で計測したAE信号の場合には、AE計測用の光電変換器22からの出力電圧に対し、信号調整手段22aによってDCバイアスをとり、バンドパスフィルタ及び増幅回路等を介して信号を調整し、計測器23及びデータ収録器24で、検査対象物の構造体における弾性波放出の信号に処理し、記録するようになっている。ここで、信号調整手段22aは、AE計測用の光電変換器22からの出力電圧に対してDCバイアスをとるバイアス回路図示せずと、適切なバンドパスを形成するバンドパスフィルタ図示せずと、信号を増幅する増幅回路図示せず等とを備えている。また信号調整手段22a、計測器23及びデータ収録器24は、別々に構成しても良いし、1つに構成しても良い。以下本発明を実施する形態例の作用を説明する。検査対象物の構造体を検査する際には、初めにひずみ信号を取得するのか、ひずみ信号及びAE信号を取得するのか決定しステップS1、ひずみ信号を取得する場合には広帯域光源13を選択し、ひずみ信号及びAE信号を取得する場合には光ファイバアンプ14を選択するステップS2,S3。ここで、広帯域光源13または光ファイバアンプ14を選択する際には、切替用の光スイッチ25を用いて一方に切り替えても良いし、一方の電源を入力して選択しても良い。広帯域光源13を選択した際には、第一の光スイッチ16及び第二の光スイッチ18を切り替え、光をFBGセンサ11から光サーキュレータ15、補助用の光カプラ26、第一の光スイッチ16、第二の光スイッチ18を介して波長分割器19へ出力する回路に構成するステップS4。そして広帯域光源13の出射に伴うFBGセンサ11からの光を、光サーキュレータ15、補助用の光カプラ26、第一の光スイッチ16、第二の光スイッチ18を介して波長分割器19へ出力し、更に波長分割器19及び各計測側の光カプラ20からの光をブラッグ波長計測手段21によりひずみ信号として計測しステップS5、計測器23及びデータ収録器24によりひずみ信号を取得し、記録するステップS6。ここでブラッグ波長計測手段21では、WDMフィルタ28a,28b,28c,28d、第一の光電変換器29、第二の光電変換器30により反射光や透過光を電気的なひずみ信号に変換し、計測器23及びデータ収録器24では、検査対象物の構造体におけるひずみや温度変化に伴うブラッグ波長をひずみ信号として取得している。なお広帯域光源13を選択した際には、同時にAE計測用の光電変換器22によりAE信号を計測し得るが、SN比が小さい場合があり、実用に適していない。ひずみ信号を取得した後には、再び、ひずみ信号を取得しても良いし、広帯域光源13から光ファイバアンプ14のファイバリングレーザに切り換えてひずみ信号及びAE信号を取得しても良い。光ファイバアンプ14を選択した際には、第一の光スイッチ16及び第二の光スイッチ18を切り替え、光をFBGセンサ11から光サーキュレータ15、補助用の光カプラ26、第一の光スイッチ16、アンプ側の光カプラ17を介して光ファイバアンプ14に戻す回路に構成する。そして光ファイバアンプ14の出力に伴うFBGセンサ11からの光を、光サーキュレータ15、補助用の光カプラ26、第一の光スイッチ16、アンプ側の光カプラ17を介して周回させて増幅し、自己励起によりファイバリングレーザレーザ光として出射するステップS7。ここでファイバリングレーザは、予備試験によって、FBGセンサ11に負荷されたひずみによりレーザ発信波長が変化することを確認しており、またFBGセンサ11に負荷されたひずみと、ファイバリングレーザのレーザ発信波長とに線形性を有することを確認している。更にファイバリングレーザを用いてAE信号を計測する原理は、光ファイバアンプ14の増幅率の波長依存性を利用するものである。更にまた、ファイバリングレーザにおいて、FBGセンサ11は、ファイバリングレーザのキャビティミラーとして作用している。アンプ側の光カプラ17では、ファイバリングレーザを出射し、第二の光スイッチ18を介して波長分割器19へ出力し、更に波長分割器19及び各計測側の光カプラ20からの光をブラッグ波長計測手段21によりひずみ信号として計測しステップS5、計測器23及びデータ収録器24によりひずみ信号を取得し、記録するステップS6。同時に、計測側の光カプラ20で分割した他方の光をAE計測用の光電変換器22によりAE信号として計測しステップS8、信号調整手段22aを介して計測器23及びデータ収録器24によりAE信号を取得し、記録するステップS9。ここでブラッグ波長計測手段21では、広帯域光源13の場合と同様に、WDMフィルタ28a,28b,28c,28d、第一の光電変換器29、第二の光電変換器30により反射光や透過光を電気的なひずみ信号に変換し、計測器23及びデータ収録器24では、検査対象物の構造体におけるひずみや温度変化に伴うブラッグ波長をひずみ信号として取得している。またAE計測側の光電変換器22、信号調整手段22a、計測器23及びデータ収録器24では、AE計測用の光電変換器22からの出力電圧に対し、信号調整手段22aのバイアス回路によってDCバイアスをとり、バンドパスフィルタ及び増幅回路を介して信号を調整し、計測器23及びデータ収録器24により、検査対象物の構造体における、弾性波放出AE:アコースティックエミッションに伴う信号をAE信号として取得している。ひずみ信号及びAE信号を取得した後には、再び、ひずみ信号及びAE信号を取得しても良いし、光ファイバアンプ14のファイバリングレーザから広帯域光源13に切り換えて、ひずみ信号を取得しても良い。而して、このように実施の形態例によれば、広帯域光源13または光ファイバアンプ14を選択してFBGセンサ11に光を入力し、広帯域光源13を選択した場合には、広帯域光でひずみ信号を計測することが可能となり、光ファイバアンプ14を選択した場合には、光を周回させて増幅し、自己励起によりファイバリングレーザレーザ光とし、ファイバリングレーザでひずみ信号及びAE信号を計測することが可能となり、必要に応じて広帯域光及びファイバリングレーザを選択し、ひずみ信号及びAE信号を計測することができる。またファイバリングレーザを用いるので、超音波計測、特に過渡的な信号のAE信号を検知する場合であってもSN比が小さくなることを防止できる。更にファイバリングレーザによりひずみ信号を計測する場合には、掃引時間による多点のFBGセンサ11間の位相のずれを抑制し、高速でのひずみ信号の計測を行うことができる。更にまたファイバリングレーザにより超音波を計測する場合には、非常に線幅の狭いレーザ光をFBGセンサのブラッグ波長の変化に追随させることが可能となり、大きなひずみ変化を伴う構造体への適用を容易にすることができる。またファイバリングレーザによりひずみ信号とAE信号を同時に計測することができる。実施の形態例において、光ファイバアンプ14は、ファイバリングレーザを発光するように、エリビウム添加光ファイバアンプまたは半導体光アンプであると、ファイバリングレーザを容易に出射し、ファイバリングレーザでひずみ信号及びAE信号を好適に計測することができる。実施の形態例において、広帯域光源13と光ファイバアンプ14は、切換用の光スイッチの切換、またはいずれか一方の電源の入力により選択可能にすると、広帯域光源13または光ファイバアンプ14のファイバリングレーザを容易に切り換えるので、必要に応じてひずみ信号及びAE信号を好適に計測することができる。実施の形態例において、AE計測用の光電変換器22からの出力電圧を処理して信号を調整する信号調整手段22aを備えると、AE計測用の光電変換器22からの出力電圧を適切に処理するので、AE信号を好適に計測することができる。尚、本発明のFBGセンサの計測方法及び計測装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。"