"複数の電極を有し、かつ上面から光を発する1または複数の発光素子と、前記発光素子との関係で前記発光素子の下側に配置され、かつ前記発光素子の電極に電気的に接続された複数の端子電極と、前記発光素子の上面および1つの端子電極に接すると共に前記発光素子の側面から離れた位置に配置され、かつ成膜プロセスによって形成された第1金属線と、前記発光素子および前記第1金属線を埋め込む絶縁体とを備えた発光装置。前記第1金属線に未接続の端子電極に電気的に接続されると共に前記発光素子の上面に向かって延在し、かつ成膜プロセスによって形成された第2金属線を備え、前記絶縁体は、前記第2金属線を埋め込むように形成されている請求項1に記載の発光装置。前記第1金属線と前記第1金属線に接する端子電極との接続点と、前記第2金属線に接する端子電極との接続点とは、前記発光素子を介して互いに対向配置されている請求項2に記載の発光装置。前記第1金属線および前記第2金属線は、前記発光素子の側面を覆うと共に前記複数の端子電極のそれぞれの表面の一部を覆う犠牲層を形成し、前記犠牲層を含む表面全体にシード金属を形成したのち前記シード金属の上面のうち所定の領域にめっき金属を積層し、前記シード金属のうち少なくとも前記めっき金属と非接触の部位と、前記犠牲層を除去することにより形成されたものである請求項3に記載の発光装置。前記絶縁体は、前記第1金属線および前記第2金属線を形成したのち、前記発光素子、前記第1金属線および前記第2金属線を埋め込むように透明樹脂層を形成し固化させることにより形成されたものである請求項4に記載の発光装置。前記第1金属配線および前記第2金属線は、前記透明樹脂層を形成する際に前記第1金属線および前記第2金属線の直下に空気だまりの形成されない立体形状となっている請求項5に記載の発光装置。前記第1金属線および前記第2金属線は、前記発光素子から離れる方向に向かって延在する突起部を有する請求項3に記載の発光装置。前記発光素子の上面と前記絶縁体の上面との距離Dが以下の関係式を満たす請求項1に記載の発光装置。D<W2-W1/2/tanθmW1:前記発光素子の幅W2:前記絶縁体の上面の幅θm:前記絶縁体の上面での臨界角基板上に実装された複数の発光装置を備え、各発光装置は、複数の電極を有し、かつ上面から光を発する1または複数の発光素子と、前記発光素子との関係で前記発光素子の下側に配置され、かつ前記発光素子の電極に電気的に接続された複数の端子電極と、前記発光素子の上面および1つの端子電極に接すると共に前記発光素子の側面から離れた位置に配置され、かつ成膜プロセスによって形成された第1金属線と、前記発光素子および前記第1金属線を埋め込む絶縁体とを有する照明装置。複数の画素を有する表示パネルと、映像信号に基づいて前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備え、前記表示パネルに含まれる複数の画素は、基板上に実装された複数の発光装置からなり、各発光装置は、基板上に実装された複数の発光装置を有し、各発光装置は、複数の電極を有し、かつ上面から光を発する1または複数の発光素子と、前記発光素子との関係で前記発光素子の下側に配置され、かつ前記発光素子の電極に電気的に接続された複数の端子電極と、前記発光素子の上面および1つの端子電極に接すると共に前記発光素子の側面から離れた位置に配置され、かつ成膜プロセスによって形成された第1金属線と、前記発光素子および前記第1金属線を埋め込む絶縁体とを有する表示装置。上記のLEDチップでは、チップサイズが例えば20μm程度と極めて小さい。そのため、LEDチップを配線基板上に実装した後に何らかの理由でLEDチップを交換することとなった場合、交換作業時のハンドリング性があまりよくない。そこで、例えば、1または複数のLEDチップを樹脂で封止し、サイズの大きなパッケージタイプの発光装置とし、この発光装置を配線基板上に実装することが考えられる。このようにした場合には、発光装置のサイズがLEDチップのサイズよりも大きくなるので、交換作業時のハンドリング性を改善することができる。しかし、発光装置のサイズを、発光素子のサイズと比べてあまり大きくし過ぎると、配線基板上の発光素子の、単位面積あたりの数集積度が小さくなってしまう。また、発光装置を厚くし過ぎると、発光装置の上面への光入射量が減り、発光装置の上面から取り出せる光量が低くなってしまう。発光装置を厚くした上で、発光装置の上面から取り出せる光量を多くしようとすると、発光装置のサイズを大きくすることが必要となり、集積度が小さくなってしまう。以上のことから、発光装置の厚さをできる限り薄くすることが、発光装置の上面から取り出せる光量や、配線基板上の発光素子の集積度の点で好ましいことがわかる。しかし、集積度が大きくなると、発光素子の上面の電極と、発光装置の端子電極とを電気的に接続する配線としてボンディングワイヤを用いることが難しくなる。また、仮に、発光素子の上面の電極と、発光装置の端子電極とを電気的に接続する配線としてボンディングワイヤを用いることができたとしても、ボンディングワイヤを、発光素子を埋め込む樹脂内に埋め込むことは、発光装置の厚さが薄いことから極めて難しい。ボンディングワイヤが発光素子を埋め込む樹脂の上面からはみ出ている場合には、ボンディングワイヤが、発光装置の転写時の歩留まりを低下させる要因となり得る。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、1枚のウェハからの収率および転写時の歩留まりを低下させることなく、全体の厚さを薄くすることの可能なパッケージタイプの発光装置を提供することにある。また、第2の目的は、そのような発光装置を備えた照明装置および表示装置を提供することにある。本発明の発光装置は、複数の電極を有し、かつ上面から光を発する1または複数の発光素子と、発光素子との関係で発光素子の下側に配置され、かつ発光素子の電極に電気的に接続された複数の端子電極とを備えたものである。本発明の発光装置は、さらに、発光素子の上面および1つの端子電極に接すると共に発光素子の側面から離れた位置に配置され、かつ成膜プロセスによって形成された第1金属線と、発光素子および第1金属線を埋め込む絶縁体とを備えている。本発明の照明装置は、基板上に実装された複数の発光装置を備えたものである。各発光装置は、上記の発光装置と同一の構成要素を有している。本発明の表示装置は、複数の画素を有する表示パネルと、映像信号に基づいて複数の画素を駆動する駆動回路とを備えたものである。本発明の表示装置において、複数の画素は、基板上に実装された複数の発光装置からなり、各発光装置は、上記の発光装置と同一の構成要素を有している。本発明の発光装置、照明装置および表示装置では、発光素子の上面および1つの端子電極に接する金属線が、ワイヤボンディングではなく、成膜プロセスによって形成された第1金属線となっている。これにより、第1金属線を、発光素子を埋め込む絶縁体に埋め込むことができる。本発明において、第1金属線に未接続の端子電極に電気的に接続されると共に発光素子の上面に向かって延在し、かつ成膜プロセスによって形成された第2金属線がさらに設けられていてもよい。このようにした場合には、絶縁体を、第2金属配線を埋め込むことができる。ところで、本発明において、第1金属線および第2金属線は、以下のA1~A3の各工程を実施することにより形成されたものであってもよい。A1発光素子の側面を覆うと共に複数の端子電極のそれぞれの表面の一部を覆う犠牲層を形成する工程A2犠牲層を含む表面全体にシード金属を形成したのちシード金属の上面のうち所定の領域にめっき金属を積層する工程A3シード金属のうち少なくともめっき金属と非接触の部位と、犠牲層を除去する工程第1金属線および第2金属線が上記のようにして形成されたものである場合には、絶縁体は、発光素子、第1配線および第2配線を埋め込むように透明樹脂層を形成し固化させることにより形成されたものであってもよい。本発明の発光装置は、例えば、以下のB1~B7の各工程を実施することにより製造することが可能である。B1複数の電極を有し、かつ上面から光を発する複数の発光素子を、複数の端子電極が基板表面に形成された配線基板の1つまたは複数の端子電極上に固定する工程B2発光素子の側面を覆うと共に複数の端子電極のそれぞれの表面の一部を覆う犠牲層を形成する工程B3犠牲層を含む表面全体にシード金属を形成したのちシード金属の上面のうち所定の領域にめっき金属を積層する工程B4シード金属のうち少なくともめっき金属と非接触の部位と、犠牲層とを除去することにより、1つの端子電極および1つの電極に電気的に接続された第1金属線を形成すると共に第1金属線に未接続の端子電極に電気的に接続された第2配金属線を形成する工程B5発光素子、第1金属線および第2金属線を埋め込むように透明樹脂層を形成し固化させることにより絶縁体を形成するB6絶縁体を、1または複数の発光素子ごとに分離する工程B7基板を剥離する工程上記の製造方法において、発光素子は、例えばLEDチップである。ここで、LEDチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで被われたパッケージタイプのものではないことを指している。LEDチップのサイズは、例えば、5μm以上、100μm以下である。LEDチップは、薄片状となっており、LEDチップのアスペクト比高さ/幅は、例えば、0.1以上、1未満となっている。また、上記の製造方法において、犠牲層は、例えば、フォトレジストからなる。犠牲層は、例えば、リフローの実施や、グレースケールマスクの利用によって、丸みを帯びた上面形状となっている。また、上記の製造方法において、透明樹脂層は、例えば、1層塗りによって形成されたものであってもよいし、複数層塗りによって形成されてものであってもよい。また、上記の製造方法において、絶縁体の分離は、例えば、フォトリソグラフィによって行われてもよいし、ミリングなどによって行われてもよい。また、上記の製造方法において、発光素子および絶縁体の高さおよび幅が、例えば、上記の関係式を満たしていることが好ましい。本発明の発光装置、照明装置および表示装置によれば、第1金属線を、発光素子を埋め込む絶縁体に埋め込むことができるようにしたので、1枚のウェハにおける収率および転写時の歩留まりを低下させることなく、全体の厚さを薄くすることができる。また、本実施の形態では、第1金属線が成膜プロセスによって形成されている。これにより、最適な成長方法を選択することにより、超微細構造でありながら、第1金属線をコンフォーマルに形成したり、第1金属線の窪み部分を厚めに形成したりするなど、第1金属線を電気的機械的に安定な構造にすることができる。以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態発光装置3つの発光素子が薄い肉厚の樹脂で被われている例2.第1の実施の形態の変形例発光装置配線に反射機能を有する突起部が設けられている例絶縁体の上面が粗面となっている例発光素子の数が上記とは異なる例3.第2の実施の形態表示装置表示画素に第1の実施の形態およびその変形例の発光装置が用いられている例4.第2の実施の形態の変形例表示装置発光素子の数が上記とは異なる例データ配線が共通化されている例各発光素子が互いに等しい波長帯の光を発する例5.第3の実施の形態照明装置光源に第1の実施の形態およびその変形例の発光装置が用いられている例<1.第1の実施の形態>構成まず、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置1について説明する。図1Aは、発光装置1の概略構成の一例を斜視的に表したものである。図1Bは、図1Aの表示装置1のA-A矢視方向の断面構成の一例を表したものである。発光装置1は、いわゆるLEDディスプレイと呼ばれる表示装置の表示画素として好適に適用可能なものであり、複数の発光素子を薄い肉厚の樹脂で被った微小パッケージである。発光素子10発光装置1は、図1Aに示したように、3つの発光素子10を備えている。各発光素子10は、所定の波長帯の光を上面から発する固体発光素子であり、具体的には、LEDチップである。LEDチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで被われたパッケージタイプのものではないことを指している。LEDチップは、例えば、5μm以上、100μm以下のサイズ横幅W1となっており、いわゆるマイクロLEDと呼ばれるものである。LEDチップの平面形状は、例えば、ほぼ正方形となっている。LEDチップは、薄片状となっており、LEDチップのアスペクト比高さH1/横幅W1図2参照は、例えば、0.1以上、10未満となっている。発光素子10の高さH1は、例えば、3μm以上、50μm以下となっている。各発光素子10は、発光装置1内に配置されており、例えば、図1Aに示したように、他の発光素子10と所定の間隙を介して一列に配置されている。互いに隣り合う2つの発光素子10の隙間は、例えば、各発光素子10のサイズと同等か、それよりも大きくなっている。なお、上記の隙間は、場合によっては、各発光素子10のサイズよりも狭くなっていてもよい。発光素子10と発光装置1の側面との間隔は、例えば、各発光素子10のサイズの1/2以上となっている。各発光素子10は、互いに異なる波長帯の光を発するようになっている。例えば、図1Aに示したように、3つの発光素子10は、緑色帯の光を発する発光素子10Gと、赤色帯の光を発する発光素子10Rと、青色帯の光を発する発光素子10Bとにより構成されている。発光素子10Gは、例えば、発光装置1の辺部近傍に配置されている。発光素子10Bは、例えば、発光装置1の辺部のうち発光素子10Gの近接する辺部とは異なる辺部の近傍に配置されている。発光素子10Rは、例えば、発光素子10Gと発光素子10Bとの間に配置されている。なお、発光素子10R,10G,10Bのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではないが、以下では、発光素子10R,10G,10Bが上で例示した箇所に配置されているものとして、他の構成要素の位置関係を説明する場合がある。各発光素子10は、例えば、図2に示したように、第1導電型層11、活性層12および第2導電型層13を順に積層してなる積層構造を有している。発光素子10G,10Bにおいては、第1導電型層11、活性層12および第2導電型層13は、例えば、InGaN系の半導体材料によって構成されている。一方、発光素子10Rにおいては、第1導電型層11、活性層12および第2導電型層13は、例えば、AlGaInP系の半導体材料によって構成されている。第1電極14および第2電極15は、例えば、Ag銀などの高反射性の金属材料を含んで構成されている。なお、各発光素子10は、図示しないが、側面と、上面のうち第1電極の未形成領域とを被う絶縁膜を有していてもよい。各発光素子10の側面は、例えば、図2に示したように、積層方向と直交する面となっている。なお、光取り出し効率を考慮して、各発光素子10の側面が、積層方向と交差する傾斜面となっていてもよい。例えば、図3に示したように、各発光素子10は、側面に、当該発光素子10の断面が逆台形状となるような傾斜面を有していてもよい。第2導電型層13の下面には第1電極14が設けられている。第1電極14は、第1導電型層11に接するとともに第1導電型層11に電気的に接続されている。一方、第2導電型層13の上面には第2電極15が設けられている。第2電極15は、第2導電型層13に接するとともに第2導電型層13に電気的に接続されている。第1電極14および第2電極15はともに、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。なお、以下では、図2および図3に示したように、第1電極14および第2電極15がともに、単一の電極からなるものとする。発光装置1は、さらに、図1A,Bに示したように、各発光素子10を被うチップ状の絶縁体20を備えている。発光装置1は、さらに、図1A,Bに示したように、発光素子10ごとに、端子電極31,32と、配線33,34とを備えている。なお、配線33が本発明の第2金属線の一具体例に相当し、配線34が本発明の第1金属線の一具体例に相当する。絶縁体20絶縁体20は、各発光素子10を、少なくとも当該発光素子10の側面側および上面側から囲むとともに保持するものである。絶縁体20は、さらに、配線33,34を内部に有している。つまり、配線33,34は、絶縁体20内に埋め込まれている。絶縁体20は、例えば、ポリイミドなどの樹脂材料によって構成されている。なお、絶縁体20は、耐光性を有するとともに感光性を有する透明樹脂を硬化させたものであってもよい。絶縁体20のアスペクト比高さH2/上面の幅W2は、1よりも小さくなっており、製造過程において発光装置1を転写する際に発光装置1が横になるのを防止する観点からは、1/5以下となっていることが好ましい。絶縁体20の高さH2は、例えば、5μm以上、50μm以下となっている。絶縁体20の上面の幅W2は、例えば、10μm以上、100μm以下となっている。絶縁体20は、例えば、図1A,Bに示したように、上面および下面に平坦面を有している。絶縁体20の上面には、構造物は特に何も設けられておらず、絶縁体20の上面は、外部例えば空気と接している。一方、絶縁体20の下面には、端子電極31,32が設けられている。端子電極31,32は、所定の間隙を介して配置されており、互いに電気的に分離されている。各端子電極31,32は、絶縁体20の下面に形成されており、互いに同一面内に形成されている。各端子電極31,32は、例えば、主にCu銅を含んで構成されている。各端子電極31,32の表面の少なくとも一部が、例えば、Au金などの酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。例えば、各端子電極31,32の表面全体が、AuやTiなどの酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。各端子電極31,32は、発光装置1の入出力端子としての役割の他に、活性層12から発せられた光を第2導電型層13側に反射する役割も有している。端子電極31は、発光素子10の第1電極14と、接合材16を介して電気的に接続されている。接合材16は、例えば、めっき処理によって形成されためっき金属によって構成されている。なお、接合材16は、めっき処理以外の方法で形成されたものであってもよい。端子電極31は、さらに、配線33と電気的に接続されている。配線33は、発光素子10の上面にある第2電極15と所定の間隙を介して配置されており、第2電極15とは電気的に分離されている。配線33は、めっき金属を含んで構成されており、具体的には、シード金属と、このシード金属の上面に積層されためっき金属とにより構成されている。ここで、シード金属は、TiやCuなどをスパッタ、PVDまたはCVDなどの成膜プロセスを用いて形成されたものである。めっき金属は、成膜プロセスの1つであるめっき処理によって形成されたものである。なお、めっきの種類としては、例えば、電解めっき、無電解めっきなどが挙げられる。配線33は、めっき工程を経て形成されたものである。配線33は、最適な成長方法の選択により電気的機械的に安定な構造になっており、例えば、コンフォーマルに例えば膜厚均一に形成されていたり、配線33の窪み部分具体的には接続点C1近傍が他の部分よりも相対的に厚い形状に形成されていたりする。端子電極32は、発光素子10の第2電極15と、配線34を介して電気的に接続されている。配線34は、発光素子10の上面にある第2電極15と接しており、第2電極15とは電気的に接続されている。配線34は、めっき金属を含んで構成されており、具体的には、シード金属と、このシード金属の上面に積層されためっき金属とにより構成されている。ここで、シード金属は、上記と同様、TiやCuなどをスパッタ、PVDまたはCVDなどの成膜プロセスを用いて形成されたものである。めっき金属は、上記と同様、成膜プロセスの1つであるめっき処理によって形成されたものである。なお、めっきの種類としては、例えば、電解めっき、無電解めっきなどが挙げられる。配線34は、めっき工程を経て形成されたものである。配線34は、最適な成長方法の選択により電気的機械的に安定な構造になっており、例えば、コンフォーマルに例えば膜厚均一に形成されていたり、配線34の窪み部分具体的には接続点C2近傍が他の部分よりも相対的に厚い形状に形成されていたりする。配線33と端子電極31との接続点C1と、配線34と端子電極32との接続点C2とは、発光素子10を介して互いに対向配置されている。配線33は、接続点C1から発光素子10の上面に向かって延在している。一方の配線34は、接続点C2から発光素子10の上面に向かって延在している。配線33,34は、発光素子10の配列方向と交差例えば直交する方向に延在している。配線33の延在方向と、配線34の延在方向とは、例えば、互いに平行となっている。配線33,34は、製造過程で絶縁体20を形成する際に配線33,34の直下に空気だまりの形成されない立体形状となっている。配線33,34は、例えば、図4に示したように、細長い帯状の形状となっている。なお、配線33,34は、図4に示した形状に限定されるものではなく、例えば、図5に示したように、接続点C1,C2近傍だけ幅広となっていてもよい。絶縁体20は、各発光素子10の側面と、各発光素子10の上面に接して形成されている。絶縁体20は、各発光素子10の配列方向に延在する帯状の形状例えば直方体形状となっている。絶縁体20の高さH2は、各発光素子10の高さH1よりも高くなっており、絶縁体20の上面の幅W2は、各発光素子10の横幅W1よりも広くなっている。さらに、発光素子10の上面と絶縁体20の上面との距離Dが以下の関係式1を満たしている。D<W2-W1/2/tanθm...1W2-W1/2:発光素子10の側面と絶縁体20の側面との距離θm:絶縁体20の上面での臨界角なお、距離DがH2-H1とおおむね等しい場合には、上記の関係式1において、Dを、H2-H1に置き換えることができる。距離Dが上記の関係式1を満たしている場合には、例えば、図6の模式図に示したように、発光素子10の上面から発せられた光のうち、発散角90°-θm未満で発せられた光が全て、絶縁体20の上面に入射する。従って、この場合には、光取り出し効率が高くなる。[製造方法]次に、本実施の形態の発光装置1の製造方法の一例について説明する。まず、結晶成長用の基板上に、発光素子10Rのうち第2電極15以外の部分発光素子110Rを多数形成したウェハ100Rを用意する図7A。また、結晶成長用の基板上に、発光素子10Gのうち第2電極15以外の部分発光素子110Gを多数形成したウェハ100Gを用意する図7B。さらに、結晶成長用の基板上に、発光素子10Bのうち第2電極15以外の部分発光素子110Bを多数形成したウェハ100Bを用意する図7C。なお、発光素子110R,110G,110Bはそれぞれ、第2導電型層13、活性層12、第1導電型層11および第1電極14が結晶成長用の基板側からこの順に積層された構造となっている。また、ウェハ100R上の全ての発光素子110Rを一時的に仮固定するための仮固定用基板200Rを用意する図8A。同様に、ウェハ100G上の全ての発光素子110Gを一時的に仮固定するための仮固定用基板200Gと、ウェハ100B上の全ての発光素子110Bを一時的に仮固定するための仮固定用基板200Bを用意する図8B,C。仮固定用基板200R,200G,200Bは、例えば、透明基板例えば石英基板またはサファイア基板上に、未硬化の接着層が配置されたものである。次に、ウェハ100Rおよび仮固定用基板200Rを、ウェハ100R上の各発光素子110Rが仮固定用基板200R上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ100Rの基板を例えばラッピングなどによって除去して、第2導電型層13を露出させる。その後、露出した第2導電型層13上に第2電極15を形成する。さらに、各第2電極15の周期単位でドライエッチング等を行うことにより、第2導電型層13、活性層12および第1導電型層11からなる半導体層を空間的に分離する。このようにして、仮固定用基板200R上に、複数の発光素子10Rが形成される。また、ウェハ100Gおよび仮固定用基板200Gを、ウェハ100G上の各発光素子110Gが仮固定用基板200G上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ100Gの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第2導電型層13を露出させる。その後、露出した第2導電型層13上に第2電極15を形成する。さらに、各第2電極15の周期単位でドライエッチング等を行うことにより、第2導電型層13、活性層12および第1導電型層11からなる半導体層を空間的に分離する。このようにして、仮固定用基板200G上に、複数の発光素子10Gが形成される。同様に、ウェハ100Bおよび仮固定用基板200Bを、ウェハ100B上の各発光素子110Bが仮固定用基板200B上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ100Bの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第2導電型層13を露出させる。その後、露出した第2導電型層13上に第2電極15を形成する。さらに、各第2電極15の周期単位でドライエッチング等を行うことにより、第2導電型層13、活性層12および第1導電型層11からなる半導体層を空間的に分離する。このようにして、仮固定用基板200B上に、複数の発光素子10Bが形成される。次に、発光素子10R,10G,10Bを実装する配線基板300を用意する図9。配線基板300は、例えば、透明基板310例えば石英基板上に、一対の端子電極31,32が複数配置された基板である。続いて、配線基板300の端子電極31上に、発光素子10R,10G,10Bを実装する。まず、仮固定用基板200G上の発光素子10Gを配線基板300の表面に転写する。例えば、マウンタを用いて、仮固定用基板200G上の発光素子10Gを取り出し、配線基板300の表面に実装する図10。同様にして、仮固定用基板200R上の発光素子10Rを取り出し、配線基板300の表面に実装し、仮固定用基板200B上の発光素子10Bを取り出し、配線基板300の表面に実装する図11。その後、配線33,34および絶縁層20を形成する。これにより、配線基板300上に複数の発光装置1が形成される図12。次に、配線33,34および絶縁層20を形成する一連の手順について詳細に説明する。まず、上述の転写方法を用いて、端子電極31上に発光素子10を実装する図13A。次に、発光素子10を含む表面全体にフォトレジスト層図示せずを形成したのち、露光、現像を行うことにより、発光素子10の側面を覆うと共に端子電極31,32のそれぞれの表面の一部を覆う犠牲層120を形成する図13B。その後、必要に応じて、表面全体に対してドライエッチングを行うことにより、犠牲層120の高さを調整してもよい。なお、犠牲層120に対してリフローを行うことにより、例えば、図13Bに示したように、犠牲層120の上面に丸みを持たせてもよい。また、グレースケールマスクを利用した露光によって、犠牲層120の上面に丸みを持たせてもよい。次に、例えば、スパッタリングを行うことにより、犠牲層120を含む表面全体に、シード金属130を形成する図13C。このとき、例えば、TiおよびCuを順次スパッタすることにより、Ti層およびCu層の2層構造のシード金属130を形成する。次に、シード金属130の上面のうち所定の領域にめっき金属140を積層する図13D。例えば、後に配線33および配線34を形成することとなる領域に開口を有するマスクを形成したのち、例えばCuなどによるめっき処理を行うことにより、めっき金属140を積層する。次に、シード金属130のうち不要な部分と、犠牲層120を除去する図14A。これにより、犠牲層120の存在していた部位に空洞が形成される。さらに、シード金属130の一部が分離されて、シード金属130のうち端子電極32に接続された部分と、シード金属130のうち端子電極31に接続された部分との間に、間隙150が形成される。その結果、シード金属130のうち端子電極32に接続された部分と、めっき金属140とが積層された部分が配線34となり、シード金属130のうち端子電極31に接続された部分と、めっき金属140とが積層された部分が配線33となる。次に、例えば、スピンコート法を用いて、発光素子10、配線34および配線33を埋め込むように透明樹脂層160を形成する図14B。このとき、透明樹脂層160を、複数回に分けて形成してもよい。例えば、図14Bに示したように、まず、発光素子10、配線34および配線33を埋め込む透明樹脂層161を形成したのち、透明樹脂層161の窪み160Aを埋めるように透明樹脂層162を形成し、さらに、表面を平坦化するように透明樹脂層163を形成する。このようにして透明樹脂層160を形成することも可能である。その後、透明樹脂層160を固化させる。これにより、絶縁体20が形成される。次に、絶縁体20を、1または複数の発光素子10ごとに分離する図14C。例えば、フォトリソグラフィまたはミリングを用いることにより、絶縁層20を貫通する溝20Aを配線33と配線34との間間隙150を除くに形成する。このようにして、発光装置1が形成される。[実装方法]次に、配線基板300上に形成された各発光装置1を、ディスプレイパネルや照明パネルなどに含まれる配線基板上に実装する方法の一例について説明する。まず、配線基板300上の全ての発光装置1を一時的に仮固定するための仮固定用基板図示せずを用意する。ここで使用する仮固定基板は、例えば、透明基板例えば石英基板上に、未硬化の接着層が配置されたものである。また、発光装置1の実装に使用する配線基板400を用意する。配線基板400は、支持基板410上に複数の電極パッド420などを備えたものである図15A参照。配線基板400は、例えば、電極パッド420上に半田ペースト図示せずを有している。次に、配線基板300および仮固定用基板を、配線基板300上の各発光装置1が仮固定用基板上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、透明基板310を除去して、発光装置1同士の素子分離を行う。次に、素子分離された個々の発光装置1を配線基板400に実装する。例えば、仮固定用基板および配線基板400を、素子分離された個々の発光装置1が配線基板400と接するように貼り合わせたのち、個々の発光装置1を仮固定用基板から剥離する。その結果、例えば、電極パッド420上に半田ペーストを介して発光装置1が載置される図15A,B。次に、例えば、配線基板400をリフローすることにより、発光装置1が配線基板400に固定される。このようにして、発光装置1が配線基板400上に実装される。[効果]次に、本実施の形態の発光装置1の効果について説明する。本実施の形態では、発光素子10の上面にある第2電極15と、発光装置1の端子電極32とを互いに電気的に接続する配線34が、ワイヤボンディングではなく、めっきなどの成膜プロセスによって形成されている。これにより、配線34を、発光素子10を埋め込む絶縁体20に埋め込むことができる。その結果、1枚のウェハにおける収率および転写時の歩留まりを低下させることなく、発光装置1の厚さを薄くすることができる。さらに、本実施の形態では、端子電極31に電気的に接続されると共に発光素子10の上面に向かって延在する配線33も、ワイヤボンディングではなく、めっきなどの成膜プロセスによって形成されている。これにより、配線33も、発光素子10を埋め込む絶縁体20に埋め込むことができる。その結果、1枚のウェハにおける収率および転写時の歩留まりを低下させることなく、発光装置1の厚さを薄くすることができる。さらに、配線33が設けられていない場合と比べて、絶縁体20の上面をより広範囲に渡って平坦化することができる。また、本実施の形態では、配線33,34がめっきなどの成膜プロセスによって形成されている。これにより、最適な成長方法を選択することにより、超微細構造でありながら、配線33,34をコンフォーマルに形成したり、配線33,34の窪み部分を厚めに形成したりするなど、配線33,34を電気的機械的に安定な構造にすることができる。また、本実施の形態では、配線33および配線34は、製造過程で絶縁体20を形成する際に配線33および配線34の直下に空気だまりの形成されない立体形状となっている。これにより、発光素子10から発せられた光が空気だまりで散乱されるなどして、光取り出し効率が低下するのを防止することができる。また、本実施の形態では、発光素子10および絶縁体20の高さおよび幅が上記の関係式を満たしている。これにより、高い光取り出し効率を実現することができる。<2.第1の実施の形態の変形例>第1変形例上記実施の形態では、配線33および配線34は、発光素子10の上面に向かって延在していたが、さらに、例えば、図16に示したように、発光素子10から離れる方向に向かって延在する突起部33A,34Aを有していてもよい。また、例えば、図17に示したように、突起部33A,34Aが、発光素子10の周囲を取り囲むように形成されていてもよい。なお、後者の場合には、配線33のうち発光素子10側に延在する部分が設けられていてもよいし、図17に示したように省略されていてもよい。このようにした場合には、発光素子10の側面から発せられた光が突起部33A,34Aで発光装置1の上面側に反射され、発光装置1の上面から外部に出力される。これにより、さらに高い光取り出し効率を実現することができる。第2変形例また、上記実施の形態およびその変形例では、絶縁体20の上面がほぼ平坦となっていたが、例えば、図18に示したように、粗面20Aとなっていてもよい。このようにした場合には、発光素子10から斜め方向の射出された光が粗面20Aで屈折透過しやすくなるので、さらに高い光取り出し効率を実現することができる。第3変形例また、上記実施の形態およびその変形例では、発光装置1は、3つの発光素子10を備えていたが、4つ以上の発光素子10を備えていてもよいし、例えば、図19A,Bに示したように、1つまたは2つの発光素子10を備えていてもよい。第4変形例また、上記実施の形態およびその変形例では、第2電極15が発光素子10の上面に形成されている場合が例示されていたが、例えば、図20A,Bに示したように、第2電極15が発光素子10の下面に形成されていてもよい。この場合には、発光素子10は、フリップチップ構造となる。さらに、配線34は、直接、第2電極15に接することがなくなり、その代わりに、端子電極32が直接、第2電極15に接することになる。<3.第2の実施の形態>構成次に、本発明の第2の実施の形態に係る表示装置2について説明する。表示装置2は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置1を表示画素として備えたものである。図21は、表示装置2の概略構成の一例を斜視的に表したものである。表示装置2は、いわゆるLEDディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてLEDが用いられたものである。表示装置2は、例えば、図21に示したように、表示パネル210と、表示パネル210を駆動する駆動回路図示せずとを備えている。表示パネル210表示パネル210は、実装基板210-1と、透明基板210-2とを互いに重ね合わせたものである。透明基板210-2の表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域210Aを有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域210Bを有している。図22は、実装基板210-1の透明基板210-2側の表面のうち表示領域210Aに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。図23Aは、図21の表示画素213を拡大して表したものであり、図23Bは、図23AのA-A矢視方向の断面構成の一例を表したものである。実装基板210-1実装基板210-1の表面のうち表示領域210Aに対応する領域には、例えば、図22に示したように、複数のデータ配線211が所定の方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。実装基板210-1の表面のうち表示領域210Aに対応する領域には、さらに、例えば、複数のスキャン配線212がデータ配線211と交差例えば直交する方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。データ配線211およびスキャン配線212は、例えば、Cu銅などの導電性材料からなる。スキャン配線212は、例えば、最表層に形成されており、例えば、基材表面に形成された絶縁層図示せず上に形成されている。なお、実装基板210-1の基材は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなり、基材上の絶縁層は、例えば、SiN、SiO2、またはAl2O3からなる。一方、データ配線211は、スキャン配線212を含む最表層とは異なる層例えば、最表層よりも下の層内に形成されており、例えば、基材上の絶縁層内に形成されている。絶縁層の表面上には、スキャン配線212の他に、例えば、必要に応じて、ブラックが設けられている。ブラックは、コントラストを高めるためのものであり、光吸収性の材料によって構成されている。ブラックは、例えば、絶縁層の表面のうち少なくとも電極パッド420の非形成領域に形成されている。なお、ブラックは、必要に応じて省略することも可能である。データ配線211とスキャン配線212との交差部分の近傍が表示画素213となっており、複数の表示画素213が表示領域210A内においてマトリクス状に配置されている。各表示画素213には、例えば、図22に示したように、複数の発光素子10を含む発光装置1が実装されている。なお、図22には、3つの発光素子1010R,10G,10Bで1つの表示画素213が構成されており、発光素子10Rから赤色の光を、発光素子10Gから緑色の光を、発光素子10Bから青色の光をそれぞれ出力することができるようになっている場合が例示されている。発光素子10は、例えばLEDチップである。発光装置1には、例えば、図23A,Bに示したように、発光素子10ごとに一対の端子電極31,32が設けられている。そして、一方の端子電極31がデータ配線211に電気的に接続されており、他方の端子電極32がスキャン配線212に電気的に接続されている。例えば、端子電極31は、データ配線211に設けられた分枝211Aの先端のパッド電極420に電気的に接続されている。また、例えば、端子電極32は、スキャン配線212に設けられた分枝212Aの先端のパッド電極420に電気的に接続されている。各パッド電極420は、例えば、最表層に形成されており、例えば、図22、図23A,Bに示したように、各発光装置1が実装される部位に設けられている。ここで、パッド電極420は、例えば、Au金などの導電性材料からなる。実装基板210-1には、さらに、例えば、実装基板210-1と透明基板210-2との間の間隔を規制する複数の支柱図示せずが設けられている。支柱は、表示領域210Aとの対向領域内に設けられていてもよいし、フレーム領域210Bとの対向領域内に設けられていてもよい。透明基板210-2透明基板210-2は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなる。透明基板210-2において、発光装置1側の表面は平坦となっていてもよいが、粗面となっていることが好ましい。粗面は、表示領域210Aとの対向領域全体に渡って設けられていてもよいし、表示画素213との対向領域にだけ設けられていてもよい。粗面は、発光素子10から発せられた光が当該粗面に入射したときに入射光を散乱させる程度に細かな凹凸を有している。粗面の凹凸は、例えば、サンドブラストや、ドライエッチングなどによって作製可能である。駆動回路駆動回路は、映像信号に基づいて複数の表示画素213を駆動するものである。駆動回路は、例えば、表示画素213に接続されたデータ配線211を駆動するデータドライバと、表示画素213に接続されたスキャン配線212を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板210-1上に実装されていてもよいし、表示パネル210とは別体で設けられ、かつ配線図示せずを介して実装基板210-1と接続されていてもよい。[表示パネル210の製造方法]次に、表示パネル210の製造方法の一例について説明する。まず、例えば、基材上に、複数のデータ配線211を内部に含む絶縁層と、配線パターンスキャン配線212および電極パッド420およびブラック図示せずとを有する回路基板を用意する。次に、回路基板上に複数の発光装置1を実装する。このとき、上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で、発光装置1が実装される。これにより、実装基板210-1が形成される。次に、実装基板210-1と透明基板210-2とを互いに向かい合わせ、貼り合わせる。このようにして、表示パネル210が製造される。[表示装置2の動作効果]本実施の形態では、発光装置1が駆動回路によって、単純マトリクス配置されたデータ配線211およびスキャン配線212を介して駆動単純マトリクス駆動される。これにより、データ配線211とスキャン配線212との交差部分近傍に設けられた発光装置1に順次、電流が供給され、表示領域210Aに画像が表示される。ところで、本実施の形態では、各表示画素213に発光装置1が実装されている。これにより、発光装置1の厚さを薄くすることができるので、表示パネル210の厚さも薄くすることができる。また、発光装置1の光取り出し効率が高いことから、低消費電力で明るい画像を得ることができる。また、本実施の形態において、透明基板210-2の表面が粗面となっている場合には、発光装置1から斜め方向に発せられた光の一部が粗面で散乱される。これにより、散乱光の一部が透明基板210-2を透過し、外部に射出されるので、発光装置1から斜め方向に発せられた光が透明基板210-2の裏面で反射されたり、透明基板210-2内に閉じ込められ、迷光が発生したりするのを低減することができる。従って、透明基板210-2に起因する光取り出し効率の低下を抑制することができる。また、本実施の形態において、実装基板210-1の表面にブラックが設けられている場合には、透明基板210-2側にブラックを設ける必要がない。これにより、製造過程において、実装基板210-1と、透明基板210-2とを互いに貼り合わせる際にアライメントが不要となるので、生産性が向上する。<4.第2の実施の形態の変形例>第2の実施の形態では、発光装置1は3つの発光素子10を含んでいたが、3つ未満の発光素子10を含んでいてもよいし、4つ以上の発光素子10を含んでいてもよい。例えば、図24に示したように、発光装置1が1つの発光素子10だけを含んでいてもよい。また、第2の実施の形態では、発光装置1内の各発光素子10が、互いに異なるデータ配線211に接続されていたが、例えば、図25に示したように、互いに同一のデータ配線211に接続されていてもよい。この場合に、1つの表示画素213からは同一色の光が発せられるように、発光装置1内の全ての発光素子10が同一種類のLEDで構成されていてもよい。また、第2の実施の形態では、3つの発光素子10が互いに異なる波長帯の光を発するようになっていたが、互いに等しい波長帯の光を発するようになっていてもよい。ただし、この場合には、例えば、図26に示したように、透明基板210-2の表面に、蛍光体215が設けられていることが好ましい。蛍光体215では、例えば、図26に示したように、1つの発光装置1に対して3つの蛍光体215G,215R,215Bが設けられている。蛍光体215Gは緑光用の蛍光体であり、蛍光体215Rは赤光用の蛍光体であり、蛍光体215Bは青光用の蛍光体である。このとき、各発光素子10が、例えば、青色光を発するLEDチップからなっている場合には、各発光素子10から発せられた光が蛍光体215G,215R,215Bに入射し、これにより蛍光体215G,215R,215Bが励起し、入射光量に応じた輝度の色光が蛍光体215G,215R,215Bから発せられる。<5.第3の実施の形態>構成次に、本発明の第3の実施の形態に係る照明装置3について説明する。照明装置3は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置1を光源として備えたものである。図27は、照明装置3の概略構成の一例を斜視的に表したものである。照明装置3は、いわゆるLED照明と呼ばれるものであり、光源としてLEDが用いられたものである。この照明装置3は、例えば、図27に示したように、照明パネル330と、照明パネル330を駆動する駆動回路図示せずとを備えている。照明パネル330照明パネル330は、実装基板330-1と、透明基板330-2とを互いに重ね合わせたものである。透明基板330-2の表面が、照明光が出力される面となっており、中央部分に照明領域330Aを有している。図28は、実装基板330-1の透明基板330-2側の表面のうち照明領域330Aに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。本実施の形態では、図22に記載の表示画素213に対応するものが、照明画素214となる。駆動回路駆動回路は、複数の照明画素214を駆動するものである。駆動回路は、例えば、照明画素214に接続されたデータ配線211を駆動するデータドライバと、照明画素214に接続されたスキャン配線212を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板330-1上に実装されていてもよいし、照明パネル330とは別体で設けられていてもよい。[照明パネル330の製造方法]次に、照明パネル330の製造方法の一例について説明する。まず、例えば、基材上に、複数のデータ配線211を内部に含む絶縁層と、配線パターンスキャン配線212およびパッド電極215とを有する回路基板を用意する。次に、回路基板上に複数の発光装置1を実装する。このとき、上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で、発光装置1が実装される。これにより、実装基板330-1が形成される。次に、実装基板330-1と透明基板330-2とを互いに向かい合わせ、貼り合わせる。このようにして、照明パネル330が製造される。[照明装置3の動作効果]本実施の形態では、発光装置1が駆動回路によって、単純マトリクス配置されたデータ配線211およびスキャン配線212によって駆動される。これにより、データ配線211とスキャン配線212との交差部分近傍に設けられた発光装置1に電流が供給され、照明領域330Aから照明光が出力される。ところで、本実施の形態では、各照明画素214に発光装置1が実装されている。これにより、発光装置1の厚さを薄くすることができるので、照明パネル330の厚さも薄くすることができる。また、発光装置1の光取り出し効率が高いことから、低消費電力で明るい照明光を得ることができる。以上、複数の実施の形態およびそれらの変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、発光装置1が複数の発光素子10を含んでいたが、1つの発光素子10だけを含んでいてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板210-1,310-1には、複数の発光装置1がマトリクス状に実装されていたが、ライン状に実装されていてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板210-1,310-1には、発光装置1を駆動する配線として、単純マトリクス配置されたデータ配線211およびスキャン配線212が用いられていたが、他の配線パターンが用いられてもよい。また、上記実施の形態等では、絶縁体20が設けられていたが、省略されてもよい。この場合には、配線33および配線34は、文字通り中空配線となる。"