"液浸リソグラフィ装置用テーブルであって、前記テーブルの上面に形成された流体捕集口と、前記上面以外の前記テーブルの面に形成された流体排出口とを備え、前記捕集口は、前記排出口において前記テーブルの環境と、前記テーブルを介して流体連通し、前記上面以外の前記テーブルの前記面の、前記排出口に隣接する部分は、疎液性コーティングで被覆されている、液浸リソグラフィ装置用テーブル。前記上面以外の前記テーブルの前記面の、前記排出口の一方側のみにおける部分は、親液性コーティングで被覆されている、および/または、前記上面以外の前記テーブルの前記面の、前記排出口の一方側における部分は、前記排出口から離れるように下向きに傾斜する、請求項1に記載のテーブル。前記上面以外の前記テーブルの前記面は、前記テーブルの下面である、請求項1または2に記載のテーブル。前記捕集口と前記排出口との間の流路に多孔質構造をさらに含む、請求項1~3のいずれかに記載のテーブル。前記流路において前記多孔質構造の下方に、前記流路に液体を供給する液体供給口をさらに含み、または、前記流路において前記多孔質構造の上方に、スポンジ状材料をさらに含む、請求項4に記載のテーブル。前記多孔質構造は前記流路を実質的に満たす、請求項4または5に記載のテーブル。前記捕集口は、前記排出口まで延在する毛細管を介して、前記排出口において前記環境と流体連通し、前記環境は前記基板テーブルの周囲環境、または前記基板テーブルのすぐ外側の空間である、請求項1~6のいずれかに記載のテーブル。前記排出口の幅は前記捕集口の幅以上であり、および/または、前記捕集口と前記排出口との間の流路の幅は前記捕集口の幅より大きい、請求項1~7のいずれかに記載のテーブル。前記捕集口と前記排出口との間の流路の側壁は、前記テーブルの前記上面から前記テーブルの下面の前記排出口にかけて実質的に垂直である、請求項8に記載のテーブル。前記排出口は、前記テーブルの下面において前記捕集口の垂直に真下にある、または、前記排出口は、前記捕集口からオフセットされる、および/または、前記排出口は、前記上面以外の前記テーブルの前記面から突出するリムを備える、請求項1~8のいずれかに記載のテーブル。請求項1~10のいずれかに記載のテーブルを備えるリソグラフィ装置。前記リソグラフィ装置の起動、基板交換動作、および/または前記リソグラフィ装置の基準フレームに前記テーブルをドッキングする動作から選択された少なくとも1つの間に液体が前記流路に供給されるように、前記捕集口と前記排出口との間の前記流路への液体供給を制御するように構成されたコントローラをさらに備え、および/または、前記テーブルの下方に、前記排出口から液体を受けるドリップトレイをさらに備える、請求項11に記載のリソグラフィ装置。前記排出口から液体を抽出するように構成された能動型抽出器をさらに含む、請求項11または12に記載のリソグラフィ装置。前記能動型抽出器は、前記排出口の前記環境に負圧を生成するように構成された負圧発生器をさらに備え、および/または、前記リソグラフィ装置は、前記テーブルの下方に、前記テーブルを位置決めするロングストロークモジュールをさらに備え、当該ロングストロークモジュールは前記能動型抽出器を含む、請求項13に記載のリソグラフィ装置。デバイス製造方法であって、投影システムと基板テーブル上に支持された基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を介して、パターン形成された放射ビームを投影することと、テーブルの上面に形成された捕集口に液浸液を捕集することであって、該捕集口は、該上面以外のテーブルの面の排出口においてテーブルの環境と、テーブルを介して流体連通することと、前記排出口において液浸液を抽出することとを含み、前記上面以外の前記テーブルの面の、前記排出口に隣接する部分は、疎液性コーティングで被覆される、方法。0026図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、-放射ビームB例えば、紫外線またはDUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、-基板例えば、レジストコート基板Wを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って例えば基板Wのテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された1つ以上のセンサまたは基板テーブルWTを支持するセンサテーブルなどのサポートテーブルと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSと、を備える。0027照明システムILとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0028サポート構造MTは、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、パターニングデバイスMAの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスMAが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスMAを保持することができる。サポート構造MTは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造MTは、パターニングデバイスMAを、例えば、投影システムPSに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用されるレチクルまたはマスクという用語はすべて、より一般的なパターニングデバイスという用語と同義であると考えるとよい。0029本明細書において使用されるパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。0030パターニングデバイスMAは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0031本明細書において使用される投影システムという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される投影レンズという用語はすべて、より一般的な投影システムという用語と同義であると考えるとよい。0032本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの例えば、透過型マスクを採用しているものである。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているものであってもよい。0033リソグラフィ装置は、2つ以上のテーブルまたはステージやサポート、例えば、2つ以上の基板テーブル、または1つ以上の基板テーブルと1つ以上のセンサまたは測定テーブルの組合せを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、多数のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置は、基板、センサ、および測定テーブルと同様の態様で並行して使うことができる2つ以上のパターニングデバイステーブルまたはステージやサポートを有してよい。0034図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。例えば、放射源SOがエキシマレーザである場合、放射源SOとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源SOは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源SOが水銀ランプである場合、放射源SOは、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。0035イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータILの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータILを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。放射源SOと同様に、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとみなされてよく、またみなされなくてもよい。例えば、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一体部分であってよく、またはリソグラフィ装置とは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータILがリソグラフィ装置上に設置されることを可能にするように構成され得る。必要に応じて、イルミネータILは着脱可能であり、例えば、リソグラフィ装置製造業者または別の供給業者によって別個で設けられてよい。0036放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスMAによってパターン形成される。パターニングデバイスMAを通り抜けた後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置付けるように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサ図1には明示的に示されていないを使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、サポート構造MTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合はスキャナとは対照的に、サポート構造MTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分Cとターゲット部分Cとの間の空間内に置くこともできるこれらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、複数のダイがパターニングデバイスMA上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。0037例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00381.ステップモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームBに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。00392.スキャンモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームBに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分Cの幅非スキャン方向が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分Cの高さスキャン方向が決まる。00403.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0041上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0042本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった、マイクロスケール、さらにはナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントを製造する際の他の用途を有し得ることが理解されるべきである。0043投影システムPSの最終エレメントと基板との間に液体を供給するための配置は、3つの一般的なカテゴリーに分類することができる。これらは、浴型バスタイプ配置、いわゆる局所液浸システム、およびオールウェット液浸システムである。浴型配置において、実質的に基板Wの全体が、そして任意に基板テーブルWTの一部が、液体の浴に浸漬される。0044局所液浸システムは、液体が基板の局所領域にのみ供給される液体供給システムを使用する。液体によって満たされる空間は平面において基板の上面より小さく、基板Wが当該領域の下で動く一方、液体が満たされる領域は投影システムPSに対して実質的に静止している。図2~図5は、そのようなシステム内で使用可能であるさまざまな供給デバイスを示している。封止フィーチャが、液体を局所領域に封じるために存在する。このために提案されている1つの方法が、PCT国際公開公報第99/49504号に開示されている。0045オールウェット配置においては、液体は閉じ込められない。基板上面の全体および基板テーブルの全体または一部は液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は基板上の液体の膜、例えば薄膜であり得る。投影システムおよび投影システムに対向する面このような対向面は基板および/または基板テーブルの面であり得るの領域へ、または当該領域内に、液浸液が供給され得る。図2~図5のいずれの液体供給デバイスもそのようなシステム内で使用することができる。しかし、液体を局所領域のみに封じるために封止フィーチャは存在せず、作動されず、通常より効率的でなく、そうでなければ効果的でない。0046図2および図3に示すように、液体は、好ましくは最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って、少なくとも1つの入口によって基板上に供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に、少なくとも1つの出口によって除去される。基板がエレメントの下方で-X方向にスキャンされると、液体は、エレメントのX側で供給され、-X側で取り除かれる。図2は、液体が入口を介して供給され、低圧力源に接続されている出口によってエレメントの他方の側で取り除かれるという配置を概略的に示している。図2では、最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って液体が供給される様子が示されているが、必ずしもこのようである必要はない。さまざまな向きおよび数の入口および出口が最終エレメントの周りに配置されることが可能である。図3にその一例が示されており、両側に出口を有する入口4組が、最終エレメントの周りに一定のパターンで設けられている。なお、液体流の方向は、図2および図3の矢印によって示される。0047局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィのさらなる解決法が図4に示されている。液体が投影システムPSの両側にある2つの溝入口によって供給され、これらの入口の半径方向外側に配置された複数の個別の出口によって除去される。入口は、投影する投影ビームを通す穴を中心に有するプレートに配置することができる。液体は、投影システムPSの一方側にある1つの溝入口によって供給され、投影システムPSの他方側にある複数の個別の出口によって除去され、それによって投影システムPSと基板Wとの間に液体の薄膜の流れが生じる。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Wの移動方向によって決定することができる他の組合せの入口及び出口は作動しない。なお、図4において、流体の流れの方向と基板の方向が矢印で示されている。0048提案されている別の配置は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造を、液体供給システムに設けることである。そのような配置が図5に示されている。0049図5は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルWTまたは基板Wとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する、液体閉じ込め構造12を備える局所液体供給システムまたは流体ハンドリングシステムを概略的に示している。なお、以下本明細書における基板Wの表面についての言及は、明示的に別段の定めをした場合を除き、さらにまたはあるいは基板テーブルの表面を示す。液体閉じ込め構造12は、XY平面において投影システムに対して実質的に静止しているが、Z方向光軸の方向には多少の相対移動があり得る。一実施形態において、液体閉じ込め構造12と基板Wの表面との間にはシールが形成されており、ガスシールなどの非接触シールガスシールを備えるそのようなシステムは、欧州特許出願公開第1,420,298号に開示されている、または液体シールとすることができる。0050液体閉じ込め構造12は、投影システムPSの最終エレメントと基板Wとの間の空間11内に液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Wに対する非接触シール16は、基板Wの表面と投影システムPSの最終エレメントとの間の空間内に液体が閉じ込められるように、投影システムPSのイメージフィールドの周りに形成することができる。空間11は、投影システムPSの最終エレメントの下方でかつ当該エレメントを取り囲んで位置する液体閉じ込め構造12によって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口13によって、投影システムPSの下方かつ液体閉じ込め構造12の内部の空間11に運ばれる。液体は、液体出口13によって除去され得る。液体閉じ込め構造12は、投影システムの最終エレメントの少し上方に延在し得る。液面は、液体のバッファが設けられるように最終エレメントより高くなる。一実施形態において、液体閉じ込め構造12は、その上端において投影システムまたは投影システムの最終エレメントの形状に厳密に一致する、例えば円形であり得る内周部を有する。底部において、この内周部は、イメージフィールドの形状、例えば長方形に厳密に一致するが、必ずしもこのようにする必要はない。0051液体は、使用中にバリア部材12の底部と基板Wの表面との間に形成されるガスシール16によって空間11内に封じ込められ得る。ガスシールは気体で形成される。ガスシールの気体は、圧力下で入口15を介してバリア部材12と基板Wとの間のギャップに供給される。気体は出口14を介して抽出される。気体入口15への過剰圧力、出口14に対する真空準位、およびギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内側への高速の気体流16が存在するように定められる。バリア部材12と基板Wとの間の液体に対する気体の力が液体を空間11内に封じ込める。入口/出口は空間11を取り囲む環状溝とすることができ、環状溝は連続または非連続であり得る。気体流16は、液体を空間11に封じ込めるのに効果的である。そのようなシステムは、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、米国特許出願公開第2004-0207824号に開示されている。一実施形態において、液体閉じ込め構造12はガスシールを有さない。0052制御システム500は、リソグラフィ装置の全動作を制御し、特に以下にさらに説明する最適化プロセスを実行する。制御システム500は、中央処理ユニットと、揮発性および不揮発性記憶手段と、キーボードおよび/またはスクリーンなどの1つ以上の入出力デバイスと、1つ以上のネットワーク接続と、リソグラフィ装置のさまざまな部分に対する1つ以上のインターフェイスとを備える、適切にプログラムされた汎用コンピュータとして具体化される。制御コンピュータとリソグラフィの装置の1対1の関係は必須でないことが理解されよう。本発明の一実施形態において、1つのコンピュータが多数のリソグラフィ装置を制御し得る。本発明の一実施形態において、複数のネットワーク接続されたコンピュータを使用して1つのリソグラフィ装置を制御し得る。制御システム500は、リソグラフィ装置がその一部を形成するリソセルまたはクラスタ内の1つ以上の関連付けられたプロセスデバイスおよび基板ハンドリングデバイスを制御するように構成され得る。また、制御システム500は、リソセルやクラスタの監視制御システムおよび/またはファブの総合制御システムに従属するように構成され得る。0053図6は、本発明の一実施形態に係る基板テーブルWTを断面で示している。基板テーブルWTは、基板テーブルWTの上面62に形成された捕集口61を備える。捕集口または流体回収口61は、上面62以外の基板テーブルWTの表面64の排出口63において、基板テーブルWTを介して基板テーブルWTの環境と流体連通する。基板テーブルWTの環境は、基板テーブルWTの周囲環境である。環境は、基板テーブルWTのすぐ外側の空間である。基板テーブルWTの下面64は、基板テーブルWTの環境と直接接触する。0054捕集口61、排出口63、および捕集口61を排出口63に接続する流路65は、二相抽出器を形成し得る。二相抽出器は、液体と気体の混合物を抽出する。捕集口61を排出口63において基板テーブルWTの環境と基板テーブルWTを介して流体連通させることによって、底部を有さない二相抽出器が設けられる。これはリソグラフィ装置のコンポーネントの熱変形を低減させるのに役立つ。例えば、基板テーブルWTを位置決めする位置決めシステムの一部を構成し得る1つ以上のエンコーダグリッドプレートが、基板テーブルWT上に装着され得る。米国特許出願公開第2007-0288121号は、1つ以上のエンコーダグリッドプレートが基板テーブルWTの上面62上にある例示的なリソグラフィ装置を説明している。1つ以上のエンコーダセンサが基板テーブルWTの上方のフレームに固定され得る。底を有さない二相抽出器を設けることによって、エンコーダグリッドプレートは、蒸発冷却により熱変形しにくくなる。そのような蒸発冷却は、コンポーネントの表面上の液浸液などの液体の液滴の蒸発に起因する。0055捕集口61と排出口63における基板テーブルWTの環境の流体連通を形成することによって、捕集口61から流体を除去するためにケーブルまたはホースを基板テーブルWTに接続する必要がなくなる。0056捕集口61は、基板テーブルアセンブリの上面から気体および/または液体を捕集するために使用され得る。基板テーブルアセンブリの上面は、基板W、センサ、ステッカ、カバープレート103、基板テーブルWT、および基板テーブルWT上に位置決めされたリソグラフィ装置の他のコンポーネントから選択された1つ以上の上面を含み得る。気体および液体の二相混合物は、捕集口61によって流路65内に捕集され得る。一実施形態において、流路65から排出口63によって液体のみが抽出される。一実施形態において、気体および液体の混合物が流路65から排出口63を介して抽出される。排出口63を介する抽出は、液体が、基板テーブルWTの上面62と基板テーブルWTの真上のコンポーネント例えば、カバープレート103の下面との間のギャップに実質的に流れないように行われるべきである。一実施形態において、捕集口61は基板テーブルアセンブリの上面に突出する。0057一実施形態において、上面以外の基板テーブルの面は、基板テーブルWTの下面64である。従って、一実施形態において、排出口63は基板テーブルWTの下面64内にある。排出口63は、捕集口61の下方にある。これによって、液浸液が、重力のみを利用して、基板テーブルアセンブリの上面から捕集口61および排出口63を介して抽出されることが可能になる。このように、動的抽出器を設ける必要はない。従って、このシステムを静的二相抽出器と呼ぶことができる。0058図6に示すように、基板テーブルWTは、捕集口61と排出口63との間の流路65に多孔質構造66を備え得る。多孔質構造66は、毛細管構造を備え得る。多孔質構造66は、シーブまたはマイクロシーブを備え得る。多孔質構造66は、望ましくは親液性である。多孔質構造66の目的は、流路65の液面を維持することである。このように、多孔質構造66に落下する量の液体が、排出口63から直接排出される。結果として、流路65の液体量はほぼ一定のままである。0059一実施形態において、排出口63は基板テーブルWTの側面にある。排出口63は、捕集口61の下方に直接または間接的に位置するという条件で、基板テーブルWTのいずれの面にあってよい。これによって、捕集口61の液体が重力のみによって排出口63から抽出されることが可能になる。0060多孔質構造66は、多孔質媒体を含み得る。多孔質媒体はマイクロシーブより強固であり得る。しかし、マイクロシーブは、穴がより良好に画定されるという点で多孔質媒体に対して有利である。0061一実施形態において、多孔質構造66の上面は、基板テーブルWTの上面62の少なくとも2mm下方にある。一実施形態において、多孔質構造66の上面と基板テーブルWTの上面62との間の距離は、少なくとも3mm、少なくとも4mm、または少なくとも5mmである。多孔質構造66上方の流路の深さの最短距離の目的は、液浸液が流体ハンドリング構造12と多孔質構造66との間のブリッジングを防ぐのに役立つということである。そのようなブリッジングは、流体ハンドリング構造12と多孔質構造66との間の液体の連続体を伴う。流体ハンドリング構造12によって閉じ込められた液体は、多孔質構造66へのブリッジを形成する場合があり、これは親液性であり得る。そのようなブリッジングが起こると、液浸液が流体ハンドリング構造12から離れるように排出されることになり得る。0062最短距離のさらなる理由は、基板Wの下面と多孔質構造66との間のブリッジングを防ぐのに役立つということである。そうでなければ、そのようなブリッジングは、基板Wの下面と基板テーブルWTとの間のギャップに液体が入り込むことにつながり得る。0063液滴が流路65内の多孔質構造66上に落下すると、液滴は多孔質構造66の穴を通過して多孔質構造66の下方の液体量を増すことになる。多孔質構造66の下方の結果として得られる貯留部から、基板テーブルWTの排出口63に液体が流出する。0064一実施形態において、多孔質構造66の孔の平均半径は、約10マイクロメータから約100マイクロメータの範囲である。孔の最大半径は、数百マイクロメータ程度と、より大きくてよい。0065流路65の液体、例えば、多孔質構造66に蓄積される液体は、蒸発により失われ得る。流路65内の液面を維持するために、基板テーブルWTは、流路65において多孔質構造66の下方に液体供給口67を備え得る。液体供給口67は、流路65に液体を供給するように構成される。従って、多孔質構造66の下方の貯留部が液体で実質的に満たされるように、多孔質構造66の下方の液体貯留部への液体の受動滴下が存在する。流路65からの液体の蒸発速度は、比較的低くなりやすい。従って、基板Wの露光サイクルごとにわずかな液滴のみが液体供給口67から流路65に供給されることが必要であり得る。多層質構造66の下方で貯留部を満たすために、リソグラフィ装置の起動中に液体供給口67を介する液体の供給を用いることができる。0066液体供給口67を介する液体の供給は、基板交換動作中に行われるであろう。一実施形態において、基板テーブルWTがテーブル交換動作中に基準フレームにドッキングする際、液体は基準フレーム図示せずから再供給される。0067リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置の起動、基板交換動作、および/またはリソグラフィ装置の基準フレームに基板テーブルWTをドッキングする動作から選択された少なくとも1つの間に液体が流路65に供給されるように、捕集口61と排出口63との間の流路65への液体供給を制御するように構成されたコントローラ500図1に示すを備え得る。0068基板テーブルWTは、流路65の液面を監視するように構成された液面センサ図示せずを備え得る。液面センサは、コントローラが流路65の液面に関する情報を有するようにコントローラ500に接続され得る。コントローラ500は、液面センサの出力に基づいて流路65への液体供給を制御するように構成され得る。このように、コントローラ500は、流路65の液面を維持することができる。0069図6に示すように、捕集口61は、排出口63まで延在する少なくとも1つの毛細管68を介して、排出口63において環境と流体連通し得る。図6に示す実施形態において、毛細管68は、多孔質構造66の下方の貯留部の底部から排出口63まで延在する。多孔質構造66の下方の液体貯留部は、毛細管68を介して基板テーブルWTの底部まで排水することができる。一実施形態において、基板テーブルWTは、一連の毛細管68を備える。0070図9および図10は、毛細管68が存在しない実施形態を示している。図9および図10に示す実施形態において、二相抽出器は開放式であり、捕集口61から排出口63まで狭まらない構造を持つ。0071図6において、参照文字hは多孔質構造66の下面と排出口63との間の距離を指すために使用される。距離hはこれら2点間の垂直距離である。一実施形態において、流路65で維持される液柱の高さを示す距離hは、以下の式による多孔質構造66の孔の最大半径に関する。0072ここでρは液浸液の密度であり、σは液浸液の表面張力であり、rは多孔質構造66の孔の最大半径であり、gは重力であり、θは液浸液の多孔質構造66との接触角である。0073毛細管68は、約0.2mmから約2mmの範囲内、望ましくは約0.5mmから約1mmの範囲内の幅を有し得る。図6に示すように、基板テーブルWTの表面64の排出口63に隣接する部分は、疎液性コーティング69で被覆され得る。図6に示すように、疎液性コーティング69は、排出口63を実質的に取り囲み得る。疎液性コーティング69は、基板テーブルWTの下面64の排出口63に隣接し得る。疎液性コーティング69の目的は、排出口63から抽出された液浸液によって下面64または排出口63が位置する他の面が濡れるのを防ぐのに役立つということである。一実施形態において、疎液性コーティング69は、排出口63の一方側のみに形成される。0074図6に示すように、排出口63は、基板テーブルWTの下面64において捕集口61の垂直に真下にあり得る。これによって、捕集口61に捕集された液体が、液体を抽出可能な排出口63へ直接流れることが可能になる。0075一実施形態において、多孔質構造66は、流路65を実質的に満たし得る。一実施形態において、多孔質構造は、捕集口61から毛細管68の上部までの流路の一部を実質的に満たし得る。この場合、流路65の液体供給口67の機能は、多孔質構造66によって果たされる。多孔質構造66は、毛細管材料から成り得る。この場合、システムを十分乾かすことができる。多孔質構造66の上面の最初の液滴は、排出が始まる前に多孔質構造66を満たすことになる。0076しかし、時間とともに多孔質構造66が汚染される可能性がある。これは、多孔質構造の目詰まりにつながる場合があり、それは徐々に疎液性が高くなる材料になる。従って、多孔質構造66は周期的に洗浄されるべきである。一実施形態において、多孔質構造66は、リソグラフィ装置がオフラインである間に多孔質構造66を洗浄できるように、基板テーブルWTから着脱可能である。0077一実施形態において、多孔質構造66にガラス材料が施される。ガラス材料のコーティングを有する利点は、ガラス材料のコーティングによって多孔質構造66が洗浄しやすくなることである。また、ガラスコーティングは、多孔質構造66の疎液性を改善し得る。0078上述の基板テーブルWTは、リソグラフィ装置に備えられ得る。リソグラフィ装置は、基板テーブルWTの下方にドリップトレイ70をさらに備え得る。ドリップトレイ70は、排出口63からの液体を捕集する。ドリップトレイ70は、望ましくは、排出口63の垂直に真下に位置する。ドリップトレイ70は、基板テーブルWTの下面64に取り付けられ得る。この目的は、ドリップトレイ70と排出口63の相対位置が維持されるように、ドリップトレイ70が基板テーブルWTに沿って自動的に動くことである。一実施形態において、ドリップトレイ70は、基板テーブルWTの下方のロングストロークモジュール105に取り付けられる。ロングストロークモジュールは、基板テーブルWTを動かす。0079リソグラフィ装置は、排出口63から液体を抽出するように構成された動的抽出器をさらに備え得る。動的抽出器は、排出口63の環境の負圧を生成するように構成された負圧発生器102を備え得る。動的抽出器は、基板テーブルWTの下方のロングストロークモジュール105に備えられ得る。動的抽出器は、基板テーブルWTから液体を除去する。0080負圧発生器102は、ロングストロークモジュール105に取り付けられ得る。負圧発生器102は、基板テーブルWTとロングストロークモジュール105との間の領域に部分真空を生成し得る。0081捕集口61は、基板テーブルWT上に支持された基板Wの半径方向外側に位置し得る。カバープレート103は、基板Wの半径方向外側で基板テーブルWTの上面に位置し得る。捕集口61は、基板Wとカバープレート103との間に位置し得る。0082図7は、本発明の一実施形態に係る基板テーブルWTを断面で示している。図6に示す基板テーブルWTに共通する図7に示す基板テーブルWTのコンポーネントには、同じ参照番号が与えられる。これらのコンポーネントの各々は、図6に示す対応するコンポーネントに関連して上述の同じ特徴を有し得る。0083図7に示すように、排出口63は捕集口61からオフセットされ得る。結果として、排出口63は捕集口61の垂直に真下にない。これは、二相抽出器の液体が、捕集口61の真下に排出される必要がないからである。この配置の利点は、例えば、スキャン動作中の基板テーブルWTの横移動が二相抽出器の流路65から排出口63を介して液体を排出させることである。従って、基板テーブルWTの横移動と重力の両方が二相抽出器から液体を排出させる。0084図7に示す実施形態において、水平面のすなわち、X方向またはY方向の基板テーブルWTの加速が、液体が基板テーブルWTから離れるように流路65を介して排出口63から流出することにつながり得る。図7に示すように、流路65は、2つの垂直部の間に水平部を有する段の形をとり得る。一実施形態において、流路65は下向きにかつ半径方向外側に延在する斜部を含み得る。排出口63の捕集口61からのオフセットをもたらす流路65の部分は、毛細管68から成り得る。0085一実施形態において、排出口63は、基板テーブルWTの上面62以外の表面64から突出するリム71を備え得る。図7に示すように、リム71に疎液性コーティング72が施され得る。疎液性コーティング72およびリム71の目的は、排出口63が位置する基板テーブルWTの表面64が濡れるのを防ぐのに役立つということである。リム71は、図6に示す疎液性コーティング69に加えて、または疎液性コーティング69の代わりに、この機能を果たし得る。0086図7に示す実施形態は、図6に示す実施形態との関連で上述のドリップトレイ70を備え得る。図7に示す実施形態は、図6に示す実施形態との関連で上述の負圧発生器102を備え得る。負圧発生器は、ロングストロークモジュール105上に設けられ得る。ロングストロークモジュール105は、二相抽出器の下方に位置し得る。二相抽出器は、ロングストロークモジュール105に対して接触しない。0087図8は、本発明の一実施形態に係る基板テーブルWTを断面で示している。図6または図7に示すコンポーネントに対応する図8に示す基板テーブルWTのコンポーネントは、詳細に説明しない。これらのコンポーネントには同じ参照番号が与えられ、上述した特徴と同じ特徴を有し得る。0088図8に示すように、上面62以外の基板テーブルWTの表面64の、排出口63の一方側のみにおける部分は、親液性コーティング81で被覆され得る。親液性コーティング81の目的は、二相抽出器の真下の位置から離れるように液体を排出口63から輸送することである。親液性コーティング81の使用により、排出口63からの液体は、親液性コーティング81に従い、その後、親液性コーティング81が疎液性表面に接触する、および/または表面64の曲げ部に接触する場所で滴下し得る。0089一実施形態において、排出口63の親液性コーティング81と別の側における表面64の部分は、疎液性コーティング69で被覆される。疎液性コーティング69は、排出口63の半径方向内側にあり得る。親液性コーティング81は、排出口63の半径方向外側にあり得る。0090一実施形態において、排出口63が親液性コーティング81に接触する点において、表面は液体が固定されるのを防ぐのに役立つように滑らかである。この点において表面は鋭い縁を形成するのではなく丸みを有することが望ましい。0091一実施形態において、親液性コーティング81の半径方向外側の表面64は、さらなる疎液性コーティング82で被覆される。このさらなる疎液性コーティング82の目的は、親液性コーティング81に従う液体が、基板テーブルWTから離れるように滴下する液滴を形成するのを容易にすることである。上述のドリップトレイ70が液滴を受け得る。0092一実施形態において、排出口63が位置する基板テーブルWTの表面64の一部が、排出口63の一方側において排出口63から離れるように下向きに傾斜する。図8に示すように、表面64の下向きの傾斜部は、親液性コーティング81が施される面の部分であり得る。下向きの傾斜の目的は、液体が基板テーブルWTから離れるように滴下することができる点に向かって、親液性コーティング81に沿って排出口63から離れるような液体の排出を促進することである。0093この配置の利点は、基板Wの外縁のギャップから流体を抽出するために外部チューブを基板テーブルWTに取り付けなくてよいことである。さらに、リソグラフィ装置のコンポーネントの蒸発冷却が低減または最小化される。というのは、有意の気体が排出されることなく、二相抽出器を介して実質的に液体のみが排出されるからである。蒸発冷却の最小化は、例えば、エンコーダグリッドプレートおよび/またはセンサが基板テーブルWTの上面62上に装着されるシステムにとって重要である。そのようなエンコーダグリッドプレートは、例えば、クォーツから形成され得る。0094図9は、本発明の一実施形態に係る基板テーブルWTを断面で示している。図9に示すように、排出口63の幅は、捕集口61の幅以上であり得る。従って、二相抽出器は、底部において開放式である。排出口63は、基板テーブルWTの下面64に形成される。図9に示す基板テーブルWTは、簡単な構造を備えるという利点を有する。図9に示すように、捕集口61と排出口63との間の流路65の幅は、捕集口61の幅より大きくてよい。0095流路65の内面は疎液性コーティング91で被覆され得る。疎液性コーティング91は、排出口63を取り囲んで形成される疎液性コーティング69と連続した疎液性コーティングを形成し得る。0096図9に示す実施形態は、図6に示す実施形態との関連で上述のドリップトレイ70を備え得る。図9に示す実施形態は、図6に示す実施形態との関連で上述の負圧発生器102を備え得る。負圧発生器は、ロングストロークモジュール105上に設けられ得る。ロングストロークモジュール105は、二相抽出器の下方に位置し得る。二相抽出器は、ロングストロークモジュール105に対して接触しない。0097図10は、本発明の一実施形態に係る基板テーブルWTを断面で示している。図10に示すように、基板テーブルWTは、流路65において多孔質構造66の上方にスポンジ状材料101を備え得る。多孔質構造66上のスポンジ状材料101の目的は、ここで蓄積し得る液体の流れ抵抗を増加させることである。これは液体がはねるのを防ぐのに役立ち、そうでなければ望ましくない動的な力を招くであろう。一実施形態において、スポンジ状材料101はスポンジを備える。スポンジ状材料101は、約3mmより大きい最小孔径を有し得る。一実施形態において、スポンジ状材料101は、非毛細管である。非毛細管スポンジ状材料の利点は、多孔質構造66の上方の液体流の抵抗が増加することである。これによって基板テーブルWTの移動を妨げ得る望ましくない動的な力が低減する。0098図10に示すように、多孔質構造66は、二相抽出器の下端に位置し得る。多孔質構造66は、排出口63に位置し得る。多孔質構造66は、その上方に余分な液体を蓄積し、制御した速度で基板テーブルWTから離れるように液体を滴下する。多孔質構造66に蓄積される液体の量は、多孔質構造66を介して抽出される液体の量を決定する。この抽出は受動的に、すなわち重力のみによってなされ得る。多孔質構造66上の液面は、排液速度を決定し得る。0099一実施形態において、捕集口61と排出口63との間の流路65の側壁は、基板テーブルWTの上面62から基板テーブルWTの下面64の排出口63にかけて実質的に垂直である。これによって簡単な構造の基板テーブルWTが設けられる。0100図10に示す実施形態は、図6に示す実施形態との関連で上述のドリップトレイ70を備え得る。図10に示す実施形態は、図6に示す実施形態との関連で上述の負圧発生器102を含み得る。負圧発生器は、ロングストロークモジュール105上に設けられ得る。ロングストロークモジュール105は、二相抽出器の下方に位置し得る。二相抽出器は、ロングストロークモジュール105に対して接触しない。0101上記任意の特徴を任意の他の特徴とともに使用することができ、本出願が対象とする明示された組合せに限定されないことを理解されたい。例えば、図9に示す流路65のより幅の広いギャップという特徴ならびに任意の流路65の内面の疎液性コーティング91は、図6~図8または図10に示す実施形態のいずれにも適用され得る。そのような実施形態を図11~図14に示す。0102図11は、図9に示すより幅の広いギャップおよび任意の疎液性コーティング91が図6に示す実施形態に適用される実施形態を示している。図12、図13、および図14は、図9に示すより幅の広いギャップおよび任意の疎液性コーティング91が図7、図8、および図9にそれぞれ示す実施形態に適用される本発明の実施形態に対応する。0103図11~図14に示す実施形態は、図6に示す実施形態との関連で上述のドリップトレイ70を備え得る。図11~図14に示す実施形態は、図6に示す実施形態との関連で上述の負圧発生器102を備え得る。負圧発生器は、ロングストロークモジュール105上に設けられ得る。ロングストロークモジュール105は、二相抽出器の下方に位置し得る。二相抽出器は、ロンgグストロークモジュール105に対して接触しない。0104本明細書では基板テーブルに関して実施形態を説明してきたが、本発明の一実施形態は任意のテーブルに適用され得る。例えば、基板テーブルに加えて、または基板テーブルの代わりに、本発明の一実施形態は、1つ以上のセンサを有するが基板を保持するように必ずしも配置されない測定テーブルに適用され得る。0105一態様において、リソグラフィ装置用のテーブルであって、テーブルの上面に形成された捕集口を備え、捕集口は上面以外のテーブルの面の排出口において、テーブルの環境とテーブルを介して流体連通する、テーブルが提供される。0106一実施形態において、上面以外のテーブルの面は、テーブルの下面である。0107一実施形態において、テーブルは、捕集口と排出口との間の流路に多孔質構造をさらに備える。0108一実施形態において、多孔質構造の最大孔径は、約10μmから100μmの範囲である。0109一実施形態において、テーブルは、流路において多孔質構造の下方に、流路に液体を供給する液体供給口をさらに備える。0110一実施形態において、テーブルは、流路において多孔質構造の上方に、スポンジ状材料をさらに備える。0111一実施形態において、スポンジ状材料の平均孔径は約3mmより大きい。0112一実施形態において、多孔質構造は、流路を実質的に満たす。0113一実施形態において、捕集口は、排出口まで延在する毛細管を介して、排出口において環境と流体連通する。0114一実施形態において、毛細管の平均半径は、約0.2mmから約2mmの範囲内、または約0.5mmから約1mmの範囲である。0115一実施形態において、排出口の幅は捕集口の幅以上である。0116一実施形態において、捕集口と排出口との間の流路の側壁は、テーブルの上面からテーブルの下面の排出口にかけて実質的に垂直である。0117一実施形態において、上面以外のテーブルの面の、排出口に隣接する部分に、疎液性コーティングが施される。0118一実施形態において、排出口は、テーブルの下面において捕集口の垂直に真下にある。0119一実施形態において、請求項1~13のいずれかに記載のテーブルであり、排出口は捕集口からオフセットされる。0120一実施形態において、排出口は、上面以外のテーブルの面から突出するリムを備える。0121一実施形態において、リムに疎液性コーティングが施される。0122一実施形態において、上面以外のテーブルの面の、排出口の一方側のみにおける部分に親液性コーティングが施される。0123一実施形態において、上面以外のテーブルの面の、排出口の一方側における部分は、排出口から離れるように下向きに傾斜する。0124一実施形態において、捕集口と排出口との間の流路の幅は、捕集口の幅より大きい。0125一実施形態において、捕集口は、基板が支持される基板支持領域の半径方向外側にある。0126一態様において、上記のテーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。0127一実施形態において、リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置の起動、基板交換動作、および/またはリソグラフィ装置の基準フレームにテーブルをドッキングする動作から選択された少なくとも1つの間に液体が流路に供給されるように、捕集口と排出口との間の流路への液体供給を制御するように構成されたコントローラをさらに備える。0128一実施形態において、リソグラフィ装置は、テーブルの下方に、排出口から液体を受けるドリップトレイをさらに備える。0129一実施形態において、リソグラフィ装置は、排出口から液体を抽出するように構成された能動型抽出器をさらに備える。0130一実施形態において、能動型抽出器は、排出口の環境に負圧を生成するように構成された負圧発生器を備える。0131一実施形態において、リソグラフィ装置は、テーブルの下方に、テーブルを位置決めするロングストロークモジュールをさらに備える、ロングストロークモジュールは能動型抽出器を備える。0132一態様において、デバイス製造方法であって、投影システムと基板テーブル上に支持された基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を介して、パターン形成された放射ビームを投影することと、テーブルの上面に形成された捕集口に液浸液を捕集することであって、捕集口は、上面以外のテーブルの面の排出口において、テーブルの環境とテーブルを介して流体連通することと、排出口において液浸液を抽出することと、を含む、方法が提供される。0133本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0134本明細書で使用される放射およびビームという用語は、紫外線UV例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長、またはおよそこれらの値の波長を有するを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。レンズという用語は、文脈によっては、屈折型および反射型光コンポーネントを含むさまざまな種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0135以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明の実施形態は、上記に開示した方法を表す1つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスクの形態であってもよい。さらに、機械読取可能命令は、2つ以上のコンピュータプログラムに具現化されてもよい。この2つ以上のコンピュータプログラムは、1つ以上の異なるメモリおよび/またはデータ記憶媒体に記憶してもよい。0136リソグラフィ装置の少なくとも1つのコンポーネント内に位置する1つ以上のコンピュータプロセッサによって1つ以上のコンピュータプログラムが読み取られる場合、本明細書記載のすべてのコントローラは、各々または組み合わせて動作可能である。コントローラは、各々または組み合わせて信号を受信、処理および送信するためのあらゆる適切な構成を、有し得る。1つ以上のプロセッサは、コントローラのうちの少なくとも1つと通信するように構成される。例えば、各コントローラは、上述の方法を目的とする機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行する1つ以上のプロセッサを含んでよい。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体、および/またはそのような媒体を受信するハードウェアを含んでよい。従って、コントローラは、1つ以上のコンピュータプログラムの機械読取可能命令に従って動作することができる。0137本発明の1つ以上の実施形態は、液浸液が浴の形態で供給されるか、基板の局所表面領域上のみに供給されるか、または閉じ込められないかにかかわらず、あらゆる液浸リソグラフィ装置、特に上述の種類の液浸リソグラフィ装置ただし、これに限らないに適用することができる。非閉じ込め配置においては、液浸液は基板および/または基板テーブルの表面上を流れ得るため、基板テーブルおよび/または基板の覆われていない表面の実質的に全体が濡れることになる。このような非閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムは液浸液を閉じ込めなくてよく、または液浸液を部分的に閉じ込めるが実質的に完全に閉じ込めなくてよい。0138本明細書において考えられた液体供給システムは、広く解釈されなければならない。特定の実施形態において、液体供給システムは、投影システムと基板および/または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する1つの機構または複数の構造の組合せであり得る。この液体供給システムは、1つ以上の構造、1つ以上の液体開口を含む1つ以上の流体開口、1つ以上の気体開口、または二相流のための1つ以上の開口の組合せを含むことができる。開口の各々は、液浸空間への入口もしくは流体ハンドリング構造からの出口または液浸空間からの出口もしくは流体ハンドリング構造への入口とすることができる。一実施形態において、空間の表面は基板および/または基板テーブルの一部としてよいか、または、空間の表面は基板および/または基板テーブルの表面を完全に覆っていてよいか、または、空間は基板および/または基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは、液体の位置、量、質、形状、流量、または他の特徴を制御するための1つ以上の要素を、任意でさらに含むことができる。0139上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。従って、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。"