基板上に第1膜、第2膜、および第3膜をこの順に塗布可能な塗布装置と、前記基板から前記第1膜を除去可能な第1溶剤、前記第2膜を除去可能な第2溶剤、および前記第3膜を除去可能な第3溶剤のいずれかを前記基板上に供給可能な供給装置と、前記第1~第3溶剤の前記基板への到達位置を制御する制御ユニットと、を有する液浸露光用塗布装置。前記制御ユニットは、前記第3膜の端部が前記第1膜の端部と前記第2膜の端部の間に位置するように前記第1~第3溶剤の前記基板への到達位置を制御する、請求項1に記載の液浸露光用塗布装置。前記制御ユニットは、前記第1~第3溶剤の流量を、前記第1~3膜への到達距離に応じて制御する流量制御装置を有する、請求項1記載の液浸露光用塗布装置。前記基板を回転させる回転装置を有し、前記制御ユニットは、前記回転装置の回転速度を制御するコントローラを有する、請求項1または2のいずれか一項に記載の液浸露光用塗布装置。前記制御ユニットは、前記第3膜の端部が前記第1膜の端部と前記第2膜の端部の間に位置するように前記流量制御装置が前記第1~第3溶剤の流量を制御する、請求項4に記載の液浸露光用塗布装置。前記制御ユニットは、前記第3膜の端部が前記第1膜の端部と前記第2膜の端部の間に位置するように前記回転制御装置が前記回転装置の回転速度を制御する、請求項5に記載の液浸露光用塗布装置。前記基板はベベル部を有し、前記制御ユニットは、前記第1膜のうち、前記ベベル部の下面および側面に塗布された部分が溶解されるように第1溶剤の流量を制御し、前記第2膜のうち、前記ベベル部の全面に塗布された部分が溶解されるように前記第2溶剤の流量を制御し、前記第3膜の端部が前記第1膜の端部と前記第2膜の端部の間に位置するように第3溶剤の流量を制御する、請求項3~6のいずれか一項に記載の液浸露光用塗布装置。前記制御ユニットは、前記第1膜のうち、前記ベベル部の下面および側面に塗布された部分が溶解されるように前記回転装置の回転速度を制御し、前記第2膜のうち、前記ベベル部の全面に塗布された部分が溶解されるように前記回転装置の回転速度を制御し、前記第3膜の端部が前記第1膜の端部と前記第2膜の端部の間に位置するように前記回転装置の回転速度を制御する、請求項7に記載の液浸露光用塗布装置。前記第1膜は反射防止膜であり、前記第2膜はフォトレジストであり、前記第3膜は前記フォトレジストを水から保護する保護膜であることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の液浸露光用塗布装置。前記塗布装置は、前記第1膜を塗布する第1トップノズルと、前記第2膜を塗布する第2トップノズルと、前記第3膜を塗布する第3トップノズルと、を有する請求項1~9のいずれか一項に記載の液浸露光用塗布装置。前記供給装置は、前記第1溶剤を供給する第1ボトムノズルと、前記第2溶剤を供給する第2ボトムノズルと、前記第3溶剤を供給する第3ボトムノズルと、を有する請求項1~10のいずれか一項に記載の液浸露光用塗布装置。a基板上に第1膜を形成し、b前記第1膜上に第2膜を形成し、c前記第2膜上に第3膜を形成し、前記cは、前記第3膜の端部が前記第1膜の端部と前記第2膜の端部の間に位置するように前記第3膜を形成する、液浸露光用塗布方法。前記第1膜は反射防止膜であり、前記第2膜はフォトレジストであり、前記第3膜は前記フォトレジストを水から保護する保護膜であることを特徴とする請求項12記載の液浸露光用塗布方法。前記aは、基板上に第1膜を形成した後に前記第1膜の端部が除去されるような流量の第1溶剤で前記第1膜の端部を溶解し、前記bは、基板上に第2膜を形成した後に前記第2膜の端部が前記第1膜の端部よりも内側に位置するような流量の第2溶剤で前記第2膜の端部を溶解し、前記cは、基板上に第3膜を形成した後に前記第3膜の端部を、その端部が前記第1膜の端部と前記第2膜の端部の間に位置するような流量の第3溶剤で溶解する、請求項12または13のいずれか一項に記載の液浸露光用塗布方法。前記aは、基板上に第1膜を形成した後に前記第1膜の端部が除去されるような回転数で前記基板を回転させながら前記第1溶剤で前記第1膜の端部を溶解し、前記bは、基板上に第2膜を形成した後に前記第2膜の端部が前記第1膜の端部よりも内側に位置するような回転数で前記基板を回転させながら前記第2溶剤で前記第2膜の端部を溶解し、前記cは、基板上に第3膜を形成した後に前記第3膜の端部を、その端部が前記第1膜の端部と前記第2膜の端部の間に位置するような回転数で前記基板を回転させながら前記第3溶剤で溶解する、請求項14に記載の液浸露光用塗布方法。前記aは、ベベル部を有する基板上に第1膜を形成した後に前記第1膜のうち、前記ベベル部の下面および側面に塗布された部分を第1溶剤で溶解し、前記bは、基板上に第2膜を形成した後に前記第2膜のうち、前記ベベル部の全面に塗布された部分を第2溶剤で溶解し、前記bは、基板上に第3膜を形成した後に前記第3膜の端部を、その端部が前記第1膜の端部と前記第2膜の端部の間に位置するように第3溶剤で溶解する、請求項14または15のいずれか一項に記載の液浸露光用塗布方法。前記aは、ベベル部を有する基板上に第1膜を形成した後に、前記基板を回転させながら前記第1膜のうち、前記ベベル部の下面および側面に塗布された部分を第1溶剤で溶解し、前記bは、基板上に第2膜を形成した後に、前記基板を回転させながら前記第2膜のうち、前記ベベル部の全面に塗布された部分を第2溶剤で溶解し、前記bは、基板上に第3膜を形成した後に、前記基板を回転させながら、前記第3膜の端部を、その端部が前記第1膜の端部と前記第2膜の端部の間に位置するように第3溶剤で溶解する、請求項16に記載の液浸露光用塗布方法。請求項12~17のいずれか一項に記載の液浸露光用塗布方法により基板上に形成された液浸露光用膜構造。しかしながら、このような保護膜は、シリコン基板との密着性が悪く、純水に浸されると容易にシリコン基板から剥がれてしまうので、フォトレジストの下層膜である反射防止膜BARC:BottomAntiReflectiveCoating上に形成する必要があった。そのため、保護膜の端部は、フォトレジストの端部を覆って、BARCの端部が露出する位置となるように制御されなければならない。従って、夫々の膜の端部は、塗布装置によってウェハへ塗布されてから、最適な溶剤を用いて加工されるが、塗布装置における溶剤流量の変更は困難であったので、膜毎に変更可能なプロセスパラメータは、ウェハの回転数と処理時間だけに制限されていた。その結果、プロセス条件の調整不足が生じて、膜の端部の位置を十分に制御できないという問題があった。本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、保護膜の端部の位置制御バラツキを低減することが可能な液浸露光用塗布装置を提供することにある。前述した目的を達成するために、本発明の第1の態様は、基板上に第1膜、第2膜、および第3膜をこの順に塗布可能な塗布装置と、前記基板から前記第1膜を除去可能な第1溶剤、前記第2膜を除去可能な第2溶剤、および前記第3膜を除去可能な第3溶剤のいずれかを前記基板上に供給可能な供給装置と、前記第1~第3溶剤の前記基板への到達位置を制御する制御ユニットと、を有する液浸露光用塗布装置である。本発明の第2の態様は、a基板上に第1膜を形成し、b前記第1膜上に第2膜を形成し、c前記第2膜上に第3膜を形成し、前記cは、前記第3膜の端部が前記第1膜の端部と前記第2膜の端部の間に位置するように前記第3膜を形成する、液浸露光用塗布方法である。本発明の第3の態様は、第2の態様に記載の液浸露光用塗布方法により基板上に形成された液浸露光用膜構造である。本発明によれば、保護膜の端部の位置制御バラツキを低減することが可能な液浸露光用塗布装置を提供することができる。以下、図面に基づいて本発明に好適な実施形態を詳細に説明する。まず、図1および図2を参照して、本発明の実施形態に係る液浸露光用膜構造100を備えたウェハ21の構造について説明する。ここではウェハ21として、半導体装置の製造に用いられるウェハが例示されている。図1および図2に示すように、ウェハ21は、基板1上に第1の有機膜5と第2の有機膜6と第3の有機膜7が順次形成されており、液浸露光用膜構造100を構成している。第1の有機膜5は反射防止膜であり、第2の有機膜6はフォトレジスト化学増幅型レジストであり、第3の有機膜7はフォトレジストを水から保護する保護膜である。また、夫々の有機膜の端部は、ベベル部に位置しており、ウェハ21の端部から第1の有機膜5の端部までの距離は、X1となっている。同様に第2の有機膜6の端部までの距離はX2、第3の有機膜7の端部までの距離はX3で、夫々の距離は、X2>X3>X1となっており、第3の有機膜7は第2の有機膜6の上面および側面を覆っている。なお、ベベル部とは、図2に示したように、基板1の端部における端面2と、基板1の主面側の傾斜面以降、上部傾斜面3と称すると、裏面側の傾斜面以降、下部傾斜面4と称するとを統合した総称である。また、基板1の主面とは、基板1が有している2つの表面のうち、半導体デバイスを形成する一方の表面、即ち液浸露光用膜構造100が形成される表面を意味し、他の表面は裏面と称する。このように、X1、X2、X3の位置関係を規定することにより、保護膜が確実にフォトレジストを保護でき、かつ保護膜の剥離も防止できる。次に、液浸露光用膜構造100を形成するための液浸露光用塗布装置20の構造について、図3および図4を参照して説明する。図3および図4に示すように、液浸露光用塗布装置20は、主面の中心を軸にしてウェハ21を回転させるスピンチャック22と、ウェハ21上へ第1~第3の有機膜の原料である第1~第3のポリマーのいずれかを選択して供給するトップノズル23と、ベベル部の下部傾斜面4近傍に、基板1から第1~第3の有機膜を除去する第1~第3溶剤のいずれかを選択して供給するボトムノズル24を有している。トップノズル23は、第1の有機膜5の原料である第1のポリマーを供給する第1のトップノズル23aと、第2の有機膜6の原料である第2のポリマーを供給する第2のトップノズル23bと、第3の有機膜7の原料である第3のポリマーを供給する第3のトップノズル23cを有している。また、ボトムノズル24は、第1溶剤を供給する第1のボトムノズル24aと、第2溶剤を供給する第2のボトムノズル24bと、第3溶剤を供給する第3のボトムノズル24cを有している。スピンチャック22には、スピンモータ25が接続されており、両者は筐体となるプレート34に固定されている。さらにスピンモータ25に接続されたコントローラである回転制御装置26によって、スピンチャック22に真空吸着されたウェハ21の回転速度と回転時間が制御される。トップノズル23には、配管27が接続されており、配管27は第1のポリマーを供給する第1の配管27aと、第2のポリマーを供給する第2の配管27bと、第3のポリマーを供給する第3の配管27cを有している。さらに配管27の途中には、液体流量バルブ28が設けられてコントローラ29と接続されており、ウェハ21上に供給するポリマーの流量が制御される。なおトップノズル23には、ウェハ21をスピンチャック22へ移載する際の干渉を避けるため、ウェハ21上から退避する図3の白矢印参照図示しない退避機構が備わっている。ボトムノズル24には、配管30が接続されており、配管30は第1溶剤を供給する第1の配管30aと、第2溶剤を供給する第2の配管30bと、第3溶剤を供給する第3の配管30cを有している。さらに配管30の途中には、流量制御装置31を構成する液体流量バルブ32とコントローラ33が接続されており、流量制御装置31によって下部傾斜面4へ吐出させる溶剤の流量が制御される。さらに、吐出された溶剤の飛散を防止するため、プレート34の側面並びに底面の周囲を覆うように槽壁35が設置されており、槽壁35の底面には、飛散した溶剤を排出する廃液口36が設けられている。また、流量制御装置31と回転制御装置26とで制御ユニット51を構成している。次に、液浸露光用塗布装置20を用いてウェハ21上に液浸露光用膜構造100を形成する方法および露光現像方法について、図5~図18を参照して説明する。まず、基板1の主面に形成する第1の有機膜5を基板1に密着させるため、基板1を加熱して、主面に吸着している水分を除去する。水分が除去されると、加熱された基板1で塗布途中の第1のポリマーが硬化しないように、基板1を常温まで冷却する以上、図5のS1。次に、真空吸着によって、ウェハ21をスピンチャック22上に固定した後、ウェハ21の主面の中心部にトップノズル23を移動させる。移動が完了すると、第1の配管27aから第1のトップノズル23aを経由させて、例えばアクリル樹脂を主成分とする第1のポリマーをウェハ21上に吐出させる。次に、回転制御装置26を用いてスピンモータ25を回転させ、ウェハ21を所定の回転数で所定の間保持して、図6に示すように、第1の有機膜5をウェハ21の全面に広げ、所定の膜厚の第1の有機膜5を形成する。このとき、第1の有機膜5は、ウェハ21の上部傾斜面3と端面2の一部を覆っている以上、図5のS2。次に、回転制御装置26によって、ウェハ21を所定の回転数で回転させた状態で、流量制御装置31を制御して、第1の配管30aから第1のボトムノズル24aを経由させて、第1の有機膜5を溶解させる第1溶剤をウェハ21の裏面から上部傾斜面3の一部にまで到達するように吐出させ、図7に示すように、ウェハ21の端部から第1の有機膜5の端部までの距離が、X1になるように裏面、端面2、および上部傾斜面3の一部を覆っている第1の有機膜5を除去する。除去が完了すると、第1溶剤の吐出を止め、回転制御装置26を用いてウェハ21を所定の速度で回転させ、基板1および第1の有機膜5を乾燥させる以上、図5のS3。次に、基板1の主面に残留している第1の有機膜5を硬化させるため、基板1を加熱して、第1の有機膜5に含まれる溶媒を除去するベーク処理を行う。さらに、第1の有機膜5が硬化すると、加熱された基板1で、第1の有機膜5上に次に塗布する第2のポリマーが塗布途中に硬化しないようにするため、基板1を常温まで冷却するクーリング処理を行う以上、図5のS4。次に、第2の配管27bから第2のトップノズル23bを経由させて、例えばアクリル樹脂を主成分とする第2のポリマーをウェハ21上に吐出させる。次に、回転制御装置26を用いてスピンモータ25を回転させ、ウェハ21を所定の回転数で保持して、図8に示すように、第2のポリマーをウェハ21の全面に広げ、ウェハ21上に第2の有機膜6を形成する。このとき、第2の有機膜6は、フォトレジストとなって、基板1の上部傾斜面3と端面2の一部を覆っている以上、図5のS5。次に、回転制御装置26によって、ウェハ21を所定の回転数で回転させた状態で、流量制御装置31を用いることで、第2の配管30bから第2のボトムノズル24bを経由させて、第2の有機膜6を溶解させる第2溶剤を吐出させ、第2溶剤の流量を制御して、第2溶剤を上部傾斜面3の一部にまで到達させる。この際、図9に示すように、ウェハ21の端部から第2の有機膜6の端部までの距離がX2となるように、上部傾斜面3から第2の有機膜6の一部を除去する。除去が完了すると、第2溶剤の吐出を止め、ウェハ21を所定の速度で回転させ、基板1および第2の有機膜6を乾燥させる以上、図5のS6。次に、基板1の主面に残留している第2の有機膜6を硬化させるため、基板1を加熱して、第2の有機膜6に含まれる溶媒を除去するベーク処理を行う。溶媒が除去されると、加熱された基板1で、第2の有機膜6上に次に塗布する第3のポリマーが塗布途中に硬化しないように、基板1を常温まで冷却するクーリング処理を行う以上、図5のS7。次に、第3の配管27cから第3のトップノズル23cを経由させて、アクリル樹脂を主成分とする第3のポリマーをウェハ21上に吐出させる。次に、回転制御装置26を用いてウェハ21を回転させ、図10に示すように、第3のポリマーをウェハ21の全面に広げ、ウェハ21上に第3の有機膜7を形成する。このとき、第3の有機膜7は、保護膜となって、基板1の上部傾斜面3と端面2の一部を覆っている以上、図5のS8。次に、回転制御装置26によって、ウェハ21を所定の回転数で回転させた状態で、流量制御装置31を用いて第3の配管30cから第3のボトムノズル24cを経由させて、第3の有機膜7を溶解させる第3溶剤を吐出させ、第3溶剤の流量を制御して第3溶剤を上部傾斜面3の一部にまで到達させ、図11に示すように、第3の有機膜7の端部までの距離がX3となるように、上部傾斜面3から第3の有機膜7の一部を除去する。除去が完了すると、第3溶剤の吐出を止め、回転制御装置26を用いてスピンモータ25を回転させ、ウェハ21を回転させて基板1および第3の有機膜7を乾燥させる以上、図5のS9。次に、基板1の主面に残留している第3の有機膜7を硬化させるため、基板1を加熱して、第3の有機膜7に含まれる溶媒を除去するベーク処理を行い、溶媒が除去されると、基板1を常温まで冷却するクーリング処理を行う以上、図5のS10。以上の手順により、ウェハ21上に第1の有機膜5と第2の有機膜6と第3の有機膜7を有する液浸露光用膜構造100が、図1および図2に示すような端部の位置関係を有する態様にて形成される。ここまでが、液浸露光用膜構造100の形成の手順である。ここからは露光現像の手順について説明する。まず液浸露光装置を用いて、第1~第3の有機膜にレチクルのパターンを露光する図5のS11。次に、液浸露光で用いる液浸液が微小な水滴となって第3の有機膜7上に残留するため、第3の有機膜7上を純水で洗浄して、水滴を除去する図5のS12。次に、化学増幅型レジストである第2の有機膜6における露光寸法を制御するため、基板1を加熱して、第2の有機膜中で酸触媒反応を促進させる図5のS13。次に、基板1を現像液に浸した際に、第1~第3の有機膜における現像速度を安定させるため、基板1を常温まで冷却する図5のS14。次に、基板1を現像液に浸して、第1~第3の有機膜にパターンを形成する図5のS15。次に、基板1を加熱して、基板1上に残留している現像液並びに水分を除去する。さらに、基板1を常温まで冷却する以上、図5のS16。以上の手順により、露光現像が行われる。ここで、図12~図17を参照して、第1~第3の有機膜の成膜の際のプロセス条件について、説明する。液浸露光用塗布装置20のプロセス条件は、溶剤の流量とウェハ21の回転数と処理時間である。ここで、第3の有機膜7の処理を例にすると、第3の有機膜7の端部を処理する際の第3溶剤の流量は、第3溶剤を第3の有機膜7の端部まで到達させるための主要なプロセスパラメータであり、ウェハ21の回転数は、ベベル部における第3溶剤に遠心力を与えて、第3溶剤の一部を端面2から飛散させることによって、第3の有機膜7の端部に到達する第3溶剤の流量を微調整するパラメータである。なお、第3の有機膜7の端部に到達した第3溶剤は、直ちに回転するウェハ21の遠心力によってウェハ21の外周部から飛散するため、第3溶剤の溶解速度に応じた十分な溶解時間を確保できるように、処理時間を設定する。図12に示すように、溶剤流量の最適領域は溶解速度と逆比例しており、溶剤の溶解速度が速いほど流量は少なくなる。しかし、最適領域よりも少ない過少領域では、有機膜の端部が十分に除去できずに、基板1の端部からの距離Xが狙いよりも小さくなって有機膜が剥がれたり、逆に過多領域では、端部が過剰に除去されて距離Xが狙いよりも大きくなるので、下地となっている有機膜が露出したりすることになる。図13~図17に示した白丸1~白丸5は、図12において第3溶剤の溶解速度がV3の場合に、流量を白丸1~白丸5とした場合に対応しており、符号の降順とともに流量は少なくなっている。図13に示すように、白丸1は、図12で流量を白丸1として処理した場合の図1の破線部における夫々の有機膜の端部の配置を示したものであり、白丸2~白丸5も同様である。第3の有機膜7の端部は、第1の有機膜5の端部と第2の有機膜6の端部の間に位置しなければならない。しかしながら、過多領域における溶剤流量で処理した白丸1では、第3の有機膜7で覆われていなければならない第2の有機膜6の一部が露出した状態となっており、第3の有機膜7が過剰に除去されている。過多領域でも白丸1より流量を減らした白丸2では、第2の有機膜6の露出面積が少なくなっているが、まだ完全に覆われていない状態となっている。最適領域で処理した白丸3では、第3の有機膜7における全ての端部が、第1の有機膜5の端部と第2の有機膜6の端部の間に位置している。これに対して、過少領域の白丸4では、第3の有機膜7が、第2の有機膜6だけでなく第1の有機膜5の一部も覆った状態となっている。過少領域でも白丸4よりもさらに流量を減らした白丸5は、第3の有機膜7が第1の有機膜5を完全に覆っており、第1の有機膜5の剥がれを誘発する状態となっている。このように、第3の有機膜7における端部の位置は、溶剤37の流量に依存して大きく変動するので、流量が重要な管理項目となっている。しかしながら、溶解速度は溶剤毎に異なるので、最適な流量も異なっている。例えば図12に示すように、第1の有機膜5に適用する第1溶剤の溶解速度V1は、第3溶剤の溶解速度V3よりも遅いので、最適な流量は白丸3よりも多い白丸7となる。また第2の有機膜6に適用する第2溶剤の溶解速度V2は、V3よりも速いので、最適な流量は白丸3よりも少ない白丸6となる。このように、本実施形態によれば、液浸露光用塗布装置20は、基板1上に第1の有機膜5、第2の有機膜6、および第3の有機膜7を塗布可能なトップノズル23と、基板1から第1の有機膜5を除去可能な第1溶剤、第2の有機膜6を除去可能な第2溶剤、および第3の有機膜7を除去可能な第3溶剤を基板1上に供給可能なボトムノズル24と、トップノズル23およびボトムノズル24の動作を制御する流量制御装置31と、基板1の回転を制御する回転制御装置26を有し、流量制御装置31および回転制御装置26は、第3の有機膜7の端部が第1の有機膜5の端部と第2の有機膜6の端部の間に位置するように第1~第3溶剤の基板1への到達位置を制御する。そのため、膜の端部の位置制御バラツキを低減することが可能である。以下、実施例に基づき、本発明をより具体的に説明する。図3および図4に示す液浸露光用塗布装置20を用いて液浸露光用膜構造100の形成およびそれを用いた露光現像を試みた。具体的な手順は以下の通りである。まず、基板1を150°Cに加熱して、主面に吸着している水分を除去し、その後、常温まで冷却した。次に、真空吸着によって、ウェハ21をスピンチャック22上に固定した後、ウェハ21の主面の中心部にトップノズル23を移動させた。次に、第1の配管27aから第1のトップノズル23aを経由させて、アクリル樹脂を主成分とする第1のポリマーをウェハ21上に0.5~2.0ml吐出させた。次に、回転制御装置26によって、ウェハ21を1500~3000rpmの回転数で3秒間保持して、第1のポリマーをウェハ21の全面に広げた。次に、回転数を800~2000rpmに変更して、30秒間保持することで、ウェハ21上に50~150nm厚の第1の有機膜5を形成した。このとき、第1の有機膜5は、反射防止膜となって、基板1の上部傾斜面3と端面2の一部を覆った。次に、回転制御装置26によって、ウェハ21を300~2000rpmで回転させた状態で、第1の配管30aから第1のボトムノズル24aを経由させて、第1の有機膜5を溶解させるプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートPGMEA;PropyleneGlycolMonoEthyletherAcetateとプロピレングリコールモノエチルエーテルPGME;PropyleneGlycolMonoEthyletherの混合液を主成分とする第1溶剤をウェハ21の裏面に吐出させて、21の裏面における第1の有機膜5による汚れを除去した。このとき、裏面へ吐出された第1溶剤の流量は、第1溶剤が端面2までしか到達できないように設定したため、端面2を覆っていた第1の有機膜5aは除去されたが、上部傾斜面3を覆っている第1の有機膜5bは残留した。次に、流量制御装置31を用いることで、第1溶剤の流量を70~90ml/secとして、第1溶剤を上部傾斜面3の一部にまで到達させた。この状態を2~7秒間保持して、第1の有機膜5の端部までの距離X1が0~100μmとなるように、上部傾斜面3から第1の有機膜5の一部を除去した。次に第1溶剤の吐出を止め、ウェハ21を1500~2000rpmで回転させ、基板1および第1の有機膜5を乾燥させた。次に、第1の有機膜5のベーク処理として、基板1を200°Cに加熱して、第1の有機膜5に含まれる溶媒を除去し、その後、クーリング処理として常温まで冷却した。次に、第2の配管27bから第2のトップノズル23bを経由させて、アクリル樹脂を主成分とする第2のポリマーをウェハ21上に0.5~2.0cc吐出させた。次に、回転制御装置26によって、ウェハ21を1500~3000rpmの回転数で3秒間保持して、第2のポリマーをウェハ21の全面に広げた。次に、回転数を800~2000rpmに変更して、30秒間保持することで、ウェハ21上に50~150nm厚の第2の有機膜6を形成した。このとき、第2の有機膜6は、フォトレジストとなって、基板1の上部傾斜面3と端面2の一部を覆っていた。次に、回転制御装置26によって、ウェハ21を300~2000rpmで回転させた状態で、第2の配管30bから第2のボトムノズル24bを経由させて、第2の有機膜6を溶解させるPGMEAとPGMEの混合液を主成分とする第2溶剤をウェハ21の裏面に吐出させて、ウェハ21の裏面における第2の有機膜6による汚れを除去した。このとき、裏面へ吐出された第2溶剤の流量は、第2溶剤が端面2までしか到達できないように設定したので、端面2を覆っていた第2の有機膜6aは除去されたが、上部傾斜面3を覆っている第2の有機膜6bは残留した。次に、流量制御装置31を用いることで、第2溶剤の流量を10~30ml/secとして、第2溶剤を上部傾斜面3の一部にまで到達させた。この状態を2~7秒間保持して、第2の有機膜6の端部までの距離X2が210~300μmとなるように、上部傾斜面3から第2の有機膜6の一部を除去した。次に第2溶剤の吐出を止め、ウェハ21を1500~2000rpmで回転させ、基板1および第2の有機膜6を乾燥させた。次に、第2の有機膜6のベーク処理として、基板1を120°Cに加熱して、第2の有機膜6に含まれる溶媒を除去し、その後、クーリング処理として常温まで冷却した。次に、第3の配管27cから第3のトップノズル23cを経由させて、アクリル樹脂を主成分とする第3のポリマーをウェハ21上に0.5~20ml吐出させた。次に、回転制御装置26によって、ウェハ21を1500~3000rpmの回転数で3秒間保持して、第3のポリマーをウェハ21の全面に広げた。次に、回転数を800~2000rpmに変更して、30秒間保持することで、ウェハ21上に20~50nm厚の第3の有機膜7を形成した。このとき、第3の有機膜7は、保護膜となって、基板1の上部傾斜面3と端面2の一部を覆っていた。次に、回転制御装置26によって、ウェハ21を300~2000rpmで回転させた状態で、第3の配管30cから第3のボトムノズル24cを経由させて、第3の有機膜7を溶解させるPGMEAとPGMEの混合液を主成分とする第3溶剤をウェハ21の裏面に吐出させて、ウェハ21の裏面における第3の有機膜7による汚れを除去した。このとき、裏面へ吐出された第3溶剤の流量は、第3溶剤が端面2までしか到達できないように設定したので、端面2を覆っていた第3の有機膜7aは除去されたが、上部傾斜面3を覆っている第3の有機膜7bは残留した。次に、流量制御装置31を用いることで、第3溶剤の流量を40~60ml/secとして、第3溶剤を上部傾斜面3の一部にまで到達させた図18の符号37が第3溶剤。この状態を2~7秒間保持して、第3の有機膜7の端部までの距離X3が110~200μmとなるように、上部傾斜面3から第3の有機膜7の一部を除去した。次に第3溶剤の吐出を止め、ウェハ21を1500~2000rpmで回転させ、基板1および第3の有機膜7を乾燥させた。次に、第3の有機膜7のベーク処理として、基板1を100°Cに加熱して、第2の有機膜6に含まれる溶媒を除去し、その後、クーリング処理として常温まで冷却した。以上の手順により、図1および2に示す液浸露光構造を形成できた。次に、液侵露光装置を用いて、第1~第3の有機膜にレチクルのパターンを露光した。次に、第3の有機膜上を純水で洗浄した。次に、基板1を90°Cに加熱して、第2の有機膜中で酸触媒反応を促進させた。次に、基板1を常温まで冷却した。次に、基板1を現像液に浸して、第1~第3の有機膜にパターンを形成した。次に、基板1を110°Cに加熱して、基板1上に残留している現像液並びに水分を除去した。最後に、基板1を常温まで冷却した。以上の手順により、露光現像ができた。