カーボンナノチューブCNTの成長核となる触媒ナノ粒子を製造する方法であって、A基板上に触媒材料の層を形成し、前記層に熱処理を施して複数の触媒ナノ粒子を形成するステップと、B前記基板および前記触媒ナノ粒子上に触媒材料追加層を形成し、前記追加層に熱処理を施してさらに複数の触媒ナノ粒子を形成するステップと、を含む方法。ステップBが繰り返されて、さらに追加で1種類以上の複数のナノ粒子を形成する、請求項1に記載の方法。各触媒材料層の平均厚さが1nm未満である、請求項1または請求項2に記載の方法。前記層および前記追加層のうち1つ以上が閉じていない、請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の方法。前記層および前記追加層が同一材料からなる、請求項1から請求項4のいずれか1つに記載の方法。前記層および前記追加層が全て同一材料からなるわけではない、請求項1から請求項4のいずれか1つに記載の方法。前記層および前記追加層のうち少なくとも1つが複数の副層を有する複合層である、請求項1から請求項6のいずれか1つに記載の方法。前記ナノ粒子の少なくとも90が直径2nm未満である、請求項1から請求項7のいずれか1つに記載の方法。前記触媒材料がFe、Co、またはNiを含む、請求項1から請求項8のいずれか1つに記載の方法。前記基板が、アルミナ、シリカ、酸化前処理が施されたシリカ、金属シリサイド、および金属窒化物からなる群から選択される材料を含む、請求項1から請求項9のいずれか1つに記載の方法。前記基板上に、5×1012cm-2もしくは1013cm-2、または好ましくは5×1013cm-2、または特に好ましくは1014cm-2以上の密度でナノ粒子を形成する、請求項1から請求項10のいずれか1つに記載の方法。各熱処理は所定のアニール温度まで温度を上昇させるステップを含み、ステップAにおける温度上昇の割合はステップBよりも高い、請求項1から請求項11のいずれか1つに記載の方法。前記または各触媒材料追加層が形成される前に、前記基板および前記基板上に形成された前記ナノ粒子を、プラズマなどの酸化もしくは窒化雰囲気、または硫黄もしくは硫化物を含む雰囲気に露出するステップを含む、請求項1から請求項12のいずれか1つに記載の方法。酸化またはその他の雰囲気への露出は、熱処理を施して前記ナノ粒子を形成する際に行われる、請求項13に記載の方法。前記基板および前記基板上に形成された前記ナノ粒子上にAl、Ti、Cr、ZrおよびHfからなる群から選択された材料を含む層を堆積させるステップと、その後前記堆積した層を酸化雰囲気に露出するステップとを含む、請求項13または請求項14に記載の方法。カーボンナノチューブの成長核となる触媒ナノ粒子であって、請求項1から請求項15のいずれか1つに記載の方法を用いて製造された触媒ナノ粒子が設けられた基板。触媒ナノ粒子が設けられた基板上に成長させたカーボンナノチューブから形成される導電要素を備え、前記ナノ粒子が請求項1から請求項15のいずれか1つに記載の方法を用いて製造される、電子機器。カーボンナノチューブの成長核となる触媒ナノ粒子が設けられた基板であって、前記ナノ粒子が、同一基板上に形成された第1および第2の複数のナノ粒子を含む、基板。触媒ナノ粒子が設けられた基板上に成長させたカーボンナノチューブから形成される導電要素を備え、前記ナノ粒子が、同一基板上に形成された第1および第2の複数のナノ粒子を含む、電子機器。カーボンナノチューブの成長核となる触媒ナノ粒子を製造する装置であって、基板上に触媒材料層を形成するためのリアクタと、前記触媒材料層に熱処理を施して複数の触媒ナノ粒子を形成するためのヒータと、前記触媒材料層の形成と前記熱処理を繰り返すよう前記装置を制御して、1種類以上の複数の触媒ナノ粒子をさらに形成するためのコントローラとを備える、装置。第2およびこれにつづく触媒材料層が形成される前に、前記基板および前記基板上に形成済みの前記ナノ粒子を、プラズマなどの酸化もしくは窒化雰囲気または硫黄もしくは硫化物を含む雰囲気に露出する酸化装置をさらに備える、請求項20に記載の装置。前記酸化雰囲気への各露出の前に、前記基板および前記基板上に形成済みの前記ナノ粒子上にAl、Ti、Cr、ZrおよびHfからなる群から選択された材料を含む層を堆積させるための、中間リアクタをさらに備える、請求項21に記載の装置。基板上に実質的に図面を参照して本明細書で説明される触媒ナノ粒子を製造する方法。実質的に図面を参照して本明細書で説明される触媒ナノ粒子が設けられた基板。実質的に図面を参照して本明細書で説明される触媒ナノ粒子が設けられた基板上に成長させたカーボンナノチューブから形成される導電要素を備える電子機器。この方法で形成可能なナノ粒子密度を最大化するための試みがなされてきている。薄い触媒材料層を熱処理する場合、小さいナノ粒子を形成することができるという有利さがあるものの、粒子密度が十分とはならないことがわかっている。より厚い触媒材料層を熱処理する場合、大きなナノ粒子が形成されるという不都合がある。富士通が用いている代替的な方法がクラスタービーム蒸着法であり、この方法では、Co蒸気ビームがナノメートルサイズのクラスターに凝縮されて基板上に蒸着する。しかしながら、クラスター化には開口部が必要であるため、ビームが不都合に狭く、基板の所望の範囲をカバーするために走査しなければならない。これにより、集積回路の商業生産においては、12インチ30cmのSiウエハーの相対的に非常に広い範囲を走査することが求められることがあり、そのため高価であり、実用的ではない。導体としてCNTバンドルフォレスト、アレイ、またはマットの別名でも知られるを使用することに加えて、同様のCNT構造を熱界面材料として用いてもよい。ここでも、構造の性能向上のためには高いCNT密度が望ましい。本発明は、従来技術における上記問題を解決し、商業的かつ実践的な方法で高密度でのCNTの成長を可能とすることを目的としている。本発明は、添付の独立請求項に規定される方法、製品、および装置を提供するものであり、これについて以下に記載する。本発明の好適または有利な特徴は、従属請求項に示す。第1の局面において、本発明はカーボンナノチューブCNTの成長核となる触媒ナノ粒子を製造する方法であって、以下のステップAおよびBを含む方法を提供する。ステップAにおいて、基板上に触媒材料の層が形成され、熱処理が施されて、この基板上に複数の触媒ナノ粒子を形成する。ステップBにおいて、上記基板および基板に形成済みの触媒ナノ粒子の両方に触媒材料の追加層が形成され、熱処理が施されて、この基板上にさらに複数の触媒ナノ粒子を形成する。この処理が効果的であることは、予期しないことであり、直感でわかるようなものではない。というのも、本発明がなされる前においては、当業者には、ステップBにおける第2の触媒材料層の形成および熱処理は基板上に形成済みのナノ粒子の構造を変化させるという不都合がある、および/または形成済みのナノ粒子の存在によりステップBの熱処理においてナノ粒子をさらに形成する際に不都合な影響があると考えられてきたからである。例えば、ステップBにおける触媒材料層の熱処理中、形成済みのナノ粒子が焼結などによってより大きな触媒粒子の成長核となることが予想された。意外にも、本発明者らは、その代わりに、ステップBにおける熱処理中の触媒材料層の再構成は基板表面に形成済みのナノ粒子の存在とはほとんど関係がなく、ステップBは単に基板上に複数の有利に小さい触媒ナノ粒子をさらに形成することができることを発見した。よって、ステップAは、基板上に第1の複数の触媒ナノ粒子を特定の密度で形成する。その後、ステップBは、有利には複数の触媒ナノ粒子をさらに形成し、これにより基板表面のナノ粒子の密度を累積的に高めることになる。CNTの直径はこのCNTが成長する核のサイズに関係するため、CNT成長核となる小さなナノ粒子を形成することが望ましい。よって、基板上に高密度の小さいナノ粒子を設けることにより、直径の小さなCNTを高密度に成長させることができる。上述のように、従来技術からは、堆積された層をアニーリングすることによって基板上に有利に小さなナノ粒子を形成するためには、この層をできるだけ薄いものとしなければならないことが知られている。しかしながら、従来技術からは、どの程度まで薄い層を用いることができるかについては限界があることも知られている。これは、上述のように、形成および熱処理の間にこの層が消滅または基板内に拡散しやすいためである。本発明の実施形態では、その代わりに、ステップAおよびBにおいて一連の触媒材料層を形成および熱処理することによって、所望のサイズのナノ粒子を製造するために堆積された層の厚さをそれぞれ選択することが可能となり、またこの層の形成および熱処理のステップを繰り返すことでナノ粒子の密度を累積的に高め、よって所望の密度のナノ粒子をつくりあげることができる。有利には、本発明の好適な実施形態において、ステップBは、基板上に複数のナノ粒子をさらに形成するために、2回以上繰り返されてもよい。基板上に追加の触媒材料層を繰り返し形成および熱処理すると、基板上により高い密度のナノ粒子を累積的に形成することができるという利点がある。ステップBの繰り返しにおいては薄い触媒材料層を用いることができるため、ナノ粒子のサイズは有利に小さいものとなる。好ましくは、ステップAおよびB、ならびにステップBの繰り返しにおける各触媒材料層の平均厚さは、1nm未満であってもよく、または0.75nm未満、0.5nm未満、または0.3nmであってもよい。この層は必ずしも閉じている必要はなく、不連続または割れがあってもよいが、その場合には平均層厚を考慮する必要がある。好ましくは、本発明の方法によって形成されたナノ粒子のサイズは小さい。有利には、直径2nm未満であってもよい。有利には、基板上に形成されたナノ粒子の少なくとも90が直径2nm未満であってもよい。本発明の方法は、FeおよびCoを含む任意の適切な触媒材料を用いて実施することができる。Niを用いてもよく、また、Fe、Co、またはNiを含む合金を用いてもよい。Ru、Pd、およびMo、ならびにこれらの元素を含む合金など、その他の触媒材料もCNT核生成用として知られており、本発明の実施形態において用いることができる。ステップAおよびB、ならびに/またはステップBの繰り返しにおいて、一連の触媒材料層は同一の触媒材料からなっても、異なる触媒材料からなってもよい。本発明の別の実施形態において、基板上に形成されたナノ粒子は、基板および存在するナノ粒子上に追加の触媒材料層が形成される前に、酸化またはその他の雰囲気へ露出されてもよい。これは、例えば、この層に熱処理を施してナノ粒子を形成する際に行われてもよい。これにより、ナノ粒子および/または基板の表面上に酸化またはその他の層を有利に形成することができ、追加層または触媒材料層の形成および熱処理が基板上に形成済みのナノ粒子に不都合な影響を与える傾向を減らすことができる。基板上に形成済みのナノ粒子上に追加の触媒材料層が形成される場合、存在するナノ粒子が大きく焼結されることを防止することが重要である。このような焼結が起こると、存在するナノ粒子のサイズが大きくなり、新しくナノ粒子を形成するための触媒材料を消費するという不都合がある。焼結は、様々なメカニズムにより防止することが考えられ、存在するナノ粒子を、その上に堆積する追加層の触媒材料に比べて運動性が低いものとする、もしくは固定状態に変換する、または追加層内の材料との相互作用を防止または抑制するなどがある。上述のように、これを実現する1つの方法としてナノ粒子の酸化があり、例えば、ナノ粒子の形成中または形成後に酸化雰囲気へ露出してナノ粒子の表面に酸化物層を形成してもよい。これには薄い酸化物層が必要となるだけである。酸化物の単原子層を用いることでも十分である。要求される酸化雰囲気の性質は、ナノ粒子が形成される材料、材料に酸化物層を形成するために必要となる酸素の活量、およびナノ粒子が酸化雰囲気に露出されるときの温度などの要因による。例えば、ナノ粒子がFe比較的酸化しやすいを含む場合、ナノ粒子形成高温で行われてもよい中の熱処理室内の雰囲気中の酸素分圧が低くても構わない。熱処理中に用いられる従来の不活性雰囲気における酸素分圧であってもよく、この雰囲気は、通常、少量のO2および/またはH2Oを含む。CoまたはNiなどのその他の材料を含むナノ粒子の場合、表面酸化物層を形成するためには、より高い酸素分圧が必要となる。例として、酸素分圧が約10-1トールから約10-6トール、もしくは10-4トールから10-6トール、またはH2Oの分圧が約10-1トールから10-5もしくは10-6トールの雰囲気でよい。雰囲気の分圧を低く制御できる場合には、少なくとも一部の触媒材料ついては分圧を10-7トールまで下げてもよい。異なる触媒材料は、異なるH2OまたはO2の分圧に露出する必要があってもよい。例えば、Feは上記範囲の低いほうの分圧に露出されればよく、CoまたはNiは同じ範囲の高いほうの分圧に露出されればよい。N2Oまたは酸化プラズマを含む雰囲気など、その他の酸化雰囲気を用いてもよい。プラズマは、10-1から10-3トールの気圧で用いられることが好ましい。還元性雰囲気は不都合となる。ナノ粒子上には、硫黄または硫化物を含む雰囲気を用いて、硫化物層などの酸化物以外の材料の表面層を形成してもよい。また、酸化物ではなく窒化物を形成するためにN2プラズマを用いてもよい以下の実施例4を参照。また、酸化またはその他の雰囲気への露出は、ナノ粒子と基板との間の接着状態を変更し、ナノ粒子を基板へ効果的に固定し焼結しやすさを低減することができる。酸化またはその他の雰囲気への露出は、通常、300°Cから750°Cの温度範囲で行うことができる。プラズマへの露出はこの温度範囲であってもよいが、触媒材料の酸化しやすさによっては高温でなくてもよい。処理温度は、基板または基板に付属もしくはその一部を形成する機器や構造の感温性などの要因を考慮して選択することができる。例えば、基板が製造中の電子機器の一部である場合、当該機器のその他の部分が高温に耐えられない可能性がある。このような場合には、通常は400°C未満の温度が望ましく、そのためナノ粒子形成のためのアニーリングは300°Cから400°C、または250°Cから400°Cの温度範囲で行ってもよい。プラズマ処理は、200°Cから250°Cの温度範囲など、低い温度で行うことができるという利点がある。必要な場合には、基板上の繊細な構造に対するイオン衝撃を防止するため、誘導結合プラズマを用いると有利である。本発明者らは、酸化物の形成、またはナノ粒子の運動性を低減もしくはナノ粒子を固定化する代替的なアプローチが、次にCNTの成長核を生成するナノ粒子の能力、またはCNTの電気伝導率に対して必ずしも有害な影響を持つわけではないことを発見した。これは、含まれる材料および/または粒子の固定化に関連する酸化物、酸化物層、もしくはナノ材料の厚さに依存する。しかしながら、酸化物の形成またはナノ粒子の運動性を低減するその他のアプローチがCNT成長または伝導率に悪影響を与える場合には、ナノ粒子は、CNTを成長させる前に、金属状態に戻したりCNT成長に適した状態に変換されたりしてもよい。例えば、ナノ粒子が酸化した場合、例えば還元性雰囲気またはプラズマなどの適切な還元剤に露出することによって、CNT成長の前に還元することができる。また、CNT成長は、酸化物を低減するために十分に還元された雰囲気中で行ってもよい。本発明の別の実施形態は、酸化雰囲気へ露出するステップの前に、例えばスパッタリングによって基板上および基板に形成されたナノ粒子上に薄いAl層を堆積するステップを含んでもよい。これにより酸化雰囲気への露出中に薄いAl2O3の層を形成することができ、存在するナノ粒子とその後形成された触媒材料層との間の分離性を向上することができるという利点がある。意外なことに、本発明者らは、このようなAl2O3層の存在は次にCNTの成長核を生成するナノ粒子の能力に影響を与えず、またこの層がCNTの電気伝導率に影響しない程度に薄いことを発見した。結果として生じるAl2O3層が不連続となるほど薄い層としてAl層を堆積すると、次にCNTの成長核を生成するナノ粒子の触媒効果および層の電気抵抗に対する層の影響を最小限とするために有利である。Cr、Ti、Zr、またはHfなど、Al以外の材料を同様に用いてもよい。次にCNTの成長核を生成するナノ粒子の能力に有害な影響を与える、またはCNTの電気伝導率に影響を与えるようなAl2O3またはその他の材料のより厚い層が形成される場合には、還元性雰囲気またはプラズマなどの適切な還元剤に露出することによってCNTを成長させる前に酸化物を金属状態に戻してもよい。また、CNT成長は、酸化物を低減するために十分に還元された雰囲気中で行ってもよい。基板は、任意の適切な材料から形成されてよい。例として、アルミナ、シリカ、酸化前処理が施されたシリカ、シリサイド、および窒化物が挙げられる。CNTが電気伝導のために成長させられる場合には、基板は導電性の金属シリサイドまたは金属窒化物などの導体であると有利である。ナノ粒子が形成される基板は、別の下層材料上に形成または堆積された適切な基板材料のコーティングまたは層を含む。Al2O3またはその他の電気絶縁体が用いられる場合には、基板の電気または熱抵抗を最小限とするために、一般には非常に薄い層とすることが求められる。例えば、従来技術においては、非常に薄いAl2O3表面層を形成するAl99.5wt/Cu0.5wtの合金が用いられてきた。触媒材料層を熱処理する処理は、層にアニーリングを施してナノ粒子としての水滴や小滴を形成することを含む。通常、熱処理は、触媒材料層および基板を所定のアニール温度まで温度上昇させるステップと、所定の時間、所定のアニール温度に温度を維持するステップとを含む。本発明者らは、ステップAおよびBにおいて異なる割合で所定のアニール温度まで温度上昇させることが有利であることを発見した。ステップAにおける温度上昇の割合が、ステップBおよび/またはステップBの繰り返しにおける温度上昇の割合よりも高いことが好ましい。有利には、本発明の第1の局面の方法は、基板上に5×1012cm-2、または1013cm-2、または好ましくは5×1013cm-2、または特に好ましくは1014cm-2以上の密度でのナノ粒子の形成を実現することができる。このナノ粒子密度は、同等の密度でCNTを成長させるために用いることができ、これは有利には抵抗率が非常に低く非常に高い電流密度で流すことができる電気インターコネクトを設けることができるほど高い。第2の局面において、本発明は、CNTの成長核となる触媒ナノ粒子が設けられた基板を提供することができるという利点がある。これは上述のように製造することができる。有利には、基板上のナノ粒子の分布は、従来技術のように単一の触媒材料層の熱処理によっては形成することができないようなものであってもよい。よって、上述のように、従来の単一の触媒材料層を熱処理する方法では、ナノ粒子密度を約1012cm-2以上とすることはできない。一方、本発明の実施形態は、5×1012cm-2、1013cm-2、好ましくは5×1013cm-2、または特に好ましくは1014cm-2を越える密度で触媒ナノ粒子を担持する基板を提供することが出来る。好ましくは、ナノ粒子は有利に小さいサイズであってもよく、例えば、ナノ粒子の少なくとも90が直径2nm未満であってもよい。本発明を具体化する触媒ナノ粒子が設けられた基板としての製品の製造は、2つ以上の触媒材料層または膜を連続して形成および熱処理することが含まれる。従って、この製品は、数種類の個別に識別可能な複数のナノ粒子を含む。例えば、ステップAにおいて形成されるナノ粒子はステップBにおいても追加的に熱処理が施され、またステップAおよびBで用いられる熱処理が異なる場合には異なる熱処理を用いて形成されるため、ステップAにおいて形成される複数のナノ粒子はステップBにおいて形成されるナノ粒子から識別および区別が可能である。例えば、触媒材料層に対して異なる熱処理を施すことにより、サイズまたは基板上の空間分布が異なるナノ粒子を製造することができる。同様に、ステップBが繰り返された場合、基板上に3種類以上の個別に識別可能な複数のナノ粒子を形成することができる。厚さが異なる触媒材料層の熱処理により、サイズおよび/または空間分布が異なるナノ粒子を製造することができることが知られている。従って、ステップAおよびBおよびその後のステップBの繰り返しにおいて厚さが異なる触媒材料層が用いられた場合、この製品は、サイズおよび/または空間分布が異なる2種類以上の個別に識別可能な複数のナノ粒子を含むことができる。製品の製造中、追加の触媒材料層の形成前に基板および第1のまたはその後の複数のナノ粒子が酸化雰囲気に露出された場合、または追加の触媒材料層の形成前にAlまたはその他の材料の層が堆積された場合には、異なるステップにおいて形成された種類の異なる複数のナノ粒子は異なる材料または異なる表面層を含んでもよい。例えば、各触媒材料層第1の触媒材料層を除くの形成前にアルミニウム層が堆積された場合、最後に行われるステップBで形成された複数のナノ粒子を除いて、全てのナノ粒子がAl2O3の表面層を含んでもよい。ある実施形態においては、ステップAおよびステップBを行い、ステップBを繰り返すことによって3種類の複数のナノ粒子が形成されて、各回のステップBの前にAl層が堆積された場合、ステップAにおいて形成されたナノ粒子はAl層の堆積を2回施されることになる。そして、最終製品を検査すれば、ステップAにおいて形成された2倍の厚さのAl2O3に覆われた第1の複数のナノ粒子、第1のステップBにおいて形成された単一のAl2O3の層に覆われた第2の複数のナノ粒子、第2のステップBにおいて形成されたAl2O3の層に覆われていない第3の複数のナノ粒子があることが明らかになる。各種類の複数のナノ粒子がその後の触媒材料層の形成前に酸化雰囲気に露出されているナノ粒子が設けられた基板についても、同様のパターンが認められる。これは、異なる種類の複数のナノ粒子の酸化雰囲気への露出回数が他の複数のナノ粒子よりも多かったり少なかったりするためである。また、触媒ナノ粒子が設けられた基板の製造中、一連の触媒材料層に異なる材料が用いられた場合、この製品は異なる触媒材料から形成された別々の複数のナノ粒子を含むことになる。本発明の別の局面は、上述のように、触媒ナノ粒子が設けられた基板上に成長させたカーボンナノチューブから形成される導電要素を提供する。また、別の局面によれば、本発明は、上述のように、カーボンナノチューブから形成される導電要素を備える電子機器を提供する。さらに別の局面によれば、本発明は、有利には、基板上にCNTの成長核となる触媒ナノ粒子を製造する装置を提供する。この装置は、基板上に触媒材料の層を形成するためのリアクタと、この触媒材料層に熱処理を施して複数の触媒ナノ粒子を形成するためのヒータと、当該装置を制御するコントローラとを備える。このコントローラは、有利には、触媒材料層の形成と熱処理を繰り返して1種類以上の複数の触媒ナノ粒子をさらに形成するようこの装置を制御する。この装置は、有利には、例えば、基板およびこれに形成されたナノ粒子を本明細書に記載の酸化雰囲気もしくはその他の雰囲気もしくはプラズマに露出するための酸化装置などの装置として、ならびに/またはAlまたはCr、Ti、Zr、Hf、もしくはその他の適切な材料の層を堆積および/もしくは酸化させて、追加の触媒材料層が形成される前にナノ粒子の運動性を低減または固定化するための中間リアクタとして、ナノ粒子固定またはナノ粒子固定化リアクタを備えてもよい。このナノ粒子固定リアクタ酸化装置および/または中間リアクタは、各触媒材料層を形成および熱処理するリアクタと同一であってよく、コントローラにより適切に制御される。このリアクタまたは酸化装置は、ナノ粒子を形成するための熱処理中に、任意で酸化雰囲気への露出を行ってもよい。上述の本発明の各種の局面において、各触媒材料層への熱処理、例えば、層にアニーリングを施して水滴、小滴、またはナノ粒子を形成することについて説明した。この熱処理は、任意の適切な方法で適用されてよい。例えば、基板および触媒材料層は、ファーネスもしくはその他のリアクタで加熱されてもよいが、例えば、レーザーで触媒材料層の表面を走査することによるレーザー加熱などの、エネルギービームを走査するなどといった他の方法を用いることもできる。実施例1本発明の第1の実施例において、第1および第2の複数のFeナノ粒子がAl2O3基板上に形成された。第1の複数のナノ粒子ステップAの形成手順は以下のとおりであった。平均の厚さが0.3nmのFe層が、蒸着によって基板に堆積させられた。Fe層を有する基板がアニール室に送られ、ここで基板およびFe層が75°C/minで室温から700°Cまで過熱されて700°Cで数分間維持された。アニーリング処理は、Ar:H2がアニール室を1バールで0.5L/minArおよび0.2L/minH2で流れる雰囲気中で行われた。アニール室は、煙管の形をとっていた。図1は、この第1のステップAの後における、基板上の触媒ナノ粒子の分布を示す図である。AFM画像中のナノ粒子の画像サイズは、実際のナノ粒子のサイズよりも大きくてもよい。その後、第2の複数のナノ粒子ステップBが以下のようにして形成された。第1の複数のナノ粒子を担持する基板が空気中をリアクタに送られ、ここで平均の厚さが0.3nmの追加Fe層が基板および第1の複数のFeナノ粒子の両方に蒸着によって堆積させられた。その後、このFeの第2の層を担持する基板がアニール室に送られ、基板およびFe層が25°C.min-1というより低率で室温から700°Cまで過熱されることを除いては、上記第1の層と同じ方法で熱処理された。この第2のステップステップBにおいて、図2に示すように第2の複数のFeナノ粒子が形成された。図2には、ステップAおよびBにおいて形成された2つの別個の複数のナノ粒子がはっきりと示されている。ステップAで形成されたナノ粒子は、ステップBで形成されたナノ粒子よりも直径が大きく、次のFe層の堆積および熱処理の影響をそれほど大きく受けていない。図2には、第1の複数のより大きく間隔の広いナノ粒子と第2の複数のより小さくより密集したナノ粒子がはっきりと示されている。実施例2第2の実施例において、実施例1と同様にAl2O3基板が用いられた。まず平均の厚さが0.3nmのFe層が蒸着によって基板に堆積させられ、その後、平均の厚さが0.3nmのAlの層がもう一度蒸着によって堆積させられた。堆積した層FeおよびAlの副層を含むを有する基板がアニール室に送られ、実施例1のステップAと同じ方法で熱処理された。これにより、基板上に第1の複数のFe/Alナノ粒子が形成された。その後、平均の厚さが0.3nmの追加Fe層が、基板および複数のFe/Alナノ粒子上に蒸着によって堆積させられ、熱処理のために実施例1のステップBと同じ条件下でアニール室に送られた。これにより、上記ステップAにおいて形成された第1の複数のナノ粒子の中に分散して第2の複数のナノ粒子が形成された。なお、この場合、2種類の複数のナノ粒子は互いに組成が異なり、第1の複数のナノ粒子はFe/Alから形成され、第2の複数のナノ粒子はFeから形成される。実施例3本発明の第3の実施例において、第1および第2の複数のFeナノ粒子がAl2O3基板上に形成された。第1の複数のナノ粒子ステップAの形成手順は以下のとおりであった。平均の厚さが0.3nmのFe層が、蒸着によって基板に堆積させられた。その後、700°Cの温度で、数分間、Ar:H2がアニール室を1バールで0.5L/minArおよび0.2L/minH2で流れる雰囲気において、Fe層を有する基板をアニーリングした。この雰囲気は、約10-6トールの分圧でH2Oを含んだ。その後、平均の厚さが0.3nmの追加Fe層が、基板および第1の複数のFeナノ粒子の両方に蒸着によって堆積させられた。そして、このFeの第2の層を担持する基板は、上記第1の層と同じ方法で熱処理された。この第2のステップステップBにおいて、第2の複数のFeナノ粒子が形成された。図3は、この方法の実施に適した、リアクタ2、リアクタの温度を制御するプログラム可能なコントローラ4、およびリアクタ内の雰囲気の組成および気圧を制御するガス制御部6を有する装置を示す図である。このリアクタは、アニーリングに先立って基板上に各層を形成する堆積手段を含む。同様の装置を次の実施例4においても用いてよい。実施例4本発明の第4の実施例において、第1および第2の複数のFeナノ粒子がAl2O3基板に形成された。第1の複数のナノ粒子ステップAの形成手順は以下のとおりであった。平均の厚さが0.3nmのFe層が、蒸着によって基板に堆積させられた。その後、Fe層をナノ粒子に変え、このナノ粒子を固定状態に変換するために、Fe層を有する基板に230°CのO2プラズマ中で数分間酸化処理を行った。これには、N2プラズマ処理も効果的である。その後、平均の厚さが0.3nmの追加Fe層が、基板および第1の複数のナノ粒子の両方に蒸着によって堆積させられた。そして、このFeの第2の層を担持する基板は、上記第1の層と同じ方法でプラズマ処理され、第2の複数のFeナノ粒子が形成された。実施例5第5の実施例において、第1のFe層を堆積およびアニーリングして第1の複数のナノ粒子を形成した後ステップA、平均厚さを0.2nmのAlの層が第1の複数のナノ粒子および基板上に蒸着によって堆積したことをのぞいては、実施例1と同じ処理パラメータを用いて第1および第2の複数のFeナノ粒子がAl2O3基板に形成された。さらにFe堆積を行うために第1の複数のナノ粒子およびAl層を担持する基板が空気中をアニール室からリアクタへ送られたときに、Al層が酸化してAl2O3の表面層を形成した。これによって、第2の複数のナノ粒子を形成するための追加Fe層の堆積およびアニーリング中に、第1の複数のナノ粒子を固定化し、第1の複数のナノ粒子がこれ以上焼結しないようにした。上記の実施例のいずれにおいても、最終製品中のナノ粒子の少なくとも一部が酸化物の形をとっている、または表面酸化物層を含んでいる、またはナノ粒子がさらに形成される前に動かないように固定化されている。必要ならば、CNT成長の前に酸化物を還元するために、ナノ粒子を、所定の時間、所定のガスまたはプラズマ濃度および温度で、H2またはNH3の還元性雰囲気など、還元剤に露出してもよい。図4は、カーボンナノチューブのバンドルの製造を示す図である。図4の左手に示す第1のステップにおいて、触媒材料層12が基板14に堆積させられる。基板および触媒材料層は、上述のようにアニーリングされて、基板上に複数のナノ粒子16を形成する。その後、さらにナノ粒子18を形成するために、上述のようにステップ1および2が繰り返される。最後に、図4のステップ3に示すように、各触媒ナノ粒子上にカーボンナノチューブ10が成長して、ナノチューブのバンドルが形成される。図5は、CNTのバンドルから形成される垂直インターコネクトを有する電子機器の模式図である。基板14上に、ソースコンタクト22、ゲート電極24、およびドレイン電極25を備えるFET電界効果トランジスタ20が形成される。適切なマスキングを行った後、本発明の実施形態を用いて触媒ナノ粒子がソース、ゲート、ドレイン上に形成され、CNTのバンドルの形で垂直インターコネクト26の成長の核を設ける。この垂直インターコネクトは、既知の方法で、金属間誘電体層28を通って水平インターコネクト30に接触する。