"基板上にEL素子を有する発光装置において、前記EL素子上に吸収膜が形成され、前記EL素子は、前記基板と前記吸収膜とに挟まれていることを特徴とする発光装置。図16に示したように空間1609には、酸化バリウム等の吸湿剤1606が備えられている。なお、酸化バリウム等の吸湿剤は、通常粉末状の固体であることから、空間1609内にそのまま分散させて備えたり、高分子系の材料からなるフィルム等で包んだものを封止基板等に貼り付けたりして備える方法が採られている。また、一般的に吸湿剤は手作業で封入されるため、不活性ガス雰囲気下での作業に困難を生じたり、また包装した吸湿剤を備えたりする場合には、その包装に手間がかかるといった問題がある。これに対し、不活性ガス雰囲気下での作業の困難性から大気中で吸湿剤の封入が行われる場合もある。しかし、この場合には、当然大気中の酸素や水分が空間1609に含まれるという問題を避けることができない。本発明は、上述したことに鑑み、EL素子の封止において、水や酸素が侵入しない構造を有し、さらにこれらを吸収する吸湿剤等を容易に、かつ効率的に添加する方法を提供することにより、EL素子の劣化を防ぐことを目的とする。上記問題点を解決するために本発明は、基板上に形成したEL素子を封止する際にその内部に添加する酸素や水といった不純物を吸収する性質以下、吸収性というの材料および添加方法の改良を行った。これによりEL素子上に吸収性の膜以下、吸収膜というを容易に形成させることができ、さらに酸素や水分によりEL素子の劣化を防ぐというものである。本発明においては、まず基板上に陽極、EL層および陰極からなるEL素子を形成し、EL素子上に吸収膜を形成させる。なお、本発明における吸収膜としては、酸素により酸化されやすい仕事関数の低い金属であり、さらにその酸化物が水と反応して水和物を形成し、水分の再放出が生じないような材料からなる膜のことをいう。なお、これらの金属材料としては、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム及びラジウムといったアルカリ土類金属を用いることができる。また、本明細書中では、このような材料からなる膜のことを吸収膜と呼ぶ。これらの吸収膜を成膜する方法としては、蒸着法やスパッタリング法が挙げられるが、EL素子の形成後、連続的に成膜できる方法が好ましい。また、蒸着法を用いる場合には、抵抗加熱による方法と電子ビームによる方法を用いることができる。さらに、これらの吸収膜は、EL素子上に直接設けられていても良いが、吸収膜に吸着した水分がEL素子の電極に直接接するのを防ぐために窒化珪素や、酸化珪素といった絶縁膜からなるバリア膜をEL素子上に形成させた後で形成しても良い。また、吸収膜は、EL素子を覆うように形成されるが、EL素子を囲むように、また後から備えられるシール剤と重なることがないようにメタルマスク等を用いて選択的に成膜を行う必要がある。吸収膜形成後は、封止基板を基板との間にEL素子を挟むような位置に備え、基板と封止基板との間にシール剤を備えて封止構造を形成する。つまり、ここで形成された封止構造の内部に存在する酸素及び水分等は先に形成された吸収膜により捕捉される。また、ここで設けられるシール剤としては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂であることが好ましい。なお、シール剤は、EL素子上に形成された吸収膜を囲むように設けられている。なお、本発明においては、上記の封止構造を形成させた後で、さらに封止基板及びシール剤を覆うように金属膜等を設けて、封止された内部に酸素や水分がより侵入しにくくなる構造を有しても良い。ただし、この場合には、封止構造の外部に形成された、EL素子の電極と電気的に接続された配線接続配線上に窒化珪素や酸化珪素からなる絶縁膜を予め形成させておく必要がある。また、EL素子を外部の駆動回路と接続するために形成される接続部は、メタルマスク等で遮断して金属膜が成膜されることのないようにしておく必要がある。本発明では封止された空間内部のEL素子上に酸素や水分等の物質に対して吸収性のある金属を膜として備えることから、空間内に吸収機能を持たせることがこれまで以上に容易になり、また、EL素子形成後に連続的に吸収膜を形成させることができるため空間内に酸素や水分を侵入させることなく封止構造を作製することができる点に特徴がある。本発明の実施の形態においては、基板上に形成されたEL素子を封止する方法について説明する。図1Aに本発明で用いるELパネルの上面図と図1Bにその断面構造を示す。図1A、Bにおいて、101は基板、102は封止基板であり、基板101と封止基板102との間には、EL素子106が設けられている。なお、EL素子106は、陽極103と陰極104との間にEL層105が設けられた構造を有している。なお、EL素子を形成する陽極103は、スッパッタリング法により形成し、材料としては、酸化スズと酸化インジウムの合金であるITO、酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛ZnOを混合した化合物及び酸化亜鉛と酸化ガリウムからなる化合物を用いることができる。また、陰極104は、蒸着法によりMg:AgやYbといった仕事関数の小さい金属により形成することができる。また、陽極103の端部は、絶縁性の材料からなる絶縁体110により覆われている。また、EL層105は、蒸着法、塗布法又は、印刷法といった成膜技術を用いることができる。さらに、EL層105の構造としては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層、バッファー層を自由に組み合わせて積層構造又は、単層構造とすればよい。また、EL層105には、公知の有機EL材料を用いることができるが、高分子ポリマー系材料を用いても良いし、低分子モノマー系材料を用いることもできる。さらに、低分子系の材料からなる膜と高分子系の材料からなる膜を積層して形成しても良い。なお、本発明は、アクティブマトリクス型のELパネルだけではなく、パッシブマトリクス型のELパネルについても適用することが可能である。吸収膜107は、基板101上に形成されたEL素子106を完全に覆うように形成されている。ここで形成される吸収膜107は、EL素子106形成後に窒素や希ガスといった不活性ガス雰囲気下で連続的に成膜される。さらに、封止基板102は熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂といった材料からなるシール剤108により封止構造が形成されるが、ここで基板101と封止基板102に囲まれた領域を空間109とよび、EL素子106は、不活性ガスを有する空間109の内部に位置している。なお、シール剤は、吸収膜と重ならない位置に備えられている。図1Bにおいて、矢印は、EL素子106から発せられた光が放出される方向を示している。つまり、EL素子106の構造としては、EL層105から見て、基板101側に陽極103が形成され、封止基板102側に陰極104が形成されている。EL素子の素子構造を陰極と陽極を入れ替えることで光の放出方向を矢印と反対の方向にすることは可能であるが、本発明において用いる吸収膜107は、水分を吸着するにつれて透過率が低下してしまうので、図1Bに示すような素子構造とするのが好ましい。なお、図1ABでは、一枚の基板から1枚のELパネルが形成される場合について説明している。一枚の基板から複数のパネルを形成する場合においても本発明を適用することは可能である。そして、EL素子106形成後に連続的に吸収膜107が形成されている。ここで形成される吸収膜107は、仕事関数の低い金属で形成される。なお、本明細書中における仕事関数が低い金属とは、2.0~4.0eVの範囲の仕事関数を示す金属のことをいう。また、本発明で用いる吸収膜107は、その成膜温度の点から蒸着法による成膜が好ましいが、低温での処理が可能であれば、CVD法やスパッタ法を用いて成膜することも可能である。次に、吸収膜107が形成されると不活性ガス雰囲気下で封止が行われるが、封止に用いる封止基板102としては、ガラス、石英、プラスチックプラスチックフィルムも含む、金属代表的にはステンレスセラミックスといった材料を用いることができる。なお、プラスチックとしては、FRPFiberglassReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルム、アクリル樹脂フィルムを用いることができる。本発明は、上記構成により封止により形成される空間に酸素や水分等が混入された場合、これらが直接EL素子106に侵入するのを防ぐことができる。好ましくは、EL素子が基板と吸収膜に密閉され、その結果EL素子が空間109の雰囲気に曝されることを防ぐことができる。そして、EL素子106が酸素や水分により劣化するのを抑えることができる。以下に本発明の実施例について説明する。本発明を実施する上で用いたEL素子の素子構造についての概略図を図2に示す。図2において、201は基板であり、ガラスや石英といった透光性の材料を用いることができる。また、202は、陽極であり、酸化スズと酸化インジウムの合金であるITOで形成されるが、酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛ZnOを混合した化合物や、酸化亜鉛と酸化ガリウムからなる化合物を用いても良い。また、陽極202の端部は、絶縁性の材料からなる絶縁体214により覆われている。次に正孔注入層203、正孔輸送層204、発光層205およびバッファー層206からなる積層構造を有するEL層207が形成される。具体的には、正孔注入層203としては、銅フタロシアニンCu-Pcや、ポリチオフェン誘導体であるPEDOTを用いて形成することができる。なお、銅フタロシアニンのような低分子系の材料を用いる場合には、蒸着法により膜を形成し、PEDOTのような高分子系の材料を用いる場合には、スピンコート法やインクジェット法を用いると良い。また、正孔輸送層204としては、MTDATAやα-NPDを用いることができる。次に、発光層205としては、公知の有機EL材料を用いることができ、高分子系のEL材料若しくは低分子系のEL材料を用いることができる。なお、本実施例では、赤色の発光を示す赤色発光層と緑色の発光を示す緑色発光層及び青色の発光を示す青色発光層の三色からなる発光層を形成する場合について説明する。赤色発光層は、Alq3にDCMをドーピングしたものを用いて形成することができる。その他にもEu錯体EuDCM3Phen、アルミキノリラト錯体Alq3にDCM-1をドーパントとして用いたもの等を用いることができる。次に、緑色発光層は、CBPとIrppy3を共蒸着することにより形成させることができる。なお、この他にもアルミキノリラト錯体Alq3、ベンゾキノリノラトベリリウム錯体BeBqを用いることができる。さらには、アルミキノリラト錯体Alq3にクマリン6やキナクリドンといった材料をドーパントとして用いたものも可能である。そして、青色発光層には、ジスチリル誘導体であるDPVBiや、アゾメチン化合物を配位子に持つ亜鉛錯体及びDPVBiにペリレンをドーピングしたものを用いることができる。また、バッファー層206として、フッ化リチウムLiF、酸化アルミニウムAl2O3、リチウムアセチルアセトネートLiacacといった材料を用いることができる。以上でEL層207の積層構造が完成する。なお、EL層を形成する材料が低分子系の材料である場合には、蒸着法により形成すれば良く、また、高分子系の材料を用いた場合には、スピンコート法やインクジェット法といった塗布法や印刷法などを用いて形成すればよい。次に、EL層207上に陰極208を形成する。陰極から電子が注入されることを考慮すると仕事関数の低い金属材料が必要である。しかし、仕事関数の低い金属は、大気中で不安定であり、酸化や剥離が問題となる。そのため、マグネシウムMgと銀Agを9:1の割合で共蒸着させることにより形成させた合金MgAgを用いるのが効果的である。また、陰極材料としては、アルミニウムとリチウムやカルシウム及びマグネシウムの合金を用いてもよい。さらには、イッテルビウムYbを用いることも可能である。また、本実施例では、陰極における抵抗を低くし、陰極の酸化を抑える目的で銀Agからなる保護電極209を設けている。なお、保護電極は、必ずしも設けなければならないものではなく、必要に応じて設ければよい。次にバリア膜210を形成する。ここでは、吸収膜で吸収された酸素及び水分が直接陰極に接触するのを防ぐために設けられている。なお、バリア膜は、必ず設ける必要はなく必要に応じて設ければよい。なお、バリア膜を形成する材料としては、絶縁材料、具体的には、銅フタロシアニンや窒化珪素、酸化珪素といった材料を用いて形成すればよい。次にバリア膜210上に吸収膜211を形成する。吸収膜211としては、仕事関数の小さい金属を用いる。これは、仕事関数の小さい金属は酸化され易いためである。さらに、ここで用いる金属は、酸化により生じた酸化物が水分を取り込んで水和物になるものを用いる。具体的には、バリウムBaを用いることができる。バリウムは、酸素及び水と次のように反応することが知られている。2BaO2→2BaOBaO9H2O→Ba28H2Oすなわち、この式に示すようにバリウムは、空間に存在する酸素や水分等と反応して取り込む機能を有している。つまり、この化学的性質を吸収膜として利用しているのである。また、EL層207、陰極208、保護電極209、バリア膜210及び吸収膜211の形成は、その界面に酸素や水分が含まれないように行うことが望ましい。従って真空条件下でこれらの膜を連続成膜するか、EL層207を窒素や希ガスといった不活性ガス雰囲気下で形成した後、酸素や水分に触れないようにする必要がある。本実施例では、マルチチャンバー方式クラスターツール方式の成膜装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。以上のように形成した後で、シール剤212を用いて封止基板213を基板201に貼り合わせる。本実施例においては、シール剤212として紫外線硬化樹脂を用いた。なお、本明細書中では基板201、封止基板213およびシール剤212で囲まれた領域を空間215という。封止基板としては、ガラス、石英、プラスチックプラスチックフィルムも含む、金属代表的にはステンレスセラミックスといった材料を用いることができる。なお、プラスチックとしては、FRPFiberglassReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルム、アクリル樹脂フィルムを用いることができる。本実施例において、上述した封止構造を有するELパネルについて、パネル作製時からのEL素子の劣化の様子をEL素子に印加する電圧に対して得られる輝度により評価を行った。なお、図2には示されていないが、EL素子の陽極及び陰極は、それぞれ外部の電源に電気的に接続されている。また、評価に用いたEL素子の素子構成は、以下に示すとおりである。はじめに、ガラス基板上にITOで陽極を形成した後、EL層を形成する。EL層は、以下に示す積層構造を有する。まず、正孔注入層として、銅フタロシアニンを20nmの膜厚に形成した後正孔輸送層としてtriphenylamine以下、MTDATAと示すを20nm、4,4’-ビスN-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ-ビフェニル以下、α-NPDと示すを10nmの膜厚に形成し、次に発光層としてトリス8-キノリノラト-アルミニウム以下、Alq3と示すを50nmの膜厚に形成し、バッファー層としてリチウムアセチルアセトネート以下、Liacacと示すを2nmの膜厚に形成する。以上によりEL層が形成される。次に、陰極として、Mg:Agが、150nmの膜厚に形成され、その上に保護電極としてAgを150nmの膜厚に形成した。ここまで形成したEL素子を窒素雰囲気下でガラス基板と紫外線硬化樹脂を用いて封止構造を形成させたものをBa無しとし、さらに、保護電極上にバリア膜として銅フタロシアニンを20nm形成し、その上にバリウムを1500nmの膜厚に形成した後、窒素雰囲気下でガラス基板と紫外線硬化樹脂を用いて封止構造を形成させたものをBa有りとした。ここで得られた結果を図3に示す。作製したEL素子の初期特性を作製日とし、温度60°C、湿度95の高温高湿条件下で1日放置した後で測定した結果を1日後、2日放置した後で測定した結果を2日後として示している。なお、ここでの駆動電圧は、7Vである。図3の結果から、Ba無しのEL素子は1日後でやや輝度が落ち、2日後には、1000カンデラ以上も減少しているのに対し、Ba付きのEL素子は、2日後であってもほとんど輝度の減少は見られない。さらに、ここで観察された、EL素子についてBa無しのEL素子の写真を図11に、Ba付きのEL素子の写真を図12に示す。なお、図11及び図12については、いずれもAに作製直後のEL素子の様子を示し、Bには、高温高湿条件で1日放置した後、また、Cには、2日放置した後のEL素子の様子をそれぞれ示す。図11において、BaなしのEL素子は、1日後に既に劣化している様子が確認される。これに対して、図12のBa付きのEL素子は、1日後には、劣化の様子が見られない。2日後には、やや劣化の兆候が見られるが、Ba付きのEL素子の方がEL素子の劣化が遅くなることが分かる。よって、バリウムからなる吸収膜を形成することによりEL素子の劣化を抑えられることが確認された。次に、本実施例では、本発明をアクティブマトリクス型の発光装置に用いた場合について説明する。はじめに、同一基板上に画素部と、画素部の周辺に設ける駆動回路のTFTnチャネル型TFT及びpチャネル型TFTを同時に作製し、さらにEL素子までを形成する方法について詳細に図4~図7を用いて説明する。まず、本実施例ではコーニング社の7059ガラスや1737ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板300を用いる。なお、基板300としては、透光性を有する基板であれば限定されず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。次いで、基板300上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地膜301を形成する。本実施例では下地膜301として2層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造を用いても良い。下地膜301の一層目としては、プラズマCVD法を用い、SiH4、NH3、及びN2Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜301aを10~200nm好ましくは50~100nm形成する。本実施例では、膜厚50nmの酸化窒化珪素膜301a組成比Si=32、O=27、N=24、H=17を形成した。次いで、下地膜301のニ層目としては、プラズマCVD法を用い、SiH4、及びN2Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜301bを50~200nm好ましくは100~150nmの厚さに積層形成する。本実施例では、膜厚100nmの酸化窒化珪素膜301b組成比Si=32、O=59、N=7、H=2を形成した。次いで、下地膜301上に半導体層302~306を形成する。半導体層302~306は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段スパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等により成膜した後、公知の結晶化処理レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層302~306の厚さは25~80nm好ましくは30~60nmの厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくは珪素シリコンまたはシリコンゲルマニウムSiXGe1XX=0.0001~0.02合金などで形成すると良い。本実施例では、プラズマCVD法を用い、55nmの非晶質珪素膜を成膜した後、ニッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に保持させた。この非晶質珪素膜に脱水素化500°C、1時間を行った後、熱結晶化550°C、4時間を行い、さらに結晶化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を行って結晶質珪素膜を形成した。そして、この結晶質珪素膜をフォトリソグラフィ-法によるパターニング処理によって、半導体層302~306を形成した。また、半導体層302~306を形成した後、TFTのしきい値を制御するために微量な不純物元素ボロンまたはリンのドーピングを行ってもよい。また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやYAGレーザー、YVO4レーザーを用いることができる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数300Hzとし、レーザーエネルギー密度を100~400mJcm2とする。また、YAGレーザーを用いる場合にはその第2高調波を用いパルス発振周波数30~300Hzとし、レーザーエネルギー密度を300~600mJcm2とすると良い。そして幅100~1000μm、例えば400μmで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率オーバーラップ率を50~90として行えばよい。次いで、半導体層302~306を覆うゲート絶縁膜307を形成する。ゲート絶縁膜307はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40~150nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマCVD法により110nmの厚さで酸化窒化珪素膜組成比Si=32、O=59、N=7、H=2で形成した。勿論、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマCVD法でTEOSTetraethylOrthosilicateとO2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度300~400°Cとし、高周波13.56MHz電力密度0.5~0.8Wcm2で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化珪素膜は、その後400~500°Cの熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。次いで、図4Aに示すように、ゲート絶縁膜307上に膜厚20~100nmの第1の導電膜308と、膜厚100~400nmの第2の導電膜309とを積層形成する。本実施例では、膜厚30nmのTaN膜からなる第1の導電膜308と、膜厚370nmのW膜からなる第2の導電膜309を積層形成した。TaN膜はスパッタ法で形成し、Taのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。また、W膜は、Wのターゲットを用いたスパッタ法で形成した。その他に6フッ化タングステンWF6を用いる熱CVD法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、W膜の抵抗率は20μΩcm以下にすることが望ましい。W膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、W膜中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。従って、本実施例では、高純度のW純度99.9999のターゲットを用いたスパッタ法で、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してW膜を形成することにより、抵抗率9~20μΩcmを実現することができた。なお、本実施例では、第1の導電膜308をTaN、第2の導電膜309をWとしたが、特に限定されず、いずれもTa、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、Ag、Pd、Cuからなる合金を用いてもよい。また、第1の導電膜をタンタルTa膜で形成し、第2の導電膜をW膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒化チタンTiN膜で形成し、第2の導電膜をW膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒化タンタルTaN膜で形成し、第2の導電膜をAl膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒化タンタルTaN膜で形成し、第2の導電膜をCu膜とする組み合わせとしてもよい。次に、図4Bに示すようにフォトリソグラフィ-法を用いてレジストからなるマスク310~314を形成し、電極及び配線を形成するための第1のエッチング処理を行う。第1のエッチング処理では第1及び第2のエッチング条件で行う。本実施例では第1のエッチング条件として、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマエッチング法を用い、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を25/25/10sccmとし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF1356MHz電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。ここでは、松下電器産業株製のICPを用いたドライエッチング装置ModelE645-□ICPを用いた。基板側試料ステージにも150WのRF1356MHz電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第1のエッチング条件によりW膜をエッチングして第1の導電層の端部をテーパー形状とする。第1のエッチング条件でのWに対するエッチング速度は200.39nm/min、TaNに対するエッチング速度は80.32nm/minであり、TaNに対するWの選択比は約2.5である。また、この第1のエッチング条件によって、Wのテーパー角は、約26°となる。この後、図4Bに示すようにレジストからなるマスク310~314を除去せずに第2のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにCF4とCl2とを用い、それぞれのガス流量比を30/30sccmとし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF1356MHz電力を投入してプラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行った。基板側試料ステージにも20WのRF1356MHz電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。CF4とCl2を混合した第2のエッチング条件ではW膜及びTaN膜とも同程度にエッチングされる。第2のエッチング条件でのWに対するエッチング速度は58.97nm/min、TaNに対するエッチング速度は66.43nm/minである。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10~20程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。上記第1のエッチング処理では、レジストからなるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第1の導電層及び第2の導電層の端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は15~45°とすればよい。こうして、第1のエッチング処理により第1の導電層と第2の導電層から成る第1の形状の導電層315~319第1の導電層315a~319aと第2の導電層315b~319bを形成する。320はゲート絶縁膜であり、第1の形状の導電層315~319で覆われない領域は20~50nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。そして、レジストからなるマスクを除去せずに第1のドーピング処理を行い、半導体層にn型を付与する不純物元素を添加する図4B。ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013~5×1015atomscm2とし、加速電圧を60~100keVとして行う。本実施例ではドーズ量を1.5×1015atomscm2とし、加速電圧を80keVとして行った。n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリンPまたは砒素Asを用いるが、ここではリンPを用いた。この場合、導電層315~319がn型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に高濃度不純物領域321~325が形成される。高濃度不純物領域321~325には1×1020~1×1021atomscm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。次いで、図4Cに示すようにレジストからなるマスクを除去せずに第2のエッチング処理を行う。ここでは、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を20/20/20sccmとし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF1356MHz電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。基板側試料ステージにも20WのRF1356MHz電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。第2のエッチング処理でのWに対するエッチング速度は124.62nm/min、TaNに対するエッチング速度は20.67nm/minであり、TaNに対するWの選択比は6.05である。従って、W膜が選択的にエッチングされる。この第2のエッチングによりWのテーパー角は70°となった。この第2のエッチング処理により第2の導電層330b~330bを形成する。一方、第1の導電層315a~319aは、ほとんどエッチングされず、第1の導電層330a~334aを形成する。次いで、第2のドーピング処理を行う。ドーピングは第2の導電層330b~334bを不純物元素に対するマスクとして用い、第1の導電層におけるテーパー部下方の半導体層に不純物元素が添加されるようにドーピングする。本実施例では、不純物元素としてPリンを用い、ドーズ量1.5×1014、電流密度0.5μA、加速電圧90keVにてプラズマドーピングを行った。こうして、第1の導電層と重なる低濃度不純物領域340~344を自己整合的に形成する。この低濃度不純物領域340~344へ添加されたリンPの濃度は、1×1017~5×1018atomscm3であり、且つ、第1の導電層におけるテーパー部の膜厚に従って緩やかな濃度勾配を有している。なお、第1の導電層のテーパー部と重なる半導体層において、第1の導電層におけるテーパー部の端部から内側に向かって若干、不純物濃度が低くなっているものの、ほぼ同程度の濃度である。また、高濃度不純物領域321~325にも不純物元素が添加され、高濃度不純物領域345~349を形成する。次いで、図5Bに示すようにレジストからなるマスクを除去してからフォトリソグラフィー法を用いて、第3のエッチング処理を行う。この第3のエッチング処理では第1の導電層のテーパー部を部分的にエッチングして、第2の導電層と重なる形状にするために行われる。ただし、第3のエッチングを行わない領域には、図5Bに示すようにレジスト350、351からなるマスクを形成する。第3のエッチング処理におけるエッチング条件は、エッチングガスとしてCl2とSF6とを用い、それぞれのガス流量比を10/50sccmとして第1及び第2のエッチングと同様にICPエッチング法を用いて行う。なお、第3のエッチング処理でのTaNに対するエッチング速度は、111.2nmminであり、ゲート絶縁膜に対するエッチング速度は、12.8nmminである。本実施例では、1.3Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF1356MHz電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。基板側試料ステージにも10WのRF1356MHz電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。以上により、第1の導電層352a~354aが形成される。上記第3のエッチングによって、第1の導電層352a~354aと重ならない不純物領域LDD領域355~357が形成される。なお、不純物領域GOLD領域340および342は、第1の導電層330aおよび332aと重なったままである。また、第1の導電層330aと第2の導電層330bとで形成された電極は、最終的に駆動回路のnチャネル型TFTのゲート電極となり、また、第1の導電層352aと第2の導電層352bとで形成された電極は、最終的に駆動回路のpチャネル型TFTのゲート電極となる。同様に、第1の導電層353aと第2の導電層353bとで形成された電極は、最終的に画素部のnチャネル型TFTのゲート電極となり、第1の導電層354aと第2の導電層354bとで形成された電極は、最終的に画素部のpチャネル型TFTのゲート電極となる。さらに第1の導電層332aと第2の導電層332bとで形成された電極は、最終的に画素部のコンデンサ保持容量の一方の電極となる。このようにして、本実施例は、第1の導電層352a~354aと重ならない不純物領域LDD領域355~357と、第1の導電層330aおよび332aと重なる不純物領域GOLD領域340および342を同時に形成することができ、TFT特性に応じた作り分けが可能となる。次にレジストからなるマスク350と351を除去した後、ゲート絶縁膜320をエッチング処理する。ここでのエッチング処理は、エッチングガスにCHF3を用い、反応性イオンエッチング法RIE法を用いて行う。本実施例では、チャンバー圧力6.7Pa、RF電力800W、CHF3ガス流量35sccmで第4のエッチング処理を行った。これにより、高濃度不純物領域345~349の一部は露呈し、絶縁膜360~364が形成される。次いで、新たにレジストからなるマスク365、366を形成して第3のドーピング処理を行う。この第3のドーピング処理により、pチャネル型TFTの活性層を形成する図5C。第1の導電層352a、332aおよび354aを不純物元素に対するマスクとして用い、p型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。本実施例では、不純物領域370~375はジボランB2H6を用いたイオンドープ法で形成する。第1のドーピング処理及び第2のドーピング処理によって、不純物領域370~375にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、そのいずれの領域においてもp型を付与する不純物元素の濃度が2×1020~2×1021atomscm3となるようにドーピング処理することにより、pチャネル型TFTのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。以上までの工程でそれぞれの半導体層に不純物領域が形成される。なお、本実施例では、ゲート絶縁膜をエッチングした後で不純物ボロンのドーピングを行う方法を示したが、ゲート絶縁膜をエッチングせずに不純物のドーピングを行っても良いし、ゲート絶縁膜をエッチングする前に不純物のドーピングを行っても良い。次いで、レジストからなるマスク365、366を除去して図6Aに示すように第1の層間絶縁膜376を形成する。この第1の層間絶縁膜376としては、プラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを100~200nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマCVD法により膜厚150nmの酸化窒化珪素膜を形成した。勿論、第1の層間絶縁膜376は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。次いで、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400~700°C、代表的には500~550°Cで行えばよく、本実施例では550°C、4時間の熱処理で活性化処理を行った。なお、熱アニール法の他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法RTA法を適用することができる。なお、本実施例では、上記活性化処理と同時に、結晶化の際に触媒として使用したニッケルが高濃度のリンを含む不純物領域345、348、370、372、374にゲッタリングされ、主にチャネル形成領域となる半導体層中のニッケル濃度が低減される。このようにして作製したチャネル形成領域を有するTFTはオフ電流値が下がり、結晶性が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を達成することができる。また、第1の層間絶縁膜を形成する前に活性化処理を行っても良い。ただし、用いた配線材料が熱に弱い場合には、本実施例のように配線等を保護するため層間絶縁膜シリコンを主成分とする絶縁膜、例えば窒化珪素膜を形成した後で活性化処理を行うことが好ましい。その他、活性化処理を行った後でドーピング処理を行い、第1の層間絶縁膜を形成させても良い。さらに、3~100の水素を含む雰囲気中で、300~550°Cで1~12時間の熱処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。本実施例では水素を約3の含む窒素雰囲気中で410°C、1時間の熱処理を行った。この工程は層間絶縁膜に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化プラズマにより励起された水素を用いるを行っても良い。また、活性化処理としてレーザーアニール法を用いる場合には、上記水素化を行った後、エキシマレーザーやYAGレーザー等のレーザー光を照射することが望ましい。次いで、図6Bに示すように第1の層間絶縁膜376上に有機絶縁物材料から成る第2の層間絶縁膜380を形成する。本実施例では膜厚1.6μmのアクリル樹脂膜を形成した。次いで、各不純物領域345、348、370、372、374に達するコンタクトホールを形成するためのパターニングを行う。第2の層間絶縁膜380としては、珪素を含む絶縁材料や有機樹脂からなる膜を用いる。珪素を含む絶縁材料としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素を用いることができ、また有機樹脂としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、BCBベンゾシクロブテンなどを用いることができる。本実施例では、プラズマCVD法により形成された酸化窒化珪素膜を形成した。なお、酸化窒化珪素膜の膜厚として好ましくは1~5μmさらに好ましくは2~4μmとすればよい。酸化窒化珪素膜は、膜自身に含まれる水分が少ないためにEL素子の劣化を抑える上で有効である。また、コンタクトホールの形成には、ドライエッチングまたはウエットエッチングを用いることができるが、エッチング時における静電破壊の問題を考えると、ウエットエッチング法を用いるのが望ましい。さらに、ここでのコンタクトホールの形成において、第1層間絶縁膜376及び第2層間絶縁膜380を同時にエッチングするため、コンタクトホールの形状を考えると第2層間絶縁膜380を形成する材料は、第1層間絶縁膜376を形成する材料よりもエッチング速度の速いものを用いるのが好ましい。そして、各不純物領域345、348、370、372、374とそれぞれ電気的に接続する配線381~388を形成する。そして、膜厚50nmのTi膜と、膜厚500nmの合金膜AlとTiとの合金膜との積層膜をパターニングして形成するが、他の導電膜を用いても良い。次いで、その上に透明導電膜を80~120nmの厚さで形成し、パターニングすることによって画素電極389を形成する図6B。なお、本実施例では、画素電極として酸化インジウムスズITO膜や酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛ZnOを混合した透明導電膜を用いる。また、画素電極389は、ドレイン配線387と接して重ねて形成することによって電流制御用TFTのドレイン領域と電気的な接続が形成される。次に、図7に示すように、珪素を含む絶縁膜本実施例では酸化珪素膜を500nmの厚さに形成し、画素電極389に対応する位置に開口部を形成して、バンクとして機能する第3の層間絶縁膜390を形成する。開口部を形成する際、ウエットエッチング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とすることができる。開口部の側壁が十分になだらかでないと側壁の段差に起因するEL層の劣化が顕著な問題となってしまうため、注意が必要である。なお、本実施例においては、第3の層間絶縁膜390として酸化珪素からなる膜を用いているが、場合によっては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、BCBベンゾシクロブテンといった有機樹脂膜を用いることもできる。次に、図7に示すようにEL層391を蒸着法により形成する。ここでは、本発明において形成されるEL層391の一例について示す。まず、画素電極陽極389上に正孔注入層として銅フタロシアニン以下、Cu-Pcと示すを20nmの膜厚に形成した後、正孔輸送層としてMTDATAを20nm、α-NPDを10nmnm形成し、その後、発光層としてAlq3を50nmの膜厚に形成し、さらにバッファー層としてLiacacを2nmの膜厚に形成したものを用いた。以上により、EL層391が形成される。なお、EL層391を形成する材料としては、公知の材料を用いることができる。本実施例では正孔注入層、正孔輸送層Holetransportinglayer、発光層Emittinglayerおよび電子輸送層からなる4層構造をEL層391とするが、さらに電子注入層を設けることもできるし、発光層以外のいずれかが欠ける構造も可能である。このように組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。次に蒸着法により陰極Mg:Ag電極392および保護電極394を形成する。このときEL層391及び陰極392を形成するに先立って画素電極389に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくことが望ましい。なお、本実施例ではEL素子の陰極としてMg:Ag電極を用いるが、公知の他の材料を用いても良い。また、保護電極394は陰極392の劣化を防ぎ、また陰極の膜抵抗を下げるために設けられ、アルミニウムを主成分とする低抵抗な金属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良い。また、この金属膜は、必ずしも設ける必要はなく必要に応じて設ければよい。さらに、バリア膜395が形成される。これは、後に設けられる吸収膜に捕捉された酸素又は水分が陰極及び保護電極と直接接触するのを防ぐためである。なお、本実施例では、バリア膜として、Cu-Pcからなる絶縁膜を用いた。なお、EL層391の膜厚は10~400nm典型的には60~150nm、陰極392の厚さは80~200nm典型的には100~150nmとすれば良い。次に、EL素子393、保護電極394、バリア膜395を覆うように吸収膜396が形成される。吸収膜396としては、吸収性を有する仕事関数の低い金属が望ましく本実施例では、バリウムを用いた。なお、吸収膜396の膜厚は1~3μm典型的には1.5~2μmとすればよい。また、EL素子393は、酸素及び水分に弱いので、EL層391形成から吸収膜396の形成までを連続的に処理するのが望ましい。さらに、本実施例では、封止の際に封止基板と基板の間に備えるシール剤の密着性を高めるために吸収膜396上に窒化膜や酸化膜等の絶縁膜からなるパッシベーション膜397を設ける構造とした。しかし、このパッシベーション膜397は、必ずしも設ける必要はなく、必要に応じて設ければよい。こうして図7に示すような構造が完成する。本明細書中では、図7に示すような構造まで作製されたものをEL基板とよぶ。なお、本実施例においては、EL素子393の素子構成から下面出射となるためスイッチング用TFT503にnチャネル型TFT、電流制御用TFT504にpチャネル型TFTを用いるという構成を示したが、本実施例は、好ましい一形態にすぎず、これに限られる必要はない。また、400~403は、チャネル領域であり、501はnチャネルTFT、502はpチャネルTFT、505はコンデンサ、506は駆動回路、507は画素部である。なお、本実施例において用いるTFTの駆動電圧は、1.2~10Vであり、好ましくは、2.5~5.5Vである。次に、図7に示すEL基板を封止基板で封止してELパネルとして完成させる方法について図8を用いて説明する。図8Aは、EL基板を封止したELパネルの上面図、図8Bは図8AをA-A’で切断した断面図である。点線で示された801はソース側駆動回路、802は画素部、803はゲート側駆動回路である。また、804は封止基板、805はシール材であり、シール材805で囲まれた内側は、空間807になっている。なお、ソース側駆動回路801及びゲート側駆動回路803に入力される信号を伝送するための配線図示せずにより、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット809からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではELパネルにFPCが接続された状態を示しているが、FPCを介してIC集積回路が直接実装されたモジュールを本明細書中では、発光装置とよぶ。次に、断面構造について図8Bを用いて説明する。基板810の上方には画素部802、ゲート側駆動回路803が形成されており、画素部802は電流制御用TFT811とそのドレインに電気的に接続された画素電極812を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路803はnチャネル型TFT813とpチャネル型TFT814とを組み合わせたCMOS回路図7参照を用いて形成される。画素電極812は陽極として機能する。また、画素電極812の両端にバンク815が形成された後、画素電極812上にEL層816および陰極817が形成され、EL素子818が形成される。なお、陰極817は全画素に共通の配線として機能し、接続配線808を経由してFPC809に電気的に接続されている。次にEL素子818を覆うようにバリア膜819及び吸収膜820が連続的に形成される。なお、ここで形成されるバリア膜819は、吸収膜820により吸収された酸素や水分が直接陰極817に接触するのを避けるためである。さらに吸収膜820が酸素や水分を吸収することにより生じる重みでEL素子818に直接圧力が加わるのを防ぐためでもある。よって、バリア膜819を形成する材料としては、絶縁性の材料が好ましく、窒化珪素や酸化珪素といった材料が適している。また、吸収膜820としては、仕事関数の小さい金属を用いる。これは、仕事関数の小さい金属は酸化され易いためである。さらに、ここで用いる金属は、酸化により生じた酸化物が水分を取り込んで水和物を形成するものを用いる。具体的には、バリウムBaを用いることができる。吸収膜820形成後は、パッシベーション膜821が形成されている。これは、接続配線808上にシール剤805が直接形成されるのを防ぐためである。これによりシール剤805の密着性を高めることができる。なお、シール剤805によりガラスからなる封止基板804が貼り合わされている。なお、シール剤805としては紫外線硬化樹脂や熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。また、必要に応じて封止基板804とEL素子818との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。シール剤805の内側の空間807には窒素や希ガス等の不活性ガスが充填されている。また、シール剤805はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。以上のような構造でEL素子を空間807に封入することにより、EL素子を外部から完全に遮断することができ、外部から侵入する水分や酸素によるEL素子の劣化を防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。なお、本実施例の構成は、実施例1のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。本実施例では本発明をパッシブマトリクス型単純マトリクス型の発光装置に用いた場合について説明する。説明には図9を用いる。図9において、1001はガラスからなる基板、1002は透光性の導電膜からなる陽極である。本実施例では、陽極1002として酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物をスパッタリング法により形成する。なお、図9では図示されていないが、複数本の陽極1002が紙面と平行な方向へストライプ状に配列されている。さらに陽極1002の間を埋めるようにバンク1003を形成する。また、ストライプ状に配列された陰極1006を紙面に垂直な方向に形成される。次に、EL材料からなるEL層1004a~1004cを実施例1で示した蒸着法により形成する。なお、1004aは赤色に発光するEL層、1004bは緑色に発光するEL層、1004cは青色に発光するEL層である。用いる有機EL材料は実施例1と同様のものを用いれば良い。これらのEL層はバンク1003が形成する溝に沿って形成されるため、紙面に垂直な方向にストライプ状に形成される。本実施例を実施することにより、基板上に赤、緑、青の三色の画素をストライプ状に形成する。なお、画素の色は、必ずしも三色である必要はなく、一色または、二色であってもよい。また、色は、赤、緑、青に限られることはなく、黄色、オレンジ、グレーといった発色することが可能な他の色を用いてもよい。EL層を形成する方法としては、まず、赤色に発光するEL層のみをメタルマスクを用いて形成し、次にメタルマスクをずらして隣の画素列に移動させた後、緑色に発光するEL層を形成させる。さらに、メタルマスクを隣の画素列に移動させた後、青色に発光するEL層を形成させて、赤、緑、青からなるストライプ状のEL層を形成する。なお、同じ色の発光層は一列ずつ形成しても良いし、同時に形成しても良い。また、このとき、同じ色のライン状に隣り合う画素の相互の距離Dは、EL層の膜厚tの5倍以上好ましくは10倍以上とすることが望ましい。これは、D<5tでは画素間でクロストークの問題が発生しうるからである。なお、距離Dが離れすぎても高精細な画像が得られなくなるので、5t<D<50t好ましくは10t<D<35tとすることが好ましい。また、バンクを紙面に対して水平方向にストライプ状に形成し、赤色に発光するEL層、緑色に発光するEL層及び青色に発光するEL層をそれぞれ同じ水平方向に形成しても良い。この場合も同じ色のライン状に隣り合う画素の相互の距離Dは、EL層の膜厚tの5倍以上好ましくは10倍以上、さらに好ましくは5t<D<50t好ましくは10t<D<35tとすると良い。以上のようにメタルマスクを用いて、EL層を形成することで成膜位置の制御が可能となる。その後、図9では図示されていないが、複数本の陰極及び保護電極が紙面に垂直な方向が長手方向となり、且つ、陽極1002と直交するようにストライプ状に配列される。なお、本実施例では、陰極1005は、MgAgからなり、保護電極1006はアルミニウム合金膜からなり、それぞれ蒸着法により形成する。また、図示されていないが保護電極1006は所定の電圧が加わるように、後にFPCが取り付けられる部分まで配線が引き出されている。以上のようにして基板1001上にEL素子を形成する。なお、本実施例では下側の電極が透光性の陽極となっているため、EL層1004a~1004cで発生した光は下面基板1001に放射される。しかしながら、EL素子の構造を反対にし、下側の電極を遮光性の陰極とすることもできる。その場合、EL層1004a~1004cで発生した光は上面基板1001とは反対側に放射されることになる。保護電極1006を形成した後で、絶縁材料からなるバリア膜1307を形成する。ここでは、窒化珪素、酸化珪素、炭素具体的にはDLC膜といった無機材料を用いると良く、プラズマCVD法、スパッタリング法または蒸着法により形成することができるが、本実施例では、窒化珪素膜を蒸着法により形成する。なお、このときバリア膜1007の膜厚は、10nm~100nmが好ましい。次に、吸収性の材料からなる吸収膜1008を蒸着法により形成する。なお、ここで用いる吸収膜としては、バリウムなどの仕事関数が小さく、酸化されやすい材料を用いると良い。次に、吸収膜1008上に絶縁材料からなるパッシベーション膜1009を形成させる。なお、EL素子は、酸素や水分等に弱いのでEL層の形成からパッシベーションの形成までは、連続的に行うのが望ましい。最後にFPC1013を取り付けてパッシブ型の発光装置が完成する。なお、本実施例の構成は、実施例1~実施例2のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。本実施例では、EL素子の封止構造を形成させた後、さらに外部からの酸素や水分等の侵入を防ぐための方法について説明する。図10Aには、封止構造を有するELパネルに金属膜を蒸着させる成膜室1109内の断面図を簡単にしめす。なお、成膜室1109は、不活性ガスが充填された、大気圧状態になっている。図10Aにおいて、1101は基板であり、基板上にEL素子1102が形成され、吸収膜1104がEL素子1102を覆うように形成されている。又、EL素子1102からの接続配線1103及び吸収膜上には、パッシベーション膜1105が形成され、これらは、封止基板1108とシール剤1106により封止されている。なお、パッシベーション膜1105と封止基板1108によって封止された領域を空間1107という。また、ここまで形成された状態を本明細書中では、ELパネルと呼ぶ。ELパネルは、成膜室1109のゲート1110から出し入れを行う。そして、基板上にEL素子が形成されている側を下側にして、マスク1118を介して補助台1111上に備える。又、成膜室1109内の蒸着源1112には、金属膜を形成する低融点の金属が備えられている。これは、封止の際に用いたシール剤1106に対して成膜時の熱によるダメージを考慮しているためである。なお、具体的には、アルミニウムやマグネシウムといった材料が望ましい。そして、大気圧下において、蒸着を行う。なお、蒸着の際には、マスク1118を設けて、パッシベーション膜1105で覆われている接続配線1103や、必要以上の範囲に金属膜を成膜することがないようにする。また、蒸着位置を調節するために蒸着源1112の位置を移動させたり、ELパネルの位置や角度を変えたりしても良い。なお、図10Bに示すように、本実施例によりELパネルのシール剤による封止部を金属膜1116で覆うように形成することができる。また、1113は陽極、1114はEL層、1115は陰極、1117は絶縁体である。また、本実施例においては、大気圧下で金属膜を形成することができるので、成膜後にELパネルを大気中に取り出した際に封止構造内の圧力変化に伴う問題を防ぐことができる。なお、本実施例の構成は、実施例1~実施例3のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。本実施例では、上記各実施例においてEL層形成から封止構造を形成するまでの成膜及び封止処理等を行う際に使用する成膜装置の例を示す。本発明の薄膜形成装置について図13を用いて説明する。図13において、1401は基板の搬入または搬出を行うロード室であり、ロードロック室とも呼ばれる。ここに基板をセットしたキャリア1402が配置される。なお、ロード室1401は基板搬入用と基板搬出用と区別されていても良い。本実施例においては、基板上にEL素子の陽極まで形成させた状態の基板をセットしておく。また、1403は基板1404を搬送する機構以下、搬送機構Aという1405を含む搬送室Aである。基板のハンドリングを行うロボットアームなどは搬送機構A1405の一種である。そして、搬送室A1403にはゲートを介して複数の成膜室及び処理室等と連結されており、各成膜室、搬送室及び処理室は、ゲートによって、それぞれ完全に遮断されるため、それぞれ気密された密閉空間を得られるようになっている。なお、搬送室A1403は、減圧雰囲気となるので搬送室A1403に直接連結された処理室には、すべて排気ポンプ図示せずが備えられている。なお、排気ポンプとしては、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプもしくはクライオポンプを用いることが可能であるが、水分の除去に効果的なクライオポンプが好ましい。はじめに、1407に示す成膜室Aについて説明する。成膜室A1407は、搬送室A1403とゲート1406bにより連結されており、蒸着法により成膜を行う成膜室である。なお、蒸着法としては、抵抗加熱による方法と電子ビームによる方法を用いることができるが、本実施例では、RE法により蒸着を行う場合について説明する。なお、この成膜室A1407で成膜されるのは、EL層を形成する正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層である。成膜室A中に備えられている試料ボートに予め成膜に用いるEL材料を備えておき、この試料ボートに電圧を印加することにより生じる熱により蒸着がなされる。なお、EL材料は水分に極めて弱いため、EL層成膜中は、成膜室A1407の圧力を常に真空状態に保持しておく必要がある。成膜室A1407への基板の出し入れ以外は、通常、ゲート1406bを用いて搬送室A1405と完全に遮断して、成膜室内の真空状態を制御すると良い。なお、この時の成膜圧力は、1×106~1×105Torrにしておく必要がある。また、成膜室A1407には、EL材料の成膜の様子を装置の外側から観察する手段として、成膜室の側面にそれぞれ窓が取り付けられていてもよい。これにより、正常に成膜が行われていることを確認することができるからである。又、成膜室A1407は、EL材料が備えられた複数の試料ボート図示せずが設けられており、EL層を形成する複数の層を形成することができるようになっている。なお、具体的には、1~8種類設けるのが好ましい。また、スピンコート法を用いてEL層の成膜を行う場合には、スピンコーターを備えた成膜室B1410でEL材料を含むEL溶液を基板上に塗布することでEL材料を含む膜を形成する。なお、本実施例では、高分子系のEL材料を成膜する際に成膜室B1410で成膜を行う。しかし、場合によっては、低分子系のEL材料を溶媒に溶解させて成膜する場合に、成膜室B1410において成膜を行っても良い。なお、スピンコーターを備えた成膜室B1410は、ゲート1406gを介して搬送室B1414と接続されている。なお、成膜室B1410において成膜処理された基板は、搬送室B1414によりゲート1406hを介して焼成室1411に搬送され、焼成される。そして、焼成処理を終えた基板は、搬送室Bとゲート1406fを介して連結されている圧力調整室1408に搬送される。基板が圧力調整室1408に搬送された後でゲート1406fが閉じ、圧力調整室1408内は減圧状態になる。圧力調整室1408内が、一定の減圧状態以下になったところで、ゲート1406dが開き搬送機構A1405により基板が取り出される。EL層が形成されたところで搬送室A1403とゲート1406cで連結された成膜室C1412に基板が搬送される。成膜室Cは、蒸着法により成膜を行う成膜室である。なお、本実施例では、EL層を成膜する成膜室A1407と同様にRE法による蒸着を行う。そして、成膜室C1412において、EL層上に形成するバリア膜、吸収膜及びパッシベーション膜といった絶縁性の膜が蒸着法により形成される。又、成膜室C1412においても複数の試料ボート図示せずが設けられている。具体的には、バリア膜及びパッシベーション膜を形成する材料である、窒化珪素や酸化珪素といった絶縁材料や吸収膜を形成するバリウムといった成膜材料が備えられている。パッシベーション膜まで形成させたところで、搬送室A1403とゲート1406eを介して連結される封止室1413に基板が搬送される。なお、封止室1413では、最終的にEL素子を密閉空間に封入するための処理が行われる。具体的には基板上に形成されたEL素子を封止基板とシール剤で封入するといった処理を行う。封止基板としては、ガラス、セラミックス、金属などの材料を用いることができ、またシール剤としては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂等を用いることができる。なお、封止室1413には、熱処理や紫外線照射処理を行う機能が備えられている。そして、封止室1413において、封止処理が行われた基板は、搬送機構A1405によりゲート1406aを介して再びロード室1401に戻る。なお、本実施例の構成は、実施例1~実施例4のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。本発明を実施して形成された発光装置を内蔵することにより様々な電気器具を作製することができる。本発明の電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響機器、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯機器モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍、記録媒体を備えた画像再生装置などが挙げられる。それら電気器具の具体例を図14、図15に示す。図14AはELディスプレイであり、筐体2001、支持台2002、表示部2003を含む。本発明の発光装置をその表示部2003に用いることにより作製される。表示部2003にEL素子を有した発光装置を用いる場合、EL素子が自発光型であるためバックライトが必要なく薄い表示部とすることができる。図14Bはビデオカメラであり、本体2101、表示部2102、音声入力部2103、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106を含む。本発明の発光装置をその表示部2102に用いることにより作製される。図14Cはデジタルカメラであり、本体2201、表示部2202、接眼部2203、操作スイッチ2204を含む。本発明の発光装置をその表示部2202に用いることにより作製される。図14Dは記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDVD再生装置であり、本体2301、記録媒体CD、LDまたはDVD等2302、操作スイッチ2303、表示部a2304、表示部b2305を含む。表示部a2305は主として画像情報を表示し、表示部bは主として文字情報を表示するが、本発明の発光装置をこれら表示部a、bに用いることにより作製される。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には、CD再生装置、ゲーム機器なども含まれうる。図14Eは携帯型モバイルコンピュータであり、本体2401、表示部2402、受像部2403、操作スイッチ2404、メモリスロット2405を含む。本発明の発光装置をその表示部2402に用いることにより作製される。この携帯型コンピュータはフラッシュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を記録したり、それを再生したりすることができる。図14Fはパーソナルコンピュータであり、本体2501、筐体2502、表示部2503、キーボード2504を含む。本発明の発光装置をその表示部2503に用いることにより作製される。また、上記電気器具はインターネットやCATVケーブルテレビなどの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。表示部にEL素子を有した発光装置を用いることにより、EL素子の応答速度が非常に高いため遅れのない動画表示が可能となる。また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響機器のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。図15Aは携帯電話であり、本体2601、音声出力部2602、音声入力部2603、表示部2604、操作スイッチ2605、アンテナ2606を含む。本発明の発光装置をその表示部2604に用いることにより作製される。なお、表示部2604は非発光部の背景に発光部において文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。図15Bも携帯電話であるが、図15Aとは異なり、二つ折りのタイプである。本体2611、音声出力部2612、音声入力部2613、表示部a2614、表示部b2615、アンテナ2616を含む。なお、このタイプの携帯電話には、操作スイッチが付いていないが、表示部a又は、表示部bのうちの一方の表示部に図15C、D、Eで示すような文字情報を表示をさせてその機能をもたせている。また、もう一方の表示部には、主として画像情報を表示することになる。なお、本発明の発光装置をその表示部a2614又は、表示部b2615に用いることにより作製される。図15A及びBに示した携帯電話の場合、表示部に用いた発光装置にCMOS回路でセンサCMOSセンサを内蔵させ、指紋もしくは手相を読みとることで使用者を認証する認証システム用端末として用いることもできる。また、外部の明るさ照度を読みとり、設定されたコントラストで情報表示が可能となるように発光させることもできる。さらに、図15Aにおいては、操作スイッチ2605を使用している時に輝度を下げ、操作スイッチの使用が終わったら輝度を上げることで低消費電力化することができる。また、着信した時に表示部2604の輝度を上げ、通話中は輝度を下げることによっても低消費電力化することができる。また、継続的に使用している場合に、リセットしない限り時間制御で表示がオフになるような機能を持たせることで低消費電力化を図ることもできる。なお、これらはマニュアル制御であっても良い。図15Fは音響再生装置、具体的には車載用オーディオであり、本体2621、表示部2622、操作スイッチ2623、2624を含む。本発明の発光装置をその表示部2622に用いることにより作製される。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部2622は非発光部の背景に発光部において白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置において特に有効である。また、本実施例で示した携帯型電気器具において、消費電力を低減するための方法として、外部の明るさを感知するセンサ部を設け、暗い場所で使用する際には、表示部の輝度を落とすなどの機能を付加するといった方法が挙げられる。以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能である。また、本実施例の電気器具は実施例1~実施例5に示したいずれの構成を適用しても良い。"