"第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、前記第1半導体層と導通する第1電極層と、前記第2半導体層と導通する第2電極層と、を備え、前記第2電極層は、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートル以上、100ナノメートル以下である金属部と、前記方向に沿って前記金属部を貫通し、前記方向にみたときの形状の円相当直径が10ナノメートル以上、5マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有し、前記第2半導体層は、前記金属部とショットキー障壁を形成していることを特徴とする半導体発光素子。前記第2半導体層は、第1部分と、前記第1部分と前記第2電極層とのあいだに設けられた第2部分と、を有し、前記第2部分の不純物濃度は、1×1012/立方センチメートル以上、1×1018/立方センチメートル未満であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。前記金属部の前記方向に沿った厚さは、10ナノメートル以上、50ナノメートル以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記金属部は、Au及びAgのうち少なくともいずれかを含み、前記金属部のシート抵抗値は、10オーム/□以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を形成する工程と、前記第2半導体層の上に、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートル以上、100ナノメートル以下であって、前記第2半導体層とショットキー障壁を形成する金属層を形成する工程と、前記金属層の上にマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをマスクにして前記金属層をエッチングし、前記方向にみたときの形状の円相当直径が10ナノメートル以上、5マイクロメートル以下である複数の開口部を有する電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。前記マスクパターンを形成する工程では、前記金属層の上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に凸部を有するスタンパの前記凸部を押し付けて、前記レジスト層に複数のレジスト凹部を有するレジスト膜を形成することを特徴とする請求項5記載の半導体発光素子の製造方法。前記マスクパターンを形成する工程では、前記金属層部の上にブロックコポリマーを含む組成物を塗布し、前記ブロックコポリマーを相分離させてミクロドメインパターンを生成することを特徴とする請求項5記載の半導体発光素子の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、発光の均一化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供することである。本実施形態に係る半導体発光素子は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた発光層と、第1半導体層と導通する第1電極層と、第2半導体層と導通する第2電極層と、を備える。第2電極層は、第1半導体層から第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10nm以上、300nm以下である金属部と、前記方向に沿って金属部を貫通し、前記方向にみたときの形状の円相当直径が10nm以上、5マイクロメートルμm以下である複数の開口部と、を有する。第2半導体層は、金属部とショットキー接合している。また、本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を形成する工程と、前記第2半導体層の上に、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10nm以上、100nm以下であって、前記第2半導体層とショットキー障壁を形成する金属層を形成する工程と、前記金属層の上にマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをマスクにして前記金属層をエッチングし、前記方向にみたときの形状の円相当直径が10nm以上、5nm以下の複数の開口部を有する電極層を形成する工程と、を備える。以下、実施形態を図に基づき説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。また、以下の説明では、一例として、第1導電形をn形、第2導電形をp形とした具体例を挙げる。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的斜視図である。第1の実施形態に係る半導体発光素子110は、構造体100と、第1電極層30と、第2電極層20と、を備える。構造体100は、第1導電形の第1半導体層51と、第2導電形の第2半導体層52と、発光層53と、を有する。発光層53は、第1半導体層51と、第2半導体層52と、のあいだに設けられる。第1半導体層51は、例えばn形のInAlPによるクラッド層512を含む。クラッド層512は、例えばn形GaAsの基板511の上に形成される。実施形態では、便宜上、基板511は第1半導体層51に含まれるものとする。第2半導体層52は、第1半導体層51と、第2電極層20と、のあいだに設けられる。第2半導体層52は、例えばp形のInAlPによるクラッド層521を含む。発光層53は、第1半導体層51と、第2電極層20と、のあいだに設けられる。具体的には、発光層53は、第1半導体層51と、第2半導体層52と、のあいだに設けられる。半導体発光素子110では、例えば、第1半導体層51のクラッド層512、発光層53、及び、第2半導体層52のクラッド層521によってヘテロ構造が構成される。第2電極層20は、第2半導体層52の第1半導体層51とは反対側に設けられる。第2電極層20には、例えば後述するようにAu及びAg、並びに若干の不純物が添加されたAu及びAgが用いられる。第2電極層20は、第2半導体層52と導通する。なお、実施形態では、説明の便宜上、構造体100の第2半導体層52の側を表面側または上側、構造体100の第1半導体層51の側を裏面側または下側とする。また、第1半導体層51から第2半導体層52に向かう方向積層方向をZ軸方向とする。第2電極層20は、金属部23と、複数の開口部21と、を有する。金属部23のZ軸方向に沿った厚さは、例えば10nm以上、100nm以下である。金属部23の厚さが100nmを超える場合に比べ、100nm以下にすることで、十分な光透過率を得ることができる。開口部21は、Z軸方向に金属部23を貫通する。Z軸方向にみたとき、複数の開口部21の形状のそれぞれの円相当直径は、10nm以上、5μm以下である。ここで、円相当直径は、次の式で定義される。円相当直径=2×面積/π1/2なお、上記の面積は、開口部21のZ軸方向にみたときの形状の面積である。開口部21は、必ずしも円形とは限らない。したがって、実施形態では、上記の円相当直径の定義を用いて開口部21を特定する。第1電極層30は、第1半導体層51と導通している。この例では、第1電極層30は、構造体100の裏面側に設けられている。第1電極層30には、例えばAuが用いられる。第2半導体層52は、第1部分52a及び第2部分52bを有する。第1部分52aは、第2半導体層52における発光層53の側に設けられる。本具体例において、第1部分52aは、クラッド層521である。第2部分52bは、第1部分52aと第2電極層20とのあいだに設けられる。第2部分52bは、クラッド層521の一部分であってもよい。また、第2部分52bは、第1部分52aとは別な材料によって設けられていてもよい。第2部分52bと第2電極層20との界面に自然酸化膜が生成されている場合、その自然酸化膜は第2部分52bに含まれるものとする。実施形態に係る半導体発光素子110において、第2半導体層52は、第2電極層20の金属部23とショットキー接合される。より具体的には、第2半導体層52の第2部分52bと、第2電極層20の金属部23と、がショットキー接合される。ショットキー接合とは、界面においてショットキー障壁が形成された接合を意味する。ここで、金属とn形半導体とのショットキー接合とは、φm>φsを満たすことをいう。また、金属とp形半導体とのショットキー接合とは、φm<φsを満たすことをいう。上記において、φmは金属の仕事関数、φsは半導体の仕事関数、すなわち真空準位とフェルミレベルの差である。ここで、n形半導体ではφs~χsが成り立ち、p形半導体ではφs~χsEgが成り立つ。ただし、χsは半導体の電子親和力、Egはバンドギャップエネルギーである。また、金属とn形半導体とのショットキー接合におけるショットキー障壁の高さφBは、φB=φm-χsで表される。また、金属とp形半導体とのショットキー接合におけるショットキー障壁の高さφBは、φB=χsEg-φmで表される。実施形態において、ショットキー接合には、金属部23と第2部分52bの半導体との接触によるショットキー接合のほか、金属部23と第2部分52bの半導体とのあいだに自然酸化膜が介在した状態でのショットキー接合も含まれる。このような半導体発光素子110では、第2電極層20の形成された面が、主たる発光面として利用される。すなわち、第2電極層20と第1電極層30との間に所定の電圧を印加することで、発光層53から所定の中心波長を有する光が放出される。この光は、主として第2電極層20の主面20aから外部に取り出される。実施形態では、半導体発光素子110の光が取り出される面を光取り出し面という。また、光取り出し面に沿った方向を面内方向単に、面内という。実施形態に係る半導体発光素子110では、第2半導体層52と第2電極層20とがショットキー接合されているため、オーミック接合している場合に比べ、超微細な開口部21を含む第2電極層20による発光層53への電流の拡がりを保ったまま、Z軸方向に流れる電流の面内での均一化を図ることができる。実施形態に係る半導体発光素子110によれば、発光層53での発光効率の向上、第2電極層20からの放出光の輝度の面内での均一化を図ることが可能となる。次に、半導体発光素子110の具体的な一例を説明する。半導体発光素子110は、例えばn形GaAsの基板511を備え、この基板511の上に、例えばn形のInAlPによるクラッド層512と、InGaAlPによる発光層53と、p形のInAlPによるクラッド層521第1部分52aと、を含むヘテロ構造が形成される。ただし、基板511はクラッド層521と同一の材料であってもよい。また、基板511は設けられていなくてもよい。発光層53は、例えば障壁層および井戸層が交互に繰り返し設けられたMQWMultipleQuantumWell構成であってもよい。また、発光層53は、井戸層を挟む障壁層の組みが1組み設けられたSQWSingleQuantumWell構成を含むものであってもよい。そして、このクラッド層521第1部分52aの上に、例えばp形のGaPによる第2部分52bが形成されている。第2部分52bは、例えば、第2電極層20から注入された電流のZ軸方向への流れを調整する。第2部分52bの上には、第2部分52bに接して第2電極層20が設けられる。第2電極層20には、p側の電極として、例えばAuとAu-Zn合金との積層金属膜金属部23が用いられる。第2部分52bと金属部23とはショットキー接合される。第2電極層20には、この金属部23をZ軸方向に沿って貫通する複数の開口部21が設けられている。開口部21の大きさ及び配置は、規則的であっても、不規則的であってもよい。第1半導体層51である基板の裏面側には、例えばAu-Ge合金を含むn側の第1電極層30が形成されている。第1電極層30は、第1半導体層51とオーミック接触を形成し、導通している。そして、実施形態に係る半導体発光素子110において、発光層53から放出された光は、電流拡散層である第2半導体層52の第2電極層20が設けられた面から外部に放出される。第2部分52bの不純物濃度は、金属部23とのあいだでショットキー接合が構成される濃度である。第2部分52bの不純物濃度は、Z軸方向に一様であっても、徐々に変化していてもよい。第1部分52aの不純物濃度は、一例として、1×1016cm-3以上、3×1018cm-3未満である。また、第2部分52bの不純物濃度は、一例として、1×1012cm-3以上、1×1018cm-3未満である。また、実施形態において、第2部分52bと第2電極層20とのショットキー接合におけるショットキー障壁φBは、0.3エレクトロンボルトeVよりも大きく、2.0eVよりも小さい。ここで、ショットキー障壁φBが0.3eV以下であると十分なショットキー接合を得ることができない。また、第2電極層20及び第2半導体層52として選択される材料において、ショットキー障壁φBは、2.0eVを超えない。実施形態に係る半導体発光素子110では、第2部分52bのZ軸方向に沿った厚さは、例えば5nm以上、5μm以下である。上記のショットキー障壁をもつ界面において形成される空乏層の幅は、5nmから300nm程度となる。そのため、第2部分52bのZ軸方向に沿った厚さは5nm以上300nm以下が更に好ましい。第2部分52bの厚さが5nmよりも薄いとトンネリングによるリーク電流が増加しやすくなる。一方、第2部分52bの厚さが300nmよりも厚いと第2部分52bをZ軸方向に電流が流れる際の抵抗により電圧降下が発生しやすくなる。本願発明者は、上記のような半導体発光素子110において、第2半導体層52と金属部23とがショットキー接合していることによって、オーミック接合している場合に比べて、電流の均一な拡がりを得ることができることを見出した。本願発明者は、実施形態に係る半導体発光素子110及び参考例に係る半導体発光素子190において、電流の流れについての実験シミュレーション計算を行った。図2は、実験シミュレーション計算に用いた半導体発光素子を例示する模式的断面図である。図2aは、半導体発光素子110を例示する模式的断面図である。半導体発光素子110では、第2半導体層52の第2部分52bと第2電極層20の金属部23とがショットキー接合している。図2bは、半導体発光素子190を例示する模式的断面図である。半導体発光素子190では、第2半導体層52の電流拡散層522と第2電極層20の金属部23とがオーミック接合している。なお、いずれの図においても、パッド電極202を中心とした片側部分を例示している。図3は、半導体発光素子のバンド構造を例示する図である。図3aは、半導体発光素子110のバンド構造を例示している。図3bは、半導体発光素子190のバンド構造を例示している。本願発明者は、半導体発光素子110及び190について、光取り出し面内での明暗のばらつき、及び輝度を検査シミュレーション計算した。その結果、半導体発光素子190の光取り出し面の面内での明暗のばらつきは、半導体発光素子110の同ばらつきよりも大きいことが分かった。半導体発光素子110の輝度は、半導体発光素子190の輝度よりも高かった。半導体発光素子190のように、金属部23と電流拡散層522とがオーミック接合している場合、第2電極層20から第2半導体層52へ電流が流れやすくなる。すなわち、図3bに表したように、第2電極層20と第2半導体層52とのあいだにエネルギー障壁がないためである。このため、半導体発光素子190では、第2半導体層52への電流の拡がりによって光取り出し面の面内での明暗のばらつきが小さくなると考えられている。しかし、本願発明者が行った上記の実験シミュレーション計算結果によると、これとは反対の結果になった。すなわち、金属部23と第2部分52bとがショットキー接合している方が良好な結果になった。本願発明者は、このような結果を生み出す機構を次のように推定した。図2a及びbに表したように、半導体発光素子110及び190では、パッド電極202から注入された電流iは、第2電極層20及び第2半導体層52に流れる。ここで、半導体発光素子190では、第2電極層20と電流拡散層522とがオーミック接合しているため、第2電極層20を流れる電流が電流拡散層522へ流れ込みやすいi20a。特に、パッド電極202の下方の電流は、第2電極層20から電流拡散層522へ容易に流れ込む。このため、パッド電極202から離れるほど、電流拡散層522をZ軸方向に沿って流れる電流i21a~i24aの量が少なくなる。一方、半導体発光素子110では、第2電極層20と第2半導体層52の第2部分52bとがショットキー接合しているため、第2電極層20を流れる電流が第2部分52bへ流れ込みにくいi20。すなわち、図3aに表したように、第2電極層20と第2半導体層52とのあいだにショットキー障壁が設けられるためである。このため、第2電極層20から第2部分52bへは流れる電流i21~i24の量は、パッド電極202からの距離に依存しにくくなる。つまり、第2部分52bをZ軸方向に沿って流れる電流i21~i24の量は、電流拡散層522をZ軸方向に沿って流れる電流i21a~i24aに比べて均一化される。このことから、第2半導体層52と金属部23とがショットキー接合していることで、光取り出し面の面内での明暗のばらつきを抑制できると考えられる。また、第2部分52bのZ軸方向に沿った電流の量を面内で均一化できることで、半導体発光素子110の全体での輝度を向上できると考えられる。また、半導体発光素子110では、比較的大きな第2電極層20を設けることで高い放熱性を得て、半導体発光素子110の温度上昇を抑制している。また、第2電極層20に設けられた開口部21の大きさ例えば、円相当直径を調整することによっても、半導体発光素子110の温度上昇を抑制している。すなわち半導体発光素子110の順方向の電圧を低下させることによって直列抵抗を低下させ、発熱自体を減少させることができる。このような効果を実現するためには、開口部21を有する第2電極層20から第2半導体層52に対して全面に均一に電流を流すことができるとよい。第2半導体層52に均一に電流を流すためには複数の開口部21のそれぞれの大きさ及び中心間隔はある程度限定される。電流を流す半導体層のドーピング濃度等にも依存するが、シミュレーション等の計算で得られる電流の流れる範囲は、第2電極層20の金属部23の端から約5μmまでの範囲である。すなわち、開口部21の直径がそれ以上であると電流が流れない範囲が生じるため、均一な発光が得られない。そのため、開口部21の円相当直径の上限は5μm以下、好ましくは1μm以下である。ここで、金属部23の主面20aに沿った幅が発光層53から発生する光の波長よりも十分小さくなるような開口部21を第2電極層20に設けることによって、第2電極層20は、金属でありながら光透過型電極として機能することがある。これは、開口部21に阻害されない連続した金属部位の直線距離が該光の波長よりも十分短いことにより、第2電極層20に光が照射した際に光の電場により誘起される自由電子の運動が阻害され、該当波長の光に対して、金属が透明となる点である。金属反射を記述するドルーデの理論において、対象となる物質は照射される光の波長に対して十分に大きく、均一な構造であることが仮定されている。物質にプラズマ周波数よりも低い周波数の光が照射された際、物質内の自由電子の運動について述べると、光のもつ電場により物質内の電子の分極が生じる。この分極は光の電場を打ち消す方向に誘起される。この誘起された電子の分極により、光の電場が遮蔽されることで、光は物質を透過することができず、いわゆるプラズマ反射が生じる。ここで、もし電子の分極を誘起される物質が、光の波長よりも十分に小さいとすると、電子の運動は幾何学的な構造により制限され、光の電場を遮蔽することができなくなるものと考えられる。これは、構造的には隣接する2つの開口部によって形成される金属部の幅を、該当する光の波長よりも十分小さくすることにより実現できる。また、隣接する開口部21の間隔Pは、光の透過率の観点から、例えば20nm以上、400nm以下が好ましい。また、開口部21の円相当直径の上限は、導電性の観点から、隣り合う開口部21の間隔をPとして、0.9P以下が特に好ましい。具体的には、360nm以下がより好ましい。一方、開口部21の円相当直径の下限に関しては、導電性の観点からは制約は無いものの、製造の容易性から10nm以上、好ましくは30nm以上あるとよい。第2電極層20の金属部23の材料となる金属には、例えば、Ag及びAuの少なくともいずれかをベース金属とすることが好ましい。これにより、発光層53から放出した光の吸収損失を抑制できる。さらに、金属部23の材料となる金属には、Al、Zn、Zr、Si、Ge、Pt、Rh、Ni、Pd、Cu、Sn、C、Mg、Cr、Te、Se及びTiからなる群から選択された少なくともいずれかの材料、または、前記群から選択された少なくとも2つ以上を含む合金を用いることが好ましい。これにより、オーミック性、密着性及び耐熱性が向上する。金属部23の材料となる金属には、十分な導電性および熱伝導性を有しているものを用いることが望ましい。ただし、実施形態はこれに限定されず、任意の金属を用いることができる。なお、例えば、第2電極層20の金属部23開口部21が設けられていない部分の任意の2点間は、少なくともパッド電極などの電流供給源から切れ目無く連続している。これは、通電性を確保し抵抗値を低く保つためである。また、複数の電流供給源が設けられている場合には、各電流供給源のそれぞれに対応して第2電極層20の金属部23が連続していればよい。また、第2電極層20のシート抵抗は、10Ω/□以下であることが好ましく、5Ω/□以下であることがより好ましい。シート抵抗が小さいほど、半導体発光素子110の発熱は少なく、均一な発光が得られ、輝度の向上が顕著になる。半導体発光素子110においても、同様にして金属層を形成させ、さらに後述する方法によって開口部21を形成させることによって第2電極層20を形成している。実験により調べた結果、第2電極層20の厚さは10nm以上であると、十分な抵抗値を実現できることが分かった。一方、第2電極層20の厚さが厚いほど抵抗値は下がる。発光層53で発生した光の透過率を確保する点からしたがって、第2電極層20の厚さは、好ましくは1μm以下であり、より好ましくは300nm以下である。ここで、第2電極層20においては、発光層53から放出された光に対する反射率バルク反射率が70以上であってもよい。これは、金属反射の際に反射率が低く金属による吸収率が高いと光が熱に変わり損失が生じるためである。第2電極層20で、光として反射された光は、発光層52の下部に反射層図示せずなどを施すことで再利用可能となり、再び取り出すことができる。これにより、発光層53から放出された光が、第2電極層20を透過することになる。半導体発光素子110では、上記のような第2半導体層52を備えることで、複数の開口部21を含む第2電極層20による発光層53への電流の拡がりを保ったまま、Z軸方向に沿って発光層53へ十分な電流を注入することができる。よって、発光層53での発光効率の向上、第2電極層20からの放出光の輝度の向上及び光取り出し面内での均一性の向上を図ることが可能となる。第2の実施形態次に、第2の実施形態を説明する。第2の実施形態は、半導体発光素子の製造方法である。図4は、第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示するフローチャートである。すなわち、第2の実施形態に係る製造方法は、第1半導体層51を形成し、第1半導体層51の上に発光層53を形成し、発光層53の上に第2半導体層52を形成して、構造体を形成する工程ステップS10と、第2半導体層52の上に、Z軸方向に沿った厚さが10nm以上、300nm以下であって、第2半導体層52とショットキー接合された金属層を形成する工程ステップS20と、金属層の上にマスクパターンを形成する工程ステップS30と、マスクパターンをマスクにして金属層をエッチングし、Z軸方向にみたときの形状の円相当直径が10nm以上、5μm以下の複数の開口部21を有する電極層第2電極層20を形成する工程ステップS40と、を備える。具体的には、次の製造方法が挙げられる。A型を利用する方法本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法のひとつは、型を利用するものである。具体的には、例えば以下のようにして半導体発光素子を得ることができる。図5は、型を利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。先ず、図5aに表したように、第1半導体層51上に発光層53を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。第2半導体層52においては、発光層53側から順に第1部分52a及び第2部分52bが形成される。また、第1半導体層51に接して第12電極層30を形成する。次いで、第2半導体層52の上に金属層20Aを形成する。金属層20Aは、第2半導体層52とショットキー接合される。そして、金属層20Aの上にレジスト層801Aを形成する。次いで、図5bに表したように、凸部802aを有する型802を用意する。例えば、型802の転写面には複数の凸部802aが設けられる。複数の凸部802aの間には凹部802bが設けられている。型802は、例えば石英上に電子線リソグラフィにて所望の構造を形成させることにより製造することができる、そのほか、型802の材料及び型802の微細凹凸構造形成手法は限定されない。例えば、型802をブロックコポリマーブロック共重合体の自己組織化や、微粒子マスクを用いた方法により形成することも可能である。次に、必要に応じてレジスト層801Aを所定温度に加熱した状態で、図5bに表したように、型802の凸形状がある側をレジスト層801Aに押し付けるインプリントを行う。インプリント後、レジスト層801Aを室温まで冷却して硬化させ、型802をリリースする。これにより、図5cに表したように、凸部802aに対応した凹部を有するレジストパターン801Bが形成される。次いで、図5dに表したように、レジストパターン801Bを、エッチングする。これにより、レジスト層801Aの凹部の底が除去され、金属層20Aが露出する。金属層20Aが露出した部分は、レジスト開口部811となる。次いで、レジスト開口部811が形成されたレジストパターン801をマスクにしてイオンミリングを行い、金属層20Aをエッチングする。これにより、図5eに表したように、レジスト開口部811に対応した開口部21が金属層20Aに形成される。金属層20Aは、開口部21が形成され、第2電極層20になる。金属層20Aのエッチング後、レジストパターン801は除去される。最後に、図5fに表したように、パッド電極202を形成して、半導体発光素子110を完成させる。なお、型を利用する方法は、上記のような熱による成形に限定されるものではなく、光の照射によってレジストを硬化させる成形や、PDMAポリジメチルアクリルアミド等の柔軟性を備えた型を用いる成形など、種々の技術を用いることができる。Bブロックコポリマーの自己組織化を利用する方法本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法のひとつは、ブロックコポリマーの自己組織化による相分離を利用するものである。具体的には、例えば以下のようにして半導体発光素子を得ることができる。図6は、ブロックコポリマーの自己組織化を利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。先ず、図6aに表したように、第1半導体層51上に発光層53を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。第2半導体層52においては、発光層53側から順に第1部分52a及び第2部分52bが形成される。また、第1半導体層51に接して第1電極層30を形成する。次いで、第2半導体層52の上に金属層20Aを形成する。次いで、金属層20Aの上にレジスト層701Aを形成する。さらに、レジスト層701Aの上にSOGSpinOnGlass層702Aを形成する。次に、図6bに表したように、SOG層702Aの上に、2種類のポリマーのブロックを有するブロックコポリマーを溶剤に溶かした液をスピンコート法で塗布する。その後、プリベークして溶剤を除去し、ブロックコポリマー層703Aを形成する。そして、ブロックコポリマー層703Aをアニールする。これにより、図6cに表したように、2種類のポリマーの相分離を行い、1種類のポリマーによるドットパターン703を形成させる。次いで、ドットパターン703をRIEReactiveIonEtching装置によってエッチングする。このとき、2種類のポリマーのエッチング速度差により、エッチング速度の速いポリマーによるホールパターンが形成される。次いで、ポリマーによるホールパターンをマスクにして、例えばRIE装置によりSOG層702Aをエッチングし、図6dに表したSOGホールパターン702を形成する。次いで、SOGホールパターン702をマスクにしてRIE装置によって、レジストホールマスク701を形成する。レジストホールマスク701には、レジスト開口部711が設けられる。次いで、SOGホールパターン702及びレジストホールマスク701をマスクにしてイオンミリングを行い、金属層20Aをエッチングする。これにより、図6eに表したように、レジスト開口部711に対応した金属層20Aがエッチングされ、金属層20Aに開口部21が形成される。金属層20Aは、開口部21が形成されて第2電極層20になる。金属層20Aのエッチング後、SOGホールパターン702及びレジストホールマスク701は除去される。最後に、図6fに表したように、パッド電極202を形成して、半導体発光素子110を完成させる。本実施形態において、半導体発光素子の製造方法は上記の方法に限定されない。例えば電子線描画によってマスクパターンを製造して、このマスクパターンによって金属層20Aのエッチングを行う方法及びシリカ等の微粒子の単分子層をマスクとして金属層20Aのエッチングを行う方法が挙げられる。次に、実施例の説明を行う。なお、以下の実施例で示される材料、数値、製造条件等は一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。第1実施例第1実施例では、上記Aの型を利用した方法に準じて、図5に表した工程により半導体発光素子111を製造する。先ず、図5aに表したように、n形GaAsの基板511の上に、n形InAlPのクラッド層512、AlInGaPの発光層53、p形InAlPのクラッド層52第1部分52a1などを含むヘテロ構造を形成する。その上に、p形GaPの第2部分52bを例えばエピタキシャル成長させる。このときの第2部分52bの不純物濃度は、1×1017cm-3である。次に、基板511の裏面には、第1電極層30として例えばn側対向電極を形成する。例えば、Au-Ge合金膜を150nmの膜厚で形成する。Au-Ge合金膜は、例えば真空蒸着により形成する。その後、窒素雰囲気下で450°C、30分間アニールを行い、第1電極層30と基板511との間のオーミック接触を得る。次いで、第2半導体層52の上に、例えばAgCuCu1含有、厚さ30nmの金属層20Aを蒸着法により形成する。次に、金属層20Aの上に、レジスト溶液を塗布する。レジスト溶液は、レジストTHMR-iP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:2に希釈した溶液である。レジスト溶液は、2000rpm、30秒でスピンコートされる。その後、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱してレジスト溶液の溶媒を蒸発させる。レジスト層801Aの膜厚は、例えば150nmである。次いで、図5bに表したように、例えば200nmの円相当直径、300nmの間隔、150nmの高さを持つ凸部802aを有する石英の型802を用意する。そして、レジスト付き基板を120°Cに加熱した状態で、型802の凸部802aのある方をレジスト層801Aに、例えば10MPaの圧力で押し付ける。その後、図5cに表したように、基板を室温まで冷却し型802をリリースする。これにより、レジスト層801A上へ200nmの円相当直径、300nmの間隔、深さ100nmの凹形状が形成される。次いで、凹パターンが形成されたレジストパターン801Bを、RIE装置を用いて、O2の流量30sccm、圧力1.33Pa10mTorr、RFパワー100Wワットの条件で30秒間エッチングする。このエッチングによって、図5dに表したように、レジストの凹部の底が除去され、レジスト開口部811を有するレジストパターン801が形成される。次いで、このレジストパターン801をマスクにして、金属層20Aのエッチングを行う。エッチングには、例えばイオンミリング装置が用いられる。エッチングは、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で90秒間行う。これにより、図5eに表したように、開口部21を有する第2電極層20が形成される。金属層20Aのエッチング後、レジストパターン801を除去するため、酸素アッシングを行う。最後に、図5fに表したように、パッド電極202を形成する。これにより、第1実施例に係る半導体発光素子111が完成する。第1実施例に係る半導体発光素子111では、第2電極層20の金属部23のZ軸方向に沿った厚さが30nm、開口部21の円相当直径が220nm、隣接する開口部21のピッチ間隔が300nm、第2部分52bのZ軸方向に沿った厚さが180nm、電圧電流特性から見積もられるショットキー障壁高さは0.68eVである。また、第1実施例に係る半導体発光素子111と同様な製造工程によって、第1比較例に係る半導体発光素子191を製造する。なお、第1比較例に係る半導体発光素子191では、第2部分52bの代わりに電流拡散層522が設けられている。電流拡散層522の不純物濃度は2×1020cm-3である。また、半導体発光素子191では、第2電極層20と電流拡散層522とがオーミック接触しており、コンタクト抵抗率が1.2×10-6Ωcm2であり、他は第1実施例に係る半導体発光素子111と同じである。半導体発光素子111及び191について、光取り出し面内での明暗のばらつき、及び輝度を検査する。ここで、光取り出し面内での明暗のばらつきは、光取り出し面内で最も明るい部分の輝度と、最も暗い部分の輝度と、の差である。検査は、半導体発光素子111及び191のそれぞれについて、Z軸方向からみた外形の面積が9.0×10-2mm2一辺300μmのチップと、同8.1×10-1mm2一辺900μmのチップと、について行う。電流は350ミリアンペアmAである。第1実施例に係る半導体発光素子111では、一辺300μmのチップで、光取り出し面内での明暗のばらつきが0.1、一辺900μmのチップで、同ばらつきが3.7である。第1比較例に係る半導体発光素子191では、一辺300μmのチップで、光取り出し面内での明暗のばらつきが5.2、一辺900μmのチップで、同ばらつきが10.3である。また、一辺300μmのチップの場合、第1実施例に係る半導体発光素子111のチップ全体の輝度は、第1比較例に係る半導体発光素子191のチップ全体の輝度の1.2倍、一辺900μmのチップの場合、1.3倍である。なお、半導体発光素子111及び191のそれぞれについて、開口部21の円相当直径が10nm、隣接する開口部21のピッチが16nmのチップ、及び開口部21の円相当直径が5μm、隣接する開口部21のピッチが8μmのチップについて同様な検査を行う。いずれも上記と同じ結果となる。また、一辺300μmのチップに500mAの電流を供給したところ、半導体発光素子111では光取り出し面内での明暗のばらつきが0.2であるのに対して、半導体発光素子191では、27.1である。このとき、第1実施例に係る半導体発光素子111のチップ全体の輝度は、第1比較例に係る半導体発光素子191のチップ全体の輝度の1.5倍である。また、一辺900μmのチップに4アンペアAの電流を供給したところ、半導体発光素子111では光取り出し面内での明暗のばらつきが4.2、半導体発光素子191では、57.2である。このとき、第1実施例に係る半導体発光素子111のチップ全体の輝度は、第1比較例に係る半導体発光素子191のチップ全体の輝度の2.1倍である。このように、光取り出し面において均一に発光させることで、輝度が大幅に向上するという結果が得られている。第2実施例第2実施例では、上記Bのブロックコポリマーの自己組織化を利用した方法に準じて、図6に表した工程により半導体発光素子112を製造する。先ず、図6aに表したように、第1実施例と同様に、n形GaAsの基板511の上にn形InAlGaPのクラッド層512、AlInGaPの発光層53、p形InAlGaPのクラッド層521などを含むヘテロ構造を形成する。その上に、p形AlGaAsの第2部分52bを例えばエピタキシャル成長させる。このときの第2部分52bの不純物濃度は、1×1018cm-3である。次いで、第3半導体層54の上に、例えばAu厚さ10nm及びAu-Zn合金Zn3含有、厚さ30nmを含む金属層20Aを蒸着法により形成する。基板511の裏面側には、第1電極層30であるn側対向電極を形成する。例えば、Au-Ge合金膜を150nmの膜厚で形成する。Au-Ge合金膜は、例えば真空蒸着により形成する。この半導体発光素子の発光波長は、例えば571nmである。次に、金属層20Aの上に、レジスト溶液を塗布する。レジスト溶液は、レジストTHMR-iP3250、株東京応化工業を乳酸エチルELで1:3に希釈したものである。このレジスト溶液を2000rpm、30秒間の条件でスピンコートしたのち、ホットプレート上において110°Cで90秒間加熱して溶媒を蒸発させる。次いで、レジストを窒素雰囲気下において250°Cで1時間アニールを行い、熱硬化させる。レジスト層701Aの膜厚は、例えば100nmである。次に、形成したレジスト層701A上へ有機SOG組成物OCD-T7T-5500商品名、東京応化工業株式会社を乳酸エチルELで1:5に希釈した溶液を2000rpm、60秒間の条件でスピンコートした。スピンコート後、溶媒を完全に除去するため、110°Cで60秒間ベークした。その後、窒素雰囲気下において250°Cで1時間硬化アニールを行った。SOG層702Aの膜厚は30nmである。次に、図6bに表したように、分子量160,000のポリスチレン以下、PSというブロックと、分子量45,000のポリメチルメタクリレート以下、PMMAというブロックと、を有するブロックコポリマーを溶剤に溶かした液をスピンコート法で3000rpm、30秒間の条件で塗布する。さらに、110°C、90秒の条件下でプリベークして溶剤を除去して70nmの膜厚のブロックコポリマー層703Aを得る。その後、図6cに表したように、ブロックコポリマー層703Aを窒素雰囲気中で210°C、4時間の条件でアニールして、PSとPMMAの相分離を行い、円相当直径40nm、60nm間隔のPMMAのドットパターン703を形成する。次いで、相分離したブロックコポリマー付き基板を、O2流量30sccm、圧力13.3Pa100mTorr、パワー100Wの条件で10秒間RIEすることにより、相分離したブロックコポリマー膜をエッチングする。このとき、PSとPMMAのエッチング速度差により、PMMAが選択的にエッチングされ、PSのホールパターンが形成される。次いで、PSホールパターンをマスクにしてRIE装置によって、CF4流量30sccm、圧力1.33Pa10mTorr、パワー100Wで1分間SOGをエッチングする。これにより、図6dに表したように、SOGホールパターン702を形成する。次いで、SOGホールパターン702をマスクにしてRIE装置によって、O2流量30sccm、圧力1.33Pa10mTorr、パワー100Wの条件で60秒間エッチングすることにより、レジストホールマスク701を形成する。次いで、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で100秒間、金属層20Aのエッチングを行う。金属層20Aのエッチング後、残ったSOGホールパターン702及びレジストホールマスク701を酸素アッシングして除去する。これにより、図6eに表したように、開口部21を有する第2電極層20が形成される。最後に、図6fに表したように、パッド電極202を形成する。これにより、第2実施例に係る半導体発光素子112が完成する。第2実施例に係る半導体発光素子112では、第2電極層20の金属部23のZ軸方向に沿った厚さが40nm、開口部21の円相当直径が40nm、隣接する開口部21のピッチが60nm、第2部分52bのZ軸方向に沿った厚さが90nm、電圧電流特性から見積もられるショットキー障壁高さは0.32eVである。また、第2実施例に係る半導体発光素子112と同様な製造工程によって、第2比較例に係る半導体発光素子192を製造する。なお、第2比較例に係る半導体発光素子192では、第2部分52bの代わりに電流拡散層522が設けられている。電流拡散層の不純物濃度は、3×1019cm-3である。また、半導体発光素子192では、第2電極層20と電流拡散層522が完全なオーミック接合ではないものの、電流電圧特性から見積もられるショットキー障壁の高さは0.2eV程度であり、オーミックライクな接合とみなせる。第2電極層20と電流拡散層522とのコンタクト抵抗率は4.0×10-4Ωcm2であり、他は第2実施例に係る半導体発光素子112と同じである。半導体発光素子112及び192について、光取り出し面内での明暗のばらつき、及び輝度を検査する。検査は、半導体発光素子112及び192のそれぞれについて、Z軸方向からみた外形の面積が9.0×10-2mm2一辺300μmのチップと、同8.1×10-1mm2一辺900μmのチップと、について行う。電流は350mAである。第2実施例に係る半導体発光素子112では、一辺300μmのチップで、光取り出し面内での明暗のばらつきが0.2、一辺900μmのチップで、同ばらつきが5.4である。第2比較例に係る半導体発光素子192では、一辺300μmのチップで、光取り出し面内での明暗のばらつきが1.3、一辺900μmのチップで、同ばらつきが8.9である。また、一辺300μmのチップの場合、第1実施例に係る半導体発光素子111のチップ全体の輝度は、第1比較例に係る半導体発光素子191のチップ全体の輝度の1.1倍、一辺900μmのチップの場合、1.2倍である。なお、半導体発光素子112及び192のそれぞれについて、開口部21の円相当直径が10nm、隣接する開口部21のピッチが16nmのチップ、及び開口部21の円相当直径が5μm、隣接する開口部21のピッチが8μmのチップについて同様な検査を行う。いずれも上記と同じ結果となる。第3実施例第3実施例に係る半導体発光素子113は、第1実施例に係る半導体発光素子111と同じ構造である。また、第3比較例に係る半導体発光素子193は、第1比較例に係る半導体発光素子191と同じである。第3実施例では、半導体発光素子113及び193について、20mAの電流を流した場合の検査を行う。第3実施例に係る半導体発光素子113では、一辺300μmのチップで、光取り出し面内での明暗のばらつきが1.1、一辺900μmのチップで、同ばらつきが3.2である。第3比較例に係る半導体発光素子193では、一辺300μmのチップで、光取り出し面内での明暗のばらつきが1.6、一辺900μmのチップで、同ばらつきが4.0である。また、一辺300μmのチップの場合、第3実施例に係る半導体発光素子113のチップ全体の輝度は、第3比較例に係る半導体発光素子193のチップ全体の輝度の1.02倍、一辺900μmのチップの場合、1.08倍である。なお、半導体発光素子113及び193のそれぞれについて、開口部21の円相当直径が10nm、隣接する開口部21のピッチが16nmのチップ、及び開口部21の円相当直径が5μm、隣接する開口部21のピッチが8μmのチップについて同様な検査を行う。いずれも上記と同じ結果となる。図7は、半導体発光素子の発光状態を例示する模式的平面図である。図7aでは、第1~第3比較例に係る半導体発光素子191~193の発光状態を例示している。図7bでは、第1実施形態に係る半導体発光素子110及び第1~第3実施例に係る半導体発光素子111~113の発光状態を例示している。いずれの図も、光取り出し面のパッド電極202以外の部分において、明度の高い部分ほど発光強度が強いことを示している。図7aに表したように、半導体発光素子191~193では、パッド電極202の付近のみ発光強度が強く、パッド電極202から離れるほど発光強度が弱くなっている。一方、図7bに表したように、半導体発光素子110及び111~113では、パッド電極202の付近から離れた部分に至るまで、均一かつ強い発光強度を得ている。第4実施例図8は、第4実施例に係る半導体発光素子を例示する模式的断面図である。第4実施例に係る半導体発光素子114においては、構造体100の材料として窒化物半導体が用いられている。すなわち、半導体発光素子114は、例えばサファイア基板である成長用基板10の上に、例えばGaNバッファ層51a、Siがドープされたn形GaN層51b、InGaN/GaNのMQWMultiQuantumWell構造を有する発光層53、Mgがドープされたp形Al0.2Ga0.8N層による第1部分52a及びp形GaNの第2部分52bが、例えばエピタキシャル成長によって形成されている。なお、第4実施例に係る半導体発光素子114では、便宜上、第1半導体層51に、GaNバッファ層51a及びn形GaN層51bが含まれるものとする。第2部分52bの上には、Ag厚さ50nmを含む金属層20Aを形成する。Ag膜は、例えば真空蒸着により形成する。その後、実施例1と同様に型を用いる方法に準じて、複数の開口部21を有する第2電極層20を形成する。なお、金属層20Aには、別の材料を用いることもできる。また、第2半導体層52及び発光層53の一部がエッチングされ、n形GaN層51bの露出した部分に、第1電極層30が設けられている。第4実施例に係る半導体発光素子114では、第2電極層20の金属部23のZ軸方向に沿った厚さが50nm、開口部21の円相当直径が120nm、隣接する開口部21のピッチが200nm、第2部分52bのZ軸方向に沿った厚さが300nm、不純物濃度が1×1013cm-3、電圧電流特性から見積もられるショットキー障壁高さは1.89eVである。半導体発光素子114について、光取り出し面内での明暗のばらつき、及び輝度を検査する。検査は、半導体発光素子114について、Z軸方向からみた外形の面積が9.0×10-2mm2一辺300μmのチップと、同8.1×10-1mm2一辺900μmのチップと、について行う。電流は350mAである。第4実施例に係る半導体発光素子114では、一辺300μmのチップで、光取り出し面内での明暗のばらつきが0.07、一辺900μmのチップで、同ばらつきが1.1である。半導体発光素子114では、上記のような第2部分52bを備えることで、光取り出し面内での均一な発光が得られたため、高い輝度を示すことができる。なお、半導体発光素子114について、開口部21の円相当直径が10nm、隣接する開口部21のピッチが16nmのチップ、及び開口部21の円相当直径が5μm、隣接する開口部21のピッチが8μmのチップについて同様な検査を行う。いずれも上記と同じ結果となる。実施例5第5実施例では、電子線描画を利用して開口部21を作製した第2電極層20を有する、第1実施例と同様の構造である半導体発光素子115を作製する。この半導体発光素子115においても、実施例1と同様の特性を得られる。実施例6第6実施例では、発光層53として、AlGaAs、GaAsP及びGaPのいずれかを用い、第1実施例と同様の構造である半導体発光素子116を作製する。発光層53としてAlGa、GaAsP及びGaPのいずれを用いた半導体発光素子116においても、実施例1と同様の特性を得られる。図9は、半導体発光素子の発光状態を例示する模式的平面図である。図9aでは、第3半導体層54のシート抵抗値が第4~第6実施例に係る半導体発光素子114~116よりも低い半導体発光素子194の発光状態を例示している。図9bでは、第4~第6実施例に係る半導体発光素子114~116の発光状態を例示している。いずれの図も、光取り出し面のパッド電極202以外の部分において、明度の高い部分ほど発光強度が強いことを示している。図9aに表したように、半導体発光素子194では、パッド電極202の近傍のみ発光強度が強く、パッド電極202から離れるほど発光強度が弱くなっている。一方、図9bに表したように、半導体発光素子114~116では、パッド電極202の付近から離れた部分に至るまで、均一かつ強い発光強度を得ている。なお、上記に本実施形態を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、構造体100の裏面側や表面側に設けられる第1電極層30について、第2電極層20と同様な複数の開口部21を設けてもよい。また、第1の導電形をn形、第2の導電形をp形として説明したが、第1の導電形をp形、第2の導電形をn形としても実施可能である。また、本明細書において窒化物半導体とは、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1またはBxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,xyz≦1なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むもの、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。以上説明したように、本実施形態に係る半導体発光素子およびその製造方法によれば、半導体層への均一な電流の拡がりによって面内での発光の均一化を図ることが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"