"支持体上に蒸着された導電性金属酸化物層の選択されたエリアをエッチングするための方法であって、分極した微小電極および電気化学的溶液の存在下において、電気化学的経路を介して該エリアを除去することからなる、方法。前記導電性金属酸化物が透明な導電性酸化物TCOであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記導電性金属酸化物が、必要に応じてドープされた酸化インジウム、必要に応じてドープされた酸化スズ、必要に応じてドープされた酸化亜鉛、必要に応じてドープされた酸化カドミウム、必要に応じてドープされた酸化ガリウム、必要に応じてドープされた酸化タリウム、必要に応じてドープされた酸化鉛、必要に応じてドープされた酸化アンチモン、必要に応じてドープされた酸化ニオブ、必要に応じてドープされた酸化タングステン、必要に応じてドープされた酸化ジルコニウム、必要に応じてドープされた酸化ルテニウム、必要に応じてドープされた酸化バリウム、必要に応じてドープされた酸化セレニウム、必要に応じてドープされた酸化ビスマス、およびそれらの混合物からなる群より選択されるものであることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。前記導電性金属酸化物が、スズドープされた酸化インジウムITOであることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の方法。前記微小電極が、超微小電極UME、走査電子顕微鏡SECMのプローブおよび電気化学的モードの原子間力顕微鏡AFM-SECMのプローブからなる群より選択されることを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載の方法。以下の工程:a前記選択されたエリアの表面に近くに前記微小電極を配置する工程と;b電気化学的溶液と少なくとも前記の選択されたエリアとを接触させる工程と;c前記微小電極および必要に応じて前記導電性金属酸化物層を分極させる工程と;を含むことを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の方法であって、工程の順序が、a、bおよびc、またはa、cおよびbのいずれかである、方法。前記工程cが、前記微小電極および前記導電性金属酸化物層を分極する工程からなることを特徴とする、請求項6に記載の方法。前記電気化学的溶液が、炭酸、酢酸、プロパン酸、ブタン酸、アクリル酸、メタクリル酸、メチルメタクリル酸、エタクリル酸、α-クロロアクリル酸、α-シアノアクリル酸、クロトン酸、α-フェニルアクリル酸、ソルビン酸、α-クロロソルビン酸、アンゲリカ酸、桂皮酸、p-クロロ桂皮酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、グルタコン酸、アコニット酸、フマル酸、トリカルボキシエチレン、シュウ酸、マレイン酸、ベンゼンテトラカルボン酸、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸および1,2,3-プロパントリカルボン酸からなる群より有利には選択される、少なくともカルボン酸を含むことを特徴とする、請求項1~7のいずれかに記載の方法。前記電気化学的溶液が、少なくとも1つの弱酸を含み、4より高い、具体的には4と13との間の、さらに具体的には4と9との間のpKaを有利には有することを特徴とする、請求項1~8のいずれかに記載の方法。前記電気化学的溶液が、少なくとも1種の金属イオンをキレート錯化し得る少なくとも1種の化合物を含むことを特徴とする、請求項1~9のいずれかに記載の方法。前記電気化学的溶液が、水、脱イオン水、蒸留水、酸性化水、酸性化脱イオン水、および酸性化蒸留水からなる群より有利には選択される、プロトン性溶媒を含むことを特徴とする、請求項1~10のいずれかに記載の方法。前記導電性金属酸化物層がITO層であり、微小電極に加えられた電位が、3Vより高く、具体的には4Vと10Vとの間、さらに具体的には7V程度であることを特徴とする、請求項1~11のいずれかに記載の方法。前記導電性金属酸化物層がITO層であり、該ITO層に加えられた電位が、-1Vより高く、具体的には0Vと-1Vとの間、さらに具体的には-0.1V程度であることを特徴とする、請求項7~12のいずれかに記載の方法。前記導電性金属酸化物層の選択されたエリアの近くに微小電極を動かすための追加の工程を含むことを特徴とする、請求項1~13のいずれかに記載の方法。前記支持体が、該支持体上に蒸着された導電性金属酸化物層を有するだけでなく、この導電性金属酸化物層上に蒸着された導体、半導体または絶縁体のうちの少なくとも1つの他の層も含むことを特徴とする、請求項1~14のいずれかに記載の方法。支持体上に蒸着され、電気化学的溶液の存在下におかれた、導電性金属酸化物層の選択されたエリアをエッチングするための微小電極の使用。請求項7~15のいずれかに規定された方法を用いてエッチングされた導電性金属酸化物層。特定の実施形態の詳細な説明1.リソグラフィープロトコール厚み200nmのITOの層15Ω/平方を、ガラスストリップ上に蒸着し、次いでエッチングして、電気回路をパターン化した。変化型として、厚み250nmのITO層を、ポリエチレンテレフタレートPETの膜上に蒸着した。ITO層および微小電極に対して加えられた種々の電位を試験した下の第4項。他の実験のために、SECM微小電極UMEを、Bipotentiostatで7Vという高い陽電位まで分極し、ITO表面は-0.1Vまで分極した。種々の作動距離、すなわち、微小電極の先端とITO層との間の距離を試験した下の第3項。分極されたITO層が蒸着された表面を、異なる組成物についての試験を行うための溶液に浸漬した下の第2項を参照のこと。この溶液はまた、共通の参照電極referenceelectrodeRE、銀ワイヤおよび対電極counter-electrodeCE、白金箔も含んだ。これらの条件下で、微小電極は、ITOでコーティングされたガラス上に均一なエッチングを得るために300μm/秒の速度で移動され得た。エッチングされたエリアがガラスに典型的な絶縁性質を有することを検証し、これによってこのエリア上のITO層の完全な除去を確認する。2.試験した電気化学的溶液2.1.試験した溶液の化学的組成溶媒として水を有する種々の電気化学的または電解質性溶液を試験した。下の表1は、これらの溶液の組成物を示す。2.2.種々の試験した溶液で得られた結果硫酸H2SO4のみを含む酸溶液は、エッチングの間に生成された空洞中の全ての物質を除去はできない。形状因子dnは、エッチング幅を用いられる微小電極UMEの半径で割ることにより規定される:dn=幅/半径UME。用いられる水溶液が硫酸しか含まない場合、微小電極に加えられる7Vについて値が8であるので、dn値は高い。水溶液が硫酸0.25Mおよびアクリル酸2Mの両方を含む場合溶液4、この溶液の有効性は、エッチングされたパターンの均一性および正確性を考慮すれば明らかである。処理したエリアでは、容易に識別できる残渣は観察されず、かつdn値は7Vの印加に対して5であった。溶液4の構成要素の各々の寄与を試験するために、溶液5アクリル酸を酢酸で置き換えたを調製した。酢酸を用いれば、カルボン酸基は維持されるが、ビニルの影響は失われる。この場合、dnが5であったので、エッチングのサイズは等価であるが、生成された空洞のエッジに残留物が残った。従って、アクリル酸によって、エッチングの間のITO残渣の排除に起因して、本質的に良好な結果を得ることが可能になる。いかなる理論によっても束縛されるものではないが、アクリル酸は、エッチングの間に放出されるインジウムおよびスズと錯体化する役を担うと思われる。3.電気化学的観察電極に加えられた種々の電位を、微小電極UMEについては1~10Vの範囲にわたって、およびITO層については0~-0.5Vの範囲にわたって試験した。微小電極UMEに加えた電位の関数としてのエッチングのサイズまたは幅の分析によって、この方法は、3Vの電位で開始することが示される図2。この情報は、電極を通じた電流の分析によって確認される図3。ITO層に加えられる電位の関数としてのエッチングのサイズの分析によって、電位が負であるほど、サイズが大きいことが示される図4。ITO層に加えられた-1Vより負の電位は、表面の決定的な分解を生じる。種々の作動距離、すなわち、微小電極UMEとITO層との間の距離を試験し、7Vの電位および-0.1Vの電位をそれぞれ、微小電極UMEとITO層とに加えた。さらに、この実験を2回繰り返して、再現性を評価した。図5に示す結果によって、エッチングされたエリアの厚み作動距離の関数として、および得られた結果の再現性が示される。同様に、この再現性はまた、作動距離の関数として電流の通過を測定することによって証明され得る図6。4.パターン化再現性、解像度および電気的能力のレベルを試験するために一連のパターンを作製した。形態学的および化学的な特徴付けによって、本発明の方法の有効性の決定が可能になった。エッチングエリアのエッジ支持体表面および深度のクリーンカットは、X線光電子分光法XPSおよび原子間力顕微鏡法AFMによって確認した。X線光電子顕微鏡XPSは、表面の10nmの深さでの種々の原子濃度を測定するための最良の技術である。下の表2は、本発明の方法を用いてエッチングされたエリアエッチングエリアと、ガラスの上に蒸着されたITO層であるエッチングエリアの周囲周囲エリアとで測定した種々の元素の原子百分率を示す。エッチングされたエリアは、ガラスの典型的な組成を有するが、このエッチングエリアを囲むエリアは、未変化のITO組成を有する。図7に示されるAFM画像によって、エッチングされたエリアおよびエッジのクリーンカットが確認される。200nmのエッジは、実質的に垂直であって、この方法から生じる不純物はなんら存在しない。電気的装備の最高能力を保証することにより、エッチングされたエリアで、およびエッチングされたエリアを囲む領域で、クリーンカッティングが維持される。従って、2つの異なる方式を回路で用いてもよく:ここでは接続されたITO領域または断絶されたITO領域がある図8。基板またはその一部の断線は、基板の電位の受動的変化をもたらす。この表面は、その電極の役割を失い、ME由来の種の衝突による改変が生じる。作動領域の絶縁断線モードを考慮すれば、エッチングの良好な局在化が得られる。なぜならdnは2.5であるからである。しかし、その表面は改変され、その最初の物理化学的特徴のいくつか、すなわち、透明性の喪失もしくは電気伝導性の喪失、またはその両方を失った。解像度は、2つのモードで試験した。この方法を、接続した表面で行う場合、さらに再現性がある。第二のアプローチ断線モードでは、エッチングされたエリアの良好な均一性を維持することはさらに困難である。しかし、このアプローチは、依然有効である。種々の幾何形状を試験して、本発明によるエッチング方法を検査した。ITO層でコーティングされた支持体上で、本発明の方法を用いて四角いエリアをエッチングすることによってITOの四角を絶縁することが可能である。この支持体は、RuIIポリアザ複素環式複合体を基本成分とする光増感剤のような検出可能な分子でのエレクトログラフティングelectrograftingに供した。得られた結果によって、このエレクトログラフティングは、四角を囲む分極されたITO領域でのみ可能であることが示される。ITOの四角域は絶縁されるので、もはや分極には供されず、エレクトログラフティングを受けることができない。エレクトログラフティングは、ITOの四角域が直接分極される条件でのみ可能である。本発明の方法によれば、ITOドメイン、さらに一般的には導電性金属酸化物のドメインを絶縁することが可能である。これらのドメインは、別々の機能化されたパターンを有する表面を創出するために別々のポリマーでエレクトログラフティングされ得る。接続モードを用いる場合、約3°という相対角度を有する2つのエッチングラインを、ITO層をエッチングすることによって得た図9A。25μmという微小電極UMEで得られ得るできるだけ細いITOワイヤを、2つのエッチングラインの交差で創出した図9B。このようにして得たITOワイヤの最大解像度を、原子間力顕微鏡AFMで検査した。ワイヤの連続性は、最大10μmの幅まで、たとえ最大3μmでも保証される。本発明による方法を用いてエッチングされたパターンの例、およびOLEDとしてのその適用を図10に図示する。パターニングソフトウェアにより補助されてパターンを創出するリソグラフィーが、本発明に基づき、ガラス上に蒸着されたITO層上のSECMにより実施された。パターンの表面は、1平方センチメートルであった。エッチングを完了した後、有機層の蒸発によって、本発明者らは、[5]に記載の方法によってOLEDを生じることが可能になった。参考引用文献[1].Chengらの文献、ITOpatterningbyalowpowerQ-switchedgreenlaseranditsuseinthefabricationofatransparentflowmeterJ.Micromech.Microeng.1720072316-2323。[2].Wangらの文献、Towardmimickingbiologicalvisionwithprotein-basedflexibleimagingarraysSPIENewsroom2006DOI:10.1117/2.1200611.0468。[3].Huangらの文献、TheeffectofsolventontheetchingofITOelectrodeMaterialsChemistryandPhysics,842004146-150。[4].Chenらの文献、LaserdirectwritepatterningtechniqueofindiumtinoxidefilmThinSolidFilms,51520078515-8518。[5].Zucchiらの文献、WhiteelectroluminescenceoflanthanidecomplexesresultingfromexciplexformationJ.Mater.Chem.,2020102114-2120。[6].仏国特許出願第2813208号Structurecomplexante,dispositifetprocededetraitementd’effluentsliquides,Complexingstructure,deviceandmethodfortreatingliquideffluentCEAが提出し、2002年3月1日に公開。[7].仏国特許出願第2851181号Procedederevetementd’unesurfaceMethodforcoatingasurfaceCEAが提出し、2004年8月20日に公開。"