"ナノ構造の作製方法であって、基材を提供する工程と、前記基材の主表面に、プラズマ化学気相堆積法によって薄い不規則で不連続マスキング層を適用する工程と、前記マスキング層により保護されていない前記主表面の複数部分を反応性イオンエッチングによってエッチングして、前記基材上にナノ構造を形成する工程と、を含む、方法。前記基材が、ポリマー性材料、無機材料、合金又は固溶体を含む、請求項1に記載のナノ構造の作製方法。前記ポリマーが、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、三酢酸セルロース、環状オレフィンコポリマー、ナイロン、ポリイミド、フルオロポリマー、ポリオレフィン、ポリシロキサン、シロキサンコポリマー又はポリウレタンを含む、請求項2に記載のナノ構造の作製方法。前記基材が透明ポリマーを含む、請求項2に記載のナノ構造の作製方法。前記マスキング層が、有機ケイ素化合物、金属アルキル、金属イソプロポキシド類、金属酸化物、金属アセチルアセトナート及び金属ハロゲン化物からなる群から選択される化合物を含む反応ガスを使用したプラズマ化学気相堆積法の反応生成物である、請求項1に記載のナノ構造の作製方法。前記有機ケイ素化合物が、テトラメチルシラン、トリメチルシラン、ヘキサメチルジシロキサン、オルトケイ酸テトラエチル又は多面体オリゴメリックシルセスキオキサンを含む、請求項5に記載のナノ構造の作製方法。前記金属アルキルが、トリメチルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、トリブチルスズ又はテトラメチルガリウムを含む、請求項5に記載のナノ構造の作製方法。前記金属イソプロポキシドが、チタンイソプロポキシド又はジルコニウムイソプロポキシドを含む、請求項5に記載のナノ構造の作製方法。前記金属アセチルアセトナートが、白金アセチルアセトナート類又は銅アセチルアセトナートを含む、請求項5に記載のナノ構造の作製方法。前記金属ハロゲン化物が、四塩化チタン又は四塩化ケイ素を含む、請求項5に記載のナノ構造の作製方法。前記エッチングが、反応性イオンエッチングを含む、請求項1に記載のナノ構造の作製方法。前記反応性イオンエッチングが、酸素、フルオロカーボン、三フッ化窒素、六フッ化硫黄、塩素、塩化水素、メタン、及びこれらの組み合わせから選択されるガスを含む、請求項11に記載のナノ構造の作製方法。前記ガスがアルゴンを更に含む、請求項12に記載のナノ構造の作製方法。前記フルオロカーボンが、テトラフルオロメタン、パーフルオロプロパン、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項12に記載のナノ構造の作製方法。前記ナノ構造が約400ナノメートル未満の寸法を有する、請求項1に記載のナノ構造の作製方法。前記ナノ構造が約40ナノメートル未満の寸法を有する、請求項15に記載のナノ構造の作製方法。実質的に連続的に行われる、請求項1に記載のナノ構造の作製方法。請求項1に記載の方法により作製された、物品。450~650nmにおいて、約2未満の平均表面反射率を有する、請求項18に記載の物品。前記ナノ構造が約400ナノメートル未満の寸法を有する、請求項18に記載の物品。前記ナノ構造が約40ナノメートル未満の寸法を有する、請求項20に記載の物品。フレネルレンズを含む、請求項18に記載の物品。請求項22に記載の物品を備えるソーラーパネル。入射ビームの方向から2.5度を越えて偏向される前記局部的ナノ構造化表面を透過した450nmにおける光の百分率が、2.0未満である、請求項17に記載の物品。プラズマ処理は、透明ポリマー基材を含むポリマー基材上に、反射防止表面を形成するのにも使用されている。これらの処理は全てバッチプロセスであり、限られた反射防止領域のみを基材上に生成することができる。基材上にナノ構造を生成するための新しい方法が必要とされている。より迅速かつより経済的で、例えば大型ディスプレイ上に使用される大面積上にナノ構造を生成できる新しい方法が必要とされている。ナノ構造を表面上に実質的に連続的に生成するための方法が必要とされている。提供された方法は、連続プロセスにおいて、基材及び物品上にナノ構造を作製するのに有用である。提供された方法は、例えばプラスチック基材の巻物等の、基材の大面積に適用することができる。提供された方法により生産されるフィルム及び表面は、例えば、液晶LCD又は発光ダイオードLEDディスプレイ内に、光抽出用に、ソーラー用途に、表面接着力の改質用に、及び化学触媒用に有用であり得る。提供された方法はまた、親水性、疎水性、帯電防止性、導電性、曇り防止性、あるいは抗菌性であり得る表面を生成できる。一態様において、基材を提供する工程と、プラズマ化学気相堆積法により基材の主表面上に薄い不規則で不連続なマスキング層を適用する工程と、反応性イオンエッチングによりマスキング層により保護されない主表面の部分をエッチングして、基材上にナノ構造を形成する工程と、を含む、ナノ構造の作製方法を提供する。いくつかの実施形態では、基材は、ポリマー、繊維、ガラス、複合材料又は微多孔性膜を含むことができる。いくつかの実施形態では、基材は可視光に対して透明であり得、また基材としては、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、三酢酸セルロース、環状オレフィンコポリマー、ナイロン、ポリイミド、フルオロポリマー、ポリオレフィン、ポリシロキサン、シロキサンコポリマー又はポリウレタンを含むポリマーを挙げることができる。いくつかの実施形態では、マスキング層は、有機ケイ素化合物、アルキル金属、金属イソプロポキシド、金属酸化物、金属アセチルアセトナート及び金属ハロゲン化物からなる群から選択される化合物を含む。エッチングは、いくつかの実施形態では、ガスとして酸素、フルオロカーボン、三フッ化窒素、六フッ化硫黄、塩素、塩化水素、メタン、及びこれらの組み合わせを使用する反応性イオンエッチングを用いて行われてもよい。一般に、アルゴン等の不活性キャリアガスは、反応性イオンエッチングガスと混合されてもよい。いくつかの実施形態では、ナノ構造は、約400ナノメートルnm未満の寸法を有してもよい。別の実施形態では、ナノ構造は、約40nm未満の寸法を有してもよい。開示される方法により作製されたナノ構造を有する物品も提供する。本開示において、異方性は、約1.5:1又はそれ以上好ましくは、2:1又はそれ以上、より好ましくは、5:1又はそれ以上の高さ対幅即ち、平均幅比を有することを指す。ナノスケールは、サブミクロン例えば、約1nm~約500nmを指す。ナノ構造化は、ナノスケールの1つの寸法を有することを指す。プラズマは、電子、イオン、中性分子、及びフリーラジカルを含有する物質が、部分的にイオン化されたガス又は流体状態であることを指す。提供された方法によって調製されたナノ構造化表面は、同じ材料を含む非構造化表面と比較して、反射率において有意な低減を呈することができる。更に、ナノ構造化物品は、耐久性であり得、かつ耐スクラッチ性を有することができる。提供された方法は、中程度の真空条件例えば、約5ミリトール0.667Pa~約10ミリトール1.3Paで実施され得る。提供された方法はまた、ロールツーロール即ち、連続プロセスとして実施され得る。提供された方法は、したがって、比較的単純で製造に費用のかからないAR表面作製の方法を目指した、当該技術分野におけるニーズを満たす。上記の概要は、本発明の全ての実施のそれぞれの開示される実施形態を説明することを目的としたものではない。図面の簡単な説明及びこれに続く発明を実施するための形態において、実例となる実施形態をより詳しく例示する。以下の説明において、本明細書の説明の一部を構成しいくつかの特定の実施形態が例として示される添付の一連の図面を参照する。本発明の範囲又は趣旨を逸脱せずに、別の実施形態が考えられ、実施され得ることを理解すべきである。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈されるべきではない。他に指示がない限り、本明細書及び特許請求の範囲で使用されるフィーチャのサイズ、量、物理特性を表わす数字は全て、どの場合においても用語約によって修飾されるものとして理解されるべきである。それ故に、そうでないことが示されない限り、前述の明細書及び添付の特許請求の範囲で示される数値パラメータは、当業者が本明細書で開示される教示内容を用いて得ようと試みる所望の特性に応じて、変化し得る近似値である。終点による数の範囲の使用は、その範囲内例えば、1~5には、1、1.5、2、2.75、3、3.80、4、及び5が包含されるの全ての数及びその範囲内の任意の範囲を含む。基材を含むナノ構造の作製方法を提供する。いくつかの実施形態では、基材は、平坦な連続フィルムの形態であり得る。別の実施形態では、基材は、その1つの表面の少なくとも一部上にナノ構造を作製することが所望される物品であり得る。基材又物品は、本明細書に開示される方法によりエッチングできる任意の材料から形成され得る。例えば、基材は、ポリマー性材料、無機材料、合金又固溶体であり得る。いくつかの実施形態において、基材としては、繊維、ガラス、複合材料又は微多孔性膜を挙げることができる。ポリマー性材料には、熱可塑性樹脂及び熱硬化性プラスチックが挙げられる。典型的な熱可塑性樹脂には、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリスチレン、アクリロニトリルブタジエンスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、熱可塑性ポリウレタン、ポリビニルアセテート、ポリアミド、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリエチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレンアクリロニトリル、三酢酸セルロース、ナイロン、シリコーン-ポリオキサミドポリマー、フルオロポリマー、環状オレフィンコポリマー及び熱可塑性エラストマー等が挙げられるが、これらに限定されない。好適な熱硬化性樹脂には、アリル樹脂、エポキシ、熱硬化性ポリウレタン、及びシリコーン又はポリシロキサンが挙げられるが、これらに限定されない。これらの樹脂は、少なくとも1つのウレタンメタアクリレートオリゴマーを含む、重合性組成物の反応生成物から形成され得る。典型的に、ウレタンメタアクリレートオリゴマーは、マルチメタアクリレートである。用語メタアクリレートは、アクリル及びメタクリル酸のエステルを指すために使用され、マルチメタアクリレートは、一般に、メタアクリレートポリマーと呼ばれる、ポリメタアクリレートと反対に、2つ以上のメタアクリレート基を含有する分子を指す。ほとんどの場合、マルチメタアクリレートは、ジメタアクリレートであるが、トリメタアクリレート、テトラメタアクリレート等を採用することも意図されている。ウレタンマルチメタアクリレートオリゴマーは、例えば、商品名PHOTOMER6000Series、例えばPHOTOMER6010及びPHOTOMER6020等、及び商品名CN900Series、例えばCN966B85、CN964及びCN972でSartomerから市販されている。ウレタンメタアクリレートオリゴマーはまた、商品名EBECRYL8402、EBECRYL8807及びEBECRYL4827でSurfaceSpecialitiesから入手可能である。ウレタンメタアクリレートオリゴマーは、化学式OCN-R3-NCOのアルキレン又は芳香族ジイソシアネートとポリオールとの初期反応initialreactionにより調製することもできる。ほとんどの場合、ポリオールは、化学式HO-R4-OHのジオールであり、式中、R3は、C2~100アルキレン又はアルキレン基であり、R4はC2~100アルキレン基である。この中間生成物は、その時点で、ウレタンジオールジイソシアネートであり、これは続いて、ヒドロキシアルキルメタアクリレートと反応し得る。好適なジイソシアネートには、2,2,4-トリメチルヘキシレンジイソシアネート及びトルエンジイソシアネートが挙げられる。アルキレンジイソシアネートが一般的に有用である。このタイプの化合物は、2,2,4-トリメチルヘキシレンジイソシアネート、ポリカプロラクタムジオール、及び2-ヒドロキシエチルメタクリレートから調製することができる。少なくともいくつかの場合では、ウレタンメタアクリレートは脂肪族であり得る。また、他の官能性を有するメタアクリレートエステルも挙げることができる。このタイプの化合物は、2-N-ブチルカルバミルエチルメタアクリレート、2,4-ジクロロフェニルアクリレート、2,4,6-トリブロモフェニルアクリレート、トリブロモフェノキシエチルtribromophenoxylethylアクリレート、t-ブチルフェニルアクリレート、フェニルアクリレート、フェニルチオアクリレート、フェニルチオエチルアクリレート、アルコキシル化フェニルアクリレート、イソボルニルアクリレート及びフェノキシエチルアクリレートによって例示される。テトラブロモビスフェノールAジエポキシド及びメタアクリル酸の反応生成物もまた好適である。他のモノマーは、モノマーのN置換又はN,N-二置換メタアクリルアミド、特にアクリルアミドであってもよい。これらのモノマーとしては、N-アルキルアクリルアミド及びN,N-ジアルキルアクリルアミド、特にC1~C4アルキル基を含有するものが挙げられる。例には、N-イソプロピルアクリルアミド、N-t-ブチルアクリルアミド、N,N-ジメチルアクリルアミド、N,N-ジエチルアクリルアミドがある。他のモノマーは更に、ポリオールマルチメタアクリレートであってもよい。そのような化合物は典型的には、2~10の炭素原子を含有する、脂肪族ジオール、トリオール、及び/又はテトラオールから調製される。好適なポリオールマルチメタアクリレートpolymethacrylateの例は、エチレングリコールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクレート、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオールトリアクリレートトリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、対応するメタクリレート、及び前述したポリオールのアルコキシル化通常はエトキシル化誘導体のメタアクリレートである。2つ以上のエチレン性不飽和基を有するモノマーは、架橋剤としての働きをすることができる。他のモノマーとして使用に適したスチレン化合物には、スチレン、ジクロスチレン、2,4,6-トリクロロスチレン、2,4,6-トリブロモスチレン、4-メチルスチレン及び4-フェノキシスチレンが挙げられる。エチレン性不飽和窒素複素環には、N-ビニルピロリドン及びビニルピリジンが挙げられる。基材に有用な無機材料には、ガラス、金属、金属酸化物及びセラミックスが挙げられる。いくつかの実施形態において、無機材料には、ケイ素、酸化ケイ素、ゲルマニウム、ジルコニア、五酸化バナジウム、モリブデン、銅、チタン、二酸化チタン、ガリウムヒ素、ダイヤモンド、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、インジウムスズ酸化物及び炭化タングステンが挙げられる。提供された方法は、プラズマ化学気相堆積法を用いて、基材の主表面に薄い不規則で不連続なマスキング層を適用する工程を含む。基材の主表面は、ポリマーシート又はウェブの平坦面であり得る。あるいは、主表面は、その上にナノ構造を生成することにより、光学的、機械的、電気的、接着性又触媒活性の向上された特性を有することができる物品の任意の表面であり得る。この不規則で不連続なマスキング層は、有機ケイ素化合物、アルキル金属、金属イソプロポキシド、金属アセチルアセトナート及び金属ハロゲン化物から選択される化合物を含む反応ガスを使用したプラズマ化学気相堆積法の反応生成物である。一般に、有機ケイ素化合物には、テトラメチルシラン、トリメチルシラン、ヘキサメチルジシロキサン、オルトケイ酸テトラエチル又は多面体オリゴメリックシルセスキオキサンを挙げることができる。有用なアルキル金属は、トリメチルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、トリブチルスズ又はテトラメチルガリウムを含むことができる。有用な金属イソプロポキシドは、チタンイソプロポキシド又はジルコニウムイソプロポキシドを含むことができる。有用な金属アセチルアセトナートは、白金アセチルアセトナート又は銅アセチルアセトナートを含むことができる。有用な金属ハロゲン化物は、四塩化チタン又は四塩化ケイ素を含むことができる。プラズマ化学気相堆積法又はプラズマ増強化学気相堆積法は、2つの電極間の空間が反応ガス1種又は複数種で満たされた際、典型的には高周波放電により生成されるプラズマがその空間内に形成されるプロセスである。プラズマ化学気相堆積法は、反応チャンバー内に存在する望ましくない種による副反応を低減するよう真空下で行われる。反応ガス1種又は複数種は、一般に、基材上に薄い固体フィルムを堆積させる。提供された方法では、プラズマ化学気相堆積法を用いて、基材上に不規則で不連続なマスキング層を形成する。所定の化学種は、基材上にプラズマ堆積された際、非常に短時間で、不規則で不連続な材料の島を形成することが見出されている。一実施形態では実施例1参照、反応性ガスがテトラメチルシランであり、基材がポリメチルメタクリレートであった場合、プラズマ化学気相堆積法は、約7ft/分~約9ft/分213cm/分~274cm/分のウェブ速度にて約10ミリトール1.3Paの圧力で、約100~200ワットのプラズマ出力で行われて、基材上にポリマー化テトラメチルシランの不規則で不連続な島を生成した。典型的には、比較的小さい有機又は有機金属化合物由来の反応ガスが、提供された基材上にプラズマ化学気相堆積された際、それらは当初、反応した材料からなる小さい島を形成する。理論に束縛されるものではないが、この効果は、例えば水等の少量の液体が、異なる表面エネルギーを有する表面上で玉状になるのと同様である可能性がある。同様の様式で、プラズマ化学気相堆積法により生成される少量の生成物は、提供された基材上に堆積される際に、当初は不規則で不連続なパターンである小島内に寄せ集まる傾向がある。提供された方法では、任意の合体が起こる前に堆積を停止するように、反応条件ウェブ速度、プラズマ放電エネルギー、基材の露出時間等が調節される。かくして、堆積されたマスキング層は、不規則で不連続である。個々の島は、典型的には、約400nm未満、又は約200nm未満、又は約100nm未満、又は約50nm未満、又は更には約20nm未満の平均寸法を有する。提供された方法は、マスキング層により保護されていない主表面の部分をエッチングして、基材上にナノ構造を形成する工程を含む。典型的には、エッチングのために、反応性イオンエッチングを用いる。一実施形態では、提供された方法は円筒型反応性イオンエッチング円筒型RIEと称される連続的なロールツーロールプロセスを用いて実施できる。円筒型RIEは、回転している円筒型電極を利用して、物品又は基材の表面上に異方性エッチングされたナノ構造を提供する。一般的に、円筒型RIEは以下の通り記載され得る。回転可能な円筒型電極ドラム電極は、高周波RFによって通電され、接地した対電極は減圧容器の内部に提供される。対電極は減圧容器それ自体から構成されてもよい。エッチャントガスは、減圧容器内に供給され、プラズマが着火され、ドラム電極と接地した対電極との間に維持される。次いで、不規則で不連続なマスキング層を含む連続した基材が、ドラムの円周の周りに巻き付けられ、基材は、基材の面に垂直な方向でエッチングされ得る。基材の露出時間は、得られるナノ構造の所定のエッチング深さが得られるように制御され得る。プロセスは、およそ10ミリトール1.3Paの動作圧で実施できる。円筒型RIEは、例えば国際特許出願PCT/US/2009/069662Davidetal.に開示されている。別の態様では、本明細書に記載した方法により作製される物品を提供する。図1a~1cは、提供された方法により作製される物品の一実施形態の逐次的な概略図である。図1aは、主表面103を有する基材101の概略図である。図1bは、不連続なマスキング層105が基材101の主表面103上に配置されている、図1aに示した同一の物品の概略図である。図1cは、不連続なマスキング層105が基材101の主表面103上に配置されている、図1bに示した同一の物品の概略図である。不連続なマスキング層105により保護されていない主表面103の部分107は、エッチングにより除去されており、基材101上にナノ構造を残留させている。図2及び3は、本発明の方法に有用な円筒型RIE装置を図示する。プラズマ生成及びイオン加速のための一般的な要素は、210として一般に示されている。このRIE装置210は、支持構造体212と、1つ以上のドア218の前側パネル216を含むハウジング214と、1つ以上の区画に分けられた内側チャンバー224をその中に画定する側壁220及びバックプレート222と、回転可能にチャンバー内に取り付けられたドラム226と、回転可能にチャンバー内に取り付けられ、一般に228と参照される複数のリール機構と、ドラム226を回転可能に駆動させるための駆動機構237と、チャンバー内に回転可能に取り付けられたアイドラーローラー232と、チャンバーに流体的接続された真空ポンプ234と、を含む。支持構造体212は、この場合では、垂直に直立した方式で、ハウジング214を望ましい構成で支持するための、当該技術分野において既知の任意の手段である。図2及び図3に示すように、ハウジング214は、以下により詳細に記載するように、2分割ハウジングであってもよい。本実施形態では、支持構造体212は、装置210を支持するための2分割ハウジングのそれぞれの側に取り付けられる交差支持体240を含む。特に、交差支持体240は、装置210をそれぞれ移動させ、支持するための、ホイール242及び調節可能な足部材244の両方を含む。図2及び3に示す実施形態では、交差支持体240は、アタッチメント支持体246を介して、ハウジング214のそれぞれの側に取り付けられる。特に、交差支持体240は、側壁220の1つに、即ち底部の側壁に、アタッチメント支持体246を介して接続され、一方、ハウジング214の他方の側上の交差支持体240は、アタッチメント支持体246によってバックプレート222に接続される。更なるクロスバー247が、図2に示すように装置210の右側に交差支持体240間に供給される。これは更なる構造的強化をもたらすことができる。ハウジング214は、排気、排気の後に導入されたガスの閉じ込め、ガスからのプラズマ生成、イオン加速、及びエッチングすることができる、制御された環境を提供する任意の手段であることができる。図2及び図3に示す実施形態では、ハウジング214は前側パネル216、4つの側壁220、及びバックプレート222を含む外壁を有する。外壁は、チャンバー224として示される中空の内部を備える箱を画定する。側壁220及びバックプレート222は、当該技術分野において既知の任意の方法で一緒に締結され、側壁220及びバックプレート222は、チャンバー224の排気、プラズマ生成のための流体の閉じ込め、プラズマ生成、イオン加速、及びエッチングを可能にするに十分な方式で、互いに強固に固定される。前側パネル216は、基材材料の載荷及び除荷のため及びメンテナンス実施のためにチャンバー224へのアクセスを提供するように、固定的固定されていない。前側パネル216は、ヒンジ250又は同等な接続手段を介して、一対のドア218を画定する側壁220のうちの1つに接続される2つのプレートに分離される。これらのドアは、好ましくは、真空封止の使用によって例えば、Oリング側壁220の縁部に封止する。ロック機構252は選択的にドア218を側壁220に固定し、チャンバー224の排気、プラズマ生成のための流体の保管、プラズマ生成、イオン加速、及びエッチングを可能にする方式で、ドア218を壁220に固定することができるcapableofdoors218towalls220任意の機構であってもよい。一実施形態では、チャンバー224は、分離壁254によって2つの区画256及び258に分離される。壁254内の通路又は穴260は、区画間の流体又は基材の通路を提供する。あるいは、チャンバーは、1つの区画のみ、又は3つ以上の区画であってもよい。チャンバーは1つの区画のみであることが好ましい。ハジング214は、密閉可能にポート262を被覆し、その中で発生しているエッチングプロセスを観察することができる、高圧の、透明なポリマー性プレート264を備える、複数の観察ポート262を含む。ハウジング214はまた、その中で様々なセンサー例えば、温度、圧力等が固定され得る、複数のセンサーポート266を含む。ハウジング214は、それを介して流体が、必要に応じてチャンバー224内に導入され得る導管接続を提供するための入口ポート268を更に含む。ハウジング214はまた、ガス及び液体をポンプ供給するか、ないしは別の方法でチャンバー224から排出することを可能にする、ポンプポート270及び272を含む。ポンプ234は、側部220の1つから、典型的には底部図2に示すようにから吊るされて示される。ポンプ234は、ハウジング214内の制御された環境に流体接続された、例えばターボイオンポンプであってもよい。下方チャンバー258を排気し、その中の動作圧を維持するために、他のポンプ、例えば拡散ポンプ又はクライオポンプが使用されてもよい。エッチング工程中のプロセス圧力は、異方性エッチングを提供するために、約1ミリトール0.13Pa~約20ミリトール2.7Paより好ましくは、約5ミリトール0.67Pa~約10ミリトール1.3Paであるように選択されるのが好ましい。摺動バルブ273は、この流体接続部に沿って配置され、ポンプ234とハウジング214の内部との間の流体連通を選択的に食い違いさせるか、又は遮断することができる。摺動バルブ273は、ポンプポート262が十分に開いて、又は部分的に開いて、又はポンプ234との流体連通に対して閉じているように、ポンプポート262にわたって移動可能である。ドラム226は、典型的には、環状表面282及び2つの平坦な端面284を備える円筒型電極280である。電極は、任意の導電性材料で作製されてもよく、好ましくは、例えばアルミニウム、銅、スチール、ステンレス鋼、銀、クロム、又は前述の任意の1種以上のものの合金である。好ましくは、製造の容易さ、低スパッタ収率、及び低コストから、その電極はアルミニウムである。更に、ドラム226は、電界が外側に浸透できるようにするためのコーティングされていない導電性の領域と、電界の浸透を防ぐための非導電性の絶縁性領域とを含むよう、したがって電極の非絶縁性若しくは導電性部分へのフィルムのコーティングを制限するように構築される。非導電性材料は典型的には、例えばポリマー例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどの絶縁体である。導電性領域として、小さなチャネルのみ典型的にはコーティングされるべき、基材の幅を提供するように、この非導電性の目的を満たす様々な実施形態は、当業者の人によって想定される。図2は、ドラム226の実施形態を示し、コーティングされないまま残り、したがって導電性である環状表面282内の環状チャネル290を除き、ドラム226の環状表面282及び端面284は、非導電性又は絶縁性材料でコーティングされている。更に、暗部シールド286及び288の対は環状表面282上の絶縁性材料を被覆し、いくつかの実施形態では端面284を被覆する。絶縁性材料は、それに沿ってプラズマ生成及び負バイアスが発生し得る電極の表面積を限定する。しかしながら、絶縁性材料は、ときにはイオン衝突によって汚染されるため、暗部シールド286及び288は、絶縁材料の部分又は全てを被覆してもよい。これらの暗部シールドは、アルミニウム等の金属から作製されてもよいが、これらは、絶縁材料図示せずを用いて電極から分離されているので、導電剤として作用しない、これにより、電極へのプラズマの封じ込めが可能になる。ドラム226の別の実施形態は、図4A及び図4Bに示されており、ここではドラム226は、ドラム226の環状表面282に取り付けられた、一対の絶縁性リング285及び287を含む。いくつかの実施形態では、絶縁性リング287は、端面284を被覆するようにも作用するキャップである。ボルト292は、平坦なプレート又はストラップとして具体化される支持手段294をバックプレート222に固定する。ボルト292及び支持手段294は、ドラム226の様々な部分を支持するのに役立つことができる。一対の絶縁性リング285及び287は、いったん環状表面282に取り付けられると、チャネル290として具体化される、露出した電極部分を画定する。いずれの場合においても、基材が電極と接触する箇所即ち、電極のプラズマ暗部限界に接触する、又は電極のプラズマ暗部限界内の例えば、約3mmを除き、電極280は、全ての領域において絶縁性材料によって、何らかの方法で被覆される。これにより、基材と密接して接触することができる露出した電極部分が画定される。電極の残部は、絶縁性材料によって被覆される。電極が通電され、電極が得られるプラズマに対して負にバイアスされるとき、この比較的厚い絶縁性材料は、それが被覆する表面上のエッチングを防ぐ。結果として、エッチングは被覆されていない領域即ち、絶縁性材料で被覆されていない領域、チャネル290に限定され、これは好ましくは、比較的薄い基材材料によって被覆されている。図2及び図3を参照すると、ドラム226は、磁性流体貫通ferrofluidicfeedthrough、及びバックプレート222における穴の中に固定される回転継手rotaryunion238又は同等の機構を介してバックプレート222に回転可能に取り付けられる。磁性流体貫通及び回転継手は、真空封止を保持しながら、標準的な冷却剤流体導管及び電気ワイヤから、回転中の回転可能ドラム226の、中空の冷却剤経路及び導電電極のそれぞれに、別個の流体及び電気的接続を提供する。回転継手はまた、必要な動力を供給してドラムを回転させ、この動力は、ブラシレスDCサーボモーター等、任意の駆動手段から供給される。しかしながら、バックプレート222並びに導管及びワイヤへのドラム226の接続は、そのような接続を供給することができ、かつ磁性流体貫通及び回転継手に制限されないような任意の手段によって実施されてもよい。かかる磁性流体貫通及び回転継手の一例は、FerrofluidicsCo.Nashua,N.H.製の、内径約2インチ約5cmの中空シャフトフィードスルーである。ドラム226は、駆動機構237によって回転可能に駆動され、これは回転運動をドラム226に伝えることができる任意の機械的及び/又は電気的システムであってもよい。図3に示す一実施形態では、駆動機構237は、ドラム226に硬く接続されている駆動プーリー239に機械的に接続されている駆動プーリー231で終端する駆動シャフトを備える、モーター233を含む。ベルト235又は同等の構造は、駆動プーリー231からの回転運動を駆動プーリー239に伝える。複数のリール機構228が、バックプレート222に回転可能に取り付けられる。複数のリール機構228は、一対の基材スプール228A及び228Bを備える基材リール機構を含み、いくつかの実施形態では、一対のスペーシングウェブスプール228C及び228Dを備えるスペーシングウェブリール機構と、一対のマスキングウェブスプール228E及び228Fを備えるマスキングウェブリール機構とを含み、ここではそれぞれの対は、1つの送達及び1つの巻取りスプールを含む。図3で明らかなように、少なくとも各巻取りスプール228B、228D及び228Fは、エッチング中に、必要に応じて、リールを選択的に回転させる回転力を供給するための、これに機械的に接続された駆動機構227例えば、以下に記載のように標準モーターを含む。更に、選択された実施形態における各スプール228A、228C及び228Eは、ウェブ及び/又は駆動機構229に緊縮性をもたらすためのテンショナーを含む。各リール機構は、送達及び巻取りスプールを含み、これらは互いに同一又は異なる区画内にあってもよく、これは次いで電極内の同じ区画にあってもよく、あるいはそうでなくてもよい。各スプールは、溝を画定しながら、それぞれの端部から半径方向に延びる、軸方向のロッド及びリムを備える標準的な構造であり、そこでは、細長い部材この場合では基材又はウェブが巻き付けられる又は巻き取られる。各スプールは、バックプレート222を通じて密封可能に延びる回転可能なステムに固定可能に取り付けられる。スプールが駆動される場合では、ステムはモーター227例えば、ブラシレスDCサーボモーターに機械的に接続される。非駆動スプールの場合では、スプールは単に回転可能な方式で、連結部229を介して、バックプレート222に連結され、また、ゆるみを防ぐために張力機構を含んでもよい。RIE装置210はまた、チャンバー内で回転可能に取り付けられるアイドラーローラー232と、このチャンバーに流体接続するポンプ234と、含む。アイドラーローラーは、ドラム226上で基材スプール228Aからチャネル290に、かつチャネル290から巻取り基材スプール228Bに基材を案内する。更に、スペーシングウェブ及びマスキングウェブが使用され、アイドラーローラー232は、これらのウェブ及び基材を、基材スプール228A及びマスキングウェブスプール228Eからチャネル290に、並びにチャネル290から巻取り基材スプール228B及び巻取りマスキングウェブスプール228Fにそれぞれ案内する。RIE装置210は、磁性流体貫通238を介して、温度制御液を電極280に供給するための温度制御システムを更に含む。温度制御システムは、装置210上に設置されてもよく、又は別の方法として、別個のシステムから設置されて、温度制御液が、電極280内の経路と流体接続している限り、導管を介して、装置210にポンプ供給されてもよい。温度制御システムは、エッチングのための適切な温度の電極を供給することが必要とされる場合に、電極280を加熱するか、又は冷却することができる。好ましい実施形態では、温度制御システムは、例えば、水、エチレングリコール、クロロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、及び液化ガス例えば液体窒素等のクーラント使用するクーラントシステムである。RIE装置210はまた、排気ポート270に流体接続された排気ポンプを含む。このポンプは、チャンバーを排気させることができる任意の真空ポンプ、例えばルーツブローワ、ターボ分子ポンプ、拡散ポンプ、クライオポンプであってもよい。更に、このポンプは機械式ポンプによって補助又はバックアップされてもよい。排気ポンプは、装置210上に設置されてもよく、又は別の方法として、別個のシステムとして設置され、チャンバーに流体接続されてもよい。RIE装置210はまた、薄膜を生成するのに使用される流体を制御する、好ましくは質量流量制御装置の形の、流体送り装置を含み、この流体はチャンバー内にチャンバーの排出後に、ポンプ供給される。送り装置は、装置210上に設置されてもよく、又は別の方法として、別個のシステムとして設置され、チャンバーに流体接続されてもよい。送り装置は、エッチング中に、正確な容積率又は質量流量の流体をチャンバーに供給する。エッチングガスには、例えば、酸素、アルゴン、塩素、フッ素、四フッ化炭素、四塩化炭素、パーフルオロメタン、パーフルオロエタン、パーフルオロプロパン、三フッ化窒素、六フッ化硫黄、メタン等を挙げることができる。ガスの混合物は、エッチングプロセスを促進するために有利に使用されてもよい。炭化水素のエッチング速度を向上させるために、又は非炭化水素材料エッチングのために、追加のガスが使用されてもよい。SiO2、炭化タングステン、窒化ケイ素、アモルファスシリコン等をエッチングするために、例えば、フッ素含有ガス、例えば、パーフルオロメタン、パーフルオロエタン、パーフルオロプロパン、六フッ化硫黄、三フッ化窒素等は、酸素に添加されるか、あるいはそれらだけで導入されてもよい。例えばアルミニウム、イオウ、炭化ホウ素等の材料をエッチングするために、塩素含有ガスが同様に添加されてもよい。炭化水素ガス、例えばメタンが、ガリウムヒ素、ガリウム、インジウム等の材料をエッチングするために使用されてもよい。不活性ガス、特に、アルゴン等の重ガスが添加されて、異方性エッチングプロセスを促進してもよい。RIE装置210はまた、電気端子230を介して、電極280に電気的に接続された電源を含む。電源は、装置210上に設置されてもよく、又は別の方法として、別個のシステム上に設置されて、電気端子図3に示すようにを介して電極に電気接続されてもよい。いずれの場合においても、電源は、十分な電力を供給することができる任意の発電又は送電システムである。以下の記載を参照。様々な電源が可能であるが、RF電力が好ましい。これは、自己バイアスを、適切に構成された通電された電極上に形成するのに、周波数は十分高いが、得られるプラズマに定在波を作るには十分高くないためである。RF電力は、高出力幅の広いウェブ又は基材、急速なウェブ速度に対して拡張可能である。RF電力が使用されるとき、電極上の負バイアスは負自己バイアスであり、即ち電極上に負バイアスを誘発するために使用される、別個の電源は必要ない。RF電力が好ましいため、本記載の残りはそのことについてのみ焦点を当てる。RF電源は、電極280を、0.01~50MHzの範囲で、好ましくは13.56MHzで、又は任意の、その整数倍数例えば1、2又は3の周波数で通電する。このRF電力は電極280に供給されると、チャンバー内のガスからプラズマを作る。RF電源は、同軸送電線を通じて効果的にRF電力を送電するように、電力供給のインピーダンスが、送電線のインピーダンス通常は50オーム抵抗と一致するように働くネットワークを介して、電極に接続された13.56MHz発振器等のRF発生装置であってもよい。RF電力を電極に印加すると、プラズマが確立される。15のRFプラズマでは、通電した電極は、プラズマに対して負バイアスとなる。このバイアスは一般的に、500~1400ボルトの範囲である。このバイアスはプラズマ内のイオンを電極280に向けて加速させる。加速するイオンは、以下により詳細に記載されるように、電極280と接触する。操作時には、エッチングを所望される基材の全体スプールが、スプール228Aとしてステムの上に挿入される。図2及び図3では、スプールは下方の区画258に配置されており、一方で、エッチングは上方の区画256で生じているため、これらのスプールへのアクセスは下方のドア218を通じて供給される。更に、エッチングが生じた後の巻取りスプールとして機能するように、空のスプールが、スプール228Bとしてスプールを保持する基材と反対側で締結される。スペーサーウェブが、巻き付け又は巻き出し中に基材を弛緩させるために求められる場合、スペーサーウェブ送達及び/又は巻取りスプールが、スプール228C及び228Dとして設置されてもよい図中に示される特定の場所内のスプールの位置は問題ではない。同様に、エッチングが、パターン、あるいは部分的な方式で必要とされる場合に、マスキングウェブが、スプール228Eとして入力スプール上に配置され、空のスプールが、スプール228Fとして巻取りスプールとして配置される。基材若しくはウェブを備えたスプール、及びこれらを備えないスプールの全てが配置された後、その上でエッチングが生じる基材及びそれとともに電極周囲を移動する任意のマスキングテープが通布されるか、あるいは巻取りリールにシステムを介して引っ張られる。スペーサーウェブは概して、システムを介して通布されないが、代わりに、この工程の直前及び/又はこの工程が供給された直後に、基材から分離される。基材は特に、チャネル290における電極280の周辺に巻き付けられ、したがって、露出した電極部分を被覆する。基材は、十分に張って電極と接触した状態のままであり、かつ基材のある長さが常に、エッチングのために電極と接触しているように、電極が回転するにつれて、電極と共に移動する。これは、基材が、ロールの一方の端部から他方へと連続プロセスにおいてエッチングされるのを可能にする。基材は、エッチングのために配置され、下方のドア218は密閉される。チャンバー224は、全ての空気及び他の不純物を取り除くために排気される。いったんエッチャントガス混合物が、排気されたチャンバー内にポンプ供給されると、装置は、エッチングプロセスを開始する準備が整う。RF電源は、電極80にRF電界を供給するために活性化される。このRF電界は、ガスをイオン化させ、結果としてその中にイオンとプラズマの形成をもたらす。これは特に、13.56MHz発信器を使用して作られるが、他のRF源及び周波数範囲が使用されてもよい。エッチングプロセスのRF電力の電力密度は、好ましくは約0.1~約1.0ワット/cm3好ましくは、約0.2~約0.4ワット/cm3の範囲である。いったんプラズマが作られると、RF電力で電極に通電し続けることによって、負DCバイアス電圧が電極280上に作られる。このバイアスは、電極280の環状チャネル290電極の残部は絶縁されているか、シールドされているかのいずれかに向けてイオンを加速させる。イオンは、基材材料をマスク材料に対して、電極280のチャネル290と接触する基材の長さにおいて選択的にエッチングし、基材のその長さ上の基材材料の異方性エッチングを生じさせる。連続エッチングに関して、基材及び任意のマスキングウェブを、上方区画254を通じて、かつ電極280の上で引っ張るように、巻取りスプールが駆動され、その結果マトリックスのエッチングは、環状チャネル290と接触する、任意のマスキングされていない基材部分上で発生する。基材はしたがって、上方区画を通じて連続的に引っ張られ、同時に連続的なRF場が電極上に配置され、十分な反応性ガスがチャンバー内に存在する。結果は、細長い基材上及び実質的に基材上のみの連続的エッチングである。エッチングは、電極の絶縁された部分上に発生しないし、チャンバーの他の箇所でも発生しない。プラズマに供給された有効電力が、円筒型電極の末端部プレートにおいて消散するのを防ぐために、接地された暗部シールド286及び288が使用されてもよい。暗部シールド286及び288は、潜在的な汚染の低減に貢献する、任意の形状、寸法及び材料であってもよい。図2及び3に示す実施形態では、暗部シールド286及び288は、ドラム226の上及びその上の絶縁体上でフィットする金属リングである。暗部シールド286及び288は、暗部シールド286及び288がドラム226に接触する領域において、ドラム226を被覆する絶縁材料のために、バイアスしない。このリング様の実施形態における暗部シールドは、非環状方式で、ドラム226から離れて延びるその各端部上のタブを更に含む。これらのタブは、チャネル290内で基材を位置合わせするのに役立つことができる。典型的には、温度制御システムは、プロセス全体にわたって流体を電極280を通じてポンプ供給し、電極を望ましい温度に維持する。典型的に、これは前述のように、クーラントを用いて電極を冷却することを伴うが、一部では、加熱が望ましい場合がある。更に、基材は、電極と直接接触しているため、プラズマから基材への熱移動は、この冷却システムを介して管理されることにより、温度に敏感であるフィルムのコーティング、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のコーティングが可能になる。エッチングプロセスの完了後、スプールは、壁にそれらを支持しているシャフトから取り外しできる。ナノ構造化基材は、スプール228B上にあり、使用のための準備が整っている。基材の表面自体が、マイクロ構造化されていてもよい。例えば、V字形溝マイクロ構造化表面を有する基材の主表面に、プラズマ化学気相堆積法によって、薄い不規則で不連続なマスキング層を適用して、V字形溝マイクロ構造化表面上にナノ構造を形成してもよい。あるいは、フレネルレンズ、又はナノ分散相を含むマイクロ複製の支柱若しくはコラムを含むマイクロ構造化物品等のマイクロ構造化物品も同様に、プラズマエッチングによって処理されて、ナノ構造をマイクロ構造上に形成してもよい。本発明の方法によって作製されたナノ構造化表面は、ナノ構造化異方性表面を有することができる。ナノ構造化異方性表面は、典型的に、約2:1以上、好ましくは約5:1以上の、高さ対幅の比を有するナノスケールフィーチャを含むことができる。いくつかの実施形態では、高さ対幅の比は、更には50:1以上、又は100:1以上、又は200:1以上であることができる。ナノ構造化異方性表面は、例えば、ナノピラー若しくはナノコラム、又はナノピラー若しくはナノコラムを含む連続的なナノフィーチャを含むことができる。典型的には、ナノフィーチャは、基材に対して実質的に垂直である、急勾配の側壁を有する。いくつかの実施形態では、ナノフィーチャの大部分は、マスク材料で冠されてもよい。表面におけるマスク材料の濃度は、約5重量~約90重量又は約10重量~約75重量であってもよい。いくつかの実施形態では、基材は、汚れ及び粒子の吸引を最小限に抑えて、したがって、表面の質を維持するための静電気散逸用の材料を含んでもよい。静電気散逸用の好適な材料には、例えば、STAT-RITEポリマー、例えばX-5091、M-809、S-5530、S-400、S-403及びS-680LubrizolWickliffe,OHから入手可能、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSSH.C.StarckCincinnati,OHから入手可能、ポリアニリン、ポリチオフェン、PELESTATNC6321及びNC7530帯電防止添加剤TomenAmericaNewYork,NYから入手可能が挙げられる。提供された方法によって作製されたナノ構造化物品は、反射防止特性、光吸収特性、曇り防止特性、改善された接着性及び耐久性等の、1つ以上の望ましい特性を呈することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ナノ構造化異方性表面の表面反射率は、非処理表面の表面反射率の約50以下である。表面特性の比較に関して本明細書で使用されるとき、用語非処理表面は、それが比較されるとき本発明のナノ構造化表面と同じマトリックス材料及び同じナノ分散相を含むが、ナノ構造化異方性表面を含まない、物品の表面を意味する。いくつかの実施形態では、以下の実施例の項に記載の平均反射率の測定方法を使用して測定したとき、ナノ構造化異方性表面の反射率は、約2未満典型的には、約1未満であることができる。同様に、いくつかの実施形態では、ナノ構造化異方性表面の透過率は、以下の実施例の項に記載の平均透過率の測定方法を使用して測定されたとき、非処理表面の透過率よりも約2又はそれより多いことができる。別の実施形態では、以下の実施例の項に記載の水接触角測定方法を使用して測定したとき、ナノ構造化異方性表面は、約20°未満、又は約15°未満、又は更には約10°未満の水接触角を有することができる。更に別の実施形態では、ナノ構造化異方性表面は、非処理表面よりも約2又はそれより多い光を吸収することができる。本発明の更に別の実施形態では、ナノ構造化異方性表面は、ASTMD-3363-05に従って測定されたとき、約2H超典型的には、約4H超の鉛筆硬度を有することができる。別の実施形態では、入射ビームの方向から2.5度を越えて偏向されて、局部的ナノ構造化表面を透過した光の百分率450nmで測定が、2.0未満、典型的には1.0未満、より典型的には0.5未満であるように、提供された方法によって連続的に作製され得る物品を提供する。本発明のいくつかの実施形態は、ナノ構造化異方性表面に取り付けられた、例えばインク、封止材、接着剤、若しくは金属を含む層又はコーティングを更に含む。層又はコーティングは、非処理表面よりも、本発明のナノ構造化異方性表面への改善された接着を有することができる。本発明の方法によって作製されたナノ構造化物品は、例えばディスプレイ用途例えば液晶ディスプレイLCD、発光ダイオードLEDディスプレイ、又はプラズマディスプレイ、光抽出、電磁干渉EMI遮蔽、眼科用レンズ、顔遮蔽レンズ若しくはフィルム、ウィンドウフィルム、建築用途若しくは交通標識の反射防止等を含む多くの用途で有用である。ナノ構造化物品は、ソーラーフィルム及びフレネルレンズ等のソーラー用途にも有用である。これらは、太陽熱高温液体/空気加熱パネル、又は任意の太陽エネルギー吸収デバイスの前面及び/又は二次表面として;追加のナノスケール表面構造を備える、マイクロ若しくはマクロ-コラムを有する太陽熱吸収表面用に;アモルファスシリカ光電池又はCIGS光電池で作製された可撓性太陽光電池の前面用に;及び可撓性光電池の上面に適用されたフィルムの前面用に使用することができる。本発明の別の実施形態では、基材上に分散されたマスク材料は、ナノ構造化又はナノ多孔性表面を形成するための、プラズマを使用してエッチング除去することができる。本方法は、基本的には上記の通り、円筒型RIE使用して実施することができるが、基材よりはむしろ分散材料のエッチングを好む選択的エッチングを使用している即ち、基材材料よりはむしろ、分散相材料をエッチングするガスを選択することによる。以下の実施例によって本発明の目的及び利点を更に説明するが、これらの実施例において記載される特定の材料及びその量、並びに他の条件及び詳細は、本発明を不要に限定するものとして解釈されるべきではない。本明細書に記載した、提供されるナノ構造及び方法は、米国特許第5,888,594号Davidetal.に詳細に記載され、図2、3及び4abに図示されている自家製プラズマ処理システムに幾分の変更を加えて用いることにより獲得した。ドラム電極の幅は、14.5インチ36.8cmに増加され、プラズマシステム内の2つの区画間の分離は取り除かれ、よって、全ポンプ排気はターボ分子ポンプによって実施され、したがって、プラズマプロセスで従来実施される動作圧よりもはるかに低い動作圧での操作であった。ポリマー性フィルムのロールはチャンバー内に搭載され、フィルムはドラム電極の周囲に巻き付けられ、ドラムの反対側上の巻取りロールに固定された。巻き出し及び巻取りテンションは3ポンド13.3Nに維持された。チャンバーのドアは閉鎖され、チャンバーは基準圧5×10-4トール0.07Paまでポンプ排気された。不連続なマスク層の堆積のために、流速50sccmのテトラメチルシランガスを、流速450sccmのアルゴンガスと混合した。堆積工程中の圧力はほぼ10ミリトール1.3Paであり、プラズマは、実施例に応じて100ワット又は200ワットのいずれかの電力でオンにされ、基材は、ドラムにテープで貼付されたシートサンプルの場合は時間を記録することにより、又は、基材ウェブが連続的に処理されている間は、ウェブ速度を調節してプラズマ中での所定の滞留時間を提供することにより、所定時間の間、プラズマに露出された。エッチング工程に関しては、純粋な酸素ガスが流速400sccmで導入され、動作圧は公称10ミリトール1.3Paであった。プラズマは、rf電力をドラムに印加することによって2000ワットの電力でオンにされ、フィルムが、以下の実施例で記載される所望の速度で移動されるように、ドラムの回転が開始された。静止サンプルの場合、エッチング深さは、エッチング時間により制御された。平均反射率の測定BYKGardinerカラーガイドスフィアcolorguidesphereを使用して、プラズマ処理表面の平均反射率Rを測定した。各フィルムの1つのサンプルは、YamatoBlackVinylTape200-38YamatoInternationalCorporationWoodhaven,MIから入手をサンプルの裏側に貼り付けることによって調製された。両面からの透過率及び反射率が既定である透明なガラススライドを使用して、ブラックテープからの反射率を確定した。このブラックテープは、ブラックテープとサンプルとの間に捕らえられた気泡がないことを確実にするためにローラーを用いてサンプルの裏側へ積層された。積分球検出器によって前面の合計反射率正反射及び拡散を測定するために、テープのない側を開口部に対するように、サンプルを装置内に配置した。10°の入射角で反射率を測定し、400~700nmの範囲の波長に関するブラックテープの反射率を引き算することによって平均反射率を計算した。ヘイズ及び透過率の測定ヘイズ及び透過率の測定は、BYKHaze-GardPlusBYKGardinerColumbia,MD製を用いて、ASTMD1003D1004に従って実施した。水接触角の測定水接触角は、静的接触角測定装置で測定された。装置は、デジタルカメラ、自動液体ディスペンサー、及び水滴の自動配置を介してハンズフリーの接触角を可能にするサンプルステージを備える。水滴の形状は自動的に捕捉され、次いでコンピュータによって水滴形状解析を介して解析され、静的接触角を測定する。実施例1~8-PMMA基材フィルム上に形成されたナノ構造。PMMAフィルムシートを、最初に、7.5フィート/分2.3m/分又は8.5フィート/分2.6m/分のいずれかのウェブ速度でテトラメチルシランTMSプラズマに露出し、酸素エッチングを、30、60、90及び120秒の4つの異なる時間で実施した。得られたシート物品は、下記の表1に纏めたように、優れた平均透過率及び反射防止平均反射率特性を示した。これらのフィルムの光反射率スペクトルを、広帯域反射防止性能が表示される図5に纏める。PMMAフィルムの表面モルホロジーをSEM分析により決定した。結果を図6a~6dに示す。図6aは、実施例4の微鏡写真であり、図6bは、実施例7の微鏡写真であり、図6cは、実施例6の微鏡写真であり、図6dは、実施例5の微鏡写真である。直径10~40nm及び長さ100~400nmを有するフィラメント/繊維状ナノ構造が見られる。30秒間のみエッチングした実施例4は、最も少量のナノ構造を示す。表示された他の実施例実施例7、6及び5は全て、顕著なナノ構造を有する。これらのナノ構造はまた、本来、製造されたままでas、不規則である。比較例9及び実施例10~12-アクリルフレネルレンズフィルムを高集光型太陽光発電システム内で使用して、光を太陽電池上に集束させて電力を発生させる。フレネルレンズフィルム3MSt.Paul,MNから入手可能な3MRadicalConcentratingLensFilmにTMSを被覆した後、純粋な酸素プラズマ中で電力密度0.4W/cm2にて圧力8ミリトール1.1Paで90秒間エッチングして、レンズのマイクロ構造化ファセットの頂部上にナノ構造を形成し、これらのレンズの透過率を増加させた。比較例9として、平坦なアクリルブランクを使用した。本明細書に示す透過率測定値平均透過率は、Lambda950分光計上で形成され、サンプルは、PerkinElmerWaltham,MAから入手可能なPELA9042角度可変透過サンプルホルダーを使用して、正透過率用に配置された。実施例10では、フレネルレンズフィルムの両面平坦面及びファセット面を処理し、Lambda950分光計内で試験した。これらサンプルの透過率は、表2に示すように、未処理サンプルから6まで増大した。典型的なアクリルフレネルレンズフィルムは一般に、完全なソーラーパネルシステムの10の費用に相当し、また主に光学面の反射によって、光学的設計に応じて10~15の電力損失がもたらされる。この光学的損失を1低減することにより、レンズ費用を大幅に増大させることなくそれが供給できる場合、生成される電力のコストを1低減する利点を有することができる。これらの結果は、ソーラーコレクター上に使用されるフレネルレンズフィルム上にナノ構造を形成することによって、この所望の結果が達成できることを示している。本発明の範囲及び趣旨から逸脱することなく本発明に様々な変更及び改変を行いうる点は、当業者には明らかであろう。本発明は、本明細書で述べる例示的な実施形態及び実施例によって不要に限定されない点、また、こうした実施例及び実施形態はあくまで例として与えられるものであり、本発明の範囲は、本明細書において以下に記載される特許請求の範囲によってのみ限定されるものである点は理解すべきである。本開示に引用される参照文献は全て、その全体を本明細書に援用するものである。"