分枝状金属シリサイドナノ構造物を形成する方法であって、以下の工程:a.i.基板を用意し;ii.前記基板上に非耐火性遷移金属を配置し;そしてiii.シランガスに前記非耐火性遷移金属を曝露しそこで該ガスの少なくとも一部が前記非耐火性遷移金属の少なくとも一部と反応して固体一次構造物を形成する;ことによって幹を形成する工程と、及びb.i.前記固体一次構造物の外表面上に非耐火性遷移金属を配置し;そしてii.シランガスに前記非耐火性遷移金属を曝露しそこで該ガスの少なくとも一部が前記非耐火性遷移金属の少なくとも一部と反応して固体二次構造物を形成し、その際に該二次構造物が前記一次構造物に結合している;ことによって枝を形成する工程と、を含む、前記方法。以下の工程:a.i.基板を用意し;ii.前記基板上にニッケルを配置し;そしてiii.シランガスに前記ニッケルを曝露しそこで該ガスの少なくとも一部が前記ニッケルの少なくとも一部と反応して固体一次構造物を形成する;ことによって幹を形成する工程と、及びb.i.前記固体一次構造物の外表面上にニッケルを配置し;そしてii.シランガスに前記ニッケルを曝露しそこで該ガスの少なくとも一部が前記ニッケルの少なくとも一部と反応して固体二次構造物を形成し、その際に該二次構造物が前記一次構造物に結合している;ことによって枝を形成する工程と、を含む、請求項1に記載の分枝状ニッケルシリサイドナノ構造物の形成方法。前記方法が、少なくとも1の追加の段階において、枝を形成する工程を繰り返すことをさらに含む、請求項1又は2に記載の方法。前記方法が、電気活性又は導電性のコーティングで前記幹及び枝の外表面の少なくとも一部を被覆することをさらに含む、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記電気活性又は導電性のコーティングがケイ素、ゲルマニウム、ニッケル、炭素、又は遷移金属酸化物を含む、請求項4に記載の方法。前記コーティングが非晶質ケイ素を含む、請求項5に記載の方法。前記ナノ構造物が結晶質ケイ素のコア並びにニッケル及びケイ素の両方を含むシェルを備える、請求項1又は2に記載の方法。前記非耐火性遷移金属又はニッケルの少なくとも一部が幹及び枝中に取り込まれる、請求項1又は2に記載の方法。前記分枝状ナノ構造物の幹及び各枝が、その高さがその直径を超える実質的に円柱状の構造である、請求項1又は2に記載の方法。前記非耐火性遷移金属又はニッケルが薄膜層内に配置されかつ液化される、請求項1又は2に記載の方法。前記非耐火性遷移金属又はニッケルが加熱によって液化される、請求項10に記載の方法。前記薄膜層が約5nm~250nmの厚さで配置される、請求項10に記載の方法。前記薄膜層が約5nm~50nmの厚さで配置される、請求項12に記載の方法。前記薄膜層が約10nm~25nmの厚さで配置される、請求項13に記載の方法。前記基板が集電箔である、請求項1又は2に記載の方法。前記集電箔がステンレス鋼箔である、請求項15に記載の方法。分枝状金属シリサイドナノ構造物を形成する方法であって、以下の工程:a.i.ステンレス鋼箔基板を用意し;ii.前記基板上に薄膜層として非耐火性遷移金属を配置し;iii.前記非耐火性遷移金属の薄膜層を液化し;そしてiv.シランガスに前記非耐火性遷移金属を曝露しそこで該ガスの少なくとも一部が前記非耐火性遷移金属の少なくとも一部と反応して固体一次構造物を形成する;ことによって幹を形成する工程と、及びb.i.前記固体一次構造物の外表面上に薄膜層として非耐火性遷移金属を配置し;ii.前記非耐火性遷移金属の薄膜層を液化し;そしてiii.シランガスに前記非耐火性遷移金属を曝露しそこで該ガスの少なくとも一部が前記非耐火性遷移金属の少なくとも一部と反応して固体二次構造物を形成し、その際に該二次構造物が前記一次構造物に結合している;ことによって枝を形成する工程と、及びc.必要に応じてbの工程を繰り返して追加の枝を形成しそこで該追加の枝が前記固体一次構造物又は固体二次構造物上に形成されることができる工程と、及びd.電気活性又は導電性のコーティングで前記幹及び枝の外表面の少なくとも一部を被覆する工程と、を含む、前記方法。以下の工程:a.i.ステンレス鋼箔基板を用意し;ii.前記基板上に薄膜層としてニッケルを配置し;iii.前記ニッケルの薄膜層を液化し;そしてiv.シランガスに前記ニッケルを曝露しそこで該ガスの少なくとも一部が前記ニッケルの少なくとも一部と反応して固体一次構造物を形成する;ことによって幹を形成する工程と、及びb.i.前記固体一次構造物の外表面上に薄膜層としてニッケルを配置し;ii.前記ニッケルの薄膜層を液化し;そしてiii.シランガスに前記ニッケルを曝露しそこで該ガスの少なくとも一部が前記ニッケルの少なくとも一部と反応して固体二次構造物を形成し、その際に該二次構造物が前記一次構造物に結合している;ことによって枝を形成する工程と、及びc.必要に応じてbの工程を繰り返して追加の枝を形成しそこで該追加の枝が前記固体一次構造物又は固体二次構造物上に形成されることができる工程と、及びd.電気活性又は導電性のコーティングで前記幹及び枝の外表面の少なくとも一部を被覆する工程と、を含む、請求項17に記載の分枝状ニッケルシリサイドナノ構造物の形成方法。前記薄膜層が約5nm~250nmの厚さで配置される、請求項17又は18に記載の方法。前記薄膜層が約5nm~50nmの厚さで配置される、請求項19に記載の方法。前記薄膜層が約10nm~25nmの厚さで配置される、請求項19に記載の方法。前記電気活性又は導電性のコーティングがケイ素、ゲルマニウム、ニッケル、炭素、又は遷移金属酸化物を含む、請求項17又は18に記載の方法。前記電気活性又は導電性のコーティングが非晶質ケイ素を含む、請求項22に記載の方法。以下の工程:a.前記請求項のいずれか一項に記載の方法に従って分枝状非耐火性遷移金属シリサイドナノ構造物を形成する工程と;b.前記ナノ構造物の外表面の少なくとも一部を電気活性又は導電性のコーティングで被覆する工程と;及びc.前記被覆された分枝状ナノ構造物をリチウムイオン電池に組み込む工程と、を含む、リチウムイオン電池の形成に使用する方法。前記非耐火性遷移金属がニッケルである、請求項24に記載の方法。前記分枝状ナノ構造物の幹及び各枝が、その高さがその直径を超える実質的に円柱状の構造である、請求項24又は25に記載の方法。前記電気活性又は導電性のコーティングがケイ素、ゲルマニウム、ニッケル、炭素、又は遷移金属酸化物を含む、請求項24又は25に記載の方法。前記電気活性又は導電性のコーティングが非晶質ケイ素を含む、請求項27に記載の方法。以下:a.基板と;b.前記基板上で成長され、前記請求項のいずれか一項に記載の方法に従って形成された、複数の分枝状非耐火性遷移金属シリサイドナノ構造物と;及びc.前記分枝状非耐火性遷移金属シリサイドナノ構造物の外側の少なくとも一部の上の電気活性又は導電性のコーティングと、を含む、リチウムイオン電池電極。前記非耐火性遷移金属がニッケルからなる、請求項29に記載のリチウムイオン電池電極。前記分枝状ナノ構造物の幹及び各枝が、その高さがその直径を超える実質的に円柱状の構造である、請求項30に記載のリチウムイオン電池電極。前記電気活性又は導電性のコーティングがケイ素、ゲルマニウム、ニッケル、炭素、又は遷移金属酸化物を含む、請求項30に記載のリチウムイオン電池電極。前記電気活性又は導電性のコーティングが非晶質ケイ素を含む、請求項32に記載のリチウムイオン電池電極。以下:a.基板と;b.前記基板上で成長され、請求項1~28のいずれか一項に記載の方法に従って形成された、複数の分枝状非耐火性遷移金属シリサイドナノ構造物と;及びc.前記分枝状非耐火性遷移金属シリサイドナノ構造物の外側の少なくとも一部の上の電気活性又は導電性のコーティングと、を含む、リチウムイオン電池の構成要素。前記非耐火性遷移金属がニッケルである、請求項34に記載のリチウムイオン電池の構成要素。前記分枝状ナノ構造物の幹及び各枝が、その高さがその直径を超える実質的に円柱状の構造である、請求項34又は35に記載のリチウムイオン電池の構成要素。前記電気活性又は導電性のコーティングがケイ素、ゲルマニウム、ニッケル、炭素、又は遷移金属酸化物を含む、請求項34又は35に記載のリチウムイオン電池の構成要素。前記電気活性又は導電性のコーティングが非晶質ケイ素を含む、請求項37に記載のリチウムイオン電池の構成要素。