"第1の主面と前記第1の主面に対向する第2の主面とを有する半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、入射光を電気信号に変換する光電変換層と、前記第1の主面に形成され、前記光電変換層から出力された電気信号を処理する回路と、前記第2の主面上に前記光電変換層に対応するように配置された第1、第2の色フィルタとを具備し、前記第1の色フィルタは、前記半導体基板を通過する光を透過する分光フィルタであり、前記第1の色フィルタは前記第2の主面側の第1下面と前記第1下面に対向する第1上面とを有し、前記第2の色フィルタは前記第2の主面側の第2下面と前記第2下面に対向する第2上面とを有し、前記第2の主面に対して垂直な断面において、前記第1下面の長さは前記第1上面の長さより長く、前記第2下面の長さは前記第2上面の長さより短いことを特徴とする固体撮像装置。前記第1の色フィルタは赤の光を透過するフィルタであることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第2の色フィルタは光の感度特性に最も影響を及ぼす光を透過するフィルタであることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。前記第2の色フィルタは緑の光を透過するフィルタであることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。前記第2の色フィルタは、前記第1の色フィルタより大きな面積を有することを特徴とする請求項3または4に記載の固体撮像装置。半導体基板に、入射光を電気信号に変換する光電変換層を形成し、前記半導体基板の第1の主面に、前記光電変換層から出力された電気信号を処理する回路を形成する工程と、前記半導体基板の前記第1の主面に対向する第2の主面上に、前記半導体基板と前記光電変換層の位置に合わせて第1の色フィルタと第1の合わせマークを形成する工程と、前記第2の主面上に、前記第1の合わせマークの位置に合わせて第2の色フィルタと第2の合わせマークを形成する工程とを具備し、前記第1の色フィルタと第1の合わせマークを形成する工程では、第1の色フィルタを透過し前記半導体基板を通過する光を用いて、前記光電変換層への位置合わせが行われることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記第1の色フィルタは前記第2の色フィルタより波長の長い光を透過する分光フィルタであることを特徴とする請求項6に記載の固体撮像装置の製造方法。前記第1の色フィルタは、前記半導体基板を通過する赤の光を透過する分光フィルタであり、前記第2の色フィルタは緑または青の光を透過する分光フィルタであることを特徴とする請求項6または7に記載の固体撮像装置の製造方法。光電変換層に対して位置合わせずれの小さい色フィルタを備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。一実施態様の固体撮像装置は、第1の主面と前記第1の主面に対向する第2の主面とを有する半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、入射光を電気信号に変換する光電変換層と、前記第1の主面に形成され、前記光電変換層から出力された電気信号を処理する回路と、前記第2の主面上に前記光電変換層に対応するように配置された第1、第2の色フィルタとを具備する。前記第1の色フィルタは、前記半導体基板を通過する光を透過する分光フィルタである。前記第1の色フィルタは前記第2の主面側の第1下面と前記第1下面に対向する第1上面とを有し、前記第2の色フィルタは前記第2の主面側の第2下面と前記第2下面に対向する第2上面とを有する。前記第2の主面に対して垂直な断面において、前記第1下面の長さは前記第1上面の長さより長く、前記第2下面の長さは前記第2上面の長さより短いことを特徴とする。以下、図面を参照して実施形態の固体撮像装置について説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。[第1実施形態][1]固体撮像装置の構造図1は、第1実施形態の固体撮像装置の構造を示す断面図である。図示するように、固体撮像装置上には、画素領域A、アナログ領域B、ロジック領域C、及びチップ終端のダイシングライン領域Dが存在する。エピタキシャル層を有する半導体基板例えば、シリコン単結晶基板10のアナログ領域BにはPウェル層11が形成され、ロジック領域CにはNウェル層12が形成されている。各々のウェル層には、例えばNチャネルトランジスタ13およびPチャネルトランジスタ14が形成されている。トランジスタ13,14が形成された半導体基板10の第1の主面を表面とし、この表面に対向する第2の主面を裏面とする。画素領域Aには、フォトダイオードを含む光電変換層15と、光電変換層15を分離する光電変換分離層16が形成されている。半導体基板10の表面上、すなわちトランジスタ13,14上、光電変換層15上および光電変換分離層16上には、層間絶縁膜17と金属配線18が形成されている。金属配線18は、層間絶縁膜17中に絶縁膜を介して多層に積層されている。層間絶縁膜17上には、接着材層19を介して支持基板20が形成されている。言い換えると、層間絶縁膜17は、接着材層19により支持基板20と接合している。こうして、半導体基板10は支持基板20にて固定されている。半導体基板10の裏面は削られており、削られた半導体基板10の裏面上のアナログ領域Bおよびロジック領域Cには、金属スパッタ層21が形成されている。半導体基板10の裏面上および金属スパッタ層21上には、平坦化層22が形成されている。平坦化層22上の画素領域Aには、光電変換層15に対応するように色フィルタ23がそれぞれ形成されている。平坦化層22上および色フィルタ23上には、保護層24が形成されている。さらに、保護層24上には、色フィルタ23に対応するようにマイクロレンズ25がそれぞれ形成されている。色フィルタ23は、それぞれ赤、緑、青の色フィルタから形成される。以降、赤の色フィルタを赤フィルタ、緑の色フィルタを緑フィルタ、及び青の色フィルタを青フィルタと記す。赤フィルタは、赤の光を透過するフィルタである。緑フィルタは、緑の光を透過するフィルタである。青フィルタは、青の光を透過するフィルタである。色フィルタ23の構造は、後で詳述する。マイクロレンズ25に入射した光は、マイクロレンズ25、色フィルタ23を通り、光電変換層15に入射する。光電変換層15は入射光を電気信号に変換する。アナログ領域B及びロジック領域Cに形成された回路は、光電変換層15から出力された電気信号を処理する。また、チップ終端のダイシングライン領域Dにおける構造は以下のようになっている。半導体基板10の表面上には、層間絶縁膜17が形成されている。層間絶縁膜17上には、接着材層19を介して支持基板20が形成されている。半導体基板10の裏面上には、色フィルタで形成された位置合わせマーク26が形成されている。位置合わせマーク26は、それぞれ赤フィルタから形成された赤フィルタマーク、緑フィルタから形成された緑フィルタマーク、青フィルタから形成された青フィルタマークを含む。さらに、半導体基板10の裏面上および位置合わせマーク26上には保護層24が形成されている。次に、図2を用いて、半導体基板10の裏面上に形成された色フィルタ23の構造を説明する。図2aは実施形態における色フィルタの平面図である。図2bは図2a中の2B-2B線に沿った断面図、図2cは図2a中の2C-2C線に沿った断面図である。図2aの平面図に示すように、赤フィルタ23R、緑フィルタ23G、及び青フィルタ23Bがマトリクス状に配列されている。なおここでは、図2aに示すような配列を記したが、これに限るわけではなくその他の配列であってもよい。また、図中において、赤フィルタをR、緑フィルタをG、青フィルタをBでそれぞれ示す。以降の図も同様である。色フィルタの断面構造は以下のようになっている。図2bに示すように、半導体基板10の裏面上には、赤フィルタ23Rが配置され、赤フィルタ23Rの間には緑フィルタ23Gが配置されている。赤フィルタ23Rの側面と、緑フィルタ23Gの側面は接触している。図2bに示した断面において、赤フィルタ23Rの下面の長さは、その上面の長さより長い。一方、緑フィルタ23Gの下面の長さは、その上面の長さより短い。また、図2cに示すように、半導体基板10の裏面上には、緑フィルタ23Gが配置され、緑フィルタ23Gの間には青フィルタ23Bが配置されている。緑フィルタ23Gの側面と、青フィルタ23Bの側面は接触している。図2cに示した断面において、緑フィルタ23Gの下面の長さは、その上面の長さより長い。一方、青フィルタ23Bの下面の長さは、その上面の長さより短い。図2b及び図2cに示したこのような構造より、緑フィルタ23Gより赤フィルタ23Rが先に形成され、青フィルタ23Bより緑フィルタ23Gが先に形成されたことがわかる。すなわち、半導体基板10の裏面上の色フィルタ23は、赤フィルタ23R、緑フィルタ23G、及び青フィルタ23Bの順序で製造されたものである。なお、ここでは、赤フィルタ23Rを形成した後に緑フィルタ23Gを形成したが、これに限るわけではなく、赤フィルタ23Rを形成した後に青フィルタ23B、緑フィルタ23Gの順序で形成してもよい。第1実施形態では、フォトダイオードを含む光電変換層に対して合わせずれ位置ずれの小さい色フィルタを形成することができる。これにより、色フィルタの合わせずれによって生じる混色を低減することができ、色再現性の良好な画像を得ることができる。[2]固体撮像装置の製造方法実施形態の固体撮像装置の製造方法として、以下に特徴部分である色フィルタの製造方法ついて説明する。図3~図8は、第1実施形態の固体撮像装置における色フィルタの製造方法を示す図である。図3a、図4c、図5a、図6c、図7a、図8cは色フィルタが形成される領域の断面であり、図4a、図6a、図8aは色フィルタの平面図である。図3b、図4d、図5b、図6d、図7b、図8dはダイシングライン領域に形成される合わせマークの断面であり、図4b、図6b、図8bは合わせマークの平面図である。なお、図3b、図4b、図4dに示した合わせマーク、図5b、図6b、図6dに示した合わせマーク、及び図7b、図8b、図8dに示した合わせマークの3つの合わせマークは、同じ場所に形成される同一の合わせマークではなく、それぞれ異なる場所に形成されるものである。まず、図3a及び図3bに示すように、半導体基板10の裏面上の全面に赤フィルタとなる膜23RRを形成する。続いて、リソグラフィ法により露光と現像を行い、図4a~図4dに示すように、半導体基板10の裏面上に赤フィルタ23Rを形成する。このとき、赤フィルタ23Rは、半導体基板10に形成された、フォトダイオードを含む光電変換層15の位置に合わせて形成される。すなわち、ダイシングライン領域に合わせマークとして形成されたアクティブエリア15Aを位置合わせの基準として露光を行い、赤フィルタ23Rの位置を決定する。なお、アクティブエリア15Aは、光電変換層15と同じ工程によって形成されたものである。さらに、赤フィルタ23Rをアクティブエリア15Aに合わせて形成するのと同時に、赤フィルタとなる膜23RRをパターニングして、図4b及び図4dに示すように赤フィルタマーク26Rを形成すると共に、ダイシングライン領域の別の場所に図5b及び図7bに示すように赤フィルタマーク26Rをそれぞれ形成する。赤フィルタ23Rを形成する工程では、赤のような長波長の光R光でアライメントするため、半導体基板10の表面側のアクティブエリア15Aを検知でき、アクティブエリア15Aに合わせて赤フィルタ23Rの位置を合わせることができる。なお、赤の光は半導体基板10を通過し、半導体基板10の表面側のアクティブエリア15Aを検知できるが、緑や青のような短波長の光では、表面側のアクティブエリア15Aを検知することができない。次に、図5a及び図5bに示すように、半導体基板10の裏面上の全面に緑フィルタとなる膜23GGを形成する。続いて、リソグラフィ法により露光と現像を行い、図6a~図6dに示すように、半導体基板10の裏面上に緑フィルタ23Gを形成する。このとき、緑フィルタ23Gは、半導体基板10上に形成された赤フィルタ23Rの位置に合わせて形成される。すなわち、ダイシングライン領域に合わせマークとして形成された赤フィルタマーク26Rを位置合わせの基準として露光を行い、緑フィルタ23Gの位置を決定する。さらに、緑フィルタ23Gを赤フィルタ23Rに合わせて形成するのと同時に、緑フィルタとなる膜23GGをパターニングして、図6b及び図6dに示すように、緑フィルタマーク26Gを形成する。なお、緑フィルタ23Gを形成する工程では、緑のような短波長の光G光を用いるため、半導体基板10の表面側のアクティブエリア15Aを検知することができない。このため、半導体基板10の裏面上に形成された赤フィルタマーク26Rに合わせて緑フィルタ23Gを形成する。次に、図7a及び図7bに示すように、半導体基板10の裏面上の全面に青フィルタとなる膜23BBを形成する。続いて、リソグラフィ法により露光と現像を行い、図8a~図8dに示すように、半導体基板10の裏面上に青フィルタ23Bを形成する。このとき、青フィルタ23Bは、半導体基板10上に形成された赤フィルタ23Rの位置に合わせて形成される。すなわち、ダイシングライン領域に合わせマークとして形成された赤フィルタマーク26Rを位置合わせの基準として露光を行い、青フィルタ23Bの位置を決定する。さらに、青フィルタ23Bを赤フィルタ23Rに合わせて形成するのと同時に、青フィルタとなる膜23BBをパターニングして、図8b及び図8dに示すように、青フィルタマーク26Bを形成する。なお、青フィルタ23Bを形成する工程では、青のような短波長の光B光を用いるため、半導体基板10の表面側のアクティブエリア15Aを検知することができない。このため、半導体基板10の裏面上に形成された赤フィルタマーク26Rに合わせて青フィルタ23Bを形成する。その後、半導体基板10の裏面上に形成された赤フィルタ23Rの位置に合わせて、図1に示すように、マイクロレンズ25を形成する。すなわち、ダイシングライン領域に合わせマークとして形成された赤フィルタマーク26Rを位置合わせの基準としてマイクロレンズ25の位置を決定する。本実施形態によれば、複数の色フィルタを形成する際、最初に形成する色フィルタを、長波長の赤の光を透過する赤フィルタとしているため、リソグラフィを行う際、裏面界面より深い位置にあるアクティブエリアを検出することができる。これにより、フォトダイオードを含むアクティブエリアに色フィルタの位置を合わせることができる。また、前述した製造方法であれば、半導体基板の裏面に専用のマークを形成する必要がない。例えば、半導体基板の裏面にトレンチを形成したり、アクティブエリアが形成された領域のシリコン基板を掘り起こす必要がない。これにより、裏面照射型の固体撮像装置においても、工程数を増やすことなく、フォトダイオードを含むアクティブエリアに色フィルタを高い精度で位置合わせすることが可能である。[第2実施形態]第2実施形態では、赤フィルタを形成した後、青フィルタを赤フィルタに合わせて形成し、最後に緑フィルタを赤フィルタに合わせて形成する。さらに、赤フィルタと青フィルタの面積は、緑フィルタの面積に対して8割か9割ほどの大きさとする。すなわち、緑フィルタの面積を、赤フィルタ及び青フィルタの面積と比べて少し大きくする。なお、製造工程は、例えば第1実施形態における緑フィルタと青フィルタの形成工程を入れ替えればよい。本実施形態では、緑フィルタの面積を、赤フィルタ及び青フィルタの面積より大きくしている。これにより、緑フィルタは光の感度特性に最も影響を及ぼす光を透過するため、光電変換層における光の感度特性を向上させることができる。その他の構成及び効果は第1実施形態と同様である。なお、緑フィルタより青フィルタを先に形成したが、赤フィルタを形成した後、緑フィルタを赤フィルタより1割か2割大きく形成し、その後に青フィルタを形成してもよい。このように形成しても、光電変換層における光の感度特性を同様に向上させることができる。以上説明したように実施形態によれば、裏面照射型の固体撮像装置専用の特殊な工程やマークを形成することなく、フォトダイオードに対して、位置の合わせずれが小さい色フィルタとマイクロレンズを形成することができる。これにより、色フィルタの合わせずれによって生じる混色を低減することができ、色再現性の良好な画像を得ることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"