"内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽と、複数枚の基板を鉛直方向に並列に保持して前記めっき槽内のめっき液に浸漬させる基板ホルダと、前記基板ホルダで保持してめっき液に浸漬させた各基板の周囲をそれぞれ囲繞して、各基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板を有することを特徴とする無電解めっき装置。前記基板ホルダで保持される基板と該基板の周囲を囲繞する前記ガイド板との距離は、1~10mmであることを特徴とする請求項1記載の無電解めっき装置。前記複数枚のガイド板は、互いに隣接するガイド板間に配置されて鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板で互いに平面格子状に連結されていることを特徴とする請求項1または2記載の無電解めっき装置。前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、前記下側ガイド板は前記基板ホルダに、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の無電解めっき装置。前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、前記下側ガイド板は前記めっき槽の内部に、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の無電解めっき装置。無電解めっきでは、被めっき物としての基板の表面に沿っためっき液の流れの状態が、基板の表面に形成されるめっき膜の膜厚や膜形状に大きく影響することが知られている。従来のバッチ処理方式を採用した無電解めっき装置としては、図3に示すように、側板40に水平に設けた複数の支持棒42で複数枚の基板Wを下方から支持して鉛直方向に並列に保持する基板ホルダ44を備え、図示しないめっき槽内を上向きに流れるめっき液中に、基板ホルダ44で保持した複数枚の基板を同時に浸漬させるようにしたものが広く知られている。このように、上向きに流れるめっき液中に基板ホルダ44で鉛直方向に並列に保持した複数枚の基板Wを同時に浸漬させると、図4に示すように、基板Wの下部にあっては、基板Wとの衝突によって基板から離れる方向に向かうめっき液の流れが、基板Wの上部にあっては、めっき液の回り込みによって、互いに近づく方向に向かうめっき液の流れがそれぞれ生じる。このように、基板Wの外周部でめっき液の流れに乱れが生じると、基板Wの表面に形成されるめっき膜の膜厚や膜形状が基板の中心部と外周部で異なってしまう。本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにした無電解めっき装置を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明は、内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽と、複数枚の基板を鉛直方向に並列に保持して前記めっき槽内のめっき液に浸漬させる基板ホルダと、前記基板ホルダで保持しためっき液に浸漬させた各基板の外周部をそれぞれ囲繞して、各基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板を有することを特徴とする無電解めっき装置である。このように、めっき液に浸漬させた基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成することで、基板の外周部にめっき液の流れに乱れが生じることを防止して、基板の表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めためっき膜を形成することができる。請求項2に記載の発明は、前記基板ホルダで保持される基板と該基板の周囲を囲繞する前記ガイド板との距離は、1~10mmであることを特徴とする請求項1記載の無電解めっき装置である。前記基板ホルダで保持される基板と該基板の周囲を囲繞する前記ガイド板との距離は、可能な限り狭いことが望ましいが、加工精度等を考慮すると、1~10mmであることが好ましい。請求項3に記載の発明は、前記複数枚のガイド板は、互いに隣接するガイド板間に配置されて鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板で互いに平面格子状に連結されていることを特徴とする請求項1または2記載の無電解めっき装置である。これにより、基板の側方を上方に向かって流れるめっき液の流れに乱れが生じること連結板で防止しつつ、ガイド板自体の強度及び安定性を増大させることができる。請求項4に記載の発明は、前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、前記下側ガイド板は前記基板ホルダに、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の無電解めっき装置である。請求項5に記載の発明は、前記ガイド板は、基板ホルダで保持してめっき槽内のめっき液に浸漬させた基板の下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板と、基板の上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板とからなり、前記下側ガイド板は前記めっき槽の内部に、前記上側ガイド板は前記めっき槽の上端開口部を開閉する蓋体の裏面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の無電解めっき装置である。本発明の無電解めっき装置によれば、基板の外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成することで、基板の外周部にめっき液の流れに乱れが生じることを防止して、基板の表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めためっき膜を形成することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下の例において、同一または相当部材には、同一符号を付して重複した説明を省略する。以下の例では、図5aに示すように、例えば直径Dが数μmのAlからなるバンプパッド50を設けた半導体ウェーハ等の基板Wを用意する。そして、図5bに示すように、この基板Wの表面に、めっき前処理としてのジンケート処理を行って、バンプパッド50の表面に置換めっきにより亜鉛めっき膜52を形成し、この亜鉛めっき膜52の表面に、無電解めっきによって、例えば1.6μmのNiめっき膜54を形成し、このNiめっき膜54の表面に、無電解めっき置換めっきによって、例えば0.1μmのAuめっき膜56を形成するようにしている。図6は、本発明の実施形態の無電解めっき装置を有する無電解めっきシステムの全体を示す縦断正面図である。図6に示すように、この無電解めっきシステムは、前洗浄槽60、水洗槽62及び基板ホルダ64を有する前洗浄装置66と、ジンケート処理槽70、水洗槽72及び基板ホルダ74を有するジンケート処理装置76と、Niめっき槽80、水洗槽82及び基板ホルダ84を有する、本発明の実施形態の無電解Niめっき装置86と、Auめっき槽90、水洗槽92及び基板ホルダ94を有する、本発明の他の実施形態の無電解Auめっき装置96と、乾燥ユニット100及び基板ホルダ102を有する乾燥装置104を備えている。更に、これらの基板ホルダ64,74,84,94,104と平行に、ガイド106に沿って走行自在な基板保持具108を有し、複数枚の基板を同時に搬送して各基板ホルダ64,74,84,94,104との間で複数枚の基板の受け渡しを行う装置間基板搬送装置110が配置されている。図7は、無電解Niめっき装置86のNiめっき槽80と基板ホルダ84を示す概略縦断正面図で、図8は、同じく概略側断面図である。図7及び図8に示すように、Niめっき槽80は、処理液としてのNiめっき液を内部に保持する、内槽120と外槽122とを有しており、内槽120と外槽122との間にオーバフロー槽124が形成されている。Niめっき槽80のオーバフロー槽124の底部には、ポンプ126、温度調整器128及びフィルタ130を介装しためっき液循環ライン132の一端が接続され、このめっき液循環ライン132の他端は、内槽120の底部に接続されている。更に、内槽120の底部には、めっき液の流れを整える整流板134が配置されている。これによって、Niめっき槽80内のNiめっき液処理液は、ポンプ126の駆動に伴って、フィルタ130でフィルタリングされ、温度調整器128で、例えば80°Cに温度が調整されながら、内槽120の内部を上方に向かって流れ、オーバフロー槽124内に流入して循環するようになっている。Auめっき槽90は、処理液としてAuめっき液を使用し、Auめっき液処理液の温度を、例えば75°Cに調整する以外は、Niめっき槽80とほぼ同様な構成を有している。前洗浄槽60は、処理液として、例えば一般に温度を調整する必要がない常温で使用される硝酸前洗浄液を使用し、温度調整器128を省略している点以外は、Niめっき槽80とほぼ同様な構成を有している。ジンケート処理槽70は、処理液として、例えば水酸化ナトリウムベースの酸化亜鉛含有液からなるジンケート液を使用し、ジンケート液処理液の温度を、例えば50°Cに調整する以外は、Niめっき槽80とほぼ同様な構成を有している。Niめっき槽80の上端には、Niめっき槽80の上端開口部を閉塞して、内部に保持したNiめっき液の蒸発を防止する蓋体136がヒンジ138図9参照を介して開閉自在に設けられている。このことは、Auめっき槽90にあっても同様である。図7及び図8に示すように、無電解Niめっき装置86の基板ホルダ84は、側板140と、側板140に一端を取り付けて水平方向に延び、複数枚の基板Wを下方から支持する複数の支持棒142を有している。これにより、基板ホルダ84は、基板Wを支持棒142で下方から支持して、複数枚例えば50枚の基板Wを並列に保持するようになっている。支持棒142で下部を支持して基板ホルダ84で保持される基板Wの下半分の周囲を囲繞する位置には、下側ガイド板150が支持棒に142に固定して配置されている。下側ガイド板150の厚さは、基板Wの厚さと同じ厚さに設定され、これによって、基板ホルダ84で保持される基板Wの表面及び裏面と該基板Wの下半分の周囲を囲繞する下側ガイド150の表面及び裏面は、共に同一平面をなすようになっている。また、基板ホルダ84で保持される基板Wと該基板Wの下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板150との距離は、1~10mmに設定されている。この基板ホルダ84で保持される基板Wと該基板Wの下半分の周囲を囲繞する下側ガイド板150との距離は、可能な限り狭いことが望ましいが、加工精度等を考慮すると、1~10mmであることが好ましい。一方、Niめっき槽80の上端開口部を開閉する蓋体136の裏面には、図9に模式図で示すように、蓋体136を閉めた時に、基板ホルダ84で保持される基板Wの上半分の周囲を囲繞する位置に位置して、上側ガイド板152が取り付けられている。この上側ガイド板152の厚さは、下側ガイド板150と同様に、基板Wの厚さと同じ厚さに設定され、また基板ホルダ84で保持される基板Wと該基板Wの上半分の周囲を囲繞する上側ガイド板152との距離は、1~10mmに設定されている。このことは、Auめっき槽90にあっても同様である。これによって、基板ホルダ84で保持した複数枚の基板WをNiめっき槽80内のめっき液に浸漬させて、蓋体136を閉じた時に、基板ホルダ84で保持した各基板Wは、下側ガイド板150と上側ガイド板152で、そのほぼ全周囲を囲繞されるようになっている。このように、基板ホルダ84で保持した各基板Wのほぼ全周囲を下側ガイド板150と上側ガイド板152で囲繞した状態で、Niめっき槽80の内部にめっき液の上向きの流れを形成すると、図10に示すように、各基板Wの外周部に基板Wの表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れが形成される。つまり、下側ガイド板150の下部にあっては、下側ガイド板150との衝突によって基板から離れる方向に向かうめっき液の流れが、上側ガイド板152の上部にあっては、めっき液の回り込みによって、互いに近づく方向に向かうめっき液の流れがそれぞれ生じるが、これらのめっき液の流れは、基板Wの外周部に沿って流れるめっき液の流れに影響を与えることはない。このように、基板Wの外周部に基板Wの表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成することで、基板の外周部にめっき液の流れに乱れが生じることを防止して、基板Wの表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めためっき膜を形成することができる。なお、無電解Auめっき装置96の基板ホルダ94も、上記無電解Niめっき装置86の基板ホルダ84と同様な構成を有している。前洗浄装置66の基板ホルダ64、ジンケート処理装置76の基板ホルダ74、及び乾燥装置104の基板ホルダ102は、上記無電解Niめっき装置86の基板ホルダ84の下側ガイド板150を除いた構成を有している。次に、この例の無電解めっきシステムによる、一連の処理を、図11を参照して説明する。先ず、前洗浄装置66の基板ホルダ64は、装置間基板搬送装置110の基板保持部108から複数枚の基板Wを同時に受け取って鉛直方向に保持する。そして、基板ホルダ64を下降させて、基板ホルダ64で保持した複数枚の基板Wを、前洗浄槽60内の処理液硝酸に、例えば1分間浸漬させ、これによって、基板Wの表面の酸化膜を除去する。次に、基板ホルダ64で保持した複数枚の基板Wを、前洗浄槽60内の処理液硝酸から引き上げ、水洗槽62の直上方に移動させる。そして、基板ホルダ64を下降させて、基板ホルダ64で保持した複数枚の基板Wを、水洗槽60内の処理液純水に、例えば5分間浸漬させ、これによって、基板Wの表面を水洗する。しかる後、基板ホルダ64で保持した複数枚の基板Wを、水洗槽60内の処理液純水から引き上げる。次に、基板ホルダ64で鉛直方向に保持した複数枚の基板Wを、装置間基板搬送装置110の基板保持具108を経由して、ジンケート処理装置76の基板ホルダ74に受け渡す。そして、基板ホルダ74を下降させて、基板ホルダ74で保持した複数枚の基板Wを、ジンケート処理槽70内の処理液ジンケート液に、例えば30秒浸漬させ、これによって、Alからなるバンプパッド50図5参照の表面の1回目のジンケート処理を行う。そして、基板ホルダ74で保持した複数枚の基板Wを、ジンケート処理槽70内の処理液ジンケート液から引き上げる。次に、前述とほぼ同様に、基板ホルダ74で保持した複数枚の基板Wを、水洗槽72の直上方に移動させる。そして、基板ホルダ74を下降させて、基板ホルダ74で保持した複数枚の基板Wを、水洗槽72内の処理液純水に、例えば1分間浸漬させ、これによって、基板Wの表面を水洗する。しかる後、基板ホルダ74で保持した複数枚の基板Wを水洗槽72内の処理液純水から引き上げる。上記基板の硝酸中への浸漬及びその後の水洗、ジンケート液中への浸漬及びその後の水洗を1サイクルとして、このサイクルを2回繰返し、これによって、いわゆるダブルジンケート処理を行う。このように、ダブルジンケート処理を行うことで、Alからなるバンプパッド50図5参照の表面に、1回目のジンケート処理で粗く付与された亜鉛亜鉛めっき膜を硝酸で除去し、しかる後、バンプパッド50の表面を、2回目のジンケート処理で細かく亜鉛に置換することができる。これによって、図5bに示す亜鉛めっき膜52を形成する。次に、ダブルジンケート処置後の基板を、装置間基板搬送装置110の基板保持具108を経由して、無電解Niめっき装置86の基板ホルダ84に受け渡す。そして、前述のジンケート処理とほぼ同様にして、基板ホルダ84で鉛直方向に保持した複数枚の基板を、Niめっき槽80内の、例えば液温が80°CのNiめっき液に、例えば50分間浸漬させ、これによって、図5bに示すNiめっき膜54を形成する。このめっき時に、ポンプ126を駆動することで、めっき液循環ライン132を通して、図10に示すように、Niめっき槽80の内部に上向きのめっき液の流れを形成する。すると、基板ホルダ84で保持した各基板は、前述のように、下側ガイド板150と上側ガイド板152でほぼ全周囲を囲繞された状態で、Niめっき槽80の内部にめっき液に浸漬されているため、各基板の外周部に基板の表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れが形成される。これによって、基板の表面に、膜厚や膜形状のより面内均一性を高めたNiめっき膜54が形成される。このことは、下記のAuめっき膜にあっても同様である。しかる後、Niめっき後の基板を、水洗槽82内の処理液純水に、例えば5分間浸漬させて水洗する。次に、Niめっき後の基板を、装置間基板搬送装置110の基板保持具108を経由して、無電解Auめっき装置96の基板ホルダ94に受け渡す。そして、前述のジンケート処理とほぼ同様にして、基板ホルダ94で鉛直方向に保持した複数枚の基板を、Auめっき槽90内の、例えば液温が75°CのAuめっき液に、例えば10分間浸漬させ、これによって、図5bに示すAuめっき膜56を形成する。しかる後、Auめっき後の基板を、水洗槽92内の処理液純水に、例えば5分間浸漬させて水洗する。次に、Auめっき後の基板を、装置間基板搬送装置110の基板保持具108で保持して乾燥装置104の基板ホルダ102に受け渡す。そして、乾燥ユニット100で、例えばエアブローまたはIPAイソプロピルアルコール蒸気を使用した乾燥方法で基板ホルダ102で保持した基板を乾燥させる。そして、乾燥後の基板を装置間基板搬送装置110の基板保持具108で受け渡って次工程に搬送する。これにより、一連の無電解めっき処理を終了する。なお、図12及び図13に示すように、下側ガイド板150を、Niめっき槽80の内槽120の下部内周面に固定して、基板ホルダ84で保持した基板WをNiめっき槽80内のめっき液に浸漬させた時に、基板Wの周囲の下半分をNiめっき槽80の内槽120に固定した下側ガイド板150で囲繞するようにしてもよい。このことは、Auめっき槽90にあっても同様である。また、図14及び図15に示すように、互いに隣り合う下側ガイド板150の間に位置して鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板154で下側ガイド板150を連結して構成した平面格子状の下側ガイド板構造体156と、互いに隣り合う上側ガイド板152の間に位置して鉛直方向に直線状に延びる複数枚の連結板図示せずで下側ガイド板152を連結して構成した平面格子状の上側ガイド板構造体158で、支持棒142で下方を支持し基板ホルダ84で保持してNiめっき槽80内のめっき液に浸漬させた各基板Wの周囲を包囲するようにしてもよい。このように、平面格子状の下側ガイド板構造体156及び上側ガイド板構造体158でNiめっき槽80内のめっき液に浸漬させた各基板Wの周囲を包囲することで、図16に示すように、基板Wの側方に格子状の流路を形成して、基板Wの側方を上方に向かって流れるめっき液の流れに乱れが生じることを連結板156で防止することができる。しかも、下側ガイド板構造体156にあっては、下側ガイド板150を連結板156で補強して、下側ガイド板150自体の強度及び安定性を増大させることができる。このことは、上側ガイド板構造体158にあっても同様である。これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。"