"第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物の上の蛍光体層と、前記蛍光体層の上に形成される光抽出構造と、を含み、前記光抽出構造は、前記発光構造物の内部で生成されて前記蛍光体層と前記光抽出構造の界面に入射する光を前記発光構造物の外部に抽出することを特徴とする発光素子。前記光抽出構造は、周期的または非周期的なパターンを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記蛍光体層は、均一な厚さを有する蛍光体層であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記光抽出構造は、酸化物、窒化物、または塩化物のうち、少なくともいずれか1つを含む誘電体で形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記光抽出構造は、前記蛍光体層と屈折率の異なる物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記光抽出構造の上に背景物質を含み、前記背景物質と前記光抽出構造とは互いに屈折率が異なることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記パターンは、50nm乃至3,000nmの周期を有することを特徴とする請求項2に記載の発光素子。第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含む発光構造物を形成するステップと、前記発光構造物の上に蛍光体層を形成するステップと、前記蛍光体層の上に光抽出構造を形成するステップと、を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。前記蛍光体層を形成するステップは、均一な厚さを有する蛍光体層を形成することを特徴とする請求項8に記載の発光素子の製造方法。前記光抽出構造を形成するステップは、前記蛍光体層の上に誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層をパターニングしてパターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項8または9に記載の発光素子の製造方法。前記誘電体層は、酸化物、窒化物、または塩化物のうち、いずれか1つを含むことを特徴とする請求項10に記載の発光素子の製造方法。前記光抽出構造を形成するステップは、前記蛍光体層と屈折率の異なる物質で形成されることを特徴とする請求項8または9に記載の発光素子の製造方法。前記光抽出構造の上に背景物質を形成するステップを含み、前記背景物質と前記光抽出構造とは互いに屈折率が異なることを特徴とする請求項8に記載の発光素子の製造方法。請求項1乃至7のうち、いずれか1項に記載の発光素子と、前記発光素子が配置されるパッケージ胴体と、を含むことを特徴とする発光素子パッケージ。本発明の目的は、蛍光体による変換された光の抽出効率の向上及び放射角による色温度減少効果が発生できる発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージを提供することにある。本発明に係る発光素子は、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上の蛍光体層と、上記蛍光体層の上に形成される光抽出構造と、を含み、上記光抽出構造は、上記発光構造物の内部で生成されて上記蛍光体層と上記光抽出構造の界面に入射する光を上記発光構造物の外部に抽出することができる。また、本発明に係る発光素子の製造方法は、第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含む発光構造物を形成するステップと、上記発光構造物の上に蛍光体層を形成するステップと、上記蛍光体層の上に光抽出構造を形成するステップと、を含む。また、本発明に係る発光素子パッケージは、発光構造物の上に蛍光体層、上記蛍光体層の上に形成される光抽出構造を含み、上記光抽出構造は、上記発光構造物の内部で生成されて上記蛍光体層と上記光抽出構造の界面に入射する光を上記発光構造物の外部に抽出できる発光素子と、上記発光素子が配置されるパッケージ胴体と、含むことができる。本発明の発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージによれば、蛍光体による変換された光の抽出効率の向上及び放射角による色温度減少効果が得られる。以下、本発明に係る発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージを添付の図面を参照しつつ説明する。実施形態図1は、本発明に係る発光素子100の断面図である。本発明に係る発光素子100は、第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を含む発光構造物110と、上記発光構造物の上に形成された蛍光体層130、及び上記蛍光体層130の上に形成された光抽出構造140を含むことができる。より詳しくは、上記光抽出構造140はパターンを含むことができる。上記パターンは、一定の周期を有して反復される周期的なパターンの場合もあり、また非周期的に形成されるパターンの場合もある。また、上記パターンは同一の形状が反復されることもでき、同一でない形状が周期的または非周期的に反復されることもできる。上記パターンは、蛍光体層130と光抽出構造140の界面に入射する光を回折、分散、または散乱させて発光構造物100の外部に抽出するためのものであって、その具体的な形状自体を限定するのではない。上記蛍光体層130は、均一な厚さを有する蛍光体層でありうる。上記光抽出構造140は、酸化物、窒化物、または塩化物のうち、少なくともいずれか1つを含む誘電体で形成できるが、これに限定されるのではない。上記光抽出構造140は、上記蛍光体層130と屈折率の異なる物質で形成できる。例えば、上記光抽出構造140の屈折率は、上記蛍光体層130の屈折率より大きいことも、小さいこともある。本発明は、上記光抽出構造140の上に追加的な背景物質図示せずを含むことができ、上記背景物質と上記パターンとは屈折率が異なることがある。上記光抽出構造140は、50nm乃至3,000nmの周期を有することができるが、これに限定されるのではない。本発明に係る発光素子は、光抽出構造140を含む蛍光体層130により蛍光体における光抽出効率の向上を通じて白色LEDの効率の増加だけでなく、蛍光体での光の発光分布調節を通じて白色LEDの放射角度による色温度偏差を減らすことができる。以下、このような実施形態に係る発光素子100を説明する。白色LEDは、モジュール光源、例えば青色LEDと蛍光体との組合せにより具現される。この際、主要懸案の1つは、放射角による色温度偏差を減らすものである。これを解決するために、チップChip上層部に均一な厚さの蛍光体薄膜をコーティングする方式conformalcoatingを導入することができ、これは蛍光体を青色LEDと同一位置、同一面積の光源に作って、パッケージ内で色収差を除いた光の経路による色温度差を減らす役目をすることができる。これによって、蛍光体で変換された長波長の光と蛍光体に吸収されていない青色光の移動経路がほぼ同一であるので、経路による色温度偏差は無視できるようになる。図2は、従来技術に係る発光素子の発光パターン例示図である。一方、均一な厚さの蛍光体層コーティングconformalcoatingを導入しても図2のような放射角による色温度偏差は相変わらず存在する。その理由は、根本的に発光構造物10での青色光の放射分布Aと蛍光体30により変換された光の放射分布Bが相異するためである。即ち、青色光はGaNと背景物質空気またはシリコーンゲルの界面及び光抽出構造により放射分布Aが決定され、垂直方向に多少集中された分布をなす。一方、蛍光体により変換された長波長の光は自発放出過程により生成されたものであるので、全体放射角度Bに対し、同一の確率均等な分布を有する。したがって、この2つの光を合わせて白色LEDを具現すれば、放射角度が垂直方向に近づくほど青色光の強さが増加して、相対的に高い色温度を表れるようになる。特に、垂直型GaNLEDは、側面型構造に比べてより垂直方向に集中された放射分布を有するので、蛍光体の光と類似な放射分布を有するチップChip設計開発がより一層必要である。また、従来技術によれば、蛍光体の光が背景物質の境界面で全反射した後、GaNLEDの内部に光が再進入すれば、白色LED効率低下の原因となる。図3は、本発明の実施形態に係る発光素子の発光パターン例示図である。本実施形態に係る発光素子は、発光構造物110の上に均一な厚さを有するconformalcoating蛍光体層130の上に背景物質図示せず及び蛍光体層130の屈折率と相異する光抽出構造140を導入できる。上記光抽出構造140が導入される層の物質は、SiO2、Si3N4、TiO2などが酸化物、窒化物、または塩化物などが可能であり、背景物質の種類空気、またはシリコーンゲルによって導入される抽出効率が最大になる物質の屈折率、周期、パターン高さなどが決定できる。このような光抽出構造140は、周期性を有する従来の光抽出パターンsquarelatticepatternと同一の抽出効率を表しながら、蛍光体層での発光分布は光が水平よりは垂直方向Cに向かうようにする役目をする。このような光抽出構造140により光が垂直方向に集中される理由は、パターン格子の周期性による回折現象ためであり、このようなパターンが導入された垂直型チップChipの上部に均一な厚さconformalcoating蛍光体層を形成すれば、色温度偏差減少効果が生じる。本発明に係る発光素子によれば、パターンを含む蛍光体層により蛍光体での光抽出効率の向上を通じて白色LEDの効率増加だけでなく、蛍光体での光の発光分布調節を通じて白色LEDの放射角度による色温度偏差を減らすことができる。以下、図4乃至図7aを参照して本発明に係る発光素子の製造方法を説明する。まず、図4のように、第1基板105を用意する。上記第1基板105は、伝導性基板または絶縁性基板を含み、例えば上記第1基板105は、サファイアAl2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、及びGa2O3のうち、少なくとも1つを使用できる。上記第1基板105の上には凹凸構造が形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1基板105に対して湿式洗浄を行って、表面のドーパントを除去できる。以後、上記第1基板105の上に第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を含む発光構造物110を形成できる。上記第1基板105の上にはバッファ層図示せずが形成できる。上記バッファ層図示せずは、上記発光構造物110の材料と第1基板105の格子不整合を緩和することができ、バッファ層図示せずの材料は3族-5族化合物半導体、例えば、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGan、AlInNのうち、少なくとも1つで形成できる。上記バッファ層図示せずの上にはアンドープドundoped半導体層が形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層112は、第1導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族化合物半導体で具現されることができ、上記第1導電型半導体層112がN型半導体層の場合、上記第1導電型ドーパントはN型ドーパントとして、Si、Ge、Sn、Se、Teを含むことができるが、これに限定されるのではない。上記第1導電型半導体層112は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。上記第1導電型半導体層112は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGan、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、InPのうち、いずれか1つ以上で形成できる。上記第1導電型半導体層112は、化学蒸着方法CVD、分子線エピタキシーMBE、スパッタリング、あるいは水酸化物蒸気相エピタキシーHVPEなどの方法を使用してN型GaN層を形成できる。また、上記第1導電型半導体層112は、チャンバーにトリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びシリコンSiのようなn型ドーパントを含むシランガスSiH4が注入されて形成できる。上記活性層114は、第1導電型半導体層112を通じて注入される電子と以後に形成される第2導電型半導体層116を通じて注入される正孔とが互いに合って活性層発光層物質固有のエネルギーバンドによって決定されるエネルギーを有する光を放出する層である。上記活性層114は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子線QuantumWire構造、または量子点QuantumDot構造のうち、少なくともいずれか1つで形成できる。例えば、上記活性層114は、トリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びトリメチルインジウムガスTMInが注入されて多重量子井戸構造が形成できるが、これに限定されるのではない。上記活性層114の井戸層/障壁層は、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGan/GaN、GaAsInGaAs、/AlGaAs、GaPInGaP/AlGaPのうち、いずれか1つ以上のペア構造で形成できるが、これに限定されるのではない。上記井戸層は、上記障壁層のバンドギャップより低いバンドギャップを有する物質で形成できる。上記活性層114の上または/及び下には、導電型クラッド層が形成できる。上記導電型クラッド層はAlGaN系の半導体で形成されることができ、上記活性層114のバンドギャップより高いバンドギャップを有することができる。上記第2導電型半導体層116は、第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。上記第2導電型半導体層116は、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGan、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択できる。上記第2導電型半導体層116がP型半導体層の場合、上記第2導電型ドーパントはP型ドーパントとして、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどを含むことができる。上記第2導電型半導体層116は、単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第2導電型半導体層116は、チャンバーにトリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びマグネシウムMgのようなP型ドーパントを含むビセチルサイクロペンタジエニルマグネシウムEtCp2MgMgC2H5C5H42が注入されてP型GaN層が形成できるが、これに限定されるのではない。本実施形態において、上記第1導電型半導体層112はN型半導体層、上記第2導電型半導体層116はP型半導体層で、それぞれ具現できるが、これに限定されるのではない。また、上記第2導電型半導体層116の上には上記第2導電型と反対の極性を有する半導体、例えばN型半導体層図示せずを形成できる。これによって、発光構造物110はN-P接合構造、P-N接合構造、N-P-N接合構造、P-N-P接合構造のうち、いずれか1つの構造で具現できる。以後、上記第2導電型半導体層116の上に第2電極層120を形成する。上記第2電極層120は、オーミック層図示せず、反射層122、接合層図示せず、支持基板124などを含むことができる。例えば、上記第2電極層120は、オーミック層図示せずを含むことができ、上記オーミック層図示せずは、上記発光構造物110にオーミック接触されて発光構造物に電源が円滑に供給されるようにすることができ、単一金属あるいは金属合金、金属酸化物などを多重に積層して形成できる。例えば、上記オーミック層図示せずは、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IZONIZONitride、AGZOAlGaZnO、IGZOInGaZnO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち、少なくとも1つを含んで形成されることができるが、このような材料に限定されるのではない。また、上記第2電極層120は、反射層122を含んで上記発光構造物110から入射される光を反射するため、光抽出効率を改善させることができる。例えば、上記反射層122は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち、少なくとも1つを含む金属または合金で形成できる。また、上記反射層122は、上記金属または合金とIZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATOなどの透光性伝導性物質を用いて多層で形成することができ、例えば、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどで積層できる。また、上記第2電極層120は、接合層を含む場合、上記反射層122が接合層の機能をしたり、バリアー金属またはボンディング金属などを含むことができる。例えば、上記接合層図示せずは、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むことができる。また、第2電極層120は支持基板124を含むことができる。上記支持基板は上記発光構造物110を支持し、上記発光構造物110に電源を提供できる。上記支持基板124は電気伝導性の優れる金属、金属合金、あるいは伝導性半導体物質からなることができる。例えば、上記支持基板124は、銅Cu、銅合金CuAlloy、金Au、ニッケルNi、モリブデンMo、銅-タングステンCu-W、キャリアウエハ例えば、Si、Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe、SiC等のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記支持基板124の厚さは、上記発光素子の設計によって変わることができるが、例えば、30μm乃至500μmの厚さを有することができる。上記支持基板を形成させる方法は、電気化学的な金属蒸着方法、メッキ方法やユテクティックメタルを用いたボンディング方法などを使用することができる。次に、図5のように、上記第1導電型半導体層112が露出するように上記第1基板105を除去する。上記第1基板105を除去する方法は、レーザリフトオフLaserLiftOff方法、または化学的リフトオフChemicalLiftOff方法を利用できる。また、上記第1基板105は、物理的に研磨することによって除去することもできる。例えば、レーザリフトオフ方法は、常温で所定のエネルギーを加えると、上記第1基板100と発光構造物の界面でエネルギーが吸収されて発光構造物の接合表面が熱分解されて第1基板100と発光構造物とを分離できる。次に、図6のように、上記発光構造物110の上に蛍光体層130を形成する。上記蛍光体層130は均一な厚さを有する蛍光体層でありうる。上記蛍光体層130は、青色LEDに黄色蛍光体YAG、TAGなどの蛍光体を使用を加えたものであるとか、UVLEDに赤/緑/青の三色蛍光体を使用したものでありうるが、これに限定されるのではない。上記蛍光体はホスト物質と活性物質を含むことができ、例えば、イットリウムアルミニウムガーネットYAGのホスト物質にセリウムCe活性物質が、シリゲート系列のホスト物質にユロピウムEr活性物質を採用できるが、これに限定されるのではない。上記蛍光体層130は、コンフォーマルコーティングconformalcoatingにより上面が平面で形成できるが、これに限定されるのではない。上記蛍光体層130は、均一な厚さを有することができる。上記蛍光体層130が平面で発光構造物110の上に均一に形成されることによって、発光素子チップの周囲の蛍光体分布を均一にすることができ、面発光を通じて光学設計を容易にすることができる。次に、図7aのように、上記蛍光体層130の上に形成された光抽出構造140を形成できる。上記光抽出構造140は、SiO2、Si3N4、TiO2などの酸化物、窒化物、または塩化物のうち、少なくともいずれか1つを含む誘電体で形成できるが、これに限定されるのではない。例えば、上記光抽出構造140を形成するステップは、上記蛍光体層130の上に誘電体層図示せずを形成し、上記誘電体層をパターニングして光抽出構造140を形成できる。また、上記光抽出構造140は、マスクを用いたパターニングにより形成されるパターンのみを限定するのではなく、光抽出効率の向上に寄与する複数の突起を含む光抽出構造を含むこともできる。例えば、上記誘電体層を湿式エッチングして形成されたラフネス凹凸形状を含むこともできる。上記光抽出構造140は、上記蛍光体層130と屈折率の異なる物質で形成できる。例えば、上記光抽出構造140の屈折率は、上記蛍光体層130の屈折率より大きいことも、小さいこともある。上記光抽出構造140は周期性を有することができ、例えば、約50nm乃至約3,000nmの周期を有することができるが、これに限定されるのではない。本発明は、上記光抽出構造140の上に追加的な背景物質空気、またはシリコーンゲル等を含むことができ、上記背景物質と上記光抽出構造140は屈折率が異なることがある。このような光抽出構造140は、周期性を有することによって光抽出効率機能を行い、これによって蛍光体層での発光分布は光が水平よりはむしろ垂直方向に向かうようにする役目をして色温度偏差減少効果をもたらすことができる。本発明の実施形態に係る発光素子及びその製造方法によれば、パターンを含む蛍光体層により蛍光体での光抽出効率向上を通じて白色LEDの効率増加だけでなく、蛍光体での光の発光分布調節を通じて白色LEDの放射角度による色温度偏差を減らすことができる。図7bは、本発明に異なる実施形態に係る発光素子の断面図である。異なる実施形態に係る発光素子102は、第1導電型半導体層112と活性層114と第2導電型半導体層116とを含んで形成された発光構造物110、上記発光構造物110の上面の一部に形成された第1誘電体層151、及び上記第1誘電体層151の上に形成されたパッド電極160を含むことができる。実施形態で、誘電体層150は、上記第1誘電体層151と上記発光構造物110の側面に形成された第2誘電体層152を含むことができ、上記第1誘電体層151と上記第2誘電体層152とは連結された形態でありうる。実施形態は、上記発光構造物110の上に第1電極161を含むことができ、上記パッド電極160と上記第1電極161とは電気的に連結された状態でありうる。上記発光構造物110の上面には凹凸140が形成されて光抽出効率を上げることができる。上記発光構造物110の下側には第2電極層120が形成され、上記第2電極層120は、オーミック層121、反射層122、結合層123、及び支持基板124などを含むことができる。上記発光構造物110の下側の外郭には保護部材190が形成されることができ、上記発光構造物110と上記オーミック層121との間には電流遮断層currentblockinglayer:CBL139が形成できる。上記保護部材190は、上記発光構造物110と結合層123との間の周り領域に形成されることができ、これによって、リング形状、ループ形状、四角フレーム形状などで形成できる。上記保護部材190は、一部分が上記発光構造物110と垂直方向で重畳できる。上記保護部材190は、上記結合層123と活性層114との間の側面での距離を増加させて、上記結合層123と活性層114との間の電気的短絡の発生可能性を減らすことができる。また、上記保護部材190は、チップ分離工程で電気的短絡が発生することを防止することができる。上記保護部材190は、電気絶縁性を有する物質、反射層122または結合層123より電気伝導性の低い物質、または第2導電型の半導体層116とショットキー接触を形成する物質を用いて形成できる。例えば、保護部材140は、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、TiO2、Ti、Al、またはCrのうち、少なくとも1つを含むことができる。図8は、本発明の実施形態に係る発光素子が設置された発光素子パッケージを説明する図である。本実施形態に係る発光素子パッケージ200は、パッケージ胴体部205と、上記パッケージ胴体部205に設置された第3電極層213及び第4電極層214と、上記パッケージ胴体部205に設置されて上記第3電極層213及び第4電極層214と電気的に連結される発光素子100と、上記発光素子100を覆いかぶせえるモールディング部材240とが含まれる。上記パッケージ胴体部205は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、上記発光素子100の回りに傾斜面が形成できる。上記第3電極層213及び第4電極層214は互いに電気的に分離され、上記発光素子100に電源を提供する役目をする。また、上記第3電極層213及び第4電極層214は、上記発光素子100で発生した光を反射させて光効率を増加させる役目をすることができ、上記発光素子100で発生した熱を外部に排出させる役目をすることもできる。上記発光素子100は、図1に例示された垂直型タイプの発光素子が適用できるが、これに限定されるのではなく、水平型発光素子も適用できる。上記発光素子100は、上記パッケージ胴体部205の上に設置されるか、上記第3電極層213または第4電極層214の上に設置できる。上記発光素子100は、上記第3電極層213及び/または第4電極層214とワイヤー方式、フリップチップ方式、またはダイボンディング方式のうち、いずれか1つにより電気的に連結されることもできる。本実施形態では、上記発光素子100が上記第4電極層214とワイヤー230を通じて電気的に連結され、上記第3電極層213と直接接触して電気的に連結されたことが例示されている。上記モールディング部材240は、上記発光素子100を覆いかぶせて上記発光素子100を保護することができる。また、上記モールディング部材240には蛍光体が含まれて、上記発光素子100から放出された光の波長を変化させることができる。本実施形態に係る発光素子パッケージは、複数個が基板上にアレイされ、上記発光素子パッケージから放出される光の経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シート、蛍光シートなどが配置できる。このような発光素子パッケージ、基板、及び光学部材は、バックライトユニットとして機能するか、照明ユニットとして機能することができ、例えば、照明システムは、バックライトユニット、照明ユニット、指示装置、ランプ、及び街灯を含むことができる。図9は、本発明の実施形態に係る照明ユニットの斜視図である。但し、図9の照明ユニット1100は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。図9を参照すれば、上記照明ユニット1100は、ケース胴体1110と、上記ケース胴体1110に設置された発光モジュール部1130と、上記ケース胴体1110に設置され、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1120とを含むことができる。上記ケース胴体1110は、放熱特性が良好な材質で形成されることが好ましくて、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。上記発光モジュール部1130は、基板1132と、上記基板1132に載置される少なくとも1つの発光素子パッケージ200を含むことができる。上記基板1132は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることができ、例えば、一般の印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記基板1132は、光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などで形成できる。上記基板1132の上には、上記少なくとも1つの発光素子パッケージ200が載置できる。上記発光素子パッケージ200の各々は少なくとも1つの発光素子100を含むことができる。上記発光素子100は、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード及び紫外線UV;UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール部1130は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ200の組合せを有するように配置できる。例えば、高演色性CRIを確保するために白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組み合せて配置することができる。上記連結端子1120は、上記発光モジュール部1130と電気的に連結されて電源を供給できる。上記連結端子1220はソケット方式により外部電源に螺合して結合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1120はピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。図10は、本発明の実施形態に係るバックライトユニットの分解斜視図である。但し、図10のバックライトユニット1200は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。本実施形態に係るバックライトユニット1200は、導光板1210と、上記導光板1210に光を提供する発光モジュール部1240と、上記導光板1210の下に反射部材1220と、上記導光板1210、発光モジュール部1240、及び反射部材1220を収納するボトムカバー1230を含むことができるが、これに限定されるのではない。上記導光板1210は、光を拡散させて面光源化させる役目をする。上記導光板1210は透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つを含むことができる。上記発光モジュール部1240は、上記導光板1210の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には上記バックライトユニットが設置されるディスプレイ装置の光源として作用するようになる。上記発光モジュール部1240は、上記導光板1210と接することができるが、これに限定されるのではない。より詳しくは、上記発光モジュール部1240は、基板1242と、上記基板1242に載置された多数の発光素子パッケージ200を含むが、上記基板1242が上記導光板1210と接することができるが、これに限定されるのではない。上記基板1242は、回路パターン図示せずを含む印刷回路基板PCB;PrintedCircuitBoardでありうる。但し、上記基板1242は一般PCBだけでなく、メタルコアPCBMCPCB;MetalCorePCB、軟性PCBFPCB;FlexiblePCBなどを含むこともでき、これに対して限定するのではない。そして、上記多数の発光素子パッケージ200は、上記基板1242の上に光が放出される発光面が上記導光板1210と所定距離離隔するように載置できる。上記導光板1210の下には上記反射部材1220が形成できる。上記反射部材1220は、上記導光板1210の下面に入射された光を反射させて上に向かうようにすることによって、上記バックライトユニットの輝度を向上させることができる。上記反射部材1220は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1230は、上記導光板1210、発光モジュール部1240、及び反射部材1220などを収納できる。このために、上記ボトムカバー1230は上面が開口されたボックスbox形状で形成できるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1230は、金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。以上、説明したように、本実施形態に係る照明システムは、実施形態に係る発光素子パッケージを含むことによって、信頼性を向上させることができる。"