正極をSiO2の化学式を有している酸化ケイ素とし、負極をSi3N4の化学式を有している窒化ケイ素又はホウ化ケイ素SiB4又は金とし、正極と負極との間に非水電解質を採用するシリコン二次電池を製造するために、シリコン化合物粉末にゼオライトを混合して、紫外線又は約130°Cに加熱ながら印刷技術を使用して、薄く複数回にわたりプリントして各電極を製膜してから、当該電極にゼオライトを混合した固体電解質をコーティングした後、両電極を接合して単位セルを作成するシリカ電極二次電池、及び当該製造方法。請求項1において、電極リード金属を基盤にスパッタリングした後、陽極にアモルファスSiO2及び陰極にアモルファスSi3N4を電極リード金属性の基盤に、300MHzより高い例えば550MHzUHF帯の高周波電源を使用した大気圧プラズマ化学蒸着法で薄膜を作成する、当該ケイ素化合物電極の製膜方法。請求項1において、シリコン二次電池モジュールを組み立てるために、SiO2正極の単位セルを作成してから直列に接続した直列電池を、ダンパーとしてシリコンゴム板とカバーを使用して、加圧可能なボルトで締めて密封することを特徴としたシリカ電極二次電池モジュール、及びその製造方法。電極においてケイ素化合物を採用する固体電解質型二次電池に於いて、陽極に酸化ケイ素SiO2、さらにゼオライトを含む固体電解質を、高速で且つ安価に製膜するシリカ電極の二次電池モジュール、及び製造方法を提供する。正極を酸化ケイ素SiO2とし、負極をSi3N4窒化ケイ素とし、正極と負極との間に非水電解質を採用するシリコン二次電池を製造するために、陽極に酸化ケイ素SiO2、及び陰極にSi3N4粉末を電極リード金属性の基盤に高速で製膜する製法として、電極リード金属を基盤にスパターリングした後、陽極にアモルファスSiC及び陰極にアモルファスSi3N4を電極リード金属性の基盤にスパッタリング又はプラズマ化学蒸着CVD法で薄膜を作成し、シリコン化合物粉末にゼオライトを混合して、紫外線又は約130°Cに加熱し、薄く複数回にわたりプリントして印刷して各電極を製膜してから、当該電極にゼオライトを混合した固体電解質をコーティングした後、両電極を接合して単位セルを作成して、直列に接続してから加圧可能なボルトで締めて接合する。多孔質陽極の酸化ケイ素SiO2、及び多孔質陰極のSi3N4を、スパッタリングした金属上に短時間に製膜するために、従来一般に使用されていたプラズマ励起に用いるグロープラズマを発生させるCVD法ではなく、ミクロン単位のシリコン化合物粉末にゼオライトを混合して、紫外線シルク印刷して各電極を作成する。紫外線UVインキは、紫外線のエネルギーを利用することによって乾燥するインキで、有機揮発性化合物を排出しないため環境にやさしく、熱乾燥と比較して省エネルギーであり、瞬間硬化であり、生産性向上に貢献できる。ゼオライトを使用した固体電解質は、10ミクロン単位のゼオライトを非水電解質に混合して、コーティングする。ゼオライト種としては、A型、チャバサイト、フェリエライト、ZSMー5、及びクリノプチロライトから成る群から選ばれる少なくとも一種以上のゼオライトを用いることができる。A型ゼオライトであることがより好ましいが、これらのゼオライトはその細孔径が約6Å以下と小さく、中でもA型ゼオライトは8員環細孔構造であり細孔径が4Åとより小さい。非水電解液処理用ゼオライトの形態は粉末、又は成形体等の任意の形態とすることが可能であるが、取扱いが容易な成形体であることが好ましい。成形に使用するバインダーとしては、シリカ、アルミナ、及び粘土などが一般的に例示でき、例えばカオリン系、ベントナイト系、タルク系、バイロフィライト系、モリサイト系、バーキュロライト系、モンモリロナイト系、クロライト系、及びハロイサイト系等が使用できる。シリコン二次電池を組み立てるために、リード金属に製膜した、酸化ケイ素SiO2の正極、及びSi3N4窒化ケイ素の負極を製造した後、各電極に上記の非水固体電解質を塗布して、張り合わせることにより、当該の単位電池を迅速に組み立て製造できる。単位電池を直列に積層してから、加圧可能なボルトで締めて接合して、気密を維持でき、強い振動や衝撃にも耐えうる。陽極及び陰極においてケイ素化合物を採用する固体電解質型二次電池に於いて、陽極に酸化ケイ素SiO2、及び陰極にSi3N4を、さらに固体電解質を、高速で且つ安価に製膜するシリコン二次電池モジュールと製造方法を提供できる。多孔質陽極のSiC、及び多孔質陰極のSi3N4を、スパッタリングした金属上に短時間に製膜するために、シリコン化合物粉末にゼオライトを混合して、藤倉化成、又はアサヒ化学研究所、又はハリマ化成が製造販売している導電性ペーストを使用して印刷する。例えば、藤倉化成が製造販売している、ナノ銀粒子を混入している、商品名がドータイトFA353N、又はグラファイトのナノ粒子が混入している、商品名がドータイトFC415を、ドータイトPシンナーを使用して溶解させた導電性インキを使用してグラビア印刷、又は転写印刷、又はオッフセット印刷、又はインクゼット印刷、又はシルク印刷、を使用して、スバッタリングをした金属板上にシルク印刷をして、ポリエステル系の樹脂にて出来ている導電性のインキを、130°C前後に加熱して乾燥させて、各々の電極を作成する。又は、紫外線又は約130°Cに加熱しシルク印刷して各電極を作成する。紫外線UVインキは、紫外線のエネルギーを利用することによって乾燥するインキで、熱乾燥と比較して省エネルギーであり、瞬間硬化であり、生産性向上に貢献できる。ゼオライトを使用した固体電解質は、ゼオライトを非水電解質に混合して、短時間にコーティングできる。シリコン二次電池を組み立てるために、リード金属に製膜した、酸化ケイ素SiO2の正極、及び窒化ケイ素の負極を製造した後、各電極に上記の非水固体電解質を塗布して、張り合わせることにより、当該の単位電池を迅速に組み立て製造できる。単位電池を直列に積層してから、加圧可能なボルトで締めて接合して、気密を維持できるとともに、強い振動や衝撃にも耐え得るように出来る。前記基本構成1のように、正極においては酸化ケイ素SiO2のうち最も安定している化合物を採用しており、負極においては窒化ケイ素のうち安定しているSi3N4による化合物を採用している。正極による充電に際してはケイ素において4価の次に安定した状態は8価であることから、以下のような化学反応が行われることになる。2SiO2→SiO4Sie-逆に放電に際しては、以下のような化学反応が行われることになる。SiO4Sie-→2SiO2陰極においては、窒化ケイ素は最も安定しているSi3N4からケイ素が4価から3価に変化し、窒素が3価から2価に変化することによって、次に安定しているSi2N3という化合物の状態に変化し、以下のような化学式が成立することなる。3Si3N4e-→4Si2N3Si-逆に放電に際しては、以下のような化学反応が行われることになる。4Si2N3Si-→3Si3N4e-したがって、充放電を統一することによって、以下のような化学反応が行われている。2SiO23Si3N4=SiO44Si2N3Si-Si陽極に酸化ケイ素SiO2粉末、及び陰極にSi3N4粉末を電極リード金属性の10cm正方形基盤に高速で製膜する製法として、電極リード金属2を基盤1にスパターリングした後、陽極にアモルファス酸化ケイ素SiO23、及び陰極にアモルファスSi3N47を、電極リード金属性の基盤にスパッタリング又は大気圧プラズマ化学蒸着CVD法で薄膜を作成し、シリコン化合物粉末にゼオライトを混合してから、紫外線又は約130°Cに加熱し、薄く複数回にわたりプリントして印刷して各電極を約0.1mm製膜してから、当該電極にゼオライトを混合したポリチオフェン系導電性高分子polythiophenePTを用いた固体電解質5をコーティングした後、両電極を接合して単位セルを作成して、直列に接続してから加圧可能なボルト18で締めて接合して、シリコン二次電池モジュールを製作した。この二次電池に対し、1cm2当たり06アンペアの電流密度となるような定電流源で充電を行ったところ、充電電圧を1.1Vから1.2Vの範囲にて約1時間で充電することができた。金属性の10cm正方形基電極リード金属2を基盤1にスパッタリングした後、シリコン化合物粉末を大気圧プラズマ化学蒸着CVD法成膜法を採用して、電極と基板の間の小さなギャップにおいて高密度なプラズマを発生させることが可能となるにより、各電極を製膜してから、当該電極にゼオライトを混合した固体電解質をコーティングした後、両電極を接合して単位セルを作成して、直列に接続して電極リード板を取り付けてから、シリコンゴム板とカバーを加圧可能なボルトで締めて密封して、シリコン二次電池モジュールを製作すると、3Vから4Vの範囲にて放電状態を約1時間維持することができた。