砥粒と水とを含有するスラリであって、前記砥粒が、4価の水酸化セリウム粒子を含み、且つ、該砥粒の含有量を1.0質量に調整した水分散液において波長500nmの光に対して光透過率50/cm以上を与えるものである、スラリ。前記砥粒の平均粒子径が1~150nmである、請求項1に記載のスラリ。pHが2.0~9.0である、請求項1又は2に記載のスラリ。前記砥粒の含有量がスラリ全質量基準で0.01~15質量である、請求項1~3のいずれか一項に記載のスラリ。前記4価の水酸化セリウム粒子の含有量がスラリ全質量基準で0.01~10質量である、請求項1~4のいずれか一項に記載のスラリ。前記砥粒が前記4価の水酸化セリウム粒子からなる、請求項1~5のいずれか一項に記載のスラリ。第1の液と第2の液とを混合して研磨液となるように該研磨液の構成成分が前記第1の液と前記第2の液とに分けて保存され、前記第1の液が請求項1~6のいずれか一項に記載のスラリであり、前記第2の液が添加剤と水とを含む、研磨液セット。前記研磨液における前記砥粒の平均粒子径が1~200nmである、請求項7に記載の研磨液セット。前記第1の液における前記砥粒の平均粒子径R1と、前記研磨液における前記砥粒の平均粒子径R2とが下記式1を満たす、請求項7又は8に記載の研磨液セット。|R1-R2|/R1×100≦301前記添加剤が、分散剤、研磨速度向上剤、平坦化剤及び選択比向上剤から選択される少なくとも一種である、請求項7~9のいずれか一項に記載の研磨液セット。前記添加剤がビニルアルコール重合体又は該ビニルアルコール重合体の誘導体の少なくとも一方である、請求項7~10のいずれか一項に記載の研磨液セット。前記添加剤の含有量が、前記研磨液において研磨液全質量基準で0.01質量以上である、請求項7~11のいずれか一項に記載の研磨液セット。砥粒と添加剤と水とを含有する研磨液であって、前記砥粒が、4価の水酸化セリウム粒子を含み、且つ、該砥粒の含有量を1.0質量に調整した水分散液において波長500nmの光に対して光透過率50/cm以上を与えるものである、研磨液。前記4価の水酸化セリウム粒子の含有量が研磨液全質量基準で0.01~8質量である、請求項13に記載の研磨液。前記砥粒の平均粒子径が1~200nmである、請求項13又は14に記載の研磨液。pHが3.0~9.0である、請求項13~15のいずれか一項に記載の研磨液。前記添加剤が、分散剤、研磨速度向上剤、平坦化剤及び選択比向上剤から選択される少なくとも一種である、請求項13~16のいずれか一項に記載の研磨液。前記添加剤がビニルアルコール重合体又は該ビニルアルコール重合体の誘導体の少なくとも一方である、請求項13~17のいずれか一項に記載の研磨液。前記添加剤の含有量が、研磨液全質量基準で0.01質量以上である、請求項13~18のいずれか一項に記載の研磨液。表面に被研磨膜を有する基板の該被研磨膜を研磨パッドに対向するように配置する工程と、前記研磨パッドと前記被研磨膜との間に請求項13~19のいずれか一項に記載の研磨液を供給しながら、前記被研磨膜の少なくとも一部を研磨する工程と、を有する、基板の研磨方法。表面に被研磨膜を有する基板の該被研磨膜を研磨パッドに対向するように配置する工程と、請求項7~12のいずれか一項に記載の研磨液セットにおける前記第1の液と前記第2の液とを混合して前記研磨液を得る工程と、前記研磨パッドと前記被研磨膜との間に前記研磨液を供給しながら、前記被研磨膜の少なくとも一部を研磨する工程と、を有する、基板の研磨方法。表面に被研磨膜を有する基板の該被研磨膜を研磨パッドに対向するように配置する工程と、請求項7~12のいずれか一項に記載の研磨液セットにおける前記第1の液と前記第2の液とをそれぞれ前記研磨パッドと前記被研磨膜との間に供給しながら、前記被研磨膜の少なくとも一部を研磨する工程と、を有する、基板の研磨方法。このような課題に対しては、従来、添加剤の種類を変えるか、添加剤の添加量を減らすことによって、研磨速度と、添加剤により得られる機能との両立を図ろうとすることが一般的であり、おのずと添加剤により得られる機能には限界があった。また、近年研磨液に対しては、研磨速度と添加剤の添加効果とを更に高度に両立することが求められている。本発明は、前記課題を解決しようとするものであり、優れた研磨速度で被研磨膜を研磨することが可能なスラリを提供することを目的とする。また、本発明は、添加剤の添加効果を得ることが可能であると共に優れた研磨速度で被研磨膜を研磨可能な研磨液を得ることができるスラリを提供することを目的とする。また、本発明は、添加剤の添加効果を得ることが可能であると共に、優れた研磨速度で被研磨膜を研磨することが可能な研磨液セット及び研磨液を提供することを目的とする。更に、本発明は、前記研磨液セット又は前記研磨液を用いた研磨方法を提供することを目的とする。本発明者は、半導体用研磨液を用いた研磨を高速化させることについて鋭意検討した結果、砥粒として4価の水酸化セリウム粒子を含有するスラリにおいて、該砥粒を特定量含有する水分散液において特定波長の光に対する光透過率を高めることが可能な砥粒を用いることで、添加剤を加えたときの研磨速度の低下が抑制できることを見出し、本発明を完成した。より具体的には、本発明に係るスラリは、砥粒と水とを含有し、砥粒が、4価の水酸化セリウム粒子を含み、且つ、該砥粒の含有量を1.0質量に調整した水分散液において波長500nmの光に対して光透過率50/cm以上を与えるものである。このようなスラリによれば、スラリに添加剤を添加したときに、被研磨膜例えば無機絶縁膜に対する研磨速度が低下することを抑制できるため、従来の研磨液と比較して優れた研磨速度と添加剤の添加効果とを両立させることができる。また、添加剤を加えることなくスラリを研磨に用いた場合に、優れた研磨速度で被研磨膜を研磨することもできる。砥粒の平均粒子径は、1~150nmであることが好ましい。これにより、被研磨膜に対する更に優れた研磨速度を得ることができる。スラリのpHは、2.0~9.0であることが好ましい。これにより、被研磨膜に対する更に優れた研磨速度を得ることができる。砥粒の含有量は、スラリ全質量基準で0.01~15質量であることが好ましい。これにより、被研磨膜に対する更に優れた研磨速度を得ることができる。4価の水酸化セリウム粒子の含有量は、スラリ全質量基準で0.01~10質量であることが好ましい。これにより、被研磨膜に対する更に優れた研磨速度を得ることが可能となる。同様の観点で、砥粒は、4価の水酸化セリウム粒子からなることが好ましい。また、本発明に係る研磨液セットは、第1の液と第2の液とを混合して研磨液となるように該研磨液の構成成分が第1の液と第2の液とに分けて保存され、第1の液が前記スラリであり、第2の液が添加剤と水とを含む。これにより、保存安定性に更に優れた研磨液を得ることができる。本発明に係る研磨液セットにおいて、前記研磨液における砥粒の平均粒子径は、1~200nmであることが好ましい。本発明に係る研磨液セットにおいて、第1の液及び第2の液の混合前後で、砥粒の平均粒子径の変化率は30以下であることが好ましい。すなわち、第1の液における砥粒の平均粒子径R1と、前記研磨液における砥粒の平均粒子径R2とが下記式1を満たすことが好ましい。これにより、第1の液及び第2の液の混合前後で砥粒の粒径変化の少ない研磨液セットとすることができるため、被研磨膜に対する更に優れた研磨速度を得ることができる。|R1-R2|/R1×100≦301添加剤は、分散剤、研磨速度向上剤、平坦化剤及び選択比向上剤から選択される少なくとも一種であることが好ましい。これにより、研磨速度の低下を抑制しつつ、各添加剤の添加効果を得ることができる。添加剤は、ビニルアルコール重合体又は該ビニルアルコール重合体の誘導体の少なくとも一方であることが好ましい。ビニルアルコール重合体又は該ビニルアルコール重合体の誘導体は、4価の水酸化セリウム粒子と組み合わせて使用することで、研磨液の安定性を向上させる効果を示す。添加剤の含有量は、前記研磨液において研磨液全質量基準で0.01質量以上であることが好ましい。また、本発明に係る研磨液は、前記第1の液と前記第2の液とを予め混合して一つの液とした、一液式研磨液とすることもできる。すなわち、本発明に係る研磨液は、砥粒と添加剤と水とを含有し、砥粒が、4価の水酸化セリウム粒子を含み、且つ、該砥粒の含有量を1.0質量に調整した水分散液において波長500nmの光に対して光透過率50/cm以上を与えるものである。本発明に係る研磨液では、添加剤の添加効果を得ることができると共に、優れた研磨速度で被研磨膜を研磨することができる。一液式研磨液において、4価の水酸化セリウム粒子の含有量は、研磨液全質量基準で0.01~8質量であることが好ましい。これにより、被研磨膜に対する更に優れた研磨速度を得ることができる。一液式研磨液において、砥粒の平均粒子径は、1~200nmであることが好ましい。一液式研磨液のpHは、3.0~9.0であることが好ましい。これにより、被研磨膜に対する更に優れた研磨速度を得ることができる。一液式研磨液において、添加剤は、分散剤、研磨速度向上剤、平坦化剤及び選択比向上剤から選択される少なくとも一種であることが好ましい。これにより、研磨速度の低下を抑制しつつ、各添加剤の添加効果を得ることができる。一液式研磨液において、添加剤は、ビニルアルコール重合体又は該ビニルアルコール重合体の誘導体の少なくとも一方であることが好ましい。ビニルアルコール重合体及び該ビニルアルコール重合体の誘導体は、4価の水酸化セリウム粒子と組み合わせて使用することで、研磨液の安定性を向上させる効果を示す。一液式研磨液において、添加剤の含有量は、研磨液全質量基準で0.01質量以上であることが好ましい。また、本発明に係る基板の研磨方法は、表面に被研磨膜を有する基板の該被研磨膜を研磨パッドに対向するように配置する工程と、研磨パッドと被研磨膜との間に前記一液式研磨液を供給しながら、被研磨膜の少なくとも一部を研磨する工程と、を有する。また、本発明に係る基板の研磨方法は、表面に被研磨膜を有する基板の該被研磨膜を研磨パッドに対向するように配置する工程と、前記研磨液セットにおける第1の液と第2の液とを混合して研磨液を得る工程と、研磨パッドと被研磨膜との間に前記研磨液を供給しながら、被研磨膜の少なくとも一部を研磨する工程と、を有する。また、本発明に係る基板の研磨方法は、表面に被研磨膜を有する基板の該被研磨膜を研磨パッドに対向するように配置する工程と、前記研磨液セットにおける第1の液と第2の液とをそれぞれ研磨パッドと被研磨膜との間に供給しながら、被研磨膜の少なくとも一部を研磨する工程と、を有する。これらの基板の研磨方法によれば、添加剤の添加効果を得ることが可能であると共に、優れた研磨速度で被研磨膜を研磨することができる。また、従来の研磨液と比較して被研磨膜を高速に、かつ平坦性よく研磨することが可能となる。本発明に係るスラリによれば、従来の研磨液と比較して優れた研磨速度で被研磨膜を研磨することができる。また、本発明に係るスラリによれば、添加剤の添加効果を得ることが可能であると共に従来の研磨液と比較して優れた研磨速度で被研磨膜を研磨可能な研磨液を得ることができる。本発明に係る研磨液セット及び研磨液によれば、研磨液が添加剤を含有する場合であっても被研磨膜に対する研磨速度の低下を抑制できるため、添加剤の添加効果を得ることができると共に、従来の研磨液と比較して優れた研磨速度で被研磨膜を研磨することができる。また、本発明によれば、配線形成工程における半導体表面を高速に研磨する特性を維持しつつ、研磨対象によって異なる要求特性を得ることが容易となる。さらに、本発明によれば、添加剤の種類を制御することにより、多種多様な基板を高速に研磨することが可能となる。以下、本発明に係る実施形態を詳細に説明する。本実施形態に係る研磨液は、水及び砥粒を少なくとも含むスラリ第1の液と、添加剤及び水を少なくとも含む添加液第2の液とを混合して得ることができる。本実施形態において、研磨液とスラリとは添加剤の有無の点で異なる。スラリ本実施形態に係るスラリは、水と該水に分散させた砥粒とを少なくとも含有し、砥粒が、4価の水酸化セリウム粒子を含み、且つ、該砥粒の含有量を1.0質量に調整した水分散液において波長500nmの光に対して光透過率50/cm以上を与えるものである。以下、本実施形態に係るスラリの構成成分について説明する。本実施形態に係るスラリは、砥粒として4価の水酸化セリウム粒子を含む。4価の水酸化セリウム粒子は、例えば、4価のセリウム塩とアルカリ液とを混合することにより得ることができる。この技術は、例えば特開2006-249129号公報に詳しく説明されている。4価のセリウム塩としては、従来公知のものを特に制限なく使用でき、具体的には例えば、CeSO42、CeNH42NO36、CeNH44SO44等が挙げられる。アルカリ液としては、従来公知のものを特に制限なく使用できる。アルカリ液中のアルカリ源として使用する塩基としては、具体的には例えばアンモニア、トリエチルアミン、ピリジン、ピペリジン、ピロリジン、イミダゾール、キトサン等の有機塩基、水酸化カリウムや水酸化ナトリウム等の無機塩基などが挙げられ、中でも、工業的に多く利用され、入手が容易かつ安価な点でアンモニアが好ましい。前記の方法により、水酸化セリウム粒子の懸濁液が得られる。得られた懸濁液中に金属不純物が含まれる場合には、例えば、遠心分離等で固液分離を繰り返す等の方法により金属不純物を除去することができる。前記の水酸化セリウム粒子を含む懸濁液の充分な洗浄、及び/又は、水酸化セリウム粒子の単離の後、媒体として水純水を添加することでスラリが得られるが、水酸化セリウム粒子を単離せずに、洗浄した懸濁液をそのままスラリとして使用してもよい。得られたスラリにおいて、水酸化セリウム粒子を分散させる方法としては、通常の攪拌分散のほかに、例えば、ホモジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミル等を用いることができる。本実施形態に係るスラリに用いられる砥粒では、砥粒の含有量濃度を1.0質量に調整した水分散液において波長500nmの光に対する光透過率が50/cm以上である。これにより、後述する添加剤をスラリに添加しても研磨速度が低下しづらくなり、研磨速度を維持しつつ他の特性を得ることが容易になる。同様の観点で、前記光透過率は、60/cm以上が好ましく、70/cm以上がより好ましく、80/cm以上が更に好ましく、90/cm以上が特に好ましい。光透過率の上限は100/cmである。このように砥粒の光透過率を調整することで研磨速度の低下を抑制することが可能な理由は詳しくは分かっていないが、本発明者らは以下のように考えている。4価の水酸化セリウム粒子における砥粒としての作用は、機械的作用よりも化学的作用の方が支配的になると考えられる。そのため、砥粒の大きさよりも砥粒の数の方が、より研磨速度に寄与すると考えられる。この点において、砥粒の含有量1.0質量の水分散液において光透過率が低い場合、その水分散液中に存在する砥粒には、相対的に粒子径の大きい粒子以下粗大粒子というが多く混在していると考えられる。このような砥粒を含むスラリに添加剤例えばPVAを添加すると、図1に示すように、粗大粒子を核として他の粒子が凝集する。その結果として、単位面積当たりの研磨面に作用する砥粒数有効砥粒数が減少し、研磨面に接する砥粒の比表面積が減少するため、研磨速度の低下が引き起こされると考えられる。一方、砥粒の含有量1.0質量の水分散液において光透過率が高い場合、その水分散液中に存在する砥粒は、粗大粒子が少ない状態であると考えられる。このように粗大粒子の存在量が少ない場合は、図2に示すように、添加剤例えばPVAをスラリに添加しても、凝集の核になるような粗大粒子が少ないため、砥粒同士の凝集が抑えられ、又は、凝集粒子の大きさが図1に示す凝集粒子と比べて小さくなる。その結果として、単位面積当たりの研磨面に作用する砥粒数有効砥粒数が維持され、研磨面に接する砥粒の比表面積が維持されるため、研磨速度が低下し難くなると考えられる。本発明者の検討では、一般的な粒径測定装置において測定される粒子径が互いに同じ研磨液であっても、目視で透明である光透過率の高いものや、目視で濁っている光透過率の低いものがありえることがわかった。このことから、前記のような作用を起こしうる粗大粒子は、一般的な粒径測定装置で検知できないほどのごくわずかの量でも、研磨速度の低下に寄与すると考えられる。また、粗大粒子を減らすためにろ過を複数回繰り返しても、添加剤の添加により研磨速度が低下する現象はさほど改善せず、光透過率に起因する研磨速度の向上効果が充分に発揮されない場合があることがわかった。そこで、本発明者らは、砥粒の製造方法を工夫する等して、水分散液において光透過率の高い砥粒を使用することによって前記問題を解決できることを見出した。前記光透過率は、波長500nmの光に対する透過率である。前記光透過率は、分光光度計で測定されるものであり、具体的には例えば、日立製作所製の分光光度計U3310装置名で測定することができる。より具体的な測定方法としては、砥粒の含有量が1.0質量となるように水で希釈し又は濃縮して測定サンプル水分散液を調製し、これを1cm角のセルに約4mLLはリットルを示す。以下同じ入れ、装置内にセルをセットし測定を行う。なお、測定サンプルが、砥粒を1.0質量より多く含む状態において50/cm以上の光透過率を有する水分散液である場合は、この測定サンプルを希釈して1.0質量とした場合も光透過率は50/cm以上となる。そのため、砥粒を1.0質量より多く含む状態において光透過率を測定することにより、簡便な方法で光透過率をスクリーニングすることができる。次に、光透過率の制御方法を説明する。光透過率を変化させる方法として光透過率を高めるには、例えば、砥粒の製造に際して金属塩とアルカリ液の反応を穏やかにすることが挙げられる。これにより、急激な粒成長を抑制し、砥粒中の粗大粒子の割合を低減することができると考えられる。光透過率を変化させる方法としては、例えば、金属塩の水溶液とアルカリ液とにおける原料濃度、金属塩の水溶液とアルカリ液との混合速度、混合するときの攪拌速度、混合するときの液温等を制御することが挙げられる。以下、それぞれの制御について詳しく説明する。[原料濃度]金属塩の水溶液とアルカリ液とにおける原料濃度の制御により、光透過率を変化させることができる。具体的には、原料濃度を薄くすることで光透過率が高くなる傾向があり、原料濃度を濃くすることで光透過率が低くなる傾向がある。また、弱い塩基性を示す含窒素複素環有機塩基等を塩基として用いる場合は、アンモニアを使用する場合よりもアルカリ液の原料濃度を高くすることが好ましい。金属塩の濃度の上限は、急激に反応が起こることを抑制する点で、1.0mol/L以下であることが好ましく、0.5mol/L以下であることがより好ましく、0.1mol/L以下であることが更に好ましく、0.05mol/L以下であることが特に好ましい。金属塩の含有量の下限は、光透過率の観点では特に制限はないが、所定量の4価の水酸化セリウム粒子を得るために用いる水溶液の使用量を抑制するため、0.01mol/L以上であることが好ましい。また、アルカリ液の原料濃度の上限は、急激に反応が起こることを抑制する点で、25mol/L以下であることが好ましく、20mol/L以下であることがより好ましく、15mol/L以下であることが更に好ましい。アルカリ液の原料濃度の下限は、光透過率の観点では特に制限はないが、所定量の4価の水酸化セリウム粒子を得るために用いる水溶液の使用量を抑制するため、0.1mol/L以上であることが好ましい。[混合速度]金属塩の水溶液とアルカリ液との混合速度の制御により、光透過率を変化させることができる。具体的には、混合速度を速くすることで光透過率が高くなる傾向があり、混合速度を遅くすることで光透過率が低くなる傾向がある。混合速度は、0.1cc/min以上が好ましく、50cc/min以下が好ましい。但し、混合速度は、原料濃度により決定されることが好ましく、具体的には例えば、原料濃度が高い場合は、混合速度を小さくすることが好ましい。[攪拌速度]金属塩の水溶液とアルカリ液とを混合するときの攪拌速度の制御により、光透過率を変化させることができる。具体的には、攪拌速度を速くすることで光透過率が高くなる傾向があり、攪拌速度を遅くすることで光透過率が低くなる傾向がある。攪拌速度は、例えば、全長4cmの攪拌羽を用いて2Lの溶液を攪拌する混合スケールの場合、攪拌羽の回転速度攪拌速度は50~1000rpmであることが好ましい。回転速度の上限は、液面が上昇しすぎることを抑制する点で、1000rpm以下が好ましく、800rpm以下がより好ましく、500rpm以下が更に好ましい。前記混合スケールを変化させる例えば大きくする場合、最適な攪拌速度は変化しうるものの、概ね50~1000rpmの範囲内であれば、良好な光透過率を有するスラリを得ることができる。[液温]金属塩の水溶液とアルカリ液とを混合するときの液温の制御により、光透過率を変化させることができる。具体的には、液温を低くすることで光透過率が高くなる傾向があり、液温を高くすることで光透過率が低くなる傾向がある。液温としては、反応系に温度計を設置して読み取れる反応系内の温度が0~60°Cの範囲に収まることが好ましい。液温の上限は、急激な反応を抑制する点で、60°C以下が好ましく、50°C以下がより好ましく、40°C以下が更に好ましく、30°C以下が特に好ましく、25°C以下が極めて好ましい。液温の下限は、あまり液温が低いと反応が進行しづらいことから、反応を容易に進行させる点で、0°C以上が好ましく、5°C以上がより好ましく、10°C以上が更に好ましく、15°C以上が特に好ましく、20°C以上が極めて好ましい。スラリ中における砥粒の平均粒子径R1は、1~150nmの範囲にあることが好ましい。平均粒子径R1の上限は、平均粒子径を小さくすることで研磨面に接する砥粒の比表面積が増大し、これにより研磨速度を更に向上させることができる点で、150nm以下が好ましく、120nm以下がより好ましく、100nm以下が更に好ましく、80nm以下が特に好ましい。平均粒子径R1の下限は、ある程度平均粒子径が大きい方が研磨速度が向上しやすくなる傾向があるため、1nm以上が好ましく、2nm以上がより好ましく、5nm以上が更に好ましい。本実施形態において、平均粒子径R1は光子相関法で測定できる2次粒子径であり、具体的には例えば、マルバーン社製のゼータサイザー3000HS装置名やコールター社製のN5装置名等を用いて測定できる。例えば、ゼータサイザー3000HSを用いた具体的な測定方法は、以下のとおりである。砥粒の含有量が0.2質量となるようにスラリを水で希釈し又は濃縮して測定サンプルを調製する。次に、測定サンプルを1cm角のセルに約4mL入れ、装置内にセルをセットする。そして、分散媒の屈折率を1.33、粘度を0.887mPasとし、25°Cにおいて測定を行い、Z-averageSizeとして表示される値を平均粒子径として読み取る。砥粒の含有量は、特に制限はないが、砥粒の凝集を避けることが容易になる点で、スラリ全質量基準で15質量以下が好ましい。砥粒の含有量は、砥粒の機械的作用が得られやすい点で、スラリ全質量基準で0.01質量以上が好ましい。本実施形態において、無機絶縁膜等の研磨に最も寄与するのは、スラリの構成成分中において4価の水酸化セリウム粒子であると考えられる。4価の水酸化セリウム粒子の含有量は、砥粒の凝集を避けることが容易になる点で、スラリ全質量基準で10質量以下であることが好ましい。4価の水酸化セリウム粒子の含有量は、4価の水酸化セリウム粒子の機能を充分に発現できる点で、スラリ全質量基準で0.01質量以上が好ましい。また、本実施形態に係るスラリは、4価の水酸化セリウム粒子の特性を損なわない範囲で、水酸化セリウム粒子と他の種類の砥粒とを併用することができ、具体的には例えば、シリカ、アルミナ又はジルコニア等からなる砥粒を使用することができる。一方で、更に優れた研磨速度が得られる観点では、砥粒は、4価の水酸化セリウム粒子からなることがより好ましく、その場合の好ましい含有量は前記の通りである。本実施形態に係るスラリ、及び後述する添加液に用いる水は、特に制限はないが、脱イオン水、超純水が好ましい。水の含有量は、他の構成成分の含有量の残部でよく、特に限定されない。スラリのpHは、更に優れた研磨速度が得られる点で、2.0~9.0の範囲にあることが好ましい。スラリのpHが安定して、pH安定化剤の添加による砥粒の凝集等の問題を生じにくくなる点で、pHの下限は、2.0以上が好ましく、3.0以上がより好ましく、3.5以上が更に好ましい。また、砥粒の分散性に優れ、更に優れた研磨速度が得られる点で、pHの上限は、9.0以下が好ましく、8.0以下がより好ましく、7.0以下が更に好ましく、6.0以下が特に好ましい。なお、スラリをそのまま研磨に用いる場合には、スラリのpHが3.0~9.0であることが好ましい。研磨液のpHが安定して、pH安定化剤の添加による砥粒の凝集等の問題を生じにくくなる点で、pHの下限は、3.0以上が好ましく、4.0以上がより好ましく、5.0以上が更に好ましい。また、砥粒の分散性に優れ、更に優れた研磨速度が得られる点で、pHの上限は、9.0以下が好ましく、8.0以下がより好ましく、7.5以下が更に好ましく、砥粒濃度が高い場合にも安定して分散性に優れる点で7.0以下が特に好ましく、6.5以下が極めて好ましい。スラリのpHは、pHメータ例えば、横河電機株式会社製の型番PH81で測定することができる。pHとしては、標準緩衝液フタル酸塩pH緩衝液:pH4.0125°C、中性りん酸塩pH緩衝液:pH6.8625°Cを用いて、2点校正した後、電極をスラリに入れて、2分以上経過して安定した後の値を採用することができる。スラリのpHの調整には、従来公知のpH調整剤を特に制限無く使用することができ、具体的には例えば、リン酸、硫酸、硝酸等の無機酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、マレイン酸、フタル酸、クエン酸、コハク酸等の有機酸、エチレンジアミン、トルイジン、ピペラジン、ヒスチジン、アニリン等のアミン類、ピリジン、イミダゾール、トリアゾール、ピラゾール等の含窒素複素環化合物などを用いることができる。pH安定化剤とは、所定のpHに調整するための添加剤を指し、緩衝成分であることが好ましい。緩衝成分は、所定のpHに対してpKaが±1.5以内である化合物が好ましく、pKaが±1.0以内である化合物がより好ましい。このような化合物としては、グリシン、アルギニン、リシン、アスパラギン、アスパラギン酸、グルタミン酸等のアミノ酸などが挙げられる。研磨液セット本実施形態に係る研磨液は、これまで説明したスラリと、添加剤を水に溶解させた添加液とを混合して研磨液となるように該研磨液の構成成分がスラリと添加液との二つの液に分けて保存されてなる研磨液セットとすることができる。この研磨液セットは、後述するように、研磨時にスラリと添加液とを混合し研磨液として使用する。このように、研磨液の構成成分を少なくとも二つの液に分けて保存することで、研磨液の保存安定性が向上する。スラリと添加液とを混合して得られた研磨液において砥粒の平均粒子径R2は、1~200nmであることが好ましい。平均粒子径R2が1nm以上であることで、砥粒の充分な機械的作用を得ることができる。同様の観点で、平均粒子径R2の下限は、5nm以上がより好ましく、10nm以上が更に好ましく、15nm以上が特に好ましい。また、研磨面に接する砥粒の比表面積が増大し、これにより研磨速度を更に向上させることができる点で、砥粒の平均粒子径R2の上限は、200nm以下が好ましく、150nm以下がより好ましく、100nm以下が更に好ましい。本実施形態に係る研磨液において、平均粒子径R2は光子相関法で測定できる2次粒子径であり、具体的には例えば、マルバーン社製のゼータサイザー3000HS装置名やコールター社製のN5装置名で測定できる。ゼータサイザー3000HSを用いた具体的な測定方法は、以下のとおりである。スラリと添加液を混合して研磨液を得た後、砥粒の含有量が0.2質量となるように研磨液を水で希釈し又は濃縮して測定サンプルを調製する。次に、測定サンプルを1cm角のセルに約4mL入れ、装置内にセルをセットする。そして、分散媒の屈折率を1.33、粘度を0.887mPasとし、25°Cにおいて測定を行い、Z-averageSizeとして表示される値を平均粒子径として読み取る。本実施形態に係る研磨液セットは、スラリと添加液を混合する前後での砥粒の平均粒子径を比較して、その変化率が小さいことが好ましい。具体的には例えば、変化率が30以下であることが好ましく、20以下であることがより好ましく、10以下であることが更に好ましい。ここで、砥粒の平均粒子径の変化率が30以下であるとは、平均粒子径R1と平均粒子径R2が下記式2を見たすことを意味する。なお、|R1-R2|は、R1及びR2の差分の絶対値を意味する。|R1-R2|/R1×100≦302一般的に、砥粒を水に分散させた研磨液は、何らかの添加剤の添加によって砥粒が凝集しやすくなる傾向がある。一方、本実施形態では、砥粒の含有量を1.0質量に調整した水分散液において波長500nmの光に対する光透過率50/cm以上を与える砥粒を使用した上で、前記平均粒子径の変化率を小さくすることで、砥粒の凝集を更に抑制することができる。これにより、本実施形態では、添加剤の添加効果と研磨速度の向上効果とを更に高度に両立することができる。なお、砥粒の含有量は、研磨液全質量基準で0.01~10質量が好ましく、0.1~5質量がより好ましい。また、4価の水酸化セリウム粒子の含有量は、研磨液全質量基準で0.01~8質量が好ましく、0.1~5質量がより好ましい。スラリと添加液とを混合して得られる研磨液のpHは、更に優れた研磨速度が得られる点で、3.0~9.0の範囲にあることが好ましい。研磨液のpHが安定して、pH安定化剤の添加による砥粒の凝集等の問題を生じにくくなる点で、pHの下限は、3.0以上が好ましく、4.0以上がより好ましく、5.0以上が更に好ましい。また、砥粒の分散性に優れ、更に優れた研磨速度が得られる点で、pHの上限は、9.0以下が好ましく、8.0以下がより好ましく、7.5以下が更に好ましく、砥粒濃度が高い場合にも安定して分散性に優れる点で7.0以下が特に好ましく、6.5以下が更に好ましい。研磨液のpHは、スラリのpHと同様に測定することができる。また、研磨液のpHの調整に際しては、スラリのpHの調整に用いるpH調整剤やpH安定化剤を同様に用いることができる。添加液本実施形態に係るスラリを用いて得られる研磨液は、無機絶縁膜例えば酸化ケイ素膜に対して特に優れた研磨速度を得ることができるため、無機絶縁膜を有する基板を研磨する用途に特に適している。このような研磨液は、その他の機能を併せ持たせるための添加剤を含有する添加液をスラリに添加することで得ることができる。添加液に含まれる添加剤としては、砥粒の分散性を高める分散剤、研磨速度を向上させる研磨速度向上剤、平坦化剤研磨後の研磨面の凹凸を減らす平坦化剤、研磨後の基板の面内均一性を向上させるグローバル平坦化剤、窒化ケイ素膜やポリシリコン膜等のストッパ膜との研磨選択比を向上させる選択比向上剤等、公知の添加剤を特に制限なく使用することができる。分散剤としては、例えば、ビニルアルコール重合体及びその誘導体、ベタイン、ラウリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド等が挙げられる。研磨速度向上剤としては、例えば、β―アラニンベタイン、ステアリルベタイン等が挙げられる。研磨面の凹凸を減らす平坦化剤としては、例えば、ラウリル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸トリエタノールアミン等が挙げられる。グローバル平坦化剤としては、例えば、ポリビニルピロリドン、ポリアクロレイン等が挙げられる。選択比向上剤としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、キトサン等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。本実施形態に係る研磨液は、添加剤としてビニルアルコール重合体及びその誘導体を含むことが好ましい。しかしながら、一般に、ポリビニルアルコールのモノマーであるビニルアルコールは単体では安定な化合物として存在しない傾向がある。そのため、ポリビニルアルコールは、一般的に、酢酸ビニルモノマー等のカルボン酸ビニルモノマーを重合してポリカルボン酸ビニルを得た後、これをケン化加水分解して得られている。従って、例えば、原料として酢酸ビニルモノマーを使用して得られたビニルアルコール重合体は、-OCOCH3と、加水分解された-OHとを分子中に官能基として有しており、-OHとなっている割合がケン化度として定義される。つまり、ケン化度が100ではないビニルアルコール重合体は、実質的に酢酸ビニルとビニルアルコールとの共重合体のような構造を有している。また、ビニルアルコール重合体は、酢酸ビニルモノマー等のカルボン酸ビニルモノマーと、その他のビニル基含有モノマー例えばエチレン、プロピレン、スチレン、塩化ビニル等とを共重合させ、カルボン酸ビニルモノマーに由来する部分の全部又は一部をケン化したものであってもよい。本発明においてビニルアルコール重合体は、これらの重合体を総称するものとして定義され、下記構造式を有する重合体ということもできる。式中、nは正の整数を表すビニルアルコール重合体の誘導体は、ビニルアルコールの単独重合体すなわちケン化度100の重合体の誘導体、及び、ビニルアルコールモノマーと他のビニル基含有モノマーとの共重合体の誘導体を含むものとして定義される。前記誘導体としては、例えば、重合体の一部の水酸基を例えばアミノ基、カルボキシル基、エステル基等で置換したもの、重合体の一部の水酸基を変性したもの等が挙げられる。このような誘導体としては、例えば、反応型ポリビニルアルコール例えば、日本合成化学工業株式会社製、ゴーセファイマー登録商標Z等、カチオン化ポリビニルアルコール例えば、日本合成化学工業株式会社製、ゴーセファイマー登録商標K等、アニオン化ポリビニルアルコール例えば、日本合成化学工業株式会社製、ゴーセラン登録商標L、ゴーセナール登録商標T等、親水基変性ポリビニルアルコール例えば、日本合成化学工業株式会社製、エコマティ等などが挙げられる。ビニルアルコール重合体及びその誘導体は、前記のとおり、砥粒の分散剤として機能し、研磨液の安定性を向上させる効果がある。ビニルアルコール重合体及びその誘導体の水酸基が4価の金属水酸化物粒子と相互作用することにより、凝集を抑制し、研磨液の粒径変化を抑制して安定性を向上できるものと考えられる。また、ビニルアルコール重合体及びその誘導体は、砥粒の選択比向上剤としても機能し、4価の水酸化セリウム粒子と組み合わせて使用することで、無機絶縁膜例えば酸化ケイ素膜のストッパ膜例えばポリシリコン膜に対する研磨選択比無機絶縁膜の研磨速度/ストッパ膜の研磨速度を高くすることもできる。さらに、ビニルアルコール重合体及びその誘導体は、平坦化剤や被研磨面への砥粒の付着防止剤洗浄性向上剤としても機能する。ビニルアルコール重合体及びその誘導体のケン化度は、無機絶縁膜のストッパ膜に対する研磨選択比が更に高められる点で、95mol以下が好ましい。同様の観点で、ケン化度は90mol以下がより好ましく、88mol以下が更に好ましく、85mol以下が特に好ましく、83mol以下が極めて好ましく、80mol以下が非常に好ましい。また、ケン化度の下限値に特に制限はないが、水への溶解性に優れる観点から、50mol以上が好ましく、60mol以上がより好ましく、70mol以上が更に好ましい。なお、ビニルアルコール重合体及びその誘導体のケン化度は、JISK6726ポリビニルアルコール試験方法に準拠して測定することができる。また、ビニルアルコール重合体及びその誘導体の平均重合度重量平均分子量の上限は、特に制限はないが、無機絶縁膜例えば酸化ケイ素膜の研磨速度の低下を抑制する観点から、50000以下が好ましく、30000以下がより好ましく、10000以下が更に好ましい。また、無機絶縁膜のストッパ膜に対する研磨選択比が更に高められる観点から、平均重合度の下限は、50以上が好ましく、100以上がより好ましく、150以上が更に好ましい。なお、ビニルアルコール重合体及びその誘導体の平均重合度は、JISK6726ポリビニルアルコール試験方法に準拠して測定することができる。また、無機絶縁膜のストッパ膜に対する研磨選択比や、研磨後の基板の平坦性を調整する目的で、ケン化度や平均重合度等が異なる複数の重合体を組み合わせて用いてもよい。ケン化度が異なる場合、少なくとも1種のビニルアルコール重合体及びその誘導体のケン化度が95mol以下であることが好ましく、研磨選択比を向上できる観点から、それぞれのケン化度及び配合比から算出した平均のケン化度が95mol以下であることがより好ましい。これらのケン化度の好ましい値については、前記と同様である。添加剤の含有量は、研磨速度が過度に低下することを抑制しつつ無機絶縁膜のストッパ膜に対する研磨選択比を向上できる観点から、スラリと添加液とを混合して研磨液とした際に、研磨液全質量基準で0.01質量以上が好ましく、0.1質量以上がより好ましく、0.3質量以上が更に好ましく、0.5質量以上が特に好ましい。また、添加剤の含有量は、無機絶縁膜の研磨速度の低下を更に抑制する観点から、研磨液全質量基準で10質量以下が好ましく、5質量以下がより好ましく、3質量以下が更に好ましい。なお、添加剤としてビニルアルコール重合体又はその誘導体の少なくとも一種を用いる場合、ビニルアルコール重合体及びその誘導体の含有量の合計が前記範囲であることが好ましい。研磨液における添加剤の含有量が前記範囲内となるように容易に調整できるため、添加液における添加剤の含有量は、添加液全質量基準で0.02~20質量が好ましい。一液式研磨液本実施形態に係る研磨液は、前記研磨液セットのスラリと添加剤とを予め混合した状態の一液式研磨液として保存してもよい。一液式研磨液として保存することにより、研磨前にスラリと添加液とを混合する手間を省くことができる。また、研磨時の水分量に予め調整された一液式研磨液として保存することにより、濃度を調整する等の手間を省くことができる。一液式研磨液のpHや砥粒の平均粒子径R2等は、研磨液セットにより得られる研磨液について説明した数値範囲を満たすことが好ましい。また、一液式研磨液として保存するに際しても、研磨液セットについて説明した砥粒の平均粒子径の変化率が30以下であることが好ましく、20以下であることがより好ましく、10以下であることが更に好ましい。一液式研磨液の場合、スラリにおける砥粒の平均粒子径R1は、次のようにして求めることができる。すなわち、一液式研磨液を、遠心分離等で固液分離を繰り返す等の方法によって、砥粒を充分洗浄して単離する。次に、単離された砥粒を水に添加し、2分以上超音波分散させることによってスラリを得る。得られたスラリを前述の方法によって測定し平均粒子径R1を求めることができる。基板の研磨方法次に、本実施形態に係る研磨液セット又は一液式研磨液を用いた基板の研磨方法について説明する。本実施形態に係る基板の研磨方法では、表面に被研磨膜として無機絶縁膜例えば酸化ケイ素膜を有する基板を研磨する。本実施形態に係る基板の研磨方法は、基板の配置工程と研磨工程とを少なくとも有している。基板の配置工程では、表面に無機絶縁膜を有する基板の該無機絶縁膜を研磨パッドに対向するように配置する。無機絶縁膜である酸化ケイ素膜は、低圧CVD法、プラズマCVD法等により得ることができる。一液式研磨液を用いる場合、研磨工程では、基板の無機絶縁膜を研磨定盤の研磨パッドに押圧した状態で、研磨パッドと無機絶縁膜との間に研磨液を供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして無機絶縁膜の少なくとも一部を研磨する。このとき、研磨液は、所望の水分量の研磨液としてそのまま供給されてもよく、水分量が少ない濃縮液として供給し研磨パッド上で希釈されてもよい。研磨液セットを用いる場合、研磨工程の前にスラリと添加液とを混合して研磨液を得る研磨液調製工程を備えていてもよい。この場合、研磨工程では、研磨液調製工程において得られた研磨液を用いて無機絶縁膜を研磨し、具体的には、基板の無機絶縁膜を研磨定盤の研磨パッドに押圧した状態で、研磨液調製工程において得られた研磨液を研磨パッドと無機絶縁膜との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして無機絶縁膜の少なくとも一部を研磨する。このような研磨方法では、研磨液調製工程において、スラリと添加液とを別々の配管送液システムで送液し、これらの配管を合流させて供給配管出口の直前で混合して研磨液を調製した後、研磨液を研磨パッド上に供給してもよい。また、研磨液は、所望の水分量の研磨液としてそのまま供給されてもよく、水分量が少ない濃縮液として供給し研磨パッド上で希釈されてもよい。また、研磨液セットを用いる場合、研磨工程において、スラリと添加液とをそれぞれ研磨パッドと無機絶縁膜との間に供給しながら、スラリと添加液とが混合されて得られる研磨液により無機絶縁膜の少なくとも一部を研磨してもよい。このような研磨方法では、スラリと添加液とを別々の配管送液システムで研磨パッド上へ供給することができる。また、スラリ及び/又は添加液の水分量の少ない濃縮液として供給し研磨パッド上で希釈されてもよい。なお、本実施形態では、一液式研磨液に代えてスラリを用いて基板を研磨してもよい。この場合、研磨工程では、基板の無機絶縁膜を研磨定盤の研磨パッドに押圧した状態で、研磨パッドと無機絶縁膜との間にスラリを供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして無機絶縁膜の少なくとも一部を研磨する。本実施形態に係る研磨方法において使用する研磨装置としては、例えば、被研磨膜を有する基板を保持するホルダーと、研磨パッドを貼り付け可能で、回転数が変更可能なモータ等が取り付けてある研磨定盤とを有する、一般的な研磨装置等を使用することができる。前記研磨装置としては、例えば、株式会社荏原製作所製の研磨装置、型番:EPO-111、AppliedMaterials社製の研磨装置、商品名:Mirra3400、Reflection研磨機、等が挙げられる。研磨パッドとしては、特に制限はなく、例えば、一般的な不織布、発泡ポリウレタンパッド、多孔質フッ素樹脂パッド等を使用することができる。また、研磨パッドには、研磨液が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。研磨条件としては、特に制限はないが、半導体基板が飛び出すことを抑制する見地から、研磨定盤の回転速度は200rpm以下の低回転が好ましい。半導体基板にかける圧力加工荷重は、研磨後に研磨面に傷が発生することを抑制する見地から、100kPa以下が好ましい。研磨している間、研磨パッドの表面には、研磨液をポンプ等で連続的に供給することが好ましい。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。以下、本発明に関して実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1<スラリの作製>400gのCeNH42NO36を7500gの水に溶解して金属塩の水溶液を得た。次に、210gのアンモニア水25mol/L水溶液を30cc/minの混合速度で金属塩の水溶液に加え、200rpmで攪拌することで、セリウム水酸化物粒子砥粒を含むスラリを得た。これら金属塩の水溶液とアンモニア水の液温は25°Cであった。次に、スラリを遠心分離することにより固液分離を施して液体を除去した後、新たに水を加え、超音波分散処理を行った。砥粒の含有量を1.0質量に調整したスラリ水分散液における波長500nmでの光透過率は61/cmであった。また、砥粒の含有量を0.2質量に調整したときのスラリを用いて光子相関法によって2次粒子の平均粒子径R1を測定したところ105nmであった。スラリのpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定したところ3.8であった。<研磨液の作製>砥粒の含有量を1質量に調整したスラリ60gと、5質量に調整したポリビニルアルコール水溶液60gと、純水180gとを混合攪拌し研磨液を調製した。この研磨液を用いて光子相関法によって2次粒子の平均粒子径R2を測定したところ132nmであった。研磨液のpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定したところ6.3であった。なお、ポリビニルアルコールとしては、ケン化度80mol及び平均重合度300であるビニルアルコール重合体を用いた。以下の実施例及び比較例においても同様のビニルアルコール重合体を用いた。<絶縁膜の研磨>研磨装置の基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに、酸化ケイ素SiO2絶縁膜が形成されたφ200mmシリコンウエハをセットした。多孔質ウレタン樹脂製パッドを貼り付けた定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーに載せ、前記で得られた研磨液砥粒含有量:0.2質量を供給量200cc/minでパッド上に供給し、研磨荷重20kPaでウエハを押し当てた。このとき定盤を78rpm、ホルダーを98rpmで1分間回転させ研磨を行った。研磨後のウエハを純水でよく洗浄し乾燥させた。光干渉式膜厚測定装置を用いて研磨前後の膜厚変化を測定した結果、研磨量は210nmであった。<ストッパ膜の研磨>研磨装置の基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに、ポリシリコンp-Si膜が形成されたφ200mmシリコンウエハをセットした。多孔質ウレタン樹脂製パッドを貼り付けた定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーに載せ、前記で得られた研磨液砥粒含有量:0.2質量を供給量200cc/minでパッド上に供給し、研磨荷重20kPaでウエハを押し当てた。このとき定盤を78rpm、ホルダーを98rpmで1分間回転させ研磨を行った。研磨後のウエハを純水でよく洗浄し乾燥させた。光干渉式膜厚測定装置を用いて研磨前後の膜厚変化を測定した結果、研磨量は1.9nmであった。実施例2<スラリの作製>40gのCeNH42NO36を1200gの水に溶解して金属塩の水溶液を得た。次に、45gのアンモニア水12mol/L水溶液を20cc/minの混合速度で金属塩の水溶液に加え、200rpmで攪拌することで、セリウム水酸化物粒子砥粒を含むスラリを得た。これら金属塩の水溶液とアンモニア水の液温は25°Cであった。次に、スラリを遠心分離することにより固液分離を施して液体を除去した後、新たに水を加え、超音波分散処理を行った。砥粒の含有量を1.0質量に調整したスラリ水分散液における波長500nmでの光透過率は91/cmであった。また、砥粒の含有量を0.2質量に調整したときのスラリを用いて光子相関法によって2次粒子の平均粒子径R1を測定したところ101nmであった。スラリのpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定したところ3.6であった。<研磨液の作製>砥粒の含有量を1質量に調整したスラリ60gと、5質量に調整したポリビニルアルコール水溶液60gと、純水180gとを混合攪拌し研磨液を調製した。この研磨液を用いて光子相関法によって2次粒子の平均粒子径R2を測定したところ110nmであった。研磨液のpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定したところ6.4であった。<絶縁膜の研磨>前記で得られた研磨液砥粒含有量:0.2質量を用いて、実施例1と同様にして酸化ケイ素絶縁膜及びポリシリコン膜を研磨、洗浄、乾燥し、研磨前後の膜厚変化を測定した。酸化ケイ素膜の研磨量は290nmであり、ポリシリコン膜の研磨量は2.2nmであった。実施例3<スラリの作製>200gのCeNH42NO36を7500gの水に溶解して金属塩の水溶液を得た。次に、220gのアンモニア水12mol/L水溶液を5cc/minの混合速度で金属塩の水溶液に加え、500rpmで攪拌することで、セリウム水酸化物粒子砥粒を含むスラリを得た。これら金属塩の水溶液とアンモニア水の液温は20°Cであった。次に、スラリを遠心分離することにより固液分離を施して液体を除去した後、新たに水を加え、超音波分散処理を行った。砥粒の含有量を1.0質量に調整したスラリ水分散液の波長500nmでの光透過率は92/cmであった。また、砥粒の含有量を0.2質量に調整したときのスラリを用いて光子相関法によって2次粒子の平均粒子径R1を測定したところ72nmであった。スラリのpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定したところ3.8であった。<研磨液の作製>砥粒の含有量を1質量に調整したスラリ60gと、5質量に調整したポリビニルアルコール水溶液60gと、純水180gとを混合攪拌し研磨液を調製した。この研磨液を用いて光子相関法によって2次粒子の平均粒子径R2を測定したところ78nmであった。研磨液のpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定したところ6.3であった。<絶縁膜の研磨>前記で得られた研磨液砥粒含有量:0.2質量を用いて、実施例1と同様にして酸化ケイ素絶縁膜及びポリシリコン膜を研磨、洗浄、乾燥し、研磨前後の膜厚変化を測定した。酸化ケイ素膜の研磨量は320nmであり、ポリシリコン膜の研磨量は2.5nmであった。比較例1<スラリの作製>430gのCeNH42NO36を7300gの水に溶解して金属塩の水溶液を得た。次に、240gのアンモニア水25mol/L水溶液を80cc/minの混合速度で金属塩の水溶液に加え、200rpmで攪拌することで、セリウム水酸化物粒子砥粒を含むスラリを得た。これら金属塩の水溶液とアンモニア水の液温は25°Cであった。次に、スラリを遠心分離することにより固液分離を施して液体を除去した後、新たに水を加え、超音波分散処理を行った。砥粒の含有量を1.0質量に調整したスラリ水分散液の波長500nmでの光透過率は43/cmであった。また、砥粒の含有量を0.2質量に調整したときのスラリを用いて光子相関法によって2次粒子の平均粒子径R1を測定したところ115nmであった。スラリのpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定したところ3.9であった。<研磨液の作製>砥粒の含有量を1質量に調整したスラリ60gと、5質量に調整したポリビニルアルコール水溶液60gと、純水180gとを混合攪拌し研磨液を調製した。この研磨液を用いて光子相関法によって2次粒子の平均粒子径R2を測定したところ163nmであった。研磨液のpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定したところ6.5であった。<絶縁膜の研磨>前記で得られた研磨液砥粒含有量:0.2質量を用いて、実施例1と同様にして酸化ケイ素絶縁膜及びポリシリコン膜を研磨、洗浄、乾燥し、研磨前後の膜厚変化を測定した。酸化ケイ素膜の研磨量は120nmであり、ポリシリコン膜の研磨量は1.6nmであった。実施例1~3及び比較例1について砥粒の合成条件、スラリ研磨液の各特性値を表1に示す。次に、実施例1及び比較例1のスラリを用いて、研磨液を調製するときのポリビニルアルコールPVAの含有量を変化させたときに、研磨速度がどのように変化するかを調べた。具体的には、研磨液中のポリビニルアルコール含有量を3質量、2質量、1質量、0.5質量、0.1質量としたときの酸化ケイ素膜の研磨速度を実施例1と同様の方法で調べた。結果を表2及び図3に示す。表1の結果から明らかなように、波長500nmの光に対する光透過率が50/cm以上である実施例1~3では、添加剤の添加効果と被研磨膜に対する研磨速度の向上効果とを容易に両立できることが分かった。また、表2及び図3の結果から明らかなように、波長500nmの光に対する光透過率が50/cm以上の実施例1では、同量の添加剤を加えた際の研磨速度が比較例1と比較して速いため、ポリビニルアルコールに加えて更に添加剤を加えるマージンがあることが分かる。これにより、実施例1では、添加剤を更に加えて更なる特性を付与することが可能である。このように光透過率が高い場合に研磨速度が優れる理由については、光透過率が低い場合には、スラリ中の砥粒の平均粒子径と比べて研磨液中の砥粒の平均粒子径が大きく増加する傾向があるのに対し、光透過率が高い場合には、スラリと研磨液とで平均粒子径の差が小さくなっていることによるものと考えられる。