"半導体レーザが使用条件を満たさなくなる前に、該半導体レーザの劣化の兆候を検出する半導体レーザの劣化兆候検出装置であって、前記半導体レーザの光出力に関する情報を取得する受光部と、前記半導体レーザの発振閾値以下での発光パターンの強度分布を取得する受光部と、所定の時間T1における該半導体レーザの、前記光出力に関する情報と、前記発光パターンの強度分布に関する情報を保持する保持部と、T1<Tnである少なくとも1回以上の時間Tnにおける該半導体レーザの光出力に関する情報と、前記時間T1における該半導体レーザの光出力に関する情報を比較し大きな変化がない場合において、前記半導体レーザの前記時間Tnにおける発振閾値以下での発光パターンの強度分布に関する情報と、前記時間T1における発光パターンの強度分布に関する情報とを比較することにより、該半導体レーザの光出力急激低下兆候の有無を判定する判定部と、前記判定部からの信号を出力する出力部と、を有することを特徴とする半導体レーザの劣化兆候検出装置。前記半導体レーザと、前記発振閾値以下での発光パターンの強度分布を取得する受光部との間に、一定波長領域のみ透過する波長フィルタを設置することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザの劣化兆候検出装置。前記波長フィルタは、前記レーザを構成している反射鏡の反射率が90以下である波長を透過するフィルタであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体レーザの劣化兆候検出装置。前記発光パターンの強度分布に関する情報とは、発光強度プロファイルの半値幅であり、前記光出力急激低下兆候とは、前記発光強度プロファイルの半値幅が規定値を下回ることであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体レーザの劣化兆候検出装置。表面に反射率分布を有している前記半導体レーザにおいて、前記発光パターンの強度分布に関する情報とは、表面反射率が低い領域の発光強度プロファイルの積分値であり、前記光出力急激低下兆候とは、前記積分値が規定値を下回ることであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体レーザの劣化兆候検出装置。レーザの基板として傾斜基板を備えている前記半導体レーザにおいて、前記発光パターンの強度分布を取得する方向が、少なくとも前記傾斜基板の傾斜している方向を含んでいることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体レーザの劣化兆候検出装置。ところが上記光出力の変化だけを元にした方法によると、特に光出力が環境温度に敏感な変化を示す場合には、劣化を検出することができず、また、劣化していないのに劣化と判断してしまう可能性がある。また、全ての適用に対して切換素子を近くに用意しておくことは、デバイス配置のスペースやコストの観点等から困難な場合がある。以下に、これらの課題について図を用いて更に具体的に説明する。図4は、ある半導体レーザデバイスの環境温度に対する光出力の電流値依存性の初期特性を示した図である。図4によると、デバイスが劣化していない初期特性であっても、周囲の環境が例えば50°Cから60°Cに変化すると、電流値Aでの光出力はおよそ10低下する。従って、光出力の値をモニタし、ある基準値を超えたら対応を取る、例えばデバイスを交換する、とすると、デバイスは劣化しておらず、まだ使用が可能な状況にも関わらず交換をすることになり、コストや小型化の面で好ましくない。一方、デバイスが劣化しており、光出力が急激に落ちている過程であっても、例えば環境温度が50°Cから40°Cに変化すると、図4より電流値Aでの光出力はおよそ10増加する。ここで、実際の増加量は劣化状態での温度特性となり、劣化状態での温度特性が初期特性から変化している場合には、図4からは正確には算出されるものではないため、この値は参考値となる。劣化過程のデバイスの温度特性が、この増加分より少なかった場合は、劣化が検知できないことになり、そのためデバイスの交換時期が遅れ、結果的に装置が使用できないロスタイムが生じてしまう可能性が高くなる。ここで図3に、一定温度環境下における電流値一定の駆動条件での半導体レーザデバイスの光出力変化を示す。図3の実線101は、一定電流値で駆動した際の光出力の時間変化を示している。図3によると、光出力の変化は使用開始初期から長い間安定しているが、ある時期が来ると光出力が緩やかに減少し、更に時間が経過するに従い光出力が急激に減少する。図3において一点鎖線102で示した光出力が急激に低下する期間を、本明細書中では光出力急激低下時期と呼ぶ。この時期はデバイスが急激に劣化している時期でもある。デバイス使用条件の光出力値が104であった場合、時刻Tl’以降は装置が使用できない条件となってしまう。そこで、104より高い光出力値である103を、デバイス劣化の閾値とすると、従来の方法では、光出力が103を切った時刻Tlとなった際に、デバイス劣化を検出する。この時期は既に光出力急激低下時期に入っているため、劣化対応の時間的余裕が非常に少ない。デバイス劣化を検出してから対応までの時間がTl’-Tlよりも長くなってしまうと、装置が作動できない期間が生じてしまう。一方、より早期に劣化を検出するため、劣化を検知する基準値103を、初期の安定している光出力に近付けた場合、検知すべき光出力の差分は、上述のように温度変化などの劣化以外の要因による光出力変動より小さくなる。そのため、実際には劣化による小さな光出力を早期に検出して劣化の兆候をとらえることは非常に難しくなる。このように光出力の変化だけを元にした方法では、劣化が検知できるタイミングは光出力急激低下時期に入ってしまうため、劣化デバイスを交換する時期において装置が動かせず、タイムラグが生じてしまう。本発明は、上記課題に鑑み、半導体レーザが使用条件を満たさなくなる前に、該半導体レーザの劣化の兆候を検出するに当たり、光出力が急激に低下する期間よりも前に、その劣化の兆候の検出が可能となる半導体レーザの劣化兆候検出装置の提供を目的とする。本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザが使用条件を満たさなくなる前に、該半導体レーザの劣化の兆候を検出する半導体レーザの劣化兆候検出装置であって、前記半導体レーザの光出力に関する情報を取得する受光部と、前記半導体レーザの発振閾値以下での発光パターンの強度分布を取得する受光部と、所定の時間T1における該半導体レーザの、前記光出力に関する情報と、前記発光パターンの強度分布に関する情報を保持する保持部と、T1<Tnである少なくとも1回以上の時間Tnにおける該半導体レーザの光出力に関する情報と、前記時間T1における該半導体レーザの光出力に関する情報を比較し大きな変化がない場合において、前記半導体レーザの前記時間Tnにおける発振閾値以下での発光パターンの強度分布に関する情報と、前記時間T1における発光パターンの強度分布に関する情報とを比較することにより、該半導体レーザの光出力急激低下兆候の有無を判定する判定部と、前記判定部からの信号を出力する出力部と、を有することを特徴とする。本発明によれば、半導体レーザが使用条件を満たさなくなる前に、該半導体レーザの劣化の兆候を検出するに当たり、光出力が急激に低下する期間よりも前に、その劣化の兆候の検出が可能となる半導体レーザの劣化兆候検出装置を実現することができる。上記した従来例の課題を解決するため、我々は鋭意検討した結果、光出力の変化よりも、発振閾値以下での発光パターンのプロファイルの方が、デバイスの光出力急激低下時期に関連した変化が早く生じることを見出した。本発明は、上記知見に基づき、半導体レーザが使用条件を満たさなくなる前に、その劣化の兆候を検出する半導体レーザの劣化兆候検出装置をつぎのように構成したものである。すなわち、使用条件での光出力に関する情報に加え、発振閾値以下での発光パターンの強度分布に関する情報を元に、光出力急激低下時期より前に、デバイスの急速劣化を予測するように構成した。ここで、本発明における発光パターンには、遠視野像ではなく、近視野像が用いられる。図5に、閾値以下の発光パターンのプロファイル変化と光出力変化とのタイミングの違いを示す。それぞれ、劣化を検出する基準値を、初期の値からの一定の割合とし、それを103とすると、光出力が基準値103を下回るのは、時刻Tlであるのに対し、発光パターンのプロファイル変化110は、時刻Tpとなる。この差分Tl-Tpだけ、デバイスの劣化に対する検知を早く行うことが可能となる。閾値以下の発光パターンのプロファイル変化が、光出力変化よりも早く生じる正確な理由は明らかではないが、次のように考えている。半導体レーザデバイスが発振している状態と比べ、閾値以下での発光パターンは、共振している際のモードの影響を考えることなく、活性層中の電流注入部分の発光状態を光強度分布としてより簡便に把握することが可能である。劣化の開始場所の候補の一つとして、電流注入領域の端が挙げられる。特に、電流狭窄型レーザの場合は、電流注入領域の端に電流が集中するため、デバイス劣化の開始点となることが予想される。また、電流狭窄のため、周囲に異なる組成の物質を配置する、歪を発生させる等のプロセスを行っており、電流注入領域周辺の物性が不連続であるため、劣化開始点が発生しやすいことが考えられる。このように、電流注入領域の端が劣化の開始点となる場合、発振状態では、特に基本モードが支配的な場合は影響が起こりにくく、見えにくい。一方、電流注入領域全体の状態が把握しやすい発振閾値以下での発光パターンプロファイルでは、電流注入領域の端の状態も見えやすいため、光出力急激低下時期より前に変化の兆候が現れると考えている。つぎに、発振閾値以下での発光パターンの強度分布に関する情報を元に、光出力急激低下時期より前に、デバイスの急速劣化を予測する判断の手順を、図1を用いて説明する。まず、基準となる所定の時間T1において、半導体レーザ201からの光出力を光出力受光部203で検出する。また、発振閾値以下での発光プロファイルを発光プロファイル受光部202で検出する。光出力と発光プロファイルの検出はどちらが先でも後でも良いが、発光プロファイルはレーザ201の発振閾値以下で取得するため、先に光出力を測定し、その際に発振閾値を検出しておくと効率がよい。時間T1での光出力に関する情報と、発光プロファイルに関する情報を、T1データ保持部204にて保持しておく。ここで、時間T1とは、デバイスの基準となるデータが取得できる時間であればいつでも良い。デバイス使用開始からしばらく通電し特性が安定した初期の時間であることが好ましい。また、光出力に関する情報としては、つぎのような値を選択できる。すなわち、レーザ201への供給電流値を一定としたときの光出力の値、レーザ201へ供給する電流値を変化させそれに伴い変化する光出力の値、レーザ201からの光出力が一定になるよう駆動電流値を調整するときの駆動電流値、等が選択できる。ここで、駆動電流値を光出力に関する情報とする場合には、図1の構成の他、光出力受光部203からのデータによりレーザ201への供給電力を調整する駆動回路が必要となる。この駆動回路からの駆動電流値が、光出力に関するデータとしてT1データ保持部204に保持される。発光プロファイルは、レーザ201に対し、発振閾値以下の電流値を注入した状態でプロファイル受光部202にて発光プロファイルを測定する。プロファイル受光部202は、レーザ201における発光領域の2次元或いは1次元の強度が取得できる受光機構であり、CCD、CMOS等のセンサや、フォトディテクタアレイ等を選択することができる。発光プロファイルに関する情報としては、つぎのようなものを選択できる。すなわち、レーザ201の発光領域全体の光強度プロファイル、レーザ201の発光領域中心を通る光出力断面強度分布、レーザ201の発光領域中心を通る光出力断面強度分布の半値幅、レーザ201の発光領域において外側部分の強度の積分値、等を選択できる。この際、断面強度分布を選択する場合は、発光プロファイル変化が見えやすい方向を選択する。例えば、傾斜基板を用いたレーザの場合、傾斜方向と平行な方向から変化が生じるため、断面の方向を傾斜方向に関連して決定することが好ましい。方向に関しての詳細は後述する。次に、T1<Tnである時間Tnにおいて、レーザ201からの光出力と発光プロファイルを、光出力受光部203、プロファイル受光部202により検出する。T1、Tnデータ比較部205に、少なくとも1回以上の時間Tnにおける光出力に関する情報と発光プロファイルに関する情報、T1データ保持部204から時間T1における情報が送られる。これらの情報を比較することにより、時間Tnでのレーザ201の状態を判断する。判断結果が信号出力部206に送られ、適切な信号を出力する。ここで、情報の比較判断の方法を、図6を用いて説明する。まず、光出力に関する情報において、時間T1、Tnの比較を行う。それにより、変化が大きい場合、小さい場合に判断が分けられる。ここで、デバイスの初期特性において使用環境での温度変化範囲での変化内であれば変化が小さい、それ以上であれば変化が大きいと判断する。例えば、図4で示した特性のデバイスの場合、使用環境温度が50°C~60°Cの範囲内であれば、電流値Aでの光出力変化が10以内であれば変化が小さい、それより大きければ変化が大きいと判断する。次に、発光プロファイルに関する情報において、時間T1、Tnの比較を行う。それにより、変化が大きい場合、小さい場合に判断が分けられる。光出力変化が小さく、発光プロファイル変化も小さい場合の一例を、図7に示す。図7aには時間T1とTnでのデバイスの注入電流に対する光出力の特性を、図7bには時間T1とTnでのデバイス発光プロファイルの断面データを示す。図7aから、使用条件である電流値Bでの光出力変化は、殆どないことが分かる。図7bより、発光プロファイルの変化も殆どないことが分かる。この場合、素子は正常な状態である。光出力急激低下時期はまだ先のため、そのままの状態で使用し続けることが可能である。この際、信号出力部は、正常、劣化なし等の信号を出力する、或いは信号を出さない処理を行う。光出力変化が小さく、発光プロファイル変化が大きい場合の一例を、図7と同様図8に示す。図8aからは、図7と同様、使用条件である電流値Cでの光出力変化は殆どないことが分かる。一方、図8bより、発光プロファイルの断面データが大きく異なっていることが分かる。この例では、時間T1と時間Tnでは、断面データの半値幅は23減少している。この場合は、光出力急激低下時期が迫っている状態である。この際、信号出力部は劣化近い、素子交換必要、そろそろ劣化等、適切な信号を適切な場所へ送信する。光出力変化が大きいが、発光プロファイル変化が小さい場合、素子は光出力急激低下時期にはまだなっていない。環境温度が想定よりも大きく変化したため、光出力変化が大きくなってしまったことが想定される。この場合には、設置環境やレーザデバイス搭載装置内他の部品に故障がないかをチェックする。また、レーザデバイスへの注入電流値を調整することで、使用光出力を得ることができる。この際、信号出力部は内部環境チェック、内部温度チェック等の信号を送信する。光出力変化が大きく、発光プロファイル変化も大きい場合、デバイスは既に図3で示した光出力急激低下時期102の状態となっている。この場合には早急にデバイス交換が必要である。交換までの間は装置が使用できない、または劣化に気付かない場合は本来の性能が出ないまま装置を使うこととなる。Tnの測定間隔を狭めることにより、このような状況になる前に検出することが可能となる。この際、信号出力部は素子故障、素子劣化、すぐに交換等の信号を送信する。以下の実施例により、本発明におけるデバイスの光出力急激低下兆候の有無を判断するための、発振閾値以下での発光パターンプロファイル取得、比較方法の具体例について説明する。[実施例1]本実施例では閾値以下での発光プロファイルを取得する方法として、透過波長制限フィルタを通したプロファイルを取得する場合について説明する。透過波長制限フィルタとは、一定波長領域のみ透過するバンドパスフィルタ、一定波長以上を透過するロングパスフィルタ、一定波長以下を透過するショートパスフィルタ、等の波長フィルタが含まれる。図2に、本実施例の構成を示す。半導体レーザ201と、プロファイル受光部202との間に、フィルタ210が設置されている以外は、図1の構成と同じである。フィルタ210の透過波長選択としては、特に活性層の発光波長を除いた波長帯のフィルタを用いることで、光出力急激低下時期より前の発光プロファイルパターン変化をより高いコントラストで検出することができる。また、共振器の反射鏡としてDBRミラーを利用しているデバイスの場合、活性層の発光強度分布の裾がある波長領域、かつ、このDBRミラーの反射率が90以下である波長領域を透過するフィルタを選択する。これにより、光出力急激低下時期より早い段階での変化を検出できる。例えば、活性層の発光波長を668nmと設定すると、フィルタ210としては、660,650,640nmを中心波長とし、つぎのようなフィルタを用いることができる。すなわち、透過波長半値幅10nmの波長域を透過するバンドパスフィルタ、660~600nmの各種ショートパスフィルタ、700nm以上の各種ロングパスフィルタ、等を用いることができる。図12、図13、図14に、我々が作製したデバイスにおいて、光出力急激低下時期直前の各種フィルタを通した発光パターン像を示す。フィルタの種類はそれぞれ、a600nmショートパス、b640nmバンドパス、c650nmバンドパス、d650nmショートパス、e660nmバンドパス、f700nmロングパス、g680nmバンドパス、h690nmバンドパス、である。DBRミラーの反射率が90を超えている波長帯での透過像であるg、hと、反射率が90以下の波長帯での透過像であるa~fでは、像のコントラストや見え方が異なる。DBRミラーの反射率が90以下であるa~fにおいて、光出力変化よりも早い段階での変化を検出することができる。フィルタの波長域選択として、DBRミラーの反射率が90以下でかつ活性層の発光波長領域により近い波長を含む波長領域を選択することが、少ない注入電流量で像が取得できるため、より好ましい。本例の場合は、650nmバンドパスフィルタ、ショートパスフィルタを用いることで、注入電流量が50uA程度と低くてもプロファイル像取得が可能であるため、測定のための寿命への影響を最小限に抑えることが可能である。フィルタ210を介さず、光出力受光部203にて、レーザ201の光出力に関する情報を取得する。次に、発振閾値以下の注入電流において、フィルタ210を透過させてプロファイル受光部202にて、発光プロファイルパターンを取得する。時間T1でのそれぞれのデータをT1データ保持部で保管しておき、時間TnでのそれぞれのデータとT1、Tnデータ比較部205にて比較する。本実施例では、発光パターンプロファイルに関する情報を、発光強度分布発光強度プロファイルの半値幅とする。光出力に関する情報においてT1とTnで大きな変化がないときに、発光パターンプロファイルにおいて時間T1での半値幅を基準とし、時間Tnでの半値幅が20以上低下したところを、光出力急激低下兆候が有る、とする。本実施例では、上記のように発光パターンプロファイル変化が所定の規定値である20以上低下したところを光出力急激低下兆候があるとしたが、この値は状況に応じて決定することができる。劣化素子交換が短時間に可能な場合は、この値をより大きく設定できるし、劣化素子の交換に時間を有する場合はより小さく設定することが可能である。但し、測定環境や位置の誤差の影響を小さくするためには、10以上とすることが好ましい。発光パターンプロファイルの変化は、レーザ201の劣化開始部に応じて表れると予想される。レーザ201が傾斜基板を用いている際は、デバイス劣化の開始は傾斜方向に関係する傾向が見られるため、発光パターンプロファイル強度分布の半値幅としては、この方向の強度を使用すると、より変化が早く顕著に表れる。ここで傾斜基板とは、基板の面方位に対して、指定された方向にある角度傾いた面が表面となっている基板のことを呼ぶ。例えば、GaAs100面に対し、<111A>方向に10°傾斜した基板上に形成されたレーザ201の場合、この<111A>方向での断面発光プロファイルを参照することで、光出力急激低下兆候に関する変化がより早く、顕著に表れる。一例として、我々の作製したレーザデバイスにおける光出力の時間変化を図11に示す。駆動の条件は、環境温度60°C、電流値一定駆動である。この電流値条件は、実使用条件のおよそ100倍の加速条件である。このデバイスにおいて、実使用条件を1mWとすると、650nmショートパスフィルタを通した発光パターンプロファイルの半値幅変化が20低下した時点から使用条件を満たさなくなるまではおよそ100時間である。つまり、劣化デバイス交換のため、およそ4日の余裕が得られる。従って、発光パターンプロファイル変化により検知した時点で、装置メンテナンス部門に信号出力部206から信号を送付する。これにより、休日を含めても余裕を持った、効率的なデバイス交換日程を組むことが可能となる。[実施例2]実施例2では、図1、2における半導体レーザ201が、表面に反射率分布を有している構成例について、図10を用いて説明する。使用モードとして、基本モードが望まれる場合は、発振モードを基本モードに制限するため、光出力面において高次モードの強度が強い部分の反射率を落とすことにより、高次モードにロスを与える方法が取られることがある。図10aにこのデバイスの発振閾値以下での発光プロファイル像を、図10bに対応する表面反射率を示す。図10aでは、発光領域を501で、反射率境界を502で示す。発振閾値以下での発光プロファイル像では、高反射率である中心部分、つまり反射率境界502の内側が暗く、低反射率である発光領域内の周囲の部分、つまり発光領域501の内側かつ反射率境界502の外側が明るく見える。このようなデバイスにおいては、光出力急激低下の兆候有無を判断する方法として、発光パターンのプロファイルデータとしては、表面反射率が低い領域を参照する。時間T1での基本データを取得した後、時間Tnにおいて光出力情報、発光プロファイル情報を取得する。本実施例において、発光プロファイル情報とは、上記に記載した表面反射率が低い領域における発光強度の積分値とする。時間T1、時間Tnでの光出力に大きな変化が認められない場合、時間T1に比べて時間Tnでの発光強度の積分値低下が10以内であれば、このデバイスは正常であり、光出力急激低下時期はまだ先である。一方、積分値低下の割合が大きくなると、光出力急激低下時期が近づいていると判断できる。半導体レーザ201が傾斜基板を用いている場合は、実施例1の記載と同様、この傾斜方向強度の発光プロファイル変化を使用することで、より変化が早く顕著に表れる。図10aでは、傾斜方向を線503で示している。この線を通る断面のプロファイル変化を参照することで、デバイス光出力急激低下の兆候有無をより早く効果的に検出することができる。一例として、発光パターンプロファイル積分値の変化は、我々の作製した発光デバイスにおいて、使用条件が60°C、1mWの場合では、積分値変化が35低下した時点から使用条件を満たさなくなるまではおよそ100時間である。つまり、劣化素子の交換のため、およそ4日の余裕が得られる。従って、発光パターンプロファイル変化により検知した時点で装置メンテナンス部門に信号出力部206から信号を送付することにより、休日を含めても余裕を持った、効率的なデバイス交換日程を組むことが可能となる。"