"塩素と一酸化炭素とを、触媒を充填した反応管を有する多管式反応槽に供給して塩化カルボニルを製造する方法であって、i反応管内は、触媒と反応に不活性な充填材とを交互に積層させ充填しており、ii各触媒層の層高さが30~200mmの範囲であり、iii反応管内の反応時のガス最大温度を250~450°Cの範囲とすることを特徴とする塩化カルボニルの製造方法。触媒が活性炭である請求項1記載の塩化カルボニルの製造方法。触媒の平均粒径が0.5~5.0mmの範囲である請求項1記載の塩化カルボニルの製造方法。触媒の比表面積が800~1300m2/gの範囲である請求項1記載の塩化カルボニルの製造方法。反応槽に供給する塩素と一酸化炭素とのモル比が1.000:1.005~1.100である請求項1記載の塩化カルボニルの製造方法。塩化カルボニルの四塩化炭素含有量が10ppm以下である請求項1記載の塩化カルボニルの製造方法。請求項1~6のいずれか1項に記載の製造方法により塩化カルボニルを得、得られた塩化カルボニルと二価フェノールとを反応させるポリカーボネート樹脂の製造方法。得られた塩化カルボニルを凝縮させずに、気体のまま反応に用いる請求項7記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。ポリカーボネート樹脂の四塩化炭素含有量が1.0ppm以下である請求項7または8記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。請求項7~9のいずれか1項に記載の製造方法によりポリカーボネート樹脂を得、得られたポリカーボネート樹脂を溶融成形する成形品の製造方法。本発明の目的は、特別な精製工程や特殊な触媒を用いることなく、比較的簡易な方法で、不純物の副生がほとんど解消され、色相が良好な塩化カルボニルを製造する方法を提供することにある。また本発明の目的は、金属腐蝕性物質が少なく、色相に優れ、成形熱安定性に優れたポリカーボネート樹脂を提供することにある。本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、塩素と一酸化炭素とを混合し、触媒を充填した反応管を有する多管式反応槽に供給、反応させて塩化カルボニルを製造する方法において、反応管内の触媒と反応に不活性な充填材とを特定の方法で希釈することにより、不純物の副生を大幅に抑制でき、生成する塩化カルボニル中の不純物を大幅に低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明によれば、以下の発明が提供される。1.塩素と一酸化炭素とを、触媒を充填した反応管を有する多管式反応槽に供給して塩化カルボニルを製造する方法であって、i反応管内は、触媒と反応に不活性な充填材とを交互に積層させ充填しており、ii各触媒層の層高さが30~200mmの範囲であり、iii反応管内の反応時のガス最大温度を250~450°Cの範囲とすることを特徴とする塩化カルボニルの製造方法。2.触媒が活性炭である前項1記載の塩化カルボニルの製造方法。3.触媒の平均粒径が0.5~5.0mmの範囲である前項1記載の塩化カルボニルの製造方法。4.触媒の比表面積が800~1300m2/gの範囲である前項1記載の塩化カルボニルの製造方法。5.反応槽に供給する塩素と一酸化炭素とのモル比が1.000:1.005~1.100である前項1記載の塩化カルボニルの製造方法。6.塩化カルボニルの四塩化炭素含有量が10ppm以下である前項1記載の塩化カルボニルの製造方法。7.前項1~6のいずれか1項に記載の製造方法により塩化カルボニルを得、得られた塩化カルボニルと二価フェノールとを反応させるポリカーボネート樹脂の製造方法。8.得られた塩化カルボニルを凝縮させずに、気体のまま反応に用いる前項7記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。9.ポリカーボネート樹脂の四塩化炭素含有量が1.0ppm以下である前項7または8記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。10.前項7~9のいずれか1項に記載の製造方法によりポリカーボネート樹脂を得、得られたポリカーボネート樹脂を溶融成形する成形品の製造方法。なお、本明細書において、塩素分子とは二つの塩素原子が結合した分子であり、塩化カルボニル中では、通常、気体で存在する。ポリカーボネート樹脂中の塩素含有量とは塩素分子、臭化塩素分子、塩化カルボニル分子などの塩素原子を含む分子について、これら成分のうち塩素原子に相当する成分の総量を示す。また、本明細書において、臭素分子とは二つの臭素原子が結合した分子であり、塩化カルボニル中では通常気体で存在する。ポリカーボネート樹脂中の臭素含有量とは臭素分子、臭化塩素分子、臭化カルボニル分子等の臭素原子を含む分子について、これら成分のうち臭素原子に相当する成分の総量を示す。本発明の塩化カルボニルの製造方法によれば、特別な精製工程や特殊な触媒を用いることなく、比較的簡易な方法で四塩化炭素含有量が少なく、色相が良好な塩化カルボニルが得られる。また本発明によれば、金属腐蝕性物質が少なく、色相に優れ、成形熱安定性に優れたポリカーボネート樹脂を提供することができる。以下、本発明についてさらに詳細に説明する。<塩化カルボニルの製造方法>本発明の塩化カルボニルの製造方法は、塩素以下、Cl2と略称することがあると一酸化炭素以下、COと略称することがあるとを、触媒を充填した反応管を有する多管式反応系内に供給して塩化カルボニルを得る方法である。本発明においては、反応管内の触媒と反応に不活性な充填材とを交互に積層充填することにより、触媒密度を低下させて反応させることを特徴とする。塩素反応に用いる塩素の臭素原子含有量は、好ましくは150ppm以下、より好ましくは125ppm以下、さらに好ましくは100ppm以下である。臭素原子含有量とは、臭素分子、臭化塩素などの中の臭素原子を含有する化合物中の臭素原子量のことである。臭素原子含有量が150ppmを越えると塩化カルボニル中の臭素分子含有量が10ppmより多くなりやすく、この塩化カルボニルを用いて得られたポリカーボネート樹脂は臭素原子含有量が0.5ppmを越えやすくなり、ポリカーボネート樹脂の品質に問題が生じやすくなる。臭素原子含有量の少ない塩素は、電解ソーダ法、タウンズ法など各種の方法で製造することができる。なかでも電解ソーダ法を用いて製造する方法が最も経済的且つ一般的である。一酸化炭素反応に用いる一酸化炭素中の硫黄原子含有量は、好ましくは10ppm以下、より好ましくは5ppm以下、さらに好ましくは0.5ppm以下である。一酸化炭素中の硫黄原子含有量が10ppmを越えると塩化カルボニル中の硫黄原子含有量が5ppmを超え、この塩化カルボニルを用いて得られたポリカーボネート樹脂は硫黄原子含有量が100ppbを超えやすくなり、ポリカーボネート樹脂の品質に問題が生じやすくなる。硫黄原子含有量が10ppm以下の一酸化炭素は、コークスと酸素と反応させて得られた一酸化炭素を金属添加触媒、例えば、銅Cu、クロムCr、バナジュウムV、モリブデンMoなどの金属酸化物および/または金属塩を添着した活性炭または活性アルミナなどに接触せしめ、次いで、苛性ソーダ水溶液に接触させる方法や苛性ソーダ水溶液に接触させた後に、活性アルミナに接触させる方法などによって得られる。塩素と一酸化炭素の反応比塩素と一酸化炭素との反応系内への供給割合は、1.000:1.005~1.100モル比が好ましく、1.000:1.008~1.090モル比がより好ましく、1.000:1.010~1.080モル比がさらに好ましい。通常、一酸化炭素が過剰になりすぎると最終的に廃棄される一酸化炭素や同伴する塩化カルボニルが多くなり、この廃棄費用がコスト負担となる問題があり、できるだけ少ない方が効率的である。しかしながら、一酸化炭素が少なすぎると、生成した塩化カルボニル中に未反応のハロゲンが残留しやすくなり、塩化カルボニルやポリカーボネートの品質が劣化する可能性が高くなる。不純物副生の抑制機構塩化カルボニルの生成反応では、従来より副反応による四塩化炭素の生成が問題となっている。この副反応で生じた四塩化炭素は、蒸留などの精製設備で系内より除去しない限り、そのほとんどが最終製品に含有されるため、最終製品の品質リスクが大きくなってしまう。例えば、本発明で得られた塩化カルボニルの用途の一つの形態として、得られた塩化カルボニルを用いてポリカーボネート樹脂を生産することが挙げられるが、使用する塩化カルボニル中に四塩化炭素が多く残留していた場合には、ポリカーボネート樹脂にも比較的多く残留することが知られており、その場合には改善が必要とされる。そこで、問題を解決する手段として、本発明者は触媒と不活性充填材とを積層して充填することにより、触媒密度を低下させて反応ガスの温度を上がりすぎないようコントロールすることができ、これにより副反応を抑制できることを確認し、本発明を完成した。具体的には、触媒と充填材とを層状に交互に充填する際に、触媒層の一層辺りの層高さを30~200mmとし、好ましくは40~140mmとし、より好ましくは50~120mmとする。この触媒層の層高さが200mmを超えると、一層毎の反応発熱量が大きくなり、反応ガス温度が高くなり、副反応の抑制が難しくなる。一方、層高さが30mm未満になると、充填時の作業負担が大きく、また触媒層のガス流路が短くなるため、偏流が生じやすくなるという問題がある。触媒と不活性充填材とを交互に積層するときの層数は、合わせて2層以上であればよく、好ましくは2~60層、より好ましくは4~50層、さらに好ましくは6~40層、特に好ましくは8~30層である。反応時のガス最大温度については、通常は500~600°C程度まで上がるところを、もう少し低い、より適正な範囲に低減すれば、副反応を大幅に抑制できること、さらに正反応にもそれほど影響を及ぼさず、結果として高純度の塩化カルボニルを得られることを見出した。すなわち、本発明においては、反応が平衡状態において、ガス最大温度の範囲は、250~450°Cであり、260~440°Cが好ましく、270~430°Cがより好ましく、280~420°Cがさらに好ましい。反応ガス温度が低すぎると、副反応だけでなく正反応も大幅に抑制され、生成した塩化カルボニル中に未反応のハロゲンが残留しやすく、一方、温度が高すぎると副反応を充分には抑制できず、不純物が副生され、生成した塩化カルボニル中に多量に混入するため、品質上好ましくない。触媒の種類本発明で使用される触媒の種類には特に制限は無く、多孔質触媒であれば本反応の触媒として使用できる。工業的には活性炭触媒が多く用いられているが、ゼオライトなどの多孔質無機触媒を用いることもできる。活性炭触媒はその種類の多さ、価格や廃棄コストが比較的安価であること、さらに取り扱いや廃棄方法も簡便であるなどのメリットから広く用いられているが、活性炭炭素と塩素分子の副反応により四塩化炭素を生じやすいという大きな問題がある。一方、ゼオライトなどの無機触媒を用いた場合には、反応系内に炭素が無いため四塩化炭素の生成は抑制できるものの、活性炭に比べて反応活性に劣るため単独で使用しても純度の高い塩化カルボニルを得ることは困難であり、後段に活性炭触媒を設けるなど、他の触媒と組み合わせての使用が望ましい。触媒の比表面積通常、四塩化炭素の副生を抑制するためには、触媒の比表面積を制限し、反応性をコントロールする方法が考えられるが、そのような特殊な触媒を開発、製造することは容易ではなく、コスト負担にもなりやすい。一方、本発明では不活性充填材を用いて触媒活性をコントロールするため、用いる触媒は特別なものである必要が無く、一般的に使用されている反応用固体触媒で良い。すなわち、本発明で使用される触媒の比表面積は、好ましくは800~1300m2/g、より好ましくは850~1250m2/g、さらに好ましくは900~1200m2/gの範囲である。比表面積が800m2/gよりも小さいと、充分な反応活性が得られず、未反応のハロゲンが残留し、塩化カルボニルやポリカーボネートの品質を損ねる可能性がある。一方、1300m2/gよりも大きくなると、反応性が大きすぎて、反応ガス温度を大幅に低下させても、副反応により四塩化炭素が生じやすく、塩化カルボニルやポリカーボネートの品質を損ねる可能性が高い。触媒の粒径触媒の平均粒径は、好ましくは0.5~5.0mm、より好ましくは1.0~4.0mm、さらに好ましくは1.5~3.0mmの範囲である。平均粒径が0.5mmよりも小さいとハンドリング性の悪化や圧力損失の増大などの物理的悪影響だけでなく、反応性が良すぎて四塩化炭素副生量が増えたり、触媒寿命が短くなったりという化学的な悪影響が考えられる。一方、平均粒径が5.0mmよりも大きくなると、反応性が不十分となり得られる塩化カルボニル中の塩素分子や臭素分子が残留しやすくなるため好ましくない。充填材の種類本発明で使用される充填材の種類としては、特に制約は無いものの、品質安全性および機械強度が保たれ、さらに反応に不活性で、得られる塩化カルボニルの品質への影響が無いものを使用する必要がある。用いられる材質としては、磁器製、ステンレス製およびカーボン製などが挙げられる。また、その形状にも制約は無いものの、触媒の希釈性能、圧力損失、ハンドリング性を考えると、ラシヒリング、ポールリング、インタロックスサドル、ハイパック、IMTPなどが好適である。なお、分散板のようなものを反応管内に設置しても本目的は達成できる。反応圧力本発明において、反応槽における反応時の圧力は、好ましくは0.05~0.50MPaゲージ圧を示す。以下同様、より好ましくは0.06~0.40MPa、さらに好ましくは0.07~0.30MPaの範囲である。反応圧力が0.50MPaより大きくなると、反応速度が大きくなるため反応温度も高くなり、その結果、塩化カルボニル中の四塩化炭素含有量が多くなる場合がある。一方、反応圧力が0.05MPa未満になると、反応速度が小さくなりすぎるため、その結果、塩化カルボニル中に塩素分子および臭素分子が非常に多量に残留する場合がある。塩化カルボニルの凝縮及び精製工程上述した反応方法により得られた塩化カルボニルは、ブラインを通液したコンデンサーにより冷却し液化塩化カルボニル貯槽を設けて貯槽することができる。通常は、このように凝縮、液化した後に蒸留精製されるのが普通であるが、本発明で得られた塩化カルボニルは精製しなくとも純度が高いため蒸留工程は不要である。そして、蒸留の必要が無い事から、凝縮する必要も無く、本発明で得られた塩化カルボニルは、気体のまま後工程の反応に用いることができる。これにより、大幅な工程の短縮、設備費の削減、ランニングコストの低減が可能となる。また、有害物である塩化カルボニルの工程保有量を極限まで削減できるため、安全面においても非常に大きな改善効果がある。塩化カルボニルの品質本発明の塩化カルボニルの製造方法によれば、得られる塩化カルボニル中の四塩化炭素含有量を10ppm以下にすることができる。四塩化炭素含有量は9ppm以下が好ましく、8ppm以下がより好ましい。塩化カルボニル中の四塩化炭素含有量が10ppmを越えた場合は、塩化カルボニルの色相が悪化し、また、四塩化炭素含有量1.0ppm以下であるポリカーボネート樹脂が得られず、かかるポリカーボネート樹脂は色相および金属腐食性が劣り広範囲の用途に適用し難い。また、得られる塩化カルボニル中の塩素分子含有量は20ppm以下が好ましく、15ppm以下がより好ましく、10ppm以下がさらに好ましく、8ppm以下が特に好ましい。さらに、得られる塩化カルボニル中の臭素分子含有量は10ppm以下が好ましく、8ppm以下がより好ましく、5ppm以下がさらに好ましく、4ppm以下が特に好ましい。塩化カルボニル中の塩素分子含有量が20ppmまたは臭素分子含有量が10ppmを越えた場合は、塩化カルボニルの色相が悪化し、また、塩素含有量1ppm以下および臭素含有量0.5ppm以下であるポリカーボネート樹脂が得られず、かかるポリカーボネート樹脂は色相および金属腐食性に不十分であり広範囲の用途に適用し難い。<ポリカーボネート樹脂>本発明のポリカーボネート樹脂は、二価フェノールと、四塩化炭素含有量が10ppm以下、塩素分子含有量が20ppm以下および臭素分子含有量が10ppm以下の塩化カルボニルとを反応させることにより製造することができる。二価フェノールの例として、ハイドロキノン、レゾルシノール、4,4’-ビフェノール、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルエタン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルプロパン通称ビスフェノールA、2,2-ビス4-ヒドロキシ-3-メチルフェニルプロパン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルブタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルペンタン、4,4’-p-フェニレンジイソプロピリデンジフェノール、4,4’-m-フェニレンジイソプロピリデンジフェノール、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-4-イソプロピルシクロヘキサン、ビス4-ヒドロキシフェニルオキシド、ビス4-ヒドロキシフェニルスルフィド、ビス4-ヒドロキシフェニルスルホキシド、ビス4-ヒドロキシフェニルスルホン、ビス4-ヒドロキシフェニルケトン、ビス4-ヒドロキシフェニルエステル、2,2-ビス3,5-ジブロモ-4-ヒドロキシフェニルプロパン、ビス3,5-ジブロモ-4-ヒドロキシフェニルスルホン、ビス4-ヒドロキシ-3-メチルフェニルスルフィド、9,9-ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレン、9,9-ビス4-ヒドロキシ-3-メチルフェニルフルオレンなどが挙げられる。これらは単独あるいは2種以上使用することができる。これらの中でも、ビス4-ヒドロキシフェニルアルカン、特にビスフェノールA以下BPAと略称することがあるが汎用されている。このような二価フェノールと塩化カルボニルとから界面重合法によってポリカーボネートを製造するに当っては、必要に応じて触媒、末端停止剤、二価フェノールが酸化するのを防止するための酸化防止剤などを使用してもよい。また、ポリカーボネートは3官能以上の多官能性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネートであってもよい。ここで使用される3官能以上の多官能性芳香族化合物としては、1,1,1-トリス4-ヒドロキシフェニルエタン、1,1,1-トリス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルエタンなどが挙げられる。分岐ポリカーボネートを生ずる多官能性化合物を含む場合、その量は、ポリカーボネート全量中、0.001~1モル、好ましくは0.005~0.9モル、特に好ましくは0.01~0.8モルである。ポリカーボネートの重合反応において、界面重縮合法による反応は、通常、二価フェノールと塩化カルボニルとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物またはピリジンなどのアミン化合物が用いられる。有機溶媒としては、例えば、塩化メチレン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のために、例えば、トリエチルアミン、テトラ-n-ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ-n-ブチルホスホニウムブロマイドなどの3級アミン、4級アンモニウム化合物、4級ホスホニウム化合物などの触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常0~40°C、反応時間は10分~5時間程度、反応中のpHは9以上に保つのが好ましい。また、かかる重合反応においては、通常、末端停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フェノール類を使用することができる。単官能フェノール類としては、例えば、フェノール、p-tert-ブチルフェノール、p-クミルフェノールなどの単官能フェノール類を用いるのが好ましい。さらに、単官能フェノール類としては、デシルフェノール、ドデシルフェノール、テトラデシルフェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノールおよびトリアコンチルフェノールなどの炭素数10以上の長鎖アルキル基で核置換された単官能フェノールを挙げることができ、該フェノールは流動性の向上および耐加水分解性の向上に効果がある。かかる末端停止剤は単独で使用しても2種以上併用してもよい。ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量は限定されない。しかしながら、粘度平均分子量は、1.0×104未満であると衝撃強度などの機械物性が低下し、5.0×104を超えると成形加工特性が低下するようになるので、1.0×104~5.0×104の範囲が好ましく、1.2×104~3.0×104の範囲がより好ましく、1.5×104~2.8×104の範囲がさらに好ましい。この場合、成形性などが維持される範囲内で、粘度平均分子量が上記範囲外であるポリカーボネートを混合することも可能である。例えば、粘度平均分子量が5.0×104を超える高分子量のポリカーボネート成分を配合することも可能である。本発明でいう粘度平均分子量は、まず、次式にて算出される比粘度ηSPを20°Cで塩化メチレン100mlにポリカーボネート0.7gを溶解した溶液からオストワルド粘度計を用いて求め、比粘度ηSP=t-t0/t0[t0は塩化メチレンの落下秒数、tは試料溶液の落下秒数]求められた比粘度ηSPから次の数式により粘度平均分子量Mを算出する。ηSP/c=[η]0.45×[η]2c但し[η]は極限粘度[η]=1.23×10-4M0.83c=0.7本発明によれば、上述した不純物の低減された塩化カルボニルを用いることにより、四塩化炭素含有量が1.0ppm以下のポリカーボネート樹脂が得られる。該ポリカーボネート樹脂は色相および金属腐食性に優れる。四塩化炭素含有量が上記範囲を外れると色相または金属腐食性に劣るポリカーボネート樹脂となる。四塩化炭素含有量は0.9ppm以下が好ましく、0.8ppm以下がより好ましい。また、上述した不純物の低減された塩化カルボニルを用いることにより、塩素含有量が1.0ppm以下、且つ臭素含有量が0.5ppm以下のポリカーボネート樹脂が得られる。該ポリカーボネート樹脂は色相および金属腐食性に優れる。塩素含有量および臭素含有量のいずれかが上記範囲を外れると色相または金属腐食性に劣るポリカーボネート樹脂となる。塩素含有量は0.8ppm以下が好ましく、0.6ppm以下がより好ましい。臭素含有量は0.4ppm以下が好ましく、0.3ppm以下がより好ましい。本発明のポリカーボネート樹脂には、通常、ポリカーボネート樹脂に配合される各種の添加剤、例えばリン系安定剤、ヒンダードフェノール系安定剤、紫外線吸収剤、難燃剤、ブルーイング剤、光拡散剤、帯電防止剤、熱線吸収能を有する化合物、無機充填材、流動改質剤、抗菌剤、光触媒系防汚剤、赤外線吸収剤、フォトクロミック剤、染料または顔料などを含むことができる。また、他の樹脂やエラストマーを本発明の目的が損なわれない範囲で少割合使用することもできる。<成形品>本発明のポリカーボネート樹脂は、溶融押出法により製造されたペレットを溶融成形して各種成形品を製造することができる。かかる溶融成形においては、通常は射出成形により効率的に成形品を得ることができる。射出成形には、目的に応じて、射出圧縮成形、射出プレス成形、ガスアシスト射出成形、発泡成形超臨界流体の注入によるものを含む、インサート成形、インモールドコーティング成形、断熱金型成形、急速加熱冷却金型成形、二色成形、サンドイッチ成形、および超高速射出成形などが含まれる。これら各種成形法の利点は既に広く知られるところである。また成形はコールドランナー方式およびホットランナー方式のいずれも選択することができる。また、本発明のポリカーボネート樹脂は、押出成形により各種異形押出成形品、シート、フィルムなどの形で使用することもできる。またシート、フィルムの成形にはインフレーション法や、カレンダー法、キャスティング法なども使用可能である。本発明のポリカーボネート樹脂は、色相、成形時の熱安定性、金属腐食性などに優れ、光学用途、自動車用途、シリコンウエハー、電気電子機器収納容器および眼鏡レンズなどに適用できる。また、かかる用途以外にも、建設機械、ビル、家屋、温室などの窓ガラスなどに用いることができる。また、ガレージ、アーケードなどの屋根などに用いることができる。また、照灯用レンズ、信号機レンズ、光学機器のレンズ、ミラー、眼鏡レンズ、ゴーグル、消音壁、バイクの風防、銘板、太陽電池カバー、太陽電池基材、ディスプレー装置用カバー、タッチパネルなどに用いることができる。また、パチンコ機などの遊技機、その回路カバー、シャーシ、パチンコ玉搬送ガイドなどの部品に用いることができる。さらに、本発明のポリカーボネート樹脂からなる成形品には、各種の表面処理を行うことが可能である。ここでいう表面処理とは、蒸着物理蒸着、化学蒸着など、メッキ電気メッキ、無電解メッキ、溶融メッキなど、塗装、コーティング、印刷などの樹脂成形品の表層上に新たな層を形成させるものであり、通常のポリカーボネート樹脂に用いられる方法が適用できる。表面処理としては、具体的には、ハードコート、撥水撥油コート、紫外線吸収コート、赤外線吸収コート、並びにメタライジング蒸着などなどの各種の表面処理が例示される。以下、実施例に従って、本発明を具体的に説明するが本発明は要旨を越えない限り、これらの実施例によって限定されるものではない。尚、実施例中部とあるのは重量部を示し、また各種の評価および評価用成形は次の方法で行った。1塩素中の臭素原子含有量:塩素ガス1Lを高純度の20NaOH水溶液40mLで分解し、分解液を10倍希釈後、陽イオン除去フィルター処理したサンプル液を陰イオンクロマトグラフ日本ダイオネクス製DX-300に注入し、臭素イオン定量分析を行った。2塩化カルボニル中の四塩化炭素含有量:塩化カルボニル1μlを電子捕獲型検出器付きガスクロマトグラフ装置日立製作所製263型に注入し測定した。3塩化カルボニル中の塩素分子含有量及び臭素分子含有量:塩化カルボニルガスをマルチウェーブ型プロセスフォトメーターDKK電気化学計器株式会社製3401型に注入し、塩素分子、臭素分子の各定量分析を行った。4塩化カルボニル色相:生成した塩化カルボニルの液化貯槽タンクの内部点検窓より、塩化カルボニル色相を目視評価した。評価水準は1~5の5段階で表し、数字が大きい程黄色味が強いものとする。色相ランク1:無色色相ランク2:ほんの僅かに黄着色色相ランク3:より黄着色度合いが強い色相ランク4:さらに黄着色度合いが酷い色相ランク5:激しく着色このランク分けのうち、色相ランク1および2は塩化カルボニルの品質が正常で良好と判断した。色相ランク3は若干異常状態である。色相ランク4および5は品質異常と判断した。色相ランク4および5の塩化カルボニルを用いて重合されたポリカーボネート樹脂は金型腐食性が顕著に悪化する。5ポリカーボネート樹脂中の四塩化炭素量:120mlのステンレス製容器にペレット5gを入れて密栓し、250°Cで2時間加熱した後、ヘッドスペースガス1mlを電子捕獲型検出器付きガスクロマトグラフ装置日立製作所製263型に注入し測定した。6ポリカーボネート樹脂中の塩素含有量及び臭素含有量:ポリマーパウダーを190°Cにて加温圧縮成形したプレートについて、蛍光X線理学電気工業製RIX2000にて塩素原子強度および臭素原子強度を測定した。7ポリカーボネート樹脂成形品の色相:シリンダー温度320°Cにて射出成形住友重機械工業株製SG260M-HPした厚さ2.0mmの成形板を日本電色株製色差計Z-1001DP型を用いて透過光を測定したX,YおよびZ値からASTM-E1925に基づき、下記式を用いて算出した。YI値が大きいほど成形板の黄色味が強いことを示す。YI=[1001.28X-1.06Z]/Y8ポリカーボネート樹脂の成形熱安定性:上記評価7と同様の形状であって、10分間成形機シリンダー内に滞留させた樹脂より成形された成形板のYI値を、上記評価7と同様に測定した。滞留後の試験片のYI値から滞留前の試験片のYI値を差し引き、かかる差をΔYIとして示した。9ポリカーボネート樹脂成形時の金型腐食性の評価:図1に示す素通し型のヘッドランプレンズを射出成形機住友重機械工業株製SG260M-HPを用いてシリンダー温度320°C、金型温度80°Cにて連続で200枚成形し、その後、金型表面部を相対湿度100、温度120°Cにて24時間湿熱処理した後、表面の腐食状況を観察した。腐食状況評価は1~5までの5段階とし、数字の大きいほうが腐食度合いがより大きいものとする。腐食ランク1:腐食が発生せず腐食ランク2:ほんの僅かに腐食が発生腐食ランク3:より腐食が進行腐食ランク4:さらに腐食度合いが悪化腐食ランク5:激しく腐食このランク分けのうち、腐食ランク1および2は塩化カルボニルの品質が良好で腐食度合いも良好と判断した。腐食ランク3は若干腐食が進行した状態である。腐食ランク4および5は激しく腐食が進行する異常状態と判断した。腐食ランク4および5のポリカーボネート樹脂を用いて成形加工した場合には、成形機スクリューや金型表面に腐食が発生し易く、品質不良を生じ易い。[実施例1]図2に示す装置を用いた。反応熱を除去する機能を有した多管式反応槽のシェル側に65°Cの冷却水を通水し、チューブ側に、活性炭触媒として比表面積980m2/g、平均粒径2.5mmの日本エンバイロケミカルズ株製の椰子殻活性炭と、不活性充填材として平均粒径1/4インチの岩尾磁器工業株製の磁器製ラシヒリングとを、上流側よりそれぞれ各層高さ100mmで5層ずつ合計10層積層して充填した反応槽を設けた。この装置に、反応槽上流側よりCOとCl2臭素原子含有量120ppmの混合ガスを投入し、塩化カルボニルを生成した。平衡状態における、系内へのCOガス仕込量は9.27Nm3/Hr、Cl2ガス仕込量は9.00Nm3/Hrとして塩化カルボニルを得た。このときの反応ガスピーク温度は、330°Cであった。次に、得られた塩化カルボニルを用いてポリカーボネート樹脂を製造した。温度計、撹拌機および還流冷却器付き反応器にイオン交換水219.4部、48水酸化ナトリウム水溶液40.2部を仕込み、これに2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルプロパン57.5部0.252モルおよびハイドロサルファイト0.12部を溶解した後、塩化メチレン181部を加え、撹拌下15~25°Cで上記塩化カルボニル28.3部を40分要して吹込んだ。塩化カルボニル吹き込み終了後、48水酸化ナトリウム水溶液7.2部およびp-tert-ブチルフェノール2.42部を加え、撹拌を始め、乳化後トリエチルアミン0.06部を加え、さらに28~33°Cで1時間撹拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗した後、塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、この塩化メチレン溶液を軸受け部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーの温水中に滴下して塩化メチレンを蒸発して、粘度平均分子量15,000のポリカーボネート樹脂パウダーを得た。このパウダーを145°C、6時間乾燥し、トリス2,4-ジ-tert-ブチルフェニルホスファイトを0.004重量、ステアリン酸モノグリセリドを0.06重量加えた。次に、かかるパウダーをベント式二軸押出機[神戸製鋼株製KTX-46]によりシリンダー温度240°Cで脱気しながら溶融混練し、ポリカーボネート樹脂ペレットを得た。得られた塩化カルボニル及びポリカーボネート樹脂の評価結果を表1に示した。[実施例2]不活性充填材であるラシヒリングの各層高さを50mmにした以外は、実施例1と同様の方法で塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂を得た。得られた塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂の評価結果を表1に示した。[実施例3]活性炭触媒として比表面積1200m2/g、平均粒径2.5mmの日本エンバイロケミカルズ株製活性炭を用いた以外は、実施例1と同様の方法で塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂を得た。得られた塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂の評価結果を表1に示した。[実施例4]不活性充填材として平均粒径1/4インチの岩尾磁器工業株製ステンレス製ハイパックを用いた以外は、実施例1と同様の方法で塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂を得た。得られた塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂の評価結果を表1に示した。[実施例5]活性炭触媒層および不活性充填材の各層高さを50mmで10層ずつ合計20層とした以外は、実施例1と同様の方法で塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂を得た。得られた塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂の評価結果を表1に示した。[比較例1]不活性充填材を用いずに、反応チューブに実施例1で用いたのと同じ種類の活性炭触媒を層高さ500mmで充填した以外は、実施例1と同様の方法で塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂を得た。得られた塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂の評価結果を表1に示した。しかしながら、この方法では反応ガス温度が高すぎて、非常に多量の四塩化炭素が副生し、品質の悪い塩化カルボニル、ポリカーボネート樹脂しか得られなかった。[比較例2]活性炭触媒層の各層高さを220mmとした以外は、実施例1と同様の方法で塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂を得た。得られた塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂の評価結果を表1に示した。しかしながら、この方法でも反応ガス温度は高く、多量の四塩化炭素が副生し、品質の悪い塩化カルボニル、ポリカーボネート樹脂しか得られなかった。[比較例3]活性炭触媒層の各層高さを150mmとした以外は、実施例1と同様の方法で塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂を得た。得られた塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂の評価結果を表1に示した。しかしながら、この方法でも反応ガス温度は比較的高く、多量の四塩化炭素が副生し、品質の悪い塩化カルボニル、ポリカーボネート樹脂しか得られなかった。[比較例4]不活性充填材であるラシヒリングの各層高さを200mmにした以外は、実施例1と同様の方法で塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂を得た。得られた塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂の評価結果を表1に示した。しかしながら、この方法では反応ガス温度が低く、多量のハロゲンが残留し、品質の悪い塩化カルボニル、ポリカーボネート樹脂しか得られなかった。[比較例5]実施例1で用いた活性炭触媒と直径3mmのガラス玉を体積比1:1でタンブラー混合機を用いて混合した後、反応チューブに層高さ1000mmまで充填した。その他は、実施例1と同様の方法で塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂を得た。得られた塩化カルボニルおよびポリカーボネート樹脂の評価結果を表1に示した。しかしながら、この方法ではガス温度は局所的に高い部分があり、多量の四塩化炭素が副生し、品質の悪い塩化カルボニル、ポリカーボネート樹脂しか得られなかった。"