複数の画素電極が形成された表示領域を表面に有し、かつ、前記表示領域を囲む環状の接着領域が前記表示領域の表面に対して所定の高さだけ低い段差に形成された半導体基板と、前記複数の画素電極に所定の間隙を有して対向配置された光透過性及び導電性を有する透明電極が一方の表面に形成された光透過性を有する透明基板と、前記半導体基板の前記接着領域と、前記透明基板の前記接着領域に対応した領域との間を前記所定の間隙を有して貼り合わせるシール部と、前記所定の間隙に充填された液晶とを備えることを特徴とする液晶表示素子。前記段差の前記所定の高さは、前記液晶が封入された前記間隙内の液晶層の平均厚みが15μm以下であるとき、05μm以上に設定されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。半導体基板の表面に複数の画素電極が配置された表示領域と、前記表示領域を囲むように前記表示領域の表面に対して所定の高さだけ低い段差のある環状の接着領域とを形成する領域形成工程と、光透過性を有する透明基板の一方の表面に透明電極を形成する透明電極形成工程と、前記半導体基板の前記接着領域と、前記透明基板の前記接着領域に対応した領域との間を、シール材により前記半導体基板の前記表示領域と前記透明基板の前記透明電極とが所定の間隙を有して離間対向した状態で貼り合わせるシール部形成工程と、前記所定の間隙に液晶を充填する液晶充填工程とを含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。前記領域形成工程は、前記段差の前記所定の高さを、前記液晶が封入された前記間隙内の液晶層の平均厚みが15μm以下であるとき、05μm以上に形成することを特徴とする請求項3記載の液晶表示素子の製造方法。ところで、通常、シール部7自身に高い耐湿性を求める場合、シール部7と透明電極5及び半導体基板3との界面と密着させる必要があり、結果として接着強度を上げることになるためシール部7の硬度は高くなり易い。しかし、あまり強固に接着してしまうと接着剤自身の収縮や接着される透明電極5及び半導体基板3間の熱膨張係数の違いによるストレスから透明基板4に複屈折が発生し、結果として表示品位を下げることになってしまう。逆に、シール部7にストレスを下げるために柔軟な材料、例えばゴム系の材料等を多く含有する材質を使用すると、多くの場合は接着強度が不足し、上記の界面からの水分の浸入を容易にすることになる。シール部7の幅も耐湿性を決める非常に大きな要因である。基本的に水分の拡散はシール部7の幅の自乗に反比例する傾向にあり、どれだけ広い幅を確保できるかは非常に大きな意味を持つ。また、シール部7が与えるストレスに関して考えた場合、シール厚みが薄く幅が広くなると強固に固定されるため、2枚の基板3、4の自由度が下がり、複屈折の発生を起こし易い。近年の液晶表示素子は低コスト化の要求が激しく、画素の小型化によって画素密度を上げてウェハあたりの配置数を増やすことでチップあたりの単価を下げる必要がある。そのような観点から、シール幅を広く取ることができずシール部7の性能向上とシール部7の塗布位置管理によって期待される耐湿性、信頼性の確保に取り組んできた。しかし、現在のシール部7の性能とそれによって得られる耐湿性を考えると大きな改善が難しいところにきており、特に従来の要求性能を全て満足させた上で実現することは困難である。また、昨今の液晶表示素子に求められる性能として高速応答性や高コントラスト、ディスクリネーション量の低減があり、これらは全て液晶表示素子の狭セルギャップ化の方向へ向かう内容である。しかし、既に述べたように高耐湿性を持つシール部7は硬度が高い傾向にあり、また狭セルギャップ化のためにシール部7の厚みを薄くすると相対的に基板3及び4間の自由度が下がり、更に複屈折による画質低下を引き起こし易く、安易にシール部7の材質による改善を行うのが難しい状況にある。本発明は以上の点に鑑みなされたもので、画素電極が形成された基板上のシール部に画素電極面と異なる段差を設けてシール厚みを増やすことで基板間の自由度を増し、複屈折等による画像品位の劣化を抑えることが可能な液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示素子は、複数の画素電極が形成された表示領域を表面に有し、かつ、表示領域を囲む環状の接着領域が表示領域の表面に対して所定の高さだけ低い段差に形成された半導体基板と、複数の画素電極に所定の間隙を有して対向配置された光透過性及び導電性を有する透明電極が一方の表面に形成された光透過性を有する透明基板と、半導体基板の接着領域と、透明基板の接着領域に対応した領域との間を所定の間隙を有して貼り合わせるシール部と、所定の間隙に充填された液晶とを備えることを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示素子は、段差の所定の高さが、液晶が封入された間隙内の液晶層の平均厚みが15μm以下であるとき、05μm以上に設定されていることを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示素子の製造方法は、半導体基板の表面に複数の画素電極が配置された表示領域と、表示領域を囲むように表示領域の表面に対して所定の高さだけ低い段差のある環状の接着領域とを形成する領域形成工程と、光透過性を有する透明基板の一方の表面に透明電極を形成する透明電極形成工程と、半導体基板の接着領域と、透明基板の接着領域に対応した領域との間を、シール材により半導体基板の表示領域と透明基板の透明電極とが所定の間隙を有して離間対向した状態で貼り合わせるシール部形成工程と、所定の間隙に液晶を充填する液晶充填工程とを含むことを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示素子の製造方法は、領域形成工程が、段差の所定の高さを、液晶が封入された間隙内の液晶層の平均厚みが15μm以下であるとき、05μm以上に形成することを特徴とする。本発明によれば、画素電極が形成された基板上のシール部に画素電極面と異なる段差を設けてシール厚みを増やすことで貼り合わされる2つの基板間の自由度を増し、複屈折等による画像品位の劣化を抑えることができる。次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明になる液晶表示素子の一実施の形態の模式的断面図、図2は、本発明になる液晶表示素子の一実施の形態の模式的平面図を示す。両図中、同一構成部分には同一符号を付してある。図1に示すように、本実施の形態の液晶表示素子20は反射型液晶表示素子で、光反射性を有する複数の画素電極2がマトリクス状に形成された表示領域を表面に有する半導体基板21と、光透過性及び導電性を有する透明電極5が一方の表面に形成され、かつ、透明の反射防止膜11が他方の表面に形成された光透過性を有する透明基板4とが、画素電極2と透明電極5とが互いに向き合うように離間対向配置されると共に、配向膜9、10を介し上記表示領域を囲む環状のシール部23によってセルギャップと称される間隙Aを有して貼り合わされ、間隙Aには液晶8が充填されてなる構造を有する。半導体基板21は、シール部23が形成される環状の接着領域の厚さがそれ以外の画素電極などが形成されている表示領域の厚さよりで示す長さだけ薄く形成されており、それにより段差22が形成されている。画素電極2及び配向膜9が形成された半導体基板21は画素電極基板を構成している。また、この半導体基板21には、図2に示すように、複数の画素電極2がマトリクス状に配置された所定範囲Dの表示領域が形成され、更にその表示領域を覆うように図1に示した配向膜9が形成されている。また、所定範囲Dの表示領域の周囲に駆動回路部24が形成され、更にその駆動回路部24上を一部含み、所定範囲Dの表示領域及び配向膜9を囲むように環状のシール部23が形成されている。また、駆動回路部24に隣接して、図1では図示を省略した、液晶表示素子20と外部を電気的に接続するワイヤボンディング用のパッド配置領域25が形成されている。なお、図1に示す配向膜10は、図2に示した所定範囲Dに対応する範囲における透明電極5を覆うように形成されている。上述した透明電極5及び反射防止膜11が形成された透明基板11と、配向膜10と、画素電極基板とは公知の液晶表示素子の製造方法を用いて形成することができる。次に、本発明の要部をなすシール部23について説明する。シール部23の高さは画素面に対し略平行であることが要求される。その理由は、先に述べた特許文献1に記載されているように、セルギャップによって決まる諸特性を安定して得ることと、面内ギャップ厚みムラによる画面輝度の不均一さを軽減することが必要とされるからである。そのため、特許文献1に記載された手法を用いてシール部23を一度平坦化し、画素表面と同じ高さに揃える必要がある。高さを画素面と同じに揃えられたシール部23に対し、半導体製造プロセスで一般的に用いられるホトリソグラフィ、エッチング、レジスト除去の各工程を経て段差22を作成する。こうして作成した画素電極基板を用いて素子化を行う。本実施の形態では液晶8が封入された間隙A内の液晶層の平均厚みが15μm以下であるとき、半導体基板21上のシール部23の接着領域に形成された段差22の、図1にで示す画素電極5の形成された領域の平面との差高さは、05μm以上に設定される。これは、一般的な液晶8の屈折率と光学系の入射-出射角度を考慮した場合に、必要な寸法を概算で算出した結果に基づく。このように、本実施の形態の液晶表示素子20によれば、半導体基板21上のシール部23の接着領域を段差22を設けた構造とすることで、シール部23の厚みを従来よりも増加させたため、半導体基板21を含む画素電極基板と、透明基板4を含む透明電極基板とをシール部23により貼り合わせる場合に、基板間の自由度が増し、複屈折等による画像品位の劣化を抑えることができ。これにより、本実施の形態の液晶表示素子20によれば、従来の素子構造を大きく変化させることなく、生産性の悪化や画素電極基板の取れ数減少によるコストの増大をさせることなく画像品位の悪化を抑制することができる。なお、従来の液晶表示素子1と同様に、本実施の形態の液晶表示素子40もアパチャーマスク12を反射防止膜11の上方に設置し、画像品位を下げる原因となる領域に光を入射しない構造をとることも可能である。次に、本実施の形態の液晶表示素子20の製造方法について図3の各工程の素子断面図と共に説明する。まず、図3aに示すように、公知の方法で半導体基板21上の所定範囲Dにマトリクス状に複数の画素電極2を形成する。続いて、図3bに示すように、画素電極2が形成された半導体基板21の表面全体をレジスト膜31で被覆した後、図3cに示すように通常のフォトリソグラフィ技術を適用して、露光用マスク32によりレジスト膜31の表示領域に対応した領域をマスクし、レジスト膜31の露光用マスク32によりマスクされていない部分に対して露光光を照射する。続いて、図3dに示すように、露光用マスク32を除去した後現像して露光光が照射されていない部分のレジスト膜31を残す。次に、図3eに矢印33で示すように、レジスト膜31をマスクとして公知のエッチングを行い、レジスト膜31で覆われていない部分すなわち、シール部23を形成する部分を所定の深さ分除去する。続いて、図3fに示すように、塩素系のガスなどを用いた公知の方法によりレジスト膜31を除去することにより、レジスト膜31で覆われていない半導体基板21の接着領域の部分に段差22を形成する。この段差22の表面は、画素電極2の表面と平行になるように形成されている。また、後述する液晶8が封入された間隙A内の液晶層の平均厚みが15μm以下であるとき、段差22の表面は、画素電極2の平面との差が05μm以上になるように形成されている。次に、図3gに示すように、光透過性及び導電性を有する透明電極5が一方の表面に形成され、かつ、透明の反射防止膜11が他方の表面に形成された光透過性を有する透明基板4を用意する。透明電極5及び反射防止膜11は公知の液晶表示素子の製造方法を用いて透明基板の両面に容易に形成することが可能である。続いて、図3hに示すように、透明電極5の表面の所定領域Dに配向膜10を被覆した対向電極基板と、画素電極2が形成された所定領域Dに配向膜9を被覆した画素電極基板とを、配向膜9と配向膜10とが互いに対向するように配置する。続いて、図3iに示すように、セルギャップA図1参照に対応する所定の直径を持つスペーサボールが紫外線硬化樹脂に混入されたシール材34を半導体基板31の段差22上に環状に塗布する。このシール材34は耐湿性を向上させやすい硬度の高い材料である。そして、図3jに示すように、透明電極5、反射防止膜11及び配向膜10を含む透明基板4対向電極基板を、配向膜10及び配向膜9が対向した状態で、互いに接近する方向に所定の圧力を印加しつつ上記シール材34を紫外線UV光35の照射により硬化させることによってシール部23を形成して、半導体基板21の接着領域と対向電極基板の上記接着領域に対応する領域との間を貼り合わせる。このとき、シール部23は、セルギャップAの距離をスペーサの直径に応じて設定することができる。この時に塗布されたシール材34の形状は、表示領域図2の所定領域Dに相当にある複数の画素電極2の周囲を完全に覆う場合と、後に液晶を注入する隙間を空けておく場合の2種類が考えられる。完全に覆う場合は画素電極基板と対向電極基板とを重ね合わせる前に、画素電極基板と対向電極基板との間に形成される空間の容積に対応する量の液晶をどちらかの基板の上へ事前に供給しておく必要がある。また、通常のシール材はシール材を硬化させるのに必要なエネルギーとして365nm換算で3000mJを目安とし、100mWのUV光源を用いて約30秒のUV光の照射によりシール材を硬化する。上記のようにしてUV光照射によりシール材34を硬化させてシール部23を形成した後、一般的に用いられる液晶注入装置へ導入し、真空注入の手法を用いて先の液晶を注入する隙間から液晶を配向膜9と配向膜10とシール部23とで囲まれた間隙内に注入する。液晶を注入した後、液晶を注入したシール部23の隙間に再度シール材を塗布し、硬化させて完全に封をする。その後、周囲に付着した液晶や他の有機物の異物を除去する。この後に外部駆動基板との接続を行うFPCFlexiblePrintedCircuitを貼り付け、ワイヤボンディング等で液晶表示素子とFPCとの電気的な接続を行い、本実施の形態の図1及び図2に示したのと同様な液晶表示素子20が完成する。なお、本発明は以上の実施の形態に限定されるものではなく、例えば本発明は透過型液晶表示素子にも適用可能である。また、本発明は以上の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは言うまでもない。上記実施形態において、間隙Aの平均厚みは15μm以下であり、段差22の表面と画素電極2の平面との差を05μmとしたが、前後02μm程度の範囲は許容される。