"光応答性物質を含む被検体が配置可能なウェルが複数形成された基板を保持する基板ステージと、複数の画素を有し、前記ウェルの前記光応答性物質の各々から発生する光を、タイムディレイインテグレーション方式により検出する検出部と、前記光応答性物質からの光が隣り合う前記画素間を遷移する期間は、前記光応答性物質からの光が前記検出部の前記画素へ入射しない状態を形成する機構と、を備える顕微鏡装置。前記機構は、前記検出部の前記画素への光の入射を制御可能なシャッター機構を含む請求項1に記載の顕微鏡装置。前記ウェルに対して励起光を照射し、前記被検体の前記光応答性物質から前記蛍光を生じさせる照明部を備え、前記機構部は前記光応答性物質への励起光照射を制御する部材を含む請求項1に記載の顕微鏡装置。前記画素間を遷移する期間は、少なくとも、前記隣り合う画素の、一方の画素に入射する蛍光の光量と他方の画素の入射する蛍光の光量が略一致した時を含む期間をいう請求項1から3のいずれか一項に記載の顕微鏡装置。前記画素間を遷移する期間は、前記隣り合う画素の、一方の画素に入射する蛍光の光量が所定値から減少した時から他方の画素の入射する蛍光の光量が一定値になった時までの期間をいう請求項1から4のいずれか一項に記載の顕微鏡装置。前記基板ステージと前記検出部との相対位置を検出する位置検出部を備え、前記機構は、前記位置検出部からの検出結果に基づいて、前記光応答性物質からの光が前記検出部の前記画素へ入射しない状態を形成する請求項1から5のいずれか一項に記載の顕微鏡装置。ところで、このようなTDI方式で用いられる撮像素子は一般的に仕切り不感領域で仕切られた複数の画素構造を有しているため、ウェルから発せられた光が隣接する画素間を跨いだ状態では二つの画素に信号が入力されてしまい、撮像される画像にボケが生じるといった問題があった。本発明の態様は、ボケの無い信頼性の高い検出結果を得ることができる顕微鏡装置を提供することを目的としている。本発明に係るに顕微鏡装置は、光応答性物質を含む被検体が配置可能なウェルが複数形成された基板を保持する基板ステージと、複数の画素を有し、前記ウェルの前記光応答性物質の各々から発生する光を、タイムディレイインテグレーション方式により検出する検出部と、前記光応答性物質からの光が隣り合う前記画素間を遷移する期間は、前記光応答性物質からの光が前記検出部の前記画素へ入射しない状態を形成する機構と、を備えることを特徴とする。本発明の態様によれば、ボケの無い信頼性の高い検出結果を得ることができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、本実施形態では、顕微鏡装置として、TDI方式を用いた蛍光観察検出装置を例に挙げて説明する。蛍光検出装置1は、いわゆるバイオアッセイ装置の一種であり、例えば機能性生体分子の優劣を検出するための装置である。本実施形態では、このような機能性生体分子として、例えば所定の基質に対する分解性能に優れた酵素を探す場合を例に挙げて説明する。このような酵素を探す場合、まず元になる酵素の設計図であるDNAを用意し、そのDNAの変異体を多数作る。これを元に合成される酵素のうち所定の基質の分解速度の速いもの、分解反応の寿命が長いものなど、酵素としての性能の良いものを抽出する。更に、この酵素のDNAを基にしてさらに変異体を多数作製し、そのDNAから造られる酵素の性能を同様に計測して良好なものを抽出する。このようなプロセスを繰り返すことで、従来の酵素、野性の酵素に比べて格段に性能の良い酵素を製作する。これを進化プロセスと呼ぶ。当該進化プロセスにより効率よく性能の良い酵素を製作するためには、極めて多くの種類108~1010種類のDNA変異体を用意する必要がある。基質の分解性能の高いものを探す例として、植物一般からアルコール燃料を生成するようなセルロース分解酵素の探索がある。以下の検出動作では、基質として、酵素による分解の過程で蛍光発光性物質が生成されるような基質を用いる。つまり、分解前には蛍光発光性は無いが、分解されると蛍光発光性を有するような基質を用いる。この場合、分解性能を調査したい酵素Bにこの基質を供給することで、基質の分解反応の進行状態を蛍光で計測することができる。例えば、蛍光強度の時間変化は酵素の基質分解反応速度、蛍光強度が飽和するまでの時間は酵素の寿命に比例するので、蛍光強度とその変化を調べれば酵素の性能を得ることができる。第一実施形態図1は本実施形態に係る蛍光検出装置1の全体構成を示す斜視図である。本実施形態に係る蛍光検出装置は、上記の酵素の性能を検出するものであり、図1に示すように、不図示のチャンバー内に設けられた、基板ステージ2と、基板ステージ2を移動させるステージ駆動部3と、撮像装置5と、遮光装置光遮断部8と、基質供給部PRと、を有している。また、蛍光検出装置1は、上記各部を統括的に制御する制御部CONTを有している。蛍光検出装置1は、例えば作業台などの載置面上に配置されて用いられる。以下の各図において、蛍光検出装置1の構成を説明するにあたり、XYZ空間座標系を用いる。本実施形態では、蛍光検出装置1が載置される床面に平行な方向をそれぞれX方向及びY方向とし、当該床面XY平面に垂直な方向をZ方向とする。ただし、X軸及びY軸は、直交している。基板ステージ2は、基板Sを保持するとともに、ステージ駆動部3により撮像装置5に対して移動可能になっている。基板ステージ2の基板Sの表面2aには、XY方向に沿ってスケール21が形成されている。ステージ駆動部3は、該スケール21を計測する計測部22を含んでいる。計測部22は、計測結果を制御部CONTに出力する。制御部CONTでは、計測部22による計測結果に基づいて基板ステージ2のX,Y方向の位置を求めることができるようになっている。このように、スケール21、計測部22及び制御部CONTにより、基板ステージ2のX,Y方向における位置を検出する位置検出部が構成されている。ステージ駆動部3は、制御部CONTと電気的に接続されている。ステージ駆動部3は、基板ステージ2を駆動するアクチュエータである。ステージ駆動部3としては、例えばリニアモータ機構などを用いることができる。ステージ駆動部3は、制御部CONTの制御移動量、移動のタイミングなどに基づいて、基板ステージ2をXY方向に移動させる。このような構成に基づき、撮像装置5は基板ステージ2上の基板Sに対し、相対的に移動するようになっている。図2aは基板ステージ2に保持されている基板Sの形状を示す図であり、図2bは、基板Sの要部を示す拡大断面図である。図2aに示すように、基板Sは、いわゆるマイクロアレイチップと呼ばれる板状部材であり、例えば矩形に形成されている。基板Sは、一方向に長手となるように形成されている。基板Sは、当該長手方向がX方向に平行になるように基板ステージ2に保持されている。基板Sの表面Saには複数例えば108~1010個のウェルWが形成されている。複数のウェルWは、基板Sの形状に沿ってマトリクス状に配置されている。このように、マトリクス状に配置された複数のウェルWにより、基板Sにウェル列WRが形成されている。各ウェルWには、当該ウェルWを識別できるようにアドレスが設定されている。当該アドレスは、例えば制御部CONTの記憶部に記憶されている。各ウェルWは、図2bに示すように、Z方向視で例えば円形に形成されている。各ウェルWには、所定の反応によって光応答性物質を生成するさまざまな酵素Bの変異体が配置されている。酵素によって生成された光応答性物質からは、例えば蛍光が発生するようになっている。発生した蛍光は、ウェルW毎に基板Sの表面から放出されるようになっている。Y方向の寸法が90mmであり、X方向の寸法が180mmである矩形の領域が基板Sに設定されており、当該矩形領域にウェルWを配置する場合を例に挙げると、直径10μmのウェルWを5μmの間隔でY方向に並べた場合、例えば当該矩形領域のY方向には6000個のウェルWを配置させることができる。更に、X方向については、この6000個のウェルWを含む1つのウェル列WRを12000列並べることができる。したがって、基板Sに設定された90mm×180mmの領域には7200万個7.2×107個のウェルWを配置させることができる。図1に戻って、本実施形態に係る蛍光検出装置1は、各ウェルW内に配置された酵素Bと反応を起こす基質をウェルWに供給するための基質供給部PRを備えている。この基質供給部PRは、基板ステージ2のZ側に配置されており、基板Sの表面に対向する位置に配置されている。基質供給部PRは、撮像装置5よりも当該基板ステージ2の移動方向の上流側-X側に設けられる。基質供給部PRは、制御部CONTにより、その駆動が制御されており、基板ステージ2に対してX,Y方向に移動可能とされている。これにより、基質供給部PRは、基板Sの各ウェルWに対して基質を確実に供給できるようになっている。基質供給部PRは、Y方向に配列された複数のノズルNZを有している。複数のノズルNZは、基質供給部PRの-Z側の面に設けられており、基板ステージ2側に向けられている。このため、基板Sの表面Saに対してZ側から基質が噴射されて各ウェルWに供給可能な構成となっている。複数のノズルNZは、例えばウェル列WRの各ウェルWに対向するようにノズル径及びノズルピッチY方向が設定されている。基質供給部PRは、制御部CONTの制御により、複数のノズルNZから基質を同時に噴射可能な構成となっている。したがって、1つのウェル列WRを構成する各ウェルWに対して、同一のタイミングで基質が供給されるようになっている。撮像装置5は、投影レンズ50、撮像素子51、及び対物レンズ7を含む。対物レンズ7は、基板ステージ2と対向する位置に配置されている。投影レンズ50には、ダイクロイックミラー6を透過した基板Sからの戻り光蛍光が入射する。投影レンズ50は、入射した光を所定の位置に集光結像する。撮像素子51は、基板Sからの戻り光を検知可能な位置に配置されている。遮光装置8は、後述するように各ウェルW内の酵素Bから発せられた蛍光が撮像素子51の画素53図3参照に入射しないように遮光遮断するためのものであり、制御部CONTに電気的に接続されている。遮光装置8は、例えば所定のタイミングで開閉可能な開閉シャッター8aにより構成されている。遮光装置8の開閉シャッター8aは、制御部CONTにより、開閉タイミングが制御されている。遮光装置8は、撮像装置5の投影レンズ50と対物レンズ7との間におけるウェルWから発せられる蛍光の光路の途中に配置されている。なお、遮光装置8は、撮像素子51の光入射面側を遮光できる構成であればよく、例えば画素53毎に開閉シャッター8aを備えた構成であっても構わない。図3は撮像素子51の構成を示す図であり、図3aは平面図を示し、図3bは撮像素子51の画素53とウェルWとの対応関係を説明するための図である。撮像装置5の撮像素子51は、図3aに示すように、複数の画素53を備えたCCDカメラから構成されるものである。具体的に、撮像素子51は、ライン状に配列された複数の画素53が垂直方向にも複数列配置されることで構成されている。本実施形態では、例えば、1024×128画素、すなわち1024個の画素53がライン状にY方向に沿って配列された画素ライン53Rと、該画素ライン53Rが垂直方向に128列配置された画素列53Lとを含む撮像素子51を用いた。撮像素子51の画素53の画素サイズは、図3bに示すように、ウェルWの外径に対応している。また、画素53のX,Y方向に沿った配列ピッチは、基板SのウェルWの配置ピッチに対応している。ここで、ウェルWの外径及び配置ピッチに対応するとは、投影レンズ50を介して拡大又は縮小した状態のウェル列WRの各ウェルWと画素53との外径又はピッチとを比較する場合も含むことを意味する。なお、図3aに示した撮像素子51により撮像される領域は、蛍光検出装置1における視野領域に相当するものである。続いて、撮像装置5によるTDI方式の撮像動作について説明する。図4は、基板Sに対する撮像素子51の動作を説明するための図である。また、図5a~cは、TDI方式の信号電荷の転送の概念を説明するための図である。また、図6a~cは、撮像素子51のスキャン方向における第一列目、第ニ列目、及び第三列目を構成する画素53に蓄積される信号電荷の電荷量の変化を示す図である。なお、本実施形態においては基板ステージ2を動かすことで撮像装置5撮像素子51と基板Sとを相対移動させようにしている。しかしながら、図4~6においては、図示の容易化のため、撮像素子51が基板S上を移動する形態で示すものとする。また、本実施形態では、ステージ駆動部3が基板ステージ2を移動させることで撮像素子51と基板Sとを相対移動可能な構成としたが、ステージ駆動部3が基板ステージ2上の基板Sに対して撮像素子51のみを移動させる構成であっても構わない。図4に示すように、撮像素子51は、基板Sの移動方向における上流端X方向の端部側から下流端側に向かって当該基板S上を相対移動することで撮像を行う。撮像素子51は、TDI方式で基板Sを測定する場合は、各画素53がウェルW内の蛍光を測定するように画素列53Lが配列される一方向-X方向に沿って基板Sに対して相対移動することで基板Sの全面を走査し、全てのウェルW内の蛍光を測定するようになっている。まず撮像を開始するに先立ち、図1に示した基質供給部PRのノズルNZから各ウェルW内に基質を噴射させ、ウェルWに当該基質を供給させる。このようにウェルW内に基質を供給することで酵素Bの反応を開始させる。制御部CONTは、各ウェルW内の反応後の酵素Bに対して、略同じタイミングで撮像素子51が通過するように基板ステージ2の移動速度に同期させて、基質供給部PRの駆動を制御するようにしている。撮像を開始すると、図5aに示されるように、基板Sの移動方向先端のウェルWが撮像素子51の移動方向以下、スキャン方向-X方向と呼ぶ場合もあるにおける第一列目53L1の画素53上に投影される。すると、第一列目53L1の画素53には、図6aに示すように、ウェルWaからの蛍光に対応した強度の信号電荷が蓄積される。続いて、撮像素子51が図5bに示されるように、スキャン方向基板ステージ2の移動方向と反対方向に沿って画素列53Lの一つ分だけ移動すると、図5bに示すように、撮像素子51の移動と同時に、第一列目53L1の画素53に蓄積された信号電荷は、撮像素子51に形成された像の移動方向と同じ方向の第二列目53L2の画素53に転送される。そして、ウェルWの蛍光が、第一列目53L1及び第二列目53L2の画素53によって撮影される。このとき、基板Sの2列目のウェルWの蛍光が第一列目53L1の画素53によって撮像される。したがって、第二列目53L2の画素53には、図5bに示すように、前回時に蓄積された信号電荷と今回の撮影時に蓄積された信号電荷が加算されることになる。つまり、第二列目53L2の画素53には、前回及び今回の撮影で得られた信号電荷が累積される。その結果、画素列が1列のみである撮像素子と比較して、2倍の強度の信号電荷を得ることができる。このように、図5aに示す状態から、図5bに示す状態のように電荷転送が行われる。同様に、撮像素子51が図5cに示されるように、スキャン方向に沿って画素列53Lの一つ分だけさらに移動すると、図5cに示すように、撮像素子51の移動と同時に、第ニ列目53L2の画素53に蓄積された信号電荷は、撮像素子51に形成された像の移動方向と同じ方向の第三列目53L3の画素53に転送される。また、第一列目53L1の画素53に蓄積された信号電荷が、第二列目53L2の画素53に転送される。そして、ウェルWの蛍光が、第一列目53L1、第ニ列目53L2、及び第三列目53L3によって撮影される。このとき、基板Sの2列目のウェルWbの蛍光が第ニ列目53L2の画素53によって撮像され、基板Sの3列目のウェルWcの蛍光が第一列目53L1の画素53によって撮像される。したがって、第三列目53L3の画素53には、図6cに示すように、今回の撮影時に得られた信号電荷が、加算されることになる。よって、第三列目53L3の画素53には、前々回、前回及び今回の撮影で得られた信号電荷が、蓄積される。つまり、画素列が1列のみである撮像素子と比較して、3倍の強度の信号電荷を得ることができる。なお、第二列目53L2の画素53には、前回及び今回の撮影時に得られた信号電荷が蓄積される。このように撮像装置5は、1つのウェルWに対して上記動作を撮像素子51の画素列53Lの数128個だけ繰り返し行うこととなる。これにより、ウェルWの同一箇所に対応する信号電荷が、128回だけ蓄積されることになる。このように、TDI方式では、撮像面に投影されるウェルWの蛍光が、基板ステージ2の移動に伴ってシフトするが、それに同期して撮像素子51に蓄積される信号電荷をシフトさせている。したがって、上記動作を128回だけ続けた場合、TDI方式を採用した撮像装置5は、リニアイメージセンサに比べて、128倍の感度を実現できる。すなわち、128倍のコントラストと、√128だけノイズを軽減することが可能となる。ところで、撮像素子51は、その構造上、図3に示したように複数の画素53が区画部53aにより区画された状態に形成されており、各ウェルWで発せられる蛍光は連続発光している。そのため、基板Sに対して移動しつつ、ウェルWからの蛍光を撮像する撮像素子51は、ウェルWからの蛍光が画素53に常に入射されることとなっている。すなわち、図7に示すように、ウェルWから発せられた蛍光WKが撮像素子51の隣り合う画素53間第一列目53L1の画素53及び第二列目53L2の画素53の間を遷移する期間においては、ウェルWから発せられた蛍光WKが第一列目53L1及び第ニ列目53L2のいずれの画素53にも入射してしまう所謂、クロストークが発生してしまう。よって、撮像素子51は、第一列目53L1、第二列目53L2の画素53が撮像する蛍光に上記クロストークに起因したボケが生じるため、計測した信号電荷に誤差が生じ、検出結果の信頼性が低下する可能性がある。ここで、蛍光WKが撮像素子51の隣り合う画素53間第一列目53L1の画素53及び第二列目53L2の画素53の間を遷移する期間とは、例えば、第一列目53L1の画素53に入射する蛍光WKの光量と第二列目53L2の画素53に入射する蛍光WKの光量は略一致した時を含む期間をいう。即ち、少なくとも、隣接する画素の、一方の画素に入射する蛍光の光量と他方の画素の入射する蛍光の光量が略一致した時を含む期間をいう。また、好ましくは、隣接する画素の、一方の画素に入射する蛍光の光量が所定値から減少した時から他方の画素の入射する蛍光の光量が一定値になった時までをいう。このような問題に対し、本実施形態では、上記遮光装置8を所定のタイミングで駆動し、ウェルWから発せられた蛍光が撮像素子51の画素53に入射しないように遮光するようにしている。図8は、遮光装置8の動作、及びTDI方式の信号電荷の転送のタイミングを説明するためのタイミングチャート図である。なお、図8では、第一列目53L1の画素53から第二列目53L2の画素53に信号電荷の転送を行う場合について示したものであり、他の隣接する列間の画素53においても同様のタイミングで信号電荷の転送が行われているものとする。図8中におけるクロックK1は、制御部CONTが遮光装置8の駆動動作と、撮像素子51におけるTDI方式における信号電荷の転送動作と、の同期を取るためのパルスを示すものである。クロックK1は、計測部22が基板ステージ2に形成されたスケール21を計測することで制御部CONTに出力されるものであり、基板ステージ2上に配置されている基板SのウェルWと撮像素子51の各画素53との位置情報を表すものであり、後述する開閉シャッター8aを開閉するタイミングを規定するためのものである。図8中における露光制御信号は、制御部CONTが遮光装置8の開閉シャッター8aを開閉するタイミングを規定するためのパルスを示すものである。また、図8中における電荷転送トリガ信号は、撮像素子51が画素53間で信号電荷の転送を行うタイミングを規定するためのパルスを示すものである。図7に示したように、基板ステージ2の移動に伴って、ウェルWは隣接する画素53間を同図左方向に連続的に移動していく。制御部CONTは、ウェルWが第一列目53L1の画素53内に配置されたタイミングで計測部22からクロックK1のパルスが入力される。制御部CONTは、クロックK1のパルスが入力された直後に、遮光装置8に対して開閉シャッター8aを開くように露光制御信号のパルスを出力する。これにより、遮光装置8は開閉シャッター8aを開く。開閉シャッター8aが開いている時間は、第一列目53L1の画素53内をウェルWが移動している時間に対応しており、この期間が撮像素子51による撮像期間T1となっている。撮像期間T1の長さは、画素53の大きさ、画素53間の距離ピッチ、及び基板ステージ2の移動速度等から算出することができる。すなわち、制御部CONTは、予め算出しておいて上記条件から画素53内をウェルWが移動している時間のみ、開閉シャッター8aを開くように露光制御信号を遮光装置8に出力する。このように開閉シャッター8aが開くことで、ウェルWから生じている蛍光WKを開閉シャッター8aにより遮られることなく、撮像素子51の第一列目53L1の画素53のみに入射させることができる。第一列目53L1の画素53には、当該画素53内に配置されたウェルWのみから発せられた蛍光WK輝度に対応した強度の信号電荷成分のみが蓄積される。すなわち、上述のクロストークによる信号電荷成分が第一列目53L1の画素53に蓄積されることがない。第一列目53L1の画素53内に位置していたウェルWは、図7に示したように、基板ステージ2に伴って、第一列目53L1の画素53から第二列目53L2の画素53により撮像されるようになる。ウェルWが第一列目53L1の画素53から第ニ列目53L2の画素53へと移動するまでの間すなわち、ウェルWからの蛍光WKが画素53間を遷移する期間、ウェルWは平面視した状態で画素53間を区画する区画部53aに重なった状態となる。このように区画部53aに重なった状態のウェルWから発せられた蛍光WKは、上述のように、第一列目53L1及び第二列目53L2の画素53のいずれにも入射し、クロストークを生じさせる場合がある。これ対し、本実施形態では、制御部CONTが遮光装置8に対して開閉シャッター8aを閉じる露光制御信号を出力する。よって、ウェルWから発せられた蛍光WKは、開閉シャッター8aが閉じられることで撮像素子51の画素53に入射することがない。さらに、制御部CONTは、開閉シャッター8aを閉じる露光制御信号が出力された直後に、撮像素子51に対し、第一列目53L1の画素53に蓄積されている信号電荷を第二列目53L2の画素53に転送する電荷転送トリガ信号のパルスを出力する。なお、電荷転送トリガ信号のパルスが出力された後、次のクロックK1のパルスが制御部CONTに入力されるまでが開閉シャッター8aが閉じられている遮光期間T2に相当する。したがって、撮像素子51は、ウェルWからの蛍光WKのクロストーク成分が画素53に入射しない状態で、第一列目53L1から第二列目53L2に対する信号電荷の転送を行うことができる。すなわち、第一列目53L1の画素53から転送される信号電荷にはクロストーク成分が含まれるのを防止できる。以下、同様、図4に示したように、撮像素子51は基板Sの全面を走査することで、全てのウェルWから発せられる蛍光WKを計測する。このとき、制御部CONTは、ウェルWが画素53内に配置されたタイミングで計測部22から入力されるクロックK1のパルスに同期して、開閉シャッター8aを開くとともに、ウェルWからの蛍光WKが画素53間を遷移する期間においては開閉シャッター8aを閉じる。以上のように、本実施形態に係る蛍光検出装置1によれば、撮像素子51の各画素53間を転送する信号電荷にクロストーク成分が含まれるのを防止できる。よって、撮像素子51がTDI方式の撮像を行う際、各画素53間においてノイズの少ない信号電荷を転送できるので、信頼性の高い検出結果を得ることができる。なお、上記実施形態では、遮光装置8として開閉シャッター8aを開閉するといった機械的なシャッター機構を用いた場合を説明したが、開口部が形成された回転ディスクを所定速度で回転させることでウェルWから連続的に発する蛍光をパルス化して撮像素子51の画素53に入射させる構成であってもかまわない。この場合、ウェルWから発せられた蛍光が隣り合う画素53間を遷移するタイミングでは回転ディスクの非開口部により当該蛍光を遮光し、ウェルWから発せられた蛍光が所定の画素53のみに入射するタイミングでは回転ディスクの開口部を当該蛍光が通過するように、回転ディスクの回転速度を制御すればよい。第二実施形態続いて、本発明の観察装置の第二実施形態に係る構成について説明する。本実施形態と上記実施形態との違いは、ウェルに励起光を照射して発光を生じさせる点と、蛍光検査装置が励起光を照射する照明装置を備えている点と、制御部が照明装置の駆動を制御する遮光部として機能する点と、である。なお、それ以外の部材及び構成については、上記実施形態と同一であることから、その説明については省略若しくは簡略するものとする。図9は本実施形態に係る本実施形態に係る蛍光検出装置1の全体構成を示す斜視図である。基板ステージ2と、ステージ駆動部3と、照明装置4と、撮像装置5と、を有している。なお、本実施形態では、ウェルWに配置した被検体に対し、励起光を照射することで蛍光を生じさせるため、基質供給部PRを備えていない。照明装置4は基板Sに所定の励起光を照射するものであり、例えばケーラー照明が可能なコンポーネントを有している。また、照明装置4としては、照明装置4の光を効率的に披検体の励起に利用すべく、披検体の励起光の成分のみを含む光を照射可能な装置を用いるのが望ましい。照明装置4が照射した励起光は、ダイクロイックミラー6により反射された後、対物レンズ7を介して基板Sに照射される。ダイクロイックミラー6は、基板Sからの戻り光蛍光を透過させるようになっている。すなわち、本実施形態では、ダイクロイックミラー6を透過した光は、投影レンズ50を介して撮像素子51に集光されるようになっている。照明装置4は、制御部CONTに電気的に接続されており、制御部CONTによって、その点灯又は消灯のタイミングが制御されるようになっている。本実施形態では、各ウェルW内の被検体に照明装置4から所定の励起光を照射することで蛍光を生じさせることから、制御部CONTは所定のタイミングで照明装置4を消灯させることでウェルWからの蛍光が撮像素子51の画素53に入射しないように遮断するようにしている。すなわち、本実施形態においては、制御部CONTが本願の光遮断部を構成している。図10は、照明装置4の動作、及びTDI方式の信号電荷の転送のタイミングを説明するためのタイミングチャート図である。なお、図10では、第一列目53L1の画素53から第二列目53L2の画素53に信号電荷の転送を行う場合について示したものであり、他の隣接する列間の画素53においても同様のタイミングで信号電荷の転送が行われているものとする。図10中におけるクロックK1は、制御部CONTが照明装置4の駆動動作と、撮像素子51におけるTDI方式における信号電荷の転送動作と、の同期を取るためのパルスを示すものである。クロックK1は、計測部22が基板ステージ2に形成されたスケール21を計測することで制御部CONTに出力されるものであり、基板ステージ2上に配置されている基板SのウェルWと撮像素子51の各画素53との位置情報を表すものであり、後述する照明装置4の点灯又は消灯するタイミングを規定するためのものである。図10中における露光制御信号は、制御部CONTが照明装置4を点灯又は消灯するタイミングを規定するためのパルスを示すものである。また、図8中における電荷転送トリガ信号は、撮像素子51が画素53間で信号電荷の転送を行うタイミングを規定するためのパルスを示すものである。基板ステージ2の移動に伴って、ウェルWは隣接する画素53間を同図左方向に連続的に移動していく。本実施形態においては、ウェルWが第一列目53L1の画素53内に配置されたタイミングで計測部22からクロックK1のパルスが制御部CONTに入力される。クロックK1が入力された直後に、制御部CONTが照明装置4に対して露光制御信号のパルスを出力する。これにより、照明装置4が点灯する。照明装置4が点灯している時間は、第一列目53L1の画素53内をウェルWが移動している時間に対応しており、この期間が撮像素子51による撮像期間T1となっている図10参照。このように照明装置4が点灯することで、基板Sの各ウェルWに励起光を照射することで蛍光WKを生じさせ、撮像素子51の第一列目53L1の画素53のみに入射させることができる。第一列目53L1の画素53には、当該画素53内に配置されたウェルWのみから発せられた蛍光WK輝度に対応した強度の信号電荷成分のみが蓄積され、クロストークによる信号電荷成分が蓄積されることがない。また、制御部CONTは、ウェルWからの蛍光WKが画素53間を遷移する期間遮光期間T2図10参照において、露光制御信号が出力され、照明装置4を消灯させる。よって、ウェルWから発せられた蛍光WKは、照明装置4が消灯しているため、撮像素子51の画素53に入射することがない。さらに、制御部CONTは、照明装置4を消灯させる露光制御信号が出力された直後に、撮像素子51に対し、第一列目53L1の画素53に蓄積されている信号電荷を第二列目53L2の画素53に転送する電荷転送トリガ信号のパルスを出力する。したがって、撮像素子51は、ウェルWからの蛍光WKのクロストーク成分が画素53に入射しない状態で、第一列目53L1から第二列目53L2に対する信号電荷の転送を行うことができる。すなわち、第一列目53L1の画素53から転送される信号電荷にはクロストーク成分が含まれるのを防止できる。第一実施形態、第二実施形態の例の他に、複数の画素を仕切る仕切り不感領域の幅を、撮像素子51上に形成される蛍光による像の最大径よりも大きくしておいてもよい。この構成により撮像素子において蛍光は完全に遮光される。また、仕切りそのものの幅を蛍光による像の最大径より大きくすることに代えて、蛍光像の最大径よりも大きな幅をもつ格子状マスク部材を撮像素子51の近傍に別途配置してもよい。本実施形態においても、制御部CONTは、照明装置4を所定のタイミングで点灯又は消灯させつつ、撮像素子51を基板Sの全面に走査することでクロストーク成分を含まない、信頼性の高いTDI方式の撮像を行うことができる。また、本実施形態では、照明装置4を点灯又は消灯するタイミングを制御するだけで特に装置構成を大きく変更することなく、信頼性の高いTDI方式の撮像を行うことができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能である。例えば、上記実施形態では、ステージ駆動部3が基板ステージ2を移動させることで撮像装置5と基板Sとを相対移動可能な構成としたが、ステージ駆動部3が基板ステージ2上の基板Sに対して撮像装置5のみを移動させる構成であっても構わない。また、上記実施形態では、計測部22が基板ステージ2に形成されたスケール21を計測することで開閉シャッター8aの開閉タイミングや照明装置4の点灯タイミングを規定するクロックK1を得る場合について説明したが、クロックK1を得る方法はこれに限定されることは無い。例えば、基板Sに形成されるウェルWのうち、所定距離だけ離間したウェルWごとに設けたパターンマークを撮像素子51とは別の測定手段で計測して該計測結果を制御部CONTに送信することで、基板ステージ2上に配置されている基板SのウェルWと撮像素子51の各画素53との位置情報を制御部CONTが取得し、開閉シャッター8aを開閉するタイミングを規定するクロックK1を生成することもできる。この場合、パターンマークを配置するウェルは被検体を配置してもよいし、パターンマークのみが形成されたダミーウェルであってもよい。このようにすれば、ウェルWに設けられたアライメントマークを撮像素子51が計測してクロックK1を出力するので、撮像素子51とウェルWとの位置関係を精度良く検出できる。また、クロックK1として信頼性の高いものが生成されるので、信頼性の高いTDI方式の撮像結果を得ることができる。"