"レーザでワークピースを加工する方法であって、複数の時間的パルスプロファイルに対応するデータを記憶し、それぞれの時間的パルスプロファイルは前記ワークピース上又は前記ワークピース内の構造のそれぞれのターゲットクラスに関連づけられており、前記複数の時間的パルスプロファイルの1つは、第1の時刻での初期パワー値から第2の時刻でのピークパワー値まで第1の一定割合で増加し、前記第2の時刻での前記ピークパワー値から第3の時刻での前記初期パワー値に第2の一定割合で減少する三角形状を有し、加工のために前記ワークピース上又は前記ワークピース内の構造を選択し、該選択された構造は前記三角形状を有する時間的パルスプロファイルに関連づけられており、前記選択された構造に基づいて、前記複数の時間的パルスプロファイルの中から前記三角形状を有する時間的パルスプロファイルを選択し、前記選択された時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスを生成し、前記生成されたレーザパルスを前記ワークピースに向けて前記生成されたレーザパルスで前記選択された構造を加工する、方法。さらに、前記三角形状を有する時間的パルスプロファイルを不動態化されていない導電リンク構造を備えたターゲットクラスに関連づけ、前記選択された構造は該関連づけられたターゲットクラス内にある、請求項1の方法。前記生成されたレーザパルスを前記ワークピースに向けて前記選択された構造を加工する工程では、前記三角形状の時間的パルスプロファイルを有する、前記生成されたレーザパルスで不動態化されていない導電リンク構造を分断し、さらに、前記第1の時刻と前記第2の時刻との間における前記導電リンク構造の加熱速度を制御するように前記第1の一定割合を選択し、前記第2の時刻と前記第3の時刻との間における前記導電リンク構造の冷却速度を制御するように前記第2の一定割合を選択する、請求項2の方法。さらに、前記三角形状を有する時間的パルスプロファイルを基板上に形成された裸金属を備えたターゲットクラスに関連づける、請求項1の方法。前記生成されたレーザパルスを前記ワークピースに向けて前記選択された構造を加工する工程では、前記裸金属の一部をスクライブする、請求項4の方法。さらに、前記構造の関連づけられたターゲットクラスの特性に基づいて、前記第1の一定割合を前記第2の一定割合と略同一になるように選択する、請求項1の方法。さらに、前記構造の関連づけられたターゲットクラスの特性に基づいて、前記第1の一定割合を前記第2の一定割合よりも実質的に大きくなるように選択する、請求項1の方法。さらに、前記構造の関連づけられたターゲットクラスの特性に基づいて、前記第1の一定割合を前記第2の一定割合よりも実質的に小さくなるように選択する、請求項1の方法。さらに、前記構造の関連づけられたターゲットクラスの特性に基づいて、前記第2の時刻及び前記第3の時刻の少なくとも一方を選択する、請求項1の方法。ワークピースを加工するレーザ加工システムであって、複数の時間的パルスプロファイルに対応するデータを記憶するメモリデバイスを備え、それぞれの時間的パルスプロファイルは前記ワークピース上又は前記ワークピース内の構造のそれぞれのターゲットクラスに関連づけられており、前記複数の時間的パルスプロファイルの1つは、第1の時刻での初期パワー値から第2の時刻でのピークパワー値まで第1の一定割合で増加し、前記第2の時刻での前記ピークパワー値から第3の時刻での前記初期パワー値に第2の一定割合で減少する三角形状を有し、コントローラであって、加工のために前記ワークピース上又は前記ワークピース内の構造を選択し、該選択された構造は前記三角形状を有する時間的パルスプロファイルに関連づけられており、前記選択された構造に基づいて、前記複数の時間的パルスプロファイルの中から前記三角形状を有する時間的パルスプロファイルを選択するように構成されたコントローラと、前記選択された時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスを生成するレーザ源と、前記生成されたレーザパルスを前記ワークピースに向けて前記生成されたレーザパルスで前記選択された構造を加工する光学系と、を備えた、レーザ加工システム。前記メモリデバイスは、前記三角形状を有する時間的パルスプロファイルを不動態化されていない導電リンク構造を備えたターゲットクラスに関連づけるデータを記憶し、前記選択された構造は該関連づけられたターゲットクラス内にある、請求項10のシステム。前記生成されたレーザパルスを前記ワークピースに向けて前記選択された構造を加工する工程では、前記三角形状の時間的パルスプロファイルを有する、前記生成されたレーザパルスで前記不動態化されていない導電リンクを分断し、前記プロセッサは、さらに、前記第1の時刻と前記第2の時刻との間における前記導電リンクの加熱速度を制御するように前記第1の一定割合を選択し、前記第2の時刻と前記第3の時刻との間における前記導電リンクの冷却速度を制御するように前記第2の一定割合を選択するように構成されている、請求項13のシステム。前記メモリデバイスは、前記三角形状を有する時間的パルスプロファイルを基板上に形成された裸金属を備えたターゲットクラスに関連づけるデータを記憶する、請求項10のシステム。前記生成されたレーザパルスを前記ワークピースに向けて前記選択された構造を加工する工程では、前記裸金属の一部をスクライブする、請求項13のシステム。前記プロセッサは、さらに、前記構造の関連づけられたターゲットクラスの特性に基づいて、前記第1の一定割合を前記第2の一定割合と略同一になるように選択するように構成されている、請求項10のシステム。前記プロセッサは、さらに、前記構造の関連づけられたターゲットクラスの特性に基づいて、前記第1の一定割合を前記第2の一定割合よりも実質的に大きくなるように選択するように構成されている、請求項10のシステム。前記プロセッサは、さらに、前記構造の関連づけられたターゲットクラスの特性に基づいて、前記第1の一定割合を前記第2の一定割合よりも実質的に小さくなるように選択するように構成されている、請求項1のシステム。前記プロセッサは、さらに、前記構造の関連づけられたターゲットクラスの特性に基づいて、前記第2の時刻及び前記第3の時刻の少なくとも一方を選択するように構成されている、請求項1のシステム。半導体デバイスの不動態化されていない導電リンク構造を加工する方法であって、それぞれの不動態化されていない導電リンク構造は底面及び上面を有し、底面はパシベーション層又は半導体基板に隣接して配置されており、上面はレーザ加工中にレーザパルスによる直接照射を可能とするようにむき出しになっており、前記半導体デバイスの前記不動態化されていない導電リンク構造の中から1つの不動態化されていない導電リンク構造を選択し、第1の時刻での初期パワー値から第2の時刻でのピークパワー値まで第1の一定割合で増加し、前記第2の時刻での前記ピークパワー値から第3の時刻での前記初期パワー値に第2の一定割合で減少する三角形状の時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスをレーザ加工システムを用いて生成し、前記生成されたレーザパルスを前記選択された不動態化されていない導電リンク構造に向ける、方法。さらに、前記第1の時刻と前記第2の時刻との間における前記導電リンク構造の加熱速度を制御するように前記第1の一定割合を選択し、前記第2の時刻と前記第3の時刻との間における前記導電リンク構造の冷却速度を制御するように前記第2の一定割合を選択する、請求項19の方法。さらに、前記選択された導電リンク構造の特性に基づいて、前記第1の一定割合を前記第2の一定割合と略同一になるように選択する、請求項19の方法。さらに、前記選択された導電リンク構造の特性に基づいて、前記第1の一定割合を前記第2の一定割合よりも実質的に大きくなるように選択する、請求項19の方法。さらに、前記選択された導電リンク構造の特性に基づいて、前記第1の一定割合を前記第2の一定割合よりも実質的に小さくなるように選択する、請求項19の方法。さらに、前記選択された導電リンク構造の特性に基づいて、前記第2の時刻及び前記第3の時刻の少なくとも一方を選択する、請求項19の方法。レーザでワークピースを加工する方法は、複数の時間的パルスプロファイルに対応するデータを記憶する。それぞれの時間的パルスプロファイルは上記ワークピース上又は上記ワークピース内の構造のそれぞれのターゲットクラスに関連づけられ得る。上記複数の時間的パルスプロファイルのうちの少なくとも1つは、第1の時刻での初期パワー値から第2の時刻でのピークパワー値まで第1の一定割合で増加し、上記第2の時刻での上記ピークパワー値から第3の時刻での上記初期パワー値に第2の一定割合で減少する三角形状を有する。この方法は、さらに、加工のために上記ワークピース上又は上記ワークピース内の構造を選択する。この選択された構造は、上記三角形状を有する時間的パルスプロファイルに関連づけられ得る。上記選択された構造に基づいて、上記複数の時間的パルスプロファイルの中から上記三角形状を有する時間的パルスプロファイルが選択される。上記選択された時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスが生成される。上記生成されたレーザパルスは、上記ワークピースに向けられ上記選択された構造が上記生成されたレーザパルスで加工される。付加的な態様及び利点は、添付図面を参照して述べられる以下の好ましい実施形態の詳細な説明から明らかになるであろう。本開示は、半導体デバイス上の不動態化されていない導電リンク構造及び他の構造を、三角形状の時間的パルスプロファイル例えばパワー対時間を有するレーザパルスを用いて加工することについて述べる。以下に詳細に述べるように、三角形状の時間的パルスプロファイルには、立ち上がり時間が立ち下がり時間と等しくない鋸歯形状の時間的パルスプロファイル例えば、非対称三角形状だけではなく、立ち上がり時間と立ち下がり時間とが等しいプロファイル例えば、対称三角形状も含まれる。非対称鋸歯三角形状の時間的パルスプロファイルについては、パルスの最大ピークパワーは、パルスの時間的な中央以外のどこかに位置している。ある実施形態においては、三角形状の時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスは、例えば、本件特許出願の譲受人に譲渡されている米国特許第7,348,516号に述べられたレーザ及びシステムを用いて生成してもよい。この米国特許第7,348,516号の内容はその全体がここに組み入れられる。三角形状の時間的パルスプロファイルを使って調整したレーザパルスを生成するレーザシステム実施形態の他の例を以下に述べる。ある実施形態においては、異なる種類のターゲット構造に対して複数群又は複数クラスの時間的パルスプロファイルが定義される場合がある。対称三角形状については、最大ピーク値を増加又は減少させつつ一定のパルス持続時間例えば、時間的幅を維持することによって、複数群のパルス形状を生成することができる。例えば、最大ピーク値を維持、増加、又は減少させつつ異なるパルス持続時間を用いることにより、対称三角形状に対する追加群を生成してもよい。非対称三角形状に対しては、パルス持続時間及び/又は最大ピーク値を変化させることにより複数の群のパルス形状を生成してもよい。例えば、最大ピーク値の時間の移動及び/又は立ち上がり時間及び/又は立ち下がり時間の変更により、非対称三角形状に対する追加群を生成してもよい。ある実施形態においては、時間的パルスプロファイルの様々な群に対応するデータをレーザ加工システムのメモリデバイスに保存しておき、これを、不動態化されていない導電リンク構造を加工するためのパルス形状を生成するため、あるいは、半導体デバイス層をスクライブするために使用してもよい。一実施形態においては、特定の種類のデバイスや特定のターゲットクラスの構造のための加工窓を、異なるパルス形状の行列をそのデバイス又はターゲットクラスの構造上で処理することにより決定してもよい。そのような実施形態を用いて三角形状の時間的パルスプロファイルのパラメータ例えば、パルス幅、最大ピーク値、立ち上がり時間、及び立ち下がり時間を決定してもよい。加えて、あるいは他の実施形態においては、本開示は、ターゲット構造に基づいて調整された時間的パルスプロファイルを用いてレーザパルスを選択し、所望の強度プロファイルを維持できるように十分なフィードバックと制御を提供することについて述べる。一実施形態においては、レーザ加工システムは、1以上のワークピース上のワークピース構造例えば、導電リンクを加工するために複数の時間的プロファイルを用いる。このレーザ加工システムは、ファイバレーザ、主発振器ファイバパワー増幅器MOFPA、タンデム光増幅器、あるいはレーザに広範囲の形状のレーザパルスを生成可能とするプログラム可能な時間的パルスプロファイルとともに電気光学変調器図18及び図19に関連する説明を参照を用いるスライスドパルスレーザなどのパルスレーザを含んでいてもよい。特定のワークピース構造に向けてレーザパルスを出射するためにレーザを方向付けるときに、レーザパルス形状をオンザフライで選択するようにレーザ加工システムを構成してもよい。ある実施形態においては、レーザ加工システムは、パルス当たりのエネルギー及び信号伝搬遅延などの他のレーザパラメータを較正する。信号伝搬遅延は、プログラムされた時間的プロファイルによって異なることがある。プログラムされた時間的パルスプロファイルの範囲を超えて確実に動作するようにレーザ加工システムを較正してもよい。したがって、そのような一実施形態においては、レーザ加工システムは、プログラムされたパルス形状の関数としてパルス当たりのエネルギーを正確に較正できるようにパルス波形をデジタル化する光電子検出方法を用いる。上述したように、典型的なQスイッチ固体パルス形状は、そのピークパワー、パルスエネルギー、及びパルス幅例えば、FWHMによって適切に表現される。しかしながら、一般的に、これらの測定基準は、調整されたパルスレーザを用いて可能な時間的パルス形状をデスクライブするのに十分ではない。例えば、パワーカーブ上のスパイクのピークパワーは、いわゆる椅子形状のパルスの座の高さ又はダブルスパイクパルスの第2のピークの高さを表すものではない。このように、ある実施形態においては、レーザ加工システムは、典型的なリンク加工システムがモニタリングしていないパラメータ用のフィードバックを含んでいる。そのようなフィードバックを設けることにより、多数のパルス形状測定基準が記録され、プロセスフィードバック例えば、デバイス歩留まりや基板損傷と相互に関係づけられる。これにより、調整パルス技術の価値をさらに高めるための新しいプロセスや新しいパルス形状を開発するための貴重なツールが提供される。加えて、あるいは他の実施形態においては、フィードバックに基づいてパルス形状をモニタリング及び制御するためにパルス形状測定基準が用いられる。ここで、同様の参照符号が同様の要素を示している図面を参照する。以下の説明では、ここで開示される実施形態が完全に理解できるように、非常にたくさんの具体的な詳細について述べられる。しかしながら、具体的な詳細のうち1つ以上のものがなくても、あるいは、他の方法、構成要素、又は材料によっても実施形態を実現できることは、当業者であれば理解できるであろう。また、実施形態の態様を不明瞭にすることを避けるために、既知の構造、材料、又は動作は、図示されていないか、あるいは詳細には述べられていない場合がある。さらに、1以上の実施形態において、任意の適切な方法により、ここで述べられる特徴、構造、又は特性を組み合わせてもよい。I.三角形状の時間的パルスプロファイル一実施形態においては、不動態化されていない導電リンク構造及び他の構造を加工するために、三角形状パルスが用いられる。三角形状パルスは、温度を安定的に上昇及び低下させる。本開示は、実施形態の例として不動態化されていない導電リンク構造を加工する場合について述べるが、他の構造を加工することができ、また三角形状パルスを用いて他の種類の加工を行うこともできることは、当業者であれば本開示から理解できるであろう。限定するものではないが、例えば、不動態化された導電リンク構造を加工するため、あるいは裸線を有する半導体デバイス層をスクライブするために、三角形状パルスを用いてもよい。図5は、ある実施形態により使用してもよい、ガウス形の時間的パルスプロファイル510と三角形状の時間的パルスプロファイル512との相違をグラフで示すものである。図5に示されるように、ガウス形の時間的パルスプロファイル510は、その初期値から最大ピーク値まで一定の割合で増加するものではない。また、ガウス形の時間的パルスプロファイル510は、その最大ピーク値から初期パワー値まで一定の割合で減少するものではない。むしろ、ガウス形の時間的パルスプロファイル510は、特に最大ピーク値付近、及び初期パワー値に戻るときに、割合を変化させて曲がるものである。また、ガウス形の時間的パルスプロファイル510は、同じ時間的パルス幅例えば、この例では79nsを有する三角形状の時間的パルスプロファイル512の立ち上がり時間及び立ち下がり時間と比較して、急峻な立ち上がり時間及び立ち下がり時間を有している。したがって、以下に詳細に述べるように、ガウス形の時間的パルスプロファイル510は、不動態化されていない導電リンク構造を加工する際に、スプラッシュとデブリを引き起こす熱衝撃を生ずる。一方、三角形状の時間的パルスプロファイル512は、第1の時点この例では時間ゼロの初期パワー値から第1の一定割合で第2の時点この例では39.5nsの最大ピーク値まで増加する。また、三角形状の時間的パルスプロファイル512は、第2の時点の最大ピークパワー値から第2の一定割合で第3の時点この例では79nsの初期パワー値まで減少する。この例では、三角形状の時間的パルスプロファイル512は、増加する第1の一定割合が実質的に減少する第2の一定割合と等しくなるように対称的になっている。三角形状の時間的パルスプロファイル512は、ガウス形の時間的パルスプロファイル510が生ずるものよりも緩い定常温度傾斜温度上昇及び低下の双方を生ずる。緩い定常温度傾斜は、不動態化されていない導電リンク構造の加工中にスプラッシュを引き起こす熱衝撃を低減する。また、三角形状の時間的パルスプロファイル512により与えられる、ガウス形の時間的パルスプロファイル510よりも長い緩い温度低下傾斜により、加工領域の周りの材料が急速に固化することが抑えられ防止される。これは、加工領域に残っている誘電体又は金属残渣が急速に固化することによって生ずる加工領域周りの応力を低減するのに役立つ場合がある。図6は、ある実施形態の例における、複数の対称三角形状の時間的パルスプロファイル610,612,614,616をグラフで示すものである。三角形状の時間的パルスプロファイル610は29nsのパルス持続時間を有している。三角形状の時間的パルスプロファイル612は79nsのパルス持続時間を有している。この例では、三角形状の時間的パルスプロファイル612の最大ピーク振幅が、実質的に三角形状の時間的パルスプロファイル610の最大ピーク振幅と等しい。また、三角形状の時間的パルスプロファイル614は79nsのパルス持続時間を有している。しかしながら、三角形状の時間的パルスプロファイル614の最大ピーク振幅は、三角形状の時間的パルスプロファイル612の最大ピーク振幅の約75である。このため、三角形状の時間的パルスプロファイル614は、そのピークの高さは異なるが、三角形状の時間的パルスプロファイル612と同じパルス形状及び同じ持続時間を維持している。三角形状の時間的パルスプロファイル616は99nsの持続時間と、三角形状の時間的パルスプロファイル612の最大ピーク振幅の約50の最大ピーク振幅とを有している。図7は、ある実施形態の例における、非対称三角形状の時間的パルスプロファイル710,712をグラフで示すものである。非対称三角形状の時間的パルスプロファイル710,712は、図6に示された対称三角形状の時間的パルスプロファイル612に対して図示されている。以下では、非対称三角形状の時間的パルスプロファイル710,712を鋸歯形状の時間的パルスプロファイルということもある。対称三角形状の時間的パルスプロファイル612と同様に、非対称三角形状の時間的パルスプロファイル710,712はそれぞれ79nsのパルス持続時間を有している。非対称三角形状の時間的パルスプロファイル710は、立ち下がり時間に比べて早い立ち上がり時間を有している。このため、対称三角形状の時間的パルスプロファイル612は約39nsで最大ピーク振幅を有しているが、非対称三角形状の時間的パルスプロファイル710は実質的に約39nsよりも前に最大ピーク振幅を有している。非対称三角形状の時間的パルスプロファイル712は、立ち下がり時間に比べると緩やかな立ち上がり時間を有している。このため、非対称三角形状の時間的パルスプロファイル712は、実質的に約39nsよりも後に最大ピーク振幅を有している。図示されたパルス持続時間を含め、図6及び図7に示される三角形状の時間的パルスプロファイル610,612,614,616,710,712は、単に例示のためのものであって、限定のためではないことは、当業者であれば本開示から理解できるであろう。実際、特定のレーザ加工用途のために、任意の持続時間、振幅、又は非対称度の三角形状の時間的パルスプロファイルを使用できることは、当業者であれば理解できるであろう。ある実施形態においては、異なる種類のターゲット構造に対して複数群又は複数クラスの対称及び/又は非対称三角形状の時間的パルスプロファイルが定義される場合がある。例えば、図8は、一実施形態に係るレーザ加工システム800の簡略化ブロック図である。レーザ加工システム800は、メモリデバイス810と、プロセッサ812と、レーザ源814と、光学系816と、ユーザインタフェイス818とを含んでいる。プロセッサ812は、例えば、メモリデバイス810又は他のコンピュータ読取可能な記憶媒体に記憶されたコンピュータ読取可能な命令を実行してここで述べる加工を行うように構成された汎用又は専用コンピュータ又は他の電子デバイスであってもよい。プロセッサ812は、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、デジタル信号プロセッサDSP、又は他の既知のデバイスとして具現化できる。メモリデバイス810は、レーザ源814が生成可能な複数の異なる時間的パルスプロファイルを定義した時間的パルスプロファイルデータ820を記憶していてもよい。時間的パルスプロファイルデータ820は、例えば、図6及び図7に示される対称及び非対称三角形状の時間的パルスプロファイル612,614,616,710,712、他の特定の対象又は非対称三角形状の時間的パルスプロファイル、及び/又はここで述べられる他の種類の時間的パルスプロファイルのいずれかを定義していてもよい。ある実施形態においては、ユーザが、ユーザインタフェイス818を介してプロセッサ812に相互作用して、カスタマイズした時間的パルスプロファイルを定義してもよく、あるいはメモリデバイス810に時間的パルスプロファイルデータ820として記憶された予め決められた又はデフォルトの時間的パルスプロファイルのパラメータ例えば、パルス持続時間、パワー振幅、対称性、及び形を定義する他のパラメータを変えるようにしてもよい。また、メモリデバイス810は、ターゲットクラス関連付けデータ822を記憶していてもよい。ターゲットクラス関連付けデータ822は、時間的パルスプロファイルデータ820により定義された1以上の時間的パルスプロファイルを対応するターゲットクラス構造に関連づける。例えば、ターゲットクラス関連付けデータ822は、図7に示される非対称三角形状の時間的パルスプロファイル712を特定の種類の不動態化されていない導電リンク構造に関連づけてもよい。ある実施形態においては、ユーザが、ユーザインタフェイス818を介してプロセッサ812に相互作用して、新しいターゲットクラスの関連付けを定義するか、あるいはターゲットクラス関連付けデータ822において予め決められた又はデフォルトの設定を変更してもよい。動作中、プロセッサ812は、加工のためにワークピース図示せず上又はワークピース内の構造を選択する。例えば、プロセッサ812は、テストデータに基づいて次に壊れる導電リンクを選択してもよい。ターゲットクラス関連付けデータ822に基づいて、プロセッサ812は、選択された構造に対応する時間的パルスプロファイルデータ820を選択する。そして、レーザ源814は、選択された時間的パルスプロファイルデータ820に基づいてレーザパルス824を生成する。レーザ源814が所望のパルス形状を生成する方法の例を以下に示す。その後、光学系816は、選択された構造を加工するように、生成されたレーザパルス824をワークピースに向ける。光学系816は、例えば、ミラー、集束レンズ、電気光学又は音響光学偏向器及び/又は変調器、ファストステアリングミラー、検流計駆動ミラー、及び選択された構造に生成されたパルスを供給するための並進運動ステージ例えば、Xステージ、Yステージ、及び/又はZステージに対して調整された他の光学デバイスを含んでいてもよい。図9A、図9B、図9C、及び図9Dは、ある実施形態における、裸金属線又は不動態化されていないリンク構造のようなターゲット材料910をレーザ加工する工程を模式的に示すものである。図示された工程は、そのようなターゲット材料910をガウス形の時間的パルスプロファイルを有するパルスで加工する効果を示すものである。そして、三角形状の時間的パルスプロファイルを有するパルスを用いた実施形態に対して、レーザ加工の相違点を述べる。図9Aに示されるように、ガウス形の時間的パルスプロファイルを有するレーザビームパルス912を最初に照射することで、ターゲット材料910がレーザエネルギーを吸収し始めると融解が生じる。ターゲット材料910の加熱のスピードが、周りの材料への熱伝導のスピードよりも速い場合、ターゲット材料910の局所的な領域914の温度が上昇し始める。最終的に、温度が融解温度に達し、ターゲット材料910の一部が融解して液化層又は液化領域916を形成する。図9Bに示されるように、その後、ガウス形の時間的パルスプロファイルを有するレーザビームパルス912は、一部の材料の沸騰及び除去を引き起こす。ターゲット材料の温度が上昇し続けると、液化層916の一部が融解温度に達し、アブレーション又は蒸発917による除去が生じる。このアブレーション工程は、例えば、気泡の生成、跳ね返り圧力、及び他の工程により液化層916内に乱流を引き起こし、放出材料918の除去と液化層916のスプラッシュ920を生じる。ターゲット材料910が非常に急速に加熱される場合においては、融点を超えて液化層916の一部を加熱することができ、爆発沸騰と呼ばれる工程を引き起こし得る過熱準安定液体の形成を生じる。図9Cに示されるように、ガウス形の時間的パルスプロファイルを有するレーザビームパルス912は、その後、プルームとプラズマの形成を引き起こす。アブレーションされた材料の量が増えると、最終的には材料の雲状物922がプルームと呼ばれる表面上にできる。プルームは、レーザエネルギーの散乱と吸収によりワーク表面に届くレーザエネルギーを減衰させる。より多くのエネルギーが加えられると、プルーム材料がプラズマになることがある。プラズマがワーク表面の十分に近くに生成されると、プラズマからの間接的な加熱により、放出材料918のさらなる除去と材料のスプラッシュ920が生じ得る。図9Dは、レーザビームパルス912が終了し、ターゲット材料910が冷却段階となった後のターゲット材料910を示すものである。ガウス形の時間的パルスプロファイルを有するレーザビームパルス912のレーザエネルギーが減少すると、ターゲット材料910の加熱速度は周りの材料への熱伝導速度よりも最終的に遅くなる。この時点で、液化層916の残った部分は冷却されて再び固化し始める。図9Dは、レーザ加工により生成された切溝926内で再固化した材料924をその周りの表面上に固化したスプラッシュ928とともに示している。図9A、図9B、図9C、図9Dにおいて述べたガウス形の時間的パルスプロファイルを有するレーザビームパルス912を使用することに対して、ある実施形態に係る三角形状の時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスを使用すると、ターゲット材料910の加熱及び冷却の速度がより緩やかになる。これにより、図9A、図9B、図9C、図9Dに示された異なる工程においてスプラッシュを引き起こす作用が抑えられるか、あるいは避けられる。例えば、図9Bを参照すると、三角形状の時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスにより生じた緩やかなあるいはゆっくりとした加熱により、過熱された液化層916の生成が低減される。過熱された液体は、非常に激しく爆発的な気泡生成工程爆発沸騰と呼ばれるを経て、表面から液体及び気体の材料の噴出を引き起こし得る。よりゆっくりした過熱速度として過熱の度合いを低くすることによって、三角形状の時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスにより生成されるスプラッシュ920は、ガウス形の時間的パルスプロファイルを有するレーザビームパルス912により生成されるスプラッシュよりも実質的に少なくなる。加えて、図9Cを再び参照すると、三角形状の時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスにより生じた緩やかなあるいはゆっくりとした加熱により、雲状プラズマ922の形成が実質的に激しくなくなる。これにより、雲状プラズマ922からの間接的な加熱によるスプラッシュ920がさらに減り、あるいはなくなる。また、図9Dを再び参照すると、三角形状の時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスにより生じた緩やかな冷却は、得られる融解材料に逆流する機会を与え、これにより再固化材料924の外面が滑らかになる。また、このゆっくりとした冷却は表面のアニールを引き起こし、これにより再固化材料924と周りの材料との間の応力が実質的に低減する。これに対して、ガウス形の時間的パルスプロファイルを有するレーザビームパルス912により生じた急速な冷却により液化層916が急速に凍り付き、これにより、表面が粗くなり、表面に大きな応力がかかることになる。熱特性及び熱拡散特性は、異なる種類の半導体デバイスのスタックによって異なり得るので、選択される加熱速度はそれぞれの場合で異なっていてもよい。このため、ある実施形態では対称三角形状の時間的パルスプロファイルを用い、他の実施形態では非対称三角形状鋸歯形状の時間的パルスプロファイルを用いてもよい。パルスの上方に向かう傾斜は、図9A、図9B、及び図9Cに関連して述べられた加熱速度及び作用を制御する。パルスの下方に向かう傾斜は、図9Dに関連して述べられた作用を制御する。選択されるパルス形状は、材料及び切断される材料の構成に大きく依存していてもよい。図10は、ある実施形態における、電子顕微鏡写真の例1010,1012及び対応する時間的パルスプロファイル1014,1016を示すものである。電子顕微鏡写真1010に示された分断リンク1018は、ガウス形の時間的パルスプロファイル1014を有するレーザパルスを用いて加工されたものである。電子顕微鏡写真1012に示された分断リンク1020は、三角形状の時間的パルスプロファイル1016を有するレーザパルスを用いて加工されたものである。図10に示される三角形状の時間的パルスプロファイル1016は多少のノイズを含んでいる。しかしながら、ノイズがあっても、三角形状の時間的パルスプロファイル1016は、実質的に一定の立ち上がり時間と実質的に一定の立ち下がり時間を有している。電子顕微鏡写真1010に示されるように、ガウス形の時間的パルスプロファイル1014を有するパルスは、切断領域から約1μmよりも遠くの距離で観察され得る放出材料からなる球を含む金属リンク1018内に、よりスプラッシュが生じやすい切断を生じさせる。電子顕微鏡写真1010と比較すると、電子顕微鏡写真1012は、三角形状の時間的パルスプロファイル1016を有するパルスでは、加熱速度がより遅いために、比較的スプラッシュが少ないことを示している。また、電子顕微鏡写真1010の例えば、アルミニウムからなる切断リンク1018の縁部は、融解と変形によりより角ばった形状となっており、これはパルス冷却時間に関係するものである。電子顕微鏡写真1012に示され、三角形状の時間的パルスプロファイル1016を有するパルスを用いて生成された切断リンク1020の縁部は、より丸くなっている。この例におけるアルミニウム材料は、ガウス形のパルスに対して非常に急激に冷却され、より角ばった形状となり、一方、三角形状のパルスからの冷却速度が遅いことにより、金属端部が逆流し、より丸くて滑らかな切断縁部を形成する。II.プログラム可能な時間的パルスプロファイル一部のシステムでは、調整されたパルス形状を用いてワークピースを加工している。例えば、本特許出願の譲受人に譲渡されている米国特許第7,348,516号は、加工品質と歩留まりの向上のために、メモリチップ又は他の集積回路ICチップ上の導電リンクのレーザ加工が特別に調整された強度プロファイルパルス形状を有するレーザパルスを用いたレーザシステム及び方法によってなされるレーザ技術について述べている。他の例としては、本特許出願の譲受人に譲渡されている米国特許第7,126,746は、複数のレーザパルス時間的プロファイルを用いて1以上の半導体ウェハ上の半導体ワークピース構造を加工することができるレーザ加工システムの利用方法について述べている。一般に、リンク加工システムにおいては、レーザと材料の相互作用を規定するいくつかのレーザパルスパラメータがある。レーザ波長に加えて、これらのパラメータには、空間的な特性例えば、スポット寸法、ウエスト位置、及び楕円率と時間的な特性例えば、ピークパワー、パルスエネルギー、パルス幅、及びパルス形状の双方が含まれる。複数のリンク加工システム上で繰り返すことができるしっかりしたプロセスを提供するために、レーザパルスパラメータは、a設計によって受動的に制御され、製造中に性能を確かめるために計測されてもよく、あるいはb周期的に行われる較正により制御されてもよく、あるいはc能動的に計測され、フィードバックループを用いて制御されてもよい。調整されたパルスレーザ加工システムのようなレーザ加工システムにおいては、方法cの方が方法a又はbよりも柔軟である場合がある。典型的なレーザ加工システムは、一般的に、様々なレーザパラメータを異なる方法によりモニタリングしている。例えば、表1は、レーザパルス加工パラメータ制御に関する現在の技術水準を要約したものである。固体レーザを用いて典型的なレーザパルスを生成するのとは異なり、例えばファイバレーザや主発振器ファイバパワー増幅器MOFPAを用いた調整パルス技術は、典型的なピークパワー、パルスエネルギー、及びパルス幅の測定基準によって適切に表現できないパルス形状を考慮している。例えば、図11A及び図11Bは、一実施形態における動的レーザパルス整形器及びパワー増幅器により生成される調整レーザパルスの時間的パルス形状の例である。図11Aに示されるように、パワーカーブ上の先頭のスパイクのピークパワーP1は、いわゆる椅子形状のパルスの平坦部又は座パワーP2の高さを表現していない。また、調整パルスの中には、ピークパワーP1によって表現されない複数のスパイク又は複数の平坦部を有するものがある。例えば、図11Bに示されるように、スパイクのピークパワーP1は、第1の平坦部パワーP2又は第2の平坦部パワーP3の高さを表現していない。加えて、後述するように、FWHM測定基準に基づくパルス幅は、異なる座の長さを有する複数の椅子形状のパルスに対して同じ結果をもたらす場合がある。一実施形態においては、レーザ加工システムは、ワークピース上の第1の種類の構造に対して第1の時間的パルスプロファイルを選択し、ワークピース上の第2の種類の構造に対して第2の時間的パルスプロファイルを選択するように構成される。半導体メモリデバイス上のリンクのような特定の集積回路の特徴を加工するために仕様される時間的パルスプロファイルは、同じデバイス上で別のレーザ加工動作を行うのには効率がよくなかったり、効果がなかったりする場合がある。したがって、レーザ加工システムは、加工されるターゲット構造の種類に基づいて適切な時間的パルスプロファイルをオンザフライで選択する。例えば、図12は、一実施形態における、ワーク表面1210にターゲットアライメント機構1212と導電リンク構造1214を有する半導体ウェハ1200を示す模式図である。前縁のスパイク例えば図11A参照から得られる高いパルスエネルギーと高いピークパワーを有する整形レーザパルスは、1以上のリンク構造1214を選択的に破壊するのに有用な場合がある。しかしながら、高いパルスエネルギー及び/又は高いピークパワーは、アライメントスキャン中にターゲットアライメント機構1212に損傷を引き起こす可能性があり、そのようなスキャンから誤った位置情報を取得してしまう可能性がある。このため、レーザ加工システムを、ターゲットスキャンのために比較的低いパルスエネルギー及びピークパワーを有するパルスを生成する第1の時間的パルスプロファイルモードで動作させ、リンク構造1214を破壊するために比較的高いパルスエネルギー及びピークパワーを有するパルスを生成する第2の時間的パルスプロファイルモードで動作させてもよい。当業者が理解するように、広い範囲のピークパワー、パルスエネルギー、及び時間的プロファイルは、ワークピース上の構造のレーザ加工にとって魅力的であるかもしれない。例えば、DRAMやSRAM、フラッシュメモリなどの幅広い半導体メモリデバイスにおいて導電リンク構造を分断するために、また、銅/ポリアミド積層材料のようなフレキシブル回路に又は集積回路ICパッケージにレーザ穿孔マイクロビアを作るために、また、半導体集積回路、シリコンウェハ、及び太陽電池のレーザスクライビング又はダイシングのような半導体のレーザ加工又は微細加工をするために、また、金属、誘電体、高分子材料、及びプラスチックのレーザ微細加工をするために、調整されたパルス形状が利用される場合がある。他の多くの種類のワークピース及び/又はワークピース構造をここに開示された実施形態により加工してもよいことは、当業者であれば理解できるであろう。このように、一実施形態においては、レーザ加工システムにより、ユーザは、特定の種類又はクラスの構造を加工するための時間的パルスプロファイルをプログラムすることが可能となる。例えば、図13は、一実施形態における、ワークピース上又はワークピース内の構造をレーザ加工する方法1300のフローチャートである。開始1305後、方法1300は、複数のユーザ定義時間的パルスプロファイルを記録し1310、時間的パルスプロファイルのそれぞれをワークピース上の1種類又は1クラスの構造又は複数のグループのワークピースに関連づける1312ことを含んでいる。このクラスの構造は、例えば、アライメント構造、導電リンク、及び抵抗又は他のディスクリート部品を含んでいてもよい。また、ある実施形態では、このクラスは、例えば、レーザを用いてワークピースに切り込まれるスクライブ線又は切溝を含むことがある。ワークピースを加工する際に、方法1300は、加工のためにワークピース上又はワークピース内の特定の構造を選択し1314、複数の時間的パルスプロファイルから特定の構造のクラスと関連づけられた特定の時間的パルスプロファイルを選択する1316ことを含んでいる。また、方法1300は、その特定の時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスを生成し1318、生成されたレーザパルスで特定の構造を加工する1320ことを含んでいる。単一のパルスを用いて特定の構造を加工する代わりに、レーザ加工システムが複数のパルスを特定の構造に向けてもよいことは、当業者であれば本開示から理解できるであろう。また、特定の構造に向けられたそれぞれのパルスは、同一の時間的パルスプロファイルを有していてもよく、これらのパルスの少なくとも1つが異なる時間的パルスプロファイルを有していてもよい。そして、方法1300は、ワークピースが加工すべき追加の構造を含んでいるかどうかを問い合わせる1322。加工すべき追加の構造がある場合には、方法1300は、加工のために他の特定の構造を選択する1314。このため、方法1300は、構造の種類に基づいて、複数の異なる時間的パルスプロファイルを用いて構造をオンザフライ加工する。加工すべき追加の構造がない場合には、方法1300は終了する1324。III.レーザ加工システムの例図14は、一実施形態における、異なる時間的パルスプロファイルを有するレーザパルスを生成及びモニタリングするレーザ加工システム1400の例である。システム1400は、レーザコントローラ1414及びビーム位置コントローラBPC1416が反応する全システム動作コマンドを組み込み型制御コンピュータECC1412に供給するシステム制御コンピュータ1410を含んでいる。また、システム1400は、レーザコントローラ1414により制御されるレーザ源1418を含んでおり、レーザコントローラ1414は、ECC1412及びBPC1416と直接的又は間接的に通信するコマンドデータレジスタ1420及びタイマ1422を含んでいる。以下に詳述するように、一実施形態においては、レーザ源1418は動的レーザパルス整形器とファイバパワー増幅器とを含んでいる。他の実施形態においては、レーザ源1418はタンデム増幅器を含んでいる。さらに他の実施形態では、レーザ源1418は、電気光学変調器図27及び図28に関連する説明を参照を用いるスライスドパルスレーザを含んでいる。レーザコントローラ1414は、ECC1412からコマンドを、BPC1416から信号を受信する。レーザコントローラ1414は、外部トリガコマンドを介したパルス出射とパルス形状制御のためにレーザ源1418にコマンドを供給する。一実施形態においては、レーザコントローラ1414は、ECC1412からコマンドを受信し、ワークピース機構位置データに基づいてBPC1416と連携して変調器コントローラMC1424からレーザ源1418に外部トリガコマンドを発することにより上記コマンドに応答する。MC1424は、出射の時間とレーザ源1418から出射されるパルスの形状を制御する。あるいは、レーザ源1418は、レーザコントローラ1414、ECC1412、又はその双方と通信されるパルス間隔時間でパルスを照射する。一実施形態においては、出射されたレーザパルスが入射するワークピース機構の種類によって、レーザ源1418は、特定の時間的パルスプロファイルを生成するようにECC1412により指示される。そのような時間的プロファイルの例示が図11A及び図11Bに示されている。プログラム可能な時間的パルスプロファイルを提供するために、一実施形態では、システム1400は、時間的プロファイルやパルスあたりのエネルギー、集束ビーム伝搬属性、及び後述する他のパラメータのような関連するレーザ加工パラメータの範囲を十分に計測及び較正するための手段を提供する。図14に示されるように、システム光学系1426は光検出モジュール1428を含んでいてもよく、この光検出モジュール1428は入射レーザ出力の検出及びワーク表面で反射したレーザ出力の検出のために用いることができる。一実施形態では、光検出モジュール1428は、入射レーザ出力信号及び反射レーザ出力信号などの検出された光信号の微細なデジタル化が可能な光検出器回路を含んでおり、これにより、入射レーザ波形及び反射レーザ波形を効果的にデジタル化することができる。このように、システム1400は、入射レーザ波形及び反射レーザ波形の十分な計測を可能にし、時間的プロファイル、時間的プロファイルの変化、パルス振幅安定性、パルスエネルギー安定性、及びパルス当たりのエネルギーの計算と較正を可能にしている。当業者であれば理解できるように、レーザ波長によって急激に反射率が変化するターゲット領域を横断してレーザビームをスキャンすることにより、レーザビームの集束スポット寸法属性の計測と計算の方法が提供される。図15は、一実施形態に係る光検出モジュール1428の例のブロック図である。この光検出モジュール1428は、図14に示されるレーザレール光学系1430からの出力の一部を分離して信号調節前置増幅器1514に接続された光電変換器1512に向ける光学ビームスプリッタ1510を含んでいる。前置増幅器1514は、プログラム可能なゲインステージ1516に接続されており、このプログラム可能なゲインステージ1516は高速アナログデジタル変換器ADC1518に入力する。デジタル化されたADC1518の出力は、後で図14に示されるシステム制御コンピュータ1410に送るために、サーキュラバッファ1520にバッファされる。光電変換器1512は、特定レーザ波長に対する感度に対して、整形されたレーザパルスの時間的プロファイルに一致する時間的応答特性に対して、及び/又は曝されるであろう光学的放射の強度の予想範囲に一致する動的範囲に対して選択することができる。プログラム可能なゲインステージ1516は、ビームが光電変換器1512にサンプリングされる前に光学的減衰が生じた場合に、レーザレール光学系1430内で生じる可変の光学的減衰を補償する役割を有する。ワーク表面でのパワーを下げるためにビームを減衰させると、光電変換器1512に入射するパワーの量も減ることになる。プログラム可能なゲインステージ1516は、ADC1518でサンプリングされる信号の分解能を最大化するために、信号レベルを電気的に回復させる。ADC1518は、予想されるパルスプロファイルを分解するように十分に高いサンプリングレート及びスルーレートに対して選択することができる。フラッシュコンバータ構成を用いることができるが、この機能は連続的にデータのサンプリングを行う場合があるので、パイプライン化及び/又は逐次近似技術も好適であり、より良い性能測定基準を提供する場合がある。ADCの変換幅例えば、8ビット、12ビット、16ビット以上は、システム1400の所望の分解能及び動的範囲能力に基づいて選択することができる。検出された信号をデジタル化したサンプルが連続的にサーキュラバッファ1520に送られる。バッファ1520は、パルス検出論理よるデータの解析における待ち時間の原因となる少なくとも十分に余った能力をもって、開始から終了までの全体のパルスを保存できるのに十分な大きさになっている。同時に、パルス検出器論理機能は、バッファ1520内のパルスの存在を検出するために、デジタル化されたパルス波形を解析する。パルスが検出され、完全であると判断されると、この機能は、バッファ1520を更新し続ける動作を停止し、後でシステム制御コンピュータ1410にアップロードするためにバッファ1520を保持する。デジタル化及び保存機能は、システム制御コンピュータ1410からの後続のコマンドにより後で再起動させてもよい。パルス検出器論理機能は、デジタル信号プロセッサDSPや書換可能ゲートアレイFPGA、他の計算エンジンを用いて実現することができる。FPGAは、単一の装置内にDSPとバッファメモリ素子の双方を備えていてもよい。完全なパルスがサーキュラバッファ1520に保存されると、分析のためにシステム制御コンピュータ1410にアップロードすることができる。分析としては、例えば、後で詳述するような、ピーク高さの決定、パルスのプロファイルを積分することによるパルスエネルギーの決定、パルス幅の決定、及びパルスプロファイルの特徴付けが含まれ得る。加えて、あるいは他の実施形態においては、DSP、FPGA、又は他の計算エンジンは、パルス特徴付け測定基準計算の組み合わせも提供するかもしれない。そのような実施形態においては、システム1400は、デジタル化された生のパルスデータをシステム制御コンピュータ1410にアップロードすることを選択せずに、その代わりに、パルス特徴付け測定基準のサブセットの一部だけをアップロードすることを選択してもよい。この実施形態の利点は、光検出モジュール1428とシステム制御コンピュータ1410との間の接続に関する帯域幅要求を低減して、比較的簡単な電気的インタフェイスを維持しつつ、より多くの計測をより早く行うことが可能となる点である。図14に戻って、レーザ加工システム1400の一実施形態においては、レーザ源1418からの出力がレーザレール光学系1430及びシステム光学系1426に照射される。システム光学系1426からの出力は、折りたたみミラー1434によって、ワークピース機構例えば、図12に示されるターゲットアライメント機構1212及びリンク構造1214のレーザ加工のために後でターゲット試料1440のワーク表面1438に送るためのZ方向位置決め機構1436に向けられる。このZ方向位置決め機構1436は、レンズアセンブリを包含していてもよい。BPC1416は、Z方向位置決め機構1436からの出力が所望のターゲット機構を加工できる位置にX-Yポジショナ1442を向けるためにX-Y座標位置決め信号を供給する。X-Y位置決め機構1442は、BPC1416のレジスタ1444からコマンド位置信号を受信し、実位置信号をBPC1416の位置エンコーダ1446に送る。BPC1416は、位置差分値を決定しタイマ1422に送信する比較器モジュール1448を含んでいる。タイマ1422は、レーザ源1418からの出力を変調する音響光学変調器AOM1450をレーザレール光学系1430内で動作させるのに適切な時点でトリガ信号を送信することにより応答する。レーザ源1418から出力されたパルスを調波変換モジュール1452に導き、その後ワークピース機構の高調波レーザ加工のためにレーザレール光学系1430及びシステム光学系1426によってワーク表面1438に送ってもよいことは、当業者であれば理解できるであろう。レーザ加工システムの要素の他の構成を用いることができ、多様なワークピースをレーザ加工システム1400により加工できることは、当業者であれば理解できるであろう。図16A及び図16Bは、一実施形態における、図14に示されるレーザ源1418を示すブロック図である。同様のレーザ源が、Deladurantaye等によるパルスレーザ光源という標題の米国特許出願公開第2006-0159138号において詳細に述べられている。図16Aは動的レーザパルス整形器DLPS1600を示しており、図16Bはファイバパワー増幅器FPA1610を示している。図16Aに示されるように、DLPS1600は、レーザ注入源1612と、第1のパルス変調器1614と、第1のパルスゲインモジュール1616とを含んでいる。ある実施形態においては、DLPS1600は、第2のパルス変調器1618及び第2のパルスゲインモジュール1620も含んでいる。また、DLPS1600は、要素間に1以上のアイソレータ1622図示では2つを含んでいてもよい。当業者であれば理解できるように、いくつかの変調器やゲイン要素の他の構成を有利に用いることができる。レーザ注入源1612は、パルス変調器1614により変調され、レーザコントローラ1414により指示されるように好適な第1のレーザパルスプロファイルを生成する持続波CW出力を発する。他の実施形態においては、レーザ注入源1612がパルス出力を生成してもよい。第1のパルス変調器1614は、電気光学変調器、音響光学変調器、又は他の光学変調器であってもよい。第1のパルス変調器1614により生成されたレーザパルスは、その後、第1のパルスゲインモジュール1616によって変換され、ワークピース機構のレーザ加工のために増幅して後でレーザレール光学系1430及びシステム光学系1426を介してワーク表面1438に送るのに好適な変換時間的パルス出力を生成する。レーザコントローラ1414は、後に第1のパルスゲインモジュール1616に入力されるときに、DLPS1600から出力される変換レーザパルスプロファイルが所望のものとなるような一続きのレーザパルスプロファイルを生成するために、第1のパルス変調器1614への入力用のコマンド信号の行列を用いてプログラムされていてもよい。したがって、システム制御コンピュータ1410は、その後、ECC1412に発行されたコマンドを介して加工されるワークピース機構の機能として、DLPS1600から出力された時間的パルスプロファイルを選択してもよい。次に、ECC1412は、レーザコントローラ1414にコマンドを発行する。図16Aに示されるように、DLPS1600は、ある実施形態においては、DLPS1600から出力された時間的パルスプロファイルを付加的に整形又はより複雑に整形するために、第2のパルス変調器1618と第2のパルスゲインモジュール1620とを含んでいてもよい。一実施形態においては、DLPS1600から出力された変換パルスは、図16Bに示されるFPA1610に注入される。FPA1610は、パワー増幅器ゲインファイバPAGF1628へのDLPSの出力及びパワー増幅器ポンプレーザPAPL1626図示では4つからの出力の注入を可能にするパワー増幅器カプラPAC1624図示では2つを含んでいる。レーザコントローラ1414は、PAPL1626に接続されており、例えば、PAPLの電流を例えば、ダイオードレーザ又は半導体レーザを介して制御し、PAPLの温度を例えば、熱電クーラーを介して制御し、及び/又はPAPLのパワーを例えば、フォトダイオードを介してモニタリングしてもよい。PAC1624をファイバの一端又は両端に配置してもよい。複数の付加的なPACをPAGF1628の長さに接合してもよい。PAGF1628は、好ましくは、大モード面積LMA偏波保持ファイバである。PAGF1628は、周波数選択構造を含んでいてもよい。一実施形態におけるPAGF1628は、希土類イオンが添加された石英ファイバコアと光材料からなる1以上の同心シースを有するクラッドとを有する導波管デバイスである。他の実施形態におけるPAGF1628は、希土類イオンが添加された領域を有する同心クラッドシースを含んでいる。さらに他の実施形態におけるPAGF1628は、1以上のクラッドシースが短い間隔で配置された空気孔を備えたフォトニック結晶ファイバである。他の実施形態においては、PAGF1628はシングルモード偏波保持ファイバである。使用されるPAPL1626の数が、PAGF1628の種類と長さ及びFPA1610からの所望の光学パルス出力特性により決まることは、当業者であれば理解できるであろう。終端光学系1630によって必要とされることがあるように、PAGF1628からの出力はコリメートされ偏光されることがある。一実施形態においては、FPA1610からの出力パルスは、終端光学系1630、高調波光学系モジュール1632、及び任意選択の高調波終端光学系1634を介して供給される。高調波光学系モジュール1632は、既知の高調波変換方法により入射出力パルスを高調波周波数に変換するための非線形結晶を含んでいる。ある実施形態の例においては、FPA1610からの1064nmの出力を355nmに高調波変換するために、高調波光学系モジュール1632は、2次高調波生成SHG変換用のタイプI非微調位相整合三ホウ酸リチウムLBO結晶を含んでおり、その後には、1064nmに加え532nmを355nmに高調波変換するためにカットされたタイプII和周波発生LBO結晶を含んでいる。他の実施形態の例においては、266nmへの変換のために、THGLBO結晶を微調位相整合ベータホウ酸バリウムBBO結晶に置き換えてもよい。さらに他の実施形態の例では、266nmへの4次高調波生成FHG変換のために、ホウ酸セシウムリチウムCLBOを用いることができる。高調波光学系モジュール1632は集束レンズ要素を含んでいてもよいことは、当業者であれば本開示から理解できるであろう。高調波光学系モジュール1632内の要素を、レーザコントローラ1414により能動及び/又は受動フィードバックループを用いて温度が設定及び制御されている温度制御マウントに置き、位相整合温度を正確に制御してもよい。IV.パルス形状フィードバック及び制御上述したように、調整パルスプロファイルは、一般的に、ピークパワー、パルスエネルギー、及びパルス幅測定基準によっては適切に表現されない。このため、後で詳述するある実施形態は、パルス形状フィードバック例えば、検知及び制御を提供する。それらの実施形態は、特定の種類のフィードバックとフィードバック方法の例を含んでいる。パルス形状制御及び制御アルゴリズムも述べる。調整レーザパルスを用いてワークピースを加工する際、長い間パルス形状を維持するため、及びプロセスの傾向と相互に関連させるのに適したパルス形状に関連する統計フィードバックを提供するために、あるリンク加工システムから他のリンク加工システムにパルス形状を再生成することが望ましい場合がある。したがって、一実施形態においては、レーザ加工システムは、固体レーザ用に一般的に用いられる典型的なピーク高さ、パルスエネルギー、及びパルス幅の解決法に勝るパルス形状フィードバックを提供する。一実施形態においては、レーザ加工システムは、実行時にパルス形状をモニタリングするように構成されたインラインパルスプロファイラを含んでいる。パルスプロファイラにより収集されたデータは、一組の所定アルゴリズムにより処理され、パルス形状及び/又は満足すべきパルス形状からの偏差に関する測定基準を計算する。データ及び統計結果は、再生成可能なパルス形状及びパルス形状の統計的分析を生成し維持するために利用できる。また、データ及び統計結果は、後述するように、パルス形状制御のためにも利用できる。A.フィードバック測定基準以下の測定基準の例を用いて時間的パルスプロファイルを特定し分析することができる。スパイク、平坦部、及び傾斜などのパルスの特徴に対応するいくつかのパラメータの組み合わせとして時間的パルスプロファイルを定義することができる。例えば、椅子形状のパルスは、最初のピーク又はスパイクに続いて平坦部を有している。付加的な特徴も定義可能であることは、当業者であれば本開示から理解できるであろう。パルス形状のすべての態様を特定することが望ましいかもしれないが、ある実施形態においては、調整パルスを生成するために、限られた組のパラメータが制御される。例えば、一実施形態においては、パルス形状を生成するために調整され得る約12個の変数があり、これらのパラメータのうちのいくつかは、より短いパルスを特定する際に使用されない場合がある。制御されるパラメータの数は、パラメータに反応するレーザの能力に依存し得る。一実施形態においては、時間的パルスプロファイルは、立ち上がり時間やパルス持続時間などの一般的なパラメータにより定義される。これらのパラメータは、全般パルスパラメータと特徴定義パラメータという2つの異なるカテゴリに分けられる。全般パルスパラメータは、立ち上がり時間、全パルス持続時間、及び全ピーク時間のような全体のパルス形状に適用される測定基準である。特徴定義パラメータは、ピークの時間、高さ、及び幅や平坦部の開始、終了、及び高さなどのパルス形状の一部に適用される測定基準である。1.全般パルスパラメータ以下のフィードバック測定基準の例がパルス形状全体に適用される。iピークパルスパワー図17は、一実施形態における、ピークパルスパワーPpkにより少なくとも部分的に特徴付けられる正規化調整レーザパルス1700をグラフで示すものである。パルス形状は、ピークと平坦部に対する振幅特定を簡単にするために、ピークパルスパワーに関して正規化されていてもよい。ピークパルスパワーPpkは、パルス中の任意の時間における最大パワーとして定義される。ピークパルスパワーは、同一の正規化尺度で複数のパルスを分析することに対する耐性を持って特定されてもよい。iiパルス開始時刻一般的に、フィードバック測定基準は、測定可能なように定義される。しかしながら、測定されたパルスが始まる正確な時点に関して幾分曖昧さが生じることが多い。このため、特定のパルス特徴のタイミングを、正確に特定可能な時間値を持たないパルス開始時刻に対して特定してもよい。測定及び検証のため、パルス特徴のタイミングを定義するために使用されるパルス開始時刻Tstartは、絶対的な定義を持っていない。ある実施形態において、仕様及び測定形状を比較する際に、測定された形状の特徴をパルス特徴仕様に最もよく合致させるために、開始時刻が進んでいても遅れていてもよい。iiiパルス立ち上がり時間図17に示されるように、一実施形態におけるパルス立ち上がり時間τRは、正規化されたパワープロファイルの下位レベルと上位レベルとの差の約10から約90への遷移に対する時間間隔として定義される。ある実施形態においては、下位レベルはゼロパルスエネルギーに対応し、上位レベルはパルス1700の最も高いパワーレベルを含む最初のスパイクの高さに対応する。iv10パルス持続時間図17に示されるように、一実施形態における10パルス持続時間τ10は、ピークパルスパワーの1/10を得る最初の時点と最後の時点との間の最大時間間隔として定義される。この定義により、パルスは、さらに10パルス持続時間区間を定義することなく、ピークパワーの10未満に下がる。一般的にピークと平坦部は10未満に低下し得る時間的なパワー変化を含んでいるので、この定義が使用される。特定の用途により他のパーセンテージも使用できることは、当業者であれば本開示から理解できるであろう。v時間積分2乗パルス持続時間単一の調整パルスは、適切な光検出器を有するオシロスコープを用いて測定することができる。得られるパワー-時間曲線を表す1つの方法は、ピーク高さとFWHM値とによるものである。しかしながら、上述したように、FWHMは、調整パルス技術により生成される時間的プロファイルのような大幅に異なる時間的プロファイルとパルスを比較するのに効果的な方法ではない。むしろ、必要なものは、加工される材料内に観察される結果としての効果に対してピークのパルス幅を表す方法である。図18A及び図18Bは、調整レーザパルスを特徴付けるためにピークパワーとFWHMを使用することから生じる問題を示すものである。図18A及び図18Bは、ある実施形態において例えばファイバレーザやMOFPAにより生成される複数の異なる時間的パルス形状をそれぞれ示している図18Aでは4つの時間的パルス形状が示され、図18Bでは3つの時間的パルス形状が示されている。図18Aの4つのパルスのピーク高さ及びFWHM値は同一であるが、これら4つのパルス形状は、導電リンクのレーザ加工に用いられると、大幅に異なる結果をもたらす。図18Bは、異なる長さの椅子を有する整形パルスの他の例を示している。椅子の高さが半値未満のとき、FWHM値を変化させることなく相当量のパルスエネルギーをパルスに追加してもよい例えばパルスの椅子部の長さを無限に延長してもよい。パルス幅に関する他の一般に認められた工業規格の特徴、時間積分2乗TIS方法は、FWHM法の制限を克服できる。このため、ある実施形態においては、調整パルス用のフィードバック測定基準は、一般的なFWHM法を用いることに代えて、TISパルス持続時間又は幅を決定することを含んでいる。次の式がTISパルス幅を定義する。ここで、Itは、パワー-時間におけるパルス曲線である。TIS法は193nmリソグラフィーシステムとともに用いられてきた。193nmリソグラフィー用に使用されるエキシマレーザのパルス形状は、振動的であり、相対強度がレーザの動作条件を超えて変化するいくつかの重複ピークとして表現され得る。193nmでは石英ガラスへの損傷が懸念されるため、193nmパルスの例外的な形状をシリカに対する予測される損傷に相関させるための関連方法が求められていた。TISは、石英ガラスの予測される圧密化に対して有効であることが証明され、193nmリソグラフィー用途において標準として一般に受け入れられている。TIS値は、エネルギー密度、パルス長、及びピークパワーのような他のパルスパラメータとよく相関している。TIS法は、パルスの関連する特性をFWHMよりもずっとよく捕捉し、石英ガラス用の確立した損傷モデルに対する相関を可能にするので有用である。図19は、4つの簡略化したパルス形状パルスA~Dと、FWHMとTISパルス幅値との間の対応する比較結果を示すものである。パルスAは、任意の方形パルスについてTIS値はFWHM値とおよそ等しいことを示している。パルスBは、よりガウス形の形状についてはTISがFWHM値よりも大きいことを示しているこの場合、得られるTISパルス幅は5.4単位であるのに対してFWHM値は3.0単位である。パルスC及びDは、椅子の高さをそれぞれ最大パワーの半分より大きく調整した椅子形状と小さく調整した椅子形状の調整パルスの簡易版を示している。ピークCについて、FWHM値及びTIS値はともに約5.0単位である。ピークDの椅子のパワーの高さが落ちることで、FWHM値が2.0単位、TIS値が4.6単位となり、パルスの材料加工能力をとらえるためにはTISがより効果的な方法であることを示唆している。図20は、6つのレーザパルス形状曲線1~6と、FWHMとTISパルス幅値との間の対応する比較結果を示すものである。曲線1は、TIS値3.5nsよりも小さいFWHM値2.5nsを有するガウス形状パルスである。曲線2は、非対称性をパルス後縁に少し導入することで、FWHM3.0nsの値を超えてTIS4.5nsが少し大きな値になることを示している。曲線3から6は、椅子形状の調整パルスの例であり、FWHM法よりも優れたTIS法の使用の利点を示している。この利点は、椅子高さのパワーが半値未満に落ち込む際に非常に明確になる。曲線3及び4を比較すると、FWHM値が2.6nsから7.5nsに変化する一方、TIS法では7.3nsから8.6nsというより妥当な値比較となることがわかる。同じような傾向が曲線5及び6においても見られる。また、曲線3、4、5、及び6は、TISパルス幅が、実際のパルス領域に伴って生じるより妥当な傾向を持っており、レーザ-材料加工についての結果とより密接に関連していることを示している。このため、一実施形態において、フィードバック測定基準は、生成されたパルス形状のTIS値を決定することを含んでいる。vi記憶されたパルス形状との比較一実施形態において、フィードバック測定基準は、生成されたパルス形状に対する記憶された公称パルス形状からの標準偏差を決定することを含んでいる。vii記憶されたパルス形状の時間積分との比較他の実施形態においては、フィードバック測定基準は、生成されたパルス形状の時間微分に対する公称パルス形状の時間微分からの標準偏差を決定することを含んでいる。時間微分の比較は、例えば測定されたパルス形状が所望の立ち上がり時間を有しているかどうかを分析する際に有用である。使用可能な他の統計的な測定基準としては、二乗平均平方根RMS又は絶対誤差の積分を利用することが挙げられるが、これに限られるものではない。2.特徴定義パラメータ以下のフィードバック測定基準の例は、パルスの特定の部分又は特徴に当てはまる。一実施形態において、パルスは、特徴付けられたスパイク、平坦部、及び傾斜部の組み合わせとして定義される。iスパイク特徴付け図21は、一実施形態における、ピーク高さPKH、ピーク幅PKW、及びピーク時間PKtimeにより特徴付けられるスパイクを有する正規化された調整レーザパルス2100をグラフで示すものである。ピーク高さPKHは、スパイクを含み、他の特徴を含まない例えば他のスパイクや平坦部を含まない時間間隔の間に得られる最大パワーとして定義される。パルスは複数のスパイクを含むことがあるので、特定のピーク高さPKHが、全体のパルス高さ又は図17に関連して先に述べたピークパルスパワーPpkとは異なる場合がある。ピーク幅PKWは、ピーク高さPKHと、スパイクに先行する又は後に続く最も高い特徴例えば、平坦部の振幅との間にある振幅にスパイクが最初になったときから最後になったときまでのスパイクの幅として定義される。ピーク時間PKtimeは、ピークパワーがそのスパイクの最大値の90に最初になった時点と最後になった時点との平均である。ピーク時間PKtimeは2つの時点の平均であるので、ピーク時間PKtimeは、スパイクがその最大パワーになった瞬間に必ずしもなるわけではない。ii平坦部特徴付け図22は、一実施形態における、開始時刻PLstart、終了時刻PLstop、及び許容範囲ΔPLlevelに関連づけられたレベルPLlevelにより特徴付けられる平坦部を有する正規化された調整レーザパルス2200をグラフで示すものである。開始時刻PLstart及び終了時刻PLstopは、それぞれパルス開始時刻に対して平坦部の開始と終了を特定するものである。開始時刻PLstart及び終了時刻PLstopのパラメータは、許容範囲がなく特定されてもよい。平坦部レベルPLlevelは予定している振幅である。開始時刻PLstartと終了時刻PLstopとの間では、振幅は、平坦部の特定の許容範囲ΔPLlevel/-ΔPLlevelの中にある破線で示される枠2210の内部にあり続ける。iii傾斜部特徴付け図23は、一実施形態における、開始時刻SLstart、終了時刻SLstop、許容範囲ΔSLstartLevelに関連づけられた開始レベルSLstartLevel、及び許容範囲ΔSLstopLevelに関連づけられた終了レベルSLstopLevelにより特徴付けられる傾斜部又は傾斜した平坦部を有する正規化された調整レーザパルス2300をグラフで示すものである。開始時刻SLstart及び終了時刻SLstopは、パルス開始時刻に対して平坦部の開始と終了を特定するものである。これらのパラメータは、許容範囲がなく特定されてもよい。開始レベルSLstartLevel/-ΔSLstartLevelは予定している開始振幅であり、終了レベルSLstopLevel/-ΔSLstopLevelは予定している最後の振幅である。開始時刻SLstartと終了時刻SLstopとの間では、振幅は、開始及び終了レベルと許容範囲により特定される端部を有する例えば破線で示される台形枠2310の内部にあり続ける。ivパルス区画によるピークパワー一実施形態において、フィードバック測定基準は、生成されたパルス形状の様々な区画のピーク高さパワーを測定することを含んでいる。例えば、椅子形状のパルスの背及び座のピーク例えば最大パワーレベルを別個に測定して、それぞれの所定値と比較してもよい。他の例としては、複数スパイクのパルスにおいて各スパイクのパワーを別個に測定して、それぞれの所定値と比較してもよい。vパルス区画によるエネルギー一実施形態において、フィードバック測定基準は、生成されたパルス形状の様々な区画のエネルギーを測定することを含んでいる。例えば、椅子形状のパルスの背及び座のエネルギーを別個に測定して、それぞれの所定値と比較してもよい。他の例としては、複数スパイクのパルスにおいて各スパイクのエネルギーを別個に測定して、それぞれの所定値と比較してもよい。viビン形状情報による特徴付け一実施形態において、フィードバック測定基準は、ビン形状情報を決定することを含んでいる。例えば、レーザシステムは、それぞれ約2.5ns幅の12個の時間ビンに対して制御を行ってもよい。そのような実施形態では、フィードバックは、調整を容易にするため、同一の12個のビンに対応する形状情報例えばパワーとエネルギーを含んでいる。3.パルス形状特徴付けの例図24A、図24B、及び図24Cは、ある実施形態における、ここで述べたパラメータにより特徴付けられる様々なスパイク、平坦部及び傾斜部を有する調整パルス2410,2412,2414の例をグラフで示すものである。図24Aにおいて、スパイクは、第1の枠2416により表される1組のパラメータ/許容範囲の中にあると定義され、平坦部は、第2の枠2418により表される1組のパラメータ/許容範囲の中にあると定義される。同様に、図24Bにおいて、第1のスパイクは、第1の枠2420により表される1組のパラメータ/許容範囲の中にあると定義され、平坦部は、第2の枠2422により表される1組のパラメータ/許容範囲の中にあると定義され、第2のスパイクは、第3の枠2424により表される1組のパラメータ/許容範囲の中にあると定義される。図24Cにおいて、第1のスパイクは、第1の枠2426により表される1組のパラメータ/許容範囲の中にあると定義され、第1の平坦部は、第2の枠2428により表される1組のパラメータ/許容範囲の中にあると定義され、第2の平坦部は、第3の枠2430により表される1組のパラメータ/許容範囲の中にあると定義され、第2のスパイクは、第4の枠2432により定義される1組のパラメータ/許容範囲の中にあると定義され、傾斜した平坦部は、第5の枠例えば台形2434により定義される1組のパラメータ/許容範囲の中にあると定義される。図24A、図24B、及び図24Cに示されたパルスは単なる例示であって、ここで述べたパルスを特徴付ける方法は、任意の形状のパルス又は任意の数のスパイク、平坦部、及び/又は傾斜部を有するパルスに適用可能であることは、当業者であれば本開示から理解できるであろう。表2は、一実施形態における椅子形状のパルスを定義する1組のパラメータの例である。種々のパラメータに対して表2に列挙された値は単なる例示にすぎず、限定するものではないことは、当業者であれば本開示から理解できるであろう。表2において、Wは、椅子幅であり、異なる椅子幅を有する1組のパルス形状を定義するために変化させてもよい。例えば、図25Aは、それぞれの幅がW=12.5,15,17.5,20,22.5,25,27.5,30である、表2により特定される複数の調整パルス図示では8つをグラフで示すものである。表2に示された値及び許容範囲は、第1の枠2510内のスパイク及び第2の枠2512内のそれぞれ長さWを有する平坦部の特性を規定する。図25B及び図25Cは、ある実施形態におけるレーザシステムにより生成される調整レーザパルスの追加的な例を示すものである。4.パルスプロファイラの例図26は、一実施形態における、パルス形状のフィードバック測定基準を提供するように構成されたパルスプロファイラ2600の例のブロック図である。例示したパルスプロファイラ2600は、光スプリッタ2610と、パワーセンサ2612と、高速アナログデジタル変換器ADC2614又はスコープと、処理装置2616と、メモリデバイス2618とを含んでいる。一実施形態においては、処理装置2616は、ホスト装置2620と通信を行う。光スプリッタ2610は、レーザパルスがワーク表面に到達する前にレーザパルスを受け、該レーザパルスの一部をパワーセンサ2612に向けるように構成されている。パワーセンサ2612のアナログ出力は、高速ADC2614に供給され、適切に調節されデジタル化される。パワーセンサ2612及び/又は高速ADC2614は、比較的速いパルス形状例えば、全時間幅が約50nsでのトリガを扱うのに適切な論理回路を含んでいてもよい。実施形態によっては、その比較的速いパルス形状が約100kHzのパルス繰返し率で受けられる。高速ADC2614は、個々のパルスに対応するデータを処理装置2616に供給する。処理装置2616は、データをフィルタリングし、フィルタリングされたデータを用いて1以上の上述した測定基準を算出する。処理装置2616は、プロセスのモニタリングのため、及び実施形態によってはプロセス制御のために、算出された測定基準をホスト装置2620に送信してもよい。メモリデバイス2618は、時間的パルス形状に対応するデータ及び/又は対応する算出された測定基準を記録するように構成されている。一実施形態においては、時間的パルス形状に対応するデータは、サーキュラバッファ図示せずにロードされ、パルス形状の測定基準の実行時モニタリングとは対照的に、実際のパルス形状の考察のためにオフラインで取得される。パルスプロファイラ2600は、自動処理により、あるいはユーザコマンドに応じて、周期的又は連続的にフィードバック測定基準を算出してもよい。パルスプロファイラ2600は、生成されたレーザパルスのすべて、生成されたレーザパルスの大多数、あるいは生成されたレーザパルスの少数についてフィードバック測定基準を算出してもよい。また、パルスプロファイラ2600は、固定対試行率のような外部測定基準が正常なあるいは予定されている値から逸脱したときにフィードバック測定基準を算出してもよい。上述したフィードバック測定基準を用いたパルス形状データの分析により、パルス形状が最適なものではないか、あるいは特定の許容範囲内にないと示された場合には、システムは、1以上の訂正処理を行ってもよい。例えば、システムは、パルス形状較正が望まれることを示す警告を表示してもよい。加えて、あるいは他の実施形態においては、システムは、処理を中断して、ユーザ例えばサービスエンジニアにパルス形状を調整することを促し、処理を再スタートしてもよい。他の実施形態においては、後述するように、システムは、1以上のレーザシステム入力パラメータを自動的に計算して改良したパルス形状を生成してもよい。システムは、これらの再構成されたパラメータを自動的に実行してもよい。加えて、あるいは他の実施形態においては、システムは、自動的に計算されたシステム入力パラメータを実行することをユーザ例えばオペレータ又はサービスエンジニアに促してもよい。B.パルス形状制御上述したように、パルス形状フィードバックから得られた情報をパルス形状制御に関して多くの異なる方法で使用してもよい。複数のレーザ加工システムを特定のユーザに提供する際に、1つのシステム上に開発されたプロセスを他のシステム上に再現してもよい。したがって、一実施形態によれば、それぞれのシステムは、同一の公称パルス形状を再現するように構成される。材料のレーザ加工中又はこの再現を行うように構成されたパルス形状セットアップ処理中に、必要に応じてそれぞれのレーザを調整するために、様々なシステムにより提供されるフィードバックを使用してもよい。また、長年にわたるパルス形状の安定性を提供するためにこの情報を使用してもよい。ファイバレーザ又はMOFPAベースの調整パルスシステムについては、例えば、パルス形状は、レーザヘッドから得られるレーザパワーの関数として歪んでいてもよい。あるいは、歪みは、ポンプダイオードやゲインモジュールのようなレーザシステムの構成要素の劣化によるものであってもよい。このため、ある実施形態では、パルス形状を周期的に調整して長年にわたる安定性を維持するために実行時フィードバックが用いられる。一実施形態においては、パルス形状制御のために反復学習方法が用いられる。反復学習アルゴリズムにおいては、繰り返される予定の波形が公称波形と比較され、測定された形状が公称形状に収束するまで適切な制御パラメータに対して少しの調整がなされる。反復学習アルゴリズムは、非線形環境において波形を再現する際に非常に効果的であり、特に調整パルス形状の制御パラメータを調整するのにうまく合わせられる。ある実施形態においては、所望のパルス形状を有するレーザパルスを生成するために反復制御技術を用いてもよい。反復制御/反復フィードフォワードFF制御は、異なるパルス時間的プロファイルを提供するために変更可能な入力信号例えば、音響光学デフレクタ、音響光学変調器、電気光学デフレクタ、又は電気光学変調器に印加される電圧から所望の結果例えば、パルス形状を得るために、適応、進展、又は学習エレメントを利用する。また、異なるビンコマンド信号における振幅コマンドを受信するように構成されたレーザ電源をプログラムするように入力パラメータを制御してもよい。入力と出力との間の関係が非線形になる場合であっても、反復制御により所望の結果が得られるようにしてもよい。ある実施形態においては、ユーザが所望のパルス形状を入力可能であり、反復制御技術が適切な入力信号に収束してこのパルス形状を生成し、レーザが適切に構成される。加えて、あるいは他の実施形態においては、反復制御の適用により、システム間変動及びレーザ間変動が低減又は除去される。また、反復制御技術の適用により、熱シフト又は劣化作用などの長期/中期過渡効果がなくなるように調整してもよい。この種の調整技術は、出力が振幅及び/又は時間に点から整形される任意のレーザに適用できる。また、この調整技術をファイバレーザ、MOFPA、又は他の種類のレーザに適用することができる。この調整技術は、不定期の較正ステップにおいて適用してもよく、あるいはシステム動作中に連続的に適用してもよい。V.スライスドパルスレーザの例図27は、レーザパルス出力を生成するためのある実施形態に係るレーザパルススライシングシステムにおいて実現され得る電気光学変調器2710を示している。電気光学変調器2710は、光偏光装置偏光器2714,2716の間に配置された電気光学結晶セル2712を含んでおり、パルスレーザ源2720により発されたレーザパルス2718のビームを受ける。電気光学結晶セル2712は、入射レーザパルス2718の整形に寄与すべくドライバ回路2724の駆動出力信号が印加される電極2722を有している。レーザ源2720は、数ナノ秒から100nsの範囲内のパルス幅を有するレーザパルスを出射する任意のパルスレーザとすることができる。電気光学結晶セル2712は、KDP、KDP、ADP、ADP、RTP、RTA、BBO、LiNbO3、又は他の電気光学材料から作ることができる。好適な電気光学結晶セル2712の一例は、アメリカ合衆国オハイオ州ハイランドハイツのクリーブランドクリスタル社により製造されたLightGate4BBOポッケルスセルである。LightGate4セルは、100KHzで動作可能であり、その幾何学的配置が駆動電圧を355nmの4分の1波長遅延で約1.3KVまで最小化する。LightGate4セルは、静電容量がたった4pfであり、2ns未満の立ち上がり及び立ち下がり光学応答時間を提供することができる。好適なドライバ回路2724の一例は、ドイツ連邦共和国ムルナウのBergmannMessegeraeteEntwicklung合資会社から入手できる高圧高速スイッチング時間のポッケルスセルである。BBO系の電気光学変調器2710は、BBOセル2712の電極2722に印加される4分の1波長駆動電圧に応答して4分の1波長回転子として動作する。パルスレーザビーム2718は、偏光器2714を通過して図示されるようにp偏光ppolとなる。レーザビーム2718は、BBO結晶セル2712を一回通過する。BBO結晶セル2712の電極2722に駆動電圧が印加されないときは、レーザパルスはppol状態のままで偏光器2716を通過する。BBO結晶セル2712の電極2722にレーザ波長の4分の1波長駆動電圧が印加されると、ビームの偏光方向が90度回転し、s偏光spolとなる。BBO結晶セル2712の電極2722に印加される駆動電圧が0から4分の1波長電圧の間であるとき、偏光されたレーザビーム2718の偏光器2716から送られる部分は、およそ以下のように表現される。T=sin2[π/2V/V12]ここで、Tは偏光器2716からのレーザビームの透過率、Vは電気光学結晶セル2712の電極2722に印加される電圧、V12は2分の1波長電圧である。上記式に基づいて、電気光学変調器2710の制御可能な透過率Tは、レーザパルス整形機能を提供する。理論的には、電気光学結晶セル2712及び偏光器2714,2716の透過率は約0~100とすることができる。図28は、5つの可能なレーザパルス形状の例を示している。図28は、列aとして、立ち上がり時間が2ns未満であり、レーザパルスがピークに達してこれによりレーザパルスの前縁が短時間で立ち上がる、透過率が0から100まで変化する場合のパルス形状の一例を示している。ダブルバス構成として知られる他の構成においては、4分の1波長電圧を利用して所望のレベルの偏光回転を実現してもよいが、この効率の改善は、光学的な位置決の複雑性の増加を犠牲にして得られるということは、当業者であれば理解できるであろう。立ち上がり時間及び立ち下がり時間は、電気光学セルの電圧及び静電容量、駆動回路トランジスタのスイッチング時間、繰返し率、及び全体の電力消費量に関係している。電気光学セルの電圧及び静電容量が低いと応答時間が早くなり、したがって、電気光学セルに対して適切な材料を選択することが重要である。BBO及びRTPが電気光学変調器における実装に対して有用な材料特性を有することは、当業者であれば理解できるであろう。シュプリンガー出版社発行のKoechner著SolidStateLaserEngineeringは、電界が結晶光軸に平行にかつ入射光と同一方向に印加される縦型電気光学セルについて、位相差δは、結晶の長さlにおける印加電圧に以下のような関係を有していると述べている。δ=2π/λn03r63VZここでVZ=EZlである。2分の1波長遅延を得るために、ポッケルスセルは位相差δ=πを生成する。この場合において、ポッケルスセルに入射する線形偏光された光については、出力ビームも線形偏光されるが、偏光面は90度回転される。既知の偏光光学系を組み込むことにより、ポッケルスセルは、電圧制御された光変調器として機能することができる。Koechnerは、そのような装置における透過率Tを以下のように表している。T=sin2[π/2V/V12]ここで、2分の1波長電圧は、V12=λ/2n03r63で与えられる。電界がビームの方向に対して垂直に印加される横型電気光学結晶セルについては、2分の1波長電圧は、以下のように与えられる。V12=λd/2n03r63lこの種の電気光学結晶セルは、2分の1波長電圧が結晶厚さの長さに対する比率に依存するという有用な属性を有しており、これらのパラメータを適切に選択することにより、電気光学結晶セルを縦型電気光学結晶セルに印加される電圧より低い印加電圧で動作するように設計して所望の位相差を実現してもよい。上記式中のr63の項がKDP系のリン酸塩の電気光学係数を表すことは、当業者であれば理解できるであろう。RTP結晶は、この系の重要な要素であり、1064nmレーザ入力とともに使用するために述べられた好ましい実施形態について好ましい電気光学結晶材質である。BBO結晶は、好ましくは355nmレーザ入力とともに用いられる。RTP結晶は、1064nmレーザ入力に対する電圧要求が低くπまたは2分の1波長遅延で3.5mm開口の場合は約1.6kV、10MHzまでの繰返し率で動作することが可能である。RTP結晶は、平均パワーが概ね10Wを超えると十分に機能することができないか、あるいは、透明度の制約によりUV用途に適さない。上述した後者の用途についてはBBOが好ましい。実際には、電圧要求が高いため2分の1波長遅延において約6KV、1064nmレーザに関してBBOを100KHzで動作させるのは難しい。したがって、1064nmレーザについては、RTP電気光学結晶セルが現在の好ましい選択であり、355nmレーザLightGate4BBOポッケルスセルの場合、2分の1波長遅延で約1.3KVについては、BBO電気光学結晶セルが好ましい。KDP、RTA、ADPなどの他の電気光学材質は、圧電PE共振のため、高い繰返し率とパルス変調での使用に対して重要な制限がある。より短い立ち上がり時間および立ち下がり時間により周波数成分が高くなり、これらの周波数成分の1つが1次共振周波数に合致する可能性が高くなる。これは特に、基本繰返し率よりもずっと高い範囲にわたる周波数成分を多く含む、短い立ち上がり時間の調整パルスに当てはまる。調整パルス形状を生成するため、実施形態は、PE共振を回避するように設計されたファーストマルチステートFMS電気光学変調器により実現される。これは、1064nmレーザ出力については、RTP結晶材質からなる電気光学セルと、PE共振をそれほど生じない短い電気パルスを用いることによって実現される。ナノ秒オーダのパルス長では、PE共振は比較的低い。例えば、RTP電気光学結晶セルは、5のデューティサイクルのパルスに対して10MHzの繰返し率に達する。短い立ち上がり時間及び立ち下がり時間を得ることの他の懸念は、電気光学変調器ドライバの設計である。電気光学結晶セルがサブナノ秒またはピコ秒のスイッチング時間を生成することを妨げる事実上の制約はない。したがって、高速なスイッチング時間は主に電気ドライバに依存する。電気スイッチには主に2つのタイプ、アバランシェトランジスタとMOSFETがあることは、当業者であれば理解できるであろう。トランジスタは、最速のスイッチング時間を得るために非常に限られた電圧範囲で動作する。1.6KVレンジで動作するために、7~10個のトランジスタのスタックを用いることができる。アバランシェトランジスタは、2nsのスイッチング時間を実現することができるが、その繰返し率は10KHz未満に制限される。一般的にMOSFETは1nsの応答時間と最大1KVの動作電圧を有するので、より高い繰返し率に対しては、現時点ではMOSFETが好ましい。1.6KVレンジで動作するために、少なくとも2~3個のMOSFETのスタックが用いられる。したがって、MOSFETと回路設計の選択は、FMSパルス変調を達成するために密接な関係がある。特に、ドライバ回路消費電力は、ピーク動作電圧の2乗に比例するため、懸念となる。例えば、約6KVで動作するBBO電気光学セルは、所定の繰返し率で同様の位相シフトを得るために1.6KVで動作するRTP電気光学セルの約1814倍の消費電力を必要とする。動作電圧を低くすれば消費電力を低減できることは、当業者であれば理解できるであろう。MOSFETの数を削減することができ、それにより次に開口サイズと得られる駆動電圧とを慎重に選択することでFMSパルス変調の性能が良くなる。横型電気光学変調器の一実施形態においては、RTPおよびBBO電気光学結晶セルの開口を約2mmまで小さくすると、1064nmでの2分の1波長遅延電圧がこれに対応して、RTPおよびBBO電気光学結晶セルについてそれぞれ約800Vおよび4KVまで減少する。FMS電気光学変調器は、プログラム可能な複数の変調工程を行うことができる。各工程は約4ns未満の立ち上がり時間と約4ns未満の立ち下がり時間を有しており、より好ましくは、各工程は約2ns未満の立ち上がり時間と約2ns未満の立ち下がり時間を有している。開示された実施形態の動作上の利点は、2以上の振幅値を有するようにプログラムされ得る調整パルス形状を提供できることである。他の動作上の利点は、離散的な振幅および時間成分とともにプログラム可能な調整パルス形状を提供できる能力である。そのような能力は、図28のaに示されるタイプのパルス形状を有する調整パルス出力を生成する際に特に有用である。このパルス形状は、第1の最大振幅に関して、第1の最大振幅に至る立ち上がり時間よりも相当に長い合計立ち下がり時間を有している。実施形態は、入射パルスレーザ出射量を選択的に変更して調整パルス出力を形成する駆動信号を受信する1以上の電気光学変調器により実現することができる。パルスレーザ出射から駆動信号をトリガすることにより、システムの他のステージに関連するジッタが抑制され、パルスレーザ出射形成時間に関連するジッタが実質的に除去される。調整パルスは、より短い波長の高調波を生成するのためパワー調整することができる。本発明の基礎をなす原則から逸脱することなく上述した実施形態の詳細に対して多くの変更をなし得ることは、当業者であれば理解できるであろう。したがって、本発明の範囲は、特許請求の範囲によってのみ画定されるべきである。"