受光面となる第1面および該第1面の裏側に位置する第2面ならびに前記第1面と前記第2面とを接続する側面を有する一導電型の半導体基板と、前記第1面から前記側面および前記第2面の外周部に渡って設けられたpn接合領域と、前記第2面に設けられるとともに、前記pn接合領域に隣接して配置された一導電型の集電極と、レーザーを用いて形成されるとともに、前記第2面の外周端部と前記集電極の端部との間に設けられた、前記第2面の前記pn接合領域を前記第2面の外周に沿って分離するpn分離溝とを有しており、前記第2面側から平面視したときに、前記集電極の端部と前記pn分離溝との間の距離D1は、前記第2面の外周端部と前記pn分離溝との距離D2よりも大きい、太陽電池素子。前記第1面および前記側面に設けられた反射防止膜をさらに備える、請求項1に記載の太陽電池素子。前記反射防止膜は、前記第2面のうち前記第2面の外周端部から前記pn分離溝までの外周領域にも設けられている、請求項2に記載の太陽電池素子。前記pn分離溝は、前記第2面に垂直な横断面形状において、底部から側面にかけて曲線部を有する、請求項1乃至3のいずれかに記載の太陽電池素子。前記pn分離溝の深さは、前記第2面の外周端部から内方に向って小さくなっている、請求項1乃至4のいずれかに記載の太陽電池素子。前記第2主面は、平面視で多角形状であり、前記pn分離溝は、前記第2主面の前記多角形の一辺に沿って設けられた第1部分と、前記第2主面の前記多角形の角部に対応して設けられた第2部分とを有しており、前記第2部分の深さd2は、前記第1部分の深さd1よりも大きい、請求項1乃至5のいずれかに記載の太陽電池素子。前記第2面側から平面視したときに、前記第2部分の幅W2は、前記第1部分の幅W1よりも大きい、請求項6に記載の太陽電池素子。請求項1乃至7のいずれかに記載の太陽電池素子を複数備えた太陽電池モジュール。シリコン基板を用いた太陽電池素子では、シリコン塊からシリコンインゴットを切り出すときやシリコンインゴットからスライスにより基板を切り出すとき、さらには太陽電池素子の製造工程における種々の位置決め時や太陽電池素子の保管時および移動に用いる収納容器との接触時に、基板の外周端面部分にダメージが入り易い。このような外周端面部分のダメージ領域からのリーク電流等が原因となり、完成した太陽電池素子の光電変換効率を低下させる可能性がある。このため、上述のエッチングによりpn分離を行う方法では、エッチング工程において、基板の外周端面部分のダメージ領域をも部分的にエッチングするため、リーク電流の低減は図れるが、耐酸レジストの塗布、乾燥といったマスク工程、フッ硝酸溶液でのエッチングとその後の洗浄を含むエッチング工程、および耐酸レジストの除去とその後の洗浄、基板の乾燥を含む後工程、といった多くの工数が必要であった。さらに、この方法では、工程数の増加に伴い多くの消耗部材も必要であった。また、レーザーを用いてpn分離を行う方法では、工程は簡易であるが、レーザーの照射条件によってはレーザー照射時に生じる熱の影響で、p層の働きが悪化し、バルク内の少数キャリヤの収集効率が低下してしまう可能性があった。すなわち太陽電池素子の裏面側非受光面側においては、アルミニウムなどを用いて形成された集電極により、シリコン基板の裏面側内部にp層が形成され、内蔵電界が形成される。これにより長波長領域の光により基板の比較的裏面側で発生する少数キャリヤを受光面側へ反転させることで再結合損失を抑制しているが、レーザーを用いてpn分離を行う場合、レーザーの照射条件によっては、集電極の端部に形成されたp層が、レーザー照射に伴う熱の影響でダメージを受け、少数キャリヤの収集効率が低減する可能性があった。本発明はこのような問題に鑑みなされたものであり、その目的は、簡易な工程で製造可能であり、基板の外周端面部分のダメージ領域でのリーク電流の低減および裏面電極付近での少数キャリヤの収集効率の向上を図った、レーザーによるpn分離方法により、高効率の太陽電池素子を提供することにある。本発明の一実施形態に係る太陽電池素子においては、受光面となる第1面および該第1面の裏側に位置する第2面ならびに前記第1面と前記第2面とを接続する側面を有する一導電型の半導体基板と、前記第1面から前記側面および前記第2面の外周部に渡って設けられたpn接合領域と、前記第2面に設けられるとともに、前記pn接合領域に隣接して配置された一導電型の集電極と、レーザーを用いて形成されるとともに、前記第2面の外周端部と前記集電極の端部との間に設けられた、前記第2面の前記pn接合領域を前記第2面の外周に沿って分離するpn分離溝とを有している。そして、前記第2面側から平面視したときに、前記集電極の端部と前記pn分離溝との間の距離D1は、前記第2面の外周端部と前記pn分離溝との距離D2よりも大きい。本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールは、上記太陽電池素子を複数備える。本発明の一実施形態に係る太陽電池素子によれば、基板の外周端面部分のダメージ領域によるリーク電流の低減を図るとともに、裏面電極付近での少数キャリヤの収集効率の向上を図ることができ、該太陽電池素子の光電変換効率を向上させることが可能となる。本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールによれば、優れた光電変換効率を発揮することができる。≪太陽電池素子について≫<第1の実施形態に係る太陽電池素子>まず、本発明の一実施形態に係る太陽電池素子を、図を用いて説明する。図1a、bは、本発明の第1の実施形態に係る太陽電池素子1を示すものであり、図1aは太陽電池素子1の受光面側の外観を示す平面図であり、図1bは太陽電池素子1の裏面側の外観を示す平面図である。太陽電池素子1は、半導体基板2、バスバー電極3、フィンガー電極4、集電極5および出力取出電極6を有している。半導体基板2は、光が入射する側の第1面2aと、第1面2aと対向する第2面裏面2bと、第1面2aと第2面裏面2bの間に位置して第1面2aと第2面2bとを接続する側面2cと、を有する。第2面2bは、第1面2aの裏側に位置する面であり、第1面2aと略同一形状を有する。本実施形態においては、第1面2aおよび第2面2bの平面形状は、ともに正方形である。そして、半導体基板2は、一導電型例えばp型を呈する。バスバー電極3およびフィンガー電極4は、半導体基板2の第1面2a上に設けられ、他導電型例えばn型を呈する半導体部分と電気的に接続されている。集電極5および出力取出電極6は、裏面2b上に設けられ、一導電型例えばp型を呈する半導体部分と接続されている。以下、同様に一導電型を呈する半導体基板2をp型の半導体基板2として説明する。半導体基板2は、単結晶シリコン又は多結晶シリコンなどから成る。半導体基板2は、例えば1辺が150~160mm程度、厚みが150~250μm程度の矩形の平板である。この半導体基板2の外周表面には、p型シリコンとn型シリコンとが接合した領域pn接合領域が形成されている。すなわちpn接合領域は、半導体基板2の外周表面に沿って設けられており、第1面2aから側面2cおよび第2面2bの外周部に亘って設けられている。より具体的には、pn接合領域は、第1面2aの略全面、側面2cの略全面および第2面2bのうち集電極5が設けられていない外周部に設けられている。図1aに示すように、第1面2a側の電極は、n型の電極としてバスバー電極3とフィンガー電極4とを有する。バスバー電極3は、幅1mm~3mm程度の広い幅を有しており、第1面2a上に、互いに略平行に2~4本程度設けられている。そして、フィンガー電極4は、このバスバー電極3に対して略垂直に交わるように、第1面2a上に、2~5mm程度のピッチで多数本設けられている。フィンガー電極4の幅は、50~200μm程度とできる。このようなバスバー電極3、フィンガー電極4の厚みは、10~20μm程度とできる。なお、第1面2aの全面には、光の吸収を向上させるための反射防止膜8を形成してもよい。図1bに示すように、第2面2b側の電極は、p型の電極として集電極5と出力取出電極6とを有する。集電極5は、半導体基板2の第2面2bのうち外周部を除く略全面に形成されている。出力取出電極6は、2mm~5mm程度の幅を有しており、第2面2b上に、上記バスバー電極3が延びる方向と同じ方向に延びて、2~4本程度設けられている。そして、出力取出電極6の少なくとも一部は、集電極5と電気的に当接する。出力取出電極6の厚みは、10μm~20μm程度、集電極5の厚みは15μm~50μm程度とできる。このようなフィンガー電極4、集電極5は、光発生したキャリヤを集電する役割を有している。バスバー電極3、出力取出電極6は、フィンガー電極4、集電極5で集めたキャリヤ電力を集め、外部に出力する役割を有している。なお、上述したように、pn接合領域は、第2面2bのうち集電極5が設けられていない外周部に設けられている。したがって、第2面2bにおいて、集電極5は、pn接合領域に隣接して設けられている。本実施形態においては、半導体基板2の第2面2bの外周端部と集電極5の端部との間に、pn分離を行うためのpn分離溝7が形成されている。pn分離溝7は、第2面2bのpn接合領域を第2面2bの外周に沿って分離している。このような構成をなす太陽電池素子1においては、受光面側である第1面2a側から光が入射すると、半導体基板2で吸収光電変換されて電子-正孔対電子キャリヤおよび正孔キャリヤが生成される。この光励起起源の電子キャリヤおよび正孔キャリヤ光生成キャリヤが上述のpn接合領域の働きにより、太陽電池素子の第1面2aと第2面2bに設けられた上述の電極に集められ、両電極間に電位差を生ずる。<太陽電池素子の製造方法>まず、図2aに示すように、シリコンのインゴットをスライスする等して得られる平板状の半導体基板2を準備する。この半導体基板2はp型の単結晶又は多結晶のシリコンから成るものを用いることができる。例えば、シリコンにボロンBなどの不純物を微量添加することによりp型の導電型を呈する、比抵抗0.2~2.0Ωcm程度の半導体基板2を用いることができる。より具体的には、半導体基板2は、単結晶半導体基板を用いる場合は、例えばチョクラルスキー法などの引き上げ法などによって作製される。多結晶半導体基板を用いる場合は、例えば鋳造法などによって作製されたシリコンインゴットを、ワイヤーソーなどを用いて350μm以下、より好ましくは150~250μm程度の厚みにスライスして作製される。半導体基板2の形状は、円形や正方形、矩形であってもよく、その大きさは円形では直径100~200mm程度、正方形、矩形では一辺が100~200mm程度のものであってもよい。いずれの形状をなす半導体基板2も、上述のように第1面2a、第2面2bと側面2cとを有している。このスライス直後の半導体基板2の表面には、スライスによるダメージ層が数ミクロンから数十ミクロン程度形成されており、このダメージ層の表面にはスライス時の微細な汚染物が付着している。そのため、ダメージ層の除去と汚染物の清浄のため、半導体基板2を水酸化ナトリウムNaOHや水酸化カリウムKOHなどのアルカリ性水溶液に浸漬した後、洗浄乾燥する。その後、図2bに示すように半導体基板2の表面全面にn型を呈する半導体層9以下、n層9とするを形成する。すなわち、半導体基板2の第1面2aから側面2c、第2面2bに亘ってn層9を形成する。n型化ドーピング元素としてはPリンを用いることができる。n層9は、シート抵抗が30~150Ω/□程度のn型の層とすることができる。これによって上述のp型のバルク領域10とn層9との間にpn接合部13が形成される。このn層9の形成方法としては、例えば半導体基板2を700~900°C程度に昇温して維持しながら、拡散源としてガス状態にしたPOCl3オキシ塩化リンを導入した雰囲気中で20~40分程度処理する気相熱拡散法などがある。このような方法を用いることによって、n層9が半導体基板2の表面に0.2~0.7μm程度の深さで形成される。その後、図2cに示すように、半導体基板2の第2面2bの外周部に形成されているpn接合部13に達する以上の深さを有するpn分離溝7を、第2面2b上に形成してpn分離を行う。このpn分離溝7は、レーザー加工やダイシング加工、ウオータージェット、または第2面2bのうちpn分離溝7の形成位置以外のところに耐酸レジストを塗布した後にフッ酸と硝酸の混合液によりエッチングする方法などによって形成可能である。pn分離溝7の深さ等の制御のしやすさやコストの面から、レーザーによってpn分離を行うことが好適である。レーザーでpn分離溝7を形成する場合は、例えばYAGイットリウムアルミニウムガーネットレーザー波長1064nmやSHGsecondharmonicgeneration-YAGレーザー波長532nm、YVO4イットリウムバナデイトレーザー波長1064nm、エキシマレーザー波長193~353nmなどが使用可能である。YAGレーザーを使用する場合、その条件は、TEM波、出力5~30W程度、パルス出力であって出力されたビームパルスの周波数1Hz~1MHz、ビームパルス幅100フェムト秒~100マイクロ秒、ビームプロファイルはトップハット型とすることができる。さらに、レーザーを使用する場合のpn分離溝7の形成方法としては、半導体基板2の第2面2bの所定箇所へレーザーの照射位置をガルバノミラーなどで走査してレーザーを照射する方法や、レーザーの照射位置を固定した状態で半導体基板2を載置した作業テーブルをシーケンサーなどで制御されたサーボーモーターにより一定速度で移動させながら、レーザーをパルスで照射する方法などを用いることができる。さらに、レーザーの照射によるpn分離溝7の形成の際に、pn分離溝7の内周面に水蒸気をpn分離溝7の内面及びその近傍に吹き付けてもよい。すなわちレーザーの照射時または照射直後に、温度450~600°C程度、圧力0.5~2.0MPa程度の水蒸気を、pn分離溝7の内面及びその近傍に吹き付ける。これによりレーザー加工時の熱の影響に加えて水蒸気の熱の影響も伴い、pn分離溝7の内面及びその近傍に急激にシリコン酸化膜が形成されることになる。そのため、このシリコン酸化膜のパッシベーション効果により、レーザー照射によるダメージを低減し、pn分離溝7の内面及びその近傍における少数キャリヤの拡散長を更に改善することが出来る。さらにレーザー照射によるpn分離溝7の形成時に発生する残渣が、通常より湿度を含むようになるため、重くなり、残渣の飛散を低減できる。これにより、集電極5の形成前に半導体基板2の第2面2bに残渣が付着することでバルク領域10と集電極5との界面状態を悪化させたり、出力取出電極6の表面に残渣が付着して出力取出電極6に取り付けられる接続部材接続タブとのハンダ付け強度を低下させたりすることを低減できる。さらにこの水蒸気の吹き付けは、半導体基板2の内側から外側に向けて行われることが望ましい。これにより残渣は外方に向け飛散することになり、上述した残渣の半導体基板2の第2面2bや出力取出電極6の表面への付着を低減する効果を高めることができる。尚、この吹き付ける水蒸気には、シリコン酸化膜の形成を促進させるために酸素を含有させても良い。また、pn分離溝7の形成前または後に、図2cに示すように第1面2aに反射防止膜8を形成してもよい。反射防止膜8の材料としては、窒化シリコン膜SiNx膜:ストイキオメトリなSi3N4を中心にして組成比xには幅がある窒化シリコン膜、TiO2膜、SiO2膜、MgO膜、ITO膜、SnO2膜、ZnO膜などを用いることができる。反射防止膜8の厚さは、材料によって適宜選択されて、適当な入射光に対して無反射条件を実現できる厚さとすることができる。例えば、シリコンから成る半導体基板2の場合、反射防止膜8の屈折率は1.8~2.3程度、厚みは500~1200Å程度にすればよい。反射防止膜8は、プラズマCVD法、蒸着法、スパッタ法などを用いて形成することができる。次に、図2dに示すように、半導体基板2の第2面2bに集電極5を形成する。集電極5は、アルミニウムを主成分とするペーストを第2面2bの外周部、例えば、第2面2bの外周から1~5mm程度の部分を除いて、第2面2bの略全面に塗布することで形成する。ペーストの塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。この集電極5の形成に用いるペーストは、アルミニウム粉末と有機ビヒクルなどからなるものを用いることができる。該ペーストを塗布した後、温度700~850°C程度で熱処理焼成してアルミニウムを半導体基板2に焼き付ける。このように塗布されたアルミニウムペーストを印刷、焼成することにより、p型不純物であるアルミニウムを半導体基板2の塗布部分に高濃度に拡散させることができ、第2面2bにも形成されているn層9をp型高濃度ドープ層p層に置き換えることができる。このようにして形成された該第2面2bにおけるp型高濃度ドープ層が集電極5となる。該集電極5は、図2dに示すように、第2面2bのうち、外周部に設けられたpn分離溝7よりも内側に形成される。次に、図2eに示すように、第1面2aに位置する電極、すなわちバスバー電極3およびフィンガー電極4不図示と、第2面2bに位置する出力取出電極6とを形成する。第2面2bの出力取出電極6は、銀を主成分とする導電ペーストを塗布することにより形成する。この銀を主成分とする導電ペーストは、例えば、銀のフィラー100重量部に対して有機ビヒクルとガラスフリットを、それぞれ5~30重量部、0.1~15重量部配合、混練し、溶剤を用いて、50~200PaSの程度の粘度に調節したものを用いることができる。導電ペーストの塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができ、塗布後所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させてもよい。その後、焼成炉内にて最高温度が500~650°Cで数十秒~数十分程度焼成することにより出力取出電極6を形成する。次に半導体基板2の第1面2aの電極バスバー電極3とフィンガー電極4を形成する。このバスバー電極3とフィンガー電極4の形成においても、上述のように銀を主成分とする導電ペーストを、スクリーン印刷法などを用いて塗布、乾燥、焼成することにより形成することができる。このような工程を経て、太陽電池素子1を製造することができる。次に、本実施形態におけるpn分離溝7の構成について、図3を用いて説明する。図3aは、太陽電池素子1の角部の平面図であり、図3bは、図3aにおけるX-Xにおける断面図である。本実施形態に係る太陽電池素子1において、第2面2b側から平面視したときに、集電極5の端部11とpn分離溝7との距離D1は、半導体基板2の外周端部14とpn分離溝7との距離D2よりも大きいことを特徴とする。より具体的には、図3bに示すように、距離D1は、集電極5の端部11とpn分離溝7の幅方向の中心線12との距離であり、距離D2は、基板2の外周端部14とpn分離溝7の幅方向の中心線12との距離である。なお、ここでいうpn分離溝7の幅方向とは、図3abに示すように、第2面2b側からみたときの、側面2cに直交する方向である。また、pn分離溝7の幅方向の中心線12は、pn分離溝7の開口部における幅方向の中心線である。本実施形態においては、距離D1および距離D2が上述の関係を有することで、レーザーを用いてpn分離溝7を形成する際に、集電極5の端部に形成されたp層へのダメージの低減及び照射熱による第2面2bの外周端部14近傍における少数キャリヤの拡散長の改善が図れる。また、図4は、本実施形態において、距離D2の値を変化させて少数キャリヤの拡散長を測定することで得られた、距離D2と少数キャリヤの拡散長との関係を示すグラフである。具体的には、半導体基板2として大きさ約156mm角、厚さ約0.2mmの多結晶シリコン基板を用い、n層9として半導体基板2の表面に0.4μm程度の深さで形成されたn型半導体層を用い、反射防止膜8として、屈折率2.0程度、厚み800Å程度の窒化シリコン膜を用いた太陽電池素子1について、少数キャリヤの拡散長を測定した。距離D2の値として、0.2mm~1.0mmまでの範囲で異なる9つの値を各々有する太陽電池素子1について、測定した。なお、少数キャリヤの拡散長は、半導体基板2の外周端部14から約0.1mm離れた位置のLBICLaserBeamInducedCurrent法で、波長846nm、951nm、976nmのレーザー光を照射しながら走査することで測定した。これより、距離D2が0.6mm以下であると、半導体基板2の外周端部14付近の拡散長が大きくなっていることがわかる。これは半導体基板2の外周端部14近傍に存在するダメージ層の拡散長が、pn分離溝7形成時のレーザー照射による熱的な影響で改善されたためと考えられる。すなわち、レーザー照射による熱的な影響により、第2面2bや側面2cに形成されているシリコン酸化膜によるパッシベーション効果が顕著になったものと考えられる。このように、距離D2を0.6mm以下とすることにより、半導体基板2の外周端部14付近の拡散長の改善効果が高まるため、太陽電池素子1の変換効率の向上がさらに図れる。<第2及び第3の実施形態に係る太陽電池素子>次に、本発明の第2、第3の実施形態に係る太陽電池素子20、30について、図5abを用いて、説明する。図5abは、太陽電池素子20、30を示す一部断面図であって、太陽電池素子1のpn分離溝7近傍の断面図である図3bに対応する。太陽電池素子20、30は、各々、太陽電池素子1とpn分離溝7の形状において異なる。ここで、太陽電池素子1と同様の構成については、説明を省略する。第2の実施形態に係る太陽電池素子20のpn分離溝7は、図5aに示すように、第2面2bに垂直な横断面形状において、底部から側面にかけて曲線部7aを有する。図5aに示すように、本実施形態におけるpn分離溝7は、底部から内周側に位置する側面及び外周側に位置する側面にかけて曲線部7aを有している。レーザーを照射してpn分離溝7を形成する際、pn分離溝7の周辺部は高温になる。そのため、pn分離溝7の内周面近傍には、シリコンが溶融してその後固化した高濃度不純物領域が発生しやすい。この溶融して固化した高濃度不純物領域は、溶融の際にn層9やp型バルク領域10の不純物に加えてpn分離溝7の形成時の不純物も含まれる。そのため、該高濃度不純物領域は、導電率の高いものとなっており、太陽電池素子のリーク電流を増加させる可能性がある。そこで、本実施形態においては、上述したように、pn分離溝7は、第2面2bに垂直な横断面形状において、底部から内側面にかけて曲線部7aを有している。これにより、pn分離溝7の内周面において、この溶融して固化した高濃度不純物領域の一端部から他端部までの距離を長くすることができる。その結果、太陽電池素子20のリーク電流の増加を低減することができ、更なる変換効率の向上が図れる。このような形状を有するpn分離溝7は、YAGレーザーを使用することによって形成可能であり、その場合、出力を10W以上とすればよい。さらに、第3の実施形態に係る太陽電池素子30においては、図5bに示すように、pn分離溝7の深さは、第2面2bの外周端部から内方に向かって小さくなっている。すなわち、pn分離溝7は、第2面2bに垂直な横断面形状において、第2面2bの外周端部から内方に向かって深さが浅くなるように形成されている。より具体的には、図5bに示すように、pn分離溝7は、内周側の深さDinが外周側の深さDoutよりも小さくなるよう形成されている。このような構成により、製造工程時にダメージ領域がより形成されやすい外周端部側の溝深さを大きくして、外周端部において好適にリーク電流の低減を図るとともに、内方側の溝深さを小さくして、内方側において発生する残渣の量を低減して集電極5への残渣の付着を低減することができる。その結果、リーク電流の増加を低減する効果がより一層高まる。このような形状を有するpn分離溝7も、YAGレーザーを使用することにより形成可能であり、その場合、出力を12W以上とすればよい。<第4、第5及び第6の実施形態に係る太陽電池素子>次に、本発明の第4、第5及び第6の実施形態に係る太陽電池素子40、50、60について説明する。図6abは、太陽電池素子40、50の断面図であり、図6cは太陽電池素子60のpn分離溝7近傍を示す一部断面図である。太陽電池素子40、50、60は、反射防止膜8の構成において、太陽電池素子1と異なる。図6aに示すように、第4の実施形態に係る太陽電池素子40においては、反射防止膜8が半導体基板2の第1面2aのみでなく側面2cにも設けられている。本実施形態は、側面2cに反射防止膜8aを設けたことにより、側面2cの結晶粒界やダメージ層に対するパッシベーション効果が得られる。このように側面2cに反射防止膜8aを設けることは、例えば、回り込みの効果が大きいプラズマCVDにより反射防止膜8、8aの成膜を行うことで可能である。さらに、第5の実施形態に係る太陽電池素子50においては、反射防止膜8は、図6bに示すように、半導体基板2の第1面2a、側面2cに加え、第2面2bの外周領域2b1にも設けられている。すなわち、太陽電池素子40と比べて、第2面2bのうち、第2面2bの端部からpn分離溝7までの外周部2b1領域にも反射防止膜8bが設けられている。これにより、この部分にもパッシベーション効果が得られる。その結果、変換効率の更なる向上が図れる。このような外周領域2b1に反射防止膜8bを設けることは、例えば、平行平板型のプラズマCVDにおいて、発生したプラズマが半導体基板2の第2面2b側に回り込むようにして反射防止膜8の成膜を行うことで可能である。発生したプラズマが半導体基板2の第2面2b側に回り込むようにするには、半導体基板2を載置するためのサセプターのうち該半導体基板2を置く位置の外周部に凹部を形成することにより可能である。更に、第6の実施形態に係る太陽電池素子60においては、図6cに示すように、第一面2aと側面2cと第2面2bの外周領域2b1に加え、pn分離溝7の内周面にも反射防止膜8cが形成されている。このようにpn分離溝7の内周面に反射防止膜8cを設けることにより、pn分離溝7の内周面にパッシベーション効果が得られ、リーク電流の増加を低減することが可能となる。このようなpn分離溝7の内周面に反射防止膜8cを設けることは、例えば、平行平板型のプラズマCVDにおいて、発生したプラズマが半導体基板2の第2面2b側のpn分離溝7までに回り込むようにして反射防止膜8の成膜を行うことで可能である。発生したプラズマが半導体基板2の第2面2b側のpn分離溝7までに回り込むようにするには、半導体基板2を載置するためのサセプターのうち該半導体基板2を置く位置の外周部分に、pn分離溝7に達する位置まで凹部を形成することにより可能である。なお、上述の反射防止膜8、8a、8b、8cは、パッシベーション効果の大きい窒化シリコンからなる膜を用いることができる。そして、反射防止膜8a、8b、8cはパッシベーション効果が得られれば、各々、第1面2aに形成される反射防止膜8と膜質、膜厚が互いに異なるものであってもよい。たとえば、反射防止膜8cの厚みWcは、反射防止膜8aの厚みWaおよび反射防止膜8bの厚みWbよりも小さくてもよい。また、反射防止膜8bの厚みWbは、反射防止膜8aの厚みWaよりも小さくてもよい。また、pn分離溝7の形成は、上述のようにn層9の形成直後に限定されるものではなく、n層9の形成後であれば、例えばバスバー電極3とフィンガー電極4の形成後に行うことも可能である。<第7の実施形態に係る太陽電池素子>次に、本発明の第7の実施形態に係る太陽電池素子70について説明する。図7は、太陽電池素子70の角部の平面図であり、図8aは、図7のY-Yに沿う断面図であり、図8bは、図7のZ-Zに沿う断面図である。太陽電池素子70は、pn分離溝7の構成において、太陽電池素子1と異なる。図7に示すように、太陽電池素子70におけるpn分離溝7は、第2面2bの一辺に沿って設けられた第1部分71と、第2面2bの角部に対応して設けられた第2部分72とを有している。ここで、角部に対応する第2部分72とは、図7に示すように、例えば、以下のように規定できる。すなわち、図7に示すように、pn分離溝7の角部を形成する2つの直線状の第1部分71の仮想延長線と第2面2bの外周端部との交点を点p711、点p712とする。そして、平面視して、コーナーcから点p711および点p712までの距離を各々d711、d712とする。また、コーナーcから2倍のd711、d712だけ離れた点を各々、点p713、点p714とする。このとき、第2部分72は、pn分離溝7のうち、コーナーcから点p713及び点p714までに対応する部分をいう。すなわち、図7においては、第2部分72は、第2面2bの外周に沿って形成されたpn分離溝7のうち破線で囲まれた部分である。そして、本実施形態においては、図8a及びbに示すように、この第2部分72の深さd2は、第1部分71の深さd1よりも大きくなっている。このような構成により、スライス工程や位置決め工程など種々の製造工程においてダメージ領域が形成されやすい角部におけるリーク電流の低減効果が高まり、角部における少数キャリヤの拡散長の改善をより一層図ることができる。これにより、変換効率の向上が図れる。なお、第1部分71の深さd1は、図8aに示すように、例えば、第2面2bに垂直な断面における第1部分71の最大深さとできる。より具体的には、第1部分71の深さd71は、例えば、第2面2bに垂直な方向における、第2面2bの表面から第1部分71の底部までの距離であってもよい。また、第2部分72の深さd72についても、図8bに示すように、第1部分71の深さd71と同様に規定できる。またさらに、本実施形態においては、上述の深さの大小関係を備えるとともに、平面視したときに、第2部分72の幅W72は、第1部分71の幅W71よりも大きい。このような構成により、角部におけるリーク電流の低減がさらに図れる。すなわち、シリコンインゴットから基板を切り出すときや太陽電池素子の製造工程において、基板2のコーナーc近傍部分は特にダメージが入りやすい部分であるため、この部分に他の部分より深さd2及び幅W72ともに大きなpn分離溝7第2部分72を形成することにより、ダメージ層の拡散長の改善の効果をより確実なものとすることができる。このようなpn分離溝7の形成は、例えば、レーザーの照射位置を固定した状態で基板2を載置した作業テーブルをシーケンサーなどで制御されたサーボーモーターにより移動させながら、レーザーを照射する方法において、第2部分72におけるレーザー照射時に作業テーブルに移動速度を遅くすること等により形成可能である。なお、第1部分71の幅W71は、図7に示すように、第2面2b側から平面視したときに、pn分離溝7の幅方向における寸法であり、具体的には、側面2cに垂直な方向における、pn分離溝7の寸法である。そして、第2部分72の幅W72は、第2面2b側から平面視したときに、角部の垂直二等分線に沿う方向における、pn分離溝7の寸法である。≪太陽電池モジュールについて≫次に、本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールについて説明する。本実施形態に係る太陽電池モジュールは、上述した太陽電池素子1を複数備える。より具体的には、太陽電池モジュール1において、複数の太陽電池素子1は、互いに直列または並列に電気的に接続されている。そして、電気的に接続された複数の太陽電池素子1のうち、両端側に位置する2つの太陽電池素子1は、外部へ出力するための端子ボックス等に接続されている。このような太陽電池モジュールを複数個組み合わせることで、実用的な電気出力の取出しが可能となる。本実施形態に係る太陽電池モジュールは、上述した太陽電池素子1を備えるため、リーク電流の低減および裏面電極付近での少数キャリヤの収集効率の向上が図れる。その結果、高効率の太陽電池モジュールとなる。以上、本発明に係るいくつかの実施形態について例示したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限り任意のものとすることができることは言うまでもない。