成長基板を提供する工程と、前記成長基板に複数の溝を形成する工程と、前記成長基板に半導体素子層を形成する工程と、前記成長基板から前記半導体素子層を分離するように、前記成長基板及び前記半導体素子層の温度を変更する工程と、を備えていることを特徴とする半導体製造方法。前記変更工程は、前記成長基板及び前記半導体素子層を加熱し、圧力を加えることにより前記半導体素子層を接合基板に接合する工程を更に含み、前記接合基板は、銅Cu材料、アルミニウムAl材料、シリコンSi、ダイヤモンド材料、銅合金材料、アルミニウム合金材料及びそれらの組み合わせからなる群から選ばれた一つであり、前記半導体素子層は、窒化物半導体素子層であり、前記成長基板は、アルミナAl2O3材料、サファイア材料、炭化ケイ素SiC材料とシリコンSi材料からなる群から選ばれた一つであることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造方法。前記複数の溝は、化学ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれかで前記成長基板をパターン形成することにより製造され、前記化学ウェットエッチングは、水酸化カリウムKOH溶液によって実行され、前記半導体素子層を形成する工程の前には、前記成長基板の上面に誘電体層を形成する工程と、前記誘導体層に対するパターン露光、現像及びエッチング法によって前記上面の一部の領域を見せる工程と、を更に含み、前記複数の溝を形成する工程の前には、ウェットエッチングによって前記一部の領域をエッチングして、前記複数の溝を形成する工程と、ウェットエッチングによって前記誘導体層を除去する工程と、を更に含み、前記ウェットエッチングは、水素フッ化物HF溶液によって実行され、前記誘電体層は、二酸化ケイ素SiO2の材料を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造方法。上面を有する成長基板を提供する工程と、下面を有する半導体素子層を前記成長基板に形成する工程と、前記上面と前記下面との間の接触面積を減らす工程と、前記成長基板及び前記半導体素子層を加熱する工程と、を備えていることを特徴とする半導体製造方法。第一表面を有する成長基板を提供する工程と、前記第一表面と接触する第二表面を有する半導体素子層を提供する工程と、前記第一表面及び前記第二表面を分離するように、前記成長基板及び前記半導体素子層を加熱する工程と、を備えていることを特徴とする半導体製造方法。第一表面を有する成長基板を提供する工程と、前記第一表面と接触する第二表面を有する半導体素子層を提供する工程と、前記第一表面及び前記第二表面を互いに分離するように、前記成長基板及び前記半導体素子層のいずれかを加熱する工程と、を備えていることを特徴とする半導体製造方法。第一表面を有する成長基板を提供する工程と、前記第一表面と接触する第二表面を有する半導体素子層を提供する工程と、前記第一表面と前記第二表面との間の接触面積を減らすように、前記第一表面を非平滑な表面に変形させる工程と、を備えていることを特徴とする半導体製造方法。半導体素子層を成長基板に成長させ、半導体を製造するための成長基板であって、成長基板本体と、前記半導体素子層と前記成長基板との間の接触面積を減らすように、前記成長基板本体に形成される非平滑な表面と、を備えていることを特徴とする成長基板。本発明の主な目的は、新規な半導体製造方法を提供することにより、製造コストを大幅に減少させることができる。従来技術に鑑みて、本発明では、新しい工程技術を提供し、成長基板と窒化物半導体基板との間の接触面積を減らす。ウェハ接合工程においての加熱による温度変化工程では、成長基板と窒化物半導体基板とは異なる膨張係数を有しているので、応力が集中して、成長基板と窒化物半導体基板を互いに剥離する。従って、本発明は、レーザ剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させる。上述の目的を達成するために、本発明の半導体製造方法を提供する。本発明の半導体製造方法は、成長基板を提供する工程と、前記成長基板に複数の溝を形成する工程と、前記成長基板に半導体素子層を形成する工程と、前記成長基板から前記半導体素子層を分離するように、前記成長基板及び前記半導体素子層の温度を変更する工程と、を備えていることを特徴とする。上記工程の本発明に係る半導体製造方法において、前記変更工程は、前記成長基板及び前記半導体素子層を加熱し、圧力を加えることにより前記半導体素子層を接合基板に接合する工程を更に含み、前記接合基板は、銅Cu材料、アルミニウムAl材料、シリコンSi材料、ダイヤモンド材料、銅合金材料、アルミニウム合金材料及びそれらの組み合わせからなる群から選ばれた一つであり、前記半導体素子層は、窒化物半導体素子層であり、前記成長基板は、アルミナAl2O3材料、サファイア材料、炭化ケイ素SiC材料とシリコンSi材料からなる群から選ばれた一つを有している。上記工程の本発明に係る半導体製造方法において、前記複数の溝は、化学ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれかで前記成長基板をパターン形成することにより製造され、前記化学ウェットエッチングは、水酸化カリウムKOH溶液によって実行され、前記半導体素子層を形成する工程の前には、前記成長基板の上面に誘電体層を形成する工程と、露光、現像及びエッチング法によって前記上面の一部の領域を見せる工程と、を更に含み、前記複数の溝を形成する工程の前には、ウェットエッチングによって前記一部の領域をエッチングして、前記複数の溝を形成する工程と、を更に含み、前記ウェットエッチングは、水素フッ化物HF溶液によって実行され、前記誘電体層は、二酸化ケイ素SiO2の材料を有する。上述の目的を達成するために、新規の他の半導体製造方法を提供する。本発明の半導体製造方法は、上面を有する成長基板を提供する工程と、下面を有する半導体素子層を前記成長基板に形成する工程と、前記上面と前記下面との間の接触面積を減らす工程と、前記成長基板及び前記半導体素子層を加熱する工程と、を備えていることを特徴とする。上述の目的を達成するために、新規の更に他の半導体製造方法を提供する。本発明の半導体製造方法は、第一表面を有する成長基板を提供する工程と、前記第一表面と接触する第二表面を有する半導体素子層を提供する工程と、前記第一表面及び前記第二表面を分離するように、前記成長基板及び前記半導体素子層を加熱する工程と、を備えていることを特徴とする。上述の目的を達成するために、新規の更に他の半導体製造方法を提供する。本発明の半導体製造方法は、第一表面を有する成長基板を提供する工程と、前記第一表面と接触する第二表面を有する半導体素子層を提供する工程と、前記第一表面及び前記第二表面を互いに分離するように、前記成長基板及び前記半導体素子層のいずれかを加熱する工程と、を備えていることを特徴とする。上述の目的を達成するために、新規の更に他の半導体製造方法を提供する。本発明の半導体製造方法は、第一表面を有する成長基板を提供する工程と、前記第一表面と接触する第二表面を有する半導体素子層を提供する工程と、前記第一表面と前記第二表面との間の接触面積を減らすために前記第一表面を非平滑な表面に変形させる工程と、を備えていることを特徴とする。上述の目的を達成するために、成長基板を提供する。本発明の成長基板は、半導体素子層を前記成長基板に成長させて半導体を製造するためのものであり、成長基板本体と、前記半導体素子層と前記成長基板との間の接触面積を減らすように、前記成長基板本体に形成された非平滑な表面と、を備えていることを特徴とする。本発明は、レーザー剥離技術によって成長基板を除去する工程を必要としないため、コストを効果的に減少させる。以下のように、本発明を実施例に基づいて詳述するが、あくまでも例示であって、本発明の範囲はこれらの実施形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲に記載されており、さらに特許請求の範囲の記載と均等な意味及び範囲内での全ての変更を含んでいる。