基板の表面上に高秩序化ナノホールまたはナノピラー構造を調製するための方法であって、aミセルブロックコポリマーナノリソグラフィープロセスによって作製された金属ナノ粒子の秩序配列で少なくとも一方の表面が装飾された一次基板を準備するステップと、bステップaの一次基板を、所定の深さ、好ましくは50~500nmの範囲の深さでエッチングするステップであって、前記ナノ粒子がマスクとして作用し、前記ナノ粒子の位置に対応するナノピラーまたはナノコーンの秩序配列が作製されるステップと、cステップbで得られたナノ構造化された基板を、ナノインプリントリソグラフィーNILプロセス、熱エンボス加工プロセス、または射出成形プロセスにおける原版またはスタンプとして使用するステップとを含む方法。基板の表面上に高秩序化ナノホールまたはナノピラー構造を調製するための方法であって、aミセルブロックコポリマーナノリソグラフィープロセスによって作製された金属ナノ粒子の秩序配列で少なくとも一方の表面が装飾された一次基板を準備するステップと、bステップaの一次基板を、所定の深さ、好ましくは50~500nmの範囲の深さでエッチングするステップであって、前記ナノ粒子がマスクとして作用し、前記ナノ粒子の位置に対応するナノピラーまたはナノコーンの秩序配列が作製されるステップと、cステップbで得られたナノ構造化された基板の表面を、連続した金属層で被覆するステップと、d前記一次基板を除去するが、前記金属層を除去しないHFといったエッチング剤を使用して、ステップcの生成物を選択的にエッチングして、ナノピラーまたはナノコーンの元の配列のネガであるナノホールの秩序配列を含む金属基板がもたらされるステップとを含む方法。ステップcにおいて一次基板を連続した金属層で被覆することが、iスパッタリングもしくは蒸発といった物理蒸着PVDまたは金属コロイドの結合によって、最初の金属被膜シード層を適用すること、ii前記金属層の所定の最終厚さが達成されるまで、無電解堆積または電気メッキによって前記金属被膜を成長させることによって実施される、請求項2に記載の方法。前記金属層の金属が、Ni、Cr、またはNi-Coといった合金からなる群から選択される、請求項2または3に記載の方法。ステップdで得られたナノ構造化された金属基板を、ナノインプリントリソグラフィーNILプロセス、熱エンボス加工プロセス、または射出成形プロセスにおける原版もしくはスタンプとして使用することをさらに含む、請求項2~4に記載の方法。一次基板が、ガラス、とりわけホウケイ酸塩ガラスおよび溶融シリカ、ならびにケイ素からなる群から選択される、請求項1~5の何れか一項に記載の方法。ステップbのエッチングが、反応性イオンでのエッチング処理を含む、請求項1~6の何れか一項に記載の方法。ステップbのエッチングが、塩素、気体状塩素化合物、フルオロ炭化水素、フルオロカーボン、酸素、アルゴン、SF6、およびこれらの混合物からなる群から選択されるエッチング剤での処理を含む、請求項7に記載の方法。ナノコーンの形状が、双曲面の片半分に本質的に相当する、請求項1~8の何れか一項に記載の方法。エッチングステップbにおいて、双曲面構造が作製され、かつ機械力、とりわけ超音波処理を適用して前記双曲面構造をそれらの最も小さい直径の部位で破壊することによって、ナノコーンが作製される、請求項9に記載の方法。ナノ粒子が、貴金属、とりわけ金、NiまたはCrのナノ粒子である、請求項1~10の何れか一項に記載の方法。ナノピラーまたはナノコーンが、20nm~400nm、好ましくは25nm~300nm、より好ましくは50nm~250nmの平均距離を有する、請求項1~11の何れか一項に記載の方法。前記ナノインプリントリソグラフィーNILプロセス、熱エンボス加工プロセス、または射出成形プロセス中にナノ構造化された基板の最終的な表面が、非平面、とりわけ凸または凹表面である、請求項1~12の何れか一項に記載の方法。前記ナノインプリントリソグラフィーNILプロセス、熱エンボス加工プロセス、または射出成形プロセス中にナノ構造化された基板の最終的な表面が、光学素子、例えば、窓、レンズ、マイクロレンズ配列、眼内レンズもしくはセンサーデバイス、または太陽電池の部品の表面である、請求項1~13の何れか一項に記載の方法。