"結晶基板の上に形成された窒化物半導体からなる第1半導体層と、前記第1半導体層の上に所定の間隔で配列して形成された絶縁材料からなる複数のマスクパターンと、複数の前記マスクパターンの間の前記第1半導体層の上に第1導電型のInxAlyGa1xyN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦xy≦1をエピタキシャル成長させて形成した第1導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層の上に形成された第2導電型のInxAlyGa1xyN0≦x’≦1,0≦y’≦1,0≦x’y’≦1からなる第2導電型の第3半導体層と、前記マスクパターンの幅以下で各々の前記マスクパターンの中央部に配置され、前記第2半導体層の表面より少なくとも前記第2半導体層の途中の深さまで形成された複数の溝部と、前記第2半導体層および前記第3半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きな材料から構成されて各々の前記溝部の側面に接して設けられた障壁層と、前記第3半導体層に接続する第1電極と、前記第2半導体層に接続する第2電極とを少なくとも備え、前記第2半導体層は、表面が平坦な状態になるまでエピタキシャル成長することで形成されていることを特徴とする太陽電池。請求項1記載の太陽電池において、前記第2半導体層および前記第3半導体層はC軸方向にエピタキシャル成長されたものであり、前記マスクパターンは、前記第1半導体層のM面に平行な方向に延在するストライプ形状とされていることを特徴とする太陽電池。請求項1または2記載の太陽電池において、前記第1電極は、前記溝の内部に配置されて前記第2半導体層に接続して形成されていることを特徴とする太陽電池。結晶基板の上に窒化物半導体からなる第1半導体層を形成する第1工程と、前記第1半導体層の上に所定の間隔で配列する絶縁材料からなる複数のマスクパターンを形成する第2工程と、複数の前記マスクパターンの間の前記第1半導体層の上に第1導電型のInxAlyGa1xyN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦xy≦1を表面が平坦な状態になるまでエピタキシャル成長させて第1導電型の第2半導体層を形成する第3工程と、前記第2半導体層の上に第2導電型のInxAlyGa1xyN0≦x’≦1,0≦y’≦1,0≦x’y’≦1からなる第2導電型の第3半導体層を形成する第4工程と、前記第2半導体層の表面より少なくとも前記第2半導体層の途中の深さまで複数の溝部を前記マスクパターンの幅以下で各々の前記マスクパターンの中央部に配置して形成する第5工程と、前記第2半導体層および前記第3半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きな材料の障壁層を各々の前記溝部の側面に接して形成する第6工程と、前記第3半導体層に接続する第1電極を形成する第7工程と、前記第2半導体層に接続する第2電極を形成する第8工程とを少なくとも備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項4記載の太陽電池の製造方法において、前記第2半導体層および前記第3半導体層はC軸方向にエピタキシャル成長し、前記マスクパターンは、前記第1半導体層のM面に平行な方向に延在するストライプ形状に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項4または5記載の太陽電池の製造方法において、前記第1電極は、前記溝の内部に配置して前記第2半導体層に接続して形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。しかしながら、太陽電池では、可能な範囲で大面積に形成することが望まれており、素子サイズは小さくても数ミリ角程度となる。このため、ELOGなどによって転位密度を低減させても、数ミクロン~数十ミクロン間隔の合着部の影響を避けることができず、結果として、変換効率を向上させることが難しいという問題がある。本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、太陽電池の変換効率をより向上できるようにすることを目的とする。本発明に係る太陽電池は、結晶基板の上に形成された窒化物半導体からなる第1半導体層と、第1半導体層の上に所定の間隔で配列して形成された絶縁材料からなる複数のマスクパターンと、複数のマスクパターンの間の第1半導体層の上に第1導電型のInxAlyGa1xyN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦xy≦1をエピタキシャル成長させて形成した第1導電型の第2半導体層と、第2半導体層の上に形成された第2導電型のInxAlyGa1xyN0≦x’≦1,0≦y’≦1,0≦x’y’≦1からなる第2導電型の第3半導体層と、マスクパターンの幅以下で各々のマスクパターンの中央部に配置され、第2半導体層の表面より少なくとも第2半導体層の途中の深さまで形成された複数の溝部と、第2半導体層および第3半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きな材料から構成されて各々の溝部の側面に接して設けられた障壁層と、第3半導体層に接続する第1電極と、第2半導体層に接続する第2電極とを少なくとも備え、第2半導体層は、表面が平坦な状態になるまでエピタキシャル成長することで形成されている。上記第2半導体層および第3半導体層はC軸方向にエピタキシャル成長されたものであり、マスクパターンは、第1半導体層のM面に平行な方向に延在するストライプ形状とされていればよい。上記太陽電池において、第1電極は、溝の内部に配置されて第2半導体層に接続して形成されていればよい。また、本発明に係る太陽電池の製造方法は、結晶基板の上に窒化物半導体からなる第1半導体層を形成する第1工程と、第1半導体層の上に所定の間隔で配列する絶縁材料からなる複数のマスクパターンを形成する第2工程と、複数のマスクパターンの間の第1半導体層の上に第1導電型のInxAlyGa1xyN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦xy≦1を表面が平坦な状態になるまでエピタキシャル成長させて第1導電型の第2半導体層を形成する第3工程と、第2半導体層の上に第2導電型のInxAlyGa1xyN0≦x’≦1,0≦y’≦1,0≦x’y’≦1からなる第2導電型の第3半導体層を形成する第4工程と、第2半導体層の表面より少なくとも第2半導体層の途中の深さまで複数の溝部をマスクパターンの幅以下で各々のマスクパターンの中央部に配置して形成する第5工程と、第2半導体層および第3半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きな材料の障壁層を各々の溝部の側面に接して形成する第6工程と、第3半導体層に接続する第1電極を形成する第7工程と、第2半導体層に接続する第2電極を形成する第8工程とを少なくとも備える。上記太陽電池の製造方法において、第2半導体層および第3半導体層はC軸方向にエピタキシャル成長し、マスクパターンは、第1半導体層のM面に平行な方向に延在するストライプ形状に形成する。上記太陽電池の製造方法において、第1電極は、溝の内部に配置して第2半導体層に接続して形成する。以上説明したように、本発明によれば、マスクパターンを形成した状態で成長させた第2半導体層および第3半導体層に、マスクパターン上に位置する溝部を形成するようにしたので、太陽電池の変換効率がより向上できるようになるという優れた効果が得られる。以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。[実施の形態1]はじめに、本発明の実施の形態1について図1および図2を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における太陽電池の構成を示す断面図である。また、図2は、本発明の実施の形態1における太陽電池の平面図である。この太陽電池は、例えば、サファイアなどの結晶基板101の上に形成された窒化物半導体例えばGaNからなる第1半導体層102と、第1半導体層102の上に所定の間隔で配列して形成された絶縁材料からなる複数のマスクパターン103と、第1半導体層102,マスクパターン103の上に形成された第1導電型のInxAlyGa1xyN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦xy≦1からなる第1導電型の第2半導体層104と、第2半導体層104の上に形成された第2導電型のInxAlyGa1xyN0≦x’≦1,0≦y’≦1,0≦x’y’≦1からなる第2導電型の第3半導体層105とを備える。第2半導体層104および第3半導体層105は、C軸方向にエピタキシャル成長されたものであればよい。第2半導体層104は、複数のマスクパターン103の間の第1半導体層102の上よりエピタキシャル成長させ、かつ表面が平坦な状態となるまでエピタキシャル成長することで形成されている。このように成長させた第2半導体層104の上に、引き続いてエピタキシャル成長することで、第3半導体層105が形成されている。第2半導体層104は、例えば、シリコンを導入することでn型キャリア濃度1×1019cm3とされたIn015Ga085Nから構成され、層厚2000nm程度に形成されている。また、第3半導体層105は、Mgを導入することでp型5×1017cm3とされたIn015Ga085Nから構成され、層厚2000nm程度に形成されている。この場合、第1導電型がn型となり、第2導電型がp型となる。また、本実施の形態における太陽電池は、マスクパターン103の幅以下で各々のマスクパターン103の中央部に配置され、第2半導体層104の表面より少なくとも第2半導体層104の途中の深さまで形成された複数の溝部131を備える。加えて、各々の溝部131の側面に接して設けられた、例えばGaNから構成された障壁層106を備える。障壁層106は、第2半導体層104および第3半導体層105よりバンドギャップエネルギーの大きな材料から構成されていればよい。なお、第1電極107が、第3半導体層105に接続して形成され、第2電極108が、第2半導体層104に接続して形成されている。例えば、図2に示すように、櫛歯型の第1電極107が、第3半導体層105の上に形成され、第3半導体層105の側より光が入射可能としている。また、一部の第3半導体層105を除去することで形成した第2半導体層104の露出領域において、第2電極108が形成されている。第1電極107は、Ni/Auから構成すればよい。また、第2電極108は、Ti/Au/Ni/Auから構成すればよい。また、マスクパターン103は、例えば、SiNから構成され、幅は30μm程度に形成されている。また、隣り合うマスクパターン103の間隔は70μmとされている。マスクパターン103は、例えば、第1半導体層102のM面に平行な方向に延在するストライプ形状とされていればよい。なお、本実施の形態における太陽電池のセルサイズは、10mm角程度である。ここで、製造方法について簡単に説明すると、まず、結晶基板101の上に、公知の有機金属気相成長法MOCVDまたは分子線エピタキシーMBE法などの結晶成長法により、第1半導体層102を形成する。第1半導体層102は、この表面が平坦な状態になるまで形成すればよい。次に、例えばスパッタ法などにより、第1半導体層102の上にSiN膜を形成し、このSiN膜を公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングすることで、マスクパターン103を形成する。次に、上述同様に結晶成長法により、マスクパターン103の間の第1半導体層102の上に、第2半導体層104を選択成長させる。この選択成長においては、第2半導体層104の表面が平坦な状態となるまで行う。次に、上述同様の結晶成長法により、第2半導体層104の上に第3半導体層105をエピタキシャル成長して形成する。次に、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングすることで、溝部131を形成する。本実施の形態では、例えば、マスクパターン103に到達する溝部131を形成する。なお、溝部131は、マスクパターン103に到達するまで形成する必要ない。次に、溝部131以外の領域の第3半導体層105の上に、例えば、SiNからなる選択成長マスクを形成する。この状態で、溝部131に、上述同様の結晶成長法によりGaNを成長させ、溝部131を充填するように障壁層106を形成する。障壁層106を形成したら、選択成長マスクは除去する。なお、障壁層106は、溝部131の側壁など、第2半導体層104および第3半導体層105が溝部131の内部で露出しない状態に形成すればよく、充填する必要はない。この後、蒸着法およびリフトオフ法により第1電極107を形成する。また、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術により一部の第3半導体層105を除去して一部の第2半導体層104を露出させ、この露出領域に第2電極108を形成する。上述した本実施の形態における太陽電池では、第2半導体層104を、マスクパターン103を用いた選択成長により第1半導体層102の上にエピタキシャル成長させているところに第1の特徴がある。加えて、本実施の形態では、マスクパターン103の上部に溝部131を備えているところに第2の特徴がある。まず、第1の特徴により、前述したELOGによるエピタキシャル成長と同様に、第2半導体層104の成長初期段階の部分において、第1半導体層102との界面より成長する転位貫通転位が、マスクパターン103上への横成長とともに基板平面方向に進行するものとなり、これより上の層に成長していくことが抑制されるようになる。この結果、表面が平坦な状態となるまでエピタキシャル成長することで形成された第2半導体層104においては、上層部分には貫通転位が存在しない状態となる。この結果、貫通転位の存在による太陽電池の変換効率の低下が抑制できるようになる。しかしながら、ELOGの説明においても示したように、マスクパターン103上への横方向成長により、マスクパターン103の上の中央部には、合着部が形成され、貫通転位と同様に太陽電池の変換効率の低下を招く原因となる。これに対し、第2の特徴により、マスクパターン103の上に溝部131を形成しているので、合着部が除去されるようになる。この結果、合着部の存在による太陽電池の変換効率の低下が抑制できるようになる。なお、このように、合着部を除去することが溝部131の目的であり、溝部131の形成によりマスクパターン103の上に形成される合着部が除去できればよい。従って、溝部131は、マスクパターン103の幅方向には、全域に形成する必要はない。加えて、本実施の形態では、溝部131の側面に障壁層106を接して設けている。このため、図3のバンド図に示すように、第2半導体層104および第3半導体層105からなるpn接合部で光照射により発生した電子および正孔対が、障壁層106の側には移動することができない状態となる。この結果、光照射により発生した光励起キャリアは、溝部131の側に侵入することがなく、第2半導体層104および第3半導体層105に留まることになる。この結果、溝部131の表面が露出している場合に、この表面に形成される準位に光励起キャリアがトラップされることなどが抑制できるようになる。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2について図4を用いて説明する。図4は、本発明の実施の形態2における太陽電池の構成を示す断面図である。この太陽電池は、例えば、サファイアなどの結晶基板401の上に形成された窒化物半導体例えばGaNからなる第1半導体層402と、第1半導体層402の上に所定の間隔で配列して形成された絶縁材料からなる複数のマスクパターン403と、第1半導体層402,マスクパターン403の上に形成された第1導電型のInxAlyGa1xyN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦xy≦1からなる第1導電型の第2半導体層404と、第2半導体層404の上に形成された第2導電型のInxAlyGa1xyN0≦x’≦1,0≦y’≦1,0≦x’y’≦1からなる第2導電型の第3半導体層405とを備える。実施の形態2においても、第2半導体層404および第3半導体層405は、C軸方向にエピタキシャル成長されたものであればよい。第2半導体層404は、複数のマスクパターン403の間の第1半導体層402の上よりエピタキシャル成長させ、かつ表面が平坦な状態となるまでエピタキシャル成長することで形成されている。このように成長させた第2半導体層404の上に、引き続いてエピタキシャル成長することで、第3半導体層405が形成されている。第2半導体層104は、例えば、シリコンを導入することでn型キャリア濃度1×1019cm3とされたIn015Ga085Nから構成され、層厚2000nm程度に形成されている。また、第3半導体層405は、Mgを導入することでp型5×1017cm3とされたIn015Ga085Nから構成され、層厚2000nm程度に形成されている。この場合、第1導電型がn型となり、第2導電型がp型となる。また、実施の形態2における太陽電池は、マスクパターン403の幅以下で各々のマスクパターン403の中央部に配置され、第2半導体層404の表面より少なくとも第2半導体層404の途中の深さまで形成された複数の溝部431を備える。また、各々の溝部431の側面に接して設けられた、酸化シリコンかなる障壁層406を備える。障壁層406は、第2半導体層404および第3半導体層405よりバンドギャップエネルギーの大きな材料から構成されていればよい。また、一部の障壁層406を除去することで第2半導体層404に接続させて形成した第2電極407を備える。また、障壁層406の内側の溝領域432を充填する絶縁層408を備える。絶縁層408は、例えば、ポリイミドなどの樹脂から構成することが可能である。なお、第2電極407は、Ti/Au/Ni/Auから構成すればよい。なお、第1電極409が、第2半導体層404に接続して形成されている。第1電極409は、Ni/Auから構成すればよい。実施の形態2では、図5の平面図に示すように、第3半導体層405の内側の所定の領域に、第1電極409が形成されている。また、上述したように、各々の溝部431に配置した複数の第2電極407は、図5に示すように、太陽電池400の側部471に引き出して外部に接続すればよい。実施の形態2においては、結晶基板401の側より光が入射する構成としている。実施の形態2における太陽電池のセルサイズは、10mm角程度である。また、マスクパターン403は、例えば、SiNから構成され、幅は30μm程度に形成されている。また、隣り合うマスクパターン403の間隔は70μmとされている。マスクパターン403は、例えば、第1半導体層402のM面に平行な方向に延在するストライプ形状とされていればよい。ここで、製造方法について簡単に説明すると、まず、結晶基板401の上に、公知の有機金属気相成長法MOCVDまたは分子線エピタキシーMBE法などの結晶成長法により、第1半導体層402を形成する。第1半導体層402は、この表面が平坦な状態になるまで形成すればよい。次に、例えばスパッタ法などにより、第1半導体層402の上にSiN膜を形成し、このSiN膜を公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングすることで、マスクパターン403を形成する。次に、上述同様に結晶成長法により、マスクパターン403の間の第1半導体層402の上に、第2半導体層404を選択成長させる。この選択成長においては、第2半導体層404の表面が平坦な状態となるまで行う。次に、上述同様の結晶成長法により、第2半導体層404の上に第3半導体層405をエピタキシャル成長して形成する。次に、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングすることで、溝部431を形成する。実施の形態2では、例えば、第2半導体層404の層厚方向に途中まで溝部431を形成する。この場合、溝部431の下部には、合着部不図示が残ることになる。次に、スパッタ法およびリフトオフ法により、溝部431の側部および底部に選択的に酸化シリコンの層を形成することで、障壁層406を形成する。次に、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術により、溝部431の底部の障壁層406に、貫通孔を形成する。次に、スパッタ法およびリフトオフ法により、上記貫通孔の底部の第2半導体層404に接続する第2電極407を形成する。次に、障壁層406の内側の溝領域432に、ポリイミド樹脂を充填することで、絶縁層408を形成する。例えば、ポジ型の感光性を有するポリイミド樹脂を塗布して樹脂膜を形成し、溝領域432以外の樹脂膜に光を照射する露光を行い、この後、樹脂膜を現像すれば、溝領域432に樹脂膜を残すことができる。この後、加熱して樹脂膜を硬化させれば、絶縁層408が形成できる。この後、蒸着法およびリフトオフ法により第1電極409を形成する。上述した実施の形態2における太陽電池でも、第2半導体層404を、マスクパターン403を用いた選択成長により第1半導体層402の上にエピタキシャル成長させているところに第1の特徴がある。加えて、実施の形態2でも、マスクパターン403の上部に溝部431を備えているところに第2の特徴がある。まず、第1の特徴により、前述したELOGによるエピタキシャル成長と同様に、第2半導体層404の成長初期段階の部分において、第1半導体層402との界面より成長する転位貫通転位が、マスクパターン403上への横成長とともに基板平面方向に進行するものとなり、これより上の層に成長していくことが抑制されるようになる。この結果、表面が平坦な状態となるまでエピタキシャル成長することで形成された第2半導体層404においては、上層部分には貫通転位が存在しない状態となる。この結果、貫通転位の存在による太陽電池の変換効率の低下が抑制できるようになる。しかしながら、ELOGの説明においても示したように、マスクパターン403上への横方向成長により、マスクパターン403の上の中央部には、合着部が形成され、貫通転位と同様に太陽電池の変換効率の低下を招く原因となる。これに対し、第2の特徴により、マスクパターン403の上に溝部431を形成しているので、合着部が除去されるようになる。この結果、合着部の存在による太陽電池の変換効率の低下が抑制できるようになる。加えて、実施の形態2でも、溝部431の側面に障壁層406を接して設けている。このため、前述した実施の形態1と同様に、第2半導体層404および第3半導体層405からなるpn接合部で光照射により発生した電子および正孔対が、障壁層406の側には移動することができない状態となる。この結果、光照射により発生した光励起キャリアは、溝部431の側に侵入することがなく、第2半導体層404および第3半導体層405に留まることになる。この結果、溝部431の表面が露出している場合に、この表面に形成される準位に光励起キャリアがトラップされることなどが抑制できるようになる。また、実施の形態2では、電極が形成されていない結晶基板401より光を入射させるので、より多くの光を導入することが可能となる。ところで、第1半導体層402の側より光を導入する構成では、結晶基板401に透光性がない場合、第2半導体層404および第3半導体層405よりなる光電変換部太陽電池構造に光を入射させることができない状態となる。例えば、結晶基板401をシリコンから構成する場合である。このような場合、図6に示すように、第1電極409を形成してある側に,ガラスなどからなる支持基板410を接着する構成とすればよい。この構成とすれば、第1半導体層402を成長させるために用いた結晶基板を除去することができ、光透過性が低い結晶基板であっても用いることが可能となる。なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述した実施の形態では、p型のInGaNの層とn型のInGaNの層との2層で太陽電池構造を形成しているが、これに限るものではなく、2つの層の間にアンドープInAlGaNを備える構成としてもよい。アンドープの層としては、p型の層およびn型の層と同じ材料、もしくはバンドギャップエネルギーの小さい材料から構成すればよい。また、第1半導体層は、第2半導体層と同じ窒化物半導体から構成してもよい。また、障壁層を構成する材料としては、アンドープのGaNおよび酸化シリコンを用いているが、これに限るものではなく、第2半導体層および第3半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体例えばAlGaNなど、また、Al2O3などの絶縁材料から構成してもよい。また、絶縁基板は、シリコンカーバイド基板、GaN基板であっても同様の効果が得られることは言うまでもない。なお、サファイア基板以外の導電性の結晶基板を用いる場合、マスクパターンの上に形成する溝部は、マスクパターンおよび第1半導体層を貫通して結晶基板にまで達するようにしてもよい。また、上述では、結晶基板の側にn型の半導体層を配置するようにしたが、これに限るものではなく、結晶基板の側にp型の半導体層を配置するようにしてもよい。この場合、第1導電型がp型となり、第2導電型がn型となる。"