"個基板になる部分を含む個基板領域と該個基板領域の周囲を囲む周辺領域とを有し、互いに積層され圧着された複数層の未焼結のセラミック層と、互いに隣接する前記セラミック層の間に配置され、前記セラミック層の外周縁に接するように前記セラミック層の前記周辺領域に形成された収縮抑制層と、を備え、前記セラミック層の積層方向両側において外部に露出する主面の少なくとも一方に、個基板になる部分の境界線及びその延長線に沿って、個基板に分割するためのブレイク用溝が形成された、未焼成の積層体を準備する第1の工程と、未焼成の前記積層体を焼成し、焼成が完了した前記積層体により集合基板を形成する第2の工程と、を備えたことを特徴とする、集合基板の製造方法。前記収縮抑制層に隣接する前記セラミック層は磁性体セラミック材料を含み、焼結が完了した前記積層体にめっきを行い、前記集合基板の前記端面にメッキ層を形成する第3の工程をさらに備えたことを特徴とする、請求項1に記載の集合基板の製造方法。前記集合基板を前記ブレイク用溝に沿って分割する前に、前記集合基板の個基板になる部分に部品を実装する第4の工程をさらに備えたことを特徴とする、請求項1又は2に記載の集合基板の製造方法。個基板になる部分を含む個基板領域と該個基板領域の周囲を囲む周辺領域とを有し、互いに積層され圧着された複数層のセラミック層と、互いに隣接する前記セラミック層の間に配置され、前記セラミック層の前記周辺領域に形成された収縮抑制層と、を備え、積層され圧着された前記セラミック層の、前記セラミック層の積層方向両側において外部に露出する主面の少なくとも一方に、個基板になる部分の境界線及びその延長線に沿って、個基板に分割するためのブレイク用溝が形成され、積層され圧着された前記セラミック層の前記主面間に延在しかつ外部に露出する端面に、前記収縮抑制層が露出していることを特徴とする、集合基板。しかし、図7では、セラミックグリーンシートの外周縁と収縮抑制層との間に間隔Gが設けられている。セラミックグリーンシートの外周縁と収縮抑制層115との間に間隔Gを設けた積層体は、収縮抑制層115とセラミックグリーンシート112との収縮率の差により歪む。そのため、焼成後の積層体の端面にひびが生じたり、焼成前の積層体の表面に形成したブレイク用溝が焼成後に局所的に変形し、ブレイク用溝を起点に基板が割れたり、ひびが発生したりすることがある。焼成後の積層体、すなわち集合基板にひびが発生すると、強度が低下するため、焼成後の部品実装工程や工程間の搬送中の衝撃等によって、集合基板が割れやすくなる。本発明は、かかる実情に鑑み、集合基板にひびが発生したり、集合基板の割れが発生したりすることを防ぐことができる集合基板の製造方法を提供しようとするものである。本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した集合基板の製造方法を提供する。集合基板の製造方法は、i未焼成の積層体を準備する第1の工程と、ii未焼成の前記積層体を焼成し、焼成が完了した前記積層体により集合基板を形成する第2の工程とを備える。未焼成の前記積層体は、a個基板になる部分を含む個基板領域と該個基板領域の周囲を囲む周辺領域とを有し、互いに積層され圧着された複数層の未焼結のセラミック層と、b互いに隣接する前記セラミック層の間に配置され、前記セラミック層の外周縁に接するように前記セラミック層の前記周辺領域に形成された収縮抑制層とを備える。未焼成の前記積層体は、前記セラミック層の積層方向両側において外部に露出する主面の少なくとも一方に、個基板になる部分の境界線及びその延長線に沿って、個基板に分割するためのブレイク用溝が形成されている。上記方法により作製された集合基板は、そのセラミック層の積層方向両側の外部に露出する主面間に延在しかつ外部に露出する端面に、収縮抑制層が露出している。未焼結のセラミック層の外周縁との間に間隔を設けて収縮抑制層を形成すると、間隔が設けられた部分、すなわち収縮抑制層が形成されていない部分は、焼成時の収縮が収縮抑制層によって抑制されない。そのため、積層体は、焼成時に積層体の端面付近で不均一に変形し、積層体の端面にひびが生じたり、ブレイク用溝が積層体の端面付近で局所的に変形したりする。これに対し、上記方法によれば、未焼結のセラミック層の外周縁に接するように収縮抑制層が形成されているので、セラミックグリーンシート112における間隔Gの部分が存在しなくなる。これにより、焼成時に、積層体の端面付近の不均一な変形を緩和し、あるいは無くして、焼成後の積層体の端面にひびが生じたり、ブレイク用溝が局所的に変形したりすることを防止できる。好ましくは、前記収縮抑制層に隣接する前記セラミック層は磁性体セラミック材料を含む。焼結が完了した前記積層体にめっきを行い、前記集合基板の前記端面にめっき層を形成する第3の工程をさらに備える。めっきは、端面に露出した収縮抑制層に付着する。また磁性体セラミック材料を含むセラミック層に付着しやすい。そのため、集合基板の端面に強固に付着するめっき層を容易に形成することができる。めっき層を形成する第3の工程までの間に、集合基板の端面にひびが発生しても、そのひびはめっき層によって補修されるので、ひびを起点とする集合基板の割れが生じにくくなる。また、めっき層は集合基板の端面から剥がれにくいため、めっき層の剥離片の付着によるショートや断線などが生じないようにすることができる。好ましくは、前記集合基板を前記ブレイク用溝に沿って分割する前に、前記集合基板の個基板になる部分に部品を実装する第4の工程をさらに備える。集合基板に部品を実装した後に分割することにより、個基板を効率よく形成することができる。また、本発明は、以下のように構成された集合基板を提供する。集合基板は、a個基板になる部分を含む個基板領域と該個基板領域の周囲を囲む周辺領域とを有し、互いに積層され圧着された複数層のセラミック層と、b互いに隣接する前記セラミック層の間に配置され、前記セラミック層の前記周辺領域に形成された収縮抑制層とを備える。集合基板は、積層され圧着された前記セラミック層の、前記セラミック層の積層方向両側において外部に露出する主面の少なくとも一方に、個基板になる部分の境界線及びその延長線に沿って、個基板に分割するためのブレイク用溝が形成されている。集合基板は、積層され圧着された前記セラミック層の前記主面間に延在しかつ外部に露出する端面に、前記収縮抑制層が露出している。上記構成の集合基板は、未焼結のセラミック層が積層された積層体を焼成することにより作製することができる。焼結が完了した積層体、すなわち集合基板は、ブレイク用溝に沿って分割することにより、個基板に分割することができる。収縮抑制層が、未焼結のセラミック層の外周縁に接するように形成された積層体を焼成することにより、集合基板の端面に収縮抑制層が露出するようにできる。この場合、集合基板の端面にひびが生じたり、ブレイク用溝が局所的に変形したりすることを防止できる。すなわち、未焼結のセラミック層の外周縁との間に間隔を設けて収縮抑制層を形成すると、間隔が設けられた部分、すなわち収縮抑制層が形成されていない部分は、焼成時の収縮が収縮抑制層によって抑制されない。そのため、積層体は、焼成時に積層体の端面付近で不均一に変形し、積層体の端面にひびが生じたり、ブレイク用溝が積層体の端面付近で局所的に変形したりする。これに対し、未焼結のセラミック層の外周縁に接するように収縮抑制層が形成されていると、焼成時に積層体の端面付近の不均一な変形の発生を緩和し、あるいは無くすことができ、焼成後の積層体、すなわち集合基板の端面にひびが生じたり、ブレイク用溝が局所的に変形したりすることを防止できる。本発明によれば、集合基板にひびが発生したり、集合基板の割れが発生したりすることを防ぐことができる。以下、本発明の実施の形態について、図1~図6を参照しながら説明する。<実施例1>実施例1の集合基板10について、図1~図5を参照しながら説明する。図1は、焼結が完了した集合基板10の平面図である。図2は、図1の線A-Aに沿って切断した断面図である。図3は、図1の線B-Bに沿って切断した断面図である。図1~図3に示すように、集合基板10は、個基板になる部分11を含む個基板領域11sと、個基板領域11sの周囲を囲む周辺領域11tを有する。図1では、4×4個の個基板になる部分11を、模式的に示している。集合基板10の基板本体12の一方主面12aには、個基板領域11sの個基板になる部分11の境界線及びその延長線に沿って、断面V字状のブレイク用溝11x,11yが形成されている。集合基板10の基板本体12の他方主面12bには、ブレイク用溝11x,11yに対向して、断面矩形のブレイク用溝11p,11qが形成されている。集合基板10の基板本体12を、ブレイク用溝11p,11q,11x,11yに沿って、対向するブレイク用溝11pと11x、11qと11yの間で切断することにより、集合基板10の個基板領域11sから個基板を分割することができる。図2に示すように、集合基板10の個基板になる部分11は、部品2,4を実装するためのランド電極26a,26b図1では、図示せずが基板本体12の一方主面12aに形成され、個基板を他の回路基板等に実装するための端子電極28が基板本体12の他方主面12bに形成されている。なお、個基板に部品が実装されない場合には、ランド電極26a,26bを無くすことができる。図2及び図3に示すように、集合基板10の基板本体12は、順に、第1の非磁性フェライト層16a、第1の磁性層14a、中間非磁性フェライト層16c、第2の磁性層14b、第2の非磁性フェライト層16bが積層されている。第1及び第2の磁性層14a,14bは、例えば、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化ニッケル及び酸化銅を主成分とする磁性フェライトと、セラミック材料とを含む。すなわち、第1及び第2の磁性層14a,14bは、磁性体セラミック材料を含む。第1及び第2の非磁性フェライト層16a,16bと中間非磁性フェライト層16cとは、例えば、酸化鉄、酸化亜鉛及び酸化銅を主成分とする非磁性フェライトと、セラミック材料とを含む。各層14a,14b,16a,16b,16cは、1層又は積層された2層以上のセラミック層からなる。図2に示すように、集合基板10は、基板本体12の個基板領域11sの内部に、ビアホール導体24a,24bと、コイル20と、配線導体21とが形成されている。コイル20の一端は、不図示の配線導体により、ビアホール導体24aと接続されている。ビアホール導体24bと24aとが配線導体21により接続されている。図2及び図3に示すように、基板本体12の周辺領域11tの内部には、収縮抑制層30,32が形成されている。収縮抑制層30,32は、集合基板10の基板本体12の端面12p,12qに露出している。詳しくは後述するが、ブレイク用溝11p,11q,11x,11yから離れている収縮抑制層30は、個基板領域11sの周囲を取り囲むように連続して形成されている。ブレイク用溝11x,11yの近傍の収縮抑制層32は、収縮抑制層32がブレイク用溝11x,11yに露出しないようにスリット34が形成され、個基板領域11sの周囲を取り囲むように断続的に形成されている。ビアホール導体24a,24bは、基板本体12のセラミック層を貫通する層間接続導体により形成される。コイル20と配線導体21と収縮抑制層30,32とは、基板本体12のセラミック層に沿って延在する面内接続導体によって形成される。収縮抑制層30,32は、コイル20や配線導体21と同じ材料で形成すると工程が簡単になるが、コイル20や配線導体21とは異なる材料を用いて形成してもよく、導体でない材料で形成してもよい。コイル20は、第1及び第2の磁性層14a,14bと中間非磁性フェライト層16cの内部に形成されている。中間非磁性フェライト層16cがない構成とすることもできるが、第1及び第2の磁性層14a,14bの間に中間非磁性フェライト層16cを形成すると、中間非磁性フェライト層16cがなく磁性層だけにコイルが形成された場合よりも、コイル20の特性を向上鉄損抑制による電圧変換効率の向上、或いはインダクタンス値の向上などさせることができるので好ましい。もろくて欠けやすい第1及び第2の磁性層14a,14bは、基板本体12の主面12a,12bに露出しないように第1及び第2の非磁性フェライト層16a,16bに覆われ、保護されている。集合基板10は、層間接続導体や面内接続導体が形成された未焼結のセラミックグリーンシートを積層し、焼成することにより、製造することができる。焼成後の基板本体12の厚みは、例えば100~2000μmである。集合基板10は、周辺領域11tにおいて収縮抑制層30,32が基板本体部12の端面12p,12qまで延在するように形成されているため、基板本体部12の周辺領域11tの厚みが略均一に厚くなることで、強度が向上する。収縮抑制層が基板本体部の端面から離れている場合には、基板本体部の端面付近で不均一な焼成収縮によってブレイク用溝の幅が広がり、ブレイク用溝を起点に基板が割れやすくなるが、収縮抑制層30,32が基板本体部12の端面12p,12qまで延在するように形成されていると、焼成時の収縮は、基板本体部12の端面12p,12qまで略均一になるため、ブレイク用溝の幅は一定となり、ブレイク用溝を起点する基板の割れが生じない。基板本体12の周辺領域11tにおいて、基板本体12の一方主面12aと他方主面12bの表面には収縮抑制層が配置されない。表面以外の内部には収縮抑制層30,32が配置される。面内接続導体の線膨張係数はセラミック層の線膨張係数より大きいため、焼成後の基板本体12には圧縮応力が残留し、基板強度が向上する。焼成後の積層体の端面には収縮抑制層30,32が突出する。そのため、焼成後の積層体である基板本体12の端面12p,12qに、容易にめっきを形成できる。ハンドリング中の衝撃などによって基板本体12に端面12p,12qに多少のひびができても、そのひびは、めっきによって補修される。さらに、端面12p,12qにひびがない場合でも、基板の強度自体がめっきで補強されることで、その後の部品実装工程や工程間の搬送中において基板割れを抑制できる。基板本体12の各層を形成するセラミック材料として、比較的低抵抗で電流の流れやすい材料を用いると、めっき時に基板本体12の端面12p,12qに電流が流れやすくなり、基板本体12の端面12p,12qに十分にめっきを形成することができる。この場合、基板本体12の厚み方向各層の積層方向に隣接する収縮抑制層30,32の間の距離が大きくても、基板本体12の端面12p,12qに強固にめっきが付くため、めっき後の部品実装工程や工程間の搬送中における集合基板の割れを、より抑制することができる。また、基板本体12の端面12p,12qに形成させためっき部分が剥がれると、剥離片の付着によりショートや断線などの不良が生じかねないが、このような不具合発生も防止することもできる。次に、集合基板10の製造工程について説明する。1まず、集合基板10の基板本体12のセラミック層の各層を形成するため、セラミック材料粉末を含み、シート状に成形された未焼結のセラミックグリーンシートを準備する。第1及び第2の磁性層14a,14bになるセラミックグリーンシートには、例えば、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化ニッケル及び酸化銅を主成分とする磁性フェライトを添加する。第1及び第2の非磁性フェライト層16a,16bや中間非磁性フェライト層16cになるセラミックグリーンシートには、例えば、酸化鉄、酸化亜鉛及び酸化銅を主成分とする非磁性フェライトを添加する。セラミックグリーンシートには、適宜位置にレーザー加工やパンチング加工等により貫通孔を加工し、この貫通孔に導体ペーストを印刷等により埋め込むことによって、焼成後にビアホール導体となる層間接続導体を形成する。また、セラミックグリーンシートの一方主面に、導体ペーストをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷するか、あるいは所定パターン形状の金属箔を転写する等によって、コイル20、配線導体21、収縮抑制層30,32になる面内接続導体を形成する。セラミックグリーンシートは、集合基板10よりも大きいものを準備し、積層後に一括して所定サイズに切断する。図4は、ブレイク用溝11p,11q,11x,11yから離れた層になるセラミックグリーンシート15の平面図である。図4に示すように、セラミックグリーンシート15の一方主面15aには、個基板領域11sの外側に、枠状に連続する収縮抑制層30を形成する。収縮抑制層30は、周辺領域11tよりも外側の耳部15zにはみ出るように形成する。図5は、ブレイク用溝11x,11yの近傍の収縮抑制層32が形成されたセラミックグリーンシート13の平面図である。図5に示すように、セラミックグリーンシート13の一方主面13aには、個基板領域11sの外側に、個基板領域11sの周囲を取り囲むように枠状の収縮抑制層32を形成するが、収縮抑制層32にはスリット34を形成する。このスリット34の中心付近には、図3に示すように、ブレイク用溝11x,11yが形成される。すなわち、収縮抑制層32がブレイク用溝11x,11yに露出しないように、ブレイク用溝11x,11yの近傍領域にスリット34を形成する。図示を省略するが、ブレイク用溝11p,11qの近傍の収縮抑制層32が形成されたセラミックグリーンシート13の平面図も図5と同様である。異なる点は、収縮抑制層32がブレイク用溝11p,11qに露出しないように、ブレイク用溝11p,11qの近傍領域にスリット35を形成することである。スリット35の幅はブレイク用溝11p,11qの幅より大きくする。2次いで、基板本体12の各層を形成する未焼結のセラミックグリーンシートを、所定の順序で積層した後、積層方向に比較的小さい圧力を加え、仮圧着体を形成する。3次いで、仮圧着体の周囲を切断してセラミックグリーンシートの耳部を除去し、集合基板10になる部分11s,11tのみを含む積層体を形成する。このとき、積層体の端面に収縮抑制層30,32が露出するようになる。すなわち、図4に示したセラミックグリーンシート15は、集合基板10になる部分11s,11tと耳部15zとの境界線15x,15yに沿って切断され、収縮抑制層30は境界線15x,15yに沿って切断される。これにより、図2及び図3に示すように、収縮抑制層30の外周縁30x,30yが、集合基板10の端面12p,12qに連続して露出する。このように収縮抑制層30の外周縁30x,30yが集合基板10の端面12p,12qに全周に渡って連続して露出すると、焼成時の収縮による歪みを均一に抑制することができる。図5に示したセラミックグリーンシート13は、集合基板10になる部分11s,11tと耳部13zとの境界線13x,13yに沿って切断され、収縮抑制層32は境界線13x,13yに沿って切断される。これにより、図2及び図3に示すように、収縮抑制層32の外周縁32x,32yが、集合基板10の端面12p,12qに間欠的に露出する。収縮抑制層32は、焼成時の収縮による歪みを略均一に抑制することができる。4次いで、積層体を焼成する。焼成により、基板本体12の各層を形成するセラミックグリーンシートに含まれるセラミック材料粉末を焼結させる。5次いで、焼成済みの積層体、すなわち基板本体12を取り出し、必要に応じて、基板本体12の主面12a,12bに形成されたランド電極26a,26bと端子電極28a,28bにめっきを行う。このとき、集合基板10の基板本体12の端面12p,12qに、めっきを形成してもよい。集合基板10の基板本体12の端面12p,12qには、磁性層14a,14bと収縮抑制層30,32とが露出しているため、めっきが強固に付着する。6以上の工程に完成した集合基板10は、ランド電極26a,26bに表面実装部品4やICチップ2などの部品を実装し、モジュール化する。そして、ブレイク用溝11p,11q,11x,11yに沿って切断し、個基板に分割することで、集合基板10からモジュール部品を作製することができる。<比較例1>図6は、比較例1の集合基板の基板本体12xの平面図である。図6は、基板本体12xの主面に形成されたブレイク用溝11x,11yのみを図示し、ランド電極や端子電極の図示を省略している。比較例1の集合基板12xは、基板本体12xの周辺領域に形成された収縮抑制層が、実施例1とは異なり、基板本体12xの端面12p,12qに露出していない。すなわち、基板本体12xになる未焼成の積層体において、セラミックグリーンシートの外周縁と収縮抑制層との間には間隔が設けられている。そのため、積層体の端面付近において焼成時の収縮が収縮抑制層によって抑制されないため、図6に示すように、ブレイク用溝11x,11yの幅が、基板本体12xの端面12p,12q付近で局所的に広がり、基板割れの原因となる。これに対して、実施例1では、基板本体12の端面12p,12qに露出するように収縮抑制層30,32が形成されおり、基板本体12の端面12p,12q付近は、それよりも内側の部分と同様に、焼成時の収縮が収縮抑制層30,32によって抑制される。そのため、図1に示すように、ブレイク用溝11x,11yは、基板本体12の端面12p,12q付近で局所的に広がることなく形成されるので、基板割れが生じない。<作製例>焼成後のサイズが約112×112mm、焼成後の厚みが450~500μm、基板厚の40~50の深さのブレイク用溝が形成された実施例1の構成の集合基板の基板本体の端面をめっきで補強した場合、焼成/めっき工程以降の部品実装工程や工程間の搬送中に、基板本体の周辺領域の構成が原因であるひびや基板割れが一切発生しなかった。これに対し、収縮抑制層が基板本体部の端面から離れている比較例1の構成の集合基板の場合は、焼成時にブレイク用溝を起点とする基板割れや、基板割れには至らないひびが、数~10程度発生した。<まとめ>以上のように、集合基板10の基板本体12の周辺領域11tの内部に収縮抑制層30,32を形成し、収縮抑制層30,32が集合基板10の基板本体12の端面12p,12qに露出するように構成することにより、集合基板10にひびが発生したり、集合基板10の割れが発生したりすることを防ぐことができる。なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。例えば、基板本体の各層は、磁性フェライトや非磁性フェライトを含まないセラミック層であってもよい。"