複数のフラッシュダイと、前記複数のフラッシュダイを制御するためのコントローラと、を備え、前記コントローラは、多くとも所定数のフラッシュダイが電力集中動作を実質的に同時に実行するのを許すように構成された、フラッシュメモリシステム。前記電力集中動作は、感知動作を含む、請求項1に記載のフラッシュメモリシステム。前記フラッシュメモリシステムは、マネージド不揮発性メモリパッケージを含み、そのマネージド不揮発性メモリパッケージは、前記複数のフラッシュダイ及びコントローラを含む、請求項1に記載のフラッシュメモリシステム。前記フラッシュメモリシステムは、ロー不揮発性メモリシステムを含み、前記コントローラは、ホストプロセッサを含む、請求項1に記載のフラッシュメモリシステム。複数のメモリサブシステムを含む不揮発性メモリシステムのピーク電力消費を管理する方法において、各メモリサブシステムのクロックを同期させる段階と、時間を複数のタイムスロットに分割する段階と、電力集中動作を実行するためのタイムスロットを前記メモリサブシステムの各々に指定する段階と、を含む方法。前記同期段階は、同じクロックソースから導出されたクロック信号を前記メモリシステムの各々に供給することを含む、請求項5に記載の方法。前記メモリサブシステムの各々は、内部クロックを含み、前記同期段階は、各メモリサブシステムの内部クロックを同期させることを含む、請求項5に記載の方法。前記分割段階は、前記メモリサブシステムの数に基づいて多数のタイムスロットを生成し、タイムスロットは、連続的に繰り返される、請求項5に記載の方法。前記メモリサブシステムの1つで電力集中動作を実行することを決定する段階と、前記メモリサブシステムの前記1つが現在タイムスロットに指定されているかどうか決定する段階と、前記メモリサブシステムの前記1つが現在タイムスロットに指定されているかどうかに基づいて電力集中動作を実行する段階と、を更に含む請求項5に記載の方法。前記不揮発性メモリシステムは、NANDフラッシュメモリシステムである、請求項5に記載の方法。コントローラを使用してメモリシステム内の複数のメモリサブシステムを制御する方法において、前記メモリサブシステムのうちの第1のメモリサブシステムで電力集中動作を開始することを決定する段階であって、前記電力集中動作は、読み取り、プログラム及び消去動作の1つを含むような段階と、電力集中動作を開始するための前記コントローラからの許可を要求する段階と、前記メモリサブシステムのうちの別のメモリサブシステムが電力集中動作を実行するかどうか前記コントローラで決定する段階と、前記決定に基づいて前記第1のサブシステムに許可を与えるべきかどうか選択する段階と、前記決定の結果を前記第1のサブシステムに与える段階と、を含む方法。前記メモリシステムは、フラッシュメモリシステムを含み、そして前記メモリサブシステムは、フラッシュダイを含む、請求項11に記載の方法。前記選択段階は、所定数より少ないサブシステムが電力集中動作を既に実行しているときには許可を与えると決定することを含む、請求項11に記載の方法。前記方法は、更に、電力集中動作を既に実行しているサブシステムの合成電流使用量を決定する段階を含み、前記選択段階は、その合成電流使用量に基づいて実行される、請求項11に記載の方法。前記方法は、更に、前記第1のサブシステムで電力集中動作を開始するための許可を受けるのに応答して、電力集中動作を実行する段階と、前記第1のサブシステムの電力集中動作が完了したときに前記コントローラに指示する段階と、を含む請求項11に記載の方法。前記電力集中動作は、第1の電力集中動作であり、前記方法は、更に、前記サブシステムのうちの第2のサブシステムで第2の電力集中動作を開始することを決定する段階と、第2の電力集中動作を開始するための前記コントローラからの許可を要求する段階と、前記第1の電力集中動作が完了していないことを前記コントローラで決定する段階と、前記第2の電力集中動作を開始するための許可を前記第2のサブシステムに与えないことを決定する段階と、を含む請求項11に記載の方法。前記方法は、更に、前記第1のサブシステムが前記第1の電力集中動作を完了したことを前記第1のサブシステムから前記コントローラで受け取る段階と、前記第2の電力集中動作を開始するための許可を前記第2のサブシステムに与える段階と、を含む請求項16に記載の方法。複数のサブシステムと、前記サブシステムを制御するためのコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記サブシステムのどれが電力集中動作を実行するか決定し、そして電力集中動作を実行する前記サブシステムの数の指示を前記サブシステムの少なくとも1つに与える、ように構成された、システム。前記少なくとも1つのサブシステムは、前記数に基づいて動作を実行するように構成される、請求項18に記載のシステム。前記少なくとも1つのサブシステムは、更に、前記数に基づいて、低速度低電力動作に対して高速度高電力動作をトレードオフするように動作を設定するよう構成された請求項18に記載のシステム。前記システムは、フラッシュメモリシステムを含み、そして前記サブシステムは、フラッシュダイを含む、請求項18に記載のシステム。消費者向け電子装置の大量記憶に通常使用されるフラッシュメモリシステムは、ピーク電力が問題となる現在システムの一例である。フラッシュメモリシステム例えば、NANDフラッシュメモリシステムのようなシステムのピーク電力消費を管理するためのシステム及び方法について開示する。複数のサブシステムと、それらサブシステムを制御するためのコントローラとを備えたシステムが提供される。各サブシステムは、実質的に同じ特徴及び機能を有し、そしてピークのある電流プロフィールを有する。特に、各サブシステムは、電力消費が変化する動作を実行し、従って、時間と共に、より高電力の動作に対応してサブシステムの電流プロフィールに電流ピークが生じる。ある実施形態では、システムは、メモリシステムであるか、又はメモリシステムを備えている。特にピーク電流プロフィールを有するメモリシステムの一例は、フラッシュメモリシステム例えば、NANDフラッシュメモリシステムである。そのようなフラッシュシステムでは、サブシステムは、フラッシュダイ電流消費プロフィールにスパイクを生じさせる電力集中動作を実行する異なるフラッシュダイを備えている。フラッシュダイを制御するコントローラは、ホストプロセッサ例えば、ロー又はマネージドNANDシステムにおいて及び/又はフラッシュコントローラ例えばマネージドNANDシステムにおいてを備えている。他の実施形態では、フラッシュメモリシステムに代わって、システムは、他の適当な不揮発性メモリシステム、例えば、ハードドライブシステム、又は適当な並列コンピューティングシステムを備えている。コントローラ例えば、ホストプロセッサ及び/又はフラッシュコントローラは、システムのピーク電力消費を管理するよう構成される。例えば、コントローラは、電力集中動作を同時に実行できるサブシステムの数を制限するか、又はサブシステムが所与の時間に消費するピーク電力を決定する上でサブシステムを支援する。このように、システムの合計電力がホストシステムの動作に適したスレッシュホールドレベル内に維持される。ある実施形態では、時分割多重化スキームが使用され、コントローラは、電力集中動作を実行するためのタイムスロットを各サブシステムに指定する。他の実施形態では、コントローラは、電力集中動作を実行するために所与の時間に多くとも所定数のサブシステムに許可を与えるように構成される。或いは又、コントローラは、実質的な動作を実行するサブシステムの予想電流使用の和を追跡し、そしてその和に基づいて付加的なサブシステムに許可を与える。更に別の実施形態では、コントローラは、システムに関する電力状態情報例えば、電力集中動作を実行するサブシステムの合計数を特定のサブシステムに与えて、どんな形式の動作を実行するのが適当であるかをその特定のサブシステムに指示する。本発明の前記及び他の態様及び効果は、全体にわたり同じ部分が同じ参照文字で示された添付図面を参照した以下の詳細な説明を考慮することでより明らかとなろう。図1は、ピーク電力問題で悩まれる例示的システム100の概略図である。特に、システム100は、コントローラ110及び複数のサブシステム120を備え、サブシステム120の合成電力消費は、コントローラ110により適当に管理されないときに望ましからぬピークとなる。ある実施形態では、各サブシステム120は、実質的に同じ特徴及び機能を有する。例えば、サブシステム120は、実質的に同じ製造プロセスを使用して製造されるか、又は実質的に同じ仕様例えば、使用する材料、等に関してを有する。各サブシステム120は、ピークのある電流又は電力プロフィールを有する。特に、動作中、各サブシステム120は、電力の高い幾つかの動作、及び電力の低い幾つかの動作を実行する。従って、時間と共に、各サブシステム120の電流又は電力プロフィールが上昇及び下降し、サブシステムがその最も高い電力の動作を実行するときに最も高いピークが生じる。複数のサブシステムが高電力動作を同時に実行する場合には、システム100の全電力又は電流プロフィールが、システム100の電力スレッシュホールド又は仕様より高いピーク電力レベルに達することがある。ここで使用する電力集中動作とは、システムの全電力レベルに実質的な影響を及ぼすサブシステム動作である。例えば、電力集中動作とは、少なくとも所定量の電流を要求するか又は消費することが予想される動作を指す。コントローラ110は、全体的なシステムピークが生じない又は生じるおそれが低くなるように、サブシステム120により実行される動作を制御し、管理し、及び/又は同期させるように構成される。特に、以下に詳細に述べるように、コントローラ110は、多くとも所定数のサブシステム120が電力集中動作を同時に実行するようにサブシステム120を制御するか、又はサブシステムが所与の時間に使用するピーク電力を決定する上でサブシステムを支援する。コントローラ110は、サブシステム120を管理するためにハードウェアベースのコンポーネント例えば、特定用途向け集積回路、フィールドプログラマブルアレイ、等及びソフトウェアベースのコンポーネント例えば、プロセッサ、マイクロプロセッサ、等の適当な組み合わせを含むことができる。システム100は、3つのサブシステムを有するものとして示されているが、システム100は、適当な数のサブシステム例えば、2、4、5又はそれ以上のサブシステムを含んでもよいことを理解されたい。システム100は、ピーク電力の問題で悩まされている適当な形式の電子システムである。例えば、システム100は、並列コンピューティングシステム或いはメモリシステム例えば、ハードドライブシステム、又はNANDフラッシュメモリシステムのようなフラッシュメモリシステム、等であるか又はそれを含む。図2A及び2Bは、図1の種々の実施形態の一例であるメモリシステムの概略図である。先ず、図2Aを見ると、メモリシステム200は、ホストプロセッサ210と、少なくとも1つの不揮発性メモリNVMパッケージ220とを備えている。ホストプロセッサ210、及び任意であるが、NVMパッケージ220は、適当なホスト装置又はシステム、例えば、ポータブルメディアプレーヤ例えば、カリフォルニア州クパチーノのアップル社から入手できるiPodTM、セルラー電話例えば、アップル社から入手できるiPhoneTM、ポケットサイズパーソナルコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタントPDA、デスクトップコンピュータ、又はラップトップコンピュータにおいて具現化される。ホストプロセッサ210は、現在入手できる又は将来開発される1つ以上のプロセッサ又はマイクロプロセッサを備えている。それとは別に又はそれに加えて、ホストプロセッサ210は、メモリシステム200の種々の動作を制御できる他のコンポーネント又は回路例えば、特定用途向け集積回路ASICを備え又はそれに関連して動作する。プロセッサベースの具現化において、ホストプロセッサ210は、ホストにおいて具現化されるメモリ図示せずへロードされるファームウェア及びソフトウェアプログラムを実行することができる。メモリは、適当な形式の揮発性メモリ例えば、キャッシュメモリ又はランダムアクセスメモリRAM、例えば、倍データレートDDRRAM又はスタティックRAMSRAMを含む。ホストプロセッサ210は、NVMドライバ212を実行し、これは、ホストプロセッサ210が不揮発性メモリパッケージ220のための種々のメモリ管理及びアクセス機能を実行できるようにするベンダー特有及び/又は技術特有のインストラクションを与えるものである。NVMパッケージ220は、ボールグリッドアレイBGAパッケージ又は他の適当な形式の集積回路ICパッケージである。NVMパッケージ220は、マネージドNVMパッケージである。特に、NVMパッケージ220は、適当な数のNVMダイ224に結合されたNVMコントローラ222を備えている。NVMコントローラ222は、プロセッサ、マイクロプロセッサ、又はハードウェアベースのコンポーネント例えば、ASICの適当な組み合わせを含み、そしてホストプロセッサ210と同じコンポーネント又はそれとは異なるコンポーネントを含んでもよい。NVMコントローラ222は、NVMダイ224の物理的メモリ位置を管理及び/又はアクセスする責任をNVMドライバ212と分担する。或いは又、NVMコントローラ222は、NVMダイ224に対する管理及びアクセス機能の実質的に全部を実行してもよい。従って、マネージドNVMとは、不揮発性メモリ例えば、NVMダイ224に対して少なくとも1つのメモリ管理機能を実行するように構成されたコントローラ例えば、NVMコントローラ222を含むメモリ装置又はパッケージを指す。NVMコントローラ222によって実行できる管理機能の1つは、メモリシステム200のピーク電力消費を制御することである。このように、NVMコントローラ222は、ホストプロセッサ210の動作又は性能に影響せずにNVMパッケージ210及び特にNVMダイ224の電力消費を管理する。NVMダイ224に対してNVMコントローラ222及び/又はホストプロセッサ210により実行される他のメモリ管理及びアクセス機能は、読み取り、書き込み又は消去インストラクションを発行し、そしてウェアレベリング、不良ブロックの管理、不要データ収集、論理的対物理的アドレスマッピング、SLC又はMLCプログラミング判断、エラー修正又は検出の適用、及びプログラム動作を設定するためのデータキューイングを実行することを含む。NVMダイ224は、メモリシステム200がパワーダウンされたときに保持する必要のある情報を記憶するのに使用される。状況に応じてここに使用する不揮発性メモリとは、データを記憶できるNVMダイを指すか、又はNVMダイを含むNVMパッケージを指す。NVMダイ224は、フローティングゲート又はチャージトラップ技術に基づくNANDフラッシュメモリ、NORフラッシュメモリ、消去可能なプログラマブルリードオンリメモリEPROM、電気的に消去可能なプログラマブルリードオンリメモリEEPROM、強誘電性RAMFRAM登録商標、磁気抵抗性RAMMRAM、相変化メモリPCM、他の既知の又は将来の形式の不揮発性メモリ技術、或いはその組合せを含む。図2Bは、図1のシステム100の別の実施形態の一例であるメモリシステム250の概略図である。このメモリシステム250は、図2Aのメモリシステム200に関連して上述した特徴及び機能のいずれを有してもよい。特に、図2Bに示すいずれのコンポーネントも、図2Aの同じ名前のコンポーネントの特徴及び機能のいずれを有してもよく、そしてその逆のことも言える。メモリシステム250は、ホストプロセッサ260と、不揮発性メモリパッケージ270とを備えている。図2Aのメモリシステム200とは異なり、NVMパッケージ270は、埋め込まれたNVMコントローラを含まず、それ故、NVMダイ274は、ホストプロセッサ260により例えば、NVMドライバ262を経て全体的に管理される。従って、不揮発性メモリパッケージ270は、ローNVMと称される。ローNVMとは、NVMパッケージの外部で具現化されるホストコントローラ又はプロセッサ例えば、ホストプロセッサ260により全体的に管理されるメモリ装置又はパッケージを指す。そのようなローNVM具現化においてホストプロセッサ260により実行される管理機能の1つは、メモリシステム250のピーク電力消費を制御することである。又、ホストプロセッサ260は、図2Aのホストプロセッサ210及びNVMコントローラ222に関連して上述した他のメモリ管理及びアクセス機能のいずれを実行することもできる。図2A及び2Bの両方を参照すれば、NVMコントローラ222図2A及びホストプロセッサ270例えば、NVMドライバ262を経て図2Bは、各々、図1を参照して上述したコントローラ110の特徴及び機能を実施し、そしてNVMダイ224及び274は、図1を参照して上述したサブシステム120の特徴及び機能を実施する。特に、NVMダイ224及び274は、各々、ダイがその最も電力集中の動作を実行するときに最高のピークが生じるピーク電流プロフィールを有する。フラッシュメモリの実施形態では、そのような電力集中動作の一例は、メモリセルに記憶されたデータを読み取るときに使用される感知動作例えば、電流感知動作である。そのような感知動作は、例えば、プログラミングの後にデータが適切に記憶されたことを検証するときにホストプロセッサ及び/又はNVMコントローラからの読み取り要求に応答して実行される。図2Cは、電流消費プロフィール290を示す。この電流消費プロフィール290は、検証形式の感知動作中のNVMダイ例えば、NVMダイ224又は274の1つの電流消費の一例を与えるものである。ピーク292及び294を含む幾つかのピークがある状態で、電流消費プロフィール290は、検証形式の感知動作がどのようにピークを生じるか示している。これらの検証形式の感知動作は、複数のNVMダイにわたって同時に生じるおそれがあるので即ち、複数のダイにわたって並列書き込みを使用するために、特に問題になり得る。従って、NVMコントローラ222図2又はホストプロセッサ260により管理されない場合には、異なるNVMダイのピークが重畳して、全電流和が受け容れられないほど高くなる。この状況は、消去及びプログラム動作のような他の形式の電力集中動作でも生じ得る。従って、上述したように、NVMコントローラ222図2A又はホストプロセッサ260図2Bにより実行されるメモリ管理及びアクセス機能は、更に、例えば、電力集中動作を同時に実行するNVMダイ224又は274の数を制限するか例えば、電流ピークが同時に生じ難いように電力集中動作を食い違わせるか、又は所与の時間にNVMダイが消費するピーク電力を決定する上でNVMダイを支援することにより、各システムの全ピーク電力を管理するようにNVMダイ224又は274を制御することも含む。このように、NVMコントローラ222図2A又はホストプロセッサ260図2Bは、各メモリシステムの全ピーク電力消費が高くなり過ぎるのを防止する。図2A及び2Bを参照しながら、図1へ戻ると、コントローラ110例えば、NVMコントローラ222図2A又はホストプロセッサ260図2Bは、適当な解決策を使用して、システム100の全ピーク電力消費を管理することができる。ある実施形態では、時分割多重化スキームが使用され、コントローラ110は、電力集中動作を実行するためのタイムスロットを各サブシステムに指定する。これは、サブシステム120がそれらの電力集中動作を食い違わせられるようにする。この解決策の一例を、図3を参照して以下に説明する。他の実施形態では、コントローラ110は、電力集中動作を実行するために所与の時間に多くとも所定数のサブシステムに許可を与えるように構成される。例えば、サブシステム120は、各々、電力集中動作を実行する前にコントローラから許可を要求し、そしてコントローラ110は、許可が与えられるサブシステム120の数を管理する。コントローラ110がサブシステムに許可を与えるかどうかは、例えば、既に許可が与えられたサブシステムの予想合計電流消費量に依存する。この解決策の一例を、図4を参照して以下に説明する。更に別の実施形態では、コントローラ110は、システムに関する電力状態情報を特定のサブシステムに与えて、どんな形式の動作を行うのが適当であるかをその特定のサブシステムに指示する。例えば、電力状態情報は、電力集中動作を現在実行しているサブシステム110の合計数を指示してもよいし、又は電力状態情報は、電力集中動作を実行しているサブシステム110によって使用される予想電流和を指示してもよい。この解決策の一例を、図5を参照して以下に説明する。これら3つの解決策は、単なる例示に過ぎず、コントローラ110によって他の解決策も実施できることを理解されたい。図3から5は、本発明の種々の実施形態により構成されたシステムにより実行される例示的プロセスのフローチャートである。例えば、図1、2A及び2Bを参照して上述したシステム例えば、フラッシュメモリシステム、並列コンピューティングシステム、等は、いずれも、1つ以上のこれらプロセスのステップを実行するように構成される。先ず、図3は、時分割多重化スキームを使用して複数のサブシステム間で電力集中動作をタイミング合わせするための例示的プロセス300のフローチャートである。プロセス300は、ステップ302で開始される。次いで、ステップ304において、各サブシステムのクロックが同期される。クロックは、各サブシステムに同じクロック即ち、同じソースクロックから導出されたクロック信号を供給するか、又はコントローラを使用して各サブシステムの内部クロックを同期させるといった適当な解決策を使用して同期させることができる。次いで、ステップ306において、時間が複数のタイムスロットに分割される。タイムスロットの数は、サブシステムの数に基づき、例えば、サブシステム当たり1つのタイムスロットを与えるか、2つのサブシステム当たり1つのタイムスロットを与えるか、等々である。タイムスロットは、適当な正の整数をNとすれば、長さがN個のクロックサイクルといった適当な長さのものである。例えば、4つのサブシステムがある場合には、ステップ306は、各N個のクロックサイクルの4つのタイムスロットを生成してそれらの間で回転することを伴う。ステップ308へと続き、各サブシステムには、タイムスロットの1つが指定される。特定のサブシステムに指定されたタイムスロットの間に、サブシステムは、フラッシュメモリシステムにおけるプログラム動作のような電力集中動作を実行する。特定のサブシステムに指定されないタイムスロットの間に、サブシステムは、電力集中動作の実行を延期し、そしてその指定のタイムスロットが始まるまで停止し、及び/又はその間に非電力集中動作を実行する。ある実施形態では、各サブシステムにタイムスロットの異なる1つが指定され、所与の時間に1つのサブシステムのみが電力集中動作を実行するようにする。他の実施形態では、2つ以上であるが全部ではないのサブシステムに同じタイムスロットが指定される。この時分割多重化スキームを使用することにより、このスキームは、電力集中動作を食い違わせることを保証するので、ピーク電力を制限することができる。プロセス300は、ステップ310へ続き、終了となる。他の実施形態において、プロセス300は、同期を保つためにサブシステムのクロックを周期的に調整する必要のある実施形態では適当な長さの時間の後にステップ302へ戻る。図4は、コントローラへの要求を使用して複数のサブシステム間で電力集中動作を同期させるための例示的プロセスのフローチャートである。このプロセス400は、ステップ402で開始する。次いで、ステップ404において、システム内のサブシステムの1つ図4では、第1サブシステムと称されるが電力集中動作を開始することを決定する。例えば、フラッシュメモリシステムでは、フラッシュダイの1つに対する次のキュー動作は、例えば、読み取り検証動作の中のデータを読み取るための感知動作のような電力集中動作である。ステップ406において、サブシステムは、電力集中動作を開始するためにシステムのコントローラ例えば、不揮発性メモリシステムのためのNVMドライバ又はコントローラへ要求を送る。例えば、サブシステムは、適当な通信プロトコル又はインターフェイスを経て適当なコマンドを発行するか、又は他の適当な解決策を使用することにより、この目的専用の物理的な通信リンクを経て電力集中動作を実行するためのコントローラからの許可を要求する。次いで、コントローラは、ステップ408において、1つ以上の他のサブシステムが電力集中動作を実行するかどうか決定する。ある実施形態では、コントローラは、他のサブシステムの所定数例えば、1、2、等より多くの電力集中動作を実行するための許可をコントローラが既に与えたかどうかそしてそれらの動作がまだ完了していないことを検証することによりこの判断を行う。ステップ410において、コントローラは、サブシステムが電力集中動作を実行することを許すべきかどうか決定する。ある実施形態では、コントローラは、所定数の他のシステムが電力集中動作を現在実行している場合には動作を許さず、さもなければ、動作を許す。ある実施形態では、ステップ408における決定は、更に、電力集中動作を実行する1つ以上の他のサブシステムの予想合成ピーク電流を決定することを含む。このようにすれば、ステップ410において、電力集中動作を実行する他のサブシステムの数に基づいて動作の実行を許す又は許さないのではなく、コントローラは、予想電流使用量に基づきこの決定を行うことができる。コントローラは、例えば、電力をあまり消費しない電力集中動作を実行するサブシステムであれば多数あっても動作を許すと決定するが、電力をより多く消費する電力集中動作を実行するサブシステムは僅かであっても例えば、1つの他のサブシステム動作を許さないと決定する。ステップ410において、コントローラが動作を許さないと決定すると、プロセス400は、ステップ412へ進み、電力集中動作の実行を待機させるためにコントローラからサブシステムへ信号が送られる。この信号は、専用の物理的ライン上の信号、適当なプロトコル又はインターフェイスを使用する適当なコマンド、等の適当な形態で与えられる。このように、サブシステムは、動作の実行を延期するよう命令され、そして更なる動作を停止するか、又はその間に他の非電力集中動作を実行する。これは、あまりに多くのサブシステムが電力集中動作を同時に実行しないようにするか、或いはシステム全体のピーク電流がある点を越えて増加しないように保証する。次いで、プロセス400は、ステップ410へ戻り、電力集中動作がコントローラにより許されるかどうか例えば、1つ以上のサブシステムが電力集中動作の実行を終了したかどうか再び決定する。ステップ410において、コントローラが電力集中動作を許すべきと決定すると、プロセス400は、ステップ414へ進む。ステップ414において、電力集中動作を実行するための許可がコントローラからサブシステムへ与えられる。この許可は、専用の物理的ライン上の信号、適当なプロトコル又はインターフェイスを使用する適当なコマンドとして、又は他の適当な解決策を使用して、与えられる。次いで、ステップ416において、サブシステムにより電力集中動作が実行される。サブシステムが電力集中動作の実行を終了すると、サブシステムは、ステップ418において、電力集中動作の完了をコントローラに指示する。この指示は、コントローラへの表現指示でもよく、又はコントローラは、サブシステムが動作の結果例えば、フラッシュメモリシステムの場合は、読み取り動作から生じるデータを与えるときに、電力集中動作の完了を推測することができる。このように、コントローラは、電力集中動作を実行するために別のサブシステムへ許可を与えることができる。次いで、プロセス400は、ステップ420で終了となる。図5は、システムの電力状態情報をサブシステムに与えることにより複数のサブシステム例えば、フラッシュダイ間で電力集中動作を管理するための例示的プロセス500のフローチャートである。このプロセス500は、ステップ502で開始する。ステップ504において、例えば、サブシステムを制御できるコントローラにより、電力集中動作を実行するサブシステムの数を決定する。例えば、上述した技術のいずれかを使用して、サブシステムは、各々、そのサブシステムが電力集中動作を開始又は終了するときにコントローラに信号するように構成される。このように、コントローラは、所与の時間に電力集中動作を実行するサブシステムの数を追跡することができる。次いで、ステップ506において、電力集中動作を実行するサブシステムの数の指示をコントローラから1つ以上のサブシステムへ送る。この指示は、システム内の全てのサブシステムへ、又は電力集中動作を実行する全てのサブシステムへ送られる。この指示は、適当な時間に送られるか、又は適当な刺激に応答して、例えば、サブシステムが電力集中動作の実行を開始しようとしているという指示をサブシステムから受け取るのに応答して、送られる。このようにして、サブシステムが電力集中動作を設定すると、サブシステムには、電力集中動作を実行しているサブシステムが他にもどれほどあるか通知される。プロセス500は、ステップ506へ続く。ステップ506において、電力集中動作を実行するサブシステムの数に基づきサブシステムで動作が実行される。多くの場合、動作を実行するときには、サブシステムは、速度と電力をトレードオフする即ち、サブシステムは、電力消費が増加することを犠牲にして高い速度で動作を実行するか、又はサブシステムは、動作の完了に長時間を要することを犠牲にして低い電力で動作を実行する。例えば、サブシステムは、計算を直列化するのではなく並列化することにより、又は高いレートで電荷ポンプをチャージすることにより、電力を犠牲にして速度を高めることができる。従って、ステップ506において、サブシステムは、それが電力集中動作を実行する唯一のサブシステムであるという指示を受け取ると、より高い/最も高い速度、より高い/最も高い電力のスキームを使用することができる。電力集中動作を実行するサブシステムの数が多いほど、特定のサブシステムが使用すると決定する電力が少なくなる。サブシステムが低速低電力スキームを使用すると決定しても、システムの全体的な速度が改善される。というのは、各サブシステムが高い電力モードで動作するときに可能であるよりも多くのサブシステムを同時に動作できるからである。プロセス500は、次いで、ステップ510で終了となる。図3-5のプロセス300、400、及び500は、単なる例示に過ぎないことを理解されたい。本発明の範囲から逸脱せずに、これらステップのいずれかを除去し、変更し、又は結合してもよく、そして付加的なステップを追加してもよい。本発明のここに述べる実施形態は、例示のために表現されたもので、これに限定されるものではない。