"未金属化のポリイミドフイルム単体の片面又は両面に銅導体を形成する無接着剤型二層フレキシブル配線板において、下記の工程、すなわち、ポリイミドフイルムの穴明け、ポリイミドフイルム表面の改質、金属触媒化、めっきレジスト膜形成、電気銅めっき、めっきレジスト膜剥離、金属触媒エッチングを順に行うことにより製造さることを特徴とするフレキシブル配線板。請求項1記載のフレキシブル配線板であって、ポリイミドフイルム表面及び穴明けした穴壁面を分子接着剤で改質することを特徴とするフレキシブル配線板。請求項2記載のフレキシブル配線板であって、前記分子接着剤による改質は、トリアジンチオール誘導体の電解重合膜の形成であることを特徴とするフレキシブル配線板。請求項1~3記載のフレキシブル配線板であって、前記金属触媒化において、銀鏡反応を用いて銀を析出させ、これを電気銅めっきの触媒とすることにより、化学銅めっき工程を省略することを特徴とするフレキシブル配線板。請求項4記載のフレキシブル配線板であって、前記析出銀を触媒として、電気銅めっきを行うことにより、導体の表裏面の粗度が30nm以下であることを特徴とするフレキシブル配線板。請求項4記載のフレキシブル配線板であって、前記析出銀を触媒として、電気銅めっきを行うことにより、導体の電気伝導度が59μSジーメンス/m以上であることを特徴とするフレキシブル配線板。請求項1~6のいずれか一項に記載のフレキシブル配線板であって、前記電気銅めっき後に、めっきレジスト膜が剥離され、金属触媒である銀を塩化第二鉄のエッチャントでクイックエッチングすることを特徴とするフレキシブル配線板。請求項1~6のいずれか一項に記載のフレキシブル配線板であって、導体パターン以外の部分に付着した金属触媒の銀を前記のクイックエッチングで除去することを特徴とするフレキシブル配線板。未金属化のポリイミドフイルム単体の表面に銅導体を有する無接着剤型二層フレキシブル配線板の製造方法であって、以下の工程、A.未金属化のポリイミドフイルム単体を準備する工程、B.前記ポリイミドフイルム単体にスルーホール用の穴明けを行う工程、C.前記ポリイミドフイルム単体のスルーホール面を含む表面を、トリアジンジチオール誘導体被膜処理により改質する工程、D.工程Cにより改質した前記ポリイミドフイルム単体の表面に銀鏡反応を用いて銀鏡被膜を形成する工程、E.工程Dの銀鏡被膜上にめっきレジスト膜をラミネートし、露光現像する工程、F.前記めっきレジスト膜を形成した前記ポリイミドフイルム単体に、工程Dによる析出銀を触媒として電気銅めっきを施す工程、G.前記電気銅めっきを施した前記ポリイミドフイルム単体から、前記めっきレジスト膜を剥離する工程、H.前記ポリイミドフイルム単体の導体パターン以外の部分に露出した析出銀をエッジングする工程を行うことを特徴とするフレキシブル配線板の製造方法。請求項9に記載の製造方法により製造されてなるフレキシブル配線板。そこで、本発明は、こうした課題を解決するためなされたものであり、シード層を必要とせず、簡素な工法で製造でき、高導電性、鏡面導体接着及び導体接着強度の信頼性の高いフレキシブル配線板の製造方法を提供することを主目的とする。本発明は,上述の目的を達成するため、以下の手段で対処した。本発明のフレキシブル配線板は、未金属化のポリイミドフイルム単体、又は、ポリテトラフルオロエチレンフイルム、ポリイミドベンゾオキサゾールフイルム等以下、ポリイミドフイルムとする。の片面又は両面に銅導体を形成する無接着剤型二層フレキシブル配線板において、下記の工程、すなわち、ポリイミドフイルムの穴明け、ポリイミドフイルム表面の改質、金属触媒化、めっきレジスト膜形成、電気銅めっき、めっきレジスト膜剥離、金属触媒エッチングを順に行うことにより製造されることを特徴とする請求項1。本発明のフレキシブル配線板は、ポリイミドフイルム表面及び穴明けした穴壁面を分子接着剤で改質することを特徴とする請求項2。本発明のフレキシブル配線板は、前記分子接着剤による改質が、トリアジンチオール誘導体の電解重合膜の形成であることを特徴とする請求項3。本発明のフレキシブル配線板は、前記金属触媒化において、銀鏡反応を用いて銀を析出させ、これを電気銅めっきの触媒とすることにより、化学銅めっき工程を省略することを特徴とする請求項4。本発明のフレキシブル配線板は、前記析出銀を触媒として、電気銅めっきを行うことにより、導体の表裏面の粗度が30nm以下であることを特徴とする請求項5。本発明のフレキシブル配線板は、前記析出銀を触媒として、電気銅めっきを行うことにより、導体の電気伝導度が59μSジーメンス/m以上であることを特徴とする請求項6。本発明のフレキシブル配線板は、前記電気銅めっき後に、めっきレジスト膜が剥離され、金属触媒である銀を塩化第二鉄のエッチャントでクイックエッチングすることを特徴とする請求項7。本発明のフレキシブル配線板は、導体パターン以外の部分に付着した金属触媒の銀を前記のクイックエッチングで除去することを特徴とする請求項8。本発明のフレキシブル配線板は、未金属化のポリイミドフイルム単体の表面に銅導体を有する無接着剤型二層フレキシブル配線板の製造方法であって、以下の工程、A.未金属化のポリイミドフイルム単体を準備する工程、B.前記ポリイミドフイルム単体にスルーホール用の穴明けを行う工程、C.前記ポリイミドフイルム単体のスルーホール面を含む表面を、トリアジンジチオール誘導体被膜処理により改質する工程、D.工程Cにより改質した前記ポリイミドフイルム単体の表面に銀鏡反応を用いて銀鏡被膜を形成する工程、E.工程Dの銀鏡被膜上にめっきレジスト膜をラミネートし、露光現像する工程、F.前記めっきレジスト膜を形成した前記ポリイミドフイルム単体に、工程Dによる析出銀を触媒として電気銅めっきを施す工程、G.前記電気銅めっきを施した前記ポリイミドフイルム単体から、前記めっきレジスト膜を剥離する工程、H.前記ポリイミドフイルム単体の導体パターン以外の部分に露出した析出銀をエッジングする工程を行うことを特徴とする請求項9。本発明のフレキシブル配線板は、前記工程A~Hによる製造方法により製造されてなることを特徴とする請求項10。本発明にかかるフレキシブル配線板は、ポリイミドフイルムと銅めっき被膜の接着力を確保するため、ポリイミドフイルム表面の改質処理を行う。図3に示すように、コロナ処理機を用い、ポリイミドフイルム表面の洗浄及び表面への水酸基の生成を行う。次に、分子接着剤を塗布し熱処理する。また、本発明は、電気銅めっきの前処理として、銀鏡反応を用いた銀鏡めっきにて金属触媒被膜を形成する。図4のように、塩化第一スズによる第一活性化処理及び硝酸銀水溶液による第二活性化処理を吹き付け法で行い、次に、銀アンモニア水溶液とホルマリン水溶液を二頭ガンで吹き付けて混合し、銀被膜を析出させる。さらに、本発明は、析出した銀被膜を金属触媒被膜とするため、直接の電気銅めっきが可能であり、化学銅めっき工程を省略することができる。さらに、本発明は、銀被膜を金属触媒とするため、めっきレジスト膜剥離後の銅エッチングにおいて、銅被膜と同時に銀被膜をエッチングで除去することができる。さらに、本発明は、プラズマ処理により、粗面化していないため、ポリイミドフイルム製造時の平滑な状態が維持でき、ミリ波以上の高周波に対応できる。さらに、本発明は、スパッタリング法によるニッケル-クローム合金のシード層を用いないため、銅以上の電気伝導度が確保でき、高周波の電気信号伝搬には最適である。電気伝導度単位μSジーメンス/mCu:59、Ag:61.4、Ni:14.5、Cr:7.5さらに、本発明は、ポリイミドフイルム表面の改質処理、銀鏡反応を用いた銀鏡めっきにて金属触媒被膜を形成することにより、耐熱性に優れたピール強度が確保できる。さらに、本発明は、ポリイミドフイルム単体を購入し、表面の改質処理、銀鏡反応を用いた銀鏡めっきにて金属触媒被膜を形成することにより、加工工程を簡素化でき、大幅なコストダウンが達成できる。以下、本発明を実施するための形態について、図面に沿って説明する。なお、以下に説明する実施形態及び図面は、本発明の実施形態の一部を例示するものであり、これらの構成に限定する目的に使用されるものではない。なお、各図において、対応する構成要素には同一又は類似の符号が付されている。<断面図による構造の説明>東レデュポン社製カプトン200EN50μmを用いる。次に、前記ポリイミドフイルムの両面を分子接着法によって表面改質を行う。本実施形態においては、表面改質としてトリアジンジチオール誘導体被膜処理を施している。種々のトリアジンジチオール誘導体を使用することができるが、好ましくは、分子接着剤として、分子中にジチオールトリアジニル基とトリエトキシシリル基を有する6-3-トリエトキシシリルプロピルアミノ-1,3,5-トリアジン-2,4-ジチオールモノソジウム塩TESを用いるとよい。表面改質を行うには、まず、有機溶媒で表面の脱脂を行う。有機溶媒としては金属表面の脱脂に用いられるケトン系溶媒、例えばアセトンなどが挙げられる。好ましくは、アサヒクリーナーNo.50上村工業株式会社製を用いるとよい。また、脱脂は超音波処理と併用して行なうことができる。最後に純水、メタノールで十分洗浄し、乾燥する。また、脱脂の工程として、還元処理を併用できる。還元処理は、脱脂処理されたポリイミドフイルムをヒドラジン水溶液に浸漬して行なうとよい。ヒドラジン濃度としては1~10重量が好ましく、浸漬時間は0.1~5分、浸漬温度は20~60°Cが好ましい。この前処理条件により次工程であるポリイミドフイルム表面への電解重合が容易となる。そして、純水、メタノールで十分洗浄し、乾燥する。表面改質を行うには、まず、表面の脱脂処理が不可欠である。脱脂処理としては有機溶剤やアルカリ性脱脂液中での浸漬処理及びこれらの溶液を噴霧処理するか、又はこれらの溶液中で超音波照射を行うことにより目的が達成される。有機溶剤としてはメタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、セルソルブ、カルビトールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、オクタデカンなどの脂肪族炭化水素、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、フタル酸メチルなどのエステル類、テトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル、アニソールなどのエーテル類とこれらの混合溶剤が有効である。アルカリ性脱脂液はアルカリ石鹸類及びノニオン系界面活性剤とアルカリ土類金属からなる。更に、大気圧コロナ放電処理、大気圧プラズマ処理及びUV照射処理なども有効である。次に重合工程として、上記前処理されたポリイミドフイルム表面にトリアジンジチオール誘導体の電解重合膜を形成する。電解液はトリアジンジチオール誘導体および支持電解質を純水に溶解して得られる。水溶液中の混合トリアジンジチオール誘導体濃度は、0.001~5重量、好ましくは0.01~1重量である。支持電解質としては、NaNO2、NaOH、LiOH、KOH、Na2CO3、Na2SO4、K2SO3、Na2SO3、K2CO3、KNO2、KNO3、NaClO4、CH3COONa、Na2B2O7、NaBO3、NaH2PO2、NaPO36、Na2MnO4、Na3SiO3等が挙げられる。本発明においては、水酸化ナトリウムNaOH、亜硝酸ナトリウムNaNO2および炭酸ナトリウムNa2CO3の少なくとも一つの化合物を含む支持電解質を用いることが好ましい。特に、後述する実施例で示すように、亜硝酸ナトリウムNaNO2を必須成分とする支持電解質が好ましい。すなわち、亜硝酸ナトリウムと水酸化ナトリウムとの混合電解質、または亜硝酸ナトリウムと炭酸ナトリウムとの混合電解質が好ましい。次に熱処理工程として、上記重合工程で得られた重合膜に熱処理を施す。熱処理は、トリアジンジチオール誘導体被膜の重合度を上げることにより、被膜強度を上げる処理である。熱処理条件としては、空気雰囲気中で温度が60~350°C、好ましくは、80~200°C、処理時間が5~600分、好ましくは、5~120分の条件である。熱処理と同時に紫外線処理などの放射線処理を併用できる。なお、重合膜に電着むらなどがある場合には、電解重合後で熱処理前に水洗、アルコール溶液で浸漬処理を行なうことが好ましい。アルコール溶液はアルコール単独、あるいはアクリル酸誘導体、マレイン酸誘導体を溶解したアルコール溶液を使用できる。アルコール溶液の具体例としてはアクリル酸-n-ヘキシルを10重量溶解したエタノール溶液、マレイン酸-n-ブチルを10重量溶解したエタノール溶液などが挙げられる。Pdフリー触媒として、銀ナノ粒子を用い、SnーPd触媒に匹敵する触媒能力とフイルムへの均質な高分散吸着させる方法が報告されている。SnII還元法により、調製したAgナノ粒子が無電解銅めっきの触媒として機能する。フイルム表面に、Agナノ粒子を吸着させるためには、長い疎水性を持つカチオン界面活性剤が有効である。また、さらに長い疎水性を持つカチオン性高分子電解質も有効であるとされている。しかし、これらの方法での吸着量は、数十nmであり、化学銅めっきで全面にわたり金属化しないと電気銅メッキできない。本発明では、フイルム表面に分子接着剤を反応させ、反応性固体表面を形成し、樹脂との接触により材料間を共有結合で結ぶことで、材料依存性、環境依存性が低く、環境負荷物質を使用せずして、改質した表面とし、この改質した表面に、銀鏡反応を用いた銀鏡めっきを行なう。この改質した表面に、第一活性液センシタイザーである塩化第一スズに塩酸を加えた活性化処理液を対象物に吹き付け、次に第二活性液硝酸銀水溶液、次に銀鏡めっき液である銀アンモニア水溶液と還元剤溶液を二頭ガンで吹き付けることにより銀皮膜を析出させる。第一活性液と第二活性液により、銀鏡反応の初期において、銀の析出が促進され、析出した銀粒子の触媒的働きにより、銀の還元反応が進み、厚さ50~200nmの銀が析出し皮膜を形成する。このように、フイルム表面に分子接着剤を反応させ、この改質した表面に、銀鏡反応を用いた銀鏡めっきを行なうことが特徴である。銀が析出する反応式は、である。この銀皮膜は、50~200nmと厚く、電気銅めっきの前工程である化学銅めっきが不要となり、銀皮膜上に直接、電気銅めっきを行なうことが可能になる。次に、セミアディティブ法で導体パターンを形成するため、ドライフイルムフォトレジストを銀皮膜上にラミネートする。デュポンMRCドライフイルム社製リストンドライフイルムフォトレジストJSF―12525μm1前処理酸洗浄2ラミネート3露光露光機:オーク製作所社製ORC-HMW-2015kW80~200mJ/cm2最適100~160mJ/cm24現像10炭酸ナトリウム水溶液、20~30°C最適30°C、現像時間15~22秒最適20秒5銅めっき硫酸浸漬1~2⇒硫酸銅めっき奥野製薬工業社製トップルチナLS初期1A⇒5分後2A/dm2に上昇電着応力が緩和できフレキシブル配線板に有効6剥離水酸化ナトリウム水溶液1~5最適3~4、温度40~60°C最適45~50°C、剥離時間30~35秒7銀皮膜エッチング塩化第二鉄水溶液又は硫酸過酸化水素98H2SO4:170ml/L35H2O2:150ml/LCuSO45H20:125g/Lの混合液ファインピッチ化に対応可能なセミアディティブ法では、シード層であるニッケル-クローム合金層に化学銅を析出させ、その表面に電気銅めっきで厚付けする。銅パターンエッチング後に、シード層を取り除くため、別の薬品で再度エッチングするが、完全な除去することが難しく、残査が絶縁低下を引き起こしている。シード層エッチングの薬液、工法の改善が行われているが、完璧な解決策は見出されていない。本発明の銀鏡めっきで形成した銀触媒は、前記のエッチング液で完全に除去することができ、絶縁性の確保ができる。実施例1~4および比較例によるフレキシブル配線板を作製した。表1に製造条件とピール強度を示す。"