"ランタン以外の希土類元素及びガス成分を除く純度が4N以上であるフッ化ランタンの原料を、蒸留カルシウムにより還元して純度4N以上のランタンを作製し、この還元したランタンを電子ビーム溶解して揮発性物質を除去することを特徴とするランタン以外の希土類元素及びガス成分を除き、4N以上の純度を有する高純度ランタンの製造方法。ガス成分を除く純度が4N以上であるフッ化ランタンの原料を、蒸留カルシウムにより還元して純度4N以上のランタンを作製し、この還元したランタンを電子ビーム溶解して揮発性物質を除去することを特徴とするガス成分を除き、4N以上の純度を有する高純度ランタンの製造方法。高純度ランタンの製造方法であって、Al、Fe、Cuのそれぞれを10wtppm以下とすることを特徴とする請求項1又は2記載の高純度ランタンの製造方法。高純度ランタンの製造方法であって、Al及びFeのそれぞれを5wtppm以下、Cuを1wtppm以下とすることを特徴とする請求項1又は2記載の高純度ランタンの製造方法。4N5以上の純度を有することを特徴とする請求項1又は2記載の高純度ランタンの製造方法。高純度ランタンの製造方法であって、Cを200wtppm以下とすることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の高純度ランタンの製造方法。ガス成分を、総量で1000wtppm以下とすることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の高純度ランタンの製造方法。高純度ランタンの製造方法であって、ランタン以外の希土類元素を、総量で10wtppm以下とすることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の高純度ランタンの製造方法。高純度ランタンであって、ランタン以外の希土類元素及びガス成分を除く純度が4N以上であり、Al、Fe、Cuのそれぞれが10wtppm以下であることを特徴とする高純度ランタン。高純度ランタンであって、ガス成分を除いた純度が4N5以上であり、Al及びFeがそれぞれ5wtppm以下、Cuが1wtppm以下であることを特徴とする請求項9記載の高純度ランタン。高純度ランタンであって、Cが200wtppm以下であることを特徴とする請求項9~10のいずれか一項に記載の高純度ランタン。ガス成分が、総量で1000wtppm以下であることを特徴とする請求項9~11のいずれか一項に記載の高純度ランタン。高純度ランタンであって、ランタン以外の希土類元素が、総量で10wtppm以下であることを特徴とする請求項9~12のいずれか一項に記載の高純度ランタン。請求項9~13のいずれか一項に記載の高純度ランタンを用いて作製したスパッタリングターゲット。請求項14のスパッタリングターゲットを用いて成膜したメタルゲート膜。請求項15記載のメタルゲート膜を備えた半導体素子及びデバイス。本発明は、高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、この高純度ランタンを用いて作製したスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットを使用して成膜したメタルゲート膜並びに該メタルゲート膜を備える半導体素子及びデバイスを、安定して提供できる技術を提供することを課題とする。本願発明は、1ランタン以外の希土類元素及びガス成分を除く純度が4N以上であるフッ化ランタンの原料を、蒸留カルシウムにより還元して純度4N以上のランタンを作製し、この還元したランタンを電子ビーム溶解して揮発性物質を除去することを特徴とするランタン以外の希土類元素及びガス成分を除き、4N以上の純度を有する高純度ランタンの製造方法、を提供する。また、本願発明は、2ガス成分を除く純度が4N以上であるフッ化ランタンの原料を、蒸留カルシウムにより還元して純度4N以上のランタンを作製し、この還元したランタンを電子ビーム溶解して揮発性物質を除去することを特徴とするガス成分を除き、4N以上の純度を有する高純度ランタンの製造方法、を提供する。また、本願発明は、3高純度ランタンの製造方法であって、Al、Fe、Cuのそれぞれを10wtppm以下とすることを特徴とする上記1又は2記載の高純度ランタンの製造方法、4高純度ランタンの製造方法であって、Al及びFeのそれぞれを5wtppm以下、Cuを1wtppm以下とすることを特徴とする請求項1又は2記載の高純度ランタンの製造方法、を提供する。また、本願発明は、54N5以上の純度を有することを特徴とする上記1又は2記載の高純度ランタンの製造方法、6高純度ランタンの製造方法であって、Cを200wtppm以下とすることを特徴とする上記1~5のいずれか一項に記載の高純度ランタンの製造方法、7ガス成分を、総量で1000wtppm以下とすることを特徴とする上記1~6のいずれか一項に記載の高純度ランタンの製造方法、8高純度ランタンの製造方法であって、ランタン以外の希土類元素を、総量で10wtppm以下とすることを特徴とする上記1~7のいずれか一項に記載の高純度ランタンの製造方法、を提供する。また、本願発明は、9高純度ランタンであって、ランタン以外の希土類元素及びガス成分を除く純度が4N以上であり、Al、Fe、Cuのそれぞれが10wtppm以下であることを特徴とする高純度ランタン、を提供する。また、本願発明は、10高純度ランタンであって、ガス成分を除いた純度が4N5以上であり、Al及びFeがそれぞれ5wtppm以下、Cuが1wtppm以下であることを特徴とする上記9記載の高純度ランタン、11高純度ランタンであって、Cが200wtppm以下であることを特徴とする上記9~10のいずれか一項に記載の高純度ランタン、12ガス成分が、総量で1000wtppm以下であることを特徴とする上記9~11のいずれか一項に記載の高純度ランタン、13高純度ランタンであって、ランタン以外の希土類元素が、総量で10wtppm以下であることを特徴とする上記9~12のいずれか一項に記載の高純度ランタン、を提供する。また、本願発明は、14上記9~13のいずれか一項に記載の高純度ランタンを用いて作製したスパッタリングターゲット、15上記14のスパッタリングターゲットを用いて成膜したメタルゲート膜、16上記15記載のメタルゲート膜を備えた半導体素子及びデバイス、を提供する。以上の高純度ランタンは、いずれも新規な物質であり、本願発明はこれを包含するものである。MOSFETにおけるゲート絶縁膜として利用する場合に、形成するのは主としてLaOx膜であるが、このような膜を形成する場合には、任意の膜を形成するという、膜形成の自由度を増すために、純度の高いランタン金属が必要となる。本願発明は、これに適合する材料を提供することができる。ランタンに含有される希土類元素には、ランタンLa以外に、Sc,Y,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luがあるが、特性が似ているために、Laから分離精製することが難しい。特に、CeはLaと近似しているので、Ceの低減化は容易ではない。一般に、ある程度の希土類元素の含有は許容される。しかし、ランタン元素の特性を活かすためには、希土類元素の含有量が100wtppm以下、さらには10wtppm以下とするのが良い。本願発明は、それを実現できる。本願発明は、主としてランタン以外の希土類元素とガス成分を除いた純度を4N以上とすることを中心的な課題とし、それを解決するものである。そして、ランタン中のアルミニウムAl、鉄Fe及び銅Cuを、それぞれ10wtppm以下の高純度ランタンを得ることを目途とする。一般に、ガス成分として、C、N、O、S、Hが存在する。これらは単独の元素として存在する場合もあるが、化合物CO、CO2、SO2等又は構成元素との化合物の形態で存在することもある。これらのガス成分元素は原子量及び原子半径が小さいので、多量に含有されない限り、不純物として存在しても、材料の特性に大きく影響を与えることは少ない。したがって、純度表示をする場合には、ガス成分を除く純度とするのが普通である。この意味で、本願発明のランタンの純度は、ガス成分を除くものとする。しかし、多量のガス成分の存在は好ましくないので、後述するように、酸素、窒素、水素等の、ガス成分の総量を1000wtppm以下とすることが良い。本願発明の前提となるのは、4Nレベル以上、さらには4N5以上の高純度ランタンを製造することである。本願発明は、上記の高純度ランタンを用いて製造したスパッタリングターゲット、該スパッタリングターゲットを用いて成膜したメタルゲート膜及び上記メタルゲート膜を備える半導体素子及びデバイスを提供できる。MOSFETにおけるゲート絶縁膜として利用する場合には、上記の通り、形成するのは主としてLaOx膜である。このような膜を形成する場合において、任意の膜を形成するという、膜形成の自由度を増すために、純度の高いランタン金属が必要となる。本願発明は、これに適合する材料を提供することができる。したがって、本願発明の高純度ランタンは、ターゲットの作製時において、他の物質との任意の組み合わせを包含するものである。上記により得た高純度ランタンは、真空中で電子ビームEB溶解し、これを凝固させてインゴットとする。電子ビーム溶解により、ガス成分を大きく低減することができ、炭素、酸素、窒素、硫黄、水素等の、ガス成分の総量を1000wtppm以下とすることが可能である。また、この電子ビーム溶解の際にガス成分が除去されるが、Ca還元の際に残留した数~数十ppmのCaがガス成分と反応し、Caも同時に除去される。このようにして製造したインゴットは、さらに所定サイズに裁断し、研磨工程を経てスパッタリングターゲットにすることができる。これによって、ランタン以外の希土類元素とガス成分を除いた純度が4N以上であり、Al、Fe、Cuがそれぞれ10wtppm以下である高純度ランタンターゲットを製造することができる。さらに、上記のターゲットを使用してスパッタリングすることにより、同成分のメタルゲート膜を得ることができる。これらのスパッタリングターゲット、メタルゲート膜、さらにこれらを用いた半導体素子及びデバイスは、いずれも新規な物質であり、本願発明はこれを包含するものである。本発明は、高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、この高純度ランタンを用いて作製したスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットを使用して成膜したメタルゲート膜並びに該メタルゲート膜を備える半導体素子及びデバイスを、安定して提供できるという優れた効果を有する。本発明は、高純度化用のランタン原料として、ランタン以外の希土類元素とガス成分を除く純度で、純度4N以上のフッ化ランタンの原料を使用することができる。これらの原料は、主な不純物として、Li、Na、K、Ca、Mg、Al、Si、Ti、Fe、Cr、Ni、Mn、Mo、Ce、Pr、Nd、Sm、Ta、W、ガス成分N、O、C、H等が含有されている。市販のフッ化ランタン原料は、純度4N以上で、通常の不純物は少ないと言えるが、ガス成分が多量に含まれているので、そのままで使用することはできない。ランタンに含まれるアルミニウムAl及び銅Cuは、半導体において基板やソース、ドレイン等の合金材料に用いられることが多く、ゲート材料中に少量でも含まれると誤作動の原因になる。また、ランタンに含まれる鉄Feは、酸化しやすいため、ターゲットとして用いた場合のスパッタ不良の原因となる、さらに、ターゲット中で酸化していなくてもスパッタされた後に酸化すると、体積が膨張するため絶縁不良等の不具合を起こしやすく動作不良の原因となるという理由により、特に問題となるので、これを低減する必要がある。また、ランタン原料として、フッ化ランタンを用いてカルシウム還元するが、この還元材となるカルシウムに、Fe、Al、Cuが不純物として混入しているので、カルシウム還元材からの不純物が混入する可能性がある。このため、Cuが20ppm未満、さらにはCuが2ppm未満である蒸留カルシウムを使用して還元する。表1に、市販Caと蒸留Ca蒸留1回、蒸留2回の分析値の対比を示す。この表1の市販Caでは、Cuが95wtppmと高く、この市販Caを使用した場合には、Cuの混入のリスクが高くなる。カルシウム還元還元の際に使用する溶解るつぼは、タンタルTa製るつぼを使用する。このタンタル製るつぼ内に、粉状のLaF3と塊状Caを混合して投入する。通常、還元材であるCaは、計算量よりも10程度過剰に添加する。還元装置内に配置したタンタル製るつぼ内の充填物を、ゆっくりと600°Cまで加熱し、この間還元装置内を真空に引き、充填物の脱ガスを行う。その後、精製したアルゴンガスを送入して0.5気圧とする。さらに加熱を行うが、充填物は800°C~1000°Cに加熱すると、反応が開始される。反応式は、2LaF33Ca→2La3CaF2である。この反応は発熱反応なので、迅速に完了する。精製金属とスラグの分離を良くするためには、La金属の融点よりも50°C程度高い温度に数分間保持することで良い。金属Laの収率は97程度に達する。主な不純物は、未反応の還元材とスラグである。なお、るつぼ材であるTaが不純物として混入する可能性があるので、還元反応はできるだけ低い温度で実施するのが望ましい。このように金属Laを得る。電子ビーム溶解上記に得られたランタン成型体の電子ビーム溶解に際しては、低出力の電子ビームを、炉中のランタン溶解原料に広範囲に照射することにより行う。通常、9kW~32kWで行う。この電子ビーム溶解は、数回2~4回繰り返すことができる。電子ビーム溶解の回数を増やすと、Ca、Mg,Mn,Pb等の高蒸気圧元素の除去がより向上する。さらに酸素、窒素、水素等のガス成分も大きく低減でき、総量で1000wtppm以下とすることができる。また、この電子ビーム溶解の際に、上記の通りガス成分が除去されるが、Ca還元の際に残留した数~数ppmのCaがガス成分と反応し、Caも同時に除去される。電子ビームの出力を増加させると、残留酸素がCと反応し、ランタンに混入するカーボンをCO又はCO2ガスとして除去がより向上する効果がある。但し、出力を上げすぎると、炉中のLaと触れる部分が水冷Cu製であるため、Cuの汚染の可能性があるので、一定レベルに留める必要がある。上記において、高純度ランタンから希土類元素を除外するのは、高純度ランタンの製造の際に、他の希土類自体がランタンと化学的特性が似ているために、除去することが技術的に非常に難しいということ、さらにこの特性の近似性からして、不純物として混入していても、大きな特性の異変にはならないということからである。このような事情から、ある程度、他の希土類の混入は黙認されるが、ランタン自体の特性を向上させようとする場合は、少ないことが望ましいことは、言うまでもない。本願発明では、ランタン以外の希土類元素の合計を10wtppm以下とすることができる。これは本願発明の著しい特徴の一つである。また、ガス成分を除いた純度を4N以上、さらには4N5以上とするのは、ガス成分は除去が難しく、これをカウントすると純度の向上の目安とならないからである。また、一般に他の不純物元素に比べ多少の存在は無害である場合が多いからである。ゲート絶縁膜又はメタルゲート用薄膜等の電子材料の薄膜を形成する場合には、その多くはスパッタリングによって行われ、薄膜の形成手段として優れた方法である。したがって、上記のランタンインゴットを用いて、高純度ランタンスパッタリングターゲットを製造することは有効である。ターゲットの製造は、鍛造圧延切削仕上げ加工研磨等の、通常の加工により製造することができる。特に、その製造工程に制限はなく、任意に選択することができる。以上から、ランタン以外の希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であり、Al、Fe、Cuがそれぞれ10wtppm以下ある高純度ランタンを得ることができる。また、ガス成分を除いた純度が4N5以上であり、Cを200wtppm以下、Al及びFeをそれぞれ5wtppm以下、Cuを1wtppm以下の高純度ランタンインゴットを得ることができる。なお、上記炭素Cについてはガス成分ではあるが、Cのガス成分を200wtppm以下に限定することにより、ランタンの特性をより向上させることを意味するものである。ターゲットの製作に際しては、上記高純度ランタンインゴットを所定サイズに切断し、これを切削及び研磨して作製する。さらに、この高純度ターゲットを用いてスパッタリングすることにより高純度ランタンを基板上に成膜することができる。これによって、ランタン以外の希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であり、Al、Fe、Cuがそれぞれ10wtppm以下である高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜を、さらにはガス成分を除いた純度が4N5以上であり、Cが200wtppm以下、アルミニウムAl、及び鉄Feが、それぞれ5wtppm以下であり、銅Cuが、1wtppm以下であり、およびランタン以外の希土類元素の合計が10wtppm以下である高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜を基板上に形成できる。基板上の膜はターゲットの組成が反映され、高純度のランタン膜を形成できる。メタルゲート膜としての使用は、上記高純度ランタンの組成そのものとして使用することができるが、他のゲート材と混合又は合金若しくは化合物としても形成可能である。この場合は、他のゲート材のターゲットとの同時スパッタ又はモザイクターゲットを使用してスパッタすることにより達成できる。本願発明はこれらを包含するものである。不純物の含有量は、原材料に含まれる不純物量によって変動するが、上記の方法を採用することにより、それぞれの不純物を上記数値の範囲に調節が可能である。本願発明は、上記によって得られた高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート用薄膜を効率的かつ安定して提供できる技術を提供するものである。次に、実施例及び比較例について説明する。なお、これらの実施例及び比較例は理解を容易にするためのものであり、本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内における、他の実施例及び変形は、本発明に含まれるものである。実施例1処理するランタンの原料として、純度4Nのフッ化ランタンの原料を用いた。金属ランタンは、最近注目されている材料であるが、金属ランタンの市販品は純度が低く、かつ品位が一定しないという問題がある。一方、フッ化ランタンについては、市販品でも高純度の材料を得ることが可能である。しかし、このフッ化ランタンそのままでは使用できないので、この純度4Nのフッ化ランタン原料を使用し、効率的にかつ安定して高純度の金属ランタンを製造することが、必要かつ重要となる。フッ化ランタン原料の分析値を表2に示す。この中で、多く含まれる不純物としては、次の元素を挙げることができる。Na:33wtppm、Al:3.5wtppm、Si:8.5wtppm、S:63wtppm、Cl:17wtppm、Cu:1.4wtppm、Zn:5.1wtppm、C:61wtppm、N:200wtppm、O:5600wtppm、H:1200wtppmであり、多くのガス成分を含有する。一方、希土類元素については、Ce:63wtppm、Pr:14wtppm、Nd:9.2wtppm:、Sm:<0.1wtppmなどであり、不純物は比較的多い。原料のカルシウム還元還元の際に使用する溶解るつぼは、φ250×H400のタンタルTa製るつぼを使用した。このタンタル製るつぼ内に、粉状のLaF3:14.1kgと塊状Ca:6kgを混合して投入した。還元材であるCaは、前記表1に示す分析値の蒸留を1回を行ったCaを使用し、計算量よりも10程度、過剰に添加した。還元装置内に配置したタンタル製るつぼ内の充填物を、ゆっくりと600°Cまで加熱し、この間還元装置内を真空に引き、充填物の脱ガスを行った。その後、精製したアルゴンガスを送入して0.5気圧とした。さらに加熱温度を上昇させた。充填物は800°C~1000°Cに加熱すると、反応を開始した。反応式は、2LaF33Ca→2La3CaF2である。この反応は発熱反応であり迅速に完了した。精製金属とスラグの分離を良くするためには、La金属の融点よりも50°C程度高い温度に保持した。なお、Laの融点は950°Cなので、50°C、すなわち1000°Cになるように加熱温度を調節した。このようにして金属Laを得る。金属Laの分析値を表3に示す。この表3に示すように、Al:8.1wtppm、Si:4.4wtppm、Ca:3.9wtppm、Fe:8.3wtppm、Cu:4.3wtppm、Mo<0.05wtppm、Ta<5wtppm、W:0.12wtppm、C:100wtppm、N:93wtppm、O:1400wtppm、S<10wtppm、H:12wtppmとなった。Ca還元による結果ではあるが、Caが多く、また酸素O含有量も高かった。電子ビーム溶解次に、上記に得られたランタン成型体を電子ビーム溶解した。低出力の電子ビームを、炉中のランタン溶解原料に広範囲に照射することにより行う。真空度6.0×10-5~7.0×10-4mbar、溶解出力32kWで照射を行った。この電子ビーム溶解は、2回繰り返した。それぞれの溶解時間は、30分である。これによってEB溶解インゴットを作成した。電子ビーム溶解時に、揮発性の高い物質は揮散除去が可能となった。以上によって、高純度ランタンを製造することができた。この電子ビーム溶解後の高純度ランタンの分析値を表4に示す。この表4に示すように、Li<0.005wtppm、Na<0.05wtppm、Al:2.4wtppm、Si:0.55wtppm、Ca:1.9wtppm、Fe:3.5wtppm、Cu:5.8wtppm、Zn<0.05wtppm、Mo<0.05wtppm、Ta<5wtppm、W:0.09wtppm、C:110wtppm、N:100wtppm、O:440wtppm、S<10wtppm、H:10wtppmであり、いずれも本願発明の条件を満たしていた。また、カルシウム還元した際に低減ができなかった酸素及びCaも、大きく低減が可能となった。なお、ランタン以外の希土類元素が100wtppmを超える場合において、本実施例の精製工程は希土類元素に直接影響を与えることはないので、電子ビーム溶解後のランタンは同様にランタン以外の希土類元素が100wtppmを超えることになる。用途によっては、ランタン以外の希土類元素の含有が、特に問題とならない場合があるので、本願発明は、ランタン以外の希土類元素及びガス成分を除く純度が4N以上である高純度ランタンを製造する条件を、全て包含することは容易に理解されるべきものである。このようにして得たランタンインゴットを、必要に応じてホットプレスを行い、さらに機械加工し、研磨してφ140×14tの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は1.42kgであった。これをさらにバッキングプレートに接合して、スパッタリング用ターゲットとする。これによって、上記成分組成の高純度ランタンスパッタリング用ターゲットを得ることができた。なお、このターゲットは、酸化性が高いので、真空パックして保存又は運搬することが好ましいと言える。比較例1処理するランタンの原料として、前記表5に示す純度が2N5~3Nレベルの市販品を用いた。本比較例1で使用した市販品のランタンは、120mm角×30mmtの板状物からなる。1枚の重量は、2.0kg~3.3kgであり、これを12枚、合計で24kgの原料を使用した。これらの板状のランタン原料は非常に酸化され易い物質のため、アルミニウムで真空パックされていた。この表5に示す主な不純物を挙げると、Li:1200wtppm、Na:4.3wtppm、Mg:33wtppm、Al:120wtppm、Si:160wtppm、S:50wtppm、Ti:5.7wtppm、Cr:21wtppm、Mn:36wtppm、Fe:330wtppm、Cu:17wtppm、Zr:0.31wtppm、C:920wtppm、N<10wtppm、O:540wtppm、S<10wtppm、H:26wtppmであった。次に、EB溶解炉を用い、真空度7.0×10-5~3.5×10-5mbar、溶解出力32kWで溶解し、鋳造速度45kg/hでインゴットを作製した。電子ビーム溶解時に、揮発性の高い物質は揮散除去された。以上によって、高純度ランタンインゴット22.54kgを製造することができた。このようにして得た高純度ランタンの分析値を表6に示す。表6に示すように、電子ビーム溶解後のランタン中の不純物元素の主なものは、次の通りである。Li:12wtppm、Na:0.86wtppm、Mg:2.7wtppm、Al:72wtppm、Si:29wtppm、S:30wtppm、Ti:1.9wtppm、Cr:4.2wtppm、Mn:6.4wtppm、Fe:130wtppm、Cu:9.2wtppm、Zr:0.22wtppm、C:1100wtppm、N<10wtppm、O:680wtppm、S:13wtppm、H:23wtppmであった。以上から明らかなように、Al、Feの低減化はできず、またガス成分の低減化も十分でなかった。全体的に、前記実施例に比べて不純物量は多く、本願発明の目的を達成することができなかった。実施例2処理するランタンの原料として、純度4Nのフッ化ランタンの原料を用いた。金属ランタンは、最近注目されている材料であるが、金属ランタンの市販品は純度が低く、かつ品位が一定しないという問題がある。一方、フッ化ランタンについては、市販品でも高純度の材料を得ることが可能である。しかし、このフッ化ランタンそのままでは使用できないので、この純度4Nのフッ化ランタン原料を使用し、効率的にかつ安定して高純度の金属ランタンを製造することが、必要かつ重要となる。フッ化ランタン原料の分析値を表7に示す。この中で、主な不純物としては、次の元素が挙げることができる。Na:33wtppm、Al:3.5wtppm、Si:8.5wtppm、S:63wtppm、Cl:17wtppm、Cu:1.4wtppm、Zn:5.1wtppm、C:61wtppm、N:200wtppm、O:5600wtppm、H:1200wtppmであり、多くのガス成分を含有する。一方、希土類元素については、Ce:63wtppm、Pr:14wtppm、Nd:9.2wtppm:、Sm:<0.1wtppmなどであり、不純物は比較的多い。原料のカルシウム還元還元の際に使用する溶解るつぼは、φ250×H400のタンタルTa製るつぼを使用した。このタンタル製るつぼ内に、粉状のLaF3:14.1kgと塊状Ca:6kgを混合して投入した。還元材であるCaは、表1に示す分析値の蒸留を2回行ったCaを使用し、計算量よりも10程度過剰に添加した。還元装置内に配置したタンタル製るつぼ内の充填物を、ゆっくりと600°Cまで加熱し、この間還元装置内を真空に引き、充填物の脱ガスを行った。その後、精製したアルゴンガスを送入して0.5気圧とした。さらに加熱温度を上昇させた。充填物は800°C~1000°Cに加熱すると、反応を開始した。反応式は、2LaF33Ca→2La3CaF2である。この反応は発熱反応であり迅速に完了した。精製金属とスラグの分離を良くするためには、La金属の融点よりも50°C程度高い温度に保持した。なお、Laの融点は950°Cなので、50°C、すなわち1000°Cになるように加熱温度を調節した。このようにして金属Laを得ることができる。カルシウム還元した金属Laの分析値を表8に示す。この表8に示すように、Al:1.9wtppm、Si:0.55wtppm、Ca:5.2wtppm、Fe:0.69wtppm、Cu<0.05wtppm、Mo<0.05wtppm、Ta<5wtppm、W:0.09wtppm、C:120wtppm、N:90wtppm、O:290wtppm、S<10wtppm、H:5.9wtppmとなった。このように、Ca還元による結果ではあるが、Caが多く含有されるという問題がある。電子ビーム溶解次に、上記に得られたランタン成型体を電子ビーム溶解した。低出力の電子ビームを、炉中のランタン溶解原料に広範囲に照射することにより行う。真空度6.0×10-5~7.0×10-4mbar、溶解出力32kWで照射を行った。この電子ビーム溶解は、2回繰り返した。それぞれの溶解時間は、30分である。これによってEB溶解インゴットを作成した。電子ビーム溶解時に、揮発性の高い物質は揮散除去が可能となった。以上によって、高純度ランタンを製造することができた。この電子ビーム溶解後の高純度ランタンの分析値を表9に示す。この表9に示すように、Li<0.005wtppm、Na<0.05wtppm、Al:1.5wtppm、Si:0.42wtppm、S:4.9wtppm、Ca:0.16wtppm、Fe:0.65wtppm、Cu<0.05wtppm、Zn<0.05wtppm、Mo<0.05wtppm、Ta<5wtppm、W<0.05wtppm、C:140wtppm、N:50wtppm、O:150wtppm、S<10wtppm、H:22wtppmであり、蒸留を2回行ったCaを使用することにより、さらにこの純度を向上させ、いずれも本願発明の条件を満たしていた。また、カルシウム還元した際に低減ができなかった酸素及びCaも、大きく低減が可能となった。このようにして得たランタンインゴットを、必要に応じてホットプレスを行い、さらに機械加工し、研磨してφ140×14tの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は1.42kgであった。これをさらにバッキングプレートに接合して、スパッタリング用ターゲットとする。これによって、上記成分組成の高純度ランタンスパッタリング用ターゲットを得ることができた。なお、このターゲットは、酸化性が高いので、真空パックして保存又は運搬することが好ましいと言える。実施例3処理するランタンの原料として、希土類込みの純度4Nのフッ化ランタンの原料を用いた。金属ランタンは、最近注目されている材料であるが、金属ランタンの市販品は純度が低く、かつ品位が一定しないという問題がある。一方、フッ化ランタンについては、市販品でも高純度の材料を得ることが可能である。しかし、このフッ化ランタンそのままでは使用できないので、この純度4Nのフッ化ランタン原料を使用し、効率的にかつ安定して高純度の金属ランタンを製造することが、必要かつ重要となる。フッ化ランタン原料の分析値を、表10に示す。この中で、多く含まれる不純物としては、次の元素を挙げることができる。Na:0.2wtppm、Al<0.05wtppm、Si:0.94wtppm、Cl:12wtppm、Cu<0.05wtppm、Zn<0.1wtppm、C:180wtppm、N:70wtppm、O:5200wtppm、H:540wtppmであり、多くのガス成分を含有する。一方、希土類元素については、Ce:1.1wtppm、Pr<0.1wtppm、Nd:0.24wtppm:、Sm:0.17wtppmなどであり、不純物は多くない。このように希土類元素が低い原料を用いた場合には、希土類但し、ランタンを除くを含めて純度4Nとすることができる。原料のカルシウム還元還元の際に使用する溶解るつぼは、φ250×H400のタンタルTa製るつぼを使用した。このタンタル製るつぼ内に、粉状のLaF3:14.1kgと塊状Ca:6kgを混合して投入した。還元材であるCaは、表1に示す分析値の蒸留を1回行ったCaを使用し、計算量よりも10程度、過剰に添加した。還元装置内に配置したタンタル製るつぼ内の充填物を、ゆっくりと600°Cまで加熱し、この間還元装置内を真空に引き、充填物の脱ガスを行った。その後、精製したアルゴンガスを送入して0.5気圧とした。さらに加熱温度を上昇させた。充填物は800°C~1000°Cに加熱すると、反応を開始した。反応式は、2LaF33Ca→2La3CaF2である。この反応は発熱反応であり迅速に完了した。精製金属とスラグの分離を良くするためには、La金属の融点よりも50°C程度高い温度に保持した。なお、Laの融点は950°Cなので、50°C、すなわち1000°Cになるように加熱温度を調節した。このようにして金属Laを得る。金属Laの分析値を表11に示す。この表11に示すように、Al:8.1wtppm、Si:4.5wtppm、Ca:9.9wtppm、Fe:9.2wtppm、Cu:4.3wtppm、Mo<0.05wtppm、Ta<5wtppm、W:0.12wtppm、C:100wtppm、N:93wtppm、O:400wtppm、S<10wtppm、H:12wtppmとなった。Ca還元による結果ではあるが、Caが多く、また酸素O含有量も高かった。電子ビーム溶解次に、上記に得られたランタン成型体を電子ビーム溶解した。低出力の電子ビームを、炉中のランタン溶解原料に広範囲に照射することにより行う。真空度6.0×10-5~7.0×10-4mbar、溶解出力32kWで照射を行った。この電子ビーム溶解は、2回繰り返した。それぞれの溶解時間は、30分である。これによってEB溶解インゴットを作成した。電子ビーム溶解時に、揮発性の高い物質は揮散除去が可能となった。以上によって、高純度ランタンを製造することができた。この電子ビーム溶解後の高純度ランタンの分析値を表12に示す。この表12に示すように、Li<0.005wtppm、Na<0.05wtppm、Al:7.5wtppm、Si:5.5wtppm、Ca:1.9wtppm、Fe:8.4wtppm、Cu:5.8wtppm、Zn<0.05wtppm、Mo<0.05wtppm、Ta<5wtppm、W:0.09wtppm、C:110wtppm、N:100wtppm、O:240wtppm、S<10wtppm、H:10wtppmであり、高純度フッ化ランタンを使用することにより、さらにこの純度を向上させ、いずれも本願発明の条件を満たしていた。また、カルシウム還元した際に低減ができなかった酸素及びCaも、大きく低減が可能となった。本実施例においては、原料の選定において、ランタン以外の希土類元素が10wtppm以下の高純度フッ化ランタンを使用したので、電子ビーム溶解後のランタンも、同様に10wtppm以下とすることが可能となった。このようにして得たランタンインゴットを、必要に応じてホットプレスを行い、さらに機械加工し、研磨してφ140×14tの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は1.42kgであった。これをさらにバッキングプレートに接合して、スパッタリング用ターゲットとする。これによって、上記成分組成の高純度ランタンスパッタリング用ターゲットを得ることができた。なお、このターゲットは、酸化性が高いので、真空パックして保存又は運搬することが好ましいと言える。実施例4処理するランタンの原料として、純度4Nのフッ化ランタンの原料を用いた。金属ランタンは、最近注目されている材料であるが、金属ランタンの市販品は純度が低く、かつ品位が一定しないという問題がある。一方、フッ化ランタンについては、市販品でも高純度の材料を得ることが可能である。しかし、このフッ化ランタンそのままでは使用できないので、この純度4Nのフッ化ランタン原料を使用し、効率的にかつ安定して高純度の金属ランタンを製造することが、必要かつ重要となる。フッ化ランタン原料の分析値を、表13に示す。この中で、多く含まれる不純物としては、次の元素を挙げることができる。Na:0.2wtppm、Al<0.05wtppm、Si:0.94wtppm、Cl:12wtppm、Cu<0.05wtppm、Zn<0.1wtppm、C:180wtppm、N:70wtppm、O:5200wtppm、H:540wtppmであり、多くのガス成分を含有する。一方、希土類元素については、Ce:1.1wtppm、Pr<0.1wtppm、Nd:0.24wtppm:、Sm:0.17wtppmなどであり、不純物は多くない。このように希土類元素が低い原料を用いた場合には、希土類但し、ランタンを除くを含めて純度4Nとすることができる。原料のカルシウム還元還元の際に使用する溶解るつぼは、φ250×H400のタンタルTa製るつぼを使用した。このタンタル製るつぼ内に、粉状のLaF3:14.1kgと塊状Ca:6kgを混合して投入した。還元材であるCaは、表1に示す分析値の蒸留を2回行ったCaを使用し、計算量よりも10程度、過剰に添加した。還元装置内に配置したタンタル製るつぼ内の充填物を、ゆっくりと600°Cまで加熱し、この間還元装置内を真空に引き、充填物の脱ガスを行った。その後、精製したアルゴンガスを送入して0.5気圧とした。さらに加熱温度を上昇させた。充填物は800°C~1000°Cに加熱すると、反応を開始した。反応式は、2LaF33Ca→2La3CaF2である。この反応は発熱反応であり迅速に完了した。精製金属とスラグの分離を良くするためには、La金属の融点よりも50°C程度高い温度に保持した。なお、Laの融点は950°Cなので、50°C、すなわち1000°Cになるように加熱温度を調節した。このようにして金属Laを得る。金属Laの分析値を表14に示す。この表14に示すように、Al:0.82wtppm、Si:0.47wtppm、Ca:2.1wtppm、Fe:1.3wtppm、Cu<0.05wtppm、Mo<0.05wtppm、Ta<5wtppm、W<0.05wtppm、C:120wtppm、N:90wtppm、O:260wtppm、S<10wtppm、H:16wtppmとなった。Ca還元による結果ではあるが、Caが多く、また酸素O含有量も高かった。電子ビーム溶解次に、上記に得られたランタン成型体を電子ビーム溶解した。低出力の電子ビームを、炉中のランタン溶解原料に広範囲に照射することにより行う。真空度6.0×10-5~7.0×10-4mbar、溶解出力32kWで照射を行った。この電子ビーム溶解は、2回繰り返した。それぞれの溶解時間は、30分である。これによってEB溶解インゴットを作成した。電子ビーム溶解時に、揮発性の高い物質は揮散除去が可能となった。以上によって、高純度ランタンを製造することができた。この電子ビーム溶解後の高純度ランタンの分析値を表15に示す。この表15に示すように、Li<0.005wtppm、Na<0.05wtppm、Al:0.75wtppm、Si:0.36wtppm、Ca:0.41wtppm、Fe:0.71wtppm、Cu:0.24wtppm、Zn<0.05wtppm、Mo<0.05wtppm、Ta<5wtppm、W<0.05wtppm、C:110wtppm、N:80wtppm、O:150wtppm、S<10wtppm、H:9.4wtppmであり、高純度フッ化ランタンを使用することにより、さらにこの純度を向上させ、いずれも本願発明の条件を満たしていた。また、カルシウム還元した際に低減ができなかった酸素及びCaも、大きく低減が可能となった。本実施例においては、原料の選定において、ランタン以外の希土類元素が10wtppm以下の高純度フッ化ランタンを使用したので、電子ビーム溶解後のランタンも、同様に10wtppm以下とすることが可能となった。このようにして得たランタンインゴットを、必要に応じてホットプレスを行い、さらに機械加工し、研磨してφ140×14tの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は1.42kgであった。これをさらにバッキングプレートに接合して、スパッタリング用ターゲットとする。これによって、上記成分組成の高純度ランタンスパッタリング用ターゲットを得ることができた。なお、このターゲットは、酸化性が高いので、真空パックして保存又は運搬することが好ましいと言える。比較例2市販LaF3を市販Caで還元後、EB溶解処理するランタンの原料として、フッ化ランタンLaF3と市販カルシウムCaを用いた。カルシウム還元次に、市販カルシウムを用いてカルシウム還元を行った。還元の際に使用する溶解るつぼは、タンタルTa製るつぼを使用した。このタンタル製るつぼ内に、前記粉状のLaF3と塊状Caを混合して投入する。通常、還元材であるCaは、計算量よりも10程度過剰に添加する。還元装置内に配置したタンタル製るつぼ内の充填物を、ゆっくりと600°Cまで加熱し、この間還元装置内を真空に引き、充填物の脱ガスを行う。その後、精製したアルゴンガスを送入して0.5気圧とした。さらに加熱を行うが、充填物は800°C~1000°Cに加熱すると、反応が開始される。反応式は、2LaF33Ca→2La3CaF2である。この反応は発熱反応なので、迅速に完了する。精製金属とスラグの分離を良くするためには、La金属の融点よりも50°C程度高い温度に数分間保持することで良い。金属Laの収率は97程度に達する。主な不純物は、未反応の還元材とスラグである。なお、るつぼ材であるTaが不純物として混入する可能性があるので、還元反応はできるだけ低い温度で実施するのが望ましい。このように金属Laを得る。金属Laの分析値を、表16に示す。この中で、多く含まれる不純物としては、次の元素を挙げることができる。Na:0.06wtppm、Al:6.2wtppm、Si:11wtppm、S:19wtppm、Cl:1.7wtppm、Cu:140wtppm、Zn:0.06wtppm、C:340wtppm、N:120wtppm、O:410wtppm、H:15wtppmであり、多くのガス成分を含有する。一方、希土類元素については、Ce:80wtppm、Pr:33wtppm、Nd:16wtppm:、Sm:6.8wtppm、Gd:10wtppm、Tb:11wtppmなどであり、不純物は多い。次に、EB溶解炉を用い、真空度7.0×10-5~3.5×10-5mbar、溶解出力32kWで溶解し、鋳造速度45kg/hでインゴットを作製した。電子ビーム溶解時に、揮発性の高い物質は揮散除去された。以上によって、高純度ランタンインゴット22.54kgを製造することができた。このようにして得た高純度ランタンの分析値を表17に示す。表17に示すように、電子ビーム溶解後のランタン中の不純物元素の主なものは、次の通りである。Al:8wtppm、Si:16wtppm、S:20wtppm、Ca:2.9wtppm、Ti:2.2wtppm、Cr:2.1wtppm、Mn:1.2wtppm、Fe:5.1wtppm、Cu:165wtppm、C:330wtppm、N:110wtppm、O:1100wtppm、H:20wtppmであった。以上から明らかなように、Al、Fe、Cuの低減化はできず、特にCuが多量に残存した。またガス成分の低減化も十分でなかった。全体的に、前記実施例に比べて不純物量は多く、本願発明の目的を達成することができなかった。比較例3低REのLaF3を市販Caで還元後、EB溶解処理するランタンの原料として、低REのフッ化ランタンLaF3と市販カルシウムCaを用いた。カルシウム還元次に、市販カルシウムを用いてカルシウム還元を行った。還元の際に使用する溶解るつぼは、タンタルTa製るつぼを使用した。このタンタル製るつぼ内に、前記粉状のLaF3と塊状Caを混合して投入する。通常、還元材であるCaは、計算量よりも10程度過剰に添加する。還元装置内に配置したタンタル製るつぼ内の充填物を、ゆっくりと600°Cまで加熱し、この間還元装置内を真空に引き、充填物の脱ガスを行う。その後、精製したアルゴンガスを送入して0.5気圧とした。さらに加熱を行うが、充填物は800°C~1000°Cに加熱すると、反応が開始される。反応式は、2LaF33Ca→2La3CaF2である。この反応は発熱反応なので、迅速に完了する。精製金属とスラグの分離を良くするためには、La金属の融点よりも50°C程度高い温度に数分間保持することで良い。金属Laの収率は97程度に達する。主な不純物は、未反応の還元材とスラグである。なお、るつぼ材であるTaが不純物として混入する可能性があるので、還元反応はできるだけ低い温度で実施するのが望ましい。このように金属Laを得る。金属Laの分析値を、表18に示す。この中で、多く含まれる不純物としては、次の元素を挙げることができる。Al:3.2wtppm、Si:2.1wtppm、S:11wtppm、Ca:4.4wtppm、Fe:0.44wtppm、Mn:14wtppm、Cl:1.8wtppm、Cu:110wtppm、C:320wtppm、N:85wtppm、O:450wtppm、H:22wtppmであり、多くのガス成分を含有する。一方、希土類元素については、Ce:2.4wtppm、Pr:0.16wtppm、Nd:0.64wtppm、他は<0.05wtppmであり、低濃度であった。次に、EB溶解炉を用い、真空度7.0×10-5~3.5×10-5mbar、溶解出力32kWで溶解し、鋳造速度45kg/hでインゴットを作製した。電子ビーム溶解時に、揮発性の高い物質は揮散除去された。以上によって、高純度ランタンインゴット22.54kgを製造することができた。このようにして得た高純度ランタンの分析値を表19に示す。表19に示すように、電子ビーム溶解後のランタン中の不純物元素の主なものは、次の通りである。Al:4.2wtppm、Si:1.1wtppm、S:9wtppm、Ti:1.8wtppm、Cr:0.36wtppm、Mn:1.7wtppm、Fe:0.65wtppm、Cu:98wtppm、C:420wtppm、N:140wtppm、O:900wtppm、H:13wtppmであった。以上から明らかなように、比較例2に比べると純度は多少向上しているが、Al、S、Mn、Cuの低減化はできず、特にCuが多量に残存した。またガス成分の低減化も十分でなかった。全体的に、前記実施例に比べて不純物量は多く、本願発明の目的を達成することができなかった。以上の実施例と比較例の対比から明らかなように、原料の選択、特にランタン以外の希土類元素及びガス成分を除く純度が4N以上であるフッ化ランタンを原料として選択すること、さらにこれを蒸留カルシウムにより還元して純度4N以上のランタンを作製し、この還元したランタンを電子ビーム溶解して揮発性物質を除去するという工程が重要であり、これによってランタン以外の希土類元素及びガス成分を除き、4N以上の純度を有する高純度ランタンの製造が可能となることが分かる。"