"一対の励振電極を有する圧電振動片と、前記一対の励振電極に導通する一対の振動片用電極パッド、電力供給用の一対の電源用電極パッド、及び2以上の異なる機能が割り当てられた少なくとも2つ電極パッドを有し、矩形状の形状を有する電子回路素子と、前記圧電振動片用及び前記電子回路素子用の複数の配線電極を有し、前記圧電振動片及び前記電子回路素子を搭載するパッケージと、前記振動片用電極パッド、前記電源用電極パッド及び前記2以上の異なる機能のうちの必要な機能の前記電極パッドに対して形成されたバンプと、を備え、前記バンプが形成された前記電極パッドが前記配線電極と導通し、前記バンプが形成されていない前記電極パッドと前記配線電極とにギャップが形成された圧電発振器。前記配線電極にギャップが形成される前記電極パッドは、前記電子回路素子の矩形状の辺の途中である請求項1に記載の圧電発振器。前記振動片用電極パッド及び前記電源用電極パッドが、前記電子回路素子の四隅に形成されている請求項1又は請求項2に記載の圧電発振器。前記電極パッドと前記配線電極とのギャップが10μm~30μmである請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電発振器。前記電子回路素子の底面には8端子又は10端子が形成されている請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の圧電発振器。しかし、特許文献1に開示された機能選択可能な半導体装置は、同一なシリコン基板内に別で構成された機能ブロックを設置して機能選択を行う必要があり、機能ブロックを用いる必要と、占有面積が増大するという課題がある。また、複数の機能を持つ圧電発振器は所望される複数の機能ごとにそれぞれの機能に適した半導体素子がそれぞれ必要になってくる。このため、多種多様の機能ごとに半導体素子、製造工程及び設計が必要となり、製造ラインの増加、ロット数の減少、設計の手間から製造コストが上昇するという課題がある。本発明は、上記課題を鑑み、共有化された配線及び半導体素子を用いて、必要な個所にバンプを形成することで所望される機能の圧電発振器を提供することを目的としている。また、共有化された配線及び半導体素子を使用することにより目的とする圧電発振器のロット数を増加させることができコストの低減が図れる。第1観点の圧電発振器は、一対の励振電極を有する圧電振動片と、一対の励振電極に導通する一対の振動片用電極パッド、電力供給用の一対の電源用電極パッド、及び2以上の異なる機能が割り当てられた少なくとも2つ電極パッドを有し矩形状の形状を有する電子回路素子と、圧電振動片用及び電子回路素子用の複数の配線電極を有し、圧電振動片及び電子回路素子を搭載するパッケージと、を備える。また、圧電発振器は振動片用電極パッド、電源用電極パッド及び2以上の異なる機能のうちの必要な機能の電極パッドに対して形成されたバンプを備える。そして、バンプが形成された電極パッドが配線電極と導通し、バンプが形成されていない電極パッドと配線電極とにギャップが形成されている。別の観点において、配線電極にギャップが形成される電極パッドは電子回路素子の矩形状の辺の途中である。また、振動片用電極パッド及び電源用電極パッドが、電子回路素子の四隅に形成されている。また電極パッドと配線電極とのギャップが10μm~30μmである。このような電子回路素子の底面には8端子又は10端子が形成されている。本発明によれば、共有化された配線及び半導体素子を用いることにより、所望する機能の圧電発振器を任意に製造することが可能になることで、製造コストの低下が可能となり、さらには、バンプの形成箇所を最適な位置にすることで、接合不良の起きにくい圧電発振器を提供することが可能となる。以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。第1実施形態第1実施形態は実施例1から実施例3までを含む形態である。実施例1から実施例3までは同じ半導体素子40を用いている。<実施例1>第1圧電発振器110の構成全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は第1圧電発振器110の機能の構成を示したブロック図である。第1圧電発振器110は同時に2つの周波数を出力する機能を有する。また第1圧電発振器110はそれぞれの周波数の出力に対して出力の停止または開始が制御可能な機能を有し、出力される2つの周波数は温度補償が可能な機能を有している。図示されるように、第1圧電発振器110は、水晶振動片30、発振回路OSCelectronicoscillator、温度補償回路Tcomptemperaturecompensation、記憶素子PROMprogrammableROM、温度センサTStemperaturesensor、有効無効機能EDfEnableDisablefunction、バッファアンプBufbufferamplifierで構成されている。なお、有効無効機能EDf及びバッファアンプBufは2つずつ形成されている。水晶振動片30は水晶材を母材として形成されている。水晶振動片30は、例えば周波数温度特性が良好なATカットの水晶振動片30が用いられる。水晶振動片30は、BTカット等ほかの角度で切り出された水晶振動片が用いられてもよいし、一対の振動腕を有する音叉型の水晶振動片30など他の圧電振動片が用いられてもよい。発振回路OSCは水晶振動片30に接続され、水晶振動片30を所望の周波数で発振させるための回路である。温度補償回路Tcomは発振回路OSCから発生する発振周波数が温度により周波数変動するのを補償する回路である。温度補償回路Tcompは発振回路OSCに接続され、さらに記憶素子PROMと温度センサTSとに接続されている。温度補償回路Tcompは記憶素子PROMと温度センサTSとからの信号に基づいて発振回路OSCに温度補償のための信号を出力する。記憶素子PROMはプログラム可能な記憶素子であり、書き込まれた値の組み合わせにより温度毎に補償する補償電圧を決定している。温度センサTSは、半導体温度センサにより温度を検知しアナログ電圧等に変換して出力するセンサである。記憶素子PROMを使用する代わりに、一度しか書き込みができないROMを使用しても良い。バッファアンプBufは、発振回路OSCの出力側に接続されている。バッファアンプBufは、発振回路OSCから発生する発振周波数を増幅するとともに、信号の逆流や信号の負荷変動の影響を吸収する。第1圧電発振器110は2つの周波数を出力するため、2つのバッファアンプBufBuf1、Buf2を有している。有効無効機能EDfはバッファアンプBufに接続される。2つのバッファアンプBufに対応して2つの有効無効機能EDfEDf1、EDf2が設けられている。有効無効機能EDfは外部電圧の入力により発振回路OSCから発生する発振周波数を第1圧電発振器110の外へ出力したり停止したりする。有効無効機能EDfは使わない周波数の出力を停止することできるため省電力制御が可能である。上述した発振回路OSC、温度補償回路Tcomp、記憶素子PROM、温度センサTS、有効無効機能EDf、バッファアンプBufは1つの高密度集積回路LSILargeScaleIntegration以下は半導体素子と称するで形成されている。1つの半導体素子40は第1圧電発振器110の内部に収容される。半導体素子40は矩形状であり4辺と四隅とを有している。図2は第1圧電発振器110に使用される半導体素子40の素子端子45の配置を示した底面図である。素子端子45は10個形成されており、第1素子端子45aから第10素子端子45jまで形成されている。各端子は次のように形成されている。なお、半導体素子40は第1圧電発振器110に使用されない端子まで有している。第1素子端子45aは第1水晶端子XT1として形成されている。第1水晶端子XT1は水晶振動片30の励振電極不図示の一端に接続される端子である。第2素子端子45bは第1出力端子OUT1として形成されている。この第1出力端子OUT1から所定の周波数信号を出力される。第3素子端子45cは温度センサ電圧出力端子TSoutとして形成されている。温度センサ電圧出力端子TSoutからの温度データは第1圧電発振器110以外にも温度出力が必要な機能に送られる。第4素子端子45dは第1有効無効電圧端子ED1として形成されている。この第4素子端子45dに電圧がかかると発振回路OSCから発生する発振周波数を第1圧電発振器110の外へ出力することができる。第5素子端子45eは電源端子Vccとして形成されている。第6素子端子45fはグランド端子GNDとして形成されている。電源端子Vccとグランド端子GNDとが半導体素子40への電源供給となる。第7素子端子45gは第2出力端子OUT2として形成されている。この第2出力端子OUT2から所定の周波数信号を出力される。第8素子端子45hは第2有効無効電圧端子ED2として形成されている。この第8素子端子45hに電圧がかかると発振回路OSCから発生する発振周波数を第1圧電発振器110の外へ出力することができる。第9素子端子45iは周波数制御電圧端子AFCとして形成されている。この第9素子端子45iに電圧がかけられると発振回路OSCから発生する発振周波数を可変することができる。第10素子端子45jは第2水晶端子XT2として形成されている。第2水晶端子XT2は水晶振動片30の励振電極不図示の他端に接続される端子である。半導体素子40は上述した10端子を有しているが、第1圧電発振器110は第3素子端子45cの温度センサ電圧出力端子TSout及び第9素子端子45iの周波数制御電圧端子AFCを用いない。図2においては分かりやすく表記するため温度センサ電圧出力端子TSout及び周波数制御電圧端子AFCに×を描いて図示してある。第1圧電発振器110は第3素子端子45c及び第9素子端子45iにバンプ49を形成しないことにより、温度センサの電圧出力及び周波数制御の機能の停止を行っている。図3は第1圧電発振器110の構成を示した図である。図3aは、第1圧電発振器110の底面図であり、bはaのA-Aの断面図である。なお、図3は説明し易いように半導体素子40の周囲に形成される保護樹脂アンダーフィルを図示していない。また、第1圧電発振器110の長辺方向をX軸方向、第1圧電発振器110の短辺方向をY軸方向、第1圧電発振器110のXY平面と垂直に交わる上下方向をZ軸方向として表面実装側を-Z方向、カバー29側をZ方向として説明する。図示されるように、第1圧電発振器110はセラミックパッケージ10、水晶振動片30及び半導体素子40を有している。第1圧電発振器110は表面実装型であり、一対の励振電極を有するATカットの水晶振動片30を有している。セラミックパッケージ10は、複数枚のセラミックシートが積層されて形成されている。セラミックパッケージ10の一方の主面に凹部があり第1キャビティ20が形成されており、他方の主面にも凹部があり第2キャビティ21が形成されている。そのためセラミックパッケージ10の断面がH形状である。第1キャビティ20の第1底面11には水晶配線電極15が形成されている。第2キャビティ21の第2底面12には配線電極16が形成されている。第1キャビティ20側の第1底面11から第1壁面13が立ち上がって形成されておりその第1壁面13の端部に天井面18が形成されている。第1底面11には水晶振動片30が取り付けられる水晶配線電極15が形成されている。天井面18には封止用のカバー29が接合される。第2キャビティ21側の第2底面12から第2壁面14が立ち上がって形成されておりその第2壁面14の端部に実装面19が形成されている。第2底面12には半導体素子40が取り付けられる10個の配線電極16が形成されている。実装面19には6個の外部端子31a~31fが形成されている。なお、後述する第2圧電発振器120及び第3圧電発振器130も同様に6個の外部端子31a~31fが形成されている。水晶振動片30は、第1キャビティ20の第1底面11に配置された2本の水晶配線電極15に導電性接着剤35で接続される。半導体素子40はその下面42Z側に10個の素子端子45が形成されている。素子端子45に対応する位置には配線電極16が形成され接合可能な状態となっている。素子端子45と配線電極16とはバンプ49を用いて電気的に接合される。本実施形態のバンプ49は不図示のバンプ形成装置によって8か所に形成される。つまり、8個のバンプ49は、10個の素子端子45のうち、第3素子端子45c及び第9素子端子45iを除く8か所の端子に形成される。半導体素子40は対応する第2底面12に配置された8か所の配線電極16に超音波を使ったフリップチップボンディング装置図示しないで接続される。バンプ49は、主として金Au等を用いる。フリップチップボンディング装置はバンプ49、配線電極16及び素子端子45を金で形成することにより、Au―Au接合でフリップチップボンディングされる。図4は第1圧電発振器110の変形例を示した図である。図4aは、第1キャビティ20に水晶振動片30及び半導体素子40が実装される圧電発振器110’の構成を示した図である。図4bは、第1キャビティ20に水晶振動片30が第2キャビティ21に半導体素子40が実装された2階建ての圧電発振器110の構成を示した図である。圧電発振器110’及び圧電発振器110に関して、第1圧電発振器110と同じ部材に対しては同じ符号が付されている。図4aに示された圧電発振器110’にはセラミックパッケージ10の第1キャビティ20には台座23が形成されている。第1キャビティ20は、第1底面11と台座23の面との2段構造になっている。第1底面11には半導体素子40が取り付けられる10個の配線電極16が形成されている。素子端子45に対応する位置には配線電極16が形成されている。素子端子45と配線電極16とはバンプ49を用いて電気的に接合される。台座23の面には水晶振動片30が取り付けられる水晶配線電極15が形成されている。水晶振動片30は、2本の水晶配線電極15に導電性接着剤35で接続される。図4bに示された圧電発振器110にはセラミックパッケージ10の第1キャビティ20と第2キャビティ21とがベース17で区分けされている。第1キャビティ20は、ベース17とカバー29とで形成される空間である。ベース17の第1底面11には水晶振動片30が取り付けられる水晶配線電極15が形成されている。水晶振動片30は、2本の水晶配線電極15に導電性接着剤35で接続される。第2キャビティ21はパッケージ10の第2底面12とベース17の天井面とで形成される空間である。第2底面12には、半導体素子40が取り付けられる10個の配線電極16が形成されている。素子端子45に対応する位置には配線電極16が形成されている。素子端子45と配線電極16とはバンプ49を用いて電気的に接合される。図5は図3のA-A断面における配線電極16と素子端子45との関係を示した図である。図5aは接合前の配線電極16と素子端子45との関係を示した図であり、図5bは接合後の配線電極16と素子端子45との関係を示した図である。図5aで図示されるように、半導体素子40の第1素子端子45a、第2素子端子45b、第4素子端子45d、第5素子端子45eにはバンプ49が形成されるが、第3素子端子45cにはバンプ49が形成されない。バンプ49は40~60μm程度の厚みで形成される。バンプ49が形成された半導体素子40は半導体素子40の-Z側の主面をフリップチップボンディング装置のヘッド50に保持され、セラミックパッケージ10の第2底面12に形成された配線電極16に合致させるよう配置する。図5bで図示されるように、フリップチップボンディング装置は配線電極16とバンプ49を接触させ、ヘッド50から加えられる荷重と超音波ホーン図示しないから伝わる振動によりバンプ49と配線電極16とを融着接合する。接合されたバンプ49は、厚みが10~30μm程度となる。このため、バンプ49が形成されていない第3素子端子45cと配線電極16との間にはギャップgapが形成されるため電気的に接合されていない。第1圧電発振器110はフリップチップボンディング装置による半導体素子40の接合後に非導電体の不図示の保護樹脂で覆われる。例えば、保護樹脂は主剤と硬化剤を混ぜたエポキシ樹脂の流体であり、半導体素子40の全てを覆い、素子端子45と配線電極16との空間にも侵入し、第3素子端子45cと配線電極16との間のギャップgapにも侵入する。保護樹脂はその後の工程のリフロー工程で硬化させる。このため、保護樹脂は第3素子端子45cと配線電極16との非接触状態を保つ。また、保護樹脂は接合された素子端子45と配線電極16とを外部の衝撃から守る役目もある。なお、本実施形態ではギャップgapを保護樹脂の挿入により絶縁させていたが、第3素子端子45cと配線電極16との間に絶縁材であるインシュレーターを配置させてもよい。なお、第9素子端子45iと配線電極16との関係は第3素子端子45cと同様のため説明を省く。<実施例2>本実施例2は第2圧電発振器120の構成を示す。第2圧電発振器120は同時に2つの周波数を出力する機能を有し、一方の周波数の出力に対して出力の停止または開始が制御可能な機能を有し、出力される周波数は可変可能な機能を有し、出力される2つの周波数は温度補償が可能な機能を有する。第2圧電発振器120は実施例1と同じ半導体素子40を用いている。図6aは、第2圧電発振器120の機能の構成を示したブロック図である。第2圧電発振器120は水晶振動片30、発振回路OSC、温度補償回路Tcomp、記憶素子PROM、温度センサTS、有効無効機能EDf、バッファアンプBuf、周波数制御機能AFCfAutomaticFrequencyControlfunctionで構成されている。なお、バッファアンプBufは2つ配置されている。以下は、第1圧電発振器110と異なる点について説明する。なお同じ構成については同様な符号を用い、説明を省く。周波数制御機能AFCfは周波数制御電圧の入力により出力する周波数を制御可能な機能である。なお、第2圧電発振器120は周波数制御機能AFCfを用いなくても動作可能である。図6bは、図6aの半導体素子40の素子端子45の配置を示した底面図である。本実施例の第2圧電発振器120は第3素子端子45cの温度センサ電圧出力端子TSout及び第8素子端子45hの第2有効無効電圧端子ED2を用いない。図6bにおいては分かりやすく表記するため温度センサ電圧出力端子TSout及び第2有効無効電圧端子ED2に×を描いて図示してある。第2圧電発振器120は第3素子端子45c及び第8素子端子45hにバンプ49を形成しないことにより、温度センサの電圧出力及び1つの有効無効機能EDfの停止を行っている。<実施例3>本実施例3は第3圧電発振器130の構成を示す。第3圧電発振器130は1個の周波数を出力する機能を有し、その周波数の出力に対して出力の停止または開始が制御可能な機能を有し、その出力される周波数は周波数制御が可能な機能を有し、その出力される周波数は温度補償が可能な機能を有し、第3圧電発振器130の温度を出力する機能を有している。図7aは、第3圧電発振器130の機能の構成を示したブロック図である。第3圧電発振器130は水晶振動片30、発振回路OSC、温度補償回路Tcomp、記憶素子PROM、温度センサTS、有効無効機能EDf、バッファアンプBuf、周波数制御機能AFCfで構成されている。なお、バッファアンプBufは1つであり、有効無効機能EDfも1つである。以下は、第1圧電発振器110と異なる点について説明する。なお同じ構成については同様な符号を用い、説明を省く。本実施例の温度センサTSは、第3圧電発振器130内部の温度を外部に出力することが可能であり、アプリケーション第3圧電発振器130の外部側できめ細かな制御が可能となっている。周波数制御機能AFCfは外部電圧により出力する周波数を変更することが可能である。なお、周波数制御機能AFCfは機能させないことも可能である。図7bは、図7aの半導体素子40の素子端子45の配置を示した底面図である。本実施例の第3圧電発振器130は第7素子端子45gの第2出力端子OUT2及び第8素子端子45hの第2有効無効電圧端子ED2を用いない。図7bにおいては分かりやすく表記するため第2出力端子OUT2及び第2有効無効電圧端子ED2に×を描いて図示してある。第3圧電発振器130は第7素子端子45g及び第8素子端子45hにバンプ49を形成しないことにより、1つの周波数の出力及び1つの有効無効機能EDfの停止を行っている。以上に示された第1圧電発振器110から第3圧電発振器130は、半導体素子40の素子端子45に配置するバンプ49の位置が異なる。しかしながら、バンプ49を形成しない位置はどこでもよいわけでなく、半導体素子40の四隅である第1素子端子45a、第5素子端子45e、第6素子端子45f及び第10素子端子45jはバンプを形成することが好ましい。これは、フリップチップボンディング装置により半導体素子40の素子端子45が配線電極16と接合される場合に、半導体素子40が傾くのを防ぎ、接合不良の発生を防ぐためである。また、以上に示された第1圧電発振器110から第3圧電発振器130は、第2底面12に形成された配線電極16の配線及び半導体素子40の変更を伴うことなく、バンプ49の配置により3種類の圧電発振器を形成することができる。このため、3種類の圧電発振器の形成には共有のセラミックパッケージ10と共有の半導体素子40を用いることが可能となる。ついては、共有化された部材によりロット数を増加させることができコストの低下が可能である。なお、本実施形態の外部端子31が6個と素子端子45が10個の場合とを示したが、この限りでなく、必要に応じて増減することができる。第2実施形態第2実施形態は実施例4及び実施例5を含む形態である。実施例4及び実施例5は同じ半導体素子41を用いている。<実施例4>本実施形態では、構成の異なる半導体素子41を用いた場合について説明する。その他の構成は第1実施形態と同様なため、異なる点を説明し、同一符号を用いる。第4圧電発振器140は半導体素子41を装備している。第4圧電発振器140は1個の周波数を出力する機能を有し、その出力される周波数は周波数制御が可能な機能を有し、その出力される周波数は温度補償が可能な機能を有している。第4圧電発振器140は実装面19の4個の外部端子31を使用する。4個の外部端子31は図3aで示された外部端子31a、外部端子31c、外部端子31d及び外部端子31fの四隅に形成された外部端子31を使用すると好適である。外部端子31b及び外部端子31eは使用しない端子として残しておいてもよい。図8aは、第4圧電発振器140の機能の構成を示したブロック図である。第4圧電発振器140は水晶振動片30、発振回路OSC、温度補償回路Tcomp、記憶素子PROM、温度センサTS、バッファアンプBuf、周波数制御機能AFCfで構成されている。図8bは、図8aの半導体素子41の素子端子46の配置を示した底面図である。図示されるように素子端子46は8個形成されており、第1素子端子46aから第8素子端子46hまで形成されている。各端子は次のように形成されている。第1素子端子46aは第1水晶端子XT1として形成されている。第2素子端子46bは出力端子OUTとして形成されている。第3素子端子46cは温度センサ電圧出力端子TSoutとして形成されている。第4素子端子46dは電源端子Vccとして形成されている。第5素子端子45eはグランド端子GNDとして形成されている。第6素子端子46fは有効無効電圧端子EDとして形成されている。第7素子端子46gは周波数制御電圧端子AFCとして形成されている。第8素子端子46jは第2水晶端子XT2として形成されている。第4圧電発振器140は第3素子端子46cの温度センサ電圧出力端子TSout及び第6素子端子46fの有効無効電圧端子EDを用いない。図8bにおいては分かりやすく表記するため温度センサ電圧出力端子TSout及び有効無効電圧端子EDに×を描いて図示してある。第4圧電発振器140は第3素子端子46c及び第6素子端子46fにバンプ49を形成しないことにより、温度センサ電圧の出力及び有効無効機能EDfの停止を行っている。<実施例5>本実施例5は第5圧電発振器150の構成を示す。第5圧電発振器150は温度補償された周波数を1個出力する機能を持ち、その出力される周波数の停止または開始が制御可能な機能を有している。その出力される周波数は温度補償が可能な機能を有し、第5圧電発振器150の温度を出力する機能を有している。以下は、第4圧電発振器140と異なる点について説明する。なお同じ構成については同様な符号を用い、説明を省く。図9aは、第5圧電発振器150の機能の構成を示したブロック図である。第5圧電発振器150は水晶振動片30、発振回路OSC、温度補償回路Tcomp、記憶素子PROM、温度センサTS、バッファアンプBuf、有効無効機能EDfで構成されている。図9bは、図9aの半導体素子41の素子端子46の配置を示した底面図である。図示されるように素子端子46は8個形成されており、第1素子端子46aから第8素子端子46hまで形成されている。第5圧電発振器150は第7素子端子46gの周波数制御電圧端子AFCを用いない。図9bにおいては分かりやすく表記するため周波数制御電圧端子AFCに×を描いて図示してある。第5圧電発振器150は第7素子端子46gにバンプ49を形成しないことにより、周波数制御の機能の停止を行っている。なお、本実施形態の外部端子31が6個と素子端子46が8個の場合を示したが、この限りでなく、必要に応じて増減することができる。以上に示されたように、第1実施形態では1種類の半導体素子40を用いて3種類の圧電発振器を形成することができ、第2実施形態では1種類の半導体素子41を用いて2種類の圧電発振器を形成することが可能であることを示した。機能の組み合わせはこの限りでなく、また、全ての機能を使う方法など組み合わせは自由である。また、半導体素子40,41は一例であり上述した以外の機能を持つ半導体素子を使用してもよい。1種類の半導体素子をバンプの形成位置を変えることで機能の異なる複数の圧電発振器を製造することができる。また、半導体素子40,41に形成される素子端子45、46の数及び配置も一例であり、半導体素子40,41の機能の選択または半導体素子40,41のバンプ49の形成位置は自由に変更可能である。半導体素子40、41の四隅にはバンプを形成することが望ましいため、電源端子Vcc、グランド端子GND、第1水晶端子XT1及び第2水晶端子XT2をそれぞれ配置した。しかし、それ以外の四隅には別の端子を配置してもよい。なお、半導体素子40,41はバンプ形成装置により配線電極16に確実に接合可能な位置にバンプ49を形成する必要がある。また、バンプ49は半導体素子40,41の素子端子45、46に形成されていたが、素子端子の代わりに配線電極16に形成されてもよい。"