"板状物の裏面を板状物の直径より大きな半径の研磨面を有する研磨パッドで研磨する板状物の研磨方法であって、板状物を保持する保持面を有するチャックテーブルで板状物の表面側を保持する保持ステップと、該チャックテーブルで保持された板状物の裏面全面を該研磨パッドの研磨面で覆った状態で、該研磨パッドが装着されたスピンドルを回転させて板状物を研磨する研磨ステップとを具備し、該研磨ステップでは、該研磨パッドの回転中心から外側に向かって該研磨面と該保持面とが離反する方向に相対的に傾斜するように、該スピンドルの回転軸と該チャックテーブルの回転軸とを相対的に傾斜させて研磨を実施することを特徴とする板状物の研磨方法。ところが、従来の研磨パッドはその半径がウエーハ等の板状物の直径より小さいタイプが主流であり、研磨パッドの研磨面が板状物を部分的に覆う形で研磨が遂行される。その結果、研磨パッドのエッジが板状物の外周を通過するのに伴って、板状物の外周に欠けが生じることがある。また、研磨パッドの回転中心側と外周側とでは、周速の違いによって研磨レートが異なるため、板状物の被研削面において研磨パッドの回転中心側と外周側とに当接した部分では、研磨後の厚みが均一にならず、厚み精度平坦度が悪化するという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、板状物の外周に欠けを生じさせることなく、被研削面の平坦度を悪化させることのない研磨方法を提供することである。本発明によると、板状物の裏面を板状物の直径より大きな半径の研磨面を有する研磨パッドで研磨する板状物の研磨方法であって、板状物を保持する保持面を有するチャックテーブルで板状物の表面側を保持する保持ステップと、該チャックテーブルで保持された板状物の裏面全面を該研磨パッドの研磨面で覆った状態で、該研磨パッドが装着されたスピンドルを回転させて板状物を研磨する研磨ステップとを具備し、該研磨ステップでは、該研磨パッドの回転中心から外側に向かって該研磨面と該保持面とが離反する方向に相対的に傾斜するように、該スピンドルの回転軸と該チャックテーブルの回転軸とを相対的に傾斜させて研磨を実施することを特徴とする板状物の研磨方法が提供される。本発明の研磨方法では、板状物の被研磨面全面が研磨パッドで覆われた状態で研磨が遂行されるため、研磨パッドのエッジが板状物の外周を通過することに起因する板状物の外周欠けの発生が防止される。また、板状物を保持するチャックテーブルの保持面又は研磨パッドの研磨面が該研磨パッドの回転中心から外側に向かって研磨圧を逃がす方向に傾斜しているため、研磨パッドの回転中心側と外周側とで研磨レートを同等にすることができ、研磨後の板状物の厚みを均一にでき、厚み精度平坦度が悪化することがない。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の研磨方法を実施するのに適した研磨装置2の外観斜視図が示されている。4は研磨装置2のベースであり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に伸びる一対のガイドレール8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って研磨ユニット研磨手段10が上下方向に移動可能に装着されている。研磨ユニット10は、スピンドルハウジング12と、スピンドルハウジング12を保持する支持部14を有しており、支持部14が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台16に取り付けられている。研磨ユニット10は、スピンドルハウジング12中に回転可能に収容されたスピンドル18と、スピンドル18を回転駆動するモータ20と、スピンドル18の先端に固定されたヘッドマウント22と、ヘッドマウント22に着脱可能に装着された研磨ヘッド24とを含んでいる。研磨装置2は、研磨ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ28とパルスモータ30とから構成される研磨ユニット送り機構32を備えている。パルスモータ30を駆動すると、ボールねじ28が回転し、移動基台16が上下方向に移動される。ベース4の上面には凹部4aが形成されており、この凹部4aにチャックテーブル機構34が配設されている。チャックテーブル機構34はチャックテーブル36を有しており、チャックテーブル36は図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Aと、研磨ユニット10に対向する研磨位置Bとの間でY軸方向に移動される。特に図示しないが、チャックテーブル36は一点が固定で他の2点が可動の3点で支持されており、これによりチャックテーブル36の保持面が傾斜可能に構成されている。可動支点は、例えばパルスモータとボールねじの組み合わせにより構成されている。38,40は蛇腹である。ベース4の前方側には、研磨装置2のオペレータが研磨条件等を入力する操作パネル42が配設されている。図2を参照すると、光デバイスウエーハの表面に保護テープを貼着する様子を示す斜視図が示されている。光デバイスウエーハ11は、サファイア基板13上に窒化ガリウムGaN等のエピタキシャル層半導体層15が積層されて構成されている。光デバイスウエーハ11は、エピタキシャル層15が積層された表面11aと、サファイア基板13が露出した裏面11bとを有している。エピタキシャル層15にLED等の複数の光デバイス19が格子状に形成された分割予定ラインストリート17によって区画されて形成されている。本発明の研磨方法を実施するのに先立って、光デバイスウエーハ11の裏面11bを研削して光デバイスウエーハ11を所定の厚みに加工する裏面研削ステップが実施される。この裏面研削ステップを実施する前に、光デバイスウエーハ11の表面11aには表面11aに形成された光デバイス19を保護するための表面保護テープ21が貼着される。研削装置のチャックテーブルで表面保護テープ21側を吸引保持しながら研削装置の研削ホイールにより光デバイスウエーハ11の裏面11bが研削されて、光デバイスウエーハ11は所定の厚みに加工される。研削を実施すると、光デバイスウエーハ11の裏面11bに微細なクラック等の研削歪が残存するため、この研削歪を除去して光デバイスウエーハ11の抗折強度を向上するために本発明の研磨方法が実施される。次に、図3を参照して、本発明第1実施形態の研磨方法について説明する。本実施形態の研磨方法は、好ましくは、研磨液を供給せずに実施するドライポリッシュである。スピンドル18は中空穴18aを有しており、その先端にヘッドマウント22が固定されている。ヘッドマウント22には研磨ヘッド24が図示しないねじにより着脱可能に装着されている。研磨ヘッド24は、中空穴25aを有する基台25と、基台25に接着された中空穴26aと環状研磨面26bを有する研磨パッド26とから構成される。研磨パッド26は例えばポリウレタンやフェルトに砥粒を分散させ、適宜のボンド剤で固定したフェルト砥石から形成されている。研磨パッド26は研磨による摩擦熱を逃がすための中空穴26aを有しているためドライポリッシュを実施するのに適しているが、研磨液を供給しながら実施する化学的機械研磨CMPにも適用することができる。図3から明らかなように、研磨パッド26の環状研磨面26bは、チャックテーブル36に保持された光デバイスウエーハ11の直径よりも大きい幅を有している。37はチャックテーブル36の回転中心である。上述した実施形態では、研磨ヘッド24は中空穴25aを有する基台25に環状研磨パッド26を貼着して構成されているが、本発明の研磨方法を実施するための研磨パッドの形状は環状研磨面26bを有する研磨パッド26に限定されるものではなく、円形研磨面を有する研磨パッドも採用することができる。本実施形態の研磨方法では、チャックテーブル36の回転中心37を鉛直線39からθ傾けて、チャックテーブル36の保持面で光デバイスウエーハ11を吸引保持する。研磨パッド26が装着されたスピンドル18の回転中心19は鉛直線39と平行に維持する。そして、チャックテーブル36で保持された光デバイスウエーハ11の裏面11bの全面を研磨パッド26の環状研磨面26bで覆った状態で、チャックテーブル36を図示矢印方向に回転させるとともに、スピンドル18をチャックテーブル36と同一方向に回転させて、研磨パッド26により光デバイスウエーハ11の裏面11bを研磨する。このようにチャックテーブル36の回転中心37を鉛直線39からθ傾けて光デバイスウエーハ11をチャックテーブル36で保持することにより、環状研磨面26bとチャックテーブル36の保持面とは研磨パッド26の回転中心19から外側に向かって離反する方向に傾斜して研磨が遂行されることになる。即ち、チャックテーブル36の保持面が研磨パッド26の回転中心19から外側に向かって研磨圧を逃がす方向に傾斜しているため、研磨パッド26の回転中心19側と外側とで研磨レートを同等にすることができ、研磨後の光デバイスウエーハ11の厚みを均一にでき、厚み精度平坦度が悪化することがない。更に、本実施形態の研磨方法では、光デバイスウエーハ11の裏面11bの全面が環状研磨パッド26で覆われた状態で研磨が遂行されるため、環状研磨パッド26のエッジが光デバイスウエーハ11の外周を通過することに起因する光デバイスウエーハ11の外周に欠けが発生することが防止される。次に、図4を参照して、本発明第2実施形態の研磨方法について説明する。上述した第1実施形態と実質的に同一構成部分については同一符号を付し、重複を避けるためその説明を省略する。本実施形態では、チャックテーブル36の回転中心37を鉛直に維持し、スピンドル18の回転中心19を鉛直線39からθ傾けてチャックテーブル36に保持された光デバイスウエーハ11の裏面11bを研磨する。本実施形態の研磨方法では、環状研磨パッド26の研磨面26bが研磨パッド26の回転中心から外側に向かって研磨圧を逃がす方向にチャックテーブル36の保持面に対して傾斜しているため、研磨パッド26の回転中心側と外側とで研磨レートを同等にすることができ、研磨後の光デバイスウエーハ11の厚みを均一にでき、厚み精度平坦度が悪化することがない。更に、光デバイスウエーハ11の裏面11bの全面が環状研磨パッド26で覆われた状態で研磨が遂行されるため、環状研磨パッド26のエッジが光デバイスウエーハ11の外周を通過することに起因する光デバイスウエーハ11の外周に欠けが発生することが防止される。以上説明した本発明の研磨方法では、サファイア基板13を有する光デバイスウエーハ11の研磨に本発明を適用した例について説明したが、本発明の研磨方法が適用される被研磨物はこれに限定されるものではなく、SiC炭化ケイ素や一般的なシリコンウエーハ等の板状物の研磨にも本発明の研磨方法を同様に適用することができる。"