"光信号を増幅する光増幅装置において、前記光信号を設定された利得で増幅する光増幅器と、前記光増幅器によって増幅された前記光信号の損失を波長ごとに可変する等化器と、設定される利得に応じて生じる前記光増幅器の利得チルトに対応した損失波長特性を有するように前記等化器を制御する制御部と、を有することを特徴とする光増幅装置。前記損失波長特性は、設定される利得に応じて生じる前記光増幅器の利得チルトを打ち消す特性であることを特徴とする請求項1記載の光増幅装置。前記光増幅器の所定の設定利得において、前記光信号の各波長における利得が平坦となるように固定の損失を有し、前記光増幅器から出力される前記光信号を前記等化器に出力する固定等化器をさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載の光増幅装置。前記光増幅器の利得を所定単位あたりで可変したときの利得チルトの情報を記憶した記憶部をさらに備え、前記制御部は、前記所定の設定利得、前記光増幅器に設定される利得、および前記記憶部に記憶された利得チルトに基づいて、前記損失波長特性を算出することを特徴とする請求項3記載の光増幅装置。前記所定の設定利得、前記光増幅器に設定される利得、および前記光増幅器の利得を所定単位あたりで可変したときの利得チルトに基づいて、前記損失波長特性を予め算出して記憶した記憶部をさらに備え、前記制御部は、前記光増幅器に設定される利得に基づいて前記記憶部を参照し、前記損失波長特性を取得することを特徴とする請求項3記載の光増幅装置。前記等化器の出力の光パワーの波長特性をモニタするモニタ部と、前記モニタ部によってモニタされる光パワーの波長特性が目標の波長特性を有するように前記等化器を制御する波長特性制御部と、をさらに有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の光増幅装置。前記等化器は、2つの前記光増幅器の間に設けられていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の光増幅装置。前記等化器の後段の前記光増幅器の出力の光パワーの波長特性をモニタするモニタ部と、前記モニタ部によってモニタされる光パワーの波長特性が目標の波長特性を有するように前記等化器を制御する波長特性制御部と、をさらに有することを特徴とする請求項7記載の光増幅装置。しかし、EDFは設定される利得に応じて利得チルトが生じ、GEQは損失波長特性が固定されているため、EDFの設定される利得によって、各波長における利得が平坦でなくなるという問題点があった。本件はこのような点に鑑みてなされたものであり、光増幅器の設定される利得に応じて、各波長における利得を平坦に制御することができる光増幅装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、光信号を増幅する光増幅装置が提供される。この光増幅装置は、前記光信号を設定された利得で増幅する光増幅器と、前記光増幅器によって増幅された前記光信号の損失を波長ごとに可変する等化器と、設定される利得に応じて生じる前記光増幅器の利得チルトに対応した損失波長特性を有するように前記等化器を制御する制御部と、を有する。開示の装置によれば、光増幅器の設定される利得に応じて、各波長における利得を平坦にすることができる。以下、実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。[第1の実施の形態]図1は、第1の実施の形態に係る光増幅装置の一例を示した図である。図1に示すように、光増幅装置は、光増幅器1、等化器2、および制御部3を有している。光増幅器1には、光信号が入力される。光増幅器1は、入力された光信号を設定された利得で増幅する。光増幅器1は、例えば、EDFである。等化器2は、光増幅器1によって増幅された光信号の損失を波長ごとに可変する等化器である。制御部3は、設定される利得に応じて生じる光増幅器1の利得チルトに対応した損失波長特性を有するように等化器2を制御する。制御部3は、例えば、プロセッサの電気回路によって形成される。ここで、光信号は、各波長における利得が平坦でないと、例えば、伝送劣化を生じる。そのため、光増幅装置は、一般にEDFの利得を一定に制御利得が固定となるように制御して、固定の損失波長特性を有したGEQで各波長における利得を平坦化する。また、EDFなどの光増幅器は、設定される利得が変更されると、利得チルトが生じ、各波長における利得が平坦とならなくなる。そのため、EDFの利得を一定に制御する光増幅装置では、光増幅器の設定される利得は固定となる。これに対し、図1の光増幅装置の制御部3は、設定される利得に応じて生じる光増幅器1の利得チルトに対応した損失波長特性を有するように等化器2を制御する。例えば、制御部3の等化器2を制御する損失波長特性は、設定される利得に応じて生じる光増幅器1の利得チルトを打ち消す損失の波長特性である。この場合、例えば、利得の変更によって生じる利得チルトは、等化器2の損失波長特性によって打ち消される。すなわち、制御部3は、光増幅器1の設定される利得に応じて、光信号の利得波長特性が平坦となるように等化器2を制御する。このように、光増幅装置は、光増幅器1によって増幅された光信号の損失を波長ごとに可変できる等化器2を備え、等化器2を光増幅器1の設定される利得に応じて生じる利得チルトに対応した損失波長特性を有するように制御するようにした。これにより、光増幅装置は、光増幅器1の設定される利得に応じて、各波長における利得を平坦にすることができる。[第2の実施の形態]次に、第2の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。図2は、第2の実施の形態に係る光増幅装置を適用した光伝送システムの一例を示した図である。図2に示すように、光伝送システムは、例えば、WDM光伝送システムであり、送信局10、インラインアンプ21~23、受信局30、および伝送路36を有している。送信局10、インラインアンプ21~23、および受信局30は、例えば、光ファイバの伝送路36を介して接続されている。送信局10は、光送信機11a~11n、合波器12、およびポストアンプ13を有している。光送信機11a~11nはそれぞれ、異なる波長の光信号を出力する。合波器12は、光送信機11a~11nから出力される光信号を合波し、WDM信号としてポストアンプ13に出力する。合波器12は、例えば、AWGArrayedWaveguideGratingである。ポストアンプ13は、合波器12から出力された信号光を増幅し、伝送路36へ出力する。インラインアンプ21~23は、伝送路36中で減衰した光信号を増幅する。光信号の光パワーが小さすぎると、OSNROpticalSignaltoNoiseRatioが悪化するからである。インラインアンプ21~23は、通常、10km~100km程度ごとに、伝送路36に挿入され、光信号は、再び所定のレベルまで増幅される。受信局30は、プリアンプ31、分波器32、および光受信機33a~33nを有している。プリアンプ31は、伝送路36から受信した光信号を増幅する。分波器32は、WDM信号を各波長の光信号に分波する。分波器32は、例えば、AWGである。光受信機33a~33nは、分波器32で分波された各波長の光信号を受信し、例えば、送信局10から送信された信号を再生する。図2に示すような、光-電気変換、電気-光変換を行わずに光増幅器で中継する光伝送システムは、線形中継システムと呼ばれている。線形中継システムは、長距離大容量伝送システムに用いられ、例えば、1000km以上伝送可能な光伝送システムに適用されている。図3は、光増幅装置のブロックの一例である。図3に示すように、光増幅装置は、アイソレータ41,47、BSBeamSplitter42,49,52,54、PDPhotoDiode43,55、LDLaserDiode44、カプラ45、EDF46、GEQ48、OCMOpticalChannelMonitor50,53、DGEQDynamicGainEqualizer51、AGCAutoGainControl制御部56、およびDGEQ制御部57を有している。図3の光増幅装置は、例えば、図2に示したポストアンプ13、インラインアンプ21~23、およびプリアンプ31に対応する。アイソレータ41には、増幅する光信号が入力される。アイソレータ41は、光信号が入力側に逆流するのを防止する。BS42は、アイソレータ41から出力される光信号を分岐して、PD43とカプラ45とに出力する。PD43は、BS42から出力される光信号の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、AGC制御部56に出力される。AGC制御部56は、例えば、プロセッサの電気回路によって形成される。LD44は、AGC制御部56の制御に基づいて、励起光をカプラ45に出力する。カプラ45は、BS42から出力される光信号にLD44から出力される励起光を合波する。カプラ45は、例えば、WDMカプラである。EDF46は、カプラ45から出力される光信号を増幅する。EDF46は、カプラ45によって合波されたLD44の励起光によって、光信号を増幅する。アイソレータ47は、光信号がEDF46側に逆流するのを防止する。GEQ48は、光信号の利得等化を行う。すなわち、GEQ48は、EDF46の出力の利得が、各波長において平坦となるようにする。GEQ48は、例えば、誘電体多層膜によって形成され、固定の損失波長特性を有している。ここで、EDF46の利得波長特性、GEQ48の損失波長特性、およびEDF46の利得チルトについて説明する。図4は、EDFの利得波長特性の一例を示した図である。図4の横軸は波長を示し、縦軸は利得を示す。図4に示す波形W11は、EDF46の利得波長特性を示している。図4に示す波長a11~a12は、WDM信号帯域を示している。EDF46の利得は、伝送信号の劣化を抑制するために、図4の点線A11に示すように、WDM信号帯域の各波長において、平坦であることが望ましい。図5は、GEQの損失波長特性の一例を示した図である。図5の横軸は波長を示し、縦軸は損失を示す。図5に示す波形W12は、GEQ48の損失波長特性を示している。図4に示す波長a11~a12は、図4と同様にWDM信号帯域を示している。波形W12は、図4で示した波形W11と同様の変化をする損失波長特性を有している。すなわち、波形W12は、図4で示した波形W11と反対の特性を有している。EDF46は、図4の波形W11に示したように、各波長において利得が平坦となっていない。GEQ48は、図5の波形W12に示すように、波形W11の変化を打ち消すよう、損失波長特性を有している。従って、GEQ48の出力の利得は、図4の点線A11に示すように、各波長において平坦となる。図6は、EDFの利得チルトの一例を示した図である。図5の横軸は波長を示し、縦軸は利得を示している。波形W13は、EDF46の利得を1dB減少させたときの利得チルトを示している。すなわち、EDF46は、1dB利得を下げると、波形W13に示すように、波長に対して右肩上がりの利得チルトが生じる。波形W13の式は、次の式1で示される。y1=Gtilt_refλ...1式1のλに波長を代入すると、その波長に対応する利得チルトが求まる。波形W13は、上記したようにEDF46の利得を1dB減少させたときの利得チルトを示している。従って、EDF46の利得をndB減少させた場合、その利得チルトは、式1の右辺にnを乗算すれば求まる。例えば、EDF46の利得をndB減少した場合、EDF46の利得チルトは、次の式2で示される。y2=Gtilt_refλ×n...2このように、EDF46は、利得を可変すると利得チルトが生じる。そのため、EDF46の設定される利得に応じて、GEQ48の出力の利得は、各波長において平坦にならなくなる。例えば、GEQ48の出力は、EDF46の所定の設定利得において、各波長において平坦となるように損失波長特性を有しているとする。この所定の設定利得と異なる利得をEDF46に設定すると、GEQ48の出力の利得は、利得チルトによって各波長において平坦にならなくなる。そこで、以下で説明するDGEQ制御部57は、EDF46に設定される利得に応じて、DGEQ51の出力での利得光増幅装置の利得が平坦となるようにDGEQ51を制御する。DGEQ制御部57は、例えば、プロセッサの電気回路によって形成される。図3の説明に戻る。BS49は、GEQ48から出力される光信号を分岐し、OCM50とDGEQ51とに出力する。OCM50は、BS49から出力される光信号の各波長の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、DGEQ制御部57に出力される。信号のない波長は、例えば、EDF46で発生するASEAmplifiedSpontaneousEmissionをモニタしてもよい。DGEQ51は、DGEQ制御部57の制御に基づいて、光信号の損失を波長ごとに可変することができる。DGEQ51については、以下で詳細に説明する。BS52は、DGEQ51から出力される光信号を分岐し、OCM53とBS54とに出力する。OCM53は、BS52から出力される光信号の各波長の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、DGEQ制御部57に出力される。BS54は、BS52から出力される光信号を分岐し、PD55と図示しない伝送路とに出力する。PD55は、BS54から出力される光信号の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、AGC制御部56に出力される。AGC制御部56は、PD43によってモニタされた光信号の光パワーと、PD55によってモニタされた光信号の光パワーとに基づいて、EDF46の利得が、設定された利得で一定となるようにLD44の励起光パワーを制御する。例えば、EDF46の利得は、PD43によってモニタされた光信号の光パワーと、PD55によってモニタされた光信号の光パワーとに基づいて算出できる。AGC制御部56は、算出したEDF46の利得が、設定された利得で一定となるようにLD44の励起光パワーを制御する。DGEQ制御部57は、設定される利得に応じて生じるEDF46の利得チルトに対応した損失波長特性を有するように、DGEQ51を制御する。損失波長特性は、EDF46の設定される利得に応じて生じる利得チルトを打ち消す損失の特性である。すなわち、損失波長特性は、EDF46に設定された利得において、DGEQ51から出力される光信号の利得が各波長において平坦となるような損失の特性である。例えば、GEQ48の損失波長特性は、EDF46の利得が所定の設定利得Gmaxのとき、GEQ48の出力での利得が各波長において平坦となるように設定されているとする。Gmaxは、例えば、EDF46に設定される利得のうち、最も大きい利得である。すなわち、GEQ48の出力利得は、EDF46の利得が最大利得のGmaxに設定されたとき、各波長において平坦になるとする。ここで、EDF46の利得をGsetGset<Gmaxに設定変更するとする。この場合、EDF46は、利得を減少したことにより利得チルトが生じ、GEQ48の出力の利得は、各波長において平坦でなくなる。この利得チルトによるGEQ48の出力利得の変化は、EDF46の利得をGmax-Gset変化させたものであるから、上記の式2に基づき、次の式3で示される。y3=Gtilt_refλ×Gmax-Gset...3従って、DGEQ制御部57は、DGEQ51を、式3に示す利得に対応した損失を有するように制御すれば、DGEQ51の出力利得は、各波長において平坦となる。DGEQ51を制御する損失波長特性の式は、次の式4で示される。Lossλ,Gset=Gtilt_refλ×Gmax-Gset...4すなわち、DGEQ制御部57は、EDF46の利得がGsetに設定されたとき、各波長において、式4に示す損失を有するようにDGEQ51を制御することにより、DGEQ51の出力の利得を各波長において平坦にすることができる。なお、光増幅装置は、図3に示していないが、例えば、図6に示したEDF46の1dBあたりの利得チルトの情報をメモリに記憶している。DGEQ制御部57は、例えば、上記したGmaxEDF46に設定される最大利得と、EDF46に設定される利得とに基づき‘Gmax-Gset’を算出し、算出した値とメモリに記憶された単位あたりの利得チルトとに基づいて、式4によりDGEQ51を制御する損失波長特性を算出する。また、予めGsetに対する利得チルトを算出し、メモリに記憶しておいてもよい。図7は、Gsetに対する損失波長特性の一例を示した図である。図7の横軸は波長を示し、縦軸は利得を示している。図7に示す各波形は、EDF46の利得を30dB,28dB,...,10dBに設定したときのDGEQ51を制御する損失波長特性を示している。図7の損失波長特性は予め算出し、メモリに記憶しておく。例えば、EDF46の単位あたりの利得チルトと、Gmaxと、EDF46に設定される利得とに基づいて、EDF46に設定される利得に対応した損失波長特性を予め算出してメモリに記憶する。DGEQ制御部57は、EDF46に設定される利得に基づいてメモリを参照し、EDF46に設定された利得に対応する損失波長特性を取得する。例えば、DGEQ制御部57は、EDF46の利得に22dBが設定された場合、図7の‘Gset=22dB’の損失波長特性をメモリから取得する。なお、図7の例では、GEQ48の損失波長特性は、EDF46の利得が30dBのとき、その出力の利得が各波長において平坦となるように設定されている。すなわち、図7の例では、Gmax=30dBである。従って、Gset=30dBに対応する損失波長特性は、0dBとなっている。また、メモリに記憶されていない利得がEDF46に設定された場合、DGEQ制御部57は、その設定された利得に近い損失波長特性をメモリから取得し、補完するようにしてもよい。例えば、DGEQ制御部57は、メモリに記憶されていない利得に近い2つの損失波長特性をメモリから取得し、その平均値を算出して、EDF46に設定された利得に対応する損失波長特性を算出するようにしてもよい。次に、DGEQ51の例について説明する。図8は、DGEQのブロックの一例を示した図のその1である。図8に示すように、DGEQ51は、コリメータ61,65、回折格子62、レンズ63、およびMEMSMicroElectroMechanicalSystemsミラー64を有している。図9は、図8のDGEQの動作を説明する図である。図9において図8と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図9に示す矢印は、光の経路を示している。DGEQ51に入力された光は、コリメータ61を介して回折格子62に照射される。回折格子62に照射された光は分光され、レンズ63を介してMEMSミラー64に照射される。MEMSミラー64は、分光した光の波長に対応して分光した光の波長方向に多数配置されている。MEMSミラー64を反射した光は、レンズ63を介して回折格子62に照射され、コリメータ65へ入力される。コリメータ65に入力された光は、図3に示すBS52に出力される。MEMSミラー64は、その角度を変えることで、コリメータ65へ入力される光の結合効率を可変させることができる。すなわち、MEMSミラー64は、その角度を変えることによって各波長における損失を可変させることができる。MEMSミラー64の角度は、DGEQ制御部57によって制御される。なお、MEMSミラー64の個数が多いほど、波長分解能の高いDGEQ51が実現できる。図10は、DGEQのブロックの一例を示した図のその2である。図10に示すように、DGEQ51は、コリメータ71,76、レンズ72、ミラー73、回折格子74、およびDMDDigitalMicromirrorDevice75を有している。図11は、図10のDGEQの動作を説明する図である。図11において図10と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図11に示す矢印は、光の経路を示している。DGEQ51に入力された光は、コリメータ71、レンズ72、およびミラー73を介して回折格子74に照射される。回折格子74に照射された光は光分され、ミラー73を介してDMD75に照射される。DMD75に照射された光は、ミラー73、回折格子74、ミラー73、およびレンズ72を介して、コリメータ76へ入力される。コリメータ76に入力された光は、図3に示すBS52に出力される。DMD75のx軸方向は、光の波長方向に対応し、回折格子74で分光された光は、波長ごとにx軸方向に分散してDMD75に照射される。y軸方向の全軸上には、x軸方向における波長の光が照射される。従って、DMD75は、y軸方向のミラーの個数によって、各波長x軸上のコリメータ76への光の結合率を変えることができる。DMD75のミラーの角度は、DGEQ制御部57によって制御される。なお、DMD75は、DLPDigitalLightProcessing:登録商標としてプロジェクタで一般に使用されているデバイスである。DMD75の画素数は、例えば、1280×720、1920×1080等のものが実用化されており、波長の分解能が高い。図12は、DGEQのブロックの一例を示した図のその3である。図12に示すように、DGEQ51は、コリメータ81,87、偏波ダイバーシティデバイス82、レンズ83、ミラー84、回折格子85、およびLCOSLiquidCrystalOnSilicon86を有している。図13は、図12のDGEQの動作を説明する図である。図13において図12と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図13に示す矢印は、光の経路を示している。DGEQ51に入力された光は、コリメータ81、偏波ダイバーシティデバイス82、レンズ83、およびミラー84を介して回折格子85に照射される。回折格子85に照射された光は分光され、ミラー84を介してLCOS86に照射される。LCOS86に照射された光は、ミラー84、回折格子85、ミラー84、レンズ83、および偏波ダイバーシティデバイス82を介して、コリメータ87へ入力される。コリメータ87に入力された光は、図3に示すBS52に出力される。LCOS86のx軸方向は、光の波長方向に対応し、回折格子85で分光された光は、波長ごとにx軸方向に分散してLCOS86に照射される。y軸方向の全軸上には、x軸方向における波長の光が照射される。従って、LCOS86は、y軸方向のLCOSで光に位相差を生じさせ、干渉を利用することで反射角を変え、コリメータ87への結合率を変えることができる。LCOS86による光の位相差は、DGEQ制御部57によって制御される。なお、LCOS86の画素数は、例えば、1920×1080のものが実用化されており、波長の分解能が高い。図14は、DGEQのブロックの一例を示した図のその4である。図14に示すように、DGEQ51は、コリメータ91,98、偏波ダイバーシティデバイス92、レンズ93、ミラー94、回折格子95、偏光子96、およびLCOS97を有している。図15は、図14のDGEQの動作を説明する図である。図15において図14と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図15に示す矢印は、光の経路を示している。DGEQ51に入力された光は、コリメータ91、偏波ダイバーシティデバイス92、レンズ93、およびミラー94を介して回折格子95に照射される。回折格子95に照射された光は分光され、ミラー94および偏光子96を介してLCOS97に照射される。LCOS97に照射された光は、偏光子96、ミラー94、回折格子95、ミラー94、レンズ93、および偏波ダイバーシティデバイス92を介して、コリメータ98へ入力される。コリメータ98に入力された光は、図3に示すBS52に出力される。LCOS97のx軸方向は、光の波長方向に対応し、回折格子85で分光された光は、波長ごとにx軸方向に分散してLCOS97に照射される。y軸方向の全軸上には、x軸方向における波長の光が照射される。従って、LCOS97は、y軸方向のLCOSで光の偏光角を変化させ、偏光子96での光の透過率を変えることで、コリメータ98への結合率を変えることができる。LCOS97による偏光角の変化は、DGEQ制御部57によって制御される。図16は、AGC制御部の動作の一例を示したフローチャートである。[S1]AGC制御部56は、EDF46の目標利得Gsetが設定される。[S2]AGC制御部56は、AGCループか否か判断する。例えば、AGC制御部56は、AGC制御をする期間か否か判断する。AGC制御部56は、AGCループである場合、S3に進む。AGC制御部56は、AGCループでない場合、処理を終了する。[S3]AGC制御部56は、PD43,55からEDF46の入出力パワーを取得する。[S4]AGC制御部56は、S3で取得したEDF46の入出力パワーからEDF46の動作利得を計算する。動作利得は、例えば、次の式5によって算出することができる。Gmon=Pout/Pin...5Poutは、図3のPD55によってモニタされた光パワーである。Pinは、図3のPD43によってモニタされた光パワーである。なお、Poutには、EDF46で発生するASEパワーも含んでモニタされるので、適切な利得を算出するために、ASEパワーを補正して利得を算出してもよい。この場合、動作利得は、次の式6によって算出することができる。Gmon=Pout-Pase/Pin...6Paseは、EDF46で発生するASEパワーを示す。また、A=Pase/Gsetとし、次の式7から動作利得を算出してもよい。Gmon=Pout/PinA...7[S5]AGC制御部56は、EDF46の動作利得が、目標利得Gsetになったか否か判断する。AGC制御部56は、EDF46の動作利得が、目標利得Gsetになった場合、S2へ進む。AGC制御部56は、EDF46の動作利得が、目標利得Gsetになっていない場合、S6へ進む。[S6]AGC制御部56は、EDF46の動作利得が目標利得Gsetとなるように、LD44の励起光パワーを可変する。図17は、DGEQ制御部の動作の一例を示したフローチャートである。[S11]DGEQ制御部57は、EDF46の目標利得Gsetに対応した損失波長特性を計算する。例えば、DGEQ制御部57は、式4により、損失波長特性を計算する。または、DGEQ制御部57は、図7で説明したGsetに対する損失波長特性をメモリから取得する。[S12]DGEQ制御部57は、DGEQ51を制御するか否か判断する。例えば、DGEQ制御部57は、DGEQ51を制御する期間か否か判断する。DGEQ制御部57は、DGEQ51を制御する場合、S13に進む。DGEQ制御部57は、DGEQ57を制御しない場合、処理を終了する。[S13]DGEQ制御部57は、OCM50,53から、DGEQ51の入出力における光パワーの波長特性を取得する。[S14]DGEQ制御部57は、S13によって取得されたDGEQ51の入出力における波長特性から、DGEQ51の損失波長特性を計算する。DGEQ51の入出力における損失波長特性は、例えば、次の式8によって算出することができる。Loss_monλ=OCM2λ-OCM1λ...8OCM2λは、図3のOCM53によってモニタされた光パワーの波長特性である。OCM1λは、図3のOCM50によってモニタされた光パワーの波長特性である。[S15]DGEQ制御部57は、S14で計算したDGEQ51の損失波長特性が、S11で計算または取得した損失波長特性となったか否か判断する。DGEQ制御部57は、S14で計算したDGEQ51の損失波長特性が、S11で計算した損失波長特性となった場合、S12へ進む。DGEQ制御部57は、S14で計算したDGEQ51の損失波長特性が、S11で計算した損失波長特性となっていない場合、S16へ進む。なお、S14で計算したDGEQ51の損失波長特性が、S11で計算した損失波長特性となったか否かの判断は、所定のマージンを設けてもよい。例えば、次の式9に示すようにマージンを設けてよい。Loss_monλ-Lossλ,Gset<±0.5[dB]...9[S16]DGEQ制御部57は、DGEQ51の損失波長特性が、S11で計算した損失波長特性となるようにDGEQ51を制御する。なお、図16で説明したAGC制御と、図17のDGEQ制御は、並列に制御される。通常は、DGEQ制御より、AGC制御の方が高速に制御される。OCM50,53のモニタと、DGEQ制御がAGC制御より高速にできるなら、AGC制御よりDGEQ制御を高速にしてもよい。このように、光増幅装置は、EDF46の設定される利得に応じて生じる利得チルトに対応した損失波長特性を有するようにDGEQ51を制御するようにした。これにより、光増幅装置は、EDF46の設定される利得に応じて、各波長における利得を平坦にすることができる。また、光増幅装置は、EDF46の利得を設定することができるので、EDF46の出力の光レベルを抑制することができ、大きな励起光パワーを要しない。これにより、光増幅装置は、省電力化を図ることができる。例えば、EDFの利得を一定に制御し、VOAで利得を可変する光増幅装置がある。この光増幅装置では、EDFへの入力パワーが大きくなると、EDFの出力パワーも大きくなり、大きな励起光パワーを要する。これに対し、図3に示した光増幅装置は、EDF46の利得を設定して出力光レベルを抑制することができるので、大きな励起光パワーを要しない。図18は、VOAで利得制御する光増幅装置のレベルダイヤの一例を示した図である。図18の横軸は光増幅装置の光信号の出力ポイントを示し、縦軸は光レベルを示している。EDFの利得は20dBで一定制御されているとする。この場合、図18に示すように、EDFの入力図18のEDFInの光レベルが-20dBm/chの場合、EDFの出力図18のEDFOutの光レベルは0dBm/chとなる。EDFの入力の光レベルが-15dBm/chの場合、EDFの出力の光レベルは5dBm/chとなる。EDFの入力の光レベルが-10dBm/chの場合、EDFの出力の光レベルは10dBm/chとなる。VOAは、EDFの出力の光レベルを減衰し、光増幅装置の利得を制御する。しかし、EDFの利得を一定に制御してVOAで光レベルを減衰する場合、上記したようにEDFへの入力パワーが大きくなると、EDFの出力パワーも大きくなり、非常に大きな励起光パワーを要する。例えば、図18の-20dBm/chの光信号より、-10dBm/chの光信号の方が励起光パワーを要する。これに対し、図3に示した光増幅装置では、EDF46の利得を設定できるので、EDF46の出力の光レベルを抑制することができる。すなわち、図3で示した光増幅装置は、省電力化を図ることができる。また、光増幅装置は、DGEQ51が図10~図15で説明したDMDまたはLCOSを有するDGEQである場合、OCM50,53が不要である。DMDまたはLCOSは、損失を設定する機能を有しているからである。例えば、LCOSは、素子に何ボルトの電圧を印加すれば、何dBの損失になるか波長ごとにプリセットされたパラメータを有しており、DGEQ制御部57は、DGEQ51に算出または取得した損失波長特性を設定できる。[第3の実施の形態]次に、第3の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第3の実施の形態では、2つのEDFを備え、高利得の設定が可能な光増幅装置について説明する。図19は、第3の実施の形態に係る光増幅装置を適用した光伝送システムの一例を示した図である。図19に示すように、光増幅装置は、アイソレータ101,107,114,118、BS102,109,112,119、PD103,120、LD104,115、カプラ105,116、EDF106,117、GEQ108、OCM110,113、DGEQ111、AGC制御部121、およびDGEQ制御部122を有している。図19に示す光増幅装置は、例えば、図2に示したポストアンプ13、インラインアンプ21~23、およびプリアンプ31に対応する。アイソレータ101には、増幅する光信号が入力される。アイソレータ101は、光信号が入力側に逆流するのを防止する。BS102は、アイソレータ101から出力される光信号を分岐し、PD103とカプラ105とに出力する。PD103は、BS102から出力される光信号の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、AGC制御部121に出力される。LD104は、AGC制御部121の制御に基づいて、励起光をカプラ105に出力する。カプラ105は、BS102から出力される光信号にLD104から出力される励起光を合波する。カプラ105は、例えば、WDMカプラである。EDF106は、カプラ105から出力される光信号を増幅する。EDF106は、カプラ105によって合波されたLD104の励起光によって、光信号を増幅する。アイソレータ107は、光信号がEDF106側に逆流するのを防止する。GEQ108は、光信号の利得等化を行う。すなわち、GEQ108は、当該光増幅装置の出力利得BS119の出力での利得が、各波長において平坦となるようにする。GEQ108は、例えば、誘電体多層膜によって形成され、損失波長特性は固定されている。BS109は、GEQ108から出力される光信号を分岐し、OCM110とDGEQ111とに出力する。OCM110は、BS109から出力される光信号の各波長の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、DGEQ制御部122に出力される。信号のない波長は、例えば、EDF106で発生するASEをモニタしてもよい。DGEQ111は、DGEQ制御部122の制御に基づいて、光信号の各波長における損失を可変することができる。DGEQ111は、図3、図8、図10、図12、および図14で説明したDGEQ51と同様である。BS112は、DGEQ111から出力される光信号を分岐し、OCM113とアイソレータ114とに出力する。OCM113は、BS112から出力される光信号の各波長の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、DGEQ制御部122に出力される。アイソレータ114は、光信号がEDF106側に逆流するのを防止する。LD115は、AGC制御部121の制御に基づいて、励起光をカプラ116に出力する。カプラ116は、アイソレータ114から出力される光信号にLD115から出力される励起光を合波する。カプラ116は、例えば、WDMカプラである。EDF117は、カプラ116から出力される光信号を増幅する。EDF117は、カプラ116によって合波されたLD115の励起光によって、光信号を増幅する。アイソレータ118は、光信号がEDF117側に逆流するのを防止する。BS119は、アイソレータ118から出力される光信号を分岐し、PD120と図示しない伝送路とに出力する。PD120は、BS119から出力される光信号の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、AGC制御部121に出力される。AGC制御部121は、PD103によってモニタされた光信号の光パワーと、PD120によってモニタされた光信号の光パワーとに基づいて、EDF106,117の利得EDF106の入力に対するEDF117の出力の利得が、設定された利得で一定となるようにLD104,115の励起光パワーを制御する。例えば、EDF106,117の利得は、PD103によってモニタされた光信号の光パワーと、PD120によってモニタされた光信号の光パワーとに基づいて算出できる。AGC制御部121は、算出したEDF106,117の利得が、設定された利得で一定となるようにLD104,115の励起光パワーを制御する。DGEQ制御部122は、設定される利得に応じて生じるEDF106,117の利得チルトに対応した損失波長特性を有するように、DGEQ111を制御する。損失波長特性は、EDF106,117の設定される利得に応じて生じる利得チルトを打ち消す損失の特性である。すなわち、損失波長特性は、EDF106,117に設定される利得において、当該光増幅装置の出力での利得が、各波長において平坦となる特性である。なお、DGEQ制御部122の制御は、第2の実施の形態で説明したDGEQ制御部57の制御と同様である。また、図19に示していないメモリには、例えば、EDF106,117の両方におけるEDF106の入力とEDF117の出力とにおける単位あたりの利得チルトが記憶されている。または、図19に示していないメモリには、例えば、EDF106,117の両方におけるGsetに対する損失波長特性が予め算出され、記憶されている。このように、光増幅装置は、EDF106,117を2つ備えても、EDF106,117の設定される利得に応じて、各波長における利得を平坦にすることができる。[第4の実施の形態]次に、第4の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第3の実施の形態では、2つのEDFを備え、その2つのEDFをAGC制御するようにした。第4の実施の形態では、2つのEDFのそれぞれを独立してAGC制御する場合について説明する。図20は、第4の実施の形態に係る光増幅装置を適用した光伝送システムの一例を示した図である。図20に示すように、光増幅装置は、アイソレータ131,137,146,152、BS132,139,141,144,147,154、PD133,140,148,155、LD134,149、カプラ135,150、EDF136,151、GEQ138,153、OCM142,145、DGEQ143、AGC制御部156,157、およびDGEQ制御部158を有している。アイソレータ131には、増幅する光信号が入力される。アイソレータ131は、光信号が入力側に逆流するのを防止する。BS132は、アイソレータ131から出力される光信号を分岐し、PD133とカプラ135とに出力する。PD133は、BS132から出力される光信号の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、AGC制御部156に出力される。LD134は、AGC制御部156の制御に基づいて、励起光をカプラ135に出力する。カプラ135は、BS132から出力される光信号にLD134から出力される励起光を合波する。カプラ135は、例えば、WDMカプラである。EDF136は、カプラ135から出力される光信号を増幅する。EDF136は、カプラ135によって合波されたLD134の励起光によって、光信号を増幅する。アイソレータ137は、光信号がEDF136側に逆流するのを防止する。GEQ138は、光信号の利得等化を行う。すなわち、GEQ138は、BS139の出力での利得が、各波長において平坦となるようにする。GEQ138は、例えば、誘電体多層膜によって形成され、損失波長特性は固定されている。BS139は、GEQ138から出力される光信号を分岐し、PD140とBS141とに出力する。PD140は、BS139から出力される光信号の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、AGC制御部156に出力される。BS141は、BS139から出力される光信号を分岐し、OCM142とDGEQ143とに出力する。OCM142は、BS141から出力される光信号の各波長の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、DGEQ制御部158に出力される。信号のない波長は、例えば、EDF136で発生するASEをモニタしてもよい。DGEQ143は、DGEQ制御部158の制御に基づいて、光信号の各波長における損失を可変することができる。DGEQ143は、図3、図8、図10、図12、および図14で説明したDGEQ51と同様である。BS144は、DGEQ143から出力される光信号を分岐し、OCM145とアイソレータ146とに出力する。OCM145は、BS144から出力される光信号の各波長の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、DGEQ制御部158に出力される。アイソレータ146は、光信号がDGEQ143側に逆流するのを防止する。BS147,154、PD148,155、LD149、カプラ150、EDF151、アイソレータ152、およびGEQ153は、BS132,139、PD133,140、LD134、カプラ135、EDF136、アイソレータ137、およびGEQ138と同様であり、その説明を省略する。AGC制御部156は、PD133によってモニタされた光信号の光パワーと、PD140によってモニタされた光信号の光パワーとに基づいて、EDF136の利得が、設定された利得で一定となるようにLD134の励起光パワーを制御する。例えば、EDF136の利得は、PD133によってモニタされた光信号の光パワーと、PD140によってモニタされた光信号の光パワーとに基づいて算出できる。AGC制御部156は、算出したEDF136の利得が、設定された利得で一定となるようにLD134の励起光パワーを制御する。AGC制御部157は、PD148によってモニタされた光信号の光パワーと、PD155によってモニタされた光信号の光パワーとに基づいて、EDF151の利得が、設定された利得で一定となるようにLD149の励起光パワーを制御する。例えば、EDF151の利得は、PD148によってモニタされた光信号の光パワーと、PD155によってモニタされた光信号の光パワーとに基づいて算出できる。AGC制御部157は、算出したEDF151の利得が、設定された利得で一定となるようにLD149の励起光パワーを制御する。DGEQ制御部158は、設定される利得に応じて生じるEDF136,151の利得チルトに対応した損失波長特性を有するように、DGEQ143を制御する。損失波長特性は、EDF136,151の設定される利得に応じて生じる利得チルトを打ち消す損失の特性である。すなわち、DGEQ制御部158は、EDF136,151の利得が各波長において平坦となるようにDGEQ143を制御する。ここで、損失波長特性は、上記で説明した式4で示され、式4のGsetは、次の式10で示される。Gset=Gset1Gset2...10Gset1は、AGC制御部156がEDF136に設定する利得を示し、Gset2は、AGC制御部157がEDF151に設定する利得を示す。また、EDF136,151の単位あたりの利得チルトは同様であり、図20に示していないメモリには、例えば、EDF136,151の一方の単位あたりの利得チルトが記憶されている。または、図20に示していないメモリには、例えば、EDF136,151の一方のGsetに対する損失波長特性が予め算出され、記憶されている。このように、光増幅装置は、EDF136,151を2つ備え、それぞれを独立して利得を設定しても、各波長における利得を平坦にすることができる。[第5の実施の形態]次に、第5の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第5の実施の形態では、AGC制御およびDGEQ制御に加え、ALCAutomaticLevelControlを行う。図21は、第5の実施の形態に係る光増幅装置を適用した光伝送システムの一例を示した図である。図21において、図3と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図21の光増幅装置は、ALC制御部161を有している。ALC制御部161は、DGEQ51から出力される光パワーの波長特性が、目標の波長特性を有するように、DGEQ51を制御する。ALC制御部161は、例えば、プロセッサの電気回路によって形成される。例えば、OCM53でモニタされる光パワーの波長特性以下、出力波長特性と呼ぶこともあるをOCM2λとし、目標の出力波長特性以下、目標出力波長特性と呼ぶこともあるをPout_setλとすると、DGEQ51から出力される光パワーの波長特性と、目標の波長特性との偏差出力偏差ΔPoutは、次の式11で示される。ΔPoutλ=OCM2λ-Pout_setλ...11ALC制御部161は、式11のΔPoutλが小さくなるように、DGEQ51の損失波長特性を制御する。例えば、ALC制御部161は、次の式12により、損失波長特性を算出し、DGEQ51を制御する。Lossλ,Gset=Loss_monλΔPoutλ...12Loss_monλは、式8で算出でき、また、式4で代用してもよい。図22、図23は、DGEQ制御部とALC制御部の動作の一例を示したフローチャートである。[S21]S21は、図17で説明したS11と同様の処理を行い、その説明を省略する。[S22]ALC制御部161は、光増幅装置から出力される光パワーの目標出力波長特性を設定する。[S23~S27]S23~S27は、図17で説明したS12~S16と同様の処理を行い、その説明を省略する。ただし、S26では、損失波長特性がLossλ,Gsetとなった場合、S28へ進む。[S28]ALC制御部161は、OCM53の出力波長特性を目標出力波長特性となるように制御するか否か判断する。例えば、ALC制御部161は、DGEQ51の出力波長特性を目標出力波長特性となるように制御するタイミングであるか否か判断する。ALC制御部161は、DGEQ51の出力波長特性を目標出力波長特性となるように制御すると判断した場合、図23に示すS29へ進む。ALC制御部161は、DGEQ51の出力波長特性を目標出力波長特性となるように制御しないと判断した場合、S23へ進む。[S29]ALC制御部161は、OCM53がモニタしている光信号の出力波長特性を取得する。[S30]ALC制御部161は、S29で取得した出力波長特性と、S22で設定された目標出力波長特性との出力偏差ΔPoutを算出する。例えば、式11によって、出力偏差を算出する。[S31]ALC制御部161は、DGEQ51の出力波長特性を制御するか否か判断する。例えば、ALC制御部161は、出力偏差の絶対値が所定値0を含む以上か否か判断する。ALC制御部161は、DGEQ51の出力波長特性を制御すると判断した場合、S32へ進む。ALC制御部161は、DGEQ51の出力波長特性を制御しないと判断した場合、図22に示すS23へ進む。[S32]ALC制御部161は、出力偏差ΔPoutが小さくなるように、DGEQ51の損失波長特性を算出する。例えば、ALC制御部161は、式11によって損失波長特性を算出する。[S33]ALC制御部161は、DGEQ51の損失波長特性が、S32で算出した損失波長特性となるように、DGEQ51を制御する。ALC制御部161は、図22に示すS23へ進む。なお、図21に示す光増幅装置のAGC制御は、図16で説明した動作と同様である。また、図16で説明した処理と、図22および図23で説明した処理は、並列に動作される。通常は、DGEQ制御部57よりAGC制御部56の方が高速に制御される。OCM50,53のモニタと、DGEQ制御がAGC制御より高速にできるなら、AGC制御よりDGEQ制御を高速にしてもよい。このように、光増幅装置は、EDF46の設定される利得に応じて各波長における利得を平坦にすることができるとともに、ALC制御を行うこともできる。また、ALC制御を行うことによって、例えば、EDF46やGEQ48の製造誤差によって生じる利得偏差を補償することができる。図24は、利得偏差の一例を示した図である。図24の横軸は波長を示し、縦軸はEDF46およびGEQ48の両方または一方の利得偏差を示している。図24に示すように、EDF46やGEQ48の製造ばらつきによって、GEQ48の出力では、例えば、1dB程度の利得偏差が生じる。この場合、光増幅装置の利得は、各波長において平坦とならず、例えば、インラインアンプを多段中継する長距離大容量伝送システムでは、このような利得偏差が累積して伝送品質に劣化が生じる。しかし、図21に示した光増幅器は、ALC制御部161によって、OCM53の出力波長特性が目標出力波長特性となるようにALC制御を行うので、利得偏差を補償することができる。また、光増幅装置は、ALC制御部161によって、伝送路のSRSによる波長特性やWDM伝送システムで使用される光デバイスの波長特性も補償することができる。[第6の実施の形態]次に、第6の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第6の実施の形態では、第5の実施の形態において2つのEDFを備え、高利得の設定が可能な光増幅装置について説明する。図25は、第6の実施の形態に係る光増幅装置を適用した光伝送システムの一例を示した図である。図25において、図19と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図25の光増幅装置は、BS171、OCM172、およびALC制御部173を有している。BS171は、BS119から出力される光信号の一部をOCM172に出力する。OCM172は、BS171から出力される光信号の各波長の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、ALC制御部173に出力される。ALC制御部173は、図21で説明したALC制御部161と同様の機能を有している。ALC制御部173は、EDF117の出力の光パワーが、設定された目標出力波長特性を有するように制御する。このように、光増幅装置は、EDF106,117を2つ備え、EDF106,117の設定される利得に応じて、各波長における利得を平坦にすることができるとともに、ALC制御を行うこともできる。[第7の実施の形態]次に、第7の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第6の実施の形態では、2つのEDFを備え、その2つのEDFをAGC制御するようにした。第7の実施の形態では、2つのEDFのそれぞれを独立してAGC制御する場合について説明する。図26は、第7の実施の形態に係る光増幅装置を適用した光伝送システムの一例を示した図である。図26において、図20と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図26の光増幅装置は、BS181、OCM182、およびALC制御部183を有している。BS181は、BS154から出力される光信号の一部をOCM182に出力する。OCM182は、BS181から出力される光信号の各波長の光パワーをモニタする。モニタされた光パワーは、ALC制御部183に出力される。ALC制御部183は、図21で説明したALC制御部161と同様の機能を有している。ALC制御部183は、EDF151の出力の光パワーが、設定された目標出力波長特性を有するように制御する。このように、光増幅装置は、EDF136,151を2つ備え、それぞれを独立して利得の設定をしても、各波長における利得を平坦にすることができるとともに、ALC制御も行うこともできる。"