複数のフォトダイオードを有する半導体基板と、この半導体基板上に形成された第1の平坦化層と、この第1の平坦化層上において、互いに離間するように形成された複数のカラーフィルタ層と、これらのカラーフィルタ層の間を埋めるように形成された、前記カラーフィルタ層より低い屈折率を有し、かつ前記第1の平坦化層より高い屈折率を有する材料からなる遮蔽層と、この遮蔽層を含む前記複数のカラーフィルタ層上に形成された、前記遮蔽層より屈折率が高い材料からなる第2の平坦化層と、この第2の平坦化層上に形成された複数のマイクロレンズと、前記半導体基板の裏面に形成された配線層と、を具備することを特徴とする固体撮像装置。複数のフォトダイオードを有する半導体基板と、この半導体基板上に、互いに離間するように形成された複数のカラーフィルタ層と、これらのカラーフィルタ層の間に形成された、前記カラーフィルタ層より低い屈折率を有する材料からなる遮蔽層と、この遮蔽層を含む前記複数のカラーフィルタ層上に形成された複数のマイクロレンズと、を具備することを特徴とする固体撮像装置。前記遮蔽層は、前記複数のカラーフィルタ層の間を埋めるように形成されたことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。前記半導体基板と前記遮蔽層を含む前記複数のカラーフィルタ層との間に、第1の平坦化層をさらに有するとともに、前記遮蔽層を含む前記複数のカラーフィルタ層と前記複数のマイクロレンズとの間に、前記遮蔽層より高い屈折率を有する材料によって形成された第2の平坦化層をさらに有することを特徴とする請求項2または3に記載の固体撮像装置。前記第1の平坦化層は、前記遮蔽層より低い屈折率を有する材料によって形成されたことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。前記半導体基板と前記遮蔽層を含む前記複数のカラーフィルタ層との間に、前記遮蔽層より低い屈折率を有する材料により形成された平坦化層をさらに有し、前記遮蔽層は、前記複数のカラーフィルタ層と前記複数のマイクロレンズとの間にさらに形成されたことを特徴とする請求項2または3に記載の固体撮像装置。前記半導体基板の裏面に、さらに配線層を有することを特徴とする請求項2乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置。複数のフォトダイオードを有する半導体基板と、この半導体基板上に、互いに離間するように形成された複数のカラーフィルタ層と、これらのカラーフィルタ層の間に形成された、前記カラーフィルタ層より低い屈折率を有する材料からなる遮蔽層と、この遮蔽層を含む前記複数のカラーフィルタ層上に形成された複数のマイクロレンズと、を具備する固体撮像装置と、この固体撮像装置を覆うように配置され、前記固体撮像装置に光を集光するレンズを内部に有する筒状のレンズホルダと、を具備することを特徴とするカメラモジュール。実施形態は、混色を抑制することができる固体撮像装置およびカメラモジュールを提供することを目的とする。実施形態に係る固体撮像装置は、半導体基板、複数のカラーフィルタ層、遮蔽層、および複数のマイクロレンズを具備する。前記半導体基板は、複数のフォトダイオードを有する。前記複数のカラーフィルタ層は、前記半導体基板上に、互いに離間するように形成される。前記遮蔽層は、前記カラーフィルタ層より低い屈折率を有する材料からなり、前記複数のカラーフィルタ層の間に形成される。前記複数のマイクロレンズは、前記遮蔽層を含む前記複数のカラーフィルタ層上に形成される。また、実施形態に係るカメラモジュールは、固体撮像装置、およびレンズホルダを具備する。前記固体撮像装置は、半導体基板、複数のカラーフィルタ層、遮蔽層、および複数のマイクロレンズを具備する。前記半導体基板は、複数のフォトダイオードを有する。前記複数のカラーフィルタ層は、前記半導体基板上に、互いに離間するように形成される。前記遮蔽層は、前記カラーフィルタ層より低い屈折率を有する材料からなり、前記複数のカラーフィルタ層の間に形成される。前記複数のマイクロレンズは、前記遮蔽層を含む前記複数のカラーフィルタ層上に形成される。前記レンズホルダは、筒状であって、前記固体撮像装置を覆うように配置され、前記固体撮像装置に光を集光するレンズを内部に有する。以下に、実施形態に係る固体撮像装置およびカメラモジュールについて説明する。第1の実施形態図1は、本実施形態に係るカメラモジュール10を示す縦断面図である。図1に示すカメラモジュール10は、回路基板11上に載置された固体撮像装置12と、固体撮像装置12を含む回路基板11を覆うように、回路基板11の側面に固定されたレンズホルダ13と、を有する。レンズホルダ13は、一端に天板を有する筒状であって、レンズ14および赤外線遮断フィルタ15を有するものである。レンズ14は、レンズホルダ13の天板に設けられた開口部に配置されており、カメラモジュール10に入射された光を固体撮像装置12に集光する。また、赤外線遮断フィルタ15は、レンズホルダ13の内部に配置されており、カメラモジュール10に入射された光の赤外線成分が、固体撮像装置12に到達することを抑制する。固体撮像装置12は、複数の凸状のマイクロレンズ16を有する。複数のマイクロレンズ16は、2次元状に格子配列されている。それぞれのマイクロレンズ16は、縦方向および横方向において隣接する他のマイクロレンズ16と、互いに接している。図2は、固体撮像装置12の要部を示す縦断面図である。図2に示す固体撮像装置12は、いわゆる裏面照射型の固体撮像装置である。この固体撮像装置12において、例えばシリコンからなるP型の半導体基板17には、複数のフォトダイオード18が形成されている。複数のフォトダイオード18は、複数のマイクロレンズ16の配列に応じて、格子状に配列形成されている。フォトダイオード18を含む半導体基板17の表面上には、透明の第1の平坦化層19が形成されている。第1の平坦化層19の表面は、例えばCMP法によって平坦化されている。第1の平坦化層19の表面上には、複数のフィルタ層が形成されている。複数のフィルタ層は、例えば互いに透過波長域が異なるカラーフィルタ層である。本実施形態において、複数のフィルタ層は、赤色成分の光を透過させる赤色カラーフィルタ層以下Rフィルタ層と称する図示せず、緑色成分の光を透過させる緑色カラーフィルタ層20G以下Gフィルタ層20Gと称する、および青色成分の光を透過させる青色カラーフィルタ層20B以下Bフィルタ20B層と称するである。Rフィルタ層、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bは、複数のフォトダイオード18の配列に応じて、格子状に配列形成されており、互いに離間している。Rフィルタ層、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bの間には、遮蔽層21が形成されている。遮蔽層21は、Rフィルタ層、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bより低い屈折率を有する、例えばレジスト材等からなる。一般にRフィルタ層、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bの屈折率は、1.6~1.7程度であるのに対して、遮蔽層21の屈折率は、例えば1.3~1.4程度である。なお、遮蔽層21の屈折率は、Rフィルタ層、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bの屈折率より低いほど好ましい。しかし、遮断層21として屈折率が1.0程度である空気層を形成する、すなわち、Rフィルタ層、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bの間に空間を設けることは、好ましくない。これは、マイクロレンズ18の形成工程において、カラーフィルタ層間に高屈折率のマイクロレンズ材が入り、これが残存すると、カラーフィルタ層間に高屈折層が形成されたことになり、遮蔽層21としての機能が損なわれるためである。図3は、図2の点線X-X ́に沿った固体撮像装置12の断面図である。図3に示すように、Rフィルタ層20R、Gフィルタ20G、およびBフィルタ20Bは、例えばベイヤー配列されており、互いに離間する位置に配置されている。そして、遮蔽層21は、Rフィルタ層20R、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bの間を埋めるように形成されている。再び図2を参照する。遮蔽層21を含むRフィルタ層、Gフィルタ層20G、Bフィルタ層20B上には、透明の第2の平坦化層22が形成されている。第2の平坦化層22の表面は、例えばCMP法によって平坦化されている。第2の平坦化層22は、遮蔽層21より高い屈折率を有する材料によって形成されている。これによって、マイクロレンズ16を介して遮蔽層21の上面方向に向かって入射される光は、遮蔽層21の上面において反射されるため、遮蔽層21に光が侵入することを抑制する。従って、混色が発生することを抑制することができる。反対に、第2の平坦化層22を、遮蔽層21と同等、もしくは遮蔽層21より低い屈折率を有する材料によって形成した場合、遮蔽層21の上面方向に向かって入射される光は、遮蔽層21内に侵入し、カラーフィルタ層を介さずにフォトダイオード18に到達する。すなわち、遮蔽層21に光は、分光されずにフォトダイオード18に到達する。従って、混色が発生してしまう。なお、さらに混色が発生することを抑制したい場合には、上述の第1の平坦化層19を、遮蔽層21より低い屈折率を有する材料により形成すればよい。これによって、遮蔽層21内に侵入した光は、第1の平坦化層19において反射されるため、遮蔽層21に侵入した光がフォトダイオード18に到達することを抑制することができる。第2の平坦化層22の表面上には、複数のマイクロレンズ16が形成されている。これらのマイクロレンズ16は、例えば透明樹脂等の材料を凸レンズ状に形成したものである。また、半導体基板17の裏面上には、酸化膜23を介して配線層24が形成されている。配線層24は、複数の配線24aの層間に層間絶縁膜24bが形成されたものである。配線層24を半導体基板17の裏面上に形成することにより、配線24a設計の自由度を向上させることができるため、配線層24の厚さを薄くすることができる。従って、裏面照射型の固体撮像装置12は、表面照射型の固体撮像装置と比較して、低背化することができる。次に、図2に示す固体撮像装置12の製造方法について、図4乃至図11を参照して説明する。図4乃至図11はそれぞれ、固体撮像装置12の製造方法を説明するための断面図である。図4に示すように、複数のフォトダイオード18が形成されるとともに、裏面に配線層24が形成された半導体基板17の表面上に、第1の平坦化層19を形成する。第1の平坦化層19は、例えばCMP法等を採用して形成することにより、その表面が平坦になるように形成される。次に、図5に示すように、第1の平坦化層19の表面上の所定位置に、Gフィルタ層20Gを形成する。Gフィルタ層20Gは、例えば第1の平坦化層19の表面上に複数形成されるとともに、複数のGフィルタ層20Gは、市松状に配列される。次に、図6に示すように、Gフィルタ層20Gの間から露出する第1の平坦化層19の表面上に、遮蔽層となる遮蔽材21 ́を形成する。遮蔽材21 ́は、Gフィルタ層20G、Bフィルタ層、およびRフィルタ層より低い屈折率を有する材料であり、Gフィルタ層20Gの間を埋めるように形成される。次に、図7に示すように、遮蔽材21 ́の一部を除去することにより、第1の平坦化層19の表面上の所定位置に、遮蔽層21を形成する。遮蔽層21は、例えば以下のように形成される。まず、遮蔽材21 ́を含むGフィルタ層20G上にレジスト層25を形成し、このレジスト層25に、Rフィルタ層およびBフィルタ層を形成するための開口部25aを形成する。開口部25aからは、遮蔽材21 ́の一部が露出する。次に、開口部25aを有するレジスト層25をマスクとして用いて、遮蔽材21 ́の一部をRIE等によりエッチングする。このエッチング工程により遮蔽材21 ́の不要部分は除去され、Gフィルタ層20Gの側面に残った遮蔽材21 ́により、遮蔽層21が形成される。例えば図7に示すレジスト層25を除去した後、図8に示すように、側面に遮蔽層21を有するGフィルタ層20Gの間を埋めるように、Bフィルタ層20BおよびRフィルタ層図示せずを形成する。次に、図9に示すように、Gフィルタ層20G、Bフィルタ層20B、Rフィルタ層、および遮蔽層21の表面上に、第2の平坦化層22を形成する。第2の平坦化層22は、遮蔽層21より高い屈折率を有する材料を用い、例えばCMP法等を採用して、その表面が平坦になるように形成される。最後に、第2の平坦化層22上に複数のマイクロレンズ16を形成することにより、図2に示す固体撮像装置12が製造される。なお、遮蔽層21は、上述の方法以外に、例えば以下に示すように形成してもよい。すなわち、図5に示すようにGフィルタ層20Gを形成した後、図10に示すように、Gフィルタ層20Gの間から露出する第1の平坦化層19の表面上に、Bフィルタ層20BおよびRフィルタ層図示せずを形成する。Bフィルタ層20BおよびRフィルタ層は、Gフィルタ層20Gの間を埋めるように形成される。次に、図11に示すように、Gフィルタ層20GとBフィルタ層20Bとの境界部分、およびGフィルタ層20GとRフィルタ層との境界部分を除去し、Gフィルタ層20GとBフィルタ層20Bとの間、およびGフィルタ層20GとRフィルタ層との間に、溝26を形成する。溝26は、例えば以下のように形成される。まず、Gフィルタ層20G、Bフィルタ層20B、およびRフィルタ層上にレジスト層27を形成し、このレジスト層27に、溝26を形成するための開口部27aを形成する。開口部27aからは、Gフィルタ層20GとBフィルタ層20Bとの境界部分、およびGフィルタ層20GとRフィルタ層との境界部分が露出する。次に、開口部27aを有するレジスト層27をマスクとして用いて、Gフィルタ層20GとBフィルタ層20Bとの境界部分、およびGフィルタ層20GとRフィルタ層との境界部分をRIE等によりエッチングする。このエッチング工程によりGフィルタ層20GとBフィルタ層20Bとの境界部分、およびGフィルタ層20GとRフィルタ層との境界部分は除去され、Gフィルタ層20GとBフィルタ層20Bとの間、およびGフィルタ層20GとRフィルタ層との間に、溝26が形成される。遮蔽層21は、図11に示す溝26を埋めるように形成してもよい。次に、このように製造された固体撮像装置12に極端に斜め方向から入射された光が進行する様子について、図12を参照して説明する。図12は、実施形態に係る固体撮像装置12に入射された光L1、L2が進行する様子を説明するための図である。図12に示すように、固体撮像装置12に極端に斜め方向から入射される光の一部L1は、マイクロレンズ16の表面において屈折し、所定のカラーフィルタ層を通過して、所定のフォトダイオード18に集光される。例えば図示するように、Gフィルタ層20Gを通過して、このフィルタ層20Gの直下に設けられた、Gフィルタ層20Gに対応するフォトダイオード18に集光される。他方、固体撮像装置12に極端に斜め方向から入射される光の他の一部L2は、マイクロレンズ16の表面において屈折し、所定のカラーフィルタ層を通過した後、所定のフォトダイオード18が存在する方向には進行しない。例えば図示するように、Gフィルタ層20Gを通過した後、このフィルタ層20Gに対応するフォトダイオード18が存在する方向には進行しない。ここで、仮に遮蔽層21がない場合、図中に点線の矢印で示すように、Gフィルタ層20Gを通過した後の光は、隣接するBフィルタ層20Bをさらに通過した後、所定のフォトダイオード18に隣接する他のフォトダイオード18Bフィルタ層20Bに対応するフォトダイオード18に集光される。これが、混色の原因である。しかし、本実施形態に係る固体撮像装置12のように、遮蔽層21を有する場合、図中に実線の矢印で示すように、Gフィルタ層20Gを通過した後の光は、遮蔽層21で反射され、Gフィルタ層20Gに対応した所定のフォトダイオード18に集光される。換言すれば、Gフィルタ層20G、Bフィルタ層20B、およびRフィルタ層の間の遮蔽層21は、マイクロレンズ16、R、G、Bいずれかのカラーフィルタ層、およびフォトダイオード16からなる画素内に、入射された光を閉じ込める。以上に説明したように、本実施形態に係るカメラモジュール10および固体撮像装置12によれば、Rフィルタ層20R、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bの間に、これらのフィルタ層20R、20G、20Bより低い屈折率を有する材料によって遮蔽層21が形成されている。従って、極端に斜め方向から光が入射された場合であっても、その光を、所定のフィルタ層を通過させて、通過したフィルタ層に対応するフォトダイオード18に集光させることができる。従って、本実施形態に係るカメラモジュール10および固体撮像装置12によれば、混色の発生を抑制することができる。また、本実施形態に係るカメラモジュール10および固体撮像装置12によれば、極端に斜め方向から入射される光であっても、その光を所定のフォトダイオード18に集光させることができる。従って、各フォトダイオード18には、ほぼ均一な強度の光が集光される。従って、撮像された画像に生ずる明暗の差を抑制することができる。すなわち、本実施形態に係るカメラモジュール10および固体撮像装置12によれば、シェーディングを改善することができる。さらに、本実施形態に係るカメラモジュール10によれば、極端に斜め方向から固体撮像装置12に光を入射した場合であっても、その光を所定のフォトダイオード18に集光させることができるため、固体撮像装置12に対して垂直方向から光を入射させるために、カメラモジュール10のレンズ14を多層化する、といった対応も不要である。従って、本実施形態に係るカメラモジュール10によれば、コストを上昇させずに、混色を抑制し、シェーディングを改善することができる。第2の実施形態図13は、本実施形態に係る固体撮像装置を示す縦断面図である。なお、第2の実施形態に係るカメラモジュールは、第1の実施形態に係るカメラモジュールと比較して、固体撮像装置の構造が異なる他は全て同一であるため、図示を省略するととともに、説明も省略する。図13に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置30において、遮蔽層31は、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bを覆うように形成されている。なお、図示は省略しているが、遮蔽層31は、Rフィルタ層も覆っている。すなわち、遮蔽層31は、Rフィルタ層、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bの間に形成される他、さらに、これらのフィルタ層上に形成されている。この場合、各フィルタ層上に遮蔽層31が形成されるため、遮蔽層31の表面を平坦にすれば、第1の実施形態に係る固体撮像装置12のように、第2の平坦化層を形成する必要はない。なお、第2の平坦化層が形成されないため、Rフィルタ層、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bの間の遮蔽層31に光が侵入する場合がある。このような光がフォトダイオード18に集光されると、混色が生じる。従って、遮蔽層31に侵入した光をフォトダイオード18に到達させ難くするために、第2の実施形態に係る固体撮像装置30の場合、第1の平坦化層19を、遮蔽層31より低い屈折率の材料により形成する必要がある。このような固体撮像装置30は、図11に示すように、Gフィルタ層20GとBフィルタ層20Bとの間、およびGフィルタ層20GとRフィルタ層との間に溝26を形成した後、図14に示すように、この溝26の内部を含むGフィルタ層20G、Bフィルタ層20B、およびRフィルタ層上に、遮蔽層31を形成すればよい。このような本実施形態に係る固体撮像装置30およびこれを適用したカメラモジュールであっても、Rフィルタ層、Gフィルタ層20G、およびBフィルタ層20Bの間に、これらのフィルタ層より低い屈折率を有する材料によって遮蔽層31が形成されている。従って、第1の実施形態に係る固体撮像装置12およびカメラモジュール10と同様の理由により、混色の発生を抑制することができる。さらに、シェーディングも改善される。また、特にこの固体撮像装置30を適用したカメラモジュールにおいては、コストを上昇させずに、混色を抑制し、シェーディングを改善することができる。以上に、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、第1の実施形態に係る遮蔽層21、または第2の実施形態に係る遮蔽層31を、表面照射型の固体撮像装置に適用してもよい。ここで表面照射型の固体撮像装置とは、半導体基板の表面上に配線層が形成されているとともに、この配線層上にGフィルタ層、Bフィルタ層、およびRフィルタ層が形成され、これらのGフィルタ層、Bフィルタ層、およびRフィルタ層上に、マイクロレンズが形成されたものである。