"円筒の外周面の一部をなす曲面を備えた基盤を準備し、前記基盤の前記曲面上に、複数の層を積層してなる試験片を、前記積層の方向を前記円筒の直径方向に向けて固定し、前記試験片の端面の内、前記円筒の軸方向を向く端面に切刃を押し当て、前記試験片の表面と平行に切刃を移動させて前記試験片の一部分を切削することにより、前記試験片の表面から内部の領域が露出した切削面を形成することを特徴とする試験片の切削方法。前記円筒基盤の曲率半径を20mm以上で200mm以下に設定したことを特徴とする請求項1記載の試験片の切削方法。前記切刃は平刃で、その刃幅を1mm以上で20mm以下に設定したことを特徴とする請求項1又は2に記載の試験片の切削方法。円筒の外周面の一部をなす曲面を有し、且つ複数の層を積層してなる試験片をその積層方向を前記円筒の直径方向に向けて前記曲面に固定する基盤と、前記円筒の直径方向と円筒の軸方向に平行な方向との両方向に、前記基盤の曲面に対して相対移動可能に設けられて前記試験片を切削する切刃と、を備えたことを特徴とする試験片の切削装置。試験片を装着する面が平面をなす基盤を準備し、前記基盤の前記平面上に、複数の層を積層してなる試験片を、前記積層の方向を前記平面に直交する方向に向けて固定し、前記試験片の端面に切刃を押し当て、この切刃は、中央が前記試験片のうち前記基盤に近い層の端面に位置し、両端が前記試験片のうち前記基盤から遠い層の端面に位置する方向に湾曲した円弧状をなすものを用い、この切刃を試験片の表面と平行に移動させて前記試験片の一部分を切削することにより、前記試験片の表面から内部の領域を露出した切削面を形成することを特徴とする試験片の切削方法。前記切刃の曲率半径を20mm以上で200mm以下に設定したことを特徴とする請求項5記載の試験片の切削方法。前記切刃は、その刃幅を1mm以上で20mm以下に設定したことを特徴とする請求項5又は6に記載の試験片の切削方法。本発明は上記事実を考慮し、従来技術に比べ、切削する際に簡便な制御方法で安定した切削面を得ることが出来、かつ、試験片の変形、摩耗、あるいは切削痕などの影響が深さ方向に作用し難く、試験片の深さ方向に分布した成分やその状態の相互干渉が少なく、好適に、深さ方向の分析ができる試験片の切削方法と装置を提供することが目的である。上記の課題を解決するための手段として、請求項1に記載の発明は、円筒の外周面の一部をなす曲面を備えた基盤を準備し、前記基盤の前記曲面上に、複数の層を積層してなる試験片を、前記積層の方向を前記円筒の直径方向に向けて固定し、前記試験片の端面の内、前記円筒の軸方向を向く端面に切刃を押し当て、前記試験片の表面と平行に切刃を移動させて前記試験片の一部分を切削することにより、前記試験片の表面から内部の領域が露出した切削面を形成することを特徴とする試験片の切削方法である。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記円筒基盤の曲率半径を20mm以上で200mm以下に設定した事を特徴としている。また。請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の試験片の切削方法において、前記切刃の刃幅を1mm以上で20mm以下に設定した事を特徴としている。さらに、請求項4に記載の発明は、円筒の外周面の一部をなす曲面を有し、且つ複数の層を積層してなる試験片をその積層方向を前記円筒の直径方向に向けて前記曲面に固定する基盤と、前記円筒の直径方向と円筒の軸方向に平行な方向との両方向に、前記基盤の曲面に対して相対移動可能に設けられて前記試験片を切削する切刃と、を備えたことを特徴とする試験片の切削装置に係る。前記切刃は平刃であると好適である。さらに請求項5に記載の発明は、試験片を装着する面が平面をなす基盤を準備し、前記基盤の前記平面上に、複数の層を積層してなる試験片を、前記積層の方向を前記平面に直交する方向に向けて固定し、前記試験片の端面に切刃を押し当て、この切刃は、中央が前記試験片のうち前記基盤に近い層の端面に位置し、両端が前記試験片のうち前記基盤から遠い層の端面に位置する方向に湾曲した円弧状をなすものを用い、この切刃を試験片の表面と平行に移動させて前記試験片の一部分を切削することにより、前記試験片の表面から内部の領域を露出した切削面を形成することを特徴とする試験片の製造方法に係る。前記請求項1に記載の発明が、円弧状に曲げた試験片を切刃により切削するのに対し、この請求項5に記載の発明は平らな試験片を湾曲した切刃により切削するものであり、請求項1と5により、試験片と切刃とのいずれか円弧状に曲げやすい方を曲げ且つ他方を平らにして試験片の切削をする方法を提供するものである。さらに請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の発明において、前記切刃の曲率半径を20mm以上で200mm以下に設定したことを特徴としている。また、請求項7に記載の発明は、請求項5又は6に記載の発明において、前記切刃は、その刃幅を1mm以上で20mm以下に設定したことを特徴としている。本発明の方法および装置によれば、切削する際に、従来技術に比べ、簡便な制御方法で安定した切削面を得ることが出来、さらに、試料の深さ方向に分布した成分やその状態の相互干渉が少なく切削出来るため、試料の深さ方向に分布した成分の分析を好適に行う事が出来る。以下、本発明における試験片の切削方法および装置の実施形態ついて、図1~図3を参照して説明する。まず、本発明において評価の対象とする試験片について、図1、2に基づき説明する。試験片1は、基材フィルム11に薄膜12、13、14を形成した構成をもち、平面表面視矩形をなす。薄膜は単層でも多層でも構わない。試験片1の表面をA,裏面をC、薄膜と基材の界面をBとする。また、試験片の面のうち、表面Aと裏面Cを除く4つの面を端面Dとする。以下、本発明の試料加工方法について、図2に基づき説明する。まず、図に示すように、半円筒状の表面をもった基盤22図示しないステージ上に設置されるに、試験片1の裏面C側を接着剤不図示などを用いて固定する。この際、試験片の少なくとも一つの端面Dが円筒の軸方向を向くように固定する。この段階では試験片1は前記円筒の軸方向に直交する方向において基盤22に沿って円弧状に変形している。前記基盤22に対して切刃装置21が配置される。この切刃装置には図2において太線で示されるように平板状をなす切刃21aが備えられて、この切刃21aにより試験片1が切削されるようになっている。次に、前記端面Dのうち、円弧状に曲がった最も高い部分が、切刃21aの刃幅方向のおよそ中心に来るように切刃装置21を動作させ、且つ、切刃21aの先端が界面Bより僅かに低く、基材に僅かに触れるように押し当てる。その後切刃21aを、試験片1に対して相対的に、Y方向円筒長さ方向と平行に一直線に移動させ、薄膜および界面近傍の基材を切削する。切削後の試験片1の切削面の一例を図3に示す。図3aのように切削した場合、切削面には薄膜12,13,14の深さ方向の領域が実際より大きく拡大され露出している。その拡大率は、円周の最高点に近い箇所の方が高く、離れるほど低下している。以上記したように、本発明の方法では、半円筒状の基盤に試験片を貼り付け、試験片の断面を円弧状に曲げて固定することにより、端面から水平切削を一度行うだけで、従来技術である特許文献1の方法よりも簡便に、薄膜の深さ方向の領域が実際よりも大きく拡大された、成分分布の分析に好適な切削面を得る事が出来る。さらに、従来技術である特許文献1の方法では、切刃の切削方向と試験片の深さ方向が平行な関係にあり、そのため、切削による材料の変形や付着などが深さ方向に拡がりやすく、成分分布分析の妨げとなる可能性があったが、本発明による試験片の切削では、切刃の進行方向と試験片の深さ方向は垂直な関係にあるため、変形や付着の影響が深さ方向に出にくい。従って、より成分分布分析に適した切削面を得る事が出来る。本発明において端面Dに切刃21aを押し当てる際には、以下の方法を用いることで簡単に行うことが出来る。まず、切刃21aを円弧状に曲がった試験片1表面Aの最も高い箇所に当てる。その際、切刃装置21を動作させて切刃21aを試験片1の上側から低速で降下させ、切刃21aの刃先が表面Aに接触した際に、切刃21aと接続されたZ方向の荷重を検出する荷重検出器23により検出する。その後、切刃21aをYの負方向に、もしくは基盤22をYの正方向に移動させ、切刃21aと試験片1を十分に離す。次に、切刃21aを、薄膜の膜厚α分Zの負方向に移動させる。そして、切刃21aをYの正方向に、もしくは基盤ステージ22をYの負方向に移動させることで、切刃21aを端面Dに押し当てることができる。ここでαの値としては、1μm以上で3μm以下の範囲が望ましい。1μm未満の場合、一定かつ安定的試験片1を切削することが困難であり、3μmより大きい場合、切削面での薄膜の深さ方向の拡大率が十分ではなくなる。半円筒状の基盤22としては、以下の形状にすることが望ましい。基盤22の曲率半径は、20mm以上、200mm以下の範囲であることが好ましい。曲率半径を20mm以上200mm以下の範囲とすることにより、工業的に需要の多い、厚さ1~50μmの薄膜の深さ方向成分分布分析を好適に行うための切削面を得る事が出来る。なお、曲率半径が20mm未満であると、切削した際の深さ方向の拡大率が十分でない点で不利であり、曲率半径が200mm超であると、基盤22自体が大型になり装置コストの点から不利である。また、切刃21aの刃幅図2aにおける左右方向の幅としては、1mm以上、20mm以下の範囲であることが望ましい。刃幅を1mm以上20mm以下の範囲とすることにより、工業的な需要の多い、厚さ1~50μmの薄膜の深さ方向成分分布分析を好適に行うための切削面を得る事が出来る。なお、刃幅が1mm未満であると、一度の切削で薄膜全体を切削することが難しい点で不利であり、刃幅が20mm超であると、幅方向の切削品質が一定を保ちにくくなる点が不利である。本発明の試験片切削装置としては、試験片1を固定する半円筒状の表面を有する基盤22と切刃21aとを備えており、基盤22に対して相対的に水平な方向および垂直な方向に切刃21aを移動可能な切刃装置21を用いることができる。なお、この実施形態では、試験片1と切刃21aとが相対的に前記の動きをすることができるように、基盤22を設置した図示しないステージと、切刃21aを備えた切刃装置21がそれぞれ動作するものとする。図4は別の切削方法を示すものであり、この方向は図1~3に記載の方法とは逆に、試験片1は平坦にしたままで、切刃21aを円弧状に湾曲させるものである。すなわち、試験片1を装着する面、ここでは上面が平面をなす基盤22としている。この基盤22の平面である上面の上に、基材フィルム11に薄膜12、13、14を図4のように積層して形成した試験片1を重ねて例固定している。この固定も接着その他の手段によりなされる。かくして、試験片1は積層の方向を前記平面に直交する方向に向けて固定されている。この状態で、前記試験片1の端面に切刃21aを押し当てる。ここで用いる切刃21aは、中央が前記試験片1のうち前記基盤に近い基材フィルム11の層の端面に位置し、両端が前記試験片のうち前記基盤から遠い薄膜14の層の端面に位置する方向に湾曲した円弧状をなすものを用いている。この切刃21aを、前記図2の切刃装置21と荷重検出器23とを用いて前記同様に動作させて、試験片1の表面と平行基盤22の上面とも平行移動させることにより前記試験片1の一部分を切削する。これで、図1~3の場合と同様に前記試験片1の表面から内部の領域を露出した切削面を形成することができる。切刃21aの曲率半径は20mm以上で200mm以下に設定されている。曲率半径を20mm以上200mm以下の範囲とすることにより、工業的に需要の多い、厚さ1~50μmの薄膜の深さ方向成分分布分析を好適に行うための切削面を得る事が出来る。なお、曲率半径が20mm未満であると、切削した際の深さ方向の拡大率が十分でない点で不利であり、曲率半径が200mm超であると、基盤22自体が大型になり装置コストの点から不利である。また切刃21aの刃幅は,この実施形態でも1mm以上で20mm以下に設定されている。これは図1~3の場合と同一の理由からである。次に本発明の図1~3に示した試験片加工方法の実施例を説明する。試験片1として、透明なポリエチレンテレフタレートからなる厚さ250μmの基材フィルム11の一方の面に、基材に近い方から順にNi,Cu,Snを、それぞれ膜厚2、3、5μmでメッキ法により形成し、積層薄膜12、13、14とした。幅2mmの切刃21と万能型ボンドテスターデイジ社製:シリーズ4000を用いて、本発明の試験片切削法を行った。この試験機のステージ上に、アルミ製の半筒柱状基盤22半径25mm、高さ10mm、奥行き30mmをネジで固定し、その上に20mm角に切った試験片1のPET基材面側を基盤22表面に円柱状表面に沿うように貼り付けた。切刃21の先端をNi膜12とPETフィルムの界面Bより約1μm下に押し当て、試験片に対して相対的に、Y方向円筒長さ方向と平行に一直線に移動させ、薄膜および界面近傍の基材を切削し、切削面を作成した。上記方法により切削面を作成した試験片を基盤から剥がし、光学顕微鏡により測定を行った。その結果、切削面上の各薄膜の露出幅は、Ni膜約0.3mm,Cu膜約0.2mm,Sn膜約0.2mmとなり、いずれも、実際の膜厚より数10倍以上に深さ方向の領域が大きく拡大され露出しており、本発明の効果が確認された。"