"ヒータの加熱によりルツボ内にシリコン溶融液を形成し、前記ルツボからチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって、前記ルツボの上方に設けられ、上部と下部とが開口形成されて、引き上げられる単結晶の周囲を包囲すると共に、前記単結晶を冷却する冷却筒を備え、前記冷却筒の内周面側には、複数の環状凹部が周方向に沿って並列状に形成されていることを特徴とする単結晶引上装置。前記環状凹部は、その断面底部が放物線状または円弧状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載された単結晶引上装置。上下に隣り合う前記環状凹部は隙間無く隣接し、その隣接部は尖形形状となされていることを特徴とする請求項2に記載された単結晶引上装置。前記断面底部が放物線状または円弧状に形成された環状凹部において、その開口部の単結晶引上軸方向の幅寸法をhとし、前記開口部の幅方向の中点と該環状凹部の底部頂点とを結ぶ線分の長さをtとし、前記線分の延長線と単結晶引上軸との交差角度をαとすると、前記幅寸法hは5~50mm、前記線分長さtは10mm以上、前記交差角度αは、30°~120°の範囲内でそれぞれ規定されることを特徴とする請求項2または請求項3に記載された単結晶引上装置。前記冷却筒は、下方に向けて縮径するように形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載された単結晶引上装置。しかしながら、図示するような冷却筒53の構成にあっては、単結晶Cから発せられる輻射熱が冷却筒53の内周面で反射し、再び単結晶Cに戻るため、冷却効果が不十分になるという課題があった。一方、冷却能力の向上のために冷却筒53を溶融液面に接近させると、結晶外周近傍の溶融液Mが過分に冷却されることがあり、単結晶Cの有転位化を引き起こすという課題があった。本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、チョクラルスキー法によってルツボからシリコン単結晶を引上げる単結晶引上装置において、育成する単結晶を効果的に冷却し、グローイン欠陥の発生を抑制すると共に、結晶の有転位化を抑制することができる単結晶引上装置を提供することを目的とする。前記課題を解決するためになされた、本発明に係る単結晶引上装置は、ヒータの加熱によりルツボ内にシリコン溶融液を形成し、前記ルツボからチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって、前記ルツボの上方に設けられ、上部と下部とが開口形成されて、引き上げられる単結晶の周囲を包囲すると共に、前記単結晶を冷却する冷却筒を備え、前記冷却筒の内周面側には、複数の環状凹部が周方向に沿って並列状に形成されていることに特徴を有する。尚、前記環状凹部は、その断面底部が放物線状または円弧状に形成されていることが望ましい。また、上下に隣り合う前記環状凹部は隙間無く隣接し、その隣接部は尖形形状となされていることが望ましい。また、前記断面底部が放物線状または円弧状に形成された環状凹部において、その開口部の単結晶引上軸方向の幅寸法をhとし、前記開口部の幅方向の中点と該環状凹部の底部頂点とを結ぶ線分の長さをtとし、前記線分の延長線と単結晶引上軸との交差角度をαとすると、前記幅寸法hは1~100mm、前記線分長さtは10mm以上、前記交差角度αは、10°~170°の範囲内でそれぞれ規定されることが望ましい。また、前記冷却筒は、下方に向けて縮径するように形成されていることが望ましい。このように構成することにより、引上軸に沿ってルツボから単結晶が引き上げられる工程において、単結晶からの輻射熱は前記冷却筒によって単結晶に向けて反射されることが無く、複数の環状凹部において効果的に吸収される。これにより、単結晶を効率よく冷却することができ、所定の引上速度を維持して単結晶を育成することができる。その結果、COP、OSF等のグローイン欠陥が発生する中低温帯の通過時間滞在時間を大幅に低減し、その発生を抑制することができる。また、冷却筒と溶融液面との距離を一定に保持した状態で、より速い速度で単結晶の引き上げを行うことができるため、溶融液の過冷却を抑制して結晶の有転位化の発生を抑制し、生産性を向上することができる。本発明によれば、チョクラルスキー法によってルツボからシリコン単結晶を引上げる単結晶引上装置において、育成する単結晶を効果的に冷却し、グローイン欠陥の発生を抑制すると共に、結晶の有転位化を抑制することのできる単結晶引上装置を得ることができる。以下、本発明に係る単結晶引上装置の実施の形態について図面に基づき説明する。図1は本発明に係る単結晶引上装置の主要部構成を示す断面図である。この単結晶引上装置1は、円筒形状のメインチャンバ2aの上にプルチャンバ2bを重ねて形成された炉体2と、炉体2内に設けられたルツボ3と、ルツボ3の内面に装填された半導体原料原料ポリシリコンを溶融してシリコンの溶融液Mとする抵抗加熱ヒータ4以下、単にヒータと呼ぶと、育成される単結晶Cを引上げワイヤ5により引上げる引上げ機構図示せずとを有している。前記ヒータ4には、ルツボ3を囲むように円筒状のスリット部4aが発熱部として設けられている。また、ルツボ3は二重構造であり、内側が石英ガラスルツボ3a、外側が黒鉛ルツボ3bで構成されている。このルツボ3は、回転モータ図示せずにより引上げ軸周りに回転制御されると共に、単結晶Cの引上げ育成に伴い、昇降装置図示せずによりメインチャンバ2a内で上昇可能となされている。また、前記引上げ機構により引き上げられる引上げワイヤ5の先端には、種結晶Pが取り付けられている。また、メインチャンバ2a内において、ルツボ3の上方且つ近傍には、単結晶Cの周囲を包囲する輻射シールド6が配置されている。この輻射シールド6は、上部と下部が開口形成され、筒状の形状をなし、育成中の単結晶Cへのヒータ4等からの余計な輻射熱を遮蔽すると共に、炉内のガス流を整流するものである。尚、輻射シールド6は、炉体2内において位置固定されるが、輻射シールド6下端と溶融液面との間の距離寸法ギャップは、単結晶Cの育成に伴いルツボ3を上昇させることにより、所定の距離を維持するよう制御される。また、本実施形態において、輻射シールド6の内側には筒状の冷却筒7が設けられている。この冷却筒7は、単結晶Cを取り囲むように上部と下部とが開口し、下方に向けて縮径している。このように冷却筒7が、下方に向けて縮径していることにより、その下部ほど単結晶Cとの距離が短くなり、固化して間もない単結晶Cの下部を効果的に冷却することができる。また、冷却筒7の内周面側には、複数の環状凹部7a溝が周方向に沿って並列状に形成されている。各環状凹部7aの断面は、図1に示すように、その底部が放物線状に形成されている。また、上下に隣り合う環状凹部7aは隙間無く隣接し、その隣接部は尖形形状となされている。このため、図示するように冷却筒7の内周面側の断面は鋸歯状となっている。また、図2に示す冷却筒7の内部空間7bには例えば水管図示せずが設けられ、その水管の中を所定温度の冷却水が循環することによって、冷却筒7の表面温度を所定温度30°Cに維持するようになされている。尚、冷却筒7において、水管を設けずに、内部空間7bに直接的に冷却水を循環させることによって冷却筒7の表面を所定温度に維持するようにしてもよい。この冷却筒7に形成された各環状凹部7aの形状は、図2,図3に示すように規定される。即ち、図3に示すように環状凹部7aにおいて、その開口部の単結晶引上軸方向の幅寸法hは1~100mm、より好ましくは5~50mmの範囲内で規定される。また、前記開口部の幅方向の中点Pt1と環状凹部7aの底部頂点Pt2とを結ぶ線分の長さ寸法tは10mm以上の範囲内で規定される。前記長さ寸法tは好ましくは10mm以上50mm以下の範囲内である。また、図2,図3に示すように、前記線分の延長線L1と単結晶引上軸L2との交差角度αは10°~170°、より好ましくは30°~120°の範囲内で規定される。このように環状凹部7aの形状を規定することにより、単結晶Cから発せられる輻射熱が冷却筒7の内周面側に反射しても、それが再び単結晶Cに戻り難い構成とすることができる。このように構成された冷却筒7を備える単結晶引上装置1によれば、ワイヤ5によってルツボ3から単結晶Cを引き上げる工程において、単結晶Cからの輻射熱は冷却筒7によって単結晶Cに向けて反射されることが無く、複数の環状凹部7aにおいて効果的に吸収される。これにより、単結晶Cを効率よく冷却することができ、所定の引上速度を維持して単結晶Cを育成することができる。その結果、COP、OSF等のグローイン欠陥が発生する中低温帯の通過時間滞在時間を大幅に低減し、その発生を抑制することができる。また、冷却筒7と溶融液面M1との距離を一定に保持した状態で、より速い速度で単結晶Cの引き上げを行うことができるため、溶融液Mの過冷却を抑制して結晶の有転位化の発生を抑制し、生産性を向上することができる。尚、前記実施の形態にあっては、環状凹部7aの底部断面が放物線状に形成された例を示したが、それに限定されるものではない。例えば、環状凹部7aの底部断面は円弧状でもよく、或いは、図4aに示すように三角形状、もしくは4bに示すように矩形状であってもよい。また、底部断面が放物線状又は円弧状の環状凹部と、三角形状又は矩形状の環状凹部とを組み合わせて構成してもよい。また、前記実施の形態にあっては、冷却筒7は、下方に向けて縮径する形状としたが、径を一定とした直胴状に形成されたものであってもよい。本発明に係る単結晶引上装置について、実施例に基づきさらに説明する。[実験1]実験1では、本発明に係る単結晶引上装置の効果について検証した。具体的には、図1乃至図3に示す前記実施の形態に基づき、表1に示す条件で単結晶引き上げを行った。尚、表1において、交差角度α、幅寸法h、深さ寸法tは、それぞれ図3に示したパラメータである。また、全ての条件において、直径310mmのシリコン単結晶を100本育成した。ルツボ内径は、788mmであり、ルツボ側方に配されたヒータ発熱部の高さは450mmである。図5のグラフに実施例1と比較例1とにおける結晶温度分布を左右対称に比較して示し左側が比較例1、右側が実施例1、図6に実施例2と比較例1とにおける結晶温度分布を左右対称に比較して示す左側が比較例1、右側が実施例2。図5,図6の結晶温度分布に示されるように、実施例1、実施例2において、共に比較例1よりも明らかに単結晶の冷却効果が大きくなり、本発明の効果が確認された。また、図7に各条件における結晶軸方向の温度勾配、図8に各条件におけるCOP発生領域通過時間、図9に各条件におけるOSF発生領域通過時間をグラフで示す。尚、比較例1として、図23に示したように冷却筒の内面側の断面形状において凹凸部が形成されない条件を加えた。また、図7のグラフにおいて、縦軸は温度勾配K/mm、横軸は結晶軸方向の位置mmである。また、図8、9のグラフにおいて、縦軸は時間min、横軸は結晶軸方向の位置mmである。また、前記図7~図9の結果に基づき、比較例1従来構成に対する実施例1の効果改善率を表2に示し、比較例1従来構成に対する実施例2の効果改善率を表3に示す。この実験1の結果、実施例1,2では、結晶軸方向に沿った温度勾配が比較例1よりも大きくなり、その結果、実施例1では引上速度が比較例1に比べて約3上昇し、実施例2では引上速度が比較例1に比べて約5上昇した。また、実施例1,2では、引上速度の上昇により、COP発生温度領域、およびOSF発生温度領域の滞在時間通過時間が短くなり、COP欠陥密度、およびOSF欠陥密度を共に大きく低減することができた。[実験2]実験2では、冷却筒の内周面側に形成すべき凹凸形状について検証した。具体的には、図1に示した冷却筒7の内周面側に、図10aに示すように複数の環状凸部7c断面円弧状を形成した条件比較例2、図10bに示すように複数の環状凹部7a断面円弧状を形成した条件実施例3、図10cに示すように環状凹部7a断面円弧状と環状凸部7c断面円弧状とを交互に形成した条件比較例3について、それぞれ検証した。図11に各条件における結晶軸方向の温度勾配、図12に各条件におけるCOP発生領域通過時間、図13に各条件におけるOSF発生領域通過時間をグラフで示す。尚、図23に示したように冷却筒の内面側の断面形状において凹凸部が形成されない条件比較例1を加えた。図11に示すように冷却筒の内周面側に複数の環状凹部7aが形成された実施例3において最も温度勾配が大きくなった。そのため、従来の冷却筒の構成比較例1に比べ引上速度が最も上昇した。また、図12、図13に示すように、実施例3においてCOP発生温度領域、およびOSF発生温度領域の滞在時間通過時間が短くなり、COP欠陥密度、およびOSF欠陥密度を共に低減することができた。この実験2の結果により、冷却筒の内周面側には、実施例3のように複数の環状凹部を形成することが好ましいと確認した。ただし、環状凸部が交互に形成した条件は、効果が低いものであった。[実験3]実験3では、冷却筒の内周面側に環状凹部を形成する場合の、その好ましい断面形状について検証した。具体的には、図1に示した冷却筒7の内周面側の凹部7aの断面形状が、図4aに示したように三角形状に形成された条件実施例4、図4bに示したように矩形状に形成された条件実施例5、図1に示したように放物線状に形成された条件実施例6について、それぞれ検証した。図14に各条件における結晶軸方向の温度勾配、図15に各条件におけるCOP発生領域通過時間、図16に各条件におけるOSF発生領域通過時間をグラフで示す。尚、図23に示したように冷却筒の内面側の断面形状において凹凸部が形成されない条件比較例1を加えた。図14に示すように冷却筒の内周面側の凹部断面形状が放物線状の実施例6において最も温度勾配が大きくなった。そのため、従来の冷却筒の構成比較例1に比べ引上速度が最も上昇した。また、図15、図16に示すように、実施例6においてCOP発生温度領域、およびOSF発生温度領域の滞在時間通過時間が最も短くなり、COP欠陥密度、およびOSF欠陥密度を共に低減することができた。この実験3の結果により、冷却筒の内周面側の凹部断面形状は、放物線状であることが最も好ましいと確認した。[実験4]実験4では、冷却筒の内周面側に断面放物線状の環状凹部を設ける場合、表4の条件に基づき、図3において定義した凹部7aの深さtについて検証した。各条件実施例7~11における結晶軸方向の温度勾配を図17に示し、COP発生温度領域の通過時間を図18に示し、OSF発生温度領域の通過時間を図19に示す。図17に示すように深さ寸法tが大きいほど温度勾配が大きくなり、特に深さ寸法tが10mm以上となると顕著に温度勾配が上昇した。また、図18、図19に示すように、深さ寸法tが大きいほどCOP発生温度領域、およびOSF発生温度領域の滞在時間通過時間が短くなった。これらの結果から、深さ寸法tは10mm以上であることが好ましいと考えられる。[実験5]実験5では、表5の条件に基づき、図3において定義した交差角αについて検証した。各条件実施例12~16における結晶軸方向の温度勾配を図20に示し、COP発生温度領域の通過時間を図21に示し、OSF発生温度領域の通過時間を図22に示す。図20に示すように、交差角度αが50°付近において最も温度勾配が大きくなった。また、図21、図22に示すように、交差角度αが50°付近においてCOP発生温度領域、およびOSF発生温度領域の滞在時間通過時間が最も短くなり、より好ましいことを確認した。以上の実施例の結果より、本発明に係る単結晶引上装置によれば、育成する単結晶に対し効果的に冷却することができ、グローイン欠陥の発生を抑制し、また、結晶の有転位化を抑制できることを確認した。"