"常温の電源と低温の超電導装置を接続する熱電冷却型電流リードであって、熱電半導体素子と、前記熱電半導体素子に接続される電極とを備え、前記熱電半導体素子と前記電極との接合面のうち、少なくともいずれか一方が分割されている、熱電冷却型電流リード。前記接合面の分割は、スリットにより形成されている、請求項1記載の熱電冷却型電流リード。前記電極は、二個一対であり、これらの電極の間に前記熱電半導体素子を介在させ、前記二個一対のうちの一方の電極と前記熱電半導体素子との接合面のうち、いずれか一方又は両方の接合面が分割されている、請求項1又は2に記載の熱電冷却型電流リード。前記電極と前記熱電半導体素子との接合面のうち、いずれか一方又は両方の接合面が4分割されている、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の熱電冷却型電流リード。分割後の前記接合面の断面寸法に基づいて、前記スリットの深さ及び前記スリットの幅を設定する、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の熱電冷却型電流リード。前記熱電半導体素子は、BiTe化合物からなるN型又はP型熱電材料である、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の熱電冷却型電流リード。吸熱側の前記電極と前記超電導装置との間には、高温超電導体が接合される、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の熱電冷却型電流リード。熱電冷却型電流リードは、ジュール熱とヒートポンプ効果のバランスから、通電容量に合わせた横断面積の熱電半導体素子を使用する必要がある。通電容量が大きい場合は、使用する熱電半導体素子の断面積も大きくなる。すると、熱電半導体素子と、発熱側電流端子及び吸熱側電流端子の接合部において、通電時の温度変化による熱膨張又は熱収縮を受けて剪断応力が大きくなり、接合部の剥離や熱電半導体素子自体の破損が発生する虞がある。Cu電極である発熱側電流端子及び吸熱側電流端子よりもBiTe化合物からなる熱電半導体素子の方が機械的強度が低いため、熱電半導体素子の破損が問題となる。熱電半導体素子の破損に至らないまでも接合部の剥離等により熱電冷却型電流リードとして安定した特性と耐久性を得ることができない虞がある。本発明の目的は、熱電半導体素子と電極との接合部に働く面方向の剪断応力を低減し、接合部の破壊損傷を防ぐことができる熱電冷却型電流リードを提供することである。本発明の第1の態様である熱電冷却型電流リードは、常温の電源と低温の超電導装置を接続する熱電冷却型電流リードであって、熱電半導体素子と、前記熱電半導体素子に接続される電極とを備え、前記熱電半導体素子と前記電極との接合面のうち、少なくともいずれか一方が分割されている構成を採る。本発明の第2の態様は、第1の態様の熱電冷却型電流リードにおいて、前記接合面の分割は、スリットにより形成されている構成を採る。本発明の第3の態様は、第1の態様又は第2の態様の熱電冷却型電流リードにおいて、前記電極は、二個一対であり、これらの電極の間に前記熱電半導体素子を介在させ、前記二個一対のうちの一方の電極と前記熱電半導体素子との接合面のうち、いずれか一方又は両方の接合面が分割されている構成を採る。本発明の第4の態様は、第1乃至第3の態様のいずれかの態様である熱電冷却型電流リードにおいて、前記電極と前記熱電半導体素子との接合面のうち、いずれか一方又は両方の接合面が4分割されている構成を採る。本発明の第5の態様は、第1乃至第4の態様のいずれかの態様である熱電冷却型電流リードにおいて、分割後の前記接合面の断面寸法に基づいて、前記スリットの深さ及び前記スリットの幅を設定する構成を採る。本発明の第6の態様は、第1乃至第5の態様のいずれかの態様である熱電冷却型電流リードにおいて、前記熱電半導体素子は、BiTe化合物からなるN型又はP型熱電材料である構成を採る。本発明の第7の態様は、第1乃至第6の態様のいずれかの態様である熱電冷却型電流リードにおいて、吸熱側の前記電極と前記超電導装置との間には、高温超電導体が接合される構成を採る。本発明によれば、熱電半導体素子と電極との接合部に働く面方向の剪断応力を低減し、接合部の破壊損傷を防ぐことができる。その結果、信頼性及び耐久性を向上させることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係る熱電冷却型電流リードの一例を模式的に示す図である。本実施の形態の熱電冷却型電流リードは、高温超電導体を接合した超電導電流リードを組み合わせて使用する例である。図1に示すように、熱電冷却型電流リード100は、室温環境下に設置された電源11と極低温容器12内に配設された超電導マグネット13とを電気的に接続する。熱電冷却型電流リード100は、電源11の正極側にN型熱電半導体素子を使用した第1の熱電冷却型電流リード110と、電源11の負極側にP型熱電半導体素子を使用した第2の熱電冷却型電流リード120とからなる。第1の熱電冷却型電流リード110は、発熱側電流端子Cu:純度99.99以上111と、N型熱電半導体素子112と、吸熱側電流端子Cu:純度99.99以上113とを有する。第1の熱電冷却型電流リード110は、N型熱電半導体素子112の両端部に、発熱側電流端子111及び吸熱側電流端子113を接合した構成である。N型熱電半導体素子112と発熱側電流端子111及び吸熱側電流端子113は、ハンダ材質:例えばSnAgCu等により接合される。N型熱電半導体素子112と発熱側電流端子111及び吸熱側電流端子113との接合面には、スリット114により複数の分割領域が形成され、分割領域が形成された状態で両者は接合される。分割の詳細については、図2により後述する。同様に、第2の熱電冷却型電流リード120は、発熱側電流端子121と、P型熱電半導体素子122と、吸熱側電流端子123とを有する。第2の熱電冷却型電流リード120は、P型熱電半導体素子122の両端部に、発熱側電流端子121及び吸熱側電流端子123を接合した構成である。P型熱電半導体素子122と発熱側電流端子121及び吸熱側電流端子123は、ハンダ材質:例えばSnAgCu等により接合される。P型熱電半導体素子122と発熱側電流端子121及び吸熱側電流端子123との接合面には、スリット124により複数の分割領域が形成され、分割領域が形成された状態で両者は接合される。N型及びP型熱電半導体素子112,122としては、例えば、BiTe系又はBiTeSb系又はBiSb系熱電半導体などが用いられる。より具体的には、BiTe系又はBiTeSb系熱電半導体としては、Bi2Te3、BiSb2Te3などが用いられる。これらの熱電半導体素子112,122は、不純物として例えばSbI3を添加することによりN型になり、例えばPbI3を添加することによりP型になる。また、構成元素の量を化学量論比からわずかにずらすことによっても、N型又はP型に変化させることができる。BiTe系又はBiTeSb系熱電半導体をペルチェ素子として利用した場合、常温から200K付近までの温度範囲で良好な冷却能力を得ることができる。また、BiSb系熱電半導体をペルチェ素子として利用した場合、200K付近から液体窒素温度77K付近までの温度範囲で良好な冷却能力を得ることができる。N型及びP型熱電半導体素子112,122は、室温以下の低温において、性能指数ZZ=α2/κρ但しαはゼーベック係数、κは熱伝導率、ρは比抵抗の値が最大となるように組成が調整されたものを使用することが好ましい。N型熱電半導体素子112の発熱側電流端子111から吸熱側電流端子113の方向、P型熱電半導体素子122の吸熱側電流端子123から発熱側電流端子121の方向に直流電流を流すと、ペルチェ効果によりN型及びP型熱電半導体素子112,122と吸熱側電流端子113,123の接合部で吸熱が生じ、N型及びP型熱電半導体素子112,122と発熱側電流端子111,121の接合部で発熱が生じることにより、熱電冷却が行われる。さらに、第1の熱電冷却型電流リード110の吸熱側電流端子113と超電導マグネット13との間には、高温超電導体115が接合される。また、第2の熱電冷却型電流リード120の吸熱側電流端子123と超電導マグネット13との間には、高温超電導体125が接合される。本実施の形態の熱電冷却型電流リード100は、高温超電導体115,125を用いた超電導電流リードが組み合わせて構成されている。これにより、さらに熱進入量が低減される。本実施の形態は、高温超電導体115,125の両方がTc臨界温度以下に冷却できない場合には適用できない。図2は、熱電冷却型電流リードの熱電半導体素子と電極との接合面の形成を示す斜視図である。図3は、熱電冷却型電流リードの構成を示す図である。図4は、図3のA-A矢視断面図である。図1の熱電冷却型電流リード100の第1の熱電冷却型電流リード110と第2の熱電冷却型電流リード120とは、本実施の形態では同一形状及び同一構造であるものとする。なお、第1の熱電冷却型電流リード110と第2の熱電冷却型電流リード120とは、異なる形状構造であってもよい。以下、説明の便宜上、第1の熱電冷却型電流リード110を熱電冷却型電流リード200と命名し直して説明する。図3に示すように、熱電冷却型電流リード200は、発熱側電流端子210と、熱電半導体素子220と、吸熱側電流端子230とを有する。発熱側電流端子210及び吸熱側電流端子230は、熱電半導体素子220の通電方向の両端に接続された電極である。熱電半導体素子220と発熱側電流端子210との接合面、及び熱電半導体素子220と吸熱側電流端子230との接合面は、それぞれ複数ここでは4つに分割されている。以下、具体的に説明する。図2に示すように、発熱側電流端子210は、熱電半導体素子220に接合される側の端部211に、接合面から内方に向かって切れ込むスリット212,213が形成されている。スリット212は、図2のX軸方向に直線により切れ込む溝部、スリット213は、図2のY軸方向にスリット212と直交する溝部である。本実施の形態では、図4に示すように、発熱側電流端子210及び熱電半導体素子220の断面形状は、正方形である。なお、直線スリットは、加工が容易である利点がある。スリット212,213によって、発熱側電流端子210の接合面は、各々独立した4つの領域に分割され、4つの接合面214a-dを有する構造となる。なお、発熱側電流端子210の他端には、ビス穴215径:例えば3mmφが開孔している。ここで、発熱側電流端子210の接合面が分割される構成であれば、スリット212,213の形成方法はどのようなものでもよい。前記分割後の断面寸法は、熱電半導体素子220及び発熱側電流端子210の線膨張係数と適用温度条件に応じて決定される。本実施の形態にあっては、前記分割領域は、スリット212,213により形成される。スリット212,213は、前記分割後の断面寸法に応じて、スリットの幅δ、スリット深さ、及びスリット間隔すなわち、発熱側電流端子210の接合面を複数の領域に分割するスリット数が決定される。スリット212,213は、線膨張係数に影響を与える電流端子及び熱電半導体素子の材質、端部の形状大きさ、適用温度条件等を考慮する。また、前記スリットを、本実施の形態のように発熱側電流端子210と熱電半導体素子220と吸熱側電流端子230とに設ける場合と、図6乃至図9で後述するように、これらのいずれか一つ以上に設ける場合とではスリットの幅δ、スリット深さ、及びスリット間隔は、異なる場合がある。図3に示すように、発熱側電流端子210は、通電方向軸方向の長さ:約30mm、幅及び厚さ:10mmの場合、前記分割は、下記の通りである。発熱側電流端子210の材質がCu:純度99.99以上、熱電半導体素子220の材質がBiTe化合物で、発熱側電流端子210が上記寸法で、4分割する場合、分割後の断面の幅及び厚さは、5mm以下となる。また、スリット212,213の深さは、分割後の断面の一辺の最長長さ約5mm以上とする。さらに、スリット212,213の幅δは、線膨張係数に分割後の断面の幅又は厚さ及び温度差を乗じて得た値一例として幅又は厚さの0.5によって決定する。以上のことから、例えば、分割後の断面の幅及び厚さが5mmの場合、スリット212,213の深さは、5mm以上、スリット212,213の隙間幅は、5mm×0.5=0.025mm以上とする。一方、熱電半導体素子220両端間の長さは10mmである。熱電半導体素子220は、発熱側電流端子210の接合面214a-dに対応して、4分割する。これにより、熱電半導体素子220の一方の接合面221は、発熱側電流端子210の各接合面214a-dに互いに対向する。また、熱電半導体素子220の他方の接合面222は、後述する吸熱側電流端子230の各接合面234a-dに互いに対向する。吸熱側電流端子230は、上記発熱側電流端子210と同様の形状である。すなわち、図2に示すように吸熱側電流端子230は、熱電半導体素子220に接合される側の端部231に、接合面から内方に向かって切れ込むスリット232,233に直交するスリット図示略が形成されている。スリット232,233に直交するスリット図示略によって、吸熱側電流端子230の接合面は、各々独立した4つの領域に分割され、4つの接合面234a-dを有する構造となる。なお、吸熱側電流端子230の他端には、ビス穴235径:例えば3mmφが開孔している。以下、熱電冷却型電流リード200の製作と評価熱履歴試験について説明する。熱電冷却型電流リード200の製作に当り、使用した材料と熱履歴試験結果をまとめて表1に示す。試験手順1.断面寸法の異なる2種類の熱電半導体素子と、前記2種類の熱電半導体素子と各々同一の断面形状寸法の電極電流端子を用意し、熱電半導体素子の両面に電極を直列にハンダ接続することにより熱電冷却型電流リード200を製作する。2.電極の熱電半導体素子との接合面近傍にT熱電対を設置する。3.製作した熱電冷却型電流リード200の素子部抵抗の初期値を、室温にて直流4端子法にて測定する。4.熱電冷却型電流リード200に直流電流を通電し、素子部両端の温度差が100°C以上となるよう電流値を調整する。5.温度差が付いた状態を10分間保持し、その後通電を中止し、大気中に放置することで素子部温度が室温となるまで冷却する。6.上記4.乃至5.を50回繰り返し実施する熱履歴試験を行う。7.熱履歴試験後の素子部抵抗を、上記3.と同様に測定する。8.熱履歴試験後の素子部外観を観察する。表1に示す結果から、熱電半導体素子220、及び/又は電流端子210,230を分割にすることにより、素子の破損及び素子部抵抗の増大を防ぐことが可能になり、熱電冷却型電流リード200の耐久性が向上することを確認することができた。また、本実施の形態では、発熱側電流端子210と熱電半導体素子220と吸熱側電流端子230とが、直方体である場合を例に説明したが、これらは、直方体には限定されない。例えば、発熱側電流端子210、熱電半導体素子220又は吸熱側電流端子230が、円柱形状又は多角形形状である場合は、図5abに示すように、断面形状が円形や多角形である。変形例以下、図6乃至図9を参照して、熱電冷却型電流リードの熱電半導体素子と電極の他の構成例について説明する。図6は、熱電冷却型電流リードの熱電半導体素子と電極の構成を示す概略図である。図6aは、発熱側電流端子と熱電半導体素子と吸熱側電流端子との接合前の分解斜視図、図6bは、その接合後の斜視図を示す。図6aに示すように、熱電冷却型電流リード300は、発熱側電流端子310と、熱電半導体素子320と、吸熱側電流端子330とを有する。発熱側電流端子310及び吸熱側電流端子330は、熱電半導体素子320の通電方向の両端に接続された電極である。熱電半導体素子320と発熱側電流端子310及び吸熱側電流端子330は、それぞれ複数ここでは縦、横各々4分割、合計16分割に分割されている。以下、具体的に説明する。発熱側電流端子310には、接合面から通電方向に切れ込むスリット312が形成されている。発熱側電流端子310の接合面313から通電方向にスリット312が形成されることで、発熱側電流端子310の接合面313は、16の領域に分割され、分割された各直方体の接合面ここでは4×4マトリクス状の16個の接合面が接合面となる。ここで、発熱側電流端子310の接合面313が、分割される構成であれば、スリット312の形成方法はどのようなものでもよい。熱電半導体素子320には、発熱側電流端子310の分割に対応して、複数の16個の直方体に分割されている。16個の直方体に分割された熱電半導体素子320の一方の各接合面321は、発熱側電流端子310の各接合面313に対向し、同様に、他方の各接合面322は、吸熱側電流端子330の各接合面333に対向する。熱電半導体素子320の場合と同様に、吸熱側電流端子330には、接合面から通電方向に切れ込むスリット332が形成されている。吸熱側電流端子330の接合面から通電方向にスリット332が形成されることで、吸熱側電流端子330の接合面333は、16個の領域に分割され、分割された各直方体の接合面ここでは4×4マトリクス状の16個の接合面が接合面となる。このように、発熱側電流端子310、熱電半導体素子320、及び吸熱側電流端子330は、通電方向に揃った16の直方体に分割され、発熱側電流端子310、熱電半導体素子320、及び吸熱側電流端子330のそれぞれの直方体の接合面が互いに対向する。そして、図6bに示すように、発熱側電流端子310、熱電半導体素子320、及び吸熱側電流端子330の端部は、対応する接合面同士が互いに対向するように配置された上で、それぞれの接合面がハンダ材質:例えばSnAgCuにより接合される。このように、熱電半導体素子320と発熱側電流端子310及び吸熱側電流端子330は、接合面が複数に分割して接合されることで、熱電半導体素子320と発熱側電流端子310及び吸熱側電流端子330との線膨張係数の違いによる熱膨張又は熱収縮が、個々の分割領域毎に吸収される。これにより、線膨張係数の違いによる熱膨張又は熱収縮により発生する接合面の面方向の剪断応力を低減することができ、特に、熱電半導体素子320の破壊損傷を防ぐことができる。また、前記熱膨張又は熱収縮は、分割後の断面寸法に正比例するため、分割数が大きい程例えば4分割より16分割の方が、剪断応力の低減効果が大きい。図6では、発熱側電流端子310、熱電半導体素子320、及び吸熱側電流端子330が、複数の領域に分割され、分割された状態で接合されるので、熱電半導体素子320と発熱側電流端子310及び吸熱側電流端子330との線膨張係数の違いによる接合面の面方向の剪断応力を低減する効果が大きい。図7は、熱電冷却型電流リード300Aの熱電半導体素子と電極の構成を示す概略図である。図6と同一構成部分には同一符号を付して重複箇所の説明を省略する。前記図6では、発熱側電流端子310、熱電半導体素子320、及び吸熱側電流端子330がそれぞれ、通電方向にマトリクス状に分割され、分割された状態で接合されていた。図7の熱電冷却型電流リード300Aは、発熱側電流端子310及び熱電半導体素子320のみが、通電方向に分割され、吸熱側電流端子330Aについては、分割は施されない。線膨張係数の違いによる接合面の面方向の剪断応力は、発熱側電流端子310側においてより影響が大きい。したがって、熱電冷却型電流リード300Aの発熱側電流端子310及び熱電半導体素子320の接合面のみを分割する本態様であっても、図6と略同様の効果を得ることができる。図7では、吸熱側電流端子330Aを分割しないので、加工工数を減らす効果がある。図8は、熱電冷却型電流リード300Bの熱電半導体素子と電極の構成を示す概略図である。図6と同一構成部分には同一符号を付して重複箇所の説明を省略する。図8の熱電冷却型電流リード300Bは、発熱側電流端子310のみが、通電方向に分割され、熱電半導体素子320A及び吸熱側電流端子330Aについては、分割は施されない。上述したように、電流端子と熱電半導体素子との線膨張係数の違いが、接合面の面方向の剪断応力を発生させる。また、線膨張係数の違いによる接合面の面方向の剪断応力は、発熱側電流端子310側において影響が大きい。このため、発熱側電流端子310のみを、通電方向に分割する態様でも、熱電半導体素子320Aと発熱側電流端子310との間の線膨張係数の違いによる前記剪断応力の発生を緩和させることができる。図8では、熱電半導体素子320A及び吸熱側電流端子330Aを分割しないので、加工工数を減らす効果がある。図9は、熱電冷却型電流リード300Cの熱電半導体素子と電極の構成を示す概略図である。図6と同一構成部分には同一符号を付して重複箇所の説明を省略する。図9の熱電冷却型電流リード300Cは、熱電半導体素子320のみが、通電方向に分割され、発熱側電流端子310A及び吸熱側電流端子330Aについては、分割は施されない。前記線膨張係数の違いによる接合部の前記剪断応力の発生は、電流端子と熱電半導体素子との相対的な関係による。熱電半導体素子320のみを、通電方向に分割する態様でも、電流端子と熱電半導体素子との間の線膨張係数の違いによる前記剪断応力の発生を緩和させることができる。図9では発熱側電流端子310A及び吸熱側電流端子330Aを分割しないので、加工工数を減らす効果がある。以上詳細に説明したように、本実施の形態の熱電冷却型電流リード200は、熱電半導体素子220と、熱電半導体素子220の通電方向の両端に接続した電極である発熱側電流端子210及び吸熱側電流端子230とを備える。発熱側電流端子210は、スリット212,213により端部211を4つの領域に分割し、4つの接合面214a-dを形成する。吸熱側電流端子230は、スリット232,233により端部231を4つの領域に分割し、4つの接合面234a-dを形成する。また、熱電半導体素子220は、発熱側電流端子210の端部211及び吸熱側電流端子230の端部231の分割に対応して4つに分割する。そして、対向する各接合面同士をハンダにより接合する。これにより、熱電半導体素子220と発熱側電流端子210及び吸熱側電流端子230は、接合面が複数に分割して接合されるので、線膨張係数の違いによる熱膨張又は熱収縮により発生する接合面の面方向の剪断応力を個々の分割領域毎に吸収することで、該剪断応力を低減することができ、接合部の破壊損傷を防ぐことができる。ここで、図3の場合、スリット212,232により分割された後の熱電半導体素子220及び発熱側電流端子210及び吸熱側電流端子230は、接合面が正方形の断面を有する直方体である。このとき、前記正方形の一辺の長さは5.0mm以下であることが好ましく、発熱側電流端子210及び吸熱側電流端子230のスリット212,232の幅は、前記正方形の一辺の長さの0.5~1.0とすることが好ましい。一辺の長さが5.0mmよりも長いと前記応力の緩和効果が小さくなり、熱電半導体素子220が破壊する虞がある。また、隣り合う前記正方形間の隙間すなわち、スリット212,232の幅が、0.5未満であると、熱電半導体素子220と発熱側電流端子210及び吸熱側電流端子230が熱膨張したときの前記剪断応力を有効に緩和することができなくなる虞があり、1.0を超えると熱電半導体素子の密度が低下し、電流リード本体の大きさが大きくなる虞がある。熱電冷却型電流リード200に通電すると、熱電冷却型電流リード200自身のジュール熱と、ペルチェ効果により生じた温度差により、熱電半導体素子220両端間は、100°C以上の温度差を生じる。このとき、発熱側の熱膨張と吸熱側の熱収縮により、熱電半導体素子220に剪断応力この剪断応力は、直方体形状から正四角錘台形状に変形する応力が加わり、熱電半導体素子220にクラックが入るなどして破壊することがある。本実施の形態では、スリット212,232により分割された後の熱電半導体素子220及び発熱側電流端子210及び吸熱側電流端子230の断面形状寸法を、一辺の長さ5mm以下とする。これにより、前記線膨張係数の違いによる接合部の前記剪断応力に加えて、熱電冷却型電流リード200の温度差による剪断応力についても、低減することができ、熱電半導体素子220の破壊を防止することが可能になる。以上の説明は本発明の好適な実施の形態の例証であり、本発明の範囲はこれに限定されることはない。例えば、熱電半導体素子及び熱電半導体素子に接続される電極の端部の分割は、どのような分割でもよい。例えば、図2及び図3に示すように、4であってもよく、図6乃至図9に示すように16であってもよい。また、分割の形状も任意である。また、分割の対象も熱電半導体素子、又は熱電半導体素子に接続される電極の端部のうち、少なくともいずれか一方であればよい。また、上記実施の形態では、熱電冷却型電流リードという名称を用いたが、これは説明の便宜上であり、熱電冷却型パワーリード、ペルチェ電流リード等であってもよい。"