"画像信号の入力を制御するトランジスタ、前記画像信号に応じた電圧が印加される液晶素子、及び、赤色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収するカラーフィルター、緑色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収するカラーフィルター、又は青色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収するカラーフィルターを備えた画素がマトリクス状に配設された画素部を有する表示パネルと、前記画素部に対して白色光を発するバックライトと、前記画素に対する前記画像信号の入力頻度を制御する制御回路と、を有し、前記バックライトは、面発光を行うことを特徴とする液晶表示装置。画像信号の入力を制御するトランジスタ、及び前記画像信号に応じた電圧が印加される液晶素子を備え、且つ赤色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収する第1のカラーフィルター、緑色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収する第2のカラーフィルター、又は青色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収する第3のカラーフィルターを備える第1の画素と、前記トランジスタ及び前記液晶素子を備え、且つ、前記第1のカラーフィルター、前記第2のカラーフィルター、及び前記第3のカラーフィルターを備えない前記第2の画素と、を含む複数の画素がマトリクス状に配設された画素部を有する表示パネルと、前記画素部に対して白色光を発するバックライトと、前記第1の画素及び前記第2の画素に対する前記画像信号の入力頻度を制御する制御回路と、を有し、前記バックライトは、面発光を行うことを特徴とする液晶表示装置。請求項1又は請求項2において、前記トランジスタのチャネル形成領域が、酸化物半導体によって構成されることを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記バックライトが、有機エレクトロルミネッセンスを利用して発光を行うことを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記バックライトの発光スペクトルが、青色の波長領域及び黄色の波長領域にピークを有することを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記バックライトの発光スペクトルが、赤色の波長領域、緑色の波長領域、及び黄色の波長領域にピークを有することを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記制御回路が、前記画素部に、第1の画像を形成するための画像信号乃至第nの画像nは2以上の自然数を形成するための画像信号を記憶する記憶回路と、前記第kの画像kはn未満の自然数を形成するための画像信号と前記第k1の画像を形成するための画像信号を比較し、差分を検出する比較回路と、前記差分を基に、前記画素部への前記第k1の画像を形成するための画像信号の出力を選択する選択回路と、前記差分が検出された際に、前記表示パネルへ制御信号を供給し、前記差分が検出されない際に、前記表示パネルへ前記制御信号の供給を停止することが可能な出力制御回路と、を有することを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記制御回路が、利用者の入力デバイスの操作に応じて、前記画像信号の入力頻度を制御することを特徴とする液晶表示装置。特許文献1で開示される液晶表示装置では、休止期間において、画素に対する画像信号の入力が行われない。すなわち、各画素内に画像信号を保持したまま、画像信号の入力を制御するトランジスタがオフ状態を維持する期間が長期化する。そのため、当該トランジスタのオフ電流が画素の表示に対して与える影響が顕在化する。具体的には、液晶素子に印加される電圧が低下し、当該液晶素子を有する画素の表示の劣化変化が顕在化する。ところで、透過型の液晶表示装置は、表示パネルと、該表示パネルに近接するバックライトとを有する。該バックライトは、発光時に発熱を伴う。そのため、表示パネルに設けられたトランジスタの動作温度は、当該バックライトの発光に伴い上昇することになる。なお、トランジスタのオフ電流は、動作温度の上昇に伴い増加する。すなわち、特許文献1で開示される液晶表示装置として透過型の液晶表示装置を適用する場合、消費電力と表示品質の間に強いトレードオフの関係が存在することになる。そこで、本発明の一態様は、透過型の液晶表示装置において、消費電力の低減及び表示品質の低下の抑制を両立させることを課題の一とする。本発明の一態様は、画素に対する画像信号の入力頻度を制御することが可能な透過型の液晶表示装置において、バックライトとして面平面発光を行う光源を適用することを要旨とする。具体的には、本発明の一態様は、画像信号の入力を制御するトランジスタ、前記画像信号に応じた電圧が印加される液晶素子、及び、赤色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収するカラーフィルター、緑色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収するカラーフィルター、又は青色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収するカラーフィルターを備えた画素がマトリクス状に配設された画素部を有する表示パネルと、前記画素部に対して白色光を発するバックライトと、前記画素に対する画像信号の入力頻度を制御する制御回路と、を有し、前記バックライトは、面発光を行うことを特徴とする液晶表示装置である。なお、当該面発光を行う光源は、発光を面状に行う光源である。例えば、当該光源としては、有機エレクトロルミネッセンス有機ELを利用して発光を行う光源などが挙げられる。また、当該光源は、点光源又は線光源からの発光を光学系によって面状に加工する光源ではない。すなわち、当該光源は、LED又は冷陰極管などからの発光を導光板、散乱板、プリズム板などによって面状に加工する光源ではない。本発明の一態様の液晶表示装置は、バックライトとして面発光を行う光源を適用する。当該光源は、発光を面状に行う光源であるため発光面積が広い。そのため、当該バックライトでは、放熱を効率よく行うことができる。すなわち、当該バックライトは、発光時における温度上昇が抑制されたバックライトである。これに付随して、当該液晶表示装置においては、各画素に設けられるトランジスタの動作温度の上昇を抑制することが可能である。そのため、当該液晶表示装置においては、当該トランジスタのオフ電流の値の増加を抑制することが可能である。上述したように本発明の一態様の液晶表示装置は、バックライトとして放熱性に優れる光源を適用する。これにより、画素に対して長期間に渡って画像信号の入力が行われない場合であっても、当該画素において画像信号を保持することが可能になる。すなわち、消費電力の低減と表示品質の低下の抑制を両立することが可能になる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。まず、透過型の液晶表示装置の一例について図1~図11を参照して説明する。<液晶表示装置の構成例>図1Aは、透過型の液晶表示装置の構成例を示す斜視図である。図1Aに示す液晶表示装置は、偏光板10A及び偏光板10Bに挟持された表示パネル11と、表示パネル11に近接して設けられるバックライト12と、表示パネル11及びバックライト12を制御する制御回路13とを有する。なお、制御回路13は、FPCFlexiblePrintedCircuits14A、14Bを介して、表示パネル11及びバックライト12に電気的に接続されている。また、表示パネル11は、マトリクス状に複数の画素が配設された画素部110と、画素部110における表示を制御する走査線駆動回路111及び信号線駆動回路112とを有する。さらに、各画素は、特定色を呈する波長の光のみを透過するカラーフィルターを有する。ここでは、横方向に近接して配設された3つの画素の各々が、赤色Rを呈する波長領域600nm以上700nm未満の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収するカラーフィルター1102R、緑色Gを呈する波長領域500nm以上570nm未満の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収するカラーフィルター1102G、及び青色Bを呈する波長領域430nm以上500nm未満の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収するカラーフィルター1102Bのいずれか、且つ他の2つの画素が有するカラーフィルターと異なるカラーフィルターを有することとする。<表示パネル11の構成例>図1Bは、表示パネル11の具体的な構成例を示す図である。図1Bに示す表示パネル11は、画素部110と、走査線駆動回路111と、信号線駆動回路112と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ走査線駆動回路111によって電位が制御されるn本nは、2以上の自然数の走査線1111と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ信号線駆動回路112によって電位が制御される、m本mは、2以上の自然数の信号線1121とを有する。さらに、画素部110は、マトリクス状n行m列に配設された複数の画素1101を有する。なお、各走査線1111は、マトリクス状n行m列に配設された複数の画素1101のうち、いずれかの行に配設されたm個の画素1101に電気的に接続される。また、各信号線1121は、マトリクス状n行m列に配設された複数の画素1101のうち、いずれかの列に配設されたn個の画素1101に電気的に接続される。なお、走査線駆動回路111には、制御回路13から走査線駆動回路用スタート信号、走査線駆動回路用クロック信号、及び高電源電位、低電源電位などの駆動用電源が入力される。また、信号線駆動回路112には、制御回路13から信号線駆動回路用スタート信号、信号線駆動回路用クロック信号、画像信号などの信号、及び高電源電位、低電源電位などの駆動用電源が入力される。<画素1101の構成例>図1Cは、画素1101の回路構成例を示す図である。図1Cに示す画素1101は、ゲートが走査線1111に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線1121に電気的に接続されたトランジスタ11011と、一方の電極がトランジスタ11011のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が容量電位を供給する配線に電気的に接続された容量素子11012と、一方の電極がトランジスタ11011のソース及びドレインの他方並びに容量素子11012の一方の電極に電気的に接続され、他方の電極が対向電位を供給する配線に電気的に接続された液晶素子11013と、を有する。<トランジスタ11011の構成例>図2は、トランジスタ11011の構成例を示す図である。図2に示すトランジスタ11011は、絶縁表面を有する基板220上に設けられたゲート層221と、ゲート層221上に設けられたゲート絶縁層222と、ゲート絶縁層222上に設けられた酸化物半導体層223と、酸化物半導体層223上に設けられたソース層224a及びドレイン層224bとを有する。また、図2に示すトランジスタ11011においては、トランジスタ11011を覆い、酸化物半導体層223に接する絶縁層225と、絶縁層225上に設けられた保護絶縁層226とが形成されている。図2に示すトランジスタ11011は、上記の通り、半導体層として酸化物半導体層223を具備する。酸化物半導体層223に用いる酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、二元系金属酸化物であるIn-Ga-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、Zn-Mg-O系、Sn-Mg-O系、In-Mg-O系、または単元系金属酸化物であるIn-O系、Sn-O系、Zn-O系などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、少なくともInとGaとZnを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。また、酸化物半導体層223は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどを選択することができる。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=2:1~10:1、さらに好ましくはIn:Zn=1.5:1~15:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=3:4~15:2とする。例えば、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとする。上述した酸化物半導体は、変動要因となる水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を意図的に排除することで高純度化し、電気的にI型真性化された酸化物半導体である。これにより、当該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気的特性変動を抑止することが可能となる。よって酸化物半導体中の水素は少なければ少ないほどよい。また、高純度化された酸化物半導体層中には水素や酸素欠損等に由来するキャリアが極めて少なくゼロに近い、キャリア密度は1×1012/cm3未満、好ましくは1×1011/cm3未満である。即ち、酸化物半導体層の水素や酸素欠損等に由来するキャリア密度を限りなくゼロに近くする。酸化物半導体層中に水素や酸素欠損等に由来するキャリアが極めて少ないため、トランジスタがオフ状態のときのオフ電流を少なくすることができる。また、水素や酸素欠損等に由来する不純物準位が少ないことにより、光照射、温度変化、バイアス印加等による電気特性の変動及び劣化を少なくすることができる。なお、オフ電流は少なければ少ないほど好ましい。上記酸化物半導体を半導体層として用いたトランジスタは、チャネル幅w1μmあたりのオフ電流値が100zAゼプトアンペア以下、好ましくは10zA以下、更に好ましくは1zA以下である。さらに、pn接合がなく、ホットキャリア劣化がないため、トランジスタの電気的特性がこれら要因の影響を受けない。このように酸化物半導体層に含まれる水素を徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、オフ電流を極めて小さくすることができる。つまり、トランジスタのオフ状態において、酸化物半導体層は絶縁体とみなして回路設計を行うことができる。一方で、酸化物半導体層は、トランジスタのオン状態においては、非晶質シリコンで形成される半導体層よりも高い電流供給能力を見込むことができる。なお、基板220としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。また、ゲート層221としては、アルミニウムAl、銅Cu、チタンTi、タンタルTa、タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、ネオジムNd、スカンジウムScから選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、ゲート絶縁層222としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。なお、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであり、濃度範囲として酸素が55~65原子、窒素が1~20原子、シリコンが25~35原子、水素が0.1~10原子の範囲において、合計100原子となるように各元素を任意の濃度で含むものをいう。また、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであり、濃度範囲として酸素が15~30原子、窒素が20~35原子、Siが25~35原子、水素が15~25原子の範囲において、合計100原子となるように各元素を任意の濃度で含むものをいう。また、ソース層224a、ドレイン層224bとしては、アルミニウムAl、銅Cu、チタンTi、タンタルTa、タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、ネオジムNd、スカンジウムScから選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、ソース層224a、ドレイン層224bこれらと同じ層で形成される配線層を含むとなる導電膜は導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。また、絶縁層225としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、または酸化窒化アルミニウムなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、保護絶縁層226としては、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化シリコン、窒化酸化アルミニウムなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、保護絶縁層226上にトランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。<トランジスタのオフ電流について>次いで、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタのオフ電流を求めた結果について説明する。まず、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタのオフ電流が十分に小さいことを考慮して、チャネル幅Wが1mと十分に大きいトランジスタを用意してオフ電流の測定を行った。チャネル幅Wが1mのトランジスタのオフ電流を測定した結果を図3に示す。図3において、横軸はゲート電圧VG、縦軸はドレイン電流IDである。ドレイン電圧VDが1Vまたは10Vの場合、ゲート電圧VGが-5Vから-20Vの範囲では、トランジスタのオフ電流は、検出限界である1×10-12A以下であることがわかった。また、トランジスタのオフ電流ここでは、チャネル幅1μmあたりの値は1aA/μm1×10-18A/μm以下となることがわかった。次に、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタのオフ電流をさらに正確に求めた結果について説明する。上述したように、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタのオフ電流は、測定器の検出限界である1×10-12A以下であることがわかった。そこで、特性評価用素子を作製し、より正確なオフ電流の値上記測定における測定器の検出限界以下の値を求めた結果について説明する。はじめに、電流測定方法に用いた特性評価用素子について、図4を参照して説明する。図4に示す特性評価用素子は、測定系1800が3つ並列に接続されている。測定系1800は、容量素子1802、トランジスタ1804、トランジスタ1805、トランジスタ1806、トランジスタ1808を有する。トランジスタ1804、トランジスタ1808には、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタを適用した。測定系1800において、トランジスタ1804のソース及びドレインの一方と、容量素子1802の一方の端子と、トランジスタ1805のソース及びドレインの一方は、電源V2を与える電源に接続されている。また、トランジスタ1804のソース及びドレインの他方と、トランジスタ1808のソース及びドレインの一方と、容量素子1802の他方の端子と、トランジスタ1805のゲートとは、電気的に接続されている。また、トランジスタ1808のソース及びドレインの他方と、トランジスタ1806のソース及びドレインの一方と、トランジスタ1806のゲートとは、電源V1を与える電源に電気的に接続されている。また、トランジスタ1805のソース及びドレインの他方と、トランジスタ1806のソース及びドレインの他方とは、出力端子に電気的に接続されている。なお、トランジスタ1804のゲートには、トランジスタ1804のオン状態と、オフ状態を制御する電位Vext_b2が供給され、トランジスタ1808のゲートには、トランジスタ1808のオン状態と、オフ状態を制御する電位Vext_b1が供給される。また、出力端子からは電位Voutが出力される。次に、上記の特性評価用素子を用いた電流測定方法について図5を用いて説明する。測定は、初期期間と測定期間という2つの期間を経てなされる。まず、初期期間では、ノードAつまり、トランジスタ1808のソース及びドレインの一方、容量素子1802の他方の端子、及びトランジスタ1805のゲートに電気的に接続されるノードを高電位とする。そのために、V1の電位を高電位VDD、V2の電位を低電位VSSとする。そして、Vext_b2を、トランジスタ1804がオン状態となるような電位高電位とする。これによって、ノードAの電位はV2すなわち低電位VSSとなる。なお、ノードAに低電位VSSを与えるのは必須ではない。その後、Vext_b2を、トランジスタ1804がオフ状態となるような電位低電位として、トランジスタ1804をオフ状態とする。そして、次に、Vext_b1を、トランジスタ1808がオン状態となるような電位高電位とする。これによって、ノードAの電位はV1、すなわち高電位VDDとなる。その後、Vext_b1を、トランジスタ1808がオフ状態となるような電位とする。これによって、ノードAは高電位となったままフローティング状態となり、初期期間が終了する。その後の測定期間においては、電位V1及び電位V2を、ノードAに電荷が流れ込む、またはノードAから電荷が流れ出すような電位とする。ここでは、電位V1及び電位V2をともに低電位とする。ただし、出力電位Voutを測定するタイミングにおいては、出力回路を動作させる必要が生じるため、一時的にV1を高電位とする。なお、V1を高電位とする期間は、測定に影響を与えない程度の短期間とする。測定期間においては、トランジスタ1804およびトランジスタ1808のオフ電流により、ノードAからV1が与えられる配線あるいはV2が与えられる配線に電荷が移動する。すなわち、時間の経過と共にノードAに保持される電荷量が変動し、これに従ってノードAの電位が変動する。これは、トランジスタ1805のゲートの電位が変動することを意味する。電荷の測定は、定期的かつ一時的にVext_b1の電位を、高電位として、Voutの電位を測定することによりおこなわれる。トランジスタ1805及びトランジスタ1806で構成される回路はインバータである。もし、ノードAが高電位であれば、Voutは低電位となり、ノードAが低電位であれば、Voutは高電位となる。当初、高電位であったノードAも電荷の減少により、徐々に電位が低下する。その結果、Voutの電位も変動する。インバータの増幅作用により、ノードAの電位の変動は増幅されてVoutが与えられる配線に出力される。得られた出力電位Voutから、オフ電流を算出する方法について、以下に説明する。オフ電流の算出に先だって、ノードAの電位VAと、出力電位Voutとの関係を求めておく。これにより、出力電位VoutからノードAの電位VAを求めることができる。上述の関係から、ノードAの電位VAは、出力電位Voutの関数として次式のように表すことができる。また、ノードAの電荷QAは、ノードAの電位VA、ノードAに接続される容量CA、定数constを用いて、次式のように表される。ここで、ノードAに接続される容量CAは、容量素子1802の容量と他の容量の和である。ノードAでの電流IAは、ノードAに接続される容量に流れ込む電荷またはノードAに接続される容量から流れ出す電荷の時間微分であるから、ノードAでの電流IAは次式のように表される。このように、ノードAに接続される容量CAと、出力端子の出力電位Voutから、ノードAの電流IAを求めることができる。以上に示す方法により、オフ状態においてトランジスタのソースとドレイン間を流れるオフ電流を測定することができる。ここでは、チャネル長L=10μm、チャネル幅W=50μmの、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタ1804、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタ1808を作製した。また、並列された各測定系1800において、容量素子1802の各容量値を、100fF、1pF、3pFとした。なお、上述した測定では、VDD=5V、VSS=0Vとした。また、測定期間においては、電位V1を原則としてVSSとし、10~300secごとに、100msecの期間だけVDDとしてVoutを測定した。また、素子に流れる電流Iの算出に用いられるΔtは、約30000secとした。図6に、上記電流測定に掛かる経過時間Timeと、出力電位Voutとの関係を示す。図6より、時間の経過にしたがって、電位が変化している様子が確認できる。図7には、上記電流測定によって算出された室温25°Cにおけるオフ電流を示す。なお、図7は、トランジスタ1804又はトランジスタ1808のソース-ドレイン電圧Vと、オフ電流Iとの関係を表すものである。図7から、ソース-ドレイン電圧が4Vの条件において、オフ電流は約40zA/μmであることが分かった。また、ソース-ドレイン電圧が3.1Vの条件において、オフ電流は10zA/μm以下であることが分かった。なお、1zAは10-21Aを表す。さらに、上記電流測定によって算出された85°Cの温度環境下におけるオフ電流について図8に示す。図8は、85°Cの温度環境下におけるトランジスタ1804又はトランジスタ1808のソース-ドレイン電圧Vと、オフ電流Iとの関係を表すものである。図8から、ソース-ドレイン電圧が3.1Vの条件において、オフ電流は100zA/μm以下であることが分かった。以上により、高純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタでは、オフ電流が十分に小さくなることが確認された。<バックライト12の構成例>図9は、面発光を行うバックライト12の構成例を示す図である。図9に示すバックライト12は、基板120と、基板120上に設けられた電極層121と、電極層121上に設けられた有機物層122と、有機物層122上に設けられた中間層123と、中間層123上に設けられた有機物層124と、有機物層124上に設けられた電極層125とを有する。なお、電極層121及び電極層125の電位は、制御回路13によって制御される。そして、該制御回路13によって、電極層121及び電極層125に電圧を印加することでバックライト12において発光が行われる。すなわち、図9に示すバックライト12は、電圧が印加されることによって発光する有機物を発光体として利用したバックライトであるいわゆる、有機ELエレクトロルミネッセンスを利用したバックライトである。なお、図9に示すバックライト12は、電圧の印加によって図10に示す発光スペクトルを有する光を発光することが可能である。図10に示すように、図9に示したバックライト12が発光する光の発光スペクトルは、2つのピークを有する。具体的には、当該発光スペクトルは、青色Bの波長領域400nm以上480nm未満及び黄色Yの波長領域560nm以上580nm未満にピークを有し且つ黄色Yの波長領域のピークの方が青色Bの波長領域のピークよりも高い。これらのピークは、それぞれ異なる有機物層の発光に起因している。すなわち、有機物層122に電圧が印加されることによって当該2つのピークの一方に対応する発光スペクトルを有する光を発光し、且つ有機物層124に電圧が印加されることによって当該2つのピークの他方に対応する発光スペクトルを有する光を発光する。これにより、図9に示すバックライト12が、図10に示す発光スペクトルを有する光を発光することが可能になる。なお、青色Bと黄色Yは補色の関係になり、図10に示す発光スペクトルを有する光は白色光である。なお、白色光を形成するための光の組み合わせは、複数存在する。例えば、青緑色を呈する光と赤色を呈する光を混色すること、又は淡青スカイブルー色を呈する光と朱色を呈する光を混色することなどによって白色光を形成することが可能である。ただし、青色Bを呈する光と、該青色Bを呈する光よりも発光強度の高い黄色Yを呈する光とを混色して白色光を形成する場合、電力効率を高めること消費電極を低減することが可能であり好ましい。なぜなら、人の目は、波長が555nmの光に対する視感度が最も高く、且つ波長が555nmから離れるに従って光の視感度が低下する。すなわち、光子数が同じ場合、555nmの波長を有する光が最も強い光として人に視認される。そのため、波長が555nmに近い黄色Yを呈する光を白色光の形成に用いることで、効率よく視感度の高い白色光を形成することが可能である。なお、上述した液晶表示装置においては、上記白色光が赤色Rを呈する波長領域の光のみを透過するカラーフィルター、緑色Gを呈する波長領域の光のみを透過するカラーフィルター、又は青色Bを呈する波長領域の光のみを透過するカラーフィルターを透過する。そのため、当該バックライトが発する光が、赤色Rを呈する波長、緑色Gを呈する波長、及び青色Bを呈する波長の光を含む光であることが必要とされる。ここで、図9に示すバックライトが発する白色光は、有機ELを利用して形成される。一般に、有機ELを利用して形成される光の発光スペクトルは、ブロードなピークを示す。そのため、有機ELを利用して形成される黄色Yを呈する波長領域の光が、緑色Gを呈する波長領域の光及び赤色Rを呈する波長領域の光を含む。これにより、図9に示すバックライトは、上述した液晶表示装置におけるバックライトとして適用することが可能である。以下では、図9に示すバックライト12の各構成要素に適用可能な材料について列挙する。なお、以下では、電極層121が陽極、有機物層122が黄色Yを呈する波長領域の光を発光することが可能な有機物、有機物層124が青色Bを呈する波長領域の光を発光することが可能な有機物、電極層125が陰極として説明するが、これらの構成要素は適宜入れ替えることが可能である。基板120は、支持体として用いられる。基板120としては、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、電極層121、125、有機物層122、125、及び中間層123の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。電極層121、125には、様々な金属、合金、その他の導電性材料、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、仕事関数の大きい材料である、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、珪素または酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO:IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等の導電性を有する金属酸化物膜を用いることができる。これらの金属酸化物膜は、スパッタリング法により形成することができる。または、ゾル-ゲル法などを用いて形成することができる。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛IZOは、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、または金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等を用いることができる。また、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLi、セシウムCs等のアルカリ金属、マグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、またはこれらを含む合金マグネシウムと銀の合金、アルミニウムとリチウムの合金を用いることができる。また、ユーロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属、またはこれらを含む合金等を用いることができる。また、アルミニウムAl、銀Ag、アルミニウムを含む合金AlSi等を用いることができる。アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金の膜はスパッタリング法により形成することも可能である。また、これらの電極は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。なお、キャリアの注入障壁を考慮すると、陽極として機能する電極層121は、仕事関数の大きい材料を用いることが好ましい。また、陰極として機能する電極層125は、仕事関数の小さい材料を用いることが好ましい。有機物層122は、黄色Yの波長領域にピークを有する発光性の物質を有している。黄色Yの波長領域にピークを有する発光性の物質として、ルブレン、2-{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-6-メチル-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:DCM1、{2-メチル-6-[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCM2、ビス[2-2-チエニルピリジナト]イリジウムアセチルアセトナートIrthp2acac、ビス2-フェニルキノリナトイリジウムアセチルアセトナートIrpq2acac、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irpq3、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニル-5-メチルピラジナト]イリジウムIII略称:IrFdppr-Me2acac、アセチルアセトナトビス{2-4-メトキシフェニル-3,5-ジメチルピラジナト}イリジウムIII略称:Irdmmoppr2acac、アセチルアセトナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-Me2acac、アセチルアセトナトビス5-イソプロピル-3-メチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-iPr2acacなどを用いることができる。また、黄色Yの波長領域にピークを有する発光性の物質としては、Irthp2acac、Irpq2acac、Irpq3、Irbt2acac、IrFdppr-Me2acac、Irdmmoppr2acac、Irmppr-Me2acac、Irmppr-iPr2acacのような燐光性化合物が好ましい。燐光性化合物を用いることにより、蛍光性化合物を用いた場合と比べて電力効率を3~4倍高めることができる。なお、黄色Yの燐光性化合物を用いた素子は、青色Bの燐光性化合物を用いた素子に比べ、長寿命が得やすい。特に、IrFdppr-Me2acac、Irdmmoppr2acac、Irmppr-Me2acac、Irmppr-iPr2acacのようなピラジン誘導体を配位子とする有機金属錯体が、高効率であるため好ましい。また、これらの発光性の物質ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させることにより、発光層を構成しても良い。この場合のホスト材料としては、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBや4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPAなどの芳香族アミン化合物や、2-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-3-フェニルキノキサリン略称:Cz1PQ、2-[4-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-3-フェニルキノキサリン略称:Cz1PQ-III、2-[4-3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2CzPDBq-III、2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIのような複素環化合物が好適である。また、ポリ2,5-ジアルコキシ-1,4-フェニレンビニレン等のポリマーを用いても良い。中間層123は、有機物層122に対して電子を注入する機能を有し、且つ有機物層124に対して正孔を注入する機能を有する。したがって、中間層123は、少なくとも正孔を注入する機能を有する層と電子を注入する機能を有する層とを積層した積層膜を用いることができる。また、中間層123は、有機物層122、124の内部に位置する層であるため、光の取り出し効率の点から、透光性を有する材料を用いることが好ましい。また、中間層123のうちの一部は、電極層121、125に用いる材料と同じ材料を用いて形成すること、または、電極層121、125よりも導電率の低い材料を用いて形成することが可能である。中間層123のうち電子を注入する機能を有する層として、例えば、酸化リチウム、フッ化リチウム、炭酸セシウム、または、電子輸送性の高い物質に、ドナー性物質を添加した材料を用いることができる。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなどのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他に、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。また、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに挙げた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を用いることも可能である。電子輸送性の高い物質に、ドナー性物質を添加することにより、電子注入性を高くすることができる。そのため、バックライトの駆動電圧を低減することができる。ドナー性物質としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第13族に属する金属またはその酸化物またはその炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウムLi、セシウムCs、マグネシウムMg、カルシウムCa、イッテルビウムYb、インジウムIn、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物をドナー性物質として用いてもよい。また、中間層123のうち正孔を注入する機能を有する層として、例えば、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化レニウム、酸化ルテニウム等を用いること、または、正孔輸送性の高い物質に、アクセプター物質を添加した材料を用いることができる。また、アクセプター物質からなる層を用いても良い。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPB、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N-フェニルアミノ]-1,1’-ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに挙げた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を用いても構わない。また、上述のホスト材料を用いてもよい。正孔輸送性の高い物質に、アクセプター性物質を添加することにより、正孔注入性を高くすることができる。そのため、発光素子の駆動電圧を低減することができる。アクセプター性物質としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を用いることができる。また、遷移金属酸化物を用いることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を添加した構成および電子輸送性の高い物質にドナー性物質を添加した構成のいずれか一方または両方の構成を用いることにより、中間層123を厚膜化しても、駆動電圧の上昇を抑制することができる。よって、中間層123を厚膜化することにより、微小な異物や衝撃等によるショートを防止することができ、信頼性の高いバックライトを得ることができる。なお、中間層において、正孔を注入する機能を有する層と電子を注入する機能を有する層との間に、必要に応じて他の層を導入しても良い。例えば、ITOのような導電層や電子リレー層を設けても良い。電子リレー層は、正孔を注入する機能を有する層と電子を注入する機能を有する層との間で生じる電圧のロスを低減する機能を有する。具体的には、LUMO準位がおよそ-5.0eV以上である材料を用いるのが好ましく、-5.0eV以上-3.0eV以下である材料を用いるのがより好ましい。例えば、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物略称:PTCDA、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックビスベンゾイミダゾール略称:PTCBIなどを用いることができる。有機物層124は、青色Bの波長領域にピークを有する発光性の物質を有している。青色Bの波長領域にピークを有する発光性の物質として、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン略称:TBPなどを用いることができる。また、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBiなどのスチリルアリーレン誘導体や、9,10-ジフェニルアントラセン、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ビス2-ナフチル-2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuDNAなどのアントラセン誘導体を用いることができる。また、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン等のポリマーを用いることができる。また、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2Sや、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:PCA2Sなどのスチリルアミン誘導体を用いることができる。また、N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニルピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn、N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ビス4-tert-ブチルフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6tBu-FLPAPrnのようなピレンジアミン誘導体を用いることができる。また、青色の波長領域にピークを有する発光性の物質としては、蛍光性化合物を用いることが好ましい。青色Bの発光性の物質として蛍光性化合物を用いることにより、青色Bの発光性の物質として燐光性化合物を用いた場合と比べて長寿命の発光素子を得ることができる。特に1,6FLPAPrn、1,6tBu-FLPAPrnのようなピレンジアミン誘導体は、460nm付近にピークを有している上に、極めて高い量子収率が得られ、長寿命であるため好ましい。また、これらの発光性の物質ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させることにより、発光層を構成しても良い。この場合のホスト材料としては、アントラセン誘導体が好ましく、9,10-ビス2-ナフチル-2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuDNA、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、9-フェニル-3-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:PCzPAなどが好適である。特に、CzPAやPCzPAは電気化学的に安定であるため好ましい。<制御回路13の構成例>図11は、制御回路13の構成例を示す図である。図11に示す制御回路13は、信号生成回路130と、記憶回路131と、比較回路132と、選択回路133と、出力制御回路134とを有する。信号生成回路130は、表示パネル11を動作させ、画素部に画像を形成するための信号、及びバックライト12を発光させるための駆動電圧を生成する回路である。なお、前者は、画素部にマトリクス状に配設された複数の画素に対して入力される画像信号Data、走査線駆動回路111又は信号線駆動回路112の動作を制御する信号例えば、スタートパルス信号SP、クロック信号CKなど、並びに駆動回路用の電源電圧である高電源電位Vdd及び低電源電位Vssなどを指す。なお、図11に示す制御回路13においては、信号生成回路130は、記憶回路131に対して画像信号Dataを出力し、出力制御回路134に対して表示パネル11走査線駆動回路111及び信号線駆動回路112の動作を制御する信号及びバックライト12を発光させるための駆動電圧を出力する。また、信号生成回路130から記憶回路131に対して出力される画像信号Dataがアナログ信号である場合には、A/Dコンバータなどを介して、当該画像信号Dataをデジタル信号に変換することもできる。記憶回路131は、画素部において、第1の画像を形成するための画像信号乃至第nの画像nは、2以上の自然数を形成するための画像信号を記憶するための複数のメモリ1310を有する。なお、メモリ1310は、DRAMDynamicRandomAccessMemory、SRAMStaticRandomAccessMemoryなどの記憶素子を用いて構成すればよい。また、メモリ1310は、画素部において形成される画像毎に画像信号を記憶する構成であればよく、メモリ1310の数は、特定の数に限定されない。加えて、複数のメモリ1310が記憶する画像信号は、比較回路132及び選択回路133により選択的に読み出される。比較回路132は、記憶回路131に記憶された第kの画像kは、1以上n未満の自然数を形成するための画像信号及び第k1の画像を形成するための画像信号を選択的に読み出して、当該画像信号の比較を行い、差分を検出する回路である。なお、第kの画像及び第k1の画像は、画素部において連続して表示される画像である。比較回路132での画像信号の比較により、差分が検出された場合、当該画像信号によって形成される2枚の画像は動画であると判断される。一方、比較回路132での画像信号の比較により、差分が検出されない場合、当該画像信号によって形成される2枚の画像は静止画であると判断される。すなわち、比較回路132は、差分の検出によって連続して表示される画像を形成するための画像信号が、動画を表示するための画像信号であるか、静止画を表示するための画像信号であるかを判断する回路である。なお、比較回路132は、当該差分が一定のレベルを超えたときに、差分を検出したと判断されるように設定してもよい。選択回路133は、比較回路132で検出された差分を基に、表示パネル11への画像信号の出力を選択する回路である。具体的には、選択回路133は、比較回路132で、差分が検出された画像を形成するための画像信号は出力し、差分が検出されない画像を形成するための画像信号は出力しない回路である。出力制御回路134は、スタートパルス信号SP、クロック信号CK、高電源電位Vdd、及び低電源電位Vssなどの制御信号の表示パネル11走査線駆動回路111及び信号線駆動回路112への供給を制御する回路である。具体的には、比較回路132により動画と判断された場合連続して表示される画像に差分が検出された場合には、選択回路133から供給された画像信号Dataを信号線駆動回路112に出力するとともに、表示パネル11走査線駆動回路111及び信号線駆動回路112に対して、制御信号スタートパルス信号SP、クロック信号CK、高電源電位Vdd、及び低電源電位Vssなどを供給する。一方、比較回路132により静止画と判断された場合連続して表示される画像に差分が検出されない場合には、選択回路133から画像信号Dataが供給されないとともに、表示パネル11走査線駆動回路111及び信号線駆動回路112に対して、制御信号スタートパルス信号SP、クロック信号CK、高電源電位Vdd、及び低電源電位Vssなどを供給しない。すなわち、比較回路132により静止画と判断された場合連続して表示される画像に差分が検出されない場合には、表示パネル11走査線駆動回路111及び信号線駆動回路112の動作を完全に停止させる。また、出力制御回路134は、表示パネル11に対して信号などを供給するか否かに関わらず、バックライト12に対してバックライト12を発光させるための駆動電圧の供給を行う。また、上述した出力制御回路134において、静止画と判断される期間が短い場合には、高電源電位Vdd及び低電源電位Vssを供給し続ける構成とすることもできる。なお、高電源電位Vdd及び低電源電位Vssが供給されるとは、ある配線の電位が高電源電位Vdd又は低電源電位Vssに固定されることである。すなわち、ある電位状態にある当該配線が、高電源電位Vdd又は低電源電位Vssに変化することになる。当該電位の変化には電力消費が伴う。そのため、頻繁に高電源電位Vdd及び低電源電位Vssの供給の停止及び再供給を行うことで、結果的に、消費電力が増大する可能性がある。そのような場合には、高電源電位Vdd及び低電源電位Vssを供給し続ける構成とすることが好ましい。なお、上述した説明において、信号を供給しないとは、当該信号を供給する配線において所定の電位とは異なる電位が供給される、又は当該配線が浮遊状態になることを指すこととする。なお、上述した制御回路13において、静止画と判断される期間が長い場合には、画素部において表示されている画像を書き換えるためリフレッシュを行うために、表示パネル11に対して再度信号などを供給する構成とすることもできる。すなわち、画素部において静止画を表示する期間が設定した期間を超過した際に、画素部において当該静止画を表示させるための画像信号などを再度表示パネル11に対して供給する構成とすることもできる。<本明細書で開示される液晶表示装置について>本明細書で開示される液晶表示装置は、表示パネルにおいて表示される画像に応じて、該表示パネルの動作を制御することが可能である。具体的には、当該表示パネルに配設された画素に対する画像信号の入力などを制御することが可能である。例えば、画素に対する画像信号の入力頻度を低減することで、当該液晶表示装置の消費電力を低減することが可能である。ここで、画素に対する画像信号の入力頻度を低減するということは、当該画素内に画像信号を保持したまま、画像信号の入力を制御するトランジスタがオフ状態を維持する期間が長期化するということである。そのため、従来の液晶表示装置においては、当該トランジスタのオフ電流が画素の表示に対して与える影響が顕在化する。具体的には、液晶素子に印加される電圧が低下し、当該液晶素子を有する画素の表示の劣化変化が顕在化する。なお、当該トランジスタのオフ電流は、トランジスタの動作温度の上昇に伴い増加する。そのため、発光に発熱を伴うバックライトを備える透過型の従来の液晶表示装置においては、消費電力と表示品質の間に強いトレードオフの関係が存在することになる。これに対して、本明細書で開示される液晶表示装置は、バックライトとして面発光を行う光源を適用する。当該光源は、発光を面状に行う光源であるため発光面積が広い。そのため、当該バックライトでは、放熱を効率よく行うことができる。すなわち、当該バックライトは、発光時における温度上昇が抑制されたバックライトである。これに付随して、当該液晶表示装置においては、各画素に設けられるトランジスタの動作温度の上昇を抑制することが可能である。そのため、当該液晶表示装置においては、当該トランジスタのオフ電流の増加を抑制することが可能である。さらに、上述した液晶表示装置は、各画素に設けられるトランジスタとして酸化物半導体層によってチャネル形成領域が構成されるトランジスタを適用する。当該酸化物半導体層は、高純度化されることで、導電型が限りなく真性型に近づく。そのため、当該酸化物半導体層では、熱励起に起因するキャリアの発生を抑制することができる。その結果、当該酸化物半導体層によってチャネル形成領域が構成されたトランジスタの動作温度の上昇に伴うオフ電流の増加を低減することができる。すなわち、当該トランジスタは、動作温度の上昇に伴うオフ電流値の増加が著しく小さいトランジスタである。そのため、当該液晶表示装置においては、バックライトの発光に伴い当該トランジスタの動作温度が上昇する場合であっても、表示品質の低下を抑制することが可能である。上述したように本発明の一態様の液晶表示装置は、バックライトとして放熱性に優れる光源を適用する。これにより、画素に対して長期間に渡って画像信号の入力が行われない場合であっても、当該画素において画像信号を保持することが可能になる。すなわち、消費電力の低減と表示品質の低下の抑制を両立することが可能になる。<変形例>上述した構成を有する液晶表示装置は、本発明の一態様であり、当該液晶表示装置と異なる点を有する液晶表示装置も本発明には含まれる。<表示パネルの変形例>例えば、上述した液晶表示装置においては、表示パネルの画素部においてマトリクス状に配設された複数の画素の各々に、特定色を呈する波長の光のみを透過するカラーフィルターが設けられる構成図1A参照について示したが、当該複数の画素の一部にカラーフィルターを設けない構成とすることが可能である。すなわち、上述した液晶表示装置においては、赤色R、緑色G、及び青色Bの3色を用いて表示を行う構成について示したが、当該液晶表示装置が赤色R、緑色G、青色B、及び白色Wの4色を用いて表示を行う構成とすることが可能である。この場合、液晶表示装置における白色表示に際のカラーフィルターによる光の減衰が生じないため、輝度を向上させること又は消費電力を低減することが可能である。また、上述した液晶表示装置においては、各画素に設けられるトランジスタ11011として、チャネルエッチ型と呼ばれるボトムゲート構造のトランジスタを適用する構成図2参照について示したが、トランジスタの構成は、当該構成に限定されない。例えば、図12A~Cに示すトランジスタを適用することが可能である。図12Aに示すトランジスタ510は、チャネル保護型チャネルストップ型ともいうと呼ばれるボトムゲート構造の一つである。トランジスタ510は、絶縁表面を有する基板220上に、ゲート層221、ゲート絶縁層222、酸化物半導体層223、酸化物半導体層223のチャネル形成領域を覆うチャネル保護層として機能する絶縁層511、ソース層224a、及びドレイン層224bを含む。また、ソース層224a、ドレイン層224b、及び絶縁層511を覆う保護絶縁層226が形成されている。なお、絶縁層511としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。図12B示すトランジスタ520はボトムゲート型のトランジスタであり、絶縁表面を有する基板である基板220上に、ゲート層221、ゲート絶縁層222、ソース層224a、ドレイン層224b、及び酸化物半導体層223を含む。また、ソース層224a及びドレイン層224bを覆い、酸化物半導体層223に接する絶縁層225が設けられている。絶縁層225上にはさらに保護絶縁層226が形成されている。トランジスタ520においては、ゲート絶縁層222は基板220及びゲート層221上に接して設けられ、ゲート絶縁層222上にソース層224a、ドレイン層224bが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層222、及びソース層224a、ドレイン層224b上に酸化物半導体層223が設けられている。図12Cに示すトランジスタ530は、トップゲート構造のトランジスタの一つである。トランジスタ530は、絶縁表面を有する基板220上に、絶縁層531、酸化物半導体層223、ソース層224a、及びドレイン層224b、ゲート絶縁層222、ゲート層221を含み、ソース層224a、ドレイン層224bにそれぞれ配線層532a、配線層532bが接して設けられ電気的に接続している。なお、絶縁層531としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、配線層532a、配線層532bとしては、アルミニウムAl、銅Cu、チタンTi、タンタルTa、タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、ネオジムNd、スカンジウムScから選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。<バックライトの変形例>また、上述した液晶表示装置においては、バックライトとして青色Bを発光することが可能な有機物及び黄色Yを発光することが可能な有機物を利用する構成図9参照について示したが、バックライトの構成は、当該構成に限定されない。例えば、当該バックライトが、n層nは、3以上の自然数の有機物層を有する構成とすることが可能である。具体的には、当該バックライトを図13に示す構成とすることなどが可能である。図13に示すバックライト12は、基板1200と、基板1200上に設けられた電極層1201と、電極層1201上に設けられた有機物層1202と、有機物層1202上に設けられた中間層1203と、中間層1203上に設けられた有機物層1204と、有機物層1204上に設けられた中間層1205と、中間層1205上に設けられた有機物層1206と、有機物層1206上に設けられた電極層1207とを有する。なお、電極層1201及び電極層1207の電位は、制御回路13によって制御される。そして、該制御回路13によって、電極層1201及び電極層1207に電圧を印加することで有機物層1202、1204、1206のそれぞれから発光させることで白色光を形成することが可能である。例えば、有機物層1202、1204、1206のそれぞれにおいて、赤色R、緑色G、及び青色Bのいずれか且つ他の2層の有機物層と異なる色を呈する波長領域の光を発光すること、又は有機物層1202、1204、1206のいずれかにおいて、青色Bを呈する波長領域の光を発光し、且つ他の2層の有機物層において、黄色Yを呈する波長領域の光を発光すること、によって白色光を形成することが可能である。なお、上述した液晶表示装置においては、表示パネル11に赤色R、緑色G、及び青色Bを呈する波長領域の光のみを透過するカラーフィルターが配設される。そのため、バックライト12が発光する白色光が、赤色R、緑色G、及び青色Bの混色によって形成される場合、表示パネル11において表示される赤色R及び緑色Gの色純度を向上させることが可能である。すなわち、液晶表示装置における画質を向上させることが可能である。赤色Rを呈する波長領域の光を発光する有機物としては、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFD、2-{2-イソプロピル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTI、2-{2-tert-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTB、2-2,6-ビス{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:BisDCM、2-{2,6-ビス[2-8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:BisDCJTMなどの蛍光性化合物、又はビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2acac、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phenなどの燐光性化合物が挙げられる。また、緑色Gを呈する波長領域の光を発光する有機物としては、クマリン30、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhA、クマリン545T、N,N’-ジフェニルキナクリドン略称:DPQdなどの蛍光性化合物、又はトリス2-フェニルピリジナトイリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phenなどの燐光性化合物が挙げられる。また、青色Bを呈する波長領域の光を発光する有機物は既出であるため、ここでは前述の説明を援用することとする。なお、基板1200は基板120と同じ材料を、電極層1201、1207は電極層121、125と同じ材料を、中間層1203、1205は中間層123と同じ材料を用いて構成することが可能である。<制御回路13の変形例>また、上述した液晶表示装置においては、制御回路が連続して表示される画像を比較し差分が検出されるか否かによって、表示パネルに対する信号などの供給を制御する構成図11参照について示したが、制御回路の構成は、当該構成に限定されない。例えば、外部から制御回路に対して入力される信号に応じて複数のモードの切り替えを行う構成とすることが可能である。具体的には、当該液晶表示装置に備え付けられた入力デバイスを利用者が操作することで、動画モード又は静止画モードを選択する構成とすることなどが可能である。ここで、動画モードとは、表示パネルにおける画像の書き換えを第1の周波数で行うモードであり、静止画モードとは、表示パネルにおける画像の書き換えを第1の周波数よりも低い第2の周波数で行うモードであるとする。すなわち、本明細書で開示される液晶表示装置には、液晶表示装置自体が自動的に画素に対する画像信号の入力頻度を制御することが可能な液晶表示装置のみならず、利用者が意図的に画素に対する画像信号の入力頻度を制御することが可能な液晶表示装置も含まれる。また、当該液晶表示装置で表示される画像の種類に応じて、動画モード又は静止画モードが選択される構成とすることなどが可能である。例えば、画像信号の基となる電子データのファイル形式などを参照することにより、動画モード又は静止画モードが選択される構成とすることなどが可能である。<液晶表示装置を搭載した各種電子機器について>以下では、本明細書で開示される液晶表示装置を搭載した電子機器の例について図14を参照して説明する。図14Aは、ノート型のパーソナルコンピュータを示す図であり、本体2201、筐体2202、表示部2203、キーボード2204などによって構成されている。図14Bは、携帯情報端末PDAを示す図であり、本体2211には表示部2213と、外部インターフェイス2215と、操作ボタン2214等が設けられている。また、操作用の付属品としてスタイラス2212がある。図14Cは、電子ペーパーの一例として、電子書籍2220を示す図である。電子書籍2220は、筐体2221および筐体2223の2つの筐体で構成されている。筐体2221および筐体2223は、軸部2237により一体とされており、該軸部2237を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、電子書籍2220は、紙の書籍のように用いることが可能である。筐体2221には表示部2225が組み込まれ、筐体2223には表示部2227が組み込まれている。表示部2225および表示部2227は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図14Cでは表示部2225に文章を表示し、左側の表示部図14Cでは表示部2227に画像を表示することができる。また、図14Cでは、筐体2221に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2221は、電源2231、操作キー2233、スピーカー2235などを備えている。操作キー2233により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2220は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2220は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。なお、電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野に適用することが可能である。例えば、電子書籍以外にも、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示などに適用することができる。図14Dは、携帯電話機を示す図である。当該携帯電話機は、筐体2240および筐体2241の二つの筐体で構成されている。筐体2241は、表示パネル2242、スピーカー2243、マイクロフォン2244、ポインティングデバイス2246、カメラ用レンズ2247、外部接続端子2248などを備えている。また、筐体2240は、当該携帯電話機の充電を行う太陽電池セル2249、外部メモリスロット2250などを備えている。また、アンテナは筐体2241内部に内蔵されている。表示パネル2242はタッチパネル機能を備えており、図14Dには映像表示されている複数の操作キー2245を点線で示している。なお、当該携帯電話は、太陽電池セル2249から出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路を実装している。また、上記構成に加えて、非接触ICチップ、小型記録装置などを内蔵した構成とすることもできる。表示パネル2242は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル2242と同一面上にカメラ用レンズ2247を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー2243およびマイクロフォン2244は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体2240と筐体2241はスライドし、図14Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子2248はACアダプタやUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電やデータ通信が可能になっている。また、外部メモリスロット2250に記録媒体を挿入し、より大量のデータの保存および移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図14Eは、デジタルカメラを示す図である。当該デジタルカメラは、本体2261、表示部A2267、接眼部2263、操作スイッチ2264、表示部B2265、バッテリー2266などによって構成されている。図14Fは、テレビジョン装置を示す図である。テレビジョン装置2270では、筐体2271に表示部2273が組み込まれている。表示部2273により、映像を表示することが可能である。なお、ここでは、スタンド2275により筐体2271を支持した構成を示している。テレビジョン装置2270の操作は、筐体2271が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機2280により行うことができる。リモコン操作機2280が備える操作キー2279により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部2273に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機2280に、当該リモコン操作機2280から出力する情報を表示する表示部2277を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置2270は、受信機やモデムなどを備えた構成とするのが好適である。受信機により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことが可能である。"