"式Iの化合物。式中、個々の基は以下の意味を有する:Y1およびY2の一方は-CH=または=CH-であり、他方は-X-であり、Y3およびY4の一方は-CH=または=CH-であり、他方は-X-であり、Xは、-O-、-S-、-Se-または-NRX-であり、Aは、CまたはSiであり、R1およびR2は、それぞれ互いに独立に、H、F、Cl、Br、I、1~20個のC原子を有する、直鎖状、分岐状または環状のアルキル該基は無置換であるか、1個以上の基Lで置換されており、ただし、1個以上の隣接していないCH2基は、それぞれの場合で互いに独立に、Oおよび/またはS原子が互いに直接連結しないようにして、-O-、-S-、-NR0-、-SiR0R00-、-CY0=CY00-または-C≡C-で置き換えられていてもよい。を表すか、または、4~20個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール該基は無置換であるか、1個以上の基Lで置換されている。を表し、R、R’、Rは、H、1~20個のC原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基、2~20個のC原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルケニル基、2~20個のC原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキニル基、2~20個のC原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキルカルボニル基、4~20個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基、4~20個の環原子を有するアリールアルキルまたはヘテロアリールアルキル基、4~20個の環原子を有するアリールオキシまたはヘテロアリールオキシ基、または、4~20個の環原子を有するアリールアルキルオキシまたはヘテロアリールアルキルオキシ基から成る群より選択される同一または異なる基であり、ただし、前述の基の全ては、1個以上の基Lで置換されていてもよく、Lは、P-Sp-、F、Cl、Br、I、-OH、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C=ONR0R00、-C=OX0、-C=OR0、-NR0R00、C=OOH、4~20個の環原子を有する置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール、または、1~20個、好ましくは1~12個のC原子を有する、直鎖状、分岐状または環状のアルキルただし、1個以上の隣接していないCH2基は、それぞれの場合で互いに独立に、Oおよび/またはS原子が互いに直接連結しないようにして、-O-、-S-、-NR0-、-SiR0R00-、-CY0=CY00-または-C≡C-で置き換えられていてもよく、該基は無置換であるか、1個以上のFまたはCl原子またはOH基で置換されている。から選択され、Pは、重合性基であり、Spは、スペーサー基または単結合であり、X0は、ハロゲンであり、RXは、R1で与えられる意味の1つを有し、R0およびR00は、それぞれ互いに独立に、Hまたは1~20個のC原子を有するアルキルを表し、Y0およびY00は、それぞれ互いに独立に、H、F、ClまたはCNを表し、mは、1または2であり、nは、1または2であり、ただし、基ARR’Rの少なくとも一方において、置換基R、R’およびRの少なくとも2個は同一ではない。XがSである請求項1に記載の化合物。n=m=1である請求項1または2に記載の化合物。異性体の混合物であり、ただし第1の異性体においては、Y1=Y3およびY2=Y4であり、ただし第2の異性体においては、Y1=Y4およびY2=Y3であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の化合物。R、R’およびRは、それぞれ独立に、1~10個のC原子を有し、置換されていてもよく、直鎖状、分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ該基は、例えば、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、2,3-ジメチルシクロプロピル、2,2,3,3-テトラメチルシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、メトキシまたはエトキシである。、2~12個のC原子を有し、置換されていてもよく、直鎖状、分岐状または環状のアルケニル、アルキニルまたはアルキルカルボニル該基は、例えば、アリル、イソプロペニル、2-ブタ-1-エニル、シス-2-ブタ-2-エニル、3-ブタ-1-エニル、プロピニルまたはアセチルである。または5~10個の環原子を有し、置換されていてもよいアリール、ヘテロアリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールアルキル、アリールオキシまたはヘテロアリールオキシ該基は、例えば、フェニル、p-トリル、ベンジル、2-フラニル、2-チエニル、2-セレノフェニル、N-メチルピロール-2-イルまたはフェノキシである。より選択されることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の化合物。R1およびR2は、H、F、Cl、Br、I、-CN、1~20個、好ましくは、1~12個のC原子を有し、直鎖状、分岐状または環状のアルキル、アルコキシ、チオアルキル、アルケニル、アルキニル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルカルボニルアミド、アルキルアミドカルボニルまたはアルコキシカルボニルオキシ該基は無置換であるか、1個以上のFまたはCl原子またはOH基で置換されているか、ペルフッ素化されている。から成る群より選択されることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の化合物。R1およびR2は、フラン、チオフェン、セレノフェン、N-ピロール、ピリミジン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、セレナゾール、および、1個以上の前述の環を含有し、任意に1個以上のベンゼン環を含有する二環、三環または四環の基ただし、個々の環は単結合で連結されているか、または、それぞれ他と縮合されている。、チエノ[3,2-b]チオフェン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェン、セレノフェノ[3,2-b]セレノフェン-2,5-ジイル、セレノフェノ[2,3-b]セレノフェン-2,5-ジイル、セレノフェノ[3,2-b]チオフェン-2,5-ジイル、セレノフェノ[2,3-b]チオフェン-2,5-ジイル、ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン-2,6-ジイル、2,2-ジチオフェン、2,2-ジセレノフェン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]シロール-5,5-ジイル、4H-シクロペンタ[2,1-b:3,4-b’]ジチオフェン-2,6-ジイル、ベンゾ[b]チオフェン、ベンゾ[b]セレノフェン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾセレナゾールから成る群より選択され、ただし、全ての前述の基は無置換であるか、または、請求項1において定義される通りの1個以上の基Lで置換されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の化合物。以下の式より選択されることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の化合物。式中、R、R’およびRは請求項1において定義される通りであり、alkylは、2個、3個または4個のC原子を有するアルキルを表す。請求項1~8のいずれか1項に記載の1種類以上の化合物と、1種類以上の有機溶媒とを含む配合物。請求項1~8のいずれか1項に記載の1種類以上の化合物と、1,000Hzにおいて3.3以下の誘電率εを有する1種類以上の有機バインダーまたはそれらの前駆体と、任意成分として1種類以上の溶媒とを含む有機半導電性配合物。光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネセントまたはフォトルミネセント構成要素または装置における、電荷輸送、半導電性、電気導電性、光導電性または発光材料としての、請求項1~8のいずれか1項に記載の化合物および配合物の使用。請求項1~8のいずれか1項に記載の1種類以上の化合物または配合物を含む電荷輸送、半導電性、電気導電性、光導電性または発光材料または構成要素。請求項1~12のいずれか1項に記載の1種類以上の化合物、配合物、材料または構成要素を含む光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネセントまたはフォトルミネセント構成要素または装置。有機電界効果トランジスタOFET:organicfieldeffecttransistor、薄膜トランジスタTFT:thinfilmtransistor、集積回路IC:integratedcircuit、論理回路、キャパシタ、無線識別RFID:radiofrequencyidentificationタグ、装置または構成要素、有機発光ダイオードOLED:organiclightemittingdiode、有機発光トランジスタOLET:organiclightemittingtransistor、フラットパネルディスプレイ、ディスプレイのバックライト、有機光起電装置OPV:organicphotovoltaic、太陽電池セル、レーザーダイオード、光導電体、光検出器、電子写真装置、電子写真記録装置、有機記憶装置、センサー装置、ポリマー発光ダイオードPLED:polymerlightemittingdiodeにおける電荷注入層、電荷輸送層または中間層、有機プラズモン発光ダイオードOPED:organicplasmon-emittingdiode、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、ポリマー電解質膜PEM:polymerelectrolytemembrane、導電性基板、導電性パターン、バッテリーにおける電極材料、配向層、バイオセンサー、バイオチップ、セキュリティーマーク、セキュリティー装置、および、DNA配列を検出および識別するための構成要素または装置から成る群より選択されることを特徴とする請求項13に記載の構成要素または装置。請求項1~8のいずれか1項に記載の化合物を調製する方法であって、a式SiCl2R2のジクロロシランをR’MgBr式中、RおよびR’は式Iにおいて定義される通りで、例えば、Rは第1のアルキル基で、R’はアルケニル基または第1のアルキル基とは異なる第2のアルキル基である。の溶液で処理して、式SiClR2R’のクロロシランを生成する工程と、b工程aからのクロロシランSiClR2R’をLi-C≡C-SiR03式中、R0はアルキル、例えば、メチルである。と反応して、式R03Si-C≡C-SiR2R’の対応する保護されたシランを生成する工程と、c例えば、炭酸カリウムで処理して保護されたシランR03Si-C≡C-SiR2R’を脱保護し、式H-C≡C-SiR2R’の非保護のシランを与える工程と、b2工程bおよびcの代わりに、工程aからのクロロシランSiClR2R’をハロゲン化エチニルマグネシウムまたはリチウムアセチリドで処理して、非保護のシランH-C≡C-SiR2R’を直接与える工程と、d工程cまたはb2からのシランH-C≡C-SiR2R’を、例えば、n-ブチルリチウムでリチウム化し、式Li-C≡C-SiR2R’のリチウムシリルアセチルドを提供する工程と、e工程dからのリチウムシリルアセチルドLi-C≡C-SiR2R’を、式Iにおいて定義される通りのR1および/またはR2で2位および/または8位が置換されていてもよいジチエノアントラキノンで反応し、対応するジオールを生成する工程と、f工程eからのジオールを、還元試薬、例えば、SnCl2で、酸性条件下において反応し、5位および11位において-C≡C-SiR2R’基で置換されており、2位および/または8位においてR1および/またはR2で置換されていてもよいアントラ[2,3-b:7,6-b’]ジチオフェンを与える工程とを含む方法。請求項1~8のいずれか1項に記載の化合物を調製する方法であって、a2,3-チオフェンジカルボキシアルデヒドジアセタールを、アルキルリチウム、LDAまたは他のリチウム化試薬で反応し、次いで、結果として生じる化合物を、ハロゲン化剤限定することなく、四塩化炭素、1,2-ジクロロエタン、四臭化炭素、1,2-ジブロモテトラクロロエタン、1,2-ジブロモエタン、1-ヨードペルフルオロヘキサン、塩化ヨウ素、元素状ヨウ素が挙げられる。で反応して、5-ハロゲン化2,3-チオフェンジカルボキシアルデヒドジアセタールを与える工程と、b工程aからの5-ハロゲン化2,3-チオフェンジカルボキシアルデヒドジアセタールを酸性条件下で脱保護して、対応するジアルデヒドとし、次いで、これを、1,4-シクロヘキサジオン、1,4-ジヒドロキシ-ナフタレンまたはそれの高級類似体などの環状1,4-ジケトンと縮合して、ジハロゲン化アセノジチオフェンのキノンを生成する工程と、c工程bからのジハロゲン化アセノジチオフェンのキノンを、式Li-C≡C-SiR2R’のリチウムシリルアセチリドこれは、例えば、上記の通りのプロセスで得ることができ、式中、RおよびR’は式Iにおいて定義される通りで、例えば、Rは第1のアルキル基で、R’はアルケニル基または第1のアルキル基とは異なる第2のアルキル基である。で処理し、続いて、例えば、希HClで加水分解して、ジハロゲン化ジオール中間体を生成する工程と、d触媒としてのニッケルまたはパラジウム錯体の存在下において、対応するヘテロアリールボロン酸、ボロン酸エステル、スタンナン、ハロゲン化亜鉛またはハロゲン化マグネシウムで、工程cからのジハロゲン化ジオール中間体を交差カップリングし、ヘテロアリール延長ジオールを生成する工程と、e酸性条件下において、還元剤、例えば、SnCl2で、工程dからのヘテロアリール延長ジオールを反応し、5位および11位において-C≡C-SiR2R’基で置換された2,8-ジヘテロアリール-アントラ[2,3-b:7,6-b’]ジチオフェンを与える工程と、または、b2工程b~eの代わりに、工程aによって得られる5-ハロゲン化2,3-チオフェンジカルボキシアルデヒドジアセタールを、交差カップリング反応において、対応するヘテロアリールボロン酸、ボロン酸エステル、スタンナン、ハロゲン化亜鉛またはハロゲン化マグネシウムで、触媒としてのニッケルまたはパラジウム錯体の存在下において反応し、結果として生じる生成物を脱保護し、工程bにおいて記載される通りの環状1,4-ジケトンで縮合し、結果として生じる生成物を式Li-C≡C-SiR2R’のリチウムシリルアセチルドで処理し、続いて、工程cにおいて記載される通り加水分解し、工程eにおいて記載される通りの還元剤で、結果として生じる2,8-ジヘテロアリール延長ジオールを反応して芳香族化し、5位および11位において-C≡C-SiR2R’基で置換された2,8-ジヘテロアリール-アントラ[2,3-b:7,6-b’]ジチオフェンを与える工程とを含む方法。これとは対照的に、本発明の材料は、増加された光学的安定性、向上された有機溶媒溶解性、および、対称的に置換されたシリルエチニル基を有する類似体化合物よりも高い融点を有しており、このため、以下の明細書および例において示される通り、向上された熱的安定性を有する材料が生じる。本発明は、式Iの化合物に関する。式中、個々の基は以下の意味を有する:Y1およびY2の一方は-CH=または=CH-であり、他方は-X-であり、Y3およびY4の一方は-CH=または=CH-であり、他方は-X-であり、Xは、-O-、-S-、-Se-または-NRX-であり、Aは、CまたはSiであり、R1およびR2は、それぞれ互いに独立に、H、F、Cl、Br、I、1~20個のC原子を有する、直鎖状、分岐状または環状のアルキル該基は無置換であるか、1個以上の基Lで置換されており、ただし、1個以上の隣接していないCH2基は、それぞれの場合で互いに独立に、Oおよび/またはS原子が互いに直接連結しないようにして、-O-、-S-、-NR0-、-SiR0R00-、-CY0=CY00-または-C≡C-で置き換えられていてもよい。を表すか、または、4~20個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール該基は無置換であるか、1個以上の基Lで置換されている。を表し、R、R’、Rは、H、1~20個のC原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基、2~20個のC原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルケニル基、2~20個のC原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキニル基、2~20個のC原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキルカルボニル基、4~20個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基、4~20個の環原子を有するアリールアルキルまたはヘテロアリールアルキル基、4~20個の環原子を有するアリールオキシまたはヘテロアリールオキシ基、または、4~20個の環原子を有するアリールアルキルオキシまたはヘテロアリールアルキルオキシ基から成る群より選択される同一または異なる基であり、ただし、前述の基の全ては、1個以上の基Lで置換されていてもよく、Lは、P-Sp-、F、Cl、Br、I、-OH、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C=ONR0R00、-C=OX0、-C=OR0、-NR0R00、C=OOH、4~20個の環原子を有する置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール、または、1~20個、好ましくは1~12個のC原子を有する、直鎖状、分岐状または環状のアルキルただし、1個以上の隣接していないCH2基は、それぞれの場合で互いに独立に、Oおよび/またはS原子が互いに直接連結しないようにして、-O-、-S-、-NR0-、-SiR0R00-、-CY0=CY00-または-C≡C-で置き換えられていてもよく、該基は無置換であるか、1個以上のFまたはCl原子またはOH基で置換されている。から選択され、Pは、重合性基であり、Spは、スペーサー基または単結合であり、X0は、ハロゲンであり、RXは、R1で与えられる意味の1つを有し、R0およびR00は、それぞれ互いに独立に、Hまたは1~20個のC原子を有するアルキルを表し、Y0およびY00は、それぞれ互いに独立に、H、F、ClまたはCNを表し、mは、1または2であり、nは、1または2であり、ただし、基ARR’Rの少なくとも一方において、置換基R、R’およびRの少なくとも2個は同一ではない。本発明は、更に、式Iの1種類以上の化合物と、好ましくは、有機溶媒より選択される1種類以上の溶媒とを含む配合物に関する。本発明は、更に、式Iの1種類以上の化合物と、好ましくは、1,000Hzにおいて3.3以下の誘電率εを有する1種類以上の有機バインダーまたはそれらの前駆体と、任意成分として1種類以上の溶媒とを含む有機半導電性配合物に関する。本発明は、更に、光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネセントまたはフォトルミネセント構成要素または装置における電荷輸送、半導電性、電気導電性、光導電性または発光材料としての、本発明による化合物および配合物の使用に関する。本発明は、更に、光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネセントまたはフォトルミネセント構成要素または装置における電荷輸送、半導電性、電気導電性、光導電性または発光材料としての、本発明による化合物および配合物の使用に関する。本発明は、更に、本発明による1種類以上の化合物または配合物を含む電荷輸送、半導電性、電気導電性、光導電性または発光材料または構成要素に関する。本発明は、更に、本発明による1種類以上の化合物、配合物、構成要素または材料を含む光学的、電気光学的または電子的構成要素または装置に関する。光学的、電気光学的、電子エレクトロルミネセントおよびフォトルミネセント構成要素または装置としては、限定することなく、有機電界効果トランジスタOFET:organicfieldeffecttransistor、薄膜トランジスタTFT:thinfilmtransistor、集積回路IC:integratedcircuit、論理回路、キャパシタ、無線識別RFID:radiofrequencyidentificationタグ、装置または構成要素、有機発光ダイオードOLED:organiclightemittingdiode、有機発光トランジスタOLET:organiclightemittingtransistor、フラットパネルディスプレイ、ディスプレイのバックライト、有機光起電装置OPV:organicphotovoltaic、太陽電池セル、レーザーダイオード、光導電体、光検出器、電子写真装置、電子写真記録装置、有機記憶装置、センサー装置、ポリマー発光ダイオードPLED:polymerlightemittingdiodeにおける電荷注入層、電荷輸送層または中間層、有機プラズモン発光ダイオードOPED:organicplasmon-emittingdiode、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、ポリマー電解質膜PEM:polymerelectrolytemembrane、導電性基板、導電性パターン、バッテリーにおける電極材料、配向層、バイオセンサー、バイオチップ、セキュリティーマーク、セキュリティー装置、および、DNA配列を検出および識別するための構成要素または装置が挙げられる。本発明の化合物は容易に合成され、高い電荷キャリア移動度、高い融点、有機溶媒における高い溶解性、装置製造プロセスのための良好な加工性、高い酸化的および光学的安定性、および、電子装置における長い寿命など幾つかの優位な特性を示す。加えて、それらは、以下の優位な特性を示す。本発明による化合物の1つの利点は、先行技術の化合物と比較して、電荷キャリア移動度を犠牲にすることなく、有機溶媒中における化合物の溶解性を増加できることである。一般的に、可溶化置換シリルエチニル基を備えるADTまたはペンタセンなどのポリアセン系OSCの溶解性を向上するには、シリル基上の置換基における炭素原子数を増加させる必要がある。しかしながら、炭素原子数を増加させると、シリル基の大きさにおける不均衡、即ち、芳香族アセン核の長さと、可溶化シリル基の直径との間の比が増加する。先行技術において、結晶状態におけるこの種の材料のπ-スタッキング秩序、従って、電荷移動度は、この比の影響を受け受けやすいことが示されてきたJ.E.Anthony、D.L.Eaton、S.R.Parkin、Org.Lett.2001年、4巻、15頁;J.E.Anthony、Chem.Rev.、2006年、106巻12号、5028頁参照。2次元スタッキングにとって、最適化された長さ/直径比は、ほぼ2である。しかしながら、先行技術からの、この経験則は、対称なトリアルキルシリル基についてのみ当てはまる。より正確には、この比は、芳香族核の長さと、可溶化基の厚みとに対するものでなければならない。ここで、例えば、本発明のように、異なる大きさのアルキル基を使用することによって、高い電荷キャリア移動度にとって重要な材料の2次元スタッキングを犠牲とすることなく、可溶化シリル基の厚みを精密に調節できることが見出された。このことは、本発明の幾つかの例のX線結晶構造において図解できる。シリル基の非対称化および結果として生じる分子は、一般に、材料の溶解性を高めるようである。本発明による化合物の1つの利点は、例えば、シリルエチニル基上の可溶化置換基として、C-C二重結合または芳香族環を有する置換基か、または、大きさを小さくした2個のアルキル置換基および大きさを大きくした1個のアルキル置換基かのいずれかを導入することによって、先行技術の化合物と比較して、化合物の融点を高めることができる。第1の場合、例えば、アルケニル基によってπ-スタック内の面間距離が減少し、結果として分子が、より高密度に充填されることが期待され、一方、第2の場合、可溶化シリル基の厚みが低下することが期待される。凝縮された充填によって、より高い格子エネルギーに至り、従って、融点が高くなる。シリル基上のアルケニルまたは芳香族置換基、または、メチル、エチルまたはシクロプロピルなどの2個の短いアルキル基と、1個のより長いアルキル基とで非対称に置換されたシリル基が、例えば、対称的なトリアルキルシリルで置換されたADT化合物と比較して、ADT化合物の融点が高くなり、溶解性の向上に至るため、それらが上述の利点を示すことが、本発明の例によって示される。例えば、対称的に置換された5,11-ジトリエチルシリルエチニル-2,8-ジフルオロ-ADTと比較して、5,11-ジtert-ブチルジメチル-シリルエチニル-2,8-ジフルオロ-ADTは、より高い融点300°Cより高いおよび、より高い溶解性を有することが見出された。好ましくは、式Iの化合物において、基Y1~4中のXは、それぞれの出現において、同一の意味を有する。XがSまたはSe、非常に好ましくは、Sである式Iの化合物が、更に好ましい。nおよびmが同一の意味を有する式Iの化合物が、更に好ましい。n=m=1である式Iの化合物が、更に好ましい。本発明のヘテロアセンは、通常、異性体の混合物として調製される。よって、第1の異性体においてはY1=Y3およびY2=Y4であり、第2の異性体においてはY1=Y4およびY2=Y3である異性体の組を、式Iは網羅する。本発明の化合物は、これらの異性体の混合物と、純粋な異性体との両者を含む。2個の基ARR’Rが同一の意味を有する式Iの化合物が、非常に好ましい。式Iの化合物において、少なくとも一方の基ARR’Rにおいて、好ましくは、両方の基ARR’Rにおいて、置換基R、R’およびRの少なくとも2個は同一ではない。これは、少なくとも一方の基ARR’Rにおいて、好ましくは、両方の基ARR’Rにおいて、置換基R、R’およびRの少なくとも1個は、他の置換基R、R’およびRの意味と異なる意味を有することを意味する。R、R’およびRの全てが、それぞれ互いに異なる意味を有する式Iの化合物が非常に好ましい。R、R’およびRの2個が同一の意味を有し、R、R’およびRの1個が、他の2個のR、R’およびRとは異なる意味を有する式Iの化合物が更に好ましい。R、R’およびRの1個以上が、アルケニル基またはアリールまたはヘテロアリール基を表すか含有する式Iの化合物が、更に好ましい。非常に好ましくは、式Iの化合物におけるR、R’およびRは、それぞれ独立に、1~10個のC原子を有し、置換されていてもよく、直鎖状、分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ該基は、例えば、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、2,3-ジメチルシクロプロピル、2,2,3,3-テトラメチルシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、メトキシまたはエトキシである。、2~12個のC原子を有し、置換されていてもよく、直鎖状、分岐状または環状のアルケニル、アルキニルまたはアルキルカルボニル該基は、例えば、アリル、イソプロペニル、2-ブタ-1-エニル、シス-2-ブタ-2-エニル、3-ブタ-1-エニル、プロピニルまたはアセチルである。または5~10個の環原子を有し、置換されていてもよいアリール、ヘテロアリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールアルキル、アリールオキシまたはヘテロアリールオキシ該基は、例えば、フェニル、p-トリル、ベンジル、2-フラニル、2-チエニル、2-セレノフェニル、N-メチルピロール-2-イルまたはフェノキシである。より選択される。式IにおけるR1およびR2は、好ましくは、同一の基である。本発明の好ましい実施形態において、R1およびR2は、H、F、Cl、Br、I、-CN、1~20個、好ましくは、1~12個のC原子を有し、直鎖状、分岐状または環状のアルキル、アルコキシ、チオアルキル、アルケニル、アルキニル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルカルボニルアミド、アルキルアミドカルボニルまたはアルコキシカルボニルオキシ該基は無置換であるか、1個以上のFまたはCl原子またはOH基で置換されているか、ペルフッ素化されている。から成る群より選択される。もう一つの好ましい実施形において、式IにおけるR1および/またはR2は、4~25個の環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族基を表し、該基は単環または多環であり、即ち、該基は、また、それぞれ互いに単結合を介して連結された2個以上の個々の環を含有してもよく、または、2個以上の縮合環を含有してもよく、ただし、それぞれの環は無置換であるか、または、上で定義される通りの1個以上の基Lで置換されている。非常に好ましくは、この好ましい実施形態によれば、R1および/またはR2は、フラン、チオフェン、セレノフェン、N-ピロール、ピリミジン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、セレナゾール、および、1個以上の前述の環と、任意に1個以上のベンゼン環とを含有する二環、三環または四環のアリールまたはヘテロアリール基ただし、個々の環は単結合で連結されているか、または、それぞれ他と縮合されている。から成る群より選択され、ただし、全ての前述の基は無置換であるか、または、上で定義される通りの1個以上の基Lで置換されている。好ましくは、前述の二環、三環または四環のアリールまたはヘテロアリール基は、チエノ[3,2-b]チオフェン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェン、セレノフェノ[3,2-b]セレノフェン-2,5-ジイル、セレノフェノ[2,3-b]セレノフェン-2,5-ジイル、セレノフェノ[3,2-b]チオフェン-2,5-ジイル、セレノフェノ[2,3-b]チオフェン-2,5-ジイル、ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン-2,6-ジイル、2,2-ジチオフェン、2,2-ジセレノフェン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]シロール-5,5-ジイル、4H-シクロペンタ[2,1-b:3,4-b’]ジチオフェン-2,6-ジイル、ベンゾ[b]チオフェン、ベンゾ[b]セレノフェン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾセレナゾールから成る群より選択され、ただし、全ての前述の基は無置換であるか、または、上で定義される通りの1個以上の基Lで置換されている。最も好ましくは、この好ましい実施形態によれば、R1および/またはR2は、以下の部分構造から成る群より選択される。式中、Xは、上で与えられるLの意味の1つを有し、好ましくは、H、F、Cl、Br、I、CN、COOH、COOR0、CONR0R00、または、1~20個のC原子を有するアルキルまたはペルフルオロアルキルであり、oは、1、2、3または4であり、R0およびR00は上で定義される通りであり、破線は、式Iにおける隣接する環への連結を表す。式Iの非常に好ましい化合物は、以下の式のものである。式中、R、R’およびRは、式Iにおいて定義される通りであり、alkylは、2個、3個または4個のC原子を有するアルキルを表す。上および下において、アルキル基またはアルコキシ基、即ち、末端CH2基が-O-で置き換えられているアルキルは、直鎖状でも分枝状でもよい。それは、好ましくは、直鎖状で、2個、3個、4個、5個、6個、7個または8個の炭素原子を有し、従って、好ましくは、例えば、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシ、または、オクトキシ、更に、メチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ノノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、ドデコキシ、トリデコキシまたはテトラデコキシである。アルケニル基、即ち、1個以上のCH2基が-CH=CH-で置き換えられているアルキルは、直鎖状でも分枝状でもよい。それは、好ましくは、直鎖状で2~10個のC原子を有し、従って、好ましくは、ビニル、プロパ-1-、またはプロパ-2-エニル、ブタ-1-、2-またはブタ-3-エニル、ペンタ-1-、2-、3-またはペンタ-4-エニル、ヘキサ-1-、2-、3-、4-またはヘキサ-5-エニル、ヘプタ-1-、2-、3-、4-、5-またはヘプタ-6-エニル、オクタ-1-、2-、3-、4-、5-、6-またはオクタ-7-エニル、ノナ-1-、2-、3-、4-、5-、6-、7-またはノナ-8-エニル、デカ-1-、2-、3-、4-、5-、6-、7-、8-またはデカ-9-エニルである。特に好ましいアルケニル基は、C2~C7-1E-アルケニル、C4~C7-3E-アルケニル、C5~C7-4-アルケニル、C6~C7-5-アルケニルおよびC7-6-アルケニル、特に、C2~C7-1E-アルケニル、C4~C7-3E-アルケニルおよびC5~C7-4-アルケニルである。特に好ましいアルケニル基の例は、ビニル、1E-プロペニル、1E-ブテニル、1E-ペンテニル、1E-ヘキセニル、1E-ヘプテニル、3-ブテニル、3E-ペンテニル、3E-ヘキセニル、3E-ヘプテニル、4-ペンテニル、4Z-ヘキセニル、4E-ヘキセニル、4Z-ヘプテニル、5-ヘキセニル、6-ヘプテニルなどである。5個までのC原子を有する基が一般に好ましい。オキサアルキル基、即ち、非末端のCH2基が-O-で置き換えられているアルキルは、好ましくは、例えば、直鎖状の2-オキサプロピル即ち、メトキシメチル、2-即ち、エトキシメチルまたは3-オキサブチル即ち、2-メトキシエチル、2-、3-、または4-オキサペンチル、2-、3-、4-、または5-オキサヘキシル、2-、3-、4-、5-、または6-オキサヘプチル、2-、3-、4-、5-、6-または7-オキサオクチル、2-、3-、4-、5-、6-、7-または8-オキサノニルまたは2-、3-、4-、5-、6-、7-、8-または9-オキサデシルである。一方のCH2基が-O-で置き換えられており、もう一方のCH2基が-CO-で置き換えられているアルキル基において、これらの基は、好ましくは、隣り合っている。従って、これらの基は、一緒となってカルボニルオキシ基-CO-O-またはオキシカルボニル基-O-CO-を形成する。好ましくは、この基は直鎖状で、2~6個のC原子を有している。それは、従って、好ましくは、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサノイルオキシ、アセチルオキシメチル、プロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイルオキシメチル、2-アセチルオキシエチル、2-プロピオニルオキシエチル、2-ブチリルオキシエチル、3-アセチルオキシプロピル、3-プロピオニルオキシプロピル、4-アセチルオキシブチル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、メトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルメチル、プロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、2-メトキシカルボニルエチル、2-エトキシカルボニルエチル、2-プロポキシカルボニルエチル、3-メトキシカルボニルプロピル、3-エトキシカルボニルプロピル、4-メトキシカルボニル-ブチルである。2個以上のCH2基が-O-および/または-COO-で置き換えられているアルキル基は、直鎖状または分岐状でよい。それは、好ましくは、直鎖状で、3~12個のC原子を有する。従って、それは、好ましくは、ビス-カルボキシ-メチル、2,2-ビス-カルボキシ-エチル、3,3-ビス-カルボキシ-プロピル、4,4-ビス-カルボキシ-ブチル、5,5-ビス-カルボキシ-ペンチル、6,6-ビス-カルボキシ-ヘキシル、7,7-ビス-カルボキシ-ヘプチル、8,8-ビス-カルボキシ-オクチル、9,9-ビス-カルボキシ-ノニル、10,10-ビス-カルボキシ-デシル、ビス-メトキシカルボニル-メチル、2,2-ビス-メトキシカルボニル-エチル、3,3-ビス-メトキシカルボニル-プロピル、4,4-ビス-メトキシカルボニル-ブチル、5,5-ビス-メトキシカルボニル-ペンチル、6,6-ビス-メトキシカルボニル-ヘキシル、7,7-ビス-メトキシカルボニル-ヘプチル、8,8-ビス-メトキシカルボニル-オクチル、ビス-エトキシカルボニル-メチル、2,2-ビス-エトキシカルボニル-エチル、3,3-ビス-エトキシカルボニル-プロピル、4,4-ビス-エトキシカルボニル-ブチル、5,5-ビス-エトキシカルボニル-ヘキシルである。チオアルキル基、即ち、1個のCH2基が-S-で置き換えられている場合、好ましくは、直鎖状のチオメチル-SCH3、1-チオエチル-SCH2CH3、1-チオプロピル即ち、-SCH2CH2CH3、1-チオブチル、1-チオペンチル、1-チオヘキシル、1-チオヘプチル、1-チオオクチル、1-チオノニル、1-チオデシル、1-チオウンデシルまたは1-チオドデシルであり、ただし、好ましくは、sp2混成ビニル炭素原子に隣接しているCH2基が置き換えられている。R1、R2、R’、RおよびR’は、アキラルでもキラル基でもよい。特に好ましいキラル基は、例えば、2-ブチル即ち、1-メチルプロピル、2-メチルブチル、2-メチルペンチル、3-メチルペンチル、2-エチルヘキシル、2-プロピルペンチル、特に、2-メチルブチル、2-メチルブトキシ、2-メチルペントキシ、3-メチルペントキシ、2-エチルヘキソキシ、1-メチルヘキソキシ、2-オクチルオキシ、2-オキサ-3-メチルブチル、3-オキサ-4-メチルペンチル、4-メチルヘキシル、2-ヘキシル、2-オクチル、2-ノニル、2-デシル、2-ドデシル、6-メトキシオクトキシ、6-メチルオクトキシ、6-メチルオクタノイルオキシ、5-メチルヘプチルオキシカルボニル、2-メチルブチリルオキシ、3-メチルバレロイルオキシ、4-メチルヘキサノイルオキシ、2-クロロプロピオニルオキシ、2-クロロ-3-メチルブチリルオキシ、2-クロロ-4-メチルバレリルオキシ、2-クロロ-3-メチルバレリルオキシ、2-メチル-3-オキサペンチル、2-メチル-3-オキサヘキシル、1-メトキシプロピル-2-オキシ、1-エトキシプロピル-2-オキシ、1-プロポキシプロピル-2-オキシ、1-ブトキシプロピル-2-オキシ、2-フルオロオクチルオキシ、2-フルオロデシルオキシ、1,1,1-トリフルオロ-2-オクチルオキシ、1,1,1-トリフルオロ-2-オクチル、2-フルオロメチルオクチルオキシである。2-ヘキシル、2-オクチル、2-オクチルオキシ、1,1,1-トリフルオロ-2-ヘキシル、1,1,1-トリフルオロ-2-オクチルおよび1,1,1-トリフルオロ-2-オクチルオキシが非常に好ましい。好ましいアキラルな分岐状の基は、イソプロピル、イソブチル即ち、メチルプロピル、イソペンチル即ち、3-メチルブチル、3級ブチル、イソプロポキシ、2-メチルプロポキシおよび3-メチルブトキシである。-CY0=CY00-は、好ましくは、-CH=CH-、-CF=CF-または-CH=CCN-である。ハロゲンは、F、Cl、BrまたはI、好ましくは、F、ClまたはBrである。Lは、好ましくは、P-Sp-、F、Cl、Br、I、-OH、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C=ONR0R00、-C=OX0、-C=OR0、-NR0R00、C=OOH、1~20個、好ましくは、1~12個のC原子を有し、直鎖状、分岐状または環状のアルキル、アルコキシ、オキサアルキルまたはチオアルキル該基は無置換であるか、1個以上のFまたはCl原子またはOH基で置換されているか、ペルフッ素化されている。、および、2~20個、好ましくは、2~12個のC原子を有し、直鎖状、分岐状または環状のアルケニル、アルキニル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシ該基は無置換であるか、1個以上のFまたはCl原子またはOH基で置換されているか、ペルフッ素化されている。から選択される。また、式Iの化合物は重合性または反応性基で置換されていてもよく、ポリマーを形成するプロセスの間、該基は保護されていてもよい。このタイプの特に好ましい化合物は、P-Spただし、Pは重合性または反応性基であり、Spはスペーサー基または単結合である。を表す1個以上の置換基Lを含有する式Iのものである。例えば、半導体構成要素のための薄膜にポリマーを加工する間または加工後に、その場で重合することによって、基Pを介して架橋することができ、高い電荷キャリア移動度および高い熱的、機械的および化学的安定性を有する架橋されたポリマーフィルムを生成するため、これらの化合物は半導体または電荷輸送材料として特に有用である。好ましくは、重合性または反応性基Pは、CH2=CW1-COO-、CH2=CW1-CO-、CH2=CW2-Ok1-、CH3-CH=CH-O-、CH2=CH2CH-OCO-、CH2=CH-CH22CH-OCO-、CH2=CH2CH-O-、CH2=CH-CH22N-、CH2=CH-CH22N-CO-、HO-CW2W3-、HS-CW2W3-、HW2N-、HO-CW2W3-NH-、CH2=CW1-CO-NH-、CH2=CH-COOk1-Phe-Ok2-、CH2=CH-COk1-Phe-Ok2-、Phe-CH=CH-、HOOC-、OCN-、および、W4W5W6Si-より選択され、W1は、H、F、Cl、CN、CF3、フェニルまたは1~5個のC原子のアルキル、特に、H、ClまたはCH3であり、W2およびW3は、互いに独立して、Hまたは1~5個のC原子のアルキル、特に、H、メチル、エチルまたはn-プロピルであり、W4、W5およびW6は、互いに独立して、Cl、1~5個のC原子のオキサアルキルまたはオキサカルボニルアルキルであり、W7およびW8は、互いに独立して、H、Clまたは1~5個のC原子のアルキルであり、Pheは、上で定義される通りの1個以上の基Lで置換されていてもよい1,4-フェニレンであり、および、k1およびk2は、互いに独立して、0または1である。あるいは、Pは、これらの基の保護された誘導体であり、それは、本発明による方法について記載される条件下において非反応性である。例えば、アセタールまたはケタールなどの適切な保護基は通常の専門家に既知であり、文献、例えば、Green、ProtectiveGroupsinOrganicSynthesis、JohnWileyandSons、NewYork1981年に記載されている。特に好ましい基Pは、CH2=CH-COO-、CH2=CCH3-COO-、CH2=CH-、CH2=CH-O-、CH2=CH2CH-OCO-、CH2=CH2CH-O-、または、それらの保護された誘導体である。基Pの重合は、通常の専門家に既知で、文献、例えば、D.J.Broer;G.Challa;G.N.Mol、Macromol.Chem、1991年、192巻、59頁に記載される方法に従って行うことができる。用語スペーサー基は先行技術において既知であり、適切なスペーサー基Spは通常の専門家に既知である例えば、PureAppl.Chem.2001年、73巻5号、888頁参照。スペーサー基Spは、好ましくは、P-SpがP-Sp’-X’-であるような、式Sp’-X’であり、ただし、Sp’は30個までのC原子のアルキレンであり、該基は無置換であるか、または、F、Cl、Br、IまたはCNで一置換または多置換されており、また、1個以上の隣接していないCH2基は、それぞれの場合で互いに独立に、Oおよび/またはS原子が互いに直接連結しないようにして、-O-、-S-、-NH-、-NR0-、-SiR0R00-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-または-C≡C-で置き換えられていることも可能であり、X’は、-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR0-、-NR0-CO-、-NR0-CO-NR00-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR0-、-CY0=CY00-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-または単結合であり、R0およびR00は、それぞれ互いに独立に、Hまたは1~12個のC原子を有するアルキルであり、およびY0およびY00は、それぞれ互いに独立に、H、F、ClまたはCNである。X’は、好ましくは、-O-、-S-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CH2CH2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR0-、-CY0=CY00-、-C≡C-または単結合、特には、-O-、-S-、-C≡C-、-CY0=CY00-または単結合である。もう一つの好ましい実施形態において、X’は、-C≡C-または-CY0=CY00-などの共役系を形成できる基、または、単結合である。典型的な基Sp’は、例えば、-CH2p-、-CH2CH2Oq-CH2CH2-、-CH2CH2-S-CH2CH2-または-CH2CH2-NH-CH2CH2-または-SiR0R00-Op-であり、pは2~12の整数、qは1~3の整数、および、R0およびR00は上で与えられる意味を有する。好ましい基Sp’は、例えば、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、へプチレン、オクチレン、ノニレン、デシレン、ウンデシレン、ドデシレン、オクタデシレン、エチレンオキシエチレン、メチレンオキシブチレン、エチレンチオエチレン、エチレン-N-メチル-イミノエチレン、1-メチルアルキレン、エテニレン、プロペニレンおよびブテニレンである。式Iの化合物は、当業者に既知で、文献に記載される方法に従うか類似して合成できる。他の調製方法は、例より分かる。特に好ましく適切な方法を、更に、下に記載する。本発明の化合物にとって適切で好ましい合成方法を、A-RR’Rが、例えば、アリルジイソプロピルシリル、シクロヘキシルジメチルシリルおよびtert-ブチルジメチルシリル基であり、R1およびR2が、例えば、Fである式Iのアントラジチオフェンについて、下の反応スキームに例示的および模式的に記載する。異なるシリルまたはゲルマニル基または異なる置換基R1およびR2を有する他の誘導体は、類似の様式によって合成できる。非対称ADiPS-F-ADT5,11-di-Allyl-DiisoPropylSilylethynyl-2,8-diFluoro-Anthra[2,3-b:7,6-b’]DiThiophene:5,11-ジ-アリルジイソプロピルシリルエチニル-2,8-ジフルオロ-アントラ[2,3-b:7,6-b’]ジチオフェンの合成を、スキーム1に示す。ジクロロジイソプロピルシラン1を臭化アリルマグネシウム溶液で処理して、アリルジイソプロピルクロロシラン2を生成し、次いで、これをリチウムトリメチルシリルアセチリドで処理して、TMSで保護されたエチニルアリルジイソプロピルシラン3を生成した。塩基、例えば、炭酸カリウムで3を脱保護して、エチニルアリルジイソプロピルシラン4を与えた。標準的な手順を使用して、このエチニルシランをブチルリチウムでリチウム化して、リチウムアリルジイソプロピルシリルアセチリド5を提供し、これをジフルオロジチエノアントラキノン6で反応して、ジオール7を生成した。このジオールを直接芳香族化して、酸性条件下、SnCl2で、ジフルオロアントラ[2,3-b:7,6-b’]ジチオフェン8を与えた。R1およびR2がアリールまたはヘテロアリール基である式Iの化合物の合成を、A-RR’Rが、例えば、アリルジイソプロピルシリル基である化合物について下のスキーム2および3に例示的および模式的に図解する。異なるシリルまたはゲルマニル基または異なるアリールまたはヘテロアリール置換基R1およびR2を有する他の誘導体は、類似の様式によって合成できる。商業的に入手可能なジアセタールAをn-BuLiおよび元素状ヨウ素で処理してヨウ素化し、良好な収率でヨードジアセタールBを生成する。該ジアセタールを対応するジアルデヒドCに脱保護し、これを1,4-シクロヘキサンジオンと縮合して、ジヨードアントラジチオフェンキノンDを生成する。該キノンを、スキーム1からのリチウムアリルジイソプロピルシリルアセチリド5と反応させて、ジヒドロキシ誘導体Eを形成する。Eを対応するチエニル構築ブロックとスティルまたは鈴木カップリングしてFを生成し、これを、ジチエニルアントラ[2,3-b:7,6-b’]ジチオフェンに芳香族化する。フッ素化ジチエニルアントラ[2,3-b:7,6-b’]ジチオフェンを、スキーム3に示す通り、類似の方法によって合成できる。上および下で記載される通りの式Iの化合物を調製する新規な方法は、本発明のもう一つの態様である。以下の工程を含む、式Iの化合物を調製する一般的な方法が非常に好ましい。a式SiCl2R21のジクロロシランをR’MgBr式中、RおよびR’は式Iにおいて定義される通りで、例えば、Rは第1のアルキル基で、R’はアルケニル基または第1のアルキル基とは異なる第2のアルキル基である。の溶液で処理して、式SiClR2R’2のクロロシランを生成する。b工程aからのクロロシランSiClR2R’2をLi-C≡C-SiR03式中、R0はアルキル、例えば、メチルである。と反応して、式R03Si-C≡C-SiR2R’3の対応する保護されたシランを生成する。c例えば、炭酸カリウムで処理して保護されたシランR03Si-C≡C-SiR2R’3を脱保護し、式H-C≡C-SiR2R’4の非保護のシランを与える。b2工程bおよびcの代わりに、工程aからのクロロシランSiClR2R’2をハロゲン化エチニルマグネシウムまたはリチウムアセチリドで処理して、非保護のシランH-C≡C-SiR2R’4を直接与える。d工程cまたはb2からのシランH-C≡C-SiR2R’4を、例えば、n-ブチルリチウムでリチウム化し、式Li-C≡C-SiR2R’5のリチウムシリルアセチルドを提供する。e工程dからのリチウムシリルアセチルドLi-C≡C-SiR2R’5を、式Iにおいて定義される通りのR1および/またはR2で2位および/または8位が置換されていてもよいジチエノアントラキノン6で反応し、対応するジオール7を生成する。f工程eからのジオール7を、還元試薬、例えば、SnCl2で、酸性条件下において反応し、5位および11位において-C≡C-SiR2R’基で置換されており、2位および/または8位においてR1および/またはR2で置換されていてもよいアントラ[2,3-b:7,6-b’]ジチオフェン8を与える。以下の工程を含む式Iの化合物を調製する一般的な方法が更に好ましい。a2,3-チオフェンジカルボキシアルデヒドジアセタールAを、アルキルリチウム、LDAまたは他のリチウム化試薬で反応し、次いで、結果として生じる化合物を、ハロゲン化剤限定することなく、四塩化炭素、1,2-ジクロロエタン、四臭化炭素、1,2-ジブロモテトラクロロエタン、1,2-ジブロモエタン、1-ヨードペルフルオロヘキサン、塩化ヨウ素、元素状ヨウ素が挙げられる。で反応して、5-ハロゲン化2,3-チオフェンジカルボキシアルデヒドジアセタールBを与える。b工程aからの5-ハロゲン化2,3-チオフェンジカルボキシアルデヒドジアセタールBを酸性条件下で脱保護して、対応するジアルデヒドCとし、次いで、これを、1,4-シクロヘキサジオン、1,4-ジヒドロキシ-ナフタレンまたはそれの高級類似体などの環状1,4-ジケトンと縮合して、ジハロゲン化アセノジチオフェンのキノンDを生成する。c工程bからのジハロゲン化アセノジチオフェンのキノンDを、式Li-C≡C-SiR2R’5のリチウムシリルアセチリドこれは、例えば、上記の通りのプロセスで得ることができ、式中、RおよびR’は式Iにおいて定義される通りで、例えば、Rは第1のアルキル基で、R’はアルケニル基または第1のアルキル基とは異なる第2のアルキル基である。で処理し、続いて、例えば、希HClで加水分解して、ジハロゲン化ジオール中間体Eを生成する。d触媒としてのニッケルまたはパラジウム錯体の存在下において、対応するヘテロアリールボロン酸、ボロン酸エステル、スタンナン、ハロゲン化亜鉛またはハロゲン化マグネシウムで、工程cからのジハロゲン化ジオール中間体Eを交差カップリングし、ヘテロアリール延長ジオールFを生成する。e酸性条件下において、還元剤、例えば、SnCl2で、工程dからのヘテロアリール延長ジオールFを反応し、5位および11位において-C≡C-SiR2R’基で置換された2,8-ジヘテロアリール-アントラ[2,3-b:7,6-b’]ジチオフェンKを与える。または、b2工程b~eの代わりに、工程aによって得られる5-ハロゲン化2,3-チオフェンジカルボキシアルデヒドジアセタールBを、交差カップリング反応において、対応するヘテロアリールボロン酸、ボロン酸エステル、スタンナン、ハロゲン化亜鉛またはハロゲン化マグネシウムで、触媒としてのニッケルまたはパラジウム錯体の存在下において反応し、結果として生じる生成物を脱保護し、工程bにおいて記載される通りの環状1,4-ジケトンで縮合し、結果として生じる生成物を式Li-C≡C-SiR2R’5のリチウムシリルアセチルドで処理し、続いて、工程cにおいて記載される通り加水分解し、工程eにおいて記載される通りの還元剤で、結果として生じる2,8-ジヘテロアリール延長ジオールを反応して芳香族化し、5位および11位において-C≡C-SiR2R’基で置換された2,8-ジヘテロアリール-アントラ[2,3-b:7,6-b’]ジチオフェンKを与える。本発明は、更に、式Iの1種類以上の化合物と、好ましくは、有機溶媒より選択される1種類以上の溶媒とを含む配合物に関する。好ましい溶媒は、脂肪族炭化水素、塩素化炭化水素、芳香族炭化水素、ケトン、エーテルおよびそれらの混合物である。使用できる追加の溶媒としては、1,2,4-トリメチルベンゼン、1,2,3,4-テトラメチルベンゼン、ペンチルベンゼン、メシチレン、クメン、シメン、シクロヘキシルベンゼン、ジエチルベンゼン、テトラリン、デカリン、2,6-ルチジン、2-フルオロ-m-キシレン、3-フルオロ-o-キシレン、2-クロロベンゾトリフルオリド、ジメチルホルムアミド、2-クロロ-6-フルオロトルエン、2-フルオロアニソール、アニソール、2,3-ジメチルピラジン、4-フルオロアニソール、3-フルオロアニソール、3-トリフルオロ-メチルアニソール、2-メチルアニソール、フェネトール、4-メチルアニソール、3-メチルアニソール、4-フルオロ-3-メチルアニソール、2-フルオロベンゾニトリル、4-フルオロベラトロール、2,6-ジメチルアニソール、3-フルオロベンゾニトリル、2,5-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール、ベンゾニトリル、3,5-ジメチルアニソール、N,N-ジメチルアニリン、安息香酸エチル、1-フルオロ-3,5-ジメトキシベンゼン、1-メチルナフタレン、N-メチルピロリジノン、3-フルオロベンゾトリフルオリド、ベンゾトリフルオリド、ベンゾトリフルオリド、ジオキサン、トリフルオロメトキシベンゼン、4-フルオロベンゾトリフルオリド、3-フルオロピリジン、トルエン、2-フルオロトルエン、2-フルオロベンゾトリフルオリド、3-フルオロトルエン、4-イソプロピルビフェニル、フェニルエーテル、ピリジン、4-フルオロトルエン、2,5-ジフルオロトルエン、1-クロロ-2,4-ジフルオロベンゼン、2-フルオロピリジン、3-クロロフルオロベンゼン、3-クロロフルオロベンゼン、1-クロロ-2,5-ジフルオロベンゼン、4-クロロフルオロベンゼン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、2-クロロフルオロベンゼン、p-キシレン、m-キシレン、o-キシレンまたはo-、m-およびp-異性体の混合物が挙げられる。一般に、極性の比較的低い溶媒が好ましい。インクジェット印刷には、高沸点の溶媒および溶媒混合物が好ましい。スピンコートには、キシレンおよびトルエンなどのアルキル化ベンゼンが好ましい。本発明は、更に、式Iの1種類以上の化合物と、好ましくは、1,000Hzにおいて3.3以下の誘電率εを有する1種類以上の有機バインダーまたはそれらの前駆体と、任意成分として1種類以上の溶媒とを含む有機半導電性配合物に関する。式Iの特定の可溶性化合物、特に、上および下に記載される通りの好ましい式の化合物を、有機バインダー樹脂以降、バインダーとも言うと組み合わせると、式Iの化合物の電荷移動度が殆どまたは全く低下しないか、場合によっては、むしろ増加する結果となる。例えば、式Iの化合物をバインダー樹脂例えば、ポリα-メチルスチレンに溶解し、堆積例えば、スピンコーティングによってすることができ、高い電荷移動度を生じる有機半導電性層を形成する。更に、それによって形成された半導電性層は優れたフィルム形成特性を示し、特に、安定である。式Iの化合物をバインダーと組み合わせることで高移動度の有機半導電性層配合物を得る場合、結果として得られる配合物は幾つかの利点をもたらす。例えば、式Iの化合物は可溶性であるので、それらを液体形状、例えば、溶液から堆積できる。バインダーを追加して使用することで、高度に均一な態様で広い範囲に配合物を塗工できる。更に、バインダーを配合物中で使用する場合、配合物の特性、例えば、粘度、固体含有量、表面張力を印刷方法に合うよう制御することが可能となる。ある特定の理論に束縛されることを一切望まないが、配合物中でバインダーを使用すると、そうでなければ空洞となる結晶粒子間の容積が満たされ、有機半導電性層の空気および水分に対する敏感性が低くなることも予測される。例えば、本発明の方法によって形成される層は、空気中でOFET装置において非常に良好な安定性を示す。また、本発明は、有機半導電性層配合物を含む有機半導電性層も提供する。本発明は、更に、有機半導電性層の調製方法を提供し、前記方法は以下の工程を含む:i上および下で記載される通りの式Iの1種類以上の化合物と、1種類以上の有機バインダー樹脂またはそれらの前駆体と、任意成分として1種類以上の溶媒とを含む配合物の液体層を基板上に堆積し、ii有機半導電性層である固体層を液体層から形成し、iii任意工程として、基板から層を取り除く。下に更に詳細に方法を記載する。本発明は、加えて、前記有機半導電性層を含む電子装置を提供する。電子装置としては、限定することなく、有機電界効果トランジスタOFET:organicfieldeffecttransistor、有機発光ダイオードOLED:organiclightemittingdiode、光検出器、センサー、論理回路、記憶素子、キャパシタまたは光起電PV:photovoltaicセルを挙げることができる。例えば、OFETにおいて、ドレインとソースとの間の活性半導体チャネルが本発明の層を含んでよい。もう一つの例として、OLED装置において、電荷正孔または電子注入または輸送層が本発明の層を含んでよい。本発明による配合物およびそれより形成される層は、特に本明細書で記載される好ましい実施形態に関連して、OFETにおいて特に有用である。式Iの半導電性化合物は、0.001cm2V-1s-1より大きく、非常に好ましくは、0.01cm2V-1s-1より大きく、特に好ましくは、0.1cm2V-1s-1より大きく、最も好ましくは、0.5cm2V-1s-1より大きい電荷キャリア移動度μを有する。バインダーは、典型的には、ポリマーであり、絶縁性バインダーまたは半導電性バインダーのいずれか、またはそれらの混合物を含んでよく、本明細書においては有機バインダー、重合体バインダーまたは単にバインダーと呼ぶこともある。本発明による好ましいバインダーは低誘電率の材料であり、即ち、1,000Hzにおいて3.3以下の誘電率εを有するものである。有機バインダーは、好ましくは、1,000Hzにおいて3.0以下、より好ましくは、2.9以下の誘電率εを有する。好ましくは、有機バインダーは、1,000Hzにおいて1.7以上の誘電率εを有する。バインダーの誘電率が2.0~2.9の範囲内であることが、特に好ましい。ある特定の理論に束縛されることを望まないが、1,000Hzにおいて3.3よりも大きい誘電率εのバインダーを使用すると、電子装置、例えば、OFETにおけるOSC層の移動度の低下が引き起こされる場合があると考えられている。加えて、高誘電率のバインダーの結果、装置の電流ヒステリシスの増加をもたらす結果となる場合もあり、望ましくない。適切な有機バインダーの例は、ポリスチレンである。適切なバインダーの更なる例は、例えば、米国特許出願公開第2007/0102696号公報に開示されている。特に適切で好ましいバインダーを、以下に記載する。好ましい実施形態の1つのタイプにおいて、有機バインダーは、原子の少なくとも95、より好ましくは少なくとも98、特に全てが、水素、フッ素および炭素原子からなるものである。バインダーは、通常、共役結合、特に、共役二重結合および/または芳香環を含むことが好ましい。バインダーは、好ましくは、フィルム、より好ましくは柔軟なフィルムを形成できなければならない。スチレンおよびα-メチルスチレンのポリマー、例えば、スチレン、α-メチルスチレンおよびブタジエンを含むコポリマーを好適に使用できる。本発明において使用する低誘電率のバインダーは、分子のサイトエネルギーの乱雑な変動を引き起こしうる永久双極子を殆ど有していない。誘電率ε誘電定数は、ASTMD150テスト法によって決定できる。また、このタイプの材料は低い永久双極子を有するため、本発明においては、極性および水素結合の寄与が低い溶解度パラメータを有するバインダーを使用することが好ましい。本発明に従って使用するためのバインダーの溶解度パラメータハンセンパラメータの好ましい範囲を下の表1に与える。上に列記した3次元溶解度パラメータは:分散δd、極性δpおよび水素結合δh成分C.M.Hansen、Ind.Eng.andChem.,Prod.Res.andDevl.、9巻、3号、282頁、1970年を含む。これらのパラメータは経験的に決定でき、または、HandbookofSolubilityParametersandOtherCohesionParameters、A.F.M.Barton編、CRCPress社、1991年に記載される通り、既知の基のモル寄与より計算できる。また、この刊行物には、多くの既知のポリマーの溶解度パラメータも列記されている。バインダーの誘電率は周波数に殆ど依存しないことが望ましい。このことは、非極性材料にとって典型的なことである。ポリマーおよび/またはコポリマーは、それらの置換基の誘電率によってバインダーとして選択できる。適切で好ましい低極性のバインダーのリストをこれらの例に限定されずに表2に与える:更に好ましいバインダーは、ポリ1,3-ブタジエンおよびポリフェニレンである。バインダーが、ポリα-メチルスチレン、ポリスチレンおよびポリトリアリールアミンまたはこれらの任意のコポリマーより選択されており、溶媒が、キシレン1種類または複数種類、トルエン、テトラリンおよびシクロヘキサノンより選択されている配合物が特に好ましい。また、上のポリマーの繰り返し単位を含有するコポリマーも、バインダーとして適する。式Iの化合物との適合性を改善し、最終的な層構成の形態および/またはガラス転移温度を改変する可能性をコポリマーが与える。上の表において、ある種の材料は、層を調製するために一般に使用される溶媒に不溶であることが分かる。これらの場合には、類似体をコポリマーとして使用できる。コポリマーの幾つかの例をこれらの例に限定されずに表3に与える。ランダムまたはブロックコポリマーの両方を使用できる。また、全体として組成物が低極性を維持するのであれば、より極性なモノマー成分を加えることも可能である。他のコポリマーとしては、:分枝状または非分枝状のポリスチレン-ブロック-ポリブタジエン、ポリスチレン-ブロックポリエチレン-ランダム-ブチレン-ブロック-ポリスチレン、ポリスチレン-ブロック-ポリブタジエン-ブロック-ポリスチレン、ポリスチレン-エチレン-プロピレン-ジブロック-コポリマー例えば、KRATON登録商標-G1701E、Shell社、ポリプロピレン-co-エチレンおよびポリスチレン-co-メチルメタクリレートが挙げられる。本発明による有機半導体層配合物で使用するために好ましい絶縁性バインダーは、ポリα-メチルスチレン、ポリビニル桂皮酸、ポリ4-ビニルビフェニル、ポリ4-メチルスチレン、およびTopas商標8007直線状オレフィン、シクロ-オレフィンノルボルネンコポリマー、Ticona社、ドイツ国より入手可である。最も好ましい絶縁性バインダーは、ポリα-メチルスチレン、ポリビニル桂皮酸およびポリ4-ビニルビフェニルである。また、好ましくは、十分に低い誘電率、非常に好ましくは、3.3以下の誘電率を有し、例えば、アクリレート類、エポキシ類、ビニルエーテル類、チオレン類などの架橋性バインダーよりバインダーを選択することもできる。また、バインダーはメソゲンまたは液晶でもよい。上述の通り、有機バインダーは、それ自体、半導体でよく、その場合、本明細書においては、有機バインダーを半導電性バインダーと呼ぶ。半導電性バインダーは、更に好ましくは、本明細書で定義される通り、低誘電率のバインダーである。本発明で使用する半導電性バインダーは、好ましくは、少なくとも1500~2000、より好ましくは、少なくとも3000、更により好ましくは、少なくとも4000、最も好ましくは、少なくとも5000の数平均分子量Mnを有する。半導電性バインダーは、好ましくは、少なくとも10-5cm2V-1s-1、より好ましくは、少なくとも10-4cm2V-1s-1の電荷キャリア移動度μを有する。半導電性バインダーの好ましい部類は米国特許第6,630,566号明細書で開示される通りのポリマーで、好ましくは、式1の繰り返し単位を有するオリゴマーまたはポリマーである。式中、Ar11、Ar22およびAr33は同一または異なっていてよく、異なる繰り返し単位の場合は独立して、置換されていてもよい単核または多核の芳香族基を表し、およびmは、1以上、好ましくは6以上、好ましくは10以上、より好ましくは15以上、最も好ましくは20以上の整数である。Ar11、Ar22およびAr33の文意において、単核芳香族基は1個のみの芳香族環を有し、例えば、フェニルまたはフェニレンである。多核芳香族基は2個以上の芳香族環を有し、縮合例えば、ナフチルまたはナフチレンしていてもよく、それぞれが共有結合例えば、ビフェニルしていてもよく、および/または縮合およびそれぞれが結合した芳香族環の両方の組み合わせでもよい。好ましくは、Ar11、Ar22およびAr33のそれぞれは、実質的に基全体にわたって実質的に共役している芳香族基である。半導電性バインダーの更に好ましい部類は、実質的に共役している繰り返し単位を含有するものである。半導電性バインダーポリマーは、一般式2のホモポリマーまたはコポリマーブロックコポリマーを含むであってよい:式中、A、B、...、Zは、それぞれモノマー単位を表し、c、d、...、zは、ポリマーにおける、それぞれのモノマー単位のモル分率をそれぞれ表し、即ち、それぞれc、d、...、zは0~1の値であり、cd...zの合計は1である。適切で好ましいモノマー単位A、B、、...、Zの例としては、上の式1および下で与えられる式3~8ただし、mは式1で定義される通りの単位が挙げられる。式中、RaおよびRbは、それぞれ互いに独立に、H、F、CN、NO2、-NRcRdまたは置換されていてもよいアルキル、アルコキシ、チオアルキル、アシル、アリールより選択され、RcおよびRdは、それぞれ互いに独立に、H、置換されていてもよいアルキル、アリール、アルコキシまたはポリアルコキシまたは他の置換基より選択され、ただし、星印は、Hを含む任意の末端またはエンドキャップ基であり、アルキルおよびアリール基はフッ化されていてもよい。式中、Yは、Se、Te、O、Sまたは-NRe、好ましくは、O、Sまたは-NReであり、Reは、H、置換されていてもよいアルキルまたはアリールであり、RaおよびRbは、式3で定義される通りである。式中、Ra、RbおよびYは、式3および4で定義される通りである。式中、Ra、RbおよびYは、式3および4で定義される通りであり、Zは、-CT1=CT2-、-C≡C-、-NRf-、-N=N-、Rf=N-、-N=CRf-であり、T1およびT2は、それぞれ互いに独立して、H、Cl、F、-CNまたは1~8個のC原子の低級アルキルを表し、Rfは、Hまたは置換されていてもよいアルキルまたはアリールである。式中、RaおよびRbは式3で定義される通りである。式中、Ra、Rb、RgおよびRhは、それぞれ互いに独立に、式3におけるRaおよびRbの意味の1つを有する。式1~8などの本明細書で記載される重合体の式の場合、ポリマーは任意の末端基、即ち、水素を含む任意のエンドキャップまたは脱離基で終わっていてよい。ブロック-コポリマーの場合、それぞれのモノマーA、B、...Zは、式3~8の単位を、例えば、2~50個の数で含む共役オリゴマーまたはポリマーでよい。半導電性バインダーは、好ましくは:アリールアミン、フルオレン、チオフェン、スピロビフルオレンおよび/または置換されていてもよいアリール例えば、フェニレン基、より好ましくは、アリールアミン、最も好ましくは、トリアリールアミン基を含む。上述の基は、更なる共役基、例えば、ビニレンで結合されていてもよい。加えて、半導電性バインダーは、1個以上の前述のアリールアミン、フルオレン、チオフェンおよび/または置換されていてもよいアリール基を含有するポリマーホモポリマーまたはブロック-コポリマーを含むコポリマーのいずれかを含むことが好ましい。好ましい半導電性バインダーは、アリールアミン好ましくは、トリアリールアミンおよび/またはフルオレン単位を含有するホモポリマーまたはコポリマーブロック-コポリマーを含むを含む。もう一つ好ましい半導電性バインダーは、フルオレンおよび/またはチオフェン単位を含有するホモポリマーまたはコポリマーブロック-コポリマーを含むを含む。また、半導電性バインダーは、カルバゾールまたはスチルベン繰り返し単位を含有してもよい。例えば、ポリビニルカルバゾール、ポリスチルベンポリマーまたはそれらのコポリマーを使用できる。半導電性バインダーはDBBDTセグメント例えば、上の式1で記載される通りの繰り返し単位を、式の可溶性化合物との相溶性を改善するために含有してもよい。本発明による有機半導体配合物で使用するための非常に好ましい半導電性バインダーは、ポリ9-ビニルカルバゾールおよびPTAA1、即ち、以下の式のポリトリアリールアミンである。式中、mは式1で定義される通りである。pチャンネルFETにおける半導電性層の用途には、半導電性バインダーが式Iの半導電性化合物よりも高いイオン化ポテンシャルを有していなければならないことが望ましく、そうでなければ、バインダーが正孔トラップを形成することがある。nチャンネル材料では、半導電性バインダーは、電子の捕獲を避けるためにn型半導体よりも低い電子親和性を有していなければならない。本発明による配合物は、以下を含む方法によって調製できる:i最初に、式Iの化合物および有機バインダーまたはその前駆体を混合する。好ましくは、混合は、溶媒または溶媒混合物と共に2種類の成分を混合することを含み、ii式Iの化合物および有機バインダーを含有する溶媒1種類または複数種類を基板に塗工し;任意工程として、溶媒1種類または複数種類を蒸発させて、本発明による固体の有機半導電性層を形成し、iii任意工程として、基板より固体層を、または、固体層より基板を取り外す。工程iにおいては、溶媒は単一溶媒であってもよく、または、それぞれ式Iの化合物および有機バインダーを別々の溶媒に溶解し、続いて、この2種類の結果として生ずる溶液を混合して、化合物を混合してもよい。任意に溶媒の存在下において、バインダーの前駆体、例えば、液体モノマー、オリゴマーまたは架橋性ポリマー中において式Iの化合物を混合または溶解し、混合物または溶液を、例えば、浸漬、噴霧、塗布または印刷することで、それを基体上に堆積して、液体層を形成し、次いで、例えば、照射、熱または電子ビームに曝露して、液体モノマー、オリゴマーまたは架橋性ポリマーを硬化し、固体層を生成することによって、その場でバインダーを形成してもよい。予め形成されたバインダーを使用する場合、適切な溶媒中で式Iの化合物と共にバインダーを溶解し、溶液を、例えば、浸漬、噴霧、塗布または印刷することで、それを基板上に堆積して、液体層を形成し、次いで、溶媒を除去して固体層を残存させてもよい。バインダーおよび式Iの化合物の両者を溶解でき、溶液調合物から蒸発させれば凝集による欠陥がない層を与える溶媒が選択されると理解されるであろう。混合物を用いる濃度においてASTM法D3132に記載される通り、材料についてコントア図を作成することで、バインダーまたは式Iの化合物に適切な溶媒を決定できる。ASTM法に記載される通り、広範な溶媒に材料を添加する。また、本発明に従えば、配合物は、式Iの2種類以上の化合物および/または2種類以上のバインダーまたはバインダー前駆体を含んでもよく、配合物の調製方法は、そのような配合物にも適用できると理解されるであろう。適切で好ましい有機溶媒の例としては、限定することなく、ジクロロメタン、トリクロロメタン、モノクロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、アニソール、モルホリン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、1,4-ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、1,2-ジクロロエタン、1,1,1-トリクロロエタン、1,1,2,2-テトラクロロエタン、酢酸エチル、酢酸n-ブチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、テトラリン、デカリン、インダンおよび/またはそれらの混合物が挙げられる。適切に混合して時間を置いた後に、溶液を次の分類の1つとして評価する:完全な溶液、可溶性および不溶性の境界上の溶液または不溶性。コントア線を、可溶性および不溶性を分ける溶解度パラメータ-水素結合限界の輪郭を得るために描く。可溶性領域内に収まる完全な溶媒を、Crowley、J.D.、Teague、G.S.JrおよびLowe、J.W.Jr.、JournalofPaintTechnology、38巻、496号、296頁1966年で刊行されているなどの文献値より選択できる。また、溶媒調合物も使用でき、Solvents、W.H.Ellis、FederationofSocietiesforCoatingsTechnology、9~10頁、1986年に記載される通りに特定できる。調合物中に少なくとも1種類の真性溶媒を有することが望ましいが、そのような手順によって、バインダーおよび式Iの化合物の両者を溶解する非溶媒の調合物を導くこともできる。絶縁性または半導電性バインダーおよびそれらの混合物と共に本発明による配合物において使用するために特に好ましい溶媒は、キシレン1種類または複数種類、トルエン、テトラリンおよびo-ジクロロベンゼンである。本発明による配合物または層において、式Iの化合物に対するバインダーの比率は、典型的には重量比で、20:1~1:20、好ましくは、10:1~1:10、より好ましくは、5:1~1:5、更により好ましくは、3:1~1:3、更には好ましくは、2:1~1:2、特には、1:1である。驚くべきことおよび有益なことに、先行技術から予想されてきたこととは対照的に、式Iの化合物をバインダー中に希釈しても、電荷移動度に対して悪影響が殆どまたは全くないことが見い出された。また、本発明によって、更に、OFETなどの電子装置に対して、有機半導電性層配合物における固体の含有量レベルも移動度値の向上を達成する要因であることが見い出された。配合物の固体含有量は一般に以下の通り示される:式中、aは式Iの化合物の質量、bはバインダーの質量、cは溶媒の質量である。配合物の固体含有量は、好ましくは、0.1~10重量、より好ましくは、0.5~5重量である。驚くべきことおよび有益なことに、先行技術から予想されてきたこととは対照的に、式Iの化合物をバインダー中に希釈しても、電荷移動度に対して影響が殆どまたは全くないことが見い出された。また、本発明による化合物を、例えば、電荷輸送、半導電性、電気導電性、光導電性および/または発光半導電性特性を有する他の化合物と共に混合物または調合物においても使用できる。よって、本発明のもう一つの態様は、式Iの1種類以上の化合物と、1つ以上の上述の特性を有する1種類以上の更なる化合物とを含む混合物または調合物に関する。これらの混合物は、先行技術に記載に記載され、当業者に既知の従来法によって調製できる。典型的には、化合物をそれぞれ互いと共に混合するか、適切な溶媒および合わされた溶液中に溶解する。本発明による配合物は、例えば、表面活性化合物、潤滑剤、湿潤剤、分散剤、疎水化剤、粘着剤、流動性改良剤、消泡剤、脱気剤、反応性または非反応性で構わない希釈剤、助剤、着色剤、色素または顔料、増感剤、安定剤、ナノ粒子または禁止剤などの1種類以上の更なる成分を追加的に含むことができる。コストより多くの装置/単位面積および電力消費を削減するために、近代のマイクロ電子は小型構造を生成することが望ましい。本発明の層のパターン化は、フォトリソグラフィーまたは電子ビームリソグラフィーによって行うことができる。電界効果トランジスタなどの有機電子装置の液体コーティングは、真空蒸着技術よりも望ましい。本発明の配合物により、多くの液体コーティング技術の使用が可能となる。例えば、限定されることなく、浸漬コーティング、スピンコーティング、インクジェット印刷、レタープレス印刷、スクリーン印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、逆ローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、噴霧コーティング、はけ塗りコーティングまたはパッド印刷により、最終装置構造に有機半導体層を組み込むことができる。本発明は、終装置構造に有機半導体層をスピンコーティングする際に使用することに特に適している。インクジェット印刷またはミクロディスペンシングによって、本発明の選択された配合物を既製の装置基板に塗工できる。有機半導体層を基板に塗工するために、好ましくは、限定されないが、Aprion社、Hitachi-Koki社、InkJetTechnology社、OnTargetTechnology社、Picojet社、Spectra社、Trident社、Xaar社によって供給されるものなどの工業的圧電印刷ヘッドを使用できる。加えて、Brother社、Epson社、Konica社、SeikoInstrumentsToshibaTEC社によって製造されるものなどの半工業的ヘッドまたはMicrodrop社およびMicrofab社によって製造されるものなどの単一ノズルミクロディスペンサーを使用してもよい。インクジェット印刷またはミクロディスペンシングによって塗工するためには、最初に、式Iの化合物およびバインダーの混合物を適切な溶媒に溶解しなければならない。溶媒は上述の要件を満足していなければならず、選択された印刷ヘッドに対して有害な効果を一切有していてはならない。加えて、溶媒は、印刷ヘッドの内側で溶液が乾燥することによって生ずる操作上の問題を防ぐために、100°Cを超え、好ましくは、140°Cを超え、より好ましくは、150°Cを超える沸点を有していなければならない。適切な溶媒としては、置換および無置換のキシレン誘導体、ジ-C1~2-アルキルホルムアミド、置換および無置換のアニソールおよび他のフェノール-エーテル誘導体、置換されたピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピロリジノンなどの置換されたヘテロ環類、置換および無置換のN,N-ジ-C1~2-アルキルアニリンおよび他のフッ素化または塩素化された芳香族類が挙げられる。インクジェット印刷によって本発明による配合物を堆積するのに好ましい溶媒としては、1個以上の置換基によって置換されたベンゼン環を有するベンゼン誘導体を含み、ただし、1個以上の置換基中の炭素原子の総数は少なくとも3個である。例えば、ベンゼン誘導体はプロピル基または3個のメチル基で置換されていてもよく、いずれの場合も、全部で少なくとも3個の炭素原子が存在する。そのような溶媒によって、噴霧の際にジェットの目詰まりおよび成分の分離を低減または防止する溶媒を、バインダーおよび式Iの化合物と共に含むインクジェット液体の形成が可能となる。溶媒1種類または複数種類としては、以下の例の列記より選択されるものが挙げられる:ドデシルベンゼン、1-メチル-4-tert-ブチルベンゼン、テルピネオール、リモネン、イソジュレン、テルピノレン、シメン、ジエチルベンゼン。溶媒は2種類以上の溶媒の組み合わせである溶媒混合物でよく、それぞれの溶媒は、好ましくは、100°Cを超え、より好ましくは、140°Cを超える沸点を有している。また、そのような溶媒1種類または複数種類は、堆積される層中のフィルム形成を促進し、層中の欠陥を減少させる。インクジェット液体即ち、溶媒、バインダーおよび半導電性化合物の混合物は、好ましくは、20°Cで、1~100mPas、より好ましくは、1~50mPas、最も好ましくは、1~30mPasの粘度を有する。本発明においてバインダーを使用することで、コーティング溶液の粘度を特定の印刷ヘッドの要件に適合するよう調整することができる。本発明の半導電性層は、所望により厚くすることもできるが、典型的には、最大1ミクロン=1μmの厚みである。層の厳密な厚みは、例えば、層を使用する電子装置の要件に依存するであろう。OFETまたはOLEDにおいて使用するには、層厚は、典型的には500nm以下でよい。本発明の半導電性層においては、式Iの2種類以上の異なる化合物を使用できる。加えてまたは代わりに、半導電性層において、2種類以上の本発明の有機バインダーを使用できる。上述の通り、本発明は、更に、i式Iの1種類以上の化合物と、1種類以上の有機バインダーまたはそれらの前駆体と、任意成分として1種類以上の溶媒とを含む配合物の液体層を基板上に堆積し、およびii有機半導電性層である固体層を液体層から形成することを含む、有機半導電性層を調製する方法を提供する。その方法において、固体層は、溶媒を蒸発させるおよび/または存在するのであればバインダー樹脂前駆体を反応させ、その場でバインダー樹脂を形成することで形成できる。基板としては、例えば、任意の下地装置層、電極またはシリコンウエハーまたはポリマー基板などの別々の基板が挙げられる。本発明の特定の実施形態において、バインダーは配向性、例えば、液晶相を形成できる。その場合、例えば、それらの芳香族核が電荷輸送の方向に沿って優先的に配向するように、式Iの化合物の配向をバインダーが助けてよい。バインダーを配向する適切な方法としては重合体有機半導体を配向するために使用される方法が挙げられ、先行技術、例えば、米国特許出願公開第2004/0248338号公報に記載されている。本発明による配合物は、例えば、表面活性化合物、潤滑剤、湿潤剤、分散剤、疎水化剤、粘着剤、流動性改良剤、消泡剤、脱気剤、希釈剤、反応性または非反応性の希釈剤、助剤、着色剤、色素または顔料、更に、特に架橋性バインダーを使用する場合、触媒、増感剤、安定剤、禁止剤、連鎖移動剤または共反応性モノマーなどの1種類以上の更なる成分を追加的に含むことができる。また、本発明は、電子装置において、半導電性化合物、配合物または層を使用することも提供する。配合物は、種々の装置および器具において、高移動度の半導電性材料として使用できる。配合物は、例えば、半導電性層またはフィルムの形態で使用できる。従って、もう一つの態様において、本発明は、電子装置において使用するための半導電性層を提供し、層は本発明による配合物を含む。層またはフィルムは、約30ミクロン未満でよい。種々の電子装置の用途において、厚みは、約1ミクロン未満の厚みでよい。層は、例えば、電子装置の一部分の上に、任意の前述の溶液コーティングまたは印刷技術によって堆積できる。本発明による化合物および配合物は、光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネセントまたはフォトルミネセント構成要素または装置における、電荷輸送、半導電性、電気導電性、光導電性または発光材料として有用である。特に好ましい装置は、OFET、TFT、IC、論理回路、キャパシタ、RFIDタグ、OLED、OLET、OPED、OPV、太陽電池セル、レーザーダイオード、光導電体、光検出器、電子写真装置、電子写真記録装置、有機記憶装置、センサー装置、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、導電性基板および導電性パターンである。これらの装置において、本発明の化合物は、典型的には、薄層またはフィルムとして塗工される。例えば、化合物または配合物は、電界効果トランジスタFET:fieldeffecttransistorにおいて、例えば、半導電性チャンネルとして、有機発光ダイオードOLED:organiclightemittingdiodeにおいて、例えば、正孔または電子注入または輸送層またはエレクトロルミネセント層として、光検出器、化学検出器、光起電セルPV:photovoltaic、キャパシタ、センサー、論理回路、ディスプレイ、記憶装置などにおいて、層またはフィルムとして使用できる。また、化合物または配合物は、電子写真EP:electrophotographic器具においても使用できる。製造のコストおよび汎用性における利点を提供するために、好ましくは、化合物または配合物を溶液コートし、前述の装置または器具において層またはフィルムを形成する。本発明の化合物または配合物は電荷キャリア移動度が向上しているため、そのような装置または器具が、より速くおよび/またはより効率的に動作することが可能となる。特に好ましい電子装置は、OFET、OLEDおよびOPV装置、特には、バルクへテロ接合BHJ:bulkheterojunctionOPV装置である。OFETにおいては、例えば、ドレインおよびソース間の活性半導体チャネルが本発明の層を含むことができる。もう一つの例として、OLED装置において、電荷ホールまたは電子注入または輸送層が本発明の層を含むことができる。OPV装置において使用するためには、本発明によるポリマーは、好ましくは、p型電子ドナー半導体およびn型電子アクセプター半導体を含むか含有し、より好ましくは本質的に成り、非常に好ましくは排他的に成る配合物中において使用する。p型半導体は、本発明による化合物で構成される。n型半導体は、酸化亜鉛またはセレン化カドミウムなどの無機材料、または、フラーレン誘導体、例えば、G.Yu、J.Gao、J.C.Hummelen、F.Wudl、A.J.Heeger、Science1995年、270巻、1789頁において例えば開示される通りで、下に示す構造を有し、PCBMまたはC60PCBMとしても既知の6,6-フェニル-酪酸メチルエステル誘導メタノC60フラーレン、または、例えば、C70フラーレン基を有する構造類似化合物C70PCBMまたはポリマー例えば、Coakley、K.M.およびMcGehee、M.D.Chem.Mater.2004年、16巻、4533頁参照などの有機材料でよい。このタイプの好ましい材料は、C60またはC70フラーレンまたはPCBMなどの修飾フラーレンと、本発明によるアセン化合物のブレンドまたは混合物である。好ましくは、アセン:フラーレンの比は、重量で2:1~1:2、より好ましくは、重量で1.2:1~1:1.2、最も好ましくは、重量で1:1である。ブレンドされた混合物については、ブレンドのモルフォロジー、および結果として、OPV装置の性能を最適化するために、任意のアニール工程が必要なこともある。OPV装置は、例えば、文献より既知の任意のタイプでよい[例えば、Waldaufら、Appl.Phys.Lett.、2006年、89巻、233517頁参照]。本発明による第1の好ましいOPV装置は、低仕事関数電極例えば、アルミニウムなどの金属および高仕事関数電極例えば、ITOこれらの一方は透明である。と、好ましくは、OSC材料より選択され、電極間に配置される、ホール輸送材料および電子輸送材料を含む層活性層とも呼ばれる活性層は、例えば、バルクヘテロ接合BHJ:bulkheterjunction例えば、Coakley、K.M.およびMcGehee、M.D.Chem.Mater.2004年、16巻、4533頁を参照を形成しているp型およびn型半導体の二重層または2つの別個の層またはブレンドまたは混合物として存在できる。と、任意の構成要素として、活性層および高仕事関数電極の間に配置され、高仕事関数電極の仕事関数を改変してホールに対するオーミックコンタクトを与えるための、例えば、PEDOT:PSSpoly3,4-ethylenedioxythiophene、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン:polystyrenesulfonate、ポリスチレンスルホネートのブレンドを含む導電性ポリマー層と、任意の構成要素として、電子に対するオーミックコンタクトを与えるためで、低仕事関数電極の活性層に面する側上の例えば、LiFのコーティングとを含む。本発明による第2の好ましいOPV装置は反転OPV装置であり、低仕事関数電極例えば、金などの金属および高仕事関数電極例えば、ITOこれらの一方は透明である。と、好ましくは、OSC材料より選択され、電極間に配置される、ホール輸送材料および電子輸送材料を含む層活性層とも呼ばれる活性層は、例えば、BHJを形成しているp型およびn型半導体の二重層または2つの別個の層またはブレンドまたは混合物として存在できる。と、任意の構成要素として、活性層および低仕事関数電極の間に配置され、電子に対するオーミックコンタクトを与えるための、例えば、PEDOT:PSSのブレンドを含む導電性ポリマー層と、任意の構成要素として、ホールに対するオーミックコンタクトを与えるための、高仕事関数電極の活性層に面する側上の例えば、TiOxのコーティングとを含む。本発明のOPV装置において、p型およびn型の半導体材料は、好ましくは、上記の通りのp型の化合物/フラーレン系などの材料から選択される。二重層がブレンドの場合、装置の性能を最適化するために、任意のアニール工程が必要となることがある。また、本発明の化合物、配合物および層は、半導体チャネルとしてOFETにおいて使用することにも適する。従って、本発明は、また、ゲート電極、絶縁またはゲート絶縁体層、ソース電極、ドレイン電極、および、ソースおよびドレイン電極を接続する有機半導体チャネルただし、有機半導体チャネルは、本発明による化合物、配合物または有機半導体層を含む。を含むOFETを提供する。OFETの他の態様は、当業者に良く知られているものである。OSC材料がゲート誘電体とドレインおよびソース電極との間に薄膜として配置されているOFETは、一般的に既知で、例えば、米国特許第5,892,244号明細書、米国特許第5,998,804号明細書、米国特許第6,723,394号明細書、および、背景技術の章において引用される文献に記載されている。本発明による化合物の可溶特性を使用する低コストな生産、よって、大面積の加工性などの利点のために、これらのFETの好ましい用途は、集積回路、TFTディスプレイおよびセキュリティー用途などである。ソースおよびドレイン電極が絶縁層によってゲート電極より分離されており、ゲート電極および半導体層の両者が絶縁層とコンタクトしており、ソース電極およびドレイン電極の両者が半導体層とコンタクトしていているのであれば、OFET装置におけるゲート、ソースおよびドレイン電極および絶縁および半導体層を、任意の配列で配置できる。本発明によるOFET装置は、好ましくは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、半導体層と、1つ以上ゲート絶縁体層と、任意構成として基板と、を含み、ただし、半導体層は、好ましくは、上および下に記載される通りの化合物または配合物を含む。OFET装置は、トップゲート装置またはボトムゲート装置のいずれでも構わない。OFET装置の適切な構造および製造方法は当業者に既知であり、文献、例えば、米国特許出願公開第2007/0102696号公報に記載されている。ゲート絶縁体層は、好ましくは、例えば、商業的に入手可能なCytop809M登録商標またはCytop107M登録商標旭硝子社製などのフルオロポリマーを含む。好ましくは、例えば、スピンコーティング、ドクターブレード、ワイヤーバーコーティング、噴霧または浸漬コーティングまたは他の既知の方法により、絶縁体材料および1個以上のフッ素原子を有する1種類以上の溶媒フルオロ溶媒、好ましくは、ペルフルオロ溶媒を含む配合物より、ゲート絶縁体層を堆積する。適切なペルフルオロ溶媒は、例えば、FC75登録商標Acros社より入手可能、カタログ番号12380である。他の適切なフルオロポリマーおよびフルオロ溶媒は先行技術で既知であり、例えば、ペルフルオロポリマーTeflonAF登録商標1600または2400DuPont社製またはFluoropel登録商標Cytonix社製またはペルフルオロ溶媒類FC43登録商標Acros社、番号12377などである。例えば、米国特許出願公開第2007/0102696号公報または米国特許第7,095,044号明細書で開示される通りの、1.0~5.0、非常に好ましくは、1.8~4.0の低い誘電率または誘電定数を有する有機誘電体材料lowk材料が特に好ましい。セキュリティー用途において、本発明によるOFETおよび半導体材料を有する他の装置、トランジスタまたはダイオードなどは、貨幣、クレジットカードまたはIDカード、国の身分証明書類、免許証、または、切手、チケット、株券、小切手などの金銭的価値を有する任意の製品などの有価証券を証明し、偽造を防止するためのRFIDタグまたはセキュリティーマーキング用に使用できる。あるいは、本発明による材料は、OLEDにおいて、例えば、フラットパネルディスプレイ用途における活性ディスプレイ材料として、または、例えば、液晶ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイのバックライトとして使用できる。一般的なOLEDは、多層構造を用いて実現される。発光層は、一般的に、1つ以上の電子輸送および/またはホール輸送層の間で挟支される。電圧を印加することで、電荷キャリアとしての電子およびホールは発光層の方向に移動し、そこで、それらが再び組み合わさることにより励起、よって発光層中に含まれるルモフォア単位のルミネセンスに至る。本発明の化合物、材料およびフィルムは、それらの電気的および/または光学的特性に対応して、1つ以上の電荷輸送層および/または発光層において用いることができる。更に、発光層内でのそれらの使用は、本発明による化合物、材料およびフィルムが、それら自体でエレクトロルミネセント特性を示すか、またはエレクトロルミネセント基または化合物を含む場合に、特に有利である。OLEDにおいて使用するための適切なモノマー、オリゴマーおよびポリマー化合物または材料の選択、特性解析ならびに加工は、一般的に、当業者に既知であり、例えば、Mullerら、Synth.Metals、2000年、111~112頁、Alcala、J.Appl.Phys.、2000年、88巻、7124~7128頁およびそこで引用されている文献を参照。他の使用によれば、本発明による材料、特に、フォトルミネセント特性を示すものは、例えば、欧州特許出願公開第0889350号公報またはC.Wederら、Science、1998年、279巻、835~837頁に記載される通りのディスプレイ装置における光源の材料として用いることができる。本発明の更なる態様は、本発明による化合物の酸化および還元形態の両者に関する。電子の損失または獲得の結果、高い導電性で高度に非局在化されたイオン性形態が形成される。このことは、一般的なドーパントへの曝露で生じさせることができる。適切なドーパントおよびドーピング方法は、例えば、欧州特許第0528662号明細書、米国特許第5,198,153号明細書または国際特許出願公開第96/21659号パンフレットより当業者に既知である。ドーピングプロセスは、典型的には、半導体材料を酸化剤または還元剤で酸化還元反応において処理することを意味し、適用されたドーパントに由来する対応する対イオンで、材料中に非局在化されたイオン性中心部を形成する。適切なドーピング方法は、例えば、大気圧または減圧下においてドーピング蒸気に曝露すること、ドーパントを含有する溶液中で電気化学的にドーピングすること、ドーパントを熱的に拡散されるべき半導体材料と接触させること、および、ドーパントを半導体材料中にイオン注入することを含む。電子をキャリアとして使用する場合、適切なドーパントは、例えば、ハロゲン例えば、I2、Cl2、Br2、ICl、ICl3、IBrおよびIF、ルイス酸例えば、PF5、AsF5、SbF5、BF3、BCl3、SbCl5、BBr3およびSO3、プロトン酸、有機酸またはアミノ酸例えば、HF、HCl、HNO3、H2SO4、HClO4、FSO3HおよびClSO3H、遷移金属化合物例えば、FeCl3、FeOCl、FeClO43、Fe4-CH3C6H4SO33、TiCl4、ZrCl4、HfCl4、NbF5、NbCl5、TaCl5、MoF5、MoCl5、WF5、WCl6、UF6およびLnCl3ただし、Lnは、ランタノイドである。、アニオン例えば、Cl-、Br-、I-、I3-、HSO4-、SO42-、NO3-、ClO4-、BF4-、PF6-、AsF6-、SbF6-、FeCl4-、FeCN63-および、アリール-SO3-などの種々のスルホン酸のアニオンである。ホールをキャリアとして使用する場合、ドーパントの例は、カチオン例えば、H、Li、Na、K、RbおよびCs、アルカリ金属例えば、Li、Na、K、RbおよびCs、アルカリ土類金属例えば、Ca、SrおよびBa、O2、XeOF4、NO2SbF6-、NO2SbCl6-、NO2BF4-、AgClO4、H2IrCl6、LaNO336H2O、FSO2OOSO2F、Eu、アセチルコリン、R4NRは、アルキル基である。、R4PRは、アルキル基である。、R6AsRは、アルキル基である。およびR3SRは、アルキル基である。である。本発明の化合物の導電性形態は、OLED用途における電荷注入層およびITO平坦化層、フラットパネルディスプレイおよびタッチスクリーン用のフィルム、帯電防止フィルム、印刷導電性基板、印刷回路基板およびコンデンサなどの電子的用途におけるパターンまたは区域を含むただし、限定されない。用途において、有機金属として使用できる。また、本発明による化合物および配合物は、例えば、Kollerら、Nat.Photonics2008年、2巻、684頁に記載される通りの有機プラズモン発光ダイオードOPED:organicplasmon-emittingdiodeにおける使用にも適することもある。もう一つの使用によれば、本発明による材料は、例えば、米国特許出願公開第2003/0021913号公報に記載される通り、単独または他の材料と共に、LCDまたはOLED装置における配向層において、または配向層として使用できる。本発明による電荷輸送化合物を使用することにより、配向層の導電性を増大させることができる。LCDにおいて使用する場合、この増大された導電性によって、スイッチ可能なLCDセルにおける不都合な残留dc効果を低減でき、画像の固着を抑制でき、または、例えば、強誘電性LCDにおいて、強誘電性LCの自発的な分極電荷のスイッチにより生じる残留電荷を低減できる。配向層上に提供された発光材料を含むOLED装置において使用する場合、この増大された導電性によって、発光材料のエレクトロルミネセンスを増大できる。メソゲンまたは液晶特性を有する本発明による化合物または材料は、上記の通り配向した異方性フィルムを形成することができ、それは、配向層として、前記異方性フィルム上に提供された液晶媒体における配向を誘発または増大するために、特に有用である。また、本発明による材料は、米国特許出願公開第2003/0021913号公報に記載される通り、光配向層において、または光配向層として使用するための光異性化可能な化合物および/または発色団と組み合わせることもできる。もう一つの使用によれば、本発明による材料、特に、それらの水溶性誘導体例えば、極性またはイオン性側鎖でまたはイオン的にドープされた形態は、DNA配列を検出および区別するための化学的センサーまたは材料として用いることができる。そのような使用は、例えば、L.Chen、D.W.McBranch、H.Wang、R.Helgeson、F.WudlおよびD.G.Whitten、Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.1999年、96巻、12287頁;D.Wang、X.Gong、P.S.Heeger、F.Rininsland、G.C.BazanおよびA.J.Heeger、Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.2002年、99巻、49頁;N.DiCesare、M.R.Pinot、K.S.SchanzeおよびJ.R.Lakowicz、Langmuir2002年、18巻、7785頁;D.T.McQuade、A.E.Pullen、T.M.Swager、Chem.Rev.2000年、100巻、2537頁に記載されている。文脈が明らかに他を示さない限り、本明細書で用いられる場合、本明細書における用語の複数形は単数形を含むものと解釈されることとし、逆もまた同様である。本明細書の記載および請求項を通して、含むcompriseおよび含有するcontainという言葉および該言葉の活用形、例えば、含むcomprisingおよび含むcomprisesは、限定せず挙げられるを意味し、他の成分を排除することを意図としない排除しない。本発明の前述の実施形態は、本発明の範囲内に依然として在りながら変更できると理解されるであろう。他に明言しない限り、本明細書において開示されるそれぞれの態様を、同一、同等または同様の目的に働く代替の態様で置き換えても構わない。よって、他に明言しない限り、開示されるそれぞれの態様は、包括的で一連の同等または同様な態様の一例に過ぎない。本明細書において開示される態様の全ては、その様な態様および/または工程の少なくとも幾つかが互いに排他的である組み合せを除いて、任意の組み合わせで組み合わせて構わない。特に、本発明の好ましい態様は本発明の全ての態様に適用可能であり、任意の組み合わせにおいて使用できる。同様に、本質的でない組み合わせで記載される態様は、個別に組み合わせずに使用できる。上記の態様、特に好ましい実施形態の多くは、それ自体で発明性があり、本発明の実施形態の単なる一部分ではないことが分かるであろう。本願において特許請求される任意の発明に追加するか代わりに、これらの態様に対して独立した特許保護を求める場合がある。ここで、以下の例を参照して、本発明を更に詳細に記載するが、それは単なる例示であって、本発明の範囲を限定するものではない。<例1><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスアリルジイソプロピルシリルエチニルアントラジチオフェン8ADiPS-F-ADT:2,8-Difluoro-5,11-bisallyldiisopropylsilylethynylanthradithiophene><アリルジイソプロピルトリメチルシリルエチニルシラン3>無水THF50cm3中におけるジクロロジイソプロピルシラン9.55g、97、50mmolの溶液を-78°Cまで冷却した。臭化アリルマグネシウム溶液1.0mol/L、60cm3を滴下で1時間にわたり添加し、粘稠な白色の懸濁液を生じた。懸濁液を、-78°Cで2時間攪拌した。冷却浴を取り外し、冷却なしで追加して懸濁液を1.5時間攪拌した。リチウムトリメチルシリルアセチリド溶液THF中1.0M、トリメチルシリルアセチレンをn-BuLiと反応させて調製を23°Cにおいて素早く添加した。添加後、先の懸濁液は透明な溶液となった。反応混合物を50°Cにおいて1時間攪拌し、次いで、23°Cにおいて15時間攪拌した。反応混合物を真空中で濃縮し、氷および1NのHClの混合物を添加した。有機相をジエチルエーテル2×50cm3中に取得し、次いで、MgSO4上で乾燥し、真空中で濃縮して、淡黄色の液体を生じた。4mBarの減圧下において、約15cmのビグリューカラムを使用し、分別蒸留によって粗生成物を精製し、87~89°Cにおいて無色の液体9.37g、59、84純度に基づいて計算として、生成物を生じた。液体の純度は、分子量252g/molを有する84の化合物3を含有することがGCMSで示された。更に精製することなく、次の工程の脱保護のために、この液体を直接使用した。<エチニルアリルジイソプロピルシラン4>ジクロロメタン20cm3およびメタノール20cm3中のアリルジイソプロピルトリメチルシリルエチニルシラン36.04g、20.09mmol、84純度に基づくの溶液に、粉末の炭酸カリウム5.8g、41.97mmolを手作業で添加した。反応混合物を23°Cにおいて1時間攪拌後、シリカパッドを通して濾過した。濾液を真空中で濃縮し、淡黄色の液体を生じた。減圧下で分別蒸留によって粗生成物を精製し、無色の液体3.47g、84として、生成物を与えた。<2,8-ジフルオロ-5,11-ビスアリルジイソプロピルシリルエチニルアントラジチオフェン8ADiPS-F-ADT:2,8-Difluoro-5,11-bisallyldiisopropylsilylethynylanthradithiophene>ジオキサン30cm3中のエチニルアリルジイソプロピルシラン43.00g、16.64mmolの溶液に、ヘキサン中2.5Mのn-BuLi6.66cm3、16.65mmolを滴下で0°Cにおいて10分間で添加した。冷却浴を取り外し、反応物を23°Cにおいて30分攪拌して、無色透明の溶液を与えた。2,8-ジフルオロアントラジチオフェン-5,11-ジオン61.95g、5.47mmolを、リチウムアセチリド溶液に一度で添加し、反応混合物を、23°Cで16時間、次いで、60°Cで追加して1時間攪拌後、23°Cに冷却した。氷冷5HCl14cm3の混合物を添加した。有機層を分離し、水層をジエチルエーテル20cm3で抽出しながら、有機層を水洗した。合わされた有機抽出物を、真空中で濃縮した。粗生成物をシリカゲル上のカラムクロマトグラフィー溶離液:ジクロロメタン:石油エーテル40-60;1:1で精製し、続いて、石油エーテル80-100から再結晶して、黄色がかった白色の針状物2.11g、55として生成物7を生じた。生成物72.11g、2.94mmolをTHF20cm3中に溶解し、攪拌下において、2.5NのHCl8cm3中の塩化スズ溶液を添加した。反応混合物を23°Cで30分激しく攪拌した。メタノール50cm3を添加し、固体を濾過で回収した。固体をブタノン-イソプロパノール1:2より再結晶して、赤色の結晶1.94g、97として生成物8を生じた。融点202.9°CDSC。<例2><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスシクロヘキシルジメチルシリルエチニルアントラジチオフェンcHDMS-F-ADT:2,8-Difluoro-5,11-biscyclohexyldimethylsilylethynylanthradithiophene><エチニルシクロヘキシルジメチルシラン>臭化エチニルマグネシウムの攪拌された黄色の溶液THF中0.5M、67cm3に、シクロヘキシルジメチルクロロシラン3.95gを、20°Cにおいて滴下で添加した。溶液を、20°Cで45分および50°Cで追加して15分攪拌した。反応混合物の溶媒を真空中で蒸発して除去し、粘稠な黄色のスラリーを与えた。3のHCl氷の混合物50cm3を一度に添加し、混合物を5分攪拌した。有機部分をジエチルエーテル2×20cm3中に取得し、硫酸マグネシウム上で乾燥した。エーテル溶液を濃縮し、黄色のオイル残渣を130~135°Cで真空蒸留25mBarして、無色の液体2.99g、80として生成物を与えた。GCMS:166[M]。<2,8-ジフルオロ-5,11-ビスシクロヘキシルジメチルシリルエチニルアントラジチオフェンcHDMS-F-ADT:2,8-Difluoro-5,11-biscyclohexyldimethylsilylethynylanthradithiophene>無水ジオキサン30cm3中のエチニルシクロヘキシルジメチルシラン2.90g、98、17.17mmolの溶液に、ヘキサン中2.5Mのn-BuLi6.9cm3、17.25mmolを滴下で0°Cにおいて10分間で添加した。冷却浴を取り外し、懸濁液を20°Cにおいて追加して30分攪拌した。2,8-ジフルオロアントラジチオフェン-5,11-ジオン62.04g、5.72mmolを固体のままで一度に添加し、混合物を20°Cで2時間攪拌した。溶液を油浴中で加熱し、60°Cで追加して2時間攪拌し、次いで、氷浴で0°Cまで冷却した。氷冷1HCl約50cm3を素早く添加した。混合物を5分攪拌した。有機層を分離し、水洗した。水層をジエチルエーテル20cm3で1回抽出した。合わされた有機溶液を、真空蒸発で溶媒を除き乾燥した。次いで、オイル状の残渣をシリカゲル上でフラッシュカラムにかけ2:1DCM/石油エーテル40-60、ジオール中間体2.0gを生じた。ジオール中間体をTHF20cm3中に溶解し、2.5NのHCl8cm中の塩化スズII2.20gの溶液を、攪拌下において滴下で添加した。混合物を20°Cで30分激しく攪拌した。メタノール50cm3を添加し、懸濁液を吸引濾過して、赤色の結晶2.00gを生じた。クロロホルム50cm3-MEK20cm3より結晶を再結晶して、cHDMS-F-ADT1.64g、第2の工程に対して44を生じた。融点:197.6°CDSC。<例3><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスtert-ブチルジメチルシリルエチニルアントラジチオフェンtBDMS-F-ADT:2,8-Difluoro-5,11-bistert-butyldimethylsilylethynylanthradithiophene>無水ジオキサン25cm3中のtert-ブチルジメチルシリルアセチレン2.10g、15mmolの溶液に、ヘキサン中2.5Mのn-BuLi6.0cm3、15.0mmolを滴下で0°Cにおいて5分間で添加した。冷却浴を取り外し、懸濁液を20°Cにおいて追加して30分攪拌した。2,8-ジフルオロアントラジチオフェン-5,11-ジオン61.78g、5.0mmolを一度に添加し、混合物を20°Cで3時間攪拌した。懸濁液を油浴中で加熱し、100°Cで追加して1時間攪拌し、次いで、20°Cまで冷却した。氷冷2HCl25cm3を素早く添加し、混合物を約5分攪拌した。有機層を分離し、水洗した。水層をジエチルエーテル20cm3で1回抽出した。合わされた有機溶液を、真空蒸発で溶媒を除き乾燥した。オイル状の残渣をシリカゲル上でフラッシュカラムにかけ、第1に1:2のDCM/石油エーテル40-60で溶出して、ジオール中間体の第1の異性体を生じ、これを石油エーテル80-100から再結晶して、橙色の結晶1.95gを生じた。溶離液をDCMに換え、赤色調の粘稠なオイルとして、第2の異性体をカラムより洗出した。第1のジオール異性体の結晶をTHF20cm3中に溶解し、2.5NのHCl6cm3中のSnCl21.90gの溶液を添加し、深紅色の溶液を20°Cで10分攪拌して、赤色の懸濁液を生じた。メタノール約50cm3を添加し、懸濁液を吸引濾過して、淡紅色の結晶性固体1.82gを生じた。第2の異性体の粗固体を第1の異性体と同様に処理して、赤色の結晶0.59gのもう一つのバッチを生じた。NMRスペクトルより、両方の固体は同一の品位であることが示された。該固体を合わせて、シリカ上のフラッシュクロマトグラフィーで精製し、シクロヘキサンで溶出し、続いて、ブタノン-イソプロパノール混合物より再結晶して、赤色の結晶2.21g、80として、純粋なtBDMS-F-ADTを生じた。融点:303°CDSC。また、追加の例4~14も類似して合成され、表4にまとめる。<例4><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスアリルジエチルシリルエチニルアントラジチオフェン>シリカ上のフラッシュクロマトグラフィーによりシクロヘキサンで溶出して精製後、赤色の結晶として、純粋な生成物を得た。収率は24であった。融点:176°C開始、DSC。<例5><2,8-ジフルオロ-5,11-ビス2-ブチルジエチルシリルエチニルアントラジチオフェン>シリカ上のフラッシュクロマトグラフィーによりシクロヘキサンで溶出して精製後、赤橙色の結晶として、純粋な生成物を得た。収率は62であった。融点:166°C開始、DSC。<例6><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスジイソプロピルフェニルシリルエチニルアントラジチオフェン>シリカ上のフラッシュクロマトグラフィーによりシクロヘキサンで溶出して精製後、赤色の結晶として、純粋な生成物を得た。収率は68であった。シクロヘキサンより成長させた赤色のプリズムよりX線結晶構造を得た。融点:175°C開始、DSC。<例7><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスメチルフェニルビニルシリルエチニルアントラジチオフェン>クロロホルムおよび2-ブタノンの混合物より再結晶後、赤色の結晶として、純粋な生成物を得た。収率は21であった。融点:226°C開始、DSC。<例8><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスベンジルジメチルシリルエチニルアントラジチオフェン>シリカ上のフラッシュクロマトグラフィーにより3:1のシクロヘキサン-クロロホルム混合物で溶出し、続いて、2-ブタノンより再結晶して精製後、濃赤色の結晶として、純粋な生成物を得た。収率は34であった。融点:205°C開始、DSC。<例9><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスエチルジイソプロピルシリルエチニルアントラジチオフェン>シリカ上のフラッシュクロマトグラフィーによりシクロヘキサンで溶出し、続いて、シクロヘキサン-エタノール混合物より再結晶して精製後、47の収率で、橙赤色の結晶として、純粋な生成物を得た。融点:220°C開始、DSC。<例10><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスジエチルイソプロピルシリルエチニルアントラジチオフェン>シリカ上のフラッシュクロマトグラフィーにより石油エーテル40-60°C-ジクロロメタンの10:1混合物で溶出し、続いて、2-ブタノン-エタノールより再結晶して精製後、65の収率で、赤色の結晶として、純粋な生成物を得た。融点:193°C開始、DSC。<例11><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスジフェニルビニルシリルエチニルアントラジチオフェン>クロロホルムおよび2-ブタノン混合物より再結晶後、19の収率で、赤色の結晶として、純粋な生成物を得た。融点:247°C開始、DSC。<例12><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスシクロペンチルジエチルシリルエチニルアントラジチオフェン>シリカ上のフラッシュクロマトグラフィーシクロヘキサン溶離液およびシクロヘキサンより再結晶して精製後、34の収率で、赤色の板状物として、純粋な生成物を得た。融点:177°C開始、DSC。<例13><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスシクロヘキシルジエチルシリルエチニルアントラジチオフェン>シリカ上のフラッシュクロマトグラフィー10:1の軽石油エーテル-DCM溶離液および2-ブタノンより再結晶して精製後、67の収率で、赤色の板状物として、純粋な生成物を得た。融点:125°C開始、DSC。<例14><2,8-ジフルオロ-5,11-ビスtert-ブチルジエチルシリルエチニルアントラジチオフェン>シリカ上のフラッシュクロマトグラフィーシクロヘキサン溶離液および2-ブタノン-エタノールより再結晶して精製後、76の収率で、赤色の針状物として、純粋な生成物を得た。融点:234°C開始、DSC。<例15><5,11-ビスシクロヘキシルジメチルシリルエチニルアントラジチオフェンcHDMS-H-ADT:5,11-biscyclohexyldimethylsilylethynylanthradithiophene>0°Cで窒素雰囲気下において、ジオキサン10cm3中のエチニルシクロヘキシルジメチルシラン0.732g、4.401mmolの溶液に、n-BuLi1.75cm3、ヘキサン中2.5M、4.375mmolを、滴下で30分にわたって添加した。溶液を、室温で60分攪拌した。アントラジチオフェン-5,11-ジオン0.470g、1.467mmolを固体のままで一度に添加し、混合物を50°Cで1時間加熱した。結果として生じた反応混合物を、20°Cで18時間攪拌した。水6cm3中のSnCl21.113gおよび35のHCl0.5cm3の溶液を、数回に分けて反応混合物に添加し、これを遮光し追加して40分攪拌した。反応混合物をメタノール100cm3中に投入し、沈殿を濾過で除去した。濾液を真空中で濃縮し、シリカゲル上のカラムクロマトグラフィー溶離液;1:1のジエチルエーテル:石油エーテル40-60で精製した。結果として生じた残渣をメタノールで粉砕し、沈殿を濾別し、メタノールで洗浄し、真空下で乾燥し、濃赤色の固体を与えた。MEKより2回再結晶し、濃赤色の針状物として、生成物0.430g、47を生じた。融点:208°CDSC。<例16><2,8-ジメチル-5,11-ビスtert-ブチルジメチルシリルエチニルアントラジチオフェンtBDMS-Me-ADT:2,8-Dimethyl-5,11-bistert-butyldimethylsilylethynylanthradithiophene>0°Cで窒素雰囲気下において、ジオキサン30cm3中のtert-ブチルジメチルシリルアセチレン1.812g、12.915mmolの溶液に、n-BuLi5.15cm3、ヘキサン中2.5M、12.875mmolを、滴下で30分にわたって添加した。溶液を、室温で60分攪拌した。2,8-ジメチルアントラジチオフェン-5,11-ジオン1.500g、4.305mmolを固体のままで一度に添加し、混合物を50°Cで1時間加熱した。結果として生じた反応混合物を、20°Cで17時間攪拌した。水18cm3中のSnCl23.265gおよび35のHCl1.5cm3の溶液を、数回に分けて反応混合物に添加し、これを遮光し追加して40分攪拌した。反応混合物をメタノール250cm3中に投入し、沈殿を濾過で除去した。濾液を真空中で濃縮し、シリカゲル上のカラムクロマトグラフィー溶離液;シクロヘキサンで精製した。結果として生じた残渣をメタノールで粉砕し、沈殿を濾別し、メタノールで洗浄し、真空下で乾燥し、紫色の固体を与えた。MEKより再結晶し、紫色の針状物として、生成物1.900g、74を生じた。融点:240°CDSC。<例17:トランジスタの製造および測定>トップゲート薄膜有機電界効果トランジスタOFET:organicfield-effecttransistorを、フォトリソグラフィーで規定したAuソース-ドレイン電極と共にガラス基板上に製造した。化合物例の溶液0.5~2.0重量を、最表面上にスピンコートまたは滴下コートした。次に、フルオロポリマー誘電体材料D139を、最表面上にスピンコートした。最後に、フォトリソグラフィーで規定したAuゲート電極を堆積した。トランジスタ装置の電気的特性解析を、コンピューター制御されたAgilent4155CSemiconductorParameterAnalyserを使用して大気環境中で行った。化合物について、飽和領域における電荷キャリア移動度μsatを計算し、表5に結果をまとめた。飽和領域Vd>Vg-V0において、電界効果移動度を式1を使用して計算した。式中、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Ciは絶縁性層の容量、Vgはゲート電圧、V0は立ち上がりturn-on電圧、μsatは飽和領域における電荷キャリア移動度である。立ち上がりturn-on電圧V0は、ソース-ドレイン電流が流れ始めた際に決定した。"