光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置において、目標領域に所定のドットパターンでレーザ光を投射する投射光学系と、前記投射光学系に対して所定の距離だけ横方向に離れて並ぶように配置され、前記目標領域を撮像する受光光学系と、を備え、前記受光光学系は;前記目標領域を撮像するための光検出器と、前記目標領域からの光を前記光検出器に集光する撮像レンズと、前記撮像レンズを介して前記光検出器に集光される光のうち、前記レーザ光の波長帯域以外の第1の波長帯域の光を除去する第1の波長制限部と、前記撮像レンズを介して前記光検出器に集光される光のうち、前記レーザ光の波長帯域以外の第2の波長帯域の光を除去することにより、前記第1の波長制限部と相俟って、前記光検出器に集光される光の波長帯域を、前記レーザ光の前記波長帯域を含む範囲に制限する第2の波長制限部と、を有する、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1に記載の情報取得装置において、前記第1の波長制限部と前記第2の波長制限部は、それぞれ、互いに通過波長特性が異なる光干渉型のバンドパスフィルタである、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1に記載の情報取得装置において、前記第1の波長制限部は、光干渉型のバンドパスフィルタであり、前記第2の波長制限部は、所定波長帯域の光を吸収する光吸収材を含有する前記撮像レンズである、ことを特徴とする情報取得装置。請求項3に記載の情報取得装置において、前記撮像レンズは、複数のレンズ要素を含み、これらレンズ要素のうち一つに前記光吸収材が含有されている、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1に記載の情報取得装置において、前記第1の波長制限部は、光干渉型のバンドパスフィルタであり、前記第2の波長制限部は、所定波長帯域の光を吸収する光吸収材を含有する平板状の光吸収板である、ことを特徴とする情報取得装置。請求項4に記載の情報取得装置において、前記バンドパスフィルタは、平板状の基板と、該基板上に積層された誘電体多層膜とを含み、前記光吸収板は、前記バンドパスフィルタの前記基板に所定波長帯域の光を吸収する光吸収材を含有させたものである、ことを特徴とする情報取得装置。請求項3ないし6の何れか一項に記載の情報取得装置において、前記撮像レンズは、前記光検出器に向かう光の広がり角が当該撮像レンズの光の取り込み角よりも小さくなるように構成され、前記バンドパスフィルタは、前記撮像レンズと前記光検出器の間に配置されている、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1ないし7の何れか一項に記載の受光光学系を備えた受光装置。請求項1ないし7の何れか一項に記載の情報取得装置を有する物体検出装置。上記物体検出装置では、目標領域からの光が撮像レンズにより集められ、光検出器に導かれる。この場合、集光される光には、ドットパターンを持つレーザ光の他に、太陽光や室内灯からの光等の距離検出に不要な光も含まれる。太陽光や室内灯からの光は、目標領域から取り込まれるドットパターンのレーザ光に比べ強度が高いため、このような不要光が光検出器に入射すると、距離検出の精度が大きく劣化する。このため、これらの不要光は、適切に除去する必要がある。不要光を除去するために、バンドパスフィルタが用いられ得る。この場合、バンドパスフィルタは、不要光の影響を抑制可能なように、狭帯域に構成される。さらに、バンドパスフィルタが撮像レンズの前段に配置されるような場合、バンドパスフィルタは、撮像レンズの光の取り込み角の全範囲において、通過帯域を制限可能である必要もある。しかしながら、バンドパスフィルタには角度依存性があるため、一つのバンドパスフィルタでは、撮像レンズの取り込み角の全範囲において通過波長帯域を狭帯域に絞ることは困難であった。本発明は、このような問題を解消するためになされたものであり、光検出器に入射する光の波長帯域を狭帯域に絞ることができ、これにより、距離検出の精度を高めることが可能な受光装置、物体検出装置および情報取得装置を提供することを目的とする。本発明の第1の態様は、光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置に関する。本態様に係る情報取得装置は、目標領域に所定のドットパターンでレーザ光を投射する投射光学系と、前記投射光学系に対して所定の距離だけ横方向に離れて並ぶように配置され、前記目標領域を撮像する受光光学系と、を備える。前記受光光学系は、前記目標領域を撮像するための光検出器と、前記目標領域からの光を前記光検出器に集光する撮像レンズと、前記撮像レンズを介して前記光検出器に集光される光のうち、前記レーザ光の波長帯域以外の第1の波長帯域の光を除去する第1の波長制限部と、前記撮像レンズを介して前記光検出器に集光される光のうち、前記レーザ光の波長帯域以外の第2の波長帯域の光を除去することにより、前記第1の波長制限部と相俟って、前記光検出器に集光される光の波長帯域を、前記レーザ光の前記波長帯域を含む範囲に制限する第2の波長制限部と、を有する。本発明の第2の態様は、受光装置に関する。本態様に係る受光装置は、上記第1の態様における受光光学系を有する。本発明の第3の態様は、物体検出装置に関する。この態様に係る物体検出装置は、上記第1の態様に係る情報取得装置を有する。本発明によれば、光検出器に入射する光の波長帯域を狭帯域に絞ることができ、これにより、距離検出の精度を高めることが可能な受光装置、物体検出装置および情報取得装置を提供することができる。本発明の特徴は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下の実施の形態は、あくまでも、本発明の一つの実施形態であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以下の実施の形態に記載されたものに制限されるものではない。以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。本実施の形態には、所定のドットパターンを持つレーザ光を目標領域に照射するタイプの情報取得装置が例示されている。まず、図1に本実施の形態に係る物体検出装置の概略構成を示す。図示の如く、物体検出装置は、情報取得装置1と、情報処理装置2とを備えている。テレビ3は、情報処理装置2からの信号によって制御される。なお、情報取得装置1と情報処理装置2とからなる装置が、本発明の物体検出装置に相当する。情報取得装置1は、目標領域全体に赤外光を投射し、その反射光をCMOSイメージセンサにて受光することにより、目標領域にある物体各部の距離以下、3次元距離情報というを取得する。取得された3次元距離情報は、ケーブル4を介して情報処理装置2に送られる。情報処理装置2は、たとえば、テレビ制御用のコントローラやゲーム機、パーソナルコンピュータ等である。情報処理装置2は、情報取得装置1から受信した3次元距離情報に基づき、目標領域における物体を検出し、検出結果に基づきテレビ3を制御する。たとえば、情報処理装置2は、受信した3次元距離情報に基づき人を検出するとともに、3次元距離情報の変化から、その人の動きを検出する。たとえば、情報処理装置2がテレビ制御用のコントローラである場合、情報処理装置2には、受信した3次元距離情報からその人のジャスチャーを検出するとともに、ジェスチャに応じてテレビ3に制御信号を出力するアプリケーションプログラムがインストールされている。この場合、ユーザは、テレビ3を見ながら所定のジェスチャをすることにより、チャンネル切り替えやボリュームのUp/Down等、所定の機能をテレビ3に実行させることができる。また、たとえば、情報処理装置2がゲーム機である場合、情報処理装置2には、受信した3次元距離情報からその人の動きを検出するとともに、検出した動きに応じてテレビ画面上のキャラクタを動作させ、ゲームの対戦状況を変化させるアプリケーションプログラムがインストールされている。この場合、ユーザは、テレビ3を見ながら所定の動きをすることにより、自身がテレビ画面上のキャラクタとしてゲームの対戦を行う臨場感を味わうことができる。図2は、情報取得装置1と情報処理装置2の構成を示す図である。情報取得装置1は、光学部の構成として、投射光学系11と受光光学系12とを備えている。この他、情報取得装置1は、回路部の構成として、CPUCentralProcessingUnit21と、レーザ駆動回路22と、撮像信号処理回路23と、入出力回路24と、メモリ25を備えている。投射光学系11は、所定のドットパターンのレーザ光を、目標領域に照射する。受光光学系12は、目標領域から反射されたレーザ光を受光する。投射光学系11と受光光学系12の構成は、追って、図5を参照して説明する。CPU21は、メモリ25に格納された制御プログラムに従って各部を制御する。かかる制御プログラムによって、CPU21には、投射光学系11内のレーザ光源111後述を制御するためのレーザ制御部21aと、3次元距離情報を生成するための3次元距離演算部21bの機能が付与される。レーザ駆動回路22は、CPU21からの制御信号に応じてレーザ光源111後述を駆動する。撮像信号処理回路23は、受光光学系12内のCMOSイメージセンサ124後述を制御して、CMOSイメージセンサ124で生成された各画素の信号電荷をライン毎に順次取り込む。そして、取り込んだ信号を順次CPU21に出力する。CPU21は、撮像信号処理回路23から供給される信号撮像信号をもとに、情報取得装置1から検出対象物の各部までの距離を、3次元距離演算部21bによる処理によって算出する。入出力回路24は、情報処理装置2とのデータ通信を制御する。情報処理装置2は、CPU31と、入出力回路32と、メモリ33を備えている。なお、情報処理装置2には、同図に示す構成の他、テレビ3との通信を行うための構成や、CD-ROM等の外部メモリに格納された情報を読み取ってメモリ33にインストールするためのドライブ装置等が配されるが、便宜上、これら周辺回路の構成は図示省略されている。CPU31は、メモリ33に格納された制御プログラムアプリケーションプログラムに従って各部を制御する。かかる制御プログラムによって、CPU31には、画像中の物体を検出するための物体検出部31aの機能が付与される。かかる制御プログラムは、たとえば、図示しないドライブ装置によってCD-ROMから読み取られ、メモリ33にインストールされる。たとえば、制御プログラムがゲームプログラムである場合、物体検出部31aは、情報取得装置1から供給される3次元距離情報から画像中の人およびその動きを検出する。そして、検出された動きに応じてテレビ画面上のキャラクタを動作させるための処理が制御プログラムにより実行される。また、制御プログラムがテレビ3の機能を制御するためのプログラムである場合、物体検出部31aは、情報取得装置1から供給される3次元距離情報から画像中の人およびその動きジェスチャを検出する。そして、検出された動きジェスチャに応じて、テレビ3の機能チャンネル切り替えやボリューム調整、等を制御するための処理が制御プログラムにより実行される。入出力回路32は、情報取得装置1とのデータ通信を制御する。図3aは、目標領域に対するレーザ光の照射状態を模式的に示す図、図3bは、CMOSイメージセンサ124におけるレーザ光の受光状態を模式的に示す図である。なお、同図bには、便宜上、目標領域に平坦な面スクリーンが存在するときの受光状態が示されている。同図aに示すように、投射光学系11からは、ドットパターンを持ったレーザ光以下、このパターンを持つレーザ光の全体をDP光というが、目標領域に向けて照射される。同図aには、DP光の投射領域が実線の枠によって示されている。DP光の光束中には、回折光学素子による回折作用によってレーザ光の強度が高められたドット領域以下、単にドットというが、回折光学素子による回折作用によるドットパターンに従って点在している。なお、図3aでは、便宜上、DP光の光束が、マトリックス状に並ぶ複数のセグメント領域に区分されている。各セグメント領域には、ドットが固有のパターンで点在している。一つのセグメント領域におけるドットの点在パターンは、他の全てのセグメント領域におけるドットの点在パターンと相違する。これにより、各セグメント領域は、ドットの点在パターンをもって、他の全てのセグメント領域から区別可能となっている。目標領域に平坦な面スクリーンが存在すると、これにより反射されたDP光の各セグメント領域は、同図bのように、CMOSイメージセンサ124上においてマトリックス状に分布する。たとえば、同図aに示す目標領域上におけるセグメント領域S0の光は、CMOSイメージセンサ124上では、同図bに示すセグメント領域Spに入射する。なお、図3bにおいても、DP光の光束領域が実線の枠によって示され、便宜上、DP光の光束が、マトリックス状に並ぶ複数のセグメント領域に区分されている。上記3次元距離演算部21bでは、各セグメント領域がCMOSイメージセンサ124上のどの位置に入射したかが検出され、その受光位置から、三角測量法に基づいて、検出対象物体の各部各セグメント領域の照射位置までの距離が検出される。かかる検出手法の詳細は、たとえば、上記非特許文献1第19回日本ロボット学会学術講演会2001年9月18-20日予稿集、P1279-1280に示されている。図4は、投射光学系11と受光光学系12の設置状態を示す斜視図である。投射光学系11と受光光学系12は、熱伝導性の高いベースプレート300上に設置される。投射光学系11を構成する光学部材は、シャーシ11aに設置され、このシャーシ11aがベースプレート300上に設置される。これにより、投射光学系11がベースプレート300上に設置される。受光光学系12は、ベースプレート300上の2つの台座300aの上面と、2つの台座300aの間のベースプレート300の上面に設置される。2つの台座300aの間のベースプレート300の上面には、後述するCMOSイメージセンサ124が設置され、台座300aの上面には保持板12aが設置され、この保持板12aに、後述するフィルタ121および撮像レンズ122を保持するレンズホルダ12bが設置される。投射光学系11と受光光学系12は、投射光学系11の投射中心と受光光学系12の撮像中心がX軸に平行な直線上に並ぶように、X軸方向に所定の距離をもって並んで設置されている。ベースプレート300の裏面に、情報取得装置1の回路部図2参照を保持する回路基板が設置される。ベースプレート300の中央下部には、レーザ光源111の配線をベースプレート300の背部に取り出すための孔300bが形成されている。また、ベースプレート300の受光光学系12の設置位置の下部には、CMOSイメージセンサ124のコネクタ12cをベースプレート300の背部に露出させるための開口300cが形成されている。なお、図4の左半分が発光装置を構成し、右半分が受光装置を構成する。右半分の受光装置は、本発明の受光装置に相当する。図5は、本実施の形態に係る投射光学系11と受光光学系12の構成を模式的に示す図である。投射光学系11は、レーザ光源111と、コリメータレンズ112と、立ち上げミラー113と、回折光学素子DOE:DiffractiveOpticalElement114を備えている。また、受光光学系12は、フィルタ121と、撮像レンズ122と、アパーチャ123と、CMOSイメージセンサ124とを備えている。レーザ光源111は、波長830nm程度の狭波長帯域のレーザ光を出力する。レーザ光源111は、レーザ光の光軸がX軸に平行となるように設置される。コリメータレンズ112は、レーザ光源111から出射されたレーザ光を略平行光に変換する。コリメータレンズ112は、自身の光軸がレーザ光源111から出射されたレーザ光の光軸に整合するように設置される。立ち上げミラー113は、コリメータレンズ112側から入射されたレーザ光を反射する。レーザ光の光軸は、立ち上げミラー113によって90°折り曲げられてZ軸に平行となる。DOE114は、入射面に回折パターンを有する。回折パターンは、たとえば、ステップ型のホログラムにより構成される。この回折パターンによる回折作用により、立ち上げミラー113により反射されDOE114に入射したレーザ光は、ドットパターンのレーザ光に変換されて、目標領域に照射される。回折パターンは、目標領域において所定のドットパターンとなるように設計されている。目標領域から反射されたレーザ光は、フィルタ121を透過して撮像レンズ122に入射する。フィルタ121は、レーザ光源111の出射波長830nm程度を含む波長帯域の光を透過し、その他の波長帯域をカットする。フィルタ121は、光干渉型の2つのバンドパスフィルタ121a、121bを組み合わせることによって構成されている。バンドパスフィルタ121a、121bは、それぞれ、透明な基板上に複数の誘電体膜が積層されることにより構成される。バンドパスフィルタ121a、121bの特性は、追って、図7を参照して説明する。撮像レンズ122は、フィルタ121を介して入射された光をCMOSイメージセンサ124上に集光する。撮像レンズ122は、3つのレンズ122a、122b、122cから構成される。3つのレンズ122a、122b、122cは、プラスチック材料からなっている。最上段のレンズ122aと中段のレンズ122bとの間にアパーチャ123が介挿されている。アパーチャ123は、中央に、撮像レンズ122の取り込み角に応じた開口を有する。すなわち、アパーチャ123の開口は、撮像レンズ122の最上段のレンズ122aのFナンバーに応じた径となっている。CMOSイメージセンサ124は、撮像レンズ122にて集光された光を受光して、画素毎に、受光光量に応じた信号電荷を撮像信号処理回路23に出力する。ここで、CMOSイメージセンサ124は、各画素における受光から高レスポンスでその画素の信号電荷を撮像信号処理回路23に出力できるよう、信号の出力速度が高速化されている。フィルタ121は、受光面がZ軸に直交するように配置される。撮像レンズ122は、光軸がZ軸に平行となるように設置される。CMOSイメージセンサ124は、受光面がZ軸に垂直になるように設置される。また、フィルタ121の中心とCMOSイメージセンサ124の受光領域の中心が撮像レンズ122の光軸上に並ぶように、フィルタ121、撮像レンズ122およびCMOSイメージセンサ124が配置される。投射光学系11と受光光学系12は、図4を参照して説明したように、ベースプレート300に設置されている。ベースプレート300の下面には、さらに、回路基板200が設置され、この回路基板200から、レーザ光源111およびCMOSイメージセンサ124に配線フレキシブル基板201、202が接続されている。回路基板200には、図2に示すCPU21やレーザ駆動回路22等の情報取得装置1の回路部が実装されている。図6aは、受光装置のより詳細な構成を示す断面図である。図6aは、図4のA-A’断面図である。ただし、図6aには、図4のレンズホルダ12bが図示省略され、CMOSイメージセンサ124は、カバーガラス124aのみが示されている。受光装置は、上記図5に示したバンドパスフィルタ121a、121bと、レンズ122a~122cと、アパーチャ123と、CMOSイメージセンサ124の他に、フィルタホルダ125と、鏡筒126と、スペーサ127を備えている。フィルタホルダ125は、2段の円形の凹部が同軸に形成され、各凹部にそれぞれバンドパスフィルタ121a、121bが装着される。鏡筒126は、2段の円形の凹部が同軸に形成され、下側の凹部にレンズ122a~122cとアパーチャ123が収容され、上側の凹部にフィルタホルダ125が装着される。鏡筒126の下側の凹部には、下から順に、レンズ122c、スペーサ127、レンズ122b、アパーチャ123、レンズ122aが積み重ねられ、さらに、レンズ122aの上面に載るように、フィルタホルダ125が鏡筒126に装着される。レンズ122a~122cの光軸は互いに一致し、また、この光軸は、バンドパスフィルタ121a、121bの中心と、CMOSイメージセンサ124の受光領域の中心を貫く。鏡筒126が、図4のレンズホルダ12bに装着される。本実施の形態では、レンズ122a~122cの光軸を中心に、アパーチャ123によって規定される取り込み角の範囲で光が取り込まれ、CMOSイメージセンサ124のカバーガラス124aへと導かれる。カバーガラス124aの下面側に示された実線は、レンズ122a~122cによる結像面Paであり、この結像面PaにCMOSイメージセンサ124の受光面が配される。本実施の形態では、取り込み角の範囲にある光線の、バンドパスフィルタ121aの入射面に対する入射角の最大値は35°である。また、レンズ122cからカバーガラス124aに向かう光線のカバーガラス124aの入射面に対する入射角の最大値は37°である。図7aは、バンドパスフィルタ121aの光透過特性を示す図、図7bは、バンドパスフィルタ121bの光透過特性を示す図である。図7a、bにおいて、横軸は波長、縦軸は透過率である。また、図7a、bには、入射角が0°の場合実線と、35°の場合破線の光透過特性が示されている。なお、入射角35°は、上記のように、取り込み角の範囲にある光線の、バンドパスフィルタ121aの入射面に対する入射角の最大値である。本実施の形態では、2つのバンドパスフィルタ121a、121bのそれぞれによって、図7a、bの特性に従って不要光が除去される。このため、取り込み角の範囲内にある光は、図7a、bの特性を合わせた図7cの光学特性によって、不要光が除去される。図7cにおいて、範囲Waは、2つのバンドパスフィルタ121a、121bによる透過率が入射角0°~35°の範囲において85以上となるときの通過波長帯域幅である。この場合、通過波長帯域は810~850nm程度であり、帯域幅Waは、40nm程度となる。なお、0°でのバンドパスフィルタの帯域幅Wa’は90nm程度である。このように、本実施の形態によれば、2つのバンドパスフィルタ121a、121bを組み合わせることで、入射角0°~35°の範囲において、狭帯域のフィルタ特性を実現することができる。したがって、本実施の形態によれば、撮像レンズ122の取り込み角の全範囲において、通過波長帯域を狭帯域に絞ることが可能となり、これにより、物体検出の精度を高めることができる。なお、2つのバンドパスフィルタ121a、121bには、比較的安価なバンドパスフィルタを用い得る。<変更例1>図6bは、変更例1に係る受光装置の構成を示す断面図である。同図は、本変更例の受光装置を図6aの場合と同様に切断したときの断面図である。図6b中、図6aと同一部分には同一符号が付されている。図6bにおいても、図6aと同様、図4のレンズホルダ12bが図示省略され、CMOSイメージセンサ124はカバーガラス124aのみが示されている。図示のとおり、本変更例では、一つのバンドパスフィルタ121cのみが用いられ、これに伴い、フィルタホルダ125aの形状が変更されている。また、撮像レンズ122を構成する3つのレンズのうち、最上段のレンズ122dが上記実施の形態から変更されている。フィルタホルダ125aは、円形の凹部を一つ備え、この凹部にバンドパスフィルタ121cが装着される。レンズ122dは、可視光を吸収する素材からなっている。たとえば、レンズ122dは、プラスチック材料に、メタクリル樹脂を主剤とする染料を混ぜた材料から形成される。可視光を吸収する染料であれば、他の染料がレンズ122dに混ぜ込まれても良い。レンズ122dのレンズ作用は、図6aのレンズ122aと同じである。図8aは、レンズ122dの光透過特性を示す図、図8bは、バンドパスフィルタ121cの光透過特性を示す図である。図8a、bにおいて、横軸は波長、縦軸は透過率である。また、図8a、bには、入射角が0°の場合実線と、35°の場合破線の光透過特性が示されている。なお、入射角35°は、上記実施の形態の場合と同様、撮像レンズ122の取り込み角の範囲にある光線の、バンドパスフィルタ121cの入射面に対する入射角の最大値である。図8aに示すように、レンズ122dの光透過特性は、入射角が0°と35°の場合で略同じであり、レンズ122dの光透過特性には、角度依存性が殆どない。本変更例では、バンドパスフィルタ121cとレンズ122dによって、それぞれ、図8a、bの特性に従って不要光が除去される。このため、取り込み角の範囲内にある光は、図8a、bの特性を合わせた図8cの光学特性によって、不要光が除去される。図8cにおいて、範囲Wbは、バンドパスフィルタ121cとレンズ122dとによる透過率が、入射角0°~35°の範囲において、85以上となるときの通過波長帯域幅である。この場合も、通過波長帯域は810~850nm程度であり、帯域幅Wbは、40nm程度となる。なお、0°でのバンドパスフィルタの帯域幅Wb’は90nm程度である。このように、本変更例によれば、バンドパスフィルタ121cとレンズ122dとを組み合わせることで、入射角0°~35°の範囲において、狭帯域のフィルタ特性を実現することができる。したがって、本実施の形態によれば、撮像レンズ122の取り込み角の全範囲において、通過波長帯域を狭帯域に絞ることが可能となり、これにより、物体検出の精度を高めることができる。なお、バンドパスフィルタ121cには、比較的安価なバンドパスフィルタを用い得る。また、レンズ122dに染料を混ぜ込んでも、レンズ122dのコストはそれ程上がらない。さらに、本変更例によれば、上記実施の形態に比べ、バンドパスフィルタを一つ省略できる。このため、部品点数を抑制できるとともに、撮像レンズ122の光軸方向における受光装置の寸法を小さくすることができる。すなわち、図6aでは、結像面Paからフィルタホルダ125の上端までの高さがHaであったが、本変更例では、結像面Pbからフィルタホルダ125の上端までの高さをHbに抑制することができる。なお、本変更例では、最上段のレンズ122dに、可視光吸収のための染料を混ぜ込んだが、最上段のレンズ122dに代えて、中段のレンズ122bまたは最下段のレンズ122cに可視光吸収のための染料を混ぜ込んでもよい。あるいは、3つのレンズ122d、122b、122cのうち何れか2つまたは全てに、可視光吸収のための染料を混ぜ込んでもよい。<変更例2>図6cは、変更例2に係る受光装置の構成を示す断面図である。同図は、本変更例の受光装置を図6aの場合と同様に切断したときの断面図である。図6c中、図6aと同一部分には同一符号が付されている。図6cにおいても、図6aと同様、図4のレンズホルダ12bが図示省略され、CMOSイメージセンサ124はカバーガラス124aのみが示されている。図示のとおり、本変更例では、図6aの撮像レンズ122が4つのレンズ122e~122hから構成され、鏡筒126aの形状が、図6aの鏡筒126から変更されている。さらに、図6aのフィルタホルダ125が省略され、一つのバンドパスフィルタ121dがレンズ122hとカバーガラス124aの間に配置されている。鏡筒126aは、下面が開放された円柱状の形状を有し、上面中央に、アパーチャとなる円形の穴126bが形成されている。穴126bの上面は、面取り加工が施されている。穴126bは、レンズ122eの光の取り込み角を規定する。鏡筒126a内の円形の凹部には、上から順に、レンズ122e、122f、122g、122hが収容され、レンズ122e、122fの間と、レンズ122f、122gの間に、それぞれ、スペーサ127a、127bが介挿されている。レンズ122e~122hの光軸は互いに一致し、また、この光軸は、穴126bの中心と、バンドパスフィルタ121dの中心と、CMOSイメージセンサ124の受光領域の中心を貫く。鏡筒126aが、図4のレンズホルダ12bに装着される。本変更例では、レンズ122e~122hの光軸を中心に、穴126bによって規定される取り込み角の範囲で光が取り込まれ、CMOSイメージセンサ124のカバーガラス124aへと導かれる。カバーガラス124aの下面側に示された実線は、レンズ122e~122hによる結像面Pcである。本変更例において、取り込み角の範囲にある光線の、レンズ122eの入射面に対する入射角の最大値は、上記実施の形態と同様、35°である。レンズ122hからカバーガラス124aに向かう光線のカバーガラス124aの入射面に対する入射角の最大値は20°であり、上記実施の形態よりも小さい。本変更例では、このようにカバーガラス124aに対する光線の最大入射角を小さくするために、4つのレンズ122e~122hを組み合わせて撮像レンズ122が構成されている。なお、本変更例では、結像面Pcが、上記実施の形態における結像面Pa図6a参照よりも広い。本変更例では、入射角や結像面の広さの変更に伴い、上記実施の形態とは異なるCMOSイメージセンサ124が用いられる。本変更例において、最上段のレンズ122eは、上記変更例1と同様、可視光を吸収するための染料がプラスチック材料に混ぜ込まれた素材となっている。また、バンドパスフィルタ121dは、入射角が0~20°の範囲で透過率が良好となる光透過特性を有する。図9aは、レンズ122eの光透過特性を示す図、図9bは、バンドパスフィルタ121dの光透過特性を示す図である。図9a、bにおいて、横軸は波長、縦軸は透過率である。図9aには、レンズ122eに対する光線の入射角が0°の場合実線と、35°の場合破線の光透過特性が示されている。ここで、入射角35°は、上記実施の形態の場合と同様、撮像レンズ122の取り込み角の範囲にある光線の、レンズ122eの入射面に対する入射角の最大値である。また、図9bには、バンドパスフィルタ121dに対する入射角が0°の場合実線と、20°の場合破線の光透過特性が示されている。ここで、入射角20°は、バンドパスフィルタ121dに入射する光線の入射角の最大値である。図9aに示すように、上記変更例1と同様、レンズ122eの光透過特性には、角度依存性が殆ど見られない。本変更例では、レンズ122eとバンドパスフィルタ121dによって、それぞれ、図9a、bの特性に従って不要光が除去される。このため、取り込み角の範囲内にある光は、図9a、bの特性を合わせた図9cの光学特性によって、不要光が除去される。図9cにおいて、範囲Wcは、レンズ122eとバンドパスフィルタ121dとによる透過率が、パスフィルタ121dに対する入射角が0°~20°の範囲において85以上となるときの通過波長帯域幅である。この場合、通過波長帯域は810~850nm程度であり、帯域幅Wcは、40nm程度となる。なお、0°でのバンドパスフィルタの帯域幅Wc’は50nm程度である。このように、本変更例によれば、レンズ122eとバンドパスフィルタ121dとを組み合わせることで、バンドパスフィルタ121dに対する入射角が0°~20°の範囲において、狭帯域のフィルタ特性を実現することができる。したがって、本実施の形態によれば、撮像レンズ122の取り込み角の全範囲において、通過波長帯域を狭帯域に絞ることが可能となり、これにより、物体検出の精度を高めることができる。なお、バンドパスフィルタ121eには、比較的安価なバンドパスフィルタを用い得る。また、レンズ122eに染料を混ぜ込んでも、レンズ122eのコストはそれ程上がらない。さらに、本変更例によれば、上記実施の形態に比べ、バンドパスフィルタを一つ省略できる。このため、部品点数を抑制できるとともに、撮像レンズ122の光軸方向における受光装置の寸法を小さくすることができる。すなわち、図6aでは、結像面Paからフィルタホルダ125の上端までの高さがHaであったが、本変更例では、結像面Pcからフィルタホルダ125の上端までの高さをHcに抑制することができる。加えて、本変更例によれば、バンドパスフィルタ121dに入射する光線の最大入射角が20°に抑えられているため、図9bに示すように、バンドパスフィルタ121dの波長830nm前後の通過波長帯域を狭めることができる。その結果、図9cに示すように、レンズ122eとバンドパスフィルタ121dとを組み合わせたときの帯域幅Wc’を、図7cおよび図8cの帯域幅Wa’およびWb’よりも顕著に狭めることができ、不要光の除去効果をさらに高めることができる。すなわち、帯域幅Wc’と通過波長帯域の帯域幅Wcとの間の差分の範囲は、本来であれば除去したい波長の範囲であり、この差分の範囲が広いほど、本来除去したい波長の不要光がレンズ122eとバンドパスフィルタ121dを透過する。本変更例では、帯域幅Wc’が、図7cおよび図8cの帯域幅Wa’およびWb’よりも顕著に狭いため、このような不要光を効果的に除去することができる。なお、通過波長帯域の帯域幅Wcは、レーザ光源111の温度変化等によるレーザ光の波長変動に対応可能な広さであれば良い。本変更例によれば、通過波長帯域の帯域幅Wcを、レーザ光の波長変動に対応可能な広さに絞ることが可能となる。なお、本変更例では、最上段のレンズ122eに、可視光吸収のための染料を混ぜ込んだが、最上段のレンズ122eに代えて、レンズ122f~122hの何れかに可視光吸収のための染料を混ぜ込んでもよい。あるいは、4つのレンズ122e~122hのうち何れか2つ、3つまたは全てに、可視光吸収のための染料を混ぜ込んでもよい。<他の変更例>図10a、bは、それぞれ、図6bに記載の変更例1に係る受光装置を、さらに変更した構成を示す断面図である。図10a、b中、図6bと同一部分には同一符号が付されている。図10aの変更例では、図6bの変更例1に比べ、最上段のレンズが上記実施の形態と同様のレンズ122aに戻され、レンズ122cとカバーガラス124aとの間に、光吸収板128が、レンズ122a~122cの光軸に垂直となるように配置されている。光吸収板128は、一定の厚みの平板形状を有し、プラスチック材料に可視光吸収のための染料が混ぜ込まれた材料から形成されている。光吸収板128は、たとえば、図8aと同様の光透過特性を有する。光吸収板128をこのように構成することにより、バンドパスフィルタ121cと光吸収板128とを組み合わせて、図8cと同様のフィルタ特性を実現でき、物体検出の精度を高めることができる。なお、光吸収板128に入射する光線の入射角の最大値は、上記のように、37°であり、バンドパスフィルタ121cにおける入射角の最大値である35°よりも大きい。しかしながら、光吸収板128には角度依存性がないため、このように光線の入射角の最大値が大きい位置に光吸収板128を配置しても、適切に、可視光を除去することができる。また、図10aの変更例では、別途、光吸収板128が配置されたが、光吸収板128を配置するのに代えて、たとえば、カバーガラス124aに可視光吸収のための染料を混ぜ込んでも良い。さらに、光吸収板128の配置位置を、バンドパスフィルタ121cの上面や、バンドパスフィルタ121cとレンズ122aの間など、他の位置に変更しても良く、光吸収板128をバンドパスフィルタ121cの上面または下面に貼り付けて、光吸収板128をバンドパスフィルタ121c一体化しても良い。次に、図10bの変更例では、図6bの変更例1に比べ、最上段のレンズが上記実施の形態と同様のレンズ122aに戻され、バンドパスフィルタ121cがバンドパスフィルタ121eに置き換えられている。図10bの右側に、バンドパスフィルタ121eの層構造が拡大されて示されている。図示のとおり、バンドパスフィルタ121eは、基板121e1の上に複数の誘電体膜が積層された誘電体層121e2が形成された構造を有する。基板121e1は、一定の厚みの平板形状を有し、プラスチック材料に可視光吸収のための染料が混ぜ込まれた材料から形成されている。染料は、上記実施の形態と同様、メタクリル樹脂を主剤とする染料が用いられ得る。このように、基板121e1に染料が混ぜ込まれていることを除けば、バンドパスフィルタ121eの構成は、変更例1に係るバンドパスフィルタ121cの構成と同じである。本変更例において、基板121e1は、たとえば、図8aと同様の光透過特性を有する。また、誘電体層121e2は、たとえば、図8bと同様の光透過特性を有する。基板121e1と誘電体層121e2をこのように構成することにより、基板121e1と誘電体層121e2とを組み合わせて、図8cと同様のフィルタ特性を実現でき、物体検出の精度を高めることができる。また、本変更例によれば、基板121e1に可視光吸収のための染料を混ぜ込む構成であるため、図10aの変更例にように別途光吸収板128を配置する場合に比べて、部品点数を削減でき、また、レンズ光軸方向の寸法を小さくすることができる。図10cは、図6cに記載の変更例2に係る受光装置を、さらに変更した構成を示す断面図である。図10c中、図6cと同一部分には同一符号が付されている。本変更例では、図6cの変更例2に比べ、最上段のレンズが上記実施の形態と同様のレンズ122aに戻され、バンドパスフィルタ121dがバンドパスフィルタ121fに置き換えられている。図10cの右側に、バンドパスフィルタ121fの層構造が拡大されて示されている。図示のとおり、バンドパスフィルタ121fは、基板121f1の上に複数の誘電体膜が積層された誘電体層121f2が形成された構造を有する。基板121f1は、一定の厚みの平板形状を有し、プラスチック材料に可視光吸収のための染料が混ぜ込まれた材料から形成されている。このように、基板121f1に染料が混ぜ込まれていることを除けば、バンドパスフィルタ121fの構成は、変更例2に係る図6cのバンドパスフィルタ121dの構成と同じである。本変更例において、基板121f1は、たとえば、図9aと同様の光透過特性を有する。また、誘電体層121f2は、たとえば、図9bと同様の光透過特性を有する。基板121f1と誘電体層121f2をこのように構成することにより、基板121f1と誘電体層121f2とを組み合わせて、図9cと同様のフィルタ特性を実現でき、物体検出の精度を高めることができる。以上、本発明の実施の形態および変更例について説明したが、本発明は、上記実施の形態および変更例に何ら制限されるものではなく、また、本発明の実施の形態も上記の他に種々の変更が可能である。たとえば、上記変更例では、レンズや光吸収板に混ぜ込む染料が、可視光を吸収するものとされたが、他の波長帯の光を吸収する光吸収材をレンズや光吸収板に混ぜ込むようにしても良い。すなわち、混ぜ込まれた光吸収材の透過波長特性とバンドパスフィルタの透過波長特性とを組み合わせるによって、レーザ光の波長帯を含む狭帯域の通過波長帯が実現できれば良い。また、上記実施の形態および変更例では、光検出器として、CMOSイメージセンサ124を用いたが、これに替えて、CCDイメージセンサを用いることもできる。また、上記実施の形態および変更例では、レーザ光源111とコリメータレンズ112をX軸方向に並べ、立ち上げミラー113でレーザ光の光軸をZ軸方向に折り曲げるようにしたが、レーザ光をZ軸方向に出射するようレーザ光源111を配置し、レーザ光源111と、コリメータレンズ112と、DOE114をZ軸方向に並べて配置するようにしても良い。この場合、立ち上げミラー113を省略できるが、投射光学系11の寸法がZ軸方向に大きくなる。また、上記のように実施の形態と種々の変更例について説明したが、これらは適宜組み合わせて実施することもできる。本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。