基板上に形成された、光電変換を行う受光部と、前記受光部上に形成され、複数の配線層を含む積層構造体と、前記積層構造体における前記受光部に対応する位置に形成された孔の側壁を覆う第1の膜と、前記第1の膜で囲まれた空間に埋め込まれた光透過性材料とを備え、前記空間は、光の入射方向から見た前記空間の径が前記孔の上部側から前記孔の底部側に向かって小さくなる順テーパー形状であって、前記第1の膜の屈折率は、前記光透過性材料の屈折率よりも低い固体撮像装置。前記第1の膜は、前記孔の側壁を覆うサイドウォール膜であり、前記光透過性材料は、光導波路である請求項1記載の固体撮像装置。前記積層構造体は、配線が形成される層間絶縁膜と、前記配線と前記層間絶縁膜とを覆う配線金属の拡散防止膜とを有する請求項2記載の固体撮像装置。前記光導波路の一部は、複数の前記配線の中で前記受光部上に最も大きく張り出す配線よりも光の入射側に位置されている請求項3記載の固体撮像装置。前記サイドウォール膜は、当該孔内に露出した、前記配線を覆っている請求項4記載の固体撮像装置。前記孔の側壁上には、前記層間絶縁膜よりも高屈折率の薄膜が形成され、前記サイドウォール膜は、前記薄膜を介して、前記孔の側壁を覆っている請求項3記載の固体撮像装置。前記光透過性材料の屈折率は、前記薄膜の屈折率よりも低い請求項6記載の固体撮像装置。前記サイドウォール膜は、前記光透過性材料の屈折率よりも低い屈折率を有する請求項2記載の固体撮像装置。前記サイドウォール膜は、前記層間絶縁膜の屈折率と実質的に同一の屈折率を有する請求項8記載の固体撮像装置。さらに、前記光導波路の上方に形成され、当該光導波路に光を集光させるレンズを備える請求項2記載の固体撮像装置。基板上に受光部を形成する工程と、前記受光部上に複数の配線層を含む積層構造体を形成する工程と、前記積層構造体における前記受光部に対応する位置に孔を形成する工程と、前記孔が形成された基板に第1の膜を成膜し、エッチバックすることによって、前記孔の側壁を覆い、前記孔の上部側から前記孔の底部側に向かって開口径が小さくなる前記第1の膜に囲まれた順テーパー形状の空間を形成する工程と、前記空間に光透過性材料を埋め込む工程とを含む固体撮像装置の製造方法。前記空間を形成する工程では、前記第1の膜として、前記孔の側壁を覆うサイドウォール膜を形成し、前記光透過性材料を埋め込む工程では、前記光透過性材料を埋め込むことで、光導波路を形成する請求項11記載の固体撮像装置の製造方法。前記積層構造体を形成する工程は、配線が形成される層間絶縁膜と、前記配線と前記層間絶縁膜とを覆う配線金属の拡散防止膜とを形成する工程を含む請求項12記載の固体撮像装置の製造方法。前記孔を形成する工程では、前記配線が前記孔に露出するように、前記孔を形成し、前記順テーパー形状の空間を形成する工程では、前記サイドウォール膜が前記配線を覆うように、前記空間を形成する請求項13記載の固体撮像装置の製造方法。さらに、前記孔を形成する工程と前記順テーパー形状の空間を形成する工程との間に、前記孔の側壁上に、前記層間絶縁膜よりも高屈折率の薄膜を形成する工程を含む請求項12記載の固体撮像装置の製造方法。このような集光効率を改善するために、順テーパー形状を形成する光導波路構造では、光導波路の形成のための開口つまり、孔は、受光部101上の絶縁膜105を加工するだけによって実現されている。具体的には、C4F8ガスに代表されるような堆積性の強いガスを用いたエッチングを実施することにより、比較的容易に光導波路構造の順テーパー形状化を実現し易い。しかし、一般的に、Cu等の金属多層配線の信頼性を向上するためや、配線用層間絶縁膜へのビア形成時のエッチングスットッパー膜として金属配線膜上にSiN膜などからなるライナー膜を形成するために、多層に渡ってテーパー形状の開口を形成することが困難である。つまり、光導波路加工つまり、光導波路の形成のための孔の加工では、配線用層間絶縁膜とライナー膜との選択比を考慮したエッチングを実施することが重要であり、上述した堆積性の強いガスを用いた場合、ライナー膜上にてエッチストップが発生する可能性が非常に高く、続けてライナー膜下の配線用層間絶縁膜のエッチングが不可能となり、順テーパー形状化が困難となる。また、エッチストップを回避できる状態であったとしても、配線用層間絶縁膜とライナー膜において、選択比の関係上、段差部ができてしまい、この段差部において光の乱反射を招く可能性がある。そこで、本発明は、複数の層間膜例えば、配線用層間絶縁膜と配線金属の拡散防止膜からなる積層構造体中に光導波路を有する固体撮像装置であって、集光効率を改善することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る固体撮像装置は、基板上に形成された、光電変換を行う受光部と、前記受光部上に形成され、複数の配線層を含む積層構造体と、前記積層構造体における前記受光部に対応する位置に形成された孔の側壁を覆う第1の膜と、前記第1の膜で囲まれた空間に埋め込まれた光透過性材料とを備え、前記空間は、光の入射方向から見た前記空間の径が前記孔の上部側から前記孔の底部側に向かって小さくなる順テーパー形状であって、前記第1の膜の屈折率は、前記光透過性材料の屈折率よりも低い。これにより、積層構造体における孔に、その側壁を覆うように第1の膜が形成され、その第1の膜で囲まれた空間に光透過性材料が埋め込まれているので、孔の側壁に段差部が形成された場合であっても第1の膜で覆われるので、段差部による光の乱反射が回避され、集光効率が改善される。よって、本発明の固体撮像装置によれば、複数の配線層を含む積層構造を有する固体撮像装置において、容易に順テーパー形状の光導波路構造の形成が可能であり、また、光導波路開口孔の形成時にアライメントズレ発生等で配線と接触した場合でも、第1の膜によって孔の側壁が覆われるので、配線での光ケラレ配線での光の反射による入射光量の減少の影響をなくす事ができ、高歩留りを確保できる。ここで、前記第1の膜は、前記孔の側壁を覆うサイドウォール膜であり、前記光透過性材料は、光導波路であってもよい。また、前記積層構造体は、配線が形成される層間絶縁膜と、前記配線と前記層間絶縁膜とを覆う配線金属の拡散防止膜とを有してもよい。また、前記光導波路の一部は、複数の前記配線の中で前記受光部上に最も大きく張り出す配線よりも光の入射側に位置されていてもよい。このとき、前記サイドウォール膜が当該孔内に露出した、前記配線を覆っている構成とすることで、孔内の段差部がサイドウォール膜で覆われ、光ケラレの発生が防止される。また、前記孔の側壁上には、前記層間絶縁膜よりも高屈折率の薄膜が形成され、前記サイドウォール膜が前記薄膜を介して、前記孔の側壁を覆っている構成としてもよい。このとき、前記光透過性材料の屈折率は、前記薄膜の屈折率よりも低いことが好ましい。これにより、孔の側壁に漏れ出た光は反射して光導波路に戻るので、入射光が光導波路内に閉じ込められることとなり、集光効率がさらに改善される。また、前記サイドウォール膜は、前記光透過性材料の屈折率よりも低い屈折率を有してもよいし、前記サイドウォール膜は、前記層間絶縁膜の屈折率と実質的に同一の屈折率を有してもよいし、さらに、前記光導波路の上方に形成され、当該光導波路に光を集光させるレンズを備えてもよい。これらの構成によっても、集光効率がさらに改善されるからである。また、上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る固体撮像装置の製造方法は、基板上に受光部を形成する工程と、前記受光部上に複数の配線層を含む積層構造体を形成する工程と、前記積層構造体における前記受光部に対応する位置に孔を形成する工程と、前記孔が形成された基板に第1の膜を成膜し、エッチバックすることによって、前記孔の側壁を覆い、前記孔の上部側から前記孔の底部側に向かって開口径が小さくなる前記第1の膜に囲まれた順テーパー形状の空間を形成する工程と、前記空間に光透過性材料を埋め込む工程とを含む。これにより、積層構造体における孔に、その側壁を覆うように第1の膜が形成され、その第1の膜で囲まれた孔の上部側から孔の底部側に向かって小さくなる順テーパー形状の空間に光透過性材料が埋め込まれているので、孔の側壁に段差部が形成された場合であっても第1の膜で覆われるので、段差部による光の乱反射が回避され、集光効率が改善される。つまり、本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、複数の配線層を含む積層構造を有する固体撮像装置において、容易に順テーパー形状の集光手段光導波路構造を形成することができ、高歩留りを確保できる。上記の本発明の固体撮像装置によれば、複数の層間膜からなる積層構造体中に光導波路を有する固体撮像装置であって、集光効率を改善することができる固体撮像装置およびその製造方法が提供される。よって、本発明は、デジタルスチルカメラ、デジタルムービー等の撮影装置が普及してきた今日における本発明の実用的価値は非常に高い。以下、本発明の固体撮像装置の実施形態について、図面を参照しながら説明する。まず、本発明の第1の実施形態における固体撮像装置について説明する。CMOS構造での1、4umセルサイズを例とした、本実施形態に関わる固体撮像装置の一例を説明する平面断面図を図1に、模式断面図を図2に示す。ここで、図1に示すX-X’線での模式断面図が図2に相当し、図2におけるX-X’線での模式断面図が図1に相当する。図2に示すように、ここで説明する固体撮像装置は、フォトダイオード等から構成される受光部1を備えた基板30上に、SiO2膜からなるゲート絶縁膜2、素子分離絶縁膜3、受光部1からの信号電荷の読み出しおよび転送に必要となるポリシリコン膜からなるゲート電極4、SiN膜からなる反射防止膜5がSiO2からなる層間絶縁膜6中に形成されている。層間絶縁膜6の上面側にSiN膜からなる第1Cu配線形成用のストッパー膜7以下、第1Cu配線形成用ストッパー膜7が形成され、その上面部にはSiO2膜からなる第1Cu配線用層間絶縁膜8が形成され、その第1Cu配線用層間絶縁膜8中に第1Cu配線9が形成されている。第1Cu配線用層間絶縁膜8上面部にはSiN膜からなる、第1Cu配線9のためのCu拡散防止膜である第1Cu拡散防止膜10が形成されており、その上面部にはSiO2膜からなる第2Cu配線用層間絶縁膜11が形成され、その第2Cu配線用層間絶縁膜11中に第2Cu配線12が形成されている。第2Cu配線用層間絶縁膜11の上面部にはSiN膜からなる第2Cu配線12のためのCu拡散防止膜である第2Cu拡散防止膜13が形成されている。さらに、層間絶縁膜6、第1Cu配線形成用ストッパー膜7、第1Cu配線用層間絶縁膜8、第2Cu配線用層間絶縁膜11、第1Cu拡散防止膜10、第2Cu拡散防止膜13から構成される積層構造体中の、受光部1に対応する箇所には、光入射端側の開口径が1μm程度の光透過性材料からなる光導波路14が形成されている。その光導波路14の外周部にSiN膜からなる50~100nm程度のパッシベーション膜15、さらには、膜厚より、厳密には、最も厚い箇所における膜厚100~300nm程度のSiO2膜からなるサイドウォール膜16が形成されている。光導波路14の上面部には平坦化膜17およびカラーフィルタ18を介してオンチップレンズ19が形成されている。ここで、光導波路14に埋め込まれている光透過性材料は、第1Cu配線用層間絶縁膜8または、第2Cu配線用層間絶縁膜11よりも屈折率が高い材料である。また、サイドウォール膜16は、導波路孔14aの側壁を覆う第1の膜の一例であり、ここでは、第1Cu配線用層間絶縁膜8または第2Cu配線用層間絶縁膜11と同一膜種、またはそれに近いつまり、実質的に同一の屈折率となる材料から形成されている。つまり、サイドウォール膜16の屈折率は、層間絶縁膜の屈折率と実質的に同一で、かつ、光導波路14に埋め込まれている光透過性材料の屈折率よりも低い。光導波路14は、この内側に入射した光を受光部1まで導くためのものである。本実施形態では、配線用層間絶縁膜とCu拡散防止膜とを含む積層構造体を備える固体撮像装置であっても、光導波路14は、導波路孔14aの側壁を覆うサイドウォール膜16で囲まれた空間に形成され、光導波路14の光入射端の口径よりも受光部側の口径が小さくなるような順テーパー形状となっているので、集光効率を改善し、混色を防止することが可能となる。つまり、本実施形態における固体撮像装置は、その要部として、基板30上に形成された光電変換を行う受光部1と、受光部1上に形成され、配線層第1Cu配線9、第2Cu配線12を含む複数の膜からなる積層構造体層間絶縁膜6、第1Cu配線形成用ストッパー膜7、第1Cu配線用層間絶縁膜8、第2Cu配線用層間絶縁膜11、第1Cu拡散防止膜10、第2Cu拡散防止膜13の少なくとも2つの層と、積層構造体における受光部1に対応する位置に形成された導波路孔14aの側壁を覆うサイドウォール膜16と、サイドウォール膜16で囲まれた空間に光透過性材料が埋め込まれて形成された光導波路14とを備え、光の入射方向から見た光導波路14の平面形状の大きさが当該光の入射側の面から受光部1側に向けて小さくなる順テーパー形状となっている。このような構造により、本実施形態における固体撮像装置では、単に積層構造体を開口させて光導波路を形成する従来の固体撮像装置と異なり、積層構造体を開口させて得られる導波路孔14aの側壁を覆うようにサイドウォール膜16を形成することによって光導波路14が形成されているので、光の乱反射を招く段差部を形成してしまうことなく、容易に、順テーパー形状の光導波路14が形成される。つまり、サイドウウォール膜となるSiO2膜を導波路孔14aが形成された積層構造体上に堆積することにより、導波路孔14a内の段差部を被覆し、その後、SiO2膜をエッチバックすることにより、受光部側の開口部を小さく、光入射側の開口部を大きくする順テーパー形状とすることが可能となる。なお、図1および図2では配線層が2層第1Cu配線9、第2Cu配線12の場合を例としているが、3層以上であっても本実施形態と同様にサイドウォール膜の形成が可能である。また、配線用の金属として、Cu以外の金属を用いてもよい。さらに、Cu拡散防止膜として、SiON膜などSiN膜以外の膜を用いてもよい。次に、本実施形態に関わる固体撮像装置の製造方法について図3~図11の模式断面図に沿って説明する。まず、図3に示したように、基板30上に受光部1およびSiO2膜からなる素子分離絶縁膜3を形成し、受光部1上に、SiO2膜からなるゲート絶縁膜2、ポリシリコンなどからなるゲート電極4、SiN膜などからなる反射防止膜5、および、層間絶縁膜6を形成する。ここで、反射防止膜5は、ゲート電極4の側壁部を覆うようにして形成されるLDDLightlyDopedDrain構造に使用されるSiN膜などを利用して形成され、その材料としては、高屈折率材料であることが望まれる。必要があれば、光の強度を上げるために、受光部1上面のみエッチングを実施することで、反射防止膜5の膜厚を20~60nm程度に調整する。次に、図4に示すように、SiO2などからなる層間絶縁膜6上に、SiN膜などの第1Cu配線形成用ストッパー膜7、SiO2などからなる第1Cu配線用層間絶縁膜8、第1Cu配線9、SiNなどからなる第1Cu拡散防止膜10が形成され、その上面部にSiO2などからなる第2Cu配線用層間絶縁膜11、第2Cu配線12、SiNなどからなる第2Cu拡散防止膜13が形成される。そして、図5に示すように、光導波路となる部分を通常のリソグラフィプロセスを用いて形成するために、第2Cu拡散防止膜13上に、マスクとなるレジスト21を、開口寸法が1μm程度となるようにパターニングする。ここで、この例における層間絶縁膜6は350nm、Cu配線用層間絶縁膜と拡散防止膜の膜厚については、第1Cu配線形成用ストッパー膜7が50nm、第1Cu配線用層間絶縁膜8が80nm、第1Cu拡散防止膜10が60nm、第2Cu配線用層間絶縁膜11が265nm、第2Cu拡散防止膜13が60nmとなっている。レジスト21のパターニング後は、図6に示したように、レジスト21をマスクとしてドライエッチングを行い、導波路孔14aを形成する。導波路開口導波路孔14aの形成のためのドライエッチングはRIEReactiveIonEtching法などによる異方性のエッチング条件を使用する。ここで、配線用層間絶縁膜とCu拡散防止膜の選択比制御が重要であり、C4F8系に代表される堆積性の強いガスを用いた場合は、Cu拡散防止膜でエッチストップする可能性が極めて高い。そのため、CF4あるいはCHF3などのガス系を用いてエッチングすることが望ましい。エッチングの条件の例としては、圧力は5パスカルPa程度、ガス系と流量はCF4CHF3/Ar/O2=50/1500/30sccm程度、下部バイアス値は2000ワットW程度を使用する。ここで、選択比の関係上、Cu拡散防止膜よりも配線用層間絶縁膜の方が10nm~30nm程度、導波路孔14aへの露出に対して後退した形状となる。導波路孔14aの形成後は、図7に示したように、導波路孔14aの底部を含む内壁および第2Cu拡散防止膜13の上面を覆うように高密度プラズマCVD法などによりパッシベーション膜15を膜厚50~100nm程度形成する。ここで、このパッシベーション膜15は、光の消衰係数が極めて小さく、光を導波路内に閉じ込めることが可能となるよう、配線用層間絶縁膜よりも屈折率の高いSiNなどの絶縁材料が望ましい。このように、導波路孔14aの側壁上には、配線用層間絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率をもつ薄膜であるパッシベーション膜15が形成される。そして、図8に示したように、パッシベーション膜15上に、高密度プラズマCVD法などによりSiO2膜16aを膜厚400~600nm程度形成し、図9に示したように、このSiO2膜16aを反射防止膜5とパッシベーション膜15をストッパー膜としてエッチバックしてサイドウォール膜16を形成する。このように、積層構造体における受光部1に対応する位置に形成された導波路孔14aの側壁を覆う厳密には、導波路孔14aの側壁上に形成されたパッシベーション膜15を介して導波路孔14aの側壁を覆うように、サイドウォール膜16が形成される。これにより、配線用層間絶縁膜と拡散防止膜の層間構造が段差構造となっていても、光の入射側の面から受光部側に向けて小さくなるような順テーパー形状となる導波路孔14bを形成することができる。ここで、サイドウォール膜16の膜厚より、厳密には、最も厚い箇所における膜厚は200nm程度であり、サイドウォール膜16の高さは800nm程度である。このサイドウォール膜16の膜厚と高さはエッチバックの条件とエッチバックの処理時間により、容易に調整可能である。また、サイドウォール膜16は第1Cu配線用層間絶縁膜8、および第2Cu配線用層間絶縁膜11と同一の膜種、またはそれに近いつまり、実質的に同一の屈折率となる材料を用いることが望ましい。次に、図10に示したように、導波路孔14bの内部に、高密度プラズマCVD法により、TiOxなどの光透過性材料を埋め込んだ後、エッチバック法またはCMPChemicalMechanicalPolishing:化学的機械的研磨法によって平坦化処理を促すことで光導波路14を形成する。ここで、光透過性材料としては、第1Cu配線用層間絶縁膜8第2Cu配線用層間絶縁膜11よりも高い屈折率となっており、かつ、導波路孔14aの側壁上に形成された薄膜であるパッシベーション膜15よりも低屈折率となっていることが望ましい。なお、光透過性材料として、SiN膜などの屈折率が1.9程度ある高屈折率材料を埋め込む場合は、パッシベーション膜15が無くても、第1Cu配線用層間絶縁膜8第2Cu配線用層間絶縁膜11と光透過性材料との屈折率差が大きいため、導波路内に光を閉じ込めることが可能となる。つまり、サイドウォール膜16の形成については、積層構造体における受光部1に対応する位置に形成された導波路孔14aの側壁を直接覆うように形成されてもよい。また、サイドウォール膜16の屈折率は、用いる光透過性材料の屈折率が十分に高ければ、必ずしも層間絶縁膜と同一である必要はなく、サイドウォール膜16として用いる材料は、屈折率が、層間絶縁膜よりも高く、光透過性材料よりも低い材料を用いればよい。その後は、図11に示すように、光導波路14の上面に従来における固体撮像装置の製造手順と同様の手順によって平坦化膜17、カラーフィルタ18、オンチップレンズ19を順に形成して、固体撮像装置を完成させる。このような第1の実施形態に関わる固体撮像装置では、光導波路14を形成するために配線用層間絶縁膜と配線金属の拡散防止膜の積層構造体を加工することが必要であっても、導波路孔14aの側壁にサイドウォール膜16を形成し、そのサイドウォール膜16で囲まれた空間に光透過性材料を埋め込むことで、容易に順テーパー形状の光導波路14を形成することが可能となり、入射光を受光部1へ効率よく導いて集光効率を向上させ、かつ混色を防止することができる。ここで、第1の実施形態の変形例として、サイドウォール膜16の形状については、本実施形態に記載の通りに限らず、エッチバックの条件により、その高さや膜厚を自由に変更してもよい。この変形例に関わる固体撮像装置を図12、図13に示す。エッチバックの処理時間を増加させた場合は、図11中に記載のサイドウォール膜16の高さaに対して、図12中に記載したa′で示したような3分の2から4分の3程度の高さに後退させることができる。ここで、サイドウォール膜の高さとしては、最上配線直下のライナー膜である第1Cu拡散防止膜10の位置よりも、導波路孔14aの開口側に近いことが望ましい。また、異方性エッチングの条件下でエッチバックの処理を実施した場合は、図11中に記載したサイドウォール膜16の膜厚bに対して図13中に記載したb′で示したような3分の1~3分の2程度の膜厚まで後退させることができる。このように、サイドウォール形状を変更させることで、オンチップレンズの形状や導波路の深さを変更しても、その構造に最適な集光構造となるようなテーパー形状を形成可能となる。次に、本発明に関わる固体撮像装置の第2の実施形態について説明する。第1の実施形態では、金属配線は導波路孔14aの外側に位置している構造となっているが、第2の実施形態では、導波路孔内部に配線層が露出していても、サイドウォール膜で配線層が完全に覆われている構造となっている。この第2の実施形態の製造方法について、図14~図19を用いて説明する。ここで、光透過性材料としては屈折率の高いSiN膜とし、配線層までの形成方法は第1の実施形態と同様であるため説明を省略する。図14に、第1の実施形態に関わる図3および図4に示される製法までと同様の製法で配線層まで形成した後、マスクとなるレジスト21を、開口寸法が1.1μm程度となるようにパターニングした図を示す。ここで、この開口寸法は、導波路孔の内部に最も突き出している配線本実施形態では第1Cu配線9間距離図14の距離Aと同等もしくは、100nm程度大きく形成されている。次に、図15に示したように第1の実施形態と同様の手法により導波路加工を実施し、導波路孔14aを形成する。ここで、第1Cu配線9は、導波路孔14aに向かって50nm程度突き出している構造となる。そして、図16に示すようにSiO2膜16aを膜厚400~600nm程度形成し、図17に示したように、このSiO2膜16aを、反射防止膜5と第2Cu拡散防止膜13をストッパー膜としてエッチバックしてサイドウォール膜16を形成する。このサイドウォール膜16により、第1Cu配線9は完全に覆われる構造となる。次に、図18に示したように、サイドウォール膜16で囲まれた空間に、光透過性材料としてSiN膜を埋め込んだ後、平坦化処理を実施することで光導波路14を形成する。これより後の工程の製法は、第1の実施形態と同様である。このように、第2の実施形態では、光導波路14の一部ここでは、第1Cu配線9よりも上層部分は、複数の配線の中で受光部1上に最も大きく張り出す配線ここでは、第1Cu配線9よりも光の入射側に位置されている。つまり、サイドウォール膜16は、導波路孔14aの形成後に当該導波路孔14a内に露出した配線ここでは、第1Cu配線9の一部露出部分を覆っている。この第2の実施形態によって、光導波路における光の入射側の開口径を第1の実施形態よりも大きくすることが可能であり、より多くの光を光導波路内に閉じ込め、受光部まで導くことが可能となる。さらに、本実施形態によれば、図18の平面断面図である図19に示されるように、第1の実施形態と同一の開口径の場合は、受光部を挟む配線間距離を縮小することができ、単位面積当たりの画素数を増加させることが可能となる。また、第1の実施形態において、導波路孔の開口時にアライメントズレの発生等で導波路孔の開口部と配線とが接触した平面的に位置が重なった場合でも、この第2の実施形態により、サイドウォール膜により配線層を覆うことができ、配線での光ケラレの影響や配線信頼性低下を防止する事ができる。なお、第1の実施形態の変形例は、第2の実施形態にも適用可能である。次に、本発明に関わる固体撮像装置の第3の実施形態について説明する。第1、第2の実施形態では、導波路加工を異方性エッチングのみで実施したが、第3の実施形態では、導波路孔の開口部をさらに拡大するために、第2配線用層間絶縁膜のみ等方性エッチングで加工する。この実施形態に関して図20~図24を用いて説明する。ここで、光透過性材料としては屈折率の高いSiN膜とし、配線層までの形成方法は第1の実施形態と同様であるため説明を省略する。まず、第1の実施形態に関わる図3および図4に示される製法までと同様の製法で配線層まで形成した後、マスクとなるレジスト21を、開口寸法が1μm程度となるようにパターニングした後、図20に示すように第2Cu拡散防止膜13と第2配線用層間絶縁膜11を等方性エッチングで加工を実施し、異方性エッチングと比較して開口上部の径が拡大する構造にする。ここで開口上部の径は1.2μm程度である。次に、図21に示すように、導波路が形成される領域の層間膜を加工し、導波路孔14aを形成する。このことにより、導波路孔14aの最上層部第2Cu配線に対応する領域の開口径が1.2μm程度、開口部の底部の開口径が1.0μm程度と、開口上部が拡大した導波路孔の構造を形成することができる。次に、図22に示すようにSiO2膜16aを堆積し、図23に示すように、このSiO2膜16aを、反射防止膜5をストッパー膜として、エッチバックすることでサイドウォール膜16を形成する。そして、図24に示したように、サイドウォール膜16で囲まれた空間に、光透過性材料としてSiN膜を埋め込んだ後、平坦化処理を実施することで最上層部の開口径が拡大した光導波路14を形成する。これより後の工程の製法は、第1の実施形態と同様である。また、レジストの開口部を拡大、あるいは、等方性エッチングのエッチング量を増加して、第2Cu配線用層間絶縁膜11に形成される開口部を拡大し、第2の実施形態と同様、導波路孔14aの形成後に当該導波路孔14a内に第1Cu配線の一部を露出する構造としてもよい。この第3の実施形態によって、光導波路における光の入射側の開口径を第1の実施形態よりも大きくすることが可能であり、実効的な開口率の拡大により集光量が増大し、第1の実施形態と比較して44程度の実効的な開口面積を拡大することができ、その結果、光感度を上昇させることができる。なお、第1~第3の実施形態および変形例における固体撮像装置は、図25aに示されるデジタルスチルカメラ、図25bに示されるデジタルムービー等の撮影装置カメラに適用できるのは言うまでもない。図26は、第1~第3の実施形態および変形例で説明した本発明に係る固体撮像装置201を備えるカメラ210の構成を示す機能ブロック図である。このカメラ210は、レンズ200と、固体撮像装置201と、駆動回路202と、信号処理部203と、外部インターフェイス部204とを備える。レンズ200を通過した光は、固体撮像装置201に入射する。信号処理部203は、駆動回路202を介して固体撮像装置201を駆動し、固体撮像装置201からの出力信号を取り込む。その出力信号は、信号処理部203で各種信号処理が施され、外部インターフェイス部204を介して外部に出力される。このようなカメラ210は、集光効率が改善された導波路構造を有する本発明に係る固体撮像装置201を備えるので、従来よりも、より小型で、高解像度で、高感度なカメラとして実現され得る。以上、本発明に係る固体撮像装置およびその製造方法について、第1~第3の実施形態および変形例を用いて説明したが、本発明は、これらの実施形態および変形例に限定されるものではない。本発明の主旨を逸脱しない範囲で、各実施形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、各実施形態および変形例の構成要素を任意に組み合わせて実現される形態も、本発明に含まれる。たとえば、上記に示した本発明の実施形態では、本発明をCMOS型の固体撮像装置を適用した場合を説明したが、本発明は、これに限定されるわけではなく、CCD型など他のタイプの固体撮像装置または固体撮像装置以外の装置に適用することも可能である。また、本発明の実施形態では、本発明をその好適な具体例により説明したが、本発明が、上述した実施形態に限定されないことは勿論である。特に、光導波路形状や多層配線構造等については一具体例に過ぎない。