"下記1~5の工程を有し、下記工程1~3を同一の研磨機で行い、下記工程5を前記研磨機とは別の研磨機で行う、磁気ディスク基板の製造方法。1アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、2工程1で得られた基板をリンス処理する工程、3シリカ粒子、含窒素化合物及び水を含有する研磨液組成物Bを工程2で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、4工程3で得られた基板を洗浄する工程、5シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程4で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。前記含窒素化合物が、脂肪族アミン化合物である、請求項1記載の磁気ディスク基板の製造方法。前記含窒素化合物が、窒素原子の数とヒドロキシ基の数との合計が2以上である、請求項1又は2に記載の磁気ディスク基板の製造方法。前記含窒素化合物が、窒素原子数2以上の多価アミン化合物である、請求項1から3のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。前記含窒素化合物が、窒素原子数20以下である、請求項1から4のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。前記含窒素化合物が、ヒドロキシ基数1以上である、請求項1から5のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。前記含窒素化合物が、エチルアミン、プロピルアミン、エタノールアミン、エチルメチルアミン、メチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、ジメチルエチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、N,N,N,N-テトラメチルエチレンジアミン、1,2-ジアミノプロパン、1,3-ジアミノプロパン、1,4-ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、3-ジエチルアミノプロピルアミン、3-ジブチルアミノプロピルアミン、3-メチルアミノプロピルアミン、3-ジメチルアミノプロピルアミン、N-アミノエチルエタノールアミン、N-アミノエチルイソプロパノールアミン、N-アミノエチル-N-メチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、及びポリエチレンイミンからなる群から選択される、請求項1に記載の磁気ディスク基板の製造方法。前記研磨液組成物Bにおける含窒素化合物の含有量が、0.0005~5重量以下である、請求項1から7のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。前記被研磨基板が、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板である、請求項1から8のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。下記1~5の工程を有し、下記工程1~3を同一の研磨機で行い、下記工程5を前記研磨機とは別の研磨機で行う、磁気ディスク基板の研磨方法。1アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、2工程1で得られた基板をリンス処理する工程、3シリカ粒子、含窒素化合物及び水を含有する研磨液組成物Bを工程2で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、4工程3で得られた基板を洗浄する工程、5シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程4で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。前記被研磨基板が、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板である、請求項10に記載の磁気ディスク基板の研磨方法。磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、磁気ディスク基板の製造工程において、アルミナ粒子の基板への残留をさらに低減することが求められている。そこで、本発明は、粗研磨工程における研磨速度を維持し、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減することができる磁気ディスク基板の製造方法を提供する。本発明は、一態様において、下記1~5の工程を有し、下記工程1~3を同一の研磨機で行い、下記工程5を前記研磨機とは別の研磨機で行う磁気ディスク基板の製造方法以下本発明の基板製造方法とも言う。に関する。1アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程以下工程1とも言う、2工程1で得られた基板をリンス処理する工程以下工程2とも言う、3シリカ粒子、含窒素化合物及び水を含有する研磨液組成物Bを工程2で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程以下工程3とも言う、4工程3で得られた基板を洗浄する工程以下工程4とも言う、5シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程4で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程以下工程5とも言う。本発明は、その他の態様において、下記1~5の工程を有し、下記工程1~3を同一の研磨機で行い、下記工程5を前記研磨機とは別の研磨機で行う磁気ディスク基板の研磨方法以下本発明の研磨方法とも言う。に関する。1アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、2工程1で得られた基板をリンス処理する工程、3シリカ粒子、含窒素化合物及び水を含有する研磨液組成物Bを工程2で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、4工程3で得られた基板を洗浄する工程、5シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程4で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。本発明によれば、粗研磨工程工程1~工程3における研磨速度を維持し、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程工程後の基板上の突起欠陥が低減され基板品質が向上した基板を生産性よく製造できるという効果が奏されうる。本発明は、粗研磨工程と仕上げ研磨工程とを含む磁気ディスク基板の製造方法において、前記粗研磨工程を、同一の研磨機において、アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを用いる第1の粗研磨と、第1の粗研磨後のリンス処理と、前記リンス処理後のシリカ粒子、含窒素化合物及び水を含有する研磨液組成物Bを用いる第2の粗研磨とをこの順で含む構成とすることにより、粗研磨工程における研磨速度が維持でき、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さりが低減するという知見に基づく。また、本発明は、前記粗研磨後の基板を洗浄した後に、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを用いる仕上げ研磨をすることにより、仕上げ研磨後の基板上の突起欠陥を低減できという知見に基づく。本明細書においてアルミナ突き刺さりとは、アルミナ粒子を研磨材として使用した研磨後の前記アルミナ粒子の基板への突き刺さりをいう。また、本明細書において突起欠陥とは、基板上にアルミナ突き刺さり等により残留するアルミナなどの研磨粒子や、研磨中に発生する研磨屑をいう。アルミナ突き刺さり数及び/又は突起欠陥数は、例えば、研磨後に得られる基板表面の顕微鏡観察、走査型電子顕微鏡観察、表面欠陥検査装置により評価することができる。本発明の基板製造方法を用いることにより粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さりが少なく、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を効果的に低減できる理由は、必ずしも明らかではないが、以下のように推定している。シリカ粒子を含有する研磨液組成物を用いた第2の粗研磨工程3において、研磨切削時の摩擦力が上昇する。このとき、基板に突き刺さったアルミナ粒子の効率的な引き抜きが起こる一方で、研磨パッドの凹部等に浮遊する残留アルミナが、シリカ粒子使用による摩擦力の上昇により新たなアルミナの突き刺さりを起こすと考えられる。しかし、本発明の基板製造方法では、第2の粗研磨工程3においてシリカ粒子と含窒素化合物とが併用されるから、含窒素化合物の基板や研磨パッド界面への吸着が起こり、摩擦振動が低減して適度な摩擦力がより均一に基板表面にかかるようになり局所的に高い摩擦力がかかることがなくなるため、研磨速度の低下を抑制し、基板への新たなアルミナ突き刺さり頻度が低減されると推定される。また、含窒素化合物が基板表面とアルミナ粒子に吸着することで基板とアルミナ粒子に正電荷を付与し、電荷反発により基板表面にアルミナ粒子が残留することを抑制しているものと推定される。このとき工程2の中間リンスによって工程3へのアルミナ粒子の持ち込み量を低減しておくことによって、含窒素化合物の残留アルミナ表面への吸着効率が向上し、工程開始時より工程での機械力によるアルミナ突き刺さりの頻度をより低減されると推定される。また、含窒素化合物がヒドロキシ基を有する場合、アルミナ粒子表面に吸着することにより、アルミナ粒子の分散性が向上し、更にアルミナの突き刺さりの頻度を減らし、本発明の効果を助長するものと推定している。さらに、粗研磨した基板の洗浄工程4後に工程5を行うことで、仕上げ研磨工程へのアルミナ粒子の持ち込み量が少なくなり、突起欠陥が低減されると推定される。但し、本発明はこれらのメカニズムに限定されない。以下に、本発明の基板製造方法を説明する。一般に、磁気ディスクは、精研削工程を経たガラス基板やNi-Pメッキ工程を経たアルミニウム合金基板を、粗研磨工程及び仕上げ研磨工程にて研磨した後、記録部形成工程にて磁気ディスク化することにより製造される。[被研磨基板]本発明の基板製造方法における被研磨基板は磁気ディスク基板又は磁気ディスク基板に用いられる基板であり、例えば、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられる。中でも、本発明で使用される被研磨基板としては、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板が好ましい。上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば2~95mm程度であり、その厚みは例えば0.5~2mm程度である。[工程1:第1の粗研磨]本発明の基板製造方法は、アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程工程1を有する。工程1で使用される研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。[工程2:中間リンス]粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、本発明の基板製造方法は、前記工程1の後に、同一の研磨機において、前記工程1で得られた基板をリンス処理する中間リンス処理工程工程2を有する。リンス処理に用いるリンス液としては、特に制限されないが、製造コストの点からは蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水が使用され得る。また、工程2は、生産性の観点から、前記工程1で使用した研磨機から被研磨基板を取り出すことなく、同じ研磨機内で行うことが好ましい。工程2は、具体的には、リンス液を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面をリンス処理することを含みうる。なお、工程1と3との間には後述する洗浄工程4のような洗浄工程は有さないことが好ましい。なお、本明細書においてリンス処理とは、基板表面に残留した砥粒、研磨屑を排出することを目的とした処理をいい、基板表面を平坦化するために、基板表面を溶解しながら砥粒で削る化学機械研磨研磨処理とは異なる処理をいう。[工程3:第2の粗研磨]本発明の基板製造方法は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、シリカ粒子、含窒素化合物及び水を含有する研磨液組成物Bを中間リンス処理工程2で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程工程3を有する。生産性向上の観点、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、工程1~3は、同一の研磨機で行う。[工程4:洗浄]本発明の基板製造方法は、工程3で得られた基板を洗浄する工程工程4を有する。工程4の洗浄は、前記粗研磨工程工程1~3が施された基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄することが好ましい。工程4における洗浄方法としては、例えば、a工程3で得られた基板を後述する洗浄剤組成物に浸漬する方法、及び/又は、b洗浄剤組成物を射出して前記基板の表面上に洗浄剤組成物を供給する方法が挙げられる。前記方法aにおいて、基板の洗浄剤組成物への浸漬条件としては、特に制限はないが、例えば、洗浄剤組成物の温度は、安全性及び操業性の観点から20~100°Cであると好ましく、20~60°Cであるとより好ましく、浸漬時間は、洗浄剤組成物による洗浄性と生産効率の観点から10秒~30分間であると好ましく、2~20分間であるとより好ましい。また、残留物の除去性及び残留物の分散性を高める観点から、洗浄剤組成物には超音波振動が付与されていると好ましい。超音波の周波数としては、好ましくは20~2000kHz、より好ましくは40~2000kHz、さらに好ましくは40~1500kHzである。前記方法bでは、残留物の洗浄性や油分の溶解性を促進させる観点から、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出して、基板の表面に洗浄剤組成物を接触させて当該表面を洗浄するか、又は、洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に射出により供給し、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。さらには、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出により洗浄対象の表面に供給し、かつ、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に供給する手段としては、スプレーノズル等の公知の手段を用いることができる。また、洗浄用ブラシとしては、特に制限はなく、例えばナイロンブラシやPVAポリビニルアルコールスポンジブラシ等の公知のものを使用することができる。超音波の周波数としては、前記方法aで好ましく採用される値と同様であればよい。工程4では、前記方法a及び/又は前記方法bに加えて、揺動洗浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄等の公知の洗浄を用いる工程を1つ以上含んでもよい。[工程5:仕上げ研磨]本発明の基板製造方法は、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程4で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程工程5を有する。工程5で使用される研磨機は、仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを防止する観点から、工程1~3で用いた研磨機とは別個の研磨機である。工程5で使用される研磨液組成物Cの供給速度、研磨液組成物Cを研磨機へ供給する方法は、後述する研磨液組成物Aの場合と同様とすることができる。本発明の基板製造方法は、前述の、第1の粗研磨工程1、中間リンス処理工程2、第2の粗研磨工程3、洗浄工程4、及び、仕上げ研磨工程5を含むことにより、粗研磨工程における研磨速度を維持し、粗研磨工程後の基板上のアルミナの突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥が低減した基板を製造することができる。[工程1~3の研磨パッド]工程1~3の粗研磨工程で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度向上の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。スエードタイプの研磨パッドは、ベース層とベース層に垂直な紡錘状気孔を有する発泡層から構成される。ベース層の材質としては、綿等の天然繊維や合成繊維からなる不織布、スチレンブタジエンゴム等のゴム状物質を充填して得られるベース層等があげられるが、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を効果的に低減する観点から、高硬度な樹脂フィルムが得られるポリエチレンテレフタレートPETフィルムやポリエステルフィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレートPETフィルムがより好ましい。また、発泡層の材質としては、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニルや、天然ゴム、合成ゴム等があげられるが、圧縮率等の物性のコントロール性や、研磨時の耐摩耗性向上の観点から、ポリウレタンエラストマーが好ましい。また、工程1~3で使用される研磨パッドの平均気孔径は、研磨速度向上の観点から、10~100μmが好ましく、より好ましくは20~80μm、さらに好ましくは30~60μm、さらにより好ましくは35~55μmである。[工程1における研磨荷重]本明細書において、研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。工程1における研磨荷重は、アルミナ突き刺さりを低減する観点から、25kPa以下が好ましく、より好ましくは20kPa以下、さらに好ましくは15kPa以下、さらにより好ましくは11kPa以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、3kPa以上が好ましく、より好ましくは5kPa以上、さらに好ましくは7kPa以上、さらにより好ましくは9kPa以上である。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨荷重は、好ましくは3~25kPa、より好ましくは5~20kPa、さらに好ましくは7~15kPa、さらにより好ましくは9~11kPaである。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。[工程1における研磨量]工程1における、被研磨基板の単位面積1cm2あたりの研磨量は、メッキ欠陥を低減する観点、基板表面のうねりを低減する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.4mg以上が好ましく、より好ましくは0.6mg以上、さらに好ましくは0.8mg以上である。一方、生産性向上の観点、ロールオフ低減の観点からは、2.6mg以下が好ましく、より好ましくは2.1mg以下、さらに好ましくは1.7mg以下である。したがって、前記研磨量は、前述の観点から、好ましくは0.4~2.6mg、より好ましくは0.6~2.1mg、さらに好ましくは0.8~1.7mgである。[研磨液組成物Aの供給速度]工程1における研磨液組成物Aの供給速度は、コスト低減の観点から、被研磨基板1cm2あたり0.25mL/分以下が好ましく、0.2mL/分以下がより好ましく、0.15mL/分以下がさらに好ましい。また、前記供給速度は、研磨速度の向上の観点から、被研磨基板1cm2あたり0.01mL/分以上が好ましく、0.025mL/分以上がより好ましく、0.05mL/分以上がさらに好ましい。したがって、前記供給速度は、被研磨基板1cm2あたり0.01~0.25mL/分が好ましく、0.025~0.2mL/分がより好ましく、0.05~0.15mL/分がさらに好ましい。研磨液組成物Aを研磨機へ供給する方法研磨液組成物Aを研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物Aを研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ1液で供給する方法の他、研磨液組成物Aの保存安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、2液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、研磨液組成物Aとなる。[工程2における研磨荷重]工程2における研磨荷重は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、25kPa以下が好ましく、より好ましくは20kPa以下、さらに好ましくは15kPa以下、さらにより好ましくは11kPa以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、3kPa以上が好ましく、より好ましくは5kPa以上、さらに好ましくは7kPa以上、さらにより好ましくは9kPa以上である。したがって、前記研磨荷重は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは3~25kPa、より好ましくは5~20kPa、さらに好ましくは7~15kPa、さらにより好ましくは9~11kPaである。研磨荷重を上記範囲内に設定することでアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。[工程2におけるリンス液の供給速度]工程2におけるリンス液の供給速度は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、被研磨基板1cm2あたり0.25~4mL/分が好ましく、より好ましくは0.8~2.5mL/分、さらに好ましくは1~2mL/分である。また、工程2におけるリンス液の供給時間は、同様の観点から、5~60秒が好ましく、より好ましくは7~30秒、さらに好ましくは10~20秒である。なお、工程2におけるリンス液を研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Aを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。[工程3における研磨荷重]工程3における研磨荷重は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、25kPa以下が好ましく、より好ましくは20kPa以下、さらに好ましくは15kPa以下、さらにより好ましくは11kPa以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、3kPa以上が好ましく、より好ましくは5kPa以上、さらに好ましくは7kPa以上、さらにより好ましくは9kPa以上である。したがって、前記研磨荷重は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは3~25kPa、より好ましくは5~20kPa、さらに好ましくは7~15kPa、さらにより好ましくは9~11kPaである。研磨荷重を上記範囲内に設定することでアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。[工程3における研磨量]工程3における、被研磨基板の単位面積1cm2あたりの研磨量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.0004mg以上が好ましく、より好ましくは0.004mg以上、さらに好ましくは0.01mg以上である。一方、生産性向上の観点から、好ましくは0.85mg以下、より好ましくは0.43mg以下、さらに好ましくは0.26mg以下である。したがって、前記研磨量は、前述の観点から、好ましくは0.0004~0.85mg、より好ましくは0.004~0.43mg、さらに好ましくは0.01~0.26mg、さらにより好ましくは0.01~0.1mgである。[研磨液組成物Bの供給速度]工程3における研磨液組成物Bの供給速度は、前述の研磨液組成物Aの供給速度と同様に行うことができる。研磨液組成物Bを研磨機へ供給する方法研磨液組成物Bを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Aを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。研磨液組成物Bは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さりを低減する観点から、研磨液組成物Aを供給する供給手段とは異なる供給手段から供給することが好ましい。[工程5の研磨パッド]工程5で使用される研磨パッドは、工程1~3で使用される研磨パッドと同種の研磨パッドが使用されうる。工程5で使用される研磨パッドの平均気孔径は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥、スクラッチ及び表面粗さを低減する観点から、1~50μmが好ましく、より好ましくは2~40μm、さらに好ましくは3~30μm、さらにより好ましくは3~10μmである。[工程5における研磨荷重]工程5における研磨荷重は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、25kPa以下が好ましく、より好ましくは20kPa以下、さらに好ましくは15kPa以下、さらに好ましくは11kPa以下である。また、前記研磨荷重は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び仕上げ研磨の研磨速度の向上の観点から、3kPa以上が好ましく、より好ましくは5kPa以上、さらに好ましくは7kPa以上、さらにより好ましくは9kPa以上である。したがって、前記研磨荷重は、3~25kPaが好ましく、より好ましくは5~20kPa、さらに好ましくは7~15kPa、さらに好ましくは9~11kPaである。[工程5における研磨量]工程5における、被研磨基板の単位面積1cm2あたりの研磨量は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.085mg以上が好ましく、より好ましくは0.13mg以上、さらに好ましくは0.17mg以上である。また、生産性向上の観点からは、0.85mg以下が好ましく、より好ましくは0.6mg以下、さらに好ましくは0.43mg以下である。したがって、前記研磨量は、前記と同様の観点から、0.085~0.85mgが好ましく、より好ましくは0.13~0.6mg、さらに好ましくは0.17~0.43mgである。[研磨液組成物Cの供給速度]工程5における研磨液組成物Cの供給速度は、前述の研磨液組成物Aの供給速度と同様に行うことができる。研磨液組成物Cを研磨機へ供給する方法研磨液組成物Cを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Aを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。[研磨液組成物A]工程1で使用される研磨液組成物Aは、研磨速度の向上の観点から、アルミナ粒子を含有する。[アルミナ粒子]前記アルミナ粒子としては、αアルミナ、中間アルミナ、アモルファスアルミナ、ヒュームドアルミナ等が挙げられるが、研磨速度向上の観点からは、αアルミナが好ましく、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥低減の観点、表面粗さ及び基板表面のうねり低減の観点からは、中間アルミナが好ましい。アルミナ粒子の平均二次粒子径は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、0.1~0.8μmが好ましく、より好ましくは0.15~0.75μm、さらに好ましくは0.2~0.7μmであり、さらに研磨速度向上の観点から、0.20~0.50μmが好ましく、より好ましくは0.20~0.40μmである。また、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.40~0.70μmがより好ましく、さらに好ましくは0.50~0.70μmである。該平均二次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。研磨液組成物Aにおけるアルミナ粒子の含有量は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.01~30重量が好ましく、より好ましくは0.05~20重量、さらに好ましくは01~15重量、さらにより好ましくは1~10重量、さらにより好ましくは2~6重量である。また、研磨液組成物Aに含まれる研磨材全体に占めるアルミナ粒子の含有量は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、5重量以上が好ましく、30重量以上がより好ましく、50重量以上がさらに好ましい。αアルミナ本明細書において、αアルミナとは、X線回折により結晶中にαアルミナ特有の構造が認められる結晶性アルミナ粒子の総称である。αアルミナ特有の構造は、例えば、X線回折スペクトルにおける2θ領域35.1~35.3°104面、43.2~43.4°、57.4~57.6°などに頂点があるピークの有無により確認できる。なお、本明細書では特に指示しない限り、αアルミナ特有ピークというときは104面のピークを意味する。前記αアルミナのα化率は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、50~99であることが好ましく、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、より好ましくは70~97、さらに好ましくは80~97であり、研磨速度を維持する観点から、50~80がより好ましく、60~70がさらに好ましい。ここで、α化率とは、WA-1000α化率99.9のαアルミナ、昭和電工社製を用いたX線回折法における2θ=35.1~35.3°由来の104面のピーク面積を99.9とした場合におけるαアルミナ特有ピークの相対面積の数値をいい、具体的には、実施例に記載の方法により求めることができる。なお、α化率が前記範囲内のαアルミナを複数種混合して使用してもよい。αアルミナの平均二次粒子径は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.1~0.8μmが好ましく、より好ましくは0.15~0.75μm、さらに好ましくは0.2~0.7μmであり、さらに粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.40~0.70μmが好ましく、0.50~0.70μmがより好ましい。また、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点から、0.20~0.50μmがさらに好ましく、0.20~0.40μmがさらにより好ましい。該平均二次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。研磨液組成物Aにおけるαアルミナの含有量は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.01~30重量が好ましく、より好ましくは0.05~20重量、さらに好ましくは01~15重量、さらにより好ましくは1~10重量、さらにより好ましくは1.5~4重量である。中間アルミナ研磨液組成物Aは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、基板表面のうねり及び表面粗さ低減の観点から、中間アルミナを含有することが好ましい。中間アルミナとは、αアルミナ以外の結晶性アルミナ粒子の総称であり、具体的にはγアルミナ、δアルミナ、θアルミナ、ηアルミナ、κアルミナ、及びこれらの混合物等が挙げられる。中間アルミナの中でも、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、基板表面のうねり及び表面粗さ低減の観点から、γアルミナ、δアルミナ、θアルミナ及びこれらの混合物が好ましく、より好ましくはγアルミナ及びθアルミナ、さらに好ましくはθアルミナである。中間アルミナの平均二次粒子径は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、基板表面のうねり及び表面粗さ低減の観点から、0.01~0.6μmが好ましく、より好ましくは0.05~0.5μm、さらに好ましくは0.1~0.4μm、さらにより好ましくは0.12~0.3μm、さらにより好ましくは0.12~0.2μmである。なお、該平均二次粒子径は、前述のαアルミナの場合と同様の方法により求めることができる。また、研磨液組成物Aにおける中間アルミナの含有量は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.001~27重量が好ましく、より好ましくは0.01~15重量、さらに好ましくは0.1~10重量、さらにより好ましくは0.2~5重量、さらにより好ましくは0.5~2重量である。研磨液組成物Aは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、基板表面のうねり及び表面粗さ低減の観点から、アルミナ粒子として、αアルミナと中間アルミナとを含有することが好ましく、αアルミナとθアルミナとを含有することがより好ましい。αアルミナと中間アルミナとを使用する場合、αアルミナと中間アルミナの重量比αアルミナの重量/中間アルミナの重量は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、基板表面のうねり及び表面粗さ低減の観点から、90/10~10/90が好ましく、より好ましくは85/15~40/60、さらに好ましくは85/15~50/50、さらにより好ましくは85/15~60/40、さらにより好ましくは85/15~70/30、さらにより好ましくは85/15~75/25である。[酸]研磨液組成物Aは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、酸を含有することが好ましい。研磨液組成物Aにおける酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。使用される酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、2-アミノエチルホスホン酸、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、エタン-1,1,-ジホスホン酸、エタン-1,1,2-トリホスホン酸、エタン-1-ヒドロキシ-1,1-ジホスホン酸、エタン-1-ヒドロキシ-1,1,2-トリホスホン酸、エタン-1,2-ジカルボキシ-1,2-ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2-ホスホノブタン-1,2-ジカルボン酸、1-ホスホノブタン-2,3,4-トリカルボン酸、α-メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、リン酸、硫酸、クエン酸、酒石酸、マレイン酸、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及びそれらの塩がより好ましい。これらの酸及びその塩は単独で又は2種以上を混合して用いてもよいが、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、2種以上を混合して用いることが好ましく、リン酸、硫酸、クエン酸、酒石酸及び1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸からなる群から選択される2種以上の酸を混合して用いることがさらに好ましい。これらの酸の塩を用いる場合は、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期律表長周期型1A、1B、2A、2B、3A、3B、4A、6A、7A又は8族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、1A族に属する金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。研磨液組成物A中における前記酸の含有量は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、0.001~5重量が好ましく、より好ましくは0.01~4重量、さらに好ましくは0.05~3重量、さらにより好ましくは0.1~2重量である。[酸化剤]前記研磨液組成物Aは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。酸化剤としては、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄III、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄III及び硫酸アンモニウム鉄III等が好ましく、研磨速度向上の観点、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から、過酸化水素がより好ましい。これらの酸化剤は、単独で又は2種以上を混合して使用してもよい。研磨液組成物A中における前記酸化剤の含有量は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、好ましくは0.01重量以上、より好ましくは0.05重量以上、さらに好ましくは0.1重量以上であり、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、好ましくは4重量以下、より好ましくは2重量以下、さらに好ましくは1.5重量以下、さらにより好ましくは1重量以下である。従って、表面品質を保ちつつ研磨速度を向上させるためには、上記含有量は、好ましくは0.01~4重量、より好ましくは0.05~2重量、さらに好ましくは0.1~1.5重量、さらにより好ましくは0.1~1重量である。[水]研磨液組成物Aは、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。研磨液組成物A中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いが容易になるため、55~99重量が好ましく、より好ましくは70~98重量、さらに好ましくは80~97重量、さらにより好ましくは85~97重量である。[その他の成分]研磨液組成物Aには、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、シリカ粒子、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、カチオン性重合体及びその他の高分子化合物等が挙げられる。研磨液組成物Aは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、さらにシリカ粒子を含有することが好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられる。中でも、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、コロイダルシリカが好ましい。シリカ粒子としては、シリカ粒子の平均一次粒子径D50が5~120nm程度、標準偏差が8~80nm程度のものが好ましく使用できる。研磨液組成物Aは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、カチオン性重合体を含有することが好ましく、例えば、ジアリルアミン重合体、ポリエチレンイミン等が挙げられる。また、本発明で用いられるカチオン性重合体は水溶性であり、ここで水溶性とは、20°Cの水100gに対する溶解度が2g以上であることをいう。研磨液組成物A中のこれら他の任意成分の含有量は、本発明の効果を損なわない範囲で配合されることが好ましく、0~10重量が好ましく、0~5重量がより好ましい。[研磨液組成物AのpH]前記研磨液組成物AのpHは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、前述の酸や公知のpH調整剤を用いて、pH1.0~6.0に調整することが好ましく、より好ましくはpH1.0~4.0、さらに好ましくはpH1.0~3.0、さらにより好ましくはpH1.0~2.0である。なお、上記のpHは、25°Cにおける研磨液組成物のpHであり、pHメータを用いて測定でき、電極の浸漬後40分後の数値である。[研磨液組成物Aの調製方法]研磨液組成物Aは、例えば、アルミナ粒子及び水と、さらに所望により、酸化剤、酸及び他の成分とを公知の方法で混合することにより調製できる。シリカ粒子を混合する場合、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。その他の態様として、研磨液組成物Aを濃縮物として調製してもよい。前記混合は、特に制限されず、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。[研磨液組成物B]工程3で使用される研磨液組成物Bは、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、シリカ粒子及び含窒素化合物を含有する。使用されるシリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられる。中でも、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、コロイダルシリカが好ましい。[シリカ粒子]研磨液組成物Bに用いられるシリカ粒子の平均一次粒子径D50は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは5~120nmであり、より好ましくは10~100nm、さらに好ましくは15~100nmである。研磨速度を維持する観点から、50~90nmがさらに好ましく、70~90nmがさらにより好ましい。また、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、10~50nmがさらに好ましく、10~30nmがさらにより好ましい。シリカ粒子の平均一次粒子径D50が前記範囲内であると、研磨切削時の摩擦力が上昇して、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。また、研磨液組成物Bに用いられるシリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは8~100nm、より好ましくは10~90nmである。研磨速度を維持する観点から、50~80nmがさらに好ましく、60~80nmがさらにより好ましい。また、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、10~50nmがさらに好ましく、10~30nmがさらにより好ましい。一次粒子径の標準偏差が前記範囲内であると、研磨切削時の摩擦力がさらに向上して、工程で突き刺さったアルミナ粒子の効率的な引き抜きが起こり、アルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。なお、該標準偏差は実施例に記載の方法により求めることができる。研磨液組成物Bに用いられるシリカ粒子の一次粒子径D10は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは1~50nm、より好ましくは5~45nmである。研磨速度を維持する観点から、20~45nmがさらに好ましく、30~45nmがさらにより好ましい。また、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、10~30nmがさらに好ましく、10~20nmがさらにより好ましい。なお、該一次粒子径D10は、実施例に記載の方法により求めることができる。研磨液組成物Bに用いられるシリカ粒子の一次粒子径D90は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは10~150nm、より好ましくは15~140nmである。研磨速度を維持する観点から、50~140nmがさらに好ましく、100~130nmがさらにより好ましい。また、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、15~50nmがさらに好ましく、15~30nmがさらにより好ましい。なお、該一次粒子径D90は、実施例に記載の方法により求めることができる。研磨液組成物Bに含まれるシリカ粒子の含有量は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.3重量以上が好ましく、0.5重量以上がより好ましく、1重量以上がさらに好ましく、2重量以上がさらにより好ましい。また、該含有量は、経済性の観点から、20重量以下が好ましく、15重量以下がより好ましく、10重量以下がさらに好ましく、6重量以下がさらにより好ましい。したがって、シリカ粒子の含有量は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに経済性の観点から、0.3~20重量が好ましく、0.5~15重量がより好ましく、1~10重量がさらに好ましく、2~6重量がさらにより好ましい。また、研磨液組成物Bに含まれる研磨材全体に占めるシリカ粒子の含有量は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、60重量以上が好ましく、80重量以上がより好ましく、90重量以上がさらに好ましく、100重量がさらにより好ましい。なお、研磨液組成物Bに含まれる研磨材全体に占めるアルミナ粒子の含有量は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、40重量以下が好ましく、より好ましくは20重量以下、さらに好ましくは10重量以下、さらにより好ましくは5重量以下、さらにより好ましくは実質的にアルミナ粒子を含有しない。含窒素化合物研磨液組成物Bに使用される含窒素化合物は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、水溶液中で正電荷を有することが好ましい。前記正電荷が、基板表面及びアルミナ粒子に吸着して保護膜を形成し、アルミナの再付着を防止すると考えられる。本明細書において、含窒素化合物は、脂肪族アミン化合物を含む。前記脂肪族アミン化合物は、脂肪族第一級アミン化合物RNH2で表わされるもの;例えば、エチルアミン、プロピルアミン、エタノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミンなど、脂肪族第二級アミン化合物R2NHで表わされるもの;例えば、エチルメチルアミン、メチルエタノールアミン、ジエタノールアミンなど、及び脂肪族第三級アミン化合物R3Nで表わされるもの;例えば、ジメチルエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミンなどを含みうる。また、本明細書において脂肪族アミン化合物は、好ましい一態様において、鎖式化合物である。前記含窒素化合物における窒素原子Nの数は、1以上であって、臭気及び/又は沸点を考慮した作業性の観点、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、2以上が好ましい。また、同様の観点及び研磨速度維持の観点から、窒素原子Nの数は、20以下が好ましく、より好ましくは14以下、さらに好ましくは5以下、さらにより好ましくは4以下、さらにより好ましくは3以下、さらにより好ましくは2以下である。よって、前記含窒素化合物における窒素原子Nの数は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、1~20が好ましく、より好ましくは1~14、さらに好ましくは2~14、さらにより好ましくは2~5、さらにより好ましくは2~4、さらにより好ましくは2~3、さらにより好ましくは2である。前記含窒素化合物は、臭気及び/又は沸点を考慮した作業性の観点から、ヒドロキシ基を有することが好ましい。前記含窒素化合物の窒素原子数が1又は2、より好ましくは1のとき、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点から、ヒドロキシ基の数は、5以下が好ましく、3以下がより好ましく、2以下がさらに好ましく、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、1以上が好ましく、2以上がより好ましい。したがって、前記含窒素化合物の窒素原子数が1又は2、好ましくは1のとき、ヒドロキシ基の数は、臭気及び/又は沸点を考慮した作業性の観点、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、1~5が好ましく、1~3がより好ましく、2~3がさらに好ましく、2がさらにより好ましい。前記含窒素化合物が窒素原子とヒドロキシ基の両方を有するとき、窒素原子とヒドロキシ基の合計の個数は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、2~10個が好ましく、より好ましくは2~5個、さらに好ましくは2~4個、さらにより好ましくは3~4個、さらにより好ましくは3個である。研磨液組成物Bに使用される含窒素化合物は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、エチルアミン、プロピルアミン、エタノールアミン、エチルメチルアミン、メチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、ジメチルエチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、N,N,N,N-テトラメチルエチレンジアミン、1,2-ジアミノプロパン、1,3-ジアミノプロパン、1,4-ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、3-ジエチルアミノプロピルアミン、3-ジブチルアミノプロピルアミン、3-メチルアミノプロピルアミン、3-ジメチルアミノプロピルアミン、N-アミノエチルエタノールアミン、N-アミノエチルイソプロパノールアミン、N-アミノエチル-N-メチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、及びポリエチレンイミンが挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、エチルアミン、トリメチルアミン、エタノールアミン、メチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、N,N,N,N-テトラメチルエチレンジアミン、1,2-ジアミノプロパン、1,3-ジアミノプロパン、1,4-ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、3-ジエチルアミノプロピルアミン、3-ジブチルアミノプロピルアミン、3-メチルアミノプロピルアミン、3-ジメチルアミノプロピルアミン、N-アミノエチルエタノールアミン、N-アミノエチルイソプロパノールアミン、N-アミノエチル-N-メチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、及びポリエチレンイミンがより好ましく、エチルアミン、トリメチルアミン、エタノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、N-アミノエチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、及びポリエチレンイミンがさらに好ましく、さらに粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに、臭気及び/又は沸点を考慮した作業性の観点から、エタノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、N-アミノエチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、及びポリエチレンイミンがさらにより好ましく、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、N-アミノエチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミンがさらにより好ましく、エチレンジアミン、N-アミノエチルエタノールアミン、ジエチレントリアミンがさらにより好ましく、N-アミノエチルエタノールアミンがさらにより好ましい。なお、含窒素化合物は、1種でも、2種以上を使用してもよい。研磨液組成物Bにおける含窒素化合物の含有量は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.0005重量以上が好ましく、より好ましくは0.001重量以上、さらに好ましくは0.002重量以上、さらにより好ましくは0.008重量以上であり、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点から、5重量以下が好ましく、より好ましくは1重量以下、さらに好ましくは0.2重量以下、さらにより好ましくは0.08重量以下、さらにより好ましくは0.03重量以下である。したがって、研磨液組成物Bにおける含窒素化合物の含有量は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.0005~5重量が好ましく、より好ましくは0.001~1重量、さらに好ましくは0.002~0.2重量、さらにより好ましくは0.008~0.08重量、さらにより好ましくは0.008~0.03重量である。また、研磨液組成物Bにおける、シリカ粒子と含窒素化合物との含有量比[シリカ粒子の含有量重量/含窒素化合物の含有量重量]は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.1~5000が好ましく、より好ましくは1~4000、さらに好ましくは5~1000、さらにより好ましくは50~600、さらにより好ましくは100~500、さらにより好ましくは200~400である。研磨液組成物Bは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、酸、酸化剤を含有することが好ましい。好ましい酸、酸化剤については、前述の研磨液組成物Aの場合と同様である。また、研磨液組成物Bに用いられる水、研磨液組成物BのpH、研磨液組成物Bの調製方法についても、前述の研磨液組成物Aの場合と同様である。[その他の成分]また、研磨液組成物Bは、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、さらに、複素環化合物、及びアニオン性基を有する高分子から選ばれる1種以上を含有することが好ましい。なお、本明細書において、複素環化合物は、脂肪族複素環化合物例えば、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体など及び芳香族複素環化合物を含み、前記芳香族複素環化合物として、五員芳香族複素環化合物例えば、イミダゾール、イミダゾリン、ピラゾール及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体など、六員芳香族複素環化合物例えば、ピリジン、ピリダジン及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体など、及び、多環芳香族複素環化合物例えば、ベンゾトリアゾール及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体などを含みうる。[研磨液組成物C]工程5で使用される研磨液組成物Cは、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び研磨速度向上の観点から、シリカ粒子を含有する。使用されるシリカ粒子は、研磨液組成物Bで使用されるシリカ粒子と同様であり、好ましくはコロイダルシリカである。また、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、アルミナ粒子を含有しないことが好ましい。研磨液組成物Cに用いられるシリカ粒子の平均一次粒子径D50は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、5~60nmが好ましく、より好ましくは10~50nm、さらに好ましくは15~45nm、さらにより好ましくは20~40nmである。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。また、シリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、5~50nmが好ましく、より好ましくは8~40nm、さらに好ましくは10~30nm、さらにより好ましくは15~25nmである。なお、該標準偏差は実施例に記載の方法により求めることができる。シリカ粒子の一次粒子径D10は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは5~50nm、より好ましくは10~45nm、さらに好ましくは15~40nm、さらにより好ましくは20~35nmである。なお、該一次粒子径D10は、実施例に記載の方法により求めることができる。シリカ粒子の一次粒子径D90は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは10~100nm、より好ましくは20~80nm、さらに好ましくは25~60nm、さらにより好ましくは30~50nmである。なお、該一次粒子径D90は、実施例に記載の方法により求めることができる。研磨液組成物Cに含まれるシリカ粒子の含有量は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、0.5~20重量が好ましく、1~15重量がより好ましく、2~13重量がさらに好ましく、3~7重量がさらにより好ましい。研磨液組成物Cは、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、複素環芳香族化合物、多価アミン化合物、及びアニオン性基を有する高分子から選ばれる1種以上を含有することが好ましく、2種以上含有することがより好ましく、複素環芳香族化合物、多価アミン化合物、及びアニオン性基を有する高分子を含有することがさらに好ましい。研磨液組成物Cは、研磨速度を向上する観点から、酸、酸化剤を含有することが好ましい。酸、酸化剤の好ましい使用態様については、前述の研磨液組成物Aの場合と同様である。また、研磨液組成物Cに用いられる水、研磨液組成物CのpH、研磨液組成物Cの調製方法については、前述の研磨液組成物Aの場合と同様である。[洗浄剤組成物]工程4の洗浄では、洗浄剤組成物を用いることが好ましい。前記洗浄剤組成物としては、アルカリ剤、水、及び必要に応じて各種添加剤を含有するものが使用できる。アルカリ剤前記洗浄剤組成物で使用されるアルカリ剤は、無機アルカリ剤及び有機アルカリ剤のうちのいずれであってもよい。無機アルカリ剤としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウム等が挙げられる。有機アルカリ剤としては、例えば、ヒドロキシアルキルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びコリンからなる群より選ばれる一種以上が挙げられる。これらのアルカリ剤は、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。洗浄剤組成物の基板上の残留物の分散性の向上、保存安定性の向上の観点から、前記アルカリ剤としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、及びアミノエチルエタノールアミンからなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましく、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群から選ばれる少なくとも1種がより好ましい。洗浄剤組成物中におけるアルカリ剤の含有量は、洗浄剤組成物の基板上の残留物に対する高い洗浄性を発現させ、かつ、取扱時の安全性を高める観点から、0.05~10重量であると好ましく、0.1~3重量であるとより好ましい。洗浄剤組成物のpHは、基板上の残留物の分散性を向上させる観点から、8~13であることが好ましく、より好ましくは9~13、さらに好ましくは10~13、さらにより好ましくは11~13である。なお、上記のpHは、25°Cにおける洗浄剤組成物のpHであり、pHメータ東亜電波工業株式会社、HM-30Gを用いて測定でき、電極の洗浄剤組成物への浸漬後40分後の数値である。各種添加剤前記洗浄剤組成物には、アルカリ剤以外に、非イオン界面活性剤、キレート剤、エーテルカルボキシレートもしくは脂肪酸、アニオン性界面活性剤、水溶性高分子、消泡剤成分に該当する界面活性剤は除く。、アルコール類、防腐剤、酸化防止剤等が含まれていていても良い。前記洗浄剤組成物に含まれる水以外の成分の含有量は、基板上の残留物の分散性の向上及び、濃縮時使用時の保存安定性の向上の観点から、水の含有量と水以外の成分の含有量の合計を100重量とすると、好ましくは10~60重量であり、より好ましくは15~50重量であり、さらに好ましくは15~40重量である。前記洗浄剤組成物は、希釈して用いられる。希釈倍率は、洗浄効率を考慮すると、好ましくは10~500倍、より好ましくは20~200倍、さらに好ましくは50~100倍である。希釈用の水は、前述の研磨液組成物と同様のものでよい。本発明の基板製造方法によれば、粗研磨工程における研磨速度を維持し、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥が低減された磁気ディスク基板を提供できるため、高度の表面平滑性が要求される垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板の研磨に好適に用いることができる。[研磨方法]本発明は、その他の態様として、上述した工程1、工程2、工程3、工程4及び工程5を有する研磨方法に関する。本発明の研磨方法における被研磨基板、研磨パッド、研磨液組成物A~Cの組成、リンスの方法、洗浄剤組成物、並びに、研磨の方法及び条件については、上述の本発明の基板製造方法と同様とすることができる。本発明の研磨方法を使用することにより、粗研磨工程における研磨速度を維持し、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥が低減して品質が向上した磁気ディスク基板、特に垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板が好ましくは提供される。本発明の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板や磁気記録用媒体の基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。本発明は、さらにその他の態様として、下記1~5の工程を有し、下記工程1~3を同一の研磨機で行い、下記工程5を前記研磨機とは別の研磨機で行う磁気ディスク基板の研磨方法に関する。1アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、2工程1で得られた基板をリンス処理する工程、3シリカ粒子、含窒素化合物及び水を含有する研磨液組成物Bを工程2で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、4工程3で得られた基板を洗浄する工程、5シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程4で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。本態様の研磨方法によれば、粗研磨工程における研磨速度を維持し、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥が低減された基板を効率的に製造することができ、製品歩留まりの低下を抑制して基板品質が向上した磁気ディスク基板を生産性よく製造できるという効果が奏されうる。下記のとおりに研磨液組成物A、B及びCを調製し、下記の条件で工程1~5を含む被研磨基板の研磨を行った。研磨液組成物の調製方法、使用した添加剤、各パラメーターの測定方法、研磨条件研磨方法及び評価方法は以下のとおりである。1.研磨液組成物A~Cの調製研磨液組成物Aの調製下記表1に示すアルミナ粒子を含むアルミナ砥粒A又はB、クエン酸、硫酸、過酸化水素、水、並びに、場合によって下記表2に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒b、及び、下記表3の添加剤7を用いて研磨液組成物Aを調製した下記表4。研磨液組成物Aにおける各成分の含有量は、アルミナ粒子4.0重量、クエン酸0.3重量、硫酸0.4重量、過酸化水素0.6重量であり、研磨液組成物AのpHは1.4であった。比較例2において、さらにコロイダルシリカ粒子を4.0重量とし、添加剤7を0.05重量とした。なお、上記のpHは、25°Cにおける研磨液組成物のpHであり、pHメータ東亜電波工業株式会社、HM-30Gを用い、電極の浸漬後40分後の数値である以下同様。研磨液組成物Bの調製下記表2に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒a又はb、下記表3の含窒素化合物である添加剤1~12のいずれか、硫酸、過酸化水素、及び水を用い、研磨液組成物Bを調製した下記表4。研磨液組成物Bにおける各成分の含有量は、コロイダルシリカ粒子4.0重量、硫酸0.2重量、過酸化水素0.1重量とした。また、添加剤は実施例1~14、参考例2で0.05重量とし、実施例15から19で、それぞれ、0.001重量、0.005重量、0.01重量、0.10重量、1.00重量とした。参考例1、3及び4、比較例1及び2では添加剤は使用しなかった。なお、研磨液組成物BのpHは1.6であった。研磨液組成物Cの調製下記表2に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒c、硫酸、過酸化水素、及び水研磨液組成物Cを調製した。研磨液組成物Cにおける各成分の含有量は、コロイダルシリカ粒子5.1重量、硫酸0.5重量、過酸化水素0.3重量であり、研磨液組成物CのpHは1.3であった。2.各パラメーターの測定方法[アルミナ粒子の平均二次粒子径の測定]0.5ポイズ530花王社製;特殊ポリカルボン酸型高分子界面活性剤水溶液を分散媒として、下記測定装置内に投入し、続いて透過率が75~95になるようにサンプルを投入し、その後、5分間超音波を掛けた後、粒径を測定した。測定機器:堀場製作所製レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置LA920循環強度:4超音波強度:4アルミナのα化率の測定方法アルミナスラリー20gを105°Cで5時間乾燥させ、得られた乾燥物を乳鉢で解砕して粉末X線回折用サンプルを得た。各サンプルを粉末X線回折法にて分析し、104面におけるピーク面積を比較した。粉末X線回折法による測定条件は下記のとおりとした。測定条件;装置:株リガク製、粉末X線解析装置RINT2500VCX線発生電圧:40kV放射線:Cu-Kα1線λ=0.154050nm電流:120mAScanSpeed:10度/分測定ステップ:0.02度/分α化率=αアルミナ特有ピーク面積÷WA-1000のピーク面積×100また、各ピークの面積は、得られた粉末X線回折スペクトルから、粉末X線回折装置付属の粉末X線回折パターン総合解析ソフトJADEMDI社を用いて算出した。上記ソフトによる算出処理は、上記ソフトの取扱説明書JadeVer.5ソフトウェア、取扱説明書ManualNo.MJ13133E02、理学電機株式会社に基づいて算出した。なお、WA-1000はα化率99.9のα-アルミナ昭和電工社製である。[シリカ粒子の平均一次粒子径及び一次粒子径の標準偏差の測定]シリカ粒子を日本電子製透過型電子顕微鏡TEM商品名JEM2000FX、80kV、1~5万倍で観察した写真をパソコンにスキャナで画像データとして取込み、解析ソフトWinROOF販売元:三谷商事を用いて1000個以上のシリカ粒子データについて1個1個のシリカ粒子の円相当径を求め、それを直径とし、表計算ソフトEXCELマイクロソフト社製にて、体積基準の粒径の標準偏差標本標準偏差を得た。また、前記表計算ソフトEXCELにて、粒子直径から粒子体積に換算して得られるシリカ粒子の粒径分布データに基づき、全粒子中における、ある粒径の粒子の割合体積基準を小粒径側からの累積頻度として表し、累積体積頻度を得た。得られたシリカ粒子の粒径及び累積体積頻度データに基づき、粒径に対して累積体積頻度をプロットすることにより、粒径対累積体積頻度グラフが得られる。前記グラフにおいて、小粒径側からの累積体積頻度が50となる粒径をシリカ粒子の平均一次粒子径D50とした。また、小粒径側からの累積体積頻度が10となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径D10とし、小粒径側からの累積体積頻度が90となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径D90とした。3.研磨条件[被研磨基板]被研磨基板は、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚み1.27mm、直径95mm中心部直径25mmの穴あきドーナツ型であった。[被研磨基板の研磨]工程1~5を含む被研磨基板の研磨を行った。各工程の条件を以下に示す。なお、工程1~3を同一の研磨機で行い、工程5を前記研磨機とは別個の研磨機で行った。[工程1:第1の粗研磨]研磨機:両面研磨機9B型両面研磨機、スピードファム社製研磨パッド:スエードタイプ発泡層:ポリウレタンエラストマー、厚み1.0mm、平均気孔径43μmFILWEL社製定盤回転数:45rpm研磨荷重:9.8kPa設定値研磨液供給量:100mL/分研磨量:1.0~1.2mg/cm2投入した基板の枚数:10枚両面研磨[工程2:中間リンス]リンス条件:研磨機及び研磨パッド:工程1と同じ定盤回転数:45rpm研磨荷重:9.8kPa設定値イオン交換水供給量:2L/分で10秒間[工程3:第2の粗研磨]研磨機及び研磨パッド:工程1と同じ定盤回転数:45rpm研磨荷重:9.8kPa設定値研磨液供給量:100mL/分研磨量:0.02~0.04mg/cm2リンス条件:定盤回転数:20rpm研磨荷重:1.4kPaイオン交換水供給量:2L/分で15秒間[工程4:洗浄]工程3で得られた基板を、下記条件で洗浄した。1.0.1重量のKOH水溶液からなるpH12のアルカリ性洗浄剤組成物の入った槽内に、工程3で得られた基板を5分間浸漬する。2.浸漬後の基板を、イオン交換水で20秒間すすぎを行う。3.すすぎ後の基板を洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニットに移送し洗浄する。[工程5:仕上げ研磨]研磨機:両面研磨機9B型両面研磨機、スピードファム社製、工程1~3で使用した研磨機とは別個の研磨機研磨パッド:スエードタイプ発泡層:ポリウレタンエラストマー、厚み1.0mm、平均気孔径5μmFILWEL社製定盤回転数:40rpm研磨荷重:9.8kPa研磨液供給量:100mL/分研磨量:0.2~0.3mg/cm2投入した基板の枚数:10枚両面研磨工程5後に、リンス及び洗浄を行った。リンスは、前記工程3と同条件で行い、洗浄は前記工程4と同条件で行った。4.評価方法[洗浄工程4後のアルミナ突き刺さりの評価方法]測定機器:OSA7100KLATencor社製評価:洗浄工程4で得られた基板を、研磨量0.05mg/cm2とした以外は、工程5と同一の条件にて、研磨液組成物Cを用いて研磨を行い、リンス及び洗浄を行った後、無作為に4枚を選択し、各々の基板を10000rpmにてレーザーを照射してアルミナ突き刺さり数を測定した。その4枚の基板の各々両面にあるアルミナ突き刺さり数個の合計を8で除して、基板面当たりのアルミナ突き刺さり数個を算出した。その結果を、下記表4に、参考例4を100とした相対値として示す。なお、リンス条件は、前記工程3における条件と同様であり、洗浄条件は、前記工程4と同条件で行った。[仕上げ研磨工程5後の突起欠陥数の評価方法]測定機器:OSA7100KLATencor社製評価:仕上げ研磨工程5の後に、前記工程4と同じ条件でスクラブ洗浄を行った基板のうち、無作為に4枚を選択し、各々の基板を8000rpmにてレーザーを照射して突起欠陥数を測定した。その4枚の基板の各々両面にある突起欠陥数個の合計を8で除して、基板面当たりの突起欠陥数を算出した。その結果を、下記表4に、参考例1を100とした相対値として示す。[研磨速度の測定方法]粗研磨工程工程1~工程3全体の研磨前後工程1の前と工程3の後の各基板の重さを重量計Sartorius社製BP-210Sを用いて測定し、各基板の重量変化を求め、10枚の平均値を重量減少量とし、それを研磨時間で割った値を重量減少速度とした。この重量減少速度を下記の式に導入し、研磨速度μm/minに変換した工程1~工程全体の平均研磨速度。その結果を、下記表4に、参考例1を100とした相対値として示す。なお、相対値70以上では充分に研磨できるレベルにあり、研磨速度を維持できているといえる。研磨速度μm/min=重量減少速度g/min/基板片面面積mm2/Ni-Pメッキ密度g/cm3×106基板片面面積:6597mm2、Ni-Pメッキ密度:7.99g/cm3として算出[作業性臭気の評価方法]工程3で用いる添加剤のアミン臭を、研磨作業を行う研究員による官能評価により、以下の評価基準に従って研磨作業を行いながら評価した。その結果を下記表4に示す。なお、官能評価を行った研究員は、当該研磨剤並びに研磨方法の開発を3年以上の経験を有する研究員であった。評価基準A:アミン臭をほとんど感じないB:アミン臭を感じる前記表4に示すとおり、研磨液組成物Bに含窒素化合物を含み、かつ、前記工程1~5を行った実施例1~19は、参考例1と比べ、工程4後粗研磨終了後の基板上のアルミナ突き刺さり、及び、工程5後仕上げ研磨終了後の基板上の突起欠陥が低減されることが示された。また、工程1~工程3を行わず、研磨組成物Aと研磨組成物Bを一括添加した比較例2では、研磨速度を著しく低下させ、さらに仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減することはできなかった。また、実生産においては、仕上げ研磨後、突起欠陥が多い場合には、磁気ディスク用基板として用いることができないため、再研磨又は廃棄されることから、本発明の仕上げ研磨後の突起欠陥数を低減する効果は基板収率の向上を期待することができる。"