レーザ光生成システムと、前記レーザ光生成システムから出力される少なくとも1つのレーザ光の光強度および出力タイミングの少なくともいずれか一方を制御するレーザ制御システムと、前記レーザ光生成システムから出力される前記少なくとも1つのレーザ光を内部に導入するための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、を備える極端紫外光生成装置。前記ターゲット物質は、ドロップレットの形状で前記所定の領域に供給される、請求項1記載の極端紫外光生成装置。前記レーザ光生成システムは、第1のレーザ装置を含み、前記第1のレーザ装置は、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に照射される第1のプリパルスレーザ光を出力する、請求項1記載の極端紫外光生成装置。前記第1のレーザ装置はYAGレーザ装置を含む、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記第1のレーザ装置はファイバレーザ装置含む、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記第1のレーザ装置はチタンサファイアレーザ装置を含む、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザ光の光路上には、偏光子が設けられ、前記偏光子を透過した前記第1のプリパルスレーザ光の偏光状態は、前記第1のプリパルスレーザ光に含まれる互いに垂直な第1および第2の偏光成分の光強度をそれぞれI1およびI2として、式R=|I1-I2|/|I1I2|×100で定義される値Rの最大値が0以上30未満となるような偏光状態に変更される、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記偏光子を透過した第1のプリパルスレーザ光の偏光状態は、円偏光に変更される、請求項7記載の極端紫外光生成装置。前記偏光子を透過した第1のプリパルスレーザ光の偏光状態は、ラジアル偏光に変更される、請求項7記載の極端紫外光生成装置。前記偏光子を透過した第1のプリパルスレーザ光の偏光状態は、前記第1のプリパルスレーザ光のビーム軸に対して軸対称性を有する偏光状態に変更される、請求項7記載の極端紫外光生成装置。前記レーザ光生成システムは、第2のレーザ装置をさらに含み、前記第2のレーザ装置は、前記第1のプリパルスレーザ光が照射された前記ターゲット物質に照射される第1のメインパルスレーザ光を出力する、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記第2のレーザ装置はCO2レーザ装置を含む、請求項11記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザ光の波長は前記第1のメインパルスレーザ光の波長よりも短い、請求項11記載の極端紫外光生成装置。前記レーザ制御システムは、前記第1のメインパルスレーザ光の出力タイミングを、前記第1のプリパルスレーザ光が前記ターゲット物質に照射される時点から0.3~3μSの範囲内のタイミングに制御する、請求項11記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザ光が照射された前記ターゲット物質の形状は、円盤状および皿状のいずれかである、請求項14記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザ光が照射された前記ターゲット物質の形状は、前記第1のプリパルスレーザ光の進行方向における長さが、前記第1のプリパルスレーザ光の進行方向に垂直な方向における長さよりも短い形状である、請求項15記載の極端紫外光生成装置。前記第1のメインパルスレーザ光は、前記第1のプリパルスレーザ光と略同一方向から前記ターゲット物質を照射する、請求項11記載の極端紫外光生成装置。前記第1のメインパルスレーザ光の、該第1のメインパルスレーザ光が前記ターゲット物質に照射される時点でのビーム断面の面積は、前記ターゲット物質の前記第1のメインパルスレーザ光の進行方向に垂直な面における断面の最大面積以上である、請求項17記載の極端紫外光生成装置。前記ターゲット物質は、ドロップレットの形状で前記所定の領域に供給され、前記ドロップレットの直径は12μm以上、40μm以下であり、前記レーザ制御システムは、前記第1のプリパルスレーザ光の光強度を6.4×109W/cm2以上、3.2×1010W/cm2以下に制御し、前記レーザ制御システムは、前記第1のメインパルスレーザ光の出力タイミングを、前記第1のプリパルスレーザ光が前記ドロップレットに照射される時点から0.5μS~2μSの範囲内のタイミングに制御する、請求項11記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザ光が照射された前記ターゲット物質の形状は、前記第1のプリパルスレーザ光のビーム軸に対して略軸対称であり、且つ実質的に環状である、請求項19記載の極端紫外光生成装置。前記レーザ光生成システムは、第3のレーザ装置をさらに含み、前記第3のレーザ装置は、前記第1のプリパルスレーザ光が照射された前記ターゲット物質に照射される第2のプリパルスレーザ光および前記第2のプリパルスレーザ光が照射された前記ターゲット物質に照射される第2のメインパルスレーザ光を出力する、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記第3のレーザ装置はCO2レーザ装置を含む、請求項21記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザ光の波長は、前記第2のプリパルスレーザ光の波長よりも短い、請求項21記載の極端紫外光生成装置。前記第2のプリパルスレーザ光および前記第2のメインパルスレーザ光は、前記第1のプリパルスレーザ光と略同一方向から前記ターゲット物質を照射する、請求項21記載の極端紫外光生成装置。前記第2のメインパルスレーザ光の、該第2のメインパルスレーザ光が前記ターゲット物質に照射される時点でのビーム断面の面積は、前記ターゲット物質の前記第2のメインパルスレーザ光の進行方向に垂直な面における断面の最大面積以上である、請求項24記載の極端紫外光生成装置。レーザ光生成システムと、前記レーザ光生成システムから出力される少なくとも1つのレーザ光のフルーエンスを制御するレーザ制御システムと、前記レーザ光生成システムから出力される前記少なくとも1つのレーザ光を内部に導入するための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、を備える極端紫外光生成装置。レーザ光生成システム、レーザ制御システム、チャンバおよびターゲット供給部を備える極端紫外光生成装置において、極端紫外光を生成する方法であって、前記チャンバ内にターゲット物質をドロップレットの形状で供給することと、前記ドロップレットに前記レーザ光生成システムから出力されるプリパルスレーザ光を照射することと、前記ドロップレットに前記プリパルスレーザ光が照射された時点から所定時間経過後、前記プリパルスレーザ光が照射された前記ドロップレットに、前記レーザ光生成システムから出力されるメインパルスレーザ光を照射することと、を含む、方法。前記所定時間は0.5μS~3μSの範囲内である、請求項27記載の方法。