"二枚のレーザーミラー1,3によって境界が付けられる活性増幅領域2を有する面発光レーザーダイオードであって、前記活性増幅領域2と反対側の少なくとも一枚の前記レーザーミラー1,3の側に位置する領域における偏光を安定させるよう一枚以上の偏光選択層4が設けられ、前記層4は各前記ミラー1,3に対して平行に延在し偏光依存屈折率および/または吸収性を有することを特徴とする、面発光レーザーダイオード。偏光選択層4は前記ミラー1,3の1つに直接的に適用されることを特徴とする、請求項1に記載の面発光レーザーダイオード。複数枚の偏光選択層4a、4bはそれぞれ、偏光配向に関して90°交互に回転され、反射位相は、一つの偏光について、位置する側では前記レーザーミラー3の反射位相と同じであり、他方の偏光について反対であることを特徴とする、請求項1または2に記載の面発光レーザーダイオード。各前記レーザーミラー1,3から離れた側にある前記複数枚の偏光選択層4,4a,4bは、特に酸化アルミニウムまたは窒化ケイ素よりなる等方性層5によって後続され、加えて、前記層5の厚さは特に、該層5におけるレーザー光の波長の半分に対応することを特徴とする、請求項1乃至3のうちいずれか一項に記載の面発光レーザーダイオード。前記偏光選択層4,4a,4bは、シリコン等の誘電体よりなり、レーザーミラー1,3への斜角蒸着によって特に生成されることを特徴とする、請求項1乃至4のうちいずれか一項に記載の面発光レーザーダイオード。本発明の目的は、従来技術における上述の不都合な点を克服し、特に、製造技術がより簡単な偏光安定性面発光レーザーダイオードを提供することである。本発明は、比較的簡単かつ効果的な技術を用いて誘電体レーザーミラーにおいて光学複屈折性を生成し、それにより、二つの面内偏光のうちの一方を優先させる偏光依存反射性を得ることでVCSELにおける偏光選択や安定性の問題を解決している。この目的のために、公開明細書、国際公開第WO2007/057807A2号における公知の配置とは対照的に、偏光依存屈折率を有する一枚以上の層が一方のあるいは両方のレーザーミラーの外側に適用される。本発明による面発光レーザーダイオードは、二枚のレーザーミラーによって境界が付けられる活性増幅領域を備え、活性増幅領域と反対側の少なくとも一枚のレーザーミラーの側に位置する領域における偏光を安定させるよう一枚以上の偏光選択層が設けられ、これらの層がそれぞれのミラーに対して平行に延在し偏光依存屈折率および/または吸収性を有する。このようにして、レーザー波長が偏光安定性とは独立して調節されることが確実となり得て、層における損失はレーザー閾値に対して事実上何の影響もない。レーザーミラーに対する偏光依存層の生成および適用は、たとえば、シリコン等の誘電体を斜角蒸着することで比較的簡単に行われる。本発明は、したがって、偏光安定性面発光レーザーダイオードに対する提案された解決策を提供する。この考え方は、層の偏光依存屈折率により、偏光の方向に依存して異なる反射率を有する光学的に異方性の誘電体ミラーを使用することに基づいている。異方性は、たとえば、ミラーの一枚以上の誘電体層を斜角蒸着することで発生される。本発明によるミラー構造により、高い偏光モード/サイドモード抑制のある決定的かつ安定的な偏光特性を得ることが可能となり、偏光がフィードバックについて影響を受けにくいことを確実にする。偏光選択層がレーザーミラーの1つの上に直接的に適用された場合は、生産工程で有利である。特に、レーザーミラーの外側には複数枚の偏光選択層が設けられ、偏光選択層それぞれは偏光配向に関して90°交互に回転され、それらの反射位相は、一つの偏光について、偏光選択層が位置するレーザーミラーの側ではレーザーミラーの反射位相と同じであり、他方の偏光については反対である。好ましい偏光におけるレーザー波長の四分の一に対応する層厚さを選択することが特に有利である。このような構成およびその利点のより詳細な説明は、以下に実施形態において記載する。各レーザーミラーから離れた側にある一枚あるいは複数枚の偏光選択層が特に酸化アルミニウムまたは窒化ケイ素よりなる、等方性層によって後続され、加えて、この等方性層の厚さが特に、この層におけるレーザー光の波長の半分に特に対応する場合にも有利である。本実施形態の構成および利点のより詳細な説明は、実施形態において記載する。本発明とその利点を、実施形態を用いてより詳細に説明する。ここで、本願記載の本発明による面発光レーザーダイオードの実施例の特徴は、記載される組み合わせで実施されるだけでなく他の組み合わせで実施されてもよいが、全ての可能な組み合わせについては明確に言及及び記載しない。図1に本発明の可能な実施形態を示す。上段には、本発明によるレーザーの概略縦断面図を示す。これは二枚のミラー1、3によって境界が付けられた活性増幅領域2からなり、共振器長、従って、そのレーザー波長はこれらのミラーによって決定される。本発明による偏光安定性は、一方のまたは両方のミラー3の外側に追加的に設けられる一連の層4によって実現される。この一連の層は、一枚以上の層からなってもよく、少なくとも一層は偏光依存屈折率または吸収性を有する。図1の下段には、回転対称的または楕円形のレーザー断面5を概略的に示す。互いに対して垂直な二つの偏光Pol1およびPol2の方向を二つのベクトルによって示す。ミラー1および3は、通常、異なる屈折率を有する多数の対の誘電体層よりなる。レーザー光は、各層の界面において反射され、典型的には99より高い、相応じて高い全反射が得られる。図2には、層4が設けられていない従来技術による典型的な配置を示す。個々の反射r1およびr2は正しい位相で加算され、外側領域空気AIRに終端反射r2が存在する。一対のミラーの屈折率n1およびn2が偏光に依存しないため、即ち、複屈折性を有さないため、レーザー共振器2からのレーザービームが受ける全反射は偏光に依存しない。本発明によるレーザー構造は、ミラー3の外側に一枚または一連の層4が設けられた共振器2から出射される光に対して偏光依存全反射を発生させ、高い全反射が有する偏光においてレーザーが出射されることによりレーザー偏光を安定させる。図3には、一層4だけが設けられる第1の実施形態を示す。二つの偏光Pol1、Pol2に対する層4の屈折率nは、それぞれ実線および破線で示される。屈折率が異なるため、層4の界面では異なる、あるいは、偏光依存の反射率が得られる。これにより、共振器2との界面において偏光依存の全反射性が、ミラー3の反射と共に結果として得られる。計算によると、一つの偏光のみにおいて安定したレーザー発光を実現するためには、少なくとも0.01、好ましくは、少なくとも0.1の全反射性における差が必要である。図4は、60°の角度で斜角蒸着によって適用された変厚のシリコン層でコーティングされた1.55μmの波長に対するレーザー構造の計算を示すエピDBR上のシリコン層=ミラー。レーザー波長で斜角蒸着によって適用されたこのシリコンの屈折率は、二つの偏光に対してそれぞれ約2.13n1と2.3n2と実験的に決定された。層4が設けられていないミラー3の全反射率は約99.6である。グラフでは、透過、即ち、100での全反射率における差を破線で示し、二つの偏光の反射率における差を実線で示す。より良く図示するために、差分反射率を係数5で乗算する。120nmの厚さAのSi層により0.2の反射率の差が容易に得られ、また、450nmの厚さBのSi層により0.6の差も得られることが分かるであろう。共振器の内部に偏光選択層が設けられる配置国際公開第WO2007/057807A2号とは対照的に、レーザーの波長は層4の厚さに関わらず実質的に一定のままである。図4からも分かるように、偏光選択性は透過の増加を伴うため、全体的な反射が減少し、最終的には、より高いレーザー閾値が得られる。図4の配置では、特に、点AおよびBでは、Si層の厚さ図4参照に対する全反射の著しい依存性が見られ、その結果、製造工程中のパラメータの変動によりレーザー供給が減少し得る。従って、全反射を減少させることなく偏光依存反射性をもたらす配置が好ましい。全反射を低下させることなく偏光選択全反射を可能にするという点で、この不都合な点を有さない本発明の別の実施形態は、偏光配向に関してそれぞれ90°交互に回転され、反射位相が一つの偏光については偏光選択層が配置される側のレーザーミラー3の反射位相と同じであり、他の偏光については反対となる場合には、複数枚の偏光選択層を適用することで得られる。実際には、これは、アプローチ角が典型的には60°の斜角蒸着が行われる方向が各層の後に90°回転される場合には、蒸着において非常に簡単に実現される。蒸気被覆されるべきレーザーは、各層の後にその軸の周りに90°交互に回転される。結果として得られる偏光依存屈折率プロファイルを図5に示す。本配置において、層4aおよび4bの厚さは、レーザー波長の四分の一をそれぞれの屈折率n3およびn4で割った値であることが好ましい。これにより、偏光Pol1には建設的なconstructiveミラー3の反射に対する反射r3およびr4が生成され、ミラー3の全反射を幾らか増加させる。他方では、反射r3は他方の偏光Pol2については非建設的であり、これは、この偏光に対してはn3の層4bはn4の層4aよりも小さい屈折率を有するためである。斜角蒸着60°によって適用され90°回転された二枚のSi層でコーティングされる1.55μmでのレーザーに対する対応する計算を図6に示す。図6から明らかとなるように、それぞれの場合において二層の約175nmの厚さに関して、二つの偏光の反射率における約0.1の差が得られ、これは波長の約四分の一に対応するが、透過や全反射は略一定のままである。図3における単一層の配置にまさる更なる利点は、蒸着層の厚さに対する処理許容範囲が大きい点である。150nm乃至200nmの層の厚さでは、偏光選択および全反射について略同じ効果を得ることができる。より良い特性を有する本発明の他の実施形態を図7に示す。図の上段には、一連の層4は、異方性誘電体が90°回転された一対以上の層からなってもよいことを示す。図6と比較すると、これにより結果的に対の数に略比例して増加する偏光依存反射率において差が生じ、したがって、相応じて偏光のより高い安定性が得られる。図7の下段には、一連の層4が追加的な等方性層5によって被覆されてもよいことを示す。たとえば、周囲空気による異方性層4の侵食は、酸化アルミニウムや窒化ケイ素よりなる高密度の垂直方向に蒸着された保護層によって防止される。この保護層の厚さが保護層におけるレーザー光の波長の半分に対応する場合、層3および4の全反射に対して何の影響もない。十分な複屈折性異方性を有する誘電体層の生成は本発明の機能にとって極めて重要である。本発明では、これは各層を斜角蒸着することで、どの高価なナノ技術も用いることなく簡単かつ効果的に実現される。TMotohiroおよびYTagaによる斜め蒸着による薄膜位相板AppliedOptics巻28、頁24661989年やIHodgkinsonおよびQWuによる増強線形複屈折を持つ異方性薄膜の連続的二堆積AppliedOptics巻38、頁36211999年によると、本処理において、自己組織化ナノ構造が層複数枚の層において生成されることで異方性が得られ、二つの面内偏光即ち、ディスクの表面に対して平行の屈折率における差が典型的には最大で5乃至10得られる。GBeydaghyanらによる真空蒸着シリコン薄膜における増強複屈折ApplOpt巻43、頁53432004年に記載されるように、特に高い異方性は、表面法線に対して60°の角度でレーザーミラー上に蒸着されるシリコン層によって得られる。しかしながら、本発明は、この製造工程だけに制限されない。異方性誘電体層を適用する全ての他の方法が原則として適している。本発明による構造は、特に、各種材料系におけるBTJ-VCSELに使用され得る。これらは、GaAs-、InP-、および、GaSb-ベースの構成要素を含む。"