"基板の第1の面上に形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜を挟むように形成された下部電極及び上部電極とを有する圧電薄膜共振子であって、前記圧電薄膜が窒化アルミニウムで形成され、前記上部電極及び下部電極はそれぞれルテニウム又はルテニウム合金の層を含み、前記下部電極には、その下に形成された空隙に全体が露出しているとともに、前記下部電極より柔らかい材料による薄膜層が形成されていることを特徴とする圧電薄膜共振子。前記薄膜層の材料は、アルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの純金属、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの合金、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの酸化物、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrであることを特徴とする請求項1記載の圧電薄膜共振子。前記上部電極と下部電極はそれぞれルテニウム合金の層を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の圧電薄膜共振子。前記圧電薄膜を形成する窒化アルミニウムが002方向を主軸とする配向性を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の圧電薄膜共振子。前記下部電極が前記ルテニウム又はルテニウム合金の層を含み、前記ルテニウム又はルテニウム合金の層が002方向を主軸とする配向性を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の圧電薄膜共振子。前記下部電極及び上部電極の膜厚の和d1と前記圧電薄膜の膜厚d2との比d1/d2が1/12以上1以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の圧電薄膜共振子。基板上に下部電極を形成する第1の工程と、前記下部電極を覆うように前記基板上に窒化アルミニウムの圧電薄膜を形成する第2の工程と、前記圧電薄膜上に上部電極を形成する第3の工程とを有する圧電薄膜共振子の製造方法であって、前記第1の工程は、前記下部電極より柔らかい材料による薄膜層と、該薄膜層上にルテニウム又はルテニウム合金の層を含む前記下部電極を形成する工程を含み、前記第3の工程は、ルテニウム又はルテニウム合金の層を含む前記上部電極を形成する工程を含み、前記製造方法は更に、前記下部電極の下に、前記薄膜層が露出する空隙を形成する工程を含むことを特徴とする圧電薄膜共振子の製造方法。前記第1の工程は、002方向を主軸とする配向性を有する前記ルテニウム又はルテニウム合金の層を形成する工程を含み、前記第2の工程は、002方向を主軸とする配向性を有する前記窒化アルミニウムの層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項7記載の圧電薄膜共振子の製造方法。前記第1の工程は、スパッタ圧力が0.5Pa以上のスパッタリング方法を用いて前記ルテニウム又はルテニウム合金の層を形成することを特徴とする請求項7から8のいずれか一項記載の圧電薄膜共振子の製造方法。前記空隙を形成する工程は、前記薄膜層の全体が前記空隙に露出するように前記空隙を形成することを特徴とする請求項7から9のいずれか一項記載の圧電薄膜共振子の製造方法。しかしながら、特許文献2が開示するところの方法で貫通孔を開けた基板は、機械的強度が非常に弱い。このため、製造歩留りが低下するとともに、ウェハからのダイシング工程やパッケージへの実装工程において非常に困難を伴ってしまうという問題が存在する。また、異方性エッチングでは約55°の傾斜角を持つ貫通孔が形成されるため、共振子を近づけて梯子型接続することが困難であり、素子の小型化の面で不利となるという問題も存在する。更に、特許文献3が開示するところの方法は、工程数が非常に多く、低コストでの製造が難しい。しかも、スラリ残り等のような問題が多い研磨工程を含んでいるため、歩留りが低いという問題も存在する。そこで本発明は、上記のような問題を鑑み、優れた特性を有し、且つ製造が容易で歩留りの高い、安価で小型化された圧電薄膜共振子及びその製造方法を提供することを目的とする。かかる目的を達成するために、本発明は、基板の第1の面上に形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜を挟むように形成された下部電極及び上部電極とを有する圧電薄膜共振子であって、前記圧電薄膜が窒化アルミニウムで形成され、前記上部電極及び下部電極はそれぞれルテニウム又はルテニウム合金の層を含み、前記下部電極には、その下に形成された空隙に全体が露出しているとともに、前記下部電極より柔らかい材料による薄膜層が形成されている構成を有する。下部電極及び/又は上部の抵抗値は共振特性の損失に寄与し、同じく下部電極及び/又は上部電極の音響インピーダンスは反共振特性に寄与する。そこで、一般的に使用される電極材料に比べて抵抗が小さく且つ音響インピーダンスが大きい特性を有するルテニウムやルテニウム合金を下部電極と上部電極にそれぞれ設けることで、低損失で且つ反共振特性に優れた圧電薄膜共振子を得ることができる。また、ルテニウム又はルテニウム合金の層及び上記薄膜層は、一般的にエッチングで使用されるフッ素系のガスや酸系の薬品に対して安定である、すなわちエッチングされにくいという特性を有するため、下部電極と上部電極にそれぞれルテニウム又はルテニウム合金の層を含め、下部電極に薄膜層を設けることで、エッチングによる下部電極と上部電極の損傷を低減することが可能となり、圧電薄膜共振子の歩留りを向上させることが可能となる。また、同様の理由により、特別な工程やエッチング方法やガス若しくは薬品等を使用する必要がないため、製造が容易で且つ製造コストが安価となる。更に、側面が基板の主面に対して略垂直方向となるように空隙を形成することが可能であるため、複数の共振子が近接したレイアウトとすることが可能となり、結果として小型化されたデバイスを得ることが可能となる。また、前記薄膜層の材料は、アルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの純金属、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの合金、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの酸化物、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの窒化物を含む構成とすることができる。前記圧電薄膜共振子は、前記圧電薄膜を形成する窒化アルミニウムが002方向を主軸とする配向性を有するように構成することができる。圧電薄膜の配向性を002方向とすることで、良好な共振特性を示す圧電薄膜共振子を得ることができる。前記圧電薄膜共振子は、前記下部電極が前記ルテニウム又はルテニウム合金の層を含み、前記ルテニウム又はルテニウム合金の層が002方向を主軸とする配向性を有するように構成することができる。圧電薄膜の配向性を002方向とすることで、良好な共振特性を示す圧電薄膜共振子を得ることができる。但し、圧電薄膜の配向性は、この下に形成された下部電極の配向性に大きく依存する。従って、下部電極の配向性を002方向とすることで、容易に圧電薄膜の配向性を002方向とすることができ、結果として良好な共振特性を示す圧電薄膜共振子を得ることができる。前記圧電薄膜共振子は、前記下部電極及び上部電極の膜厚の和d1と前記圧電薄膜の膜厚d2との比d1/d2が1/12以上1以下であるように構成することができる。比d1/d2を1/12以上1以下とすることで、100MHz程度から100GHz程度の周波数における一部の帯域に対応した圧電薄膜共振子を得ることができる。また、本発明は、基板上に下部電極を形成する第1の工程と、前記下部電極を覆うように前記基板上に窒化アルミニウムの圧電薄膜を形成する第2の工程と、前記圧電薄膜上に上部電極を形成する第3の工程とを有する圧電薄膜共振子の製造方法であって、前記第1の工程は、前記下部電極より柔らかい材料による薄膜層と、該薄膜層上にルテニウム又はルテニウム合金の層を含む前記下部電極を形成する工程を含み、前記第3の工程は、ルテニウム又はルテニウム合金の層を含む前記上部電極を形成する工程を含み、前記製造方法は更に、前記下部電極の下に、前記薄膜層が露出する空隙を形成する工程を含む圧電薄膜共振子の製造方法である。ルテニウム又はルテニウム合金は、一般的にエッチングで使用されるフッ素系のガスや酸系の薬品に対して安定である、すなわちエッチングされにくいという特性を有するため、下部電極と上部電極にルテニウム又はルテニウム合金の層を含めることで、例えば空隙を形成する際のエッチングによる第1の電極の損傷を低減することが可能となり、圧電薄膜共振子の歩留りを向上させることが可能となる。また、同様の理由により、特別な工程やエッチング方法やガス若しくは薬品等を使用する必要がないため、製造が容易で且つ製造コストが安価となる。更に、側面が基板の主面に対して略垂直方向となるように空隙を形成することが可能であるため、複数の共振子が近接したレイアウトとすることが可能となり、結果として小型化されたデバイスを製造することが可能となる。また、このようにして製造された圧電薄膜共振子は、低損失で且つ反共振特性に優れている。前記製造方法は、前記第1の工程が002方向を主軸とする配向性を有する前記ルテニウム又はルテニウム合金の層を形成し、前記第2の工程が002方向を主軸とする配向性を有する前記窒化アルミニウムの層を形成する構成とすることができる。圧電薄膜の配向性を002方向とすることで、良好な共振特性を示す圧電薄膜共振子を得ることができる。但し、圧電薄膜の配向性は、この下に形成された下部電極の配向性に大きく依存する。従って、下部電極の配向性を002方向とすることで、容易に圧電薄膜の配向性を002方向とすることができ、結果として良好な共振特性を示す圧電薄膜共振子を得ることができる。前記第1の工程は、スパッタ圧力が0.5Pa以上のスパッタリング方法を用いて前記ルテニウム又はルテニウム合金の層を形成する構成とすることができる。内部応力が例えば3GPaより大きいルテニウム又はルテニウムの層を含んで構成された圧電薄膜共振子は、高周波な入力信号を印加した際に破壊する可能性が大きい。また、スパッタリング時のスパッタ圧力が0.5Paより小さい条件下で成膜したルテニウム膜は内部応力が大きい。このため、スパッタリング時のスパッタ圧力を0.5Pa以上とすることで、ルテニウム又はルテニウム合金の層における内部圧力を低減する。これにより、破損する確立が小さい圧電薄膜共振子を製造することができる。また、前記空隙を形成する工程は、前記薄膜層の全体が前記空隙に露出するように前記空隙を形成する構成とすることができる。本発明によれば、優れた特性を有し、且つ製造が容易で歩留りの高い、安価で小型化された圧電薄膜共振子及びその製造方法を実現することができる。以下、本発明を実施するための最良の形態を図面と共に詳細に説明する。まず、本発明による実施例1について図面を用いて詳細に説明する。図1に、本実施例による圧電薄膜型共振子FBAR1Aの基本構成を示す。尚、図1において、aはFBAR1Aの平面図であり、bはaのA-A断面図である。図1a及びbに示すように、FBAR1Aは、基板11の一方の主面上に圧電薄膜12が形成された構成を有する。基板11には例えばシリコンSi基板を用いる。圧電薄膜12における共振子を形成する領域には、この圧電薄膜12を上下から挟む位置に下部電極13及び上部電極14が形成される。基板11には空隙キャビティ15が形成されており、下部電極13の全面はこの空隙15に面している。空隙15は、下部電極13及び上部電極14に高周波信号を印加した際に、圧電薄膜12の振動が妨げられないようにするためである。このような構成において、優れた共振特性及び製造の容易化を実現するために、圧電薄膜12並びにこれを挟む下部電極13及び上部電極14を以下のようにする。圧電薄膜12には、例えばチタン酸鉛PbTiO3,PZT,窒化アルミニウムAlN等の薄膜を用いることができるが、好ましくはAlNの薄膜を用いると良い。これは、PbTiO3やPZTが3元素以上と成分数が多いことに加え、鉛Pbが拡散するという問題もあり、組成のコントロールが非常に難しく、且つ量産性に乏しいという欠点が存在するためである。これに対し、AlNは2元素と成分数が少なく、且つ鉛が拡散するという問題も持たないため、これを用いることで、製造方法の容易化及び歩留りの向上が可能となる。また、本実施例において、例えば下部電極13及び上部電極14の膜厚の和d1と圧電薄膜12の膜厚d2との比d1/d2が、1/12以上1以下の範囲に含まれるように構成することで、FBAR1Aの通過周波数帯域を100MHzから10GHzに含まれる周波数帯域の一部とすることができる。ここで、圧電薄膜12のパターニングや空隙15の形成には、通常AlN圧電薄膜12又はシリコン基板11のエッチングに適したフッ素系のガス或いは酸系の薬品が利用される。しかしながら、モリブデンMo等のような通常使用される電極材料の中には、フッ素系のガスや酸系の薬品に弱い、すなわちこれらで容易にエッチングされてしまうものが存在する。そこで本実施例では、フッ素系のガス或いは酸系の薬品に強い電極材料としてルテニウム又はルテニウム合金を使用し、下部電極と上部電極の少なくとも一方にルテニウム又はルテニウム合金の薄膜層を含む構成とした。下部電極と上部電極の少なくとも一方にルテニウム又はルテニウム合金の薄膜層を含む構成とは、具体的には、下部電極と上部電極のどちらから一方又は両方をルテニウム又はルテニウム合金の単層膜で形成する構成や、下部電極と上部電極のどちらから一方又は両方を多層膜で形成し、この多層膜内にルテニウム又はルテニウム合金の膜を含む構成を意味している。尚、ルテニウム合金とは、ルテニウムを主成分とした材料であり、例えばルテニウムに銅Cuが2程度含まれた合金や、ルテニウムにアルミニウムAlが2程度含まれた合金、ルテニウムにクロムCrが2程度含まれた合金等である。また、下部電極13及び上部電極14の抵抗は共振特性の損失に寄与し、同じく下部電極13及び上部電鏡14の音響インピーダンスは反共振特性に寄与するものである。そこで、本発明者らは、良好な共振特性及び反共振特性を得るために、下部電極13及び/又は上部電極14を以下のような条件を満足するように制御することを見いだした。先ず、下部電極13及び上部電極14の比抵抗は入力信号が損失する要因となるため、十分小さな値、例えば50μΩcm以下となるように制御する。この条件を満足することで、高周波信号である入力信号の損失を低減し、良好な共振特性を得ることができる。尚、その下限は、例えば1μΩcmとすることができる。また、下部電極13及び上部電極14の音響インピーダンスは、良好な反共振特性を得るために大きくする必要がある。ここで、音響インピーダンスは弾性率と密度との積の平方根で表される。すなわち、弾性率の大きな膜は音響インピーダンスが大きい。従って、弾性率の大きな電極膜を下部電極13及び上部電極14に用いることで、反共振特性の優れた共振子を得ることができる。例えば弾性率が4×1011N/m以上の電極膜を用いて下部電極13及び/又は上部電極14を形成することで良好な反共振特性を得ることができる。本実施例で使用するルテニウムやルテニウム合金は一般的に使用される電極材料に比べて抵抗が小さく且つ音響インピーダンスが大きい特性を有するため、容易に上記の条件を満足する電極膜を得ることができる。すなわち、本実施例では、ルテニウム及びルテニウム合金の少なくとも一方よりなる膜を一部に含む電極膜を用いて下部電極13及び上部電極14の少なくとも一方を形成することで、良好な共振特性及び反共振特性を示すFBARを得ることが可能となる。但し、圧電薄膜12としてAlNを用いた場合、良好な共振特性を得るうえで、これが002配向を示すことが重要となる。圧電薄膜12を002配向とするためには、下部電極13の配向性が鍵となる。これは、圧電薄膜12が下部電極13の上に形成されることから、圧電薄膜12の配向性に下部電極13の配向性が大きく影響するためである。そこで、下部電極13を圧電薄膜12と同様に002方向を主軸とする配向にする。これにより、良好な002配向を示すAlNの薄膜を得ることができる。また、図1bに示すように、下部電極13の下には空隙15が形成される。この際、下部電極13及び圧電薄膜12の土台として使用された基板11は、前述したように、フッ素系のガスやバッファードフッ酸等の酸系の薬品でエッチングされるが、ルテニウムやルテニウム合金はこのフッ素系のガスや酸系の薬品に対して非常に安定であるため、これの膜を用いて下部電極13を形成することで、下部電極13がエッチングされることを防止でき、安定してFBAR1Aを製造することができる。特に、基板11をシリコン基板で形成した場合であって、基板11主面に対して垂直方向に基板11をドライエッチングする方法換言すれば、基板11主面に対して垂直方向に基板11をドライエッチングすることで空隙15の側面を基板11の主面に対して略垂直に形成する方法ではフッ素系のガスが用いられるが、このような場合でも下部電極13にルテニウム又はルテニウム合金よりなる電極膜を用いることで、容易に空隙15を形成することができ、下部電極13がエッチングされてしまうことに起因する歩留りの低下を抑制することが可能となる。以上のように、ルテニウムやルテニウム合金は、フッ素系のガスや酸系の薬品に対して安定しているため、基板11に空隙15を形成する際にKOH溶液等を用いた異方性エッチングを使用する必要がない。このため、空隙15の側面を基板11の主面に対して略垂直な面とすることが可能な、フッ素系のガスを用いたドライエッチングを使用することができる。従って、空隙15の側面が基板11の主面に対して傾いてしまう異方性エッチングを用いた場合よりも、共振子を近づけてレイアウトすることが可能となり、結果としてデバイスの小型化が可能となる。この他、空隙15を形成するための犠牲層を形成する工程や、この犠牲層を研磨する工程等を必要としないため、製造の容易化と製造コストの低減とが可能となる。但し、例えば基板11に予め犠牲層を形成しておき、この上に下部電極13,圧電薄膜12及び上部電極14を形成した後、犠牲層を除去することで空隙15を形成する方法を用いた場合でも、ルテニウム若しくはルテニウム合金よりなる電極膜を用いることで、同様に下部電極13がエッチングされることを防止でき、歩留りが低下することなく、安定して製造することができる。また、圧電薄膜12のパターニングにおいてウェットエッチングを用いた場合でも、ルテニウム若しくはルテニウム合金よりなる電極膜はエッチングされないため、歩留りが低下することがなく、安定して製造することができる。更に、圧電薄膜12のパターニングにドライエッチングを用いた場合でも同様の効果が得られる。尚、本実施例において、空隙15は、下部電極13を完全に露出させる程度の大きさに形成する必要がある。すなわち下部電極13下の基板11は全てエッチングにより除去される。これにより、基板11が励振の妨げになることを防止できる。但し、圧電薄膜12は、これを基板11上に固定しておくために、空隙15の大きさよりも大きくする必要がある。次に、本実施例によるFBAR1Aの製造方法について図面を用いて詳細に説明する。尚、以下の説明では、上部電極14を上からルテニウムRuの単層膜として形成し、下部電極13を上からモリブデンMo及びアルミニウムAlの多層膜として形成し、圧電薄膜12を窒化アルミニウムAlNで形成し、また、基板11にシリコン基板を用いた場合について例を挙げて説明する。本製造方法では、先ず図2aに示すように、シリコン基板11Aを用い、これにおける一方の主面に、下部電極13へパターニングするための導体膜13Aを例えばスパッタリング法を用いて成膜する図2b参照。導体膜13Aは、例えばシリコン基板11A上に50nmナノメートルのアルミニウムAlが成膜され、この上に100nmのモリブデンMoが成膜された多層構造を有する。次に、この導体膜13A上に例えばフォトリソグラフィ技術を用いて所定形状下部電極13を残すための形状のレジストを形成した後、この上から例えばドライエッチング又はウェットエッチングを用いてパターニングすることで、図2cに示すように、所望する形状の下部電極13を形成する。この際、その他の配線パターンやグランドパターン等も同時にパターニングすると良い。また、ドライエッチング又はウェットエッチングには、上述したようなフッ素系のガス又は酸系の薬品を用いることができる。次に、図2dに示すように、下部電極13上及びシリコン基板11A上に圧電薄膜12Aを例えばスパッタリング法を用いて成膜し、更にその上に、図2eに示すように、上部電極14へパターニングするための導体層14Aを例えばスパッタリング法を用いて成膜する。圧電薄膜12Aは例えば500nmの窒化アルミニウムAlNを有してなる。また、導体層14Aは、圧電薄膜12A上に例えば100nmのルテニウムRuが成膜された単層構造を有する。次に、この導体層14A上に例えばフォトリソグラフィ技術を用いて所定形状上部電極14及び圧電薄膜12を残すための形状のレジストを形成した後、この上からドライエッチング又はウェットエッチングを用いてパターニングすることで、所望する形状の上部電鏡14図3a参照及び圧電薄膜図3b参照を形成する。この際、ドライエッチング又はウェットエッチングには、上述したようなフッ素系のガス又は酸系の薬品を用いることができる。尚、この工程において、上部電極14の形成には、リフトオフを用いてもよい。このように下部電極13,圧電薄膜12及び上部電極14を含む共振子を形成すると、最後にシリコン基板11Aの裏面に、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて所定形状空隙15を形成するための形状のレジストを形成し、この上からドライエッチングを行うことで、空隙15が形成された基板11を作製する。これにより、図1及び図3cに示すようなFBAR1Aが得られる。尚、空隙15を形成する際、フッ素系のガスであるCF6によるエッチングと、C4F8による側壁保護膜形成とを交互に繰り返すことで、空隙15の側面がシリコン基板11Aの裏面に対して略垂直となるように、空隙15を形成することができる。但し、この方法に限らず、他の方法で形成しても良い。また、上記において、下部電極13及び/又は上部電極14に含まれるルテニウム又はルテニウム合金の層は、上述したスパッタリング方法以外にも、例えば真空蒸着法や、ウェットエッチングや、イオンミリング法や、酸素ガスを含むガスを用いた反応性イオンエッチング等、若しくはこれらのうち2つ以上を組み合わせた方法を用いて形成することが可能である。尚、ウェットエッチングで形成する際のエッチング液は、例えば硝酸や硝酸2セリウムアンモニウムを用いることができる。以上のような製造方法により作製されたFBAR1Aの減衰極における抑圧を図4に示す。尚、図4では、共振周波数が5GHzであり、励振部における下部電極13及び上部電極14の断面基板11の主面と平行な面での断面形状が円形であり、その断面形状の半径が80μmマイクロメートルであるFBAR1Aであって、上部電極14の電極材料をアルミニウムAl,チタンTi,銅Cu,クロムCr,モリブデンMo又はルテニウムRuとした場合について、それぞれにおける減衰極の抑圧を示す。図4を参照すると分かるように、上部電極14に用いた電極材料種類によって、FBAR1Aの共振特性が大きく異なる。より詳細には、上部電極14を音響インピーダンスの大きな電極材料で形成することで、減衰極の抑圧が大きくることが分かる。従って、音響インピーダンスの高いルテニウムを電極材料として用いることで、共振特性に優れたFBARを作製することができる。次に、本実施例によるFBAR1Aを用いて作製したバンドパスフィルタ10の図面を用いて詳細に説明する。図5は、本実施例によるバンドパスフィルタ10の構成を示す平面図である。また、図6は、図5に示すバンドパスフィルタ10のA’-A’断面図である。更に、図7は、図5及び図6に示すバンドパスフィルタ10の等価回路を示す回路図である。図5及び図7に示すように、バンドパスフィルタ10は、直列碗に接続された4つの共振子以下、これを直列共振子というS1~S4と、並列碗に接続された3つの共振子以下、これを並列共振子というP1~P3とを有して構成される。各々の直列共振子S1~S4及び並列共振子P1~P3は、図5及び図6に示すように、図1に示すFBAR1Aと同様の構成を有している。バンドパスフィルタ10において入力端及び出力端に設けられた直列共振子S1及びS4の上部電極14は、それぞれ配線24と接続されている。この配線24上には、例えば金層とチタン層との積層構造を有するバンプ接続用パッド22が形成されている。バンプ接続用パッド22上には金属バンプ23が形成されており、例えば図示しないパッケージのダイアタッチ面における信号出力端子又は信号入力端子に接続可能に構成されている。尚、バンドパスフィルタ10は、パッケージのダイアタッチ面にフェイスダウンボンディングされるものとする。また、入力端と直列共振子S1との間の配線24は分岐され、並列共振子P1の上部電極14が接続されている。並列共振子P1における下部電極13は、圧電薄膜12下部以外の領域まで延在する配線21に接続されている。圧電薄膜12下部以外の領域における配線21上には、上記と同様のバンプ接続用バッド22が形成されており、上記ダイアタッチ面におけるグランド端子に接続可能に構成されている。同様に、直列共振子S4と出力端との間の配線24は分岐され、並列共振子P3の上部電極14が接続されている。並列共振子P3における下部電極13は、圧電薄膜12下部以外の領域まで延在する配線21に接続されている。圧電薄膜12下部以外の領域における配線21上には、上記と同様のバンプ接続用パッド22が形成されおり、上記ダイアタッチ面におけるグランド端子に接続可能に構成されている。直列共振子S1及びS2、並びに直列共振子S3及びS4は、それぞれの下部電極13が配線21を介して接続されている。また、直列共振子S2及びS3は、それぞれの上部電極14が配線24を介して接続されている。直列共振子S2及びS3を接続する配線24は分岐され、並列共振子P2の上部電極14が接続されている。並列共振子P2における下部電極13は、圧電薄膜12下部以外の領域まで延在する配線21に接続されている。圧電薄膜12下部以外の領域における配線21上には、上記と同様のバンプ接続用パッド22が形成されており、上記ダイアタッチ面におけるグランド端子に接続可能に構成されている。以上のように、本実施例によるFBAR1Aを用いてバンドパスフィルタ10を作製することで、挿入損失が小さく且つ良好なフィルタ特性を示すバンドパスフィルタを得ることができる。尚、上記の説明において、圧電薄膜12はAlNに代えて例えば酸化亜鉛ZnOを用いて形成しても良い。また、下部電極13及び上部電極14はルテニウム若しくはルテニウム合金に代えてイリジウムIr若しくはイリジウム合金又はロジウムRh若しくはロジウム合金を用いて形成しても良い。次に、本発明による実施例2について図面を用いて詳細に説明する。上記した実施例1では、下部電極13又は上部電極14の少なくとも一方にルテニウム又はルテニウム合金の層を含む電極膜を用いた場合を例に挙げた。そこで、本実施例では、下部電極13及び上部電極14の両方にルテニウム又はルテニウム合金の層を含む電極膜を用いた場合を示す。尚、本実施例において、実施例1と同様の構成には、同一の符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。図8は、本実施例によるFBAR1Bの構成を示す図であり、aはFBAR1Bの平面図であり、bはaのB-B断面図である。図8a及びbに示すように、本実施例によるFBAR1Bは、実施例1によるFBAR1Aにおいて、下部電極13及び上部電極14が、共にルテニウム又はルテニウム合金の層を含む電極膜を用いて形成された下部電極13b及び上部電極14bに置き換えられている。そのほかの構成は実施例1によるFBAR1Aと同様である。以上のように構成することで、本実施例によれば、圧電薄膜12上部電極14bを含むを作製する際のエッチング及び空隙15を形成する際のエッチングの双方における上部電極14b及び下部電極13bの損傷を抑制することが可能となるため、歩留りをより向上させることが可能となる。また、本実施例によるFBAR1Bの共振特性S2,1を図9に示す。尚、図9では、上部電極14bを100nmのルテニウム膜で形成し、圧電薄膜12を430nmのAlN膜で形成し、下部電極13bを100nmのルテニウム膜で形成した場合を例に挙げる。図9を参照すると明らかなように、FBAR1Bでは、共振点における抑圧が-3dB以下を示し、良好な共振特性を示している。これに対し、反共振点における抑圧が-20dB以上を示し、良好な反共振特性を示している。このように、下部電極13b及び上部電極14bをルテニウム又はルテニウム合金の層を含む電極膜で形成することで、良好な共振特性及び反共振特性を示すFBARが得られる。更に、実施例1で述べたように、ルテニウム又はルテニウム合金の層を含む電極膜を用いることで、損失を低減することも可能となる。他の構成及び製造方法は、実施例1と同様であるため、ここでは説明を省略する。次に、本発明による実施例3について図面を用いて詳細に説明する。上記した実施例1では、下部電極13又は上部電極14の少なくとも一方にルテニウム又はルテニウム合金の層を含む電極膜を用いた場合を例に挙げた。これに対し、本実施例では、下部電極13における空隙15側に、エッチングによる下部電極13の損傷を防止するための薄膜層を設けた場合を例に挙げる。尚、本実施例において、実施例1と同様の構成には、同一の符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。図10は、本実施例によるFBAR1Cの基本構成を示す図であり、aはFBAR1Cの平面図であり、bはaのC-C断面図である。図10a及びbに示すように、本実施例によるFBAR1Cは、実施例1によるFBAR1Aと同様の構成において、下部電極13の下、すなわち空隙15側に薄膜層16が形成された構成を有する。これにより、下部電極13が空隙15に対して露出せず、空隙15を形成するためのエッチングの際に下部電極13が損傷することを防止できる。そのほかの構成は実施例1によるFBAR1Aと同様である。薄膜層16の材料としては、例えばアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの純金属、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの合金、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの酸化物、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの窒化物等を適用することができる。但し、これらに限らず、フッ素系のガスによるエッチングに対して比較的安定した材料であれば如何なるものも適用することができる。尚、以下の説明では、薄膜層16をアルミナAl2O3で形成した場合を例に挙げる。以上のように構成することで、空隙15を形成する際のエッチングによる下部電極13の損傷を確実に防止できるため、歩留りをより向上させることが可能となる。次に、本実施例によるFBAR1Cの製造方法について図面を用いて詳細に説明する。尚、以下の説明では、薄膜層16をアルミナで形成し、その他の構成は、図2及び図3で説明した構成と同様の構成を用いた場合について例を挙げる。本製造方法では、先ず図11aに示すように、シリコン基板11Aを用い、これにおける一方の主面に、薄膜層16へパターニングするための薄膜層16Cと、下部電極13へパターニングするための導体膜13Cとを、例えばスパッタリング法を用いて成膜する図11b参照。薄膜層16Cは、例えばシリコン基板11A上に50nmのアルミナが成膜された単層構造を有する。また、導体膜13Cは、例えば薄膜層16C上に100nmのルテニウムが成膜された単層構造を有する。次に、この薄膜層16C上に例えばフォトリソグラフィ技術を用いて所定形状下部電極13及び薄膜層16を残すための形状のレジストを形成した後、この上から例えばドライエッチング又はウェットエッチングを用いてパターニングすることで、図11cに示すように、所望する形状の薄膜層16及び下部電極13を形成する。この際、その他の配線パターンやグランドパターン等も同時にパターニングすると良い。また、ドライエッチング又はウェットエッチングには、上述したようなフッ素系のガス又は酸系の薬品を用いることができる。次に、図11dに示すように、下部電極13上及びシリコン基板11A上に圧電薄膜12Aを例えばスパッタリング法を用いて成膜し、更にその上に、図11eに示すように、上部電極14へパターニングするための導体層14Aを例えばスパッタリング法を用いて成膜する。圧電薄膜12Aは例えば420nmの窒化アルミニウムAlNを有してなる。また、導体層14Aは、圧電薄膜12A上に例えば100nmのルテニウムRuが成膜された単層構造を有する。次に、この導体層14A上に例えばフォトリソグラフィ技術を用いて所定形状上部電極14及び圧電薄膜12を残すための形状のレジストを形成した後、この上からドライエッチング又はウェットエッチングを用いてパターニングすることで、所望する形状の上部電鏡14図12a参照及び圧電薄膜図12b参照を形成する。この際、ドライエッチング又はウェットエッチングには、上述したようなフッ素系のガス又は酸系の薬品を用いることができる。尚、この工程において、上部電極14の形成には、リフトオフを用いてもよい。このように薄膜層16,下部電極13,圧電薄膜12及び上部電極14を含む共振子を形成すると、最後にシリコン基板11Aの裏面に、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて所定形状空隙15を形成するための形状のレジストを形成し、この上からドライエッチングを行うことで、空隙15が形成された基板11を作製する。これにより、図10及び図12cに示すようなFBAR1Cが得られる。また、本実施例によるFBAR1Cの共振特性S2,1を図13に示す。尚、図13では、上部電極14を100nmのルテニウム膜で形成し、圧電薄膜12を420nmのAlN膜で形成し、下部電極13を100nmのルテニウム膜で形成し、薄膜層16を50nmのアルミナ膜で形成した場合を例に挙げる。図13を参照すると明らかなように、FBAR1Cでは、共振点における抑圧が-3dB以下を示し、良好な共振特性を示している。これに対し、反共振点における抑圧が-20dB以上を示し、良好な反共振特性を示している。このように、下部電極13及び上部電極14をルテニウム又はルテニウム合金の層を含む電極膜で形成し、下部電極13の下に下部電極13をエッチングから守るための薄膜層16を設けることで、良好な共振特性及び反共振特性を示すFBARが得られる。更に、実施例1で述べたように、ルテニウム又はルテニウム合金の層を含む電極膜を用いることで、損失を低減することも可能となる。他の構成は、実施例1と同様であるため、ここでは説明を省略する。次に、下部電極及び/又は上部電極に用いたルテニウム膜の弾性率と、減衰極の抑圧との関係について、以下に実施例4として図面を用いて詳細に説明する。尚、以下の説明では、実施例2で説明したFBAR1Bの下部電極13b及び上部電極14bを形成するルテニウム膜の弾性率を変化させた場合について例を挙げる。図14は、ルテニウム膜の弾性率と減衰極の抑圧との関係を示すグラフである。図14を参照すると明らかなように、ルテニウム膜の弾性率が大きいほど、減衰極の抑圧が大きくなる。すなわち、下部電極13b及び上部電極14bの弾性率が大きいほど、良好な特性が得ることが可能となる。尚、ルテニウム膜の弾性率は、このルテニウム膜を成膜する際の条件を変化させることで制御することが可能であり、その製造方法は、実施例1で説明した工程と同様である。他の構成及び製造方法は、実施例1と同様であるため、ここでは説明を省略する。次に、下部電極13及び/又は上部電極14をルテニウムで形成した場合に、ルテニウム膜の内部応力がデバイスFBAR又はこれを用いて作製したフィルタ等の強度に及ぼす影響を、以下に実施例5として詳細に説明する。尚、本実施例では、実施例1に示すFBAR1Aを用いて説明する。本実施例では、ルテニウム膜の成膜条件を変化させることで、異なる内部応力を持つルテニウム膜を下部電極13及び/又は上部電極14に含むFBAR1Aを複数作製し、これらを用いてルテニウム膜の内部応力とデバイスの破壊との関係を調べた。その結果、例えば5GHz程度の入力信号を与えた場合、内部応力が3GPaより大きいルテニウム膜を有するFBAR1Aの多くが破壊した。特に、スパッタリング時のスパッタ圧力が0.5Paより小さい条件下で成膜したルテニウム膜は内部応力が大きく、デバイスの破壊が多いことが分かった。このような結果から明らかなように、ルテニウム又はルテニウム合金の層を含む電極膜を用いて下部電極13及び/又は上部電極14を作製する場合、ルテニウム又はルテニウム合金よりなる層の内部応力を3GPa以下とすることが好ましい。これにより、デバイスの破壊が低減されたFBARを得ることができる。尚、下部電極13の内部応力をコントロールするために、下部電極13の下側空隙15側に、アルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの純金属、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの合金、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの酸化物、又はアルミニウムAl,銅Cu若しくはクロムCrの窒化物等による薄膜層を形成しても良い。これにより、下部電極13の内部応力を3GPa以下に制御した場合と同様の効果を得ることができる。実施例5における他の構成及び製造方法は、実施例1と同様であるため、ここでは説明を省略する。また、上記実施例1から実施例5は本発明を実施するための例にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではなく、これらの実施例を種々変形することは本発明の範囲内であり、更に本発明の範囲内において、他の様々な実施例が可能であることは上記記載から自明である。"