"陽極導電基板、ホールバッファ層、活性高分子層、電子バッファ層、陰極を順に積層してなるポリマー太陽電池であって、前記ホールバッファ層は、金属化合物ホストと金属化合物ホスト内にドープされたドープゲスト剤を含み、金属化合物ホストは、酸化亜鉛、硫化亜鉛、および硫化カドミウムのうちから選択される材料で作成され、ドープゲスト剤は、炭酸リチウム、リチウム酸化物、ふっ化リチウム、塩化リチウム、および臭化リチウムのうちから選択される材料で作成され、金属化合物ホスト中のドープゲスト剤の質量比の範囲は、1~10である、ポリマー太陽電池。前記ホールバッファ層の厚さの範囲は、20nm~100nmとする、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマー太陽電池。前記陽極導電基板は、インジウムすず酸化ガラス、フルオレンドープドすず酸化ガラス、アルミニウムドープド亜鉛酸化ガラス、およびインジウムドープド亜鉛酸化ガラスのうちから選択される材料で作成される、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のポリマー太陽電池。前記活性高分子レイヤは、P3HTとPCBMの混合物、MODO-PPVとPCBMの混合物、およびMEH-PPVとPCBMの混合物のうちから選択される材料で作成され、P3HTとPCBMの混合物中のP3HTのPCBMに対する質量比の範囲は1:0.8から1:1であり、MODO-PPVとPCBMの混合物中のMODO-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4であり、MEH-PPVとPCBMの混合物中のMEH-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4であり、活性高分子レイヤの厚さの範囲は、80nmから300nmの範囲である、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のポリマー太陽電池。前記電子バッファ層は、ふっ化リチウム、ふっ化セシウム、および炭酸セシウムのうちから選択される材料で作成され、電子バッファ層の厚さの範囲は、0.5nmから10nmの範囲である、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のポリマー太陽電池。前記陰極は、アルミニウム、銀、金、およびプラチナのうちから選択される材料で作成され、陰極の厚さの範囲は、80nmから250nmである、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のポリマー太陽電池。ポリマー太陽電池の製造方法であって、陽極導電基板をホトエッチングし、陽極導電基板の表面の不純を取り除くための洗浄ステップと、金属化合物がホストとして使用され、リチウム化合物がドープゲスト剤として使用され、ホスト中のドープゲスト剤の質量比の範囲を1から10として、電子ビーム技術、或いは、スパッタリングプロセスによりホトエッチングされた陽極導電基板上にホールバッファ層を形成するステップであって、前記金属化合物ホストは、酸化亜鉛、硫化亜鉛、および硫化カドミウムのうちから選択される材料で作成され、前記ドープゲスト剤は、炭酸リチウム、リチウム酸化物、ふっ化リチウム、塩化リチウム、および臭化リチウムのうちから選択される材料で作成されるステップと、活性ポリマー層、電子バッファ層、および陰極をホールバッファ層に順番に形成するステップと、を含む、ポリマー太陽電池の製造方法。酸素プラズマ、又は、紫外オゾンを使用して、洗浄された陽極導電基板に表面処理が施される、ことを特徴とする請求項請求項7に記載のポリマー太陽電池の製造方法。前記ホールバッファ層への活性ポリマー層の形成は、スピンコーティングによりホールバッファ層にポリマー溶液をコーティングし、活性高分子を形成するためにポリマー溶液を乾燥させてなされるものであり、ポリマー溶液の溶質はP3HTとPCBMの混合物、MODO-PPVとPCBMの混合物、およびMEH-PPVとPCBMの混合物のうちから選択され、P3HTとPCBMの混合物中のP3HTのPCBMに対する質量比の範囲は1:0.8から1:1であり、MODO-PPVとPCBMの混合物中のMODO-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4であり、MEH-PPVとPCBMの混合物中のMEH-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4であり、ポリマー溶液の溶媒は、トルエン、キシレン系、クロロベンゼン系、およびクロロホルムのうちから選択され、ポリマーの中の溶質の濃度の範囲は、8mg/mLから30mg/mLとする、ことを特徴とする請求項7に記載のポリマー太陽電池の製造方法。マグネトロンスパッタリング工程、或いは、蒸着プロセスにより、ふっ化リチウム、ふっ化セシウム、および炭酸セシウムのうちから選択された材料を活性ポリマー層の上に形成して、活性ポリマー層の上に電子バッファ層を形成し、マグネトロンスパッタリング工程、或いは、蒸着プロセスにより、アルミニウム、銀、金、およびプラチナのうちから選択された材料を電子バッファ層の上に形成して、電子バッファ層の上に陰極を形成する、ことを特徴とする請求項請求項7に記載のポリマー太陽電池の製造方法。以上に基づき、本発明は、より良い耐食性を有するポリマー太陽電池と、その製造方法を提供する必要がある。ポリマー太陽電池は、順番に、陽極導電基板、ホールバッファ層、活性高分子層、電子バッファ層、および陰極を積層してなる。ホールバッファ層は、金属化合物ホストと金属化合物ホスト内にドープされたドープゲスト剤を含む。金属化合物ホストは酸化亜鉛、硫化亜鉛、および硫化カドミウムのうちから選択される材料で作成される。ドープゲスト剤はLi2CO3,Li2O、LiF、LiCl、およびLiBrのうちから選択される材料で作成される。金属化合物ホスト中のドープゲスト剤の質量比の範囲は、1~10である。好適な実施例としては、ホールバッファ層の厚さの範囲は、20nm~100nmとする。好適な実施例としては、陽極導電基板は、インジウムすず酸化ガラス、フルオレンドープドすず酸化ガラス、アルミニウムドープド亜鉛酸化ガラス、およびインジウムドープド亜鉛酸化ガラスのうちから選択される材料で作成される。好適な実施例としては、活性高分子レイヤは、P3HTとPCBMの混合物、MODO-PPVとPCBMの混合物、およびMEH-PPVとPCBMの混合物のうちから選択される材料で作成される。P3HTとPCBMの混合物中のP3HTのPCBMに対する質量比の範囲は1:0.8から1:1であり、MODO-PPVとPCBMの混合物中のMODO-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4であり、MEH-PPVとPCBMの混合物中のMEH-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4である。活性高分子レイヤの厚さの範囲は、80nmから300nmの範囲である。好適な実施例としては、電子バッファ層は、ふっ化リチウム、ふっ化セシウム、および炭酸セシウムのうちから選択される材料で作成される。電子バッファ層の厚さの範囲は、0.5nmから10nmの範囲である。好適な実施例としては、陰極はアルミニウム、銀、金、およびプラチナのうちから選択される材料で作成される。陰極の厚さの範囲は、80nmから250nmである。ポリマー太陽電池の製造方法は、以下のステップを含む。陽極導電基板をホトエッチングし、陽極導電基板の表面の不純を取り除くための洗浄ステップ。金属化合物がホストとして使用され、リチウム化合物がドープゲスト剤として使用され、ホスト中のドープゲスト剤の質量比の範囲を1から10として、電子ビーム技術、或いは、スパッタリングプロセスによりホトエッチングされた陽極導電基板上にホールバッファ層を形成するステップ。ここで、金属化合物ホストは酸化亜鉛、硫化亜鉛、および硫化カドミウムのうちから選択される材料で作成される。また、ドープゲスト剤はLi2CO3,Li2O、LiF、LiCl、およびLiBrのうちから選択される材料で作成される。そして活性ポリマー層、電子バッファ層、および陰極をホールバッファ層に順番に形成する。さらに好適な実施例では、酸素プラズマ、又は、紫外オゾンを使用して、洗浄された陽極導電基板に表面処理が施される。好適な実施例では、活性ポリマー層をホールバッファ層の上に形成する際に、スピンコーティングによりホールバッファ層にポリマー溶液をコーティングし、活性高分子を形成するためにポリマー溶液を乾燥させる。ポリマー溶液の溶質はP3HTとPCBMの混合物、MODO-PPVとPCBMの混合物、およびMEH-PPVとPCBMの混合物のうちから選択される。P3HTとPCBMの混合物中のP3HTのPCBMに対する質量比の範囲は1:0.8から1:1であり、MODO-PPVとPCBMの混合物中のMODO-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4であり、MEH-PPVとPCBMの混合物中のMEH-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4である、ポリマー溶液の溶媒は、トルエン、キシレン系、クロロベンゼン系、およびクロロホルムのうちから選択され、ポリマーの中の溶質の濃度の範囲は、8mg/mLから30mg/mLとする。好適な実施例では、電子バッファ層を活性ポリマー層の上に形成する際に、マグネトロンスパッタリング工程、或いは、蒸着プロセスにより、ふっ化リチウム、ふっ化セシウム、および炭酸セシウムのうちから選択された材料を活性ポリマー層の上に形成する。電子バッファ層への陰極の形成は、マグネトロンスパッタリング工程、或いは、蒸着プロセスにより、アルミニウム、銀、金、およびプラチナのうちから選択された材料を電子バッファ層の上に形成することで行われる。ポリマー太陽電池では、ドープゲスト剤として、電子がより少ないリチウム化合物が金属化合物ホストにドープされることで、ホール輸送に役に立つp型ドープ層が形成される。ドープゲスト剤と金属化合物ホストは安定しており、その原料は容易に入手でき、安価であり、ドープ処理がシンプルであり、陽極導電基板を腐食させず、将来の工業的な生産に有利である。その上、p型ドーピング層のドープ処理はホール輸送に有利であり、その結果、ホールの輸送速度がより高められる。さらに、陽極導電基板のホールを収集する速度を高めるのに有利であり、その結果、ポリマー太陽電池のエネルギー変換効率が高められる。以下では、実施例と図面を参照し、ポリマー太陽電池とその製造方法について詳細に説明する。図1に示すように、一実施例としてのポリマー太陽電池100は、陽極導電基板110,ホールバッファ層120,活性ポリマー層130,電子バッファ層140,及び、陰極150を順次に積層して有している。陽極導電基板110は、インジウムすず酸化物ガラスITO、フルオレンドープすず酸化ガラスFTO、アルミニウムドープ酸化亜鉛ガラスAZO、およびインジウムドープ酸化亜鉛ガラスIZOのうちから選択される材料で作成される。ホールバッファ層120は、金属化合物ホストと、金属化合物ホストにドープされたドープゲスト剤を含む。金属化合物ホストは、酸化亜鉛ZnO、硫化亜鉛ZnS、および硫化カドミウムCdSのうちから選択される材料で作成される。ドープゲスト剤は炭酸リチウムLi2CO3、リチウム酸化物Li2O、ふっ化リチウムLiF、塩化リチウムLiCl、および臭化リチウムLiBrのうちから選択される材料で作成される。金属化合物ホスト中のドープゲスト剤の質量比の範囲は、1~10である。好ましくは、ホールバッファ層の厚さの範囲は、20nm~100nmとする。好ましくは、活性ポリマー層130、P3HTとPCBMの混合物、MODO-PPVとPCBMの混合物、およびMEH-PPVとPCBMの混合物のうちから選択される材料で作成される。P3HTとPCBMの混合物中のP3HTのPCBMに対する質量比の範囲は1:0.8から1:1とする。MODO-PPVとPCBMの混合物中のMODO-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4とする。MEH-PPVとPCBMの混合物中のMEH-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4とする。好ましくは、活性ポリマー層130の厚さの範囲は、80nmから300nmとする。さらに好ましくは、活性ポリマー層130は、P3HTとPCBMの混合物で作られ、P3HTのPCBMに対する質量比は1:0.8であり、活性ポリマー層130の厚さは、120nmとする。電子バッファ層140は、ふっ化リチウムLiF、ふっ化セシウムCsF、および炭酸セシウムCs2CO3のうちから選択される材料で作成される。電子バッファ層の厚さの範囲は、0.5nmから10nmの範囲である。陰極150は、アルミニウムアルミニウム、銀Ag系、金ゴールド、およびプラチナ白金のうちから選択される材料で作成される。好ましくは、陰極150の厚さの範囲は、80nmから250nmである。ポリマー太陽電池100では、ドープゲスト剤として、電子がより少ないリチウム化合物が電子が多い金属化合物ホストにドープされることで、ホール輸送に役に立つp型ドープ層が形成される。ドープゲスト剤と金属化合物ホストは安定しており、その原料は容易に入手でき、安価であり、ドープ処理がシンプルであり、陽極導電基板110を腐食させず、将来の工業的な生産に有利である。その上、p型ドーピング層のドープ処理はホール輸送に有利であり、その結果、ホールの輸送速度がより高められる。さらに、陽極導電基板のホールを収集する速度を高めるのに有利であり、その結果、最終的にポリマー太陽電池100のエネルギー変換効率が高められる。図2に示すように、本実施例のポリマー太陽電池の製造方法には、以下のステップが含まれる。ステップS1:陽極導電基板をフォトエッチングし、陽極導電基板の表面の不純物を取り除く洗浄をする。陽極導電基板は、フォトエッチングされ、必要なサイズにカットされる。陽極導電基板は、洗浄剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロピルアルコールにおいて順にそれぞれ15分間超音波洗浄され、基板表面上の不純物が除去される。好適な実施例では、ステップS1の後に、陽極導電基板は、酸素プラズマ、或いは、紫外オゾンを使って表面処理される。ここで、酸素プラズマ処理は、5分から15分間、10Wから50Wのパワーで実行することができ、紫外オゾン処理を、5分から20分間などで実行することができ、これにより、陽極導電基板の表面改質が行われ、その後に形成される層間との結合が強められる。ステップS2:ホールバッファ層は、電子ビーム技術、或いは、スパッタリングプロセスにより、フォトエッチングされた陽極導電基板の上に形成される。ホールバッファ層では、金属化合物はホストとして使用され、リチウム化合物がドープゲスト剤として使用され、ホスト中のドープゲスト剤の質量比の範囲は、1から10とする。金属化合物ホストは酸化亜鉛、硫化亜鉛、および硫化カドミウムのうちから選択される材料で作成される。リチウム化合物は、Li2CO3,Li2O、LiF、LiCl、およびLiBrのうちから選択される材料で作成される。製造される、ホールバッファ層の厚さの範囲は、20nm~100nmとする。ステップS3:活性ポリマー層、電子バッファ層、および陰極をホールバッファ層に順番に形成する。ホールバッファ層上に活性ポリマー層を形成する際に、ポリマー溶液がホールバッファ層上にスピンコーティングでコーティングされ、ポリマー溶液は乾燥されて、活性ポリマー層が形成される。活性ポリマー層の厚さの範囲は、80nmから300nmにコントロールされ、望ましくは、活性ポリマー層の厚さは120nmとする。ポリマー溶液の溶質はP3HTとPCBMの混合物、MODO-PPVとPCBMの混合物、およびMEH-PPVとPCBMの混合物のうちから選択される。P3HTとPCBMの混合物中のP3HTのPCBMに対する質量比の範囲は1:0.8から1:1とする。MODO-PPVとPCBMの混合物中のMODO-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4とする。MEH-PPVとPCBMの混合物中のMEH-PPVのPCBMに対する質量比の範囲は1:1から1:4とする。ポリマー溶液の溶媒は、トルエン、キシレン系、クロロベンゼン系、およびクロロホルムのうちから選択され、ポリマーの中の溶質の濃度の範囲は、8mg/mLから30mg/mLとする。好ましくは、ポリマー溶液はP3HTとPCBMの混合物のクロロベンゼン溶液であり、P3HTのPCBMに対する質量比は1:0.8とし、溶質の濃度は24mg/mLとする。ポリマー溶液の乾燥は、50°Cから200°Cの温度で5分から100分のアニーリング、或いは、24時間から48時間室温下に放置することで実施できる。好ましくは、30分間、100°Cの温度でアニーリングすることである。マグネトロンスパッタリング工程、或いは、蒸着プロセスにより、ふっ化リチウム、ふっ化セシウム、および炭酸セシウムのうちから選択された材料を活性ポリマー層の上に形成することで、活性ポリマー層の上に、電子バッファ層を形成する。好ましくは、電子バッファ層は蒸着プロセスによって形成される。電子バッファ層の厚さの範囲は、0.5nmから10nmにコントロールされる。例えば、0.7nmの厚さがあるふっ化リチウム層を活性ポリマー層の上に蒸着プロセスにて形成することができる。電子バッファ層への陰極の形成は、マグネトロンスパッタリング工程、或いは、蒸発プロセスにより、アルミニウム、銀、金、およびプラチナのうちから選択された材料を電子バッファ層の上に形成することで行われる。好ましくは、陰極は蒸着プロセスによって形成される。陰極の厚さの範囲は、80nmから250nmにコントロールされる。例えば、150nmの厚さのアルミニウム層を蒸着プロセスにて蒸着して陰極を形成することができる。以上の製造プロセスの原理は簡単であり、材料は容易に入手することができ、広範に応用することができる。以下では具体的な例を述べる、各例で使用される試験機器は、以下の通りである。高真空コーティング装置瀋陽科学機器研究センター株式会社、圧力<1×10-3Pa、電流-電圧テスター米国キース社、Model:2602、500WキセノンランプOsramとAM1.5フィルタと組み合わせて太陽光を模擬するための白色光源。実施例1ポリマー太陽電池:ITO/ZnO:Li2CO3/P3HT:PCBM/LiF/Al製造工程は以下のとおりである。まず、ITOはフォトエッチング処理され、必要なサイズに分離され、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロピルアルコールを用い、それぞれ15分超音波にて洗浄し、ITO表面の不純物を除去する。導電基板は酸素プラズマ処理され、この処理時間は5分であり、パワーは10Wとする。60nmの厚さのホールバッファ層は、電子ビーム技術でITOの表面に形成され、ZnOがホストとして、Li2CO3がドープゲスト剤として使用され、ZnOに対するLi2CO3の質量比は6である。P3HTとPCBMを混合したクロロベンゼン溶液が、ホールバッファ層にスピンコートされ、100°Cの温度で30分間乾燥され、120nmの厚さの活性ポリマー層が形成される。P3HTのPCBMに対する質量比は、1:0.8であり、溶質濃度は24mg/mLである。0.7nmの厚さのLiFが、蒸着プロセスによって活性ポリマー層に蒸着される。150nmの厚さのアルミニウムは陰極として蒸着プロセスによって蒸着され、これにより、ポリマー太陽電池が形成される。図3は、実施例1のITO/ZnO:Li2CO3/P3HT:PCBM/LiF/Al曲線1からなるポリマー太陽電池と、従来のITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/LiF/Al曲線2からなるポリマー太陽電池について、電流密度と電圧の関係を示すグラフである。その結果を表1に示す。図3から明らかなように、従来のポリマー太陽電池の電流密度が4.78mA/cm2であるのに対し、実施例1のホールバッファ層があるポリマー太陽電池の電流密度は、6.67mA/cm2に増加した。この結果は、金属化合物ホストにリチウム化合物がドープされることにより、ホールの輸送速度が効果的に改良され、これにより、より多くのホールが陽極に収集され、ポリマー太陽電池のエネルギー変換効率が最終的に高められることを証明する。従来のポリマー太陽電池のエネルギー変換効率は1.19であり、実施例1のポリマー太陽電池のエネルギー変換効率は1.75である。以下の実施例の発光スペクトルは実施例1と同様であり、発光要素は同様のルミネセンス強度があり、以下では再度の説明は行なわないものとする。実施例2ポリマー太陽電池:IZO/ZnS:Li2O/MEH-PPV:PCBM/CsF/Ag製造工程は以下のとおりである:まず、IZOはフォトエッチング処理され、必要なサイズに分離され、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロピルアルコールを用い、それぞれ15分超音波にて洗浄し、IZO表面の不純物を除去する。導電基板は酸素プラズマ処理され、この処理時間は10分であり、パワーは50Wとする。100nmの厚さのホールバッファ層は、マグネトロンスパッタリングプロセスでIZOの表面に形成され、ZnSがホストとして、Li2Oがドープゲスト剤として使用され、ZnSに対するLi2Oの質量比は10である。MEH-PPVとPCBMを混合したキシレン溶液が、ホールバッファ層にスピンコートされ、70°Cの温度で100分間乾燥され、300nmの厚さの活性ポリマー層が形成される。混合物中のMEH-PPVのPCBMに対する質量比は1:4であり、溶質濃度は30mg/mLである。10nmの厚さのCsFが、蒸着プロセスによって活性ポリマー層に蒸着される。80nmの厚さの銀は陰極として蒸着プロセスによって蒸着され、これにより、ポリマー太陽電池が形成される。実施例3ポリマー太陽電池:FTO/CdS:LiCl/MDMO-PPV:PCBM/LiF/Au製造工程は以下のとおりである。まず、FTOはフォトエッチング処理され、必要なサイズに分離され、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロピルアルコールを用い、それぞれ15分超音波にて洗浄し、FTO表面の不純物を除去する。導電基板は酸素プラズマ処理され、この処理時間は15分であり、パワーは30Wとする。10nmの厚さのホールバッファ層は、電子ビーム技術でFTOの表面に形成され、CdSがホストとして、LiClがドープゲスト剤として使用され、CdSに対するLiClの質量比は1である。MDMO-PPVとPCBMを混合したクロロベンゼン溶液が、ホールバッファ層にスピンコートされ、200°Cの温度で10分間乾燥され、1500nmの厚さの活性ポリマー層が形成される。混合物中のMDMO-PPVのPCBMに対する質量比は1:3であり、溶質濃度は8mg/mLである。0.5nmの厚さのLiFが、蒸着プロセスによって活性ポリマー層に蒸着される。250nmの厚さの金は陰極として蒸着プロセスによって蒸着され、これにより、ポリマー太陽電池が形成される。実施例4ポリマー太陽電池:AZO/ZnS:LiBr/P3HT:PCBM/CsF/Ag製造工程は以下のとおりである。まず、AZOはフォトエッチング処理され、必要なサイズに分離され、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロピルアルコールを用い、それぞれ15分超音波にて洗浄し、AZO表面の不純物を除去する。導電基板は酸素プラズマ処理され、この処理時間は8分であり、パワーは40Wとする。80nmの厚さのホールバッファ層は、マグネトロンスパッタリングプロセスでAZOの表面に形成され、ZnSがホストとして、LiBrがドープゲスト剤として使用され、ZnSに対するLiBrの質量比は5である。P3HTとPCBMを混合したクロロベンゼン溶液が、ホールバッファ層にスピンコートされ、室温で24時間乾燥され、80nmの厚さの活性ポリマー層が形成される。混合物中のP3HTのPCBMに対する質量比は1:3であり、溶質濃度は18mg/mLである。10nmの厚さのCsFが、蒸着プロセスによって活性ポリマー層に蒸着される。80nmの厚さの銀は陰極として蒸着プロセスによって蒸着され、これにより、ポリマー太陽電池が形成される。実施例5ポリマー太陽電池:ITO/ZnO:LiF/MDMO-PPV:PCBM/CsF/Al製造工程は以下のとおりである。まず、ITOはフォトエッチング処理され、必要なサイズに分離され、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロピルアルコールを用い、それぞれ15分超音波にて洗浄し、ITO表面の不純物を除去する。導電基板は酸素プラズマ処理され、この処理時間は12分であり、パワーは20Wとする。90nmの厚さのホールバッファ層は、電子ビーム技術でITOの表面に形成され、ZnOがホストとして、LiFがドープゲスト剤として使用され、ZnOに対するLiFの質量比は7である。MDMO-PPVとPCBMを混合したクロロベンゼン溶液が、ホールバッファ層にスピンコートされ、100°Cの温度で80分間乾燥され、100nmの厚さの活性ポリマー層が形成される。混合物中のMDMO-PPVのPCBMに対する質量比は1:2であり、溶質濃度は20mg/mLである。10nmの厚さのCsFが、蒸着プロセスによって活性ポリマー層に蒸着される。200nmの厚さのアルミニウムは陰極として蒸着プロセスによって蒸着され、これにより、ポリマー太陽電池が形成される。以上に述べた実施例は、本発明のいくつかの実施例を述べたものに過ぎず、具体的に、また、詳細なものとしたものであるが、本発明の権利範囲を制限するものと理解してはならない。本発明の当業者について言えば、本発明の思想を逸脱しない限りは、若干の変更や改良が可能であり、これらは全て本発明の保護範囲に含まれることは、ここで当然に指摘しておく。したがって、本発明の特許の保護範囲は、請求の範囲に記載されているものに基づくものである。"