自身の表面に超電導物質の膜を形成させる超電導膜形成用圧延銅箔であって、以下の再結晶熱処理を施す前の状態において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に銅箔厚みの110の深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯が表裏面の合計値で01本μm以下であり、700°Cで30分間の再結晶熱処理を施すことによりII0≧50I:銅箔の圧延面のX線回折で求めた200面の回折ピーク積分強度、I0:微粉末銅のX線回折で求めた200面の回折ピーク積分強度なる結晶方位が発現する超電導膜形成用圧延銅箔。前記せん断帯が表裏面の合計値で005本μm以下である請求項1に記載の超電導膜形成用圧延銅箔。鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が900~995である請求項1又は2に記載の超電導膜形成用圧延銅箔。前記最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40以上であり、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となる請求項3記載の超電導膜形成用圧延銅箔。しかしながら、自身の表面に直接又は間接的に超電導膜を形成させるための銅箔の表面性状についての検討は、未だ十分とはいえず、超電導膜の特性臨界電流密度等の向上も十分でないという問題がある。例えば、立方体集合組織を付与するために高加工度の冷間圧延を施すと、銅箔の表面近傍にせん断帯が発達する。このせん断帯は超電導膜の特性を低下させることがある。すなわち、本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、銅箔の表面性状を改善し、その表面に形成される超電導膜の特性が向上する超電導膜形成用圧延銅箔の提供を目的とする。本発明者らは種々検討した結果、最終冷間圧延での総加工度と、最終冷間圧延でのパスごとの加工度を調整することで、銅箔表面近傍のせん断帯を抑制し、その表面に形成される超電導膜の特性が向上することを見出した。上記の目的を達成するために、本発明の超電導膜形成用圧延銅箔は、自身の表面に超電導物質の膜を形成させる超電導膜形成用圧延銅箔であって、以下の再結晶熱処理を施す前の状態において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に銅箔厚みの110の深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯が表裏面の合計値で01本μm以下であり、700°Cで30分間の再結晶熱処理を施すことによりII0≧50I:銅箔の圧延面のX線回折で求めた200面の回折ピーク積分強度、I0:微粉末銅のX線回折で求めた200面の回折ピーク積分強度なる結晶方位が発現する。前記せん断帯が表裏面の合計値で005本μm以下であることが好ましい。本発明の超電導膜形成用圧延銅箔は鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が900~995以下であることが好ましい。前記最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40以上であり、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となることが好ましい。本発明によれば、銅箔表面近傍のせん断帯を抑制し、銅箔の表面性状を改善し、その表面に形成される超電導膜の特性が向上する超電導膜形成用圧延銅箔が得られる。以下、本発明の実施形態に係る超電導膜形成用圧延銅箔について説明する。なお、本発明においてとは、特に断らない限り、質量を示すものとする。図1は、本発明の実施形態に係る超電導膜形成用圧延銅箔4を支持体2に積層してなる超電導膜形成用配向板10、及び超電導膜形成用配向板10の表面超電導膜形成用圧延銅箔4側の面に超電導膜8を形成してなる超電導材100を示す。支持体2は、超電導膜形成用配向板10の強度を確保するためのものであり、非磁性金属材料例えば、ステンレス鋼、ニッケル合金が好ましい。銅箔4には、再結晶配向化熱処理以下、適宜熱処理ともいうが施され、その際に銅箔4の立方体方位が発達する。この再結晶配向化熱処理の温度は、200°C以上、かつ純銅の融点以下とすることが好ましい。200°C未満の熱処理では、十分な配向組織が得られない場合がある。また、熱処理は好ましくは800°C以下である。より好ましい熱処理温度は、300~700°Cである。また、熱処理時間は、1~30分とするのが好ましい。熱処理温度が700°Cより高い、又は熱処理時間が30分より長い場合には、結晶粒界のグルーヴ溝が深くなることがあり、配向処理後にこれを除去するための研磨を要することがある。この銅箔4の熱処理は、銅箔4を支持体2に積層する前に行っても良いし、銅箔4を支持体2に積層した後に行っても良い。圧延銅箔4を支持体2に積層する方法としては、両者の接合面を乾式エッチングによって清浄化した後、両者を無加圧又は加圧して積層し、表面の原子間力によって接合する表面活性化接合を用いることができる特許文献2参照。超電導膜8を構成する超電導物質とは、その物質が特定の温度臨界温度以下に冷やされた時に電気抵抗が0になる物質をいう。特に、実用上の観点から、臨界温度が液体窒素の沸点196°C以上である高温超電導物質が好ましい。高温超電導物質としては、例えば、イットリウム系超電導体YBCO、Y123、希土類元素系酸化物超電導体R123、銅酸化物高温超電導体が挙げられるがこれらに限定されない。なお、図1の例では、超電導膜形成用圧延銅箔4の表面に、Niめっき層等からなるバリア層6が形成されている。これは、超電導膜形成用圧延銅箔4の表面に超電導膜8を直接形成すると、成膜時に超電導膜8の成分酸化物等が銅箔4側へ拡散して酸化銅を形成したり、成膜時の高温によって銅箔4が酸化し易いからである。従って、超電導膜形成用圧延銅箔4の表面にバリア層6を形成することが好ましい。バリア層6としては、ニッケル又はニッケル合金が好適に用いられる。又、図1の例では、支持体2の片面に超電導膜形成用圧延銅箔4を形成しているが、支持体2の両面にそれぞれ超電導膜形成用圧延銅箔4を形成してもよい。<組成>超電導膜形成用圧延銅箔の成分組成としては、JIS-H3100C1100に規格するタフピッチ銅TPC又はJIS-H3100C1020無酸素銅OFCを好適に用いることができる。又、上記したタフピッチ銅又は無酸素銅に対し、添加元素としてAg、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、及びVからなる群から選ばれる一種以上を合計で20~1500質量ppm含有してもよい。例えば、上記したタフピッチ銅又は無酸素銅に対し、添加元素としてSnを10~500質量ppm、及び/又はAgを10~500質量ppm含有することができる。上記元素の合計含有量が20質量ppm未満であると、軟化温度が低く、常温での保管性が低下する場合がある。なお、圧延銅箔の厚みは100μm以下が好ましく、更には50μm以下が好ましく、20μm以下がより好ましい。また、圧延銅箔の厚みの下限は特には限定されないが、製造性等を考慮すると、圧延銅箔の厚みは4μm以上が好ましく、5μm以上がより好ましく、6μm以上が更に好ましい。<銅箔の結晶方位>超導電膜の基板として用いられる銅箔には、再結晶熱処理後に、立方体方位が発達することが求められる。立方体方位の評価方法として、圧延面のX線回折で求めた200面の強度Iの微粉末銅のX線回折で求めた200面の強度I0に対する比I/I0を測定する方法がある。本発明者らの検討によると、例えば特許文献2等で開示されている高加工度の冷間圧延で製造された銅箔では、再結晶熱処理後に50以上の高いI/I0値が発現するI/I0値が50未満になると、超電導膜の特性が著しく低下する。そこで、I/I0値を50以上に規定する。I/I0値は好ましくは60以上、さらに好ましくは80以上である。一方、I/I0値の上限値については、超電導膜の特性の点からは規制されず、一般的には高ければ高いほど良いが、後述する工程で製造した本発明の銅箔ではI/I0値が200を超えることはない。前述したように、上記再結晶熱処理は、超電導膜形成用配向板の製造プロセスにおいて、銅箔を立方体方位に配向させるために行なわれるものであり、熱処理温度は200°C~純銅の融点の範囲が好ましく、より好ましくは800°C以下、さらに好ましくは300~700°Cである。また、熱処理時間は、1~30分とするのが好ましい。銅箔が十分に再結晶すれば、熱処理の温度または時間が上記範囲で多少変化しても、I/I0値に及ぼす影響は無視できる程度である。<せん断帯>金属材料は圧延加工されるとすべり変形を起こすが、高加工度で変形すると塑性不安定による不均一変形がおこり、せん断帯が発生する。せん断帯とは、圧延板面に対して30~60度傾いた、薄い面状の組織を言う例えば鉄と鋼第70年1984第15号P18。せん断帯は周囲の母相とほぼ類似の結晶方位を持っているが、密なセル組織を持っており、再結晶核生成が起こりやすい。そのため、せん断帯が発達した材料ではせん断帯部と母相とで再結晶が不均一に起こり、その結果として再結晶集合組織の発達が妨げられる。上記再結晶熱処理前の状態において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に銅箔厚みの110の深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯本数を表裏面の合計値で01本μm以下に調整すると、銅箔表面に形成される超電導膜の特性例えば、臨界電流密度Jcが向上する。せん断帯本数をこのように規定すると、その後の再結晶熱処理により再結晶が均一に起こり、銅箔表面に超電導膜がエピタキシャル成長し易くなる結果、超電導膜の特性が向上すると考えられる。なお、上記再結晶熱処理後は、せん断帯本数は減少又は消失する。せん断帯本数は後述するように最終冷間圧延の条件を調整することで制御できる。ここで、銅箔厚み中央を横切るせん断帯の本数が少なくても、表面近傍にせん断帯が発達すると超電導膜の特性が低下する。そこで、本発明では、銅箔表面近傍のせん断帯を評価するために、銅箔表面から厚み方向に銅箔厚みの110の深さの線を横切って表面に達するものをせん断帯とみなす。なお、せん断帯を01本μm以下に少なくすることで、超電導膜の特性例えば、臨界電流密度Jcが向上する理由は明確ではないが、例えば、超電導膜としてYBCOを成膜する場合、YBCO膜のc軸配向結晶粒の核発生が促進されると臨界電流密度が向上し、a軸配向結晶粒が多く発生すると臨界電流密度が向上しないので、銅箔の表面性状によって超電導膜の特定の方位に配向した結晶粒が増えるものと考えられる。せん断帯は、強加工による塑性不安定によって圧延面と30~60度傾いた面上でせん断変形が集中的に起こって形成される組織が観察面に現れたものである。したがって、せん断帯は圧延組織の不連続面として観察される。せん断帯部の結晶方位は母相と差がないために、結晶方位測定でせん断帯を規定することはできない。一方、せん断帯は深さ方向に広がっているため、材料の断面を観察して特定することができる。従って、最終圧延後の銅箔の圧延平行方向の断面を観察したとき、圧延面と30~60度傾いた圧延組織の不連続部分をせん断帯とする。具体的には、上記断面の顕微鏡金属顕微鏡、走査型電子顕微鏡SEM、走査イオン顕微鏡SIM等の像を得て、圧延面と30~60度傾いた線を画像解析や目視によりせん断帯と判定することができる。銅箔の断面加工はFIBやCPで行うのが好ましいが、機械研磨等の方法を用いても良い。図3は、圧延平行方向の断面から見たときの組織のSEM像を示す。この図において、符号Shで表した2つの矢印を結ぶ線がせん断帯である。又、白色の矢印は、線Cに到達しないせん断帯である。<せん断帯の測定>せん断帯の測定は、図2に示すように、再結晶配向化熱処理前の銅箔の圧延平行方向RDの断面Rを研磨し、RD方向の幅W=200μm以上とし、銅箔の厚みtを高さとする観察視野Vを決め、走査型電子顕微鏡SEMの像を得る。そして、銅箔表面から厚み方向に銅箔厚みの110の深さの線Cを横切って銅箔表面に到達するせん断帯Shの本数を、視野幅Wで除したものをせん断帯の本数本μmとする。又、銅箔の表裏の面からそれぞれ線Cを引くことができるので、せん断帯の本数は、銅箔の表裏につきそれぞれ測定した値の合計値とする。なお、有意なせん断帯Shは、その一端が銅箔表面に至り、他端が線Cと交差する線であり、これ以外のせん断帯銅箔表面に到達しないか、又は線Cと交差しないせん断帯は、再結晶集合組織発達、及び超電導膜の特性への影響が小さいため、本発明ではせん断帯としてカウントしない。次に、本発明の超電導膜形成用圧延銅箔の製造方法の一例について説明する。まず、銅及び必要な合金元素、さらに不可避不純物からなる鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延で所定厚みに仕上げる。最終冷間圧延では、材料を繰り返し圧延機に通板パスすることで所定の厚みに仕上げる。本発明の圧延銅箔の製造では、少なくても5パス以上の通板が繰り返される。この最終冷間圧延において、総加工度および各パスの加工度を下記のように調整することにより、せん断帯を01本μm以下に調整できる。ここで、総加工度Rは、最終冷間圧延における板厚減少率であり、R=T0-T/T0T0:最終冷間圧延前の厚み、T:最終冷間圧延後の厚みで与えられる。また、1パスあたりの加工度rとは、圧延ロールを1回通過したときの板厚減少率であり、r=t0-t/t0t0:圧延ロール通過前の厚み、t:圧延ロール通過後の厚みで与えられる。最終冷間圧延の総加工度は995以下とすることが好ましく、より好ましくは990以下であり、さらに好ましくは980以下である。総加工度を低くすることで、せん断帯の発達を抑制できる。また、最終圧延での総加工度は90以上とすることが好ましい、総加工度が90未満になると再結晶熱処理後の200面のI/I0値が50未満になることがある。総加工度がより好ましくは93以上、さらに好ましくは95以上である。上記総加工度の上限の規定に加え、最終冷間圧延の各パスの加工度につき、最終5パス最終パス前4パスから最終パスまでの5つのパスのことを意味するの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中の最終パスを除くいずれかのパスの最大加工度が40以上であり、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となるように設定することで、せん断帯を01本μm以下とすることができる。最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、かつ最終パスを除くいずれかのパスの最大加工度を40以上とすることで、厚み方向に均一に銅箔を変形させて局部的な変形を抑制し、せん断帯の発達を防止することができる。又、圧延中の材料表面とワークロールとの摩擦によって材料表面にせん断変形組織が発達することから、最終パスを低い加工度で圧延することで、材料表面にせん断加工層ができるのを抑制することができる。ただし、材料が厚い段階で高い加工度をかけると、材料厚み方向に均一に変形せず、材料表面近傍にせん断帯ができやすいため、最大加工度となるパスは最終パスの2~4パス前が好ましい。JIS-H3100合金番号C1100に規格するタフピッチ銅TPC又はJIS-H3100合金番号C1020無酸素銅OFCに対し、表1に記載の元素を添加してインゴットを鋳造した。作製したインゴットを800°C以上で厚さ10mmまで熱間圧延を行い、表面の酸化スケールを面削した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返した後、さらに最終冷間圧延で厚み0006~01mm表1参照に仕上げた。最終冷間圧延は10~15パスで行い、最終冷間圧延の総加工度を表1に示す値とした。又、最終冷間圧延の最終5パス最終パスの4パス前から最終パスまでの各加工度を表1に示す値とした。このようにして得られた各銅箔試料について、諸特性の評価を行った。1200面のI/I0値再結晶配向化熱処理を模して、試料を700°Cで30分間加熱した後、圧延面のX線回折で求めた200面強度の積分値Iを求めた。この値を、あらかじめ測定しておいた微粉末銅関東化学株式会社製、325mech、>99.5銅粉末の200面強度の積分値I0で割り、I/I0値を計算した。測定装置にはRINT2500株式会社リガク製を用い、X線源にはCoを用いた。2せん断帯の本数頻度図2に示すように、再結晶配向化熱処理前の試料の圧延平行RDの断面Rを研磨機械研磨またはCPクロスセクションポリッシャー法し、RD方向の幅W=200μm以上とし、銅箔の厚みtを高さとする観察視野Vを決め、走査型電子顕微鏡SEMの像を得た。そして、図2の線Cを横切って、銅箔表面に到達するせん断帯Shの本数を、視野幅Wで除したものをせん断帯の本数本μmとして目視で数えた。なお、銅箔の表裏の面からそれぞれ線Cを引き、銅箔の表裏につきそれぞれせん断帯の本数を測定し、{表面のせん断帯の本数裏面のせん断帯の本数}÷視野幅Wにより、せん断帯の本数を求めた。3超電導膜の特性臨界電流密度Jc再結晶配向化熱処理として、得られた各銅箔を95窒素と5水素からなる雰囲気中で700°Cで30分間加熱した。次に、加熱後の銅箔と支持体SUS316のステンレス鋼、厚み0.1mmとを、所定の真空装置内に設置し、各接合面にアルゴンイオンビームエッチングを施して清浄化した。その後、真空装置内で銅箔と支持体を積層して加圧し、超電導膜形成用配向板を得た。この超電導膜形成用配向板の銅箔面に、バリア層としてNiめっき層を2μm電気めっきし、バリア層上にTFAMODMetalOrganicDepositionusingTriFluoroAcetates法により、YBCO膜からなる超電導膜を形成した。そして、77K、自己磁界中で直流4端子法により、1μVcmの電圧基準で臨界電流密度Jcを測定した。なお、Jcが100000Acm2を超える場合を◎、10000Acm2を超えて100000Acm2以下の場合を○、100Acm2を超えて10000Acm2以下の場合を△、100Acm2以下の場合を×として表した。表1、表2から明らかなように、各実施例の場合、再結晶配向化熱処理前に、圧延平行断面から見て、線Cを横切って表面に到達するせん断帯が01本μm以下であり、かつ再結晶配向化熱処理後の立方体集合組織の配向度II0が50以上であり、超電導膜の特性臨界電流密度が向上した。特に、再結晶配向化熱処理前に、線Cを横切って表面に到達するせん断帯が005本μm以下である実施例1~3、5、7~9、11、12、15~17の場合、他の実施例に比べて超電導膜の特性臨界電流密度がさらに向上した。このことより、線Cを横切って表面に到達するせん断帯が005本μm以下であることがより好ましい。一方、最終冷間圧延において、最終5パスのいずれのパスの加工度も40未満であった比較例1、最終パスの加工度が5パス中で最小とならなかった比較例2、3、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在しないつまり、最終パスに向かって加工度が単調減少する比較例4、総加工度が995を超えた比較例6の場合、及び最終パスの加工度が5パス中で最小とならずかつ総加工度が995を超えた比較例5の場合、再結晶配向化熱処理前において線Cを横切るせん断帯が表裏面の合計値で01本μmを超えた。これらの比較例では、再結晶熱処理後の立方体集合組織の200面のI/I0が50以上であったものの、超電導膜の特性臨界電流密度が劣った。これは、再結晶熱処理の際に再結晶が不均一に起こり、銅箔表面に超電導膜がエピタキシャル成長し難くなったためと考えられる。また、最終冷間圧延の総加工度が900未満であった比較例7の場合、I/I0が50未満となり、超電導膜の特性臨界電流密度が劣った。なお、表1には、銅箔表面から厚み方向の中心線を横切って該表面に到達するせん断帯の表裏面の合計値も表示しているが、厚み方向中心のせん断帯本数では、超電導膜の特性臨界電流密度を評価できないことがわかる。