"少なくとも1列に位置決めされ、それぞれが光電子デバイスを囲んだ複数のパッケージを含む配列であって、各パッケージが、少なくとも1つの隣接パッケージに重なる、配列。各パッケージが、電気活性エリアを画定するエッジシールゾーンを含み、前記エッジシールゾーンの少なくとも一部分が透明であり、各列における第1のパッケージの前記電気活性エリアには、隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が重なり、各列における前記第1のパッケージ以外の各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が、隣接するパッケージの前記電気活性エリアに重なる、請求項1記載の配列。前記複数のパッケージのそれぞれが、単一のピクセルを含む、請求項1記載の配列。前記複数のパッケージが、連続する光放出エリアを形成するように構成されている、請求項2記載の配列。各パッケージの前記エッジシールゾーンの一部分が不透明であり、前記列における各パッケージの前記電気活性エリアが、隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分に重なる、請求項2記載の配列。各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分のエッジが、線状に位置合わせされている、請求項5記載の配列。前記エッジが、線状バスに沿って配置され、それに接続されるように構成されている、請求項6記載の配列。各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分のエッジが、平行に位置合わせされている、請求項5記載の配列。前記複数のパッケージが、少なくとも2列に配列され、第1の列における各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が、前記第1の隣接するパッケージの前記電気活性エリアと、第2の列における隣接するパッケージの前記電気活性エリアとに重なる、請求項2記載の配列。前記第1の列における各パッケージの前記電気活性エリアが、前記第2の列における隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分に重なる、請求項9記載の配列。前記エッジシールゾーンの前記不透明部分が、前記光電子デバイスのアノードおよびカソードを複数の端子を介して外部電源に接続するように構成されている導電性層を含む、請求項5記載の配列。前記カソードおよび前記アノードが、前記エッジシールゾーンの不透明部分を通って延びる、請求項11記載の配列。前記導電性層が、前記アノード上に直接配置されている、請求項11記載の配列。前記エッジシールゾーンの前記不透明部分における前記アノードと前記導電性層との間に配置され、前記アノードを前記カソードから電気的に絶縁するように構成されている電気的絶縁層をさらに含む、請求項11記載の配列。各光電子デバイスがOLEDである、請求項1記載の配列。連続する点灯エリアを形成し、それぞれが光電子デバイスを囲み、少なくとも2列に配列された複数のパッケージを含むOLED照明配列であって、各パッケージが、電気活性エリアを画定し、透明部分と不透明部分とを有するエッジシールゾーンを含み、前記不透明部分が、前記光電子デバイスを複数の端子を介して外部電源に接続するように構成されている導電性層を含み、第1の列における各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が、前記第1の列における隣接するパッケージの前記電気活性エリアと、第2の列における隣接するパッケージの前記電気活性エリアとに重なり、前記第1の列における各パッケージの前記電気活性エリアが、前記第2の列における隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分に重なり、各パッケージの不透明エッジが、線状バスバーに沿って位置合わせされている、OLED照明配列。電気活性エリアを画定するエッジシールゾーンと、透明である前記エッジシールゾーンの少なくとも一部分、および不透明である前記エッジシールゾーンの一部分とを含むパッケージ済み光電子デバイスであって、前記エッジシールゾーンの前記不透明部分が、前記光電子デバイスのアノードおよびカソードを複数の端子を介して外部電源に接続するように構成されている導電性層を含む、パッケージ済み光電子デバイス。前記カソードおよび前記アノードが、前記エッジシールゾーンの不透明部分を通って延びる、請求項17記載のパッケージ済み光電子デバイス。前記導電性層が、前記アノード上に直接配置される、請求項17記載のパッケージ済み光電子デバイス。前記エッジシールゾーンの前記不透明部分における前記アノードと前記導電性層との間に配置され、前記アノードを前記カソードから電気的に絶縁するように構成されている電気的絶縁層をさらに含む、請求項17記載のパッケージ済み光電子デバイス。前記カソードおよび前記アノードが、前記エッジシールゾーンの不透明部分を通って延び、前記導電性層が、前記アノード上に直接配置され、電気的絶縁層が、前記エッジシールゾーンの前記不透明部分における前記アノードと前記導電性層との間に配置され、前記アノードを前記カソードから電気的に絶縁するように構成されている、請求項17記載のパッケージ済み光電子デバイス。透明な導電性酸化物を含むパターニングされていない電極を有する、光電子デバイス。前記透明な導電性酸化物が、インジウムスズ酸化物である、請求項22記載の光電子デバイス。前記パターニングされていない電極上に直接配置され、前記パターニングされていない電極および電源と電気的に連通しているように構成されている金属化層をさらに含む、請求項22記載の光電子デバイス。図1は、本発明の照明配列で使用するのに適している光電子デバイスパッケージ10の断面図であり、第1のバリア層110、第1の電極120、電気活性層複数可130、第2の電極140、任意選択の基板150、および第2のバリア層160を示す。基板150が存在しない実施形態では、第2の電極140は、第2のバリア層160上に直接配置されてもよい。接着層170が、第1のバリア層110と第1の電極120との間に配置され、第1のバリア層110と第2のバリア層160との間にエッジシールゾーン180が形成される。いくつかの実施形態では、第2の電極140は、基板150と同一の範囲にわたっていてもよく、接着層170は、第2の電極140上に部分的に配置されてもよく、エッジシールゾーン180が形成される。他の実施形態では、基板150は、層160および180と同一の範囲にわたっていてもよい。エッジシールゾーンの幾何学的形状は、水および酸素の侵入を最小限に抑えるように設計されており、第1のバリア層110と第2のバリア層160との間の結合を形成する接着層170は、薄く、広く、したがって、好ましい幾何学的形状をもたらす。接着層170の接着材料は、基板とバックシートとの間に強力な結合をもたらし、湿気および酸素の侵入に対して比較的不浸透性であるように選択される。接着剤は、湿気を含まず、化学的に不活性であり、したがって、デバイス、具体的には電極を形成する材料および電気活性層の材料を劣化させない。接着剤170は、光放出領域を越えてエッジシールゾーン180に延びる範囲まで透明であるべきである。透明熱可塑性物質、感圧接着剤、アクリル、ならびに熱硬化性のエポキシおよびウレタンを含む広範な接着剤が適している可能性が高い。例えば、低コストの材料および処理は、バリア層に予め付着、次いで乾燥可能な分散剤として提供されるRohmHaasAdcote37T77などのヒートシール材料を選択することによって可能である。次いで、OLEDデバイスに対するバリア層のラミネート加工は、例えば、連続的なロールによるラミネート加工プロセスにおいて、熱および圧力を緩和するためにわずかな露出により完了可能である。任意選択の接着層190は、基板150が存在する場合、第2の電極140と第2のバリア層160との間に配置される。基板150と、第1のバリア層110および第2のバリア層160とは、不透明であっても、または透明であってもよいが、デバイスの少なくとも1つの面、すなわち、第1のバリア層110あるいは基板150および/または第2のバリア層160は、デバイス10によって放出または吸収される光が電気活性層複数可130から、または電気活性層複数可130に通過できるように透明である。一例では、基板150は、透明であり、ガラス、またはポリエステルPET、PENなどのプラスチックから成る。バリア層はそれぞれ、湿気および酸素に対して比較的不浸透性であり、バリア層として使用するのに適している透明材料は、例えば、GeneralElectricCompanyに譲渡された米国特許第7,015,640号、米国特許第7,154,220号、および米国特許第7,397,183号に記載されているガラスおよび超高バリアUHB薄膜を含む。金属箔は、不透明なバリア層に適している。第2の電極140は、カソード、またはアノードのいずれかであってもよく、いくつかの実施形態では、第2の電極140はアノードである。具体的には、第2の電極140は、インジウムスズ酸化物ITOから成るアノードであってもよい。電気活性層複数可130は、OLEDデバイスの場合光を放出するように、またはPVデバイスの場合光を吸収するように集合的に作用する1つまたは複数の層であり、正孔および電子注入層、正孔および電子輸送層、ならびに放出層を含むことが可能である。真空および非真空のプロセスを含む層の様々な堆積手段は、当技術分野において知られている。OLEDデバイスおよびPVデバイスにおいて使用するのに適している材料、ならびにそのようなデバイスを製造するための方法はよく知られており、ここでは詳細に述べない。図2Aは、本発明の照明配列において使用するのに適しているパッケージ20の電気活性層を通る横断面図であり、絶縁層201と、電気活性エリア210と、エリア210の下にあり、電極、基板、接着層複数可、および/またはバリア層複数可を含む露出層250とを示す。特定の実施形態では、電極はアノードであり、より具体的には、アノードはITOから成る。電気活性エリア210は、第2の電極と、下にある層に加えて電極間に挟まれた電気活性層とを含む。デバイス20は、単一のピクセル、すなわち、単一の光放出面として示されているが、複数のより小さいピクセルを含んでもよい。絶縁層201は、典型的には薄く、電気活性エリア210とほぼ同じ厚さであり、電気活性エリア210との境界が平坦である。絶縁層は、エッジシールゾーン226に限定され、電気活性エリア210内にまで延びない。絶縁層201は、様々な有機絶縁体または無機絶縁体から成ることが可能である。一例では、電極220を堆積させる前に、粘度約1~10cPsの低粘性シアノアクリレート接着剤を塗布して、薄い絶縁コーティングを形成することが可能である。別の例では、無機二酸化ケイ素の薄層1ミクロン未満をマスクにより堆積して、絶縁層201を形成することが可能である。有機材料が、様々なプリント技法またはコーティング技法のいずれかによって塗布可能であり、無機材料が、蒸着法、例えば、真空蒸発、スパッタリング、および化学蒸着によって堆積可能である。一実施形態では、デバイス20は、アノードをパターニングせずに製造可能である。そのようなプロセスは、必要なステップがより少ないのでより経済的であり得、また、改善した特性を有するデバイスをもたらすこともあり得る。非限定的な例では、ITO層がプラスチック基板上に形成され、透明なUHB層がITO層と基板との間、または基板の他方の表面上に形成可能である。基板領域は、デバイスのほぼ最終的な形状を画定する。基板は、連続ロール形式でも、または大きいパネルであってもよく、それにより、複数の領域の部分がコーティング可能である。有機材料から成る絶縁層が、様々なプリント技法またはコーティング技法のいずれかによって低粘性コーティング組成物からパターニングされていないアノードに付着されても、あるいは無機絶縁層が、真空蒸発または他の蒸着法によってパターニングされていないアノード上に堆積されてもよい。コーティングの縁部におけるステップ高差は、典型的には、最小限にされる。電気活性層は、パターニングされていないアノード上に直接堆積され、いくつかの、またはすべての縁部における電気活性エリアと基板の周囲との間に空隙が残される。金属カソード層が、絶縁層と電気活性層との上に直接、および適宜、マスクを介してアノードの選択された部分の上に堆積される。金属層は、例えば、蒸着プロセス、または導電性インクを用いるプリントタイププロセスによって形成可能である。代替の実施形態では、ITOアノードは、普通なら絶縁層201によって画定される領域からエッチングプロセスによって選択的に取り除かれ、したがって、ベア基板150が露出し、絶縁層201の必要性がなくなる。電気活性層およびカソード層を堆積させる後続のステップには、変更ない。図2Bは、パッケージ20の一実施形態の電極層を通る横断面図である。図示の電極層220は、基板上に配置されていない電極層であり、図1の第1の電極120に類似している。この実施形態では、第1の電極220はカソードであり、不透明であってもよく、この構成を有するOLEDデバイスを底面放出として説明する。他の実施形態では、層は透明電極であり、それを上面放出として説明する。図2Bは、カソードエリア220と、エッジシールゾーンの透明部分を形成するためのベースである下層250と、任意選択のエリア203とを示す。カソードエリア220および導電性エリア203は、透明または不透明な導電性層を含む。エリア220および203の導電性層に適している材料は、当技術分野で知られており、アルミニウムおよび銀など、元素形態の金属、ならびにITOおよび亜鉛酸化スズなどの透明導電性酸化物を含む。具体的には、アルミニウムの薄層が使用可能である。カソードエリア220では、その層は、絶縁層201および電気活性エリア210図示せずを覆って配置され、同一の範囲にわたる。任意選択の導電性エリア203がアノード上に直接配置される。アノードと電気的に接触している追加の導電性層を使用することは、ITOなどの限定された真性導電率を有する材料から成るアノードの導電率を向上させるために特に望ましい。さらには、導電性層、例えば金属を追加することによって、エリア203におけるアノードへの低抵抗電気接触が、より容易に形成可能である。不透明なエッジシールゾーン226は、アノードと電気的に連通し、間に絶縁層を含まない2つの導電性層から成る導電性エリア203、および導電性材料と導電性層間の短絡を防ぐ絶縁層との2つの層から成るカソードエリア220の拡張部を含む下層アノードおよび絶縁層がそれらを分離している図示せず。本実施形態では、普通なら絶縁層201によって画定される領域でITOがエッチング除去される場合には、カソードエリア220は、同様に、不透明なエッジシールゾーン226にまで延びる領域と電気的に連通しており、1つの導電層からのみ成る。デバイスの気密パッケージ化は、適切な構造および方法を使用して達成される。様々なタイプの気密パッケージおよびそれらを製造するための方法は、2008年12月17日に出願の米国特許出願第12/336,683号、2009年7月28日に出願の米国特許出願第12/510,463号、2009年5月21日に出願の米国特許出願第12/470,033号、および2009年9月30日に出願の米国特許出願第12/570,024号に記載されており、それらの全体的内容が参照によって本明細書に組み込まれている。例えば、透明な保護バックシートが、デバイスの背面に接合可能である。保護バックシートは、アノードおよびカソードと電気的に連通しているエッジシールゾーン226の一部が露出されるように、基板と位置決めおよび位置合わせ可能である。透明なバックシートに適している材料は、バリア薄膜を有するガラスまたはプラスチックを含む。それは、光学的に透明な接着剤を用いて下層に接合可能であり、その接着剤は、通常、強力な接合をもたらすように選択され、OLEDを劣化させないように湿気を含まず、化学的に不活性であり、湿気および酸素のエッジ侵入に対して比較的不浸透性である。シールの幾何学的形状は、侵入を最小限にするのに十分に薄く、広いように設計されている。図3は、重なり合う光電子デバイスパッケージ310および320を示す配列30の概略図である。デバイス310のエッジシールゾーン312の透明部分は、デバイス320の電気活性エリア324に重なり、デバイス320の透明部分322は、デバイス310の背面における電気活性エリア314に重なる。OLEDによって放出されるか、またはPVデバイスによって吸収されることになる光は、重なり合った透明部分を通過することができる。OLEDの場合、電気活性エリア314および324は、介在する非光放出エリアなしに位置決め可能であり、連続する放出エリアが形成される。本発明は、透明なエッジシールゾーンを有するパッケージに限定しておらず、そのような実施形態では、光放出エリアまたは光吸収エリアは、非放出エリア/非吸収エリアによって分離可能であることに留意すべきである。図4は、互いに直角に配向された重なり合うパッケージ410および420を示す配列40の概略図である。デバイス410のエッジシールゾーン412の透明部分は、デバイス420の電気活性エリア424に重なり、デバイス410の電気活性エリア414は、デバイス420のエッジシールゾーン426の不透明部分に重なり、配列の1つの面において連続する光放出エリアまたは光吸収エリアが形成される。図5は、1列に配列され、各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分516、526、536、546が線状に位置合わせされた状態で配向された重なり合うパッケージ510、520、530、および540を示す配列50の概略図である。その列における第1のデバイス、デバイス510の電気活性エリア514には、隣接するデバイス520のエッジシールゾーンの透明部分522が重なる。その列におけるデバイス530および540のエッジシールゾーンの透明部分532および542は、隣接するデバイス520および530の電気活性エリア524および534に重なる。不透明部分516、526、536、546は、線状バスバー515に沿って配置され、その配列に電力供給するためにそれに接続されてもよい。図6は、第1の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分616、626、636、646が線状に位置合わせされ、第2の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分図示せずが互いに線状に位置合わせされた状態で配向された2列の重なり合うパッケージ610、620、630、640、650、660、670、および680を示す配列60の概略図である。第1の列における第1のデバイス、デバイス610の電気活性エリア614には、隣接するデバイス620のエッジシールゾーンの透明部分622が重なる。その列におけるデバイス630および640のエッジシールゾーンの透明部分632および642は、隣接するデバイス620および630の電気活性エリア624および634に重なる。第2の列における第1のデバイス、デバイス650の電気活性エリア654には、隣接するデバイス660のエッジシールゾーンの透明部分662が重なる。その列におけるデバイス670および680のエッジシールゾーンの透明部分672および682は、隣接するデバイス660および680の電気活性エリア664および674に重なる。第1の列におけるデバイス610、620、630、および640の電気活性エリア614、624、634、および644は、第2の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分図示せずに重なり、デバイス610、620、630、および640のエッジシールゾーンの透明部分618、628、638、および648は、隣接するデバイス650、660、670、および680の不透明エリア図示せずに重なる。第1の列におけるデバイス610、620、630、および640の不透明部分616、626、636、646は、線状バスバー615に沿って配置され、その列に電力供給するためにそれに接続されてもよく、第2の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分は、線状バスバー625に沿って配置され、その列に電力供給するためにそれに接続されてもよい。図7は、1列に配列され、各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分図示せずが不透明部分716に平行に位置合わせされた状態で配向された重なり合うパッケージ710、720、730、および740を示す配列70の概略図である。その列における右手から第1のデバイス、デバイス740の電気活性エリア744には、隣接するデバイス730のエッジシールゾーンの透明部分732が重なる。その列におけるデバイス710および720のエッジシールゾーンの透明部分712および722は、隣接するデバイス720および730の電気活性エリア724および734に重なる。電気活性エリア714、724、および734は、デバイス710の不透明部分716に平行に位置合わせされているデバイス720、730、および740のエッジシールゾーンの不透明部分図示せずに重なる。図8は、第1の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分図示せずが不透明部分816に平行に位置合わせされ、第2の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分図示せずが平行に位置合わせされた状態で配向された2列の重なり合うパッケージ810、820、830、840、850、860、870、および880を示す配列80の概略図である。第1の列における右手から第1のデバイス、デバイス840の電気活性エリア844には、隣接するデバイス830のエッジシールゾーンの透明部分832が重なる。その列におけるデバイス810および820のエッジシールゾーンの透明部分812および822は、隣接するデバイス820および830の電気活性エリア824および834に重なる。第2の列における右手から第1のデバイス、デバイス880の電気活性エリア884には、隣接するデバイス870のエッジシールゾーンの透明部分872が重なる。その列におけるデバイス850および860のエッジシールゾーンの透明部分852および862は、隣接するデバイス860および880の電気活性エリア864および874に重なる。第1の列におけるデバイス810、820、および830の電気活性エリア814、824、および834は、同じ列における隣接するデバイス820、830、および840のエッジシールゾーンの不透明部分図示せずに重なり、第2の列におけるデバイス850、860、870、および880のエッジシールゾーンの透明部分858、868、878、および888は、第1の列における隣接するデバイス810、820、830、および840の不透明エリア図示せずに重なる。不透明部分は、電気リードを介して電源に接続される。図9は、透明なエッジシールゾーン912と、電気活性エリア924と、不透明なエッジシールゾーン926および928を有するパッケージ90の平面図である。エッジ926には、デバイスのアノードおよびカソード図示せずと、導電性エリア903と、任意選択の導電性タブ接点921とが含まれている。エッジ928には、アノード図示せずと、導電率を高めるためにその上に配置された導電性層とが含まれている。導電性アリア903およびエッジ928の導電性層は、図には連続する層として示しているが、いくつかの実施形態では、導電性のエリア/層は、アノードの導電率を高めるため、および電源に接続された1本または複数本の細い導電線を含んでもよい。電気リード923が、導電性タブ921と電源との間に接続可能である。コネクタ実装スキームに応じて、接点の設計は異なってもよい。図は、導電性接着剤を使用するカソードおよびアノード金属に取付け可能なリボンタイプの導体を示している。導電性タブは、バックシートと基板との間に内向きに延びることが可能であるが、いくつかの実施形態では、それらのタブがエッジの密封を妨げないように、それらを外部構成で配置することが好ましい場合がある。他の実施形態では、導電性タブは、バックシートにおいて薄い金属層としてプリント可能である。アノードおよびカソードへの接点は、導電性接着剤により作製可能である。さらに、特にバックシートの付着後、露出したままであってもよいエッジ領域では、環境からの脅威に抵抗性を示すバックシートに隣接する電極金属化の上部において別の層を追加することが望ましい場合もある。これは、腐食しない金属の形態でも、あるいはUHBまたは他の有機もしくは無機のバリア層でもあり得る。図10は、1列に配列され、各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分が平行に位置合わせされた状態で配向された重なり合うパッケージ1010、1020、1030、および1040を示す配列100の概略図である。デバイス1020、1030、および1040のエッジシールゾーンの不透明部分は、デバイス1010の露出した不透明部分1016に平行に配列される。その列における右手から第1のデバイス、デバイス1040の電気活性エリア1044には、隣接するデバイス1030のエッジシールゾーンの透明部分1032が重なる。その列におけるデバイス1010および1020のエッジシールゾーンの透明部分1012および1022は、隣接するデバイス1020および1030の電気活性エリア1024および1034に重なる。電気活性エリア1014、1024、および1034は、デバイス1010の不透明部分1016に平行に位置合わせされているデバイス1020、1030、および1040のエッジシールゾーンの不透明部分図示せずに重なる。デバイス1010、1020、1030、および1040の不透明部分1018、1028、1038、および1048は、線状に位置合わせされる。図11は、第1の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分図示せずと、第2の列におけるデバイス1150、1160、1170、および1180の不透明部分1158、1168、1178、および1188とが、デバイス1110および1150の不透明部分1116および1156にそれぞれ直角に位置合わせされた状態で配向された2列の重なり合うパッケージ1110、1120、1130、および1140を示す配列110の概略図である。第1の列における右手から第1のデバイス、デバイス1140の電気活性エリア1144には、隣接するデバイス1130のエッジシールゾーンの透明部分1132が重なる。その列におけるデバイス1110および1120のエッジシールゾーンの透明部分1112および1122は、隣接するデバイス1120および1130の電気活性エリア1124および1134に重なる。第2の列における右手から第1のデバイス、デバイス1180の電気活性エリア1184には、隣接するデバイス1170のエッジシールゾーンの透明部分1172が重なる。その列におけるデバイス1150および1160のエッジシールゾーンの透明部分1152および1162は、隣接するデバイス1160および1180の電気活性エリア1164および1174に重なる。第1の列におけるデバイス1110、1120、および1130の電気活性エリア1114、1124、および1134は、同じ列における隣接するデバイス1120、1130、および1140のエッジシールゾーンの不透明部分図示せずに重なり、第2の列におけるデバイス1150、1160、1170、および1180の電気活性エリア1154、1164、1174、および1184は、第1の列における隣接するデバイス1110、1120、1130、および1140の不透明エリア図示せずに重なる。デバイス1150、1160、1170、および1180の不透明部分1158、1168、1178、および1188は、露出したままである。不透明部分は、電気リードを介して電源に接続される。本発明の特定の特徴のみを本明細書に図示し、述べてきたが、多くの修正形態および変更形態が、当業者には思い付くであろう。したがって、添付の特許請求の範囲が、本発明の真の趣旨の範囲内にあるすべてのそのような修正形態および変更形態を網羅すると意図されていることを認識すべきである。"