"第1ブースターコイルと第2ブースターコイルとで構成されるブースターアンテナと、このブースターアンテナに結合する給電コイルとを備え、前記第1ブースターコイルと前記第2のブースターコイルは直列接続され、前記第1ブースターコイルと前記第2ブースターコイルとは互いに隣接配置され、前記給電コイルは、前記第1ブースターコイルと前記第2ブースターコイルとの隣接する位置に重ねて配置され、前記第1ブースターコイルに対する前記第2ブースターコイルの巻回方向は、前記給電コイルが前記第1ブースターコイル及び前記第2ブースターコイルに対して電磁界を介して同相で結合する方向である、アンテナ。前記第1ブースターコイル及び前記第2ブースターコイルは複数の層に積層配置された、請求項1に記載のアンテナ。層方向に隣接する第1のブースターコイル同士または層方向に隣接する第2のブースターコイル同士の少なくとも一方は容量を介して結合している、請求項2に記載のアンテナ。前記第1ブースターコイルと前記第2ブースターコイルとが隣接する部分における前記第1ブースターコイルの内周から前記第2ブースターコイルの内周までの距離は、前記給電コイルの外周の幅よりも大きい、請求項1~3のいずれかに記載のアンテナ。前記第1ブースターコイルと前記第2ブースターコイルとの間隔は前記第1ブースターコイル及び第2ブースターコイルの導体間隔より広い、請求項1~4のいずれかに記載のアンテナ。前記給電コイルの共振周波数、または前記給電コイルとこの給電コイルに接続される給電回路とによる回路の共振周波数は、前記ブースターアンテナの共振周波数よりも高い、請求項1~5のいずれかに記載のアンテナ。請求項1~6のいずれかに記載のアンテナと、前記アンテナの給電コイルに接続された給電回路とを備え、前記給電回路にRFICを備えたRFIDデバイス。しかしながら、図1に示したようなRFIDタグにおいては、アンテナコイルはRFICチップと同サイズ、ブースターコイルはカードサイズであるため、両者のサイズが大きく異なる。そのため、アンテナコイルとブースターコイルとの結合度を高くすることが難しい。なお、特許文献1には、ブースターコイルのうちRFICチップが搭載される部分の形状をアンテナコイルに近似した形状とし、RFICチップ側のアンテナコイルとブースターコイルとの結合度を高くする構造が開示されているが、この構造では、ブースターコイルの形状が複雑化するとともに、ブースターコイルの外形寸法が大きくなってしまう傾向にある。また、アンテナコイルとブースターコイルを備えたアンテナにおいては、一般に、アンテナコイルとブースターコイルとが重なる領域またはその近傍を通る磁束が互いに打ち消し合う状況が生じる。図1に示したアンテナにおいても、例えば磁束B0とB1は何れもアンテナコイルとブースターコイルを同方向に通過するが、磁束B2はアンテナコイルとブースターコイルを逆方向に通過する。そのため、アンテナコイルによって形成される磁界とブースターコイルによって形成される磁界とが打ち消し合うヌル点が生じる場合がある。このヌル点ではリードライトができなくなってしまう。本発明は、上述した実情に鑑み、給電コイルとブースターアンテナとの結合度が高く、RF信号の伝達効率に優れ、さらにはヌル点の発生を抑制したアンテナ、及びそれを備えたRFIDデバイスを提供することを目的としている。本発明のアンテナは次のように構成する。第1ブースターコイルと第2ブースターコイルとで構成されるブースターアンテナと、このブースターアンテナに結合する給電コイルとを備え、前記第1ブースターコイルと前記第2のブースターコイルは直列接続され、前記第1ブースターコイルと前記第2ブースターコイルとは互いに隣接配置され、前記給電コイルは、前記第1ブースターコイルと前記第2ブースターコイルとの隣接する位置に重ねて配置され、前記第1ブースターコイルに対する前記第2ブースターコイルの巻回方向は、前記給電コイルが前記第1ブースターコイル及び前記第2ブースターコイルに対して電磁界を介して同相で結合する方向とする。この構成により、給電コイルとブースターアンテナとの結合度が高く、RF信号の伝達効率に優れたアンテナが得られる。前記第1ブースターコイル及び前記第2ブースターコイルは複数の層に積層配置された構造とすれば、ブースターアンテナに対して給電コイルを小型にしつつ、ブースターアンテナと給電コイルとの結合度を高めることができる。また、層方向に隣接する第1のブースターコイル同士または層方向に隣接する第2のブースターコイル同士の少なくとも一方を容量を介して結合させると、例えばビア電極を形成する必要がなく、構成を簡素にでき、製造が容易になる。前記第1ブースターコイルと前記第2ブースターコイルとが隣接する部分における前記第1ブースターコイルの内周から前記第2ブースターコイルの内周までの距離は、前記給電コイルの外周の幅よりも大きいことが好ましい。この構成によれば、ヌル点の発生を抑制できる。前記第1ブースターコイルと前記第2ブースターコイルとの間隔は前記第1ブースターコイル及び第2ブースターコイルの導体間隔より広いことが好ましい。そのことにより、アンテナの共振周波数と反共振周波数との差が広がり、なだらかな共振特性になる。このため、通信相手リーダーアンテナとの磁気結合の度合いによる中心周波数のずれが小さくなり、その結果、読み取り距離変化ぶれが小さくなる。前記給電コイルの共振周波数、または前記給電コイルとこの給電コイルに接続される給電回路とによる回路の共振周波数は、前記ブースターアンテナの共振周波数よりも高くする。この構成により、給電コイルとブースターアンテナとが磁界結合して互いの結合度を高めることができ、ブースターアンテナとリーダライタアンテナ間も磁界を介した通信が可能となる。また、本発明のRFIDデバイスは、前記アンテナと、その給電コイルに接続された給電回路とを備え、前記給電回路はRFICを備える。本発明によれば、給電コイルとブースターアンテナとの結合度が高く、RF信号の伝達効率に優れ、さらにはヌル点の発生が抑制されたアンテナ、及びそのアンテナを備えたRFIDデバイスが構成できる。《第1の実施形態》図2は第1の実施形態に係るRFIDデバイス301の斜視図である。図3は、給電アンテナの基材及びブースターアンテナの基材を除く部分の分解斜視図である。このRFIDデバイス301は、HF帯のRFIDシステムに用いられるRFIDタグとして用いられる。例えばRFIDデバイス301は携帯電子機器内に備えられる。このRFIDデバイス301は、図2に示すように、RFICチップ23と、RFICチップ23に接続された給電アンテナ210と、給電アンテナ210に結合するブースターアンテナ110とを備える。RFICチップ23は、RFID用ICチップであって、メモリ回路やロジック回路、クロック回路等を有し、RF信号を処理する集積回路チップとして構成されている。給電アンテナ210は、給電アンテナ基材20、給電コイル21及びRFICチップ23を備えている。給電コイル21は複数層に亘って複数ターンの矩形スパイラル状の導体パターンが形成されている。複数層の矩形スパイラル状の導体パターンは、同方向の磁束の通過により生じる誘導電流の方向が同方向になるように、層間接続導体を介して接続されている。この給電コイル21の両端に入出力電極22A,22Bとして形成されていて、この入出力電極22A,22BにRFICチップ23が接続されている。ブースターアンテナ110は、第1ブースターコイル111と第2ブースターコイル112を含んで構成されている。第1ブースターコイル111はコイル11とコイル13とで構成されていて、第2ブースターコイル112はコイル12とコイル14とで構成されている。コイル11とコイル12とは互いに隣接配置されているとともに、直列接続されている。同様に、コイル13とコイル14とは互いに隣接配置されているとともに、直列接続されている。給電コイル21は、第1ブースターコイル111と第2ブースターコイル112との隣接する位置に重ねて配置されている。第1ブースターコイル11111,13に対する第2ブースターコイル11212,14の巻回方向は、給電コイル21が第1ブースターコイル111及び第2ブースターコイル112に対して電磁界を介して同相で結合する方向である。図4はRFIDデバイス301のアンテナ部分の等価回路図である。ここでインダクタL0は給電コイル21に相当し、給電回路23FはRFICチップ23の給電回路である。また、インダクタL1,L2,L3,L4はコイル11,12,13,14にそれぞれ相当する。キャパシタC1はコイル11とコイル13との間に生じる容量に相当し、キャパシタC2はコイル12とコイル14との間に生じる分布容量またはパターンでの容量に相当する。相互インダクタンスM3はコイル11,12間の磁界結合に相当し、相互インダクタンスM5はコイル13,14間の磁界結合に相当する。相互インダクタンスM4はコイル11,13間の磁界結合に相当し、相互インダクタンスM6はコイル12,14間の磁界結合に相当する。相互インダクタンスM1は給電コイル21と第1ブースターコイル111コイル11,13との間の磁界結合に相当し、相互インダクタンスM2は給電コイル21と第2ブースターコイル112コイル12,14との間の磁界結合に相当する。図5は給電アンテナ及びブースターアンテナとリーダライタアンテナとの結合の様子を示す図である。図5Aは給電コイル21とコイル11,12に流れる電流の方向を矢印で表している。図5Bはリーダライタアンテナの磁束が給電アンテナ及びブースターアンテナを通る様子を磁力線で表した図である。図5Aに示すように、給電コイル21は、第1ブースターコイルコイル11,13及び第2ブースターコイルコイル12,14と電磁界を介して結合する。すなわち、給電コイル21のうち、図5における左半分を第1領域、右半分を第2領域とすると、第1領域が第1ブースターコイルコイル11,13と重なるように、第2領域が第2ブースターコイルコイル12,14と重なるように配置されている。よって、給電コイル21の第1領域が第1ブースターコイルコイル11,13と電磁界を介して結合し、給電コイル21の第2領域が第2ブースターコイルコイル12,14と電磁界を介して結合する。給電コイル21は、コイル自身が持つインダクタンス成分図4に示したインダクタL0と給電コイル21の線間容量で構成されるキャパシタンス成分と、さらにはRFICチップ自身が有する浮遊容量とを有するので、これらによりLC共振回路を構成し、共振周波数を有する。以下、この共振周波数を給電コイルの共振周波数と呼ぶ。ブースターアンテナ110は、インダクタL1~L4及びキャパシタC1,C2によるLC共振回路で構成される共振周波数を有する。したがって、図5A図5Bに示すように、ある瞬間、給電コイル21に図中矢印a,bの方向に電流が流れると、ブースターアンテナのコイル11~14には図中矢印c~jの方向に電流が誘起される。すなわち、給電コイル21に矢印a及び矢印bの電流が流れると、矢印aの電流によって、第1ブースターコイルコイル11,13に矢印c、矢印d、矢印e及び矢印fの電流が流れ、矢印bの電流によって第2ブースターコイルコイル12,14に矢印g、矢印h、矢印i、矢印jの電流が流れる。つまり、第1ブースターコイルと第2ブースターコイルには同方向に電流が流れ、その結果、図5Bに示すような磁界H1及び磁界H2が発生する。リーダライタアンテナの磁束は給電コイル21を直接通過しない。換言すると、リーダライタアンテナから給電コイル21は等価的に見えない。そのため、従来のアンテナのようなヌル点は生じない。リーダライタアンテナの磁束が給電コイル21を直接通過しないための条件は、第1ブースターコイルと第2ブースターコイルとが隣接する部分における第1ブースターコイルコイル11,13の内周から第2ブースターコイルコイル12,14の内周までの距離Bが、給電コイル21の外周の幅Aよりも大きいことである。この条件を満たすように、給電コイル21とコイル11~14の大きさと位置関係を定めればよい。第1の実施形態に係るアンテナによれば、給電コイルとブースターコイルとの結合度を大きくすることができ、RF信号の伝達効率が高い。また、ヌル点が発生しにくい。特に図5のように、給電コイル21の一部が、第1ブースターコイル11,13と第2ブースターコイル12,14とが隣接する部分にそれぞれ重なっており、各ブースターコイル11~14が隣接する部分においては互いに逆方向の電流が流れるため、給電コイル21においては給電コイル21を周回するような電流が流れる。すなわち、給電コイル21に流れる電流がブースターコイル11~14に流れる電流によって打ち消されにくいようになっているため、給電コイル21とブースターコイル11~14との結合度を大きくできる。図6は給電コイル21の共振周波数、ブースターアンテナの共振周波数、及びリーダライタアンテナと結合して通信する周波数の関係を示す図である。図6の横軸は周波数、縦軸はアンテナのリターンロスである。給電コイル21の共振周波数または、給電コイル21と給電回路23Fとによる共振周波数faはブースターアンテナの共振周波数fbより高い。例えばfa=14MHz、fb=13.6MHz、通信周波数foは13.56MHzである。仮に、給電コイルの共振周波数とブースターアンテナの共振周波数が同じであると、縮退が解け、給電コイルとブースターアンテナとが結合しにくくなってしまう。また、給電コイルの共振周波数faがブースターアンテナの共振周波数fbより低いと、給電コイルとブースターアンテナとの結合が容量性で結合することになるが、コイル同士の容量結合は強くならず、その結果、高い結合強度が得られない。第1の実施形態では上述のとおり、給電コイル21の共振周波数faはブースターアンテナの共振周波数fbより高いので、給電コイルとブースターアンテナとが誘導性で結合することになり、高い結合強度が得られる。また、リーダライタアンテナの共振周波数は通信周波数foまたはfo付近に設定されていて、ブースターアンテナの共振周波数fbは通信周波数foに等しいかまたは略等しく設定されている。そして給電コイル21の共振周波数faがブースターアンテナの共振周波数fbより高く、通信周波数foより高く設定されているので、ブースターアンテナがリーダライタアンテナと近接して強く結合したときのブースターアンテナの共振周波数fbが高周波側にシフトする量が抑制される。そのため、リーダライタアンテナと強く結合したときのヌル点が発生しにくいという効果を奏する。これは、近接する二つの共振器この場合、ブースターアンテナと給電コイルが磁気結合しているので、互いの共振周波数に近づく方向の周波数変化を抑制しあうという効果を利用している。また、図4に示したように、ブースターアンテナにおけるインダクタL1~L4は、相互インダクタンスM3~M6で互いに結合しているため、インダクタL1~L4を単純に合わせたインダクタンス値よりも、全体の実効的なインダクタンス値は大きい。その結果、小型でも十分なインダクタンス値を有するブースターアンテナを実現できる。《第2の実施形態》図7は第2の実施形態に係るRFIDデバイス302の分解斜視図である。このRFIDデバイスは、RFICチップ23と、RFICチップ23に接続された給電アンテナ210と、給電アンテナ210の給電コイル21に結合するブースターアンテナ120とを備える。図7においては、給電アンテナ210の基材を図示していない。第2の実施形態では、コイル11が第1のブースターコイルであり、コイル12が第2のブースターコイルである。図8はRFIDデバイス302のアンテナ部分の等価回路図である。ここでインダクタL0は給電コイル21に相当し、給電回路23FはRFICチップ23の給電回路である。また、インダクタL1,L2はコイル11,12にそれぞれ相当する。キャパシタC1はコイル11,12の線間分布容量またはパターンでの容量に相当する。このように、一層に形成した二つのコイル11,12のみでブースターアンテナを構成してもよい。但し、第1の実施形態で示したように、複数層に形成したコイルでブースターアンテナを構成した方が、必要なインダクタンス成分及びキャパシタンス成分を得るために要する面積を縮小化できる。《第3の実施形態》図9は第3の実施形態に係るRFIDデバイス303の斜視図である。図10はRFIDデバイス303の分解斜視図である。但し、図9図10の何れも、ブースターアンテナの基材の図示を省略し、導体部分のみを図示している。このRFIDデバイス303は、給電アンテナ220と、給電アンテナ220に結合するブースターアンテナ130とを備える。給電アンテナ220は、給電アンテナ基材20、給電コイル21及びRFICチップ23を備えている。給電コイル21は複数層に亘って複数ターンの矩形スパイラル状の導体パターンが形成されている。この給電コイル21の両端にRFICチップ23が接続されている。ブースターアンテナ130は、第1ブースターコイル121と第2ブースターコイル122を含んで構成されている。第1ブースターコイル121はコイル11とコイル13とで構成され、第2ブースターコイル122はコイル12,14及びパッド電極15,16で構成されている。コイル11とコイル12とは互いに隣接配置されているとともに、直列接続されている。同様に、コイル13とコイル14とは互いに隣接配置されているとともに、直列接続されている。第1ブースターコイル121は9ターン巻回されたコイル11と9ターン巻回されたコイル13とで構成されている。第2ブースターコイル122は9ターン巻回されたコイル12と9ターン巻回されたコイル14とで構成されている。いずれのコイルも図9においては図面の煩雑化を避けるためターン数を減らして描いている。給電アンテナ220は、第1ブースターコイル121と第2ブースターコイル122との隣接する位置に重ねて配置されている。この状態で、給電アンテナ220の給電コイル21の一部が、第1ブースターコイル121のコイル11,13の一部と重なり、給電アンテナ220の給電コイル21の一部が、第2ブースターコイル122のコイル12,14の一部と重なる。第1ブースターコイル121コイル11,13に対する第2ブースターコイル122コイル12,14の巻回方向は、給電コイル21が第1ブースターコイル121及び第2ブースターコイル122に対して電磁界を介して同相で結合する方向である。コイル12の内周端にはパッド電極15が接続されていて、コイル14の内周端はパッド電極16が接続されている。この二つのパッド電極15,16はパウチングされていて、直流的に導通している。第1ブースターコイル121の構成は、第1の実施形態で図3に示した第1ブースターコイル111と基本的に同様である。図11Aは給電アンテナ220の斜視図、図11Bは給電コイルとブースターコイルとの位置関係を示す図である。図11Aに示すように、給電アンテナ220は、7ターン巻回された2層の矩形スパイラル状導体パターンで構成されている。この給電アンテナ220の外形寸法は5mm角である。2層の矩形スパイラル状導体パターンは同方向の磁束の通過により生じる誘導電流の方向が同方向になるように、層間接続導体を介して接続されている。矩形スパイラル状導体パターンは、銅、銀、アルミニウム等の金属箔をエッチング等によりパターニングしたものであり、この矩形スパイラル状パターンはポリイミドや液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂シートからなる給電アンテナ基材20に設けられている。給電アンテナ220にはコンデンサチップ24を備えている。コンデンサチップ24は給電コイル21及びRFICチップ23に対して並列に接続されている。このコンデンサチップ24は、給電アンテナ220の共振周波数を調整するために設けられている。この給電アンテナ220の共振周波数は14MHzに設定されている。図10、図11Bから明らかなように、給電コイル21は、第1ブースターコイルコイル11,13及び第2ブースターコイルコイル12,14と電磁界を介して結合している。すなわち、給電コイル21のうち、図11Bに示す下半分を第1領域とし、上半分を第2領域とすると、第1領域が第1ブースターコイルコイル11,13と重なるように、第2領域が第2ブースターコイルコイル12,14と重なるように配置されている。よって、給電コイル21の第1領域が第1ブースターコイルコイル11,13と電磁界を介して結合し、給電コイル21の第2領域が第2ブースターコイルコイル12,14と電磁界を介して結合する。第1ブースターコイル121と第2ブースターコイル122とが隣接する部分における第1ブースターコイルコイル11,13の内周から第2ブースターコイルコイル12,14の内周までの距離をB、給電コイル21の外周の幅をAで表すと、A<Bの関係とする。この関係により、リーダライタアンテナの磁束が給電コイル21を直接通過しない。そのため、ヌル点は生じない。図12はRFIDデバイス303のアンテナ部分の等価回路図である。ここでインダクタL0は給電コイル21に相当し、給電回路23FはRFICチップ23の給電回路である。また、インダクタL1,L2,L3,L4はコイル11,12,13,14にそれぞれ相当する。キャパシタC1はコイル11とコイル13との間に生じる容量に相当する。キャパシタC0は給電アンテナ220に設けられているコンデンサチップ24に相当する。図10に示したパッド電極15,16はパウチングされているので、図4に示したキャパシタC2に相当するキャパシタは無い。そのため、ブースターアンテナ130のキャパシタンス成分を大きくでき、所定の共振周波数を得るために要するブースターアンテナのサイズをより小さくできる。ブースターアンテナを構成する矩形スパイラル状導体パターンは、銅、銀、アルミニウム等の金属箔をエッチング等によりパターニングしたものであり、PET等の熱硬化性樹脂シートからなる給電アンテナ基材20に設けられている。なお、ブースターアンテナ130はY方向の幅W1が25mm、X方向の幅W2が10mmである。このブースターアンテナの共振周波数は13.56MHzに設定されている。なお、パッド電極15とパッド電極16とはビアホール電極等の層間接続導体を利用して接続してもよい。図13はRFIDデバイス303のリターンロス特性S11をスミスチャート上に表した図である。この例では周波数を9.0MHzから25.0MHzまでスイープしている。図中m1で示す点が13.56MHzである。このように、インピーダンス軌跡の途中のm1で示す位置に一つのループが生じていることから、共にLC共振回路である給電アンテナ220とブースターアンテナ130との結合により、共振点が二つできていることがわかる。また、図14はRFIDデバイス303の通過特性S21を示す図である。この図において周波数frは共振周波数、faは反共振周波数である。このように共振周波数frは使用周波数である13.56MHz付近の周波数としている。《第4の実施形態》図15は第4の実施形態のRFIDデバイス304の平面図である。このRFIDデバイス304は、給電アンテナ220と、この給電アンテナ220に結合するブースターアンテナ134とを備える。給電アンテナ220は、給電アンテナ基材20、給電コイル21及びRFICチップ23を備えている。給電コイル21は複数層に亘って複数ターンの矩形スパイラル状の導体パターンが形成されている。この給電コイル21の両端にRFICチップ23が接続されている。この給電アンテナ220は第3の実施形態で示した給電アンテナ220と同じものである。ブースターアンテナ134は、第1ブースターコイル121と第2ブースターコイル122を含んで構成されている。第1ブースターコイル121はコイル11とコイル13とで構成され、第2ブースターコイル122はコイル12,14及びパッド電極15,16で構成されている。コイル11とコイル12とは互いに隣接配置されているとともに、直列接続されている。同様に、コイル13とコイル14とは互いに隣接配置されているとともに、直列接続されている。第1ブースターコイル121は9ターン巻回されたコイル11と9ターン巻回されたコイル13とで構成されている。第2ブースターコイル122は9ターン巻回されたコイル12と9ターン巻回されたコイル14とで構成されている。但し、図15においては、図面の煩雑化を避けるため各コイルのターン数を減らして描いている。第3の実施形態と異なり、第4の実施形態のRFIDデバイス304では、ブースターアンテナ134のコイル11,13の形成領域とコイル12,14の形成領域との間の間隔Sを設けている。給電アンテナ220は、第1ブースターコイル121と第2ブースターコイル122とにそれぞれ重なる位置に配置されている。この状態で、給電アンテナ220の給電コイル21の一部が、第1ブースターコイル121のコイル11,13の一部と重なり、給電アンテナ220の給電コイル21の一部が、第2ブースターコイル122のコイル12,14の一部と重なる。図16はRFIDデバイス304のリターンロス特性S11をスミスチャート上に表した図である。この例では周波数を9.0MHzから25.0MHzまでスイープしている。図中m1で示す点が13.56MHzである。この構造によっても、インピーダンス軌跡の途中のm1で示す位置に一つのループが生じていることから共振点が二つできていることがわかる。また、図17はRFIDデバイス303の通過特性S21を示す図である。この図において周波数frは共振周波数、faは反共振周波数である。共振周波数frは使用周波数である13.56MHz付近の周波数としている。第3の実施形態で図14に示した通過特性と比較して明らかなように、第1ブースターアンテナ121と第2ブースターアンテナ122との間隔Sを第1ブースターコイル及び第2ブースターコイルの導体間隔より広げたことにより、共振周波数frと反共振周波数faとの間隔が広がる。この理由は、第1ブースターアンテナ121と第2ブースターアンテナ122との間隔Sが広くなり、第1ブースターアンテナ121と第2ブースターアンテナ122の渦巻き部間の磁気結合が弱くなるので、反共振点の周波数が下がるものと考えられる。このように共振周波数frと反共振周波数faとの差が大きくなることにより、アンテナの共振周波数と反共振周波数との差が広がり、なだらかな共振特性になる。このため、通信相手リーダーアンテナとの磁気結合の度合いによる中心周波数のずれが小さくなり、その結果、読み取り距離変化ぶれが小さくなる。《他の実施形態》以上に示した各実施形態では、給電コイル、ブースターコイルの何れも矩形スパイラル状の導体パターンで構成したが、これらはループ状の導体パターンで構成してもよい。また、ターン数は必要に応じて1ターンであってもよい。また、以上に示した各実施形態では、給電コイルが第1ブースターコイル及び第2ブースターコイルに対して主に磁界を介して結合する例を示したが、周波数帯域によっては主に電界を介して結合するようにしてもよい。さらには電界及び磁界の両方を介して結合するようにしてもよい。これは高周波信号の場合に、給電コイルとブースターアンテナとの間の静電容量でも十分にエネルギーが伝達されるからである。また、以上に示した各実施形態では、HF帯のRFIDデバイスに適用する例を示したが、本発明はHF帯に限らず例えばUHF帯のRFIDデバイスにも同様に適用できる。また、RFIDタグ用のアンテナとして利用することもできるし、リーダライタ用のアンテナとして利用することもできる。また、RFIDシステム以外の通信システム用アンテナとして利用してもよい。"