外部磁場が無くても磁気的に飽和した状態が維持されるBi置換希土類鉄ガーネット膜を組み込んだ磁気光学デバイスの評価方法において、偏光子と検光子に挟まれた状態で光アイソレータである磁気光学デバイスに組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜に対して、Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向と平行な方向から光を入射し、透過した光量を計測している状態で、上記Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向とは逆方向にBi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力よりも小さな外部磁場を印加し、透過光量から計測される外部磁場印加前後における光学特性に基づきBi置換希土類鉄ガーネット膜の良否を判別する方法であって、透過光量から計測される外部磁場印加前後における上記光学特性が、光アイソレータの挿入損失またはアイソレーションであることを特徴とする磁気光学デバイスの評価方法。Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向とは逆方向に印加する上記外部磁場が、Bi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力平均値の50~70に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気光学デバイスの評価方法。透過光量から計測される外部磁場印加前後における上記光学特性が、光アイソレータの挿入損失であることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気光学デバイスの評価方法。上記Bi置換希土類鉄ガーネット膜が、EuHoBi3FeGa5O12またはHoTbBi3FeAlGa5O12のいずれかであることを特徴とする請求項1、2または3に記載の磁気光学デバイスの評価方法。しかし、上記小型化の要請が更に高まり、用いられるBi置換希土類鉄ガーネット膜のチップサイズが1mm角、あるいはそれ以下のサイズになってくると、熱着磁を施したとしても、チップを取り扱う際に加えられた機械的な力や、光アイソレータ等磁気光学デバイス組み立て時のハンダ固定工程や接着剤固定工程での加熱により、本来単一磁区であったものが多磁区状態になってしまう例が発生するようになってきた。ここで、多磁区化したことでデバイスの光学特性が著しく低下するのであれば、光学特性を検査することでBi置換希土類鉄ガーネット膜が多磁区化したデバイスを取り除くことができる。しかし、高保磁力膜であるBi置換希土類鉄ガーネット膜は磁区のサイズが大きいため、Bi置換希土類鉄ガーネット膜が多磁区化していてもレーザ光が入射する場所としては一つの磁区に収まっている場合があり、このような状態で光学特性の劣化を判別することはできない。そして、多磁区化したBi置換希土類鉄ガーネット膜は、何らかの外乱により多磁区状態の磁区の形状が変化するため、このようなBi置換希土類鉄ガーネット膜を組み込んだデバイスの光学特性は保証できないことになる。尚、Bi置換希土類鉄ガーネット膜がデバイス化されていないファラデー回転子の状態であれば、偏光顕微鏡で磁区の状態を直接観察することにより多磁区化を検出することは可能であるが、デバイス化された後においてはアパーチャ等が取り付けられているためBi置換希土類鉄ガーネット膜全体を顕微鏡により観察することは不可能である。本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、高保磁力膜であるBi置換希土類鉄ガーネット膜が組み込まれた磁気光学デバイスにおいて、組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜が多磁区化しているか否かを簡便な方法により判別できる磁気光学デバイスの評価方法を提供することにある。そこで、上記課題を解決するため本発明者が鋭意研究を行ったところ、以下のような技術的発見を見出すに至った。すなわち、磁気光学デバイスに組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜に対し、その磁化方向とは逆方向に外部磁場を印加した状態で光学特性を評価した場合、Bi置換希土類鉄ガーネット膜が多磁区化しているデバイスにおいては光学特性が大きく変化することを見出すに至った。本発明はこのような技術的発見に基づき完成されたものである。すなわち、請求項1に係る発明は、外部磁場が無くても磁気的に飽和した状態が維持されるBi置換希土類鉄ガーネット膜を組み込んだ磁気光学デバイスの評価方法を前提とし、偏光子と検光子に挟まれた状態で光アイソレータである磁気光学デバイスに組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜に対して、Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向と平行な方向から光を入射し、透過した光量を計測している状態で、上記Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向とは逆方向にBi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力よりも小さな外部磁場を印加し、透過光量から計測される外部磁場印加前後における光学特性に基づきBi置換希土類鉄ガーネット膜の良否を判別する方法であって、透過光量から計測される外部磁場印加前後における上記光学特性が、光アイソレータの挿入損失またはアイソレーションであることを特徴とする。また、請求項2に係る発明は、請求項1に記載の発明に係る磁気光学デバイスの評価方法を前提とし、Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向とは逆方向に印加する上記外部磁場が、Bi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力平均値の50~70に設定されていることを特徴とし、請求項3に係る発明は、請求項1または2に記載の発明に係る磁気光学デバイスの評価方法を前提とし、透過光量から計測される外部磁場印加前後における上記光学特性が、光アイソレータの挿入損失であることを特徴とし、請求項4に係る発明は、請求項1、2または3に記載の発明に係る磁気光学デバイスの評価方法を前提とし、上記Bi置換希土類鉄ガーネット膜が、EuHoBi3FeGa5O12またはHoTbBi3FeAlGa5O12のいずれかであることを特徴とするものである。本発明に係る磁気光学デバイスの評価方法によれば、磁気光学デバイスに組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜に対しその磁化方向とは逆方向に外部磁場を印加した状態でBi置換希土類鉄ガーネット膜の光学特性を評価しているため、通常の光学的評価方法ではBi置換希土類鉄ガーネット膜が多磁区化しているか否かを判別できないような場合であっても、組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜が多磁区化しているか否かを簡便に判別することが可能となる。本発明は、高保磁力膜であるBi置換希土類鉄ガーネット膜が組み込まれた磁気光学デバイスの評価方法であって、磁気光学デバイスに組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜に対し、光を入射し、透過した光量を計測している状態で、上記Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向とは逆方向にBi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力よりも小さな外部磁場以後、逆磁場と呼ぶ場合があるを印加し、透過光量から計測される外部磁場印加前後における光学特性に基づきBi置換希土類鉄ガーネット膜の良否を判別することを特徴としている。そして、上記逆磁場は、Bi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力着磁されたBi置換希土類鉄ガーネット膜が通常有する保磁力の平均値の50~70が好ましい。上記逆磁場に関し、Bi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力の50を下回ると、組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜が多磁区化しているか否かを判別できないことがあり、70を越えると、多磁区化していない本来良品であるBi置換希土類鉄ガーネット膜まで飽和状態が解除されてしまう恐れがあるからである。尚、磁気光学デバイスが光アイソレータの場合、透過光量から計測される光学特性としては、光を順方向から入射させる挿入損失と逆方向から入射させるアイソレーションがある。しかし、アイソレーションの場合、評価光学系における試料の位置調整が最適でないため、数値的には30dB以上の値が出てしまうことがあり、外部から逆磁場を印加しても透過光量は変化を示さないことがある。このため、磁気光学デバイスに組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜を簡便に評価するには、挿入損失の変化に基づいて評価する方が望ましい。高保磁力膜であるBi置換希土類鉄ガーネット膜として、組成がEuHoBi3FeGa5O12で1mm角のチップを用意した。尚、用意したチップには、偏光顕微鏡で観察すると図1aに示すような単一磁区になっているBi置換希土類鉄ガーネット膜1試料No.1~3と、図1bに示すように多磁区になっているBi置換希土類鉄ガーネット膜1試料No.4~6があり、これ等各チップを用いてアパーチャの付いた光アイソレータを作製した。作製した光アイソレータは、図2に示すようにBi置換希土類鉄ガーネット膜1の両側に偏光子3と検光子4が接着された光アイソレータ素子を、円形の開口部が形成された略円筒型のホルダー5に接着した後、円形の開口部が形成された円盤状アパーチャ6を上記ホルダー5に固定して成る一般的な円筒型光アイソレータである。そして、アパーチャの付いた光アイソレータでは、図1abに示すように観察できるBi置換希土類鉄ガーネット膜1の部分が限られるため、図1bに示す多磁区になっているBi置換希土類鉄ガーネット膜1においても、観察できる部分は、見かけ上、図1aの単一磁区になっているBi置換希土類鉄ガーネット膜1と区別がつかない。尚、図1ab中、符号2はアパーチャ開口部の形状を示している。作製された光アイソレータにレーザ光を入射し、挿入損失とアイソレーションを評価した結果を表1に示す。そして、表1の結果から、単一磁区になっているBi置換希土類鉄ガーネット膜1試料No.1~3が組み込まれた光アイソレータと、多磁区になっているBi置換希土類鉄ガーネット膜1試料No.4~6が組み込まれた光アイソレータ間において差が見られないことが確認される。しかし、試料No.4~6のBi置換希土類鉄ガーネット膜に関しては、膜が多磁区になっていることは事実であり、通常の光学的評価方法によりBi置換希土類鉄ガーネット膜の良否を判定することはできないことになる。次に、実施例1に係る磁気光学デバイスの評価方法を説明する。光学系的には、通常の光学特性挿入損失、アイソレーションの測定方法と全く同じである。まず、通常の挿入損失あるいはアイソレーションを測定する。その後、そのままの状態で、図3に示すように光アイソレータ7に組み込まれているBi置換希土類鉄ガーネット膜に対して、Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向とは逆方向にBi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力よりも小さな外部磁場を永久磁石8により印加し、光学特性挿入損失、アイソレーションの変化を測定するものである。そして、試料No.1~6のBi置換希土類鉄ガーネット膜を組み込んで作製した光アイソレータを、実施例1に係る評価方法により測定した結果を表2に示す。表2の結果から明らかなように単一磁区になっているBi置換希土類鉄ガーネット膜試料No.1~3を組み込んだ光アイソレータにおいては、外部磁場印加前後における光学特性挿入損失、アイソレーションの変化は確認されなかった。他方、多磁区になっているBi置換希土類鉄ガーネット膜試料No.4~6が組み込まれた光アイソレータにおいては、明らかな挿入損失の増加やアイソレーションの低下が起きていることが確認される。逆磁場の印加により磁区の状態が変化し、これにより光学特性が大きく変動したものと推察される。このように実施例1に係る評価方法を用いることにより、多磁区になっているBi置換希土類鉄ガーネット膜を検出できることが確認された。また、この評価方法は、偏光顕微鏡を用いた従来の評価方法と比較してBi置換希土類鉄ガーネット膜全体を観察する必要がなく、かつ、製品の評価項目である光学特性を評価する際に実施できる方法でもあることから実用性の高い方法であることも確認される。