基板の平坦な表面に沿って位置する第1および第2の光導波路リブを含み、前記第2の光導波路リブが前記第1の光導波路リブよりも前記表面からより遠くに位置する光偏光回転子を備え、前記光導波路リブの第1のセグメントが前記基板上に垂直のスタックを形成し、前記光導波路リブの第2のセグメントが前記表面に沿った方向で横方向にオフセットされ、前記第1および第2の光導波路リブが異なるバルク屈折率を有する材料から形成される、装置。前記第1の光導波路リブと前記第2の光導波路リブとの間に位置し、前記第1および第2の光導波路リブの前記材料とは異なるバルク屈折率を有する材料から形成されるスペーサ層をさらに含む、請求項1に記載の装置。前記光導波路リブの一方が半導体から形成され、前記光導波路リブのもう一方が誘電体から形成される、請求項1に記載の装置。前記第1の光導波路リブが、入力平面光導波路におけるより大きな値から第1の光導波路リブの前記第1のセグメントにおけるより小さな値へと単調にテーパーが付いている、前記表面に対して横方向の幅を有する遷移領域をさらに備える、請求項1に記載の装置。前記第1の光導波路リブに光を送信するように接続された第1の光出力部を有し、前記基板上で前記第1の光導波路リブの横方向に位置する出力光導波路に接続された第2の光出力部を有する偏光ビームスプリッタをさらに備える、請求項1に記載の装置。1×2光学スプリッタと、第1および第2の光導波路アームと、2×1光結合器とを有する光変調器であって、それぞれの光導波路アームが前記1×2光学スプリッタの対応する光出力部を前記2×1光結合器の対応する光入力部に接続する光変調器をさらに備え、それぞれの光導波路アームが、受信した電気信号に応答して、前記光導波路アームを通って伝播する光の位相および/または振幅を変調することができる電気光学変調器を含み、光偏光回転子が前記光導波路アームの1つに位置する、請求項1に記載の装置。基板の平坦な表面に沿って位置する第1の光導波路リブ上に光学層を形成するステップであって、前記光学層および第1の光導波路リブが異なるバルク屈折率を有する材料から形成されるステップと、前記光学層をエッチングして、前記光導波路リブの第1のセグメントが前記平坦な表面に対して垂直方向に向いたスタックを形成するように、および前記光導波路リブの第2のセグメントが前記平坦な表面に沿って相対的に横方向にオフセットされるように第2の光導波路リブを形成するステップとを含む、方法。前記第1の光導波路リブの第3および第4のセグメントが前記第2の光導波路リブの横方向に位置し、該第1の光導波路リブの該第3および第4のセグメントは該第1の光導波路リブの前記第1および第2のセグメントよりも横方向に幅が広く、該第1の光導波路リブの該第1および第2のセグメントが該第3のセグメントと該第4のセグメントとの間に接続される、請求項7に記載の方法。ハイブリッド光導波路のセグメントの第1の端部において、平面導波路から直線偏光した光を受信するステップと、前記光を前記ハイブリッド光導波路の前記セグメントを通って伝搬させて前記光の直線偏光を回転させるステップとを含み、前記ハイブリッド光導波路の前記セグメントが、第2の光導波路リブが第1の光導波路リブ上で垂直方向に位置する1つのセグメントを含み、および前記第2の光導波路リブが前記第1の光導波路リブの対応するセグメントから実質的に横方向にオフセットされる別のセグメントを含み、前記第1および第2の光導波路リブが異なるバルク屈折率を有する材料から形成される、方法。前記ハイブリッド光導波路の前記セグメントが、前記第1の光導波路リブと前記第2光導波路リブとの間に位置し、前記光導波路リブの材料とは異なるバルク屈折率を有する材料から作られるスペーサ層を含む、請求項9に記載の方法。一実施形態は、基板の平坦な表面に沿って位置する第1および第2の光導波路リブを有する光偏光回転子を含む装置を提供する。第2の光導波路リブは、第1の光導波路リブよりも表面からより遠くに位置する。2つの光導波路リブの第1のセグメントは、基板上に垂直のスタックを形成する。2つの光導波路リブの第2のセグメントは、平坦な表面に沿った方向で横方向にオフセットされている。第1および第2の光導波路リブは、異なるバルク屈折率を有する材料から形成される。一部の実施形態において、上記の装置は、第1の光導波路リブと第2の光導波路リブとの間にスペーサ層をさらに含んでもよい。そうしたスペーサ層は、例えば、第1および第2の光導波路リブの材料とは異なるバルク屈折率を有する材料から形成されてもよい。そうしたスペーサ層は、第1の光導波路リブよりも表面に垂直な方向に薄くてもよい。上記の装置のいずれかの一部の実施形態において、第1の光導波路リブは、基板の平坦な表面の一部と同一の材料から形成されてもよい。上記の装置のいずれかの一部の実施形態において、光導波路リブの一方は、半導体から形成されてもよく、光導波路リブのもう一方は誘電体から形成さてもよい。上記の装置のいずれかの一部の実施形態において、光偏光回転子は、受信した直線偏光の光の偏光を少なくとも45度だけ回転させるように構成されてもよい。上記の装置のいずれかの一部の実施形態において、装置は、第1の光導波路リブが、入力平面光導波路の境界におけるより大きな値から第1の光導波路リブの第1のセグメントにおけるより小さな値へと単調にテーパーが付いている、表面に対して横方向の幅を有する遷移領域を含むことができる。一部のそうした装置において、第2の光導波路リブは、入力光導波路により近い第2の光導波路リブの端部におけるより小さな値から第2の光導波路リブの第1のセグメントにおけるより大きな値へと単調にテーパーが付いている、表面に対して横方向の幅を有する。上記の装置のいずれかの一部の実施形態において、装置は、第1の光導波路リブが、第1の光導波路リブの第2のセグメントにおけるより小さな値から出力平面光導波路の境界におけるより大きな値へと単調にテーパーが付いている、表面に対して横方向の幅を有する遷移領域を含むことができる。上記の装置のいずれかの一部の実施形態において、装置は、第1の光導波路リブに光を送信するように接続された第1の光出力部、および第1の光導波路リブに対して横方向の基板上に位置する第1の特定の出力光導波路に接続された第2の光出力部を有する偏光ビームスプリッタを含むことができる。一部のそうした実施形態において、装置は、光偏光回転子を介して偏光ビームスプリッタの第1の光出力部に接続された第2の特定の出力光導波路をさらに含むことができる。装置は、2つの特定の出力光導波路に、実質的に同一の直線偏光の光を送信するように構成されてもよい。上記の装置の一部の実施形態において、装置は、1×2光学スプリッタと、第1および第2の光導波路アームと、2×1光結合器とを有する光変調器を含むことができる。それぞれの光導波路アームは、1×2光学スプリッタの対応する光出力部を、2×1光結合器の対応する光入力部に接続し、受信した電気信号に応答してそれぞれの光導波路アームを通って伝播する光の位相および/または振幅を変調することができる電気光学変調器を含む。そうした実施形態において、光偏光回転子は、光導波路アームのうちの1つに位置する。別の実施形態は、方法を提供する。本方法は、基板の平坦な表面に沿って位置する第1の光導波路リブ上に光学層を形成するステップを含む。光学層および第1の光導波路リブは、異なるバルク屈折率を有する材料から形成される。また、本方法は、光学層をエッチングして第2の光導波路リブを形成するステップも含む。光導波路リブの第1のセグメントは、平坦な表面に対して垂直方向に向いたスタックを形成する。光導波路リブの第2のセグメントは、平坦な表面に沿って相対的に横方向にオフセットされている。一部の実施形態において、上記の方法は、光学層を形成する前に、第1の光導波路リブ上にスペーサ層を形成するステップをさらに含むことができる。スペーサ層は、光学層および第1の光導波路層の材料とは異なるバルク屈折率を有する材料から形成される。上記の方法のいずれかの一部の実施形態において、第1の光導波路および平坦な表面の一部は、同じ光学材料から形成されてもよい。一部のそうした実施形態において、光学材料がエッチング中に停止層として機能するようにエッチングが行なわれてもよい。上記の方法のいずれかの一部の実施形態において、光学層および第1の光導波路リブの一方は、半導体から形成されてもよく、光学層および第1の光導波路リブのもう一方は、誘電体から形成されてもよい。上記の方法のいずれかの一部の実施形態において、第1の光導波路リブの第3および第4のセグメントは、第2の光導波路リブに対して横方向に位置することができ、第1の光導波路リブの第1および第2のセグメントよりも横方向に幅が広くてもよい。そうした実施形態おいては、第1の光導波路リブの第1および第2のセグメントは、第1の光導波路リブの第3のセグメントと第4のセグメントとの間に接続される。別の実施形態は、ハイブリッド光導波路のセグメントの第1の端部において、平面導波路から直線偏光の光を受信するステップと、この光をハイブリッド光導波路のセグメントを通して伝搬させて、この光の直線偏光を回転させるステップとを含む第2の方法を提供する。ハイブリッド光導波路のセグメントは、第2の光導波路リブが第1の光導波路リブ上の垂直方向に位置する1つのセグメントを含み、第2の光導波路リブが第1の光導波路リブの対応するセグメントから実質的に横方向にオフセットされている別のセグメントを含む。第1および第2の光導波路リブは、異なるバルク屈折率を有する材料から形成される。第2の方法の一部の実施形態において、第1および第2の光導波路リブの一方は、半導体のリブであってもよく、第1および第2の光導波路リブのもう一方は、誘電体のリブであってもよい。第2の方法の上記の実施形態のいずれかにおいて、ハイブリッド光導波路のセグメントは、第1の光導波路リブと第2の光導波路リブとの間に位置する、光導波路リブの材料とは異なるバルク屈折率を有する材料から作られたスペーサ層を含んでもよい。本明細書において、光導波路とは、受信した光を所定の導光方向に沿って伝播させる光学構造を指す。光導波路は、受信した光をある面内で伝搬するように単に閉じ込める光学構造とは異なる。本明細書において、光導波路は、被覆されてない光導波路、または被覆された光導波路の光学コアを指す場合もある。すなわち、光導波路という表現は、両方のタイプの構造をカバーする。図1Aおよび1Bは、光導波路として形成された光偏光回転子10を示す。光導波路は、第1の遷移領域12と、偏光回転領域14と、第2の遷移領域16とを有する。第1の遷移領域12は、偏光回転領域14を入力光導波路18、例えば平面光導波路に光学的に端部間接続する。偏光回転領域14は、1つまたは2つの実質的に直線偏光伝搬モードで受信した光の直線偏光を回転させる。第2の遷移領域16は、偏光回転領域14を出力光導波路20、例えば平面光導波路に光学的に端部間接続する。第1の遷移領域12および第2の遷移領域16は、それぞれの入力光導波路18および出力光導波路20と光学的に結合する領域である。一部の実施形態において、遷移領域12、16は、例えば直線偏光を回転させずに、基板22の近傍表面に対して垂直方向にまたは横方向に光学モードを伝搬させる光パワー密度の再分配も行なう。第1の遷移領域12は、より大きな垂直方向領域にわたって上記光パワー密度を断熱的に再分配することができる光導波路のテーパー付けを含むことができる。第2の遷移領域16は、より小さな垂直方向領域にわたって上記受信光パワー密度を断熱的に再分配する光導波路のテーパー付けを含むことができる。偏光回転領域14は、光学スタックおよび基板22を含む。光学スタックは、基板22上に位置する第1の光導波路リブ24と、第1の光導波路リブ24よりも基板22の平坦な表面からより遠くに位置する第2の光導波路リブ26とを含む。第1および第2の光導波路リブ24、26は、異なるバルク屈折率を有する材料から形成される。例えば、光導波路リブ24、26の一方は、半導体から作られてもよく、光導波路リブ26、24のもう一方は、誘電体から作られてもよい。あるいは、第1および第2の光導波路リブ24、26は、異なる誘電体、または異なる半導体から作られてもよい。一部の実施形態において、第1の光導波路リブ24は、基板22と一体となった部分であってもよい。その場合、第1の光導波路リブ24は、最も近い基板22の平坦な表面の一部と同一材料から形成される。あるいは、第1の光導波路リブ24は、近傍の基板22の平坦な表面の部分とは異なる材料、例えば異なる屈折率の材料から形成されてもよい。実際に、第1の光導波路リブ24は、近傍の基板22の平坦な表面上に、表面と直接接触して位置することができ、または上記平坦な表面とは直接接触せずに、近傍の基板22の平坦な表面上方に位置することができる。第2の光導波路リブ26は、第1の光導波路リブ24図示せず上で、この第1の光導波路リブ24と直接接触することができ、または第1の光導波路リブ24の上方に位置し、実質的に光学的に透明な材料のスペーサ層28によって第1の光導波路リブ24から分離されていてもよい。そうしたスペーサ層28は、第1の光導波路リブ24よりも典型的には垂直方向に薄い。偏光回転領域14において、第1および第2の光導波路リブ24、26の中心軸は、横方向に分岐する方向に沿って向けられている。そのため、第1および第2の光導波路リブ24、26の対応するセグメントの横方向幅間の垂直の重なりが、偏光回転領域14において光伝搬の方向に沿って減少する、すなわち、図1A~1Bにおいて右側に減少する。したがって、第1および第2の光導波路リブ24、26の一部の対応するセグメントは、基板22の平坦な表面に沿って、すなわち偏光回転領域14の最も右側部分で横方向にオフセットされうる。偏光回転領域14において、光導波路リブ24、26のそれぞれは、一定の横方向幅を有することができ、または一定でない幅を有することができる。例えば、第1の光導波路リブ24の幅は、偏光回転領域14において光伝搬の方向に沿って増加してもよい。また、第2の光導波路リブ26の幅は、偏光回転領域14において光伝搬の方向に沿って減少してもよい。第1および第2の光導波路リブ24、26の垂直方向の幅は、光偏光回転子10全体にわたって典型的には実質的に一定である。図2A、2B、および2Cは、図1A~1Bにおける一連の横方向平面A、B、およびCにおける第1の伝播光モードの予期される光パワー分配を概略的に示す。第1の伝播モードは、当初は、最初の直線偏光を有する横磁場TM光伝播モードである。最初の横方向平面Aにおいて、第1および第2の光導波路リブ24、26の横方向断面は、基板22の平坦な表面PSに対して垂直方向にそろっている。最初の横方向平面Aにおいて、第1の伝播光モード、すなわちTMモードの光パワーは、第1の長円形領域OR1に集中し、その長軸は、基板22の平坦な表面PSに対して垂直方向に向いている。その後の横方向平面Bにおいて、第1および第2の光導波路リブ24、26の断面の中心は、実質的に横方向にオフセットし、第1の伝播光モードの光パワーは、第2の長円形領域OR2に集中する。長円形領域の長軸が2つの光導波路リブ24、26の中心間の対角線に沿ってほぼ向くように、長円形の領域OR2は、基板22の平坦な表面PSの法線方向に対して強く傾いている。最後の横方向平面Cにおいて、第1および第2の光導波路リブ24、26の断面は、大きな横方向のギャップによって離隔され、第1の伝播光モードの光パワーは、長軸が基板22の平坦な表面とほぼ平行な第3の長円形領域OR3に集中する。したがって、光学スタックが緩やかに進展することによって、第1の伝播光モードの光パワーが集中する長円形領域が徐々に回転する。徐々に回転する間に、第1の伝播光モードの直線偏光は、このモードの光パワーが集中する長円形領域と共に回転する。図示した例において、この偏光回転は、約π/2ラジアンであって、それによって最初のTM伝播光モードを最終的な横電場TE伝播光モードに変化させる。図3A、3B、および3Cは、図1A~1Bにおける同一の横方向平面A、B、およびCそれぞれにおける第2の伝播光モードの予期される光パワー分配を概略的に示す。第1の伝播モードは、最初はTE伝播光モードであり、このモードは最初の直線偏光を有し、第1の伝播光モードに相対的に直交している。最初の横方向平面Aにおいて、第1および第2の光導波路リブ24、26の断面は、垂直方向にそろっており、第2の伝播光モード、すなわちTEモードの光パワーは、別の第1の長円形領域OR1’に集中する。第1の長円形領域OR1’は、基板22の平坦な表面と平行で水平方向に向いた長軸を有する。その後の横方向平面Bにおいて、第1および第2の光導波路リブ24、26の断面の中心は、実質的に横方向にオフセットし、第2の伝播光モードの光パワーは、別の第2の長円形領域OR2’に集中する。長円形領域OR2’は、長円形領域の長軸が2つの光導波路リブ24、26の中心間の対角線に沿ってほぼ向くように、基板22の平坦な表面の法線方向に対して強く傾いている。最後の横方向平面Cにおいて、第1および第2の光導波路リブ24、26の断面は、大きな横方向ギャップによって離隔され、第2の伝播光モードの光パワーは、長軸が基板22の平坦な表面に対してほぼ垂直に向く別の第3の長円形領域OR3’に集中する。したがって、光学スタックが緩やかに進展することによって、第2の伝播光モードの光パワーが集中する長円形の領域も徐々に回転する。徐々に回転する間に、第2の伝播光モードの直線偏光は、このモードの光パワーが集中する長円形領域の長軸と共に回転する。図示した例において、この回転は、約π/2ラジアンであり、それによって最初のTE伝播光モードを最終的なTM伝播光モードに変化させる。図4A、4Bおよび4Cは、図1A~1Bにおいて示した光導波路10の具体的な例10’を示す。光導波路10’は、第1の遷移領域12と、偏光回転領域14と、第2の遷移領域16とを有する。偏光回転領域14、および第1の遷移領域12のセグメントにおいて、光導波路10’は、第1および第2の光導波路リブ24、26を含む。第1の光導波路リブ24は、やはり第2の光導波路リブ26よりも基板22の平坦な表面により近く位置する。第1の遷移領域12において、光導波路10’の断面は徐々に変化し、その結果伝播光モードの横方向光パワー分配が図2Aまたは3Aにおいて概略的に示したようになる。本例において、これらの変化には、光導波路リブ24、26両方の横方向変化が含まれる。これらの変化には、伝搬方向に沿って第1の光導波路リブ24の横方向の幅を単調に減少させる滑らかなテーパー付けが含まれる。本願発明者は、この横方向の幅が徐々に減少することにより、最初のTEおよびTM伝播光モードのより多くの光パワーが第1の光導波路リブ24の外部に再分配されると考えている。また、これらの変化には、伝搬方向に沿って第2の光導波路リブ26の横方向の幅を単調に増加させる滑らかなテーパー付けが含まれる。また、本願発明者は、この横方向の幅が徐々に増加することにより、最初のTM伝播光モードのより多くの光パワーが第1の光導波路リブ24から第2の光導波路リブ26に再分配されると考えてもいる。第1および第2の光導波路リブ24、26のテーパー付けされたセグメントがなければ、入力光導波路から注入された光は、恐らくより多くの散乱、反射、および高次のモードの励起を生成する、すなわち光偏光回転子10’においてより高い挿入損を引き起こすことになるであろうと本願発明者は考えている。偏光回転領域14において、光導波路10’は滑らかな変化を受け、その結果実質的に直線偏光の伝搬モードが、例えば、図2A~2Cおよび3A~3Cで概略的に示したように、それらの直線偏光を回転させるように移行する。ここで、この変化は、伝搬方向に沿って、第1および第2の光導波路リブ24、26の断面間の横方向の重なり部分における滑らかな減少を含む。この減少は、少なくとも一部は、第1および第2の光導波路リブ24、26の軸間の角度のずれに起因する。一部の実施形態において、この減少は、一部は、伝搬方向に沿った第2の光導波路リブ26の横方向幅における任意の単調で滑らかな減少に起因することもある。ここで、この変化は、伝搬方向に沿った第1の光導波路リブ24の横方向幅の滑らかで単調な増加を含んでもよい。第2の遷移領域16において、光導波路10’の断面は、最終的な伝播光モードの横方向光パワー分配が出力光導波路20の伝播光モードにより効率的に結合するように、徐々に変化する。ここで、この変化は、伝搬方向に沿って第1の光導波路リブ24の横方向幅を単調に増加させる滑らかなテーパー付けである。第2の光導波路リブ26は、例えば、第2の遷移領域16における伝播光モードの変化に実質的に影響を及ぼさないように、第2の遷移領域16には存在しないか、または第1の光導波路リブ24から大きな横方向距離オフセットされている。上記の説明は、光の伝搬方向が、図1A~1Bおよび4A~4Cで概略的に示す光偏光回転子10、10’の動作中、左から右であるとして説明している。しかしながら、光偏光回転子10、10’は、光が反対方向に伝搬するときにも、機能する。すなわち、光偏光回転子10、10’は、図1A~1Bおよび4A~4Cの右に示す光導波路20から注入された光の直線偏光をやはり回転させることになる。実施例図4A~4Cは、例えば、市販のシリコンオンインシュレータSOI基板から、および例えば、相補型金属酸化膜半導体プロセスを用いて作製することができる光導波路10’の例を示す。本例において、第1および第2の光導波路リブ24、26、ならびに入力および出力光導波路18、20は、本明細書で説明したようにして構築される。第1の光導波路リブ24は、初期のSOI基板のシリコン層の一部から形成され、約200ナノメートルnmの厚さを有する。第2の光導波路リブ26は、窒化シリコンから形成され、約400nmの厚さを有する。入力および出力光導波路18、20は、初期のSOI基板のシリコン層の一部から形成され、約200nmの厚さ、および約500nm~600nmの横方向幅を有する。本例において、光導波路10’は、任意選択のスペーサ層28を含み、このスペーサ層28は、第1の光導波路リブ24と第2の光導波路リブ26との間に位置する約100nmの二酸化シリコンである。本例において、第1の遷移領域12、偏光回転領域14、および第2の遷移領域16は、以下で説明するような横方向サイズおよび形状を有する。第1の遷移領域12において、第1および第2の光導波路リブ24、26は、横方向にそろった主軸を有し、領域12の全長にわたって延在し、この全長は、例えば約50マイクロメートルμmの長さであってもよい。第1の光導波路リブ24は、入力光導波路18との境界における最初の横方向幅が約500nm~600nmである。入力光導波路18の横方向幅とほぼ一致する、その最初の横方向幅は、距離と共に直線的に減少して、偏光回転領域14の境界において、またはその境界の近くで約200nmの値になる。第2の光導波路リブ26は、入力光導波路18との境界において、またはその境界の近くで、約100nm以下の最初の横方向幅を有し、その横方向幅は、距離と共に直線的に増加して、偏光回転領域14の境界において、またはその境界の近くで約200nmの値になる。一部の実施形態において、第1の遷移領域12における第1および第2の光導波路リブ24、26の1つまたは両方の横方向幅は、偏光回転領域14の境界の直前で約200nmの値に達する。例えば、これらの横方向幅は、境界から約100nm以上の距離において200nmの値に達してもよく、次いで、偏光回転領域14の境界まで一定のままであってもよい。偏光回転領域14において、第1および第2の光導波路リブ24、26は、領域14のほぼ全長に延在し、この全長は、例えば、250μm~約300μmであってもよい。第1の光導波路リブ24は、第1の遷移領域12との境界において約200nmの最初の横方向幅を有し、その横方向幅は、直線的に増加して、第2の遷移領域16との境界において、約260nmになる。第2の光導波路リブ26は、第1の遷移領域12との境界において、約200nmの横方向幅を有し、その横方向幅は、一定であってもよく、または直線的に減少して、第2の遷移領域14との境界において、約150nm以下の値になってもよい。偏光回転領域14における第1および第2の光導波路リブ24、26の主軸間の横方向アラインメントが分岐するため、第2の光導波路リブ26は、第2の遷移領域16との境界において、およびその境界の近くで、第1の光導波路リブ24の対応する部分から約150nm~約200nm横方向にオフセットされている。第2の遷移領域16において、第1の光導波路リブ24は、領域16の全長にわたって延在し、その全長は、例えば約50μmであってもよい。第1の光導波路リブ24は、偏光回転領域14との境界において、約260nmの最初の横方向幅を有し、その横方向幅は、距離と共に直線的に増加して、出力光導波路20との境界において約500nm~600nmの値になる。第2の光導波路リブ26は、第2の遷移領域16の最初の部分に突出してもよいし、突出しなくてもよい。第2の光導波路リブ26が第2の遷移領域16へ突出する場合は、第2の光導波路リブ26の横方向幅は、約150nmから約100nm以下にまで滑らかに減少し続けてもよい。第2の遷移領域16において、第1の光導波路リブ24の緩やかな外向きのテーパーは、第1の光導波路リブ24と第2の光導波路リブ26との間の横方向オフセットを実質的に減少させるほどには十分ではない。最初の大きな横方向オフセットのために、第2の光導波路リブ26は、光が第2の遷移領域16内を伝播する間、実質的な偏光回転を引き起こさない。図1A~1Bおよび4A~4Cの偏光回転子10、10’の様々な実施形態において、第1の光導波路リブ24、24の材料組成と第2の光導波路リブ26、26の材料組成の差が、作製中に有利となる可能性がある。具体的には、材料組成が異なることにより、第1の光導波路リブ24および/または第1の光導波路リブ24と第2の光導波路リブ26との間の任意選択のスペーサ層28の材料を、第2の光導波路リブ26および/または任意選択のスペーサ層28の異方性エッチングに対するエッチストップとして使用することが可能となる場合がある。そうした異なる組成は、光導波路リブ24、26および存在する場合はスペーサ層28のより簡単でおよび/またはより正確なエッチング作製を支援することができる。図5は、光偏光回転子、例えば図1A~1Bおよび/または4A~4Cの光偏光回転子10、10’を作製するための例示的な方法30を概略的に示す。本方法30は、基板の上部層の、例えばSOI基板のシリコン層のエッチングを行なって、図4A~4Cの第1の光導波路リブ24を形成するステップを含むステップ32。同じエッチングを用いて、第1の光導波路リブ24の横方向に位置するさらなるシリコン光導波路を形成する、例えば、図1A~1Bおよび4A~4Cの入力光導波路18および出力光導波路20を形成することができる。エッチングは、そうした例示的なSOI基板上のシリコンをマスク制御してエッチングするための任意の従来の処理、例えば二酸化シリコン上で停止するシリコンの異方性ドライエッチングを使用することができる。本方法30は、任意選択で、第1の光導波路リブ24上に、ならびに例えば基板22の平坦な表面の横方向に隣接する部分および/または横方向に隣接した光導波路上にも、異なる材料の層を形成するステップを含むことができるステップ34。異なる材料の層は、例えば、光学品質の二酸化シリコン層を形成する従来の堆積処理によって形成されてもよい。ステップ34が行なわれる場合、本方法30は、ステップ34で形成された異なる材料の層を化学機械研磨して、適切なスペーサ層、例えば図1A~1Bおよび4A~4Cのスペーサ層28を生成するステップを含むことができるステップ36。化学機械研磨によって、例えば、ステップ32で形成された第1の光導波路リブ上に、例えば約100nm以下の厚さを有する二酸化シリコンの平坦なスペーサ層を生成することができる。化学機械研磨は、ステップ34で形成された異なる材料の層を研磨するのに効果的な、当業者に知られている任意の従来の処理を使用することができる。また、本方法30は、第1の光導波路リブ24の一部分上に、および、例えば、基板22の平坦な表面の一部分上に光学層を形成するステップも含むステップ38。この形成するステップ38は、例えば、任意選択のスペーサ層上に約400nmの窒化シリコンの層を堆積させるステップを含むことができ、窒化シリコンの光学層を堆積させるために、当業者に知られている任意の従来の処理を使用することができる。光学層、第1の光導波路リブ24、およびスペーサ層は、典型的には異なるバルク屈折率を有する材料から形成される。また、本方法30は、第2の光導波路リブ26を、例えば任意選択のスペーサ層28上に直接、または第1の光導波路リブ24上に直接形成するための光学層をエッチングするステップも含むステップ40。第2の光導波路リブ26は、第1および第2の光導波路リブ24、26の第1のセグメントが、基板22の平坦な表面に対して垂直方向に向いたスタックを形成するように、および光導波路リブ24、26の第2のセグメントが、基板22の平坦な表面に沿った方向で相対的に横方向にオフセットされるように形成される。光学層が窒化シリコンである実施形態において、エッチングステップ40は、例えば窒化シリコンをエッチングするための任意の従来の処理を使用することができる。例えば、エッチングステップは、例示的なスペーサ層28の二酸化シリコン上で実質的に停止する、ならびに/または例示的なシリコンの第1の光導波路リブ24のシリコン上および/もしくは例示的な基板22のシリコン表面上で実質的に停止する、窒化シリコンに対する異方性ドライエッチングを含むことができる。また、本方法は、上記のステップ40で生成された導波路構造体上に、クラッド層、例えば二酸化シリコン層を堆積させるステップを含むことができるステップ42。例えば、クラッド層は、数マイクロメートル以上の厚さを有することができる。堆積させるステップ42は、例えば、二酸化シリコンの厚い光学クラッド層を堆積させるための任意の従来の処理を使用することができる。図6は、平面光偏光回転子、例えば図1A~1Bおよび4A~4Cに示す光偏光回転子10、10’において直線偏光成分の偏光を回転させる方法50を概略的に示す。本方法50は、偏光回転子の第1の端部で、平面導波路から、例えば入力光導波路18から光を受信するステップを含むステップ52。受信した光は、典型的には直線偏光モード、例えば、TEもしくはTM伝播光モード、またはほぼ位相のそろったTEおよびTM伝播光モードの組合せである。本方法50は、受信した光を光偏光回転子の第1のテーパー付けされた導波路セグメントを通って伝搬させ、それによって光パワーの実質的な部分を、例えば、図1A~1Bおよび4A~4Cの第1の遷移領域12において、横方向および/または垂直方向に再分配させるステップを任意に含むステップ54。光パワーの横方向および/または垂直方向の再分配は、典型的には受信した光の偏光を実質的に変化させることなく行なわれる。本方法50は、偏光回転子のハイブリッド光導波路セグメントに沿って横方向に再分配された光パワーを伝搬させて、光の直線偏光を実質的な角度、例えば45度より大きな角度、およびしばしば約90度の角度だけ、例えば図1A~1Bおよび4A~4Cの偏光回転領域16において、回転させるステップを含むステップ56。ハイブリッド光導波路セグメントは、例えば、図1A~1Bおよび4A~4Cそれぞれの偏光回転領域14の左側部分におけるように、第2の光導波路リブが第1の光導波路リブ上の垂直方向に位置する1つのセグメントを含む。ハイブリッド光導波路セグメントは、2つの光導波路リブが偏光回転子のハイブリッド光導波路セグメントにおいて分岐する方向に沿って向けられているので、第2の光導波路リブが第1の光導波路リブの対応するセグメントから実質的に横方向にオフセットする別のセグメントを含む。ハイブリッド光導波路セグメントにおいて、第1および第2の光導波路リブは、異なるバルク屈折率を有する材料から形成される。本方法50は、光を、光偏光回転子のハイブリッド光導波路セグメントから最後のテーパー付けされた導波路セグメントを通って伝搬させ、それによって光パワーの実質的な部分が横方向におよび/または垂直方向に、例えば、図1A~1Bおよび4A~4Cの第2の遷移領域16において、再分配されるステップを含むことができるステップ58。光パワーのこの最後の横方向の再分配は、送信される光の偏光を実質的に変化させることなく行なうことができる。この横方向の再分配により、偏光回転された光を出力平面導波路、例えば図1A~1Bおよび4A~4Cの出力光導波路20の伝播光モード複数可へより高効率に結合させる。図7は、デジタルデータの偏光モード多重化をサポートする光変調器43を示す。光変調器43は、1×2光学スプリッタ44と、第1および第2の光導波路アーム45、46と、2×1光結合器47とを含む。1×2光学スプリッタ43は、光源から実質的に直線偏光した光、例えばTEまたはTMモードのレーザ光を受信し、受信した光の一部を2つの光導波路アーム45、46に向けられる2つの光ビームに分離する。図7において、光源は、例示的なTEモードの光を1×2光学スプリッタ44に送信するものとして示されている。それぞれの光導波路アーム45、46は、1×2光学スプリッタ43の対応する光出力部を2×1の光結合器47の対応する光入力部に接続する。1×2光学スプリッタ43は、ほぼ同じ直線偏光の、すなわち例示的なTE伝播光モードとして示されている光を2つの光導波路アーム45、46に送信する。それぞれの光導波路アーム45、46は、電気光学変調器48_1、48_2を含み、これらは、電気的なデジタルデータ信号、すなわちデータ_1またはデータ_2のストリームを受信するように電気的に接続されている。それぞれの電気光学変調器48_1、48_2は、そこを通り抜けて伝搬する光の位相および/または振幅を変調して、受信したデジタルデータ信号、すなわちデータ_1、データ_2の受信ストリームを搬送する。また、第2の光導波路アーム46は、光偏光回転子49、例えば図1A~1Bまたは4A~4Cの光偏光回転子10、10’を含み、この光偏光回転子によって、光の直線偏光を回転させる。偏光回転子49は、直線偏光を、例えば少なくとも45度、より好ましくは約90度だけ回転させ、それによって2つの光導波路アーム45、46からの変調された光ビームが、2×1光結合器47において再結合されるときにほぼ直交する偏光を有するようになる。2つの光導波路アーム45、46からの変調された光ビームは、2×1光結合器47において結合され、2つのデータ変調された光搬送波を偏光多重化する。他の一部の実施形態において、光偏光回転子49および電気光学変調器48_2の順序は、光導波路アーム46上で逆にされてもよい。光変調器43は、完全に光集積化されたデバイスとして、または部分的に光集積化されたデバイスとして作製されてもよい。図8は、光搬送波からのデータを復調するように構成された光受信器60の一部を示し、光搬送波は、データストリームデータ_1およびデータ_2で偏光多重化されている。光受信器60は、第1の光偏光ビームスプリッタ62と、光偏光回転子64と、第1および第2の光復調器66、68とを含む。光偏光回転子64は、光偏光ビームスプリッタ62の1つの光出力部から光学信号を受信し、上記受信した光学信号の直線偏光を光学的に回転させるように接続されている。光偏光回転子64の働きにより、両方の光復調器は、実質的に同様の、または同一の直線偏光の、例えば、図8において例示的なTE伝播光モードとして示されている光を受信する。したがって、それぞれの光復調器66、68は、デジタルデータ、例えば、光受信器60の入力部において受信した光の異なる直線偏光成分からのデータストリームデータ_1’およびデータ_2’を復調するが、2つの光復調器66、68は、実質的に同様の、または同一の直線偏光の光ビームを処理する。一部の実施形態において、光偏光回転子64の光出力部は、任意選択の第2の光偏光ビームスプリッタ図示せずに直接接続することができ、次いで、第2の光偏光ビームスプリッタの光出力部の1つが第2の光復調器68の1つの光入力部に直接接続することができる。そうした実施形態において、第2の光偏光ビームスプリッタは、光偏光回転子64に対するクリーンアップ偏光フィルターとして機能する。光受信器60において、1つの光ビームの直線偏光の中間変換は、確実に、それぞれのデータ搬送光搬送波の処理を実質的に同様にするのに有用な場合がある。すなわち、中間変換を用いて、光復調器66、68の媒体および導波路の光学特性の偏光依存性に関わる問題を回避することができる。例示的な実施形態の詳細な説明および図面は、単に本発明の原理を示すに過ぎない。したがって、当業者は、明示的に本明細書では説明され示されてはいないが、本発明の原理を具現化し、特許請求される本発明の範囲内に含まれる様々な構成を考案することができるであろうことを理解されるであろう。さらに、本明細書で列挙した例はすべて、本願発明者が当技術を進展させることに寄与した本発明および概念の原理を理解する手助けとなるように単に教育的な目的のためであることが主に意図され、そうした具体的に列挙された例および条件には限定されないものとして解釈されるべきである。その上、本発明の原理、態様および実施形態、ならびにそれらの具体的な例を列挙する本明細書の記述はすべて、それらの等価物を包含することが意図されている。