"外部から供給される直流電圧を第1スイッチング素子を用いて電圧変換するコンバータと、該コンバータから充電電流が供給される二次電池とを備え、該二次電池の放電電流又は外部から供給される電流を外部の電気機器に供給する充電システムにおいて、前記二次電池の放電回路を遮断する第2スイッチング素子と、外部から供給される電流を遮断する第3スイッチング素子と、前記第1~第3スイッチング素子の一部又は全部の夫々と各別に熱的に結合されており、抵抗が正又は負の温度係数を有する感熱素子と、該感熱素子の直列回路又は並列回路に直列に接続された抵抗回路と、該抵抗回路及び前記直列回路又は並列回路の接続点が制御端子に接続された第4スイッチング素子と、前記第3スイッチング素子と直列に接続されており、前記第4スイッチング素子がオンしたときに溶断されるヒューズとを備え、前記感熱素子の何れかと熱的に結合されたスイッチング素子の温度が上昇した場合、前記制御端子に入力される電圧信号によって、前記第4スイッチング素子がオンするようにしてあることを特徴とする充電システム。前記感熱素子は、PTC素子であることを特徴とする請求項1に記載の充電システム。前記第1~第3スイッチング素子のうちの1つが、前記感熱素子に代えて前記ヒューズと熱的に結合されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の充電システム。しかしながら、ヒューズ等の非復帰スイッチは、サイズが大きい上に高価であるため、各スイッチング素子夫々にヒューズを対応させた場合は、基板の実装面積が増大するだけでなく、スイッチング素子とヒューズとを熱的に結合させるための工数が増してコストアップにつながるという問題がある。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、スイッチング素子の温度上昇時に安全性を確保するためのヒューズの個数を必要最小限に抑えることが可能な充電システムを提供することにある。本発明に係る充電システムは、外部から供給される直流電圧を第1スイッチング素子を用いて電圧変換するコンバータと、該コンバータから充電電流が供給される二次電池とを備え、該二次電池の放電電流又は外部から供給される電流を外部の電気機器に供給する充電システムにおいて、前記二次電池の放電回路を遮断する第2スイッチング素子と、外部から供給される電流を遮断する第3スイッチング素子と、前記第1~第3スイッチング素子の一部又は全部の夫々と各別に熱的に結合されており、抵抗が正又は負の温度係数を有する感熱素子と、該感熱素子の直列回路又は並列回路に直列に接続された抵抗回路と、該抵抗回路及び前記直列回路又は並列回路の接続点が制御端子に接続された第4スイッチング素子と、前記第3スイッチング素子と直列に接続されており、前記第4スイッチング素子がオンしたときに溶断されるヒューズとを備え、前記感熱素子の何れかと熱的に結合されたスイッチング素子の温度が上昇した場合、前記制御端子に入力される電圧信号によって、前記第4スイッチング素子がオンするようにしてあることを特徴とする。本発明にあっては、外部から供給される電流を遮断する第3スイッチング素子、外部から供給される直流電圧を電圧変換するコンバータに用いられる第1スイッチング素子、及びコンバータによって充電される二次電池の放電回路を遮断する第2スイッチング素子のうちの一部又は全部が、正又は負の抵抗温度係数を有する感熱素子と各別に熱的に結合されている。また、前記感熱素子の直列回路又は並列回路と抵抗回路との接続点が第4スイッチング素子の制御端子に接続されており、前記感熱素子の何れかと熱的に結合されたスイッチング素子の温度が上昇した場合、第4スイッチング素子の制御端子の電圧が変化して第4スイッチング素子がオンすることによって、第3スイッチング素子と直列に接続されたヒューズが溶断する。つまり、過熱状態となったときの安全性が確保されるべきスイッチング素子と各別に熱的に結合された正又は負の抵抗温度係数を有する感熱素子が、第4スイッチング素子の制御端子のバイアス回路の一部に直列又は並列に接続されているため、一の感熱素子の温度が上昇したときに第4スイッチング素子の制御電圧が大きく変化して第4スイッチング素子がオンする。これにより、外部からの電流の供給路に介装されたヒューズが溶断して外部から電流が供給されなくなり、安全性が確保される。本発明に係る充電システムは、前記感熱素子は、PTC素子であることを特徴とする。本発明にあっては、正の抵抗温度係数を有するPTC素子の直列回路と抵抗回路との接続点が第4スイッチング素子の制御端子に接続されている。これにより、所謂キュリー温度を境にPTC素子の抵抗値が急激に増大して、第4スイッチング素子の制御電圧が極めて大きく変化するため、PTC素子に熱的に結合されたスイッチング素子の異常な温度上昇に対して保護を行うか否かの閾値が明確になる。本発明に係る充電システムは、前記第1~第3スイッチング素子のうちの1つが、前記感熱素子に代えて前記ヒューズと熱的に結合されていることを特徴とする。本発明にあっては、第1~第3スイッチング素子の1つがヒューズと熱的に結合されており、その他のスイッチングが正又は負の抵抗温度係数を有する感熱素子と各別に熱的に結合されている。これにより、第1~第3スイッチング素子のうち、何れのスイッチング素子の温度が上昇した場合であっても、ヒューズが溶断される。また、第1~第3スイッチング素子のオン条件によってはヒューズを溶断する電力が供給されない場合であっても、スイッチング素子をヒューズに直接的に熱結合させることによってヒューズが溶断される。本発明によれば、安全性が確保されるべきスイッチング素子と熱的に結合された感熱素子が、第4スイッチング素子の制御端子のバイアス回路の一部に接続されているため、一の感熱素子の温度が上昇したときに第4スイッチング素子の制御電圧が大きく変化してオン条件が成立する。これにより、ヒューズが溶断して外部から電流が供給されなくなり、安全性が確保される。従って、スイッチング素子の温度上昇時に安全性を確保するためのヒューズの個数を必要最小限に抑えることが可能となる。以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1に係る充電システムの接続構成を略示する回路図である。充電システムは、入力端子10に第1端子が接続された3端子型の非復帰スイッチ1と、該非復帰スイッチ1の第2端子に一端が接続されたPチャネル型のMOSFET以下、FETという21,22及び抵抗器23の直列回路と、該直列回路の他端から供給される直流電圧を降圧する同期整流型のコンバータ3と、該コンバータ3によって充電される直列接続の二次電池41,42,43を有するパック電池4とを備える。パック電池4の個数は3つに限定されない。前記直列回路の他端は、外部に電気機器が接続されるべき出力端子20に接続されている。コンバータ3及びパック電池4の接続点と、出力端子20との間には、二次電池41,42,43から出力端子20に至る放電回路とすべく、Pチャネル型のFET47が接続されている。FET47は、ソースが出力端子20に接続されており、ゲートが後述するコンバータIC30に接続されている。FET21,22は、1つのパッケージに封入されているが、個別のパッケージに封入されていてもよい後述するFET31,32についても同様。FET21,22は、各ゲートがコンバータIC30に接続されており、ソース同士を突き合わせてあるが、ドレイン同士を突き合わせてもよい。FET21,22のドレイン及びソース間に図示されたダイオードは寄生ダイオードである以下同様。非復帰スイッチ1は、第1及び第2端子間に直列に接続されたヒューズ11,11と、該ヒューズ11,11の接続点及び第3端子間に並列に接続された加熱抵抗12,12とを有する。ヒューズ11,11は、135°C前後まで温度が上昇したときに溶断するものである。非復帰スイッチ1の第3端子には、ソースが接地電位に接続されたNチャネル型のFET13のドレインが接続されている。FET13のゲートには、ソースが非復帰スイッチ1の第2端子に接続されたPチャネル型のFET14のドレインが接続されている。FET14のゲート及び接地電位間には抵抗器15が接続されている。FET14のゲート及びソース間には、PTC素子16,16が直列に接続されている。コンバータ3は、ハイサイド,ローサイドのスイッチング素子として動作するNチャネル型のFET31,32と、該FET31,32のオン/オフを制御するコンバータIC30と、FET31,32の接続点に一端が接続されたインダクタコイル33及び抵抗器34の直列回路と、該直列回路の他端及び接地電位間に接続されたコンデンサ35とを有する。コンバータIC30の電源端子は、FET21,22のソースに接続されている。コンバータ3は、降圧型及び同期整流型に限定されるものではない。コンバータIC30は、入力端子10から非復帰スイッチ1及びFET21の寄生ダイオードを介して供給される直流電圧を検知した場合、FET21,22のゲートにロウLレベルのオン信号を与えてFET21,22をオンさせる。これにより、入力端子10から供給された直流電圧が、ハイサイドのFET31のドレインと、出力端子20とに供給される。この場合、FET47は、ゲートにハイHレベルのオフ信号が与えられてオフしており、上述の放電回路を通じて二次電池41,42,43に充電電流が流入しないようになっている。非復帰スイッチ1を介して供給される直流電圧が検知されない場合、FET21,22がオフされるのに対し、FET47がオンされることにより、二次電池41,42,43から出力端子20に至る放電回路が閉じる。コンバータIC30は、ハイサイドのFET31をオンさせている間に、FET31、インダクタ33及び抵抗器34を介してコンデンサ35及びパック電池4に電流を供給し、ローサードのFET32をオンさせている間に、FET32、インダクタ33及び抵抗器34を介してインダクタ33の電流を環流させる。FET31,32が共にオフしているデッドタイムでは、FET32の寄生ダイオードがインダクタ33の電流を環流させる。コンバータIC30には、コンデンサ35の電圧が帰還されており、該コンデンサの電圧が二次電池41,42,43の充電電圧となるように、FET31,32夫々をオンさせる制御信号のデューティ比が制御される。コンバータIC30には、また、抵抗器34の両端電圧が帰還されており、該両端電圧から換算されるコンバータ3の出力電流が所定の電流例えば2.5A以下となるように制限される。これにより、二次電池41,42,43が定電流定電圧にて充電される。コンバータIC30には、更に、抵抗器23の両端電圧が帰還されており、該両端電圧から換算される電流、即ち、入力端子10から供給される電流が所定の電流例えば5A以下となるように制限される。上記の例では、外部の電気機器の消費電流が0A,2.5A,4Aの場合、二次電池41,42,43の充電電流が2.5A,2.5A,1.0Aに制限される。パック電池4は、二次電池41,42,43夫々の正極端子及び負極端子に接続されて各二次電池41,42,43が過電圧状態にあることを検出する保護IC44と、該保護IC44の検出信号端子に各ゲートが接続されており、二次電池43の負極端子及び接地電位間に直列に接続されたNチャネル型のFET45,46とを有する。FET45,46は、保護IC44から各ゲートにロウLレベルの検出信号が与えられたときにオフするようになっている。FET45,46は、ドレイン同士を突き合わせてあるが、ソース同士を突き合わせてもよい。尚、本実施の形態1では、FET45,46を所謂ローサイドの充放電路に介装させてあるが、パック電池4が例えばマイコンを備える場合は、ドレインを突き合わせた2つのNチャネル型又はPチャネル型のFETをハイサイドの充放電路に介装しておき、過電圧及び過電流の検出時にマイコンでFETをオフさせるようにしてもよい。但し、ハイサイドにNチャネル型のFETを使用するときは、マイコンに内蔵された昇圧回路を必要とする。上述の回路構成において、PTC素子16,16の一方がFET21,22に、他方がFET31,32に、夫々熱的に結合されている。1つのPTC素子16が、FET21,22又はFET31,32の何れかと熱的に結合されているだけでもよい。例えば、ローサイドのFET32をショットキバリアダイオードで置き換えた場合は、PTC素子16の他方及びFET31を熱的に結合させればよい。FET47は、非復帰スイッチ1のヒューズ11,11と熱的に結合されている。これらの素子同士を熱的に密に結合させる方法としては、例えば、PTC素子16及びFET21,22又はFET31,32を、基板上で近接配置し、更に素子間の隙間を埋めるべくシリコーン樹脂で覆うようにすればよい。この方法によれば、PTC素子16及びFET21,22又はFET31,32の温度差を5°C以内にすることができる。さて、通常の動作状態では、抵抗器15の抵抗と比較してPTC素子16,16の直列抵抗が十分小さいため、FET14のゲートがハイHレベルとなってFET14がオフし、FET13もオフしている。FET21,22又はFET31,32が何らかの故障により異常発熱して高温になった場合、該FET21,22又はFET31,32と熱的に結合されているPTC素子16も高温となり、抵抗が増大する。図2は、PTC素子16の温度に対する抵抗の変化を例示する特性図である。図2の横軸は温度°Cを表し、縦軸は、25°Cのときの抵抗に対するその温度のときの抵抗の比を表す。図2に示すように、常温から85°C前後までは抵抗比が1以下であるが、抵抗比が2となる所謂キュリー温度図2では、102°C前後より高い温度では抵抗比が急激に上昇し、125°C以上では抵抗比が2桁以上となる。例えば図1において、抵抗器15の抵抗値が330kオームΩ、PTC素子16,16夫々の常温での抵抗値が10kオーム、FET14のソースの電圧が14Vとした場合、FET14のVgsソースを基準にしたゲートの電圧は-0.8Vであって、FET14はオフしている。これに対し、PTC素子16,16の一方が125°Cとなった場合、一方のPTC素子16の抵抗値が2桁増加して約1Mオームとなるから、FET14のVgsが-10.6Vまで低下し、FET14がオンとなる。これによりFET13がオンし、加熱抵抗12,12にヒューズ11,11を介して外部から直流電圧が印加されてヒューズ11,11が加熱されるため、ヒューズ11,11が溶断して外部から供給される電流が遮断される。抵抗器15の抵抗値は、PTC素子16の温度特性及びFET14のVgs-Id特性に応じて適宜定めることができる。常温時にFET14のVgsの絶対値を小さくする場合は、例えば抵抗器15の抵抗値を15MΩ程度に大きくすればよい。尚、FET14を用いずに、FET13のゲート及びソース間にPTC素子16,16の直列回路を接続し、FET13のゲート及び非復帰スイッチ1の第3端子間に抵抗器15を接続するように構成してもよい。このように構成した場合、高温時にPTC素子16,16の抵抗値が増大してFET13のVgsが大きくなったときに、FET13がオンしてヒューズ11,11が溶断される。一方、FET47は、135°C前後まで温度が上昇したときに溶断するヒューズ11,11と直接的に熱結合されているから、何らかの故障により自身の温度が125°C前後まで上昇した場合、ヒューズ11,11が溶断し、外部から供給される電流が遮断される。上述の構成では、FET21,22、FET31,32及びFET47のうち、FET47を非復帰スイッチ1のヒューズ11,11と熱的に結合させたが、FET47に第3のPTC素子を熱的に結合させ、該第3のPTC素子を、PTC素子16,16と直列に接続してもよい。この場合、FET21,22、FET31,32及びFET47の何れかが異常発熱して高温になったときに、FET14,13がオンしてヒューズ11,11が溶断し、外部から供給される電流が遮断される。以上のように本実施の形態1によれば、外部から供給される電流を遮断するFET21,22、外部から供給される直流電圧を電圧変換するコンバータ3に用いられるFET31,32、及びコンバータ3によって充電される二次電池41,42,43の放電回路を遮断するFET47のうちの一部又は全部が、正の抵抗温度係数を有する感熱素子と各別に熱的に結合されている。また、感熱素子の直列回路と抵抗器15との接続点がFET14のゲートに接続されており、感熱素子の何れかと熱的に結合されたFETの温度が上昇した場合、FET14のゲートの電圧が低下してFET14がオンすることによって、FET13もオンするため、FET21,22と直列に接続されたヒューズ11,11が溶断する。つまり、過熱状態となったときの安全性が確保されるべきFETと各別に熱的に結合された正の抵抗温度係数を有する感熱素子が、FET14のゲートバイアス回路の一部に直列に接続されているため、一の感熱素子の温度が上昇したときにFET14のゲート電圧が大きく変化してFET14がオンし、FET13もオンする。これにより、外部からの電流の供給路に介装されたヒューズ11,11が溶断して外部から電流が供給されなくなり、安全性が確保される。従って、スイッチング素子の温度上昇時に安全性を確保するためのヒューズの個数を必要最小限に抑えることが可能となる。また、正の抵抗温度係数を有するPTC素子16,16の直列回路と抵抗器15との接続点がFET14のゲートに接続されている。従って、所謂キュリー温度を境にPTC素子16,16の抵抗値が急激に増大して、FET14のゲート電圧が極めて大きく変化するため、PTC素子16,16に熱的に結合されたFETの異常な温度上昇に対して保護を行うか否かの閾値を明確にすることが可能となる。また、FET47がヒューズ11,11と熱的に結合されており、FET21,22及びFET31,32が正の抵抗温度係数を有するPTC素子16,16と各別に熱的に結合されている。従って、FET21,22、FET31,32及びFET47のうち、何れのFETの温度が上昇した場合であっても、ヒューズ11,11を溶断させることが可能となる。また、外部から直流電圧が供給されないために二次電池41,42,43を放電させている場合のように、加熱抵抗12,12によってヒューズ11,11を溶断させることができない場合であっても、FET47をヒューズ11,11に直接的に熱結合させることによってヒューズ11,11を溶断させることが可能となる。実施の形態2実施の形態1が、FET21,22及びFET31,32に熱的に結合させる感熱素子として正の抵抗温度係数を有するPTC素子16,16を用いる形態であるのに対し、実施の形態2は、PTC素子16,16に代えて、負の抵抗温度係数を有するNTC素子を用いる形態である。図3は、本発明の実施の形態2に係る充電システムの接続構成を略示する回路図である。充電システムが、3端子型の非復帰スイッチ1と、Pチャネル型のFET21,22及び抵抗器23の直列回路と、同期整流型のコンバータ3と、二次電池41,42,43を有するパック電池4と、FET47とを備えるのは、実施の形態1の場合と同様である。ソースが非復帰スイッチ1の第2端子に接続されたPチャネル型のFET14のゲート及びソース間には、抵抗器17が接続されている。FET14のゲート及び接地電位間には、NTC素子18,18が並列に接続されている。次に、NTC素子18,18の抵抗温度特性について説明する。図4は、PTC素子16及びNTC素子18の温度に対する抵抗の変化を例示する特性図である。図4の横軸は温度°Cを表し、縦軸は比抵抗Ωmを表す。図4に破線で示すPTC素子16は、図2に示したPTC素子16よりもキュリー温度が約10°C低いものである。既に図2で説明したように、PTC素子16の抵抗比は、キュリー温度を境にして急激に増大する。図4のように、抵抗比を比抵抗と置き換えて図示した場合であっても、この傾向は変わらない。これに対し、図4に実線で示すNTC素子18の比抵抗は、温度のべき乗に反比例して低下する。図4の例では、常温のときの比抵抗に対し、125°Cのときの比抵抗が約1/20に低下する。例えば、抵抗器17の抵抗値が3kオームΩ、NTC素子18,18夫々の常温での抵抗値が100kオーム、FET14のソースの電圧が14Vとした場合、FET14のVgsソースを基準にしたゲートの電圧は-0.8Vであって、FET14はオフしている。これに対し、NTC素子18,18の一方が125°Cとなった場合、一方のNTC素子18の抵抗値が約1/20の5kオームとなるから、FET14のVgsが-5.6Vまで低下し、FET14をオンさせることができる。これによりFET13がオンしてヒューズ11,11が溶断するのは、実施の形態1の場合と同様である。上述の構成では、FET21,22、FET31,32及びFET47のうち、FET47を非復帰スイッチ1のヒューズ11,11と熱的に結合させたが、FET47に第3のNTC素子を熱的に結合させ、該第3のNTC素子を、NTC素子18,18と並列に接続してもよい。この場合、FET21,22、FET31,32及びFET47の何れかが異常発熱して高温になったときに、FET14,13がオンしてヒューズ11,11が溶断し、外部から供給される電流が遮断される。その他、実施の形態1に対応する箇所には同様の符号を付して、その詳細な説明を省略する。以上のように本実施の形態2によれば、FET21,22、FET31,32、及びFET47のうちの一部又は全部が、負の抵抗温度係数を有する感熱素子と各別に熱的に結合されている。また、感熱素子の並列回路と抵抗器15との接続点がFET14のゲートに接続されており、感熱素子の何れかと熱的に結合されたFETの温度が上昇した場合、FET14のゲートの電圧が低下してFET14がオンすることによって、FET13がオンとなり、FET21,22と直列に接続されたヒューズ11,11が溶断する。つまり、過熱状態となったときの安全性が確保されるべきFETと各別に熱的に結合された負の抵抗温度係数を有する感熱素子が、FET14のゲートバイアス回路の一部に並列に接続されているため、一の感熱素子の温度が上昇したときにFET14のゲート電圧が大きく変化してFET14がオンする。これにより、外部からの電流の供給路に介装されたヒューズ11,11が溶断して外部から電流が供給されなくなり、安全性が確保される。従って、スイッチング素子の温度上昇時に安全性を確保するためのヒューズの個数を必要最小限に抑えることが可能となる。また、FET47がヒューズ11,11と熱的に結合されており、FET21,22及びFET31,32が負の抵抗温度係数を有するNTC素子18,18と各別に熱的に結合されている。従って、FET21,22、FET31,32及びFET47のうち、何れのFETの温度が上昇した場合であっても、ヒューズ11,11を溶断させることが可能となる。今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。"