"一般式式中、Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、ベンゼン環と共同で環を形成してもよい置換若しくは無置換のアリール基、複素環基又は水素原子であり、Ar3は、置換又は無置換のアリール基である。で表される化合物の芳香環が1個以上3個以下の一般式式中、Xは、メチレン基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、カルボニル基、酸素原子又は硫黄原子であり、Yは、置換又は無置換のアルキレン基であり、Zは、カルボキシル基、ヒドロキシル基又はチオール基である。で表される基で置換されているカルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を含む発光層を有することを特徴とする発光素子。前記カルバゾール誘導体は、一般式式中、Ar4は、置換又は無置換のアリーレン基である。で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記Ar1及び前記Ar2は、それぞれ独立に、一般式式中、Rは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、ハロゲン原子又は置換若しくは無置換のアリール基である。で表される基であることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。前記一般式3で表される化合物は、一般式式中、Rは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、ハロゲン原子又は置換若しくは無置換のアリール基である。で表されるベンゾカルバゾール誘導体であることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。前記カルバゾール誘導体は、一般式で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光素子を有することを特徴とする表示装置。本発明は、上記従来技術が有する問題に鑑み、発光効率に優れる発光素子及び該発光素子を有する表示装置を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明は、発光素子において、一般式式中、Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、ベンゼン環と共同で環を形成してもよい置換若しくは無置換のアリール基、複素環基又は水素原子であり、Ar3は、置換又は無置換のアリール基である。で表される化合物の芳香環が1個以上3個以下の一般式式中、Xは、メチレン基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、カルボニル基、酸素原子又は硫黄原子であり、Yは、置換又は無置換のアルキレン基であり、Zは、カルボキシル基、ヒドロキシル基又はチオール基である。で表される基で置換されているカルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を含む発光層を有することを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発光素子において、前記カルバゾール誘導体は、一般式式中、Ar4は、置換又は無置換のアリーレン基である。で表される化合物であることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発光素子において、前記Ar1及び前記Ar2は、それぞれ独立に、一般式式中、Rは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、ハロゲン原子又は置換若しくは無置換のアリール基である。で表される基であることを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項2に記載の発光素子において、前記前記一般式3で表される化合物は、一般式式中、Rは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、ハロゲン原子又は置換若しくは無置換のアリール基である。で表されるベンゾカルバゾール誘導体であることを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項1に記載の発光素子において、前記カルバゾール誘導体は、一般式で表される化合物であることを特徴とする。請求項6に記載の発明は、表示装置において、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光素子を有することを特徴とする。本発明によれば、発光効率に優れる発光素子及び該発光素子を有する表示装置を提供することができる。次に、本発明を実施するための形態を図面と共に説明する。本発明の発光素子は、半導体ナノ結晶を含む発光層を有し、半導体ナノ結晶は、一般式1で表される化合物の芳香環が1~3個の一般式2で表される基で置換されているカルバゾール誘導体が配位結合又は付着している。このとき、一般式1で表される化合物の芳香環が2個又は3個の一般式2で表される基で置換されている場合、2個又は3個の一般式2で表される基は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。一般式1において、Ar1、Ar2及びAr3における無置換のアリール基としては、特に限定されないが、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピレニル基、フルオレニル基、9,9-ジメチル-2-フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H-ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基等が挙げられる。一般式1において、Ar1及びAr2における無置換の複素環基としては、特に限定されないが、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピロリジル基、チオフェニル基、メチルチオフェニル基、オキサゾリル基等が挙げられる。なお、無置換のアリール基及び無置換の複素環基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルヘキシル基、トリフルオロメチル基、2-シアノエチル基、ベンジル基、4-クロロベンジル基、4-メチルベンジル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数が1~25の直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基を有していてもよい。また、Ar1、Ar2及びAr3におけるアリール基の置換基としては、特に限定されないが、置換又は無置換の炭素数が1~25の直鎖、分岐鎖又は環状のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、シアノ基、トリフェニルシリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピロリジル基、チオフェニル基、メチルチオフェニル基、オキサゾリル基等の複素環基等が挙げられる。このとき、アルコキシ基の置換基としては、特に限定されないが、フッ素原子、シアノ基、置換又は無置換のフェニル基等が挙げられる。フェニル基の置換基としては、特に限定されないが、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、直鎖又は環状のアルキル基等が挙げられる。置換又は無置換のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-クロロベンジルオキシ基、4-メチルベンジルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。アリール基及び複素環基の炭素数は、それぞれ6~30及び4~28であることが好ましい。Ar1及び/又はAr2がベンゼン環と共同で環を形成しているアリール基である場合の一般式1で表される化合物としては、ベンゾカルバゾールの誘導体、ジベンゾカルバゾールの誘導体等が挙げられる。一般式2において、Yにおける無置換のアルキレン基は、炭素数が1~25であることが好ましい。無置換のアルキレン基としては、特に限定されないが、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノナデカメチレン基、イコサメチレン基、ヘインコサメチレン基、ドコサメチレン基、トリコサメチレン基、テトラコサメチレン基、ペンタコサメチレン基等が挙げられる。また、Yにおけるアルキレン基の置換基としては、特に限定されないが、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、炭素数が1~24の直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基等が挙げられる。本発明において、カルバゾール誘導体としては、特に限定されないが、以下の化合物が挙げられる。一般式2で表される基としては、特に限定されないが、以下の基が挙げられる。本発明において、カルバゾール誘導体は、一般式3又は6で表される化合物であることが好ましい。このとき、Ar4は、Ar3由来のアリーレン基である。一般式3において、Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、一般式4で表される基であることが好ましい。また、一般式3で表される化合物は、一般式5で表されるベンゾカルバゾール誘導体であることが好ましい。一般式4及び5において、Rにおける無置換のアルキル基は、炭素数が1~25の直鎖、分岐鎖又は環状であることが好ましく、Rにおける無置換のアルコキシ基は、炭素数が1~25の直鎖、分岐鎖又は環状であることが好ましい。このとき、アルキル基又はアルコキシ基の置換基としては、特に限定されないが、フッ素原子、シアノ基、置換又は無置換のフェニル基等が挙げられる。フェニル基の置換基としては、特に限定されないが、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、直鎖又は環状のアルキル基等が挙げられる。置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルヘキシル基、トリフルオロメチル基、2-シアノエチル基、ベンジル基、4-クロロベンジル基、4-メチルベンジル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。置換又は無置換のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、2-シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、4-クロロベンジルオキシ基、4-メチルベンジルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。Rにおけるハロゲン原子としては、特に限定されないが、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。Rにおけるアリール基は、前述のAr1、Ar2及びAr3におけるアリール基と同様である。[一般式3で表される化合物の合成例1]一般式3で表される化合物は、以下のようにして、合成することができる。式中、Rxは、ハロゲン原子である。まず、パラジウム触媒を用いて、有機ハロゲン化合物A-1を、アリールボロン酸Ar1-BOH2と鈴木-宮浦クロスカップリング反応させることにより、カルバゾール誘導体A-2が得られる。パラジウム触媒としては、特に限定されないが、PdPPh34、PdCl2PPh32、PdOAc2、PdCl2等が挙げられ、最も汎用的には、PdPPh34が用いられる。このとき、アリールボロン酸の代わりに、熱的に安定で、空気中で容易に扱えるビスピナコラトジボロンとハロゲン化アリールから合成されるアリールボロン酸エステルを用いてもよい。また、有機ハロゲン化合物A-1が有するRxは、反応性の点から、ヨウ素原子又は臭素原子であることが好ましい。鈴木-宮浦クロスカップリング反応は、塩基を必要とするが、塩基として、Na2CO3、NaHCO3等の比較的弱い塩基を用いることが好ましい。また、立体障害等の影響を受ける場合には、BaOH2、K3PO4等の強塩基が有効である。さらに、その他の塩基として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムや、カリウムt-ブトキシド、ナトリウムt-ブトキシド、リチウムt-ブトキシド、カリウム2-メチル-2-ブトキシド、ナトリウム2-メチル-2-ブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、カリウムメトキシド等の金属アルコシドも用いることができる。また、塩基として、トリエチルアミン等の有機塩基も用いることができる。反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、2-メトキシエタノール、1,2-ジメトキシエタン、ビス2-メトキシエチルエーテル等のアルコール及びエーテル系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル系溶媒の他、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等を用いることができる。次に、パラジウム触媒とホスフィン配位子を用いて、カルバゾール誘導体A-2を、ハロゲン化アリールRx-Ar4-X-Y-COOC2H5とウルマン反応又はBuchwald-Hartwigアミノ化反応させることにより、カルバゾール誘導体A-3が得られる。パラジウム触媒としては、特に限定されないが、Pd2dba3、PdOAc2等が挙げられる。ホスフィン配位子としては、特に限定されないが、2,2-ビスジフェニルホスフィノ-1,1-ビナフチル、ペンタフェニルジ-t-ブチルホスフィノフェロセン、ビス1-アダマンチル-n-ブチルホスフィン、ビス1-アダマンチル-n-ブチルホスホニウムアイオダイド、ビス1-アダマンチルベンジルホスフィン等が挙げられる。ハロゲン化アリールが有するRxは、反応性の点から、臭素原子又は塩素原子であることが好ましい。ウルマン反応又はBuchwald-Hartwigアミノ化反応は、塩基を必要とするが、塩基として、K2CO3、Cs2CO3、Na2CO3、NaHCO3等の比較的弱い塩基を用いることができる。さらに、水酸化ナトリウム等の塩基を用いて、カルバゾール誘導体A-3を加水分解させることにより、カルバゾール誘導体A-4が得られる。[一般式3で表される化合物の合成例2]一般式3で表される化合物は、以下のようにして、合成することができる。式中、Rxは、ハロゲン原子である。まず、カルバゾール誘導体B-1を、ハロゲン化アリールRx-Ar4-OCH3とウルマン反応又はBuchwald-Hartwigアミノ化反応させることにより、カルバゾール誘導体B-2が得られる。このとき、カルバゾール誘導体B-1は、カルバゾール誘導体A-2と同一である。次に、三臭化ホウ素を用いて、カルバゾール誘導体B-2を脱メチル化させることにより、カルバゾール誘導体B-3が得られる。さらに、カルバゾール誘導体B-3を、臭化アルコールBr-Y-OHとエーテル化させることにより、カルバゾール誘導体B-4が得られる。[一般式3で表される化合物の合成例3]一般式3で表される化合物は、以下のようにして、合成することができる。まず、ピリジン等の塩基の存在下、塩化p-トルエンスルホニルを用いて、カルバゾール誘導体C-1の水酸基をトシル化させることにより、カルバゾール誘導体C-2が得られる。次に、チオ酢酸カリウムを用いて、カルバゾール誘導体C-2をチオアセチル化させることにより、カルバゾール誘導体C-3が得られる。さらに、水酸化ナトリウム等の塩基を用いて、カルバゾール誘導体C-3を加水分解させることにより、カルバゾール誘導体C-4が得られる。[一般式3で表される化合物の合成例4]一般式5で表される化合物は、以下のようにして、合成することができる。まず、プロトン酸の存在下、テトラノン化合物D-1とフェニルヒドラジン化合物D-2を反応させることにより、ヒドラゾン化合物D-3が得られる。次に、ZnCl2等のルイス酸の存在下、環化させることにより、環化合物D-4が得られる。さらに、Pd/C等の触媒を用いて、環化合物D-4を酸化させることにより、ベンゾカルバゾール誘導体D-5が得られる。次に、ベンゾカルバゾール誘導体D-5を、ヨウ化アリールI-Ar4-X-Y-OHとウルマン反応又はBuchwald-Hartwigアミノ化反応させることにより、ベンゾカルバゾール誘導体D-6が得られる。さらに、ピリジン等の塩基の存在下、塩化p-トルエンスルホニルを用いて、ベンゾカルバゾール誘導体D-6の水酸基をトシル化させることにより、ベンゾカルバゾール誘導体D-7が得られる。次に、チオ酢酸カリウムを用いて、ベンゾカルバゾール誘導体D-7をチオアセチル化させることにより、ベンゾカルバゾール誘導体D-8が得られる。さらに、水酸化ナトリウム等の塩基を用いて、ベンゾカルバゾール誘導体D-8を加水分解させることにより、ベンゾカルバゾール誘導体D-9が得られる。[一般式6で表される化合物の合成例1]一般式6で表される化合物は、以下のようにして、合成することができる。式中、Rxは、ハロゲン原子である。まず、ピリジン等の塩基の存在下、臭素を用いて、カルバゾールE-1を臭素化させることにより、3-ブロモカルバゾールE-2が得られる。次に、ヨウ化銅の存在下、ナトリウムメトキシドを用いて、3-ブロモカルバゾールE-2をエーテル化させることにより、3-メトキシカルバゾールE-3が得られる。さらに、3-メトキシカルバゾールE-3を、ハロゲン化アリールRx-Ar3とウルマン反応又はBuchwald-Hartwigアミノ化反応させることにより、カルバゾール誘導体E-4が得られる。次に、三臭化ホウ素を用いて、カルバゾール誘導体E-4を脱メチル化させることにより、カルバゾール誘導体E-5が得られる。さらに、カルバゾール誘導体E-5を、臭化アルコールBr-Y-OHとエーテル化させることにより、カルバゾール誘導体E-6が得られる。次に、ピリジン等の塩基の存在下、塩化p-トルエンスルホニルを用いて、カルバゾール誘導体E-6の水酸基をトシル化させることにより、カルバゾール誘導体E-7が得られる。さらに、チオ酢酸カリウムを用いて、カルバゾール誘導体E-7をチオアセチル化させることにより、カルバゾール誘導体E-8が得られる。次に、水酸化ナトリウム等の塩基を用いて、カルバゾール誘導体E-8を加水分解させることにより、カルバゾール誘導体E-9が得られる。本発明において、半導体ナノ結晶としては、特に限定されないが、周期表の第13属元素と第15属元素からなるIII-V属の化合物、周期表の第2属元素と第16属元素からなるIIA-VIB属の化合物、周期表の第12属元素と第16属元素からなるIIB-VIB属の化合物、周期表の第12属元素と第15属元素からなるII-V属の化合物、周期表の第13属元素と第15属元素からなるIII-V属の化合物、周期表の第13属元素と第14属元素からなるIII-IV属の化合物、周期表の第13属元素と第16属元素からなるIII-VI属の化合物、周期表の第14属元素と第16属元素からなるIV-VI属の化合物、周期表の第11属元素、第13属元素及び第15属元素からなるI-III-V属化合物周期表の第12属元素、第14属元素及び第16属元素からなるII-IV-VI属化合物等が挙げられ、二種以上併用してもよい。また、半導体ナノ結晶は、第3の元素、第4の元素又はドーピング剤を含んでもよい。半導体ナノ結晶の形状としては、特に限定されないが、球状、半球状、棒状、円盤状、テトラポット形状、星形状等が挙げられる。また、半導体ナノ結晶が球状である場合、半導体ナノ結晶の平均一次粒径は、通常、0.5nm~30nmであり、1~15nmが好ましい。半導体ナノ結晶の粒度分布は、発光の色度に影響し、半値幅の狭い鮮明な発光色を得るためには、粒度分布は狭いことが好ましい。半導体ナノ結晶の製造方法としては、特に限定されないが、ナノ粒子科学―基本原理から応用まで―株式会社エヌティーエス発行、ISBN978-4-86043-175-4C3040の27頁~28頁及び48頁~180頁に記載されている方法、特表2007-537886号公報WO2005/106082号、特表2009-504422号公報WO2007/020416号、特表2009-514993号公報WO2007/049052号、WO2010/015824号に記載されている方法等が挙げられる。カルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶は、半導体ナノ結晶の表面に存在するキャッピング剤界面活性剤をカルバゾール誘導体で置換することより得られる。例えば、不活性ガス下、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等の極性溶媒にカルバゾール誘導体を溶解させた溶液に、半導体ナノ結晶を加え、0~30°Cで、12時間以上、好ましくは24時間以上混合撹拌した後、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、塩化メチレン、クロロホルム、アセトン、テトラヒドロフラン、ヘキサン等の比較的低沸点の溶媒を用いて超音波洗浄することにより、カルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶が得られる。なお、半導体ナノ結晶の表面に存在するキャッピング剤界面活性剤のカルバゾール誘導体との置換は、FT-IR赤外分光又はXPSX線光電子分光により確認することができる。半導体ナノ結晶は、カルバゾール誘導体以外の成分が表面に存在していてもよい。カルバゾール誘導体以外の成分としては、特に限定されないが、半導体ナノ結晶を製造する際に用いられるキャッピング剤界面活性剤等が挙げられる。また、カルバゾール誘導体は、半導体ナノ結晶に配位結合していてもよいし、半導体ナノ結晶に配位結合しているカルバゾール誘導体との分子間力等の相互作用により半導体ナノ結晶に付着していてもよい。本発明において、半導体ナノ結晶は、発光の起源として作用する一方、カルバゾール誘導体は、励起エネルギーを双極子-双極子相互作用により半導体ナノ結晶にエネルギー移動、即ち、フェルスター型エネルギー移動させる機能及び/又は電荷ホール及び電子を半導体ナノ結晶に直接注入する機能を有する。これにより、半導体ナノ結晶の発光量子収率が増大するため、本発明の発光素子は、発光効率に優れる。半導体ナノ結晶へのフェルスター型エネルギー移動を効率的に行うためには、半導体ナノ結晶に配位結合又は付着しているカルバゾール誘導体は、半導体ナノ結晶よりも小さいイオン化ポテンシャルIp及び半導体ナノ結晶よりも大きい電子親和力Eaを有している必要がある。このため、一般式1におけるAr1、Ar2及びAr3と、一般式4及び5におけるRが、半導体ナノ結晶に応じて、適宜選択される。また、半導体ナノ結晶へのフェルスター型エネルギー移動及び/又は電荷の注入を効率的に行うためには、カルバゾール誘導体の主骨格であるカルバゾール残基が半導体ナノ結晶と近接していることが好ましい。このため、一般式2におけるX及びYが、適宜選択される。さらに、一般式2において、Zは、半導体ナノ結晶に配位結合又は付着している基であり、半導体ナノ結晶に応じて、適宜選択される。以上のように、カルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶は、発光素子の発光材料として機能し、発光素子の目的に応じて、半導体ナノ結晶のサイズ、サイズ分布、形状及び組成と、カルバゾール誘導体の構造を適宜選択することにより、発光効率に優れる発光素子が得られる。本発明の発光素子としては、カルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を含む発光層を有していれば、特に限定されないが、エレクトロルミネッセンスEL素子、フォトルミネッセンスPL素子等が挙げられる。本発明の発光素子としてのEL素子は、1種以上のカルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を含む発光層と、公知の有機EL素子等で用いられているキャリア輸送材料を組み合わせることにより得られる。例えば、カルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を含む発光層を、ホール注入層、ホール輸送層、ホールブロック層、電子輸送層及び電子注入層と適宜組み合わせることにより、EL素子が得られる。EL素子の構成としては、特に限定されないが、陽極/ホール輸送層/発光層/陰極陽極/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/陰極陽極/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極陽極/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極陽極/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極陽極/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極陽極/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/陰極陽極/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/陰極陽極/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極陽極/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極等の積層構造が挙げられ、必要に応じて、陰極上に封止層を形成することもできる。なお、上記の積層構造において、カルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を含む発光層がホール輸送材料、電子輸送材料及び/又は双極性材料をさらに含んでもよい。また、上記の積層構成において、異なるカルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を含む発光層が2層以上積層されていてもよい。さらに、カルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を含む発光層がホール輸送材料、電子輸送材料、及び/又は双極性材料をさらに含み、陽極/発光層/陰極の積層構造としてもよい。EL素子は、上記の各層が基板上に積層されていることが好ましい。陽極の仕事関数は、通常、4eVよりも大きく、4.8eVより大きいことが好ましい。陽極を構成する材料としては、金、白金、パラジウム、銀、タングステン、ニッケル、コバルト等の金属、これらの金属の合金、ITO、SnO2、ZnO等の金属酸化物、CuI等が挙げられる。ITOから構成される陽極は、表面が平滑であることが好ましく、通常、表面を洗浄して用いる。洗浄方法としては、特に限定されないが、オゾン雰囲気下、紫外線を照射する方法、酸素雰囲気下、プラズマ処理する方法等が挙げられる。陰極の仕事関数は、通常、4eVより小さい。金属、合金等が利用される。陰極を構成する材料としては、特に限定されないが、セシウム、ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、サマリウム等の金属、これらの金属の合金等が挙げられる。EL素子を面発光素子として用いる場合は、陽極及び陰極の少なくとも一方が発光波長領域において十分透明であり、その反対側が発光波長領域において十分反射率が大きいことが好ましい。透明電極としては、特に限定されないが、ITO等が挙げられ、透明電極を形成する基板としては、特に限定されないが、ガラス板、プラスチック板等の透明基板が挙げられる。なお、EL素子を端面発光素子として用いる場合は、陽極及び陰極の少なくとも一方が発光波長領域において十分透明である必要は無い。ホール輸送層を構成する材料としては、特に限定されないが、低分子型又は高分子型のトリアリールアミン誘導体、特開2005-154412号公報、特開2005-158691号公報に記載されている低分子型又は高分子型の3、6-ジアリールカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。ホール注入層を構成する材料としては、特に限定されないが、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、水溶性のPEDOT-PSSポリエチレンジオキサチオフェン-ポリスチレンスルホン酸等が挙げられる。電子輸送層及びホールブロック層を構成する電子輸送性物質としては、特に限定されないが、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体等が挙げられる。電子注入層を構成する材料としては、特に限定されないが、フッ化リチウム、8-ヒドロキシキノリノラトリチウム錯体、フェナントロリン誘導体のリチウム錯体、フェノキシピリジンのリチウム錯体等が挙げられる。発光層、ホール注入層、ホール輸送層、ホールブロック層、電子輸送層及び電子注入層の各層を形成する方法としては、特に限定されないが、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、マイクロコンタクト法等が挙げられる。スピンコート法、キャスト法、インクジェット法又はマイクロコンタクト法を用いて、各層を形成する際に用いる溶媒としては、特に限定されないが、炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、非プロトン性溶媒、水等が挙げられる。発光層、ホール注入層、ホール輸送層、ホールブロック層、電子輸送層及び電子注入層の各層の厚さは、通常、1nm~5μmである。本発明の発光素子としてのPL素子は、1種以上のカルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を含む発光層を、カラーフィルター又は色変化フィルムとして、公知の液晶表示デバイスで用いられている液晶層、液晶配向層、透明電極、透明カウンター電極、偏光子、バックライト等と組み合わせることにより得られる。本発明の発光素子は、液晶表示装置等の表示装置に適用することができる。以下に、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。本発明は、実施例によって制限されない。[カルバゾール誘導体1の合成]3,6-ジブロモカルバゾールA-114.3144.0mol、5-メチル-2-チオフェンボロン酸25.01g176.1mmol及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム1.30gを、トルエン180mL及びエタノール60mLの混合溶媒に加えた後、炭酸ナトリウム37.3gを蒸留水90mLに溶解させた水溶液を加え、窒素雰囲気下、15時間加熱還流した。次に、熱時セライト濾過することにより不溶物を除去した後、有機層を分離し、減圧下、溶媒を留去した。さらに、残留物を水洗した後、乾燥させて、黄茶色の固体を得た。さらに、溶離液として、塩化メチレン/ヘキサン混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イルカルバゾールA-212.25gを得た。得られた3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イルカルバゾール8.07g22.4mmol、4-ヨードアニソール21.00g89.7mmol、銅粉0.71g及び炭酸カリウム12.40gを混合した後、窒素雰囲気下、6時間加熱還流し、100°Cまで冷却した。次に、トルエン80mLを加え、セライト濾過することにより不溶物を除去した後、減圧下、溶媒を留去した。さらに、残留物を塩化メチレンに溶解させ、水洗した後、乾燥させて、茶色の液体を得た。次に、溶離液として、塩化メチレン/ヘキサン混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イル-9-4-メトキシフェニルカルバゾールB-24.39gを得た。得られた3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イル-9-4-メトキシフェニルカルバゾール3.73g8.0mmolを塩化メチレン30mLに溶解させた後、1M三臭化ホウ素の塩化メチレン溶液8mLを-10°Cで滴下し、室温で攪拌した。次に、水洗し、乾燥させた後、溶媒を留去して、灰色の固体を得た。さらに、溶離液として、塩化メチレン/ヘキサン混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イル-9-4-ヒドロキシフェニルカルバゾールB-33.47gを得た。得られた3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イル-9-4-ヒドロキシフェニルカルバゾール1.81g4.0mmol及び1,8-ジブロモオクタン4.35g16.0mmolをメチルエチルケトン20mLに溶解させた後、炭酸カリウム0.83gを加え、7時間加熱還流した。次に、ろ過することにより不溶物を除去した後、減圧下、溶媒を留去した。さらに、残留物を塩化メチレンに溶解させ、水洗し、乾燥させた後、溶媒を留去して、淡黄色の液体を得た。次に、溶離液として、塩化メチレン/ヘキサン混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イル-9-[4-8-ブロモオクチルオキシフェニル]カルバゾール1.83gを得た。得られた3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イル-9-[4-8-ブロモオクチルオキシフェニル]カルバゾール1.50g2.3mmolをTHF20mL及びエタノール20mLの混合溶媒に溶解させた後、窒素気流下、チオ酢酸カリウム0.40g3.5mmolを加え、5時間加熱還流し、室温まで放冷した。次に、水に注ぎ、塩化メチレンで抽出した。さらに、水洗し、乾燥させた後、溶媒を留去して、淡黄白色の固体を得た。さらに、溶離液として、塩化メチレン/ヘキサン混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、チオ酢酸8-{4-[3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イルカルバゾール-9-イル]フェノキシ}オクチルエステルC-31.22gを得た。得られたチオ酢酸8-{4-[3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イルカルバゾール-9-イル]フェノキシ}オクチルエステル1.02g1.6mmolを、窒素気流下、THF30mL及びエタノール10mLの混合溶媒に溶解させた後、50質量NaOH水溶液0.5mLを加え、室温で1時間攪拌した。次に、水に注ぎ、クロロホルムで抽出した。さらに、水洗し、乾燥させた後、溶媒を留去して、粗製物を得た。次に、溶離液として、クロロホルム/ヘキサン混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、化学式で表される8-{4-[3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イルカルバゾール-9-イル]フェノキシ}オクタン-1-チオールC-4以下、カルバゾール誘導体1という0.86gを得た。図1に、カルバゾール誘導体1の赤外吸収スペクトルを示す。なお、赤外吸収スペクトルは、KBr錠剤法を用いて測定した。[カルバゾール誘導体2の合成]一般式3で表される化合物の合成例3に従って、カルバゾール誘導体2を合成した。3,6-ジフェニル-9-4-メトキシフェニルカルバゾールB-24.20g9.9mmolを塩化メチレン30mLに溶解させた後、1M三臭化ホウ素の塩化メチレン溶液10mLを-10°Cで滴下し、室温で攪拌した。次に、水洗し、乾燥させた後、溶媒を留去して、3,6-ジフェニル-9-4-ヒドロキシフェニルカルバゾールB-33.98gを得た。得られた3,6-ジフェニル-9-4-ヒドロキシフェニルカルバゾール1.54g3.7mmolをN,N-ジメチルホルムアミド20mLに溶解させた後、氷水冷却下、55質量水素化ナトリウム0.25g5.7mmolを加え、1時間攪拌した。次に、8-ブロモ-1-オクタノール1.16g5.5mmolを加え、室温で3時間攪拌した。さらに、水に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。次に、水洗し、乾燥させた後、溶媒を留去して、8-[4-3,6-ジフェニルカルバゾール-9-イルフェノキシ]オクタン-1-オールB-41.90gを得た。得られた8-[4-3,6-ジフェニルカルバゾール-9-イルフェノキシ]オクタン-1-オール2.80g5.2mmolを塩化メチレン10mL及びピリジン5mLの混合溶媒に溶解させた後、-2°Cで塩化p-トルエンスルホニル1.20g6.3mmolを加え、室温で攪拌した。次に、水に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。さらに、希塩酸及び水で洗浄し、乾燥させた後、溶媒を留去して、粗製物を得た。さらに、溶離液として、酢酸エチル/トルエン混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、無色の板状晶のトルエン-4-スルホン酸8-[4-3,6-ジフェニルカルバゾール-9-イルフェノキシ]オクチルエステルC-21.95gを得た。得られたトルエン-4-スルホン酸8-[4-3,6-ジフェニルカルバゾール-9-イルフェノキシ]オクチルエステル1.90g2.7mmolをTHF40mL及びエタノール20mLの混合溶媒に溶解させた後、窒素気流下、チオ酢酸カリウム0.55g4.8mmolを加え、7時間加熱還流し、室温まで放冷した。次に、水に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。さらに、水洗し、乾燥させた後、溶媒を留去して、粗製物を得た。次に、溶離液として、トルエンを用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、淡橙色の油状物のチオ酢酸8-[4-3,6-ジフェニルカルバゾール-9-イルフェノキシ]オクチルエステルC-31.32gを得た。得られたチオ酢酸8-[4-3,6-ジフェニルカルバゾール-9-イルフェノキシ]オクチルエステル1.32g2.2mmolを、窒素気流下、THF25mL及びエタノール10mLの混合溶媒に溶解させた後、50質量NaOH水溶液0.5mLを加え、室温で30分攪拌した。次に、水に注ぎ、クロロホルムで抽出した。さらに、水洗し、乾燥させた後、溶媒を留去して、粗製物を得た。次に、溶離液として、クロロホルム/ヘキサン混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、無色の針状晶の化学式で表される8-[4-3,6-ジフェニルカルバゾール-9-イルフェノキシ]オクタン-1-チオールC-4以下、カルバゾール誘導体2という0.82gを得た。図2に、カルバゾール誘導体2の赤外吸収スペクトルを示す。なお、赤外吸収スペクトルは、KBr錠剤法を用いて測定した。また、カルバゾール誘導体2の分析結果を以下に示す。融点:131.0~131.5°C元素分析値実測値計算値:C81.7082.12;H6.576.71;N2.452.52;S5.685.77[カルバゾール誘導体3の合成]一般式3で表される化合物の合成例3に従って、カルバゾール誘導体3を合成した。3-メトキシ-9-フェニルカルバゾールE-4を、カルバゾール誘導体1と同様にして、脱メチル化させて、無色の針状晶の3-ヒドロキシ-9-フェニルカルバゾールE-5を収率91.8で得た。得られた3-ヒドロキシ-9-フェニルカルバゾールを、カルバゾール誘導体2と同様にして、8-ブロモオクタノールとエーテル化させて、無色の針状晶の3-8-ヒドロキシオクチルオキシ-9-フェニルカルバゾールE-6を収率84.3で得た。得られた3-8-ヒドロキシオクチルオキシ-9-フェニルカルバゾールを、カルバゾール誘導体2と同様にして、トシル化、チオアセチル化及び加水分解させて、化学式で表される無色の針状晶の3-8-メルカプトオクチルオキシ-9-フェニルカルバゾールE-9以下、カルバゾール誘導体3というを得た。図3に、カルバゾール誘導体3の赤外吸収スペクトルを示す。なお、赤外吸収スペクトルは、KBr錠剤法を用いて測定した。また、カルバゾール誘導体3の分析結果を以下に示す。融点:52.5~55.5°C元素分析値実測値計算値:C77.3277.38;H7.157.24;N3.403.47;S7.747.95[カルバゾール誘導体4の合成]一般式3で表される化合物の合成例4に従って、カルバゾール誘導体4を合成した。ベンゾaカルバゾールD-52.17g、4-8-ヒドロキシオクチルオキシヨードベンゼン3.50g、炭酸カリウム2.80g、銅粉0.5g及びニトロベンゼン15mlを、窒素気流下、190~200°Cで6時間攪拌し、室温まで放冷した。次に、セライトろ過することにより不溶物を除去した後、減圧下、溶媒を加熱留去した。さらに、溶離液として、トルエン/酢酸エチル混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、淡褐色油状物のN-4-8-ヒドロキシオクチルオキシフェニル-11H-ベンゾaカルバゾールD-63.3gを得た。次に、得られたN-4-8-ヒドロキシオクチルオキシフェニル-11H-ベンゾaカルバゾールを、カルバゾール誘導体2と同様にして、トシル化、チオアセチル化及び加水分解させて、化学式で表される無色のプリズム結晶のN-4-8-メルカプトオクチルオキシフェニル-11H-ベンゾaカルバゾールD-9以下、カルバゾール誘導体4というを得た。図4に、カルバゾール誘導体4の赤外吸収スペクトルを示す。なお、赤外吸収スペクトルは、KBr錠剤法を用いて測定した。また、カルバゾール誘導体4の分析結果を以下に示す。融点:75.0~76.0°C元素分析値実測値計算値:C79.4879.43;H6.766.89;N2.783.09;S6.997.07[カルバゾール誘導体5の合成]2,7-ジブロモカルバゾール6.50g、フェニルボロン酸7.32g及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.734gに、トルエン80ml、エタノール20ml及び2M炭酸ナトリウム水溶液40gを加え、窒素気流下、3時間加熱還流し、室温まで放冷した。次に、ろ過することにより不溶物を除去した後、溶媒を留去して、淡褐色粉末の2,7-ジフェニルカルバゾール4.15gを得た。得られた2,7-ジフェニルカルバゾール4.01g、4-8-ヒドロキシオクチルオキシヨードベンゼン4.37g、炭酸カリウム3.45g、銅粉0.5g及びニトロベンゼン20mlを混合した後、窒素気流下、7時間加熱還流し、室温まで放冷した。次に、ろ過することにより不溶物を除去した後、溶媒を留去した。さらに、溶離液として、酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、淡褐色の油状物の2,7-ジフェニル-N-4-8-ヒドロキシオクチルオキシフェニルカルバゾール2.0gを得た。得られた2,7-ジフェニル-N-4-8-ヒドロキシオクチルオキシフェニルカルバゾールを、カルバゾール誘導体2と同様にして、トシル化、チオアセチル化及び加水分解させて、化学式で表される無色の針状晶の2,7-ジフェニル-N-4-8-メルカプトオクチルオキシフェニルカルバゾール以下、カルバゾール誘導体5というを得た。図5に、カルバゾール誘導体5の赤外吸収スペクトルを示す。なお、赤外吸収スペクトルは、KBr錠剤法を用いて測定した。また、カルバゾール誘導体5の分析結果を以下に示す。融点:132.5~133.5°C元素分析値実測値計算値:C82.3782.12;H6.666.71;N2.432.52;S5.705.77[カルバゾール誘導体6の合成]3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イル-9-4-メトキシフェニルカルバゾールB-2の代わりに、3,6-ジフェニル-9-3-メトキシフェニルカルバゾールを用いた以外は、カルバゾール誘導体1と同様にして、化学式で表される無色の高粘性体の8-[3-3,6-ジフェニルカルバゾール-9-イルフェノキシ]オクタン-1-チオールC-4以下、カルバゾール誘導体6というを得た。図6に、カルバゾール誘導体6の赤外吸収スペクトルを示す。なお、赤外吸収スペクトルは、液膜法を用いて測定した。[カルバゾール誘導体7の合成]3,6-ジフェニルカルバゾール2.80g8.77mmol、1-ブロモ-3-ヨードベンゼン22.18g87.7mmol、銅粉0.279g及び炭酸カリウム4.85gを混合し、窒素雰囲気下、190°Cで9時間加熱し、室温まで冷却した。次に、塩化メチレンで希釈した後、水洗し、乾燥させ、薄茶色の液体を得た。さらに、溶離液として、塩化メチレン/ヘキサン混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、9-3-ブロモフェニル-3,6-ジフェニルカルバゾール3.59gを得た。得られた9-3-ブロモフェニル-3,6-ジフェニルカルバゾール3.20g6.75mmol、3-メトキシフェニルボロン酸1.54g10.1mmol及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.124gを、トルエン30mL及びエタノール10mLの混合溶媒に加えた後、炭酸ナトリウム37.3gを蒸留水90mLに溶解させた水溶液を加え、窒素雰囲気下、9時間加熱還流し、室温まで冷却した。次に、塩化メチレンで希釈し、濾過することにより不溶物を除去した後、有機層を水洗し、分離し、減圧下、溶媒を留去した。さらに、溶離液として、塩化メチレン/ヘキサン混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、[3-3,6-ジフェニルカルバゾール-9-イルビフェニル-3-イルオキシ]メタン2.89gを得た。得られた[3-3,6-ジフェニルカルバゾール-9-イルビフェニル-3-イルオキシ]メタンを、3,6-ビス5-メチルチオフェン-2-イル-9-4-メトキシフェニルカルバゾールB-2の代わりに用いた以外は、カルバゾール誘導体1と同様にして、化学式で表される8-[3-3,6-ジフェニルカルバゾール-9-イルビフェニル-3-イルオキシ]オクタン-1-チオールC-4以下、カルバゾール誘導体7というを得た。図7に、カルバゾール誘導体7の赤外吸収スペクトルを示す。なお、赤外吸収スペクトルは、KBr錠剤法を用いて測定した。[カルバゾール誘導体8の合成]5-メチル-2-チオフェンボロン酸の代わりに、4-トリフェニルシリルベンゼンボロン酸ネオペンチルグリコールエステルを用いた以外は、カルバゾール誘導体1と同様にして、化学式で表される8-{4-[3,6-ビス4-トリフェニルシリルフェニルカルバゾール-9-イル]フェノキシ}オクタン-1-チオールC-4以下、カルバゾール誘導体8というを得た。図8に、カルバゾール誘導体8の赤外吸収スペクトルを示す。なお、赤外吸収スペクトルは、KBr錠剤法を用いて測定した。[半導体ナノ結晶InP/ZnS/ZnOの作製]WO2010/015824号の実施例4及び5に記載されている方法と同様にして、キャッピング剤界面活性剤として、10-ウンデシレン酸を用いて、半導体ナノ結晶InP/ZnS/ZnOを得た。[カルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶の作製]0.01gのカルバゾール誘導体を、アルゴン雰囲気下、室温で塩化メチレン2mLに溶解させた。次に、アルゴン雰囲気下、半導体ナノ結晶InP/ZnS/ZnOを10mg/mLでトルエンに分散させた分散液0.5mLを加え、室温で24時間撹拌した。さらに、乾燥テトラヒドロフラン20mLを加え、5分間超音波洗浄した後、遠心分離した。次に、沈降物を単離し、乾燥テトラヒドロフラン20mLを加え、5分間超音波洗浄した後、遠心分離する操作を2回繰り返した。さらに、沈降物を単離し、アルゴン気流下、風乾して、カルバゾール誘導体が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を得た。[実施例1]厚さが110nmのITO基板を、中性洗剤、アセトン及びイソプロパノールで順次超音波洗浄した後、イソプロパノールで煮沸洗浄し、UV-オゾンチャンバ中で12分間処理をした。ITO基板上に、PEDOT-PSS溶液のBaytron登録商標PAI4083H.C.Starck社製をスピンコートした後、150°Cで30分間乾燥させて、厚さが40nmのホール注入層を形成した。窒素雰囲気下、ホール注入層上に、ポリカーボネートのクロロホルム溶液をスピンコートした後、100°Cで30分間乾燥して、厚さが40nmのホール輸送層を形成した。なお、ポリカーボネートとしては、特開2005-54165号公報の実施例1に記載されている3,6-ビス4-ヒドロキシフェニル-N-フェニルカルバゾール由来の構成単位及び4,4-イソプロピリデンジフェノール由来の構成単位モル比1:1を有するポリカーボネートを用いた。窒素雰囲気下、ホール輸送層上に、カルバゾール誘導体1が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶をトルエンに分散させた分散液をスピンコートした後、100°Cで30分間乾燥して、厚さが15nmの発光層を形成した。真空蒸着装置を用いて、1×10-4Paの真空下、発光層上に、3,5,3、5-テトラキスm-ピリド-3-イルフェニル-[1,1]ビフェニルを蒸着して、厚さが50nmの電子輸送層を形成した。次に、シャドーマスクを介して、MgAg及びAgを、それぞれ100nm及び10nmの厚さで蒸着して、陰極を形成し、EL素子を得た。図9に、EL素子の電流密度と外部量子効率の関係を示す。図9から、EL素子の外部量子効率の最大値が1.4であることがわかる。図10に、EL素子の電圧と電流密度の関係を示す。図11に、EL素子の電流密度が1mA/cm2である時の発光スペクトルを示す。図11から、EL素子の発光の中心波長が624nmであることがわかる。[実施例2]カルバゾール誘導体1が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶の代わりに、カルバゾール誘導体2が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を用いた以外は、実施例1と同様にして、EL素子を得た。図12に、EL素子の電流密度と外部量子効率の関係を示す。図12から、EL素子の外部量子効率の最大値が2.3であることがわかる。図13に、EL素子の電圧と電流密度の関係を示す。図14に、EL素子の電流密度が1mA/cm2である時の発光スペクトルを示す。図14から、EL素子の発光の中心波長が630nmであることがわかる。[比較例1]カルバゾール誘導体1が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶の代わりに、半導体ナノ結晶InP/ZnS/ZnOを用いた以外は実施例1と同様にして、EL素子を得た。図15に、EL素子の電流密度と外部量子効率の関係を示す。図15から、EL素子の外部量子効率の最大値が0.3であることがわかる。図16に、EL素子の電圧と電流密度の関係を示す。図17に、EL素子の電流密度が1mA/cm2である時の発光スペクトルを示す。図17から、EL素子の発光の中心波長が625nmであることがわかる。[実施例3]厚さが110nmのITO基板を、中性洗剤、アセトン及びイソプロパノールで順次超音波洗浄した後、イソプロパノールで煮沸洗浄し、UV-オゾンチャンバ中で12分間処理をした。ITO基板上に、PEDOT-PSS溶液Aldrich社製;conductivegradeをスピンコートした後、150°Cで30分間乾燥させて、厚さが40nmのホール注入層を形成した。窒素雰囲気下、ホール注入層上に、ポリカーボネートのクロロホルム溶液をスピンコートした後、100°Cで30分間乾燥して、厚さが40nmのホール輸送層を形成した。なお、ポリカーボネートとしては、特開2005-54165号公報の実施例1に記載されている3,6-ビス4-ヒドロキシフェニル-N-フェニルカルバゾール由来の構成単位及び4,4-イソプロピリデンジフェノール由来の構成単位モル比1:1を有するポリカーボネートを用いた。窒素雰囲気下、ホール輸送層上に、カルバゾール誘導体3が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶をトルエンに分散させた分散液をスピンコートした後、100°Cで30分間乾燥して、厚さが12nmの発光層を形成した。真空蒸着装置を用いて、1×10-4Paの真空下、発光層上に、3,5,3、5-テトラキスm-ピリド-3-イルフェニル-[1,1]ビフェニルを蒸着して、厚さが50nmの電子輸送層を形成した。次に、シャドーマスクを介して、LiF及びAlを、それぞれ0.5nm及び80nmの厚さで蒸着して、陰極を形成し、EL素子を得た。図18に、EL素子の電流密度と外部量子効率の関係を示す。図18から、EL素子の外部量子効率の最大値が0.74であることがわかる。図19に、EL素子の電圧と電流密度の関係を示す。図20に、EL素子の電圧が10V、12V及び14Vである時の発光スペクトルを示す。図20から、EL素子の発光の中心波長が621nmであることがわかる。[実施例4]カルバゾール誘導体3が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶の代わりに、カルバゾール誘導体4が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を用いた以外は、実施例3と同様にして、EL素子を得た。図21に、EL素子の電流密度と外部量子効率の関係を示す。図21から、EL素子の外部量子効率の最大値が0.34であることがわかる。図22に、EL素子の電圧と電流密度の関係を示す。図23に、EL素子の電圧が10V、12V及び14Vである時の発光スペクトルを示す。図23から、EL素子の発光の中心波長が622nmであることがわかる。[実施例5]カルバゾール誘導体3が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶の代わりに、カルバゾール誘導体5が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を用いた以外は、実施例3と同様にして、EL素子を得た。図24に、EL素子の電流密度と外部量子効率の関係を示す。図24から、EL素子の外部量子効率の最大値が0.37であることがわかる。図25に、EL素子の電圧と電流密度の関係を示す。図26に、EL素子の電圧が10V、12V及び14Vである時の発光スペクトルを示す。図26から、EL素子の発光の中心波長が621nmであることがわかる。[実施例6]カルバゾール誘導体3が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶の代わりに、カルバゾール誘導体6が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を用いた以外は、実施例3と同様にして、EL素子を得た。図27に、EL素子の電流密度と外部量子効率の関係を示す。図27から、EL素子の外部量子効率の最大値が0.52であることがわかる。図28に、EL素子の電圧と電流密度の関係を示す。図29に、EL素子の電圧が10V、12V及び14Vである時の発光スペクトルを示す。図29から、EL素子の発光の中心波長が622nmであることがわかる。[実施例7]カルバゾール誘導体3が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶の代わりに、カルバゾール誘導体7が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を用いた以外は、実施例3と同様にして、EL素子を得た。図30に、EL素子の電流密度と外部量子効率の関係を示す。図30から、EL素子の外部量子効率の最大値が0.60であることがわかる。図31に、EL素子の電圧と電流密度の関係を示す。図32に、EL素子の電圧が10V、12V及び14Vである時の発光スペクトルを示す。図32から、EL素子の発光の中心波長が620nmであることがわかる。[実施例8]カルバゾール誘導体3が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶の代わりに、カルバゾール誘導体8が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を用いた以外は、実施例3と同様にして、EL素子を得た。図33に、EL素子の電流密度と外部量子効率の関係を示す。図33から、EL素子の外部量子効率の最大値が1.2であることがわかる。図34に、EL素子の電圧と電流密度の関係を示す。図35に、EL素子の電圧が10V、12V及び14Vである時の発光スペクトルを示す。図35から、EL素子の発光の中心波長が620nmであることがわかる。[実施例9]カルバゾール誘導体3が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶の代わりに、カルバゾール誘導体2が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶を用いた以外は、実施例3と同様にして、EL素子を得た。図36に、EL素子の電流密度と外部量子効率の関係を示す。図36から、EL素子の外部量子効率の最大値が1.0であることがわかる。図37に、EL素子の電圧と電流密度の関係を示す。図38に、EL素子の電圧が10V、12V及び14Vである時の発光スペクトルを示す。図38から、EL素子の発光の中心波長が619nmであることがわかる。[比較例2]カルバゾール誘導体3が配位結合又は付着している半導体ナノ結晶の代わりに、半導体ナノ結晶InP/ZnS/ZnOを用いた以外は、実施例3と同様にして、EL素子を得た。図39に、EL素子の電流密度と外部量子効率の関係を示す。図39から、EL素子の外部量子効率の最大値が0.28であることがわかる。図40に、EL素子の電圧と電流密度の関係を示す。図41に、EL素子の電圧が10V、12V及び14Vである時の発光スペクトルを示す。図41から、EL素子の発光の中心波長が622nmであることがわかる。"