"半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm3以上であることを特徴とする金属-絶縁膜-半導体MIS構造を有する半導体装置。請求項1において、半導体基板は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、ガリウム砒素、ガリウムアルミニウム砒素、ガリウム燐、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又はダイヤモンドから選択した基板であることを特徴とする半導体装置。請求項1又は2に記載の半導体装置において、シリコン又はシリコンカーバイトからなる半導体基板を、大気中、酸素雰囲気中又はH2Oを含んだ水蒸気雰囲気中で加熱することにより形成した酸化膜からなるゲート絶縁膜を備えていることを特徴とする半導体装置。請求項1~3のそれぞれに記載の半導体装置において、ゲート絶縁膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜から選択した1の膜又は2以上の複合膜であることを特徴とする半導体装置。請求項1~4に記載の半導体装置において、MIS構造を有する半導体装置が、DMOSFET,LateralResurfMOSFET,UMOSFETであることを特徴とする半導体装置。半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法において、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成した後に、前記半導体基板の近傍に熱触媒体を配置し、重水素を含むガスを前記熱触媒体の近傍を通過させるようにして、加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した重水素を生成させ、当該活性化した重水素を前記半導体基板に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法において、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程及びアルミニウムを含む材料によりゲート電極膜を形成する工程の後に、前記半導体基板の近傍に熱触媒体を配置し、重水素を含むガスを前記熱触媒体の近傍を通過させるようにして、加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した重水素を生成させ、当該活性化した重水素を前記半導体基板に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6又は7に記載の半導体装置の作製法において、ゲート絶縁膜と半導体基板の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm3以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6~8のいずれかに記載の半導体装置の作製法において、半導体基板は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、ガリウム砒素、ガリウムアルミニウム砒素、ガリウム燐、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又はダイヤモンドから選択した基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6~9のいずれかに記載の半導体装置の作製法において、シリコン又はシリコンカーバイトからなる半導体基板を、大気中、酸素雰囲気中又はH2Oを含んだ水蒸気雰囲気中で加熱することにより酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6~9のいずれかに記載の半導体装置の作製法において、化学気相法によりシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜から選択した1の膜又は2以上の複合膜からなるゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6~10に記載の半導体装置の作製方法において、ゲート絶縁膜を有する半導体装置が、DMOSFET,LateralResurfMOSFET,UMOSFETであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6~12に記載の半導体装置の作製方法において、熱触媒体は、タングステン、モリブデン、タンタル、チタン、バナジウムから選択した1の金属又はこれらを主成分とする合金であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6~13に記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板の温度を600°C以下に維持して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項14に記載の半導体装置の作製方法において、熱触媒体を1000°Cから1800°Cの予め決められた温度に加熱し、熱触媒体表面での熱触媒作用により重水素を含むガスから活性化した重水素を生成させることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項15に記載の半導体装置の作製方法において、重水素を含むガス圧力が1Pa~100Paであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項16に記載の半導体装置の作製方法において、高温に加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により重水素を含むガスから生成された活性化した重水素を1分間~3時間の予め決められた時間供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項17に記載の半導体装置の作製方法において、ゲート絶縁膜を有する半導体基板と熱触媒体との間が10mm~120mmの予め決められた距離に配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6~18に記載の半導体装置の作製方法において、ゲート酸化膜を形成する工程と、熱触媒体により活性化した重水素を半導体基板に供給して重水素処理する工程との間に、酸素雰囲気中で熱処理する工程あるいは不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項19に記載の半導体装置の作製方法において、酸素雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程と、熱触媒体により活性化した重水素を半導体基板に供給して重水素処理する工程との間に、H2Oを含んだ水蒸気雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項19に記載の半導体装置の作製方法において、酸素雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程と、熱触媒体により活性化した重水素を半導体基板に供給して重水素処理する工程との間に、NO、N2O、あるいはNO2を含んだ雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6~20に記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板表面の洗浄工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項22に記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板表面の洗浄工程に酸化処理を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項22又は23に記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板表面の洗浄工程に紫外光の照射を伴うオゾン暴露処理を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6~24に記載の半導体装置の作製方法に含まれる工程に加えて、さらに、層間絶縁膜を形成する工程と、配線層を形成する工程と、配線層を保護する絶縁膜を形成する工程を含み、活性化した重水素をこれらの膜又は層の界面に適用することを特徴とする半導体装置の作製方法。ゲート絶縁膜を有する半導体基板を所定位置に配置することができるチャンバーと、所定の位置に配置された半導体基板を予め決められた温度に調整することができる加熱手段と、所定位置に配置された半導体基板の表面近傍に設けられた熱触媒体と、熱触媒体を所定温度に加熱する加熱手段と、チャンバー内を減圧状態にできる真空排気系と、重水素を含むガスをチャンバー内に導入するガス導入系と、チャンバー内の重水素を含むガスの圧力調整機構を備え、重水素を含むガスを熱触媒体の表面付近を通過させ、加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により生成された活性化した重水素を半導体基板の表面に供給することを特徴とする重水素処理装置。請求項26に記載の重水素処理装置において、半導体基板は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、ガリウム砒素、ガリウムアルミニウム砒素、ガリウム燐、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又はダイヤモンドから選択した基板であるであることを特徴とする重水素処理装置。請求項26又は27に記載の重水素処理装置において、熱触媒体は、タングステン、モリブデン、タンタル、チタン、バナジウムから選択した1の金属又はこれらを主成分とする合金であることを特徴とする重水素処理装置。請求項26~28のいずれかに記載の重水素処理装置において、半導体基板の温度を600°C以下に維持する装置を備えていることを特徴とする重水素処理装置。請求項26~29のいずれかに記載の重水素処理装置において、熱触媒体を1000°Cから1800°Cの予め決められた温度に加熱する装置を備え、重水素を含むガスを熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した重水素を生成することを特徴とする重水素処理装置。請求項26~30のいずれかに記載の重水素処理装置において、重水素を含むガス圧力を1Pa~100Paに調製する圧力調整機構を備えていることを特徴とする重水素処理装置。請求項26~31のいずれかに記載の重水素処理装置において、高温に加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により重水素を含むガスから生成された活性化した重水素を1分間~3時間の予め決められた時間供給する装置を備えていることを特徴とする重水素処理装置。請求項26~32のいずれかに記載の重水素処理装置において、ゲート絶縁膜を有する半導体基板と熱触媒体との間が10mm~120mmの予め決められた距離に配置されていることを特徴とする重水素処理装置。本発明は、上記の問題に鑑み、シリコンカーバイド領域を含む半導体基板上に形成された金属絶縁膜あるいは酸化膜半導体MISあるいはMOS構造を有する半導体装置電界効果型トランジスタに対して、高温に加熱された熱触媒体表面での重水素を含んだガスの熱触媒作用によって生成する活性化した重水素を用いることにより、600°C以下の低温において、半導体装置に形成される膜又は層の界面、特にゲート絶縁膜/シリコンカーバイド半導体界面近傍に存在するダングリングボンドの重水素終端を図り、界面準位密度の低い良好なゲート酸化膜/半導体界面等が形成された半導体装置及びその作製方法並びにそれを形成するための重水素処理装置を得ることを課題とする。上記課題を解決するため、下記の発明を提供する。発明1は、金属-絶縁膜-半導体MIS構造を有する半導体装置において、半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の前記半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm3以上であることを特徴とする。この場合、重水素元素濃度が1x1019cm3以上において効果が認められ、多いほど効果があるが、例えば、シリコンカーバイドSi面またはC面半導体最表面のシリコン元素または炭素元素の単位面積当たりの原子数は約12x1015cm2であるため、これを単位体積当たりの原子数に換算した場合、単位体積当たりの原子数は約42x1022cm3ということから、その上限は5x1022cm3程度とするのが望ましい。この範囲であれば、上記の欠陥ダングリングボンドを効果的に抑制できる。しかし、重水素元素濃度の上限は特に制限されるべきものではない。発明2は、上記1に記載の半導体装置において、半導体基板として、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、ガリウム砒素、ガリウムアルミニウム砒素、ガリウム燐、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又はダイヤモンドから選択した基板を用いることを特徴とする。発明3は、上記1又は2に記載の半導体装置において、シリコン又はシリコンカーバイトからなる半導体基板を、大気中、酸素雰囲気中又はH2Oを含んだ水蒸気雰囲気中で加熱することにより形成した酸化膜からなるゲート絶縁膜を備えていることを特徴とする。発明4は、上記1~3のそれぞれに記載の半導体装置において、ゲート絶縁膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜から選択した1の膜又は2以上の複合膜であることを特徴とする。発明5は、上記1~4に記載の半導体装置において、MIS構造を有する半導体装置が、DMOSFET,LateralResurfMOSFET,UMOSFETであることを特徴とする。発明6は、半導体装置の作製方法に関し、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法において、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成した後に、前記半導体基板の近傍に熱触媒体を配置し、重水素を含むガスを前記熱触媒体の近傍を通過させるようにして、加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した重水素を生成させ、当該活性化した重水素を前記半導体基板に供給することを特徴とする。発明7は、半導体装置の作製方法に関し、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法において、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程及びアルミニウムを含む材料によりゲート電極膜を形成する工程の後に、前記半導体基板の近傍に熱触媒体を配置し、重水素を含むガスを前記熱触媒体の近傍を通過させるようにして、加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した重水素を生成させ、当該活性化した重水素を前記半導体基板に供給することを特徴とする。発明8は、上記6又は7の半導体装置の作製方法において、ゲート絶縁膜と半導体基板の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm3以上であることを特徴とする。上限値については、特に制限を設ける必要はないが、シリコンカーバイドSi面またはC面半導体最表面のシリコン元素または炭素元素の単位面積当たりの原子数は約12x1015cm2であるため、これを単位体積当たりの原子数に換算した場合、単位体積当たりの原子数は約42x1022cm3ということから、5x1022cm3程度とするのが望ましいと言える。発明9は、上記6~8のいずれかに記載の半導体装置の作製法において、半導体基板は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、ガリウム砒素、ガリウムアルミニウム砒素、ガリウム燐、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又はダイヤモンドから選択した基板であることを特徴とする。発明10は、上記6~9のいずれかに記載の半導体装置の作製法において、シリコン又はシリコンカーバイトからなる半導体基板を、大気中、酸素雰囲気中又はH2Oを含んだ水蒸気雰囲気中で加熱することにより酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成することを特徴とする。発明11は、上記6~9のいずれかに記載の半導体装置の作製法において、化学気相法によりシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜から選択した1の膜又は2以上の複合膜からなるゲート絶縁膜を形成することを特徴とする。発明12は、上記6~10のいずれかに記載の半導体装置の作製方法において、ゲート絶縁膜を有する半導体装置が、DMOSFET,LateralResurfMOSFET,UMOSFETであることを特徴とする。発明13は、上記6~12のいずれかに記載の半導体装置の作製方法において、熱触媒体は、タングステン、モリブデン、タンタル、チタン、バナジウムから選択した1の金属又はこれらを主成分とする合金であることを特徴とする。これらの熱触媒体は、重水素を効果的に発生させることができる。発明14は、上記6~13のいずれかに記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板の温度を600°C以下に維持して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。600°Cを超えるとアルミニウムなどのゲート電極金属膜が溶けてしまい、配線の断線短絡、またはゲート絶縁膜の劣化などが生じるため好ましくない。発明15は、上記14に記載の半導体装置の作製方法において、熱触媒体を1000°Cから1800°Cの予め決められた温度に加熱し、熱触媒体表面での熱触媒作用により重水素を含むガスから活性化した重水素を生成させることを特徴とする。1000°Cから1800°Cの温度は重水素を含むガスから活性化した重水素を生成させるために効果的な温度である。しかし、製造条件によっては、この範囲外でも良い。最適な条件は製造装置の構造又は成膜材料によっても変わり得るので、その設備の状況に応じて換えることができることは当然である。重水素を含むガスとしてはD2ガス以外にも、ND3やSiD4等の重水素化合物ガスを挙げることができる。発明16は、上記15に記載の半導体装置の作製方法において、重水素を含むガス圧力が1Pa~100Paであることを特徴とする。重水素を含むガス圧力を1Pa~100Paとするのは、重水素をゲート酸化膜/半導体等の界面に効果的に導入するためのガス圧力である。しかし、製造条件によっては、この範囲外でも良い。最適な条件は製造装置の構造又は成膜材料によっても変わり得るので、その設備の状況に応じて換えることができることは当然である。発明17は、上記16に記載の半導体装置の作製方法において、高温に加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により重水素を含むガスから生成された活性化した重水素を1分間~3時間の予め決められた時間供給することを特徴とする。1分間~3時間は、重水素をゲート酸化膜/半導体等の界面に効果的に導入するためのガス供給時間である。しかし、製造条件によっては、この範囲外でも良い。最適な条件は製造装置の構造又は成膜材料によっても変わり得るので、その設備の状況に応じて換えることができることは当然である。発明18は、上記17に記載の半導体装置の作製方法において、ゲート絶縁膜を有する半導体基板と熱触媒体との間が10mm~120mmの予め決められた距離に配置されていることを特徴とする。この距離は、重水素をゲート酸化膜/半導体等の界面に効果的に導入するための最適な距離である。しかし、製造条件によっては、この範囲外でも良い。最適な条件は製造装置の構造又は成膜材料によっても変わり得るので、その設備の状況に応じて換えることができることは当然である。発明19は、上記6~18に記載の半導体装置の作製方法において、ゲート酸化膜を形成する工程と、熱触媒体により活性化した重水素を半導体基板に供給して重水素処理する工程との間に、酸素雰囲気中で熱処理する工程あるいは不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする。この工程は、ゲート絶縁膜の絶縁性の向上及び界面準位密度の低減に有効である。しかし、これは必ず必要であるという工程ではない。すなわち、より好ましい工程であり、推奨される態様であることを理解すべきである。発明20は、上記19に記載の半導体装置の作製方法において、酸素雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程と、熱触媒体により活性化した重水素を半導体基板に供給して重水素処理する工程との間に、H2Oを含んだ水蒸気雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。この工程は、界面準位密度の低減に有効である。しかし、これは必ず必要であるという工程ではない。すなわち、より好ましい工程であり、推奨される態様であることを理解すべきである。発明21は、上記19に記載の半導体装置の作製方法において、酸素雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程と、熱触媒体により活性化した重水素を半導体基板に供給して重水素処理する工程との間に、NO、N2O、あるいはNO2を含んだ雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする。この工程は、ゲート絶縁膜の絶縁性の向上及び界面準位密度の低減に有効である。しかし、これは必ず必要であるという工程ではない。すなわち、より好ましい工程であり、推奨される態様であることを理解すべきである。発明22は、上記6~20に記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板表面の洗浄工程を含むことを特徴とする。表面の清浄化は、重水素をゲート酸化膜/半導体等の界面に導入するために有効である。発明23は、上記22に記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板表面の洗浄工程に酸化処理を含むことを特徴とする。これは、半導体基板の表面層に存在する不純物の除去及び半導体基板表面の平坦化というために実施するものである。これは必ず必要であるという工程ではない。すなわち、より好ましい工程であり、推奨される態様であることを理解すべきである。発明24は、上記22又は23に記載の半導体装置の作製方法において、半導体基板表面の洗浄工程に紫外光の照射を伴うオゾン暴露処理を含むことを特徴とする。これは、半導体基板の表面層に存在する不純物の除去というために実施するものである。これは必ず必要であるという工程ではない。すなわち、より好ましい工程であり、推奨される態様であることを理解すべきである。発明25は、上記6~24に記載の半導体装置の作製方法に含まれる工程に加えて、さらに、層間絶縁膜を形成する工程と、配線層を形成する工程と、配線層を保護する絶縁膜を形成する工程を含み、活性化した重水素をこれらの膜又は層の界面に適用することを特徴とする。発明26は、重水素処理装置に関し、ゲート絶縁膜を有する半導体基板を所定位置に配置することができるチャンバーと、所定の位置に配置された半導体基板を予め決められた温度に調整することができる加熱手段と、所定位置に配置された半導体基板の表面近傍に設けられた熱触媒体と、熱触媒体を所定温度に加熱する加熱手段と、チャンバー内を減圧状態にできる真空排気系と、重水素を含むガスをチャンバー内に導入するガス導入系と、チャンバー内の重水素を含むガスの圧力調整機構を備え、重水素を含むガスを熱触媒体の表面付近を通過させ、加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により生成された活性化した重水素を半導体基板の表面に供給することを特徴とする。発明27は、上記26に記載の重水素処理装置において、半導体基板は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、ガリウム砒素、ガリウムアルミニウム砒素、ガリウム燐、窒化ガリウム、窒化アルミニウム又はダイヤモンドから選択した基板であるであることを特徴とする。発明28は、上記26又は27に記載の重水素処理装置において、熱触媒体は、タングステン、モリブデン、タンタル、チタン、バナジウムから選択した1の金属又はこれらを主成分とする合金であることを特徴とする。発明29は、上記26~28のいずれかに記載の重水素処理装置において、半導体基板の温度を600°C以下に維持する装置を備えていることを特徴とする。発明30は、上記26~29のいずれかに記載の重水素処理装置において、熱触媒体を1000°Cから1800°Cの予め決められた温度に加熱する装置を備え、重水素を含むガスを熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した重水素を生成することを特徴とする。発明31は、上記26~30のいずれかに記載の重水素処理装置において、重水素を含むガス圧力を1Pa~100Paに調製する圧力調整機構を備えていることを特徴とする。発明32は、上記26~31のいずれかに記載の重水素処理装置において、高温に加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により重水素を含むガスから生成された活性化した重水素を1分間~3時間の予め決められた時間供給する装置を備えていることを特徴とする。発明33は、上記26~32のいずれかに記載の重水素処理装置において、ゲート絶縁膜を有する半導体基板と熱触媒体との間が10mm~120mmの予め決められた距離に配置されていることを特徴とする。本発明によれば、特にシリコンカーバイド領域を含む半導体基板上に形成された金属絶縁膜あるいは酸化膜半導体MISあるいはMOS構造を有する半導体装置電界効果型トランジスタに対して、高温に加熱された熱触媒体表面での重水素を含んだガスの熱触媒作用によって生成された活性化した重水素を用いることにより、600°C以下の低温においてゲート絶縁膜/シリコンカーバイド半導体界面近傍に存在するダングリングボンドの重水素終端を図り、界面準位密度の低い良好なゲート酸化膜/半導体界面等を形成することができる。すなわち、加熱触媒体表面での熱触媒作用によって生成された活性化した重水素を用いて重水素処理が行われるので、界面準位密度の低減された良好な界面状態が低温で形成できるという優れた効果を有する。また、前記活性化した重水素による重水素処理は基板加熱温度が600°C以下の低温でも効果があるので、アルミニウムを含むゲート電極膜を形成する工程の後で、さらにはシリコンカーバイド半導体装置作製プロセスの最終工程として、前記重水素処理を導入することが可能であるという著しい効果を有する。以下、本発明の特徴を、図に沿って具体的に説明する。なお、以下の説明は、本願発明の理解を容易にするためのものであり、これに制限されるものではない。すなわち、本願発明の技術思想に基づく変形、実施態様、他の例は、本願発明に含まれるものである。図1は本発明に係るシリコンカーバイド領域を含む半導体基板上に金属絶縁膜あるいは酸化膜半導体MISあるいはMOS構造を有する半導体装置電界効果型トランジスタに対して、高温に加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用によって重水素を含んだガスから生成された活性化した重水素を供給して、界面準位密度の低い良好なゲート絶縁膜/シリコンカーバイド半導体界面を形成する重水素処理装置の一実施形態を示す図である。符号1はチャンバー、符号2はチャンバー1内を減圧状態にできる真空排気系、符号3は重水素を含むガスをチャンバー1内に導入するガス導入系、符号4は所定の位置に配置された半導体基板7を加熱する加熱手段、符号5は熱触媒体16を所定温度に加熱する加熱手段、符号6はチャンバー1内に半導体基板7を真空搬送するためのロードロック室である。チャンバー1は真空排気系2を備えた気密性の高い真空容器である。真空排気系2は、ターボ分子ポンプやドライポンプ等の複数の真空ポンプを備えた多段式のものであり、チャンバー1内を10-4Pa以下の圧力まで真空排気する。また、半導体基板7をチャンバー1内に真空搬送するためのロードロック室6も真空排気系2により10-1Pa以下の圧力に真空排気される。半導体基板7は基板ホルダー8の上面に配置され、ロードロック室6を介してチャンバー1内に真空搬送され、石英基板ホルダー台10の上面に配置される。半導体基板7は、チャンバー1下部に設置された加熱手段4を用いて行われ、赤外線加熱方式を採用している。熱源となる赤外線ランプ14から放射された赤外線は赤外線集光部12内部のゴールド反射ミラーに当たり反射し、チャンバー1下部に取り付けられた透明石英窓13を通して、チャンバー1内部に配置された基板ホルダー8に照射される。基板ホルダー8は赤外線を吸収し、減圧重水素雰囲気下で800°Cまで加熱されることが可能である。基板ホルダー8はシリコン半導体ウエハ、シリコンカーバイド焼結体またはグラファイトなどで形成される。重水素処理用ガス導入系7は、重水素を含むガスをチャンバー1内に導く配管17と、配管17に設けたバルブ18及び流量調整器19等で形成されている。また、図1に示すように、基板ホルダー8が上面に配置される石英製基板ホルダー台10の外側面の位置には、リング状のガス導入リング11が配置されている。ガス導入リング11は、内部が中空であり、上面に多数のガス噴出し孔を有する。重水素を含んだガスを導入する配管17の先端はガス導入リング11に接続され、ガス噴出し孔から重水素を含んだガスを噴出させてチャンバー1内部に導入するようになっている。また、チャンバー1内の圧力は、不図示のミニチュアゲージ及びバラトロンゲージによりモニターされており、コンダクタンスバルブ15により自動調整される。重水素処理用ガス導入系3によって導入された重水素を含んだガスから、高温に加熱された熱触媒体16の表面での熱触媒作用により、活性化した重水素が生成される。前記熱触媒体16は、タングステン、モリブデン、タンタル、チタン、バナジウム又はこれらを主成分とする合金から成る。この熱触媒体16は、90mmの範囲で上下に移動することが可能となっている。また、この熱触媒体16には、加熱手段20が設けられている。本図で説明する加熱手段20は、一例として熱触媒体16を通電して加熱する通電加熱用電源により構成されている。このような加熱手段20により、熱触媒体16は1000°C~1800°Cの温度に加熱されるようになっている。加熱手段20は、重水素を含んだガスを分解し、活性化した重水素を放出することができれば、他の構造であっても良い。特に、その構造に制限はない。石英円筒9は、チャンバー1内壁を覆うように配置され、高温に加熱された熱触媒体16の表面での熱触媒作用により生成された活性化した重水素が、チャンバー1内壁に衝突して失活することを防ぐためのものである。次に、半導体装置及びその作製方法に関する発明の実施例を説明する。図2に示すような断面構造を有するSiCMOSキャパシタを作製するため、まず8°オフ4H-SiCエピタキシャル基板0001Si面、n型、NdNa=1x1015cm-3をRCA洗浄した後、50nm厚のゲート酸化膜をシリコンカーバイド基板上に形成し、連続して試料を流量1リットル分の窒素ガス中で、1200°Cで30分間熱処理した。次いで、試料を重水素処理装置に導入し、高温に加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により生成された活性化した重水素雰囲気中での処理を、基板加熱温度を500°C、処理時間を30分、処理中のチャンバー内圧力を20Pa、熱触媒体の加熱温度を1800°Cの条件の下で行った。最終的にアルミニウム膜を抵抗線加熱真空蒸着法によりゲート電極とオーミックコンタクト電極として形成した。また、比較として、重水素処理を行わない試料を作製した。図3に、酸素雰囲気中でゲート酸化膜を形成した後に、重水素Drad処理を行った試料から測定された高周波CV特性測定周波数f100kHzと準静的CV特性ステップ電圧Vs=50mV、遅延時間td=10secを示す。実線が高周波CV特性で、破線が準静的CV特性である。この2つのCV特性の容量差が小さいほど、界面準位密度Ditが小さいことを示す。また、比較として、重水素照射を行っていない熱酸化のみの試料からの高周波及び準静的CV特性も同図に示す。図4に、図3のデータから、下記数1を用いて算出された界面準位密度Ditのシリコンカーバイドのエネルギーバンド内の分布を示す。ここで、Chは高周波容量、Cqは準静的容量、Coxはゲート酸化膜容量、qは電子の電荷素量である。図4に、酸素雰囲気中でゲート酸化膜を形成した後に、重水素処理を行った試料Dradおよび重水素処理を行っていない試料DRYの界面準位密度分布を示す。この結果から、重水素処理によりSiCMOS界面の界面準位密度が減少していることがわかる。前述した界面準位密度の低下は重水素処理による効果であり、ゲート絶縁膜/シリコンカーバイド半導体界面近傍に存在するダングリングボンドを重水素終端した結果である。そのため、界面近傍に存在する重水素元素濃度が重要となる。表1に、二次イオン質量分析法SIMSにより測定されたゲート酸化膜/シリコンカーバイド半導体界面に存在する重水素元素濃度を示す。重水素処理を施していない試料DRYでは、界面の重水素元素濃度が1x1017cm3であるのに対し、重水素処理を施した試料Dradでは28x1019cm3と、280倍の重水素含有濃度を示す。重水素元素濃度が28x1019cm3で界面準位密度が低下しており、この結果からも界面近傍における重水素元素濃度は少なくと1x1019cm3以上であることが必要であることが分る。"