基板と、前記基板上に設けられた光電変換素子と、前記基板上に設けられた、前記光電変換素子を取り囲むように配置されたヒートシンクと、前記ヒートシンクの上方に設けられた、外部からの光を受光して前記光電変換素子に受光した光を集める集光部材と、を備え、前記ヒートシンクは、縦断面視して前記光電変換素子を取り囲む空間が、下部から上部に向けて広がって形成されたことを特徴とする光電変換装置。請求項1に記載の光電変換装置であって、前記ヒートシンクの上部は、前記ヒートシンクの内側が前記ヒートシンクの外側よりも高さ位置が低くなるように傾斜していることを特徴とする光電変換装置。請求項1または請求項2に記載の光電変換装置であって、前記基板の下面には、平面透視して前記光電変換素子および前記ヒートシンクと重なる領域に、第2ヒートシンクが設けられたことを特徴とする光電変換装置。請求項3に記載の光電変換装置であって、前記第2ヒートシンクのフィン間隔は、前記ヒートシンクのフィン間隔よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。光電変換装置の開発において、光電変換素子が必要以上に高温になると、光電変換効率が低下する虞があるため、光電変換装置の放熱性を向上させることが求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、放熱性の向上に寄与することが可能な光電変換装置を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、基板と、前記基板上に設けられた光電変換素子と、前記基板上に設けられた、前記光電変換素子を取り囲むように配置されたヒートシンクと、前記ヒートシンクの上方に設けられた、外部からの光を受光して前記光電変換素子に受光した光を集める集光部材と、を備え、前記ヒートシンクは、縦断面視して前記光電変換素子を取り囲む空間が、下部から上部に向けて広がって形成されたことを特徴とする。本発明によれば、放熱性の向上に寄与することが可能な光電変換装置を提供することができる。以下に添付図面を参照して、本発明にかかる光電変換装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。<光電変換装置の概略構成>図1は、本実施形態に係る光電変換装置全体の概観斜視図と、その一部を拡大した分解斜視図である。また、図2は、図1に示す光電変換装置の分解斜視図である。また、図3は、集光部材、ヒートシンクを取り除いた光電変換装置であって、光電変換装置の内部を示す概観斜視図である。また、図4は、集光部材、ヒートシンクを取り除いた光電変換装置の平面図であって、光電変換素子と電極との配置関係を示している。また、図5は、集光部材を取り除いた光電変換装置の平面図であって、光電変換素子とヒートシンクとの配置関係を示している。また、図6は、図5のX-X’に沿った断面図であって、光電変換素子とヒートシンクとの配置関係を示している。本実施形態に係る光電変換装置1は、太陽光を電力に変換する装置である。また、本実施形態に係る光電変換装置1は、光を受光する光電変換素子2と、光を集光する集光部材3とを含んでいる。光電変換素子2は、例えば太陽光を受光して発電する機能を備えている。集光部材3は、外部からの光を受光するとともに、受光した光を光電変換装置2に集める機能を備えている。光電変換素子2は、例えば、III-V族化合物半導体を含んでいる太陽電池素子である。光電変換素子2は、光起電力効果により、受けた光を即時に電力に変換して出力することができる。例示的な太陽電池素子は、InGaP/GaAs/Ge3接合型セルの構造を有している。インジウムガリウムリントップセルは、660nm以下の波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ガリウムヒ素ミドルセルは、660nmから890nmまでの波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。ゲルマニウムボトムセルは、890nmから2000nmまでの波長領域に含まれる光をエネルギー変換する。3つのセルは、トンネル接合を介して直列に接続されている。開放電圧は、3つのセルの起電圧の和である。なお、光電変換素子2の一辺は、平面視して例えば、3mm以上15mm以下の長さである。また、光電変換素子2は、例えば、0.3mm以上5mm以下の厚みである。集光部材3は、光を受光するレンズ部材3aと、レンズ部材3aを支持するフレーム部材3bとを含んで構成されている。なお、レンズ部材3aは凸レンズの他、軽量化のため、フレネルレンズを用いることができる。フレーム部材3bは、レンズ部材3aを取り囲むようにして、レンズ部材3aを支持している。なお、集光部材3は、例えば、ガラス、プラスチックまたは透光性樹脂等の透光性材料からなる。光電変換素子2は、基板4上に設けられている。基板4は、絶縁性の材料からなり、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック材料、或いは、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、基板4の熱膨張率は、例えば、4×10-6/°C以上10×10-6/°C以下に設定されている。基板4の上面には、光電変換素子2の電極5が設けられている。電極5は、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルトまたはクロム等の金属材料、或いはそれらの合金からなる。電極5は、第1電極端子5aと、第1電極端子5aと間をあけた第2電極端子5bからなる。第1電極端子5aは、光電変換素子2の直下に設けられている。第1電極端子5aは、光電変換素子2の直下から、平面方向に延在して、隣接する光電変換装置1の第2電極端子5bとして機能する。第2電極端子5bは、光電変換素子2の上面とボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。そして、光電変換素子2にて発生した電気は、第1電極端子5aまたは第2電極端子5bを介して外部に取り出すことができる。このようにして、複数の光電変換装置1同士を電気的に接続することができる。第1電極端子5aは、図4に示すように、平面視して凸状の形状であって、平面視して矩形状の部分から平面方向に突出した部分に光電変換素子2が実装される。また、第2電極端子5bは、平面視して凹状の形状であって、平面視して矩形状の部分から両端部から突出した部分を有している。そして、第2電極端子5bは、平面視して矩形状の部分から突出した両部分が、第1電極端子5aの突出した部分を間に挟むように形成されている。ヒートシンク6は、基板4上に設けられ、複数のフィンとしての凸部6aが間をあけて光電変換素子2を取り囲むように配置されている。ヒートシンク6は、集光部材3を介して集められた光をヒートシンク6にて反射して光電変換素子2に集める機能を備えている。ヒートシンク6は、基板4上に形成された電極5上に設けられている。ヒートシンク6は、平面透視して集光部材3と重なる位置に配置されている。そして、集光部材3が光を集光して、ヒートシンク6に効率よく光を照射することができる。なお、ヒートシンク6は、例えば、銅、アルミニウム、モリブデンまたはタングステン等の熱伝導率の優れた材料からなる。なお、ヒートシンク6の熱伝導率は、例えば、170W/mk以上400W/mk以下に設定されている。また、ヒートシンク6の熱膨張率は、例えば、4.5×10-6以上24×10-6以下に設定されている。ヒートシンク6は、縦断面視して光電変換素子2を取り囲む空間が、下部から上部に向けて広がって形成されている。ヒートシンク6が、光電変換素子2を取り囲む空間が下部から上部に向けて広がるように形成されることで、集光部材3を介して照射される光を光電変換素子2に集めやすくすることができる。ヒートシンク6が、光を光電変換素子2に集めることで、光電変換素子2の光電変換効率を向上させることができる。また、ヒートシンク6が、光が熱に変わって光電変換素子2が高温になろうとすると、光電変換素子2から基板4または電極5を介してヒートシンク6に熱を伝え、ヒートシンク6から外部に向かって放熱することができ、光電変換素子2が必要以上に高温になるのを抑制することができる。ヒートシンク6は、平面視して枠状の一部を取り除いた形状であって、取り除いた個所が対向するような一対の部材からなる。なお、ヒートシンク6は、平面視して枠状の一部を取り除いてないと仮定した場合は、一辺の長さが、例えば、6mm以上40mm以下に設定されている。また、枠状の一部を取り除いた個所の長さは、例えば、3.5mm以上17mm以下に設定されている。また、ヒートシンク6の下部から上部までの長さは、例えば、6mm以上50mm以下に設定されている。また、ヒートシンク6のフィン同士の間の間隔は、例えば、0.5mm以上3mm以下に設定されている。また、ヒートシンク6の一対の部材の一方が、第1電極端子5a上に設けられ、ヒートシンク6の一対の部材の他方が、第2電極端子5b上に設けられる。そして、ヒートシンク6の一対の部材の一方とヒートシンク6の一対の部材の他方とが間をあけて配置されることで、両者が電気的に絶縁した関係になる。そして、ヒートシンク6の一対の部材の一方とヒートシンク6の一対の部材の他方との間から、ヒートシンク6が発する熱を外部に逃がしやすくすることができ、光電変換素子2の温度が高温になるのを抑制することができる。ヒートシンク6の上部は、ヒートシンク6の内側がヒートシンク6の外側よりも高さ位置が低くなるように傾斜している。このように、ヒートシンク6の上部が傾斜することで、集光部材3を介して集めた光をヒートシンク6の内側に集めることができ、さらには光電変換素子2に多くの光を集光することができる。なお、ヒートシンク6の上部の傾斜角度は、基板4の上面に対して、例えば、10度以上20度以下の角度に設定されている。また、ヒートシンク6の上部は、ヒートシンク6の内側に位置する凸部6aよりもヒートシンク6の外側に位置する凸部6aの上部の傾斜角度が大きくなるように設定されている。ヒートシンク6の外側に位置する凸部6aの上部の傾斜角度を大きくすることで、ヒートシンク6の内側に多くの光を集光することができる。基板4の下面には、平面透視して光電変換素子2およびヒートシンク6と重なる領域に、第2ヒートシンク7が設けられている。第2ヒートシンク7は、基板4に対して、例えば、例えば、鉛、錫または銀等を含む半田、或いはエポキシ樹脂等の接合材8を介して接合されている。第2ヒートシンク7が、光電変換素子2およびヒートシンク6と重なる領域に設けられることで、光電変換素子2またはヒートシンク6が高温になろうとすると、基板4および接合材8を介して伝わる熱を、第2ヒートシンク7から外部に向かって下方から放散することができる。そして、光電変換素子2またはヒートシンク6が必要以上に高温になるのを抑制することができ、光電変換素子2の光電変換効率が低下するのを抑制することができる。また、ヒートシンク6が基板4との熱膨張率の違いにより、基板4から剥離するのを抑制することができる。第2ヒートシンク7は、板体と、板体の主面に複数のフィンとしての第2凸部7aを設けた形状である。第2ヒートシンク7は、基板4の下面に設けられ、複数の第2凸部7aが間をあけて一方向に沿って並んで配置されている。第2ヒートシンク7は、平面透視して光電変換素子2と重なる位置に配置されている。そして、光電変換素子2の熱を効率よく基板4および接合材8を介して第2ヒートシンク7に伝えることができる。なお、第2ヒートシンク7は、例えば、ヒートシンク6と同様の材料から構成されている。また、第2ヒートシンク7は、平面視したときの板体の一辺の長さが、例えば、6mm以上40mm以下に設定されている。また、また、第2ヒートシンク7の下部から上部までの長さは、例えば、5mm以上80mm以下に設定されている。また、第2ヒートシンク7のフィン同士の間の間隔は、例えば、1mm以上5mm以下に設定されている。第2ヒートシンク7のフィン間隔は、ヒートシンク6のフィン間隔よりも大きく設定されている。ヒートシンク6のフィン同士の間の間隔を第2ヒートシンク7のフィン同士の間の間隔よりも狭くすることで、集光部材3から集光された光が、ヒートシンク6のフィン同士の間に入り込むのを少なくし、光電変換素子2に集めやすくすることができる。その結果、光電変換素子2の光電変換効率を効果的に向上させることができる。さらに、集光部材3から光電変換素子2に進行する光は、光電変換素子2の受光面に多く照射されるため、光電変換素子2の周辺に余分な熱の発生を抑制することができ、基板4の放熱特性を良好に維持することができる。本実施形態によれば、光電変換素子2を取り囲むように基板4の上面にヒートシンク6を設け、集光部材3を介して光電変換素子2に照射する光を集めるとともに、光電変換素子2が高温になるのを抑制することができ、光電変換素子2が必要以上に高温になって光電変換効率が低下するのを抑えることができ、さらに光電変換装置1の放熱性を向上させることができる。また、基板4の下面にも第2ヒートシンク7を設け、基板4の上面および下面の温度が高温に成るのを抑制することができ、基板4が反るのを抑えることで、基板4から光電変換素子2が剥離しにくくすることができ、光電変換装置1の電気特性を良好に維持することができる。また、光電変換素子2の周囲の温度をヒートシンクを介して外部に放熱することができ、基板4が必要以上に高温になるのを抑制することができ、光電変換素子2の電気特性が大きく変化するのを抑制することができ、光電変換素子2の光起電力効果を向上させることができる。なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。<光電変換装置の製造方法>ここで、図1に示す光電変換装置1の製造方法を説明する。まず、ヒートシンク6および第2ヒートシンク7を準備する。ヒートシンク6および第2ヒートシンク7は、鋳型に放熱性の優れた材料を流しこみ、流した材料を固めて鋳型から取り出すことで作製することができる。ヒートシンク6および第2ヒートシンク7は、光電変換素子2から伝わる熱を吸収して外部に放熱しやすくするために、例えば、アルミニウム、銅またはモリブデン等の放熱機能を備えた金属材料からなる。基板4は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、基板4の型枠内に、混合物を充填して乾燥させた後、焼結前の基板4を取り出す。また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出した焼結前の基板4の上面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗ってメタライズ層を形成する。さらに、焼結前の基板4を焼成して、基板4を作製することができる。また、電極5としての第1電極端子5aおよび第2電極端子5bを準備する。金属板をパンチング加工することで、第1電極端子5aおよび第2電極端子5bを準備することができる。そして、基板4のメタライズ層上に、第1電極端子5aおよび第2電極端子5bをろう材を介して接続する。次に、ヒートシンク6をろう材を介して電極5に接続し、さらに、基板4の第1電極端子5aの上面に対して、光電変換素子2を実装する。さらに、光電変換素子2の上面から第2電極端子5bの上面に対して、ボンディングワイヤを介して両者を電気的に接続する。さらに、第2ヒートシンク7を接合材8を介して基板4の下面に接続する。次に、集光部材3を準備する。集光部材3は、例えば、モールド成形技術によって作製することができる。具体的には、集光部材3の金型内に、ホウ珪酸ガラスを投入し、加熱、プレスして成形する。さらに、当該成形品を冷却して金型から成形品を取り出すことで、集光部材3を作製することができる。なお、集光部材3の金型を任意の形状に設定することで、所望の集光部材3を作製することができる。そして、集光部材3をヒートシンク6上に配置し、光電変換素子2に対して位置決めすることで、光電変換装置1を作製することができる。