金属板と、該金属板の一主面に配置された緩衝層と、前記金属板および前記緩衝層を貫通するスリットとを有し、該スリットは、前記金属板に位置する第1貫通部と、前記緩衝層に位置する第2貫通部と、前記第1貫通部内をまたがるブリッジとを有しており、前記一主面側から平面視したときに、前記第1貫通部の前記緩衝層側の開口縁は、前記第2貫通部の前記金属板側の開口縁の内側に位置する、印刷版。前記一主面側から平面視したときに、前記ブリッジの前記一主面側の面が前記第2貫通部内で露出している、請求項1に記載の印刷版。前記金属板は、前記一主面に凹凸を有する、請求項1に記載の印刷版。前記スリットは、一端部同士および他端部同士を揃えて配列された複数の第1スリットと、隣接する該第1スリットの一端部同士および他端部同士のうち少なくとも一方を接続する第2スリットとを有しており、前記第1貫通部は、前記第1スリットにおいて長さ方向に細長く開口している第1領域と、前記第2スリットにおいて長さ方向に細長く開口している第2領域とを有し、該第2領域の前記緩衝層側の開口の幅が前記第1領域の前記緩衝層側の開口の幅よりも大きい、請求項1に記載の印刷版。前記第1領域および前記第2領域は、前記第1スリットと前記第2スリットとの接続部において互いに近接しており、前記第1領域と前記第2領域との近接部の近傍において、前記第1領域の前記緩衝層側の開口の幅が前記第2領域に向かうにつれて大きくなっている、請求項4に記載の印刷版。前記ブリッジは、前記第1領域を幅方向にまたがる第1ブリッジ部と、前記第2領域を幅方向にまたがる第2ブリッジ部とを有し、前記第2ブリッジ部の幅が前記第1ブリッジ部の幅よりも大きい、請求項4に記載の印刷版。前記第1ブリッジ部を複数有しており、隣接する前記第1ブリッジ部の間の距離は、前記第2領域に向かうにつれて小さくなっている、請求項6に記載の印刷版。前記第1ブリッジ部を複数有しており、前記第2領域に最も近接する前記第1ブリッジ部から前記第2領域までの距離は、隣接する前記第1ブリッジ部の間の距離以上である、請求項6に記載の印刷版。請求項1に記載の印刷版を用いて、半導体基板の第1主面に複数の線状の集電電極となる導電性ペーストを印刷する第1印刷工程を備える、太陽電池素子の製造方法。前記第1主面に、太陽電池素子の位置合わせのためのアライメントマークおよび前記集電電極と直交する方向に設けられて前記集電電極と接続される出力取出電極のうち少なくとも一方となる導電性ペーストを印刷する第2印刷工程をさらに備え、該第2印刷工程において、前記第1貫通部が前記アライメントマークおよび前記出力取出電極のうち少なくとも一方に対応する領域と、該第1貫通部をまたがる長尺状のブリッジとをさらに有する前記印刷版を用いて、前記ブリッジの長手方向との成す角度が鋭角となる方向にスキージを移動させて前記導電性ペーストを印刷する、請求項9に記載の太陽電池素子の製造方法。請求項4に記載の印刷版を用いて、半導体基板の第1主面に、複数の線状の集電電極となる導電性ペースト、ならびに隣接する前記集電電極の一端部同士および他端部同士のうち少なくとも一方を接続する線状の補助電極となる導電性ペーストを印刷する印刷工程を備える、太陽電池素子の製造方法。以下、本発明の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。≪太陽電池素子≫まず、本発明の実施形態に係る印刷版を用いて製造される太陽電池素子の一例について説明する。<第1の太陽電池素子>第1の太陽電池素子10Aは、図1乃至図3に示すように、半導体基板1と、逆導電型層2と、反射防止層3と、を備えている。半導体基板1は、光が入射する受光面図3における上面に相当するものであり、以下では第1面とすると該第1面の裏面に相当する非受光面図3における下面に相当するものであり、以下では第2面とするとを有する。逆導電型層2は、半導体基板1の第1面側の表層に設けられており、反射防止層3は、半導体基板1の第1面上本実施形態では、逆導電型層2上に設けられている。また、第1の太陽電池素子10Aは、半導体基板1の第1面上に設けられた第1電極4と、半導体基板1の第2面上に設けられた第2電極5と、を有する。半導体基板1としては、所定のドーパント元素導電型制御用の不純物を有して一導電型例えば、p型の単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板等の結晶シリコン基板が用いられる。半導体基板1の厚みは、例えば、250μm以下であり、150μm以下であってもよい。半導体基板1の形状は、特に限定されるものではないが、本実施形態のように、四角形状であれば製法上の観点から好適である。なお、半導体基板1としては、支持基板上にアモルファスシリコン層、CIGS等のカルコパイライト系の化合物半導体層、またはCdTe層を積層した形態を用いてもよい。逆導電型層2は、半導体基板1と逆の導電型を呈する層であり、半導体基板1の第1面の表層内に形成されている。例えば、半導体基板1としてp型のシリコン基板を使用する場合であれば、逆導電型層2としては、n型の層が形成される。反射防止層3は、所望の波長領域の光の反射率を低減させて、光生成キャリア量を増大させる機能を有する。この反射防止層3を設けることによって、太陽電池素子の光電流密度Jscを向上させることができる。反射防止層3としては、例えば窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化シリコン膜、酸化マグネシウム膜、酸化インジウムスズ膜、酸化スズ膜、酸化亜鉛膜などが挙げられる。反射防止層3の厚みは、材料によって適宜選択されて、適当な入射光に対する反射の低減を実現できるように設定される。BSF領域6は、半導体基板1の第2面近くでキャリアの再結合による発電効率の低下を低減させる機能を有しており、半導体基板1の第2面側に内部電界を形成するものである。BSF領域6は、半導体基板1と同一の導電型を有しており、BSF領域6が含有するドーパント濃度は、半導体基板1が含有するドーパントの濃度よりも高い。すなわち、BSF領域6中のドーパント元素は、半導体基板1において一導電型を呈するためにドープされたドーパント元素の濃度よりも高い濃度で存在している。例えば、BSF領域6は、半導体基板1がp型の場合、第2面にボロンやアルミニウムなどのドーパント元素を拡散させることによって、これらドーパント元素の濃度が1×1018~5×1021atoms/cm3程度となるように形成される。BSF領域6は、半導体基板1の第2面側の表層部に形成される。第1電極4は、図1に示すように、第1出力取出電極4aと、複数の線状の第1集電電極4bと、線状の補助電極4cと、を有する。第1出力取出電極4aの少なくとも一部は、第1集電電極4bと交差している。また、補助電極4cは半導体基板1の両端部において、第1集電電極4bと交差している。また、本実施形態において、補助電極4cは、第1集電電極4bの一端部同士および他端部同士を接続するように設けられている。なお、補助電極4cは、第1集電電極4bの一端部同士および他端部同士のうち、少なくとも一方を接続するような形態であってもよい。第1出力取出電極4aは、例えば、1.3~2.5mm程度の幅を有しており、2本以上設けられてもよい。一方で、第1集電電極4bおよび補助電極4cは、線状であり、40~150μm程度の幅を有してもよく、第1出力取出電極4aの幅よりも小さい幅を有していてもよい。また、第1集電電極4bは、互いに1~3mm程度の間隔を空けて複数設けられている。また、このような第1電極4は銀または銅等の金属からなり、その厚みは、10~40μm程度であってもよい。第2電極5は、図2に示すように、第2出力取出電極5aと、第2集電電極5bと、を有する。第2出力取出電極5aの厚みは10~30μm程度、幅は1.3~7mm程度であってもよい。第2出力取出電極5aは、上述の第1電極4と同等の材質および製法で形成することができる。また、第2集電電極5bはアルミニウム等の金属からなり、その厚みが15~50μm程度であってもよい。第2集電電極5bは、半導体基板1の第2面の第2出力取出電極5aの一部を除いた略全面に形成される。また、第2電極5は上記形状に限らず、例えば、第1電極4と同様の電極形状を有してもよい。<第2の太陽電池素子>次に、他の太陽電池素子の構造について説明する。第2の太陽電池素子10Bは、図4乃至図6に示すように、半導体基板1と、逆導電型層2と、反射防止層3と、第1電極4と、第2電極5と、を有する。以下、第1の太陽電池素子10Aとの相違点について説明する。第2の太陽電池素子10Bでは、第1出力取出電極4aが第2面上に設けられている。また、半導体基板1は、第1面から第2面まで貫通する複数の貫通孔7を有している。そして、第1電極4は、貫通孔7内に設けられた導通電極4dをさらに有しており、この導通電極4dにより第1出力取出電極4aと第1集電電極4bとが電気的に接続される。逆導電型層2は、半導体基板1の第1面側に形成された第1逆導電型層2aと、貫通孔7の内表面に形成された第2逆導電型層2bと、半導体基板1の第2面側に形成された第3逆導電型層2cと、を有する。そして、第1出力取出電極4aは、第3逆導電型層2c上に形成される。なお、貫通孔7の内表面および第2面において、絶縁層を設け、その絶縁層の上に第1電極4を設けてもよい。複数の導通電極4dは所定の一方向に配列されている。具体的には、この第2の太陽電池素子10Bでは、図4に示すように、複数の導通電極4dは、半導体基板1の第1面の基準辺BSに対して平行な方向に、複数列図4では3列に沿って配列されている。ここで、基準辺BSとは、複数の第2の太陽電池素子10Bを配列させて太陽電池モジュールを形成する場合における第2の太陽電池素子10Bの配列方向に平行な辺である。なお、本明細書中において平行とは、数学的な定義のように厳密に解すべきものではないことは言うまでもない。第1集電電極4bは、互いに異なる列に属する導通電極4d同士を接続する。例えば、図4に示した第2の太陽電池素子10Bでは、第1集電電極4bは、導通電極4dの配列方向と直交する方向に位置する3つの導通電極4dを接続するように配置されている。また、図4に示すように、第1電極4は、貫通孔7を覆うように第1面側に設けられた円状のパッド電極4eを有していてもよい。第1面側から平面視したときのパッド電極4dの直径は、貫通孔7の直径よりも大きい。このような形態であれば、第1集電電極4bの形成位置が少しずれても導通電極4dと接続することが可能となり、信頼性が高まる。≪印刷版≫次に、本発明の実施形態に係る印刷版について説明する。<第1の実施形態>第1の実施形態に係る印刷版20について、図7a乃至図7cを用いて、詳細に説明する。印刷版20は、図7a、bに示すように、金属板21と、緩衝層23と、スリット28とを有している。また、印刷版20は、金属板21の周囲を支持するフレーム22を有していてもよい。フレーム22を有することで、印刷版20の強度を向上させることができ、印刷版20の寿命の向上が図れる。緩衝層23は、金属板21の一主面に配置されており、より具体的には、金属板21の半導体基板1と対向する面半導体基板1の一主面側に設けられている。スリット28は、金属板21および緩衝層23を貫通する。このスリット28を、電極となる導電性ペーストが通過する。スリット28は、金属板21に位置する第1貫通部24と、緩衝層23に設けられた第2貫通部25と、を有している。そのため、導電性ペーストは、第1貫通部24および第2貫通部25を通過して、半導体基板1の一主面に印刷される。そして、印刷版20では、金属板21の一主面側から平面視したときに、第2貫通部25の金属板21側の開口縁25aの内側に、第1貫通部24の緩衝層23側の開口縁24aが位置している。そのため、緩衝層23は、金属板21の一主面側から平面視したときに、第1貫通部24よりも外側に位置している。それゆえ、印刷版20では、例えば、スキージ等で第1貫通部24、第2貫通部25の順に導電性ペーストが流れ込む際、緩衝層23に応力がかかりにくくなる。このことから、緩衝層23の剥がれを低減することができる。また、印刷版20では、第1貫通部24の開口縁24aと第2貫通部25の開口縁25aとの位置関係が上記関係を満たすため、第1貫通部24の開口縁24aの近傍に緩衝層23が設けられていない。そのため、スリット28に導電性ペーストを供給し、半導体基板1の一主面に転写させる際にスキージで押圧すると、第1貫通部24の開口縁24aが外方に拡がりやすくなり、導電性ペーストが抜けやすくなる。金属板21は、例えば、厚みが20~50μmのニッケルまたはステンレス等の板を用いることができる。第1貫通部24は、例えば、レーザ等で金属板21を穿孔して形成される。また、第1貫通部24は、アディティブ法電鋳法により金属板21を形成する際に、形成してもよい。また、本実施形態において、印刷版20では、図7cに示すように、第1貫通部24内をまたがるブリッジ26を有している。このような形態により、ブリッジ26で印刷版20の強度を高めることができ、複数回印刷を繰り返した際に生じる印刷版20の破れの発生を低減できる。以上より、本実施形態に係る印刷版20において、緩衝層23の剥がれを低減するとともに、スリット28の強度を高めることができる。それゆえ、印刷版20の耐久性を向上させて、印刷版20の寿命を延ばすことができる。このような印刷版20は、第1集電電極4bのように幅が狭く、一方向に長い電極パターンを印刷するのに好適に用いることができる。このとき、ブリッジ26は、一主面側から平面視したときに、外方へ露出している。すなわち、ブリッジ26の一主面側の面には、緩衝層23を設けなくてもよい。このような形態であれば、第1貫通部24を通過する導電性ペーストがブリッジ26の下部に回りこみ易くなり、断線等の印刷不良の発生を低減することができる。ブリッジ26は、図7cに示すように、線状の第1貫通部24の場合、該第1貫通部24の長手方向と直交する方向にまたがるように設けられてもよいし、印刷版20の金属板21側から平面視して、十字形状となるように設けてもよい。また、第1貫通部24は、例えば、印刷する線状の電極の幅方向に対応する第1貫通部24の寸法D1以下、第1貫通部24の幅D1とも言うを30~80μm程度とした場合、隣接するブリッジ26で囲まれた、線状の電極の長手方向に対応する第1貫通部24の寸法D2が50~150μm程度となるよう形成されてもよい。そして、ブリッジ26の幅Bは、第1貫通部24の寸法D1より小さく、例えば、25~60μm程度であってもよい。このような形態によれば、導電性ペーストの滲みや断線等の印刷不良の発生を低減できる。さらに、金属板21の厚みをtとした際に、幅B>0.0038×t0.29×寸法D213.5および幅B<1.09×t-0.409×寸法D227を満たしてもよい。この場合、複数回印刷を繰り返した際に生じる印刷版20の破れ等の発生を低減し、印刷版20の寿命を延ばすことができ、印刷不良による断線の発生を低減できる。なお、ここでいう幅Bおよび寸法D1は、いずれも一主面側からみたときの各寸法である。また、本実施形態において、第1貫通部24の緩衝層23側の開口縁24aの幅を、第1貫通部24の導電ペーストが供給される側の開口の幅よりも大きくなるように形成すれば、効率良く導電性ペーストを第2貫通部25に導入しやすくなる。フレーム22は、金属板21の外周に配置されており、金属板21を保護する役割を有している。また、フレーム22は、金属板21に取り付ける際、金属板21に引張応力を加えながら金属板21を支持することにより、金属板21に作用する引張応力を調整してもよい。これにより、金属板21の寸法のずれを調整することができる。緩衝層23は、金属板21の一主面側に配置されている。すなわち、印刷版20において、緩衝層23が、印刷対象物である半導体基板1の一主面と接触するように配置される。このような緩衝層23としては、例えば、乳剤層を用いることができる。このような乳剤層は、例えば、次のように形成することができる。まず、金属板21において、半導体基板1の一主面と対向する側の表面に感光性樹脂を塗布し、所望の形状のマスクを介して露光し、感光性樹脂を硬化させる。その後、不要な未硬化の感光性樹脂を除去することによって、所望の形状を有する乳剤層を形成する。このような感光性樹脂としては、例えば、ジアゾ系、SBQスチルバゾリウム系またはアクリル系の樹脂が用いられる。また、上述したように、印刷版20では、金属板21の一主面側から平面視したときに、第2貫通部25の金属板21側の開口縁25aの内側に、第1貫通部24の緩衝層23側の開口縁24aが位置している。すなわち、図7bに示すように、緩衝層23は、第2貫通部25が第1貫通部24の内周から間隔Sをあけて外側に位置するよう形成されている。そのため、第2貫通部25の開口の幅D3は、第1貫通部24の開口の幅D1よりも大きい。このとき、第2貫通部25の幅D3は、例えば、第1貫通部24の幅D1より1~20μm程度広ければよい。また、緩衝層23の厚みは、1~40μm程度であってもよく、該厚みとなるように感光性樹脂の塗布量を調整してもよい。なお、第2貫通部25の開口の幅D3は、緩衝層23の厚み方向に対して一定でも、増減してもよい。第2貫通部25の開口の幅D3が、第1貫通部24の開口の幅D1より大きい場合、効率良く導電性ペーストを半導体基板1の一主面側に導入しやすくなる。特に、第2貫通部25の幅を厚み方向に対して増減させて、第2貫通部25がテーパ形状となるよう形成する場合は、第2貫通部25の幅が半導体基板1の一主面側に向かって大きくすればよい。また、ブリッジ26の幅Bは厚み方向に対して増減してもよく、ブリッジ26の幅Bが金属板21の一主面側に向かって小さくてもよい。このような形態であれば、第1貫通部24を通過する導電性ペーストがブリッジ26の下部に回りこみ易くなり、断線等の印刷不良の発生を低減することができる。さらに、本実施形態においては、ブリッジ26の厚み方向における寸法は、金属板21の厚み方向の寸法と略同じである。これにより、印刷版20の強度の向上が図れるとともに導電性ペーストがスムーズに抜ける。なお、ブリッジ26の厚み方向における寸法は、これに限らない。例えば、ブリッジ26の厚み方向における寸法は、金属版21の厚みや材質、ブリッジ26のパターン形状に応じて、適宜選択することができる。<第2の実施形態>次に、第2の実施形態に係る印刷版30について、図8を用いて、詳細に説明する。なお、第1の実施形態に係る印刷版20と同様の構成については、説明を省略する。印刷版30は、図8に示すように、金属板21の半導体基板1の一主面側の面に凹凸27を有する。このように凹凸27を設けて金属板21を粗面化することにより、金属板21と緩衝層23との密着強度を向上させることができる。上記粗面化は、比較的な粒径が大きな砥粒を用いて研磨する、または、算術平均粗さRaJISB0601-2001が0.01~3μm程度となるよう化学エッチング等の処理を行えばよい。ここで比較的粒径が大きな砥粒としては、粒径が5~40μm程度の砥粒を用いればよい。<第3の実施形態>次に、第3の実施形態に係る印刷版40について、図9を用いて、詳細に説明する。なお、第1の実施形態に係る印刷版20と同様の構成については、説明を省略する。第3の実施形態に係る印刷版40は、スリット28の形状において、第1の実施形態に係る印刷版20と異なる。具体的には、印刷版40のスリット28は、図9aに示すように、第1集電電極4bおよび補助電極4cの形状に応じてパターニングされた形状であり、複数の第1スリット28aと第2スリット28bとを有している。第1スリット28aは、一端部同士および他端部同士をそろえて配列されている。第2スリット28bは、隣接する第1スリット28aの一端部同士および他端部同士のうち少なくとも一方と接続されている。また、第1スリット28aおよび第2スリット28bはそれぞれ第1貫通部24および第2貫通部25を有している。すなわち、第1貫通部24は、第1集電電極4bに対応する第1領域24bと、補助電極4cに対応する第2領域24cとを有している。第1領域24bは線状であり、第2領域24cは隣接する第1領域24bの一端部同士および他端部同士の少なくとも一方を接続する。本実施形態においては、補助電極4cは、第1集電電極4bの一端部同士を接続する第1補助電極4c1と、他端部同士を接続する第2補助電極4c2との、2つを有している。したがって、印刷版40において、補助電極4cに対応する第2領域24cも、第1領域24bの一端部同士を接続する部分と、第1領域24bの他端部同士を接続する部分とを有している。また、図9bに示すように、印刷版40においては、第1貫通部24の第2領域24cの緩衝層23側の開口の幅W2が、第1貫通部24の第1領域24bの緩衝層23側の開口の幅W1よりも大きい。このような印刷版40を用いれば、スキージを第1集電電極4bの長手方向に移動させて導電性ペーストを塗布した場合でも、補助電極4cの断線の発生を低減することができる。このとき、第2領域24cの緩衝層23側の開口の幅W2は、例えば、第1領域24bの緩衝層23側の開口の幅W1に比べて10~50μm大きくされる。なお、ここで、第2領域24cの緩衝層23側の開口の幅W2とは、第2領域24cの幅方向の寸法、すなわち、長尺状の第2領域24cの長手方向に垂直な方向における、第2領域24cの寸法である。第1領域24bの緩衝層23側の開口の幅W1も、幅W2と同様に規定できる。また、印刷版40において、第1貫通部24の第1領域24bおよび第2領域24cは、互いに交差するように配置されている。加えて、印刷版40において、図9bに示すように、第1領域24bと第2領域24cとの交差部近傍において、第1領域24bの緩衝層23側の開口の幅W1が、第2領域24cに向かって大きくなっていてもよい。すなわち、第1領域24bは、第2領域24c側においてテーパ形状である。上記交差部は、第1集電電極4bと補助電極4cとの接続部を形成する部位に相当する。本実施形態では、上記交差部の第1貫通部24の開口幅を大きくすることにより、印刷する第1集電電極4bおよび補助電極4cが極めて細い場合においても、第1貫通部24から導電性ペーストが抜けやすい。その結果、印刷不良による断線の発生を低減できる。また、印刷版40は、印刷版20と同様に、ブリッジ26を有している。印刷版40におけるブリッジ26は、図9bに示すように、第1貫通部24の第1領域24b内を幅方向にまたがる第1ブリッジ部26aと、第1貫通部24の第2領域24c内を幅方向にまたがる第2ブリッジ部26bとを有する。そして、第2ブリッジ部26bの幅B2は、第1ブリッジ部26aの幅B1よりも大きい。電極の印刷工程において、一端側の補助電極4cから他端側の補助電極4cに向かって、第1集電電極4bの長手方向に沿ってスキージを移動させて導電性ペーストを塗布する場合がある。この場合、印刷の始点近傍および終点近傍において、スキージが印刷版40に付与する圧力が高まる。上述したように、印刷版40においては、第2ブリッジ部26bの幅B2が第1ブリッジ部26aの幅B1よりも大きい。すなわち、印刷版40においては、スキージによる圧力が比較的大きくなる補助電極4cの形成に対応する第2ブリッジ部26bの強度が高い。それゆえ、上述のようにスキージを移動させて複数回印刷を繰り返した際にも、印刷版40の破れ等の発生を低減し、印刷版40の寿命を延ばすことができる。なお、第2ブリッジ部26bの幅B2は、第1ブリッジ26aの幅B1に比べて、例えば、5~20μm程度大きくしてもよい。なお、本実施形態においては、第1ブリッジ部26a及び第2ブリッジ部26bが、いずれも複数設けられている形態を例示したが、ブリッジ26が有する第1ブリッジ部26aおよび第2ブリッジ部26bの数は、これに限らない。例えば、ブリッジ26が有する第1ブリッジ部26aおよび第2ブリッジ部26bの数は、印刷パターンの大きさや金属板21の強度等に応じて適宜選択することができる。またさらに、本実施形態においては、第2領域24cに最も近接する第1ブリッジ26aから第2領域24cまでの距離D4は、隣接する第1ブリッジ部26aの間の距離D2以上である。このような構成により、第1領域24bおよび第2領域24cが極めて細い場合においても、第1領域24bと第2領域24cとの交差部分でも第1貫通部24から導電性ペーストが抜けやすく、印刷不良による断線の発生を低減することができる。<第4の実施形態>次に第4の実施形態に係る印刷版50について、図10を用いて、詳細に説明する。なお、第3の実施形態に係る印刷版40と同様の構成については、説明を省略する。図10bに示すように、印刷版50も印刷版40と同様に第1ブリッジ部26aおよび第2ブリッジ部26bを有するブリッジ26を有している。具体的には、本実施形態においても、ブリッジ26は、複数の第1ブリッジ部26aと複数の第2ブリッジ部26bとを有している。そして、本実施形態においては、隣接する第1ブリッジ部26aの間の距離D2は、第2領域24cに向かうにつれて小さくなっている。このような構成により、上述したように、印刷工程において、スキージによる圧力が比較的大きくなる部分の印刷版50の強度を向上させることができる。その結果、印刷版50の破れ等の発生を低減し、印刷版50の寿命を延ばす効果が高まる。なお、このとき、隣接する第1ブリッジ部26aの間の距離D2が第2領域24cに向かうにつれて小さい形態とは、距離D2が第2領域24cに向かうにつれて漸次小さくなる形態であってもよく、距離D2が一定である区間を含む形態であってもよい。またさらに、本実施形態においては、第2領域24cに最も近接する第1ブリッジ26aから第2領域24cまでの距離D4は、隣接する第1ブリッジ部26aの間の距離D2の最小値以上であればよい。特に、隣接する第1ブリッジ部26aの間の距離D2の最大値以上であれば、上述の効果が一層高まる。<第5の実施形態>次に、第5の実施形態に係る印刷版60について、図11を用いて、詳細に説明する。なお、第3の実施形態に係る印刷版40と同様の構成については、説明を省略する。本実施形態は、スリット28の形状において、第3実施形態の印刷版40と異なる。具体的には、印刷版60は、第2の太陽電池素子10Bの電極を形成する際の印刷工程で用いることができる。すなわち、印刷版60においては、図11に示すように、第1貫通部24が、線状のスリット28の延びる方向において、第1集電電極4bに対応する線状部分とパッド電極4eに対応する円形状部分とを有している。そして、導通電極4dおよびパット電極4eを形成する場合には、図11bに示すように、第1貫通部24の円形状部分には円形状部分内をまたがる十字形状のブリッジ26を有している。つまり、本実施形態では、長尺状のブリッジ26の長手方向とスキージの移動方向との角度が鋭角となるようにブリッジ26が形成されている。このような形態により、形成されたペースト層のにじみを低減することができ、加えて、ブリッジ26の強度を向上させることができる。以上のようにして、第2の太陽電池素子10Bの電極パターンを印刷することができる。このような印刷版60を用いることにより、パッド電極4eにおいて貫通孔7内にもペーストの充填が行われ、貫通孔7の内部にも導電性ペースト層を設けることができる。また、図11cに示すように、本実施形態の変形例として第1貫通部24の円形状部分に、貫通孔7に位置する部分に円形状の金属板21’および緩衝層23’が配置されている例が挙げられる。すなわち、スリット28は、線上部分と接続するドーナツ状の部分とを有している。なお、図11cは、金属板21の他の主面側からみた平面図であるため、図11cは、第1貫通部24が、線状部分とドーナツ状の部分とを有している点が示されている。そして、このドーナツ状の部分において、ブリッジ26が十字形状に形成されている。このような形態により、導電性ペーストの抜け性が向上し、形成された導電性ペースト層のにじみを低減することができる。以上のようにして、太陽電池素子を作製することができる。このような印刷版60’を用いることにより、パッド電極4eにおいて貫通孔7内にペーストの充填が行われないように、貫通孔7の周囲にのみドーナツ状の導電性ペースト層を設けることができる。なお、本実施形態においても、緩衝層23’は、ブリッジ26の一主面側の表面に配置されていてもいなくても構わない。ブリッジ26の一主面側の表面に緩衝層23’が配置されない形態においては、第1貫通部24を通過する導電性ペーストがブリッジ26の下部に回り込み易くなり、断線等の印刷不良の発生を低減することができる。<第6の実施形態>次に、第6の実施形態に係る印刷版70について、図12を用いて、詳細に説明する。なお、第3の実施形態に係る印刷版40と同様の構成については、説明を省略する。本実施形態の印刷版70は、例えば、電極を重ねて印刷する場合や、図1または図4に示すような太陽電池素子の位置合わせに用いられるアライメントマーク8を半導体基板1の一主面に設ける場合に用いることができる。より具体的には、図12aに示すように、印刷版70の第1貫通部24は、配列された複数の第1領域24aのうち両端に位置する第1領域24aの近傍にそれぞれ配置された第3領域24dをさらに有している。本実施形態においては、アライメントマーク8が円状に形成されるため、図12bに示すように、第3領域24dは、アライメントマーク8のパターニングと略同一の形状である。そして、スリット28は、第3領域24d内をまたがる十字形状の第3ブリッジ部26cを有している。つまり、本実施形態では、長尺状の第3ブリッジ部26cの長手方向とスキージの移動方向との角度が鋭角となるように第3ブリッジ部26cが形成されている。このような形態では、形成されたペースト層のにじみを低減することができ、加えて、第3ブリッジ部26cの強度を向上させることができる。<第7の実施形態>次に、第7の実施形態に係る印刷版80について、図13を用いて、詳細に説明する。なお、第3の実施形態に係る印刷版40と同様の構成については、説明を省略する。本実施形態に係る印刷版80は、図13aに示すように、第1の太陽電池素子10Aにおける、第1出力取出電極4a、第1集電電極4bおよび補助電極4cに対応する第1貫通部24を有している。すなわち、第1貫通部24は、第1出力取出電極4aの形成に対応する第4領域24eを有している。そして、図13bに示すように、スリット28は、第4領域24e内をまたがるように、かつ網状に形成された第4ブリッジ26dをさらに有している。このような印刷版80を用いることにより、スキージを第1出力取出電極4aの長手方向に対してほぼ垂直に移動して導電性ペーストを塗布した場合、複数回印刷を繰り返した際の印刷版の破れ等の発生を低減することができる。また、本実施形態では、長尺状の第4ブリッジ26dの長手方向とスキージの移動方向との角度が鋭角となるように第4ブリッジ26dが形成される。このような形態では、導電性ペーストの抜け性が向上し、形成された導電性ペースト層のにじみを低減することができる。なお、線幅の広い第1出力取出電極4aを形成する場合には、第4ブリッジ26dが十字形状に形成されてもよい。また、本実施形態においては、図13bに示すように、第4領域24eのうち、第1領域24bと接続する部分29は、一主面側から平面視したときに、略二等辺三角形である。なお、該第1領域24bと接続する部分29は、このような形状に限定されない。例えば、図13cに示すように、部分29は、内角の全てが直角または鈍角である多角形である形態であってもよい。このような形態によれば、導電性ペーストの詰まりを低減することができる。≪太陽電池素子の製造方法≫次に、第1の太陽電池素子10Aおよび第2の太陽電池素子10Bの本実施形態に係る製造方法について説明する。まず、半導体基板1の製法について説明する。半導体基板1が単結晶シリコン基板の場合は、例えば引き上げ法などによって形成され、半導体基板1が多結晶シリコン基板の場合は、例えば鋳造法などによって形成される。なお、以下では、半導体基板1としてp型の多結晶シリコンを用いた例を説明する。最初に、例えば鋳造法により多結晶シリコンのインゴットを作製する。次いで、そのインゴットを、例えば、250μm以下の厚みにスライスする。その後、半導体基板1の切断面の機械的ダメージ層や汚染層を清浄化するために、切断面をNaOHやKOHあるいはフッ酸やフッ硝酸などでごく微量エッチングしてもよい。なお、このエッチング工程後に、ウエットエッチング方法を用いて、半導体基板1の表面に微小な凹凸を形成してもよい。また、第2の太陽電池素子10Bの場合は、半導体基板1の第1面と第2面との間に貫通孔7を形成する。貫通孔7は、機械的ドリル、ウォータージェットあるいはレーザ加工装置等を用いて形成できる。なお、貫通孔7の形成は、半導体基板1の第2面の側から第1面の側に向けて加工を行うようにすれば、第1面の損傷を低減することができる。ただし、半導体基板1への損傷が少ない加工方法を用いる場合には、第1面の側から第2面の側に向けて加工を行うようにしてもよい。また、貫通孔7の形成後には貫通孔7内のダメージ層を除去するためにエッチングしてもよい。また、貫通孔7内だけでなく、第1面および第2面もエッチングしてもよい。次に、半導体基板1の所望領域の表層内にn型の逆導電型層2を形成する。このような逆導電型層2は、塗布熱拡散法や気相熱拡散法等によって形成される。塗布熱拡散法としては、例えば、ペースト状態にしたP2O5を半導体基板1表面に塗布して熱拡散させる方法が挙げられる。気相熱拡散法としては、例えば、ガス状態にしたPOCl3オキシ塩化リンを拡散源とした方法が挙げられる。この逆導電型層2は、深さが0.2~2μm程度、シート抵抗が60~150Ω/□程度に形成される。なお、逆導電型層2の形成方法は、上記方法に限定されるものではなく、逆導電型層2として、例えば、薄膜技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜や、微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、半導体基板1と逆導電型層2との間にi型シリコン領域を形成してもよい。次に、逆導電型層2の上に反射防止層3を形成する。反射防止層3は、例えば、PECVDplasmaenhancedchemicalvapordeposition法、蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成される。例えば、窒化シリコン膜からなる反射防止層3をPECVD法で形成する場合であれば、反応室内を500°C程度としてシランSiH4とアンモニアNH3との混合ガスを窒素N2で希釈し、グロー放電分解でプラズマ化した各種ガスを反応させて堆積させることで反射防止層3が形成される。次に、半導体基板1の第2面側に、一導電型の半導体不純物が高濃度に拡散されたBSF領域6を形成する。BSF領域6の形成方法としては、例えば、以下の2つの方法が挙げられる。第1の方法としては、三臭化ボロンBBr3を拡散源とした熱拡散法を用いて温度800~1100°C程度で形成する方法がある。第2の方法としては、アルミニウム粉末および有機ビヒクル等からなるアルミニウムペーストを印刷法で塗布したのち、温度600~850°C程度で熱処理焼成してアルミニウムを半導体基板1に拡散する方法がある。この第2の方法を用いれば、印刷面だけに所望の拡散領域を形成することができるだけではなく、逆導電型層2の形成工程で第2面側に形成されたn型の逆導電型層を除去する必要もない。そのため、第2の方法を用いれば、所望の拡散領域を形成した後、第1の太陽電池素子10Aの場合には、第1面または第2面の外周部のみレーザ等を用いてPN分離を行えばよく、第2の太陽電池素子10Bの場合には、第1面または第2面の外周部と第3逆導電型層2cとBSF領域6との界面にPN分離を行えばよい。なお、BSF領域6の形成方法は上記方法に限定されるものではなく、BSF領域6として、例えば薄膜技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜や、微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、半導体基板1とBSF領域6との間にi型シリコン領域を形成してもよい。次に、第1電極4および第2電極5の形成方法について説明する。第1電極4は、例えば銀Ag等を含む金属粉末と、有機ビヒクルと、ガラスフリットとを含有する導電性ペースト銀ペーストを用いて作製される。第1の太陽電池素子10Aの場合には、導電性ペーストを、半導体基板1の第1面に塗布し、その後、最高温度600~850°Cで数十秒~数十分程度焼成する。これにより、ファイヤースルー法によって導電性ペーストが反射防止層3を突き破り、半導体基板1上に第1電極4が形成される。第2の太陽電池素子10Bの場合には、導電性ペーストを、半導体基板1の第1面に塗布するとともに貫通孔7に充填し、その後、最高温度600~850°Cで数十秒~数十分程度焼成する。これにより、第1面に第1集電電極4b、補助電極4cおよびパッド電極4eが、貫通孔7内部に導通電極4dが形成される。そして導電性ペーストを、半導体基板1の第2面に塗布して、その後、最高温度500~850°Cで数十秒~数十分程度焼成することにより、第2面に第1出力取出電極4aが形成される。なお、第1の太陽電池素子10Aおよび第2の太陽電池素子10Bのいずれの場合においても、導電性ペーストの塗布後であって焼成する前に、所定の温度で溶剤を蒸散させて導電性ペーストを乾燥させてもよい。また、塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。なお、印刷版20を用いた第1電極4の形成方法については後で詳細に説明する。次に、第2電極5について説明する。まず、第2集電電極5bは、例えばアルミニウム粉末と、有機ビヒクルとを含有するアルミニウムペーストを用いて作製される。このアルミニウムペーストを、第1電極4および第2出力取出電極5aを形成する部位の一部を除いて、第2面のほぼ全面に塗布する。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。このようにアルミニウムペーストを塗布した後に、所定の温度で溶剤を蒸散させてアルミニウムペーストを乾燥させてもよく、この場合、作業時にアルミニウムペーストがその他の部分に付着しにくく作業効率が高まる。次に、第2出力取出電極5aは、例えば銀粉末などを含む金属粉末と、有機ビヒクルと、ガラスフリットとを含有する導電性ペースト銀ペーストを用いて作製される。この導電性ペーストを半導体基板1の第2面に予め決められた形状に塗布する。なお、導電性ペーストは、アルミニウムペーストの一部と接する位置に塗布されることで、第2出力取出電極5aと第2集電電極5bとの一部が重なる。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができ、塗布後、所定の温度で溶剤を蒸散させて導電性ペーストを乾燥させてもよい。そして、半導体基板1を焼成炉内にて最高温度が600~850°Cで数十秒~数十分程度焼成することにより、第2電極5が半導体基板1の第2面に形成される。なお、上述の形態においては、第1出力取出電極4a、導通電極4d、および第2電極5の形成方法として、印刷して焼成する電極形成方法を例示したが、蒸着やスパッタリング等の薄膜形成方法、めっき法を用いることも可能である。次に、第1電極4の形成工程における印刷工程についてより具体的に説明する。<第1の実施形態に係る第1電極4の印刷工程>本実施形態に係る印刷工程は、上述した第1実施形態に係る印刷版20を用いて第1電極4の印刷を行う工程である。すなわち、第1集電電極4bを有する第1電極4の印刷工程A第1印刷工程について説明する。最初に、半導体基板1の一主面に形成する第1集電電極4bの形状に応じてパターニングされた第1貫通部24および第2貫通部25を有する印刷版20を準備する。次に、印刷版20を緩衝層23が下方に来るように半導体基板1の一主面上に載置する。次いで、印刷版20上に導電性ペーストを載せて、スキージを第1集電電極4bの長手方向に沿って移動させる。これにより、導電性ペーストは、印刷版20の第1貫通部24および第2貫通部25を通過し、半導体基板1の一主面上に所望の形状となるように印刷される。<第2の実施形態に係る第1電極4の印刷工程>本実施形態に係る印刷工程は、上述した第3実施形態に係る印刷版40を用いて第1電極4の印刷を行う工程である。すなわち、第1集電電極4bおよび補助電極4cを有する第1電極4の印刷工程Bについて説明する。例えば、図9aに示した印刷版40を用いて、第1集電電極4bおよび補助電極4cを形成することができる。具体的には、まず、第1集電電極4bおよび補助電極4cの形状に応じてパターニングされた第1貫通部24および第2貫通部25を有する印刷版40を準備する。そして、前述した印刷版20を用いた第1集電電極4bの印刷工程Aと同様の手順によって、第1集電電極4bおよび補助電極4cを印刷する。なお、第1集電電極4bと補助電極4cとを含む第1電極4は、本実施形態のように、第1集電電極4bと補助電極4cとを1つの工程で印刷し、その後、焼成する形態に限らない。例えば、第1集電電極4bと補助電極4cとを含む第1電極4の印刷工程Bは、第1集電電極4bを印刷する第1工程と補助電極4cを印刷する第2工程とを有していてもよい。この場合、第1工程および第2工程の順番は特に限定されないが、第1工程の後に第2工程を行うことで、第1集電電極4bの断線の発生を低減することができる。また、いずれの工程においてもスキージはそれぞれ第1集電電極4bおよび補助電極4cの長手方向に沿って移動させてもよい。また、本印刷工程Bでは、図9bに示すように、第2領域24cの緩衝層23側の開口の幅W2が、第1領域24bの緩衝層23側の開口の幅W1よりも大きい上述の印刷版40を用いて第1電極4を印刷する。このような印刷版40を用いれば、スキージを第1集電電極4bの長手方向に移動させて導電性ペーストを塗布した場合でも、補助電極4cの断線の発生を低減することができる。また、上述したように、印刷版40は、図9bに示すように、第1領域24bと第2領域24cとの近接部の近傍において、第1領域24bの緩衝層23側の開口の幅W1が、第2領域24cに向かうにつれて大きくなっている構成を有する。上記近接部は、第1集電電極4bと補助電極4cとの接続部を形成する部位に相当するが、上記構成を有する印刷版40を用いて印刷することにより、前記近接部において導電性ペーストが抜けやすい。そのため、印刷不良による断線の発生を低減できる。また、上述したように、印刷版40は、印刷版20と同様に、ブリッジ26を有している。印刷版40におけるブリッジ26は、第1領域24b内を幅方向にまたがる第1ブリッジ部26aと、第2領域24c内を幅方向にまたがる第2ブリッジ部26bとを含む構成を有する。そして、第2ブリッジ26bの幅は、第1ブリッジ部26aの幅よりも大きい。本印刷工程Bでは、一端側の補助電極4cから他端側の補助電極4cに向かって、第1集電電極4bの長手方向に沿ってスキージを移動させて導電性ペーストを塗布してもよい。この場合、印刷の始点近傍および終点近傍において、スキージが印刷版40に付与する圧力が高まる。そこで、上述の印刷版40においては、スキージによる圧力が比較的大きくなる第2ブリッジ部26bの強度が高いため、複数回印刷を繰り返した際に生じる印刷版40の破れ等の発生を低減し、電極形成の信頼性が高まる。なお、上述した印刷工程Aおよび印刷工程Bのいずれにおいても、第1電極4が第1出力取出電極4aを有する場合、次のように第1出力取出電極4aを形成することができる。第1の太陽電池素子10Aの場合においては、印刷工程Aのように第1集電電極4bとなる導電性ペースト層を形成した後、または、印刷工程Bのように第1集電電極4bと補助電極4cとなる導電性ペースト層を形成した後に、第1出力取出電極4aとなる導電性ペースト層を形成してもよい。このとき、第1出力取出電極4aとなる導電性ペースト層は、上述の印刷版80を用いて、第1集電電極4bおよび補助電極4cとなる導電性ペースト層を印刷する工程と同じ工程で印刷してもよい。また、第1集電電極4bおよび補助電極4cとなる導電性ペースト層を印刷する工程とは別に、メッシュスクリーンからなるメッシュ印刷版を用いたスクリーン印刷工程によって、またはディスペンサー等を用いた形成工程によって、第1出力取出電極4aとなる導電性ペースト層を形成してもよい。なお、第1出力取出電極4aとなる導電性ペースト層の形成は、第1集電電極4bとなる導電性ペースト層、または第1集電電極4bと補助電極4cとなる導電性ペースト層の形成前であってもよい。一方、第1集電電極4bとなる導電性ペースト層、または第1集電電極4bと補助電極4cとなる導電性ペースト層の形成後に第1出力取出電極4aとなる導電性ペースト層を形成してもよい。この場合には、第1集電電極4bの断線の発生を低減することができる。上述したいずれの工程においても、その後、第1出力取出電極4a、第1集電電極4bおよび補助電極4cとなる導電性ペースト層を焼成することにより、第1電極4を形成することができる。また、他の形態として、第1出力取出電極4a、第1集電電極4bおよび補助電極4cとなるペースト層を、例えば、メッシュスクリーンからなるメッシュ印刷版を用いて形成した後、第1集電電極4bおよび補助電極4cを印刷版40を使用して導電性ペーストを塗布しても構わない。このように複数回の印刷を行うことによって、厚みの厚い第1電極4を形成することができ、電極の抵抗を低減させることができる。また、印刷版40であれば、導電性ペースト層が形成された被印刷物の上に、再度、上記印刷版を配置して印刷を繰り返し行っても、緩衝層23の剥がれが生じにくい。このとき、2回目以降に用いられる印刷版40の緩衝層23の硬度は1回目に用いられる印刷版の硬度よりも高い方が好ましい。これにより、2回目の印刷時に、先に印刷された導電性ペースト層と緩衝層23とが接触して、緩衝層23が削れたり、ダメージを受けたりすることが低減できる。その結果、複数回印刷を繰り返した際に生じる印刷版40の破れ等の発生を低減することができる。なお、緩衝層23の硬度としては、鉛筆硬度でH以上6H以下とすることができる。これにより、先に印刷された導電性ペースト層による緩衝層23の削れ、またはダメージを低減することができる。また、2回目以降に用いられる印刷版40の緩衝層23の幅D3は、1回目に用いられる印刷版の緩衝層の幅D3よりも大きい方が好ましい。これにより、先に印刷された導電性ペースト層による緩衝層23の削れ、またはダメージを低減することができ、複数回印刷を繰り返した際に生じる印刷版40の破れ等の発生を低減することができる。<第3の実施形態に係る第1電極4の印刷工程>本実施形態に係る印刷工程は、上述した第5実施形態に係る印刷版60を用いて第1電極4の印刷を行う工程である。すなわち、第2の太陽電池素子10Bの第1電極4を形成する際の印刷工程Cについて説明する。具体的には、印刷工程Cは、印刷版60を用いて第1電極4第1集電電極4b、補助電極4c、パッド電極4eとなる導電性ペースト層を形成する工程を有する。すなわち、第1集電電極4b、補助電極4cおよびパッド電極4eとなる導電性ペースト層を、1つの印刷工程で形成してもよい。なお、このとき、上述したように、導通電極4dとなる導電性ペースト層もこの1つの印刷工程において形成してもよい。そして、その後、形成された第1集電電極4b、補助電極4c、パッド電極4eおよび導通電極4dとなる導電性ペースト層を焼成することにより、第1面側および貫通孔7内に第1電極4を形成することができる。また、印刷工程Cは、印刷版40を用いて第1集電電極4bおよび補助電極4cとなる導電性ペースト層を形成する第1工程と、第1工程の後に、印刷版60’を用いて第1集電電極4b、補助電極4cおよびパッド電極4eとなる導電性ペースト層を形成する第2工程とを有してもよい。または、印刷工程Cは、印刷版60’を用いて第1集電電極4b、補助電極4cおよびパッド電極4eとなる導電性ペースト層を形成する第3工程と、第3工程の後に、印刷版60を用いて第1集電電極4b、補助電極4c、パッド電極4eおよび導通電極4dとなる導電性ペースト層を形成する第4工程とを有してもよい。このように複数回の印刷を行うことによって、厚みの厚い第1電極4を形成することができ、電極の抵抗を低減させることができる。また、上述した印刷版60、または印刷版60’であれば、第1工程または第3工程において導電性ペースト層が形成された被印刷物の上に、再度、上記印刷版60、または印刷版60’を配置して印刷を繰り返し行っても、緩衝層23の剥がれが生じにくい。また、印刷版60’において貫通孔7の周囲に対応する部分のみドーナツ状の導電性ペースト層が設けられるように第1貫通部24が形成されている。そのため、パッド電極4eにおいて貫通孔7内に導電性ペーストの充填を避けることができる。さらには、印刷版60’において、図11に示すように、貫通孔7に対応する部分に円形状の金属板21および緩衝層23が設けられ、ブリッジ26が十字形状に形成されている。このような形態の印刷版60’を用いて導電性ペーストを塗布することにより、導電性ペーストの抜け性が向上し、形成された導電性ペースト層のにじみを低減することができる。<第4の実施形態に係る第1電極4の印刷工程>本実施形態に係る印刷工程は、上述した第6実施形態に係る印刷版70を用いて第1電極4の印刷を行う工程である。第4の実施形態に係る第1電極4の印刷工程Dは、第1主面に、太陽電池素子の位置合せのためのアライメントマーク8となる導電性ペーストを印刷する工程第2印刷工程を有している。本実施形態に係る印刷工程Dは、例えば、図1または図4に示すような太陽電池素子の位置合わせに用いられるアライメントマーク8を半導体基板1の一主面に設ける場合であって、例えば、アライメントマークが円形状に形成される場合に行われる。具体的には、図12に示す印刷版70を用いてアライメントマーク8を印刷すればよい。本実施形態では、長尺状の第3ブリッジ部26cの長手方向とのなす角度が鋭角となるようにスキージを移動させて導電性ペーストを印刷すればよい。このような形態では、形成されたペースト層のにじみを低減することができ、加えて、第3ブリッジ部26cの強度を向上させることができる。<第5の実施形態に係る第1電極4の印刷工程>本実施形態に係る印刷工程は、上述した第7実施形態に係る印刷版80を用いて第1電極4の印刷を行う工程である。第5の実施形態に係る第1電極4の印刷工程Eは、第1主面に、第1集電電極4bと直交する方向に設けられて第1集電電極4bと接続される第1出力取出電極4aとなる導電性ペーストを印刷する工程第2印刷工程を有している。具体的には、本実施形態における第2印刷工程は、第1の太陽電池素子10Aにおいて、第1出力取出電極4a、第1集電電極4bおよび補助電極4cに対応する第1貫通部24を有する印刷版80を用いて半導体基板1上に導電性ペーストを印刷する工程である。図13に示すように、印刷版80において、第1出力取出電極4aの形成に対応する第4ブリッジ26dが第1貫通部24内をまたがるように、かつ網状に形成されている。そのため、スキージを第1出力取出電極4aの長手方向に対してほぼ垂直に移動して導電性ペーストを塗布した場合、複数回印刷を繰り返した際の印刷版40の破れ等の発生を低減することができる。また、本実施形態では、第4ブリッジ26dが第1領域24bの伸びる方向に対して傾斜した十字形状に形成されているため、長尺状の第4ブリッジ26dの長手方向とのなす角度が鋭角となるようスキージを移動させて導電性ペーストを印刷することができる。そのため、線幅の広い電極を形成する場合においても、導電性ペーストの抜け性が向上し、形成された導電性ペースト層のにじみを低減することができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。また、本発明は上述した実施形態の種々の組合せを含むものであることは言うまでもない。