"主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上に形成された抵抗体と、前記抵抗体の上に形成された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に形成された遮光層と、前記遮光層の上に形成された第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層の上部に形成された、レーザーにより切断可能なヒューズを有するヒューズ素子と、を有し、前記抵抗体と前記遮光層との少なくとも一部、及び前記遮光層と前記ヒューズが、前記半導体基板の主表面に対して垂直な方向に重なっていることを特徴とする半導体装置。前記抵抗体が多結晶シリコン膜から成ることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記遮光層がアルミニウムを含む第1の配線層からなることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記ヒューズ素子が、前記第1の配線層よりも上部に形成される、アルミニウムを含む第2の配線層からなることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。前記抵抗体と前記ヒューズ素子とが、導電層によって並列に接続されていることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。前記ヒューズ素子に対しひとつあるいは組み合わされた複数の前記抵抗体が導電層によって並列に接続されていることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。前記遮光層が、前記抵抗体と前記ヒューズ素子との間に、前記半導体基板の主表面に対して垂直な方向に複数形成されていることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置。しかしながら、図6で示した構造では、ヒューズ素子と抵抗体が絶縁膜で分離されているが、絶縁膜は光を透過する性質があるため、レーザー光によってヒューズを切断した際に、レーザー光が絶縁膜を透過して抵抗体にダメージを与える可能性があることが問題である。また、分圧比の精度を向上させるため、抵抗体の上にメタルのカバーを配置することがよくあるが、図6に示した構造ではそれができない。そのため、抵抗分圧回路の精度の面でも問題となる。上記の課題を解決するため、本発明は以下の手段を用いた。1主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成された第1の絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された抵抗体と、前記抵抗体の上に形成された第2の絶縁層と、第2の絶縁層の上に形成された遮光層と、前記遮光層の上に形成された第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層の上部に形成されたヒューズ素子と、を有し、前記抵抗体と前記遮光層との少なくとも一部、及び前記遮光層と前記ヒューズ素子のヒューズ部が、前記半導体基板の主表面に対して垂直な方向に重なっていること、を特徴とする半導体装置とした。2前記抵抗体が多結晶シリコン膜から成ることを特徴とする1に記載の半導体装置とした。3前記遮光層がアルミニウムを含む第1の配線層からなることを特徴とする1に記載の半導体装置とした。4前記ヒューズ素子が、前記第1の配線層よりも上部に形成される、アルミニウムを含む第2の配線層からなることを特徴とする1に記載の半導体装置とした。5前記抵抗体と前記ヒューズ素子とが、ある導電層によって並列に接続されていることを特徴とする1に記載の半導体装置とした。6前記抵抗体と前記ヒューズ素子とが複数存在し、前記抵抗体の少なくとも1つと前記ヒューズ素子1つとが、ある導電層によって並列に接続されていることを特徴とする1に記載の半導体装置とした。7前記遮光層が、前記抵抗体と前記ヒューズ素子との間に、前記半導体基板の主表面に対して垂直な方向に複数形成することを特徴とする1に記載の半導体装置とした。82個以上の抵抗体により構成され、各抵抗体にヒューズ素子が並列に接続されており、ヒューズ素子を切断することで抵抗体によって分割された電圧の出力を調整できる抵抗分圧回路を備えた半導体装置において、抵抗体とヒューズ素子とが並列に接続された素子が、1に記載の半導体装置によって構成されていることを特徴とする半導体装置とした。本発明では、抵抗分圧比の精度を悪化させることなく、また、ヒューズ素子を切断する際に抵抗体にダメージを与えることなく、抵抗体とヒューズ素子を積層することができる。以下、本発明による半導体装置の実施例について図面を用いて詳細に説明を行う。本発明の実施例を示す半導体装置の透過構造平面図を図1に示す。また、図1の点線A-Aにおける構造断面図を図3に示す。図3に示すように、フィールド絶縁膜4が形成された半導体基板3の上に、例えばポリシコンからなる高抵抗層5と低抵抗層6が形成されている。高抵抗層5は図1の抵抗体の役割を果たしている。また、高抵抗層5の上部には、酸化膜9を挟む形で遮光層8aが、さらにその上部には、酸化膜9をはさむようにヒューズ8cが例えば銅を含有するアルミニウムによってそれぞれ形成されている。遮光層8a、ヒューズ8cは、それぞれ第1層目のメタル配線8b、第2層目のメタル配線8dと、同一の材料、同一の酸化膜表面上に形成されている。メタル配線は、メタル材料を例えばスパッタ法により堆積させ、その後に不要なメタル材料を除去することにより形成される。そのため、それぞれのメタル配線と同時に遮光層8aあるいはヒューズ8cを形成することにより、製造工程の負荷を軽減することができる。ヒューズ8cの上部には、酸化膜9、及びヒューズ8cの中心領域のみ開口されたパッシベーション膜である窒化膜10がそれぞれ形成されている。ここで、ヒューズ8cの中心領域が開口されているのは、後にレーザーによってヒューズ8cを切断できるようにするためである。さらに、高抵抗層5とヒューズ8cは、低抵抗層6、プラグ7、メタル配線8によって並列に接続されている。ヒューズ8cの下部に遮光層8aを形成することにより、窒化膜10の開口部からレーザーによってヒューズ8cを切断したときに、遮光層8aがレーザーのエネルギーを吸収することで、遮光層8aの下にレーザー光が到達しない。そのため、遮光層8aの下部にある高抵抗層5が、ヒューズ切断時に損傷する可能性は極めて低くなる。つまり、ヒューズ切断時に抵抗体を損傷することなく、抵抗体とヒューズ素子とを積層することができる。また、遮光層8aの面積を広くすることにより、遮光層8aに直接レーザーが当たったとしても、レーザーを受けた際に発生する熱を、遮光層8a自体が放熱板となって逃がし、遮光層8a自体の損傷を抑えることが可能である。さらに、高抵抗層5の上部を覆うように遮光層8aを形成することにより、半導体ウェハプロセスの過程における高抵抗層5の抵抗値変動を抑制することができる。具体的には、遮光層8aによって、メタル形成後に行う水素アニール時の水素の進入を妨げることにより、高抵抗層5に水素が結合することで起こる高抵抗層5の抵抗値低下を抑制することができる。さらに、ヒューズ8cの上部は窒化膜が開口しており、この開口部から水分が浸入して高抵抗層5の抵抗値が変動する可能性があるが、これも遮光層8aによって高抵抗層5への水分の浸入を抑制することができる。図2を参照することで、上記で説明した各部の平面的な大きさの違いや位置関係を容易に理解することができる。遮光層8aが上層のヒューズ8cや下層の高抵抗層5よりも広い面積で形成され、かつヒューズ8cおよび高抵抗層5と重畳するように設けられている。さらに、窒化膜開口領域11も平面視的に遮光層8aの内側に設けられている。以上のような構成とすることで、抵抗体1の精度を悪化させることなく、かつ、ヒューズ素子を切断する際に抵抗体にダメージを与えることなく、抵抗体とヒューズ素子を積層することができる。本実施例を、抵抗体1とヒューズ素子2が多数必要となる抵抗分圧回路を備えた半導体装置に適用することにより、大きな面積縮小効果が得られる。図4、5は、抵抗体1とヒューズ素子2が多数形成された抵抗分圧回路の一部を表す平面図であり、抵抗体である高抵抗層5とヒューズ8cが積層されていない構造を図4に、本実施例にて前述した、高抵抗層5とヒューズ8cが積層されている構造を図5に示す。ここで、抵抗体1は、抵抗値Rの高抵抗層5をひとつ有する単位抵抗体を直列、または並列に接続することで、1R、2R,4R,1/2Rなどさまざまな抵抗値となっている。また、図4、5において、単位抵抗体の高抵抗層5及びヒューズ8cの形状と設置間隔は、それぞれ同一である。図4と5を比較すると、ヒューズ8cが高抵抗層5の上部に設置されることにより、ヒューズ8cを配置するための面積が不要となり、抵抗分圧回路を形成するために必要な面積が小さくなっていることは明らかである。さらに、高抵抗層5とヒューズ8cを並列に接続するための配線12が、図5では短く簡素になっている。このことにより、配線12のために必要であった面積が不要になり、抵抗分圧回路を形成するために必要な面積がさらに縮小可能である。さらに、配線長が短くなったため、抵抗体の精度の面で問題となる寄生抵抗を減らすことができる。図5について前述したように、2個以上の抵抗体により構成され、各抵抗体にヒューズ素子が並列に接続されており、ヒューズ素子を切断することで抵抗体によって分割された電圧の出力を調整できる抵抗分圧回路に、本実施例にて前述した半導体装置を適用することにより、大きな面積縮小効果が得られる。以上が本発明の実施例であるが、本発明はこの具体例に限定されるものではない。例えば、実施例では2層配線であったが、3層以上の多層配線であれば、最上層以外のメタル配線で遮光層8aを複数形成することにより、レーザーでヒューズを切断する際のダメージが、より高抵抗層5に到達しにくくすることが可能である。その他、上述した半導体装置の構成については、当業者が公知の範囲から適宜選択したものも、本発明の要旨を含む限り本発明の範囲に包含される。"