"レジストパターンが形成された基板に対して、溶剤を用いて前記レジストパターンの表面の荒れを改善するために処理を行う基板処理方法において、a処理容器内に基板を搬入する工程と、b前記処理容器内に前記溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態で、前記基板を第1の温度の状態としてレジストパターンの表面を前記溶剤により膨潤させるステップと、次に前記基板を、前記第1の温度よりも高い第2の温度まで加熱するステップと、を繰り返す工程と、cその後、前記基板を処理容器の外へ搬出する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。前記aの工程とbの工程との間に、前記レジストパターンの表面に溶剤が膨潤しない温度まで前記基板が加熱されている状態が存在することを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。前記レジストパターンの表面を膨潤させるステップは、レジストパターンの表面に前記溶剤が膨潤しない温度まで加熱された基板を、溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態を維持しながら、前記第1の温度まで前記基板を冷却するステップであることを特徴とする請求項2記載の基板処理方法。前記基板を加熱するステップは、溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態を維持しながら、前記第2の温度まで基板を加熱するステップであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板処理方法。処理容器内には加熱プレートと加熱プレートに対して相対的に昇降する昇降部材が設けられており、基板の加熱は、加熱プレートの上に基板を載置することにより行われ、基板の冷却は前記昇降部材により加熱プレートの上方位置に保持することにより行われることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の基板処理方法。移動自在な冷却用の保持部材が設けられた冷却室を、前記処理容器に仕切り部材を介して接続し、前記処理容器にてレジストパターンの表面を溶剤により膨潤させる一連の工程を終了した後、前記冷却用の保持部材を前記処理容器内に搬入させて前記基板を当該保持部材に移載し、その後当該保持部材を冷却室に移動させて基板を冷却することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板処理方法。レジストパターンが形成された基板に対して、溶剤を用いて前記レジストパターンの表面の荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、前記溶剤の蒸気雰囲気を形成するための処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置部と、この載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、前記溶剤の蒸気を含むガスを、前記処理容器内に供給する溶剤供給部と、前記処理容器内の溶剤蒸気を排気するための排気部と、前記処理容器内に前記溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態で、前記基板を第1の温度の状態としてレジストパターンの表面を溶剤により膨潤させるステップと、次に前記基板を、前記第1の温度よりも高い第2の温度まで加熱するステップと、を繰り返すように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。前記処理容器内に、加熱部に対して相対的に昇降する昇降部を更に備えたことを特徴とする、請求項7に記載の基板処理装置。前記処理容器に雰囲気の仕切り部材を介して接続されると共に移動自在な冷却用の保持素材が設けられた冷却室を更に備えたことを特徴とする、請求項7または8のいずれか一項に記載の基板処理装置。レジストパターンが形成された基板に対して、前記レジストパターンの表面の荒れを改善するために処理を行う基板処理に用いられるコンピュータプログラムが記録された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。本発明は、このような背景の下になされたものであり、基板に形成されたレジストパターンの荒れを高い面内均一性で改善することができる技術を提供することにある。本発明の基板処理方法は、レジストパターンが形成された基板に対して、溶剤を用いて前記レジストパターンの表面の荒れを改善するために処理を行う基板処理方法において、処理容器内に基板を搬入する工程と、前記処理容器内に前記溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態で、前記基板を第1の温度の状態としてレジストパターンの表面を前記溶剤により膨潤させるステップと、次に前記基板を、前記第1の温度よりも高い第2の温度まで加熱するステップと、を繰り返す工程と、その後、前記基板を処理容器の外へ搬出する工程と、を含むことを特徴とする。本発明の基板処理装置は、レジストパターンが形成された基板に対して、溶剤を用いて前記レジストパターンの表面の荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、前記溶剤の蒸気雰囲気を形成するための処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置部と、この載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、前記溶剤の蒸気を含むガスを、前記処理容器内に供給する溶剤供給部と、前記処理容器内の溶剤蒸気を排気するための排気部と、前記処理容器内に前記溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態で、前記基板を第1の温度の状態としてレジストパターンの表面を溶剤により膨潤させるステップと、次に前記基板を、前記第1の温度よりも高い第2の温度まで加熱するステップと、を繰り返すように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。本発明の記憶媒体は、レジストパターンが形成された基板に対して、前記レジストパターン表面の荒れを改善するために処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。本発明は、基板の表面に形成されたレジストパターンの荒れを溶剤により平坦化する処理を行うにあたり、処理容器内に溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態で、前記基板を第1の温度の状態としてレジストパターンの表面を溶剤で膨潤させるステップと、レジストパターンの表面の溶剤による膨潤が抑制される、第1の温度より高温である第2の温度まで加熱するステップと、を繰り返すようにしている。従って溶剤の蒸気雰囲気に置かれた基板を冷却してレジストパターンの表面全体がほぼ実質同時に膨潤し、また膨潤したレジストパターンの表面全体がほぼ実質同時に乾燥する工程が含まれるので、基板の面内均一性の高い処理を行うことができる。以下、本発明の基板処理方法の実施形態を、この方法を実施する基板処理装置と共に図面を参照して説明する。この基板処理装置は、レジストパターンが形成された基板に対して、前記レジストパターンの荒れを改善する表面処理方法を行うための装置である。図1は、基板処理を行うための処理モジュールであり、図1に示すように、処理容器に相当する処理室11及び冷却室41を備えている。処理室11と冷却室41とは図1及び図2中左右方向X軸方向に並ぶように設けられている。図1では前記処理室11の左側面部には、基板であるウエハWの搬出入口63が形成されると共に、処理室11と冷却室41との間には連通口64が形成されている。搬出入口63及び連通口64は、夫々雰囲気を仕切る仕切り部材であるシャッタ61、62により開閉されるように構成される。処理室11の底部には、ウエハWを載置するための加熱部である加熱プレート21が設けられている。この加熱プレート21には抵抗発熱体からなるヒータ22が内蔵されており、加熱プレート21に載置されるウエハWが加熱されるように設定されている。また、ウエハWを保持して昇降させるための昇降部材をなす例えば3本の昇降ピン24が、処理室11底部の下方から加熱プレート21の内部に貫通して設けられている。この昇降ピン24は昇降機構23により昇降する。昇降ピン24及び昇降機構23は、昇降ピン24の貫通孔を介して処理室11内の雰囲気が外部に漏れ出さないようにするために、カバー27により覆われている。処理室11の上部には、加熱プレート21に載置されたウエハWの表面全体と対向するように天井部材25が設置されている。この天井部材25は例えばステンレス鋼により構成され、ウエハWと対向する面が前記加熱プレート21上のウエハWの温度よりも低い温度に維持されるように構成されている。この例では、天井部材25の内部には、例えばヒータや温調流路により構成された温度調整機構26が設けられており、天井部材25の温度調整が行われる。処理室11の上部中央には溶剤蒸気を含むプロセスガス供給口13がウエハWの搬送方向に直交する方向Y方向に伸び、ウエハWの直径をカバーする長さ寸法のスリット状構造に形成されている。プロセスガス供給口13はガス供給管76及びガス供給制御機器群75を介して溶剤供給源71に接続されている。前記ガス供給管76は途中で分岐し、ガス供給制御機器群75を介してN2ガス供給源72に接続されている。V1~V5はバルブ、f1~f6は流量計であり、説明の簡略化のため、これらをまとめてガス供給制御機器群75として取り扱っている。ガス供給制御機器群75は、ガスを加温できる構成となっている。具体的には、ガス供給制御機器群75をケース体に収納し、当該ケース体内にヒータを設ける構成などが採用される。また、ガス供給制御機器群75中の配管及びガス供給管76は例えば断熱材により被覆されるようにしてもよいし、あるいはテープヒータを巻き付けるなど、加熱機構を設けてガスを加温できるようにしてもよい。前記処理室11には搬出入口63に各々上下から対向して臨むように、置換ガスであるN2ガスを供給するためのN2ガス供給路14a、15aが形成されると共に、これらN2ガス供給路14a、15aよりも内側処理室11の中央寄りに排気路14b、15bが形成されている。また前記処理室11には、連通口64に各々上下から互いに対向して臨むように、同様にN2ガス供給路16a、17a及び排気路16b、17bが形成されている。N2ガス供給路14a、15a、16a、17aはY方向に伸び、ウエハWの直径をカバーする長さ寸法のスリット状構造に形成され、処理室11内にある吐出口は外壁側から容器内部へ斜め方向にガスを吐出するように形成されている。N2ガス供給路14a、15a、16a、17aは、ガス供給管76及びガス供給制御機器群75を介してN2ガス供給源72に接続されている。また、排気路14b、15b、16b、17bについても、Y方向に伸び、ウエハWの直径をカバーする長さ寸法のスリット状構造に形成されている。これらの排気路は排気管を介して処理室1の外部で合流し、バルブV6を経由して排気機構73に接続されている。前記冷却室41内には、ウエハWを冷却するための保持部材である冷却アーム51が設けられている。前記冷却アーム51は、移動機構52により連通口64を介して処理室11内へ水平移動することが可能である。図2に示すように、前記冷却アーム51上には、前記昇降ピン24と平面的に干渉しないように、冷却アーム51の移動方向に伸びるスリット54が形成されている。前記冷却室41の底面にはY方向に伸びるスリット状の排気路18bが設けられており、配管を通じてバルブV6を経由し排気機構73に接続されている。前記冷却室41の上部中央にはY方向に伸び、ウエハWの直径をカバーする長さ寸法のスリット状構造に形成されているN2ガス供給口18aが設けられ、ガス供給制御機器群75を介してN2ガス供給源72に接続されている。こうして溶剤濃度とN2濃度が適宜調製されたプロセスガスを処理室11全体に供給することと、N2ガスを処理室11内及び冷却室41内に供給することとが可能となっている。ここで、前記溶剤としては、レジストパターンを溶解する性質を持つ溶剤が用いられ、一例としては、アセトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、γブチルラクトン、ピリジン、Nメチル2ピロリジノンNMP、乳酸エチル、2-へプタノン、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、アニソール、ジメチルスルホキシドDMSO、m-クレゾール等が用いられる。以上に説明してきた基板処理装置は、制御部100により制御されるように構成されている。この制御部100はたとえばコンピュータからなり、プログラム、メモリ、CPUを備えている。前記プログラムには制御部100から基板処理装置の各部に制御信号を送り、後述の動作を実行して所定の表面処理を行うように命令各ステップが組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO光磁気ディスク等の記憶部に格納されて制御部100にインストールされる。ここで前記プログラムには、ヒータ22、昇降ピンの昇降機構23、温度調整機構26、ウエハ搬送アーム31、冷却アーム移動機構52、シャッタ61、62、溶剤供給源71、N2ガス供給源72、排気機構73、ガス供給制御機器群75を制御するためのプログラムも含まれており、制御部100のメモリに予め記憶されたプロセスレシピに応じて、前記各部が制御されるようになっている。続いて、図1、図3~図7を用いて本発明の表面スムージング処理方法について説明する。なお、溶剤供給源71、N2ガス供給源72、排気機構73、ガス供給制御機器群75、制御部100などについては記載を省略している場合もある。なお、ここでは溶剤の例としてPGMEAを使用することとして説明を進める。まず、図1に示す加熱プレート21を含む処理室11内の温度をヒータ22及び温度調整機構26により、後述のプロセスガス雰囲気においてウエハW上のレジストパターンがPGMEAに膨潤されるときの温度よりも、例えば1°C~10°C程度高い温度に加熱する。また搬出入口63側のN2ガス流路14a、15aからN2ガスを吐出させてガスカーテンを形成し、搬出入口63側の排気路14b、15bから排気を開始する。そして、たとえば室温のウエハWを保持したウエハ搬送機構である外部のウエハ搬送アーム31を搬出入口63から処理室11内に搬入する。次いで昇降ピン24を上昇させ、昇降ピン24とウエハ搬送アーム31との協働作業によりウエハWをウエハ搬送アーム31から昇降ピン24に受け渡し、ウエハ搬送アーム31を搬出入口63から搬出した後、シャッタ61により、搬出入口63を密閉する。続いて昇降ピン24を下降させ、既述のように加熱した加熱プレート21の上へウエハWを載置する。また搬出入口63をシャッタ61により閉じた後、前記N2ガスの14a、15aからの吐出及び前記排気路14b、15bからの排気を停止させる。その後、図3に示すようにプロセスガス供給口13からプロセスガスを処理室11内へ供給する。図3中、矢印は気体の流れを図示している。ここで、プロセスガスは、PGMEAの露点以上の温度状態で供給する。プロセスガスの温度がPGMEAの露点以下であると、PGMEAの結露によりレジストパターンが溶解されてしまうためである。また、プロセスガス中のPGMEAの濃度は、プロセスガスの露点よりも高い温度、例えば露点より10°C以上高い温度において、PGMEAがウエハW上のレジストパターン表面を膨潤できるために十分な濃度に設定される。プロセスガス供給の手順としては、まず溶剤供給源71からPGMEAを気化状態で配管へと供給する。そしてN2ガス供給源72からのN2ガスと混合し、プロセスガス供給口13から処理室11内へ供給する。このプロセスガスは、ガス供給制御機器群75により上記の温度条件及び濃度条件を満たすように調製される。処理室内が均一にプロセスガスで置換されるよう、図3に示すように同時に排気路14b、15b、16b、17bから排気を行う。矢印はプロセスガス及び排気の流れである。プロセスガスでの置換中、加熱プレート21上のウエハWは、ヒータ22により、PGMEAの露点温度より高く、沸点よりも低い温度、例えば50°Cに熱する。また、温度調整機構26により天井部材25は加熱プレート21よりも低い温度、例えば40°Cに熱する。処理室11内をプロセスガスで均一に置換した後、プロセスガスの供給及び排気を停止する。そして、図4の破線で示すように、昇降ピン24を上昇させ、ウエハWを加熱プレート21から予め設定された高さ位置まで上昇させる。加熱プレート21から離間したことにより、ウエハWの温度が下降し、これによりウエハWの周囲のPGMEAが凝縮して、ウエハWのレジストパターン表面に浸透し、レジストパターン表面はPGMEAで膨潤した状態になる。ウエハWを冷却するときには、既に処理室11内には溶剤の蒸気雰囲気が形成されているので、上述した、PGMEAがウエハWのレジストパターン表面を膨潤できる温度まで冷却されると、表面全体に亘ってほぼ同時にレジストパターンの膨潤が起こる。このままウエハWを冷却させていくと、PGMEAがレジストパターン内部まで浸透し、レジストパターンが過膨潤し、倒壊したり溶解したりしてしまうおそれがある。そこで、過膨潤する前に図4の実線で示すように再びウエハWを加熱プレート21へと下降させ加熱する。ウエハWを加熱することによって、レジストパターン表面のPGMEAを揮発させ、レジストパターンを乾燥させる。しかる後、再びウエハWを昇降ピンにより上昇させて冷却し、レジストパターン表面をPGMEAで膨潤させ、その後再びウエハWを下降させ加熱し、レジストパターンを乾燥させる上述の工程を繰り返す。図4はこの繰り返し工程を示している。この冷却と加熱の繰り返しにより、レジストパターン表面の凹凸が改善される。この作用を図5に示す。図5において、aはレジストパターン表面の処理前の状態であり、レジストパターン表面91に凹凸が見られる。ウエハWを加熱した後冷却させ、レジストパターン表面91をPGMEAで膨潤させた状態がbである。この状態ではPGMEAはレジストパターン表面91に吸収されるが、ウエハWの熱で、レジストパターン内部にまでは浸透しない。レジストパターン表面91が溶剤で溶解する前にウエハWを再加熱し、溶剤を揮発させる。再加熱後の状態がcである。aと比較すると凹凸の差が縮小されている。凹凸が改善される理由は、レジストパターン表面91が一旦溶剤で膨潤し、当該部位では溶剤によってレジストパターン表面が軟化することと、ウエハWを再加熱する間レジストパターンの粘度が低下し、レジストパターン表面91の流動性が一時的に向上することによる。この結果、レジストパターン表面の微細な凹凸のみが平坦化され、パターンの表面の荒れが改善し、パターン線幅のばらつきが低減される。この凹凸改善現象は、ウエハの冷却と加熱を繰り返すことでさらに効果を表す。図5のcの後、再びウエハWを冷却し、レジストパターン表面91を溶剤で膨潤させた状態がdであり、dの後再度ウエハWを加熱し、溶剤を揮発させた状態がeである。cとeを比較すると、更に表面の凹凸が平坦化されている。こうしてレジストパターンの表面を平坦化させるために,例えば3回、ウエハWの冷却と加熱を繰り返す。そして、最後にウエハWを加熱プレート21上で十分加熱し、レジストパターンからPGMEAを完全に揮発させる。しかる後、図1のシャッタ62を開け、昇降ピン24によりウエハWを上昇させる。ウエハWの上昇と同時に、上部のプロセスガス供給口13と連通口64側のN2ガス供給路16a、17aからN2ガスを吐出させる。N2ガス供給路16a、17aからのN2ガスは処理室11における連通口64のガスカーテンの役割をなすものであり、その吐出量は冷却室41に流出しない程度の流量である。また例えば同時に排気路14b、15b、16b、17bから排気を開始する。次に、冷却アームの移動機構52により、冷却アーム51をガイドレール53に沿って移動させ、連通口64から処理室11内に搬入する。冷却アーム51が処理室11内のウエハWの受け渡し位置に到達したところで、昇降ピン24を下降させ、ウエハWを冷却アーム51上に受け渡す。その後、冷却アーム51を、図6に示すように連通口64から冷却室41に格納し、シャッタ62により、連通口64を密閉する。上述のウエハWを冷却室に格納する過程で、プロセスガス供給口13からN2ガスを吐出させる理由は、ウエハWが処理室11と冷却室41とに跨がったときに、レジストパターンに接する雰囲気を揃え、表面処理の不均一性の要因となる懸念を排除するためである。そこで、プロセスガス供給口13からN2ガスを吐出させ、搬出入口63側の排気路14b、15bからも排気を行い、ウエハW表面にまんべんなくN2ガスが当たるようにして、ウエハW表面から溶剤を除去するようにしている。ウエハWを冷却室に格納した後、処理室11において、処理室11内の雰囲気をN2ガスで置換し、溶剤蒸気を処理室11内から排出する。プロセスガス供給口13からはN2ガスを供給すると共に、N2ガス供給路14a、15a、16a、17aからもN2ガスを供給し、排気路14b、15b、16b、17bからは排気を行う。一方、冷却室41においては、ウエハWを冷却アーム51で冷却するとともに、N2ガス供給路18aからN2ガスを供給し、排気路18bから排気を行う。こうすることで、冷却室41内の雰囲気をN2ガスで置換し、溶剤を冷却室41内から排出する。処理室11及び冷却室41をN2ガスで置換した後、シャッタ62を開け、連通口64を介してウエハWを冷却アーム51により処理室11に搬入する。そして、図7に示すように昇降ピン24を上昇させ、冷却アーム51からウエハWを昇降ピン24に受け渡す。その後、冷却アーム51を冷却室41へと格納し、シャッタ62により、連通口64を密閉する。そして、シャッタ61を開け、搬出入口63側のN2ガス流路である14a、15aからN2ガスを吐出させ、排気路14b、15bから排気を開始する。ウエハ搬送アーム31を搬出入口63から処理室11内に搬入する。このときN2ガス流路14a、15aから吐出している前記N2ガスは、ウエハ搬送アーム31に対して吐出されており、処理室11のガスカーテンの役割をする。ウエハ搬送アーム31を所定の受け渡し位置まで挿入した後、昇降ピン24を下降させて、ウエハWをウエハ搬送アーム31に受け渡し、次いで、ウエハ搬送アーム31を搬出入口63から搬出する。そしてシャッタ61により搬出入口63を密閉し、前記N2ガスの14a、15aからの吐出及び前記排気路14b、15bからの排気を停止する。以上、説明した作用について、図8にタイムチャートを示しておく。上述の実施形態では、図5の説明で示したとおり、レジストパターン表面の溶剤による膨潤と溶剤の揮発を繰り返すことにより、レジストパターン表面の荒れが段階的に改善される。このため膨潤が過度に進んでパターン形状が悪化することを抑えることができる。そして処理容器内に溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態で、ウエハWを冷却させてレジストパターンの表面の膨潤を行い、次いでウエハWを加熱することにより膨潤を停止させるようにしている。従ってレジストパターンの表面全体がほぼ同時に膨潤し、またレジストパターンの表面全体がほぼ同時に乾燥するので、面内均一性の高い状態で表面処理が進行する。この結果、レジストパターンの表面の荒れLER:LineEdgeRoughnessを高い面内均一性をもって改善することができ、結果として良好なレジストパターンを得ることができる。このため、後の工程において、精度の高いパターン形状を用いてエッチング処理を行うことができる。その結果として、パターン幅のばらつきLWR:LineWidthRoughnessの発生が抑えられる。また、基板処理に用いられる溶剤等は環境に対して有害な物質が多い。また、作業効率の観点からも、残留溶剤の濃度をコントロールする必要がある。本実施例では、スムージング処理中には処理室11の搬出入口63及び連通口64の夫々にN2ガスによるガスカーテンを設け、スムージング処理後には処理室11及び冷却室41ともにN2ガスでパージを行っている。これらの工程により、ウエハが装置の外部へ搬出されていく際に、外部環境へ漏洩していく溶剤蒸気の量を抑えることができる。続いて、第1の実施形態の装置を用い、異なる手順でスムージング処理を行う変形例について、図9及び図10を用いて説明する。スムージング処理に先立ち、ウエハWを処理室11に搬入する前に、例えばウエハWを外部の図示しない加熱プレートを備えたモジュールにより加熱しておく。このときのウエハWの加熱温度は、その後搬送アームにより処理室11内に搬入されたときにレジストパターン表面が溶剤で膨潤されない温度に維持されるように、搬送途中のウエハWの温度の下降分を見込んで設定される。また、処理室11内の温度は、前述の実施形態と同様に、プロセスガス雰囲気においてウエハW上のレジストパターンが溶剤に膨潤されるときの温度から、例えば1°C~10°C程度高い温度に熱しておく。加熱されたウエハWは、ウエハ搬送アーム31により、処理室11内に搬入され、図9に示すように、昇降ピン24に受け渡される。ウエハWの搬入時には、搬出入口63側のN2ガス供給路14a、15aから温調したN2ガスを吐出し、ウエハWの温度低下を抑制する。ウエハ搬送アーム31を搬出した後、シャッタ61を閉め、N2ガス供給を停止する。ウエハWは昇降ピン24により加熱プレート21の上方位置で保持されており、図10に示すように、この状態で、プロセスガス供給口13からプロセスガスを供給する。排気路14b、15b、16b、17bからは排気を行い、処理室11内の雰囲気をプロセスガスで置換する。処理室11内のプロセスガス濃度が均一かつ所定の濃度になった時点でガス供給及び排気を停止する。次いで、ウエハWを加熱プレート21上へと載置する。この場合加熱プレート21の温度よりウエハWの温度の方が高いので、加熱プレート21への載置によりウエハWの温度は低下する。N2ガスからプロセスガスへの置換のタイミングは、ウエハWを加熱プレート21上に載置した状態であってもよい。この場合にも、処理室11内のプロセスガス濃度が均一かつ所定の濃度になった時点でガス供給及び排気を停止する。そして、既述の図4に示した手順と同様に、ウエハWを昇降させ、温度変化によってウエハWのレジストパターン表面を溶剤で膨潤させた状態と乾燥させた状態にすることを繰り返す。最後にウエハWを十分に加熱し、溶剤を気化させウエハWを乾燥させる。その後の、ウエハWの冷却、処理室11内及び冷却室41のN2ガスによるパージ手順、ならびにウエハWの装置外への搬出手順は、既述の例と同様である。この変形例では、処理室11内にウエハWをスムージング処理温度よりも高温で搬入し、最初にレジストパターンの表面が膨潤されないようにするところに特徴がある。スムージング処理により得られる効果は、既述の例と同様である。[第2の実施形態]続いて、第2の実施形態に係る装置について図11~図14を用いて説明する。なお、図11~図14中、第1の実施形態に相当する部位には同じ符号を付し、説明を省略する。また、図12~図14では、昇降ピンの昇降機構23、ウエハ搬送アーム31、シャッタ61、溶剤供給源71、排気機構73、制御部100などについては記載を省略している。図11において処理室12は、第1の実施形態における処理室11に相当し、冷却室は設けられていない。処理室12の底面には、N2ガス供給口13aが設けられ、搬出入口63にはN2ガス供給路14a、15aが設けられている。まず第1の実施形態と同様に、処理室12内をスムージング処理時の温度より高温に熱しておく。搬出入口63に臨むN2ガス流路14a、15aからN2ガスを吐出させるときに排気路14b、15bから排気を開始する。そして室温のウエハWを外部のウエハ搬送アーム31により、搬出入口63を介して処理室12内に搬入し、昇降ピン24とウエハ搬送アーム31との協働作業で、ウエハWを加熱プレート21上に載置する。ウエハ搬送アーム31を搬出後、シャッタ61を閉じ、搬出入口63を密閉すると同時に前記N2ガス流路14a、15aからのガス吐出及び前記排気路14b、15bからの排気も停止させる。次いで図12に示すように、プロセスガス供給口13からプロセスガスを供給する。プロセスガスの温度及び濃度の条件は第1の実施形態の第1の例と同様である。一方排気路14b、15b、16b、17bからも排気を行い、処理室12内の雰囲気をプロセスガスで均一に置換した後、図13に示すように、加熱されたウエハWを上昇させ、ウエハWのレジストパターン表面を冷却することによって溶剤で膨潤した状態とする。次いで、ウエハWを下降して加熱プレート21上に載置して加熱し、乾燥した状態にする。これら2つの状態の繰り返しを例えば3回行った後、最後にウエハWを加熱プレート21上で十分に加熱し、溶剤を気化させウエハWを乾燥させる。このレジストパターン表面処理における作用は、図5で示した第1の実施形態における作用と同様である。前記の表面処理の後、図14に示すように、ウエハWを昇降ピン24により加熱プレート21の上方位置で保持する。そしてプロセスガス供給口13及びN2ガス供給口13a、すなわち処理室12の上下から温調した状態のN2ガスを供給し、各排気路14b、15b、16b、17bから排気を行うことで、処理室12内をN2ガスでパージする。N2ガスを温調した状態にする理由は、処理室12内における溶剤気体の液滴化を防止するためである。またN2ガスを上下両面から供給する理由は、片面中央からのN2ガス供給のみの場合、ウエハW上で溶剤の揮発速度が部位によって異なり、すなわち中央部から優先的に溶剤が揮発するからである。その結果としてレジストパターン表面の凹凸の改善効率が中央では高いが、外周部ほど低くなる。そこで裏面からもN2ガスを供給することによって、外周部の溶剤の揮発を促進させ、ウエハW全体で溶剤の揮発量を平均化させるようにしている。最終的には第1の実施形態にて説明した手順と同様に、昇降ピン24とウエハ搬送アーム31との協働作業により処理室12内からウエハWを搬出する。この第2の実施形態に対しても、第1の実施形態で示した既述の変更例を適用することができる。[第3の実施形態]続いて、第3の実施形態に係る装置について図15を用いて説明する。図15中、第1、第2の実施形態の構成と同じ構成の部位には同様の符号を付し、説明を省略する。また、溶剤供給源71、N2ガス供給源72、制御部100などについては記載を省略している。図15中、処理室12は図1と同様の昇降ピン24により外部機構図示せずとの間でウエハWの受け渡しを行う。処理室12の左側面には、壁面内上部と下部に夫々排気路14bと15b、処理室12の右側面には、壁面内上部と下部に夫々排気路16bと17b、蓋体の上面中央にはプロセスガス供給口13が設けられている。各排気路及びプロセスガス供給口13はY方向に伸びるスリット状である。処理室12内底面にはLED発光ダイオードモジュール81が載置されている。このLEDモジュール81は、多数のLEDランプの組み合わせにより、赤外線を放射する。そしてプロセスガスは前述の実施形態と同様に、ガス供給制御機器群75で調製され、プロセスガス供給口13から供給される。この装置における処理方法は以下の通りである。まず、外部搬送機構図示せずから昇降ピン24にウエハWを受け渡した後、LEDモジュール81の上方で、昇降ピン24によりウエハWを保持する。昇降ピン24の代替として、LEDモジュール81を覆う形の石英の台を処理室12内に設け、その上にウエハWを載置してもよい。そしてLEDモジュール81を点灯させ、ウエハWを加熱する。ウエハWが溶剤により膨潤しない温度まで熱せられたところで、プロセスガス供給口13からプロセスガスを供給し、同時に排気路14b、15b、16b、17bから排気を行うことで前述の実施形態と同様のプロセスガス雰囲気を形成する。プロセスガス条件が整ったところで、ガス供給及び排気を停止させる。しかる後に、LEDモジュール81を消灯させ、ウエハWを冷却する。そしてウエハWの温度が前述のウエハWのレジストパターン表面を溶剤で膨潤できる一定温度以下となると、既述の図5bの状態、即ち、ウエハWのレジストパターンの表面が溶剤で膨潤した状態になる。この時点で再びLEDモジュール81を点灯させると、赤外線が再びウエハWに供給されるので、ウエハの温度は上昇する。そしてレジストパターンの表面中の溶剤は揮発し、図5cのレジストパターンの表面が乾燥した状態になる。以降LEDモジュール81の消灯と点灯を複数回繰り返すことにより、上述の実施形態と同様に、レジストパターンの表面の溶剤による膨潤と乾燥を繰り返す。このレジストパターン表面処理における作用は、図5で示した第1の実施形態における作用と同様である。最後にLEDモジュール81を点灯させ、ウエハWのレジストパターンの表面を乾燥させる。そしてN2ガスをプロセスガス供給口13から供給し、同時に排気路14b、15b、16b、17bから排気を行い、処理室12内の雰囲気をN2ガスでパージした後に、処理室12からウエハWを搬出する。以上の実施形態及び実施例にて、ウエハWの処理については、先ずウエハWを処理室内に室温で搬入し、この状態でプロセスガスを供給してウエハW上のレジストパターンを膨潤させ、その後、第1の実施形態から第3の実施形態で説明したように,ウエハWの加熱と冷却を繰り返し、例えば最後に加熱した上で処理室内から搬出してもよい。第1の実施形態のように冷却室にてウエハWの冷却を行う場合には、ウエハWを冷却した後、直接冷却室内から搬出してもよい。また、各実施形態にて、ウエハの処理を連続して行う場合には、ウエハを装置外部へ搬出する際の溶剤の漏洩量を低減する観点から、ウエハ1枚ごとに、前述した処理容器内をパージする工程を行うことが望ましい。即ち、処理室11及び冷却室41のN2ガスパージ、並びに処理室12内のN2ガスパージは、ウエハ1枚を処理する毎に行われることが望まれる。さらに、各実施形態にて、ウエハを処理容器内に載置した後かつプロセスガスを装置内へ供給する前に、一旦真空排気を行うように構成してもよい。真空排気を予め行っておくことで、プロセスガスにより処理室の雰囲気を置換する時間を短縮でき、また処理室内のプロセスガスの濃度も安定し易くなるためである。"