イオン注入を用いた太陽電池の製造方法であって、基板をイオン注入チャンバに入れ、前記基板に注入すべき連続的なイオン流を発生させ、前記イオン流を前記基板の表面に向かわせて前記基板の表面に連続的なイオン衝撃を発生させ、前記基板の層をアモルファス化しながら前記基板中にイオンを注入する、方法。前記連続的なイオン流を発生させる工程において、前記基板の表面全体に同時に注入が可能な程度に十分に大きな横断面を持つイオンのビームを生成する、請求項1に記載の方法。イオン注入すべき前記基板の領域を確定し、前記連続的なイオン流を発生させる工程において、イオン注入すべき前記基板の前記領域全体に同時に注入が可能な程度に十分に大きな横断面を持つイオンのビームを生成する、請求項1に記載の方法。前記連続的なイオン流を発生させる工程において、注入すべき種を含むガスを用いてプラズマを持続させ、前記種のイオンのビームであって前記基板の表面全体に同時に注入が可能な程度に十分に大きな横断面を持つビームを抽出する、請求項1に記載の方法。前記注入のエネルギーが5-100keVである、請求項1に記載の方法。前記注入のエネルギーが20-40keVである、請求項1に記載の方法。線量率が1E15イオン/cm-2/秒よりも大きい、請求項1に記載の方法。急速熱処理により前記基板のアニーリングを行う、請求項2に記載の方法。前記アニーリングを600-1000°Cでおよそ1-10秒間行う、請求項8の方法。前記イオンを注入する処理に続いて、アニーリングを行わずに前記基板上に金属化層を形成し、前記金属化層の形成後に前記基板のアニーリングを行って、前記金属化層のアニーリング、前記アモルファス化層の再結晶化、および注入ドーパントの活性化を同時に実施する、請求項1に記載の方法。基板のイオン注入方法であって、基板をイオン注入チャンバに入れ、前記基板に注入すべき連続的なイオン流を発生させ、前記イオン流を前記基板の表面に向かわせて、前記基板の自己アニーリングを抑止しながら前記基板の表面に連続的なイオン衝撃を発生させる、方法。前記基板の自己アニーリングを抑止する工程において、イオン注入すべき前記基板全体に連続的なイオン種の衝撃を発生させる、請求項11の方法。イオン注入すべき前記基板の層を完全にアモルファス化する、請求項12の方法。前記基板の前面全体に同時に注入する、請求項12の方法。前記連続的なイオン流を発生させる工程において、注入すべき種を含むガスを用いてプラズマを持続させ、前記種のイオンの柱であって前記基板の表面全体に同時に注入が可能な程度に十分に大きな横断面を持つ柱を抽出する、請求項11に記載の方法。前記イオンの柱を抽出する工程において、前記プラズマから複数のイオンビームを抽出し、前記複数のイオンビームを組み合わせて一つのイオンの柱にする、請求項15に記載の方法。前記注入のエネルギーが5-100keVである、請求項16に記載の方法。線量率が前記基板の指定の層を完全にアモルファス化するように設定されている、請求項16に記載の方法。前記線量率が1E15イオン/cm-2/秒よりも大きい、請求項18に記載の方法。平均線量が5E14-5E16cm-2である、請求項18に記載の方法。基板のイオン注入方法であって、基板をイオン注入チャンバに入れ、前記基板に注入すべき連続的なイオン流を発生させ、前記イオン流を前記基板の表面に向かわせて前記基板の表面に連続的なイオン衝撃を発生させ、前記基板の表面全体を同時にアモルファス化する、方法。前記連続的なイオン流を発生させる工程において、注入すべき種を含むガスを用いてプラズマを持続させ、前記種のイオンの柱であって前記基板の表面全体に同時に注入が可能な程度に十分に大きな横断面を持つ柱を抽出する、請求項21に記載の方法。図1は、従来技術および本開示に係る方法の瞬間イオン注入線量を比較するプロット図である。図示したように、ウェハ100は、2次元的にスキャンしてウェハをカバーするペンシルビーム105を用いて注入される。これによる基板の各点における瞬間線量率は、高瞬間線量率だが極小持続時間の周期的な注入としてプロットされている。これにより局部加熱、続く自己アニーリングおよび欠陥集合体が生じる。同様に、ウェハ110は、一方向にスキャンしてウェハをカバーするリボンビームを用いて注入される。これによる基板の各点における瞬間線量率は、やや高瞬間線量率だが短持続時間の周期的な注入としてプロットされている。これによっても局部加熱、続く自己アニーリングおよび欠陥集合体が生じる。一方、一実施形態では、ウェハ120は、連続的なビーム束125を用いて注入され、注入すべき各点ここではウェハ全体にイオンが連続的に注入され、自己アニーリングは発生しない。このことからわかるように、図1にプロットした総線量率はさまざまな方法のプロットを積分することで求められる。3つのシステムで積分線量率がすべて等しくなるようにシステムを設定することができる。しかし、ウェハの各点における瞬間線量率はペンシルビームが最も大きく、リボンが若干小さく、本実施形態に係る連続オンビームが最も小さい。そのゆえ、ペンシルおよびリボンビームの積分線量率はウェハを加熱し過ぎないように制限される。一方、本実施形態の連続オンビームは平均線量率をもっと大きくしてもなおウェハを許容温度に保つことができる。例えば、ある実施形態では、線量率は1E15イオン/cm-2/秒よりも高く設定した。ある例では、注入エネルギーを20keV、線量率を3E15cm-2というように注入条件を設定した。図2を参照すると、プロットから本開示に係る方法の有利な点が明白である。図2は、従来技術の注入装置および本実施形態についてのアニーリング後の欠陥数と線量率とを対比したプロット図である。図2において、本実施形態はインテバック注入装置と表示している。図2のプロットからわかるように、ペンシルビームのイオン注入ではアニーリング処理後に残った欠陥数が最も多く、本開示に係る方法では最も少ない、またはアニーリング処理後に欠陥が残らない。また、プロットに示した欠陥数の違いから、欠陥は自己アニーリングのメカニズムによって発生し、本開示に係る方法を用いれば欠陥が発生しないと推論することができる。また、図2は、平均線量率が増大すればアニーリングメカニズムが改善されることを示している。これは、線量率の増大によって欠陥がより能率的に蓄積するが、平均線量率が増大するにつれてよりアニーリングされやすくなることを示している。また、連続的に注入した場合、基板は自己アニーリングする機会がないため、本開示に係る方法によってより優れた基板のアモルファス化が可能となる。上記の実施形態において、基板は従来の炉または急速熱処理RTPを用いてアニーリングすることができる。一実施形態では、例えば、炉内で930°Cの温度でおよそ30分間、ウェハのアニーリングを行った。一方、RTPを用いて600-1000°Cの温度でおよそ1-10秒間、具体的に5秒間、ウェハのアニーリングを行った。特に、ビームラインで注入され従来手法でアニーリングされた試料を調査したところ、酸化物層が付加されることが判明した。具体的には、ラザフォード後方散乱分光法RBSにより、アニーリング後の残留ダメージを示す広いシリコンピークが示された。一方、本開示に係る方法でRTPアニーリングされたウェハのRBSプロットは酸化物も広いシリコンピークも示しておらず、これは試料が完全に再結晶化したことを示している。図3Aは、一実施形態に従ってイオン注入した後のウェハの顕微鏡写真であり、図3Bは、従来の炉内で930°Cで30分間のアニーリングを行った後のウェハの顕微鏡写真である。注入はPH3ソースガスを用いて20keVおよび3E15cm-2で行った。図3Aの顕微鏡写真からわかるように、注入層は完全にアモルファス化されている。また、図3Bの顕微鏡写真は、無欠陥で完全再結晶化した層を示している。図4は、本開示に係る方法を実施可能な一実施形態に係るプラズマ格子注入システム800の3次元断面透視図である。システム800は、第1の格子板850、第2の格子板855、および第3の格子板857を収容するチャンバ810を備えている。格子板は、シリコン、グラファイト、シリコンカーボン、およびタングステンなどのさまざまな材料で形成することができるが、材料はこれに限定されない。各格子板はイオンを通過させることができる複数の開口部を有する。プラズマ源はプラズマをチャンバ810のプラズマ領域に維持する。図4では、このプラズマ領域は第1の格子板850の上部に位置する。ある実施形態では、ガス吸気口820を通じてプラズマガスがプラズマ領域に供給される。プラズマガスは、アルゴンなどのプラズマ維持ガスと、リン、ボロンなどの含むドーピングガスとの混合ガスである。さらに、例えば、ゲルマニウムなどの非ドーパントアモルファス化ガスが含まれていてもよい。ある実施形態では、真空口830を通じてチャンバ810の内部が真空にされる。ある実施形態では、チャンバ810の外壁に断熱材895が巻き付けられる。ある実施形態では、電界および/または磁界を用いてプラズマ領域内でイオンを跳ね返すように、チャンバの壁が、例えば、永久磁石または電磁石で構成されている。目標のウェハ840はプラズマ領域から格子板の反対側に置かれる。図4において、目標のウェハ840は第3の格子板857の下に置かれる。目標のウェハ849は調整可能な基板保持によって支えられ、目標のウェハ840は均一注入位置格子板に近い位置と選択的注入位置格子板から遠い位置との間で調整可能となっている。プラズマイオンは、第1の格子板850に直流電位を印加することでイオンビーム870の形で目標のウェハ840に向けて加速される。これらイオンはウェハ840内に注入される。イオンがウェハ840および他の材料に衝突することによる二次電子の悪影響は、最初の格子に対して逆バイアスされた第2の格子板855を使用することで回避される。この逆バイアスされた第2の格子板855はウェハ840から飛び出す電子を抑制する。ある実施形態では、第1の格子板は80kVにバイアスされ、第2の格子板855は-2kVにバイアスされる。しかし、他のバイス電圧も適用可能である。第3の格子板857はビームの特徴付けグリッドとして機能し、一般的に接地される。第3の格子板857は、注入の最終決定をするために基板の表面と接触してまたは極めて近くに配置される。この格子板857はビーム決定マスクとして機能し、選択的な注入が要求された場合に、要求された臨界の配置を提供することができる。第3の格子板857は、ビームを特徴付ける選択的注入を達成するためのシャドーマスクとして構成することができる。さらに、第3の格子板857は、マスクを必要としないビーム成形の任意の形状に置き換えまたは補完することができる。図4の実施形態において、イオンはプラズマゾーンから抽出され、基板に向けて加速される。基板が格子板から十分に離れていれば、イオンビーム870は十分な移動距離があり、基板に向けて移動中にイオンの柱columnを形成する。これは、格子板を出た各イオンビーム870の自然拡散特性によって引き起こされる。イオン柱の横断面の均一性は、とりわけ、格子板における孔の数、大きさ、および形状、格子板間の距離、および格子板と基板との距離によって調整可能である。なお、図4の実施形態では格子板および/または基板を用いてイオン柱の生成およびその均一性を制御したが、他の手段を用いることもできる。主たる目的は、基板の表面全体に同時かつ連続的に注入することができる程度に十分に大きな横断面を持つイオンの単一の柱を生成することにある。もちろん、選択的な注入を行うのであれば、第3の格子板を用いて柱の一部を遮断することができる。上記からわかるように、実施形態に係る方法は、基板をイオン注入器に入れ、基板の全領域をカバーするのに十分に大きい横断面サイズのイオンビームまたはイオン柱を生成し、イオンが基板上に連続的に注入され、基板の層がアモルファス化されるようにビームを向けることで進む。スループットを向上するために、その後、RTPチャンバ内で固相エピタキシャル再成長SPERのアニーリングメカニズムを利用して基板のアニーリングを行うことで、アモルファス層が再結晶化する。また、このアニーリングによって、イオンビームから注入されたドーパントが活性化される。太陽電池の製造に利用される別の実施形態では、イオン注入後にアモルファス化層の上に金属化層を含む太陽電池のさらなる層が形成される。その後、基板がRTPチャンバに送られて金属化層およびアモルファス化層のアニーリングが同時に行われる。つまり、金属化アニーリング処理を用いてSPERアニーリングが達成されるため、イオン注入処理後に別々のアニーリング工程が不要である。具体的な材料、および具体的な処理工程の実施例の観点から本発明について説明したが、これら具体例を変形することができること、および、そのような構造および方法が、説明および図示した実施例、および添付の特許請求の範囲により定義される本発明の範囲から逸脱することなくなし得る改変に関する動作の考察から理解できることは、当業者であれば理解できるであろう。