"配線基板と、前記配線基板上に実装された半導体素子と、前記半導体素子の上方に配置され、前記半導体素子と熱的に接続された第1放熱手段と、前記第1放熱手段の上方に配置され、前記第1放熱手段と熱的に接続された第2放熱手段と、を有し、前記第1放熱手段及び第2放熱手段の一方の放熱手段には、前記第1放熱手段及び前記第2放熱手段の他方の放熱手段に向かって突出する突起部が、前記一方の放熱手段を平面視した状態で、前記一方の放熱手段の中心点に対して同心円となる円周上に複数形成され、前記他方の放熱手段には、内部を前記突起部が移動可能なように形成された溝部が、前記他方の放熱手段を平面視した状態で、前記他方の放熱手段の中心点に対して同心円となる円周上に複数形成され、前記第1放熱手段及び前記第2放熱手段の中心点を一致させた状態で前記第1放熱手段及び前記第2放熱手段の少なくとも一方を回転させて前記突起部を前記溝部の終端部に嵌入させることにより、前記第2放熱手段が前記第1放熱手段に取り付けられていることを特徴とする半導体装置。前記突起部は、前記一方の放熱手段の一側面から突出する第1突起部と、前記第1突起部の一側面から突出し、前記第1突起部よりも幅の狭い第2突起部とを有し、前記終端部を構成する前記溝部の側壁には、前記第1突起部が嵌合する凹部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記突起部の側面には、前記終端部を構成する前記溝部の側壁が嵌合する凹部が形成されていること特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記溝部の側壁は、前記終端部に向かうに連れて厚く形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記一方の放熱手段は、前記突起部を有する取付部を有し、前記他方の放熱手段は、前記溝部を有する取付部を有することを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体装置。前記複数の突起部は、前記一方の放熱手段を平面視した状態で、前記一方の放熱手段の中心点に対して点対称となる位置に形成され、前記複数の溝部は、前記他方の放熱手段を平面視した状態で、前記他方の放熱手段の中心点に対して点対称となる位置に形成されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置。前記第2放熱手段は、前記半導体素子から離間する方向に延びるように形成された複数の放熱フィンを有することを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体装置。ところが、ヒートシンク74がマザーボード等の実装基板75に固定されているため、実装基板75にヒートシンク74を固定するための領域を確保する必要がある。このため、装置全体の小型化が阻害されるという問題がある。また、ヒートシンク74を実装基板75に固定する際に、ねじなどの固定具や接着剤等を使用する必要があったため、製造工程が複雑になり、製造コストが増大するという問題がある。さらに、熱収縮などに伴って実装基板75に反りが生じると、放熱板72とヒートシンク74とが点接触又は線接触の状態となり、放熱板72からヒートシンク74に十分な熱伝導を行うことができないという問題がある。本発明の一観点によれば、配線基板と、前記配線基板上に実装された半導体素子と、前記半導体素子の上方に配置され、前記半導体素子と熱的に接続された第1放熱手段と、前記第1放熱手段の上方に配置され、前記第1放熱手段と熱的に接続された第2放熱手段と、を有し、前記第1放熱手段及び第2放熱手段の一方の放熱手段には、前記第1放熱手段及び前記第2放熱手段の他方の放熱手段に向かって突出する突起部が、前記一方の放熱手段を平面視した状態で、前記一方の放熱手段の中心点に対して同心円となる円周上に複数形成され、前記他方の放熱手段には、内部を前記突起部が移動可能なように形成された溝部が、前記他方の放熱手段を平面視した状態で、前記他方の放熱手段の中心点に対して同心円となる円周上に複数形成され、前記第1放熱手段及び前記第2放熱手段の中心点を一致させた状態で前記第1放熱手段及び前記第2放熱手段の少なくとも一方を回転させて前記突起部を前記溝部の終端部に嵌入させることにより、前記第2放熱手段が前記第1放熱手段に取り付けられている。本発明の一観点によれば、装置全体の小型化及び製造工程の簡素化を図りつつも、優れた放熱効果を得ることができるという効果を奏する。以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。以下、一実施形態を図1及び図2に従って説明する。図1aに示すように、半導体装置1は、PGAPinGridArray型の配線基板10と、その配線基板10上に実装された半導体素子20と、半導体素子20の上方に配置された放熱板30と、放熱板30の上方に配置されたヒートシンク40とを有している。配線基板10は、基板本体11と、接続用パッド12と、ピン13とを有している。基板本体11としては、接続用パッド12及びピン13が基板内部を通じて相互に電気的に接続された構造を有していれば十分である。このため、基板本体11の内部には配線層が形成されていてもよく、配線層が形成されていなくてもよい。なお、基板本体11の内部に配線層が形成される場合には、複数の配線層が層間絶縁層を介して積層され、各配線層と各絶縁層に形成されたビアとによって上記接続用パッド12及びピン13が電気的に接続されている。基板本体11としては、例えばコア基板を有するコア付きビルドアップ基板やコア基板を有さないコアレス基板等を用いることができる。接続用パッド12は、基板本体11の上面に形成されている。接続用パッド12の材料としては、例えば銅又は銅合金を用いることができる。また、ピン13は、例えばマザーボード等の実装基板と接続される外部接続端子として機能する。半導体素子20は、シリコンSi等からなる薄板化された半導体基板上に半導体集積回路図示略が形成された素子形成面図1において下面を有している。この素子形成面はパッシベーション膜で覆われ、その素子形成面に接続端子21が配設されている。半導体素子20としては、例えばCPUCentralProcessingUnitチップやGPUGraphicsProcessingUnitチップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体素子20としては、例えばDRAMDynamicRandomAccessMemoryチップ、SRAMStaticRandomAccessMemoryチップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることができる。半導体素子20の厚さは、例えば10~50μmとすることができる。半導体素子20は、配線基板10にフリップチップ接合されている。すなわち、半導体素子20は、上記接続端子21を介して、配線基板10の接続用パッド12と電気的に接続されている。接続端子21としては、例えば金Auバンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛Pbを含む合金、錫Snと銅Cuの合金、Snと銀Agの合金、SnとAgとCuの合金などを用いることができる。半導体素子20の下面と配線基板10の上面との間にはアンダーフィル樹脂22が充填されている。アンダーフィル樹脂22の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。半導体素子20の上方には、放熱板30が配置されている。放熱板30はヒートスプレッダとも呼ばれる。放熱板30の材料としては、例えば銅、アルミニウムAl又はそれらの合金等を用いることができる。放熱板30は、配線基板10上に接合されている。具体的には、放熱板30は、半導体素子20を取り囲むように配線基板10の周縁部に接合部材50によって接合されている。接合部材50の材料としては、例えばシリコンポリマー系の樹脂を用いることができる。放熱板30は、板状に形成されたベース部31と、このベース部31の周囲に一体的に形成され、底面が接合部材50を介して配線基板10に接合された枠状の側壁部32と、ベース部31から側方に突出された取付部33とを有している。このような放熱板30の製造は、例えば鍛造加工や機械切削などにより行うことができる。また、放熱板30には、ベース部31と側壁部32とによって凹部35が形成されている。この凹部35と上記配線基板10とによって形成された収容部に半導体素子20が収容されている。そして、半導体素子20の回路形成面と反対側の面図1aにおいて上面が、熱伝導部材ThermalInterfaceMaterial:TIM51を介して放熱板30の凹部35の内底面に熱的に接続されている。なお、放熱板30のベース部31の平面形状は、例えば正方形状に形成されている図1b参照。また、ベース部31の大きさは、例えば平面視で20mm×20mm~40mm×40mm程度とすることができ、ベース部31の厚さは、例えば0.5~4mm程度とすることができる。なお、図1aに示した上記熱伝導部材51としては、例えばインジウムIn、シリコーン又は炭化水素グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成型したものを用いることができる。この熱伝導部材51の厚さは、例えば20~30μm程度とすることができる。取付部33は、上記ヒートシンク40を固定するための部材であり、ベース部31と一体的に形成されている。取付部33は、その上面がベース部31の上面と面一になるように形成されている。また、取付部33の厚さは、ベース部31と同じ厚さ、もしくはベース部31よりも薄く形成され、例えば0.5~4mm程度とすることができる。この取付部33には、ヒートシンク40を固定するための溝部34が形成されている。この溝部34は、取付部33の厚さ方向を貫通するように形成されている。ヒートシンク40は、放熱板30に直接固定されている。ヒートシンク40の材料としては、例えば銅、アルミニウム又はそれらの合金等を用いることができる。ヒートシンク40は、板状に形成されたベース部41と、ベース部41の上面から上方に突出する複数の放熱フィン42と、ベース部41から側方に突出された取付部43とを有している。このようなヒートシンク40の製造は、例えば鍛造加工や機械切削などにより行うことができる。ベース部41は、その下面が放熱板30のベース部31の上面と面接触されている。これにより、ヒートシンク40は放熱板30と熱的に接続されている。ベース部41の平面形状は、例えばベース部31と同じく正方形状に形成されている。このベース部41の大きさは、例えばベース部31と同じ大きさに設定されている。このため、ベース部41の大きさは、例えば平面視で20mm×20mm~40mm×40mm程度とすることができる。また、ベース部41の厚さは、例えば0.3~3mm程度とすることができる。放熱フィン42は、ベース部41の上面の全範囲に渡って、所定間隔をあけて多数個並列に形成されている。各放熱フィン42は、熱を拡散しやすいように表面積が広くなるような形状に形成されている。すなわち、各放熱フィン42は、半導体素子20から離間する方向図1aでは、上方に延びるように形成されている。なお、各放熱フィン42は、ベース部41と一体的に形成されている。取付部43は、当該ヒートシンク40を上記放熱板30に固定するための部材であり、ベース部41と一体的に形成されている。取付部43は、その下面がベース部41の下面と面一になるように形成されている。また、取付部43の厚さは、ベース部41と同じ厚さ、もしくはベース部41よりも薄く形成され、例えば0.2~3mm程度とすることができる。この取付部43には、その下面から下方に突出する円柱状の突起部44が形成されている。この突起部44は、放熱板30の取付部33に形成された溝部34に嵌挿されている。具体的には、突起部44は、その側面が溝部34の側壁に当接した状態で溝部34に挿通され、取付部33よりも下方に突出されている。このように突起部44が溝部34に嵌挿されることで、ヒートシンク40が放熱板30に固定されている。なお、突起部44は、取付部43と一体的に形成されてもよいし、取付部43とは別に製造した部材を取付部43に接合させたものであってもよい。取付部43とは別に製造される場合の突起部44の材料としては、例えば銅、アルミニウム、鉄Fe、ステンレス又はそれらの合金等を用いることができる。このような構造の半導体装置1では、半導体素子20から発生した熱は、熱伝導部材51を介して放熱板30に一旦拡散されてから表面積の広いヒートシンク40に伝導され、そのヒートシンク40から大気中に放熱される。これにより、半導体素子20から発生する熱が効率良く放熱されるため、半導体素子20の温度上昇が抑制される。次に、放熱板30とヒートシンク40の取付構造について詳述する。図1bに示すように、放熱板30のベース部31には、そのベース部31の各辺の中心付近に取付部33が形成されている。すなわち、ベース部31には、4つの取付部33が形成されている。各取付部33の平面形状は、矩形状に形成されている。また、各取付部33には、一側面から取付部33の内側中途まで延びる上記溝部34が形成されている。この溝部34の幅は、上記突起部44の直径と略同じ長さに設定されている。具体的には、溝部34の幅は、突起部44の側面が溝部34の側壁に当接しながら突起部44が溝部34内を移動可能な幅に設定されている。これら複数の取付部33及び溝部34は、放熱板30を平面視した状態で、放熱板30の中心点ベース部31の中心点C1を中心にして同心円となる円周上に設けられている。具体的には、複数の取付部33及び溝部34は、放熱板30を平面視した状態で、放熱板30の中心点C1を中心にして点対称となるように設けられている。一方、図1cに示すように、ヒートシンク40のベース部41には、そのベース部41の各辺の中心付近に取付部43が形成されている。すなわち、ベース部41には、4つの取付部43が形成されている。各取付部43の平面形状は、矩形状に形成されている。この各取付部43の平面形状は、上記取付部33よりも小さく形成されている。また、各取付部43には、円柱状の上記突起部44が形成されている。これら複数の取付部43及び突起部44は、ヒートシンク40を平面視した状態で、ヒートシンク40の中心点ベース部41の中心点C2を中心にして同心円となる円周上に設けられている。具体的には、複数の取付部43及び突起部44は、ヒートシンク40を平面視した状態で、ヒートシンク40の中心点C2を中心にして点対称となるように設けられている。なお、図1c及び図2では、溝部34と突起部44の位置関係を明確にするために、突起部44を実線で示している。次に、放熱板30とヒートシンク40の取付方法と併せて半導体装置1の作用について説明する。まず、図2aに示すように、放熱板30の中心点C1とヒートシンク40の中心点C2を一致させ、且つ突起部44が取付部33に干渉しない位置に配置されるように、ヒートシンク40を放熱板30の上面に載置する。このとき、ヒートシンク40の下面が放熱板30の上面に接触されている。続いて、各突起部44を各溝部34の開口端に向かって移動させるように、中心点C2を回転中心にしてヒートシンク40を図中の矢印方向に回転させる。すると、各突起部44が、各取付部33の一側面に形成された開口端から溝部34に侵入し、その溝部34に沿って該溝部34の側壁に当接しながら移動回転する。換言すると、上記溝部34は、中心点C1,C2を一致させて矢印方向にヒートシンク40を回転させた場合における突起部44の軌道上に沿って形成されている。そして、図2bに示すように、各突起部44が各溝部34の終端部に当接すると、各突起部44が各溝部34の終端部に嵌入嵌挿されることになる。このとき、突起部44の侵入方向図2aの実線矢印参照への移動は、上記終端部を構成する溝部34の側壁によって規制される。また、突起部44の側面と溝部34の側壁とが当接されているため、これら側面及び側壁の間の摩擦力により、各突起部44の上下方向及び侵入方向とは反対方向破線矢印参照への移動も抑制される。このように、ヒートシンク40を所定方向に回転させるという簡便な操作によって、ヒートシンク40が放熱板30に取り付けられる固定される。このため、ヒートシンク40と放熱板30との取り付けに際して、取り付けのための特別な部品道具が不要となる。以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。1ヒートシンク40を放熱板30に直接固定するようにした。このため、マザーボード等の実装基板にヒートシンク40を固定するための領域を確保する必要がなくなる。これにより、半導体装置1の小型化を図ることができる。また、ヒートシンク40と放熱板30との接触状態がマザーボードの反りの影響を受けない。このため、仮にマザーボード等の実装基板に反りが生じた場合であっても、放熱板30とヒートシンク40とを面接触させることができる。これにより、放熱板30とヒートシンク40との接触面積を広く確保することができるため、放熱板30からヒートシンク40に効率良く熱を伝導させることができる。この結果、半導体素子20から発生する熱を効率良く放熱することができるため、半導体素子20の温度上昇を好適に抑制することができる。2さらに、ヒートシンク40を所定方向に回転させるという簡便な操作によって、ヒートシンク40を放熱板30に取り付けることができる。このため、ヒートシンク40と放熱板30との取り付けに際して、取り付けのための特別な部品道具が不要となる。したがって、製造工程を簡素化することができる。他の実施形態なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。図3aに示されるように、突起部44の形状を断面T字状に変更するようにしてもよい。すなわち、例えば取付部43の下面に第1突起部44Aが形成され、その第1突起部44Aの下面に該第1突起部44Aよりも幅の狭い小径の第2突起部44Bが形成されている。このとき、図3b,cに示されるように、溝部34の終端部を構成する溝部34の側壁34Sに、上記第1突起部44Aが嵌合される凹部34Aを形成するようにしてもよい。すなわち、凹部34Aの開口径は第1突起部44Aの直径と略同じ長さであり、凹部34Aの深さは第1突起部44Aの厚さと略同じ長さである。ここで、図3aは、溝部34の終端部における断面構造を示しており、凹部34Aに第1突起部44Aが嵌合された状態を示している。この図3aを参照して上記終端部周辺の構造について詳述すると、溝部34の終端部には、上記凹部34Aと、その凹部34Aの下側に上記第2突起部44Bが嵌挿される溝部34Bとが形成されている。この場合には、上記終端部以外の溝部34の幅は、第1突起部44Aの直径よりも短い長さに設定され、第2突起部44Bの直径と略同じ長さに設定される。このため、図3cに示すように、第1突起部44Aが凹部34Aに嵌合されると、その第1突起部44Aの側面が上記終端部以外の溝部34を構成する側壁34Sに当接される。これにより、第1突起部44Aを凹部34Aに嵌合させた後、つまりヒートシンク40を放熱板30に取り付けた後には、ヒートシンク40を回転させようとする外力が加わっても、突起部44第1突起部44Aの移動が規制される。この結果、ヒートシンク40が放熱板30から抜けることを好適に抑制することができる。図4に示されるように、突起部44の側面に溝部34の側壁34Sが嵌合される凹部44Xを形成するようにしてもよい。これにより、突起部44の上下方向への移動が規制されるため、ヒートシンク40が放熱板30から抜けることを好適に抑制することができる。さらに、このとき、図5に示されるように、溝部34の側壁34Sを開口端から終端部に向かうに連れて厚くなるように形成するようにしてもよい。この場合には、溝部34内に侵入した突起部44が終端部に向かって移動するに連れて、突起部44の凹部44Xに溝部34の側壁34Sが強固に嵌まる。これにより、突起部44が溝部34の終端部に向かって移動するに連れて、ヒートシンク40と放熱板30との密着力を向上させることができる。この結果、放熱板30からヒートシンク40に効率良く熱を伝導させることができる。なお、この場合には、上記終端部を構成する溝部34の側壁34Sを、その側壁34Sが突起部44の凹部44Xに嵌合される厚さに設定することが好ましい。図6に示されるように、放熱板30とヒートシンク40との間に熱伝導部材52を介在させるようにしてもよい。すなわち、放熱板30とヒートシンク40とを熱伝導部材52を介して熱的に接続するようにしてもよい。ここで、熱伝導部材52の材料としては、例えばインジウム、シリコーン又は炭化水素グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成型したものを用いることができる。この熱伝導部材52の厚さは、例えば20~30μm程度とすることができる。図7に示されるように、ヒートシンク40の上部にファン60を設けるようにしてもよい。この場合には、ファン60によって強制的に空気の移動量を増やすことができるため、冷却能力を高めることができる。上記実施形態では、放熱板30のベース部31及びヒートシンク40のベース部41の平面形状を正方形状とした。これに限らず、例えばベース部31,41の平面形状を、矩形状、八角形などの多角形状や円形状としてもよい。図8a、bには、ベース部31,41の平面形状を八角形状に形成した例を示している。このような場合であっても、溝部34を有する取付部33を、放熱板30を平面視した状態で、放熱板30の中心点C1を中心にして点対称となる位置関係で複数形成する。また、突起部44を有する取付部43を、ヒートシンク40を平面視した状態で、ヒートシンク40の中心点C2を中心にして点対称となる位置関係で複数形成する。これにより、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。上記実施形態では、放熱板30に溝部34を有する取付部33を設け、ヒートシンク40に突起部44を有する取付部43を設けるようにした。これに限らず、例えば放熱板30に突起部44を有する取付部43を設け、ヒートシンク40に溝部34を有する取付部33を設けるようにしてもよい。上記実施形態では、放熱板30に溝部34を有する取付部33を設け、ヒートシンク40に突起部44を有する取付部43を設けるようにしたが、取付部33,43を省略するようにしてもよい。この場合には、例えば図9a、bに示されるように、放熱板30のベース部31に溝部34を形成し、ヒートシンク40のベース部41に突起部44を形成する。このときの溝部34では、突起部44が挿入される位置34Cにおける溝の幅が広くなっていることが好ましい。このような場合であっても、溝部34を、放熱板30を平面視した状態で、放熱板30の中心点C1を中心にして点対称となる位置関係で複数形成する。また、突起部44を、ヒートシンク40を平面視した状態で、ヒートシンク40の中心点C2を中心にして点対称となる位置関係で複数形成する。これにより、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。上記実施形態及び上記各変形例では、溝部34及び突起部44を、中心点C1,C2を中心にして点対称となる位置関係で複数形成するようにした。これに限らず、例えば図10aに示されるように、複数の溝部34及び取付部33は、放熱板30の中心点C1を中心にして同心円となる円周上に形成されるのであれば、中心点C1を中心にして点対称となる位置関係に形成されていなくてもよい。また、例えば図10bに示されるように、複数の突起部44及び取付部43は、ヒートシンク40の中心点C2を中心にして同心円となる円周上に形成されるのであれば、中心点C2を中心にして点対称となる位置関係に形成されていなくてもよい。このような場合であっても、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。上記実施形態では、ヒートシンク40を放熱板30に取り付ける際に、ヒートシンク40を回転させるようにしたが、放熱板30を回転させるようにしてもよいし、ヒートシンク40と放熱板30の双方を回転させるようにしてもよい。また、ヒートシンク40を放熱板30に取り付けた後に、それら放熱板30及びヒートシンク40を配線基板10に接合するようにしてもよい。上記実施形態における放熱フィン42を省略するようにしてもよい。すなわち、ヒートシンク40の代わりに、放熱フィンを有していないヒートシンクを放熱板30に取り付けるようにしてもよい。上記実施形態では、突起部44を円柱状に形成したが、これに限らず、例えば突起部44を四角柱状に形成するようにしてもよい。"