"電子デバイスにおいて半導体層と接触しているゲート絶縁層であって、ポリシクロオレフィンポリマー、またはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物を含む、前記ゲート絶縁層。ポリシクロオレフィンポリマーがノルボルネン系ポリマーである、請求項1に記載のゲート絶縁層。ポリシクロオレフィンポリマーが、ペンダント架橋性基を有する第1タイプの繰り返し単位を含む、請求項1または2に記載のゲート絶縁層。ペンダント架橋性基が潜在性架橋性基である、請求項3に記載のゲート絶縁層。ペンダント架橋性基が、マレイミド、3-モノアルキルマレイミド、3,4-ジアルキルマレイミド、エポキシ、ビニル、アセチル、インデニル、シンナマート、もしくはクマリン基であるか、または、ペンダント架橋性基が、置換または非置換のマレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、シンナマート部分もしくはクマリン部分を含む、請求項3または4に記載のゲート絶縁層。ペンダント架橋性基を有する第1タイプの繰り返し単位が、以下のモノマー:式中、nは1~8の整数であり、Q1およびQ2は各々互いに独立して-Hまたは-CH3であり、およびR’は-Hまたは-OCH3である、の任意の1つに由来する、請求項3~5のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。ポリシクロオレフィンポリマーが、第1タイプの繰り返し単位とは異なる第2タイプの繰り返し単位を含む、請求項1~6のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。ポリシクロオレフィンポリマーが、式I:式中、Zは-CH2-、-CH2-CH2-、または-O-から選択され、mは0~5の整数であり、R1、R2、R3、およびR4の各々は独立してH、C1~C25ヒドロカルビル、C1~C25ハロヒドロカルビル、またはC1~C25ペルハロカルビル基から選択される、で表される1または2以上のタイプの繰り返し単位を含む、請求項1~7のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。ポリシクロオレフィンポリマーが、式Iで表される1または2以上のタイプの繰り返し単位および式IIで表される1または2以上のタイプの繰り返し単位:式中、Zは-CH2-、-CH2-CH2-、または-O-から選択され、mは0~5の整数であり、R1、R2、R3、ならびにR4およびR5、R6、R7、およびR8の各々は独立して、H、C1~C25ヒドロカルビル、C1~C25ハロヒドロカルビル、またはC1~C25ペルハロカルビル基から選択され、および式中、式Iの繰り返し単位は式IIの繰り返し単位とは異なる、を含む、請求項1~7のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。請求項8または9に記載のゲート絶縁層であって、式Iおよび式IIの繰り返し単位が、互いに独立して、以下の部分式:式中、Meはメチルを意味し、Etはエチルを意味し、OMe-pはパラメトキシを意味し、PhおよびC6H5はフェニルを意味し、C6H4はフェニレンを意味し、C6F5はペンタフルオロフェニルを意味し、OAcはアセテートを意味し、PFAcは-OCO-C7F15を意味し、およびメチレン架橋基を有する上記の部分式のそれぞれに対し、該メチレン架橋は、共有結合または-CH2p-を含み、およびpは1~6の整数である、からなる群から選択されるノルボルネン系モノマーにより形成される、前記ゲート絶縁層。ポリマー組成物が、第1ポリシクロオレフィンポリマーと第2ポリシクロオレフィンポリマーのブレンドを含む、請求項1~10のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。第1ポリシクロオレフィンポリマーが式Iで表される1または2以上のタイプの繰り返し単位を含み、および第2ポリシクロオレフィンポリマーが式IIで表される1または2以上のタイプの繰り返し単位を含み:式中、Zは-CH2-、-CH2-CH2-、または-O-から選択され、mは0~5の整数であり、R1、R2、R3、およびR4ならびにR5、R6、R7、およびR8の各々は独立してH、C1~C25ヒドロカルビル、C1~C25ハロヒドロカルビル、またはC1~C25ペルハロカルビル基から選択され、および式中、式Iの繰り返し単位は式IIの繰り返し単位とは異なる、請求項11に記載のゲート絶縁層。ポリマーまたはポリマー組成物が、溶媒、架橋剤、任意の反応性溶媒、安定剤、UV増感剤および熱増感剤の1または2以上をさらに含む、請求項1~12のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。ポリマーまたはポリマー組成物が、架橋性基を有する1または2以上の繰り返し単位を含み、ゲート絶縁層がさらに、表面活性官能基と、前記ポリマーまたはポリマー組成物の繰り返し単位の前記架橋性基と架橋可能な架橋性官能基とを含む化合物である接着促進剤を含む、請求項1~13のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。接着促進剤が、式III:G-A’-PIII式中、Gは表面活性基であり、A’は単結合またはスペーサー基、結合基または架橋基であり、およびPは架橋性基である、で表される化合物である、請求項14に記載のゲート絶縁層。接着促進剤の表面活性基が、シラン基、好ましくは式SiR12R13R14で表されるもの、またはシラザン基、好ましくは式-NH-SiR12R13R14で表されるものであり、式中R12、R13、およびR14は各々独立して、ハロゲン、シラザン、C1~C12-アルコキシ、C1~C12-アルキルアミノ、任意に置換されたC5~C20-アリールオキシ、および任意に置換されたC2~C20-ヘテロアリールオキシから選択され、および式中、R12、R13、およびR14の1つまたは2つはまた、C1~C12-アルキル、任意に置換されたC5~C20-アリールまたは任意に置換されたC2~C22-ヘテロアリールを表してもよい、請求項14または15に記載のゲート絶縁層。接着促進剤の架橋性基が、マレイミド、3-モノアルキル-マレイミド、3,4-ジアルキルマレイミド、エポキシ、ビニル、アセチル、インデニル、シンナマート、もしくはクマリン基から選択されるか、または、架橋性基が、置換または非置換のマレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、シンナマート部分もしくはクマリン部分を含む、請求項14~16のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。接着促進剤が、以下の構造:式中、SiR12R13R14は請求項16に定義される通りであり、A’は請求項16に定義される通りであり、ならびにR10およびR11は各々独立して、HまたはAC1~C6アルキル基である、を有する化合物である、請求項14~17のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。ポリマーまたはポリマー組成物が、架橋性基を有する1または2以上の繰り返し単位を含み、ゲート絶縁層が、前記ポリマーまたはポリマー組成物の繰り返し単位の前記架橋性基と架橋可能な2または3以上の架橋性官能基を含む化合物である架橋剤を含む、請求項1~18のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。架橋剤が、式IV1またはIV2:P-X-PIV1H4-mCA-PmIV2式中、XはA-X’-Aであり、X’はO、S、NH、または単結合であり、Aは単結合またはスペーサー基、結合基または架橋基であり、Pは請求項15の意味を有し、およびmは2、3または4である、の化合物である、請求項21に記載のゲート絶縁層。架橋剤の架橋性基が、マレイミド、3-モノアルキル-マレイミド、3,4-ジアルキルマレイミド、エポキシ、ビニル、アセチル、インデニル、シンナマート、もしくはクマリン基から選択されるか、または、架橋性基が、置換または非置換のマレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、シンナマート部分もしくはクマリン部分を含む、請求項19または20に記載のゲート絶縁層。架橋剤が、以下の式:式中、R10およびR11は互いに独立して、HまたはC1~C6アルキル基であり、Aは請求項21の意味を有し、好ましくはCZ2n、CH2n-CH=CHp-CH2n、CH2n-O、CH2n-O-CH2n、CH2n-C6Q10-CH2n、およびCO-Oから選択され、この式中、nは独立して0~12の整数であり、pは1~6の整数であり、Zは独立してHまたはFであり、C6Q10は、Qで置換されているシクロヘキシルであり、Qは独立して、H、F、CH3、CF3またはOCH3である、で表される化合物である、請求項19~21のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。ポリマー組成物が、有機半導体層に対して直交溶解性特性を有する溶媒をさらに含む、請求項1~22のいずれか一項に記載のゲート絶縁層。ポリマーが、架橋性基を有する1または2以上の繰り返し単位を含み、および請求項14~18のいずれか一項に定義された接着促進剤をさらに含む、ポリシクロオレフィンポリマーまたはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物。ポリマーが、架橋性基を有する1または2以上の繰り返し単位を含み、および請求項19~22のいずれか一項に定義された架橋剤をさらに含む、ポリシクロオレフィンポリマーまたはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物。ポリシクロオレフィンポリマーが請求項3~6のいずれか一項に定義されたものである、請求項24または25に記載のポリマーまたはポリマー組成物。溶媒、架橋性ノルボルネン系ポリマーならびに、1または2以上の架橋剤、UV増感剤および接着促進剤を含む、請求項1~26のいずれか一項に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。ノルボルネン系ポリマーが、DMMIMeMB、DMMIEtNB、DMMIPrNBまたはDMMIBuNBから選択されるノルボルネン系モノマーに由来する繰り返し単位を含む、請求項27に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。UV増感剤がCPTXであり、かつ溶媒がMAK、シクロヘキサノンまたはシクロペンタノンである、請求項27または28に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。架橋剤が、DMMI-ブチル-DMMI、DMMI-ペンチル-DMMIまたはDMMI-ヘキシル-DMMIである、請求項27~29のいずれか一項に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。接着促進剤が、DMMI-プロピル-SiOEt3、DMMI-ブチル-SiOEt3、DMMI-ブチル-SiOMe3またはDMMI-ヘキシル-SiOMe3である、請求項27~31のいずれか一項に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。BuNB、HexNB、OctNB,DecNB、NBC4F9、およびPPVENBから選択されるノルボルネン系モノマーに由来する繰り返し単位を含むポリシクロオレフィンポリマーを含む、請求項1~31のいずれか一項に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。EONB、MGENB、DMMIMeMB、DMMIEtNB、DMMIPrNB、DMMIBuNBおよびDMMIHxNBから選択されるノルボルネン系モノマーに由来する架橋性繰り返し単位を含むポリシクロオレフィンポリマーを含む、請求項1~32のいずれか一項に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。BuNB、HexNB、OctNB,DecNBから選択されるノルボルネン系モノマーに由来する繰り返し単位、および、EONB、MGENB、DMMIMeMB、DMMIEtNB、DMMIPrNB、DMMIBuNBおよびDMMIHxNBから選択されるノルボルネン系モノマーに由来する繰り返し単位を含む、ポリシクロオレフィンポリマーを含む、請求項1~33のいずれか一項に記載のゲート絶縁層またはポリマー組成物。電子デバイスにおいて半導体層と接触しているゲート絶縁層を形成するための、請求項1~34のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーまたはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物の使用。有機半導体層と接触しているゲート絶縁層を含む電子デバイスであって、前記ゲート絶縁層が、請求項1~34のいずれか一項に定義されたポリマーまたはポリマー組成物から形成される、前記電子デバイス。有機電界効果トランジスタOFET、薄膜トランジスタTFT、集積回路ICまたは無線自動識別RFIDタグである、請求項36に記載の電子デバイス。トップゲートまたはボトムゲートOFETである、請求項36または37に記載の電子デバイス。請求項38に記載のボトムゲートOFETの製造方法であって、以下のステップ:a基板1上にゲート電極5を堆積すること、bゲート電極5および基板1の上に、請求項1~34のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーを含むか、またはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物を含む、誘電材料の層を堆積して、ゲート絶縁層4を形成すること、cゲート絶縁層4の上に、有機半導体材料の層3を堆積すること、d有機半導体層3の少なくとも一部の上に、ソースおよびドレイン電極2を堆積すること、eソースおよびドレイン電極2および有機半導体層3の上に、任意に別の層6、例えば、絶縁層および/または保護層および/または安定化層および/または接着層を堆積すること、を含む、前記方法。請求項38に記載のトップゲートOFETの製造方法であって、以下のステップ:a基板1上にソースおよびドレイン電極2を堆積すること、b基板1およびソースおよびドレイン電極2の上に、有機半導体材料の層3を堆積すること、cOSC層3の上に、請求項1~34のいずれか一項に定義されたポリシクロオレフィンポリマーを含むか、またはポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物を含む、誘電材料の層を堆積して、ゲート絶縁層4を形成すること、dゲート絶縁層4の少なくとも一部の上に、ゲート電極5を堆積すること、eゲート電極5およびゲート絶縁層4の上に、任意に別の層6、例えば、絶縁層および/または保護層および/または安定化層および/または接着層を堆積すること、を含む、前記方法。"