基板が搬入され処理される処理室と、前記処理室内に搬入された基板を加熱する加熱部と、前記処理室内へ処理ガスを導入する処理ガス導入部と、前記処理室へ接続され前記処理室内の雰囲気を排気ガスとして排気する排気ポートと、前記排気ポートのガス流れ下流側に接続されたガス排気配管と、前記ガス排気配管のガス流れ下流端に接続された真空ポンプと、前記ガス排気配管において前記排気ポートと前記真空ポンプとの間に設けられた圧力制御バルブと、前記排気ポートと前記圧力制御バルブとの間に設けられ前記排気ガスを通しつつ冷却する排気ガス冷却装置とを備え、前記排気ガス冷却装置は、内管と外管を有し、内管内部に前記排気ガスを通し、内管と外管の間の空間に冷却媒体を流すようにした基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記排気ポートには、前記排気ポート内に冷却ガスを導入する冷却ガス導入部が設けられた基板処理装置。請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置であって、前記排気ガス冷却装置は、前記内管の外側表面上に、ガス流れ方向と交差する方向に延びる複数のフィンが設けられている基板処理装置。本発明は、上述した排気ガスの温度が高いため排気配管のシールが困難となる問題や、APCバルブに想定流体温度以上の排気ガスが流れる問題や、従来のガスクーラを使用した場合における排気コンダクタンスの低下や副生成物起因の問題を解決し、例えば高温条件下で行われる炭化ケイ素エピタキシャル膜成長においても使用できる排気設備を備える基板処理装置を提供することを目的とする。前記課題を解決するための本発明に係る基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。基板が搬入され処理される処理室と、前記処理室内に搬入された基板を加熱する加熱部と、前記処理室内へ処理ガスを導入する処理ガス導入部と、前記処理室へ接続され前記処理室内の雰囲気を排気ガスとして排気する排気ポートと、前記排気ポートのガス流れ下流側に接続されたガス排気配管と、前記ガス排気配管のガス流れ下流端に接続された真空ポンプと、前記ガス排気配管において前記排気ポートと前記真空ポンプとの間に設けられた圧力制御バルブと、前記排気ポートと前記圧力制御バルブとの間に設けられ前記排気ガスを通しつつ冷却する排気ガス冷却装置とを備え、前記排気ガス冷却装置は、内管と外管を有し、内管内部に前記排気ガスを通し、内管と外管の間の空間に冷却媒体を流すようにした基板処理装置。上記の構成によれば、高温の排気ガスに起因する問題を解決し、例えば高温条件下で行われる炭化ケイ素エピタキシャル膜成長においても基板処理装置を使用することができる。次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。まず、本実施形態における基板処理装置10の概略構成を、図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態における炭化ケイ素エピタキシャル膜を成膜する基板処理装置10の一例であり、斜視図にて示す。この基板処理装置10は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筐体12を有する。基板処理装置10では、例えば、シリコンSi又は炭化ケイ素SiC等で構成された基板としてのウエハ14を収納する基板収納器としてフープ以下、ポッドという16が、ウエハキャリアとして使用される。この筐体12の正面側には、ポッドステージ18が配置されており、このポッドステージ18にポッド16が、装置10の外部から搬送される。ポッド16には、例えば25枚のウエハ14が収納され、蓋が閉じられた状態でポッドステージ18にセットされる。筐体12内の正面側であって、ポッドステージ18に対向する位置にはポッド搬送装置20が配置されている。また、このポッド搬送装置20の近傍には、ポッド収容棚22、ポッドオープナ24及び基板枚数検知器26が配置されている。ポッド収容棚22は、ポッドオープナ24の上方に配置され、ポッド16を複数個載置した状態で保持するように構成されている。基板枚数検知器26は、ポッドオープナ24に隣接して配置される。ポッド搬送装置20は、ポッドステージ18とポッド収容棚22とポッドオープナ24との間でポッド16を搬送する。ポッドオープナ24はポッド16の蓋を開けるものであり、基板枚数検知器26は蓋を開けられたポッド16内のウエハ14の枚数を検知する。筐体12内には基板移載機28、基板支持具としてのボート30が配置されている。基板移載機28は、アームツィーザ32を有し、図示しない駆動手段により、上下方向、水平方向の進退動作および水平方向の回転動作が可能な構造になっている。アーム32は例えば5枚のウエハを取り出すことができ、このアーム32を動かすことにより、ポッドオープナ24の位置に置かれたポッド16及びボート30間にてウエハ14を搬送する。ボート30は、例えばカーボングラファイトや炭化ケイ素SiC等の耐熱性材料で構成されており、複数枚のウエハ14を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に積み上げて保持するように構成されている。なお、ボート30の下部には、例えば石英や炭化ケイ素SiC等の耐熱性材料で構成された円筒形状の断熱部材としてのボート断熱部34が配置されており、後述する加熱体45からの熱が処理炉40の下方側に伝わりにくくなるように構成されている図2参照。筐体12内の背面側上部には、処理炉40が配置されている。この処理炉40内に複数枚のウエハ14を装填したボート30が搬入され熱処理が行われる。次に、本実施形態における処理炉40の概略構成を、図2と図3を用いて説明する。図2は、本実施形態における炭化ケイ素エピタキシャル膜を成膜する処理炉40の側面断面図を示す。図3は、本実施形態における処理炉40を上面からみた水平断面図を示す。図2において、複数のガス供給口を有する処理ガス供給ノズル60が図示されている。図3に示すように、処理ガス供給ノズル60は、例えば、3本の処理ガス供給ノズル60a、60b、60cから構成され、シリコン含有ガスや塩素含有ガス、及び炭素含有ガスや還元ガス、不活性ガスを供給するものである。処理炉40は、円筒形状の反応室43を形成する反応管42を備える。反応管42は、石英または炭化ケイ素SiC等の耐熱材料で構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管42の内側の筒中空部には、反応室43が形成されている。反応室43は、シリコンSi又は炭化ケイ素SiC等で構成されたウエハ14を、ボート30に、水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に積み上げて保持した状態で収納可能に構成されている。反応管42の下方には、この反応管42と同心円状にインレット71が配設されている。インレット71は、たとえばステンレス等で構成され、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。このインレット71は反応管42を支持するように設けられている。なお、このインレット71と反応管42との間にはシール部材としてOリング不図示が設けられている。このインレット71が保持体不図示に支持されることにより、反応管42は垂直に据えつけられた状態になっている。この反応管42とインレット71により反応容器が形成されている。インレット71の下方には、処理炉40の下端開口を機密に閉塞するための炉口蓋体としてシールキャップ91が設けられている。シールキャップ91は、例えばステンレス等の金属で構成され、円盤状に形成されている。シールキャップ91の上面には、処理炉40の下端と当接するシール材としてのOリング不図示が設けられている。シールキャップ91には回転機構92が設けられている。回転機構92の回転軸は、シールキャップ91を貫通してボート30に接続されており、このボート30を回転させることで、ウエハ14を回転させるように構成されている。次に、ウエハ14を加熱する加熱部の構成について説明する。処理炉40は、ウエハ14を加熱する加熱体45、及び磁場発生部としての誘導コイル50を備える。主に加熱体45と誘導コイル50から加熱部が構成される。加熱体45は、反応室43内に配設されている。加熱体45の内部は、処理ガス供給ノズル60が設けられ、処理ガスが供給される処理室47を形成する。加熱体45は、反応管42の外側に設けられた誘導コイル50により発生される磁場によって、加熱される。誘導コイル50は、反応管42の周囲を巻き回すように設けられる。加熱体45が発熱することにより、処理室47内が加熱される。加熱体45は、誘導コイル50により発生する誘導電流により誘導加熱されやすく、且つ、耐熱性に優れた材料、例えば、カーボングラファイト等の材料で構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。加熱体45の近傍には、処理室47内の温度を検出する温度検出体として放射温度計54が設けられている。誘導コイル50及び放射温度計54には、制御部100が電気的に接続されており、放射温度計54により検出された温度情報に基づき誘導コイル50への通電量を調節することにより、処理室47内の温度が所定のタイミングにて所定の温度分布となるよう制御するように構成されている。加熱体45とボート断熱部34との間には、断熱ブロック46が設けられている。処理室47の下部に断熱ブロック46を設けることで、処理室47内の熱による炉口部処理室下部の温度上昇を抑制することができる。断熱ブロック46は、図3に示すように、その水平断面が弓形形状、つまり内周と外周が円弧を描くような形状をした柱である。断熱ブロック46は、例えばグラファイト等で構成される。加熱体45と反応管42の間には、断熱材44が設けられ、この断熱材44を設けることにより、加熱体45の熱が反応管42あるいは反応管42の外側へ伝達するのを抑制することができる。断熱材44は、例えば誘導されにくいカーボンフェルト等で構成され、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。また、誘導コイル50の外側には、反応室43内の熱が外側に伝達するのを抑制するための、例えば水冷構造である外側断熱壁52が、処理室47を囲むように設けられている。外側断熱壁52は、誘導コイル50から発生される誘導電流により誘導加熱されにくい材料、例えば、銅Cu等の材料から構成され、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。更に、外側断熱壁52の外側には、誘導コイル50により発生された磁場が外側に漏れるのを防止する磁気シールド58が設けられている。好ましくは、磁気シールド58は、誘導コイルから発生される誘導電流により誘導加熱されにくい材料、例えば、銅CuもしくはアルミニウムAl等の材料から構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。次に、処理ガス供給系について説明する。処理ガス供給ノズル60は、例えばカーボングラファイトで構成され、インレット71を貫通するようにインレット71に取り付けられている。処理ガス供給ノズル60は、処理室47へ処理ガスを導入する処理ガス導入部である。処理ガス供給ノズル60は、処理ガス供給管61を介して、処理ガス供給部62に接続されている。処理ガス供給部62は、各種の処理ガス供給源や、処理ガスの供給量を制御する流量制御器フローコントローラ:MFCや、処理ガス供給管や、処理ガス供給管を開閉するバルブを備えている。バルブやMFCは、制御部100に電気的に接続されており、それぞれ供給するガスの流量が、所定のタイミングにて所定流量となるよう制御される。処理ガスとしては、シリコン含有ガスとして例えばシランSiH4ガス、塩素含有ガスとして例えば塩化水素HClガス、炭素含有ガスとして例えばプロパンC3H8ガス、還元ガスとして例えば水素H2ガス等が使用される。次に、処理ガス排気系について説明する。図2に示すように、インレット71には、例えばステンレス製の排気ポート排気出力部72が、インレット71と一体構成で設けられている。排気ポート72は、縦切断面が略円形であり、上面視において処理ガス供給ノズル60に対して対向面に位置するように配置されている。排気ポート72には、配管接続部73aを介して排気ガス冷却装置80が接続され、排気ガス冷却装置80には、配管接続部73bを介して排気配管74が接続され、さらに圧力調整器としてのAPCバルブ75を介して真空ポンプ76が接続されている。また、排気ポート72には、圧力検出器不図示と冷却ガス導入部72aが接続されており、冷却ガス導入部72aには、冷却ガス供給部63が接続されている。排気ガス冷却装置80と冷却ガス導入部72aについては、後述する。圧力検出器及びAPCバルブ75には、制御部100が電気的に接続されており、制御部100は、圧力検出器により検出された圧力に基づいて、APCバルブ75の開度を調整することにより、処理炉40内の圧力が所定のタイミングにて所定の圧力になるよう制御する。また、反応管42と断熱材44との間に、不活性ガス供給ノズル不図示が配置されており、この不活性ガス供給ノズルは、処理ガス供給部62内の不活性ガス供給源に接続されている。不活性ガスとしては、例えば希ガスのアルゴン以下、Arとするガスが供給される。これにより、炭化ケイ素エピタキシャル膜成長に寄与するガスとして、例えばシリコン含有ガス又は炭素含有ガス又は塩素含有ガス又はそれらの混合ガスが反応管42と断熱材44との間に侵入するのを防ぎ、反応管42の内壁又は断熱材44の外壁が劣化してしまうことや不要な生成物が付着するのを防止することができる。反応管42と断熱材44との間に供給された不活性ガスは、排気ポート72からAPCバルブ75を介して真空ポンプ76により排気される。次に、排気ガス冷却装置80について、図4を用いて説明する。図4に示すように、排気ガス冷却装置80は、内管81と外管87の2重管構造である。図4aは外管87を装着した状態であり、図4bは外管87を外した状態である。84と85は、排気ガス冷却装置80を筐体12等に取り付けるための取付け部である。86は、排気配管74に接続するための配管接続部である。排気ガス冷却装置80の材質は、例えばステンレスである。排気ガス冷却装置80は、内管81と外管87の間の空間に、冷却媒体として例えば冷却水を流す水冷ジャケット構造をしている。処理室47内で処理に用いられた処理ガスは、高温の排気ガスとして排気ポート72から排気ガス冷却装置80の内管81の内部を通り、排気配管74やAPCバルブ75を経て、真空ポンプ76により排出される。このとき、内管81の配管壁面との熱交換により、排気ガスの温度を下げることができ、例えば、APCバルブ75の想定流体温度150°C以下まで下げることができる。排気ガス冷却装置80は、従来のガスクーラのような内部に冷却水が供給されるコイル状の配管などのガス流れを阻害する障害構造をもたないので、排気コンダクタンスの低下を抑制しつつ、排気ガスの温度を低下させることができる。図4に示すように、外管87には、冷却水導入部82と冷却水排出部83が取り付けられ接続されている。内管81と外管87の間の空間に、冷却水導入部82から冷却水が導入され、冷却水排出部83から冷却水が排出される。冷却水は、排気ガス冷却装置80外において、例えば、冷却水循環装置により、水を再び冷却し循環させて使用することができる。冷却水導入部82は、前記冷却水排出部83のガス流れ下流側に配置されている。この構成により、冷却水の温度がより低い冷却水導入部82を、冷却水の温度がより高い冷却水排出部83のガス流れ下流側に配置しているので、より効果的に排気ガスを冷却することができる。図4に示すように、内管81には、ガス流れ方向と交差する方向に、詳しくはガス流れ方向と垂直な方向に、複数のフィンひれ状の仕切り板88、89等が取り付けられている。各フィンの内側は内管81に取り付けられ、外側は外管87の近くまで延びている。この構成により、冷却水をガス流れ方向と交差する方向に流すことができるので、内管81と外管87の間の空間において、冷却水が内管81の周囲を偏ることなく覆うことができ、むらなく、効果的に排気ガスを冷却することができる。また、各フィンは、冷却媒体を通過させる切れ目例えば、89aを有し、複数のフィンにおける前記切れ目の位置が、前記内管の周方向において異なる位置に設定されている。例えば、フィン89の切れ目89aは、図4bの紙面上にあるが、フィン88の切れ目88aは、内管81表面上において切れ目89aと180度反対側に位置する。この構成により、さらに、内管81と外管87の間の空間において、冷却水が内管81の周囲を偏ることなく覆うことができ、むらなく、効果的に排気ガスを冷却することができる。このように、各フィンに切れ目を設ける場合は、各フィンの外側を外管87に接触させる構造としてもよい。次に、排気ポート72の冷却ガス導入部72aについて、図2を用いて説明する。冷却ガス導入部72aは、一端が排気ポート72の内部に連通しており、他端が冷却ガス供給部63に接続されている。冷却ガス供給部63は、冷却ガス供給源や冷却ガス流量を調整するMFCや開閉バルブ等を備える。冷却ガス導入部72aから排気ポート72内に冷却ガスを流すと、排気ポート72内に導入された冷却ガスは、処理室47内から排気される排気ガスと混合され、排気ガスの温度を下げることができる。これにより、排気配管74等の温度をシール可能な温度まで下げることができる。冷却ガスとしては、処理室47内の処理反応に関係しない不活性ガス、例えば窒素ガスやアルゴンガス等を用いることができる。また、冷却ガスを冷却ガス導入部72aに流すときの温度は、室温程度で構わない。以上の構成において、炭化ケイ素SiC等から構成される複数枚のウエハ14が、ボート30上に、水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列されて縦方向に積み上げて保持され、該ウエハ14を搭載したボート30が処理室47内へ挿入され、処理室47内が所定温度に設定されて処理ガスが導入されることにより、炭化ケイ素エピタキシャル成長を行うことができる。このとき、処理ガス排気系には、排気ガス冷却装置80が設けられているので、排気配管内を流れる排気ガスの温度を低くすることができ、また、排気ポート72に設けられた冷却ガス導入部72aから、排気配管内に冷却ガスを導入することにより、排気配管内を流れる排気ガスの温度を更に低くすることができる。以上の動作を含め基板処理装置10の動作は、制御部100により制御される。制御部100は、図示しない操作部及び入出力部を備え、基板処理装置10の各構成を制御する。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。上記実施形態では、排気ガス冷却装置80と冷却ガス導入部72aの両方を用いたが、いずれか一方のみを用いる形態も可能である。上記実施形態では、排気ポート72に排気ガス冷却装置80を接続したが、排気ポート72と排気ガス冷却装置80の間に、排気配管74を挟む構造でもよい。また、本発明は、炭化ケイ素エピタキシャル膜成膜装置だけでなく、他のプロセス装置にも適用可能であり、また、縦型装置だけでなく横型装置にも適用可能である。本明細書の記載事項には、少なくとも次の発明が含まれる。すなわち、第1の発明は、基板が搬入され処理される処理室と、前記処理室内に搬入された基板を加熱する加熱部と、前記処理室内へ処理ガスを導入する処理ガス導入部と、前記処理室へ接続され前記処理室内の雰囲気を排気ガスとして排気する排気ポートと、前記排気ポートのガス流れ下流側に接続されたガス排気配管と、前記ガス排気配管のガス流れ下流端に接続された真空ポンプと、前記ガス排気配管において前記排気ポートと前記真空ポンプとの間に設けられた圧力制御バルブと、前記排気ポートと前記圧力制御バルブとの間に設けられ前記排気ガスを通しつつ冷却する排気ガス冷却装置とを備え、前記排気ガス冷却装置は、内管と外管を有し、内管内部に前記排気ガスを通し、内管と外管の間の空間に冷却媒体を流すようにした基板処理装置。この構成により、排気コンダクタンスの低下や副生成物の形成を抑制しつつ、排気ガスの温度を低下させることができる。第2の発明は、第1の発明において、前記排気ポートには、前記排気ポート内に冷却ガスを導入する冷却ガス導入部が設けられた基板処理装置。この構成により、排気ポート内に冷却ガスを導入することができ、更に、排気ガスの温度を低下させることができる。第3の発明は、第1の発明又は第2の発明において、前記排気ガス冷却装置は、前記内管の外側表面上に、ガス流れ方向と交差する方向に延びる複数のフィンが設けられている基板処理装置。この構成により、内管と外管の間の空間において、冷却媒体が内管の周囲を偏ることなく覆うことができ、むらなく、効果的に排気ガスを冷却することができる。第4の発明は、第3の発明において、前記排気ガス冷却装置のフィンは、冷却媒体を通過させる切れ目を有し、複数のフィンにおける前記切れ目の位置が、前記内管の周方向において異なる位置に設定されている基板処理装置。この構成により、さらに、冷却媒体が内管の周囲を偏ることなく覆うことができ、むらなく、効果的に排気ガスを冷却することができる。第5の発明は、第1の発明ないし第4の発明において、前記排気ガス冷却装置は、前記内管と外管の間の空間に冷却媒体を導入する冷却媒体導入部と、前記内管と外管の間の空間から冷却媒体を排出する冷却媒体排出部を有し、前記冷却媒体導入部が前記冷却媒体排出部のガス流れ下流側に配置された基板処理装置。この構成により、冷却媒体の温度がより低い冷却媒体導入部を、冷却媒体の温度がより高い冷却媒体排出部のガス流れ下流側に配置しているので、より効果的に排気ガスを冷却することができる。第6の発明は、基板が搬入され処理される処理室と、前記処理室内に搬入された基板を加熱する加熱部と、前記処理室内へ処理ガスを導入する処理ガス導入部と、前記処理室へ接続され前記処理室内の雰囲気を排気ガスとして排気する排気ポートと、前記排気ポートのガス流れ下流側に接続されたガス排気配管と、前記ガス排気配管のガス流れ下流端に接続された真空ポンプと、前記ガス排気配管において前記排気ポートと前記真空ポンプとの間に設けられた圧力制御バルブとを備え、前記排気ポートには、前記排気ポート内に冷却ガスを導入する冷却ガス導入部が設けられた基板処理装置。この構成により、排気コンダクタンスの低下や副生成物の形成を抑制しつつ、排気ガスの温度を低下させることができる。