成膜原料を流し、基板上に成膜する成膜装置であって、前記基板に対して略垂直方向に前記成膜原料を流す第1成膜部と、前記第1成膜部において、前記略垂直方向に流された前記成膜原料を、前記基板に対して略平行方向に流して成膜する第2成膜部と、前記基板を移動させる移動部と、前記基板を加熱する加熱部と、を有することを特徴とする成膜装置。前記第1成膜部は、前記第2成膜部に対し、成膜面積が大きいことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。前記成膜装置は、ミストを噴霧するミスト成膜装置であることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。前記成膜装置は、成膜原料を噴射するノズルを備えた噴霧ボックスを備え、前記噴霧ボックスの下面には、開口部と非開口部が基板に対向して設けられ、前記開口部の下方が前記第1成膜部であり、前記非開口部の下方は前記第2成膜部であることを特徴とする請求項3記載の成膜装置。前記第2成膜部は、前記基板と非開口部との間の間隙部であることを特徴とする請求項4記載の成膜装置。前記第2成膜部は、一方向に排気する排気部を備えることを特徴とする請求項1~5の何れかに記載の成膜装置。成膜原料を流し、基板上に成膜する成膜方法であって、前記基板に対して略垂直方向に前記成膜原料を流し、成膜する第1成膜工程と、前記第1成膜工程において略垂直方向に流された前記成膜原料を、前記基板に対して略平行方向に流して成膜する第2成膜工程と、前記基板を移動させる移動工程を含むことを特徴とする成膜方法。しかしながら、上記特許文献1~4に示された方法は、細かい粒子のガスを用いるため、1枚の基板の膜厚分布の均一性や複数の基板のステップカバレッジが良いなどの利点があるものの、成膜に要する時間が長く、成膜レートは低い。また、特許文献3、4に示されたインライン方式により単に上方向から、あるいは横方向から原料ガスを吹き付けて成膜する場合、成膜を目的とする基板以外のコンベヤなどの周辺部材にも原料ガスが付着するため、余分な原料ガスが必要になり、大きな基板になるほど材料の利用効率が悪くなるという問題も生じていた。また、材料によっては減圧下で堆積を行う必要があり、タクトタイムが長くなるという問題もある。一方、ミストCVD法を用いると、材料が液体のため、取り扱いも容易で成膜に要する時間が短縮され、かつ大気圧下で噴霧して成膜できるので、タクトタイムも短くてすむ。さらに、材料の利用効率を向上させるためには高密度のミストを搬送ガスによって高速で基板上に搬送し、かつ反応を促進させるため、基板の温度をあまり下げることなく、基板上でミスト同士を反応させる必要がある。しかしながら、ミストを高密度化すると搬送流路中で結露が生じて搬送ロスが生じたり、ミスト同士が互いに吸着して粒径が大きくなり、反応が阻害され、金属酸化物薄膜の均一性が悪化するという問題がある。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、材料の利用効率を向上させるとともに、安定して均一な膜厚の成膜が可能な成膜装置及び成膜方法を提供することにある。本発明に係る成膜装置は、成膜原料を流し、基板上に成膜する成膜装置であって、前記基板に対して略垂直方向に前記成膜原料を流す第1成膜部と、前記第1成膜部において前記略垂直方向に流された前記成膜原料を、前記基板に対して略平行方向に流して成膜する第2成膜部と、前記基板を移動させる移動部と、前記基板を加熱する加熱部とを有する。また、前記第1成膜部は、前記第2成膜部に対し、成膜面積が大きいことが好ましく、前記成膜装置はミストを噴霧するミスト成膜装置であっても良い。このようなミストCVDにおいては、高密度のミストを用いても薄膜の均一性が保たれ、効率的に成膜することができる。また、本発明に係る成膜装置は、成膜原料を噴射するノズルを備えた噴霧ボックスを備え、前記噴霧ボックスの下面には、開口部と非開口部が基板に対向して設けられ、前記開口部の下方が前記第1成膜部であり、前記非開口部の下方は前記第2成膜部であることを特徴としてもよい。また、前記第2成膜部は、前記基板と非開口部との間の間隙部であることを特徴としてもよい。また、前記第2成膜部は、一方向に排気する排気部を備えることを特徴としてもよい。また、成膜方法は、成膜原料を流し、基板上に成膜する成膜方法であって、前記基板に対して略垂直方向に前記成膜原料を流し、成膜する第1成膜工程と、前記第1成膜工程において略垂直方向に流された前記成膜原料を、前記基板に対して略平行方向に流して成膜する第2成膜工程と、前記基板を移動させる移動工程を含んでもよい。本発明によれば、材料の利用効率を向上させるとともに、安定して均一な膜厚の薄膜を成膜することが可能となる。本発明の実施の形態について、薄膜太陽電池向けの透明導電膜の成膜を例にして、図を参照しながら以下に説明する。なお、本発明はこの薄膜にかかる成膜に限るものではなく、さまざまな成膜に応用できる。<第1の実施形態>図1は、第一の本実施形態にかかる液滴噴霧成膜装置100の模式的構成図である。基板101は載積台102に載積され、載積台102にはホットプレート103が内蔵されている。基板101の上方には基板101の成膜面と対向して、噴霧ボックス104が設けられている。更に噴霧ボックス104の内部には、薄膜材料溶液と圧縮空気を混合して噴霧する二流体スプレーノズル107、噴霧ボックス104の周囲または近傍には、キャリアガスの導入口108、排気流路109、排気出口110、薄膜材料溶液を貯蔵した溶液タンク111が設けられている。基板101には、一般のガラス基板が用いられるが、本実施形態ではソーダライムガラスを用いた。ソーダライムガラスは、透明度が高く、アルカリ成分を含んでいるが安価であり、薄膜太陽電池向けの利用に適している。載積台102は図示しない移動機構を有し、例えば、図中矢印Aに示すように、基板101の成膜面方向に移動が可能である。噴霧ボックス104の下面には開口部105及び非開口部106が設けられている。二流体スプレーノズル107の個数は所望のタクトタイムに必要とされる単位時間当たりの噴霧量または成膜に必要な成膜レートに応じて変更可能である。キャリアガスの導入口108、排気流路109、および排気出口110は、キャリアガスの導入量および排気量を成膜する膜の状態に合わせてコントロールしやすいように、1箇所ずつ形成するのが好ましい。また、溶液タンク111に貯蔵される薄膜材料溶液としては、無機材料として、亜鉛、スズ、インジウム、カドミウム、ストロンチウム等の材料を1つまたは2つ以上含む。これらの材料の有機金属、塩化物金属を溶液に0.1~3mol/Lの濃度で溶解させることで成膜材料の溶液とするのが一般的である。本実施形態では材料溶液組成として、SnCl45H2Oが0.9Mmol/L、NH4Fが0.3Mmol/L、HClが30質量、メタノールが2.5質量となるように混合した水溶液を8リットル程度用いた。次に、液滴噴霧成膜装置100の動作について以下に説明する。図2は、基板101に成膜を行う直前の液滴噴霧成膜装置100を示している。載積台102は図示しない移動機構によって、図中矢印A ́に示すように、基板101の成膜面方向に一軸移動する。二流体スプレーノズル107に、圧縮空気を導入すると、溶液タンク111から薄膜材料溶液が吸上げられ、二流体スプレーノズル107先端から霧化されて噴霧ボックス104内に噴出される。霧化された薄膜材料溶液は、キャリアガス導入口108から導入されたキャリアガス112とミスト混合領域113で混合される。混合されたミストは、噴霧ボックス104の下面に対向して設置された基板101に向かって、開口部105よりほぼ垂直に運搬される。基板101では、まず、二流体スプレーノズル107から噴霧された薄膜材料溶液のミストとキャリアガス112による垂直方向からの成膜が行われる。この、略垂直方向からの成膜が行われる領域を第1成膜部とする。図3は、基板101が噴霧ボックス104のほぼ直下にある状態である。第1成膜部で成膜に使われなかったミストは、排気流路109からの吸気により、非開口部106と基板101との間の排気入口114に至る間隙部を略平行方向に流れ、ここでも成膜がなされる。この略平行方向からの成膜が行われる領域を第2成膜部とする。本実施形態ではホットプレート103の温度を590°Cに設定した。特に載積台102に内蔵されたホットプレート103に近い箇所では、上昇気流とともに第2成膜部でも非常にたくさんの成膜がなされる。この第2成膜部でも成膜に使われなかった余分な噴霧ミストは図中矢印Bに示すように、排気機構を備えた排気流路109に沿って排気出口110から図示しない除害装置を通して外部空間に放出される。ここでは、排気流路を一方向としたが二方向であってもかまわない。基板101と噴霧ボックス104との間に隙間ができるため、排気時にはこの隙間からミスト化された原料溶液が漏れることとなる。本材料は塩酸を使用しているため、原料溶液の漏洩に対する安全性の面から一方向排気とするほうが好ましい。図4は、基板101が更に移動し、成膜が進んでいる状態である。例えば、非開口部106のほぼ直下の基板101の被成膜面は、第1成膜部で既に成膜が終わり、第2成膜部で成膜されている。上述のように第1成膜部で使われなかったミストが排気流路からの吸気により第2成膜部を形成し、ここでも成膜を行うため、材料の無駄が少なく、有効活用がなされている。図5は、それぞれの成膜領域の膜厚の分布状況を調べるための構成図である。噴霧ボックス104の開口部105に対向する位置と、非開口部106に対向する位置に基板101、基板101 ́をそれぞれ置いて固定成膜し、膜厚の分布状況を調べた。成膜条件に際し、材料溶液組成としては、本実施形態で用いたものと同様の溶液を用い、ホットプレート103の温度を590°Cに設定した上に基板を固定積載させた。成膜時間は60秒で行なった。このときの水頭差ノズルの高さと薄膜材料溶液面との差は-150mmで、二流体スプレーノズル107の個数は3個とし、ガラス基板は300□のものを用いた。成膜処理開始直後には590°C程であった基板101の表面温度が、第1成膜部においては、500°C近くまで下がっており、これは噴霧された薄膜材料溶液が基板101上に付着し、加熱され気化する際の気化熱およびキャリアガス112によるものであり、成膜中の基板表面温度が約100°Cの温度差があると言い換えることができる。一方、第2成膜部では、最初に成膜される第1成膜部から排気入口114に向けて第1成膜部で成膜に使われなかったミストの流れが出来ているので、流れに乗ってミストが運搬されており、かつ、ミストやキャリアガス112が直接当たることがないため、高温の加熱状態が保たれ、成膜されることになる。図6は、上記成膜の状態を示したものである。横軸は、排気入口114に近い側の基板101 ́端部からの距離mm、縦軸は膜厚nmを示している。第1成膜部と第2成膜部でいずれも成膜されていることがわかる。このとき第1成膜部と第2成膜部の横断面積の比は1:1とした。更に、基板を連続的に移動させながら、成膜を行った。このとき材料の利用効率は、基板101の垂直方向からのみ成膜した場合は、13.2であったのに対し、本実施形態のように基板を水平方向図2における矢印A ́方向に移動させながら垂直方向と水平方向の成膜を行った場合は、15.1にUPする結果となった。ここで、材料の利用効率は、成膜レートnm/min/原料供給量L/minで表され、一般的に、温度を高くして成膜すれば、材料の利用効率は向上し、また、原料溶液を高濃度化すれば、材料の利用効率は向上する。垂直方向からの成膜に加え、水平方向にミストが流れるのを有効利用したことにより、材料の利用効率が1.9上昇した。なお、基板101の移動方向については、垂直方向からの成膜時は気化熱により温度が下がり、水平方向の成膜時は温度が上昇するため、成膜条件により一方向に移動、あるいは往復で移動など、適宜設定すればよいが、有毒ガスが外部に漏れることを防ぐために、排気出口110側に向かって基板を移動させることが望ましい。また、基板101の移動速度については、成膜レートは原料供給量と反応効率の積によって決まるので、これらのパラメータを勘案して決定すればよい。このように第2成膜部を設けることにより、材料の利用効率が向上するとともに、高温で成膜されるため、安定して均一な膜厚の薄膜を成膜することができる。<第2の実施形態>次に、上記第1の実施形態と同様の条件で、第1成膜部は上記と同様の大きさで、第2成膜部を2倍に拡大し、実験を行った。材料の利用効率は15.5と良好になったが、噴霧ボックスの大きさが大きくなるため装置構成としてはあまり適さない。また、図6の結果でもわかるように、第1成膜部における成膜のほうが膜厚としては大きいため、第2成膜部は、第1成膜部と同程度が上限であり、これ以上拡大しても、材料の利用効率が少し良好になるだけで装置が極端に大きくなってしまう。したがって上限は第2成膜部は、第1成膜部と同様程度かそれ以下が適切となる。次に、第2成膜部の下限について説明する。第1成膜部はそのままで、第2成膜部を第1の実施形態の半分として成膜実験を実施した。材料の利用効率は14.8で、第1の実施形態で示した第1成膜部と第2成膜部が1:1の場合とあまり変わらない結果となった。このため、少しでも第2成膜部を形成すれば、材料の利用効率は向上することがわかる。装置の大きさとの関係でこれらを適宜設定すればよい。特に、第1成膜部と第2成膜部の比が1:1から3:1程度が好ましい。本実施形態ではミストCVD装置の例を用いて説明を行ったが、他のCVD装置でも同様の構成をとることで、広く利用可能である。