"オルガノポリシロキサン成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、前記オルガノポリシロキサン成分が、珪素原子に結合したアリール基及び珪素原子に結合したアルケニル基を有する第1のオルガノポリシロキサン但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除くと、珪素原子に結合したアリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第2のオルガノポリシロキサンとを含有し、前記オルガノポリシロキサン成分の下記式Xaより求められる珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率が6.0個数以上、9.0個数以下であり、前記オルガノポリシロキサン成分の下記式Xbより求められる珪素原子に結合した水素原子の含有比率が5.0個数以上、7.0個数以下であり、硬化後の硬化物のゲル分率が85重量以上、95重量以下である、光半導体装置用封止剤。珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率個数=上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の比/上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した官能基の比×100式Xa珪素原子に結合した水素原子の含有比率個数=上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した水素原子の個数/上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した官能基の個数×100式Xb前記第2のオルガノポリシロキサンが、下記式51-aで表される構造単位を有する、請求項1に記載の光半導体装置用封止剤。前記式51-a中、R52及びR53はそれぞれ、珪素原子に結合した水素原子、珪素原子に結合したアリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す。前記オルガノポリシロキサン成分の下記式Xcより求められる珪素原子に結合したアリール基の割合が、35個数以上、45個数以下である、請求項1又は2に記載の光半導体装置用封止剤。珪素原子に結合したアリール基の含有比率個数=上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合したアリール基の個数/上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した官能基の個数×100式Xc前記第2のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したアルケニル基を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。蛍光体をさらに含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。請求項1~5のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤を硬化させることにより得られ、ゲル分率が85重量以上、95重量以下である、光半導体装置用封止剤の硬化物。光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられた光半導体装置用封止剤の硬化物とを備え、前記光半導体装置用封止剤の硬化物が、請求項1~5のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤を硬化させることにより形成されている、光半導体装置。特許文献1,2に記載のような従来の光半導体装置用封止剤では、該封止剤の保存安定性が低いことがある。さらに、特許文献2に記載のようなシリコーン樹脂を含む光半導体装置用封止剤を用いた場合には、封止剤の硬化物の表面がべたついて、表面にごみなどの異物が付着しやすくなるという問題がある。また、硬化物の表面がべたつくと、パッケージ同士のくっ付き、及び実装時のピックアップノズルへの付着が生じて、光半導体装置の生産性が大きく低下するという問題がある。さらに、従来の光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置では、熱衝撃が与えられると、ワイヤーが切断したりして、電気的な接続不良が生じることがある。本発明の目的は、硬化物の表面のべたつきを抑制でき、更に硬化物を用いた光半導体装置における熱衝撃によるワイヤーの接続不良の発生を抑制できる光半導体装置用封止剤、該光半導体装置用封止剤の硬化物、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。本発明の限定的な目的は、保存安定性に優れている光半導体装置用封止剤、該光半導体装置用封止剤の硬化物、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。本発明の広い局面によれば、オルガノポリシロキサン成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記オルガノポリシロキサン成分が、珪素原子に結合したアリール基及び珪素原子に結合したアルケニル基を有する第1のオルガノポリシロキサン但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除くと、珪素原子に結合したアリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第2のオルガノポリシロキサンとを含有し、上記オルガノポリシロキサン成分の下記式Xaより求められる珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率が6.0個数以上、9.0個数以下であり、上記オルガノポリシロキサン成分の下記式Xbより求められる珪素原子に結合した水素原子の含有比率が5.0個数以上、7.0個数以下であり、硬化後の硬化物のゲル分率が85重量以上、95重量以下である、光半導体装置用封止剤が提供される。珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率個数=上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の個数/上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した官能基の個数×100式Xa珪素原子に結合した水素原子の含有比率個数=上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した水素原子の個数/上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した官能基の個数×100式Xb本発明に係る光半導体装置用封止剤のある特定の局面では、上記第2のオルガノポリシロキサンが、下記式51-aで表される構造単位を有する。上記式51-a中、R52及びR53はそれぞれ、珪素原子に結合した水素原子、珪素原子に結合したアリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す。本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記オルガノポリシロキサン成分の下記式Xcより求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率が、35個数以上、45個数以下である。珪素原子に結合したアリール基の含有比率個数=上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合したアリール基の個数/上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した官能基の個数×100式Xc本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記第2のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアルケニル基を有する。本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、蛍光体がさらに含まれている。本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化物は、上述した光半導体装置用封止剤を硬化させることにより得られ、ゲル分率が85重量以上、95重量以下である。本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられた光半導体装置用封止剤の硬化物とを備えており、該光半導体装置用封止剤の硬化物が、上述した光半導体装置用封止剤を硬化させることにより形成されている。本発明に係る光半導体装置用封止剤は、オルガノポリシロキサン成分とヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記オルガノポリシロキサン成分が、珪素原子に結合したアリール基及び珪素原子に結合したアルケニル基を有する第1のオルガノポリシロキサン但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除くと、珪素原子に結合したアリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第2のオルガノポリシロキサンとを含有し、上記オルガノポリシロキサン成分の式Xaより求められる珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率が6.0個数以上、9.0個数以下であり、上記オルガノポリシロキサン成分の式Xbより求められる珪素原子に結合した水素原子の含有比率が5.0個数以上、7.0個数以下であり、硬化後の硬化物のゲル分率が85重量以上、95重量以下であるので、封止剤の硬化物である硬化物の表面のべたつきを抑制できる。さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤を硬化させた硬化物を用いた光半導体装置では、熱衝撃によるワイヤーの接続不良の発生を抑制できる。以下、本発明の詳細を説明する。本発明に係る光半導体装置用封止剤は、オルガノポリシロキサン成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記オルガノポリシロキサン成分は、第1のオルガノポリシロキサンと、第2のオルガノポリシロキサンとを含有する。上記第1のオルガノポリシロキサン但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除くは、珪素原子に結合したアリール基と珪素原子に結合したアルケニル基とを有する。上記第2のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアリール基と珪素原子に結合した水素原子とを有する。上記オルガノポリシロキサン成分の下記式Xaより求められる珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率は6.0個数以上、9.0個数以下である。珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率個数=上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の個数/上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した官能基の個数×100式Xaさらに、上記オルガノポリシロキサン成分の下記式Xbより求められる珪素原子に結合した水素原子の含有比率は5.0個数以上、7.0個数以下である。珪素原子に結合した水素原子の含有比率個数=上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した水素原子の個数/上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した官能基の個数×100式Xbさらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化後の硬化物封止剤の硬化物のゲル分率は85重量以上、95重量以下である。本発明に係る光半導体装置用封止剤における上記構成の採用によって、封止剤の硬化物のべたつきを抑制できる。さらに、封止剤の硬化物を用いた光半導体装置における熱衝撃によるワイヤーの接続不良の発生を抑制できる。このため、光半導体装置の信頼性を高めることができる。さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤における上記構成の採用によって、封止剤の保存安定性を高めることもできる。上記珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率及び上記珪素原子に結合した水素原子の含有比率が上記下限未満であると、ヒドロシリル化反応が進行し難くなり、硬化物の表面のべたつきが生じやすい。上記珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率及び上記珪素原子に結合した水素原子の含有比率が上記上限を超えると、ヒドロシリル化反応が進行しやすくなりすぎて、封止剤の保存安定性が低くなる。上記ゲル分率が85重量未満であると、封止剤の硬化物の表面がべたつきやすくなり、さらに複数の光半導体装置がくっつきやすくなって光半導体装置の生産効率が低下する。上記ゲル分率が95重量を超えると、封止剤の硬化物にクラックが生じやすくなり、硬化中に封止剤の応力が緩和できずに、ワイヤーの切断が生じやすくなる。上記ゲル分率を測定するための硬化後の硬化物は、本発明に係る光半導体装置用封止剤を150°Cで2時間硬化させた硬化物であることが好ましい。上記ゲル分率は、具体的には、上記硬化物浸漬前の硬化物の重量W1を測定する。次に、上記硬化物をトルエン中に23°Cにて24時間浸漬した後、硬化物をトルエンから取り出して、110°Cの条件下で1時間乾燥する。そして、乾燥後の硬化物浸漬及び乾燥後の硬化物の重量W2を測定する。重量W1と重量W2との測定値から、下記式Yによりゲル分率が算出される。ゲル分率重量=W2/W1×100式YW1:浸漬前の硬化物の重量gW2:浸漬及び乾燥後の硬化物の重量g封止剤の保存安定性をより一層高め、封止剤の硬化物の表面のべたつきをより一層抑制し、更に光半導体装置におけるワイヤーの接続信頼性をより一層高める観点からは、上記第2のオルガノポリシロキサンは、式51-aで表される構造単位を有することが好ましい。封止剤の硬化物の表面のべたつきをより一層抑制し、更に光半導体装置における熱衝撃に対するワイヤーの接続信頼性をより一層高める観点からは、上記オルガノポリシロキサン成分の下記式Xcより求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率は、35個数以上、45個数以下であることが好ましい。珪素原子に結合したアリール基の含有比率個数=上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合したアリール基の個数/上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した官能基の個数×100式Xcなお、上記式Xa、上記式Xb、上記式Xc、後述する式Xd又は後述する式Xeより求められる珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率、珪素原子に結合した水素原子の含有比率、珪素原子に結合したアリール基の含有比率、珪素原子に結合した飽和鎖式炭化水素基の含有比率及び珪素原子に結合したアルコキシ基の含有比率はそれぞれ、1H-NMRにより測定される。また、上記式Xa、上記式Xb、上記式Xc、後述する式Xd又は後述する式Xeにおいて、上記オルガノポリシロキサン成分とは、上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記第2のオルガノポリシロキサンを示す。また、上記式Xa、上記式Xb、上記式Xc、後述する式Xd又は後述する式Xeにおける官能基は、上記オルガノポリシロキサン成分上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記第2のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に直接結合している基を意味する。以下、本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている各成分の詳細を説明する。第1のオルガノポリシロキサン本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第1のオルガノポリシロキサン但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除くは、珪素原子に結合したアリール基と、珪素原子に結合したアルケニル基とを有する。上記第1のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さず、珪素原子に結合したアリール基と珪素原子に結合したアルケニル基とを有する第1のオルガノポリシロキサンである。上記第1のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さないので、第2のオルガノポリシロキサンとは異なる。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。なお、上記アルケニル基の炭素-炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素-炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。上記第1のオルガノポリシロキサンは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。封止剤の保存安定性をより一層高め、封止剤の硬化物の表面のべたつきをより一層抑制し、更に光半導体装置におけるワイヤーの接続信頼性をより一層高める観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンは、下記式1で表される第1のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。但し、上記第1のオルガノポリシロキサンとして、下記式1で表される第1のオルガノポリシロキサン以外のオルガノポリシロキサンを用いてもよい。上記式1中、a、b及びcは、a/abc=0~0.50、b/abc=0.40~1.0及びc/abc=0~0.50を満たし、R1~R6は、少なくとも1個が珪素原子に結合したアリール基を表し、少なくとも1個が珪素原子に結合したアルケニル基を表し、珪素原子に結合したアリール基及び珪素原子に結合したアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。なお、上記式1中、R4R5SiO2/2で表される構造単位及びR6SiO3/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記式1は平均組成式を示す。上記式1における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式1中のR1~R6は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式1中のR4R5SiO2/2で表される構造単位における酸素原子部分、R6SiO3/2で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。なお、一般に、上記式1の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第1のオルガノポリシロキサンを得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式1の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式51の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことがいえる。上記式1中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。封止剤のガスバリア性をより一層高める観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンにおけるアルケニル基及び上記式1中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。封止剤の保存安定性をより一層高め、封止剤の硬化物の表面のべたつきをより一層抑制し、更に光半導体装置におけるワイヤーの接続信頼性をより一層高める観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したビニル基を有することが好ましい。また、上記第1のオルガノポリシロキサンにおけるアルケニル基は、ビニル基であることが好ましい。上記式1における炭素数1~8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t-ペンチル基、イソへキシル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。封止剤の硬化性及び保存安定性をより一層高め、封止剤の硬化物の表面のべたつきをより一層抑制し、更に光半導体装置におけるワイヤーの接続信頼性をより一層高める観点からは、上記式1中、R1R2R3SiO1/2で表される構造単位は、R1が珪素原子に結合したビニル基を表し、R2及びR3が珪素原子に結合した基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、上記第1のオルガノポリシロキサンは、下記式1-aで表される構造単位を有することが好ましい。R1R2R3SiO1/2で表される構造単位は、下記式1-aで表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式1-aで表される構造単位と下記式1-aで表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。下記式1-aの存在により、末端にビニル基を存在させることができ、末端にビニル基が存在することによって反応機会が多くなり、封止剤の硬化性をより一層高めることができる。なお、下記式1-aで表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の1つの酸素原子をO1/2とする。上記式1-a中、R2及びR3はそれぞれ、珪素原子に結合したアリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を示す。耐熱衝撃性がより一層高い封止剤を得る観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンは、1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含むことが好ましい。さらに、耐熱衝撃性がさらに一層高い封止剤を得る観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンの全シロキサン構造単位100モル中、1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合は20モル以上であることが好ましく、30モル以上であることがより好ましい。上記ジフェニルシロキサン構造単位は、下記式1-b1で表される構造単位であることが好ましい。また、下記式1-b1で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の1つの酸素原子をO1/2とする。上記式1で表される第1のオルガノポリシロキサンにおいて、R4R5SiO2/2で表される構造単位以下、二官能構造単位ともいうは、下記式1-2で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R4R5SiXO1/2式1-2R4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式1-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R4及びR5で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R4R5SiO2/2で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有するR4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。また、下記式1-bで表される構造単位において、Si-O-Si結合中の酸素原子は、隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、Si-O-Si結合中の1つの酸素原子をO1/2とする。上記式1-2及び1-2-b中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式1-b、1-2及び1-2-b中のR4及びR5は、上記式1中のR4及びR5と同様の基である。上記式1で表される第1のオルガノポリシロキサンにおいて、R6SiO3/2で表される構造単位以下、三官能構造単位ともいうは、下記式1-3又は1-4で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R6SiX2O1/2式1-3R6SiXO2/2式1-4R6SiO3/2で表される構造単位は、下記式1-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式1-3-c又は1-4-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R6で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R6SiO3/2で表される構造単位に含まれる。上記式1-3、1-3-c、1-4及び1-4-c中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式1-c、1-3、1-3-c、1-4及び1-4-c中のR6は、上記式1中のR6と同様の基である。上記式1-b及び1-c、上記式1-2~1-4、並びに上記式1-2-b、1-3-c及び1-4-cにおいて、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基及びt-ブトキシ基が挙げられる。上記式1中、a/abcは0以上、0.50以下である。a/abcが上記上限以下であると、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式1中、a/abcは好ましくは0.45以下、より好ましくは0.40以下である。なお、aが0であり、a/abcが0である場合、上記式1中、R1R2R3SiO1/2の構造単位は存在しない。上記式1中、b/abcは0.40以上、1.0以下である。b/abcが上記下限以上であると、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。上記式1中、b/abcは好ましくは0.50以上である。上記式1中、c/abcは0以上、0.50以下である。c/abcが上記上限以下であると、封止剤の適正な粘度を維持することが容易であり、封止剤の密着性がより一層高くなる。上記式1中、c/abcは好ましくは0.45以下、より好ましくは0.40以下、更に好ましくは0.35以下である。なお、cが0であり、c/abcが0である場合、上記式1中、R6SiO3/2の構造単位は存在しない。上記式1中のc/abcは0であることが好ましい。すなわち、上記式1で表される第1のオルガノポリシロキサンは、下記式1Aで表される第1のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。上記式1A中、a及びbは、a/ab=0~0.50及びb/ab=0.50~1.0を満たし、R1~R5は、少なくとも1個が珪素原子に結合したアリール基を表し、少なくとも1個が珪素原子に結合したアルケニル基を表し、珪素原子に結合したアリール基及び珪素原子に結合したアルケニル基以外のR1~R5は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。上記式1A中、a/abは好ましくは0.45以下、より好ましくは0.40以下である。上記式1A中、b/abは好ましくは0.55以上、より好ましくは0.60以上である。上記第1のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン以下、TMSを基準に29Si-核磁気共鳴分析以下、NMRを行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式1及び上記式1A中のR1R2R3SiO1/2で表される構造単位に相当するピークは10~-5ppm付近に現れ、上記式1及び上記式1A中のR4R5SiO2/2及び上記式1-2の二官能構造単位に相当する各ピークは-10~-50ppm付近に現れ、上記式1中のR6SiO3/2、並びに上記式1-3及び上記式1-4の三官能構造単位に相当する各ピークは-50~-80ppm付近に現れる。従って、29Si-NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって、上記式1及び上記式1A中の各構造単位の比率を測定できる。但し、上記TMSを基準にした29Si-NMRの測定で上記式1及び上記式1A中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si-NMRの測定結果だけではなく、1H-NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式1及び上記式1A中の各構造単位の比率を見分けることができる。第2のオルガノポリシロキサン本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第2のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアリール基と、珪素原子に結合した水素原子とを有する。水素原子は珪素原子に直接結合している。上記第2のオルガノポリシロキサンは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。封止剤の保存安定性をより一層高め、封止剤の硬化物の表面のべたつきをより一層抑制し、更に光半導体装置におけるワイヤーの接続信頼性をより一層高める観点からは、上記第2のオルガノポリシロキサンは、下記式51で表される第2のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。但し、上記第2のオルガノポリシロキサンとして、下記式51で表される第2のオルガノポリシロキサン以外のオルガノポリシロキサンを用いてもよい。上記式51中、p、q及びrは、p/pqr=0.05~0.50、q/pqr=0.05~0.50及びr/pqr=0.20~0.80を満たし、R51~R56は、少なくとも1個が珪素原子に結合したアリール基を表し、少なくとも1個が珪素原子に結合した水素原子を表し、珪素原子に結合したアリール基及び珪素原子に結合した水素原子以外のR51~R56は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。なお、上記式51中、R54R55SiO2/2で表される構造単位及びR56SiO3/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記式51は平均組成式を示す。上記式51における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式51中のR51~R56は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式51中、R54R55SiO2/2で表される構造単位における酸素原子部分、R56SiO3/2で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。上記式51における炭素数1~8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t-ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基等のアルケニル基及びアリル基が挙げられる。上記第2のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアルケニル基を有することが好ましく、珪素原子に結合したビニル基を有することが好ましい。上記式51中、R51~R56は、少なくとも1個が珪素原子に結合したアリール基を表し、少なくとも1個が珪素原子に結合した水素原子を表し、少なくとも1個が珪素原子に結合したアルケニル基を表し、珪素原子に結合したアリール基、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したアルケニル基以外のR51~R56は、炭素数1~8の炭化水素基を表すことが好ましい。封止剤の保存安定性をより一層高め、封止剤の硬化物の表面のべたつきをより一層抑制し、更に光半導体装置におけるワイヤーの接続信頼性をより一層高める観点からは、上記式51中のR51R52R53SiO1/2で表される構造単位は、R51が珪素原子に結合した水素原子を表し、R52及びR53が珪素原子に結合した水素原子、珪素原子に結合したアリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。この場合には、光半導体装置において、熱サイクルでのクラック及び剥離を抑制することもできる。上記式51中のR51R52R53SiO1/2で表される構造単位は、R51が珪素原子に結合した水素原子を表し、R52及びR53が珪素原子に結合したアリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含むことがより好ましい。すなわち、上記式51中、R51R52R53SiO1/2で表される構造単位は、下記式51-aで表される構造単位を含むことが好ましい。R51R52R53SiO1/2で表される構造単位は、下記式51-aで表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式51-aで表される構造単位と下記式51-aで表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。下記式51-aの存在により、末端に水素原子を存在させることができる。末端に水素原子が存在することによって反応機会が多くなり、封止剤の硬化性をより一層高めることができる。なお、下記式51-aで表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の1つの酸素原子をO1/2とする。上記式51-a中、R52及びR53はそれぞれ、珪素原子に結合した水素原子、珪素原子に結合したアリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す。R52及びR53はそれぞれ、珪素原子に結合したアリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表すことが好ましい。封止剤の保存安定性をより一層高め、封止剤の硬化物の表面のべたつきをより一層抑制し、更に光半導体装置におけるワイヤーの接続信頼性をより一層高める観点からは、上記式51中の全構造単位100モル中、R51R52R53SiO1/2で表される構造単位であって、R51が珪素原子に結合した水素原子を表し、R52及びR53が珪素原子に結合した水素原子、珪素原子に結合したアリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位上記式51-aで表される構造単位の割合は、好ましくは5モル以上、より好ましくは10モル以上、好ましくは50モル以下、より好ましくは45モル以下である。上記式51で表される第2のオルガノポリシロキサンにおいて、R54R55SiO2/2で表される構造単位以下、二官能構造単位ともいうは、下記式51-2で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R54R55SiXO1/2式51-2R54R55SiO2/2で表される構造単位は、下記式51-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式51-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R54及びR55で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R54R55SiO2/2で表される構造単位に含まれる。上記式51-2及び51-2-b中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式51-b、51-2及び51-2-b中のR54及びR55は、上記式51中のR54及びR55と同様の基である。上記式51で表される第2のオルガノポリシロキサンにおいて、R56SiO3/2で表される構造単位以下、三官能構造単位ともいうは、下記式51-3又は51-4で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R56SiX2O1/2式51-3R56SiXO2/2式51-4R56SiO3/2で表される構造単位は、下記式51-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式51-3-c又は51-4-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R56で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R56SiO3/2で表される構造単位に含まれる。上記式51-3、51-3-c、51-4及び51-4-c中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式51-c、51-3、51-3-c、51-4及び51-4-c中のR56は、上記式51中のR56と同様の基である。上記式51-b及び51-c、上記式51-2~51-4、並びに上記式51-2-b、51-3-c、51-4-cにおいて、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基及びt-ブトキシ基が挙げられる。上記式51中、p/pqrは0.05以上、0.50以下である。p/pqrが上記上限以下であると、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式51中、p/pqrは好ましくは0.10以上、好ましくは0.45以下である。上記式51中、q/pqrは0.05以上、0.50以下である。q/pqrが上記下限以上であると、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。q/pqrが上記上限以下であると、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式51中、q/pqrは好ましくは0.10以上、より好ましくは0.45以下である。上記式51中、r/pqrは0.20以上、0.80以下である。r/pqrが上記下限以上であると、封止剤の硬度が上がり、傷及びゴミの付着を防止でき、封止剤の耐熱性が高くなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少し難くなる。r/pqrが上記上限以下であると、封止剤の適正な粘度を維持することが容易であり、密着性がより一層高くなる。上記式51中のp/pqrは、0であることが好ましい。すなわち、上記式51で表される第2のオルガノポリシロキサンは、下記式51Aで表される第2のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。上記式51A中、p及びqは、p/pq=0~0.25及びq/pq=0.75~1.0を満たし、R51~R55は、少なくとも1個が珪素原子に結合した水素原子を表し、少なくとも1個が珪素原子に結合したアリール基を表し、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したアリール基以外のR51~R55は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。上記式51A中、p/pqは好ましくは0.20以下、より好ましくは0.15以下である。上記式51A中、q/pqは好ましくは0.80以上、より好ましくは0.85以上である。上記第2のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン以下、TMSを基準に29Si-核磁気共鳴分析以下、NMRを行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式51及び上記式51A中のR51R52R53SiO1/2で表される構造単位に相当するピークは10~-5ppm付近に現れ、上記式51及び上記式51A中のR54R55SiO2/2及び上記式51-2の二官能構造単位に相当する各ピークは-10~-50ppm付近に現れ、上記式51中のR56SiO3/2、並びに上記式51-3及び上記式51-4の三官能構造単位に相当する各ピークは-50~-80ppm付近に現れる。従って、29Si-NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式51及び上記式51A中の各構造単位の比率を測定できる。但し、上記TMSを基準にした29Si-NMRの測定で上記式51及び上記式51A中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si-NMRの測定結果だけではなく、1H-NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式51及び上記式51A中の各構造単位の比率を見分けることができる。上記第1のオルガノポリシロキサン100重量部に対して、上記第2のオルガノポリシロキサンの含有量は好ましくは10重量部以上、より好ましくは15重量部以上、好ましくは400重量部以下、より好ましくは300重量部以下、更に好ましくは200重量部以下である。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、封止剤の硬化性及び保存安定性がより一層高くなり、封止剤の硬化物の表面のべたつきが抑えられ、更に光半導体装置におけるワイヤーの接続信頼性がより一層高くなる。第1,第2のオルガノポリシロキサンの他の性質及びその合成方法封止剤の硬化物の表面のべたつきをより一層抑制し、更に光半導体装置における熱衝撃に対するワイヤーの接続信頼性をより一層高める観点からは、上記オルガノポリシロキサン成分の下記式Xdより求められる珪素原子に結合した飽和鎖式炭化水素基の含有比率は、好ましくは39個数以上、好ましくは54個数以下である。珪素原子に結合した飽和鎖式炭化水素基の含有比率個数=上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した飽和鎖式炭化水素基の個数/上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した官能基の個数×100式Xd上記オルガノポリシロキサン成分の上記式Xdより求められる珪素原子に結合した飽和鎖式炭化水素基の含有比率は好ましくは39個数以下、より好ましくは54個数以下である。アルコキシ基の含有比率が上記上限以下であると、上記第1,第2のオルガノポリシロキサン及び封止剤の保存安定性が高くなり、封止剤の耐熱衝撃性がより一層高くなる。珪素原子に結合したアルコキシ基の含有比率個数=上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合したアルコキシ基の個数/上記オルガノポリシロキサン成分に含まれる珪素原子に結合した官能基の個数×100式Xe上記第1,第2のオルガノポリシロキサンはシラノール基を有さないほうが好ましい。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンがシラノール基を有さないと、第1,第2のオルガノポリシロキサン及び封止剤の保存安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンの数平均分子量Mnは好ましくは500以上、より好ましくは800以上、更に好ましくは1000以上、好ましくは50000以下、より好ましくは15000以下である。数平均分子量が上記下限以上であると、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記上限以下であると、粘度調節が容易である。上記数平均分子量Mnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCを用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量Mnは、Waters社製の測定装置カラム:昭和電工社製ShodexGPCLF-804長さ300mmを2本、測定温度:40°C、流速:1mL/分、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレンを用いて測定された値を意味する。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンを合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、クロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が好ましい。上記アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンにアリール基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。上記第1のオルガノポリシロキサンにアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。上記第2のオルガノポリシロキサンに珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンを得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピルメチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム-t-ブトキシド、カリウム-t-ブトキシド及びセシウム-t-ブトキシドが挙げられる。上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好適である。ヒドロシリル化反応用触媒本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第1のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合したアルケニル基と、上記第2のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合した水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒が使用可能である。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。封止剤の透明性が高くなるので、白金系触媒が好ましい。上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金-アルケニルシロキサン錯体、白金-オレフィン錯体及び白金-カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金-アルケニルシロキサン錯体又は白金-オレフィン錯体が好ましい。上記白金-アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、及び1,3,5,7-テトラメチル-1,3,5,7-テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金-オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び1,6-ヘプタジエン等が挙げられる。上記白金-アルケニルシロキサン錯体及び白金-オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金-アルケニルシロキサン錯体又は白金-オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは1,6-ヘプタジエンである。高温下又は高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をより一層抑制し、かつ封止剤の変色をより一層抑制する観点からは、上記ヒドロシリル化反応用触媒は、白金のアルケニル錯体であることが好ましい。高温下又は高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をさらに一層抑制し、かつ封止剤の変色をさらに一層抑制する観点からは、上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体であることが好ましい。この場合に、白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物との反応物である。また、上記白金のアルケニル錯体の使用により、封止剤の透明性を高くすることもできる。上記白金のアルケニル錯体は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記白金のアルケニル錯体を得るための白金原料として、上記塩化白金酸6水和物H2PtCl66H2Oを用いることが好ましい。上記白金のアルケニルを得るための上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物としては、例えば、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ジメチル-1,3-ジフェニル-1,3-ジビニルジシロキサン及び1,3,5,7-テトラメチル-1,3,5,7-テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物における当量に関しては、上記塩化白金酸6水和物1モルに対して上記2官能以上のアルケニル化合物が1モルである重量を1当量とする。上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物は、50当量以下であることが好ましい。上記白金のアルケニル錯体を得るために用いられる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、2-プロパノール及び1-ブタノール等のアルコール系溶媒が挙げられる。トルエン及びキシレン等の芳香族系溶媒を用いてもよい。上記溶媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記白金のアルケニル錯体を得るために、上記成分に加えて単官能のビニル化合物を用いてもよい。上記単官能のビニル化合物としては、例えば、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン及びビニルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物との反応物に関して、白金元素と6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とは、共有結合していたり、配位していたり、又は共有結合しかつ配位していたりする。封止剤中で、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子白金のアルケニル錯体の場合には白金原子の重量単位で好ましくは0.01ppm以上、より好ましくは1ppm以上、好ましくは1000ppm以下、より好ましくは500ppm以下である。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記下限以上であると、封止剤を十分に硬化させることが容易である。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記上限以下であると、硬化物の着色の問題が生じ難い。酸化珪素粒子本発明に係る光半導体装置用封止剤は、酸化珪素粒子を含むことが好ましい。この酸化珪素粒子の使用により、封止剤の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前の封止剤の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、封止剤の取り扱い性が高くなる。また、上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化珪素粒子の分散性が非常に高くなり、硬化前の封止剤の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、好ましくは5nm以上、より好ましくは8nm以上、好ましくは200nm以下、より好ましくは150nm以下である。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記下限以上であると、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記上限以下であると、25°Cにおける粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用封止剤の硬化物を透過型電子顕微鏡商品名JEM-2100、日本電子社製を用いて観察する。視野中の100個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。上記酸化珪素粒子のBET比表面積は、好ましくは30m2/g以上、好ましくは400m2/g以下である。上記酸化珪素粒子のBET比表面積が30m2/g以上であると、封止剤の25°Cにおける粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子のBET比表面積が400m2/g以下であると、酸化珪素粒子の凝集が生じ難くなり、分散性を高くすることができ、更に封止剤の硬化物の透明性をより一層高くすることができる。上記酸化珪素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高い封止剤を得る観点からは、上記酸化珪素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。上記フュームドシリカとしては、例えば、Aerosil50比表面積:50m2/g、Aerosil90比表面積:90m2/g、Aerosil130比表面積:130m2/g、Aerosil200比表面積:200m2/g、Aerosil300比表面積:300m2/g、及びAerosil380比表面積:380m2/gいずれも日本アエロジル社製等が挙げられる。上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、メタアクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記メタアクリロイル基は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも1種であることが好ましい。有機珪素化合物による表面処理する方法の一例として、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物又はトリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ジクロロジメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。上記ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、R974比表面積:170m2/g、及びR964比表面積:250m2/gいずれも日本アエロジル社製等が挙げられる。上記トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、RX200比表面積:140m2/g、及びR8200比表面積:140m2/gいずれも日本アエロジル社製等が挙げられる。上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、RY200比表面積:120m2/g日本アエロジル社製等が挙げられる。上記有機珪素化合物により酸化珪素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化珪素粒子を添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、酸化珪素粒子のスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化珪素粒子の乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びV型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加される。上記有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子を得るために、光半導体装置用封止剤を調製する際に、酸化珪素粒子と上記第1,第2のオルガノポリシロキサン等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。上記第1のオルガノポリシロキサンと上記第2のオルガノポリシロキサンとの合計100重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量は、好ましくは0.1重量部以上、より好ましくは0.5重量部以上、更に好ましくは1重量部以上、好ましくは40重量部以下、より好ましくは35重量部以下、更に好ましくは20重量部以下である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記下限以上であると、硬化時の粘度低下を抑制可能である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記上限以下であると、封止剤の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつ封止剤の透明性をより一層高めることができる。蛍光体本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体をさらに含んでいてもよい。上記蛍光体は、光半導体装置用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。例えば、発光素子として紫外線LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Sr、Ca、Ba、Mg10PO46Cl2:Eu、Ba、SrMgAl10O17:Eu、Sr、Ba3MgSi2O8:Eu等が挙げられる。上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Sr、CaS:Eu、Ca、Sr2Si5N8:Eu、CaSiN2:Eu、CaAlSiN3:Eu、Y2O2S:Eu、La2O2S:Eu、LiW2O8:Eu、Sm、Sr、Ca、Bs、Mg10PO48Cl2:Eu、Mn、Ba3MgSi2O8:Eu、Mn等が挙げられる。上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Y3Al、Ga5O12:Ce、SrGa2S4:Eu、Ca3Sc2Si3O12:Ce、SrSiON:Eu、ZnS:Cu、Al、BaMgAl10O17Eu、Mn、SrAl2O4:Eu等が挙げられる。上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Y3Al5O12:Ce、Y、Gd3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、CaGa2S4:Eu、Sr2SiO4:Eu等が挙げられる。さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。所望の色の光を得るように、上記蛍光体の含有量は適宜調整でき、特に限定されない。本発明に係る光半導体装置用封止剤100重量部に対して、上記蛍光体の含有量は好ましくは0.1重量部以上、好ましくは40重量部以下である。光半導体装置用封止剤の蛍光体を除く全成分100重量部に対して、上記蛍光体の含有量は好ましくは0.1重量部以上、好ましくは40重量部以下である。カップリング剤本発明に係る光半導体装置用封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含有してもよい。上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、及びN-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。上記カップリング剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。他の成分本発明に係る光半導体装置用封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー又は難燃剤等の添加剤をさらに含有してもよい。なお、上記第1のオルガノポリシロキサンと、上記第2のオルガノポリシロキサンと、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを1種又は2種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。例えば、上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記ヒドロシリル化反応用触媒を含むA液と、上記第2のオルガノポリシロキサンを含むB液とを別々に調製しておき、使用直前にA液とB液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。この場合に、上記酸化珪素粒子及び上記蛍光体はそれぞれ、A液に添加してもよく、B液に添加してもよい。このように上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第2のオルガノポリシロキサンとを別々に、第1の液と第2の液との2液にすることによって、封止剤の保存安定性がより一層良好になる。光半導体装置用封止剤の詳細及び用途本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用封止剤の硬化温度は、好ましくは80°C以上、より好ましくは100°C以上、好ましくは180°C以下、より好ましくは150°C以下である。硬化温度が上記下限以上であると、封止剤の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記上限以下であると、パッケージの熱劣化が起こり難い。硬化方式は特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、封止剤の硬化収縮が抑えられる。本発明に係る光半導体装置用封止剤の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第1のオルガノポリシロキサン、上記第2のオルガノポリシロキサン、上記ヒドロシリル化反応用触媒、及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。上記発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にLED形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、及びSiC等が挙げられる。上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、及びGaN単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、GaN及びAlN等が挙げられる。本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられた光半導体装置用封止剤の硬化物とを備える。本発明に係る光半導体装置では、該光半導体装置用封止剤の硬化物が上述した光半導体装置用封止剤を硬化させることにより形成されている。光半導体装置の実施形態図1は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。本実施形態の光半導体装置1は、接続対象部材であるハウジング2と、光半導体素子3とを有する。ハウジング2内にLED素子である光半導体素子3が実装されている。この光半導体素子3の周囲を、ハウジング2の光反射性を有する内面2aが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子3が用いられている。ハウジング2の内面2aは、内面2aの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子3から発せられた光のうち、内面2aに到達した光B1が内面2aにより反射され、光半導体素子3の前方側に進行する。光半導体素子3は、ハウジング2に設けられたリード電極4に、ダイボンド材5を用いて接続されている。光半導体素子3に設けられたボンディングパッド図示せずとリード電極4とが、ボンディングワイヤー6により電気的に接続されている。光半導体素子3及びボンディングワイヤー6を封止するように、内面2aで囲まれた領域内には、封止剤7が充填されている。封止剤7は、上述した光半導体装置用封止剤の硬化物であり、上述した光半導体装置用封止剤を硬化させることにより形成されている。光半導体装置1では、光半導体素子3を駆動すると、破線Aで示すように光が発せられる。この場合、光半導体素子3からリード電極4の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、ダイボンド材5に到達した光が矢印B2で示すように反射される光もある。なお、図1に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体素子3の実装構造等には適宜変形され得る。以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。合成例1第1のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコ中で、ジメチルジメトキシシラン112g、ジフェニルジメトキシシラン337.3g、及びビニルトリメトキシシラン51.4gを、50°Cで攪拌して撹拌液を得た。その中に、水酸化カリウム0.65gを水88.3gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、第一反応液を得た。次に、第一反応液中に、ビニルトリメトキシシラン73.8g及びトルエン258.8gを入れ、攪拌した。その中に、水酸化カリウム3.5gをメタノール172.8に溶かした溶液を入れ、80°Cで2時間攪拌し、第二反応液を得た。次に第二反応液中に酢酸4.44gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーAを得た。得られたポリマーAの25°Cでの粘度は3700mPasであった。なお、合成例1及び後述する合成例で得られたポリマーの粘度は、東機産業社製VISCOMETRETV-22、スピンドルNo.4を使って測定した。1H-NMRによる測定の結果、ポリマーAのフェニル基の含有比率は51.9個数、ビニル基の含有比率は6.6個数、メチル基の含有比率は41.3個数、アルコキシ基の含有比率は0.2個数であった。なお、合成例1及び後述の合成例で示した含有比率は、珪素原子に結合した各基の含有比率を示す。合成例2第1のオルガノポリシロキサンの合成第一反応液を得る際に、撹拌液を、ジメチルジメトキシシラン112g、ジフェニルジメトキシシラン333g、及びビニルトリメトキシシラン55gを50°Cで攪拌した撹拌液に変更したこと以外は、合成例1と同様にしてポリマーBを得た。得られたポリマーBの25°Cでの粘度は3900mPasであった。1H-NMRによる測定の結果、ポリマーBのフェニル基の含有比率は53個数、ビニル基の含有比率は5.5個数、メチル基の含有比率は41.3個数、アルコキシ基の含有比率は0.2個数であった。合成例3第1のオルガノポリシロキサンの合成第一反応液を得る際に、撹拌液を、ジメチルジメトキシシラン102g、ジフェニルジメトキシシラン356g、及びビニルトリメトキシシラン53gを50°Cで攪拌した撹拌液に変更したこと以外は、合成例1と同様にしてポリマーCを得た。得られたポリマーCの25°Cでの粘度は3800mPasであった。1H-NMRによる測定の結果、ポリマーCのフェニル基の含有比率は52.4個数、ビニル基の含有比率は8.2個数、メチル基の含有比率は39.2個数、アルコキシ基の含有比率は0.2個数であった。合成例4第1のオルガノポリシロキサンの合成第一反応液を得る際に、撹拌液を、ジメチルジメトキシシラン120g、ジフェニルジメトキシシラン321g、及びビニルトリメトキシシラン51.4gを50°Cで攪拌した撹拌液に変更したこと以外は、合成例1と同様にしてポリマーDを得た。得られたポリマーDの25°Cでの粘度は3700mPasであった。1H-NMRによる測定の結果、ポリマーDのフェニル基の含有比率は51.9個数、ビニル基の含有比率は5.5個数、メチル基の含有比率は42.4個数、アルコキシ基の含有比率は0.2個数であった。合成例5第1のオルガノポリシロキサンの合成第一反応液を得る際に、撹拌液を、ジメチルジメトキシシラン115g、ジフェニルジメトキシシラン326g、及びビニルトリメトキシシラン55gを50°Cで攪拌した撹拌液に変更したこと以外は、合成例1と同様にしてポリマーEを得た。得られたポリマーEの25°Cでの粘度は3800mPasであった。1H-NMRよりポリマーEのフェニル基の含有比率は53個数、ビニル基の含有比率は5.2個数、メチル基の含有比率は41.6個数、アルコキシ基の含有比率は0.2個数であった。合成例6第1のオルガノポリシロキサンの合成第一反応液を得る際に、撹拌液を、ジメチルジメトキシシラン108g、ジフェニルジメトキシシラン347g、及びビニルトリメトキシシラン50.5gを50°Cで攪拌した撹拌液に変更したこと以外は、合成例1と同様にしてポリマーFを得た。得られたポリマーFの25°Cでの粘度は3200mPasであった。1H-NMRによる測定の結果、ポリマーFのフェニル基の含有比率は51.1個数、ビニル基の含有比率は9個数、メチル基の含有比率は39.7個数、アルコキシ基の含有比率は0.2個数であった。合成例7第2のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコ中で、トリメチルメトキシシラン51.6g、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン53.4g、ビニルメチルジメトキシシラン59.5g、トリメトキシビニルシラン11.1g、ジフェニルジメトキシシラン38.7g、及びフェニルトリメトキシシラン282.3gを、50°Cで攪拌して撹拌液を得た。その中に、p-トルエンスルホン酸2.82gと水119gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーGを得た。得られたポリマーGの25°Cでの粘度は1200mPasであった。1H-NMRによる測定の結果、ポリマーGのフェニル基の含有比率は31個数、ビニル基の含有比率は8.3個数、メチル基の含有比率は51.3個数、アルコキシ基の含有比率は0.1個数であった。合成例8第2のオルガノポリシロキサンの合成撹拌液を、トリメチルメトキシシラン58.3g、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン45g、ビニルメチルジメトキシシラン59.5g、トリメトキシビニルシラン10g、ジフェニルジメトキシシラン40g、及びフェニルトリメトキシシラン282.3gを50°Cで撹拌した撹拌液に変更したこと以外は、合成例7と同様にしてポリマーHを得た。得られたポリマーHの25°Cでの粘度は1200mPasであった。1H-NMRによる測定の結果、ポリマーHのフェニル基の含有比率は32個数、ビニル基の含有比率は7個数、メチル基の含有比率は52.9個数、アルコキシ基の含有比率は0.1個数であった。合成例9第2のオルガノポリシロキサンの合成撹拌液を、トリメチルメトキシシラン50.5g、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン55g、ビニルメチルジメトキシシラン59.5g、トリメトキシビニルシラン12g、ジフェニルジメトキシシラン37g、及びフェニルトリメトキシシラン282.3gを50°Cで撹拌した撹拌液に変更したこと以外は、合成例7と同様にしてポリマーIを得た。得られたポリマーIの25°Cでの粘度は1050mPasであった。1H-NMRによる測定の結果、ポリマーIのフェニル基の含有比率は30個数、ビニル基の含有比率は9.1個数、メチル基の含有比率は50.8個数、アルコキシ基の含有比率は0.1個数であった。合成例10第2のオルガノポリシロキサンの合成撹拌液を、トリメチルメトキシシラン51.5g、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン55.4g、ビニルメチルジメトキシシラン59.5g、トリメトキシビニルシラン9g、ジフェニルジメトキシシラン38.7g、及びフェニルトリメトキシシラン282.3gを50°Cで撹拌した撹拌液に変更したこと以外は、合成例7と同様にしてポリマーJを得た。得られたポリマーJの25°Cでの粘度は1200mPasであった。1H-NMRによる測定の結果、ポリマーJのフェニル基の含有比率は31個数、ビニル基の含有比率は6.5個数、メチル基の含有比率は52.2個数、アルコキシ基の含有比率は0.1個数であった。合成例11第2のオルガノポリシロキサンの合成撹拌液を、トリメチルメトキシシラン61.7g、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン42g、ビニルメチルジメトキシシラン59.5g、トリメトキシビニルシラン8.5g、ジフェニルジメトキシシラン40g、及びフェニルトリメトキシシラン282.3gを50°Cで撹拌した撹拌液に変更したこと以外は、合成例7と同様にしてポリマーKを得た。得られたポリマーKの25°Cでの粘度は1300mPasであった。1H-NMRによる測定の結果、ポリマーKのフェニル基の含有比率は32個数、ビニル基の含有比率は6.1個数、メチル基の含有比率は54.8個数、アルコキシ基の含有比率は0.1個数であった。合成例12第2のオルガノポリシロキサンの合成撹拌液を、トリメチルメトキシシラン47.8g、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン58g、ビニルメチルジメトキシシラン59.5g、トリメトキシビニルシラン12.5g、ジフェニルジメトキシシラン37g、及びフェニルトリメトキシシラン282.3gを50°Cで撹拌した撹拌液に変更したこと以外は、合成例7と同様にしてポリマーLを得た。得られたポリマーLの粘度は1050mPasであった。1H-NMRによる測定の結果、ポリマーLのフェニル基の含有比率は30個数、ビニル基の含有比率は9.3個数、メチル基の含有比率は49.6個数、アルコキシ基の含有比率は0.1個数であった。白金アルケニル錯体Aの合成環流管を備えた反応フラスコに、塩化白金酸6水和物H2PtCl66H2O、300mg、及び2-プロパノール4.6mlを入れて、窒素雰囲気下にて室温で20分間攪拌した。20分後、炭酸水素ナトリウムNaHCO3、400mgを加えて、ガスの発生がなくなるまで攪拌し、次に1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン20当量、2.16gを加え、反応溶液を60°Cで24時間攪拌した。反応溶液を室温に戻し、無水硫酸マグネシウム300mgを加えて5分間攪拌した。その後、ジエチルエーテルを溶媒に用いてセライトろ過を行い、溶液量が5gになるまで濃縮し、白金アルケニル錯体Aの溶液を得た。実施例1ポリマーA10g、ポリマーG20g及び白金アルケニル錯体Aの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例2ポリマーB10g、ポリマーH20g及び白金アルケニル錯体Aの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例3ポリマーC10g、ポリマーI20g及び白金アルケニル錯体Aの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例4ポリマーD10g、ポリマーJ20g及び白金アルケニル錯体Aの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。比較例1ポリマーE10g、ポリマーK20g及び白金アルケニル錯体Aの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。比較例2ポリマーF10g、ポリマーL20g及び白金アルケニル錯体Aの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。評価珪素原子に結合した官能基の比の測定封止剤中のオルガノポリシロキサン成分について、テトラメチルシラン以下、TMSを基準に1H-NMRを行うと、珪素原子に結合したアルケニル基に相当するピークは7.0~7.8ppm付近に現れ、珪素原子に結合した水素原子に相当するピークは4.5~4.9ppm付近に現れ、珪素原子に結合したアリール基に相当するピークは5.6~6.0ppm付近に現れ、珪素原子に結合した飽和鎖式炭化水素基に相当するピークは-0.4~0.4ppm付近に現れ、珪素原子に結合したアルコキシ基に相当するピークは3.3~3.8ppm付近に現れる。従って、1H-NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積から珪素原子に結合した官能基の比を測定した。1H-NMRによる測定の結果、オルガノポリシロキサン成分の上記式Xaより求められる珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率と、上記式Xbより求められる珪素原子に結合した水素原子の含有比率と、上記式Xcより求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率と、上記式Xdより求められる珪素原子に結合した飽和鎖式炭化水素基の含有比率と、上記式Xeより求められる珪素原子に結合したアルコキシ基の含有比率を測定した。保存安定性得られた各光半導体装置用封止剤を混合し、脱泡した直後の初期粘度と、得られた光半導体装置用封止剤を混合し、脱泡してから40°Cで24時間放置した後の経時後粘度とを測定した。E型粘度計TV-22型、東機産業社製を用いて、25°Cにおける10rpmでの粘度mPasを測定し、粘度変化を保存安定性として評価した。下記式の粘度比が1.2以下の場合を良好、粘度比が1.2を超える場合を悪化と判定した。粘度比=η1/η0η0:初期粘度mPasη1:経時後粘度mPas蛍光体入り封止剤の作製及び該蛍光体入り封止剤のゲル分率の測定得られた各光半導体装置用封止剤10重量部に、蛍光体粉末体積平均粒径17μm、比重4.7、EY4453、インテマティックス社製0.8重量部と、白金アルケニル錯体Aの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量とを入れて、攪拌し、脱泡し、光半導体装置用封止剤以下、蛍光体入り封止剤と称することがあるを得た。蛍光体入り封止剤を150°Cで2時間加熱して硬化させ、縦50mm×横10mm×厚み1mmの硬化物を得た。この硬化物の重量W1を測定した。次に、上記硬化物をトルエン中に23°Cにて24時間浸漬した。その後、硬化物をトルエンから取り出して、110°Cの条件下で1時間乾燥させた。そして、乾燥後の硬化物の重量W2を測定し、下記式Y1によりゲル分率を算出した。ゲル分率重量=W2-W3/W1-W3×100式Y1W1:浸漬前の硬化物の重量gW2:浸漬及び乾燥後の硬化物の重量gW3:蛍光体の重量g光半導体装置の作製光半導体用リードフレームエノモト社製OP-1NEWに、ダイボンド材と主発光ピークが460nmの発光素子とを、ダイボンダーキャノンマシナリー社製BESTEM-D01Rを用いて実装し、ダイボンド材を160°Cで2時間加熱して硬化させた。その後、線径25μmの金ワイヤー住友金属鉱山社製CB-3をワイヤーボンダー新川社製UTC-2000を用いてワイヤーボンディングを行った。その後、得られた蛍光体入り光半導体装置用封止剤を注入し、150°Cで2時間加熱して硬化させることにより光半導体装置を作製した。得られた光半導体装置を用いて、下記の熱衝撃試験を実施した。ワイヤーの切断の有無得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機TSB-51、ESPEC社製を用いて、-50°Cで5分間保持した後、150°Cまで昇温し、150°Cで5分間保持した後-50°Cまで降温する過程を1サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。500サイクル後にそれぞれ20個のサンプルを取り出した。実体顕微鏡SMZ-10、ニコン社製にてサンプルを観察した。20個のサンプルにおいてそれぞれワイヤーの切断が生じているか否かを評価した。表面のべたつき得られた光半導体装置を、23°C及び50RHの雰囲気下で24時間放置した。24時間放置した後直ちに、封止剤の硬化物の表面の粘着性べたつきを、硬化物に指を接触させて確認した。指を接触させた場合に粘着性べたつきをほとんど感じない場合には、べたつきをなしと判定し、指の表面が粘着性べたつきを感じた場合には、べたつきをありと判定した。蛍光体を含まない封止剤のゲル分率の測定実施例及び比較例で得られた各光半導体装置用封止剤を150°Cで2時間加熱して硬化させ、縦50mm×横10mm×厚み1mmの硬化物を得た。この硬化物の重量W1を測定した。次に、上記硬化物をトルエン中に23°Cにて24時間浸漬した。その後、硬化物をトルエンから取り出して、110°Cの条件下で1時間乾燥させた。そして、乾燥後の硬化物の重量W2を測定し、下記式Y2によりゲル分率を算出した。ゲル分率重量=W2/W1×100式Y2W1:浸漬前の硬化物の重量gW2:浸漬及び乾燥後の硬化物の重量g結果を下記の表1に示す。なお、下記の表1に、上記式Xa、上記式Xb、上記式Xc、上記式Xd又は上記式Xeより求められる珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率、珪素原子に結合した水素原子の含有比率、珪素原子に結合したアリール基の含有比率、珪素原子に結合した飽和鎖式炭化水素基の含有比率及び珪素原子に結合したアルコキシ基の含有比率の値を示した。"