電力の供給により原料ガスをプラズマにして活性種に分解し基板上に堆積させ半導体薄膜を製造する方法において、前記原料ガスは第14族元素水素化合物および/または第14族元素水素化合物の誘導体を含み、前記電力が供給されるオン状態と、前記電力が供給されないオフ状態とが交互に切り替わり、かつオフ状態の継続時間が一定でない、半導体薄膜の製造方法。前記オフ状態の前記継続時間は、5μsec~500μsecの第1継続時間と、0.1msec~100secの第2継続時間とを少なくとも有する、請求項1に記載の半導体薄膜の製造方法。前記オン状態と前記オフ状態は、複数の周期に同期して切り替わる、請求項1または2に記載の半導体薄膜の製造方法。液晶表示デバイスにおける各表示画素のスイッチ素子や、太陽電池などの量産プロセスにおいて、製造設備の投資コストの面から、プラズマCVD装置のスループット向上が重要であり、そのためには成膜速度の高速化技術開発が急務となっている。間欠放電プラズマCVD法に対する種々の検討の結果、ある程度良好な膜が得られているものの、製膜速度を高くすると膜質が劣化するという課題が存在するのが現状である。したがって、本発明は、高速成膜時でも高品質な水素化アモルファスシリコン膜を形成することができる半導体薄膜の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、電力の供給により原料ガスをプラズマにして活性種に分解し基板上に堆積させ半導体薄膜を製造する方法において、上記原料ガスは第14族元素水素化合物および/または第14族元素水素化合物の誘導体を含み、上記記電力が供給されるオン状態と、上記電力が供給されないオフ状態とが交互に切り替わり、かつオフ状態の継続時間が一定でない、半導体薄膜の製造方法を提供する。上記の本発明において、上記オフ状態の上記継続時間は、5μsec~500μsecの第1継続時間と、0.1msec~100secの第2継続時間とを少なくとも有することが好ましい。上記の本発明の一実施形態において、上記オン状態と上記オフ状態は、複数の周期に同期して切り替わるように制御される。本発明の半導体薄膜の製造方法によると、半導体薄膜の成膜速度を低下させることなくエネルギー変換効率を向上させた光電変換素子を製造することができる。本発明は、電力の供給により原料ガスをプラズマにして活性種に分解し基板上に堆積させる、いわゆるプラズマCVD法により半導体薄膜を製造する。本発明は、電力が供給されるオン状態と、電力が供給されないオフ状態とが交互に切り替わる間欠放電プラズマCVD法による。本発明の方法においては、オフ状態の継続時間が一定とならないように制御を行なう。オフ状態の継続時間としては、異なる二つの継続時間である、5μsec~500μsecの第1継続時間と、0.1msec~100secの第2継続時間とを少なくとも有することが好ましい。具体的には、オン状態とオフ状態が、複数の周期に同期するように制御することにより、オフ状態の継続時間が一定とならないように制御することができる。たとえば、オン状態とオフ状態が、異なる二つの周期に同期するように制御することにより、オフ状態の継続時間が二種類となるように制御することができる。本発明において、上記原料ガスは第14族元素水素化合物および/または第14族元素水素化合物の誘導体を含む。[第1の実施形態]以下、本発明の第1の実施形態について説明する。本実施形態は太陽電池用の半導体薄膜の製造方法に関するものであり、上記原料ガスは、第14族元素水素化合物であるモノシランを含む。なお、原料ガスとして、モノシランに限定されることはなく第14族元素水素化合物の誘導体であるSiH2F2、SiHF3、SiH2C12を用いることもできる。図1は、本実施形態で使用するプラズマCVD装置を模式的に示す断面図である。この装置は、いわゆる容量結合型のプラズマCVD装置であり、反応室1のカソード電極2と高周波電力3aを発振する高周波電源3およびパルス信号4aを発信する変調用電源4とがマッチング回路5を介して接続され、カソード電極2と絶縁性基板11を固定したアノード電極7との間の領域においてプラズマ8を発生させるという構造を有している。高周波電源3の発振周波数は10MHz~100MHzで、変調用電源4から発信される、周期が異なる複数のパルス信号により、反応室1内に供給される高周波電源3からの高周波電力のオン状態およびオフ状態の切り替えが制御される。このプラズマCVD装置においては、流量コントローラ図示せずによって反応室1に各ガスを流量制御しながら導入し導入口を図示せず、一定の流量割合で排気して、反応室1内の圧力を一定に維持している。図2は、本実施形態における高周波電力供給の信号波形の好ましい一例を示す図である。図2に示す信号波形は、異なる二つの周期に同期する。ここでは、異なる二つの周期の内、短い方の周期を第1周期、長い方の周期を第2周期とし、第1周期におけるオン状態の継続時間をTon_1、オフ状態の継続時間をToff_1第1継続時間とし、第2周期におけるオン状態の継続時間をTon_2、オフ状態の継続時間をToff_2第2継続時間とする。すなわち、図1に示す高周波電力供給の信号波形は、オフ状態の継続時間として、Toff_1およびToff_2の2種類を有する。第1周期における1周期の時間T1はTon_1Toff_1であり、第2周期における1周期の時間T2はTon_2Toff_2である。高周波電力供給が同期する第1周期および第2周期は、それぞれ変調用電源4から発信される第1パルス信号および第2パルス信号の周期に対応する。変調用電源4から発信される第1パルス信号および第2パルス信号はマッチング回路5に入力される。第1パルス信号は、時間Ton_1のオン状態と、時間Toff_1のオフ状態が繰り返されるパルス信号である。第2パルス信号は、時間Ton_2のオン状態と、時間Toff_2のオフ状態が繰り返されるパルス信号である。マッチング回路5から反応室1内に供給される高周波電力は、第1パルス信号および第2パルス信号がともにオン状態にあるときはオン状態となり、第2パルス信号および第2パルス信号のいずれかがオフ状態にあるときはオフ状態となるように制御される。第1のパルス信号および第2のパルス信号は、Toff_1がToff_2より小さくなるように生成されることが好ましい。また、第1のパルス信号は、プラズマ中の活性ラジカルを消滅させるために好適であり高品質の堆積膜を形成できる観点からToff_1が5μsec~500μsecとなるように生成されることが好ましい。第2のパルス信号は、堆積層表面における原子状ネットワークの構造緩和促進に好適であり高品質の堆積膜を形成できる観点からToff_2が0.1msec~100secとなるようにパルス信号が形成されることが好ましい。図3は、本実施形態の方法により半導体薄膜が形成され製造される単層型シリコン薄膜光電変換素子の一例を模式的に示す断面図である。図3に示す単層型シリコン薄膜光電変換素子は、透光性の絶縁性基板11上にSnO2からなる透明導電膜12を有する。透明導電膜12の表面は光閉じ込め効果に有効なテクスチャー構造になっている。そして、その上にアモルファスシリコンp層p型半導体層13a、アモルファスシリコンi層i型半導体層13b、アモルファスシリコンn層n型半導体層13c、ZnOからなる高反射膜14、銀からなる裏面電極15をそれぞれ順次積層した構造である。p型半導体層13a、i型半導体層13b、n型半導体層13cにより、光電変換層13が構成される。透明導電膜12は、SnO2に限定されることはなくITOやZnOなどを用いることが可能である。裏面電極15は銀以外でもよいが、電気伝導の良い金属が望ましい。実施例1実施例1では、第1の実施形態の製造方法により、図3に示す単層型シリコン薄膜光電変換素子を製造した。まず、スパッタ法にて透明導電膜12を形成した基板を図1に示すプラズマCVD装置のアノード電極7上に固定し、透明導電膜2上に基板温度200°Cの下で、厚さ14nmのアモルファスシリコンp層13a、厚さ300nmのアモルファスシリコンi層13b、厚さ20nmのアモルファスシリコンn層13cをそれぞれプラズマCVD法により順次積層した。最後にスパッタ法にて、光電変換層13上に、ZnOからなる高反射膜14、銀からなる裏面電極15を形成した。アモルファスシリコンp層13aの形成には原料ガスとしてSiH4、H2、B2H6およびCH4を用い、アモルファスシリコンi層13bの形成には原料ガスとしてSiH4およびH2を用い、アモルファスシリコンn層13cの形成には原料ガスとしてSiH4、H2およびPH3を用いた。表1は、各半導体層の積層工程における、各ガスの流量を示す。各半導体層の形成条件は、RFパワーが10W~100W、圧力が0.1~5.0Torrとなるように調整した。アモルファスシリコンp層13aの形成工程においては、図2に示す信号波形となるように高周波電力供給を制御した。表2は、アモルファスシリコンp層3a形成時の高周波電力供給における、本実施例で採用した第1周期のオン状態の継続時間Ton_1、オフ状態の継続時間Toff_1を示す。表3は、本実施例で採用した第2周期におけるオン状態の継続時間Ton_2、オフ状態の継続時間Toff_2を示す。本実施例において、アモルファスシリコンp層3aの膜堆積速度は0.33[Å/sec]であった。また、表4は、各半導体層のバンドキャップ、活性化エネルギーおよび膜厚を示す。比較例1比較例1では、アモルファスシリコンp層13aの形成工程における高周波電力供給の信号波形が異なる点以外は、実施例1と同様に単層型シリコン薄膜光電変換素子を製造した。図4は、比較例1のアモルファスシリコンp層13aの形成工程における高周波電力供給の信号波形を示す。比較例1では、図4に示すように、高周波電力供給のオン状態およびオフ状態が交互に切り替わり、オン状態およびオフ状態それぞれの継続時間は一定である。図4において、オン状態の継続時間をTon、オフ状態の継続時間をToffとする。表5は、比較例1で採用したオン状態の継続時間Ton、オフ状態の継続時間Toffを示す。比較例1において、アモルファスシリコンp層13aの膜堆積速度は0.29[Å/sec]、厚さは14nmであった。評価実施例1および比較例1で製造した単層型シリコン薄膜光電変換素子について、分光分布AM1.5、放射照度100mW/cm2の条件下でエネルギー変換効率に影響する短絡電流密度Jsc、開放電圧Voc、形状因子FFをで計測し、エネルギー変換効率を求めた。その結果を表6に示す。表6においては、アモルファスシリコンp層3aの形成工程の膜堆積速度もあわせて示す。一般的に膜欠陥密度と膜堆積速度はトレードオフの関係にあり、膜堆積速度が低いと膜欠陥密度が小さくなり、セル特性が改善する傾向にある。しかしながら、実施例1におけるアモルファスシリコンp層13aの膜堆積速度0.33Å/secは、比較例1におけるアモルファスシリコンp層13aの膜堆積速度0.29Åsecより高いにもかかわらず、比較例1よりもエネルギー変換効率が高い結果となった。これは電力供給のオン状態とオフ状態が、複数の周期に同期して切り替わるように制御される本発明の製造方法による効果であると考えられる。実施例1においては、アモルファスシリコンp層13aの形成工程においてのみ、電力供給の信号波形が図2に示す波形となるように制御したが、同じくアモルファスシリコンi層13b、アモルファスシリコンn層13cの形成工程においても、オン状態とオフ状態とを複数の周期に同期するように切り替えても同様の効果が得られる。また、本発明は単層型シリコン薄膜光電変換素子だけでなく、積層型シリコン薄膜光電変換素子の製造にも効果的である。さらに、本発明は液晶表示デバイスにおける各表示画素のスイッチ素子の製造にも効果的である。間欠的な電力供給間欠放電で水素化アモルファスシリコン膜を堆積する場合、欠陥密度生成の要因となるプラズマ中の活性ラジカル例えは、SiH2が、電力供給が休止するオフ状態で消滅することにより、水素化アモルファスシリコン薄膜中に取り込まれるプラズマ中の活性ラジカルが減少し、欠陥密度が低減すると考えられる。一方、欠陥密度低減には水素化アモルファスシリコン膜における原子状ネットワークの構造緩和促進も効果的であると考えられる。プラズマ中の活性ラジカルの消滅時間に対して、原子状ネットワークの構造緩和促進に必要な時間は十分に長い。従来の間欠放電プラズマCVD法において、原子状ネットワークの構造緩和促進に必要な期間を放電休止すると、膜堆積速度が極端に低下するため、プラズマCVD装置のスループットが大幅に低下した。本発明においては、数原子層~数十原子層が堆積する間は従来の間欠的な電力供給を採用し、電力供給のオフ状態においてプラズマ中の活性ラジカルの含有量を低減させる。この過程における電力供給のオン状態とオフ状態の切り替えは第1周期に基づく。次に、数原子層~数十原子層が堆積した後に、原子状ネットワークの構造緩和促進に必要な期間は電力供給をオフ状態とし、堆積膜最表面での構造緩和を促進させる。この過程におけるオフ状態の継続時間は第2周期に基づく。本発明では、従来の間欠放電プラズマCVD法では実施されなかった堆積膜における原子状ネットワークの構造緩和が促進されるので、欠陥密度の低減に効果的である。また本発明では、原子状ネットワークの構造緩和の促進のために設定する電力供給のオフ状態を数原子層~数十原子層堆積毎に設けることにより、膜堆積速度の低下を最小限に留めることが可能である。実施例1では、電力供給のオフ状態において、膜の最表面近傍領域における原子状ネットワークの構造緩和が促進されボロン原子が活性化し、p型半導体層の活性化エネルギーが低減して、FFの改善、開放電圧の改善、変換効率の改善が実現したものと考えられる。本発明はp型半導体層だけでなく、i型半導体層およびn型半導体層に適用しても同様の効果が得られる。i型半導体層の場合は原子状ネットワークの構造緩和が促進され、膜欠陥密度が低減し、i型半導体層の光導電率及びSN比の改善に効果がある。またn型半導体層の場合には、p型半導体層同様に原子状ネットワークの構造緩和によりドーパント原子実施例1ではPが活性化され、n型半導体層の活性化エネルギー低減される。いずれの層に本発明を適用した場合でもセル特性改善に効果がある。