"TOCANパッケージと、FPC基板とを有し、前記TOCANパッケージに配された同軸ピンが、前記FPC基板の表面に配された高周波信号線路に接続され、前記高周波信号線路から、前記同軸ピンを介して、前記TOCANパッケージの内部に配された光半導体素子に高周波電気信号を導通し、前記TOCANパッケージに配された複数のDCピンが屈曲し、前記FPC基板の裏面に配された直流信号線路に接続され、前記直流信号線路から、前記複数のDCピンのうちの前記同軸ピンから3mm以上74mm以下離れたDCピンを介して、前記光半導体素子に直流電流を導通する構成としたことを特徴とする光送信モジュール。請求項1に記載の光送信モジュールにおいて、前記FPC基板はLCP材料を用いて作成したものであることを特徴とする光送信モジュール。請求項1又は2に記載の光送信モジュールにおいて、前記光半導体素子がEADFBレーザであり、前記同軸ピンからの電気配線が前記EADFBレーザにおけるEA変調器部に接続され、前記同軸ピンから3mm以上74mm以下離れた前記DCピンからの電気配線が、前記EADFBレーザにおけるDFBレーザ部に接続されていることを特徴とする光送信モジュール。請求項1~3の何れか1項に記載の光送信モジュールにおいて、前記光半導体素子が直接変調レーザであり、前記直接変調レーザに、前記同軸ピンから高周波電気信号を導通し、前記同軸ピンから3mm以上74mm以下離れた前記DCピンから直流電流を導通する構成としたことを特徴とする光送信モジュール。請求項1~4の何れか1項に記載の光送信モジュールにおいて、前記FPC基板の表面に接地電極が配され、前記同軸ピンと前記接地電極との間の距離が、01mm以上03mm以下であることを特徴とする光送信モジュール。請求項1~5の何れか1項に記載の光送信モジュールにおいて、前記同軸ピンとFPC基板との接続部における空気ギャップが、0より大きく01mm以下であることを特徴とする光送信モジュール。請求項1~5の何れか1項に記載の光送信モジュールにおいて、前記同軸ピンとFPC基板の接続部における空気ギャップが無いことを特徴とする光送信モジュール。請求項1~7の何れか1項に記載の光送信モジュールにおいて、前記同軸ピンとFPC基板の接続部における高さ方向のずれが、0より大きく02mm以下であることを特徴とする光送信モジュール。しかしながら、TOCANパッケージ13を用いる場合、TOCANパッケージ13のサイズ内に光半導体素子及びその他の構成部品を配さなければならないという制約が生じる。そのため光半導体素子LDに導通する高周波電気信号に対して、光半導体素子LDに供給する直流電流による発熱が影響を与えていた。従来の積層セラミックパッケージ5を用いた光送信モジュール6においては、積層セラミックパッケージが12mm×18mmとサイズが大きかったため上述のような問題は生じなかった。従って、本発明はTOCANパッケージとFPC基板を用いた光送信モジュールにおける上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、TOCANパッケージ内部の光半導体素子に供給する直流電流による発熱が光半導体素子に導通する高周波電気信号に影響を与えることを防止することなどが可能な構成の光送信モジュールを提供することを課題とする。上記課題を解決する第1発明の光送信モジュールは、TOCANパッケージと、FPC基板とを有し、前記TOCANパッケージに配された同軸ピンが、前記FPC基板の表面に配された高周波信号線路に接続され、前記高周波信号線路から、前記同軸ピンを介して、前記TOCANパッケージの内部に配された光半導体素子に高周波電気信号を導通し、前記TOCANパッケージに配された複数のDCピンが屈曲し、前記FPC基板の裏面に配された直流信号線路に接続され、前記直流信号線路から、前記複数のDCピンのうちの前記同軸ピンから3mm以上74mm以下離れたDCピンを介して、前記光半導体素子に直流電流を導通する構成としたことを特徴とする。また、第2発明の光送信モジュールは、第1発明の光送信モジュールにおいて、前記FPC基板はLCP材料を用いて作成したものであることを特徴とする。また、第3発明の光送信モジュールは、第1又は第2発明の光送信モジュールにおいて、前記光半導体素子がEADFBレーザであり、前記同軸ピンからの電気配線が前記EADFBレーザにおけるEA変調器部に接続され、前記同軸ピンから3mm以上74mm以下離れた前記DCピンからの電気配線が、前記EADFBレーザにおけるDFBレーザ部に接続されていることを特徴とする。また、第4発明の光送信モジュールは、第1~第3発明の何れか1つの光送信モジュールにおいて、前記光半導体素子が直接変調レーザであり、前記直接変調レーザに、前記同軸ピンから高周波電気信号を導通し、前記同軸ピンから3mm以上74mm以下離れた前記DCピンから直流電流を導通する構成としたことを特徴とする。また、第5発明の光送信モジュールは、第1~第4発明の何れか1つの光送信モジュールにおいて、前記FPC基板の表面に接地電極が配され、前記同軸ピンと前記接地電極との間の距離が、01mm以上03mm以下であることを特徴とする。また、第6発明の光送信モジュールは、第1~第5発明の何れか1つの光送信モジュールにおいて、前記同軸ピンとFPC基板との接続部における空気ギャップが、0より大きく01mm以下であることを特徴とする。また、第7発明の光送信モジュールは、第1~第6発明の何れか1つの光送信モジュールにおいて、前記同軸ピンとFPC基板の接続部における空気ギャップが無いことを特徴とする。また、第8発明の光送信モジュールは、第1~第7発明の何れか1つの光送信モジュールにおいて、前記同軸ピンとFPC基板の接続部における高さ方向のずれが、0より大きく02mm以下であることを特徴とする。本発明によれば、直流信号線路から、複数のDCピンのうちの同軸ピンから3mm以上74mm以下離れたDCピンを介して、光半導体素子に直流電流を導通する構成としたことにより、光半導体素子に供給する直流電流による発熱が光半導体素子に導通する高周波電気信号に影響を与えることを防止することができ、25Gbs~100Gbs例えば40Gbsの高周波帯で動作可能な小型低コストの光送信モジュールを実現することができる。以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて詳細に説明する。本発明の光送信モジュールは、大きく3つの要素からなる。これら3つの要素に関して以下に詳細に説明する。1FPC基板のTOCANパッケージへの固定方法。21の固定方法を用いたFPC基板とTOCANパッケージの高周波信号線路部の接続方法。3低い伝送損失低い反射損失を実現するためのFPC基板の構造。まず、本実施の形態例の光送信モジュールの構成要素であるFPC基板とTOCANパッケージを固定接続する方法について説明する。図1に接続方法の説明図を示している。図1aには光送信モジュールのFPC基板12とTOCANパッケージ13の接続部の背面側の斜視図を示しており、図1bにはその断面図を示している。これらの図において21はFPC基板12とTOCANパッケージ13を半田付けする箇所である。図1c及び図1dはTOCANパッケージ13の背面写真であり、高周波同軸ピン22及び複数の直流DCピン23の配置を示している。複数のDCピン23を、以後、図1c及び図1dにおいて左から右へ順に第1のDCピン23、第2のDCピン23、第3のDCピン23とも称する。同軸ピン21は円柱状の導体であり、TOCANパッケージ13の底部13aに設けられた絶縁体で円柱状のガラス24の中心部を貫通してガラス24と同軸になっており即ち周囲をガラス24で埋められており、両側部分が、TOCANパッケージ13の外側図1bにおける右側と内側図1bにおける左側とに突出している。各DCピン23も底部13aを貫通して両側部分が、TOCANパッケージ13の外側と内側とに突出している。図1a~図1dに示すように、TOCANパッケージ13には、TOCANパッケージ13の内部に実装されている光半導体素子へ高周波電気信号を導通するための同軸ピン22と、複数のDCピン23が並列に配置されている。これらのピン22,23を用いてFPC基板12を固定する方法について述べる。十分な強度でFPC基板12とTOCANパッケージ13を固定するため、図1a及び図1bに示す半田付け箇所21においてFPC基板12とTO-CANパッケージ13とを、半田を用いて固定する。即ち、FPC基板12の先端面全体即ち図1aに矢印Dで示すFPC基板12の幅方向の全体に亘ってを、TOCANパッケージ13の背面13bに半田付けによって接続している。更に、同軸ピン22TOCANパッケージ13の外側に突出している部分と、FPC基板12の表面に配されている高周波信号線路RF信号線路26も、半田付けによって接続している。その後、各DCピン23とFPC基板12を、半田を用いて図1bに示すように固定する。即ち、FPC基板12の下にある各DCピン23TOCANパッケージ13の外側に突出している部分を、図1bに一点鎖線で示すようにFPC基板12と平行に真直ぐに延びた状態から、矢印Eの如く上にFPC基板12の方向に曲げて図1bに実線で示す状態とし、FPC基板12の裏面の3箇所前記裏面に配された直流信号線路に半田付けによって半田付け箇所25、固定する。なお、この図ではDCピン23を3本としたために3箇所の固定になっているが、TOCANパッケージにスペースがある限り、DCピン23は増やすことが可能である。次に、DCピン23の配線方法について述べる。図2a及び図2bにTOCANパッケージ13を背面側から見た写真を示す。図2aにおいては3本のDCピン23が設けられているが、先にも述べたとおり、DCピン23の数はTOCANパッケージ13の大きさに応じて増やすことができる。図2bには4本のDCピン23を設けた場合を示している。4本のDCピン23を、以後、図2dにおいて左から右へ順に第1のDCピン23、第2のDCピン23、第3のDCピン23、第4のDCピン23とも称する。図3にTOCANパッケージ13の内部の配置を示す。図示例では、TOCANパッケージ13の内部にEADFBレーザ31、高周波回路基板32、モニタPD33、バイパスコンデンサ34、50Ωのチップ抵抗35、サーミスタ36などが配置されている。DCピン23を使用する用途としては、TOCANパッケージ13内部にEADFBレーザ31を実装する場合には、LD注入電流用、モニタPD33用、サーミスタ36用である。TOCANパッケージ13の内部の各素子EADFBレーザ31、モニタPD33、サーミスタ36は、金線ワイヤを用いて各DCピン23に結線する。高周波同軸ピン22のみは、半田を用いてTOCANパッケージ13内部の高周波回路基板32高周波信号線路32aと接続する。各ピン22,23の配置について説明する。図4にFPC基板12をTOCANパッケージ13に接続する際の各ピン22,23の配置を示している。第1~第4のDCピン23がFPC基板12の下側にくる場合が図4a及び図4bであり、第1~第4のDCピン23がFPC基板12の上側に来る場合が図4c及び図4dである。同軸ピン22の位置に一番近いのが第2のDCピン23である。同軸ピン22から一番遠い位置にあるのは第4のDCピン23である。DCピン23は、EADFBレーザを実装する場合には前述のとおり、LD注入電流用、モニタPD23用、サーミスタ36用として用いるが、必要に応じて温度調節素子を駆動するためにも利用する。図4b及び図4dの例では、FPC基板12の裏面に設けられた2つ短い直流信号線路27aのうちの外側の直流信号線路27aに同軸ピン22から最も離れている第4のDCピン23が半田付けで接続され、内側の直流信号線路27aに第3のDCピン23が半田付けで接続されている。FPC基板12の表面には2本の直流信号線路27が設けられており、これら2本の直流信号線路27のうちの外側の直流信号線路27には外側の直流信号線路27aがFPC基板12の貫通穴図示省略を介して電気的に導通され、内側の直流信号線路27には内側の直流信号線路27aがFPC基板12の貫通穴図示省略を介して電気的に導通されている。LD注入電流用、モニタPD23用、サーミスタ36用としてのみDCピン23を利用する場合について説明する。この場合、DCピン23に流れる電流が最も大きいのはLD注入電流用のDCピン23であり、一般に80~120mAの電流が流れる。DCピン23をFPC基板12の裏面に接続する場合、このDCピン23とFPC基板12の接続部で電流が流れることにより熱が発生する図4dの発熱部41を参照。そして、前記接続部からRF信号線路26へ熱伝導することにより、RF信号線路26の温度を上昇させる。この温度上昇によってRF信号線路26の一部で熱勾配が生じると、RF信号線路26の特性インピーダンスが変化し、その結果、RF信号線路26の電気特性を劣化させる。特にFPC基板12は005mmと薄いためにこの効果が顕著に現れる。よって、LD用のDCライン及び接続部は、可能な限りRF信号線路26から離すことが望ましい。そのため、同軸ピン22RF信号線路26から一番遠い位置にある第4のDCピン23を、LD注入電流用に割り当てる。図5にRF信号線路26と、各DCピン23とFPC基板12の各直流信号線路の接続部との間の距離図1aに矢印Dで示すFPC基板12の幅方向の幅方向の距離と、RF信号線路26の温度Tとの関係を示す。図5において、横軸はRF信号線路と、発熱源となる各DCピン23と各直流信号線路の接続部との距離を示し、縦軸はRF信号線路26に伝達する温度をTとし、各DCピン23と各直流信号線路の接続部の温度をT0として規格化した値T/T0を示す。FPC基板12の材料として用いたLCP液晶ポリマーの熱伝導率は約05Wmkである。図5に示されているように、第2のDCピン23と第3のDCピン23と第4のDCピン23を17mm間隔で配置した場合、RF信号線路26が各DCピン23と各直流信号線路の接続部から離れるにつれて熱の影響は減少する。温度T/T0が05になるときが、熱がRF信号線路26に影響を与える限界であるとすると、RF信号線路26と、DCピン23と直流信号線路の接続部との間の距離が3mm以上になると熱の影響を抑制できる。TOCANパッケージ13の大きさを考慮すると、図5の横軸は74mm以下である。図5に示されているように、RF信号線路26から距離17mmの位置に第3のDCピン23を配置した場合、RF信号線路26は、第3のDCピン23とFPC基板12の直流信号線路DCラインとの接続部における発熱の影響を受ける。一方、RF信号線路26から距離34mmの位置に第4のDCピン23を配置すると、RF信号線路26への第4のDCピン23とFPC基板12の直流信号線路との接続部における発熱の影響を抑制することができる。このように第4のDCピン23の位置にLD注入電流用の直流信号線路を配置した方がよいことが分かる。即ち、複数のDCピン23のうちの同軸ピン22から3mm以上74mm以下離れたDCピン32を介して、EADFBレーザなどの光半導体素子に直流電流を導通する構成とすればよい。次に、TOCANパッケージ13とFPC基板12を用いた構成に着目して説明する。今までにこの構成で40Gbs動作を実現する従来技術は無い。図6に10Gbsや25Gbs動作を実現した報告における光送信モジュールの構成を示す。図6aは従来の10Gbs動作までの報告であり、図6bは従来の25Gbs動作までの報告である。図6aに示すように、10Gbs動作の光送信モジュールでは、FPC基板12を90度曲げてTOCANパッケージ13の同軸ピン22とつないでいる。この構成では高周波の電気信号は同軸ピン22とFPC基板12の接続部で90度回転され、同軸ピン22に伝送される。そのため、この接続部分でのRF信号の曲げ損失が問題になる。更に、同軸ピン22の空気にむき出しになっている部分空気ギャップの部分に起因して、同軸ピン22の特性インピーダンスが設計値からずれ、伝送損失反射損失を誘発する。図7に示す同軸ピン22は、その周囲をガラス24や空気など絶縁体で埋められている。図7に示されているように、同軸ピン22のガラス24で埋められている部分の特性インピーダンスは、同軸ピン22の周囲を埋めているガラス24の比誘電率εrとその直径及び中心導体同軸ピン22の直径で決定される。この同軸ピン22のガラス24で埋められている部分を特性インピーダンスが50Ωになるように設定すると、同軸ピン22の空気にむき出しになっている部分空気ギャップの部分での特性インピーダンスは50Ωからずれる。なぜなら、中心導体同軸ピン22の空気にむきだしになっている部分の特性インピーダンスは中心導体同軸ピン22の直径と空気の比誘電率εrで決まり、中心導体同軸ピン22の空気にむきだしになっている部分の直径は中心導体同軸ピン22のガラス24で埋められている部分の直径と同じであるが、空気の比誘電率εrはガラス24の比誘電率εrと異なるためである。一方、図6bに示したように、25Gbs動作の光送信モジュールは、RF信号がFPC基板12と同軸ピン22の接続部で90度曲げられることは無く、真直ぐに伝送されるため、10Gbsの場合に比べ、RF信号の曲げ損失が抑制できる構成ではある。しかし、空気ギャップの部分での電気特性の劣化は10Gbsの場合と同様に誘発される。従って、40Gbs動作可能な光送信モジュールを実現するためには、10Gbs動作や25Gbs動作の光送信モジュールに比べ、更に厳しい特性インピーダンスの設計が求められる。このため、本発明においては、図8bに示すような構成の光送信モジュールとすることで、FPC基板12とTOCANパッケージ13の接続部の空気ギャップをゼロとした。図8aに空気ギャップの定義を示した。図8aに示すように、空気ギャップはTOCANパッケージ12の背面とFPC基板12の先端との間の距離である。図8bに実際の接続方法の模式図を示した。この接続方法を用いて、40GbsのRF信号を低伝送損失低反射損失でFPC基板12からTOCANパッケージ13の内部まで伝送することを目的とした。FPC基板12は、光送信モジュールを駆動するための電気信号を、PCB図36b参照から、光送信モジュールまで伝送するための信号線路である。内部にEADFBレーザが搭載された光送信モジュールを駆動する場合には、主にEADFBレーザのDFBレーザ部に電流を注入するための直流信号線路DC用線路と、EADFBレーザのEA変調器部を駆動するためのRF信号線路がFPC基板12には作製されている。もっとも難しいのは低伝送損失低反射損失のRF信号線路をFPC基板12に実現することである。そのため、FPC基板12を作製する際の材料の選択についてまず説明する。図9aには従来のセラミック材料を用いて作製したFPC基板51のRF信号線路52の断面模式図を表し、図9bにはLCP材料を用いて作製したFPC基板12のRF信号線路路26の断面模式図を表している。LCP材料比誘電率εr:4は、セラミック材料に比べ比誘電率εrが小さい。そのため、FPC基板12とFPC基板51が同じ基板厚で、RF信号線路26,52の幅WLCP,Wceramicを、特性インピーダンスが50Ωになるように設計すると、セラミック材料を用いた場合のRF信号線路52の幅Wceramicに比べて、LCP材料のほうがRF信号線路26の幅WLCPを広く設計することができる。RF信号線路26の幅WLCPを広く設計することのメリットは、電界がGNDと強く結合し、RF信号線路26の曲げ損失や伝送損失を小さくすることができることである。初めに今回の検討に用いる計算手法の正当性について説明する。計算は全て、Ansoft社製HFSSを用いて行った。図10aに計算測定に用いたFPC基板12の写真を示す。このFPC基板12の基板材料はLCPである。HFSSで検討を行ったRF信号線路26、及び、従来の直流信号線路DC用線路27が形成されている。図10bは作製したFPC基板12の特性評価の結果に関して、測定結果と計算結果を示している。周波数が上昇していくに従い、伝送損失を表すS21は次第に減少していく。30GHz付近でのS21は計算結果測定結果共に-05dBの値を得た。一方、周波数が上昇していくに従い、反射損失を表すS11は次第に上昇していく。30GHz付近でのS11は計算結果測定結果共に-16dBの値を得た。このように計算と良く一致した結果を示すことがわかる。35GHz以上で計算と測定がずれているのは、測定ジグの帯域が十分でなかったという結果を反映している。このように計算が良く実験結果を再現でき、計算手法が正当であることが分かった。以下、いろいろなパラメータが電気特性に与える影響について、計算を用いて検討する。次に、セラミックとLCPをFPC基板の基板材料として用いて、それぞれの場合のRF信号線路を検討した。図11aはセラミック材料の場合のFPC51とTOCANパッケージ13の同軸ピン22の接続部の図であり、図11bはLCP材料の場合のFPC基板12とTOCANパッケージ13の同軸ピン22の接続部の図である。図11cは図11aと図11bのそれぞれの場合について、電気特性を計算した結果を示している。通常用いられる値としてFPC基板12,51の厚さは021mmとした。特性インピーダンスを50ΩにするためのRF信号線路26,52の幅WLCP,Wceramicは、FPC基板12,51の厚さと、FPC基板12,51の材料が決まると一意に決定される。RF信号線路26,52の幅WLCP,Wceramicの設計値はセラミック、LCPをFPC基板12,51の基板材料としたそれぞれ場合で、04mm及び018mmとなる。この両者に対して空気ギャップが0mmになるように接続した場合の電気特性の比較を述べる。図11cに示すように、周波数が上昇していくに従い、伝送損失を表すS21は次第に減少していく。セラミック材料の方が激しく減少しているのに対して、LCP材料の方は40GHzでも-03dB以下であった。一方、周波数が上昇していくに従い、反射損失を表すS11は次第に上昇していく。40GHzでのS11は、セラミック材料では40GHzで-13dBと劣化しているのに対して、LCP材料では-17dBと良好な値を確保できている。一般に良好な特性を得るためには電気反射は-15dB以下に抑える必要が有る。この結果はFPC基板12の基板材料にLCPを用いることにより、40GHz動作に必要な特性が確保できることを示している。LCPをFPC基板の基板材料として用いたRF信号線路の構造を検討した。目的は低伝送損失低反射損失なRF信号線路の実現である。図12a及び図12bそれぞれにFPC基板12とTOCANパッケージ13の同軸ピン22との接続部の断面図と上面図を示す。FPC基板12の厚さとしては10Gbsの技術で使われている一般的な値である005mmを採用した。FPC基板12の長さも一般的な値である10mmとした。TOCANパッケージ13の同軸ピン22の導体の直径は10Gbsの技術で使われている一般的な値の03mmとした。この同軸ピン13との接続を考え、FPC基板12のRF信号線路26における接続部26aの幅を03mmとした。図12bに示したとおり、FPC基板12の上面にRF信号線路26と間隔ΔW[mm]をおいて、接地電極GND28を配置することを検討した。図13a及び図13bはTOCANパッケージ13の同軸ピン22とFPC基板12のRF信号線路26における接続部26aの模式図を示している。図13aに示したとおり同軸ピン22だけ考えた場合、同軸ピン22のガラス24で埋められている部分図中のL1の範囲の部分の特性インピーダンスが50Ωに整合させると、同軸ピン22の空気にむき出しになっている部分図中のL1の範囲の部分の特性インピーダンスが50Ωより大きくなる。一方、FPC基板12に着目すると、RF信号線路26図中のL3の範囲の部分の特性インピーダンスを50Ωに整合させたとき、FPC12の上面表面に配した接地電極28とRF信号線路26の間隔ΔWを小さくしていくと、接地電極28が配されている部分図中のL4の範囲の部分におけるRF信号線路26の特性インピーダンスは50Ωより小さくなっていく。両者を接続することで、接続部の特性インピーダンスが50Ωに整合するようにΔWの値を検討する。実際ΔWを01~05mmまで増加させて計算を行った。図14a,図14b及び図14cはΔW04mm、ΔW03mm、ΔW02mmの場合のS21/S11特性の計算結果を示している。ΔWが小さいほどFPC基板12のRF信号線路26は、接地電極28がRF信号線路26に近づくために低インピーダンスになる。同軸ピン22のみを考えると、同軸ピン22の空気にむき出しになっている部分で、高インピーダンスになる。高インピーダンスの同軸ピン22を低インピーダンスのFPC基板12のRF信号線路26接続部26aに接続することで、この接続点でのインピーダンスを全体として50Ωに近づけるように検討する。そのためΔWが小さいほどS11特性の劣化が小さい良好な結果が得られることを計算は示している。図15には横軸にΔWをとり、縦軸に40GHzにおけるS11の値の計算結果をプロットしたグラフを示す。ΔWが小さくなるにつれ、前記接続点におけるS11特性は良好な値を示す。S11特性が-15dB以下になるにはΔWが03mm以下であることが望ましい。計算結果によるとΔW01以上03mm以下で良好な特性を示すことが分かる。なお、この計算はFPC基板12の厚さ005mm、同軸ピン22の直径03mm、FPC基板12上のRF信号線路26の接続部26aの幅03mmとした場合の結果であるが、例えばFPC基板12の厚さ005mm、同軸ピン22の直径04mm、FPC基板12上のRF信号線路26の接続部26aの幅04mmとした場合においても、ΔWは01~03mmの間で良好な計算結果が得られることを確認した。一方、ΔWを小さくするのには製造上は限界がある。なぜなら半田を用いて接続する際、半田が染み出すので、ΔWの大きさは01mm以上取ることが望ましい。TOCANパッケージ13を用いる場合、同軸ピン22を用いてRF信号を伝送する。同軸ピン22とFPC基板12を接続する場合、このようにFPC基板12におけるRF信号線路26の接続部26aの周囲に接地電極28を配し、接続部26aのインピーダンスを50Ωに整合させることが必要となる。特に40Gbs動作実現のためにはインピーダンス不整合を抑制する必要が有り、そのためにΔWの値を検討し決定する必要が有る。図16は光送信モジュールを構成するTOCANパッケージ13とFPC基板12の接続部空気ギャップ無しの概念図を示している。図16aは光送信モジュールを背面から見た図、図16bは光送信モジュールの断面図である。図16のように接続することで、空気ギャップによる特性インピーダンスのずれを抑制する。そのために以下に接続方法接続作業の手順を述べる。1まず、FPC基板12と同軸ピン22が平行になるようにする。2次に、FPC基板12の先端面を、TOCANパッケージ13の背面壁13即ち底部13bの背面及びガラス24の背面に押し当てて、空気ギャップを無くす。3次に、同軸ピン22とRF信号線路26の位置を上から確認して、両者の位置を合わせる。4次に、FPC基板12の先端面と、この先端面が押し当てられているTOCANパッケージ13の背面13の部分とを、半田付けによって固定する。5更にRF信号線路26と同軸ピン22も、半田付けによって固定する。仮に、図17aに示すように空気ギャップZが存在した場合の電気特性に与える影響について計算を用いて検討した。図17bのように空気ギャップZが0mmから05mmに増加した場合にS11は40GHzにおいて-18dB→-9dBと増加する。高周波のデバイス特性をとして良好な特性を得るために-15dBをきるためには、空気ギャップZが01mm以下である必要がある。従来の接続方法、例えば10Gbs及び25Gbsで紹介した接続方法では構造上このように接続部の空気ギャップを01mm以下とすることは不可能である。本発明の構成であれば、空気ギャップを事実上ゼロとすることができるので、良好なS11を確保することが可能である。次に、図18に同軸ピン22とFPC基板12の接続部における高さ方向のずれ高さずれΔhの電気特性への影響を示す。図18aに示すように、高さずれとΔhとは、同軸ピン22の下側とFPC基板12の表面上面の間の距離である。図18bに示すように、空気ギャップZを0mmに固定して、高さズレΔhを01mm→03mmと変化させた。計算によると、Δhが01mmのときはS11は40GHzにおいて-20dBであるのに対して、Δhが03mmのときは-14dBと-15dBより劣化する。このことから高さズレΔhを02mm以下にすることが望ましい。25Gbs動作を報告した従来方法では、高さずれを02mm以下とすることは不可能である。本発明の構成であれば、高さずれを事実上ゼロとすることができるので、良好なS11を確保することが可能である。次に、FPCの厚さを021mmとしてその他の効果に対しても計算をした。例えば、図19aに示すRF信号線路26と接地電極28の間隔ΔWに対する依存性を、図19bに示した。なお、空気ギャップZ0mm、高さずれΔh02mm、RF信号線路2の幅W032mmとした。FPC基板12が005mm厚のときに比べ、021mm厚の場合には、特性を大きく劣化させる要因にはならないことが分かった。また、図20a及び図20bのようにFPC基板12の接続部に接地電極28を入れるか入れないかについても計算をしたが両方とも空気ギャップZは0mm、図20cに示すように大きな特性の差は見えなかった。これらの計算結果は、FPC基板12が021mm厚のときは電気特性に大きな影響を与えるのは空気ギャップZと高さずれΔhであることを示しており、これらを抑制するための本発明の接続方法は非常に有用だということが示された。以下、本発明の実施例を、図面を用いて説明する。[実施例1]構造図21には本発明の実施例1の光送信モジュールの構成図を示す。本実施例1の光送信モジュールは、硬い金属の台61の表面上面と裏面下面にそれぞれFPC基板12とDC配線基板62とを半田付けし、その一体化した台61とFPC基板12とDC配線基板62を、空気ギャップ及び高さずれが無いように、TOCANパッケージ13の同軸ピン22とDCピン23で挟み込む構造としている。TOCANパッケージ13内部にEADFBレーザを実装する場合は、EADFBレーザのEA変調器部を駆動するためのRF信号は硬い金属の台61の上に置いたFPC基板12のRF信号線路を通して伝送する。EADFBレーザのDFBレーザ部に注入する電流は下側のDC配線基板から行った。EA変調器部とDFBレーザ部の給電線路は極力距離が取れるような位置関係においた。こうすることでLD注入電流による発熱の影響を抑えることができるためである。寸法FPC基板12はLCP材料で作製した。FPC基板12の厚さは02mmで長さは10mmとした。TOCANパッケージ13とFPC基板21の接続部の寸法は図22のようである。即ち、同軸ピン22の直径は03mm、RF信号線路26の接続部26aにおける幅は03mm、そして接続部26aから離れたところのRF信号線路26の幅は032mmとした。実施の形態例で述べたとおり、空気ギャップと高さずれが特性に大きな影響を与えるため、図21のように空気ギャップがゼロになるようにFPC基板22とTOCANパッケージ13を接続した。実装の手順図23に実施例1の光送信モジュールの構成を示す。TOCANパッケージ13の直径は74mmを用いた。実装の流れとしては、TOCANパッケージ13の内部に必要な素子類を実装し、レンズキャップ63、フェルールホルダー65、フェルール66、光ファイバ64などを接続してから、FPC基板12を接続する。最初に、TOCANパッケージ13の内部素子を実装する手順について述べる。TOCANパッケージ13内部の簡単な接続図を図24aに示し、写真を図24bに示す。図24に示すように、TOCANパッケージ13内部に実装する光半導体素子としてはEADFBレーザ31を用いる。EADFBレーザ31はEA変調器部31aとDFBレーザ部31bを有している。TOCANパッケージ13内部への素子の実装及びTOCANパッケージ13とFPC基板12の接続は以下の手順で行った。1EADFBレーザ31をヒートシンク37にダイボンディングを用いて半田付けする。2次に、ヒートシンク37をTOCANパッケージ13内部の中心にダイボンディングを用いて半田付けする。3高周波回路基板32、50Ωチップ抵抗35、バイパスコンデンサ34、モニタPD33、サーミスタ36を、銀ペーストもしくは半田を用いてTOCANパッケージ13内部に図23,図24のように搭載する。4高周波回路基板32と同軸ピン22を半田付けする。5高周波回路基板32、EADFBレーザ31EA変調器部31a,DFBレーザ部31b、50Ωチップ抵抗35、モニタPD33などを、ワイヤ67を用いて配線する。6シーム溶接でTOCANパッケージ13にレンズキャップ63を付ける。7レンズキャップ63を溶接後のTOCANパッケージ13に光ファイバ64を、YAG溶接する。87まで終了して素子が実装されたTOCANパッケージ13に対して、前述のようにFPC基板12を接続する。実験結果図25は作製した本実施例1のTOCANモジュール光送信モジュールのTDR測定の結果を示す。TDRはDUTの特性インピーダンスを測定する手法である。TOCANパッケージ13とFPC基板12の接続部における空気ギャップ及び高さずれに起因するインピーダンス不整合を抑制したことで、FPC基板12からEADFBレーザ31までの高周波信号線路の特性インピーダンスがほぼ50Ωに整合している結果が得られた。従来の方法では、接続部に空気ギャップが存在していたため、特性インピーダンスの不整合を抑制することができなった。図26は作製した本実施例1のTOCANモジュール光送信モジュールの小信号応答特性を示す。このTOCANモジュール光送信モジュールには実施の形態例で述べたとおり、EADFBレーザ31が内部に搭載されている。図26にはEADFBレーザ31と同特性を有するEADFBレーザ素子をバタフライモジュール光送信モジュールに搭載した結果も示す。TOCANモジュール光送信モジュールのEO3dB帯域は33GHzで、バタフライモジュール光送信モジュールの39GHzに比べ遜色の無い値を示している。このように高価なコネクタと高価な積層セラミックのパッケージを用いずに、TOCANパッケージ13とFPC基板12の構成で、40Gbs動作可能な良好な特性を確保することができた。図27に作製したTOCANモジュール光送信モジュールの40Gbs変調特性を示す。図27aにはTOCANモジュール光送信モジュールに入力した40Gbs電気信号波形を示し、図27b及び図27cにはそれぞれ13μm帯/155μm帯のEADFBレーザ搭載のTOCANモジュール光送信モジュールの40GbsBTB変調波形及び変調光出力Pave、消光比ER、レーザ注入電流ILD、EA印加電圧Vbを示す。図27a及び図27bに示すように13μm帯及び155μm帯のEADFBレーザ搭載の両TOCANモジュールに対し、明瞭な40Gbs変調波形を確認した。光出力及び消光比も十分な値を確認した。[実施例2]構造図28には本発明の実施例2の光送信モジュールの構成図を示す。実施例1図23では硬い金属の台61の上にFPC基板12を置く構成にしたが、図28に示すように本実施例2ではFPC基板12のみとした。FPC基板12を実施の形態例で述べたようにTO-CANパッケージ13に接続した構造図を図29に示す。電気の配線は、TOCANパッケージ13の内部にEADFBレーザを実装する場合はEADFBレーザのEA変調器部を駆動するためのRF信号を、FPC基板12に形成されたRF信号線路に導通するようにした。EADFBレーザのDFBレーザ部に注入する電流は、FPC基板12の下側のDC配線基板から行った。DCピン23の配置に関しては実施の形態例で述べたようにした。寸法FPC基板12はLCP材料で作製した。FPC基板12の厚さは005mmで長さは10mmとした。FPC基板12の接続部の寸法は図30に示した。即ち、RF信号線路26における同軸ピン22との接続部26aの幅は03mm、そして接続部26aから離れたところのRF信号線路26の幅は01mmとした。実施の形態例で述べたとおり、空気ギャップが特性に大きな影響を与えるため、図29の構造図のように空気ギャップがゼロになるようにFPC基板12とTOCANパッケージ13を接続した。LCP材料のセラミック材料に対する優位性は実施の形態例で述べた通りである。本実施例2の実施例1に対する優位性は部品点数を減らしコストを削減したことと、10Gbs技術のとの互換性を生むことである。実施例1に比べると、電気的GND強度が弱いために電気特性が下がる。しかしながら、特性劣化の最大要因である空気ギャップを抑制しているため、40Gbs動作においても明瞭な光のアイ波形を得ることができた。[実施例3]構造図31に示す本発明の実施例3の光送信モジュールTOCANモジュールは、TOCANパッケージ13の内部に搭載する光半導体素子を、EADFBレーザの代わりに直接変調レーザDFBレーザ71とした例である。直接変調レーザ71はEADFBレーザと異なり、駆動に必要な電気のラインはRF信号線路のみとなる。直流信号線路による注入電流の端子は不要となる。また構成として変化するのは、TOCANパッケージ13の内部にある高周波回路基板32と直接変調レーザ71LD部71aの間に40Ω~45Ωのチップ抵抗72を挟む点である。この抵抗72の抵抗値は光直接変調レーザ71の抵抗と合わせて50Ωになるように設定する。一般に直接変調レーザ71の抵抗は5~10Ωであるために40Ω~45Ωの抵抗72とした。実験結果図32は作製した本実施例3の光送信モジュールTOCANモジュールの小信号応答特性を示す。実施の形態例で述べたとおり、直接変調レーザ71がTOCANパッケージ13の内部に搭載されている。同特性を有する素子直接変調レーザのみの結果も示す。本実施例3の光送信モジュールTOCANモジュールのEO3dB帯域は29GHzで、素子直接変調レーザのみの35GHzに比べ遜色の無い値を示している。このように高価なコネクタと高価な積層セラミックのパッケージを用いずに、TOCANパッケージ13とFPC基板12の構成で、40Gbs動作可能な良好な特性を確保することができた。図33に作製した本実施例3の光送信モジュールTOCANモジュールの40Gbs変調特性を示す。13μm直接変調レーザ71を搭載の光送信モジュールTOCANモジュールに対し、明瞭な40Gbs変調波形40Gbs動作時のアイ波形を確認した。光出力及び消光比も十分な値を確認した。[実施例4]構造図34には本発明の実施例4の光送信モジュールの構造図を示す。本実施例4は、TOCANパッケージ13の内部に搭載する光半導体素子をEADFBレーザの変わりに直接変調レーザ71とした例である。実施例3とは異なり、本実施例4では直接変調レーザ71を駆動するための電気信号をRF信号成分とDC信号成分に分けて入力する。図34のようにRF信号成分は、実施例1及び実施例2のRF信号成分と同様に、FPC基板12から同軸ピン22を通り、TOCANパッケージ13の内部の光半導体素子直接変調レーザ71に給電される。DC信号成分は、実施例1及び実施例2のDFBレーザ部31bに注入した電流と同様にTOCANパッケージ13のDCピン23を通して導通し、その後ワイヤ67を用いて光半導体素子直接変調レーザ71まで給電される。DCピン32は実施の形態例で述べたのと同様に配置する。図35にはRF信号Vppで変動させる電流ILDを示す。本実施例4は実施例3と比べ、RF信号成分とDC信号成分を分けて入力するために、40Ω~45Ωの抵抗72を通過する電流量を低減でき、抵抗72部で発生する熱量を大幅に削減できる。40~45Ωの抵抗72で発生する熱を抑えることで、熱伝導して光半導体素子直接変調レーザ71の温度が上昇することを抑え、結果として動作時の光半導体素子直接変調レーザ71の温度を下げることができる。動作時の光半導体素子直接変調レーザ71の温度が下がると、光半導体素子直接変調レーザ71の閾値電流を下げることができ、出力も向上するため優位な特性が得られる。なお、光送信モジュールTOCANモジュールにおける部品などの寸法は、部品がTOCANパッケージ13内に収まれば実施例に示した以外の寸法であっても良い。また、上記の実施の形態例や各実施例ではFPC基板12の基板材料としてLCPを用いたが、それ以外の材料をFPC基板12の基板材料として用いても良い。また、上記の実施の形態例及び各実施例では40Gbs動作を目的にしたが、本発明は25Gbs~100Gbsの高周波帯での適用も可能である。"