陽極と、陰極と、p型有機半導体材料としてポリN9ヘプタデカニル27カルバゾールalt55を含み、n型有機半導体材料としてフラーレン又はフラーレン誘導体を含む光電変換層と、前記陽極と前記光電変換層との間に設けられ、MoO3を含むバッファ層とを備え、前記光電変換層の前記バッファ層に接する領域における前記p型有機半導体材料の比率が、前記光電変換層の全体における前記p型有機半導体材料の比率よりも高く、かつ、前記光電変換層の前記バッファ層に接する領域よりも前記陰極側の領域における前記p型有機半導体材料の比率が、前記光電変換層の全体における前記p型有機半導体材料の比率よりも低いことを特徴とする光電変換素子。前記n型有機半導体材料は、66フェニルC71酪酸メチルエステル、66フェニルC61酪酸メチルエステル、フラーレンC60、C70、C84、C60インデン二付加体、66ジフェニルC62ビス酪酸メチルエステル、66ジフェニルC72ビス酪酸メチルエステル、66フェニルC61酪酸エステル、1プロピル1チエニル66メタノフラーレン、66フェニルC61酪酸エステルからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載の光電変換素子。MoO3を含むバッファ層上に、p型有機半導体材料としてポリN9ヘプタデカニル27カルバゾールalt55を含み、n型有機半導体材料としてフラーレン又はフラーレン誘導体を含む混合液を塗布し、50°C以下で乾燥させて、光電変換層を形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。前記混合液を塗布した後の工程で、塗布された前記混合液を乾燥させることを特徴とする、請求項3に記載の光電変換素子の製造方法。前記混合液の塗布及び乾燥を一つの工程で並行して行なうことを特徴とする、請求項3に記載の光電変換素子の製造方法。前記混合液を乾燥させた後に、50°Cよりも高い温度で熱処理を行なうことを特徴とする、請求項3~5のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記混合液として、1種類の混合液を用いることを特徴とする、請求項3~6のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記n型有機半導体材料は、前記n型有機半導体材料は、66フェニルC71酪酸メチルエステル、66フェニルC61酪酸メチルエステル、フラーレンC60、C70、C84、C60インデン二付加体、66ジフェニルC62ビス酪酸メチルエステル、66ジフェニルC72ビス酪酸メチルエステル、66フェニルC61酪酸エステル、1プロピル1チエニル66メタノフラーレン、66フェニルC61酪酸エステルからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項3~7のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。しかしながら、上記第1の方法では、光電変換層を構成する材料と異なる材料からなる正孔ブロック層を、光電変換層とは別に設ける必要があるため、製造コストが高くなる。また、上記第2の方法では、光電変換層の陰極側に塗布されたPCBMのみの領域は、光電変換層を構成する材料からなり、光を吸収するにもかかわらず、光電変換機能を持たないため、光電変換効率を向上させるという観点からは、有効に利用されているとは言えない。つまり、光電変換層を構成する材料を用いるのであれば、光電変換層として機能させながら、曲線因子を向上させるのが好ましい。また、光電変換層を形成した後にさらにPCBMを塗布する工程が必要になる。また、上記第3の方法では、光電変換層の陰極側に設けられる炭酸セシウムと、n型有機半導体材料としてのPCBMとの高い親和性を利用しており、光電変換層の陽極側にバッファ層を設け、その材料とp型有機半導体材料との親和性を利用しようという場合には、この手段をそのまま用いることはできない。さらにいえば、材料間の親和性を決定する要因は、極性だけでなく、各材料の結晶の格子長、電子軌道の形状とそのエネルギーレベルなど、多岐にわたっているため、実験によらずに材料間の親和性を予見することは困難である。そこで、光電変換層の陽極側に設けられるバッファ層の材料とp型有機半導体材料との親和性を利用して、曲線因子を向上させたい。本光電変換素子は、陽極と、陰極と、p型有機半導体材料としてポリN9ヘプタデカニル27カルバゾールalt55を含み、n型有機半導体材料としてフラーレン又はフラーレン誘導体を含む光電変換層と、陽極と光電変換層との間に設けられ、MoO3を含むバッファ層とを備え、光電変換層のバッファ層に接する領域におけるp型有機半導体材料の比率が、光電変換層の全体におけるp型有機半導体材料の比率よりも高く、かつ、光電変換層のバッファ層に接する領域よりも陰極側の領域におけるp型有機半導体材料の比率が、光電変換層の全体におけるp型有機半導体材料の比率よりも低いことを要件とする。本光電変換素子の製造方法は、MoO3を含むバッファ層上に、p型有機半導体材料としてポリN9ヘプタデカニル27カルバゾールalt55を含み、n型有機半導体材料としてフラーレン又はフラーレン誘導体を含む混合液を塗布し、50°C以下で乾燥させて、光電変換層を形成することを要件とする。したがって、本光電変換素子及びその製造方法によれば、光電変換層の陽極側に設けられるバッファ層の材料とp型有機半導体材料との親和性を利用して、曲線因子を向上させることができるという利点がある。以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる光電変換素子及びその製造方法について、図1を参照しながら説明する。本実施形態にかかる光電変換素子は、例えば有機薄膜型太陽電池、具体的には、バルクへテロ接合型有機薄膜太陽電池として用いられる。本光電変換素子は、図1に示すように、基板1と、下部電極としての陽極2と、バッファ層3と、光電変換層4と、上部電極としての陰極5とを備える。なお、光電変換層4を光電変換膜ともいう。ここで、基板1は、入射する光を透過する透明基板であり、例えばガラス基板である。陽極2は、基板1上に設けられ、入射する光を透過する透明電極であり、例えばITOIndiumTinOxide;酸化インジウムスズ電極である。バッファ層3は、陽極2上に設けられ、即ち、陽極2と光電変換層4との間に設けられ、正孔輸送層として機能する。なお、バッファ層3を陽極側バッファ層ともいう。また、バッファ層3は、MoO3層、即ち、酸化モリブデンVI層である。なお、バッファ層3は、MoO3を含むものであれば良い。なお、MoO3を正孔輸送性材料ともいう。光電変換層4は、バッファ層3上に設けられている。つまり、光電変換層4は、バッファ層3と陰極5との間に設けられている。陰極5は、光電変換層4上に設けられた金属電極であり、例えばアルミニウム電極である。本実施形態では、光電変換層4は、p型有機半導体材料として、以下の化学式1で示すポリN9ヘプタデカニル27カルバゾールalt55polyN9heptadecanyl27carbazolealt55以下、PCDTBTというを含み、n型有機半導体材料としてフラーレン又はフラーレン誘導体を含むバルクへテロ接合型光電変換層である。ここでは、光電変換層4は、PCDTBTとフラーレン又はフラーレン誘導体との混合物からなる。本実施形態では、n型有機半導体材料は、例えば、以下の化学式2で示す66フェニルC71酪酸メチルエステルPC71BM;66PhenylC71butyricacidmethylester、又は、以下の化学式3で示す66フェニルC61酪酸メチルエステルPC61BM;66PhenylC61butyricacidmethylester以下、これらをPCBMというである。なお、n型有機半導体材料は、有機溶媒に可溶で、PCDTBTと相溶性がある、フラーレン又はフラーレン誘導体であれば良い。具体的には、n型有機半導体材料は、66フェニルC71酪酸メチルエステル、66フェニルC61酪酸メチルエステル、以下の化学式4で示すフラーレンC60、C70、C84FullereneC60C70orC84、以下の化学式5で示すC60インデン二付加体ICBA;indeneC60bisadduct、以下の化学式6で示す66ジフェニルC62ビス酪酸メチルエステル66DiphenylC62bis、66ジフェニルC72ビス酪酸メチルエステル66DiphenylC72bis、以下の化学式7で示す66フェニルC61酪酸エステル66PhenylC61butyricacidester、以下の化学式8で示す1プロピル1チエニル66メタノフラーレンThCBM;1propyl1thienyl66methanofullerene、以下の化学式9で示す66フェニルC61酪酸エステル66PhenylC61butyricacidesterからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むものであれば良い。また、本実施形態では、光電変換層4のバッファ層3に接する領域におけるp型有機半導体材料の比率が、光電変換層4の全体におけるp型有機半導体材料の比率よりも高く、かつ、光電変換層4のバッファ層3に接する領域よりも陰極側の領域におけるp型有機半導体材料の比率が、光電変換層4の全体におけるp型有機半導体材料の比率よりも低くなっている。なお、光電変換層4のバッファ層3に接する領域は、光電変換層4の陽極側の領域、即ち、陽極2に近い領域、又は、光電変換層4のバッファ層近傍領域である。また、光電変換層4のバッファ層3に接する領域よりも陰極側の領域は、光電変換層4の陰極側の領域、即ち、陰極5に近い領域、又は、光電変換層4の陰極近傍領域である。このように、まず、陽極2となる透明電極上に形成したMoO3バッファ層3の近傍で、光電変換層4はp型有機半導体材料としてのPCDTBTの割合比率が高くなっているため、MoO3バッファ層3と光電変換層4との界面での正孔の伝導抵抗が減少する。一方、陰極5となる金属電極の近傍で、光電変換層4はn型有機半導体材料としてのフラーレン又はフラーレン誘導体ここではPCBMの割合比率が高くなっているため、陰極5となる金属電極と光電変換層4との界面での電子の伝導抵抗が減少する。これにより、光電変換層4の直列抵抗が減少する。また、光電変換層4は、正孔の濃度が高くなる陽極側で、p型有機半導体材料としてのPCDTBTの割合が高く、電子の濃度が高くなる陰極側で、n型有機半導体材料としてのフラーレン又はフラーレン誘導体ここではPCBMの割合が高くなっている。このため、電子と正孔の再結合確率が減少し、再結合によるリーク電流が減少する。これにより、光電変換層4の並列抵抗が増加する。このように、本実施形態の光電変換層4では、直列抵抗が減少し、並列抵抗が増加するため、曲線因子が向上する。また、本実施形態の光電変換層4では、陰極側及び陽極側のそれぞれの領域においても、PCDTBTとフラーレン又はフラーレン誘導体ここではPCBMとが混合された状態となっており、光電変換機能を有する。つまり、バッファ層3と陰極5との間の領域の全体が光電変換層4として機能する。このため、例えば光電変換層の陰極側にPCBMを塗布する場合と比較して、光電変換層を構成する材料を有効に利用し、バッファ層と陰極との間の領域の全体を光電変換層として機能させながら、曲線因子を向上させることができる。また、光電変換層とは別に正孔ブロック層を設ける場合と比較して、製造コストを低く抑えることが可能である。ところで、P3HTを代表とするp型有機半導体材料の多くは結晶性が高く、親和性が高い下地層を用いると、下地層との界面を基点として結晶が成長する。有機半導体中での励起子の拡散長は約10nm程度であるため、p型有機半導体材料の結晶サイズが大きくなりすぎると、励起子の多くが無駄になり、電荷分離効率が下がってしまう。これに対し、本実施形態の光電変換層4で用いるp型有機半導体材料としてのPCDTBTは、結晶性が乏しい高分子化合物であり、光電変換層4の内部ではn型有機半導体材料としてのフラーレン又はフラーレン誘導体ここではPCBMと全体にわたって無秩序に混合された状態になっている。また、通常のp型有機半導体材料は、分子間でのホッピングによって正孔が伝導するため、無秩序な混合状態では正孔の伝導は困難である。これに対し、PCDTBTは、主鎖上にp型として働く部分と、n型として働く部分の両方があり、分子内で前者から後者への電子供与が起こるため、主鎖上を正孔が伝導する。このため、p型有機半導体材料としてPCDTBTを用いることで、光電変換層4の内部が無秩序な混合状態であっても、高い電荷分離効率を実現することが可能である。また、本実施形態の光電変換層4は、後述するように、MoO3バッファ層3の表面にp型有機半導体材料としてのPCDTBTが優先的に吸着堆積することで形成されるが、MoO3バッファ層3の表面に吸着するPCDTBTは全体のごく一部である。また、PCDTBTの多くはMoO3バッファ層の表面から陰極近傍までつながった状態となる。つまり、一つのPCDTBT分子は、MoO3バッファ層3の表面に吸着した部分と、周囲のn型有機半導体材料と混合した部分の両方を持つ状態となる。このような状態は、主鎖上を正孔が伝導する能力が高いPCDTBTにおいては、高い電荷分離効率、高い電荷輸送効率、低い電荷再結合確率、及び、低い直列抵抗を同時に実現するのに非常に有利なものである。つまり、MoO3バッファ層3の表面にこのような状態で多く存在するPCDTBTによって、高い電荷分離効率、高い電荷輸送効率、高い曲線因子を同時に実現し、光電変換効率の高い光電変換層を実現できることになる。このように、p型有機半導体材料としてのPCDTBTは、光電変換層4の陽極側に設けられるMoO3バッファ層3との高い親和性を利用して、陽極側でPCDTBTの割合を高くできるだけでなく、非結晶性かつ主鎖上を正孔が伝導可能という特徴を持つ。このため、光電変換層4のp型有機半導体材料としてPCDTBTを用いることで、非常に効果的に曲線因子及び光電変換効率を向上させることが可能である。また、例えば光電変換層のp型有機半導体材料として用いられるP3HTは、最高被占有分子軌道HOMOのエネルギーレベルが比較的高いため、光電変換素子の開放電圧を上げにくい。これに対し、PCDTBTは、P3HTと比較して、HOMOのエネルギーレベルが約0.3eV低いため、光電変換素子の開放電圧を上げることができる。このように、よりHOMOのエネルギーレベルが低いPCDTBTをp型有機半導体材料として用いることで、開放電圧及び光電変換効率を向上させることができる。また、光電変換素子の透明基板上に設けることができる透明電極材料の選択肢は限られている。このため、現実には、透明電極の仕事関数を大きくするよりも、金属電極の仕事関数を小さくする方が容易である。したがって、上述の第3の方法のように透明電極を陰極に用い、金属電極を陽極に用いるよりも、本実施形態のように透明電極を陽極に用い、金属電極を陰極に用いた方が高い出力電圧を得やすい。次に、本実施形態にかかる光電変換素子の製造方法について説明する。まず、基板1透明基板上に陽極2透明電極を形成する。次いで、陽極2上に、MoO3を含むバッファ層3を形成する。次に、MoO3を含むバッファ層3上に、光電変換層4を形成する。つまり、陽極2上に形成したMoO3を含むバッファ層3の表面に、p型有機半導体材料としてPCDTBTを含み、n型有機半導体材料としてフラーレン又はフラーレン誘導体ここではPCBMを含む混合液を塗布し塗布工程、約50°C以下で乾燥させて乾燥工程、光電変換層4を形成する。これにより、陽極側でPCDTBTの比率が高く、陰極側でフラーレン又はフラーレン誘導体ここではPCBMの比率が高いバルクへテロ接合型光電変換層4を自発的に形成することができる。このように、1種類の混合液を用い、それを一回塗布するだけで、陽極側でPCDTBTの比率が高く、陰極側でフラーレン又はフラーレン誘導体ここではPCBMの比率が高いバルクへテロ接合型光電変換層4を自発的に形成することができる。このため、光電変換層4の形成が容易である。ここでは、光電変換層4の陽極側に設けられるバッファ層3の材料であるMoO3と光電変換層4のp型有機半導体材料であるPCDTBTとの親和性を利用して、陽極側でPCDTBTの比率が高く、陰極側でPCBMの比率が高いバルクへテロ接合型光電変換層4が自発的に形成されるようにしている。つまり、光電変換層4を形成する際の下地となるMoO3は、炭酸セシウムのような親水性が高い塩ほど強くはないものの、表面に極性を持つ金属酸化物である。また、p型有機半導体材料としてのPCDTBTは、全体としてはp型材料であるが、主鎖に、p型として働く部分チオフェン環、カルバゾール環と、n型として働く部分ベンゾチアジアゾール環の両方を持つため、主鎖上に一定の双極子モーメントが存在する。つまり、p型有機半導体材料としてのPCDTBTは、それほど強くはないが、極性を持つ。一方、n型有機半導体材料としてのPCBMは、単分子ではほとんど極性を持たないが、電子密度が非常に高いため、凝集状態では、分子間相互作用によって強い分極が生じると考えられている。そして、光電変換層形成工程中は、PCBMは凝集状態であるため、極性が強い下地があれば、その表面に優先して堆積することになる。しかしながら、光電変換層4を形成する際の下地となるMoO3の表面の極性は、それほど強くない。このため、中程度の極性を持つPCDTBTが、MoO3上に優先して堆積し、PCBMはむしろMoO3の表面から排除されることになる。この結果、陽極側、即ち、MoO3を含むバッファ層側でPCDTBTの比率が高く、陰極側でPCBMの比率が高いバルクへテロ接合型光電変換層4が自発的に形成されることになる。特に、上述のように、PCDTBTとPCBMの混合液をMoO3層3上に塗布した後、約50°C以下で乾燥させることで、陽極側でPCDTBTの比率が高く、陰極側でPCBMの比率が高いバルクへテロ接合型光電変換層4を得ることができる。つまり、PCDTBTとPCBMの混合液をMoO3層3上に塗布した後、乾燥するまでの期間において、温度を約50°C以下に制御することで、陽極側でPCDTBTの比率が高く、陰極側でPCBMの比率が高いバルクへテロ接合型光電変換層4を得ることができる。なお、MoO3層3上に塗布されたPCDTBTとPCBMの混合液が乾燥するまでの間に混合液の温度が高くなりすぎると、上述のMoO3の表面での材料選択機構よりも、熱擾乱の効果が勝ることになり、内部組成が均一なバルクへテロ接合型光電変換層が形成されてしまう。つまり、MoO3層3上に塗布されたPCDTBTとPCBMの混合液が乾燥するまでの間に混合液の温度が約50°Cよりも高くなってしまうと、陽極側でPCDTBTの比率が高く、陰極側でPCBMの比率が高いバルクへテロ接合型光電変換層を得ることができない。その後、光電変換層4上に陰極5金属電極を形成する。そして、例えば窒素雰囲気中で封止して、光電変換素子が完成する。したがって、本実施形態にかかる光電変換素子及びその製造方法によれば、光電変換層4の陽極側に設けられるバッファ層3の材料であるMoO3とp型有機半導体材料であるPCDTBTとの親和性を利用して、曲線因子を向上させることができるという利点がある。なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。例えば、上述の実施形態では、塗布工程の後に乾燥工程を行なうようにしているが、これに限られるものではなく、例えば、塗布工程と乾燥工程とを一つの工程で並行して行なうようにしても良い。つまり、上述の実施形態では、混合液を塗布した後の工程で、塗布された混合液を乾燥させるようにしているが、例えば、混合液の塗布及び乾燥を一つの工程で並行して行なうようにしても良い。また、乾燥工程の後に、即ち、混合液を乾燥させた後に、50°Cよりも高い温度で熱処理を行なうようにしても良い。これにより、短絡電流密度を向上させ、これにより、光電変換効率を向上させることができる。また、上述の実施形態では、光電変換素子を有機薄膜型太陽電池に用いる場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えばカメラなどの撮像装置のセンサなどに用いることもできる。以下、実施例によって更に詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。[実施例1]本実施例1では、以下のようにして光電変換素子を作製した。まず、ガラス基板上に、幅約2mm、膜厚約200nmのITO電極陽極を形成した。次に、陽極としてのITO電極上の全面に、膜厚約6nmのMoO3バッファ層を真空蒸着によって形成した。次に、ITO電極及びMoO3バッファ層を形成したガラス基板を、窒素を内部に満たしたグローブボックスに移し、p型有機半導体材料としてのPCDTBTと、n型有機半導体材料としてのPCBMここでは66フェニルC71酪酸メチルエステル;以下PC71BMというとを重量比1:3で含むモノクロロベンゼン溶液混合溶液;濃度約2重量を、約30°Cで、約500rpm、約10秒の条件でスピンコート成膜した塗布工程。このスピンコート成膜後、約30°Cで約30分間の放置乾燥を行なって乾燥工程、光電変換層を形成した。このようにして光電変換層を形成した後、熱処理を行なうことなく、光電変換層上に幅約2mm、膜厚約150nmのアルミニウム電極陰極を真空蒸着で形成した。そして、窒素雰囲気中で封止して、光電変換素子を作製した。ここで、図2は、上述のようにして作製した本実施例1の光電変換素子の断面に対して、電子エネルギー損失分光法EELS;ElectronEnergyLossSpectroscopyによる面分析を行ない、硫黄原子に対応する信号のマッピングを行なった結果マッピング像を示している。図2では、光電変換層のMoO3バッファ層近傍領域が明るく見えており、これはこの領域で硫黄の信号強度が強くなっていることを示している。上述のようにして作製した光電変換素子では、PCDTBTは硫黄原子を含み、PC71BMは硫黄原子を含まない。このため、EELS分析の結果は、光電変換層中のMoO3バッファ層近傍領域でPCDTBTの濃度が高くなっていることを示している。また、図3は、同じくEELSを用いて、上述のようにして作製した本実施例1の光電変換素子の光電変換層内部の点分析を膜厚方向に5点行ない、硫黄原子に起因する信号の強度及び炭素原子に起因する信号の強度を計測して、これらの比信号強度比;C/Sを計算した結果を示している。なお、図3中、エラーバーは測定値の標準偏差、点線はC/Sの平均値を示している。また、膜厚方向位置はMoO3バッファ層の表面からの距離で示している。ここで、炭素原子の信号強度と硫黄原子の信号強度の比C/Sは、光電変換層中のPCDTBTとPC71BMの合計とPCDTBTとの比PC71BMPCDTBT/PCDTBT;重量比;組成比;混合比に対応するものである。また、C/Sの平均値は、混合液中でのPCDTBTとPC71BMの合計とPCDTBTとの比、即ち、光電変換層の全体におけるPCDTBTとPC71BMの合計とPCDTBTとの比重量比;組成比;混合比に対応するものである。また、C/Sの平均値に対応する混合液中でのPCDTBTの比率即ち、PC71BMとPCDTBTの合計に対するPCDTBTの比率、即ち、光電変換層の全体におけるPCDTBTの比率即ち、PC71BMとPCDTBTの合計に対するPCDTBTの比率を、平均比率という。図3に示すように、光電変換層のMoO3バッファ層近傍領域で、C/Sの値がC/Sの平均値よりも小さく、即ち、PCDTBTの比率即ち、PC71BMとPCDTBTの合計に対するPCDTBTの比率が平均比率よりも高くなっている。また、反対側のMoO3バッファ層から遠い陰極側の領域で、C/Sの値がC/Sの平均値よりも大きく、即ち、PCDTBTの比率即ち、PC71BMとPCDTBTの合計に対するPCDTBTの比率が平均比率よりも低くなっている。また、図4は、上述のようにして光電変換層の形成する際の乾燥温度と直列抵抗との関係を示している。また、図5は、上述のようにして光電変換層を形成する際の乾燥温度と並列抵抗との関係を示している。なお、図4、図5では、発生電流が大きいために直列抵抗と並列抵抗を精度良く測定できる、擬似太陽光AM1.5、放射照度100mW/cm2の条件で、乾燥温度を変化させて直列抵抗及び並列抵抗を測定した結果を、それぞれ示している。本実施例1のように約30°Cで乾燥を行なうことで、図4、図5に示すように、直列抵抗が減少し、並列抵抗が増加することが分かる。つまり、約30°Cで乾燥を行なって作製した本実施例1の光電変換素子では、上述のように、陽極側、即ち、MoO3バッファ層側でPCDTBTの比率が高く、陰極側でPC71BMの比率が高い構造が得られ、直列抵抗が減少し、並列抵抗が増加することが分かる。同様に、乾燥温度を低くした場合、即ち、約50°C以下の低温で乾燥を行なった場合、直列抵抗が減少し、並列抵抗が増加することが分かる。このように、乾燥温度を低くすることで、直列抵抗が減少し、並列抵抗が増加する結果、曲線因子が向上する。ここでは、並列抵抗の増加よりも、直列抵抗の減少の方がより顕著であり、これは、曲線因子の向上という効果が、主にMoO3バッファ層及び陰極と光電変換層との界面におけるキャリアの伝導抵抗の減少、即ち、直列抵抗の減少によるものであることを示唆している。また、図6は、上述のようにした作製した本実施例1の光電変換素子の白色蛍光灯光照度383lux、放射照度88.7μW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図6に示すように、白色蛍光灯光照度383lux、放射照度88.7μW/cm2下において、開放電圧Vocは約0.743V、短絡電流密度Jscは約21.8μA/cm2、曲線因子FFは約0.59、最大電力密度Pmaxは約9.58μW/cm2で、光電変換効率は約10.8であった。なお、曲線因子は、Pmax/Voc×Jscで定義される。また、光電変換効率は、光電変換効率=Voc×Jsc×FF/入射光の放射照度×100という式によって求めることができる。また、図7は、上述のようにして作製した本実施例1の光電変換素子の擬似太陽光AMエアマス1.5、放射照度100mW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図7に示すように、擬似太陽光AMエアマス1.5、放射照度100mW/cm2下において、Vocは約0.875V、Jscは約4.73mA/cm2、FFは約0.45で、光電変換効率は約1.85であった。これらを後述の比較例の場合と比較すると、白色蛍光灯光下においてFFが約31、光電変換効率が約82向上し、擬似太陽光下においてFFが約25、光電変換効率が約80向上した。つまり、乾燥工程において、約30°Cで約30分間の放置乾燥を行なう場合を約70°Cで約10分間の加熱乾燥処理を行なう場合と比較すると、白色蛍光灯光下においてFFが約31、光電変換効率が約82向上し、擬似太陽光下においてFFが約25、光電変換効率が約80向上した。このように、約50°C以下の低温で乾燥を行なうことで、上述のように、陽極側、即ち、MoO3バッファ層側でPCDTBTの比率濃度が高く、陰極側でPC71BMの比率濃度が高い構造が得られ、白色蛍光灯光下においてFFが約31、光電変換効率が約82向上し、擬似太陽光下においてFFが約25、光電変換効率が約80向上した。[比較例]本比較例では、乾燥工程、即ち、スピンコート成膜後、約70°Cで約10分間の加熱乾燥処理を行なったことを除いて、上述の実施例1と同様の方法で、光電変換素子を作製した。ここで、図8は、上述のようにして作製した本比較例の光電変換素子の断面に対して、電子エネルギー損失分光法による面分析を行ない、硫黄原子に対応する信号のマッピングを行なった結果マッピング像を示している。図8では、光電変換層の明るさは均一であり、これは、硫黄原子の濃度、即ち、PCDTBTの濃度がほぼ均一であることを示している。これは、加熱条件での乾燥を行なうことで、熱擾乱による組成の均一化が進んだことを示している。また、図9は、このようにして作製した本比較例の光電変換素子の白色蛍光灯光照度375lux、放射照度84.9μW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図9に示すように、Vocは約0.751V、Jscは約15.0μA/cm2、FFは約0.45で、光電変換効率は約5.93であった。また、図10は、上述のようにして作製した本比較例の光電変換素子の擬似太陽光AM1.5、放射照度100mW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図10に示すように、Vocは約0.853V、Jscは約3.35mA/cm2、FFは約0.36で、光電変換効率は約1.03であった。[実施例2]本実施例2では、乾燥工程、即ち、スピンコート成膜後、約50°Cで約10分間の加熱乾燥処理を行なったことを除いて、上述の実施例1と同様の方法で、光電変換素子を作製した。ここで、図11は、上述のようにして作製した本実施例2の光電変換素子の白色蛍光灯光照度375lux、放射照度84.9μW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図11に示すように、Vocは約0.748V、Jscは約21.6μA/cm2、FFは約0.59で、光電変換効率は約11.1であった。また、図12は、上述のようにして作製した本実施例2の光電変換素子の擬似太陽光AM1.5、放射照度100mW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図12に示すように、Vocは約0.897V、Jscは約5.32mA/cm2、FFは約0.41で、光電変換効率は約1.97であった。このように、FF及び光電変換効率は、上述の実施例1の場合と同等であった。つまり、乾燥工程において、約30°Cで約30分間の放置乾燥に代えて、約50°Cで約10分間の加熱乾燥処理を行なっても、上述の実施例1の場合と同等のFF及び光電変換効率が得られた。このように、約50°C以下の低温で乾燥を行なえば、上述の実施例1の場合と同様に、FF及び光電変換効率が向上することが分かった。[実施例3]本実施例3では、塗布工程と乾燥工程とを一つの工程で並行して行なうようにした、即ち、約30°Cで、スピン時間を約5分間としてスピンコート成膜し、スピンコート成膜中に光電変換層が乾燥するようにしたことを除いて、上述の実施例1と同様の方法で、光電変換素子を作製した。ここで、図13は、上述のようにして作製した本実施例3の光電変換素子の白色蛍光灯光照度375lux、放射照度84.9μW/cm2下におけるI-V曲線を示しいている。図13に示すように、Vocは約0.746V、Jscは約20.9μA/cm2、FFは約0.57で、光電変換効率は約10.3であった。また、図14は、上述のようにして作製した本実施例3の光電変換素子の擬似太陽光AM1.5、放射照度100mW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図14に示すように、Vocは約0.880V、Jscは約4.25mA/cm2、FFは約0.46で、光電変換効率は約1.72であった。このように、スピンコート成膜塗布と乾燥とを同時並行で行なっても、FF及び光電変換効率は、上述の実施例1の場合と同等であった。つまり、塗布工程及び乾燥工程において、約30°Cで、約500rpm、約10秒の条件でスピンコート成膜した後、約30°Cで約30分間の放置乾燥を行なうのに代えて、約30°Cで、スピン時間を約5分間としてスピンコート成膜し、スピンコート成膜中に光電変換層が乾燥するようにしても、上述の実施例1の場合と同等のFF及び光電変換効率が得られた。このように、約50°C以下の低温で塗布及び乾燥を行なえば、上述の実施例1の場合と同様に、FF及び光電変換効率が向上することが分かった。[実施例4]本実施例4では、乾燥工程の後に、約50°Cよりも高い温度で熱処理を行なうようにした、即ち、乾燥工程の後に、約70°Cで、約10分間の熱処理を行なうようにしたことを除いて、上述の実施例1と同様の方法で、光電変換素子を作製した。ここで、図15は、上述のようにして作製した本実施例4の光電変換素子の白色蛍光灯光照度382lux、放射照度88.3μW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図15に示すように、Vocは約0.743V、Jscは約24.8μA/cm2、FFは約0.61で、光電変換効率は約12.6であった。また、図16は、上述のようにして作製した本実施例4の光電変換素子の擬似太陽光AM1.5、放射照度100mW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図16に示すように、Vocは約0.884V、Jscは約5.65mA/cm2、FFは約0.45で、光電変換効率は約2.26であった。このように、乾燥工程の後に約50°Cよりも高い温度で熱処理を行なうことで、上述の実施例1の場合と比較して、Jscが向上し、この結果、光電変換効率が向上することが分かった。これは、乾燥工程の後に光電変換層に加熱処理を施すことによって、PC71BMがより稠密になり、電子の伝導性が向上した結果であると考えられる。