"投影光学系と液体とを介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光装置において、前記投影光学系の像面側に配置された前記基板表面と略平行に前記液体を吹き出す供給口を有し、前記投影光学系の像面側に液体を供給する液体供給機構を備えたことを特徴とする露光装置。前記供給口は、前記基板表面に対して所定距離だけ離れて、前記基板表面の上方で液体供給を行うように配置されていることを特徴とする請求項1記載の露光装置。前記投影光学系の像面側に配置された前記基板表面とほぼ直交するように前記供給口の近傍に形成された内側面を有する壁部を備え、前記供給口は、前記壁部の内側面に向かって前記液体を吹き出すことを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。前記供給口は、渦流が形成されるように前記液体を吹き出すことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載の露光装置。前記渦流の中心付近に吸引口が形成されていることを特徴とする請求項4記載の露光装置。前記投影光学系の近傍に吸引口が配置されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項記載の露光装置。前記吸引口から排気を行うことによって、前記投影光学系の像面側の液体中に気体が混入するのを防止することを特徴とする請求項5又は6記載の露光装置。前記吸引口は、前記投影光学系の近傍であって、前記投影光学系の端面よりも鉛直方向に関して高い位置に配置されていることを特徴とする請求項5~7のいずれか一項記載の露光装置。前記投影光学系の端面を含み、前記液体に接触する第1面と、前記第1面を取り囲むように設けられ、前記液体に接触する第2面とを有し、前記第1面における前記液体の接触角は、前記第2面における前記液体の接触角よりも小さいことを特徴とする請求項1~8のいずれか一項記載の露光装置。投影光学系と液体とを介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光装置において、前記投影光学系の端面を含み、前記液体に接触する第1面と、前記第1面を取り囲むように設けられ、前記液体に接触する第2面とを有し、前記第1面と前記第2面とは、前記投影光学系の像面側に配置された物体表面と前記第1面との距離が、前記物体表面と前記第2面との距離よりも長くなるように配置され、前記第1面における前記液体の接触角は、前記第2面における前記液体の接触角よりも小さいことを特徴とする露光装置。前記第1面と前記第2面との間で前記液体の供給を行うことを特徴とする請求項9又は10記載の露光装置。投影光学系と液体とを介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光装置において、前記投影光学系の像面側に液体を供給する液体供給機構と、前記投影光学系の端面を含み、前記液体に接触する第1面と、前記第1面を取り囲むように設けられ、前記液体に接触する第2面とを備え、前記第1面と前記第2面とのそれぞれは、前記投影光学系の像面側に配置された前記基板表面に対して間隙が形成されるように配置され、前記液体供給機構は、前記第1面と前記第2面との間に液体の供給口を有することを特徴とする露光装置。前記第2面は、前記第1面を囲むように設けられた第1領域と、前記第1面に対して前記第1領域の外側に前記第1領域を囲むように設けられた第2領域とを有し、前記第1領域における前記液体の接触角は、前記第2領域における前記液体の接触角よりも大きいことを特徴とする請求項9~12のいずれか一項記載の露光装置。前記投影光学系の像面側の液体を回収する回収口を有する液体回収機構を備え、前記回収口には、複数の孔が形成された多孔部材が複数枚重ねて配置されていることを特徴とする請求項1~13のいずれか一項記載の露光装置。投影光学系と液体とを介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光装置において、前記投影光学系の像面側の液体を回収する回収口を有する液体回収機構を備え、前記回収口には、複数の孔を有する多孔部材が複数枚重ねて配置されていることを特徴とする露光装置。前記多孔部材は、メッシュ部材を含むことを特徴とする請求項14又は15記載の露光装置。前記複数枚の多孔部材には、それぞれ同形状の孔が複数形成されており、それぞれの孔の位置がずれるように、前記多孔部材は重ねて前記回収口に配置されていることを特徴とする請求項14~16のいずれか一項記載の露光装置。前記複数枚の多孔部材のうちの第1多孔部材に形成されている孔は、第2多孔部材に形成されている孔とは大きさが異なることを特徴とする請求項14~16のいずれか一項記載の露光装置。前記回収口は、前記投影光学系の像面側に配置される前記基板と対向するように、且つ前記投影光学系の投影領域を取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項14~18のいずれか一項記載の露光装置。前記液体は、前記投影光学系の投影領域と前記回収口との間で供給されることを特徴とする請求項19記載の露光装置。液体を介して露光光を基板上に照射することによって、前記基板を露光する露光装置において、物体の上方で、該物体表面と略平行に液体を供給可能な供給口を有する液体供給機構と、前記露光光の光路に対して前記供給口よりも離れた位置に配置され、前記物体の上方から前記物体上の液体を回収可能な回収口を有する液体回収機構とを備えたことを特徴とする露光装置。前記回収口には、多孔部材が配置されている請求項21記載の露光装置。前記露光光が通過する光学系を有し、前記光学系は、前記供給口から供給された液体と接触する端面を有する請求項21記載の露光装置。前記物体と対向するように、且つ前記露光光の光路を取り囲むように配置された平坦面をさらに備えた請求項23記載の露光装置。前記光学系は、前記平坦面と前記物体との距離が、前記光学系の端面と前記物体との距離よりも小さくなるように配置される請求項24記載の露光装置。前記光学系の端面近傍に吸気口が配置されていることを特徴とする請求項21記載の露光装置。請求項1~請求項26のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。ところで、液浸露光処理や液体を介した各種光学的計測処理を精度良く行うためには、液浸領域を形成するための液体供給動作及び液体回収動作を良好に行い、液浸領域を所望状態に形成することが重要である。例えば液浸領域を形成するために供給した液体が基板や基板ステージに力を及ぼすと、その力によって基板や基板ステージが僅かながら変形や振動が生じ、その変形や振動により露光精度や計測精度が劣化する可能性がある。また、液浸領域を形成するために液体供給を開始したとき、液浸領域の液体中に気泡などの気体部分が生成される可能性が高くなる。気体部分が生成されると、その気体部分によって、基板上にパターン像を形成するための露光光が基板上に到達しない、あるいは基板上にパターン像を形成するための露光光が基板上の所望の位置に到達しない、あるいは計測光が計測器に到達しない、あるいは計測光が所望の位置に到達しないなどの現象が生じ、露光精度及び計測精度の劣化を招く。また、液体を回収するときに振動が生じると、その振動により露光精度や計測精度が劣化する可能性がある。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸領域を形成するための液体供給動作及び液体回収動作を良好に行い、液浸領域を所望状態に形成して、高い露光精度及び計測精度を得ることができる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図1~図14に対応付けした以下の構成を採用している。ただし、実施形態との対応付けは一例にすぎず、本発明はこれに限定されない。本発明の露光装置EXは、投影光学系PLと液体LQとを介して露光光ELを基板P上に照射することによって、基板Pを露光する露光装置において、投影光学系PLの像面側に配置された基板P表面と略平行に液体LQを吹き出す供給口13を有し、投影光学系PLの像面側に液体LQを供給する液体供給機構10を備えたことを特徴とする。本発明によれば、液体供給機構は供給口より基板の表面と略並行に液体を吹き出すので、供給された液体が基板に及ぼす力を抑制することができる。したがって、供給された液体により基板や基板ステージが変形を生じる等の不都合を防止することができる。したがって、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。本発明の露光装置EXは、投影光学系PLと液体LQとを介して露光光ELを基板P上に照射することによって、基板Pを露光する露光装置において、投影光学系PLの端面を含み、液体LQに接触する第1面2Aと、第1面2Aを取り囲むように設けられ、液体LQに接触する第2面77とを有し、第1面2Aと第2面77とは、投影光学系PLの像面側に配置された物体P表面と第1面2Aとの距離が、物体P表面と第2面77との距離よりも長くなるように配置され、第1面2Aにおける液体LQの接触角は、第2面77における液体LQの接触角よりも小さいことを特徴とする。本発明によれば、投影光学系の端面を含む第1面と物体表面との距離が、第2面とその物体表面との距離よりも長くても、第1面の液体との接触角を第2面の液体との接触角よりも小さくしたので、投影光学系の端面側に液体の供給を開始したとき、供給された液体は、投影光学系の端面を含む第1面を覆うように濡れ拡がった後、第2面に濡れ拡がる。したがって、液浸領域のうち少なくとも投影光学系の端面と物体との間、すなわち露光光の光路上に気体部分気泡が生成される不都合を防止することができ、気体部分のない液浸領域を迅速に形成することができる。したがって、スループットを向上できるとともに、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。本発明の露光装置EXは、投影光学系PLと液体LQとを介して露光光ELを基板P上に照射することによって、基板Pを露光する露光装置において、投影光学系PLの像面側に液体LQを供給する液体供給機構10と、投影光学系PLの端面を含み、液体LQに接触する第1面2Aと、第1面2Aを取り囲むように設けられ、液体LQに接触する第2面77とを備え、第1面2Aと第2面77とのそれぞれは、投影光学系PLの像面側に配置された基板P表面に対して間隙が形成されるように配置され、液体供給機構10は、第1面2Aと第2面77との間に液体LQの供給口13を有することを特徴とする。本発明によれば、露光光の光路上に気泡などの気体部分が生成される不都合を防止することができ、る。高い露光精度及び計測精度を得ることができる。本発明の露光装置EXは、投影光学系PLと液体LQとを介して露光光ELを基板P上に照射することによって、基板Pを露光する露光装置において、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収する回収口23を有する液体回収機構20を備え、回収口23には、複数の孔36を有する多孔部材30A~30Eが複数枚重ねて配置されていることを特徴とする。本発明によれば、回収口に複数の孔を有する多孔部材を配置したので、回収口を介して回収され、多孔部材を通過した液体の液滴径を小さくすることができる。したがって、液体を回収するときに生じる、露光精度や計測精度に影響を与える振動成分を抑えることができる。そして、多孔部材を複数枚重ねて配置することで多孔部材の強度を維持することができる。したがって、例えば液体を回収したときに多孔部材の表裏面で圧力差が発生しても多孔部材の変形や破損を防止することができる。また本発明の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELを基板P上に照射することによって、基板Pを露光する露光装置において、物体Pの上方で物体表面と略平行に液体LQを供給可能な供給口13を有する液体供給機構10と、露光光ELの光路に対して供給口13よりも離れた位置に配置され、物体Pの上方から物体P上の液体を回収可能な回収口23を有する液体回収機構20とを備えたことを特徴とする。本発明によれば、液体供給機構は供給口より基板の表面と略並行に液体を供給するので、供給された液体が物体に及ぼす力を抑制することができる。したがって、高い露光精度、計測精度を得ることができる。本発明のデバイス製造方法は、上記記載の露光装置を用いることを特徴とする。本発明によれば、液浸領域を良好に形成して高い露光精度及び計測精度を得ることができるので、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。本発明によれば、液浸領域を形成するための液体供給動作及び液体回収動作を良好に行い、液浸領域を所望状態に形成して、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。以下、本発明の露光装置について図面を参照しながら説明する。図1は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板P上に液体LQを供給する液体供給機構10と、基板P上の液体LQを回収する液体回収機構20とを備えている。露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に転写している間、液体供給機構10から供給した液体LQにより投影光学系PLの投影領域AR1を含む基板P上の一部に、投影領域AR1よりも大きく且つ基板Pよりも小さい液浸領域AR2を局所的に形成する。具体的には、露光装置EXは、投影光学系PLの像面側終端部の光学素子2と、その像面側に配置された基板P表面との間に液体LQを満たす局所液浸方式を採用し、この投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMを通過した露光光ELを基板P上に照射することによってマスクMのパターンを基板Pに投影露光する。また、投影光学系PLの終端部の光学素子2の近傍には、後に詳述するノズル部材70が配置されている。ノズル部材70は、基板P基板ステージPSTの上方において光学素子2の周りを囲むように設けられた環状部材である。本実施形態において、ノズル部材70は、液体供給機構10及び液体回収機構20それぞれの一部を構成している。ノズル部材70には、基板ステージPSTに支持された基板P表面と略平行に液体LQを吹き出す供給口13が設けられている。更にノズル部材70には、多孔部材30が配置され、液体LQを多孔部材30を介して回収する回収口23が設けられている。また、露光装置EXは、投影光学系PLの像面側、具体的にはノズル部材70に設けられた吸引口98を有する排気機構90を備えている。なお、以下の説明においては、一例として、ノズル部材70と基板Pとが対向している場合について説明するが、基板P以外の他の物体例えば、基板ステージPSTの上面などがノズル部材70と対向している場合も同様である。本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向における互いに異なる向き逆方向に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置所謂スキャニングステッパを使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でマスクMと基板Pとの同期移動方向走査方向をX軸方向、Z軸方向及びX軸方向に垂直な方向非走査方向をY軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。照明光学系ILは、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ELによるマスクM上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光や、ArFエキシマレーザ光波長193nm及びF2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光などが用いられる。本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。本実施形態において、液体LQには純水が用いられる。純水はArFエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光も透過可能である。マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能であって、例えばマスクMを真空吸着又は静電吸着により固定している。マスクステージMSTは、リニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置MSTDにより、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微少回転可能である。そして、マスクステージMSTは、X軸方向に指定された走査速度で移動可能となっており、マスクMの全面が少なくとも投影光学系PLの光軸AXを横切ることができるだけのX軸方向の移動ストロークを有している。マスクステージMST上には移動鏡31が設けられている。また、移動鏡31に対向する位置にはレーザ干渉計32が設けられている。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及びθZ方向の回転角場合によってはθX、θY方向の回転角も含むはレーザ干渉計32によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、レーザ干渉計32の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することでマスクステージMSTに支持されているマスクMの位置を制御する。投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、基板P側の先端部に設けられた光学素子レンズ2を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子2は鏡筒PKで支持されている。本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4あるいは1/5の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、屈折光学素子と反射光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。本実施形態の投影光学系PLの先端部の光学素子2は鏡筒PKより露出しており、液浸領域AR2の液体LQが接触する。光学素子2は螢石で形成されている。螢石表面は水との親和性が高いので、光学素子2の液体接触面端面2Aのほぼ全面に液体LQを密着させることができる。すなわち、本実施形態においては光学素子2の液体接触面2Aとの親和性が高い液体水LQを供給するようにしているので、光学素子2の液体接触面2Aと液体LQとの密着性が高く、光学素子2と基板Pとの間の光路を液体LQで確実に満たすことができる。なお、光学素子2は、水との親和性が高い石英であってもよい。また、光学素子2の液体接触面2Aに、MgF2、Al2O3、SiO2等を付着させる等の親水化親液化処理を施して、液体LQとの親和性をより高めるようにしてもよい。あるいは、本実施形態における液体LQは極性の大きい水であるため、親液処理親水処理としては、例えばアルコールなど極性の大きい分子構造の物質で薄膜を形成することで、この光学素子2の液体接触面2Aに親水性を付与することもできる。すなわち、液体LQとして水を用いる場合にはOH基など極性の大きい分子構造を持ったものを前記液体接触面2Aに設ける処理が望ましい。いずれの場合においても、本実施形態における光学素子2の端面2Aの液体LQとの接触角は5~20°である。基板ステージPSTは、基板Pを保持して移動可能であって、XYステージ53と、XYステージ53上に搭載されたZチルトステージ52とを含んで構成されている。XYステージ53は、ステージベースSBの上面の上方に不図示の非接触ベアリングである気体軸受エアベアリングを介して非接触支持されている。XYステージ53基板ステージPSTはステージベースSBの上面に対して非接触支持された状態で、リニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置PSTDにより、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。このXYステージ53上にZチルトステージ52が搭載されている。Zチルトステージ52は、Z軸方向、θX方向、及びθY方向にも移動可能に設けられている。基板ステージ駆動装置PSTDは制御装置CONTにより制御される。基板Pは、Zチルトステージ52上に基板ホルダPHを介して例えば真空吸着等により保持されている。Zチルトステージ52上には凹部50が設けられており、基板Pを保持するための基板ホルダPHは凹部50に配置されている。そして、Zチルトステージ52のうち凹部50以外の上面51は、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ面一になるような平坦面平坦部となっている。基板Pの周囲に基板P表面とほぼ面一の上面51を設けたので、基板Pのエッジ領域Eを液浸露光するときにおいても、基板Pのエッジ部の外側には段差部がほぼ無いので、投影光学系PLの像面側に液体LQを保持して液浸領域AR2を良好に形成することができる。また、基板Pのエッジ部とその基板Pの周囲に設けられた平坦面上面51との間には0.1~2mm程度の隙間があるが、液体LQの表面張力によりその隙間に液体LQが流れ込むことはほとんどなく、基板Pの周縁近傍を露光する場合にも、上面51により投影光学系PLの下に液体LQを保持することができる。なお、投影光学系PLの下に液体LQを保持可能であれば、基板Pの表面とZチルトステージ52の上面51との段差があってもよい。また、上面51を撥液性液体LQとの接触角90~130°にすることにより、液浸露光中における基板P外側上面51外側への液体LQの流出を抑えることができる。また液浸露光後においても液体LQを円滑に回収でき、上面51に液体LQが残留する不都合を防止できる。上面51を撥液性にするためには、Zチルトステージ52の上面51を、例えばポリ四フッ化エチレンテフロン登録商標などの撥液性を有する材料によって形成することで、上面51を撥液性にすることができる。あるいは、上面51に対して、例えば、ポリ四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する等の撥液化処理を行ってもよい。また、撥液化処理表面処理のための膜は、単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。撥液性にするための撥液性材料としては液体LQに対して非溶解性の材料が用いられる。また、撥液性材料の塗布領域撥液化処理領域としては、上面51全域であってもよいし、撥液性を必要とする一部の領域のみであってもよい。基板ステージPSTZチルトステージ52上には移動鏡33が設けられている。また、移動鏡33に対向する位置にはレーザ干渉計34が設けられている。本実施形態においては、移動鏡33の上面も、Zチルトステージ52の上面51の上面とほぼ面一に設けられている。基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計34によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはレーザ干渉計34の計測結果に基づいてリニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置PSTDを駆動することで基板ステージPSTに支持されている基板Pの位置決めを行う。また、露光装置EXは、基板ステージPST基板ホルダPHに支持されている基板Pの表面の位置を検出する後述するフォーカスレベリング検出系80を備えている。フォーカスレベリング検出系の受光結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはフォーカスレベリング検出系の検出結果に基づいて、基板P表面のZ軸方向の位置情報、及び基板PのθX及びθY方向の傾斜情報を検出することができる。Zチルトステージ52は、基板Pのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Pの表面を投影光学系PLの像面に合わせ込み、XYステージ53は基板PのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行う。なお、ZチルトステージとXYステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。次に、図2及び図3を参照しながら、液体供給機構10、液体回収機構20、及びノズル部材70について説明する。図2はノズル部材70近傍を示す概略斜視図、図3はノズル部材70を下面70A側から見た斜視図である。ノズル部材70は、投影光学系PLの終端部の光学素子2の近傍に配置されており、基板P基板ステージPSTの上方において光学素子2の周りを囲むように設けられた環状部材である。ノズル部材70は、その中央部に投影光学系PL光学素子2を配置可能な穴部70Hを有している。ノズル部材70は、例えばアルミニウム、チタン、ステンレス鋼、ジュラルミン、及びこれらを含む合金によって形成可能である。あるいは、ノズル部材70は、ガラス石英等の光透過性を有する透明部材光学部材によって構成されてもよい。液体供給機構10は、液体LQを投影光学系PLの像面側に供給するためのものであって、液体LQを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端部を接続し、他端部をノズル部材70の内部に形成された供給流路1414A、14Bの一端部に接続した供給管1212A、12Bと、ノズル部材70に形成され、前記供給流路1414A、14Bの他端部に接続し、投影光学系PLの像面側に配置された基板P表面と略平行に、すなわちXY平面に略平行に液体LQを吹き出す供給口1313A、13Bとを備えている。液体供給部11は、液体LQを収容するタンク、供給する液体LQの温度を調整する温調装置、液体LQ中の異物を除去するフィルタ装置、及び加圧ポンプ等を備えている。基板P上に液浸領域AR2を形成する際、液体供給機構10は、ノズル部材70に形成された供給口1313A、13Bより、投影光学系PLの像面側の光学素子2とその像面側に配置された基板Pとの間に液体LQを供給する。なお露光装置EXの液体供給機構10は、タンク、温調装置、フィルタ装置、加圧ポンプなどのすべてを備えている必要はなく、それらの少なくとも一部を露光装置EXが設置される工場などの設備で代用してもよい。液体回収機構20は、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収するためのものであって、液体LQを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその一端部を接続し、他端部をノズル部材70の内部に形成された回収流路24の一端部に接続した回収管22と、ノズル部材70に形成され、前記回収流路24の他端部に接続した回収口23とを備えている。液体回収部21は、例えば真空ポンプ等の真空系吸引装置、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。なお真空系として、露光装置EXに真空ポンプなどの真空系、気液分離器、タンクを設けずに、それらの少なくとも一つを露光装置EXが配置される工場の設備で代用してもよい。液浸領域AR2が投影光学系PLの像面側の所定空間内に形成されるように、液体回収機構20は、ノズル部材70に形成された回収口23を介して、液体供給機構10より供給された液体LQを所定量回収する。ノズル部材70の穴部70Hの内側面70Tと投影光学系PLの光学素子2の側面2Tとの間には間隙が設けられている。間隙は、投影光学系PLの光学素子2とノズル部材70とを振動的に分離するために設けられたものである。また、ノズル部材70を含む液体供給機構10及び液体回収機構20と、投影光学系PLとはそれぞれ別の支持機構で支持されており、振動的に分離されている。これにより、ノズル部材70を含む液体供給機構10及び液体回収機構20で発生した振動が、投影光学系PL側に伝達することを防止している。また、ノズル部材70の内側面70T、及び光学素子2の側面2Tとの間の間隙には、金属イオンの溶出が少ない材料で形成されたVリングやOリングなどのシール部材パッキンが配置されており、液浸領域AR2を形成する液体LQがその間隙から漏出するのを防止するばかりでなく、その間隙から液浸領域AR2を形成する液体LQ中に気体気泡が混入することを防止している。図3に示すように、基板Pに対向するノズル部材70の下面70AにはY軸方向を長手方向とする凹部78が形成されている。凹部78は、内側面7979X、79Yを有している。内側面79は、基板ステージPSTに支持された基板P表面に対してほぼ直交するように設けられている。ここで、基板ステージPSTは、基板P表面とXY平面とが略平行となるように基板Pを支持している。そして、内側面79は、X方向及び-X方向のそれぞれを向くようにYZ平面と略平行に設けられた内側面79Xと、Y方向及び-Y方向のそれぞれを向くようにXZ平面と略平行に設けられた内側面79Yとを有している。更に、内側面79は、内側面79Xと内側面79Yとを接続する傾斜面テーパ面79Tを有している。このように、凹部78は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、基板P表面に対してほぼ垂直な内側面79を有する壁部を形成している。供給口1313A、13Bは、凹部78によって形成されたYZ平面にほぼ平行な内側面79Xに設けられている。本実施形態においては、供給口13A、13Bは、ノズル部材70の下面70Aに形成された凹部78の内側面79のうち、投影領域AR1に対して走査方向X軸方向一方側、具体的には、X側を向く内側面79Xに設けられている。また、本実施形態においては、供給口1313A、13Bは2つ設けられており、内側面79XにおいてY軸方向に並んで設けられている。供給口13A、13Bのそれぞれは、液体供給部11から送出された液体LQを、投影光学系PLの像面側に配置された基板P表面と略平行、すなわちXY平面と略平行に吹き出す。供給管12A、12B及びノズル部材70の内部に形成された供給流路14A、14Bのそれぞれは、供給口13A、13Bに対応して複数2つ設けられている。また、供給管12A、12Bの途中には、液体供給部11から送出され、液体供給口13A、13Bのそれぞれに対する単位時間あたりの液体供給量を制御するマスフローコントローラと呼ばれる流量制御器1616A、16Bがそれぞれ設けられている。流量制御器16A、16Bによる液体供給量の制御は制御装置CONTの指令信号の下で行われる。また、本実施形態においては、供給口13A、13Bのそれぞれは円形状に形成されている。そして、供給口13A、13BどうしのY軸方向における間隔距離は、少なくとも投影領域AR1のY軸方向における長さより長くなっている。液体供給機構10は、供給口13A、13Bのそれぞれより液体LQを同時に供給可能である。そして、ノズル部材70の下面70Aは、基板ステージPSTに支持された基板P表面に対向しており、供給口13A、13Bは、凹部78の内側面7979Xに設けられている。したがって、供給口13A、13Bは、基板P表面の上方で液体を供給する構成となっている。回収口23は、基板Pに対向するノズル部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの投影領域AR1に対して液体供給機構10の供給口13A、13Bの外側に設けられており、供給口13A、13B、及び投影領域AR1を囲むように環状に形成されている。すなわち、ノズル部材70の下面70Aに形成された回収口23は、基板ステージPSTに支持され、投影光学系PLの像面側に配置される基板Pと対向するように、且つ投影光学系PLの投影領域AR1を取り囲むように配置されている。また、回収口23には複数の孔を有する多孔部材3030A~30Eが配置されている。多孔部材30は平面視環状に形成されている。そして、供給口13A、13Bは、投影光学系PLの投影領域AR1と回収口23との間に設けられた構成となっている。液浸領域AR2を形成するための液体LQは、供給口13A、13Bを介して、投影光学系PLの投影領域AR1と回収口23との間で供給されるようになっている。投影光学系PLの投影領域AR1はY軸方向非走査方向を長手方向とする矩形状に設定されており、液体LQが満たされた液浸領域AR2は、投影領域AR1を含むように実質的に環状の回収口23で囲まれた領域内であって且つ基板Pの露光中は基板P上の一部に局所的に形成される。なお、液浸領域AR2は少なくとも投影領域AR1を覆っていればよく、必ずしも回収口23で囲まれた領域全体が液浸領域にならなくてもよい。回収口23は、ノズル部材70Aの下面70Aにおいて凹部78の外側に離れて形成されている。そして、凹部78と回収口23との間にはほぼ平坦面な平坦領域77が設けられている。平坦領域77はXY平面と略平行であり、基板ステージPSTに支持された基板Pと対向する。以下の説明においては、凹部78の周りに設けられた平坦領域77を適宜、ランド面と称する。ノズル部材70の下面70Aに形成された凹部78は、上述した内側面79とその内側面79に接続する面78Aとを有している。面78Aは内側面79と交差しており、XY平面と略平行であり、基板ステージPSTに支持された基板Pと対向するように形成されている。以下の説明においては、凹部78の内側に形成され、基板Pと対向する面78Aを適宜、キャビティ面と称する。キャビティ面78Aは、光学素子2の液体接触面2A、及びランド面77より高い位置に基板Pに対して遠くなるように形成されている。そして、ノズル部材70の穴部70Hに配置された投影光学系PLの先端部の光学素子2の液体接触面2Aは、キャビティ面78Aより露出している。また、本実施形態においては、光学素子2の液体接触面2Aは、キャビティ面78Aより-Z方向に僅かに突出している。すなわち、キャビティ面78Aとランド面77との間には段差が形成されているとともに、キャビティ面78Aと光学素子2の液体接触面2Aとの間にも段差が形成されている。さらに、光学素子2の液体接触面2Aとランド面77との間にも段差が生じている。すなわち、光学素子2の液体接触面2Aとランド面77とはZ方向の位置が異なっており、投影光学系PLの像面側に配置された基板P表面と光学素子2の液体接触面2Aとの距離が、その基板P表面とランド面77との距離よりも長くなっている。液浸領域AR2を形成したとき、液浸領域AR2の液体LQはキャビティ面78Aに接触する。すなわち、キャビティ面78Aも液体接触面となっている。そして、キャビティ面78Aは、投影光学系PLの光学素子2の液体接触面2A同様、親液性親水性を有している。本実施形態においては、ノズル部材70の下面70Aのうち少なくともキャビティ面78Aに対して親液化処理が施されており、その親液化処理によって、光学素子2の液体接触面2A同様、キャビティ面78Aが親液性となっている。なお、ノズル部材70が親液性親水性の材料で形成されている場合には、キャビティ面78Aに親液化処理をしなくてもよい。また、液浸領域AR2を形成したとき、液浸領域AR2の液体LQの少なくとも一部は、キャビティ面78Aを取り囲むように設けられたランド面77にも接触する。すなわち、ランド面77も液体接触面となっている。そして、ランド面77は、キャビティ面78A及び光学素子2の液体接触面2Aよりも、液体LQに対する親和性が低くなっている。換言すれば、光学素子2の液体接触面2A及びキャビティ面78Aの液体LQとの接触角は、ランド面77の液体LQとの接触角よりも小さくなっている。本実施形態においては、光学素子2の液体接触面2A及びキャビティ面78Aの液体LQとの接触角は約5~20°、ランド面77の液体LQとの接触角は約80~120°に設けられている。本実施形態においては、ランド面77の全域が撥液化処理を施されて撥液性を有している。ランド77に対する撥液化処理としては、例えば、ポリ四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する等の処理が挙げられる。また、撥液化処理表面処理のための膜は、単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。撥液性にするための撥液性材料としては液体LQに対して非溶解性の材料が用いられる。供給口13A、13Bは、キャビティ面78Aとランド面77との間境界で段差を形成する内側面7979Xに設けられた構成となっている。したがって、液体供給機構10は、供給口13A、13Bを介して、液浸領域AR2を形成するための液体LQを光学素子2の液体接触面2Aとランド面77との間で供給する。図2において、露光装置EXは、基板ステージPSTに保持されている基板P表面の面位置情報を検出するフォーカスレベリング検出系80を備えている。フォーカスレベリング検出系80は、所謂斜入射方式のフォーカスレベリング検出系であって、液浸領域AR2の液体LQを介して基板Pに斜め方向から検出光Laを投光する投光部81と、基板Pで反射した検出光Laの反射光を受光する受光部82とを備えている。なお、フォーカスレベリング検出系80の構成としては、例えば特開平8-37149号公報に開示されているものを用いることができる。ノズル部材70のうち、-Y側及びY側の側面のそれぞれには、中央部側投影光学系PL側に向かって凹む凹部75、76がそれぞれ形成されている。一方の凹部75にはフォーカスレベリング検出系80の投光部81から射出された検出光Laを透過可能な第1光学部材83が設けられ、他方の凹部76には基板P上で反射した検出光Laを透過可能な第2光学部材84が設けられている。そして、図3に示すように、下面70Aに形成された凹部78のうち、-X側に向く内側面79Yの一部には、凹部76に配置された第2光学部材84を露出させるための開口部79Kが形成されている。同様に、下面70Aに形成された凹部78のうち、X側に向く内側面79Yの一部には、凹部75に配置された第1光学部材83を露出させるための開口部不図示が形成されている。投光部81及び受光部82は投影光学系PLの投影領域AR1を挟んでその両側にそれぞれ設けられている。図2に示す例では、投光部81及び受光部82は投影領域AR1を挟んで±Y側のそれぞれにおいて投影領域AR1に対して離れた位置に設けられている。フォーカスレベリング検出系80の投光部81は、基板P表面に投影光学系PLの光軸AXに対して所定の入射角で検出光Laを照射する。投光部81から射出された検出光Laは、第1光学部材83に照射され、ノズル部材70の下面70Aに形成された凹部78のY側を向く内側面79Yの開口部79Kを通過し、基板P上の液体LQを介して基板P上に斜め方向から入射角で照射される。基板P上で反射した検出光Laの反射光は、ノズル部材70の下面70Aに形成された凹部78の-Y側を向く内側面79Yの開口部79Kを通過し、第2光学部材84を通過した後、受光部82に受光される。ここで、フォーカスレベリング検出系80の投光部81は、基板P上に複数の検出光Laを照射する。これにより、フォーカスレベリング検出系80は、基板P上における例えばマトリクス状の複数の各点各位置での各フォーカス位置を求めることができ、求めた複数の各点でのフォーカス位置に基づいて、基板P表面のZ軸方向の位置情報、及び基板PのθX及びθY方向の傾斜情報を検出することができる。制御装置CONTは、フォーカスレベリング検出系80の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを介して基板ステージPSTのZチルトステージ52を駆動することにより、Zチルトステージ52に保持されている基板PのZ軸方向における位置フォーカス位置、及びθX、θY方向における位置を制御する。すなわち、Zチルトステージ52は、フォーカスレベリング検出系80の検出結果に基づく制御装置CONTからの指令に基づいて動作し、基板Pのフォーカス位置Z位置及び傾斜角を制御して、基板Pの表面被露光面を投影光学系PL及び液体LQを介して形成される像面に対して最適な状態に合わせ込む。なお、本実施形態においては、フォーカスレベリング検出系80の検出光Laは、YZ平面に略平行に照射されるが、XZ平面に略平行に照射されてもよい。その場合において、投光部81及び受光部82は投影領域AR1を挟んで±X側のそれぞれに設けられるとともに、第1光学部材83及び第2光学部材84も投影領域AR1を挟んで±X側のそれぞれに設けるようにしてもよい。上述したように、第1光学部材83及び第2光学部材84はフォーカスレベリング検出系80の光学系の一部を構成しているとともに、ノズル部材70の一部を構成している。換言すれば、本実施形態においては、ノズル部材70の一部がフォーカスレベリング検出系80の一部を兼ねている。そして、第1光学部材83及び第2光学部材84を含むノズル部材70は、不図示の支持機構により、投影光学系PLの先端部の光学素子2とは分離した状態で支持されている。なお、第1光学部材83及び第2光学部材84をノズル部材70から分離して、ノズル部材70とは別の支持機構で支持するようにしてもよい。そして、ノズル部材70の下面70Aに凹部78を設けたことにより、フォーカスレベリング検出系80は検出光Laを所定の入射角で基板P上の所望領域に円滑に照射することができる。ノズル部材70の下面70Aに凹部78を設けない構成の場合、つまりノズル部材70の下面70Aと光学素子2の下面液体接触面2Aとが面一の場合、フォーカスレベリング検出系80の検出光Laを所定の入射角で基板Pの所望領域具体的には、例えば基板P上の投影領域AR1に照射しようとすると、検出光Laの光路上に例えばノズル部材70が配置されて検出光Laの照射が妨げられたり、あるいは検出光Laの光路を確保するために入射角や投影光学系PLの光学素子2の下面液体接触面2Aと基板P表面との距離ワーキングディスタンスを変更しなければならないなどの不都合が生じる。しかしながら、ノズル部材70の下面70Aのうち、フォーカスレベリング検出系80の一部を構成するノズル部材70の下面70Aに凹部78を設けたことにより、投影光学系PLの光学素子2の下面液体接触面2Aと基板P表面との距離ワーキングディスタンスを所望の値に保ちつつ、フォーカスレベリング検出系80の検出光Laの光路を確保して基板P上の所望領域に検出光Laを照射することができる。また、図2において、露光装置EXは、投影光学系PLの像面側の気体を排気する排気機構90を備えている。排気機構90は、例えば真空ポンプ等の真空系吸引装置、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えた排気部91を備えている。なお真空系として、露光装置EXに真空ポンプ等の真空系、気液分離器、タンクを設けずに、それらの少なくとも一つを露光装置EXが配置される工場の設備で代用してもよい。排気部91には、回収管9595A、95Bの一端部が接続されており、回収管9595A、95Bの他端部はノズル部材70の内部に形成されている回収流路9696A、96Bの一端部に接続されている。回収管95Aの他端部はノズル部材70の凹部75に配置されている。ノズル部材70の凹部75における側面に回収流路96Aの一端部が形成されており、この回収流路96Aの一端部に回収管95Aの他端部が接続されている。また、回収管95Bの他端部はノズル部材70の凹部76に配置されている。ノズル部材70の凹部76における側面に回収流路96Bの一端部が形成されており、この回収流路96Bの一端部に回収管95Bの他端部が接続されている。図3に示すように、ノズル部材70の下面70Aのうち、投影光学系PLの光学素子2の近傍には、吸引口9898A、98Bが設けられている。吸引口98A、98Bは、ノズル部材70の内部に形成されている回収流路96A、96Bの他端部のそれぞれに接続されている。そして、吸引口98A、98Bのそれぞれは、回収流路96A、96B、及び回収管95A、95Bを介して排気部91に接続されている。真空系を有した排気部91が駆動されることにより、投影光学系PLの像面側の光学素子2の近傍に配置されている吸引口98A、98Bを介して、投影光学系PLの像面側の気体を排出吸引、負圧化することができる。また、排気部91は真空系及び気液分離器を備えているため、吸引口98A、98Bを介して投影光学系PLの像面側の液体LQを回収することもできる。吸引口98A、98Bは、ノズル部材70の下面70Aに形成された凹部78のキャビティ面78Aに設けられている。吸引口98A、98Bは、凹部78のキャビティ面78Aにおいて、投影光学系PLによる投影領域AR1の近傍に設けられており、非走査方向Y軸方向に関して投影光学系PLの光学素子2投影領域AR1の両側のそれぞれに設けられている。また、吸引口98A、98Bは、供給口13A、13Bに対応して複数2つ設けられている。なお排気機構90に、液体供給機構10から供給された液体LQに更に液体LQを追加する機能、及び液体LQの一部を回収する機能を持たせておき、吸引口98を介して液体LQの追加及び一部回収を行うことで、液体供給機構10から供給された液体LQの圧力を調整するようにしてもよい。本実施形態において、ノズル部材70は、液体供給機構10、液体回収機構20、及び排気機構90それぞれの一部を構成している。そして、液体供給機構10を構成する供給口13A、13Bは、投影光学系PLの像面側に配置された基板P表面と略平行に液体LQを吹き出すことで、投影光学系PLの像面側に液体LQを供給する。また、液体回収機構20を構成する回収口23は、投影領域AR1、供給口13A、13B、及び吸引口9898A、98Bを囲むように設けられている。液体供給部11及び流量制御器16A、16Bの動作は制御装置CONTにより制御される。基板P上に液体LQを供給する際、制御装置CONTは、液体供給部11より液体LQを送出し、供給管12A、12B、及び供給流路14A、14Bを介して、基板P表面より所定距離だけ離れて基板P表面と対向するように配置されている供給口13A、13Bより投影光学系PLの像面側に液体LQを供給する。また、供給口13A、13Bのそれぞれから基板P上に供給される液体LQの単位時間あたりの量は、供給管12A、12Bのそれぞれに設けられた流量制御器16A、16Bにより個別に制御可能である。液体回収部21の液体回収動作は制御装置CONTにより制御される。制御装置CONTは、液体回収部21による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。基板Pの上方に設けられた回収口23から回収された基板P上の液体LQは、ノズル部材70の回収流路24及び回収管22を介して液体回収部21に回収される。なお、本実施形態において、供給管12A、12Bは1つの液体供給部11に接続されているが、供給管の数に対応した液体供給部11を複数ここでは2つ設け、供給管12A、12Bのそれぞれを前記複数の液体供給部11のそれぞれに接続するようにしてもよい。また、本実施形態においては、回収口23は環状に形成されており、その回収口23に接続する回収流路24、回収管22、及び液体回収部21のそれぞれは1つずつ設けられた構成であるが、回収口23を複数に分割し、複数に分割された回収口23の数に応じて、回収管22及び液体回収部21を設けるようにしてもよい。なお、回収口23を複数に分割した場合であっても、それら複数の回収口23が、投影領域AR1、供給口13、及び吸引口98を囲むように配置されていることが好ましい。図4は、供給口13A、13Bと吸引口98A、98Bとの位置関係を説明するための図であって、ノズル部材70を下面70A側から見た平面図である。図4に示すように、本実施形態においては、吸引口98Aと供給口13AとがX軸方向に関してほぼ並ぶように設けられており、吸引口98Bと供給口13BとがX軸方向に関してほぼ並ぶように設けられている。供給口13A、13Bのそれぞれは、X側を向く内側面79Xに設けられており、液体供給部11から送出された液体LQを、投影光学系PLの像面側に配置された基板P表面と略平行、すなわちXY平面と略平行に吹き出す。そして、図4に示すように、供給口13Aは、凹部壁部78で形成された内側面79のうち、その供給口13Aの近傍に配置されている内側面79YY側を向く内側面79Yに向かって液体LQを吹き出すように、液体LQの吹き出し方向を設定されている。また、供給口13Bは、凹部壁部78で形成された内側面79のうち、その供給口13Bの近傍に配置されている内側面79Y-Y側を向く内側面79Yに向かって液体LQを吹き出すように、液体LQの吹き出し方向を設定されている。すなわち、供給口13A、13Bのそれぞれは、XY平面と略平行に、且つX軸方向に対して傾斜方向に、液体LQを吹き出している。そして本実施形態においては、供給口13A、13Bのそれぞれは複数のテーパ面79Tのうち最も近くに設けられているテーパ面79Taに沿うようにして液体LQを吹き出し、その吹き出した液体LQをそれぞれの近傍に配置されている内側面79Yに当てている。供給口13A、13Bから内側面79に向かって吹き出された液体LQにより、液体LQ中に渦流が形成される。ここで、供給口13Aは、形成した渦流の中心付近が吸引口98Aに設けられるように、液体LQを吹き出している。同様に、供給口13Bは、形成した渦流の中心付近が吸引口98Bに設けられるように、液体LQを吹き出している。なお、供給口13A、13Bから吹き出した液体LQにより形成された渦流の中心付近に吸引口98A、98Bが配置されるように、その吸引口98A、98Bの形成位置を適宜変更してもよい。図5は図4のA-A線断面矢視図、図6は図4のB-B線断面矢視図である。図5において、ノズル部材70の内部に形成された供給流路14Aは、その一端部を供給管12Aに接続しており、他端部を液体供給口13Aに接続している。液体供給部11より供給管12Aを介して供給された液体LQは、供給流路14Aを流れた後、供給口13Aより投影光学系PLの像面側に対して基板P表面と略平行に供給される。なおここでは、供給管12A、供給流路14A、及び供給口13Aについて説明したが、供給管12B、供給流路14B、及び供給口13Bも同様の構成である。図5及び図6において、回収流路24はその一端部を回収管22に接続しており、他端部を回収口23に接続している。回収流路24は、回収口23に対応するように平面視環状に形成され回収口23に接続する環状流路24sと、その一端部を回収管22に接続し他端部を環状流路24sの一部に接続したマニホールド流路24hとを備えている。真空系を有する液体回収部21の駆動により、基板P上の液体LQは、その基板Pの上方に設けられている液体回収口23を介して環状流路24sに鉛直上向きZ方向に流入する。このとき、液体回収口23からは、基板P上の液体LQとともにその周囲の気体空気も流入回収される。環状流路24sにZ方向に流入した液体LQは、マニホールド流路24hで集合された後、マニホールド流路24hを流れる。その後、回収管22を介して液体回収部21に吸引回収される。ノズル部材70のランド面77は、投影光学系PLの光学素子2の液体接触面2A及びノズル部材70のキャビティ面78Aを取り囲むように設けられている。基板ステージPSTに支持されて投影光学系PLの像面側に配置された基板P表面と液体接触面2A及びキャビティ面78Aとの距離は、基板P表面とランド面77との距離よりも長くなっている。上述したように、液体接触面2A及びキャビティ面78Aの液体LQとの接触角は、ランド面77の液体との接触角よりも小さくなっている。図6に示すように、投影光学系PLの光学素子2の液体接触面2Aは、キャビティ面78Aよりも-Z方向に僅かに突出している。また、キャビティ面78Aは、光学素子2の投影領域AR1を基準として外側に向かうにつれて漸次上方へ傾斜するように設けられている。キャビティ面78Aと基板P表面との距離は、光学素子2近傍で最も短く、吸引口98A、98B近傍で最も長くなっている。すなわち、吸引口98A、98Bは、投影光学系PLの液体接触面2Aの近傍であって、液体接触面2AよりもZ軸方向に関して高い位置に配置された構成となっている。また、投影領域AR1に対して回収口23の外側には環状の壁部131が形成されている。壁部131は基板P側に突出する凸部である。本実施形態において、壁部131の下面131Aと基板Pとの距離は、ランド面77と基板Pとの距離とほぼ同じである。壁部131は、その内側の領域の少なくとも一部に液体LQを保持可能である。次に、上述した構成を有する露光装置EXを用いてマスクMのパターン像を基板Pに露光する方法について図7A~Cに示す模式図を参照しながら説明する。マスクMがマスクステージMSTにロードされるとともに、基板Pが基板ステージPSTにロードされた後、基板Pの走査露光処理を行うに際し、制御装置CONTは液体供給機構10を駆動し、基板P上に対する液体供給動作を開始する。液浸領域AR2を形成するために液体供給機構10の液体供給部11から供給された液体LQは、図7Aに示すように、供給管12及び供給流路14を流通した後、供給口13より投影光学系PLの像面側に供給される。なお、基板Pの露光を行う前であって、投影光学系PLの像面側に液浸領域AR2を形成するときの液体供給動作は、投影光学系PLと基板Pとを対向した状態で行う。なお、投影光学系PLと基板ステージPST上の所定領域例えば上面51とを対向した状態で行ってもよい。また、基板Pの露光を行う前に投影光学系PLの像面側に液浸領域AR2を形成するときは、基板ステージPSTを停止した状態で行ってもよいし、微動させた状態で行ってもよい。制御装置CONTは、液浸領域AR2を形成するために液体供給機構10を使って液体LQの供給を開始するときに、液体回収機構20の液体回収部21を駆動するとともに、排気機構90の排気部91を駆動する。真空系を有する排気部91が駆動されることにより、投影光学系PLの像面側の光学素子2近傍に設けられている吸引口98から、投影光学系PLの像面側近傍の空間の気体が排出され排気され、その空間が負圧化される。このように、制御装置CONTは、排気機構90の排気部91を駆動し、投影光学系PLの投影領域AR1の近傍に配置された吸引口98を介して、投影光学系PLの像面側の気体の排出を行いながら、液浸領域AR2を形成するための液体供給機構10による液体供給を開始する。本実施形態においては、投影光学系PLの像面側にはノズル部材70の凹部78が形成されているため、液浸領域AR2を形成するために液体LQを供給した際、液浸領域AR2の液体LQ中に気泡などの気体部分が残り、液体LQ中に気体が混入する可能性が高くなる。気体部分が生成されると、その気体部分によって、基板P上にパターン像を形成するための露光光ELが基板P上に到達しない、あるいは基板P上にパターン像を形成するための露光光ELが基板P上の所望の位置に到達しない、あるいは例えばフォーカスレベリング検出系80の検出光Laが基板P上や受光部82に到達しない、あるいは検出光Laが基板P上の所望の位置に到達しないなどの現象が生じ、露光精度及び計測精度の劣化を招く。ところが、本実施形態においては、投影光学系PLの投影領域AR1の近傍に配置された吸引口98を介して投影光学系PLの像面側の気体の排出を行いながら、液体供給機構10による液体LQの供給を開始しているので、凹部78に液体LQを円滑に配置することができる。つまり、吸引口98より排気することで吸引口98近傍が負圧化されるので、供給した液体LQをその負圧化された負圧化領域空間に円滑に配置することができる。したがって、投影光学系PLの像面側に形成される液浸領域AR2に気体部分が残ったり、液浸領域AR2を形成するための液体LQ中に気泡が混入する不都合を防止することができ、凹部78の内側に配置された投影光学系PLの光学素子2の液体接触面2Aを液体LQで良好に覆うことができる。したがって、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。また、凹部78のキャビティ面78Aに設けられた吸引口98から排気を行いつつ、凹部78の内側面79に設けられた供給口13から液体LQを供給することにより、凹部78露光光ELの光路を液体LQで迅速に満たすことができる。したがって、スループットを向上することができる。また、本実施形態においては、液体供給機構10は、凹部78の内側面79Xに形成された供給口13より液体LQを基板P表面と略平行に吹き出しており、吸引口98は吹き出された液体LQによって形成される渦流の中心付近に設けられている構成である。したがって、液体LQ中に気泡気体部分が存在していても、その気泡は液体との比重差に基づいて渦流の中心付近に移動するため、排気機構90は、その渦流の中心付近に配置されている吸引口98を介して気泡を良好に吸引回収して除去することができる。したがって、投影光学系PLの像面側の液体LQ中に気泡が混入する不都合を防止することができる。また、本実施形態では、排気機構90の吸引口98を、凹部78の内側において投影光学系PLの液体接触面2Aよりも高い位置に設けたので、液体LQ中に気泡気体部分が存在していても、その気体は液体LQとの比重差により液体LQ中を上方に移動して吸引口98より円滑且つ迅速に回収される。また、キャビティ面78Aは、光学素子2投影領域AR1を基準として外側に向かうにつれて漸次上方へ傾斜するように設けられており、角部が無いので、光学素子2近傍にある気泡がキャビティ面78Aに沿って吸引口98に移動するとき、その移動は円滑に行われる。なお、上述したように、ノズル部材70の内側面70Tと光学素子2の側面2Tとの間の間隙には、シール部材が配置されているので、排気機構90の吸引口98から吸引を行っても、その間隙からの気体の浸入を阻止することができる。なお本実施形態においては、供給口13A、13Bのそれぞれは、投影領域AR1に対して同じ側X側を向く内側面79Xに設けられている。こうすることにより、供給口13A、13Bのそれぞれから吹き出された液体LQによる渦流はそれぞれ良好に形成される。例えば、一方の供給口13AをX側を向く内側面79Xに形成し、他方の供給口13Bを-X側を向く内側面79Xに形成した場合、供給口13A、13Bのそれぞれから吹き出された液体LQにより形成される渦流は、互いに干渉し合って良好に形成されないおそれがある。ところが、本実施形態のように、供給口13A、13Bのそれぞれを、投影領域AR1に対して同じ側X側を向く内側面79Xに設けることで、渦流を良好に形成することができる。したがって、液体LQ中に存在する気泡を吸引口98近傍に移動させて良好に回収除去することができる。また本実施形態においては、投影光学系PLの液体接触面2A及びキャビティ面78Aと基板P表面との距離が、その周囲のランド面77と基板P表面との距離よりも長くなる構成であるが、液体接触面2A及びキャビティ面78Aの液体LQとの接触角を、ランド面77の液体LQとの接触角よりも小さくしたので、投影光学系PLの像面側に液体LQの供給を開始したとき、供給された液体LQは、投影光学系PLの液体接触面2A及びキャビティ面78Aを覆うように濡れ拡がった後、ランド面77に濡れ拡がる。したがって、ランド面77の内側、すなわち液浸領域AR2のうち少なくとも投影光学系PLの液体接触面2Aと基板Pとの間すなわち露光光ELの光路上に気体部分気泡が残る不都合を防止することができる。ランド面77の液体LQとの接触角が小さく、ランド面77の液体LQとの接触角が光学素子2の液体接触面2Aやキャビティ面78Aの液体LQとの接触角と同程度であると、ランド面77と基板Pとの距離は短いため、供給口13から供給された液体LQは、最初にランド面77と基板Pとの間に濡れ拡がる可能性が高くなる。そして、光学素子2の液体接触面2Aと基板Pとの間、あるいはキャビティ面78Aと基板Pとの間には十分に濡れ拡がらない可能性がある。また、最初にランド面77と基板Pとの間の全域に液体LQが濡れ拡がり、凹部78内部などに気体が残っていると、ランド面77と基板Pとの間に満たされた液体LQによって、凹部78で形成された空間の内部の気体が外部に排出され難くなる可能性もある。ところが、本実施形態においては、投影光学系PLの液体接触面2A及びキャビティ面78Aの液体LQとの接触角を、ランド面77の液体LQとの接触角よりも小さくし、投影光学系PLの液体接触面2A及びキャビティ面78Aの液体LQとの親和性を、ランド面77の液体LQとの親和性よりも高めたので、液体接触面2Aとランド面77との間の供給口13から液体LQを供給しても、液体LQは、まず、投影光学系PLの液体接触面2A及びキャビティ面78Aと基板Pとの間に良好に濡れ拡がった後、ランド面77と基板Pとの間に濡れ拡がる。したがって、ランド面77と基板P表面との距離が、液体接触面2A及びキャビティ面78Aと基板P表面との距離より短くても、凹部78に気体が残る不都合を回避でき、気体部分のない液浸領域AR2を迅速に形成することができる。したがって、スループットを向上できるとともに高い露光精度及び計測精度を得ることができる。上述したように、制御装置CONTは、液体供給機構10の供給口13A、13Bを介した液体LQの供給と、液体回収機構20の回収口23を介した液体LQの回収とを並行して行うことにより、やがて、図7Bに示すように、投影光学系PLと基板Pとの間に、投影領域AR1を含むように、基板Pよりも小さく且つ投影領域AR1よりも大きい液浸領域AR2を局所的に形成する。液浸領域AR2を形成した後、図7Cに示すように、制御装置CONTは、投影光学系PLと基板Pとを対向した状態で、基板Pに露光光ELを照射し、マスクMのパターン像を投影光学系PLと液体LQとを介して基板P上に露光する。基板Pを露光するときは、制御装置CONTは、液体供給機構10による液体LQの供給と並行して、液体回収機構20による液体LQの回収を行いつつ、基板Pを支持する基板ステージPSTをX軸方向走査方向に移動しながら、マスクMのパターン像を投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介して基板P上に投影露光する。このとき制御装置CONTは、液体供給機構10の流量制御器16A、16Bを使って単位時間あたりの液体供給量を調整しつつ、供給口13A、13Bを介して、基板P表面と略平行に液体LQを吹き出して供給する。また、基板Pを露光中においては、制御装置CONTは、フォーカスレベリング検出系80を使って、液体LQを介して基板P表面の位置情報を検出し、その検出結果に基づいて、投影光学系PLによる像面と基板P表面とを合致させるように、例えばZチルトステージ52を駆動しつつ、露光を行う。本実施形態においては、ノズル部材70の下面70Aに凹部78を設け、その凹部78の内側面79Xに供給口13を設けた構成である。こうすることで、供給口13による液体LQの吹き出し方向を基板P表面と略平行にすることができる。そして、液浸領域AR2を形成するための液体LQを供給するとき、液体LQは供給口13を介して基板P表面と略並行に吹き出されるので、液体LQが基板Pに及ぼす力を抑制することができる。例えば、液体LQを基板P表面の上方から基板P表面と交差する方向に沿って供給した場合すなわち鉛直下向きに液体LQを供給した場合、基板Pは供給された液体LQによって押された状態となり、基板Pに変形が生じる可能性がある。また、基板Pのエッジ領域Eを液浸露光するときなどに、基板Pのエッジ上で液体LQの圧力が大きくなると、基板Pの周囲の隙間から液体LQが漏出する可能性も高くなる。ところが、本実施形態においては、液体LQを基板P表面と略平行に供給しているので、液体LQが基板Pに及ぼす力を抑制することができる。したがって、供給された液体LQにより基板Pが変形を生じたり、液体LQが漏出する等の不都合を防止することができ、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。基板Pを露光中においても、制御装置CONTは、排気機構90の吸引口98を介した液浸領域AR2の液体LQの一部の回収を継続する。こうすることにより、基板Pの露光中に、仮に液浸領域AR2の液体LQ中に気泡が混入したり、気体部分が生成されても、その気泡気体部分を、吸引口98を介して回収、除去することができる。特に、吸引口98は、回収口23よりも投影光学系PLの光学素子2の近傍に配置されているので、投影光学系PLの光学素子2近傍に存在する気泡などを素早く回収することができる。以上説明したように、液体供給機構10は供給口13より基板Pの表面と略並行に液体LQを吹き出すので、供給された液体LQが基板Pに及ぼす力を抑制することができる。したがって、供給された液体LQにより基板Pや基板ステージPSTが変形を生じる等の不都合を防止することができる。したがって、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。また、液体接触面2A及びキャビティ面78Aの液体LQとの接触角をランド面77の液体LQとの接触角よりも小さくしたので、投影光学系PLの像面側に液体LQの供給を開始したとき、供給された液体LQは、投影光学系PLの液体接触面2Aを含むキャビティ面78Aを覆うように濡れ拡がった後、ランド面77に濡れ拡がる。したがって、液浸領域AR2のうち少なくとも投影光学系PLの液体接触面2Aと基板Pとの間すなわち露光光ELの光路上に気体部分気泡が生成される不都合を防止することができ、気体部分のない液浸領域AR2を迅速に形成することができる。したがって、スループットを向上できるとともに、高い露光精度及び計測精度を得ることができる。なお、上述した実施形態においては、ランド面77の全域が撥水性であるように説明したが、一部であってもよい。上述したように、最初にランド面77と基板Pとの間に液体LQが濡れ拡がると、凹部78で形成される空間の内部などに気体が残る可能性が高くなる。そこで、ランド面77のうち例えば投影光学系PL近傍の一部の領域のみ例えば、凹部78のX側のランド面のみを撥液性にすることにより、その撥液性領域には液体LQが濡れ拡がらないので、凹部78で形成される空間の内部に残った気体は、その撥液性領域より外部に排出される。なお、ランド面77の一部に撥液性領域を形成する場合、その撥液性領域は、一箇所でもよいし任意の複数箇所でもよい。また、ランド面77に対して撥液化処理を施さずに、ランド面77Aをノズル部材70とは別の部材、例えば、ポリ四フッ化エチレンやアクリル系樹脂などの撥液性を有する材料によって形成することもできる。また、ランド面77の一部の領域のみを撥液性にする別の例として、図8に示すように、ランド面77のうち内側の領域77Aを上述と同様に撥液性撥水性とし、その外側の領域77Bをキャビティ面78Aと同様に親液性とすることもできる。図8は、ノズル部材70の下面70Aを部分的に拡大した平面図であり、ランド面77のうち所定幅の内側のランド面77Aは、液体LQとの接触角が80~120°程度に大きく設定され、その外側の所定幅のランド面77Bの接触角が5~40°程度に小さく設定されている。この場合も、液体供給機構10からの液体供給を開始するときに、投影光学系PLの液体接触面2A及びキャビティ面78Aに接触するように濡れ拡がった後、ランド面7777A、77Bに濡れ拡がるため、投影光学系PLの液体接触面2Aと基板Pとの間に気体部分が残らず、気体部分のない液浸領域AR2を迅速に形成することができる。また、基板Pの露光中に、ノズル部材70液浸領域AR2に対して基板Pを移動するような場合にも液体LQの漏出を抑制することもできる。なお、上述した実施形態において、基板Pを露光する前の液体供給時図7A、7Bの状態における単位時間あたりの液体供給量と、基板Pを露光中の液体供給時図7Cの状態における単位時間あたりの液体供給量とを互いに異なる値に設定してもよい。例えば、基板Pを露光する前の単位時間あたりの液体供給量を2リットル/分程度とし、基板Pを露光中の単位時間あたりの液体供給量を0.5リットル/分程度とするといったように、基板Pを露光する前の液体供給量を、基板Pを露光中の液体供給量よりも多くしてもよい。基板Pを露光する前の液体供給量を多くすることで、例えば光学素子2の液体接触面2Aやノズル部材70の下面70Aの空間の気体気泡を除去しながら、その空間を速やかに液体LQで満たすことができる。また、基板Pの露光中は、液体LQの供給量を少なくしているので、投影光学系PLなどに対する振動を抑えることができる。また逆に、基板Pを露光する前の液体供給量を、基板Pの露光中の液体供給量よりも少なくしてもよい。基板Pを露光する前の液体供給量を少なくすることで、液体接触面2Aやノズル部材70の下面70Aの空間の気体気泡を確実に追い出しながら、その空間を液体LQで満たすことができる。また、基板Pの露光中の液体供給量を相対的に多くすることで、投影光学系PLの像面側の液体LQの温度変化温度分布変動を抑えることができ、液体LQを介して行われる結像やフォーカスレベリング検出系80による検出を精度良く行うことができる。このように、基板Pの露光前の液体供給量と基板Pの露光中の液体供給量とは、ノズル部材70の下面70Aの形状や液体LQとの接触角、基板P表面の液体LQとの接触角、投影光学系PLやノズル部材70の防振性能、露光条件、目標スループット、目標結像性能などを考慮して、適宜設定すればよい。同様に、基板Pを露光する前の吸引口98を介した吸引力単位時間あたりの液体吸引量と、基板Pを露光中の吸引口98を介した吸引力とを互いに異なる値に設定してもよい。例えば、基板Pを露光する前の吸引口98を介した吸引力を、基板Pを露光中の吸引力よりも強くすることで、光学素子2やノズル部材70の液体接触面に付着している気泡、基板P表面に付着している気泡、あるいは液浸領域AR2の液体中を浮遊している気泡気体部分を確実に吸引回収、除去することができる。そして、基板Pを露光するときは、最適な吸引力で吸引口98を介した吸引動作を行うことにより、吸引動作に伴う振動の発生を抑えた状態で、吸引口98より液体LQ及び液体LQ中の気泡を回収、除去することができる。なお上述した実施形態においては、図4に示したように、供給口13A、13Bは、-Y方向及びY方向を向く内側面79Yに向かって液体LQを吹き出しているが、例えば複数のテーパ面79Tのうち離れた位置にあるテーパ面79Tbに向かって液体LQを吹き出してもよい。あるいは、供給口13A、13Bは吹き出した液体LQを、投影光学系PLの光学素子2の側面2T側面2Tのうちキャビティ面78Aよりも突出した領域に当てるようにしてもよい。要は、供給口13A、13Bから吹き出した液体LQによって渦流が形成されればよい。また、供給口13A、13Bの液体LQの吹き出し方向や吹き出す強さ単位時間当たりの液体供給量は、吹き出した液体LQにより渦流が形成されるように、内側面79の形状向きなどに応じて適宜変更してもよい。逆に、供給口13A、13Bから吹き出された液体LQによって渦流が形成されるように、内側面79の形状などを適宜変更してもよい。なお、上述した実施形態においては、供給口13A、13Bは円形状であるが矩形状や多角形状など任意の形状に形成可能である。また、供給口13を複数設けた場合、複数の供給口13のそれぞれの大きさや形状が互いに異なるように形成されていてもよい。更に、供給口13より吹き出した液体LQにより渦流が良好に形成され、更に形成された渦流の中心付近に吸引口98が配置されるようにすれば、供給口13の数や配置位置、大きさ、形状は任意に設定可能である。例えば、上述した実施形態においては、渦流を良好に形成するために、供給口13A、13Bのそれぞれを、X側を向く内側面79Xに設けているが、渦流を良好に形成できるのであれば、例えば供給口13AをX側を向く内側面79Xに設け、供給口13Bを-X側を向く内側面79Xに設けてもよい。あるいは、供給口13A、13Bを、±Y側を向く内側面79Yに設けてもよい。また、複数の供給口13A、13Bどうしの大きさや形状を互いに異なるように設けてもよい。また、上述した実施形態においては、供給口13A、13Bのそれぞれは、液体LQをXY平面と略平行に吹き出しているが、例えば僅かにZ側あるいは-Z側に向く傾斜方向に吹き出すようにしてもよい。例えば、傾斜方向に吹き出すことにより、基板Pに及ぼす力を更に低減することができる。また、傾斜方向に吹き出すことにより、気泡気体部分の残留を抑えることができる。なお、上述した実施形態においては、液体LQ中に渦流を形成するために、供給口13から液体LQを凹部壁部78の内側面79に向かって吹き出しているが、例えば凹部78の内側にスクリュー攪拌装置などのアクチュエータを有する装置を配置し、その装置を使って渦流を形成するようにしてもよい。なお、上述したように、排気機構90に、液体供給機構10から供給された液体LQに更に液体LQを追加する機能、及び液体LQの一部を回収する機能を持たせておき、吸引口98を介して液体LQの追加及び一部回収を行うことで、液体供給機構10から供給された液体LQの圧力を調整することができる。この場合、例えばノズル部材70の下面70Aの一部など、液浸領域AR2の液体LQに接触する部分に圧力センサを設けておき、基板Pを液浸露光中、液浸領域AR2の液体LQの圧力を圧力センサで常時モニタしておく。そして、制御装置CONTは、基板Pの液浸露光中に、圧力センサの検出結果に基づいて、液体供給機構10から基板P上に供給された液体LQの圧力を排気機構90を使って調整するようにしてもよい。これにより、液体LQが基板Pに及ぼす力が低減される。なお、上述した実施形態においては、液体LQの液浸領域AR2を基板P上に形成する場合について説明したが、基板ステージPST上に、例えば特開平4-65603号公報に開示されているような基板アライメント系によって計測される基準マーク、及び特開平7-176468号公報に開示されているようなマスクアライメント系によって計測される基準マークを備えた基準部材を配置し、その基準部材上に液体LQの液浸領域AR2を形成する構成が考えられる。そして、その基準部材上の液浸領域AR2の液体LQを介して各種計測処理を行う構成が考えられる。そのような場合においても、本実施形態に係る露光装置EXによれば、基準部材に及ぼす力を抑制した状態で精度良く計測処理を行うことができる。同様に、基板ステージPST上に、光学センサとして、例えば特開昭57-117238号公報に開示されているような照度ムラセンサ、特開2002-14005号公報に開示されているような空間像計測センサ、特開平11-16816号公報に開示されているような照射量センサ照度センサを設ける構成が考えられ、それら光学センサ上に液体LQの液浸領域AR2を形成し、その液体LQを介して各種計測処理を行う構成が考えられる。その場合においても、本実施形態に係る露光装置EXによれば、光学センサに及ぼす力を抑制した状態で精度良く計測処理を行うことができる。なお、上述の実施形態においては、ランド面77と基板P表面との距離が、投影光学系PLの液体接触面2Aと基板P表面との距離よりも短い場合について説明したが、それらの距離がほぼ同じ場合例えば、液体接触面2Aとノズル部材70の下面70Aとがほぼ面一の場合にも、液体接触面2Aの液体LQとの接触角を、ランド面77の液体LQとの接触角よりも小さくしておくことは有効である。また、液体接触面2Aの液体LQとの接触角と、ランド面77の液体LQとの接触角との差は、液体接触面2AのZ方向の位置や、ノズル部材70の下面70Aの構造ランド面77のZ方向の位置などによって適宜決めることができる。例えば、ランド面77と基板P表面との距離が非常に小さく、液体接触面2Aと基板P表面との距離が比較的大きい場合には、その接触角の差が大きくなるように、液体接触面2A及びランド面77のそれぞれの液体LQとの接触角を設定すればよい。また、上述の実施形態のように、基板Pの表面XY平面とほぼ平行に供給口13から液体LQを吹き出す構成と、液体接触面2Aの液体LQとの接触角をランド面77の液体LQとの接触角よりも小さくする構成とを併用しなくてもよい。例えば、液体供給機構10の液体供給を基板Pの上方から下向きに行うような場合にも、液体接触面2Aの液体LQとの接触角をランド面77の液体LQとの接触角よりも小さくする構成は、上述の実施形態と同様に有効である。また逆に、基板Pの表面XY平面とほぼ平行に供給口から液体LQを吹き出す構成は、ノズル部材70の下面70Aの構造や液体LQとの親和性接触角は上述の実施形態に限られず、液体LQが基板Pなどを押す力を抑制する点で効果的である。図9は供給口の別の実施形態を示す図である。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。図9において、供給口1313A、13Bは、投影光学系PLの光学素子2が配置された凹部78のキャビティ面78Aに配置されている。供給口13はノズル部材70の下面70Aにおいて-Z方向に向くように設けられており、基板P表面に対して上方から鉛直方向下向き-Z方向に液体LQを供給する。そして、ノズル部材70の内部に形成され、供給口13に接続された供給流路14のうち供給口13近傍は、供給口13に向かって漸次拡がるようにラッパ状に形成されている。供給流路14のうち供給口13近傍を、供給口出口13に向かって漸次拡がるように形成したので、基板P基板ステージPST上に供給される液体LQの基板Pに対する力が分散される。したがって、図9に示す形態においても、供給した液体LQが基板Pに及ぼす力を抑制することができる。なお、本実施形態のように、基板P表面に対して上方から鉛直方向下向きに液体LQを供給する場合、供給口13は内側面79の近くに配置することが望ましい。供給口13を内側面79の近くに配置することによって、基板P表面に対して上方から鉛直方向下向きに液体LQを吹き出す場合にも気体の巻き込みを防止することができ、ノズル部材70の下面70Aの空間に気体気泡が残留することを防止することができる。なお、図9に示した実施形態においては、ラッパ状の供給口13は基板Pの上方より鉛直方向下向きに液体LQを供給しているが、もちろん、このラッパ状の供給口13による液体LQの吹き出し方向を、XY平面に沿った方向にしてもよい。すなわち、基板ステージPSTに支持された基板P表面と略平行に液体LQを吹き出す供給口13に接続された供給流路14の供給口12近傍の形状を、供給口13に向かって漸次拡がるように形成してもよい。また、図9の実施形態で示したような、基板Pの上方より鉛直下向きに液体LQを供給する供給口と、図4や図5の実施形態で示したような基板Pとほぼ平行に液体LQを放出する供給口との両方を設けるようにしてもよい。この場合は、投影光学系PLの像面側に液体LQの供給を開始するときには、図4は図5に示したような供給口から液体LQを放出し、投影光学系PLの像面側が十分な液体LQで満たされた後は、図9に示したような供給口から液体LQの供給を行うようにしてもよい。あるいは、投影光学系PLの像面側に液体LQの供給を開始するときには、図4や図5に示したような供給口からの液体LQの供給量を、図9に示したような供給口からの液体LQの供給量よりも多くし、投影光学系PLの像目側が十分な液体LQで満たされた後は、図9に示したような供給口からの液体LQの供給量を、図4や図5に示したような供給口からの液体LQの供給量よりも多くすることもできる。図10は回収口23の別の実施形態を示し、回収口23及びその回収口23に設けられた多孔部材3030A~30Eを示す拡大断面図である。図10において、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収する回収口23には、複数の孔を有する多孔部材30A~30Eが複数枚重ねて配置されている。本実施形態においては、5枚の多孔部材30A~30Eが重ねて配置されている。ノズル部材70の下面70Aにおいて、投影領域AR1に対してランド面77よりも外側には基板P側に突出する環状の壁部131が設けられており、ランド面77と壁部131との間には環状の凹部130が形成されている。そして、ノズル部材70の下面70Aの凹部130に回収口23が形成されており、多孔部材30A~30Eは回収口23を覆うように凹部130に配置されている。図11は複数5枚重ねて配置された多孔部材30A~30Eを示す拡大斜視図である。図11に示すように、多孔部材30A~30Eのそれぞれは、複数の孔36を有したメッシュ部材である。図11に示す多孔部材30A~30Eは、略五角形状の複数の孔36からなるハニカムパターンを形成されたメッシュ部材である。複数枚の多孔部材30A~30Eにそれぞれ形成された複数の孔36はほぼ同形状である。そして、多孔部材30A~30Eは、それぞれの孔36の位置がずれるように、互いに重ねられて回収口23に配置されている。なお、図11に示す多孔部材30の厚みは100μm程度、孔36の大きさは300μm程度、隣接する孔36どうしの距離は100μm程度である。回収口23に複数の孔36を有する多孔部材30A~30Eを配置することで、回収口23を介して回収され、多孔部材30A~30Eを通過した液体LQの液滴径を小さくすることができる。上述したように、本実施形態においては、回収口23からは基板P上基板ステージPST上の液体LQが周囲の気体とともに気体を噛み込むようにして回収される。液体LQは周囲の気体と回収されることで液滴状態となり、その液滴状態で回収流路24や回収管22を通過することになる。そして、液滴状態の液体LQが回収流路24や回収管22を通過するときに、それら回収流路24の内壁や回収管22の内壁に当たって振動が発生することが考えられる。その場合において、回収された液体LQの液滴径が大きいと、露光精度や計測精度に影響を与える周波数帯域を有する振動が発生する可能性が高くなる。具体的には、回収された液体LQの液滴径が大きいと、発生する振動の主な周波数帯域は比較的低い値低周波となり、露光精度や計測精度に影響を与える。一方、発生する振動の主な周波数帯域が比較的高い場合高周波である場合、パッシブ除振で対応することができ、露光精度や計測精度に与える影響も少ないと考えられる。したがって、液体LQを液滴状態にして回収するとき、液滴径を可能な限り小さくし、発生する振動を高周波にすることが有効である。そこで、回収口23に多孔部材30を配置することで、多孔部材30の孔36を通過した液体LQを、径の小さい液滴に変換することができる。ところで、液体LQの液滴径を可能な限り小さくするために、孔36の大きさを可能な限り小さくすることが望ましい。上記多孔部材は、ステンレス鋼などからなる多孔部材の基材となる板部材に孔あけ加工を施すことで形成されるが、加工精度上、小さい孔をあけるためには板部材の厚みは薄いほうが好ましい。一方で、多孔部材板部材の厚みが薄いと、その多孔部材を回収口23凹部130に配置したとき十分な強度を得られず、液体LQを回収したときに多孔部材の表裏面で圧力差が発生して多孔部材が変形したり破損するなどの不都合が生じる可能性が高くなる。そこで、1枚の多孔部材の厚みを薄くすることで孔36の大きさを小さく加工することができ、それら複数の多孔部材30A~30Eを複数枚重ねて配置することで、回収口23に配置したときの多孔部材3030A~30Eの強度を維持することができる。そして、複数の多孔部材30A~30Eを重ねて配置するとき、それぞれの孔36の位置をずらすようにして重ねることで、液体LQが通過する孔の実質的な大きさを小さくすることができ、その孔を通過する液体LQを更に小さい液滴にすることができる。なお本実施形態においては、多孔部材30はステンレス鋼で形成されており、その表面には、表面処理として酸化クロム膜を形成する処理が施されている。また、多孔部材30に限らず、ノズル部材70をステンレス鋼で形成し、そのノズル部材70のうち少なくとも液体接触面に対して上記表面処理を施してもよい。あるいは供給管12や回収管22など、液体LQに接触する部材をステンレス鋼で形成するとともに、上記表面処理を施すことももちろん可能である。なお、本実施形態においては、孔36は略五角形状であるが、もちろんその形状は任意である。例えば図12に示すように、孔36は円形状であってもよいし、五角形以外の任意の多角形状でもよい。図12に示す多孔部材30の厚みは50μm程度、孔36の大きさは80μm程度、隣接する孔36どうしの距離は50μm程度である。また、複数枚の多孔部材を重ねて配置するとき、例えば第1の多孔部材の孔36を丸形状とし、第2の多孔部材の孔36を五角形状あるいは矩形状にするなど、複数の多孔部材30A~30Eに形成された孔36の形状は互いに異なっていてもよい。また、多孔部材を複数重ねて配置するとき、第1の多孔部材に形成されている孔36の大きさと、第2の多孔部材に形成されている孔36の大きさとが互いに異なっていてもよい。例えば、第1の大きさを有する五角形状の孔36を有する第1の多孔部材と、第2の大きさを有する五角形状の孔36を有する第2の多孔部材とを重ねるようにしてもよい。また、上述した実施形態においては、多孔部材30を5枚重ねているが、もちろん任意の複数枚重ねることができる。また、孔36の大きさや形状がそれぞれ異なる複数の多孔部材30を重ねるとき、重ねる順序を適宜変更することができる。また、上述した実施形態においては、例えば厚み100μm程度の薄い板部材に100μm程度の径を有する孔36をあけた多孔部材30を複数枚重ねているが、複数枚重ねられる多孔部材30のうち任意の多孔部材30どうしの間に、図13に示すような、複数の矩形状の孔38を有する井桁状部材37を挟むようにして配置してもよい。ここで、井桁状部材37の厚みは、多孔部材30の厚みよりも十分厚く、例えば1000μm程度に設けられている。また、井桁状部材37の孔38の大きさは、多孔部材30の孔36の大きさよりも十分に大きく、例えば2.3mm程度である。また、隣接する孔38どうしの距離は0.2μm程度である。このように、多孔部材30の孔36とは異なる大きさの孔38を有し、多孔部材30よりも厚く形成された井桁状部材37を、多孔部材30に重ねて配置することで、多孔部材30及び井桁状部材37からなる積層体全体の強度を更に向上することができる。また、孔36を有する多孔部材30と、孔36とな異なる大きさの孔38を有する井桁状部材37とを重ねることによって、それら多孔部材30及び井桁状部材37からなる積層体の液体保持能力を向上することができる。つまり、孔36を有する多孔部材30を複数枚重ねるとき、任意の多孔部材30どうしの間に孔38を有する井桁状部材37を挟むことによって、その井桁状部材37を挟んでいる多孔部材30どうしの間には毛管現象によって液体LQが入り込むため、積層体の液体保持能力を向上することができる。多孔部材30及び井桁状部材37からなる積層体の液体保持能力を向上することで、その積層体を回収口23に配置したとき、積層体回収口23が短時間で乾燥することを防止することができる。したがって、積層体回収口23に液体LQの付着跡所謂ウォーターマークが形成される不都合を防止することができる。ウォーターマークは、物体上に付着した液体に不純物が混入し、その液体が気化することによって形成される。ウォーターマークが形成されると、積層体多孔部材30の孔36が目詰まりするなどの不都合が発生する可能性がある。また、積層体回収口23にウォーターマークが形成されると、露光時などにおいて液浸領域AR2の液体LQに積層体が接触したとき、ウォーターマークに起因する不純物が液振領域AR2に混入するなどの不都合が発生する可能性もある。そこで、積層体の液体保持能力を向上させておくことにより、一度積層体を液体LQで濡らしておけば積層体に保持された液体LQの気化は抑制されているので、積層体回収口23を液体LQに常時浸けておかなくてもウオーターマークの形成を防止することができる。したがって、積層体多孔部材30が目詰まりしたり、ウォーターマークに起因する不純物が例えば液振領域AR2に混入するなどの不都合を防止することができる。なお、積層体の液体保持能力を向上させるためには、井桁状部材37の厚みは多孔部材30の厚みに対して必ずしも厚い必要ななく、多孔部材30の厚みと同等であってもよい。一方で、上述したように、井桁状部材37の厚みを厚くすることにより、積層体の強度を向上することができる。上述したように、本実施形態における液体LQは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子レンズ等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水水の屈折率nはほぼ1.44と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光波長193nmを用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数NAが0.9~1.3になることもある。このように投影光学系の開口数NAが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪化することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスクレチクルのラインアンドスペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスクレチクルのパターンからは、S偏光成分TE偏光成分、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにするとよい。投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が液体で満たされている場合、投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が空気気体で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与するS偏光成分TE偏光成分の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光学系の開口数NAが1.0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。また、位相シフトマスクや特開平6-188169号公報に開示されているようなラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法特にダイポール照明法等を適宜組み合わせると更に効果的である。特に、直線偏光照明法とダイボール照明法との組み合わせは、ラインアンドスペースパターンの周期方向が所定の一方向に限られている場合や、所定の一方向に沿ってホールパターンが密集している場合に有効である。例えば、透過率6のハーフトーン型の位相シフトマスクハーフピッチ45nm程度のパターンを、直線偏光照明法とダイボール照明法とを併用して照明する場合、照明系の瞳面においてダイボールを形成する二光束の外接円で規定される照明σを0.95、その瞳面における各光束の半径を0.125σ、投影光学系PLの開口数をNA=1.2とすると、ランダム偏光光を用いるよりも、焦点深度DOFを150nm程度増加させることができる。また、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、微細なラインアンドスペースパターン例えば25~50nm程度のラインアンドスペースを基板P上に露光するような場合、マスクMの構造例えばパターンの微細度やクロムの厚みによっては、Waveguide効果によりマスクMが偏光板として作用し、コントラストを低下させるP偏光成分TM偏光成分の回折光よりS偏光成分TE偏光成分の回折光が多くマスクMから射出されるようになる。この場合、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスクMを照明しても、投影光学系PLの開口数NAが0.9~1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。また、マスクM上の極微細なラインアンドスペースパターンを基板P上に露光するような場合、WireGrid効果によりP偏光成分TM偏光成分がS偏光成分TE偏光成分よりも大きくなる可能性もあるが、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、25nmより大きいラインアンドスペースパターンを基板P上に露光するような場合には、S偏光成分TE偏光成分の回折光がP偏光成分TM偏光成分の回折光よりも多くマスクMから射出されるので、投影光学系PLの開口数NAが0.9~1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。更に、マスクレチクルのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明S偏光照明だけでなく、特開平6-53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線周方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。特に、マスクレチクルのパターンが所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在周期方向が異なるラインアンドスペースパターンが混在する場合には、同じく特開平6-53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数NAが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。例えば、透過率6のハーフトーン型の位相シフトマスクハーフピッチ63nm程度のパターンを、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法輪帯比3/4とを併用して照明する場合、照明σを0.95、投影光学系PLの開口数をNA=1.00とすると、ランダム偏光光を用いるよりも、焦点深度DOFを250nm程度増加させることができ、ハーフピッチ55nm程度のパターンで投影光学系の開口数NA=1.2では、焦点深度を100nm程度増加させることができる。本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子2が取り付けられており、このレンズにより投影光学系PLの光学特性、例えば収差球面収差、コマ収差等の調整を行うことができる。なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。なお、本実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体LQで満たされている構成であるが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体LQを満たす構成であってもよい。なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF2レーザである場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテルPFPEやフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの例えばセダー油を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体LQの極性に応じて行われる。なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハ等が適用される。露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップアンドスティッチ方式の露光装置にも適用できる。また、本発明は、特開平10-163099号公報、特開平10-214783号公報、特表2000-505958号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。また、特開平11-135400号公報や特開2000-164504号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCDあるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。また、上述の実施形態においては、光透過性の基材上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクを用いているが、このマスクに替えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。また、上述の実施形態においては、投影光学系PLを使ってパターン像を基板P上に投影することによって基板を露光しているが、国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にラインアンドスペースを露光する露光装置リソグラフィシステムにも本発明を適用することができる。この場合、投影光学系PLを使わなくても良い。基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータUSP5623853またはUSP5528118参照を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージPST、MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。各ステージPST、MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージPST、MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージPST、MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージPST、MSTの移動面側に設ければよい。基板ステージPSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8-166475号公報USP5528118に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床大地に逃がしてもよい。マスクステージMSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8-330224号公報USSN08416558に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床大地に逃がしてもよい。以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図14に示すように、マイクロデバイスの機能性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む205、検査ステップ206等を経て製造される。"