放射線を光に変換するシンチレータと、シンチレータが発光する光を電気信号に変換する複数の画素が二次元に配列された検出面を有し、前記検出面が前記シンチレータの一面と対面して配置される検出パネルとを備え、被写体を透過した放射線の照射を受けて前記被写体の放射線画像を検出する放射線画像検出器と、前記シンチレータの前記一面が放射線の入射側となる向きで前記放射線画像検出器を収容する筐体本体と、前記放射線画像検出器に対して放射線を入射させる入射面に配置された天板とを有する筐体と、前記天板の内面と前記検出パネルとに密着するように前記筐体内に収容され、特定の方向に熱伝導異方性を有する異方性熱伝導板と、を備えたことを特徴とする放射線撮影装置。前記異方性熱伝導板は、炭素繊維を有するカーボン材料からなり、前記異方性熱伝導板の熱伝導異方性の方向とは、前記炭素繊維の繊維方向であることを特徴とする請求項1記載の放射線撮影装置。前記天板及び前記異方性熱伝導板は、炭素繊維に樹脂を含浸させたプリプレグの積層体からなり、前記異方性熱伝導板は、前記炭素繊維の方向が略同一となるように前記プリプレグが積層されており、前記天板は、前記炭素繊維の方向が異なるように前記プリプレグが積層され、かつ前記天板の内面側の最表層のプリプレグの炭素繊維の方向が、前記異方性熱伝導板のプリプレグの炭素繊維方向と略同一であることを特徴とする請求項2記載の放射線撮影装置。前記炭素繊維は、ピッチ系炭素繊維であることを特徴とする請求項3記載の放射線撮影装置。前記検出パネルは、前記筐体内において、前記異方性熱伝導板の内面に固定されていることを特徴とする請求項4記載の放射線撮影装置。前記検出パネルは、前記異方性熱伝導板の内面に貼り付けられていることを特徴とする請求項5記載の放射線撮影装置。前記天板と異方性熱伝導板とを貼り合わせる第1の接着層と、前記検出パネルと前記異方性熱伝導板とを貼り合わせる第2の接着層との少なくともいずれか一方は、前記異方性熱伝導板のプリプレグの炭素繊維の繊維方向に直交する方向に配された複数の接着領域からなることを特徴とする請求項6記載の放射線撮影装置。前記異方性熱伝導板の熱伝導方向は、前記検出パネルにおいて前記画素から電気信号を読み出すための信号線の延伸方向と異なる方向であることを特徴とする請求項1~7いずれか記載の放射線撮影装置。前記異方性熱伝導板は、熱伝導方向における側面に、吸熱部材が設けられていることを特徴とする請求項1~8いずれか記載の放射線撮影装置。前記吸熱部材は、前記筐体と熱結合されていることを特徴とする請求項9記載の放射線撮影装置。FPDの検出パネルは、フイルムやIPと比較して、温度変化に対して敏感な特性を持つため、検出パネルの検出面内に温度むらが生じると、画像の濃度むらとして現れやすい。電子カセッテは、検出パネルの検出面と筐体の天板との投影面上の位置が重なっており、筐体を薄くするため、天板と検出パネルとが近接または密着されているため、天板の熱が検出パネルに伝わりやすく、局所的な温度上昇によって天板に温度むらが生じると、検出パネルの温度むらに影響する。また、検出パネルの各画素に蓄積された電荷は、検出パネルの検出面上に複数の信号線を介して読み出し回路により読み出されるが、読み出し回路が熱による影響を受けるとX線画像にノイズが発生することが懸念される。上記問題は、ISSIrradiationSideSampling方式、すなわち、シンチレータのX線が入射するX線入射面と検出パネルの検出面とが対面するように、筐体内において、X線の入射側から、検出パネル、シンチレータの順に配置される方式を採用した場合により顕著である。というのは、ISS方式では、X線の入射側から、天板、検出パネル、シンチレータの順に配置されることになるため、天板、シンチレータ、検出パネルの順に配置され、シンチレータのX線入射面とは反対側の面で光を検出するPSSPenetrationSideSampling方式と比較して、天板と検出パネルがより近接して配置されるからである。また、検出パネルの薄型化または可撓化のために、検出パネルの基板を従来のガラス基板から樹脂基板に変更することや、基板自体を省略すること等が検討されているが、これによってガラス基板自体が有していた熱容量が検出パネルから失われるため、天板の熱がより画素に伝わりやすくなると考えられる。特許文献1には、天板から検出パネルに伝わった被検者の体温による温度むらや、この温度むらを抑制するための構成などは開示されていない。また、特許文献2は、検出パネル自身の発熱による温度むらの抑制を目的としており、天板から検出パネルに伝わった被検者の体温による温度むらの抑制については何ら記載がない。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、放射線の入射側から、検出パネル、シンチレータの順に配置されるISS方式の放射線画像検出器を採用した場合でも、筐体の天板から伝わる熱に起因する、検出パネルの検出面内における温度むらが生じにくい放射線撮影装置を提供することを目的とする。本発明の放射線撮影装置は、放射線を光に変換するシンチレータと、シンチレータが発光する光を電気信号に変換する複数の画素が二次元に配列された検出面を有し、検出面がシンチレータの一面と対面して配置される検出パネルとを備え、被写体を透過した放射線の照射を受けて被写体の放射線画像を検出する放射線画像検出器と、シンチレータの一面が放射線の入射側となる向きで前記放射線画像検出器を収容する筐体本体と、放射線画像検出器に対して放射線を入射させる入射面に配置された天板とを有する筐体と、天板の内面と前記検出パネルとに密着するように前記筐体内に収容され、特定の方向に熱伝導異方性を有する異方性熱伝導板と、を備えたものである。異方性熱伝導板が炭素繊維を有するカーボン材料である場合には、炭素繊維の繊維方向により、異方性熱伝導板の熱伝導異方性の方向を設定してもよい。また。天板及び異方性熱伝導板を、炭素繊維に樹脂を含浸させたプリプレグの積層体から構成してもよい。この場合、異方性熱伝導板は、炭素繊維の方向が略同一となるようにプリプレグを積層し、天板においては、炭素繊維の方向が異なるようにプリプレグを積層し、かつ天板の内面側の最表層のプリプレグの炭素繊維の方向が、異方性熱伝導板のプリプレグの炭素繊維方向と略同一に配置するのが好ましい。また、炭素繊維は、ピッチ系炭素繊維であることが好ましい。検出パネルは、筐体内において、異方性熱伝導板の内面に固定されていてもよい。この場合、検出パネルは、異方性熱伝導板の内面に貼り付けられていることが好ましい。また、天板と異方性熱伝導板とを貼り合わせる第1の接着層と、検出パネルと異方性熱伝導板とを貼り合わせる第2の接着層との少なくともいずれか一方は、異方性熱伝導板の炭素繊維の繊維方向に直交する方向に配された複数の接着領域からなることが好ましい。異方性熱伝導板の熱伝導方向は、検出パネルにおいて画素から電気信号を読み出すための信号線の延伸方向と異なる方向であることが好ましい。また、異方性熱伝導板の熱伝導方向における側面に吸熱部材を設けてもよい。この吸熱部材を筐体と熱結合することにより、筐体によって放熱する構成としてもよい。本発明によれば、筐体の天板の内面と検出パネルとに当接するように特定方向に熱伝導異方性を有する異方性熱伝導板を配置したので、放射線の入射側から、検出パネル、シンチレータの順に配置されるISS方式を採用した場合でも、筐体の天板から伝わる熱に起因する、検出パネルの検出面内における温度むらが生じにくい放射線撮影装置を提供することができる。また、異方性熱伝導板は、カーボン材料を使用しているので高い放射線透過性を得ることができ、炭素繊維によって熱伝導方向を設定することができるので、任意の方向に天板の熱を伝導して放熱することができる。更に、天板の異方性熱伝導板と当接する内面側の最表層の炭素繊維の方向を、異方性熱伝導板の炭素繊維方向と略同一にしているので、天板から異方性熱伝導板に対する熱伝導を効率よく行なわせることができる。図1において、X線撮影システム10は、X線発生装置11と、X線撮影装置12とからなる。X線発生装置11は、X線源13と、X線源13を制御する線源制御装置14と、照射スイッチ15とを有する。X線源13は、X線を放射するX線管13aとX線管が放射するX線の照射野を限定する照射野限定器コリメータ13bとを有している。X線管13aは、熱電子を放出するフィラメントからなる陰極と、陰極から放出された熱電子が衝突してX線を放射する陽極ターゲットとを有している。照射野限定器13bは、例えば、X線を遮蔽する複数枚の鉛板を井桁状に配置し、X線を透過させる照射開口が中央に形成されたものであり、鉛板の位置を移動することで照射開口の大きさを変化させて、照射野を限定する。線源制御装置14は、X線源13に対して高電圧を供給する高電圧発生器と、X線源13が照射するX線のエネルギースペクトルを決める管電圧、単位時間当たりの照射量を決める管電流、及びX線の照射が継続する照射時間を制御する制御部とからなる。高電圧発生器は、トランスによって入力電圧を昇圧して高圧の管電圧を発生し、高電圧ケーブルを通じてX線源13に駆動電力を供給する。管電圧、管電流、照射時間といった撮影条件は、線源制御装置14の操作パネルから技師によって手動により設定される他、X線撮影装置12から通信ケーブルを介して設定される。照射スイッチ15は、線源制御装置14に操作信号を入力する入力部である。照射スイッチ15は二段スイッチになっており、一段目を押下するとX線源13のウォームアップを開始させるためのウォームアップ開始信号が入力され、二段目を押下するとX線源13に照射を開始させるための照射開始信号が入力される。X線撮影装置12は、電子カセッテ21、撮影台22、撮影制御装置23、コンソール24を有する。電子カセッテ21は、FPD31図3参照と、FPD31を収容する可搬型の筐体26図2参照とからなり、X線源13から照射され被検者被写体Hを透過したX線の照射を受けてX線画像を検出するX線画像検出装置である。電子カセッテ21の筐体26は、偏平な箱形をしている。筐体26は、例えば、半切サイズ383.5mm×459.5mmのフイルム用またはIP用のカセッテと同様の国際規格ISO4090:2001に準拠した外形サイズを有しており、X線の入射面26a図2参照となる前面と反対側の背面の平面形状は、長方形である。撮影台22は、電子カセッテ21が着脱自在に取り付けられるスロットを有し、X線が入射する入射面がX線源13と対向する姿勢で電子カセッテ21を保持する。電子カセッテ21は、筐体26のサイズがフイルムカセッテやIPカセッテとほぼ同様の大きさであるため、フイルムカセッテやIPカセッテ用の撮影台にも取り付け可能である。撮影台22として、被検者Hを立位姿勢で撮影する立位撮影台を例示しているが、もちろん、被検者Hを臥位姿勢で撮影する臥位撮影台でもよい。撮影制御装置23は、有線方式や無線方式により電子カセッテ21と通信可能に接続されており、電子カセッテ21を制御する。具体的には、電子カセッテ21に対して撮影条件を送信して、FPD31の信号処理の処理条件信号電荷に応じた電圧を増幅する積分アンプのゲインなどを設定させるとともに、X線源13の照射タイミングとFPD31の蓄積動作を同期させるための同期信号をX線発生装置11から受信して、これを電子カセッテ21に送信することにより、X線源13とFPD31の同期制御を行う。また、撮影制御装置23は、電子カセッテ21が出力する画像データを受信して、コンソール24に送信する。コンソール24は、患者の性別、年齢、撮影部位、撮影目的といった情報が含まれる検査オーダの入力を受け付けて、検査オーダをモニタに表示する。検査オーダは、HIS病院情報システムやRIS放射線情報システムといった患者情報や放射線検査に係る検査情報を管理する外部システムから入力される。あるいは、技師などのオペレータの手動により入力される。オペレータは、検査オーダの内容をモニタで確認し、その内容に応じた撮影条件をコンソール24の操作画面を通じて選択する。選択された撮影条件は、撮影制御装置23へ送信される。また、コンソール24は、撮影制御装置23から送信されるX線画像のデータに対して画像処理を施す。処理済みのX線画像は、コンソール24のモニタに表示される他、X線画像のデータは、コンソール24内のハードディスクやメモリや、コンソール24とネットワークで接続された画像蓄積サーバといったデータストレージデバイスに格納される。図2に示すように、被検者Hの手や足など、電子カセッテ21を撮影台22に取り付けた状態で撮影しにくい撮影部位に対しては、電子カセッテ21は、撮影台22から取り外されて使用される。被検者Hの手が撮影部位である場合には、電子カセッテ21は、例えば、筐体26の外表面の一面である、X線が入射する入射面26aを上向きにして寝台やテーブル上に置かれる。被検者Hの手は入射面26aのほぼ中央に載置されて撮影が行われる。入射面26aのうち外縁を除くほとんどの部分は、X線を透過する天板27で構成されており、電子カセッテ21を撮影台22から取り外して使用する場合は、天板27と被検者Hの撮影部位とを直接接触させて撮影が行われる。図3において、FPD31は、X線の入射量に応じた信号電荷を蓄積する複数の画素37が配列された画素アレイからなる検出面38を有する検出パネル35と、画素37を駆動して信号電荷の読み出しを制御するゲートドライバ39と、画素37から読み出された信号電荷をデジタルデータに変換して出力する信号処理回路40と、ゲートドライバ39と信号処理回路40を制御して、FPD31の動作を制御する制御回路41とを備えている。複数の画素37は、所定のピッチで二次元にG1~Gn行x方向×D1~Dm列y方向のマトリクスに配列されている。FPD31は、X線を可視光に変換し可視光を光電変換して信号電荷を蓄積する間接変換型である。検出パネル35は、画素37によって可視光を光電変換する光電変換パネルであり、検出面38上には、その全面と対面するように、X線を可視光に変換するシンチレータ61図4及び5参照が配置される。シンチレータ61は、CsIヨウ化セシウムやGOSガドリウムオキシサルファイドなどの蛍光体からなる。シンチレータ61は、支持体上に蛍光体が塗布されたシートを接着剤で接着したり、検出面38上に蛍光体を蒸着するなどの方法により形成される。検出面38は、例えば半切サイズ383.5mm×459.5mmの長方形状であり、天板27も、検出面38のサイズに対応した大きさを持つ長方形状である。画素37は、可視光の入射によって電荷電子-正孔対を発生する光電変換素子であるフォトダイオード42及びフォトダイオード42が発生した電荷を蓄積するキャパシタからなり、スイッチング素子として薄膜トランジスタTFT43を備える。検出パネル35は、ガラス基板71図5参照などの絶縁基板上に画素37が形成されたTFTアクティブマトリクス基板である。フォトダイオード42は、a-Siアモルファスシリコンなどの半導体層例えばPIN型からなる光電変換膜と、その上下に上部電極及び下部電極を配した構造を有している。フォトダイオード42は、下部電極にTFT43が接続され、上部電極には、バイアス線47が接続されており、バイアス電源48からバイアス電圧が印加される。バイアス電圧の印加により半導体層内に電界が生じるため、光電変換により半導体層内で発生した電荷電子-正孔対は、一方がプラス、他方がマイナスの極性を持つ上部電極と下部電極に移動し、キャパシタに電荷が蓄積される。TFT43は、ゲート電極が走査線44に接続され、ソース電極が信号線46に接続され、ドレイン電極がフォトダイオード42に接続される。走査線44と信号線46は格子状に配線されており、走査線44は、検出面38内の画素37の行数分n行分、信号線46は画素37の列数分m列分それぞれ配線されている。走査線44はゲートドライバ39に接続され、信号線46は読み出し回路49に接続される。読み出し回路49は、検出パネル35から読み出した信号電荷を電圧信号に変換する積分アンプと、検出面38内の画素37の列を順次切り替えて1列ずつ電圧信号を順次出力するためのマルチプレクサとからなる。読み出し回路49で読み出された電圧信号は、A/D変換回路51でデジタルデータに変換されて、メモリ52にデジタルな画像データとして書き込まれる。図4及び図5に示すように、筐体26は、入射面26aを構成し、検出パネル35とシンチレータ61からなるパネルユニット62を前面から覆う前面部56と、背面から覆う背面部57とからなる筐体本体58と、天板27とから構成されている。前面部56には、天板27が取り付けられる開口が形成されている。天板27は、軽量で剛性が高く、かつX線透過性が高いカーボン材料で形成されている。前面部56及び背面部57は、ステンレスなどの金属で形成される。天板27とパネルユニット62との間には、両者に当接するように異方性熱伝導板59が配置され、パネルユニット62の背面側には、ベース板63、回路基板66~69が順に配置されている。電子カセッテ21には、ISS方式が採用されており、パネルユニット62は、シンチレータ61のX線入射面61aと検出パネル35の検出面38が対面するように、筐体26の入射面26a側から、検出パネル35、シンチレータ61の順に配置される。X線はシンチレータ61に入射して厚み方向に進むにつれて減衰し、シンチレータ61が発光した光もシンチレータ61内を進むにつれて減衰する。そのため、シンチレータ61の発光量は、X線が入射するX線入射面61aにおいて最も多い。ISS方式は、シンチレータ61において発光量が最も多いX線入射面61aの光を、検出パネル35の検出面38で検出できるため、PSS方式と比較して光検出効率がよい。ISS方式は、X線が検出パネル35の検出面38とは反対側の裏面から入射することから、裏面入射型とも呼ばれる。筐体26を薄型化するために、異方性熱伝導板59は、天板27の内面に第1の接着層70によって貼り付けられており、パネルユニット62は、異方性熱伝導板59の裏側に位置するガラス基板71が異方性熱伝導板59の内面に第2の接着層72によって貼り付けられている。ベース板63には、回路基板66~69が取り付けられる。ベース板63は、例えば、ステンレス製であり、ベース板63の表面には回路基板66~69に入射するX線を遮蔽する遮蔽部材として銅板が貼り付けられている。また、シンチレータ61のX線入射面61aとは反対の背面側には、ベース板63とシンチレータ61との間に、回路基板66~69が発生する熱が検出パネル35に伝わらないようにするための断熱材73が配置されている。断熱材73は、例えばスポンジシートなどからなる。回路基板66は、検出パネル35のTFTを駆動するゲートドライバ39を構成する回路素子が形成された回路基板である。回路基板67は、A/D変換回路51を構成する回路素子が形成された回路基板である。回路基板68は、制御回路41を構成する回路素子が形成された回路基板である。回路基板69は、電源回路AC-DCコンバータやDC-DCコンバータなどを構成する回路素子が形成された回路基板である。回路基板66と回路基板67は、それぞれフレキシブルケーブル76、77によって、検出パネル35と接続される。フレキシブルケーブル76、77には、TCPテープキャリアパッケージ型のICチップ78、79がそれぞれ実装されている。ICチップ78は、ゲートパルスを画素37の行単位で順にシフトさせるためのシフトレジスタなどからなり、回路基板66に形成された回路素子とともにゲートドライバ39を構成する。ICチップ79は、読み出し回路49を構成するASICである。したがって、検出パネル35の各画素37から信号を読み出す複数の信号線46は、図4において垂直な方向である信号線方向に沿って延伸されている。ISS方式を採用した場合は、PSS方式のように検出パネル35と天板27の間にシンチレータが介在しない分、PSS方式と比較して、検出パネル35と天板27が近接して配置されることになり、天板27の温度が検出パネル35に伝わりやすい。天板27と検出パネル35の検出面38の位置は投影面上で重なるため、天板27の面内に温度むらが生じると、その温度むらを反映して、検出パネル35に天板27の熱が伝わる。フォトダイオード42の感度や暗電流特性は、温度依存性を持つため、検出面38内において温度むらが生じると、読み出された画像には濃度むらが現れる。また、検出パネル35の各画素37に蓄積された電荷は、検出パネル35の検出面38上に複数の信号線46を介して読み出し回路49により読み出されるが、読み出し回路49が熱による影響を受けるとX線画像にノイズが発生することが懸念される。例えば、図2に示すように、被検者Hの手を天板27に接触させて撮影する場合には、被検者Hの手のひらや指から伝わる体温によって、天板27の温度が局所的に上昇して、これが画像の濃度むらとして現れて、手や指が画像に写ってしまう現象が生じる。また、被検者Hの体温によって読み出し回路49の温度が上昇した場合には、X線画像にノイズが発生する可能性がある。本実施形態では、天板27の局所的な温度上昇による濃度むらと、ノイズの発生とを抑制するため、天板27と検出パネル35との間で、かつ天板27に当接するように、面内の特定方向に熱伝導異方性を有する異方性熱伝導板59を配置している。また、天板27の一部と異方性熱伝導板59とに対し、信号線方向と略直交するように設定された排熱方向に熱伝導異方性を付与している。図6に示すように、異方性熱伝導板59は、方向性を持たせて配置した炭素繊維に樹脂を含浸させた第1のプリプレグ81を積層したCFRP炭素繊維強化樹脂からなる。第1のプリプレグ81は、炭素繊維の繊維方向が排熱方向に揃えられている。各プリプレグ81は、加熱加圧法などによって一体化されている。炭素繊維からなる異方性熱伝導板59は、X線透過性が高いため天板27と検出パネル35との間に配置してもX線が減衰することはない。図4及び図5に示すように、異方性熱伝導板59の排熱方向の両側面には、前面部56の内壁面に当接して、異方性熱伝導板59の熱を筐体26に伝達する吸熱部材60が取り付けられている。吸熱部材60は、例えば、アルミニウム等の熱伝導性の高い金属等で形成されている。天板27は、異方性熱伝導板59と同様にCFRPからなるが、炭素繊維の繊維方向が排熱方向に揃えられた第1のプリプレグ81と、炭素繊維の繊維方向が第1のプリプレグ81と異なる方向、例えば信号線方向に揃えられた第2のプリプレグ82とからなり、これらはそれぞれ交互に積層されている。また、天板27は、異方性熱伝導板59が当接される内面側の最表層に相当するプリプレグに、第1のプリプレグ81aが用いられている。第1のプリプレグ81及び第2のプリプレグ82は、異方性熱伝導板59と同様に、加熱加圧法などによって一体化されている。なお、天板27及び異方性熱伝導板59の層数は、図面の煩雑化を避けるため5層ずつ図示しているが、実際には10層程度なっている。天板27は、炭素繊維の繊維方向が異なる第1のプリプレグ81と第2のプリプレグ82とが交互に積層されているため、被検者の荷重に耐えられる剛性を備えている。また、プリプレグの積層体であるCFRPの熱伝導方向は、その積層された全体によって決まるが、CFRPの一面から他の部材に熱を伝達する際には、表面層に配置されているプリプレグの熱伝導方向、すなわち繊維方向に影響を受ける。そのため、本実施形態では、天板27の内面側の最表層に、異方性熱伝導板59の熱伝導異方性と略同じ方向に熱伝導異方性を有する第1のプリプレグ81aを配置し、天板27から異方性熱伝導板59への熱伝導が効率よく行なわれるようにしている。図5に示すように、検出パネル35と異方性熱伝導板59は、貼り合せ面全域に配された第2の接着層72によって貼り合わされている。これに対し、天板27と異方性熱伝導板59は、図7に示すように、異方性熱伝導板59の炭素繊維の繊維方向に直交する方向に配された複数の接着領域70a~70dからなる第1の接着層70によって貼り合わされている。異方性熱伝導板59は、炭素繊維の方向が排熱方向に揃えられているため、繊維方向と平行な方向に曲がりやすい性質を有している。本実施形態では、炭素繊維の繊維方向に直交する方向に配置された複数の接着領域70a~70dからなる第1の接着層70によって、天板27と異方性熱伝導板59とを貼り合わせているので、異方性熱伝導板59の炭素繊維と平行な方向に対する曲げ強度を向上させることができる。これによれば、被検者Hに対する耐過重性が向上するとともに、例えば電子カセッテ21を落下させて衝撃を受けたときに、異方性熱伝導板59が曲がって検出パネル35から一瞬離れるような、天板27と異方性熱伝導板59との間のがたつきを抑制することができる。また、第1の接着層70を複数領域に分割することにより、天板27と異方性熱伝導板59とを貼り合わせる際に接着層70内に気泡等が生じるのを防止することができるので、貼り合せ作業がしやすくなる。更に、温度変化により天板27と異方性熱伝導板59との間で圧力変動が生じた場合でも、接着領域70a~70dの間の隙間が空気孔となるので、天板27と異方性熱伝導板59との貼り合せ状態に影響が及ばない。また、天板27に傷等がついて天板27の交換が必要になったときには、天板27と異方性熱伝導板59との貼り合せ面の全域が貼り合わされている場合よりも、第1の接着層70が複数領域に分割されている場合のほうが天板27を剥がしやすくなるため、天板27の交換が容易になる。なお、天板27と異方性熱伝導板59との間を接着する第1の接着層70と、異方性熱伝導板59と検出パネル35との間を接着する第2の接着層72とには、接着材、粘着材、もしくは両面テープを用いてもよい。図8に示すように、天板27に被検者Hの一部を接触させた状態で撮影を行なうと、天板27の被検者Hとの接触部分に、被検者Hの体温が伝わる。接触部分の熱は、接触部分以外の温度の低い方、すなわち天板27の面方向及び厚み方向に伝わる。天板27の面方向及び厚み方向に伝わった熱は、内面側の最表層に配置された第1のプリプレグ81aから異方性熱伝導板59に伝わるが、これらの熱伝導異方性が同一であるため、天板27の熱は効率よく異方性熱伝導板59に伝達されることになる。異方性熱伝導板59は、天板27から伝達された熱を信号線方向に直交する排熱方向に伝達し、吸熱部材60は、異方性熱伝導板59から伝達されてきた熱を筐体26に伝達する。これにより、天板27に伝えられた被検者Hの熱は、比較的広い表面積を有する筐体26によって放熱できるので、検出パネル35の温度むらを抑制することができる。また、天板27に伝えられた被検者Hの熱は、信号線方向、すなわち読み出し回路49が配置されている方向には伝えられないので、読み出し回路49の温度上昇によるノイズの発生も抑制することができる。また、CFRPからなる天板27及び異方性熱伝導板59は、熱膨張率が6PPM程度であり、検出パネル35のガラス基板71の熱膨張率3PPMと同等なので、熱膨張率の差によって反りが発生することもない。天板27及び異方性熱伝導板59の具体的な材料としては、例えばピッチ系の炭素繊維で形成されるピッチ系カーボン材料で形成されたピッチ系カーボンシートが好ましい。ピッチ系の炭素繊維は、ピッチプリカーサコールタールまたは石油重質分を原料として得られるピッチ繊維を炭素化して得られる炭素繊維であり、アクリル繊維からなるパン系の炭素繊維に比べて軽量で、熱伝導率が高いという利点を有している。また、ピッチ系カーボン材料には、繊維長の長さに応じて短繊維タイプと長繊維タイプとがあるが、金属と同等以上の熱伝導性を有する長繊維タイプを用いるのが好ましい。以上説明したように、本発明では、天板27の面内で局所的に温度上昇が生じた場合でも、異方性熱伝導板59により面内で熱が拡散して温度が均一になるような構造を有しているため、検出パネル35の検出面38内において温度むらが生じにくい。そのため、画像の濃度むらの発生を防止することができる。上述したとおり、電子カセッテ21の筐体26は薄型が求められており、さらに、ISS方式を採用した場合には、天板27と検出パネル35が近接して配置されるため、本発明の必要性は高い。上記実施形態では、天板27と異方性熱伝導板59とを複数の接着領域を有する接着層によって貼り合わせたが、異方性熱伝導板59と検出パネル35との間も同様に、複数の接着領域を有する接着層によって貼り合わせてもよいし、異方性熱伝導板59と検出パネル35との間のみを複数の接着領域を有する接着層によって貼り合わせてもよい。また、天板27、異方性熱伝導板59及び検出パネル35の間は、必ずしも貼り合わされている必要はない。例えば、図9に示すように、天板27、異方性熱伝導板59及び検出パネル35は接着させずに当接させておき、筐体26の背面部57から突出させたリブ90によって検出パネル35及び異方性熱伝導板59を天板27に押し付けてもよい。上記実施形態では、天板27に被検者Hが接触して体温によって天板27に熱が伝わる場合を例に説明したが、天板27は筐体26の外表面を構成するので、被検者Hの体温以外にも、筐体26が置かれる環境によって熱的な外乱を受ける。被検者Hの体温以外の熱的な外乱によって天板27の面内において局所的に温度が上昇するような場合でも、本発明によれば、上記実施形態で説明したのと同様の効果がある。また、ガラス基板71上に、検出面38を構成する画素37を形成した検出パネル35を例に説明したが、ガラス基板71の代わりに、より厚みが薄くX線透過性が高い透明な樹脂シートを用いてもよい。また、ガラス基板71などの基板を用いずに、シンチレータ61を基板の代わりに使用して画素37を形成し、これを検出面38を有する検出部としてもよい。ガラス基板71の代わりに薄い樹脂シートを使用したり、シンチレータ61を基板の代わりにした場合には、天板27の温度がより検出面38に伝わりやすくなるので、本発明の効果も大きい。さらに、検出部や、天板を含む筐体に可撓性を持たせる場合には、筐体がより薄型化されるため、本発明の必要性はさらに高くなる。上記実施形態では、天板27及び異方性熱伝導板59の材料としてピッチ系カーボン材料を用いたが、パン系カーボン材料を用いてもよい。また、上記実施形態では、半切りサイズの画像検出用の検出面を持つ電子カセッテを例に説明したが、本発明は、他のサイズの電子カセッテにも適用可能である。また、本発明は、可搬性を有する電子カセッテ以外に、立位撮影台または臥位撮影台内に放射線画層検出器を直接組み込んだ放射線撮影装置や、マンモグラフィにも適用可能である。また、上記実施形態では、フォトダイオード42の光電変換膜をa-Siによって構成したが、光電変換膜は、有機光電変換材料を含む材料で構成してもよい。この場合、主に可視光域で高い吸収を示す吸収スペクトルが得られ、光電変換膜によるシンチレータ61から放出された光以外の電磁波の吸収が殆ど無くなるので、X線やγ線等の放射線が光電変換膜で吸収されることで発生するノイズを抑制できる。また、有機光電変換材料からなる光電変換膜は、インクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドを用いて有機光電変換材料を検出パネル35上に付着させることで形成させることができ、検出パネル35に対して耐熱性は要求されない。このため、ガラス以外の材質からなる基板を用いることもできる。フォトダイオード42の光電変換膜を有機光電変換材料で構成した場合、光電変換膜で放射線が殆ど吸収されないので、放射線が透過するように検出パネル35が配置されるISS方式において、検出パネル35を透過することによる放射線の減衰を抑制することができ、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。従って、光電変換膜を有機光電変換材料で構成することは、特にISS方式に好適である。光電変換膜を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ61から放出された光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ61の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ61の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ61から放出された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ61の放射線に対する発光ピーク波長との差が10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ61の材料としてCsITlを用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。検出パネル35に適用可能な光電変換膜について具体的に説明する。検出パネル35における電磁波吸収/光電変換部位は、上部電極及び下部電極と、上部電極及び下部電極に挟まれた光電変換膜を含む有機層である。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び、層間接触改良部位等を積み重ねるか、若しくは混合することで形成することができる。上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型半導体は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体であり、電子を供与しやすい性質を有する有機化合物である。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物である。従って、ドナー性有機化合物としては、電子供与性を有する有機化合物であれば何れの有機化合物も使用可能である。有機n型半導体は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体であり、電子を受容し易い性質を有する有機化合物である。更に詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物である。従って、アクセプター性有機化合物は、電子受容性を有する有機化合物であれば何れの有機化合物も使用可能である。有機p型半導体及び有機n型半導体として適用可能な材料や、光電変換膜の構成については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。また、フォトダイオード42は、少なくとも上部電極及び下部電極と、上部電極及び下部電極に挟まれた光電変換膜を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜の少なくとも何れかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。電子ブロッキング膜は、上部電極と光電変換膜との間に設けることができ、上部電極と下部電極との間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極から光電変換膜に電子が注入されて暗電流が増加してしまうことを抑制することができる。電子ブロッキング膜には電子供与性有機材料を用いることができる。実際に電子ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数より1.3eV以上電子親和力が大きく、かつ、隣接する光電変換膜の材料のイオン化ポテンシャルと同等のIp、若しくはそれより小さいIpを有するものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。電子ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、フォトダイオード42の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、より好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。正孔ブロッキング膜は、光電変換膜と下部電極との間に設けることができ、上部電極と下部電極との間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極から光電変換膜に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうことを抑制することができる。正孔ブロッキング膜には電子受容性有機材料を用いることができる。実際に正孔ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数より1.3eV以上イオン化ポテンシャルが大きく、かつ、隣接する光電変換膜の材料の電子親和力と同等のEa、若しくはそれより大きいEaを有するものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。正孔ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、フォトダイオード42の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、より好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。なお、光電変換膜で発生した電荷のうち、正孔が下部電極に移動し、電子が上部電極に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜の位置を逆にすれば良い。また、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜は両方設けることは必須ではなく、何れかを設けておけば、或る程度の暗電流抑制効果を得ることができる。また、TFT43の活性層を形成可能な非晶質酸化物としては、例えば、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物が好ましく、In、Ga及びZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物がより好ましく、In、Ga及びZnを含む酸化物が特に好ましい。In-Ga-Zn-O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO3mで表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnO4がより好ましい。なお、活性層を形成可能な非晶質酸化物はこれらに限定されるものではない。また、活性層を形成可能な有機半導体材料としては、例えば、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開2009-212389号公報で詳細に説明されているため、説明を省略する。TFT43の活性層を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブ等のうちの何れかによって形成すれば、X線等の放射線を吸収せず、或いは吸収したとしても極めて微量に留まるため、ノイズの発生を効果的に抑制することができる。また、活性層をカーボンナノチューブで形成した場合、TFT43のスイッチング速度を高速化することができ、また、TFT43における可視光域の光の吸収度合いを低下させることができる。なお、活性層をカーボンナノチューブで形成する場合、活性層にごく微量の金属性不純物が混入しただけでTFT43の性能が著しく低下するため、遠心分離等により非常に純度の高いカーボンナノチューブを分離抽出して活性層の形成に用いる必要がある。なお、有機光電変換材料で形成した膜及び有機半導体材料で形成した膜は何れも十分な可撓性を有しているので、有機光電変換材料で形成した光電変換膜と、活性層を有機半導体材料で形成したTFT43と、を組み合わせた構成であれば、患者の体の重みが荷重として加わる検出パネル35の高剛性化は必ずしも必要ではなくなる。また、検出パネル35の基板は、光透過性を有し且つ放射線の吸収が少ないものであればよい。ここで、TFT43の活性層を構成する非晶質酸化物や、フォトダイオード42の光電変換膜を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、検出パネル35の基板としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板71等の耐熱性の高い基板に限定されず、合成樹脂製の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等の可撓性基板を用いることができる。このような合成樹脂製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。なお、検出パネル35の基板には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。なお、アラミドは200度以上の高温プロセスを適用できるため、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドはITOindiumtinoxideやガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて基板を薄型化できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して、検出パネル35の基板を形成してもよい。また、バイオナノファイバは、バクテリアが産出するセルロースミクロフィブリル束バクテリアセルロースと透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸硬化させることで、繊維を60~70も含有しながら、波長500nmで約90の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数3-7ppmを有し、鋼鉄並の強度、高弾性で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板71等と比べて基板を薄型化できる。検出パネル35の基板としてガラス基板71を用いた場合、検出パネル35全体としての厚みは、例えば0.7mm程度になるが、光透過性を有する合成樹脂からなる薄型の基板を用いることにより、検出パネル35全体としての厚みを、例えば0.1mm程度に薄型化できると共に、検出パネル35に可撓性をもたせることができる。また、検出パネル35に可撓性をもたせることで、電子カセッテ21の耐衝撃性が向上し、電子カセッテ21に衝撃が加わった場合にも破損し難くなる。また、プラスチック樹脂や、アラミド、バイオナノファイバ等は何れも放射線の吸収が少なく、検出パネル35の基板をこれらの材料で形成した場合、基板による放射線の吸収量も少なくなるため、ISS方式により検出パネル35を放射線が透過する構成であっても、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。上記実施形態では、フォトダイオード42及びTFT43からなる画素37を用いたが、CMOSセンサ、あるいはフォトダイオードに有機光電変換材料を用いた有機CMOSセンサを光センサとして使用してもよい。基板に単結晶シリコンを用いるCMOSセンサまたは有機CMOSセンサは、a-Siを用いたフォトダイオードと比べてキャリア移動度が3~4桁ほど速く、放射線透過性が高いという特性を有しているためISS方式に好適である。なお、有機CMOSセンサについては、特開2009-212377号公報において詳細に説明されているので、詳しい説明は省略する。上記CMOSセンサまたは有機CMOSセンサにフレキシブル性を付与するため、CMOSセンサまたは有機CMOSセンサを、プラスチックフイルム上に形成された有機薄膜トランジスタによって構成してもよい。なお、有機薄膜トランジスタについては、TsuyoshiSekitani、Flexibleorganictransistorsandcircuitswithextremebendingstability、NatureMaterials9、平成22年11月7日、p10151022において詳細に説明されているので、詳しい説明は省略する。また、上記CMOSセンサまたは有機CMOSセンサにフレキシブル性を付与するため、フレキシブル性を有するプラスチック基板上に、単結晶シリコンによって形成されたフォトダイオード及びトランジスタを配置した構成を用いてもよい。プラスチック基板上へのフォトダイオード及びトランジスタの配置には、例えば、数十ミクロン程度の大きさのデバイスブロックを溶液中で散布し、任意の基板上の必要な位置に配置する技術であるFluidicSelfAssembly法を用いることができる。なお、FSA法については、前澤宏一、FluidicSelfAssemblyのための共鳴トンネルデバイスブロック作製技術、電子情報通信学会技術研究報告ED電子デバイス、社団法人電子情報通信学会、平成20年6月6日、108巻、87号、p6771において詳細に説明されているので、詳しい説明は省略する。上記実施形態では、放射線としてX線を例に説明したが、本発明は、γ線など、X線以外の放射線を使用するものでもよい。本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することが可能である。