"気化した接着材料をインプリントリソグラフィプロセスに用いられる基板に供給するための蒸気供給システムであって、1つ又はそれ以上の基板を保持するように構成され、真空源と流体連通し、かつ、1つ又はそれ以上の入口をさらに含む反応器チャンバと、液体接着材料を保持するように構成された流体保持リザーバと、前記流体保持リザーバを前記反応器チャンバの前記1つ又はそれ以上の入口に接続する供給ラインと、前記供給ラインに沿って配置され、1つ又はそれ以上の小径コイル管をさらに含むインライン気化器とを含むことを特徴とする蒸気供給システム。前記気化器と前記反応器チャンバとの間の前記供給ラインに沿って配置された阻流板をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の蒸気供給システム。前記供給ラインに沿って配置された1つ又はそれ以上のパージ弁をさらに含むことを特徴とする、請求項1~請求項2のいずれかに記載の蒸気供給システム。前記流体保持リザーバと前記気化器との間の前記供給ラインに接続されたN2パージラインをさらに含むことを特徴とする、請求項1~請求項3のいずれかに記載の蒸気供給システム。前記気化器と前記反応器との間の前記供給ラインに接続された真空バイパスラインをさらに含むことを特徴とする、請求項1~請求項4のいずれかに記載の蒸気供給システム。前記流体保持リザーバ、前記気化器及び前記反応器のいずれか1つ又はそれ以上を加熱するための加熱要素をさらに含むことを特徴とする、請求項1~請求項5のいずれかに記載の蒸気供給システム。複数のインライン気化器をさらに含むことを特徴とする、請求項1~請求項6のいずれかに記載の蒸気供給システム。前記保持リザーバと流体連通する大量貯蔵リザーバをさらに含むことを特徴とする、請求項1~請求項7のいずれかに記載の蒸気供給システム。前記大量貯蔵リザーバから前記保持リザーバへの液体接着材料の流れを制御するための、前記大量貯蔵リザーバと前記保持リザーバとの間に配置された流量コントローラをさらに含むことを特徴とする、請求項8に記載の蒸気供給システム。気化した接着材料をインプリントリソグラフィプロセスに用いられる基板に供給するための方法であって、液体形態の接着材料をリザーバに提供するステップと、前記リザーバを加熱して、ガス状接着材料を生成するステップと、1つ又はそれ以上の小径コイル管を通して前記ガス状接着材料を方向付けて気化した接着材料を生成するステップと、前記気化した接着材料を、1つ又はそれ以上の基板を含む反応器チャンバに方向付けるステップと、前記気化した接着材料が前記1つ又はそれ以上の基板上に堆積するのを可能にするステップと、を含むことを特徴とする方法。前記気化した接着材料を前記反応器チャンバに方向付ける前に、阻流板を通して前記気化した接着材料を方向付けるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項10に記載の蒸気供給方法。前記気化した接着材料の流量を制限して気化効率を高めるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項10~請求項11のいずれかに記載の蒸気供給方法。複数の小径コイル管を通して前記気化した接着材料を方向付けるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項10~請求項12のいずれかに記載の蒸気供給方法。前記気化した接着材料を真空に曝すステップをさらに含むことを特徴とする、請求項10~請求項13のいずれかに記載の蒸気供給方法。前記リザーバと流体流通している大量貯蔵リザーバを提供して、前記液体接着材料を前記リザーバに与えるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項10~請求項14のいずれかに記載の蒸気供給方法。前記大量貯蔵リザーバが周囲温度で保持されることを特徴とする、請求項15に記載の蒸気供給方法。前記流体保持リザーバ、前記気化器、及び前記反応器のいずれか1つ又はそれ以上を加熱するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項10~請求項16のいずれかに記載の蒸気供給方法。前記接着材料は、インプリントリソグラフィプロセスにおいて典型的に用いられる重合可能材料に共有結合できる官能基と、-CH2-リンカー基と、加水分解脱離基を有するSi原子とを有するシラン化合物をさらに含むことを特徴とする、請求項10~請求項17のいずれかに記載の蒸気供給方法。前記接着材料は、アクリルオキシメチルトリメトキシシランをさらに含むことを特徴とする、請求項10~請求項18のいずれかに記載の蒸気供給方法。本明細書において、接着材料を気化し、気化した接着材料を、ハードディスクドライブ及び半導体基板を含む基板を被覆するために供給するシステム及び方法が提供される。こうした接着剤被覆基板は、こうした基板をパターン形成するために用いられる重合可能材料を基板に付着させるためのインプリントリソグラフィプロセスにおいて有用である。本明細書で提供されるシステム及び方法は、本明細書で以下に説明されるような、ValMat登録商標米国テキサス州Austin所在のMolecularImprintsInc.又はその他の同様の化合物のような接着材料又は接着促進剤を気化するのに特に有用である。本発明の1つの態様において、気化した接着材料をインプリントリソグラフィプロセスに用いられる基板に供給するための蒸気供給システムが提供され、このシステムは、1つ又はそれ以上の基板を保持するように構成された反応器チャンバと、接着材料ValMat登録商標又は他の同様の化合物などを保持するように構成された流体保持リザーバとを有する。リザーバを加熱して、接着材料の初期の蒸発をもたらすことができる。インライン気化器が、反応器チャンバへの1つ又はそれ以上の入口においてリザーバを反応器チャンバに接続する供給ラインに沿って配置される。インライン気化器は、より完全かつ効率的な材料の気化のための1つ又はそれ以上の小径0.18-0.55インチのODコイル管を含むことができる。複数のインライン気化器を設けることもできる。さらに、反応器チャンバ及び/又は供給ラインは、真空源と流体連通することができる。更に別の態様において、システムは、気化器と反応器チャンバとの間の供給ラインに沿って配置された阻流板バッフルを含むことができる。別の態様において、流量制限器を供給ラインに沿って設けることができる。さらに他の態様において、システムは、供給ラインに沿って配置された1つ又はそれ以上のパージ弁を含むことができる。特定の態様において、システムは、流体保持リザーバと気化器との間の供給ラインに接続された窒素パージライン、及び/又は、気化器と反応器との間の供給ラインに接続された真空バイパスラインを含むことができる。更に別の態様において、気化器、供給ライン、阻流板、及び/又は反応器を加熱し、気化を高めることができる。更に別の態様において、供給システムは、流体保持リザーバと流体連通する大量貯蔵リザーバを含むことができる。大量貯蔵リザーバから流体保持リザーバへの接着材料の流れは、例えば、背圧及び/又は流量コントローラ又は流量制御システムによって制御することができる。別の態様において、接着材料ValMat登録商標又は他の同様の化合物などを気化し、気化した接着材料をインプリントリソグラフィプロセスに用いられる基板に供給するための方法が提供される。こうした方法は、液体接着材料をリザーバに提供し、リザーバを加熱してガス状接着材料を生成し、1つ又はそれ以上の小径コイル管を通してガス状接着材料を方向付けて気化した接着材料を生成し、気化した接着材料を、1つ又はそれ以上の基板を含む反応器チャンバに方向付け、気化した接着材料が1つ又はそれ以上の基板上に堆積するのを可能にすることを含む。こうした方法はさらに、複数の小径コイル管を含むことができ、及び/又は、真空下で行うことができる。更に別の態様において、こうした方法は、阻流板を通して気化した接着材料を方向付けること、及び/又は、流量を制限することを含むこともできる。さらに別の態様において、本方法は、随意的に周囲温度で保持することができる大量貯蔵リザーバ内に貯蔵された接着材料をリザーバに供給することをさらに含むことができる。本発明の特徴及び利点を詳細に理解できるようにするために、添付図面に示される実施形態を参照し、本発明の実施形態をより詳細に説明することができる。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を示すにすぎず、従って、本発明は他の等しく有効な実施形態にも許容できるので、本発明の範囲を限定するものとみなすべきではないことに留意すべきである。図面、特に図1を参照すると、図には、基板12上にレリーフパターンを形成するのに用いられるリソグラフィシステム10が示される。基板12は、基板チャック14に結合することができる。図示されるように、基板チャック14は、真空チャックである。しかしながら、基板チャック14は、どのような形式のチャックでもよく、これらチャックとしては、以下に限定されるものではないが、真空式、ピン型、溝型、静電式、電磁式及び/又はその種の他のものがある。例示的なチャックが、引用により本明細書に組み入れられる特許文献4に記載されている。基板12及び基板チャック14は、ステージ16により、さらに支持することができる。このステージ16は、x軸、y軸、及びz軸に沿って並進する及び/又は回転運動することができる。ステージ16、基板12、及び基板チャック14は、基部図示せず上に配置することもできる。テンプレート18が、基板12から離間して配置される。このテンプレート18は、第1の側及び第2の側を有する本体を含み、一方の側は、そこから基板12に向かって延びるメサ20を有することができる。メサ20は、その上にパターン形成面22を有する。さらに、メサ20は、金型20と呼ぶこともできる。代替的に、テンプレート18は、メサ20なしで形成することもできる。テンプレート18及び/又は金型20は、これらに限定されるものではないが、溶融シリカ、水晶、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フッ化炭素ポリマー、金属、硬化サファイア及び/又はその種の他のものを含む材料から形成することができる。図示されるように、パターン形成面22は、離間して配置された複数の凹部24及び/又は突出部26により定められた形状構成部を含むが、本発明の実施形態は、こうした構成例えば、平坦面に限定されない。パターン形成面22は、基板12上に形成されるパターンの基礎を形成する任意のオリジナルパターンを定めることができる。テンプレート18は、チャック28に結合することができる。チャック28は、これらに限定されるものではないが、真空式、ピン型、溝型、静電式、電磁式及び/又は他の類似のチャック型式として構成することができる。例示的なチャックは、引用により本明細書に組み入れられる特許文献4にさらに記載されている。さらに、チャック28をインプリントヘッド30に結合することができ、テンプレート18の移動を容易にするようにチャック28及び/又はインプリントヘッド30を構成することができる。システム10は、流体分配システム32をさらに含むことができる。流体分配システム32を用いて、成形可能材料34例えば重合可能材料を基板12上に堆積させることができる。成形可能材料34は、液滴分配、スピンコーティング、浸漬コーティング、化学気相堆積CVD、物理気相堆積PVD、薄膜堆積、厚膜堆積及び/又はその種の他のもののような技術を用いて、基板12上に配置することができる。設計の考慮事項に応じて、金型20と基板12との間に所望の容積が定められる前、及び/又は定められた後に、成形可能材料34を基板12上に配置することができる。成形可能材料34は、生物学的領域、太陽電池産業、バッテリ産業、及び/又は官能性ナノ粒子を必要とするその他の産業内で使用する、官能性ナノ粒子とすることができる。例えば、成形可能材料34は、どちらも引用により本明細書に組み入れられる特許文献5及び特許文献6に記載されるように、モノマー混合物を含むことができる。代替的に、成形可能材料34は、これらに限定されるものではないが、生体材料例えば、PEG、太陽電池材料例えば、N型、P型材料及び/又はその種の他のものを含むことができる。図1及び図2を参照すると、システム10は、経路42に沿ってエネルギー40を導くように結合されたエネルギー源38をさらに含むことができる。テンプレート18と基板12を経路42と重ね合わせた状態で配置するように、インプリントヘッド30及びステージ16を構成することができる。システム10は、ステージ16、インプリントヘッド30、流体分配システム32及び/又はエネルギー源38と通信状態にあるプロセッサ54により調整することができ、メモリ56内に格納されたコンピュータ可読プログラム上で動作することができる。インプリントヘッド30、ステージ16のいずれか又は両方が、これらの間に成形可能材料34により充填される所望の容積を定めるように、金型20と基板12との間の距離を変化させる。例えば、インプリントヘッド30がテンプレート18に力を加え、金型20を成形可能材料34に接触させることができる。成形可能材料34で所望の容積を充填した後、エネルギー源38は、例えば、紫外線放射などのエネルギー40を生成し、成形可能材料34を固化及び/又は架橋させて、基板12の表面44及びパターン形成面22の形状に適合させ、パターン形成された層46を、基板12上に定める。このパターン形成層46は、残留層48と、突出部50及び凹部52として示される複数の形状構造部とを含むものであり、突出部50は厚さt1を有し、残留層は厚さt2を有することができる。上述のシステム及びプロセスは、特許文献7、特許文献8、特許文献9、及び特許文献10に記載されたインプリントリソグラフィプロセス及びシステムにおいても用いることができ、これらの特許文献の全ては、その全体が引用により本明細書に組み入れられる。液体前駆体接着促進剤を蒸気状態で基板12に堆積して、図1及び図2に関連して説明される方法を可能にすることができる。例えば、ValMat登録商標米国テキサス州Auttin所在のMolecularImprints,Inc.は、液体前駆体接着促進剤である。ValMat登録商標は、インプリントリソグラフィプロセスにおいて典型的に用いられる重合可能材料に共有結合することができる官能基と、リンカー基-CH2-等と、加水分解脱離基を有するSi原子とを有するシラン化合物を含む。アクリルオキシメチルトリメトキシシランは、こうした化合物の一例である。こうした化合物は、その全体が引用により本明細書に組み入れられる特許文献11において詳細に説明される。これらの化合物は高反応性であり、従って接着促進剤として有用であるが、その結果、特に、湿度及び/又は熱に曝されるときに、保存寿命及び/又は安定性が制限されることがある。例えば、ValMat登録商標の粘性は、45°Cでは2週間後にほぼ2倍になり、その材料特性が変化したことを示す。このように、本明細書で提供される蒸気供給システムは、基板12への、ValMat登録商標等の接着促進剤又は接着材料の蒸気供給を可能にする。本明細書では、ValMat登録商標と共に用いるためにシステム60a-60d図3-図7が説明されるが、蒸気供給システム60a-60dを用いて、他の接着促進剤及び/又は材料を、ValMat登録商標とは別個に又はこれと共に供給できることに留意すべきである。本明細書でのValMat登録商標への言及は、一般に、上述され、特許文献11に開示されたような化合物を指すものと理解されたい。さらに、ValMat登録商標を参照してシステム及び方法が以下に説明されるが、こうした参照は例示的なものであることが意図され、説明されるシステム及び方法は、他の同様の接着材料及び/又は接着促進剤と共に用い得ることを理解されたい。良好な被覆性能を実現し、基板コーティングの製造に用いられるために、供給システムは、幾つかの要件を満たさなければならない。第1に、架橋されたValMat登録商標の単一の単分子層を基板上に形成できるように、液体形態のValMat登録商標を完全に気化させる必要があるすなわち、ValMat登録商標分子のクラスタ又はミストではなく、分子レベルでのValMat登録商標の微細分散した気体。ValMat登録商標が、ValMat登録商標蒸気のミスト又はクラスタとして存在する場合、架橋は、不十分なValMat登録商標架橋を有する厚い基板コーティング領域を形成する可能性を大きく増大させ、接着の問題をもたらす。第2に、反応器チャンバの充填時間は、特に1ツール1時間当たり1000より多いディスクコーティングが要求されるハードディスクドドライブの製造に対して、全体的な工程所要時間を最小にして処理量要件を満たすために、数分より短くする必要がある。第3に、供給/リザーバシステムは、簡単な再充填機能及び少ない供給システムの保守要件を有するべきである。図3-図7は、接着促進剤の供給を可能にするための蒸気供給システム60a-60dの例示的な実施形態を示す。特に、蒸気供給システム60a-60dにより、完全に気化した接着材料例えば、ValMat登録商標又は類似材料の供給が可能になる。本設計による例示的な供給システムは、1ValMat登録商標が室温から90°Cまでの範囲の温度で液体形態に保持されるリザーバと、2ValMat登録商標を完全に気化させ、それを放出する前に気化されたValMat登録商標を反応器チャンバに貯蔵するための加熱されたリザーバ、コイル気化器、及び阻流板から成ることができる気化器と、3ValMat登録商標及び類似材料の高反応性の性質のために重要である、いずれの保守作業前に気化器ラインをパージし、残りのValMat登録商標蒸気を除去するための窒素パージラインとを含む。一般に、蒸気供給システム60a-60dは、供給ライン68及び弁66により接続されるが隔離される反応器62及びリザーバ64を含む単一の真空環境とすることができる。1つの実施形態において、弁66は、流体が反応器62に入るようにすることができる空気圧作動弁とすることができる。リザーバ64及び真空チャンバすなわち反応器62は、供給される流体例えば、ValMat登録商標の蒸気圧を下回る圧力で保持することができる。流体の蒸気圧を下回る圧力でリザーバ64及び真空チャンバを提供することにより、流体が、液体状態/蒸気状態でリザーバ64から出て、蒸気状態で反応器62に入るようにすることができる。例えば、リザーバ64の圧力は、最初に、約70ミリトル未満に設定することができる。ValMat登録商標の蒸気圧は、気化器の温度に応じて、数トルから26トルまでの範囲とすることができる。流体と接触状態にある供給ライン68及び弁66を高温で保持することができる。例えば、供給ライン68及び弁66は、約90°Cの温度で保持することができる。この構成を用いることにより、ValMat登録商標蒸気は、リザーバ64において液体のValMat登録商標から放出され、1つ又はそれ以上の気化器70又は80において完全に気化し、トル以下sub-Torrの圧力で保持される反応器チャンバ62に噴射することができる。このシステムにおいてValMat登録商標蒸気の完全な気化を実現することに加えて、蒸気の凝結又は再凝結を実質的に防ぐことができる。リザーバ64の壁に熱を加えて、気化速度を高め、高度に分散した気体を維持し、従って、より多くのValMat登録商標蒸気を気化器に供給し、反応器チャンバへのValMat登録商標蒸気噴射時間を削減し、処理量を増大させることができる。例えば、熱を加え、流体の蒸気圧を流体が蒸発する圧力に高めることができる。40°Cより高く加熱された場合、蒸気圧は、20°Cの室温の蒸気圧と比較すると、2倍近くになり得る。インラインコイル気化器70、阻流板72、N2パージ、及び真空パージを供給ライン68に含ませることもできる。気化器70、阻流板72、並びに反応器62自体を加熱して気化速度を高めることもできる。1つの実施形態において、気化器70は、小径のコイル管例えば、内径が約0.55から0.18までのとすることができる。例えば、気化器70は、小径コイル状ステンレス鋼管とすることができる。一般に、蒸気供給システムにおける気化器は、直接噴射気化器である。しかしながら、こうした直接噴射気化器は、化合物の反応性が高いために直接噴射ノズルが詰まりがちになるため、ValMat登録商標及び類似の化合物と共に用いるのには適していない。ここで、ValMat登録商標蒸気のミストは、こうした直接噴射気化器と比較すると、コイルを通って移動する間に気化する機会がより多くあり、かつ、基板コーティングの均一性を実証することで高い気化効率が確認されるという事実から、気化器70は、高効率の液体気化をもたらすことができる。こうした設計の1つのトレードオフは、蒸気流量の潜在的な制限であり、結果として、工程所要時間が長くなる。多重気化器コイルシステム80を用いて、流量の低減を補償することができる。1つの実施形態において、阻流板72を、供給ライン68の直系に配置することができる。阻流板72を直系に配置することにより、気化効率及び/又は流体が反応器62に入る前の蒸気貯蔵量を増やすことができる。換言すれば、阻流板72は、液体を気化条件により長く曝し、より良好でより均一な気化をもたらすよう作用することも、気化した材料の付加的なリザーバ又は貯蔵部として作用することもできる。後者の能力において、これは反応器チャンバ62の充填時間を最小にするのに有利である。N2パージラインも供給ライン68の直系にあってもよい。N2パージラインが直系にあることにより、システム60a-60dがアイドル状態であるとき又は保守作業の前に、蒸気を、供給ライン68から実質的に排気することができる。このように、供給ライン68における詰まりを防ぐことができる。1つの実施形態において、真空バイパスライン67を供給ライン68上に直系に配置することができる。真空バイパスライン67により、流体及びN2が、反応器62を通さずに排気することが可能になり、これにより、システムの保守後、ツールを持ち上げる際に、粒子又は汚れが反応器チャンバに入る可能性を最小にすることができる。図3は、蒸気供給システム60aの例示的な実施形態を示す。蒸気供給システム60aは、単一のリザーバ64と、単一の気化器70とを含む。単一の気化器70は、システム60aの所望の蒸気流量に基づいて選択することができる。単一の気化器70は、供給ライン68に流れ抵抗を付加することができる。抵抗を増すと、蒸気がより長く気化器70内に保持されるため、気化効率が高められ、より良好でより均一な材料の気化をもたらすことができる。図4は、蒸気供給システム60bの例示的な実施形態を示す。蒸気供給システム60bは、単一のリザーバ64と、多重気化器システム80とを含む。蒸気供給システム60bの設計は、蒸気供給システム60aと同様とすることができる。多重気化器システム80を付加することにより、全体の蒸気供給速度が増し、システム60bにおける処理量を高めることができる。前述のように、既存の液体直接噴射気化器は、材料の高反応性、並びに、熱及び/又は湿度の存在下でゲル状態に変換する傾向のために、ValMat登録商標と共に用いられた場合、信頼性の問題が生じる。反応器チャンバの充填時間要件を満たすために、液体のValMat登録商標を貯蔵するリザーバは、ValMat登録商標の蒸気圧が温度の上昇と共に高まるという事実のために、例えば90°Cなどの高温で保持する必要がある。例えば、ValMat登録商標の蒸気圧は、90°Cにおいて、室温における圧力より4倍高い。温度がより高いと、ValMat登録商標蒸発速度も高まり、従って、コーティングプロセスを完了させるために反応器チャンバ内に十分なValMat登録商標蒸気を蓄積するのに必要な時間が低減する。しかしながら、研究によると、45°Cに保持されるリザーバを2週間使用した後のValMat登録商標液体の粘性は120増大し、これにより、蒸発速度が低減し、ひとたび液体のValMat登録商標が完全に凝固すると、ValMat登録商標の供給が停止することがある。FTIRの研究は、ValMat登録商標の特性の変化も立証する。さらに、高温でValMat登録商標と供給システム内の残留水分との間の反応が原因であり得る、気化器とリザーバとの間の接続器の詰まりも観察された。図5及び図6は、大量貯蔵リザーバ82例えばValMat登録商標を含有するを室温に保持し、正確に計量した液体のValMat登録商標を、蒸気圧を上昇させるために高温に加熱された、加熱リザーバ64に噴射することができる、使用可能な蒸気供給システム60c及び60dを示す。このように、リザーバ82内の大量のValMat登録商標は、12か月又はそれ以上の長い寿命を有し、リザーバ温度設定点における流体の圧力により、システム60c及び60dを制限することができない。次に、一般に、2つのリザーバシステム64及び82を用いることができる。大量の液体の貯蔵のために、大量貯蔵リザーバ82を周囲温度に保持することができる。次いで、大量貯蔵リザーバ82は、流体保持リザーバと呼ぶことができるリザーバ64を供給することができる。リザーバ64は、流体例えば、ValMat登録商標の気化を用いる点に対して、高温例えば、約90°Cより高温に保持することができる。液体形態の流体は、窒素背圧及び/又は液体流量コントローラ84を用いて、リザーバ82から移送することができる。窒素背圧及び液体流量コントローラ84は、リザーバ64への予備的液体噴射を与えることができる。システム60c及び60dは、単一の気化器システム70図5に示される又は多重気化器システム80図6に示されるを含むことができる。サポートされるシステムの処理量要件に基づいて、単一の気化器システム70又は多重気化器システム80を選択することができる。図7は、蒸気供給システム60eの別の例示的な実施形態を示す。蒸気供給システム60eは、リザーバ82aを含む。リザーバ82aは、一定温度例えば、室温で保持することができる。ガスラインを用いて、搬送ガス例えば、N2をリザーバ82に移送することができる。例えば、動作中、N2ガスは、リザーバ82aを通って気化器コイル79及び阻流板72に向けられ、流体例えば、Valmat登録商標を反応器62に供給することができる。第2のN2ラインを用いて、システム60eがアイドル状態であるとき、流体が反応しないようにすることができる。簡単にするために、気化器コイル70及び阻流板72をシステム60eから除去してもよい。さらに、システム60eの使用中、清浄にするように粒子フィルタを用いることができる。この説明に照らして、当業者には、種々な態様のさらなる修正及び代替的な実施形態が明らかであろう。従って、この説明は、例示的なものにすぎないと解釈されるべきである。本明細書に図示され説明される形態は、実施形態の例として受け取るべきであることを理解すべきである。本説明の利点を得た後に全てが当業者には明らかとなるように、本明細書に図示され説明された、要素及び材料は、本明細書で図示され説明されるものと置き換えることができ、部品及びプロセスを逆にすることができ、特定の特徴を独立して用いることができる。以下の特許請求の範囲に説明される精神及び範囲から逸脱することなく、本明細書に説明される要素において変更を行うことができる。"