"有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを用いて基板処理を行う処理室と、該処理室より排出された原料ガスから、該原料ガスに含まれる未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置とを備えた基板処理装置において、前記回収装置は、前記処理室から排出された原料ガスが通流する通流部と、該通流部の一部又は全部を冷却する冷却部と、前記処理室から排出された原料ガスを前記通流部へ流入させる流入管と、前記原料ガスから有機ルテニウム化合物が回収されたガスを排出する排出管と、前記通流部の上流側と、下流側とを連通させる迂回管と、前記流入管に設けられた第1弁と、前記排出管に設けられた第2弁と、前記迂回管に設けられた第3弁と、前記流入管を加熱する加熱部とを備えることを特徴とする基板処理装置。前記処理室で基板処理が行われている場合、前記第1及び第2弁が開状態、前記第3弁が閉状態になり、基板処理が行われる前後の待機状態にある場合、前記第1及び第2弁が閉状態、前記第3弁が開状態になるように、各弁の動作を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。メッシュ付きのセンターリングが前記排気管の途中に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。前記排気管を流れるガスの流量に応じて通流面積が変化するオリフィスが前記排気管の途中に設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一つに記載の基板処理装置。前記通流部は、前記流入管が上流側から挿入された外筒と、下流側に底部を有し、前記流入管を囲繞するように前記外筒の内側に配された内筒と、前記流入管が貫通しており、該内筒の上流側端部と間隙を設けて、前記外筒の上流側の開口を閉鎖する円環部とを備え、前記外筒の下流側に前記排出管が接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一つに記載の基板処理装置。前記通流部は、複数の通流孔を有し、前記外筒及び前記内筒間の隙間を上流側と、下流側とに隔てる隔壁板を備えることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。前記原料ガスに含まれる有機ルテニウム化合物はRu3CO12であり、一酸化炭素の搬送ガスを用いて前記処理室へ搬送するようにしてあり、前記加熱部は、前記流入管を70~100°Cに加熱することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一つに記載の基板処理装置。前記通流部を通流する原料ガスの流れを遮るように形成された螺旋状の衝突板を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一つに記載の基板処理装置。気化した有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを用いて基板処理を行う処理室より排出された原料ガスから、該原料ガスに含まれる未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置において、前記処理室から排出された原料ガスが通流する通流部と、該通流部の一部又は全部を冷却する冷却部と、前記処理室から排出された原料ガスを前記通流部へ流入させる流入管と、前記原料ガスから有機ルテニウム化合物が回収されたガスを排出する排出管と、前記通流部の上流側と、下流側とを連通させる迂回管と、前記流入管に設けられた第1弁と、前記排出管に設けられた第2弁と、前記迂回管に設けられた第3弁と、前記流入管を加熱する加熱部とを備えることを特徴とする回収装置。しかしながら、特許文献1に係る捕獲装置においては、冷媒を循環させ、冷媒に接触して析出した未反応の原料を冷媒から濾過するなどの処理が必要であり、装置構成が複雑で高コストであるという問題があった。特許文献2に係る捕獲装置においては、処理室から排気されたガスを高温に曝して排気ガス中に含まれる未反応の原料ガスを熱分解させる構成であり、やはり装置構成が複雑で高コストであるという問題があった。また、特許文献2に記載の方法においては未反応の原料ガスが金属の状態で回収されるが、金属の状態で回収すると再精製にコストを要するという問題があった。特許文献3に係る捕獲装置においては、処理装置のアイドリング時に処理室から排気されるガスが捕獲装置に流入した場合、捕獲された原料の一部が昇華し、外部へ排気されるという問題があった。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、処理室より排気されたガスから、未反応の有機ルテニウム化合物を簡単な構成で回収し、回収された有機ルテニウム化合物が処理装置のアイドリング時に昇華して排気されることを防止することができる基板処理装置及び回収装置を提供することを目的とする。本発明に係る基板処理装置は、有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを用いて基板処理を行う処理室と、該処理室より排出された原料ガスから、該原料ガスに含まれる未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置とを備えた基板処理装置において、前記回収装置は、前記処理室から排出された原料ガスが通流する通流部と、該通流部の一部又は全部を冷却する冷却部と、前記処理室から排出された原料ガスを前記通流部へ流入させる流入管と、前記原料ガスから有機ルテニウム化合物が回収されたガスを排出する排出管と、前記通流部の上流側と、下流側とを連通させる迂回管と、前記流入管に設けられた第1弁と、前記排出管に設けられた第2弁と、前記迂回管に設けられた第3弁と、前記流入管を加熱する加熱部とを備えることを特徴とする。本発明に係る基板処理装置は、前記処理室で基板処理が行われている場合、前記第1及び第2弁が開状態、前記第3弁が閉状態になり、基板処理が行われる前後の待機状態にある場合、前記第1及び第2弁が閉状態、前記第3弁が開状態になるように、各弁の動作を制御する制御部を備えることを特徴とする。本発明に係る基板処理装置は、メッシュ付きのセンターリングが前記排気管の途中に設けられていることを特徴とする。本発明に係る基板処理装置は、前記排気管を流れるガスの流量に応じて通流面積が変化するオリフィスが前記排気管の途中に設けられていることを特徴とする。本発明に係る基板処理装置は、前記通流部は、前記流入管が上流側から挿入された外筒と、下流側に底部を有し、前記流入管を囲繞するように前記外筒の内側に配された内筒と、前記流入管が貫通しており、該内筒の上流側端部と間隙を設けて、前記外筒の上流側の開口を閉鎖する円環部とを備え、前記外筒の下流側に前記排出管が接続されていることを特徴とする。本発明に係る基板処理装置は、前記通流部は、複数の通流孔を有し、前記外筒及び前記内筒間の隙間を上流側と、下流側とに隔てる隔壁板を備えることを特徴とする。本発明に係る基板処理装置は、前記原料ガスに含まれる有機ルテニウム化合物はRu3CO12であり、一酸化炭素の搬送ガスを用いて前記処理室へ搬送するようにしてあり、前記加熱部は、前記流入管を70~100°Cに加熱することを特徴とする。本発明に係る基板処理装置は、前記通流部を通流する原料ガスの流れを遮るように形成された螺旋状の衝突板を備えることを特徴とする。本発明に係る回収装置は、気化した有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを用いて基板処理を行う処理室より排出された原料ガスから、該原料ガスに含まれる未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置において、前記処理室から排出された原料ガスが通流する通流部と、該通流部の一部又は全部を冷却する冷却部と、前記処理室から排出された原料ガスを前記通流部へ流入させる流入管と、前記原料ガスから有機ルテニウム化合物が回収されたガスを排出する排出管と、前記通流部の上流側と、下流側とを連通させる迂回管と、前記流入管に設けられた第1弁と、前記排出管に設けられた第2弁と、前記迂回管に設けられた第3弁と、前記流入管を加熱する加熱部とを備えることを特徴とする。本発明にあっては、処理室から排気されたガスが通流部を通流する。通流部は、冷却部によって冷却されているため、該ガスに含まれる有機ルテニウム化合物は凝縮し、捕獲される。第1弁及び第2弁を閉鎖することによって、一旦通流部に捕獲された有機ルテニウム化合物が再び昇華し、外部へ排気されることを防止することが可能である。また、第1及び第2弁が閉鎖している状態で、第3迂回管の第3弁を開放することによって、処理室から排出されたガスを、迂回管を通じて下流側へ流すことができる。また、加熱部によって流入管を加熱しているため、通流部の上流側部分に有機ルテニウム化合物が付着することを防止することができる。本発明にあっては、処理室で基板処理が行われている場合、第1及び第2弁が開状態、前記第3弁が閉状態になる。従って、処理室から排気されたガスが通流部を通流し、該ガスに含まれる有機ルテニウム化合物が捕獲される。基板処理が行われる前後の待機状態にある場合、第1及び第2弁が閉状態、第3弁が開状態になる。従って、処理室から原料ガス以外のガス、例えばパージガスが排出されている場合、該ガスは通流部を流れること無く、迂回管を通じて下流側へ流れる。本発明にあっては、メッシュ付きセンターリングを排気管の途中に設けることによって、通流部から排出されたガスに残留する有機ルテニウム化合物が前記センターリングによって捕獲される。本発明にあっては、処理室から排出されたガスが通流部を流れる流量を制限することによって、通流部にて一旦捕獲された有機ルテニウム化合物がガスの通流によって外部へ排気されることを防止することができる。本発明にあっては、流入管を通じて通流部に流入したガスは、流入管と、内筒との間を流れ、次いで、内筒と、外筒との間を流れ排出される。ガスに含まれる有機ルテニウム化合物は、流入管と、内筒と、外筒との間を通流することによって、冷却されて凝縮し、内筒又は外筒の周壁に捕獲される。本発明にあっては、外筒及び前記内筒間の隙間を流れるガスの流量を制限することができ、通流部にて一旦捕獲された有機ルテニウム化合物がガスの通流によって外部へ排気されることを防止することができる。本発明あっては、有機ルテニウム化合物はRu3CO12を通流部で捕獲することができる。流入管は、70°C~100°Cの温度範囲で加熱されているところ、流入管を70°C以上に加熱することによってRu3CO12が再凝縮することを防ぐことができ、加熱部の温度を100°C以下に抑えることによって、Ru3CO12が分解することを防ぐことができる。従って、流入管を70°C~100°Cの温度範囲で加熱することによって、流入管にRu3CO12が付着することを防ぎ、通流部側にRu3CO12を付着させることができる。通流部に流入したガスは螺旋状の衝突板に衝突しながら通流するため、流路を伸ばし、気化した有機ルテニウム化合物が衝突板に接触する確率を向上させることができる。また、衝突板が螺旋状であるため、通流するガスに遠心力が作用し、通流部の内壁と、衝突板とで囲まれた領域に渦流を形成し、ガスを該領域内に効果的に滞留させることができる。本発明によれば、処理室より排気されたガスから、未反応の有機ルテニウム化合物を簡単な構成で回収し、回収された有機ルテニウム化合物が処理装置のアイドリング時に昇華及び排気されることを防止することができる。以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。図1は、本実施の形態に係る基板処理装置の一構成例を示したブロック図である。本発明の実施の形態に係る基板処理装置は、気化した有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを供給する原料ガス供給部1と、原料ガス供給部1より供給された原料ガスを用いて基板の成膜処理を行う成膜装置2と、成膜装置2から排出されたガスから未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置3と、各構成部の動作を制御する制御部4とを備える。図2は、原料ガス供給部1及び成膜装置2の一構成例を模式的に示した側断面図である。成膜装置2は、例えばアルミニウム合金等よりなる筒体状の処理室21を有する。処理室21内には、ウェハWを保持する保持手段22が設けられる。保持手段22は、処理室21の底部に立設された支柱22aにより支持された円板状の載置台22bを有し、この載置台22b上にウエハWが載置される。そして、この載置台22bは、例えばAlN窒化アルミニウム等のセラミック材よりなり、内部に加熱手段22cが設けられている。加熱手段22cは、例えばタングステンワイヤ等からなり、ウエハWを加熱するように構成されている。処理室21の底部には、排気口21aが設けられ、この排気口21aには、後述の排気系26が接続されて、処理室21内を減圧雰囲気にすることができるように構成されている。処理室21の側壁には、ウエハWを搬出入する開口21bが形成されており、この開口21bには、これを気密に開閉するためのゲートバルブ23が設けられている。この処理室21の天井部には、例えばシャワーヘッド24が設けられており、下面に設けたガス噴出孔25より処理室21内へ成膜処理に必要な原料ガスを供給するように構成されている。原料ガス供給部1は、有機ルテニウム化合物、例えばRu3CO12を含む固体原料10を貯留する原料貯留部11を有する。この固体原料10は、一般的には蒸気圧が非常に低くて蒸発し難い特性を有している。また、成膜反応に寄与する量は非常に少なく、90程度の原料ガスが未反応状態でキャリアガスであるCOとともに、排気される。そして、この原料貯留部11の天井部に設けたガス出口15に一端を接続し、成膜装置2のシャワーヘッド24のガス入口24aに他端を接続した原料通路17が設けられており、原料貯留部11にて発生した原料ガスを供給できるようになっている。そして、原料通路17の原料貯留部11に近い部分には開閉弁16が介設されている。また、原料貯留部11の下面側には、原料貯留部11にキャリアガスを供給するためのキャリアガス管14が接続されている。キャリアガス管14の途中には、マスフローコントローラのような流量制御器12とキャリアガス開閉弁13とが順次介設されており、キャリアガスを流量制御しつつ供給して固体原料10を加熱することにより、この固体原料10を気化させて原料ガスを形成するようになっている。また原料貯留部11の内部には、キャリアガス管14が設置された側の近傍に、多孔板11aが設置され、固体原料10を多孔板11aの上に保持すると共に、キャリアガス管14から供給されるキャリアガスが、多孔板11aに形成された孔部を介して、原料貯留部11内に均一に供給される構造となっている。キャリアガスとしてここではCO一酸化炭素ガスが用いられている。そして、原料貯留部11には、これを加熱するための貯留部加熱手段11bがタンク全体を覆うようにして設けられており、固体原料10の気化を促進させるようになっている。この場合、固体原料10の加熱温度は、有機ルテニウム化合物が分解せずに安定的に存在できる温度、例えば約80°Cである。また、キャリアガス管14のキャリアガス開閉弁13よりも上流側と原料通路17の開閉弁16の下流側とを連通してバイパス管18が設けられると共に、このバイパス管18には、バイパス開閉弁19が介設されており、必要に応じて原料貯留部11をバイパスさせてキャリアガスを流すことができるようになっている。また、原料通路17には、テープヒータのような加熱手段図示せずが設けられており、これを加熱して原料ガスが再固化することを防止するようになっている。排気系26は処理室21の排気口21aに接続された排気通路26aを有しており、この排気通路26aを通じて処理室21内のガスを排気するように構成されている。具体的には、この排気通路26aには、その上流側から下流側に向けて圧力調整弁26b、真空ポンプ部26c、回収装置3が介設されている。また、回収装置3の更に下流側には図示しないドライポンプが設けられている。圧力調整弁26bは例えばバタフライ弁よりなり、処理室21内の圧力を調整する機能を有している。ターボ分子ポンプ26c及びドライポンプによって処理室21内の雰囲気を真空引きできるようになっている。この場合、成膜時の設定プロセス圧力に応じて、ターボ分子ポンプ26c及びドライポンプの内のいずれか一方のみを設けるようにしてもよい。また、排気通路26aには通路加熱ヒータ26dが付設されており、排気通路26aに未反応の有機ルテニウム化合物が凝縮することを防止している。回収装置3は、図1に示すように、成膜装置2の処理室21から排出されたガスが通流するステンレス製又はアルミニウム製の通流部5を備える。通流部5には、処理室21から排出されたガスを通流部5へ流入させる流入管51と、通流部5へ流入したガスから有機ルテニウム化合物が回収されたガスを排出する排出管52とが設けられており、流入管51及び排出管52には、流入管51及び排出管52を開閉する第1開閉弁53及び第2開閉弁54がそれぞれ設けられている。第1開閉弁53及び第2開閉弁54の開閉制御は、例えば、空気式制御弁、電磁弁などであり、後述する制御部4によって制御される。また、回収装置3は、通流部5の上流側と、下流側とを連通させる迂回管61を備え、迂回管61には、該迂回管61を開閉させる第3開閉弁62が設けられている。更に、回収装置3は、流入管51、第1開閉弁53、迂回管61の上流側部分、及び第3開閉弁62を、例えば約80°Cに加熱する加熱部7と、通流部5を冷却する冷却部8とを有する。加熱部7は、例えば、流入管51及び迂回管61を加熱するマントルヒータ、第1開閉弁53及び第3開閉弁62を加熱するカートリッジヒータである。冷却部8は、例えば冷媒を通流させることによって、通流部5を冷却する。加熱部7及び冷却部8の動作は後述の制御部4によって制御される。図3は、回収装置3の一構成例を示した側断面図である。通流部5は、流入管51よりも大径で長く、両端部にフランジ55a、55bが形成された外筒55を備える。外筒55には、上流側から流入管51が同軸的に挿入されており、外筒55の上流側の開口は、中央部を流入管51が貫通した円環部57によって閉鎖されている。円環部57は、外筒55のフランジ55aと略同径であり、フランジ55aにボルトで締結されている。円環部57の開口には上流側へ突出した筒部57aが形成されおり、該筒部57aの先端部のフランジ57bと、流入管51に形成された鍔部51aとが断熱性のセンタリングOリング50aを介して当接し、クランプによって締結されている。外筒55の下流側には、下流側内筒59が嵌合している。下流側内筒59は、流入管51より大径で、外筒55よりも小径であり、下流側の端部には、外筒55よりも大径の円板部59aが形成され、フランジ55bに形成されている円状の凹部に該円板部59aが嵌合している。円板部59aの適宜箇所には複数の孔部59bが形成されている。また、下流側内筒59の周壁にも複数の孔部59cが形成されている。下流側内筒59の上流側端部左端部には、隔壁板58を介して上流側内筒56が締結されている。上流側内筒56は、下流側内筒59と略同形であり、流入管51を囲繞するように、外筒55及び流入管51と同軸的に配されている。上流側内筒56の長手方向の長さは、上流側内筒56の端部と、円環部57とに所定の間隙が形成されるように設定されている。隔壁板58の外径は、外筒55の内径と略同一又は僅かに小さく形成され、外筒55と、上流側内筒56及び下流側内筒59との間を隔てている。隔壁板58の外周部分には、外筒55と、上流側内筒56及び下流側内筒59との間を上流側から下流側へ通流させる孔部58aが全周に亘って形成されている。排出管52の上流側端部には、略C字状の冷却リング52eが嵌合固定されており、該冷却リング52eと、外筒55のフランジ55bとが当接し、ボルトで締結されている。冷却リング52eと、外筒55のフランジ55bとを当接させ締結することによって、下流側内筒59も外筒55に固定される。また、排出管52は、2つの第1管部52a及び第2管部52bによって構成されており、第1管部52aの鍔部52cと、第2管部52bの鍔部52dとの間には、Oリング50bが介装され、第1管部52a及び第2管部52bが互いに固定されている。冷却リング52eには、冷却部8から供給された冷媒、例えば水が通流するように構成されており、冷却部8によって冷却リング52eが冷却されるように構成されている。冷却リング52eには、下流側内筒59、隔壁板58、上流側内筒56、外筒55に直接又は間接的に接触しているため、各部を冷却することができる。一方、円環部57と、流入管51との間は、断熱性を有するセンタリングOリング50aを介して接続されているため、流入管51は高温に維持されている。なお、外筒55の上流側を閉鎖している円環部57は、約80°Cに加熱されている流入管51と、冷却されている外筒55との間に介装されており、各部を断熱する部材として機能する。なお、流入管51の温度は、70~100°Cに設定するのが好ましく、この下限温度は、有機ルテニウム化合物が再固化しない温度であり、上限温度は、有機ルテニウム化合物が分解せず安定して存在し得る温度である。また、冷却リング52eにより冷却される、下流側内筒59、隔壁板58、上流側内筒56、外筒55の温度は、それぞれ、20~40°Cの範囲内であることが好ましい。この下限温度は、冷却装置を介することなく、冷媒として用いる公共水の温度であり、上限温度は、有機ルテニウム化合物が再昇華しない温度である。制御部4は、例えば、CPUを有するマイクロコンピュータであり、基板処理装置の各構成部の動作を制御するためのコンピュータプログラムを記憶した記憶部、一時記憶用のRAM、インタフェース等がバスを介してCPUに接続されている。CPUは、前記記憶部が記憶するコンピュータプログラムをRAMに読み出して実行することにより、回収装置3及び成膜装置2の動作を制御する。図4は、第1乃至第3開閉弁53、54、62の開閉に係る制御部4の処理手順を示したフローチャートである。以下では、回収装置3の制御部分について説明する。制御部4は、成膜装置2の動作を管理するためのデータを記憶部又はRAMに記憶しており、該データを用いて、現在、基板処理中であるか否かを判定するステップS11。制御部4は、基板処理中であると判定した場合ステップS11:YES、制御部4は、第1及び第2開閉弁53、54が開状態となるように、第1及び第2開閉弁53、54の動作を制御しステップS12、次いで、第3開閉弁62が閉状態となるように、第3開閉弁62の動作を制御してステップS13、処理を終える。ステップS11で基板処理中で無いと判定した場合ステップS11:NO、つまり、アイドリング中であると判定した場合、制御部4は、第1及び第2開閉弁53、54が閉状態となるように、第1及び第2開閉弁53、54の動作を制御しステップS14、次いで、第3開閉弁62が開状態となるように、第3開閉弁62の動作を制御してステップS15、処理を終える。なお、言うまでもなく、第1及び第2開閉弁53、54の制御と、第3開閉弁62の制御とを逆順で実行しても良い。実施の形態に係る回収装置3及び基板処理装置によれば、処理室21より排気されたガスは、図3に示すように、加熱された流入管51を通じて、通流部5に流入する。流入管51は約80°Cに加熱されているため、流入管51に有機ルテニウム化合物が付着しない。通流部5に流入したガスは、隔壁板58で折り返し、流入管51と、上流側内筒56との間を上流側左側へ流れ、再び折り返して、外筒55と、上流側内筒56との間を通流する。処理室21から排気されたガスは、冷却されている上流側内筒56の内周面及び外周面、隔壁板58、外筒55の内周面で凝縮し、固体の有機ルテニウム化合物が付着する。更に、外筒55と、上流側内筒56との間を通流するガスは、隔壁板58の孔部58a、下流側内筒59の孔部59c,59bを通流して、排気管52から排気される。ガスに含まれる有機ルテニウム化合物の大部分は、外筒55と、上流側内筒56との間を通流している段階で除去されるが、残留している有機ルテニウム化合物も下流側内筒59で捕獲される。処理室21より排気されたガスから、未反応の有機ルテニウム化合物を簡単な構成で回収し、回収された有機ルテニウム化合物が成膜装置2のアイドリング時に昇華及び排気されることを防止することができる。回収された有機ルテニウム化合物は、有価物として再利用することができる。処理室21から排出されたガスに含まれる有機ルテニウム化合物は、回収装置3によって回収されるため、原料ガスに含まれる有機ルテニウム化合物が排気ライン、ドライポンプに凝縮することを防止することができる。また、ドライポンプの後段に除外装置を設ける場合、除外装置にも有機ルテニウム化合物が析出することを防止することができ、除外装置のメンテナンスコストを低減することができる。また、成膜装置2のメンテナンス時においては、第1及び第2開閉弁53,54を閉鎖し、第3開閉弁62を開放するように構成しているため、有機ルテニウム化合物を含まないガスが処理室から排出されている場合、該ガスは通流部5を通流せず、迂回管61を通じて排気される。従って、成膜装置2のアイドリング中に有機ルテニウム化合物を含まないガスが通流部5を通流し、一旦捕獲された有機ルテニウム化合物が外部へ排気されることを防止することができる。更に、有機ルテニウム化合物は、減圧雰囲気下においてはキャリアガスとして一酸化炭素を通量させなければ不安定化し、分解する性質があるところ、通流部5内部が減圧雰囲気に曝されるおそれがある場合、第1及び第2開閉弁53,54を閉鎖することによって、通流部5で捕獲された有機ルテニウム化合物が分解されることを防止することができる。更にまた、隔壁板58によって、通流部5を通量するガスの流量を制限しているため、処理室21から排気されたガスから有機ルテニウム化合物を効率良く回収することができる。また、通流部5内に一旦捕獲された有機ルテニウム化合物がガスの通流によって再び昇華し、外部へ排気されることを防止することができる。更にまた、流入管51は高温に維持されているため、流入管51及びその上流側で有機ルテニウム化合物が凝縮することを防止することができる。更にまた、冷却リング52eに直接又は間接的に接触している下流側内筒59、隔壁板58、上流側内筒56、外筒55を間接的に冷却するように構成してあるため、冷却機構を簡単化、低コスト化し、メンテナンス性を向上させることができる。変形例1図5は、変形例1に係る回収装置3の構成例を示した側断面図である。変形例1に係る回収装置3は、実施の形態と同様の構成であり、排出管52を構成する第1管部52aと、第2管部52bとの間に介装されたOリング50bに代えて、メッシュ付きのセンターリング150bを介装してある点が実施の形態と異なる。変形例1に係る回収装置3及び基板処理装置によれば、メッシュ付きセンターリング150bを備えることによって、通流部5で回収されなかった有機ルテニウム化合物をセンターリング150bのメッシュで回収することができる。変形例2図6は、変形例2に係る回収装置3の構成例を示した側断面図である。変形例1に係る回収装置3は、実施の形態と同様の構成であり、排出管52を構成する第1管部52aと、第2管部52bとの間に介装してある流量制御機能付きの流量制御オリフィスが介装されている点が実施の形態と異なる。該流量制御オリフィスは、上流側へ撓むように付勢され、中央部に孔部不図示が形成されたオリフィス板を有する。該流量制御オリフィスは、排出管52を流れるガスの流量が一定値以上になると、付勢力に逆らって下流側へ撓み、排出管52を閉鎖する。ただし、流量制御オリフィスの略中央部には孔部が形成されているため、一定量のガスは通流するようになっている。変形例2に係る回収装置3及び基板処理装置によれば、通流部5を通量するガスの流量が多い場合、オリフィス板は付勢力に逆らって下流側へ押され、排気管が閉塞し、オリフィス板の孔部からガスが流れる。通流部5を流れるガスの流量が少ない場合、オリフィス板を下流側へ押す力が働かないため、付勢力によってオリフィス板が上流側に撓み、排気管が大きく開放する。このようなオリフィス板を備えることによって、通流部5を流れるガスの流量が一定値以下に制限される。従って、通流部5を流れるガスの流れによって、通流部5に固着した有機ルテニウム化合物が外部へ排気されることを防止するとともに、ガスを通流部5内に滞留させて捕獲回収率をより高めることができる。変形例3図7は、変形例3に係る回収装置3の構成例を示した側断面図である。変形例3に係る回収装置3は、通流部5内のガスの流れを遮るように、流入管51の外周面に形成された螺旋状の衝突板351bが形成されている。変形例3に係る回収装置3及び基板処理装置によれば、処理室21から排出されたガスは、流入管51から流入側内筒56内へ流入し、上流側内筒56の内周面に沿って、上流側へ移動する際、螺旋状の衝突板351bに衝突するため、衝突板351bを有しない構成に比べて、ガスに含まれる有機ルテニウム化合物が通流部5内部に滞留し、凝縮可能な温度に冷却された部材との接触確率は高い。つまり、螺旋状の衝突板351bを設けることにより、流路長を伸ばして冷却されている流入側内筒56との接触確率を向上させることができるとともに、遠心力を作用させて、流入側内筒56と衝突板351bとに囲まれた領域に渦流を形成して、ガスを領域内に効果的に滞留させることができる。従って、成膜装置2の処理室21から排出されたガスから有機ルテニウムをより効果的に回収することができる。なお、変形例3では、螺旋状の衝突板351bを説明したが、通流部5の内部を流れるガスの接触確率を上昇させる構成であれば、特にその形状は限定されない。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものでは無いと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味では無く、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"