信号光を出力する信号光源と、前記信号光源から出力された信号光を増幅する光増幅器と、前記光増幅器により増幅された信号光の一部を切り出してパルス光を出力する電気光学変調器とを備えたレーザ装置における前記電気光学変調器の調整方法であって、前記光増幅器において発生するASE光を前記電気光学変調器の出射側に設けたASE光検出器により検出し、前記ASE光検出器により検出されるASE光の強度が最小になるように、前記電気光学変調器のバイアス電圧を調整することを特徴とする電気光学変調器の調整方法。信号光を出力する信号光源と、前記信号光源から出力された信号光を増幅する光増幅器と、前記光増幅器により増幅された信号光の一部を切り出してパルス光を出力する電気光学変調器と、前記電気光学変調器の出射側に設けられ、前記光増幅器において発生するASE光を検出するASE光検出器と、前記電気光学変調器の作動を制御するEO制御部とを備え、前記EO制御部が、前記ASE光検出器により検出されるASE光の強度が最小になるように、前記電気光学変調器のバイアス電圧を調整するように構成したことを特徴とするレーザ装置。前記電気光学変調器がマッハツェンダ型の光変調器であることを特徴とする請求項2に記載のレーザ装置。前記EO制御部は、前記パルス光の切り出し時間よりも長い時間幅におけるASE光の平均パワーが最小になるように、前記電気光学変調器のバイアス電圧を調整するように構成したことを特徴とする請求項2または3に記載のレーザ装置。前記ASE光検出器は、前記信号光と異なる波長のASE光を検出することを特徴とする請求項2~4のいずれか一項に記載のレーザ装置。前記光増幅器はイットリビウムをレーザ媒質とするイットリビウムドープファイバ光増幅器であり、前記信号光の波長は1.06μm帯、前記ASE光検出器が検出するASE光の波長は1.03μm帯であることを特徴とする請求項2~5のいずれか一項に記載のレーザ装置。上記のように入射光をオン/オフするような電気光学変調器では、入射光が出射されない状態オフ状態にするためにバイアス電圧を制御する必要がある。例えば、マッハツェンダ型の光変調器のように干渉を利用した電気光学変調器では、干渉計を構成する2本の光路の光路長差を一定に保つため、バイアス電圧を制御する必要がある。光路長差を一定に保つバイアス電圧は時間的に変化するため、高い消光比を維持するためにはバイアス電圧を適宜調整する必要がある。そのため、従来では電気光学変調器から出力されたパルス光を高速のディテクタで検出し、オシロスコープ等でパルス波形を観察しながら消光比が最大となるようにバイアス電圧を調整するバイアス調整作業を定期的に行っていた。上記のようなバイアス調整作業は煩雑であり改善が求められていた。本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり、煩雑な電気光学変調器のバイアス調整作業を改善可能な手段を提供することを目的とする。本発明を例示する第1の態様は、信号光を出力する信号光源と、信号光源から出力された信号光を増幅する光増幅器例えば、実施形態におけるファイバ光増幅器21と、光増幅器により増幅された信号光の一部を切り出してパルス光を出力する電気光学変調器とを備えたレーザ装置における電気光学変調器の調整方法である。この調整方法は、光増幅器において発生するASE光を電気光学変調器の出射側に設けたASE光検出器により検出し、このASE光検出器により検出されるASE光の強度が最小になるように、電気光学変調器のバイアス電圧を調整する。本発明を例示する第2の態様はレーザ装置である。このレーザ装置は、信号光を出力する信号光源と、信号光源から出力された信号光を増幅する光増幅器例えば、実施形態におけるファイバ光増幅器21と、光増幅器により増幅された信号光の一部を切り出してパルス光を出力する電気光学変調器と、電気光学変調器の出射側に設けられ、光増幅器において発生するASE光を検出するASE光検出器と、電気光学変調器の作動を制御するEO制御部とを備え、EO制御部が、ASE光検出器により検出されるASE光の強度が最小になるように、電気光学変調器のバイアス電圧を調整するように構成される。なお、前記電気光学変調器は、マッハツェンダ型の光強度変調器とすることができる。また、前記EO制御部は、電気光学変調器により切り出すパルス光の切り出し時間よりも長い時間幅におけるASE光の平均パワーが最小になるように、電気光学変調器のバイアス電圧を調整するように構成することができる。なお、前記ASE光検出器は信号光と異なる波長のASE光を検出するように構成することができる。また、前記光増幅器はイットリビウムをレーザ媒質とするイットリビウムドープファイバ光増幅器であり、前記信号光の波長は1.06μm帯、前記ASE光検出器が検出するASE光の波長は1.03μm帯とすることができる。本発明は、電気光学変調器のバイアス電圧調整に、光増幅器において不可避的に発生するASEAmplifiedSpontaneousEmission光を利用する。励起状態にある光増幅器では、信号光が入射していないときにも上位順位から下位順位への遷移が発生し、この緩和過程で自然放出光が発生する。自然放出光は光増幅器自身によって増幅され広帯域のDCノイズ的なASE光が出力される。そのため、電気光学変調器を透過してくるASE光の強度が最小になるように電気光学変調器のバイアス電圧を調整することで、高速のディテクタやオシロスコープ等を用いることなく、容易に電気光学変調器のバイアス電圧を最適化することができる。従って、第1の態様の電気光学変調器の調整方法によれば、煩雑な電気光学変調器のバイアス調整作業を改善して容易に最適化が可能なバイアス調整手法を提供することができる。また、第2の態様のレーザ装置によれば、煩雑な電気光学変調器のバイアス調整作業を廃し、消光比が高い綺麗な短パルス光を出力するレーザ装置を提供することができる。さらに、光増幅器から出力された増幅光を電気光学変調器により切り出す構成のため、パルス光の前後に付帯するASE光を削除することができ、SN比が高く波形が綺麗なパルス光を出力することができる。以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。図1に本発明を適用したレーザ装置LSの概要構成図を示す。レーザ装置LSは、大別的に、信号光を出力する信号光発生部10と、信号光発生部から出力された信号光を増幅して出射する増幅部20と、信号光発生部10及び増幅部20の作動を制御する制御装置50とを備えて構成される。信号光発生部10は、信号光を発生する信号光源11を主体として構成される。信号光源11は、レーザ装置LSの用途及び機能に応じて適宜な波長帯域の光源を用いることができる。本構成形態においては、波長1064nmの信号光を出力可能なDFB半導体レーザを用いた構成を例示する。DFB半導体レーザは、出力光のパルス波形を高速で制御することができ、また温度制御することにより所定の波長範囲で狭帯域化された単一波長のパルス光を出力させることができる。信号光源11により発生され信号光発生部10から出力された信号光は増幅部20に入力され、ファイバ光増幅器21に入射される。増幅部20は、信号光源11から出力された信号光を増幅して出力するファイバ光増幅器21を主体として構成される。波長1064nmの信号光を増幅するファイバ光増幅器として、1000~1100nmの波長帯域に利得を有するイッテルビウムドープファイバ光増幅器YDFAが好適に用いられる。ファイバ光増幅器21は、コアにイッテルビウムYbがドープされた増幅用光ファイバ21aと、Ybを励起する励起光源21bと、励起光源から出射された励起光を増幅用光ファイバ21bに導く導光用光ファイバ21cと、導光用光ファイバ21cとを増幅用光ファイバ21aに結合するWDMカプラ21dなどから構成される。ファイバ光増幅器21の出射側には、ファイバ光増幅器21により増幅されて出射する信号光の一部を切り出してパルス光を出力する電気光学変調器EOM25が設けられている。本構成例の電気光学変調器25はマッハツェンダ型の光変調器であり、制御装置50に設けられたEO制御部55により作動が制御される。制御装置50は、信号光源11やファイバ光増幅器21励起光源21b、電気光学変調器25を含むレーザ装置全体の作動を制御するコントロールユニットである。制御装置50には、詳細図示を省略するが、レーザ装置LSの制御プログラムや各種パラメータが格納された記憶部、制御プログラムに基づいて演算処理を実行する演算処理部、EO制御部55を例示するように各部を駆動するドライバなどが設けられている。また、レーザ装置のオペレータが操作するキーボードや各種のスイッチ類、制御プログラムの実行状態や各種アラーム等を表示する表示パネルやランプ類などが操作盤に設けられている。本構成形態では、制御装置50は、信号光源11から繰り返し周波数2MHz、ON時間が10nsec程度のパルス状の信号光Spを出射させ、これをファイバ光増幅器21により増幅させる。そして、増幅されたパルス状の信号光Apをファイバ光増幅器21の出射側に設けた電気光学変調器25により1nsec程度を切り出し、ON時間が短いパルス光以下、便宜的に増幅短パルス光というLpを出力するように制御する。電気光学変調器25は干渉を利用した光強度変調器であるため、増幅短パルス光Lpのオフ時に信号光が漏れ出ないようにバイアス電圧を設定する必要がある。特にマッハツェンダ型の電気光学変調器は、干渉計を構成する2本の光路の光路長差を一定にする位相差を1/2波長にするバイアス電圧が時間的に変化して消光比が変化する。このため、高い消光比を維持するためには、バイアス電圧を適宜調整する必要がある。レーザ装置LSでは、電気光学変調器25のバイアス電圧調整に、ファイバ光増幅器21で不可避的に発生するASE光を利用する。ファイバ光増幅器21で発生するASE光は、YDFAの利得帯域である1000~1100nmの波長に広く分布したDCノイズ的な光である。但し、信号光のオン/オフ状態に影響されずにASE光を検出するためには、信号光と分離可能な波長であることが好ましい。また、ASE光のパワースペクトルはYDFAのゲイン分布に比例するため1030nm付近のパワーが最も高くなる。レーザ装置LSでは、電気光学変調器25の出射側に、波長1030nmの光を検出するASE光検出器27を設け、EO制御部55が、ASE光検出器27により検出される波長1030nmのASE光の強度が最小になるように、電気光学変調器25のバイアス電圧を調整する。具体的には、電気光学変調器25の出射側に、波長1064nmの光増幅短パルス光Lpを透過し波長1030nmの光ASE光を反射するダイクロイックミラーまたはWDMカプラ等の分離素子26を設け、分離素子26により分離されたASE光をASE光検出器27により検出する。ASE光検出器27は、波長1030nmを含む赤外領域に検出感度を有するものであれば良く、時定数が比較的長い例えばmsecオーダの光検出器を用いることができる。このような光検出器によって検出されるASE光の強度は、電気光学変調器により切り出されるパルス光の切り出し時間nsecオーダよりも長い時間幅におけるASE光の平均パワーを検出することになる。ASE光検出器27の検出信号はEO制御部55に入力される。EO制御部55は、演算処理を行う処理回路55a、電気光学変調器25に印可するバイアス電圧DCバイアス電圧を調整するバイアス調整回路55b、電気光学変調器25をオン/オフ駆動するEOドライバ55cなどから構成される。処理回路55aは、バイアス調整回路55bにより電気光学変調器25に印可するバイアス電圧を変化させ、ASE光検出器27により検出されるASE光の強度が最小になるバイアス電圧最適バイアス電圧というを導出する。バイアス調整回路55bは、処理回路55aにより導出された最適バイアス電圧に基づき、電気光学変調器25に印可するバイアス電圧を調整設定する。図2に、電気光学変調器25に印可するDC電圧Viと、電気光学変調器25を透過するASE光のパワーPaseとの関係を示す。図のように、電気光学変調器25を透過するASE光のパワーPaseは、電気光学変調器25に印可するDC電圧Viの増減に対して正弦波状に変化する。そのため、ASE光検出器27により検出されるASE光のパワーPaseが低い領域でDC電圧Viを変化させ、ASE光のパワーPaseが最小値となるDC電圧を求めることにより、最適バイアス電圧Voptを導出することができる。図3に、電気光学変調器25に入射する光の様子を模式的に示し、図4に、電気光学変調器25により切り出されて出射する増幅短パルス光Lpの様子を模式的に示す。両図における横軸は時間、縦軸は光強度である。なお、図4におけるaは電気光学変調器25に印可するバイアス電圧が最適バイアス電圧Voptからずれた状態のとき、bはバイアス電圧が最適バイアス電圧Voptに調整設定された状態を示す。また、各図では、理解容易のためにASE光や透過する信号光を誇張して表現している。図3に示されるように、ファイバ光増幅器21から出射し電気光学変調器25に入射する光は、ファイバ光増幅器21により増幅された信号光Ap及びファイバ光増幅器21で発生したASE光が含まれる。信号光のパルスエネルギーが十分小さい場合には、ファイバ光増幅器21への信号光の入射による利得の低下はほとんど見られず、ASE光のパワーは信号光の有無によらずほぼ一定レベルとなる。そのため、電気光学変調器25から出力される光は、電気光学変調器25に印可するバイアス電圧が最適バイアス電圧Voptからずれた状態では、図4aに示されるように、電気光学変調器25をオフにしたときにも信号光及びASE光を十分に遮断することができず、これらが漏れ光として出射される。一方、バイアス電圧が最適バイアス電圧Voptに調整設定された状態では、図4bに示されるように、電気光学変調器25をオフにしたときに信号光及びASE光が十分に遮断され、漏れ光はほとんど生じない従って、ASE光を分離素子26により分離し、分離されたASE光のパワーPaseが最小値となる最適バイアス電圧Voptに設定することにより、信号光や短パルス光のオン/オフ状態の如何に拘わらず、電気光学変調器25のバイアス調整を行うことができ、漏れ光が生じない状態に設定することができる。なお、ASE光と信号光の波長の違いにより、バイアス電圧の最適値にわずがな差が生じる場合には、あらかじめその差を測定しておき、補正するようにすれば良い。電気光学変調器25のバイアス調整は、使用する電気光学変調器25のバイアス電圧の変化状況等に応じて適宜行うように構成することができ、例えば、レーザ装置LSの起動時、あるいは稼働中の所定時間ごとに実行し、あるいは、オペレータの調整指示操作に基づいて実行するように構成することができる。従って、以上説明した電気光学変調器の調整方法及びレーザ装置LSによれば、高速のディテクタやオシロスコープ等を用いることなく、容易に電気光学変調器25のバイアス電圧を最適化することができる。そして、時間的なオン/オフのSN比が高く、綺麗な波形の増幅端パルス光を出力するレーザ装置を提供することができる。なお、以上の説明では、光増幅器としてイッテルビウムドープファイバ光増幅器YDFAを用いた構成を例示したが、信号光の波長や光増幅器の形態は異なるものであっても良く、例えば、エルビウムドープファイバ光増幅器EDFAや、バルクの増幅媒体を用いた光増幅器などであっても良い。また、電気光学変調器25から出力された増幅短パルス光を波長変換する波長変換部を設け、例えば波長193nmの短パルス光を出力するようにレーザ装置を構成しても良い。