"第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜と反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、前記反射膜間ギャップを変化させるギャップ変更部と、を具備し、前記第二基板は、可動部と、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記可動部の外側に設けられ、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記可動部は、前記第二反射膜が設けられた第二反射膜設置部と、前記平面視において前記第二反射膜の外側に設けられた厚肉部と、を備え、前記第二反射膜設置部の前記第二基板の厚み方向の寸法が、前記厚肉部の前記第二基板の厚み方向の寸法よりも小さく、前記厚肉部の前記第二基板の厚み方向の寸法は、前記保持部の前記第二基板の厚み方向の寸法よりも大きいことを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第二反射膜設置部の厚み寸法は、前記保持部の厚み寸法と同一であることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1または請求項2に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第二基板は、前記平面視において、前記保持部の外側に設けられた基板外周部を備え、前記厚肉部の厚み寸法は、前記基板外周部の厚み寸法と同一寸法であることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1から請求項3のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記ギャップ変更部は、前記第一基板に設けられた第一電極と、前記第二基板に設けられ、前記第一電極と電極間ギャップを介して対向する第二電極と、を備え、前記第二電極は、前記厚肉部に設けられたことを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1から請求項4のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記厚肉部は、前記可動部の外周に亘って筒状に形成され、前記第二反射膜設置部は、前記厚肉部の筒内周部に設けられたことを特徴とする波長可変干渉フィルター。第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、を具備し、前記第二基板は、反射膜が設けられた反射膜設置部と、前記第二基板の厚み方向から見た平面視において、前記反射膜設置部の外側に設けられた厚肉部と、前記第二基板の厚み方向から見た平面視において、前記厚肉部の外側に設けられ、前記反射膜設置部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記反射膜設置部の前記第二基板の厚み方向の寸法は、前記厚肉部の前記第二基板の厚み方向の寸法よりも小さく、前記厚肉部の前記第二基板の厚み方向の厚み方向の寸法は、前記保持部の前記第二基板の厚み方向の寸法よりも大きいことを特徴とする波長可変干渉フィルター。第一基板、前記第一基板に対向する第二基板、前記第一基板に設けられた第一反射膜、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜と反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜、及び、前記反射膜間ギャップを変化させるギャップ変更部、を備えた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、を具備し、前記第二基板は、可動部と、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記可動部の外側に設けられ、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記可動部は、前記第二反射膜が設けられた第二反射膜設置部と、前記平面視において前記第二反射膜の外側に設けられた厚肉部と、を備え、前記第二反射膜設置部の前記第二基板の厚み方向に沿った厚み寸法が、前記厚肉部の厚み寸法よりも小さく、前記厚肉部の厚み寸法は、前記保持部の厚み寸法よりも大きいことを特徴とする光学フィルターデバイス。第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜と反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、前記反射膜間ギャップを変化させるギャップ変更部と、前記第一反射膜及び前記第二反射膜により取り出された光を検出する検出部と、を具備し、前記第二基板は、可動部と、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記可動部の外側に設けられ、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記可動部は、前記第二反射膜が設けられた第二反射膜設置部と、前記平面視において前記第二反射膜の外側に設けられた厚肉部と、を備え、前記第二反射膜設置部の前記第二基板の厚み方向に沿った厚み寸法が、前記厚肉部の厚み寸法よりも小さく、前記厚肉部の厚み寸法は、前記保持部の厚み寸法よりも大きいことを特徴とする光学モジュール。第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜と反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、前記反射膜間ギャップを変化させるギャップ変更部と、を具備し、前記第二基板は、可動部と、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記可動部の外側に設けられ、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記可動部は、前記第二反射膜が設けられた第二反射膜設置部と、前記平面視において前記第二反射膜の外側に設けられた厚肉部と、を備え、前記第二反射膜設置部の前記第二基板の厚み方向に沿った厚み寸法が、前記厚肉部の厚み寸法よりも小さく、前記厚肉部の厚み寸法は、前記保持部の厚み寸法よりも大きいことを特徴とする電子機器。ところで、上記特許文献1の波長可変干渉フィルターでは、ダイアフラム及び凹部に設けられた電極間に電圧を印加することで、肉厚部をガラス基板側に変位させて反射膜間ギャップを変化させる。しかしながら、肉厚部の厚み寸法が、薄肉部よりも大きく、肉厚部の重量も重くなるため、例えば環境振動等により、肉厚部が振動しやすくなり、反射膜間ギャップの寸法が変動してしまうという課題がある。本発明は、反射膜間ギャップの変動を抑制可能な波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を提供することを目的とする。本発明の波長可変干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜と反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、前記反射膜間ギャップを変化させるギャップ変更部と、を具備し、前記第二基板は、可動部と、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記可動部の外側に設けられ、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記可動部は、前記第二反射膜が設けられた第二反射膜設置部と、前記平面視において前記第二反射膜の外側に設けられた厚肉部と、を備え、前記第二反射膜設置部の前記第二基板の厚み方向に沿った厚み寸法が、前記厚肉部の厚み寸法よりも小さく、前記厚肉部の前記第二基板の厚み方向の寸法は、前記保持部の前記第二基板の厚み方向の寸法よりも大きいことを特徴とする。本発明では、可動部において、第二反射膜が設けられた第二反射膜設置部が、厚肉部よりも厚み寸法が小さく形成されている。このため、可動部全体が肉厚に形成される構成に比べて軽量化されることとなり、重量による可動部の振動を抑制することができる。また、ギャップ変更部により反射膜間ギャップを変化させる際に、可動部が軽量であるため、応答性が良好であり、かつ、ギャップ変更後の可動部の振動が静止するまでの時間も短くでき、目的波長の光を迅速に取り出すことができる。ここで、可動部を軽量化する構成としては、可動部全体の厚み寸法を小さくすることも考えられる。しかしながら、このような構成では、ギャップ変更部により、可動部を第一基板側に撓ませて反射膜間ギャップを変化させた際に、保持部だけでなく、可動部にも撓みが生じてしまい、可動部に設けられた第二反射膜も撓んでしまう。この場合、第一反射膜と第二反射膜との間の反射膜間ギャップが位置によって異なってしまい、波長可変干渉フィルターの分解能が低下してしまう。これに対して、本発明では、保持部と連続する位置に、保持部よりも厚み寸法が大きい厚肉部が設けられることで、保持部の撓みが可動部に伝播される不都合を抑制できるため、可動部の撓みも抑制できる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第二反射膜設置部の厚み寸法は、前記保持部の厚み寸法と同一であることが好ましい。本発明では、第二反射膜設置部と保持部とが同一厚み寸法に形成されている。この場合、第二基板の母材に対して、1回の加工処理により第二反射膜設置部及び保持部を同時に形成することができ、製造工程を簡略化することができる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第二基板は、前記平面視において、前記保持部の外側に設けられた基板外周部を備え、前記厚肉部の厚み寸法は、前記基板外周部の厚み寸法と同一寸法であることが好ましい。本発明では、厚肉部と基板外周部とが同一厚み寸法に形成されている。このような構成では、例えば、厚肉部及び基板外周部の厚み寸法として、第二基板の母材と同一厚み寸法とする場合、これらの厚肉部や基板外周部に対して特別な加工処理を実施する必要がなくなる。したがって、第二基板の母材に対して、保持部や、第二反射膜設置部を形成するだけの加工処理を実施すればよいため、製造工程を簡略化でき、製造効率を向上させることができる。また、厚肉部や基板外周部に対して、研磨や切削等の加工処理を実施する場合でも、これらの厚み寸法が同一であるため、それぞれ加工処理を分ける必要がなく、厚肉部及び基板外周部の加工を同時に実施することができる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記ギャップ変更部は、前記第一基板に設けられた第一電極と、前記第二基板に設けられ、前記第一電極と電極間ギャップを介して対向する第二電極と、を備え、前記第二電極は、前記厚肉部に設けられたことが好ましい。本発明では、ギャップ変更部を構成する第二電極が、保持部や第二反射膜設置部よりも厚み寸法が大きい厚肉部に設けられている。このような構成では、電極間に電圧を印加した際に電極間ギャップに作用する静電引力や、第二電極の膜応力により、可動部や保持部が歪む不都合を回避できる。したがって、ギャップ変更部により精度よく反射膜間ギャップを調整することができる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記厚肉部は、前記可動部の外周に亘って筒状に形成され、前記第二反射膜設置部は、前記厚肉部の筒内周部に設けられたことが好ましい。本発明では、厚肉部が、外力に対して強く歪みが生じにくい筒状に形成されている。また、その筒内周部に第二反射膜設置部が設けられているため、第二反射膜設置部においても歪みが生じにくくなり、第二反射膜設置部に設けられる第二反射膜の歪みも回避することができる。これにより、波長可変干渉フィルターの分解能の低下をより確実に抑制することができる。本発明の波長可変干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、を具備し、前記第二基板は、反射膜が設けられた反射膜設置部と、前記第二基板の厚み方向から見た平面視において、前記反射膜設置部の外側に設けられた厚肉部と、前記第二基板の厚み方向から見た平面視において、前記厚肉部の外側に設けられ、前記反射膜設置部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記反射膜設置部の前記第二基板の厚み方向の寸法は、前記厚肉部の前記第二基板の厚み方向の寸法よりも小さく、前記厚肉部の前記第二基板の厚み方向の厚み方向の寸法は、前記保持部の前記第二基板の厚み方向の寸法よりも大きいことを特徴とする。本発明では、反射膜が設けられた反射膜設置部が、厚肉部よりも厚み寸法が小さく形成されている。このため、反射膜設置部の厚みが厚肉部と同じ寸法の構成等に比べて、軽量化されることとなり、重量による反射膜設置部の振動を抑制することができる。本発明の光学フィルターデバイスは、第一基板、前記第一基板に対向する第二基板、前記第一基板に設けられた第一反射膜、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜と反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜、及び、前記反射膜間ギャップを変化させるギャップ変更部、を備えた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、を具備し、前記第二基板は、可動部と、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記可動部の外側に設けられ、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記可動部は、前記第二反射膜が設けられた第二反射膜設置部と、前記平面視において前記第二反射膜の外側に設けられた厚肉部と、を備え、前記第二反射膜設置部の前記第二基板の厚み方向に沿った厚み寸法が、前記厚肉部の厚み寸法よりも小さく、前記厚肉部の厚み寸法は、前記保持部の厚み寸法よりも大きいことを特徴とする。本発明では、上述した発明と同様に、可動部が保持部より厚み寸法が大きい厚肉部と、厚肉部より厚み寸法が小さい第二反射膜設置部を有する構成であるため、可動部の強度撓み難さを確保しつつ、可動部の軽量化を促進でき、振動に強い構成を得ることができる。また、波長可変干渉フィルターが筐体内に収納されているため、外部からの衝撃が波長可変干渉フィルターに伝わりにくく、破損を防止することができる。本発明の光学モジュールは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜と反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、前記反射膜間ギャップを変化させるギャップ変更部と、前記第一反射膜及び前記第二反射膜により取り出された光を検出する検出部と、を具備し、前記第二基板は、可動部と、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記可動部の外側に設けられ、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記可動部は、前記第二反射膜が設けられた第二反射膜設置部と、前記平面視において前記第二反射膜の外側に設けられた厚肉部と、を備え、前記第二反射膜設置部の前記第二基板の厚み方向に沿った厚み寸法が、前記厚肉部の厚み寸法よりも小さく、前記厚肉部の厚み寸法は、前記保持部の厚み寸法よりも大きいことを特徴とする。本発明では、上述した発明と同様に、可動部が保持部より厚み寸法が大きい厚肉部と、厚肉部より厚み寸法が小さい第二反射膜設置部を有する構成であるため、可動部の強度を確保しつつ、可動部の軽量化により振動に強い構成を得ることができる。また、可動部の振動によるノイズの発生や、測定精度の低下を抑制できるため、検出部により、より精度の高い光量検出を行うことができる。また、可動部の軽量化によって、良好な応答性を得ることができ、より迅速な光量測定を実施することができる。本発明の電子機器は、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜と反射膜間ギャップを介して対向する第二反射膜と、前記反射膜間ギャップを変化させるギャップ変更部と、を具備し、前記第二基板は、可動部と、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において前記可動部の外側に設けられ、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記可動部は、前記第二反射膜が設けられた第二反射膜設置部と、前記平面視において前記第二反射膜の外側に設けられた厚肉部と、を備え、前記第二反射膜設置部の前記第二基板の厚み方向に沿った厚み寸法が、前記厚肉部の厚み寸法よりも小さく、前記厚肉部の厚み寸法は、前記保持部の厚み寸法よりも大きいことを特徴とする。本発明では、上述した発明と同様に、可動部が保持部より厚み寸法が大きい厚肉部と、厚肉部より厚み寸法が小さい第二反射膜設置部を有する構成であるため、可動部の強度を確保しつつ、可動部の軽量化により振動に強い構成を得ることができる。また、可動部の振動によるノイズの発生や、測定精度の低下を抑制できるため、第一反射膜及び第二反射膜により取り出された光に基づいて各種処理を実施する際に、処理精度も向上させることができる。例えば、第一反射膜及び第二反射膜により取り出された光に基づいて、検査対象の色、物質、成分等を分析する場合、ノイズ等の影響を抑えた精度の高い分析を実施することができる。[第一実施形態]以下、本発明に係る第一実施形態を図面に基づいて説明する。1.測色装置の概略構成図1は、本実施形態の測色装置1電子機器の概略構成を示すブロック図である。測色装置1は、図1に示すように、検査対象Aに光を射出する光源装置2と、測色センサー3光学モジュールと、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備える。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を検査対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Aの色を分析して測定する装置である。2.光源装置の構成光源装置2は、光源21、複数のレンズ22図1には1つのみ記載を備え、検査対象Aに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Aに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば検査対象Aが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。3.測色センサーの構成測色センサー3は、図1に示すように、波長可変干渉フィルター5と、波長可変干渉フィルター5を透過する光を受光する検出部31と、波長可変干渉フィルター5で透過させる光の波長を可変する電圧制御部32とを備える。また、測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5に対向する位置に、検査対象Aで反射された反射光検査対象光を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光を検出部31にて受光する。検出部31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。3-1.波長可変干渉フィルターの構成図2は、波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す平面図であり、図3は、波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す断面図である。波長可変干渉フィルター5は、図2に示すように、例えば平面正方形状の板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター5は、図3に示すように、本発明の第一基板である固定基板51、および本発明の第二基板である可動基板52を備えている。これらの固定基板51及び可動基板52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの固定基板51及び可動基板52は、固定基板51の第一接合部513及び可動基板の第二接合部523が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜53接合部により加圧接合されることで、一体的に構成されている。固定基板51には、本発明の第一反射膜を構成する固定反射膜54が設けられ、可動基板52には、本発明の第二反射膜を構成する可動反射膜55が設けられている。これらの固定反射膜54および可動反射膜55は、反射膜間ギャップG1を介して対向配置されている。そして、波長可変干渉フィルター5には、この反射膜間ギャップG1を調整するのに用いられる静電アクチュエーター56が設けられている。この静電アクチュエーター56は、固定基板51に設けられた本発明の第一電極を構成する固定電極561と、可動基板52に設けられた本発明の第二電極を構成する可動電極562とにより構成されている。これらの固定電極561,可動電極562は、電極間ギャップG2G2>G1を介して対向する。ここで、これらの電極561,562は、それぞれ固定基板51及び可動基板52の基板表面に直接設けられる構成であってもよく、他の膜部材を介して設けられる構成であってもよい。また、波長可変干渉フィルター5を固定基板51可動基板52の基板厚み方向から見た図2に示すような平面視において、固定基板51及び可動基板52の平面中心点Oは、固定反射膜54及び可動反射膜55の中心点と一致し、かつ後述する可動部521の中心点と一致する。なお、以降の説明に当たり、固定基板51または可動基板52の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定基板51、接合膜53、及び可動基板52の積層方向から波長可変干渉フィルター5を見た平面視を、フィルター平面視と称する。3-1-1.固定基板の構成固定基板51は、厚みが例えば1mmに形成されたガラス基材を加工することで形成される。具体的には、図3に示すように、固定基板51には、エッチングにより電極配置溝511および反射膜設置部512図3参照が形成されている。この固定基板51は、可動基板52に対して厚み寸法が大きく形成されており、固定電極561および可動電極562間に電圧を印加した際の静電引力や、固定電極561の内部応力による固定基板51の撓みはない。また、固定基板51の頂点C1図2参照には、切欠部514が形成されており、波長可変干渉フィルター5の固定基板51側に、後述する可動電極パッド564Pが露出する。電極配置溝511は、フィルター平面視で、固定基板51の平面中心点Oを中心とした環状に形成されている。反射膜設置部512は、前記平面視において、電極配置溝511の中心部から可動基板52側に突出して形成される。ここで、電極配置溝511の溝底面は、固定電極561が配置される電極設置面511Aとなる。また、反射膜設置部512の突出先端面は、反射膜設置面512Aとなる。また、固定基板51には、電極配置溝511から、固定基板51の外周縁の頂点C1,頂点C2に向かって延出する電極引出溝511B図2参照が設けられている。電極配置溝511の電極設置面511Aには、固定電極561が設けられている。より具体的には、固定電極561は、電極設置面511Aのうち、後述する可動部521の厚肉部521Aに対向する領域内に設けられている。また、固定電極561上に、固定電極561及び可動電極562の間の絶縁性を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。そして、固定基板51には、固定電極561の外周縁から、頂点C2方向に延出する固定引出電極563が設けられている。これらの固定引出電極563の延出先端部固定基板51の頂点C2に位置する部分は、電圧制御部32に接続される固定電極パッド563Pを構成する。なお、本実施形態では、電極設置面511Aに1つの固定電極561が設けられる構成を示すが、例えば、平面中心点Oを中心とした同心円となる2つの電極が設けられる構成二重電極構成などとしてもよい。反射膜設置部512は、上述したように、電極配置溝511と同軸上で、電極配置溝511よりも小さい径寸法となる略円柱状に形成され、当該反射膜設置部512の可動基板52に対向する反射膜設置面512Aを備えている。この反射膜設置部512には、図3に示すように、固定反射膜54が設置されている。この固定反射膜54としては、例えばAg等の金属膜や、Ag合金等の合金膜を用いることができる。また、例えば高屈折層をTiO2、低屈折層をSiO2とした誘電体多層膜を用いてもよい。さらに、誘電体多層膜上に金属膜又は合金膜を積層した反射膜や、金属膜又は合金膜上に誘電体多層膜を積層した反射膜、単層の屈折層TiO2やSiO2等と金属膜又は合金膜とを積層した反射膜などを用いてもよい。また、固定基板51の光入射面固定反射膜54が設けられない面には、固定反射膜54に対応する位置に反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成することができ、固定基板51の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。3-1-2.可動基板の構成可動基板52は、厚みが例えば600μmに形成されるガラス基材を加工することで形成されている。具体的には、可動基板52は、図2に示すようなフィルター平面視において、平面中心点Oを中心とした円形状の可動部521と、可動部521と同軸であり可動部521を保持する保持部522と、保持部522の外周側に設けられる基板外周部525と、を備えている。また、可動基板52には、図2に示すように、頂点C2に対応して、切欠部524が形成されており、波長可変干渉フィルター5を可動基板52側から見た際に、固定電極パッド563Pが露出する。可動部521は、図2及び図3に示すように、厚肉部521Aと、本発明の第二反射膜設置部を構成する可動反射膜設置部521Bとを備えている。厚肉部521Aは、平面中心点Oを通り、波長可変干渉フィルター5の厚み方向に沿う仮想直線である軸心Lを中心とした筒状に形成されており、筒外周部に保持部522が連続する。ここで、厚肉部521Aの基板厚み方向に沿う寸法厚み寸法をH1、可動基板52の厚み寸法基板外周部525の厚み寸法をH0とすると、H1=H0の関係を満たし、本実施形態では、可動基板52の厚み寸法と同一寸法600μmに形成される。また、可動反射膜設置部521Bは、厚肉部521Aの筒内周部に連続して設けられる。ここで、可動反射膜設置部521Bの基板厚み方向に沿う寸法厚み寸法をH2、保持部522の基板厚み方向に沿う寸法厚み寸法をH3とすると、H2=H3、かつH2<H1を満たす。本実施形態では、これらの寸法H2、H3は、例えば30μmに形成される。このような構成では、可動反射膜設置部521Bの上面固定基板51に対向しない側の面と、厚肉部521Aの筒内周面により凹状の溝が形成されることとなり、可動部521全体が、可動基板52と同一厚み寸法H0に形成される場合に比べて、可動部521の重量を小さくすることが可能となる。このような可動部521は、可動基板52を、固定基板51と対向しない側の外側面52Aをエッチングすることで形成される。したがって、厚肉部521A,可動反射膜設置部521B,保持部522の固定基板51に対向する可動対向面52Bは、可動部521が固定基板51側に変位していない初期状態において、連続した平坦面となる。そして、可動対向面52Bのうち、厚肉部521Aの固定基板51に対向する領域には、円環状の可動電極562が設けられている。この可動電極562は、電極間ギャップG2G2>G1を介して固定電極561に対向する。また、可動基板52には、可動電極562の外周縁から可動基板52の頂点C1に向かって延出する可動引出電極564を備えている。この可動引出電極564の延出先端部可動基板52の頂点C1に位置する部分は、電圧制御部32に接続される可動電極パッド564Pを構成する。また、可動対向面52Bのうち、可動反射膜設置部521Bの固定基板51に対向する領域には、固定反射膜54と反射膜間ギャップG1を介して対向する可動反射膜55が設けられている。この可動反射膜55としては、上述した固定反射膜54と同一の構成の反射膜が用いられる。なお、固定基板51と同様に、可動反射膜設置部521Bの固定基板51とは反対側の面には、反射防止膜が形成されていてもよい。保持部522は、可動部521の周囲を囲うダイアフラムであり、厚肉部521Aよりも厚み寸法が小さく、可動反射膜設置部521Bと同一厚み寸法に形成されている。このような保持部522は、可動部521よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部521を固定基板51側に変位させることが可能となる。この際、厚肉部521Aは、保持部522よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、厚肉部521Aが静電引力により固定基板51側に引っ張られた場合でも、厚肉部521Aの形状変化が起こらない。したがって、厚肉部521Aの内周部に連続して設けられた可動反射膜設置部521Bの撓みが生じず、可動反射膜設置部521Bに設けられた可動反射膜55も撓まない。これにより、固定反射膜54及び可動反射膜55を常に平行状態に維持することが可能となる。なお、本実施形態では、ダイアフラム状の保持部522を例示するが、これに限定されず、例えば、平面中心点Oを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。3-2.電圧制御手段の構成電圧制御部32は、固定電極パッド563P,可動電極パッド564Pに接続される。そして、電圧制御部32は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、固定電極パッド563P,可動電極パッド564Pを所定の電位に設定することで、静電アクチュエーター56に電圧を印加する。これにより、電極間ギャップG2に静電引力が発生し、保持部522が撓むことで、可動部521が固定基板51側に変位し、反射膜間ギャップG1を所望の寸法に設定することが可能となる。4.制御装置の構成制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および本発明の分析処理部を構成する測色処理部43などを備えて構成されている。光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部32は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター56への印加電圧を設定する。測色処理部43は、検出部31により検出された受光量から、検査対象Aの色度を分析する。5.波長可変干渉フィルターの製造方法次に、上記波長可変干渉フィルター5の製造方法について、図4、図5に基づいて説明する。波長可変干渉フィルター5を製造するためには、固定基板51及び可動基板52をそれぞれ製造し、製造された固定基板51と可動基板52とを貼り合わせる。5-1.固定基板製造工程まず、固定基板51の製造素材である厚み寸法が1000μmの石英ガラス基板固定基板51を用意し、この石英ガラス基板の表面粗さRaが1nm以下となるまで両面を精密研磨する。この後、図4Aに示すように、固定基板51の可動基板52に対向する面にレジストを塗布して、塗布されたマスク層レジストをフォトリソグラフィ法により露光現像し、電極配置溝511を形成する箇所をパターニングする。次に、図4Bに示すように、電極配置溝511を所望の深さ寸法にエッチングする。ここでのエッチングとしては、フッ酸系を用いたウェットエッチングを行う。この後、電極配置溝511形成用のマスク層を除去した後、反射膜設置部512を形成するためのマスク層レジストを形成し、反射膜設置面512Aが形成される箇所をパターニングする。そして、図4Cに示すように、反射膜設置面512Aが所望高さとなるようにエッチングし、レジストを除去する。これにより、電極配置溝511、及び反射膜設置部512が形成された固定基板51の基板形状が決定される。次に、固定基板51に固定電極561を形成する電極材料を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることで、図4Dに示すように、固定電極561を形成する。なお、この時、同時に、固定引出電極563も形成する。また、固定電極561上に絶縁層を成膜する場合、固定電極561の形成後、例えばプラズマCVD等により固定基板51の可動基板52に対向する面全体に、例えば100nm程度の厚みのSiO2を成膜する。そして、固定電極パッド563P上のSiO2を、例えばドライエッチング等により除去する。次に、図4Eに示すように、反射膜設置面512A上に固定反射膜54を設ける。ここで、本実施形態では、固定反射膜54として、Ag合金を用いる。固定反射膜54として、Ag合金等の金属膜やAg合金等の合金膜を用いる場合、固定基板51の電極配置溝511や反射膜設置部512が形成された面に、固定反射膜54の膜層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする。なお、固定反射膜54として誘電体多層膜を形成する場合では、例えばリフトオフプロセスにより成膜することができる。この場合、フォトリソグラフィ法などにより、固定基板51上のミラー形成部分以外にレジストリフトオフパターンを形成する。この後、固定反射膜54を形成するための材料例えば、高屈折層をTiO2、低屈折層をSiO2とした誘電体多層膜をスパッタリング法または蒸着法等により成膜する。そして、固定反射膜54を成膜した後、リフトオフにより、不要部分の膜を除去する。この後、図4Fに示すように、固定基板51の第一接合部513に、接合膜53を構成するポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜531を、例えばプラズマCVD法等により成膜する。このプラズマ重合膜531の成膜工程では、例えば、第一接合部513に対応する位置が開口したマスクを用いて、固定基板51の第一接合部513にプラズマ重合膜531を成膜する。ここで、プラズマ重合膜531の厚みとしては、例えば10nmから1000nmとすればよい。以上により、固定基板51が製造される。5-2.可動基板製造工程まず、図5Aに示すように、可動基板52の形成素材である厚み寸法が600μmの石英ガラス基板を用意し、このガラス基板の表面粗さRaが1nm以下となるまで両面を精密研磨する。そして、可動基板52の全面にマスク層M1レジストを塗布し、塗布されたマスク層M1をフォトリソグラフィ法により露光現像して、パターニングする。この時、保持部522及び可動反射膜設置部521Bの形成位置に合わせてマスク層M1をパターニングする。次に、石英ガラス基板をウェットエッチングすることで、図5Bに示すように、例えば厚さ30μmの保持部522及び可動反射膜設置部521Bを同時に形成する。また、厚肉部521A及び基板外周部525は、可動基板52と同一厚み寸法であるため、これらを加工する必要はない。これにより、可動部521、保持部522、及び基板外周部525を有する可動基板52の基板形状が決定される。次に、図5Cに示すように、厚肉部521Aの固定基板51に対向する面に可動電極562を形成する。この可動電極562の形成では、上記固定基板51における固定電極561の形成と同様に、可動基板52上に電極材料を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることで、可動電極562を形成する。なお、この際、可動引出電極564も同時に形成する。この後、図5Dに示すように、可動面521Aに可動反射膜55を設ける。この可動反射膜55は、固定反射膜54と同様の方法により成膜することができる。つまり、可動反射膜55として、Ag等の金属膜やAg合金等の合金膜を用いる場合、可動基板52に、可動反射膜55の膜層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする。また、可動反射膜55として誘電体多層膜を形成する場合、例えばリフトオフプロセスにより成膜することができる。この後、図5Eに示すように、可動基板52の第二接合部523に、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜532を、例えばプラズマCVD法等により成膜する。ここで、プラズマ重合膜532の厚みとしては、例えば10nmから1000nmとすればよい。以上により、可動基板52が製造される。5-3.接合工程次に、前述の固定基板製造工程及び可動基板製造工程で形成された各基板を接合する。この接合工程では、まず、固定基板51の第一接合部513及び可動基板52の第二接合部523に形成されたプラズマ重合膜531,532に活性化エネルギーを付与するために、O2プラズマ処理またはUV処理を行う。O2プラズマ処理の場合は、O2流量30cc/分、圧力27Pa、RFパワー200Wの条件で30秒間実施する。また、UV処理の場合は、UV光源としてエキシマUV波長172nmを用いて3分間処理する。プラズマ重合膜531,532に活性化エネルギーを付与した後、固定基板51,可動基板52のアライメントを行い、プラズマ重合膜531,532を介して第一接合部513及び第二接合部523を重ね合わせる。そして、接合部分に例えば10kghの荷重を10分間かけ、加圧接合する。これにより、基板51,52同士が接合される。6.実施形態の作用効果本実施形態の波長可変干渉フィルター5では、可動基板52は、可動部521及び保持部522を備える。また、可動部521は、保持部522に連続し、保持部522の厚み寸法H3よりも大きい寸法厚み寸法H1を有する厚肉部521Aと、厚肉部521Aに連続し、厚肉部521Aの厚み寸法H1よりも小さい厚み寸法H2を有する可動反射膜設置部521Bとを備える。このような構成では、可動反射膜設置部521Bの厚み寸法H2が厚肉部521Aの厚み寸法H1よりも小さいため、例えば、均一厚み寸法H1を有する可動部が設けられる構成に比べて、可動部521の重量を小さくできる。したがって、波長可変干渉フィルター5に衝撃等が加わったでも、可動部521の振動量を小さくでき、かつ、振動静止までにかかる時間も短縮できる。また、静電アクチュエーター56により反射膜間ギャップG1を変化させた際に、可動部521の振動が静止するまでの時間も短くなる。さらに、可動部521の軽量化により、静電アクチュエーター56に電圧を印加した際の応答性も向上させることができる。また、本実施形態では、可動反射膜設置部521Bの厚み寸法H2が、保持部522の厚み寸法H3と同一寸法である。このような構成では、可動基板52の製造時に、保持部522及び可動反射膜設置部521Bを1回のエッチングにより同時に形成することができ、製造効率性を向上させることができる。更に、厚肉部521Aの厚み寸法H1は、基板外周部525の厚み寸法H0、すなわち可動基板52自身の厚み寸法と同一であり、厚肉部521Aに対して、加工処理を実施する必要がなく、より製造効率性を向上させることができる。そして、厚肉部521Aは、筒状に形成されるため、外力に対する強度が強く、可動電極562の膜応力や、静電アクチュエーター56の静電引力による変形がない。このため、厚肉部521Aの筒内周部に設けられる可動反射膜設置部521Bの撓み等の変形をも防止することができ、可動反射膜設置部521Bに設けられる可動反射膜55の撓みも防止することができる。これにより、固定反射膜54及び可動反射膜55の平行関係を維持することができ、波長可変干渉フィルター5の分解能低下を抑制することができる。そして、上記のように、外力に対して強度が強く、撓み等に抗することができる厚肉部521Aに、静電アクチュエーター56を構成する可動電極562が設けられる。このため、可動電極562の膜応力や、静電アクチュエーター56の駆動時の静電引力による可動部521の撓みを防止することができる。[第二実施形態]次に、本発明に第二実施形態について、図面に基づいて説明する。上記第一実施形態の測色装置1では、光学モジュールである測色センサー3に対して、波長可変干渉フィルター5が直接設けられる構成とした。この場合、測色センサー3に設けられた所定の配置位置に波長可変干渉フィルター5を設け、固定電極パッド563P,可動電極パッド564Pに対して配線を実施する。しかしながら、光学モジュールとしては、複雑な構成を有するものもあり、特に小型の光学モジュールに対して、波長可変干渉フィルター5を直接設けることが困難な場合がある。本実施形態では、そのような光学モジュールに対しても、波長可変干渉フィルター5を容易に設置可能にする光学フィルターデバイスについて、以下に説明する。図6は、本発明の第二実施形態に係る光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図である。図6に示すように、光学フィルターデバイス600は、波長可変干渉フィルター5を収納する筐体610を備えている。この筐体610は、底部611と、リッド612と、入射側ガラス窓613導光部と、射出側ガラス窓614導光部と、を有する。底部611は、例えば単層セラミック基板により構成される。この底部611には、波長可変干渉フィルター5の可動基板52が設置される。また、底部611には、波長可変干渉フィルター5の反射膜固定反射膜54,可動反射膜55に対向する領域に、光入射孔611Aが開口形成されている。この光入射孔611Aは、波長可変干渉フィルター5により分光したい入射光検査対象光が入射される窓であり、入射側ガラス窓613が接合されている。なお、底部611及び入射側ガラス窓613の接合としては、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリットを用いたガラスフリット接合を用いることができる。また、底部611の上面筐体610の内部側には、波長可変干渉フィルター5の各電極パッド563P,564Pに対応した数の端子部616が設けられている。また、底部611は、各端子部616が設けられる位置に、貫通孔615が形成されており、各端子部616は、貫通孔615を介して、底部611の下面筐体610の外部側に設けられた接続端子617に接続されている。また、底部611の外周縁には、リッド612に接合される封止部619が設けられている。リッド612は、図6に示すように、底部611の封止部619に接合される封止部620と、封止部620から連続し、底部611から離れる方向に立ち上がる側壁部621と、側壁部621から連続し、波長可変干渉フィルター5の固定基板51側を覆う天面部622とを備えている。このリッド612は、例えばコバール等の合金または金属により形成することができる。このリッド612は、封止部620と、底部611の封止部619とが、例えばレーザー封止等により接合されることで、底部611に接合されている。また、リッド612の天面部622には、波長可変干渉フィルター5の各反射膜54,55に対向する領域に、光射出孔612Aが開口形成されている。この光射出孔612Aは、波長可変干渉フィルター5により分光されて取り出された光が通過する窓であり、例えばガラスフリット接合等により射出側ガラス窓614が接合されている。このような光学フィルターデバイス600では、筐体610により波長可変干渉フィルター5が保護されているため、外的要因による波長可変干渉フィルター5の破損を防止できる。したがって、測色センサー等の光学モジュールや電子機器に対して、波長可変干渉フィルター5を設置する際や、メンテナンス時において、他の部材との衝突等による破損を防止できる。また、例えば工場で製造された波長可変干渉フィルター5を、光学モジュールや電子機器を組み立てる組み立てライン等まで運搬する場合に、光学フィルターデバイス600により保護された波長可変干渉フィルター5では、安全に運搬することが可能となる。また、光学フィルターデバイス600は、筐体610の外周面に露出する接続端子617が設けられているため、光学モジュールや電子機器に対して組み込む際にも容易に配線を実施することが可能となる。[他の実施形態]なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。例えば、上記実施形態では、厚肉部521Aの厚み寸法H1と、基板外周部525の厚み寸法H0とを同一寸法に設定したが、これに限定されない。例えば、厚肉部521Aの厚み寸法H1を基板外周部525の厚み寸法H0よりも大きくなる構成としてもよい。この場合、図4Aのように、厚肉部521A及び保持部522を形成した後、可動基板52の基板外周部525以外の領域を覆うマスク層を形成し、基板外周部525をエッチングすればよい。この時、基板外周部525の厚み寸法H0を保持部522や可動部521の厚み寸法寸法H2,寸法H3と同一寸法に設定してもよい。このような構成では、可動部521の強度を確保しつつ、波長可変干渉フィルター5をより薄型化することができる。また、厚肉部521Aの厚み寸法H1を基板外周部525の厚み寸法H0よりも小さく形成する構成としてもよい。この場合、図4Aのように、厚肉部521A及び保持部522を形成した後、厚肉部521A以外の領域を覆うマスク層を形成して、厚肉部521Aのみをエッチングする。このような構成では、固定基板51及び可動基板52の接合時に、厚肉部521Aへの荷重印加を確実に防止でき、接合時の可動部521の撓みを防止することができる。さらに、可動反射膜設置部521Bの厚み寸法H2と、保持部522の厚み寸法H3とを同一寸法としたが、これに限定されない。例えば、可動反射膜設置部521Bの厚み寸法H1を保持部522の厚み寸法H3よりも小さくしてもよい。この場合、例えば、図4Aのように、厚肉部521A及び保持部522を形成した後、可動反射膜設置部521B以外の領域を覆うマスク層を形成して、可動反射膜設置部521Bを更にエッチングすればよい。このような構成では、可動部521をより軽量化することができ、振動による影響をより軽減させることができる。また、可動反射膜設置部521Bの厚み寸法H2を保持部522の厚み寸法H3よりも大きくしてもよい。このような構成では、可動反射膜55が形成される可動反射膜設置部521Bの撓みをより確実に防止することができる。また、保持部522がダイアフラム状に形成される構成を例示したが、上述したように、保持部522が梁形状に形成され、可動部521の外周部に平面中心点Oを中心として等角度間隔で複数配置される構成としてもよい。この場合でも、厚肉部521Aを筒状に形成することで、上記実施形態と同様に、可動反射膜設置部521Bの撓みを防止することができる。また、保持部522が梁形状の場合、可動部521のうち、この保持部522と連続する部分のみに、保持部522よりも大きい厚み寸法を有する厚肉部521Aを設ける構成としてもよい。このような構成では、筒状の厚肉部521Aに比べて強度は低下するものの、筒状の厚肉部521Aが設けられる可動部521に比べて、より軽量化することができ、振動の影響をより軽減させることが可能となる。また、保持部522から伝播する応力を厚肉部521Aで受けることができるため、厚肉部521Aが設けられない構成に比べて、可動部521の撓みを防止することができる。また、上記実施形態では、可動基板52の外側面52Aからエッチングを実施することで、可動基板52の可動対向面52Bが平坦面となる構成を例示したが、これに限定されない。例えば、可動基板52の可動対向面52Bからエッチングを行うことで、保持部522及び厚肉部521Aを形成してもよい。さらに、可動基板52の外側面52A及び可動対向面52Bの双方からエッチングを行って保持部522及び厚肉部521Aを形成する構成としてもよい。さらには、保持部522及び厚肉部521Aのうち一方を、可動基板52の外側面52A側からエッチングすることで形成し、他方を、可動基板52の可動対向面52B側からエッチングすることで可動基板52を形成する構成としてもよい。本発明のギャップ変更部として静電アクチュエーター56を例示したが、これに限定されない。例えば、ギャップ変更部として、固定電極561の代わりに第一誘電コイルを配置し、可動電極562の代わりに第二誘電コイルまたは永久磁石を配置した誘電アクチュエーターを用いる構成としてもよい。その他、圧電素子を用いて可動部521を変位させる構成、空気圧により反射膜間ギャップを変化させる構成など、反射膜間ギャップG1を変化させることが可能な構成であれば、ギャップ変更部として、いかなる駆動手段を用いてもよい。また、上記実施形態では、可動基板52をエッチング処理することで、保持部522及び可動反射膜設置部521Bを形成する構成としたが、これに限定されず、例えばサンドブラスト等のその他の加工手段を用いて、保持部522及び可動反射膜設置部521Bを形成してもよい。更に、エッチングにより、可動部521,保持部522,基板外周部525が一体となる可動基板52の例を示したがこれに限定されない。例えば、第二基板は、厚み寸法が保持部や第二反射膜設置部と同一寸法に形成された対向側基板を備え、この対向側基板の基板外周部の形成位置、及び厚肉部の形成位置のみに接合基板が接合される構成としてもよい。また、接合基板の代わりに、積層部を積層形成してもよい。このような構成でも、上記実施形態と同様に、厚肉部が保持部よりも厚み寸法が大きく、第二反射膜設置部が厚肉部よりも厚み寸法が小さい可動部と、この可動部を進退可能に保持する保持部とを有する第二基板を形成することができ、上記実施形態と同様の効果が得られる。また、保持部や第二反射膜設置部の厚み寸法を均一にできるため、より精度の高い反射膜間ギャップの制御が可能となる。また、上記実施形態では、固定基板51側から入射した光に対して、固定反射膜54,可動反射膜55間で光干渉させ、取り出された光を可動基板52側から射出させる波長可変干渉フィルター5を例示したが、これに限定されない。例えば、固定反射膜54,可動反射膜55間での光干渉により取り出された光を、再び固定基板51側に射出させる構成としてもよい。この場合、可動基板52として非透光性部材を用いてもよい。更に、上記実施形態では、測色装置1により、検査対象Aの色度を測定するため、波長可変干渉フィルター5を構成する固定基板51及び可動基板52として、可視光を透過可能なガラス等の透明部材を用いたが、これに限定されない。例えば、赤外光等を検査対象光とする場合、第一基板及び第二基板として、検査対象光を透過可能な基板例えばSi基板等を用いることができる。本発明の電子機器として、測色装置1を例示したが、その他、様々な分野により本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器を用いることができる。例えば、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムとして用いることができる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の波長可変干渉フィルターを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器などのガス検出装置を例示できる。このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。図7は、波長可変干渉フィルターを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。図8は、図7のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。このガス検出装置100は、図7に示すように、センサーチップ110と、吸引口120A、吸引流路120B、排出流路120C、および排出口120Dを備えた流路120と、本体部130と、を備えて構成されている。本体部130は、流路120を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー131、排出手段133、筐体134、光学部135、フィルター136、波長可変干渉フィルター5、および受光素子137検出部等を含む検出装置光学モジュールと、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部138、電力を供給する電力供給部139等から構成されている。また、光学部135は、光を射出する光源135Aと、光源135Aから入射された光をセンサーチップ110側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子137側に透過するビームスプリッター135Bと、レンズ135C,135D,135Eと、により構成されている。また、図8に示すように、ガス検出装置100の表面には、操作パネル140、表示部141、外部とのインターフェイスのための接続部142、電力供給部139が設けられている。電力供給部139が二次電池の場合には、充電のための接続部143を備えてもよい。さらに、ガス検出装置100の制御部138は、図8に示すように、CPU等により構成された信号処理部144、光源135Aを制御するための光源ドライバー回路145、波長可変干渉フィルター5を制御するための電圧制御部146、受光素子137からの信号を受信する受光回路147、センサーチップ110のコードを読み取り、センサーチップ110の有無を検出するセンサーチップ検出器148からの信号を受信するセンサーチップ検出回路149、および排出手段133を制御する排出ドライバー回路150などを備えている。次に、上記のようなガス検出装置100の動作について、以下に説明する。本体部130の上部のセンサー部カバー131の内部には、センサーチップ検出器148が設けられており、このセンサーチップ検出器148でセンサーチップ110の有無が検出される。信号処理部144は、センサーチップ検出器148からの検出信号を検出すると、センサーチップ110が装着された状態であると判断し、表示部141へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。そして、例えば利用者により操作パネル140が操作され、操作パネル140から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部144へ出力されると、まず、信号処理部144は、光源ドライバー回路145に光源作動の信号を出力して光源135Aを作動させる。光源135Aが駆動されると、光源135Aから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源135Aには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部144へ出力される。そして、信号処理部144は、光源135Aから入力された温度や光量に基づいて、光源135Aが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路150を制御して排出手段133を作動させる。これにより、検出すべき標的物質ガス分子を含んだ気体試料が、吸引口120Aから、吸引流路120B、センサーチップ110内、排出流路120C、排出口120Dへと誘導される。また、センサーチップ110は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ110では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、およびレイリー散乱光が発生する。これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部135を通ってフィルター136に入射し、フィルター136によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター5に入射する。そして、信号処理部144は、電圧制御部146を制御し、波長可変干渉フィルター5に印加する電圧を調整し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター5で分光させる。この後、分光した光が受光素子137で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路147を介して信号処理部144に出力される。信号処理部144は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ROMに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部144は、表示部141にその結果情報を表示させたり、接続部142から外部へ出力したりする。なお、上記図7及び図8において、ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター5により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置100を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、本発明の波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。図9は、波長可変干渉フィルター5を利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。この食物分析装置200は、図9に示すように、検出器210光学モジュールと、制御部220と、表示部230と、を備えている。検出器210は、光を射出する光源211と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ212と、撮像レンズ212から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター5と、分光された光を検出する撮像部213検出部と、を備えている。また、制御部220は、光源211の点灯及び消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部221と、波長可変干渉フィルター5を制御する電圧制御部222と、撮像部213を制御し、撮像部213で撮像された分光画像を取得する検出制御部223と、信号処理部224と、記憶部225と、を備えている。この食物分析装置200は、システムを駆動させると、光源制御部221により光源211が制御されて、光源211から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ212を通って波長可変干渉フィルター5に入射する。波長可変干渉フィルター5は電圧制御部222の制御により所望の波長を分光可能な電圧が印加されており、分光された光が、例えばCCDカメラ等により構成される撮像部213で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部225に蓄積される。また、信号処理部224は、電圧制御部222を制御して波長可変干渉フィルター5に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。そして、信号処理部224は、記憶部225に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部225には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部224は、求めたスペクトルのデータを、記憶部225に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、およびその含有量を求める。また、得られた食物成分および含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。そして、信号処理部224は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部230に表示させる処理をする。また、図9において、食物分析装置200の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。さらには、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。また、電子機器としては、本発明の波長可変干渉フィルターにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルターを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。図10は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ300は、図10に示すように、カメラ本体310と、撮像レンズユニット320と、撮像部330検出部とを備えている。カメラ本体310は、利用者により把持、操作される部分である。撮像レンズユニット320は、カメラ本体310に設けられ、入射した画像光を撮像部330に導光する。また、この撮像レンズユニット320は、図10に示すように、対物レンズ321、結像レンズ322、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター5を備えて構成されている。撮像部330は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット320により導光された画像光を撮像する。このような分光カメラ300では、波長可変干渉フィルター5により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。さらには、本発明の波長可変干渉フィルターをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルターで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。また、本発明の波長可変干渉フィルターを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。さらには、光学モジュールおよび電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルターにより、物質から射出された赤外エネルギー赤外光を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。上記に示すように、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、および電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の波長可変干渉フィルターは、上述のように、1デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。"