導電性と放熱性を有するヒートスプレッダ、このヒートスプレッダに固着された電力用半導体素子、及びこの電力用半導体素子に上記ヒートスプレッダを介し接続された電極端子を有する電力用パワーモジュールであって、上記電力用半導体素子の側面領域を、保護樹脂で覆ったことを特徴とする電力用パワーモジュール。上記電力用半導体素子が固着されていない上記ヒートスプレッダ部分を、上記保護樹脂で覆ったことを特徴とする請求項1記載の電力用パワーモジュール。上記ヒートスプレッダ、上記電力用半導体素子、上記電極端子、及び上記保護樹脂で覆った保護樹脂部を、モールド樹脂で封止するとともに、上記電力用半導体素子が固着されていない上記ヒートスプレッダ部分を、上記保護樹脂で覆ったことを特徴とする請求項1記載の電力用パワーモジュール。請求項3記載の保護樹脂部に、上記モールド樹脂が充填される複数の凹状部を設けたことを特徴とする請求項3記載の電力用パワーモジュール。上記電力用半導体素子が固着されていないヒートスプレッダ部分に、上記保護樹脂を入り込ませる複数の凹部を設け、この凹部により上記保護樹脂が抜け出ないようにして上記保護樹脂が上記ヒートスプレッダ部分から剥離するのを防止したことを特徴とする請求項2~請求項4のいずれか1項に記載の電力用パワーモジュール。上記保護樹脂は、上記ヒートスプレッダと上記電力用半導体素子間を接合するハンダよりも弾性率が小さいことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の電力用パワーモジュール。請求項1から請求項6記載のいずれか1項に記載の電力用パワーモジュールと、当該電力用パワーモジュールを冷却するヒートシンクを、固着層で一体化したことを特徴とする電力用半導体装置。アルミニウムでヒートシンクを構成した従来の電力用半導体装置においては、電力用半導体モジュールのヒートスプレッダについてもアルミニウムとすることが提案されており、これには明示も示唆もされてはいないが、このヒートスプレッダによって、結果的にヒートシンクと電力用半導体モジュール間のハンダ層の歪量を低減している。しかし、このような場合の問題点としては、電力用半導体素子がヒートスプレッダに固着している界面において、Cu系の材料よりも線膨張係数差が増大しており、その結果、電力用半導体素子に生じる熱応力が増大していることが挙げられる。具体的には、電力用半導体モジュールを樹脂封止する時には、少なくとも180°Cに加熱することが行われ、この他、電力用半導体モジュールをヒートシンクにハンダ接合する場合も、少なくともハンダの融点以上に温度を上昇させることが行われている。このような場合、Cuなどよりもアルミニウムの方が、線膨張係数が大きいことに起因して、電力用半導体素子に、大きな熱応力が生じることが問題点として挙げられる。具体的には、樹脂封止やハンダ接合する過程で電力用半導体素子が割れてしまい、電気特性が異常となり、出荷不適合となるという問題がある。このようなことから、電力用半導体素子の熱応力の低減が課題となっていた。又、電力用半導体素子の構成材料は、シリコンSiやSiCであり、これらの材料は脆性材料である。このような脆性材料に、大きな熱応力が生じたことで、割れが発生することになる。すなわち、通常の金属材料であれば、破断応力としては、ばらつきは10~20以内となり、その分の応力マージンを持たせて設計すれば、実際上出荷不適合の発生は防止でき、検査も不要となる。これに対して脆性材料においては、破断応力のばらつきは40以上にもなり、すなわち平均破壊応力の1/3程度でも破壊が発生しうることになり、それを防止する設計は非常に困難である。このような脆性材料における破断応力のばらつきは、表面などに存在する微細欠陥によるものという説明がなされており、例えばセラミック板であれば、研磨をすることで破断応力が向上するなどの現象が知られている。電力用半導体素子は、基本的に円筒形のインゴットから薄い円盤型に切り出したウェハに、リソグラフィ技術を用いて電子回路を作りこんで形成され、又ウェハを賽の目に切り出すダイシング工程を経て、個片化されるが、この時に、厚みを薄く削るグラインド工程と、賽の目に切り出すダイシング工程において、微細な欠陥が入ることが知られている。すなわち、電力用半導体素子は、表面及びエッジ部に微細な欠陥を内在しており、ここに熱応力が作用すると、きわめて低い応力でも破壊が発生するという課題がある。熱応力は、電力用半導体素子のサイズが大きいほど大きくなり、又電力用半導体素子の厚みが薄いほど割れやすくなるという関係がある。すなわち、電力用半導体素子の扱う電力をより大きくするためには、電流密度を下げること、つまりはサイズを大きくすることが必要となるし、損失を下げることで熱的制約をクリヤして、より電流密度を高めた使い方をしようとしたときに、厚みが薄いことが損失低減にきわめて効果的であるので、より低い損失の素子を用いようとすればするほど、このような熱応力による電力用半導体素子の破壊が顕在化するという問題がある。本発明は、このような脆性材料の破壊現象を防止することを目的としており、電力用半導体素子をよりサイズが大きい大出力としたり、又厚みが薄い低損失のものにした時でも、問題なく電力用半導体装置を製造でき、不必要な検査工程を省くことができるようにすることを目的としている。又、本発明は、上述したヒートスプレッダとヒートシンクの材料を、線膨張係数を合わせ込んだ場合の問題点についての解消を目的としている。具体的には、ヒートシンクをアルミニウムで構成し、ヒートスプレッダも同様にアルミニウムで構成した場合の問題点の解消を目的としている。すなわち、本発明は、電力用半導体素子1を、大きな面積や厚みがより薄いものにしたとき、上述のようなアルミニウムもしくはアルミ合金系ヒートシンク11に固着したパワーモジュールに内蔵されるヒートスプレッダの材料に、アルミニウムもしくはアルミニウム合金を用いた場合でも、電力用半導体素子1の破壊を防止することを目的としている。又本発明は、アルミニウム以外の材料でも、ヒートシンクと、電力用半導体モジュールの線膨張係数差を最小限にすることを目的としており、好ましくは同じ金属をベースとして配合された合金成分が異なる程度の近い線膨張係数の材料で構成する場合についても適用される。したがって、当然ながら本発明が奏する作用は、アルミニウムを採用する場合に限定されるわけではなく、ヒートシンク材料がアルミニウム以外であっても、同様にヒートシンク材料と同種の金属及び同種の金属をベースとして合金化して得たヒートスプレッダ材料を用いた場合に対しても同様な作用を奏することは言うまでもない。この発明に係わる電力用パワーモジュールは、導電性と放熱性を有するヒートスプレッダ、このヒートスプレッダに固着された電力用半導体素子、及びこの電力用半導体素子に上記ヒートスプレッダを介し接続された電極端子を有する電力用パワーモジュールであって、上記電力用半導体素子1の側面領域を、保護樹脂で覆ったものである。又、この発明に係わる電力用半導体装置は、電力用パワーモジュールと、この電力用パワーモジュールを冷却するヒートシンクを、固着層で一体化したものである。この発明の電力用パワーモジュール及び電力用半導体装置によれば、保護樹脂部を設けたので、線膨張係数が大きく異なるヒートスプレッダと電力用半導体素子を組み合わせたものであっても、モールド封止工程などの加熱工程において、電力用半導体素子に生じる熱応力に対し、熱応力を低減もしくは、破断応力を増大させ、電力用半導体素子の破壊を防止することができる。以下、図面に基づいて、この発明の各実施の形態を説明する。なお、各図間において、同一符号は同一あるいは相当部分を示す。実施の形態1.図1は、この発明による電力用パワーモジュール100の基本的構成を示す斜視図である。図1に示すように、ヒートスプレッダ2上に搭載、固着された電力用半導体素子1は、その露出側面部が全域にわたり後述する絶縁樹脂による保護樹脂部4で覆われている。ヒートスプレッダ2の材質としては、例えばアルミニウムが挙げられる。例えば、厚み1~5mm程度のアルミニウムもしくはアルミニウム合金を採用したヒートスプレッダ2の場合、電力用半導体素子搭載領域には、ハンダ濡れ性がアルミニウムよりも良好な金属層例えばNiやSn、Auなどを、例えばめっきなどで固着している。電力用半導体素子1としては、シリコンやSiC、GaNなどが用いられる。このため、電力用半導体素子1の材料とヒートスプレッダ2の材料は、線膨張係数の差が大きく、例えばアルミニウムとシリコンの場合10倍程度の差があるとされている。このような線膨張係数の差が大きい組み合わせで問題となるのが、熱応力である。前述のように構成された電力用パワーモジュール100は、例えば後述するモールド樹脂10のモールド工程時に、少なくとも金型温度近傍にまで加熱されるが、ヒートスプレッダ2と電力用半導体素子1の線膨張係数の差が大きいため、ヒートスプレッダ2の伸びによって、電力用半導体素子1には水平方向に引っ張る熱応力が生じる。このような熱応力は、電力用半導体素子1の面積が大きいほど大きく、又電力用半導体素子1が薄いほど大きくなる。ところで、電力用半導体素子1の構成材料は、脆性材料であり、その特性として、引張応力による破断に関しては、表面の微細な欠陥や内在するマイクロクラックと呼ばれる加工欠陥により大きく破断強度がばらつくことが知られている。このような加工欠陥は、電力用半導体素子1がウェハの状態の時に、厚みを薄くするグラインド加工の時に生じたり、電力用半導体素子1をウェハから個片に切り出すダイシング加工の時に生じる。このようなマイクロクラックの抑制は、困難で検査もきわめて難しいため、電力用半導体素子1を極端に薄くした場合に、電力用半導体素子1の加熱時の割れを抑制することは困難であった。そのため、例えば、厚みが100μm以下の電力用半導体素子1では、きわめてこの影響が大きくリーク試験などで破壊した電力用半導体素子を排除する必要が生じており工程が煩雑であった。この発明によれば、電力用半導体素子の加熱時の割れの起点となるマイクロクラックを、後述する保護樹脂部4で覆っており、応力集中を軽減するため、割れの発生率を最小限に抑制できる。以下、この実施の形態1における電力用パワーモジュール100の構造を、図1~図3に基づいて詳述する。なお、この実施の形態1では、ヒートスプレッダ2の材料例として、アルミニウムを採り挙げているが、これは銅に比べて軽量であり、かつ低コストである代表的な良熱伝導性金属材料であるためである。しかしながら、アルミニウムは線膨張係数が銅に比べておよそ1.5倍と大きく、電力用半導体素子の熱応力に悪影響を及ぼすため、これが解決を目的としている。又、ヒートスプレッダ2の材料に、アルミニウムを挙げている別の理由については、図3に示す本発明の電力用半導体装置200の構造に関連して説明する。図3に示す電力用半導体装置200は、ヒートシンク11に電力用パワーモジュール100を、例えば、ハンダなどの良熱伝導率材料による固着層12で固着したものである。このような形態によれば、従来の熱伝導グリスを用いた構成の場合におけるグリース層の熱抵抗が大きい問題点を克服でき、又電力用パワーモジュールを固定するための固定部も省略できるというメリットがある。ところで、ヒートシンク11の材料としては、現在、加工性やコスト、重量の観点からアルミ系の材料が最も経済性が高いと言える。ところで、電力用半導体素子1とヒートスプレッダ2の部材には、銅及び銅合金系材料を用いることが通常である。すなわち、銅が、良導電性材料であり、かつ熱伝導率が大きく、かつ経済的であるため、大電流を扱う電力用パワーモジュールの構成材料としては、銅及び銅合金系材料を用いている。前述のように、ヒートシンク11に、アルミ材を用いても、電力用パワーモジュールに内蔵される配線材料には、通常銅材が多く用いられ、通常のパワーモジュールは、きわめて銅を多用して製造されている。これに対してヒートシンク11は、ほぼアルミ材で製造され、従来の通常のパワーモジュールでは、このヒートシンクのアルミニウムとパワーモジュールの部材である銅の線膨張係数の差を、熱伝導グリースを間の面に塗布して、非接合ただしネジ固定とすることで吸収していた。これに対し、この実施の形態1が念頭としているところは、アルミニウムのヒートシンク11に、電力用パワーモジュール100を直接接合する構成であり、その前提としては、アルミヒートスプレッダ2の内蔵による線膨張係数の差の低減が必要となる。その場合、電力用半導体素子1への熱応力は、ヒートスプレッダ2が銅の場合に比べてアルミニウムの場合は大きくなり、この熱応力が増大することが問題となる。すなわち、この実施の形態1では、アルミのヒートスプレッダ2を採用する場合でも脆性材料である電力用半導体素子1が壊れないものを得ることを目的としているわけである。そして、ヒートシンク11と電力用パワーモジュール100の接合の例として、ハンダ付けの場合と、樹脂接着の場合を採り上げ、電力用パワーモジュール100をヒートシンク11に固着した場合の問題の解決を目的としている。例えば、電力用パワーモジュール100とヒートシンク11をハンダ層を介して固着した場合、この時、アルミ系の材料からなるヒートシンク11と、電力用パワーモジュール100の線膨張率の差が無視できないほど大きく、ハンダ層には電力用半導体装置200の使用時の温度変化により熱応力が生じ、ハンダ層のひずみ量が大きい角部から金属疲労による亀裂進展が生じ放熱性が阻害されるという問題が生じる。別の例としては、固着層として良熱伝導率の接着シートなどを用いる構成も可能であるが、このような接着シートを用いた場合、電力用半導体装置の使用時の温度変化による熱応力により、接着層の界面剥離が生じることになる。この防止のためには、ヒートスプレッダ2の線膨張係数を、ヒートシンク11の線膨張係数に近づけることが効果的である。このため、例えばアルミニウムもしくはアルミニウム合金をヒートスプレッダ2に用いることになる。この場合の背反として、電力用半導体素子1とアルミ系材料を採用したヒートスプレッダ2の線膨張係数の差が更に大きくなってしまうという問題が生じる。すなわち、先に述べたような電力用半導体素子1に生じる応力が銅よりもアルミニウムを用いたことで増大してしまうことになる。又、この実施の形態1は、ヒートスプレッダ2が銅よりも線膨張係数が大きいアルミニウムにした場合でも、大きな面積の電力用半導体素子1や厚みがより薄い電力用半導体素子1の熱応力の問題をなくすことを目的としている。すなわち、前述のようなアルミニウム及びアルミ合金系ヒートシンク11に固着したパワーモジュールに内蔵されるヒートスプレッダ2の材料に、アルミニウムもしくはアルミニウム合金を用いた場合でも、電力用半導体素子1の破壊を防止することを目的としている。前述したように、脆性材料の破壊は、表面の微細なクラックによる影響が大であり、そのようなクラックは、応力集中部を電力用半導体素子1のグラインディングやダイシングの加工面から遠ざけることで、破壊の起点とならないように仕向けることができる。すなわち、電力用半導体素子1の底面は、ハンダにてヒートスプレッダ2に全面固着されているが、この実施の形態1は、これに加えて電力用半導体素子1の側面領域に絶縁樹脂部、すなわち保護樹脂部4を更に設けたものである。この保護樹脂部4の材料は、少なくともヒートスプレッダ2と電力用半導体素子1間を接合するハンダよりも弾性率の小さい絶縁樹脂で、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂であれば、モールド封止時の180°Cにおいても軟化せず、良好な電力用半導体素子1の応力低減作用を得ることができる。更に、保護樹脂部4を設けた理由について詳述する。ハンダに生ずる熱応力は、電力用半導体素子1とヒートスプレッダ2の線膨張係数の差が存在することに起因する。例えばモールド樹脂封止時や、別の部材のハンダ付け工程などにおいて、温度変化に応じて、伸びの差が生じるが、接合界面において、接合を維持しようとして伸びの差をハンダ層が吸収する時に生じる。ところで、このような熱応力は端部に集中応力場を形成することがよく知られている。この応力場は、角度変化が起きている箇所で応力集中が大きいことがよく知られている。すなわち、電力用半導体素子1とヒートスプレッダ2の間のハンダ層において、端部には応力集中部が形成され、その値が大きいことを避けることが必要である。そこに、すなわち電力用半導体素子1の側面領域に、樹脂の保護部保護樹脂部4を設けることで、ハンダ応力集中を緩和する効果が生じる。すなわち空気との界面が保護部側に移動したことで、角度変化に対する応力集中が軽減されるのである。ただし、保護部保護樹脂部4の弾性率がハンダよりも大きいと、電力用半導体素子1とヒートスプレッダ2の伸びの差は、ハンダ層が多く変形して吸収することになってしまう。これに対して、保護層保護樹脂部4の弾性率がハンダ層よりも小さく、より容易に変形してくれることで、上記応力集中の緩和効果を高めることができる。前述のように、応力低減作用が有効に働く樹脂の弾性率としては、ヒートスプレッダ2よりも小さいことが必要であり、例えば1/2から1/100程度の弾性率であれば有効に作用した。このような絶縁樹脂としては、例えばエポキシ樹脂だけでなくポリイミド樹脂などでもよく、絶縁性があり耐熱性を有する材料であれば他のものでもよい。例えば、ポリイミド樹脂の場合おおよその弾性率はアルミニウムに対して1/10である。この絶縁樹脂は、電力用半導体素子1の側面領域およびハンダ及びヒートスプレッダ2のうち電力用半導体素子の周囲部を覆った状態を図1及び図2に示しているが、電力用半導体素子表面をも覆っていてもよく、同様に応力抑制効果を発揮する。電力用半導体素子表面を覆う場合は、電力用半導体素子の外縁部を全て覆うように供給することで、応力集中を防ぐことができる。また電力用半導体素子全面を覆っていてもかまわない。また、配線用の材料を接続する電極部を露出させた状態で覆っていてもよい。通常、樹脂封止型の電力用パワーモジュールにおいては、内部のハンダが溶融すると、ハンダが膨張してパワーモジュールの内部の界面を伝ったり、樹脂を破壊してハンダが流出し、破壊されてしまうため、少なくともパワーモジュールの内部のハンダの融点よりも、固着層12のハンダの融点は低く構成する必要がある。アルミニウムは、ハンダには濡れない材料であるため固着導体3に、ハンダを用いた場合は、ヒートスプレッダ2のアルミニウム表面の少なくとも電力用半導体素子1を固着する箇所には、良ハンダ濡れ性が得られる、ニッケルや銅の層を例えばめっきなどで設けておくことが必要である。ヒートスプレッダ2と電力用半導体素子1、固着導体3、保護樹脂部4は、モールド樹脂10により封止されるが、外部との配線接続のための電極端子を備えている。例えば、図1では一対の主端子5a、5bが電力用半導体素子1の表面及び裏面に対して接続されている。すなわち、一方の主端子5bがヒートスプレッダ2に例えば超音波接合やハンダ付けなど図示しない電気的接続手段により接合されており、もう一方の主端子5aと電力用半導体素子1の表面を、アルミニウムワイヤ6で接続している。電力用半導体素子1を任意にオンオフ動作させるためのゲート電極を備えた構成の場合には、別の制御電極を更に備え、同様にアルミニウムワイヤ6で制御端子7に配線している。そのようなゲート電極を有する電力用半導体素子としては、IGBT、MOSFETなどが知られており、例えばシリコンSiのみならず、GaNやSiNなどといった素材によっても構成可能である。ちなみにSiCを用いるとより高温動作が可能であり、ロスも小さくなるため電力用パワーモジュールとして好適である。これらのように複数の主端子5a、5b及び制御端子7を備えた電力用パワーモジュール100は、お互いの電極間の絶縁を維持する必要がある。この電極間の絶縁維持をも兼ねたモールド樹脂10は、絶縁性の封止材料であり、異なる電位がかかる部位について絶縁性を保っている。ところで電力用半導体装置を示す図3では、電力用パワーモジュール100は、ヒートシンク11に一体一ユニットが搭載された例を図示しているが、複数の電力用パワーモジュールが搭載されていてもよいし、又電力用パワーモジュールには、複数のヒートスプレッダ2が搭載されていてもよい。そのように、高密度に配置する場合の妨げとなるのが、ヒートスプレッダ2が良電気伝導性の材料で構成されるということである。一般に良熱伝導率の材料は、良電気伝導性であるため、これはいたし方がないことである。ここで異なる電位間の絶縁性を保つ必要があるが、この絶縁機能は、絶縁樹脂層8により実現されている。すなわち、電力用パワーモジュールのヒートスプレッダ2の底面100aと放熱面100bの間に、薄い絶縁樹脂層8を備えることで、ヒートスプレッダ2と電力用パワーモジュールの底面間の絶縁性を確保しているのである。この例の場合は、ヒートシンク11と電力用パワーモジュール100間の固着層12に、ハンダを使う場合についての技術を開示しているが、そのような場合、絶縁樹脂層8は、通常ハンダ濡れ性はないため、ハンダ濡れ性という機能を実現するために、保護層9を更にそなえている。この保護層9は、例えば厚み100μm程度の銅箔やアルミ箔である。ただし、ハンダ濡れ性を得るために、保護層9がアルミニウムの場合には、表面にめっきなどで、ハンダ濡れ性が得られる構成にしておく必要がある。このように電力用パワーモジュール100の底面部には、絶縁樹脂層8を介してハンダ濡れ性を有した保護層9を備え、この保護層9とヒートシンク11間には更に固着層12を備えて一体化されており電力用半導体装置200が構成されている。実施の形態1では、電力用半導体素子1の外縁部である側面領域を、保護樹脂部4が覆うことで、電力用パワーモジュール製造におけるモールド封止時のような加熱工程においても、マイクロクラックなどによる応力集中による電力用半導体素子の破壊を防止できた。実施の形態2.図4は、この発明の実施の形態2における電力用半導体装置の断面図である。図4において、保護樹脂部4は、ヒートスプレッダ2主面電力用半導体素子搭載面の電力用半導体素子1の周囲側面領域のみならず、広い範囲電力用半導体素子1が固着されていないヒートスプレッダ2の上面を覆っている。このようにすることで、アルミ系の材料を採用したヒートスプレッダ2とモールド樹脂10間の線膨張係数に差がある場合の熱応力を低減する作用が働く。すなわち、モールド樹脂10は、通常銅及び銅合金、鉄合金などに合わせた材料設計をしているものがほとんどであり、アルミニウムのような線膨張係数が大きい材料に対しては線膨張係数の差が大きいという問題点がある。アルミニウムに近い線膨張係数に近づけることは、例えばモールド樹脂10に内包されるフィラー成分の割合を下げることなどで実現可能であるが、不経済であった。ところで、銅に合わせた線膨張係数の材料とアルミニウムのヒートスプレッダ2を組み合わせた場合、線膨張係数の差が無視できず、電力用半導体装置200の使用にともなう温度変化により、熱応力が生じ、モールド樹脂10とヒートスプレッダ2間の樹脂が剥がれるなどの問題が発生する危険が高まり、長い寿命を保証することが困難となっていた。これに対してヒートスプレッダ2の主面電力用半導体素子搭載面の大半、ただし主端子5a、5bの接続部や電力用半導体素子1の表面の配線を行う部分を除いた部分を保護樹脂部4が覆うことでこのような線膨張係数が異なる材料の組み合わせにおいても剥離の発生を制限でき、長い寿命を保証することができるようになった。この絶縁樹脂は、電力用半導体素子1の側面領域およびハンダ及びヒートスプレッダ2のうち電力用半導体素子の周囲部を覆った状態を図1および図2に示しているが、電力用半導体素子表面をも覆っていてもよく、同様に応力抑制効果を発揮する。この例では、ヒートシンク11は、内部に流路11aを有する液冷式ヒートシンクの場合について示しており、固着層12にて一体化されている。実施の形態3.図5は、この発明の実施の形態3における電力用半導体装置の断面図である。この実施の形態3におけるヒートシンク11では、図5のように、対面にヒートシンク11の取付面を有し、かつそれぞれの取付面に電力用パワーモジュール100を固着層12によって搭載した形態を構成している。このように電力用パワーモジュール100をヒートシンク11の両取付面に固着した場合、電力用パワーモジュール100の線膨張係数とヒートシンク11の線膨張係数の差による熱応力が、高まるという問題がある。すなわち、ヒートシンク11の片面に電力用パワーモジュール100を固着した場合は、ヒートシンク11が反ることで熱応力が開放され、結果電力用パワーモジュール100に生じる熱応力は相対的に小さくなる。これに対してヒートシンク11の両面に、電力用パワーモジュール100を搭載した場合、バランスが取れた結果反ることができず、電力用パワーモジュール100に与えられる熱応力が増大してしまうという問題がある。この時に、電力用パワーモジュール100に内蔵されるヒートスプレッダ2とモールド樹脂10間の熱応力も更に増大するという問題があり、より長い寿命を保証したいという意図を実現できなかった。例えば、ヒートスプレッダ2とモールド樹脂10間の剥離が生じると、その剥離の先端は応力特異場であるため、容易に剥離が進展し、電力用半導体素子1の周辺に剥離が達した場合、剥離は電力用半導体素子1の内部に移動して、電力用半導体素子1を破壊してしまうという不具合が生じるため、ヒートスプレッダ2とモールド樹脂10の剥離進展の抑制は非常に重要であった。例えば、ハンダ付けを固着に用いた場合、両面に電力用パワーモジュール100を搭載した場合、片面の場合の1/3程度の寿命になっていた。この実施の形態3における電力用半導体装置は、上記の点に対処するため、ヒートスプレッダ部分を覆う保護樹脂部4に、複数の凹状部4aを設けている。そして、電力用半導体素子1、端子5a、5a、7、及び保護樹脂部4を、モールド樹脂10で封止する時、複数の凹状部4aにモールド樹脂10が充填されるようにしたものである。例えば、保護樹脂部4の厚みを200μmとすると、直径300μm、深さ150μmから200μm程度の凹みを多数付与する。この凹状部4aを、ヒートスプレッダ2の主面電力用半導体素子1が固着されていないヒートスプレッダ2の上面に多数分布させることで、剥離を確実に防止することができる。例えば800μmピッチで縦横に配置することで耐ヒートサイクル性を3倍以上拡大することができた。又、絶縁樹脂による保護膜保護樹脂部4は、ヒートスプレッダ表面との接着が維持されないと作用を失うことになる。このため、電力用半導体素子1が固着されていないヒートスプレッダ部分に、保護樹脂を入り込ませる複数の凹部図示せずを設け、この凹部により保護樹脂が抜け出ないようにして保護樹脂がヒートスプレッダ部分から剥離するのを防止している。すなわち、優先的な保護膜の変形と、外形としての角度変化が大きいことによる応力集中抑制などによる熱応力の低減は、保護膜が剥がれると失われてしまう。このことの防止のためには、保護膜保護樹脂部4のヒートスプレッダ表面への接着性の向上が有効である。この獲得のためには、例えばプライマ処理、UV処理などによる接着力の向上によっても得られるが、そのほかの手法として、上記のように電力用半導体素子1が固着されていないヒートスプレッダ部分に、保護樹脂を入り込ませる複数の凹部図示せずを設け、この凹部にアンカー効果をもたせることで実現できる。アンカー効果とは、錨が海底に食い込むことで船の移動を阻止するように、物理的に引き剥がすことを防止する効果のことで、例えば蛸壺のような形状の凹部を多数ヒートスプレッダ表面に形成し、かつその凹部に保護膜保護樹脂部4を入り込ませることで実現できる。この時、単に凹み形状であれば、水平方向へのアンカー効果は得られるが、垂直方向には劇的な効果は得られない。好ましくは、凹部は、深くなるほど断面積が大きくなるような、庇のある形状にすることで、垂直方向へのアンカー効果を獲得できる。そのような蛸壺形状に類するような庇のある凹部は、例えば円筒形の突起をヒートスプレッダ表面に加圧して凹みを設けた後、より直径の大きい円筒形の突起で更に加圧することで形成できる。庇が凹みの全周にある必要はないため、同じ形状の突起を半分ずらして加圧してもよい。又例えば四角柱の突起で加圧して凹みを設けた後、同じ中心をもち45度角度が回転した突起で更に凹み部を形成することで、複数の庇が生じる形状も容易に実現可能である。加圧に用いる金型の加工のためには、このような方形の突起を縦横に配列して凹み部を形成した窪み部を複数設けることが産業的に低コストとなった。すなわち金型に溝を縦横に形成することで、縦横に方形の突起を複数形成することが比較的容易であり好ましかった。実施の形態4.図6は、この発明の実施の形態4における電力用パワーモジュールを示す断面図で、図7は、この電力用パワーモジュールによって構成した電力用半導体装置の断面図である。この実施の形態4の例では、主端子5aが電力用半導体素子1に覆いかぶさる位置に配置されており、固着導体3aによって電力用半導体素子1と接続されている。例えば、ハンダによって電力用半導体素子1を接続する場合において、まずヒートスプレッダ2に固着導体3で電力用半導体素子1を固着する工程、保護樹脂部4を付与する工程、主端子5aと重ね合わせ、固着導体3aによって主端子5aと電力用半導体素子1を固着する工程を備えるが、この時、固着導体3aに、ハンダを用いた場合の問題点として、電力用半導体素子1が、ヒートスプレッダ2に固着された状態で、ハンダの融点にまで加熱されるという問題点が生じる。ハンダの融点は、モールド樹脂10の融点より大きく設定することが、モールド時に電力用半導体素子1が動いたり破壊しないために必要である。例えば、固着導体3aが軟化状態にある時に、モールド樹脂10による成形圧力が与えられると、通常の成形圧力は、100気圧程度であるため電力用半導体素子1は破壊されてしまう。この防止には、モールド樹脂10よりも高い融点を持つハンダを用いることが必要である。そのため、この例のような電力用半導体素子1の両面に固着導体3、3aによる接続を適用する場合、電力用半導体素子1がヒートスプレッダ2に固着された状態で、ハンダの融点にまで加熱されることになり、先に述べた例に対して、更に高い温度にまでさらされることになる。このように内部に二層以上のハンダ層を有する場合、電力用半導体素子1に生じる熱応力は大きくなるため、層状の保護樹脂部4による保護作用は更に有効に作用する。図7に、電力用半導体装置200として構成した例を示しているが、このような場合においても剥離防止効果も有効に作用することは言うまでもない。