セラミックグリーンシートの厚み方向に電気的に導通するように導電性部材を形成する工程と、前記セラミックグリーンシートの前記導電性部材が形成された部分を含む位置において、前記厚み方向に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔が前記厚み方向に合致するように、複数のセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、前記積層体の下面に第1の分割用溝を形成する工程と、前記積層体を焼成する工程と、前記積層体の上面に電子部品を搭載する工程と、前記積層体の表面に絶縁体層を形成する工程と、前記貫通孔の中心を結ぶ線上を、前記絶縁体層のみを切削して第2の分割用溝を形成する工程と、前記貫通孔内の絶縁体層をレーザでカットする工程と、前記第1および第2の分割用溝を基準として前記積層体を分割する工程と、を備えたことを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。前記第2の分割用溝は、前記積層体の上面側から形成され、前記レーザは、前記積層体の下面側から前記絶縁体層をカットすることを特徴とする請求項1に記載の電子部品モジュールの製造方法。前記積層体を焼成する工程の前に、前記積層体の上面側における前記セラミックグリーンシート上の、前記貫通孔の中心を結ぶ線上に第3の分割用溝を形成する工程を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子部品モジュールの製造方法。複数のセラミックグリーンシートが積層されてなる積層体と、前記積層体の端面に設けられた端面電極と、前記積層体の上面に搭載された電子部品と、を備えた電子部品モジュールであって、前記積層体の上面および端面は、絶縁体で被覆され、前記端面の絶縁体は、段差を有することを特徴とする電子部品モジュール。請求項4に記載の電子部品モジュールにおいて、前記積層されるシート間に設けられたコイルを積層方向に接続したインダクタと、前記積層体の底面に電極と、を備え、前記積層体は、磁性体層を含み、前記電極は、入力電極、出力電極、および接地電極からなり、前記インダクタをチョークコイルとして利用したことを特徴とするDC-DCコンバータ。電子部品モジュールは、上面に電子部品が搭載されるため、モジュールサイズが小さい場合、電子部品モジュールを電子機器メーカーの製造工程で取り扱う際に、吸着による取り扱いが出来なくなる。そこで、吸着による取り扱いを可能とするために、電子部品モジュールの天面を樹脂等の絶縁体でカバーし、当該上面を平坦化する場合がある。しかし、上述のような境界位置にスルーホールを設けると、このスルーホールに樹脂等の絶縁体が充填されてしまう。樹脂等の絶縁体は硬いため、このようにスルーホールに絶縁体等が充填されると、マザーシートをチップ毎に分割する際に、絶縁体にダイサー等で溝を切ったとしても、スルーホールに充填された絶縁体までは溝が切れないため、きれいに切断することができない。例えば、分割後のいずれか一方のチップの側壁にのみ絶縁体が付着して他方のチップの側壁には絶縁体が付着しない、という状態になってしまい、チップ毎の均一性がなくなってしまう。そこで、この発明は、チップ側面にスルーホールを設ける場合において、樹脂等の絶縁体が充填されたとしてもマザーシートをチップ毎に分割することができる電子部品モジュール、およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明の電子部品モジュールは、以下の工程により製造される。1セラミックグリーンシートの厚み方向に電気的に導通するように導電性部材を形成する工程2セラミックグリーンシートの前記導電性部材が形成された部分を含む位置において、前記厚み方向に貫通孔を形成する工程3貫通孔が前記厚み方向に合致するように、複数のセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程4積層体の下面に第1の分割用溝を形成する工程5積層体を焼成する工程6積層体の上面に電子部品を搭載する工程7積層体の表面に絶縁体層を形成する工程8貫通孔の中心を結ぶ線上を、前記絶縁体層のみを切削して第2の分割用溝を形成する工程9貫通孔内の絶縁体層をレーザでカットする工程10第1および第2の分割用溝を基準として前記積層体を分割する工程このように、マザー積層体で絶縁体層で覆った後、各チップの境界となる位置にダイシング等によって第2の分割用溝を形成するとともに、貫通孔スルーホールに充填された絶縁体をレーザでカットする。ダイシング等の切削では、スルーホールのような微少な孔に深く切り込みを入れることが困難であるが、本発明では、ダイシングによる切削とは別に、スルーホール内にレーザによる切り込みを入れるため、マザー積層体をチップ毎にブレイクすることが可能となる。チップ毎にブレイクされた電子部品モジュールは、スルーホールの側壁に端面電極が露出し、さらにこの露出した端面電極は絶縁体層で覆われた状態となる。ダイシング等の機械的切削による溝の幅と、レーザによる非接触の切削による切り込みの幅が異なるため、ブレイク後の電子部品モジュールの端面の絶縁体は、段差を有することになる。なお、レーザは、積層体の上面側からでも下面側からでも絶縁体層をカットすることが可能であるが、ダイシングによる第2の分割用溝は、上面側から、レーザは、下面側からカットすることで、よりブレイクしやすくなる。また、積層体を焼成する工程の前に、積層体の上面側におけるセラミックグリーンシート上の、貫通孔の中心を結ぶ線上に上記第2の分割用溝とは別の第3の分割用溝を形成する工程を行うことが望ましい。この場合、絶縁体層に加えて積層体のセラミックグリーンシート上にもブレイク用の溝が形成されるため、さらにブレイクしやすくなる。この発明によれば、チップ側面にスルーホールを設ける場合において、樹脂等の絶縁体が充填されたとしてもマザーシートをチップ毎に分割することができる。図1は、本発明の実施形態に係る電子部品モジュールの上面図であり、図2は、電子部品モジュールの断面図である図2AはA-A断面図、図2BはB-B断面図。なお、図2Aおよび図2Bの断面図は、紙面上側を電子部品モジュールの上面側とし、紙面下側を電子部品モジュールの下面側とする。電子部品モジュールは、複数のセラミックグリーンシートが積層されてなる積層体の最上面にICやコンデンサ等の電子部品を搭載したものである。積層体は、磁性体フェライト層を含み、例えば、積層されるシート間にコイルを設け、積層方向に接続したインダクタを構成することで、当該インダクタをチョークコイルとして用いたDC-DCコンバータを実現することができる。図1および図2に示す電子部品モジュールは、ブレイク前のマザー積層体を示すものである。マザー積層体の上面は、絶縁体31によって被覆されている。マザー積層体は、図中の破線で示す所定寸法のチップにブレイクされる。マザー積層体の上面には、図1に示す破線後述のスルーホールの中心を結ぶ線に沿って、ダイシング加工により矩形状のブレイク用溝51本発明における第2の分割用溝が形成されている。ブレイク用溝51は、絶縁体31のみを切削することで形成されている。また、マザー積層体の下面には、図1に示す破線に沿って、図2Bに示すように、ダイシング加工により、V字型のブレイク用溝55本発明における第1の分割用溝が形成されている。さらに、図2Cに示すように、マザー積層体の上面セラミックグリーンシート上には、図1に示す破線に沿って、V字型のブレイク用溝57本発明における第3の分割用溝が形成されている。このV字型のブレイク用溝55及びブレイク用溝57は、マザー積層体を焼成する前に、予め設けておく。マザー積層体は、V字型のブレイク用溝55を外側に、矩形状のブレイク用溝51およびV字型のブレイク用溝57を内側にして曲げることで各チップにブレイクされる。なお、図1および図2においては、説明のために隣接する2つのチップについてブレイク前のマザー積層体を示すが、実際にはさらに多数のチップが並んでいる。積層体を構成する一部のセラミックグリーンシート上には、回路電極22が形成され、回路電極22に電子部品23が実装されている。また、図2Aの断面図A-A断面図に示すように、積層体の最下面には、端子電極21入力電極、出力電極、および接地電極が形成されている。この端子電極21は、電子部品モジュールが出荷された後、電子機器の製品製造工程において、電子部品モジュールが実装される、実装基板側のランド電極等と接続されるための実装用電極となる。これらの端子電極21と回路電極22は、端面電極41を介して電気的に接続される。端面電極41は、各チップの境界となる位置に設けられたビアホールの側面が、カットされたことによりスルーホールの側壁から露出したものである。なお、本実施形態においては省略するが、内層に配置されるセラミックグリーンシート上に内部配線を形成し、この内部配線、および端面電極41を介して電気的に接続されるようにしてもよい。マザー積層体の上面は、絶縁体31によって被覆されている。絶縁体31は、マザー積層体が焼成された後に塗布されることにより、電子部品モジュールを保護するとともに、電子部品モジュールの上面を平坦化する機能を有する。また、絶縁体31は、スルーホール内にも充填されることになる。このスルーホール内に充填される絶縁体31は、端面電極41を被覆し、実装基板側の端子電極21の実装時に塗布されるはんだが端面電極41に濡れ上がることを防止する。ただし、スルーホール内に絶縁体31が充填されると、ブレイク後のいずれか一方のチップのスルーホールにのみ絶縁体31が付着して他方のチップのスルーホールには絶縁体31が付着しない、という状態になる可能性がある。この場合、チップ毎の均一性がなくなってしまう。また、絶縁体31が付着しないチップについては、実装時に塗布されるはんだがスルーホール側壁の磁性体層や端面電極41に濡れ上がる可能性もある。そこで、本実施形態に係る電子部品モジュールは、スルーホール内に充填された絶縁体31をレーザでカットして切り込み52を形成する。切り込み52は、積層体の下面から、V字型に形成されている。したがって、上記V字型のブレイク用溝55とともに切れ込み52を外側に、矩形状のブレイク用溝51およびV字型のブレイク用溝57を内側にして曲げることで各チップにブレイクすることができる。チップ毎にブレイクされた電子部品モジュールは、この切れ込み52が形成されていることで、スルーホールの側壁に端面電極41が露出し、さらにこの露出した端面電極41が絶縁体31で覆われた状態となる。また、図4Aの上面図、図4Bおよび図4Bの断面図に示すように、ダイシング等の機械的切削によるブレイク用溝51の幅と、レーザによる非接触の切り込み52の幅が異なるため、ブレイク後の電子部品モジュールの端面の絶縁体31は、図中の破線のように、段差を有することになる。なお、レーザは、図5に示すように、積層体の上面側からブレイク用溝51に重畳してスルーホール内の絶縁体31をカットすることも可能である。また、レーザによる切り込みの深さは、図2や図5に示した例に限らず、さらに深い切り込み上面から下面まで貫通する深さであってもよいし、ブレイク後のチップ毎の均一性を保てる程度に浅くしてもよい。次に、電子部品モジュールの製造工程について説明する。図3は、電子部品モジュールの製造工程を示す図である。電子部品モジュールは、以下に示すようにして形成される。まず、図3Aに示すように、電子部品モジュールの各セラミックグリーンシートにパンチ等で貫通孔が開けられる。次に、図3Bに示すように、開けられた貫通孔にAg等が含まれる合金導電性ペーストが充填される。この充填された導電性ペーストが後に端面電極41となる。なお、この図3Bに示す工程の後、あるいはセラミックグリーンシートの積層前に端子電極21、回路電極22、および内部配線が形成される。ただし、最上面および最下面に露出する電極は、積層後に形成することも可能である。次に、図3Cに示すように、先に開けた矩形状のパンチ孔とは異なる方向直交する方向にパンチ等でさらに矩形状の孔を開ける。この矩形状の孔がスルーホールとなる。そして、各セラミックグリーンシートが積層され、仮圧着された後、図3Dに示すように、各スルーホールの中心を結ぶ線に沿ってV字型のブレイク用溝57を形成する。なお、このV字型のブレイク用溝57を形成する工程は、必須ではないが、V字型のブレイク用溝57を形成することで、絶縁体31に加えて積層体のセラミックグリーンシート上にもブレイク用の溝が形成されることになるため、さらにブレイクしやすくなる。なお、ブレイク用溝57は、V字型に限らず、矩形状等、他の形状であってもよい。また、図3Aの貫通孔形成、図3Bの導電性ペーストの充填、および図3Cの貫通孔形成は、セラミックグリーンシートを積層した後にまとめて行ってもよい。そして、図3Eに示すように、マザー積層体が焼成される。これにより、焼成されたブレイク前のマザー積層体が得られる。なお、焼成後のマザー積層体の電極表面には、めっきが施される。めっき処理は、マザー積層体をめっき液に浸漬させ、揺動させることによって行われる。そして、図3Fに示すように、ICやコンデンサ等の電子部品が搭載された後、図3Gに示すように、樹脂絶縁体31が塗布される。さらに、図3Hに示すように、絶縁体31は、ダイシング加工によって、各スルーホールの中心を結ぶ線上述のV字型のブレイク用溝57と同じ線に沿って、ブレイク用溝51が形成される。また、図3Iに示すように、スルーホール内に充填された絶縁体31は、レーザによりカットされることにより、切り込み52が形成される。なお、切り込み52を下面側から形成する場合、ブレイク用溝51よりも先に切り込み52を形成するようにしてもよい。このようにして製造された電子部品モジュールは、出荷先等でチップ毎にブレイクされ、スルーホールの側壁の一部に端面電極41が露出する。ここで、この端面電極41は、切り込み52が設けられていることにより、ブレイク後も、全てのチップに均一に絶縁体31で被覆された状態となる。なお、本実施形態においては、矩形状の端面電極41やスルーホールを例示したが、半円状等、他の形状であってもよい。