互いに離間して配置された複数の第1基板と、隣り合う前記第1基板同士を連結する第1の梁と、を有する第1ウェーハを形成する工程と、互いに離間して配置され、前記第1基板に積層される複数の圧電振動基板と、隣り合う前記圧電振動基板同士を連結し、前記第1の梁に積層される第2の梁と、を有する圧電振動ウェーハを形成する工程と、前記第1ウェーハに前記圧電振動ウェーハを積層することにより、前記第1基板と前記圧電振動基板とが積層されて構成される複数の圧電デバイスを形成する工程と、前記第1の梁及び前記第2の梁を切断することにより、前記圧電デバイスを個片化する工程と、を有することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、前記圧電振動基板に積層され外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する複数の第2基板が互いに離間して配列され、隣り合う前記第2基板同士が第3の梁で連結された第2ウェーハを形成する工程と、前記圧電振動ウェーハに前記第2ウェーハを積層する工程と、を有することを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。前記第1の梁、前記第2の梁、前記第3の梁は、積層方向に沿って互いに重なる位置に配置され、前記第2の梁は、前記第1の梁と、前記第3の梁との間に挟まれ、前記第1の梁及び前記第3の梁に接合されていることを特徴とする請求項2に記載の圧電デバイスの製造方法。第1基板と、圧電振動基板と、を備える複数の圧電デバイスを配置したウェーハの積層構造であって、複数の前記第1基板が互いに離間して配置され、隣り合う前記第1基板同士が第1の梁で連結された第1ウェーハと、複数の前記圧電振動基板が互いに離間して配置され、隣り合う前記圧電振動基板同士が第2の梁で連結された圧電振動ウェーハと、を有し、前記圧電振動ウェーハが前記第1ウェーハに積層されることにより複数の前記圧電デバイスが構成され、前記圧電デバイスは、複数の前記圧電デバイス同士が互いに離間した状態で配置され、隣り合う前記圧電デバイス同士が前記第1の梁及び前記第2の梁で連結されていることを特徴とするウェーハの積層構造。前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、前記圧電振動ウェーハには、前記圧電振動基板に積層され、外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する第2基板が互いに離間して配列され、隣り合う前記第2基板同士が第3の梁で連結して構成された第2ウェーハが積層されていることを特徴とする請求項4に記載のウェーハの積層構造。前記第1の梁、前記第2の梁、前記第3の梁は、積層方向に沿って互いに重なる位置に配置され、前記第2の梁は、前記第1の梁と前記第3の梁との間に挟まれ、前記第1の梁及び前記第3の梁に接合されていることを特徴とする請求項5に記載のウェーハの積層構造。第1基板と、前記第1基板に積層された圧電振動基板と、を有する圧電デバイスであって、前記第1基板の側面には第1の凸部が配置され、前記圧電振動基板の側面の前記第1の凸部に対向する位置には第2の凸部が配置され、前記第2の凸部は前記第1の凸部に積層されていることを特徴とする圧電デバイス。前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する第2基板が積層されていることを特徴とする請求項7に記載の圧電デバイス。請求項7または8に記載の圧電デバイスを実装基板に実装してなる圧電モジュールであって、前記圧電デバイスは、前記第1基板の外側の中央部が接合部材により支持されていることを特徴とする圧電モジュール。前記圧電デバイスに電気的に接続する回路を搭載したことを特徴とする請求項9に記載の圧電モジュール。しかしながら、上述のように3層の母基板ウェーハをダイシングして圧電デバイスを個片化するとき、ダイシングによる振動が各層の切り代に隣接する層間の接合部に伝達して、接合部の剥離が発生する虞があるという問題があった。また、その剥離に伴って圧電デバイスの切断位置においてチッピングによる損傷が発生する虞があるという問題があった。さらに、ダイシングの振動により感圧素子自体に破損が生じてしまうという虞があるという問題があった。一方、上述の基板間の剥離の問題を回避するため、圧電デバイスを構成する各基板をダイシングにより個片化したのち、各基板の積層を行なうことも可能である。しかし各基板を個片化したのち積層する場合は、各基板間のアライメントが困難となり、圧電デバイスの製造の歩留が低下するという問題があった。そこで、本発明は、上記問題点に着目し、積層されたウェーハから圧電デバイスを個片化するときに生じる不具合を解消し、高い生産性と良品率、基板間の接合面の信頼性を高めたウェーハの積層構造、圧電デバイス、圧電モジュール、圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。[適用例1]互いに離間して配置された複数の第1基板と、隣り合う前記第1基板同士を連結する第1の梁と、を有する第1ウェーハを形成する工程と、互いに離間して配置され、前記第1基板に積層される複数の圧電振動基板と、隣り合う前記圧電振動基板同士を連結し、前記第1の梁に積層される第2の梁と、を有する圧電振動ウェーハを形成する工程と、前記第1ウェーハに前記圧電振動ウェーハを積層することにより、前記第1基板と前記圧電振動基板とが積層されて構成される複数の圧電デバイスを形成する工程と、前記第1の梁及び前記第2の梁を切断することにより、前記圧電デバイスを個片化する工程と、を有することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。上記方法において、第1の梁、第2の梁は、アレイ状に配置された圧電デバイスの間に配置されている。よって、ダイシングに用いるダイシングブレードを、圧電デバイスの隙間に沿って走らせ、第1の梁、第2の梁を切断することにより圧電デバイスを個片化することができる。このとき、第1の梁、第2の梁は、それぞれ第1基板、圧電振動基板の幅より十分細くなるように設計することができる。よって、ダイシングブレードの第1ウェーハ、圧電振動ウェーハとの切断時の接触断面積を小さくすることができる。したがって、ダイシングにより発生する振動を抑制して層間の剥離や振動部の破損を防止して、歩留の高い圧電デバイスを量産することができる。また、第1基板、圧電振動基板をダイシングすることはないので、ダイシング時の各基板のチッピングを回避することができる。[適用例2]前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、前記圧電振動基板に積層され外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する複数の第2基板が互いに離間して配列され、隣り合う前記第2基板同士が第3の梁で連結された第2ウェーハを形成する工程と、前記圧電振動ウェーハに前記第2ウェーハを積層する工程と、を有することを特徴とする適用例1に記載の圧電デバイスの製造方法。上記方法により、圧力等の物理量を測定可能な圧電デバイスを製造することができる。[適用例3]前記第1の梁、前記第2の梁、前記第3の梁は、積層方向に沿って互いに重なる位置に配置され、前記第2の梁は、前記第1の梁と、前記第3の梁との間に挟まれ、前記第1の梁及び前記第3の梁に接合されていることを特徴とする適用例2に記載の圧電デバイスの製造方法。上記構成により、基板間の接着層を形成する接着剤が圧電デバイスの側面に流出することを防止し、この流出した接着剤による圧電デバイス全体応力分布のバラつきに起因する振動部の特性のバラつきを抑制し、圧電デバイスの特性のバラつきを抑制することができる。[適用例4]第1基板と、圧電振動基板と、を備える複数の圧電デバイスを配置したウェーハの積層構造であって、複数の前記第1基板が互いに離間して配置され、隣り合う前記第1基板同士が第1の梁で連結された第1ウェーハと、複数の前記圧電振動基板が互いに離間して配置され、隣り合う前記圧電振動基板同士が第2の梁で連結された圧電振動ウェーハと、を有し、前記圧電振動ウェーハが前記第1ウェーハに積層されることにより複数の前記圧電デバイスが構成され、前記圧電デバイスは、複数の前記圧電デバイス同士が互いに離間した状態で配置され、隣り合う前記圧電デバイス同士が前記第1の梁及び前記第2の梁で連結されていることを特徴とするウェーハの積層構造。適用例1と同様の理由により、ダイシングにより発生する振動を抑制して層間の剥離や振動部の破損を防止して、歩留の高い圧電デバイスを量産することが可能なウェーハの積層構造となる。また、第1基板、圧電振動基板をダイシングすることはないので、ダイシング時の各基板のチッピングを回避することが可能なウェーハの積層構造となる。[適用例5]前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、前記圧電振動ウェーハには、前記圧電振動基板に積層され、外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する第2基板が互いに離間して配列され、隣り合う前記第2基板同士が第3の梁で連結して構成された第2ウェーハが積層されていることを特徴とする適用例4に記載のウェーハの積層構造。上記構成により、圧力等の物理量を測定可能な圧電デバイスを製造可能なウェーハの積層構造となる。[適用例6]前記第1の梁、前記第2の梁、前記第3の梁は、積層方向に沿って互いに重なる位置に配置され、前記第2の梁は、前記第1の梁と前記第3の梁との間に挟まれ、前記第1の梁及び前記第3の梁に接合されていることを特徴とする適用例5に記載のウェーハの積層構造。適用例3と同様の理由により、圧電デバイスの特性のバラつきを抑制することが可能なウェーハの積層構造となる。[適用例7]第1基板と、前記第1基板に積層された圧電振動基板と、を有する圧電デバイスであって、前記第1基板の側面には第1の凸部が配置され、前記圧電振動基板の側面の前記第1の凸部に対向する位置には第2の凸部が配置され、前記第2の凸部は前記第1の凸部に積層されていることを特徴とする圧電デバイス。上記構成により、第1の凸部、第2の凸部が互いに重なるように配置されているので、各凸部を積層の際のアライメントの目印に用いることができ、積層を容易に行うことが可能な圧電デバイスとなる。[適用例8]前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する第2基板が積層されていることを特徴とする適用例7に記載の圧電デバイス。上記構成により、圧力等の物理量を測定可能な圧電デバイスとなる。[適用例9]適用例7または8に記載の圧電デバイスを実装基板に実装してなる圧電モジュールであって、前記圧電デバイスは、前記第1基板の外側の中央部が接合部材により支持されていることを特徴とする圧電モジュール。上記構成において、接合部材と第1基板との間で熱歪み等の応力が発生するが、この応力は圧電デバイスを構成する部材を伝播するに従って緩和される。そして、圧電デバイスを第1基板の中央部に一点支持状態で実装基板した場合は、第1基板の接合部材が配置された位置から振動部への経路が最も長くなる。よって効率的に応力を緩和させ振動部への悪影響を低減させることが可能な圧電モジュールとなる。[適用例10]前記圧電デバイスに電気的に接続する回路を搭載したことを特徴とする適用例9に記載の圧電モジュール。上記構成により、自ら発振する発振器としての機能、または自ら圧力等の物理量を測定する物理量センサーとしての機能を有する圧電モジュールを構築することができる。以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。第1実施形態においては、先ず、圧電デバイスの構成について説明し、次いで圧電デバイスを複数製造するウェーハの積層構造について説明する。図2に、第1実施形態の圧電デバイスの拡大斜視図を示す。また、図3に、図2の分解斜視図を示し、図5に、図2のA-A線断面図を示す。第1実施形態の圧電デバイス10は、第1基板14と、感圧部振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38を有する圧電振動基板26と、ダイアフラム56を有しダイアフラム56に印加された圧力に伴う力を振動部34A、振動部34Bに伝達する第2基板48と、の順に積層された構造を有し、積層された後に壁面の一部がダイアフラム56となり内部空間13図5を有するパッケージ12が形成されたものである。また、内部空間13には、ダイアフラム56に接続した振動部34A、振動部34Bが配置されている。そして、ダイアフラム56が外部の圧力により撓み変形し、この撓み変形に伴う力を振動部34A、振動部34Bが受けることにより、振動部34A、振動部34Bの共振周波数が変化する。よって、振動部34A、振動部34Bの共振周波数の変化をモニターすることにより外部の圧力を測定可能な構成となっている。また第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48は、それぞれ短辺と長辺を有する矩形の水晶基板により形成されている。図3、図5に示すように、第1基板14は、圧電デバイス10の最下層を構成するものである。第1基板14の圧電振動基板26に対向する面には凹部16図3、図5が配置されている。凹部16は圧電振動基板26を構成する後述の振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38、支持部40A、40Bに対向する位置に配置され、これらの構成要素と第1基板14との干渉を防止している。また第1基板14において、この凹部16の周囲を囲むように外周部18図3、図5が配置される。外周部18は、第1基板14の一方の短辺側に偏って配置される。また、外周部18には圧電振動基板26を構成する後述の枠部28が積層される。一方、第1基板14の短辺の他方は基台部22図3、図5となり、後述の接続部32が積層される。また第1基板14の側面には第1の凸部24が複数形成されている。第1の凸部24は、第1基板14の長辺を形成する2つの側面に1つずつ、一方の短辺を形成する側面に1つずつ配置されている。そして、長辺に配置された第1の凸部24は、後述の第1の梁68Aをダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第1の凸部24は、後述の第1の梁68Bをダイシングで切断することにより形成される。圧電振動基板26は、水晶の結晶軸である、電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系のX軸を回転軸として、Z軸をY軸の方向へ約2度回転させた軸をZ′軸とし、このZ′軸を法線とした主面を有する水晶基板を用いている。そして圧電振動基板26には、矩形の枠形状を有する枠部28図3、図5が配置される。枠部28は、圧電振動基板26の一方の短辺に偏って配置され、外周部18上に積層される。一方、圧電振動基板26の他方の短辺には接続部32が配置される。枠部28と接続部32は圧電振動基板26の長辺方向に横並びに配置される。そして枠部28内には、感圧部振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38、支持部40A、40B図3、図5が配置される。振動部34A、振動部34Bは、それぞれ圧電振動基板26の長辺方向に長手方向を有する柱状ビームにより形成され、互いに平行となるように配置され、この振動部34A、振動部34Bにより双音叉型の振動片が形成される。即ち、圧電振動基板26の前記長辺に沿って、前記柱状ビームは伸びており、これを長手方向としている。そして振動部34A、34Bの長手方向の両端のうちの一方には第1基部36が接続され、他方には第2基部38が接続される。また枠部28の長辺方向の内側側面の第1基部36に対向する位置からは、支持部40Aが第1基部36を圧電振動基板26の短辺方向から挟むように延出し、第1基部36に接続される。同様に枠部28の長辺方向の内側側面の第2基部38に対向する位置からは、支持部40Bが第2基部38を圧電振動基板26の短辺方向から挟むように延出し、第2基部38に接続される。よって振動部34A、振動部34Bは、第1基部36、第2基部38、支持部40A、支持部40Bを介して枠部28に支持される。第1基部36及び第2基部38は、振動部34A、振動部34Bを支持するものであるが、後述の力伝達部54A、54Bからの力を受けて、圧電振動基板26の長辺方向に相対位置を互いに変化させるものである。よってこの相対位置の変化により振動部34A、振動部34Bに応力を印加することができる。支持部40A、支持部40Bは圧電振動基板26の短辺方向に長手方向を有し、圧電振動基板26の長辺方向に屈曲する部材である。よって、支持部40A、40Bは、それぞれ第1基部36、第2基部38を支持するものの、第1基部36、第2基部38の変位に干渉しないようになっている。一方、振動部34A、振動部34Bには、互いに絶縁した励振電極96、励振電極98がそれぞれ配置される。そして接続部32には、パッド電極42A、42Bが配置される。パッド電極42A、42Bは接続部32において互いに絶縁するように配置される。そして振動部34A、振動部34Bに配置された励振電極96からは、引出電極44Aが引き出され、第1基部36、支持部40A、枠部28、接続部32を経路してパッド電極42Aに接続される。また振動部34A、振動部34Bに配置された励振電極98からは引出電極44Bが引き出され、第1基部36、支持部40A、枠部28、接続部32を介してパッド電極42Bに接続される。図4に、圧電デバイスを構成する励振電極の詳細図を示し、図4aは上面図図2の部分拡大図、図4bは下面図を示す。なお説明のため、図4aからみて表面となる方を上面と称し、図4bからみて表面となる方を下面と称することにする。図4に示すように、励振電極96は、電極96a乃至電極96pにより構成され、励振電極98は、電極98a乃至電極98pにより構成されている。図4aに示すように、電極96aは、振動部34Aの第1基部36側の外側の側面に配置されるとともに引出電極44Aに接続されている。また電極96aは、振動部34Aの中央部の上面に配置された電極96b、及び振動部34Aの第1基部36側の内側の側面に配置された電極96cに接続されている。電極96cは、第1基部36の上面に配置された電極96dに接続され、電極96dは、振動部34Bの第1基部36側の上面に配置された電極96eに接続されている。図4bに示すように、電極96aは、第1基部36の下面に配置された電極96fに接続され、電極96fは、振動部34Bの第1基部36側の下面に配置された電極96gに接続されている。そして電極96gは、振動部34Bの中央部の外側の側面に配置された電極96h、及び振動部34Bの中央部の内側側面に配置された電極96iに接続されている。図4aに示すように、電極96h及び電極96iは、振動部34Bの第2基部38側の上面に配置された電極96jに接続され、電極96jは、第2基部38の上面に配置された電極96kに接続されている。電極96kは、振動部34Aの第2基部38側の外側の側面に配置された電極96lに接続されている。図4bに示すように、電極96lは、振動部34Aの中央部の下面に配置された電極96m、及び振動部34Aの第2基部38側の内側の側面に配置された電極96nに接続されている。電極96nは、第2基部38の下面に配置された電極96oに接続され、電極96oは、振動部34Bの第2基部38側の下面に配置された電極96pに接続されている。したがって、電極96aから電極96pに至るまで電気的に接続され励振電極96が形成される。図4a、図4bに示すように、電極98aは、振動部34Bの第1基部36側の外側の側面に配置されるとともに、引出電極44Bに接続されている。また、図4aに示すように、電極98aは、振動部34Bの中央部の上面に配置された電極98d、及び振動部34Bの第1基部36側の内側の側面に配置された電極98eに接続されている。図4aに示すように、電極98bは、第1基部36の上面に配置されるとともに引出電極44Bに接続されている。また電極98bは、振動部34Aの第1基部36側の上面に配置された電極98cに接続されている。図4bに示すように、電極98eは、第1基部36の下面に配置された電極98fに接続され、電極98fは、振動部34Aの第1基部36側の下面に配置された電極98gに接続されている。電極98gは、振動部34Aの中央部の外側の側面に配置された電極98h、及び振動部34Aの中央部の内側の側面に配置された電極98iに接続されている。図4aに示すように、電極98h及び電極98iは、振動部34Aの第2基部38側の上面に配置された電極98jに接続され、電極98jは、第2基部38の上面に配置された電極98kに接続されている。電極98kは、振動部34Bの第2基部38側の内側の側面に配置された電極98lに接続されている。図4bに示すように、電極98lは、振動部34Bの中央部の下面に配置された電極98m、及び振動部34Bの第2基部38側の外側の側面に配置された電極98nに接続されている。電極98nは、第2基部38の上面に配置された電極98oに接続され、電極98oは、振動部34Aの第2基部38側の下面に配置された電極98pに接続されている。したがって、電極96aから電極96pに至るまで電気的に接続され励振電極96が形成される。よって、振動部34Aの第1基部36側では、側面方向において電極96aと電極96cとが対向し、上面下面方向では電極98cと電極98gとが対向する。振動部34Aの中央部では、側面方向において電極98hと電極98iとが対向し、上面下面方向では電極96bと電極96mとが対向する。振動部34Aの第2基部38側では、側面方向において電極96lと電極96nとが対向し、上面下面方向では電極98jと電極98pとが対向する。また振動部34Bの第1基部36側では、側面方向において、電極98aと電極98eとが対向し、上面下面方向では電極96eと電極96gとが対向する。振動部34Bの中央部では、側面方向において電極96hと電極96iとが対向し、上面下面方向では電極98dと電極98mとが対向する。振動部34Bの第2基部38側では、側面方向において、電極98lと電極98nとが対向し、上面下面方向では電極96jと電極96pとが対向する。よって、励振電極96は、振動部34Aの第1基部36側及び第2基部38側では側面方向に対向し、振動部34Aの中央部では上面下面方向に対向する。また励振電極96は、振動部34Bの第1基部36側及び第2基部側では上面下面方向に対向し、振動部34Bの中央部では側面方向に対向する。一方、励振電極98は、振動部34Aの第1基部36側及び第2基部38側では上面下面方向に対向し、振動部34Aの中央部では側面方向に対向する。また励振電極98は、振動部34Bの第1基部36側及び第2基部38側では側面方向に対向し、振動部34Bの中央部では上面下面方向に対向する。励振電極96は、パッド電極42Aに引出電極44Aを介して電気的に接続され、励振電極98は、パッド電極42Bに引出電極44Bを介して電気的に接続される。したがって、励振電極96、励振電極98を上述のように振動部34A、振動部34Bに配置した状態で、パッド電極42A、42Bに交流電圧を印加することにより振動部34A、振動部34Bは、所定の共振周波数で振動する。なお、励振電極96、励振電極98の振動部34A、振動部34Bへの配置パターンは上述の方法に限らず様々なパターンを用いることができる。ここで、第1基部36、第2基部38が圧電振動基板26の長辺方向に互いに離れる方向に変位する力を受けた場合は、振動部34A、振動部34Bは引張応力を受けるので共振周波数は高くなり、逆に互いに近づく方向に変位する力を受けた場合は、振動部34A、振動部34Bは圧縮応力を受けるので共振周波数は低くなる。また圧電振動基板26の側面には第2の凸部46が複数形成されている。第2の凸部46は、圧電振動基板26の長辺枠部28の長辺を形成する2つの側面に1つずつ、短辺を形成する2つの側面に1つずつ配置されている。なお、長辺に配置された第2の凸部46は、後述の第2の梁72Aをダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第2の凸部46は後述の第2の梁72Bをダイシングで切断することにより形成される。そして第2の凸部46は第1の凸部24に積層される。図3、図5に示すように、第2基板48は、振動部34A、振動部34Bに力を伝達するダイアフラム56を有する基板である。第2基板48は、圧電振動基板26に対向する面に凹部50図3、図5を有する。この凹部50は振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38、支持部40A、40Bに対向する位置に形成されている。この凹部50により凹部50の周囲には、第2基板48の周縁に沿って外形が形成された外周部52図5が配置され、外周部52は、圧電振動基板26の枠部28に積層される。よって圧電振動基板26を構成する接続部32は、第2基板48の積層後も外部に露出することになる。一方、凹部50の第1基部36に対向する位置には凸状の力伝達部54A図3、図5が配置され、第2基部38に対向する位置には凸状の力伝達部54B図3、図5が配置される。そして、積層後に力伝達部54Aは第1基部36と接合し、力伝達部54Bは第2基部38に接合する。さらに凹部50の底面は、外力により撓み変形するダイアフラム56となっている。ダイアフラム56は外部からの力圧力を力伝達部54A、54Bを介して感圧部第1基部36、第2基部38、振動部34A、振動部34Bに伝達する。また、第2基板48の側面には第3の凸部58が配置されている。第3の凸部58は、第2基板48の2つの長辺に1つずつ、第2基板48の短辺のうち接続部32に対向する短辺に対向する短辺に1つ配置されている。この長辺に配置された第3の凸部58は、後述の第3の梁76Aをダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第3の凸部58は、後述の第3の梁76Bをダイシングで切断することにより形成される。そして第3の凸部58は第2の凸部46に積層される。さらに、第2基板48の接続部32に対向する短辺には剥離痕60図2、図3、図5が形成されている。この剥離痕60は、後述のように、第3の梁76Bをこの剥離痕60が形成される位置に形成して、積層時に第3の梁76Bを剥離した際に生じるものである。なお第3の梁76B剥離痕60は、接続部32に対向する辺短辺において、積層方向から見てパッド電極42A、42Bの間となる位置に配置される。図3、図5に示すように、圧電デバイス10は、第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48の順に積層して形成される。しかし、図5に示すように、各基板間には接着剤による接着層62が形成される。このとき、第1基板14の外周部18と圧電振動基板26の枠部28とが接合し、基台部22と接続部32とが接合する。また圧電振動基板26の枠部28は第2基板48の外周部52と接合し、第1基部36は力伝達部54Aに接合し、第2基部38は力伝達部54Bに接合する。そして第2の凸部46は、第1の凸部24及び第3の凸部58に挟まれる形で、第1の凸部24、第3の凸部58に接合する。このような積層構造の場合、これら構成要素の接合面が積層後に露出しないように設計することが好適である。これにより、層間の接着層62を形成する接着剤が圧電デバイス10の側面に流出することを防止し、この流出した接着剤による圧電デバイス10全体応力分布のバラつきに起因する振動部34A、振動部34Bの特性のバラつきを抑制し、圧電デバイス10の特性のバラつきを抑制することができる。そして、上述のように各基板を積層することにより、内部空間13を有するパッケージ12が形成され、上面にはダイアフラム56が配置され、圧電振動基板26が露出した位置には接続部32パッド電極42A、パッド電極42Bが配置された圧電デバイス10となる。よって、例えば内部空間13を真空とすることにより、真空を基準とした圧力を測定可能な圧電デバイス10となる。上記構成において、ダイアフラム56に圧力が印加されると、ダイアフラム56は内部空間13側に撓み変形する。これにより力伝達部54A、54Bは互いに離間する方向に変位し、力伝達部54Aに接続された第1基部36、力伝達部54Bに接続された第2基部38に互いに離間する方向に力を受ける。よって、振動部34A、振動部34Bには引張応力が印加され振動部34A、振動部34Bの共振周波数が高くなる。したがって、振動部34A、振動部34Bの共振周波数の変化量をモニターすることによりダイアフラム56に印加された圧力を検知可能な圧電デバイス10となる。なお、本実施形態では、振動部を2つの柱状ビーム振動部34A、振動部34Bにより構成しているが、これを1つの柱状ビームシングルビームにより構成することもできる。これにより、柱状ビームに対して第1基部36、第2基部38から印加される力が大きくなるので、共振周波数の変化量が大きくなり、圧電デバイス10の感度を向上させることができる。また振動部を2つ以上の柱状ビームにより構成することが可能である。この場合、各柱状ビームの振動に対称性を持たせることにより、振動漏れを抑制してQ値の高い圧電デバイス10とすることができる。本実施形態のように柱状ビームが2つの場合は、柱状ビームの長手方向の中央が互いに離れ、互いに近づくような振動とすることにより一対の振動ビームは対称性を有する振動となり、外部への振動漏れを抑制することができる。図1に、第1実施形態のウェーハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第1実施形態の圧電デバイス図中右下の斜視図を示す。本実施形態のウェーハの積層構造64は、第1基板14をアレイ状に配置した第1ウェーハ66と、圧電振動基板26をアレイ状に配置し第1ウェーハ66に積層された圧電振動ウェーハ70と、第2基板48をアレイ状に配置し圧電振動ウェーハ70に積層された第2ウェーハ74と、を有している。そして、図1に示すようにこのウェーハの積層構造64に対して二点鎖線で囲まれた範囲をダイシング領域Dとするダイシングブレード94図7参照によりダイシングを行なうことにより、複数の圧電デバイス10を個片化することができる。第1ウェーハ66は、第1基板14と同一の厚みとなる水晶基板により形成され、第1基板14をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する第1基板14を第1の梁68A、68Bで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接する第1基板14同士において、第1基板14の長辺同士が対向する位置では第1の梁68Aで連結され、第1基板14の短辺同士が対向する位置では第1の梁68Bで連結される。圧電振動ウェーハ70は、上述のZ′軸を法線に持つ主面を有し、圧電振動基板26と同一の厚みとなる水晶基板により形成されている。そして、圧電振動基板26をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する圧電振動基板26を第2の梁72A、72Bで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接する圧電振動基板26において、圧電振動基板26の長辺同士が対向する位置では第2の梁72Aで連結され、圧電振動基板26の短辺同士が対向する位置では第2の梁72Bで連結される。第2ウェーハ74は、第2基板48と同一の厚みとなる水晶基板により形成され、第2基板48をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する第2基板48を第3の梁76A、76Bで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接する第2基板同士において、第2基板48の長辺同士が対向する位置では第3の梁76Aで連結され、第2基板48の短辺同士が対向する位置では第3の梁76Bで連結される。そして、第3の梁76Bは、積層後に接続部32に対向する位置及び、前記位置に連続しダイシングにより消失する部分の一部となる位置は、圧電振動基板26に対向する面側から掘り込まれて第2基板48より薄肉に形成されている図1左上拡大図、図7参照。よって第2ウェーハ74を圧電振動ウェーハ70に積層すると、第3の梁76Bと接続部32との間には隙間78図7aが形成される。これにより、第3の梁76Bが接続部32に積層されることはない。よってパッド電極42A、42Bの接続部32における配置の自由度を高めることができる。また第3の梁76Bの第2基板48との接続位置には厚み方向に切り込み80が形成される図7参照。よって、後述のように第1ウェーハ66、圧電振動ウェーハ70、第2ウェーハ74を積層後、第1の梁68B、第2の梁72B、第3の梁76Bをダイシングしたとき、第3の梁76Bは、切り込み80において折り取ることが可能であるとともに、ダイシングの振動により第3の梁76Bを第2基板48から分離させることができる。図6に、図2のB-B線断面図を示し、図6aは第1基板、圧電素子基板、第2基板の断面図、図6bは図6aにおける圧電素子基板の拡大図を示す。本実施形態において、第1ウェーハ66、第2ウェーハ74は、サンドブラストにより外形を形成し、圧電振動ウェーハ70はエッチングにより外形を形成することが好適である。第1基板14及び第1の梁68A、68Bは、第1基板14の母基板となる第1ウェーハ66図1参照の両面から研削して外形を形成する。第2基板48及び第3の梁76A、76Bは、第2基板48の母基板となる第2ウェーハ74図1参照の片面から研削して外形を形成する。また積層後に接続部32に対向する第3の梁76Bは、圧電振動基板26に対向する面側からサンドブラストにより薄肉に形成する。サンドブラストは、シリカ等の研削用粒子をエアとともに対象となる基板に吹き付けて機械的に基板を研削するものであるが、深さ方向を研削すると同時に横方向にも研削が進行する。例えば、サンドブラストにより基板に穴を形成すると、穴の底部から開口部に向かうにつれて内径が大きくなるテーパー状の穴が形成される。このため、基板の外形をサンドブラストにより形成すると、基板の側面は上述のテーパー状の穴を一方向に移動させて得られる軌跡として形成され、側面の法線は基板の法線と直交せず傾斜することになる。よって、図6aに示すように、第1ウェーハ66の両面からサンドブラストを行って第1基板14の外形を形成する場合は、第1基板14の側面は、厚み方向の中央部の側面が尖った形となる。また第1の梁68A、68Bも、第1基板14の厚み方向の中央部で側面が尖った形となる。また、図6aに示すように、第2ウェーハ74の圧電振動基板26に対向する面側からサンドブラストを行なって第2基板48の外形を形成する場合は、第2基板48の側面の法線が圧電振動基板26に対向する面側に傾斜することになる。また第3の梁76A、76Bも、その側面の法線が圧電振動基板26に対向する面側に傾斜することになる。なお、第1基板14の凹部16は、上述のサンドブラストにより形成してもよく、またエッチングにより形成してよい。また第2基板48の凹部50ダイアフラム56は、サンドブラストにより形成し、サンドブラストにより生じた凹部50ダイアフラム56への残留応力及び表面粗さを除去するため、短時間エッチングして凹部50ダイアフラム56の表面を平坦化するとともに残留応力を除去する。圧電振動基板26及び第2の梁72A、72Bは、その母基板となる圧電振動ウェーハ70水晶基板に対して、フッ酸等のエッチング液を用いて、その外形に合わせたエッチングを行なうことにより形成される。一方、水晶は結晶方位に起因したエッチング速度の異方性を有するため、エッチングの進行方向によりエッチングの進行速度が異なる。本実施形態の圧電振動基板26は、上述のようにZ′軸に平行な方向を主面の法線とするとともに、図6bの断面図から分かるように、Y′軸に平行な方向を長辺とし、X軸に平行な方向を短辺としている。よって圧電振動基板26においては、図6bに示すように、-X軸を向く側面及びX軸に向く側面において、平坦とはならずに複数の側面が形成される。即ち、-X軸を向く圧電振動基板26の側面では、圧電振動基板26の厚み方向の中央部を境界として第1基板14側に配置された第1側面82と第2基板48側に配置された第2側面84と、の2つの側面が形成される。第1側面82の法線は、第1基板14側に傾斜し、第2側面84の法線は、第2基板48側に傾斜している。またX軸を向く圧電振動基板26の側面では、圧電振動基板26の厚み方向の中央部を境界として第1基板14側に配置された第1側面86及び第2側面88、第2基板48側に配置された第3側面90及び第4側面92が形成される。第1側面86は、第2側面88よりも第1基板14側に配置された側面であり、その法線が第1基板14側に傾斜している。第2側面88は中央部を境界とする側面であり、その法線が第1側面86の法線よりもさらに第1基板14側に傾斜している。第3側面90は、第4側面92よりも第2基板48側に配置された側面であり、その法線が第2基板48側に傾斜している。第4側面92は中央部を境界とする側面であり、その法線が第3側面90の法線よりもさらに第2基板48側に傾斜している。よって圧電振動基板26のX軸側の側面の厚み方向の中央部には、第2側面88及び第4側面92により幅方向が突出しY′軸方向に延びる稜線が形成されることになる。したがって、本実施形態では枠部28、振動腕34、第1基部36、第2基部38、第2の凸部46第2の梁72BのX軸側の側面に上述の稜線が形成される図2、図3、図6a参照。本実施形態の圧電デバイス10を製造する基本的な工程としては、まず、互いに離間して配置された複数の第1基板14と、隣り合う第1基板14同士を連結する第1の梁68A、68Bと、を有する上述の第1ウェーハ66を形成する工程を有する。また、互いに離間して配置され、第1基板14に積層される複数の圧電振動基板26と、隣り合う圧電振動基板26同士を連結し、第1の梁68A、68Bに積層される第2の梁72A、72Bと、を有する上述の圧電振動ウェーハ70を形成する工程を有する。さらに、圧電振動基板26に積層され外部からの力を振動部34A、振動部34Bに伝達するダイアフラム56を有する複数の第2基板48が互いに離間して配列され、隣り合う第2基板48同士が第3の梁76A、76Bで連結された上述の第2ウェーハ74を形成する工程を有する。そして、第1ウェーハ66に圧電振動ウェーハ70を積層し、圧電振動ウェーハ70に第2ウェーハ74を積層することにより、第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48の順に積層されて構成される複数の圧電デバイス10を形成する工程を経る。最後に、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bを切断することにより、前記圧電デバイス10を個片化する工程を経ることにより、圧電デバイス10を複数製造することができる。図7に、第1実施形態のウェーハの積層構造においてダイシングを行なう場合の模式図を示し、図7aはダイシング前、図7bはダイシング後を示す。図1に示すように、ウェーハの積層構造64においては、積層後に二点鎖線で囲まれた範囲をダイシング領域Dとするダイシングブレード94によりダイシングを行なって、複数の圧電デバイス10を個片化することができる。よって図1、図7aに示すように、ダイシング領域Dに沿ってダイシングフルカットを行なうと、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bをダイシングすることになる。そして、図7aに示すように、第3の梁76B第1の梁68B、第2の梁72Bをダイシングする場合は、第3の梁76Bの第2の梁72Bに接合する領域と、第3の梁76Bが薄肉に形成された部分とをダイシングすることになる。よって、ダイシング後の第3の梁76Bは第2の梁72Bから分離する。さらに第3の梁76Bの第2基板48に接続する部分には、ハーフダイシング等により切り込み80が形成されているので、図7bに示すように、上述のフルカット時の振動で第3の梁76Bは第2基板48から剥離し、第2基板48には剥離痕60が形成される。またフルカット時の振動で第3の梁76Bが剥離しなくても、切り込み80において第3の梁76Bを折り取ることができる。上述のように本実施形態において、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bは、アレイ状に配置された圧電デバイス10の間に配置されている。よって、ダイシングに用いるダイシングブレード94を、圧電デバイス10の間に沿って走らせ、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bを切断することにより圧電デバイス10を個片化することができる。このとき、第1の梁68Aの一部は、第1の凸部24として第1基板14の長辺に配置され、第1の梁68Bの一部は、第1の凸部24として第1基板14の短辺に配置される。また、第2の梁72Aの一部は、第2の凸部46として圧電振動基板26の長辺に配置され、第2の梁72Bの一部は、第2の凸部46として圧電振動基板26の短辺に配置される。さらに第3の梁76Bの一部は、第3の凸部58として第2基板48の長辺に配置される。そして、第3の梁76Bは、上述のダイシングにより、第2基板48の短辺に第3の凸部58として配置される部分と、第2基板48から分離するとともに第2基板48の接続部32に対向する側面に剥離痕60を形成する部分と、に分離する。上記構成において、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bは、それぞれ第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48の幅より十分細くなるように設計することができる。よって、ダイシングブレード94の第1ウェーハ66、圧電振動ウェーハ70、第2ウェーハ74との切断時の接触断面積を小さくすることができる。したがって、ダイシングにより発生する振動を抑制して層間の剥離や振動部34A、振動部34Bの破損を防止して、歩留の高い圧電デバイス10を量産することができる。また、第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48をダイシングすることはないので、ダイシング時の各基板のチッピングを回避することができる。図8に、第2実施形態のウェーハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第2実施形態の圧電デバイス図中右下の斜視図を示す。また図9に、第2実施形態の圧電デバイスの拡大斜視図を示す。なお、以後の実施形態において、第1実施形態と共通する構成要素については同一の番号を付するものとし、必要な場合を除いてその説明を省略する。第2実施形態のウェーハの積層構造106及び圧電デバイス100は、基本的には第1実施形態と構成が共通するが、接続部32に対向する位置に配置された第3の梁102は、接続部32及び第2の凸部46に積層されるとともに、積層方向から見て接続部32を二分する位置に延出部104として配置されている。また、パッド電極42A、42Bは、接続部32において積層方向から見て延出部104第3の梁102を間に挟む位置に配置されている。上記構成において、第3の梁102は、第1の梁68B、第2の梁72Bとともにダイシングにより切断される。そして、ダイシング後においては、第3の梁102の一部が延出部104として、パッド電極42A、42B間に配置されることになる。一方、圧電デバイス100を実装基板に実装する際は、パッド電極にワイヤー126図11参照を接続するが、ワイヤー接続部を保護するためワイヤー126に導電性接着剤等を塗布する場合がある。このとき、接続部32に配置された延出部104はパッド電極42A、42B間導電性接着剤間の障壁として配置されることになる。したがって、接続部32に配置された延出部104によりパッド電極42A、42B間の短絡を防止することができる。図10に、本実施形態のウェーハの積層構造において、折り取り部を形成した場合の模式図を示し、図10aは、第1ウェーハ、圧電振動ウェーハ、第2ウェーハのそれぞれの折り取り部の平面図、図10bは第1ウェーハ、圧電振動ウェーハ、第2ウェーハを積層した場合の各折り取り部の側面図を示す。本実施形態は、第1実施形態を例に説明するが第2実施形態においても適用可能である。さらに本実施形態では、第1の梁68B、第2の梁72B、第3の梁76Bに適用した場合について説明する。第1実施形態においては、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bをダイシングすることにより圧電デバイス10を個片化することを前提として述べてきたが、本実施形態により、折り取りによっても個片化することが可能である。図10aに示すように、第1の梁68Bには、第1の折り取り部108が配置され、第2の梁72Bには、第2の折り取り部110が配置され、第3の梁76Bには、第3の折り取り部112が配置されている。第1の折り取り部108は、第1の梁68Bの中央部において、その幅方向及び厚み方向にサンドブラストを施すことにより形成することができる。第3の折り取り部112も、第3の梁76Bの中央部において、その幅方向及び厚み方向にサンドブラストを施すことにより形成することができる。一方、第2の折り取り部110はエッチングにより形成することが可能である。すなわち、第2の折り取り部110を形成するための第2の梁72Bの幅方向のエッチングは、圧電振動基板26の外形第2の梁72Bを含むをエッチングで形成する工程と同時に形成することができる。一方、振動部34A、振動部34Bの発振効率を高めるため、振動部34A、振動部34Bを構成する柱状ビームに柱状ビームの厚み方向から溝を形成するハーフエッチングを施して柱状ビームの重量を軽減することが行なわれる。この工程は圧電振動基板26の外形を形成したのち、振動部34A、振動部34Bの厚み方向の両面に行なう。したがって、第2の折り取り部110を形成するための第2の梁72Bの厚み方向のハーフエッチングは、この溝の形成と同時に行うことができ、第2の梁72Bの厚み方向の両面からハーフエッチングを行なうことができる。このようにして形成された、第1の折り取り部108、第2の折り取り部110、第3の折り取り部112は、図10bに示すように、積層方向から見て重なるように配置される。したがって各折り取り部に力を印加することにより、各折り取り部を破断させることができる。したがって、ダイシングによらず、第1の梁68B、第2の梁72B、第3の梁76Bを折り取ることができる。同様に、第1の梁68Aにも第1の折り取り部108を形成し、第2の梁72Aに第2の折り取り部110を形成し、第3の梁76Aに第3の折り取り部112を形成し、第1の梁68A、第2の梁72A、第3の梁76Aを破断することができる。これにより、圧電デバイス10を個片化することができる。よって、層間の剥離や振動部34A、振動部34Bの破損を効率的に防止して、歩留の高い圧電デバイス10を量産することができる。図11は、本実施形態の電子デバイスを実装基板に搭載する場合の模式図であり、図11aは斜視図、図11bは側面図である。本実施形態においても第1実施形態を例にとって説明する。図11aに示すように、圧電デバイス10を実装基板122上に搭載した圧電モジュール120を構成することができる。図11aに示すように、パッド電極42A、42Bと実装基板122上の接続電極124A、124Bをワイヤー126により接続することができる。図11bに示すように、第1基板14の下面の中央部にエポキシ系樹脂等の接合部材128を塗布し、この中央部において一点支持状態で実装基板122に接合することにより圧電デバイス10を実装基板122に実装している。さらに、好ましくは、圧電デバイス10第1基板14と実装基板122との間には接合部材128による隙間が形成されるが、この隙間にシリコン系樹脂等による緩衝材130を充填すると良い。上記構成において、接合部材128と第1基板14との間で熱歪み等の応力が発生するが、この応力は圧電デバイス10を伝播するに従って緩和される。そして、図11bに示すように、圧電デバイス10を第1基板14の下面の中央部に一点支持状態で実装基板122に実装することにより、第1基板14の接合部材128が配置された位置から振動部34A、振動部34Bへの経路が最も長くなる。よって効率的に応力を緩和させ振動部34A、振動部34Bへの悪影響を低減させることができる。したがって、熱歪み等の応力の伝達を緩和して振動部34A、振動部34Bへの悪影響を低減した圧電モジュール120となる。また圧電デバイス10と実装基板122との間の隙間にシリコン系樹脂等の緩衝材130を充填することにより、圧電モジュール120の耐衝撃性を高めることができる。図12に、本実施形態のウェーハの積層構造及び圧電デバイスにおいて、振動部としてATカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電デバイス図中右下の斜視図を示す。また図中左上に圧電振動基板の下面の斜視図を示す。上記実施形態において、振動部34A、振動部34Bは柱状ビームを用いたものであったが、図12に示すように、本実施形態の圧電デバイス140の振動部142としてATカット振動片を適用することができる。なお、その他の構成要素は、例えば第1実施形態と同様となっている。振動部142の圧電振動基板26の長辺方向の両端には、第1実施形態と同様に第1基部36と第2基部38が接続されている。そして振動部142の両面にはATカット振動片において厚みすべり振動を励振する励振電極144A、144Bが配置されている。パッド電極42A、42Bは、第1実施形態と同様に接続部32に配置されている。このうち、パッド電極42Aは、第2基板48ダイアフラム56に対向する励振電極144Aと、引出電極146Aを介して接続される。引出電極146Aは、圧電振動基板26の第2基板48に対向する面に配置され、励振電極144Aから、第1基部36、支持部40A、枠部28、接続部32を経由してパッド電極42Aに接続する。一方、パッド電極42Bは、第1基板14に対向する励振電極144Bと、引出電極146Bを介して接続される。引出電極146Bは、圧電振動基板26の第1基板14側の面に配置された励振電極144Bから延出し、第2基部38の第1基板14側の面、第2基部38の側面を経由して第2基部38の第2基板48側の面に延出する。そして、支持部40B、枠部28、接続部32の第2基板48側の面を経由し、接続部32に引き出されパッド電極42Bに接続する。よってパッド電極42A、42Bに交流電圧を印加すると振動部142は励振電極144A、144Bに印加された交流電圧により所定の共振周波数で厚みすべり振動を共振する。そして振動部142には第1実施形態と同様にダイアフラム56が受けた圧力に応じた引張応力を受けるため、この応力に応じて共振周波数が変化する。したがって、この共振周波数の変化をモニターすることによりダイアフラム56に印加された圧力を検知することができる。いずれの実施形態においても、第1ウェーハ66、圧電振動ウェーハ70、第2ウェーハ74の積層構造を形成したのち、ダイシング若しくは折り取りして圧電デバイス10等を個片化する旨説明したが、これに限定されない。即ち、上述の各ウェーハにおいて、第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48をそれぞれ個片化したのち、第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48を積層して圧電デバイス10等を構築することができる。このとき第1の凸部24、第2の凸部46、第3の凸部58が互いに重なるように配置されているので、各凸部を積層の際のアライメントの目印に用いることができ、積層を容易に行うことができる。また上述の圧電モジュール120において、圧電デバイス10等に電気的に接続する回路集積回路、不図示、すなわち振動部34A、振動部34B振動部142を駆動させるとともに振動部34A、振動部34B振動部142の周波数の情報を取得可能な回路集積回路、不図示を搭載することが可能である。また上述の圧電デバイス10等において、第2基板48を取り払った場合は、振動部34A、振動部34B振動部142を発振源とする発振器として機能させることができる。したがって、自ら発振する発振器としての機能、または自ら圧力を測定する圧力センサーとしての機能を有する圧電モジュール120を構築することができる。図13に、本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部として音叉型振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図を示す。また、図14に、本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部としてATカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図を示す。例えば、本発明は、3層以上の構造を有し且つ中間層として圧電振動基板が含まれる温度センサー、圧電振動子等の圧電デバイスに適用することができる。圧電振動基板の振動部としては、図13に示すように音叉型振動片や、図14に示すようにATカット水晶振動片を適用することができる。また、水晶のX軸電気軸を中心にして所定の角度だけ回転して得られる回転Y板を用いた水晶振動子、その他のカットで切断された水晶振動子、水晶以外の圧電材料を用いた圧電振動子、等を広く適用できる。図13においては、凹部16を有する第1基板14、振動部212を有する圧電振動基板26、凹部50を有する第2基板48からなる3層構造の圧電デバイス11となっている。そして圧電振動基板26において、パッド電極42Aに接続された引出電極214Aが振動部212に配置された励振電極216Aに接続され、パッド電極42Bに接続された引出電極214Bが振動部212に配置された励振電極216Bに接続されている。そして、パッド電極42A、42Bに交流電圧を印加することにより振動部212が屈曲振動をする。図14においては、凹部16を有する第1基板14、振動部218を有する圧電振動基板26、凹部50を有する第2基板48からなる3層構造の圧電デバイス11aとなっている。そして圧電振動基板26の一方の面にパッド電極42A、パッド電極42Bが配置されている。また、振動部218のパッド電極42A等が配置された面に励振電極222Aが配置され、その裏面であって励振電極22Aに対向する位置に励振電極22Bが配置されている。そして、励振電極222Aから引き出された引出電極220Aがパッド電極42Aに接続され、励振電極222Bから引き出された引出電極22Bは、パッド電極42Bが配置された面に引き回されパッド電極42Bに接続されている。上記構成において、パッド電極42A、42Bに交流電圧を印加することにより振動部218が厚みすべり振動をする。なお、図13、図14において、第2基板48の凹部50に力伝達部54A、力伝達部54Bが形成されていない点を除き、他の構成要素は第1実施形態等と同様なので説明を省略する。本発明の圧電デバイスは、上述した圧電モジュール以外に、例えば携帯電話、ハードディスク、パーソナルコンピューター、BS及びCS放送用の受信チューナー、同軸ケーブルや光ケーブル中を伝搬する高周波信号や光信号用の各種処理装置、広い温度範囲で高周波高精度クロック低ジッタ、低位相雑音を必要とするサーバーネットワーク機器、無線通信用機器等の様々な電子機器、加速度センサー、回転速度センサー等の各種センサー装置にも広く適用することができる。このような各種センサー装置及び電子機器としては、例えば一般工業用計測機器、電子血圧計、高度気圧水深計測機能付き電子機器、携帯機器、自動車などが挙げられる。そして、上述のように外力によるダイアフラムの機械的な変形を電気的信号として計測するものとして圧力センサーは携帯電話機やパソコン等の小型の携帯機器での高度計測に前記圧力センサーを応用してマイクロホンとして利用可能である。更に、近年注目をされるようになった水素やメタノール等の燃料電池は、軽量化や利便性等に起因して、例えば、ビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピューター、携帯用電話機、携帯情報端末機PersonalDigitalAssistants:PDA、オーディオプレーヤ、プロジェクタ載置台、カプセル型医療機器の通信機能を具備した電子機器といった各種情報処理装置の燃料電池としての用途が考えられる。図15に、本実施形態の圧電デバイスを燃料電池システムに搭載した場合の系統図を示す。図15に示すように、燃料電池システム224は、水素を燃料として電力を発生させる燃料電池セル226と、該燃料電池セル226に水素を供給する水素吸蔵合金容器228と、該水素吸蔵合金容器228と上記燃料電池セル226との間に配設された圧力検出用の圧力センサー230と、圧力調整弁232と安全弁234とを備えている。この燃料電池システム224において、本発明に係る圧電デバイス10等を圧力センサー230として使用することができる。図16に、本実施形態の圧電デバイスを車両用情報記録装置に搭載した場合のブロック図を示す。図16に示すように、事故等のイベント発生時前後の必要な時間のみについて、デジタルタコグラフ238とドライブレコーダ248の双方が生成するデータを関連付けて記録し、その後の解析等に有用なデータを提供することが可能な車両用情報記録装置236がある。この車両用情報記録装置236において、前記デジタルタコグラフ238は、車両の走行状況を検出する走行状況検知手段240と、前記ドライブレコーダ248との間で情報を送受信するデジタルタコグラフ通信手段242と、情報を記録するデジタルタコグラフ記録手段244と、前記走行状況検知手段240から入力した走行状況および前記デジタルタコグラフ通信手段242から受信した情報を受けて、前記デジタルタコグラフ記録手段244に情報を記録するデジタルタコグラフ制御部246と、を有しているが、走行状況検知手段240として用いることができる圧力センサーとして、高精度な圧力高度検出が可能な本発明に係る圧電デバイス10を適用できる。更に、被測定者にかかる負荷を検出する活動量計側システムにおいて、前記負荷を圧力として検出する場合においては、検出器として、本発明に係る圧力センサー圧電デバイス10等を適用できる。また、警戒モードと、非警戒モードとに設定可能なセキュリティシステムであって、人体の少なくとも一部を検知可能な人体検知手段と、前記人体検知手段が前記人体の少なくとも一部を検知したことに応じて、信号を出力する出力手段と、前記出力手段からの出力信号を受けて、前記警戒モードを設定する警戒モード設定手段と、を備えるセキュリティシステムがある。このセキュリティシステムにおいて、外部からの侵入または異常を検知する異常検知センサーと、前記異常検知センサーが異常を検知したときに警報を発する警報手段とをさらに含み、前記警戒モード設定手段は、前記警戒モードに応じて、前記異常検知センサーと、前記警報手段とによる警戒動作を作動させる。このセキュリティシステムを構成する前記異常検知センサーとして、本発明に係る圧力センサー圧電デバイス10等を適用できる。更に、本発明の電子機器の一例である腕時計型電子機器の本体には、本発明に係る圧力センサー圧電デバイス10等が備えることができ、ダイナミックレンジやリニアリティなどの特性に優れた圧力センサー圧電デバイス10等を備えた電気機器となる。更に、特に自動車においては、例えばインテークマニホールド圧若しくはチャージ圧、ブレーキ圧、エアサスペンション圧、タイヤ圧、ハイドロリック貯蔵圧、ショックアブソーバ圧、冷却媒体圧、自動変速機における変調圧、ブレーキ圧、タンク圧用の圧力検出に本発明に係る圧力センサー圧電デバイス10等を適用できる。図17に、本実施形態の圧電デバイスを側面衝突検出装置に搭載した場合の模式図を示す。車両252のサイドドア254の内部に配設された圧力センサー258により、車両252の側面に加わる衝撃を検出する側面衝突検出装置250を構成することができる。この側面衝突検出装置250において、前記圧力センサー258は、圧力を検出するダイアフラムダイアフラム56を有し、そのダイアフラムの受圧面が前記サイドドア254の内部空間256の圧力変動により歪むことを検出することによって車両252の側面に加わる衝撃を検出することができる。そして、例えば、ダイアフラムの受圧面の法線と、水平な前記車両252の前後方向の直線とのなす角を60度から90度に設定することにより、衝突時に圧力センサー252のダイアフラムが衝撃力を受けた場合に、これを圧力変化として検出する度合いを少なくして、圧力の変化をより高精度に検出することができる。この側面衝突検出装置250に用いる圧力センサー250として本実施形態の圧電デバイス10等を適用することができる。