高圧電線を囲むように構成され、表面がグランド電位に設定された円筒状の構造体と、上記構造体に一端が接続された円筒状の枝管と、上記枝管の内部に配置されると共に、一方の面が上記構造体の内面と概略同一面になるように配置された円板と、上記円板の他方の面に接続された円柱と、上記円柱を内挿する開口が中央に設けられると共に、一方の面が上記枝管の他端を塞ぐように設けられ、上記構造体に上記枝管を通じて導通された蓋部材とを備えた部分放電センサー。検知対象となる周波数帯域に含まれる特定周波数の1/4波長の電気長を有し、上記円柱の上記蓋部材の付近と該蓋部材とを接続する短絡板を備えたことを特徴とする請求項1記載の部分放電センサー。検知対象となる周波数帯域に含まれる特定周波数の1/4波長の電気長を有し、上記円柱の上記蓋部材の付近と該蓋部材とを接続する短絡線を備えたことを特徴とする請求項1記載の部分放電センサー。上記蓋部材は、上記枝管の内部に設けられ、当該蓋部材の一方の面から上記構造体の内面より所定の長さを差し引いた上端面まで形成されると共に、当該蓋部材の開口と同径の開口が該上端面まで延在して形成されたリング状の突起部材を備えたことを特徴とする請求項1記載の部分放電センサー。上記突起部材の上端付近と上記枝管の内面とを接続する短絡部材を備えたことを特徴とする請求項4記載の部分放電センサー。上記円柱と上記蓋部材の開口との隙間に充填された誘電体部材を備えたことを特徴とする請求項1記載の部分放電センサー。上記円柱は、上記誘電体部材により充填された部分の径を、上記誘電体部材により充填されていない部分の径よりも小さくしたことを特徴とする請求項6記載の部分放電センサー。内導体が上記蓋部材の開口を通過した上記円柱に接続されると共に、外導体が上記蓋部材の他方の面に接続された同軸線路と、上記蓋部材の他方の面と同電位に設定され、上記同軸線路の内導体および外導体の接続箇所を覆うノイズ遮蔽部材とを備えたことを特徴とする請求項1記載の部分放電センサー。誘電体基板を上記蓋部材の他方の面に密着して配置し、該蓋部材を地導体とすると共に、該誘電体基板上に形成されたストリップ導体を上記蓋部材の開口を通過した上記円柱に接続したストリップ線路と、上記蓋部材の他方の面と同電位に設定され、上記ストリップ導体の接続箇所を覆うノイズ遮蔽部材とを備えたことを特徴とする請求項6記載の部分放電センサー。従来の部分放電センサーは以上のように構成されているので、部分放電センサーが設置されるすり鉢状の形成箇所を、大きく形成する必要がある。これは逆円錐形の部分放電センサーの直径は、検知対象の最低周波数の半波長程度必要であるため、500MHz~1500MHzに対応した部分放電センサーを構成するためには、直径が250mm程度の逆円錐形を用いる必要があるからである。また、すり鉢状の形成箇所は、逆円錐形より大きくなくてはならず、少なくとも300mm程度の開口を設ける必要がある。一方、GISには様々な円筒状の枝管が構造体に予め設置されており、この枝管に部分放電センサーを設置することが可能であれば、既に設置されているGISに対して大きな工事を施すこと無く、部分放電センサーを追加することができる。しかしながら、円筒状の枝管は、細いもので内径が70mm程度であるため、従来の部分放電センサーを設置することができない等の課題があった。本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、径の細い枝管に設置可能な部分放電センサーを得ることを目的とする。本発明に係る部分放電センサーは、枝管の内部に配置されると共に、一方の面が構造体の内面と概略同一面になるように配置された円板と、円板の他方の面に接続された円柱と、円柱を内挿する開口が中央に設けられると共に、枝管の他端を塞ぐように設けられ、構造体に枝管を通じて導通された蓋部材とを備えたものである。本発明によれば、円板および円柱により、トップローディングモノポールアンテナを構成する。よって、円筒状の構造体と円板との距離を調整することにより、枝管の内径を大きくすることなく、検知対象となる周波数帯域を設定することができ、径の小さい枝管であっても設置可能な部分放電センサーが得られる効果がある。また、トップローディングモノポールアンテナは、円柱の中心軸に対して軸対称な形状を有しているため、円板の一方の面における感度にアジマス方向の角度特性が無い。よって、円筒状の構造体内にて発生した高周波を全方向に渡り一定感度で受信できる効果がある。さらに、円筒状の枝管、円板に接続された円柱、および円柱を内挿し構造体に枝管を通じて導通された蓋部材により、同軸線路を構成する。よって、円板で受信された高周波を円柱を通じて高周波信号として外部に伝送する際に、枝管の外部から到来する高周波ノイズの混入を防ぐことができる効果がある。さらに、枝管内に部分放電センサーを備える構成なので、既に枝管を備えた装置に対して大きな工事を施すこと無く、部分放電センサーを追加することができる効果がある。さらに、枝管に空きがない場合に、一本の枝管に対して従来からの機能に、本発明の部分放電センサーの機能を加え、一本の枝管を多機能にすることができる。この場合、部分放電センサーのためだけに新たな枝管を設ける必要が無くなることから、枝管に関して設計の自由度を高めることができる効果がある。以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。実施の形態1.この実施の形態1は、GISの枝管内にトップローディングモノポールアンテナを設け、径の細い枝管であっても部分放電センサーを設置可能にしたものである。図1はこの発明の実施の形態1によるGISに設けられた部分放電センサーの概略を示す断面図、図2はその詳細を示す断面図、図3はその詳細を示す上面図である。図において、構造体1は、高圧電線2を囲むように円筒状の閉空間3が構成される。また、構造体1の表面は、グランド電位に設定され、閉空間3には、絶縁性ガスが充填される。開口4は、構造体1に形成された円状の穴である。枝管5は、円筒状に形成され、構造体1の開口4と内面同士が一致するように構造体1に一端が接続される。なお、開口4の直径と枝管5の内径とは同一である。円板6は、平板状に形成され、枝管5の内部の構造体1の開口4に配置される。また、円板6は、一方の面が構造体1の内面、すなわち、開口4と概略同一面になるように配置される。円柱7は、円板の他方の面に一端面が接続される。蓋部材8は、円柱7を内部に挿入する開口9が中央に設けられる。開口9は、直径が円柱7の直径よりも大きく形成された円状の穴である。また、蓋部材8は、開口9に円柱7を内挿することで、円柱7の他端面を外部空間に露出させる。さらに、蓋部材8は、一方の面が枝管5の他端を塞ぐように設けられ、構造体1に枝管5を通じて導通され、構造体1と同様にグランド電位に設定される。次に動作について説明する。図1に示したGISは、高圧電線2を遮断器によって開閉するものである。構造体1の閉空間3には、絶縁性ガスが充填されているが、高圧電線2に高電圧が掛っている場合、高圧電線2とグランド電位に設定された構造体1との間で部分放電が発生することがある。部分放電が発生した場合に、その部分放電に応じて高周波が発生する。部分放電センサーでは、円板6において高周波を受信し、円柱7を通じて外部に高周波信号として伝送する。外部では、測定器により高周波信号の受信に応じて構造体1内で部分放電が発生したことを検出する。ここで、図2および図3に示した部分放電センサーの詳細図を用いて、部分放電センサーの原理を更に詳しく説明する。図2および図3に示した円板6および円柱7から成る構成は、グランド電位に設定された蓋部材8上にトップローディングモノポールアンテナが形成されたものとなる。トップローディングモノポールは、開口9における円柱7と蓋部材8との間のインピーダンスが直列共振している場合に高い性能を有する。例えば、円板6の直径を小さくし、円板6の外周面と開口4を形成する構造体1の内面との距離αが十分に大きい場合には、検知対象となる特定周波数における波長をλとすると、円板6の直径は概ねλ/2の大きさが必要となる。よって、特定周波数を1000MHzとすると、1000MHzで共振させるには、円板6の直径は150mmの大きさが必要となる。これに対して、円板6の直径を大きくし、円板6の外周面と開口4を形成する構造体1の内面との距離αが小さい場合には、円板6と構造体1との間に浮遊容量が発生する。その結果、円板6の先端に容量が装荷された共振器として動作するため、円板6の直径はλ/2より小さい大きさで共振する。原理的には、円板6の外周面と開口4を形成する構造体1の内面との距離αを小さくし、浮遊容量を大きくすることで、円板6の直径を極めて小さくすることができる。逆説的に言えば、円板6の外周面と開口4を形成する構造体1の内面との距離αを小さくするほど、共振周波数を低くすることができ、よって、開口4の直径、すなわち、枝管5の内径や円板6の直径を大きくすることなく、検知対象となる周波数帯域あるいは特定周波数を低く設定することができる。図4はトップローディングモノポールアンテナの計算モデルを示す断面図、図5はそのシミュレーション結果を示す特性図である。図4および図5では、開口4の直径および枝管5の内径を70mm、蓋部材8の一方の面から構造体1の内面までの長さを30mmとした場合に、円板6の直径を50mmにすれば、検知対象となる特定周波数を1000MHzとしたときに、直列共振が得られる旨を示している。したがって、円板6の外周面と開口4を形成する構造体1の内面との距離を調整することによって、検知対象となる特定周波数を1000MHzとした場合でも、円板6の直径を例えば50mmに設定することができ、内径が70mmのような径の細い枝管5であっても、枝管5内に部分放電センサーとしてのトップローディングモノポールアンテナを設置することができる。なお、GISに設置される部分放電センサーは、検知対象となる周波数帯域として、500MHz~1500MHzの周波数帯域が要求される。図4に示した構成では、検知対象となる特定周波数をその所望の周波数帯域の中間の1000MHzにしたので、所望の周波数帯域に渡り平均的に感度の高い部分放電センサーを構築することができる。以上のように、この実施の形態1によれば、円板6および円柱7によりトップローディングモノポールアンテナを構成した。よって、円板6の外周面と開口4を形成する構造体1の内面との距離を調整することにより、枝管5の内径を大きくすることなく、検知対象となる周波数帯域を設定することができ、径の小さい枝管5であっても設置可能な部分放電センサーが得られる。なお、この場合、枝管5はGIS等において従来から設置されているものであるから、部分放電センサーを設置するためにだけに、新たな設置箇所を設ける必要が無く、部分放電センサーの設置を容易に行うことができる。また、この実施の形態1によれば、トップローディングモノポールアンテナは、円柱7の中心軸に対して軸対称な形状を有しているため、円板6の一方の面における感度にアジマス方向の角度特性が無い。よって、円筒状の構造体1内にて発生した高周波を全方向に渡り一定感度で受信することができる。さらに、この実施の形態1によれば、円筒状の枝管5、円板6に接続された円柱7、および円柱7を開口9に内挿し構造体1に枝管5を通じて導通された蓋部材8により、同軸線路を構成する。よって、円板6で受信された高周波を円柱7を通じて高周波信号として外部に伝送する際に、枝管5の外部から到来する高周波ノイズの混入を防ぐことができる。さらに、上記のとおり、枝管5はGIS等において従来から設置されているものである。その用途として、GISの内部で湿気があると絶縁性能が劣化するので、乾燥剤を入れておくスペースを確保する。構造体1の内部のメンテナンス用の穴を確保する。のぞき窓を設け、内部を監視する。構造体1の内部で放電が生じた際に、圧力でGIS本体が破損するのを防ぐために、ある圧力以上が掛ると破れるように設計された破裂板を設置する。等がある。この実施の形態1によれば、部分放電センサーを枝管5に備えた構成なので、一本の枝管5に対して従来からの機能に、この実施の形態1の部分放電センサーの機能を加え、一本の枝管5を多機能にすることができる。この場合、部分放電センサーのためだけに新たな枝管5を設ける必要が無くなることから、枝管5に関して設計の自由度を高めることができる。なお、上記実施の形態1によれば、蓋部材8に形成された開口9に、単に円柱7を内挿する構成について示したが、後述する実施の形態5のように、円柱7と蓋部材8の開口9との隙間に、樹脂部材を充填するように構成しても良い。この場合、円板6および円柱7を蓋部材8により保持することができる。また、構造体1内に充填された絶縁ガスが外部に漏れだすのを防ぐことができる。さらに、材料が誘電体であることから、同軸線路としての機能を維持することができる。実施の形態2.この実施の形態2は、円柱7と蓋部材8とをショートスタブで接続することで、感度を高めると共に、円板6に高電圧が発生するのを防ぐものである。図6はこの発明の実施の形態2による部分放電センサーの詳細を示す断面図、図7はその上面図である。図において、ショートスタブ短絡板10は、検知対象となる周波数帯域に含まれる特定周波数の1/4波長の電気長を有し、一端が円柱7の蓋部材8の付近に接続され、他端が蓋部材8に接続される。その他の構成については、図1と同様である。次に動作について説明する。図6および図7に示した構成では、グランド電位に設定された蓋部材8上に、円板6および円柱7によるトップローディングモノポールアンテナが形成される。このトップローディングモノポールアンテナは、周囲に枝管5が近接して配置されており、かつ小形化されていることから、共振周波数において通常のモノポールアンテナの抵抗値である35Ωより低い抵抗を有する。トップローディングモノポールアンテナのインピーダンス特性をZaとし、これをスミスチャート上に示したものを図8に示す。図8において、fLは検知対象となる周波数帯域の下限を示しており、fHは上限を示している。蓋部材8に対して円柱7側から見たショートスタブ10のインピーダンス特性をZsとし、これを図9に示す。図9において、中心周波数ではほぼ無限大のインピーダンスを有しており、中心周波数より低い周波数では誘導性、高い周波数では容量性を示している。図6に示した構成では、ショートスタブ10をトップローディングモノポールアンテナの給電点付近、すなわち、蓋部材8の付近で接続しているため、蓋部材8の付近における円柱7と蓋部材8との間のインピーダンスをZtとすると、Ztは下記式1に示すような、ZaとZsとの並列合成となる。Zt=ZaZs/ZaZs1並列合成したインピーダンス特性Ztを図10に示す。図10において、ZaとZsのリアクタンス成分が互いに打ち消す傾向にあるため、Ztのインピーダンス軌跡はZaに比べて中央に近付く。よって、検知対象となる周波数帯域内の平均的な反射特性がZaに比べて改善されるため、インピーダンスの不整合損が低減され、実施の形態1に比べて検知対象となる周波数帯域に渡り平均的に感度の高い部分放電センサーが構築できる。一方、高圧電線2と円板6との間には浮遊容量が生じており、円板6が構造体1や蓋部材8に対して絶縁されていると、円板6には高電圧が誘起される。円板6に誘起された高電圧は、部分放電センサーの測定器等に悪影響を与える可能性がある。これを防ぐためには、高圧電線2に用いられる低周波において、円板6と蓋部材8とを導通すれば良い。高圧電線2に用いられる低周波は、通常50Hzまたは60Hzであるため、ショートスタブ10を設けることで、円板6と蓋部材8とは低周波においてほぼ短絡される。そのため、円板6に高電圧が発生することを防ぐことが可能であり、部分放電センサーの測定器への悪影響を防ぐことが可能となる。したがって、ショートスタブ10により、部分放電センサーの感度を高める効果と、高電圧の発生を抑圧する効果の2つの効果を同時に得ることが可能となる。以上のように、この実施の形態2によれば、検知対象となる周波数帯域内における特定周波数の1/4波長の電気長を有し、円柱7の蓋部材8の付近と蓋部材8とを接続するショートスタブ10を備えたものである。よって、円柱7と蓋部材8との間のインピーダンスを、特定周波数において無限大に近付け、高圧電線2に使用される低周波において短絡に近付けることができる。その結果、特定周波数において円柱7と蓋部材8との間のインピーダンスを無限大に近付けることによって、トップローディングモノポールアンテナのインピーダンス特性とショートスタブ10のリアクタンス成分が互いに打ち消し、検知対象となる周波数帯域における反射特性が改善され、インピーダンスの不整合損が低減され、感度の高い部分放電センサーが得られる。また、高圧電線2に使用される低周波において円柱7と蓋部材8との間のインピーダンスを短絡に近付けることによって、円板6に高電圧が発生するのを防ぐことができ、測定器への悪影響を防ぐことができる。なお、上記実施の形態2では、ショートスタブ10で接続する構成について示したが、ショートスタブ10の代わりに、短絡線で接続する構成であっても良い。すなわち、検知対象となる周波数帯域内における特定周波数の1/4波長の電気長を有し、円柱7の蓋部材8の付近と蓋部材8とを接続する短絡線を備える。図9では蓋部材8に対して円柱7側から見たショートスタブ10のインピーダンス特性Zsを示したが、図11に蓋部材8に対して円柱7側から見た短絡線のインピーダンス特性Zsを示す。図9と図11とを比較すると分かるとおり、ショートスタブ10、すなわち、短絡板と短絡線とでは、インピーダンス特性が変わる。相対的に、短絡線では、検知対象となる周波数帯域の下限fLと上限fHとが近付く傾向にあり、短絡板では遠ざかる傾向にある。インピーダンス特性Zsの下限fLおよび上限fHの最適な位置は、実際に構成されるトップローディングモノポールのインピーダンス特性Za図8によって異なるため、インピーダンス特性Zsを調整する必要が生じる。その一つとして、短絡板と短絡線とを使い分けることによって、所望のインピーダンス特性Zsが得られ、反射特性を有効に改善することができる。実施の形態3.この実施の形態3は、蓋部材8にリング状の突起部材を設けることで、枝管5が長い場合でもトップローディングモノポールアンテナを設置可能にするものである。図12はこの発明の実施の形態3による部分放電センサーの詳細を示す断面図である。図において、突起部材11は、枝管5の内部であって、蓋部材8の一方の面にリング状に形成される。このリング状の突起部材11の高さβは、蓋部材8の一方の面から構造体1の内面より所定の長さγを差し引いた上端面までであり、また、リング状の突起部材11の内径は、蓋部材8の開口9と同径であり、開口9がその上端面まで延在して形成され、さらに、リング状の突起部材11の外径は、枝管5の内部に収まり、すなわち、枝管5の内径よりも小さく形成され、枝管5の内面とリング状の突起部材11の外面とが対向するように配置される。なお、ショートスタブ10は、一端が円柱7の側面に接続され、他端が突起部材11の上端付近に接続されたものであるが、円柱7の側面は、構造体1の内面より所定の長さγだけ隔てた位置、すなわち、円板6の一方の面より所定の長さγだけ隔てた位置の付近で接続される。その他の構成については、図6と同様である。次に動作について説明する。図13は枝管5の長さが長い場合に、上記実施の形態1に示した発明をそのまま適用した図である。図13において、構造体1に設けられる開口4の直径が、検知対象となる周波数帯域の下限周波数の半波長程度より小さい場合には、枝管5の内部はカットオフ導波管として動作するため、閉空間3にて生じた高周波は枝管5内では急激に減衰する。そのため、枝管5の長さが長い場合であっても、上記実施の形態1および上記実施の形態2と同様に、円板6の一方の面を構造体1の内面まで極力近接させて配置する必要がある。また、部分放電センサーとして動作する部分は、グランド電位に設定された蓋部材8上に形成される円板6および円柱7によるトップローディングモノポールアンテナであり、この部分の長さには部分放電センサーの感度を高めるための最適な長さが存在する。上記図4では、開口4の直径および枝管5の内径を70mm、蓋部材8の一方の面から構造体1の内面までの長さを30mm、円板6の直径を50mmとした場合に、検知対象となる特定周波数を1000MHzとしたときに、部分放電センサーの感度を高めることができる旨を説明した。図13に示した枝管5は、図4に示した枝管5に対して長さが長く、蓋部材8の一方の面から構造体1の内面までの長さが100mmなので、部分放電センサーの感度が低下する。図12に示した構成は、このように枝管5の長さが長い場合に対応したものであり、蓋部材8の一方の面にリング状に形成された突起部材11を設けることで、グランド電位に設定された突起部材11上に形成される円板6および円柱7によるトップローディングモノポールアンテナの長さを最適な長さに調整することが可能となる。図14は蓋部材8の一方の面から構造体1の内面までの長さが100mmの構成に対して、図4と同様に、上端面から構造体1の内面までの長さを30mmになるような高さを有する突起部材11を設けたものである。このように構成することで、検知対象となる特定周波数を1000MHzとしたときに、部分放電センサーの感度を高めることができる。なお、ショートスタブ10は、上記実施の形態2と同様に、円柱7と突起部材11との間のインピーダンスを、特定周波数において無限大に近付け、また、高圧電線2に使用される低周波において短絡に近付けることで、上記実施の形態2と同様な効果が得られる。以上のように、この実施の形態3によれば、枝管5の内部に設けられ、蓋部材8の一方の面から構造体1の内面より所定の長さを差し引いた上端面まで形成されると共に、蓋部材8の開口9と同径の開口がその上端面まで延在して形成されたリング状の突起部材11を備えた。よって、枝管5の長さが長い場合でも、最適な感度が得られる。なお、上記実施の形態3によれば、円柱7および突起部材11を有する蓋部材8により、同軸線路を構成する。よって、上記実施の形態1および上記実施の形態2に示した円柱7および蓋部材8により構成される同軸線路よりも線路長さが長くなる。したがって、円柱7および突起部材11を有する蓋部材8により構成される同軸線路を、外部の測定器の入力インピーダンス通常は50Ωの特性インピーダンスになるように設計することにより、この長くなった線路長がトップローディングモノポールの特性に影響を与えないようにすることができる。実施の形態4.この実施の形態4は、突起部材11の上端付近と、対向する枝管5の内面とをばね部材で接続することで、部分放電センサーの感度劣化を防ぐものである。図15はこの発明の実施の形態4による部分放電センサーの詳細を示す断面図である。図において、ばね部材短絡部材12は、突起部材11の上端付近と、対向する枝管5の内面とを接続する。その他の構成については、図12と同様である。次に動作について説明する。上記実施の形態3で説明した構成では、突起部材11の高さがλ1/4n/2、但し、nは0以上の整数になる特定周波数の近傍において、部分放電センサーの大幅な感度低下が生じる。その理由を以下に示す。上記特定周波数において、突起部材11の上端と蓋部材8との間のインピーダンスは並列共振状態となり、理論的には無限大になる。その結果、突起部材11の上端と構造体1との間の電流が遮断されるため、部分放電センサーの大幅な感度低下が生じる。これを防ぐために、ばね部材12により、突起部材11の上端付近と、対向する枝管5の内面とを接続する。その結果、上記特定周波数において、並列共振が生じること無く、突起部材11の上端と構造体1との間で電流が流れ、部分放電センサーの大幅な感度低下を防ぐことができる。以上のように、この実施の形態4によれば、突起部材11の上端付近と、対向する枝管5の内面とを接続するばね部材12を備えたので、受信される周波数が突起部材11の高さに関係する特定周波数であっても、部分放電センサーの大幅な感度低下を防ぐことができる。なお、上記実施の形態4によれば、ばね部材12を備えたが、導通可能な部材であればどのような構成であっても良い。実施の形態5.この実施の形態5は、円柱7と蓋部材8の開口9との隙間に樹脂部材を充填することで、円板6および円柱7の保持、および絶縁ガスの漏洩を防ぐものである。図16はこの発明の実施の形態5による部分放電センサーの詳細を示す断面図である。図において、樹脂部材誘電体部材13は、エポキシ樹脂等の材料からなり、蓋部材8および突起部11の開口9の内部に挿入される円柱7と開口9との隙間に充填される。なお、円柱7において、開口9の内部に挿入される部分には、その他の部分より直径が細く形成された径細部7aが設けられる。その他の構成については、図15と同様である。以上のように、この実施の形態5によれば、蓋部材8および突起部11の開口9の内部に挿入される円柱7と開口9との隙間に樹脂部材13を充填したので、円板6および円柱7からなるトップローディングモノポールアンテナを蓋部材8および突起部11により物理的に保持することができる。また、この実施の形態5によれば、円柱7と開口9との隙間を樹脂部材13により塞ぐことができ、構造体1内に充填された絶縁ガスが外部に漏れだすのを防ぐことができる。さらに、この実施の形態5によれば、エポキシ樹脂の樹脂部材13は、比誘電率が4程度と高い値を有する。その結果、円柱7と、樹脂部材13と、蓋部材8および突起部11とにより構成される同軸線路の特性インピーダンスは、高周波で一般的に用いられる50Ωより低くなる。これを防ぐため、円柱7において、開口9の内部に挿入され、樹脂部材13が充填される部分に径細部7aを設ける。径細部7aを設けたことにより、径細部7aを設けない場合に比べてインピーダンスが高くなるので、樹脂部材13で充填したことによる特性インピーダンスの低下を相殺させ、同軸線路の特性インピーダンスを所望の値50Ωに維持することができる。実施の形態6.この実施の形態6は、円柱7に同軸線路を接続し、その接続箇所をシールドカバーにより覆うことで、外部からのノイズの影響を防ぐものである。図17はこの発明の実施の形態6による部分放電センサーの詳細を示す断面図である。図において、円柱7には、樹脂部材13から突出するように形成された突出部7bが設けられる。同軸線路14は、内導体がその突出部7bに接続されると共に、外導体が開口9の付近において蓋部材8の他方の面に接続される。また、シールドカバーノイズ遮蔽部材15は、蓋部材8の他方の面に接続され、同軸線路14の内導体および外導体の接続箇所を覆うように設置される。その他の構成については、図16と同様である。次に動作について説明する。図17において、部分放電センサーにより受信された高周波信号は、同軸線路14を通じて測定器まで伝送される。同軸線路14と円柱7の突出部7bとの接続部では外部からのノイズを受信しやすい。これを防ぐため、グランド電位のシールドカバー15で覆う。その結果、外部のノイズの影響を受けることなく、部分放電センサーにて受信した高周波信号を測定器まで伝送することができる。以上のように、この実施の形態6によれば、内導体が突出部7bに接続されると共に、外導体が開口9の付近において蓋部材8の他方の面に接続された同軸線路14と、蓋部材8の他方の面に接続され、同軸線路14の内導体および外導体の接続箇所を覆うように設置されたシールドカバー15とを備えた。よって、同軸線路14の接続箇所が外部からのノイズの影響を受けることなく、検知した高周波信号を同軸線路14を通じて測定器まで伝送することができる。実施の形態7.この実施の形態7は、円柱7にストリップ線路を接続し、その接続箇所をシールドカバーにより覆うことで、外部からのノイズの影響を防ぐものである。図18はこの発明の実施の形態7による部分放電センサーの詳細を示す断面図、図19はその下面図である。図において、同軸線路14の代わりに設けられたストリップ線路16は、誘電体基板17を蓋部材8の他方の面に密着して配置し、その蓋部材8を地導体とすると共に、誘電体基板17上に形成されたストリップ導体18を円柱7の突出部7bに接続される。また、シールドカバーノイズ遮蔽部材15は、蓋部材8の他方の面に接続され、ストリップ導体16の接続箇所を覆うように設置される。その他の構成については、図17と同様である。次に動作について説明する。図18および図19において、部分放電センサーにより受信された高周波信号は、ストリップ線路16を通じて測定器まで伝送される。ストリップ線路16のストリップ導体18と円柱7の突出部7bとの接続部では外部からのノイズを受信しやすい。これを防ぐため、グランド電位のシールドカバー15で覆う。その結果、外部のノイズの影響を受けることなく、部分放電センサーにて受信した高周波信号を測定器まで伝送することができる。以上のように、この実施の形態7によれば、誘電体基板17を蓋部材8の他方の面に密着して配置し、蓋部材8を地導体とすると共に、誘電体基板17上に形成されたストリップ導体18を円柱7の突出部7bに接続されたストリップ線路16と、蓋部材8の他方の面に接続され、ストリップ導体16の接続箇所を覆うように設置されたシールドカバー15とを備えた。よって、ストリップ線路16のストリップ導体18の接続箇所が外部からのノイズの影響を受けることなく、検知した高周波信号を同軸線路14を通じて測定器まで伝送することができる。なお、上記実施の形態7によれば、ストリップ線路16のみで測定器まで伝送する構成について示したが、ストリップ線路16の途中から同軸線路に接続して測定器まで伝送するようにしても良い。さらに、本発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意な構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意な構成要素の省略が可能である。