"基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、減圧状態で基板載置面に載置した基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜空間内の前記基板載置面の上方において、前記基板載置面に対して対向する面上に分散した複数のガス導入孔を通して前記成膜空間内に薄膜用原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記原料ガス導入部の上方に設けられ、電流が一方の端面から他方の端面に流れる板部材をプラズマ生成素子として有し、前記薄膜用原料ガスを用いて前記成膜空間においてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、前記基板載置面に、負電圧のバイアス電圧を印加するバイアス電圧部と、を有する、ことを特徴とする薄膜形成装置。前記薄膜用原料ガスはシランガスであり、前記成膜空間は10~100Paの減圧状態である、請求項1に記載の薄膜形成装置。前記プラズマ生成素子は、100~2000Wの高周波の給電を受けることによりプラズマを生成し、前記バイアス電圧部は、前記載置面には50~500Vの直流電圧または交流電圧を印加する、請求項1または2に記載の薄膜形成装置。基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、基板載置面に基板を載置した減圧状態の成膜空間内の前記基板載置面の上方において、前記基板載置面に対して対向する面上に分散した複数のガス導入孔から前記成膜空間内に薄膜用原料ガスを導入する工程と、前記ガス導入孔の上方に設けられた板部材に対して、前記板部材の一方の端面から他方の端面に電流を流すことにより、前記薄膜用原料ガスを用いて前記成膜空間においてプラズマを生成する工程と、前記基板載置面に、負電圧のバイアス電圧を印加する工程と、を有する、ことを特徴とする薄膜形成方法。前記薄膜用原料ガスはシランガスであり、前記成膜空間は10~100Paに減圧される、請求項4に記載の薄膜形成方法。前記板部材に100~2000Wの高周波を給電することによりプラズマを生成し、前記載置面に50~500Vの直流電圧または交流電圧が印加される、請求項4または5に記載の薄膜形成方法。上述の板状の高周波アンテナ導体を用いたプラズマ成膜装置では、高周波アンテナ導体として長方形状の電極板が設けられる。この電極板の成膜空間に面する側の主面面積が最大の面には、誘電体が設けられる。誘電体の対向する位置には、薄膜を形成するためのガラス基板が配置される。上記電極板の一方の端面は、数10MHzの高周波電源に接続され、他方の端面は接地され上記一方の端面から他方の端面に電流が流れる。この電極板を用いて生成される磁場によりプラズマを生成する。この方式は、上述の互いに隣り合わせた複数の高周波アンテナにより生成された高電圧を用いてプラズマを生成する、すなわち誘導結合型プラズマ生成方式の装置と異なる。この電極板により生成される微結晶Si薄膜は比較的均一な膜が生成できるものの、成膜速度は必ずしも十分でないといった問題がある。また、上述の誘導結合型プラズマ生成方式を用いたプラズマ生成装置についても十分な成膜速度が得られないといった問題がある。そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、プラズマを用いて基板に薄膜を形成するとき、従来に比べて成膜速度が向上する薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供することを目的とする。本発明の一態様は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、減圧状態で基板載置面に載置した基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜空間内の前記基板載置面の上方において、前記基板載置面に対して対向する面上に分散した複数のガス導入孔を通して前記成膜空間内に薄膜用原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記原料ガス導入部の上方に設けられ、電流が一方の端面から他方の端面に流れる板部材をプラズマ生成素子として有し、前記薄膜用原料ガスを用いて前記成膜空間においてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、前記基板載置面に、負電圧のバイアス電圧を印加するバイアス電圧部と、を有する、ことを特徴とする薄膜形成装置である。その際、前記薄膜用原料ガスはシランガスであり、前記成膜空間は10~100Paの減圧状態である、ことが好ましい。また、前記プラズマ生成素子は、100~2000Wの高周波の給電を受けることによりプラズマを生成し、前記バイアス電圧部は、前記載置面には50~500Vの直流電圧または交流電圧を印加する、ことが好ましい。また、本発明の一態様は、基板に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、基板載置面に基板を載置した減圧状態の成膜空間内の前記基板載置面の上方において、前記基板載置面に対して対向する面上に分散した複数のガス導入孔から前記成膜空間内に薄膜用原料ガスを導入する工程と、前記ガス導入孔の上方に設けられた板部材に対して、前記板部材の一方の端面から他方の端面に電流を流すことにより、前記薄膜用原料ガスを用いて前記成膜空間においてプラズマを生成する工程と、前記基板載置面に、負電圧のバイアス電圧を印加する工程と、を有する、ことを特徴とする薄膜形成方法である。その際、前記薄膜用原料ガスはシランガスであり、前記成膜空間は10~100Paに減圧される、ことが好ましい。また、前記板部材に100~2000Wの高周波を給電することによりプラズマを生成し、前記載置面に50~500Vの直流電圧または交流電圧が印加される、ことが好ましい。上述の薄膜形成装置及び薄膜形成方法では、従来に比べて成膜速度が向上することができる。以下、本発明の薄膜形成装置について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態である薄膜形成装置10の構成を示す概略図である。図1に示す薄膜形成装置10は、生成されるプラズマを用いて、基板に薄膜を形成するCVD装置である。薄膜形成装置10は、電極板を流れる電流によって生成される磁界により、プラズマを生成する方式である。この方式は、モノポールアンテナ等のアンテナ素子等の共振により発生する高電圧によりプラズマを生成する方式と異なる。薄膜形成装置以下、薄膜としてアモルファスSi薄膜を形成する例を用いて、薄膜形成装置10について説明する。薄膜形成装置10は、給電ユニット12と、成膜容器14と、ガス供給部16と、ガス排気部18と、を有する。給電ユニット12は、高周波電源22と、高周波ケーブル24と、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、プラズマ生成素子30と、を有する。高周波電源22は、例えば、100~2000Wで数10MHzの高周波電力をプラズマ生成素子30の電極板30a,30b図2参照に給電する。マッチングボックス26は、高周波ケーブル24を通して提供される電力がプラズマ生成素子30に効率よく供給されるように、インピーダンスを整合する。マッチングボックス26は、キャパシタおよびインダクタ等の素子を設けた公知の整合回路を備える。マッチングボックス26から延びる伝送線28は、例えば、一定の幅を備える銅板状の伝送線路であり、電極板30a,30bへ数10アンペアの電流を流すことができる。伝送線29は、電極板30a,30bから延び接地されている。電極板30a,30bは、後述する隔壁32上に固定された板部材であって、この板部材の第1の主面が成膜容器14内の成膜空間に向いて配置されている。図2は、電極板30a,30bを示す図である。電極板30a,30bは、伝送線28の分岐線と接続する端面と伝送線29の分岐線と接続する端面との間の、板部材の長手方向に沿って電流を流す。電極板30a,30bは、図2に示すように、矩形形状を成している。電極板30a,30bは、電極板30a,30bに電流が流れることで磁場を成膜空間40内に生成する。この電極板30a,30bは、従来のアンテナ素子のようにアンテナ素子を共振させてアンテナ素子近傍の空間で高電圧を生成する方式と異なり、共振が発生しなくてもよく、生成された磁場によってプラズマを生成する。このため、電極板30a,30bの共振に対応するように周波数を調整する必要がない。また、電極板30a,30bは、成膜空間40に向く第1の主面近傍を流れる電流によってプラズマを生成する磁場を作るので、成膜空間40内の広い範囲で略均一な密度のプラズマを生成することができる。電極板30は、例えば、銅、アルミニウム等が用いられる。電極板30a,30bのサイズは、用いる基板20の大きさに依存するが、例えば基板20の大きさがφ150mmである場合、厚さは0.2~30mmであり、幅は90~225mm、長さは150~225mmである。成膜容器14は、内部空間38を容器内に有し、内部空間38は、隔壁32により上部空間と下部の成膜空間40に区分けされている。成膜容器14は、例えば、アルミニウム等の材質で形成されて内部空間38を0.1Pa以下の減圧状態にできるように、密閉されている。成膜容器14の上部空間には、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、電極板30a,30bを含むプラズマ生成素子30と、を有する。隔壁32の上部空間に面する側には、電極板30a,30bが固定されている。電極板30a,30bの周囲には、周囲の隔壁32と絶縁するための絶縁部材34が設けられている。一方、隔壁32の成膜空間40に面する側には、誘電体36が設けられている。誘電体36には、例えば石英板が用いられる。誘電体36を設けるのは、プラズマによる電極板30の腐食を防ぎ、かつ効率よくプラズマへ電磁エネルギを供給させるためである。成膜容器14の成膜空間40には、ヒータ42と、サセプタ44と、昇降機構46と、が設けられ、サセプタ44にはバイアス電圧部47が接続されている。ヒータ42は、サセプタ44に載置する基板20を所定の温度、例えば250°C程度に加熱する。サセプタ44は、基板20を載置する載置面を有する。バイアス電圧部47は、50~500V、周波数0.1~10kHzの交流電圧をバイアス電圧としてサセプタ44に印加する。本実施形態では、バイアス電圧部47は、交流電圧をバイアス電圧としてサセプタ44に印加するが、DC電圧をバイアス電圧として印加することもできる。この場合、DC電圧は負電圧である。すなわち、バイアス電圧は、DC電圧であれ、交流電圧であれ、負電圧をサセプタ44に印加できればよい。この点は後述する。昇降機構46は、基板20を載置したサセプタ44をヒータ42ともに、成膜空間40内を自在に昇降する。成膜プロセス段階では、電極板30a,30bに近づくように、基板20を所定の位置にセットする。ガス供給部16は、ガスタンク48と、マスフローコントローラ50と、シャワーヘッド51と、を有する。ガスタンク48は、薄膜用原料ガスであるモノシランガスSiH4を貯蔵する。マスフローコントローラ50は、モノシランガスの流量を調整する部分である。例えば形成される膜の膜厚や膜質等の結果に応じてモノシランガスの流量を調整することができる。モノシランガスは、成膜容器14の成膜空間40内のプラズマ生成素子30の直下に設けられたシャワーヘッド51からから成膜空間40内に供給される。図3は、シャワーヘッド51の配置を説明する図である。図3では、隔壁32及び誘電体36は図示されていない。シャワーヘッド51は、成膜空間40内にモノシランガスを導入する原料ガス導入部である。シャワーヘッド51は、成膜空間40内のサセプタ44の基板載置面の上方において、基板載置面に対して対向する面に分散して設けられた複数のガス導入孔51aを備える。このガス導入孔51aを通して成膜空間40内にモノシランガスがシャワー状に均一に導入される。導入されたモノシランガスは、プラズマ生成素子30の給電により発生する磁場により電離されることにより、プラズマPが生成される。このプラズマは、シャワーヘッド51の下方直下に略均一に形成される。ガス排気部18は、成膜空間40内の側壁から延びる排気管と、ターボ分子ポンプ52と、ドライポンプ54と、を有する。ドライポンプ54は、成膜空間40内を粗引きし、ターボ分子ポンプ52は、成膜空間40内の圧力を所定の圧力に維持する。ターボ分子ポンプ52とドライポンプ54とは、排気管で接続されている。このような薄膜形成装置10では、まず、サセプタ42の基板載置面に基板20を載置して、成膜空間40を減圧状態にする。このとき、シャワーヘッド51の複数のガス導入孔51aからモノシランガスを成膜空間40内に導入する。このとき、プラズマ密度が高くなり、成膜を効率よく行えるようにするために、10~100Paの減圧状態にすることが好ましい。10~100Paの減圧状態でプラズマ密度が高くなるのは、電極板30a,30bをプラズマ生成素子30として用いる構成に依拠する。この後、プラズマ生成素子30に給電して、電極板30a,30bの一方の端面から他方の端面に電流を流すことにより、モノシランガスを用いて成膜空間40においてプラズマPを生成する。このとき、プラズマ生成素子30に100~2000W、数10MHzの高周波を給電することが、成膜を効率よく行う点で好ましい。このとき、サセプタ42の基板載置面に、負電圧のバイアス電圧をバイアス電圧部47が印加する。例えば、50~500V、0.1~10kHzの交流電圧が印加される。このように、プラズマPを生成するとき、基板載置面にバイアス電圧を印加して基板20に電位を下げるのは、以下の理由による。図4は、基板20の上方の空間電位の分布の一例を示す図である。図4に示す空間電位は、図3に示す基板20の表面を原点として基板面の垂直上方の方向をZ方向としている。基板20の表面は、バイアス電位が印加されており、負の電圧が印加されているときの状態を示している。このとき、負のバイアス電位からプラズマPの形成領域まで電位は急激に立ち上がり、プラズマPの形成領域で略一定になっている。したがって、図4に示すように、基板面からプラズマPの形成領域の間に電位が急激に変化する、すなわち電界の非常に高いシース領域が存在する。この領域の厚さであるシース厚は、上記プラズマの生成条件給電電力100~2000W、圧力10~100Paにおいて、数mmである。一方、成膜空間40内の圧力10~100Paにおけるモノシランガスから電離した水素イオン、SiH2イオンおよびSiH3イオンの平均自由行程は0.1~1mmである。このため、上記シース厚に比べて上記平均自由行程が短いため、電界の高いシース領域において、水素イオン、SiH2イオンおよびSiH3イオンが互いに衝突しやすい。このため、この荷電交換衝突により、膜のプリカーサとなるSiH2ラジカルあるいはSiH3ラジカルが多数生成される。すなわち、基板20に、水素イオン、SiH2イオン、SiH3イオンがバイアス電圧によって引き寄せられるが、基板20に衝突する前に、水素イオン、SiH2イオン、SiH3イオンはラジカルを形成し、SiのラジカルSiH3等が生成される。このため、基板20には、Siのラジカルが堆積してSi薄膜を形成する。その際、ヒータ44で基板20は加熱されているので、結晶化して微結晶Si薄膜が形成される。このように、成膜形成装置10は、サセプタ44にバイアス電圧を印加することにより、効率よく成膜することができる。バイアス電圧が交流電圧であり正の電圧のとき、プラズマPの空間電位プラズマポテンシャルに近づく。しかし、このとき、基板20は水素イオン、SiH2イオンおよびSiH3イオンを引き込まないので、成膜はされにくい他、エッチングも受けにくい。以上より、バイアス電圧は、負のDC電圧であることが効率的であるが、交流電圧であっても成膜速度は従来に比べて向上する。例えば、プラズマ生成素子30に電力1500W、13.56MHzの高周波電力を給電し、成膜空間40の圧力を20Paとし、流量40sccmのモノシランガスを成膜空間40に導入して基板20の成膜を行ったとき、バイアス電圧をサセプタ44に印加しなかった場合の成膜速度は150nm/分であった。これに対して、周波数1kHz、電圧60Vのバイアス電圧をサセプタ44に印加したときの成膜速度は175nm/分であった。これより、薄膜形成装置10の装置構成において、バイアス電圧の印加が成膜速度に有効であることがわかる。このように、本実施形態では、シャワーヘッド51を用いて薄膜用原料ガスを導入し、電極板を用いたプラズマ生成素子30により磁場を生成してプラズマを生成する一方、サセプタ44に負の電圧を有するバイアス電圧を印加することにより、成膜速度が従来に比べて向上する。以上、本発明の薄膜形成装置および薄膜形成方法について詳細に説明したが、本発明の薄膜形成装置は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。"