"基板を選択的にエッチングするための方法であり、前記方法は:シリコン上にシリコン窒化物SiNyを含む基板をプラズマエッチングシステムに導入すること;プラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物へパターンを転写することを含み、前記プラズマエッチングプロセスが、最初の成分として、C、H及びFを含むプロセスガス、及びCO2を含む添加ガスを含むプロセスガス組成物を使用し;及び前記プラズマエッチングプロセスで前記添加ガスの量を、1前記シリコンに形成されるシリコン凹部が10ナノメートルnm未満の深さであり、及び2前記パターンの側壁プロフィルが90度からの偏差が2度未満であるように選択される、方法。請求項1に記載の方法であり、さらに、前記基板上に前記シリコン窒化物へ前記パターンを均一に転写するためにオーバーエッチング期間前記プラズマエッチングプロセスを延長する、方法。請求項1に記載の方法であり、前記C、H及びFを含む前記プロセスガスが、CHF3、CH3F又はCH2F2又はこれらの2以上の全ての組み合わせを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、前記C,H及びFを含むプロセスガスが、CHF3からなる、方法。請求項1に記載の方法であり、前記プロセスガス組成物がさらに希ガスを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、前記プロセスガス組成物がさらに、酸素含有ガスを含み、前記酸素含有ガスが酸素、CO、NO、N2O又はNO2又はそれらの組み合わせを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、前記プロセスガス組成物が、CHF3、CO2及びArからなる、方法。請求項1に記載の方法であり、前記角度偏差が8nm未満である、方法。請求項1に記載の方法であり、前記角度偏差が1nm未満である、方法。請求項1に記載の方法であり、前記プラズマエッチングプロセスが、30mTorrから60mTorrの範囲に前記プラズマエッチングシステムの圧力を設定することを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、前記C、H及びFを含むプロセスガスの流速が、約10sccmから約50sccmである、方法。請求項1に記載の方法であり、前記添加ガスの流速が、約1sccmから約10sccmである、方法。請求項1に記載の方法であり、前記プラズマエッチングプロセスが、前記基板が前記プラズマエッチングシステムで置かれる基板ホルダーへの第1の周波数で第1のラジオ周波数RFパワー結合し、かつ前記基板ホルダー上の前記基板に対抗する上部電極へ第2の周波数で第2のラジオ波RFパワー結合することを含む、方法。請求項13に記載の方法であり、前記第1のラジオ周波数RFパワーが500Wまでであり、かつ前記第2のラジオ周波数RFパワーが500Wまでである、方法。請求項1に記載の方法であり、前記添加ガスの流速と、前記C、H及びFを含むプロセスガスの流速の比が、5から25の範囲である、方法。請求項1に記載の方法であり、前記添加ガスの流速と、前記C、H及びFを含むプロセスガスの流速の比が、15から20の範囲である、方法。請求項1に記載の方法であり、前記C、H及びFを含むプロセスガスがCHF3からなり、前記CO2の流速と前記CHF3の流速の比が、15から20の範囲である、方法。請求項1に記載の方法であり、前記基板が、前記プラズマエッチングシステム内の温度制御基板ホルダー上に置かれ、前記温度制御基板ホルダーが:支持ベースを含み、前記支持ベース内を温度制御された熱流体を循環するための流体チャンネルを持ち、前記支持ベースの上部へ断熱体を介して接続される基板支持体を含み、前記基板支持体が:前記基板支持体内に埋め込まれる1又はそれ以上の加熱要素、上部表面を含み、前記上部表面と前記基板の裏面との間が接触することで前記基板を支持し、及び前記基板支持体の前記上部表面上の前記基板を保持するための静電クランプ電極を含む、方法。請求項18に記載の方法であり、前記温度制御基板ホルダーがさらに:裏面ガス供給システムを含み、それにより、前記基板支持体の前記上部表面に配置された複数のオリフィス又はチャンネルの少なくとも1つを通じて、前記基板の裏面へ熱伝達ガスを供給し、前記裏面ガス供給システムの前記複数のオリフィスが、前記基板支持体の前記上部表面上に複数の領域に設けられ、それにより、前記基板の裏面の実質的に中心領域と前記基板の裏面の実質的に端部領域との間の半径方向への裏面圧力を変更させるように構成される、方法。請求項1に記載の方法であり、前記シリコン層が、トランジスタゲートのための絶縁スペーサーの部分である、方法。本発明は、誘電体材料の選択的エッチングのための方法及びシステムに関し、より具体的には、シリコンに対して高選択的に、シリコン酸化物SiOx又は窒化物SiNyを、低減されたシリコン凹部を持つ異方性エッチングプロフィルを達成するプラズマエッチングプロセスを用いて、均一にエッチングする方法及びシステムに関する。以下の記載においては、説明目的であって、なんらを限定する目的ではなく、詳細な説明がなされ、特にプロセスシステム、種々の部品の説明及びここで使用されるプロセスについて説明がなされる。しかし理解されるべきことは、本発明はこの具体的な詳細から離れて他の実施態様でも実施され得る、ということである。同様に、説明の目的で、具体的な数、材料及び構成は、本発明の完全な理解を提供するために定められている。それにも拘わらず、本発明は具体的な詳細がなくても実施され得る。さらに、理解されるべきことは、図に示される種々の実施態様は、説明のために表されており、必ずしも寸法通りには描かれているものではない。種々の操作は、多数の区別される操作として説明されるが、これは本発明を理解する最も助けとなるように説明されているものである。しかし説明での順番は、これらの操作が順番に依存するものであることを意味するものと解釈されるべきではない。特にこれらの操作は表されている順番で実施されることは必須ではない。記載される操作は、記載される実施態様とは異なる順で実施され得る。種々の追加の操作が実施され得るし、及び/又は記載された操作はさらなる実施態様では省略され得る。ここで基板とは、一般に、本発明により処理される対象物を意味する。前記基板には、装置、特に半導体装置やその他の電子装置の全ての材料部分又は構造を含み、及び例えば、半導体ウェハなどのベース基板構造、又は薄膜などのベース基板構造を覆う又はその上にある層を含む。従って、基板は、いかなる特定のベース構造、下層又は上層、パターン化又は非パターン化された構造に限定されるものではなく、むしろ、全てのそのような層やベース構造及び層及び/又はベース構造の全ての組み合わせを含むことが意図されている。以下の記載は、基板の特定のタイプを参照するが、これは説明するためのものであり何らを限定するものではない。材料処理方法において、ドライプラズマエッチングは、1つの材料は選択的にエッチングするが他の材料は実質的にエッチングしない適切な化学反応種を持つプラズマ化学成分を使用する。ひとつの例では、絶縁誘電性材料の層が、多結晶性シリコンポリシリコン構造を持つゲートスタック上に堆積される図1A参照。例えば、前記絶縁層はシリコン酸化物例えば、SiOx又はシリコン窒化物例えば、SiNy又はその両方を含み得る。その後、前記絶縁層はプラズマエッチングプロセスの対象とされ、前記絶縁層は、前記ゲートスタックの側壁に沿った位置以外の全ての位置で除去される図1B参照。残された絶縁材料は半導体装置の製造においてスペーサーとして作用する。装置の操作及び/又は信頼性にとって重要なことは、前記スペーサーが、実質的にポリシリコンゲート材料を減少させることなく、かつ前記シリコン基板内の凹部形成を最小化しつつ、形成される、ということである。さらに重要なことは、異方性プロフィルを達成しつつ前記条件を満たすことである。従って、エッチング化学種は、好ましくは、前記絶縁材料をエッチングする一方で、下層単結晶シリコン基板のエッチングは最小にし、同様にポリシリコンのエッチングも最小にするように選択される。更に、生産性ついて重要なことは、例えば、前記のスペーサーエッチングプロセスが基板全体に均一である、ということである。前記のように、プラズマエッチングプロセスは、前記ICでの正確な寸法と強固な電子構造を達成するために厳しい要求項目に従って実施される必要がある。他の適用はまた、コンタクトアラインとデュアルストレスライナー形成を含む。従って、1つの実施態様では、プラズマエッチングプロセスにおいて、シリコン及びポリシリコンに対してシリコン酸化物SiOx及び/又はシリコン窒化物SiNyを選択的にかつ均一にエッチングするための方法及びシステムが記載される。図2及び3に記載のように、前記方法は、シリコン上のシリコン窒化物SiNy層220を含む基板210をプラズマエッチングシステムに導入する110から開始されるフローチャート100を含む。前記基板210は、1又はそれ以上の層例えば、リソグラフィーマスク層、ソフトマスク層、ハードマスク層、反射防止コーティングARC、有機平坦化層OPLなどを持つパターン化マスク層230を含む。図3に示されるように、パターン240はプラズマエッチングプロセスを用いて前記シリコン窒化物層220へ転写され、ここでプラズマエッチングプロセスは最初の成分として、C,H及びFを含むプロセスガス及びCO2を含む添加ガスを含むプロセスガスを用いる。一例として、前記C、H及びFを含むプロセスガスは、CHF3、CH3F、CH2F2又はこれらの2以上のあらゆる組み合わせを含む。他の例として、前記C、H及びFを含むプロセスガスは、CHF3を含む。他の例として、前記C、H及びFを含むプロセスガスは、CHF3からなる。前記プロセスガス組成物はさらに、He,Ne、Ar、Kr又はXeなどの希ガスを含み得る。さらに、前記プロセスガス組成物は、O2、CO、NO、N2O又はNO2などの酸素含有ガスを含み得る。さらに他の例として、前記プロセスガスが、CF3,CO2及びArを含み得る。さらに他の例として、前記プロセスガスは、CF3,CO2及びArからなる。さらに、130で、図3で示されるように、プラズマエッチングプロセスでの添加ガスの量は:1前記シリコン中に形成される凹部242が、10ナノメートルnm未満であり、かつ2前記パターンの側壁が90度からの偏差が2度未満であるように達成するように選択される。又は、前記シリコンに形成される凹部242は、8ナノメートルnm未満であり、かつ90度からの偏差が1度未満である。前記のように、前記プロセスガス組成物は、CH2F2及びCHF3などのフッ化炭化水素物を含むガスの使用を含む。高エッチング選択性及び許容される均一性は、圧力、CHF3の流速及び前記プラズマエッチングシステムに結合されるラジオ周波数RFパワーを含むプロセス条件の設定を、活性エッチング分子又は原子とポリマー形成分子がエッチングプラズマ内に形成されるように選択することで達成され得る。例えば、本発明者によれば、C、HおよびFを共に含むエッチング化学種の使用は、前記エッチングプラズマの存在下で、炭化水素及びフッ素化炭素分子の形成を促進し、これらはポリシリコン及びシリコン表面に吸収され、シリコン酸化物及びシリコン窒化物表面をエッチングを可能としつつ、エッチングプロセスの間これらの表面を保護する。C、H及びFを共に含むエッチング化学種は、活性エッチング分子又は原子及びポリマー形成分子のバランスを生成し得る。この化学種の保護性は、しかし、エッチングプロフィルを悪化させ、前記プラズマエッチングプロセスの異方性を低減させる。従って、シリコン凹部以下説明されるを低減させつつ異方性を改善するためにCO2を含む添加ガスが導入される。本発明者は、酸素O2を研究したが、O2添加は実質的に前記エッチング化学種の保護性を低減させ、許容できないシリコン凹部の原因となることが見出された。低減されたシリコン凹部を持つ異方性エッチングプロフィルを得るために、C、H及びFを含むプロセスガスの流速は、約10sccm標準立法センチメートル/分から約50sccmの範囲から選択され、前記添加ガスの流速は、約1sccmから約10sccmの範囲で選択される。前記プラズマエッチングシステムでの圧力は、1mTorrミリトールから200mTorr、例えば30mTorrから60mTorrの範囲で選択される。1つの実施態様では、前記添加ガスの流速と、C、H及びFを含むプロセスガスの流速との比は、5から25の範囲で選択される。他の実施態様では、前記添加ガスの流速と、C、H及びFを含むプロセスガスの流速との比は、10から20の範囲で選択される。他の実施態様では、前記添加ガスの流速と、C、H及びFを含むプロセスガスの流速との比は、15から20の範囲で選択される。さらに他の実施態様では、CO2の流速とCHF3の流速との間の比は、15から20の範囲で選択される。以下より詳細に説明されるように、前記基板温度は、前記プラズマエッチングシステム内の温度制御基板ホルダーを用いて温度制御スキームに従い制御され得る。前記プラズマエッチングシステムの温度制御基板ホルダーを用いることで、基板温度は前記プラズマエッチングプロセスを改善するために空間的及び時間的に制御され得る。前記温度制御基板ホルダーは、支持ベースを有し、この中に温度制御熱流体を循環させる流体チャンネルを持ち、及び熱絶縁体を介して前記支持ベースの上部部分へ接続される基板支持体を持つ。前記基板支持体はさらに、前記基板支持体内部に設けられた1又はそれ以上の加熱要素と、前記基板を前記上部表面と前記基板の裏側との間で接触することで支持する上部表面と、及び前記基板を前記基板支持体の上部表面に支持するために静電クランプ電極を含む。前記1又はそれ以上の加熱要素は、前記基板の実質的に中心領域に位置する第1の加熱要素と、前記基板の実質的に端部領域に位置する第2の加熱要素を含み、前記第1及び第2加熱要素は同心円状に配置されている。加えて、前記温度制御基板ホルダーは、裏面ガス供給システムを有してよく、これは、前記基板支持体の上部表面に露出された少なくとも1つの複数のオリフィス又はチャンネルを通じて基板の裏面に熱伝達ガスを供給するように設けられている。前記裏面ガス供給システムのオリフィスは、前記基板支持体の上部表面の複数の領域に設けられてよく、これにより前記基板の裏面の実質的に中心領域と実質的に端部領域との間の半径方向での裏面圧力を変更する。例えば、前記基板の裏面への熱伝達ガス供給を制御するための複数の領域は、前記第1及び第2の加熱要素が位置する領域に対応させることができる。前記プロセス圧力は、プラズマエッチングプロセスの間に変更され得る。加えて、プラズマエッチングプロセスの間、プラズマ生成パワーも変更され得るか、又は一定に維持され得る。さらに、前記プラズマエッチングプロセスは、前記膜スタックでのシリコン窒化物層220を部分的又は完全にエッチングするために十分な持続時間で実施され得る。前記持続時間は、終点検出を用いてその場で決定され得るし、又はそれぞれのプラズマエッチングプロセスを実行する前に決定され得る。エッチングの均一性、エッチングプロフィル制御及び/又は臨界寸法CD制御に対処するために、プラズマエッチングプロセスの持続時間がオーバーエッチングプロセスにより延長され得る。前記のプラズマエッチングプロセスは、図4から図11に示されたようなプラズマエッチングシステムを用いて実施し得る。さらに、前記のプラズマエッチングプロセスは、図12で示されるようなプラズマエッチングシステム内に温度制御基板ホルダーを用いて実施し得る。1つの実施態様によると、プラズマエッチングシステム1は図4に示され、プラズマプロセスチャンバ2、前記プラズマプロセスチャンバ2へ接続された診断システム3、及び前記診断システム3と前記プラズマプロセスチャンバ2へ接続された制御装置4を含む。前記制御装置4は、シリコン及び/又はポリシリコンに対してシリコン酸化物又はシリコン窒化物を選択的かつ均一にエッチングするために、初期プロセスガスとしてC、H及びFを含むプロセスガス及びCO2を含む添加ガスとを含むプロセスガス組成物を含むプロセスレシプを実施するように構成される。又は、前記制御装置4は、シリコン及び/又はポリシリコンに対してシリコン酸化物又はシリコン窒化物を選択的かつ均一にエッチングするために、トリフルオロメタンCHF3、二酸化炭素CO2及び希ガスを含むプロセスレシピを実施するように構成される。さらには、制御装置4は、前記診断システム3からの少なくとも1つ終点信号を受け取り、前記少なくとも1つ終点信号を前記プラズマエッチングプロセスについての終点を正確に決定するために後処理するように構成される。図示された実施態様では、図4に示されるプラズマエッチングシステム1は、材料処理のためのプラズマを使用する。他の実施態様によると、前記の同定されたプロセス条件を実施するように構成されたプラズマエッチングシステム1が図5に示されており、これはプラズマプロセスチャンバ10上で処理される基板25が固定される基板ホルダー20及び真空ポンプシステム50を含む。基板25は半導体基板、ウェハ、フラットパネル表示又は液晶表示であり得る。プラズマプロセスチャンバ10は、基板25の表面の近くのプロセス領域45にプラズマを生成させるように構成され得る。プロセスガスのイオン化可能ガス又は混合物がガス供給システム40を介して導入される。所与のプロセスガス流速について、プロセス圧力が真空ポンプシステム50を用いて調節される。プラズマは、既定の材料プロセスに特異的な材料を生成するため、及び/又は基板25の露出表面からの材料除去を補助するために使用され得る。前記プラズマエッチングシステム1は、全ての望ましいサイズ、例えば200mm基板、300mm基板又はそれを超えるサイズの基板を処理するように構成され得る。基板25は、基板ホルダー20にクランプシステム28を介して固定され、前記クランプシステム28は機械的クランプシステム又は電子的クランプシステム例えば静電クランプシステムなどである。さらに、基板ホルダー20は、加熱システム図示されていない又は冷却システム図示されていないを含み、これは基板ホルダー20及び基板25の温度を調節及び/又は制御するように構成され得る。前記加熱及び冷却システムは、熱伝達流体の再循環流を含み、これは熱を基板ホルダー20から受け取り、冷却の際には熱を熱交換システム図示されていないへ伝達し、又は加熱の際には前記熱交換システムから熱を基板ホルダー20へ伝達し得る。他の実施態様では、抵抗加熱要素又は熱電加熱/冷却装置などの加熱/冷却要素が、基板ホルダー20内、同じく前記プラズマプロセスチャンバ10のチャンバ壁、及び前記プラズマエッチングシステム1a内の他のいかなる部品内に導入され得る。さらに、熱伝達ガスは、裏面ガス供給システム26を介して基板25の裏面へ輸送され、これにより基板25と基板ホルダー20との間のガスギャップ熱伝導性を改善することができる。かかるシステムは、基板の温度制御が高温又は低温度で必要とされる場合に使用され得る。例えば、裏面ガス供給システムは、2領域ガス分配システムを含み、基板25の中心及び端部の間のヘリウムガスギャップ圧力を独立して変更することができる。図5に示される実施態様では、基板ホルダー20は、RFパワーがプロセス領域45で処理プラズマへ結合される電極22を含み得る。例えば、基板ホルダー20は、場合によりインピーダンスマッチングネットワーク32を通じて、RF発生装置30から基板ホルダー20へのRFパワーの伝達を介してRF電圧で電気的にバイアスされ得る。前記RFバイアスは、電子を加熱してプラズマを維持するように作用する。この構成では、前記システムは、反応性イオンエッチングRIE反応装置として操作され、前記チャンバ及び上部ガス注入電極が接地表面として作用する。RFバイアスの通常の周波数は、約0.1KHzから約100MHzである。プラズマエッチングプロセスのRFシステムは当業者によく知られている。又は、RFパワーは複数の周波数で基板ホルダー電極に供給される。さらに、インピーダンスマッチングネットワーク32は、反射されるパワーを低減することで、RFパワーのプラズマプロセスチャンバ10のプラズマへの伝達を改善し得る。マッチングネットワークのトポロジー例えば、L-タイプ、π-タイプ、T-タイプなど及び自動制御方法は、当業者によく知られている。ガス分配システム40は、プロセス混合物を導入するためにシャワーヘッド設計を含む。又は、ガス分配システム40は、基板25上にプロセスの混合物を導入し、プロセスガス混合物の分配を調節するためにマルチゾーンのシャワーヘッド設計を含み得る。例えば、前記マルチゾーンシャワーヘッド設計は、基板25の実質的に中心領域へのプロセスガス流又は組成物に対する、基板25上に実質的に周辺領域へのプロセスガス流又は組成物を調節するように構成され得る。真空ポンプシステム50は、ポンプ速度が約5000リットル/秒およびそれ以上が可能であるターボ分子真空ポンプTMPを含み、及び前記チャンバ圧力を絞るためのゲートバルブを含み得る。ドライプラズマエッチングのために使用される従来のプラズマプロセス装置には、1000から3000リットル/秒TMPが適用され得る。TMPは、通常約50mTorr未満低圧プロセスにとって有用である。高圧プロセス即ち、約100mTorrを超えるにとっては、機械的ブースターポンプ及びドライ粗引きポンプが使用され得る。さらに、チャンバ圧力をモニタするための装置図示されていないが前記プラズマプロセスチャンバ10へ接続され得る。制御装置55は、マイクロプロセッサー及び、プラズマエッチングシステム1aへと交信し及び入力を開始し、同様にプラズマエッチングシステム1aからの出力をモニタするために十分な電圧を生成し得るデジタルI/Oポートを含む。さらには、制御装置55は、RF生成装置30、インピーダンスマッチングネットワーク32、ガス分配システム40、真空ポンプシステム50、同様に基板加熱/冷却システム図示されていない、裏面ガス供給システム26及び/又は静電クランプシステム28と接続され、情報を交換し得る。例えば、基板25上にプラズマエッチングプロセスを実施するためのプロセスレシピに従って、前記メモリに記憶されたプログラムが前記プラズマエッチングシステム1aの前記の部品への入力を開始するために使用され得る。制御装置55は、プラズマエッチングシステム1aに対して局所的に配置され、又はプラズマエッチングシステム1aに対して離れて配置され得る。例えば制御装置55は、プラズマエッチングシステム1aと直接接続、イントラネット及び/又はインターネットを使用してデータを交換することができる。制御装置55は、例えばイントラネットで顧客サイト即ち、デバイス製造者などへ接続され、又は例えばイントラネットで購入者即ち装置製造者へ接続され得る。これに代えて、又は加えて、制御装置55はインターネットに接続され得る。さらに、他のコンピューター即ち制御装置、サーバなどは迅速にアクセスして、直接、イントラネット経由、及び/又はインターネット経由でデータを交換することができる。図6に示された実施態様では、プラズマエッチングシステム1bは、図5の実施態様と類似であり、図5に記載される部品に加えて、さらに、静的磁場又は機械的又は電気的な回転磁場60のいずれかを、プラズマ密度を大きく増加させ、及び/又はプラズマプロセス不均一性を改善するために含む。さらには、制御装置55が、前記回転速度及び磁場強度を制御するために前記磁場システム60と接続され得る。回転磁場の設計及び実施は当業者によく知られている。図6に示される実施態様では、プラズマエッチングシステム1cは図5又は図6の実施態様と類似するが、さらに上部電極70を含み、これはRFパワーへRF発生装置72から、場合によりインピーダンスマッチングネットワーク74を通じて接続され得る。前記上部電極へのRFパワー供給の周波数は、約0.1MHzから約200MHzの範囲である得る。さらに、前記下部電極へのパワー供給の周波数は、約0.1MHzから約100MHzの範囲であり得る。さらには、制御装置55は、RF発生装置72及びインピーダンスマッチングと接続され、これにより上部電極70へのRFパワー供給を制御する。前記上部電極の設計及び実施は当業者によく知られている。前記上部電極70及び前記ガス分配システム40は、示されるように、同じチャンバ組み立て物内に設けられるように設計され得る。図8に示される実施態様では、プラズマエッチングシステム1c’は図7の実施態様と類似し、さらに、基板25と対抗する前記上部電極70に接続される直流DCパワー供給90を含み得る。前記上部電極70は電極プレートを含み得る。前記電極プレートは、シリコン含有電極プレートを含み得る。さらに、前記電極プレートはドープされたシリコン電極プレートを含み得る。前記DCパワー供給90は可変DCパワー供給を含み得る。さらに、前記DCパワー供給は、バイポーラDCパワー供給を含み得る。前記DCパワー供給90はさらに、前記DCパワー供給90の、モニタ、極性の調節又は制御、電流、電圧、又はオン/オフ状態の少なくとも1つを実施するように構成されるシステムを含み得る。プラズマが形成されると、前記DCパワー供給90は、弾道電子ビームの形成を促進する。電気的フィルタ図示されていないが、RFパワーを前記DCパワーパワー供給90と脱接続させるために使用され得る。例えば、前記DCパワー供給90により前記上部電極70へ供される前記DC電圧は、約2000ボルトVから約1000Vの範囲であり得る。望ましくは、前記DC電圧の絶対値は、約100V以上であり、より好ましくは前記DC電圧の絶対値は約500V以上である。さらに、望ましくは、前記DC電圧が負極性を持つことである。さらに望ましくは、前記DV電圧が、負電圧であり、前記上部電極70の表面で生成される自己バイアス電圧よりも大きい絶対値を持つことである。前記基板ホルダーに面する上部電極70の表面はシリコン含有材料からなってよい。図9に示される実施態様において、プラズマエッチングシステム1dは図5及び図6の実施態様と類似するが、さらに、誘導コイル80を含み、これはRFパワーへRF発生装置82を介して場合によりインピーダンスマッチングネットワーク84を通じて接続されている。RFパワーは誘導コイル80と、プラズマプロセス領域45への絶縁窓図示されていないを通じて誘導的に結合される。前記誘導コイル80へRFパワーを適用するための周波数は、約10MHzから約100MHzの範囲である。同様に、前記チャック電極へのパワーの適用のための周波数は、約0.1MHzから約100MHzの範囲である。さらに、スロット付きファラディーシールド図示されていないが適用されて、それにより前記プロセス領域45での前記誘導コイル80とプラズマの容量的結合を低減させる。さらに、制御装置55がRD発生装置82とインピーダンスマッチングネットワーク84に接続されて、誘導コイル80へのパワー供給を制御する。図10に示されるように他の実施態様では、プラズマエッチングシステム1eは図9の実施態様と類似であるが、さらに、誘導コイル80’を持ち、これはスパイラルコイル又はパンケーキコイルであり、変圧器結合プラズマTCP反応装置のように、前記プラズマプロセス領域45と交信する。誘導結合プラズマICP源又は変圧器結合プラズマTCP源は当業者にはよく知られている。又はプラズマは、電子サクロトロン共鳴ECRを用いて形成され得る。さらに他の実施態様では、プラズマはヘリコン波の放出からも形成される。さらに他の実施態様では、プラズマは、表面波の伝播から形成され得る。前記のそれぞれのプラズマ源は当業者によく知られている。図11に示される実施態様では、プラズマエッチングシステム1fは図5の実施態様と類似するが、さらに、表面波プラズマSWP源80’を含む。前記SWP源80’は、ラジアルラインスロットアンテナRLSAなどのスロットアンテナを含み、これにマイクロ波パワーがマイクロ波発生装置82’を介して場合によりインピーダンスマッチングネットワーク84’を通じて接続される。図12を参照すると、図4から図11で示されるプラズマエッチングシステムのいずれかで使用するための温度制御基板ホルダー500が、他の実施態様により記載される。前記基板ホルダー500は、基板支持体530を含み、これは第1の温度を持ち、かつ基板510を支持するように構成され;温度制御支持ベース520を含み、これは基板支持体530の下に位置され、かつ前記第1の温度よりも低い第2の温度例えば基板510の望ましい温度よりも低いとなるように構成され;及び熱絶縁体540を含み、これは前記基板支持体530と前記温度制御支持ベース520との間に位置される。さらに、前記基板支持体530は、それに接続され基板支持体530の温度を上げるように構成された、中心加熱要素533基板510の実質的に下部中心領域に位置される及び端部加熱要素基板510の実質的に下部周辺領域に位置されるを含む。さらに、前記支持ベース520は、それに接続された1又はそれ以上の冷却要素521を含み、基板支持体530の温度を、基板支持体530から前記熱絶縁体540を通じて熱除去を介して低減させる。図12に示されるように、前記中心加熱要素533及び端部加熱要素531は加熱要素制御ユニット532へ接続される。加熱要素制御ユニット532は、それぞれの加熱要素をそれぞれ独立に又はそれぞれに依存して制御し、及び制御装置550と情報を交換するように構成される。前記中心加熱要素533及び端部加熱要素531は、前記ウェハに熱を伝達するようにバイアスされた少なくとも1つの加熱流体チャンネル、抵抗加熱要素又は熱電要素を含む。例えば、前記中心加熱要素533及び端部加熱要素531は、1又はそれ以上の加熱チャンネルを含み、それを通じて、水、FLUORINERT、GALDENHT-135などの流体の流れを可能とし熱交換装置を介して前記流体温度が上げられた伝導性対流加熱を与えることができる。前記流体流速及び流体温度は、例えば前記加熱要素制御ユニット532により、設定、モニタ、調節及び制御がされ得る。又は、例えば、前記中心加熱要素533及び端部加熱要素531は、タングステン、ニッケル-クロム合金、アルミニウム-鉄合金、アルミニウム窒化物フィラメントなどの1又はそれ以上の抵抗加熱要素を含み得る。抵抗加熱要素の製造のための市販材料の例は、登録商標名Kanthal、Nikrothal、AkrothalKanthalCorporationofBethel、CTから入手が挙げられる。Kanthalにはフェライト系合金FeCrAlが含まれ、及びNikrothalにはオーステナイト系合金NiCr、NiCrFeが含まれる。例えば前記加熱要素には、Watlow1310KingslandDr.、Batavia、IL、60510から入手可能な操作温度400から450°Cの鋳込みヒーター、又は同じくWatlowから入手可能な操作温度300°Cまで及び電力密度が23.25W/cm2のフィルムヒーターが含まれる。さらに、例えば、前記加熱要素は、1400W又は電力密度5W/in2のシリコーンゴムヒーター1.0mm厚さが含まれ得る。電流が前記フィラメントを通過すると、電力は熱として消費され、従って前記加熱要素制御ユニット532は、例えば制御可能なDCパワー供給を含む。低温度及び低電力密度のために適切な加熱のさらなる選択肢は、Kaptonヒーターであり、Kapton例えばポリイミドシートに埋め込まれたフィラメントからなるものであり、これはMinco、Inc.Minneapolis、MNから市販されている。又は、例えば、前記中心加熱要素533及び端部加熱要素531は、熱電要素の配列を含み、これによりそれぞれの要素を通る電流の方向に依存して基板を加熱又は冷却することができる。従って、前記中心加熱要素533及び端部加熱要素531が、加熱要素として参照される場合には、これらの要素は温度間を迅速に変化させるために冷却する能力を含めることができる。さらに、加熱及び冷却機能は、基板支持体530内に別々の要素により設けられてよい。1つの例示的熱電要素は、AdvancedThermoelectricから入手可能な、ModelST-127-1.4-8.5M40mmx40mmx3.4mmの熱電装置であり、最大熱移動は72Wである。従って、前記加熱制御ユニット532は、例えば、制御可能な電流源を含み得る。前記1又はそれ以上の加熱又は冷却要素521は少なくとも1つ冷却チャンネル又は熱電要素を持つ。さらに図12に示されるように、前記少なくとも1つの冷却要素521は冷却要素制御ユニット522に接続される。冷却制御ユニット522は、それぞれの冷却要素521を独立に又は依存して制御を与え、及び制御装置550と情報を交換するように構成される。例えば、前記1又はそれ以上の冷却要素521は、1又はそれ以上の冷却チャンネルを含み、これにより、水、FLUORINERT、GALDENHT-135などの流体であって前記流体温度が熱交換装置を介して下げられた流体がそこを流れて伝導性対流性冷却を与えることができる。前記流体流速は、例えば前記冷却要素制御ユニット522により設定、モニタ、調節及び制御され得る。又は、例えば加熱の際に、前記1又はそれ以上の冷却要素521を通る流体流れの流体温度は、前記中心加熱要素533と端部加熱要素531による加熱を補完するために増加され得る。又は、例えば冷却の際に、前記1又はそれ以上の冷却要素521を通る流体流れの流体温度は、減少され得る。又は、例えば、前記1又はそれ以上の冷却要素521は、熱電要素の配列を含み、前記それぞれの要素を通る電流の方向に依存して基板を加熱又は冷却することができる。従って、前記要素521は冷却要素として参照される場合には、これらの要素は、温度間の迅速な変化を与えるために加熱する能力を含むことができる。さらに、加熱及び冷却機能は、前記温度制御支持ベース520内に別々に設けることも可能である。熱電要素の一例は、AdvancedThermoelectricから市販されている、ModelST-127-1.4-8.5M40mmx40mmx3.4mmの熱電装置、最大熱移動電力は72Wである。従って、冷却要素制御ユニット522は、例えば、制御可能な電流源を含み得る。さらに、図12に示されるように、基板ホルダー500はさらに、静電クランプESCを含み、これは基板支持体530に埋め込まれた1又はそれ以上のクランプ電極535を含む。前記ESCはさらに、高電圧HVDC電圧供給534を持ち、これは電気配線を介してクランプ電極535へ接続される。そのようなクランプの設計及び実施は静電クランプシステムの当業者にはよく知られている。さらに、前記HVDC電圧供給534は、制御装置550へ接続され、かつ制御装置550と情報を交換するように構成される。図12に示されるように、さらに、基板ホルダー500は裏面ガス供給システム536を含み、これにより、ヘリウム、アルゴン、キセノン、クリプトンを含む不活性ガスなどの熱伝達ガス、酸素、窒素又は水素を含むプロセスガス又は他のガスを、基板510の裏面の中心及び端部領域に、2ガス供給ライン及び少なくとも2つの複数のオリフィス及びチャンネル図示されていないを通じて供給する。前記裏面供給システム536は、示されるように、2ゾーン中心/端部システムを含み、前記裏面圧力は、中心から端部へ半径方向に変化し得る。さらに、前記裏面ガス供給システム536は、制御装置550と接続され、及び制御装置550と情報交換するように構成される。さらに、図12に示されるように、基板ホルダー500はさらに、基板510の実質的に下部中心領域での温度を測定するための中心温度センサ562及び基板510の実質的に下部端部領域の温度を測定するための端部温度センサ564を含む。前記中心及び端部温度センサ562、564は温度モニタシステム560に接続される。前記温度センサは、光ファイバ温度計、光高温計、米国特許第6891124この全内容は参照されて本明細書に援用されるに記載されるバンド端部温度測定システム、又はK-タイプの熱電対点線で示されるようにを含み得る。光高温計の例は:AdvancedEnergies、Inc.から市販されているModelNo.OR2000F;LuxtronCorporationから市販されている光ファイバ温度計ModelNo.M600;又はTakaokaElectricMfg.から市販されている光ファイバ温度計ModelNo.FT-1420を含む。温度モニタシステム560は、センサ情報を制御装置550へ与えて、加熱要素、冷却要素、裏面ガス供給システム又は、プロセスの前、プロセスの間又は後にESCにためにHVDC電圧供給の少なくとも1つを調節する。制御装置550は、マイクロプロセッサー;メモリ;及びデジタルI/OポートD/A及び/又はA/D変換可能なを含み、前記I/Oポートは、基板ホルダー500からの出力をモニタすると同様に、基板ホルダー500へ更新し入力を開始するために十分な制御電圧を生成することが可能である。図12に示されるように、制御装置550は、加熱要素制御ユニット532,冷却要素制御ユニット522、HVDC電圧供給534、裏面ガス供給システム536及び温度モニタシステム560に接続され、情報を交換し得る。前記メモリに記憶されたプログラムが、記憶されたプロセスレシピに応じて前記の基板ホルダー500の部品と相互作用するために使用される。制御装置550はまた、汎用コンピューター、プロセッサー、デジタル信号プロセッサーなどとして実装され、コンピューター読み取り可能媒体内に含まれる一連の1又はそれ以上の命令を実行する制御装置550に応じて基板ホルダーが本発明のプロセスステップの部分又は全部を実施させるようにしてもよい。前記コンピューター読み取り可能媒体又はメモリは、本発明の教示によるプログラムされた命令を保持するように構成され、及びデータ構造、表、記録又はその他のここで記載されたデータを含むことができる。コンピューター読み取り可能媒体の例は、コンパクトディスク、ハードディスク、フロッピーディスク、テープ、磁気光学ディスク、PROMEPROM、EEPROM、フラッシュEPROM、DRAM、SRAM、SDRAM又は他の全ての磁気媒体、コンパクトディスク例えばCD-ROM、又はその他の光学媒体、パンチカード、紙テープ又はその他のパターン化孔付き物理媒体、キャリア波又はその他のコンピューター読み取り可能な媒体が挙げられる。制御装置550は基板ホルダー550に対して局所的に又はイントラネットやインターネットを介して基板ホルダー500から離れて位置され得る。従って、制御装置550は、基板ホルダー500と、直接接続、イントラネット又はインターネットの少なくとも1つを用いてデータ交換をすることができる。制御装置550は、顧客サイト即ち、半導体装置メーカなどでイントラネットへ接続されるか、又は購入者サイト即ち装置製造者でイントラネットへ接続され得る。さらに、他のコンピューター即ち、制御装置、サーバなどが制御装置550に、直接、イントラネット又はインターネットの少なくとも1つを介してアクセスしてデータ交換することが可能である。場合により、基板ホルダー500は、基板510上のプロセス領域のプラズマと結合させるRFパワーを通す電極を含む。例えば、支持ベース520は、RF発生装置からインピーダンスマッチングネットワークを通じて基板ホルダー500へRFパワーの伝達を介してRF電圧で電気的にバイアスされ得る。前記RFバイアスは、電子を加熱してプラズマを形成し維持する作用、又は基板510をバイアスして基板510へ入射するイオンエネルギーを制御する作用、又はそその両方を作用することができる。この構成では、前記システムは、反応性イオンエッチングRIE反応装置として操作され、前記チャンバ及び上部ガス注入電極は接地表面として作用する。通常のRFバイアスのための周波数は、1MHzから100MHzであり、好ましくは13.56MHzである。又は、RFパワーは、複数の周波数で前記基板ホルダー電極に適用され得る。さらに、インピーダンスマッチングネットワークは、前記プロセスチャンバ内でプラズマへのRFパワーの電圧を、反射されるパワーを最小化することで最大化するように作用し得る。種々のマッチングネットワークトポロジ例えば、L-タイプ、π-タイプ、T-タイプなど及び自動制御方法が使用され得る。基板温度の迅速かつ均一な制御のために構成される温度制御基板ホルダーの設計のためのさらなる詳細は、米国特許出願公開第2010/0078424号;米国特許出願公開第2008/0083724号;米国特許出願公開第2008/0073335号;米国特許第7297894号;米国特許第7557328号;米国特許出願公開第2009/0266809号に記載されている。1つの実施態様では、前記プラズマエッチングプロセスは、次のプロセスパラメータ:約1000mTorrミリトールまで例えば約200mTorrまで、又は約30mTorrから60mTorrの範囲のチャンバ圧力、約2000sccm標準立法センチメートル/分まで例えば約1000sccmまで、又は約1sccmから約100sccmの範囲、又は約10sccmから約50sccm、又は約30sccmの範囲のプロセスガス流速;約2000sccmまでの範囲例えば約1000sccmまで、又は約1sccmから約20sccmの範囲、例えば約5sccmの添加ガス流速;約2000Wワットまでの範囲例えば約1000Wまで、又は約500Wまでの上部電極例えば図6の要素70RFバイアス;及び約1000Wワットまでの範囲例えば約500Wまでの下部電極例えば図6の要素22RFバイアス、を含む。また、前記上部電極バイアス周波数は、約0.1MHzから約200MHz、例えば約60MHzの範囲であり得る。さらに、前記下部電極バイアス周波数は、0.1MHzから約100MHz、例えば約2MHzの範囲であり得る。他の実施態様では、RFパワーは、上部電極へ供給され、下部電極ヘは供給されない。他の実施態様では、RFパワーは、下部電極に供給されるが、上部電極変換は供給されない。RFパワー及び/又はDCパワーは、図4から図11に記載されるいずれにおいても結合され得る。プラズマエッチングプロセスを実施する持続時間は、実験設計DOE技術又はこれまでの経験で決定され得るが;しかしまた、終点検出を用いて決定され得る。終点検出の1つの可能な方法は、前記プラズマ領域からの発光スペクトルの一部をモニタすることであり、これにより、前記基板から特定の材料層を実質的にほとんど完全に除去され下層の薄膜と接触してプラズマ化学に変化が生じた時を示す。モニタしている波長に対応する発光レベルが特定の閾値例えば、実質的にゼロへ低下する、特定のレベル以下に低下する、又は特定のレベルを超えて増加するを超えた後、終点に到達したことが認識され得る。使用されるエッチング化学及びエッチングされる材料層に特異的に、種々の波長が使用され得る。さらに、前記エッチング時間は、オーバーエッチングの期間を含むように延長され得るが、ここでオーバーエッチング期間は、前記エッチングプロセスの開始時間及び終点検出に伴う時間即ち、1から100を含む。前記のプラズマエッチングプロセスは、図4から図11に記載されるプラズマエッチングシステムを用いて実施され得る。さらに、前記のプラズマエッチングプロセスは、図12で示されるようなプラズマエッチングシステム内に温度制御基板ホルダーを使用して実施され得る。しかし、ここで説明したこれらの方法は、この例示的代表例だけに限定されるものではない。前記のように、本発明者は、C、H及びFを含むプロセスガス及びCO2を含む添加ガスのバランスを用いることで、シリコン凹部を低減させて異方性エッチングプロフィルを達成できることを見出した。図13は、前記のプラズマエッチングプロセスを用いてパターン化される膜スタック300の模式図である。前記膜スタック300は、基板310,高アスペクト比プロセスHARP酸化物層305,シリコン窒化物層320,非ドープ珪酸塩ガラスUSG層330、有機誘電体層ODL340、シリコン含有反射防止コーティングSiARC層345及びパターン化フォトレジスト層350を含む。前記パターン化フォトレジスト層350は、パターンエッチングの技術分野の当業者には知られる従来のリソグラフィ技術を用いて製造され得る。膜スタック300の層は、一連のエッチングステップを用いてパターン化される。表1は、前記シリコン窒化物320をパターン化するための3つの例示的プロセス条件を与える。それぞれのプラズマエッチングプロセスについて、プロセス条件は、プロセス番号、プラズマエッチングシステムでの上部電極UELパワーワット、W、下部電極LELパワーワット、W、ガス圧力ミリトール、mTorr、プラズマエッチングシステムの部品の設定された温度°CLEL=下部電極温度、即ち基板温度、中心LEL-C及び端部LEL-E、CF4流速標準立法センチメートル/分、sccm、CHF3流速、CO2流速、Ar流速、O2流速及びエッチング時間秒である。図14Aから図14Dには、プロセス番号1CF4/CHF3/O2プラズマ化学のパターン化されたシリコン窒化物層のSEM走査電子顕微鏡写真及び前記基板の中心及び端部の凹部をそれぞれ拡大した図である。図15A及び図15Bは、プロセス番号2CHF3/Arプラズマ化学のパターン化されたシリコン窒化物層のSEM走査電子顕微鏡写真及び前記基板の中心及び端部の凹部をそれぞれ拡大した図である。図16A及び図16Bは、プロセス番号3CHF3/Ar/CO2プラズマ化学のパターン化されたシリコン窒化物層のSEM走査電子顕微鏡写真及び前記基板の中心及び端部の凹部をそれぞれ拡大した図である。表2は、これら3つのプラズマエッチングプロセスの結果をまとめ、シリコン凹部ナノメートル,nm及び側壁角度を与える。図14から図16及び表2から明らかなように、希ガスとCHF3のみの使用は、シリコン凹部を改良、即ちシリコン凹部を低減させるが、しかし、エッチング異方性を損う、即ち側壁角度が90度から減少又は角度偏差が増加する。プロセス番号3で、CHF3のみの条件にCO2を導入すると、エッチング異方性が改善、即ちプロセス番号1の結果に見合うものであるただしプロセス番号1ではシリコン凹部が悪化する。さらにシリコン凹部はプロセス番号1の結果から低減されている。ここまで本発明のいくつかの実施態様が詳細に説明されたが、本発明の新規教示及び利点から大きく離れることなく前記実施態様において多くの変更が可能であることは当業者に明らかであろう。例えば、1つの例示的プロセスフローが、スペーサー構造を製造するために与えられたが、他のプロセスも含まれるものである。従って、かかる変更もまた本発明の範囲に含むことを意図する。"