"n型酸化亜鉛に電析法によってp型半導体を接合してなる、発光素子。p型半導体がチオシアン酸銅である請求項1記載の発光素子。n型酸化亜鉛にp型チオシアン酸銅を接合してなる、発光素子。前記n型酸化亜鉛が亜鉛と酸素を主成分とし、副成分として、少なくともアルミニウム、ガリウム、インジウムから選ばれた一種類以上とリンとを含む請求項1または3に記載の発光素子。n型酸化亜鉛に電析法によってp型半導体を接合する、発光素子の製造方法。しかしながらこれらの報告では、発光ダイオードとして作製評価されていなかったり、あるいは、発光ダイオードとしての紫外発光強度が充分なものではなかった。また、これらはPLD法などの成膜法によって実現されるため、特殊な装置が必要である。さらに、素子の構成は薄膜に限定され、粉体や焼結体のような複雑な形態を持つ基板をすることができない。本発明は、以上の課題に鑑みてなされたものであって、比較的簡便な方法で製造でき、素子の形態に制約を受けず、十分な紫外発光強度を発揮することが可能な発光素子とその製造方法を提供する。上記課題を解決するため、本発明の一態様は、n型酸化亜鉛に電析法によってp型半導体を接合してなる、発光素子とする。本発明は、p型CuSCN等のp型半導体と、紫外域発光を飛躍的に増大させた、n型ZnO系発光材料n型酸化亜鉛を電析法で接合してなる発光素子であり、特殊な装置を用いることなく安価に発光素子を提供することが可能である。また、このように電気化学的な手法を用いた成膜を特徴とするため、複雑な形態を有する基板に対しても容易に成膜することが可能である。以下に,本発明の実施の形態及び実施例を説明するが,当然ながら本発明はこれらの形式に限定されるものでなく,本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲で適宜変更して実施することができる。CuSCNチオシアン酸銅は、溶液中の化学反応を利用して合成される。合成反応は一例として、CuSO4とN2S2O3溶液を混合し、CuIイオンとして安定化させた後、NaSCNやKSCNなどのSCNイオン種を含む溶液と混合することによって、CuSCN沈殿粉として合成することができる。合成したCuSCN粉は遠心分離法や濾過法などで固―液分離し、p型CuSCN粉体とする。こうして得られたCuSCN粉体はn型ZnOと様々な方法を使って接合される。例えばエーテルのような溶媒にCuSCN粉体を溶解させ、n型ZnOにスピンコートやディップコートなどの方法で塗布含浸し、溶媒を加熱除去することでCuSCN膜を成膜し、n型ZnOと接合することができる。また、導電性基板を用いれば、電気化学的な手法によって、比較的簡便に基板上に直接成膜することができる。Cuイオン源として、CuSO4、CuNO32、CuCH3COO2、CuCH3COO2、CuCl2などの銅塩を用いることができる。SCNイオン源には、KSCN、NaSCN、LiSCN、NH4SCNなどのチオシアン酸塩を用いることができる。これらの塩を水、アルコール類、ケトン類、エーテル類などの溶媒に、所定の濃度で溶解させ、電解液とする。ここで、Cuイオンは比較的不安定であるため、C10H16N2O8ナトリウム塩も含むなどのキレート剤や乳酸のような安定化剤を添加して安定化することが好ましい。電気化学反応は、前記電解液を用いて、一般的な二極式、あるいは三極式の電析法で行う。電析温度、反応時間、電解電位などは用いる電解液の特性CuおよびSCNイオン濃度、溶媒種、水素イオン濃度など、所望の膜形態膜厚、膜質と基板の電気伝導度、表面平滑性、多孔質性などに応じて適宜選択することができる。作用電極には、ITO、FTOなどの導電性透明膜を成膜したガラス基板や、後述のn型ZnO化合物の焼結体、あるいはn型ZnO化合物粉体を任意の基台に担持した基板などを用いることができるが、n型ZnO化合物の焼結体や粉体へのの成膜は、同時にp-n接合も形成できるという利点がある。前記、CuSCN粉体を溶解含浸する成膜接合方法は、n型ZnOの形態が気相法で成膜した薄膜のように、表面平坦性の高い場合には有効であるが、後述するように、n型ZnOが粉体形状、多孔質な形状、あるいは表面平坦性の低い複雑な形状の場合、ZnO表面および内部の空隙を被覆することは困難である。同様に、スパッタ法や蒸着法などの気相法においても、複雑形状の基板に対する成膜は困難であるといえる。これに対して、前記電気化学的な成膜方法においては、複雑な形状を持つZnOや導電性透明膜の表面を被覆することが容易である。次に、本願発明者などは、通常のZnO粉末に、種々の化合物粉末を単独、あるいは複合添加し、種々の条件下で熱処理してその発光特性を評価した結果、複数の特定の元素の添加により、無添加のZnO粉末に比較し、紫外発光が飛躍的に改善された材料が得られることを見出した。必要とされる第一の添加物は、Al、Ga、Inの一種類以上である。これらの添加物を用いると、ZnOの緑色発光が抑制され、紫外域発光が改善される。さらに、上記第一の添加物に併用して、飛躍的に紫外発光輝度を向上させるのが、第二の添加物のPである。Al、Ga、InがZnのサイトを置換する事によって生じる電気的中性のくずれを、Pが陰イオンとしてZnOの酸素サイトに置換する事により防ぎ、結果として、Al、Ga、Inの置換を促進し、紫外発光輝度が向上するものと考えられる。本発明のZnO化合物を合成する方法としては、固相法、液相法、気相法のいずれでも作製することが可能であり、所望の形態に応じて作製方法を選択することができる。コスト的な観点と組成の制御性を考慮すると、固相法で作製するのが好適である。この場合、出発原料として、ZnについてはZnO、ZnOH2、ZnCO3などを用いれば良く、一般的にはZnOで良い。またAl、Ga、Inについても、それぞれ酸化物、水酸化物、炭酸塩などを用いれば良く、一般には酸化物で良い。PについてはNH42HPO4などのリン酸塩を用いれば良い。また、AlP、GaP、InP、AlPO4、GaPO4、InPO4を用いて、第一の添加物であるAl、Ga、Inと、第二の添加物であるPを同時に添加することもできる。第一の添加物および第二の添加物が添加された混合粉は、熱処理を施して反応させる必要がある。この際、酸素分圧の高い雰囲気で熱処理を行うと、紫外線発光強度の改善がされにくいため、窒素ガスやアルゴンガスなどの中性雰囲気下で熱処理することが望ましく、通常は窒素ガス中で熱処理すればよい。また、この際、粉体を予め成型して熱処理すれば、焼結体とすることもでき、合成条件によって緻密な焼結体と多孔質な焼結体として得ることが可能である。以下、本発明の実施の形態を実施例により、さらに詳細に説明する。最初に、ZnO化合物の固相法による合成方法について述べる。出発原料は、純度99.999以上のZnO粉体と、純度99.99以上のGa2O3、および試薬特級のNH42HPO4を用いた。これらの原料粉体をZn、Ga、Pの原子比が100:1:1の比率になるように秤量し、エタノールを溶媒としたボールミルで混合した後、乾燥して混合粉体とした。この混合粉体を金型に充填し、500kgf/cm2で一軸加圧して直径13mm、厚さ1mmの成型体を作製した。成型体は、電気炉中に窒素ガスを環流させた雰囲気で、800°C、2時間熱処理を行った。このようにして得られた焼結体は、抵抗が約0.01Ωm、相対密度が約80の多孔質であった。また、波長350nm励起のフォトルミネッセンスPL特性評価で、380nm付近の発光強度を測定したところ、同条件で合成した添加物を添加していないZnO焼結体と比較して、約100倍の強度を確認した。ZnO焼結体は、アセトン、エタノール中で超音波洗浄をした後、乾燥して、次に述べるp型CuSCN膜の電析用の作用極とした。次にp型CuSCN膜の成膜について詳しく述べる。Cuイオン源として、純度99.9以上のCuSO45H2Oと試薬特級のC10H14N2O8Na22H2O、および試薬特級のKSCN水溶液を秤量し、それぞれ0.05M、0.05M、0.025Mの濃度の混合水溶液を調製し電解液とした。電析は、三極式の電解槽で行い、対極には白金板、参照極にAg/AgCl/飽和KClを用い、ポテンショスタットにて電解電位を制御した。電解電位を-0.05~―0.50V、電解槽はウォータバスを使って30~80°Cの範囲で条件を変えて成膜を行った。電析反応は、各電解電位における電流密度をモニターしながら、全電気量が1C/cm2となるように反応時間を調節した。p型CuSCNを電析したZnO焼結体は、イオン交換水中で超音波洗浄を繰り返し、不純物を完全に除去した後、乾燥し、n型ZnO/p型CuSCN積層体を得た。このn型ZnO/p型CuSCN積層体は、図1に示すような積層構造を有することを確認した。すなわち、ZnO焼結体1の表面に形成された開孔によってできる凹凸に沿って、p型CuSCN膜2が被覆しており、細孔の小さい部位についてはp型CuSCN膜2が充填されている。またp型CuSCN膜2はZnO焼結体1の表層から最大で約50μmの深さまでにしか観測されないことから、開孔は表層から最大でも50μm内に分布していることがわかった。n型ZnO/p型CuSCN積層体は、図1に示すような積層構造が、焼結体の表面全面に形成されているため、素子の形態の制約を受けずに機械的な加工が可能である。従って比較的簡便に、図2のような形1mm角×0.5mm厚に加工することができる。このようにして、n型ZnO焼結体3の特定の一面にのみp型CuSCN膜4が接合されたものを得た。さらに、蒸着によって、p型CuSCN膜6側にはITO電極7を、n型ZnO焼結体5側にはAl電極8をそれぞれ3000Åの膜厚で成膜し、図3に示す積層構造の発光素子を作製した。以上のようにして作製した図3の発光素子のITO電極7側を負極、Al電極8側を正極につないで電流電圧特性を測定したところ、pn接合を反映した非線形性が現れ、波長380nmを中心とする十分な強度の発光が確認された。"