"電子素子を有するチップ部品と、前記電子素子を収容する空間を介して前記チップ部品が搭載される配線基板と、前記空間を囲むようにして前記チップ部品の表面から前記配線基板の表面にかけて設けられる樹脂層と、前記樹脂層に設けられ、かつ、前記空間の側方に位置する無機絶縁層とを備えることを特徴とする電子装置。前記無機絶縁層は、前記樹脂層の内表面に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。前記無機絶縁層は、前記樹脂層の外表面に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。前記樹脂層、前記無機絶縁層および前記チップ部品の熱膨張係数を、それぞれα1、α2およびα3とした際に、α1>α2>α3の関係を満たす請求項2に記載の電子装置。前記無機絶縁層は、前記樹脂層の内部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。前記無機絶縁層は、粒径が130nm以下の複数の第1の無機粒子を含み、前記複数の第1の無機粒子は、互いに結合して三次元マトリクス構造となっていることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の電子装置。前記三次元マトリクス構造をなす前記第1の無機粒子間に樹脂が存在する請求項6に記載の電子装置。前記第1の無機粒子同士が第1のネック部を介して互いに結合している請求項6又は請求項7に記載の電子装置。前記無機絶縁層は、粒径が160nm以上の複数の第2の無機粒子をさらに含み、前記第2の無機粒子同士は、前記複数の第1の無機粒子を互いに結合してなる三次元マトリクス構造を介して連結されていることを特徴とする請求項6~8のいずれかに記載の電子装置。前記第1の無機粒子および前記第2の無機粒子は、同一材料から成ることを特徴とする請求項9に記載の電子装置。前記第1の無機粒子および前記第2の無機粒子は第2のネック部を介して結合している請求項9又は請求項10に記載の電子装置。しかしながら、従来の電子装置の接合部材において、側方を囲っている樹脂層を構成する樹脂材が空間に侵入してくることがあった。このような場合には、樹脂材が電子素子等に付着してしまうので、特性が劣化してしまいやすいという問題点があった。本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、特性の劣化を防止することが可能な電子装置を提供することにある。本発明の電子装置は、電子素子を有するチップ部品と、前記電子素子を収容する空間を介して前記チップ部品が搭載される配線基板と、前記空間を囲むようにして前記チップ部品の表面から前記配線基板の表面にかけて設けられる樹脂層と、前記樹脂層に設けられ、かつ、前記空間の側方に位置する無機絶縁層とを備えることを特徴とするものである。本発明の電子装置によれば、電子素子を有するチップ部品と、電子素子を収容する空間を介してチップ部品が搭載される配線基板と、空間を囲むようにしてチップ部品の表面から配線基板の表面にかけて設けられる樹脂層と、樹脂層に設けられ、かつ、空間の側方に位置する無機絶縁層とを備えることから、樹脂層4だけでなく、無機絶縁層5によっても水蒸気の空間への侵入を低減できるので、気密封止性の高い電子装置1を提供することができる。以下に、本発明の電子装置の実施の形態の一例について図面を参照しつつ詳細に説明する。第1実施形態図1に示す電子装置1は、チップ部品2と、配線基板3と、樹脂層4と、無機絶縁層5とを具備している。チップ部品2は、電子素子22を有する。配線基板3は、電子素子22を収容する空間を介してチップ部品2が搭載されている。樹脂層4は、空間を囲むようにしてチップ部品2の表面から配線基板3の表面にかけて設けられている。無機絶縁層5は、樹脂層4に設けられ、かつ、空間の側方に位置する。この構成によれば、樹脂層4だけでなく、無機絶縁層5によっても水蒸気の空間への侵入を低減できるので、気密封止性の高い電子装置1を提供することができる。図1に示す例においては、電子装置1として弾性表面波装置を示している。図1および図2に示す例においては、チップ部品2として弾性表面波素子を示している。また、電子素子22としてIDTInterdigitalTransducer電極22を示している。この弾性表面波素子は、圧電基板21と、一方の面以下、この面を表面とし、他方の面を裏面とする。上に設けられたIDT電極22およびパッド電極23とを有している。圧電基板21は、LiTaO3、またはLiNbO3等の圧電性を有する直方体形状の単結晶基板である。圧電基板21の主面の形状は適宜に設定されてよいが、例えば矩形である。圧電基板21の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは0.2mm~0.5mm、1辺の長さは0.5mm~2mmである。図2に示す例においては、IDT電極22は、圧電基板21の表面上の中央近傍に、2個並べて配置されている。各IDT電極22は、櫛歯状に形成された2つの電極22a以下、櫛歯状電極22aというによって構成されている。各櫛歯状電極22aは、互いに対向し、電極指が互いに噛み合うように配置されている。パッド電極23は、IDT電極22に電力を供給するための電極である。パッド電極23は、圧電基板21の表面上の周辺側に点在している。これら、IDT電極22、パッド電極23は、いずれも、AlまたはAl合金例えば、Al-Cu系、Al-Ti系、CuまたはCu合金例えば、Cu-Mg系、Cu-Ti系、Cu-Rd系、AgまたはAg合金例えば、Ag-Mg系、Ag-Ti系、Ag-Rd系等の金属膜で形成することができる。また、図示しないが、IDT電極22の露出した表面上には、Si,SiO2,SiNx,Al2O3等の絶縁性の高い材料で形成された保護膜を設けてもよい。これによって、導電性の異物がIDT電極22の電極指間に付着することによる短絡を防止することができる。パッド電極23上にはそれぞれ、バンプ6が設けられている。これらのバンプ6は、半導体集積回路のフェイスダウン接続時に用いられるワイヤバンプ法によって、Au、またはAl線から形成される。また、バンプ6は、半田バンプ法によって、形成されていてもよい。図1に示す例においては、配線基板3は、基板本体31と、この基板本体31上に設けられているパッド電極32、33とを有している。基板本体31は、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等のセラミック材料が用いられる。また、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料を用いてもよい。また、セラミックスまたはガラス等の無機材料をエポキシ樹脂等の有機樹脂材料に混合させて成る複合材等を用いてもよい。基板本体31は、具体的には、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウムとガラス粉末等の原料粉末をシート状に成形して成るグリーンシートを積層し、焼成することにより形成される。なお、基板本体31は、酸化アルミニウム質焼結体で形成するものに限らず、用途や気密封止する電子素子22の特性等に応じて適したものを選択することが好ましい。例えば、基板本体31は、バンプ6を介してチップ部品2と電気的機械的に接合されるので、チップ部品2との接合の信頼性、つまり電子素子22の封止の気密性を高くするためには、ムライト質焼結体や、例えばガラス成分の種類や添加量を調整することにより熱膨張係数をチップ部品2の圧電基板21に近似させるようにした材料で形成することが好ましい。このような材料の例としては、酸化アルミニウム-ホウ珪酸ガラス系等のガラスセラミックス焼結体等が挙げられる。また、パッド電極32、33により伝送される電気信号の遅延を防止するような場合には、ポリイミドガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂材料、セラミックスやガラス等の無機粉末をエポキシ樹脂等の有機樹脂で結合して成る複合材、または、酸化アルミニウム-ホウ珪酸ガラス系や酸化リチウム系等のガラスセラミックス焼結体等のような比誘電率の小さい材料で形成することが好ましい。図1に示す例においては、この配線基板3の一方の面以下、この面を表面とし、他方の面を裏面とする。上には、基板側のパッド電極32が、チップ部品2のパッド電極23と対応する位置に設けられている。また、配線基板3の裏面上にも、パッド電極33が設けられている。配線基板3の内部には、配線基板3の表面上のパッド電極32と、配線基板3の裏面上のパッド電極33とを接続している貫通導体34が設けられている。これらのパッド電極32、33、貫通導体34は、Wまたは、Ta等で形成されている。表面側のパッド電極32は、対応するバンプ6との接合性を高めるために、Niメッキ、及びその上からAuメッキを施すことが好ましい。配線基板3とチップ部品2との電気的接続は、バンプ6を介することによりなされている。チップ部品2のバンプ6と、配線基板3のパッド電極32とは、熱圧着法、または熱超音波圧着法によって接続されている。図1に示す例においては、樹脂層4は、無機絶縁層5の上に、空間を囲むようにしてチップ部品2の表面から配線基板3の表面にかけて設けられている。樹脂層4は、例えば、フェノール系樹脂,ポリイミド系樹脂またはエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂が使用される。図1に示す例において、無機絶縁層5は、空間を囲むようにしてチップ部品2の表面から配線基板3の表面にかけて設けられている。また、この例では、無機絶縁層5は、樹脂層4の内表面に設けられている。後述するが、無機絶縁層5および樹脂層4を設けるためには、まず、シート状の樹脂層4に、無機絶縁層5を設け、無機絶縁層5側をチップ部品2側としてこれらをチップ部品2に載せ、次に、樹脂層4に熱を加えることによって、樹脂層4を軟化させ、これらの層をチップ部品2の表面に沿った形状となるように変形させる。ここで、無機絶縁層5が、樹脂層4の内表面に設けられていれば、変形させるために軟化させた樹脂層4の一部が空間に侵入しようとすることを、無機絶縁層5によって有効に防止することができる。よって、電子素子22等に樹脂が付着することを防止できるので、特性の劣化を抑制することが可能な電子装置1を提供することができる。無機絶縁層5は、例えば、アルミナ、シリカ等のセラミック材料、またはガラス材料等からなる。以下に、樹脂層4および無機絶縁層5の形成方法を説明する。まず、加熱硬化する前のBステージ状態の樹脂層4に、スパッタリングによって無機絶縁層5を形成する。このスパッタリングとしては、例えば、低温スパッタリング法が用いられる。この方法によれば、スパッタリングを施す対象である樹脂層4を加熱硬化させることなく、低温で無機絶縁層5を形成することができる。なお、以下に具体的に示す低温スパッタリング法によれば、樹脂層4を例えば70~90°C程度の低温に保持したまま、スパッタリングを施すことができる。ここで、樹脂層4として、例えばエポキシ樹脂を使用した場合、樹脂層4が加熱硬化を開始する温度は、例えば110~130°C程度である。よって、低温スパッタリング法によって、樹脂層4を加熱硬化させることなく、無機絶縁層5を形成することができる。低温スパッタリング法としては、具体的には、スパッタリング時に加熱をしないこと以外に、樹脂層4における無機絶縁層5を形成しない方の面を冷却しながらスパッタリングを施す方法、または、スパッタレート成膜速度を落とす方法等が挙げられる。次に、無機絶縁層5側をチップ部品2側として、樹脂層4および無機絶縁層5をチップ部品2の裏面に載せる。次に、樹脂層4側に高熱を加えることによって、樹脂層4を軟化させる。これによって、樹脂層4および無機絶縁層5は、チップ部品2の表面に沿った形状となるように変形する。そして、さらに、熱を加え続けることによって、樹脂層4を硬化させる。以上の手順によって、図1に示す例の電子装置1を得る。なお、電子装置1は、多数個取りの手法で製造してもよい。例えば、まず、配線基板3の母基板に、複数のチップ部品2を実装する。次に、複数の樹脂層4および無機絶縁層5の集合体を、複数のチップ部品2の裏面に載せる。そして、前述と同様に、加熱により、チップ部品2の形状に沿うように前記集合体を変形させて硬化させた後、当該集合体および前記母基板を、ダイシングブレード等で同時にカットする。これにより、複数個の電子装置1を同時に得ることができる。第2実施形態図3に示す例においては、電子装置1として、マイクロミラーデバイス、光デバイス、マイクロポンプ等として使用される。図3に示す例においては、チップ部品2は、半導体基板21を有している。また、チップ部品2は、半導体基板21の下面に、微小電子機械機構22としての電子素子22と、パッド電極23を有している。微小電子機械機構22は、パッド電極23と電気的に接続されている。半導体基板21は、シリコン、ポリシリコン等から成る。また、半導体基板21の下面に、チップ部品2の微小電子機械機構22を内側に収めるような凹部不図示を形成しておいてもよい。凹部内に微小電子機械機構22の一部を収めるようにしておくと、微小電子機械機構22を収納する空間を形成するためのバンプ6の高さを低く抑えることができ、電子装置1の低背化に有利なものとなる。凹部はシリコンあるいはポリシリコンをフォトリソグラフィー技術やレーザ加工などのいわゆるマスクレスエッチング技術などを用いて作製され、フッ酸エッチング、ドライエッチングなどのエッチング技術を用いて作製される。微小電子機械機構22は、例えば、電気スイッチ、インダクタ、キャパシタ、共振器、アンテナ、マイクロリレー、光スイッチ、ハードディスク用磁気ヘッド、マイク、バイオセンサー、DNAチップ、マイクロリアクタ、プリントヘッド、加速度センサ、圧力センサなどの各種センサ、ディスプレイデバイス等の機能を有している。微小電子機械機構22は、半導体微細加工技術を基本とした、いわゆるマイクロマシニングで作る部品である。なお、1素子あたり10μm~数100μm程度の寸法を有する。図3に示す例においては、配線基板3は、基板本体31と、この基板本体上に設けられているパッド電極32、33と、基板本体31中に設けられた貫通電極34とを有している。図3に示す例においては、配線基板3の上面に、チップ部品2の微小電子機械機構22を内側に収めるような凹部不図示を形成しておいてもよい。凹部内に微小電子機械機構22の一部を収めるようにしておくと、微小電子機械機構22を収納する空間を形成するためのバンプ6の高さを低く抑えることができ、電子装置1の低背化に有利なものとなる。基板本体31としては、前述したように、セラミック材料、有機樹脂材料、セラミックスまたはガラス等の無機材料と有機樹脂材料とを混合させた複合材等を用いてもよい。パッド電極32、33および貫通電極34は、パッド電極32上に形成されるバンプ6を介してチップ部品2のパッド電極23と電気的に接続され、これを配線基板3の他方主面や側面に導出する機能を有する。パッド電極32、33および貫通電極34の材料は、W、Cu、Ag、Au、Pd、Ta、Mn等の金属材料により形成される。この形成の手段としては、メタライズ層、めっき層、蒸着等の金属を薄膜層として被着させる手段を用いることができる。例えば、W、Agのペーストを配線基板2の基板本体31となるグリーンシートに印刷してこれをグリーンシートとともに焼成することにより形成される。バンプ6は、Sn-Ag系またはSn-Ag-Cu系等の半田、Au-Sn等の低融点ろう材、Ag-Ge系等の高融点ろう材、導電性有機樹脂、あるいはシーム溶接電子ビーム溶接等の溶接法による接合を可能とするような金属材料等により形成されている。図3に示す例の電子装置1における、樹脂層4および無機絶縁層5は、図1に示す例のものと同様である。なお、本発明は上述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更,改良等が可能である。図4aに示す例のように、無機絶縁層5は、樹脂層4に設けられ、かつ、前記空間の側方に位置する限り、樹脂層4の外表面に設けられていてもよい。また、図4bに示す例のように、無機絶縁層5は、樹脂層4に設けられ、かつ、前記空間の側方に位置する限り、樹脂層4の内部に設けられていてもよい。この場合も、製造工程において、変形させるために軟化させた樹脂層4の一部が空間に侵入しようとすることを、無機絶縁層5によって有効に防止することができる。図4bに示す例無機絶縁層5を樹脂層4の内部に設けるためには、樹脂層4を2層に分け、まず、1層目の樹脂層4の内周面に無機絶縁層5を設け、次に、この上に2層目の樹脂層4を設ける、という方法が採用され得る。なお、図4は、図3の変形例として図示したが、図1の変形例であってもよい。また、図5a~cに示す例のように、無機絶縁層5は、電子素子22を収容する空間を環状に取り囲んでいる限り、樹脂層4に対して部分的に設けられていてもよい。このようにすれば、図1に示す例における無機絶縁層5の効果を保持しつつ、樹脂層4に設ける無機絶縁層5の量を低減できるので、コストの低減が可能な電子装置1を提供することができる。また、図5は、図1の変形例として図示したが、図3の変形例であってもよい。図5aに示す例においては、無機絶縁層5が樹脂層4の内側面に設けられているが、無機絶縁層5がチップ部品2の側面及び上面に設けられていないので、樹脂層4が直接チップ部品2に被着し、樹脂層4のチップ部品2への接着力を向上させることができる。図5bに示す構成の場合には、無機絶縁層5が樹脂層4の内側面に設けられているが、無機絶縁層5が配線基板3の上面に設けられていないので、樹脂層4が直接配線基板3に被着し、樹脂層4の配線基板3への接着力を向上させることができる。図5cに示す構成の場合には、無機絶縁層5が、無機絶縁層5が樹脂層4の内側面に設けられているが、樹脂層4の外表面と空間との間のみに位置するので、図5a及びbの双方の効果を併せて発揮することができる。また、無機絶縁層5は、樹脂層4に対してアルミをスパッタリングして、樹脂層4にアルミ層を形成しておき、形成されたアルミ層に酸素アッシングを施すことによって、アルミナ層を形成する方法で形成されてもよい。また、図1に示す例のように、無機絶縁層5が樹脂層4の内表面に設けられている際に、樹脂層4、無機絶縁層5およびチップ部品2の熱膨張係数を、それぞれα1、α2およびα3とした際に、α1>α2>α3の関係を満たすことが好ましい。この場合には、電子装置1の周囲温度が変化した場合であっても、各部材間の熱膨張係数の差による応力の発生を低減することができるので、部材間の剥離を抑制することができる。また、チップ部品2と無機絶縁層5との間の熱膨張差に起因する応力は、樹脂層4がチップ部品2に直接被着している場合の応力に比較して小さいので、チップ部品2に加わる応力の影響を抑制できる。なお、上述のような熱膨張係数の関係を満たす樹脂層4、無機絶縁層5およびチップ部品2の材料は、それぞれエポキシ樹脂熱膨張係数:約60×10-6K、アルミナ熱膨張係数:約6×10-6K、およびLiTaO3熱膨張係数:約16×10-6Kの組み合わせである。また、図6に示す例のように、2つのチップ部品2が配線基板3に実装されていてもよい。また、無機絶縁層5および樹脂層4で封止される限り、3つ以上の複数のチップ部品2が実装されていてもよい。また、図7及び図8に示すように、無機絶縁層5は、粒径が130nm以下の複数の第1の無機粒子7を含み、複数の第1の無機粒子7は、互いに結合して三次元マトリクス構造となっていることが好ましい。この場合、三次元マトリクス構造が緻密なので、電子装置1の気密封止性を更に向上させることができ、水蒸気が空間に侵入することを更に抑制できる。第1の無機粒子7の粒径は、130nm以下である。この場合において、好ましくは、第1の無機粒子7は、110nm以下の粒径の粒子を第1の無機粒子7全体の体積に対して80体積以上含んでいる。また、より好ましくは、第1の無機粒子7は、その全てが110nm以下である。なお、第1の無機粒子7の粒径の下限値は、例えば、3nm若しくは30nmである。第1の無機粒子7の材料は、例えば、シリカSiO2、アルミナAl2O3、二酸化チタンTiO2等である。図8に示すように、樹脂8は、第1の無機粒子7同士の第1間隙G1に充填されている。樹脂8は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアノレジン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタラート樹脂、ポリプロピレン樹脂である。例えば、無機絶縁層5は、第1の無機粒子7を20体積以上80体積以下含み、樹脂8を20体積以上80体積以下含み、より好ましくは、第1の無機粒子7を50体積以上80体積以下含み、樹脂8を20体積以上50体積以下含み第1の無機粒子7の体積割合が樹脂8の体積割合以上であり、さらに好ましくは、第1の無機粒子7を60体積以上70体積以下含み、樹脂8を30体積以上40体積以下含んでいる。図8に示す例のように、第1の無機粒子7同士は、第1ネック部9を介して互いに結合していることが好ましい。第1ネック部9は、例えば物質の拡散によって形成されるものである。この場合には、第1の無機粒子7同士が単に当接している場合と比較して、第1の無機粒子7同士が強固に結合しているので、無機絶縁層5の強度が向上するので好ましい。ただし、複数の第1の無機粒子7は、焼成されたセラミックのように緻密化はされておらず、複数の第1の無機粒子7間には複数の第1間隙G1が形成されている。すなわち、複数の第1の無機粒子7は、無機絶縁層5において三次元マトリクス構造を構成している。また、図9に示す例のように、無機絶縁層5は、粒径が160nm以上の複数の第2の無機粒子10をさらに含み、第2の無機粒子10同士は、複数の第1の無機粒子7を互いに結合してなる三次元マトリクス構造を介して連結されていることが好ましい。この場合には、1μm以上となる無機絶縁層5を製造する際に、無機粒子に溶剤を加えたスラリーをキャリアフィルムに塗布して乾燥させても、スラリーが急激に乾燥収縮しにくくなるので、均一な膜厚の無機絶縁層5とすることができる。第2の無機粒子10の材料は、例えば、シリカSiO2、アルミナAl2O3、二酸化チタンTiO2等である。また、第1の無機粒子および前記第2の無機粒子が、同一材料から成る場合には、第1の無機粒子7および第2の無機粒子10の結合が強くなり、無機絶縁層5の強度が向上するので好ましい。第2の無機粒子10の粒径は、160nm以上である。この場合において、好ましくは、第2の無機粒子10は、200nm以上の粒径の粒子を第2の無機粒子10全体の体積に対して90体積以上含んでいる。また、より好ましくは、第2の無機粒子10は、その全てが200nm以上である。なお、第2の無機粒子10の粒径の上限値は、5μm若しくは600nmである。さらに、無機絶縁層5に含まれる無機粒子について所定の間隔例えば10nm毎で粒度分布をとったときに小径側第1の無機粒子7の山の最大頻度を示す粒径と大径側第2の無機粒子10の山の最大頻度を示す粒径との差が100nm以上、好ましくは200nm以上であるのがよい。なお、第1の無機粒子7の粒径と第2の無機粒子10の粒径との境界は、例えば、150nmである。第1の無機粒子7及び第2の無機粒子10の粒径は、例えば、無機絶縁層5の研磨面若しくは破断面をSEMScanningElectronMicroscopeによって適宜な倍率例えば30000倍で撮像して得られるSEI二次電子像及び/又はBEI反射電子像を観察することにより測定できる。粒径は、SEI及び/又はBEIにおいて観察される粒子の面積と同等の面積を有する円の直径円相当径として算出測定されることが好ましい。ただし、最大径が粒径とされるなどしてもよい。無機絶縁層5を構成する複数の無機粒子は、例えば、第1の無機粒子7及び第2の無機粒子10の合計体積に対して、第1の無機粒子7を20体積以上90体積以下含み、第2の無機粒子10を10体積以上80体積以下含み、より好ましくは、第1の無機粒子7を20体積以上40体積以下含み、第2の無機粒子10を60体積以上80体積以下含んでいる。なお、複数の無機粒子及び樹脂8の好ましい体積割合と併せると、最も好ましくは、無機絶縁層5は、複数の無機粒子7、10及び樹脂8の合計体積に対して、第1の無機粒子7を12体積以上28体積以下含み、第2の無機粒子10を36体積以上56体積以下含み、樹脂8を30体積以上40体積以下含む。各粒子等の体積は、例えば、上述のSEI及び/又はBEIにおいて、画像解析装置等を用いて無機絶縁層5に占める各粒子の面積比率面積を複数個所例えば10箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量体積とみなすことにより、測定される。また、各第2の無機粒子10は、複数の第1の無機粒子7に対して複数の第2ネック部11を介して結合している。この場合には、第1の無機粒子7および第2の無機粒子10同士が単に当接している場合と比較して、両者が強固に結合しているので、無機絶縁層5の強度が向上するので好ましい。なお、第1ネック部9も第2ネック部11と同様に例えば物質の拡散によって形成されるものである。そして、複数の第2の無機粒子10は、複数の第1の無機粒子7からなる三次元マトリクス構造を介して互いに連結されている。なお、第1の無機粒子7及び第2の無機粒子10間においても緻密化はなされておらず、これらの間には第2間隙G2が形成されている。複数の第2の無機粒子10同士は、その間に複数の第1の無機粒子7が介在していることから、そのほとんどは、直接当接していない。また、複数の第2の無機粒子10同士は、直接当接していたとしても、互いに結合はしていないネック部は形成されていない。。第1ネック部9及び第2ネック部11の材料はいずれも、第1の無機粒子7と同一材料である。この場合、第1の無機粒子7と同一材料とは、第2の無機粒子10の成分を微量EPMA分析により求められる測定で0.1質量以下含んでいてもよいことを意味する。第1間隙G1及び第2間隙G2は、第1の無機粒子7が緻密化されないことによって形成されており、その大きさは、概略オーダー的に、第1の無機粒子7の粒径程度である。複数の第1間隙G1は、断面図においては閉じられているが、三次元的に互いに連通されている。そして、複数の第1間隙G1は、直接又は間接に無機絶縁層5の主面に通じている。複数の第2間隙G2も、直接又は間接に無機絶縁層5の主面に通じている。複数の第1の無機粒子7及び複数の第2の無機粒子10からなる無機材料には、複数の空隙G3が形成されている。各空隙G3は、その内周面が複数の第1の無機粒子7及び複数の第2の無機粒子10により構成されている。複数の空隙G3も、直接又は間接に無機絶縁層5の主面に通じている。また、図9に示す例のように、これら第2間隙G2および空隙G3にも、樹脂8が充填されている。次に、図10、図11を用いて、図7に示す無機絶縁層5を有する電子装置1の製造方法を説明する。なお、下記の例では、第1の無機粒子7及び第2の無機粒子10を含む無機絶縁層5の場合で説明するが、第1の無機粒子7のみを含む無機絶縁層5の場合に適用してもよい。まず、図10aに示すように、ボールミルを用いて第1の無機粒子7及び第2の無機粒子10を所定の配合比で混合するとともに溶剤に分散させてスラリーを調製する。なお、第1の無機粒子7及び第2の無機粒子10の配合比体積比は、上述したように、例えば、2:8~4:6である。なお、溶剤は、例えば、メタノール、イソプロパノール、nブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミド、又は、これらから選択された2種以上の混合物を含んだ有機溶剤である。次に、図10bに示すように、作製したスラリーをキャリアフィルム31上に塗布してシート状に成形し、乾燥溶剤を蒸発させることにより、無機絶縁層5この時点では樹脂8を含まないが多数個取りされる、無機材料からなる無機絶縁体33を形成する。スラリーの塗布は、例えば、ドクターブレード、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーター又はスクリーン印刷を用いて行うことができる。スラリーの乾燥は、例えば加熱及び風乾により行われる。乾燥温度は、例えば、20°C以上且つ溶剤の沸点未満に設定される。乾燥中、第1の無機粒子7同士の結合が進行し、また、第1の無機粒子7と第2の無機粒子10との結合が進行する。ただし、高温に加熱しないため、ネック構造第1ネック部9及び第2ネック部11を維持することができ、第1の無機粒子7による骨格構造が形成される第1間隙G1および第2間隙G2が形成される。。第1の無機粒子7は、第2の無機粒子10に比較して原子の運動が活発であり、かつ、両粒子は拡散係数が相違するので、第1の無機粒子7同士はネック部で結合しやすいが、第2の無機粒子10同士は、当接することはあっても結合はしにくい。なお、このような結合態様は、第1の無機粒子7の粒径が110nm以下であり、第2の無機粒子10の粒径が200nm以上である場合に好適に生じやすい。また、第1の無機粒子7の結合の進行に伴って複数の第1の無機粒子7全体としての収縮が生じ、空隙G3が形成される。なお、空隙G3は、第1の無機粒子7及び第2の無機粒子10の合計体積に対して、第2の無機粒子10を60体積以下とするなど、第2の無機粒子10の体積を比較的小さくすることによって形成しにくくできる。キャリアフィルム31は、樹脂等の適宜な材料により形成されていてよいが、耐熱性、機械的強度及びコストの観点から、ポリエチレンテレフタレートPETにより形成されていることが好ましい。次に、図10cに示すように、無機絶縁体33に溶融状態又は液状の樹脂を含浸させる。例えば、スピンコーターによって、樹脂を無機絶縁体33の主面に塗布しつつ無機絶縁体33に含浸しない樹脂は回収する。スクリーン印刷等によって必要十分な量の樹脂を無機絶縁体33に供給してもよい。なお、含浸は、毛細管力によってなされる。含浸した溶融状態又は液状の樹脂が硬化すると、第1間隙G1、第2間隙G2及び空隙G3に充填された樹脂8が形成される。次に、図11aに示すように、樹脂層4および無機絶縁層5をチップ部品2の上面に載せる。次に、樹脂層4側に高熱を加えることによって、樹脂層4を軟化させる。これによって、図11bに示すように、樹脂層4および無機絶縁層5は、チップ部品2の表面に沿った形状となるように変形する。そして、さらに、熱を加え続けることによって、樹脂層4を硬化させる。また、これにより、粒子同士の結合は強固になる。この加熱温度は、無機材料の粒成長を抑制するために無機材料の結晶開始温度未満であることが好ましく、また、残存した溶剤を蒸発させるために溶剤の沸点以上であることが好ましい。例えば、第1の無機粒子7がシリカ結晶開始温度1300°Cからなる場合、加熱温度は100~600°Cである。以上の手順によって、図7に示す例の電子装置1を得る。"