"樹脂製基材と、前記樹脂製基材上に形成され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体材料を含む有機半導体層を備える有機半導体トランジスタとを有し、前記有機半導体トランジスタがマトリクス状に複数配列されているアクティブマトリクス基板であって、隣接する2つの前記有機半導体トランジスタが、1つの前記有機半導体層のみを共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板。前記有機半導体トランジスタの前記ソース電極の線幅および前記ドレイン電極の線幅が同一であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、アクティブマトリクス基板にマトリクス状に配列された各々の有機半導体トランジスタの形成面積が小さく、かつ表示装置に用いた場合に均一で視認性に優れた画像表示を行うことを可能とするアクティブマトリクス基板を提供することを主目的とする。本発明は、上記課題を解決するために、樹脂製基材と、上記樹脂製基材上に形成され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体材料を含む有機半導体層を備える有機半導体トランジスタとを有し、上記有機半導体トランジスタがマトリクス状に複数配列されているものであって、隣接する2つの上記有機半導体トランジスタが、1つの上記有機半導体層のみを共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板を提供する。本発明によれば、隣接する2つの有機半導体トランジスタが有機半導体層のみを共有していることから、印刷法を用いて最小の面積で形成された1つの有機半導体層を隣接する2つの有機半導体トランジスタの各々の有機半導体層として用いることが可能となるため、アクティブマトリクス基板における有機半導体トランジスタの形成面積を小さいものとすることが可能となる。また、本発明によれば、隣接する2つの有機半導体トランジスタにおける各電極については共有されていないことから、たとえ製造工程中の寸法変化の起こりやすい樹脂製基材を用いた場合であっても、ゲート電極およびソース電極の重なり部分の面積を調整して各電極を形成することが可能となるため、隣接する2つの有機半導体トランジスタの寄生容量を同等とすることが可能となる。よって、アクティブマトリクス基板における複数の有機半導体トランジスタの寄生容量にバラツキを生じないものとすることができることから、本発明のアクティブマトリクス基板を表示装置に用いた場合に、均一で視認性に優れた画像表示を行うことが可能となる。また、上述した従来の構成に比べて、有機半導体層を形成する領域におけるソース電極の形成面積を小さくすることができることから、有機半導体材料の塗布性を向上させることができる。よって、有機半導体層をソース電極およびドレイン電極上に均質に形成することが可能となるため、複数の有機半導体トランジスタのスイッチ機能を同等とすることが可能となる。さらに、本発明によれば、有機半導体トランジスタがボトムゲート構造を有する場合は、ライン欠陥の修正を行った場合に生じる点欠陥の発生を最小限のものとすることが可能となる。本発明においては、上記有機半導体トランジスタの上記ソース電極の線幅および上記ドレイン電極の線幅が同一であることが好ましい。これにより、ソース電極およびドレイン電極上に有機半導体材料を塗布して有機半導体層を形成するに際して、従来の構成のように、ソース電極上に有機半導体材料が偏って塗布されることを抑制し、ソース電極およびドレイン電極の間に設けられるチャネル領域に有機半導体層を安定的に形成することが可能となる。よって、アクティブマトリクス基板における各々の有機半導体トランジスタに形成される有機半導体層を均質なものとすることが可能となることから、各々の有機半導体トランジスタのスイッチ機能を同等とすることが可能となる。本発明のアクティブマトリクス基板は、隣接する2つの有機半導体トランジスタが1つの有機半導体層のみを共有するものであることから、有機半導体トランジスタの形成面積を小さいものとすることが可能となり、また、たとえ製造工程中の寸法変化の起こりやすい樹脂製基材を用いた場合であっても、ゲート電極およびソース電極の重なり部分の面積を調整して各電極を形成することが可能となるため、アクティブマトリクス基板の複数の有機半導体トランジスタの寄生容量のバラツキを抑制することが可能となり、表示装置に用いた場合に、均一で視認性の高い画像表示を行うことが可能となるといった効果を奏する。以下、本発明のアクティブマトリクス基板について説明する。本発明のアクティブマトリクス基板は、樹脂製基材と、上記樹脂製基材上に形成され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体材料を含む有機半導体層を備える有機半導体トランジスタとを有し、上記有機半導体トランジスタがマトリクス状に複数配列されているものであって、隣接する2つの上記有機半導体トランジスタが、1つの上記有機半導体層のみを共有していることを特徴とするものである。なお、本発明において、マトリクス状とは、行列状に二次元配列されている状態を指す。また、本発明において、有機半導体トランジスタがマトリクス状に複数配列されているとは、本発明のアクティブマトリクス基板を表示装置に用いた場合に、上記表示装置の各画素に対応する領域にそれぞれ有機半導体トランジスタが配置されるように、複数の有機半導体トランジスタが配列されていることを指す。具体的には、上記表示装置の複数の画素が格子状に配列されたものである場合は、格子状に配列されている各画素に対応する領域にそれぞれ有機半導体トランジスタが配置されるように、複数の有機半導体トランジスタが格子状に配列されていることを指す。また、本発明において、隣接する2つの有機半導体トランジスタが、1つの有機半導体層のみを共有しているとは、隣接する2つの有機半導体トランジスタが1つの有機半導体層のみを共有し、かつソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極を共有しないことを指す。より具体的には、隣接する2つの有機半導体トランジスタにはそれぞれ1つのソース電極、1つのドレイン電極および1つのゲート電極が形成され、かつ隣接する2つの有機半導体トランジスタ間に1つの有機半導体層が連続して形成されていることを指す。ここで、本発明のアクティブマトリクス基板について図を用いて説明する。図1は、本発明のアクティブマトリクス基板の一例を示す概略平面図であり、図2aは図1のA部分の拡大図、図2b、cは図1のB-B線断面図である。図1、図2a~cに示すように、本発明のアクティブマトリクス基板100は、樹脂製基材1と、樹脂製基材1上に形成され、ゲート電極21、ソース電極22、ドレイン電極23、および有機半導体材料を含む有機半導体層24を備える有機半導体トランジスタ2とを有するものである。また、図2b、cに示すように、本発明は、通常、ゲート電極21α、21βとソース電極22α、22β、ドレイン電極23α、23β、および有機半導体層24との間にゲート絶縁層25を有するものである。なお、図1および図2aにおいては、説明のため、有機半導体層24については太い点線で示しており、ゲート絶縁層については省略して示している。また、本発明における有機半導体トランジスタ2は、図2bに示すようにボトムゲート構造を有していてもよく、図2cに示すようにトップゲート構造を有していてもよい。図2bに示すように、有機半導体トランジスタ2α、2βがボトムゲート構造を有する場合は、樹脂製基材1上にゲート電極21α、21βが形成され、ゲート電極21α、21β上にゲート絶縁層25が形成され、ゲート絶縁層25上にソース電極22α、22βおよびドレイン電極23α、23βが形成され、ソース電極22α、22βおよびドレイン電極23α、23β上に有機半導体層24が形成される。また、この場合、アクティブマトリクス基板100を有機半導体層24側から観察した場合に、図1に示されるような平面が観察される。一方、図2cに示すように、有機半導体トランジスタ2α、2βがトップゲート構造を有する場合は、樹脂製基材1上にソース電極22α、22βおよびドレイン電極23α、23βが形成され、ソース電極22α、22βおよびドレイン電極23α、23β上に有機半導体層24が形成され、ソース電極22α、22β、ドレイン電極23α、23β、および有機半導体層24上にゲート絶縁層25が形成され、ゲート絶縁層25上にゲート電極21α、21βが形成される。また、この場合、アクティブマトリクス基板100を樹脂製基材1の各電極側とは反対側の面から観察した場合に、図1に示されるような平面が観察される。また、図1に示すように、本発明においては、有機半導体トランジスタ2がマトリクス状に複数配列されている。より具体的には、アクティブマトリクス基板100を用いた表示装置の各画素に対応する領域120に有機半導体トランジスタ2がそれぞれ配置されるように、複数の有機半導体トランジスタ2が配列されている。さらに、本発明においては、通常、アクティブマトリクス基板100に配列された複数の有機半導体トランジスタ2のゲート電極21はそれぞれゲート配線21X1~21X4に接続され、ソース電極22はそれぞれソース配線22Y1~22Y4に接続される。また、図2a~cに示すように、本発明においては、隣接する2つの有機半導体トランジスタ2α、2βが有機半導体層24のみを共有している、すなわち、隣接する2つの有機半導体トランジスタ2α、2βには、それぞれ1つのソース電極21α、21βと、1つのドレイン電極22α、22βおよび1つのゲート電極23α、23βが形成され、かつ隣接する2つの有機半導体トランジスタ2α、2β間に1つの有機半導体層24が連続して形成されていることを特徴とするものである。上述したように、印刷法は微細で精密なパターンを形成することが困難であるといった性質を有するため、印刷法で有機半導体層を形成する場合は、ある面積以下の大きさでのパターニングが困難となる場合があるところ、本発明においては、隣接する2つの有機半導体トランジスタに1つの有機半導体層を共有させることにより、本発明のアクティブマトリクス基板を表示装置に用いた場合に、1画素当たりに形成される有機半導体層の面積を小さくすることが可能となる。よって本発明によれば、隣接する2つの有機半導体トランジスタが有機半導体層のみを共有していることから、印刷法を用いて最小の面積で形成された1つの有機半導体層を隣接する2つの有機半導体トランジスタの各々の有機半導体層として用いることが可能となるため、アクティブマトリクスマトリクス基板における有機半導体トランジスタの形成面積を小さいものとすることが可能となる。また、本発明によれば、隣接する2つの有機半導体トランジスタが有機半導体層のみを共有している、すなわち、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極については共有していないことから、たとえ製造工程中の寸法変化の起こりやすい樹脂製基材を用いた場合であっても、ゲート電極およびソース電極の重なり部分の面積を調整して各電極を形成することが可能となるため、アクティブマトリクス基板に形成される複数の有機半導体トランジスタの寄生容量にバラツキを生じないものとすることができる。よって、本発明のアクティブマトリクス基板を用いた表示装置においては、均一で視認性に優れた画像表示を行うことが可能となる。また、上述した従来の構成に比べて、有機半導体層の形成する領域におけるソース電極の形成面積を小さくすることができることから、有機半導体材料の塗布性を向上させることができる。よって、有機半導体層をソース電極およびドレイン電極上に均質に形成することが可能となるため、複数の有機半導体トランジスタのスイッチ機能を同等とすることが可能となる。また、本発明によれば、有機半導体トランジスタがボトムゲート構造である場合は、本発明のアクティブマトリクス基板を用いた表示装置において、有機半導体トランジスタの短絡によるライン欠陥が生じた場合も、短絡の生じた有機半導体トランジスタのソース電極のみをソース配線から分離することでライン欠陥を修正することができ、かつ、上述した従来の構成に比べて、修正の際に生じる点欠陥の数を少ないものとすることが可能となる。以下、本発明のアクティブマトリクス基板の詳細について説明する。1.有機半導体トランジスタ本発明における有機半導体トランジスタは、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体層を備えるものであり、アクティブマトリクス基板において、マトリクス状に複数配列されるものである。また、隣接する2つの有機半導体トランジスタが、有機半導体層のみを共有するものである。以下、有機半導体トランジスタに用いられる各構成について説明する。1有機半導体層本発明における有機半導体層について説明する。本発明における有機半導体層は、上記有機半導体トランジスタがボトムゲート構造を有する場合、またはトップゲート構造を有する場合のいずれであっても、ソース電極およびドレイン電極上に形成されるものである。また、本発明においては、1つの有機半導体層は2つの有機半導体トランジスタ間に連続して形成されるものである。a有機半導体層の形成位置本発明において、隣接する2つの有機半導体トランジスタに共有されている1つの有機半導体層の形成位置について説明する。上記1つの有機半導体層の形成位置としては、隣接する2つの有機半導体トランジスタ間に連続して形成可能であり、かつ各々の有機半導体トランジスタが有するソース電極およびドレイン電極上に有機半導体層を形成することができ、かつ各々の有機半導体トランジスタが同等のスイッチ機能を示すことが可能となる位置であれば特に限定されない。通常は、本発明における有機半導体トランジスタの配列パターンに応じて適宜選択される。例えば、本発明のアクティブマトリクス基板において、図3に示すように、本発明における有機半導体トランジスタ2の配列パターンが、ゲート配線21Xと平行な線Xを対称軸として隣接する2つの有機半導体トランジスタ2が対称な位置となる配列パターンである場合は、同一のソース配線22Yに接続され、かつ対称な位置関係にある隣接する2つの有機半導体トランジスタ2に、1つの有機半導体層24を連続して形成することが好ましい。なお、図3は、本発明における有機半導体トランジスタの配列パターンの例を示すパターン図であり、説明していない符号については図1と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。また、上述の1つの有機半導体層の形成位置は、例示であり、本発明における1つの有機半導体層の形成位置については、上述した形成位置に限られるものではない。b有機半導体層本発明における有機半導体層のパターン形状としては、隣接する2つの有機半導体トランジスタ間に連続して形成可能であり、マトリクス状に配列された複数の有機半導体トランジスタが各々有機半導体層を有することが可能であり、かつ、各々の有機半導体トランジスタが同等のスイッチ機能を示すことが可能となるようなパターン形状であれば特に限定されない。通常は、有機半導体トランジスタの配列パターンに応じて適宜選択される。より具体的には、上述したa有機半導体層の形成位置の項で説明した形成位置に有機半導体層を形成することが可能なパターン形状であることが好ましい。隣接する2つの有機半導体層に形成される1つの有機半導体層の形成面積を小さいものとすることが可能となり、本発明のアクティブマトリクス基板における有機半導体トランジスタの形成面積を小さくすることができるからである。また、本発明のアクティブマトリクス基板を用いた表示装置をより視認性に優れ、性能の高いものとすることができるからである。上記有機半導体層の厚みとしては、有機半導体材料の種類等に応じて所望の半導体特性を備える有機半導体層を形成でき、かつ隣接する2つの有機半導体トランジスタに所望の有機半導体層を形成することができる範囲であれば特に限定されない。なかでも上記有機半導体層の厚みが、1000nm以下であることが好ましく、なかでも1nm~300nmの範囲内であることが好ましく、特に1nm~100nmの範囲内であることが好ましい。なお、有機半導体層の厚みとは、有機半導体トランジスタがボトムゲート構造である場合は、絶縁層表面から有機半導体層表面までの距離図2bにおいてS1で示される距離を指し、有機半導体トランジスタがトップゲート構造である場合は樹脂製基材表面から有機半導体層表面までの距離図2cにおいてS2で示される距離を指す。また、有機半導体層の線幅としては、ソース電極およびドレイン電極の間のチャネル領域に有機半導体層を形成することが可能となる程度であれば特に限定されないが、30μm~100μmの範囲内、中でも30μm~70μmの範囲内、特に30μm~50μmの範囲内であることが好ましい。有機半導体層の線幅が上記範囲を超える場合は、1つの有機半導体層を2つの有機半導体トランジスタに共有させたとしても、表示装置の1画素当たりに形成される有機半導体層の面積を小さいものとすることが困難となる場合があるからであり、有機半導体層の線幅が上記範囲に満たない場合は、印刷法を用いて有機半導体層自体を形成することが困難となる可能性があるからである。なお、有機半導体層の線幅とは、図2aにおいてT1で示される距離を指す。また、隣接する2つの有機半導体トランジスタ間に連続して形成される有機半導体層の幅以下、連続幅と称して説明する場合がある。としては、それぞれの有機半導体トランジスタが有機半導体層を有するものとすることが可能な程度の幅であれば特に限定されず、本発明のアクティブマトリクス基板の用途等に応じて適宜選択することができる。より具体的に、上記連続幅としては、30μm~100μmの範囲内、なかでも30μm~70μmの範囲内、特に30μm~50μmの範囲内であることが好ましい。上記連続幅が上記範囲を超える場合は、1つの有機半導体層を2つの有機半導体トランジスタに共有させたとしても、表示装置の1画素当たりに形成される有機半導体層の面積を小さいものとすることが困難となる場合があるからであり、有機半導体層の大きさが上記範囲に満たない場合は、隣接する2つの有機半導体トランジスタに1つの有機半導体層を共有させることが困難となる可能性があるからである。なお、連続幅とは、図2aにおいてT2で示される距離を指す。また、1つの有機半導体トランジスタ上に形成される有機半導体層の幅としては、それぞれの有機半導体トランジスタが所望のスイッチング機能を発揮することが可能な程度であれば特に限定されず、通常はゲート電極の大きさを考慮して適宜決定される。なお、1つの有機半導体トランジスタ上に形成される有機半導体層の幅とは、図2aにおいてT3で示される距離を指す。上記有機半導体層に用いられる上記有機半導体材料としては、本発明のアクティブマトリクス基板の用途等に応じて、所望の半導体特性を備える有機半導体層を形成できる材料であれば特に限定されるものではなく、一般的に有機半導体トランジスタに用いられる有機半導体材料を用いることができる。このような有機半導体材料としては、例えば、π電子共役系の芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物等を挙げることができる。より具体的には、ペンタセン等の低分子系有機半導体材料、および、ポリピロール、ポリN-置換ピロール、ポリ3-置換ピロール、ポリ3,4-二置換ピロール等のポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ3-置換チオフェン、ポリ3,4-二置換チオフェン、ポリベンゾチオフェン等のポリチオフェン類、ポリイソチアナフテン等のポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレン等のポリチェニレンビニレン類、ポリp-フェニレンビニレン等のポリp-フェニレンビニレン類、ポリアニリン、ポリN-置換アニリン等のポリアニリン類、ポリアセチレン等のポリアセチレン類、ポリジアセチレン、ポリアズレン等のポリアズレン類等の高分子系有機半導体材料を挙げることができる。なかでも本発明においては、ペンタセンまたはポリチオフェン類を好適に用いることができる。本発明における有機半導体層の形成方法としては、隣接する2つの有機半導体トランジスタに1つの有機半導体層を所望の形状および厚みで形成することが可能な形成方法であれば特に限定されず、一般的な有機半導体トランジスタに用いられる有機半導体層の形成方法と同様とすることができる。具体的には、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の種々の印刷法を挙げることができる。本発明においては、隣接する2つの有機半導体トランジスタが1つの有機半導体層を共有することから、フォトリソグラフィー法等と比較して微細なパターンを形成困難な印刷法を用いて有機半導体層を形成したとしても、アクティブマトリクス基板における有機半導体トランジスタの形成面積を小さいものとすることができる。2ゲート電極次に、本発明に用いられるゲート電極について説明する。本発明におけるゲート電極は、上記有機半導体トランジスタがボトムゲート構造を有する場合は樹脂製基材上に形成されるものであり、上記有機半導体トランジスタがトップゲート構造を有する場合はゲート絶縁層上に形成されるものである。また、上記ゲート電極は、本発明のアクティブマトリクス基板に配列される複数の有機半導体トランジスタにそれぞれ1つずつ形成されるものである。上記ゲート電極のパターン形状としては、本発明のアクティブマトリクス基板に配列される複数の有機半導体トランジスタにそれぞれ1つずつゲート電極を形成することが可能であれば特に限定されず、有機半導体トランジスタの配列パターンに応じて適宜選択される。本発明においては、上記ゲート電極のパターン形状としては、隣接する2つの有機半導体トランジスタにおけるゲート電極およびソース電極の重なり部分の面積図2b、cにおけるU1およびU2が同等となるようなパターン形状であることが好ましい。隣接する2つの有機半導体トランジスタの寄生容量を同等とすることができることから、上記2つの有機半導体トランジスタのスイッチ機能を同等とすることが可能となるからである。また、上記ゲート電極のパターン形状としては、上記ゲート電極およびソース電極の重なり部分の面積が、有機半導体トランジスタを良好に駆動させることが可能な最小の面積となるようなパターン形状であることが好ましい。これにより、ゲート絶縁層に不具合部分が生じた場合であっても、上記不具合部分がゲート電極およびソース電極の重なり部分に存在する確率を少ないものとすることが可能となるため、ゲート電極およびソース電極の短絡発生の確率を少ないものとすることが可能となるからである。このようなゲート電極の線幅については、所望の電極特性を有することが可能であれば特に限定されず、本発明のアクティブマトリクス基板の用途等に応じて適宜選択されるものであるが、30μm~100μmの範囲内、なかでも30μm~70μmの範囲内、特に30μm~50μmの範囲内であることが好ましい。ゲート電極の線幅が上記範囲を超える場合は、本発明のアクティブマトリクス基板における有機半導体トランジスタの形成面積を十分に小さいものとすることが困難となる場合があるからである。また、ゲート電極の線幅が上記範囲に満たない場合は、ゲート電極自体を形成することが困難となる可能性や、有機半導体トランジスタを形成することが困難となる可能性があるからである。なお、ゲート電極の線幅とは図2aにおいてP1で示される幅を指す。ここで、本発明におけるゲート電極の大きさとしては、通常、ゲート電極上に形成される有機半導体層の大きさよりも大きく形成される。より具体的には、図2aにおけるゲート電極の線幅P1および有機半導体層の線幅T1の大小関係、および図2aにおけるゲート電極の幅P2および有機半導体層の幅T3の大小関係がP1<T1、かつP2<T3となるように、ゲート電極の大きさが調整される。なお、ゲート電極の幅P2については、ソース電極22およびドレイン電極23とゲート電極21との位置関係、ゲート配線21Xの線幅、ゲート電極の線幅P1とを考慮して適宜決定される。本発明におけるゲート電極の厚みとしては、所望の電極特性を備えるゲート電極とすることができれば特に限定されないが、50nm~500nmの範囲内、なかでも50nm~250nmの範囲内、特に50nm~150nmの範囲内であることが好ましい。上記厚みが上記範囲を超える場合は、ゲート電極の形成に時間および材料が多くかかることから、生産性が低下する可能性があるからであり、上記厚みが上記範囲に満たない場合は、ゲート電極が所望の電極特性を示さない可能性があるからである。本発明に用いられるゲート電極を構成する材料としては導電性材料であれば特に限定されるものではない。このような導電性材料としては、例えば、Al、Cr、Au、Ag、Ta、Cu、C、Pt、および、Ti等の金属、PEDOT/PSS等の導電性高分子材料等を挙げることができる。また、金属を材料として用いる場合は、1種類の金属からなる単層膜として用いてもよく、上記の金属種を組み合わせた積層膜として用いてもよい。上記ゲート電極の形成方法としては、所望の電極特性、パターン形状、および厚みを有するようにゲート電極を形成することが可能な方法であれば特に限定されず、一般的な電極の形成方法と同様とすることができる。具体的には、金属マスクを用いて、蒸着法、スパッタ法等を用いて直接パターン状に形成する方法や、蒸着法、スパッタ法等を用いて導電材料膜を形成し、導電材料膜上に感光性樹脂層をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングした後、エッチングすることによりパターン状に形成する方法や、印刷法を用いる方法等を挙げることができる。本発明におけるゲート電極の形成方法としては、フォトリソグラフィー法を用いた方法であることがより好ましい。ゲート電極を高精細なパターンとすることができるため、本発明のアクティブマトリクス基板における有機半導体トランジスタの形成面積を小さくすることができるからである。3ソース電極ドレイン電極次に、本発明におけるソース電極およびドレイン電極について説明する。本発明におけるソース電極およびドレイン電極は、上記有機半導体トランジスタがボトムゲート構造を有する場合はゲート絶縁層上に形成されるものであり、上記有機半導体トランジスタがトップゲート構造を有する場合は樹脂製基材上に形成されるものである。また、上記ソース電極およびドレイン電極は、本発明のアクティブマトリクス基板に配列される複数の有機半導体トランジスタにそれぞれ1つずつ形成されるものである。また、ソース電極とドレイン電極とは、通常、同一の平面上に形成されるものである。上記ソース電極およびドレイン電極のパターン形状としては、本発明のアクティブマトリクス基板に配列される複数の有機半導体トランジスタにそれぞれ1つずつ上記ソース電極およびドレイン電極を形成することが可能であれば特に限定されず、有機半導体トランジスタの配列パターンに応じて適宜選択される。本発明においては、なかでも、上記有機半導体トランジスタにおける上記ソース電極の線幅およびドレイン電極の線幅が同一となるようなパターン形状であることが好ましい。これにより、ソース電極およびドレイン電極上に有機半導体材料を塗布して有機半導体層を形成するに際して、いずれかの電極上に有機半導体材料が偏って塗布されることを抑制し、ソース電極およびドレイン電極の間に設けられるチャネル領域に有機半導体層を安定的に形成することが可能となる。よって、アクティブマトリクス基板における各々の有機半導体トランジスタに形成される有機半導体層を均質なものとすることが可能となることから、スイッチ機能を同様とすることが可能となる。なお、本発明におけるソース電極の線幅、ドレイン電極の線幅とは、図2aにおいて、それぞれQ、Rで示される幅である。また、ソース電極およびドレイン電極の線幅および厚みについては、上述したゲート電極の線幅および厚みと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。本発明におけるソース電極およびドレイン電極は、通常、金属材料から構成されるものであるが、上記金属材料としては所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではない。このような金属材料としては、例えば、Al、Cr、Au、Ag、Ta、Cu、C、Pt、Ti、Nb、Mo、IZO、ITOを挙げることができる。また、本発明に用いられるソースおよびドレイン電極に用いられる材料としては、例えば、PEDOT/PSS等の導電性高分子材料も用いることができる。なお、本発明におけるソース電極およびドレイン電極は、通常、同一の材料から構成される。ソース電極およびドレイン電極の形成方法については、上述したゲート電極の形成方法と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。4その他の構成本発明における有機半導体トランジスタは、上記有機半導体層、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を有するものであれば特に限定されず、他にも必要な構成を適宜選択して追加することができる。このような構成としては例えば、ゲート絶縁層を挙げることができる。aゲート絶縁層本発明における有機半導体トランジスタは、通常、ゲート電極と、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体層との間にゲート絶縁層を有するものである。上記ゲート絶縁層としては、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極とを絶縁することが可能であればよく、本発明のアクティブマトリクス基板全面に連続して形成されたものであってもよく、所定のパターンを有するように形成されたものであってもよい。本発明におけるゲート絶縁層については、一般的な有機半導体トランジスタに用いられるものと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。bその他の構成本発明における有機半導体トランジスタは上述したゲート絶縁層以外にも、必要な構成を適宜選択して用いることができる。5有機半導体トランジスタ本発明における有機半導体トランジスタは、上述した各構成を有するものであり、本発明のアクティブマトリクス基板においてマトリクス状に複数配列されるものである。本発明における有機半導体トランジスタの大きさとしては、本発明のアクティブマトリクス基板を表示装置に用いた場合に、各画素において良好なスイッチング特性を示し、かつ各画素に有機半導体トランジスタ以外の構成を配置することを妨げない程度の大きさであれば特に限定されず、アクティブマトリクス基板の用途に応じて適宜調整される。より具体的には、本発明のアクティブマトリクス基板を表示装置に用いた場合に、各画素に対応する領域の全面積に占める有機半導体トランジスタの面積の比率が、30以下、なかでも5~20の範囲内、特に5~10の範囲内であることが好ましい。上記比率が上記範囲を超える場合は、表示装置の画素内での有機半導体トランジスタの占有面積が大きくなることから、他の構成を配置することが困難となる場合や、画素自体を小さくすることが困難となる可能性があるからである。また、上記大きさが上記範囲に満たない場合は、有機半導体トランジスタが十分なスイッチング特性を示さない可能性があるからである。また、上記比率についてはアクティブマトリクス基板の用途等に応じて適宜設定されるものであることから、下限値については特に限定されないが、本発明のアクティブマトリクス基板の製造の容易性の観点からは、5程度とすることができる。なお、有機半導体トランジスタの面積については、図2aに示すように、1つの有機半導体トランジスタ2におけるゲート電極21の線幅P1と同等の距離W1と、1つの有機半導体トランジスタ2に接続されるゲート配線21Xの垂直方向に対して最も遠くに位置するゲート電極21までの距離W2により求めることができる。本発明における有機半導体トランジスタの配列パターンとしては、所望のマトリクス状に複数配列することが可能となる配列パターンであれば特に限定されない。本発明においては、なかでも、上述した1有機半導体層の項で説明した図3に示されるような配列パターンであることが好ましい。上記配列パターンとすることにより、1つの有機半導体層の形成領域を小さいものとすることができるため、有機半導体トランジスタをより小さいものとすることができるからである。2.樹脂製基材本発明における樹脂製基材は、上述した有機半導体トランジスタを支持するものである。上記樹脂製基材としては、樹脂材料からなり、上記有機半導体トランジスタを形成することが可能であれば特に限定されず、フレキシブル性を有するものであってもよく、フレキシブル性を有さないものであってもよいが、フレキシブル性を有するものであることが好ましい。本発明のアクティブマトリクス基板を加工性に優れたものとすることができるからである。また、本発明のアクティブマトリクス基板をRolltoRollプロセスにより製造することが可能になるため、本発明のアクティブマトリクス基板を生産性の高いものとすることができるからである。上記樹脂製基材に用いられる樹脂材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルサルホンPES、ポリイミドPI、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリカーボネートPC、ポリフェニレンサルファイドPPSおよびポリエーテルイミドPEI等を挙げることができる。また、本発明における樹脂製基材は、必要に応じて金属材料からなるバリア層が積層されていてもよい。ここで樹脂性基材は、上記ソース電極およびドレイン電極を形成する際に表面に損傷を受けやすいという欠点を有することが指摘されている。しかしながら、上記バリア層が積層された基板を用いることにより、上記プラスチック樹脂からなる基材を用いる場合であっても、上記のような欠点を解消することができるという利点がある。上記樹脂製基材の厚みは、通常、1mm以下であることが好ましく、なかでも50μm~700μmの範囲内であることが好ましい。ここで、上記樹脂製基材が複数の層が積層された構成を有するものである場合、上記厚みは、各層の厚みの総和を意味するものとする。3.その他の構成本発明のアクティブマトリクス基板は、上述した有機半導体トランジスタおよび樹脂製基材を有するものであれば特に限定されず、必要な構成を適宜選択して用いることができる。以下、このような構成について説明する。1パッシベーション層本発明における有機半導体トランジスタがボトムゲート構造を有する場合、有機半導体層を覆うように形成され、空気中に存在する水分や酸素の作用により上記有機半導体層が劣化することを防止するパッシベーション層を有することができる。本発明に用いられるパッシベーション層を構成する材料としては、空気中の水分や酸素を透過しにくく、上記有機半導体層の劣化を所望の程度に防止できるものであれば特に限定されるものではない。このような材料としては、例えば、PVA等の水溶性樹脂や、フッ素系樹脂等を挙げることができる。また、本発明に用いられるパッシベーションの厚みは、パッシベーション層を構成する材料等に依存して決定されるものであるが、通常、0.1μm~100μmの範囲内であることが好ましく、なかでも5μm~100μmの範囲内であることが好ましく、さらに10μm~100μmの範囲内であることが好ましい。2ソース配線およびゲート配線本発明における有機半導体トランジスタは、通常、ソース配線およびゲート配線に接続されているものである。本発明におけるソース配線およびゲート配線の配列パターン、および線幅については、本発明における有機半導体トランジスタの配列パターン、有機半導体トランジスタの各構成の線幅、大きさ等により適宜決定される。上記ソース配線およびゲート配線については、一般的なアクティブマトリクス基板に用いられるものと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。4.アクティブマトリクス基板の製造方法本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法としては、上述した構成を有するアクティブマトリクス基板を製造することが可能な方法であれば特に限定されず、一般的なアクティブマトリクス基板を製造する際に用いられる方法と同様とすることができる。5.アクティブマトリクス基板の用途本発明のアクティブマトリクス基板は、アクティブマトリクス駆動方式を用いた表示装置に採用することができる。具体的には、液晶表示装置、有機EL表示装置、電気泳動表示装置等を挙げることができる。6.その他本発明のアクティブマトリクス基板を用いた表示装置において、ライン欠陥を生じた場合の修正方法について説明する。なお以下に説明する修正方法は、アクティブマトリクス基板に用いられた有機半導体トランジスタがボトムゲート構造を有する場合に行うことが可能である。図4は、本発明のアクティブマトリクス基板の他の例を示す概略平面図である。図4に示すように、ゲート電極21およびソース電極22間で短絡zが発生した有機半導体トランジスタ2’を有するアクティブマトリクス基板が表示装置に用いられている場合、上述のゲート電極21が接続されたゲート配線21X2に対応する部分、および上述のソース電極22が接続されたソース配線22Y3に対応する部分での画像表示を行うことが困難となるライン欠陥が生じる場合がある。本発明のアクティブマトリクス基板100においては、短絡の生じた有機半導体トランジスタ2’のソース電極22をソース配線22Y3から分離することにより、短絡部分のみを点欠陥とすることで、上述したライン欠陥を修正することが可能である。また、本発明のアクティブマトリクス基板においては、短絡の生じた有機半導体トランジスタ2’に隣接し、有機半導体層24を共有している有機半導体トランジスタ2については、修正を行う必要がないため、図5aに示される従来の構成を有するアクティブマトリクス基板100’に比べ、ライン欠陥の修正による点欠陥を最小限に抑えることが可能となる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、本発明について、実施例および比較例を挙げて説明する。[実施例1]実施例1においては、図8a~cに示すトップゲート型構造を有する有機半導体トランジスタを備えるアクティブマトリクス基板を以下の手順で作製した。なお、基材にはPENポリエチレンナフタレートを使用し、作製時のプロセス温度は180°C以下とした。具体的な手順について以下に示す。まず、基材上にAu40nmを真空蒸着法で成膜した。このAu膜上にポジ型のフォトレジストをスピンコートで成膜し、フォトマスクを介しての露光と水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液濃度2.38での現像でフォトレジストをソース電極ドレイン電極形状にパターニングした。この基板をエッチャント関東化学製AURUM304へ投入することで、エッチングにより上記レジストと同じくソースドレイン電極をパターニングした。続いてAu膜上に残ったレジストを剥離し、Au膜からなるソースドレイン電極を形成した。ポリチオフェンをテトラリンに0.5wtの濃度で溶解させた有機半導体層用塗工液を調製し、フレキソ印刷法により隣接する2つの有機半導体トランジスタに用いられるソースドレイン電極上に塗布して有機半導体層を形成した。次に、基板上へアクリル系樹脂をスピンコートし、UV露光と加熱硬化によりゲート絶縁層厚さ;1μmを形成した。さらにゲート電極上へメタルマスクを介してAlを蒸着してゲート電極を形成して有機半導体トランジスタを形成することにより、アクティブマトリクス基板を得た。実施例1のアクティブマトリクス基板を図8aに示す。作製したアクティブマトリクス基板は図8aに示すとおり画素ピッチが150μm、画素数が640×480である。図8b、cに図8aで指定した部位の2画素分のトランジスタのα1-β1線断面図およびγ1-δ1線断面図を示す。図8b、cに示すように、得られたアクティブマトリクス基板は、有機半導体層24を2画素分の有機半導体トランジスタ2α、2βで共有しているものである。図8b、cに示す通り、作製時のプロセス温度に起因する基材の伸縮によりゲート電極21α、21βに対するソース電極22α、22βおよびドレイン電極23α、23βの位置の相対的なズレが生じていた。しかしながら、ゲート電極21α、21βおよびソース電極22α、22βのオーバーラップ面積U1、U2に差異は無いため、ゲート電極21α、21βに対しソース電極22α、22βおよびドレイン電極23α、23βが形成する寄生容量は同じであった。[実施例2]実施例2においては、図9a~cに示すボトムゲート型構造を有する有機半導体トランジスタを備えるアクティブマトリクス基板を作製した。基材にはPENポリエチレンナフタレートを使用し、作製時のプロセス温度は180°C以下とした。なお、具体的な各構成の形成手順については実施例1と同様とすることができるので、記載を省略する。実施例2のアクティブマトリクス基板を図9aに示す。作製したアクティブマトリクス基板は図9aに示すとおり画素ピッチが150μm、画素数が640×480である。図9b、cに図9aで指定した部位の2画素分のトランジスタのα2-β2線断面図およびγ2-δ2線断面図を示す。図9bに示すように、得られたアクティブマトリクス基板は、有機半導体層24を2画素分の有機半導体トランジスタ2α、2βで共有しているものである。図9bに示すとおり作製時のプロセス温度に起因する基材の伸縮によりゲート電極21α、21βに対するソース電極22α、22βおよびドレイン電極23α、23βの位置の相対的なズレが生じていた。しかしながらゲート電極21α、21βおよびソース電極22α、22βのオーバーラップ面積U1、U2に差異は無いため、ゲート電極21α、21βに対しソース電極22α、22βおよびドレイン電極23α、23βが形成する寄生容量は同じであった。[比較例1]比較例1においては、図10a~cに示すトップゲート型構造を有する有機半導体トランジスタを備えるアクティブマトリクス基板を作製した。基材にはPENポリエチレンナフタレートを使用し、作製時のプロセス温度は180°C以下とした。なお、具体的な各構成の形成手順については実施例1と同様とすることができるので、記載を省略する。比較例1のアクティブマトリクス基板を図10aに示す。作製したアクティブマトリクス基板は図10aに示す通り、画素ピッチが150μm、画素数が640×480である。図10b、cに図10aで指定した部位の2画素分のトランジスタのα3-β3線断面図およびγ3-δ3線断面図を示す。図10b、cに示すように、得られたアクティブマトリクス基板は、ソース電極22および有機半導体層24を2画素分の有機半導体トランジスタ2α、2βで共有しているものである。図10b、cに示すとおり作製時のプロセス温度に起因する基材の伸縮によりゲート電極21α、21βに対するソース電極22α、22βおよびドレイン電極23α、23βの位置の相対的なズレが生じていた。本構造においては各有機半導体トランジスタ2α、2βにおけるゲート電極21α、21βおよびソース電極22のオーバーラップ面積U1、U2に差異が生じており、ゲート電極21α、21βに対しソース電極22およびドレイン電極23α、23βが形成する寄生容量が異なるものであった。[比較例2]比較例2においては、図11a~cに示すボトムゲート型構造を有する有機半導体トランジスタを備えるアクティブマトリクス基板を作製した。基材にはPENポリエチレンナフタレートを使用し、作製時のプロセス温度は180°C以下とした。なお、具体的な各構成の形成手順については実施例1と同様とすることができるので、記載を省略する。比較例2のアクティブマトリクス基板を図11aに示す。作製したアクティブマトリクス基板は図11aに示すとおり画素ピッチが150μm、画素数が640×480である。図11b、cに図11aで指定した部位の2画素分のトランジスタのα4-β4線断面図およびγ4-δ4線断面図を示す。図11b、cに示すように、得られたアクティブマトリクス基板は、ソース電極22および有機半導体層24を2画素分の有機半導体トランジスタ2α、2βで共有しているものである。図11b、cに示すとおり作製時のプロセス温度に起因する基材の伸縮によりゲート電極21α、21βに対するソース電極22およびドレイン電極23α、23βの位置の相対的なズレが生じていた。本構造においては各有機半導体トランジスタ2α、2βにおけるゲート電極21α、21βおよびソース電極22のオーバーラップ面積U1、U2に差異が生じており、ゲート電極21α、21βに対しソース電極22およびドレイン電極23α、23βが形成する寄生容量が異なるものであった。なお、図8~図11において説明していない符号については図1、図2等と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。"