"第1主面及び前記第1主面と対向する第2主面を含む結晶系半導体基板と、前記結晶系半導体基板の前記第1主面上に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成された第1透明導電膜と、前記結晶系半導体基板の前記第2主面上に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層上に形成され、前記第1透明導電膜の膜厚以上の膜厚を有する第2透明導電膜と、前記第2透明導電膜上に形成された金属層と、を備えた光電変換素子。請求項1に記載の光電変換素子において、前記第1半導体層は、第1導電型の非晶質系半導体層を含み、前記第2半導体層は、前記第1導電型と逆導電型の第2導電型の非晶質系半導体層を含む光電変換素子。請求項1または請求項2に記載の光電変換素子において、前記第1透明導電膜に含まれる水分量が前記第2透明導電膜に含まれる水分量よりも大きい光電変換素子。請求項1から請求項3のいずれか1に記載の光電変換素子において、前記金属層は、前記第2透明導電膜の形成領域の面積の略全面の面積を有する光電変換素子。請求項1から請求項4のいずれか1に記載の光電変換素子において、前記第2透明導電膜は、酸化インジウムIn2O3、酸化亜鉛ZnO、酸化錫SnO2、及び酸化チタンTiO2の金属酸化物を少なくとも1つを含む光電変換素子。光電変換素子では、赤外領域の光の透過が問題となっていた。加えて、光電変換部の薄膜化が進むにつれて、他の領域の光の透過も問題となってきた。このような問題に対して、光電変換部において、光が入射される受光面側だけでなく、裏面側からの反射光でも効率よく発電することで、光電変換効率を向上することが望まれる。また、光電変換部と集電極との間の抵抗値を下げることで集電効率を向上することが望まれる。本発明に係る光電変換素子は、第1主面及び第1主面と対向する第2主面を含む結晶系半導体基板と、結晶系半導体基板の第1主面上に形成された第1半導体層と、第1半導体層上に形成された第1透明導電膜と、結晶系半導体基板の第2主面上に形成された第2半導体層と、第2半導体層上に形成され、第1透明導電膜の膜厚以上の膜厚を有する第2透明導電膜と、第2透明導電膜上に形成された金属層と、を備えた。本発明によれば、光電変換素子の特性を向上させることができる。以下に図面を用いて、本発明に係る実施の形態を詳細に説明する。この説明において、具体的な形状、材料、数値、方向、形成方法及び製造方法等は、本発明の理解を容易にするための例示であって、用途、目的、仕様等にあわせて適宜変更することができる。全ての図面において、同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、本文中の説明においては、必要に応じそれ以前に述べた符号を用いるものとする。図1は、太陽電池モジュール1の断面図である。太陽電池モジュール1は、複数の光電変換素子10と、複数の配線部材5と、封止材3と、第1の保護部材2と、第2の保護部材4とを備える。ここでは、第1の保護部材2の受光面側第1の保護部材2に対して光電変換素子10が配置される側と反対側から太陽光等の光が主に入射されるものとして説明する。複数の光電変換素子10は、整列して配置される。各配線部材5は、隣接する光電変換素子10同士を電気的に接続する。これにより、複数の光電変換素子10は、直列または並列に接続される。第1の保護部材2は、光電変換素子10の受光面側に配置される。第1の保護部材2は、例えば、ガラス、透光性樹脂等を用いて構成することができる。第2の保護部材4は、光電変換素子10の裏面側に配置される。第2の保護部材4は、アルミニウム箔等の金属箔を介在させた樹脂フィルムを用いて構成することができる。封止材3は、光電変換素子10と第1の保護部材2との間、及び光電変換素子10と第2の保護部材4との間に充填される。複数の光電変換素子10は、この封止材3によって封止される。封止材3は、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体EVAやポリビニルブチラールPVB等の透光性を有する樹脂を用いて構成することができる。図2は、光電変換素子10の受光面側の平面図である。図3は、光電変換素子10の裏面側の平面図である。図4は、図2におけるA-A線断面図であり、光電変換素子10の断面図である。ここで、受光面とは、太陽光等の光が主に入射される面を意味する。また、裏面とは、受光面と反対側の面を意味する。光電変換素子10は、光入射側から、透明導電膜11と、p型非晶質シリコン膜12と、i型非晶質シリコン膜13と、n型単結晶シリコン基板14と、i型非晶質シリコン膜15と、n型非晶質シリコン膜16と、透明導電膜17と、金属膜18とが積層されて構成される。そして、光電変換素子10の受光面側には、複数のフィンガー電極部20と複数のバスバー電極部19とを含む集電極21が設けられる。また、光電変換素子10の裏面側には、複数の突起電極部22を含む集電極23が設けられる。i型非晶質シリコン膜13は、n型単結晶シリコン基板14の受光面上に積層形成される。i型非晶質シリコン膜13の膜厚は、例えば、10nm以上20nm以下であることが好適である。i型非晶質シリコン膜13は、例えば、プラズマCVD法を用いて形成することができる。p型非晶質シリコン膜12は、i型非晶質シリコン膜13上に積層形成される。p型非晶質シリコン膜12の膜厚は、6nm以上80nm以下であることが好適である。p型非晶質シリコン膜12は、例えば、プラズマCVD法を用いて形成することができる。透明導電膜11は、p型非晶質シリコン膜12上に積層形成される。透明導電膜11は、例えば、多結晶構造を有する酸化インジウムIn2O3、酸化亜鉛ZnO、酸化錫SnO2、及び酸化チタンTiO2等の金属酸化物のうちの少なくとも1つを含んで構成される。これらの金属酸化物に、錫Sn、亜鉛Zn、タングステンW、アンチモンSb、チタンTi、アルミニウムAl、セリウムCe、ガリウムGaなどのドーパントがドープされていてもよい。ドーパントの濃度は、0~20wtとすることができる。ここでは、透明導電膜11はインジウム錫酸化物ITOを用いて形成されているものとして説明する。透明導電膜11の膜厚は、例えば、100nmであることが好適である。バスバー電極部19は、光電変換素子10において発電された電気を集電して取り出すために設けられる電極部材である。バスバー電極部19は、後述するフィンガー電極部20において集電された電気をできるだけ均等に集電するように配置することが好適である。例えば、バスバー電極部19は、複数設けてもよい。このとき、バスバー電極部19は、透明導電膜11上に互いに平行に形成することが好適である。バスバー電極部19の幅は、集電される電流の大きさ、バスバー電極部19の厚さ等に応じて適宜決定され、例えば、1.5mmとされる。フィンガー電極部20は、バスバー電極部19とともに、光電変換素子10において発電された電気を集電して取り出すために設けられる電極部材である。フィンガー電極部20は、光電変換素子10の面内からまんべんなく集電が行われるように配置することが好適である。透明導電膜11上において、フィンガー電極部20は、バスバー電極部19と交差して電気的に接続されるように配置される。例えば、複数のフィンガー電極部20は、互いに平行に配置される。フィンガー電極部20の幅は、集電される電流の大きさ、フィンガー電極部20の厚さ等に応じて適宜決定され、例えば、100μmとされる。また、フィンガー電極部20のピッチは、例えば、2mmであることが好適である。バスバー電極部19及びフィンガー電極部20は、導電材料であって、例えば、Ag銀、Cu銅、Alアルミニウム、Tiチタン、Niニッケル及びCrクロム等の金属や、これらの金属のうちの一種類以上を含む合金によって構成することができる。また、バスバー電極部19及びフィンガー電極20は、例えば、上記金属や合金からなる複数の導電層の積層体によって構成されていてもよい。バスバー電極部19及びフィンガー電極部20は、例えば、Agペースト等の導電性ペーストを用いて形成することができる。ここでは、バスバー電極部19及びフィンガー電極部20はAgを用いて形成されるものとして説明する。i型非晶質シリコン膜15は、n型単結晶シリコン基板14の裏面上に積層形成される。i型非晶質シリコン膜15の膜厚は、例えば、3.5nm以上8nm以下であることが好適である。i型非晶質シリコン膜15は、例えば、プラズマCVD化学蒸着法を用いて形成することができる。n型非晶質シリコン膜16は、i型非晶質シリコン膜15上に積層形成される。n型非晶質シリコン膜16の膜厚は、例えば、2nm以上8nm以下であることが好適である。n型非晶質シリコン膜16は、例えば、プラズマCVD法を用いて形成することができる。透明導電膜17は、n型非晶質シリコン膜16上に積層形成される。透明導電膜17は、例えば、多結晶構造を有する酸化インジウムIn2O3、酸化亜鉛ZnO、酸化錫SnO2、及び酸化チタンTiO2等の金属酸化物のうちの少なくとも1つを含んで構成される。これらの金属酸化物に、錫Sn、亜鉛Zn、タングステンW、アンチモンSb、チタンTi、アルミニウムAl、セリウムCe、ガリウムGaなどのドーパントがドープされていてもよい。ドーパントの濃度は、0~20wtとすることができる。ここでは、透明導電膜17はインジウム錫酸化物ITOを用いて形成されているものとして説明する。透明導電膜17の膜厚は、透明導電膜11の厚み以上であることが好適であり、例えば、100nmよりも大きく以上であって150nmよりも小さいことが好適である。金属膜18は、透明導電膜17上に積層形成される。金属膜18は、透明導電膜17の形成領域の略全面を覆うように積層される。ここで、透明導電膜17の形成領域の略全面を覆うようにとは、透明導電膜17上の実質的に全体を覆っているとみなせる状態を意味し、例えば、透明導電膜17上に積層された金属膜18の一部が欠けている状態も含む。金属膜18の形成領域の面積は、透明導電膜17の形成領域の面積の90~100範囲が好適である。金属膜18は、透明導電膜17よりも、光電変換素子10で利用される波長領域のうち、特に波長800nm~1200nm程度の赤外領域の光の光反射率が高く、かつ、導電性が高い金属を用いて構成することが好適である。このため、金属膜18は、Ag、Al、Cu、Ni及びCr等の金属や、これらの金属の一種類以上を含む合金により形成することができる。金属膜18は、上記金属や合金からなる複数の膜の積層体によって構成されていてもよい。金属膜18は、赤外領域の波長において反射率が高いAgを用いることがより好適である。金属膜18の膜厚は、例えば、150nm以上1000nm以下であることが好適であり、さらに300nm以上500nmとすることが好適である。ここでは、金属膜18はAgを用いて形成されるものとして説明する。突起電極部22は、光電変換素子10において発電された電気を集電して取り出すために設けられる電極部材である。突起電極部22は、金属膜18において集電された電気をできるだけ均等に集電するように配置することが好適である。突起電極部22は、複数設けてもよい。このとき、突起電極部22は、透明導電膜11上に互いに平行に形成することが好適である。突起電極部22の幅は、集電される電流の大きさ、バスバー電極部19の厚さ等に応じて適宜決定され、例えば、0.05μm~2mm程度であることが好適であり、さらに、0.05μm~0.5mm程度であることがより好適である。突起電極部22の膜厚は、金属膜18よりも厚いことが好ましく、例えば、5μm~20μmであることが好適である。突起電極部22の材料及び形成方法は、バスバー電極部19と同様であるため、詳細な説明は省略する。上記で例示した各膜厚は、透過電子顕微鏡TEMを用いて測定することができる。そして、上記で例示した各膜厚は、光電変換素子10の断面において、積層方向に沿った厚みの平均膜厚を示している。以下に透明導電膜11及び透明導電膜17の役割を考慮して、それぞれの膜厚について詳述する。まず、透明導電膜11について詳述する。受光面側に配置される透明導電膜11の役割の1つは、入射光の透明導電膜11における表面反射を抑制することである。そのためには、透明導電膜11の屈折率は、透明導電膜11の入射側の媒体の屈折率と、透明導電膜11の透過側の媒体の屈折率との間にすることが好適である。具体的には、図1に示されるとおり、透明導電膜11の入射側の媒体は封止材3であって、図4に示されるとおり、透明導電膜11の透過側の媒体はp型非晶質シリコン膜12であるから、透明導電膜11の屈折率は、封止材3の屈折率とp型非晶質シリコン膜12の屈折率との間にすることが好適である。透明導電膜11は、太陽光スペクトルの強度が強い400nm~600nmの波長領域の光の反射率を低減することが好適である。図5は、透明導電膜11の膜厚を変えた場合に、光電変換素子10の表面に対して垂直方向から入射した入射光の波長に対する反射率特性が変わる様子を示す図である。図5に示されるように、400n~600nmの波長領域で著しく反射率が低いのは透明導電膜11を100nmとした場合である。したがって、透明導電膜11を100nmとすることが好適である。次に、透明導電膜17について詳述する。裏面側に配置される透明導電膜17の役割の1つは、n型単結晶シリコン基板14を介して透明導電膜17に向かってくる光の反射を高めることである。そのためには、透明導電膜17の屈折率は、透明導電膜17の入射側の媒体の屈折率と、透明導電膜17の透過側の媒体の屈折率との間にすることが好適である。具体的には、図4に示されるとおり、透明導電膜17の入射側の媒体はn型非晶質シリコン膜16であって、透明導電膜17の透過側の媒体は金属膜18であるから、透明導電膜17の屈折率は、n型非晶質シリコン膜16の屈折率と金属膜18の屈折率との間にすることが好適である。図6は、透明導電膜17の膜厚を変えた場合に、入射角に対する反射率特性が変わる様子を示す図である。ただし、ここでは、透明導電膜17が赤外領域の波長における光の吸収をしないものと仮定した。ここでいう赤外領域の波長における光とは、主に、n型非晶質シリコン膜16、透明導電膜17及び金属膜18という積層構造において、透明導電膜17又は金属膜18において反射したときに透明導電膜17又は金属膜18側にわずかに染み出す光であるエバネッセント光を指す。このような場合、図6に示されるように、透明導電膜17の膜厚が0nmの場合を除いて、透明導電膜17の膜厚を大きくするほど、透明導電膜17は、反射率が高くなっていることがわかる。さらに、透明導電膜17の膜厚を透明導電膜11の膜厚100nmよりも大きくすると、入射角が50°~60°の範囲で膜厚が50nmの場合に比べて反射率が格段に高くなっている。透明導電膜17の膜厚が0nmの場合、光電変換素子10では、金属膜18とn型非晶質シリコン膜16とが直接接触してしまい、n型非晶質シリコン膜16に欠陥準位が生じる可能性がある。したがって、透明導電膜17の膜厚を0nmとしないことを前提にすると、透明導電膜17の膜厚は、透明導電膜11の膜厚以上にするとよいことがわかる。以下では、透明導電膜17の膜厚を0nmとしないことを前提に説明する。このように、光電変換素子10では、透明導電膜17の膜厚を透明導電膜11の膜厚以上にすることによって、n型単結晶シリコン基板14を介して透明導電膜17に向かってくる光の反射を高めている。この機能を実現している理由の一つは、金属膜18におけるエバネッセント光の吸収が起因している。すなわち、光電変換素子10では、金属膜18は、透明導電膜17の略全域を覆うように積層されている。これによって、金属膜18におけるエバネッセント光の吸収の影響が大きくなる。しかし、光電変換素子10では、透明導電膜17の膜厚は、透明導電膜11の膜厚以上に形成されている。これによって、金属膜18におけるエバネッセント光の吸収を抑制することができる。なお、透明導電膜17におけるエバネッセント光の吸収を考慮しても、透明導電膜17の膜厚は、透明導電膜11の膜厚以上に形成するとよい。図7は、透明導電膜17におけるエバネッセント光の吸収を考慮して、透明導電膜17の膜厚を変えた場合に、入射角に対する反射率特性が変わる様子を示す図である。このような場合、図7に示されるように、透明導電膜17の膜厚を50nmとした場合は入射角が50°~80°の範囲で他の膜厚に比べて反射率が低くなっている。なお、透明導電膜17の膜厚を250nmとした場合は入射角が0°~30°の範囲で他の膜厚に比べて反射率が低くなっている。したがって、前述のとおり、全ての入射角において反射率を高めるために、透明導電膜17を透明導電膜11の膜厚100nm以上とすることが好適であって、100nm~150nmとすることがより好適である。ここで、前述したエバネッセント光について詳述する。ここでのエバネッセント光は、n型非晶質シリコン膜16、透明導電膜17及び金属膜18という積層構造において、透明導電膜17又は金属膜18において全反射したときに透明導電膜17又は金属膜18側にわずかに染み出す光を指す。このエバネッセント光は、透明導電膜17や金属膜18によって吸収される。透明導電膜17に対する入射角が約30°未満のときは、透明導電膜17において全反射しないが金属膜18において略全反射されるため、反射率を考える場合には、図8に示されるように、a光が透明導電膜17を通過することによる光の吸収、及び、b金属膜18によるエバネットセント光の吸収を考慮する必要がある。一方、透明導電膜17に対する入射角が約30°以上のときは、透明導電膜18において略全反射されるため、反射率を考える場合には、図9に示されるように、c透明導電膜17におけるエバネッセント光の吸収、及び、d金属膜18によるエバネッセント光の吸収を考慮する必要がある。透明導電膜17の膜厚を大きくすることによって、上記b及びdの金属膜18におけるエバネッセント光を減少させることができるというメリットがある一方、上記aの透明導電膜17を通過することによる光の吸収が増加してしまうというデメリットもある。これらのことから、透明導電膜17の膜厚を250nmとするとaの透明導電膜17を通過することによる光の吸収の増加が顕著になってしまうために、上述したとおり、透明導電膜11を100~150nmとすることが好適である。次に、光電変換素子10の製造方法の一例を説明する。なお、光電変換素子10の製造方法は、各工程において示す製造方法に限定されない。各工程において、例えば、スパッタリング法、プラズマCVD法、スクリーン印刷法或いはメッキ法等を適宜用いることができる。まず、n型単結晶シリコン基板14を真空チャンバ内に搬入し、プラズマCVD法を用いて、n型単結晶シリコン基板14の受光面上にi型非晶質シリコン膜13を形成する。続いて、プラズマCVD法を用いてi型非晶質シリコン膜13上にp型非晶質シリコン膜12を形成する。次いで、プラズマCVD法を用いて、n型単結晶シリコン基板14上にi型非晶質シリコン膜15を形成する。続いて、プラズマCVD法を用いてi型非晶質シリコン膜15上にn型非晶質シリコン膜16を形成する。その後、スパッタリング法を用いて、p型非晶質シリコン膜12およびn型非晶質シリコン膜16上に、それぞれITOからなる透明導電膜11及び透明導電膜17を形成する。このとき、透明導電膜17に含まれる水分量水素量が透明導電膜11に含まれる水分量水素量よりも大きくなることが好ましい。このように、n型非晶質シリコン膜16上に積層される透明導電膜17の水分量を大きくすることで、透明導電膜17及びn型非晶質シリコン膜16の間におけるコンタクトがよくなるため、光電変換素子10のフィルファクターF.Fが増加する。ここで、透明導電膜11,17に含まれる水分量は、ラザフォード後方散乱分光法RutherfordBackscatteringSpectrometry:RBSで測定することができる。RBSでは、高速イオンHe、H等を透明導電膜11,17に照射したときに、弾性散乱する散乱イオンのエネルギーと収量等から水素量を求めることができ、測定された水素量に基づいて膜中の水分量を求めることができる。そして、スパッタリング法や蒸着法を用いて、透明導電膜17上に金属膜18を形成する。最後に、スクリーン印刷法を用いて、透明導電膜11及び金属膜18上に、それぞれ集電極21及び集電極23を形成する。続いて、上記光電変換素子10の作用について説明する。光電変換素子10において、光は透明導電膜11側からn型単結晶シリコン基板14に入射され、この際、発電に寄与しなかった光は、透明導電膜17を介して金属層18に向かう。ここで、金属膜18は、赤外領域の波長において反射率が高いAgを用いて構成されている。また、金属膜18は、透明導電膜17の形成領域の略全面において接触している。これにより、従来のように裏面にフィンガー電極部及びバスバー電極部を設けるのみの構成より裏面での光の反射率を高めることができる。また、n型非晶質シリコン膜16と金属膜18とが接すると、金属膜18を構成する金属原子がn型非晶質シリコン膜16に拡散して欠陥準位を発生させ、キャリアがトラップされるという問題が生じうる。ここで、金属膜18は、透明導電膜17によって、n型非晶質シリコン膜16と直接接触しないように配置されている。これにより、欠陥準位の発生を抑制できる。また、光電変換素子10では、透明導電膜17の膜厚を透明導電膜11よりも大きくすることが好適である。透明導電膜17の膜厚を厚くすることによって、透明導電膜17と金属膜18との積層構造における金属膜18による光の吸収が低減される効果がある。これにより、n型非晶質シリコン膜16、透明導電膜17及び金属膜18という積層構造における光の反射率を向上させることができる。n型単結晶シリコン基板14からn型非晶質シリコン膜16を透過してきた光は、n型非晶質シリコン膜16、透明導電膜17及び金属膜18という積層構造において反射されて再びn型単結晶シリコン基板14に向かう。したがって、光が、n型単結晶シリコン基板14の受光面側及び裏面側から効率よく入射されるため、光電変換素子10における光電変換効率を向上させることができる。一般的に、透明導電膜の厚みが増すと製造コストの増大に繋がるが、ここでは積極的に裏面側に位置する透明導電膜17の膜厚を大きくすることにより、光電変換素子10における光電変換効率の向上を優先させている。次に、光電変換素子10の変形例である光電変換素子10aについて説明する。図10は、光電変換素子10aの断面図である。光電変換素子10aと光電変換素子10との相違は、金属膜18と突起電極部22集電極23の配置関係だけであるため、その相違点を中心に説明する。突起電極部22は、光電変換素子10において発電された電気を集電して取り出すために設けられる電極部材である。突起電極部22は、光電変換素子10において発電された電気を均等に集電するように配置することが好適である。例えば、突起電極部22は、複数設けてもよい。突起電極部22は、透明導電膜17の裏面側に互いに平行に形成される。突起電極部22の各面のうち、透明導電膜17との接触面以外の三方の面は、金属膜18と接触している。なお、突起電極部22の幅、膜厚、構成材料及び形成方法は、特に限定されないが、光電変換素子10の突起電極部22と同様であるため、詳細な説明は省略する。金属膜18は、透明導電膜17上及び突起電極部22の上記三方の面上に積層形成される。金属膜18は、透明導電膜17の形成領域の略全面を覆うように積層される。ここで、透明導電膜17の形成領域の略全面を覆うようにとは、透明導電膜17上の実質的に全体を覆っているとみなせる状態を意味し、例えば、透明導電膜17上に積層された金属膜18の一部が欠けている状態も含む。好ましくは、金属膜18の形成領域の面積は、透明導電膜17の形成領域の面積よりも小さいとよい。また、金属膜18の幅、膜厚、構成材料及び形成方法は、特に限定されないが、光電変換素子10の金属膜18と同様であるため、詳細な説明は省略する。続いて、上記光電変換素子10aの作用について説明する。光電変換素子10aにおいて、光は透明導電膜11側からn型単結晶シリコン基板14に入射され、この際、発電に寄与しなかった赤外領域の波長の光は、透明導電膜17を介して金属層18及び突起電極部22に向かう。ここで、金属膜18及び突起電極部22は、赤外領域の波長において反射率が高いAgを用いて構成されている。また、金属膜18及び突起電極部22は、透明導電膜17の形成領域の略全面において接触している。これにより、従来のように裏面にフィンガー電極部及びバスバー電極部を設けるのみの構成より裏面での光の反射率を高めることができる。また、光電変換素子10aでは、透明導電膜17の膜厚を透明導電膜11よりも大きくすることが好適である。透明導電膜17の膜厚を厚くすることによって、透明導電膜17と金属膜18との積層構造における金属膜18による光の吸収が低減される効果がある。これにより、n型非晶質シリコン膜16、透明導電膜17及び金属膜18という積層構造における光の反射率を向上させることができる。n型単結晶シリコン基板14からn型非晶質シリコン膜16を透過してきた光は、n型非晶質シリコン膜16、透明導電膜17及び金属膜18という積層構造において反射されて再びn型単結晶シリコン基板14に向かう。したがって、光が、n型単結晶シリコン基板14の受光面側及び裏面側から効率よく入射されるため、光電変換素子10における光電変換効率を向上させることができる。一般的に、透明導電膜の厚みが増すと製造コストの増大に繋がるが、ここでは積極的に裏面側に位置する透明導電膜17の膜厚を大きくすることにより、光電変換素子10aにおける光電変換効率の向上を優先させている。上記のように、光電変換素子10及び光電変換素子10aでは、金属膜18及び突起電極部22は、Agを用いて構成するものとして説明したが、当該突起電極部22については、Ag以外の金属、例えば、製造コストの安いAlを用いることができる。これにより、光電変換素子10及び光電変換素子10aの製造コストを削減することができる。"