"以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:aほぼ元のウエハの際の2次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置に供給する工程;b前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットで真空吸着し、且つ、前記第1のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第1のチップの前記裏面から剥離させる工程、ここで、前記工程bは以下の下位工程を含む:b1前記第1のチップが前記粘着テープから完全に剥離する以前の前記第1のチップの湾曲状態を、前記吸着コレットの真空吸着系の流量を計測することによってモニタする工程;b2前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記下部基体の主要部を成すスライド板を前記第1のチップとのオーバラップが減少するようにスライドさせる工程;b3前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記スライド板の最適スライド速度を決定する工程、ここで、前記半導体集積回路装置の製造方法は更に以下の工程を含む:c前記工程bの後、前記複数のチップの内の第2のチップの表面を吸着コレットで真空吸着し、且つ、前記第2のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記最適スライド速度で前記スライド板を前記第2のチップとのオーバラップが減少するようにスライドさせることによって、前記粘着テープを前記第2のチップの前記裏面から剥離させる工程。半導体集積回路装置の製造工程のうちの組立工程におけるダイシング後のチップのピックアップ工程では、急速なチップの薄膜化によって、ピックアップ不良の低減が重要な課題となっている。特に、本願発明者が検討したところによると、剥離動作によるチップ周辺部の湾曲がチップの割れ、欠けを惹起する可能性が高いことが明らかになった。本願発明はこれらの問題を解決するためになされたものである。本発明の目的は、信頼性の高い半導体集積回路装置の製造プロセスを提供することにある。本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。すなわち、本願発明は、ダイシングテープ粘着テープ等からチップを吸引コレットで真空吸着して剥離する場合において、吸引コレットの真空吸着系の流量をモニタすることで、チップが粘着テープから完全に剥離する以前のチップの湾曲状態を監視するものである。本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。すなわち、吸引コレットの真空吸着系の流量をモニタすることで、チップが粘着テープから完全に剥離する以前のチップの湾曲状態を監視することができるので、割れや欠けの少ないピックアッププロセスを提供することができる。実施の形態の概要先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。1.以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:aほぼ元のウエハの際の2次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置に供給する工程;b前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットで真空吸着し、且つ、前記第1のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第1のチップの前記裏面から剥離させる工程、ここで、前記工程bは以下の下位工程を含む:b1前記第1のチップが前記粘着テープから完全に剥離する以前の前記第1のチップの湾曲状態を、前記吸着コレットの真空吸着系の流量を計測することによってモニタする工程。2.前記1項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b2前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または中断させる工程;b3前記剥離動作を中断させている場合において、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再開する工程。3.前記1または2項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b4前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または減速させる工程;b5前記剥離動作を減速させている場合において、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再加速させる工程。4.前記1から3項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b6前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続させ、または前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲内になるまで前記剥離動作を後退させる工程。5.前記1から4項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b7前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続させ、または前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲内になるまで前記剥離動作を減速させる工程。6.前記1から5項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b8前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程;b9前記下位工程b8の後、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで降下させる工程。7.前記1から6項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b10前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程;b11前記下位工程b10の後、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程。8.前記1から7項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b12前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程;b13前記下位工程b12の後、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程。9.前記1から8項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b14前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程;b15前記工程b14の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程;b16前記下位工程b15の後、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで上昇させる工程。10.前記1から9項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b17前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程;b18前記工程b17の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程;b19前記下位工程b18の後、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程。11.前記1から10項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b20前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程;b21前記工程b20の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程;b22前記下位工程b21の後、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックの降下を前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程。12.前記1から11項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b23前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記下部基体の主要部を成すスライド板を前記第1のチップとのオーバラップが減少するようにスライドさせる工程;b24前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記スライド板を前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程。13.前記1から12項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b25前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または中断させる工程;b26前記剥離動作を中断させている場合において、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再開させるか、または前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで前記剥離動作を後退させる工程。14.前記1から13項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b27前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または減速させる工程;b28前記剥離動作を減速させている場合において、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再加速させるか、または前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲内になるまで前記剥離動作を後退させる工程。15.前記1から14項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b29前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程;b30前記下位工程b29の後、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程;b31前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させている場合において、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を再開するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで降下させる工程。16.前記1から15項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b32前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程;b33前記工程b32の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程;b34前記下位工程b33の後、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程;b35前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させている場合において、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を再開させるか、または前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで上昇させる工程。17.前記1から16項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b36前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程;b37前記下位工程b36の後、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程;b38前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させている場合において、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を再開するか、または前記吸着コレットを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで降下させる工程。18.前記1から17項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程bは更に以下の下位工程を含む:b39前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程;b40前記工程b39の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程;b41前記下位工程b40の後、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックの降下を前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程;b42前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させている場合において、前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を再開させるか、または前記突き上げブロックを前記第1のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで上昇させる工程。19.前記1から18項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のチップの前記裏面にはあらかじめダイボンディング用接着剤層が形成されている。20.以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:aほぼ元のウエハの際の2次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置に供給する工程;b前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットで真空吸着し、且つ、前記第1のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第1のチップの前記裏面から剥離させる工程、ここで、前記工程bは以下の下位工程を含む:b1前記第1のチップが前記粘着テープから完全に剥離する以前の前記第1のチップの湾曲状態を、前記吸着コレットの真空吸着系の流量を計測することによってモニタする工程;b2前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作の最適速度以後のチップに対して適用されるべき速度を決定する工程、ここで、前記半導体集積回路装置の製造方法は更に以下の工程を含む:c前記工程bの後、前記複数のチップの内の第2のチップの表面を吸着コレットで真空吸着し、且つ、前記第2のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記最適速度で前記剥離動作を実行することによって、前記粘着テープを前記第2のチップの前記裏面から剥離させる工程。21.前記20項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のチップは非製品チップ製品チップであってもよいである。22.前記20項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第2のチップは製品チップである。23.前記20から22項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のチップおよび前記第2のチップの前記裏面にはあらかじめダイボンディング用接着剤層が形成されている。24.以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:aほぼ元のウエハの際の2次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置に供給する工程;b前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットで真空吸着し、且つ、前記第1のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第1のチップの前記裏面から剥離させる工程、ここで、前記工程bは以下の下位工程を含む:b1前記第1のチップが前記粘着テープから完全に剥離する以前の前記第1のチップの湾曲状態を、前記吸着コレットの真空吸着系の流量を計測することによってモニタする工程;b2前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程;b3前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの最適上昇高さを決定する工程、ここで、前記半導体集積回路装置の製造方法は更に以下の工程を含む:c前記工程bの後、前記複数のチップの内の第2のチップの表面を吸着コレットで真空吸着し、且つ、前記第2のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記最適上昇高さだけ、前記突き上げブロックを上昇させる工程。25.前記24項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のチップは非製品チップ製品チップであってもよいである。26.前記24項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第2のチップは製品チップである。27.前記24から26項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のチップおよび前記第2のチップの前記裏面にはあらかじめダイボンディング用接着剤層が形成されている。28.以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:aほぼ元のウエハの際の2次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置に供給する工程;b前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットで真空吸着し、且つ、前記第1のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第1のチップの前記裏面から剥離させる工程、ここで、前記工程bは以下の下位工程を含む:b1前記第1のチップが前記粘着テープから完全に剥離する以前の前記第1のチップの湾曲状態を、前記吸着コレットの真空吸着系の流量を計測することによってモニタする工程;b2前記第1のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記下部基体の主要部を成すスライド板を前記第1のチップとのオーバラップが減少するようにスライドさせる工程;b3前記下位工程b1のモニタ情報に基づいて、前記スライド板の最適スライド速度を決定する工程、ここで、前記半導体集積回路装置の製造方法は更に以下の工程を含む:c前記工程bの後、前記複数のチップの内の第2のチップの表面を吸着コレットで真空吸着し、且つ、前記第2のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記最適スライド速度で前記スライド板を前記第2のチップとのオーバラップが減少するようにスライドさせることによって、前記粘着テープを前記第2のチップの前記裏面から剥離させる工程。29.前記28項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のチップは非製品チップ製品チップであってもよいである。30.前記29項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第2のチップは製品チップである。31.前記28から30項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記第1のチップおよび前記第2のチップの前記裏面にはあらかじめダイボンディング用接着剤層が形成されている。本願における記載形式基本的用語用法の説明1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数の部分に分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。2.同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、AからなるX等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、A以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、Aを主要な成分として含むX等の意味である。たとえば、シリコン部材等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。3.同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。4.さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。5.ウエハというときは、通常は半導体集積回路装置半導体装置、電子装置も同じをその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。6.チップまたはダイというときは、一般的にはウエハ分割工程後の完全分離したものを指すが、本願では便宜上、分離前のチップ領域も同じ用語で示す。たとえば、いわゆるDBGプロセスでは、ハーフカットダイシング後にグラインディングして最終的にチップに分離して、その状態でチップ裏面を保持用の粘着テープに貼り付けた後、剥離工程に進む。このような場合を含めて、たとえばウエハは分離されれば厳密にはすでにウエハではなく、チップ等も分離される前はチップ領域であってチップではないが、いつ分離されるかは個々のプロセスに依存するので、分離の前後を問わず、これらを包括してウエハ、チップまたはダイという。7.配線基板というときは、一般的には有機配線基板、セラミック配線基板、リードフレーム等の外、他のチップ、ウエハその他の薄膜状集積回路装置を指す。8.下部基体は、一般に吸着駒とも言うが、チップ処理装置のチップ剥離機構の中心をなし、粘着シートに固定されたウエハほぼ元のウエハの際の2次元的配置のままで粘着シートに固定されたチップ群を粘着シートを真空吸着することにより位置固定するものである。また、その中央部は、ある装置では突き上げブロックであり、他の装置ではスライド板である。下部基体は前記中央部と周辺部からなり、周辺部はピックアップ対象チップの周辺のチップおよび粘着テープを吸着固定する働きがある。中央部と周辺部ともに吸着孔や間隙を通して真空吸引される構造となっており、位置合わせ以外では、ほとんど常に吸引状態である。9.吸着コレットは、従来はメタルステンレスなど、セラミック、ポリマー等の一体もので構成されていたが、本願が主に扱う薄膜ウエハまたは薄膜チップ主に厚さが150マイクロメータ以下、特に100マイクロメータ以下用では、チップにクラック等が入らないように、チップに直接触れるエラストマー等のポリマーを主要な構成要素とするラバーチップとそれを保持する吸着コレット本体またはラバーチップホールダから構成されるようになっている。ラバーチップは、一般にフッ素ゴム、二トリルラバー、シリコーンラバー等の熱硬化性エラストマー、または熱可塑性エラストマー等の弾性ポリマー材料を主要な構成要素としている。なお、具体的説明では、コレットや突き上げブロックの上下の動きを、下部基体周辺部これが動かないものと仮定してを基準として進めているが、これは、原理的には相対的な運動と考えられる。実施の形態の詳細実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。なお、本願発明者らによる関連する技術分野の代表的先行出願としては、日本特許出願第2006-143277号出願日:2006年5月23日およびその対応米国出願第11735741号出願日:2007年4月12日がある。実施の形態11.全体プロセス装置説明主に図1から30本実施の形態は、配線基板上にチップを実装する半導体パッケージの製造に適用したものであり、その製造方法を図1~図29を用いて工程順に説明する。まず、図1に示すような単結晶シリコンからなるウエハ1Aの主面に周知の製造プロセスに従って集積回路を形成した後、格子状のスクライブラインによって区画された複数のチップ形成領域1A’のそれぞれに形成された集積回路の電気試験を行い、その良否を判定する。本実施の形態で使用するウエハ1Aのチップ形成領域1A’は、縦と横の長さが等しい正方形の平面形状を有している。本実施の形態では、作図上の都合から正方形のチップを例に取り説明するが、より一般的な長方形のチップでもまったく同様に処理できることは言うまでもない。長方形の場合は、図33または図36に示されたブロック、コレット等の平面形状を長方形にしたものがより適合している。次に、図2に示すように、ウエハ1Aの集積回路形成面図の下面側に集積回路保護用のバックグラインドテープ3を貼り付る。そして、この状態でウエハ1Aの裏面図の上面側をグラインダで研削し、続いて、この研削によって生じた裏面のダメージ層を、ウエットエッチング、ドライポリッシング、プラズマエッチングなどの方法によって除去することにより、ウエハ1Aの厚さを100μm以下、例えば90μm~15μm程度まで薄くする。前記ウエットエッチング、ドライポリッシング、プラズマエッチングなどの処理方法は、ウエハの厚さ方向に進行する処理速度が、グラインダによる研削の速度に比べて遅い反面、ウエハ内部に与えるダメージがグラインダによる研削に比較して小さいだけでなく、グラインダによる研削で発生したウエハ内部のダメージ層を除去することができ、ウエハ1Aおよびチップが割れにくくなるという効果がある。次に、バックグラインドテープ3を除去した後、図3に示すように、ウエハ1Aの裏面集積回路形成面の反対側の面にダイシングテープ4を貼り付け、この状態でダイシングテープ4の周辺部をウエハリング5に固定する。ダイシングテープ4は、ポリオレフィンPO、ポリ塩化ビニルPVC、ポリエチレンテレフタレートPETなどからなるテープ基材の表面に感圧粘着剤を塗布して粘着性を持たせた感圧型粘着テープやUV硬化型粘着テープを円形に裁断したものである。次に、図4に示すように、周知のダイシングブレード6を使ってウエハ1Aをダイシングすることにより、前記複数のチップ形成領域1A’のそれぞれを正方形のチップ1に分割する。このとき、分割されたそれぞれのチップ1を円形のダイシングテープ4上に残しておく必要があるので、ダイシングテープ4は、その厚さ方向の半分程度だけ切断する。なお、ダイシングテープ4としてUV硬化型粘着テープを使用した場合は、以下で説明するチップ1の剥離工程に先立ってダイシングテープ4に紫外線を照射し、感圧粘着剤の粘着力を低下させておく。次に、図5平面図および図6断面図に示すように、ウエハリング5に固定したダイシングテープ4の上方に押さえ板7を配置すると共に、下方にエキスパンドリング8を配置する。そして、図7に示すように、ウエハリング5の上面に押さえ板7を押し付けることにより、ダイシングテープ4の裏面の周辺部をエキスパンドリング8に押し付ける。このようにすると、ダイシングテープ4は、その中心部から周辺部に向かう強い張力を受けるので、水平方向に弛みなく引き伸ばされる。次に、この状態でエキスパンドリング8を図8に示すチップ剥離装置100のステージ101上に位置決めし、水平に保持する。このステージ101の中央には、図示しない駆動機構によって水平方向および上下方向に移動する吸着駒102が配置されている。ダイシングテープ4は、その裏面が吸着駒102の上面と対向するように保持される。図9は、吸着駒102の断面図、図10は、吸着駒102の上面近傍の拡大断面図、図11は、吸着駒102の上面近傍の拡大斜視図である。吸着駒102の上面の周辺部には、複数の吸引口103と、同心円状に形成された複数の溝104とが設けられている場合と複数の吸引孔のみがもうけられている場合がある。吸引口103および溝104のそれぞれの内部は、吸着駒102を上昇させてその上面をダイシングテープ4の裏面に接触させる際、図示しない吸引機構によって減圧される。このとき、ダイシングテープ4の裏面が下方に吸引され、吸着駒102の上面と密着する。なお、ダイシングテープ4を下方に吸引する際、上記溝104の幅や深さが大きいと、剥離の対象となるチップ1に隣接するチップ1の下方のダイシングテープ4が溝104に吸引された際、隣接するチップ1とその下方のダイシングテープ4との界面が溝104の上部領域で剥離することがある。特に、比較的粘着力が弱い感圧粘着剤を使用したダイシングテープ4では、このような剥離が生じ易い。このような現象が発生すると、剥離の対象となるチップ1をダイシングテープ4から剥がしている作業中に、隣接するチップ1がダイシングテープ4から脱落してしまうことがあるので、好ましくない。そこで、このような現象が発生するのを防ぐには、上記溝104の幅や深さをできるだけ小さくし、隣接するチップ1の下方のダイシングテープ4と吸着駒102の上面との間にできるだけ隙間が生じないようにすることが有効であり、吸引孔を多くし、溝を設けないようにすることも有効である。吸着駒102の中心部には、ダイシングテープ4を上方に突き上げる3個のブロック110a~110cが組み込まれている。3個のブロック110a~110cは、外形が最も大きい第1のブロック110aの内側に、それよりも外形の小さい第2のブロック110bが配置され、さらにその内側に最も外形の小さい第3のブロック110cが配置されている。後述するように、3個のブロック110a~110cは、外側のブロック110aと中間のブロック110bとの間に介在する第1の圧縮コイルばね111a、中間のブロック110bと内側のブロック110cとの間に介在し、上記第1の圧縮コイルばね111aよりもばね定数の大きい第2の圧縮コイルばね111b、および内側ブロック110cに連結され、図示しない駆動機構によって上下動するプッシャ112と連動して上下動するようになっている。上記3個のブロック110a~110cのうち、最も外形の大きい外側のブロック110aは、剥離の対象となるチップ1よりも一回り例えば約0.5mm~3mm程度外形の小さいものを使用するとよい。例えば、チップ1が正方形である場合には、それよりも一回り小さい正方形とすることが望ましい。また、後述する他の実施の形態で説明するように、チップ1が長方形である場合には、それよりも一回り小さい長方形とすることが望ましい。これにより、ブロック110aの上面の外周となる角部がチップ1の外縁よりもわずかに内側に位置するようになるので、チップ1とダイシングテープ4とが剥離する際の起点となる箇所チップ1の最外周部に両者を剥離させる力を集中させることができる。また、ブロック110aの上面は、ダイシングテープ4との接触面積を確保するために、平坦な面または大きな局率半径を有する面にすることが望ましい。ブロック110aの上面とダイシングテープ4との接触面積が小さい場合は、ブロック110aの上面によって下から支えられるチップ1の周辺部に大きな曲げ応力が集中するので、チップ1の周辺部が割れる恐れがある。上記ブロック110aの内側に配置された中間のブロック110bは、ブロック110aよりも1mm~3mm程度小さい外形を有している。また、このブロック110bよりもさらに内側に配置された最も外形の小さいブロック110cは、中間のブロック110bよりもさらに1mm~3mm程度小さい外形を有している。本実施の形態では、加工の容易さなどを考慮して、中間のブロック110bおよび内側のブロック110cのそれぞれの形状を円柱状にしたが、外側のブロック110aと同じく四角柱状あるいはそれに近い形状にしてもよい。3個のブロック110a~110cのそれぞれの上面の高さは、初期状態ブロック110a~110cの非動作時においては互いに等しく、また吸着駒102の上面周辺部の高さとも等しくなっている。図10に拡大して示すように、吸着駒102の周辺部と外側のブロック110aとの間、および3個のブロック110a~110cの間には、隙間Sが設けられている。これらの隙間Sの内部は、図示しない吸引機構によって減圧されるようになっており、吸着駒102の上面にダイシングテープ4の裏面が接触すると、ダイシングテープ4が下方に吸引され、ブロック110a~110cの上面と密着するようになっている。上記のような吸着駒102を備えたチップ剥離装置100を使ってチップ1をダイシングテープ4から剥離するには、まず、図12に示すように、剥離の対象となる1個のチップ1同図の中央部に位置するチップ1の真下に吸着駒102の中心部ブロック110a~110cを移動させると共に、このチップ1の上方に吸着コレット105を移動させる。図示しない移動機構に支持された吸着コレット105の底面の中央部には、内部が減圧される吸着口106が設けられており、剥離の対象となる1個のチップ1のみを選択的に吸着、保持できるようになっている。図12から図31においては、簡潔性を確保するためにコレット105の詳細構造を省略して示している。この詳細構造は、図32以降で詳しく説明する。次に、図13に示すように、吸着駒102を上昇させてその上面をダイシングテープ4の裏面に接触させると共に、前述した吸引口103、溝104および隙間Sの内部を減圧する。これにより、剥離の対象となるチップ1と接触しているダイシングテープ4がブロック110a~110cの上面に密着する。また、このチップ1に隣接する他のチップ1と接触しているダイシングテープ4が吸着駒102の上面周辺部に密着する。なお、このとき、吸着駒102を僅かに例えば400μm程度突き上げると、前述した押さえ板7とエキスパンドリング8によって水平方向の張力が加えられているダイシングテープ4に対して、さらに張力を加えることができるので、吸着駒102とダイシングテープ4をより確実に密着させることができる。また、吸着駒102の上昇とほぼ同時に吸着コレット105を下降させ、吸着コレット105の底面を剥離の対象となるチップ1の上面に接触させてチップ1を吸着すると共に、チップ1を下方に軽く押さえ付ける。このように、吸着駒102を使ってダイシングテープ4を下方に吸引する際、吸着コレット105を使ってチップ1を上方に吸引すると、ブロック110a~110cの突き上げによるダイシングテープ4とチップ1の剥離を促進させることができる。次に、図14に示すように、3個のブロック110a~110cを同時に上方に突き上げてダイシングテープ4の裏面に上向きの荷重を加え、チップ1とダイシングテープ4とを押し上げる。また、この際、チップ1の裏面を、ダイシングテープ4を介してブロック110a~110cの上面接触面で支え、チップ1にかかる曲げ応力を軽減するとともに、ブロック110aの上面の外周角部を、チップ1の外周よりも内側に配置することにより、チップ1とダイシングテープ4の剥離起点となっている界面に剥離する応力を集中し、チップ1の周縁部をダイシングテープ4から効率的に剥離する。このとき、剥離の対象となるチップ1に隣接する他のチップ1の下方のダイシングテープ4を下方に吸引し、吸着駒102の上面周辺部に密着させておくことにより、チップ1の周縁部におけるダイシングテープ4の剥離を促進させることができる。図15は、このときの吸着駒102の上面近傍を示す拡大斜視図であるチップ1とダイシングテープ4の図示は省略。上記ブロック110a~110cの突き上げ量ストロークは、例えば0.2mmから0.4mm程度であるが、チップ1のサイズに応じて増減することが望ましい。すなわち、チップ1のサイズが大きい場合は、チップ1とダイシングテープ4との接触面積が大きく、従って両者の粘着力も大きいので、突き上げ量を増やす必要がある。他方、チップ1のサイズが小さい場合は、チップ1とダイシングテープ4との接触面積が小さく、従って両者の粘着力も小さいので、突き上げ量を少なくしても容易に剥離する。なお、ダイシングテープ4に塗布されている感圧粘着剤は、製造元や品種によって粘着力に差がある。従って、チップ1のサイズが同じ場合でも、粘着力の大きい感圧粘着剤を使用している場合には、突き上げ量を増やす必要がある。また、ブロック110a~110cを上方に突き上げてチップ1の裏面に荷重を加える際は、チップ1の最外周部において、チップの外周と直交する方向への曲げ応力を、チップの外周と平行な方向への曲げ応力より小さくすることが望ましい。チップ1の最外周部は、前述したダイシングブレード6を使ってウエハ1Aをダイシングした際に生じた微細なクラックが残留している。そのため、ブロック110a~110cを上方に突き上げた際にチップ1の最外周部に、チップ1の外周と直交する方向に沿った強い曲げ応力が加わると、クラックが成長してチップ1が割れる恐れがある。本実施の形態では、チップ1のサイズより一回り小さい上面を有するブロック110aを使って、チップ1の最外周部より僅かに内側に均等な荷重を加えるので、上記のような問題を回避しつつ、チップ1の周縁部全体をダイシングテープ4から均等に剥離することができる。3個のブロック110a~110cを同時に上方に突き上げるには、図16に示すように、プッシャ112を上方に押し上げることによって、プッシャ112に連結された内側のブロック110cを押し上げる。これにより、内側ブロック110cと中間のブロック110bとの間に介在する圧縮コイルばね111bのばね力によって中間のブロック110bが押し上げられ、さらに外側のブロック110aと中間のブロック110bとの間に介在する圧縮コイルばね111aのばね力によって外側のブロック110aが押し上げられるので、3個のブロック110a~110cが同時に押し上げられる。そして、外側のブロック110aの一部図の矢印で示す面が吸着駒102の周辺部と接触することによって、ブロック110a~110cの上昇が停止する。このとき、剥離の対象となるチップ1の大部分の領域は、3個のブロック110a~110cの上面によって支えられており、ブロック110aの上面の外周角部よりも外側の領域において、チップ1とダイシングテープ4との界面での剥離が効率的に進行する。3個のブロック110a~110cを同時に上方に突き上げる際は、ばね力が弱い圧縮コイルばね111aが収縮しないような弱い力でプッシャ112がブロック110cを押し上げる。このようにすると、外側のブロック110aの一部が吸着駒102の周辺部と接触するまでは、中間のブロック110bと内側のブロック110cがさらに上方に突き上ることはない。また、圧縮コイルばね111aは、少なくともダイシングテープ4の張力に抗してブロック110aを持ち上げることができる程度のばね力を備えている必要がある。圧縮コイルばね111aのばね力がダイシングテープ4の張力よりも小さい場合は、プッシャ112を押し上げても外側のブロック110aが持ち上がらないので、外側のブロック110aの上面によってチップ1を支えることができなくなる。この場合は、チップ1とダイシングテープ4との剥離起点に十分な応力を集中させることができないので、剥離速度の低下を招いたり、チップ1に過大な曲げ応力が加わってチップ1が割れてしまうといった問題を引き起こす可能性がある。次に、図17に示すように、中間のブロック110bと内側のブロック110cとを同時に上方に突き上げてダイシングテープ4を押し上げる。これにより、チップ1を支えるブロック110bの上面の外周角部の位置が、ブロック110aによって支えられていた状態に比較して、より内側に移るため、チップ1とダイシングテープ4との剥離がブロック110bの上面の外周より外側の領域からチップ1の中心方向へと進行する。図18は、このときの吸着駒102の上面近傍を示す拡大斜視図であるチップ1とダイシングテープ4の図示は省略。2個のブロック110b、110cを同時に上方に突き上げるには、図19に示すように、プッシャ112を押し上げることによって、プッシャ112に連結されたブロック110cをさらに押し上げる。このとき、圧縮コイルばね111bのばね力によって中間のブロック110bが押し上げられるので、2個のブロック110b、110cが同時に押し上げられる。そして、中間のブロック110bの一部図の矢印で示す面が外側のブロック110aと接触した時点でブロック110b、110cの上昇が停止する。また、プッシャ112がブロック110cを押し上げる力は、ばね力が弱い圧縮コイルばね111aは収縮するが、ばね力が強い圧縮コイルばね111bは収縮しない大きさとする。これにより、中間のブロック110bの一部が外側のブロック110aと接触するまでは、内側のブロック110cがさらに上方に突き上ることはない。2個のブロック110b、110cを上方に突き上げる際には、チップ1とダイシングテープ4との剥離を促進させるために、ブロック110a~110cの隙間Sの内部を減圧することによって、チップ1と接触しているダイシングテープ4を下方に吸引する。また、溝104の内部を減圧し、吸着駒102の上面周辺部に接するダイシングテープ4を吸着駒102の上面に密着させる図17。次に、図20に示すように、内側のブロック110cをさらに上方に突き上げてダイシングテープ4の裏面を押し上げ、ブロック110cの上面でチップ1の裏面を支える。図21は、このときの吸着駒102の上面近傍を示す拡大斜視図であるチップ1とダイシングテープ4の図示は省略。内側のブロック110cを上方に突き上げるには、図22に示すように、圧縮コイルばね111bが収縮するような強い力でブロック110cを押し上げる。これにより、ダイシングテープ4と接触しているブロック110cの上面の外周角部よりも外側の領域において、チップ1とダイシングテープ4との剥離が進行する。続いて、図23に示すように、ブロック110cを下方に引き下げると共に、吸着コレット105を上方に引き上げることにより、チップ1をダイシングテープ4から剥がす作業が完了する。上記ブロック110cの上面は、ブロック110cを上方に突き上げた際、吸着コレット105の吸引力だけでチップ1がダイシングテープ4から剥がれる程度に面積を小さくしておく必要がある。ブロック110cの上面の面積が大きいと、チップ1とダイシングテープ4との接触面積が大きくなり、両者の粘着力も大きくなるので、吸着コレット105がチップ1を吸引する力だけではチップ1をダイシングテープ4から剥がせない。一方、ブロック110cの上面の面積を小さくした場合は、ブロック110cがダイシングテープ4の裏面を押し上げる際、チップ1の狭い領域中央部分に強い荷重が集中的に加わるので、極端な場合にはチップ1が割れる恐れがある。そこで、ブロック110cを突き上げる際は、突き上げ速度を遅くしたり、ブロック110cの上面がダイシングテープ4と接触している時間を短くしたり、ブロック110cの突き上げ量ストロークを少なく例えば0.2mm~0.4mm程度したりすることによって、チップ1の狭い領域に強い荷重が加わらないようにすることが望ましい。また、吸着コレット105の吸引力を大きくする一つの方法として、吸着コレット105の引き上げ速度を遅くすることが有効である。チップ1の一部がダイシングテープ4に密着した状態で吸着コレット105を急速に引き上げると、吸着コレット105の底面とチップ1の上面とに隙間が生じ、吸着コレット105の内部の真空度が低下するので、チップ1を吸引する力が低下してしまう。他方、吸着コレット105の引き上げ速度を遅くした場合は、チップ1をダイシングテープ4から剥がすのに要する時間が長くなる。そこで吸着コレット105の引き上げ速度を可変にし、引き上げ開始時には引き上げ速度を遅くして吸引力を充分確保し、チップ1とダイシングテープ4との接触面積がある程度まで小さくなったら引き上げ速度を速くして剥離時間の遅延を防ぐようにするとよい。また、吸着コレット105の底面の面積をブロック110cの上面の面積より大きくすることも、吸着コレット105の吸引力を大きくする有効な方法である。このように、吸着コレット105の吸引力を大きくすることにより、チップ1とダイシングテープ4との接触面積が比較的大きい場合であっても、吸着コレット105の吸引力だけでチップ1をダイシングテープ4から剥がすことが可能となるので、剥離時間を短縮することができると共に、ブロック110cの上面の面積を小さくした場合に生じる上記の問題を回避することができる。また、チップ1が吸着コレット105によって下方に押さえ付けられた状態でブロック110cを下方に引き下げると、吸着コレット105も下方に移動するために、チップ1がブロック110cに当たって割れる恐れがある。従って、ブロック110cを下方に引き下げる際は、その直前に吸着コレット105を引き上げるか、少なくとも吸着コレット105が下方に移動しないように、その位置を固定しておくことが望ましい。このようにして、ダイシングテープ4から剥離されたチップ1は、吸着コレット105に吸着、保持されて次工程ペレット付け工程に搬送される一般に同一の装置のピックアップステージからダイボンディングステージまたはダイボンディング部132へ搬送される。そして、チップ1を次工程に搬送した吸着コレット105がチップ剥離装置100に戻ってくると、前記図12~図23に示した手順に従って、次のチップ1がダイシングテープ4から剥がされる。以後、同様の手順に従ってチップ1が1個ずつダイシングテープ4から剥がされる。次にペレット付け工程を説明する。図24に示すように、ペレット付け工程に搬送されたチップ1は、接着部材層または接着剤10通常、ウエハをチップに分割前、例えばダイシングテープを張る時、またはその前にウエハの裏面にDAFすなわちダイアタッチフィルムと呼ばれるダイボンディング用両面粘着シートまたはダイボンディング用接着剤層を貼り付けておくか、ダイボンディング直前に液状の接着剤を配線基板に塗布または滴下する。DAFは一般にウエハの裏面とダイシングテープの間に挟まれる形で張られ、ダイシング等の際にチップとともに分割される。チップのピックアップの際はチップとともにピックアップされる。ダイアタッチフィルムをあらかじめ貼り付けておくとダイボンディング時に改めて接着剤層を形成する必要がないので量産上有利である。などを介して配線基板11上に実装される。すなわち、ダイシングテープ4から剥がされたチップ1は吸着コレット105に真空吸着された状態で、摂氏100度から150度程度に加熱されたダイボンディングステージ132上の配線基板11へ向けて降下する。図25に示すように、チップ1が配線基板11に着地したのを確認すると、コレット105は所定の圧力でチップ1を押し付けたまま、真空吸引をオフし、そのままの状態で所定の時間たとえば1秒から数秒その位置で留まる。この間に熱圧着が進行する。その後、図26に示すように、真空吸引をオフしたまま、コレット105はチップ1から退避する。熱圧着が完了したチップ1は、図27に示すように、Auワイヤ12を介して配線基板11の電極13と電気的に接続される。次に、図28に示すように、配線基板11上に実装されたチップ1の上に接着剤10などを介して第2のチップ14が積層され、Auワイヤ15を介して配線基板11の電極16と電気的に接続される。第2のチップ14は、チップ1と異なる集積回路が形成されたシリコンチップであり、前述した方法でダイシングテープ4から剥がされた後、ペレット付け工程に搬送されてチップ1の上に積層される。その後、配線基板11をモールド工程に搬送し、図29に示すように、チップ1、14をモールド樹脂17で封止することによって、積層パッケージ18が完成する。なお、本実施の形態では、剥離の対象となるチップ1が外側のブロック110aよりも一回り大きい場合について説明したが、例えば図30aに示すように、剥離の対象となるチップ1が外側のブロック110aより小さく、中間のブロック110bより大きい場合には、図30bに示すように、まず中間のブロック110bを突き上げてチップ1の周縁部をダイシングテープ4から剥がし、次に、図30cに示すように、内側のブロック110cを突き上げてチップ1の中央部をダイシングテープ4から剥がすこともできる。この場合は、例えば吸着駒102と外側のブロック110aとの間にスペーサを挟んでおき、プッシャ112を押し上げても外側のブロック110aが持ち上がらないようにしておく。なお、本実施の形態では、3個のブロック110a~110cを使ってチップを剥離する方法を説明したが、ブロックの数は3個に限定されるものではなく、剥離の対象となるチップ1のサイズが大きい場合には、4個以上のブロックを使ってもよい。また、剥離の対象となるチップ1のサイズが非常に小さい場合には、2個のブロックを使ってもよい。2.ピックアップ部周辺詳細説明主に図31から38図31から38を用いて、剥離動作制御、コレット105の詳細構造、およびそれらと下部基体102吸着駒との関係を説明する。図31はピックアップ部およびその制御系を模式的に示した概念図図31a、タイムチャート図31b、および断面図図31bである。ピックアップ動作はダイシングテープ4上の目的とするチップ1が吸着駒102とコレット105に位置決めされるところから開始する。位置決めが完了すると吸着駒102の吸引孔103や間隙Sを介して真空引きすることによって、ダイシングテープ4が吸着駒102の上面に吸着される。その状態でピックアップ部制御系144の指令により真空吸引系107のバルブ143が開き工場真空供給源から真空供給パイプ141を介して真空が供給され、コレット105がチップ1のデバイス面に向けて真空引きしながら降下し、着地する。ここで、吸着駒102の主要部である突き上げブロック110が上昇すると、チップ1はコレット105と突き上げブロック110に挟まれたまま上昇するが、ダイシングテープ4の周辺部は吸着駒周辺部102aに真空吸着されたままなので、チップ1の周辺で張力が生じ、その結果、チップ周辺でダイシングテープ4が剥離されることになる。しかし、一方この時、チップ周辺は下側に応力を受け、湾曲することになる。そうするとコレット下面との間に隙間ができ、空気がコレット105の真空吸引系107に流入することになる。その結果、真空吸引系107に設けられたガス流量センサ21の吸引量出力が増加する。ここで、たとえば、ピックアップ部制御系144の指令により、突き上げブロック110の上昇を停止し待機状態を維持すると、ダイシングテープ4の剥離が進行して、チップ1の湾曲状態が緩和して許容範囲に戻る場合が多い。図31bに、このような過程でのガス流量センサ21の吸引量出力デジタル出力信号およびアナログ出力信号の推移を示す。コレット降下時には開放状態に対応して大きな吸引量を示す。t1で着地すると急速に流量が減少してt2でほぼ0になる。突き上げブロックが上昇開始してもしばらくは張力が小さいのでリークは発生しないが、t3までくるとチップの湾曲によるリークが始まる。ブロック110の上昇を停止し待機状態を維持するリークは解消して、t4で流量は再びほぼ0に戻る。なお、ガス流量センサ21はガス流量またはそれに対応した物理量が計測できるものであれば、何でもよい。言うまでもないことであるが、ラバーチップの形状寸法は対象チップの形状寸法とほぼ同一とするチップが長方形なら長方形のがチップ周辺でのクラック等を防止する観点から好適と考えられる大きめにしたり、若干小さめにすることを排除するものではない。これについては、突き上げブロックも同じで、本実施形態では周辺剥離の促進のためチップよりも若干小さめの例を示したが、それに限定されないのは言うまでもないく、チップと形状寸法をほぼ同一にしてもよいし、若干大きめにしてもよい。図32から図38に吸着コレット105の詳細構造、特にその下端部すなわちラバーチップ125とそのバリエーションおよびそれらと下部基体102吸着駒の関係を説明する。図32aは図1から30の説明に対応する突き上げブロック110の上面図であって、突き上げブロック110とラバーチップ125との位置関係を示す。ラバーチップ125の形状はピックアップするチップとほぼ同一である。図32bはコレット本体105またはラバーチップホールダの下面図である。中央に真空吸引孔122があり、各軸方向と対角線方向に真空吸引溝121が設けられている。このラバーチップ125には真空吸引溝121と突き上げブロック110aから110cに対応して真空吸引孔106aから106iが設けられている。図33はラバーチップ125のバリエーションで内側の二つの突き上げブロック110b,110cがチップ1とほぼ同一の上面形状をしている。このようにすることで、チップのコーナ部での応力の集中を緩和することができる。図34はコレット105が着地している状態の図32および図33のA-A断面の略断面図であり、図35は図32および図33のB-B断面の略断面図である。このときダイシングテープ4の下側は下部基体周辺部102aに設けられた吸引孔103および下部基体主要部110間等の間隙Sを通して吸着されている。また、このときダイシングテープ4の上側は真空吸引孔106を介して、真空吸引されている。図36は、ラバーチップ125の更に別のバリエーションで、より細かくリークを検出可能にされている。すなわち、突き上げブロック110の各サブブロックと吸着駒102aの最内側部に対応してラバーチップ125内に多数の真空吸引孔106aから106wが配置されている。図37はコレット105が着地している状態の図36のA-A断面の略断面図であり、図38は図36のB-B断面の略断面図である。3.各剥離プロセスの詳細主に図39から47以下の剥離プロセスは、セクション1で説明した全体プロセスに適宜選択して単独でまたは複数組み合わせて適用することができる。3-1.突き上げブロック待機後退プロセス剥離プロセス1、図39から40図39は突き上げブロック110の各サブブロック110aから110cを順次突き上げてダイシングテープ4を剥離する際に、リーク検出を利用する方法について具体的処理ステップを示すプロセスフロー図である。図40はその要部断面フロー図である。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。以下の各例では、明確に説明できるように、各剥離素過程ごとに最初はリークして2度目はリークしない例をあげて例示している。1ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着するテープ吸着ステップ31。2コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面限定はされないが一般にデバイス面に着地するコレット着地ステップ32。着地した状態を図40aに示す。3突き上げブロック110が一括上昇する1段目上昇ステップ33。チップ1およびコレット105もそれに連れて押し上げられる。このとき下部基体周辺部102aは動かないのでチップ1の外周のダイシングテープ4を剥離する張力が働く。また、このステップで、リークのモニタが開始されている。4リークありを検知するリーク検知ステップ34;図40b参照。なお、リークなしの場合は即ステップ9に進む。リーク133を検出したときの状態を図40bに示す。5所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで3の上昇動作を減速停止を含むする図40c参照。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ7へ進む。ただ、このステップは4から即次のステップ6に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。なお、以下の例でも同じであるが、一般に粘着テープからの剥離は、レオロジー的な現象であり、高速では剥離困難でも、弱めの張力をかけながら時間を置くと簡単に剥離する場合が多い。従って、停止待機や減速待機は有効な場合が多い。6ステップの開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで3の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110を一括降下させる。すなわち、後退ステップである。これは以下の例でも同じであるが、チップが湾曲することで、張力が緩和され、その結果、時間をかけても剥離が一向に進行しない場合に有効である。このようにもとの状態に戻ると粘着テープは再びチップの裏面に粘着することになるが、一般に再粘着時の粘着力は初期粘着の際の粘着力と比較して弱いと考えられる。また、UV硬化型テープでUV照射されたものは、特に再粘着時の粘着力は大幅に減少している。7突き上げブロック110が一括再上昇する1段目上昇。8リークなしを検知する。リークがなくなった状態を図40cに示す。なお、所定の回数繰り返してもリークなしとならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示してまたはアラーム信号をホストに送信停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。9突き上げブロック110bおよび110cが一括上昇する2段目上昇ステップ35。このとき、突き上げブロック110aや下部基体周辺部102aは動かない。10リークありリーク検知ステップ36。なお、リークなしの場合は即ステップ15に進む。11所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで9の上昇動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ13へ進む。ただ、このステップは10から即次のステップ12に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。12ステップの開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで9の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110bおよび110cを一括降下させる。132段目を再上昇させる。14リークなし。なお、所定の回数繰り返してもリークなしとならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示してまたはアラーム信号をホストに送信停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。15最終段すなわち突き上げブロック110cを単独上昇させる最終段上昇ステップ37。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って上昇する。16リークありリーク検知ステップ38。なお、リークなしの場合は即ステップ21に進む。所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで15の上昇動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ19へ進む。ただ、このステップは16から即次のステップ18に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。18ステップ15の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで15の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110cを単独降下させる。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って降下する。19最終段を再上昇させる。20リークなし。なお、所定の回数繰り返してもリークなしとならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示してまたはアラーム信号をホストに送信停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。コレットが上昇して完全剥離する完全剥離ステップ39。なお、ステップ1、2以降ステップ21までは、コレット側、および下部基体側の吸着用真空は引いたままである。すなわち、ONのままである。この剥離プロセスのメリットは、どのような形状のチップでもその形状に対応した突き上げが可能出るところにある。3-2.コレット待機後退プロセス剥離プロセス2、図41から42図41は主にコレット105の上昇下降を繰り返すことによってダイシングテープ4を剥離する際に、リーク検出を利用する方法について具体的処理ステップを示すプロセスフロー図である。図42はその要部断面フロー図である。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。1ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着するテープ吸着ステップ41。2コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面限定はされないが一般にデバイス面に着地するコレット着地ステップ42。着地した状態を図42aに示す。3突き上げブロック110が一括上昇する1段目上昇ステップ43;図42b参照。チップ1およびコレット105もそれに連れて押し上げられる。このとき下部基体周辺部102aは動かないのでチップ1の外周のダイシングテープ4を剥離する張力が働く。また、このステップで、リークのモニタが開始されている。4リークありを検知するリーク検知ステップ44。なお、リークなしの場合は即ステップ9に進む。5所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで3の上昇動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ7へ進む。ただ、このステップは4から即次のステップ6に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。6ステップの開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで3の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110を一括降下させる。すなわち、後退ステップである。7突き上げブロック110が一括再上昇する1段目再上昇。8リークなしを検知する。なお、所定の回数繰り返してもリークなしとならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示してまたはアラーム信号をホストに送信停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。9チップ1を真空吸着した状態でコレット105を上昇させるコレット単独上昇ステップ45;図42cおよびd参照。10リークありを検知するリーク検知ステップ46。なお、リークなしの場合はそのまま完全剥離する。11所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで9の上昇動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ13へ進む。ただ、このステップは10から即次のステップ12に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。12ステップ9開始前の状態に戻るコレット降下ステップ47;図42e参照。または、リークモニタでリークがなくなるまで9の処理を後退させる。すなわち、コレット105を降下させる。すなわち、後退ステップである。13突き上げブロック110bおよび110cが一括上昇する2段目上昇ステップ48。このとき、突き上げブロック110aや下部基体周辺部102aは動かない。14リークありリーク検知ステップ49。なお、リークなしの場合は即ステップ19に進む。15所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで13の上昇動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ17へ進む。ただ、このステップは14から即次のステップ16に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。16ステップの開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで13の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110bおよび110cを一括降下させる。172段目を再上昇させる。18リークなし。なお、所定の回数繰り返してもリークなしとならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示してまたはアラーム信号をホストに送信停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。19チップ1を真空吸着した状態でコレット105を上昇させるコレット単独上昇ステップ50。20リークありを検知するリーク検出ステップ51。なお、リークなしの場合はそのまま完全剥離する。21所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで19の上昇動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ23へ進む。ただ、このステップは20から即次のステップ22に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。22ステップ19開始前の状態に戻るコレット降下ステップ52。または、リークモニタでリークがなくなるまで19の処理を後退させる。すなわち、コレット105を降下させる。すなわち、後退ステップである。23最終段すなわち突き上げブロック110cを単独上昇させる最終段上昇ステップ53。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って上昇する。24リークありリーク検知ステップ54。なお、リークなしの場合は即ステップ29に進む。所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで23の上昇動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ27へ進む。ただ、このステップは24から即次のステップ26に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。26ステップ23の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで23の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110cを単独降下させる。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って降下する。27最終段を再上昇させる。28リークなし。なお、所定の回数繰り返してもリークなしとならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示してまたはアラーム信号をホストに送信停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。コレットが上昇して完全剥離する完全剥離ステップ55。なお、ステップ1、2以降ステップ29までは、コレット側、および下部基体側の吸着用真空は引いたままである。すなわち、ONのままである。この剥離プロセスのメリットは容易に剥離できる場合には、主にコレットの動きのみで比較的簡単に剥離が実行できるところにある。3-3.突き上げブロックのみ降下剥離プロセス剥離プロセス3、図43から44図43は、突き上げブロック110が一旦上昇し、コレット105がチップ1を吸着した状態で、突き上げブロック110のみが降下することによって、剥離を進行させるプロセスを示す。図44はその要部断面フロー図である。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。1ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着するテープ吸着ステップ61。2コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面限定はされないが一般にデバイス面に着地するコレット着地ステップ62。着地した状態を図44aに示す。3突き上げブロック110が一括上昇する1段目上昇ステップ63;図44b参照。チップ1およびコレット105もそれに連れて押し上げられる。このとき下部基体周辺部102aは動かないのでチップ1の外周のダイシングテープ4を剥離する張力が働く。また、このステップで、リークのモニタが開始されている。4リークありを検知するリーク検知ステップ64。なお、リークなしの場合は即ステップ9に進む。5所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで3の上昇動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ7へ進む。ただ、このステップは4から即次のステップ6に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。6ステップの開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで3の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110を一括降下させる。すなわち、後退ステップである。7突き上げブロック110が一括再上昇する1段目再上昇。8リークなしを検知する。なお、所定の回数繰り返してもリークなしとならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示してまたはアラーム信号をホストに送信停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。9コレット105がチップ1を真空吸着した状態で、突き上げブロック110のみを降下させる突き上げブロック一括単独降下ステップ65;図44c参照。10リークありを検知するリーク検知ステップ46。なお、リークなしの場合はそのままに進む。11所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで9の降下動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ13へ進む。ただ、このステップは10から即次のステップ12に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。12ステップ9開始前の状態に戻る突き上げブロック再上昇ステップ67;図44d参照。または、リークモニタでリークがなくなるまで9の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110のみを降下させる。すなわち、後退ステップである。13突き上げブロック110bおよび110cが一括上昇する2段目上昇ステップ68。このとき、突き上げブロック110aや下部基体周辺部102aは動かない。14リークありリーク検知ステップ69。なお、リークなしの場合は即ステップ19に進む。15所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで13の上昇動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ17へ進む。ただ、このステップは14から即次のステップ16に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。16ステップの開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで13の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110bおよび110cを一括降下させる。17コレット105がチップ1を真空吸着した状態で、突き上げブロック110bおよび110cのみを降下させる突き上げブロック一括単独降下ステップ70。18リークありを検知するリーク検知ステップ71。なお、リークなしの場合はそのままに進む。19所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで17の降下動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ21へ進む。ただ、このステップは18から即次のステップ20に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。20ステップ17開始前の状態に戻る突き上げブロック再上昇ステップ72。または、リークモニタでリークがなくなるまで17の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110bおよび110cのみを降下させる。すなわち、後退ステップである。21最終段すなわち突き上げブロック110cを単独上昇させる最終段上昇ステップ73。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って上昇する。22リークありリーク検知ステップ74。なお、リークなしの場合は即ステップ27に進む。所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで21の上昇動作を減速停止を含むする。すなわち、待機ステップである。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ27へ進む。ただ、このステップは22から即次のステップ24に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。24ステップ21の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで21の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック110cを他のブロックとともに降下させる。当然、チップ1とコレット105はそれに伴って降下する。25最終段を再上昇させる。26リークなし。なお、所定の回数繰り返してもリークなしとならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示してまたはアラーム信号をホストに送信停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。コレットが上昇して完全剥離する完全剥離ステップ75。なお、ステップ1、2以降ステップ27までは、コレット側、および下部基体側の吸着用真空は引いたままである。すなわち、ONのままである。この剥離プロセスのメリットは、突き上げブロックのトータルストロークを短くできるところにある。3-4.スライド剥離プロセス剥離プロセス4、図45から47先のセクションまでの剥離装置では、チップ1の下部には突き上げブロック110があったが、他の装置では、図46bに示すように、その代わりにスライド板183が水平方向にスライドすることによって、剥離を進行させるものがある。同図において、構造を説明する。図46aは対象とするチップ1側から見た上面図である。吸着駒102にはスライド板183を収容するためのリセス部181が設けられており、リセス部181の底面には真空吸引孔182があり、他の装置同様にリセス部181外部周辺の吸着駒102には真空吸引孔103が設けられている。図45はこの装置によってダイシングテープ4を剥離する際に、リーク検出を利用する方法について具体的処理ステップを示すプロセスフロー図である。図47はその要部断面フロー図である。図45から47に基づいて、具体的ステップの進行を説明する。1ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着するテープ吸着ステップ81。2コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面限定はされないが一般にデバイス面に着地するコレット着地ステップ82。着地した状態を図47aに示す。3コレットリークありを検出するリーク検出ステップ83;図47b。4待機する流量設定値到達待ちステップ84;図47c。リーク量が許容範囲になったら次のステップに進む。5スライド板183をチップ1とのオーバーラップが減少する方向にスライド開始するスライドステップ85;図47d。コレットリークありを検出するまでそのままスライドする。6リークありを検出する。7スライド速度をリークが許容範囲となるまで減速するまたは、停止して、待つ。すなわち、待機ステップ86である。8リークなし検出。9スライド再開し、スライドストロークエンドに到達し、コレットが上昇を開始するスライドエンドコレット上昇ステップ87。10リークありを検出するリーク検出ステップ88。11コレット上昇速度をリークが許容範囲となるまで減速するまたは、停止して、待つ。すなわち、待機ステップ89である。12リークなしを検出。コレットが上昇して完全剥離する完全剥離ステップ90この剥離プロセスのメリットは比較的簡単なステップ構成で実行できるところにある。4.各剥離ティーチングプロセスの詳細主に図48から50および図31以下のティーチングプロセスはセクション3で説明した各種の剥離プロセス、セクション2で説明した各種のコレット構造、およびセクション1で説明した全体プロセスに適宜選択して単独でまたは複数組み合わせて適用することができる。なお、以下のティーチングは、良品製品チップ、不良品製品チップ、または非製品チップ上は周辺の製品と同一形状のチップでパターンが完全には形成されていないもののいずれかを用いて実行可能である。また、製品チップで擬似ピックアップ完全には剥離しないピックアップしても、完全剥離をしなければ元の状態にもどるので、製品信頼性等の一定のリスクはあるが大きな問題はない。4-1.突き上げブロック動作ティーチングティーチング方法1、図48から49および図31図48は、リーク検出とそれを用いたプロセスパラメータの自動取得すなわちティーチングプロセスの原理を説明するための説明図である。図48a、b、およびcはその要部断面フロー図であり、図48dは図31に説明したリーク検出の原理との関係を示すタイミングチャートである。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。1目的とするチップ1が吸着駒下部基体102と吸着コレット105の中心に来るように位置あわせする。ここで流量検出がオンになる検出動作開始ステップすなわちティーチング開始ステップ151。2ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着するテープ吸着ステップ152。3コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面限定はされないが一般にデバイス面に着地するコレット着地ステップ153。着地した状態を図48aに示す。4十分に遅い速度初期速度で突き上げブロック突き上げ治具全体が上面をそろえて上昇する突き上げブロック上昇ステップ154。5リークありを検出するリーク検出ステップ157。その突き上げ高さリーク検出開始高さを記憶する。6十分に遅い速度初期速度で突き上げブロック全体が上面をそろえてリークが許容範囲になるまで降下する。その高さリーク検出終了高さを記憶する。すなわち、これを暫定第1段目上昇高さとして記憶する突き上げたかさ記憶ステップ158。7十分に遅い速度初期速度で突き上げブロックの内、突き上げブロック突き上げ治具110bおよび110cのみが上面をそろえて上昇する2段目突き上げブロック上昇ステップ。8リークありを検出するリーク検出ステップ159。その突き上げ高さリーク検出開始高さを記憶する。9十分に遅い速度初期速度で突き上げブロックの内、突き上げブロック突き上げ治具110bおよび110cのみが上面をそろえてリークが許容範囲になるまで降下する。その高さリーク検出終了高さを記憶する。すなわち、これを暫定第2段目上昇高さとして記憶する突き上げたかさ記憶ステップ160。10十分に遅い速度初期速度で突き上げブロックの内、突き上げブロック突き上げ治具110cのみが上昇する3段目突き上げブロック上昇ステップ。11リークありを検出する。その突き上げ高さリーク検出開始高さを記憶する。12十分に遅い速度初期速度で突き上げブロックの内、突き上げブロック突き上げ治具110cのみが上面をそろえてリークが許容範囲になるまで降下する。その高さリーク検出終了高さを記憶する。すなわち、これを暫定第3段目上昇高さとして記憶する。13ここで、暫定第3段目上昇高さでリークなしリーク検出ステップ161となっているかを突き上げブロック突き上げ治具110cのみを追加上昇追加上昇162させて確認する。14これにより、最終的にリークなしとなる設定暫定第3段目上昇高さすなわち、上死点3段目上昇高さ設定値を記憶する上死点設定ステップ155。15暫定第1段目上昇高さ、暫定第2段目上昇高さおよび設定暫定第3段目上昇高さを停止高さとして設定する停止高さ設定ステップ156。16次に、15で設定した停止高さで対応するセクション3のいずれかのピックアップを実行する。そして、各回ごとに上昇速度を徐々に上げて、または下げて最適速度を記憶し、それに変更する。これは、非製品チップでも可能であるが、製品チップのピックアップを実行しながら行うことが効率的である。4-2.スライド動作ティーチングティーチング方法2、図46から47および図50ここでは、セクション3-4に説明した装置構成でのスライド速度のティーチング方法を説明する。図50はそのプロセスフロー図である。図46から47および図50に基づいて具体的ステップの進行を説明する。1目的とするチップ1が吸着駒下部基体102と吸着コレット105の中心に来るように位置あわせする。ここで流量検出がオンになる検出動作開始ステップすなわちティーチング開始ステップ171。2ダイシングテープ4を下部基体102上面に真空吸着するテープ吸着ステップ172。3コレット105が真空吸引しながらチップ1の上面限定はされないが一般にデバイス面に着地するコレット着地ステップ173。4十分に遅い速度初期速度で第1のチップに対してスライド動作を開始するスライド開始ステップ174。リークなければストロークエンドまでスライドするストロークエンドステップ176。製品チップの場合は剥離完了まで進む。そのスライド速度を記憶する。5もう少し早い速度で第2のチップに対してスライド動作を開始する。リークなければストロークエンドまでスライドする。製品チップの場合は剥離完了まで進む。そのスライド速度を記憶する。6これを繰り返して、n番目のチップでリークありを検出するリーク検出ステップ175。7そのn番目のチップに対するスライド速度を記憶する。8リークが許容範囲になるまで待機してその待機時間を記憶する。9スライド動作を再開し、リークありを検出すると8に戻り、リークなしであれば次に進む。10ストロークエンドまでスライドする。ここで、7またはそれ以前に記憶した速度から最適速度を所定のルールに従って選択または算出する場合は以後のステップは不要となる。11必要に応じて、更に速度を上げて6かた10を繰り返し、そこで得られたデータから最適速度を設定し記憶する最適速度記憶ステップ177。5.各剥離プロセスの好適な組み合わせおよびその特徴セクション3の各剥離プロセスは、典型的な例についてその類型に分類して説明したが、実際には適宜取捨選択して、または適宜相互に組み合わせて実行するとピックアップ効率が向上したり、製品信頼性が向上することが期待できる。たとえば、セクション3-2のコレット上昇セグメント図41ステップ45から47または50から52すなわち、ステップの集合は剥離プロセス3のステップ67の後や剥離プロセス4の適切なステップとパラレルに適用するとピックアップ時間短縮に有効である。6.サマリ以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて正方形のシリコンチップを例にとり具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、本発明は長方形のチップ、その他の形状のチップ、GaAsチップ等のシリコン以外のチップ、およびその他のチップ上の電子部品のピックアップに同様に適用できることは言うまでもない。"