被加工物を分断する加工を行う装置であって、被加工物を載置固定するステージと、第1の出射源から出射された第1のレーザ光を、前記ステージに対して相対走査させつつ前記ステージに載置固定された前記被加工物の上面であるスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にスクライブラインを形成するスクライブ加工手段と、第2の出射源から出射された第2のレーザ光を、前記ステージに対して相対走査させつつ前記スクライブラインに沿って照射することによって前記被加工物を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱手段と、を備え、前記スクライブ加工手段と前記照射加熱手段とが、前記第1のレーザ光と前記第2のレーザ光とを前記スクライブ面の同一位置に対して同時に照射するように設けられてなり、前記第1の出射源からの前記第1のレーザ光の出射と前記第2の出射源からの前記第2のレーザ光の出射とを前記第1の出射源と前記第2の出射源とをステージに載置された前記被加工物に対して同時に相対移動させつつ同時に行うことにより、前記スクライブ面に前記スクライブラインを形成しつつ、前記第2のレーザ光による照射加熱領域の周囲に形成される引張応力場を前記スクライブラインの形成位置とともに移動させ、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインの形成とともに順次に生じさせて、前記被加工物を分断する、ことを特徴とする分断装置。請求項1に記載の分断装置であって、前記第1の出射源と前記第2の出射源とが共通化されてなることで、前記第1の出射源から前記スクライブ面までの前記第1のレーザ光の光路とから前記第2の出射源から前記スクライブ面までの前記第2のレーザ光の光路とが同軸とされてなる、ことを特徴とする分断装置。請求項1または請求項2に記載の分断装置であって、前記照射加熱手段が、前記第2の出射源から出射された前記第2のレーザ光の照射範囲を調整する調整機構を備え、前記調整機構によって照射範囲が調整された前記第2のレーザ光を前記スクライブ面に照射する、ことを特徴とする分断装置。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の分断装置であって、前記第2のレーザ光がCO2レーザである、ことを特徴とする分断装置。請求項4に記載の分断装置であって、前記第2のレーザ光をパルス発振モードにて照射することにより、前記被加工物が分断されることで形成される個片の分断面に、パルス発振周期に応じた周期を有する全反射率低減用のうねりを生じさせる、ことを特徴とする分断装置。請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の分断装置であって、前記第1のレーザ光がYAGレーザの3倍高調波である、ことを特徴とする分断装置。請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の分断装置であって、前記ステージが前記被加工物を保持した状態で水平面内で回転自在とされてなり、前記ステージを水平面内で回転させることによって前記ステージに載置固定された前記被加工物の水平面内における姿勢を補正するアライメント処理を行うアライメント処理手段、をさらに備え、前記アライメント処理を行った前記被加工物に対して前記スクライブ加工手段による前記スクライブラインの形成と、前記照射加熱手段による加熱とを行う、ことを特徴とする分断装置。請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の分断装置であって、前記スクライブ加工手段が前記第1のレーザ光の被照射位置において溶融および再固化を生じさせ、前記被照射位置を変質領域とすることによって前記スクライブラインを形成する、ことを特徴とする分断装置。請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の分断装置であって、前記スクライブ加工手段が前記第1のレーザ光の被照射位置においてアブレーションを生じさせ、前記被照射位置に溝部を形成することによって前記スクライブラインを形成する、ことを特徴とする分断装置。被加工物を分断する方法であって、第1の出射源から第1のレーザ光を出射させ、前記第1のレーザ光を前記被加工物のスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にスクライブラインを形成するスクライブ加工工程と、第2の出射源から第2のレーザ光を出射させ、前記第2のレーザ光を前記スクライブ面の側から前記スクライブラインに沿って照射することによって前記被加工物を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱工程と、を備え、前記スクライブ加工工程における前記第1のレーザ光の照射と前記照射加熱工程における前記第2のレーザ光の照射とを、前記第1の出射源と前記第2の出射源とをステージに載置された前記被加工物に対して同時に相対移動させつつ同時にかつ同一位置に対して行うことにより、前記スクライブ面に前記スクライブラインを形成しつつ、前記第2のレーザ光による照射加熱領域の周囲に形成される引張応力場を前記スクライブラインの形成位置とともに移動させ、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインの形成とともに順次に生じさせて、前記被加工物を分断する、ことを特徴とする被加工物の分断方法。請求項10に記載の分断方法であって、前記第1の出射源と前記第2の出射源とを共通化することにより、前記第1の出射源から前記スクライブ面までの前記第1のレーザ光の光路とから前記第2の出射源から前記スクライブ面までの前記第2のレーザ光の光路とを同軸とする、ことを特徴とする被加工物の分断方法。請求項10または請求項11に記載の分断方法であって、第1の方向においてそれぞれ所定のピッチにて前記第1のレーザ光の照射による複数の前記スクライブラインの形成と当該スクライブラインに沿った前記第2のレーザ光の照射加熱を行った後、前記第1の方向に直交する第2の方向においてそれぞれ所定のピッチにて前記第1のレーザ光の照射による複数の前記スクライブラインの形成と当該スクライブラインに沿った前記第2のレーザ光の照射加熱を行う、ことを特徴とする被加工物の分断方法。請求項12に記載の分断方法であって、前記照射加熱工程においては、前記第2のレーザ光の照射ビーム径を、前記スクライブラインを形成する際のピッチ以下とする、ことを特徴とする被加工物の分断方法。請求項10ないし請求項13のいずれかに記載の分断方法であって、前記照射加熱工程においては、前記第2の出射源から出射された前記第2のレーザ光の照射範囲を調整機構によって調整したうえで前記第2のレーザ光を前記スクライブ面に照射する、ことを特徴とする被加工物の分断方法。請求項10ないし請求項14のいずれかに記載の分断方法であって、前記第2のレーザ光がCO2レーザである、ことを特徴とする被加工物の分断方法。請求項15に記載の分断方法であって、前記照射加熱工程においては、記第2のレーザ光をパルス発振モードにて照射し、前記被加工物が分断されることで形成される個片の分断面に、パルス発振周期に応じた周期を有する全反射率低減用のうねりを生じさせる、ことを特徴とする被加工物の分断方法。請求項10ないし請求項16のいずれかに記載の分断方法であって、前記第1のレーザ光がYAGレーザの3倍高調波である、ことを特徴とする被加工物の分断方法。請求項10ないし請求項17のいずれかに記載の分断方法であって、前記被加工物の水平面内における姿勢を補正するアライメント処理工程、をさらに備え、前記アライメント処理工程を行った前記被加工物に対して、前記スクライブ加工工程と前記照射加熱工程とを行う、ことを特徴とする被加工物の分断方法。請求項10ないし請求項18のいずれかに記載の分断方法であって、前記スクライブ加工工程においては、前記第1のレーザ光の被照射位置において溶融および再固化を生じさせ、前記被照射位置を変質領域とすることによって前記スクライブラインを形成する、ことを特徴とする被加工物の分断方法。請求項10ないし請求項18のいずれかに記載の分断方法であって、前記スクライブ加工工程においては、前記第1のレーザ光の被照射位置においてアブレーションを生じさせ、前記被照射位置に溝部を形成することによって前記スクライブラインを形成する、ことを特徴とする被加工物の分断方法。表面に光学素子パターンが2次元的に形成された光学素子パターン付き基板を分断する方法であって、第1の出射源から第1のレーザ光を出射させ、前記第1のレーザ光を前記被加工物のスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にスクライブラインを形成するスクライブ加工工程と、第2の出射源から第2のレーザ光を出射させ、前記第2のレーザ光を前記スクライブ面の側から前記スクライブラインに沿って照射することによって前記被加工物を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱工程と、を備え、前記スクライブ加工工程における前記第1のレーザ光の照射と前記照射加熱工程における前記第2のレーザ光の照射とを、前記第1の出射源と前記第2の出射源とをステージに載置された前記被加工物に対して同時に相対移動させつつ同時にかつ同一位置に対して行うことにより、前記スクライブ面に前記スクライブラインを形成しつつ、前記第2のレーザ光による照射加熱領域の周囲に形成される引張応力場を前記スクライブラインの形成位置とともに移動させ、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインの形成とともに順次に生じさせて、前記被加工物を分断するとともに、前記第2のレーザ光をパルス発振モードで出射させることにより、前記被加工物が分断されることで形成される光学素子個片の分断面に、パルス発振周期に応じた周期を有する全反射率低減用のうねりを生じさせる、ことを特徴とする光学素子パターン付き基板の分断方法。特許文献3に開示された手法の場合、レーザ光によって直接に加熱されるのはあくまでレーザ光吸収材であり、硬脆性材料基板はあくまで、レーザ光吸収材からの熱伝導によって間接的に加熱されるのみである。それゆえ、熱伝導の均一性の確保が難しく、引張応力が意図した方向に作用するとは限らない。また、特許文献1に開示されているような従来のレーザ割断と同じく、亀裂の進展方向を制御することは難しい。従って、係る手法によって精度の良い分断を行うことは難しい。また、特許文献4および特許文献5に開示されているのはせいぜい、機械的にあるいはレーザ光により形成した加工痕に沿ってレーザ光を照射することにより被加工物を分断する基本的な原理に過ぎず、係る分断を効率的に生じさせる手法について、何らの開示も示唆もなされてはいない。また、特許文献6には、発光素子の半導体膜の側面に凹凸加工を施すことによる光取り出し効率の向上については開示があるものの、その基材であるサファイアウェハに対する加工については開示がない。仮に、特許文献6に開示された手法でサファイア基板に凹凸加工を施すとなると、改めてレジスト塗布処理が必要であるとともに、エッチング自体に時間を要し、生産性が低いという問題がある。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、脆性材料からなる被加工物を高精度かつ効率的に分断することができる技術を提供することを目的とする。また、特に、表面に発光素子パターンが2次元的に形成されたパターン付き基板が被加工物である場合において、これら高精度かつ効率的な加工に加えて、発光素子の発光効率の向上をも併せて実現する技術を提供する。上記課題を解決するため、請求項1の発明は、被加工物を分断する加工を行う装置であって、被加工物を載置固定するステージと、第1の出射源から出射された第1のレーザ光を、前記ステージに対して相対走査させつつ前記ステージに載置固定された前記被加工物の上面であるスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にスクライブラインを形成するスクライブ加工手段と、第2の出射源から出射された第2のレーザ光を、前記ステージに対して相対走査させつつ前記スクライブラインに沿って照射することによって前記被加工物を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱手段と、を備え、前記スクライブ加工手段と前記照射加熱手段とが、前記第1のレーザ光と前記第2のレーザ光とを前記スクライブ面の同一位置に対して同時に照射するように設けられてなり、前記第1の出射源からの前記第1のレーザ光の出射と前記第2の出射源からの前記第2のレーザ光の出射とを前記第1の出射源と前記第2の出射源とをステージに載置された前記被加工物に対して同時に相対移動させつつ同時に行うことにより、前記スクライブ面に前記スクライブラインを形成しつつ、前記第2のレーザ光による照射加熱領域の周囲に形成される引張応力場を前記スクライブラインの形成位置とともに移動させ、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインの形成とともに順次に生じさせて、前記被加工物を分断する、ことを特徴とする。請求項2の発明は、請求項1に記載の分断装置であって、前記第1の出射源と前記第2の出射源とが共通化されてなることで、前記第1の出射源から前記スクライブ面までの前記第1のレーザ光の光路とから前記第2の出射源から前記スクライブ面までの前記第2のレーザ光の光路とが同軸とされてなる、ことを特徴とする。請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載の分断装置であって、前記照射加熱手段が、前記第2の出射源から出射された前記第2のレーザ光の照射範囲を調整する調整機構を備え、前記調整機構によって照射範囲が調整された前記第2のレーザ光を前記スクライブ面に照射する、ことを特徴とする。請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の分断装置であって、前記第2のレーザ光がCO2レーザである、ことを特徴とする。請求項5の発明は、請求項4に記載の分断装置であって、前記第2のレーザ光をパルス発振モードにて照射することにより、前記被加工物が分断されることで形成される個片の分断面に、パルス発振周期に応じた周期を有する全反射率低減用のうねりを生じさせる、ことを特徴とする。請求項6の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の分断装置であって、前記第1のレーザ光がYAGレーザの3倍高調波である、ことを特徴とする。請求項7の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の分断装置であって、前記ステージが前記被加工物を保持した状態で水平面内で回転自在とされてなり、前記ステージを水平面内で回転させることによって前記ステージに載置固定された前記被加工物の水平面内における姿勢を補正するアライメント処理を行うアライメント処理手段、をさらに備え、前記アライメント処理を行った前記被加工物に対して前記スクライブ加工手段による前記スクライブラインの形成と、前記照射加熱手段による加熱とを行う、ことを特徴とする。請求項8の発明は、請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の分断装置であって、前記スクライブ加工手段が前記第1のレーザ光の被照射位置において溶融および再固化を生じさせ、前記被照射位置を変質領域とすることによって前記スクライブラインを形成する、ことを特徴とする。請求項9の発明は、請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の分断装置であって、前記スクライブ加工手段が前記第1のレーザ光の被照射位置においてアブレーションを生じさせ、前記被照射位置に溝部を形成することによって前記スクライブラインを形成する、ことを特徴とする。請求項10の発明は、被加工物を分断する方法であって、第1の出射源から第1のレーザ光を出射させ、前記第1のレーザ光を前記被加工物のスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にスクライブラインを形成するスクライブ加工工程と、第2の出射源から第2のレーザ光を出射させ、前記第2のレーザ光を前記スクライブ面の側から前記スクライブラインに沿って照射することによって前記被加工物を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱工程と、を備え、前記スクライブ加工工程における前記第1のレーザ光の照射と前記照射加熱工程における前記第2のレーザ光の照射とを、前記第1の出射源と前記第2の出射源とをステージに載置された前記被加工物に対して同時に相対移動させつつ同時にかつ同一位置に対して行うことにより、前記スクライブ面に前記スクライブラインを形成しつつ、前記第2のレーザ光による照射加熱領域の周囲に形成される引張応力場を前記スクライブラインの形成位置とともに移動させ、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインの形成とともに順次に生じさせて、前記被加工物を分断する、ことを特徴とする。請求項11の発明は、請求項10に記載の分断方法であって、前記第1の出射源と前記第2の出射源とを共通化することにより、前記第1の出射源から前記スクライブ面までの前記第1のレーザ光の光路とから前記第2の出射源から前記スクライブ面までの前記第2のレーザ光の光路とを同軸とする、ことを特徴とする。請求項12の発明は、請求項10または請求項11に記載の分断方法であって、第1の方向においてそれぞれ所定のピッチにて前記第1のレーザ光の照射による複数の前記スクライブラインの形成と当該スクライブラインに沿った前記第2のレーザ光の照射加熱を行った後、前記第1の方向に直交する第2の方向においてそれぞれ所定のピッチにて前記第1のレーザ光の照射による複数の前記スクライブラインの形成と当該スクライブラインに沿った前記第2のレーザ光の照射加熱を行う、ことを特徴とする。請求項13の発明は、請求項12に記載の分断方法であって、前記照射加熱工程においては、前記第2のレーザ光の照射ビーム径を、前記スクライブラインを形成する際のピッチ以下とする、ことを特徴とする。請求項14の発明は、請求項10ないし請求項13のいずれかに記載の分断方法であって、前記照射加熱工程においては、前記第2の出射源から出射された前記第2のレーザ光の照射範囲を調整機構によって調整したうえで前記第2のレーザ光を前記スクライブ面に照射する、ことを特徴とする。請求項15の発明は、請求項10ないし請求項14のいずれかに記載の分断方法であって、前記第2のレーザ光がCO2レーザである、ことを特徴とする。請求項16の発明は、請求項15に記載の分断方法であって、前記照射加熱工程においては、記第2のレーザ光をパルス発振モードにて照射し、前記被加工物が分断されることで形成される個片の分断面に、パルス発振周期に応じた周期を有する全反射率低減用のうねりを生じさせる、ことを特徴とする。請求項17の発明は、請求項10ないし請求項16のいずれかに記載の分断方法であって、前記第1のレーザ光がYAGレーザの3倍高調波である、ことを特徴とする。請求項18の発明は、請求項10ないし請求項17のいずれかに記載の分断方法であって、前記被加工物の水平面内における姿勢を補正するアライメント処理工程、をさらに備え、前記アライメント処理工程を行った前記被加工物に対して、前記スクライブ加工工程と前記照射加熱工程とを行う、ことを特徴とする。請求項19の発明は、請求項10ないし請求項18のいずれかに記載の分断方法であって、前記スクライブ加工工程においては、前記第1のレーザ光の被照射位置において溶融および再固化を生じさせ、前記被照射位置を変質領域とすることによって前記スクライブラインを形成する、ことを特徴とする。請求項20の発明は、請求項10ないし請求項18のいずれかに記載の分断方法であって、前記スクライブ加工工程においては、前記第1のレーザ光の被照射位置においてアブレーションを生じさせ、前記被照射位置に溝部を形成することによって前記スクライブラインを形成する、ことを特徴とする。請求項21の発明は、表面に光学素子パターンが2次元的に形成された光学素子パターン付き基板を分断する方法であって、第1の出射源から第1のレーザ光を出射させ、前記第1のレーザ光を前記被加工物のスクライブ面に対して照射することにより、前記スクライブ面にスクライブラインを形成するスクライブ加工工程と、第2の出射源から第2のレーザ光を出射させ、前記第2のレーザ光を前記スクライブ面の側から前記スクライブラインに沿って照射することによって前記被加工物を前記スクライブラインに沿って加熱する照射加熱工程と、を備え、前記スクライブ加工工程における前記第1のレーザ光の照射と前記照射加熱工程における前記第2のレーザ光の照射とを、前記第1の出射源と前記第2の出射源とをステージに載置された前記被加工物に対して同時に相対移動させつつ同時にかつ同一位置に対して行うことにより、前記スクライブ面に前記スクライブラインを形成しつつ、前記第2のレーザ光による照射加熱領域の周囲に形成される引張応力場を前記スクライブラインの形成位置とともに移動させ、これによって、前記スクライブラインが前記引張応力場に位置することで生じる前記スクライブラインから前記非スクライブ面へのクラックの進展を、前記スクライブラインの形成とともに順次に生じさせて、前記被加工物を分断するとともに、前記第2のレーザ光をパルス発振モードで出射させることにより、前記被加工物が分断されることで形成される光学素子個片の分断面に、パルス発振周期に応じた周期を有する全反射率低減用のうねりを生じさせる、ことを特徴とする。請求項1ないし請求項21の発明によれば、あらかじめ定められた被加工物の分断予定位置に対する第1のレーザ光の照射と第2のレーザ光の照射による加熱とを同時に行うことによって、スクライブラインを形成しつつ該スクライブラインに対し引張応力を作用させ、これによってスクライブラインから非スクライブ面へのクラックの進展をスクライブラインの形成とともに順次に生じさせることで、被加工物を精度よく分断することができる。しかも、第1のレーザ光の照射によるスクライブラインの形成と第2のレーザ光による照射加熱とを同時に行うので、高精度な分断加工を高い生産性で行うことが可能となる。特に、請求項5および請求項16の発明によれば、分断対象物の分断面に意図的にうねりを生じさせることができる。これにより、例えば、表面にLEDパターンが2次元的に形成されたサファイア基板であるLED製造用基板が分断対象物であり、これをLEDチップ単位の個片に分断するような場合において、LEDチップの分断面における全反射を抑制し、LEDチップの発光効率を向上させることができる。<第1の実施の形態><加工の基本原理>まず、本実施の形態に係る加工分断加工を説明するに先立ち、その基本原理について説明する。本実施の形態において行う分断加工は、概略、被加工物分断対象物Wの分断予定位置に対して第1のレーザ光スクライブ用レーザ光を照射することによってスクライブラインSLを形成した後、第2のレーザ光加熱用レーザ光の照射による加熱レーザ加熱を行うことで該スクライブラインSL近傍に応力場を生じさせ、これによって初期亀裂であるスクライブラインSLから亀裂クラックを進展させることで、被加工物を分断するというものである。被加工物Wとしては、例えば、ガラス板やサファイア基板などの脆性材料、あるいはそれら脆性材料からなる基板の表面に薄膜層などによって単位パターンが2次元的に形成されたもの以下、パターン付き基板などが該当する。図1は、分断加工の途中の様子を模式的に示す図である。より具体的には、図1は、被加工物Wにあらかじめ形成されたスクライブラインSLに沿って加熱用レーザ光LBhを照射することにより、レーザ加熱を行う様子を示している。なお、以降の説明においては、被加工物WにおいてスクライブラインSLが形成されている面、もしくはスクライブラインSLの形成が予定される面をスクライブ面W1と称し、該スクライブ面W1の反対面を非スクライブ面W2と称する。また、図1においては、加熱用レーザ光LBhが矢印AR1にて示す走査方向当然ながらスクライブラインSLの延在方向でもあるを移動することによりスクライブ面W1を走査する様子を示しているが、これに代わり、加熱用レーザ光LBhがある照射位置にて固定的に照射される一方で、被加工物Wが図示しない移動手段にて移動させられることによって、加熱用レーザ光LBhによる矢印AR1方向への相対的な走査が実現される態様であってもよい。加熱用レーザ光LBhが照射されると、被加工物Wのスクライブ面W1における加熱用レーザ光LBhの照射領域は加熱されて膨張し、図1に示すように圧縮応力場SF1となる。一方で、該圧縮応力場SF1の外周領域は収縮し、引張応力場SF2となる。スクライブラインSLがこの引張応力場SF2に含まれると、被加工物Wにおいては、該スクライブラインSLの側方において引張応力TSが作用する。係る引張応力TSの作用により、スクライブラインSLから非スクライブ面W2側の分断予定位置L0に向けてクラックCRが進展する。加えて、上述のように、加熱用レーザ光LBhはスクライブラインSLに沿って相対的に走査されるので、これに伴い、引張応力場SF2もスクライブラインSLに沿って移動する。すると、非スクライブ面W2側へとクラックCRが進展する箇所が、スクライブラインSLの延在方向、つまりは加熱用レーザ光LBhの走査方向に沿って遷移していくこととなる。それゆえ、加熱用レーザ光LBhを、スクライブ面W1側の分断予定位置に設けられたスクライブラインSLの一方端から他方端に至るまで照射すれば、スクライブラインSLの形成位置全体で、分断予定位置L0へのクラックCRの進展を順次に生じさせることができるので、結果として、被加工物Wを分断することができる。これが、本実施の形態に係る分断加工の基本原理である。係る態様にて被加工物Wを分断する場合、被加工物Wを正確に位置決めした上でスクライブ面W1上の所定の位置に精度良く形成されてなるスクライブラインSLを初期亀裂として、非スクライブ面W2側へとクラックCRを進展させることになる。通常、スクライブラインSLの長さに比べて被加工物Wの厚みは十分に小さく、また、加熱用レーザ光LBhによって形成される引張応力場SF2は比較的均一であるので、分断位置のずれは生じにくい。すなわち、本実施の形態においては、精度の優れた分断が可能となる。結果として、μmオーダーの精度での分断が可能となる。なお、表面にLEDパターンが2次元的に形成されたサファイア基板であるLED製造用基板などのパターン付き基板を、単位パターン毎の個片にチップ単位に分断する場合など、分断予定位置が格子状に設定されている場合、互いに直交する第1の方向と第2の方向とにおいてそれぞれ複数のスクライブラインSLが順次に形成されたうえで、それぞれの方向について、順次に加熱用レーザ光LBhによる加熱が行われる。係る場合、加熱用レーザ光LBhによってある第1の方向に延在するスクライブラインSL第1のスクライブラインに沿ったレーザ加熱を行うと、これに直交する他のスクライブラインSL第2のスクライブラインとの格子点近傍では、部分的に、第2の方向に延在する第2のスクライブラインにおいてもわずかに非スクライブ面W2へのクラックCRの進展は生じる。しかしながら、係る場合においても、後で第2のスクライブラインに沿ったレーザ加熱を行うことで、精度には問題のない分断が行える。スクライブ用レーザ光には、被加工物Wの材質等に応じて適宜のパルスレーザ光を選択して用いればよい。例えば、サファイア基板や、サファイア基板を用いて作製されたパターン付き基板であるLED製造用基板が被加工物Wである場合であれば、YAGレーザの3倍高調波波長355nmを用いるのが好適な一例である。また、分断予定位置での分断の精度および確実性を高めるためには、スクライブラインSLはできるだけ細く形成されることが望ましいことから、スクライブ用レーザ光は数μm~十数μm程度の照射範囲照射ビーム径で照射されるようにする。また、加工効率エネルギーの利用効率の観点から、スクライブ用レーザ光は、被加工物Wのスクライブ面W1あるいは内部のスクライブ面W1近傍スクライブ面W1から数十μm程度までの範囲で合焦するように照射される。なお、本実施の形態において、照射ビーム径とは、照射するレーザビームの断面のエネルギー分布がガウス分布形状であると仮定した場合に、そのエネルギー値が中心の最高値の1/e2以上である領域の直径をいう。また、スクライブラインSLについては、スクライブ用レーザ光の被照射位置において物質を蒸発させることによって形成される断面視三角形状もしくはくさび形状の溝部がスクライブラインSLとされる態様であってもよいし、当該被照射位置において物質を溶融再固化させる融解改質させることによって形成される断面視三角形状もしくはくさび形状の変質領域がスクライブラインSLとされる態様であってもよい。いずれの態様を取るかに応じて、スクライブ用レーザ光の照射条件パルス幅、繰り返し周波数、ピークパワー密度、走査速度などが定められる。また、図1ではスクライブラインSLが連続的に形成されている場合を例示しているが、スクライブラインSLの形成態様はこれに限られない。例えば、分断予定位置に沿って点線状もしくは破線状にスクライブラインSLが形成される態様であってもよい。一方、加熱用レーザ光LBhとしては、長波長レーザであるCO2レーザ波長9.4μm~10.6μmを用いるのが好適である。CO2レーザは、ガラスやサファイアの表面において確実に吸収されるので、スクライブラインSLからのクラックCRの進展を確実に生じさせることが出来る。なお、スクライブラインSLの形成という、被加工物の加工を目的として照射するスクライブ用レーザ光とは異なり、加熱用レーザ光LBhは、被加工物を加熱することによって加熱領域に形成される圧縮応力場SF1の周囲に引張応力場SF2を形成するという目的で照射されるものである。それゆえ、被加工物を破壊や変質させないようにすることや、引張応力場SF2をなるべく広く形成させるようにするうえにおいては、加熱用レーザ光LBhの照射範囲はスクライブ用レーザ光に比べて大きくてよい。例えば、被加工物の厚みが150μmの場合では、100μm~1000μm程度であればよい。ただし、パターン付き基板から矩形形状のチップを切り出すような場合においては、加熱用レーザ光LBhの照射ビーム径を、分断後に得られるチップの平面サイズ分断予定位置のピッチとほぼ同等と同じかそれ以下に設定する。これよりも照射ビーム径を大きくした場合、分断が良好に行われず、所定の形状のチップが得られなくなることが生じ、好ましくない。<加熱用レーザ光の発振モードと分断面の形状との関係>例えば加熱用レーザ光LBhとしてCO2レーザを用いる場合、連続発振モードとパルス発振モードとの2通りの発振モードで加熱用レーザ光LBhを照射することができる。そして、この発振モードに応じて、被加工物Wの分断面の形状に違いが生じることが確認されている。具体的には、連続発振モードの場合、クラック進展によって形成される分断面は非常に滑らかな平坦面となる。一方、パルス発振モードの場合、分断面には、パルスの発振周期に応じた周期的なうねり凹凸が形成される。図2は、加熱用レーザ光LBhとしてCO2レーザを用い、サファイア基板を分断した時の分断面のSEM走査電子顕微鏡像である。図中、Fracturesurfaceが分断面であり、Grooveはスクライブラインであり、Feeddirectionはサファイア基板の移動方向レーザ光の走査方向の反対方向である。図2に示す場合においては、分断面は透明ではあるものの、数十μmピッチでうねりが形成されてなる。一般に、被加工物Wの分断面は平坦面であることが好まれるため、多くの場合は、加熱用レーザ光LBhの照射は連続発振モードで行われる。これに対して、分断面に意図的に積極的にうねりを生じさせることが好ましい場合もある。例えば、表面にLED発光素子パターンが2次元的に形成されたサファイア基板ウェハであるLED製造用基板が被加工物Wであり、これをLEDチップ単位の個片に分断する場合がこれに該当する。図3は、分断面が平坦な場合と平坦面にうねりがある場合との分断面における光の進み方の違いを示す図である。一般に、発光素子LEDチップは、基板の上に設けられた発光素子構造部分において生じる発光が出来るだけ遮られることなく外部に取り出されることが求められる。係る光の一部は、基板部分にも入射することから、発光素子の実質的な発光効率光の取り出し効率を高めるには、基板部分においても発光された光をできるだけ透過させることが必要となる。その一方で、屈折率の大きい媒質中から屈折率の小さい媒質中に向けて光が進む場合、その界面入射面に対して臨界角θc以上で入射した光は全反射されてしまうという光学的な制限スネルの法則がある。例えば、サファイアから空気へと光が進む場合はθc=34.4°である。仮に、分断面が平坦面であるとすると、図3aに示すように、発光素子部分で生じた光のうち、臨界角θc以上の入射角で分断面に入射した光は全て、反射されることになる。また、原理的には、発生後の進行方向によっては、全反射を受け続け、結果としてLEDチップ内部に閉じこめられた状態となる光も生じ得る。上述のようにサファイアから空気へと光が進む場合であれば、34.4°以上55.6°以下の入射角で分断面に入射する光がこれに該当する。これに対して、分断面にうねりがある場合、図3bに示すように、図3aの場合と同じ方向から入射した光であっても、その入射位置によっては入射角が図3aを下回ることになるため、分断面を透過する成分が生じることになる。また、仮にある分断面で反射を受けたとしても、異なる分断面で透過をする確率が高くなる。すなわち、分断面に入射した光が該分断面で全反射される割合全反射率を低減させることが出来る。それゆえ、分断面にうねりがある場合、分断面が平坦面である場合よりも、発生した光が取り出されやすい状態が実現される。なお、実際の発光素子では、必ずしもLEDチップの基板が直接に外部に露出しているわけではなく、樹脂により封止等される場合があるが、係る場合でも、上述の効果は同様に得られる。以上を鑑み、被加工物WがLED製造用基板であり、これをLEDチップ単位に分断する場合には、加熱用レーザ光LBhをパルス発振モードで照射し、分断面にうねりを生じさせる態様にて分断を行うようにする。これにより、光取り出し効率の高いLEDチップを得ることが出来る。係る手法は、被加工物Wの分断に併せてうねりを形成することができるので、例えば特許文献6に開示されているようなドライエッチングを用いて凹凸を形成する手法に比べて、効率的でかつ生産性が高いものである。<分断装置と実際の加工態様>次に、上述した加工原理に基づいて被加工物の分断を行う分断装置と、該分断装置において行われる実際の加工態様について説明する。図4は、分断装置100の構成を概略的に示す図である。図5は、分断装置100に備わる加工用光学系100Aの構成を示す図である。図4に示すように、分断装置100は、ステージ部10と、加工用光学系100Aと、位置読み取り光学系40とを主として備える。加工用光学系100Aは、図5に示すように、スクライブ用レーザ光学系20と加熱用レーザ光学系30とを備えるとともに、両光学系が対物レンズ101とダイクロイックミラー102とを共用する構成を有する。また、分断装置100は、例えば図示しないCPU、ROM、RAMなどからなり、スクライブ用レーザ光学系20、加熱用レーザ光学系30、および位置読み取り光学系40などとの間で種々の信号を授受することにより、各構成要素の動作を制御する制御系50を備える。なお、制御系50は他の構成要素と一体のものとして分断装置100の本体に組み込まれる態様であってもよいし、例えばパーソナルコンピュータ等で構成されて、分断装置100の本体とは別に設けられる態様であってもよい。ステージ部10は、主として、XYステージ11と、該XYステージ11の上に設けられた加工用ステージ12とから構成される。XYステージ11は、制御系50からの駆動制御信号sg1に基づいて、水平面内XY平面内の互いに直交する2つの方向X方向、Y方向に移動自在とされてなる。なお、XYステージ11の位置情報信号sg2は絶えず制御系にフィードバックされる。なお、本実施の形態においては、便宜上、XYステージ11がX方向を移動する際に加工を行うものとする。加工用ステージ12は、その上に被加工物Wを載置固定するための部位である。加工用ステージ12は図示しない吸着機構を備えており、制御系50からの吸着制御信号sg3に基づいて吸着機構を作動させることにより、加工用ステージ12の上面12aに被加工物Wを吸着固定するように構成されている。また、加工用ステージ12は、図示しない回転駆動機構を備えており、制御系50からの回転制御信号sg4に基づいて水平面内で回転動作が行えるようにもなっている。なお、図4においては図示を省略するが、加工用ステージ12への固定にあたっては、被加工物Wの非スクライブ面W2側載置面側に粘着性のフィルムを貼り付け、該フィルムともども被加工物Wを固定する態様であってもよい。スクライブ用レーザ光学系20は、制御系50から与えられるスクライブ用レーザ制御信号sg5に基づいて、スクライブ用レーザ光LBsを被加工物Wに対して照射する部位である。図5に示すように、スクライブ用レーザ光学系20は、スクライブ用レーザ光LBsの光源出射源であるレーザ発振器21と、レーザ発振器21から出射されたスクライブ用レーザ光LBsの光量調整を行うためのアッテネータ22とを主として備える。なお、上述のように、スクライブ用レーザ光LBsとしては、被加工物Wの材質等に応じたパルスレーザ光が用いられるので、レーザ発振器21は、使用するスクライブ用レーザ光LBsの種類に応じて選択されればよい。また、スクライブ用レーザ光学系20には、スクライブ用レーザ光LBsを反射することによってスクライブ用レーザ光LBsの光路の向きを適宜に切り替えるミラー23も備わっている。なお、図5においてはミラー23が1つのみ備わる場合を例示しているが、ミラー23の数はこれには限られず、スクライブ用レーザ光学系20内部あるいはさらに分断装置100内部におけるレイアウト上の要請その他の理由から、さらに多くのミラー23が設けられ、スクライブ用レーザ光LBsの光路が適宜に設定される態様であってもよい。より詳細には、レーザ発振器21には、スクライブ用レーザ光LBsの出射/非出射を切り替えるためのシャッター21aが設けられてなる。シャッター21aの開閉動作は、スクライブ用レーザ制御信号sg5の一種であるON/OFF制御信号sg5aに基づいて制御される。また、アッテネータ22におけるスクライブ用レーザ光LBsの光量の調整は、スクライブ用レーザ制御信号sg5の一種である出力パワー制御信号sg5bに基づいて制御される。アッテネータ22を経たスクライブ用レーザ光LBsは、対物レンズ101によって、被加工物Wのスクライブ面W1あるいは内部のスクライブ面W1近傍スクライブ面W1から数十μm程度までの範囲で合焦するように、かつ、照射ビーム径が数μm~十数μm程度となるように、調整される。加熱用レーザ光学系30は、制御系50から与えられる加熱用レーザ制御信号sg6に基づいて、加熱用レーザ光を被加工物Wに対して照射する部位である。図5に示すように、加熱用レーザ光学系30は、加熱用レーザ光LBhの光源出射源であるレーザ発振器31と、レーザ発振器31から出射された加熱用レーザ光LBhの光量調整を行うためのアッテネータ32と、被加工物Wに対する加熱用レーザ光LBhの照射範囲を調整するためのビーム調整機構33とを主として備える。上述のように、加熱用レーザ光LBhとしてはCO2レーザを用いるので、レーザ発振器31はCO2レーザ用の発振器である。なお、図5においては図示を省略しているが、スクライブ用レーザ光学系20と同様に、加熱用レーザ光学系30においても、加熱用レーザ光LBhを反射することによって加熱用レーザ光LBhの光路の向きを適宜に切り替えるミラーが備わっていてもよい。より詳細には、レーザ発振器31には、加熱用レーザ光LBhの出射/非出射を切り替えるためのシャッター31aが設けられてなる。シャッター31aの開閉動作は、加熱用レーザ制御信号sg6の一種であるON/OFF制御信号sg6aに基づいて制御される。また、アッテネータ32における加熱用レーザ光LBhの光量の調整は、加熱用レーザ制御信号sg6の一種である出力パワー制御信号sg6bに基づいて制御される。また、ビーム調整機構33は、レーザ発振器31から直線的に出射された加熱用レーザ光LBhの照射範囲を調整するために備わる。ビーム調整機構33は、例えば、種々のレンズを適宜に組み合わせることによって実現され、それらのレンズの位置を調整することにより、対物レンズ101を経た加熱用レーザ光LBhを被加工物Wに対して適切な照射範囲で照射出来るようになっている。なお、図5においては、ビーム調整機構33による調整によって、加熱用レーザ光LBhが、レーザ発振器31から出射されたときのビーム径よりも大きな照射範囲で被加工物Wに照射される場合を例示している。ダイクロイックミラー102は、スクライブ用レーザ光学系20に備わるレーザ発振器21から出射され、アッテネータ22によって光量が調整されたスクライブ用レーザ光LBsを透過させるとともに、加熱用レーザ光学系30に備わるレーザ発振器31から出射され、アッテネータ22によって光量が調整されたうえでビーム調整機構33によって照射範囲が調整された加熱用レーザ光LBhを反射するように設けられてなる。対物レンズ101は、ダイクロイックミラー102を経たスクライブ用レーザ光LBsと加熱用レーザ光LBhの焦点位置をともに調整する役割を担う。換言すれば、対物レンズ101は、被加工物Wに対するスクライブ用レーザ光LBsの出射源と加熱用レーザ光LBhの出射源とを共通化したものでもある。なお、上述のように、スクライブ用レーザ光LBsにはYAGレーザの3倍高調波波長355nmなど比較的短波長のレーザ光が用いられるのに対して、加熱用レーザ光LBhには長波長レーザのCO2レーザが用いられる。対物レンズ101としては、このように波長の異なるレーザ光の焦点を同時に調整出来るものを用いる必要がある。係る観点からは、反射型対物レンズを対物レンズ101として用いるのが好適である。また、加工用光学系100Aにおいては、ダイクロイックミラー102を透過したスクライブ用レーザ光LBsとダイクロイックミラー102にて反射された加熱用レーザ光LBhの光路が同軸となるように、各部の配置が調整されてなる。これにより、スクライブ用レーザ光LBsと加熱用レーザ光LBhとを、被加工物Wの同一位置に対して同時に照射することが可能となっている。位置読み取り光学系40は、加工用ステージ12に吸着固定された被加工物Wを図示しないCCDカメラなどで撮像し、得られた撮像画像のデータを画像情報信号sg7として制御系50に与える。制御系50は、得られた画像情報信号sg7に基づいて、XYステージ11の移動範囲や、スクライブ用レーザ光LBsや加熱用レーザ光LBhの照射位置などの設定を行う。以上のような構成を有する分断装置100においては、被加工物Wを加工用ステージ12に吸着固定させた状態でXYステージ11を移動させることにより、被加工物Wを、加工用光学系100Aおよび位置読み取り光学系40のそれぞれに対して下方から対向配置できるようになっている。なお、係る場合において、被加工物Wは、スクライブ面W1が上面非載置面となるように加工用ステージ12に固定される。そして、被加工物Wを加工用光学系100Aと対向配置させた状態で、XYステージ11の移動によって対物レンズ101に対して加工用ステージ12に載置された被加工物Wを同時に相対移動させることで、被加工物Wの同一位置に対して同時に、スクライブ用レーザ光LBsの照射によるスクライブラインSLの形成と、加熱用レーザ光LBhによるスクライブラインSLに沿った照射加熱とを行えるようになっている。これにより、上述の加工原理の説明では別個の工程として行うものとしていた被加工物Wの一の分断予定位置におけるスクライブラインSLの形成と該スクライブラインSLからのクラックCRの進展による当該分断予定位置での分断とを、一度のXYステージ11の移動で完了できるようになっている。以下、係る態様での分断加工を、同時分断加工と称する。図6は、同時分断加工の一態様を模式的に示す図である。図6に示す場合においては、XYステージ11が矢印AR2にて示すX方向に移動すると、被加工物Wのスクライブ面W1側の分断予定位置L1に沿って矢印AR1にて示す走査方向に沿ってスクライブ用レーザ光LBsが照射されてスクライブラインSLが形成されるとともに、加熱用レーザ光LBhがスクライブ用レーザ光LBsの被照射位置およびその近傍に照射される。これにより、スクライブラインSLを形成しつつ、該スクライブラインSLから被加工物Wの非スクライブ面W2の分断予定位置L0に向けてクラックCRを進展させ、被加工物Wを分断することが出来る。すなわち、一の分断予定位置での分断を、一度のXYステージ11の移動で完了できるようになっている。なお、同時分断加工の場合、同一方向に複数の分断予定位置が設定されていたり、あるいは、分断予定位置が格子状に設定されていたりする場合に同時分断加工を適用する際の加工順序は、上述したような、スクライブラインSLを全て形成した後に全てのスクライブラインSLに沿った照射加熱によって分断を行うという原理的な手法における加工順序とは異なる。すなわち、同一方向に複数の分断予定位置が設定されている場合であれば、1つ目の分断予定位置における分断が完了した後、XYステージ11を分断予定位置のピッチに相当する距離だけY方向に移動させて、2つ目の分断予定位置に対して同様の同時分断加工を行う、という処理を繰り返すようにすればよい。そして、直交する2方向について分断を行う場合は、第1の方向について同時分断加工による分断を順次に行った後、第1の方向に直交する第2の方向について同様に同時分断加工を行うようにすればよい。係る同時分断加工は、スクライブラインSLの形成のためのスクライブ用レーザ光LBsと、該スクライブラインSLに沿った分断を行うための加熱用レーザ光LBhとを、それぞれにXYステージ11の移動を伴う別個の工程として行う態様よりも生産性の点で優れた手法であるといえる。また、スクライブ用レーザ光LBsと加熱用レーザ光LBhとを一の対物レンズ101から照射するので、スクライブラインSLの形成位置と該スクライブラインSLに対する照射加熱位置との関係が固定的である。従って、それぞれのレーザ光を別個の対物レンズから照射する場合よりも、安定した精度で分断を行うことが可能となる。なお、同時分断加工の場合においても、加熱用レーザ光LBhをパルス発振モードにて照射することにより分断面にうねりを生じさせる態様での被加工物Wの分断は、問題なく行える。また、分断装置100においては、被加工物Wを位置読み取り光学系40と対向配置させた状態で位置読み取り光学系40による被加工物Wの撮像を行い、得られる撮像画像データに基づいて、被加工物Wの水平面内における傾き姿勢を補正するアライメント動作を行うことが出来る。具体的には、制御系50が、該撮像画像データの画像内容例えば、アライメントマークの配置位置や繰り返しパターンの配置位置などに基づいて、被加工物Wの水平面内における傾きXYステージ11の移動方向からの傾きを特定し、係る傾きがキャンセルされるように、加工用ステージ12に対して回転制御信号sg4を与えて、該加工用ステージ12を回転させる。被加工物Wの水平面内における傾きを特定する主要としては、パターンマッチング法など、公知の手法を適用することが出来る。以上、説明したように、本実施の形態によれば、上述の分断装置により、あらかじめ定められた被加工物の分断予定位置に対するスクライブ用レーザ光の照射と加熱用レーザ光の照射による加熱とを同時に行うことによって、スクライブラインを形成しつつ該スクライブラインに対し引張応力を作用させ、これによってスクライブラインから非スクライブ面へのクラックの進展をスクライブラインの延在方向に沿って順次に生じさせて被加工物を分断することができる。しかも、本実施の形態によれば、高い位置決め精度のもとでのスクライブラインの形成と該スクライブラインからのクラック進展による分断とを、一度のXYステージの移動で実現することが出来る。それゆえ、高精度な分断加工を高い生産性で行うことが可能となる。<第2の実施の形態>上述の実施の形態に係る分断装置100においては、加工用光学系100Aにおいてスクライブ用レーザ光学系20と加熱用レーザ光学系30とが対物レンズ101とダイクロイックミラー102とを共用する構成によって、同一位置へのスクライブ用レーザ光LBsと加熱用レーザ光LBhとの同時照射が実現されているが、係る照射態様を実現する分断装置の構成はこれに限られるものではない。図7は、第2の実施の形態に係る分断装置100が備える加工用光学系100Aの構成を概略的に示す図である。なお、第2の実施の形態に係る分断装置100において第1の実施の形態に係る分断装置100と同一の作用効果を奏する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。なお、図7においては、スクライブ用対物レンズ24がスクライブ用レーザ光学系20とは別個に図示されているが、本実施の形態においては、図5に示したレーザ発振器21とアッテネータ22にスクライブ用対物レンズ24を含めてスクライブ用レーザ光学系20と称する。また、同様に、図7においては、加熱用対物レンズ34がおよびミラー35が加熱用レーザ光学系30とは別個に図示されているが、以下の説明においては、図5に示したレーザ発振器31とアッテネータ32とビーム調整機構33に加熱用対物レンズ34およびミラー35を含めて加熱用レーザ光学系30と称する。なお、ミラー35は、加熱用レーザ光LBhを反射することによって加熱用レーザ光学系30における加熱用レーザ光LBhの光路の向きを適宜に切り替えるために設けられてなる。図7においてはミラー35が1つのみ備わる場合を例示しているが、ミラー35の数はこれには限られず、加熱用レーザ光学系30内部あるいはさらに分断装置100内部におけるレイアウト上の要請その他の理由から、さらに多くのミラー35が設けられ、加熱用レーザ光LBhの光路が適宜に設定される態様であってもよい。また、図7においては図示を省略しているが、スクライブ用レーザ光学系20においても同様の目的でミラーが設けられる態様であってもよい。本実施の形態に係る加工用光学系100Aは、共通の対物レンズ101を有する代わりに、スクライブ用レーザ光学系20がスクライブ用対物レンズ24を備え、かつ、加熱用レーザ光学系30が加熱用対物レンズ34を備える点、および、ダイクロイックミラー102を有していない点で、第1の実施の形態に係る加工用光学系100Aと相違する。一方で、第1の実施の形態と同様に、加工用光学系100Aにおいては、スクライブ用レーザ光LBsと加熱用レーザ光LBhとが被加工物Wの同一位置に対して同時に照射されるように、各部の配置が調整されてなる。係る構成を有することにより、本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、XYステージ11の移動によって対物レンズ101に対して加工用ステージ12に載置された被加工物Wを相対移動させつつ、スクライブ用レーザ光LBsと加熱用レーザ光LBhとを同時照射することで、スクライブラインSLを形成しつつ、該スクライブラインSLから被加工物Wの非スクライブ面W2の分断予定位置L0に向けてクラックCRを進展させることによる、同時分断加工が行える。従って、本実施の形態の場合も、第1の実施の形態と同様に、スクライブ用レーザ光LBsと加熱用レーザ光LBhとを別個の工程として照射する態様よりも高い生産性で被加工物の分断を行うことが出来る。また、スクライブ用対物レンズ24と加熱用対物レンズ34との配置関係が固定的であるので、第1の実施の形態と同様に、スクライブラインSLの形成位置が必ず照射加熱位置となる。従って、本実施の形態においても、安定した精度で分断を行うことが可能となる。<変形例>上述の同時分断加工の際、加熱用レーザ光LBhによって形成される引張応力場SF2のうち走査方向後方の部分に対して冷却ガスを噴射し、当該部分を冷却するようにするようにしてもよい。係る場合、引張応力場SF2の冷却された箇所と、加熱用レーザ光LBhの照射によって加熱されてなる圧縮応力場SF1との温度差がより高くなり、引張応力場SF2における引張応力がより強められる。これにより、クラックCRの進展の確実性が高められる。結果として、被加工物Wをより精度よく分断することが出来るようになる。なお、冷却ガスCGとしては、例えば不活性ガスなど、被加工物Wと反応しないガスを適宜に用いればよい。