第1の格子対称性と第1の最近隣接距離とを有する、所望されている二次元の周期的なフィーチャパターンを感光性層に印刷する方法であって、a少なくとも2つの重畳する周期的なフィーチャサブパターンから成るマスクパターンを有するマスクを提供し、当該フィーチャサブパターンはそれぞれ、第2の格子対称性と第2の最近隣接距離とを有しており、各サブパターンの前記フィーチャは、少なくとも1つの透過性材料内または透過性材料上に形成され、b前記感光性層を有する基板を提供し、c前記マスクを前記基板に対して実質的に並行に、かつ間隙を伴って配置し、d実質的にコリメートされた光を提供し、当該光は前記マスクパターンを照明して、透過された光領域を形成するための中心波長とスペクトルバンド幅とを有しており、前記光領域内では、前記中心波長の光が、Talbot平面間の横方向強度分布の範囲を形成し、d前記間隙の維持または変位距離分の前記間隙の変化の間に前記マスクパターンを前記光によって照明し、ここで前記感光性層を実質的に、前記所望されているパターンを印刷する、横方向強度分布の範囲の平均にさらし、前記間隙を前記スペクトルバンド幅および前記第2の最近隣接距離に対応して調整し、前記照明の間維持するか、または、前記中心波長および前記第2の最近隣接距離に関連した変位距離分だけ前記照明の間に変化させ、前記サブパターンを形成して、各サブパターンによって透過される光の位相を、少なくとも1つの他のサブパターンによって透過される光に対して相対的にシフトさせ、前記第2の最近隣接距離を前記中心波長に関連して選択して、前記透過された光領域内に一次の回折次数を形成し、前記所望されている二次元の周期パターンは、前記光によって振幅マスクが照明されるATLまたはDTLを代わりに使用して印刷できなかった、ことを特徴とする、第1の格子対称性と第1の最近隣接距離とを有する、所望されている二次元の周期的なフィーチャパターンを感光性層に印刷する方法。前記所望されているパターンは、強度ピークの周期的なパターンであり、前記強度ピークは、ハチの巣状の第1の格子対称性と第1の最近隣接距離を有しており、前記最近隣接距離は、前記中心波長よりも短く、前記マスクパターンは、第1のサブパターンと第2のサブパターンと第3のサブパターンとから成り、当該サブパターンの各々は六角形の第2の格子対称性と第2の最近隣接距離とを有しており、前記第2の最近隣接距離は前記第1の最近隣接距離の√3倍であり、前記第2のサブパターンによって透過される光と前記第3のサブパターンによって透過される光の位相はそれぞれ、前記第1のサブパターンによって透過される光に対して実質的に54°及び108°シフトされる、請求項1記載の方法。前記所望されているパターンは、強度ピークの周期的なパターンであり、前記強度ピークは、六角形の第1の格子対称性を有しており、前記マスクパターンは、第1のサブパターンと第2のサブパターンと第3のサブパターンとから成り、当該各サブパターンは六角形の第2の格子対称性と第2の最近隣接距離とを有しており、前記第2の最近隣接距離は前記第1の最近隣接距離の√3倍であり、前記第2のサブパターンと第3のサブパターンによって透過される光の位相はそれぞれ、前記第1のサブパターンによって透過される光に対して実質的に120°及び240°シフトされる、請求項1記載の方法。前記所望されているパターンは、強度ピークの周期的なパターンであり、前記強度ピークは、六角形の第1の格子対称性を有しており、前記マスクパターンは、第1のサブパターンと第2のサブパターンとから成り、当該各サブパターンはハチの巣状の第2の格子対称性と第2の最近隣接距離とを有しており、前記第2の最近隣接距離は前記第1の最近隣接距離の√3倍であり、前記第2のサブパターンによって透過される光の位相は、前記第1のサブパターンによって透過される光に対して実質的に60°シフトされる、請求項1記載の方法。前記所望されているパターンは、強度ピークの周期的なパターンであり、前記強度ピークは、ハチの巣状の第1の格子対称性を有しており、前記マスクパターンは、第1のサブパターンと第2のサブパターンとから成り、当該各サブパターンはハチの巣状の第2の格子対称性と第2の最近隣接距離とを有しており、前記第2の最近隣接距離は前記第1の最近隣接距離の√3倍であり、前記第2のサブパターンによって透過される光の位相は、前記第1のサブパターンによって透過される光に対して実質的に180°シフトされる、請求項1記載の方法。前記所望されているパターンは、強度ピークの周期的なパターンであり、前記強度ピークは、正方形の第1の格子対称性を有しており、前記マスクパターンは、第1のサブパターンと第2のサブパターンと第3のサブパターンと第4のサブパターンとから成り、当該各サブパターンは正方形の第2の格子対称性と第2の最近隣接距離とを有しており、前記第2の最近隣接距離は前記第1の最近隣接距離の2倍であり、前記第2のサブパターン、第3のサブパターン、第4のサブパターンによって透過される光の位相はそれぞれ、前記第1のサブパターンによって透過される光に対して実質的に90°、180°および270°シフトされる、請求項1記載の方法。前記所望されているパターンは、強度ピークの周期的なパターンであり、前記強度ピークは、正方形の第1の格子対称性を有しており、前記マスクパターンは、第1のサブパターンと第2のサブパターンと第3のサブパターンと第4のサブパターンとから成り、当該各サブパターンは正方形の第2の格子対称性と第2の最近隣接距離とを有しており、前記第2の最近隣接距離は前記第1の最近隣接距離の2倍であり、前記第2のサブパターン、第3のサブパターンおよび第4のサブパターンによって透過される光の位相はそれぞれ、前記第1のサブパターンによって透過される光に対して実質的に90°、90°および180°シフトされる、請求項1記載の方法。前記所望されているパターンは、連続線のメッシュを含んでいる周期的なパターンであり、前記メッシュは正方形の第1の格子を有しており、前記マスクパターンは、第1のサブパターンと第2のサブパターンと第3のサブパターンと第4のサブパターンとから成り、当該各サブパターンは正方形の第2の格子対称性と第2の最近隣接距離とを有しており、前記第2の最近隣接距離は前記第1の最近隣接距離の2倍に相当し、前記第2のサブパターン、第3のサブパターン、第4のサブパターンによって透過される光の位相はそれぞれ、前記第1のサブパターンによって透過される光に対して実質的に90°、180°および270°シフトされる、請求項1記載の方法。前記所望されているパターンは、強度ピークの周期的なパターンであり、前記強度ピークは、六角形の第1の格子対称性を有しており、前記マスクパターンは、第1のサブパターンと第2のサブパターンと第3のサブパターンとから成り、当該各サブパターンは三角形-六角形-ハチの巣状の第2の格子対称性と第2の最近隣接距離とを有しており、前記第2の最近隣接距離は前記第1の最近隣接距離の√3倍であり、前記第2のサブパターンおよび第3のサブパターンによって透過される光の位相はそれぞれ、前記第1のサブパターンによって透過される光の位相に対して実質的に120°および240°シフトされる、請求項1記載の方法。前記所望されているパターンは、強度ピークの周期的なパターンであり、前記強度ピークは、正方形の第1の格子対称性を有しており、前記マスクパターンは、第1のサブパターンと第2のサブパターンとから成り、当該各サブパターンは正方形の第2の格子対称性を有しており、相互にオフセットされて、前記第1のサブパターンと前記第2のサブパターンの結合されたフィーチャは、アスペクト比2:1を有する長方形の格子に配置され、前記第2の最近隣接距離は、前記第1の最近隣接距離の2倍に相当し、前記第2のサブパターンによって透過される光の位相は、前記第1のサブパターンによって透過される光に対して実質的に90°シフトされる、請求項1記載の方法。前記サブパターンのフィーチャは付加的に、実質的に不透明な材料の層内の開口部として形成されている、請求項1記載の方法。第1の格子対称性と第1の最近隣接距離とを有する、所望されている、二次元の周期的なフィーチャパターンを感光性層に印刷する装置であって、当該装置は、aマスクを含んでおり、当該マスクは、少なくとも2つの重畳する周期的なフィーチャサブパターンから成るマスクパターンを有しており、前記各フィーチャサブパターンは第2の格子対称性と第2の最近隣接距離とを有しており、各サブパターンの前記フィーチャは、少なくとも1つの透過性材料内または少なくとも1つの透過性材料上に形成され、b感光性層を備えた基板を含んでおり、c前記マスクを前記基板に対して実質的に並行に、かつ間隙を伴って配置する手段を含んでおり、d実質的にコリメートされた光を提供する手段を有しており、当該光はマスクパターンを照明して、透過された光領域を形成するための中心波長とスペクトルバンド幅を有しており、前記光領域内では、前記中心波長の光は、Talbot平面間の横方向強度分布の範囲を形成し、d前記間隙の維持または、変位距離分だけの前記間隙の変化の間、前記マスクパターンを前記光によって照明する手段を有しており、それによって前記感光性層は実質的に、前記所望されているパターンを印刷する、横方向強度分布の範囲の平均にさらされ、前記間隙は前記スペクトルバンド幅および前記第2の最近隣接距離に対応して調整され、照明の間維持されるか、または前記中心波長および前記第2の最近隣接距離に関連した変位距離分だけ照明の間に変化され、前記サブパターンが形成されて、各サブパターンによって透過される光の位相が、少なくとも1つの他のサブパターンによって透過される光に対して相対的にシフトされ、前記第2の最近隣接距離は前記中心波長に関連して選択されて、前記透過された光領域内に一次の回折次数が形成され、前記所望されている二次元の周期的なパターンは、前記光によって振幅マスクが照明されるATLまたはDTLを代わりに使用して印刷できなかった、ことを特徴とする、第1の格子対称性と第1の最近隣接距離とを有する、所望されている、二次元の周期的なフィーチャパターンを感光性層に印刷する装置。本発明の第1の実施形態図1および図2を参照では、マスク内の合成パターンは、孔1のアレイを含んでいる。この孔は、150nmの直径を有しており、最近隣接距離a=250nmを有する六角形格子に配置されている。これは、溶融シリカ基板3上のクロム2の不透明層に形成されている。このパターンは、重畳し、かつ相互にオフセットしている3つの孔サブパターンによって構成されている。各サブパターン内の孔は、最近隣接距離b=√3a=433nmを有している、六角形格子に配置されている。図1は、合成パターンの繰り返しセルを示している。これは、繰り返しセルの二次元アレイで、全体的なマスクパターンの大きい領域にわたって繰り返されている。第2のサブパターンの孔内の溶融シリカ基板の表面は実質的に均一に、116nmの深さまでエッチングされており、第3のサブパターンの孔内では、232nmのより深い深さまでエッチングされている。これら3つのサブパターン内の孔の、結果として生じる断面は、図2に示されている。マスクは、位相シフトマスクを製造するためにマイクロエレクトロニクス産業によって使用されている標準のマスク製造技術を用いて製造された。その詳細が当業者に既知であるだろう可能な製造ストラテジーは第1に、電子ビームリソグラフィプロセスを用いて、クロム層内の全ての孔を画定することおよび開けることを含み;レジストによるマスクの再コーティングと、第2のサブパターンの孔上のレジストを除去するためのさらなるeビーム書き込みステップと、その後の、必要な深さまでの孔のエッチングとを含む;これにさらに、第3のサブパターンの孔に対する、同様の再コーティングと、レジスト除去とエッチングシーケンスとが続く。図3では、基板12上にパターンを印刷するように設計された露光システム内にマスク5が入れられる。この基板は、その上側表面が、DTL技術に従ってフォトレジスト13の層によってコーティングされている。このマスク5は、通常の入射角で、アルゴンイオンレーザ8から送出された、波長364nmを有する単色光7のビームによって照射される。このアルゴンイオンレーザは、光学システム10によってコリメートされている。この光学システム10は、レーザ8からの平面偏光されたビームを、円偏光されたビームに変える円偏光部を含んでいる。これは、非対称性が、この実施形態のマスク5から印刷される高解像度二次元アレイのフィーチャ内に導入されないことを保証するために重要である。この照明状態および選択された孔の深さおよび溶融シリカ2対する1.47の屈折率によって、第2および第3のサブパターンの孔によって透過される光が、位相において、54°および108°それぞれ、第1のサブパターンによって透過される光に対して相対的にシフトされる。マスク5内の合成パターンの孔がシンプルに、サブパターンの間の異なった孔の深さを有しておらずに、基板上のクロム層内に形成されている場合、すなわち、従来技術の教示に従って形成されている場合には、合成パターン内の孔のサブ波長最近隣接距離は、0次の回折のみ伝播させ、周期的なパターンが、基板12上に印刷されるのを阻止するだろう。しかし代わりに、位相をシフトさせる、第2および第3のサブパターンを有するマスク5を使用する場合には、6つの一次回折次数が伝播可能になる。これは、0次のビームと干渉し、Talbot距離によって縦方向に分離される一連のTalbot平面を形成する。1次のビームの極角コンポーネントθ1は、六角形サブパターンアレイの最近隣接距離bとsinθ1=2λ√3b式3によって関連付けされる。結果として生じる光領域内の、自己結像面を分離するTalbot距離LTは、1次回折次数の極角度からLT=λ/cosθ0-cosθ1式4によって計算される。ここで、θ0は、0次のビームの極角度である。マスクの通常入射角照明ではθ0=0である。少なくともTalbot距離の距離での、露光中のマスク5に対する基板12の縦方向変位によって、フォトレジストによってコーティングされた基板12を、この光領域に、DTL技術を用いて露光させることで、フォトレジスト層13内に印刷される周期的な強度分布が得られる。最も有利には、露光中の、マスクに対する基板の変位は、12/903389の教示に従って行われる。特に、フォトレジストコーティングされた基板が、変化する速度で、露光中にマスクに対して縦方向に変位され、これによってマスクが増大する間隙の変化毎のエネルギー密度によって照明されるのは最も有利である。これは変位とともに滑らかに変化し、例えば、実質的にガウス分布に相応する。DTL技術のこの修正は、印刷パターンの均一性と再現性を改善する。印刷パターンの均一性および再現性に対する同様の改善は、代替的に、一定の速度で間隙を変えること、および、露光の間に照明ビームの強度を変えることによって行われるだろう。これはより詳細に12/903389に開示されている。縦方向位置付けおよびマスクに対する基板の変位のための機械的な手段は、図3に示されていない。なぜなら、これは上述した出願に記載されており、この教示に基づいてフォトリソグラフィシステム、特にプロキシミティ印刷システム用の正確な機械的位置付け分野の当業者によって容易に、実現可能だからである。フォトレジストコーティングされた基板とマスクとの間の、縦方向変位の前の初期の間隙は、例えば50μmの値に設定される。これは、既知の厚さを有している1つまたは複数のスペーサによって、または白色干渉法の原理に基づいた、干渉ギャップ測定装置を用いて行われる。基板12を露光する、結果として生じる強度分布は、標準的なコンピュータ技術を用いて、マスク5によって透過された光領域の伝播をシミュレートすることによって決められるだろう。特に、finitedifferencetimedomainFDTDおよび厳密結合波解析RCWA等の高精度方法論に基づいたもの、またスカラー理論に基づくような低精度方法論および角度スペクトル方法のアプリケーションも使用されるだろう。後者の方法論によって得られたシミュレーション結果は、強度分布の一般的な特性および基板上に印刷されるパターンの形状を示す。フォトレジスト層内の実際の線量分布は、光偏光、基板、フォトレジストの反射率および屈折率を含む他のパラメータに依存する。これらは、当業者に良く知られている数学的手法を用いたシミュレーションにおいても考慮されるだろう。スカラー理論に基づいた手法を用いる場合、フォトレジスト13を露光する平均的な強度分布は、マスク内の合成パターンのそれと同じ最近隣接距離、すなわち250nmを有するハチの巣状パターンに配置された強度ピークの周期的なアレイになるように計算される。これは図4aに示されている。この値は、従来技術によって可能なものおよびその照明波長よりも格段に小さい。図4bは、4aの分布の中心をx方向で横切る強度変化を示している。これは強度分布の高いコントラストを示し、フォトリソグラフィプロセス製造に適している。正のフォトレジスト使用されている場合には、孔のアレイが層13内に印刷されることが明らかである。ここで、負のフォトレジストの場合には、柱のアレイが印刷されるだろう。従来技術の教示に従って、振幅マスクおよびDTLまたはATLを用いた場合、346nmの露光波長で、ハチの巣状の強度分布をこのように小さい最近隣接距離で印刷することは不可能である。この実施形態は従って、ハチの巣状格子に配置されたフィーチャの周期的なパターンを印刷する本発明の重要な利点を明らかにする。特定の孔の深さおよび関連する位相シフトは、この実施形態における第2および第3のサブパターンに対して既に示されているが、コンピュータシミュレーションによって次のことが確定した。すなわち、深さの比が第2および第3のサブパターンおよび結果として生じる位相シフトに関連するにおいて1:2の場合に、フォトレジストを露光するピークの平均的な強度分布の形状およびコントラストが、これらの値からの孔の深さの偏差にあまり反応しないことが確定した。依存性のこの分析によると、この比が満足できるものである場合には、第2のサブパターンによって導入された相対的な位相シフトが25°~85°の範囲にあり、第3のサブパターンによって導入された相対的な位相シフトが50°~170°の範囲にあることが有利であり、最も有利には、第2のサブパターンによって導入された相対的な位相シフトが35°~75°の範囲にあり、第3のサブパターンによって導入された相対的な位相シフトが70°~150°の範囲にある。しかし、第2のサブパターンと第3のサブパターンに対する比が1:2から変化した場合には、平均分布は、孔の深さの変化に対して許容性がない。例えば、第2のサブパターンおよび第3のサブパターンによって導入された位相シフトが36°及び88°である場合比~2.4に相応する、フォトレジストを露光する平均分布内のピークの強度は均一ではなく、パターンにわたって周期的に変化する。これは図5aに示されている。図5bに示されている、この分布の中心を横切る、x方向における強度プロファイルは、ピーク強度の~20の変化を示している。位相偏差上のピーク強度の変化に対する依存性の分析によると、第2のサブパターンと第3のサブパターンによって導入された位相シフトの比が範囲1:1.6~1:2.4にあるのが有利であり、範囲1:1.8~1:2.2にあるのが最も有利である。また前者の範囲の外にある比は、特定のアプリケーションのリソグラフィ要求に依存して許容されるであろう。さらに、孔の特定の直径が、マスク設計において上述されたが、コンピュータシミュレーションによって次のことが確定された。すなわち、この実施形態を用いてフォトレジストを露光する、結果として生じる平均強度分布の形が、実質的に孔の直径に依存しないことが確定された。例えば、全てのサブパターンにおいて、図1に示されているのと同じ基本マスクデザインを使用しているが、240nmの孔直径を有すると、隣接する孔のエッジは接触しそうであり図6を参照、実質的に、フォトレジストで同じ形の強度分布を形成する。これは実質的に、この分布の中心を横切るx方向において、強度分布の同じコントラストを有する図7aおよび7bを参照。より大きな孔を有するマスクの透過率はより高いので、このケースにおいてこの分布のピーク強度は実質的により高い。これはフォトレジストを正確に露光するのに必要な時間を低減するのに有利である。推定する場合いは、次のことが予期される。すなわち、同じサブパターン構造と関連付けられた位相を有するが、不透明層内の孔の代わりに完全に透明な六角形領域を有する無彩色マスクが、同様のパターンを印刷し、かつより短い露光時間を可能にするであろうことが予期される。第1の実施形態では、六角形格子に配置されたフィーチャを有するマスク内の合成パターンからハチの巣状フィーチャパターンを印刷するために、合成パターンにおける、孔の最近隣接距離aが2λ/3<a<2λ/√3を満たしている必要がある。第2の、類似の実施形態では、図1のデザインにおける第2および第3のサブパターンの孔の深さはより深くエッチングされ、これらのサブパターンによって伝達される光の位相が、第1のサブパターンによって伝達された光に対して相対的にそれぞれ、120°及び240°シフトされる。このマスクによって伝達される光領域は主に、3つの一次回折次数を含んでいる。これらは、マスク内の合成パターンと同じ、すなわち250nmの最近隣接距離を有する強度ピークの六角形アレイを作成するために相互に干渉する。理想的なマスクでは、サブパターンからのこのような位相シフトの組み合わせは、0次回折次数を作成しないであろう。しかし、マスクの構造内の光の回折は、結果として幾つかの0次の光を生じさせる。これは、マスクから離れる方向において干渉パターンを変調する。それによって、横方向分布の焦点深度が制限される。この変調は実際にはより大きい。なぜなら、マスク製造プロセスにおける不正確さによって、第2のサブパターンおよび第3のサブパターンによって伝達される光の非理想的な位相シフトが生じてしまうからである。これは、0次ビームの強度を増幅させる。従ってDTLまたはATL技術を用いて、250nmの最近隣接距離と、より大きい焦点深度でもって六角形フィーチャパターンを印刷することができる。これは、ATLおよびDTLの従来技術を用いて、この波長では不可能であろう。マスクのこのデザインでフォトレジストを露光する積分された強度分布のシミュレーションによって、高いコントラストの画像の形成が確認された。しかし、理想的な値から位相シフトが偏差している場合には、結果として生じる分布内の強度ピークはパターンにわたって均一ではなく、周期的に変化する。例えば、第2のサブパターンおよび第3のサブパターンによって作成された位相シフトがそれぞれ126°及び252°である場合には、DTL技術を用いてフォトレジストを露光する、結果として生じる平均強度分布は、図8aに示されたように計算される。この分布の中心を横切るx方向における強度変化は、図8bに示されている。これはピーク強度における~20の非均一性を示している。第2のサブパターンおよび第3のサブパターンから正確に120°及び240°の位相シフトを作成するマスクを用いる場合、結果として、同じ強度ピークになる。従って、依存性の分析によると、印刷されるパターンが特定の用途の要求を満たすために、第2のサブパターンおよび第3のサブパターンによって作成される最大の許容可能な位相シフト偏差を特定することが可能である。ATLまたはDTL技術を用いてフォトレジストを露光する平均分布におけるピーク強度の周期的な変化は、連続して、または同時に、幾つかの異なる入射角度でマスクを照明することによって低減されるまたは削除される。これは有利には、各角度で同じ露光線量で行われる。照明ビームの小さい角度オフセットΔΦによって、フォトレジスト層を照明する強度分布は、LΔφによって表される距離だけ横方向に変位される。ここでLは、角度オフセットを含む面における層とマスクの間隙であるこれはより詳細に、米国特許出願第12/706081号に記載されており、ここでこれは異なる目的で使用されている。従って、2つ以上の入射角度で連続してまたは同時にマスクを照明することによって、異なる強度分布の強度ピークが、フォトレジストで重なり、積分された分布内のピーク強度のより高い均一性が得られる。これらの入射角度は、フォトレジストを照明する各強度分布間の距離およびオフセット方向が、印刷されるパターンの周期およびアレイ軸に相応するように選択されている。第2の実施形態の特定のマスク設計では、3つの入射角度でマスクを照明することによって、第2および第3の角度による、フォトレジストで作成される平均強度分布が、第1の角度によって作成されたものに対して、それぞれ、印刷されるパターンの第1および第2のアレイ軸の方向において、印刷されるパターンの1最近隣接距離だけオフセットされる。その後、エッチングされたフィーチャの深さが、第2および第3のサブパターンにおいて、理想的な値から偏差している場合でも、積分された分布内の強度分布は均一に提供される。このスキームにおいて使用されている異なる照明角度は、印刷されるパターンの焦点深度を低減させる。しかし、これは、基板とマスクのより大きい間隙を用いて緩和される。択一的に、一連のATLまたはDTL露光を実施することによって、強度ピークの均一なパターンが、同じ、非理想的なマスクから印刷されるだろう。これは単一の照明角度と、露光と露光の間の、マスクに対するフォトレジストコーティングされた基板の付加的な横方向変位を用いて行われる。露光の間に、アレイ軸の方向に、印刷されたアレイの1つの周期の距離だけ基板を変位させることによって、2つの露光の平均分布における強度ピークが重ね合わされる。従って、第2の実施形態の特定のマスク設計に対して、3つの露光を実施すること、および基板をマスクに対して変位させることによって、各露光の間のオフセットの距離および方向が、上述したスキームにおいて3つの照明角度を用いて得られたものに相応する。次に、積分された強度分布におけるピーク強度も均一に提供される。この代替的なプロシージャは、照明角度を1つだけ必要とするので、積分された強度分布は有利には、DTLおよびATL技術を用いて実現されるのと同じ大きさの焦点深度を有する。その実装は、フォトレジストコーティングされた基板をマスクに対してまたはその逆、x方向およびy方向において変位させるために、高い精度のアクチュエータ、例えばピエゾ圧電トランスデューサが露光システム内に組み込まれることを必要とする。有利にはセンサも、正確な測定のため、および変位が必要な精度で実施されることを補償するために、必要とされる。この補助的な露光スキームによって、非理想的なPSMから均一なパターンを印刷することが可能になるので、DTLまたはATL技術を伴うPSMの実際の実装にとってこの露光スキームは重要である。六角形格子に配置されたフィーチャを有するマスク内の合成パターンからフィーチャの周期的なパターンを印刷するためのこの第2の実施形態において、合成パターン内の孔の最近隣接距離aがa>2λ/3を満たすことが必要である。本発明の第3の実施形態図9を参照では、マスク内のフィーチャの合成パターンは、最近隣接距離a=250nmを有するハチの巣状格子に配置されている直径150nmの孔のアレイを含んでいる。これは、溶融シリカ基板上のクロム上の不透明層内に形成されている図9は、合成パターンの繰り返しセルを示しているだけである。このパターンは重畳しているが、相互にオフセットしている2つのサブパターンから成る。各サブパターン内の孔は、最近隣接距離b=√3a=433nmを有する六角形格子に配置されている。第2のサブパターンの孔内の溶融シリカ基板の表面は、116nmの深さまで、実質的に均一にエッチングされている。従って、マスクが、364nmの波長を有する光によって通常の入射角で照明される場合には、第2のサブパターンによって透過される光は、第1のサブパターンによって透過される光に対して相対的に、位相において60°シフトされる。位相シフトされない場合、マスクによって透過される光領域は、0次の回折次数と1次の回折次数を含むだろう。従って、周期的なパターンを、DTLタイプの露光を用いて印刷することが可能であろう;しかし、コンピュータシミュレーションは、フォトレジストを露光する平均強度分布が、433nmの最近隣接距離を有する六角形格子に配置された強度ピークを含むことを示している。これは事実上、マスクパターンのより高い解像コンポーネントが失われたことを表す。その代わりに第2のサブパターンを位相シフトさせるマスクを用いてフォトレジストを露光する平均強度分布のコンピュータシミュレーションは、図10aに示された結果をもたらし、この分布の中心を横切るx方向での強度変化は図10bに示されている。この分布も、六角形格子に配置された強度ピークを有しているが、最近隣接距離は、マスク内の合成パターンのそれと同じ、すなわち250nmである。これは、従来技術およびこの照明波長に従ってDTLを用いて可能であるものよりも格段に小さい。従って解像度において顕著な利得があらわれる。従ってこの実施形態は、六角形格子に配置されているフィーチャの周期的なパターンを印刷するための本発明の重要な利点を表している。しかしコンピュータシミュレーションは、結果として生じる、フォトレジストを露光する強度分布の形が、上述した値からの、孔の深さおよび関連付けられた位相シフトの偏差に対して、第1の実施形態のマスク設計と比べていくらかの感度を有していることを示している。例えば、第2のサブパターン内の孔の深さが、代わりに54°の位相シフトを作成する場合、DTL技術を用いてフォトレジストを露光する平均強度分布が図11aに示されたようであることが計算される。分布の中心を横切るx方向での強度変化は、図11bに示されており、ここから、ピークの強度が均一ではなく、パターンにわたって~15、周期的に変化することが見て取れる。従って、最も有利には、第2のサブパターン内の孔の深さは、範囲55°~65°における位相シフトを導入する。しかし、特定の用途のリソグラフィ要求に依存して、より大きい範囲が許容されるであろう。この実施形態は、1つの位相エッチングステップと浅いエッチング深さしか必要でないという利点を有している。第4の、類似の実施形態では、図9の設計における第2のサブパターンの孔の深さが、より深くエッチングされ、このサブパターンによって透過される光の位相は、第1のサブパターンによって透過される光に関して180°だけシフトされる。フォトレジストコーティングされた基板を照明する平均強度分布のコンピュータシミュレーションは、マスクに対して基板が縦方向に変位される場合には、図12aに示されているように、250nmの最近隣接距離を有する強度ピークのハチの巣状アレイを示す。これは、振幅マスクおよびこの露光波長を使用して可能ではないであろう。この分布の中心を横切るx方向における強度変化が図12bに示されている。これは、この強度分布が高いコントラストを有しており、製造プロセスに対して適していることを示している。コンピュータシミュレーヨンは、DTL技術による強度ピークのハチの巣状アレイを印刷するための位相マスクのこのデザインが、第2のサブパターンによって作成された180°からの位相シフトの偏差に対して比較的影響を受けないことを示している。依存性の分析から、この実施形態のマスクパターンタイプを使用してハチの巣状パターンを印刷するために、第2のサブパターンによって作成された位相シフトが範囲90°~270°にあることが有利であり、最も有利にはこれが範囲120°~240°にあることが確定した。この実施形態のマスク設計において、孔の特定の直径が示されたが、コンピュータシミュレーションは、DTL技術を使用してフォトレジストを露光する、結果として生じる平均強度分布の形が、実質的に孔の直径に影響を受けないことを示している。より大きい孔の直径は、マスクを通した光のより高い透過を可能にする。これは、パターンをフォトレジスト内に印刷するのに必要な時間を短くするのに有利である。そのフィーチャがハチの巣状格子で配置されているマスク内の合成周期パターンから、フィーチャの周期的なパターンを印刷するためのこの実施形態では、マスク内の合成パターン内の孔の最近隣接距離aがa>2λ/3を満たすことが必要である。本発明の第5の実施形態図13を参照では、マスク内のフィーチャの合成パターンは、xおよびy方向において、最近隣接距離すなわち周期a=200nmを有する正方形格子に配置されている直径100nmの孔のアレイを含んでいる。これは、溶融シリカ基板上のクロムの不透明層内に形成されている図13は、合成パターンの繰り返しセルを示しているだけである。このパターンは重畳しているが、相互にオフセットしている4つの、孔のサブパターンから成る。各サブパターン内の孔は、xおよびy方向において、最も近い隣接距離すなわち周期b=2a=400nmを有する正方形格子上に配置されている。第2のサブパターンの孔内で、溶融シリカ基板の表面は、194nmの深さまでエッチングされており、第3のサブパターンの孔内では387nmの深さまでエッチングされており、第4のサブパターンの孔内では581nmの深さまでエッチングされている。このマスクが、図3の露光システム内に導入され、第1の実施形態と同じように照明される場合には、第2、第3および第4のサブパターンにおけるエッチングされたフィーチャの深さは、これらのサブパターンによって透過される光の位相を90°、180°および270°それぞれ、第1のサブパターンのフィーチャによって透過される光に対して相対的にシフトさせる。マスク内の合成パターンの孔がシンプルに、基板上のクロムの層内で、サブパターン内のフィーチャの異なる深さを用いずに形成される場合、すなわち従来技術の教示に従って形成される場合には、孔のサブ波長周期は0次の回折次数のみを伝播させるので、基板上に周期的なパターンを印刷することはできないだろう。しかし上述した位相シフトを用いる場合、透過される光領域は0次および1次のみを含む。これらは相互に干渉して、一連のTalbot平面が形成される。この実施形態では、1次の回折次数の極角θ1は、サブパターン内のフィーチャの周期bと、sinθ1=λ/b式5によって関連付けされる。Talbot距離はここでも、式4を用いて決められる。DTL技術に従って、基板がマスクに対して変位される場合には、フォトレジスト内に印刷される平均強度分布のコンピュータシミュレーションは、図14aに示されているように、200nmの最近隣接距離すなわち周期を有する、正方形格子に配置された強度ピークのアレイをもたらす。図14bは、図14aの分布の中心を横切るx方向での強度変化を示している。これは、強度ピークの高いコントラストを示している。364nmの露光波長を用いて、従来技術に従って位相マスクとDTLまたはATLとを用いた場合には、このような小さい最近隣接距離で、正方形格子強度を印刷することは不可能であろう。従ってこの実施形態は、正方形格子に配置されたフィーチャの周期的なパターンを印刷する本発明の重要な利点を明らかにする。しかしコンピュータシミュレーションは、このマスクデザインに対して、フォトレジストを露光する平均強度分布が、上述した値からの孔の深さの偏差に対して、いくらかの感度を有していることを示している。例えば、その代わりにこの深さが、第3および第4のサブパターンによって透過される光の位相が、それぞれ200°および300°シフトされるようなものである場合には、DTL技術を用いてフォトレジストを露光する平均強度分布は図15に示されたようになる。見て取れるように、位相の偏差はいくらかの楕円性を、強度ピークの断面形状に導入した。さらに、必要な値から、第2および第3のサブパターンによって作成された位相シフトが、非対称に偏差している場合には、ピーク強度の非均一性が付加的に、周期的な平均強度分布の各ユニットセル内に導入されることを、コンピュータシミュレーションは示す。依存性の分析から、第2、第3および第4のサブパターンにおける孔の深さが、範囲80°~100°、170°~190°および260°~290°における位相シフトを、それぞれ第1のサブパターンに対して導入することが有利であることが推断される。しかし、特定用途のリソグラフィの要求に依存して、より大きい範囲が許容されるだろう。関連する第6の実施形態図16を参照では、マスク内のフィーチャの合成パターンは、xおよびy方向において、最近隣接距離すなわち周期a=1μmを有する正方形格子に配置されている直径100nmの孔のアレイを含む。これは、溶融シリカ基板上のクロムの不透明層内に形成されている図16は、合成パターンの繰り返しセルを示しているだけである。このパターンは重畳し、かつ相互にオフセットしている4つの孔サブパターンから成り、各サブパターンの孔は、最近隣接距離すなわち周期b=2a=2μmを有する正方形格子に配置されている。この実施形態の場合には、照明システムは代わりに、ArFエキシマレーザを、照明源として使用し、これは193nmの波長を放射する。溶融シリカ基板の表面は、第2、第3および第4のサブパターン内で、86nm、172nmおよび258nmの深さまでそれぞれエッチングされている。このマスクが、193nmの波長でのコリメートされた照明ビームを提供するように偏光されている図3の露光システム内に導入される場合、第2、第3および第4のサブパターンにおけるエッチングされるフィーチャの深さは、これらのサブパターンによって透過される光の位相を90°、180°および270°それぞれ、第1のサブパターンによって透過される光に対して相対的にシフトさせる。このマスクとDTL技術を使用した、フォトレジストを露光する平均強度分布のコンピュータシミュレーションは、図17aに示されているような、1μmの周期を有する、幅の狭い、高い強度の行の正方形メッシュをもたらす。この分布の中心を横切るx方向における強度変化は、図17bに示されている。結果として、位相シフトマスクのこの設計が、~100nmのように狭い線の幅を有する連続的な格子またはメッシュ状の構成をフォトレジスト層内に印刷するためにATLまたはDTLとともに使用されるであろうことが明らかになった。分布の中心での最大強度は代替的に、高解像度パターンを印刷するのに使用されるだろう。これは例えば、負のフォトレジストプロセスを使用して行われる。関連する第7の実施形態図18を参照では、マスク内のフィーチャの合成パターンは、xおよびy方向において、最近隣接距離すなわち周期a=200nmを有する正方形格子に配置されている直径100nmの孔のアレイを含む。これは、溶融シリカ基板上のクロムの不透明層内に形成されている図18は、合成パターンの繰り返しセルを示しているだけである。フィーチャのこのパターンは重畳しているが、相互にオフセットしている4つの孔サブパターンから成るとみなされ、各サブパターンの孔は、x方向およびy方向において、最近隣接距離すなわち周期b=2a=400mを有する正方形格子に配置されている。溶融シリカ基板の表面は、第2、第3のサブパターン内で、194nmの深さまでエッチングされ、第4のサブパターンの孔内で387nmの深さまでエッチングされている。このマスクが、図3の露光システム内に導入され、第1の実施形態と同様に照明される場合、サブパターン内のエッチングされるフィーチャの深さは、第2および第3のサブパターンによって透過される光の位相を90°それぞれ第1のサブパターンのフィーチャによって透過された光に対して相対的にシフトさせ、第4のサブパターンによって透過される光の位相を180°シフトさせる。マスク内の合成パターンの孔がシンプルに基板上のクロムの層内に、サブパターン内のフィーチャの異なる深さを用いずに形成されていたならば、すなわち従来技術の教示に従って形成されていたならば、孔のサブ波長周期は0次の回折次数のみを伝播させるので、基板上に周期的なパターンを印刷することはできないだろう。しかし上述した位相シフトを用いると、透過される光領域は0次および1次を含み、これらは相互に干渉して、一連のTalbot平面が形成される。DTL技術に従って、基板がマスクに対して変位されている場合には、フォトレジスト内に印刷される平均強度分布のコンピュータシミュレーションは、図19aに示されているように、200nmの最近隣接距離すなわち周期を有する正方形格子に配置される強度ピークのアレイをもたらす。図19bは、図19aの分布の中心を横切るx方向での強度変化を示している。これは、強度ピークの高いコントラストを示している。従ってこの実施形態は、正方形格子に配置されたフィーチャの周期的なパターンを印刷するための本発明の重要な利点を明らかにしている。上述の実施形態と比較して、このマスクの設計は3つの位相レベルだけを有しているので、製造プロセスをシンプルにし、周期的なパターンの隣接するセクター間の最も大きい位相移行も、180°である。これは、このマスク内の回折効果から生じる、印刷されるパターンの摂動を低減させる。コンピュータシミュレーションは、このマスクデザインによって、フォトレジストを露光する平均強度分布も、上述の値からの孔の深さの偏差に対してある程度の感度を有していることを示している。例えば、第2のサブパターンおよび第3のサブパターンによって透過される光の位相が代わりに82°シフトされ、第4のサブパターンによって透過される光の位相が164°シフトされるような深さである場合、DTL技術を用いてフォトレジストを露光する平均強度分布は、図20に示されたようになる。見て取れるように、位相のこの変化は、ある程度の楕円性を、強度ピークの断面形状に導入した。さらに、第2および第3のサブパターンによって作成された位相シフトが、必要な値から非対称に偏差している場合には、コンピュータシミュレーションは、ピーク強度の非均一性が付加的に、周期的な平均強度分布の各ユニットセル内に導入されることを示す。依存性の分析から、第2および第3のサブパターンにおける孔の深さが、範囲85°~95°における位相シフトを導入することが有利であり、さらに、第4のサブパターンにおける孔が、範囲170°~190°の位相シフトを導入することが有利であることが推断される。しかし、特定用途のリソグラフィ要求に依存して、より大きい範囲が許容されるだろう。さらに、コンピュータシミュレーションから、次のことが確定される。すなわち、この実施形態のマスクから得られた平均強度分布内のピークの断面形状が実質的に、マスク内の孔の直径に依存せず、分布におけるピークのコントラストが、孔のサイズが大きくなるにつれて低減する、ということが確定される。例えば、孔の直径が100nmから160nmへと増大することによって、マスク設計は、図21に示されているようになり、DTL技術を使用してフォトレジストを露光する、結果として生じる平均強度分布は、図22aに示されたようになる。分布の中心を横切るx方向におけるその強度プロファイルは、図22bに示されている。さらに、コンピュータシミュレーションから次のことが確定される。すなわち、第7の実施形態のマスクと同じアレイジオメトリーおよび位相分布を有しているが、繰り返しセルの各正方形内の完全に開放されている領域を有している第8の実施形態において使用されているクロムレスマスクが、図23に示されているように、クロム層内の孔の代わりに、DTLまたはATL技術を使用した露光時に、フォトレジストでの平均強度分布の実質的に同じ形状図24aを参照を形成することが確定される。図24aの中心を横切るx方向での強度変化は図24bに示されている。しかしこれは、強度分布のコントラストが低いことを示している。クロムレスマスクが非常に高い透過率を有していることが明らかである。これは、フォトレジスト内にパターンを印刷するのに必要な時間を低減するのに有利である。正方形格子に配置されたフィーチャを有するマスク内の合成周期パターンから、フィーチャの周期的なパターンを印刷するためのこの実施形態では、マスク内のこの合成パターン内のフィーチャの最近隣接周期aがa>λ/2を満たすことが必要である。本発明の第9の実施形態図25を参照では、マスク内のフィーチャの合成パターンは、最近隣接距離a=250nmを有する三角形-六角形ハチの巣状格子に配置されている直径130nmの孔のアレイを含む。これは、溶融シリカ基板上のクロムの不透明層内に形成されている図25は、合成パターンの繰り返しセルを示しているだけである。このパターンは重畳し、かつ相互にオフセットしている3つの孔サブパターンから成り、各サブパターンの孔も三角形-六角形ハチの巣状格子に配置されているが、最近隣接距離=√3a=433mを有している。溶融シリカ基板の表面は、第2、第3のサブパターンの孔内で、258nmおよび516nmの深さまでそれぞれエッチングされる。このマスクが、図3の露光システム内に導入され、第1の実施形態と同様に照明される場合には、第2および第3のサブパターンにおけるエッチングされるフィーチャの深さは、これらのサブパターンによって透過される光の位相を120°および240°それぞれ、第1のサブパターンによって透過される光に対して相対的にシフトさせる。このマスクおよびDTL技術を用いた、フォトレジストを露光する平均強度分布のコンピュータシミュレーションは、図26aに示されているように、250nmの最近隣接距離を有する強度ピークの六角形アレイをもたらす。この分布の中心を横切るx方向での強度変化は、図26bに示されている。これは、強度ピークの高いコントラストを示している。この分布における強度ピークの精密検査は、~10の変調を伴う、その強度の幾つかの変化を示す。これは、特定の用途の場合には受け入れ可能である。本発明の第10の実施形態図27および28を参照では、マスク内の合成パターンは、孔15のアレイを含んでいる。これは、xおよびy方向それぞれにおいて、最近隣接距離すなわち周期ax=380nmおよびay=190nmを有する長方形格子に配置されており、直径140nmを有する。これは、溶融シリカ基板17上のクロム16の不透明層内に形成されている。このパターンは重畳しており、かつ相互にオフセットしている2つの孔サブパターンから成り、2つのサブパターン内の孔は、最近隣接距離すなわち周期b=380mを有する正方形格子に配置されている。図27は、合成パターンの繰り返しセルを示している。これは、マスクパターン全体の大きい領域にわたって、繰り返しセルの二次元アレイで繰り返される。溶融シリカ基板の表面は、第2のサブパターンの孔内で、194nmの深さまで実質的に均一にエッチングされている。従って、繰り返しセル内の孔の、結果として生じる断面プロファイルはy方向において、図28に示されたようになる。この孔の深さによって、第2のサブパターンの孔によって透過される光の位相は、第1のサブパターンによって透過される光に対して90°シフトされる。合成パターンの孔がシンプルに、基板上のクロム層内に、孔の深さが異ならずにすなわち従来技術の教示に従って形成されていたならば、マスクによって透過される光領域は、x方向におけるパターンの合成成分によって回折される1つの0次の回折次数と2つの一次の次数を含むだろう。y方向におけるパターンのサブ波長周期は、この面において光が回折されるのを阻止する。従って、y方向におけるあらゆる強度変調無く、フォトレジストでの一次元干渉パターンが得られる。位相シフトサブパターンを有する図27のマスクを用いて、2つの付加的な回折次数がy面において生成される。これは、Talbot距離によって分離されている面内の二次元のTalbotイメージを再構築する。DTL技術を用いて、図3の装置を用い、少なくともTalbot画像面の間隙の距離だけ露光の間に、マスク5に対して基板12を縦方向に変位することによって、この光領域にフォトレジストコーティングされた基板12を曝す場合には、結果として、フォトレジスト層13内に周期的な強度分布が印刷される。フォトレジスト13を露光する平均的な強度分布は、190nmの最近隣接距離すなわち周期を有する強度ピークの正方形アレイになるように計算される。これは、図29aに示されている。これはパターンの周期が、マスク内のパターンのそれに関して、x方向においてファクター2だけ低減されていることを示しており、y方向においては変化しない。図29bは、95nmのy座標での、図29aの分布を横切る、x方向における強度変化を示している。これは、得られる強度分布の高いコントラストを示しており、フォトリソグラフィプロセス製造に適している。この強度分布がポジティブなフォトレジストの層内に印刷されていたならば、孔のアレイが、結果として生じ、ネガティブなフォトレジストが使用されていたならば、柱のアレイが印刷されるだろうことが明らかである。増幅マスクの場合には、このパターンをDTL技術またはATL技術を用いてこの波長で印刷することは不可能だろう。従って、正方形格子に配置されたフィーチャの高解像度の周期的なパターンを印刷するための本発明の重要な利点を明らかにしている。付加的なコンピュータシミュレーションから、本発明の他の実施形態において生じるような、第2のサブパターンによって作成される位相シフトの90°からの偏差が、強度ピークの断面形状内にある程度の楕円性を導入することが確定される。例えば、第2のサブパターンの孔が僅かにより深い場合には、100°の位相シフトが作成され、この場合には、フォトレジストを露光する平均強度分布が、図30aに示されたように計算される。95nmのy座標でのx方向におけるその変化は、図30bに示されている。位相シフトのより大きい偏差は、150°の位相ピークを伴うような、強度ピークの連続的に大きくなるひずみを生じさせ、フォトレジストを露光する平均強度分布は、明るいおよび暗い並行線の一次元のパターンに実質的に相当する。位相シフトの振幅への、強度ピークの断面形状の依存性の分析から、次のことが推断される。すなわち、円形の断面が必要とされるケースでは、位相シフトが有利には、80°~100°の範囲にあるべきであり、最も有利には85°~95°の範囲にあるべきであるということが推断される。しかし、特定の用途のリソグラフィ要求に応じて、より大きい範囲が許容されるだろう。コンピュータシミュレーションから、さらに次のことが確定される。すなわち、この実施形態のマスクから得られる平均強度分布におけるピークの断面形状が、実質的にこのマスク内の孔の直径に依存せず全ての他のデザインパラメータは同じままである、この分布内でのピークのコントラストも実質的に孔の寸法に依存しないことが確定される。従って本発明の他の実施形態において、他の孔直径を有するマスクデザインが、類似の効果を伴って代替的に使用されるだろう。例えば、示されている設計における孔直径が、代わりに160nmである場合には、フォトレジストを露光する平均強度分布は、図31aに示されたように計算される。95nmのy座標でのx方向における平均強度分布の変化は、図31bに示されている。より大きい孔の直径によって、マスクを通じた、より多くの光の透過が可能である。これは、フォトレジスト内にパターンを印刷するのに必要な時間を低減させるのに有利である。孔の直径のこの増大は、本発明の他の実施形態において、推断の基礎とされるだろう。これは例えば図32に示されているようなセル設計である。これは各側面がクロム回廊19によって縁取られている2つの透明な正方形領域18を有している。2つの正方形領域のうちの上方の正方形領域内の基板の表面は、付加的にエッチングされており、この領域を通じた光の伝播が、2つの正方形領域のうちの下方の正方形領域を通る光伝播に対して、位相において90°シフトされる。コンピュータシミュレーションから、DTL技術またはATL技術によるマスクのこのデザインを用いたフォトレジストを露光する平均強度分布が図33aに示されているようであることが計算される。95nmのy座標でのx方向における、平均強度分布の変化は、図33bに示されている。見て取れるように、結果として生じる分布の形およびコントラストは、クロム層内の円形の孔を有する上述の実施形態のマスクを用いて得られたものと類似している。より大きい正方形領域を有するこのデザインはより高い透過性を有する。従って有利には、フォトレジストでのより高い強度、ひいてはより短い露光を可能にする。マスクのこのデザインによって、上述した幾つかのデザインに関しては、有利には、リソグラフィ書き込みステップを2つだけ使用してマスクが製造される。本発明を用いて印刷されるであろう強度ピークの正方形アレイのより小さい周期上述したおよび同じ照明波長に従って、振幅マスク、ATLまたはDTLを使用して可能な、周期に関しては、次の場合に得られる。すなわち、図27の合成マスクパターン内の孔の周期が、範囲λ<ax<2λおよびλ/2<ax<λ内にある場合である。ここでax=2ayである。px>2λおよびpy>λの場合には、より小さい周期のこのような利点は生じないのに対して、本発明は、このようなより大きい周期を伴うマスクデザインに対しても使用されるだろう。図34は、このようなデザインの例を示しており、ここで合成パターンは、ax=1μmおよびay=500nm最近隣接距離すなわち周期を有する長方形格子に配置された直径300nmの孔のアレイを有し、これは溶融シリカ基板上のクロム層内に形成される;さらにこれは、重畳し、相互にオフセットされている2つの孔サブパターンから成る。これは、1μmの最近隣接距離すなわち周期をそれぞれ有する正方形格子に配置されている。第1の実施形態のように、第2のサブパターンの孔内でこの基板の表面はエッチングされており、この孔によって透過される光の位相は、第1のサブパターンによって透過される光に対して、90°シフトされる。このマスクデザインに対する、DTLまたはATL技術の使用のコンピュータシミュレーションから、フォトレジストを露光する平均強度分布が、図35aに示されているように、周期500nmを有する正方形格子に配置された強度ピークの正方形アレイであることが計算される。0nmのy座標でのこの分布を横切るx方向における強度変化は、図35bに示されている。強度ピークの高いコントラスト並びに高い均一性およびピーク間の背景照明の低い強度は、従来技術に従った振幅マスクおよびDTLまたはATLに関する本発明のこの実施形態の著しい利点を明らかにする。強度ピークは、正のフォトレジスト内に孔のアレイを印刷するため、また負のフォトレジスト内に柱またはドットのアレイを形成するために用いられるだろう。DTL技術に基づく特定の露光システムが上述した実施形態において、本発明の特定の実施形態を分かりやすく説明するために用いられたが、これは単なる例であることを理解されたい。例えば他の照明源または他の照明波長を使用した他のDTLベースの露光システムが、本発明の他の実施形態において代替的に使用されるだろう。さらに、不確かな場合には、上述されたマスクデザインの異なるタイプが、代わりに、ATL技術に基づく本発明の実施形態において、代替的に使用されるだろう。実際に、特定のデザインおよび上述した実施例において示されたシミュレーション結果が代替的にATL露光システムに使用されるだろう。この露光システムの照明システムは、365nmの波長にセンタリングされたスペクトルバンド幅を有する、コリメートされた照明ビームを提供する水銀ランプである。このような実施形態における、露光の間の基板とマスクの間隙は、マスク内のパターン周期およびATLの先行技術に従って教示されているような光の帯域幅に従って調整されるべきである。必要とされる間隙は例えば、先行技術を用いて計算されるだろう、関連する周期的なパターンからの光の回折角度から決められる。例えば、他の照明源および他のスペクトルバンド幅を有する他の照明波長を使用するATLベースの他の露光システムが、本発明の別の実施形態において使用されるだろう。本発明のこのような異なる実施形態において、マスクのデザインが照明波長、所望の印刷パターンおよび有利には、ATLまたはDTL技術を用いた、フォトレジストを露光する平均強度分布の正確なコンピュータシミュレーションの結果を考慮するべきであることは明らかである。他の実施形態では、ARコーティングが、フォトレジスト内の光領域の高い角度成分の結合効率を高めるために、フォトレジスト層の下方または上方に含まれるだろう。上述した実施形態は、DTLまたはATL技術を用いた位相シフトマスクによって生成された平均強度分布内での強度ピークを使用することに向けられているが、本発明の他の実施形態では、分布における最小強度が代替的に、フィーチャの必要とされる周期的なパターンを印刷するために使用されるだろう。これは殊に、負のフォトレジストが使用される場合でもある。上述した種々の実施形態においてマスクデザインにおける孔のフィーチャは円形であったが、他の形状のフィーチャ、例えば正方形のフィーチャまたは六角形のフィーチャが、本発明の他の実施形態において代替的に使用されるだろう。マスク材料の特定の構造およびマスク製造に対する特定のストラテジーが、上述した異なるタイプの位相シフトの実現のために設計され、本発明の種々の実施形態において使用されるが、本発明の他の実施形態において、他の製造シーケンスおよびプロセスが代替的に使用され得ることを理解されたい。これは、同じまたは同等の位相シフトおよび/または光透過構造を生じさせる。例えば、位相シフトフィーチャが、代わりに、基板の表面上に体積された材料の1つまたは複数の層内に形成されるであろう。または、孔のパターンを定める不透明層上の層内に形成される。一般的に、上述した実施形態は、本発明の有利な実施形態として現在考えられるが、当然ながら、形状および詳細における種々の修正及び変更が容易に、本発明の範囲を逸脱することなく行われることを理解されたい。