"第1のリードと、前記第1のリードに固着された発光素子と、第1の金属ワイヤを介して前記発光素子に電気的に接続された第2のリードと、前記発光素子の放射する光を検知する受光素子が固着された第3のリードと、第2の金属ワイヤを介して前記受光素子に電気的に接続された第4のリードと、前記発光素子と前記受光素子とを封じる成型体であって、その第1の主面側において、前記第1のリードの前記発光素子が固着された表面と、前記第2のリードの前記第1の金属ワイヤがボンディングされた表面と、前記第3のリードの前記受光素子が固着された表面と、前記第4のリードの前記第2の金属ワイヤがボンディングされた表面と、を覆う透光部と、前記第1の主面とは反対の第2の主面側において、前記第1のリードの裏面と、前記第2のリードの裏面と、前記第3のリードの裏面と、前記第4のリードの裏面と、をそれぞれ覆い、前記受光素子が感度を有する光を吸収する部材を含有する遮光部と、前記透光部の前記第1の主面側を覆い、前記発光素子が放射する光を反射する部材を含有する反射部と、を含む成型体と、を備え、前記第1のリード、前記第2のリード、前記第3のリード、および前記第4のリードは、前記第1の主面側にそれぞれのボンディング面を有する半導体装置。第1のリードと、前記第1のリードに固着された発光素子と、第1の金属ワイヤを介して前記発光素子に電気的に接続された第2のリードと、前記発光素子の放射する光を検知する受光素子が固着された第3のリードと、第2の金属ワイヤを介して前記受光素子に電気的に接続された第4のリードと、前記発光素子と前記受光素子を封じる成型体であって、その第1の主面側において、前記第1のリードの前記発光素子が固着された表面と、前記第2のリードの前記第1の金属ワイヤがボンディングされた表面と、前記第3のリードの前記受光素子が固着された表面と、前記第4のリードの前記第2の金属ワイヤがボンディングされた表面と、を覆う透光部と、前記第1の主面とは反対の第2の主面側において、前記第1のリードの裏面と、前記第2のリードの裏面と、前記第3のリードの裏面と、前記第4のリードの裏面と、をそれぞれ覆い、前記受光素子が感度を有する光を吸収する部材を含有する遮光部と、を含む成型体と、を備え、前記第1のリード、前記第2のリード、前記第3のリード、および前記第4のリードは、前記第1の主面側にそれぞれのボンディング面を有する半導体装置。前記第1のリード、前記第2のリード、前記第3のリード、および前記第4のリードは、前記成型体の内部にモールドされ、前記第1のリード、前記第2のリード、前記第3のリード、および前記第4のリードのそれぞれのボンディング面が、前記成型体の前記第1の主面側に露出した請求項1または2に記載の半導体装置。前記成型体は複数のチャネルを有し、前記複数のチャネルのそれぞれは、前記発光素子および前記受光素子のペアを含む請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置。複数のリードが設けられた金属プレートに枠体をモールドする工程と、前記枠体の内側に露出した、前記複数のリードのうちの第1のリードの表面に発光素子を固着し、前記複数のリードのうちの第2のリードの表面と、前記発光素子と、に第1の金属ワイヤをボンディングし、前記複数のリードのうちの第3のリードの表面に受光素子を固着し、前記複数のリードのうちの第4のリードの表面と、前記受光素子と、に第2の金属ワイヤをボンディングする工程と、前記複数のリードの表面側から前記枠体の内側に透明樹脂を充填し、前記発光素子と、前記第1の金属ワイヤと、前記受光素子と、前記第2の金属ワイヤと、を覆う工程と、前記複数のリードの表面側から前記枠体の内部に、前記発光素子が放射する光を反射する部材を含有した樹脂を充填し、前記透明樹脂の表面を覆う工程と、前記複数のリードの裏面側において、前記第1のリードの裏面と、前記第2のリードの裏面と、前記第3のリードの裏面と、前記第4のリードの裏面と、をそれぞれ覆い、前記受光素子が感度を有する光を遮蔽する樹脂をモールドする工程と、を備えた半導体装置の製造方法。実施形態は、出力信号のSN比を向上させ、且つ、低コストで製造できる半導体装置およびその製造方法を提供する。実施形態に係る半導体装置は、第1のリードと、前記第1のリードに固着された前記発光素子と、第1の金属ワイヤを介して前記発光素子に電気的に接続された第2のリードと、前記発光素子の放射する光を検知する受光素子が固着された第3のリードと、第2の金属ワイヤを介して前記受光素子に電気的に接続された第4のリードと、成型体と、を備える。前記成型体は、その内部に前記発光素子と前記受光素子とを封じ、透光部と、遮光部と、を含む。前記透光部は、前記成型体の第1の主面側において、前記発光素子が固着された前記第1のリードの表面と、前記第1の金属ワイヤがボンディングされた前記第2のリードの表面と、前記受光素子が固着された前記第3のリードの表面と、前記第2の金属ワイヤがボンディングされた前記第4のリードの表面と、を覆う。前記遮光部は、前記第1の主面とは反対の第2の主面側において、前記第1のリードの裏面と、前記第2のリードの裏面と、前記第3のリードの裏面と、前記第4のリードの裏面と、をそれぞれ覆い、前記受光素子が感度を有する光を吸収する部材を含有する。そして、前記第1のリード、前記第2のリード、前記第3のリード、および前記第4のリードは、前記第1の主面側にそれぞれのボンディング面を有する。以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。図1は、本実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。図1aは、半導体装置の上面を示す平面図、図1bは正面図、図2cは側面図、図1dは底面図である。半導体装置は、例えば、フォトカプラ100であり、発光素子と受光素子とを備える。フォトカプラ100は、電気的に絶縁された1次側と2次側との間において、1次側から2次側へ信号を伝達する。実施形態に係るフォトカプラ100では、図1a~図1cに示すように、例えば、直方体の樹脂からなる成型体10に発光素子と受光素子とが封じられる。成型体10は、発光素子および受光素子を収容する枠体3と、遮光部5と、を含む。図1dに示すように、成型体10の第1の主面である底面10aの側において、枠体3の内側に反射部7が設けられる。また、底面10aには、1次側のリード13および14と、2次側のリード15および16のボンディング面を露出させる。図2は、フォトカプラ100の構造を模式的に示す断面図である。図2aは、図1aに示すIIa-IIa断面を示し、図2bは、図1bに示すIIb-IIb断面を示している。図2aに示すように、成型体10の内部には、例えば、発光素子であるLED21と、受光素子であるシリコンフォトダイオードPhotodiode:PD25と、が配置される。シリコンPD25は、LED21の放射する光を検知し、それに対応する光電流を出力する。図2bに示すように、枠体3の内側において、LED21は、リード13第1のリードの表面に固着される。そして、LED21は、第1の金属ワイヤ23を介してリード14第2のリードに電気的に接続される。一方、シリコンPD25は、リード15第3のリードの表面に固着され、第2の金属ワイヤ27を介してリード16第4のリードに電気的に接続される。そして、図1aに示すように、成型体10の底面10aの側において、LED21が固着されたリード13の表面と、金属ワイヤ23がボンディングされたリード14の表面と、シリコンPDが固着されたリード15の表面と、金属ワイヤ27がボンディングされたリード16の表面と、を覆う透光部9が設けられる。さらに、底面10aの側において透光部9の表面を覆う反射部7が設けられる。一方、成型体10の第2の主面である上面10bの側には、リード13の裏面と、リード14の裏面と、リード15の裏面と、リード16の裏面と、枠体3の上面と、を覆う遮光部5が設けられる。透光部9は、LED21の放射する光を透過する透明樹脂からなり、例えば、シリコーンまたはエポキシ樹脂が用いられる。ここで、透明とは、光を100透過する場合に限らず、その一部を吸収する場合も含む。反射部7は、LED21が放射する光を反射する部材を含有する樹脂からなり、例えば、酸化チタンの微粒子を含むシリコーンまたはエポキシ樹脂、所謂、白樹脂を用いる。そして、反射部7は、LED21から放射された信号光を反射し、シリコンPD25に入射させる。これにより、シリコンPD25から出力される光電流の信号強度を高くすることができる。遮光部5は、シリコンPDが感度を有する光を吸収する部材を含む樹脂である。例えば、カーボンを含有するエポキシ樹脂、所謂、黒樹脂を用いることができる。これにより、成型体10の外側からシリコンPDに入射する光を遮光し、暗電流を低減する。すなわち、反射部7と、遮光部5を設けることにより、シリコンPD25が出力する光電流のSN比を向上させることができる。枠体3には、例えば、遮光部5と同じ黒樹脂を用いることができる。これにより、外部からシリコンPD25に入射する光を遮光する効果を高め、暗電流をさらに低減することができる。また、枠体3に反射部7と同じ白樹脂を用いることにより、シリコンPD25に入射するLDE21の光量を増やし、信号強度を高めても良い。フォトカプラ100は、底面10aの側を、例えば、回路基板に向けて実装する。したがって、本実施形態では、上面10bの側に遮光部5を設けることにより、外部の光を遮断してシリコンPDの暗電流を低下させ、2次側の出力信号のSN比を向上させることができる。さらに、枠体3にも、黒樹脂を用いることにより、外部の光を完全に遮断しSN比を向上させる。例えば、遮光部5に、黒樹脂に代えて白樹脂を用いる構造も考えられる。すなわち、白樹脂も外部から入射する光を反射し、暗電流を低減する効果を有する。しかしながら、白樹脂は、外部から入射する光の全てを反射する訳ではなく、一部を透過する。そして、シリコンPD25により検知された透過光は、暗電流として出力され2次側の出力信号のSN比を劣化させる。したがって、本実施形態のように、黒樹脂からなる遮光部5を設け、シリコンPD25が感度を有する光を吸収させる方が好ましい。成型体10の裏面に露出するリード13、14、15および16の表面は、ボンディング面であり、例えば、ハンダを用いて回路基板の配線に接続される。本実施形態では、リード13、14、15および16が成型体10の内部にモールドされ、それぞれのボンディング面が成型体10の底面10aの側に露出するが、この形態に限られる訳ではない。例えば、図11a示すフォトカプラ200のように、成型体10からリード13~16が外部に延在するように設けることもできる。この場合も、成型体10の上面10bの側に遮光部5を設け、枠体3の内側に透光部9と反射部7とを設ける。これにより、2次側の出力信号のSN比を向上させることができる。しかしながら、フォトカプラ200では、成型体10を形成した後に、リード53~56リード54、55は図示せずが折り曲げられ、それぞれのボンディング面53a~56aが、成型体10の底面10aと同一面、もしくは、底面10aよりも下方に位置するように加工される。このため、リードの折り曲げ用の金型が必要となり、その費用が製造コストに上乗せされる。このため、フォトカプラ200では、フォトカプラ100よりも製造コストが高くなるデメリットがある。一方、図11bに示すフォトカプラ300のように、反射部7を省略することもできる。すなわち、フォトカプラ300を実装する回路基板が、LED21の光を反射する素材であれば、回路基板の表面で反射された信号光がシリコンPDに入射する。このため、反射部7が無くても信号強度を向上させることができる。また、回路基板の表面に、LED21の光を反射するパターンが設けられる場合も同様である。次に、図3~図9を参照して、フォトカプラ100の製造過程を説明する。図3は、リードフレーム31の構成を示す模式図である。図4a~図9bは、各工程におけるリードフレーム31の断面図、および、平面図である。図3aは、リードフレーム31を裏面31bの側から見た平面図である。リードフレーム31は、接続部33から左右に複数のリードが延在する形状に設けられる。接続部33から延在する複数のリードは、それぞれリード13,14、15および16に対応する。そして、複数の接続部33が並列に設けられ、リード13とリード16とが対向し、リード14とリード15が対向する。図3bは、リードフレーム31の正面図である。同図に示すように、リードフレーム31は折り曲げ加工される。また、接続部33は、図示しない部分でつながっており一体に形成される。このような、リードフレーム31は、例えば、銅合金からなる金属プレートをプレス加工することにより形成することができる。次に、リードフレーム31に枠体3を成型する。枠体3は、例えば、インジェクションモールド法を用いて形成する。図4a~図4cは、その過程を模式的に示す断面図である。まず、図4aに示すように、リードフレーム31の表面31aを下金型37に向けてセットする。続いて、図4bに示すように、リードフレームの裏面31bの側から上金型35を被せて型締めする。次に、図4cに示すように、型締めされた金型の間に溶融した樹脂を注入し、キャビティ39の内部に充填する。注入される樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂であり、カーボンの微粉末を含む。続いて、上金型35および下金型37の温度を上昇させ、注入した樹脂を硬化させる。その後、上金型35および下金型37を冷却し、金型を開いてリードフレーム31を取り出して枠体3の成型を完了する。次に、枠体3の内側に露出したリード13の表面にLED21を固着し、リード15の表面にシリコンPD25を固着する。図5aは、発光素子および受光素子が枠体の内側にボンディングされた状態を示すリードフレーム31の断面図であり、図5bは、その平面図である。LED21およびシリコンPD25は、それぞれ、例えば、導電ペーストを用いて各リード表面に接着することができる。続いて、LED21の電極およびリード14の表面に金属ワイヤ23をボンディングし、LED21とリード14とを電気的に接続する。これにより、1次側のリード13および14を介してLED21に駆動電流を供給し、信号光を放射させることができる。一方、シリコンPD25の電極およびリード16に金属ワイヤ27をボンディングし、シリコンPD25の電極とリード16とを電気的に接続する。これにより、LED21の信号光を検知したシリコンPD25の光電流を、2次側リード15および16に出力させることができる。また、図5aおよび図5bに示すように、リードフレーム31と枠体3とが一体に成型され、リード13~16が枠体3に固定される。これにより、LED21およびシリコンPD25のダイボンディング、また、それらとリード間のワイヤボンディングが容易となり、製造効率を向上させることができる。次に、リードフレーム31の表面31aの側から枠体3の内側に透明樹脂をポッティングし、透光部9を形成する。図6aは、LED21およびシリコンPD25を覆う透明樹脂がポッティングされた状態を示す断面図である。図6bは、リードフレーム31の表面31aの側から見た平面図である。ポッティングは、所定量の透明樹脂を、例えば、ディスペンサを用いて、枠体3の内側に充填することにより実施する。透明樹脂は、例えば、所定の粘度に調整した液状のシリコーンであり、LED21と、金属ワイヤ23と、シリコンPD25と、金属ワイヤ27と、を覆うように充填される。この際、図6aに示すように、透光部9が枠体3の内側の中央で盛り上がるように透明樹脂の粘度を調整し、その高さが枠体3の底面10aよりも低くなるようにする。次に、リードフレーム31の表面31aの側から枠体3の内側に樹脂をポッティングし、透光部9の表面を覆う反射部7をする。図7aは、反射部7透明樹脂の表面を覆う反射樹脂がポッティングされた状態を示す断面図である。そして、図7bは、リードフレーム31の表面31aの側から見た平面図である。枠体3の内側にポッティングされる樹脂は、LED21の放射する光を反射する部材を含む。例えば、酸化チタンの微粒子を含有する白樹脂を用いる。図7bに示すように、白樹脂は透光部9の全体を覆い、図7aに示すように、その表面が、枠体3の底面10aと同じ高さか、それよりも低い位置となるように形成する。次に、リード13、14、15および16のそれぞれの裏面を覆う遮光部5を成型する。図8aおよび図8bは、遮光部5の成型過程を模式的に示す断面図である。まず、図8aに示すように、下金型47に枠体3の底面10aを向けてリードフレーム31をセットし、上金型45と下金型47とを型締めする。次に、上金型45と下金型47との間のキャビティ45aに溶融した樹脂を注入して、その内部を充填する。注入された樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂であり、カーボンの微粉末を含有する。続いて、上金型45および下金型47を加熱して樹脂を硬化させ、その後、上金型45および下金型47を冷却し、両金型を開く。そして、リードフレーム31を取り出し、遮光部5の成型を完了する。次に、図9aに示すように、成型体10の上面10bにダイシングテープ49を貼着し、例えば、底面10aの側からダイシングブレードを用いて切断し、個々のフォトカプラ100に分離する。例えば、図9bに示すように、LED21およびシリコンPD25のペアを1つずつ含む単位で分割し、1チャネルのフォトカプラ100を形成する。同図に示すように、枠体3に沿って格子状に切断し、対向する2辺に沿ってリード13~16が露出するように形成する。図10aは、フォトカプラ100を示し、図10bおよび図10cは、変形例に係るフォトカプラ110および120をそれぞれ模式的に示している。図10a~図10cに示すように、フォトカプラ100~120では、それぞれチャネル数が異なる。図10bに示すフォトカプラ110は、2つのLED21とシリコンPD25とのペアを含み、2チャネルの信号伝送が可能である。図10cに示すフォトカプラ120は、4つのLED21とシリコンPD25とのペアを含み、4チャネルの信号伝送を行うことができる。本実施形態では、リードフレーム31を切断する際のダイシングのピッチを変更することにより、チャネル数の異なるこれらのフォトカプラ100~120を容易に形成することができる。また、そのチャネル数を任意に設定することが可能である。すなわち、単一の金型を用いて任意のチャネル数のフォトカプラを製造することができる。これにより、金型の作製費用を抑制することができる。また、製造工程における、金型の載せ替えが不要となり、製造効率を向上させることができる。例えば、図11aに示すフォトカプラ200では、個々のフォトカプラの形状に合わせたキャビティを有する金型を用意し、それぞれ独立した成型体を形成する。そして、成型体を相互につなぐリードを切断することにより、個々のフォトカプラに分離する。このため、それぞれの製品毎に金型を製作する必要があり、製造コストを増加させる。これに対し、本実施形態に係るフォトカプラ100では、1つの金型で複数の製品に対応できることから、製造コストを大幅に低減することができる。また、図11aに示すフォトカプラ200では、前述したように、リード整形用の金型を用いる。そして、製品の種類に合わせて複数の金型を用意する必要がある。これに対し、本実施形態では、リードフレーム31のプレス加工時に、リードの曲げ加工も同時に行うことができる。したがって、リード整形用の金型を用意する必要がなく、製造コストを低減することが可能である。さらに、本実施形態では、1つのリードフレームにより、フォトカプラを製造することができる。例えば、発光素子と受光素子とを相互に対向させて光結合の効率を高くする構成のフォトカプラがある。その場合は、少なくとも2つのリードフレームを用いる。また、発光素子と受光素子とを3次元配置するために、その製造工程が複雑となる。これに対し、本実施形態では、発光素子と受光素子とを、1つのリードフレームの同一面に配置するので、製造過程が簡便となり製造コストを低減できる。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"