波長変換構造であって、第一領域と第二領域とを含む蛍光粉層であって、前記第二領域は前記第一領域の上に位置し、且つ前記第一領域及び前記第二領域は隙間をそれぞれ有する蛍光粉層と、前記蛍光粉層の前記第一領域の隙間に形成される第一材料層と、前記蛍光粉層の前記第二領域の隙間に形成される第二材料層と、を含む、波長変換構造。波長変換構造であって、第一材料層と、第二材料層と、複数の蛍光粉粒子とを含み、前記第二材料層は前記第一材料層の上に位置し、前記複数の蛍光粉粒子は前記第一材料層及び前記第二材料層内に分散される、波長変換構造。前記第一材料層の一方側に位置する導電基板をさらに含む、請求項1又は2に記載の波長変換構造。前記第一材料層は無機化合物を含み、及び/又は、前記第二材料層は有機化合物又は無機化合物を含む、請求項1又は2に記載の波長変換構造。前記無機化合物は酸化亜鉛ZnO、酸化アルミニウムAl2O3、酸化インジウムスズITO、酸化アルミニウム亜鉛AZO、及びインジウムガリウム亜鉛酸化物IGZOからなるグループより選択された少なくとも一つを含み、及び/又は、前記第二材料層はシリカゲル又はガラスを含む、請求項4に記載の波長変換構造。前記第一材料層の屈折率は実質的に1.8~2.0であり、及び/又は、前記第二材料層の屈折率は実質的に1.3~1.6である、請求項1又は2に記載の波長変換構造。前記蛍光粉層は黄色蛍光粉を含む、請求項1に記載の波長変換構造。前記第一領域の厚みは前記蛍光粉層の厚みの0.5~0.9倍である、請求項1に記載の波長変換構造。前記第二材料層の上表面は前記蛍光粉層の頂面より高い、請求項1に記載の波長変換構造。前記基板の表面は平面、曲面、又は折れ曲がり面であり、及び/又は、前記基板の屈折率は実質的に1.7~2.0である、請求項3に記載の波長変換構造。前記蛍光粉層の屈折率と前記第一材料層の屈折率との差は0.3より小さい、請求項1に記載の波長変換構造。前記基板の屈折率は前記蛍光粉層の屈折率より小さい、請求項3に記載の波長変換構造。波長変換構造の製造方法であって、基板を提供するステップと、前記基板の上に蛍光粉層を形成するステップであって、前記蛍光粉層は第一領域と第二領域とを含み、前記第二領域は前記第一領域の上に位置し、且つ前記第一領域及び前記第二領域は隙間をそれぞれ有するステップと、前記第一領域の隙間に第一材料層を形成するステップと、前記第二領域の隙間に第二材料層を形成するステップと、を含む、製造方法。前記蛍光粉層は電気泳動技術又は重力堆積法により前記基板の上に形成される、請求項13に記載の製造方法。前記第一材料層はメッキ法、CVD法、又はSol-Gel法により第一材料を前記蛍光粉層の前記第一領域の隙間に充填することにより形成され、及び/又は、前記第二材料層はゴム充填法により形成される、請求項13に記載の製造方法。前記第一材料層の厚みは前記蛍光粉層の厚みの0.5~0.9倍である、請求項13に記載の製造方法。前記第二材料層の上表面は前記蛍光粉層の頂面より高い、請求項13に記載の製造方法。前記基板の屈折率は前記蛍光粉層の屈折率より小さい、請求項13に記載の製造方法。前記蛍光粉層の屈折率と前記第一材料層の屈折率との差は0.3より小さい、請求項13に記載の製造方法。発光装置であって、キャリアと、前記キャリアの上に設置される発光素子と、前記発光素子を覆い、且つ前記キャリアの上に設置される第一導光層と、前記第一導光層に近接する波長変換構造と、を含み、前記波長変換構造は、第一領域と第二領域とを含む蛍光粉層であって、前記第二領域は前記第一領域の上に位置し、且つ前記第一領域及び前記第二領域は隙間をそれぞれ有する蛍光粉層と、前記蛍光粉層の前記第一領域の隙間に形成される第一材料層と、前記蛍光粉層の前記第二領域の隙間に形成される第二材料層と、を含む、発光装置。本発明の目的は、高い光取り出し効率を有する波長変換構造及びその製造方法、並びに該波長変換構造を有する発光装置を提供することにある。本発明の一実施例によれば、波長変換構造が提供される。この波長変換構造は、第一領域と第二領域とを含む蛍光粉層であって、第二領域は第一領域の上に位置し、且つ第一領域及び第二領域はそれぞれ隙間を有する蛍光粉層と、蛍光粉層の第一領域の隙間に形成される第一材料層と、蛍光粉層の第二領域の隙間に形成される第二材料層とを含む。本発明の一実施例によれば、波長変換構造が提供される。この波長変換構造は、第一材料層と、第二材料層と、複数の蛍光粉粒子とを含み、第二材料層は第一材料層の上に位置し、複数の蛍光粉粒子は第一材料層及び第二材料層内に分散される。本発明の他の一実施例によれば、波長変換構造の製造方法が提供される。この波長変換構造の製造方法は、基板を提供するステップと、基板の上に蛍光粉層を形成するステップであって、蛍光粉層は第一領域と第二領域とを含み、第二領域は第一領域の上に位置し、且つ第一領域及び第二領域はそれぞれ隙間を有するステップと、第一領域の隙間に第一材料層を形成するステップと、第二領域の隙間に第二材料層を形成するステップとを含む。本発明の他の一実施例によれば、発光装置が提供される。この発光装置は、キャリアと、キャリアの上に設置される発光素子と、発光素子を覆い且つキャリアの上に設置される第一導光層と、第一導光層の上に位置する波長変換構造とを含み、波長変換構造は、導電基板と、第一領域と第二領域とを含む蛍光粉層であって、第一領域は第一導光層の上に位置し、第二領域は第一領域の上に位置し、且つ第一領域及び第二領域はそれぞれ隙間を有する蛍光粉層と、蛍光粉層の第一領域の隙間に形成される第一材料層と、蛍光粉層の第二領域の隙間に形成される第二材料層とを含む。本発明の実施例によれば、高い光取り出し効率を有する波長変換構造及びその製造方法、並びに該波長変換構造を有する発光装置を提供することができる。次に、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、本明細書では、一つの素子又は一つの材料層が他の素子又は他の材料層の上に設置形成、配置など又は接続連結などされるとのように記載するときは、この一つの素子又は一つの材料層が他の素子又は他の材料層上に直接的に設置形成、配置など又は接続連結などされること、或いは、他の素子又は他の材料層の上に間接的に設置形成、配置など又は接続連結などされること即ち、両者の間は他の素子又は他の材料層を有することを意味する。また、一つの素子又は一つの材料層が他の素子又は他の材料層上に直接的に設置形成、配置など又は接続連結などされるとのように記載するときは、両者の間は他の素子又は他の材料層を有しないことを意味する。図1は、本発明の一実施例における波長変換構造10を示す図である。波長変換構造10は、導電基板101と、蛍光粉層102と、第一材料層103と、第二材料層104とを含む。蛍光粉層102は、導電基板101の上に形成され、蛍光粉粒子からなり、また、蛍光粉粒子間は隙間を有する。蛍光粉層102は、第一領域105と第二領域106とを含み、第一領域105は、導電基板101の上に位置し、第二領域106は、第一領域105の上に位置し、また、第一領域105の厚みと第二領域106の厚みとの和は、蛍光粉層102の厚みと等しい。第一材料層103は、導電基板101の上に位置し、この第一材料層103は、無機化合物を第一領域105の隙間に充填し、厚みが蛍光粉層102の厚みより小さい薄層を形成することにより得られる。第二材料層104は、第一材料層103の上に位置し、この第二材料層104は、ゴム材料又はガラスを蛍光粉層102の第二領域106の隙間に充填することにより形成される。導電基板101は、透明導電性を有し、その材料は、透明導電性無機化合物TCOを含んでも良いが、これに限定されない。蛍光粉層102は、導電基板101の上に形成され、その材料は、黄色セラミック蛍光材料即ち、励起されて黄色光を発光するセラミック蛍光材料を含んでも良いが、これに限定されない。蛍光粉層102の蛍光粉粒子の粒径の範囲は、約225~825nmであり、蛍光粉粒子間は、隙間を有する。蛍光粉層102は、第一領域105と第二領域106とを含み、この第一領域105の厚みは、蛍光粉層102の厚みより小さく、第一領域105の厚みと蛍光粉層102の厚みとの比は、0.5~1.9であり、また、この第二領域106の厚みは、蛍光粉層102の厚みから第一領域105の厚みを引いた後の値に等しい。図2に示すように、無機化合物を第一領域105の蛍光粉粒子間の隙間に充填することによって上述の第一材料層103を形成する。無機化合物の材料は、例えば、金属酸化物であり、酸化亜鉛ZnO、酸化アルミニウムAl2O3、酸化インジウムスズITO、酸化アルミニウム亜鉛AZO又はインジウムガリウム亜鉛酸化物InGaZnO、IGZOを含んでも良いが、これらに限定されない。蛍光粉層102の材料が黄色セラミック蛍光粉であると、その屈折率が約2であり、この場合は、無機化合物の材料は、好ましくは、該蛍光粉の屈折率に近いものを有する材料を採用し、例えば、屈折率が約1.8~2である酸化亜鉛ZnOを使用しても良い。第一材料層103の屈折率と蛍光粉層102の屈折率とが近いため、材料間の屈折率が異なることによる発光効率の低下を有効に防止することができる。また、蛍光粉粒子間の隙間に充填される無機化合物は、粘着剤の役割を果たすこともでき、これにより、蛍光粉層102の機械的強度を向上させることができる。また、ゴム材料を蛍光粉層102の第二領域106の隙間に充填することによって上述の第二材料層104を形成する。第二材料層104の材料は、屈折率が約1.45であるシリカゲルを含んでも良いが、これに限定されない。言い換えると、本実施例におけるゴム材料は、シリカゲルであるが、他の実施例では、ゴム材料としては他の材料、例えば、ガラス屈折率が1.5~1.9、樹脂屈折率が1.5~1.6、二酸化チタンTiO2;屈折率が2.2~2.4、二酸化シリコンSiO2;屈折率が1.5~1.7、又はフッ化マグネシウムMgF;屈折率が1.38などを使用しても良い。また、第二材料層104は、屈折率が約1.3~1.6である有機化合物又は無機化合物を含んでも良い。本実施例では、第二領域106の厚みは、蛍光粉層102の厚みから第一領域105の厚みを引いた後の値と等しい。また、他の一実施例では、図3に示すように、第二材料層104の厚みが第二領域106の厚みより大きく、即ち、第二材料層104の頂面124が蛍光粉層102の頂面126より高く、これにより、波長変換構造10の表面をさらに平坦化することができる。以下、本実施例における波長変換構造10の製造方法について説明する。先ず、導電基板101を電気泳動装置内に置き、この導電基板101は、例えば、ITOガラスであっても良い。図4のSEM写真に示すように、電気泳動技術により蛍光粉粒子をITOガラスの表面に堆積させることによって蛍光粉層102を形成する。本実施例における蛍光粉層102は、入射した光の波長を変換できる材料、例えば、蛍光材料を有する。蛍光粉層102の堆積方法は、電気泳動技術に限定されず、他の堆積方法、例えば、重力堆積方法を含んでも良い。次に、メッキにより透明な無機化合物例えば、ZnOを蛍光粉層102の第一領域105の隙間に充填することによって第一材料層103を形成する。蛍光粉の屈折率に近いものを有する透明な酸化物を充填することにより、光の散乱scatteringによる損失を減らして白色光の光取り出し効率を向上させることができる。図5のSEM写真に示すように、上述の無機化合物は、蛍光粉粒子の粘着剤の役割を果たすこともでき、これにより、蛍光粉層102の機械的強度を向上させることができる。第一材料層103の堆積厚みは、蛍光粉粒子及び又は隙間の大小に従って調整されても良い。第一材料層103の堆積方法は、メッキに限定されず、無機化合物を蛍光粉粒子間の隙間に充填できる他の方法、例えば、CVD方法又はSol-Gel方法を含んでも良い。最後に、図6のSEM写真に示すように、ゴム材料を蛍光粉層102の第二領域106の隙間に完全に充填する。ゴム材料を充填する方法は、当業者に良く知られているものであるため、ここでは、その詳細な説明を省略する。形成された波長変換構造10は、ほぼ均一又は不均一な厚みを有する。図7は、本発明の一実施例における発光装置20を示す図である。発光装置20は、パッケージ基板111と、発光ダイオード110と、筐体112と、導光層113と、波長変換構造10とを含む。発光ダイオード110は、パッケージ基板111の上に位置する。導光層113は、パッケージ基板111と発光ダイオード110とを覆う。発光装置20は、例えば、上述の実施例による波長変換構造10を含む。波長変換構造10と発光ダイオード110とが筐体112により分離され、蛍光粉が発光ダイオード110と直接接触せず、これにより、蛍光粉層から発した光を発光ダイオード110LEDチップにより直接吸収することをできる限り避けることができる。また、蛍光粉が発光ダイオード110から離れる方式で設置されるので、蛍光粉層中の蛍光粉は、発光ダイオード110の作動時の高温による劣化が生じ難い。本実施例における導光層113は、光透過層であり、光取り出し効率を向上できる材料層を有するものであっても良い。本実施例では、導光層113は、複数の材料層を有し、また、勾配屈折率gradientrefractiveindexを有する。本実施例では、導光層113の複数の材料層は、窒化シリコンSi3N4;屈折率na=1.95層と、酸化アルミニウム層と、シリコーンsilicone;屈折率nc=1.45層とからなるスタック層であっても良いが、他の実施例では、他の材料層の組合せを採用しても良い。層と層との屈折率の差が小さく、各層の屈折率が発光ダイオード110から離れる方向に沿って次第に減少する複数の材料層を利用することにより、光の全反射の発生を有効に抑えることができる。また、使用可能な材料としては、ガラス屈折率が1.5~1.9、樹脂屈折率が1.5~1.6、DLCdiamondlikecarbon;屈折率が2.0~2.4、二酸化チタンTiO2;屈折率が2.2~2.4、二酸化シリコンSiO2;屈折率が1.5~1.7、又はフッ化マグネシウムMgF;屈折率が1.38などの組合せであっても良い。本実施例では、発光ダイオード110は、屈折率が2.4であるGaNの青色LEDチップを採用しても良い。よって、勾配屈折率を有し、且つ、層と層との屈折率の差が小さいスタック層を使用することにより、光の全反射の発生を有効に抑えることができる。本実施例における発光装置20では、導光層113の上に例えば上述の実施例による波長変換構造10が設けられ、光が発光ダイオード110から発した後に導光層113を通過して波長変換構造10に進入する。つまり、発光ダイオード110から発した光は、複数の材料層を有する導光層113を通過した後に、屈折率が比較的低い第二材料層104に入射し、それから、蛍光粉層102と、蛍光粉の屈折率に近いものを有する第一材料層103とに進入する。よって、屈折率の差が比較的小さいので、全反射による光の損失を有効に軽減することができる。また、無機化合物と蛍光粉粒子との屈折率が近いので、蛍光粉粒子間における光の散乱を低減することもできる。なお、本実施例における発光装置20は、平板状のパッケージ構造であるが、他の実施例では、波長変換構造10の導電基板101の形状が平板状に限定されず、凸レンズ状、凹レンズ状、又は三角錐状であっても良く、即ち、導電基板101の表面が平面、曲面、又は折れ曲がり面であっても良い。表1は、本発明の一実施例による波長変換構造10を有する発光装置20の発光効率と、従来のリモートフォスファ技術によるLED発光素子の発光効率とを比較するものである。具体的には、実験により、蛍光粉層102の隙間にシリカゲルのみを充填する従来のLED発光素子の発光効率と、蛍光粉層102の隙間に無機化合物ITO、シリカゲル、及びZnOを充填する本発明の一実施例による波長変換構造10を有する発光装置20の発光効率とを比較する。この実験によれば、蛍光粉層102の隙間にシリカゲルのみ充填するLED発光素子の発光効率は、約32.15ルーメン/ワットであり、蛍光粉層102の隙間にZnO、シリカゲル、及びITO材料を充填する発光装置20の発光効率は、約35.9~36.8ルーメン/ワットである。後者の場合は、ZnOのメッキ時間が45分であるときに、その発光効率は約35.9ルーメン/ワットであり、ZnOのメッキ時間が90分であるときに、その発光効率は約36.8ルーメン/ワットである。比較すれば分かるように、本発明の一実施例による波長変換構造10を有する発光装置20の発光効率は、従来のLED発光素子の発光効率より約14高い。また、ZnOのメッキ時間が90分である発光素子20の発光効率は、ZnOのメッキ時間が45分である発光素子20の発光効率より高い。その結果は、表1に示されている。以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されず、本発明の趣旨を離脱しない限り、本発明に対するあらゆる変更は本発明の範囲に属する。