真空状態に減圧可能な成膜室にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバと、高周波電源の給電側に接続可能な給電側電極棒および前記高周波電源の接地側に接続可能な接地側電極棒が対向配置されるとともに、前記両電極棒の基端が前記真空チャンバに固定され、前記両電極棒の先端が電気的に接続されてなり、前記高周波電源からの電力供給により前記成膜室内でプラズマを発生させるアンテナ体と、成膜対象の被成膜面を前記アンテナ体に対向させて保持可能な成膜対象保持手段と、を備え、前記アンテナ体および前記成膜対象保持手段は、当該成膜対象保持手段に保持された前記成膜対象の被成膜面と前記アンテナ体との対向間隔が、前記給電側電極棒および前記接地側電極棒の先端側よりも基端側の方が大きくなる部分を有していることを特徴とするプラズマCVD装置。前記成膜対象保持手段は、前記アンテナ体にして前記成膜対象を傾斜させて保持可能であることを特徴とする請求項1記載のプラズマCVD装置。真空状態に減圧可能な成膜室にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバと、高周波電源の給電側に接続可能な給電側電極棒および前記高周波電源の接地側に接続可能な接地側電極棒が対向配置されるとともに、前記両電極棒の基端が前記真空チャンバに固定され、前記両電極棒の先端が電気的に接続されてなり、前記高周波電源からの電力供給により前記成膜室内でプラズマを発生させるアンテナ体と、成膜対象の被成膜面を前記アンテナ体に対向させて保持可能な成膜対象保持手段と、を備え、前記アンテナ体は、前記給電側電極棒の外周を被覆する誘電体からなる被覆部材を有し、前記被覆部材は、前記給電側電極棒の先端側よりも基端側が肉厚である部分を有していることを特徴とするプラズマCVD装置。高周波電源の給電側に接続された給電側電極棒および前記高周波電源の接地側に接続された接地側電極棒が対向配置され、前記両電極棒の基端が前記真空チャンバに固定され、前記両電極棒の先端が電気的に接続されたアンテナ体に成膜対象を対向配置させ、前記電極棒に高周波電源から電力供給することによって、前記成膜対象の被成膜面に成膜を行うプラズマCVD装置を用いた成膜方法であって、前記成膜対象の被成膜面と前記アンテナ体との対向間隔が、前記給電側電極棒および前記接地側電極棒の先端側よりも基端側の方が大きくなる部分を有するように前記成膜対象を成膜室内で保持する工程と、前記成膜室を真空状態に減圧する工程と、前記アンテナ体に高周波電源から電力供給する工程と、を含むことを特徴とするプラズマCVD装置を用いた成膜方法。しかしながら、従来のプラズマCVD装置においては、成膜処理を行う環境によっては、電極棒の給電側のプラズマ密度が、電極棒の接地側のプラズマ密度に比べて高くなってしまう場合がある。特に、高周波電源の給電側に接続される電極棒のうち、もっとも給電側となる部位、すなわち、真空チャンバの天井部近傍は、他の部位に比べてプラズマ密度が極めて高くなるおそれがある。このように、従来のプラズマCVD装置においては、電極棒の周囲でプラズマ密度が不均一となった結果、基板表面に生成される薄膜の厚さが不均一になってしまうことがあった。本発明は、成膜対象の被成膜面に施される薄膜の均一性を向上して成膜精度を向上することができるプラズマCVD装置、および、プラズマCVD装置を用いた成膜方法を提供することを目的としている。上記課題を解決するために、本発明のプラズマCVD装置は、真空状態に減圧可能な成膜室にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバと、高周波電源の給電側に接続可能な給電側電極棒および高周波電源の接地側に接続可能な接地側電極棒が対向配置されるとともに、両電極棒の基端が真空チャンバに固定され、両電極棒の先端が電気的に接続されてなり、高周波電源からの電力供給により成膜室内でプラズマを発生させるアンテナ体と、成膜対象の被成膜面をアンテナ体に対向させて保持可能な成膜対象保持手段と、を備え、アンテナ体および成膜対象保持手段は、当該成膜対象保持手段に保持された成膜対象の被成膜面とアンテナ体との対向間隔が、給電側電極棒および接地側電極棒の先端側よりも基端側の方が大きくなる部分を有していることを特徴とする。また、本発明のプラズマCVD装置は、成膜対象保持手段が、アンテナ体にして成膜対象を傾斜させて保持可能としてもよい。また、本発明のプラズマCVD装置は、真空状態に減圧可能な成膜室にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバと、高周波電源の給電側に接続可能な給電側電極棒および高周波電源の接地側に接続可能な接地側電極棒が対向配置されるとともに、両電極棒の基端が真空チャンバに固定され、両電極棒の先端が電気的に接続されてなり、高周波電源からの電力供給により成膜室内でプラズマを発生させるアンテナ体と、成膜対象の被成膜面をアンテナ体に対向させて保持可能な成膜対象保持手段と、を備え、アンテナ体は、給電側電極棒の外周を被覆する誘電体からなる被覆部材を有し、被覆部材は、給電側電極棒の先端側よりも基端側が肉厚となる部分を有していることを特徴とする。また、本発明のプラズマCVD装置を用いた成膜方法は、高周波電源の給電側に接続された給電側電極棒および高周波電源の接地側に接続された接地側電極棒が対向配置され、両電極棒の基端が真空チャンバに固定され、両電極棒の先端が電気的に接続されたアンテナ体に成膜対象を対向配置させ、電極棒に高周波電源から電力供給することによって、成膜対象の被成膜面に成膜を行うプラズマCVD装置を用いた成膜方法であって、成膜対象の被成膜面とアンテナ体との対向間隔が、給電側電極棒および接地側電極棒の先端側よりも基端側の方が大きくなるように成膜対象を成膜室内で保持する工程と、成膜室を真空状態に減圧する工程と、アンテナ体に高周波電源から電力供給する工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、成膜対象の被成膜面に対する薄膜の均一性が向上し、成膜精度を向上することができる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値等は、発明の理解を容易とするための例示にすぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。真空チャンバの構成まず、図1~図4を用いて、本実施形態のアレイアンテナ式誘導結合型プラズマCVD装置の真空チャンバの構造について説明する。図1は、真空チャンバの正面側を示す斜視図、図2は、真空チャンバの背面側を示す斜視図である。図1および図2に示すように、真空チャンバ1は、筐体2を備えて構成されている。この筐体2は、図中y方向に対面配置された天井部2aおよび底面部2bと、図中x方向に対面配置された右側面部2cおよび左側面部2dと、図中z方向に対面配置された正面部2eおよび背面部2fと、を備えている。以下では、天井部2a側を真空チャンバ1の上方または上面とし、右側面部2c側を真空チャンバ1の右方または右側面とし、左側面部2d側を真空チャンバ1の左方または左側面として説明する。正面部2eおよび背面部2fには、それぞれフロント開口部3およびリヤ開口部4が形成されており、これらフロント開口部3およびリヤ開口部4を開閉するフロント開閉扉5およびリヤ開閉扉6がそれぞれ設けられている。また、右側面部2cにも右開口部7が形成されており、この右開口部7を開閉する開閉扉8が設けられている。さらに、左側面部2dにも左開口部9が形成されているが、この左開口部9は、不図示の基板搬送チャンバに接続可能となっている。この左開口部9には、真空チャンバ1と基板搬送チャンバとを真空状態を維持したまま接続したり、あるいはその接続状態を遮断したりする不図示のゲートバルブが設けられている。そして、このゲートバルブを閉じるとともに、フロント開閉扉5、リヤ開閉扉6および開閉扉8を閉じることにより、筐体2の内部に、外部から完全に密閉された成膜室10が形成されることとなる。また、天井部2aには、3列のコネクタ群11a、11b、11cが設けられている。これらコネクタ群11a、11b、11cは、複数のコネクタが図中x方向に沿って直列配置されたものであり、図中z方向に所定の間隔を維持している。図3は、真空チャンバ1の正面側の断面を模式的に示す図である。この図に示すように、コネクタ群11aは、高周波電力本実施形態では85MHzの交流電力を供給する高周波電源12の供給側非接地側に電気的に接続された第1天井側コネクタ13と、高周波電源12の接地側に電気的に接続された第2天井側コネクタ14と、が所定の間隔を維持して交互に設けられている。これら第1天井側コネクタ13および第2天井側コネクタ14は、その接続部が鉛直方向下方底面部2bに向けられており、後述するアレイアンテナユニットの電極棒が、鉛直方向下方から上方に向かって接続可能なように配置されている。また、詳しくは後述するが、第2天井側コネクタ14にはガス供給源15が接続されており、このガス供給源15から供給される材料ガスが、第2天井側コネクタ14に接続されたアレイアンテナユニットの電極棒から成膜室10内に噴出可能となっている。なお、ここではコネクタ群11aについて説明したが、コネクタ群11b、11cも上記と同様の構成となっている。さらに、筐体2の天井部2aには真空ポンプ16が接続されており、成膜室10を密閉した状態で真空ポンプ16を駆動することにより、成膜室10内が真空状態に減圧可能となっている。また、筐体2の底面部2bには、右側面部2cから左側面部2dまで図中x方向に沿って延在するガイドレール17が設けられている。図4は、真空チャンバ1の右側面図であるが、この図に示すように、ガイドレール17は、正面部2e近傍と背面部2f近傍とにそれぞれ設けられており、したがって、図中z方向に間隔を維持して一対配置されることとなる。これら一対のガイドレール17は、後述する基板を成膜室10内に搬入したり、あるいは成膜室10内から搬出したりする際の案内として機能するものである。アレイアンテナユニットの構成次に、図5~図8を用いてアレイアンテナユニットの構成について説明する。図5は、アレイアンテナユニット30の斜視図であり、図6は、図5の部分拡大図である。これらの図に示すように、アレイアンテナユニット30は、アンテナ支持部材31を備えており、このアンテナ支持部材31に複数本の誘導結合型電極50が支持されている。この誘導結合型電極50アンテナ体は、第1電極棒51給電側電極棒と第2電極棒52接地側電極棒とが、接続金具53によって電気的に接続されたアンテナ素子であり、アンテナ支持部材31の長手方向に沿って複数本支持されている。具体的には、両電極棒51、52は、その長手方向に直交する方向に所定の間隔を維持して交互に直列配置された状態で、その上端部がアンテナ支持部材31に支持されている。これにより、両電極棒51、52は、それらの長手方向を鉛直方向に沿わせた状態で、アンテナ支持部材31に垂下支持されることとなる。図7aは、図6のVIIa-VIIa線断面図であり、図7bは、図6のVIIb-VIIb線断面図である。これらの図に示すように、アンテナ支持部材31は、断面U字形の部材によって構成されており、その開口を鉛直方向下方に臨ませている。このアンテナ支持部材31は、図7bからも明らかなように、その幅方向中央にアンテナ支持孔32が形成されている。このアンテナ支持孔32は、図7aおよび図8aに示すとおり、アンテナ支持部材31の長手方向に沿って形成される長孔形状をなしており、このアンテナ支持孔32に、第1電極棒51および第2電極棒52が交互に垂下支持されている。より詳細に説明すると、第1電極棒51の上端部には、真空チャンバ1の天井部2aに設けられた第1天井側コネクタ13に接続可能な第1アンテナ側コネクタ54が固定されている。また、第2電極棒52の上端部には、真空チャンバ1の天井部2aに設けられた第2天井側コネクタ14に接続可能な第2アンテナ側コネクタ55が固定されている。図8aは、図6の上面図であり、図8bは、第1アンテナ側コネクタ54の斜視図である。ただし、図8aにおいては、後述するカバー部材33を取り外した状態を示している。この図に示すとおり、第1アンテナ側コネクタ54は、円筒状の本体54aを備えており、この本体54aの底面部54bに、第1電極棒51が貫通した状態で固定されている。また、本体54aの開口側には、当該本体54aよりも大径のフランジ部54cが設けられている。このフランジ部54cは、アンテナ支持部材31に形成されたアンテナ支持孔32の幅よりも大径となる寸法関係を維持している。また、本体54aには、円筒状の外周面の対向する一部を面取りした一対の平面部54d、54dが形成されている。これら平面部54d、54dは、その対向間隔がアンテナ支持孔32の幅よりも僅かに小さくなる寸法関係を維持している。したがって、アンテナ支持孔32の上方から第1アンテナ側コネクタ54を挿入すると、本体54aがアンテナ支持孔32を挿通するとともに、フランジ部54cがアンテナ支持部材31の上面に接触して掛け止められ、これによって第1電極棒51がアンテナ支持部材31に垂下支持されることとなる。また、このとき、平面部54d、54d間の幅は、アンテナ支持部材31の幅方向に対する第1アンテナ側コネクタ54の移動を、第1天井側コネクタ13に接続可能な範囲内に制限する寸法関係を維持している。しかも、アンテナ支持部材31に支持された第1アンテナ側コネクタ54に回転応力が作用したとしても、平面部54d、54dがアンテナ支持孔32の内周縁に接触し、第1アンテナ側コネクタ54の回転が制限される。このようにして、第1電極棒51は、アンテナ支持部材31の幅方向の位置決めがなされて直列配置されるとともに、全ての第1電極棒51が同一方向を向いて垂下支持されることとなる。なお、ここでは第1アンテナ側コネクタ54について説明したが、第2アンテナ側コネクタ55の構成も上記第1アンテナ側コネクタ54と同様である。つまり、第2アンテナ側コネクタ55は、本体55aと、底面部55bと、フランジ部55cと、一対の平面部55d、55dと、を備えており、底面部55bに第2電極棒52が貫通した状態で固定されている。そして、本体55aの開口側には、当該本体55aよりも大径のフランジ部55cが設けられている。このように、この第2アンテナ側コネクタ55も、上記第1アンテナ側コネクタ54と同様に、回転およびアンテナ支持部材31の幅方向に対する移動が制限され、第2電極棒52も直列配置されるとともに、全ての第2電極棒52が同一方向を向いて垂下支持されることとなる。また、図7aに示すように、各第1電極棒51は、その外周にセラミックスまたは樹脂などの誘電体からなる被覆部材56を備えている。一方、各第2電極棒52は円筒形状をなしており、その長手方向に延在するガス供給路52aが内部に形成されている。また、各第2電極棒52は、ガス供給路52aに垂直に連通する噴出孔52bを備えている。この第2電極棒52は、上述したように、アレイアンテナユニット30が成膜室10内に掛け止められたときに、第2天井側コネクタ14に接続されて、上記したガス供給源15とガス供給路52aとが連通する関係をなしている。したがって、アレイアンテナユニット30が成膜室10内に掛け止められた状態で、ガス供給源15から材料ガスが供給されることにより、噴出孔52bから成膜室10に向けて材料ガスが噴出することとなる。なお、図5~図8に示すように、アンテナ支持部材31には、両アンテナ側コネクタ54、55を被覆する断面U字形のカバー部材33が固定されている。このカバー部材33には、両アンテナ側コネクタ54、55の本体54a、55aに一致する円形の貫通孔33aが複数設けられている。これにより、各アンテナ側コネクタ54、55の本体54a、55aの開口、すなわち、両電極棒51、52の上端は、カバー部材33の貫通孔33aを介して上方に臨むこととなる。また、アンテナ支持部材31の幅方向両側面には防着パネル34が設けられており、また、アンテナ支持部材31の上面には、上方に垂直に起立し、先端にテーパが形成された位置決めピン35が設けられている。この位置決めピン35は、複数本の第1電極棒51および第2電極棒52のうち、もっとも外側に位置する電極棒よりもさらにアンテナ支持部材31の長手方向外方に設けられている。さらに、アンテナ支持部材31の長手方向両端部近傍には、掛止孔36が貫通形成されている。この掛止孔36は、アレイアンテナユニット30を成膜室10に掛け止めるためのものである。図9は、アレイアンテナユニット30が掛け止められた状態の真空チャンバ1の正面側断面図である。この図に示すように、真空チャンバ1の天井部2aには、右側面部2cおよび左側面部2d近傍それぞれに、鉛直方向に貫通するとともに鉛直方向下方にテーパが形成された位置決め孔18が設けられている。また、この位置決め孔18よりも図中x方向外方には、下方に垂下する掛止ピン19が固定されている。上記の位置決め孔18は、アレイアンテナユニットの位置決めピン35に対応しており、上記の掛止ピン19は、アレイアンテナユニット30の掛止孔36に対応している。アレイアンテナユニット30の取り付け方法の詳細については後述するが、アレイアンテナユニット30を成膜室10内に掛け止める際には、位置決め孔18に位置決めピン35を挿通させるように、アレイアンテナユニット30を天井部2aの下方から上方に持ち上げる。すると、掛止ピン19にアレイアンテナユニット30の掛止孔36が挿通するとともに、このとき、天井部2aに設けられた第1天井側コネクタ13および第2天井側コネクタ14のそれぞれが、アレイアンテナユニット30の第1アンテナ側コネクタ54および第2アンテナ側コネクタ55のそれぞれに嵌合する。この状態で、掛止ピン19の下方からボルト等の固定手段を固定することにより、図示のように、アレイアンテナユニット30が真空チャンバ1の天井部2aに掛け止められることとなる。図10は、アレイアンテナユニット30が掛け止められた状態の真空チャンバ1の右側面図である。上記したとおり、天井部2aには、コネクタ群11a、11b、11cが3列設けられており、これらコネクタ群11a、11b、11cに、アレイアンテナユニット30が接続可能となっている。したがって、全てのコネクタ群11a、11b、11cにアレイアンテナユニット30が接続されると、図示のように、3体のアレイアンテナユニット30が、図中z方向に所定の間隔を維持して位置することとなる。そして、上記のようにアレイアンテナユニット30が掛け止められた成膜室10内には、基板を保持する基板搬送体が搬入される。この基板搬送体について、図11~図14を用いて説明する。基板搬送体の構成図11は基板搬送体60の斜視図、図12は基板搬送体60の右側面図である。これらの図に示すように、基板搬送体60は、基台61を備えており、この基台61の幅方向図中z方向両端に車輪62本発明の移動案内部に相当するが複数設けられている。この車輪62は、基板搬送体60が図中x方向に一直線上に移動可能となるように設けられており、成膜室10内において、上記したガイドレール17上を転動することにより、基板搬送体60の成膜室10内での移動を可能としている。また、基台61には、当該基台61から上方に起立する薄板状の基板保持部材63成膜対象保持手段が設けられている。この基板保持部材63は、非結晶シリコン膜または微結晶シリコン膜を付着させる成膜対象となる基板Wを着脱自在に保持することが可能となっており、基板搬送体60の搬送方向に直交する方向図中z方向に所定の間隔を維持して6つ設けられている。そして、基台61の下面には、当該基台61の幅方向中央位置に固定されたラック64が設けられている。このラック64は、基板搬送体60の搬送方向に沿って設けられており、図2に示すように、成膜室10の底部に設けられ、駆動モータ20によって回転駆動する駆動ピニオン21に噛み合うようになっている。また、こうした駆動モータ20および駆動ピニオン21は、真空チャンバ1に接続される基板搬送チャンバにも同様に設けられている。したがって、駆動モータ20を駆動して駆動ピニオン21を回転駆動すると、駆動ピニオン21の回転動力がラック64の直線運動に変換され、これによって基板搬送体60が、基板搬送チャンバや成膜室10内を移動することとなる。図13は、基板搬送体60が搬入された状態の真空チャンバ1の右側面図である。この図に示すように、基板搬送体60が成膜室10内に搬入された状態では、1体のアレイアンテナユニット30に対して、その幅方向図中z方向両側に基板Wが所定の間隔を維持して対面する。ここで、基板保持部材63は、図12および図13からも明らかなように、鉛直方向図中y方向下方から上方に向かって所定の角度で傾斜するように設けられている。この基板保持部材63の構成について、図14を用いてより詳細に説明する。図14は、基板Wとアレイアンテナユニット30との距離関係を説明する図である。この図に示すように、基板保持部材63は、基板Wの被成膜面とアレイアンテナユニット30との対向間隔が、鉛直方向図中y方向下方から上方に向かって徐々に大きくなるように、基板Wをアレイアンテナユニット30誘導結合型電極50に対して傾斜させて保持している。具体的に説明すると、誘導結合型電極50と、この誘導結合型電極50に対向する被成膜面のもっとも上部との対向間隔をL1とする。また、誘導結合型電極50と、この誘導結合型電極50に対向する被成膜面のもっとも下部との対向間隔をL2とする。このとき、L1>L2となる関係を維持しており、例えば、対向間隔L1が対向間隔L2よりも3~10mm程度、大きくなるようにしている。このような関係を有する本実施形態においては、基板Wの被成膜面に薄膜を生成する成膜処理が、以下の手順で行われる。成膜処理まず、真空チャンバ1の成膜室10を密閉するとともに、真空ポンプ16を駆動して成膜室10を真空状態に減圧する。この状態で、ゲートバルブを介して真空チャンバ1に接続され、内部が真空状態に維持された基板搬送チャンバから成膜室10内に基板搬送体60を搬入する。そして、ガス供給源15から第2電極棒52に材料ガスを供給して、噴出孔52bから真空チャンバ1内に材料ガスを噴出させる。この状態で、高周波電源12によって誘導結合型電極50に高周波電力を供給すると、アレイアンテナユニット30の周辺にプラズマが発生し、このプラズマによって分解された材料ガスの成分が基板Wの表面に付着する。このようにして、基板Wの表面に、非結晶シリコン膜または微結晶シリコン膜などの薄膜が成膜されることとなる。そして、上記のようにして成膜処理が終了したら、真空チャンバ1から基板搬送チャンバに基板搬送体60を搬出するとともに、新たな基板Wが保持された基板搬送体60を真空チャンバ1内に搬入し、以後、上記の各工程が繰り返し行われることとなる。図15は、上記の成膜処理によって基板Wの被成膜面に施された薄膜の厚さ分布を示す図である。ここでは、図15aに示す1~12の番号が付された基板Wの計測対象部位の膜厚を、図15bに示している。ただし、図中実線は、本実施形態のプラズマCVD装置を用いて成膜処理行った場合の膜厚分布を示しており、図中破線は、誘導結合型電極50アレイアンテナユニット30と基板Wの被成膜面とを平行に配置して成膜処理を行った場合の膜厚分布を示している。ここでは、成膜処理中、1、4、7、10の番号が付された計測対象部位が基板Wの上部に位置し、2、5、8、11の番号が付された計測対象部位が基板Wの高さ方向中央に位置し、3、6、9、12の番号が付された計測対象部位が基板Wの下部に位置している。この図からも明らかなように、誘導結合型電極50に対して基板Wの被成膜面を平行に配置した場合には、被成膜面の全範囲にわたって、基板Wの上部ほど膜厚が大きくなり、基板Wの下部ほど膜厚が小さくなる傾向が見受けられる。これに対して、本実施形態のプラズマCVD装置を用いた場合には、誘導結合型電極50に対して基板Wの被成膜面を平行に配置した場合の膜厚分布特性、すなわち、基板Wの上部ほど膜厚が大きくなるといった特性がなくなり、被成膜面の全範囲にわたって膜厚の均一性が向上している。このように、本実施形態のプラズマCVD装置によって、膜厚の均一性が向上するのは以下の理由からである。すなわち、高周波電源12からの電力供給により、誘導結合型電極50の周囲にはプラズマが発生する。本実施形態のように、高周波電源12の給電側に接続される第1電極棒51と、高周波電源12の接地側に接続される第2電極棒52とが対向配置され、これら両電極棒51、52の基端が天井部2aに固定され、先端が鉛直下方に垂下して接続される誘導結合型電極50においては、両電極棒51、52の先端側から基端側に向かうにしたがって、両電極棒51、52の周囲に発生するプラズマの密度が高くなることが実験の結果判明している。このとき、高周波電源12のもっとも給電側に位置する第1電極棒51の周囲、すなわち、天井部2aの近傍は、特段にプラズマ密度が高くなることが判明している。このように、プラズマ密度が高くなると、材料ガスの成分分解が促進されるため、アレイアンテナユニット30の根元側は先端側に比べて、分解された成分が基板Wの被成膜面に付着しやすくなる。そこで、本実施形態においては、プラズマ密度が高くなる部分は、プラズマ密度が低い部分よりも、アレイアンテナユニット30と被成膜面との対向間隔を大きくすることで、被成膜面への成分付着を抑制するようにしている。これにより、基板Wの被成膜面に施される非結晶シリコン膜または微結晶シリコン膜などの膜厚の均一性が向上し、成膜精度を向上することが可能となる。なお、上記実施形態においては、対向間隔L1>対向間隔L2の関係を維持することにより、プラズマ密度の不均一さを吸収して、成膜精度を向上することとしたが、例えば、図16に示す変形例のようにして、プラズマ密度の不均一さを吸収することも可能である。図16は、変形例のアレイアンテナユニットを説明する図である。この変形例は、上記実施形態のアレイアンテナユニット30において、被覆部材56の代わりに、後述する被覆部材57を用いた点、および、基板Wをアレイアンテナユニットに対して平行に保持される点が異なり、その他の構成は上記実施形態と同じである。したがって、以下では、変形例の説明にあたり、上記実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図16に示すように、この変形例においては、第1電極棒51の外周を被覆するセラミックスまたは樹脂などの誘電体からなる円筒状の被覆部材57を備えている。この被覆部材57は、図示のように、第1電極棒51の先端下端から基端上端に向かうにつれて、外周長直径が多段階に長くなるように構成されている。被覆部材57は、第1電極棒51からのプラズマ放電を抑制する機能を有しており、その外周長、換言すれば、肉厚が増すにつれて、プラズマ放電の抑制力が高くなる。したがって、図示のように、アレイアンテナユニット30の先端側から基端側に向かって被覆部材57の外周長を長く肉厚を大きくすることにより、プラズマ密度が相対的に高くなり得る部位に向かうにつれて、プラズマ放電の抑制機能を強めることが可能となる。このように、第1電極棒51の外周を被覆する被覆部材57の外周長を、アレイアンテナユニット30の基端側に近づくにつれて長くするようにしても、上記実施形態と同様に、プラズマ密度を均一化することが可能となる。なお、この変形例のように、被覆部材57の外周長肉厚を変化させつつ、成膜対象である基板Wと誘導結合型電極50との対向間隔を適宜変化させれば、より膜厚を均一化することが可能である。また、この変形例においては、被覆部材57を円筒状に形成するとともに、その直径が、アレイアンテナユニットの基端側に近づくにつれて多段的に大きくなる構成としたが、被覆部材の形状はこれに限らない。例えば、被覆部材は、電極棒の給電側に近づくにつれて連続的に直径が大きくなるようにしてもよいし、また、必ずしも円筒状である必要もない。いずれにしても、被覆部材は、被成膜面に対向する一部または全部の範囲において、アレイアンテナユニットの先端側よりも基端側の肉厚が大きくなる構成であればよい。なお、上記実施形態においては、基板Wが常に傾斜した状態で基板搬送体60に保持されている。しかしながら、例えば、基板Wを成膜室10に搬入または搬出する際には、基板Wが鉛直方向に沿って保持され、成膜処理を行う際には、誘導結合型電極50に対して基板Wが傾斜するように、可動装置を設けるようにしてもよい。このようにすれば、基板Wを搬入または搬出する際に、第1電極棒51と基板Wとが干渉するおそれがなくなり、第1電極棒51や基板Wの損傷を防ぐことができる。また、上記実施形態においては、両電極棒51、52を真空チャンバ1の天井部2aから垂下させるとともに、成膜対象となる基板Wの被成膜面を、両電極棒51、52に対して水平方向に対向させているアレイアンテナ式が、両電極棒51、52と成膜対象との配置構造はこれに限らない。例えば、両電極棒51、52の基端を、真空チャンバ1のいずれかの側面に固定するとともに、これら両電極棒51、52を、それらの軸心が水平方向に沿うようにして成膜室10内に支持する。そして、基板Wの被成膜面を鉛直方向上方に臨ませて、両電極棒51、52に対向配置するようにしても構わない。この場合に、基板Wの被成膜面と両電極棒51、52との対向間隔が、これら両電極棒51、52の先端側から基端側に近づくほど大きくなるように、基板Wを傾けて載置すれば、上記実施形態と同様の作用効果を実現することができる。また、これとは逆に、基板Wを水平方向に沿って載置するとともに、両電極棒51、52を成膜室10内で傾けて支持するようにしても構わない。また、上記実施形態においては、両電極棒電極棒51、52と、成膜対象である基板Wとの対向間隔の全範囲にわたって、当該対向間隔が両電極棒51、52の先端側から基端側に近づくにつれて徐々に大きくなるようにした。しかしながら、両電極棒51、52と成膜対象の被成膜面との対向間隔は、必ずしもその全範囲にわたって大きさが変わらなければならないわけではない。例えば、両電極棒51、52と被成膜面との対向間隔の一部の範囲においてのみ、これら両電極棒51、52の先端側よりも基端側の対向間隔が大きくなる関係を維持し、その他の範囲においては、両電極棒51、52と被成膜面との対向間隔が等しくなるようにしても構わない。いずれにしても、成膜対象の被成膜面と両電極棒51、52アレイアンテナユニット30との対向間隔の一部または全部の範囲において、両電極棒51、52の先端側よりも基端側の対向間隔が大きくなる関係を維持していればよい。また、上記実施形態においては、誘導結合型電極50を複数備えたアレイアンテナユニット30を用いた場合について説明したが、誘導結合型電極の数は特に限定されるものではない。いずれにしても、高周波電源からの電力供給によってプラズマを発生させるアンテナ体が少なくとも1つ設けられていればよい。また、上記実施形態においては、薄板状の基板Wを成膜対象とし、この基板Wを、基板搬送体60が成膜室10内で保持することとした。しかしながら、成膜対象や、当該成膜対象を保持する構成はこれに限らない。例えば、ロール状に巻き取り可能なフィルムを誘導結合型電極に対向配置するとともに、当該フィルムに成膜処理を施しながら、徐々にフィルムを巻き取っていくようにしてもよい。このとき、両電極棒の先端側よりも基端側の対向間隔が大きくなるように、フィルムを誘導結合型電極に対して傾斜させて保持するようにすれば、上記実施形態と同様の作用効果を実現可能である。なお、この場合には、フィルムが成膜対象となり、このフィルムを巻き取り可能に保持する機構が成膜対象保持手段となる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。