"1つ以上の双性イオンを含む第1の半導体ポリマーを含む電荷輸送層を含む、オプトエレクトロニクスデバイス。前記第1の半導体ポリマーが、少なくとも1つの双性イオン性置換基を有する第1の繰り返しユニットを含む、請求項1に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記双性イオン性置換基が少なくとも1つの四級アミン基を含む、請求項2に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記双性イオン性置換基がスルホネート基を含む、請求項2または請求項3に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記双性イオン性置換基が、少なくとも1つ、例えば2つ、3つ、4つ、5つまたはそれ以上の原子例えば炭素中心によって分離されたカチオン性中心およびアニオン性中心を含む、請求項2から4のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記第1の繰り返しユニットがフルオレン残基を含む、請求項2から5のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記第1の繰り返しユニットが以下の構造:式中、R1は、前記のまたはさらに別の双性イオン性置換基を含む、を含む、請求項2から6のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。R2が、前記のまたはさらに別の異なる基、HまたはC1からC10直鎖または分岐鎖アルキル、アルケニルまたはアルキニル鎖を含む、請求項7に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。R1およびR2が、同じ双性イオン性置換基を含む、請求項7に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記第1の半導体ポリマーが、第2の繰り返しユニットを含む、請求項2から9のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記第2の繰り返しユニットが、フルオレン残基、例えば9,9-ジオクチルフルオレンを含む、請求項10に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記第1の半導体ポリマーが、前記第1の繰り返しユニットおよび前記第2の繰り返しユニットの交互コポリマーを含む、請求項10または請求項11に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記電荷輸送層が、発光性層とカソードとの間に配置され、例えば前記電荷輸送層が、前記発光性層および/または前記カソードに直接隣接して配置される、請求項1から12のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記電荷輸送層が、光起電性層とカソードとの間に配置され、例えば前記電荷輸送層が、前記光起電性層および/または前記カソードに直接隣接して配置される、請求項1から12のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記カソードが、アルミニウム、カルシウム、インジウムスズオキシドITO、金、銀から選択される1つ以上の材料を含む、請求項13または14に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記電荷例えば電子輸送層が少なくとも1nmの厚さである、請求項1から15のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記電荷輸送層が1nmから20nmの厚さである、請求項16に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。少なくとも1つの双性イオン性置換基を有する第1の繰り返しユニットを含む半導体ポリマーであって、前記双性イオン性置換基が、2つを超える原子例えば炭素中心により、第1のアニオン性電荷中心から分離した第1のカチオン性電荷中心を含む、該ポリマー。前記双性イオン性置換基が、少なくとも1つの四級アミン基を含む、請求項18に記載の半導体ポリマー。前記双性イオン性置換基がスルホネート基を含む、請求項18または19に記載の半導体ポリマー。前記第1の繰り返しユニットがフルオレン残基を含む、請求項18から20のいずれか一項に記載の半導体ポリマー。前記第1の繰り返しユニットが以下の構造:式中、R1は、前記のまたはさらに別の双性イオン性置換基を含む、を含む、請求項18から21のいずれか一項に記載の半導体ポリマー。R2が、第2の異なる双性イオン基、HまたはC1からC10の直鎖または分岐鎖アルキル、アルケニルまたはアルキニル鎖を含む、請求項22に記載の半導体ポリマー。R1およびR2が同じ双性イオン性置換基を含む、請求項22に記載の半導体ポリマー。第2の繰り返しユニットを含む、請求項18から24のいずれか一項に記載の半導体ポリマー。前記第2の繰り返しユニットが、フルオレン残基、例えば9,9-ジオクチルフルオレンを含む、請求項25に記載の半導体ポリマー。前記第1の繰り返しユニットおよび前記のまたはさらに別の第2の繰り返しユニットの交互コポリマーを含む、請求項25または26に記載の半導体ポリマー。請求項18から27のいずれか一項に記載の半導体ポリマーを含む電子注入材料。請求項18から28のいずれか一項に記載の半導体ポリマーを含む電子輸送材料。少なくとも第1の共役モノマーを重合して、伝導性ポリマーを形成する工程;および前記ポリマーを少なくとも1つの双性イオン形成反応体と反応させて、伝導性双性イオン性ポリマーを形成する工程を含む、電気半導体双性イオン性ポリマーを製造する方法。前記第1の共役モノマーが、少なくとも1つの三級アミン置換を含み、例えば、それによって形成された半導体ポリマーが、三級アミン置換されたポリマーを含む、請求項30に記載の方法。前記第1の双性イオン形成反応体が、例えば前記のまたはさらに別の三級アミン基と反応するための、負電荷保持種またはそれらの前駆体を含む、請求項30または31に記載の方法。前記負電荷保持種またはそれらの前駆体が、スルホンを含む、請求項32に記載の方法。前記第1のモノマーを、少なくとも1つのさらなるモノマー、例えばアミンを含まないモノマーと共重合させる、請求項30から333のいずれか一項に記載の方法。前記重合が、スズキ重合を含む、請求項30から34のいずれか一項に記載の方法。前記重合が、ヤマモトまたはStille重合を含む、請求項30から34のいずれか一項に記載の方法。本発明の目的は、上述のような欠点を最小限にすると共に、CPEの利点を有する電子デバイスのための材料を提供することである。さらに、こうした材料を含む電子デバイスを提供することである。第1の態様において、本発明は、1つ以上の双性イオンを含む第1の半導体ポリマーを含む電荷輸送層を含むオプトエレクトロニクスデバイスを提供する。第2の態様において、本発明は、ポリマーに共有結合した1つ以上の双性イオンを含む第1の半導体ポリマーを含む電荷輸送層を含むオプトエレクトロニクスデバイスを提供する。本明細書において、双性イオンという用語は、少なくとも1つの形式的な正電荷中心および少なくとも1つの負電荷中心を有する安定な電荷中性形態で存在する部位を指す。本明細書において、双性イオン置換基という用語は、分子例えばポリマーに結合した双性イオンの特徴を有する区別可能な部位を指す。好ましくは、1つ以上の双性イオンは、半導体ポリマー骨格に共有結合する。好ましくは、第1の半導体ポリマーは、少なくとも1つの双性イオン置換基を有する第1の繰り返しユニットを含む。好ましくは、双性イオン置換基は、少なくとも1つの四級アミン基を含む。好ましくは、双性イオン置換基は、スルホネート基を含む。好ましくは、双性イオン置換基は、少なくとも1つ、例えば2つ、3つ、4つ、5つまたはそれ以上、例えば2~20、例えば2~10の整数の原子例えば炭素中心によって分離されたカチオン性中心およびアニオン性中心を含む。好ましくは第1の繰り返しユニットは、フルオレン残基を含む。好ましくは第1の繰り返しユニットは、以下の構造を含む:式中、R1は、前記のまたはさらに別の双性イオン置換基を含む。好ましくは、R2は、前記のまたはさらに別の双性イオン基例えば異なる双性イオン基、HまたはC1からC10直鎖または分岐鎖アルキル、アルケニルまたはアルキニル鎖を含む。より好ましくは、R1およびR2の両方は、双性イオン性置換基、例えば同じ双性イオン性置換基を含む。好ましくは、1つ以上の双性イオン性置換基は、2つを超える原子例えば炭素中心により、第1のアニオン性中心から分離した第1のカチオン性電荷中心を含む。好ましくは、第1の半導体ポリマーは、第2の繰り返しユニットを含む。好ましくは、第2の繰り返しユニットは、フルオレン残基、例えば9,9-ジオクチルフルオレンを含む。好ましくは、第1の半導体ポリマーは、第1の繰り返しユニットおよび前記のまたはさらに別の第2の繰り返しユニットの交互コポリマーを含む。一部の実施形態において、電荷輸送層は、発光性層とカソードとの間に配置され、例えば電荷輸送層は、発光性層および/またはカソードに直接隣接して配置される。他の実施形態において、電荷輸送層は、光起電性層とカソードとの間に配置され、例えば電荷輸送層は、光起電性層および/またはカソードに直接隣接して配置される。好ましくは、カソードは、アルミニウム、カルシウム、インジウムスズオキシドITOから選択される1つ以上の材料を含む。好ましくは、電荷輸送層例えば、電子輸送層は、少なくとも1nm例えば、少なくとも2nm、少なくとも5nm、少なくとも7nmまたは少なくとも9nmの厚さを有する。好ましくは、電荷輸送層例えば電子輸送層は、1nm~20nmの厚さを有する。より好ましくは、電荷輸送層は2nm~10nmの厚さを有する。さらなる態様において、本発明は、少なくとも1つの双性イオン性置換基を有する第1の繰り返しユニットを含む半導体ポリマーを提供し、ここでこの双性イオン性置換基は、2つを超える原子例えば炭素中心により第1のアニオン性電荷中心と分離した第1のカチオン性電荷中心を含む。好ましくは、双性イオン性置換基は、少なくとも1つの四級アミン基を含む。好ましくは、双性イオン性置換基は、スルホネート基を含む。好ましくは、第1の繰り返しユニットは、フルオレン残基を含む。好ましくは、第1の繰り返しユニットは、以下の構造を含む:式中、R1は、前記のまたはさらに別の双性イオン性置換基を含む。好ましくは、R2は、前記のまたはさらに別の双性イオン基例えば異なる双性イオン基、HまたはC1からC10直鎖または分岐鎖アルキル、アルケニルまたはアルキニル鎖を含む。より好ましくは、R1およびR2の両方は、双性イオン性置換基、例えば同じ双性イオン性置換基を含む。好ましくは、半導体ポリマーは、第2の繰り返しユニットを含む。好ましくは、第2の繰り返しユニットは、フルオレン残基、例えば9,9-ジオクチルフルオレンを含む。好ましくは、半導体ポリマーは、第1の繰り返しユニットおよび/または第2の繰り返しユニットの交互コポリマーを含む。さらなる態様において、本発明は、上述のような半導体ポリマーを含む電子注入材料を含む。さらなる態様において、本発明は、上述のようなポリマーを含む電子輸送材料を提供する。さらなる態様において、本発明は、少なくとも第1の共役モノマーを重合して、伝導性ポリマーを形成する工程、およびこのポリマーを少なくとも1つの双性イオン形成反応体と反応させて、伝導性双性イオン性ポリマーを形成する工程を含む、電気半導体双性イオン性ポリマーを製造する方法を含む。好ましくは、第1の共役モノマーは、少なくとも1つの三級アミン置換を含み、例えばそれから形成された半導体ポリマーは、三級アミン置換されたポリマーを含むようになる。好ましくは、第1の双性イオン形成反応体は、例えば前記のまたはさらに別の三級アミン基と反応するための、負電荷保持種またはそれらの前駆体を含む。好ましくは、負電荷保持種またはそれらの前駆体はスルホンを含む。好ましくは、この方法は、第1のモノマーを、少なくとも1つのさらなるモノマー、例えばアミンを含まないモノマーと共重合させる工程を含む。好ましくは、重合は、スズキ重合を含む。一部の実施形態において、重合は、ヤマモトまたはStille重合を含む。本発明をさらに理解するために、ここで本発明を、以下の図面を参照して、実施例によってのみ説明する。電荷中性共役高分子電解質は、以下の方法に従って合成された。中性三級アミンポリマーは、当該技術分野において周知の条件下、2,7-ビス1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9,9-ジオクチルフルオレン1と2,7-ジブロモ-9,9-ビスN,N-ジメチルアミノエタニルフルオレン2のPd媒介されたスズキ縮合重合によって合成された。こうして形成された中性三級アミンポリマー3は、クロロホルム、THFおよびトルエンのような有機溶媒中に可溶性であるが、メタノール、DMSOおよび水には不溶性である。次いでポリマーは、トルエン/メタノール中、70°Cにて3日間、1,4-ブタンスルトンと共に還流することによって四級化した。得られた双性イオン性共役高分子電解質4は、メタノールおよびDMSO中に可溶性であった。高分子電解質の元素分析は、第1のポリマーの三級アミンのスルホベタイン双性イオン性基へのほぼ100の転化を示した。上述の一連の反応に関する合成経路を図1に示す。図2は、本発明に従う単純なオプトエレクトロニクスデバイス10を示す。デバイス10は、順番に、アルミニウムカソード層12、双性イオン性高分子電解質を含む2nm厚さの電子輸送層14、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン-co-ベノチアダゾールF8BTを含む100nm厚さの発光性層16およびITO/PEDOT:PSSアノード18を含む。デバイス10は、アノード18、発光性層18および電子輸送層14をガラス基板上に連続的にスピンコーティングし、続いて電子輸送層14上にアルミニウムカソード12を堆積させることによって製造された。上述のようなデバイス10を、電圧に対する輝度に関して試験した。試験の結果を図3にプロットする。ターンオン電圧輝度が1cd/m2に到達する電圧として定義されるは2.3Vであり、ブライトネスは3Vで1900cd/m2に増大し、5.8Vでは最大80000cd/m2であった。同じデバイス10を、電圧に対する電流効率に関して試験した。試験の結果を図4にプロットする。5.8Vでの効率は、8.8cd/Aであるとわかり対応する電流密度は910.5cd/m2である、最大効率は10.4cd/A26000cd/m2のブライトネスにてであった。デバイス効率は、操作電圧において安定であり、5.8Vまで顕著な低下は観測されないことは注目に値する。比較例第1の比較デバイスは、順番に、アルミニウム/カルシウムカソード、F8BT発光層およびPEDOT:PSSアノードを含むように調製された。第2の比較デバイスは、順番に、アルミニウムカソード、F8BT発光層およびPEDOT:PSSアノードを含むように調製された。比較例1第1の比較デバイスを、電圧に対する輝度および電圧に対する効率について試験した。結果を、それぞれ図3および4にプロットする。予測されるように、第1の比較デバイスは、電子注入が乏しいため、両方の試験において非常に劣っていた。特に、ターンオン電圧は、実施例1に関して観測された2.3Vより相当高い約7.5Vであったことに留意する。比較例2また、第2の比較デバイスを、電圧に対する輝度および電圧に対する効率に関して試験した。結果を、それぞれ図3および4にプロットする。第2の比較デバイスのターンオン電圧は、実施例1と実質的に同じであることがわかったが、これはF8BTのLUMO2.94eVとCaの仕事関数2.87eVとの差が小さいことにより説明できる。しかし、第2の比較デバイスの最大ブライトネスは、実施例1のデバイスの半分未満である30,000cd/m2に過ぎないことがわかった。さらに、第2の比較デバイスのエネルギー変換効率は、実施例2で観測された効率のおおよそ半分であることがわかった。双性イオン性高分子電解質のフィルムを、その吸収実施例3aおよびフォトルミネッセンス実施例3b特性について試験した。結果をそれぞれ図5および6にプロットする。比較例3中性三級アミンポリマー3のフィルムを、その吸収比較例3aおよびフォトルミネッセンス比較例3b特性について試験した。結果をそれぞれ図5および6にプロットする。メタノール中の双性イオン性高分子電解質の溶液を、その溶液吸収実施例4aおよび溶液フォトルミネッセンス特性実施例4bについて試験した。結果をそれぞれ図5および6にプロットする。比較例4クロロホルム中の中性三級アミンポリマー3の溶液を、その溶液吸収比較例4aおよび溶液フォトルミネッセンス特性比較例4bについて試験した。結果をそれぞれ図5および6にプロットする。図5および6からわかるように、双性イオン性高分子電解質および中性ポリマーF8BTについてのフィルム吸収およびフォトルミネッセンススペクトルは、非常に類似しており、双性イオン性高分子電解質の電子特性は、双性イオン性側鎖の強い双極子によって影響を受けないことを示唆している。双性イオン性高分子電解質およびF8BTのHOMOは、サイクリックボルタンメトリーによって、それぞれ5.6eVであることがわかった。対応するLUMOは、吸収オンセットにより、それぞれ2.67eVおよび2.64eVであることがわかった。これらの図は、当業者に対して、アルミニウム電極仕事関数4.28eVとF8BT発光層との間の追加の双性イオン性高分子電解質層を含むことが、実際、電子注入バリアを増大させることを示唆し得る。驚くべきことに、反対のこともその通りであることが示された。実施例1にて試験したデバイスと同様であるが、双性イオン性高分子電解質を含む7nm厚さの電子輸送層を有するデバイスを、4.9Vの長方形1Hz電圧パルスの間に、そのルミネッセンス実施例5aおよび電流密度ダイナミクス実施例5bを測定するために試験した。結果を図7にプロットする。4.9eVでの応答時間はおおよそ10μsであったことが観測されたが、これは金属電極の使用に一致している。応答時間は、電子注入層として共役高分子電解質を利用する他のデバイスに関しての応答時間よりも速いことが理解される。[実施例6および7]実施例5にて測定された電流の時間依存性図7に示されるようにおよび10nm厚さの双性イオン性ポリマーを含む電子輸送層を有する同様のデバイスに関する等価データそれぞれ実施例6および7を統合し、デバイスに蓄積された電荷を示す。容量電荷蓄積および電荷密度を、おいて電圧に対してプロットして図8に示すして。比較例5標準比較デバイスに関する同様の電流時間依存性を統合して、デバイスにおいて蓄積された電荷を示す。容量電荷蓄積および電荷密度を、電圧に対してプロットして図8に示す。これらのデータは、双性イオン含有デバイスが、電圧に関して線形に上昇する標準デバイスの容量帯電に加えて、3V付近の閾値を超えて追加の帯電を示すことを示している。理論に束縛されないが、この追加の帯電は、0~10μsのタイムスケールの間に、双性イオンの再配向から生じると仮定される。そのため、本発明の双性イオン性高分子電解質は、電荷輸送材料として優れた性能を与えると同時に、発光周波数における妥協なしに、迅速な切り替え時間および高効率を維持する。代替または追加のイオン種は、ポリマー性構造に組み込まれてもよいことが、当業者には容易に理解される。さらに、他の双性イオン性CPEおよび分子半導体例えばフラーレンが、本明細書に概要される本発明に使用されてもよいことが理解される。"