"第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に設けられ、銅又は銅合金からなる銅配線部を有する配線と、前記第1の絶縁層上に設けられ、1側面を前記配線に接して前記配線に沿い帯状に延在する誘電体層と、前記第1の絶縁層上に設けられ、前記配線および前記誘電体層を被覆する第2の絶縁層と、を有し、前記誘電体層は、前記第1および第2の絶縁層より高い比誘電率を有することを特徴とする配線構造。前記配線は、前記銅配線部の下面に、前記第1の絶縁層と密着する金属からなる密着層を有し、前記誘電体層は、前記密着層を構成する金属の酸化物からなることを特徴とする請求項1記載の配線構造。前記銅配線部の上面および側面上に、前記誘電体層より低い比誘電率を有する絶縁物又は金属膜からなる銅拡散防止膜を設けたことを特徴とする請求項2記載の配線構造。上面に配線溝が形成された第1絶縁層と、前記配線溝の途中まで前記配線溝中に埋め込まれた、銅又は銅合金からなる銅配線部を有する配線と、前記配線の上方に位置する前記配線溝の側壁面上に形成され、下側面を前記配線の上面に接して前記配線に沿い帯状に延在する誘電体層と、前記第1絶縁層上に設けられ、前記配線および前記誘電体層を被覆する第2の絶縁層と、を有し、前記誘電体層は、前記第1および第2の絶縁層より高い比誘電率を有することを特徴とする配線構造。前記配線は、前記銅配線部の側面に、前記配線溝の側壁面に密着する金属からなる密着層を有し、前記誘電体層は、前記密着層を構成する金属の酸化物からなることを特徴とする請求項4記載の配線構造。基板上に第1の絶縁層、金属からなる密着層および銅シード層を順次形成する工程と、前記銅シード層上に開口を有するレジスト層を形成する工程と、前記銅シード層を一方の電極とする電解めっきを用いて、前記開口を途中の高さまで埋合金からなる銅めっき層を形成する工程と、前記レジスト層を除去した後、前記銅めっき層をマスクとするエッチングにより、前記銅めっき層の外側に延在する前記銅シード層および前記密着層を除去する工程と、次いで、前記密着層、前記銅シード層および前記銅めっき層の表出面を酸化し、前記密着層の両端部分を、前記密着層を構成する金属の酸化物からなり前記第1の絶縁層より高い比誘電率を有する誘電体層に変換する工程と、前記銅めっき層および前記銅シード層の酸化された表面をエッチング除去する工程と、前記第1の絶縁層上に、前記銅めっき層、前記銅シード層および前記誘電体層を被覆する、前記誘電体層より低い比誘電率を有する第2の絶縁層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線構造の製造方法。前記誘電体層に変換する工程に代えて、銅の選択的エッチングにより、前記銅めっき層および前記銅シード層の表出面をエッチングして、エッチング後の前記銅シード層の外側に前記密着層の上面を表出する工程と、前記密着層、前記銅めっき層および前記銅シード層の表出面を酸化して、前記銅シード層の外側に表出する前記密着層を、前記密着層を構成する前記金属の酸化物からなり前記第1の絶縁層より高い比誘電率を有する誘電体層に変換する工程と、を有することを特徴とする請求項6記載の配線構造の製造方法。基板上に配線溝が設けられた第1の絶縁層を形成する工程と、前記配線溝の内壁面を被覆し、前記第1の絶縁層の上面に延在する金属からなる密着層を形成する工程と、次いで、前記配線溝を埋め込み前記第1の絶縁層上に延在する銅又は銅合金からなる銅層を形成する工程と、前記銅層の上面から前記第1の絶縁層の上面まで平坦に研摩して、前記配線溝内に前記密着層および前記銅層を残す工程と、前記研摩により研摩面に表出する前記密着層の上側面および前記銅層の上面を酸化して、前記密着層の上側部を前記第1の絶縁層より高い比誘電率を有する前記金属の酸化物からなる誘電体層に変換する工程と、前記酸化により前記銅層の上面に形成された酸化物層をエッチングして除去する工程と、次いで、前記第1の絶縁層上に、前記誘電体層より低い比誘電率を有する第2の絶縁層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線構造の製造方法。上述したように、セミアディティブ法又はダマシン法により製造された銅配線を含む配線構造では、配線構造が微細になると、電界が集中する配線の隅から上下絶縁層の界面に沿って放電が進行する絶縁破壊を起こすおそれがある。このため、絶縁耐性が高い多層配線構造と、その絶縁耐性を担保することができる精密な信頼性試験が要望されている。HAST試験HighlyAcceleratedTempratureandHumidityStressTestは、配線構造の絶縁破壊に対する信頼性を測定する試験として広く採用されている。HAST試験をセミアディティブ法により製造された配線構造に適用した結果、界面に近い配線の下隅から上下層絶縁層の界面に沿って放電する絶縁破壊と、界面から離れている配線の上隅から隣接する配線の上隅に向かい絶縁層中を貫通して放電する絶縁破壊と、2つのモードの絶縁破壊が観測された。この2つのモードの絶縁破壊は、いずれが先行するか事前に予測することができない。そのため、信頼性試験では2つのモードの絶縁破壊の事象が重なり、絶縁破壊に至るまでの時間のばらつきが大きくなるため、配線構造の信頼性が低下するという問題があった。また、2つのモードが重なる結果、絶縁耐性を劣化させる主因を特定することができず、配線構造の絶縁耐性を向上するうえでの妨げとなっていた。配線間に表出する下絶縁層を掘り下げて配線間に延在する上下絶縁層の界面を伸長した従来の配線構造は、HAST試験によると、掘り下げのない配線構造とほぼ同様の試験結果であった。このように、下絶縁層の掘り下げの効果は限定されている。また、銅配線の外周面を銅の拡散防止膜で被覆した従来の配線構造は、HAST試験結果によると改善効果があるものの、その絶縁破壊の抑止効果は十分ではない。本発明は、絶縁層中に埋め込まれた銅配線を含む配線構造において、絶縁破壊耐性が高く、かつ、配線の上下隅の一方からのみ放電が進行するように制御された配線構造、およびその製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決するための本発明は、その一観点によれば、第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に設けられ、銅又は銅合金からなる銅配線部を有する配線と、前記第1の絶縁層上に設けられ、1側面を前記配線に接して前記配線に沿い帯状に延在する誘電体層と、前記第1の絶縁層上に設けられ、前記配線および前記誘電体層を被覆する第2の絶縁層と、を有し、前記誘電体層は、前記第1および第2の絶縁層より高い比誘電率を有することを特徴とする配線構造として提供される。本発明によれば、絶縁層中に埋め込まれた銅配線を含む配線構造であって、絶縁破壊耐性が高く、かつ配線の上下隅の一方からのみ放電が進行するように制御された配線構造が提供される。本発明を説明する前に、回路基板に用いられる従来の配線構造と、その絶縁破壊について説明する。図1はHAST試験用配線の平面図であり、HAST試験に供された配線の平面形状を表している。図2は従来の配線構造の断面図であり、セミアディティブ法により製造された配線の断面構造を表している。なお、図2は、図1のX-X’断面の一部を拡大した図であり、図2aは断面矩形に形成された配線を表し、図2bは上方向に配線幅が拡幅しするように変形して形成された配線を表している。図1を参照して、HAST試験に供されるHAST試験用配線20は、互いに噛み合う2個の櫛歯状配線20’、20から構成されている。櫛歯状配線20’、20は、互いに平行に延在する接続部20A’、20Aと、接続部20A’、20Aの垂直方向にライン状に延在する配線4’、4とを有する。これらの配線4’、4は、それぞれ櫛歯状配線20’、20の櫛歯部分を構成する。また、ライン状の配線4’、4は、互いに交互にかつ平行に配置され、ラインアンドスペースを構成する。なお,配線4’は接続部20A’に接続されて櫛歯状配線20’を構成し、配線4は接続部20Aに接続されて櫛歯状配線20を構成する。HAST試験では、櫛歯状配線20’、20間に電圧が印加された状態で高温多湿の雰囲気中に放置され、ラインアンドスペースを構成する配線4’、4間で絶縁破壊が発生するまでの時間が測定される。図2aを参照して、従来の配線構造15では、基板1上に形成された第1の絶縁層2下層絶縁層と、第1の絶縁層2上に形成された断面矩形の配線4’、4と、さらに第1の絶縁層2上に配線4’、4を被覆するように形成された第2の絶縁層3上層絶縁層と、が設けられている。第1の絶縁層2の上面は、配線4’、4の間が掘り下げられて凹部2aが形成されている。即ち、第1の絶縁層2の上面は、図2の紙面に垂直に平行に延在する溝状の凹部2aと、凹部2a間に形成されたメサストライプ状の凸部2bとがラインアンドスペース状に形成されている。配線4’、4は、凸部2bの上面に配置される。従って、凹部2aの内面、即ち、配線4’の下隅A’から下隅A’に接続する凹部2aの壁面、凹部2aの底面および配線4の下隅Aに接続する凹部2aの壁面は、第1の絶縁層2と第2の絶縁層とが接する界面21を構成する。配線4’、4は、第1の絶縁層2上面に密着して設けられた例えばチタン膜からなる密着層4bと、密着層4b上に形成された銅又は銅合金からなる銅配線部4aとを有する。従来の配線構造15のHAST試験では、しばしば2つのモードの絶縁破壊が観測された。第1のモードは、図2a中の破線A’-C-Aで示す経路で放電して絶縁破壊に至る。ここで、Cは凹部2aの底面上の点Cである。即ち、第1のモードは、互いに隣接する配線4’および配線4の下隅A’、A第1及び第2の絶縁層2、3の界面に近接する隅の間を、第1及び第2の絶縁層2、3の界面21に沿って放電する。他方、第2のモードは、図2b中の破線B’-Bで示す経路で放電して絶縁破壊に至る。即ち、隣接する配線4’および配線4の互いに対向する上隅B’、Bの間を、第2の絶縁層3中を貫いて凹部2aの底面の平行方向に放電する。なお、これら上隅B’、Bは、配線4’、4の4隅のうち、第1及び第2の絶縁層2、3の界面21から最も離れた2隅である。この第2のモードは、図2bを参照して、製造条件のばらつきにより、配線4’、4の上辺が下辺より幅広く変形して形成された場合に多く発生する。これらの絶縁破壊は、以下のようにして起こると考えられている。配線4’、4は断面矩形に形成される。そのため、配線4’、4の隅、例えば下隅A’、A又は上隅B’、Bに電界が集中しやすい。そして、これらの隅A’、A、B’、Bに集中する強い電界により配線4’、4中の銅成分が第2の絶縁層3中に引き出され、配線4’、4の隅を結ぶ破線A’-C-A又は破線B’-Bに沿って拡散し放電路を形成する。そして、銅が拡散して形成された放電路に沿って放電するためと推測されている。なお、配線4’、4の下隅A’、A間の放電路は、第1及び第2の絶縁層2、3の界面に沿って形成される。これは、配線4’、4の下隅A’、Aが界面に近接しているため、銅は欠陥密度が高い界面に沿って拡散するためと考察している。他方、界面から離れた上隅B’、B間の放電路は、界面とは関係なく、ほぼ最短距離を結ぶ直線状に形成される。上述した第1及び第2のモードの絶縁破壊は、いずれが先行するか予測が難しい。従って、従来の配線構造のHAST試験では、2つの絶縁破壊モードが混在して発生し、個々の絶縁破壊モードが関与する絶縁破壊の要因および絶縁耐性の信頼性を分離して解析することができなかった。そのため、絶縁破壊の要因の解析が容易でなく、配線構造の絶縁破壊耐性を改善するうえでの障害となっていた。本発明は、絶縁耐性が高く、かつ絶縁破壊モードが混在しない配線構造に関する。本発明の第1実施形態は、セミアディティブ法により作製された回路基板の配線構造に関する。図3は本発明の第1実施形態の配線構造の断面図であり、セミアディティブ法を用いてビルドアップ工法により製造された多層配線基板のうち、HAST試験用として作製された部分の配線構造10を表している。このHAST試験用として作製された部分の配線構造10の平面形状は、図1に示すHAST試験用配線の平面形状と同様である。即ち、図1を参照して、2つの櫛歯状配線20’、20から構成されている。図3を参照して、本発明の第1実施形態の配線構造10は、支持基板1上に第1の絶縁層2が形成され、その第1の絶縁層2上面に接して配線4’、4が形成されている。さらに、その配線4’、4の側面に接して配線4’、4に沿い帯状に延在する誘電体層5が第1の絶縁層2上に設けられる。基板1は、配線構造10を支持することができる剛性を有する基板であればとくに制限されない。例えば回路基板のコアとして通常用いられる樹脂基板、セラミック基板および金属基板、あるいはSiウエーハを用いることができる。本第1実施形態ではSiウエーハを用いた。第1及び第2の絶縁層2、3は、多層配線の層間絶縁層として、ビルドアップ工法を用いて多層配線を形成することができる絶縁材料であればよく、例えばフェノール系またはポリイミド系の樹脂を用いることができる。本第1実施形態では感光性のフェノール系樹脂を用いた。配線4’、4は、矩形断面に形成され、銅または銅合金からなる銅配線部4aと、銅配線部4aの下面に設けられた密着層4bとを有する。配線4’、4は、底面を第1の絶縁層2上面に密着させて形成され、密着層4bは、第1の絶縁層2と銅配線部4aとの間に挟まれて、第1の絶縁層2と銅配線部4aとの密着性を向上させる。銅配線部4aは、銅または銅合金からなる矩形断面を有する配線部材であり、例えば幅2000nm、高さ2000nmの矩形断面に形成される。この銅配線部4aは、例えば、スパッタにより密着層4b上に形成された銅または銅合金からなるシード層4cと、シード層4c上に形成された銅めっき層14aとの積層構造として形成される。なお、この銅配線部4aは、めっき以外の他の方法で作製されてもよく、また、シード層4cと銅めっき層14aとの積層以外の他の構造を有するものであってもよい。密着層4bは、第1の絶縁層2と銅配線部4aとの密着性を高めるものであればよく、例えばTi、Ta、W、Zr、Crの金属またはこれらの金属の合金からなる金属膜、またはこれらの金属の窒化物からなる膜を用いることができる。本第1実施形態では、厚さ50nmのTi膜を用いた。誘電体層5は、第1及び第2の絶縁層2、3より比誘電率が高い絶縁材料から構成される。この誘電体層5は、一定幅を有する帯状誘電体板、例えば幅80nm、厚さ50nmの誘電体板からなり、第1の絶縁層2の上面に密着して形成される。さらに、この誘電体層5は、その一側面が配線4’、4の側面に接触した状態で配線4’、4と平行に延在するように形成される。従って、誘電体層5は、その一側面が配線4’、4の下隅配線の側面下部に接し、他側面が配線4’、4の下隅から水平方向に突出するように設けられる。上述した第1絶縁層2の上面は、配線4’、4および誘電体層5が配置される領域が凸部2bに、それ以外の領域が凹部2aに形成されている。即ち、配線4’、4および誘電体層5の外側即ち、隣接する配線4’、4の対向する側面に接して配置された誘電体層5の間に延在する第1の絶縁層2の上面は、堀り下げられて凹部2aに形成されている。その結果、凹部2aの間はメサ状の凸部2bに形成される。配線4’、4および誘電体層5は、この凸部2b上面に設けられる。なお、配線4’、4および誘電体層5は、凸部2b上面の全面を被覆するように設けられてもよく、また、上面の一部を被覆するように設けられてもよい。本第1実施形態では、隣接する配線4’、4間の距離を2000nmとし、凹部2aの深さを800nmとした。従って、凸部2bの上面の幅は2160nm、凹部2aの幅は1840nm、凸部2bの高さは800nmとなる。なお、HAST試験用の配線領域では、凸部2b上面からシリコン基板1上面までの距離を5000nmとした。加えて、銅拡散防止膜6が、銅配線部4aを被覆するように設けられる。この銅拡散防止膜6は、銅拡散防止膜6が無ければ、後述する第2絶縁層3が接するであろう銅配線部4aの表面銅配線部4aの上面および側面を、被覆するように設けられる。銅拡散防止膜6は、銅の拡散を防止する材料であればよく、とくに制限されない。例えば、銅の拡散防止材料として周知のCoまたはNi、あるいはCoまたはNi合金またはそれらの燐化合物からなる無電解めっき膜を用いることができる。また、CVD法化学的気相堆積法により形成されたシリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜、あるいはこれらの複合膜、および、CVD法で形成されたTi、Ta、WまたはZrからなる金属膜、あるいはこれらの金属の化合物または窒化物を用いることもできる。なお、銅拡散防止膜6は、必要なければ設けなくてもよい。本第1実施形態では、無電解めっきにより銅配線4’、4の表出面に厚さ20nmのCoWP膜を形成し、これを銅拡散防止膜6とした。さらに、第2の絶縁層3が、配線4’、4および誘電体層5を被覆し、配線4’、4および誘電体層5の外側に延在する第1の絶縁層2の上面を被覆するように設けられている。この第2の絶縁層3は、第2の絶縁層3が設けられていない状態で露出する、配線4’、4および誘電体層5の表面およびそれらの外側に延在する第1の絶縁層2の上面に密着して第2の絶縁層3との間に界面を形成するように設けられる。従って、凹部4aの表面は、第1及び第2の絶縁層2、3の界面となる。第2の絶縁層3は、多層配線の層間絶縁層として用いられ、ビルドアップ工法により多層配線を形成することができる絶縁材料であればよく、例えばフェノール系またはポリイミド系の樹脂を用いることができる。本第1実施形態では、第1の絶縁層2と同じ感光性のフェノール系樹脂を用いた。なお、第1及び第2の絶縁層2、3は、同一材料であっても異なる材料であっても差し支えない。上述した配線構造10の説明では、HAST試験用の配線部分について説明した。しかし、上述した配線構造10、即ち、第1の絶縁層2の上面は凹部2aおよび凸部2bに形成され、その凸部2b上面に配線4’、4および誘電体層5が配置され、第2の絶縁層3により配線4’、4、誘電体層5および凹部2bが埋め込まれる構造は、第1実施形態の回路基板の他の配線についても同様である。即ち、第1実施形態の回路基板に用いられる配線のうち、HAST試験用の配線部分以外の領域に形成された配線、例えば半導体素子間を接続する配線または電子回路を構成する配線についても、平面形状が異なる他は同様の断面構造を有するように形成される。もちろん、一部に異なる構造の配線が設けられても差し支えない。上述した第1実施形態の回路基板をHAST試験に供し、絶縁耐性を測定した。HAST試験は、配線4’に3.5Vの電圧を印加し、配線4’に隣接する配線4および基板1を0Vとした状態で、温度132°C、湿度85の環境下に放置し、絶縁破壊に至るまでの時間を測定した。図4は本発明の第1実施形態のHAST試験結果であり、第1実施形態の配線構造10が絶縁破壊に至るまでの時間を表している。なお、比較例として、図1に示した従来の配線構造15の試験結果をあわせて表記した。ここで用いられた従来の配線構造15は、図1aを参照して、互いに2000nmの間隔をおいて配置された幅2000nm、高さ2000nmの矩形断面を有する配線4’、4と、配線4’、4間の第1の絶縁層2の上面に形成された幅2000nm、深さ800nmの凹部2aとを有する。また、銅配線部4aの表面には、厚さ20nmのCoWPからなる銅拡散防止膜図示していないが形成されている。また、配線4’、4と基板1上面の距離は5000nmである。従って、第1実施形態と比較例とは、誘電体層5の有無が相違し、それに伴い凹部2bおよび凸部2aの幅が相違する以外は、材料および寸法とも同様である。図4を参照して、本発明の第1実施形態の配線構造10では、試料番号1~9の全ての試料について、絶縁破壊に至るまでの時間は150時間以上であった。また、絶縁破壊した全ての試料が、第1及び第2の絶縁層2、3の界面に沿って放電する第1のモードにより絶縁破壊した。一方、比較例の配線構造15では、試料番号11~19を参照して、絶縁破壊に至るまでの時間は、92.2時間~150.0時間とばらつきが大きく、かつ最長でも150.0時間と第1実施形態に比べて短い。また、絶縁破壊は、第1及び第2の絶縁層2、3の界面に沿って放電する第1のモードと、配線4’、4の上隅間を第2の絶縁層3中を貫通して放電する第2のモードとが混在していた。この試験結果は、本第1実施形態の配線構造10が従来の配線構造15より優れた絶縁破壊耐性を有すること、および、本第1の実施形態の配線構造が第1のモードでのみ絶縁破壊することを明らかにしている。かかる試験結果を生じる理由は未だ明確にされていない。しかし、本発明の発明者は以下に述べるように、配線4’、4周囲の第1及び第2の絶縁層2、3中に生ずる電界の集中位置が移動することに起因すると推考している。図5は本発明の第1実施形態の電界強度分布図であり、配線4’、4図3に示す配線4’、4に垂直な面内における配線構造10周囲の電界強度の、シミュレート結果を表している。なお、図5中の配線4’に3.5Vを、その両側に隣接する配線4おらび基板1に0Vを印加している。図6は従来の配線構造15の電界強度分布図であり、配線4’、4に垂直な面内における比較例として用いた従来の配線構造15周囲の電界強度のシミュレート結果を表している。ここで、図5および図6中の小数の数値を付した曲線は等電界強度面を表す。また、付された数値は、その等電界強度面上の電界強度Exを、基準電界強度Eoで規格化した強度の対数、logEx/Eoとして表示したものである。なお、図を見やすくするために、配線4’、4周囲近傍の点線で囲まれた領域については、電界強度を表示していないこの領域の規格化された電界強度は6.2以下である。。図5および図6を参照して、電界強度が最大となる領域以下最大電界強度領域22’、22、23’、23という。は、規格された電界強度が6.4の等電界強度面で囲まれた領域であり、図5中に黒塗りの領域として表示した。この最大電界強度領域22’、22、23’、23は、断面矩形の配線4’、4の外側第1及び第2の絶縁層2、3の中にあって、配線4’、4の上隅B’、Bおよび下隅A’、Aの近くに形成される。配線4’、4の上隅B’、B近くに形成された最大電界強度領域22’、22は、本第1実施形態および比較例のいずれも、配線4’、4の外側の第2の絶縁層3中に、配線4’、4の上隅B’、Bに接してないし上隅B’、Bの極く近傍に形成される。一般的に、最大電界強度領域22’、22、23’、23の大きさは、その領域内の最大電界強度を表すとしてよい。図5および図6の上隅B’、B近傍の最大電界強度領域22’、22の大きさはほぼ同程度であるから,第1実施形態と比較例とで、上隅B’、B近傍の最大電界強度は大きな違いはない。なおこの点については後述する。これに対して、配線4’、4の下隅A’、A近くに形成された最大電界強度領域23’、23は、図5を参照して第1実施形態では、配線4’、4との間により弱い電界強度の領域規格化された電界強度が6.2および6.0の領域を挟み、配線4’、4の下隅A’、Aから離れた位置に形成される。一方、図6を参照して、比較例では、配線4’の下隅A’、A近くに形成された最大電界強度領域23’は、配線4’の下隅A’の極く近傍に形成される。なお、比較例では、配線4の下隅A近傍には最大電界強度領域は形成されない。以下に、この様子をより詳細に説明する。図7は本発明の第1実施形態の拡大断面図であり、配線4’の下隅A’近傍を表している。なお、図7aは図3に示す第1実施形態の配線4’を、図7bは図2に示す比較例の配線4’を表している。図7aを参照して、本発明の第1実施形態では、配線4’の下部を構成する密着層4bの側面に接して、帯状板状の誘電体層5が設けられる。図中、A’は配線4’の下隅4’を表し、A’-1は銅配線部4aと密着層4bとの界面が配線4’側面に表出する点A’-1を表し、D’およびD’-1は誘電体層5の配線4’に接しない側の側面の下隅D’および上隅D’-1を表している。この第1実施形態の最大電界強度領域23’は、誘電体層5の配線4’に接しない側の側面D’~D’-1下隅D’および上隅D’-1を結ぶ側面近くに形成される。他方、配線4’の下隅A’に高誘電率の誘電体層5が密接するため、下隅A’近傍の電界強度は緩和される。このため、最大電界強度領域23’は、配線4’から離れた位置にある誘電体層5の側面D’~D’-1近くに形成される。一方、図7bを参照して、比較例では、配線4’の下隅A’は、第1及び第2の絶縁層2、3と直接に接している。このため、配線4’の下隅A’の近傍に電界が集中して、下隅A’近傍に最大電界強度領域23’が形成される。配線4’に含まれるCuは、強い電界の下で第1及び第2の絶縁層2、3中に引き出され拡散する。かかるCuの拡散は、とくに表面ないし界面のような構造欠陥密度が高い領域で加速される。そのため、電界集中が生じた場所の近くに界面が存在すると、界面に沿ってCuが拡散して界面の欠陥を増加させ、界面に沿う放電路が容易に形成される。その結果、界面に沿って放電する第1のモードの絶縁破壊に至る。図8は本発明の第1実施形態のCu拡散経路を表す図であり、図8aはHAST試験開始から150時間経過した後の配線付近の断面のオージェ像を、図8bは図8a中に示す場所a白線の円で囲んだ領域、場所b第2の絶縁層3の断面および場所c配線4’の断面のEELS分析結果を表している。図8aを参照して、配線4’の左下隅から、始め左へ、ついで下方へ、最後に再び左へ、即ち、第1及び第2の絶縁層2、3の界面21に沿ってCuが拡散したことが観測された図8aの白い線状の図形。図8b中の線aを参照して、場所aのEELS分析結果は、拡散したCuが絶縁性のCuOになることを示している。従って、Cuの拡散は、界面21の導電性を高めるものではない。本発明の発明者は、Cuの拡散が放電を直接誘発するのではなく、Cuが欠陥密度の高い界面を拡散し、界面21に更なる欠陥が導入される結果、界面21がより放電路になり易く変質するためと推定している。なお、界面のある場所aから50nm上方の第2の絶縁層3中図8a中に示した場所bではCuは観測されず、Cuは界面21に沿って拡散することが明らかにされている。なお、線cは、酸化していないCuのスペクトルを参考のため示している。このCuが界面21に沿って拡散することを考慮して、再び図5および図7aを参照すると、第1実施形態の配線構造10では、最大の電界集中は誘電体層5の側面D’~D’-1に接した外側に発生し、最大電界強度領域23’を形成する。しかし、配線4’の下隅A’から、最大電界強度領域23’が形成される誘電体層5の側面D’~D’-1までの間は、規格化された電界強度が6.0程度と最大電界強度領域23’と比べて弱い。上述したように、Cuは配線4’の下隅A’正確には銅配線部4aの下隅A’-1から電界により引き出され、誘電体層5の上下面第1及び第2の絶縁層2、3との界面に沿って拡散し、誘電体層5の側面D’~D’-1まで拡散する。しかし、配線4’の下隅A’および誘電体層5の上下面の電界強度は弱いため、拡散速度は比較的遅い。このため、最大電界強度領域23’の強い電界により拡散速度が加速されるまで、長い拡散時間を必要とする。その結果、絶縁破壊に至る時間が長くなると、本発明の発明者は考察している。これに比べて比較例では、図6および図7bを参照して、最大の電界集中は配線4’の下隅A’に接してその外側に発生し、最大電界強度領域23’を形成する。この最大電界強度領域23’は、配線4’に接しているので、配線4’正確には銅配線部4aの下隅A’-1から容易にCuが引き出される。しかも、引き出されたCuは、最大電界強度領域23’内の強い電界により加速され、薄い密着層4bの側面A’-1とA’の間を短時間で拡散し、界面21に到達する。このように比較例では、配線4’と最大電界強度領域23’との間に、第1実施形態で形成されるような弱い電界領域が介在しないため、配線4’から界面まで最大電界強度領域23’の強い電界によりCu拡散が加速され、短い時間で絶縁破壊が進行する、と本発明の発明者は考察している。言い換えると、第1実施形態での絶縁破壊に至る時間が比較例と比べて長いのは、電界集中により生ずる最大電界強度領域23’が移動したことに起因すると考えている。即ち、最大電界強度領域23’が、比較例では配線4’に接して形成されるのに対し、第1実施形態では配線4’から離れて形成される。そのため、その間誘電体層5の上下面を拡散する間の拡散時間が長くなり、ひいては絶縁破壊を遅延させると考察している。次に、本発明の第1実施形態では、絶縁破壊が界面を放電路とする第1のモードに限定される理由について、本発明の発明者は以下のように推測している。再度図5および図6を参照して、第2の絶縁破壊モードは、隣接する配線4’、4の上隅B’、B間の放電として発生する。かかる第2のモードの絶縁破壊は、断面矩形であるべき配線4’、4が、製造途中で図2bに示すように上方が拡幅して形成されることで生ずると推測される。即ち、配線4’、4の上方が拡幅すると、上隅B’、Bの内角が鋭角になり、強い電界集中が生じ易い。また、隣接する配線の上隅B’Bの間隔も狭くなる。このため、Cuの拡散が生じ易くなり、短時間での絶縁破壊に至ると考えられる。なお、後述するように、かかる配線断面形状の変形は、例えば、銅配線部aを構成する銅めっき層14aを電界めっきで形成する際、銅めっき層14aを画定するレジストの開口が、開口上部が広がるように変形することで生ずる。従って、レジスト開口の下部の変形は小さく、開口下部で画定される配線4’、4底部の形状は殆ど変形しない。また、配線4’、4底部の間隔もほぼ一定に形成される。本第1実施形態では、配線4’、4の下隅A’、Aに接して、誘電体層5が設けられる。しかし、誘電体層5の体積は、配線4’、4間の第1及び第2の絶縁層2、3の体積と比較して極めて少ない。このため、配線4’と、隣接する配線4および基板1との間の浮遊容量は、誘電体層5の設置によっては殆ど変化せず、通常は製造工程のばらつきに起因して生ずる浮遊容量の変動より小さい。従って、電界強度のシミュレーションでは、配線4’から放出される電気力線の総数は、誘電体層5の有無により変わらないと見做してよい。一方、配線4’の下隅A’から放出される電気力線の数は、最大電界強度領域23’の大きさ表面積にほぼ比例するから、最大電界強度領域23’が大きな第1実施形態では多く、小さな比較例では少ない。従って、配線4’の上隅B’から放出する電気力線の数密度は、第1実施形態で少なく、比較例ではこれより大きくなる。簡潔にいえば、電気力線の本数は一定であり、その電気力線が、第1実施形態では比較例より配線4’下隅A’に集中するため、配線4’上隅B’で疎になり、上隅B’の電界強度が比較例より小さくなる。このため、配線4’、4上隅B’、B間の絶縁破壊モードが抑制されると、本発明の発明者は考察している。上述したように、誘電体層5は、配線4’下隅A’の電界を緩和すると同時に、誘電体層5の配線4’から遠い位置にある側面D’~D’-1に電界集中を生じさせる。これにより、配線構造10の絶縁破壊耐性が向上し、かつ絶縁破壊モードは1つに制限される。かかる絶縁破壊耐性の向上および破壊モードの制限が有効になされるには、配線4’下隅A’の十分な電界緩和および誘電体層5側面D’~D’-1への十分な電界集中がなければならない。かかる観点から、誘電体層5の誘電率および形状が設計される。具体的には、誘電体層5の誘電率は大きいことが望ましく、少なくとも第1及び第2の絶縁層2、3の誘電率より大きくなければならない。通常、第1及び第2の絶縁層2、3は3~8程度の誘電率の絶縁材料が多く用いられる。従って、誘電率が20以上の絶縁材料、例えばTi、Ta、W、Zr叉はCrの金属酸化物を用いることが好ましい。本第1実施形態では、Ti酸化物を誘電体層5の材料とした。後述するように、誘電体層5を、密着層4bの一部を酸化して形成することができる。これにより、誘電体層5を容易に形成することができる。なお、その他の方法により、誘電体層5を形成してもよい。誘電体層5は、薄い板状の形状を有し、その上下の主面がそれぞれ第1および第2の絶縁層2に接するように配設されることが好ましい。薄い板状とすることで、配線4’から十分離れた位置配線4’から離れた側の誘電体層の側面D’~D’-1に強い電界集中を起こさせることができる。誘電体層4の好ましい形状および寸法は、誘電体層5の誘電率により異なり、誘電率に応じて適切に設計されねばならない。例えば、酸化チタンからなる誘電体層4では、厚さ10~50nm、幅が厚さの1.5倍以上とすることが好ましく、さらに、厚さ10~20nm、幅50~100nmとすることが好ましい。なお、誘電体層4が薄すぎると、配線4’下隅の電界緩和が不十分になり、優れた放電破壊耐性が得られない。厚すぎると、側面D’~D’-1近傍の電界強度が十分に強くならず、放電破壊モードの混在を防止することができない。また、誘電体層4の幅が狭すぎると、電界集中位置が配線に近くなり、放電破壊耐性が劣化する。広すぎると、隣接する配線4’、4に密接する誘電体層4間の間隔が狭くなり、放電破壊耐性が劣化する。以下、上述した第1実施形態の配線構造10の製造工程を説明する。図9~図12は本発明の第1実施形態の配線構造の製造工程断面図その1~その4であり、製造途中の配線構造を表している。図9aを参照して、まず、支持基体となる基板1、例えばシリコン基板を準備する。次いで、基板1上面に、第1の絶縁層2、密着層4bおよびシード層4cを順次積層した。第1の絶縁層2には、ポジ型の感光性フェノール系樹脂JSR株の製品名WPRseriesを用いた。なお、非感光性の樹脂、例えばポリイミドを用いても良い。密着層4bには、スパッタにより形成された厚さ50nmのTi膜を用いた。なお、薄い誘電体層5を形成するために、厚さ5~20nmのTi膜を密着層4bとすることがより好ましい。シード層4cには、スパッタにより形成された厚さ20~100nmのCu層を用いた。なお、密着層4bおよびシード層4cを他の方法、例えばCVD法または無電界めっきにより形成してもよい。さらに、密着層4bを、Ta、W、Zr並びにCrまたはそれらの合金並びに窒化物から形成することもできる。次いで、図9bを参照して、シード層4c上に例えば厚さ3000nmのレジスト41を塗布し、露光、現像して幅2160nmの溝状の開口41aを4000nmピッチで開設した。露光はステッパまたはコンタクトアライナを用い、現像はTMAH水酸化テトラメチルアンモニウムを用いた。必要ならば、その後、レジスト41表面の親水化処理を行う。その後、レジストのポストベーキングを行った。このポストベーキング工程により、レジスト41の開口41a上部が拡幅するように変形することがある。かかる変形が大きいと,図2bに示すように、上部が広がった配線4’、4が形成されやすい。その結果、配線4’、4上隅B’、B間を放電路とする絶縁破壊を誘致しやすい。他方、開口41aの底面の幅は、露光現像により形成された幅から殆ど変形しない。従って、配線4’、4の底面の幅の変動は僅かで、その変動が絶縁破壊耐性に及ぼす影響は小さい。次いで、図10cを参照して、シード層4cを一方の電極とする電解めっきにより、レジスト41の開口41aを埋め込む厚さほぼ2000nmの銅めっき層14aを形成した。電解めっき液として、硫酸銅めっき浴を用いた。なお、銅めっき層14aは、開口41aを銅層で埋め込む他の方法、例えば無電解めっきにより形成することもできる。次いで、図10dを参照して、レジスト41を、例えはNMPn-メチル-2ピロリドンまたはアセトン等の有機溶剤を用いて除去する。次いで、レジスト41を除去した領域に表出するシード層4c、およびその直下の密着層4bを、銅メッキ層14aをマスクとしてエッチング除去した。シード層4cは、硫酸カリウム溶液をエッチャントとするエッチングにより除去した。他に、シード層4cのエッチャントとして、塩化鉄または過硫酸アンモニウム溶液を用いることができる。密着層4bは、フッ化アンモニウム溶液をエッチャントとするエッチングにより除去した。他に、密着層4bの除去には、例えは4フッ化メタンをエッチングガスとするドライエッチングを用いることもできる。次いで、酸素ガスをエッチングガスとするドライエッチングを用いて、銅めっき層14aの間に表出する第1の絶縁層2の表面を深さ800nmエッチングした。その結果、図11eを参照して、第1の絶縁層2は、銅めっき層14aの間に表出する表面が掘り下げられて、凹部2aが形成される。同時に、銅めっき層14a直下の表面はそのまま残され、凸部2bとなる。従って、第1の絶縁層2の表面に、幅1840nmの凹部2aおよび幅2160nmの凸部2bが交互にラインアンドスペース状に形成される。次いで、図11fを参照して、硫酸カリウム溶液をエッチャントするウエットエッチングにより、銅めっき層14aおよびシード層4cの表出面をエッチングした。エッチング量はほぼ誘電体層4の幅であり、例えは80nmとした。その結果、銅めっき層14aおよびシード層4cの積層からなる、幅2000nmの銅配線部4aが形成された。このとき、銅配線部4aの両側面の外側に、密着層4bの一部が表出する。次いで、図12gを参照して、酸素ガスをエッチングガスとするドライエッチングを用いて、銅配線部4aの表出面および銅配線部4aの外側に表出する密着層4bを酸化する。これにより、密着層4bの銅配線部4aの外側に表出する部分が酸化され、例えば酸化チタンからなる誘電体層5へ変換される。また、銅配線部4aの表出面上面および側面が酸化され、銅の酸化物層4oxが形成される。次いで、図12hを参照して、希硫酸をエッチャントとするエッチングにより、銅配線部4aの表面に形成された酸化物層4oxを除去した。この酸化物層4oxは薄く、通常は、酸化物層4oxの形成による銅配線部4aの寸法変化を無視することができる。次いで、無電解めっきにより、銅配線部4aの表出面に厚さ20nmのCoWPからなる銅拡散防止膜6を形成した。なお、銅拡散防止膜6として、NiP無電解めっき膜を用いてもよく、さらに窒化シリコン系のCVD膜を用いてもよい。次いで、第1の絶縁層2上に、感光性フェノール系樹脂からなる第2の絶縁層3を形成した。上記工程を経て、図3を参照して説明した本発明の第1実施形態の配線構造10が製造された。本発明の第2実施形態は、第1の絶縁層の表面が平坦な配線構造に関する。図13は本発明の第2実施形態の配線構造の断面図であり、セミアディティブ法を用いたビルドアップ工法により製造された多層配線基板の配線構造のうち、HAST試験用として作製された部分の配線構造11を表している。この部分の配線構造10の平面形状は、図1に示すHAST試験用配線の平面形状と同様である。図13を参照して、本第2実施形態の配線構造11は、第1の絶縁層2上面が平坦であることを除き、他は第1実施形態の配線構造10と同様である。即ち、第1の絶縁層2上面に、第1の実施形態の配線構造10ような凹部2a及び凸部2bが形成されない。この配線構造11では、配線4’、4の形状およびその周囲の誘電率第1及び第2の絶縁層2、3から構成されるは第1実施形態と同様である。従って、配線構造11における電界強度分布は、図5に示す第1実施形態の電界強度分布と同じになる。このため、第1実施形態と同様に、優れた絶縁破壊耐性と単一の絶縁破壊モードとが実現される。しかし、本第2実施形態では、第1及び第2の絶縁層2、3の界面21は平坦に形成されているから、界面21が凹部2a表面を含む第1実施形態に比べて配線4’、4間に延在する界面21が短い。この界面の短い分だけ、絶縁破壊耐性が劣化する。それにもかかわらず、この劣化は多くの場合、誘電体層5の設置による絶縁破壊耐性の向上分より小さい。従って、従来例に比べて優れた絶縁破壊耐性が実現される。以下、本第2実施形態の配線構造の製造工程を説明する。図14~図15は本発明の第2実施形態の配線構造の製造工程断面図その1~その2であり、製造途中の配線構造を表している。本第2実施形態の配線構造11の製造工程は、途中まで図9~図10dに示す第1実施形態の配線構造10の製造工程と同一である。即ち、図10dを参照して、図10dまでの工程により幅2160nmのライン状に製造された密着層4b、シード層4cおよび銅めっき層14aの積層構造が第1の絶縁層2上に形成される。次いで、硫酸カリウム溶液をエッチャントするウエットエッチングにより、銅めっき層14aおよびシード層4cの表出面をエッチングして厚さ80nmを除去した。これにより、図14aを参照して、シード層4cおよび銅めっき層14aの積層からなる幅2000nmの銅配線部4aが形成された。この銅配線部4aの両側外側に、幅80nmの密着層4bが表出する。次いで、図14bを参照して、酸素ガスをエッチングガスとするドライエッチングを用いて、銅配線部4aの表出面および銅配線部4aの外側に表出する密着層4bを酸化した。その結果、銅配線部4aの外側に表出する密着層4bは酸化されて酸化チタンからなる誘電体層5へ変換され、同時に銅配線部4aの表出面に銅の酸化物層4oxが形成される。次いで、図15cを参照して、酸化物層4ox図14c参照をエッチングして除去する。その後、図15dを参照して、第1実施形態と同様に、銅配線部4aの表出面に厚さ20nmのCoWP無電解めっき膜からなる銅拡散防止膜6を形成した。次いで、第1の絶縁層2上に第2の絶縁層3を形成して、図13に示した第2実施形態の配線構造11を製造した。本第2実施形態では、凹部2aの形成工程がないので、製造工程が簡略である。一方、第1実施形態とほぼ同様の絶縁破壊耐性と、単一の絶縁破壊モードが実現される。本発明の第3実施形態は銅配線部4aのエッチング工程を省略して製造された配線構造12に関する。図16は本発明の第3実施形態の配線構造の断面図であり、図16aは配線構造2の配線4’、4に垂直な断面構造を、図16bは図16aの配線4’の一部を拡大して表している。図16を参照して、本第3実施形態の配線構造12は、誘電体層5の幅が狭いこと、誘電体層5および密着層4bが薄いことを除き、他は第2実施形態と同様である。即ち、第3実施形態の配線構造12では、第2実施形態の配線構造11と比べて、誘電体層5の幅が狭く、例えば幅30nmである。また、誘電体層5の厚さも薄く、例えば10nmとする。同様に、密着層4bの厚さも誘電体層5と同じく例えば10nmとされる。かかる構造の配線構造12は、第1及び第2実施形態と同様に、優れた絶縁破壊耐性と、単一の絶縁破壊モード特性を有する。図17~図18は本発明の第3実施形態の配線構造の製造工程断面図その1~その2であり、製造途中の第3実施形態の配線構造12の断面構造を表している。本第3実施形態の配線構造12の製造工程は、途中までは第1実施形態の図9~図10dに示した工程と同様である。ただし、図10dを参照して、銅めっき層14aおよびシード層4cの幅を、例えば2060nmと第1実施形態より狭く形成する。その結果、図17aを参照して、平坦な第1絶縁層2の上面に、密着層4bを介して積層された銅めっき層14aおよびシード層4cからなる幅2060nmの積層体が形成される。次いで、図17bを参照して、例えば酸素プラズマに暴露して、銅メッキ層14aおよびシード層の表出面を酸化して、例えば厚さ30nmの銅の酸化物層4oxを形成する。同時に、密着層4bの両側面が酸化され、例えば幅30nm、厚さ10nmの密着層の酸化物、例えば酸化チタンからなる誘電体層5が形成される。この工程で、銅めっき層14aおよびシード層4cの積層体は、幅2000nmの銅配線部4aに形成される。この銅配線部4aは、その底面の密着層4bとともに配線4’、4を構成する。次いで、図18cを参照して、銅配線部4aの表面に形成された酸化物層4aをエッチングして除去した。次いで、図18dを参照して、銅配線部4aの表出面に、例えば無電解めっきにより厚さ20nmのCoWPからなる銅拡散防止膜を形成した。この第3実施形態では、第1および第2実施形態で必要とされる銅配線部4aのエッチング工程が不要なので、工程が簡素化される。本発明の第4実施形態は、ダマシン法により形成される配線構造13に関する。図19は本発明の第4実施形態の配線構造の断面図であり、図19aはダマシン法を用いたビルドアップ工法により製造された多層配線基板の配線構造13のうち、HAST試験用として作製された部分を表している。図19bは図19aに示す配線4’の上隅近傍の拡大断面を表している。図19aを参照して、第4実施形態の配線構造13では、基板1上面に設けられた第1の絶縁層2の上面に配線溝31が形成され、その配線溝31を埋め込む例えば幅2000nm、厚さ高さ2000nmの配線4’、4が形成されている。配線4’、4は、銅または銅合金からなる銅配線部4aと、銅配線部4aの側面および底面を被覆する密着層5とから構成される。密着層5は第1実施形態と同じ材料からなる、例えば厚さ10nmのTi膜とすることができる。図19bを参照して、配線4’の上面銅配線部4aの上面は、配線溝31の開口面配線溝31の外側に延在する第1及び第2の絶縁層2、3の界面21より例えば30nm低く形成されている。また、密着層4bの上側面図中のB’~B’-1間を結ぶ平面も配線4’の上面とおなじ高さに位置する。なお、図19b中、符号B’、B’-1は、それぞれ配線4’の上隅B’即ち、密着層4bの銅配線部4aから離れた側の上隅および銅配線部4aの上隅B’-1即ち、密着層4bの銅配線層4aと接する側の上隅を表している。さらに、密着層4bの上側面に接して、その上方に延在する配線溝31の側壁面上に、誘電体層5が設けられる。この誘電体層5は、配線4’に沿って帯状に延在する板状の誘電体から構成される。また、誘電体層5の厚さ、幅および材料は、第1~第3実施形態と同様である。銅配線部4aの上面に、第1実施形態と同様の材料および厚さを有する銅拡散防止膜6が形成される。なお、必要なければ、銅拡散防止膜6はなくてもよい。さらに、配線4’、誘電体層5および銅拡散防止膜6を被覆し、配線溝31の外側に延在する第1の絶縁層2の上面を被覆する第2の絶縁層3が設けられる。この第2の絶縁層3は、第2の絶縁層3がなければ表出する銅拡散防止膜6の上面または銅配線部4’の上面、第2の絶縁層3がなければ表出する誘電体層5の主面並びに上側面、第2の絶縁層3がなければ表出する第1の絶縁層2の上面に接して被覆し、これらの面に界面を形成するように設けられる。なお、ここまで配線4’に関する構造について説明したが、配線4についても同様である。また、第1及び第2の絶縁層2、3、密着層5および基板1の材料も第1実施形態と同様としてよい。本第4実施形態の配線構造13では、電界集中が、配線4’、4から離れた位置、即ち誘電体層の上側面E’~E’-1を結ぶ面近傍に生ずる。このため、配線構造13は、第1実施形態と同様の優れた絶縁破壊耐性を有するとともに、絶縁破壊モードも配線4’、4の上隅B’、B間を放電路とするものに制限される。以下、第4実施形態の配線構造13の製造工程を説明する。図20~図22は本発明の第4実施形態の配線構造の製造工程断面図その1~その3であり、ダマシン工程により製造される途中の配線構造13を表している。図20aを参照して、第4実施形態の配線構造13では、初めに、基板1上に感光性樹脂からなる第1の絶縁層2を形成し、その後、第1の絶縁層2を露光現像して、配線4’、4を画定する深さ2030nmの配線溝31を形成する。次いで、図20bを参照して、配線溝31の内壁面および第1の絶縁層2の上面を被覆する、例えば厚さ10nmのTi膜からなる密着層4bを形成する。この密着層4bは、例えばスパッタまたはCVDにより形成することができる。また、Tiに限らず、銅叉は銅合金との密着性を向上させる材料、例えばTi、Ta、W、Zr、Crからなる金属膜またはそれらの金属の合金膜、あるいはこれらの金属または合金の窒化膜をもちいることができる。次いで、配線溝31を埋め込み、第1の絶縁層2の上面に延在する銅層32を形成する。この銅層32は、例えばCVD法、無電解めっきまたは第1~第3実施形態と同様に電解めっきにより形成することができる。次いで、図21cを参照して、CMP化学機械的研摩を用いて、第1の絶縁層の上面が表出するまで銅層32を研摩する。その結果、配線溝31内に埋め込まれた銅層32からなる銅配線部4aが形成され、銅配線部4aとその側面および底面を被覆する密着層4bとからなる配線4’、4が形成される。次いで、図21dを参照して、酸素ガスをエッチングガスとするドライエッチングを用いて、配線4’、4の上面表出面を酸化する。これにより、銅配線部4aの上面が例えば30nmの深さまで酸化され、酸化物層4oxに変換される。同時に、密着層4bの上端から深さ30nmまでの間が酸化され、例えば酸化チタンからなる誘電体層5に変換される。次いで、図22eを参照して、酸化物層4oxをエッチングで除去する。次いで、図22fを参照して、酸化物層4oxを除去した領域に表出する銅配線部4aの上面に、例えば厚さ20nmのCoWPからなる銅拡散防止層6を形成した。次いで、図19を参照して、この上に第2の絶縁層3を形成して、本発明の第4実施形態の配線構造13が製造される。上述した第4実施形態の配線構造13の図21に示す製造工程において、図21eに示す工程で配線4’、4を形成した後、図21fに示す酸化物層4oxおよび誘電体層5を形成する前に、銅配線部4aの上面をエッチングして除去することもできる。その後、表出する銅配線部4aおよび密着層4bを酸化して、酸化物層4oxおよび誘電体層5を形成する。このように銅配線部4aの上面を予めエッチングすることで、銅配線部4a上面を浅く酸化しても、広い幅の誘電体層5を確実に形成することができる。その結果、電界集中領域をより確実に配線4’、4から遠ざけることができ、絶縁破壊耐性をより高めることができる。"