少なくとも1つの熱伝導性材料から形成された冷却部材16を具備し、上部接触面22及び下部接触面24を有する少なくとも1つの電子デバイスパッケージ20を直接冷却するヒートシンク10において、前記冷却部材16は、冷却剤を受け取るように構成された少なくとも1つの入口マニホルド30と、前記冷却剤を排出するように構成され、前記入口マニホルドと交互に配置され、前記入口マニホルドと共に螺旋状配列で配設された少なくとも1つの出口マニホルド32と、放射状配列で配設され、前記入口マニホルド30から前記冷却剤を受け取り、前記冷却剤を前記出口マニホルド32へ送り出すように構成された複数のミリチャネル34とを画成し、前記ヒートシンク10が一体型ヒートシンク10を構成するように、前記ミリチャネル34、前記入口マニホルド30及び前記出口マニホルド32は、前記電子デバイスパッケージ20の前記上部接触面22及び下部接触面24のうち少なくとも一方を前記冷却剤と直接接触させることによって直接冷却するようにさらに構成されるヒートシンク10。複数の電子デバイスパッケージ20を直接冷却するために、前記冷却部材16は第1の面2及び第2の面4を有し、前記ミリチャネル34、前記入口マニホルド30及び前記出口マニホルド32のうち第1の組のミリチャネル、入口マニホルド及び出口マニホルドは前記冷却部材16の前記第1の面2に形成され、前記ミリチャネル34、前記入口マニホルド30及び前記出口マニホルド32のうち第2の組のミリチャネル、入口マニホルド及び出口マニホルドは前記冷却部材16の前記第2の面4に形成され、前記第1の組のミリチャネル34、入口マニホルド30及び出口マニホルド32は、前記電子デバイスパッケージ20のうち1つの電子デバイスパッケージの上部接触面22を前記冷却剤と直接接触させることによって直接冷却するように構成され、前記第2の組のミリチャネル34、入口マニホルド30及び出口マニホルド32は、前記電子デバイスパッケージ20のうち別の電子デバイスパッケージの下部接触面24を前記冷却剤と直接接触させることによって直接冷却するように構成される、請求項1記載のヒートシンク10。前記第1の組の前記螺旋状入口マニホルド30の位置は前記第2の組の前記螺旋状入口マニホルド30に対してずれており、前記第1の組の前記螺旋状出口マニホルド32の位置は前記第2の組の前記螺旋状出口マニホルド32に対してずれている、請求項2記載のヒートシンク10。前記ミリチャネル34の横断面並びに前記入口マニホルド30及び前記出口マニホルド32の横断面は、丸形、円形、台形、三角形及び矩形の横断面より成る群から選択される、請求項1記載のヒートシンク10。前記入口マニホルド30、前記出口マニホルド32及び前記ミリチャネル34は、冷却されるべき前記電子デバイスパッケージ20の前記上部接触面22及び前記下部接触面24の各々へ前記冷却剤を均一に送り出すように構成される、請求項1記載のヒートシンク10。前記冷却部材16は、ガスケット304を受け入れるための溝302をさらに画成する、請求項1記載のヒートシンク10。前記冷却部材16の周囲付近にある前記放射状ミリチャネル34の数は、前記冷却部材16の中心付近にある前記放射状ミリチャネル34の数より多い、請求項1記載のヒートシンク10。前記冷却部材16は、前記入口マニホルド30に前記冷却剤を供給するように構成された入口分配チャンバ36と、前記出口マニホルド32から前記冷却剤を受け取るように構成された出口チャンバ38と、前記入口分配チャンバ36に前記冷却剤を供給するように構成された入口プレナム40と、前記出口チャンバ38から前記冷却剤を受け取るように構成された出口プレナム42とをさらに画成する、請求項1記載のヒートシンク10。前記入口分配チャンバ36及び前記入口プレナム40は直線状に配列され、前記出口チャンバ38及び前記出口プレナム42は直線状に配列される、請求項8記載のヒートシンク10。前記入口分配チャンバ36及び前記入口プレナム40は互いに垂直に配置され、前記出口チャンバ38及び前記出口プレナム42は互いに垂直に配置される、請求項8記載のヒートシンク10。従って、プレスパックデバイスを使用するパワーコンバータスタックの熱性能及び実装を改善することが望ましい。さらに詳細には、信頼性の向上及び/又は高い電力密度を実現するために半導体接合部から液体への熱インピーダンスを減少することが望ましい。さらに、高い保全性を得るためにスタック構体構造を相対的に単純化することが望ましい。本発明の1つの態様は、上部接触面及び下部接触面を有する少なくとも1つの電子デバイスパッケージを直接冷却するヒートシンクにある。ヒートシンクは、少なくとも1つの熱伝導性材料から形成された冷却部材を具備し、冷却部材は、冷却剤を受け取るように構成された少なくとも1つの入口マニホルドと、冷却剤を排出するように構成された少なくとも1つの出口マニホルドとを画成する。入口マニホルド及び出口マニホルドは交互に配置され、螺旋状配列で配設される。冷却部材は、放射状配列で配設された複数のミリチャネルをさらに画成し、ミリチャネルは、入口マニホルドから冷却剤を受け取り、出口マニホルドへ冷却剤を送り出すように構成される。ヒートシンクが一体型ヒートシンクを構成するように、ミリチャネル、入口マニホルド及び出口マニホルドは、電子デバイスパッケージの上部接触面及び下部接触面のうち一方を冷却剤と直接接触させることによって直接冷却するようにさらに構成される。図1~図10を参照して、少なくとも1つの電子デバイスパッケージ20を直接冷却するヒートシンク10を説明する。例えば図1に示されるように、例示的な電子デバイスパッケージは上部接触面22及び下部接触面24を有する。ヒートシンクは、少なくとも1つの熱伝導性材料から形成された冷却部材16を具備する。例えば図2及び図3に示されるように、冷却部材16は、冷却剤を受け取るように構成された少なくとも1つの入口マニホルド30と、冷却剤を排出するように構成された少なくとも1つの出口マニホルド32とを画成する。例えば図2及び図3に示されるように、入口マニホルド30及び出口マニホルド32は交互に配置され、螺旋状配列で配設される。例えば図2及び図3に示されるように、冷却部材16は、放射状配列で配設された複数のミリチャネル34をさらに画成し、ミリチャネル34は、入口マニホルド30から冷却剤を受け取り、出口マニホルド32へ冷却剤を送り出すように構成される。ヒートシンク10が一体型ヒートシンク10を構成するように、ミリチャネル34、入口マニホルド30及び出口マニホルド32は、電子デバイスパッケージ20の上部接触面22及び下部接触面24のうち一方を冷却剤と直接接触させることによって直接冷却するようにさらに構成される。さらに詳細には、上部接触面22及び下部接触面24のうち冷却すべき一方の面を冷却剤と直接接触させることによって冷却するために、マニホルド30、32及びミリチャネル34は、上部接触面22及び下部接触面24のうち一方の面に近接して配設される。さらに特定された実施形態によれば、入口マニホルド30、出口マニホルド32及びミリチャネル34は、冷却されるべき電子デバイスパッケージ20の上部接触面22及び下部接触面24のうち一方の面へ均一に冷却剤を送り出すように構成される。従って、ヒートシンク10は、冷却剤と直接接触させることによって電子デバイスパッケージ20を冷却するという意味で電子デバイスパッケージ20と一体である。言い換えれば、一体型ヒートシンク10のミリチャネル34、入口マニホルド30及び出口マニホルド32は電子デバイスパッケージ20に面する側で開放されているので、ミリチャネル34を通って流れる冷却剤は電子デバイスパッケージ20と直接接触可能ということになる。従来の内蔵型ヒートシンクでは、冷却剤はヒートシンク内部に収容されるため、必然的にヒートシンクケースを介して間接的にデバイスを冷却しなければならないので、本発明の構成は従来の内蔵型ヒートシンクと比較して明らかに改善されている。従来のように別の熱伝達層を介することがないので、本発明の一体型ヒートシンク10は電子デバイスの冷却効率を向上できる。冷却部材16は多様な熱伝導性材料から形成可能である。材料の例は銅、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、チタン、銅合金、ニッケル合金、モリブデン合金、チタン合金、炭化ケイ素アルミニウムAlSiC、アルミニウムグラファイト及び窒化ケイ素セラミックなどであるが、それらに限定されない。冷却部材16は鋳造及び/又は機械加工可能である。例えば、冷却部材16を鋳造し、その後に微細な特徴及び要求される表面形状を画成するために機械加工することが可能である。冷却剤の例は脱イオン水及び他の非導電性液体であるが、それらに限定されない。特定の実施形態の場合、マニホルド30、32の直径は放射状ミリチャネル34の直径より大きい。限定的ではない一実施例において、ミリチャネルの幅は約0.5mm~約2.0mmの範囲であり、ミリチャネルの深さは約0.5mm~約2mmの範囲である。特に、ミリチャネルの太さは半導体における均一な圧力分布を保証するように判定されてもよい。半導体の圧力分布をさらに均一にすることにより、半導体の性能の劣化は起こりにくくなる。さらに、放射状ミリチャネル34及びマニホルド30、32は、丸形、円形、台形、三角形及び正方形/長方形の横断面形状を含む種々の横断面形状を有することができるが、形状はそれらに限定されない。ミリチャネルの形状は用途及び製造上の制約に基づいて選択され、適用可能な製造方法並びに冷却剤の流れに影響を及ぼす。ヒートシンク10に放射状ミリチャネル34を組み込むことにより、半導体デバイス20から冷却剤への熱伝導表面積が大幅に拡大されるという利点が得られる。図示される構成において、入口マニホルド30及び出口マニホルド32は螺旋状配列で配設される。本明細書において使用される場合の用語螺旋状配列は、図示される実施例に示される完全な螺旋とは異なるマニホルドの配列も含むと理解されるべきである。例えばマニホルドはより大きな曲率を有してもよい。図2及び図3に示される実施例の螺旋状配列の場合、入口マニホルド30及び出口マニホルド32は同一の方向に巻いた螺旋であるが、180°ずれている。この螺旋状配列は、マニホルドを形成するために必要とされる製造工程の数を大幅に減らすという利点を有する例えば図2及び図3の構成の場合に必要とされる製造工程は2つだけである。図2及び図3に示される実施例の構成の場合、冷却部材16は、Oリングなどのガスケット304図6を参照を受け入れるための溝302をさらに画成する。図10に示されるように、ガスケット304は、隣接する電子デバイスパッケージ20に対してヒートシンク10を密封するために使用される。図6及び図7に示される実施例の構成の場合、冷却部材16は、入口マニホルド30に冷却剤を供給するように構成された入口分配チャンバ36と、出口マニホルド32から冷却剤を受け取るように構成された出口チャンバ38とをさらに画成する。冷却部材16は、入口分配チャンバ36に冷却剤を供給するように構成された入口プレナム40と、出口チャンバ38から冷却剤を受け取るように構成された出口プレナム42とをさらに画成する。図8に示される実施例の構成の場合、入口分配チャンバ36及び入口プレナム40は直線状に配列され、出口チャンバ38及び出口プレナム42は直線状に配列される。本明細書において使用される場合の用語直線状には、それぞれ対応するプレナム40、42に対するチャンバ36、38の向きが互いに/-10°の範囲内にある場合を含むと理解されるべきである。図8は、それぞれ対応するプレナム40、42に対するチャンバ36、38の直線状配列を示す反転モデルである。しかし、図8には出口チャンバ38の端部しか示さない。同様に、図9に示される実施例の構成の場合、入口分配チャンバ36と入口プレナム40とは互いに垂直に配置され、出口チャンバ38と出口プレナム42とは互いに垂直に配置される。本明細書において使用される場合の用語互いに垂直には、それぞれ対応するプレナム40、42に対するチャンバ36、38の向きが互いに90°/-10°の範囲内にある場合を含むと理解されるべきである。図9は、それぞれ対応するプレナム40、42に対するチャンバ36、38の垂直配置を示す反転モデルである。冷却剤の入口プレナム40と出口プレナム42とを同一の面に配置することにより、流体接続が簡単になるという利点が得られる。例えば、この構成では、流体の供給及び排出のために4つの穴をあけなければならないが、そのうち2つの穴は後にふさがれる。動作中、冷却剤は入口プレナム40を介してヒートシンク10に供給される。その後、冷却剤は入口分配チャンバ36に流入し、そこで図6、図7及び図9に示されるように入口マニホルド30に分配される。ミリチャネル34を通って図6、図7及び図9を参照出口チャンバ38に到達した後、例えば図6及び図7に示されるように、冷却剤は出口マニホルド32から出口プレナム42へ排出される。図4は、放射状ミリチャネル34の横断面を示す。図5は、圧力降下を減少し、それに対応して冷却効率を改善するのを容易にするために放射状ミリチャネルの数を多くするための構造を示す。さらに詳細には、図5に示される実施例の構成の場合、冷却部材16の周囲付近にある放射状ミリチャネルの数は冷却部材16の中心付近にある放射状ミリチャネルの数より多い。この構成により、スペース及び機械加工に関わる所定の制約に対して、組み込める放射状ミリチャネルの数を増加することができる。例えば図2及び図3に示されるようにミリチャネル及び入口/出口マニホルドを1つの冷却部材16に組み込むことにより、組み立て処理が簡単になるという利点が得られる。特に、1つの冷却部材16を使用することにより、2つの構成要素を接合する必要がなくなる。接合の代わりに、Oリング構体などのガスケット304図10を参照を使用してヒートシンク10を隣接する電子デバイスパッケージ20に対して密封できるので、隣接する構成要素の間に頑丈で単純なシールが形成される。図1~図10を参照して説明した例示的な実施形態において、上部接触面22及び下部接触面24の横断面は円形であってもよく、冷却部材16は円筒形すなわち円板又はホッケーのパック形構造であってもよい。しかし、正方形及び長方形の横断面を含む他の形状も使用可能であり、横断面の形状はそれらに限定されない。図1に示される実施例の構成の場合、電子デバイスパッケージ20はプレスパッケージ20である。本発明は特定のデバイス構造に限定されないが、便宜上、以下の説明においてはプレスパッケージ構成を例にとる。本実施例において、プレスパッケージ20は、ウェハ23上に形成された少なくとも1つの半導体デバイス21と、上部熱膨張率CTE整合プレート25及び下部CTE整合プレート27と、上部電極28及び下部電極29とを具備する。例えば図1に示されるように、ウェハ23はCTEプレート25、27の間に配設され、上部電極28は上部CTEプレート25の上に配設され、下部CTEプレート27は下部電極29の上に配設される。プレスパッケージの実施形態の場合、ウェハ23、CTEプレート25、27及び電極28、29は円形の横断面を有してもよい。半導体デバイスの例はIGCT、GTO及びIGBTなどであるが、それらに限定されない。本発明は、ケイ素Si、炭化ケイ素SiC、窒化ガリウムGaN及びヒ化ガリウムGaAsなどを含む種々の半導体から製造された半導体デバイスに適用可能であるが、半導体はそれらに限定されない。例えば図1に示されるように、通常、プレスパッケージは断熱例えばセラミック筐体26を含む。図1ではヒートシンク10は筐体26の外側に延出するように示されているが、他の実施形態において、ヒートシンク10の本体冷却部材16は筐体26の内部に配設される。さらに、電極28、29は、例えば電極28及び29の外周部と筐体26との間にコンプライアントシールが配設された状態で筐体26の境界を越えて垂直方向に延出してもよい。さらに、電気接続を可能にし、冷却の必要がある他のデバイスを配置するために、ヒートシンク10は筐体の外側まで延出してもよい図示せず。従って、冷却部材16は筐体26より大きい直径を有してもよい。尚、図1に示される特定の構成は単なる例であり、特定の用途に応じて、あらゆる数の電子デバイスパッケージ20及びそれらの電子デバイスパッケージを冷却するための対応する数のヒートシンク10が所定のスタックとして取り入れられてもよい。本発明の多くの利点のうち1つは、所望の数のデバイスパッケージを冷却できるという融通性及びモジュール性である。さらに、ヒートシンク10は片面又は両面のいずれであってもよい。例えば、図7に示される構成の場合、ヒートシンク10は片面ヒートシンクとして示されるが、図6及び図10に示されるヒートシンク10は両面ヒートシンクである。両面ヒートシンクは、例えば図10に示されるように複数の特に2つの電子デバイスパッケージ20を直接冷却するように構成される。図6に示されるように、両面ヒートシンク300の冷却部材16は第1の面2及び第2の面4を有する。第1の組のミリチャネル34、入口マニホルド30及び出口マニホルド32は冷却部材16の第1の面2に形成され、第2の組のミリチャネル34、入口マニホルド30及び出口マニホルド32は冷却部材16の第2の面4に形成される。第1の組のミリチャネル34、入口マニホルド30及び出口マニホルド32は、電子デバイスパッケージ20のうち1つのデバイスパッケージの上部接触面22を冷却剤と直接接触させることによって直接冷却するように構成される。同様に、第2の組のミリチャネル34、入口マニホルド30及び出口マニホルド32は、別の電子デバイスパッケージ20の下部接触面24を冷却剤と直接接触させることによって直接冷却するように構成される。図6は、両面ヒートシンクの入口マニホルド及び出口マニホルドの位置が互いにずれている構成を示す。図6に示されるように、第1の組の螺旋状入口マニホルド30の位置は第2の組の螺旋状入口マニホルドに対してずれている。同様に、第1の組の螺旋状出口マニホルドの位置は第2の組の螺旋状出口マニホルドに対してずれている。さらに詳細には、第1の組の螺旋状入口マニホルドは第2の組の螺旋状出口マニホルドに対向するように位置決めされる。同様に、第1の組の螺旋状出口マニホルドは第2の組の螺旋状入口マニホルドに対向するように位置決めされる。この位置ずれ構成にはいくつかの利点がある。第1の冷却面で高温流体を搬送する螺旋状マニホルド出口マニホルドを他方の冷却面の低温流体を搬送する螺旋状マニホルド入口マニホルドに対向させて位置決めすることにより、入口マニホルドと出口マニホルドを整列させる場合と比較してマニホルドの熱拡散が改善される。さらに、位置ずれ構成は冷却剤の速度及び圧力分布を改善し、それらの利点はすべてヒートシンクの性能の向上に寄与する。ヒートシンク10は、従来の電子デバイスの冷却と比較して熱伝達が改善されるという利点を有する。従来のヒートシンクはプレスパッケージと一体ではなく内蔵型であったため、冷却剤は電子デバイスと接触せず、ヒートシンクの内部に収容されていた。従って、従来のヒートシンクは、通常は熱グリース層を介してプレスパッケージに結合されるケースを含むため、熱抵抗が増加していた。すなわち、従来のヒートシンクは別に熱伝達層ケースを含み、それらの層が熱伝達を阻害する。これに対し、本発明のヒートシンク10はプレスパッケージと一体に配設され、冷却剤と直接接触させることによって電子デバイスを直接冷却するので、熱伝達効率は向上する。さらに、交互に配置された螺旋状の入口マニホルド及び出口マニホルドは、冷却すべきデバイスの表面に均一に冷却剤を供給し、一体型ヒートシンクのミリチャネルは電子デバイスから冷却剤への熱伝導の表面積を拡大する。図1~図10に示される実施形態の場合、ヒートシンク10はプレスパッケージ20などの既存の電子パッケージ20と組み合わせての使用に適合する。従って、デバイスパッケージを変形する必要なく、従来のプレスパック電子デバイスを一体に冷却するためにヒートシンク10を使用可能である。また、ミリチャネル及び入口/出口マニホルドを1つの冷却部材16に組み込むことにより、組み立て処理が簡単になる。本発明のある特定の特徴のみを図示し説明したが、当業者には多くの変形及び変更が明らかだろう。従って、添付の特許請求の範囲は本発明の趣旨の範囲内にあるそのようなすべての変形及び変更を含むことを意図すると理解すべきである。