"ノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。請求項1に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子であって、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下であることを特徴とする圧電素子。このような鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶からなる圧電材料は、比較的歪量が小さい。高い電圧を印加することにより、歪量を大きくすることができるが、高い電圧を印加すると絶縁破壊が生じる場合があるという問題がある。したがって、高い電圧を印加しても絶縁破壊しないようにすること、すなわち、耐圧を向上させることが求められている。また、クラックの発生を抑制するために、結晶粒径の均一化も求められている。なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに限定されず、他の圧電素子においても同様に存在する。本発明はこのような事情に鑑み、耐圧が高く且つ結晶粒径が均一な圧電体層を有する圧電素子を具備する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下であることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。かかる態様では、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下である圧電体層とすることにより、耐圧を高くすることができる。したがって、高い電圧を印加しても絶縁破壊が防止される。また、圧電体層の結晶粒径が均一化されるため、圧電体層のクラックの発生を抑制することができる。そして、良好なヒステリシス特性を有する圧電体層となり、圧電特性も優れている。本発明の他の態様は、上記液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、高い電圧を印加しても絶縁破壊が防止され且つクラックの発生が抑制された圧電素子を具備するため、耐久性及び信頼性に優れた液体噴射装置を実現することができる。また、本発明の他の態様は、圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子であって、前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下であることを特徴とする圧電素子にある。かかる態様では、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下である圧電体層とすることにより、耐圧を高くすることができる。したがって、高い電圧を印加しても絶縁破壊が防止される。また、圧電体層の結晶粒径が均一化されるため、圧電体層のクラックの発生を抑制することができる。そして、良好なヒステリシス特性を有する圧電体層となり、圧電特性も優れている。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図であり、図3は図2のA-A′線断面図である。図1~図3に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のマニホールド部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられていることになる。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば厚さ30~50nm程度の酸化チタン等からなり、弾性膜50等の第1電極60の下地との密着性を向上させるための密着層56が設けられている。なお、弾性膜50上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。さらに、この密着層56上には、第1電極60と、厚さが3μm以下、好ましくは0.3~1.5μmの薄膜である圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50や密着層56を設けなくてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。そして、本実施形態においては、圧電体層70を構成する圧電材料は、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物であって、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下であるものである。詳述すると、特許文献2等に記載されるように、圧電材料として、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物、すなわち、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体として表される複合酸化物が知られている。本実施形態においては、この鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶で表される複合酸化物を製造する際に、2-エチルヘキサン酸セリウムや、トリエトキシセリウム等の4価の元素であるCeを含む原料を添加して、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶で表される複合酸化物のBiをCeで置換することにより得られる圧電材料を、圧電体層70とするものである。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸マンガン酸ビスマス、チタン酸バリウムや、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムは、単独では検出されないものである。さらに、本発明においては、圧電体層70は、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下である。このように、圧電体層70を構成する圧電材料を、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下であるものとすると、後述する試験例に示すように、Ceを含有していない系、すなわち鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物と比較して、耐圧を高くすることができる。したがって、高い電圧を印加しても絶縁破壊が生じず、耐久性に優れたインクジェット式記録ヘッドとなる。そして、高い電圧を印加できるため、歪量を大きくすることができ、吐出特性に優れたインクジェット式記録ヘッドとなる。また、圧電体層70の結晶粒径が均一化するため、圧電体層70のクラックの発生を抑制することができる。したがって、信頼性に優れたインクジェット式記録ヘッドとなる。ここで、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物にCeを含有させることにより、耐圧を高くし且つ結晶粒径を均一化することができる。しかし、Ceの含有量が多すぎると、良好なヒステリシス形状を示さない圧電体層となる。このような良好なヒステリシス形状を示さない圧電体層を有すると、圧電特性歪量が悪くなる。なお、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下の範囲内では、後述する実施例に示すように、パイロクロア相等の異相を有さない圧電体層70となる。パイロクロア相は、X線回折広角法XRDによって圧電体層70を測定すると、2θ=25~30°に観察されるものである。そして、パイロクロア相を有さないとは、このXRD測定において2θ=25~30°にピークが観察されないことを意味する。このような圧電体層70は、上述したように、ペロブスカイト型構造である、すなわち、ABO3型構造であり、この構造のAサイトは酸素が12配位しており、また、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンをつくっている。そして、このAサイトにBi及びBaが、BサイトにFe、Mn及びTiが位置しており、このAサイトのBiの一部をCeが置換している。すなわち、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体のBiの一部がCeで置換された構造と推定される。このようなペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70は、例えば、下記一般式1で表される混晶である。O3-xBaTiO310<x<0.40、0.03≦a≦0.10、0.01<b<0.10このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、弾性膜50上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、弾性膜50や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材例えば、弾性膜50、必要に応じて設ける絶縁体膜等にマニホールド100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。そして、本発明においては、耐圧が高いため、高い電圧を印加しても圧電素子300の絶縁破壊が生じない。したがって、高い電圧を印加して駆動することができる。次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図4~図8を参照して説明する。なお、図4~図8は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図4aに示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、図4bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜上に、酸化チタン等からなる密着層56を、スパッタリング法や熱酸化等で形成する。次に、図5aに示すように、密着層56の上に、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造等からなる第1電極60をスパッタリング法や蒸着法等により全面に形成する。次いで、この白金膜上に、圧電体層70を積層する。圧電体層70の製造方法は特に限定されないが、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層圧電体膜を得るMODMetal-OrganicDecomposition法やゾル-ゲル法等の化学溶液法を用いて圧電体層70を製造できる。その他、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、CVD法、エアロゾルデポジション法など、液相法でも固相法で圧電体層70を製造することもできる。圧電体層70を化学溶液法で形成する場合の具体的な形成手順例としては、まず、図5bに示すように、第1電極60上に、金属錯体、具体的には、Bi、Fe、Mn、Ba、Ti及びCeを含有する金属錯体を含むMOD溶液やゾルからなる圧電体膜形成用組成物前駆体溶液をスピンコート法などを用いて、塗布して圧電体前駆体膜71を形成する塗布工程。塗布する前駆体溶液は、焼成によりBi、Fe、Mn、Ba、Ti及びCeを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体を混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。Bi、Fe、Mn、Ba、Tiをそれぞれ含む金属錯体の混合割合は、所望の鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物となる割合とする。また、Ceを含む金属錯体の混合割合は、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下となる量とする。Bi、Fe、Mn、Ba、Ti、Ceをそれぞれ含む金属錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Feを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄などが挙げられる。Mnを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。Baを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Tiを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸チタン、チタンジ-i-プロポキシドビスアセチルアセトナートなどが挙げられる。Ceを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸セリウム、トリエトキシセリウムなどが挙げられる。勿論、Bi、Fe、Mn、Ba、Ti、Ceを二種以上含む金属錯体を用いてもよい。次いで、この圧電体前駆体膜71を所定温度例えば、150~200°Cに加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥した圧電体前駆体膜71を所定温度例えば、350~450°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜71に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。次に、図5cに示すように、圧電体前駆体膜71を所定温度、例えば600~850°C程度に加熱して、一定時間、例えば、1~10分間保持することによって結晶化させ、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物であって、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下である圧電材料からなる圧電体膜72を形成する焼成工程。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。次に、図6aに示すように、圧電体膜72上に所定形状のレジスト図示無しをマスクとして第1電極60及び圧電体膜72の1層目をそれらの側面が傾斜するように同時にパターニングする。次いで、レジストを剥離した後、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の圧電体膜72からなる圧電体層70を形成することで、図6bに示すように複数層の圧電体膜72からなる所定厚さの圧電体層70を形成する。例えば、塗布溶液の1回あたりの膜厚が0.1μm程度の場合には、例えば、10層の圧電体膜72からなる圧電体層70全体の膜厚は約1.1μm程度となる。なお、本実施形態では、圧電体膜72を積層して設けたが、1層のみでもよい。このように圧電体層70を形成した後は、図7aに示すように、圧電体層70上に白金等からなる第2電極80をスパッタリング法等で形成し、各圧力発生室12に対向する領域に圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして、第1電極60と圧電体層70と第2電極80からなる圧電素子300を形成する。なお、圧電体層70と第2電極80とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト図示なしを介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、例えば、600~850°Cの温度域でアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性を改善することができる。次に、図7bに示すように、流路形成基板用ウェハー110の全面に亘って、例えば、金Au等からなるリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを介して各圧電素子300毎にパターニングする。次に、図7cに示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着剤35を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さに薄くする。次に、図8aに示すように、流路形成基板用ウェハー110上に、マスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図8bに示すように、流路形成基板用ウェハー110をマスク膜52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。その後は、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー110の保護基板用ウェハー130とは反対側の面のマスク膜52を除去した後にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1まず、単結晶シリコンSi基板の表面に熱酸化により酸化シリコンSiO2膜を形成した。次に、SiO2膜上にスパッタ法によりジルコニウム膜を作製し、熱酸化することで酸化ジルコニウム膜を形成した。次に、酸化ジルコニウム膜上に厚さ40nmの酸化チタンを積層し、その上にスパッタ法により、111面に配向し厚さ100nmの白金膜第1電極60を形成した。次いで、第1電極60上に圧電体層70をスピンコート法により形成した。その手法は以下のとおりである。まず、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄、2-エチルヘキサン酸マンガン、2-エチルヘキサン酸バリウム、2-エチルヘキサン酸チタン及び2-エチルヘキサン酸セリウムのn-オクタン溶液を所定の割合で混合して、前駆体溶液を調製した。そしてこの前駆体溶液を、酸化チタン膜及び白金膜が形成された上記基板上に滴下し、2500rpmで基板を回転させて圧電体前駆体膜を形成した塗布工程。次に、180°Cで3分間乾燥した乾燥工程。次いで、450°Cで3分間脱脂を行った脱脂工程。この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を2回繰り返し行った後に、酸素雰囲気中で、RTARapidThermalAnnealing装置で800°C、5分間焼成を行った焼成工程。次いで、この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を2回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を5回繰り返し、計10回の塗布により全体で厚さ700nmの圧電体層70を形成した。その後、圧電体層70上に、第2電極80としてスパッタ法により厚さ100nmの白金膜第2電極を形成した後、酸素雰囲気中で、RTA装置を用いて800°C、5分間焼成を行うことで、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物であって、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03の圧電材料、具体的には、0.75Bi0.97,Ce0.03Fe0.95,Mn0.05O3-0.25BaTiO3で表される混晶からなる複合酸化物を圧電体層70とする圧電素子300を形成した。実施例2前駆体溶液への2-エチルヘキサン酸ビスマス及び2-エチルヘキサン酸セリウムの添加量を変えて、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが0.05の圧電材料、具体的には、0.75Bi0.95,Ce0.05Fe0.95,Mn0.05O3-0.25BaTiO3で表される混晶からなる複合酸化物を圧電体層70とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。実施例3前駆体溶液への2-エチルヘキサン酸ビスマス及び2-エチルヘキサン酸セリウムの添加量を変えて、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが0.07の圧電材料、具体的には、0.75Bi0.93,Ce0.07Fe0.95,Mn0.05O3-0.25BaTiO3で表される混晶からなる複合酸化物を圧電体層70とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。実施例4前駆体溶液への2-エチルヘキサン酸ビスマス及び2-エチルヘキサン酸セリウムの添加量を変えて、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが0.10の圧電材料、具体的には、0.75Bi0.90,Ce0.10Fe0.95,Mn0.05O3-0.25BaTiO3で表される混晶からなる複合酸化物を圧電体層70とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。比較例1前駆体溶液へ2-エチルヘキサン酸セリウムを添加せずに、0.75BiFe0.95,Mn0.05O3-0.25BaTiO3で表される混晶からなる複合酸化物を圧電体層70とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。比較例2前駆体溶液への2-エチルヘキサン酸ビスマス及び2-エチルヘキサン酸セリウムの添加量を変えて、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが0.12の圧電材料、具体的には、0.75Bi0.88,Ce0.12Fe0.95,Mn0.05O3-0.25BaTiO3で表される混晶からなる複合酸化物を圧電体層70とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。比較例3前駆体溶液への2-エチルヘキサン酸ビスマス及び2-エチルヘキサン酸セリウムの添加量を変えて、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが0.15の圧電材料、具体的には、0.75Bi0.85,Ce0.15Fe0.95,Mn0.05O3-0.25BaTiO3で表される混晶からなる複合酸化物を圧電体層70とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。試験例1実施例1~4及び比較例1~3の各圧電素子について、BrukerAXS社製のD8Discoverを用い、X線源にCuKα線を使用し、室温25°Cで、圧電体層70のX線回折パターンを求めた。結果を図9に示す。この結果、実施例1~4及び比較例1~3の全てにおいて、鉄酸マンガン酸ビスマス、チタン酸バリウムや、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムは、単独では検出されなかった。また、実施例1~4及び比較例1~3の全てにおいて、ペロブスカイト型構造に起因するピークと基板由来のピークが観測された。そして、実施例1~4及び比較例1~3の全てにおいて、パイロクロア相等の異相は観察されず、ペロブスカイト型構造単相であった。試験例2実施例1~4及び比較例1~3の各圧電素子について、東陽テクニカ社製FCE-1Aで、φ=500μmの電極パターンを使用し、周波数1kHzの三角波を印加して、P分極量-V電圧の関係を求めた。比較例1の結果を図10aに、実施例1の結果を図10bに、実施例2の結果を図10cに、実施例3の結果を図10dに、実施例4の結果を図11aに、比較例2の結果を図11bに、比較例3の結果を図11cに示す。なお、図10及び図11の縦軸は、測定された分極量を最大分極量で割って規格化した値である。この結果、図10及び図11に示すように、比較例1及び実施例1~4では、ヒステリシス形状を示しており、圧電特性歪量が良好であると言える。一方、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが大きい比較例2~3は、20V付近での変曲点を持たず楕円形状になっており、ヒステリシス形状を示さず、圧電特性が良好ではなかった。試験例3実施例1~4及び比較例1~3の各圧電素子について、J-ECurveを、ヒューレットパッカード社製4140Bを用い、室温で測定し、圧電素子が破壊した電圧である耐圧値を求めた。結果を表1に示す。この結果、表1に示すように、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.15以下である実施例1~4及び比較例2~3は、Ceを含有しない比較例1と比べて、耐圧値が大きかった。試験例4実施例1~4及び比較例1~3において、第2電極80を形成していない状態の圧電体層70について、形成直後の表面を、50000倍の走査電子顕微鏡SEMにより観察した。比較例1の結果を図12aに、実施例1の結果を図12bに、実施例2の結果を図12cに、実施例3の結果を図12dに、実施例4の結果を図12eに、比較例2の結果を図12fに、比較例3の結果を図12gに示す。この結果、図12に示すように、Ceと、Ce及びBiの総量とのモル比であるCe/CeBiが、0.03以上0.10以下である実施例1~4は、Ceを含有しない比較例1や、上記Ce/CeBiが0.10より大きい比較例2及び3と比べて、結晶粒径が微細で均一であった。他の実施形態以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。さらに、上述した実施形態では、基板流路形成基板10上に第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を順次積層した圧電素子300を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図13は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図13に示すインクジェット式記録装置IIにおいて、インクジェット式記録ヘッドIを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED電界放出ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。また、本発明は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに搭載される圧電素子に限られず、超音波発信機等の超音波デバイス、超音波モーター、圧力センサー、IRセンサー等の焦電素子等他の装置に搭載される圧電素子にも適用することができる。また、本発明は強誘電体メモリー等の強誘電体素子にも同様に適用することができる。"