O、C、N、H、F、S等のガス成分含有量が総量で200ppm以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。請求項1記載の高純度金属からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いてスパッタリングにより形成した薄膜。以上から、本発明はO、C、N、H、F、S等のガス成分を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造に際し、クロム等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法を提供するものであり、さらに、これによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜を提供するものである。本発明は、1.O、C、N、H、F、S等のガス成分含有量が総量で200ppm以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。2.上記1記載の高純度金属からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いてスパッタリングにより形成した薄膜。に関する。O、C、N、H、F、S等のガス成分を多量に含有する粗金属から、電子ビームによりクロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用し、高純度化を目的とするクロム、マンガン等の金属を選択的に蒸発凝縮させて該ガス成分を大幅に減少させ、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法を提供するものであり、さらに、これによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜を提供することができるという優れた効果を有する。また、これによって得られた高純度ターゲットは、薄膜の電気磁気的特性又は化学的特性を改善するだけでなく、O、C、N、H、F、S等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクル等の発生が減少するという著しい特長を有する。本発明の一例について、図を使用して説明する。図1は本発明に使用する電子ビーム溶解装置の断面概念説明図であり、銅製等の水冷坩堝1に精製前のO、C、N、H、F、S等のガス成分を多量に含有する粗金属2を導入する。坩堝1の上部に凝縮容器3を設置する。凝縮容器3の材料としては、鉄、ステンレス、グラファイト等の材料を使用することができる。しかし、特に汚染物質が存在しない限り、特に上記材料に制限される必要がなく、他の材料を使用することもできる。該凝縮容器3の一部には粗金属2に電子ビーム4等を照射する窓5が開けられている。電子ビーム溶解装置の真空度は1×10-2~1×10-5mmHg程度に維持する。電子ビームによる溶解は0.1A~10Aで実施する。なお、この電子ビーム溶解の出力は、溶解蒸発させ精製する金属の種類等に応じて適宜制御することができ、必ずしも上記に制限される必要はない。電子ビーム4の粗金属2への照射により、電子ビームスポットに金属の溶融プールが形成されるが、クロムやマンガン等の金属は蒸気圧が極めて高いので直ちに蒸発し、主として1500°C以下に保持された凝縮容器3の天井や側壁に金属クロム、金属マンガン等の蒸留金属6が付着する。この凝縮容器3の保持温度は高純度化する粗原料金属材料によって、適宜調節する。上記のように、蒸気圧が極めて高いクロム、マンガン等の金属は直ちに蒸発するので、粗原料を保持する坩堝は上記のように、銅製等の水冷坩堝1を使用することができる。したがって、高周波溶解等で使用するような高耐熱性の坩堝材料を使用する必要はない。そして、粗原料中に含まれる酸化クロム、二酸化マンガンやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝1内に残存し、また揮発するガス成分は凝縮容器3外に排出される。以上の結果、凝縮容器3の天井や側壁に付着した金属クロム、金属マンガン等の蒸留金属6は蒸気圧の差異から優先的かつ選択的に、O、C、N、H、F、S等のガス成分含有量が総量で200ppm以下の極めて純度の高い5Nレベルの高純度クロム、金属マンガン等の金属が得られる。なお、凝縮容器3の坩堝に近い側壁にはスプラッシュによる低純度の物質が付着する場合があるが、その場合にはその部分は回収高純度クロム、高純度マンガン等の金属から除外する必要がある。この凝縮容器3の天井や側壁に付着した金属クロム、金属マンガン等の金属6は電子ビーム溶解後、冷却して取り外す。この金属クロム、金属マンガン等の蒸留金属6は容易に剥がすことができる。このようにして得たO、C、N、H、F、S等のガス成分含有量が総量で200ppm以下である高純度クロム、金属マンガン等の蒸留金属を、真空溶解、鋳造等の工程を経て電子部品等に使用するクロム、マンガン等の薄膜を形成するスパッタリングターゲットに加工することができる。このような高純度ターゲットは薄膜の特性を改善するだけでなく、O、C、N、H、F、S等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクル等の発生が減少するという著しい特長を有する。以上については、主としてクロム及びマンガンの高純度化について説明したが、本発明の電子ビームによる精製によるO、C、N、H、F、S等のガス成分の除去、すなわちクロムやマンガンと同様に蒸気圧の高いCa、Pb、Sn、Be、Ni、Si等の金属の精製に有効である。次に、実施例に基づいて説明する。なお、これらは本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明はこれらに制限されるものではない。実施例1図1に示すような電子ビーム溶解装置を使用し、銅製の水冷坩堝に精製前のO、C、N、H、F、S等のガス成分を多量に含有する3Nレベルの粗クロム原料5kgを導入した。この原料の化学分析値を表1に示す。坩堝の上部に位置する凝縮容器の材料としては、純鉄を使用した。該凝縮容器の一部に開口した窓から原料粗クロムに電子ビームを照射した。電子ビーム溶解装置の真空度は1~2×10-4mmHg≒1.33~2.66×10-2Paに維持した。電子ビームによる溶解を1.2Aで1時間、実施した。粗クロム原料への電子ビーム照射により、電子ビームスポットに金属クロムの溶融プールが形成されたが、その範囲は小さく、クロムは直ちに蒸発し、1500°C以下に保持された凝縮容器の天井や側壁に金属クロムが付着した。上記のように、金属クロムは蒸気圧が極めて高く直ちに蒸発するので、原料を保持する銅製の水冷坩堝が溶損や破壊することは全くなかった。そして、粗原料中に含まれる酸化クロムやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝内に残存した。またその他の揮発したガス成分は凝縮容器外に排出された。凝縮容器の天井や側壁に付着した金属クロムは蒸気圧の差異から、O、C、N、H、F、S等のガス成分含有量が総量で200ppm以下の極めて純度の高い5Nレベルの高純度クロムが約1kg得られた。電子ビーム溶解後冷却し、凝縮容器の天井や側壁に付着した金属クロムを剥がした。この剥離は極めて容易であった。このようにして得た金属クロムの化学分析により測定した。その結果を同様に表1に示す。表1に示すように、酸素の低減が著しく、またO、C、N、H、F、S等のガス成分の総量は200ppm以下の4Nレベル以上の高純度クロムが得られた。このようにして得た高純度クロムを、真空溶解、鋳造等の工程を経てスパッタリングターゲットに加工した。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、3Nレベルの粗クロムに比べ、O、C、N、H、F、S等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクルの発生が著しく減少した。実施例2実施例1と同様に、図1に示すような電子ビーム溶解装置を使用し、銅製の水冷坩堝に精製前のO、C、N、H、F、S等のガス成分を多量に含有する粗マンガン原料5kgを導入した。この原料の化学分析値を表2に示す。実施例1と同様に、坩堝の上部に位置する凝縮容器の材料として純鉄を使用した。該凝縮容器の一部に開口した窓から原料粗マンガンに電子ビームを照射した。電子ビーム溶解装置の真空度は1~2×10-4mmHg≒1.33~2.66×10-2Paに維持した。電子ビームによる溶解を1.2Aで1時間、実施した。粗マンガン原料への電子ビーム照射により、電子ビームスポットに金属マンガンの溶融プールが形成されたが、その範囲は小さく、マンガンは直ちに蒸発し、1500°C以下に保持された凝縮容器の天井や側壁に金属マンガンが付着した。実施例1と同様に、金属マンガンは蒸気圧が極めて高く直ちに蒸発するので、原料を保持する銅製の水冷坩堝が溶損や破壊することは全くなかった。そして、粗原料中に含まれる二酸化マンガンやその他の酸化物、硫化物、炭化物、窒化物等の蒸発し難い物質は坩堝内に残存した。またその他の揮発したガス成分は凝縮容器外に排出された。凝縮容器の天井や側壁に付着した金属マンガンは蒸気圧の差異から、O、C、N、H、F、S等のガス成分含有量が総量で100ppm以下の極めて純度の高い5Nレベルの高純度マンガンが約1kg得られた。電子ビーム溶解後冷却し、凝縮容器の天井や側壁に付着した金属マンガンを剥がした。実施例1と同様に、この剥離は極めて容易であった。このようにして得た金属マンガンの化学分析により測定した。その結果を、同様に表2に示す。表2に示すように、酸素の低減が著しく、またO、C、N、H、F、S等のガス成分の総量は100ppm以下の4Nレベル以上の高純度マンガンが得られた。実施例1と同様に、このようにして得た高純度マンガンを、真空溶解、鋳造等の工程を経てスパッタリングターゲットに加工した。このターゲットを使用してスパッタリングを実施したところ、粗マンガンに比べ、O、C、N、H、F、S等のガス成分に起因するスパッタリング中のスプラッシュ、異常放電、パーティクルの発生が著しく減少した。