"片面を開口するように形成された流体が流れる流路と、前記流路内の、前記流路の両端側において、前記流路の流れ方向に直交する方向に整列された柱状部が、前記流れ方向に多段に、互い違いに配置されることにより構成された流体制御部とを有する第1半導体基板と、前記流路の、前記流れ方向において中央部に対応する位置に、前記流路を流れる流体の流量を検出する流量検出部を有し、前記第1半導体基板の前記片面と接合された第2半導体基板とを備えることを特徴とするフローセンサ。前記第1半導体基板は、複数の電極パッドを有する回路基板と接合され、前記第1半導体基板は、それぞれ前記第1半導体基板の片面から反対面に貫通する複数の貫通電極を備え、前記貫通電極は、前記流量検出部と前記電極パッドとを電気的に接合することを特徴とする請求項1に記載のフローセンサ。前記第2半導体基板は、複数の電極パッドを有する回路基板と接合され、前記第1半導体基板は、それぞれ前記第1半導体基板の片面から反対面に貫通する複数の貫通電極を備え、前記貫通電極は、前記流量検出部と前記電極パッドとを電気的に接合することを特徴とする請求項1に記載のフローセンサ。前記第1半導体基板は、複数の電極パッドを有する回路基板と接合され、前記第2半導体基板は、それぞれ前記第2半導体基板の片面から反対面に貫通する複数の貫通電極を備え、前記貫通電極は、前記流量検出部と前記電極パッドとを電気的に接合することを特徴とする請求項1に記載のフローセンサ。前記第2半導体基板は、複数の電極パッドを有する回路基板と接合され、前記第2半導体基板は、それぞれ前記第2半導体基板の片面から反対面に貫通する複数の貫通電極を備え、前記貫通電極は、前記流量検出部と前記電極パッドとを電気的に接合することを特徴とする請求項1に記載のフローセンサ。しかしながら、流路にメッシュフィルタを用いると装置のサイズが大型化してしまい、製造コストも上がってしまう。また、特許文献2に記載の技術では異物の侵入を許してしまう虞がある。本発明は、上記問題点を鑑み、小サイズ、低コストで、乱流の発生及び異物の侵入を低減し、高精度に流量を計測可能なフローセンサを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、片面を開口するように形成された流体が流れる流路と、前記流路内の、前記流路の両端側において、前記流路の流れ方向に直交する方向に整列された柱状部が、前記流れ方向に多段に、互い違いに配置されることにより構成された流体制御部とを有する第1半導体基板と、前記流路の、前記流れ方向において中央部に対応する位置に、前記流路を流れる流体の流量を検出する流量検出部を有し、前記第1半導体基板の前記片面と接合された第2半導体基板とを備えるフローセンサであることを要旨とする。また、本発明の第1の態様に係るフローセンサにおいては、前記第1半導体基板は、複数の電極パッドを有する回路基板と接合され、前記第1半導体基板は、それぞれ前記第1半導体基板の片面から反対面に貫通する複数の貫通電極を備え、前記貫通電極は、前記流量検出部と前記電極パッドとを電気的に接合することができる。また、本発明の第1の態様に係るフローセンサにおいては、前記第2半導体基板は、複数の電極パッドを有する回路基板と接合され、前記第1半導体基板は、それぞれ前記第1半導体基板の片面から反対面に貫通する複数の貫通電極を備え、前記貫通電極は、前記流量検出部と前記電極パッドとを電気的に接合することができる。また、本発明の第1の態様に係るフローセンサにおいては、前記第1半導体基板は、複数の電極パッドを有する回路基板と接合され、前記第2半導体基板は、それぞれ前記第2半導体基板の片面から反対面に貫通する複数の貫通電極を備え、前記貫通電極は、前記流量検出部と前記電極パッドとを電気的に接合することができる。また、本発明の第1の態様に係るフローセンサにおいては、前記第2半導体基板は、複数の電極パッドを有する回路基板と接合され、前記第2半導体基板は、それぞれ前記第2半導体基板の片面から反対面に貫通する複数の貫通電極を備え、前記貫通電極は、前記流量検出部と前記電極パッドとを電気的に接合することができる。本発明によれば、小サイズ、低コストで、乱流の発生及び異物の侵入を低減し、高精度に流量を計測可能なフローセンサを提供することができる。次に、図面を参照して、本発明の第1及び第2の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、断面図と平面寸法の関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。また、以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。第1の実施の形態本発明の第1の実施の形態に係るフローセンサは、図1~図3に示すように、流路10及び流体制御部12を有する第1半導体基板11と、流路10を流れる流体の流量を検出する流量検出部3を有する第2半導体基板21とを備える。第1の実施の形態に係るフローセンサは、第1半導体基板11と第2半導体基板21とを接合することで製造される。図1に示すように、流路10は、第1半導体基板11の片面を開口する溝状に形成される。流体制御部12は、流路10内の、流路10の流れ方向の両端側において、複数配列された柱状部121から構成される。流体制御部12は、流路10方向に直交する方向に整列された円柱状の柱状部121が、流路10方向に多段に、互い違いに配置されることにより構成されている。図2に示すように、第2半導体基板21は、流路10の、流れ方向において中央部に対応する位置に、片面を開口するように形成された空洞部20を有する。第2半導体基板21は、空洞部20の開口面となる片面に薄膜30が形成されている。流量検出部3は、空洞部20の開口面に位置する薄膜30と、空洞部20の開口面に位置する薄膜30の表面に設けられた発熱素子32及び感熱素子31,33とを備える。発熱素子32は、薄膜30の表面の中央部に設けられる。2つの感熱素子31,33は、流路10の流れ方向において、発熱素子32の両側に配置される。発熱素子32の両端は、薄膜30の表面に設けられた電極パッド24a,24bに接続されている。感熱素子31、感熱素子33のそれぞれ両端は、薄膜30の表面に設けられた電極パッド23a,23b、電極パッド25a,25bにそれぞれ接続されている。感熱素子31,33及び発熱素子32は、例えば白金Ptからなる抵抗体である。発熱素子32は、電極パッド24a,24bを介して電流を流されることにより発熱する。感熱素子31,33は、熱に応じて抵抗値が変化するので、電極パッド23a,23b、電極パッド25a,25bをそれぞれ介して、発熱素子32が発する熱の、流路10の流れ方向における分布を検出できる。流量検出部3は、感熱素子31,33が検出する、発熱素子32が発する熱の分布から、流路10を流れる流体の流量を検出する。図3に示すように、第1の実施の形態に係るフローセンサは、第1半導体基板11の、流路10が開口する片面と、第2半導体基板21の、流量検出部3が形成された片面とを接合されている。第1の実施の形態に係るフローセンサの第1半導体基板11は、電極パッド23a,23b,24a,24b,25a,25bに対応する位置に、それぞれ、上面から下面に貫通する貫通電極13a,13b,14a,14b,15a,15bが形成されている。電極パッド23a,23b,24a,24b,25a,25bと、貫通電極13a,13b,14a,14b,15a,15bとは、それぞれ、互いに電気的に接続されている。図4に示すように、第1の実施の形態に係るフローセンサは、第1半導体基板11側が、回路基板4と接合されるようにしてもよい。回路基板4の上面の、貫通電極13a,13b,14a,14b,15a,15bに対応する位置には、それぞれ、電極パッド43a,43b,44a,44b,45a,45bが形成されている。図4において、電極パッド43a,43b,45a,45bは図示を省略している。以下同様。貫通電極13a,13b,14a,14b,15a,15bと、電極パッド43a,43b,44a,44b,45a,45bとは、フリップチップボンディングにより、電気的に接続されている。図5に示すように、第1の実施の形態に係るフローセンサは、第2半導体基板21側が、回路基板4と接合されるようにしてもよい。貫通電極13a,13b,14a,14b,15a,15bと、ワイヤ53a,53b,54a,54b,55a,55bとは、ワイヤボンディングにより、電気的に接続されている。例えば、ワイヤ53a,53b,54a,54b,55a,55bは、回路基板4が備える図示を省略した電極パッドとそれぞれ電気的に接続される。図6に示すフローチャートを用いて、第1の実施の形態に係るフローセンサの製造方法の一例を、図7~図14を参照して説明する。先ず、ステップS11において、図7に示す第1半導体基板11の片面に、保護膜レジストを塗布し、ステップS12において、保護膜がフォトリソグラフィティによりパターニングされる。ステップS13において、図8に示すように、パターニングされた保護膜をマスクとして、第1半導体基板11が誘導結合型反応性イオンエッチングICP-RIE:InductiveCoupledPlasmaReactiveIonEtchingにより、深堀エッチングされる。ステップS13のエッチングにより、流路10、流体制御部12、孔部53ap,53bp,54ap,54bp,55ap,55bpが形成される。ステップS14において、図9に示すように、フォトリソグラフィティによりパターニングされた保護膜を用いて、孔部63ap,63bp,64ap,64bp,65ap,65bpに対応する位置に、ICP-RIEにより裏面が深堀エッチングされる。ステップS14のエッチングより、第1半導体基板11の上面から下面に貫通する貫通孔63a,63b,64a,64b,65a,65bが形成される。ステップS15において、第1半導体基板11の両面に形成された保護膜が除去される。ステップS16において、パターニングされた保護膜をマスクとして、貫通孔53a,53b,54a,54b,55a,55bの内壁に絶縁膜が形成される。ステップS17において、絶縁膜が形成された貫通孔53a,53b,54a,54b,55a,55bの内壁に、めっき処理が施される。ステップS17のめっき処理により、図10に示すように、貫通電極13a,13b,14a,14b,15a,15bが形成される。ステップS18において、ステップS16において用いた保護膜が除去される。ステップS21において、第2半導体基板21の片面に、シリコン酸化膜SiO2、シリコン窒化膜SiN等の絶縁体からなる薄膜30が成膜される。ステップS22において、薄膜30の表面に、白金Pt薄膜を成膜する。ステップS23において、図11に示すように、フォトリソグラフィによりパターニングされた保護膜をマスクとして、Pt薄膜がエッチングされることにより、薄膜30の表面に感熱素子31,33及び発熱素子32が形成される。ステップS24において、感熱素子31,33及び発熱素子32を形成された薄膜30の表面に、電極パッド用の金属薄膜が成膜される。ステップS25において、図12に示すように、フォトリソグラフィによりパターニングされた保護膜をマスクとして、電極パッド用の金属薄膜がエッチングされることにより、電極パッド23a,23b,24a,24b,25a,25bが形成される。ステップS26において、第2半導体基板21の裏面に保護膜を形成し、ステップS27において、フォトリソグラフィにより保護膜をパターニングする。ステップS28において、パターニングされた保護膜をマスクとして、ICP-RIEにより、第2半導体基板21の裏面から薄膜30に達するまで深堀エッチングする。ステップS28のエッチングにより、空洞部20が形成される。図13に示すように、第2半導体基板21の裏面を開口しない場合は、第2半導体基板21の裏面に他の半導体基板を接合すればよい。ステップS31において、ウェハ上に形成された複数の第1半導体基板11と、ウェハ上に形成された複数の第2半導体基板21とを、位置合わせをして接合する。ステップS32において、図14に示すように、接合された第1半導体基板11及び第2半導体基板21とをダイシングすることにより、第1の実施の形態に係るフローセンサが完成する。ステップS33において、第1の実施の形態に係るフローセンサを回路基板4にダイボンディングする。ステップS34において、ワイヤボンディングが必要な場合は、ワイヤボンディングを行い、電極パッドと回路基板を接続する。第1の実施の形態に係るフローセンサによれば、小サイズ、低コストで、流路10において千鳥状に配置された流体制御部12の柱状部121により、乱流の発生及び異物の侵入を低減し、高精度に流量を計測することができる。第2の実施の形態第2の実施の形態に係るフローセンサは、図15~図17に示すように、貫通電極26a,26b,27a,27b,28a,28bが第2半導体基板21に設けられている点等で第1の実施の形態と異なる。第2の実施の形態において説明しない他の構成は、第1の実施の形態と実質的に同様であるので、重複する説明を省略する。図15に示すように、第1半導体基板11は、第2半導体基板に形成された貫通電極26a,26b,27a,27b,28a,28bにそれぞれ対応する位置に、孔部16a,16b,17a,17b,18a,18bを有する。孔部16a,16b,17a,17b,18a,18bは、流路10が開口面する面に開口している。図16に示すように、発熱素子32の両端は、貫通電極27a,27bに電気的に接続されている。感熱素子31、感熱素子33のそれぞれ両端は、薄膜30の表面に設けられた貫通電極26a,26b、貫通電極28a,28bにそれぞれ電気的に接続されている。図17に示すように、第2の実施の形態に係るフローセンサは、第1半導体基板11の、流路10が開口する片面と、第2半導体基板21の、流量検出部3が形成された片面とを接合されている。図18に示すように、第2の実施の形態に係るフローセンサは、第1半導体基板11側が、回路基板4と接合されるようにしてもよい。貫通電極26a,26b,27a,27b,28a,28bと、ワイヤ56a,57b,57a,57b,58a,58bとは、ワイヤボンディングにより、電気的に接続されている。図19に示すように、第2の実施の形態に係るフローセンサは、第2半導体基板21側が、回路基板4と接合されるようにしてもよい。回路基板4の上面の、貫通電極26a,26b,27a,27b,28a,28bに対応する位置には、それぞれ、電極パッド46a,46b,47a,47b,48a,48bが形成されている。貫通電極26a,26b,27a,27b,28a,28bと、電極パッド46a,46b,47a,47b,48a,48bとは、フリップチップボンディングにより、電気的に接続されている。図20に示すフローチャートを用いて、第2の実施の形態に係るフローセンサの製造方法の一例を、図21~図27を参照して説明する。先ず、ステップS41において、図21に示す第1半導体基板11の片面に、保護膜レジストを塗布し、ステップS42において、保護膜がフォトリソグラフィティによりパターニングされる。ステップS43において、図22に示すように、パターニングされた保護膜をマスクとして、第1半導体基板11がICP-RIEにより、深堀エッチングされる。ステップS43のエッチングにより、流路10、流体制御部12、孔部16a,16b,17a,17b,18a,18bが形成される。ステップS44において、第1半導体基板11に形成された保護膜が除去される。ステップS51において、第2半導体基板21の片面に保護膜を形成し、ステップS52において、フォトリソグラフィにより保護膜をパターニングする。ステップS53において、パターニングされた保護膜をマスクとして、第2半導体基板21の上面から下面に貫通するまでエッチングする。ステップS53のエッチングより、図23に示すように、第2半導体基板21の上面から下面に貫通する貫通孔66a,66b,67a,67b,68a,68bが形成される。ステップS54において、第2半導体基板21の片面に、シリコン酸化膜SiO2、シリコン窒化膜SiN等の絶縁体からなる薄膜30が成膜される。薄膜30は、貫通孔66a,66b,67a,67b,68a,68bに対応する箇所において、同様の貫通孔を有するように形成される。ステップS55において、図24に示すように、絶縁膜が形成された貫通孔53a,53b,54a,54b,55a,55bの内壁に、めっき処理が施されることにより、貫通電極26a,26b,27a,27b,28a,28bが形成される。ステップS56において、薄膜30の表面に、白金Pt薄膜を成膜する。ステップS57において、図25に示すように、フォトリソグラフィによりパターニングされた保護膜をマスクとして、Pt薄膜がエッチングされることにより、薄膜30の表面に感熱素子31,33及び発熱素子32が形成される。ステップS58において、第2半導体基板21の裏面に保護膜を形成し、フォトリソグラフィにより保護膜をパターニングする。ステップS59において、パターニングされた保護膜をマスクとして、ICP-RIEにより、第2半導体基板21の裏面から薄膜30に達するまで深堀エッチングする。ステップS59のエッチングにより、空洞部20が形成される。図26に示すように、第2半導体基板21の裏面を開口しない場合は、第2半導体基板21の裏面に他の半導体基板を接合すればよい。ステップS61において、ウェハ上に形成された複数の第1半導体基板11と、ウェハ上に形成された複数の第2半導体基板21とを、位置合わせをして接合する。ステップS62において、図27に示すように、接合された第1半導体基板11及び第2半導体基板21とをダイシングすることにより、第2の実施の形態に係るフローセンサが完成する。ステップS63において、第2の実施の形態に係るフローセンサを回路基板4にダイボンディングする。ステップS64において、ワイヤボンディングが必要な場合は、ワイヤボンディングを行い、電極パッドと回路基板を接続する。第2の実施の形態に係るフローセンサによれば、小サイズ、低コストで、乱流の発生及び異物の侵入を低減し、高精度に流量を計測することができる。その他の実施の形態上記のように、本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。既に述べた第1及び第2の実施の形態において、流体制御部12の柱状部121は円柱状として説明したが、柱状部121の形状は円柱状に限るものではない。図28a~cに示すように、柱状部121として、底面が正方形の角柱状の柱状部121a、底面が菱形の角柱状の柱状部121b、底面が楕円の円柱状の柱状部121cを採用可能である。柱状部121a~121cは、流路10における流体の流れ方向Fに対して、前後の面積が小さくなるように配置されることにより、流体制御部12における乱流をより低減できる。その他、第1及び第2の実施の形態を応用した構成等、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"