"プラズマ処理装置内において被処理基板と対向配置されるプラズマ処理装置用電極板であって、前記被処理基板側に位置する放電面側に配置される放電側電極構成板と、その反対面側に配置される固定側電極構成板とが積層され、両電極構成板の厚さ方向に貫通する通気孔が複数設けられてなり、前記通気孔は、前記放電側電極構成板に設けられる小径の第1穴部と、前記固定側電極構成板に設けられ該第1穴部より穴径が大きい大径の第2穴部とが互いに連通して形成されており、前記第2穴部の内壁面には、該第2穴部の長さ方向に沿う複数の溝が周方向に間隔をおいて形成され、前記第1穴部と前記第2穴部との接続部には、前記第1穴部の開口を取り囲むようにリング状の凹溝部が設けられ、該凹溝部の内周壁面と前記第1穴部の内壁面とで形成される立壁部が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置用電極板。前記立壁部の先端部の厚みが0.05mm以上0.5mm以下に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置用電極板。しかしながら、特許文献1及び特許文献2のように、通気孔内壁面に凹凸や溝を設けてデポ物のアンカー効果を高める構成とした場合や、特許文献3のように、エッチングガスの流速を緩めてデポ物の脱落を防止する構成とした場合であっても十分とは言えない。デポ物の付着量が多くなると洗浄が行われるが、洗浄までの時間を長くして、プラズマエッチング時間を長くすることが求められている。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、電極板の洗浄回数を減らすことができ、洗浄から次の洗浄までのプラズマエッチング時間を一層長くして、効率良くプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。本発明の電極板は、プラズマ処理装置内において被処理基板と対向配置されるプラズマ処理装置用電極板であって、前記被処理基板側に位置する放電面側に配置される放電側電極構成板と、その反対面側に配置される固定側電極構成板とが積層され、両電極構成板の厚さ方向に貫通する通気孔が複数設けられてなり、前記通気孔は、前記放電側電極構成板に設けられる小径の第1穴部と、前記固定側電極構成板に設けられ該第1穴部より穴径が大きい大径の第2穴部とが互いに連通して形成されており、前記第2穴部の内壁面には、該第2穴部の長さ方向に沿う複数の溝が周方向に間隔をおいて形成され、前記第1穴部と前記第2穴部との接続部には、前記第1穴部の開口を取り囲むようにリング状の凹溝部が設けられ、該凹溝部の内周壁面と前記第1穴部の内壁面とで形成される立壁部が設けられていることを特徴とする。通気孔のエッチングガス流入側電極板の反対面側は冷却板により冷却されていることから温度が低くなり、第2穴部のエッチングガス流入側近傍にデポ物が生成、付着することがあるが、第2穴部の内壁面は、スプライン状に形成した複数の溝により表面積を大きくして設けられていることから、長時間使用してもデポ物が脱落しにくい。また、付着したデポ物が脱落しても、第1穴部と第2穴部との接続部に設けた凹溝部に堆積させて保持することができる。さらに、エッチングガスの流れに沿って堆積したデポ物が第1穴部に運ばれるのを立壁部で阻止できるので、デポ物が落下して被処理基板にパーティクルが付着することを防止できる。これにより、電極板の洗浄を必要とするまでの使用寿命が長くなり、洗浄回数を減らすことができるので、効率良くプラズマ処理を行うことができる。また、第2穴部の長さ方向に沿って設けられる複数の溝によりエッチングガスの流れの直進性を高めることができ、ガス流を安定化できるので、通気孔を通過するエッチングガスの流量を電極板内で均一化でき、エッチングの面内均一性を向上させることができる。また、両電極構成板に加工を施した後に、それらを積層して電極板を構成するので、各電極構成板においては小径の通気孔や溝、細幅の凹溝部を容易に加工することができる。放電側電極構成板の積層面に立壁部を設ける際に、形成される凹溝部の溝幅を広くして、その外周壁面を積層される固定側電極構成板の第2穴部の穴径よりも大きく加工することもできる。この場合、デポ物を収納する部分を増やすことができる。本発明の電極板において、前記立壁部の先端部の厚みが0.05mm以上0.5mm以下に設けられているとよい。立壁部の先端部の厚みが0.05mm未満であると、その先端部で放電が起こり易くなったり、先端部が欠けたりして、パーティクルを誘発するおそれがある。また、先端部の厚みが0.5mmを超えると、上方から落下してくるデポ物を凹溝部に溜めることが難しくなり、パーティクルの抑制効果が低下する。本発明によれば、デポ物が落下して被処理基板にパーティクルが付着することを防止できるので、電極板の洗浄回数を減らすことができるとともに、洗浄を必要とするまでの使用寿命を長くすることができるので、効率良くプラズマ処理を行わせることができる。以下、本発明の電極板の実施形態を、図面を参照しながら説明する。まず、この電極板が用いられるプラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置1について説明する。このプラズマエッチング装置1は、図1の概略断面図に示されるように、真空チャンバー2内の上部に電極板上部電極3が設けられるとともに、下部に上下動可能な架台下部電極4が電極板3と相互間隔をおいて平行に設けられている。この場合、上部の電極板3は絶縁体5により真空チャンバー2の壁に対して絶縁状態に支持されているとともに、架台4の上には、静電チャック6と、その周りを囲むシリコン製の支持リング7とが設けられており、静電チャック6の上に、支持リング7により周縁部を支持した状態でウエハ被処理基板8を載置するようになっている。また、真空チャンバー2の上部にはエッチングガス供給管9が設けられ、このエッチングガス供給管9から送られてきたエッチングガスは拡散部材10を経由した後、電極板3に設けられた通気孔11を通してウエハ8に向かって流され、真空チャンバー2の側部の排出口12から外部に排出される構成とされている。一方、電極板3と架台4との間には高周波電源13により高周波電圧が印加されるようになっている。また、電極板3は、シリコンによって円板状に形成されており、その背面には熱伝導性に優れるアルミニウム等からなる冷却板14が固定され、この冷却板14にも電極板3の通気孔11に連通するように、この通気孔11と同じピッチで貫通孔15が形成されている。そして、電極板3は、背面が冷却板に接触した状態でねじ止め等によってプラズマ処理装置1内に固定される。電極板3の詳細構造については後述する。プラズマエッチング装置1では、高周波電源13から高周波電圧を印加してエッチングガスを供給すると、このエッチングガスは拡散部材10を経由して、電極板3に設けられた通気孔11を通って電極板3と架台4との間の空間に放出され、この空間内でプラズマとなってウエハ8に当り、このプラズマによるスパッタリングすなわち物理反応と、エッチングガスの化学反応とにより、ウエハ8の表面がエッチングされる。また、ウエハ8の均一なエッチングを行う目的で、発生したプラズマをウエハ8の中央部に集中させ、外周部へ拡散するのを阻止して電極板3とウエハ8との間に均一なプラズマを発生させるために、通常、プラズマ発生領域16がシリコン製のシールドリング17で囲われた状態とされている。次に、電極板3の詳細構造について図2及び図3を参照しながら説明する。本実施形態の電極板3は、図2及び図3に示すように、電極板3の放電面3a側に配置される放電側電極構成板31と、その反対面3b側に配置される固定側電極構成板32とを積層した構成とされ、両電極構成板31,32には、それぞれ厚さ方向に平行に貫通する穴部21,22が多数設けられている。放電側電極構成板31に形成された小径の第1穴部21と、固定側電極構成板32に形成され第1穴部21よりも大径の第2穴部22とは、両電極構成板31,32を積層した状態で同一軸芯上に互いに連通して配置され、電極板3の厚さ方向に貫通する通気孔11を形成する。通気孔11は、プラズマエッチングを行う際に、電極板3とウエハ8との間にエッチングガスを供給するために用いられる。なお、電極板3を構成する両電極構成板31,32は、単結晶シリコン、柱状晶シリコン、又は多結晶シリコンにより円板状に形成されている。第2穴部22の内壁面には、図3aに示すように、その第2穴部22の軸芯と平行にスプライン状をなすように半円形状の複数の溝が周方向に間隔をおいて形成されている。また、第1穴部21と第2穴部22との接続部、言い換えれば、第2穴部22の底面には、第1穴部21の開口を取り囲むようにリング状の凹溝部23が設けられており、この凹溝部23の内周壁面と第1穴部21の内壁面とで形成される立壁部24が設けられている。また、凹溝部23は、図3bに示すように、第2穴部22の内壁面の下方位置に、その内壁面から半径方向外方に潜り込むように形成されており、凹溝部23の内周壁面の直径d4は、第2穴部22の穴径d2より小さいが、凹溝部23の外周壁面の直径d3は、固定側電極構成板32の第2穴部22の穴径d2よりも大きく形成されている。この場合、放電側電極構成板31の第1穴部21はドリル加工により形成しており、固定側電極構成板32の第2穴部22は、下穴をドリル加工により形成した後に、レーザー加工によってスプライン溝を設けている。なお、両穴部21,22は、レーザー加工により形成することもできる。また、放電側電極構成板31の凹溝部23はレーザー加工又はエンドミル加工により形成している。例えば、板厚tが10mmとされる電極板3に対して、第1穴部21の穴径d1は0.3mm以上0.5mm以下、第2穴部22の穴径d2は0.8mm以上3mm以下に形成されている。また、第2穴部22の長さL2は5mmに形成されており、その第2穴部22の底面に深さxが0.05mm以上1.0mm以下の凹溝部23が設けられ、立壁部24の先端部の厚みwは0.05mm以上0.5mm以下に形成されている。このように構成した電極板3においては、第2穴部の内壁面がスプライン状の溝により表面積を大きくして設けられていることから、長時間の使用においてもデポ物が脱落しにくい。また、プラズマ処理中に、反対面3b近傍に位置する通気孔11の内壁面に付着したデポ物が脱落しても、第1穴部21と第2穴部22との接続部に設けられたリング状の凹溝部23に堆積させて保持することができる。さらに、エッチングガスの流れに沿って堆積したデポ物が、第1穴部21に運ばれるのを立壁部24で阻止できるので、デポ物が落下してウエハ8にパーティクルが付着することを防止できる。これにより、電極板の洗浄を必要とするまでの使用寿命が長くなり、洗浄回数を減らすことができるので、効率良くプラズマ処理を行うことができる。また、第2穴部22の内壁面に、第2穴部22の長さ方向に沿って設けられる複数の溝により、エッチングガスの流れの直進性を高めることができ、ガス流を安定化できるので、通気孔11を通過するエッチングガスの流量を電極板面内で均一化でき、エッチングの面内均一性を向上させることができる。なお、第2穴部22を通過するエッチングガスの流れは、第2穴部22の周辺部で、第1穴部21と第2穴部22との接続部に設けられた凹溝部23及び立壁部24に衝突するが、溝により案内された第2穴部22の中心部は、直線的に第1穴部21に送り込まれる。また、両電極構成板31,32に穴部21,22及び凹溝部23の加工を施した後に積層して、電極板3を構成するので、各電極構成板31,32に小径の通気孔や溝、細幅の凹溝部を容易に加工することができる。放電側電極構成板31の積層面に形成される凹溝部23は、立壁部24を設ける際に、凹溝部23の溝幅を広く加工して、凹溝部23の外周壁面を、積層される固定側電極構成板32の第2穴部22の穴径d2よりも大きく加工することができる。この場合、デポ物を収納する部分を増やすことができるので、電極板の洗浄を必要とするまでの時間を更に長くすることができる。上述したように、立壁部24の先端部の厚みwは、0.05mm以上0.5mm以下に形成されている。これは、立壁部の先端部の厚みが0.05mm未満であると、その先端部で放電が起こり易くなったり、先端部が欠けたりして、パーティクルを誘発するおそれがあるためである。また、先端部の厚みが0.5mmを超えると、上方から落下してくるデポ物を凹溝部に溜めることが難しくなり、パーティクルの抑制効果が低下するためである。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態においては、凹溝部を、ドリル加工及びレーザー加工により形成したが、超音波加工を利用することもできる。また、通気孔を構成する両穴部は、電極板の厚さ方向に平行に形成されるものでなくてもよいし、同軸芯上に設けられるものでなくてもよい。例えば、両穴部を屈曲状態に接続される構成としてもよい。また、第2穴部の内壁面に設けられる溝は、軸芯に平行に形成される溝に限らず、軸芯に対して傾斜させて設けてもよい。また、溝の長さ方向に直交する横断面形状は、半円形状の他にも、四角形や三角形等の角形等に設けてもよい。"