圧電アクチュエーターが一方面に形成された流路形成基板の他方面にクロムが含有されたマスクを形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板を他方面側から前記マスクを介して異方性エッチングすることにより、液体流路を形成する工程と、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。前記マスクを形成すると共にパターニングする工程では、前記流路形成基板側に酸化シリコンを含有する第1マスク層と、該第1マスク層の前記流路形成基板とは反対面側にクロムを含有する第2マスク層と、を形成することを特徴とする請求項1記載の液体噴射ヘッドの製造方法。前記第2マスク層を形成する工程では、酸化クロムを含有する当該第2マスク層を形成することを特徴とする請求項2記載の液体噴射ヘッドの製造方法。前記マスクは、前記第1マスク層と、前記第2マスク層と、該第2マスク層上に形成されて酸化クロムを含有する第3マスク層と、で形成することを特徴とする請求項3記載の液体噴射ヘッドの製造方法。前記流路形成基板に前記マスクを形成する前に逆スパッタを行うことを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。しかしながら、特許文献1及び2のように、流路形成基板に窒化シリコンなど材料のマスクを形成するには、流路形成基板を繰り返し洗浄する洗浄工程が必要で作業工程が増えると共にコストが増大してしまうという問題がある。特に、シリコンからなる流路形成基板上に窒化シリコンからなるマスクを形成した場合、成膜前の洗浄工程に密着性が敏感に作用し、流路形成基板とマスクとの安定的な密着が困難で、流路形成基板をウェットエッチングする際のアルカリ溶液によって密着が不安定な部分から流路形成基板のエッチングが始まってしまうなどの不具合が発生しやすい。また、流路形成基板に圧力発生室をウェットエッチング以外の方法、例えば、ドライエッチングによって形成することもできるが、ドライエッチングはコストが増大してしまうという問題がある。さらには、圧力発生室の高密度化を図るために、圧力発生室等の液体流路を形成するエッチングの精度を向上させたいという要望があった。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドの製造方法だけでなく、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法においても同様に存在する。本発明はこのような事情に鑑み、液体流路を高精度に形成することができると共にコストを低減することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、圧電アクチュエーターが一方面に形成された流路形成基板の他方面にクロムが含有されたマスクを形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板を他方面側から前記マスクを介して異方性エッチングすることにより、液体流路を形成する工程と、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。かかる態様では、洗浄工程が不要で、密着性に優れたマスクを設けることができ、流路形成基板を安価なウェットエッチングで高精度に行うことができる。ここで、前記マスクを形成すると共にパターニングする工程では、前記流路形成基板側に酸化シリコンを含有する第1マスク層と、該第1マスク層の前記流路形成基板とは反対面側にクロムを含有する第2マスク層と、を形成することが好ましい。これによれば、第1マスク層によってマスクと流路形成基板との密着性が向上される。また、前記第2マスク層を形成する工程では、酸化クロムを含有する当該第2マスク層を形成してもよい。また、前記マスクは、前記第1マスク層と、前記第2マスク層と、該第2マスク層上に形成されて酸化クロムを含有する第3マスク層と、で形成するのが好ましい。これによれば、密着性に優れ、且つ耐アルカリ性に優れたマスクを形成することができる。また、前記流路形成基板に前記マスクを形成する前に逆スパッタを行うことが好ましい。これによれば、流路形成基板の表面が活性化されて、マスクとの密着性がさらに向上されるため、流路形成基板のエッチングを安定的に行うことができる。以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図2は、図1の平面図及びそのA-A′線断面図である。図示するように、流路形成基板10は、本実施形態では面方位110のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には、振動板を構成する二酸化シリコンからなる厚さ0.5~2μmの弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁11によって区画された圧力発生室12がその幅方向短手方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向の一端部側には、インク供給路14と連通路15とが隔壁11によって区画されている。また、連通路15の一端には、各圧力発生室12の共通のインク室液体室となるマニホールド100の一部を構成する連通部13が形成されている。すなわち、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられている。インク供給路14は、圧力発生室12の長手方向一端部側に連通し且つ圧力発生室12より小さい断面積を有する。例えば、本実施形態では、インク供給路14は、マニホールド100と各圧力発生室12との間の圧力発生室12側の流路を幅方向に絞ることで、圧力発生室12の幅より小さい幅で形成されている。なお、このように、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。さらに、各連通路15は、インク供給路14の圧力発生室12とは反対側に連通し、インク供給路14の幅方向短手方向より大きい断面積を有する。本実施形態では、連通路15を圧力発生室12と同じ断面積で形成した。すなわち、流路形成基板10には、圧力発生室12と、インク供給路14と、連通路15とが複数の隔壁11により区画されて設けられている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の一方面は、振動板を構成する弾性膜50によって画成されている。一方、流路形成基板10の圧力発生室12等の液体流路が開口する一方面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱用着フィルム等を介して接合されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55が形成されている。さらに、この絶縁体膜55上には、第1電極60と圧電体層70と第2電極80とが、成膜及びリソグラフィー法によって順次積層されて圧電アクチュエーター300を構成している。ここで、圧電アクチュエーター300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電アクチュエーター300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60は圧電アクチュエーター300の共通電極とし、第2電極80を圧電アクチュエーター300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお、上述した例では、弾性膜50、絶縁体膜55及び第1電極60が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50及び絶縁体膜55を設けずに、第1電極60のみが振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電アクチュエーター300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。また、各圧電アクチュエーター300の個別電極である第2電極80には、例えば、金Au等からなるリード電極90がそれぞれ接続されている。このような圧電アクチュエーター300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、弾性膜50及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、保護基板30の圧電アクチュエーター300に対向する領域には、圧電アクチュエーター300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電アクチュエーター保持部32が設けられている。圧電アクチュエーター保持部32は、圧電アクチュエーター300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電アクチュエーター300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電アクチュエーター300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料例えば、厚さが6μmのポリフェニレンサルファイドPPSフィルムからなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、金属等の硬質の材料例えば、厚さが30μmのステンレス鋼SUS等で形成される。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、絶縁体膜55、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。ここで、本実施形態の液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの製造方法について詳細に説明する。なお、図3~図6は、本発明の実施形態1に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。まず、図3aに示すように、流路形成基板10が複数一体的に形成されるシリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2からなる二酸化シリコン膜51を形成する。次いで、図3bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜51上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55を形成する。次いで、図3cに示すように、白金及びイリジウムからなる第1電極60を絶縁体膜55上に形成した後、所定形状にパターニングする。第1電極60の形成方法は特に限定されないが、例えば、スパッタリング法や化学蒸着法CVD法などが挙げられる。なお、本実施形態では、第1電極60の材料として白金及びイリジウムを用いるようにしたが、第1電極60の材料は、特にこれに限定されず、白金又はイリジウムだけであってもよく、またその他の金属材料を用いるようにしてもよい。次に、図4aに示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛PZT等からなる圧電体層70と、例えば、イリジウムからなる第2電極80とを流路形成基板用ウェハー110の全面に形成する。なお、圧電体層70の形成方法は、本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、いわゆるゾル-ゲル法を用いて圧電体層70を形成した。なお、圧電体層70の形成方法は、特に限定されず、例えば、MODMetalOrganicDecomposition法、スパッタリング法又はレーザーアブレーション法等のPVDPhysicalVaporDeposition法等を用いてもよい。次に、図4bに示すように、第2電極80及び圧電体層70を同時にエッチングすることにより各圧力発生室12に対応する領域に圧電アクチュエーター300を形成する。ここで、第2電極80及び圧電体層70のエッチングは、例えば、反応性イオンエッチングやイオンミリング等のドライエッチングが挙げられる。次に、図4cに示すように、流路形成基板用ウェハー110の全面に亘って金Auからなるリード電極90を形成後、各圧電アクチュエーター300毎にパターニングする。次に、図5aに示すように、保護基板用ウェハー130を、流路形成基板用ウェハー110上に接着剤35を介して接着する。ここで、この保護基板用ウェハー130は、保護基板30が複数一体的に形成されたものであり、保護基板用ウェハー130には、マニホールド部31及び圧電アクチュエーター保持部32が予め形成されている。保護基板用ウェハー130を接合することによって流路形成基板用ウェハー110の剛性は著しく向上することになる。次いで、図5bに示すように、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚みに薄くする。次いで、図6aに示すように、流路形成基板用ウェハー110上にクロムCrを含有するマスク52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。具体的には、まず、流路形成基板用ウェハー110の圧電アクチュエーター300が形成された面とは反対面を逆スパッタにより表面活性化を行う。流路形成基板用ウェハー110の逆スパッタは、後にマスク52を形成するスパッタ装置、例えば、DCスパッタ装置によって行うことができる。ここで、逆スパッタとは、通常のスパッタリング法におけるターゲット側の電極と流路形成基板用ウェハー110側の電極とに印加する電圧の大きさを反転することにより、高電圧印加でイオン化された不活性ガスをターゲットではなく、直接流路形成基板用ウェハー110に衝突させることを言う。このように、流路形成基板用ウェハー110を逆スパッタすることにより、表面の不純物を除去すると共に表面を活性化させて、後のマスク層52の密着性が向上される。そして、逆スパッタによって表面活性化を行った後は、流路形成基板用ウェハー110の圧電アクチュエーター300が形成された面とは反対面にクロムCrを含有するマスク52を形成する。ここで、クロムCrを含有するマスク52とは、クロムCr、クロム化合物及びクロムを含む合金などを含み、これら単体又は2以上を組み合わせたものを含むものである。クロム化合物としては、例えば、酸化クロムCrOXや窒化クロムCrN等が挙げられる。本実施形態では、マスク52として、流路形成基板用ウェハー110側に酸化シリコンからなる第1マスク層521と、第1マスク層521の流路形成基板用ウェハー110とは反対面側に酸化クロムCrO2からなる第2マスク層522と、第2マスク層522の第1マスク層521とは反対面側に設けられてクロムCrからなる第3マスク層523と、を順次積層して形成した。第1マスク層521は、例えば、比較的低温100°C以下で成膜するのが好ましい。これは、比較的低温100°C以下で酸化シリコンを成膜すると、アモルファス非晶質な酸化シリコンが形成されるからである。このような非晶質な酸化シリコンからなる第1マスク層521は、フッ酸等でエッチングによりパターニングしなくても、流路形成基板用ウェハー110を異方性エッチングする際に用いるアルカリ溶液によってパターニングができる。このため、低温で成膜した第1マスク層521を選択的にエッチングするエッチング工程を削除することができ、製造工程を簡略化して製造コストを低減することができる。また、第1マスク層521を比較的低温で形成することで、流路形成基板用ウェハー110や、流路形成基板用ウェハー110上に形成された弾性膜50、絶縁体膜55、圧電アクチュエーター300及びリード電極90や、保護基板用ウェハー130等への熱による影響を抑制することができる。もちろん、第1マスク層521は、比較的高温で形成しても、流路形成基板用ウェハー110を異方性エッチングする前に第1マスク層521を、例えばフッ酸を用いたエッチングによりパターニングすれば、第1マスク層521をマスクとして流路形成基板用ウェハー110を異方性エッチングすることができる。このような第1マスク層521は、この上に形成するクロムCrを含有する第2マスク層522や流路形成基板用ウェハー110との密着性が良好であるため、クロムCrを含有する第2マスク層522を直接流路形成基板用ウェハー110上に形成する場合に比べて、密着力を向上することができる。このため、後の工程で、マスク52を介して流路形成基板用ウェハー110を異方性エッチングする際に、マスク52の剥離等を確実に抑制することができ、安定したエッチングを行うことができる。第2マスク層522は、第1マスク層521の流路形成基板用ウェハー110とは反対面側に全面に亘って形成されたものである。本実施形態の第2マスク層522は、酸化クロムCrO2からなる。第3マスク層523は、第2マスク層522の第1マスク層521とは反対面側に全面に亘って形成されたものである。本実施形態の第3マスク層523は、クロムCrからなる。このような第2マスク層522及び第3マスク層523は、例えば、スパッタリング法やCVD法等により形成することができる。次いで、図6bに示すように、第2マスク層522と第3マスク層523とをエッチングによりパターニングすることで、開口部524を形成する。開口部524は、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15を形成するためのものであり、これらの開口と同じ形状で形成する。このような第2マスク層522及び第3マスク層523のエッチングでは、特に図示していないが、第3マスク層523上に塗布したレジストを露光及び現像することで所定パターンのレジスト膜を形成した後、このレジスト膜をマスクとして第2マスク層522及び第3マスク層523をエッチングすることにより所定形状に加工する。また、第2マスク層522及び第3マスク層523のエッチングは、例えば、硝酸セリウム溶液を用いたウェットエッチングを用いることができる。そして、図6cに示すように、流路形成基板用ウェハー110をマスク52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15を形成する。このとき、上述のように、低温で成膜した第1マスク層521は、アルカリ溶液によってエッチングされるため、開口部524と同じ開口が形成され、これらマスク52を介して流路形成基板用ウェハー110がエッチングされる。その後は、流路形成基板用ウェハー110表面のマスク52を除去し、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー110の保護基板用ウェハー130とは反対側の面にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することで、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIが形成される。なお、マスク52は、ノズルプレート20を接合する前に除去しなくてもよい。このように、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIは、クロムCrを含有するマスク52によって圧力発生室12等の液体流路が異方性エッチングされる。このため、窒化シリコンなどのマスクを設けるのに比べて、流路形成基板用ウェハー110を繰り返し洗浄する洗浄工程が不要となり、作業工程を減少させてコストを低減することができる。特に、マスクとして窒化シリコンを設けた場合には、洗浄工程にマスクの密着性が敏感に作用し、流路形成基板用ウェハー110とマスクとの安定的な密着が困難で、流路形成基板用ウェハー110をウェットエッチングする際のアルカリ溶液によって密着が不安定な部分から流路形成基板用ウェハー110のエッチングが始まってしまうなどの不具合が発生し易いが、本実施形態のように、クロムCrを含有するマスク52を用いることで、流路形成基板用ウェハー110のエッチング不良等が発生するのを抑制することができる。さらに、本実施形態によれば、流路形成基板用ウェハー110をウェットエッチングすることにより圧力発生室12等の液体流路を形成することができるため、複数枚の流路形成基板用ウェハー110を安定的に一括で処理することが可能となる。このため、高密度な圧力発生室12等の液体流路を高精度に形成することができると共にドライエッチングに比べて安価に製造することができる。他の実施形態以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態1では、マスク52として、酸化シリコンからなる第1マスク層521、酸化クロムからなる第2マスク層522及びクロムからなる第3マスク層523を設けるようにしたが、特にこれに限定されない。マスク52は、上述のようにクロムCrを含有していればよく、クロムCrを含有しているとは、クロムCr、クロム化合物及びクロムを含む合金などを含み、これら単体又は2以上を組み合わせたものを含むものである。したがって、マスク52として、例えば、酸化シリコンからなる第1マスク層521を設けずに、酸化クロムからなる第2マスク層522及びクロムからなる第3マスク層523のみを形成してもよい。また、マスク52は、酸化シリコンからなる第1マスク層521と酸化クロムからなる第2マスク層522とだけで形成してもよく、酸化シリコンからなる第1マスク層521とクロムからなる第3マスク層523とだけで形成してもよい。すなわち、言い換えると、マスクは、酸化シリコンを含有する第1マスク層521と、クロムを含有する第2マスク層とで構成されていればよく、このクロムを含有する第2マスク層とは、クロム、クロム化合物及びクロムを含む合金などを含み、これら単体又は2以上組み合わせたものを含むものである。したがって、ここで言う第2マスク層とは、上述した実施形態1の酸化クロムからなる第2マスク層522であっても、クロムからなる第3マスク層523であってもよい。もちろん、マスク52は、酸化クロムからなる第2マスク層522だけで形成してもよく、またクロムからなる第3マスク層523のみで形成してもよい。また、上述した実施形態1では、流路形成基板10として、結晶面方位が110面のシリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、結晶面方位が100面のシリコン単結晶基板を用いるようにしてもよく、また、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。なお、上記実施の形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッドを対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED電界放出ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられ、かかる液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置にも適用できる。