"半導体基板上方に形成された有機材料を含む光電変換層と、前記半導体基板に形成され、前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号を読みだすMOS型の信号読出し回路とを有する固体撮像素子であって、前記信号読出し回路は、前記光電変換層によって発生した電荷を蓄積する第一の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷が転送される第二の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記第二の電荷蓄積部に転送する転送トランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位をリセットするリセットトランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタとを含み、前記リセットトランジスタの電源が接続される半導体領域の電位を深い状態から浅い状態に変更して、前記半導体領域から前記第一の電荷蓄積部に電荷を注入し、この状態から、前記半導体領域の電位を浅い状態から深い状態に変更して、前記第一の電荷蓄積部に注入された電荷を前記半導体領域に排出させる駆動をフレーム毎に行う制御部を備える固体撮像素子。請求項1記載の固体撮像素子であって、前記光電変換層と前記信号読出し回路とを有する画素を複数有し、隣接する複数の前記画素において、前記信号読出し回路の一部を共有している固体撮像素子。請求項2記載の固体撮像素子であって、前記信号読出し回路の一部を共有している複数の前記画素は、前記リセットトランジスタを共有しており、前記制御部は、当該複数の画素において独立に電荷の注入及び排出を行わせる駆動を行う固体撮像素子。請求項1~3のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、前記制御部は、前記第一の電荷蓄積部に電荷を注入しているときは前記転送トランジスタをオンにする固体撮像素子。請求項4記載の固体撮像素子であって、前記制御部は、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷を前記半導体領域に排出しているときも前記転送トランジスタをオンのままにする固体撮像素子。請求項5記載の固体撮像素子であって、前記制御部は、前記転送トランジスタをオフにして、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出を完了し、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出時間の長さによって、前記第一の電荷蓄積部に残す注入電荷の量を制御する固体撮像素子。請求項6記載の固体撮像素子であって、前記制御部は、前記第一の電荷蓄積部の電位が、前記転送トランジスタがオンのときに前記転送トランジスタのゲート電極に印加される電圧によって一意に決まる前記転送トランジスタのチャネル領域の電位よりも浅い状態で、前記転送トランジスタをオフにする固体撮像素子。請求項6又は7記載の固体撮像素子であって、前記制御部は、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出時間の長さを撮影シーンに応じて変更する固体撮像素子。半導体基板上方に形成された有機材料を含む光電変換層と、前記半導体基板に形成され、前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号を読みだすMOS型の信号読出し回路とを有する固体撮像素子の駆動方法であって、前記信号読出し回路は、前記光電変換層によって発生した電荷を蓄積する第一の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷が転送される第二の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記第二の電荷蓄積部に転送する転送トランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位をリセットするリセットトランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタとを含み、前記リセットトランジスタの電源が接続される半導体領域の電位を深い状態から浅い状態に変更して、前記半導体領域から前記第一の電荷蓄積部に電荷を注入し、この状態から、前記半導体領域の電位を浅い状態から深い状態に変更して、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷を前記半導体領域に排出させる駆動をフレーム毎に行う駆動ステップを備える固体撮像素子の駆動方法。請求項9記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記固体撮像素子は、前記光電変換層と前記信号読出し回路とを有する画素を複数有し、隣接する複数の前記画素において前記信号読み出し回路の一部を共有しており、前記駆動ステップでは、前記隣接する複数の画素において独立に電荷の注入及び排出を行わせる駆動を行う固体撮像素子の駆動方法。請求項9又は10記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記駆動ステップでは、前記第一の電荷蓄積部に電荷を注入しているときは前記転送トランジスタをオンにする固体撮像素子の駆動方法。請求項11記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記駆動ステップでは、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷を前記半導体領域に排出しているときも前記転送トランジスタをオンのままにする固体撮像素子の駆動方法。請求項12記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記駆動ステップでは、前記転送トランジスタをオフにして、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出を完了し、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出時間の長さによって、前記第一の電荷蓄積部に残す注入電荷の量を制御する固体撮像素子の駆動方法。請求項13記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記駆動ステップでは、前記第一の電荷蓄積部の電位が、前記転送トランジスタがオンのときに前記転送トランジスタのゲート電極に印加される電圧によって一意に決まる前記転送トランジスタのチャネル領域の電位よりも浅い状態で、転送トランジスタをオフにする固体撮像素子の駆動方法。請求項13又は14記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記駆動ステップでは、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出時間の長さを撮影シーンに応じて変更する固体撮像素子の駆動方法。請求項1~8のいずれか1項記載の固体撮像素子を備える撮像装置。しかし、特許文献2,3は、半導体基板に形成される信号読出し回路がCCDChargeCoupledDevice型であることを前提にしており、駆動電圧の低いMOS型の場合を考慮していない。また、特許文献2,3に記載の固体撮像素子では、注入ダイオードを画素毎に形成する必要があり、画素サイズが大きくなるため多画素化に適さない。また、注入ダイオードを形成するプロセスが必要になるため、製造コストが増大する。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高画質化、多画素化、及び低コスト化が可能な光電変換層積層型の固体撮像素子及びその駆動方法と、その固体撮像素子を備える撮像装置を提供することを目的とする。本発明の固体撮像素子は、半導体基板上方に形成された有機材料を含む光電変換層と、前記半導体基板に形成され、前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号を読みだすMOS型の信号読出し回路とを有する固体撮像素子であって、前記信号読出し回路は、前記光電変換層によって発生した電荷を蓄積する第一の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷が転送される第二の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記第二の電荷蓄積部に転送する転送トランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位をリセットするリセットトランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタとを含み、前記リセットトランジスタの電源が接続される半導体領域の電位を深い状態から浅い状態に変更して、前記半導体領域から前記第一の電荷蓄積部に電荷を注入し、この状態から、前記半導体領域の電位を浅い状態から深い状態に変更して、前記第一の電荷蓄積部に注入された電荷を前記半導体領域に排出させる駆動をフレーム毎に行う制御部を備えるものである。本発明の固体撮像素子の駆動方法は、半導体基板上方に形成された有機材料を含む光電変換層と、前記半導体基板に形成され、前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号を読みだすMOS型の信号読出し回路とを有する固体撮像素子の駆動方法であって、前記信号読出し回路は、前記光電変換層によって発生した電荷を蓄積する第一の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷が転送される第二の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記第二の電荷蓄積部に転送する転送トランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位をリセットするリセットトランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタとを含み、前記リセットトランジスタの電源が接続される半導体領域の電位を深い状態から浅い状態に変更して、前記半導体領域から前記第一の電荷蓄積部に電荷を注入し、この状態から、前記半導体領域の電位を浅い状態から深い状態に変更して、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷を前記半導体領域に排出させる駆動をフレーム毎に行う駆動ステップを備えるものである。本発明の撮像装置は、前記固体撮像素子を備えるものである。本発明によれば、高画質化、多画素化、及び低コスト化が可能な光電変換層積層型の固体撮像素子及びその駆動方法と、その固体撮像素子を備える撮像装置を提供することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態を説明するための光電変換層積層型の固体撮像素子100の平面模式図である。この固体撮像素子100は、デジタルカメラ及びデジタルビデオカメラ等の撮像装置、電子内視鏡及びカメラ付携帯電話機等に搭載される撮像モジュール、等に搭載して用いられる。図1に示す固体撮像素子100は、行方向とこれに直交する列方向に二次元状図1の例では正方格子状に配列された複数の画素101と、画素101からの信号の読み出しを制御するための走査回路102と、各画素101から出力される信号を処理する信号処理部103と、固体撮像素子100を統括制御する制御部104とを備える。走査回路102は、リセット線RS、転送制御線Tx、行選択線RW、リセットドレイン線RDLの各々を介して各画素101に含まれる後述する信号読出し回路に接続される。信号処理部103は、出力信号線OSを介して各画素101と接続される。図2は、図1に示す固体撮像素子100における画素101の概略構成を模式的に示した図である。図2に示すように、画素101は、半導体基板上方に形成される光電変換素子Pと、半導体基板に形成されたMOS型の信号読出し回路Sとを備える。光電変換素子Pは、半導体基板上方に形成された画素電極21と、画素電極21上方に形成された対向電極23と、画素電極21と対向電極23の間に設けられた光電変換層22とを含む。対向電極23は、その上方から光が入射される。対向電極23は、光電変換層22に光を入射させる必要があるため、入射光に対して透明なITO等の導電性材料で構成される。対向電極23は、全ての画素101で共通の一枚構成であるが、画素101毎に分割してあっても良い。画素電極21は、画素101毎に分割された薄膜であり、透明又は不透明の導電性材料ITOやアルミニウムや窒化チタン等で構成される。光電変換層22は、入射光のうちの特定の波長域を吸収して、吸収した光量に応じた電荷を発生する有機の光電変換材料を含んで構成された層である。光電変換層22と対向電極23の間、又は、光電変換層22と画素電極21の間には、電極から光電変換層22に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層が設けてあってもよい。光電変換層22で発生した電荷のうちの電子が画素電極21に移動し、正孔が対向電極23に移動するように、対向電極23にはバイアス電圧が印加される。信号読出し回路Sは、画素電極21に移動した電荷を蓄積する電荷蓄積部11と、フローティングディフュージョンFD13と、電荷蓄積部11に蓄積された電荷をFD13に転送する転送トランジスタ30と、FD13の電位をリセットするリセットトランジスタ31と、FD13の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ32と、出力トランジスタ32から出力された信号を出力信号線OSに選択的に出力する行選択トランジスタ33とを備える。なお、信号読み出し回路Sに含まれるトランジスタは、nMOSトランジスタから形成される。図3は、図1に示した固体撮像素子100における画素101の概略構成を示す断面模式図である。図2に示した光電変換素子Pは、半導体基板であるp型シリコン基板10以下、基板10という上方に形成され、図2に示した信号読出し回路Sは、この基板10に形成されている。基板10内には画素電極21と電気的に接続されたn型不純物層からなる電荷蓄積部11が設けられている。電荷蓄積部11と画素電極21は、基板10上方に形成された、導電性材料からなるコンタクト配線20によって接続されている。電荷蓄積部11は、光電変換層22で発生し画素電極21に移動した電荷を蓄積する。電荷蓄積部11の隣には、少し離間してn型不純物層からなるフローティングディフュージョンFD13が形成され、電荷蓄積部11とFD13との間の基板10上方には、転送トランジスタ30のゲート電極12が形成されている。このゲート電極12には、図1に示した転送制御線Txが接続される。FD13の隣には少し離間してn型不純物層からなるリセットドレイン領域半導体領域15以下、RD15というが形成され、FD13とRD15との間の基板10上方にはリセットトランジスタ31のゲート電極14が形成されている。このゲート電極14には、図1に示したリセット線RSが接続される。RD15には図1に示したリセットドレイン線RDLが接続されており、制御部104からこのリセットドレイン線RDLを介してRD15に可変の電圧を供給できるようになっている。RD15はリセットトランジスタ31のドレインだけでなく、出力トランジスタ32のドレインとしても機能する。なお、図4に示すように、RD15の隣に出力トランジスタ32のドレイン領域であるn型不純物領域24を形成し、ここに固体撮像素子100の電源電圧VDDを供給するようにしてもよい。図4のようにリセットトランジスタ31のドレインと出力トランジスタ32のドレインを分離することで、出力トランジスタ32以降の信号読出し回路については、従来の信号読出し回路と全く同じ構成及び駆動となる。RD15の隣には少し離間してn型不純物層17が形成され、RD15とn型不純物層17との間の基板10上方には、出力トランジスタ32のゲート電極16が形成されている。このゲート電極16はFD13と電気的に接続される。n型不純物層17の隣には少し離間してn型不純物層19が形成され、n型不純物層17とn型不純物層19との間の基板10上方には、行選択トランジスタ33のゲート電極18が形成されている。このゲート電極18には、図1に示した行選択線RWが接続される。以上のように構成された固体撮像素子100の動作について説明する。図5は、図1に示した固体撮像素子100の1画素行分の撮像動作を説明するためのタイミングチャートである。図5において、RWは、行選択線RWに供給される電圧波形を示し、Txは、転送制御線Txに供給される電圧波形を示し、RSは、リセット線RSに供給される電圧波形を示し、RDは、リセットドレイン線RDLを介してRD15に供給される電圧波形を示し、蓄積部は、電荷蓄積部11の電位を示し、FDは、FD13の電位を示している。固体撮像素子100では、その動作中、電荷蓄積部11に電荷を蓄積する蓄積期間と、蓄積期間中に電荷蓄積部11に蓄積された電荷に応じた信号を読みだす信号読出し期間とからなるフレーム期間フレームが繰り返される。以下では、最初のフレームにおいてのみ固体撮像素子100に光を照射し、2フレーム以降では光照射を行わずに撮像を継続した場合2フレーム以降は暗時撮像を行った場合の動作を説明する。図6~図8は、図1に示した固体撮像素子100の撮像動作時の基板10内のポテンシャル遷移を示す図である。図6のa~fと図7のg~iは、図5に示したa~iの各期間における基板10内のポテンシャル図である。図6~図8において、Txは転送トランジスタ30のゲート電極12下方のチャネル領域のポテンシャルを示し、RSはリセットトランジスタ31のゲート電極14下方のチャネル領域のポテンシャルを示す。光電変換層22に光を照射し、当該光によって光電変換層22で発生する電荷を電荷蓄積部11に蓄積するための蓄積期間において、制御部104は、走査回路102を制御して、行選択トランジスタ33、転送トランジスタ30、及びリセットトランジスタ31をオフにし、RD15に固体撮像素子100の電源電圧VDD;一般的には約3Vを供給する。この蓄積期間中、電荷蓄積部11には、光電変換層22に入射する光量に応じた電荷が蓄積される図5、6のa。転送トランジスタ30がオフのときには、転送トランジスタ30のゲート電極12下方のチャネル領域の電位は浅い状態である。リセットトランジスタ31がオフのときには、リセットトランジスタ31のゲート電極14下方のチャネル領域の電位は浅い状態である。なお、以下では、図5aの蓄積期間の終了と共に、固体撮像素子100に光を照射するのを止めるものとする。蓄積期間終了後、制御部104は、走査回路102を制御して、行選択トランジスタ33をオンにし、その後、リセットトランジスタ31をオンにしてゲート電極14下方のチャネル領域の電位を深くして、FD13の電位をリセットする図5、6のb。次に、制御部104は、走査回路102を制御してリセットトランジスタ31をオフにし、FD13のリセットを完了する図5、6のc。この時点で、FD13の電位に応じた信号が出力トランジスタ32から出力され、この信号が選択トランジスタ33を介して信号出力線OSに基準信号として出力される。次に、制御部104は、走査回路102を制御して転送トランジスタ30をオンにしゲート電極12下方のチャネル領域の電位を深くし、電荷蓄積部11に蓄積されている電荷をFD13に転送する図5、6のd。次に、制御部104は、走査回路102を制御して転送トランジスタ30をオフにし、電荷蓄積部11に蓄積されている電荷のFD13への転送を完了する図5、6のe。この時点で、FD13の電位に応じた信号が出力トランジスタ32から出力され、この信号が選択トランジスタ33を介して信号出力線OSに出力される。信号処理部において前述の基準信号との差分を取得することで、低ノイズの信号が取得できる。次に、制御部104は、走査回路102を制御して転送トランジスタ30及びリセットトランジスタ31をオンにすると共に、RD15に供給する電圧を、電源電圧VDDから、転送トランジスタ30のゲート電極12に印加されている電圧によって一意に決まる転送トランジスタ30のチャネル領域の電位、及び、リセットトランジスタ31のゲート電極14に印加されている電圧によって一意に決まるリセットトランジスタ31のチャネル領域の電位よりも低い値に変更して、RD15から電荷蓄積部11に電荷を注入する図5、6のf。図6fの状態では、電荷蓄積部11、転送トランジスタ31のチャネル領域、FD13、及びリセットトランジスタ31のチャネル領域の各々の電位が、RD15の電位と同じになる。次に、制御部104は、走査回路102を制御して転送トランジスタ30及びリセットトランジスタ31をオンにしたまま、RD15に供給する電圧を電源電圧VDDに戻し、電荷蓄積部11に注入した電荷をRD15に排出する図5、7のg。次に、制御部104は、転送トランジスタ30のゲート電極12に印加される電圧によって一意に決まる転送トランジスタ30の転送チャネルの電位よりも、電荷蓄積部11の電位が浅い状態で、走査回路102を制御して転送トランジスタ30及びリセットトランジスタ31をオフにし、電荷蓄積部11に注入した電荷のRD15への排出を完了する図5、7のh。図5の期間hにおける電荷蓄積部11の電位は、図7の期間gの長さ電荷排出期間の長さによって決まり、電荷蓄積部11にもともと蓄積されていた電荷量には依存しない。図7の期間hの後は、再び蓄積期間光照射はされていない期間に移行し、制御部104は、図5の期間a~hに示したのと同じ駆動aとbの間の期間の駆動も含むを行う。即ち、図7iに示す状態から、選択トランジスタ33をオンにした後、リセットトランジスタ31をオンにしてFD13をリセットし図7j、続いてリセットトランジスタ31をオフにしてFD13のリセットを完了し図7k、続いて転送トランジスタ30をオンにして電荷蓄積部11に蓄積された電荷をFD13に転送する図7l。続いて、転送トランジスタ30をオフにして電荷転送を完了し図8n、その後、転送トランジスタ30及びリセットトランジスタ31をオンにすると共に、RD15に供給する電圧を低くして、電荷蓄積部11にRD15から電荷を注入する図8m。次に、RD15の電位を電源電圧VDDに戻して、注入電荷の排出を行い図8o、続いて転送トランジスタ30及びリセットトランジスタ31をオンにして、電荷排出を完了する図8p。図8pの状態での電荷蓄積部11の電位は、図7hの状態での電荷蓄積部11の電位と同じである。すなわち、信号電荷量に依存せず電荷蓄積部11が初期化されており、残像の発生が抑制される。図9は、図5に示した駆動によって固体撮像素子100から出力される信号出力の時間変化を示した図である。なお、図9では、電荷注入を行わない場合の図15に示した信号出力の変化を従来例として併せて示してある。図9に示した信号出力eは、図6eの状態でのFD13の電位に応じた信号であり、信号出力nは、図8nの状態でのFD13の電位に応じた信号である。図9を見て分かるように、図5に示した駆動方法によれば、光照射が終了した次のフレームから信号出力が一定になり、残像の発生を防止することができる。以上のように、固体撮像素子100によれば、MOS型の信号読出し回路Sに含まれるリセットトランジスタ31のRD15から電荷蓄積部11に電荷を注入し、フレーム毎の電荷蓄積開始時の電荷蓄積部11の電位を常に一定にしているため、残像の発生を防いで高画質の撮像が可能になる。また、リセットトランジスタ31のRD15から電荷蓄積部11に電荷を注入する構成のため、信号読出し回路SとしてMOS回路を用いる従来の固体撮像素子の構成を変更することなく、残像の抑制が可能になる。この結果、電荷注入機構を別途設けることによる製造工程数の増加、画素サイズの増大を防ぐことができ、低コスト化及び多画素化が可能となる。また、信号読出し回路SとしてMOS回路を用いているため、CCD型に比べて消費電力を低減することができる。また、固体撮像素子100は、図6fや図8mに示すように、RD15から電荷蓄積部11に電荷を注入する際に、転送トランジスタ30をオンにして、転送トランジスタ30のゲート電極12に印加されている電圧によって一意に決まる転送トランジスタ30のチャネル領域の電位を、電荷蓄積部11に電荷を蓄積する期間のときの転送トランジスタ30のゲート電極12に印加されている電圧によって一意に決まる転送トランジスタ30のチャネル領域の電位よりも深くしている。転送トランジスタ30をオンにせずにRD15から電荷蓄積部11に電荷注入をしようとすると、RD15の電位をかなり浅くする必要があり、消費電力の増加を招くが、固体撮像素子100によればこのようなことはない。また、固体撮像素子100は、図7gや図8oに示すように、転送トランジスタ30をオンにしたまま、電荷蓄積部11に注入した電荷をRD15に排出し、この転送トランジスタ30をオンにしている時間により、電荷蓄積部11に残す注入電荷の量を制御している。つまり、電荷蓄積部11に注入した電荷を排出する期間の長さを変更するだけで、電荷蓄積部11に残す注入電荷の量を変えることができる。このため、例えば、明るいシーンでは電荷蓄積部11の飽和を多くするために、電荷蓄積部11に残す注入電荷の量を減らす等の駆動を行う撮影シーンに応じて電荷排出期間の長さを変更することで、シーンに適した駆動も可能になる。また、固体撮像素子100は、図7gや図8oに示すように、転送トランジスタ30がオンのときの転送トランジスタ30の転送チャネルの電位転送トランジスタ30のゲート電極12に印加されている電圧によって一意に決まる転送トランジスタ30のチャネル領域の電位よりも電荷蓄積部11の電位が浅い状態で、転送トランジスタ30をオフにして電荷排出を完了させている。このため、転送トランジスタ30がオンのときの転送トランジスタ30の転送チャネルの電位と電荷蓄積部11の電位とが同じになるまで待ってから電荷排出を完了させる場合と比較して、電荷排出に要する時間を短縮することができる。以上の説明では、信号読出し回路Sが、光電変換層22で発生した電荷のうちの電子に応じた信号を読みだすものとしたが、これに限らない。画素電極21に正孔が移動するようにバイアス電圧を印加し、信号読出し回路Sを、光電変換層22で発生した電荷のうちの正孔に応じた信号を読みだすものとしてもよい。この場合の構成は、図3においてn型不純物領域を全てp型にしたものとなる。また、図6~8に示したポテンシャル図については同じままであり、信号読出し回路Sに供給される電圧はこのポテンシャル図に準ずる。また、固体撮像素子100では、隣接する画素101において、信号読出し回路Sの一部を共有する構成としてもよい。このようにすることで、画素サイズを小さくすることができる。図10は、図1に示す固体撮像素子100において列方向に隣接する2つの画素101で信号読出し回路Sの一部を共有させた構成の一例を示す図である。図10に示すように、FD13、リセットトランジスタ31、出力トランジスタ32、及び行選択トランジスタ33については、列方向に隣接する2つの画素101で共通化し、当該2つの画素101の各々に含まれる転送トランジスタ30をオンにするタイミングを制御することで、当該2つの画素101の各々の電荷蓄積部11の蓄積電荷を独立にFD13に転送して、それぞれの蓄積電荷に応じた信号を信号出力線OSに出力することができる。図11は、図10に示す構成の固体撮像素子の2画素行分の撮像動作を説明するためのタイミングチャートである。図11において、RWは、行選択線RWに供給される電圧波形を示し、Tx1、Tx2は、転送制御線Tx1、Tx2に供給される電圧波形を示し、RSは、リセット線RSに供給される電圧波形を示し、RDは、リセットドレイン線RDLを介してRD15に供給される電圧波形を示し、蓄積部A、蓄積部Bは、隣接する2つの画素101に含まれる2つの電荷蓄積部11の電位を示し、FDは、FD13の電位を示している。図11において、信号読出し期間1では、図10の列方向に隣接する2つの画素101のうち下側の画素101の転送トランジスタ30がオフになっている以外は、当該2つの画素101のうちの上側の画素101に対して図5に示したのと同様の駆動が行われ、信号読出し期間2では、図10の列方向に隣接する2つの画素101のうち上側の画素101の転送トランジスタ30がオフになっている以外は、当該2つの画素101のうちの下側の画素101に対して図5に示したのと同様の駆動が行われる。このような駆動によって信号読出し回路の一部を共有する2つの画素101毎に独立に電荷を注入及び排出させることができ、各画素における残像を抑制することができる。以上説明したように、本明細書には次の事項が開示されている。開示された固体撮像素子は、半導体基板上方に形成された有機材料を含む光電変換層と、前記半導体基板に形成され、前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号を読みだすMOS型の信号読出し回路とを有する固体撮像素子であって、前記信号読出し回路は、前記光電変換層によって発生した電荷を蓄積する第一の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷が転送される第二の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記第二の電荷蓄積部に転送する転送トランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位をリセットするリセットトランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタとを含み、前記リセットトランジスタの電源が接続される半導体領域の電位を深い状態から浅い状態に変更して、前記半導体領域から前記第一の電荷蓄積部に電荷を注入し、この状態から、前記半導体領域の電位を浅い状態から深い状態に変更して、前記第一の電荷蓄積部に注入された電荷を前記半導体領域に排出させる駆動をフレーム毎に行う制御部を備えるものである。この構成により、リセットトランジスタの電源が接続される半導体領域から第一の電荷蓄積部に電荷を注入し、第一の電荷蓄積部に注入された電荷を当該半導体領域に排出する駆動をフレーム毎に行うため、第一の電荷蓄積部に電荷を蓄積開始するときの第一の電荷蓄積部の電位を各フレームで一定にすることができ、残像を抑制することができる。また、信号読出し回路に電荷注入のための機構を追加することなく残像を抑制することができ、多画素化及び低コスト化が可能になる。開示された固体撮像素子は、前記光電変換層と前記信号読出し回路とを有する画素を複数有し、隣接する複数の前記画素において、前記信号読出し回路の一部を共有しているものである。この構成により、1画素あたりのトランジスタの数を減少でき、画素サイズの縮小及び多画素化が容易となる。開示された固体撮像素子は、前記信号読出し回路の一部を共有している複数の前記画素が前記リセットトランジスタを共有しており、前記制御部は、当該複数の画素において独立に電荷の注入及び排出を行わせる駆動を行うものである。この構成により、1画素あたりのリセットドトランジスタの数を少なくすることができ、画素サイズの縮小及び多画素化が容易となる。開示された固体撮像素子は、前記制御部は、前記第一の電荷蓄積部に電荷を注入しているときは前記転送トランジスタをオンにするものである。この構成により、半導体領域の電位を大きく変更せずにすむため、消費電力を低減することができる。開示された固体撮像素子は、前記制御部は、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷を前記半導体領域に排出しているときも前記転送トランジスタをオンのままにするものである。この構成により、第一の電荷蓄積部に残す注入電荷の量を制御することができる。開示された固体撮像素子は、前記制御部は、前記転送トランジスタをオフにして、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出を完了し、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出時間の長さによって、前記第一の電荷蓄積部に残す注入電荷の量を制御するものである。この構成により、転送トランジスタをオンにしている時間によって、第一の電荷蓄積部への注入電荷量を制御することができ、注入電荷量の制御が容易となる。開示された固体撮像素子は、前記制御部は、前記第一の電荷蓄積部の電位が、前記転送トランジスタがオンのときに前記転送トランジスタのゲート電極に印加される電圧によって一意に決まる前記転送トランジスタのチャネル領域の電位よりも浅い状態で、前記転送トランジスタをオフにするものである。この構成により、電荷注入に要する時間を短くすることができる。開示された固体撮像素子は、前記制御部は、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出時間の長さを撮影シーンに応じて変更するものである。開示された固体撮像素子の駆動方法は、半導体基板上方に形成された有機材料を含む光電変換層と、前記半導体基板に形成され、前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号を読みだすMOS型の信号読出し回路とを有する固体撮像素子の駆動方法であって、前記信号読出し回路は、前記光電変換層によって発生した電荷を蓄積する第一の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷が転送される第二の電荷蓄積部と、前記第一の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記第二の電荷蓄積部に転送する転送トランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位をリセットするリセットトランジスタと、前記第二の電荷蓄積部の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタとを含み、前記リセットトランジスタの電源が接続される半導体領域の電位を深い状態から浅い状態に変更して、前記半導体領域から前記第一の電荷蓄積部に電荷を注入し、この状態から、前記半導体領域の電位を浅い状態から深い状態に変更して、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷を前記半導体領域に排出させる駆動をフレーム毎に行う駆動ステップを備えるものである。開示された固体撮像素子の駆動方法は、前記固体撮像素子は、前記光電変換層と前記信号読出し回路とを有する画素を複数有し、隣接する複数の前記画素において前記信号読み出し回路の一部を共有しており、前記駆動ステップでは、前記隣接する複数の画素において独立に電荷の注入及び排出を行わせる駆動を行うものである。開示された固体撮像素子の駆動方法は、前記駆動ステップでは、前記第一の電荷蓄積部に電荷を注入しているときは前記転送トランジスタをオンにするものである。開示された固体撮像素子の駆動方法は、前記駆動ステップでは、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷を前記半導体領域に排出しているときも前記転送トランジスタをオンのままにするものである。開示された固体撮像素子の駆動方法は、前記駆動ステップでは、前記転送トランジスタをオフにして、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出を完了し、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出時間の長さによって、前記第一の電荷蓄積部に残す注入電荷の量を制御するものである。開示された固体撮像素子の駆動方法は、前記駆動ステップでは、前記第一の電荷蓄積部の電位が、前記転送トランジスタがオンのときに前記転送トランジスタのゲート電極に印加される電圧によって一意に決まる前記転送トランジスタのチャネル領域の電位よりも浅い状態で、前記転送トランジスタをオフにするものである。開示された固体撮像素子の駆動方法は、前記駆動ステップでは、前記第一の電荷蓄積部に注入した電荷の前記半導体領域への排出時間の長さを撮影シーンに応じて変更するものである。開示された撮像装置は、前記固体撮像素子を備えるものである。"