"式Iで表される化合物と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。[式I中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表すか、R1及びR2は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに炭素数5~20の環を形成する。R3は、置換基を有していてもよい炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-で置き換わっていてもよい。T1は、2価の炭素数1~17の炭化水素基を表し、該2価の炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。mは0又は1の整数を表す。]R1及びR2が、互いに結合して、これらが結合する炭素原子と共にシクロヘキサン環を形成する請求項1記載のレジスト組成物。R3が、炭素数1~6アルキル基又は置換基を有してもよい炭素数6~20の芳香族炭化水素基である請求項1又は2記載のレジスト組成物。従来から知られる上記レジスト組成物では、得られるパターンのパターン倒れ耐性PCMが必ずしも満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。[1]式Iで表される化合物と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。[式I中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表すか、R1及びR2は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに炭素数5~20の環を形成する。R3は、置換基を有していてもよい炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-で置き換わっていてもよい。T1は、2価の炭素数1~17の炭化水素基を表し、該2価の炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。mは0又は1の整数を表す。][2]R1及びR2が、互いに結合して、これらが結合する炭素原子と共にシクロヘキサン環を形成する[1]記載のレジスト組成物。[3]R3が、炭素数1~6アルキル基又は置換基を有してもよい炭素数6~20の芳香族炭化水素基である[1]又は[2]記載のレジスト組成物。本発明のレジスト組成物によれば、優れたパターン倒れ耐性PCMを有するレジストパターンを得ることができる。本明細書では、特に断りのない限り、同様の置換基を有するいずれの化学構造式も、炭素数を適宜選択しながら、後述する具体的な各置換基を適用することができる。直鎖状、分岐状又は環状いずれかをとることができるものは、特記ない限りそのいずれをも含み、また、同一の基において、直鎖状、分岐状及び/又は環状の部分構造が混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、それらの立体異性体の全てを包含する。さらに、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種並びにアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。本発明のレジスト組成物は、本発明の式Iで表される化合物と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤とを含む。<式Iで表される化合物>[式I中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表すか、R1及びR2は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに炭素数5~20の環を形成する。R3は、置換基を有していてもよい炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-で置き換わっていてもよい。T1は、2価の炭素数1~17の炭化水素基を表し、該2価の炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。mは0又は1の整数を表す。]R1及びR2における炭素数1~6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基等が挙げられる。R1及びR2が、互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに形成する炭素数5~20の環としては、シクロへプタン環、シクロへキサン環及びアダマンタン環等が挙げられる。R1及びR2は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに炭素数5~20の環を形成することが好ましい。該環は、好ましくは炭素数5~20の飽和炭化水素環であり、より好ましくは炭素数5~10の飽和炭化水素環であり、さらに好ましくはシクロへキサン環である。R3における置換基を有していてもよい炭素数1~36の炭化水素基としては、置換基を有していてもよい直鎖状、分枝鎖状又は環状の炭素数1~36の脂肪族炭化水素基及び置換基を有していてもよい炭素数6~36の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、好ましくは炭素数1~6のアルキル基又は置換基を有してもよい炭素数6~14の芳香族炭化水素基である。脂肪族炭化水素基としては、上述のアルキル基;シクロヘキシル基、アダマンチル基等の環状脂肪族炭化水素基が挙げられる。該アルキル基及び該環状脂肪族炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-で置き換わっていてもよい。前記芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数1~6のアルコキシ基が挙げられる。前記芳香族炭化水素基がこれらの基を有する場合、前記芳香族炭化水素基の炭素数は、置換基の炭素数も含めて6~36が好ましく、6~14がより好ましい。置換基を有してもよい炭素数6~14の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、2メチルフェニル基、2,6-ジメチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4エトキシフェニル基等が挙げられる。T1は、2価の炭素数1~17の炭化水素基を表す。2価の炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分枝鎖状アルカンジイル基、及び2価の環状炭化水素基が挙げられる。直鎖状アルカンジイル基としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基が挙げられる。分枝鎖状アルカンジイル基としては、例えば、前記直鎖状アルカンジイル基に、炭素数1~4のアルキル基例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を付け加えたものが挙げられる。2価の環状炭化水素基としては、シクロアルカンジイル基例えばシクロヘキサンジイル基、2価の橋かけ環状炭化水素基例えばアダマンタンジイル基が挙げられる。T1はこれらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。2価の炭素数1~17の炭化水素基のうち、炭素数1~6の直鎖状アルカンジイル基が好ましく、エチレン基がより好ましい。T1の-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。T1は、好ましくは式T1-Aで表される。なお式T1-Aで表される基は、左側で-CO-O-と結合する。[式T1-A中、T11は、炭素数1~16の2価の炭化水素基を表す。]T11は、-CH2-、-CH22-、-CH24-、-CH28-、-CH212-であることが好ましく、-CH2-がより好ましい。mは、0が好ましい。式Iで表される化合物は、例えば、以下で表される化合物が挙げられる。式Iで表される化合物は、例えば、特開平3-70726号公報に記載の方法によって製造することができる。例えば、式Iで表される化合物のうち、式I1で表される化合物の製造方法を下記に示す。[式中、R1、R2及びR3は、それぞれ上記と同義である。]化合物I1は、式I1-aで表される化合物と式I1-bで表される化合物とを溶媒中で反応させることにより得られる。ここでの溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。[式中、R1、R2及びR3は、それぞれ上記と同義である。]式I1-aで表される化合物としては、イソプロピルイソシアネート、2,6-ジイソプロピルフェニルイソシアネート等が挙げられる。式I1-bで表される化合物としては、以下で表される化合物等が挙げられる。式Iで表される化合物は、レジスト組成物中に1種類のみ含まれていても、2種以上含まれていてもよい。式Iで表される化合物の含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、0.01~5質量であり、より好ましく0.01~3質量であり、特に好ましく0.01~1質量である。樹脂以下樹脂Aという場合がある。樹脂Aは、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である。樹脂Aは、酸に不安定な基を有するモノマー以下酸に不安定な基を有するモノマーa1という場合があるを重合することによって製造でき、酸の作用によりアルカリ可溶となるという特性を有する。酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得るとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。酸に不安定な基を有するモノマーa1酸に不安定な基とは、脱離基を有し、酸と接触すると該脱離基が脱離して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式1で表される基、式2で表される基などが挙げられる。[式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成する。は結合手を表す。][式2中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該2価の炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O―又は―S-で置き換わってもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及び下記のような基等が挙げられる。式1では、脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~16である。Ra1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3基としては、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~12である。式1で表される酸に不安定な基としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。好ましくは、Ra1’及びRa2’のうち少なくとも1つが水素原子である。式2で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸に不安定な基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーである。酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5~20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。酸に不安定な基と脂環式炭化水素基とを有するメタアクリル系モノマーとして、好ましくは式a1-1で表されるモノマー又は式a1-2で表されるモノマーが挙げられる。これらは、式1で表される基を有するモノマーa1に相当する。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-を表し、k1は1~7の整数を表し、は-CO-との結合手を表す。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0又は1の整数を表す。]La1及びLa2は、好ましくは、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-であり、より好ましくは-O-である。k1は、好ましくは1~4の整数、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ra6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。Ra6及びRa7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及び下記のような基等が挙げられる。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1’は好ましくは1である。式a1-1で表されるモノマーとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a1-1-1~a1-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-1-1~a1-1-3で表されるモノマーがより好ましい。式a1-2で表されるモノマーとしては、例えば、1-エチルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレート、1-エチルシクロヘプタン-1-イルメタアクリレート、1-メチルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート、1-イソプロピルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート等が挙げられる。下式a1-2-1~a1-2-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-2-3~a1-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a1-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂が式a1-1で表されるモノマー及び/又は式a1-2で表されるモノマーに由来する構造単位を有する場合、その合計含有率は、樹脂の全単位において、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。樹脂Aは、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマーa1と、酸に不安定な基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるとの共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。樹脂Aが酸に不安定な基を有するモノマーa1と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位は、全構造単位100モルに対して、好ましくは10~80モル、より好ましくは20~60モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に酸に不安定な基を有するモノマーa1-1に由来する構造単位の含有率は、好ましくは酸に不安定な基を有するモノマーa1に対して15モル以上である。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2という場合がある又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下ラクトン環を有する酸安定モノマーa3という場合があるに由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0を使用する。短波長のArFエキシマレーザ露光193nmなどを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、好ましくは、式a2-1で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーa2-0として、式a2-0で表されるモノマーが挙げられる。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一であっても異なってもよい。]Ra30におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基が挙げられ、好ましくは、炭素数1~4のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルキル基であり、特に好ましくは、メチル基である。Ra31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基等が挙げられ、好ましくは、炭素数1~4のアルコキシ基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルコキシ基であり、特に好ましくは、メトキシ基である。maは、好ましくは、0~2であり、より好ましくは、0又は1であり、特に好ましくは、0である。ヒドロキシ基の置換位置は、Ra30-C=CH2-に対して、好ましくはm位又はp位であり、より好ましくはp位である。このようなフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーa2-0に由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、フェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したモノマーa2-0及びその他の共重合性モノマーとをラジカル重合した後、酸又は塩基によって脱保護することによって得ることができる。樹脂Aは、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位を有しているので、前記の脱保護を行う際には、該酸不安定基を著しく損なわないよう、塩基との接触により、脱保護することが好ましい。保護基としては、例えば、アセチル基等が好ましい。塩基としては、例えば、4-ジメチルアミノビリジン、トリエチルアミン等が挙げられる。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとしては、例えば、特開2010-204634号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a2-0-1及びa2-0-2で表されるモノマーが好ましい。樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。樹脂が式a2-0で表されるモノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂の全単位において、通常5~90モルであり、好ましくは10~85モルであり、より好ましくは15~80モルである。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式a2-1で表されるモノマーが挙げられる。式a2-1中、La3は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、-O-、-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1としては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a2-1-1~a2-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a2-1-1~a2-1-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a2-1-1又はa2-1-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂が式a2-1で表されるモノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂の全単位において、通常3~40モルであり、好ましくは5~35モルであり、より好ましくは5~30モルである。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環、δ-バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ-ブチロラクトン環、又は、γ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、好ましくは、式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4のアルキル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4のアルキル基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21は、互いに同一でも異なってもよく、q1が2以上のとき、複数のRa22は、互いに同一でも異なってもよく、r1が2以上のとき、複数のRa23は、互いに同一でも異なってもよい。式a3-1~式a3-3では、La4~La6としては、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-であることが好ましく、より好ましくは-O-である。k3は、好ましくは1~4の整数であり、より好ましくは1である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1~r1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3としては、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a3-1-1~a3-1-4、a3-2-1~a3-2-4、a3-3-1~a3-3-4で表されるモノマーが好ましく、下式a3-1-1~a3-1-2、a3-2-3~a3-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a3-1-1又はa3-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂がラクトン環を有する酸安定モノマーa3に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂の全単位において、通常3~70モルであり、好ましくは5~50モルである。また、式a3-1で表されるモノマーに由来する構造単位、式a3-2で表されるモノマーに由来する構造単位及び/又は式a3-3で表されるモノマーに由来する構造単位を有する場合、これらの含有率は、それぞれ、通常5~50モルであり、好ましくは10~45モルであり、より好ましくは15~40モルであり、さらに好ましくは20~40モルである。その他のモノマーa4樹脂は、上記のモノマー以外のその他の公知のモノマーa4に由来する構造単位を有していてもよい。好ましくは、樹脂Aは、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマーa1、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマーa3を重合させた共重合体である。該共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマーa1は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2の少なくとも1種を含むさらに好ましくは、必須成分としてアダマンチル基を有するモノマーa1-1を含むモノマーであり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1であり、ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、より好ましくはγ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種さらに好ましくは酸安定モノマーa3-1及び酸安定モノマーa3-2をともに含むモノマーである。樹脂Aは、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは30,000以下である。樹脂Aの含有率は、好ましくは、組成物の固形分中80質量以上99質量以下である。なお本明細書において組成物中の固形分とは、後述する溶剤Eを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂Aの含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。酸発生剤以下酸発生剤Bという場合がある酸発生剤Bは、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。酸発生剤Bとしては、例えば特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。酸発生剤Bは、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式B1で表されるスルホン酸塩である。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]ペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。式B1では、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基、プロパン-2,2-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基特に、炭素数1~4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を有したもの、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、1,3-シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基シレン基、シクロオクタン-1,5-ジイル基、等のシクロアルカンジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式炭化水素基;ノルボルナン-2,3-ジイル基、ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、アダマンタン-1,2-ジイル基、アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基等の多環式の2価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。Lb1における前記飽和炭化水素基に含まれる-CH2-が-O-又は-CO-で置き換わった基としては、例えば、式b1-1~式b1-6で表される2価の基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれか、さらに好ましくは式b1-1又は式b1-2が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側でCQ1Q2-と結合し、右側で-Yと結合する。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の炭素数上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の炭素数上限は12である。中でも、好ましくは式b1-1で表される2価の基であり、より好ましくは、Lb2が単結合又は-CH2-である式b1-1で表される2価の基である。尚、Yがアルキル基であり、かつLb1が炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基である場合、該2価の飽和炭化水素基のYと結合する-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わる。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。Yのアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~6のアルキル基が挙げられる。アルキル基及び脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1~12のアルキル基、ヒドロキシ基含有炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~16の脂環式炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1基式中、Rb1は、炭素数1~16のアルキル基、炭素数3~16の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。Yの置換基であるアルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。ヒドロキシ基含有アルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Yのアルキル基及び脂環式炭化水素基における-CH2-が-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わった基としては、例えば、環状エーテル基-CH2-が-O-で置き換わった基、オキソ基を有する脂環式炭化水素基-CH2-が-CO-で置き換わった基、スルトン環基隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-又は-SO2-で置き換わった基又はラクトン環基隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-又は-CO-で置き換わった基等が挙げられる。特に、Yの脂環式炭化水素基としては、式Y1~式Y26で表される基が挙げられる。なかでも、好ましくは式Y1~式Y19のいずれかで表される基であり、より好ましくは式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基であり、さらに好ましくは式Y11又は式Y14で表される基である。Yとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yは、好ましくは置換基例えば、ヒドロキシ基、オキソ基等を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。式B1で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式b1-1-1~式b1-1-9で表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては、符号の定義は上記と同じ意味であり、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に炭素数1~4のアルキル基好ましくは、メチル基を表す。式B1で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開2010-204646号公報に記載されたアニオンが挙げられる。酸発生剤Bに含まれるカチオンは、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、アリールスルホニウムカチオンである。式B1中のZは、好ましくは式b2-1~式b2-4のいずれかで表される。これらの式b2-1~式b2-4において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該アルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11のアルキル基は、好ましくは炭素数1~12であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3~18、より好ましくは炭素数4~12である。Rb12は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10と、及びRb11とRb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの環の-CH2-は、-O-、-S-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一でも異なってもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一でも異なってもよく、q2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一でも異なってもよく、r2が2以上であるとき、複数のRb16は互いに同一でも異なってもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb17は互いに同一でも異なってもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一でも異なってもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。アルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、好ましくは、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基、及びイソボルニル基が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、好ましくは、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基が挙げられる。置換基が芳香族炭化水素基であるアルキル基アラルキル基としては、ベンジル基などが挙げられる。Rb9及びRb10が形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環、1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11及びRb12が形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。カチオンb2-1~カチオンb2-4の中でも、好ましくは、カチオンb2-1であり、より好ましくは、式b2-1-1で表されるカチオンであり、特に好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。である。式b2-1-1中、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。アルキル基は、好ましくは炭素数1~12であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18である。該アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。該脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は、互いに同一でも異なってもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なってもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なってもよい。なかでも、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基である。カチオンとしては、具体的には、特開2010-204646号公報に記載されたカチオンが挙げられる。酸発生剤B1は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができ、好ましくは、アニオンb1-1-1~アニオンb1-1-9のいずれかとカチオンb2-1-1との組合せ、並びにアニオンb1-1-3~b1-1-5のいずれかとカチオンb2-3との組合せが挙げられる。酸発生剤B1としては、好ましくは、式B1-1~式B1-17で表される塩が挙げられ、より好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオン又はトリトリルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1-1、B1-2、B1-3、B1-6、B1-7、B1-11、B1-12、B1-13及びB1-14が挙げられる。酸発生剤Bの含有量は、樹脂A含有量100質量部に対して、好ましくは1質量部以上より好ましくは3質量部以上、好ましくは30質量部以下より好ましくは25質量部以下である。塩基性化合物以下塩基性化合物Cという場合がある本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cを含むことが好ましい。塩基性化合物Cはクエンチャーとして作用する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なってもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一でも異なってもよい。]アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。[式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3又はp3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc14及びRc15は互いに同一でも異なってもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3、r3及びs3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc18、Rc19及びRc20は互いに同一でも異なってもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6-ジイソプロピルアニリンが挙げられる。式C2で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリン等が挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾール等が挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジン等が挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。塩基性化合物Cの含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、0.01~5質量程度であり、より好ましく0.01~3質量程度であり、特に好ましく0.01~1質量程度である。溶剤以下溶剤Eという場合がある本発明のレジスト組成物は、溶剤Eを含んでいてもよい。溶剤Eの含有率は、例えばレジスト組成物中90質量以上、好ましくは92質量以上、より好ましくは94質量以上であり、例えば99.9質量以下、好ましくは99質量以下である。溶剤Eの含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。溶剤Eとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤Eは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。その他の成分以下成分Fという場合がある本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、成分Fを含有していてもよい。成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。<本発明のレジスト組成物及びその調製方法>本発明のレジスト組成物は、式Iで表される化合物、樹脂A及び酸発生剤B並びに、任意で用いられる溶剤E、塩基性化合物C及び成分Fを混合することで調製することができる。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤Eに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて選べばよく、0.5~24時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。このように、各成分の各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本発明のレジスト組成物は調製できる。レジストパターンの製造方法本発明のレジストパターンの製造方法は、1本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。塗布後の組成物を乾燥させて溶剤を除去する。溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させることいわゆるプリベークにより行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、溶剤が除去された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、50~200°C程度にすることが好ましい。また、圧力は、1~1.0×105Pa程度にすることが好ましい。得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、露光機は、電子線又は超紫外光EUVを照射するものであってもよい。露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。加熱温度としては、通常50~200°C程度、好ましくは70~150°C程度である。加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。用途本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物として好適である。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製また、化合物の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値をMASSで示す。[化合物I-1の製造]式I-1-bで表される化合物10.00部、アセトニトリル25.00部及びトリエチルアミン0.03部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、式I-1-aで表される化合物5.80部を滴下し、85°Cで18時間攪拌還流した。得られた反応液を23°Cまで冷却した後、酢酸エチル160部及びイオン交換水80部を仕込み、攪拌、分液を行った。回収された有機層にイオン交換水80部を仕込み、攪拌、分液を行った。この水洗操作を5回行った。回収した有機層を濃縮することにより、式I-1で表される化合物12.19部を得た。MASS:217.1[化合物I-2の合成]式I-2-bで表される化合物10.00部、アセトニトリル25.00部及びトリエチルアミン0.03部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、式I-2-aで表される化合物4.45部を滴下し、85°Cで18時間攪拌還流した。得られた反応液を23°Cまで冷却した後、酢酸エチル160部及びイオン交換水80部を仕込み、攪拌、分液を行った。回収された有機層にイオン交換水80部を仕込み、攪拌、分液を行った。この水洗操作を5回行った。回収した有機層を濃縮することにより、式I-2で表される化合物12.62部を得た。MASS:257.2[化合物I-3の合成]式I-3-bで表される化合物10.00部、アセトニトリル25.00部及びトリエチルアミン0.03部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、式I-3-aで表される化合物10.62部を滴下し、85°Cで18時間攪拌還流した。得られた反応液を23°Cまで冷却した後、酢酸エチル250部及びイオン交換水125部を仕込み、攪拌、分液を行った。回収された有機層にイオン交換水125部を仕込み、攪拌、分液を行った。この水洗操作を5回行った。回収した有機層を濃縮することにより、式I-3で表される化合物15.19部を得た。MASS:375.2[化合物I-4の合成]式I-3-bで表される化合物10.00部、アセトニトリル25.00部及びトリエチルアミン0.03部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、式I-4-aで表される化合物13.84部を滴下し、85°Cで12時間攪拌還流した。得られた反応液を23°Cまで冷却した後、酢酸エチル150部及びイオン交換水75部を仕込み、攪拌、分液を行った。回収された有機層にイオン交換水75部を仕込み、攪拌、分液を行った。この水洗操作を5回行った。回収した有機層を濃縮することにより、式I-4で表される化合物12.68部を得た。MASS:335.2使用した化合物を下記に示す。樹脂A1の合成モノマーとして、モノマーa1-1-3、モノマーa1-2-3、モノマーa2-1-1、モノマーa3-1-1及びモノマーa3-2-3を用い、そのモル比モノマーa1-1-3:モノマーa1-2-3:モノマーa2-1-1:モノマーa3-1-1:モノマーa3-2-3が30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.1×103の樹脂A1共重合体を収率65で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A2の合成モノマーとして、モノマーa1-1-2、モノマーa2-1-1及びモノマーa3-1-1を用い、そのモル比モノマーa1-1-2:モノマーa2-1-1:モノマーa3-1-1が50:25:25となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを80°Cで約8時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.2×103の樹脂A2共重合体を収率60で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。表1に示すように、以下の各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1:樹脂A1A2:樹脂A2<酸発生剤>B1:B2:<式Iで表される化合物>I-1:式I-1で表される化合物I-2:式I-2で表される化合物I-3:式I-3で表される化合物I-4:式I-4で表される化合物<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265部2-ヘプタノン20.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部γ-ブチロラクトン3.5部12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBし、組成物層を形成した。こうして組成物層レジスト組成物膜を形成したウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏向]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行った。さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。<パターン倒れ耐性評価PCM>45nmのラインアンドスペースパターンにおけるラインパターンの線幅とスペースパターンの線幅とが1:1となる露光量を基準とし、露光量を0.2mJ/cm2ずつ上げてオーバー露光による線幅変動と、ラインパターンの倒れ又は剥がれによるパターン消失とを観察した。この時、ラインパターンの線幅が38nmより細くなっても、ラインパターンの倒れ又は剥がれによるパターン消失が観察されない場合を○、ラインパターンの線幅が38nm以上で、倒れ、又は剥がれによるパターン消失が観察される場合を×とした。括弧内の数値は、パターン消失がなく、ウェハ上に残った最小のラインパターンの線幅nmを示す。これらの結果を表2に示す。"