"MEMS共振器の共振周波数を調整する方法であって、前記MEMS共振器は、第1電気接点を含む第1基板アンカーと、第2電気接点を含む第2基板アンカーと、第1端部が前記第1基板アンカーによって固定され、第2端部が前記第2基板アンカーによって固定されている梁構造とを備えており、前記MEMS共振器は第1共振周波数を含んでいる、MEMS共振器の共振周波数を調整する方法において、前記第1電気接点に印加する第1加熱電流を選択する工程と、前記第1加熱電流を前記MEMS共振器に印加する工程とを含み、前記第1加熱電流を印加する工程は、前記第1加熱電流を前記第1電気接点から前記第2電気接点へ流して前記梁構造を抵抗加熱する工程を含んでおり、これに応じて、前記第1梁構造の材料が変化して前記MEMS共振器の第2共振周波数を提供する、方法。前記MEMS共振器の前記第1共振周波数を測定する工程であって、前記第1加熱電流は測定した前記第1共振周波数に基づいて選択される、測定する工程を更に含んでいる、請求項1に記載の方法。前記MEMS共振器の前記第2共振周波数を測定する工程と、前記第1電気接点に印加する第2加熱電流を計算する工程と、前記第2加熱電流を前記MEMS共振器に印加する工程とを含み、前記第2加熱電流を印加する工程は、前記第2加熱電流を前記第1電気接点から前記第2電気接点へ流して前記梁構造を抵抗加熱する工程を含んでおり、これに応じて、前記第1梁構造の材料が変化して前記MEMS共振器の第3共振周波数を提供する、請求項1に記載の方法。前記梁構造は、多梁整調フォーク構造を備えており、前記多梁整調フォーク構造内の各梁は、前記第1基板アンカーによって固定されている第1端部と、前記第2基板アンカーによって固定されている第2端部とを備えている、請求項1に記載の方法。前記第1電流は、前記梁構造を、300°Cを越えるまで抵抗加熱する、請求項1に記載の方法。前記第1電流は、前記梁構造を、約900°Cと約1200°Cの間に抵抗加熱する、請求項1に記載の方法。前記梁構造は高張力区域を備えており、前記高張力区域は、前記第1電流に応じて抵抗加熱され、前記高張力区域の材料を変化させる、請求項7に記載の方法。前記梁構造は高張力区域を備えており、前記高張力区域は、前記第1加熱電流に応じて、前記梁構造の他の部分より相当に高い温度まで加熱される、請求項1に記載の方法。MEMS共振器の共振周波数を調整する方法であって、前記MEMS共振器は、第1電気接点を含む第1基板アンカーと、第2電気接点を含む第2基板アンカーと、第1端部が前記第1基板アンカーによって固定され、第2端部が前記第2基板アンカーによって固定されている梁構造とを備えており、前記MEMS共振器は第1共振周波数を含んでいる、MEMS共振器の共振周波数を調整する方法において、第1加熱電流を前記MEMS共振器に印加する工程を含み、前記第1加熱電流を印加する工程は、前記第1加熱電流を前記第1電気接点から前記第2電気接点へ流して前記梁構造を抵抗加熱する工程を含んでおり、これに応じて、前記第1梁構造の材料が蒸発して前記MEMS共振器の第2共振周波数を提供し、前記MEMS共振器の前記第2共振周波数を測定する工程を含む、方法。前記MEMS共振器の前記第1共振周波数を測定する工程と、測定した前記第1共振周波数に基づいて前記第1加熱電流を決める工程と、を更に含む、請求項9に記載の方法。前記MEMS共振器の前記第2共振周波数を測定する工程と、前記第1電気接点に印加する第2加熱電流を決める工程と、前記第2加熱電流を前記MEMS共振器に印加する工程とを含み、前記第2加熱電流を印加する工程は、前記第2加熱電流を前記第1電気接点から前記第2電気接点へ流して前記梁構造を抵抗加熱する工程を含んでおり、これに応じて、前記第1梁構造の材料が変化して前記MEMS共振器の第3共振周波数を提供する、請求項9に記載の方法。前記梁構造は、多梁整調フォーク構造を備えており、前記多梁整調フォーク構造内の各梁は、前記第1基板アンカーによって固定されている第1端部と、前記第2基板アンカーによって固定されている第2端部とを備えている、請求項9に記載の方法。前記第1電流は、前記梁構造を、300°Cを越えるまで抵抗加熱する、請求項9に記載の方法。前記第1電流は、前記梁構造を、約900°Cと約1200°Cの間に抵抗加熱する、請求項9に記載の方法。前記梁構造は少なくとも1つの高張力区域を備えており、前記高張力区域は、前記第1加熱電流に応じて、前記梁構造の他の部分より相当に高い温度まで加熱される、請求項9に記載の方法。前記梁構造は多結晶シリコン材料で構成されており、前記第1電流は、前記梁構造を、約900°Cと約1200°Cの間に抵抗加熱する、請求項9に記載の方法。前記梁構造は多結晶シリコン材料で構成されており、前記第1電流は、前記梁構造を、約1200°Cを越える温度まで抵抗加熱する、請求項9に記載の方法。MEMS共振器の共振周波数を調整する方法であって、前記MEMS共振器は、梁構造と周波数調整構造とを備えており、前記周波数調整構造は、多結晶シリコンで構成されており、第1及び第2電気接点を含んでおり、前記MEMS共振器は第1共振周波数を含んでいる、MEMS共振器の共振周波数を調整する方法において、第1加熱電流を前記周波数調整構造に印加する工程を含み、前記第1加熱電流を印加する工程は、前記第1加熱電流を前記第1電気接点から前記第2電気接点へ流して前記周波数調整構造を抵抗加熱する工程を含んでおり、これに応じて、前記周波数調整構造の材料が蒸発し、前記梁構造の上に蒸着して、前記MEMS共振器の第2共振周波数を提供し、前記MEMS共振器の前記第2共振周波数を測定する工程を含む、方法。前記MEMS共振器の前記第1共振周波数を測定する工程と、測定した前記第1共振周波数に基づいて前記第1加熱電流を決める工程と、を更に含んでいる、請求項18に記載の方法。前記MEMS共振器の前記第2共振周波数を測定する工程と、前記第1電気接点に印加する第2加熱電流を決める工程と、前記第2加熱電流を前記周波数調整構造に印加する工程とを含み、前記第2加熱電流を印加する工程は、前記第2加熱電流を前記第1電気接点から前記第2電気接点へ流して前記周波数調整構造を抵抗加熱する工程を含んでおり、これに応じて、前記周波数調整構造の追加の材料が前記梁構造の上に蒸着して、前記MEMS共振器の第3共振周波数を提供する、請求項18に記載の方法。前記梁構造は、多梁整調フォーク構造を備えており、前記多梁整調フォーク構造内の各梁は、第1基板アンカーによって固定されている第1端部と、第2基板アンカーによって固定されている第2端部とを備えている、請求項18に記載の方法。前記周波数調整構造は、前記MEMS共振器の固定電極に一体化されている、請求項18に記載の方法。前記第1電流は、前記周波数調整構造を、900°Cと1200°Cの間に抵抗加熱する、請求項18に記載の方法。前記梁構造は少なくとも1つの高張力区域を備えており、前記第1加熱電流に応じて、前記周波数調整構造の材料は前記高張力区域の上に蒸着する、請求項18に記載の方法。前記梁構造は複数の高張力区域を備えており、前記第1加熱電流に応じて、前記周波数調整構造の相当量の蒸発した材料が前記高張力区域の上に蒸着する、請求項18に記載の方法。前記周波数調整構造と前記梁構造は多結晶シリコン材料で構成されており、前記第1電流は、前記周波数調整構造を、約900°Cを越える温度に抵抗加熱する、請求項18に記載の方法。前記周波数調整構造と前記梁構造は多結晶シリコン材料で構成されており、前記第1電流は、前記周波数調整構造を、約1200°Cを越える温度に抵抗加熱する、請求項18に記載の方法。前記周波数調整構造は固定電極に一体化されている、請求項27に記載の方法。前記梁構造は複数の高張力区域を備えており、前記第1加熱電流に応じて、前記周波数調整構造の相当量の蒸発した材料が前記高張力区域以外の区域の上に蒸着する、請求項18に記載の方法。前記周波数調整構造と前記梁構造は多結晶シリコン材料で構成されており、前記第1電流は、前記周波数調整構造を、約900°Cを越える温度に抵抗加熱する、請求項29に記載の方法。前記周波数調整構造と前記梁構造は多結晶シリコン材料で構成されており、前記第1電流は、前記周波数調整構造を、約1200°Cを越える温度に抵抗加熱する、請求項29に記載の方法。以下、多くの発明について説明し、図示する。第1の重要な態様では、本発明は、第1共振周波数を有するMEMS共振器の共振周波数を調整する方法である。或る実施形態では、MEMS共振器は、第1電気接点を含む第1基板アンカーと、第2電気接点を含む第2基板アンカーと、第1端部が第1基板アンカーによって固定され、第2端部が第2基板アンカーによって固定されている梁構造と、を備えている。本方法は、第1電気接点に印加する第1加熱電流を選択する工程と、第1加熱電流をMEMS共振器に印加する工程を含んでおり、前記第1加熱電流を印加する工程は、第1加熱電流を第1電気接点から第2電気接点へ流して、梁構造を例えば、300°C以上の、約900°Cと約1200°Cの間の、及び/又は、1200°C以上の温度まで抵抗加熱する工程を含んでいる。これに応じて、第1梁構造の材料が変化して、MEMS共振器の第2共振周波数を提供する。或る実施形態では、本方法は、更に、MEMS共振器の第1共振周波数を測定する工程を含んでおり、第1加熱電流は、測定した第1共振周波数に基づいて選択される。別の実施形態では、本方法は、更に、MEMS共振器の第2共振周波数を測定する工程と、第1電気接点に印加する第2加熱電流を計算する工程と、第2加熱電流をMEMS共振器に印加する工程と、を含んでおり、第2加熱電流を印加する工程は、第2加熱電流を第1電気接点から第2電気接点へ流して梁構造を抵抗加熱する工程を含んでいる。第2加熱電流に応じて、第1梁構造の材料が変化して、MEMS共振器の第3共振周波数を提供する。MEMS共振器は、多梁整調フォーク構造を備えた梁構造を含んでおり、多梁整調フォーク構造内の各梁は、第1基板アンカーによって固定されている第1端部と、第2基板アンカーによって固定されている第2端部とを備えている。或る実施形態では、梁構造は高張力区域を備えており、高張力区域は、第1電流に応じて抵抗加熱され、高張力区域の材料を変化させる。別の実施形態では、高張力区域は、梁構造の他の部分より相当に高い温度まで加熱される。別の重要な態様では、本発明は、第1共振周波数を有するMEMS共振器の共振周波数を調整する方法である。MEMS共振器は、第1電気接点を含む第1基板アンカーと、第2電気接点を含む第2基板アンカーと、第1端部が第1基板アンカーによって固定され、第2端部が第2基板アンカーによって固定されている梁構造と、を備えている。本方法は、第1加熱電流をMEMS共振器に印加する工程を含んでおり、第1加熱電流を印加する工程は、第1加熱電流を第1電気接点から第2電気接点へ流して梁構造を例えば、300°C以上、約900°Cと約1200°Cの間、及び/又は1200°C以上の温度まで抵抗加熱する工程を含んでいる。これに応じて、第1梁構造の材料例えば、単結晶及び/又は多結晶シリコン材料が蒸発して、MEMS共振器の第2共振周波数を提供する。本方法は、更に、MEMS共振器の第1共振周波数を測定する工程と、測定した第1共振周波数に基づいて第1加熱電流を決める工程を含んでいる。本方法は、更に、MEMS共振器の第2共振周波数を測定する工程と、第1電気接点に印加する第2加熱電流を決める工程と、第2加熱電流をMEMS共振器に印加する工程と、を含んでおり、第2加熱電流を印加する工程は、第2加熱電流を第1電気接点から第2電気接点へ流して梁構造を抵抗加熱する工程を含んでいる。その様な加熱に応じて、第1梁構造の材料が変化して、MEMS共振器の第3共振周波数を提供する。更に別の重要な態様では、本発明は、第1共振周波数を有するMEMS共振器の共振周波数を調整する方法である。本発明のこの態様のMEMS共振器は、梁構造と周波数調整構造を備えており、周波数調整構造は、多結晶シリコンから成り、第1及び第2電気接点を含んでいる。本方法は、第1加熱電流を周波数調整構造に印加する工程を含んでおり、第1加熱電流を印加する工程は、第1加熱電流を第1電気接点から第2電気接点へ流して周波数調整構造を例えば、約900°Cと約1200°Cの間、及び/又は1200°C以上の温度まで抵抗加熱する工程を含んでいる。周波数調整構造を加熱するのに応じて、周波数調整構造の材料は蒸発し、梁構造の上に蒸着してMEMS共振器の第2共振周波数を提供する。本発明のこの態様の或る実施形態では、本方法は、更に、MEMS共振器の第1共振周波数を測定する工程を含んでおり、第1加熱電流は、測定した第1共振周波数に基づいて選択される。別の実施形態では、本方法は、更に、MEMS共振器の第2共振周波数を測定する工程と、前記第1電気接点に印加する第2加熱電流を計算する工程と、第2加熱電流をMEMS共振器に印加する工程と、を含んでおり、第2加熱電流を印加する工程は、第2加熱電流を第1電気接点から第2電気接点へ流して梁構造を抵抗加熱する工程を含んでいる。第2加熱電流に応じて、第1梁構造の材料が変化して、MEMS共振器の第3共振周波数を提供する。注記すると、周波数調整構造は、MEMS共振器の固定電極と一体になっている。梁構造は、少なくとも1つの高張力区域を含んでおり、第1加熱電流に応じて、周波数調整構造の材料は、高張力区域上に蒸着する。実際、或る実施形態では、周波数調整構造の相当量の蒸発した材料が、高張力区域上に蒸着する。繰り返すが、ここでは多くの発明について説明し図示している。本発明の本概要は、本発明の範囲を網羅しているわけではない。また、本概要は、本発明の範囲を限定する意図はなく、その様に解釈しないで頂きたい。本概要では、本発明の特定の実施形態、特徴、属性、及び利点について説明してきたが、本発明の多くのこの他の、異なる、及び/又は同様の実施形態、特徴、属性、及び/又は利点が、説明、図、及び請求項から明らかであると理解頂きたい。以下の詳細な説明は、添付図面を参照しながら行う。これらの図面は、本発明の異なる態様を示しており、適切な場合は、各図面を通して、同様の構造、構成要素、材料及び/又は要素には、同様の参照番号を付している。構造、構成要素、材料及び/又は要素については、明確に図示している以外の様々な組み合わせも、考えることができ、本発明の範囲に含まれるものと理解頂きたい。ここでは多くの発明について説明し図示している。これらの発明は、最終パッケージングの前及び/又は後の何れでも調整、整調、設定、画定、及び/又は、選択することのできる出力周波数を有するマイクロ電気機械共振器を製作する方法に関している。第1態様では、本発明の方法は、機械的構造の1つ又は複数の要素及び/又は梁例えば、移動可能又は拡張可能電極を抵抗加熱することによって共振器の機械的構造の材料を変化させ、及び/又は取り除くことにより、マイクロ電気機械共振器の周波数を調整、整調、設定、画定、及び/又は選択する。本発明のこの態様では、電流を移動可能電極に印加して、機械的構造の1つ又は複数の移動可能電極の材料を変化させ、及び/又は取り除けるほどの温度まで、電極を抵抗加熱する。或る実施形態では、材料は、変化し、及び/又は移動可能電極の選択された部分例えば、高応力又は高張力の区域から取り除かれる。別の実施形態では、材料は、変化し、及び/又は移動可能電極の全部又は実質的に全部の活性区域例えば、固定電極に相対する区域から取り除かれる。この様にして、ばね定数が変化し、及び/又は梁の質量が変化し、その結果、共振器の出力の周波数に変化が生じる。例えば、図1に示すように、本発明のこの態様の第1実施形態では、MEMS共振器10は、アンカー16aと16bの間に配置された移動可能梁14aと14bを有する機械的構造12を含んでいる。この実施形態では、移動可能梁14aと14bは、導電性材料例えば、金属材料又は半導体材料例えば、シリコン及び/又はゲルマニウムの様な、電流が存在すると抵抗を生じる材料で構成されている。MEMS共振器10は、更に、固定電極18a及び18bと電気接点20a及び20bを含んでいる。この実施形態では、電気接点20aと20bは、電流を供給する電源図示せずに接続されている。例えば、或る実施形態では、電気接点20aは電源に接続され、電気接点20bは共通及び/又は大地電位に接続されている。別の実施形態では、電気接点20aと20bは、電源の端子及び/又は接点の間に接続されている。注記すると、固定電極18a及び18bと電気接点20a及び20bは、導電性材料例えば、アルミニウムの様な金属材料又は半導体材料例えば、シリコン、ゲルマニウム、及び/又はその不純物ドープ版で構成されている。抵抗が比較的低く、CMOS組み込みの様な追加処理に適しているか、又は適合する材料を採用すると好都合である。電源図示せずは、移動可能梁14a及び14bを通り、電気接点20aと20bの間を流れる電流を供給する。作動時、電流は移動可能梁14a及び14bを通って流れ、梁14aと14bは抵抗加熱される。例えば、高電圧が電気接点20aに印加され、低電圧が電気接点20bに印加されるか、又はそこに存在する場合、従来通りに指定された電流は、図1に示しているように、電気接点20aから電気接点20bに流れる。つまり、背景として、電気抵抗Rを有する要素は、電流Iが抵抗要素を通過するとき、電気エネルギーを熱エネルギーに変える。本発明の文脈では、加熱電流Iを梁構造に固有の電気抵抗へ印加することにより生じる抵抗加熱によって熱の形態で散逸される電力Pは、以下の式3で特徴付けられる。而して、電気接点20aと20bの間を流れる加熱電流Iは、移動可能梁14内に抵抗熱を生成する。この抵抗加熱の過程は、以下に詳細に説明するように、移動可能梁14aから所定量の材料を取り除き、マイクロ電気機械共振器の周波数を調整、整調、設定、画定、及び/又は選択するため、正確に制御される。その後、MEMS共振器10は、所定の、選択され、及び/又は画定された出力周波数を提供する。移動可能梁14aと14bが多結晶シリコンで構成されている上記の例では、移動可能梁14aと14bを、例えば、約300°Cから約900°Cの範囲の温度まで抵抗加熱すると、移動可能梁14aと14bをアニールすることになる。この様にして、移動可能梁14aと14bの堅硬度、従って特性が変化する。例えば、粒子が大きくなると、梁内の応力が解放されてヤング係数が変化することになる。更に、移動可能梁14aと14bが約900°Cから約1200°Cの範囲の温度まで抵抗加熱されると、移動可能梁14aと14bの単結晶及び/又は多結晶シリコン表面は、例えば、表面原子の結合エネルギーが低いために、溶け始める。注記すると、この効果は、移動可能梁14aと14bの材料の表面不動態化に依存する。例えば、移動可能電極が、周知の湿式エッチング技法と緩衝処理されたHF混合物即ち、緩衝処理酸化エッチング、又は蒸気HFを使う周知の蒸気エッチング技法を使って解放され、その後、薄膜封入技法を使って封入される場合、MEMS共振器10の機械的構造12が入っているチャンバは、反応性のH2環境内に密閉されて、塩素と水素末端基を有する高反応性シリコン表面が残る。注記すると、溶解している表面は、表面エネルギーが低い状態に改質され、移動可能梁14aと14bの幾何学形状、従ってその剛性が変わることになる。移動可能梁14aと14bを約1000°Cから1200°Cを越える温度まで抵抗加熱すると、移動可能梁14aと14bの単結晶及び/又は多結晶シリコン表面の原子は、蒸発し、移動可能梁14aと14bの表面から周囲の低温表面例えば、固定電極18aと18bに移動し始める。この様にして、移動可能梁14aと14bは薄くなって、質量が変わる。更に、移動可能梁14a及び/又は14bのばね定数も下がる。例えば、移動可能梁14aと14bの表面から原子層を数層即ち、1nmの範囲取り除くだけで、2MHzの連続固定-固定支持二本梁共振器図2B参照の周波数を114ppm変えることができる移動可能梁14aと14bが、長さ185μm、幅9μmの範囲内にある場合。式1と式2は、梁の剛性と幅の関係を示している。注記すると、本発明は、どの様な構成、設計及び/又は制御の機械的構造12のMEMS共振器10でも使用することができる。実際、現在既知のものであれ今後開発されるものであれ、全ての構成、設計及び/又は制御の機械構的造12が、本発明の範囲に入るものとする。例えば、機械的構造12は、11つ又は複数のアンカー16の間に配置される1つ又は複数の移動可能梁14と、2容積型構成例えば図11と12参照と、3例えば面内及び面外の何れか及び全方向に振動する構造と、を含んでいる。更に、移動可能梁14と固定電極18を含め、MEMS共振器10を製作するには、数多くの方法と技法がある。例えば、移動可能梁14の材料及び/又は層を蒸着させ、その後、周知のリソグラフィ、エッチング、及び/又はドーピング技法を使って、その様な材料及び/又は層から、移動可能梁14を形成する。移動可能梁14を含め、MEMS共振器10を製作する方法は、全て、現在既知のものであれ今後開発されるものであれ、本発明の範囲に入るものとする。更に、或る実施形態では、機械的構造12は、薄膜又はウェーハレベルの封入技法を使ってチャンバに封入される。この場合、MEMS共振器10は、従来の薄膜封入技法及び構造を使って密閉又は封入される。例えばWO01/77008A1及びWO01/77009A1参照。他の薄膜封入技法も適している。実際、全ての薄膜封入技法は、現在既知のものであれ今後開発されるものであれ、本発明の範囲に入るものとする。例えば、2003年6月4日出願の非仮特許出願第10/455,555号トレンチ絶縁接点を有するマイクロ電気機械システム、及びその製作方法以後、トレンチ絶縁接点を有するマイクロ電気機械システムの特許出願に記載され図示されている封入技法を採用することができる。トレンチ絶縁接点を有するマイクロ電気機械システムの特許出願に記載され図示されている全ての発明/実施形態例えば、機械的構造の製作、封入及び電気的絶縁技法を含むは、ここに記載し図示している温度補償技法と組み合わせて実施することができる。簡潔にするために、トレンチ絶縁接点を有するマイクロ電気機械システムの特許出願に記載され図示され、ここに記載し図示している温度補償技法と組み合わせて実施される実施形態については、詳細に繰り返すことはせず、概要を述べるに止める。しかしながら、トレンチ絶縁接点を有するマイクロ電気機械システムの特許出願の内容全体を、例えば、当該発明の全ての特徴、属性、代替案、材料、技法、及び利点を含めて、参考文献としてここに援用する。或る実施形態では、移動可能梁14a及び/又は14bの抵抗加熱は、MEMS共振器10の機械的構造12に選択的及び/又は所定の変化をもたらし、及び/又はそこから材料を取り除くために、集中され、集結され、及び/又は局所化される。例えば、図2Aに示すように、或る実施形態では、移動可能梁14a及び/又は14bは、移動可能梁14aと14bの高張力区域22に、集中され、集結され、及び/又は局所化された加熱を提供するように設計及び/又は製造されている。注記すると、高張力区域22の材料を、変化させ及び/又はそこから除去するのは、移動可能梁14aと14bの機械的剛性が変化するので、MEMS共振器10の周波数に移動可能梁14aと14bの他の区域に比べてより大きな影響又は効果を及ぼす例えば、式1及び式2参照。高張力区域22は、移動可能梁14a及び/又は14bの中又は上に垂直及び/又は水平方向の不純物ドーピング輪郭例えば、燐のようなn型不純物を設けることによって、他の区域とは異なる加熱を施すことができる。ドーピング輪郭は、移動可能梁14a及び/又は14bに沿う選択的位置に、高いか又は低い抵抗を提供する。この様にして、電流lを電気接点20aと20bを通して印加すると、移動可能梁14a及び/又は14bに選択的抵抗加熱が施される。例えば、高張力区域22には、移動可能梁14a及び/又は14bの他の区域よりも軽く、不純物でドーピングを施す例えば、ドーピングを施さない。こうすると、高張力区域22は、移動可能梁14a及び/又は14bの他の区域と比べて、電流に対する抵抗が高くなる。この様にして、高張力区域22は、移動可能梁14a及び/又は14bの他の区域より高い温度に加熱される。或る実施形態では、移動可能梁14aと14bが単結晶及び/又は多結晶シリコンで構成されており、高張力区域22を約1000°Cから1200°Cを越える温度まで抵抗加熱すると、高張力区域22の表面の原子が、蒸発して、高張力区域22の表面から周囲の低温の表面に移動する。先に述べたように、この実施形態では、高張力区域22は、所与の電流lに対して、移動可能梁14aと14bの他の区域より高い温度になる。この様にして、移動可能梁14aと14bの高張力区域22は、移動可能梁14aと14bの他の区域の前で薄くなる。図2B参照。高張力区域22が薄くなると、移動可能梁14aと14bの質量に選択的変化が生じ、高張力区域22に属する領域内の移動可能梁14a及び/又は14bのばね定数が選択的に下がることになる。注記すると、図2Aの、高張力区域22を含め、移動可能梁14を製作するための全ての方法及び技法は、現在既知のものであれ今後開発されるものであれ、本発明の範囲に入るものとする。例えば、移動可能梁14の材料及び/又は層を蒸着させ、その後、周知のドーピング技法を使って、移動可能梁14の高張力区域22をその様な材料及び/又は層から形成する。機械的構造12を通って周囲の材料に流れる熱の流れ例えば、基板とアンカー16a及び16bを通る熱の流れと、その様な材料へのその影響は、選択的、集結的及び/又は集中的抵抗加熱技法を実施するときには考えなければならない。先に述べたように、電源は、移動可能梁14a及び/又は14bを通り、電気接点20aと20bの間を流れる電流を提供する。或る実施形態では、電流が移動可能梁14a及び/又は14bを通って流れる際には、移動可能梁14a及び/又は14bの異なる区域の相対的抵抗のために、全部又は実質的に全部の熱が高張力区域22内で発生する。図3に示すように、本発明の或る実施形態では、機械的構造12の1つ又は複数の要素及び/又は梁又はその一部分を抵抗加熱することを介して、MEMS共振器10の機械的構造12の材料を変化させ、及び/又はそこから材料を取り除くことによってMEMS共振器10の周波数を調整、整調、設定、画定及び/又は選択するのに必要な電源26からの電流を、制御回路24が判定及び/又は計算する。制御回路24は、MEMS共振器10の出力の初期又は現在の周波数を使用して、所与の設計のMEMS共振器10の所与の作動温度又は温度範囲に適した電流を判定及び/又は計算する。注記すると、制御回路24は、最終パッケージングの前及び/又は後でもよいが、例えば、製作、試験及び/又は較正の間に、本発明の技法を実行及び/又は実施する。制御回路24は、MEMS共振器10の具体的な出力周波数を調整、整調及び/又は提供するのに必要な適切な加熱を判定するのに、数多くの技法を使用することができる。例えば、初期及び/又は現在の周波数に基づいて、制御回路24は、ルックアップ表及び/又は所定の又は数学的な関係何れか又は両方が、図示しない常駐メモリに入っているを使用して、或る梁構造のMEMS共振器10の加熱を調整及び/又は制御し、機械的構造12の材料を変化させ、及び/又はそこから取り除くことによって、MEMS共振器10の出力の周波数を補償、調整及び/又は整調する。ルックアップ表及び/又は所定の又は数学的な関係は、機械的構造12を出力信号の周波数で先に述べたように、例えば、約300°Cから約900°Cの範囲、及び/又は約900°Cから約1200°Cの範囲の温度まで抵抗加熱することの影響に基づく実験データを使って導き出される。抵抗加熱は、温度で表すこともでき、電源26による電流の出力と相関関係にある。注記すると、機械的構造12の材料を変化させ、及び/又はそこから取り除くことによって特定の梁構造のMEMS共振器10の抵抗加熱を制御して、MEMS共振器10の出力の周波数を補償、調整、及び/又は整調するための全ての技法及び/又は構成は、先に論じたものも含めて、現在既知のものであれ今後開発されるものであれ、本発明の範囲に入るものとする。本発明の或る実施形態では、MEMS共振器10の周波数の調整、補償、及び/又は整調は、反復する過程で行われる。つまり、MEMS共振器10の出力信号の初期又は現在の周波数が測定され、機械的構造12が抵抗加熱され、冷却された後に、制御回路24は、MEMS共振器10の周波数の追加的な調整及び/又は整調が必要であるか否かを、MEMS共振器10の出力の測定した周波数即ち、測定した共振周波数が、所望の、選択された、及び/又は所定の共振周波数であるか、及び/又は所望の、受容可能な及び/又は所定の周波数の範囲内にあるかに基づいて判定する。必要であれば、この過程が繰り返される。例えば図4参照。MEMS共振器10の出力の周波数を調整及び/又は整調する過程は、移動可能梁14の抵抗加熱温度をどの様に組み合わせ及び/又は入れ替えて、MEMS共振器10の出力の周波数を調整及び/又は整調することを含んでいてもよい。これに関し、移動可能梁14aは、先ず、約1200°Cの温度まで抵抗加熱される。冷却後に、制御回路24は、MEMS共振器10の周波数の追加的な調整及び/又は整調が必要か否かを測定後に判定する。この第2の抵抗加熱過程では、移動可能梁14aは、共振周波数に比較的小さな調整を施すために、約900°Cから約1200°C未満の範囲の温度まで加熱される。注記すると、移動可能梁14aが加熱される時間の長さは、どれだけの料の材料が移され又は取り除かれるかに影響する。その後、制御回路24は、共振周波数が所定の仕様即ち、20MHz±1の様な周波数の範囲内にあるか否かを判定する。この様に、加熱過程の組み合わせによって、MEMS共振器10の共振周波数が適切に調整及び/又は整調される。抵抗加熱温度の全ての組み合わせ及び/又は入れ替えは、本発明の範囲に含まれるものとする。注記すると、MEMS共振器10の初期及び/又は現在の周波数は、パッケージング又は統合/組み込みの前及び/又は後で測定され、サンプリングされ、感知される。MEMS共振器10は、更に、2つ以上の作動条件例えば、2つ以上の温度で較正され、調整され、及び/又は整調される。抵抗加熱過程の間に、或る構造の機械的構造12例えば移動可能梁14の温度が、多くの異なる直接及び間接的な技法を使って判定及び/又は測定される。移動可能梁14を含む機械的構造12の温度を判定及び/又は測定する全ての技法が、本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、或る実施形態では、電流が測定され、それに基づいて、例えば、実験情報又は数学的関係を使って、移動可能梁14の温度が判定される。別の実施形態では、温度を測定する光学赤外線法が使用される。更に別の実施形態では、制御回路24は、電源26による電流出力の時間的及び他の特徴例えば振幅を適切に制御するために、抵抗加熱される移動可能梁14及び/又は移動可能梁14の各区域に熱的に連結されている温度センサー28例えば、ダイオード、トランジスタ、抵抗器又はバリスタ、及び/又は、MEMS共振器10の基板の上又は中に配置され及び/又は位置している1つ又は複数のMEMS温度変換器からの情報/データを使用する。電源26は、移動可能梁14a及び/又は14bを通して印加される電流を従属的に又は独立して変更及び/又は修正する。温度センサー28は、移動可能梁14aと14bの実際の温度の情報を測定し、感知し、及び/又はサンプリングするため、移動可能梁14及び/又はアンカー20の上に、及び/又はそれに近接して使用される。温度センサー28は、材料が実質的に変化せず、取り除かれない区域に位置していれば好都合である。例えば、温度センサー28は、表面原子が蒸発する区域図2Bの高張力区域22以外の区域に位置していれば好都合である。温度センサー28は、制御回路24に、移動可能梁14aと14b、又は移動可能梁14aと14bに近接する領域の温度の情報を提供する。この様にして、制御回路24は、移動可能梁14aと14bの温度を判定、計算及び/又は推定し、それに応じて、電源26を制御及び/又は指揮し、適切な電流を印加又は供給させて、移動可能梁14aと14b又はその選択された部分を抵抗加熱する。或る実施形態では、制御回路24は、多数の従来型フィードバック及び/又は制御技法の1つを使って、実際の作動温度を、事前設定された、選択された、及び/又は所望の温度と比較するが、これについては以下に詳細に論じる。別の態様では、本発明は、1つ又は複数の周波数調整構造の抵抗加熱を使用して、材料をMEMS共振器の機械的構造の上に蒸着させる。本発明のこの態様の或る実施形態では、周波数調整構造は、単結晶及び/又は多結晶シリコン材料で構成されており、周波数調整構造から蒸発する材料が、移動可能部材上に蒸着されるように、機械的構造の移動可能部材の近く例えば、すぐ近くに、及び/又は対面してに配置されている。別の実施形態では、周波数調整構造は、単結晶及び/又は多結晶シリコン材料で構成されており、周波数調整構造からの材料の蒸着が集中、集結、及び/又は局所化され、機械的構造の選択された梁/部材例えば、高引張区画に選択的及び/又は所定の変化即ち、増厚をもたらすように、機械的構造に対して配置されている。焦点図5に示すように、或る実施形態では、1つ又は複数の周波数調整構造30図示の例では、4つの周波数調整構造は、或る温度まで電流によって抵抗加熱されると、周波数調整構造30の表面の原子が蒸発して、移動可能梁14aと14bの低温表面に移動するように、機械的構造12に対して、空間的に配置されている。この様にして、移動可能梁14aと14bの厚さは増し図6参照、その結果、MEMS共振器10の出力の周波数が上がる。例えば、移動可能梁14aと14bの表面に原子層を数層即ち、1nmの範囲内加えるだけで、2MHzの連続固定-固定支持二梁共振器図5に示す様な共振器10の周波数を114ppm変えることができる移動可能梁14aと14bが、長さ185μm、幅9μmの範囲内にある場合。式1及び式2は、共振器の梁の剛性と幅の関係を示している。図6に示すように、周波数調整構造30が単結晶及び/又は多結晶シリコンで構成されている場合、単結晶及び/又は多結晶シリコンの表面が約1200°Cを越える温度まで抵抗加熱されると、周波数調整構造30の表面の原子は、蒸発して、周囲の低温表面例えば、移動可能梁14aと14bに移動し始める。この様にして、移動可能梁14aと14bは、蒸発した材料32が付け加わることによって厚みが増す。更に、移動可能梁14a及び/又は14bのばね定数も上がる。本発明のこの態様の或る実施形態では、機械的構造12は、薄膜又はウェーハレベル封入技法を使ってチャンバ内に封入される。これに関し、引き続き図6を参照すると、MEMS共振器10は、チャンバ38を密閉する1つ又は複数の封入層ここでは36aと36bを含む封入構造34を含んでいる。図示の実施形態では、封入構造34は、第1封入層36aと第2封入層36bを含んでいる。トレンチ絶縁接点を有するマイクロ電気機械システムの特許出願に詳細に記載されているように、或る実施形態では、第1封入層36aは、移動可能梁14aと14bを含む機械的構造12を保全し、間隔を空けて配置し、及び/又は保護するために、二酸化シリコン又は窒化シリコンの様な犠牲層の上に蒸着される。その後、通路又は換気口この断面には図示していないが封入層36a内に形成及び/又はエッチングされ、犠牲層及び犠牲/絶縁層40基板上に配置されているの少なくとも選択された部分をエッチング及び/又は取り除けるように、又はこれを容易に行えるようになる。犠牲層及び犠牲/絶縁層40の少なくとも選択された部分をエッチングし及び/又は取り除き、例えば、移動可能梁14aと14bを解放した後、第2封入層36bが、第1封入層36aの上と、第1封入層36a内の換気口又は通路の中及び/又は上に蒸着され、チャンバ38を密閉する。注記すると、他の薄膜封入技法も適している。実際、先に述べたように、現在既知のものであれ今後開発されるものであれ、全ての薄膜封入技法が本発明の範囲に入るものとする。MEMS共振器10の周波数を少しだけ変えたい場合は、移動可能梁14aと14bの高張力区域22以外の区域を選択的に厚くできるように、周波数調整構造30を設計し配置するのが好都合である。図7に示すように、或る実施形態では、周波数調整構造30は、移動可能梁14aと14bに面して配置されている。しかしながら、この実施形態では、周波数調整構造30は、移動可能梁14aと14bの高張力区域22に面してはいない。この様にして、周波数調整構造30の表面原子の大部分は、抵抗加熱に応じて蒸発し、移動可能梁14aと14bの高張力区域22以外の区域に移動する。従って、移動可能梁14aと14bは、蒸発材料32が加わることによって厚くなるが、MEMS共振器10の周波数への影響又は効果は、高張力区域22が厚くなった場合ほど大きくはない。これに対して、図8A及び8Bでは、周波数調整構造30を、高張力区域22だけに面し及び/又は近接して適切に配置することによって、基本的に移動可能梁14aと14bの高張力区域22だけを選択的に増厚するようになっている。この実施形態では、容易に周波数を大きく変えることができる。注記すると、図5と図7の周波数調整構造30は、固定電極18と一体化又は統合されている。これに対して、図8Aの周波数調整構造30は独立した構造であり、従って固定電極18と一体化又は統合されていない。一体型及び非一体型の周波数調整構造30の全ての入れ替えと組み合わせは、本発明の範囲に入るものとする。例えば、一体型及び非一体型両方の周波数調整構造30を図示している図8B参照。図9Aに示すように、制御回路24は、1つ又は複数の周波数調整構造30を抵抗加熱して機械的構造12例えば、移動可能梁14aと14bの一部に材料を加えることによって、MEMS共振器10の周波数を調整し、整調し、設定し、画定し、及び/又は選択するのに必要な電源26からの電流を判定及び/又は計算する。制御回路24は、図1と図4に関連して述べた方法と同一又は同様の方法で作動する。簡潔を期して、その議論は繰り返さない。第3態様では、本発明は、最終パッケージングの前及び/又は後で光源例えば、レーザーの出力を使って周波数調整構造30を加熱し、MEMS共振器10の出力の周波数を調整し、整調し、設定し、画定し、及び/又は選択する方法に着目している。本発明のこの態様のMEMS共振器10は、先に述べた薄膜又はウェーハレベル封入技法を使ってチャンバ内に封入されている。MEMS共振器10の周波数は、周波数調整構造30からの蒸発を介して機械的構造12例えば移動可能又は拡張可能な電極に材料を加えることによって、調整され、整調され、及び/又は設定される。或る実施形態では、材料は、移動可能電極の選択された部分例えば、高応力又は高張力区画に追加される。別の実施形態では、材料は、移動可能電極の活性区画例えば、固定電極に面する区画の全部又は実質的に全部で変化し、及び/又はそこから取り除かれる。図10に示すように、本発明のこの態様の或る実施形態では、光源44例えば、1つ又は複数のレーザー、ランプ、発光ダイオードLED、電気要素、又は高エネルギー放射を作り出すための他の機構は、光46を所定の波長で出力する。光46は、集束され、周波数調整構造30に入射し、その結果、周波数調整構造30を加熱する。周波数調整構造30が単結晶及び/又は多結晶シリコンで構成されている場合、表面は、約1000°Cから1200°Cを越える温度まで加熱される。従って、周波数調整構造30の単結晶及び/又は多結晶シリコン表面の原子は、蒸発し、相対する移動可能梁14aと14bの周囲の低温表面への移動を開始する。この様にして、移動可能梁14aと14bは、蒸発した材料32によって厚くなる。更に、移動可能梁14a及び/又は14bのばね定数も下がる。最終パッケージング前に、機械的構造12が、薄膜又はウェーハレベル封入技法を使ってチャンバ内に封入される場合、封入材料によって又は封入材料に吸収されない即ち、封入構造が光源44と光46に透過性である光学特性例えば波長と焦点を有する光源44と光46を利用すれば好都合である。引き続き図10を見ると、MEMS共振器10は、チャンバ38を密閉するための第1及び封入層36aと36bを含む封入構造34を含んでいる。トレンチ絶縁接点を有するマイクロ電気機械システムの特許出願に詳細に記載されているように、或る実施形態では、封入構造34は、多結晶シリコン又はアモルファスシリコン材料で構成されている。つまり、第1封入層36aは、例えば、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンであり、第1封入層36aを覆って、又は第1封入層36aに通気状態に蒸着されチャンバを密閉している第2封入層36bも、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンで構成されている。この実施形態では、約700nmから約1900nmの波長を含んでいる光46が、周波数調整構造30上に集束される。この状態の下では、封入構造34は光46に対して十分に透過性であり、そのエネルギーは、周波数調整構造30に印加され及び/又は集束される集束領域48参照。周波数調整構造30の単結晶及び/又は多結晶シリコン表面の原子は、相対する移動可能梁14aと14bの周囲の低温表面に移動する。この様にして、移動可能梁14aと14bは、蒸発した材料32によって厚くなる。注記すると、この実施形態では、MEMS共振器10の加熱と周波数調整は、最終パッケージング前で且つ封入後に実行される。更に、加熱と周波数調整は、パッケージが光46及びその波長に対して十分に透過性であれば、最終パッケージングの後で実行してもよい。垂直方向局所加熱は、幅広のレーザービームを1つの水平面内の或るスポットだけに集束することによっても実現される。多結晶シリコン又はアモルファスシリコンで構成されている封入構造34は、光46に対して十分に透過性であるが、周波数調整構造30の多結晶シリコン表面の原子を蒸発させ、蒸発した材料32を移動可能梁14aと14bの上に蒸着させるには、下に横たわる周波数調整構造30が光46を吸収して加熱される必要がある。注記すると、垂直方向の集束は、封入構造34及び基板42内の加熱を低減し、機械的構造12の上又は中の所望及び/又は所定の場所に高温のスポット三次元領域を作り出すように最適化される。ここには多くの発明を記載し、図示している。本発明の特定の実施形態、特徴、材料、構成、属性、及び利点について説明し、図示しているが、本発明には、この他にも、異なる及び/又は同様の実施形態、特徴、材料、構成、属性、構造及び利点のあることが、詳細な説明、図面及び特許請求の範囲から明らかであると理解頂きたい。而して、ここに記載し、図示している本発明の実施形態、特徴、材料、構成、属性、構造及び利点は、網羅性のあるものではなく、この他の、同様な或いは異なる実施形態、特徴、材料、構成、属性、構造及び利点も、本発明の範囲に含まれるもの理解頂きたい。例えば、先に述べたように、多くの直接及び間接温度感知及びフィードバック技法及び/又は構成も、本発明に使用することができる。全ての温度感知及びフィードバック技法及び/又は構成は、先に述べたものを含めて、現在既知であるか今後開発されるかを問わず、本発明の範囲に含まれるものとする。更に、電流を加熱要素に供給する電源は、移動可能梁及び/又は周波数調整構造の抵抗加熱の柔軟性を高めるため、1つ又は複数の独立した供給源を含んでいてもよい。例えば、図9B-9D参照。例えば、複数の電源の1つは、1つ又は複数の周波数調整構造専用であり図9A、9D参照、及び/又は、或る電源は、1つ又は複数の移動可能梁専用である例えば図9B、9C、9D参照。この点で、周波数調整構造及び/又は移動可能梁の加熱は、1つ又は複数の電源を通して独立して制御される。周波数調整構造及び/又は移動可能梁を独立して又は従属して制御することの全ての入れ替え及び構成も、本発明に含まれるものとする。注記すると、制御回路24は、図1と図4に関連して述べたのと同一又は同様の方法で電源26を作動及び/又は制御する。簡潔を期して、この議論は繰り返さない。更に、本発明は、現在既知であるか今後開発されるかを問わず、どの様な温度センサー又は感知技法を使用してもよい。例えば、本発明は、移動可能梁自体を、共振器内に配置されている第1温度センサーと少なくとも1つの第2温度センサーとして使用し、例えば、加熱要素から離れているか、そこから十分離して配置されている基板の温度を測定して、加熱要素が、センサーが基板の温度を検知し、サンプリングし、及び/又は測定するのを妨げないようにしている温度感知技法を使用してもよい。この実施形態では、移動可能梁の非適合温度は、所望の梁温度と基板の温度の温度差に依存する。従って、この差を計算し、及び/又は求めることによって、移動可能梁の実際の温度は、例えば、先に述べた差と実際の温度を相関付けているルックアップ表を使って、近似又は推定することができる。代わりに、制御回路は、移動可能梁の温度を見積もるのに、所望の梁の温度と基板の温度の間の温度差を用いる所定の又は数学的な関係を使用してもよい。そのような温度感知技法は、移動可能梁の温度見積もりを相当に改良するので、結果的に、MEMS共振器の出力信号の周波数の精度が高まる。本発明は、例えば最終ウェーハ精査で、精査ステーション上でウェーハレベルで加熱されるパッケージングされていない共振器でも実施することができる。開放プラスチックパッケージ即ち、事前成形パッケージも使用することができる。代わりに、本発明は、蓋が取り付けられ、及び/又は固定される前の、パッケージング済みの共振器でも実施することができる。注記すると、アンカー16は、自立形の方形として示しているが、機械的構造12を、例えば基板に固定できるのであれば、どの様なアンカー構造であってもよい。つまり、アンカー16は、基板に直接取り付けてもよいし、仲介/上在層又は構造を介して基板に対して固定してもよい。実際、アンカー16は、現在既知であるか今後開発されるかを問わず、どの様な形態の錨着技法を使用してもよい。例えば、本発明は、2003年7月25日出願の非仮特許出願第10/627,237号SOI基板を有するマイクロ電気機械システム用のアンカーと、それを製作するための方法以後マイクロ電気機械システム用のアンカー特許出願に記載され図示されている錨着技法を使用してもよい。この点で、本発明によるMEMS共振器10のあらゆる及び全ての実施形態は、マイクロ電気機械システム用のアンカー特許出願に記載され図示されているアンカー及び錨着技法を使って、例えば基板に錨着してもよい。簡潔を期して、ここに記載し図示している本発明と組み合わせて実施されるマイクロ電気機械システム用のアンカー特許出願の錨着技法は、詳しくは繰り返さない。しかしながら、例えば、実施形態及び/又は本発明の全ての特徴、属性、代替案、材料、技法、及び利点を含む、マイクロ電気機械システム用のアンカー特許出願の内容全てを、参考文献としてここに援用する旨明記する。更に、MEMS共振器10は、先に述べたように、現在既知であるか今後開発されるかを問わず、どの様な薄膜封入技法を使って封入してもよい。例えば、本発明は、2003年6月4日出願の非仮特許出願第10/454,867号マイクロ電気機械システムと、それを封入し作成する方法以後マイクロ電気機械システムと封入方法の特許出願に記載され、図示されている封入技法を使用してもよい。この点で、本発明によるMEMS共振器10のあらゆる及び全ての実施形態は、マイクロ電気機械システムと封入方法の特許出願に記載され、図示されている技法を使って封入してもよい。更に、本発明によるMEMS共振器10は、マイクロ電気機械システムと封入方法の特許出願に記載され、図示されているように、機械的構造を製作し、接点区画及び/又は場領域を他の導電性材料から電気的に絶縁する技法を含んでいるか、使用してもよい。簡潔を期して、ここに記載し、図示している本発明と組み合わせて実施されるマイクロ電気機械システムと封入方法の特許出願の封入及び絶縁技法については、繰り返さない。しかしながら、例えば、実施形態及び/又は本発明の全ての特徴、属性、代替案、材料、技法、及び利点を含むマイクロ電気機械システムと封入方法の特許出願の内容全てを、参考文献としてここに援用する旨明記する。更に、本発明の代表的な実施形態について、マイクロ機械構造又は要素を含むマイクロ電気機械システムの文脈で説明してきたが、本発明はこれに限定されるわけではない。むしろ、ここに記載している発明は、例えば、ナノ電気機械共振器を含む他の電気機械システムにも適用することができる。この様に、本発明は、リソグラフィの様な製作技法や、機械的構成要素を、概ねマイクロ電子機器に匹敵する尺度にまで小さくする他の精密製作技法に従って作られた共振器の様な電気機械システムにも適している。先に述べたように、MEMS共振器10は、先に論じたものを含めて、現在既知であるか又は今後開発されるかを問わず、どの様な型式のMEMS設計及び/又は制御を使用してもよい。例えば、容積型共振器例えば、図11、12参照並びに面内及び面外の全方向に振動する共振器も適用可能である。図示の例の共振器の構成は、限定の意味に解し又は解釈すべきではない。容積型共振器の場合、周波数は、共振器の幾何学形状と材料に比例する。周波数は、振動方向の幅に直接比例する。従って、材料の固定電極18a及び18bと一体になっている相対する周波数調整構造30からの蒸着は、容積型共振器の伸縮式電極50の長さを増す例えば、図11、12参照。この様にして、MEMS共振器10の周波数は低くなる。代わりに、容積型共振器の移動可能梁14は、本発明の第1態様で説明したように電源26及び/又は光源44を使って加熱される。つまり、最初に、移動可能梁14の材料がアニールされ、その後、MEMS共振器10の周波数の変化が、制御回路24によって測定され、検知され、サンプリングされ、及び/又は判定される。移動可能梁14の表面材料も、高電流l又は高い強度の光46の印加による溶融及び/又は蒸発によって変化し、その後、MEMS共振器10の周波数の変化が、制御回路24によって測定され、検知され、サンプリングされ、及び/又は判定される。本発明の代表的な実施形態は、移動可能梁14aと14bから横方向に変位している周波数調整構造を描いてきたが、周波数調整構造は、それに加え、又はその代わりに、垂直方向に配置してもよい。従って、周波数調整構造を機械的構造12の上方及び/又は下方に組み込むことによって、材料を、垂直面に蒸着させてもよい。この技法は、面内及び面外の全方向に振動する共振器10には好都合である。本説明を通して使用している共振器、MEMS共振器又はマイクロ機械共振器は、幅広い等級のマイクロ機械加工構造と、これらの構造の有用な組み合わせを包含している。その様な組み合わせは、通常、共振器を駆動し、電力供給し、監視し、制御するのに用いられる回路の様な電子回路を含んでいる。穴、溝、片持ち梁、曲がり梁、ばね、整調フォーク、膜、基板アンカー、電気接点などの様なマイクロ機械加工構造は、変換器の様なより複雑な装置のためのブロックを作っている。変換器は、一般的に、或る形態のエネルギーを他の形態のエネルギーに変換できるあらゆる装置である。センサーと作動器を含む変換器は、本発明の利点を享受し易い型式の装置の一例である。最新の共振器は、少なくとも1つのマイクロ機械加工構造を含んでいることが多く、総称して以後梁構造と呼ぶ。この用語は、外部の例えば、電気的、磁気的、及び/又は物理的力によって作動するときに、機械的に動くように設計されているあらゆる変換器を包含するように、広い意味に解釈される。単一曲がり梁、複数梁の音叉は、梁構造の一例である。梁構造という用語には、連続構造と不連続構造の両方が含まれている。なお、本発明をSOIと関連付けて説明してきたが、他の基板も適していることに留意されたい。例えば、第1半導体層は、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭素など周期律表のIV列の材料であってもよいし、例えば、シリコンゲルマニウム又は炭化ケイ素などそれらの組み合わせでもよいし、例えば、ガリウムりん、アルミニウムガリウムりんなどIII-V列の化合物、又は他のIII-V列の組み合わせでもよいし、例えば、窒化ケイ素、酸化珪素、炭化アルミニウム又は酸化アルミニウムなどIII、IV、V又はVI列の組み合わせでもよいし、例えば、ケイ化ニッケル、ケイ化コバルト、炭化タングステン又はケイ化プラチナゲルマニウムなど金属のケイ化物、ゲルマニウム化物及び炭化物でもよいし、りん、砒素、アンチモン、ホウ素、又はアルミニウムドーピングされたシリコン又はゲルマニウム、炭素、又はシリコンゲルマニウムなどの組み合わせを含むドーピングされた派生材でもよいし、単結晶、多結晶、ナノ結晶又はアモルファスを含む様々な結晶構造を備えた材料でもよいし、例えばドーピングされているかいないかに関わらず単結晶及び多結晶構造の領域を備えた、結晶構造の組み合わせを備えた材料であってもよい。実際、第1半導体層は、金属でも、金属系材料であってもよいその場合、第1基板層上に配置された第1導体層である。注記すると、機械的構造例えば、移動可能梁14は、第1半導体層について先に述べたのと同じ材料で構成される。なお、回路という用語は、とりわけ、単一の構成要素、又は集積回路形態か否かを問わず能動的及び/又は受動的で、所望の機能を提供又は実行するため一つに連結されている複数の構成要素を意味する。回路という用語は、とりわけ、集積回路か否かを問わず回路、その様な回路のグループ、プロセッサ、状態マシン、状態マシンのグループ、ソフトウェア、ソフトウェアを実行するプロセッサ、又は、集積回路か否かを問わず回路、その様な回路のグループ、状態マシン、状態マシンのグループ、ソフトウェア、プロセッサ及び/又はソフトウェアを実行するプロセッサ、プロセッサと回路、及び/又はプロセッサとソフトウエァを実行する回路、の組み合わせを意味する。最後に、データという用語は、とりわけ、アナログ又はデジタル形態の何れかを問わず、電流又は電圧信号を意味している。測定という用語は、とりわけ、サンプリング、感知、検査、検知、監視、及び/又は捕捉を意味する。測定する又は同様の句は、例えば、サンプリングし、感知し、検査し、検知し、監視し、及び/又は捕捉することを意味する。"