"耐熱性樹脂前駆体、下記一般式1もしくは一般式2で表される有機ケイ素化合物又はその両者の混合物からなるシランカップリング剤及び溶剤を含むことを特徴とする感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。式中、Xは酸素原子あるいはイミノ基を示し、Y1およびY2は各々独立に炭素数1~10のアルキル基であり、nは0~2の整数を示し、Rは1価の有機基を示す。耐熱性樹脂前駆体がポリイミド前駆体、ポリベンズオキサゾール前駆体又はクレゾールノボラック系フェノール樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。一般式1及び2において、Xが酸素原子であり、Rがエチル基であることを特徴とする請求項1又は2に記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。一般式1及び2において、Xがイミノ基であり、Rがフェニル基であることを特徴とする請求項1又は2に記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。耐熱性樹脂前駆体100重量部に対して、シランカップリング剤が0.1~30重量部、溶剤が70~1900重量部であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。請求項1~5のいずれかに記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物を用いる半導体装置の製造方法であって、1コーティング組成物を耐熱性樹脂膜を形成すべき支持体基板に塗布する塗布工程、260~140°Cでプリベークして塗膜を乾燥させる乾燥工程、3乾燥させた塗膜にマスクを通して所望のパターン形状に化学線を照射する露光工程、4コーティング組成物の感光性がポジ型の場合は照射部を、ネガ型の場合は非照射部を現像液で溶解除去し、引き続いてリンス液によりリンスすることによりレリーフパターンを得る現像工程、及び5得られたレリーフパターンを180~400°Cで加熱処理して、耐熱性樹脂膜を得る加熱処理工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明は、耐熱性樹脂前駆体組成物に添加した時に、低い熱処理温度であっても該耐熱性樹脂膜の基板への接着力を向上させるシランカップリング剤を含む感光性耐熱性樹脂前駆体組成物を提供することを目的とする。本発明者らは上記課題を解決するため、種々の新規有機ケイ素化合物を合成して検討した結果、1分子中にカルボキシル基とエステル基およびアルコキシシリル基を有する特定の化合物、あるいは1分子中にカルボキシル基とアミド基及びアルコキシシリル基を有する特定の化合物が、その目的に適合しうることを見出し、本発明をなすに至った。すなわち、本発明の一は、下記一般式1もしくは下記一般式2で表される有機ケイ素化合物、又は両者の混合物からなることを特徴とするシランカップリング剤を含む感光性耐熱性樹脂前駆体組成物である。該シランカップリング剤は、一般式1及び2において、Xが酸素原子であり、Rがエチル基であること、あるいは一般式1及び2において、Xがイミノ基であり、Rがフェニル基であることが好ましい。また、上記感光性耐熱性樹脂前駆体はポリイミド前駆体、ポリベンズオキサゾール前駆体又はクレゾールノボラック系フェノール樹脂であることが好ましい。式中、Xは酸素原子あるいはイミノ基を示し、Y1およびY2は各々独立に炭素数1~10のアルキル基であり、nは0~2の整数を示し、Rは1価の有機基を示す。また、本発明のニは、感光性耐熱性樹脂前駆体組成物を用いた半導体装置の製造方法である。一般式1及び2のシランカップリング剤は、下記一般式3で表される有機ケイ素化合物と下記一般式4で表される有機化合物とを反応させることにより製造される。式中、Y1およびY2は各々独立に炭素数1~10のアルキル基であり、nは0~2の整数を示す。R-X-H4式中、Xは酸素原子あるいはイミノ基を示し、Rは1価の有機基を示す。本発明のシランカップリング剤は、耐熱性樹脂前駆体組成物に添加した時に、低い熱処理温度であっても該耐熱性樹脂膜の基板への接着性を向上させる効果を有する。また、本発明の製造方法は、該シランカップリング剤の簡単な製造方法を提供する。以下、本発明を詳細に説明する。本発明のシランカップリング剤は、下記一般式1もしくは下記一般式2で表される有機ケイ素化合物、または両者の混合物からなる。式中、Xは酸素原子あるいはイミノ基を示し、Y1およびY2は各々独立に炭素数1~10のアルキル基であり、nは0~2の整数を示し、Rは1価の有機基を示す。このようなシランカップリング剤を、ポリイミド前駆体組成物、あるいはポリベンズオキサゾール前駆体組成物等の耐熱性樹脂前駆体の組成物中に加えることにより、特に280°C以下の比較的低い温度で熱処理した時でも耐熱性樹脂膜が基板への高い接着性を有するワニスを得ることができる。本発明のシランカップリング剤としては、例えば、2-3-トリメトキシシリルプロピルコハク酸モノメチルエステル、3-3-トリメトキシシリルプロピルコハク酸モノメチルエステル、2-3-メチルジメトキシシリルプロピルコハク酸モノメチルエステル、3-3-メチルジメトキシシリルプロピルコハク酸モノメチルエステル、2-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノエチルエステル、3-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノエチルエステル、2-3-メチルジエトキシシリルプロピルコハク酸モノメチルエステル、3-3-メチルジエトキシシリルプロピルコハク酸モノメチルエステル、2-3-トリメトキシシリルプロピルコハク酸モノフェニルアミド、3-3-トリメトキシシリルプロピルコハク酸モノフェニルアミド、2-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノフェニルアミド、3-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノフェニルアミド、2-3-メチルジエトキシシリルプロピルコハク酸モノフェニルアミド、及び3-3-メチルジエトキシシリルプロピルコハク酸モノフェニルアミド、並びにこれらの混合物が挙げられる。本発明のシランカップリング剤が、前述の一般式1及び一般式2で表され互いに異性体の関係にある2つの有機ケイ素化合物の混合物である場合は、後述する方法により容易に製造できるために好ましい。特に、2-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノエチルエステルと3-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノエチルエステルの混合物、及び2-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノフェニルアミドと3-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノフェニルアミドの混合物である場合が接着性が高くより好ましい。本発明のシランカップリング剤は、下記式3で表される3-アルコキシシリルプロピルコハク酸無水物とヒドロキシル基あるいはアミノ基を有する化合物との反応によって製造することができる。また、アリルコハク酸無水物と、ヒドロキシル基あるいはアミノ基を有する化合物とを反応させた後に、トリアルコキシシランを用いてヒドロシリル化するか、トリクロロシランを用いてヒドロシリル化した後にアルコールによってケイ素と塩素の結合を分解することにより製造することもできる。上記合成法のうち、収率の高さ、及び操作の容易さ等から好ましいのは、3-アルコキシシリルプロピルコハク酸無水物とヒドロキシル基あるいはアミノ基を有する化合物との反応である。このとき、触媒や反応溶媒を用いても良いし、使用しなくても構わない。上記触媒としては、ピリジン、ピコリン、2,6-ルチジン、コリジン、トリエチルアミン、N-メチルモルフォリン、4-N,N’-ジメチルアミノピリジン、イソキノリン、1,4-ジアザビシクロ2.2.2オクタン、または1,8-ジアザビシクロ5.4.0-7-ウンデセンなどが挙げられる。上記反応溶媒としては、原料である有機ケイ素化合物、及び生成するシランカップリング剤を溶解するものが好ましく、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、及びN,N-ジメチルホルムアミド等のアミド類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、テトラメチル尿素等のウレア類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、及びシュウ酸ジエチル等のエステル類、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、及びテトラヒドロフラン等のエーテル類、ジクロロメタン、1,2-ジクロロエタン、1,4-ジクロロブタン、クロロベンゼン、及びo-ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、並びにヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、及びキシレン等の炭化水素類を使用することができる。原料である有機ケイ素化合物、及びヒドロキシル基あるいはアミノ基を有する化合物の少なくとも片方が液体の場合は、無溶媒で反応させて、生成したシランカップリング剤をそのままワニスに添加することができるし、反応溶媒中で反応させた後、シランカップリング剤の溶液としてワニスに添加することもできる。さらには、該反応溶媒を除去してシランカップリング剤を得ることもできる。また、いずれの原料も固体の場合は反応溶媒中で反応させた後、シランカップリング剤の溶液としてワニスに添加するか、該反応溶媒を除去してシランカップリング剤を得ることができる。なお、生成したシランカップリング剤は、必要に応じて貧溶媒中に投入し回収するというプロセスにより精製して使用することもできる。前述のヒドロキシル基あるいはアミノ基を有する化合物としては、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、イソブタノール、t-ブタノール、ベンジルアルコール、フェノール、カテコール、エチレングリコール、グリセリン、及び2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルプロパン等のヒドロキシル基を有する化合物、メチルアミン、エチルアミン、アニリン、オキシジアニリン、及びエタノールアミン等のアミノ基を有する化合物、並びに2,2-ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン等のヒドロキシル基とアミノ基の両方を有する化合物が挙げられる。これらの化合物のうち、反応条件下で液体であるものは反応溶媒として使用することもできる。これらのヒドロキシル基あるいはアミノ基を有する化合物の中では、反応によって得られるシランカップリング剤の接着性が高いため、エタノール、及びアニリンが好ましい。本発明のシランカップリング剤はワニスの成分として好適に用いられる。耐熱性樹脂前駆体とは、被膜形成能を有する重合体のうち、加熱等のプロセスを経た最終的な硬化被膜が耐熱性を有するようになる重合体であり、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、及びポリアミド酸アミド、ポリベンズオキサゾール樹脂の前駆体であるヒドロキシポリアミド、耐熱性ポリアミド樹脂、並びにクレゾールノボラック系フェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ポリイミド樹脂の前駆体、またはポリベンズオキサゾール樹脂の前駆体を含有するワニスの成分としてより好適に用いられる。ワニス中において、本発明のシランカップリング剤が用いられる量は、耐熱性樹脂前駆体100質量部に対し0.1~30質量部であることが好ましい。該シランカップリング剤が0.1質量部以上であると基板に対する接着力が向上し、30質量部以下であるとワニス中への溶解性、及び経時安定性が良好である。また、上記ワニス中には、本発明のシランカップリング剤と耐熱性樹脂前駆体に加えて、溶剤を含むことが好ましい。上記溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル-1,3-ブチレングリコールアセテート、1,3-ブチレングリコール-3-モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、及びメチル-3-メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用いても良い。ワニス中の溶剤の量は、目的とする耐熱性樹脂膜の膜厚によって異なり、耐熱性樹脂前駆体100質量部に対し、70から1900質量部の範囲であることが好ましい。本発明のシランカップリング剤を含有するワニスの使用方法について説明する。第1の塗布工程では、該ワニスを耐熱性樹脂膜を形成すべき支持体、例えばシリコンウェハー、セラミック、またはアルミ等からなる基板に塗布する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、又はロールコーティングなどがあげられる。第2の乾燥工程では、60~140°Cでプリベークして塗膜を乾燥させる。第3の露光工程では、ワニスが感光性であれば、乾燥させた塗膜にマスクを通して所望のパターン形状に化学線を照射する。化学線としてはX線、電子線、紫外線、又は可視光線などが使用できるが、200~500nmの波長のものが好ましい。第4の現像工程では、ワニスの感光性がポジ型の場合は照射部を、ネガ型の場合は非照射部を現像液で溶解除去し、引き続いてリンス液によりリンスすることによりレリーフパターンを得る。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、又は超音波等の方式が可能である。第5の加熱処理工程では、得られたレリーフパターンを加熱処理して、耐熱性樹脂膜を得る。この時の加熱処理は、ホットプレート、オーブン、又は温度プログラムを設定できる昇温式オーブンなどを用いることにより行う。加熱処理する際の雰囲気気体としては空気を用いても良く、窒素、またはアルゴンなどの不活性ガスを用いることもできる。この加熱処理は、180°C以上の温度を5分間以上与えるものであり、ある一定温度を保っても良いし、連続的に昇温してもよい。加熱処理温度は、180~400°Cにすることが好ましい。より好ましい加熱処理条件は最高温度が200°C以上で、200°C以上である時間が30分間以上のものである。なお、上記のワニスをMRAM、有機半導体、又は銅配線を有するCMOS等の300°C以上の加熱ができない耐熱性に劣る半導体装置の製造に使用する場合は、加熱処理温度を180~290°Cとすることが好ましく、220~250°Cにすることがより好ましい。一方、300°C以上に加熱することに問題のない半導体装置の製造に使用する場合は、加熱処理温度を300~350°Cとすることがより好ましい。上述のワニス中の耐熱性樹脂前駆体が感光性でない場合は、基板に塗布乾燥後、露光及び現像をせずに加熱処理を行った後に、フォトレジストを用いてレリーフパターンを作製することができる。本発明のシランカップリング剤を含有するワニスは、半導体装置の製造用途に使用でき、具体的な好ましい例としては、半導体表面保護膜、層間絶縁膜、再配線用絶縁膜、フリップチップ装置用保護膜、またはバンプ構造を有する装置の保護膜があげられる。他に、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、または液晶配向膜としても有用である。本発明を実施例に基づいて説明する。[実施例1]容量100mLの三口フラスコに3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸無水物15.22g0.05molを入れ、これに室温下でエタノール2.30g0.05molを加え、50°Cで23時間撹拌し反応を行うことにより2-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノエチルエステルと3-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノエチルエステルの55:45の混合物からなるシランカップリング剤を得たC-1。生成物の同定及び生成比の計算は1H-NMRチャートにより行った。1H-NMRd6-DMSOδ0.51-0.572H、m、1.10-1.1812H、m、1.26-1.402H、m、1.41-1.510.9H、m、1.51-1.641.1H、m、2.32-2.411H、m、2.45-2.561H、m、2.59-2.701H、m、3.67-3.766H、m、4.00-4.082H、m、12.211H,br[実施例2]容量100mLの三口フラスコに3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸無水物15.22g0.05molを入れ、氷浴で冷却しながらアニリン4.66g0.05molを滴下した後、室温で42時間撹拌し反応を行うことにより2-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノフェニルアミドと3-3-トリエトキシシリルプロピルコハク酸モノフェニルアミドの30:70の混合物からなるシランカップリング剤を得たC-2。生成物の同定及び生成比の計算は1H-NMRチャートにより行った。1H-NMRd6-DMSOδ0.54-0.612H、m、1.04-1.179H、m、1.27-1.432H、m、1.45-1.672H、m、2.26-2.451H、m、2.53-2.681H、m、2.71-2.861H、m、3.65-3.786H、m、6.97-7.051H、t、7.23-7.312H、t、7.54-7.642H、m、9.931.4H、s、9.950.6H、s、12.131H,br<耐熱性樹脂前駆体の合成>[参考例1]容量5Lのセパラブルフラスコ中で、2,2ビス3アミノ4ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン432.64g1.181mol、ピリジン59.33g0.75mol、DMAc1514.24gを室温25°Cで混合攪拌し溶解させた。これに、別途GBL94.6g中に4-メチルシクロヘキサン1,2ジカルボン酸無水物18.92g0.113molを溶解させたものを、滴下ロートより滴下した。滴下に要した時間は18分、反応液温は最大で27°Cであった。滴下終了後、室温で2時間撹拌したのち反応液をHPLC高性能液体クロマトグラフィにより分析し、4-メチルシクロヘキサン1,2ジカルボン酸無水物が消失したことを確認した。次にこれをドライアイス浴により-10°Cに冷却し、これに別途GBL1608.25g中に4,4’ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロライド298.81g1.013molとイソフタル酸ジクロライド22.84g0.113molを溶解させたものを、滴下ロートより滴下した。滴下に要した時間は280分、反応液温は最大で-4°Cであった。滴下終了後ドライアイス浴を取り外し、15時間攪拌後ピリジン118.65g1.50molを加えた。上記反応液を24Lの水に高速攪拌下で滴下し重合体を分散析出させ、これを回収し、適宜水洗、脱水の後に真空乾燥を施し、耐熱性樹脂前駆体であるヒドロキシポリアミドP1を得た。このようにして合成されたヒドロキシポリアミドのGPCによる重量平均分子量は、ポリスチレン換算で27000であった。参考例2容量2Lのセパラブルフラスコ中で、2,2ビス3アミノ4ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン173.06g0.473mol、ピリジン71.19g0.90mol、DMAc605.71gを室温25°Cで混合攪拌し溶解させた。これに、別途GBL29.56g中に5ノルボルネン2,3ジカルボン酸無水物7.39g0.045molを溶解させたものを、滴下ロートより滴下した。滴下に要した時間は6分、反応液温は最大で23°Cであった。滴下終了後、湯浴により50°Cに加温し18時間撹拌したのち反応液のIRスペクトルの測定を行い1385cm1および1772cm1のイミド基の特性吸収が現れたことを確認した。さらにHPLCによる反応追跡により、2,2ビス3アミノ4ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパンと5ノルボルネン2,3ジカルボン酸無水物の生成物がすべてイミドになっていることを確認した。次にこれを氷浴により-13°Cに冷却し、これに別途GBL664.00g中に4,4’ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロライド132.80g0.45molを溶解させたものを、滴下ロートより滴下した。滴下に要した時間は140分、反応液温は最大で-8°Cであった。滴下終了から24時間後上記反応液を12Lの水に高速攪拌下で滴下し重合体を分散析出させ、これを回収し、適宜水洗、脱水の後に真空乾燥を施し、耐熱性樹脂前駆体であるヒドロキシポリアミドP2を得た。このようにして合成されたヒドロキシポリアミドのGPCによる重量平均分子量は、ポリスチレン換算で23000であった。<ワニスの調製>[参考例3~8]前記実施例1もしくは2で得られたシランカップリング剤C-1もしくはC-25質量部、または3-トリエトキシシリルプロピルウレアC-35質量部、及び上記参考例1または2にて得られたヒドロキシポリアミドP1またはP-2100質量部を表1に記載の組み合わせでGBL210質量部に溶解した後、0.2μmのフィルターで濾過して、参考例3~8のワニスを調製した。<耐熱性樹脂膜の評価>参考例3~8で得られたワニスをシリコンウエハー上にスピンコーター東京エレクトロン社製クリーントラックMark7により塗布し、120°Cで3分間乾燥し、10μmの膜厚の塗膜を得た。この塗膜をイナートオーブン中で、窒素雰囲気下、250°C、1時間熱処理して、耐熱性樹脂膜を形成した。この耐熱性樹脂膜形成後のサンプルPCT未処理サンプル、及び該サンプルをプレッシャークッカー131°C、3.0気圧で100時間処理を行ったものPCT処理後サンプルを碁盤目試験JISK5400にて、1mm角の正方形100個ができるようにカッターナイフで傷をつけ、上からセロハンテープを貼り付けた後剥離し、該セロハンテープに付着せずシリコンウエハー上に残った正方形の数を数えることにより、低温熱処理により得た耐熱性樹脂膜の接着性を評価してその結果を表1に記載した。本発明のシランカップリング剤を含むワニスを硬化させて得た耐熱性樹脂膜は、PCT処理後もシリコンウエハーに対する高い接着性を示した。"