"下記式1で表される化合物及び分子量が100~3000である酸解離性溶解抑止基を有する化合物を含有している感放射線性組成物。式中、R’は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、これら基のうち2以上を組み合わせた基、又は下記式2~4で表される基のいずれかである。R1は、それぞれ水素原子、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーロキシ基、アルコキシアルコキシ基、シロキシ基、これらの基と二価の基とが結合した基、式Iで示される基、式IIで示される基、式IIIで示される基、式IVで示される基又はOR1’R1’は、溶解性調整基であるであり、前記二価の基は、置換もしくは無置換のアルキレンオキシ基、置換もしくは無置換のアリーレンオキシ基、置換もしくは無置換のシリレンオキシ基、エステル結合基-COO-、炭酸エステル結合基-CO3-、エーテル結合基-O-、又はこれらの基が2以上結合してなる基である。R2は、それぞれR1で表される基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は炭素数6~10の芳香族基、又は酸素原子を含む基、又は酸解離性溶解抑止基ORである。Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を2以上組み合わせた基、又はアルキレン基及びエーテル結合から選択される1以上と置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を組み合わせた基であり、置換基を有する場合の置換基は、臭素原子、フッ素原子、ニトリル基又は炭素数1~10のアルキル基である。R3は、それぞれR1で表される基である。R4及びR5は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、又はこれら基のうち2以上を組み合わせた基である。A1は、単結合、アルキレン基、エーテル結合及びアルキレン基から選択される2以上を組み合わせた基、又はアルキレン基1以上及びエーテル結合1以上を組み合わせた基である。xは1~5の整数であり、yは0~3の整数であり、zは0~4の整数である。Aは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。Bは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又は三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基から選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Cは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又は三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基から選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Dは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。複数のR’、R1、R2、R3、R4、R5、Ar、A1、A、B、C、D、x、y及びzは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。前記式1で示される化合物が式I~IVで示される基のいずれかを有する請求項1に記載の感放射性組成物。R’が式2~4で表される基のいずれかである請求項1又は2に記載の感放射線性組成物。R3が三級脂肪族構造、芳香族構造、単環状脂肪族構造又は複環状脂肪族構造を有する、分子量が15以上2000以下の基、式I~IVで示される基のいずれかである請求項1~3のいずれかに記載の感放射線性樹組成物。ベンゼン環に結合する2つのR1の一方が水酸基で他方が炭素数1~4の直鎖又は分岐アルコキシ基である請求項1~4のいずれかに記載の感放射線性樹組成物。R2が水素である請求項1~5のいずれか記載の感放射線性組成物。下記i、ii及びiiiのいずれかの構造を有する分子量が100~3000の化合物を含有する感放射線性組成物。式中、Raは、水素原子、炭素数1~30の炭化水素基、又は酸素含有基である。D及びEは、それぞれ単結合、炭素数1~30の炭化水素基、酸素含有基、窒素含有基、又は隣接する環状骨格と共に置換もしくは無置換の多環縮合構造を形成する、炭素数3~20の酸素原子を含有してもよい構造である。R3は、式1のR3と同様である。Xは炭素数6~18の芳香族炭化水素基を示す。a、b、c、d、e及びfは、それぞれ0~5の整数を示し、h、i及びjは、それぞれ0~20の整数を示す。b、c、d、e、i及びjが2以上の場合、複数のRa、複数のR3、複数のD及び複数のEは、それぞれ同じでも異なってよい。また、複数のRaは結合し環を形成してもよい。式中、Ra’’は酸素原子及び/又は窒素原子を有してよい炭素数0~30の2価の基である。F及びYは、それぞれ炭素数5~30の単環状又は複環状の炭化水素基であって、前記複環状炭化水素基は、ビシクロ環、トリシクロ環、テトラシクロ環構造を含んでもよい基である。p、k、m及びnは、それぞれ0~20の整数を示し、sは、1~10の整数を示す。m、n及びkが2以上の場合、複数のRa及び複数Ra’’は、それぞれ同じでも異なってもよい。D、E、Ra、R3、i及びjは、上記と同様である。式中、nは1~5の整数である。Rbは、それぞれ炭素数1~20の酸素を含有してもよい基であり、同じであっても異なっていてもよい。Rbは、それぞれエステル基含有の環と縮環構造を形成してよい。R3が酸解離性溶解抑止基である請求項7に記載の感放射線性組成物。前記酸解離性溶解抑止基を有する化合物の分子量が100~2000である請求項1~6の感放射線性組成物。請求項1~9に記載の感放射線性組成物及び溶剤を含有するフォトレジスト組成物。さらに光酸発生剤を含有する請求項10に記載のフォトレジスト組成物。さらに塩基性有機化合物をクエンチャーとして含有する請求項10又は11に記載のフォトレジスト組成物。請求項10~12のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を用いた微細加工方法。請求項13に記載の微細加工方法により作製した半導体装置。請求項14に記載の半導体装置を備えた装置。本発明の目的は、塗布溶媒溶解性に優れ、高感度、高微細加工性、低アウトガス性である感放射線性組成物及びフォトレジスト組成物を提供することである。本発明によれば、以下の感放射線性組成物等が提供される。1.下記式1で表される化合物及び分子量が100~3000である酸解離性溶解抑止基を有する化合物を含有している感放射線性組成物。式中、R’は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、これら基のうち2以上を組み合わせた基、又は下記式2~4で表される基のいずれかである。R1は、それぞれ水素原子、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーロキシ基、アルコキシアルコキシ基、シロキシ基、これらの基と二価の基とが結合した基、式Iで示される基、式IIで示される基、式IIIで示される基、式IVで示される基又はOR1’R1’は、溶解性調整基であるであり、前記二価の基は、置換もしくは無置換のアルキレンオキシ基、置換もしくは無置換のアリーレンオキシ基、置換もしくは無置換のシリレンオキシ基、エステル結合基-COO-、炭酸エステル結合基-CO3-、エーテル結合基-O-、又はこれらの基が2以上結合してなる基である。R2は、それぞれR1で表される基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は炭素数6~10の芳香族基、又は酸素原子を含む基、又は酸解離性溶解抑止基ORである。Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を2以上組み合わせた基、又はアルキレン基及びエーテル結合から選択される1以上と置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を組み合わせた基であり、置換基を有する場合の置換基は、臭素原子、フッ素原子、ニトリル基又は炭素数1~10のアルキル基である。R3は、それぞれR1で表される基である。R4及びR5は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、又はこれら基のうち2以上を組み合わせた基である。A1は、単結合、アルキレン基、エーテル結合及びアルキレン基から選択される2以上を組み合わせた基、又はアルキレン基1以上及びエーテル結合1以上を組み合わせた基である。xは1~5の整数であり、yは0~3の整数であり、zは0~4の整数である。Aは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。Bは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又は三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基から選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Cは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又は三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基から選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Dは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。複数のR’、R1、R2、R3、R4、R5、Ar、A1、A、B、C、D、x、y及びzは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。2.前記式1で示される化合物が式I~IVで示される基のいずれかを有する1に記載の感放射性組成物。3.R’が式2~4で表される基のいずれかである1又は2に記載の感放射線性組成物。4.R3が三級脂肪族構造、芳香族構造、単環状脂肪族構造又は複環状脂肪族構造を有する、分子量が15以上2000以下の基、式I~IVで示される基のいずれかである1~3のいずれかに記載の感放射線性樹組成物。5.ベンゼン環に結合する2つのR1の一方が水酸基で他方が炭素数1~4の直鎖又は分岐アルコキシ基である1~4のいずれかに記載の感放射線性樹組成物。6.R2が水素である1~5のいずれか記載の感放射線性組成物。7.下記i、ii及びiiiのいずれかの構造を有する分子量が100~3000の化合物を含有する感放射線性組成物。式中、Raは、水素原子、炭素数1~30の炭化水素基、又は酸素含有基である。D及びEは、それぞれ単結合、炭素数1~30の炭化水素基、酸素含有基、窒素含有基、又は隣接する環状骨格と共に置換もしくは無置換の多環縮合構造を形成する、炭素数3~20の酸素原子を含有してもよい構造である。R3は、式1のR3と同様である。Xは炭素数6~18の芳香族炭化水素基を示す。a、b、c、d、e及びfは、それぞれ0~5の整数を示し、h、i及びjは、それぞれ0~20の整数を示す。b、c、d、e、i及びjが2以上の場合、複数のRa、複数のR3、複数のD及び複数のEは、それぞれ同じでも異なってよい。また、複数のRaは結合し環を形成してもよい。式中、Ra’’は酸素原子及び/又は窒素原子を有してよい炭素数0~30の2価の基である。F及びYは、それぞれ炭素数5~30の単環状又は複環状の炭化水素基であって、前記複環状炭化水素基は、ビシクロ環、トリシクロ環、テトラシクロ環構造を含んでもよい基である。p、k、m及びnは、それぞれ0~20の整数を示し、sは、1~10の整数を示す。m、n及びkが2以上の場合、複数のRa及び複数Ra’’は、それぞれ同じでも異なってもよい。D、E、Ra、R3、i及びjは、上記と同様である。式中、nは1~5の整数である。Rbは、それぞれ炭素数1~20の酸素を含有してもよい基であり、同じであっても異なっていてもよい。Rbは、それぞれエステル基含有の環と縮環構造を形成してよい。8.R3が酸解離性溶解抑止基である7に記載の感放射線性組成物。9.前記酸解離性溶解抑止基を有する化合物の分子量が100~2000である1~6の感放射線性組成物。10.1~9に記載の感放射線性組成物及び溶剤を含有するフォトレジスト組成物。11.さらに光酸発生剤を含有する10に記載のフォトレジスト組成物。12.さらに塩基性有機化合物をクエンチャーとして含有する10又は11に記載のフォトレジスト組成物。13.10~12のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を用いた微細加工方法。14.13に記載の微細加工方法により作製した半導体装置。15.14に記載の半導体装置を備えた装置。本発明によれば、塗布溶媒溶解性に優れ、高感度、高微細加工性、低アウトガス性である感放射線性組成物及びフォトレジスト組成物が提供できる。本発明の感放射線性組成物は、下記式1で表される化合物及び分子量が100~3000である酸解離性溶解抑止基を有する化合物を含有する。式中、R’は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、これら基のうち2以上を組み合わせた基、又は下記式2~4で表される基のいずれかである。R1は、それぞれ水素原子、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族アルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーロキシ基、アルコキシアルコキシ基、シロキシ基、これらの基と二価の基とが結合した基、式Iで示される基、式IIで示される基、式IIIで示される基、式IVで示される基又はOR1’R1’は、溶解性調整基であるであり、前記二価の基は、置換もしくは無置換のアルキレンオキシ基、置換もしくは無置換のアリーレンオキシ基、置換もしくは無置換のシリレンオキシ基、エステル結合基-COO-、炭酸エステル結合基-CO3-、エーテル結合基-O-、又はこれらの基が2以上結合してなる基である。好ましくは、置換もしくは無置換のアルキレンオキシ基、置換もしくは無置換のアリーレンオキシ基、置換もしくは無置換のシリレンオキシ基、エステル結合、炭酸エステル結合、エーテル結合、これらの基から選択される2以上が結合した基、又はこれらの基から選択される1以上と、これらの結合から選択される1以上が結合した基である。R2は、それぞれR1で表される基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~10の芳香族基、酸素原子を含む基、又は酸解離性溶解抑止基ORである。Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を2以上組み合わせた基、又はアルキレン基及びエーテル結合から選択される1以上と置換もしくは無置換の炭素数6~10のアリーレン基を組み合わせた基であり、置換基を有する場合の置換基は、臭素原子、フッ素原子、ニトリル基又は炭素数1~10のアルキル基である。R3は、それぞれR1で表される基である。R4及びR5は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~12の芳香族基、又はこれら基のうち2以上を組み合わせた基である。A1は、単結合、アルキレン基、エーテル結合及びアルキレン基から選択される2以上を組み合わせた基、又はアルキレン基1以上及びエーテル結合1以上を組み合わせた基である。xは1~5の整数であり、yは0~3の整数であり、zは0~4の整数である。Aは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。Bは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又は三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基から選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Cは、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基、又は三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基、置換もしくは無置換の複環状脂肪族基から選択される基と炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基を組み合わせた基である。Dは、置換もしくは無置換の炭素数1~10の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~10の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基である。複数のR’、R1、R2、R3、R4、R5、Ar、A1、A、B、C、D、x、y及びzは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。式1の溶解性調整基とは、通常のフォトレジストの条件で露光しても分解せず、かつ現像液によって分解しない基をいう。露光は、EUV、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、電子線を照射することによって行われる。具体的には、溶解性調整基は、例えば、置換もしくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~12の分岐脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6~10の芳香族基、アルコキシアルキル基、置換もしくは無置換のシロキシ基、又はこれらの基と二価の基置換もしくは無置換のアルキレンオキシ基、置換もしくは無置換のアリーレンオキシ基、置換もしくは無置換のシリレンオキシ基、エステル結合基-COO-、炭酸エステル結合基-CO3-、エーテル結合基-O-、又はこれらの基が2以上結合してなる基が結合した基である。式1の酸素原子を含む基としては、OR3又はOR7で表される基、OR10R10は溶解性調整基であるで表される基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基等が好ましい。式1で示される化合物以下、環状化合物ともいうは好ましくは酸解離性溶解抑止基を有し、例えば式I~IVで示される基を有する。具体的には、式1で示される化合物のR1が、酸解離性溶解抑止基である式I~IVで示される基であってもよいし、式1で示される化合物のR’が式2~4で表される基のいずれかであって、式2~4で表される基に含まれるR3が、酸解離性溶解抑止基である式I~IVで示される基であってもよい。酸解離性溶解抑止基は、EUVL及び電子線に対し、高い反応性を有するため、感度の面で優れており、かつエッチング耐性の面でも優れる。そのため、式1の化合物が酸解離性溶解抑止基を含むと、超微細加工用のフォトレジスト基材として好適に使用できる。酸解離性溶解抑止基の具体例として、下記式に示される基を挙げられる。式中、rはそれぞれ上記式で表される置換基の内、rを有さない置換基のいずれかを表す。式1のR1は、水酸基又は炭素数1~4の直鎖又は分岐アルコキシが好ましく、ベンゼン環に結合する2つのR1の一方が水酸基で他方が炭素数1~4の直鎖又は分岐アルコキシであることがより好ましい。R2は水素が好ましい。R’は式2~4で表される基のいずれかが好ましい。式2~4において、Arは、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、テトラメチルフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、オキシジフェニレン基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、オキシジフェニレン基がより好ましく、フェニレン基が最も好ましい。A1は単結合又はオキシメチレン基-O-CH2-が好ましく、単結合がより好ましい。R3は式I~IVで示される基のいずれかが好ましい。R4,R5は水素又はアルキル基が好ましい。xは1が好ましい。yは0又は1が好ましい。zは0又は1が好ましい。上記式I~IVのA,Dは、直鎖状又は分岐脂肪族炭化水素基が好ましい。直鎖状又は分岐脂肪族炭化水素基は炭素数1~4のアルキル基例えばメチレン基が好ましい。式I~IVにおいて、三級脂肪族基としてはt-ブチル、t-アミル等が挙げられる。芳香族基としてはフェニル、ナフチル、テトラヒドロナフチル、インダニル、クロマニル等が挙げられる。単環状脂肪族基としてはシクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。複環状脂肪族基としてはノルボルニル、アダマンチル、ビアダマンチル、ジアマンチル等が挙げられる。また、環状脂肪族基には環状エーテルやオキシ酸のラクトン等も含む。Bが、三級脂肪族基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換の単環状脂肪族基であるとき、好ましくは、これら基に含まれる三級炭素が酸素原子と結合する。Bが、ベンゼン環を含む基であるとき、好ましくは、ベンジル位の炭素が酸素原子と結合する。上記式I~IVのB,Cの芳香族基、単環状脂肪族基、複環状脂肪族基の置換基は、好ましくは炭素数1~4のアルキル、アルコキシ、カルボキシ、カルボニル、水酸基である。置換基がカルボニルのときは、環の中に含む。式1は、好ましくは、R1が水酸基又は炭素数1~4の直鎖又は分岐アルコキシであって、ベンゼン環に結合する2つのR1の一方が水酸基で他方が炭素数1~4の直鎖又は分岐アルコキシであり、R2が水素であり、R’が式2~4で表される基のいずれかである。より好ましくは、R’の式2~4に含まれるArがフェニレン基であり、R3がそれぞれ式I~IVで示される基である。より好ましくは、R’に含まれるR3がそれぞれ上述した酸解離性溶解抑止基の具体例のいずれかである。環状化合物は公知の方法により製造できる。例えば、酸触媒存在下、所定の構造のアルデヒド化合物と、所定の芳香族化合物との縮合環化反応により、カリックスレゾルシナレン誘導体前駆体を合成し、所定の基に対応する化合物を、エステル化反応、エーテル化反応、アセタール化反応等により前駆体に導入することで合成できる。本発明の感放射線性組成物は、分子量が100~3000である酸解離性溶解抑止基を有する化合物を含む。当該分子量は、好ましくは100~2000である。酸解離性溶解抑止基は、上記式1の酸解離性溶解抑止基と同様である。分子量が100~3000である酸解離性溶解抑止基を有する化合物は、好ましくは下記i、ii及びiiiのいずれかの構造を有する化合物である。式中、Raは、水素原子、炭素数1~30の炭化水素基、又は酸素含有基である。D及びEは、それぞれ単結合、炭素数1~30の炭化水素基、酸素含有基、窒素含有基、又は隣接する環状骨格と共に置換もしくは無置換の多環縮合構造を形成する、炭素数3~20の酸素原子を含有してもよい構造である。R3は、式1のR3と同様である。Xは炭素数6~18の芳香族炭化水素基を示す。a、b、c、d、e及びfは、それぞれ0~5の整数を示し、h、i及びjは、それぞれ0~20の整数を示す。b、c、d、e、i及びjが2以上の場合、複数のRa、複数のR3、複数のD及び複数のEは、それぞれ同じでも異なってよい。また、複数のRaは結合し環を形成してもよい。上記式は、Eがベンゼン環に置換し、DがEに置換し、さらにXがDに置換していることを示している。上記芳香族単環は、芳香族の単環にさらに芳香族の単環が結合していてもよく、上記芳香族複環は、芳香族の複環にさらに芳香族の単環、複環が結合していてもよい。また、結合している芳香族の単環、複環はさらに芳香族の単環、複環が結合していてもよい。すなわち、上記芳香族炭化水素基は、1個の芳香族単環、又は2個以上の芳香族単環が、結合及び/又は縮合したものを含む。上記芳香族炭化水素基としては、例えば下記の構造が挙げられる。式中、Ra’’は酸素原子及び/又は窒素原子を有してよい炭素数0~30の2価の基である。F及びYは、それぞれ炭素数5~30の単環状又は複環状の炭化水素基であって、前記複環状炭化水素基は、ビシクロ環、トリシクロ環、テトラシクロ環構造を含んでもよい基である。p、k、m及びnは、それぞれ0~20の整数を示し、sは、1~10の整数を示す。m、n及びkが2以上の場合、複数のRa及び複数Ra’’は、それぞれ同じでも異なってもよい。D、E、Ra、R3、i及びjは、上記と同様である。上記式は、EがFに置換し、DがEに置換していることを示している。式中、nは1~5の整数である。Rbは、それぞれ炭素数1~20の酸素を含有してもよい基であり、同じであっても異なっていてもよい。Rbは、それぞれエステル基含有の環と縮環構造を形成してよい。上記D,Eの隣接する環状骨格と共に形成する多環縮合構造は、ナフタレン等のように複数の芳香環が縮合した構造でもよいし、インダン、クロマン等のように芳香環と脂環が縮合した構造でもよい。例えば、DとXが多環縮合構造を形成してもよいし、Eとベンゼン環が多環縮合構造を形成してもよい。多環縮合構造の置換基は、水酸基、フッ素原子、炭素数1~20の炭化水素基、又はフッ素含有基等である。式i及びiiにおいて、好ましくはR3が酸解離性溶解抑止基である。酸解離性溶解抑止基は、上記で説明した通りである。式の構造を有する化合物は、好ましくは下記構造のいずれかを有する化合物である。式中、Raは、それぞれ水素原子、フッ素原子、炭素数1~20の炭化水素基、又はフッ素含有基であり、Raが複数の場合は、それぞれ同じでも異なってもよく、互いに結合してもよい。Rbは、それぞれ水素原子、フッ素原子、炭素数1~20の炭化水素基、又はフッ素含有基であり、Rbが複数の場合は、それぞれ同じでも異なってもよく、互いに結合してもよい。Rcは、それぞれ酸素原子、炭素数1~20の炭化水素基、又はフッ素含有基であり、Rbが複数の場合は、それぞれ同じでも異なってもよく、互いに結合してもよい。l、m、n、o及びpは、それぞれ0又は1~10の整数である。lが複数あるとき少なくとも1つは1以上である。l,mは、好ましくは、それぞれ0~5の整数である。より好ましくはlは0,1又は2である。OH水酸基の少なくとも1つが、以下に示す保護基を有する基酸解離性溶解抑止基のいずれかである。水酸基に保護基が結合した式の構造を有する化合物の具体例を以下に示す。式において、Raは好ましくは炭素数1~6のアルキル基又は水酸基であり、mは好ましくは1~10である。式の構造を有する化合物は、好ましくは下記構造のいずれかを有する化合物である。式中、Ra、Rb、Rcは、上記と同様である。l,mは、それぞれ、0又は1~10の整数である。好ましくは、0~5、より好ましくは0、1、又は2である。nは、1~10の整数である。好ましくは1~6である。OHの少なくとも1つが、式iで示した保護基を有する基のいずれかである。式の構造を有する化合物は、好ましくは下記構造のいずれかを有する化合物である。式中、Ra及びmは、上記と同様である。酸解離性溶解抑止基を有する化合物は、市販品の化合物でもよく、具体的には以下に示す化合物を使用することができる。本発明の組成物において、好ましくは環状化合物の割合が50~99.99wt好ましくは80~99.9wtであって、分子量100~3000の化合物の割合が0.01~50wt好ましくは0.1~20wtである。本発明の組成物はフォトレジスト基材、特に、極端紫外光波長15nm以下や電子線等のリソグラフィーによる超微細加工の際に用いるフォトレジスト基材として有用である。本発明のフォトレジスト組成物は、上記の組成物以下、基材ともいうと溶剤を含有する。基材の配合量は、溶剤を除く全組成物中好ましくは50~99.9重量、より好ましくは75~95重量である。本発明のフォトレジスト組成物に使用される溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;乳酸メチル、乳酸エチルEL等の乳酸エステル類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチルPE等の脂肪族カルボン酸エステル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの溶剤は、単独で又は2種以上を使用することができる。本発明のフォトレジスト組成物は、基材の分子が、EUV及び/又は電子線に対して活性なクロモフォアを含み単独でフォトレジストとしての能力を示す場合には特に添加剤は必要としないが、フォトレジストとしての性能感度を増強する必要がある場合は、必要に応じて、クロモフォアとして光酸発生剤PAG等を含むことが一般的である。光酸発生剤としては、特に限定されず、化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩等のオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキル又はビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリビススルホニルジアゾメタン類等のジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤等多種のものが知られている。これらの光酸発生剤の中で、特に好ましくは活性光線又は放射線の作用により有機スルホン酸を発生する化合物が好ましい。PAGの配合量は、溶剤を除く全組成物中0~40重量、好ましくは5~30重量、さらに好ましくは5~20重量である。本発明においては、放射線照射により酸発生剤から生じた酸のレジスト膜中における拡散を制御して、未露光領域での好ましくない化学反応を阻止する作用等を有する酸拡散制御剤クエンチャーをフォトレジスト組成物に配合してもよい。この様な酸拡散制御剤を使用することにより、フォトレジスト組成物の貯蔵安定性が向上する。また解像度が向上するとともに、電子線照射前の引き置き時間、電子線照射後の引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。このような酸拡散制御剤としては、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デカニルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミン;1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン等の環状アミン等の窒素原子含有塩基性化合物、塩基性スルホニウム化合物、塩基性ヨードニウム化合物等の電子線放射分解性塩基性化合物が挙げられる。酸拡散制御剤は、単独で又は2種以上を使用することができる。クエンチャーの配合量は、溶剤を除く全組成物中0~40重量、好ましくは0.01~15重量である。本発明においては、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解制御剤、増感剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料、顔料等を適宜、添加含有させることができる。組成物中の溶剤以外の成分、即ちフォトレジスト固形分の量は所望のフォトレジスト層の膜厚を形成するために適する量とするのが好ましい。具体的にはフォトレジスト組成物の全重量の0.1~50重量が一般的であるが、用いる基材や溶剤の種類、あるいは、所望のフォトレジスト層の膜厚等に合わせて規定できる。溶剤は全組成物中好ましくは50~99.9重量配合する。レジストパターンを形成するには、まず、シリコンウェハー、ガリウムヒ素ウェハー、アルミニウムで被覆されたウェハー等の基板上に本発明のフォトレジスト組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布手段によって塗布することによりレジスト膜を形成する。必要に応じて、基板上に表面処理剤を予め塗布してもよい。表面処理剤としては、例えばヘキサメチレンジシラザン等のシランカップリング剤重合性基を有する加水分解重合性シランカップリング剤等、アンカーコート剤又は下地剤ポリビニルアセタール、アクリル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等、これらの下地剤と無機微粒子とを混合したコーティング剤が挙げられる。必要に応じて、大気中に浮遊するアミン等が侵入するのを防ぐために、レジスト膜に保護膜を形成してもよい。保護膜を形成することにより、放射線によりレジスト膜中に発生した酸が、大気中に不純物として浮遊しているアミン等の酸と反応する化合物と反応して失活し、レジスト像が劣化し感度が低下することを防止できる。保護膜用の材料としては水溶性かつ酸性のポリマーが好ましい。例えば、ポリアクリル酸、ポリビニルスルホン酸等が挙げられる。高精度の微細パターンを得るため、また露光中のアウトガスを低減するため、放射線照射前露光前に加熱するのが好ましい。その加熱温度は、フォトレジスト組成物の配合組成等により変わるが、20~250°Cが好ましく、より好ましくは40~150°Cである。次いで、KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線等の放射線により、レジスト膜を所望のパターンに露光する。露光条件等は、フォトレジスト組成物の配合組成等に応じて適宜選定される。本発明においては、高精度の微細パターンを安定して形成するために、放射線照射後露光後に加熱するのが好ましい。露光後加熱温度PEBは、フォトレジスト組成物の配合組成等により変わるが、20~250°Cが好ましく、より好ましくは40~150°Cである。次いで、露光されたレジスト膜をアルカリ現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成できる。前記アルカリ現像液としては、例えば、モノ-、ジ-あるいはトリアルキルアミン類、モノ-、ジ-あるいはトリアルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH、コリン等のアルカリ性化合物の1種以上を溶解した、好ましくは1~10重量、より好ましくは1~5重量のアルカリ性水溶液を使用する。アルカリ現像液には、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類や前記界面活性剤を適量添加することもできる。酸解離性溶解抑止基を有する環状化合物をフォトレジスト基材として用いる場合は、KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線等の放射線により、レジスト膜を所望のパターンに露光することにより、酸解離性溶解抑止基が脱離ないし構造が変化することにより、アルカリ現像液に溶解するようになる。一方、パターンの露光されていない部分はアルカリ現像液に溶解しないことが好ましい。尚、場合によっては上記アルカリ現像後、ポストベーク処理を行ってもよいし、基板とのレジスト膜の間には有機系又は無機系の反射防止膜を設けてもよい。レジストパターンを形成した後、エッチングすることによりパターン配線基板が得られる。エッチングは、プラズマガスを使用するドライエッチング、アルカリ溶液、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等を用いるウェットエッチング等公知の方法で行うことができる。レジストパターンを形成した後、銅めっき、はんだめっき、ニッケルめっき、金めっき等のめっき処理を行うこともできる。エッチング後の残留レジストパターンは、有機溶剤やアルカリ現像液より強アルカリ性の水溶液で剥離することができる。上記有機溶剤としては、PGMEA、PGME、EL、アセトン、テトラヒドロフラン等が挙げられ、強アルカリ水溶液としては、例えば、1~20重量の水酸化ナトリウム水溶液、及び1~20重量の水酸化カリウム水溶液が挙げられる。剥離方法としては、例えば、浸漬方法、スプレイ方式等が挙げられる。またレジストパターンが形成された配線基板は、多層配線基板でもよく、小径スルーホールを有していてもよい。本発明のフォトレジスト組成物を用いてレジストパターンを形成した後、金属を真空蒸着し、その後レジストパターンを溶液で溶離する方法、即ちリフトオフ法により配線基板を形成することもできる。本発明のフォトレジスト組成物を用いて微細加工方法により、半導体装置を作製できる。この半導体装置は、テレビ受像機、携帯電話、コンピュータ等の電気製品電子機器、ディスプレイ、コンピュータ制御する自動車等の様々な装置に備えることができる。本発明の組成物は公知の成形方法によって各種成形品シリコンウェハ等の基板に形成した薄膜、フィルム、薄板、ファイバー等を製造することができる。本発明の組成物は、フォトレジスト薄膜としての用途の他、光学レンズ、光ファイバー、光導波路、フォトニック結晶等の種々の光情報処理装置向け光学薄膜、半導体用層間絶縁膜、半導体用保護膜等のULSI装置向け薄膜、液晶ディスプレー、液晶プロジェクター、プラズマディスプレー、ELディスプレー、LEDディスプレー等の画像表示装置向け薄膜、CMOSイメージセンサ、CCDイメージセンサ等に使用される薄膜として有用である。さらにこれら薄膜は、CPU、DRAM、フラッシュメモリ等の半導体装置、情報処理用小型電子回路装置、高周波通信用電子回路装置等の電子回路装置、画像表示装置、光情報処理用装置、光通信用装置等の部材、表面保護膜、耐熱膜において利用することもできる。原料合成窒素気流下、容量200ミリリットルの丸底フラスコに、3-メトキシフェノール50.0g402.8ミリモル、東京化成、4-ホルミル安息香酸60.5g402.8ミリモル、東京化成、及び脱水ジクロロメタン関東化学500ミリリットルを加えて氷水浴に浸漬させ、5°C以下に冷却した。この混合物に対して、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル付加体60.8ミリリットル483.6ミリモル、広島和光を内温が15°Cを越えないように滴下した後、室温まで昇温して8時間撹拌した。反応溶液を氷水浴で冷却し、ゆっくり水を滴下してクエンチし、析出した固体をろ別した。ろ別した析出物を中性になるまで水洗した後、N-メチル-2-ピロリドン広島和光に溶解させ、酢酸エチルで再沈し、析出した固体をろ別することにより、環状化合物P-194.4g、91を得た。尚、環状化合物P-1の構造は、液体クロマトグラフィー及び1H-NMR測定により確認した。1H-NMRの測定結果を図1に示す。液体クロマトグラフィーによる測定の結果、目的物の純度は97であった波長280nm測定時の面積。製造例1200ミリリットルの2口フラスコに、調製した環状化合物P―11.00g、1.00ミリモルを加えて窒素雰囲気下とした後、無水N-メチル-2-ピロリドン40ミリリットル、広島和光をさらに加え室温で攪拌し、トリエチルアミン0.7ミリリットル、5.00ミリモル、アルドリッチ、無水N-メチル-2-ピロリドン1ミリリットルで希釈したブロモ酢酸エチルアダマンチル1.50g、5.00ミリモル、及び1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]-7-ウンデセン0.22ミリリットル,1.50ミリモル、広島和光を滴下した。室温で10時間攪拌した後、イオン交換水30ミリリットル及び酢酸エチル30ミリリットルを加えて有機層を抽出した。得られた有機層を濃縮して得た溶液に、イオン交換水と少量の塩を加えた後、沈殿物をろ別して環状化合物1を得た収率93。尚、環状化合物1の構造は液体クロマトグラフィー測定及び1H-NMR測定により確認した。1H-NMRの測定結果を図2に示す。液体クロマトグラフィーによる測定の結果、目的物の純度は93であった波長280nm測定時の面積製造例2十分乾燥し窒素ガスにて置換した三口フラスコ容量1リットルに、調製した環状化合物P―110.0g、10ミリモル及びジメチルホルムアミド344ミリリットルを封入し、40°Cまで加熱することで溶解させた。室温まで放冷した後0°Cまで冷却し、トリエチルアミン10.4g、103ミリモルを加え10分攪拌し、アダマンチルオキシメチレンクロリド10.9g、54ミリモルを加えた。室温まで昇温し21時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム溶液を加えることで反応を停止させた。続いて、酢酸エチルにて反応溶液を抽出し、純水及び飽和食塩水にて洗浄した。得られた溶液を濃縮し、酢酸エチル及びヘキサンの混合溶媒にて再沈殿させ、環状化合物2を得た10.5g、収率62。尚、環状化合物2の構造は液体クロマトグラフィー測定及び1H-NMR測定により確認した。1H-NMRの測定結果を図3に示す。液体クロマトグラフィーによる測定の結果、目的物の純度は94であった波長280nm測定時の面積実施例1-8並びに比較例1及び2基材として、表1に示す製造例1及び2で調製した環状化合物1及び2、光酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート16重量、クエンチャーとしてDABCO1、4-ジアザビシクロ[2.2.2.]オクタン3wt、及び成分2として表1に示す化合物A-1及びA-2を、それぞれ表1の割合で混合してレジスト溶液を調製した。尚、レジスト溶液の固体成分の濃度は、溶媒として酢酸2-メトキシ-1-メチルエチルPEGME/1-メトキシ-2-プロパノールPEGME=1/1体積を用い、2.5重量になるようにフォトレジスト溶液を調整した。レジスト溶液の調製に用いた成分2はいずれも市販品である。これらの構造を以下に示す。化合物A-1:tert-Butylcholateみどり化学化合物A-2:Di-BocBisphenolAみどり化学調製したフォトレジスト溶液を、HMDSヘキサメチルジンラザン処理を施したシリコンウェハ上にスピンコートし、130°Cで90秒加熱することにより薄膜を形成した。次いで、得られた薄膜を有する基板に対して電子線描画装置加速電圧50kVを用いて描画し、110°Cで60秒ベークした後、濃度が2.38重量のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間現像処理し、純水にて60秒洗浄、その後、窒素気流により乾燥した。走査型電子顕微鏡による観察結果から得られた、40nm解像時の感度必要な電子線ドーズ量の結果を表1に記す。同様に、成分2を加えていないときの40nm解像時の感度を示す比較例1及び2。表1から明らかなように、成分2を加えることにより光酸発生剤量を増加させることなく高感度化が可能であり、アウトガスの低減に有用であることが分かる。実施例11~18成分2として表2に示す化合物A-3及びA-4を、それぞれ表2の割合で混合してレジスト溶液を調製した他は、実施例1~8と同様にしてフォトレジスト溶液を調整して評価を行った。結果を表2に示す。成分2として用いた化合物A-3及びA-4の構造を以下に示す。化合物A-3:tert-Butyllithocholateみどり化学化合物A-4:tert-butyldeoxycholateみどり化学表1と同様、表2でも、成分2を加えることにより光酸発生剤量を増加させることなく高感度化が可能であり、アウトガスの低減に有用であることが分かる。光酸発生剤量を増加させることなく高感度化が可能となることは、ある特定の光照射量で現像しようとした場合、実施例のレジスト塗液の方が光酸発生剤量の量を節約できることとなる。これは、アウトガスの低減を図ることができることを意味する。"