"絶縁基板と、該絶縁基板に埋設されており前記絶縁基板の側面から部分的に露出している配線導体とを備えており、前記側面には当該側面に露出している前記配線導体と前記絶縁基板の下面との間に凸部または凹部を有していることを特徴とする配線基板。前記絶縁基板の前記下面に接合された金属部材をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。前記凹部または前記凸部は、表面粗さが前記側面の表面粗さよりも大きい領域を有していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の配線基板。請求項2または請求項3に記載の配線基板と、該配線基板に実装された電子素子とを備えていることを特徴とする電子装置。複数の配線基板領域を有する母基板と、該母基板に埋設されており、前記複数の配線基板領域にまたがって設けられている配線導体とを備えており、前記母基板の前記配線導体と前記母基板の下面との間に、前記複数の配線基板領域の境界にまたがる空隙部を有していることを特徴とする多数個取り配線基板。前記母基板の前記配線基板領域の下面に接合された金属部材をさらに備えていることを特徴とする請求項5に記載の多数個取り配線基板。近年、配線基板の薄型化によって、配線基板の下面に接合された金属部材と配線基板の側面に露出されている配線導体との間隔が小さくなってきていることから、配線基板の側面に露出されている配線導体と金属部材との間にイオンマイグレーションが生じることによって、配線導体と金属部材とが電気的に接続されることが懸念される。配線基板の側面に露出されている配線導体と金属部材とが電気的に接続されると、複数の配線導体が金属部材を介して短絡されてしまう。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、側面に露出した配線導体と金属部材とが電気的に接続されることを抑制できる配線基板を提供することにある。本発明の一つの態様による配線基板は、絶縁基板と、該絶縁基板に埋設されており前記絶縁基板の側面から部分的に露出している配線導体とを有しており、前記側面には当該側面に露出している前記配線導体と前記絶縁基板の下面との間に凸部または凹部を有していることを特徴とする配線基板。本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の配線基板と、配線基板に実装された素子とを有している。本発明の他の態様による多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域を有する母基板と、該母基板に埋設されており、前記複数の配線基板領域にまたがって設けられている配線導体とを有しており、前記母基板の前記配線導体と前記母基板の下面との間に、前記複数の配線基板領域の境界にまたがる空隙部を有している。本発明の配線基板によれば、側面には側面に露出している配線導体と絶縁基板の下面との間に凸部または凹部を有していることから、配線基板の厚みを厚くすることなく、絶縁基板の側面から部分的に露出されている配線導体と絶縁基板の下面に接合される金属部材とがイオンマイグレーションによって電気的に接続されることを抑制できる。本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。第1の実施形態本発明の第1の実施形態における電子装置は、図1および図2に示されているように配線基板10と、配線基板10に搭載された素子20とを含んでいる。図1および図2において電子装置は、仮想のXYZ空間内に設けられている。図1および図2において、上方向とはX軸方向の正方向とものとする。配線基板10は、絶縁基板1と、絶縁基板1に埋設された配線導体2と、絶縁基板1の下面に接合された金属部材4とを有している。絶縁基板1は、側面1cに凸部1aを有している。凸部1aは、絶縁基板1の側面1cの下方が側面1cよりも突き出て形成されている。凸部1aの突き出ている長さは10mm以上とすることが好ましい。凸部1aは、例えば図1に示す例のように、平面視において、側面1cの下方の幅方向の全体に設けられている。ここで、平面視とは図1に示したC方向から見た視点である。凸部1aの側面の表面粗さが、凸部1aの上面の表面粗さよりも大きいときには、凸部1aの上面よりも凸部1aの側面に水分が付着しやすく、凸部1aの側面に水分が集まって、凸部1aの全体に水分が付着しにくい。凸部1aは、図1および図2に示された例の変形例である図3に示された例のように、C方向から見たときに、側面1cの下方の幅方向の一部にのみ設けられていてもよい。絶縁基板1の下面が凸部1aの下面と面一である場合には、凸部1aを設けていない場合に比べて絶縁基板1の下面を大きくできる。なお、例えば配線基板10の上面にキャップ状の蓋体を配置する場合には、凸部1aの上面は蓋体との接合に用いることができる。例えば、レンズ等を有している蓋体を絶縁基板1の周囲に絶縁基板1を挟持して強固に接合できる。図1および図2に示された例のように、絶縁基板1は、キャビティ6を含んでいてもよい。キャビティ6は、例えば絶縁基板1の上面に設けられていればよい。絶縁基板1は材料としてセラミックスまたは樹脂を用いることができる。絶縁基板1は、セラミックス材料が用いられる場合は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体アルミナセラミックス,窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。また、絶縁基板1は、樹脂材料が用いられる場合は、例えば、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,アクリル樹脂,フェノール樹脂,ポリエステル樹脂、または四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等を用いることができる。図1および図2に示された例の変形例として、図4に示された例のように、凸部1aの上面または凸部1aの側面に凹み部を設けておいてもよい。凹み部が設けられたことによって、凸部1aの突き出る長さを短くして、配線基板10を小型化できる。凸部1aが絶縁基板1の下方の側面1cの全体に設けられている場合には、凹み部は、凸部1aの全体に溝状に設けておけばよい。また、凹み部を蓋体や蓋体の爪部を接合または係止するために用いることができる。なお、他の構成は図1および図2に記載された例と同じである。キャビティ6が発光素子を搭載する為の凹みである場合には、図1および図2に示された例の変形例として、図5および図6に示された例のように、キャビティ6の内側面とキャビティ6の底面とのなす角度θは鈍角であって、特に110度~145度が好ましい。角度θをこのような範囲とすると、キャビティ6となる貫通孔の内側面を打ち抜き加工で安定かつ効率よく形成することが容易であり、この配線基板10を用いた発光装置を小型化しやすい。また、発光素子が発した光を外部に向かって良好に放射できる。配線導体2は、絶縁基板1に埋設されており、凸部1aの上方において絶縁基板1の側面1cから部分的に露出されている。なお、配線導体2が絶縁基板1の側面1cから露出された部分を露出部3とする。また、配線基板2の一端は上面に引き出されている。露出部3は、例えば配線導体2が絶縁基板1の上面に引き出された表面に電解めっき法によってめっき層を被着させる際の電流を流すために用いられる。また、例えば絶縁基板1の側面1cに外部回路基板と接続するための端子電極を設ける場合には、露出部3は端子電極に電気的に接続されていてもよい。例えば、図1~図6に示す例においては、配線導体2の上面に引き出された部分は絶縁基板1の上面に、キャビティ6を挟む位置に設けられている。配線導体2は、絶縁基板1の上面に搭載される素子および外部の回路基板の配線に電気的に接続される。配線導体2は、図5に示す例のように、一端が上面の複数箇所に引き出されていてもよい。配線導体2の上面の複数箇所に引き出された部分は、外部の回路基板の複数の配線とそれぞれ電気的に接続される。配線導体2は、一端が絶縁基板1の側面1cから部分的に露出された露出部3を有している。また、複数の露出部3が絶縁基板1の同じ側面1cに設けられている場合には、露出部3同士の間隔は、露出部3同士の間のイオンマイグレーションを抑制するために、10mm以上としておくことが好ましい。複数の露出部3が同じ側面1cに設けられている場合には、図5に示す例のように、複数の露出部3が、絶縁基板1の厚み方向においても離されて設けられていることによって、露出部3同士の間隔を大きくできる。露出部3を絶縁基板1の厚み方向において離して設けるには、例えば絶縁基板1が複数の絶縁層から構成されている場合には、配線導体2を異なる絶縁層間に配置しておけばよい。このような配線導体2は、タングステンW,モリブデンMo,マンガンMn,銀Agまたは銅Cu等の金属材料を用いることができる。例えば、絶縁基板1が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、W,MoまたはMn等の高融点金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶媒を添加混合して得た導体ペーストを、絶縁基板1となるセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法によって所定のパターンに印刷塗布して、絶縁基板1となるセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基板1の所定位置に被着形成される。配線導体2が貫通導体である場合は、表面に形成される配線導体2となる導体パターンを形成する前に、金型やパンチングによる打ち抜き加工やレーザー加工によってグリーンシートに貫通孔を形成して、この貫通孔に印刷法によって導体ペーストを充填しておくことによって形成される。配線導体2の露出する表面には、電解めっき法によってめっき層が被着される。めっき層は、ニッケル,銅,金または銀等の耐食性や接続部材との接続性に優れる金属から成るものであり、例えば、厚さ05~5μm程度の銅メッキ層と厚さ05~5μm程度のニッケルめっき層と01~3μm程度の金めっき層とが、あるいは厚さ1~10μm程度のニッケルめっき層と01~1μm程度の銀めっき層とが、順次被着される。これによって、配線導体2が腐食することを効果的に抑制できるとともに、素子と配線導体2との固着や配線導体2とボンディングワイヤ等の接続部材との接合や、外部端子と外部回路基板の配線導体との接合、および金属部材4と外部回路基板の導体との接合を強固にできる。金属部材4は、絶縁基板1の下面に接合されている。金属部材4は、絶縁基板1よりも熱伝導率の高い材料、例えば、銅Cu,銅-タングステンCu-WまたはアルミニウムAl等の金属材料を用いて作製できる。例えば、絶縁基板1が酸化アルミニウム質焼結体であるときには、金属部材4の材料は、例えばCuのような絶縁基板1よりも熱伝導率の高い材料を用いることができる。熱伝導率の高い金属部材4を用いることによって、配線基板10は、搭載された素子で生じた熱を効率的に放熱できるので、放熱性を向上できる。金属部材4は、例えば銀-銅合金等を材料とするろう材等の接合材5を用いて、絶縁基板1の下面にろう付けされて接合される。配線基板10は、絶縁基板1の下面に接合材5を設けるための金属を有していることが好ましい。接合材5としてTi等の活性金属を添加した活性金属ろう材や熱伝導率の高い金属材料を添加混合した樹脂材を用いる場合には、金属部材4は絶縁基板1に直接設けられた接合材5を介して接合される。配線基板10が、例えば発光素子の搭載されるキャビティ6を含んだ上面を有する絶縁基板1を有する場合には、図5~図6に示す例のように、キャビティ6の内壁面に発光素子が発する光を反射させるための反射層が設けてられていてもよい。反射層は、例えばキャビティ6の内壁面に設けられた金属層7と金属層7上に被着されためっき層とを有している。また、金属層7は配線導体2と電気的に接続されていてもよい。金属層7は、配線導体2と同様の材料および方法で、キャビティ6の内壁面に平坦に形成される。金属層7用の導体ペーストは、配線導体2用の導体ペーストと同じでもよいし、印刷性を考慮して有機バインダーや溶媒の種類や量を変更してもよい。金属層7の表面に被着されるめっき層は、配線導体2の露出する表面に被着されるめっき層と同様の材料を用いることができる。例えば、配線基板10に発光素子を搭載する場合には、金属層7の表面には銀めっき層を被着させ、配線導体2の表面には金めっき層を被着させることが好ましい。金めっき層は、銀めっき層と比較して接続部材や外部回路基板の配線導体との接合性に優れており、銀めっき層は、金めっき層と比較して光に対する反射率が高いためである。また、配線導体2および金属層7の最表面を銀と金との合金めっき層として、例えば、銀と金との全率固溶の合金めっき層としてもよい。金属層7の表面に被着されるめっき層が電解めっき法によって被着される場合には、絶縁基板1に金属層7と接続されている配線導体2がさらに設けられていればよい。配線導体2の表面と金属層7の表面とに同じ材料のめっき層を被着させる場合には、金属層7と配線導体2とが電気的に接続されていればよい。キャビティ6の底面および内側面の全面に金属層7を設けて、配線導体2をキャビティ6の周囲の絶縁基板1の上面に設けていてもよい。また、一端が絶縁基体1の上面に引き出された一対の配線導体2のうちの一方がキャビティ6の底面およびキャビティ6の内側面に設けられた金属層7と接合されていてもよい。絶縁基板1に金属層7用の配線導体2を埋設する必要がないので、配線基板10を薄型化するのに有効である。例えば発光素子を搭載する配線基板10は、キャビティ6の内面全体に発光素子からの光を反射する反射層を形成している場合には、発光素子の発光面がキャビティ6内に位置していると発光装置としたときの輝度を高くできる。配線基板10の上面に素子を搭載することによって電子装置を作製できる。配線基板10に実装される素子は、ICチップやLSIチップ等の半導体素子,発光素子,水晶振動子や圧電振動子等の圧電素子および各種センサ等である。例えば、素子がフリップチップ型の半導体素子である場合には、半導体素子は、はんだバンプや金バンプまたは導電性樹脂異方性導電樹脂等等の接合部材を介して、半導体素子の電極と配線導体2とが電気的および機械的に接続されることによって配線基板10に搭載される。また、例えば、素子がワイヤボンディング型の半導体素子である場合には、半導体素子は、接合部材によって素子搭載領域に固定された後、ボンディングワイヤを介して半導体素子の電極と配線導体2とが電気的に接続されることによって配線基板10に搭載される。また、第1の実施形態における配線基板10は、図7および図8に示す例のような多数個取り配線基板10を分割することによって、効率良く製作できる。図7および図8に示す例の多数個取り配線基板は、凸部1aを含んでいる側面1cを有する絶縁基板1となる配線基板領域11aを縦に3個および横に3個ずつの計9個有している。なお、配線基板領域11aは縦および横の少なくとも一方の並びに複数配置されていればよい。図7および図8に示す例では、配線基板領域11aは縦に3個および横に3個ずつ配置されているが、さらに多く配置されていてもよい。配線基板領域11aは、母基板11や配線基板領域11aの大きさ、配線基板領域11aに搭載される素子や配線導体2の配置等に合わせて適宜設定される。母基板11は、例えば図7および図8に示す例においては、縦および横の並びに配列された複数の配線基板領域11aの周囲母基板11の外周部に、ダミー領域11bを有している。ダミー領域11bは、多数個取り配線基板の製造や搬送を容易とするための領域であり、このダミー領域11bを用いて母基板11となる生成形体や多数個取り配線基板の加工時や搬送時の位置決め、固定等を行なうことができる。ダミー領域11bには、配線導体2と電気的に接続される共通導体が設けられていてもよい。複数の配線導体2同士は、ダミー領域11bに設けられた共通導体によって電気的に接続されていると、電解めっき用の電流を共通導体の少なくとも1箇所から流せるので好ましい。共通導体は、ダミー領域11bに枠形状に設けられていると、各配線基板領域11aの配線導体2に被着されるめっき層の厚みばらつきを低減するのに有効である。共通導体の断面積は、配線導体2の断面積よりも大きいと、共通導体での抵抗の増加を抑制できる。凸部1aの形成領域11cは、各配線基板領域11aの外縁に設けられている。形成領域11cは、母基板11を分割して配線基板10とした際に絶縁基板1に凸部1aを設けるための領域である。凸部1aは、母基板11の形成領域11cに空隙部12を設けて、母基板11を各配線基板領域11aの外縁に沿って分割することによって形成される。このような空隙部12は、例えば、複数のセラミックグリーンシートを積層して加圧する際に、段差部形成領域11cに、圧力を印加しない、もしくは他よりも加える圧力を小さくして、絶縁層同士が、段差部形成領域11cで剥離するようにして形成する。空隙部12は、セラミックグリーンシートにレーザー加工や金型による打ち抜き加工等によって、空隙部12となる貫通孔を形成した複数のセラミックグリーンシートと、貫通孔を形成していないセラミックグリーンシートとを積層して焼成することによっても形成できる。また、母基板11の厚みが薄い場合には、複数のセラミックグリーンシートを積層した後、レーザー加工や金型による打ち抜き加工等によって空隙部12となる貫通孔を形成しても構わない。凸部1aを含んでいる側面1cを有する配線基板10を製作する多数個取り基板は、図8に示す例のように、空隙部12は上面側の配線基板領域11aの外縁よりも幅広に形成しておくとよい。平面透視で分割予定線と空隙部12とが重ならなくなってしまうことを低減できる。また、スライシング法等により分割する際に空隙部12までの深さに切断することによって、凸部1aを切断することを低減できる。空隙部12は、母基板11の上面側または下面側に開口していてもよい。母基板11となる生成形体を焼成する際に、空隙部12が母基板11の内部に密閉されている場合と比較して、開口している空隙部12は空隙部12内のガスの膨張による凸部1aの変形を低減できる。配線基板領域11aの外縁において、母基板11の上面または下面に断面が開口側に向かって広がるような形状の分割溝を形成しておくと、各配線基板領域11aの外縁に沿って分割する際に良好に分割しやすい。多数個取り配線基板を、各配線基板領域11aの外縁に沿って分割することによって、図1~図6に示す例のような絶縁基板1を作製できる。さらに絶縁基板1の下面に金属部材4を接合することによって配線基板10を作製できる。また、多数個取り配線基板を分割することによって、配線導体2が絶縁基板1の側面1cに露出する露出部3を有する配線基板10となる。配線基板領域11aの下面のそれぞれに金属部材4を接合した後に、配線基板領域11aの外縁に沿って分割してもよい。なお、図1~図6に示す例のように絶縁基板1よりも幅広の金属部材4を接合してなる配線基板10を作製する場合は、多数個取り配線基板はそれぞれの配線基板領域11aの周囲にダミー領域11bを形成しておけばよい。配線基板領域11aの上面のそれぞれに素子を搭載した後に多数個取り配線基板を分割してもよい。母基板11を複数の絶縁基板1に分割する方法は、母基板11の配線基板領域11aの外縁に分割溝を形成しておき、この分割溝に沿って撓折して分割する方法、またはスライシング法等により配線基板領域11aの外縁に沿って切断する方法等を用いることができる。分割溝は、母基板11用の生成形体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置によって生成形体の厚みより小さく切り込むか、焼成後にスライシング装置により母基板11の厚みより小さく切り込んで形成できる。なお、スライシング法等によって切断して分割する場合には、母基板11の上面側と下面側とでスライシング刃の幅を異ならせることで、上記の空隙部12を形成せずにスライシング装置で削ることによって凸部1aを形成してもよい。本実施形態における配線基板10は、側面1cには側面1cに露出している配線導体2と絶縁基板1の下面との間に凸部1aを有していることから、配線基板10の厚みを厚くすることなく、絶縁基板1の側面1cの露出部3から絶縁基板1の下面までの距離を長くして、配線導体2の露出部3と金属部材4との間の距離を長くできる。したがって、配線導体2の露出部3と金属部材4との間でイオンマイグレーションが生じることを抑制して、配線導体2の露出部3と金属部材4とが電気的に接続されることを抑制できる。凸部1aは、表面粗さが側面1cの表面粗さよりも大きい領域を有しているときには、凸部1aの上面よりも凸部1aの側面に水分が付着しやすく、凸部1aの側面に水分が集まって、露出部3と金属部材4との間の全体に水分が付着しにくいので、イオンマイグレーションを抑制するのに有効である。また、絶縁基板1は凸部1aによって、側面1cへの接合材5の這い上がりを抑制でき、接合材5が側面1cに広がって露出部3に到達することを抑制できる。本実施形態における多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域11aを有する母基板11と、母基板11に埋設されており、複数の配線基板領域11aにまたがって設けられている配線導体2とを有しており、母基板11の配線導体2と母基板1の下面との間に、複数の配線基板領域11aの境界にまたがる空隙部12を有している。このような多数個取り配線基板を分割することによって本実施形態における配線基板10における絶縁基板1を効率的に作製できる。また、本実施形態の多数個取り配線基板は、母基板11の配線基板領域11aの下面に接合された金属部材4をさらに備えている場合には、本実施形態の配線基板10を効率的に作製できる。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態による電子装置について、図9~図11を参照しつつ説明する。本発明の第2の実施形態における配線基板10において、上記した第1の実施形態の配線基板10と異なる点は、図9~図11に示す例のように、絶縁基板1は側面に凹部1bを有しており、配線導体2が凹部1bの上方において絶縁基板1の側面1cから部分的に露出された露出部3を有している点である。本実施形態における配線基板10は、絶縁基板1に埋設されており、凹部1bの上方において絶縁基板1の側面1cから部分的に露出された露出部3を有している配線導体2を含んでいることから、配線基板10の厚みを厚くすることなく、絶縁基板1の側面1cの露出部3から絶縁基板1の下面までの距離を長くして、配線導体2の露出部3と金属部材4との間の距離を長くできる。したがって、配線導体2の露出部3と金属部材4との間でイオンマイグレーションが生じることを抑制して、配線導体2の露出部3と金属部材4とが電気的に接続されることを抑制できる。このように、絶縁基板1が露出部3よりも下面側に凹部1bを有していると、凸部1aを有している場合に比べて、平面視で配線基板10を小さくできる。凹部1bの凹みの長さは、露出部3と金属部材4との間で生じるイオンマイグレーションによって露出部3と金属部材4とが短絡することを抑制するために、10mm以上とすることが好ましい。凹部1bは、図9に示す例のように、C方向からの平面視において、露出部3の設けられた側面1cの長軸方向の全体に設けられていると、露出部3が設けられた側面1cの全体にわたって、イオンマイグレーションを抑制できる。図9に示す例のように、凹部1bが矩形状の絶縁基板1の全ての側面1cに設けられていると、絶縁基板1の外周全体で接合材5の這い上がりを抑えるので、接合材5が広がることを抑制するのに有効である。図10に示す例のように、凹部1bが絶縁基板1の側面1cの一部に設けられていると、絶縁基板1と金属部材4との接合面積が少なくなることを低減できるので、絶縁基板1と金属部材4との放熱性が低下することを低減できる。図12に示す例の多数個取り配線基板は、凹部1bを含んでいる側面1cを有する絶縁基板1となる配線基板領域11aを縦に3個および横に3個ずつの計9個有している。凹部1bの形成領域11cは、各配線基板領域11aの外縁に設けられている。形成領域11cは、母基板11を分割して配線基板10とした際に絶縁基板1に凹部1bを設けるための領域である。凹部1bは、母基板11の形成領域11cに空隙部12を設けて、母基板11を各配線基板領域11aの外縁に沿って分割することによって形成される。空隙部12は、図12に示す例のように、母基板11の下面側に開口するように形成しておいてもよい。母基板11となる生成形体を焼成する際に、空隙部12が母基板11の内部に密閉されている場合と比較して、開口している空隙部12は空隙部12内のガスの膨張による凹部1bの変形を低減できる。本発明は、上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、1つの金属部材4に複数の絶縁基板1が接合された配線基板10であってもよい。図13aおよび図13bに示された例のように、凸部1aおよび凹部1bが設けられていてもよい。また、図13aに示された例のように、凸部1aの上方の側面1cに凹み部が設けられている場合には、凸部1aの上面に凹み部を設ける場合に比べて、凸部1aが部分的に薄くならないので、製作時に凸部1aが破損することを低減できる。また、露出部3は、絶縁基板1の隣接する側面1cにも位置していても構わない。母基板11は、配線基板領域11aのそれぞれの周囲に、ダミー領域11bを有している場合には、共通導体は各配線基板領域11aの間のダミー領域11bに格子状に設けられていてもよい。接合材5の厚みは、絶縁基板1の中央部を絶縁基板1の外周部よりも薄くしておくと、素子が搭載される絶縁基板1の中央側で、絶縁基板1から金属部材4への放熱性を高めるのに有効である。"