"第一面と第二面とを有する可撓梁形成基板を用意し、前記可撓梁形成基板の第一面側を厚み方向に削り、可撓梁の固定部と空洞部とを前記可撓梁形成基板に形成する第一工程と、支持基板を用意し、前記可撓梁形成基板の第一面が前記支持基板に対向するように、前記可撓梁形成基板と前記支持基板とを接合して、前記固定部を前記支持基板に固定する第二工程と、前記可撓梁形成基板の第二面を研削して前記可撓梁形成基板を薄化させる第三工程と、前記可撓梁形成基板の第二面側を厚み方向に削り、可撓梁を形成する第四工程と、を有し、前記第三工程において、前記可撓梁が形成される位置とは異なる位置であって、前記可撓梁形成基板と前記支持基板との間に、支持柱が配置されている、梁構造デバイスの製造方法。前記支持柱は、前記可撓梁形成基板の一部によって形成されている、請求項1に記載の梁構造デバイスの製造方法。前記支持柱は、前記可撓梁形成基板とは異なる部材によって形成されている、請求項1に記載の梁構造デバイスの製造方法。支持基板と、前記支持基板に固定される固定部と、前記固定部に支持され、前記支持基板に対して間隔を隔てて対向する可撓部と、を備える可撓梁と、前記可撓梁から離間した位置において、前記支持基板に固定された支持柱と、を備える梁構造デバイス。複数の可撓梁を備え、前記支持柱は複数の可撓梁の間に配置されている、請求項4に記載の梁構造デバイス。前記可撓梁に設けられる可撓梁側駆動容量電極と、前記可撓梁側駆動容量電極に対向するように前記支持基板に設けられる支持基板側駆動容量電極と、前記可撓梁側駆動容量電極と前記支持基板側駆動容量電極との間に形成される誘電体膜とからなり、前記可撓梁側駆動容量電極と前記支持基板側駆動容量電極との間に生じる駆動容量に基づいて前記可撓梁を変形させる駆動容量部と、前記可撓梁に設けられる可撓梁側RF容量電極と、前記可撓梁側RF容量電極に対向するように前記支持基板に設けられる支持基板側RF容量電極と、前記可撓梁側RF容量電極と前記支持基板側RF容量電極との間に形成される誘電体膜とからなるRF容量部と、を備える請求項4または5に記載の梁構造デバイス。上述した支持材305を充填する工法では、可撓板301Bを形成した後に、支持材305を除去する工程が必要になる。このため、製造工程数が増加してしまう。また、極めて狭い空洞部304内から支持材305を除去するために、完全に支持材305を除去することが難しく、処理効率が悪かった。そこで本発明は、可撓梁の厚みのばらつきを小さくすることができる梁構造デバイスと、その製造方法とを実現することを目的とする。本発明に係る梁構造デバイスの製造方法は、第一工程から第四工程を有する。第一工程は、第一面と第二面とを有する可撓梁形成基板を用意し、可撓梁形成基板の第一面側を厚み方向に削り、可撓梁の固定部と空洞部とを可撓梁形成基板に形成する。第二工程は、支持基板を用意し、可撓梁形成基板の第一面が支持基板に対向するように、可撓梁形成基板と支持基板とを接合して、固定部を支持基板に固定する。第三工程は、可撓梁形成基板の第二面を研削して可撓梁形成基板を薄化させる。第四工程は、可撓梁形成基板の第二面側を厚み方向に削り、可撓梁を形成する。そして、上記第三工程において、可撓梁が形成される位置とは異なる位置であって、可撓梁形成基板と支持基板との間に、支持柱が配置されている。この製造方法によれば、可撓梁が形成される位置とは異なる位置であって、可撓梁形成基板と支持基板との間に、支持柱が配置されている状態で、固定部によって第一面側が支持基板に固定されている可撓梁形成基板の第二面を研削することにより、可撓梁形成基板を薄くすることができる。可撓梁形成基板を薄化させるために研削する際、可撓梁形成基板における支持柱と固定部の近傍の部分では、支持柱と固定部とによって、加工機からの圧力が加わっても可撓梁形成基板の空洞部側への撓みはほとんど発生しない。このため、可撓梁形成基板における支持柱と固定部の近傍の部分では、所望の厚みとなるように研削される。また、可撓梁形成基板における支持柱と固定部から離れた部分では、加工機からの圧力が加わると可撓梁形成基板の空洞部側への小さな撓みが発生する。このため、可撓梁形成基板における支持柱と固定部から離れた部分では、支持柱と固定部の近傍よりも僅かに厚くなるように研削される。しかしながら、支持柱を設けることにより、支持柱や固定部から当該部分までの距離が短くなるため、可撓梁形成基板の空洞部側へ撓みは非常に小さなものとなり、可撓梁の厚みのばらつきを小さくすることができる。上述の梁構造デバイスの製造方法において、支持柱は、可撓梁形成基板の一部によって形成されていると好適である。これにより、固定部と同一プロセスで支持柱を形成することができ、工程数を増やすことなく、可撓梁の厚みのばらつきを小さくすることができる。または、上述の梁構造デバイスの製造方法において、支持柱は、可撓梁形成基板とは異なる部材によって形成されていてもよい。これにより、任意の位置やパターンで支持柱を成形することが可能になり、可撓梁の厚みのばらつきを効果的に小さくすることができる。また、本発明に係る梁構造デバイスは、支持基板と、可撓梁と、支持柱とを備える。可撓梁は、支持基板に固定される固定部と、固定部に支持され、支持基板に対して間隔を隔てて並行する可撓部とを備える。支持柱は、可撓梁から離間した位置において、支持基板に固定されている。上述の梁構造デバイスは、複数の可撓梁を備え、支持柱は複数の可撓梁の間に配置されると好適である。これにより、支持柱の数が少なくて済み、梁構造デバイスを小型化したまま、複数の可撓梁の厚みのばらつきを小さくすることができる。上述の梁構造デバイスは、駆動容量部と、RF容量部とを備えると好適である。駆動容量部は、可撓梁に設けられる可撓梁側駆動容量電極と、可撓梁側駆動容量電極に対向するように支持基板に設けられる支持基板側駆動容量電極と、可撓梁側駆動容量電極と支持基板側駆動容量電極との間に形成される誘電体膜とからなり、可撓梁側駆動容量電極と支持基板側駆動容量電極との間に生じる駆動容量に基づいて可撓梁を変形させる。RF容量部は、可撓梁に設けられる可撓梁側RF容量電極と、可撓梁側RF容量電極に対向するように支持基板に設けられる支持基板側RF容量電極と、可撓梁側RF容量電極と支持基板側RF容量電極との間に形成される誘電体膜とからなる。この構成では、駆動容量とRF容量とが強い相関を持つことになる。支持柱を設けることにより可撓梁の厚みのばらつきを小さくすることができるため、駆動容量とRF容量との相関性のずれが小さくなり、RF容量を高精度に制御することが可能になる。この発明によれば、支持柱を設けることにより、可撓梁の厚みのばらつきを小さくすることができる。以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。なお、各図には直交座標形のX-Y-Z軸を付し、可撓梁の厚み方向をZ軸方向、梁長さ方向をX軸方向、梁幅方向をY軸方向としている。《第1の実施形態》まず、第1の実施形態に係る梁構造デバイスとして可変容量素子を例に説明する。図3Aは、第1の実施形態に係る梁構造デバイスとしての可変容量素子1の平面図X-Y面平面図である。図3Bは、図3A中にB-B’で示す位置での可変容量素子1の断面図X-Z面断面図である。図3Cは、図3A中にC-C’で示す位置での可変容量素子1の断面図Y-Z面断面図である。図3Dは、図3A中にD-D’で示す位置での可変容量素子1の断面図X-Z面断面図である。図3に示すように、可変容量素子1は、支持基板2と、可撓梁3A,3Bと、誘電体膜4A,4Bと、枠体5と、蓋基板6と、支持柱7と、支持基板側駆動容量電極8と、支持基板側RF容量電極9と、可撓梁側駆動容量電極10と、可撓梁側RF容量電極11とを備えている。なお、図3Aは、可変容量素子1において蓋基板6を取り外した状態を示している。支持基板2および蓋基板6は、それぞれガラス基板からなり、平面視して矩形状に構成されている。なお、支持基板2や蓋基板6は、シリコン単結晶基板などの他の絶縁性基板で構成されていてもよい。枠体5は、高抵抗シリコン絶縁物からなり、平面視して枠状に構成されている。なお、枠体5も、他の絶縁性材料で構成されていてもよい。支持基板2と蓋基板6と枠体5とは、枠体5を間にして接合されていて、内部にパッケージ空間を構成している。可撓梁3A,3Bは、それぞれ一端部で支持基板2に支持される片持ち梁構造であり、パッケージ空間内部でY軸方向に並べて配置されている。可撓梁3A,3Bは、高抵抗シリコン基板などの絶縁性基板や導電性基板からなる。可撓梁3A,3Bは、それぞれ固定部3Cと、連結部3Dと、可撓部3Eとを備え、連結部3Dおよび可撓部3Eが、支持基板2から離間した状態で固定部3Cに支持されている。固定部3Cは、平面視してY軸方向に長尺な矩形状であり、支持基板2の上面に固定されている。連結部3Dは、平面視して、それぞれX軸に対して蛇行するミアンダライン状であり、固定部3CのY軸方向両端それぞれからX軸正方向に立設している。可撓部3Eは、平面視してX軸方向に長尺な平板状であり、X軸負方向の端部で連結部3Dに連結されている。可撓部3Eは、支持基板2の主面に空間を介して対向している。また、可撓部3Eは、X軸に沿って複数の貫通孔が配列されたラダー状の分割領域と、当該分割領域によって区画された3つの区画領域とを備えている。図3に示すように、支持基板側駆動容量電極8と支持基板側RF容量電極9とは、それぞれ支持基板2の上面に形成されている。支持基板側駆動容量電極8および支持基板側RF容量電極9は、それぞれX軸方向に長尺な線路状電極であり、Y軸方向に配列して設けられている。支持基板側駆動容量電極8および支持基板側RF容量電極9は、例えば、Cr,Pt,Auなどからなる金属層の単層電極、またはそれらの積層電極として構成するとよい。支持基板側駆動容量電極8の一方の端部は、駆動電圧端子に接続されている。支持基板側駆動容量電極8は、支持基板側RF容量電極9のY軸方向の両脇に設けられている。支持基板側RF容量電極9の一方の端部は、RF信号の出力端子または入力端子に接続されている。支持基板側RF容量電極9は、支持基板側駆動容量電極8の間に設けられている。誘電体膜4A,4Bは、それぞれ支持基板側駆動容量電極8と支持基板側RF容量電極9とを覆うように形成されている。誘電体膜4A,4Bは、支持基板2の上面Z軸正方向の面にY軸方向に並べて形成されている。なお、誘電体膜4は、五酸化タンタルなどの高い誘電率を有する薄膜からなる。可撓梁側駆動容量電極10と可撓梁側RF容量電極11とは、それぞれ可撓梁3A,3Bの下面に形成されている。可撓梁側駆動容量電極10と可撓梁側RF容量電極11とは、X軸方向に長尺な線路状電極であり、Y軸方向に配列して設けられている。可撓梁側駆動容量電極10は、可撓梁側RF容量電極11のY軸方向の両脇に設けられている。可撓梁側駆動容量電極10は、支持基板側駆動容量電極8および誘電体膜4A,4Bと対向するように設けられており、一方の端部が接地端子に接続されている。可撓梁側RF容量電極11は、可撓梁側駆動容量電極10の間に設けられている。具体的には、可撓梁側RF容量電極11は、支持基板側RF容量電極9および誘電体膜4A,4Bと対向するように設けられている。可撓梁側駆動容量電極10と可撓梁側RF容量電極11とは、例えば、タングステンやモリブデンからなる金属層の単層電極、またはタングステンからなる下地層の上にチタンタングステン合金層を設けた積層電極として構成するとよい。可撓梁側駆動容量電極10は、支持基板側駆動容量電極8と誘電体膜4A,4Bとに対向している。支持基板側駆動容量電極8と可撓梁側駆動容量電極10と誘電体膜4A,4Bとは、駆動容量部を構成している。駆動電圧端子から支持基板側駆動容量電極8に駆動電圧DC電圧が印加されると、駆動容量部において静電引力が発生する。駆動容量部は、その静電引力により可撓梁3A,3Bを支持基板2側に引き付け、可撓梁3A,3Bを先端X軸正方向側の端部から誘電体膜4A,4Bに接触させる駆動容量として機能する。駆動電圧が高電圧であるほど、可撓梁3A,3Bと誘電体膜4A,4Bとの接触面積は大きくなる。可撓梁側RF容量電極11は、支持基板側RF容量電極9と誘電体膜4A,4Bとに対向している。支持基板側RF容量電極9と可撓梁側RF容量電極11と誘電体膜4A,4Bとは、RF容量部を構成している。RF容量部は、支持基板側RF容量電極9と可撓梁側RF容量電極11との間に形成され、可撓梁3A,3Bと誘電体膜4A,4Bとの接触面積に応じて容量の大きさが変化する可変容量であるRF容量として機能する。支持柱7は、高抵抗シリコンからなり、パッケージ空間内部で可撓梁3A,3Bの間に配置されている。このような構成の可変容量素子1は、支持柱7を設けることにより可撓梁3A,3Bの厚みのばらつきが小さくなり、駆動容量とRF容量との間の相関性が高いものになる。そのため、駆動容量をモニターしてフィードバック制御することで、温度変化などの外乱に対してRF容量を所望の値にすることが可能になる。図4は、本実施形態の可変容量素子1の製造方法について説明する図である。まず、本実施形態における可撓梁3A,3Bを形成するための可撓梁形成基板である平板状の高抵抗シリコン基板21を用意するS1。レジストパターンを用いたウェットエッチング法などにより高抵抗シリコン基板21の下面側を削り、可撓梁3A,3Bの連結部3D及び可撓部3Eと支持基板2との間の空間となる空洞部21Aを形成する。このとき、枠体5と、固定部3Cと、支持柱7との一部を形成するS2。次に、高抵抗シリコン基板21の下面に可撓梁側駆動容量電極10や可撓梁側RF容量電極11不図示を形成するS3。次に、Al膜からなるエッチングストップ層22を、枠体5と固定部3Cと支持柱7との一部、可撓梁側駆動容量電極10および可撓梁側RF容量電極11を除く、高抵抗シリコン基板21の下面の領域に形成するS4。次に、枠体5、固定部3C、および支持柱7の一部の下面に、支持基板2との接合用の金属膜23を形成するS5。なお、固定部3Cの下面に設ける金属膜23は、可撓梁側駆動容量電極10および可撓梁側RF容量電極11に接続される配線として利用される。次に、誘電体膜4A,4Bや支持基板側駆動容量電極8、支持基板側RF容量電極9不図示などを形成した支持基板2を別途用意し、金属膜23を介して支持基板2と高抵抗シリコン基板21とを接合するS6。次に、高抵抗シリコン基板21の上面全面をCMPChemicalMechanicalPolish装置などの加工機により研削して、高抵抗シリコン基板21を薄化するS7。次に、高抵抗シリコン基板21の上面における枠体5となる位置に、蓋基板6との接合用の金属膜24を形成するS8。次に、ドライエッチングにより、高抵抗シリコン基板21の上面側からエッチングストップ層22に至るまで高抵抗シリコン基板21を削り、枠体5、可撓梁3A,3B、および支持柱7を形成するS9。次に、エッチングストップ層22をエッチングにより除去するS10。最後に、蓋基板6を枠体5の上面に接合するS11。以上のようにして本実施形態の可変容量素子1は製造される。この製造方法によれば、高抵抗シリコン基板21の下面側を削る工程S2などで支持柱7を形成しているため、高抵抗シリコン基板21の上面全面を研削して高抵抗シリコン基板21を薄化させる工程S7で加工機からの圧力によって高抵抗シリコン基板21が空洞部21A側へ撓むものの、支持柱7によって撓みが小さくなり、可撓梁3A,3Bの厚みばらつきを小さくすることができる。図5Aは、本実施形態に係る可変容量素子1における可撓梁3A,3Bの形状について説明する図である。また、図5Bは、支持柱を設けない比較例に係る可変容量素子401における可撓梁403A,403Bの形状について説明する図である。比較例に係る可変容量素子401は、支持柱が設けられていない点以外は本実施形態に係る可変容量素子1と同様に構成されている。本実施形態に係る可変容量素子1では、金属膜23を介して支持基板2と高抵抗シリコン基板21とが接合された状態で、高抵抗シリコン基板21を薄化するために研削される。このとき、高抵抗シリコン基板21における支持柱7と枠体5と固定部3Cの近傍の部分では、支持柱7と枠体5と固定部3Cとによって、加工機からの圧力が加わっても高抵抗シリコン基板21の空洞部21A側への撓みはほとんど発生しない。このため、高抵抗シリコン基板21における支持柱7と枠体5と固定部3Cの近傍の部分では、所望の厚みとなるように研削される。高抵抗シリコン基板21における支持柱7と枠体5と固定部3Cから離れた部分では、加工機からの圧力が加わると高抵抗シリコン基板21の空洞部21A側への小さな撓みが発生する。このため、高抵抗シリコン基板21における支持柱7と枠体5と固定部3Cから離れた部分では、支持柱7と枠体5と固定部3Cの近傍よりも僅かに厚くなるように研削される。具体的には、本実施形態の可変容量素子1では、可撓梁3A,3Bが互いに隣接し合う端部の間に支持柱7が設けられているので、枠体5と支持柱7との中間に位置する部分の厚みが他の部分よりも僅かに厚くなるように研削されることになる。このように、本実施形態に係る可変容量素子1では、可撓梁3A,3Bの厚みばらつきは小さい。比較例に係る可変容量素子401では、支持柱が存在しないために、金属膜23を介して支持基板2と高抵抗シリコン基板21とが接合された状態で高抵抗シリコン基板21を薄化するために研削される際に、加工機からの圧力が加わると高抵抗シリコン基板21の空洞部21A側への大きな撓みが発生する。このため、高抵抗シリコン基板21における枠体5と固定部3Cの近傍の部分では所望の厚みとなるように研削されるが、枠体5と固定部3Cから離れた部分では、所望の厚みよりも大幅に厚くなるように研削される。特に、可撓梁403A,403Bが互いに隣接し合う端部周辺では、枠体5と固定部3Cから最も離れた部分であるため、他の部分よりも大幅に厚くなるように研削される。このように、比較例に係る可変容量素子401では、可撓梁403A,403Bの厚みばらつきが非常に大きい。このように本実施形態に係る可変容量素子1の構造とその製造方法とを採用することにより、可撓梁の厚みばらつきを、支持柱を設けない場合よりも小さくすることができる。《第2の実施形態》次に、本発明の第2の実施形態に係る梁構造デバイスについて説明する。ここでも、可変容量素子を梁構造デバイスの例とする。図6は、本実施形態に係る可変容量素子31の製造方法について説明する図である。本実施形態に係る可変容量素子31の製造方法は、第1の実施形態の可変容量素子1の製造方法と支持柱の形成方法が異なる。まず、本実施形態における可撓梁33A,33Bを形成するための可撓梁形成基板である平板状の高抵抗シリコン基板51を用意するS21。レジストパターンを用いたウェットエッチング法などにより高抵抗シリコン基板51の下面側を削り、可撓梁33A,33Bの連結部及び可撓部と支持基板32との間の空間となる空洞部51Aを形成する。このとき、枠体35および固定部33Cの一部を形成するS22。次に、高抵抗シリコン基板51の下面に可撓梁側駆動容量電極40や可撓梁側RF容量電極41不図示を形成するS23。次に、Al膜からなるエッチングストップ層52を、枠体35と固定部33Cとの一部、可撓梁側駆動容量電極40および可撓梁側RF容量電極41を除く、高抵抗シリコン基板51の下面の領域に形成するとともに、タングステンや金などによる金属膜または二酸化珪素などによる絶縁膜により支持柱37の一部を形成するS24。次に、枠体35、固定部33C、および支持柱37の一部の下面に、支持基板32との接合用の金属膜53を形成するS25。なお、固定部33Cの下面に設ける金属膜53は、可撓梁側駆動容量電極40および可撓梁側RF容量電極41に接続される配線として利用される。次に、誘電体膜34A,34Bや支持基板側駆動容量電極38、支持基板側RF容量電極39不図示などを形成した支持基板32を別途用意し、金属膜53を介して支持基板32と高抵抗シリコン基板51とを接合するS26。次に、高抵抗シリコン基板51の上面全面をCMP装置などの加工機により研削して、高抵抗シリコン基板51を薄化するS27。次に、高抵抗シリコン基板51の上面における枠体35となる位置に、蓋基板36との接合用の金属膜54を形成するS28。次に、ドライエッチングにより、高抵抗シリコン基板51の上面側からエッチングストップ層52に至るまで高抵抗シリコン基板51を削り、枠体35、可撓梁33A,33Bを形成するS29。次に、エッチングストップ層52をエッチングにより除去するS30。最後に、蓋基板36を枠体35の上面に接合するS31。以上のようにして本実施形態の可変容量素子31は製造される。この製造方法によれば、支持柱を形成しているため、第1の実施形態の可変容量素子1の製造方法と同様に、可撓梁の厚みばらつきを小さくすることができる。さらに、支持柱37を、高抵抗シリコン基板51のエッチングではなく、別部材の付設により形成しているため、支持柱37の形状や配置を任意に設定することができる。《第3の実施形態》次に、本発明の第3の実施形態に係る梁構造デバイスについて説明する。ここでも、可変容量素子を梁構造デバイスの例とする。図7は、本実施形態に係る可変容量素子61の製造方法について説明する図である。本実施形態に係る可変容量素子61の製造方法は、第2の実施形態の可変容量素子31の製造方法と一部の製造工程が異なる。まず、本実施形態における可撓梁63A,63Bを形成するための可撓梁形成基板である平板状の高抵抗シリコン基板81を用意するS41。レジストパターンを用いたウェットエッチング法などにより高抵抗シリコン基板81の下面側を削り、可撓梁63A,63Bの連結部及び可撓部と支持基板62との間の空間となる空洞部81Aを形成する。このとき、枠体65および固定部63Cの一部を形成するS42。次に、高抵抗シリコン基板81の下面に可撓梁側駆動容量電極70や可撓梁側RF容量電極71不図示を形成するS43。次に、Al膜からなるエッチングストップ層82を、枠体65と固定部63Cとの一部、可撓梁側駆動容量電極70および可撓梁側RF容量電極71を除く、高抵抗シリコン基板81の下面の領域に形成するとともに、アルミニウム膜により支持柱67の一部を形成するS44。次に、枠体65、固定部63C、および支持柱67の一部の下面に、支持基板62との接合用の金属膜83を形成するS45。なお、固定部63Cの下面に設ける金属膜83は、可撓梁側駆動容量電極70および可撓梁側RF容量電極71に接続される配線として利用される。次に、誘電体膜64A,64Bや支持基板側駆動容量電極68、支持基板側RF容量電極69不図示などを形成した支持基板62を別途用意し、金属膜83を介して支持基板62と高抵抗シリコン基板81とを接合するS46。次に、高抵抗シリコン基板81の上面全面をCMP装置などの加工機により研削して、高抵抗シリコン基板81を薄化するS47。次に、高抵抗シリコン基板81の上面における枠体65となる位置に、蓋基板66との接合用の金属膜84を形成するS48。次に、ドライエッチングにより、高抵抗シリコン基板81の上面側からエッチングストップ層82に至るまで高抵抗シリコン基板81を削り、枠体65および可撓梁63A,63Bを形成するS49。次に、エッチングストップ層82と支持柱67とをエッチングにより除去するS50。最後に、蓋基板66を枠体65の上面に接合するS51。以上のようにして本実施形態の可変容量素子61は製造される。この製造方法によれば、支持柱を形成しているため、第1の実施形態の可変容量素子1および第2の実施形態の可変容量素子31の製造方法と同様に、可撓梁の厚みばらつきを小さくすることができる。また、支持柱67を、高抵抗シリコン基板81のエッチングではなく、別部材の付設により形成しているため、第2の実施形態の可変容量素子31の製造方法と同様に、支持柱67の形状や配置を任意に設定することができる。さらに、支持柱67を、エッチングストップ層82と同じアルミニウム膜によって形成するので、高抵抗シリコン基板81の研削後に、支持柱67を除去することができる。《第4の実施形態》次に、本発明の第4の実施形態に係る梁構造デバイスについて説明する。ここでも、可変容量素子を梁構造デバイスの例とする。図8Aと図8Bは、本実施形態に係る可変容量素子91の断面図X-Z面断面図である。この可変容量素子91は、第1の実施形態の可変容量素子1とほとんど同じ構成であるが、支持柱7の上面と固定部3Cの上面とに、蓋基板6との接合用の金属膜92を備える点で相違する。この構成では、支持基板2や蓋基板6、可撓梁3A,3Bが互いに強固に固定され、可変容量素子91の機械的な強度を高めることができる。本発明は以上に説明した各実施形態のように実施することができるが、本発明は、記載に制限されるものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図されるものである。例えば、梁構造デバイスは容量を連続的に変えることができる可変容量素子に限られず、容量を2つの値に切り替えることができるような可変容量素子であってもよいし、スイッチング素子などであってもよい。また、その構造も片持ち梁構造に限られず、両持ち梁構造であってもよい。また、製造方法も、支持柱を設けてから可撓梁を形成するための可撓梁形成基板を研削するならば、各部の加工法や形成方法はどのようなものであってもよい。"