基板上に圧電薄膜を成膜した圧電素子であって、前記基板に対して前記圧電薄膜とは反対側に成膜され、前記基板に曲げ変形を生じさせることによって、前記圧電薄膜の応力を制御する応力制御膜を備えていることを特徴とする圧電素子。前記基板は、Siからなり、前記圧電薄膜は、PZTからなり、前記応力制御膜は、前記基板に対して圧縮して前記基板に曲げ変形を生じさせることにより、前記圧電薄膜に引張の力を与えるSiNからなることを特徴とする請求項1に記載の圧電素子。前記基板は、Siからなり、前記圧電薄膜は、PZTからなり、前記応力制御膜は、前記基板に対して伸長して前記基板に曲げ変形を生じさせることにより、前記圧電薄膜に圧縮の力を与えるSiO2からなることを特徴とする請求項1に記載の圧電素子。前記圧電薄膜を挟持する一対の電極をさらに備えており、前記圧電薄膜は、PZTの正方晶を含んでおり、前記正方晶では、c軸配向の割合よりもa軸配向の割合のほうが多く、前記一対の電極は、前記圧電薄膜を前記基板に沿った方向から挟むように設けられていることを特徴とする請求項2に記載の圧電素子。前記圧電薄膜を挟持する一対の電極をさらに備えており、前記圧電薄膜は、PZTの正方晶を含んでおり、前記正方晶では、a軸配向の割合よりもc軸配向の割合のほうが多く、前記一対の電極は、前記圧電薄膜を前記基板に対して垂直方向から挟むように設けられていることを特徴とする請求項3に記載の圧電素子。基板上に圧電薄膜を成膜する工程と、前記基板に曲げ変形を生じさせることによって、前記圧電薄膜の応力を制御する応力制御膜を、前記基板に対して前記圧電薄膜とは反対側に成膜する工程とを有していることを特徴とする圧電素子の製造方法。ところで、圧電薄膜の結晶は、その下層の結晶状態の影響を受けて成長するため、結晶性の良好な圧電薄膜を成膜するためには、下層との格子マッチングを図る、つまり、圧電薄膜の結晶の格子定数と下層の結晶の格子定数とを近づけることが必要となる。ところが、特許文献1~3の構成では、基板と圧電薄膜との間に形成される層下地層、配向制御層、中間膜に、圧電薄膜の応力を制御する応力制御膜としての機能を持たせている。応力制御膜は、圧電薄膜の応力を制御すべく、圧電薄膜に引張または圧縮の力を与えるための膜であるため、このような応力制御膜が基板に対して圧電薄膜側に形成されると、応力制御膜の影響によって圧電薄膜とその下層との格子マッチングが崩れる可能性がある。格子マッチングが崩れると、圧電薄膜の結晶成長状態が変化するため、圧電薄膜の応力を制御してその結晶配向性を制御することが困難になる。また、非特許文献1の構成では、基板としてステンレス基板を用いることにより、PZTのc軸配向の比率が1つの値に決まるため、PZTの結晶の配向比率を任意の比率に設定することはできない。本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、圧電薄膜の応力の制御による結晶配向性の制御が困難になるのを回避できるとともに、圧電薄膜の結晶の配向比率を任意の比率に設定することができる圧電素子およびその製造方法を提供することにある。本発明の圧電素子は、基板上に圧電薄膜を成膜した圧電素子であって、前記基板に対して前記圧電薄膜とは反対側に成膜され、前記基板に曲げ変形を生じさせることによって、前記圧電薄膜の応力を制御する応力制御膜を備えていることを特徴としている。また、本発明の圧電素子の製造方法は、基板上に圧電薄膜を成膜する工程と、前記基板に曲げ変形を生じさせることによって、前記圧電薄膜の応力を制御する応力制御膜を、前記基板に対して前記圧電薄膜とは反対側に成膜する工程とを有していることを特徴としている。上記の構成によれば、圧電薄膜の応力を制御するための応力制御膜が、基板に対して圧電薄膜とは反対側に成膜されており、応力制御膜と圧電薄膜との間に基板が介在しているので、圧電薄膜とその下層との格子マッチングが応力制御膜によって崩れることがない。これにより、圧電薄膜の結晶の成長状態が変化するのを回避することができ、圧電薄膜の応力制御による結晶配向性の制御が困難になるのを回避することができる。また、応力制御膜による基板の曲げ変形の度合いは、例えば応力制御膜の膜厚を調整することで容易に調整可能である。したがって、応力制御膜による基板の曲げ変形の度合いを調整することで、圧電薄膜の応力を任意の応力に制御することができる。その結果、圧電薄膜を構成する結晶の配向比率を任意の比率に設定することができる。本発明の圧電素子において、前記基板は、Siからなり、前記圧電薄膜は、PZTからなり、前記応力制御膜は、前記基板に対して圧縮して前記基板に曲げ変形を生じさせることにより、前記圧電薄膜に引張の力を与えるSiNからなる構成であってもよい。基板がSiであり、圧電薄膜がPZTであり、応力制御膜がSiNである構成において、応力制御膜の圧縮による基板の曲げ変形によって、圧電薄膜に引張の力を与えることにより、例えば圧電薄膜の正方晶においては、c軸配向分極方向が基板の面に垂直となる結晶配向の割合よりもa軸配向分極方向が基板の面に平行となる結晶配向の割合を増やすことができる。これにより、c軸配向とa軸配向との比率を任意の比率に確実に設定することができる。しかも、安価で加工性のよいSi基板を用いる構成において、そのような効果を得ることができる。本発明の圧電素子において、前記基板は、Siからなり、前記圧電薄膜は、PZTからなり、前記応力制御膜は、前記基板に対して伸長して前記基板に曲げ変形を生じさせることにより、前記圧電薄膜に圧縮の力を与えるSiO2からなる構成であってもよい。基板がSiであり、圧電薄膜がPZTであり、応力膜がSiO2である構成において、応力制御膜の引張による基板の曲げ変形によって、圧電薄膜に圧縮の力を与えることにより、例えば圧電薄膜の正方晶においては、a軸配向分極方向が基板の面に平行となる結晶配向の割合よりもc軸配向分極方向が基板の面に垂直となる結晶配向の割合を増やすことができる。これにより、a軸配向とc軸配向との比率を任意の比率に確実に設定することができる。しかも、安価で加工性のよいSi基板を用いる構成において、そのような効果を得ることができる。本発明の圧電素子は、前記圧電薄膜を挟持する一対の電極をさらに備えており、前記圧電薄膜は、PZTの正方晶を含んでおり、前記正方晶では、c軸配向の割合よりもa軸配向の割合のほうが多く、前記一対の電極は、前記圧電薄膜を前記基板に沿った方向から挟むように設けられている構成であってもよい。圧電薄膜に対して、一対の電極を介して基板に沿った方向に電界を印加することにより、基板に沿った方向の圧電薄膜の伸縮を主に利用して基板を厚さ方向に振動させる、いわゆるd33駆動を実現することができる。このとき、圧電薄膜に含まれるPZTの正方晶において、c軸配向の割合よりもa軸配向の割合のほうが多いので、基板に沿った方向d33方向に大きな圧電変位を得て、効率よく圧電素子を駆動することができる。本発明の圧電素子は、前記圧電薄膜を挟持する一対の電極をさらに備えており、前記圧電薄膜は、PZTの正方晶を含んでおり、前記正方晶では、a軸配向の割合よりもc軸配向の割合のほうが多く、前記一対の電極は、前記圧電薄膜を前記基板に対して垂直方向から挟むように設けられている構成であってもよい。圧電薄膜に対して、一対の電極を介して基板に垂直な方向に電界を印加することにより、基板に垂直な方向の圧電薄膜の伸縮によって、基板に沿った方向に圧電薄膜を伸縮させて基板を厚さ方向に振動させる、いわゆるd31駆動を実現することができる。このとき、圧電薄膜に含まれるPZTの正方晶において、a軸配向の割合よりもc軸配向の割合のほうが多いので、基板に垂直な方向に圧電薄膜を大きく伸縮させることができ、これによって、基板に沿った方向d31方向に大きな圧電変位を得て、効率よく圧電素子を駆動することができる。本発明によれば、応力制御膜が、基板に対して圧電薄膜とは反対側に成膜されているので、圧電薄膜とその下層との格子マッチングが応力制御膜によって崩れて、圧電薄膜の結晶の成長状態が変化するのを回避することができ、圧電薄膜の応力制御による結晶配向性の制御が困難になるのを回避することができる。また、応力制御膜による基板の曲げ変形の度合いを調整することで、圧電薄膜の応力を任意の応力に制御することができるので、圧電薄膜を構成する結晶の配向比率を任意の比率に設定することができる。本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。1.圧電素子の構成図1は、本実施形態に係る圧電素子10の概略の構成を示す断面図である。本実施形態の圧電素子10は、基板1の一方の面側に、熱酸化膜2、下部電極3、圧電薄膜4および上部電極5をこの順で積層し、基板1の他方の面側に、熱酸化膜2および応力制御膜6をこの順で積層して構成されている。基板1は、厚さが例えば300~500μm程度の単結晶Si単体からなる半導体基板またはSOISilicononInsulator基板で構成されている。熱酸化膜2は、例えば厚さが0.1μm程度のSiO2からなり、基板1の保護および絶縁の目的で形成されている。下部電極3は、Ti層3aとPt層3bとを積層して構成されている。Ti層3aは、熱酸化膜2とPt層3bとの密着性を向上させるために形成されている。Ti層3aの厚さは例えば0.02μm程度であり、Pt層3bの厚さは例えば0.1μm程度である。圧電薄膜4は、結晶構造がペロブスカイト型のPZTで構成されている。PZTの厚みは、用途によって異なるが、メモリやセンサの用途では例えば1μm以下であり、アクチュエータでは例えば3~5μmである。なお、以下での説明を簡略化するため、PZTの結晶構造は、特に断らない限り、正方晶であるものとして話を進める。上部電極5は、Ti層5aとPt層5bとを積層して構成されている。Ti層5aは、圧電薄膜4とPt層5bとの密着性を向上させるために形成されている。Ti層5aの厚さは例えば0.02μm程度であり、Pt層5bの厚さは例えば0.2μm程度である。応力制御膜6は、基板1に曲げ変形を生じさせることによって、圧電薄膜4の応力を制御するための膜であり、基板1に対して圧電薄膜4とは反対側に成膜されている。ここで、応力とは、一般的に、物体に外部から力が加わったときに、物体の内部に生じる単位面積あたりの力のことを指す単位はPaN/m2。圧電薄膜4の応力としては、引張応力または圧縮応力がある。引張応力とは、圧電薄膜4に対して外部から引張の力が働いたときに、圧電薄膜4が感じる応力のことであり、数値としては正の値で示される。一方、圧縮応力とは、圧電薄膜4に対して外部から圧縮の力が働いたときに、圧電薄膜4が感じる応力のことであり、数値としては負の値で示される。上記のように基板1がSiで構成されて、圧電薄膜4がPZTで構成される場合、応力制御膜6は例えばSiNやSiO2で構成される。SiNは、基板1に対して圧縮して基板1に曲げ変形を生じさせることにより、圧電薄膜4に引張の力を与える応力制御膜6である。一方、SiO2は、基板1に対して伸長して基板1に曲げ変形を生じさせることにより、圧電薄膜4に圧縮の力を与える応力制御膜6である。ちなみに、SiNの膨張係数は3.0ppm/Kであり、Siよりも膨張係数が大きい。また、SiO2の膨張係数は0.5ppm/Kであり、Siよりも膨張係数が小さい。なお、応力制御膜6の詳細については後述する。2.圧電素子の製造方法次に、上記した圧電素子10の製造方法について説明する。図2は、圧電素子10の製造時の流れを示すフローチャートであり、図3および図4は、圧電素子10の各製造工程を示す断面図である。まず、図3aに示すように、Siからなる基板1の両面に、絶縁保護用のSiO2からなる熱酸化膜2を形成するS1。熱酸化膜2は、基板1を1000°C程度で加熱することにより形成される。続いて、図3bに示すように、基板1を600°C程度に加熱して、基板1の一方の面側に、応力制御膜6を例えばCVD法で成膜するS2。その後、図3cおよび図3dに示すように、基板1の他方の面の熱酸化膜2上に、TiおよびPtを順にスパッタ法で成膜して、Ti層3aおよびPt層3bからなる下部電極3を形成するS3、S4。次に、図4aに示すように、基板1を600°C程度に加熱して、下部電極3上にPZTからなる圧電薄膜4をスパッタ法で成膜するS5。なお、圧電薄膜4の成膜方法の詳細については後述する。そして、図4bおよび図4cに示すように、圧電薄膜4の上に、TiおよびPtを順にスパッタ法で成膜して、Ti層5aおよびPt層5bからなる上部電極5を形成しS6、S7、圧電素子10を完成させる。以上の工程により、圧電薄膜4と応力制御膜6とは、基板1に対して互いに反対側に成膜される。3.PZTの成膜方法の詳細図5は、圧電薄膜4としてのPZTを成膜するスパッタ装置の概略の構成を示す断面図である。圧電薄膜4は、例えば高周波マグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。まず、所定の組成比に調合したPZT材料の粉末を混合、焼成、粉砕し、ターゲット皿12に充填してプレス機で加圧することにより、ターゲット11を作製する。そして、このターゲット皿12をマグネット13上に設置し、その上にカバー14を設置する。このマグネット13とその下にある高周波電極15は、絶縁体16によって真空チャンバー17と絶縁されている。また、高周波電極15は、高周波電源18と接続されている。次に、基板1を、基板加熱ヒーター19上に設置する。そして、真空チャンバー17内を排気し、基板加熱ヒーター19によって基板1を600°Cまで加熱する。加熱後、バルブ20および21を開け、スパッタガスであるArとO2を所定の割合でノズル22より真空チャンバー17内に導入し、真空度を所定値に保つ。ターゲット11に高周波電源18より高周波電力を投入し、プラズマを発生させることにより、基板1上に圧電薄膜4としてのPZT層を成膜することができる。4.応力制御膜について次に、上述した応力制御膜6の詳細について説明する。図6は、圧電薄膜4の応力を模式的に示している。なお、同図における矢印の長さは、圧電薄膜4の応力の大きさと対応している。また、矢印の向きは、圧電薄膜4の応力が引張応力であるか圧縮応力であるかを示している。同図では、矢印の向きはいずれも、圧電薄膜4の内側から外側に向かう向きであり、これは圧電薄膜4にかかっている応力が引張応力であることを示している。Siからなる基板1に応力制御膜が設けられていない場合において、基板1上への圧電薄膜4の成膜時加熱状態に、PZTは立方晶の状態にあるが、圧電薄膜4の成膜が終了し、基板1が冷却されると、PZTは立方晶から正方晶に相変化する。このとき、PZTは、基板1を構成するSiよりも膨張係数が大きいため、圧電薄膜4は基板1よりも縮もうとするが、基板1に拘束されているため、圧電薄膜4は基板1から引張の力を受ける圧電薄膜4の応力は引張応力となる。ちなみに、このときの圧電薄膜4の応力は、約100MPa程度である。一方、Siからなる基板1に、応力制御膜6としてSiNが設けられている場合、圧電薄膜4の成膜が終了し、基板1が冷却されると、SiNはSiよりも膨張係数が大きいため、SiよりもSiNのほうが縮もうとする。このようなSiNのSiに対する圧縮により、基板1から見て圧電薄膜4側が凸となる方向への曲げ変形が基板1に生ずる。圧電薄膜4は、基板1との膨張係数の差に起因する引張の力に加えて、上記した基板1の曲げ変形による引張の力をさらに受けるため、圧電薄膜4の引張応力は、応力制御膜がない場合よりも増大する。このとき、SiNの膜厚をさらに増大させると、SiNの圧縮による基板1の曲げ変形の度合いがさらに大きくなるため、圧電薄膜4は基板1から引張の力をさらに受け、圧電薄膜4の引張応力はさらに増大する。このように、SiNの膜厚を調整することにより、圧電薄膜4の応力を調整することができる。なお、SiNの膜厚の調整は、SiNの成膜条件を調整することによって容易に調整可能である。なお、SiNは基板1によって拘束されているため、SiNの圧縮時には、SiNは基板1によって引き伸ばされようとする。したがって、SiNが感じる応力は引張応力となる。ちなみに、このときのSiNの引張応力は、最大で約1GPa程度である。また、Siからなる基板1に、応力制御膜6としてSiO2が設けられている場合、圧電薄膜4の成膜が終了し、基板1が冷却されると、SiO2はSiよりも膨張係数が小さいため、SiO2よりもSiのほうが縮もうとするSiよりもSiO2のほうが相対的に伸びようとする。このようなSiO2のSiに対する伸長により、基板1から見て圧電薄膜4側が凹となる方向への曲げ変形が基板1に生ずる。圧電薄膜4は、基板1との膨張係数の差に起因する引張の力を受けるが、上記した基板1の曲げ変形による圧縮の力も受けるため、圧電薄膜4の引張応力は、応力制御膜がない場合よりも減少する。なお、SiO2の膜厚を調整することにより、圧電薄膜4の応力を調整できる点、SiO2の膜厚の調整は、SiO2の成膜条件を調整することによって容易に調整可能である点は、上記したSiNの場合と全く同様である。なお、SiO2は基板1によって拘束されているため、SiO2の伸長時には、SiO2は基板1によって縮められようとする。したがって、SiO2が感じる応力は圧縮応力となる。ちなみに、このときのSiO2の圧縮応力は、約-300MPa程度である。以上より、基板1上に応力制御膜がない場合に、圧電薄膜4を構成するPZTがc軸主配向の正方晶からなっている場合には、SiNからなる応力制御膜6を基板1に対してPZTとは反対側に成膜することにより、PZTに引張の力を与えてa軸配向の比率を増やすことができる。逆に、基板1上に応力制御膜がない場合に、圧電薄膜4を構成するPZTがa軸主配向の正方晶からなっている場合には、SiO2からなる応力制御膜6を基板1に対してPZTとは反対側に成膜することにより、PZTに圧縮の力を与えてc軸配向の比率を増やすことができる。そして、上記いずれの場合でも、応力制御膜6の膜厚を調整することにより、PZTに任意の伸縮力を与えて、a軸配向とc軸配向との比率を任意の比率に調整し、PZTの結晶配向性を制御することができる。なお、上記したc軸配向とは、001配向とも呼ばれ、PZTの分極方向が基板1の面に垂直な方向PZTの厚さ方向となる結晶配向のことを指す。また、a軸配向とは、100配向とも呼ばれ、PZTの分極方向が基板1の面に沿った方向PZTの厚さ方向に垂直な方向となる結晶配向のことを指す。以上のように、本実施形態では、圧電薄膜4の応力を制御すべく、圧電薄膜4に引張または圧縮の力を与えるための応力制御膜6が、基板1に対して圧電薄膜4とは反対側に成膜されている。つまり、応力制御膜6と圧電薄膜4との間に、薄膜よりも十分に厚い基板1が介在している。この構成では、基板1に対して一方側に形成される応力制御膜6が、基板1に対して他方側に形成される圧電薄膜4とその下層の下部電極3Pt層3bとの格子マッチングに直接的に影響を及ぼすことがなく、格子マッチングが崩れて、圧電薄膜4の結晶の成長状態が変化するのを回避することができる。その結果、圧電薄膜4の応力制御による結晶配向性の制御が困難になるのを回避することができる。また、応力制御膜6による基板1の曲げ変形の度合いは、上述したように応力制御膜6の膜厚を調整することで容易に調整可能である。したがって、応力制御膜6による基板1の曲げ変形の度合いを調整することで、圧電薄膜4の応力を任意の応力に制御することができる。その結果、圧電薄膜4を構成する結晶の配向比率を任意の比率に設定することができる。特に、基板1がSiからなり、圧電薄膜4がPZTからなり、応力制御膜6がSiNからなる構成では、応力制御膜6の圧縮による基板1の曲げ変形によって、圧電薄膜4に引張の力を与えることにより、PZTの正方晶においては、c軸配向の割合よりもa軸配向の割合を増やすことができる。これにより、c軸配向とa軸配向との比率を任意の比率に確実に設定することができる。しかも、安価で加工性のよいSi基板を用いる構成において、そのような効果を得ることができる。また、基板1がSiからなり、圧電薄膜4がPZTからなり、応力制御膜6がSiO2からなる構成では、応力制御膜6の引張による基板1の曲げ変形によって、圧電薄膜4に圧縮の力を与えることにより、PZTの正方晶においては、a軸配向の割合よりもc軸配向の割合を増やすことができる。これにより、a軸配向とc軸配向との比率を任意の比率に確実に設定することができる。しかも、安価で加工性のよいSi基板を用いる構成において、そのような効果を得ることができる。また、応力制御膜6がない状態でのPZTの配向性a軸主配向、c軸主配向や、a軸配向と軸配向との比率は、PZTの応力以外にも、基板1の格子定数等によっても変化するが、基板1としてSi基板を用いる場合には基板1の格子定数を固定した場合には、上述したように、応力制御膜6の膜厚を制御するだけで、PZTの応力を制御することができる。5.圧電素子の応用例図7aは、本実施形態で作製した圧電素子10をd31駆動のダイヤフラムに応用したときの構成を示す平面図であり、図7bは、同図aのA-A’線矢視断面図である。圧電薄膜4は、基板1の必要な領域に、2次元の千鳥状に配置されている。また、応力制御膜6の基板1とは反対側には、支持基板7としてのSi基板が接合されている。この支持基板7には、圧電薄膜4の駆動領域に対応する開口部7aが形成されている。下部電極3および上部電極5は、図示しない配線により、外部の制御回路と接続されている。ここで、圧電薄膜4としてのPZTは、c軸主配向の正方晶であり、応力制御膜6としてSiO2を選択し、その膜厚を設定することにより、c軸配向の比率が70程度、a軸配向の比率が30程度に設定されている。したがって、PZT全体としての分極方向Pは、基板1に垂直な方向PZTの膜厚方向である。この圧電薄膜4に電圧を印加するための一対の電極、すなわち、下部電極3および上部電極5は、圧電薄膜4を基板1に垂直な方向から挟むように設けられている。したがって、この構成では、圧電薄膜4に対する電界の印加方向Eと、PZTの分極方向Pとは同方向となっている。なお、上記したa軸配向およびc軸配向の各比率は、X線回折XRDの2θ/θ測定による結果に基づいて判断することができる。X線回折の2θ/θ測定とは、X線をサンプルに対して水平方向からθの角度で結晶面に対してθの角度で入射させ、サンプルから反射して出てくるX線のうち、入射X線に対して2θの角度のX線を検出することで、θに対する強度変化を調べる手法である。X線による回折では、ブラッグの条件2dsinθ=nλλ:X線の波長、d:結晶の原子面間隔、n:整数を満足するときに回折強度が高くなるが、そのときの結晶の面間隔格子定数と上記の2θとは対応関係にある。したがって、回折強度が高くなる2θの値に基づいて、X線が入射したサンプルの結晶構造a軸配向の比率、c軸配向の比率、結晶系が正方晶であるか菱面体晶であるかを把握することができる。制御回路から、所定の圧電薄膜4を挟む下部電極3および上部電極5に電気信号を印加することにより、所定の圧電薄膜4のみを駆動することができる。つまり、圧電薄膜4の上下の電極に所定の電界を加えると、圧電薄膜4が左右方向に伸縮し、バイメタルの効果によって圧電薄膜4および基板1が上下に湾曲振動する。したがって、支持基板7の開口部7aに気体や液体を充填すると、圧電素子10をポンプとして用いることができる。また、所定の圧電薄膜4の電荷量を下部電極3および上部電極5を介して検出することにより、圧電薄膜4の変形量を検出することもできる。つまり、音波や超音波により、圧電薄膜4が振動すると、上記と反対の効果によって上下の電極間に電界が発生するため、このときの電界の大きさや検出信号の周波数を検出することにより、圧電素子10を超音波センサとして用いることもできる。さらに、PZTは、圧電特性の他にも焦電性、強誘電性を有しているため、圧電素子10を熱センサや記憶メモリとして活用することもできる。以上のように、圧電薄膜4に対して、下部電極3および上部電極5を介して基板1に垂直な方向に電界を印加することにより、圧電薄膜4は基板1に垂直な方向に変形例えば伸長するとともに、基板1に沿った方向にも変形例えば収縮する。したがって、基板1に沿った方向の圧電薄膜4の変形伸縮を利用して基板1を厚さ方向に振動させる、いわゆるd31駆動を実現することができる。このとき、圧電薄膜4に含まれるPZTの正方晶において、a軸配向の割合よりもc軸配向の割合のほうが多いので、電界の印加によって基板1に垂直な方向に圧電薄膜4を大きく伸縮させることができ、これによって、基板1に沿った方向d31方向に大きな圧電変位を得て、効率よく圧電素子10を駆動することができる。また、この構成では、圧電薄膜4に対して基板1に垂直な方向に電界が印加されるため、圧電薄膜4において、c軸方向の伸長による圧電効果に加えて、a軸配向からc軸配向への分極方向の回転による圧電効果も活用できる。これにより、大きな出力を得ることができる。また、図8aは、本実施形態で作製した圧電素子10をd33駆動のダイヤフラムに応用したときの構成を示す平面図であり、図8bは、同図aのA-A’線矢視断面図である。圧電薄膜4は、基板1の必要な領域に、2次元の千鳥状に配置されている。応力制御膜6の基板1とは反対側には、支持基板7としてのSi基板が接合されている。この支持基板7には、圧電薄膜4の駆動領域に対応する開口部7aが形成されている。また、圧電薄膜4に電界を印加するための一対の電極88は、基板1上で圧電薄膜4を基板1に沿った方向から挟むように設けられている。このとき、図8aに示すように、電極8を形成する層の一部は除去されて基板1が露出している。このように電極層の一部を除去することで、圧電薄膜4を挟む一対の電極88、つまり、極性の異なる一対の電極88を分離することができる。一対の電極88は、図示しない配線により、外部の制御回路と接続されている。なお、一対の電極88は、上述した下部電極3および上部電極5と同じ材料で構成することができる。ここで、圧電薄膜4としてのPZTは、a軸主配向の正方晶であり、応力制御膜6としてSiNを選択し、その膜厚を設定することにより、a軸配向の比率が70程度、c軸配向の比率が30程度に設定されている。したがって、PZT全体としての分極方向Pは、基板1に沿った方向PZTの膜厚方向に垂直な方向である。したがって、この構成においても、圧電薄膜4に対する電界の印加方向Eと、PZTの分極方向Pとは同方向となっている。制御回路から、所定の圧電薄膜4を挟む一対の電極88に電気信号を印加することにより、所定の圧電薄膜4のみを駆動することができる。つまり、圧電薄膜4に所定の電界を加えると、圧電薄膜4が電界印加方向に伸縮し、バイメタルの効果によって圧電薄膜4および基板1が上下に湾曲振動する。また、圧電薄膜4の振動によって生じる電荷量を一対の電極88を介して検出することもできる。したがって、圧電素子10を上記と同様に、ポンプやセンサ等として用いることができる。以上のように、圧電薄膜4に対して、一対の電極88を介して基板1に沿った方向に電界を印加することにより、基板1に沿った方向の圧電薄膜4の伸縮を主に利用して基板1を厚さ方向に振動させる、いわゆるd33駆動を実現することができる。このとき、圧電薄膜4に含まれるPZTの正方晶において、c軸配向の割合よりもa軸配向の割合のほうが多いので、基板1に沿った方向d33方向に大きな圧電変位を得て、効率よく圧電素子10を駆動することができる。また、この構成では、圧電薄膜4に対して基板1に沿った方向に電界が印加されるため、圧電薄膜4において、a軸方向の伸長による圧電効果に加えて、c軸配向からa軸配向への分極方向の回転による圧電効果も活用できる。これにより、大きな出力を得ることができる。6.圧電素子の他の構成図9は、圧電素子10の他の構成を示す断面図である。圧電素子10は、基板1に直接、圧電薄膜4の駆動領域に対応する開口部1aを形成した後、基板1に対して圧電薄膜4の成膜側とは反対側の表面全体に、上述した応力制御膜6を成膜することによって構成されていてもよい。この構成では、基板1の開口部1aの内部および外部に応力制御膜6が形成されるが、この構成であっても、基板1に対して応力制御膜6が圧電薄膜4と反対側に形成されていることにより、上述した本実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、図9の構成の圧電素子10を製造する場合、基板1上への圧電薄膜4の成膜、基板1の開口部1aの形成、基板1への応力制御膜6の成膜、の各工程が順に行われるため、応力制御膜6は、圧電薄膜4の成膜後に基板1に成膜されてもよいと言える。つまり、応力制御膜6を基板1に成膜するタイミングは、図2で示したような、圧電薄膜4の基板1への成膜前には限定されない。7.補足以上では、基板1としてSi基板を用いる構成について説明したが、Si以外の基板を用いてもよい。この場合でも、用いる基板の膨張係数に応じて応力制御膜6の種類材料や厚さを設定することにより、圧電薄膜4の応力を制御して、圧電薄膜の配向比率を任意の比率に設定することが可能である。また、以上では、圧電薄膜4としてのPZTが正方晶である場合について説明したが、PZTが菱面体晶であっても、応力制御膜6を基板1に対して圧電薄膜4とは反対側に設けて、PZTの配向比率111配向と001配向との比率を適切に設定することも可能である。さらに、PZTが正方晶と菱面体晶との混合結晶からなる場合でも、応力制御膜6の種類や厚さを設定により、各配向方向の比率を適切に設定することは可能である。なお、本実施形態では、圧電薄膜4をスパッタ法で成膜しているが、圧電薄膜4の成膜方法としては、上述したスパッタ法だけでなく、物理気相成長法である蒸着法、化学気相成長法であるCVD法、液相法であるゾルゲル法など、他の手法を用いることも可能である。