低温焼成セラミックス基板と、前記低温焼成セラミックス基板の表面に形成された、銀Agまたは銅Cuを主体とする金属からなる厚膜導体層と、前記厚膜導体層の上に形成された導電性金属のメッキ層を有し、前記厚膜導体層は、ウェットブラスト処理により表面が平坦化されており、0.02μm以下の表面粗さRaを有することを特徴とする素子搭載用基板。前記導電性金属のメッキ層は、ニッケルNi-金Auメッキ層であることを特徴とする請求項1記載の素子搭載用基板。ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる基板の表面に、銀Agまたは銅Cuを主体とする金属のペーストを印刷して導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンが形成された前記基板を焼成し、前記ガラスセラミックス組成物を焼結するとともに前記金属ペーストを焼成して、銀Agまたは銅Cuを主体とする金属からなる厚膜導体層を形成する工程と、前記厚膜導体層に対してウェットブラスト処理を行い、該厚膜導体層の表面を002μm以下の表面粗さRaに平坦化する工程と、前記ウェットブラスト処理により表面が平坦化された前記厚膜導体層の上に、ニッケルNi-金Auメッキ層を形成する工程とを備えることを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。前記ウェットブラスト処理に使用される研磨材は、粒径が25~150μmのセラミックス粉末であり、媒体は水であることを特徴とする請求項3記載の素子搭載用基板の製造方法。前記研磨材の混合比率は、前記研磨材と前記水との全量に対して20~60体積であることを特徴とする請求項4記載の素子搭載用基板の製造方法。前記ウェットブラスト処理において、前記研磨材と前記水とからなるブラスト液の圧力は、1.2~1.8kg/cm2であることを特徴とする請求項4または5記載の素子搭載用基板の製造方法。前記ブラスト液を直径5~10mmの噴射口を有するノズルから噴射する請求項6記載の素子搭載用基板の製造方法。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、基板上に形成された厚膜導体層表面の平坦性を上げることで、耐硫化性を高めた素子搭載用基板を提供することを目的とする。本発明の素子搭載用基板は、低温焼成セラミックス基板と、前記低温焼成セラミックス基板の表面に形成された、銀Agまたは銅Cuを主体とする金属からなる厚膜導体層と、前記厚膜導体層の上に形成された導電性金属のメッキ層を有し、前記厚膜導体層は、ウェットブラスト処理により表面が平坦化されており、0.02μm以下の表面粗さRaを有することを特徴とする。前記導電性金属のメッキ層は、ニッケルNiメッキ層と金Auメッキ層が積層されたNi-Auメッキ層であることが好ましい。本発明の素子搭載用基板の製造方法は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる基板の表面に、銀Agまたは銅Cuを主体とする金属のペーストを印刷して、導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンが形成された前記基板を焼成し、前記ガラスセラミックス組成物を焼結するとともに前記金属ペーストを焼成して、銀Agまたは銅Cuを主体とする金属からなる厚膜導体層を形成する工程と、前記厚膜導体層に対してウェットブラスト処理を行い、該厚膜導体層の表面を0.02μm以下の表面粗さRaに平坦化する工程と、前記ウェットブラスト処理により表面が平坦化された前記厚膜導体層の上に、ニッケルNi-金Auメッキ層を形成する工程とを備えることを特徴とする。前記ウェットブラスト処理に使用される研磨材は、粒径が25~150μmのセラミックス粉末であり、媒体は水であることが好ましい。また、前記研磨材の混合比率は、前記研磨材と前記水との全量に対して20~60体積であることが好ましい。さらに、前記ウェットブラスト処理において、前記研磨材と前記水とからなるブラスト液は、直径5~10mmの噴射口を有するノズルから、その圧力が1.2~1.8kg/cm2で噴射されることが好ましい。本発明によれば、低温焼成セラミックス基板の表面に形成された銀Agまたは銅Cu等の金属からなる厚膜導体層が、ウェットブラスト処理により平坦化平滑化され、厚膜導体Ag粒子の隙間が埋められて表面粗さRaが0.02μm以下に調整されているので、メッキ性が良好であり、通常の厚さのAuメッキ層でも厚膜導体表面を完全に覆うことができる。したがって、耐硫化性に優れた素子搭載用基板を得ることができる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。図1~図4は、それぞれ本発明の素子搭載用基板10を示す断面図である。素子搭載用基板10は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる低温焼成セラミックス基板LTCC基板1を有しており、一方の主面図中上面がLED素子のような素子半導体素子が搭載される搭載面1aとなっている。LTCC基板1の形状、厚さ、大きさ等は特に制限されない。LTCC基板1は、図1および図2に示すように、平面状のものでもよいし、図3および図4に示すように、基板端部に側壁1bが設けられ、キャビティ内に搭載面1aが形成された形状のものでもよい。また、LTCC基板1を構成するガラスセラミックス組成物の焼結体の原料組成、焼結条件等については、後述する製造方法において説明する。LTCC基板1の搭載面1aには、LED素子等の素子と電気的に接続される接続端子電極である厚膜導体層2が形成されている。厚膜導体層2は、銀Agまたは銅Cuを主体とする導体金属から構成されており、後述するように、導体金属のペーストをスクリーン印刷等で印刷し焼成することにより形成されている。厚膜導体層2は、図1および図3に示すように、搭載面1aと同一の高さに形成することができる。また、図2および図4に示すように、搭載面1aに凹部1cを形成し、凹部1c内底面に厚膜導体層2を形成してもよい。これらの厚膜導体層2は、表面がウェットブラスト処理により平坦化平滑化されており、0.02μm以下の表面粗さRaを有している。また、このように表面が平坦化された厚膜導体層2の上に、ニッケルNiメッキ層とその上に形成された金Auメッキ層との積層構造を有するNi/Auメッキ層3が形成されており、厚膜導体層2の表面が隙間なく完全に覆われている。厚膜導体層2の表面粗さRaが0.02μmを超える場合には、Ni/Auメッキ層3によって厚膜導体層2の表面を完全に覆うことが難しく、耐硫化性が不十分となる。厚膜導体層3の表面粗さRaは0.01μm以下であることがより好ましい。LTCC基板1の搭載面1aと反対側の主面である非搭載面1bにも、外部接続用の端子電極として厚膜導体層2を形成することができる。このような構造では、非搭載面1bに形成された厚膜導体層2の表面も、搭載面1aに形成された厚膜導体層3と同様に、ウェットブラスト処理により平坦化することが好ましい。すなわち、非搭載面1bに形成された厚膜導体層2も、0.02μm以下の表面粗さRaを有するようにウェットブラスト処理により平坦化されており、その上にNi/Auメッキ層3が形成され厚膜導体層2の表面が隙間なく完全に覆われた構造とすることが好ましい。なお、図中符号4は、搭載面1aの素子接続用端子と非搭載面1bの外部接続用端子とを電気的に接続する貫通導体部を示す。本発明の素子搭載用基板10においては、LTCC基板1の表面に形成された銀Agまたは銅Cu等の金属からなる厚膜導体層2が、ウェットブラスト処理により表面粗さRaが0.02μm以下に平坦化されており、その上にNi/Auメッキ層3が形成されて、厚膜導体層2の表面が隙間なく完全に覆われているので、硫化試験において変色が生じることがなく、耐硫化性に優れている。本発明の素子搭載用基板1は、以下に示すようにして製造することができる。[グリーンシートの形成]まず、グリーンシートを形成する。グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで形成することができる。ガラス粉末は、必ずしも限定されるものではないものの、ガラス転移点Tgが550°C以上700°C以下のものが好ましい。ガラス転移点Tgが550°C未満の場合には、後述する脱脂が困難となるおそれがあり、700°Cを超える場合には、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。ガラス粉末としては、例えばSiO2を57~65mol、B2O3を13~18mol、CaOを9~23mol、Al2O3を3~8mol、K2OおよびNa2Oから選ばれる少なくとも一方を合計で0.5~6mol含有するガラスの粉末が用いられる。ガラス粉末の50粒径D50は0.5μm以上2μm以下であることが好ましい。ガラス粉末のD50が0.5μm未満の場合には、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となるばかりでなく、均一に分散させることが困難となる。一方、D50が2μmを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。なお、本明細書において、粒径はレーザ回折散乱法により得られるものである。セラミックスフィラーとしては、従来からLTCC基板の製造に用いられるものを用いることができる。例えば、アルミナ粉末、ジルコニア粉末、アルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物等を好適に用いることができる。セラミックスフィラーのD50は、0.5μm以上4μm以下であることが好ましい。このようなガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えばガラス粉末が30質量以上50質量以下、セラミックスフィラーが50質量以上70質量以下となるように配合し混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができ、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いることができる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の芳香族系またはアルコール系の有機溶剤を用いることができる。さらに、分散剤やレべリング剤を併用することも可能である。こうして形成されたグリーンシートを、打抜き型あるいはパンチングマシーンを使用して所定の寸法角に切断し、同時に所定位置に層間接続用のビアホールを打抜き形成することができる。[金属ペーストの印刷]グリーンシートの表面に、導体金属のペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することにより、未焼成の導体パターンを形成する。また、前記した層間接続用のビアホール内に導体金属のペーストを充填することによって、未焼成の層間接続部を形成する。導体金属のペーストとしては、例えば銀Agまたは銅Cuを主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いる。金属粉末としては、銀Ag粉末、銀とパラジウムとの混合粉末、銀と白金との混合粉末等が好ましく用いられる。なお、本発明においては、グリーンシートに含まれるガラス成分により導体金属と基板との接着力を十分に確保することができるので、導体金属の電気抵抗抵抗値を上げないために、ガラスフリットが配合されていない金属ペーストを使用することが好ましい。[グリーンシートの積層および焼成]未焼成の導体パターンが形成されたグリーンシートを、位置合わせしつつ複数枚重ねて加熱および加圧して一体化した後、500°C以上600°C以下の温度で加熱することにより、グリーンシートに含まれる樹脂等のバインダーを分解除去する脱脂を行う。その後、さらに800~1000°C程度の温度で加熱し、グリーンシートを構成するガラスセラミックス組成物を焼成する。この焼成により、ガラスセラミックス基板内部および表面表裏面に形成された金属ペーストも同時に焼成され、銀Agまたは銅Cuを主体とする金属からなる厚膜導体層が形成される。[ウェット湿式ブラスト処理]ガラスセラミックス基板LTCC基板の表面に形成された厚膜導体層に対して、ウェットブラスト処理を行う。すなわち、研磨材ブラスト粉末を液体媒体例えば水と混合してなるブラスト液を、高圧で厚膜導体層に噴射する吹き付ける。このウェットブラスト処理により、導体粒子の隙間を埋め、厚膜導体層の表面を平坦化平滑化する。研磨材の粒径やブラスト液の噴射速度、噴射圧力、処理時間等を調整することで、処理後の厚膜導体層の表面粗さRaを0.02μm以下にすることができる。研磨材としては、例えばアルミナまたはジルコニア等のセラミック粉末を使用することができる。ブラストの効率を上げるため、アルミナ粉末の破砕粉の使用が好ましい。研磨材の粒径は、25~150μmの範囲とすることが好ましい。研磨材の粒径が25μm未満では、LTCC基板の切断用溝等に研磨材が入り込んでしまい、異物となって素子の搭載を阻害するおそれがある。一方、研磨材の粒径が150μmを超える場合には、素子の搭載部であるキャビティ壁面付近の厚膜導体層を効率よくブラストすることができない。研磨材の50粒径D50は80~100μmの範囲が好ましい。より好ましいD50は90μmである。研磨材ブラスト粉末と液体媒体例えば水との混合比率は、研磨材がブラスト液全体の20~60体積とする。研磨材の混合比率が20体積未満では、ウェットブラストの効率が著しく低くなり、厚膜導体層の表面を十分に平坦化することができない。一方、研磨材の比率が60体積を超えると、ブラスト液の粘度が高くなりすぎてかえってブラスト効率が低下する。最も好ましい混合比率は、研磨材が40体積、水が60体積の比率である。また、このような比率で混合されたブラスト液を噴射する圧力は、ボロンカーバイド製ノズルの噴射口が直径8mmのとき、1.2~1.8kg/cm2とすることが好ましい。ブラスト液の噴射圧力が1.2kg/cm2未満では、厚膜導体層の表面に浮き出したガラスの除去には効果が認められるが、厚膜導体層の表面粗さRaが0.02μm以下になるような十分な平坦化を行なうことはできない。したがって、良好な耐硫化性を付与することができない。ブラスト液の噴射圧力が1.8kg/cm2を超えると、厚膜導体層の表面にブラスト材であるアルミナ粉末が付着してしまい、表面を平坦化する効果が小さくなる。また、ボロンカーバイド製ノズルの噴射口の直径は、5~10mmのものが使用できる。前記噴射口の直径が5mm未満では、流速が速くなりすぎて厚膜導体層のみならず、ガラスセラミックス基板上のガラスを多量に除去して、強度を低下させたり、厚膜導体層の表面にブラスト材であるアルミナ粉末が付着したりして、表面を平坦化するする効果が小さくなる。10mm超では、厚膜導体層の表面に浮き出したガラスの除去には効果が認められるが、厚膜導体層の表面粗さRaが0.02μm以下になるような十分な平坦化を行うことが難しくなる。ウェットブラスト工程では、ベルトコンベアで連続的に搬送されるLTCC基板の厚膜導体層に向けて、搬送面より5cm程度上に配置されたボロンカーバイド製ノズルの噴射口からブラスト液を噴射する方法を採ることができる。コンベアの搬送速度は1~1.5m/分とすることが好ましい。搬送速度が1m/分未満では、厚膜導体層にブラスト材であるアルミナ粉末が付着してしまい、表面を平坦化する効果が小さい。搬送速度が1.5m/分を超えると、ブラストの効果が小さく、硫化防止に十分な平坦化を行なうことはできない。[メッキ工程]ウェットブラスト処理により、表面粗さRaが0.02μm以下に平坦化された厚膜導体層の上に、Niメッキを行った後Auメッキを行い、Ni/Auメッキ層を形成する。Niメッキは、例えばスルファミン酸ニッケル浴を使用して電界メッキによって5~10μmの厚みに形成される。金メッキは、例えばシアン化金カリウム浴を使用して電界メッキによって0.2~0.5μmの厚みに形成することができる。前工程で下層の厚膜導体層にウェットブラスト処理が施され、導体例えばAg粒子の隙間が埋められ凹凸が均されて、表面粗さRaが0.02μm以下に平坦化されているので、前記した厚さのNi/Auメッキ層により厚膜導体層の上を完全に覆うことができる。したがって、Niメッキ層が露出することがなく、耐硫化性に優れており、Ni/Auメッキ層の上にシリコーン樹脂等の保護コートを被覆しなくても、JIS-C-60068-2-43に準拠する硫化試験において、Auメッキ膜表面に硫化ニッケルの析出による黒色欠点のないAuメッキ膜を得ることができる。以下に、本発明の実施例を説明する。なお本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下に説明する方法で、図1に示す構造の素子搭載用基板10を作製した。まず、素子搭載用基板10を作製するための本体用グリーンシートを作製した。本体用グリーンシートは、SiO2が60.4mol、B2O3が15.6mol、Al2O3が6mol、CaOが15mol、K2Oが1mol、Na2Oが2molとなるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600°Cで60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕して基板本体用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。この基板本体用ガラス粉末が40質量、アルミナフィラー昭和電工社製、商品名:AL-45Hが60質量となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物50gに、有機溶剤トルエン、キシレン、2-プロパノール、2-ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの15g、可塑剤フタル酸ジ-2-エチルヘキシル2.5g、バインダーとしてのポリビニルブチラールデンカ社製、商品名:PVK3000K5g、さらに分散剤ビックケミー社製、商品名:BYK1800.5gを配合し、混合してスラリーを調製した。このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させ、焼成後の厚さが0.15mmとなる本体用グリーンシートを製造した。一方、導電性粉末大研化学工業社製、商品名:S400-2に、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比90:10の割合で配合し、固形分が87質量となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って金属ペーストを製造した。本体用グリーンシートの未焼成貫通導体に相当する部分に孔空け機を用いて直径0.3mmの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により金属ペーストを充填して未焼成貫通導体ペースト層を形成すると共に、未焼成厚膜導体層を形成して、厚膜導体層付き本体用グリーンシートを得た。上記で得られた厚膜導体層付き本体用グリーンシートを、550°Cで5時間保持して脱脂を行い、さらに870°Cで30分間保持して焼成を行って試験用の素子搭載用基板10を製造した。素子搭載用基板10における2に相当する厚膜導体層に以下の条件でウェットブラスト処理を施した。研磨材ブラスト粉末と液体媒体水との混合比率は、研磨材がブラスト液全体の40体積とした。さらにこのような比率で混合されたブラスト液を噴射する圧力は、1.5kg/cm2とし、ベルトコンベアで連続的に搬送させながら厚膜導体層に向けて、搬送面より5cm上に配置されたボロンカーバイド製ノズルの直径8mmの噴射口からブラスト液を噴射することにより、厚膜導体層の表面粗さRaが0.01μmの厚膜導体表面を得た。尚、ベルトコンベアの搬送速度は1.2m/分とした。得られた厚膜導体表面にスルファミン酸ニッケル浴を用いた電界メッキによって7μmのNiメッキ膜を形成し、その表面にシアン化金カリウム浴を用いた電界メッキによって0.3μmの厚みのAuメッキ膜を形成した。こうして得られた素子搭載用基板10をJIS-C-60068-2-43に準拠する硫化試験において100時間暴露させたところ、Auメッキ膜表面に硫化ニッケルの析出による黒色欠点のないAuメッキ膜を得ることができた。以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは明らかである。