"I-III-VI族のカルコパイライト系化合物半導体および酸素を含む光吸収層を有する光電変換装置であって、前記光吸収層は、内部に空孔を有しており、前記光吸収層における酸素の平均の原子濃度よりも前記空孔の近傍における酸素の原子濃度の方が大きい、光電変換装置。前記カルコパイライト系化合物半導体は、銅を含んでおり、前記光吸収層は、該光吸収層における銅の平均の原子濃度よりも前記空孔の近傍における銅の原子濃度の方が小さい、請求項1に記載の光電変換装置。前記カルコパイライト系化合物半導体は、セレンを含んでおり、前記光吸収層は、該光吸収層におけるセレンの平均の原子濃度よりも前記空孔の近傍におけるセレンの原子濃度の方が小さい、請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。前記カルコパイライト系化合物半導体は、セレンを含んでおり、前記光吸収層は、該光吸収層におけるセレンの平均の原子濃度よりも前記空孔の近傍におけるセレンの原子濃度の方が大きい、請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。前記カルコパイライト系化合物半導体は、ガリウムを含んでおり、前記光吸収層は、該光吸収層におけるガリウムの平均の原子濃度よりも前記空孔の近傍におけるガリウムの原子濃度の方が大きい、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の光電変換装置。前記ガリウムは、酸化ガリウムとして前記光吸収層中に存在している、請求項5に記載の光電変換装置。前記酸化ガリウムは、非晶質である、請求項6に記載の光電変換装置。前記光吸収層における酸素の平均の原子濃度は、1~3原子である、請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の光電変換装置。本発明の一実施形態に係る光電変換装置10は、図1および図2に示すように、基板1と、第1の電極層2と、光吸収層3と、バッファ層4と、第2の電極層5とを含んでいる。光電変換装置10は、光吸収層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。隣接する光電変換装置10同士は、接続導体7で電気的に接続されている。すなわち、一方の光電変換装置10の第2の電極層5と他方の光電変換装置10の第3の電極層6とが接続導体7で接続されている。この第3の電極層6は、隣接する光電変換装置10の第1の電極層2としての機能を兼ねている。これにより、隣接する光電変換装置10同士は、互いに直列接続されている。なお、一つの光電変換装置10内において、接続導体7は光吸収層3およびバッファ層4をそれぞれ分断するように設けられている。そのため、光電変換装置10では、第1の電極層2と第2の電極層5とで挟まれた光吸収層3およびバッファ層4で光電変換が行なわれる。また、本実施形態のように、第2の電極層5上に集電電極8が設けられてもよい。基板1は、光電変換装置10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂等が挙げられる。第1の電極層2および第3の電極層6は、例えばモリブデンMo、アルミニウムAl、チタンTiまたは金Au等で形成される。第1の電極層2および第3の電極層6は、スパッタリング法または蒸着法等によって基板1上に形成される。光吸収層3は、光を吸収するとともに、バッファ層4と協働して光電変換を行うものである。光吸収層3は、カルコパイライト系化合物半導体を含み、第1の電極層2上および第3の電極層6上に設けられている。ここで、カルコパイライト系化合物半導体とは、I-B族元素11族元素ともいうとIII-B族元素13族元素ともいうとVI-B族元素16族元素ともいうとの化合物半導体であるCIS系化合物半導体ともいう。I-III-VI族のカルコパイライト系化合物半導体としては、例えばCuIn,GaSe2CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2CIGSSともいうおよびCuInS2CISともいうが挙げられる。なお、CuIn,GaSe2とは、Cu、In、GaおよびSeを主に含む化合物をいう。また、CuIn,GaSe,S2とは、Cu、In、Ga、SeおよびSを主に含む化合物をいう。光吸収層3は、例えば1~2.5μmの厚みであればよい。これにより、光電変換効率が高まる。光吸収層3は、カルコパイライト系化合物半導体に加えて酸素を含んでいる。このような酸素は、カルコパイライト系化合物半導体内に存在する欠陥を埋める役割を有する。この欠陥とは、カルコパイライト構造の一部のサイトから原子が脱離した部分を指す。そして、酸素は、上記原子が脱離した部位に入り込んで上記欠陥を埋めることができる。換言すれば、酸素は、カルコパイライト構造の一部のサイトから原子が脱離した部分と置換すうことになる。これにより、上記欠陥を酸素で埋めることができるため、キャリアの再結合の発生が低減される。一方、光吸収層3は、図3に示すように、内部に複数の空孔3aを有している。このような空孔3aは、外部から光吸収層3に作用する衝撃等を緩和する。これにより、このような衝撃等によって光吸収層3に生じるクラックが低減される。さらに、空孔3aは、光吸収層3内に入射される光を散乱させることができる。これにより、光吸収層3内に光を閉じ込めやすくなるため、光電変換効率が高まる。空孔3aは、例えば、光吸収層3を厚み方向に断面視して、多角形、円形、楕円形等の形状を成している。また、光吸収層3における空孔3aの占有率光吸収層3の空隙率は、10~80であればよい。また、この占有率は、30~60であってもよい。これにより、光吸収層3は、上述した衝撃等を緩和しつつ、光吸収層3自体の剛性を維持することができる。そして、光吸収層3は、光吸収層3における酸素の平均の原子濃度よりも空孔3aの近傍における酸素の原子濃度の方が大きくなっている。それゆえ、本実施形態では、空孔3aに面している光吸収層3の表面に比較的多く存在する欠陥を効率良く酸素で埋めることができる。これにより、キャリアの再結合の発生を低減できるため、光電変換効率が向上する。光吸収層3では、上述した酸素の原子濃度が過度に高くなると、欠陥が存在する部分以外にも多くの酸素が存在するようになる場合がある。このような場合、酸素自身が欠陥となる可能性がある。それゆえ、光吸収層3の平均の酸素の原子濃度は、1~5原子であればよい。このような酸素の原子濃度の範囲であれば、光電変換効率を高めることができる。また、光吸収層3の平均の酸素の原子濃度は、1~3原子であってもよい。この範囲であれば、酸素自身による欠陥の発生を低減しつつ、光吸収層3の表面に存在する欠陥を埋めることができるため、光電変換効率がより高まる。なお、光吸収層3における平均の酸素の原子濃度は、光吸収層3内の任意の10箇所の部位で測定を行ない、その平均値で得られる。一方で、光吸収層3の空孔3aの近傍における酸素の原子濃度は、光吸収層3の平均の酸素の原子濃度よりも、0.1~3原子程度高くなっている。すなわち、上述した平均の酸素の原子濃度の範囲となるように制御された光吸収層3では、空孔3aに面する臨む光吸収層3の表面に存在する欠陥を酸素によって適度に埋めつつ、酸素による余計な欠陥の発生を低減することができる。空孔3aの近傍とは、該空孔3aに面する表面から光吸収層3の深さ方向に100nm以内の範囲を指す。そして、空孔3aの近傍における酸素の原子濃度とは、上述した範囲の任意の10箇所の部位で測定を行ない、その平均値として得られる。光吸収層3における酸素の原子濃度は、例えば、X線光電子分光法XPS:Xrayphotoelectronspectroscopy、オージェ電子分光AES:AugerElectronSpectroscopyまたは2次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopy等で測定できる。これらの方法では、スパッタリング法で光吸収層3を深さ方向に削りながら測定する。例えば、セシウムのイオンビームを照射しながら、スパッタリング法で光吸収層3を深さ方向に削る2次イオン質量分析法により、光吸収層3の酸素の原子濃度を測定したところ、光吸収層3における平均の酸素の原子濃度は、1.3原子であった。また、光吸収層3の空孔3aの近傍における酸素の原子濃度は、1.7原子であった。このような光電変換装置10では、空孔3aに面する光吸収層3の表面に存在する欠陥を酸素によって適度に埋めつつ、酸素による余計な欠陥の発生を低減することができる。これにより、光電変換効率が高まる。次に、光吸収層3の製造方法の一例について説明する。まず、光吸収層3の原料について説明する。光吸収層3の原料溶液としては、例えば、I-B族金属と、III-B族金属と、カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基性有機溶剤とを含むものであればよい。カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む溶媒以下、混合溶媒Sともいうは、I-B族金属およびIII-B族金属を良好に溶解させることができる。このような混合溶媒Sであれば、混合溶媒Sに対するI-B族金属およびIII-B族金属の合計の濃度が6質量以上となる原料溶液を作製できる。また、このような混合溶媒Sを用いることにより、上記金属の溶解度を高めることができるため、高濃度の原料溶液を得ることができる。次に、原料溶液について詳細に説明する。カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物である。カルコゲン元素とは、VI-B族元素のうちのS、SeまたはTeをいう。カルコゲン元素がSである場合、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えばチオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステルおよびスルホン酸アミド等が挙げられる。上記した化合物のうち、チオール、スルフィドおよびジスルフィド等は、金属と錯体を形成しやすい。また、カルコゲン元素含有有機化合物は、フェニル基を有していれば、塗布性を高めることができる。このような化合物としては、例えばチオフェノール、ジフェニルスルフィド等およびこれらの誘導体が挙げられる。カルコゲン元素がSeである場合は、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えばセレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシドおよびセレノン等が挙げられる。上記した化合物のうち、セレノール、セレニドおよびジセレニド等は、金属と錯体を形成しやすい。また、フェニル基を有するフェニルセレノール、フェニルセレナイド、ジフェニルジセレナイド等およびこれらの誘導体であれば、塗布性を高めることができる。カルコゲン元素がTeである場合は、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えばテルロール、テルリドおよびジテルリド等が挙げられる。ルイス塩基性有機溶剤とは、ルイス塩基となり得る物質を含む有機溶剤である。ルイス塩基性有機溶剤としては、例えばピリジン、アニリン、トリフェニルフォスフィン等およびこれらの誘導体が挙げられる。ルイス塩基性有機溶剤は、沸点が100°C以上であれば、塗布性を高めることができる。また、I-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物とは化学結合しているとよい。さらに、III-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しているとよい。さらに、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とが化学結合しているとよい。このような化学結合によって、8質量以上のより高濃度の原料溶液が調製しやすくなる。上記した化学結合としては、例えば、各元素間における配位結合等が挙げられる。このような化学結合は、例えばNMRNuclearMagneticResonance法によって確認することができる。このNMR法において、I-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物との化学結合は、カルコゲン元素の多核NMRのピークシフトとして検出できる。また、III-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物との化学結合は、カルコゲン元素の多核NMRのピークシフトとして検出できる。また、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤との化学結合は、有機溶剤由来のピークのシフトとして検出できる。I-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物との化学結合のモル数は、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤との化学結合のモル数の0.1~10倍の範囲であればよい。混合溶媒Sは、室温で液状となるようにカルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤を混合させて調製してもよい。これにより、混合溶媒Sの取り扱いが容易になる。例えば、カルコゲン元素含有有機化合物をルイス塩基性有機溶剤に対して0.1~10倍の量を混合させればよい。これにより、上記した化学結合を良好に形成することができ、高濃度のI-B族金属およびIII-B族金属の溶液を得ることができる。原料溶液は、例えば、混合溶媒SにI-B族金属およびIII-B族金属を直接溶解させて得られる。このような方法であれば、光吸収層3に化合物半導体の成分以外の不純物の混入を低減することができる。なお、I-B族金属およびIII-B族金属は、いずれかが金属塩であってもよい。ここで、I-B族金属およびIII-B族金属を混合溶媒Sに直接溶解させるというのは、単体金属の地金または合金の地金を直接、混合溶媒Sに混入し、溶解させることをいう。これにより、単体金属の地金または合金の地金は、一旦、他の化合物例えば塩化物などの金属塩に変化させた後に溶媒に溶解させなくてもよい。それゆえ、このような方法であれば、工程が簡略化できるとともに、光吸収層3を構成する元素以外の不純物が光吸収層3に含まれるのを低減できる。これにより、光吸収層3の純度が高まる。I-B族金属は、例えば、Cu、Agなどである。I-B族金属は、1種の元素であってもよく、2種以上の元素を含んでいてもよい。2種以上のI-B族金属元素を用いる場合、混合溶媒Sに2種以上のI-B族金属の混合物を一度に溶解させればよい。一方で、各元素のI-B族金属をそれぞれ混合溶媒Sに溶解させた後、これらを混合してもよい。III-B族金属は、例えば、Ga、Inなどである。III-B族金属は1種の元素であってもよく、2種以上の元素を含んでいてもよい。2種以上のIII-B族金属元素を用いる場合、混合溶媒Sに2種以上のIII-B族金属の混合物を一度に溶解させればよい。一方で、各元素のIII-B族金属をそれぞれ混合溶媒Sに溶解させた後、これらを混合してもよい。次に、原料溶液の塗布および焼成工程について説明する。まず、第1の電極層2を有する基板1上に、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含むカルコパイライト系化合物の原料溶液を塗布することによって第1塗布膜を形成するA1工程。次に、上記第1塗布膜を加熱処理することによって第1前駆体を形成するA2工程。このA2工程における第1前駆体の形成温度は250~350°Cである。次に、酸素雰囲気中で上記第1前駆体を加熱することによって光吸収層3の第1半導体層を形成するA3工程。このA3工程における第1半導体層の形成温度は400~600°Cである。次に、この第1半導体層上にI-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含むカルコパイライト系化合物の原料溶液を塗布することによって第2塗布膜を形成するA4工程。次に、酸素雰囲気中で上記第2塗布膜を加熱処理することによって第2前駆体を形成するA5工程。このA5工程における第2前駆体の形成温度は250~350°Cである。次に、VI-B族元素を含む雰囲気または窒素やアルゴン等の不活性雰囲気中で上記第2前駆体を加熱することによって第2半導体層を形成するA6工程。このA6工程における第2半導体層の形成温度は400~600°Cである。次に、第2半導体層上にI-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含むカルコパイライト系化合物の原料溶液を塗布することによって第3塗布膜を形成するA7工程。次に、酸素雰囲気中で上記第3塗布膜を加熱処理することによって第3前駆体を形成するA8工程。このA8工程における第3前駆体の形成温度は250~350°Cである。次に、VI-B族元素を含む雰囲気または窒素やアルゴン等の不活性雰囲気中で上記第3前駆体を加熱することによって第3半導体層を形成するA9工程。このA9工程における第3半導体層の形成温度は400~600°Cである。以上の工程によって、光吸収層3が形成される。光吸収層3の空孔3aは、第1~第3前駆体の焼成工程において発生しやすいA3工程、A6工程およびA9工程。また、光吸収層3の空孔3aは、外気と連通する開気孔となっているものが比較的多い。そのため、上述した製造工程では、空孔3aが発生しやすい焼成工程で酸素を導入することによって、空孔3aの形成時に、外気中に存在する酸素が空孔3aに面する光吸収層3の表面に接触しやすくなる。それゆえ、上述した製造工程では、光吸収層3の空孔3aの近傍における酸素の原子濃度が光吸収層3全体の平均の酸素の原子濃度よりも大きくなる。また、酸素の導入量としては、例えば、50~100ppm程度であればよい。一方、光吸収層3の半導体層における空孔3aの占有率は、例えば、第1~第3前駆体の加熱処理工程A2工程、A5工程およびA8工程において、加熱処理温度を制御することで調整できる。なお、半導体層を3層以上積層させて光吸収層3を作製する場合は、例えば、上述したA1~A9工程を繰り返せばよい。一方で、1層または2層の半導体層で光吸収層3を形成する場合には、A1~A3工程またはA1~A6工程を利用すればよい。また、空孔3aに面する光吸収層3の表面には、カルコパイライト化合物半導体の粒界が露出している。このような粒界では、キャリアの再結合、すなわち、電子とホールとの再結合が起こりやすくなっている。そこで、以下では、空孔3aの近傍における光吸収層3が含有する各種元素の含有量を変更することによって、上記粒界での電子とホールとの再結合の発生を低減する形態について説明する。このような形態の一例として、光吸収層3における銅の平均の原子濃度よりも空孔3aの近傍における光吸収層3の銅の原子濃度の方を小さくする形態がある。このような形態によれば、銅とセレンから形成される価電子帯のエネルギー準位が空孔3aの近傍で低くなる。その結果、空孔3aの近傍においてホールが滞留しにくくなるため、電子とホールとの再結合の発生が低減される。このとき、空孔3aの近傍における光吸収層3の銅の原子濃度は、光吸収層3における銅の平均の原子濃度よりも0.1~5原子小さければよい。これにより、上述した再結合の発生をより低減しつつ、カルコパイライト構造を維持することができる。なお、光吸収層3における銅の平均の原子濃度は、20~25原子であればよい。例えば、セシウムのイオンビームを照射しながら、スパッタリング法で光吸収層3を深さ方向に削る2次イオン質量分析法によって、光吸収層3の銅の原子濃度を測定したところ、光吸収層3における平均の銅の原子濃度は、23原子であった。また、光吸収層3の空孔3aの近傍における銅の原子濃度は、20原子であった。このような光電変換装置10では、上述した再結合の発生を低減できる。これにより、光電変換効率がより高まる。なお、このような光吸収層3の製造方法としては、例えば、A1~A9工程を経て作製された光吸収層3に対して銅または銅とセレンとの合金を選択的に除去するエッチング処理を施せばよい。このような方法としては、例えば、光吸収層3をエッチング液となるアンモニア水に浸漬させて空孔3a内にエッチング液を入り込ませることによって、上記した合金等をエッチングする方法がある。これにより、空孔3aの近傍における銅の濃度を小さくすることができる。また、光吸収層3は、該光吸収層3におけるセレンの平均の原子濃度よりも空孔3aの近傍における光吸収層3のセレンの原子濃度の方が小さくなるようにしてもよい。このような形態であれば、銅とセレンから形成される価電子帯のエネルギー準位が空孔3aの近傍で低くなる。その結果、空孔3aの近傍においてホールが滞留しにくくなるため、電子とホールとの再結合の発生が低減される。このとき、空孔3aの近傍における光吸収層3のセレンの原子濃度は、光吸収層3におけるセレンの平均の原子濃度よりも0.1~5原子小さければよい。これにより、上述した再結合の発生をより低減しつつ、過剰なセレンの存在によるCIGS膜の脆化およびCIGSとMo界面での密着性の低下を低減することができる。なお、光吸収層3におけるセレンの平均の原子濃度は、45~55原子であればよい。例えば、セシウムのイオンビームを照射しながら、スパッタリング法で光吸収層3を深さ方向に削る2次イオン質量分析法によって、光吸収層3のセレンの原子濃度を測定したところ、光吸収層3における平均のセレンの原子濃度は、48原子であった。また、光吸収層3の空孔3aの近傍におけるセレンの原子濃度は、44原子であった。このような光電変換装置10では、上述した再結合の発生を低減しつつ、光吸収層3の信頼性を向上できる。これにより、光電変換効率がより高まる。なお、このような光吸収層3の製造方法としては、例えば、A1~A9工程を経て作製された光吸収層3に対して銅とセレンとの合金を選択的に除去するエッチング処理を施せばよい。このような方法としては、例えば、光吸収層3をエッチング液となるアンモニア水に浸漬させて空孔3a内にエッチング液を入り込ませることによって、上記した合金等をエッチングする方法がある。これにより、空孔3aの近傍におけるセレンの濃度を小さくすることができる。一方で、光吸収層3は、該光吸収層3におけるセレンの平均の原子濃度よりも空孔3aの近傍における光吸収層3のセレンの原子濃度の方を大きくしてもよい。このような形態であれば、III族元素とセレンから形成される伝導帯のエネルギー準位が空孔3aの近傍で高くなる。その結果、空孔3aの近傍において電子が滞留しにくくなるため、電子とホールとの再結合の発生が低減される。このとき、空孔3aの近傍における光吸収層3のセレンの原子濃度は、光吸収層3におけるセレンの平均の原子濃度よりも1~5原子大きければよい。これにより、上述した再結合の発生をより低減しつつ、過剰なセレンの存在によるCIGS膜の脆化やCIGSとMo界面での密着性の低下を低減することができる。なお、光吸収層3におけるセレンの平均の原子濃度は、45~55原子であればよい。例えば、セシウムのイオンビームを照射しながら、スパッタリング法で光吸収層3を深さ方向に削る2次イオン質量分析法によって、光吸収層3のセレンの原子濃度を測定したところ、光吸収層3における平均のセレンの原子濃度は、48原子であった。また、光吸収層3の空孔3aの近傍におけるセレンの原子濃度は、52原子であった。このような光電変換装置10では、上述した再結合の発生を低減しつつ、光吸収層3の信頼性を向上できる。これにより、光電変換効率がより高まる。このような光吸収層3の製造方法としては、例えば、上述したA3工程、A6工程およびA9工程のそれぞれの後に、セレン雰囲気下で再度熱処理を行なえばよい。また、光吸収層3は、該光吸収層3におけるガリウムの平均の原子濃度よりも空孔3aの近傍における光吸収層3のガリウムの原子濃度の方を大きくしてもよい。このような形態であれば、空孔3aの近傍に酸素が局在しやすくなる。それゆえ、空孔3aの近傍における欠陥を効率よく酸素で埋めることができる。このとき、空孔3aの近傍における光吸収層3のガリウムの原子濃度は、光吸収層3におけるガリウムの平均の原子濃度よりも0.1~2原子大きければよい。これにより、上記した酸素の局在化を促進させることができる。なお、光吸収層3におけるガリウムの平均の原子濃度は、5~15原子であればよい。例えば、セシウムのイオンビームを照射しながら、スパッタリング法で光吸収層3を深さ方向に削る2次イオン質量分析法によって、光吸収層3のガリウムの原子濃度を測定したところ、光吸収層3における平均のガリウムの原子濃度は、8.5原子であった。また、光吸収層3の空孔3aの近傍におけるガリウムの原子濃度は、10原子であった。このような光電変換装置10では、上述した再結合の発生を低減しつつ、光吸収層3の信頼性を向上できる。これにより、光電変換効率がより高まる。なお、このような光吸収層3の製造方法としては、例えば、第1~第3前駆体の加熱処理工程A2工程、A5工程およびA8工程において、50~500ppmの水分雰囲気で加熱する方法がある。この製造方法では、空孔3aの近傍におけるガリウムまたはガリウムを含む化合物の揮発を低減することができる。これにより、光吸収層3において、空孔3aの近傍におけるガリウムの原子濃度が、空孔3aの近傍以外の部位と比べて相対的に高まる。また、ガリウムは、酸化ガリウムとして光吸収層3中に存在しているとよい。これにより、空孔3aの近傍におけるパッシベーション効果を高めることができるため、信頼性が向上する。また、酸化ガリウムは、非晶質であってもよい。これにより、空孔3aの近傍における光吸収層3の剛性を弱めることができるため、空孔3aによる応力緩和の効果をより高めることができる。なお、銅、セレンおよびガリウムの原子濃度は、X線光電子分光法またはオージェ電子分光法でも測定できる。また、光吸収層3における各種元素の平均の原子濃度は、光吸収層3内の任意の10箇所の部位で測定を行ない、その平均値として得られる。また、空孔3aの近傍における各種元素の原子濃度は、上述した空孔3aの近傍の範囲において任意の10箇所の部位で測定を行ない、その平均値として得られる。また、図3に示した空孔3aは、光吸収層3の内部で略均一に分布しているが、略均一でなくてもよい。例えば、光吸収層3は、図4に示すように、第1の電極層2側および第2の電極層5側における空隙率が、バッファ層4側の空隙率よりも小さくなるようにしてもよい。このような形態では、第1の電極層2側および第2の電極層5側における光吸収層3が緻密になっているため、第1の電極層2および第2の電極層5との密着性を高めることができる。バッファ層4は、光吸収層3上に形成されている。バッファ層4とは、光吸収層3に対してヘテロ接合pn接合を行なう半導体層をいう。そのため、光吸収層3とバッファ層4との界面または界面の近傍に、pn接合が形成されている。光吸収層3がp型半導体であれば、バッファ層4はn型半導体である。バッファ層は、抵抗率が1Ωcm以上であれば、リ-ク電流をより低減できる。バッファ層4としては、例えばCdS、ZnS、ZnO、In2S3、InOH,S、Zn,InSe,OHおよびZn,MgO等が挙げられる。このようなバッファ層4は、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で形成される。なお、InOH,Sとは、In、OHおよびSを主に含む化合物をいう。また、Zn,InSe,OHは、Zn、In、SeおよびOHを主に含む化合物をいう。また、Zn,MgOは、Zn、MgおよびOを主に含む化合物をいう。バッファ層4は、光吸収層3が吸収する光の波長領域に対して光透過性を有していれば、光吸収層3の吸収効率を高めることができる。バッファ層4は、インジウムInを含んでいる場合には、第2の電極層5が酸化インジウムを含んでいるとよい。これにより、バッファ層4と第2の電極層5との間における元素の相互拡散による導電率の変化を低減することができる。さらに、光吸収層3がインジウムを含むカルコパイライト系の材料であればよい。このような形態では、光吸収層3、バッファ層4および第2の電極層5がインジウムを含むことによって、層間の元素の相互拡散による導電率やキャリア濃度の変化を低減できる。バッファ層4は、III-VI族化合物を主成分として含むようにすれば、光電変換装置10の耐湿性を向上させることができる。なお、III-VI族化合物とは、III-B族元素とVI-B族元素との化合物である。また、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、バッファ層4中のIII-VI族化合物の濃度が50mol以上であることをいう。さらに、バッファ層4中のIII-VI族化合物の濃度は、80mol以上であってもよい。さらに、バッファ層4中のZnは、50原子以下であってもよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。また、バッファ層4中のZnは、20原子以下であってもよい。また、バッファ層4の厚みは、例えば10~200nmあるいは100~200nmであればよい。これにより、高温高湿条件下における光電変換効率の低下を低減できる。第2の電極層5は、例えば、ITO酸化インジウム錫、ZnO等の0.05~3μmの透明導電膜である。第2の電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成される。第2の電極層5は、バッファ層4よりも抵抗率の低い層であり、光吸収層3で生じた電荷を取り出すためのものである。第2の電極層5は、抵抗率が1Ωcm未満、シ-ト抵抗が50Ω/□以下であれば、電荷を良好に取り出すことができる。第2の電極層5は、光吸収層3の吸収効率をより高めるため、光吸収層3の吸収光に対して高い光透過性を有していてもよい。また、第2の電極層5の厚みは、0.05~0.5μmであればよい。これにより、第2の電極層5は、光透過性を高めるとともに、光の反射を低減することができる。さらに、第2の電極層5は、光散乱効果を高めるとともに、光電変換によって生じた電流を良好に伝送できる。また、第2の電極層5とバッファ層4の屈折率をほぼ等しくすれば、第2の電極層5とバッファ層4との界面での光の反射を低減できる。第2の電極層5は、III-VI族化合物を主成分として含むとよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。なお、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、第2の電極層5中のIII-VI族化合物の濃度が50mol以上であることをいう。さらに、第2の電極層5中のIII-VI族化合物の濃度は、80mol以上であってもよい。さらに、第2の電極層5中のZnの濃度は、50原子以下であってもよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。また、第2の電極層5中のZnの濃度は、20原子以下であってもよい。光電変換装置10では、バッファ層4と第2の電極層5とを合わせた部分、すなわち、光吸収層3と集電電極8とで挟まれる部分がIII-VI族化合物を主成分として含んでいてもよい。なお、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、このバッファ層4と第2の電極層5とを合わせた部分を構成する化合物のうち、III-VI族化合物複数種のIII-VI族化合物がある場合、その合計が50mol以上であることをいう。なお、III-VI族化合物は80mol以上であってもよい。このバッファ層4と第2の電極層5とを合わせた部分におけるZnの濃度は、50原子以下であってもよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。また、このバッファ層4と第2の電極層5とを合わせた部分におけるZnの濃度は、20原子以下であってもよい。光電変換装置10は、接続導体7を介して隣り合う光電変換装置10と電気的に接続されている。これにより、図1に示すように、複数の光電変換装置10が直列接続されて光電変換モジュール20となる。接続導体7は、第2の電極層5と第3の電極層6とを接続する。換言すれば、接続導体7は、一方の光電変換装置10の第2の電極層5と、隣り合う他方の光電変換装置10の第1の電極層2とを接続する。この接続導体7は、隣接する光電変換装置10の各光吸収層3を分断するように形成されている。これにより、光吸収層3でそれぞれ光電変換された電気を、直列接続によって電流として取り出すことができる。接続導体7は、第2の電極層5を形成する際に同じ工程で形成し、第2の電極層5と一体化するようにしてもよい。これにより、接続導体7を形成する工程が簡略化できる。さらに、このような方法であれば、接続導体7と第2の電極層5との電気的な接続を良好にできるため、信頼性を高めることができる。集電電極8は、第2の電極層5の電気抵抗を小さくする機能を有する。これにより、光吸収層3で発生した電流が効率よく取り出される。その結果、光電変換装置10の発電効率が高まる。集電電極8は、例えば、図1に示すように、光電変換装置10の一端から接続導体7に亘って線状に形成されている。これにより、光吸収層3の光電変換によって生じた電荷が第2の電極層5を介して集電電極8で集電される。この集電された電荷は、接続導体7を介して隣接する光電変換装置10に導電される。よって、集電電極8を設ければ、第2の電極層5を薄くしても光吸収層3で発生した電流を効率よく取り出すことができる。その結果、発電効率が高まる。このような線状の集電電極8の幅は、例えば、50~400μmであればよい。これにより、光吸収層3の受光面積を過度に減らすことなく導電性を確保できる。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダ-等に分散させた金属ペーストを用いて形成される。集電電極8は、例えば、スクリ-ン印刷等で所望のパタ-ン状に金属ペーストを印刷し、その後、硬化して形成される。また、集電電極8は、半田を含んでいてもよい。これにより、曲げ応力に対する耐性を高めることができるとともに、抵抗をより低下させることができる。集電電極8は、融点の異なる金属を2種以上含んでいてもよい。このとき、集電電極8は、少なくとも1種の金属を溶融させ、他の少なくとも1種の金属が溶融しない温度で加熱して硬化したものであるとよい。これにより、低い融点の金属が先に溶融することによって、集電電極8が緻密化する。それゆえ、集電電極8の抵抗が下がる。一方で、高い融点の金属は、集電電極8の形状を維持するように作用する。集電電極8は、平面視して光吸収層3の外周端部側に達するように設けられているとよい。このような形態では、集電電極8が光吸収層3の外周部を保護し、光吸収層3の外周部での欠けの発生を低減できる。このような集電電極8であれば、光吸収層3の外周部で発生した電流を効率よく取り出すことができる。これにより、発電効率が高まる。また、このような形態では、光吸収層3の外周部を保護することができるため、第1の電極層2と集電電極8との間に設けられた部材の合計の厚みを小さくすることができる。よって、部材の削減ができる。さらに、上記部材に相当する光吸収層3、バッファ層4および第2の電極層5の形成工程が短縮化できる。光吸収層3、バッファ層4および第2の電極層5の合計の厚みは、例えば、1.56~2.7μmであればよい。具体的に、光吸収層3の厚みは、1~2.5μmである。また、バッファ層4の厚みは、0.01~0.2μmである。また、第2の電極層5の厚みは、0.05~0.5μmである。また、光吸収層3の外周端部において、集電電極8の端面、第2の電極層5の端面および光吸収層3の端面が同一面上にあってもよい。これにより、光吸収層3の外周端部で光電変換した電流を良好に取り出すことができる。なお、集電電極8を平面視して集電電極8が光吸収層3の外周端部まで達していなくてもよい。例えば、光吸収層3の外周端部と集電電極8の端部との距離が1000μm以下であれば、光吸収層3の外周端部を基点とした欠けの発生および欠けの進行を低減できる。なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。"