半導体における上層配線と下層配線をつなぐビアの位置を検出する方法であって、ビアが配置された上層配線の、該ビアの位置を含む範囲に、集束イオンビーム装置により保護膜を形成する工程と、該保護膜を形成した範囲を含む上層配線及びその下層部分の、電子顕微鏡装置を用いた背面散乱電子による反射電子像を生成する工程と、を含むことを特徴とする、ビア位置検出方法。前記電子顕微鏡装置による反射電子像を生成する工程は、電子ビームの加速電圧を20KV~30KV、好ましくは30KVで行うことを特徴とする、請求項1に記載のビア位置検出方法。前記生成した反射電子像から、前記保護膜と前記ビアとの位置関係を特定する工程をさらに含む、請求項1又は2に記載のビア位置検出方法。前記保護膜は、カーボンC膜、シリコン酸化SiO2膜、SiC膜、SiN膜、SiCN膜、SiON膜、SiCON膜のうちのいずれかであることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1に記載のビア位置検出方法。半導体における上層配線と下層配線をつなぐビアの位置を検出するためのプログラムであって、コンピュータに、集束イオンビーム装置に、ビアが配置された上層配線の所定の範囲に保護膜を形成させる手順と、電子顕微鏡装置に、該保護膜を形成した範囲を含む上層配線及びその下層部分の背面散乱電子による反射電子像を生成させる手順と、を実行させることを含む、プログラム。半導体における上層配線と下層配線をつなぐビアの位置を検出するための、電子顕微鏡装置及び集束イオンビーム装置の制御装置であって、ビアが配置された上層配線の所定の範囲に、集束イオンビーム装置を用いて保護膜を形成させる制御機能と、電子顕微鏡装置を用いて、該保護膜を形成した範囲を含む該上層配線及びその下層部分の、背面散乱電子による反射電子像を生成させる制御機能と、を含むことを特徴とする、制御装置。請求項5に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。半導体における上層配線と下層配線をつなぐビアの位置を検出する解析方法であって、ビアが配置された上層配線の、該ビアの位置を含む範囲に、集束イオンビーム装置により保護膜を形成する工程と、該保護膜を形成した範囲を含む上層配線及びその下層部分の、電子顕微鏡装置を用いた背面散乱電子による反射電子像を生成する工程と、該集束イオンビーム装置により、該保護膜を目印に集束イオンビームでFIB加工する工程と、を含むことを特徴とする、解析方法。従来手法のAl上層配線の配線パターンの端横方向または縦方向をFIB加工の起点目印線とし、FIB断面加工する方法では、スライス状にビア断面が露出するまで加工するため、加工に長時間が必要となる。さらには、図1に示すような200μm×200μm角の大面積Al配線では加工範囲が広いため、配線下に配置された孤立のビアに加工面を当てることが非常に困難である。また、ビア上部のAl上層配線をFIBで加工除去し、ビア上部を露出する従来手法では、ビア上部の一部が露出するまでFIB加工を行うことになり、Al上層配線とビアとの界面が観察できず、界面における不良原因解析が不可能となるという問題がある。本発明は、配線の下部に位置するビア、さらには配線層に挟まれたビアの位置を、反射電子像を用いることにより、非破壊的に加工作業をすることなく検出する方法を提供する。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。第1の視点において、本発明に係るビア位置検出方法は、半導体における上層配線と下層配線をつなぐ接続するビアの位置を検出する方法であって、ビアが配置接続された上層配線の、該ビアの接続位置を含む範囲に、集束イオンビーム装置により保護膜例えばカーボン膜を形成する工程と、該保護膜を形成した範囲を含む上層配線及びその下層部分の、電子顕微鏡装置を用いた背面後方散乱電子による反射電子像を生成する工程と、を含むことを特徴とする。第2の視点において、本発明に係るプログラムは、半導体における上層配線と下層配線をつなぐビアの位置を検出するためのプログラムであって、コンピュータに、集束イオンビーム装置に、ビアが配置された上層配線の所定の範囲に保護膜例えばカーボン膜を形成させる手順と、電子顕微鏡装置に、該保護膜を形成した範囲を含む上層配線及びその下層部分の背面散乱電子による反射電子像を生成させる手順と、を実行させることを含む。またそのようなプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体も本発明に含まれることはもちろんである。第3の視点において、本発明に係る制御装置は、半導体における上層配線と下層配線をつなぐビアの位置を検出するための、電子顕微鏡装置及び集束イオンビーム装置の制御装置であって、ビアが配置された上層配線の所定の範囲に、集束イオンビーム装置を用いて保護膜例えばカーボン膜を形成させる制御機能と、電子顕微鏡装置を用いて、該保護膜を形成した範囲を含む該上層配線及びその下層部分の、背面散乱電子による反射電子像を生成させる制御機能と、を含む。第4の視点において、本発明に係る解析方法は、半導体における上層配線と下層配線をつなぐビアの位置を検出する解析方法であって、ビアが配置された上層配線の、該ビアの位置を含む範囲に、集束イオンビーム装置により保護膜例えばカーボン膜を形成する工程と、該保護膜を形成した範囲を含む上層配線及びその下層部分の、電子顕微鏡装置を用いた背面散乱電子による反射電子像を生成する工程と、該集束イオンビーム装置により、該保護膜を目印に集束イオンビームでFIB加工する工程と、を含む。このような方法により、ビアの位置を非破壊的に検出できる。それに伴い、観察のためのビアの断面加工工程を容易に行うことができる。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。本発明は、反射電子像BSE像:背面散乱電子像BackScatteredElectronを用いて最適な電子ビーム加速条件を選ぶことにより、配線特に大面積配線下にある孤立ビアのBSE像を検出し、FIB断面加工に必要な孤立ビアの位置を特定可能とする方法を提供するものである。反射電子像BSE像:背面散乱電子像BackScatteredElectronは、試料表面の凸凹形状だけでなく、試料の組成に応じたコントラスト像も得られ、二次電子像SE像よりも試料の深い位置における情報が得られることを特徴としている。さらに、反射電子強度が試料の原子番号に依存しており、例えばCu、Wなど原子番号が大きいほど強度が大きくなる特徴も有している。その他の実施形態としては、第1の視点において、前記電子顕微鏡装置による反射電子像を生成する工程は、電子ビームの加速電圧は20KV~30KV、好ましくは30KVで行う。これは、ビーム加速電圧は電子線が保護膜カーボン膜等と上層Al配線を透過し、ビアまで到達できる加速電圧が必要であり、加速電圧が大きいほど深い位置の反射電子観察が可能であり、鮮明な反射電子像が得られるためである。また、前記生成した反射電子像から、前記保護膜と前記ビアとの位置関係を特定する工程をさらに含むことが好ましい。また、前記保護膜は、カーボンC膜、シリコン酸化SiO2膜、SiC膜、SiN膜、SiCN膜、SiON膜、SiCON膜のうちのいずれかであることが好ましい。例えば保護膜としてのカーボン膜の厚さは0.2~0.5μm、好ましくは0.5μmである。これは、電子線が透過でき、電子線によるダメージが下地の上層配線に影響を与えない範囲だからである。本技術は、配線材料としてAlアルミ、Cu銅を用いた全ての半導体製品が対象となる。ただし、配線とビアとの反射電子強度の違いをもとに検出する方法であるので、ビアが配線材料とは異なる材料から形成されている必要がある。実施例1本発明の実施例1として、孤立ビア断面のFIB加工およびTEM透過型電子顕微鏡観察を例に述べる。図1に200μm×200μm角の大面積Alアルミニウム配線10、20で囲まれた孤立したビア本実施例1ではタングステン製、以下、W-Viaともいう。30の配置図レイアウトパターン図を示す。大面積Al配線はAl上層配線10とAl下層配線20からなり、両配線が上下で交差した200μm×200μm角のほぼ中央付近に両配線をつなぐ約0.25μm直径のW-Via30が配置されている。実施例1では、図2に示すように、配線が交差した領域200μm×200μm角のほぼ中央付近のAl上層配線10上にFIB加工時の保護膜として、例えば保護用カーボン膜以下、Cデポジションともいう。40をFIBイオンビームにより形成した。Cデポジション40は短辺10μm×長辺20μm角、厚さ0.5μmの保護用カーボン膜40をW-Via30の上部を覆い隠す範囲に形成した。このとき、W-Via30の位置はCデポジション範囲の短辺10μm×長辺20μm角の中央に配置させる必要はなく、おおよその位置関係でよい。続いて、図3に示すように、電子顕微鏡SEM装置により、ビーム加速電圧30KVで背面散乱電子による反射電子像BSE像を検出した。本実施例では、Cデポジション膜厚:0.5μm、Al上層配線膜厚:0.5μmとしており、この場合、30KVの加速電圧でビアWからの反射電子像が鮮明に得られるためである。これによるBSE像は、Cデポジション40とW-Via30が強度の異なる白いコントラストとして生成され、これから両者の位置関係を特定することができる。BSE像は材料の組成に応じたコントラスト像が得られ、材料の原子番号が大きい元素重元素ほど散乱電子量が多くなる特徴を有している。そのため、Cデポジションで被覆したAl上層配線10の下の原子番号の大きいW-Via30がより白いコントラストとして検出される。また、ビームの加速電圧を30KVにすることで、Al上層配線10の下の深い位置にある情報を検出することが可能である。図3に示すように、Al上層配線10の下にあるW-Via30の位置が、Cデポジション40の下辺端から上方短辺方向に約5μmの付近に検出できた。なお、原子番号の大きいWタングステン、Cu銅のビアの反射電子像を観察するためには、保護用カーボン膜40としては、ビアの上層には電子顕微鏡の電子線を透過し、かつW、Cuよりも原子番号の小さい材質の膜例:Cデポジション、SiO2などの酸化膜であることが必要であり、これによりビアの反射電子像により、図3に示すように、周囲が暗くて、ビア部が明るくなるBSE象が認識できる。保護用カーボン膜40としては、例えば、カーボンC膜、シリコン酸化SiO2膜、SiC膜、SiN膜、SiCN膜、SiON膜、SiCON膜などの絶縁膜である炭化膜、酸化膜、窒化膜が例示される。なお、FIB装置内でデポジションする保護膜として、Cカーボンの方が原料が粉末で形成が簡易である。このようにして、配線の下部に位置するビア、さらには配線層に挟まれたビアの位置を、反射電子像BSE像を用いることにより、非破壊的に加工作業をすることなく検出することができる。また、半導体不良解析において、上層配線と下層配線とをつなぐビアの断面形状を観察するために、後述するようにFIBで加工することが行われるが、そのときにビアの位置を非破壊的に特定することができる。次にW-Via30の断面観察を行うための手順について述べる。図4にTEM観察用に薄膜化した試料の模式図を示す。試料はFIB加工の表面保護膜であるCデポジション40の長辺側の両側壁を、W-Via30を中央に残すようにFIB加工して、厚さ0.2μm以下まで薄膜化して作製した。このとき、Cデポジション40の下辺端をW-Via30の位置に隣接した目印線として利用することで、正確で短時間にW-Via孤立ビア30のFIB断面加工が可能となった。このように、保護膜であるCデポジション40はFIB加工時の目印となるとともに、FIB加工時に上層Al配線がFIBイオンビームで加工されないようにするための保護膜の役割を果たすので、FIB断面加工性が向上する。図5に、このようにしてFIB断面加工したAl上層配線10、W-Via30、Al下層配線20のTEM観察像を示す。これにより、W-Via30の中心断面及び、Al配線10、20とW-Via30との界面形状も観察できる。これにより、Al上層配線とビアとの界面が観察でき、界面における不良原因解析が可能となり、半導体不良解析の解析性が向上する。実施例2図6は、本発明の実施例2を説明する複数ビア配置図を示す。Al上層配線10とAl下層配線20とを結ぶビア30が5つである点を除き、構成は実施例1と同じである。本発明は、図6に示すような大面積Al配線下にあるビアが複数の場合も適用できる。このように複数のビア30が形成されている場合でも、これらのビア30がすべて含まれる範囲にCデポジションを形成し、反射電子像BSE像を生成することにより、両者の配置関係が検出できる。これをもとに、各ビアの断面が露出するようにFIB加工をして観察することを順次繰り返すことにより、各ビアの接続状況を観察確認することができる。以上、本発明を実施例に基づき説明したが、本発明の全開示請求の範囲及び図面を含むの枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素各請求項の各要素、各実施例の各要素、各図面の各要素等を含むの多様な組み合わせ、ないし、選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。