絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたパターン状導体層と、を有する前駆部材を準備する準備工程と、前記前駆部材の前記パターン状導体層側の表面にドライフィルムレジストを配置し、前記ドライフィルムレジストを加熱溶融させ、前記パターン状導体層上の前記ドライフィルムレジストの一部を前記絶縁層上に流出させるラミネート工程と、前記ドライフィルムレジストに対して露光現像を行い、レジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出する前記パターン状導体層をウェットエッチングにより除去し、配線層を形成する配線層形成工程と、を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。前記ラミネート工程において、前記パターン状導体層上の前記ドライフィルムレジストの厚さを、前記パターン状導体層の厚さ以下にすることを特徴とする請求項1に記載の配線回路基板の製造方法。前記準備工程が、前記絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体層とを有する積層部材を用い、前記導体層をウェットエッチングすることにより前記前駆部材を準備する工程であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の配線回路基板の製造方法。前記パターン状導体層の底面および側面のなす角度が、鋭角であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載の配線回路基板の製造方法。前記配線回路基板が、前記配線層とは反対側の前記絶縁層の表面に金属支持基板を有するサスペンション用基板であることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載の配線回路基板の製造方法。サブトラクティブ法におけるエッチングの手法としてウェットエッチングがあり、ウェットエッチングでは、エッチング液がレジストパターンの開口から導体層に浸入することで、導体層のエッチングを行う。一度浸入したエッチング液は、再びレジストパターンの開口から外部に出ていくため、図6aに示すように、導体層3Aは、レジストパターン5a側の表面が、逆側の表面に比べて、幅方向にエッチングされやすい傾向にある。その結果、図6bに示すように、配線層3の底面絶縁層2側の表面および側面のなす角θが鋭角90°未満になりやすい。すなわち、配線層3の底部が頂部に比べて大きくなる断面形状が台形になるため、通常の製造方法では微細化に限界がある。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができる配線回路基板の製造方法を提供することを主目的とする。上記課題を解決するために、本発明者等が鋭意研究を重ねた結果、配線層の微細化のためには、図6aに示すように、エッチング深さD、レジストパターン5aの開口サイズR、導体層3Aの開口サイズWの関係に着目することが有効であることの知見を得た。中でも、配線層の微細化のためには、エッチング深さDを大きくすることが効果的であり、レジストパターン5aの厚さD5をより小さくすることで、実質的なエッチング深さD3が改善され、配線層の微細化に非常に有効であるとの知見を得た。本発明は、このような知見に基づいてなされたものである。すなわち、本発明においては、絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたパターン状導体層と、を有する前駆部材を準備する準備工程と、上記前駆部材の上記パターン状導体層側の表面にドライフィルムレジストを配置し、上記ドライフィルムレジストを加熱溶融させ、上記パターン状導体層上の上記ドライフィルムレジストの一部を上記絶縁層上に流出させるラミネート工程と、上記ドライフィルムレジストに対して露光現像を行い、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記パターン状導体層をウェットエッチングにより除去し、配線層を形成する配線層形成工程と、を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法を提供する。本発明によれば、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの一部を、絶縁層上に流出させることで、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さを薄くできる。その結果、ウェットエッチング時におけるエッチング深さの特性エッチングファクター、E/Fが向上し、配線層の断面形状が台形になることが抑制され、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができる。上記発明においては、上記ラミネート工程において、上記パターン状導体層上の上記ドライフィルムレジストの厚さを、上記パターン状導体層の厚さ以下にすることが好ましい。さらに微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができるからである。上記発明においては、上記準備工程が、上記絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層とを有する積層部材を用い、上記導体層をウェットエッチングすることにより上記前駆部材を準備する工程であることが好ましい。その後の配線層形成工程がウェットエッチングを用いる工程であるため、前駆部材の準備工程でもウェットエッチングを用いることで、同一の設備を使用することができ、工程の簡略化が図れるからである。上記発明においては、上記パターン状導体層の底面および側面のなす角度が、鋭角であることが好ましい。ラミネート工程の際に、パターン状導体層上のドライフィルムレジストが、絶縁層上に流出しやすくなるからである。上記発明においては、上記配線回路基板は、上記配線層とは反対側の上記絶縁層の表面に金属支持基板を有するサスペンション用基板であることが好ましい。本発明においては、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができるという効果を奏する。以下、本発明の配線回路基板の製造方法について詳細に説明する。本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたパターン状導体層と、を有する前駆部材を準備する準備工程と、上記前駆部材の上記パターン状導体層側の表面にドライフィルムレジストを配置し、上記ドライフィルムレジストを加熱溶融させ、上記パターン状導体層上の上記ドライフィルムレジストの一部を上記絶縁層上に流出させるラミネート工程と、上記ドライフィルムレジストに対して露光現像を行い、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記パターン状導体層をウェットエッチングにより除去し、配線層を形成する配線層形成工程と、を有することを特徴とするものである。図1は、本発明の配線回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図1においては、まず、金属支持基板1、絶縁層2および導体層3Aがこの順に積層された積層部材を用意する図1a。次に、導体層3A上にレジストパターン図示せずを形成し、そのレジストパターンから露出する導体層3Aをウェットエッチングにより除去し、パターン状導体層3Bを形成する図1b。これにより、前駆部材10aが得られる。その後、前駆部材10aのパターン状導体層3B側の表面にドライフィルムレジスト5を配置し図1c、ドライフィルムレジスト5を加熱溶融させながらプレスすることで、パターン状導体層3B上のドライフィルムレジスト5の一部を絶縁層2上に流出させる図1d。次に、ドライフィルムレジスト5に対して露光現像を行い図1e、レジストパターン5aを形成し図1f、レジストパターン5aから露出するパターン状導体層3Bをウェットエッチングにより除去し、配線層3を形成する図1g。これにより、配線回路基板10bが得られる。本発明によれば、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの一部を、絶縁層上に流出させることで、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さを薄くできる。その結果、ウェットエッチング時におけるエッチング深さの特性エッチングファクター、E/Fが向上し、配線層の断面形状が台形になることが抑制され、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができる。なお、エッチングファクターは、図6に記載された符号を用いると、E/F=2D/W-Rで規定されるものである。従来のサブトラクティブ法では、通常、1回のウェットエッチングで導体層をパターニングし、配線層を形成していた。これに対して、例えば上述した図1では、1回目のウェットエッチングで導体層からパターン状導体層を形成することで、パターン状導体層上のドライフィルムレジストが流出する場所を絶縁層上に確保できる。これにより、2回目のウェットエッチングの際に、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さを薄くでき、微細化した配線回路基板を得ることができる。なお、図1では、パターン状導体層をサブトラクティブ法で形成しているが、アディティブ法で形成しても良く、その他の方法で形成しても良い。また、上述した非特許文献1には、ドライフィルムレジストの薄膜化処理を行うことが開示されているが、厚膜ドライフィルムレジストを薬液処理等により薄膜化するため、薬液処理のための設備が必要になる。これに対して、本発明によれば、パターン状導体層の形状を利用して薄膜化しているため、薬液処理のための設備が不要であるという利点がある。なお、薄いレジストパターンを形成する手法として、例えば電着レジストを用いる方法が考えられるが、ドライフィルムレジストを用いる場合よりもコストがかかるという問題がある。また、本発明によれば、ドライフィルムレジストを用いるため、例えば液状レジストに比べて、平坦性の高いレジストパターンを得ることができ、より均一なウェットエッチングを行うことができるという利点がある。以下、本発明の配線回路基板の製造方法について、工程ごとに説明する。1.準備工程本発明における準備工程は、絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたパターン状導体層と、を有する前駆部材を準備する工程である。なお、前駆部材は、自ら作製したものであっても良く、購入したものであっても良い。前駆部材は、絶縁層と、絶縁層上に形成されたパターン状導体層と、を少なくとも有するものである。また、前駆部材は、配線層とは反対側の絶縁層の表面には、金属支持基板を有することが好ましい。例えば、後述するサスペンション用基板として有用な配線回路基板を得ることができるからである。本発明における絶縁層は、配線層パターン状導体層を保持する層である。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、特に限定されるものではなく、配線回路基板の種類に応じて異なるものであるが、例えば配線回路基板がサスペンション用基板である場合、5μm~30μmの範囲内であることが好ましく、5μm~18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm~12μmの範囲内であることがさらに好ましい。本発明におけるパターン状導体層は、絶縁層上に形成される層である。パターン状導体層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅CuおよびニッケルNiが好ましく、特に銅が好ましい。また、パターン状導体層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。なお、パターン状導体層の厚さは、特に限定されるものではなく、配線回路基板の種類に応じて異なるものである。また、パターン状導体層の形状は、特に限定されるものではないが、目的とする配線層の形状パターンに沿って形成されていることが好ましい。本発明における金属支持基板は、配線層とは反対側の絶縁層の表面に設けられるものである。金属支持基板の材料は、特に限定されるものではないが、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、特に限定されるものではなく、配線回路基板の種類に応じて異なるものであるが、例えば配線回路基板がサスペンション用基板である場合、10μm~20μmの範囲内であることが好ましい。前駆部材の形成方法は、上述した前駆部材を得ることができる方法であれば、特に限定されるものではない。前駆部材の形成方法の一例としては、いわゆるサブトラクティブ法を挙げることができる。具体的には、上記絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層とを有する積層部材を用い、上記導体層をウェットエッチングする方法を挙げることができる。通常は、ドライフィルムレジスト等を用いて、導体層上にパターン状導体層形成用のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体層をウェットエッチングにより除去する。その後の配線層形成工程がウェットエッチングを用いる工程であるため、前駆部材の準備工程でもウェットエッチングを用いることで、同一の設備を使用することができ、工程の簡略化が図れるという利点がある。前駆体の形成方法の他の例としては、いわゆるアディティブ法を挙げることができる。具体的には、上記絶縁層の表面にシード層を形成し、上記シード層上にパターン状導体層形成用のレジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記シード層上に上記パターン状導体層を形成する方法を挙げることができる。シード層の形成方法としては、例えばスパッタリング法、無電解めっき法等を挙げることができる。また、パターン状導体層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。また、本発明においては、パターン状導体層の底面および側面のなす角度が、鋭角であることが好ましい。ラミネート工程の際に、パターン状導体層上のドライフィルムレジストが、絶縁層上に流出しやすくなるからである。具体的には、図2に示すように、パターン状導体層3Bの底面絶縁層2側の表面および側面のなす角度θが鋭角90°未満であることが好ましく、55°~75°の範囲内であることがより好ましい。上記範囲内であれば、配線層の微細化を十分に図りつつ、ドライフィルムレジストの流出を発生しやすくできるからである。なお、上記サブトラクティブ法には、鋭角のθが得られやすいという利点もある。2.ラミネート工程本発明におけるラミネート工程は、上記前駆部材の上記パターン状導体層側の表面にドライフィルムレジストを配置し、上記ドライフィルムレジストを加熱溶融させ、上記パターン状導体層上の上記ドライフィルムレジストの一部を上記絶縁層上に流出させる工程である。本発明におけるドライフィルムレジストは、感光性を有するものであれば特に限定されるものではなく、ネガ型であっても良く、ポジ型であっても良いが、前者が好ましい。材料選択の幅が広いからである。また、ドライフィルムレジストとしては、アクリル系レジスト等を挙げることができる。本発明においては、減圧下で、前駆部材のパターン状導体層側の表面にドライフィルムレジストを配置することが好ましい。減圧下でドライフィルムレジストを配置することで、気泡の発生を抑制できるからである。通常のサブトラクティブ法の場合、導体層の平坦性が高いことから、常圧下でラミネートを行っても、ドライフィルムレジストと導体層との間に気泡は生じにくい。これに対して、本発明における前駆部材はパターン状導体層を有するため、常圧下でラミネートを行うと、パターン状導体層および絶縁層の平面視界面に気泡が生じやすくなる。気泡が存在すると、ウェットエッチングのエッチングレートに影響を与えることから、気泡は発生しないことが好ましい。減圧時の圧力は、大気圧よりも低ければ特に限定されるものではないが、例えば4hPa~150hPaの範囲内であることが好ましく、4.5hPa~50hPaの範囲内であることがより好ましい。本発明においては、通常、パターン状導体層上に配置されたドライフィルムレジストを加熱溶融させ、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの一部を絶縁層上に流出させる。これにより、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さをより薄くできる。その結果、ウェットエッチング時におけるエッチング深さの特性エッチングファクター、E/Fが向上し、配線層の断面形状が台形になることが抑制され、微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができる。加熱温度は、ドライフィルムレジストのガラス転移点Tgによって異なるものであるが、例えば30°C~150°Cの範囲内であることが好ましく、55°C~110°Cの範囲内であることがより好ましい。本発明においては、ドライフィルムレジストを加熱溶融させる際に、同時にプレスを行うことが好ましい。パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さをより均一にできるからである。本発明においては、液状レジストではなくドライフィルムレジストを用いてレジストパターンを形成するため、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さは比較的均一になるが、プレスを行うことで、ドライフィルムレジストの厚さをより均一にできる。プレスの方法としては、例えば平板プレス、ロールプレス等を挙げることができる。プレス圧は、パターン状導体層の厚さ等によって異なるものであるが、例えば0.1MPa~1MPaの範囲内であることが好ましく、0.2MPa~0.4MPaの範囲内であることがより好ましい。特に、本発明においては、上述した減圧、加熱およびプレスを同時に行うことが好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。このような方法としては、具体的には、真空加熱プレス等を挙げることができる。本発明において、ラミネート前のドライフィルムレジストの厚さは、パターン状導体層の厚さより大きくても良く、パターン状導体層の厚さ以下であっても良い。前者の場合、以下のような利点がある。すなわち、ドライフィルムレジストは、通常、薄くなるほど扱いにくくなるが、本発明においては、ラミネート工程において、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さを薄くできるため、扱いやすい厚膜ドライフィルムレジストを用いることができる。その結果、製品の歩留まりを向上させることができる。一方、後者の場合、以下のような利点がある。すなわち、厚膜ドライフィルムレジストは扱いやすいものの、パターン状導体層上から絶縁層上に流出するドライフィルムレジストの量が多くなる。流出するドライフィルムレジストの量が多いと、絶縁層を露出させる面積流出したドライフィルムレジストを受容するための面積を大きくする必要があり、パターン状導体層のデザイン自由度が低くなる場合がある。これに対して、ラミネート前のドライフィルムレジストが薄いと、流出するドライフィルムレジストの量が少なくなり、パターン状導体層のデザイン自由度を高くできるという利点がある。図3に示すように、パターン状導体層3Bの厚さをT3とし、ラミネート後における、パターン状導体層3B上のドライフィルムレジスト5の厚さをT5とする。T3の値は、特に限定されるものではなく、配線回路基板の種類に応じて異なるものであるが、例えば配線回路基板がサスペンション用基板である場合、5μm~18μmの範囲内であることが好ましく、5μm~12μmの範囲内であることがより好ましい。一方、T5の値も、特に限定されるものではなく、配線回路基板の種類に応じて異なるものであるが、例えば配線回路基板がサスペンション用基板である場合、3μm~20μmの範囲内であることが好ましく、3μm~10μmの範囲内であることがより好ましい。中でも、本発明においては、上記パターン状導体層上の上記ドライフィルムレジストの厚さを、上記パターン状導体層の厚さ以下にすることが好ましい。さらに微細化した配線層を有する配線回路基板を得ることができるからである。この場合、T3-T5の値は、0以上であることが好ましく、3μm~15μmの範囲内であることがより好ましく、3μm~10μmの範囲内であることがさらに好ましい。3.配線層形成工程本発明における配線層形成工程は、上記ドライフィルムレジストに対して露光現像を行い、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンから露出する上記パターン状導体層をウェットエッチングにより除去し、配線層を形成する工程である。本工程では、ラミネート工程で得られたドライフィルムレジストに対して露光現像を行う。露光現像の方法は特に限定されるものではなく、通常のフォトリソグラフィーにおける方法と同様である。通常は、フォトマスクを介した露光により、ドライフィルムレジストにパターンを転写し、その後、現像液によりドライフィルムレジストの不要部分を除去することにより、配線層形成用のレジストパターンを形成する。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、パターン状導体層に応じて適宜選択することが好ましい。例えばパターン状絶縁層の材料が銅である場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、ウェットエッチングの方法としては、特に限定されるものではないが、例えばパターン状導体層をエッチング液に浸漬させる浸漬法、パターン状導体層にエッチング液を噴霧するスプレー法、パターン状導体層を回転させエッチング液を滴下するスピン法等を挙げることができる。本発明における配線層は、微細化されたものであることが好ましい。配線層の幅は、例えば5μm~100μmの範囲内であることが好ましく、5μm~20μmの範囲内であることがより好ましい。このような範囲であれば、配線層の微細化を妨げることなく、信号伝達特性および密着性を維持できるからである。また、隣り合う配線層の間の最も短い距離最近接距離は、例えば15μm以下であることが好ましく、5μm~12μmの範囲内であることがより好ましい。このような範囲であれば、配線層がショートすることなく、微細化された配線層を得ることができるからである。また、配線層の底面絶縁層側の表面および側面のなす角度例えば図6bにおける角度θは、45°~90°の範囲内であることが好ましく、55°~85°の範囲内であることがより好ましい。このような範囲であれば、信号伝達特性および密着性が良好な、微細な配線を得ることができるからである。4.配線回路基板本発明により得られる配線回路基板は、絶縁層および配線層を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ハードディスクドライブHDDに用いられるサスペンション用基板および中継基板、ならびに、半導体パッケージ基板、液晶用フレキシブル基板等を挙げることができる。サスペンション用基板は、通常、配線層とは反対側の絶縁層の表面に、金属支持基板を有する。また、中継基板は、配線層とは反対側の絶縁層の表面に、金属支持基板を有していても良く、金属支持基板を有していなくても良い。図4は、サスペンション用基板の一例を示す模式図である。図4aはサスペンション用基板の概略平面図であり、図4bは図4aのA-A断面図である。なお、図4aでは、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図4aに示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、記録再生用素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する複数の配線層103a~103dとを有する。配線層103aおよび配線層103bは一対の配線層であり、同様に、配線層103cおよび配線層103dも一対の配線層である。これらの2つの配線層は、一方がライト書込用配線層であり、他方がリード読込用配線層である。また、図4bに示すように、このサスペンション用基板は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3を覆うように形成されたカバー層4とを有する。サスペンション用基板を製造する場合、通常は、上述した準備工程、ラミネート工程および配線層形成工程の他に、絶縁層パターニング工程および金属支持基板パターニング工程を少なくとも行う。さらに、必要に応じて配線層を覆うカバー層を形成するカバー層形成工程を行っても良い。図5は、サスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図5においては、まず、金属支持基板1、絶縁層2および導体層3Aがこの順に積層された積層部材を用意する図5a。次に、導体層3A上にレジストパターン図示せずを形成し、そのレジストパターンから露出する導体層3Aをウェットエッチングにより除去し、パターン状導体層3Bを形成する図5b。なお、この際、金属支持基板1に治具孔を同時に形成することが好ましい。これにより、前駆部材10aが得られる。次に、上述したラミネート工程および配線層形成工程を行い、パターン状導体層3Bから配線層3を形成する図5c。その後、配線層3上にカバー層4を形成する図5d、カバー層形成工程。カバー層4の材料は、特に限定されるものではないが、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂であることが好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば2μm~30μmの範囲内であることが好ましく、2μm~10μmの範囲内であることがより好ましい。カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。その後、絶縁層2を所定の方法でパターニングする図5d、絶縁層パターニング工程。絶縁層のパターニング方法としては、絶縁層上に、レジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁層をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁層の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁層の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。その後、金属支持基板1を所定の方法でパターニングし、サスペンション用基板100を得る図5e、金属支持基板パターニング工程。金属支持基板のパターニング方法としては、金属支持基板上に、レジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する金属支持基板をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持基板の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。[実施例1]まず、厚さ18μmのSUS304金属支持基板、厚さ10μmのポリイミド樹脂層絶縁層、厚さ9μmの電解銅層導体層を有する積層部材を準備した。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の導体層側の表面に配置し、パターン状導体層形成用のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体層をウェットエッチングにより除去し、レジストパターンを剥離し、パターン状導体層を形成した。次に、厚さ15μmのドライフィルムレジストを用意し、パターン状導体層側の表面に真空加熱プレスしてラミネートした。これにより、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの一部が絶縁層上に流失し、パターン状導体層上のドライフィルムレジストの厚さは5μmになった。次に、ドライフィルムレジストに対して露光現像を行い、配線層形成用のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するパターン状導体層をウェットエッチングにより除去し、レジストパターンを剥離し、配線層を形成した。配線層の幅は15μmであり、隣り合う配線層の間の最も短い距離最近接距離は10μmであった。また、配線層の底面絶縁層側の表面および側面のなす角度は85°であった。