ペロブスカイト型構造を有し、且つY、Gd、LuAl、GaO3で示される単相単結晶をホストとして含有するX線シンチレータ用材料。YAlO3で示されるペロブスカイト型単相単結晶をホストとして含有するX線シンチレータ用材料。Nd、Ho、Er、Tm、Ti及びCrからなる群から選ばれる一種又は二種以上の組み合わせからなる元素を賦活剤として含有する請求項1又は2に記載のX線シンチレータ用材料。Ndを賦活剤として含有する請求項1又は2に記載のX線シンチレータ用材料。賦活剤の濃度が0.0001~2.0000atであることを特徴とする請求項3又は4に記載のX線シンチレータ用材料。請求項1~5の何れかに記載のX線シンチレータ用材料を用いてなる放射線検出器。本発明は、従来開示されていた材料とは異なる新たな組成のX線シンチレータ用材料であって、しかも発光出力の高いシンチレータを構成することができる、新たなX線シンチレータ用材料を提供せんとするものである。本発明は、ペロブスカイト型構造を有し、且つY、Gd、LuAl、GaO3で示される単相単結晶をホストとして含有するX線シンチレータ用材料を提案する。かかるX線シンチレータ用材料は、従来開示されていた材料とは異なる組成の新たな単結晶材料であり、しかも発光出力の高いシンチレータを構成することができる。よって、本発明のX線シンチレータ用材料を用いれば、高発光出力のX線検出器を得ることができる。以下に本発明の実施形態について詳細に述べるが、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。シンチレータ用単結晶材料本実施形態のX線シンチレータ用材料以下本シンチレータ用材料というは、ホスト母体結晶としてのペロブスカイト型単結晶と、賦活剤発光中心とを含有する材料である。ホスト母体結晶としてのペロブスカイト型単結晶は、具体的にはY、Gd、LuAl、GaO3で示されるペロブスカイト型単相単結晶である。Y、Gd、LuAl、GaO3で示されるペロブスカイト型単相単結晶は、例えばMBO3M及びBに特に意味はないで示されるペロブスカイト構造を参照すると、そのMの位置に、Y、Gd及びLuらなる群から選ばれる一種又は二種以上の組み合わせからなる元素が存在してもよく、また、前記Bの位置に、Al又はGa又はこれらの両方が存在してもよいという意味である。より具体的には、例えばYAlO3、YGaO3、GdAlO3、GdGaO3、LuAlO3、LuGaO3、Y、GdAlO3、Y、GdGaO3、Gd、LuAlO3、Gd、LuGaO3、Y、LuAlO3、Y、LuGaO3、Y、Gd、LuAlO3、Y、Gd、LuGaO3などを挙げることができる。このペロブスカイト型単相単結晶は、立方晶ではなく、直方晶を呈するものである。賦活剤発光中心としては、Nd、Ho、Er、Tm、Ti及びCrからなる群から選ばれる一種又は二種以上の組み合わせを挙げることができる。中でも、得られる特性の観点から、Nd、Er及びTmが好ましい。賦活剤の濃度は、0.0001~2.0000atであるのが好ましい。賦活剤の濃度が0.0001at以上であれば、最低限の発光量を得ることでき、0.0100at以上であれば、発光量を得るための発光効率をより一層十分に得ることができる。他方、2.0000at以下であれば、濃度消光のために発光量が小さくなるのを回避することができる。かかる観点から、賦活剤の濃度は、0.0100at以上、特に0.0500at以上であるのがさらに好ましく、又、1.0000at以下であるのがさらに好ましい。具体的には、例えばNdの濃度が0.1000~1.0000atの場合、Tmの濃度が0.5000~1.0000atの場合特に好ましい。用途本シンチレータ材料を加工してシンチレータとし、このシンチレータと、ホトマルやフォトダイオードなどの光検出部とを組み合わせてX線検出器を構成することができる。中でも、本シンチレータ材料は、医療用のPET陽電子放射断層撮影装置やTOF-PETタイムオブフライト陽電子放射断層撮影装置、CTコンピュータ断層撮影装置などの各種X線検出器のシンチレータ用材料として好適に使用することができ、これを用いて各種X線検出器を構成することができる。製造方法次に、本シンチレータ材料を製造する方法について説明する。但し、本シンチレータ材料の製造方法が次に説明する方法に限定されるものではない。この際の結晶育成方法は、特に限定するものではなく、例えばBridgman-Stockbarger法BS法ともいう、CzochralskiCZ法ともいう、マイクロ引き下げ法、ゾーンメルト法、これらの改良法、その他の融液成長法等、公知の結晶育成方法を適宜採用することができる。以下、代表的なBS法とCZ法について説明する。BS法は、坩堝の中に原料を入れて融解させ、坩堝を引下げながら、坩堝底から単結晶を育成させていく方法である。結晶育成装置が比較的安価であり、大口径の単結晶を比較的に容易に育成可能であるという特徴を有している。その反面、結晶成長方位の制御が困難であり、また、結晶育成時や冷却時に無理な応力がかかるため、応力分布が結晶内に残って歪や転位が誘起され易いと言われている。他方、CZ法は、坩堝内に原料を入れて融解させ、シード種結晶を溶融液面に接触させて単結晶を回転引き上げながら育成結晶化していく方法である。CZ法は、結晶方位を特定し結晶化させることが可能であるため、目的とする結晶方位の育成が容易であると言われている。結晶育成方法の一例に係るBS法の一例についてより具体的に説明すると、破砕工程で得られた溶解凝固体破砕物に、必要に応じて種結晶を混合し、この混合物を坩堝に充填し、この坩堝を結晶成長装置内に設置し、真空排気系によって結晶成長装置内部の真空度が1×103~104Pa程度になるまで排気を行い、加熱装置によって坩堝を加熱し、坩堝に充填した原料を融解させる。坩堝内の原料が融解した後、坩堝を0.1mm/時間~3mm/時間程度の速度で徐々に鉛直下方に引き下げると、坩堝内で融液となった原料は底部付近から固化が始まり、単結晶が育成される。坩堝内の原料がすべて固化した段階で坩堝の引き下げを終了し、加熱装置により徐冷しつつ、坩堝を室温程度にまで冷却し、インゴット状の結晶を育成することができる。また、マイクロ引き下げ法については、例えば特開2006-347789号の段落0013~0030に記載された方法を参照すれば、適宜実施することができる。以上のようにして育成したインゴット状の結晶体は、必要に応じて所定の大きさ、並びに、所定の方位の表面が出現するように切り出した後、必要に応じて熱処理するのが好ましい。但し、必ずしも熱処理する必要はない。熱処理は、前記工程で育成された結晶体を容器に入れ、この容器を熱処理炉内に設置し、熱処理炉を900°C乃至1300°Cに均熱的に加熱して、固体のまま結晶体の歪を除去するのが好ましい。加熱温度を1140°C以上にすると構造変化などを引き起こしてしまうので好ましくはない。加熱時間は、約20時間以上、より好ましくは、約20時間乃至約30時間である。熱処理工程では、熱処理を経ることによって結晶の転位が減少する。そして、歪がなくなった状態を維持しながら単結晶の温度を室温に戻す。熱処理における雰囲気、すなわちアニーリングケース内の雰囲気は、真空雰囲気、或いはアルゴンAr等の不活性ガス雰囲気とすればよい。中でも、アルゴン等の不活性ガス雰囲気、その中でも、アルゴンガスにフッ素系ガスを混合注入してなる雰囲気が好ましい。また、アルゴンガス等の不活性化ガスに固体フッ化剤例えばPbF2の熱分解によるフッ素ガスが混合した雰囲気も好ましい一例である。用語の解説本発明においてX線シンチレータとは、X線を吸収し、可視光線又は可視光線に近い波長光の波長域は近紫外~近赤外にまで広がっていてもよいの電磁波を放射する物質、並びに、そのような機能を備えた放射線検出器の構成部材を意味する。本発明においてX~YX、Yは任意の数字と記載した場合、特にことわらない限りX以上Y以下の意と共に、好ましくはXより大きい或いは好ましくはYより小さいの意も包含する。また、X以上Xは任意の数字或いはY以下Yは任意の数字と記載した場合、Xより大きいことが好ましい或いはYより小さいことが好ましい旨の意図を包含する。以下、本発明の実施例について説明する。但し、本発明の範囲が下記実施例に限定されるものではない。<出力>図1に示す測定装置を使用して、出力を測定した。測定サンプルシンチレータ板は4.5mm×4.5mm厚みはサンプルごとに異なるを使用したなお、厚みのみが異なる場合、出力は略同程度になることを確認している。タングステンWからなるターゲットに、120kV、20mAの電子線を照射しX線を発生させ、このX線を測定サンプルに照射し、シンチレーション光と透過X線の出力をPINフォトダイオードHAMAMATSU社製S1723-5で測定した。次に、鉛板の穴に遮光テープを張ってシンチレーション光を遮光し、透過X線だけの出力を測定した。そして、透過X線による出力を差し引き、シンチレーション光による出力を得た。<透過率>測定サンプルシンチレータ板の上下両面を光学鏡面研磨して測定試料を作製した。各測定サンプルについて、紫外可視分光光度計日本分光株式会社製V550を使用して直線透過率Tを測定した。測定条件は、波長範囲:190nm-900nm、スキャンスピード:200nm/min、スリット幅:1nm、データモード:透過率Tとした。<X線照射による発光スペクトルの測定>次のX線照射装置と検出器を使用して、測定サンプルの発光スベクトルを測定した。X線照射装置:RIGAKU社製RINT-200040kV、40mA検出器:CCD分光器QE65000、光ファイバー使用。<XRD測定>XRD測定は、測定装置として株式会社リガク製RINT-2000を使用し、線源にはCuターゲットを用い、2θが20度から80度の範囲でXRDパターンを得た図3及び図4参照。<実施例1-6>Y2O3粉原料99.99、Al2O3粉原料99.99及びNd2O3粉原料99.99を所定量秤量し、乳鉢で混合した。得られた混合原料を、IrとReの合金からなるルツボに移し、図2に示す結晶育成装置にセットした。この際に用いた結晶育成装置は、マイクロ引き下げ法による育成を行うためのものであり、図2に示すように、坩堝と、坩堝底部に設けた細孔から流出する溶融液に接触させる種を保持すると共に下方に移動させることのできる移動機構と、坩堝を加熱する誘導加熱手段とを備えたものである。結晶育成は、次のようなマイクロ引き下げ法により行った。すなわち、ロータリーポンプで101Paに真空引きした後、Arガスを充填し、Arガスを0.5L/ninでフローした。高周波電力を徐々に印加し、YAlO3の融点1950°C以上に加熱して原料を溶融し、その溶融液を坩堝底部に設けた細孔から流出させて、該溶融液の下端を種結晶組成:YAlO3単結晶体に接触させ、該溶融液が種結晶に十分馴染んで接着したら、温度を保持しつつ移動機構の引き下げ軸を0.01~0.05mm/分で下降させ、溶融液がなくなった時点で高周波電力を徐々に下げていき、十分に時間をかけて室温まで冷却し、結晶体を得た。実施例1-6で得られた結晶体はいずれも無色透明であった。また、得られた結晶体の一部を粉砕し、XRD測定を行ったところ、実施例1-6で得られた結晶体はいずれも、化学量論組成式YAlO3で示されるイットリウムアルミニウムペロブスカイトYAPからなる単相単結晶体であり、他の相は確認されなかった。また、結晶体中のNd濃度賦活剤を、グロー放電質量分析法GD-MSにより分析したところ、表1に示す濃度であった。得られた結晶体を、所定の大きさ所定の方向に切り出して、それぞれの上記の測定サンプルとした。<実施例7-19>Y2O3粉原料99.99、Al2O3粉原料99.99及び各添加物原料を所定量秤量し、乳鉢で混合した。得られた混合原料を、IrとReの合金からなるルツボに移し、図2に示す結晶育成装置にセットした。添加物原料としては、Tm2O3粉原料99.99、Er2O3粉原料99.99、Ho2O3粉原料99.99、Cr2O3粉原料99.99を使用した。用いた結晶育成装置は実施例1と同様であり、実施例1と同様に結晶育成を行って結晶体を得た。実施例7-19で得られた結晶体はいずれも無色透明であった。また、得られた結晶体の一部を粉砕し、XRD測定を行ったところ、実施例7-19で得られた結晶体はいずれも、化学量論組成式YAlO3で示されるイットリウムアルミニウムペロブスカイトYAPからなる単相単結晶体であり、他の相は確認されなかった。また、結晶体中の各添加元素賦活剤濃度を、グロー放電質量分析法GD-MSにより分析したところ、表1に示す濃度であった。得られた結晶体を、所定の大きさ所定の方向に切り出して、それぞれの上記の測定サンプルとした。<実施例20-21>Lu2O3粉原料99.99、Y2O3粉原料99.99、Al2O3粉原料99.99及びNd2O3粉原料99.99を所定量秤量し、乳鉢で混合した。得られた混合原料を、IrとReの合金からなるルツボに移し、図2に示す結晶育成装置にセットした。用いた結晶育成装置は実施例1と同様であり、実施例1と同様に結晶育成を行って結晶体を得た。実施例20-21で得られた結晶体はいずれも無色透明であった。また、得られた結晶体の一部を粉砕し、XRD測定を行ったところ、実施例2021で得られた結晶体は化学量論組成式Lu01Y09AlO3又はLu03Y07AlO3で示されるルテチウムイットリウムアルミニウムペロブスカイトからなる単相単結晶体であり、他の相は確認されなかった。また、結晶体中のNd濃度賦活剤を、グロー放電質量分析法GD-MSにより分析したところ、表1に示す濃度であった。得られた結晶体を、所定の大きさ所定の方向に切り出して、それぞれの上記の測定サンプルとした。<実施例22-24>Lu2O3粉原料99.99、Gd2O3粉原料99.99、Al2O3粉原料99.99及び各添加物原料を所定量秤量し、乳鉢で混合した。得られた混合原料を、IrとReの合金からなるルツボに移し、図2に示す結晶育成装置にセットした。添加物原料としては、Nd2O3粉原料99.99又はTm2O3粉原料99.99を使用した。用いた結晶育成装置は実施例1と同様であり、実施例1と同様に結晶育成を行って結晶体を得た。実施例22-24で得られた結晶体はいずれも無色透明であった。また、得られた結晶体の一部を粉砕し、XRD測定を行ったところ、実施例22-24で得られた結晶体は化学量論組成式Lu06Gd04AlO3、Lu03Gd019AlO3又はLu06Gd0.399AlO3で示されるルテチウムガドリニウムアルミニウムペロブスカイトからなる単相単結晶体であり、他の相は確認されなかった。また、結晶体中の添加元素賦活剤濃度を、グロー放電質量分析法GD-MSにより分析したところ、表1に示す濃度であった。得られた結晶体を、所定の大きさ所定の方向に切り出して、それぞれの上記の測定サンプルとした。この結果、実施例1-19で得られた、化学量論組成式YAlO3で示されるイットリウムアルミニウムペロブスカイトYAPからなる単相単結晶体をホストとして含有する材料を用いることにより、発光出力の高いX線シンチレータを構成することができることが分かった。また、実施例20-24のように、YAlO3におけるYの代わりに或いはYに加えて、GdやLuを含むペロブスカイトであっても、同様の効果を得られることが分かった。さたにまた、Alの代わりにGaを含むペロブスカイトであっても同様の効果を期待することができると考えられるから、Y、Gd、LuAl、GaO3で示されるペロブスカイト型単相単結晶であれば、上記のYAlO3で示されるイットリウムアルミニウムペロブスカイトYAPからなる単相単結晶体と同様の効果を得ることができると考えることができる。また、表1の結果からすると、賦活剤の濃度が0.0100~2.0000atであれば、発光出力の高いシンチレータを構成することができ、中でも0.0500~1.0000atであれば、さらに発光出力の高いX線シンチレータを構成することができることが判明した。中でも、発光出力の観点から、例えばNdの濃度が0.1000at以上、Tmの濃度が0.5000at以上の場合に特に好ましいことが分かった。但し、これまでの試験結果からすると、賦活剤の濃度が0.0001atであれば最低限の効果を得ることが出来ると考えることができる。