"半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する電界効果型トランジスタであって、前記半導体層は表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブを含有し、前記ゲート絶縁層はポリマーおよび無機酸化物微粒子を含有し、前記無機酸化物微粒子が3~14族のいずれかに属する元素および酸素からなる無機酸化物微粒子であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。前記無機酸化物微粒子が以下の式1で示される無機酸化物を1種以上含むことを特徴とする請求項1に記載の電界効果型トランジスタ。MxOy1式中Mは3~14族に属する元素から選ばれる。Oは酸素原子を表す。また、xおよびyはそれぞれ1~4の整数を表す。前記式1において、Mがチタン、ジルコニウム、ハフニウム、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウムおよびスズからなる群より選ばれる請求項2に記載の電界効果型トランジスタ。前記無機酸化物微粒子が酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化スズ、酸化ハフニウムのいずれか1種以上を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。本発明の目的は、CNTを含有する半導体層を有する電界効果型トランジスタにおいて、高移動度高オンオフ比を維持し且つ、低ターンオン電圧低ヒステリシスを達成することである。本発明の電界効果型トランジスタは、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブを含有する半導体層、ポリマーならびに3~14族のいずれかに属する元素および酸素からなる無機酸化物微粒子を含有するゲート絶縁層、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する。本発明により、高移動度、高オンオフ比、低ターンオン電圧、低ヒステリシスを高い水準で達成した電界効果型トランジスタを提供することができる。本発明の電界効果型トランジスタについて説明する。本発明の電界効果型トランジスタは、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ以下、CNT複合体というを含有する半導体層と、ポリマーおよび無機酸化物微粒子を含有するゲート絶縁層を有することを特徴とする。半導体層がCNT複合体を含有することにより、高移動度、高オンオフ比を有するFETを得ることができる一方で、ターンオン電圧、ヒステリシスが高いという、CNTを含有する半導体層を有するFETに特有の課題があった。本発明によれば、ポリマーと無機酸化物微粒子を含有するゲート絶縁層を用いることにより、CNT複合体を含有する半導体層を備えるFETに特有の課題を大幅に改善することができる。図1~図2は、本発明のFETの例を示す模式断面図である。図1に示すFETは、ゲート絶縁層3で覆われたゲート電極2を有する基板1上に、ソース電極5およびドレイン電極6が形成され、その上に半導体層4が形成されている。図2に示すFETは、ゲート絶縁層3で覆われたゲート電極2を有する基板1上に半導体層4が形成され、その上にソース電極5およびドレイン電極6が形成されている。基板1に用いられる材料としては特に制限はないが、例えば、シリコンウエハー、ガラス、アルミナ焼結体等の無機材料、ポリイミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン等の有機材料が挙げられる。ゲート電極2、ソース電極5およびドレイン電極6に用いる材料としては特に制限はないが、例えば、酸化スズ、酸化インジウム、酸化スズインジウムITOなどの導電性金属酸化物、あるいは白金、金、銀、銅、鉄、スズ、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、パラジウム、モリブデン、アモルファスシリコンやポリシリコンなどの金属やこれらの合金、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体など、ヨウ素などのドーピングなどで導電率を向上させた導電性ポリマー、カーボンナノチューブやグラフェンなどの導電性炭素材料などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの電極材料は、単独で用いてもよいが、複数の材料を積層または混合して用いてもよい。上記ゲート電極2、ソース電極5およびドレイン電極6の形成方法としては、抵抗加熱蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、メッキ、CVD、イオンプレーティングコーティング、インクジェットおよび印刷などが挙げられるが、導通を取ることができれば特に制限されない。また電極パターンの形成方法としては、上記方法で作製した電極薄膜を公知のフォトリソグラフィー法などで所望の形状にパターン形成してもよいし、あるいは電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターン形成してもよい。ゲート絶縁層3にはポリマーおよび無機酸化物微粒子が含まれる。ゲート絶縁層3の膜厚は、薄すぎるとリーク電流の原因になり、厚すぎると得られる電界効果が不十分となるため、好ましくは50nm~3μm、より好ましくは100nm~1μmである。ゲート絶縁層3は単層でも複数層でもよい。ゲート絶縁層3の膜厚は、触針式段差計により測定できる。具体的には基板上の一部からゲート絶縁層を削りとるなどして、基板表面とゲート絶縁層表面の段差を触針式段差計にて測定する。また、1つの層を複数の絶縁性材料から形成してもよいし、複数の絶縁性材料を積層して形成しても構わない。ゲート絶縁層は、ポリマーと無機酸化物微粒子を含有する溶液または分散液を塗布し、それを乾燥することにより得ることができる。塗布法として、具体的には、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法、ドロップキャスト法などを好ましく用いることができ、塗膜厚み制御や配向制御など、得ようとする塗膜特性に応じて塗布方法を選択できる。形成した塗膜に対して、大気下、減圧下または不活性ガス雰囲気下窒素やアルゴン雰囲気下でアニーリング処理を行ってもよい。アニーリング温度としては、100~300°Cの範囲が好ましく、プラスチック基板上へのゲート絶縁膜の形成という観点から、100~200°Cであることがさらに好ましい。ゲート絶縁層3に用いられるポリマーは、溶媒に可溶性のものが好ましく、その骨格は直鎖状、環状、分岐状の何れも用いられる。また側鎖には架橋性やの官能基や、極性を有する官能基や、ポリマーの種々の特性を制御する官能基が導入されていることが好ましい。これらの特性を制御したポリマーを用いることによって、FET素子の作製工程においては例えば、塗布性、表面の平坦性、耐溶剤性、透明性、他インクの良好な濡れ性などが得られ、さらにはFET素子形成後の耐久性や安定性などに優れた、良好なFET素子を得ることができる。本発明に用いられるポリマーはFETが正常に機能する程度の絶縁性を示すものであれば特に制限はなく、例えば、ポロシロキサン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリビニルフェノール等を用いることができる。また、これらのポリマーに他のポリマーを共重合したもの、混合したものを用いることもできる。これらの何れも好ましく用いることができるが、ポリシロキサン、ポリビニルフェノールがより好ましく用いられる。ゲート絶縁層3に含まれる無機酸化物微粒子としては、3~14族のいずれかに属する元素および酸素からなる無機酸化物微粒子が用いられる。これにより高性能の電界効果型トランジスタを得ることができる。中でも、式1で表される無機酸化物の微粒子を用いることが好ましい。無機酸化物微粒子は1種類を単独で用いても、複数の種類を混合して用いてもよい。MxOy1式中Mは3~14族のいずれかに属する無機元素を表し、Oは酸素原子を表す。また、xおよびyはそれぞれ1~4の整数を表す。Mの好ましい例としては、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズが挙げられる。これら好ましい例に限らず、無機酸化物微粒子を有するゲート絶縁層では同様の効果が期待できる。特に好ましい例として、具体的には酸化ジルコニウムZrO2、酸化アルミニウムAl2O3、酸化ケイ素SiO2、酸化チタンTiO2、酸化スズSnO2、酸化ハフニウムHfO2、などが挙げられる。市販されている無機酸化物微粒子の例を以下に挙げる。酸化ジルコニウム粒子としては、数平均粒子径9nmのナノユース登録商標OZ-S30K-AC、数平均粒子径10nmのナノユースOZ-S30K、数平均粒子径30nmのナノユースOZ-S30M以上商品名、日産化学工業株製、酸化ジルコニウム粒子株高純度化学研究所製等が挙げられる。酸化ケイ素粒子としては、数平均粒子径12nmのIPA-ST、MIBK-ST、PMA-ST、数平均粒子径45nmのIPA-ST-L、数平均粒子径100nmのIPA-ST-ZL、数平均粒子径15nmのPGM-ST以上商品名、日産化学工業株製、数平均粒子径12nmのオスカル登録商標101、数平均粒子径60nmのオスカル105、数平均粒子径120nmのオスカル106、数平均粒子径5~80nmのカタロイド登録商標-S以上商品名、触媒化成工業株製、数平均粒子径16nmのクォートロン登録商標PL-2L-PGME、数平均粒子径17nmのクォートロンPL-2L-BL、クォートロンPL-2L-DAA、数平均粒子径18~20nmのクォートロンPL-2L、GP-2L以上商品名、扶桑化学工業株製、数平均粒子径100nmのシリカSiO2SG-SO100商品名、共立マテリアル株製、数平均粒子径5~50nmのレオロシール登録商標商品名、株トクヤマ製等が挙げられる。酸化ケイ素-酸化チタン複合粒子としてはオプトレイク登録商標TR-502、オプトレイクTR-503、オプトレイクTR-504、オプトレイクTR-513、オプトレイクTR-520、オプトレイクTR-527、オプトレイクTR-528、オプトレイクTR-529等が挙げられる。酸化チタン粒子としてはオプトレイクTR-505以上、商品名、触媒化成工業株製等が挙げられる。また、酸化スズ-酸化ジルコニウム複合粒子触媒化成工業株製、酸化スズ粒子株高純度化学研究所製などが挙げられる。これらの中でも特に好ましくは酸化ジルコニウム、酸化ケイ素SiO2、酸化チタンTiO2が挙げられる。無機酸化物微粒子の粒径に特に制限はないが、ゲート絶縁層の表面を平滑に保つため、数平均粒子径が100nm以下であることが好ましく、50nm以下であることがより好ましい。なお、下限としては特に制限はないが5nm以上であることが好ましい。無機酸化物微粒子の数平均粒子径は、動的光散乱法によって測定することができる。また、無機酸化物微粒子の形状に特に制限はないが、ゲート絶縁層の表面を平滑に保つためには、低アスペクト比の形状が好ましく、球状であることがより好ましい。ゲート絶縁層3における無機酸化物微粒子の含有量に特に制限はないが、ポリマー100重量部に対して1~10000重量部であるのが好ましい。ゲート絶縁層の製膜の容易さを考慮すると、10~1000重量部であるのがより好ましい。さらに100~300重量部であると、ターンオン電圧とヒステリシスを低減する十分な効果が得られるためより好ましい。ゲート絶縁層を得るために用いられる、ポリマーと無機酸化物微粒子を含有する組成物には溶媒が含まれる。溶媒としては、特に限定はされないが、エチレングリゴールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノn-ブチルエーテル、プロピレングリコールモノt-ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のエーテル類、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等のエステル類、アセチルアセトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-2-ブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、γ-ブチロラクトン、β-ブチロラクトン等の環状エステル類が挙げられる。中でも1気圧における沸点が110~200°Cの有機溶剤を含有することが好ましい。沸点が110°C以上であれば、ゲート絶縁層塗布時、溶媒の揮発が抑制されて、塗布性が良好となりまた、200°C以下であれば、膜中に残存する溶媒が少なく、耐薬品性や絶縁性に優れたゲート絶縁膜が得られる。さらに好ましくは沸点が130°C~190°Cである。これらの溶媒は、1種類を単独で用いることも2種以上を混合して用いることもできる。溶媒を2種以上用いる場合、大気圧下沸点が110°Cを下回る低沸点溶媒あるいは、大気圧下沸点が200°Cを越える高沸点溶媒を1種以上含有することも可能である。また、ポリマーと無機酸化物微粒子を含有する組成物には、さらに基板への濡れ性を改善するための界面活性剤やポリマーの硬化を促進する硬化剤架橋剤が含有されていてもよい。半導体層4には、CNT複合体、またはCNT複合体と有機半導体の混合体が用いられる。CNT複合体に用いられるCNTの長さは少なくともソース電極とドレイン電極間の距離チャネル長よりも短いことが好ましい。これよりも長い場合、電極間を短絡させる原因となる。このため、長さが少なくともソース電極とドレイン電極間の距離チャネル長よりも短いCNTを用いるか、またはCNTをチャネル長よりも短くする工程を経ることが好ましい。一般に市販されているCNTは長さに分布があり、チャネル長よりも長いCNTが含まれることがある。長いCNTを含む場合は、チャネル長よりも短くする工程を加えることで、電極間の短絡を確実に防ぐことができる。CNTの平均長さは電極間距離によるが、好ましくは5μm以下、より好ましくは1μm以下で使用される。また、CNTの直径は特に限定されないが、1nm以上100nm以下、より好ましくは50nm以下である。CNTの長さは、透過型電子顕微鏡や原子間力顕微鏡を用いて評価できる。CNTの直径は、上記電子顕微鏡のほか、共鳴ラマン散乱によっても評価できる。CNT複合体とは、CNTの表面の少なくとも一部に共役系重合体を付着したものである。共役系重合体が付着することによってCNTが溶媒中に均一に分散し、その結果、基板上でもより均一に分散することができ、高オンオフ比のFETが得られる。また、溶媒中に均一に分散することで、インクジェット法などの塗布法でも安定して使用することができる。CNTの表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着した状態とは、CNTの表面の一部、あるいは全部を共役系重合体が被覆した状態を意味する。共役系重合体がCNTを被覆できるのは、それぞれの共役系構造に由来するπ電子雲が重なることによって相互作用が生じるためと推測される。CNTが共役系重合体で被覆されているか否かは、X線光電子分光XPSなどの元素分析によって、付着物の存在とCNTに対する付着物の重量比を同定することができる。CNTに共役系重合体を付着させる方法はI溶融した共役系重合体中にCNTを添加して混合する方法、II共役系重合体を溶媒中に溶解させ、この中にCNTを添加して混合する方法、IIICNTをあらかじめ超音波等で予備分散させておき、そこへ共役系重合体を添加し混合する方法、IV溶媒中に共役系重合体とCNTをいれ、この混合系へ超音波を照射して混合する方法などが挙げられる。本発明では、いずれの方法を用いてもよく、いずれかの方法を組み合わせてもよい。上記のCNTを被覆する共役重合体は、ポリチオフェン系重合体、ポリピロール系重合体、ポリアニリン系重合体、ポリアセチレン系重合体、ポリ-p-フェニレン系重合体、ポリ-p-フェニレンビニレン系重合体、ポリフルオレン系重合体などが挙げられるが、特に限定されない。上記重合体は単一のモノマーユニットが並んだもののほか、異なるモノマーユニットをブロック共重合したもの、ランダム共重合したものも用いられる。また、グラフト重合したものも用いることができる。上記重合体の中でも本発明においては、CNTへの付着が容易であり、CNT複合体を形成しやすいポリチオフェン系重合体、ポリフルオレン系重合体が好ましく使用される。以下にCNTを被覆する共役重合体の具体的な例を挙げる。ポリチオフェン系重合体としては、ポリ-チオフェン構造の骨格を持つ重合体に側鎖を有するものが好ましい。具体例としては、ポリ-3-メチルチオフェン、ポリ-3-ブチルチオフェン、ポリ-3-ヘキシルチオフェン、ポリ-3-オクチルチオフェン、ポリ-3-ドデシルチオフェンなどのポリ-3-アルキルチオフェンアルキル基の炭素数は好ましくは1~12;ポリ-3-メトキシチオフェン、ポリ-3-エトキシチオフェン、ポリ-3-ドデシルオキシチオフェンなどのポリ-3-アルコキシチオフェンアルコキシ基の炭素数は好ましくは1~12;ポリ-3-メトキシ-4-メチルチオフェン、ポリ-3-ドデシルオキシ-4-メチルチオフェンなどのポリ-3-アルコキシ-4-アルキルチオフェンアルコキシ基およびアルキル基の炭素数は好ましくは1~12;ポリ-3-チオヘキシルチオフェンやポリ-3-チオドデシルチオフェンなどのポリ-3-チオアルキルチオフェンアルキル基の炭素数は好ましくは1~12が挙げられ、1種もしくは2種以上を用いることができる。中でも、ポリ-3-アルキルチオフェンまたはポリ-3-アルコキシチオフェンが好ましい。前者としては特にポリ-3-ヘキシルチオフェンが好ましい。ポリフルオレン系重合体としては、ポリ9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル、ポリ{9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル-alt-[4,7-ビス3-デシロキシチエン-2-イル-2,1,3-ベンゾチアジアゾール]-5’、5’-ジイル}、ポリ{9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル-alt-ベンゾ2,1,3チアジアゾール-4,8-ジイル}、ポリ{9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル-co-ビチオフェン}}、ポリ[9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル-alt-2,5-ジメチル-1,4-フェニレンなどが挙げられる。ポリチオフェン系重合体のおよびポリフルオレン系重合体の好ましい分子量は、数平均分子量で800~100000である。また、上記重合体は必ずしも高分子量である必要はなく、直鎖状共役系からなるオリゴマーであってもよい。CNT複合体と混合して用いられる有機半導体には、半導体性を示す材料であれば分子量にかかわらず用いることができ、キャリア移動度の高い材料が好ましく用いることができる。また、有機溶媒に可溶のものがより好ましく、溶液をガラス基板やプラスチック基板に塗布することで簡便に半導体層を形成することができる。有機半導体の種類は特に限定されないが、ポリ-3-ヘキシルチオフェン、ポリベンゾチオフェンなどのポリチオフェン類、ポリ2,5-ビス2-チエニル-3,6-ジペンタデシルチエノ[3,2-b]チオフェン、ポリ4,8-ジヘキシル-2,6-ビス3-ヘキシルチオフェン-2-イルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン、ポリ4-オクチル-2-3-オクチルチオフェン-2-イルチアゾール、ポリ5,5’-ビス4-オクチルチアゾール-2-イル-2,2’-ビチオフェンなどのチオフェンユニットを主鎖中に含む化合物、ポリピロール類、ポリp-フェニレンビニレンなどのポリp-フェニレンビニレン類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリジアセチレン類、ポリカルバゾール類、ポリフラン、ポリベンゾフランなどのポリフラン類、ピリジン、キノリン、フェナントロリン、オキサゾール、オキサジアゾールなどの含窒素芳香環を構成単位とするポリヘテロアリール類、アントラセン、ピレン、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ルブレンなどの縮合多環芳香族化合物、フラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ピリジン、キノリン、フェナントロリン、オキサゾール、オキサジアゾールなどの含ヘテロ原子芳香族化合物、4,4’-ビスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノビフェニルに代表される芳香族アミン誘導体、ビスN-アリルカルバゾールまたはビスN-アルキルカルバゾールなどのビスカルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、銅フタロシアニンなどの金属フタロシアニン類、銅ポルフィリンなどの金属ポルフィリン類、ジスチリルベンゼン誘導体、アミノスチリル誘導体、芳香族アセチレン誘導体、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸ジイミド、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸ジイミドなどの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、メロシアニン、フェノキサジン、ローダミンなどの有機色素などが例として挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。中でも、チオフェン骨格を有する有機半導体が好ましい。CNT複合体は、溶媒に分散したCNT複合体分散液として使用できる。有機溶媒の具体例としては、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン等の含ハロゲン炭化水素類、デカヒドロナフタレン、デカン等の脂肪族炭化水素類、エチレングリゴールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノn-ブチルエーテル、プロピレングリコールモノt-ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のエーテル類、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、安息香酸エチル、安息香酸メチル等のエステル類、アセチルアセトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-2-ブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類、トルエン、キシレン、テトラヒドロナフタレン、1,2,3-トリメチルベンゼン、1,2,3,5-テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、γ-ブチロラクトン、β-ブチロラクトン等の環状エステル類、N-メチルピロリジノンなどが挙げられるが、これに限定されない。またCNT複合体分散液には、さらにゲート絶縁層への濡れ性を改善するための界面活性剤が含有されていてもよい。半導体層4は、CNT複合体分散液を塗布し、それを乾燥することにより得ることができる。塗布法の具体例としては、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法などを好ましく用いることができ、塗膜厚み制御や配向制御など、得ようとする塗膜特性に応じて塗布方法を選択できる。形成した塗膜に対して、大気下、減圧下または不活性ガス雰囲気下窒素やアルゴン雰囲気下でアニーリング処理を行ってもよい。アニーリング温度としては、100~300°Cの範囲が好ましく、プラスチック基板上への半導体層の形成という観点からは、100~200°Cであることがさらに好ましい。形成されたFETは、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流をゲート電圧を変化させることによって制御することができる。FETの移動度は、下記のa式を用いて算出することができる。μ=δId/δVgLD/WεrεVsdaただしIdはソースドレイン間の電流、Vsdはソースドレイン間の電圧、Vgはゲート電圧、Dは絶縁層の厚み、Lはチャネル長、Wはチャネル幅、εrはゲート絶縁層の比誘電率、εは真空の誘電率8.85×10-12F/mである。また、あるマイナスのゲート電圧におけるIdオン電流の値と、あるプラスのゲート電圧におけるIdオフ電流の値の比からオンオフ比を求めることができる。ヒステリシスは、Vgを正から負へと印加した際のId=10-8Aにおけるゲート電圧Vg1と、Vgを負から正へと印加した際のId=10-8Aにおけるゲート電圧Vg2との差の絶対値|Vg1-Vg2|から求めることができる。以下、実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されない。実施例11CNT複合体分散液の作製共役系重合体であるポリ-3-ヘキシルチオフェンアルドリッチ社製、レジオレギュラー、数平均分子量Mn:13000、以下P3HTという0.10gをクロロホルム5mlの入ったフラスコの中に加え、超音波洗浄機井内盛栄堂株製US-2、出力120W中で超音波撹拌することによりP3HTのクロロホルム溶液を得た。次いでこの溶液をスポイトにとり、メタノール20mlと0.1規定塩酸10mlの混合溶液の中に0.5mlずつ滴下して、再沈殿を行った。固体になったP3HTを0.1μm孔径のメンブレンフィルターPTFE社製:4フッ化エチレンによって濾別捕集し、メタノールでよくすすいだ後、真空乾燥により溶媒を除去した。さらにもう一度溶解と再沈殿を行い、90mgの再沈殿P3HTを得た。単層CNTCNI社製の単層カーボンナノチューブ、純度951.0mgと、上記P3HT1.0mgを10mlのクロロホルム中に加え、氷冷しながら超音波ホモジナイザー東京理化器械株製VCX-500を用いて出力250Wで30分間超音波撹拌した。超音波照射を30分間行った時点で一度照射を停止し、上記P3HTを1.0mg追加し、さらに1分間超音波照射することによって、CNT複合体分散液A溶媒に対するCNT濃度0.1g/lを得た。CNT複合体分散液A中で、P3HTがCNTに付着しているかどうかを調べるため、分散液A5mlをメンブレンフィルターを用いてろ過を行い、フィルター上にCNTを捕集した。捕集したCNTを、溶媒が乾かないうちに素早くシリコンウエハー上に転写し、乾燥したCNTを得た。このCNTを、X線光電子分光法XPSを用いて元素分析したところP3HTに含まれる硫黄元素が検出された。従って、CNT複合体分散液A中のCNTにはP3HTが付着していることが確認できた。上記CNT複合体分散液Aにo-ジクロロベンゼン沸点180°C、以下o-DCBという5mlを加えた後、ロータリーエバポレーターを用いて、低沸点溶媒であるクロロホルムを留去し、溶媒をo-DCBで置換し、CNT複合体分散液Bを得た。次に分散液Bをメンブレンフィルター孔径3μm、直径25mm、ミリポア社製オムニポアメンブレンを用いてろ過を行い、長さ10μm以上のCNTを除去した。得られたろ液にo-DCBを加えて希釈し、CNT複合体分散液C溶媒に対するCNT濃度0.06g/lとした。2絶縁層用ポリシロキサン溶液の合成メチルトリメトキシシラン61.29g0.45モル、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン12.31g0.05モル、およびフェニルトリメトキシシラン99.15g0.5モルをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート以下、PGMEAという203.36gに溶解し、これに、水54.90g、リン酸0.864gを撹拌しながら加えた。得られた溶液をバス温105°Cで2時間加熱し、内温を90°Cまで上げて、主として副生するメタノールからなる成分を留出した。次いでバス温130°Cで2.0時間加熱し、内温を118°Cまで上げて、主として水とPGMEAからなる成分を留出した後、室温まで冷却し、固形分濃度44.7重量のポリシロキサン溶液Aを得た。3ゲート絶縁材溶液の作製得られたポリシロキサン溶液Aを11.2gはかり取り、酸化ジルコニウム微粒子分散液ナノユースOZ-S30K-AC日産化学株製:酸化ジルコニウム微粒子濃度30.7重量48.9gおよびPGMEA39.9gを混合して室温で2時間攪拌して溶解し、ゲート絶縁材溶液Bポリマー固形分濃度5重量、酸化ジルコニウム微粒子固形分濃度15重量を得た。4FETの作製図1のFETを作製した。ガラス製の基板1厚み0.7mm上に、抵抗加熱法により、メタルマスクを介して、クロムを厚み5nm、続いて金を厚み50nmで真空蒸着し、ゲート電極2を形成した。次に上記2で作製したゲート絶縁材溶液Bを上記ゲート電極が形成されたガラス基板上にスピンコート塗布2000rpm×30秒し、得られたコーティング膜を窒素気流下200°C、1時間加熱処理することによって、膜厚が600nmのゲート絶縁膜を得て、ゲート絶縁層3を形成した。このゲート絶縁層が形成された基板上に、金を厚み50nmになるように真空蒸着した。次に、ポジ型レジスト溶液を滴下し、スピナーを用いて塗布した後、90°Cのホットプレートで乾燥し、レジスト膜を形成した。得られたレジスト膜に対して、露光機を用いて、フォトマスクを通して紫外線照射を行った。続いて、基板をアルカリ水溶液に浸漬し、紫外線照射部を除去し、電極形状にパターン加工されたレジスト膜を得た。得られた基板を金エッチング液アルドリッチ社製、Goldetchant,standard中に浸漬し、レジスト膜が除去された部分の金を溶解除去した。得られた基板をアセトン中に浸漬し、レジストを除去した後、純水で洗浄し、100°Cのホットプレートで30分間乾燥した。このようにして、電極の幅チャネル幅0.2mm、電極の間隔チャネル長20μm、厚み50nmの金ソースドレイン電極を得た。次に、電極が形成された基板上に、上述の1で調製したCNT複合体分散液Cをインクジェット法を用いて塗布し、ホットプレート上で窒素気流下、150°C、30分間の熱処理を行い、CNT複合体分散膜をチャネル層とするFETを作製した。この際、インクジェット装置に、簡易吐出実験セットPIJL-1クラスターテクノロジー株製を用いた。5FETの評価上記FETのゲート電圧Vgを変えたときのソースドレイン間電流Id-ソースドレイン間電圧Vsd特性を測定した。測定には半導体特性評価システム4200-SCS型ケースレーインスツルメンツ株製を用い、大気中で測定した。Vg=30~-30Vに変化させたときのVsd=-5VにおけるIdの値の変化から線形領域の移動度を求めたところ、0.56cm2/Vsecであった。また、このときのIdの最大値と最小値の比からオンオフ比を求めたところ1×105であった。Vgを30から-30Vへ掃引したときのI-Vカーブにおいて、電流Iの値が急激に起ち上がるVgの値をターンオン電圧として読みとったところ3Vであった。さらに、Id=10-8Aにおける行きと帰りのゲート電圧差の絶対値|Vg1-Vg2|からヒステリシスを求めたところ、0Vであった。結果は表1に示した。実施例2酸化ジルコニウム微粒子溶液の代わりに酸化ケイ素微粒子溶液PMA-ST日産化学株製:酸化ケイ素微粒子濃度30.7重量を用いた以外は実施例1と同様にしてFETを作製し、特性を測定した。結果は表1に示した。実施例3ポリビニルフェノールアルドリッチ社製:重量平均分子量:1100025gをPGMEA75gに溶解しポリビニルフェノール溶液Cを作製した。ポリシロキサン溶液Aの代わりにポリビニルフェノール溶液C固形分濃度25.0重量を用い、ゲート絶縁材溶液Bの調製比率をポリビニルフェノール溶液C20.0g、酸化ジルコニウム微粒子分散液48.9g、PGMEA31.1gに変更し、それぞれの固形分濃度をポリビニルフェノール5重量、酸化ジルコニウム微粒子15重量とした以外は実施例1と同様にしてFETを作製し、特性を測定した。結果は表1に示した。実施例4P3HTの代わりにポリ9,9-ジオクチルフルオレン-alt-ベンゾチアジアゾールアルドリッチ社製、Mn:10000~20000以下、F8BTというを用いた以外は実施例1と同様にしてFETを作製し、特性を測定した。結果は表1に示した。なお、F8BTは精製なしで使用した。実施例5ゲート絶縁材溶液Bの調製比率をポリシロキサン溶液A22.4g、酸化ジルコニウム微粒子分散液32.6g、PGMEA45.0gに変更し、それぞれの固形分濃度をポリシロキサン10重量、酸化ジルコニウム微粒子10重量とした以外は実施例1と同様にしてFETを作製し、特性を測定した。結果は表1に示した。実施例6酸化ジルコニウム微粒子溶液の代わりに酸化チタン微粒子溶液オプトレイクTR-505触媒化成工業株製:固形分濃度15.0重量を用い、ゲート絶縁材溶液Bの調製比率をポリシロキサン溶液A22.4g、酸化ジルコニウム微粒子分散液66.7g、PGMEA10.9gに変更し、それぞれの固形分濃度をポリシロキサン10重量、酸化チタン微粒子10重量とした以外は実施例1と同様にしてFETを作製し、特性を測定した。結果は表1に示した。比較例1ゲート絶縁材溶液Bの調製比率をポリシロキサン溶液A44.8g、PGMEA55.2gに変更し、ポリシロキサンの固形分濃度を20重量とした以外は実施例1と同様にしてFETを作製し、特性を測定した。結果は表1に示した。比較例2P3HTの代わりにF8BTを用いた以外は比較例1と同様にしてFETを作製し、特性を測定した。結果は表1に示した。また、F8BTは精製なしで使用した。比較例3ポリシロキサン溶液Aの代わりに実施例3で作製したポリビニルフェノール溶液Cを用い、ゲート絶縁材溶液Bの調製比率をポリビニルフェノール溶液C80.0g、PGMEA20.0gに変更し、ポリビニルフェノールの固形分濃度を20重量とした以外は実施例1と同様にしてFETを作製し、特性を測定した。結果は表1に示した。比較例4テトラヒドロフルフリルアルコールTHFA140g、分散剤HOA-MPL共栄社化学株製20g、無機粒子T-BTO-030Rチタン酸バリウム微粒子、戸田工業株製、平均粒子径30nm400gを混合した。次いで、ビーズミルウルトラアペックスミルUAM-015寿工業株製のベッセル内にジルコニアビーズ株ニッカトー製、YTZボール、寸法φ0.05mmを400g充填し、ローターを回転させながら、上記混合液をベッセル内に送液、循環させて無機粒子の分散を行った。ローターの周速を9.5m/sとして2時間分散し、さらにTHFAを加えて固形分濃度を30.7に調製し、チタン酸バリウム微粒子分散液Yを得た。酸化ジルコニウム微粒子溶液の代わりにチタン酸バリウム微粒子分散液Yを用いた以外は実施例1と同様にしてFETを作製し、特性を測定した。結果は表1に示した。"