"静電レンズにおいて荷電粒子ビームの偏向を制御する方法であって、前記荷電粒子ビームの中心線軌跡CRTに対して対称である場を形成する一群の未調整電圧が印加される、前記CRTに対して対称である未調整位置に設けられる複数の電極を有する対称静電レンズ構造を構築する段階と、前記一群の未調整電圧に対応する対称電界を計算する段階と、前記CRTに対して非対称である調整済み位置に前記複数の電極を配置する段階と、前記複数の電極のための一群の調整済み電圧を取得する段階と、前記荷電粒子ビームが通過する際に、前記一群の調整済み電圧を非対称レンズ構造に印加する段階とを備え、前記一群の調整済み電圧は、前記非対称である調整済み位置における前記対称電界の一群の電位に対応する、方法。前記CRTは、アークに沿っており、前記調整済み電極位置は前記CRTの下方に位置する請求項1に記載の方法。前記対称電界は、前記CRTに垂直な方向に対して均一である請求項1または2に記載の方法。前記静電レンズは、減速レンズを構成しており、前記一群の調整済み電圧は、前記荷電粒子ビームについて必要な減速を行う請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。静電レンズにおいて荷電粒子ビームの偏向を制御する方法であって、複数の上側電極および複数の下側電極を備える対称構造について一群の上側電極位置および一群の未変更の下側電極位置を取得する段階を備え、前記対称構造は、第1の一群の下側電極電圧を含む第1の一群の電圧が前記複数の上側電極および前記複数の下側電極に印加されると、第1の偏向角で、前記対称構造の中心線を規定している第1の経路に沿って、前記荷電粒子ビームの中心線軌跡を誘導する第1の偏向場を生成し、前記方法はさらに、前記対称構造の前記中心線により近い変更済み位置に前記複数の下側電極を配置する段階を備え、前記第1の一群の電圧が前記複数の上側電極および前記複数の下側電極に印加されると、前記中心線軌跡は前記第1の偏向角よりも大きい増加偏向角を規定し、前記方法はさらに、前記複数の下側電極について一群の減少電圧を推定する段階を備え、前記一群の減少電圧は、前記増加偏向角未満の減少偏向角で前記中心線軌跡を誘導し、前記方法はさらに、前記荷電粒子ビームが通過する際に、前記一群の減少電圧を非対称レンズ構造の前記複数の下側電極に印加する段階を備え、通過している前記荷電粒子ビームの前記中心線軌跡が前記減少偏向角で偏向され、前記一群の減少電圧は前記第1の一群の下側電極電圧未満である、方法。前記一群の減少電圧は、前記荷電粒子ビームについて、前記第1の一群の電圧が生成する偏向係数FHdeflよりも低い偏向係数FLdeflを生成する請求項5に記載する方法。前記一群の減少電圧が前記複数の下側電極に印加されると、前記中心線軌跡は、処理ウェハを、前記処理ウェハの中央部分で横切る請求項5または6に記載する方法。前記対称構造の中心線により近い変更済み位置に前記複数の下側電極を配置する段階は、前記複数の下側電極の少なくとも一部の位置を移動させるメカニズムを持つ前記静電レンズを用意する段階と、前記複数の下側電極の前記少なくとも一部を前記一群の未変更の下側電極位置から前記変更済み位置へと移動させる段階とを有する、請求項5から7のいずれか一項に記載する方法。荷電粒子ビームを制御する非対称静電レンズシステムであって、中心線軌跡を持つ前記荷電粒子ビームが通過する入射開口と、前記荷電粒子ビームが通過する出射開口と、複数の上側電極と、複数の下側電極とを備え、前記複数の上側電極および前記複数の下側電極は、前記荷電粒子ビームが通過する空間を画定するように配置されており、前記複数の上側電極および前記複数の下側電極は、公称偏向角で前記荷電粒子ビームの中心線軌跡を偏向するべく、一群の電圧を受け取り、前記複数の下側電極は、前記中心線軌跡が前記公称偏向角で前記出射開口を通過する場合、前記複数の上側電極よりも、前記中心線軌跡に近い経路に沿った一群の非対称位置に配置される、非対称静電レンズシステム。前記複数の下側電極のうち少なくとも一部は、複数の電極位置の間を移動する請求項9に記載の非対称静電レンズシステム。前記複数の下側電極のうち前記少なくとも一部は、駆動シャーシ上に配設される請求項10に記載の非対称静電レンズシステム。前記複数の下側電極のうち前記少なくとも一部のうち1以上は、複数の電極位置の間で回転する回転可能なカムを含む請求項10に記載の非対称静電レンズシステム。前記複数の下側電極のうち少なくとも一部は、他の下側電極からは独立して、複数の電極位置の間で移動する請求項10から12のいずれか一項に記載の非対称静電レンズシステム。機械可読格納媒体と、前記一群の調整済み電圧を前記複数の下側電極に印加する一群の電源に信号を送信するコントローラとをさらに備え、前記機械可読格納媒体には、前記一群の非対称位置と、前記複数の上側電極および前記複数の下側電極の対称構造に印加される場合、前記中心線軌跡を前記公称偏向角で誘導する前記複数の上側電極および前記複数の下側電極についての一群の未調整電圧と、コンピュータプログラムコードとが符号化されており、前記複数の上側電極および前記複数の下側電極は、前記中心線軌跡から等しい位置に離間されており、前記コンピュータプログラムコードがプロセッサによって実行されると、前記プロセッサは、前記一群の未調整電圧を前記対称構造に印加することで生成される対称電界を計算する段階と、前記複数の下側電極について一群の調整済み電圧を計算する段階とを備える方法を実行し、前記一群の調整済み電圧は、前記一群の非対称位置における前記対称電界の一群の電位に対応する、請求項9から13のいずれか一項に記載の非対称静電レンズシステム。減速レンズを構成している請求項9から14のいずれか一項に記載の非対称静電レンズシステム。約20keVより高い初期エネルギーを持つイオンビームを、約1keVから20keVの最終エネルギーまで減速し、前記非対称静電レンズシステムは、対称構造と同等の集束および偏向を前記イオンビームに発生させる請求項15に記載の非対称静電レンズシステム。前記一群の下側電極は、前記公称偏向角で前記荷電粒子ビームを偏向させる一群の第1の位置から、前記非対称静電レンズシステムの中心により近い一群の変更済み位置へと調整され、前記中心線軌跡の偏向角は、前記一群の下側電極が前記変更済み位置に設けられる場合に前記公称偏向角より大きくなる、請求項10から16のいずれか一項に記載の非対称静電レンズシステム。本発明の実施形態は、荷電粒子ビームの偏向を制御する方法を含む。当該方法は、荷電粒子ビームの中心線軌跡に対して対称である場を形成する未調整電圧が印加される、荷電粒子ビームの中心線軌跡に対して対称である未調整位置に設けられる複数の電極を有する対称静電レンズ構造を構築する段階を備える。当該方法はさらに、一群の未調整電圧に対応する対称電界を計算する段階を備える。当該方法はさらに、中心線軌跡に対して非対称である調整済み位置に複数の電極を配置する段階と、複数の電極のための一群の調整済み電圧を取得する段階とを備え、一群の調整済み電圧は、非対称な調整済み位置における対称電界の一群の電位に対応する。一群の調整済み電圧は、荷電粒子ビームが通過すると、非対称レンズ構成に印加される。本発明の別の実施形態によると、静電レンズにおいて荷電粒子ビームの偏向を制御する方法が提供される。当該方法は、複数の上側電極および複数の下側電極を備える対称構造について一群の上側電極位置および一群の未変更の下側電極位置を取得する段階を備え、対称構造は、第1の一群の下側電極電圧を含む第1の一群の電圧が上側電極および下側電極に印加されると、第1の偏向角を用いて、対称構造の中心線を規定している第1の経路に沿って、イオンビームの中心線軌跡を誘導する第1の偏向場を生成する。当該方法はさらに、対称レンズ構造の中心線により近いシフト済み位置に複数の下側電極を配置する段階を備え、第1の一群の電圧が上側電極および下側電極に印加されると、中心線軌跡は第1の偏向角よりも大きい増加偏向角を規定する。当該方法はさらに、複数の下側電極について一群の減少電圧を決定する段階を備え、一群の減少電圧は、増加偏向角未満の減少偏向角を用いて中心線軌跡を誘導し、一群の減少電圧は第1の一群の下側電極電圧未満である。本発明の別の実施形態によると、荷電粒子ビームを制御する非対称静電レンズが提供される。当該非対称静電レンズは、中心線軌跡を持つ荷電粒子ビームが通過する入射開口と、荷電粒子ビームが通過する出射開口とを備える。当該レンズは、複数の上側電極および複数の下側電極を有する一群のサプレッション電極を備える。複数の上側電極および複数の下側電極は、荷電粒子が通過する空間を画定するように、そして、レンズ中心線を画定するように相対的に配置されている。複数の上側電極および下側電極は、公称偏向角を用いて荷電粒子ビームを偏向させる一群の電圧を受け取り、中心線軌跡が公称偏向角で出射開口を通過する場合、複数の下側電極は、複数の上側電極よりも中心線軌跡に近い経路に沿った一群の非対称位置に配置されるように構成されている。添付図面を参照しつつ以下で本発明をより詳細に説明する。添付図面では、本発明の好ましい実施形態を図示している。しかし、本発明は多くの異なる形態で実現されるとしてよく、本明細書で記載する実施形態に限定されると解釈されるべきではない。逆に、記載する実施形態は、本開示が詳細且つ完全な説明となるよう記載したものであり、当業者が本発明の範囲を全て理解できるように挙げている。複数の図面にわたって、同様の参照番号は同様の構成要素を意味する。従来のレンズ構造が抱える問題を解決するべく、非対称静電レンズ構成を持つ改良されたレンズを開示する。非対称静電レンズ構造は、1以上の可変制御型のサプレッション/集束電極を備えるグレーデッド減速レンズであるとしてよい。これらの電極は、形状、曲率、位置、材料および/または構造が多岐にわたるとしてよく、それぞれ別個または独立して制御/バイアスされるので、イオンビームの形状およびエネルギーを柔軟且つ効果的に操作することができる。本明細書で説明する例は主に減速フィルタリングレンズについて説明しているが、本発明は、全体的な偏向を含む加速レンズまたは集束レンズでも実施可能である。以下に記載する説明で本発明に係る非対称静電レンズをより明確に説明することを目的として、対称静電レンズの幾つかの側面について最初に検討する。特に、従来の静電三極管減速レンズ構成を改善するための方法およびシステムは、いわゆる垂直静電エネルギーフィルタVEEFを用いて開発されている。このような方法およびシステムは、イオンビームの偏向および集束を別箇に制御することができる。このような方法およびシステムは、米国特許出願第12/348,091発明の名称:イオンビームの偏向、減速および集束を別箇に制御する方法、出願日:2009年1月2日および米国特許出願第12/647,950号発明の名称:グレーデッド静電レンズ内で荷電粒子ビームの偏向を制御する方法およびシステム、出願日:2009年12月28日に開示されている。両出願の内容はすべて、参照により本願に組み込まれる。上記の出願に開示されているVEEFレンズは、グレーデッド減速対称レンズである。当該レンズでは、イオンビームの中心線軌跡CRTに対して電極が対称に配置されており、レンズの中心線がイオンビームの中心性に一致する。一連の電極対をイオンビームの両側に配置して対向させ、上側電極のアクティブ部分が中心線軌跡から、対応する下側電極と同じ距離だけ離れるように位置決めする。具体的には、対称VEEFシステムにおいて、イオンビームを偏向する偏向電圧Vdは、以下で詳細に説明するが、イオンビームの上方および下方に配置されている電極に平等に印加される。これらの電圧は、Vu=VcrtVd、Vl=Vcrt-Vdと表される。これによって、Vd/gという偏向場が形成される。尚、gは対称電極までの距離であり、gu=gdである。また、減速場および集束場は、偏向場に重畳され、さまざまなエネルギーまたは幾何学的特性を持つイオンビームを受け入れるように変化させる。以下では、VEEF、レンズ、VEEFレンズおよび静電レンズといった用語は概して、荷電粒子ビームの角度偏向を実現するグレーデッド静電減速レンズを意味する。対称および非対称という用語は、以下でさらに詳細に説明するが、電極を対称に配置する場合と非対称に配置する場合を区別するために用いる。対称VEEF構成では偏向場および集束場を別箇に制御することが可能になるが、多くのイオンビーム条件、例えば、高パービアンスイオンビーム等の場合、高偏向場および高集束場が必要になることがあり、このような場を生成するために必要な電極電圧は、実際的でないほど高いので、誘電破壊の危険性が高くなるとしてよい。したがって、本発明は非対称VEEFに関する。しかし、対称VEEFシステムの基本的な原理の多くは本発明に係る非対称VEEFシステムにも当てはまるので、以下の説明では最初に、対称VEEFの幾つかの顕著な特徴を説明する。図3は、対称構成のVEEF300を示す側面図である。図3に示すように、グレーデッドレンズ構成300は、複数の電極対を備え、一の入口電極群302、複数のサプレッション/集束電極群304、および、一の出口電極群306を備える。各電極群は、イオンビーム30例えば、帯状イオンビームを通過させる空間/間隙を画定する。電極例えば、入口電極302、サプレッション/集束電極304、および、出口電極306は、筐体308内に設けられている。ポンプ310は、筐体308に直接的または間接的に接続されているとしてよい。ポンプ310は、高真空環境またはその他の制御された環境を実現する真空ポンプであってよい。筺体308は、1以上のブッシング312を有するとしてよい。ブッシング312は、筐体308を、他の構成要素から電気的に分離するために用いられるとしてよい。図3に示すように、入口電極群302および出口電極群306はそれぞれ、互いに電気結合されている2つの導電体を含むとしてもよいし、または、イオンビーム30を通過させるための開口を持つ一体的構造であってもよい。サプレッション/集束電極304の上側部分および下側部分は、通過するイオンビーム30を偏向するべく、電位が異なるとしてよい例えば、別々の導電体の場合。説明を簡単にするべく、各電極群は単数形で記載するとしてよい。つまり、入口電極群302は入口電極302と呼ぶとしてよく、サプレッション/集束電極群304はサプレッション/集束電極304と呼ぶとしてよく、出口電極群306は出口電極306と呼ぶとしてよい。グレーデッドレンズ構造300は7個の構成要素から成るレンズ構造として図示されているが例えば、サプレッション/集束電極群304を5個、利用する構成要素または電極の数は任意であるものと理解されたい。例えば、グレーデッドレンズ構造300は、3個から10個の電極群を利用するとしてよい。電極を通過するイオンビーム30は、ホウ素またはその他の元素を含むとしてよい。イオンビーム30の静電集束は、複数の薄い電極例えば、サプレッション/集束電極304を利用してイオンビーム経路またはイオンビームライン30に沿って電位傾斜を制御することで実現されるとしてよい。グレーデッドレンズ構造300では、過集束を回避しつつ減速比率が高くなるとしてよい。この結果、入射イオンビーム30は、出射イオンビームのエネルギーが非常に低い場合でも、より高品質のイオンビームを実現し得るエネルギー範囲で利用されるとしてよい。一例を挙げると、イオンビーム30がレンズ構造300の電極を通過すると、グレーデッドレンズ構造300の電極によって、イオンビーム30は、6keVから0.2keVへと減速され、15度で偏向されるとしてよい。本例では、エネルギー比率は30/1であるとしてよい。減速、偏向および/または集束を分けて独立して制御することは、1イオンビーム30の中心線軌跡CRTに対して電極例えば、入口電極302、サプレッション/集束電極304、および、出口電極306の対称性を維持することによって、そして、2偏向角35でCRTに沿ったポイント毎にイオンビームエネルギーを反射するべくイオンビーム30のCRTに沿って偏向電圧を変化させることによって、実現され得るものと考えられたい。イオンビーム30のCRTに対する電極の対称性は、イオンビーム30に最も近い上側電極および下側電極の端部が、イオンビーム30のCRTから垂直方向に等距離または略等距離に維持される場合を指す。例えば、イオンビーム30の上側および下側の電極の電圧差例えば、Vdefz=Vupperz-Vlowerzは、電界の偏向成分例えば、Vupperz-Vlowerz/gapzが所定のポイント電極またはレンズに沿って変化するとしてよいにおいてイオンビームエネルギーに対して一定の比率/係数例えば、factorEbeamzとなるように設定されるとしてよい。例えば、これは以下の数1で表されるとしてよい。図3に図示している対称VEEFは、イオンビームの減速および偏向を別箇に行うことができる。対称VEEF電極構成のさらに詳細な内容について図4に示す。図4では、7個の内側電極および外側電極0から6の数字を付与しているが20度の偏向アークθを中心に配置されている。本例では、電極の位置は扇形に広がっており入射イオンビームの高エネルギー中性粒子が高電圧電極に当たらないようにしている、電極の角度間隔は等間隔である。最初の電極0内側電極および外側電極は、アップストリーム高エネルギーイオンビームラインにつながっており、最後の電極6内側電極および外側電極はダウンストリーム低エネルギーイオンビームラインにつながっている。アップストリームイオンビームラインとダウンストリームイオンビームラインとの間の電位差は、レンズの減速電圧である。偏向アークに沿った特定の位置における内側電極と外側電極との間の電圧差は、当該位置におけるイオンビームのCRTのエネルギーに比例している。偏向電圧差とCRTエネルギーとの間の比例関係の定数は、偏向係数Fdeflと呼ばれる。入射イオンビームラインにつながっていない最初の電極図4において1を付与しているものは、アップストリームイオンビームのプラズマ電子がイオンビームから離れないように抑制サプレッションしているので、サプレッション電極として知られている。このサプレッション電極と最後のグラウンド電極との間において、イオンビームのエネルギーは、電極2から電極5の電位に応じて小さくなる。このように減速場を漸次変化させると、イオンビームの結果的な集束点および残留エネルギー汚染ECが影響を受ける。このような漸次変化は、べき法則で説明され、以下の数2で定義されているように、一のパラメータであるαアルファによって具現化される。式中、i=レンズに沿った位置を説明するインデックス、Ecrt=各ポイントIにおけるCRTへのイオンエネルギー、Ef=イオンビームの最終エネルギー、E0=イオンビームの最初のエネルギー、Vs=サプレッション電極の位置におけるCRTの電位、および、e=電子の電荷を表す。このように、数2からは、α=1の場合、CRTのイオンのエネルギーは、E0eVsからEfまで線形に変化し、α>1の場合、図5に例示されるように、エネルギーはより急激に落ち込む。概して、αが大きいとイオンビームは急激に減速され、高エネルギー中性化イオンがウェハに到達する可能性が低くなるつまり、ECが低くなるが、αが小さいと、イオンビームの集束度が高くなる。図6は、理想的な対称VEEF構造におけるアーク状の動きの詳細を示す幾何学図を示す。内側電極と外側電極との間の電圧差によって、粒子の移動に垂直な方向に電界が発生するので、局在化した円形またはアーク状の動きが発生する。アークの曲率半径および長さおよび純偏向角は、イオンビームが内側電極と外側電極との間で中心に位置し続けるためには、レンズの幾何学的構造に合ったものでなければならないので、収差、および、集束と偏向との間の結合を最小限に抑える。FdeflがVEEFの全長にわたって一定となる場合、イオンビームの中心線軌跡CRTは、完全に円形になるとしてよく、長さLにわたって純偏向角θが得られる。したがって、対称VEEF構造において、一連の内側/外側電極対は、静電レンズの所望の偏向角θに対応するアークを実現するような間隔で設けられている一連の半径に沿って配置され得る。米国特許出願第12/348,091号および第12/647,950号は、対称VEEF構造等を利用して、荷電粒子ビームの偏向、減速および集束を制御する方法を詳しく記載している。上述した対称VEEF構造を利用する場合、対向する電極同士の間を大きく分離することが望ましいとしてよい。例えば、イオンビームはVEEFレンズで偏向されるので、電極間距離を大きくするとイオンビームが電極に当たらないようになる。しかし、対向する電極を空間的に大きく分離すると、適切なイオンビーム動作に必要な電界強度を維持するために電極電圧を増加する必要があり、上述したように、電極の安定動作を考慮して設けられた電極電圧限界値を超える可能性がある。図7は、所与の電界強度の場合に、対称VEEF構造に比べて低い電極電圧での動作が可能な電極の非対称構成によってこの問題に対処した非対称VEEF700を示す図である。VEEF700は、イオンビーム702が矢印で示す方向にレンズ内を通過する場合に、偏向角θでイオンビーム702を偏向しつつイオンビーム702を減速する減速レンズであるとしてよい。VEEF700は、イオンビーム702の集束も実現するとしてよい。レンズ702は、筐体704、入射開口706、および、出射開口708を備えるとしてよい。矢印702は、イオンビームを表すために利用されるが、イオンビーム702のCRTを示すとしてもよく、図7に図示した例では20度の角度θで偏向されている。しかし、θは、20度よりも低い値または高い値等、他の値であってもよい。レンズ700はさらに、筐体704に直接的または間接的に接続されているブッシング710およびポンプ712を有するとしてよい。ポンプ712は、高真空環境または他の制御された環境を実現する真空ポンプであってよい。ブッシング710は、筐体704を他の構成要素から電気的に分離するために用いられるとしてよい。レンズ700は、上側電極群714を備える。上側電極714は、図7に示すように、直線に沿って配置されているとしてよい。下側電極群716は、各上側電極に対応する下側電極が存在するように、設けられる。非対称VEEF700は、図4に図示し、上述した対称VEEFと同様に動作する。減速場および偏向場を画定し、且つ、イオンビーム702を集束させるべく、電圧を各電極714、716に供給するとしてよい。内側電極と外側電極との間の電圧差は偏向アークに沿った特定の位置において、偏向係数Fdeflを一定に維持するべく、この位置におけるイオンビームのCRTのエネルギーに比例するように設定されているとしてよい。対称VEEFとは異なり、下側電極群716は、対応する上側電極714よりもCRT702のより近くに配置されている。電極群はCRTのより近くに配置されるという表現は、少なくとも1つの、好ましくは、複数の下側電極716が対応する上側電極714よりもCRT702のより近くに配設されていることを意味する。図7に図示した例では、全ての下側電極716は、対応する上側電極よりもCRT702のより近くに配置される。上述した対称VEEFと同様に、各下側電極は、対応する上側電極と一対を形成するとしてよい。図7に図示した実施形態によると、下側電極および対応する上側電極は、下側電極を複数設けることで形成される曲線に沿った所与のポイントでの共通半径に沿って配設されている。電極716をCRT702により近い位置に配置することによって、上側電極と下側電極との間において半径に沿った場の強度が所定の値である場合、電極716に印加される電圧は、電極716の下方に曲線L2に沿って白丸で示した対称電極構成の場合よりも低くなる。したがって、以下で詳細に説明するが、一部の実施形態によると、VEEF700は利用する下側電極電圧を低くしても、対称VEEFと同じ電界を実現するとしてよい。他の実施形態によると、VEEF700は、対称VEEFで電極に印加される電極電位以下の電極電位を用いて、対称VEEFに比べて電界の強度を高くするために用いられるとしてよい。つまり、VEEF700では上側電極と下側電極との間の距離が短くなるので、上側電極および下側電極に対して、図7の白丸で図示した対称電極構成で用いられるのと同じ電圧を利用するとより高い強度の場が生成され得る。これは、例えば、所与の電極電圧群についてイオンビーム集束を改善する上で有用であるとしてよい。図7に図示した実施形態では対応する上側電極と下側電極との間の電極距離は一般的に入射開口706から出射開口708に向けて大きくなるが、出射開口近傍に位置している最後の電極対は、隣接する電極に比べて、上側電極と下側電極との間の距離が小さくなるように配置されているとしてよい。この後者の構成対称VEEFの場合を図4に示すは、電界終端およびプラズマ境界を制御するべく利用される。図7は上側電極が一直線上に配置されている非対称VEEFを図示しているが、本発明に応じて、同様に上側電極よりも下側電極をイオンビームのCRTのより近くに配置する他の構成を利用するとしてもよい。図7に図示したように上側電極を一列に並べた構成とする利点の1つとして、エネルギーを持った中性粒子によって発生する汚染が少なくなる点が挙げられる。エネルギーを持った中性粒子は、静電レンズにおいてエネルギー汚染ECに寄与し得ると本願発明者達によって特定されている。公知であるが、イオンビームに含まれるイオン化された種は、中性化する場合があるとしてよい。VEEF等の減速レンズおよび/または偏向レンズ内に位置しているイオンか、または、当該レンズに接近するイオンについて、中性化すると、中性化した粒子は電界の影響を受けなくなってしまう。エネルギーを持つ中性粒子は、例えば、入射開口近傍で中性化されるとしてよく、イオンビームの初期エネルギーが30keVであり、イオンビームが10keVの最終エネルギーを出射するグレーデッド減速レンズに入る場合、減速レンズに入る前の入射イオンエネルギーと同等のエネルギー、例えば、10keVから30keVを保持するとしてよい。減速場の影響を受けないので、エネルギーを持つ中性粒子は、物体に当たるまで、同じ運動エネルギーで移動するとしてよい。偏向場はエネルギーを持った中性粒子に作用しないので、中性粒子は進行経路に沿って配置された物体に衝突するまで直線状に伝搬し続けるとしてよい。対称VEEF電極の場合、上側電極がアーク状経路に沿って配置されている場合、上側電極はエネルギーを持った中性粒子が当たる可能性が高い図3を参照のこと。このようなエネルギーを持った中性粒子は、中性粒子のエネルギー自体が大きく変動し、通常は公称注入エネルギーより大きくなるので、出射開口を通って反射され、イオンビームで処理しているウェハに当たり、ウェハ内のエネルギー汚染の要因となるとしてよい。上側電極を一列に並べる構成を採用することによって、図7に図示した本発明の実施形態は、VEEF700を通過するエネルギーを持った中性粒子のターゲットが少なくなる。例えば、位置Aで中性化されたイオンは、進行方向が概して上側電極714の列に平行になるとしてよい。したがって、中性粒子は上側電極714には衝突せず、ウェハに向かって外向きに反射される可能性も低くなるとしてよい。また、下側電極716は、非対称構成でも、CRT702から逸れるように配置されているので、CRT702に沿って進む間に中性化されるイオンのターゲットが少なくなる。このため、下側電極716は、エネルギーを持った中性粒子と電極とが衝突することによってECが増加する危険性を回避しつつ、CRT702により近接させて配置されるとしてよい。実施形態例では、上側電極と下側電極との間の離間距離は、入射開口の近傍において約50mmから100mmであるとしてよく、出射開口の近傍において約100mmから200mmであってよい。一部の実施形態によると、下側電極716は、上側電極714よりも、CRT702に約5mmから25mm近くなるように配置されるとしてよく、例えば、13mm近くなるように配置されるとしてよい。図8Aおよび図8Bは、初期エネルギーが30keVで出射エネルギーが10keVであるヒ素イオンビームについて、7個の電極対を備える対称構造と非対称構造との間でVEEF電圧パラメータおよび性能シミュレーションを比較する。対称構造図8Aおよび非対称構造図8Bのいずれについても、αは0.1に設定されており、高集束イオンビームであることが分かる。同様に、対称構造における上側電極に印加される電圧は、非対称構造と同じであり、どちらの上側電極群も一列に配置されている。さらに、電極電圧は、いずれの構造でもCRTを20度の角度で偏向させるように構成される。対称電極構造では、最初の電極対における上側電極と下側電極との間の距離は約80mmであり、次の電極対から最後の電極対については約160mmまで大きくなる。非対称電極構造では、各電極対の上側電極と下側電極との間の間隔は、対称構造における対応する電極対よりも約13mm小さくしている。したがって、非対称構造において、下側電極は、最初の電極位置においてCRTから約27mm離れており、上側電極はCRTから約40mm離れている。どちらの場合も、イオンビーム電流プロフィールは、イオンビームがレンズに入る直前のポイントAで表されているポイントZ=30mm、および、減速後のレンズ外部であり、20度の角度で偏向されているポイントCと表されているポイントZ=644mmで測定される。どちらのVEEFにおいても、曲線802aおよび802bに示すように、最初の約20mmの直径のイオンビームは、Y=約200mmにおいて入射開口を中心とするようになる。Z=644mmにおけるダウンストリームイオンビームの直径は、曲線804a、804bに図示しているが、どちらのVEEFにおいても約60mmである。806aおよび806bを比較すると、どちらの構成でも、エネルギーを持った中性粒子のプロフィールが同様であることが分かる。最後に、曲線808aおよび808bはイオンビームエネルギーを表しており、CRTから20mmずれた位置同士の間で、イオンビームエネルギープロフィールは、対称VEEF構造でも非対称VEEF構造でも、Z方向に同様に変化している。したがって、非対称VEEF構造では、上側電極に印加される電圧が同じとすると、対称VEEF構造と非常に似た集束効果が得られる。図8Aおよび図8Bはさらに、対称構造および非対称構造で下側電極に印加した電圧も示している図10も参照のこと。最初の電極位置での電圧は、どちらも-20kVである。しかし、位置3-7において、対称構造での電圧の平均は約-35kVであるが、非対称構造での電圧の平均は約-31kVである。このように、本発明に係る非対称VEEF構成では、30keVから10keVに減速され、20度で偏向されるヒ素イオンビームの場合、大幅に低い動作電圧で同様のイオンビーム集束効果を得る。上述した例を鑑みると、一連のイオンビーム性能基準例えば、集束、偏向角、イオンビーム減速量が同じであれば、下側電極に必要な電圧が低くなるのは下側電極がイオンビームのCRTに近付くためであることが明らかである。図7を再度参照すると、下側電極716はエネルギーを持った中性粒子の経路に位置する可能性がないので、下側電極は、エネルギーを持った中性粒子との衝突を大幅に増やすことなく、上側電極714よりもはるかにCRTの近くに配置するとしてよい。所与の性能を実現する場合、下側電極に必要な電圧の低減幅は、イオンビームの機能が他のメカニズムによって劣化する程度まで下側電極群をイオンビームのCRTのより近くに移動させることによって、拡大されるとしてよい。図8Aおよび図8Bの例を利用すると、20mmの直径を持つ入射イオンビームで、対称構造において最初の電極群が80mmの離間距離を空けて配置されている場合、非対称構造で下側電極の位置を約20mmイオンビームのCRTに近づけることが可能であるとしてよい。これによって、VEEFの入射口の近傍においてイオンビーム端からの離間距離は約10mmとなる。しかし、ビーム境界の近傍における収差の影響を考慮すると、下側電極716をどの程度までCRT702に近接させるかが制限され、この制限に関しては実験またはシミュレーションで決定されるとしてよい。収差に加え、垂直ビーム分布には、スキュー通常は、形状がガウス型が発生する可能性がある。垂直角度分布もまた、イオンビームプロフィールのスキューに影響を受ける可能性があるとしてよい。このため、ビーム-電極間の離間距離を5mmとすると、適切な動作のためには小さ過ぎるとしてよい。非対称VEEF構造は、対称VEEF構造に比べて低減させた電圧で同様の性能を実現することに加えて、電極電圧が同様の場合に対称VEEFに比べて性能が高くなる。本発明の一実施例によると、非対称構造は、対称VEEF構造を用いた場合には現実的ではない偏向場を実現するために用いられるとしてよい。言い換えると、下側電極群は、図8Aで対称に配置した下側電極について図示しているように下側電極での電圧を高く維持するが、図8Bに示すように配置するとしてよい。このようにして、はるかに高い強度の偏向場を実現することができる。これは、非対称構造ではより小さい離間距離で、上側電極と下側電極との間で同じ大きさの電圧降下が発生するためである。本発明の一構成例によると、VEEFの下側電極群は、複数の位置に移動可能である。例えば、電極716は、点線で示すように位置L1およびL2の間で移動可能であるとしてよい。下側電極群は、対称VEEF構造を構成している第1の群の位置と、非対称VEEF構造を構成している第2の群の位置との間で移動可能であるとしてよい。下側電極は、複数の下側電極をまとめて移動させる駆動シャーシ上に配設されているとしてよい。下側電極を別の位置に移動させる機能によって、イオンビーム処理が柔軟に行われる。例えば、電極電圧をあまり高くする必要がないイオンビームについては、下側電極716はCRTから離して配置して、エネルギーの純度を最適化して、イオンビームが電極に近過ぎる場合に発生し得る収差を回避するとしてよい。高度の集束を必要とする高空間電荷ビーム、または、必要な偏向角で偏向するためには高い強度の電界が必要な高エネルギービームを利用する場合、下側電極716はCRTのより近くに配置されるとしてよい。これに代えて、下側電極の少なくとも一部は、他の下側電極から独立して、移動が可能であるとしてよい。例えば、本発明に応じた図4に示した対称電極構成を再度参照すると、位置6での下側電極は固定しつつ、位置0から5の下側電極を移動可能としてよい。これらの下側電極は、上側電極よりも、CRTの近くに配置するとしてよい。下側電極716は、CRT702の方向に垂直な軸に沿って回転するように構成されているとしてよい。電極714、716は、ロッド形状を持つとしてよく、ロッドの軸はイオンビーム702の方向に直交するように配置されている。電極714、716の断面は、円形、楕円形またはその他の形状であるとしてよく、電極毎に形状が異なるとしてもよい図7に図示している。下側電極は特に、断面が円形ではないとしてよく、例えば、楕円形またはカム形状であるとしてよい。これによって、電極の上面は、CRT702から距離が異なる位置の間で移動させると、回転するようになる。形状が楕円形状、カム形状またはその他の偏心形状である下側電極716は、互いに独立して回転するように構成されているとしてよいので、電極位置毎に、下側電極の電極面とCRTとの間の距離を別箇に変化させることができるようにする。このようにして、偏向角およびイオンビーム集束が調整されるとしてよい。例えば、電極を新しい位置へと回転させると、イオンビームCRTが移動可能であるとしてよい。この場合、Fdeflを低減することによって、および/または、アルファパラメータを調整することによって、近似電圧分布を印加することができる。別の実施形態では、電極位置は、偏向場修正を適用しつつも集束電圧アルファパラメータを修正することなく、調整するとしてよい。本発明の他の実施形態によると、一群の上側電極をさまざまな位置の間で移動させることができるとしてよい。図9は、荷電粒子ビームを制御する方法を構成する段階の一例を示す図である。段階902において、一群の対称電極位置を取得する。図8Aを参照すると、対称VEEF構造を定義する一群の上側電極位置および下側電極位置を、シミュレーションまたは公知の設計から取得するとしてよい。例えば、ユーザは、電極を対称に配置している従来のVEEF構造を修正したいと考えている場合がある。段階904において、静電モデルに基づき、段階902で取得された対称VEEF構造を用いて電界を算出する。この段階は、イオンビームプラズマ境界を考慮しつつ2次元静電場を算出するコンピュータモデルを用いて実行するとしてよい。コンピュータが生成した2次元静電場の一例を図8Aおよび図8Bに示す。算出された静電場は、必要な集束を実現するために必要な電圧等、イオンビーム要件に基づいて算出されているとしてよい。算出された電場は、イオンビームがVEEFの公称偏向角で偏向される場合に対称VEEF構造の上側電極および下側電極に対して対称に位置するCRTを生成するとしてよい。この公称偏向角は、入射イオンビームと、CRTが出射開口の中心を通って出射する場合に得られる出射イオンビームとの間の角度であってよい。段階906において、一群の調整済み下側電極位置を取得する。一群の調整済み下側電極位置および一群の上側電極位置は、非対称VEEF構造を定義しているとしてよい。図7に示すように、調整済み下側電極位置によって、下側電極は、CRTが公称偏向角で偏向される場合に、上側電極よりCRTの近くに配置されるようになる。調整済み下側電極位置を決定する際に考慮する項目には、収差およびECを低く維持する必要性、ならびに、垂直ビーム分布のスキューを発生させないようにする必要性が含まれている。段階908において、調整済み下側電極位置に対応する一群の調整済み下側電極電圧を算出する。段階904で算出された電場に基づき、VEEFシステムにおける軸方向電位分布を任意の特定の半径に沿って算出するとしてよい。図10は、5個の異なる半径P2-P6に沿って配置された電極位置についての2次元マップを概略的に図示している。図示した位置は、例えば、図8Aおよび図8Bに図示した30keVのAsイオンビームの減速のシミュレーションで用いた電極位置に対応するとしてよい最初および最後の電極対は図示していない。図10の表データは、対称構造および非対称構造の両方について図示されており、図8Aおよび図8Bに図示しているように、7個の異なる電極対の位置での電極電圧に対応する。図から分かるように、調整済み下側電極位置について算出された調整済み電圧は、対称構造について算出された下側電極電圧よりもはるかに低い。図10に示したマップの例では、位置P3における上側電極および下側電極は、半径Rに沿って配置されており、当該半径が曲線L1、L2、およびL3を横切る位置において一群の電位V1、V2、V3が決定されているとしてよい。これらの曲線は、特定の距離を表しているとしてもよい。Rに沿った電位マップに基づき、Rに沿った位置であればどの位置における電圧も算出することができる。このため、電極のY-Z座標が特定されれば、Rに沿って配置されている下側電極に対応する電圧を決定することができる。電極位置P3について、図10に図示されている例では、下側電極は、曲線L1がRを横切る位置にある。したがって、調整済み電極位置における下側電極に割り当てられる電圧は、V1であるとしてよい。対応する電位がマッピングされていないY-Z座標に電極の座標がある場合には、この電位は任意の適切な方法、例えば、マッピング関数を用いて決定するとしてよい。明らかであるが、電圧V1-31,391は、対称構造の場合の対応する電圧V2-35,500よりもはるかに低い。位置P4-P7についても同様の結果が得られることは明らかである位置P7は、2次元マップには図示されていない。段階910において、一群の上側電極電圧および調整済み下側電極電圧は、上側電極構造を構成する上側電極、および、調整済み下側電極位置に配置されている下側電極を含むVEEF電極に印加されるとしてよい。本明細書で説明する方法は、上述した図9の段階を備える方法等、例えば、命令を実行可能な機械で読出可能なコンピュータ読出可能格納媒体で複数の命令から成るプログラムを有形に具現化することによって、自動化されるとしてよい。このような機械の一例としては、汎用コンピュータが挙げられる。関連技術分野で公知の適切な格納媒体の例を挙げると、これらに限定されないが、読出可能CDまたは書込可能CD等のデバイス、フラッシュメモリチップ例えば、サムドライブ、さまざまな磁気格納媒体等がある。本発明に係る方法は、図9に図示した方法等、イオンビームの減速、集束および偏向の組み合わせを改良するためのさまざまな試みで利用されるとしてよい。例えば、高エネルギーから比較的低いエネルギーまで多岐にわたるイオンビーム条件において効果的に動作し得る静電レンズを提供することが望ましいとしてよい。したがって、本発明の実施形態では、図9に図示した方法は、図7を参照しつつ上述したように、下側電極群が移動可能であるVEEFシステムで利用されるとしてよい。このため、低エネルギーイオンビーム、または、必要な集束が小さいイオンビームについては、移動可能な電極を、対称電極構造を実現する第1の群の位置で利用するとしてよい。同じVEEFシステムを高エネルギーイオンビームについて利用する場合、下側電極を第2の群の電極位置に移動させるとしてよい。そして、第2の群の電極位置についての電極電圧は、図9に示した方法に基づいて算出されるとしてよい。算出された電圧は、高エネルギーイオンビームを利用する場合に、新しい電極構造に対して印加されるとしてよい。これに代えて、図9に示した段階は、固定電極を備える非対称VEEF構造を設計するために利用されるとしてよい。固定電極構造は、高偏向場が必要となるような、高エネルギー、高パービアンスビーム等の厳しいイオンビーム条件専用になるよう対称VEEF構造を適応化させたものであるとしてよい。図11は、別の実施形態に係る荷電粒子ビームの偏向を制御する方法を構成する段階の一例を示す図である。イオンビームエネルギーが高くなると必要な偏向場が高くなるので、対称VEEF構造で用いられるイオンビームエネルギーは、下側電極に安全に印加され得る最大電圧によって制限されるとしてよい。したがって、第1の群の条件、例えば、低イオンビームエネルギー条件でのVEEF動作は、必要な偏向および集束を実現するために下側電極に印加する必要がある電圧は、対称VEEF構造を用いる場合にも超過しないので、満足のいくレベルであるとしてよい。第2の群の条件、例えば、高イオンビームエネルギー条件での動作がその後必要になれば、図11に示す方法は、大規模なコンピュータモデル化に頼ることなく、ビーム挙動を調整する便利な手段を提供する。段階1102において、段階902と同様に、対称VEEF構造に対応する一群の対称電極位置を取得する。対称VEEF構造において、イオンビームのCRTは、第1の群の電圧を用いて、第1の偏向角で誘導される。この偏向角は、CRTが、レンズの中心線に沿って進み、出射開口の中心でVEEFから出射して、処理ウェハの所望の位置に衝突するという条件に対応しているとしてよい。段階1104において、下側電極は、上側電極よりもVEEF中心に近くに、非対称構造にしたがって配置される。例えば、移動可能な下側電極を備えるVEEFにおいて、レンズの中心線により近い一群の変更済み位置が選択されるとしてよい。そして、下側電極を変更済み位置に移動させる機構に信号が送信されるとしてよい。このようにすると、一群の電極電圧が同じであるとすると、イオンビームのCRTは、増加した偏向角で偏向される。この増加偏向角では、下側電極をレンズ中心線に向かって移動させた後であれば、CRTが下側電極に近づく。図12は、下側電極の位置を移動させつつも、上側電極714および下側電極716に印加する電圧が一定である場合を説明するための図である。下側電極716の第1の群の位置は、曲線L2に沿っており対称構造に対応し、下側電極および上側電極の電圧は、レンズの中心線に沿って角度θでCRT702を偏向するように設定されている。電極電圧を変更することなく、下側電極を曲線L1に沿うように非対称位置へと調整すると、CRTは、偏向角が大きくなった経路702aに沿って偏向される。段階1106において、CRTの偏向角を低減するべく、一群の低減下側電極電圧を決定する。コンピュータコードを利用することなく、下側電極の近似電圧分布を決定するとしてよい。低減下側電極電圧の値は、CRTの偏向角を所望の値に低減するような偏向場の値を推定することによって、決定されるとしてよい。例えば、図12の例を再度参照すると、CRT702aが形成する角度と、CRT702が形成する角度との間の角度まで偏向角を低減することが望ましいとしてよい。CRTについて許容可能な偏向角の範囲は、出射するイオンビームが、処理すべきウェハ720の所望の部分、例えば、中心部分に、所望の角度、例えば、90度で衝突するという要件によって制限されるとしてよい。上述したように、偏向係数FdeflがVEEFの全長にわたって一定である場合、CRTは、円形アークに沿ったものとなり、全長にわたって純偏向角θとなる。本実施形態によると、非対称構造用の低減偏向係数は、非対称構造において小さくなった上側電極と下側電極との間の離間距離、および、対称構造における偏向場の値に基づいて推定されるとしてよい。低減偏向係数はこの後、CRT偏向角を許容値範囲内に低減するべく、調整済み下側電極に印加されるべき電圧を推定するために用いられる。推定された電圧は、平均偏向定数で所望の偏向角が得られている限り、VEEFを通過するCRT経路の全長にわたってFdeflが一定であるので正確に求める必要はない。段階1108において、一群の低減下側電極電圧は、所望の構造に応じてイオンビームを偏向するべく、非対称構造を構成する下側電極に印加されるとしてよい。上述した本発明に係る方法およびシステムは、VEEFシステムで偏向されるイオンビームが本質的に持つ非対称性を活用している。中性粒子が上側電極と衝突することでエネルギー汚染が発生するが、中性粒子と下側電極との衝突でエネルギー汚染が発生する可能性は低いので、本発明は、下側電極の位置および電圧を操作することによってVEEFにおけるイオンビーム特性を制御する手段を提供する。対称構造で定められているよりもレンズ中心線の近くに下側電極が配置される非対称構造を実現することによって、下側電極に印加する電圧を低減しても対称VEEF構造の性能を実現することが可能となり、および/または、対称構造で利用する下側電極電圧レベル以下で対称VEEF構造よりも高い性能を実現することができる。本発明はさらに、非対称VEEF構造を伝搬するイオンビームの偏向角およびビーム集束を増減可能である可動下側電極を設けることによって、ビーム特性を調整し易くする。本明細書で説明した機能および処理工程は、自動的に、または、全てまたは一部が、ユーザコマンドに応じて実行されるとしてよい。自動的に実行される動作段階を含むは、ユーザが直接当該動作を開始しなくても、実行可能な命令またはデバイス動作に応じて実行される。開示したシステムおよび方法は全てを網羅したものではないと考えられたい。同じ目的を達成するための他のシステムおよび方法は、本発明の原理にしたがって、考案され得る。本発明は具体的な実施形態を参照しつつ説明したが、本明細書で図示および説明した実施形態および変更例は説明を目的として挙げたものに過ぎないと理解されたい。当業者であれば、本発明の範囲から逸脱することなく現在の設計内容に対する修正を行うであろう。プロセスおよびアプリケーションは、別の実施形態では、開示したシステムの構成要素同士を結合するネットワークにアクセスする1以上の処理デバイス上に配置するとしてよい例えば、分散させるとしてよい。さらに、図示した機能および段階はいずれも、ハードウェア、ソフトウェアまたは両者の組み合わせで実現するとしてよく、開示したシステムの構成要素同士を結合するネットワーク、または、結合された別のネットワーク、例えば、インターネットの任意の位置に配置される1以上の処理デバイスに設けられるとしてよい。"