第III属窒化物ベースの発光デバイスであって、n型第III属窒化物層と、少なくとも1つの量子井戸構造を有する、前記n型第III属窒化物層上の第III属窒化物ベースの活性領域と、前記活性領域上のインジウムを含む第III属窒化物層と、前記インジウムを含む第III属窒化物層上のアルミニウムを含むp型第III属窒化物層と、前記n型第III属窒化物層上の第1の接点と、前記p型第III属窒化物層上の第2の接点とを含むことを特徴とする発光デバイス。前記インジウムを含む第III属窒化物層は、さらにアルミニウムを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記インジウムを含む第III属窒化物層は、InAlGaNを含むことを特徴とする請求項2に記載の発光デバイス。前記インジウムを含む第III属窒化物層は、InGaNを含むことを特徴とする請求項2に記載の発光デバイス。前記インジウムを含む第III属窒化物層は、約20Åから約320Åの厚みであることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記インジウムを含む第III属窒化物層は、前記活性領域に近接する領域内に存在するより、前記活性領域から遠位の領域により高いAl組成を有するInAlGaN層を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記InAlGaN層は、連続的に勾配がつけられることを特徴とする請求項6に記載の発光デバイス。前記InAlGaN層は、異なるAl組成を有する複数のInAlGaN層を含むことを特徴とする請求項6に記載の発光デバイス。前記インジウムを含む第III属窒化物層は、InxAlyGa1xyNの第1の層を含み、ここで0<x≦0.2であり、かつ0≦y≦0.4であり、さらに、InwAlzGa1wzNの第2の層を含み、ここで0<w≦0.2であり、かつy≦z<1であることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記第1の層は、約10Åから約200Åの厚みを有し、前記第2の層は、約10Åから約120Åの厚みを有することを特徴とする請求項9に記載の発光デバイス。前記第1の層は、約80Åの厚みを有し、x=0.1、およびy=0.25であり、前記第2の層は、約30Åの厚みを有し、w=0.05、およびz=0.55であることを特徴とする請求項10に記載の発光デバイス。前記第2の接点と前記アルミニウムを含むp型第III属窒化物層との間に配置されたp型第III属窒化物層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記第2の接点と前記アルミニウムを含むp型第III属窒化物層との間に配置された前記p型第III属窒化物層は、インジウムも含むことを特徴とする請求項12に記載の発光デバイス。前記アルミニウムを含むp型第III属窒化物層は、インジウムも含むことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記第1の接点と前記n型第III属窒化物層との間に配置された炭化シリコン基板をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。発光デバイスであって、基板上のn型窒化ガリウムベースの層と、少なくとも1つの量子井戸構造を有する、前記n型窒化ガリウムベースの層上の窒化ガリウムベースの活性領域と、前記活性領域上のインジウムを含む窒化ガリウムベースの層と、前記インジウムを含む窒化ガリウムベースの層上のアルミニウムを含むp型窒化ガリウムベースの層と、前記n型窒化ガリウムベースの層上の第1の接点と、前記p型窒化ガリウムベースの層上の第2の接点とを含むことを特徴とする発光デバイス。前記n型窒化ガリウム層は、前記基板上のn型AlGaN層と、前記n型AlGaN層上のn型GaN層とを含むことを特徴とする請求項16に記載の発光デバイス。前記窒化ガリウムベースの活性領域は、複数のInGaN/GaN量子井戸を含むことを特徴とする請求項17に記載の発光デバイス。前記p型窒化ガリウムベースの層は、前記インジウムを含む窒化ガリウムベースの層上のp型AlGaN層と、前記p型AlGaN層上のp型GaN層とを含み、前記第2の接点は、前記p型GaN層上にあることを特徴とする請求項18に記載の発光デバイス。前記インジウムを含む窒化ガリウムベースの層は、InxAlyGa1xyNの第1の層を含み、ここで0<x≦0.2であり、かつ0≦y≦0.4であり、さらに、InwAlzGa1wzNの第2の層を含み、ここで0<w≦0.2であり、かつy≦z<1であることを特徴とする請求項19に記載の発光デバイス。前記第1の層は、約10Åから約200Åの厚みを有し、前記第2の層は、約10Åから約120Åの厚みを有することを特徴とする請求項20に記載の発光デバイス。前記第1の層は、約80Åの厚みを有し、x=0.1、およびy=0.25であり、前記第2の層は、約30Åの厚みを有し、w=0.05、およびz=0.55であることを特徴とする請求項21に記載の発光デバイス。前記基板は、炭化シリコンを含み、前記第1の接点は、前記n型AlGaN層に対向する前記炭化シリコン基板上にあることを特徴とする請求項19に記載の発光デバイス。第III属窒化物ベースの発光デバイスを製造する方法であって、n型第III属窒化物層を形成するステップと、前記n型第III属窒化物層上に、少なくとも1つの量子井戸構造を有する第III属窒化物ベースの活性領域を形成するステップと、前記活性領域上にインジウムを含む第III属窒化物層を形成するステップと、前記インジウムを含む第III属窒化物層上にアルミニウムを含むp型第III属窒化物層を形成するステップと、前記n型第III属窒化物層上に第1の接点を形成するステップと、前記p型第III属窒化物層上に第2の接点を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。インジウムを含む第III属窒化物層を形成するステップは、インジウムおよびアルミニウムを含む第III属窒化物層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。インジウムおよびアルミニウムを含む第III属窒化物層を形成するステップは、InAlGaN層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。インジウムおよびアルミニウムを含む第III属窒化物層を形成するステップは、InGaN層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。前記インジウムを含む第III属窒化物層は、約20Åから約320Åの厚みであることを特徴とする請求項24に記載の方法。インジウムを含む第III属窒化物層を形成するステップは、前記活性領域に近接する領域内に存在するより、前記活性領域から遠位の領域により高いAl組成を有するInAlGaN層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。前記InAlGaN層は、連続的に勾配がつけられることを特徴とする請求項29に記載の方法。InAlGaN層を形成するステップは、異なるAl組成を有する複数のInAlGaN層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項29に記載の方法。インジウムを含む第III属窒化物層を形成するステップは、InxAlyGa1xyNの第1の層を形成するステップを含み、ここで0<x≦0.2であり、かつ0≦y≦0.4であり、さらに、InwAlzGa1wzNの第2の層を形成するステップを含み、ここで0<w≦0.2であり、かつy≦z<1であることを特徴とする請求項24に記載の方法。前記第1の層は、約10Åから約200Åの厚みを有し、前記第2の層は、約10Åから約120Åの厚みを有することを特徴とする請求項32に記載の方法。前記第1の層は、約80Åの厚みを有し、x=0.1、およびy=0.25であり、前記第2の層は、約30Åの厚みを有し、w=0.05、およびz=0.55であることを特徴とする請求項33に記載の方法。前記第2の接点と前記アルミニウムを含むp型第III属窒化物層との間に配置されたp型第III属窒化物層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。前記第2の接点と前記アルミニウムを含むp型第III属窒化物層との間に配置された前記p型第III属窒化物層は、インジウムも含むことを特徴とする請求項35に記載の方法。前記アルミニウムを含むp型第III属窒化物層は、インジウムも含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。n型第III属窒化物層を形成するステップは、炭化シリコン基板上にn型第III属窒化物層を形成するステップを含み、第1の接点を形成するステップは、前記n型第III属窒化物層に対向する前記炭化シリコン基板上に第1の接点を形成するステップを含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。発光デバイスを製造する方法であって、基板上にn型窒化ガリウムベースの層を形成するステップと、前記n型窒化ガリウムベースの層上に、少なくとも1つの量子井戸構造を有する窒化ガリウムベースの活性領域を形成するステップと、前記活性領域上にインジウムを含む窒化ガリウムベースの層を形成するステップと、前記インジウムを含む窒化ガリウムベースの層上にアルミニウムを含むp型窒化ガリウムベースの層を形成するステップと、前記n型窒化ガリウムベースの層上に第1の接点を形成するステップと、前記p型窒化ガリウムベースの層上に第2の接点を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。n型窒化ガリウム層を形成するステップは、前記基板上にn型AlGaN層を形成するステップと、前記n型AlGaN層上にn型GaN層を形成するステップとを含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。窒化ガリウムベースの活性領域を形成するステップは、複数のInGaN/GaN量子井戸を形成するステップを含むことを特徴とする請求項40に記載の方法。p型窒化ガリウムベースの層を形成するステップは、前記インジウムを含む窒化ガリウムベースの層上にp型AlGaN層を形成するステップと、前記p型AlGaN層上にp型GaN層を形成するステップとを含み、第2の接点を形成するステップは、前記p型GaN層上に第2の接点を形成するステップを含むことを特徴とする請求項40に記載の方法。インジウムを含む窒化ガリウムベースの層を形成するステップは、InxAlyGa1xyNの第1の層を形成するステップを含み、ここで0<x≦0.2であり、かつ0≦y≦0.4であり、さらに、InwAlzGa1wzNの第2の層を形成するステップを含み、ここで0<w≦0.2であり、かつy≦z<1であることを特徴とする請求項42に記載の方法。前記第1の層は、約10Åから約200Åの厚みを有し、前記第2の層は、約10Åから約120Åの厚みを有することを特徴とする請求項43に記載の方法。前記第1の層は、約80Åの厚みを有し、x=0.1、およびy=0.25であり、前記第2の層は、約30Åの厚みを有し、w=0.05、およびz=0.55であることを特徴とする請求項44に記載の方法。前記基板は、炭化シリコンを含み、第1の接点を形成するステップは、前記n型AlGaN層に対向する前記炭化シリコン基板上に第1の接点を形成するステップを含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。高品質の窒化ガリウムを提供することにおける上述の困難性は、結果としてデバイスの効率を低減させることがある。第III族窒化物ベースのデバイスの出力を改善する試みは、デバイスの活性領域の構成を変えることを含む。そのような試みは、例えば、単一および/または二重のへテロ構造活性領域の使用を含む。同様に、複数の第III族窒化物量子井戸を有する量子井戸デバイスも記載される。そのような試みは、第III族ベースのデバイスの効率を改善するが、さらなる改善がやはり達成されることができる。本発明のいくつかの実施形態は、第III属窒化物ベースの発光デバイスおよび第III属窒化物ベースの発光デバイスを製造する方法を提供し、第III属窒化物ベースの発光デバイスは、n型第III属窒化物層と、少なくとも1つの量子井戸構造を有する、n型第III属窒化物層上の第III属窒化物ベースの活性領域と、活性領域上のインジウムを含む第III属窒化物層と、インジウムを含む第III属窒化物層上のアルミニウムを含むp型第III属窒化物層と、n型第III属窒化物層上の第1の接点と、p型第III属窒化物層上の第2の接点とを含む。本発明のさらなる実施形態において、インジウムを含む第III属窒化物層は、さらにアルミニウムを含む。例えば、インジウムを含む第III属窒化物層は、InAlGaNを含むことができる。インジウムを含む第III属窒化物層は、InGaNを含むこともできる。インジウムを含む第III属窒化物層は、約20Åから約320Åの厚みであることができる。本発明の特定の実施形態において、インジウムを含む第III属窒化物層は、活性領域に近接する領域内に存在するより、活性領域から遠位の領域により高いAl組成を有するInAlGaN層を含む。いくつかの実施形態において、InAlGaN層は、連続的に勾配をつけることができる。他の実施形態において、InAlGaN層は、異なるAlおよび/またはIn組成を有する複数のInAlGaN層を含むことができる。本発明のさらなる実施形態において、インジウムを含む第III属窒化物層は、InxAlyGa1xyNの第1の層を含み、ここで0<x≦0.2であり、かつ0≦y≦0.4であり、さらにInwAlzGa1wzNの第2の層を含み、ここで0<w≦0.2であり、かつy≦z<1である。第1の層は、約10Åから約200Åの厚みを有することができ、第2の層は、約10Åから約120Åの厚みを有することができる。特定の実施形態において、第1の層は、約80Åの厚みを有し、x=0.1、およびy=0.25であり、第2の層は、約30Åの厚みを有し、w=0.05、およびz=0.55である。本発明の追加の実施形態において、発光デバイスは、第2の接点とアルミニウムを含むp型第III属窒化物層との間に配置されたp型第III属窒化物層をさらに含む。第2の接点とアルミニウムを含むp型第III属窒化物層との間に配置されたp型第III属窒化物層は、インジウムも含むことができる。アルミニウムを含むp型第III属窒化物層は、インジウムも含むことができる。本発明のある実施形態において、発光デバイスは、第1の接点とn型第III属窒化物層との間に配置された炭化シリコン基板をさらに含む。本発明のいくつかの実施形態は、発光デバイスおよび発光デバイスを製造する方法を提供し、発光デバイスは、基板上のn型窒化ガリウムベースの層と、少なくとも1つの量子井戸構造を含む、n型窒化ガリウムベースの層上の窒化ガリウムベースの活性領域と、活性領域上のインジウムを含む窒化ガリウムベースの層と、インジウムを含む窒化ガリウムベースの層上のアルミニウムを含むp型窒化ガリウムベースの層と、n型窒化ガリウムベースの層上の第1の接点と、p型窒化ガリウムベースの層上の第2の接点とを含む。本発明の特定の実施形態において、n型窒化ガリウム層は、基板上にn型AlGaN層と、n型AlGaN層上のn型GaN層とを含む。窒化ガリウムベースの活性領域は、複数のInGaN/GaN量子井戸を含むことができる。本発明のさらなる実施形態において、p型窒化ガリウムベースの層は、インジウムを含む窒化ガリウムベースの層上のp型AlGaN層と、p型AlGaN層上のp型GaN層とを含む。第2の接点は、p型GaN層上にある。インジウムを含む窒化ガリウムベースの層は、InxAlyGa1xyNの第1の層を含むことができ、ここで0<x≦0.2であり、かつ0≦y≦0.4であり、さらに、InwAlzGa1wzNの第2の層を含むことができ、ここで0<w≦0.2であり、かつy≦z<1である。第1の層は、約10Åから約200Åの厚みを有することができ、第2の層は、約10Åから約120Åの厚みを有することができる。本発明の特定の実施形態において、第1の層は、約80Åの厚みを有し、x=0.1、およびy=0.25であり、第2の層は、約30Åの厚みを有し、w=0.05、およびz=0.55である。本発明のまださらなる実施形態において、基板は、炭化シリコンであり、第1の接点は、n型AlGaN層に対向する炭化シリコン基板上にある。本発明の他の特徴は、添付の図面とともに読むとき、本発明の特定の実施形態の以下の詳細な記載からより容易に理解されたい。本発明は、以下に、本発明の実施形態が示される添付の図面を参照して以降により完全に記載される。しかしながら、本発明は、本明細書に示される実施形態に限定されると解釈されるべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が、徹底的でありかつ完全であり、当業者に本発明の範囲を完全に伝えるように提供される。図面において、層および領域の厚みは、明瞭性のために誇張される。全体を通して、類似する符号は類似する要素を言及する。本明細書で使用されるとき、用語および/またはは、複数の関連する列挙されたアイテムの任意およびすべての組合せを含む。本明細書で使用される専門用語は、特定の実施形態だけを記載する目的のためであり、本発明を限定することを意図されない。本明細書で使用されるとき、単数形態あるaまたはanおよびそのtheは、文脈が明らかにそうでないことを示さない限り、同様に複数形態を含むことが意図される。本明細書で使用されるとき、用語含むおよび/または含んでいるは、記載される特徴、完全体integer、ステップ、動作、要素、および/または構成部品の存在を特定するが、複数の特徴、完全体、ステップ、動作、要素、構成部品、および/またはそれらのグループの存在または追加を除外しないことはさらに理解されたい。層、領域、または基板などの要素が、他の要素の上にあるまたは上に延在すると言及されるとき、それは、他の要素上に直接あることができる、または他の要素上に直接延在することができる、あるいは介在する要素が存在することもできることが理解されたい。対照的に、要素が、他の要素上に直接あるまたは上に直接に延在すると言及されるとき、介在する要素が存在しない。要素が、他の要素に接続されるまたは結合されると言及されるとき、要素が、他の要素に直接接続されまたは結合されることができ、あるいは介在する要素が存在することができることも理解されたい。対照的に、要素が、他の要素に直接接続されるまたは直接結合されると言及されるとき、介在する要素が存在しない。明細書全体を通して、類似する符号は類似する要素を言及する。第1、第2などの用語は、様々な要素、構成部品、領域、層、および/またはセクションを記述するために本明細書で使用されることができるが、これら要素、構成部品、領域、層、および/またはセクションは、これら用語によって限定されるべきではないことが理解されたい。これら用語は、一方の要素、構成部品、領域、層、またはセクションを、他方の領域、層、またはセクションと識別するためだけに使用される。したがって、以下に議論される第1の要素、構成部品、領域、層、またはセクションは、本発明の教示から逸脱することなく、第2の要素、構成部品、領域、層、またはセクションと呼ばれることができる。さらに、下方または底部および上方または頂部などの相対的な用語は、図面で示されるように他方の要素に対する一方の要素の関係を記述するために、本明細書で使用されることができる。相対的な用語は、図面に示される方向に加えてデバイスの異なる方向を含むことが意図されることが理解されたい。例えば、図面におけるデバイスが、ひっくり返されるなら、他の要素の下方側にあるように記載される要素は、他の要素の上方側に向けられる。したがって、例示的な用語下方は、図面の特定の方向に応じて下方および上方の両方の方向を含むことができる。同様に、1つの図面におけるデバイスが、ひっくり返されるなら、他の要素の下または下側として記載される要素は、他の要素の上に向けられる。したがって、例示的な用語下または下側は、上または下の両方の方向を含むことができる。本発明の実施形態は、本発明の理想化された実施形態の概略図である断面図を参照して本明細書で記載される。そのように、例えば製造技術および/または公差の結果として図示の形状からの変形が予想されるべきである。したがって、本発明の実施形態は、本明細書に示される領域の特定形状に限定されると解釈されるべきではなく、例えば製造の結果としての形状における逸脱が含まれる。例えば、矩形として示されまたは記載されるエッチングされた領域は、一般に丸められたまたは曲げられた特徴を有する。したがって、図面に示される領域は、当然概略的であり、それらの形状は、デバイスの領域の正確な形状を示すことを意図せず、かつ本発明の範囲を限定することを意図しない。他の方法で定義されない限り、本明細書で使用されるすべての用語技術および科学用語を含むは、本発明が属する技術の当業者によって一般に理解される意味と同じ意味を有する。一般に使用される辞書で定義される用語などの用語は、関連する技術の文脈におけるそれらの意味と一致する意味を有するとして解釈されるべきであり、そのように本明細書で明示的に定義されない限り、理想化されまたは過度に形式的な意味に解釈されるべきでないことはさらに理解されたい。他の特徴に隣接して配置される構造または特徴への言及は、隣接する特徴と重なり合うまたは下にある部分を有することができることも、当業者には分かるであろう。本明細書に開示されるLEDの様々な実施形態は基板を含むが、その上にLEDを含むエピタキシャル層が成長される結晶エピタキシャル成長基板は、取り除かれることができ、支えなしに立っているfreestandingエピタキシャル層は、元の基板より優れた熱的、電気的、構造的、および/または光学的特徴を有することができる置換キャリア基板またはサブマウント上に搭載されることができることは、当業者に理解されたい。本明細書に記載される発明は、結晶エピタキシャル成長基板を有する構造に限定されず、エピタキシャル層が、それらの元の成長基板から分離されかつ置換キャリア基板に結合された構造とともに使用されることができる。本発明の実施形態が、発光ダイオードLED構造40を示す図1を参照して記載される。図1のLED構造40は、好ましくは4Hまたは6Hのn型炭化シリコンである基板10を含む。基板10は、サファイヤ、バルクの窒化ガリウム、または他の適切な基板も含むことができる。基板10上の窒化ガリウムベースの半導体層を含む層状の半導体構造も、図1のLED構造40に含まれる。すなわち、示されるLED構造40は、以下の層を含む、すなわち、導電性のバッファ層11、第1のシリコンドープされたGaN層12、第2のシリコンドープされたGaN層14、シリコンドープされたGaNおよび/またはInGaNの交互層を含む超格子構造16、多重量子井戸構造によって提供されることができる活性領域18、ドープされていないGaNおよび/またはAlGaN層22、p型不純物でドープされたAlGaN層30、および同様にp型不純物でドープされたGaNコンタクト層32である。構造は、さらに、基板10上のn型オーミックコンタクト23、およびコンタクト層32上のp型オーミックコンタクト24を含む。バッファ層11は、好ましくはn型AlGaNである。炭化シリコンと第III属窒化物材料との間のバッファ層の実施例は、特許文献1、特許文献2、および本発明の譲渡者に譲渡された名称VerticalGeometryInGaNLightEmittingDiodeの特許文献3に与えられる。同様に、本発明の実施形態は、名称GroupIIINitridePhotonicDevicesonSiliconCarbideSubstratesWithConductiveBufferInterlayStructureの特許文献4に記載される構造などの構造を含むこともできる。GaN層12は、これらを含めて約500nmと4000nmとの間の厚みが好ましく、最も好ましくは約1500nmの厚みである。GaN層12は、約5×1017cm3から5×1018cm3のレベルでシリコンでドープされることができる。GaN層14は、これらを含めて約10Åと500Åとの間の厚みが好ましく、最も好ましくは約80Åの厚みである。GaN層14は、約5×1019cm3未満のレベルにシリコンでドープされることができる。図1に示されるように、本発明の実施形態による超格子構造16は、InXGa1XNおよびInYGa1YNの交互層を含み、ここで、Xは、0から1の間の値であり、XはYに等しくない。好ましくは、X=0であり、InGaNの各交互層の厚みは、これらを含めて約5Åから40Åの厚みであり、GaNの各交互層の厚みは、これらを含めて約5Åから100Åの厚みである。ある実施形態において、GaN層は、約30Åの厚みであり、InGaN層は、約15Åの厚みである。超格子構造16は、約5個から約50個の周期を含むことができる1周期は、超格子を含む各InXGa1XNおよびInYGa1YN層の1つの反復に等しい。一実施形態において、超格子構造16は、25個の周期を含む。他の実施形態において、超格子構造16は、10個の周期を含む。しかしながら、周期の数は、例えばそれぞれの層厚を増すことによって減らすことができる。したがって、例えば、層の厚みを倍にすることで、半分の数の周期とすることができる。代わりに、周期の数および厚みは、互いに無関係であり得る。好ましくは、超格子16は、約1×1017cm3から5×1019cm3のレベルでシリコンなどのn型不純物でドープされる。そのようなドーピングレベルは、超格子16の層の実際のドーピングまたは平均ドーピングであることができる。そのようなドーピングレベルが平均ドーピングレベルであるなら、隣接する層のドーピングが、隣接する層および超格子構造16を平均して超える所望の平均ドーピングを提供する、超格子構造16に隣接するドープされた層を提供することは有利であり得る。基板10と活性領域18との間に超格子16を提供することによって、その上にInGaNベースの活性領域18を成長させるための良好な表面を提供することができる。任意の動作理論に縛られることを望まないが、本発明者らは、超格子構造16内のひずみ効果が、高品質のInGaNを含む活性領域の成長を招く成長表面を提供すると考える。さらに超格子は、デバイスの動作電圧に影響することが知られている。超格子厚みおよび組成パラメータの適切な選択は、動作電圧を低減しかつ光学効率を増大することができる。超格子構造16は、構造においてより高い品質のInGaN層の成長を可能にする、窒素または他のガスの雰囲気で成長されることができる。窒素雰囲気内でシリコンドープされたGaN層上にシリコンドープされたInGaN/GaN超格子を成長することによって、最適化されたひずみを有する改善された結晶性および導電性を有する構造が、実現されることができる。本発明のある実施形態において、活性領域18は、単一または多重量子井戸構造、ならびに単一または2つのへテロ接合活性領域を含むことができる。本発明の特定の実施形態において、活性領域18は、バリア層図1に示されていないによって分離される複数のInGaN量子井戸層を含む多重量子井戸構造を含む。層22が、活性領域18上に設けられ、好ましくはこれらを含めて約0Åから120Åの厚みのドープされていないGaNまたはAlGaNである。本明細書で使用されるとき、ドープされていないとは、意図してドープされていないことを意味する。層22は、好ましくは約35Åの厚みである。層22が、AlnGaNを含むなら、そのような層におけるアルミニウムの割合は、好ましくは約10から30であり、最も好ましくは約24である。層22におけるアルミニウムのレベルは、段階的にまたは連続して低減することで勾配がつけられることもできる。層22は、層22の結晶品質を改善するために、量子井戸領域25での成長温度より高い温度で成長されることができる。ドープされていないGaNまたはAlGaNの追加層は、層22の近傍に含まれることができる。例えば、LED1は、活性領域18と層22との間に約6Åから9Åの厚みのドープされていないAlGaNの追加層を含むことができる。層22上にマグネシウムなどのp型不純物でドープされたAlGaN層30が設けられる。AlGaN層30は、これらを含めて約0Åと300Åとの間の厚みであることができ、好ましくは約130Åの厚みである。層30上にp型GaNのコンタクト層32が設けられ、好ましくは約1800Åの厚みである。p型GaNコンタクト層32および基板10上にそれぞれオーミックコンタクト24および25が設けられる。図2は、多重量子井戸活性領域を組み込む本発明のさらなる実施形態を示す。図2に示される本発明の実施形態は、基板10上に成長させられた窒化ガリウムベースの半導体層を含む層状の半導体構造100を含む。上述のように、基板10は、SiC、サファイヤ、またはバルクの窒化ガリウムであることができる。図2に示されるように、本発明の特定の実施形態によるLEDは、導電性のバッファ層11、第1のシリコンドープされたGaN層12、第2のシリコンドープされたGaN層14、シリコンドープされたGaNおよび/またはInGaNの交互層を含む超格子構造16、多重量子井戸構造を含む活性領域125、ドープされていないGaNまたはAlGaN層22、p型不純物でドープされたAlGaN層30、および同様にp型不純物でドープされたGaNコンタクト層32を含むことができる。LEDは、基板10上のn型オーミックコンタクト23、およびコンタクト層32上のp型オーミックコンタクト24を含む。基板10がサファイヤである本発明の実施形態において、n型オーミックコンタクト23は、n型GaN層12および/またはn型GaN層14上に設けられる。図1を参照して上述されたように、バッファ層11は、好ましくはn型AlGaNである。同様に、GaN層12は、これらを含めて約500nmと4000nmとの間の厚みが好ましく、最も好ましくは約1500nmの厚みである。GaN層12は、約5×1017cm3から5×1018cm3のレベルにシリコンでドープされることができる。GaN層14は、これらを含めて約10Åと500Åとの間の厚みが好ましく、最も好ましくは約80Åの厚みである。GaN層14は、約5×1019cm3未満のレベルにシリコンでドープされることができる。超格子構造16は、図1を参照して上述されたように設けられることもできる。活性領域125は、バリア層118によって分離された多重InGaN量子井戸層120を含む多重量子井戸構造を含む。バリア層118は、InXGa1XNを含み、ここで0≦X<1である。好ましくは、バリア層118のインジウム組成は、バリア層118が、量子井戸層120より大きなバンドギャップを有するように、量子井戸層120のインジウム組成より少ない。バリア層118および量子井戸層120は、ドープされないことができるすなわち、シリコンまたはマグネシウムなどの不純物原子で意図的にドープされない。しかしながら、特に紫外線放射が所望であるなら、約5×1019cm3未満のレベルにSiでバリア層118をドープすることが望ましいことがある。本発明のさらなる実施形態において、バリア層118は、AlXInYGa1XYNを含み、ここで、0<X<1、0≦Y<1、かつXY≦1である。バリア層118の結晶内にアルミニウムを含むことによって、バリア層118は、量子井戸層120に格子整合されるlattice-matchedことができ、それによって、量子井戸層120における改善された結晶品質を提供し、デバイスの発光効率を増大する。図3を参照すると、窒化ガリウムベースのデバイスの多重量子井戸構造を提供する本発明の実施形態が示される。図3に示される多重量子井戸構造は、図1および/または図2に示されるLEDの活性領域を提供することができる。図3に見られるように、活性領域225は、高い結晶品質を有する井戸支持層wellsupportlayer218a、量子井戸層220、および量子井戸層220のための保護キャップ層として機能するキャップ層218bを含む周期的な繰り返し構造221を含む。構造221が成長されるとき、キャップ層218bおよび井戸支持層218aは、隣接する量子井戸220間のバリア層をともに形成する。好ましくは、高品質の井戸支持層218aは、InGaN量子井戸層220を成長するために使用される温度より高い温度で成長される。本発明のいくつかの実施形態において、井戸支持層218aは、キャップ層218bより遅い成長速度で成長される。他の実施形態において、より低い成長速度は、より低い温度の成長プロセスの間に使用されることができ、かつより速い成長速度は、より高い温度の成長プロセスの間に使用される。例えば、InGaN量子井戸層220を成長させるための高い品質の表面を達成するために、井戸支持層218aを、約700°Cと900°Cとの間の成長温度で成長させることができる。次に、成長室の温度は、高品質のInGaN量子井戸層220の成長を許容するために約0°Cから約200°C低下される。次に、温度は、より低いInGaNの成長温度に維持される間に、キャップ層218bを成長させる。そのように、高品質のInGaN層を含む多重量子井戸領域が製造されることができる。図2および図3の活性領域125および225は、好ましくは、より高いInGaN結晶品質を提供することができる窒素雰囲気で成長される。バリア層118、井戸支持層218a、および/またはキャップ層218bは、これらを含めて約50Åと400Åとの間の厚みであることができる。井戸支持層218aおよびキャップ層218bの一方に対応する組み合わせられた厚みは、これらを含めて約50Åから400Åの厚みであることができる。好ましくは、バリア層118、井戸支持層218a、および/またはキャップ層218bは、約90Åの厚みより厚く、最も好ましくは約225Åの厚みである。また、井戸支持層218aがキャップ層218bより厚いことが好ましい。したがって、キャップ層218bは、量子井戸層220からインジウムの吸着または量子井戸層220の劣化を減少しつつ、可能な限り薄いことが好ましい。量子井戸層120および220は、これらを含めて約10Åから50Åの厚みであることができる。好ましくは、量子井戸層120および220は、約20Åの厚みより厚く、最も好ましくは約25Åの厚みである。量子井戸層120および220における厚みおよびインジウムの割合は、所望の波長の光を生成するように変えることができる。一般に、量子井戸層120および220におけるインジウムの割合は、約25から30であるが、所望の波長に応じてインジウムの割合は、約5から約50まで変えられている。本発明の好ましい実施形態において、超格子構造16のバンドギャップは、量子井戸層120のバンドギャップを超える。これは、超格子16におけるインジウムの平均割合を調整することによって達成することができる。超格子層の厚みまたは周期および層の平均インジウム割合は、超格子構造16のバンドギャップが、量子井戸120のバンドギャップより大きいように選択されるべきである。超格子16のバンドギャップを量子井戸120のバンドギャップより大きく維持することによって、デバイスにおける望ましくない吸着は最小化され、発光効率を最大化することができる。超格子構造16のバンドギャップは、約2.95eVから約3.35eVであることができる。好ましい実施形態において、超格子構造16のバンドギャップは、約3.15eVである。本発明のさらなる実施形態において、図2に示すLED構造は、超格子16と活性領域125との間に配置されるスペーサ層17を含む。スペーサ層17は、好ましくはドープされていないGaNを含む。ドープされた超格子16と活性領域125との間の任意選択のスペーサ層17の存在は、活性領域125内に組み込まれることからシリコン不純物を阻止することができる。これは、次に、より一定のデバイス性能およびより良好な均一性を提供する活性領域125の材料品質を改善することができる。同様に、スペーサ層は、超格子16と活性領域18との間とする図1に示すLED構造で提供されることもできる。図2に戻ると、活性領域125上に層22が設けられることができ、好ましくはこれらを含めて約0Åから120Åの間の厚みドープされていないGaNまたはAlGaNである。層22は、好ましくは約35Åの厚みである。層22がAlGaNを含むなら、そのような層におけるアルミニウム割合は、好ましくは約10から30であり、最も好ましくは約24である。層22におけるアルミニウムのレベルは、段階的にまたは連続して低減する態様で勾配がつけられることもできる。層22は、層22の結晶品質を改善するために、活性領域125での成長温度より高い温度で成長されることができる。ドープされていないGaNまたはAlGaNの追加層は、層22の近傍に含まれることができる。例えば、図2に示されるLEDは、活性領域125と層22との間に約6Åから9Åの厚みのドープされていないAlGaNの追加層を含むことができる。層22上にマグネシウムなどのp型不純物でドープされたAlGaN層30が設けられる。AlGaN層30は、これらを含めて約0Åと300Åとの間の厚みであることができ、好ましくは約130Åの厚みである。層30上にp型GaNのコンタクト層32が設けられ、好ましくは約1800Åの厚みである。p型GaNのコンタクト層32および基板10上にそれぞれオーミックコンタクト24および25が設けられる。p型GaNのコンタクト層32および基板10上にそれぞれオーミックコンタクト24および25が設けられる。図4は、デバイスの活性領域上にインジウムを組み込む第III属窒化物層を組み込む本発明のさらなる実施形態を示す。例えば、InAlGaNキャップ構造は設けられることができる。図4に示される本発明の実施形態は、基板10上に成長させられた窒化ガリウムベースの半導体層を含む層状の半導体構造400を含む。上述のように、基板10は、SiC、サファイヤ、またはバルクの窒化ガリウムであることができる。本発明の特定の実施形態において、基板10は、約50μmから約800μmの厚みを有するSiC基板であり、いくつかの実施形態において約100μmである。図4に示されるように、本発明の特定の実施形態によるLEDは、導電性のバッファ層11、第1のシリコンドープされたGaN層12、第2のシリコンドープされたGaN層14、シリコンドープされたGaNおよび/またはInGaNの交互層を含む超格子構造16、多重量子井戸構造を含む活性領域125、ドープされていないAlInGaN層40、p型不純物でドープされたAlGaN層30、および同様にp型不純物でドープされたGaNコンタクト層32を含むことができる。LEDは、基板10上のn型オーミックコンタクト23、およびコンタクト層32上のp型オーミックコンタクト24をさらに含むことができる。基板10がサファイヤである本発明の実施形態において、n型オーミックコンタクト23は、n型GaN層12および/またはn型GaN層14上に設けられる。図1および図2を参照して上述されたように、バッファ層11は、n型AlGaNであることができる。例えば、バッファ層11は、SiでドープされたAlGaNでドープされることができ、約100Åから10000Åの厚みを有する。ある実施形態において、厚みは約1500Åである。GaN層12は、Siでドープされることができ、これらを含めて約5000Åから50000Åの厚みを有することができ、特定の実施形態において、約18000Åの厚みである。GaN層12は、約5×1017cm3から5×1018cm3のレベルにシリコンでドープされることができる。超格子構造16は、図1を参照して上述されたように設けられることもできる。例えば、超格子構造16は、InGaN/GaNの3から35の周期を有することができる。周期の厚みは、約30Åから100Åの厚みであることができる。本発明の特定の実施形態において、InGaN/GaNの25の周期には、約70Åである層の周期の厚みを有し、および残りを形成する他の層を有する約15ÅであるGaNまたはInGaN層の厚みが与えられる。活性領域325は、バリア層318によって分離された複数のInGaN量子井戸層320を含む多重量子井戸構造を含むことができる。バリア層318は、InXGa1XNを含み、ここで0≦X<1である。好ましくは、バリア層318のインジウム組成は、バリア層318が、量子井戸層320より大きなバンドギャップを有するように、量子井戸層320のインジウム組成より少ない。バリア層318および量子井戸層320は、ドープされないことができるすなわち、シリコンまたはマグネシウムなどの不純物原子で意図的にドープされない。しかしながら、特に紫外線放射が所望であるなら、5×1019cm3未満のレベルにSiでバリア層318をドープすることが望ましいことがある。本発明のさらなる実施形態において、バリア層318は、AlXInYGa1XYNを含み、ここで、0<X<1、0≦Y<1、かつXY≦1である。バリア層318の結晶内にアルミニウムを含むことによって、バリア層318は、量子井戸層320に格子整合されることができ、それによって、量子井戸層320における改善された結晶品質を提供し、デバイスの発光効率を増大することができる。活性領域325は、図3に示し、かつ図1から図3を参照した上述のように設けられることもできる。本発明の特定の実施形態において、活性領域325は、3つ以上の量子井戸を含み、ある実施形態において、8つの量子井戸が設けられる。量子井戸構造の厚みは、約30Åから250Åであることができる。本発明の特定の実施形態において、量子井戸構造の厚みは、約120Åであることができ、井戸層の厚みは、約25Åである。図4に示されるLED構造は、上述のように、超格子16と活性領域325との間に配置されるスペーサ層を含むことができる。図4に戻ると、インジウムを含む第III属窒化物キャッピング層40は、活性領域325上、より詳細には活性領域325の量子井戸320上に設けられることができる。第III属窒化物キャッピング層40は、これらを含めて約10Åと320Åとの間の厚みのInAlGaNを含むことができる。キャッピング層40は、均一の組成、異なる組成の複数層、および/または勾配づけされる組成であることができる。本発明の特定の実施形態において、キャッピング層40は、InxAlyGa1xyNの組成を有する第1のキャッピング層を含み、ここで0<x≦0.2であり、かつ0≦y≦0.4であり、約10Åから約200Åの厚みを有し、さらに、InwAlzGa1wzNの組成を有する第2のキャッピング層を含み、ここで0<w≦0.2であり、かつy≦z<1であり、約10Åから約120Åの厚みを有する。本発明のある実施形態において、第1のキャッピング層は、約80Åの厚みを有し、x=0.1、およびy=0.25であり、第2のキャッピング層は、約30Åの厚みを有し、w=0.05、およびz=0.55である。キャッピング層40は、層40の結晶品質を改善するために、活性領域325での成長温度より高い温度で成長させられることができる。ドープされていないGaNまたはAlGaNの追加層は、層40の近傍に含まれることができる。例えば、GaNの薄層は、最後の量子井戸層とキャッピング層40との間に設けられることができる。インジウムを含むキャッピング層40は、活性領域325の量子井戸により近く格子整合されることができ、p型層の格子構造に活性領域325の格子構造からの遷移を提供することができる。そのような構造は、結果としてデバイスの増大される輝度を生じることができる。マグネシウムなどのp型不純物でドープされるAlGaN正孔注入層42が、キャッピング層40上に設けられる。AlGaN層42は、これらを含めて約50Åと2500Åとの間の厚みであることができ、特定の実施形態において、約150Åの厚みである。AlGaN層42は、AlGa1xNの組成であることができ、ここで0≦x≦0.4である。本発明の特定の実施形態において、AlGaN層42に関してx=0.23である。AlGaN層42は、Mgでドープされることができる。本発明のいくつの実施形態において、層42は、インジウムを含むこともできる。p型GaNのコンタクト層32は、層42上に設けられ、約250Åから約10000Åの厚みを有することができ、いくつかの実施形態において、約1500Åの厚みである。いくつかの実施形態において、コンタクト層32は、インジウムを含むこともできる。p型GaNのコンタクト層32および基板10上にそれぞれオーミックコンタクト24および25が設けられる。p型GaNのコンタクト層32および基板10上にそれぞれオーミックコンタクト24および25が設けられる。本発明のいくつの実施形態において、インジウムを含むキャッピング層40は、例えば、名称ULTRATHINOHMICCONTACTSFORPTYPENITRIDELIGHTEMITTINGDEVICESであり、本出願と同時に出願された米国特許仮出願AttorneyDocketNo.5308-463PR、名称LIGHTEMITTINGDEVICESHAVINGAREFLECTIVEBONDPADANDMETHODSOFFABRICATINGLIGHTEMITTINGDEVICESHAVINGREFLECTIVEBONDPADSであり、本出願と同時に出願された米国特許仮出願AttorneyDocketNo.5308-468、特許文献5、名称LIGHTEMITTINGDEVICESHAVINGCURRENTBLOCKINGSTRUCTURESANDMETHODSOFFABRICATINGLIGHTEMITTINGDEVICESHAVINGCURRENTBLOCKINGSTRUCTURESである米国特許仮出願AttorneyDocketNo.5308-457、名称LIGHTEMITTINGDIODESINCLUDINGSUBSTRATEMODIFICATIONSFORLIGHTEXTRACTIONANDMANUFACTURINGMETHODSTHEREFORの2004年6月30日に出願された特許文献6、および/または名称REFLECTIVEOHMICCONTACTSFORSILICONCARBIDEINCLUDINGALAYERCONSISTINGESSENTIALLYOFNICKELMETHODSOFFABRICATINGSAMEANDLIGHTEMITTINGDEVICESINCLUDINGTHESAMEの特許文献7に記載されるような発光デバイスに設けられることができ、それらの開示は、あたかもその全体が示されるかのように本明細書に組み込まれる。エレクトロルミネセンスEL試験が、キャッピング層、特に図4に示されるようなInAlGaNキャッピング層を含む、インジウムを有するおよびインジウムを有さないデバイスを有するLEDウェハについて実行された。EL試験は、LEDエピタキシャル構造の輝度を測定するオンウェハ試験である。この試験は、LED製造方法、チップ成形、またはパッキング方法によって影響されない。インジウムを含む層を含む構造を有するほぼ176個のウェハ、およびインジウムを含む層を有さない615個のウェハが試験された。両方の構造は、多数の反応装置で連続して成長させられた。反応装置は、すべて本質的に同一であったすなわち、増大された輝度に関する任意の特別の修正はなく、すべては、これまでの製造使用に適しておりかつ依然として適している。ウェハからのデータは、貯蔵されbinned、インジウムを含む層を有する構造は、インジウムを含む層を有さない構造よりほぼ1.15倍から1.25倍明るいことを示した。本発明の実施形態は、多重量子井戸で記載されたが、本発明の教示からの利点は、単一の量子井戸構造においても達成されることができる。したがって、例えば、発光ダイオードには、デバイスの活性領域として図3の単一発生の構造221を設けられることができる。したがって、異なる数の量子井戸が、本発明の実施形態により利用されることができるが、量子井戸の数は、一般に1個から10個の量子井戸の範囲である。本発明の実施形態は、窒化ガリウムベースのデバイスを参照して記載されたが、本発明の教示および利点は、他の第III属窒化物にも与えられることができる。したがって、本発明の実施形態は、第III属窒化物ベースの超格子構造、量子井戸構造、および/または超格子および/または量子井戸を有する第III属窒化物発光ダイオードを提供する。図面および明細書において、本発明の典型的な好ましい実施形態が開示され、特定の用語が用いられたが、それらは、一般的で記述的な意味だけで使用され、限定の目的ではなく、本発明の範囲は、添付の請求項に示される。