"複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に、基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向とが定義された各図形データを記憶する記憶部と、当該図形データが示す前記補正方向についての当該図形の幅寸法を演算する幅寸法演算部と、描画領域が所定のサイズで仮想分割された複数のメッシュ領域のうち、前記図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算する面積密度演算部と、前記幅寸法と前記パターン密度をパラメータとして用いて前記幅寸法を補正する補正係数を演算する補正係数演算部と、前記図形を描画するための荷電粒子ビームの第1の照射量を演算する第1の照射量演算部と、前記第1の照射量に前記補正係数を乗じた第2の照射量を演算する第2の照射量演算部と、前記第2の照射量の荷電粒子ビームを用いて、試料に前記図形を描画する描画部と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に、基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向における図形の幅寸法とが定義された各図形データを記憶する記憶部と、描画領域が所定のサイズで仮想分割された複数のメッシュ領域のうち、前記図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算する面積密度演算部と、前記幅寸法と前記パターン密度をパラメータとして用いて前記幅寸法を補正する補正係数を演算する補正係数演算部と、前記図形を描画するための荷電粒子ビームの第1の照射量を演算する第1の照射量演算部と、前記第1の照射量に前記補正係数を乗じた第2の照射量を演算する第2の照射量演算部と、前記第2の照射量の荷電粒子ビームを用いて、試料に前記図形を描画する描画部と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に、基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向とが定義された各図形データを記憶する記憶部と、当該図形データが示す前記補正方向についての当該図形の幅寸法を演算する幅寸法演算部と、描画領域が所定のサイズで仮想分割された複数のメッシュ領域のうち、前記図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算する面積密度演算部と、前記幅寸法と前記パターン密度をパラメータとして用いて前記幅寸法を補正する補正量を演算する補正量演算部と、前記図形について、前記幅寸法を前記補正量でリサイズするリサイズ処理部と、荷電粒子ビームを用いて、試料にリサイズされた図形を描画する描画部と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に、基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向における図形の幅寸法とが定義された各図形データを記憶する記憶部と、描画領域が所定のサイズで仮想分割された複数のメッシュ領域のうち、前記図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算する面積密度演算部と、前記幅寸法と前記パターン密度をパラメータとして用いて前記幅寸法を補正する補正量を演算する補正量演算部と、前記図形について、前記幅寸法を前記補正量でリサイズするリサイズ処理部と、荷電粒子ビームを用いて、試料にリサイズされた図形を描画する描画部と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向とが定義された各図形データを記憶する記憶装置から、各図形データを読み出し、当該図形データが示す前記補正方向についての当該図形の幅寸法を演算する工程と、描画領域が所定のサイズで仮想分割された複数のメッシュ領域のうち、前記図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算する工程と、前記幅寸法と前記パターン密度をパラメータとして用いて前記幅寸法を補正する補正係数を演算する工程と、前記図形を描画するための荷電粒子ビームの第1の照射量を演算する工程と、前記第1の照射量に前記補正係数を乗じた第2の照射量を演算する工程と、前記第2の照射量の荷電粒子ビームを用いて、試料に前記図形を描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。上述したように、従来のMPCは、計算時間が長時間を要し、さらに、一般にかかるマスクプロセス補正MPC用のソフトウェアは高価であるといった問題があった。さらに、OPCを行う部門とMPCのパラメータを求める部門とで組織が異なるため、MPCを半導体装置の生産へ適用する阻害要因にもなっていた。さらに、マスクショップの場合には、ウェハ製造部門は、マスクショップの顧客側にあるため、情報流通を含めてさらにMPCを困難にしてしまうといった問題もあった。さらに、従来のMPCの仕方で生成された描画データは、他の描画装置で使用することが困難になってしまうといった問題があった。そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、より簡易に寸法変動補正を行うことが可能な装置および方法を提供することを目的とする。本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に、基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向とが定義された各図形データを記憶する記憶部と、当該図形データが示す前記補正方向についての当該図形の幅寸法を演算する幅寸法演算部と、描画領域が所定のサイズで仮想分割された複数のメッシュ領域のうち、図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算する面積密度演算部と、幅寸法とパターン密度をパラメータとして用いて幅寸法を補正する補正係数を演算する補正係数演算部と、図形を描画するための荷電粒子ビームの第1の照射量を演算する第1の照射量演算部と、第1の照射量に前記補正係数を乗じた第2の照射量を演算する第2の照射量演算部と、第2の照射量の荷電粒子ビームを用いて、試料に図形を描画する描画部と、を備えたことを特徴とする。本発明の他の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に、基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向における図形の幅寸法とが定義された各図形データを記憶する記憶部と、描画領域が所定のサイズで仮想分割された複数のメッシュ領域のうち、図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算する面積密度演算部と、幅寸法とパターン密度をパラメータとして用いて幅寸法を補正する補正係数を演算する補正係数演算部と、図形を描画するための荷電粒子ビームの第1の照射量を演算する第1の照射量演算部と、第1の照射量に補正係数を乗じた第2の照射量を演算する第2の照射量演算部と、第2の照射量の荷電粒子ビームを用いて、試料に図形を描画する描画部と、を備えたことを特徴とする。本発明の他の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に、基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向とが定義された各図形データを記憶する記憶部と、当該図形データが示す補正方向についての当該図形の幅寸法を演算する幅寸法演算部と、描画領域が所定のサイズで仮想分割された複数のメッシュ領域のうち、図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算する面積密度演算部と、幅寸法とパターン密度をパラメータとして用いて幅寸法を補正する補正量を演算する補正量演算部と、図形について、幅寸法を補正量でリサイズするリサイズ処理部と、荷電粒子ビームを用いて、試料にリサイズされた図形を描画する描画部と、を備えたことを特徴とする。本発明の他の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に、基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向における図形の幅寸法とが定義された各図形データを記憶する記憶部と、描画領域が所定のサイズで仮想分割された複数のメッシュ領域のうち、図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算する面積密度演算部と、幅寸法とパターン密度をパラメータとして用いて幅寸法を補正する補正量を演算する補正量演算部と、図形について、幅寸法を補正量でリサイズするリサイズ処理部と、荷電粒子ビームを用いて、試料にリサイズされた図形を描画する描画部と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向とが定義された各図形データを記憶する記憶装置から、各図形データを読み出し、当該図形データが示す補正方向についての当該図形の幅寸法を演算する工程と、描画領域が所定のサイズで仮想分割された複数のメッシュ領域のうち、図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算する工程と、幅寸法とパターン密度をパラメータとして用いて幅寸法を補正する補正係数を演算する工程と、図形を描画するための荷電粒子ビームの第1の照射量を演算する工程と、第1の照射量に補正係数を乗じた第2の照射量を演算する工程と、第2の照射量の荷電粒子ビームを用いて、試料に図形を描画する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、より簡易に寸法変動補正を行うことができる。さらに、描画装置内で補正計算を行なうことができる。よって、ユーザ側の製造部門の違いによる補正適用の困難性を回避できる。その結果、高精度な描画ができる。以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。実施の形態1.図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型VSB型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器ブランカー212、ブランキングアパーチャ214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、少なくともXY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画対象となる試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造するための露光用のマスクが含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。そして、試料101上には、レジストが塗布されている。制御部160は、制御計算機110、メモリ112、偏向制御回路120、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140,142,144,148を有している。制御計算機110、メモリ112、偏向制御回路120、及び記憶装置140,142,144,148は、図示しないバスを介して互いに接続されている。制御計算機110内には、ショット分割部50、ショット図形データ生成部52、照射量演算部54、パターン密度算出部60、及びドーズ補正係数算出部64が配置されている。ショット分割部50、ショット図形データ生成部52、照射量演算部54、パターン密度算出部60、及びドーズ補正係数算出部64といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機110に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ112に記憶される。偏向制御回路120内には、照射量補正部70第2の照射量演算部、及び偏向量演算部72が配置される。照射量補正部70及び偏向量演算部72といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。偏向制御回路120に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度図示しないメモリに記憶される。記憶装置140には、複数の図形をつなぎ合わせたパターンを構成する図形毎に、図形コードと基準位置の座標とx方向の図形サイズとy方向の図形サイズと補正方向における図形の線幅寸法wとが定義された各図形データによる描画データが外部より入力され、格納されている。ここでは、上述したように、OPC後のパターンをフラクチャ処理を行って、パターンを複数の図形に分解していることは言うまでもない。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、ここでは主副2段の主偏向器208および副偏向器209を用いているが、1段或いは3段以上の偏向器を用いても構わない。また、偏向制御回路130からは、図示しない各DACを介して、ブランキング偏向器212、偏向器205、主偏向器208、及び副偏向器209に接続される。図2は、実施の形態1におけるMPC補正の有無におけるパターン寸法の変動の様子を示すグラフの一例である。図2において、縦軸は寸法変動量寸法誤差、横軸はパターンの線幅寸法を示す。近接効果補正とMPCマスクプロセス補正を行った場合には、図2に示すように、パターン密度DMLパターン面積密度に関わらず、寸法変動量がほぼゼロになるように補正できている。これに対して、仮に近接効果補正をおこなった場合でも、MPCを行わない場合、図2に示すように、パターンの線幅寸法が400nmよりも細くなってくると、パターン密度DMLに依存した寸法誤差が生じてしまう。特に、200nm以下では、パターン密度DMLに依存してその寸法変動量が大きく異なってしまう。このように、MPCは、線幅寸法wとパターン密度DMLに依存させることが重要であることを見出した。図3は、実施の形態1における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図3において、実施の形態1における描画方法は、ショット分割工程S102と、ショット図形データ生成工程S104と、パターン密度算出工程S110と、ドーズ補正係数算出工程S114と、照射量演算工程S114と、照射量補正工程S120と、偏向量演算工程S122と、描画工程S124という一連の工程を実施する。実施の形態1では、図形の幅寸法wとパターン密度DMLをパラメータとした簡易モデルを設定する。簡易モデルは、ドーズ割合C補正ドーズ量と、幅寸法wと、パターン密度DMLを可変にして、ドーズ補正係数fを求める。ドーズ補正係数fは、以下の関係式1を満たすように定義する。1C=fw,DML図4は、実施の形態1におけるテストパターンの一例を示す図である。図4において、パターン密度DML=DML1,DML2,DML3の線幅寸法w1の評価パターン10を本来のドーズ量電子ビームによる近接効果補正済みのドーズ量が好適であるのドーズ割合Cを振って遮光膜上にレジストが塗布されたテスト基板に描画する。例えば、DML1≒0実質0,DML2=0.550,DML3=1100とし、各パターン密度DMLにて、ドーズ割合C=0.9898,1100,1.02102のドーズ量で評価パターン10を描画する。そして、描画されたテスト基板を現像、およびエッチングして得られた遮光膜パターンの寸法を測定する。そして、w=w1の他に、w=w2,w3と線幅寸法wを振って、同様に、DML1≒0実質0,DML2=0.550,DML3=1100とし、各パターン密度DMLにて、ドーズ割合C=0.9898,1100,1.02102のドーズ量で評価パターン10を描画する。そして、それぞれ描画されたテスト基板を現像、およびエッチングして得られた遮光膜パターンの寸法を測定する。図5は、実施の形態1における線幅寸法とパターン密度と補正ドーズ量の相関関係を示すグラフの一例である。図5では、上述したように、ドーズ割合C補正ドーズ量と、幅寸法wと、パターン密度DMLを可変にして、実験した結果得られた、マスクプロセスに起因したパターンの寸法変動が補正されたドーズ割合C補正ドーズ量と、幅寸法wと、パターン密度DMLの組の一例を示している。図6は、実施の形態1における線幅寸法とパターン密度と補正ドーズ量の相関関係を示すグラフの他の一例である。図6では、上述したように、ドーズ割合C補正ドーズ量と、幅寸法wと、パターン密度DMLを可変にして、実験した結果得られた、マスクプロセスに起因したパターンの寸法変動が補正されたドーズ割合C補正ドーズ量と、幅寸法wと、パターン密度DMLの複数の組を示している。そして、かかる複数の組でそれぞれ式1を満たすドーズ補正係数fw,DMLの関数をフィッティングにより算出する。以上の実験による関数fw,DMLを描画開始前に前処理として行なっておく。そして、得られた関数fw,DMLのパラメータを記憶装置148に外部より入力し、記憶する。これにより、w,DMLを描画装置内で関数fw,DMLに入力することで、MPC用のドーズ補正係数fが簡易にかつ短時間で演算できる。ショット分割工程S102として、ショット分割部50は、描画データを入力し、描画データに定義された各図形をショット図形に分割する。描画装置100で図形パターンを描画するためには、1回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、ショット分割部50は、は、描画データが示す図形パターンを1回のビームのショットで照射できるサイズに分割する。ショット図形データ生成工程S104として、ショット図形データ生成部52は、描画データを複数段のデータ変換処理を行って、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種図形コード、図形サイズ、及び照射位置座標が定義される。ショットデータは、記憶装置142に出力され、記憶される。一方、ショット分割工程S102やショット図形データ生成工程S104と並行して、パターン密度算出工程S110と、ドーズ補正係数算出工程S114と、照射量演算工程S114とを行う。ここでは、一例として並列処理を行なうが、直列に各工程を実施しても構わない。パターン密度算出工程S110として、パターン密度算出部60は、描画領域が所定のサイズで仮想分割された複数のメッシュ領域のうち、各図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度DMLを演算する。パターン密度算出部60は、面積密度演算部の一例である。図7は、実施の形態1におけるメッシュ領域の一例を示す図である。図7において、MPCを行う際には、例えば、マイクロローディング効果の影響半径同程度のサイズでメッシュ分割を行うと好適である。例えば、2~3μmのサイズが好適である。図7では、MPC用のメッシュ領域を実線で示している。ここで、MPCの他に電子ビームによる近接効果補正を行なう際には、近接効果の影響半径の1/10程度のサイズでメッシュ分割を行う。例えば、1μmのサイズでメッシュ分割する。そして、かかる近接効果メッシュ毎にパターン密度を計算する。図1では図示していないが、近接効果補正を描画装置100で行う場合には、かかる近接効果メッシュで計算されたパターン密度からMPC用のメッシュ領域のパターン密度を求めると好適である。また、MPC用の各メッシュ領域のパターン密度DMLは、周囲のMPC用の各メッシュ領域の値を用いて補間してもよい。或いは、メッシュサイズをさらに小さくしたサブメッシュ例えば、マイクロローディング効果の影響半径の1/10程度の大きさに分割して、MPC用の各メッシュ領域毎にサブメッシュ内のパターン密度値を求めてからコンボリューション演算を行なっても良い。ドーズ補正係数算出工程S114として、ドーズ補正係数算出部64は、図形毎に、線幅寸法wとパターン密度DMLをパラメータとして用いて補正方向に対する図形の線幅寸法を補正するドーズ補正係数fw,DML補正係数の一例を演算する。ドーズ補正係数算出部64は、補正係数演算部の一例である。具体的には、ドーズ補正係数算出部64は、記憶装置148からドーズ補正係数fw,DMLの関数のパラメータを読み出し、各図形のパターンデータに定義された線幅寸法wと演算されたパターン密度DMLを使ってドーズ補正係数fw,DMLを演算する。ここでは、予め、実験により線幅寸法wとパターン密度DMLをパラメータとしたドーズ補正係数fw,DMLの関数が得られているので、図形毎に短時間でドーズ補正係数fw,DMLを演算できる。得られたドーズ補正係数fw,DMLは記憶装置144に出力され、記憶される。図8は、実施の形態1におけるパターンを構成する複数の図形の一例を示す図である。図8には、パターン20として、途中で線幅が変更になりながら延びる所謂L字型のパターンの一例を示している。かかるパターン20は、描画装置100へデータが入力される前のフラクチャ処理により複数の図形22a,b,c,に分割される。ここで、各図形において重要なサイズは、パターン20の長手方向線方向ではなく、これと直交する線幅寸法である。よって、マスクプロセス起因して寸法変動を補正する必要があるのは、かかるパターン20の長手方向線方向に直交する方向の線幅寸法となる。しかしながら、従来の描画データでは、分割された各図形の図形コード、座標、x方向サイズ、y方向サイズが定義されているだけで、補正したい方向補正方向の線幅寸法が定義されていない。そのため、このままでは、補正方向を特定することは困難である。そこで、実施の形態1では、描画データの各図形のパターンデータに、図形の図形コード、座標、x方向サイズ、y方向サイズの他に、さらに、補正方向の線幅寸法wを定義するように構成した。図8の例では、例えば、分割された図形22aについて、座標x1,y1、サイズLx1,Ly1、の他に、さらに、線幅寸法w1が定義される。その他の図形22b,c,についても同様である。また、パターン20の延びる方向が途中で変更された場合でも、変更後のパターン20の長手方向線方向に直交する方向の線幅寸法を図形のパターンデータに定義しておけばよい。図8の例では、例えば、分割された図形22nについて、座標x17,y17、サイズLx17,Ly17、の他に、さらに、線幅寸法w17が定義される。よって、ドーズ補正係数算出工程S114では、かかる線幅寸法wをパラメータとして用いて、ドーズ補正係数fを簡易に取得できる。照射量演算工程S114として、照射量演算部54第1の照射量演算部は、描画領域を所定のサイズのメッシュ領域に分割して、メッシュ毎に、かかるメッシュ内に位置する図形を描画するための電子ビーム200の照射量第1の照射量を演算する。ここで、電子ビームによる近接効果を補正した照射量を演算する際には、上述したように近接効果メッシュ毎に照射量を計算していく。また、その際、近接効果メッシュ内のパターン密度を用いる。しかし、実施の形態1では、後述するように、かかる電子ビームによる近接効果を補正した照射量に対してドーズ補正係数fで補正を行なってしまうため、そのままでは近接効果補正がずれてしまう場合がある。そこで、照射量演算部54は、電子ビームによる近接効果を補正した照射量を演算する際には、近接効果メッシュ内のパターン密度に近接効果メッシュが位置するMPCメッシュ領域用のドーズ補正係数fを乗じた値をかかる近接効果メッシュ内のパターン密度として演算に使用すると好適である。これにより、MPCが行われたパターンに対して電子ビームの近接効果を補正できる。そして、照射量演算部54は、メッシュ毎に演算された照射量が定義された照射量マップを作成する。照射量マップは、記憶装置142に出力され、記憶される。照射量補正工程S120として、照射量補正部70第2の照射量演算部は、ショット図形毎に、記憶装置142から照射量第1の照射量を読み出し、かかる照射量に該当する図形のドーズ補正係数fを乗じた照射量第2の照射量を演算する。言い換えれば、MPC補正前の照射量にドーズ補正係数fを乗じることでMPC補正前の照射量を補正する。偏向量演算工程S122として、偏向量演算部72は、ショット図形毎に、各偏向器へ印加する偏向量を演算する。例えば、ブランキング偏向器212への偏向量は、各ショットの電子ビームの照射時間で調整できる。描画工程S124として、描画部150は、補正された照射量第2の照射量の電子ビーム200を用いて、試料101に当該図形を描画する。具体的には、以下の動作を行なう。電子銃201放出部から放出された電子ビーム200は、ブランキング偏向器212内を通過する際にブランキング偏向器212によって、ビームONの状態では、ブランキングアパーチャ214を通過するように制御され、ビームOFFの状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ214で遮へいされるように偏向される。ビームOFFの状態からビームONとなり、その後ビームOFFになるまでにブランキングアパーチャ214を通過した電子ビーム200が1回の電子ビームのショットとなる。ブランキング偏向器212は、通過する電子ビーム200の向きを制御して、ビームONの状態とビームOFFの状態とを交互に生成する。例えば、ビームONの状態では電圧を印加せず、ビームOFFの際にブランキング偏向器212に電圧を印加すればよい。かかる各ショットの照射時間で試料101に照射される電子ビーム200のショットあたりの照射量が調整されることになる。以上のようにブランキング偏向器212とブランキングアパーチャ214を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1の成形アパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1の成形アパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2の成形アパーチャ206上に投影される。偏向器205によって、かかる第2の成形アパーチャ206上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる可変成形を行なうことができる。かかる可変成形はショット毎に行なわれ、通常ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形される。そして、第2の成形アパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、主偏向器208及び副偏向器209によって偏向され、連続的に移動するXYステージ105に配置された試料101の所望する位置に照射される。描画領域は、x或いはy方向に短冊状に複数のストライプ領域に仮想分割され、ストライプ領域単位で描画処理が進められる。また、ストライプ領域は副偏向器209で偏向可能なサブフィールドSFに仮想分割されるが、まず、主偏向器208がショットされるSFの基準位置に電子ビーム200を偏向する。XYステージ105は移動しているため、主偏向器208はXYステージ105の移動に追従するように電子ビーム200を偏向する。そして、副偏向器209により、SF内の各位置に照射される。以上のように実施の形態1では、MPC前のパターンデータを描画装置100に入力し、描画装置100内で照射量を補正することでMPCを行うことで、従来のようなユーザ側の製造部門の違いによる補正適用の困難性を回避できる。さらに、予め実験により、線幅寸法wとパターン密度DMLだけを変数パラメータとした関数を求めておき、各図形のパターンデータに補正方向の線幅寸法wを定義しておくことで、描画装置100内で、まず、パターン密度DMLを演算するだけで、描画装置100内で高速にドーズ補正係数fを演算できる。よって、より簡易にマスクプロセスに起因した寸法変動の補正を行うことができる。その結果、高精度な描画ができる。実施の形態2.実施の形態1では、各図形のパターンデータに補正方向の線幅寸法を定義した描画データを描画装置100が入力したが、これに限るものではない。実施の形態2では、補正方向そのものを入力して対応する構成について説明する。図9は、実施の形態2における描画装置の構成を示す概念図である。図9において、制御計算機110内に線幅算出部62が追加された点、記憶装置140に格納された各図形のパターンデータに線幅寸法wの代わりに補正方向が定義された点、以外は図1と同様である。図10は、実施の形態2における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図10において、パターン密度算出工程S110とドーズ補正係数算出工程S114との間に、線幅寸法算出工程S112が追加された点、記憶装置140に格納された各図形のパターンデータに線幅寸法wの代わりに補正方向が定義された点、以外は図3と同様である。以下、特に説明しない内容は、実施の形態1と同様である。図11は、実施の形態2におけるパターンを構成する複数の図形の一例を示す図である。上述したように、各図形において重要なサイズは、パターン20の長手方向線方向ではなく、これと直交する線幅寸法である。よって、マスクプロセス起因して寸法変動を補正する必要があるのは、かかるパターン20の長手方向線方向に直交する方向の線幅寸法となる。しかしながら、従来の描画データでは、分割された各図形の図形コード、座標、x方向サイズ、y方向サイズが定義されているだけで、補正したい方向補正方向が定義されていない。そのため、このままでは、補正方向自体も特定することは困難である。ここで、補正方向自体が特定できれば、図形コード、x方向サイズ、y方向サイズから補正方向の線幅寸法wを求めることは可能である。そこで、実施の形態2では、描画データの各図形のパターンデータに、図形の図形コード、座標、x方向サイズ、y方向サイズの他に、さらに、補正方向を定義するように構成した。図8では、パターン20が分割された図形22aについて、座標x1,y1、サイズLx1,Ly1、線幅寸法w1が定義されていたが、図11では、座標x1,y1、サイズLx1,Ly1、補正方向Yが定義される。同様に、その他の図形22b,c,についても同様である。また、パターン20の延びる方向が途中で変更された場合でも、変更後のパターン20の長手方向線方向に直交する方向を補正方向として、図形のパターンデータに定義しておけばよい。図11の例では、例えば、分割された図形22nについて、座標x17,y17、サイズLx17,Ly17、のたに、さらに、補正方向Xが定義される。ショット分割工程S102、ショット図形データ生成工程S104、パターン密度算出工程S110の各工程の内容は実施の形態1と同様である。線幅寸法算出工程S112として、線幅寸法算出部62は、当該図形データが示す補正方向についての当該図形の幅寸法を演算する。具体的には、線幅寸法算出部62は、描画データを入力し、各図形のパターンデータに定義される、図形の図形コード、座標、x方向サイズ、y方向サイズ、及び補正方向から、補正方向の線幅寸法wを演算する。線幅寸法算出部62は、幅寸法演算部の一例である。ドーズ補正係数算出工程S114以降の各工程の内容は実施の形態1と同様である。以上のように実施の形態2では、MPC前のパターンデータを描画装置100に入力し、描画装置100内で照射量を補正することでMPCを行うことで、従来のようなユーザ側の製造部門の違いによる補正適用の困難性を回避できる。さらに、予め実験により、線幅寸法wとパターン密度DMLだけを変数パラメータとした関数を求めておき、各図形のパターンデータに補正方向を定義しておくことで、描画装置100内で、まず、線幅寸法wとパターン密度DMLを演算するだけで、高速にドーズ補正係数fを演算できる。よって、より簡易にマスクプロセスに起因した寸法変動の補正を行うことができる。その結果、高精度な描画ができる。実施の形態3.実施の形態1では、照射量を補正することで、MPCを行ったが、補正の仕方はこれに限るものではない。実施の形態3では、パターンの寸法自体をリサイズすることでMPCを行う構成について説明する。図12は、実施の形態3における描画装置の構成を示す概念図である。図12において、制御計算機110内に、ドーズ補正係数算出部64の代わりに、リサイズ補正量算出部65、及びリサイズ処理部67が追加された点、及び照射量補正部70が削除された点、以外は、図1と同様である。以下、特に説明しない内容は、実施の形態1と同様である。図13は、実施の形態3における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図13において、実施の形態3における描画方法は、パターン密度算出工程S110と、リサイズ補正量算出工程S202と、リサイズ工程S204と、ショット分割工程S206と、ショット図形データ生成工程S208と、照射量演算工程S210と、偏向量演算工程S220と、描画工程S222という一連の工程を実施する。実施の形態3では、図形の幅寸法wとパターン密度DMLをパラメータとした簡易モデルを設定する。但し、実施の形態3における簡易モデルは、リサイズ率Rと、幅寸法wと、パターン密度DMLを可変にして、リサイズ補正量f’を求める。リサイズ補正量f’は、以下の関係式2を満たすように定義する。2R=f’w,DML図14は、実施の形態3におけるテストパターンの一例を示す図である。図14において、パターン密度DML=DML1,DML2,DML3のベースとなる線幅寸法w1の評価パターン10を本来のドーズ量電子ビームによる近接効果補正済みのドーズ量が好適であるで、リサイズ率Rを振って遮光膜上にレジストが塗布されたテスト基板に描画する。例えば、DML1≒0実質0,DML2=0.550,DML3=1100とし、各パターン密度DMLにて、R=0.9898,1100,1.02102のリサイズ率でリサイズ処理された評価パターン10を描画する。そして、描画されたテスト基板を現像、およびエッチングして得られた遮光膜パターンの寸法を測定する。そして、w=w1の他に、w=w2,w3とベースとなる線幅寸法wを振って、同様に、DML1≒0実質0,DML2=0.550,DML3=1100とし、各パターン密度DMLにて、R=0.9898,1100,1.02102のリサイズ率でリサイズ処理された評価パターン10を描画する。そして、それぞれ描画されたテスト基板を現像、およびエッチングして得られた遮光膜パターンの寸法を測定する。図15は、実施の形態1における線幅寸法とパターン密度とリサイズ率の相関関係を示すグラフの一例である。図15では、上述したように、リサイズ率Rと、幅寸法wと、パターン密度DMLを可変にして、実験した結果得られた、マスクプロセスに起因したパターンの寸法変動が補正されたリサイズ率Rと、幅寸法wと、パターン密度DMLの組の一例を示している。そして、リサイズ率Rと、幅寸法wと、パターン密度DMLを可変にして、実験した結果得られた、マスクプロセスに起因したパターンの寸法変動が補正されたリサイズ率Rと、幅寸法wと、パターン密度DMLの複数の組を取得し、かかる複数の組でそれぞれ式2を満たすリサイズ補正量f’w,DMLの関数をフィッティングにより算出する。以上の実験による関数f’w,DMLを描画開始前に前処理として行なっておく。そして、得られた関数f’w,DMLのパラメータを記憶装置148に外部より入力し、記憶する。これにより、w,DMLを描画装置内で関数f’w,DMLに入力することで、MPC用のリサイズ補正量f’が簡易にかつ短時間で演算できる。まず、パターン密度算出工程S110の内容は、実施の形態1と同様である。リサイズ補正量算出工程S202として、リサイズ補正量算出部65は、線幅寸法wとパターン密度DMLをパラメータとして用いて線幅寸法wを補正するリサイズ補正量f’補正量を演算する。リサイズ補正量算出部65は、補正量演算部の一例である。具体的には、リサイズ補正量算出部65は、記憶装置148からリサイズ補正量f’w,DMLの関数のパラメータを読み出し、各図形のパターンデータに定義された線幅寸法wと演算されたパターン密度DMLを使ってリサイズ補正量f’w,DMLを演算する。ここでは、予め、実験により線幅寸法wとパターン密度DMLをパラメータとしたリサイズ補正量f’w,DMLの関数が得られているので、図形毎に短時間でリサイズ補正量f’w,DMLを演算できる。得られたリサイズ補正量f’w,DMLは記憶装置144に出力され、記憶される。リサイズ工程S204として、リサイズ処理部67は、各図形について、補正方向の線幅寸法sをリサイズ補正量f’w,DMLでリサイズする。具体的には、パターンデータに定義された図形の線幅寸法wに当該図形のリサイズ補正量f’w,DMLを乗じた線幅寸法w’に図形をリサイズする。言い換えれば、MPC補正前の図形の線幅寸法にリサイズ補正量f’w,DMLを乗じることでMPC補正前の線幅を補正する。そして、リサイズされた各図形について、以下、従来と同様の各工程を実施していく。ショット分割工程S206として、ショット分割部50は、リサイズされた各図形のパターンデータを入力し、パターンデータに定義された各図形をショット図形に分割する。ショット図形データ生成工程S208として、ショット図形データ生成部52は、リサイズされた各図形のパターンデータを複数段のデータ変換処理を行って、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種図形コード、図形サイズ、及び照射位置座標が定義される。ショットデータは、記憶装置142に出力され、記憶される。照射量演算工程S210として、照射量演算部54は、描画領域を所定のサイズのメッシュ領域に分割して、メッシュ毎に、かかるメッシュ内に位置するリサイズ後の図形を描画するための電子ビーム200の照射量を演算する。ここで、電子ビームによる近接効果を補正した照射量を演算する際には、上述したように近接効果メッシュ毎に照射量を計算していく。また、その際、近接効果メッシュ内のパターン密度を用いる。しかし、リサイズ前の図形で近接効果メッシュ内のパターン密度を計算してしまうと近接効果補正がずれてしまう場合がある。そこで、照射量演算部54は、電子ビームによる近接効果を補正した照射量を演算する際には、リサイズ後の図形を用いた近接効果メッシュ内のパターン密度を演算に使用すると好適である。これにより、MPCが行われたパターンに対して電子ビームの近接効果を補正できる。そして、照射量演算部54は、メッシュ毎に演算された照射量が定義された照射量マップを作成する。照射量マップは、記憶装置142に出力され、記憶される。ここで、ショット分割工程S206やショット図形データ生成工程S208と並行して、照射量演算工程S210とを行っているが、これに限るものではない。直列に各工程を実施しても構わない。偏向量演算工程S220として、偏向量演算部72は、ショット図形毎に、各偏向器へ印加する偏向量を演算する。そして、描画工程S222として、描画部150は、電子ビーム200を用いて、試料101にリサイズされた図形を描画する。以上のように実施の形態3では、MPC前のパターンデータを描画装置100に入力し、描画装置100内で図形の線幅寸法をリサイズ処理することで補正することによりMPCを行うことで、従来のようなユーザ側の製造部門の違いによる補正適用の困難性を回避できる。さらに、予め実験により、線幅寸法wとパターン密度DMLだけを変数パラメータとした関数を求めておき、各図形のパターンデータに補正方向の線幅寸法wを定義しておくことで、描画装置100内で、まず、パターン密度DMLを演算するだけで、描画装置100内で高速にリサイズ補正量f’を演算できる。よって、より簡易にマスクプロセスに起因した寸法変動の補正を行うことができる。その結果、高精度な描画ができる。実施の形態4.実施の形態3では、各図形のパターンデータに補正方向の線幅寸法を定義した描画データを描画装置100が入力したが、これに限るものではない。実施の形態4では、補正方向そのものを入力して対応する構成について説明する。図16は、実施の形態4における描画装置の構成を示す概念図である。図16において、制御計算機110内に線幅算出部62が追加された点、記憶装置140に格納された各図形のパターンデータに線幅寸法wの代わりに補正方向が定義された点、以外は図12と同様である。図17は、実施の形態4における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図17において、パターン密度算出工程S110とリサイズ補正量算出工程S202との間に、線幅寸法算出工程S112が追加された点、記憶装置140に格納された各図形のパターンデータに線幅寸法wの代わりに補正方向が定義された点、以外は図13と同様である。以下、特に説明しない内容は、実施の形態3と同様である。上述したように、各図形において重要なサイズは、パターン20の長手方向線方向ではなく、これと直交する線幅寸法である。よって、マスクプロセス起因して寸法変動を補正する必要があるのは、かかるパターン20の長手方向線方向に直交する方向の線幅寸法となる。しかしながら、従来の描画データでは、分割された各図形の図形コード、座標、x方向サイズ、y方向サイズが定義されているだけで、補正したい方向補正方向が定義されていない。そのため、このままでは、補正方向自体も特定することは困難である。ここで、補正方向自体が特定できれば、図形コード、x方向サイズ、y方向サイズから補正方向の線幅寸法wを求めることは可能である。そこで、実施の形態4では、実施の形態2と同様、描画データの各図形のパターンデータに、図形の図形コード、座標、x方向サイズ、y方向サイズの他に、さらに、補正方向を定義するように構成した。図11に示したように、図形22aでは、座標x1,y1、サイズLx1,Ly1、補正方向Yが定義される。同様に、その他の図形22b,c,についても同様である。また、パターン20の延びる方向が途中で変更された場合でも、変更後のパターン20の長手方向線方向に直交する方向を補正方向として、図形のパターンデータに定義しておけばよい。図11の例では、例えば、分割された図形22nについて、座標x17,y17、サイズLx17,Ly17、の他に、さらに、補正方向Xが定義される。ショット分割工程S102の内容は実施の形態1と同様である。また、線幅寸法算出工程S112の内容は実施の形態2と同様である。そして、リサイズ補正量算出工程S202以降の各工程の内容は、実施の形態3と同様である。以上のように実施の形態4では、MPC前のパターンデータを描画装置100に入力し、描画装置100内で図形の線幅寸法をリサイズ処理することで補正することによりMPCを行うことで、従来のようなユーザ側の製造部門の違いによる補正適用の困難性を回避できる。さらに、予め実験により、線幅寸法wとパターン密度DMLだけを変数パラメータとした関数を求めておき、各図形のパターンデータに補正方向を定義しておくことで、描画装置100内で、まず、線幅寸法wとパターン密度DMLを演算するだけで、描画装置100内で高速にリサイズ補正量f’を演算できる。よって、より簡易にマスクプロセスに起因した寸法変動の補正を行うことができる。その結果、高精度な描画ができる。以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。"