"タッチセンス機器100からの出力信号に基づくタッチ判定を可能にする方法において、前記タッチセンス機器100は、複数の内部結合点から複数の外部結合点に信号を伝え、それにより内部結合点および外部結合点の対の間でパネル4の表面部分1にまたがる検出線Dを画定するように構成されるパネル4と、前記信号を生成するために前記内部結合点に結合される少なくとも1つの信号生成器2と、前記表面部分1上に存在する1つまたは複数のタッチを示す前記出力信号を生成するために前記外部結合点に結合される少なくとも1つの信号検出器3とを含み、所与の入力形式の1組のデータサンプルdに変換される場合、所定の再構成アルゴリズムが前記表面部分1上の実際の相互作用パターンa0を判定できるようにする前記出力信号を得るステップと、前記出力信号に基づき、前記所与の入力形式で1組の修正データサンプルd’を生成するステップと、前記表面部分1上の修正相互作用パターンa1を求めるために、前記1組の修正データサンプルd’に対して前記所定の再構成アルゴリズムを作動させるステップとを含むことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記修正相互作用パターンa1が、前記実際の相互作用パターンa0内の強く相互作用するタッチを制して、弱く相互作用するタッチの強調を表すことを特徴とする方法。請求項1または2に記載の方法において、各相互作用パターンa0,a1が、前記表面部分1の少なくとも一部の中の相互作用値の分布を含み、前記相互作用値のそれぞれはエネルギの局所的減衰を示すことを特徴とする方法。請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法において、前記1組のデータサンプルdが、前記表面部分1上の1つまたは複数のタッチと前記検出線Dとの間の実際の相互作用度を表し、前記1組の修正データサンプルd’を生成する前記ステップが、前記検出線Dの少なくとも一部について前記実際の相互作用度を能動的に修正するステップを含むことを特徴とする方法。請求項4に記載の方法において、前記修正するステップが、前記様々な検出線Dの間で前記実際の相互作用度の相関関係を変えるステップを含むことを特徴とする方法。請求項4または5に記載の方法において、前記修正するステップが、最も高い前記実際の相互作用度を有する前記検出線Dについて前記実際の相互作用度を相対的に低下させるステップを含むことを特徴とする方法。請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法において、前記1組の修正データサンプルd’を生成する前記ステップが、前記出力信号に基づいて検出線Dごとに強度値を得るステップと、前記検出線Dの前記強度値に所定の再スケーリング関数fを適用するステップとを含むことを特徴とする方法。請求項7に記載の方法において、前記再スケーリング関数fが非線形であり、少なくとも非負の強度値について、増加する強度値とともに減少する導関数を有することを特徴とする方法。請求項7または8に記載の方法において、前記再スケーリング関数fが1組の制御パラメータγ,δによって定められ、前記方法が、前記検出線Dの前記強度値に基づき前記制御パラメータγ,δの少なくとも1つを設定するステップを含むことを特徴とする方法。請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法において、前記出力信号に基づいて検出線Dごとに強度値を得るステップと、前記表面部分1上の基準相互作用パターンを得るステップと、前記基準相互作用パターン内の強く相互作用するタッチの位置を識別するステップと、前記位置と交差する1組の検出線Dを識別するステップと、前記1組の検出線Dの前記強度値を能動的に修正するステップとをさらに含むことを特徴とする方法。請求項10に記載の方法において、前記1組の修正データサンプルd’を生成する前記ステップが、前記交差する1組の検出線Dの前記強度値を所定の量または比率で変更するステップ、あらかじめ定めた基準に従い、前記交差する1組の検出線Dの前記強度値を既定値に設定するステップ、および前記交差する1組の検出線Dの前記強度値を、前記強く相互作用するタッチの推定寄与率だけ低下させるステップのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする方法。請求項10または11に記載の方法において、前記基準相互作用パターンを得る前記ステップが、前記実際の相互作用パターンa0を生成するために前記1組のデータサンプルdに対して前記再構成アルゴリズムを作動させるステップと、前記実際の相互作用パターンa0に基づいて前記基準相互作用パターンを得るステップとを含むことを特徴とする方法。請求項10乃至12の何れか1項に記載の方法において、前記交差する1組の検出線Dを識別するステップが、前記表面部分1上の領域を前記領域と交差する前記検出線Dに結び付けるデータ構造DBにアクセスするステップを含むことを特徴とする方法。請求項10乃至13の何れか1項に記載の方法において、各検出線Dが、二次元サンプル空間内の第1のおよび第2の次元値s,ψ、およびa,βによって定められ、前記第1のおよび第2の次元値s,ψ、およびa,βは、前記表面部分1上の前記検出線Dの前記位置を定め、前記交差する1組の検出線Dを識別する前記ステップが、前記強く相互作用するタッチの前記位置を前記サンプル空間内の所定曲線P1,P2,P3にマッピングするステップと、前記所定曲線P1,P2,P3を前記サンプル空間にマッピングされた前記検出線Dと交差させることにより、前記交差する1組の検出線Dを識別するステップとを含むことを特徴とする方法。請求項7乃至14の何れか1項に記載の方法において、前記検出線Dの前記強度値が、前記表面部分1上の1つまたは複数のタッチと前記検出線Dとの間の相互作用度を示すことを特徴とする方法。請求項7乃至15の何れか1項に記載の方法において、前記検出線Dの前記強度値が、前記1組のデータサンプルdに相当することを特徴とする方法。請求項1乃至16の何れか1項に記載の方法において、前記出力信号を得る前記ステップと、前記1組の修正データサンプルd’を生成する前記ステップと、前記1組の修正データサンプルd’に対して前記再構成アルゴリズムを作動させる前記ステップと、前記修正相互作用パターンa1に基づいてタッチデータを求めるステップと、前記タッチデータを出力するステップとを含む一連のステップを繰り返し実行することを特徴とする方法。請求項1乃至17の何れか1項に記載の方法において、前記出力信号が、前記それぞれの検出線D上の検出信号エネルギに相当することを特徴とする方法。請求項1乃至18の何れか1項に記載の方法において、前記入力形式が、前記表面部分1上の1つまたは複数のタッチと前記検出線Dのうちの1本との間の相互作用によって引き起こされる信号エネルギの低下を表すことを特徴とする方法。請求項1乃至19の何れか1項に記載の方法において、前記入力形式が、基準値によって正規化される前記それぞれの検出線Dの検出信号エネルギの関数によって表され、前記基準値は、前記表面部分1上にタッチがない状態の、前記それぞれの検出線D上の前記検出信号エネルギに相当することを特徴とする方法。請求項20に記載の方法において、前記入力形式は、前記基準値によって正規化される前記それぞれの検出線Dの前記検出信号エネルギに対して対数関数を作動させることによって与えられることを特徴とする方法。請求項1乃至21の何れか1項に記載の方法において、前記所定の再構成アルゴリズムが、前記入力形式のデータに基づくトモグラフィ再構成向けに設計されることを特徴とする方法。データ処理システム上で実行されるとき、請求項1乃至22の何れか1項に記載の方法を実行するようになされるコンピュータコードを含むことを特徴とするコンピュータプログラム製品。タッチセンス機器100からの出力信号に基づくタッチ判定を可能にするための装置において、前記タッチセンス機器100は、複数の内部結合点から複数の外部結合点に信号を伝え、それにより内部結合点および外部結合点の対の間で前記パネル4の表面部分1にまたがる検出線Dを画定するように構成されるパネル4と、前記信号を生成するために前記内部結合点に結合される信号生成手段2と、前記表面部分1上に存在する1つまたは複数のタッチを示す前記出力信号を生成するために前記外部結合点に結合される信号検出手段3とを含み、前記装置が、所与の入力形式の1組のデータサンプルdに変換される場合、所定の再構成アルゴリズムが前記表面部分1上の実際の相互作用パターンa0を判定できるようにする前記出力信号を得るための手段200、202、51、81と、前記出力信号に基づき、前記所与の入力形式で1組の修正データサンプルd’を生成するための手段204、206、52、81と、前記表面部分1上の修正相互作用パターンa1を求めるために、前記1組の修正データサンプルd’に対して前記所定の再構成アルゴリズムを作動させるための手段208、53、82とを含むことを特徴とする装置。複数の内部結合点から複数の外部結合点に信号を伝え、それにより内部結合点および外部結合点の対の間で前記パネル4の表面部分1にまたがる検出線Dを画定するように構成されるパネル4と、前記内部結合点において前記信号を生成するための手段2、12と、前記外部結合点において検出される信号に基づいて出力信号を生成するための手段3において、前記出力信号は前記表面部分1上に存在する1つまたは複数のタッチを示す、出力信号を生成するための手段3と、請求項24に記載のタッチ判定を可能にするための装置10とを含むことを特徴とするタッチセンス機器。複数の内部結合点から複数の外部結合点に信号を伝え、それにより内部結合点および外部結合点の対の間で前記パネル4の表面部分1にまたがる検出線Dを画定するように構成されるパネル4と、前記信号を生成するために前記内部結合点に結合される少なくとも1つの信号生成器2、12と、前記表面部分1上に存在する1つまたは複数のタッチを示す出力信号を生成するために前記外部結合点に結合される少なくとも1つの信号検出器3と、前記出力信号を受け取るために接続される信号プロセッサ10において、所与の入力形式の1組のデータサンプルdに変換される場合、所定の再構成アルゴリズムが前記表面部分1上の実際の相互作用パターンa0を判定できるようにする前記出力信号を取得し、前記出力信号に基づき、前記所与の入力形式で1組の修正データサンプルd’を生成し、前記表面部分1上の修正相互作用パターンa1を求めるために、前記1組の修正データサンプルd’に対して前記所定の再構成アルゴリズムを作動させるように構成される、信号プロセッサ10とを含むことを特徴とするタッチセンス機器。本発明は、タッチセンス機器のタッチ面と接触する複数の物体のタッチデータの抽出を可能にするための技術に関する。かかるタッチセンス機器、とりわけ光の内部全反射FTIRによって動作する機器の基本的概念を示すことによって説明を開始する。説明は引き続き、タッチセンス機器から得られる信号を処理することによって生成される相互作用パターン内の強いタッチを抑制する実施形態を示す。最後に詳細な例を与える。説明の全体を通じて、同じ参照番号を用いて対応する要素を識別する。1.タッチセンス機器図1は、タッチ面1に接近しまたは接触する物体が伝達エネルギの局所的低下を引き起こすように、タッチ面1を横断して何らかの形のエネルギを伝達する概念に基づくタッチセンス機器100を示す。タッチセンス機器100は、タッチ面1の周辺部に沿って配置されるエミッタおよびセンサの構成を含む。エミッタおよびセンサの各対は、エミッタからセンサまでの放出信号の伝搬経路に一致する検出線を画定する。図1には、エミッタ2からセンサ3まで延在するようにかかる検出線Dを1本しか示さないが、この構成は、典型的にはエミッタによって放出されセンサによって検出される信号にそれぞれ一致する、交差する検出線の密なグリッドを画定することを理解すべきである。検出線Dの及ぶ範囲に沿ってタッチ面に接触するいかなる物体も、センサ3によって測定されるように検出線Dのエネルギを低下させる。したがって、物体によるタッチ面1上の接触は1本または複数の検出線の減衰をもたらす。センサ3の構成は、信号プロセッサ10に電気的に接続され、信号プロセッサ10はこの構成からの出力信号をサンプリングし処理する。出力信号は、各センサ3における受信エネルギを示す。以下で説明するように、信号プロセッサ10は、タッチ面1にわたる相互作用値の分布画像簡単にするために以下、相互作用パターンまたは減衰フィールドと呼ぶを再現するために出力信号を処理するように構成することができる。相互作用パターンは、タッチ判定のために信号プロセッサ10または別の装置不図示によってさらに処理することができ、タッチ判定は、各接触物の位置例えばxy座標、形状、領域などのタッチデータの抽出を伴い得る。図1の例では、タッチセンス機器100が、エミッタ2の活性化、およびことによるとセンサ3からのデータ読出しを選択的に制御するために接続されるコントローラ12も含む。信号プロセッサ10およびコントローラ12は、別々のユニットとして構成することができ、またはそれらを単一のユニット内に組み込んでもよい。信号プロセッサ10およびコントローラ12の一方または両方は、処理装置によって実行されるソフトウェアによって少なくとも部分的に実装することができる。概して、タッチセンス機器100タッチ面1は、円、楕円、長方形を含む多角形など、どんな形でもよい。タッチセンス機器100は、例えば背景の節で説明したように、表示装置またはモニタとともに使用されるように設計することができる。タッチセンス機器100は、多くの様々な形式の1つでエネルギの伝達を許可するように構成することができる。したがって、放出信号は、可視、赤外、もしくは紫外線スペクトル領域内の光波、電気エネルギ、電磁もしくは磁気エネルギ、音響および超音波エネルギ、または振動エネルギを限定することなしに含む、タッチ面1内におよびタッチ面1を横断して伝わることができるどんな放射エネルギまたは波動エネルギでもよい。以下、光の伝搬に基づく実施形態の一例を説明する。図2Aは、光透過性パネル4、1つまたは複数の光エミッタ21つ図示する、および1つまたは複数の光センサ31つ図示するを含むタッチセンス機器100の側面図である。パネル4は、2つの向かい合い、一般に平行な面5、6を画定し、平面または曲線状とすることができる。パネル4の2つの境界面5、6の間に放射伝搬チャネルが設けられ、境界面の少なくとも一方は伝搬光が接触物7と相互作用することを可能にする。典型的には、エミッタ2からの光が全反射TIRにより放射伝搬チャネル内を伝搬し、受け取られる光エネルギすなわち出力または強度を示すそれぞれの測定信号を生成するためにセンサ3がパネル4の周辺部に配置される。図2Aに示すように、パネル4の上面5と底面6をつなぐ端部を介し、光をパネル4内におよびパネル4外に直接結合することができる。あるいは、光をパネル4内におよび/またはパネル4外に結合するために、図面にはないが別個の例えば楔形の結合要素を端部にまたはパネル4の上面5もしくは底面6に取り付けてもよい。物体7が境界面に十分近づけられると、光の一部が物体7によって散乱されてもよく、光の一部が物体7によって吸収されてもよく、光の一部がパネル4内を伝搬し続けてもよい。したがって、物体7がパネルの境界面例えば上面5に接触すると、全反射が妨げられ、透過光のエネルギが低下する。以下、この種のタッチセンス機器をFTIRシステムFTIR-内部全反射と呼ぶ。タッチセンス機器100は、複数の検出線上でパネル4を通して伝えられる光のエネルギを測定するように動作させることができる。これは、例えば1組の相隔たるエミッタ2を活性化してパネル4内に対応する数の光シートを生成することにより、および1組のセンサ3を動作させて各光シートの伝達エネルギを測定することによって行うことができる。そのような実施形態を図2Bに示し、図2Bでは各エミッタ2が、エミッタ2から離れて伝搬しながらパネル4の平面内に広がる光ビームを生成する。各ビームは、パネル4上の1つまたは複数の入口点もしくは内部結合点から伝搬する。パネル4上のいくつかの相隔たる外部結合点においてエミッタ2からの光を受け取るために、パネル4の外周部を取り囲むように光センサ3のアレイが配置される。内部結合点および外部結合点は、ビームがパネル4に入り、パネル4から出て行く位置をそれぞれ指すに過ぎないことを理解すべきである。したがって、1つのエミッタ/センサをいくつかの内部結合点/外部結合点に光学的に結合してもよい。ただし図2Bの例では、検出線Dが、個々のエミッタ-センサの対によって画定されている。この実装形態およびさらなる改変形態が、参照によりその全体を本明細書に援用する、出願人の国際公開第2010/064983号パンフレットの中でより詳細に開示されている。図2は、FTIRシステムの一例を示すに過ぎないことを理解されたい。例えば検出線は、1つまたは複数の光ビームをパネル内で掃引しまたは走査することにより代わりに生成することができる。FTIRシステムのそのような例および他の例が、例えば米国特許第6972753号明細書、米国特許第7432893号明細書、米国特許出願公開第2006/0114237号明細書、米国特許出願公開第2007/0075648号明細書、国際公開第2009/048365号パンフレット、国際公開第2010/006882号パンフレット、国際公開第2010/006883号パンフレット、国際公開第2010/006884号パンフレット、国際公開第2010/006885号パンフレット、国際公開第2010/006886号パンフレット、および国際公開第2011/134865号パンフレットの中で開示されており、これらは全て参照により本明細書に援用される。本発明の概念は、そのような代替的FTIRシステムにも有利に適用することができる。実装形態に関係なく、光センサ3は、信号プロセッサ10によって受け取られサンプリングされる出力信号を集合的に提供する。出力信号は、それぞれが特定の光エミッタ2によって放出され、特定の光センサ3によって受け取られる光エネルギ、すなわち特定の検出線上で受け取られるエネルギを表す、投影信号とも示すいくつかの下位信号を含む。実装形態にもよるが、信号プロセッサ10は、個々の投影信号を分離するために出力信号を処理する必要があり得る。2.強いタッチを抑制するためのデータ修正本発明はその様々な態様において、たとえタッチが検出線に対して様々な相互作用度を有しても、例えば1つまたは複数のタッチが1つまたは複数の他のタッチに比べてFTIRシステム内の伝搬光の著しく強い減衰をもたらしても、タッチ面上の複数のタッチを検出できるタッチ判定技術に関する。様々な実施形態において、改善されたタッチ判定に関するこの能力は、投影信号から得られる強度値の分布を能動的に修正することによって達成され、各強度値は、タッチとそれぞれの検出線との間の相互作用度を直接または間接的に表す。以下でさらに説明するように、能動的な修正は、投影信号の値投影値とも示すに対して、投影信号を処理することによって得られ、再構成アルゴリズム/プロセスに入力するよう適合される再構成信号の値再構成値とも示すに対して、または投影信号を処理することによって得られる任意の種類の中間信号の値中間値とも示すに対して直接作動させることができる。図3Aは、上述のFTIRシステムなどのタッチセンス機器における再構成およびタッチデータ抽出のための方法の一実施形態を示す。図示の実施形態では、能動的な修正を上述の再構成信号に対して作動させる。この方法は、典型的には信号プロセッサ10図1~2によって繰り返し実行される、一連のステップ20~28を含む。この説明の脈絡では、各一連のステップ20~28は感知段階を示す。各感知段階はデータ収集ステップ20から始まり、ステップ20では、典型的には上記の投影信号のそれぞれの値をサンプリングすることによりFTIRシステム内の光センサ3から測定値が得られる。データ収集ステップ20は、各検出線につき1つの投影値をもたらす。そうである必要はないが、FTIRシステム内の使用可能な全ての検出線についてデータを収集してもよいことに留意されたい。データ収集ステップ20は、測定値の前処理、例えば雑音低減のためのフィルタリングを含んでもよい。変換ステップ22では、上述の再構成値に変換するために投影値を処理し、再構成値は、相互作用パターンを生成するために以下の再構成ステップ26で使用される再構成アルゴリズムに適合された形式で与えられる。再構成値の形式は、再構成アルゴリズムの種類に依存しまたは再構成アルゴリズムの種類によって与えられ、その形式は、タッチと検出線との間の相互作用によって引き起こされる信号エネルギの低下を概して表すことを強調しておく。以下の詳細な例では、形式を検出線の信号伝達の負の対数として与え、信号伝達は、基準値によって正規化される投影値によって与えられる下記参照。代替的実装形態では、形式を例えば基準値によって正規化される投影値によって与えられる透過率、例えば1-透過率によって与えられる減衰、例えば投影値と基準値との差によって与えられるエネルギ差、または減衰もしくはエネルギ差の対数として与えることができる。上記で用いたように、対数は、任意の底の真の対数関数に近似する関数も包含することを意図する。さらに、上記の変換関数の全ては任意の符号を有することができ、すなわち負の値を乗じても乗じなくてもよい。再構成アルゴリズムにもよるが、変換ステップ22を省略することが可能な場合もあり、それにより再構成値は投影値に等しい。修正ステップ24では、再構成値を処理し、弱いタッチに比べて強いタッチの影響を抑制する。これは、強く相互作用するタッチを再構成される相互作用パターン内で抑制するために、再構成値の集合のダイナミクスを変更する、すなわち様々な検出線の再構成値間の関係を変更するプロセスとみなすことができる。したがって、修正ステップ24は、検出線間の再構成値の相対分布を能動的に修正することによって1組の修正再構成値を生成する。詳細な例に関して以下でさらに説明するように、これは様々な方法で、例えば再構成値に再スケーリング関数を適用することによって、または強く相互作用するタッチを参照パターン内で識別し、それらの強く相互作用するタッチの影響を受けるとみなされる検出線についてのみ、再構成値を能動的に修正することによって達成することができる。以下、この1組の修正再構成値を修正再構成値とも呼ぶが、再構成値の一部しか修正しなくてもよい場合があることを理解されたい。再構成ステップ26で、修正ステップ24で得た修正再構成値を処理することにより、タッチ面上の相互作用パターンを再構成する。相互作用パターンは、タッチ面の全体またはタッチ面の関連部分にわたる相互作用値の分布である。各相互作用値は、典型的にはタッチ面上の特定の位置または再構成セルピクセルにおけるエネルギの局所的減衰を表す。ここでは、特定の形式の再構成値に対して作動するように再構成アルゴリズムが適合されること、すなわち再構成値が所定の関数またはアルゴリズムに従って投影値から得られることを理解することが重要である。そうである必要はないが、再構成値は、再構成アルゴリズムの基礎をなす物理的モデルに照らして少なくとも近似で正しいものとすることができる。形式は、再構成アルゴリズムが再構成値に対して作動される場合、修正再構成値に対して再構成アルゴリズムを作動させることによって得られる相互作用パターンよりも優れた、真の相互作用パターンの表現である相互作用パターンをもたらすほどに再構成アルゴリズムに適合する。したがって、本開示の脈絡では、後者の相互作用パターンを実際の相互作用パターンと示し、前者の相互作用パターンを修正相互作用パターンまたは歪曲相互作用パターンと示す。しかし、実際の相互作用パターンは、例えば測定もしくは処理雑音、信号検出における不正確もしくは非線形性、物理的モデルおよび/または再構成アルゴリズムにおける意図的なもしくは意図しない簡素化等の結果として、真の相互作用パターンから大幅にさえ逸脱する可能性があることを理解すべきである。再構成ステップ26では、フィルタ逆投影、FFTベースのアルゴリズム、ART代数的再構成法、SART同時代数的再構成法などのトモグラフィ再構成法を含む、使用可能な任意の再構成アルゴリズムを用いることができる。あるいは、再構成アルゴリズムは、1つまたは複数の基底関数を再構成値に適合させることにより、および/またはベイズ逆転などの統計的手法により相互作用パターンを生成することができる。タッチ判定で使用するために設計されたかかる再構成アルゴリズムの例は、その全てを参照により本明細書に援用する、国際公開第2010/006883号パンフレット、国際公開第2009/077962号パンフレット、国際公開第2011/049511号パンフレット、国際公開第2011/139213号パンフレット、2011年10月7日に出願されたPCT/SE2011/051201号明細書、および2011年10月27日に出願された米国仮特許出願第61/552024号明細書の中で見られる。従来の再構成法は、数学文献、例えばNattererによるTheMathematicsofComputerizedTomographyや、KakおよびSlaneyによるPrinciplesofComputerizedTomographicImagingの中で見られる。相互作用パターンは、タッチ面の1つまたは複数の副領域内で再構成してもよい。副領域は、上述の投影信号に基づき、タッチ面を横断する検出線の交差を解析することによって識別することができる。副領域を識別するためのかかる技術については、参照により本明細書に援用する国際公開第2011/049513号パンフレットの中でさらに開示されている。その後の抽出ステップ28では、タッチ関連の特徴を識別し、タッチデータを抽出するために修正相互作用パターンを処理する。修正相互作用パターン内のタッチを分離するために、知られている任意の技術を用いることができる。例えば、タッチを見出すために通常のブラブ検出および追跡技術を用いることができる。一実施形態では、最初に修正相互作用パターンに閾値を適用して雑音を除去する。その閾値を実装形態にもよるが下回るまたは上回る相互作用値を有するどんな領域もさらに処理し、例えば二次元二次多項式またはガウスベル形を相互作用値に適合させることにより、または相互作用値の慣性楕円を見つけることにより中心および形状を見つけることができる。クラスタ化アルゴリズム、エッジ検出アルゴリズム、標準ブラブ検出、撥水技術watersheddingtechnique、フラッドフィル技術など、当技術分野でよく知られている数多くの他の技術もある。これだけに限定されないが、xy座標、領域、形状、および/またはタッチ圧を含む、入手可能な任意のタッチデータを抽出することができる。ステップ28の後、抽出したタッチデータを出力し、このプロセスはデータ収集ステップ20に戻る。図3Aの実施形態のいくつかの改変形態が可能であることに気付くことが重要である。修正ステップ24の狙いは、ステップ26で再構成アルゴリズムに入力する修正再構成値を作成することである。改変形態では、変換ステップ22の前に投影値を修正するために、修正ステップ24がデータ収集ステップ20と変換ステップ22との間に含まれ、その場合、修正投影値に基づき修正再構成値を直接生成することができる。同様の改変形態では、修正ステップ24がデータ収集ステップ20内に含められ、それにより1組の修正投影値を作り出す。別の改変形態では、修正ステップ24が変換ステップ22内に含められ、それにより修正再構成値を直接生成する。上記の改変形態の組合せも考えられ、すなわちタッチ判定プロセスが、修正再構成値を生成するように集合的に働く複数の修正ステップを含むことも考えられる。修正ステップが別のステップに含まれる場合、その修正ステップは他の機能上の動作の中に埋め込まれ、その修正ステップは構造的に方法の別個のステップではない。ただし機能上、その方法は修正ステップを含む。図3Aの実施形態およびその改変形態に関し、ステップ20~28の1つまたは複数を同時に生じさせてもよいことを理解されたい。例えば、次の感知段階のデータ収集ステップ20を、ステップ22~28のいずれか1つと同時に開始することができる。再構成およびタッチデータ抽出のためのこの方法は、FTIRシステム内の光センサ3から測定値を得るために接続されるデータ処理装置図1~2の信号プロセッサ10参照によって実行され得る。図3Bは、図3Aの方法を実施するためのかかるデータ処理装置10の一例を示す。図示の例では、装置10は、出力信号を受け取るための入力部200を含む。装置10は、出力信号を処理して投影値を生成するためのデータ収集要素または手段202、投影値を再構成値に変換するための変換要素または手段204、再構成値を修正するための修正要素または手段206、修正相互作用パターンを生成するための再構成要素または手段208、および修正相互作用パターンを出力するための出力部210をさらに含む。図3Bの例では、タッチデータの実際の抽出は、データ処理装置10から修正相互作用パターンを受け取るために接続される別個の装置10’によって実行される。データ処理装置10は、1台または複数台の汎用コンピューティングデバイスまたは専用コンピューティングデバイス上で実行される、専用ソフトウェアまたはファームウェアによって実装することができる。この文脈では、かかるコンピューティングデバイスの各要素または手段は、方法ステップの概念上の等価物を指し、要素/手段とハードウェアの特定の部分またはソフトウェアルーチンとの間には、必ずしも1対1の対応があるとは限らないことを理解すべきである。1つのハードウェアが様々な手段/要素を含むこともある。例えば処理装置は、1つの命令を実行するときは1つの要素/手段として働くが、別の命令を実行するときは別の要素/手段として働くことができる。加えて、場合によっては1つの要素/手段を1つの命令によって実装できるが、他の一部の事例では複数の命令によって実装することができる。必然的に、1つまたは複数の要素手段が、アナログハードウェアコンポーネントによって完全に実装されることが考えられる。ソフトウェアによって制御されるコンピューティングデバイスは、1つまたは複数の処理装置、例えばCPU中央処理装置、DSPデジタル信号プロセッサ、ASIC特定用途向け集積回路、個別アナログおよび/またはデジタル部品、またはFPGA書替え可能ゲートアレイなどの他の何らかのプログラム可能論理装置を含むことができる。データ処理装置10は、システムメモリ、およびシステムメモリを含む様々なシステムコンポーネントを処理装置に結合するシステムバスをさらに含むことができる。システムバスは、様々なバスアーキテクチャのいずれかを使用するメモリバスまたはメモリコントローラ、周辺バス、およびローカルバスが含まれる数種類のバス構造のうちのどれでもよい。システムメモリは、読取専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、フラッシュメモリなど、揮発性および/または不揮発性メモリ形式のコンピュータ記憶媒体を含むことができる。専用ソフトウェアは、システムメモリ内に、または磁気媒体、光学媒体、フラッシュメモリカード、デジタルテープ、固体RAM、固体ROMなど、コンピューティングデバイス内に含まれ、もしくはコンピューティングデバイスにとってアクセス可能な他の着脱式/固定型の揮発性/不揮発性コンピュータ記憶媒体上に記憶することができる。データ処理装置10は、シリアルインターフェイス、パラレルインターフェイス、USBインターフェイス、ワイヤレスインターフェイス、ネットワークアダプタなどの1つまたは複数の通信インターフェイス、ならびにA/D変換器などの1つまたは複数のデータ収集装置を含むことができる。専用ソフトウェアは、任意の適切なコンピュータ可読媒体、例えば記録媒体や読取専用メモリ上でデータ処理装置10に提供することができる。3.再構成値の選択上記で述べたように、再構成値の形式は再構成アルゴリズムの種類によって決まる。多くのトモグラフィ再構成アルゴリズムは、減衰フィールドを再構成するように設計され、すなわち再構成された相互作用パターン内の各相互作用値は、減衰媒体によるエネルギの局所的減衰を示す。図2AのFTIRシステムに戻り、光が接触物7によって遮断されることはない。したがって、2つの物体7がたまたまエミッタ2からセンサ3までの光経路に沿って互いに置かれる場合、どちらの物体7も伝搬光と相互作用する。光エネルギが十分だと仮定して、光の残りがセンサ3に到達し、両方の相互作用タッチを識別できるようにする出力信号を生成する。したがって、マルチタッチFTIRシステムでは、透過光が複数のタッチに関する情報を運ぶことができる。以下の式では、Tkは、k番目の検出線Dkの透過率であり、TVは、検出線Dkに沿った特定の位置における透過率であり、AVは、その特定の位置における相対減衰度である。したがって、検出線に沿ってモデル化された全透過率は次式の通りである。上記の等式は、点がかなり大きく、ある距離だけ離れている場合に、タッチ面上の別個の物体によって引き起こされる減衰を解析するのに適している。しかし、次式の通り、減衰媒体による減衰のより正確な定義を用いてもよい。この公式では、Ikは、減衰物体を伴う検出線Dk上の伝達エネルギを表し、I0,kは、減衰物体を伴わない検出線Dk上の伝達エネルギを表し、axは、検出線Dkに沿った減衰係数である。この公式では、検出線がその全範囲に沿ってタッチ面と相互作用すると仮定し、すなわち検出線は数学的な線として表される。このようにして、トモグラフィ再構成モデルが、検出線の透過データに対して作動するように設計され得ることを実現する。その透過データは、投影値をそれぞれのバックグラウンド値または基準値で割ることによって得ることができる。バックグラウンド値を適切に選ぶことにより、投影値が透過値に変換され、その結果透過値は、検出線のそれぞれの上で測定されている有効光エネルギの例えば[0,1]の範囲の比率を表す。バックグラウンド信号は、例えば工場での較正によりあらかじめ設定することができ、タッチ判定プロセス前後の別個の較正ステップ中に得ることができ、またはパネルに物体が一切接触することなしに、1つまたは複数の先行する感知段階中に得た投影値から、ことによると1組のかかる投影値を平均することによって導き出してもよい。タッチ判定プロセス図3A参照中に得た投影値を解析することによりバックグラウンド値を選択的に更新する、バックグラウンド値を生成するより高度な技術に関して、参照により本明細書に援用する国際公開第2011/028169号パンフレットおよび国際公開第2011/049512号パンフレットを参照する。フィルタ逆投影FBPなどの特定のトモグラフィ再構成法は、線積分を扱うランダム変換の理論に基づく。したがって、かかる再構成法は、透過率の負の対数によって与えられる再構成値dkに対して作動するように設計することができる。改変形態では、再構成値dkは、この変換関数の知られている任意の近似式によって与えることができる。1に近いTkの正確な概算であり、より小さいTkの値にも有用であり得る-logTkの簡単な近似式が、dk=1-Tkによって与えられる。4.詳細な例この節では、修正再構成値を生成するための2つの主な手法をより詳細に例示する。1組の所与の投影値を-logTkにより変換することにより得られる再構成値に対してトモグラフィ再構成アルゴリズムを作動させることによって得られる相互作用パターンとの比較により、それぞれの手法の性能改善を示す。投影値は、図2Bに示す種類のFTIRシステム内で受け取られる光エネルギを表す。図4Aは、タッチ面の座標系における結果として生じる実際の相互作用パターンを示し、色の濃い領域は高い減衰を示す。図4Aは、最小値と最大値との間で相互作用パターンを自動スケーリングすることによって生成されている。図4Aからは、実際の相互作用パターン内にあたかも2つのタッチしかないように見える。しかし、実際にはタッチ面上の4つの物体に関して1組の投影信号が生成されているが、それらの物体の2つは、残りの2つの物体よりも著しく10倍弱い相互作用をもたらしている。図4Bでは、図4Aの相互作用パターンを再スケーリングして弱い特徴を強調している。ここでは、強く相互作用するタッチの間に2つの弱く相互作用するタッチを認めることができる。弱く相互作用するタッチの相互作用値が、強く相互作用するタッチによって引き起こされるアーティファクトにより部分的に隠されることが見てとれる。図4Bの例では、アーティファクトが、強く相互作用するタッチから発せられる星形の筋を含む。例えばアーティファクトは、接触物によって引き起こされるタッチ面の局所的変形から生じることができ、かつ/または再構成アルゴリズムが真の相互作用パターンを正確に再現できないことに起因してもよい。アーティファクトの起源をさらに説明するために、再構成値dが、物理タッチシステムの特性を反映する投影関数Pに応じてタッチ面上の減衰フィールドaに依存すると仮定されたい。d=Pa再構成ステップ図3Aのステップ26参照は、再構成関数P’を用いて、再構成値dから減衰フィールドa0真の相互作用パターンaの近似を再構成することを目的とする。a0=P’d典型的には、再構成関数P’は、投影関数Pの厳密な逆関数ではない。1つの理由は、物理タッチシステムの特定の特性をP’内に含めることが困難でありかつ/または計算コストが高いことであり得る。別の理由は、P’が、完璧な再構成を可能にしない数学的原理に基づくことであり得る。いずれにせよ、再構成される相互作用パターンa0はアーティファクトを含む。典型的には、強いタッチは弱いタッチよりも強いアーティファクトを生ぜしめ、P’がdの一次関数である場合は確実にそうである。タッチシステムが、たとえ一桁または数桁でも相互作用の強度の点で著しく異なるタッチを受ける場合、強く相互作用するタッチのアーティファクトが弱く相互作用するタッチを隠し得るかなりのリスクがある。さらに、著しい雑音レベルがあることは、弱く相互作用するタッチの識別を一層困難にする場合がある。4.1再スケーリング関数の使用強く相互作用するタッチ以上に弱く相互作用するタッチを相互作用パターン内で強調するための1つの主な手法は、再構成アルゴリズムに供給される再構成値における強いタッチと弱いタッチとの間のダイナミクスを低下させる再スケーリング関数を適用することである。上記で述べたように、この再スケーリング関数は、再構成値、投影値、またはタッチ判定プロセス図3A参照内で用いられる何らかの中間値を修正するために適用することができる。以下の例では、様々な検出線の再構成値を修正するために再スケーリング関数を適用すると仮定する。図5は、かかる再スケーリング関数を実施する、タッチデータを求めるための処理構造の概略的なブロック図である。この処理構造は、光センサ3から出力信号を取得し、様々な検出線の1組の再構成値dを生成するブロック51を含む。ブロック52は、投影値に再スケーリング関数を適用し、検出線の1組の修正再構成値d’を生成する。ブロック53は、その修正再構成値に対して再構成アルゴリズムを作動させ、修正相互作用パターンa1を生成する。ブロック54は、修正相互作用パターンa1に対して作動してタッチデータを求め、そのタッチデータは下流処理または他用途のために出力される。この例では、再構成を行う前にそれぞれの再構成値に再スケーリング関数fを適用する。a1=P’fdここでは、fは、d内の再構成値に再スケーリング関数fを要素単位で適用し、修正再構成値d’を生成するための関数である。再スケーリング関数fは、典型的には減少する増加率を有する非線形の単調増加関数であり、すなわちこの関数の導関数は再構成値が増加するにつれて減少する。図6A~図6Cは、適切な再スケーリング関数fの3つの例を示す。図6Aは、対数に基づく関数fldk=δlog1γdkのグラフであり、図6Bは、逆双曲線正弦関数に基づく再スケーリング関数fadk=δasinhγdkのグラフであり、図6Cは、シグモイド関数ロジスティック関数に基づく再スケーリング関数のグラフである。これらの再スケーリング関数の全てはdk=0の近くではほぼ線形であり、パラメータγは、dkの大きな値をスケールダウンする影響で、dkが0から増加するとき再スケーリング関数がどれ位で著しく非線形になるのかを制御する。図6A~6Cのグラフでは、制御パラメータγを10、1000、および10にそれぞれ設定した。パラメータδは、再構成アルゴリズムによって要求される場合、例えば最大再構成値が1であるように、関数を線形にスケールするために用いることができる。これらの再スケーリング関数の全てが雑音によって生じ得る負の信号値を扱えるが、fl図6Aはより大きい負の値については不定であり、そのような事例を別途処理しなければならないことに留意すべきである。全ての再スケーリング関数のための別の手法は、dk<0の場合にfdk=0に設定することである。上記の再スケーリング関数は例として与えたに過ぎず、当業者はfの他の多くの実行可能な選択肢があることをすぐに理解されよう。図7は、図4Aの相互作用パターンを生成するために処理した再構成値dを修正することによって得られる修正相互作用パターンを示し、再構成値は、γ=107で、fdk=δasinhγdkを適用することにより修正される。図7の修正相互作用パターンは、最小値と最大値との間で相互作用パターンを自動スケーリングすることによって生成されている。図4Aの実際の相互作用パターンと比較すると、雑音および再構成アーティファクトに関係なく、弱く相互作用するタッチおよび強く相互作用するタッチの両方が、修正相互作用パターン内では容易に識別されることが明らかである。もはやタッチ判定プロセスが、真の相互作用パターンの密な近似を再構成することを目的としていないことに留意すべきである。このことは、修正相互作用パターン内の強く相互作用するタッチと弱く相互作用するタッチとの間の比が、真の比から著しく外れる可能性が高いことから明らかである。多くの状況において、例えば主な作業が全てのタッチを検出し、それらの位置を十分高い精度で推定することである場合、これは重大な制限ではない。タッチの絶対減衰量も必要な場合、いくつかの方法で得ることができる。タッチの実際の減衰量を再構成する1つの方法は、例えばタッチ内の所要の位置においてP’dを計算することにより、実際の相互作用パターンを局所的に再構成することである。関数P’が、より強いタッチに起因する著しいアーティファクトを作り出す場合、アーティファクトがより少なくより正確だがより時間のかかる再構成関数P’’を適用し、実際の相互作用パターンを所要の位置において局所的に再構成することができる。もう1つの方法は、以下に記載する反復補償法を用いて、再構成を行う前に再構成値d内の他の全てのタッチからの寄与率を抑制することである。さらに別の方法は、以下のように修正相互作用パターンに補償関数f’を適用し、再スケーリング関数fの影響を弱めることである。a’1=f’P’fdただし、非線形再スケーリング関数fを適用することは、f’によって完全には補償できない再構成P’fdの歪みを概してもたらすことに留意すべきである。図6A~6C内の例示的な再スケーリング関数に関して述べたように、再スケーリング関数fは、どの信号値をほぼ線形にマップし、どの信号値を非線形にマップスケールダウンするのかを制御するパラメータγを有することができる。かかる制御パラメータγは、強く重いタッチによってもたらされる信号レベルの範囲および/または雑音レベルに応じて設定することができる。概して、最も弱いタッチの信号レベルをほぼ線形にマップされる範囲内に有し、より強いタッチを著しく非線形にマップされる範囲内に有することが良いアイデアであり得る。実装形態にもよるが、信号値は、投影値、再構成値、または中間値とすることができる。4.2反復補償の使用強く相互作用するタッチ以上に弱く相互作用するタッチを相互作用パターン内で強調するためのもう1つの主な手法は、タッチ面上の基準パターンを取得し、その基準パターン内の強く相互作用する全てのタッチの位置を識別することである。次いで、それらの位置と交差する検出線を識別し、それらの検出線の投影値/中間値/再構成値を修正し、強く相互作用するタッチからの寄与率を減らす。以下の例では、交差する検出線の再構成値に対して修正が行われると仮定する。したがって、基準パターンは、強く相互作用するタッチの位置を突き止めることを可能にするものとする。以下の例では、基準パターンは、投影値から得られる再構成値dに対して再構成アルゴリズムを作動させることによって得られる。a0=P’dしたがって、最初の再構成反復では、基準パターンとして用いるための実際の相互作用パターンa0が得られる。図4Aに示すように、実際の相互作用パターンは強いタッチを容易に識別できるようにする。次いで、実際の相互作用パターンa0内で識別した強いタッチからの寄与率を再構成値d内で抑制し、さらには除去することにより修正再構成値d’を求める。その後、2回目の再構成反復では、修正再構成値d’に対して再構成アルゴリズムを作動させて修正相互作用パターンa1=P’d’を生成し、この修正相互作用パターン内では、弱く相互作用するタッチが強く相互作用するタッチ以上に強調される。図8は、この反復補償法を用いてタッチデータを求めるための処理構造の概略的なブロック図である。この処理構造は、光センサ3から出力信号を取得し、様々な検出線の再構成値dを生成するブロック81を含む。反復補償を制御するように設計されるブロック82は、再構成値dに対してまず再構成アルゴリズムを作動させ、実際の相互作用パターンa0を生成する。ブロック83は、実際の相互作用パターンa0を解析し、全ての強いタッチおよびそれらの強いタッチの影響を受ける検出線を識別する。この文脈では、強いタッチは、実際の相互作用パターンa0内で識別可能な全てのタッチとして定義することができる。影響を受ける検出線およびことによるとかかる検出線ごとの寄与値に関する情報pが、ブロック81で使用するためにブロック83によって出力される。ブロック81は、ブロック83からの情報pを用いて修正再構成値d’を生成するように構成され、その後ブロック82は、修正再構成値d’に対して再構成アルゴリズムを作動させ、修正相互作用パターンa1を生成する。ブロック84は、修正相互作用パターンa1およびことによると実際の相互作用パターンa0に対して作動し、下流処理または他用途のために出力されるタッチデータを求める。一実施形態では、影響を受ける検出線の再構成値をそれぞれの再構成値に対する強いタッチの推定寄与率だけ例えば上述の寄与値を用いて低下させることにより、修正再構成値d’を生成する。より少ない処理を必要とし、よりロバストであり得る代替的実施形態では、影響を受ける検出線の再構成値を低減された相互作用を示す値に設定することにより、例えばこれらの再構成値を所定の量またはパーセンテージ比率低下させることにより、またはそれらを既定値に設定することにより、修正再構成値d’を生成する。一実施形態では、後に修正される相互作用パターン内で強いタッチが実質的になくなる消滅されるように既定値を選ぶ。例えばこの既定値は、影響を受ける検出線がタッチによる影響を全く受けないことを示すように設定することができる。再構成値がdk=-logTkによって与えられる場合、既定値はゼロ0であり得る。そのような既定の基準を用いることにより、弱いタッチに関する情報も再構成値dから除去されるが、より弱いタッチを修正相互作用パターンa1内で検出可能にするようにより弱いタッチからの十分な情報が修正再構成値d’内に通常残り、タッチデータを十分良く抽出できるようにする。図9は、図4Aの相互作用パターンを生成するために処理した再構成値dを修正することによって得られる修正相互作用パターンを示す。この例では、修正再構成値d’は、図4A内の強いタッチの影響を受ける検出線の全ての再構成値をゼロに設定することによって得た。図9の修正相互作用パターンは、最小値と最大値との間で相互作用パターンを自動スケーリングすることによって生成されている。図4Aの実際の相互作用パターンにおける強く相互作用するタッチがない一方で、弱く相互作用するタッチの両方が修正相互作用パターン内で容易に識別されることが明らかである。したがって、実際の相互作用パターンと修正相互作用パターンの両方にアクセスできることにより、ブロック84図8は、タッチ面上のあらゆる物体についてのタッチデータを求めることができる。この反復補償法は任意の再構成アルゴリズムP’とともに使用することができること、ならびにさらなる反復を実行するように、すなわち修正相互作用パターンa1内で検出されるタッチからの寄与率を除去することにより、さらなる修正再構成値d’’を生成するように、およびそのさらなる修正再構成値d’’に対して再構成アルゴリズムを作動させ、さらなる修正相互作用パターンa2を生成するように等、処理構造を構成することが可能であることを理解されたい。強いタッチの影響を受ける検出線を識別するための基準パターンとして用いる前に、例えば特徴を強調するために、雑音を低減するために等、実際の相互作用パターンを前処理することが考えられる。代替形態では、先行する感知段階で求めた実際の相互作用パターンから基準パターンを得る。図8のブロック83に戻り、強いタッチは、例えば図3Aの抽出ステップ28に関して論じた既知の任意の特徴抽出技術によって識別することができる。強いタッチを識別すると、様々な技術を利用して強いタッチの影響を受ける検出線を突き止めることができる。一実施形態では、ブロック83は、タッチ面上の領域をその領域と交差する検出線に結び付けるデータ構造DB図8にアクセスすることができる。例えば、相互作用パターンがタッチ面上の再構成セルピクセルのグリッド内の相互作用値を定める場合、データ構造DBは、タッチ面の座標系内の特定の位置を有する各再構成セルを1組の交差する検出線に関連させることができる。それによりブロック83は、それぞれの強いタッチに含まれる再構成セルをデータ構造DBにマップし、影響を受ける検出線を識別することができる。別の実施形態では、第1のおよび第2の次元値がタッチ面上の検出線の位置を定めるように、二次元サンプル空間内の第1のおよび第2の次元値により各検出線を画定する。例えば、フィルタ逆投影FBPの分野では、基準方向に対する検出線の回転角ψ、および所定の起点からの検出線の距離sに関して検出線を画定することは珍しくない。所謂サイノグラムを形成するために、再構成値を二次元サンプル空間、ψ,s平面にマップできることもよく知られている。そのようなサイノグラムの一例を図10に示し、図10では、それぞれの四角形が検出線の再構成値を表す。タッチ面上の各位置は、ψ,s平面内の所定のサイン曲線sinuscurveに対応する。図10は、実際の相互作用パターン内で識別した3つの強いタッチに対応する、3つのかかる曲線P1~P3を示す。実際に、図示する各曲線P1~P3は、実際の相互作用パターン内でそれぞれの強いタッチによって覆われる各再構成セルのいくつかの曲線からなる。さらに、ψ,s平面内にバンドを形成するように、そのような各曲線にはs方向に一定の幅が与えられる。この幅は、相互作用パターン内の再構成セルのサイズに応じて設定することができる。影響を受ける検出線は、単純に相互作用パターン内のそれぞれの強いタッチの位置を、ψ,s平面内のその対応する曲線P1~P3にマッピングすることにより、および各曲線P1~P3をψ,s平面にマップされる検出線と交差させることによって識別できることが理解される。図10に示すように、ψ,s平面内にサイノグラムを形成するように再構成値がマップされる場合、例えば曲線P1~P3によって交差される全ての再構成値を所定の値、例えばゼロに設定することにより、所定の基準をマッピングと同時に適用することができる。比較のために、図10は、実際の相互作用パターン内では検出できない弱いタッチに対応する曲線P4点線も含む。たとえ影響を受ける全ての検出線の再構成値がゼロに設定されても、弱いタッチが検出可能な修正相互作用パターンを再構成関数が生成することを可能にする、かなりの量の再構成値が曲線P4に沿って残ることが理解される。サンプル空間を定めるために用いることができる、検出線の他のパラメータ表現があることを理解すべきである。例えば、従来のトモグラフィ、例えば医療分野で広く使われている標準的形状であるファン形状で用いられるように、検出線をβ,a平面内で表してもよい。そのような標準的形状では、基準方向に対する検出線の内部結合点または外部結合点の角位置β、および検出線の回転角αに関して検出線を定めることができる。あるいは、内部結合点および外部結合点は、それぞれの一意のインデックスによって与えることができ、それによりサンプル空間の第1の次元が内部結合点のインデックスによって与えられ、サンプル空間の第2の次元が外部結合点のインデックスによって与えられる。5.結論本発明を主にいくつかの実施形態に関して上記で説明してきた。しかし、当業者なら容易に理解されるように、上記で開示した実施形態以外の実施形態も、添付の特許請求の範囲によって定め、それによってのみ限定される本発明の範囲および趣旨の範囲内で等しく可能である。修正相互作用パターン、および該当する場合は実際の相互作用パターンは、タッチデータを抽出する図3Aのステップ28参照前に後処理にかけてもよいことを理解されたい。かかる後処理は、例えば雑音除去および/または画像強調のための様々な種類のフィルタリングを含み得る。出力信号に基づいて再構成値を生成する他の方法があることを当業者なら理解されよう。例えば、出力信号に含まれるそれぞれの投影信号を時間領域における高域フィルタリングにかけることができ、それにより、そのようにフィルタリングされた投影信号はバックグラウンドが補償されたエネルギを表し、再構成値を生成するために処理することができる。相互作用パターンは、任意の時間尺度に基づくタッチ面上の相互作用の変化を表すように生成することができる。上記の例は、例えばタッチセンス機器の起動や較正以降の長い時間尺度に基づく相互作用の変化に対応する、タッチ面上の現在の相互作用を表す実際の相互作用パターンの歪曲バージョンである修正相互作用パターンをもたらす。代替形態では、修正相互作用パターンは、例えばおおよそ1ms~100sまたは5ms~5sの範囲内のより短い時間尺度に基づく相互作用の変化を表す実際の相互作用パターンの歪曲バージョンとして生成される。さらに、FTIRシステムに関して与えた上記の全ての実施形態、例、改変形態、および代替形態は、光以外のエネルギを伝達することによって動作するタッチセンス機器に等しく適用可能である。一例では、タッチ面を導電性パネルとして実装することができ、エミッタおよびセンサは、電流をパネルの内外に結合する電極とすることができ、出力信号はそれぞれの検出線上のパネルの抵抗/インピーダンスを示すことができる。別の例では、タッチ面は誘電体として働く材料を含むことができ、エミッタおよびセンサは電極とすることができ、出力信号はそれぞれの検出線上のパネルの静電容量を示すことができる。さらに別の例では、タッチ面は振動伝導媒体として働く材料を含むことができ、エミッタは振動発生器例えば音響または圧電変換器とすることができ、センサは振動センサ例えば音響または圧電センサとすることができる。"