"基板と、前記基板に実装された光半導体素子と、前記基板上に形成され、前記光半導体素子と電気的に接続する金属電極と、前記光半導体素子及び前記金属電極を覆い、透明無機酸化物で形成されたプリコート層と、前記プリコート層を覆う付加反応硬化型シリコーン樹脂層と、を備えることを特徴とする発光デバイス。前記透明無機酸化物は、酸化ケイ素であることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記透明無機酸化物は、原料ガスとしてテトラエトキシシランを用いることを特徴とする請求項2に記載の発光デバイス。基板と、前記基板に実装された光半導体素子と、前記基板上に形成され、前記光半導体素子と電気的に接続する金属電極と、前記光半導体素子及び前記金属電極を覆い、透明無機酸化物で形成されたプリコート層と、前記プリコート層を覆う付加反応硬化型シリコーン樹脂層と、を備える発光デバイスの製造方法において、プリコート層を形成する工程は、プラズマCVD法により、成膜温度200°C以下で、テトラエトキシシランを原料ガスとして酸化ケイ素の透明無機酸化物を形成することを特徴とする発光デバイスの製造方法。本発明の目的は、このような課題に対処するためになされたもので、光半導体素子を実装した基板と、この光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン樹脂を用いた発光デバイスにおいて、基板上に形成された金属電極の腐食を防止し、高信頼性の発光デバイスを提供することである。本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。本発明に係る発光デバイスは、基板と、前記基板に実装された光半導体素子と、前記基板上に形成され、前記光半導体素子と電気的に接続する金属電極と、前記光半導体素子及び前記金属電極を覆い、透明無機酸化物で形成されたプリコート層と、前記プリコート層を覆う付加反応硬化型シリコーン樹脂層と、を備えることを特徴とする。上記構成により、発光デバイスにおいて、基板上に形成された金属電極の腐食を防止し、信頼性を向上することができる。また、前記透明無機酸化物は、酸化ケイ素であることを特徴とする。その場合、前記透明無機酸化物は、原料ガスとしてテトラエトキシシランを用いることを特徴とする。また、本発明に係る発光デバイスの製造方法は、基板と、前記基板に実装された光半導体素子と、前記基板上に形成され、前記光半導体素子と電気的に接続する金属電極と、前記光半導体素子及び前記金属電極を覆い、透明無機酸化物で形成されたプリコート層と、前記プリコート層を覆う付加反応硬化型シリコーン樹脂層と、を備える発光デバイスの製造方法において、プリコート層を形成する工程は、プラズマCVD法により、成膜温度200°C以下で、テトラエトキシシランを原料ガスとして酸化ケイ素の透明無機酸化物を形成することを特徴とする。これにより、光半導体素子の劣化を防ぎ、基板と反射部材の接続を向上することができる。上記構成により、発光デバイスにおいて、基板上に形成された金属電極の腐食を防止し、信頼性を向上することができる。以下、本発明の実施の形態を図に基づいて詳細に説明する。図1から図3は、本発明の発光デバイスの一実施形態を形成する工程を示す概略断面図である。また、図4は本発明の発光デバイスの一実施形態を示す概略断面図である。図4に示すように、本実施形態の発光デバイス1は、基板3と、基板に実装された光半導体素子6と、基板3上に形成され、光半導体素子6と電気的に接続する金属電極4、5と、光半導体素子6及び金属電極4、5を覆い、透明無機酸化物で形成されたプリコート層8と、プリコート層8を覆う付加反応硬化型シリコーン樹脂層9と、を備えている。以下、図1から図4において本実施形態の発光デバイスの製造方法を説明する。図1は、基板上に金属電極を形成する工程金属電極形成工程と、反射部材を設置する工程反射部材設置工程を示す図である。金属電極形成工程は、基板3に銀ペースト等を用いて形成される銀配線電極である金属電極4、5が形成する。また、反射部材設置工程は、傾斜貫通孔を形成した反射部材2を基板3上に金属電極4、5を介して設置する。基板3の材質は、セラミックスが一般的に用いられる。なお、基板3の材質は、金属電極4、5を形成するときに加熱される温度に耐える樹脂なら使用可能であり、例えばポリイミド樹脂等が使用できる。反射部材2は、開口端から底面に向かって狭まる傾斜貫通孔を有する。また、傾斜貫通孔は、発光デバイス1の上面視において、例えば円形に形成されている。反射部材2の材質は、一般的には多孔質セラミックス等のセラミックスを用いる。また、反射部材2と基板との接合は、金属電極4、5を形成した基板3とエポキシ樹脂等を用いて接合している。図2は、基板3に光半導体素子6を実装する工程光半導体素子実装工程を示す図である。光半導体素子実装工程において、光半導体素子6は金属電極4上に搭載されることにより、基板に実装されている。また、光半導体素子6は、金属電極5とワイヤーボンド7により電気的に接続している。なお、光半導体素子6と金属電極4は、図示しないが銀ペースト剤、錫銀ペースト剤、銀ナノ粒子を含むペースト剤等を用いて接合されている。また、光半導体素子6と金属電極4の接続はペースト剤だけに限られるものでなく、ハンダ等を用いてもよい。図3は、光半導体素子6及び金属電極4、5を覆うプリコート層8を形成する工程プリコート層形成工程を示す図である。プリコート層形成工程において、光半導体素子6及び金属電極4、5がプリコート層8に覆われる。また、本実施形態の場合、プリコート層8は、さらに反射部材2の傾斜貫通孔側の傾斜面と、反射部材2の金属電極4、5に接する面と反対の面と、基板3の光半導体素子6を実装した面のうち露出した部分と、を覆っている。なお、反射部材2の傾斜面及び金属電極4、5に接する面と反対の面は必ずしもプリコート層8で覆われている必要はない。金属電極4、5及び光発光素子6がプリコート層8に覆われていれば、腐食の防止及び信頼性の向上が図れる。プリコート層8は、透明無機酸化物である。また、透明無機酸化物としては、例えば、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム等があげられる。プリコート層8はスパッタ等に形成された場合、形成時に400-500°Cの高温となるため、形成時の熱により光半導体素子6が劣化、或いは、破壊する可能性がある。また、同様に光半導体素子6と金属電極4の接続部や、反射部材2と金属電極4、5を形成した基板3との接続部が脆くなる可能性もある。そのため、プリコート層形成工程において、テトラエトキシシランを原料ガスとして用いるプラズマCVD法により、成膜温度200°C以下で酸化ケイ素の透明無機酸化物を形成することが好ましい。また、プリコート層8の厚みは、0.5μm程度でよいことを後述する腐食性試験で確認した。図4は、プリコート層8を付加反応硬化型シリコーン樹脂層9で封止する工程付加反応型シリコーン樹脂層形成工程を示す図である。以上により、本実施形態の発光デバイス1を作製することができる。本実施形態により、金属電極4、5の腐食を防止し、高信頼性の発光デバイス1を提供することができる。なお、付加反応硬化型シリコーン樹脂9は透明であるが、光半導体素子6で発光する発光色を変換するために、蛍光体等の混合物を混入させてもよい。また、ここまで、1つの発光デバイスの構造を説明したが、本願を実施する際には、ウェハ単位で処理することが可能であり、抵コストで実現できるものである。また、発光デバイス1の構造は図4に示したものに限られるものでなく、例えば図5に示す構造でもよい。図5は本発明の発光デバイスの別の一実施形態を示す概略断面図である。図5において、発光デバイス1は、中央部に窪み部を有する基板3と、基板3の一方の面側において、その中央部に設けられた窪み部の底部に実装された光半導体素子6と、基板3上に形成され、光半導体素子6と電気的に接続する内部電極金属電極14、15と、金属電極14、15及び光半導体素子6を覆うプリコート層8と、プリコート層8を覆う付加反応硬化型シリコーン樹脂層9とから構成されている。また、基板3の一方の面と反対の面側に形成された外部電極11,12と内部電極14、15とが貫通電極13によって接続されている。また、基板3の窪み部の壁部は傾斜面で形成されている。また窪み部の壁面には、光半導体素子6からの光を効率よく放射するために銀で形成された反射膜16が形成されている。また、光半導体素子6と内部電極14は銀ペースト等によって接合され、光半導体素子6と内部電極15はワイヤーボンド7で接続されている。プリコート層8は、さらに反射膜16、基板3の窪み部の壁面、基板3の一方の面のうち露出する部分を覆っている。なお、本実施形態においても、プリコート層9に内部電極14、15が覆われていればよく、内部電極14、15の腐食を防止することができる。なお、発光デバイス1の構成は、以上の実施形態に限らず、基板と、基板に実装された光半導体素子と、基板上に形成され、光半導体素子と電気的に接続する金属電極と、光半導体素子及び金属電極を覆い、透明無機酸化物で形成されたプリコート層と、プリコート層を覆う付加反応硬化型シリコーン樹脂層と、を備えていれば種々の構成を採用することができる。その場合においても、金属電極の腐食を防止し、高信頼性の発光デバイスを提供することができる。[腐食性試験]以下、発光デバイスにおける腐食性試験により、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の試験例に限定されるものではない。プリコート層の厚みを変えたものと、プリコート層がないものを準備し、市販シリコーン樹脂KER2500;信越シリコーンで封止した発光デバイスを硫黄結晶0.1gとともに100ccガラス瓶に入れ密閉して70°Cで放置し、1日後に封止した部分の銀電極の腐食の程度を目視で観察した。結果を表1に示す。表1中の○は腐食変色なしを示し、×は黒変ありを示すものである。表1に示した通り、プリコート層のないものは腐食したが、プリコート層のあるものは腐食しないことが確認できた。また、プリコート層の厚み0.5μm以上の発光デバイスで、優れた腐食防止の効果を確認できた。"