基板の表面に光デバイス層が積層され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成され、該基板の裏面に金属膜が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、該第2の金属膜除去工程は、該第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。基板の表面に光デバイス層が積層され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成され、該基板の裏面に金属膜が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、該第1の金属膜除去工程は、該第2の分割予定ラインと対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。該第2の金属膜除去工程を実施した後に、該基板の裏面側から該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第1のレーザー加工溝および該第2のレーザー加工溝に沿って照射し、該基板の内部に該第1のレーザー加工溝および該第2のレーザー加工溝に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する、請求項1又は2記載の光デバイスウエーハの加工方法。而して、基板の裏面に被覆された金属膜側から第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射して金属膜を第1の分割予定ラインと対応して除去した後に、第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射する際に、第1の分割予定ラインと対応する交差領域においては既に金属膜が除去されているので、レーザー光線が基板を透過して基板の表面に形成された光デバイス層に照射され、光デバイス層にダメージが生じ光デバイスの品質を低下させるという問題がある。本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、光デバイス層にダメージを与えることなく基板の裏面に被覆された金属膜における分割予定ラインと対応する領域を除去することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供することにある。上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に光デバイス層が積層され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成され、該基板の裏面に金属膜が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、該第2の金属膜除去工程は、該第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。また、本発明によれば、基板の表面に光デバイス層が積層され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成され、該基板の裏面に金属膜が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、該第1の金属膜除去工程は、該第2の分割予定ラインと対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。上記第2の金属膜除去工程を実施した後に、基板の裏面側から基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を第1のレーザー加工溝および第2のレーザー加工溝に沿って照射し、基板の内部に第1のレーザー加工溝および第2のレーザー加工溝に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。本発明によれば、第2の金属膜除去工程は、第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝との交差領域を除いてレーザー光線を照射するので、第1のレーザー加工溝によって除去された交差領域にはレーザー光線が照射されないため、レーザー光線が基板の表面に形成された光デバイス層に照射されることはなく、光デバイス層にダメージを与えることが防止できる。また、本発明によれば、第1の金属膜除去工程は、第2の分割予定ラインと対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射するので、その後、第2の金属膜除去工程において第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射する際に第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝との交差領域には金属膜が存在しているため、レーザー光線が基板の表面に形成された光デバイス層に照射されることはなく、光デバイス層にダメージを与えることが防止できる。以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図1のおよびには、ウエーハとしての光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図が示されている。図1のおよびに示す光デバイスウエーハ2は、例えば厚みが100μmのサファイア基板20の表面20aにn型窒化物半導体層211およびp型窒化物半導体層212とからなる光デバイス層エピ層21が例えば10μmの厚みで積層されている。そして、光デバイス層エピ層21は所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ライン221と該第1の分割予定ライン221と交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ライン222によって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイス23が形成されている。また、サファイア基板20の裏面20bには、アルミニウム、金等の金属膜24が金属蒸着によって被覆されて形成されている。この金属膜24の厚みは、図示の実施形態においては1μmに設定されている。なお、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の外周には結晶方位を表すノッチ201が形成されている。以下、この光デバイスウエーハ2を第1の分割予定ライン221および第2の分割予定ライン222に沿って加工する方法について説明する。先ず、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の表面20aに形成された光デバイス23を保護するために、光デバイスウエーハ2の表面2aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図2に示すように光デバイスウエーハ2の表面2aにポリ塩化ビニルPVC等のシート材からなる保護部材としての保護テープTを貼着する。上述した保護部材貼着工程を実施したならば、サファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24側から第1の分割予定ライン221と対応する領域にレーザー光線を照射し、第1の分割予定ライン221に沿って金属膜24を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程、およびサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24側から第2の分割予定ライン222と対応する領域にレーザー光線を照射し、第2の分割予定ライン222に沿って金属膜24を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程を実施する。この第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程は、図3に示すレーザー加工装置3を用いて実施する。図3に示すレーザー加工装置3は、被加工物を保持するチャックテーブル31と、該チャックテーブル31上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32と、チャックテーブル31上に保持された被加工物を撮像する撮像手段33を具備している。チャックテーブル31は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図3において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図3において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。上記レーザー光線照射手段32は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング321を含んでいる。ケーシング321内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング321の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器322が装着されている。なお、レーザー光線照射手段32は、集光器322によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段図示せずを備えている。上記レーザー光線照射手段32を構成するケーシング321の先端部に装着された撮像手段33は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子CCDの外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子赤外線CCD等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。なお、図示しない制御手段のメモリには、上記図1に示す光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の表面20aに形成された光デバイス層エピ層21に設けられた複数の第1の分割予定ライン221および複数の第2の分割予定ライン222の座標値設計値がノッチ201を基準として格納されている。上述したレーザー加工装置3を用いて上記第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程を実施するには、図3に示すようにチャックテーブル31上に光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の表面20aに貼着された保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、光デバイスウエーハ2を保護テープTを介してチャックテーブル31上に保持するウエーハ保持工程。従って、チャックテーブル31に保持された光デバイスウエーハ2は、サファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24が上側となる。上述したウエーハ保持工程を実施したならば、光デバイスウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない加工送り手段によって撮像手段33の直下に位置付けられる。チャックテーブル31が撮像手段33の直下に位置付けられると、撮像手段33および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ2が所定の座標値に位置付けられているか否可のアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段33は、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の外周に形成されたノッチ201を撮像し、その画像信号を図示しない制御手段に送る。そして、図示しない制御手段は、撮像手段33から送られた画像信号に基づいてノッチ201が所定の座標値に位置しているか否かを判定し、ノッチ201が所定の座標値に位置していない場合には、チャックテーブル31を回動してノッチ201を所定の座標値に位置付けるように調整し、設計値から第1の分割予定ライン221、第2の分割予定ライン222を検出するアライメント工程。以上のようにしてアライメント工程を実施したならば、上記第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程を実施する。この第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程の第1の実施形態について、図4および図5を参照して説明する。即ち、図4のaで示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第1の分割予定ライン221の一端図4のaにおいて左端に対応する座標値をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段32の集光器322からレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図4のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図4のbで示すように第1の分割予定ライン221の他端図4のbにおいて右端が集光器322の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。この第1の金属膜除去工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを図4のに示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24の上面付近に合わせる。この結果、図4のbで示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24は、第1の分割予定ライン221と対応する領域が除去されて第1のレーザー加工溝241が形成される第1の金属膜除去工程。なお、上記第1の金属膜除去工程は、例えば以下の加工条件で行われる。レーザー光線の波長:355nm繰り返し周波数:40kHz平均出力:0.5~2W金属膜24の金属によって異なる集光スポット径:50μm加工送り速度:300mm/秒このようにして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第1の分割予定ライン221に沿って上記第1の金属膜除去工程を実施したならば、チャックテーブル31を90度回動せしめる。そして、第2の分割予定ライン222と対応する領域にレーザー光線を照射し、第2の分割予定ライン222に沿って金属膜24を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程を実施する。第2の金属膜除去工程は、図5のaで示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第2の分割予定ライン222の一端図5のaにおいて左端に対応する座標値をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段32の集光器322からレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図5のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、上記第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝241との交差領域が集光器322の直下に達したらパルスレーザー光線の照射を停止し、第1のレーザー加工溝241との交差領域が集光器322の直下を越えたらパルスレーザー光線を再度照射する。このようにして、パルスレーザー光線の照射と停止を繰り返し、図5のbで示すように第2の分割予定ライン222の他端図5のbにおいて右端が集光器322の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。この第2の金属膜除去工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを図5のに示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24の上面付近に合わせる。この結果、図5のcで示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24は、第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝241との交差領域を除いて第2の分割予定ライン222と対応する領域が除去されて第2のレーザー加工溝242が形成される第2の金属膜除去工程。なお、第2の金属膜除去工程によって形成される第2のレーザー加工溝242は、図5のdで示すように第1のレーザー加工溝241と僅かに重合してもよく、また、図5のeで示すように第1のレーザー加工溝241と僅かに離れていてもよい。このようにして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第2の分割予定ライン222に沿って上記第2の金属膜除去工程を実施する。なお、第2の金属膜除去工程の加工条件は、上記第1の金属膜除去工程の加工条件と同一でよい。以上のように第1の実施形態における第2の金属膜除去工程は、第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝241との交差領域を除いてレーザー光線を照射するので、第1のレーザー加工溝241によって除去された交差領域にはレーザー光線が照射されないため、パルスレーザー光線がサファイア基板20を透過して表面20aに形成された光デバイス層21に照射されることはなく、光デバイス層21にダメージを与えることが防止できる。次に、第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程の第2の実施形態について説明する。この第2の実施形態においては、第1の金属膜除去工程は第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射する。第2の実施形態における第1の金属膜除去工程は、図6のaで示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第1の分割予定ライン221の一端図6のaにおいて左端に対応する座標値をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段32の集光器322からレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図6のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、上記第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域が集光器322の直下に達したらパルスレーザー光線の照射を停止し、第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域が集光器322の直下を越えたらパルスレーザー光線を再度照射する。このようにして、パルスレーザー光線の照射と停止を繰り返し、図6のbで示すように第2の分割予定ライン222の他端図6のbにおいて右端が集光器322の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。この第1の金属膜除去工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを図6のに示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24の上面付近に合わせる。この結果、図6のbで示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24は、第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域を除いて第1の分割予定ライン221と対応する領域が除去されて第1のレーザー加工溝241が形成される第1の金属膜除去工程。このようにして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第1の分割予定ライン221に沿って上記第1の金属膜除去工程を実施したならば、チャックテーブル31を90度回動せしめる。そして、第2の分割予定ライン222と対応する領域にレーザー光線を照射し、第2の分割予定ライン222に沿って金属膜24を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程を実施する。第2の実施形態における第2の金属膜除去工程は、図7のaで示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第2の分割予定ライン222の一端図7のaにおいて左端に対応する座標値をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段32の集光器322からレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図7のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図7のbで示すように第2の分割予定ライン222の他端図7のbにおいて右端が集光器322の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。この第1の金属膜除去工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを図7のに示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24の上面付近に合わせる。この結果、図7のbで示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24は、第2の分割予定ライン222と対応する領域が除去されて第2のレーザー加工溝242が形成される第2の金属膜除去工程。このようにして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第2の分割予定ライン222に沿って上記第2の金属膜除去工程を実施する。以上のように第2の実施形態における第1の金属膜除去工程は、第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域を除いてパルスレーザー光線を照射するので、その後、第2の金属膜除去工程において第2の分割予定ライン222と対応する領域にパルスレーザー光線を照射する際に第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝241との交差領域には金属膜が存在しているため、パルスレーザー光線がサファイア基板20の表面20aに形成された光デバイス層21に照射されることはなく、光デバイス層21にダメージを与えることが防止できる。上述したように第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程を実施したならば、後に、サファイア基板20の裏面20b側からサファイア基板20に対して透過性を有する波長のレーザー光線を第1のレーザー加工溝241および第2のレーザー加工溝242に沿って照射し、サファイア基板20の内部に第1のレーザー加工溝241および第2のレーザー加工溝242に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程は、図8に示すレーザー加工装置30を用いて実施する。図8に示すレーザー加工装置30は、照射するパルスレーザー光線以外は上記図3に示すレーザー加工装置3と実質的に同様な構成であるため、同一部材には同一符号を付して、その説明は省略する。上述したレーザー加工装置30を用いて、改質層形成工程を実施するには、先ず図8に示すレーザー加工装置30のチャックテーブル31上に上記第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程が実施された光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の表面20aに貼着された保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、光デバイスウエーハ2を保護テープTを介してチャックテーブル31上に保持するウエーハ保持工程。従って、チャックテーブル31に保持された光デバイスウエーハ2は、サファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24が上側となる。上述したウエーハ保持工程を実施したならば、光デバイスウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない加工送り手段によって撮像手段33の直下に位置付けられる。チャックテーブル31が撮像手段33の直下に位置付けられると、撮像手段33および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ2が所定の座標値に位置付けられているか否可のアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段33および図示しない制御手段は、上記第1の金属膜除去工程によって光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24に形成された第1のレーザー加工溝241と、該第1のレーザー加工溝241に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32の集光器322との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行するアライメント工程。また、上記第2の金属膜除去工程によって光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24に形成された第2のレーザー加工溝242に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。以上のようにしてチャックテーブル31上に保持された光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24に形成された第1のレーザー加工溝241および第2のレーザー加工溝242を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図9のaで示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第1のレーザー加工溝241の一端図9のaにおいて左端をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。そして、パルスレーザー光線の集光点Pをサファイア基板20の厚み方向中央部に合わせる。次に、集光器322からサファイア基板20に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図9のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図9のbで示すようにレーザー光線照射手段32の集光器322の照射位置に第1のレーザー加工溝241の他端図9のbにおいて右端が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。この結果、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の内部には、図9のbに示すように第1のレーザー加工溝241に沿って改質層243が形成される。この改質層243は、溶融再固化層として形成される。上記改質層243形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。レーザー光線の波長:1045nm繰り返し周波数:100kHz平均出力:0.3W集光スポット径:φ1~2μm加工送り速度:400mm/秒このようにして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第1の分割予定ライン221に沿って上記改質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル31を90度回動せしめる。そして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第2の分割予定ライン222に沿って上記改質層形成工程を実行する。上述した改質層形成工程が実施された光デバイスウエーハ2は、外力を付与することにより破断起点となる改質層243が形成された第1の分割予定ライン221および第2の分割予定ライン222に沿って破断し、個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程に搬送される。