透明基板上に単層又は複数層の薄膜が形成されたフォトマスクブランクにおいて、前記薄膜内で膜厚が異なる領域を有したことを特徴とするフォトマスクブランク。前記フォトマスクブランクを用いて製造するフォトマスクの非遮光部とする領域の膜厚を遮光部とする領域の膜厚よりも薄くしたことを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランク。前記フォトマスクの前記遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の膜厚をエッチングによって減少させて形成したことを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクブランク。前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の膜厚をスパッタリングによって増加させて形成したことを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクブランク。前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を10A°A°はオングストロームを表す記号、以下同じ。~800A°とし、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を、前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚から少なくとも200A°~1200A°厚くしていることを特徴とする請求項2~4のいずれかに記載のフォトマスクブランク。前記薄膜は、モリブデン、クロム、タンタル、タングステン、シリコンのいずれかを含む材料の膜であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のフォトマスクブランク。透明基板上の薄膜にパターンを形成したフォトマスクの製造方法において、前記パターンを形成する前の前記薄膜内に膜厚が異なる領域を有するフォトマスクブランクを使用することを特徴とするフォトマスクの製造方法。前記フォトマスクの非遮光部とする領域の膜厚を遮光部とする領域の膜厚よりも薄くした前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項7に記載のフォトマスクの製造方法。前記フォトマスクの前記遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の膜厚をエッチングによって減少させて形成した前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクの製造方法。前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の膜厚をスパッタリングによって増加させて形成した前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクの製造方法。前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を10A°A°はオングストロームを表す記号、以下同じ。~800A°とし、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を、前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚から少なくとも200A°~1200A°厚くした前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項8~10のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。前記薄膜を、モリブデン、クロム、タンタル、タングステン、シリコンのいずれかを含む材料の膜とした前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項7~11のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。しかし、特許文献1に記載のフォトマスク製造方法では、ローディング効果は低減できるが、遮光層の膜厚に変化がないので洗浄工程時のパターン倒れには効果がない。そこで、本発明は、このような従来技術の問題点を解決しようとするものであり、微細なフォトマスクパターンを高精度に形成することが可能なフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。本発明の請求項1に記載の発明は、透明基板上に単層又は複数層の薄膜が形成されたフォトマスクブランクにおいて、前記薄膜内で膜厚が異なる領域を有したことを特徴とするフォトマスクブランクである。本発明の請求項2に記載の発明は、前記フォトマスクブランクを用いて製造するフォトマスクの非遮光部とする領域の膜厚を遮光部とする領域の膜厚よりも薄くしたことを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランクである。本発明の請求項3に記載の発明は、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の膜厚をエッチングによって減少させて形成したことを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクブランクである。本発明の請求項4に記載の発明は、前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の膜厚をスパッタリングによって増加させて形成したことを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクブランクである。本発明の請求項5に記載の発明は、前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を10A°A°はオンストロームを表す記号、以下同じ。~800A°とし、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を、前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚から少なくとも200A°~1200A°厚くしていることを特徴とする請求項2~4のいずれかに記載のフォトマスクブランクである。本発明の請求項6に記載の発明は、前記薄膜は、モリブデン、クロム、タンタル、タングステン、シリコンのいずれかを含む材料の膜であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のフォトマスクブランクである。本発明の請求項7に記載の発明は、透明基板上の薄膜にパターンを形成したフォトマスクの製造方法において、前記パターンを形成する前の前記薄膜内に膜厚が異なる領域を有するフォトマスクブランクを使用することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。本発明の請求項8に記載の発明は、前記フォトマスクの非遮光部とする領域の膜厚を遮光部とする領域の膜厚よりも薄くした前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項7に記載のフォトマスクの製造方法である。本発明の請求項9に記載の発明は、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の膜厚をエッチングによって減少させて形成した前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項8に記載のフォトマスク製造方法である。本発明の請求項10に記載の発明は、前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の膜厚をスパッタリングによって増加させて形成した前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項8に記載のフォトマスク製造方法である。本発明の請求項11に記載の発明は、前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を10A°~800A°とし、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を、前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚から少なくとも200A°~1200A°厚くした前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項8~10のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。前記薄膜を、モリブデン、クロム、タンタル、タングステン、シリコンのいずれかを含む材料の膜とした前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項7~11のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。本発明によれば、微細なパターンが要求されるフォトマスクの非遮光部とする領域の膜厚を薄くできるので、ドライエッチング時のローディング効果と洗浄工程時のパターン倒れを低減できる。これにより、今まで達成が困難であった微細パターンの解像性向上と高精度な素子寸法特性の両立が実現できる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。まず、図1に示す本発明の実施の形態に係るフォトマスクブランク10について説明する。図1は、透明基板11上にモリブデンシリサイド膜12、クロム膜13が順次積層されたフォトマスクブランク10である。しかし、一般的なフォトマスクブランクとは違いクロム膜13に面内で段差が設けられている。図1のクロム膜13は非遮光部の膜厚を薄くしている。ウエハー転写時にクロム膜13の膜厚が薄いと光学濃度が小さくなり遮光部で光が透過してしまう恐れがある。しかし、本発明の実施の形態に係るフォトマスクブランク10では遮光部の膜厚は十分に残せるので問題はない。本発明の実施の形態に係るフォトマスクブランク10は、このフォトマスクブランク10を用いて製造するフォトマスク30図3参照の非遮光部とする領域のクロム膜13を薄くすることにより、ドライエッチング時におけるローディング効果と洗浄工程時におけるパターン倒れを低減できて微細なフォトマスクパターンを高精度に形成することが可能となるように構成している。なお、フォトマスクブランク10は、フォトマスク30図3参照の非遮光部とする領域を単層または積層とし膜厚は10A°~800A°として、フォトマスク30図3参照の遮光部とする領域を単層または積層とし膜厚は非遮光部とする領域の膜厚から少なくとも200A°~1200A°厚くすることが好ましい。なお、フォトマスク30図3参照の非遮光部とする領域の膜厚が10A°未満であると、単層または積層成膜時における膜厚の制御が困難になる点で不利であり、800A°を超えると、ドライエッチング時におけるローディング効果が非常に大きくなる点で不利である。また、フォトマスク30図3参照の遮光部とする領域の膜厚を非遮光部とする領域の膜厚よりも厚くする度合いが200A°未満であると、光学濃度の調整が困難になる点で不利であり、1200A°を超えると、必要となるレジスト膜厚が厚くなり、レジストパターンの解像性が悪化する点で不利である。さらに、フォトマスクブランク10の透明基板11を除く膜は、モリブデン、クロム、タンタル、タングステン、シリコンのいずれかを含む材料の膜とすることが好ましい。次に、本発明の実施例について説明する。本実施例は、本発明に係る実施例の一つであって、図2は、本発明の実施の形態のフォトマスクブランク製造方法の模式断面図であり、エッチングによって遮光部と非遮光部の膜厚に差をつける方法について説明する。図2aは、透明基板11上にモリブデンシリサイド膜12、クロム膜13及びポジ型レジスト膜14が順次積層されたフォトマスクブランクである。図2bはレジスト膜14の非遮光部に対応する部分を電子線描画により露光し、その後現像処理を行ってパターンを形成する工程を示している。図2cはエッチング処理をして非遮光部のクロム膜13を掘り込む工程を示している。ここで、非遮光部のクロム膜13のみ薄くすることができる。図2dはレジスト膜14を剥膜洗浄して除去する工程を示している。これらの工程によって、非遮光部のクロム膜13を薄くすることが達成できた。次に、このようにして形成したフォトマスクブランク20を用いたフォトマスクの製造工程について説明する。図3は図2dのフォトマスクブランク20を用いたフォトマスクの製造工程の模式断面図である。図3aは図2dのフォトマスクブランク20のクロム膜13上に図2aと同じレジスト膜14をコートした状態である。図3bは電子線描画によりレジスト膜14を露光して、その後現像処理を行ってパターンを形成する工程を示している。図3cはパターニングされたレジスト膜14をエッチングマスクとしてクロム膜13とモリブデンシリサイド膜12をエッチングする工程を示している。図3dはエッチング後にレジスト膜14を剥膜洗浄して製造途中のフォトマスクを形成する工程を示している。図3eはポジ型第二レジスト膜15を製造途中のフォトマスクにコートする工程を示している。図3fは製造途中のフォトマスクのポジ型第二レジスト膜15のうち非遮光部に対応する部分を電子線描画により露光し、その後現像処理を行ってパターンを形成する工程を示している。図3gは非遮光部のクロム膜13をエッチングする工程を示しており、図3hは第二レジスト膜15を剥膜洗浄する工程を示している。これにより、完成品のフォトマスク30を得ることができる。ここで、透明基板11上にモリブデンシリサイド膜12及びクロム膜13を積層し、各層の厚さを非遮光部と遮光部とで同じくしたものを、従来の位相シフトマスクブランクとする。これにレジスト膜を積層したものを、図2aのように形成する。ここで、各層の厚さを、透明基板:0.6cm、モリブデンシリサイド膜:630A°、クロム膜:420A°、ポジ型レジスト膜:1500A°とする。また、位相シフトマスクブランクを本発明のフォトマスクブランク製造工程図2a~dで作製し、これにレジスト膜を積層したものを、図3aのように形成する。ここで、各層の厚さを、透明基板:0.6cm、モリブデンシリサイド膜:630A°、クロム膜遮光部:420A°、クロム膜非遮光部:50A°、ポジ型レジスト膜:1500A°とする。本発明の効果を確認するため、従来の位相シフトマスクブランクと本発明のフォトマスクブランクを使用してフォトマスクを同条件で作製した。そして、グローバルローディングと洗浄工程によるパターン倒れについて調査した。グローバルローディングに関しては、本発明のフォトマスクブランクが従来の位相シフトマスクブランクと比較して27低減できた。これは、非遮光部のクロム膜の膜厚を薄くした事に起因する。洗浄工程時によるパターン倒れに関しては、従来の位相シフトマスクブランクでは微細なパターン60nm×100本が27本ほど倒れたのに対して、本発明のフォトマスクブランクではパターンの洗浄倒れが0本であった。これも、非遮光部のクロム膜を薄くした事に起因する。以上より、本発明のフォトマスクブランクは微細なフォトマスクパターンを高精度に形成することが可能となり、さらにフォトマスクの生産性を向上させることができることが確認できた。図4は、本発明の実施の形態のフォトマスクブランク製造方法の模式断面図であり、スパッタリングによって遮光部と非遮光部の膜厚に差をつける方法について説明する。図4aは、透明基板11上にモリブデンシリサイド膜12、クロム膜13及びポジ型レジスト膜14が順次積層されたフォトマスクブランクである。この時のクロム膜13は従来ブランクよりも薄くしておく。図4bはレジスト膜14の遮光部に対応する部分を電子線描画により露光し、その後現像処理を行って遮光部のみクロム膜13を露出させる工程を示している。図4cはスパッタリングによって遮光部のみクロム膜13の膜厚を厚くしていき、所望の光学濃度が稼げるまで遮光部のクロム膜13を厚くしていく工程を示している。図4dはレジスト膜14を剥膜洗浄して除去する工程を示している。これらの工程によって、非遮光部のクロム膜13を薄くすることが達成できる。図4dのフォトマスクブランク40を用いたフォトマスクの製造工程は、図3を参照して説明した、図2dのフォトマスクブランク20を用いたフォトマスク30の製造工程と同じである。ここで、実施例1において説明したのと同じ従来の位相シフトマスクブランクに、レジスト膜を積層したものを、図2aのように形成した。ここで、各層の厚さは、実施例1と同じく、透明基板:0.6cm、モリブデンシリサイド膜:630A°、クロム膜:420A°、ポジ型レジスト膜:1500A°とした。また、位相シフトマスクブランクを本発明のフォトマスクブランク製造工程図4a~dで作製し、これにレジスト膜を積層したものを、図3aのように形成する。ここで、各層の厚さを、透明基板:0.6cm、モリブデンシリサイド膜:630A°、クロム膜遮光部:420A°、クロム膜非遮光部:50A°、ポジ型レジスト膜:1500A°とする。本発明の効果を確認するため、従来の位相シフトマスクブランクと本発明のフォトマスクブランクを使用してフォトマスクを同条件で作製した。そして、グローバルローディングと洗浄工程によるパターン倒れについて調査した。グローバルローディングに関しては、本発明のフォトマスクブランクが従来の位相シフトマスクブランクと比較して26低減できた。これは、非遮光部のクロム膜を薄くした事に起因する。洗浄工程時によるパターン倒れに関しては、従来の位相シフトマスクブランクでは微細なパターン60nm×100本が26本ほど倒れたのに対して、本発明のフォトマスクブランクではパターンの洗浄倒れが0本であった。これも、非遮光部のクロム膜を薄くした事に起因する。以上より、本発明のフォトマスクブランクは微細なフォトマスクパターンを高精度に形成することが可能となり、さらにフォトマスクの生産性を向上させることができることが確認できた。