複数の柱状のセグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を具えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置であって、ダイポールリング磁石の磁界方向を制御するための磁界方向制御手段を具え、この磁界方向制御手段はディスク状磁石であってこの磁石はその主面の夫々に2極を持つように磁化され、前記主面はダイポールリング磁石の中心軸に直角の面内にあるように配置され、前記ディスク状磁石はダイポールリング磁石の上端近傍に置かれていることを特徴とするマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。前記ディスク状磁石は該磁石の中心軸を含む平面に沿って2分割され、分割されたディスク状磁石の一方は第1の方向に磁化され、分割されたディスク状磁石の他方は第1の方向と逆方向である第2の方向に磁化され、ディスク状磁石が分割されるラインはダイポールリング磁石の磁界方向に垂直である請求項1に記載のマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。前記ディスク状磁石はダイポールリング磁石の中心軸の方向に移動可能である請求項1又は2に記載のマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。前記ディスク状磁石はダイポールリング磁石の中心軸を中心として回転可能である請求項1記載のマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。複数の柱状のセグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を具えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置であって、ダイポールリング磁石の磁界方向を制御するための磁界方向制御手段を具え、この磁界方向制御手段はダイポールリング磁石の中心軸方向に移動可能な磁性体のリング状部材であり、このリング状部材はダイポールリング磁石の内部表面の近傍に配置されていることを特徴とするマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。前記リング状部材はダイポールリング磁石の内部表面とダイポールリング磁石の内側に設けた処理室との間に設けられている請求項5記載のマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。複数の柱状のセグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を具えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置であって、ダイポールリング磁石の磁界方向を制御するための磁界方向制御手段を具え、この磁界方向制御手段は2極を有するように磁化したリング状磁石であり、このリング状磁石はダイポールリング磁石の上端近傍に置かれ、前記リング状磁石はその中心軸を含む面に沿って2分割されており、リング状磁石の2分割された一方は第1の方向に磁化され、他方は第1の方向と逆方向である第2の方向に磁化され、リング状磁石を分割する分割線はダイポールリング磁石の磁界の方向に実質上垂直であることを特徴とするマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。エッチングの均一性を得るためにウエハ面に対する磁界の方向ウエハのエッチング面近傍での磁界の方向を制御することである。複数の柱状の異方性セグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を備えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、エッチング等のプラズマ処理を施されるウエハ被処理体の処理面に対する磁場の方向を制御することによりウエハの処理面全体にわたってプラズマ処理の均一性を向上させる手段を具えている。本発明によれば、複数の柱状の異方性セグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を備えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、エッチング等のプラズマ処理を施されるウエハ被処理体の処理面に対する磁場の方向を制御することによりウエハの処理面全体にわたってプラズマ処理の均一性を向上させることができる。以下、本願の複数の発明の実施の形態を図1~図28を参照して説明する。先ず最初に第1発明の実施の形態を図1~図8を参照して説明する。第1発明に係る実施の形態によれば、複数の柱状の異方性セグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を備えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、上記ダイポールリング磁石を構成する上下に配置された第1及び第2のダイポールリング磁石の長さを夫々異ならせている。本発明で使用するダイポールリング磁石を構成する複数の柱状の異方性セグメント磁石以下単にセグメント磁石と言う場合があるの夫々はスペーサにより2分されている。従って、このスペーサを介し、上述したように、ダイポールリング磁石は、上下に配置された或いは2分された第1及び第2のダイポールリング磁石を有するといってもよい。このため、本明細書では、第1及び第2のダイポールリング磁石の長さが異なるとは、第1及び第2のダイポールリング磁石夫々のセグメント磁石の長さが異なることと同じ意味である。図1及び図2に示す装置は、セグメント磁石の長さが異なる以外は、図31に示した装置の部分と同一である。したがって、図1と図2では、複数のセグメント磁石夫々に参照番号90を付し、これらの複数のセグメント磁石90を備えたダイポールリング磁石を88で示す。尚、図1及び図2において、既に図31で説明した個所部分と同一個所には同一の参照番号を付してその説明を省略するか或いは簡単な説明に止める。図1aはダイポールリング磁石88の上面図であり、図1bは図1aのダイポールリング磁石88をA-Bに沿って切断した断面図である。図1のダイポールリング磁石88は、図31の場合と同様に、複数のセグメント磁石90の夫々の中間部に非磁性体のスペーサ41を入れ、非磁性の架台42に収められた構成になっている。また、セグメント磁石90の数及び配置は、図31で説明した通りである。更に、ダイポールリング磁石88のリング内には電極板36及び37を平行に設け、電極板37の上にウエハ38を戴置することも同様である尚、サセプタの図示は省略してある。同様に、図2aはダイポールリング磁石88の上面図であり、図2bは図2aのダイポールリング磁石88をA-Bに沿って切断した断面図である。第1発明の実施の形態によれば、複数のセグメント磁石90の夫々は、スペーサ41の両側に磁石90a及び90bを有し、これらの磁石90a及び90bのダイポールリング磁石の長さ方向の長さ夫々ML1及びML2とするを異ならせている。図1ではML1<ML2となっており、図2ではML1>ML2となっている。言い方を換えれば、図1図2も同様に示すダイポールリング磁石88は、セグメント磁石90aを有する第1のダイポールリング磁石と、セグメント磁石90bを有する第2のダイポールリング磁石を有すると言うこともできる。図3を参照して、従来のセグメント磁石から構成されるダイポールリング磁石35図31が発生する磁場と、第1発明に係るダイポールリング磁石88によって発生する磁場の違いを説明する。図3aは従来のダイポールリング磁石35図31のA-B断面での磁力線を示す。水平方向横方向の破線92はダイポールリング磁石35の長さ方向に直角の中央断面長さ方向の中心軸に直角で且つ磁石の中心部の断面C-Dに含まれている。上述したように、この部分での磁力線は略々平行中心軸と直角となっているが、ダイポールリング磁石35の中心軸に沿って端部方向に行くにしたがって磁力線の曲がりが大きくなる。一方、図3bは、第1発明に係る実施の形態のダイポールリング磁石88のA-B断面での磁力線を示している。図3bから明らかなように、上部の磁石90aを下部の磁石90bより短くするとML1<ML2、磁石90aによる磁場が減少すると共に磁石90bによる磁場が増加する。従って、ダイポールリング磁石の中央断面C-D付近の磁場の方向磁力線の方向は上方に変化して下降している上方に凸となっている。見方を変えれば、水平磁場を発生する位置がダイポールリング磁石88の中央断面C-Dより下方に移動している。更に、図3cに示すように、上部の磁石90aを下部の磁石90bよりも長くするとML1>ML2、図3bの場合とは逆に、ダイポールリング磁石の中央断面C-D付近の磁場の方向磁力線の方向は先ず下方に変化して上昇している下方に凸となっている。上述したように、セグメント磁石90a及び90bの長さ夫々ML1及びML2を異ならせることにより、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近に置いたウエハ面に対する磁場の方向を制御することができる。本明細書では、ウエハ面に対する磁場の方向の制御を、説明の都合上、ウエハの端部での磁場の方向の制御として説明する。図3dは、ウエハ38の一方の端部或いは端部付近38aでの磁力線94の角度磁場の角度θを定義するための図である。図3dに示すように、ウエハ端部38aでの磁場角度θは中央断面C-Dに平行な面を基準θ=0°とし、この基準面から上方向及び下方向図面上の角度を夫々正及び負とする。一方、図示しないが、ウエハ38の他の端部での磁場角度は磁力線が上方から基準面と交わる場合には正とし、磁力線が下方から基準面と交わる場合には負とする。磁場の対称性を考慮すれば、通常の場合、ウエハ両端部での磁場角度は略等しくなる。以下の説明では、特に断らない限りウエハ端部38aでの磁場角度θの制御について述べる。尚、ダイポールリング磁石35及び88は、エッチング等のプラズマ処理の際には回転させるので、本明細書では、ウエハ端部又は端部付近とウエハ周辺部とは同義である。上述したように、セグメント磁石90a及び90bの長さを異ならせてウエハ端部の磁場の方向を制御した場合の、ウエハ端部38aでの磁場角度θと被エッチング材料に対するエッチング速度のウエハ面内均一性の関係を、下記処理条件1~4について実験により調べた。なお、磁場角度θは4.41°、9.25°、12.88°の場合について調べた角度θが正なので図2の場合である。また、エッチング速度はウエハ表面の直交する2つの直径方向のウエハ周辺端部から3mmより内側領域の複数箇所での膜厚を、エッチング処理前後で測定し、その差エッチング量を処理時間で割ることにより求めた。なお、下記処理条件において被エッチング材料としてレジストを使用したのは、有機絶縁体膜に対するエッチング評価の代替膜材料とするためである。後述する図4~図7において、上述のウエハ表面の直交する2つの直径方向の複数箇所での測定値は、夫々、黒丸及び黒の四角で示してある。処理条件1ウエハ直径:300mm高周波電源周波数:13.56MHz高周波電源電力:460W電極間ギャップ:40mmウエハ中心部の磁場強度:約120Gauss被エッチング膜:レジストエッチングガス:N2/O2=95/190sccmチャンバ内圧力:30mTorrサセプタ温度:10°C処理条件2ウエハ直径:300mm高周波電源周波数:13.56MHz高周波電源電力:2300W電極間ギャップ:40mmウエハ中心部の磁場強度:約120Gauss被エッチング膜:レジストエッチングガス:N2/H2=190/570sccmチャンバ内圧力:100mTorrサセプタ温度:10°C処理条件3ウエハ直径:300mm高周波電源周波数:13.56MHz高周波電源電力:4000W電極間ギャップ:40mmウエハ中心部の磁場強度:約120Gauss被エッチング膜:シリコン酸化膜エッチングガス:C4F8/CO/Ar/O2=20/100/400/10sccmチャンバ内圧力:40mTorrサセプタ温度:40°C処理条件4ウエハ直径:300mm高周波電源周波数:13.56MHz高周波電源電力:360W電極間ギャップ:40mmウエハ中心部の磁場強度:約120Gauss被エッチング膜:シリコン窒化膜エッチングガス:CH2F2/O2/Ar=50/40/200sccmチャンバ内圧力:125mTorrサセプタ温度:60°C図4の1~3に、処理条件1の条件でレジストのエッチングを行ったときの、ウエハ端部38aでの磁場角度θが夫々4.41°、9.25°、12.88°の場合の、ウエハ内エッチング速度均一性の結果を示す。磁場角度θが4.41°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは297.0nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布は周辺部のエッチング速度が中心部のエッチング速度より大きい凹形状で、エッチング均一性Max-Min/MaxMinは±14.0であった。磁場角度θが9.25°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは290.8nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布は周辺部のエッチング速度が中心部のエッチング速度よりやや大きい凹形状で、エッチング均一性は±9.3であった。エッチング均一性は磁場角度θが4.41°の場合より改善された。磁場角度θが12.88°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは308.2nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布はほぼ均一に近づき、エッチング均一性は±3.7であった。エッチング均一性は磁場角度θが9.25°の場合より更に改善された。図5の1~3に、処理条件2の条件でレジストのエッチングを行ったときの、磁場角度θが夫々4.41°、9.25°、12.88°の場合の、ウエハ内エッチング速度均一性の結果を示す。磁場角度θが4.41°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは487.8nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布は周辺部のエッチング速度が中心部のエッチング速度より大きい凹形状で、エッチング均一性は±16.0であった。磁場角度θが9.25°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは499.8nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布は顕著な凹形状が見られなくなり、エッチング均一性は±4.6であった。エッチング均一性は磁場角度θが4.41°の場合より改善された。磁場角度θが12.88°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは516.8nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布は、磁場角度θが4.41°の場合とは逆に、中心部のエッチング速度が周辺部のエッチング速度よりやや大きい凸形状で、エッチング均一性は±3.2であった。エッチング均一性は磁場角度θが9.25°の場合より更に若干改善された。図6の1~3に、処理条件3の条件でシリコン酸化膜のエッチングを行ったときの、磁場角度θが夫々4.41°、9.25°、12.88°の場合の、ウエハ内エッチング速度均一性の結果を示す。磁場角度θが4.41°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは298.5nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布は周辺部のエッチング速度が中心部のエッチング速度よりやや大きい凹形状で、エッチング均一性は±5.6であった。磁場角度θが9.25°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは305.1nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布はほぼ均一で、エッチング均一性は±2.1であった。エッチング均一性は磁場角度θが4.41°の場合より改善された。磁場角度θが12.88°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは313.8nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布はほぼ均一でウエハ周辺部でごく若干エッチング速度が小さい傾向が見られる、エッチング均一性は±1.9であった。エッチング均一性は磁場角度θが9.25°の場合より更に若干改善された。図7の1~3に、処理条件4の条件でレジストのエッチングを行ったときの、磁場角度θが夫々4.41°、9.25°、12.88°の場合の、ウエハ内エッチング速度均一性の結果を示す。磁場角度θが4.41°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは89.4nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布は周辺部のエッチング速度が中心部のエッチング速度より大きい凹形状で、エッチング均一性は±15.9であった。磁場角度θが9.25°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは86.4nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布は周辺部のエッチング速度が中心部のエッチング速度より大きい凹形状で、エッチング均一性は±14.1であった。エッチング均一性は磁場角度θが4.41°の場合より若干改善された。磁場θが12.88°の場合、ウエハ面内の平均エッチングレートは84.9nm/minであり、ウエハ面内のエッチング速度分布は、磁場角度θが4.41°の場合と同様、周辺部のエッチング速度が中心部のエッチング速度よりやや大きい凹形状で、エッチング均一性は±9.5であった。エッチング均一性は磁場角度θが9.25°の場合より更に改善された。上記処理条件1~4の下での実験において、処理装置の諸条件は必ずしも最適に設定されておらず、エッチング速度均一性の結果は必ずしも上記被エッチング材料に対するベストの数値ではないが、本発明の効果を相対的に評価する上では全く問題が無い。上記処理条件1~4の下で得られた結果から、ウエハ中心部の磁場強度を一定として、ウエハ端部の磁場角度を変化させることにより、平均エッチング速度を大きく変化させないで、ウエハ中心部とウエハ周辺部とのエッチング量を制御でき、ウエハ面内のエッチング均一性を改善できることが分かった。つまり、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、有機絶縁体膜いずれの場合も、ウエハ周辺部のエッチング速度がウエハ中心部のエッチング速度より大きい場合には、ウエハ周辺部の磁場角度を大きくすることによってウエハ周辺部のエッチング速度を中心部に対して小さくすることができる。したがって、ウエハ面上全体にわたってエッチング速度の均一性を向上させることができる。同様に、ウエハ周辺部のエッチング速度がウエハ中心部のエッチング速度に対して小さい場合には、ウエハ周辺部の磁場角度を小さくすることによってウエハ周辺部のエッチング速度を中心部より大きくすることができる。したがって、ウエハ面上全体にわたってエッチング速度の均一性を向上させることができる。磁場角度が大きいほどエッチング速度が低下するのは、ウエハ面に対して水平な磁力線の成分が減少するため、プラズマの高密度化に寄与する電子ドリフトが起こりにくくなるためと考えられる。最適なウエハ端部での磁場角度は被エッチング材料、エッチングガスの種類、その他のエッチング条件によって異なるが、0°から30°又は-30°の範囲で制御できるようにすることが望ましい。ただし、磁場角度が大きすぎるとウエハへのダメージが発生する虞があるので、ウエハ端部での磁場角度を0°から13°又は-13°程度の範囲で制御することが望ましい。尚、ウエハ周辺部のエッチング速度は、通常、中心部のエッチング速度より大きいので、ウエハ端部での磁場角度を4°~13°又は-4°~-13°程度の範囲で制御することが実際的には好ましい。次に、第1発明の実施の形態の具体例について説明する。ダイポールリング磁石の長さRLを165mmとし、断面の一辺が60mmの四角形の柱状のNd-Fe-B系磁石からなる16個の異方性セグメント磁石40を16個を用い、上部セグメント磁石90aの長さML1を47.25mm、下部セグメント磁石90bの長さML2を27.75mm、スペーサの長さを90mmとしたとき、ダイポールリング磁石の中央断面C-Dに置いたウエハの端部での磁場の角度θは4.41°であった。更に、上記と同一のダイポールリング磁石を用い、上部セグメント磁石90aの長さML1を58.8mm、下部セグメント磁石90bの長さML2を16.5mm、スペーサの長さを90mmとしたとき、ダイポールリング磁石の中央断面C-Dに置いたウエハの端部での磁場の角度θは9.25°となった。一方、上記と同一のダイポールリング磁石を用い、上部セグメント磁石90aの長さML1を67.5mm、下部セグメント磁石90bの長さML2を7.5mm、スペーサの長さを90mmとしたとき、ダイポールリング磁石の中央断面C-Dに置いたウエハの端部での磁場の角度θは12.88°となった。更に、上記と同一のダイポールリング磁石を用い、上部セグメント磁石90aの長さML1及び下部セグメント磁石90bの長さML2を共に37.5mmの等しい長さとし、スペーサの長さを90mmとしたとき、ダイポールリング磁石の中央断面C-Dに置いたウエハの端部での磁場の角度θは0°となった。一方、前段に記載したと同一のダイポールリング磁石を用い、上部セグメント磁石90aの長さML1を30mm、下部セグメント磁石90bの長さML2を45mm、スペーサの長さを90mmとしたとき、ダイポールリング磁石の中央断面C-Dより15mm下方に水平磁場を得ることができた。即ち、図3bに示すように、水平磁場でウエハを処理する場合にはウエハをダイポールリング磁石の中央より下方に設定することができ、一方、中央断面C-Dにウエハを設置すればウエハ38近傍の磁場を上に凸状とすることができる。図8は、上述した上部及び下部セグメント磁石の夫々の長さML1及びML2を変えることにより、ウエハの端部での磁場方向θを変化させることをグラフで表現した図である。尚、上述の第1発明において、ウエハ38とダイポールリング磁石との相対的な垂直上下方向の位置を調節する機構を付加してもよい。このようにすれば、直前に行った或いは試行的に行ったエッチング結果を検証することにより、後続のエッチング処理においてより良好なエッチング均一性を実現することができる。ウエハ38とダイポールリング磁石の相対的な垂直方向の位置制御は、平行平板電極36及び37の距離を変化させないで全体を垂直方向に移動させてもよいし、電極37のみを垂直方向に移動できるようにしてもよい。また、ウエハを移動させずにダイポールリング磁石を移動させてもよい。次に第2発明を、第1発明の説明に使用した図1~図8の内から関連する図面を参照して説明する。第2発明に係る実施の形態によれば、複数の柱状の異方性セグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を備えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、前記ダイポールリング磁石を構成する上下方向即ちダイポールリング磁石の中心軸方向に配置した第1及び第2ダイポールリング磁石の残留磁束密度即ち磁石の磁場強度を夫々異ならせている。第1及び第2ダイポールリング磁石の残留磁束密度を夫々異ならせるためには、第1及び第2ダイポールリング磁石として、例えば、フェライト、Sm-Co系、Nd-Fe-B系等の内から異なった磁石を選択して使用すればよい。第1及び第2ダイポールリング磁石の夫々の中心軸方向の長さは等しくても或いは異なっていてもよいつまり、ML1=ML2或いはML1≠ML2図1及び図2参照であってもよい。例えば、第1及び第2ダイポールリング磁石夫々の中心軸方向の長さを等しくした場合について考察する。図3aにおいて、上部磁石90aの残留磁束密度を0.4テスラのフェライト磁石とし、下部磁石90bの残留磁束密度を1.3テスラのNd-Fe-B磁石として、上部磁石90aよりも下部磁石の磁束量を多くすれば、図3bと同様に、中央断面付近の磁場方向は上に凸状となる。上述の場合とは逆に、上部磁石90aの残留磁束密度を1.3テスラのNd-Fe-B磁石とし、下部磁石90bの残留磁束密度を0.4テスラのフェライト磁石とすれば、図3cと同様に中央断面付近の磁場方向は下に凸状となる。前段の説明では、第1及び第2ダイポールリング磁石夫々の中心軸方向の長さを等しくしているが、例えば、図3bのように、上部磁石90aが下部磁石90bよりも短い場合に、例えば、上部磁石90aの残留磁束密度を0.4テスラのフェライト磁石とし、下部磁石90bの残留磁束密度を1.3テスラのNd-Fe-B磁石として、上部磁石90aよりも下部磁石の磁束量を多くすれば、第1発明で説明した図3bの場合よりも中央断面付近の磁場方向は更に上方に凸状となることは容易に理解できる。更に、上の場合とは逆に、図3cのように、上部磁石90aが下部磁石90bよりも長い場合に、例えば、上部磁石90bの残留磁束密度を1.3テスラのNd-Fe-B磁石として、下部磁石90aの残留磁束密度を0.4テスラのフェライト磁石とすれば、第1発明で説明した図3cの場合よりも中央断面付近の磁場方向は更に下方に凸状となることも容易に理解できる。第2発明においても、第1発明に関連して説明したように、ウエハ38の垂直位置上下位置を調節する機構を付加すれば、直前に行った或いは試行的に行ったエッチング結果を検証することにより、後続のエッチング処理においてより良好なエッチング均一性を実現することができる。ウエハ38の垂直方向の位置制御は、平行平板電極36及び37の距離を変化させないで全体を垂直方向に移動させてもよいし、電極37のみを垂直方向に移動できるようにしてもよい。また、ウエハを移動させずにダイポールリング磁石を移動させてもよい。次に、第3発明について説明する。この第3発明は、複数の柱状の異方性セグメント磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石を備えたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、エッチング処理されるウエハの表面に対する磁場の方向を制御する磁場制御調整手段を、上記ダイポールリング磁石の上部端部付近及び/或いは内部に少なくとも1つ以上設けたことを特徴とする。第3発明の第1の実施の形態を図9~図13を参照して説明する。この第1の実施の形態によれば、2極に着磁したリング状磁石80をダイポールリング磁石35の上部の端部付近に配置する。リング状磁石80は、電極板36及び37間に発生する電界を乱さないために電極板36の上方に配置するのが好ましい。更に好ましくは、電極板36の位置にもよるが、例えば、電極板36を図9に示す位置より下げて第1ダイポールリング磁石の長さの半分以下としても、リング状磁石は第1ダイポールリング磁石の長さの半分より上に配置させるとよい。リング状磁石80の磁化方向着磁方向はダイポールリング磁石35に生ずる水平磁場に対して直角方向である。更に、磁化方向が反転する境界線図6及び図7の82は、ダイポールリング磁石の磁界の方向と直角になっている。即ち、ダイポールリング磁石35の中心部付近の磁界の方向と直角である。リング状磁石80を更に詳しく説明する。図10aに示すように、リング状磁石80の中心軸84紙面に垂直方向を含む面で2極分割した一方が第1の方向に磁化され他方が第1の方向と逆方向に磁化されている。リング状磁石80は、例えば、半円環状の部品80a及び80bを夫々厚み方向に磁化した後、図10aに示すように、80a及び80bの磁化方向が逆になるように接着剤などを使用して組み合わせる。半円環状の部品80a及び80bを直接接触させて組み合わせてもよいし、或いは、80a及び80bをその間に薄い非磁性体膜を介して組合せてもよい。尚、リング状磁石は、図10bに示すように、磁石の厚み方向に垂直の断面が四角形の小磁石を複数個並べたリング状磁石86で示すであってもよい。装置が大型になれば、リング状磁石を図10bのように構成することにより、その製作費を低減できるという効果がある。尚、図10bにおいて、複数の小磁石を配置する支持台89a及び89bは非磁性体であり、支持台89a及び89bの形状は図示のように矩形でもよく或いは半円形としてもよい。勿論、上記の小磁石の断面は四角形に限らず矩形、三角形、円形などの他の形状とすることも可能である。尚、リング状磁石80及び86は、夫々、その中心軸を中心にして回転可能少なくとも180°回転可能にすることにより後述する効果を奏することができる。リング状磁石80は、その中心軸84がダイポールリング磁石35の中心軸と一致或いは略一致するように配置される。更に又、リング状磁石80の直径はダイポールリング磁石35のリング内径よりも小さくなっている。これは、リング状磁石80をダイポールリング磁石35のリング内部に配置できるようにするためである。図11を参照して、従来のダイポールリング磁石35のみの場合に発生する磁場と、第3発明に係る第1の実施の形態による磁場発生の違いを説明する。図11aは従来のダイポールリング磁石35図31のA-B断面での磁力線を示す。水平方向横方向の破線92はダイポールリング磁石35の長さ方向に直角の中央断面長さ方向の中心軸に直角で且つ磁石の中心部の断面C-Dに含まれている。上述したように、この部分での磁力線は略々平行中心軸と直角となっているが、ダイポールリング磁石35の中心軸に沿って端部方向に行くにしたがって磁力線の曲がりが大きくなる。一方、図11bは、従来のダイポールリング磁石35に第3発明の第1実施の形態に係るリング状磁石80を使用した場合のA-B断面図9での磁力線を示している。図11bから明らかなように、ダイポールポールリング磁石35の上部近傍に設ける2極に着磁されたリング状磁石80により、図の右側では下向きの磁界が発生し、図の左側では上向きの磁界が発生するので、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近の磁力線は上方に向かって凸状に変化している。更に、図11cに示すように、リング状磁石80をその中心軸の廻りに180°回転させると、今度は、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近の磁力線は下方に向かって凸状に変化している。ところで、リング状磁石80が、ダイポールリング磁石35の中央断面付近の磁力線に与える影響は、中央断面C-Dからリング状磁石80までの距離Z図9参照によって変化する。即ち、この距離Zを調整することによってダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近の磁力線の曲り具合磁場の方向を制御できる。図11dは、第1発明の場合と同様に、ウエハの端部での磁場方向θを定義する図である。上述のように、中央断面C-Dからリング状磁石80までの位置Zを変化させて場合の、ウエハ端部38aの磁場角度θと被エッチング材料に対するエッチング速度のウエハ面内均一性の関係を、上記処理条件1~4について実験により調べた。この結果、図4~図7で説明したと同様の結果が得られた。上述の説明では1つのリング状磁石80を使用している。しかし、複数個のリング状磁石をダイポールリング磁石の中心軸長軸方向に重ねるように設置して使用してもよい。図12はリング状磁石を2つ使用した場合を説明する図である2つのリング状磁石を801及び802で示す。リング状磁石を2つ使用したことを除けば図12は図9と同一である。リング状磁石801及び802は夫々の中心軸を中心にして回転可能であり、夫々を180°回転させるかどうかによりリング状磁石による磁場制御の効果を増大或いは無効とすることができる。図13aは、2つのリング状磁石801及び802を夫々の磁化方向が同一となるようにした場合であり、図11bの場合に相当するが、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近の磁力線に与える影響を大きくすることができる。従って、ウエハの端部38aでの磁場方向θを負方向に大きくしたい応用例において、リング状磁石を1つ使用した場合に比べて、2つのリング状磁石の移動距離を短くできるという利点がある。一方、図13には図示していないが、リング状磁石801及び802を回転させてこれらの磁石の磁力線方向を図13aと逆にすることもできる図11cの場合に相当。図13bは、図13aの状態からリング状磁石802のみを180°回転させて2つのリング状磁石801及び802の磁化方向が夫々逆方向になるようにした場合を示す。この場合には、2つのリング状磁石の磁化の強さが等しければ、リング磁石がダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近の磁力線に与える影響を略ゼロとすることができる。つまり、中央断面C-D付近のθを略々ゼロにすることができる。エッチング条件によっては中央断面C-D付近のθを略々ゼロにしたい場合があるので、リング状磁石801及び802を回転させることができるようにすれば、リング状磁石を取り外すか或いはリング状磁石の影響が中央断面C-D付近の磁力線に及ばない距離まで遠ざけなければならないという問題を回避することができる。更に、リング状磁石の数を3以上に増やすことも可能である。図13cは、リング状磁石を4つにした場合を示している。このように、リング磁石の数を増やして夫々の磁石を回転可能とすれば、複数のリング状磁石全体として、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近の磁力線に与える影響を、細かく且つ大幅に制御することが可能となる。従って、例えば、中央断面C-Dとリング状磁石との可変距離Zを大きくしたくない場合、或いは、ウエハの端部での磁場方向θを大きく制御したい場合には特に有効である。上述の第3発明の第1の実施の形態の具体例を説明する。本発明者が行なった実験によると、ダイポールリング磁石の長さRLを165mmとし、断面の一辺が60mmの四角形の柱状のNd-Fe-B系磁石からなる16個の異方性セグメント磁石40を16個を用い、スペーサ41を挟んだ上下のセグメント磁石40の長さMLを共に37.5mm、スペーサの長さを90mmとした。リング状磁石を2つ使用し、夫々のリング状磁石の外径D2を525mm、2つのリング状磁石間の距離D1を150mm、厚みを1.5mmとした。図13aのように、2つのリング状磁石の磁化方向が同一となるようにして配置し、中央断面C-Dから下方のリング状磁石801までの距離Zを112.5mmとしたとき、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近に置いたウエハの端部38aでの磁場の方向θは22°となった。この状態から、2つのリング状磁石801及び802を上方に移動させてZ=262.5mmとしてときにθは5°となった。一方、図13aの状態から、図13bに示すように、リング状磁石802のみを180°回転させて2つのリング状磁石801及び802の磁化方向が夫々逆方向になるようにするとθを略々ゼロにすることができた。更に、図13aの状態から、リング状磁石801及び2の双方を共に180°回転させて、リング状磁石801及び2の磁化方向をちょうど図13aと逆方向にすると、Z=112.5mmではθは-22°となり、Z=262.5mmではθは-5°となった。したがって、2枚構造としたリング状磁石801及び802を、例えば、Z=112.5mmから262.5mmに変化させ、且つ、リング磁石を回転させれば、θを-22°から-5°、0°、5°から22°の範囲で変化させ得ることが判った。次に、本願の第3発明の第2の実施の形態を図9及び図10参照して説明する。この第2の実施の形態は、第1の実施の形態に用いたリング状磁石を半円状に巻回したコイル電磁石1001及び1002で置換したものであり、その他の構成は第1の実施の形態と同様である。コイル1001及び1002の形状構造は、図9及び図10に示した磁化方向の境界線82に相当する線を中心にして対称であり、この対称線は、第1の実施の態様と同様に、ダイポールリング磁石35が発生する磁界の方向と直角である。第1の実施の形態から理解されるように、コイル1001及び1002は発生する磁場方向が逆となるようにするため、コイル1001及び1002に流れる電流は逆方向にする。この第3発明に係る第2の実施の形態によれば、コイルに流す電流値を制御することによってコイルが発生する磁場強度を制御し、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近に置いたウエハの端部での磁場の方向θの制御を行なうことができる。上述の第3発明の第2の実施の形態の具体例を説明する。本発明者が行なった実験によると、ダイポールリング磁石の長さRLを165mmとし、断面の一辺が60mmの四角形の柱状のNd-Fe-B系磁石からなる16個の異方性セグメント磁石40を16個を用い、スペーサ41を挟んだ上下のセグメント磁石40の長さMLを共に37.5mm、スペーサの長さを90mmとした。2つのコイルの外径DC図14参照を525mm、2つのコイル間の距離Xを75mmとし、巻線の方向を図14の矢印の方向とし、コイルの巻回数は夫々100ターンとした。中央断面C-Dからコイルまでの距離Zを112.5mmとしたとき、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近に置いたウエハの端部38aでの磁場角度θをコイルに流す電流で変化させた。コイル1001及び2に電流10Aを図14の矢印で示す方向と逆方向に流したときθは-12°、電流を流さないときθは0、コイル1001及び2に電流10Aを図14の矢印で示す方向と同方向にコイルに流したときθは12°となった。上述したように、コイルに流す電流の値を変えることによりθを制御できる。図15は、上述のコイル1001及び2の起磁力アンペア回数ampereturnを変えることにより、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近に置いたウエハの端部38aでの磁場角度θを制御する一例を示す図である。本願の第4発明を図16~図18を参照して説明する。この第4発明は、図31に示した従来のダイポールリング磁石に、図16に示すように、ダイポールリング磁石の内部に鉄などの磁性体のリング81を配置し、この磁性体リング81を上下方向に移動させることにより、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近に置いたウエハの端部での磁場の方向θを制御することを特徴とする。磁性体リング81は、図16に示すように、ダイポールリング磁石35の内部に設けたエッチングなどの処理室51とダイポールリング磁石35の内壁との間に設けられる。上述したように、図16に示した第4発明の構成は、図31に示した従来のダイポールリング磁石に磁性体リング81を設けたことにあるので、明細書の記載を簡潔にするため、図16の説明は省略する。図17を参照して、従来のダイポールリング磁石35のみの場合に発生する磁場と、本願の第4発明に係る実施の形態による磁場発生の違いを説明する。図17aは従来のダイポールリング磁石35図31のA-B断面での磁力線を示す。水平方向横方向の破線92はダイポールリング磁石35の長さ方向に直角の中央断面長さ方向の中心軸に直角で且つ磁石の中心部の断面C-Dに含まれている。既に述べたように、この部分での磁力線は略々平行中心軸と直角となっているが、ダイポールリング磁石35の中心軸に沿って端部方向に行くにしたがって磁力線の曲がりが大きくなる。一方、図17bは、従来のダイポールリング磁石35に本願の第4発明に係る磁性体リング81を用いた場合のA-B断面図16での磁力線を示している。図17bに示すように、磁性体リング81をダイポールリング磁石35の内部で且つ上部に移動させると、ダイポールリング磁石35の上部セグメント磁石401の磁束が弱まり、ダイポールリング磁石の中央断面C-D付近の磁力線が上方に凸となるように変化する。一方、図17cに示すように、上述の場合と逆に、磁性体リング81をダイポールリング磁石35の内部で且つ下部に移動させると、ダイポールリング磁石35の下部セグメント磁石402の磁束が弱まり、ダイポールリング磁石の中央断面C-D付近の磁力線が下方に凸となるように変化する。図17dは、図3及び図11のdと同様に、ウエハ38の端部での磁場94の方向θを定義するものである。このように、磁性体リング81を上下方向に移動させることによって、ダイポールリング磁石の中央断面C-D付近の磁力線の方向即ち磁場の方向を制御することができる。尚、磁性体リング81の長さH図16参照はダイポールリング磁石の長さRLの半分以下にした方がよい。その理由は、磁性体リング81を上下方向に移動させてダイポールリング磁石の中央断面C-D付近の磁力線の方向を制御する場合、磁性体リング81が上部及び下部セグメント磁石401及び402の両方の内面に位置すると、上部及び下部セグメント磁石両方の磁束を弱めて中央断面C-D付近の磁力線を変化させる効力が著しく低下するためである。上述の本願の第4発明の実施の形態の具体例を説明する。本発明者が行なった実験によると、ダイポールリング磁石の長さRLを165mmとし、断面の一辺が60mmの四角形の柱状のNd-Fe-B系磁石からなる16個の異方性セグメント磁石40を16個を用い、スペーサ41を挟んだ上下のセグメント磁石40の長さMLを共に37.5mm、スペーサの長さを90mmとした。更に、磁性体リングの外径Dを540mm、厚みtを7.5mm、高さHを75mmとし、中央断面C-Dから下方に測った距離Zを75mm中央断面C-DでのZの位置を0とするとZ=-75mmとしたとき、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近に置いたウエハの端部38aでの磁場94の方向θは12°となった。一方、Z=0mmの場合はθは0、Z=75mmではθは-12°となり、磁性リング81を±75mmの範囲を移動させることによりθは±12°の範囲で制御できた。図18は、ダイポールリング磁石35内に磁性体リング81を設置して上下方向に移動させたとき、ダイポールリング磁石35の中央断面C-D付近に置いたウエハの端部38aでの磁場角度θの変化の例を示す図である。即ち、磁性体リング81の移動によりθを制御できることが判る。ダイポールリング磁石35内に磁性体リング81を設置して上下方向に移動させたときに、ウエハ端部38aの磁場角度θと被エッチング材料に対するエッチング速度のウエハ面内均一性の関係を、上記処理条件1~4について実験により調べた。この結果、図4~図7で説明したと同様の結果が得られた。本願の第5発明を図19~図22を参照して説明する。この第5発明は、例えば、図31に示した従来のダイポールリング磁石をその中心軸長さ方向に直角の方向に2分し、2分した何れか一方をダイポールリング磁石の長さ方向に移動できるようにし、ダイポールリング磁石の中央断面付近に置いたウエハの端部38aでの磁場角度θを制御することを特徴とする。上述したように、ウエハ端部38aでの磁場角度を制御すれば、ウエハの他端での磁場強度も同様に制御できる。図19は、第5発明に係るマグネトロンプラズマ用磁場発生装置の実施の態様を示す図である。図19に示すように、ダイポールリング磁石88を、その中心軸方向長さ方向に配置した上部及び下部ダイポールリング磁石88a、88bとし、これらのダイポールリング磁石88a、88bを所定間隔を置いて配置する。そして、例えば、ダイポールリング磁石88aをその中心軸方向長さ方向に移動できるようにしている。図20を参照して、本願の第5発明を更に説明する。図20aは図3aに対応し、既に説明したように、従来のダイポールリング磁石35図25のA-B断面での磁力線を示す。水平方向横方向の破線92はダイポールリング磁石35の長さ方向に直角の中央断面長さ方向の中心軸に直角で且つ磁石の中心部の断面C-Dに含まれている。この部分での磁力線は略々平行中心軸と直角となっているが、ダイポールリング磁石35の中心軸に沿って端部方向に行くにしたがって磁力線の曲がりが大きくなる。図20bは、上部ダイポールリング磁石88aを図19に示した初期の位置から上方に移動させた場合、ダイポールリング磁石88のA-B断面での磁力線がどのようになるかを示している。つまり、上部ダイポールリング磁石88aを初期の位置から上方に移動させると、ダイポールリング磁石88の長さ方向の中心が上方に移動するので、ダイポールリング磁石88の初期の中央断面C-D付近の磁力線は下方に凸となるように変化する。第1~第4発明に関しても説明したように、ウエハ38の端部での磁場方向の磁力線94の角度θを図20cのように定義する。上述の本願の第5発明の実施の形態の具体例を説明する。本発明者が行なった実験によると、ダイポールリング磁石の長さRLを165mmとし、断面の一辺が37.5mmの四角形の柱状のNd-Fe-B系磁石Br=13テスラTからなる16個の異方性セグメント磁石40を16個を用い、スペーサ41の長さを15mmとし、スペーサ41に接した上下のセグメント磁石90a及び90bの長さML1及びML2を共に75mmとした。上部ダイポールリング磁石88aを、図19に示す初期位置Z=0から上方に112.5mm移動させたときZ=112.5mm、図19に示すダイポールリング磁石88の中央断面C-D付近に置いたウエハの端部38aでの磁力線94の方向磁場角度θを0°から約7°までにすることができた。上述の上部ダイポールリング磁石88aの上方移動と、磁場角度θとの関係を図21においてセグメント磁石サイズ1の場合として図示している。また、ダイポールリング磁石の長さRLを165mmとし、断面の一辺が60mmの四角形の柱状のNd-Fe-B系磁石Br=13テスラからなる16個の異方性セグメント磁石40を16個を用い、スペーサ41の長さを90mmとし、上のセグメント磁石90aの長さML1を52.5mm、下のセグメント磁石90bの長さML2を22.5mmとした。上部ダイポールリング磁石88aを、図19に示す初期位置から上方に112.5mm移動させたとき、図19に示すダイポールリング磁石88の中央断面C-D付近に置いたウエハの端部38aでの磁力線94の方向磁場角度θを約7°から約18°までにすることができた。上述の上部ダイポールリング磁石88aの上方移動と、ウエハ端部38aでの磁場角度θとの関係を図21においてセグメント磁石サイズ2の場合として図示している。上述のように、上部ダイポールリング磁石88aを上方に移動させたときに、ウエハ端部38aでの磁場38aの方向磁場角度θと被エッチング材料に対するエッチング速度のウエハ面内均一性の関係を、上記処理条件1~4について実験により調べた。この結果、図4~図7で説明したと同様の結果が得られた。図33に示したマグネトロンエッチング装置に第5発明を使用すれば、このマグネトロンエッチング装置の大幅な改良が可能である。即ち、図22に示すように、2分割された上部及び下部のダイポールリング磁石88a及び88bの空間を、エッチング室Aとロードロック室Cの搬送路の一部として使用する。つまり、ロードロック室C内に設けた搬送アーム54が、カセット室Bからウエハを1枚取出し、このウエハを、ダイポールリング磁石88a及び88bの空間を解してエッチング室Aに搬入する。従って、従来例のように、エッチング室A内にウエハの昇降装置を設ける必要がなくなるので、ウエハの搬送系を単純にすることができる。このため、装置を小型化簡略化することができると共に、昇降機構を不要としたのでこの機構からのゴミの発生による問題を完全に防止できる。次に第6発明を説明する。第6発明は、要約すると、図31に示した従来のダイポールリング磁石を構成する複数のセグメント磁石の内のいくつかの磁化方向を、ダイポールリング磁石の中心軸に直角の方向以下この方向を図面に即して平行方向という場合があるに対して角度をつけたことを特徴とする。このようなダイポールリング磁石を用いたマグネトロンプラズマ用磁場発生装置によれば、第1~第5発明と同様、ダイポールリング磁石の中央断面C-D付近の磁場方向磁場角度を上方或いは下方に凸状とすることができ、中央断面C-D付近においたウエハのエッチング等のプラズマ処理速度を均一化することができるという効果を有する。第6発明の実施の形態を図23~図27を参照して説明する。上述したように、第6発明と図31の従来例との相違は、第6発明に係る磁場発生装置を構成する複数のセグメント磁石の内の幾つかのセグメント磁石はその磁化方向が異なっていることにある。それ以外は第6発明と図31の従来例は同一である。従って、説明を簡潔にするため、図23では、ダイポールリング磁石全体を参照番号106で示し、このダイポールリング磁石106を構成する上下のダイポールリング磁石を夫々108A及び108Bで示し、更に、上部のダイポールリング磁石108Aに設けたセグメント磁石を110a1~110a16で示し、下部のダイポールリング磁石108Bに設けたセグメント磁石を110b1~110b16で示し、その他の部分は、図31と同一の参照番号を付してある。尚、上部及び下部のセグメント磁石を総体的に説明する場合、或いは、個々の磁石を特定しない場合には、上部及び下部のセグメント磁石を110a及び110bで示す場合がある。図23aはダイポールリング磁石106の上面図であり、図23bは図23aのダイポールリング磁石106をA-Bに沿って切断した断面図である。尚、図示していないが、下部のダイポールリング磁石108Bに設けたセグメント磁石110b1~110b16は、夫々、上部のダイポールリング磁石108Aに設けたセグメント磁石を110a1~110a16の下に位置する。図23のダイポールリング磁石106は、図31の場合と同様に、上下に配置したセグメント磁石の間に非磁性体のスペーサ41を設け、セグメント磁石110a及び110bは夫々非磁性のリング状の架台42に収められている。また、セグメント磁石110a及び110bの数及び配置は図31で説明した通りである。更に、ダイポールリング磁石106の内部には平行に設けた電極板36及び37を設け、電極板37の上にウエハ38を戴置することも同様である。図23bに示すように、セグメント磁石110a5は、ダイポールリング磁石の中心軸に直角の方向即ち中央断面C-Dと平行方向に対して上方に約45°の角度がつけられているこの方向の角度を正とする。一方、セグメント磁石110a5と反対側に設けられた他のセグメント磁石110a13は、ダイポールリング磁石の中心軸に直角の方向に対して下方に約45°の角度がつけられているこの方向の角度を負とする。この場合、図23からは明らかではないが、線E-Fで2分した右側のセグメント磁石110a2~110a8の夫々の磁化方向は同一角度で上方向であり、線E-Fで2分した左側のセグメント磁石110a10~110a16の夫々の磁化方向は同一角度で下方向である。更に、ダイポールリング磁石106のリング内の中央部に形成される磁界43の方向と逆方向に磁化されたセグメント磁石110a1及び110a9の磁化方向は水平とする。更に又、図23に示した実施の形態では、下部ダイポールリング磁石108Bのセグメント磁石110bの磁化方向はすべて従来例と同様にダイポールリング磁石の中心軸に直角の方向水平である。上述のセグメント磁石の磁化方向は、図25及び図26で説明するセグメント磁石の磁化方向とウエハ端部での磁場角度θとの関係における場合Cに相当する。図24を参照して、本願の第6発明を更に説明する。図24aは図3aに対応し、既に説明したように、従来のダイポールリング磁石35図31のA-B断面での磁力線を示す。水平方向横方向の破線92はダイポールリング磁石35の長さ方向に直角の中央断面長さ方向の中心軸に直角で且つ磁石の中心部の断面C-Dに平行している。この部分での磁力線は略々平行中心軸と直角となっているが、ダイポールリング磁石35の中心軸に沿って端部方向に行くにしたがって磁力線の曲がりが大きくなる。図24bは、セグメント磁石110a及び110bの磁化方向を、図23について説明した磁化方向の場合のダイポールリング磁石106のA-B断面での磁力線の様子を示している。この場合、磁化方向を水平方向に対して角度をつけた上部セグメント磁石110aの内側リング内部側の磁極が下側にずれ、一方、下部セグメント磁石110bの夫々の内側及び外側の磁極の中心は変わっていないので、ダイポールリング磁石106の水平磁界の面が下げられた結果、中央断面C-D付近の磁力線は上方に凸となるようになる。図24cは、図23のセグメント磁石110a2から110a8の磁化方向を下方向とし、セグメント磁石110a10から110a16の磁化方向を上方向とし、更に、セグメント磁石110bの全部の磁化方向を水平方向にした場合のダイポールリング磁石106のA-B断面での磁力線の様子を示している。この場合、図24bに示す場合とは逆に、中央断面C-D付近の磁力線は下方に凸となるようになる。この場合は、図25及び図26で説明するセグメント磁石の磁化方向とウエハ端部での磁場角度θとの関係における場合Fに相当する。図24dは、図3、図11、図17、及び図20と同様に、ウエハ38の右側の端部での磁場方向の磁力線94の角度θを定義したものである。図25は、セグメント磁石110a及び110bの磁化方向を変えた場合A~Iで示すのウエハ38の右側端部図面上の角度θの概略を示したものである。セグメント磁石110a及び110bの一方或いは両方の磁化方向を平行方向に対して角度をつける場合、ダイポールリング磁石106のリング内の中央部に形成される磁界43の方向と逆方向に磁化されたセグメント磁石の磁化方向は水平とする。更に、中心線E-Fに対して対称の位置にある右側のセグメント磁石110a2~110a8と左側のセグメント磁石110a10~110a16は、磁化方向は逆でありその角度の絶対値は同一である。図26は、図25に示したセグメント磁石110a及び110bの磁化方向を変えた場合A~Iについて、セグメント磁石の磁化方向の角度及びウエハ38の右側端部の角度θについての本願の発明者が行った結果を示した表である。上述したように、中心線E-Fに対して対称の位置にある左側のセグメント磁石110a10~110a16は、右側のセグメント磁石110a2~110a8と磁化方向は逆でありその角度の絶対値は同一であるので、その磁化方向の角度の記載は省略してある。本発明者が行なった実験では、ダイポールリング磁石の長さRLを165mmとし、一辺が60mmの四角形の柱状のNd-Fe-B系磁石Br=13テスラからなる異方性セグメント磁石110a及び110bを32個用いML=37.5mm、スペーサ41の長さを90mmとした。セグメント磁石110a2~110a8の磁化方向を平行方向に対して上方に45°の角度とし、セグメント磁石110a10から110a16の磁化方向を平行方向に対して下方に45°の角度とし、セグメント磁石110a1及び110a9の磁化方向を平行とした。一方、セグメント磁石110bの磁化方向は水平方向とした。このとき図23に示すダイポールリング磁石106の中央断面C-D付近に置いたウエハの端部での磁力線94の方向磁場の方向θを-10.3°にすることができた図26のC。同様にして、セグメント磁石110a及び110bの水平方向に対する磁化方向の角度を変えて実験を行った結果を磁化方向A、B、D~Iとして図26に示す。磁化方向による分類Eは、図3aの場合に相当する。図27は、図26で示した磁化方向A~Iの夫々に対するウエハの右端部での磁場角度θをグラフで示すものである。上述したように、上下に配置された第1及び第2のダイポールリングの少なくともいずれか一方のセグメント磁石の磁化方向を水平方向に対して角度をつけ、ウエハ端部の磁場角度θと被エッチング材料に対するエッチング速度のウエハ面内均一性の関係を、上記処理条件1~4について実験により調べた。この結果、図4~図7で説明したと同様の結果が得られた。第6発明においても、第1発明に関連して説明したように、ウエハ38の垂直位置上下位置を調節する機構を付加すれば、直前に行った或いは試行的に行ったエッチング結果を検証することにより、後続のエッチング処理においてより良好なエッチング均一性を実現することができる。ウエハ38の垂直方向の位置制御は、平行平板電極36及び37の距離を変化させないで全体を垂直方向に移動させてもよいし、電極37のみを垂直方向に移動できるようにしてもよい。また、ウエハを移動させずにダイポールリング磁石を移動させてもよい。次に本願の第7発明について説明する。第7発明は、図31に示した従来例のダイポールリング磁石35自体を上下方向に移動させることを特徴とする。ダイポールリング磁石35は、例えば図33に示すように図33ではダイポールリング磁石は64で示されているがエッチング室の外に配置されている。この第7発明によっても、第1~第6発明と同様、ダイポールリング磁石の中央断面C-D付近の磁場方向磁場角度を上方或いは下方に凸状とすることができ、従って、中央断面C-D付近に置いたウエハ被処理体の端部周辺部での磁場角度を調節することができる。このため、中央断面C-D付近においたウエハのエッチング等のプラズマ処理速度を均一化することができるという効果を有する。本願の発明者は、第7発明の効果を確かめるため、図31の電極板36及び37の距離を固定したまま、ダイポールリング磁石35を上下に移動させてウエハ周辺部での磁場角度を調節してエッチングの均一性を測定した図28a。更に、第7発明の実験結果との比較のために、ダイポールリング磁石35を上下に移動させないで、図31の下側の電極板37を上下させて即ち電極板36及び37の距離を変化させてエッチングの均一性を測定した図28b。上記実験において、ウエハ端部での磁場角度θは5.8°、8.9°、12.0°の場合について調べ、図28では、これらの角度で測定したエッチ速度を夫々123で示している。また、エッチング速度はウエハ表面の直交する2つの直径方向のウエハ周辺端部から3mmより内側領域の複数箇所での膜厚を、エッチング処理前後で測定し、その差エッチング量を処理時間で割ることにより求めた。なお、被エッチング材料としてシリコン酸化膜を使用した。下記の処理条件5は第7発明に関し、処理条件6は比較例に係わるものである。処理条件5ウエハ直径:200mm高周波電源周波数:13.56MHz高周波電源電力:1500W電極間ギャップ:27mmウエハ中心部の磁場強度:約120Gauss被エッチング膜:シリコン酸化膜エッチングガス:C4F8/CO/Ar/O2=10/50/200/5sccmチャンバ内圧力:45mTorrサセプタ温度:40°C処理条件6ウエハ直径:200mm高周波電源周波数:13.56MHz高周波電源電力:1500W電極間ギャップ:1磁場角度θが5.8°のとき27mm2磁場角度θが8.9°のとき37mm3磁場角度θが12.0°のとき47mmウエハ中心部の磁場強度:約120Gauss被エッチング膜:シリコン酸化膜エッチングガス:C4F8/CO/Ar/O2=10/50/200/5sccmチャンバ内圧力:45mTorrサセプタ温度:40°C図28a及びbから分かるように、第7発明によれば、平行電極板の間の距離を変化させる比較例に比べてエッチング均一性を向上させることができた。本願の発明に係る方法によりエッチング均一性を向上させる場合には、先ず、任意のエッチング処理後に前記被処理体ウエハの端部と中央部でのエッチング速度を測定する。次に、この測定結果に基づき、被処理体の端部即ち周辺部でのエッチング速度を被処理体の中央部でのエッチング速度に対して小さくしたい場合には、被処理体端部での磁場角度を最初の測定時の磁場角度より大きくして次のエッチング処理を行ない、一方、上記の測定結果に基づき、被処理体の端部でのエッチング速度を被処理体の中央部でのエッチング速度よりも大きくしたい場合には、端部での磁場角度を最初の測定時の磁場角度に対して小さくして次のエッチング処理を行なうようにすればよい。このように、先ず、試行的に行なった被処理体の直径方向のエッチングプロファイルに基づいて、後続するエッチング処理を行なえば、均一性の良好なエッチングを行なうことができる。