"基板上に薄膜半導体層を含む光電変換セルを複数直列接続してなる光電変換ユニットが形成された光電変換装置であって、前記光電変換ユニットが形成された領域内において、前記光電変換セルが導電性テープからなる電極を介して複数のバイパスダイオードに接続されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1に記載の光電変換装置であって、前記バイパスダイオードは、所定数の前記光電変換セル毎に設置され、前記光電変換ユニット内で並列接続されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1又は2に記載の光電変換装置であって、前記導電性テープは、前記光電変換セルの直列接続方向と交差する方向に沿って延在して設けられ、前記光電変換セルの裏面電極層と接続されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1~3のいずれか1項に記載の光電変換装置であって、前記バイパスダイオードを含むバイパス回路は、電力を外部へ取り出すための端子ボックスへ繋がるタブ電極を設けた領域に対して光電変換装置の中心線を挟んだ反対側の領域に配置されていることを特徴とする光電変換装置。ところで、上記従来の光電変換装置では、多数の光電変換セルが直並列に接続されており、光電変換セルに対してディスクリートにバイパスダイオードを配置し、電気的に接続する処理が必要とされる。ここで、バイパスダイオードを光電変換装置の外部に配置すると、光電変換モジュールとしての設置面積が大きくなり、設置面積当りの発電効率を低下させる原因となる。そこで、光電変換装置の特性を劣化させることなくバイパスダイオードを光電変換領域内に配置する構成を実現することが望まれている。本発明の1つの態様は、基板上に薄膜半導体層を含む光電変換セルを複数直列接続してなる光電変換ユニットが形成された光電変換装置であって、光電変換ユニットが形成された領域内において、光電変換セルが導電性テープからなる電極を介して複数のバイパスダイオードに接続されている、光電変換装置である。本発明によれば、設置面積当りの発電効率を低下させることなく、バイパスダイオードを光電変換装置に設けることができる。本発明の実施の形態における光電変換装置100は、図1の平面図及び図2~図4の断面図に示すように、基板10、光電変換ユニット102、絶縁部材104、タブ電極106、107、取出電極108、絶縁部材110、バイパス電極112、バイパスダイオード114、バックシート116、充填材118及び端子ボックス120を含んで構成される。なお、図1は、光電変換装置100の構成を明確に示すためにバックシート116及び充填材118を透して構造を示した図である。図2は、図1におけるラインa-aに沿った断面図であり、図3は、図1におけるラインb-bに沿った断面図であり、図4は、図1におけるラインc-cに沿った断面図である。光電変換ユニット102は、図5の拡大断面図に示すように、基板10上に形成される。基板10を光入射側として、光入射側から、透明電極層12、トップセルとして広いバンドギャップを有するアモルファスシリコン光電変換ユニットa-Siユニット14、中間層16、ボトムセルとしてa-Siユニット14よりバンドギャップの狭い微結晶シリコン光電変換ユニットμc-Siユニット18及び裏面電極層20を積層した構造を有する。なお、本実施の形態では、a-Siユニット14及びμc-Siユニット18を積層したタンデム型光電変換装置を例に説明を行うが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではなく、a-Siユニット14及びμc-Siユニット18のいずれかのみを用いたシングル型光電変換装置やさらに他種の光電変換ユニットを適用した光電変換装置であってもよい。基板10は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等の少なくとも可視光波長領域において透過性を有する材料を適用することができる。基板10上に透明電極層12が形成される。透明電極層12は、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等に錫Sn、アンチモンSb、フッ素F、アルミニウムAl等をドープした透明導電性酸化物TCOのうち少なくとも一種類又は複数種を組み合わせて用いることが好適である。特に、酸化亜鉛ZnOは、透光性が高く、抵抗率が低く、耐プラズマ特性にも優れているので好適である。透明電極層12は、例えば、スパッタリング法又はCVD法等により形成することができる。光電変換装置100を複数のセルを直列に接続した構成とする場合、図1、図2及び図4に示すように、透明導電層12に基板10の表面が露出するスリットS1を形成し、透明導電層12が短冊状となるようにパターニングする。また、図1の平面図に示すように、スリットS1の延設方向に交差する方向に基板10の表面が露出するスリットS2を形成し、直列接続される複数の光電変換セル群が並列に並ぶ構成としてもよい。例えば、波長1064nm、エネルギー密度13J/cm2、パルス周波数3kHzのYAGレーザを用いて透明電極層12を短冊状にパターニングすることができる。透明電極層12上に、p型層、i型層、n型層のシリコン系薄膜を順に積層してa-Siユニット14を形成する。a-Siユニット14は、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うプラズマ化学気相成長法CVD法により形成することができる。プラズマCVD法は、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。a-Siユニット14上に、中間層16を形成する。中間層16は、酸化亜鉛ZnO、酸化シリコンSiOx等の透明導電性酸化物TCOを用いることが好適である。特に、マグネシウムMgがドープされた酸化亜鉛ZnOや酸化シリコンSiOxを用いることが好適である。中間層16は、例えば、スパッタリング等により形成することができる。中間層16の膜厚は10nm以上200nm以下の範囲とすることが好適である。なお、中間層16は、設けなくてもよい。中間層16上に、p型層、i型層、n型層を順に積層したμc-Siユニット18を形成する。μc-Siユニット18は、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うプラズマCVD法により形成することができる。プラズマCVD法は、a-Siユニット14と同様に、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。複数の光電変換セルを直列接続する場合、図1、図2及び図4に示すように、a-Siユニット14、中間層16及びμc-Siユニット18を短冊状にパターニングする。透明導電層12を分断するスリットS1のパターンニング位置から50μm程度横の位置にスリットS1に沿って平行にYAGレーザを照射してスリットS3を形成し、a-Siユニット14、中間層16及びμc-Siユニット18を短冊状にパターニングする。YAGレーザは、例えば、エネルギー密度0.7J/cm3、パルス周波数3kHzのものを用いることが好適である。μc-Siユニット18上に、裏面電極層20を形成する。裏面電極層20は、透明導電性酸化物TCOと反射性金属とを順に積層した構造とすることが好適である。透明導電性酸化物TCOとしては、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等の透明導電性酸化物TCO、又は、これらの透明導電性酸化物TCOに不純物をドープしたものが用いられる。例えば、酸化亜鉛ZnOにアルミニウムAlを不純物としてドープしたものでもよい。また、反射性金属としては、銀Ag、アルミニウムAl等の金属が使用できる。透明導電性酸化物TCOは、例えば、スパッタリング法又はCVD法等により形成することができる。裏面電極層20は、合わせて1μm程度の膜厚とすることが好適である。裏面電極層20の少なくとも一方には、光閉じ込め効果を高めるための凹凸を設けることが好適である。複数のセルを直列接続する場合、図1、図2及び図4に示すように、a-Siユニット14、中間層16、μc-Siユニット18及び裏面電極層20を短冊状にパターニングする。スリットS3のパターンニング位置から50μm程度横の位置にスリットS1,S3に沿って平行にYAGレーザを照射してスリットS4を形成し、a-Siユニット14、中間層16、μc-Siユニット18及び裏面電極層20を短冊状にパターニングする。YAGレーザは、エネルギー密度0.7J/cm3、パルス周波数4kHzのものを用いることが好適である。これにより、スリットS3に埋め込まれた裏面電極層20を介して1つの光電変換セルの裏面電極層20が隣り合う光電変換セルの透明電極層12に電気的に接続され、隣り合う光電変換セル同士が直列に接続された構造となる。さらに、図1に示すように、スリットS2に重ねるようにYAGレーザを照射してスリットS5を形成し、a-Siユニット14、中間層16、μc-Siユニット18及び裏面電極層20を除去して光電変換セルを並列に分離する。スリットS5の幅はスリットS2の幅よりも狭くすることが好適である。また、スリットS5は、スリットS4と同じ条件で形成することができる。また、図2に示すように、光電変換装置100の周辺部dにおいて基板10の表面が露出するように透明導電層12、a-Siユニット14、中間層16、μc-Siユニット18及び裏面電極層20を除去してもよい。これにより、光電変換装置100に支持枠等を取り付けた際に、支持枠との電気的な絶縁を確実なものとすることができる。図1に示すように、タブ電極106は、光電変換装置100の両端部において、スリットS5によって並列に分割された光電変換セル群を電気的に並列に接続するように配設される。タブ電極106は、スリットS4と平行な方向に形成される。タブ電極106は、銅Cu、銀Ag、アルミニウムAl等の導電性金属を含む材料により構成することができる。例えば、銅Cuからなる芯線の表面を半田により被覆メッキした構造とすることが好適である。図1、図2及び図4に示すように、タブ電極106は、光電変換装置100の両端部において、直列接続された複数の光電変換セルの裏面電極層20と電気的に接続されるように形成される。タブ電極106は、光電変換装置100において発電された電力を取出電極108へ集電するために設けられる。タブ電極106は、発電に寄与しない領域無効領域の光電変換セルの上に形成される。タブ電極106は、超音波半田コテを用いて導電性金属を溶融させ、透明電極層12に到達させることにより透明電極層12に接合される。取出電極108は、図1及び図4に示すように、タブ電極106を端子ボックス120へ電気的に接続するために設けられる。取出電極108は、スリットS2及びS5に沿った方向に、タブ電極106から端子ボックス120に亘って形成される。絶縁部材104は、直列に接続された複数の光電変換セルが取出電極108に接触しないように取出電極108を形成する領域下に形成される。取出電極108は絶縁部材104上に配設され、後述するタブ電極107は絶縁部材104下に配設される。絶縁部材104は、例えば、絶縁性材料からなるテープ状、フィルム状又はシート状の部材とすることが好適である。タブ電極107は、図1及び図2に示すように、両端部のタブ電極106間において、複数のバイパスダイオード114を並列接続するように配設される。タブ電極107は、両端部のタブ電極106間において直列に接続された複数の光電変換セルの所定数毎に設置される。タブ電極107は、タブ電極106と同様に、並列に配置された光電変換セル群を電気的に並列に接続するように配設される。スリットS4と平行な方向に形成される。タブ電極107は、銅Cu、銀Ag、アルミニウムAl等の導電性金属を含む材料により構成することができる。例えば、銅Cuからなる芯線の表面を半田により被覆メッキした構造とすることが好適である。タブ電極107は、発電に寄与する領域有効領域の光電変換セルの上に形成される。タブ電極107は、図1、図3及び図4に示すように、両端部のタブ電極106間において、直列に接続された複数の光電変換セルの裏面電極層20と電気的に接続されるように形成される。タブ電極107は、ホットスポット現象が生じた際に、バイパスダイオード114に電力を集電するために設けられる。また、タブ電極107は、導電性粘着層107a及び導電箔107bを積層した導電性テープとすることが好適である。導電性粘着層107aは、例えば、アクリル系の粘着性樹脂を適用することができる。導電箔107bは、例えば、錫メッキされた銅箔等を適用することができる。ただし、これらに限定されるものではない。また、タブ電極107は、導電性粒子を含む導電性粘着層107a及び導電箔107bを積層した導電性テープとしてもよい。この場合、タブ電極107を貼り付けた後、熱処理を施すことにより導電性粘着層107a内の樹脂を硬化させる。ただし、これらに限定されるものではない。なお、タブ電極106及び取出電極108も導電性粘着層106a、108a及び導電箔106b、108bを積層した導電性テープとしてもよい。ハンダ材で構成したタブ電極107を超音波ハンダで裏面電極層20に接続する方法等を用いた場合、接続された光電変換セルの特性が劣化するおそれがあるが、タブ電極107として導電性テープを用いることによって光電変換セルの特性を劣化させることなくバイパス回路を設けることができる。絶縁部材110は、光電変換セルがバイパス電極112に接触しないようにバイパス電極112を形成する領域下に形成される。絶縁部材110は、例えば、絶縁性材料からなるテープ状、フィルム状又はシート状の部材とすることが好適である。絶縁部材110は、光電変換装置100の裏面電極層20上に光電変換セルの直列接続方向に沿って、すなわちスリットS2及びS5に沿った方向に延設される。バイパスダイオード114は、タブ電極106、107間又は隣り合うタブ電極107間の絶縁部材110上に配置される。バイパスダイオード114は、光電変換装置100にホットスポットが発生した場合に光電変換セルの破損を防ぐために設けられる。バイパスダイオード114は、例えば、表裏面にカソード及びアノードの電極を有する薄型のチップダイオード等を適用することができる。バイパスダイオード114は、光電変換セルが正常に発電している状態において、電圧が逆バイアスの状態で印加されるようにバイパス電極112によって光電変換セルに接続される。すなわち、バイパスダイオード114のアノード及びカソードは、バイパス電極112によって隣り合うタブ電極106、107にそれぞれ接続される。バイパス電極112とバイパスダイオード114との接続は、一般的なハンダ付けでもよいし、バックシート116及び充填材118を用いた封止による機械的な圧着でもよい。なお、バイパス電極112も導電性粘着層112a及び導電箔112bを積層した導電性テープとしてもよい。また、本実施の形態では、バイパス電極112とバイパスダイオード114とを含むバイパス回路は同一直線上に形成したが、各バイパス電極112とバイパスダイオード114との位置を同一直線上からずらして配置してもよい。さらに、充填材118によって光電変換装置100の表面をバックシート116で覆って封止する。充填材118及びバックシート116は、EVA、ポリイミド等の樹脂材料とすることができる。また、バックシート116は、ガラス板等としてもよい。充填材118を塗布した裏面電極層20上をバックシート116で覆い、150°C程度の温度に加熱しつつ裏面電極層20へ向かってバックシート116に圧力を加えることによって封止を行うことができる。これによって、光電変換装置100の発電層への水分の侵入等を防ぐことができる。以上のように、本実施の形態における光電変換装置100では、光電変換ユニットが形成された領域内にタブ電極107、バイパス電極112及びバイパスダイオード114を含むバイパス回路が配置されている。光電変換ユニットが形成された領域外にバイパスダイオード114を配置しないことにより、光電変換装置100としての設置面積当りの発電効率を向上させることができる。また、絶縁部材104、取出電極108を含む配線部と、バイパス電極112、バイパスダイオード114を含むバイパス回路とを光電変換装置100の片側に寄せて配置した場合、これらが設けられていない領域との間に段差が生じ、バックシート116の基板10に対する傾きが大きくなる。このような傾きは、光電変換装置100に掛る応力を不均一にし、破損や劣化の原因となるおそれがある。そこで、バイパス回路は、配線部を設けた領域図1における上部領域に対して光電変換装置100の中心線Xを挟んだ反対側の領域図1における下部領域に設けることが好適である。このような配置とすることによって、配線部による段差とバイパス回路による段差とによって、バックシート116を基板10に対してより平行にバランスさせて設けることができる。また、図1に示すように、各バイパスダイオード114が設置された場所の反対側の位置にまでタブ電極107を延設することで、ホットスポット現象が生じて所定のバイパスダイオード114を使用する場合でも、そのバイパスダイオード114への電流の取り出しを低抵抗で行うことができる。"