"半導体装置の製造に用いられる接着シートであって、硬化前の貯蔵弾性率が80~250°Cの温度範囲で1MPa以上、又はその温度範囲内の任意の温度に於いて1MPa以上であり、架橋剤が添加されていることを特徴とする接着シート。前記請求項1に記載の接着シートであって、前記接着シートは熱可塑性樹脂を含むことを特徴とする接着シート。前記請求項1に記載の接着シートであって、前記接着シートは熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の双方を含むことを特徴とする接着シート。前記請求項2又は3に記載の接着シートであって、前記熱可塑性樹脂はアクリル樹脂であることを特徴とする接着シート。前記請求項3に記載の接着シートであって、前記熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂及びフェノール樹脂のうちの少なくとも1種であることを特徴とする接着シート。本願発明は、前記の問題を考慮してなされたものであり、ボンディングパットの汚染に起因してワイヤーボンディングができなくなるのを防止し、かつ、基板、リードフレーム又は半導体素子等の被着体に反りが発生するのを防止して、歩留まりを向上させつつ製造工程を簡略化した半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供することにある。本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置について鋭意検討した。その結果、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記の課題を解決する為に、半導体素子を被着体上に接着シートを介して仮固着する仮固着工程と、加熱工程を経ることなく、接合温度80~250°Cの範囲でワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程とを有し、前記接着シートとして、硬化前の貯蔵弾性率が80~250°Cの温度範囲で1MPa以上、又はその温度範囲内の任意の温度に於いて1MPa以上のものを使用することを特徴とする。前記方法であると、硬化前の貯蔵弾性率が80~250°Cの温度範囲で1MPa以上、又はその温度範囲内の任意の温度に於いて1MPa以上の接着シートを使用するので、接着シートの加熱工程を省略して、半導体素子が被着体上に仮固着した状態のままでワイヤーボンディング工程に移行しても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着シートと被着体との接着面でずり変形を生じることがない。ワイヤーボンディング工程を行う際に、ワイヤーボンドの成功率を向上させることができる。また、従来の製造方法に於いては、ワイヤーボンディング工程の前に接着シートの加熱を行っており、当該加熱により接着シートから揮発ガスが発生してボンディングパットが汚染されることがあった。しかし本発明は、その様な加熱を不要とするので、接着シートから揮発ガスが発生してボンディングパットが汚染されるのを防止することができる。更に、接着シートを加熱する工程の省略により、基板等に反りが生じたり、半導体素子にクラックが発生したりすることもない。この結果、半導体素子の一層の薄型化も可能となる。前記被着体は、基板、リードフレーム又は半導体素子であることが好ましい。前記半導体素子を封止樹脂により封止する封止工程と、前記封止樹脂の後硬化を行う後硬化工程とを含み、前記封止工程及び/又は後硬化工程に於いて、加熱により封止樹脂を硬化させると共に、前記接着シートを介して半導体素子と被着体とを固着させることが好ましい。これにより、接着シートを介した半導体素子と被着体との固着を、封止樹脂の硬化と同時に行うことが可能になり、製造工程の簡素化が図れる。また、前記接着シートとして、熱可塑性樹脂を含むものを使用することが好ましい。また、前記接着シートとして、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の双方を含むものを使用することが好ましい。また、前記熱可塑性樹脂として、アクリル樹脂を使用することが好ましい。また、前記熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂及び/又はフェノール樹脂を使用することが好ましい。これらの樹脂はイオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。また、本発明に係る接着シートは、前記の課題を解決する為に、半導体装置の製造に用いられる接着シートであって、硬化前の貯蔵弾性率が80~250°Cの温度範囲で1MPa以上、又はその温度範囲内の任意の温度に於いて1MPa以上であることを特徴とする。前記接着シートは熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。また、前記接着シートは熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の双方を含むことが好ましい。更に、前記熱可塑性樹脂はアクリル樹脂であることが好ましい。また、前記熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂及び/又はフェノール樹脂であることが好ましい。前記接着シートには架橋剤が添加されていることが好ましい。本発明に係る半導体装置は、前記の課題を解決する為に、前記に記載の半導体装置の製造方法により得られたものであることを特徴とする。本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。即ち、本発明によれば、80~250°Cの温度範囲で、又はその温度範囲内の任意の温度で硬化前の貯蔵弾性率が1MPa以上の接着シートを使用するので、接着シートの加熱工程を省略してワイヤーボンディング工程に移行しても、接着シートと被着体との接着面でずり変形が生じるのを防止し、該ワイヤーボンディング工程を良好に行える。また、加熱工程を省略できるので、接着シートから揮発ガスが発生することもない。この為、ボンディングパットが汚染されるのを防止することができる。よって本発明は、半導体装置の生産性を向上させると共に、歩留まりの向上を図ることができる。尚、前記半導体素子の上に1又は2以上の半導体素子を、前記接着シートを介して積層する場合や、必要に応じて、前記半導体素子と半導体素子との間に前記接着シートを介してスペーサを積層する場合にも同様の作用効果を奏する。また、前記の製造工程の簡略化は、複数の半導体素子等の3次元実装に於いて、製造効率の一層の向上を図ることができる。実施の形態1本発明の実施の形態について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。但し、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にする為に拡大又は縮小等して図示した部分がある。以上のことは、以下の図面に対しても同様である。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子13を基板又はリードフレーム被着体、以下単に基板等と称する11上に接着シート12で仮固着する仮固着工程と、加熱工程を経ることなく、ワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程とを有する。更に、半導体素子13を封止樹脂15で封止する封止工程と、当該封止樹脂15をアフターキュアする後硬化工程とを有する。前記仮固着工程は、図1aに示すように、半導体素子13を、接着シート12を介して基板等11に仮固着する工程である。半導体素子13を基板等11上に仮固着する方法としては、例えば基板等11上に接着シート12を積層した後、接着シート12上に、ワイヤーボンド面が上側となる様にして半導体素子13を順次積層して仮固着する方法が挙げられる。また、予め接着シート12が仮固着された半導体素子13を基板等11に仮固着して積層してもよい。前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、CUリードフレーム、42Alloyリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、BTビスマレイミドートリアジン、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。前記接着シート12としては、その硬化前の貯蔵弾性率が80~250°Cの温度範囲で1MPa以上、又はその温度範囲内の任意の温度で1MPa以上のものを使用し、より好ましくは1~100MPaの範囲内のものを使用する。接着シート12の貯蔵弾性率が1MPa以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着シート12と半導体素子13又は基板等11との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これにより、ワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止し、歩留まりの向上が図れる。尚、接着シート12については、後段に於いて更に詳述する。前記ワイヤーボンディング工程は、基板等11の端子部インナーリードの先端と半導体素子13上の電極パッド図示しないとをボンディングワイヤー14で電気的に接続する工程である図1b参照。本工程は、接着シート12による固着を行うことなく実行される。また、本工程の過程で接着シート12により半導体素子13と基板等11とが固着することはない。前記ボンディングワイヤー14としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際、その接合温度は、80~250°Cであることが必要であり、より好ましくは80~220°Cの範囲内である。80°C未満であると、接合したワイヤーの強度が弱くなるという不都合がある。その一方、250°Cを超えると、基板に反りが生じ、安定してワイヤーボンディングを行うことができないという不都合がある。また、その加熱時間は数秒~数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。この様な方法としては、例えば超音波方式や超音波熱圧着方式が挙げられる。尚、熱圧着方式等は、一般に接合温度が300~350°Cで行われるので、本発明に於いては好ましくない。前記封止工程は、封止樹脂15により半導体素子13を封止する工程である図1c参照。本工程は、基板等11に搭載された半導体素子13やボンディングワイヤー14を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂15としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常175°Cで60~90秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば165~185°Cで数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、接着シート12を介して半導体素子13と基板等11とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程では接着シート12による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂15を完全に硬化させる。封止工程に於いて接着シート12により固着がされない場合でも、本工程に於いて封止樹脂15の硬化と共に接着シート12による固着が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば165~185°Cの範囲内であり、加熱時間は0.5~8時間程度である。次に、前記接着シート12について詳述する。接着シート12は、80~250°Cの温度範囲で1MPa以上、又はその温度範囲内の任意の温度に於いて1MPa以上であれば、その構成は特に限定されない。本実施の形態に於いては、貯蔵弾性率を前記数値範囲内とする為、例えば後述の材料群から適宜必要な材料を選択して、所定の条件下で接着シート12を作製すればよい。また、接着シート12の貯蔵弾性率は、例えば熱可塑性樹脂量を増やすことにより低下させることができ、その一方熱硬化性樹脂量を増やすことにより増大させることもできる。例えば、接着剤層の単層のみからなる接着シートや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造の接着シート等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。また、接着シートとダイシングシートとの一体型のものも使用することができる。前記接着剤層は接着機能を有する層であり、その構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。又、熱可塑性樹脂単独でも使用可能である。前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく、耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。前記アクリル系樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下、特に炭素数4~18の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタアクリル酸8-ヒドロキシオクチル、メタアクリル酸10-ヒドロキシデシル、メタアクリル酸12-ヒドロキシラウリル若しくは4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル-メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタアクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピルメタアクリレート若しくはメタアクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、特に半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。更に前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフエノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5~2当量になるように配合することが好適である。より好適なのは0.8~1.2当量である。両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。尚、本発明に於いては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む接着シートが特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分100重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が10~200重量部である。本発明の接着シート12には、予めある程度架橋をさせておく為、その作製に際し、重合体の分子鎖末端の宮能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図る。前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、1,5-ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、有機樹脂成分100重量部に対し、通常0.05~7重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が7重量部を超えると、接着力が低下するので好ましくない。その一方、0.05重量部未満であると、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよいまた、本発明の接着シート12には、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記無機充填材としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは単独で又は2種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。また、無機充填剤の平均粒径は0.1~80μmの範囲内であることが好ましい。前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分100重量部に対し0~80重量部に設定することが好ましく、0~70重量部に設定することがより好ましい。尚、本発明の接着シート12には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。実施の形態2本発明に形態2に係る半導体装置の製造方法について、図2を参照しながら説明する。図2は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。本実施の形態に係る半導体装置は、前記実施の形態1に係る半導体装置と比較して、複数の半導体素子を積層して3次元実装とした点が異なる。より詳細には、半導体素子の上に他の半導体素子を、前記接着シートを介して積層する工程を含む点が異なる。先ず、図2aに示すように、所定のサイズに切り出した少なくとも1つ以上の接着シート12を被着体である基板等11に仮固着する。次に、接着シート12上に半導体素子13を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして仮固着する図2b参照。更に、半導体素子13上に、その電極パッド部分を避けて接着シート14を仮固着する図2c参照。更に、接着シート14上に、ワイヤーポンド面が上側となる様にして半導体素子13を形成する図2d参照。次に、加熱工程を行うことなく、図2eに示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体素子13に於ける電極パッドと基板等11とをボンディングワイヤー16で電気的に接続する。続いて、封止樹脂により半導体素子13を封止する封止工程を行い、封止樹脂を磁化させると共に、接着シート1214により基板等11と半導体素子13との間、及び半導体素子13同士の間を固着させる。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。本実施の形態によれば、半導体素子の3次元実装の場合に於いても、接着シート1214の加熱による加熱処理を行わないので、製造工程の簡素化及び歩留まりの向上が図れる。また、基板等11に反りが生じたり、半導体素子13にクラックが発生したりすることもないので、半導体素子の一層の薄型化が可能となる。実施の形態3本実施の形態の3に係る半導体装置の製造方法について、図3を参照しながら説明する。図3は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。本実施の形態に係る半導体装置は、前記実施の形態2に係る半導体装置と比較して、積層した半導体素子間にスペーサを介在させた点が異なる。より詳細には、半導体素子と半導体素子との間に、接着シートを介してスペーサを積層する工程を含む点が異なる。先ず、図3a~3cに示すように、前記実施の形態2と同様にして、基板等11上に接着シート12、半導体素子13及び接着シート14を順次積層して仮固着する。更に、接着シート14上に、スペーサ21、接着シート14及び半導体素子13を順次積層して仮固着する図3d~3f参照。次に、加熱工程を行うことなく、図3gに示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体素子13に於ける電極パッドと基板等11とをボンディシグワイヤー16で電気的に接続する。続いて、封止樹脂により半導体素子13を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させると共に、接着シート1214により基板等11と半導体素子13との間、及び半導体素子13とスペーサ21との間を固着させる。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。尚、前記スペーサとしては、特に限定されるものではなく、例えば従来公知のシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を用いることができる。実施の形態4本実施の形態4に係る半導体装置の製造方法について、図4を参照しながら説明する。図4は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。先ず、図4aに示すように、接着シート12’を半導体ウェハ13’の裏面に貼り付けて接着シート付きの半導体ウェハを作製する。次に、半導体ウェハ13’にダイシングテープ33に仮固着する図4b参照。更に、接着シート付きの半導体ウェハを所定の大きさとなる様にダイシングしてチップ状にし図4c参照、ダイシングテープ33から接着剤が付いたチップを剥離する。次に、図4dに示すように、接着シート12が付いた半導体素子13を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして基板等11上に仮固着する。更に、接着シート31が付いた大きさの異なる半導体素子32を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして半導体素子13上に仮固着する。次に、加熱工程を行うことなく、図4eに示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体素子1332に於ける電極パッドと基板等11とをボンディングワイヤー16で電気的に接続する。次に、封止樹脂により半導体素子を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させると共に、接着シート1231により基板等11と半導体素子13との間、及び半導体素子13と半導体素子32との間を固着させる。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。実施の形態5本実施の形態5に係る半導体装置の製造方法について、図5を参照しながら説明する。図5は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、前記実施の形態4に係る半導体装置の製造方法と比較して、ダイシングテープ33上に接着シート12’を積層した後、更に接着シート12’上に半導体ウェハ13’を積層した点が異なる。先ず、図5aに示すように、ダイシングテープ33上に接着シート12’を積層する。更に、接着シート12’上に半導体ウェハ13’を積層する図5b参照。更に、接着シート付きの半導体ウェハを所定の大きさとなる様にダイシングしてチップ状にし図5c参照、ダイシングテープ33から接着剤が付いたチップを剥離する。次に、図5dに示すように、接着シート12が付いた半導体素子13を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして基板等11上に仮固着する。更に、接着シート31が付いた大きさの異なる半導体素子32を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして半導体素子13上に仮固着する。この際、半導体素子32の固着は、下段の半導体素子13の電極パッド部分を避けて行われる。次に、加熱工程を行うことなく、図5eに示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体素子1332に於ける電極パッドと基板等11に於ける内部接続用ランドとをボンディングワイヤー16で電気的に接続する。続いて、封止樹脂により半導体素子13、32を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させると共に、接着シート1231により基板等11と半導体素子13との間、及び半導体素子13と半導体素子32との間を固着させる。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。実施の形態6本実施の形態6に係る半導体装置の製造方法について、図6及び図7を参照しながら説明する。図6は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。図7は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法により得られた半導体装置の概略を示す断面図である。本実施の形態に係る半導体装置は、前記実施の形態3に係る半導体装置と比較して、スペーサとしてコア材料を採用した点が異なる。先ず、前記実施の形態5と同様にして、ダイシングテープ33上に接着シート12’を積層する。更に、接着シート12’上に半導体ウェハ13’を積層する。更に、接着シート付きの半導体ウェハを所定の大きさとなる様にダイシングしてチップ状にし、ダイシングテープ33から接着剤が付いたチップを剥離する。これにより、接着シート12を備えた半導体素子13を得る。他方、ダイシングテープ33の上に接着シート41を形成し図6a参照、該接着シート41上にコア材料42を貼り付ける図6b参照。更に、所定のサイズとなる様にダイシングしてチップ状にし図6c参照、ダイシングテープ33から接着剤が付いたチップを剥離する。これにより、接着シート41’を備えたチップ状のコア材料42’を得る。次に、前記半導体素子13を、ワイヤーボンド面が上側となる様に、基板等11上に接着シート12を介して仮固着する。更に、半導体素子13上に接着シート41’を介してコア材料42’を仮固着する。更に、コア材料42’上に接着シート12を介して半導体素子13を、ワイヤーボンド面が上側となる様に仮固着する。続いて、加熱工程を行うことなく、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体素子13に於ける電極パッドと基板等11に於ける内部接続用ランドとをボンディングワイヤー16で電気的に接続する図7参照。次に、封止樹脂により半導体素子を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させると共に、接着シート1241’により基板等11と半導体素子13との間、及び半導体素子13とコア材料42’との間を固着させる。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることできる。尚、封止工程の後に、後硬化工程を行ってもよい。前記コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。具体的には、フィルム例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等を使用できる。実施の形態7本実施の形態7に係る半導体装置の製造方法について、図8を参照しながら説明する。図8は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、前記実施の形態6に係る半導体装置の製造方法と比較して、コア材料のダイシングに替えて、打ち抜き等によりチップ化した点が異なる。先ず、前記実施の形態6と同様にして、接着シート12を備えた半導体素子13を得る。他方、接着シート41上にコア材料42を貼り付ける。更に、所定のサイズとなる様に打ち抜き等によりチップ状にし、接着シート41’を備えたチップ状のコア材料42’を得る。次に、前記実施の形態6と同様にして、接着シート1241’を介してコア材料42’及び半導体素子13を順次積層して仮固着する。更に、ワイヤーボンディング工程、封止工程、必要に応じて後硬化工程を行い、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。その他の事項以上の説明に於いては、本発明の最も好適な実施態様について説明した。しかし、本発明は当該実施態様に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の範囲で種々の変更が可能である。即ち、前記基板等上に半導体素子を3次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されていてもよい。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。また、半導体素子の3次元実装の際に、各段で使用される接着シートは同一組成からなるものに限定されるものではなく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。また、前記実施の形態に於いて述べた積層方法は例示的に述べたものであって、必要に応じて適宜変更が可能である。例えば、前記実施の形態2に係る半導体装置の製造方法に於いては、2段目以降の半導体素子を前記実施の形態3に於いて述べた積層方法で積層することも可能である。また、前記実施の形態に於いては、基板等に複数の半導体素子を積層させた後に、一括してワイヤーボンディング工程を行う態様について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体素子を基板等の上に積層する度にワイヤーボンディング工程を行うことも可能である。以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。また各例中、部及びは特記がない限りいずれも重量基準である。実施例1アクリル酸エチル-メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー根上工業株製、パラクロンW-197CM100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤3部、エポキシ樹脂ジャパンエポキシレジン株製、エピコート100423部、フェノール樹脂三井化学株製、ミレックス×LC-LL6部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度20の接着剤組成物の溶液を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナーとしてシリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム厚さ50μmからなる離型処理フィルム上に塗布した。更に、120°Cで3分間乾燥させたことにより、厚さ25μmの本実施例1に係る接着シートを作製した。実施例2本実施例2に於いては、実施例1で使用したアクリル酸エステル系ポリマーに替えて、ブチルアクリレートを主成分としたポリマー根上工業株製、パラクロンSN-710を用いた以外は、前記実施例1と同様にして、本実施例2に係る接着シート厚さ25μmを作製した。比較例1アクリル酸エチル-メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー根上工業株製、パラクロンW-197CM100部に対して、エポキシ樹脂ジャパンエポキシレジン株製、エピコート100423部、フェノール樹脂三井化学株製、ミレックスXLC-LL6部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度20の接着剤組成物の溶液を調整した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナーとしてシリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム厚さ50μmからなる離型処理フィルム上に塗布した。更に、120°Cで3分間乾燥させたことにより、比較例1に係る接着シート厚さ25μmを作製した。比較例2比較例2に於いては、前記比較例1にて使用したアクリル酸エステル系ポリマーに替えて、ブチルアクリレートを主成分としたポリマー根上工業株製、パラクロンSN-710を用いた以外は、比較例1と同様にして、比較例2に係る接着シート厚さ25μmを作製した。貯蔵弾性率測定前記実施例及び比較例に於いて作製した接着シートについて、硬化前の貯蔵弾性率を以下の通り測定した。測定装置は、動的粘弾性測定装置RSAn、ReometricScientific社製を用いて測定される。測定条件は、シートを縦10mm×横5mmに切断し、引張モードで、一定の周波数10Hzで、温度を10°C/分で昇温させ、30~280°Cでの測定を行い、その80~250°Cでの貯蔵弾性率を決定した。それらの結果を下記表1に示す。表1に示す様に、実施例1及び2に係る接着シートは、何れの熱板温度に於いても、1.0MPa以上の貯蔵弾性率を示した。その一方、比較例1及び2に係る接着シートの剪断接着力は、0.2MPa以下であった。尚、比較例1及び2に於ける100~250°Cでの貯蔵弾性率は、測定限界0.1MPaより小さかった。ワイヤーボンディング性実施例及び比較例の接着シートを用い、半導体素子とリードフレーム、基板、半導体素子を用いた場合のワイヤーボンディング性を評価した。先ず、基板、リードフレーム及び半導体素子について各種試料を作製した。即ち、基板UniMicronTechnologyCorporation製、商品面:FTBGA16X162216-001A01の場合に於いては、得られた接着シートをセパレーターから剥離した後、6mm□に切断したものを用いた。一方、アルミ蒸着ウェハをダイシングして、縦6mm×横6mm×厚さ100μmのチップを作製した。このチップを、基板にダイアタッチして試験片を作製した。ダイアタッチは、120°Cの温度下で荷重0.25MPaをかけ、1秒間加熱するという条件下で、ダイボンダー株新川製SPA-300を用いて行った。また、リードフレーム新光電気株式会社製、品名CA-F313MF202の場合に於いては、接着シートをセパレーターから剥離した後、7.5mm□に切断したものを用いた。一方、アルミ蒸着ウェハをダイシングして、縦7.5mm×横7.5mm×厚さ100μmのチップを作製した。このチップを、基板にダイアタッチして試験片を作製した。ダイアタッチは、基板の場合と同様の条件で行った。また、半導体素子の場合に於いては、得られた接着シートをセパレーターから剥離した後、6mm□に切断したものを用いた。リードフレーム新光電気株式会社製、品名CA-F313MF202のダイパッドに、評価用モデルパターンが形成された評価用素子フェニックスセミコンダクター株製型番:NT-103パシベーション層Si3N4/5000Å厚みを縦6mm×横6mm×厚さ100μmにダイシングしたものをダイアタッチした。この評価用素子を第1の半導体素子とする。次に、前記接着シートを5mm□に切断したものを用い、アルミ蒸着ウェハから縦5mm×横5mm×厚さ100μmにダイシングしたチップを前記評価用素子の上にダイアタッチして試験片を作製した。このチップを第2の半導体素子とする。尚、各試料はそれぞれ20個ずつ作製した。次に、各種試料について、超音波熱圧着法によりワイヤーボンド用金線直径25μmをボンディングした。試料1個当たりのワイヤーボンド数は80点とした。ワイヤーボンディング条件は、超音波出力時間10ms、超音波出力120、ボンド荷重980mN、ステージ温度は80°C、175°C、250°Cとした。また、ワイヤーボンディング装置としては、UTC-300株新川製を使用した。また、ワイヤーポンド成功率の評価は、テンションゲージによるプル強度評価で5g以上とした場合を成功とした。尚、ダイアタッチ後に試料の加熱工程は行っていない。また、半導体素子の場合に於いては、第2の半導体素子とリードフレームとの間でワイヤーボンドを施した。それらの結果を下記表2に示す。表2に示す様に、実施例1及び2に係る接着シートについては、何れの熱板温度に於いても成功率100であった。その一方、比較例1及び2に係る接着シートについては、0であった。実施例1及び2に係る接着シートについての成功率が100だったのは、各々十分な貯蔵弾性率を有していたことによりチップずれが生じなかった為である。"