各々が少なくとも1つの磁気トンネル接合MTJ要素を含む、アレイ状の複数の磁気ストレージセルと、前記複数の磁気ストレージセルに対応する少なくとも1つのビットライン及び少なくとも1つのビット補数ラインと、を含み、それぞれのMTJ要素は、書き込み電流を第1又は第2の方向に駆動し、前記それぞれのMTJ要素を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることによって書き込まれ、かつ、読み出し電流を前記それぞれのMTJ要素を通って、前記それぞれのMTJ要素が前記高抵抗状態になるのを妨害する傾向がある方向に駆動することによって読み出される、スピントルクベースのメモリ装置。各々のMTJ要素は、フリー磁性層、トンネル障壁層及び固定層を含み、読み出しのための電流は、前記固定層から前記フリー磁性層に流れる、請求項1に記載のスピントルクベースのメモリ装置。前記それぞれのMTJ要素の両端の読み出し弾圧は、50ミリボルトmVから100mVまでの範囲に及ぶ、請求項1に記載のスピントルクベースのメモリ装置。各々が磁気ストレージセルに対応し、電流が前記磁気ストレージセルを通って流れるのを可能にする、複数のワードラインをさらに含む、請求項1に記載のスピントルクベースのメモリ装置。各々の磁気ストレージセルは、それぞれのワードラインによってアクティブにされ、電流が前記それぞれのMTJ要素を通って流れるのを可能にするスイッチング装置をさらに含む、請求項1に記載のスピントルクベースのメモリ装置。前記それぞれのワードラインは、前記スイッチング装置のゲートに結合される、請求項5に記載のスピントルクベースのメモリ装置。各々が少なくとも1つの磁気トンネル接合MTJ要素を含んだ複数の磁気ストレージセルを含むスピントルクベースのメモリ装置を動作させるためのコンピュータ実施の方法であって、前記方法は、書き込み電流を第1又は第2の方向に駆動することによって、それぞれのMTJ要素を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることと、読み出し電流を前記それぞれのMTJ要素を通って、前記それぞれのMTJ要素が高抵抗状態になるのを妨害する傾向がある方向に駆動することによって、それぞれのMTJ要素を読み出すことと、を含む、コンピュータ実施の方法。各々のMTJ要素は、フリー磁性層、トンネル障壁層及び固定層を含み、読み出しのための電流は、前記固定層から前記フリー磁性層に流れる、請求項7に記載のコンピュータ実施の方法。前記それぞれのMTJ要素の両端の読み出し電圧は、50ミリボルトmVから100mVまでの範囲に及ぶ、請求項7に記載のコンピュータ実施の方法。電流が、前記磁気ストレージセルに対応するワードラインを介して、前記磁気ストレージセルを通って流れるのを可能にすることをさらに含む、請求項7に記載のコンピュータ実施の方法。それぞれのワードラインを介して前記それぞれのMTJ要素に直列に接続されたそれぞれのスイッチング装置をアクティブにし、電流が前記それぞれのMTJ要素を通って流れるのを可能にすることをさらに含む、請求項10に記載のコンピュータ実施の方法。前記それぞれのワードラインを前記スイッチング装置のゲートに結合させることをさらに含む、請求項11に記載のコンピュータ実施の方法。コンピュータ可読プログラムを含んだコンピュータ使用可能媒体を含むコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータプログラムは、コンピュータ上で実行されたときに、前記コンピュータに、各々が少なくとも1つの磁気トンネル接合MTJ要素を含んだ複数の磁気ストレージセルを含むスピントルクベースのメモリ装置を動作させるためのコンピュータ実施の方法を実施させ、前記方法は、書き込み電流を第1又は第2の方向に駆動することによって、それぞれのMTJ要素を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることと、読み出し電流を前記それぞれのMTJ要素を通って、前記それぞれのMTJ要素が高抵抗状態になるのを妨害する傾向がある方向に駆動させることによって、それぞれのMTJ要素を読み出すことと、を含む、コンピュータプログラム製品。各々のMTJ要素は、フリー磁性層、トンネル障壁層及び固定層を含み、読み出しのための電流は、前記固定層から前記フリー磁性層に流れる、請求項13に記載のコンピュータプログラム製品。前記それぞれのMTJ要素の両端の読み出し弾圧は、50ミリボルトmVから100mVまでの範囲に及ぶ、請求項13に記載のコンピュータプログラム製品。前記方法は、電流が、前記磁気ストレージセルに対応するワードラインを介して、前記磁気ストレージセルを通って流れるのを可能にすることをさらに含む、請求項13に記載のコンピュータプログラム製品。前記方法は、それぞれのワードラインを介して前記それぞれのMTJ要素に直列に接続されたそれぞれのスイッチング装置をアクティブにし、電流が前記それぞれのMTJ要素を通って流れるのを可能にすることをさらに含む、請求項16に記載のコンピュータプログラム製品。前記方法は、前記それぞれのワードラインを前記スイッチング装置のゲートに結合させることをさらに含む、請求項17に記載のコンピュータプログラム製品。スピントルクベースの磁気ランダムアクセスメモリ装置、及びこれを動作させるためのコンピュータ実施の方法を提供する。本発明の実施形態は、スピントルクベースのメモリ装置と、読み出し電流をメモリ装置の磁気トンネル接合MTJ要素を通って特定の方向に駆動し、それにより読み出しディスターブの発生を防止することにより、スピントルクベースのメモリ装置内で読み出し動作を行うための方法を提供する。この方向は、MTJ要素が高抵抗状態になるのを妨害する電流の方向として定められる。本発明の一実施形態によると、スピントルクベースのメモリ装置が提供される。このメモリ装置は、各々が少なくとも1つの磁気トンネル接合MTJ要素を含む、アレイ状の複数の磁気ストレージセルと、複数の磁気ストレージセルに対応する少なくとも1つのビットライン及び少なくとも1つのビット補数ラインとを含む。それぞれのMTJ要素は、書き込み電流を第1又は第2の方向に駆動し、それぞれのMTJ要素を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることによって書き込まれ、かつ、読み出し電流をそれぞれのMTJ要素を通って、それぞれのMTJ要素が高抵抗状態になるのを妨害する傾向がある方向に駆動することによって読み出される。本発明の別の実施形態によると、各々が少なくとも1つの磁気トンネル接合MTJ要素を含んだ複数の磁気ストレージセル含むスピントルクベースのメモリ装置を動作させるコンピュータ実施の方法が提供される。このコンピュータ実施の方法は、書き込み電流を第1又は第2の方向に駆動することによって、それぞれのMTJ要素を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることと、読み出し電流をそれぞれのMTJ要素を通って、それぞれのMTJ要素が高抵抗状態になるのを妨害する傾向がある方向に駆動することによって、それぞれのMTJ要素を読み出すこととを含む。本発明の別の実施形態によると、上述の方法を実行するコンピュータプログラム製品も提供される。さらなる特徴及び利点が、本発明の技術を通して実現される。本発明の他の実施形態及び態様は、ここに詳細に説明され、特許請求される本発明の一部と見なされる。利点及び特徴を有する本発明をより良く理解するために、説明及び図面を参照されたい。本発明と考えられる主題は、本明細書の終わりの特許請求の範囲において具体的に示され、明確に特許請求されている。本発明の前述及び他の特徴及び利点は、添付図面と関連して用いられる以下の詳細な説明から明らかである。図1を参照すると、本発明の実施形態によるメモリ装置が提供される。このメモリ装置100は、スピントルクベースの磁気ランダムアクセスメモリMRAM装置である。図1に示されるように、スピントルクベースのMRAM装置100は、アレイ状の複数の磁気ストレージセル101を含む。各々の磁気ストレージセル101は、少なくとも1つのMTJ要素105を含む。さらに、この装置100は、複数の磁気ストレージセル101に対応する複数のビットライン115及びビット補数ライン120を含む。図1にさらに示されるように、各々のMTJ要素105は、スイッチング装置例えば、トランジスタ110と直列に接続されている。複数のワードライン125も、メモリ装置100内に提供される。ワードライン125は、ビットライン115に対して斜めに配向される。ビット補数ライン120は、一般的には、メモリ装置100のためのアーキテクチャに応じて、ビットライン115に対して平行又は垂直である。本発明のこの実施形態に示されるように、各々のビット補数ライン120は、各々のビットライン115に対して平行である。各々のワードライン125は、複数の磁気ストレージセル101に対応し、かつ、電流が磁気ストレージセル101を通って流れるのを可能にする。さらに、それぞれのワードライン125は、トランジスタ110のゲートに結合される。MTJ要素105及びトランジスタ110は、ビットライン115とビット補数ライン120との間で互いに接続されている。MTJ要素105のプログラミング及び読み出しの詳細が、図2を参照して以下に説明される。図2は、本発明の実施形態において実装することができる、図1に示されるメモリ装置のMTJ要素及び対応するスイッチング装置の分解図である。本発明の実施形態によると、各々のMTJ要素105は、図3に示されるような固定層106、トンネル障壁層107及びフリー磁性層108から形成することができるが、本発明は、それに制限されるものではなく、それに応じて変化し得る。再び図2を参照すると、読み書き動作中、それぞれのトランジスタ110のスイッチが入れられて、電流がそれぞれのMTJ要素105を通って流れることが可能になり、論理状態を読み書きできるようになる。つまり、トランジスタ110は、MTJ要素105の読み出しか又は書き込みかを選択する。書き込み動作中、MTJ要素105は、スピン移動spintransferを用いて書き込むように構成される。従って、スピン偏極した電子spinpolarizedelectronが、MTJ要素105のフリー磁性層にトルクをかけ、それによりフリー磁性層の極性が切り換わり得る。ビットライン115及びワードライン125がアクティブにされ、書き込み電流がビット補数ライン120とビットライン115との間に駆動される。書き込み電流は、MTJ要素105を通って第1又は第2の方向に駆動され、それぞれのMTJ要素105を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングする。読み出し動作中、ビットライン115及びワードライン125がアクティブにされる。次に、トランジスタ110がそれぞれのワードライン125によってアクティブにされ、電流がそれぞれのMTJ要素105を通って流れるのを可能にする、本発明の実施形態によると、読み出し電流は、それぞれのMTJ要素105を通って、それぞれのMTJ要素が高抵抗状態になるのを妨害する傾向がある方向に駆動される。本発明の実施形態によると、読み出し電流は、第1又は第2の方向において、書き込み電流よりも少ない。さらに、実施形態によると、それぞれのMTJ要素105の両端にかかる読み出し電圧は、約50ミリボルトmVから約100mVまでの範囲に及ぶ。読み出し電流は、ビットライン115に与えられる。読み出し電流が、センス増幅器図示せずにより、基準セル図示せずを通って流れる基準電流と比較される。センス増幅器の出力は、基準電流と実際にMTJ要素105を通って流れる電流との間の差に比例する。センス増幅器の出力が、MTJ要素105の状態を決定する。上述のように、従来のMTJ要素の読み出し動作中に、読み出しディスターブが発生することがある。本発明は、読み出しディスターブの発生を防ぐ方法を提供する。ここで、読み出しディスターブの発生に関するさらなる詳細が、図4を参照して以下に説明される。図4は、高抵抗状態のものと比較した低抵抗状態における読み出し電圧を含む、MTJ要素の両端の電圧の種々の分布を示すグラフである。図4はまた、読み出しディスターブの発生に必要である電圧の分布も示す。これらは、MTJ要素及びトランジスタの両方が抵抗分布を有することによる分布である。図4に示されるように、x軸は、MTJ要素の両端の電圧VTJを表す。ビットの読み出し動作中、MTJ要素105の両端の電圧は、読み出し動作中にMTJ要素105が0のメモリ状態にあるか又は1のメモリ状態にあるかによって決まる。MTJ要素105の抵抗は、約2倍だけ1メモリ状態においてより高く、0メモリ状態においてより低い。本発明の実施形態によると、トランジスタ110の抵抗は、低抵抗状態におけるMTJ要素105の抵抗と等しくすることができる。例えば、トランジスタ110の抵抗は約1000オームとすることができ、0メモリ状態におけるMTJ要素105の抵抗は約1000オームとすることができる、1メモリ状態におけるMTJ要素105の抵抗は約2000オームとすることができる。従って、MTJ要素105の両端の読み出し電圧VReadは、0メモリ状態におけるものと1メモリ状態におけるものが異なり、0メモリ状態においてより、1メモリ状態において高くなる。例えば、高抵抗状態におけるMTJ要素105の両端の読み出し電圧VReadは、MTJ要素105及びトランジスタ110の両方の直列の組み合わせの両端に印加される回路電圧の約2/3となり、低抵抗状態においては、印加される回路電圧の約1/2となる。実線200は、低抵抗状態における読み出し電圧VReadを表し、点線300は、高抵抗状態における読み出し電圧VReadを表す。ビットを読み出し、MTJ要素105を通って電流を流すとき、読み出しディスターブが発生する。読み出しディスターブが発生する、それぞれのMTJ要素105の両端の読み出し電圧VDisturbが、曲線参照番号400で表される。複数のMTJ要素105の抵抗は異なることがあり、複数のトランジスタ110の抵抗も異なることがあるので、読み出し電圧VReadは、MTJ要素105ごとに変化し得る。実線200又は点線300で表される曲線が、400で表される曲線と重なる場合、ビットは誤って書き込まれる。しかしながら、本発明の実施形態によると、MTJ要素105を通る読み出し電流の方向は、MTJ要素105が高抵抗状態になるのを妨害するようなものであるので、曲線300が曲線400と重なったとしても、曲線200が曲線400と重ならない限り、読み出しディスターブの発生を防止することができる。具体的には、このことは、読み出しのために使用する好ましい電流フロー方向は、電流が固定層からフリー磁性層に流れるためのもの、即ち、電子がフリー磁性層から固定層に流れるためのものである。図5は、本発明の実施形態において実装することができるスピントルクベースのメモリ装置内で読み出し動作を行う方法を示すフローチャートである。図5に示されるように、動作500において、書き込み電流を第1又は第2の方向に駆動することによって、それぞれのMTJ要素105を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることができる。次に、動作510において、読み出し電流を、それぞれのMTJ要素105を通って、それぞれのMTJ要素105が高抵抗状態になるのを妨害する傾向がある方向に駆動することによって、それぞれのMTJ要素105を読み出す。本発明の実施形態によると、読み出し電流は、第1又は第2の方向における書き込み電流より少ない。さらに、それぞれのMTJ要素の両端の読み出し電圧は、約50ミリボルトmVから約100mVまでの範囲に及ぶ。本発明の実施形態は、読み出し電流を、MTJ要素を通って、MTJ要素105が高抵抗状態になるのを妨害する傾向がある方向に提供し、これにより、読み出しディスターブの発生が防止される。本明細書において用いられる用語は、特定の実施形態を説明する目的のためのものにすぎず、本発明を限定することを意図するものではない。本明細書で用いられるとき、単数形1つのa、1つのanおよびそのtheは、文脈が明らかにそうでないことを示していない限り、複数形も含むことが意図されている。本明細書で用いられるとき、含むcomprise及び/又は含んでいるcomprisingという用語は、提示された特徴、整数、ステップ、動作、要素、及び/又はコンポーネントが存在することを特定するものであるが、1つ又は複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、コンポーネント、及び/又はそれらのグループの存在又は追加を排除するものではないことがさらに理解されるであろう。以下の特許請求の範囲における全ての手段又はステップと機能との組み合わせミーンズ又はステッププラスファンクション要素の対応する構造、材料、行為及び均等物は、その機能を、明確に特許請求されているように他の特許請求された要素と組み合わせて実行するための、いかなる構造、材料又は行為をも含むことが意図される。本発明の説明は、例示及び説明の目的で提示されたものであるが、網羅的であることを意図するものではなく、本発明を開示された形態に限定することを意図するものでもない。本発明の範囲及び精神から逸脱することのない多くの変更及び変形が、当業者には明らかであろう。実施形態は、本発明の原理及び実際の用途を最も良く説明するため、及び、当業者が本発明を種々の変更を有する種々の実施形態について企図される特定の使用に適したものとして理解することを可能にするために、選択及び記載された。ここに示されるフロー図は、単なる例にすぎない。本発明の精神から逸脱することなく、ここに説明されるこれらの図又はステップ或いは、動作に対する多くの変形があり得る。例えば、ステップを異なる順序で実行することができ、或いはステップを付加し、削除し、又は変更することができる。これら変形の全てが、本発明の特許請求の範囲の一部と考えられる。本発明に対する好ましい実施形態が説明されたが、当業者であれば、現在においても将来においても、以下の特許請求の範囲内に含まれる種々の改良及び向上を行ない得ることが理解されるであろう。これらの特許請求の範囲は、最初に説明された本発明に関する適切な保護を維持するように解釈すべきである。