基板上に形成され、半導体物質で備えられた薄膜トランジスタの活性層と、前記基板上に形成され、不純物イオンがドーピングされた半導体物質で備えられたキャパシタの下部電極と、前記活性層及び前記下部電極を覆うように、前記基板上に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成され、金属で備えられた第1ゲート電極、透明導電物で備えられた第2ゲート電極、及び金属で備えられた第3ゲート電極が順次に積層された薄膜トランジスタのゲート電極と、前記第1絶縁層上に形成され、金属で備えられた第1画素電極、及び透明導電物で備えられた第2画素電極が順次に積層された画素電極と、前記第1絶縁層上に形成され、金属で備えられた第1上部電極、及び透明導電物で備えられた第2上部電極が順次に積層されたキャパシタの上部電極と、前記活性層と電気的に連結された薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と、前記画素電極上に配され、有機発光層を備える有機層と、前記有機層を介して前記画素電極に対向して配される対向電極と、を備える有機発光ディスプレイ装置。前記第1ゲート電極、第1画素電極及び第1上部電極は、同じ金属で形成され、前記金属は、アルミニウム合金であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記アルミニウム合金は、ニッケルを含むことを特徴とする請求項2に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記金属は、80乃至200Åの厚さであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第2ゲート電極、第2画素電極及び第2上部電極は、同じ透明導電物で形成され、前記透明導電物は、ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、及びAZOを含むグループから選択された少なくとも一つ以上を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第2画素電極上に積層され、金属で備えられた第3画素電極と、前記第3画素電極及びゲート電極を覆うように、前記第1絶縁層上に形成され、前記第2画素電極の一部を露出させる第1開口と、前記第3画素電極の一部を露出させる第2開口と、前記第2上部電極を露出させる第3開口と、を含む第2絶縁層と、を備え、前記ソース及びドレイン電極は、前記第2絶縁層上に形成され、前記ソース及びドレイン電極のうちいずれか一つは、前記第2開口を通じて前記第3画素電極とコンタクトされたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第3画素電極及び第3ゲート電極は、同じ金属で形成され、前記金属は、アルミニウム、白金、パラジウム、銀、マグネシウム、金、ニッケル、ネオジム、イリジウム、クロム、リチウム、カルシウム、モリブデン、チタン、タングステン、銅のうち選択された一つ以上の金属を含むことを特徴とする請求項6に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第3画素電極及び第3ゲート電極は、多層の金属層を備えることを特徴とする請求項6または7に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1画素電極は、前記有機発光層から放出された光を一部透過及び一部反射する半透過ミラーであることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記対向電極は、前記有機発光層から放出された光を反射するように備えられたことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1画素電極の端部と、前記第2画素電極の端部とは、エッチング面が同じであることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第2絶縁層上に形成された第3絶縁層をさらに備え、前記第3絶縁層は、前記第1開口を通じて露出された前記前記第2画素電極の一部を露出させる第4開口を備え、前記ソース及びドレイン電極と前記第3開口を通じて露出された前記第2上部電極とを覆うことを特徴とする請求項6乃至11のいずれか一項に記載の有機発光ディスプレイ装置。基板上に半導体層を形成し、前記半導体層をパターニングして薄膜トランジスタの活性層及びキャパシタの下部電極を形成する第1マスク工程と、前記活性層及び下部電極を覆うように、基板上に第1絶縁層を形成し、前記第1絶縁層上に、第1金属層、第1透明導電層及び第2金属層を順次に積層した後にパターニングし、第1画素電極、第2画素電極及び第3画素電極が順次に積層された画素電極と、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第3ゲート電極が順次に積層された薄膜トランジスタのゲート電極と、第1上部電極、第2上部電極及び第3上部電極が順次に積層されたキャパシタの上部電極と、を形成する第2マスク工程と、前記画素電極、ゲート電極及び上部電極を覆うように、前記第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、前記第2絶縁層をパターニングして前記第3画素電極を露出させる第1開口及び第2開口、前記活性層のソース及びドレイン領域を露出させるコンタクトホール、及び前記第3上部電極を露出させる第3開口を形成する第3マスク工程と、前記第2絶縁層上に、前記第1開口乃至第3開口及びコンタクトホールを通じて露出された部分を覆うように、第3金属層を形成し、前記第3金属層をパターニングしてソース及びドレイン電極を形成する第4マスク工程と、前記ソース及びドレイン電極を覆うように、前記第2絶縁層上に第3絶縁層を形成し、前記第3絶縁層をパターニングして前記画素電極を露出させる第4開口を形成する第5マスク工程と、を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第2マスク工程後、前記第1ゲート電極乃至第3ゲート電極をマスクとして、前記ソース及びドレイン領域にイオン不純物をドーピングする工程がさらに含まれたことを特徴とする請求項13に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第4マスク工程は、前記第1開口を通じて露出された第3画素電極の部分及び前記第3開口を通じて露出された第3上部電極を除去する工程を含むことを特徴とする請求項13または14に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第4マスク工程後、前記第3開口を通じて露出された第2上部電極上から不純物イオンを前記下部電極にドーピングする工程がさらに含まれたことを特徴とする請求項14または15に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1金属層は、アルミニウム合金で備えられたことを特徴とする請求項13乃至16のいずれか一項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記アルミニウム合金は、ニッケルを含むことを特徴とする請求項17に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1金属層は、80乃至200Åの厚さであることを特徴とする請求項13乃至18のいずれか一項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1透明導電層は、ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、及びAZOを含むグループから選択された少なくとも一つ以上を含むことを特徴とする請求項13乃至19のいずれか一項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第2金属層は、アルミニウム、白金、パラジウム、銀、マグネシウム、金、ニッケル、ネオジム、イリジウム、クロム、リチウム、カルシウム、モリブデン、チタン、タングステン、銅のうち選択された一つ以上の金属を含むことを特徴とする請求項13乃至20のいずれか一項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、製造工程が単純であり、かつ表示品質に優れた有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することである。前記課題を達成するために、本発明の一側面によれば、基板上に形成され、半導体物質で備えられた薄膜トランジスタの活性層;前記基板上に形成され、不純物イオンがドーピングされた半導体物質で備えられたキャパシタの下部電極;前記活性層及び前記下部電極を覆うように、前記基板上に形成された第1絶縁層;前記第1絶縁層上に形成され、金属で備えられた第1ゲート電極、透明導電物で備えられた第2ゲート電極及び金属で備えられた第3ゲート電極が順次に積層された薄膜トランジスタのゲート電極;前記第1絶縁層上に形成され、金属で備えられた第1画素電極及び透明導電物で備えられた第2画素電極が順次に積層された画素電極;前記第1絶縁層上に形成され、金属で備えられた第1上部電極及び透明導電物で備えられた第2上部電極が順次に積層されたキャパシタの上部電極;前記活性層と電気的に連結された薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極;前記画素電極上に配され、有機発光層を備える有機層;前記有機層を介して前記画素電極に対向して配される対向電極;を備える有機発光ディスプレイ装置を提供する。本発明の他の目的によれば、前記第1ゲート電極、第1画素電極及び第1上部電極は、同じ金属で形成され、前記金属は、アルミニウム合金でありうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記アルミニウム合金は、ニッケルを含みうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記金属は、80乃至200Åの厚さでありうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第2ゲート電極、第2画素電極及び第2上部電極は、同じ透明導電物で形成され、前記透明導電物は、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、ZnO、In2O3、IGOIndiumGalliumOxide、及びAZOAluminiumZincOxideを含むグループから選択された少なくとも一つ以上を含みうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第2画素電極上に積層され、金属で備えられた第3画素電極と、前記第3画素電極及びゲート電極を覆うように、前記第1絶縁層上に形成され、前記第2画素電極の一部を露出させる第1開口、前記第3画素電極の一部を露出させる第2開口、及び前記第2上部電極を露出させる第3開口を備える第2絶縁層と、を備え、前記ソース及びドレイン電極は、前記第2絶縁層上に形成され、前記ソース及びドレイン電極のうちいずれか一つは、前記第2開口を通じて前記第3画素電極とコンタクトされうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第3画素電極及び第3ゲート電極は、同じ金属で形成され、前記金属は、アルミニウム、白金、パラジウム、銀、マグネシウム、金、ニッケル、ネオジム、イリジウム、クロム、リチウム、カルシウム、モリブデン、チタン、タングステン、銅のうち選択された一つ以上の金属を含みうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第3画素電極及び第3ゲート電極は、多層の金属層を備えうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第1画素電極は、前記有機発光層から放出された光を一部透過及び一部反射する半透過ミラーでありうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記対向電極は、前記有機発光層から放出された光を反射するように備えられうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第1画素電極の端部と、前記第2画素電極の端部とは、エッチング面が同一でありうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第2絶縁層上に形成された第3絶縁層をさらに備え、前記第3絶縁層は、前記第1開口を通じて露出された前記前記第2画素電極の一部を露出させる第4開口を備え、前記ソース及びドレイン電極と前記第3開口を通じて露出された前記第2上部電極とを覆える。本発明はまた、前述した目的を達成するために、基板上に半導体層を形成し、前記半導体層をパターニングして、薄膜トランジスタの活性層及びキャパシタの下部電極を形成する第1マスク工程と、前記活性層及び下部電極を覆うように、基板上に第1絶縁層を形成し、前記第1絶縁層上に、第1金属層、第1透明導電層及び第2金属層を順次に積層した後にパターニングし、第1画素電極、第2画素電極及び第3画素電極が順次に積層された画素電極と、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第3ゲート電極が順次に積層された薄膜トランジスタのゲート電極と、第1上部電極、第2上部電極及び第3上部電極が順次に積層されたキャパシタの上部電極と、を形成する第2マスク工程と、前記画素電極、ゲート電極及び上部電極を覆うように、前記第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、前記第2絶縁層をパターニングして、前記第3画素電極を露出させる第1開口及び第2開口、前記活性層のソース及びドレイン領域を露出させるコンタクトホール及び前記第3上部電極を露出させる第3開口を形成する第3マスク工程と、前記第2絶縁層上に、前記第1開口乃至第3開口及びコンタクトホールを通じて露出された部分を覆うように第3金属層を形成し、前記第3金属層をパターニングして、ソース及びドレイン電極を形成する第4マスク工程と、前記ソース及びドレイン電極を覆うように、前記第2絶縁層上に第3絶縁層を形成し、前記第3絶縁層をパターニングして、前記画素電極を露出させる第4開口を形成する第5マスク工程と、を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法を提供する。本発明の他の目的によれば、前記第2マスク工程後、前記第1ゲート電極乃至第3ゲート電極をマスクとして、前記ソース及びドレイン領域にイオン不純物をドーピングする工程がさらに含まれうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第4マスク工程は、前記第1開口を通じて露出された第3画素電極の部分及び前記第3開口を通じて露出された第3上部電極を除去する工程を含みうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第4マスク工程後、前記第3開口を通じて露出された第2上部電極上から不純物イオンを、前記下部電極にドーピングする工程がさらに含まれうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第1金属層は、アルミニウム合金で備えられうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記アルミニウム合金は、ニッケルを含みうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第1金属層は、80乃至200Åの厚さでありうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第1透明導電層は、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、ZnO、In2O3、IGOIndiumGalliumOxide、及びAZOAluminiumZincOxideを含むグループから選択された少なくとも一つ以上を含みうる。本発明のさらに他の目的によれば、前記第2金属層は、アルミニウム、白金、パラジウム、銀、マグネシウム、金、ニッケル、ネオジム、イリジウム、クロム、リチウム、カルシウム、モリブデン、チタン、タングステン、銅のうち選択された一つ以上の金属を含みうる。本発明による有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法は、次のような効果を提供する。第一に、画素電極に半透過ミラーを採用することによって、画像が画素電極の方向に具現される背面発光型で光学的共振を具現できて、光効率をさらに高めうる。第二に、前記半透過ミラーをアルミニウム合金で形成することによって、画素電極のパターニング工程時、透明導電層やゲート電極を損傷させず、画素電極の複数積層構造を単一工程でパターニングできて、工程性が向上する。第三に、5回のマスク工程で半透過ミラーを備えた有機発光ディスプレイ装置を製造できる。第四に、単純な工程でMIMキャパシタ構造を形成できるため、工程性と共に、回路的特性もさらに向上させうる。以下、添付した図面に示された本発明の望ましい実施形態を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。まず、図1乃至16を参照して、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を説明する。図1乃至図15は、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の製造過程を概略的に示した断面図であり、図16は、前記製造方法によって形成された有機発光ディスプレイ装置を概略的に示した断面図である。図1を参照すれば、基板10上にバッファ層11及び半導体層12が順次に形成されている。基板10は、SiO2を主成分とする透明材質のガラス材で形成されうる。前記基板10上には、基板10の平滑性及び不純元素の浸透を遮断するために、SiO2及びまたはSiNxを含むバッファ層11が備えられうる。バッファ層11及び半導体層12は、PECVD法、APCVD法、LPCVD法など多様な蒸着方法によって蒸着されうる。バッファ層11上には、半導体層12が蒸着される。半導体層12は、非晶質シリコンまたは結晶質シリコンでありうる。この時、結晶質シリコンは、非晶質シリコンを結晶化して形成されることもできる。非晶質シリコンを結晶化する方法は、RTA法、SPC法、ELA法、MIC法、MILC法、SLS法など多様な方法によって結晶化されうる。図2を参照すれば、半導体層12上に第1フォトレジストP1を塗布し、光遮断部M11及び光透過部M12を備えた第1フォトマスクM1を利用した第1マスク工程を実施する。前記図面には詳細に示していないが、露光装置で第1フォトマスクM1に露光した後、現像、エッチング、及びストリッピングまたはアッシングのような一連の工程を経る。図3を参照すれば、第1フォトマスク工程の結果として、前記半導体層12は、薄膜トランジスタの活性層212、及び前記活性層212と同一層に同一物質で形成されたキャパシタの下部電極312にパターニングされる。図4を参照すれば、図3の構造物上に第1絶縁層13、第1金属層14、第1透明導電層15及び第2金属層16が順次に積層される。第1絶縁層13は、SiO2、SiNxを単層または複層に備え、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜、及びキャパシタの誘電層の役割を行う。第1金属層14は、アルミニウム合金で備えられうる。前記アルミニウム合金としては、アルミニウムを主な元素として、ニッケルをさらに含みうる。そして、ここにSi、La、Ge及びCoのうち少なくとも一つの元素を微量さらに含めうる。このように、第1金属層14をアルミニウム合金として使用することによって、第1金属層14、第1透明導電層15及び第2金属層16のエッチング時に、他の金属層または透明導電層にダメージdamageを与えずにエッチングできて、工程性がさらに優れる。ここに、Niを微量添加することによって、エッチング特性をさらに良好にして、工程性をさらに高く確保しうる。このようなエッチングによって、第1金属層14、第1透明導電層15及び第2金属層16の各端部は、エッチング面が同一になる。前記第1金属層14は、半透過反射膜、すなわち、半透過ミラーとなるものであって、50乃至200Åの厚さに形成する。前記第1金属層14の厚さが50Åより薄ければ、反射率が低下するため、後述する対向電極との間で光学的共振を成し難く、厚さが200Åより厚ければ、透過率が低下するため、光効率が低下する恐れがある。第1透明導電層15は、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、ZnO、In2O3、IGOIndiumGalliumOxide、及びAZOAluminiumZincOxideを含むグループから選択された少なくとも一つ以上を含みうる。第2金属層16は、アルミニウム、白金、パラジウム、銀、マグネシウム、金、ニッケル、ネオジム、イリジウム、クロム、リチウム、カルシウム、モリブデン、チタン、タングステン、銅のうち選択された一つ以上の金属を含みうる。本実施形態で、第2金属層16は、アルミニウムを含む。一方、前記第2金属層16は、多層の金属層16a16b16cを備えうるが、本実施形態では、アルミニウム16bを中心に、上下部にモリブデン16a16cが形成された3層構造が採用された。しかし、本発明は、これに限定されず、多様な材料及び多様な層で前記第2金属層16を形成しうる。前述したように、本発明は、半透過反射層となる第1金属層14をアルミニウム合金として使用するため、前記第1金属層14、第1透明導電層15及び第2金属層16の積層体を簡単にパターニングでき、その結果、前記第1金属層14、第1透明導電層15及び第2金属層16の端部のエッチング面が同一になる。前記第1金属層14、第1透明導電層15及び第2金属層16の積層体は、単一の腐食液エッチャント、etchantで同時にエッチングしてパターニングしうる。それ以外に、湿式で第2金属層16を先にエッチングし、次いで、湿式または乾式で第1透明導電層15をエッチングした後、乾式で第2金属層16をエッチングしうる。このように、本発明は、半透過反射層となる第1金属層14を簡単な方法でパターニング可能になるので、ディスプレイ装置の工程性をさらに向上させうる。図5を参照すれば、前記第2金属層16上に第2フォトレジストP2を塗布し、光遮断部M21及び光透過部M22を備えた第2フォトマスクM2を利用した第2マスク工程を実施する。図6を参照すれば、第2マスク工程の結果として、前記第1金属層14、第1透明導電層15及び第2金属層16は、それぞれ第1画素電極114乃至第3画素電極116、薄膜トランジスタの第1ゲート電極214乃至第3ゲート電極216、及び前記キャパシタの第1上部電極314乃至第3上部電極316にパターニングされる。図7を参照すれば、前記第2マスク工程の結果として形成された第1ゲート電極214乃至第3ゲート電極216を自己整合或いはセルフアラインマスクとして使用して、活性層212にイオン不純物をドーピングする。その結果、活性層212は、イオン不純物がドーピングされたソース及びドレイン領域212a212bと、その間にチャネル領域212cとを備える。すなわち、第1ゲート電極214乃至第3ゲート電極216をセルフアラインマスクとして使用することによって、別途のフォトマスクを追加せず、ソース及びドレイン領域212a212bを形成しうる。図8を参照すれば、前記第2マスク工程結果の構造物上に第2絶縁層17及び第3フォトレジストP3を塗布し、光遮断部M31及び光透過部M32を備えた第3フォトマスクM3を利用した第3マスク工程を実施する。図9を参照すれば、第3マスク工程の結果として、第2絶縁層17には、前記第1画素電極114乃至第3画素電極116を開口させる第1開口117a及び第2開口117b、前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域212a212bを露出させるコンタクトホール217a217b、及び前記キャパシタの第1上部電極314乃至第3上部電極316を開口させる第3開口317が形成される。図10を参照すれば、図9の構造物上に第3金属層18を形成する。第3金属層18は、アルミニウム、白金、パラジウム、銀、マグネシウム、金、ニッケル、ネオジム、イリジウム、クロム、リチウム、カルシウム、モリブデン、チタン、タングステン、銅のうちから選択された一つ以上の金属を含みうる。本実施形態で、第3金属層18は、アルミニウムを含む。また、前記第3金属層18は、多層の金属層18a18b18cを備えうるが、本実施形態では、第2金属層16と同様に、中央18bのアルミニウムを中心に、上下部18a18cにモリブデンが形成された3層構造が採用された。しかし、本発明は、これに限定されず、多様な材料及び多様な層で前記第3金属層18を形成しうる。例えば、前記第3金属層18は、TiAlTiで構成されうる。図11を参照すれば、前記第3金属層18上に第4フォトレジストP4を塗布し、光遮断部M41及び光透過部M42を備えた第4フォトマスクM4を利用した第4マスク工程を実施する。この第4マスク工程によって、第3金属層18がパターニングされるが、第3金属層18をエッチングする時に、その下部に位置した第2金属層も同時にパターニングしうる。すなわち、図12を参照すれば、前記第3金属層18をパターニングして、ソース及びドレイン領域212a212bと電気的に接続されるソース及びドレイン電極218a218bを形成する時に、第1開口117aを通じて露出された第1画素電極116の一部と、第3開口317を通じて露出された第1上部電極314とを同時にエッチングして除去する。したがって、第1開口117a及び第3開口317を通じては、それぞれ第2画素電極115及び第2上部電極315が現れる。図13を参照すれば、前記第4マスク工程結果の構造物上からイオン不純物をドーピングする。イオン不純物は、BまたはPイオンをドーピングするが、1×1015atoms/cm2以上の濃度にドーピングし、半導体層12で形成されたキャパシタの下部電極312をターゲットとしてドーピングする。これにより、キャパシタの下部電極312は、導電性が高まることによって、第2上部電極315及び第3上部電極316と共にMIMMetalinsulatorMetalキャパシタを形成して、キャパシタの容量を増加させうる。図14を参照すれば、図13の構造物上に第5フォトレジストP5を塗布し、光遮断部M51及び光透過部M52を備えた第5フォトマスクM5を利用した第5マスク工程を実施する。この時、第5マスク工程は、露光装置で第5フォトマスクM5に露光した後、現像及びアッシングして、図15に示したように、第2画素電極115が露出される第4開口119を形成した後、第5フォトレジストP5を焼成することによって、この第5フォトレジストP5を第3絶縁層19にする。本発明は、必ずしもこれに限定されず、有機物及びまたは無機物によって第3絶縁層19を形成した後、その上に第5フォトレジストP5を塗布して一般的なマスク工程を経ることによって、第4開口119を形成することもできる。前記のように露出された第2画素電極115の下部に反射物質を含む第1画素電極114が位置するため、この第1画素電極114が光を一部透過し、かつ一部反射させうる。一部透過及び一部反射の可能な半透過ミラーである第1画素電極114によって、光共振構造を採用する有機発光ディスプレイ装置を具現しうる。本実施形態で、半透過ミラーとして機能する第1画素電極114は、アルミニウム合金で形成されるため、第2画素電極115と同時にパターニングされうるので、工程性がさらに優秀である。図16を参照すれば、第2画素電極115上に、有機発光層21aを備える有機層21、及び対向電極22を形成する。有機発光層21aは、低分子または高分子有機物が使われうる。有機層21は、有機発光層21aを中心に、第2画素電極115の方向にホール輸送層及びホール注入層が積層され、対向電極22の方向に電子輸送層及び電子注入層が積層される。それ以外にも、必要に応じて、多様な層が積層されうる。このように、有機発光層21aを備える有機層21は、各画素別に有機発光層21aの厚さや有機発光層21aを除外した有機層21に含まれた他の層の厚さを異なって形成することによって、光共振構造を具現しうる。有機層21上には、共通電極として対向電極22が蒸着される。本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、第1画素電極114及び第2画素電極115は、アノード電極として使われ、対向電極22は、カソード電極として使われる。もちろん、電極の極性は、逆に適用されることもある。そして、対向電極22は、光共振構造を具現するために、反射物質を含む反射電極で構成しうる。この時、前記対向電極22は、Al、Ag、Mg、Li、Ca、LiF/Ca、またはLiF/Alで備えられうる。一方、前記図面には示されていないが、対向電極22上には、外部の水分や酸素から有機発光層21aを保護するための密封部材及び吸湿剤がさらに備えられうる。本発明は、対向電極22と第1画素電極114との距離を共振厚さにすることによって、基板10の方向に画像が具現される背面発光型の構造でも、光学的共振を利用して光効率をさらに向上させうる。また、キャパシタ下部電極312をNまたはPドーピングされたポリシリコンを使用し、第1上部電極314及び第2上部電極315をそれぞれ導電性金属と透明導電物である金属酸化物とで形成することによって、MIM構造のキャパシタを形成できる。キャパシタがMOSMetalOxideSilicon構造である場合、パネルの特定配線に高い電圧を続けて印加せねばならないため、電気的短絡の危険が高まるが、本発明は、前述したように、MIMキャパシタを具現することによって、このような問題を防止でき、これにより、設計自由度が高まる。本発明は、図面に示された実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。