III族元素以外の不純物成分の合計が0.001重量以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとNH3ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にAlNを結晶成長させることを特徴とする電子デバイス用のAlN半導体の製造方法。無水塩化アルミニウムの純度が99.999重量以上である請求項1に記載のAlN半導体の製造方法。無水塩化アルミニウムの加熱温度を50~180°Cの範囲で調節してAlNの成長速度を制御する請求項1又は2に記載のAlN半導体の製造方法。予め加熱して脱水処理した無水塩化アルミニウムを気化器に充填して昇華又は気化させることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のAlN半導体の製造方法。そこで本発明者らは、2インチ径以上の大口径のAlN半導体を製造することができると共に厚膜のAlN半導体を得るのに適した、ハイドライド気相成長法を用いたAlN半導体の製造方法において、従来の方法が抱える種々の検討課題を解決するために鋭意検討した結果、固体の無水塩化アルミニウムAlCl3を加熱して昇華又は気化させて得た塩化アルミニウムガスを用いてNH3ガスと直接反応させることによって、上述したような問題を全て解消することができることを見出し、本発明を完成した。従って、本発明の目的は、AlN半導体製造の実用化に向けて比較的有利とされるハイドライド気相成長法を用いたAlN半導体の製造方法において、従来の方法より簡便にAlN半導体を製造することができると共に、AlNの成長速度をより広い範囲で制御することが可能であり、尚且つ、不純物の混入のおそれを可及的に排除して、結晶性にも優れたAlN半導体を得ることができるAlN半導体の製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、AlN半導体を簡便に製造することができると共に、AlNの成長速度の制御が容易に行うことができ、尚且つ、不純物の混入を可及的に排除できるAlN半導体の製造装置を提供することにある。すなわち、本発明は、III族元素以外の不純物成分の合計が0.001重量以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとNH3ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にAlNを結晶成長させることを特徴とする電子デバイス用のAlN半導体の製造方法である。また、本発明は、ハイドライド気相成長法を用いて基板上にAlNを結晶成長させるAlN半導体の製造装置であって、無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させて塩化アルミニウムガスを排出する気化器と反応管装置とからなるAlN半導体製造装置である。本発明においては、Al源として無水塩化アルミニウムAlCl3を加熱して昇華又は気化させて得た塩化アルミニウムガスを用い、N源としてはNH3ガスを用いて、下記式4に示すようなハイドライド気相成長法による反応により、基板上にAlNを結晶成長させる。AlCl3NH3=AlN3HCl4このうち、基板上にAlNを結晶成長させる反応部における塩化アルミニウムガスの分圧P0AlCl3については、温度Tに保たれた塩化アルミニウムの蒸気圧P00AlCl3と、この塩化アルミニウムを輸送するキャリアガスの供給量FLOWAlCl3キャリアと、反応部における全流量FLOWTotalとを用いて、以下の式5のように表すことができる。P0AlCl3=P00AlCl3FLOWAlCl3キャリア/FLOWTotal5ここで、図1に塩化アルミニウムの蒸気圧曲線を示す。実線が二量体2の蒸気圧曲線を表し、破線が単量体AlCl3の蒸気圧曲線を表す。通常、塩化アルミニウムは440°C以下の気体では二量体となっていると考えられるため、本発明において塩化アルミニウムガスと言う場合には単量体と二量体とのいずれの状態をも含むものとする。そして、本発明においては、無水塩化アルミニウムの加熱温度を調節することにより塩化アルミニウムの蒸気圧P00AlCl3を変えることができ、塩化アルミニウムガスの分圧P0AlCl3を、FLOWAlCl3キャリアのみならずP00AlCl3の制御によって幅広い範囲で制御することが可能となる。すなわち、無水塩化アルミニウムの加熱温度を調整することにより、AlNの成長速度を広範囲に制御することが可能となる。具体的には、無水塩化アルミニウムの加熱温度を50~180°C、好ましくは70~150°C、より好ましくは85~135°Cの範囲で調節するのがよい。無水塩化アルミニウムの加熱温度が50°Cより低いと、塩化アルミニウムガスの分圧P0AlCl3が低くなりすぎて十分なAlNの成長速度を確保することができず、反対に180°Cより高くなると図1より明らかなように、塩化アルミニウムの蒸気圧P00AlCl3が1atmに達し、塩化アルミニウムガスの分圧P0AlCl3の制御が不可能となる。そして、このように無水塩化アルミニウムを加熱する際の加熱温度を調節することによって、塩化アルミニウムガスの分圧P0AlCl3は、塩化アルミニウムガスのキャリアガス供給量FLOWAlCl3キャリアにもよるが、1×106~1×101atmの範囲で幅広く設定することが可能になり、AlNの結晶成長速度を0.1~1000μm/hの範囲で制御することが可能となる。また、本発明において用いる無水塩化アルミニウムAlCl3については、Alと同じIII族の元素以外の不純物成分を可及的に低減した無水塩化アルミニウムであるのがよく、好ましくはIII族元素以外の不純物成分の合計が0.001重量以下であるのがよい。III族元素としてガリウムGa、ホウ素B及びインジウムIn等を挙げることができるが、これらの元素が無水塩化アルミニウム中に含まれていて、仮にAlNを結晶成長させる際に混入したとしても、AlN半導体と混晶を形成すると考えられることから、特に積極的な排除は要しない。一方、III族元素以外の不純物成分としては、例えば工業的な無水塩化アルミニウムの製造に用いられるアルミニウム原料に由来するナトリウムNa、マグネシウムMg、ケイ素Si、カリウムK、チタンTi、バナジウムV、クロムCr、マンガンMn、鉄Fe、ニッケルNi、銅Cu、亜鉛Zn、カルシウムCa等の不純物金属や、水H2Oや酸素O等の不純物を挙げることができる。上記のようなアルミニウム原料由来の不純物金属がAlNに混入すると、AlNの結晶性結晶の品質に悪影響を与えると考えられ、得られたAlN半導体を電子デバイスに用いた際にバンドギャップ、透過率等の光学的特性や、導電性、キャリア密度、移動度等の電気的特性等に影響を及ぼすおそれがある。また、水H2Oや酸素Oについても同様に排除が必要である。そのため、III族元素以外の不純物成分の合計が0.001重量以下である無水塩化アルミニウムを用いるのが好ましい。更に好ましくは、無水塩化アルミニウムの純度が99.999重量以上である高純度無水塩化アルミニウムであるのがよい。ここで、無水塩化アルミニウムの純度とは、III族元素を含めた不純物成分の合計を差し引いて求められる無水塩化アルミニウムの純度であって、通常供される分析法において検出可能な不純物濃度以外は全て純分とみなすという意味である。本発明において、無水塩化アルミニウムを加熱して塩化アルミニウムガスを昇華させ又は気化させる際には気化器を用いるようにするのが好ましい。気化器については有機金属気相成長法MOVPE等において一般的に使用されるものを用いることができ、具体的には、少なくとも収容した無水塩化アルミニウムを昇華又は気化させる温度制御可能な加熱手段と、塩化アルミニウムガスを輸送するキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管と、キャリアガスと共に塩化アルミニウムガスを気化器の外部に排出させる排出管とを備えたものであるのがよい。なお、無水塩化アルミニウムは常温では固体の粉末であって、空気中の水分を吸って加水分解を起こし易いことから、気化器に充填する際には無水塩化アルミニウムが大気と触れないようにグローブボックス内で作業する必要がある。尚、無水塩化アルミニウムを気化器に充填する際には予め120°C程度で0.5~1時間加熱する脱水処理を行うようにするのがよい。気化器で昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスについては、N2、He、Ar等の不活性ガス、及びH2からなる群より選ばれた1種又はこれらの組み合わせからなるAlCl3キャリアガスを用いて気化器の外部に排出させ、別途供給されるNH3ガスとハイドライド気相成長法により反応させて基板上にAlNを結晶成長させる。ハイドライド気相成長法は有機金属気相成長MOVPE法などの他の気相成長法に比べて目的とする結晶の成長速度が速く、使用する原料に炭素を含まないことから高純度の結晶が得られる特徴がある。ハイドライド気相成長法により塩化アルミニウムガスとNH3ガスとを反応させる温度については、AlNが結晶成長する基板上の温度が1000~1200°Cとなるようにするのがよい。塩化アルミニウムガスとNH3ガスとを反応させる際には反応管を用いて行うのがよく、好ましくは石英製の反応管を用いるのがよい。塩化アルミニウムガスとNH3ガスとを反応させるための温度に加熱する手段については特に制限はなく、ホットウォールhotwall方式で反応管自体を加熱しながら所定の温度になるようにしてもよく、コールドウォールcoldwall方式により基板のみを加熱するようにしてもよい。そして、例えば上記反応管については、塩化アルミニウムガスを供給するための塩化アルミニウムガス供給管と、NH3ガスを供給するためのNH3ガス供給口と、AlNを結晶成長させる基板を保持するための基板保持手段と、反応管内のガスを排出するための排出口とを設けるようにし、特にホットウォール方式を採用する場合には反応管の側面を覆うようにした温度制御可能な加熱手段と共に反応管装置を構成するのがよい。また、本発明におけるNH3ガスについては半導体製造分野において一般的に使用される半導体グレードのものを使用するのがよい。このNH3ガスを反応管内に供給する際にはN2、He、Ar等の不活性ガス、及びH2からなる群より選ばれた1種又はこれらの組み合わせからなるNH3キャリアガスを用いて導入するようにしてもよい。また、本発明において、AlN半導体を結晶成長させる基板初期基板については、気相成長法で一般的に使用されるサファイアAl2O3、シリコンカーバイドSiC、窒化ガリウムGaN基板等を用いることができ、例えばサファイアでは0001を、AlN結晶を成長させる結晶成長面として用いることができる。反応管内で塩化アルミニウムガスとNH3ガスとを反応させる際には、NH3ガス供給口より塩化アルミニウムガス供給管の先端がより基板に近い位置になるように配置するのが好ましく、塩化アルミニウムガス供給管の先端と基板の結晶成長面との距離Lが10~100mmとなるようにするのがよい。また、得られるAlNの成長膜厚の均一化の観点から、好ましくは塩化アルミニウムガス及びNH3ガスの流れに対して基板の結晶成長面を垂直にするのがよい。本発明によれば、基板上にAlNを結晶成長させてAlN半導体を製造することができるが、このAlN半導体は、必要によりGa、B、In等の元素を任意の比率で混入させて混晶を形成するようにしてもよい。本発明によれば、塩化アルミニウムガスとNH3ガスとを直接反応させて基板上にAlN半導体を結晶成長させることができるため、これまでのハイドライド気相成長法によるAlN半導体の製造方法、すなわち、高純度の金属Alを石英反応管の原料部にてHClと反応させてAlのハロゲン化物ガスを生成させ、このAlハロゲン化物を石英反応管の反応部に輸送してNH3ガスと反応させてAlNを気相成長させる方法で課題であったAlClガスやAlCl2ガスが石英反応管を腐食させる問題を根本的に解決することができる。また、従来の方法でAlCl3を優先的に発生させるために行っていた石英反応管の原料部での厳密な温度制御が不要となり、この原料部も設ける必要がなくなることから、石英反応管に係る装置自体もより簡易化小型化することができ、その設計の自由度も増す。更には、無水塩化アルミニウムAlCl3の加熱温度を調節することにより塩化アルミニウムガスの蒸気圧P00AlCl3を変化させることができ、幅広い範囲で塩化アルミニウムガスの分圧P0AlCl3を設定することができ、AlNの成長速度の制御がこれまでより簡便に、かつ、幅広い範囲で選択することができるようになる。また、本発明の製造方法により得られるAlN半導体は、石英反応管の腐食に伴うSiの混入が防止されるほか、特に、高純度の無水塩化アルミニウムAlCl3を昇華又は気化させて得た塩化アルミニウムガスを使用することにより、デバイス特性に特に悪影響をおよぼすと考えられるMg、Na、K、Ca、Cr、Fe、Zn、C、O、H2O等の不純物の混入を可及的に低減することができ、純度が高く、結晶性に優れたAlN半導体である。以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明をより具体的に説明する。図2は、本発明のAlN半導体の製造方法に用いるAlN半導体製造装置Xを示す。このAlN半導体製造装置Xは、内径60mm×長さ1000mmの横型石英反応管1とこの石英反応管1の外周側面を取り囲むように設けられた温度制御可能な反応管加熱手段7とからなる反応管装置8に、振り分け装置14を介して容積1500cm3の気化器9が接続されてなる。この石英反応管1は、その一端にNH3ガスを供給するためのNH3ガス供給口2と、その内部まで塩化アルミニウムガスを供給するための塩化アルミニウムガス供給管3と、他端側に反応管内部のガスを排出するための排出口4と、反応管内部でAlNを結晶成長させる基板初期基板5を保持する基板保持手段6とを備えてなる。気化器9は、その外周を取り囲むように設けられた温度制御可能な気化器加熱手段10によって図示外の供給口から内部に充填された固体の無水塩化アルミニウムAlCl311を加熱できるようにされており、また、その内部にキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管12と、昇華した塩化アルミニウムガスを気化器9の外部に排出するための排出管13とを備えている。そして、これらキャリアガス供給管12及び排出管13の外部に露出した側の一端には、ガスのON-OFF制御が可能なバルブx1、バルブx2がそれぞれ設けられている。反応管装置8と気化器9とをつなぐ振り分け装置14は、開口部A1、A2、B1、B2、及びB3を有した配管システムから構成されている。このうち開口部A2については気化器9のキャリアガス供給管12の先端とジョイント部15aを介して接続されており、開口部A1から流したキャリアガスが気化器9に供給されるようにキャリアガス配管16が設けられている。開口部B1については気化器9の排出管13の先端とジョイント部15bを介して接続されており、気化器9で昇華した塩化アルミニウムガスをキャリアガスと共に塩化アルミニウムガス輸送管17を介して輸送し、開口部B2が反応管装置8の塩化アルミニウムガス供給管3の一端と接続されて石英反応管1の内部に塩化アルミニウムガスが供給される。また、上記キャリアガス配管16は、開口部A1を入って途中で枝分かれして塩化アルミニウムガス輸送管17にバイパスされると共にその終端には開口部B3が備えられた捨て配管18が設けられている。また、上記キャリアガス配管16の開口部A2の手前にはバルブx3が、塩化アルミニウムガス輸送管17の開口部B1の手前にはバルブx4が、塩化アルミニウムガス輸送管17の途中であって上記捨て配管18との接続部分より石英反応管1側の位置にはバルブx5が、捨て配管18の途中であってキャリアガス配管16と塩化アルミニウムガス輸送管17とをバイパスする途中にはバルブx6が、及び捨て配管18の終端である開口部B3の手前にはバルブx7が、それぞれ設けられており、これらのバルブはいずれもガスのON-OFF制御が可能である。そして更に、上記振り分け装置14の塩化アルミニウムガス輸送管17と、気化器9の排出管13の露出部分とには、温度制御可能な配管加熱手段19が備えられており、この配管加熱手段19によってこれらの配管の内部の温度が、気化器8によって昇華した塩化アルミニウムガスの温度よりプラス20°C程度となるように設定される。このようにして構成したAlN半導体製造装置Xの使用方法の一例を示すと、先ず、塩化アルミニウムガスとNH3ガスとの反応を行わない待機状態では、上記バルブx3、x1、x2、及びx4を順次閉じた後、上記バルブx6を開けて開口部A1からキャリアガスを流しながら、バルブx5を開くと同時にバルブx7を閉じて石英反応管1にキャリアガスが流れた状態としておく。実際にAlNを結晶成長させる際には、上記の待機状態からバルブx4、x2、x3、及びx1を順次開いた後、バルブx6を閉じてキャリアガスを気化器9側に供給するようにする。そして、AlNの結晶成長を終了する際には、バルブx6を開き、バルブx3、x1、x2、及びx4を順次閉じてキャリアガスを直接石英反応管1に流し込むようにして、再び待機状態に戻すようにする。ここで、気化器9内に充填した無水塩化アルミニウムの残量が所定の値以下であれば、ジョイント部15a及び15bで気化器9を取り外し、無水塩化アルミニウムを充填して別途用意された新たな気化器9と交換するようにする。新たな気化器9が取り付けられた後には、上記バルブx7を開き、バルブx5を閉じた後、バルブx3及びバルブx4を開いて開口部B3からキャリアガスを排気しながら、気化器9の交換の際に振り分け装置14内に混入したおそれのある空気等を全て取り除くようにする。そして、バルブx3及びx4を閉じてバルブx5を開き、バルブx7を閉じて再び待機状態に戻すようにしておき、AlNの結晶成長を再開する場合には上記と同じ手順を繰り返せばよい。このようなAlN半導体製造装置Xを用いてAlNを結晶成長させた。上記基板保持手段6の先端には、直径2インチで厚さ400μmのサファイア基板00015が、塩化アルミニウムガス供給管3の先端から距離L=80mmの位置になるように取り付けられている。このサファイア基板5は、その0001がNH3ガス及びAlCl3ガスの流れに対して垂直になるように備え付けられており、この0001を結晶成長面としてAlNを結晶成長させる。そして、反応管加熱手段7によってこのサファイア基板5上の温度が1200°Cとなるように設定されている。なお、このサファイア基板5は、石英反応管1内に設置する前にアンモニア水溶液を用いて5分間のエッチング処理を行っている。一方、気化器9には、表1に示す不純物成分を有するフレーク状の無水塩化アルミニウム400gが大気に触れないように図示外のブローブボックスを用いて充填されており、気化器加熱手段10によって気化器9内の無水塩化アルミニウム11が120°Cに加熱されている。なお、この無水塩化アルミニウムは、気化器9に充填する前に予め120°Cで1時間加熱する脱水処理を行ったものである。また、振り分け装置14の開口部A1からはキャリアガスとしてN2が供給されており、この振り分け装置14と気化器9の各バルブx1~7を上記で説明した待機状態からAlNの結晶成長を行える状態にして、気化器9内で昇華した塩化アルミニウムガスを含んだN2キャリアガスをキャリアガス供給量FLOWAlCl3キャリア=3800mlminで石英反応管1内に輸送し、サファイア基板5にAlNを結晶成長させる反応部での塩化アルミニウムガスの分圧P0AlCl3が5×103atmとなるようにした。また、石英反応管1のNH3ガス供給口2からは、キャリアガスとしてN2を用いてNH3ガス太陽日酸株式会社製:スーパーアンモニアを供給し、このNH3ガスを含んだキャリアガス供給量FLOWNH3キャリアを1500mlminとして、サファイア基板5にAlNを結晶成長させる反応部でのNH3ガスの分圧P0NH3を1×101atmとなるようにした。このような状況の下、横型石英反応管1内の全圧を1.0atmとして、1時間反応させてサファイア基板5の結晶成長面0001にAlNを結晶成長させてAlN半導体を製造した。この反応におけるP0NH3/P0AlCl3は20であって、サファイア基板5の結晶成長面に結晶成長したAlNの膜厚は82μm、AlNの成長速度は82μm/hであった。[実施例2~8]実施例1で使用したAlN半導体製造装置Xを用いて、気化器8に入れた無水塩化アルミニウムの加熱温度をそれぞれ50°C、70°C、80°C、90°C、100°C、110°C、120°C、及び130°Cに設定した以外は、実施例1と同様にしてサファイア基板5上にAlNを結晶成長させた実施例2~8。すなわち、実施例2~8では反応部におけるNH3ガスの分圧P0NH3は1×101atmであり、塩化アルミニウムガスの反応部における分圧P0AlCl3は無水塩化アルミニウムの加熱温度を調節することにより塩化アルミニウムの蒸気圧P00AlCl3を変化させて、下記表2に示した値にした。その結果、各実施例2~8におけるAlNの結晶成長は表2及び図3に示したとおりであり、また、上記実施例1での結果を含め、無水塩化アルミニウムの加熱温度を調節することによってAlNの成長速度が制御できることが確認された。[比較例1]図4は、従来法のハイドライド気相成長法でAlN半導体を製造するための反応管装置20を示す。この従来法に係る反応管装置20は、内径60mm×長さ1500mmの横型石英反応管21と、この横型石英反応管21の長さ方向のおよそ半分の外周面を取り囲むようにしてこの取り囲んだ石英反応管21内の領域を下記所定の温度となるように温度制御して石英反応管21内に原料部を形成せしめる第一加熱手段25aと、上記石英反応管21の残り半分の外周面を取り囲むようにして取り囲んだ石英反応管21内の領域を下記所定の温度となるように加熱制御して反応部を形成せしめる第二加熱手段25bと、横型石英反応管21の一端から設けられてその先端が石英反応管21の反応部に達する位置でNH3ガスを供給するNH3ガス供給管22と、同じく石英反応管21の一端から設けられて石英反応管21の原料部にHClガスを供給するHClガス供給口23と、横型石英反応管21の他端に設けられて石英反応管21内のガスを排出するための排出口24と、石英反応管21の反応部でAlNを結晶成長させる基板初期基板27を保持するための基板保持手段26とからなり、この基板保持手段26の先端には、実施例1と同じサファイア0001基板27が実施例1と同様に、かつ、NH3ガス供給管22からの距離がL=60mmとなるように取り付けられている。また、石英反応管21の原料部には金属Alを収容するアルミナ製のAlボート28が設置されており、このAlボート28には純度99.9999重量の金属Al6NAlが98g収容されている。そして、横型石英反応管21内の全圧を1.0atmにして、原料部の温度を550°Cにした状態で、HCl供給管13からHClガス純度99999重量を流量150mlminで供給した。このHClガスはN2をキャリアガスとして導入した。原料部ではHClガスが金属Alと反応してAlCl3ガスを発生し、このAlCl3ガスは反応部側に輸送される。一方、石英反応管21の反応部では、サファイア基板27の結晶成長面の温度が1180°Cに設定されており、原料部で生成した上記AlCl3ガスとNH3供給管22から流量1000mlminで供給されたNH3ガス太陽日酸株式会社製:スーパーアンモニアとが反応して、サファイア基板27上に膜厚60μmのAlNが結晶成長した。なお、原料部におけるHClガスの供給から、サファイア基板27上でAlNの結晶成長を停止させるまでの反応時間は1.5時間であり、AlNの成長速度は40μm/hであった。[比較例2]HClガスの流量を10mlminにした以外は比較例1と同様にして膜厚3.7μmのAlNを結晶成長させてAlN半導体を製造した。[AlNのX線回折]上記実施例1でサファイア基板上に成長させたAlN膜について、X線回折で結晶構造を分析した結果を図5に示す。測定にはスペクトリス社製XpertMRDを使用し、測定条件は45kV、40mAとした。得られた回折ピークは、AlN0002のFWHM半値幅もチルト角が15arcminと狭く、また000n以外の回折ピークがないことから、本発明の製造方法によりAlNエピタキシャル膜が成長できていることが確認できる。[AlNの紫外線吸収スペクトル]実施例1で得られたAlNの紫外線吸収スペクトルを図6に示す。測定には日本分光社製V7300型紫外可視近赤外分光光度計を使用した。これより、6.1eV付近から急峻な吸収が始まっており、AlNが成長していることが確認できる。[TOF-SIMSによるAlNの分析]実施例5で得たAlNと比較例1で得たAlN膜について、飛行時間型二次イオン質量分析計TimeofflightSIMS:TOFSIMSを用いてそれぞれのAlN膜中に存在する不純物分析を行った。このTOF-SIMSは、極表面表面から10nm程度に存在する微量成分の元素を定性分析することができることから、本発明におけるAlN半導体の製造方法で得たAlNと従来の方法比較例1で得たAlNとの不純物混入の程度を比較するのに適している。使用した機器はTRIFTIIIPhysicalElectronics社製であり、分析条件は次の通りである。一次イオン:GaCs、加速電圧:15kV、電流:600pADCとして、スパッタ面積:300μm×300μm、スパッタ時間:1min、分析面積:200μm×200μm、積算時間:3min、及び検出イオン:正イオン、の各条件であり、また、分析はAlNの最表面からCsイオンで1分間スパッタしてから行った。図7~図11は、Si、Mg、Na、Ca、及びKの各元素の質量付近の正イオン検出拡大スペクトルである。これら図7~図11のうち、それぞれ上段のAは比較例1で得たAlN、下段のBは実施例5で得たAlNについての結果を示す。また、これらの元素以外の分析結果を含めたものを表3にまとめて示す。この表3は、Gaイオンでスパッタ及び分析したピーク強度で、各元素のピーク強度とマトリックスのAlの強度で規格化して求めた規格化ピーク強度を示す。尚、表中のM/Zは質量数を表す。図7~図11及び表3から明らかなように、比較例1で得たAlN膜からはSi、Mg、Na、Ca、及びKが検出されたが、実施例5で得たAlN膜からはこれらの元素はほとんど検出されなかった。また、表4は、Csイオンでスパッタ及び分析した場合のAl及びGaの分析結果を示す。この表4から、実施例5で得られたAlNでは比較例1のAlNよりGaの検出量が14であることが分かる。[D-SIMSによるAlNの分析]実施例3で得たAlNと比較例2で得たAlNについて、D-SIMSDynamicSIMSによりそれぞれのAlN膜中に存在する不純物分析を行った。使用した装置はATOMICA社製ATOMICASIMS4100であり、測定条件は以下の通りとした。一次イオン種:Cssuperscript、一次加速電圧:7kV、ビーム電流:83nA、スキャン幅:150μm、検出イオン:C、O、Si、AlN、Al、の各条件である。図12に実施例3のAlNから得たプロファイルを示し、図13に比較例2のAlNから得たプロファイルを示す。図12及び図13ともに、縦軸は二次イオン信号強度を示し、横軸はAlN膜の表面からの深さを表し、AlN膜の最表面を0μmとした。この横軸については、スパッタ痕の深さを表面粗さ計で計測し、AlN膜の表面から深さ方向にサファイア基板までCsイオンでスパッタした時間をもとに深さに換算したものである。また、分析元素の量比較のため、サファイア基板中のO強度で規格化を行なっている。両者を比較するとO、C、Siのいずれの強度も実施例3で得たAlNの方が少ないことが分かり、本発明における製造方法の方が従来法よりも優れていることが確認された。