基質上に、各非球面種子結晶nonsphericalseedcrystalの結晶a軸、b軸およびc軸のすべてが一定の規則によって配向されるように整列した複数の非球形種子結晶を収得する第1段階および種子結晶を成長させる溶液に前記a軸、b軸およびc軸配向がすべて整列した複数の種子結晶を露出させて2次成長法を用いて、前記複数の種子結晶から膜を形成および成長させる第2段階を含む、薄膜または厚膜を製造する方法。第2段階で使用される種子結晶成長溶液が、構造指向剤Structuredirectingagentを含有することが特徴である、請求項1に記載の膜の製造方法。第2段階で使用される構造指向剤が、種子結晶の表面から2次成長だけを誘導して、結晶成長溶液中または種子結晶表面で結晶核の生成反応crystalnucleationを誘導することができない種類であることが特徴である、請求項2に記載の膜の製造方法。第1段階で基質上に整列した複数の種子結晶が、隣接する種子結晶と分離されていることが特徴である請求項1に記載の薄膜の製造方法。第2段階で種子結晶の表面から2次成長によって種子結晶が2次元的に相互に連結されつつ、3次元的に垂直成長をして膜を形成することが特徴である、請求項1に記載の膜の製造方法。第1段階で基質上にa軸、b軸およびc軸配向がすべて整列した複数の種子結晶が、単層monolayerを形成することが特徴である、請求項1に記載の薄膜の製造方法。種子結晶が、定期的多孔性物質orderedporousmaterialsであることが特徴である、請求項1に記載の薄膜の製造方法。基質上に整列した非球形の種子結晶が、同一または異なる形状を持つことが特徴である、請求項1に記載の膜の製造方法。第2段階で、隣接する複数の種子結晶の結晶軸配向が同一なブロック内で複数の種子結晶の表面から2次成長により、種子結晶が2次元的に相互に連結され、単一の種子結晶の基質面に平行である最大直径よりも大きい単結晶を形成すること、種子結晶が基質面に対して垂直成長して単一種子の結晶の基質面に垂直な最大直径よりも大きな単結晶を形成すること、または二つの条件をすべて満たす結晶を形成することが特徴である、請求項1に記載の膜の製造方法。隣接する複数の種子結晶の結晶軸配向が同一なブロック内で形成された膜が、基質面に平行な軸方向にチャンネルchannelが連続的に連結されて拡張されたり、基質面に垂直または傾斜を成した軸方向にチャンネルchannelが連続的に接続されて拡張されたり、二つの条件をすべて満足するものとになったこが特徴である、請求項9に記載の膜の製造方法。第2段階で使用される種子結晶成長溶液中の構造指向剤SDAと、第1段階で使用される種子結晶を形成するのに用いられる構造指向剤が異なることが特徴である、請求項2に記載の薄膜の製造方法。第1段階で基質上にa軸、b軸およびc軸配向がすべて整列した複数の種子結晶が、複数の種子結晶のすべてのa軸が互いに平行して、複数の種子結晶のすべてのb軸が相互に平行して、複数の種子結晶のすべてのc軸に平行に配向されるように整列したことが特徴である請求項1に記載の膜の製造方法。第1段階で複数の種子結晶が、a軸、b軸またはc軸が基質面に対して垂直に配向されたことが特徴である、請求項12に記載の膜の製造方法。種子結晶および形成された膜が、ゼオライトまたは類似分子篩であることが特徴である、請求項1に記載の膜の製造方法。ゼオライトまたは類似分子篩がMFI構造であることが特徴である、請求項14に記載の膜の製造方法。前記ゼオライトまたは類似分子ふるいが、ZSM5、シリカライト、TS1、AZ1、BorC、ボラライトC、エンシライト、FZ1、LZ105、モノクリニックHZSM5、ムテイーナ沸石、NU4、NU5、TSZ、TSZIII、TZ01、USC4、USI108、ZBHおよびZKQ1Bで構成される群から選択されたことが特徴である請求項14に記載の膜の製造方法。前記基質が、i金属および非金属元素が単独または2種以上含まれている酸化物として、表面にヒドロキシル基を有する物質、iiチオール基SHまたはアミン基NH2と結合する単一金属または金属の合金、iii表面に官能基を持つポリマー、iv半導体化合物、vゼオライトまたはその類似分子篩、またはvi表面にヒドロキシル基を有するか、またはヒドロキシル基を有するように処理が可能な天然高分子、合成高分子、または導電性高分子であることであることが特徴の請求項1に記載の膜の製造方法。第2段階で使用される構造指向剤は、アミン、イミンまたは4次アンモニウム塩quaternaryammoniumsaltであることが特徴である請求項14に記載の薄膜の製造方法。第2段階で使用される構造指向剤は、下記一般式1で表される第4級アンモニウムヒドロキシドまたはこれを繰り返し単位としたオリゴマーであることが特徴である、請求項14に記載の膜の製造方法:前記一般式で、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立して水素原子、C1C30のアルキルであり、アルキルまたはアリール基を表し、前記C1C30のアルキルであり、アルキルまたはアリール基は、ヘテロ原子として酸素、窒素、黄、リンまたは金属原子を含むことができる。第1段階で基質上にa軸、b軸およびc軸配向がすべて整列した複数の種子結晶が、種子結晶の位置および配向を固定させることができる、陰核または陽核が表面に形成された基質を準備するA段階と前記基質上に、種子結晶をのせた後、物理的な圧力によって種子結晶の一部または全部を陰核または陽核によって形成された孔隙に挿入させるB段階を含む工程を経て形成させることが特徴である、請求項1に記載の膜の製造方法。第1段階で基質上にa軸、b軸およびc軸配向がすべて整列した複数の種子結晶が、種子結晶の位置および配向を固定させることができる陰核、または陽核が表面に形成された鋳型基質templateを準備する第A段階前記鋳型基質上に複数の種子結晶をのせた後、物理的な圧力によって種子結晶の一部または全部を陰核、または陽核によって形成された孔隙に挿入させて複数の種子結晶を鋳型基質上に整列させるB段階および複数の種子結晶が整列している鋳型基質と被印刷体基質とを接触させて前記複数の種子結晶を被活字体基質上に転写させるC段階を含む工程を経て形成させることが特徴である、請求項1に記載の膜の製造方法。前記物理圧力が、基質または鋳型基質をラビングまたはプレッシングpressingすることによって加えられるのが特徴である、請求項20または21に記載の膜の製造方法。基質または鋳型基質が、種子結晶と付加される物理的な圧力によって水素結合、イオン結合、共有結合、配位結合またはファンデルワールス結合を形成することが特徴である請求項20または21に記載の膜の製造方法。基質または鋳型基質表面に形成された陰核または陽核が、基質自体に直接刻印したり、フォトレジストにより形成されたり、犠牲層をコーティングした後、レーザーアブレーションによって形成されたり、インクジェット印刷法によって形成されたことが特徴である、請求項20または21に記載の膜の製造方法。前記空隙の形状が、前記種子結晶の配向を調節するために、空隙内に挿入される種子結晶の所定部分の形状と対応するように形成されたことが特徴である、請求項20または21に記載の膜の製造方法。基質または鋳型基質上の空隙に挿入された種子結晶が集まって、特定のパターンまたは形状を形成するのが特徴である請求項20または21に記載の膜の製造方法。請求項1~26のいずれかの項に記載の方法によって製造された膜。韓国特許公開第2009120846号に記述されているように、本発明者らは基質面に垂直に、すべてのb軸を配向させた複数のMFI型種子結晶から、b軸がすべて基質面に垂直に配向され、それから基質面に垂直な直線形チャンネルstraightchannelが形成されたMFI型ゼオライト薄膜を形成することができた。この際、複数の種子結晶と形成された薄膜のa軸およびc軸の配向はランダムに配向されていた図3参照。本発明は、基質上に複数の結晶のa軸、b軸およびc軸がいずれも配向を調節することができる技術をPCTKR2010002180およびPCTKR2010002181に記載されている如くに考案した。したがって、基質上にa軸、b軸およびc軸配向がすべて整列した複数の種子結晶を準備することができ、このように全ての結晶軸配向が3次元的に調整された複数の種子結晶を2次成長させた場合には、隣接する複数の種子結晶のすべての結晶軸配向が同じブロック内では、複数の種子結晶が2次元的に相互に連結されつつ、およびまたは種子結晶が基質面に対して垂直成長しながら、単一の種子結晶より大きく、且つすべての結晶軸配向が同一である単結晶を形成することを見出した。本発明は、このような発見に基づいたものである。本発明にしたがって、基質上にa軸、b軸とc軸配向がすべて整列した種子結晶を2次成長させた場合、隣接する種子結晶のすべての結晶軸配向が同一なブロック内で、種子結晶が2次元的に相互に連結され、およびまたは種子結晶が基質面に対して垂直成長して単一の種子結晶よりも大きく、且つすべての結晶軸配向が同じ単結晶を形成することができる。また、本発明は、基質面に垂直なだけでなく、水平方向にチャンネルが形成された膜を形成することができ、ナノチャンネル中に様々な機能性分子、高分子、金属ナノ粒子、半導体量子ドット、陽子線などを一定配向に内包させた膜は、多様な光学用、電子用および電子光学用先端素材として用いることができる。特に多孔質アルミナ、多孔質シリカ、メソ細孔物質で形成された膜から垂直方向にチャネルが形成される場合、分子を分離する分離膜としての機能に極めて優れている。以下、実施例を通じて本発明をさらに詳細に説明する。これらの実施例は、単に本発明をより具体的に説明するためのものであり、本発明の要旨によって、本発明の範囲がこれらの実施例により制限されないことは当業界において通常の知識を有する者にとって自明である。走査型電子顕微鏡scanningelectronmicroscope、SEM分析生成された薄膜上に、約15nmの厚さで白金パラジウムコーティングをして走査型電子顕微鏡HitachiS4300FESEMを用いてSEM画像を得た。X線粉末回折XRD分析下記の実施例に従って製造された薄膜の結晶の方向を究明するために、CuKαX線を使用するX線回折器Rigaku回折器MAX1C、Rigakuを用いてX線粉末回折パターンを得た。実施例1:種子結晶の合成TEAOH35Alfa社、TPAOH1MSigmaAldrich社、NH42SiF698SigmaAldrich社、テトラエチルオルトシリケートTEOS98AcrosOrganic社。実施例11:異方性、Coffin型シリカライト1の結晶DDW2477mL、TPAOH225mL、およびエチレングリコールEG372gを入れたPPボトルにTEOS225gを添加してジェルgelをご用意した。この混合物を24時間攪拌して透明ジェルcleargelを形成した後、TEAOH6168mLを添加して12時間攪拌した。収得された透明ジェルは最終モール組成物molarcompositionが1TEOS015TPAOH01TEAOH4EtOH100H2O4EGだった。熟成後、ジェルをNo2、ワットマン濾紙で濾過し、撹拌棒cleanstirringbarを具備したTeflonline高圧リアクターに移した。高圧リアクターを密封し、150°Cのジャッケトヒーターで加熱し、マグネチックスターラーを用いて500rpmで攪拌した。12時間水熱反応hydrothermalreactionした後、水道水に入れて冷却させた。上層の透明な溶液をすくい取り除去することにより、固体生成物を収得し、大量のDDWで洗浄し、100°Cで24時間乾燥して、axbxc26umx12umx50umサイズのcoffin型シリカライト1種子を収得した図2参照。実施例12:異方性Leaf型シリカライト1の結晶論文AngewChem.Int.Ed.、2006、45、11541158による反応条件を使用した。TrimerTPA33I1019g、KOH0295g、DDW342gを入れたPPボトルにTEOS1696gを添加して透明ジェルを準備した。得られたジェルは、最終的にモール組成molarcompositionが8TEOS1TrimerTPA33I5KOH1900H2Oであった。24時間熟成し、ジェルをNo2、ワットマン濾紙で濾過し、Teflonline高圧リアクターに移した。24時間175°Cで水熱反応を行った。生成物を収集し、大量のDDWで洗浄し、100°Cで24時間乾燥して、leaf型シリカライト1の粉末を収得した図2参照。実施例2:基質上にすべての結晶軸配向を同一に整列させた種子結晶単層の準備実施例21:フォトレジストPRに微小パターンの陰核が形成されたシリコンウエハー上にすべての結晶軸配向を同一に整列させながら、a軸基質面に垂直aaxisorientationに挿入したLeaf型シリカライト1の結晶の単層図5下記のような工程を行い、上記タイトルに示される結果物を収得した。ステップ1:微小パターンの陰刻が形成されたシリコンウエハーをピラニア溶液に2時間洗浄し、多量のDDWで洗浄した。ステップ2:01PEI溶液inEtOHを用いて、2000rpmで15秒間スピンコーティングした。ステップ3:PDMS版を用いてLeaf型シリカライト1位粉末をラビングした。ステップ4:ステップ2およびステップ3を3回繰り返した。ステップ5:2mm厚さ清潔なPDMS版を用いて、微小パターンの陰刻に挿入されたシリカライト1の粉末上にランダムに付着したシリカライト1の粉末を除去した。ステップ6:550°Cで2時間焼成した加熱時間2時間、冷却時間1時間。実施例22:PRに微小パターンの陰刻が形成されたシリコンウエハー上にすべての結晶軸配向を同一に整列させながら、a軸基質面に垂直aaxisorientationに挿入したCoffin型シリカライト1の結晶の単層図6下記のような工程を行い、上記タイトルの結果物を収得した。ステップ1:微小パターン陰刻が形成されたシリコンウエハーをピラニア溶液で2時間洗浄し、多量のDDWで洗浄した。ステップ2:04PEI溶液inEtOHを用いて2000rpmで15秒スピンコーティングした。ステップ3:ラテックスグローブを用いてCoffin型シリカライト1の粉末をラビングした。ステップ4:ステップ2とステップ3を3回繰り返した。ステップ5:エタノールで洗浄し、2mm厚の清潔なPDMS版を用いて、微小パターンの陰刻に挿入されたシリカライト1の粉末上にランダムに付着したシリカライト1の粉末を除去した。ステップ6:550°Cで3時間焼成した加熱時間2時間、冷却時間1時間。実施例23:PRに微小パターンの陰刻が形成されたシリコンウエハー上にすべての結晶軸配向を同一に整列させながら、b軸基質面に垂直baxisorientationに挿入したCoffin型シリカライト1の結晶MP単層LineandLatticetypepattern図7および8微小パターンの陰刻の形状と配列が異なり、ステップ2で04PEI溶液の代わりに02PEI溶液を用い、ステップ6で3時間焼成したものを除いて、実施例22と同様の工程を行って上記タイトルの結果物を収得した。実施例24:PRに微小パターンの陰刻が形成されたシリコンウエハー上にすべての結晶軸配向を同一に整列させながら、c軸基質面に垂直caxisorientationに挿入したCoffin型シリカライト1の結晶の単層図9微小パターンの陰刻の形状が異なり、ステップ3でタテックスグローブの代わりにPDMS版を用いたことを除いては実施例22と同様の工程を行って、上記のタイトルの結果物を収得した。図10に示されたCoffine型シリカライト1の結晶のXRDパターンを用いて、実施例24、23および24で、シリコンウエハー上に配置された種子結晶は、すべての結晶軸配向が同一に整列しており、それぞれa軸、b軸、c軸が基質面に垂直aaxisorientation、baxisorientation、caxisorientationに配向されていることを確認することができた。実施例3:すべての結晶軸の配向が一定の規則によって整列した種子結晶の転写および2次成長実施例31:すべての結晶軸の配向が同一に整列したLeaf型シリカライト1の種子結晶の転写および2次成長図11に図示された工程に従って、すべての結晶軸の配向が同一に整列した種子結晶をガラス板に最終転写して2次成長させ、シリカライト1の薄膜を形成した。図12のSEM画像は、実施例21に従って、シリコンウエハー上にすべての結晶軸配向を同一に整列させながら、a軸基質面に垂直aaxisorientationに挿入したLeaf型シリカライト1の種子結晶の単層を形成し、これを図11に示された工程に従ってガラス板に転写および焼成した結果を示している。また、図13のSEM画像は、実施例23に従って、シリコンウエハー上にPRに形成された微小パターンの陰刻の形状により、すべての結晶軸配向を同一に整列させてb軸基質面に垂直に挿入させたCoffin型シリカライト1の結晶単層を形成し、これを図11に示された工程に従って、PEIコーティングされたガラス板に転写および焼成した結果を示している。実施例32:すべての結晶軸の配向が同一に整列したシリカライト1の種子結晶の転写図14には、すべての結晶軸の配向が同一に整列した種子結晶の単層をガラス板に最終転写させる二つの別の工程が例示されているここで、SWはシリコンウエハーの略。一方、図15には、図14に示す工程に従って、すべての結晶軸配向を同一に整列させながら、a軸基質面に対して垂直に配向させたCoffein型シリカライト1の種子結晶の単層をガラス板に転写した結果を示している。実施例33:すべての結晶軸の配向が一定の規則によって整列したシリカライト1の種子結晶の2次成長2次成長は下記と同様の方法で行った。:シリカライト1の薄膜の成長のためのジェルは、TEOS318gを入れたプラスチック製のビーカーにTEAOH202gおよびDDW222gを添加して製造した。このビーカーをポリマーフィルムで包んで、磁気バーで撹拌した。同時にフッ化の物供給源としてNH42SiF6245g、TEAOH101gおよびDDW111gを含有する混合物を、他のビーカーで撹拌した。TEOSが完全に加水分解されて透明な溶液になったら、攪拌しながらフッ化物供給源を前記の透明な溶液に注いだ。ジェルは即時凝固した。手作業で2分以上撹拌して6時間、静状態staticconditionで熟成させた。最終モール組成物は4TEOS192TEAOH036NH42SiF6784H2Oであった。熟成後、半固形semisolidのジェルが細かく砕かれた。それをTeflonlined高圧リアクターに移し、すべての結晶軸の配向が同様に配置された種子結晶の単層が表面に転写されたガラス板を垂直配向で前記のジェルに挿入した。高圧リアクターを密封し、165°Cに予熱したオーブンに入れ、一定期間の反応時間を経た後、高圧リアクターを水道水で冷却した。レアクターから膜Filmsを除去し、水道水で洗浄して表面を清潔にした。1分間超音波処理をして清潔にし、DDWを流し落し、N2流体で乾燥させた。図16には、すべての結晶軸配向を同一に整列させながら、b軸基質面に垂直配向させ、a軸とc軸基質面に平行配向させたcoffine型シリカライト1の種子結晶の単層を2次成長させたものとして、一定の2次成長反応時間の経過に従って形成されたシリカラト1の薄膜のSEM画像が図示されている。図16において、右上図14時間2次成長を見ると、シリカライト1の種子結晶の存在しなかったガラス板部分には、結晶核の生成反応crystalnucleationが起こらないことが分かるが、その種子結晶表面でも結晶核の生成反応が起こらないことが類推できる。図17は前記16で24時間の2次成長後に収得したシリカライト1の薄膜のSEM画像を図示したもので、図17はシリコンウエハーグレーの部分上に形成された3Dシリカライト1の膜1cmx1cm、黄緑の部分について、Aでは、シリカライト1の3D膜の結晶方向を矢印で示した。DはAで表わした矢印の方向に対応する3D膜界面での結晶方向を示すSEM画像を示している。Bはb軸に沿った膜の側面を示している。図17によると、最終形成されたシリカライト1の薄膜は、膜全体にa軸、b軸およびc軸のすべてが同一に配向されており、これはすべての結晶軸配向が同一に整列していた種子結晶の結晶軸配向とも一致する。これは図18に示すように、24時間の2次成長後収得したシリカライト1の薄膜のXRDパターンから確認することができた。一方、図19は、前記図16で24時間の2次成長後に収得したシリカライト1の薄膜のTEM画像およびSAEDselectedareaelectrondiffractionパターンを示すもので、図19で最終形成されたシリカライト1薄膜は、規則的なSAEDパターンを示しているので、最終的な形成されたシリカライト1薄膜は、膜全体にかけてa軸、b軸、c軸のすべてが同一に配向されている単一の大きな結晶を形成することがわかる。図20はすべての結晶軸配向を同一に整列させながら、a軸基質面に垂直配向させ、b軸およびc軸は基質面に平行配向させたcoffine型シリカライト1の種子結晶の単層を2次成長させたもので、一定の2次成長の反応時間の経過に従って形成されたシリカライト1の薄膜を示したものであり、図21はすべての結晶軸配向を同一に整列させながら、c軸基質面に垂直配向させ、a軸とb軸は基質面に平行配向させたcoffine型シリカライト1の種子結晶の単層を2次成長させたもので、一定の2次成長の反応時間の経過に従って形成されたシリカライト1の薄膜を示したものだ。図20および図21のシリカライト1の薄膜から、基質上に配置された種子結晶のすべての結晶軸配向が同一に整列している限り、基質面に対して垂直に配向されている結晶軸がa軸、b軸、またはc軸であるか否かには関係なく、すべての結晶軸配向が同一に整列したすべての種子結晶から形成されたシリカライト1の薄膜も種子結晶と同じように膜全体にわたってすべての結晶軸配向が同一に整列していることを確認することができる。以上で、本発明の特定部分を詳細に記述したが、当業界の通常の知識を有する者にとって、これらの具体的な技術は単に好ましい具現例にすぎず、よって本発明の範囲が制限されることがないことは明らかである。したがって、本発明の実質的な範囲は、添付された請求項とその同化物によって定義されるであろう。