III族窒化物半導体材料の発光層を含むウエハ構造を提供し、該発光層の露出面を残すように該発光層の少なくとも一部を貫通して該ウエハをドライエッチングし、該発光層の該露出面を少なくとも100°Cの温度で硝酸を用いて処理することを特徴とする発光装置の製造方法。該発光層は、InGaN、GaN、AIGaN及びGaNの少なくともいずれか1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。該発光層は、InGaN及びGaNの隣接層又はAIGaN及びGaNの隣接層を有することを特徴とする請求項2に記載の製造方法。該温度は、少なくとも200°Cであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の製造方法。該温度は、少なくとも250°Cであることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。該硝酸は、少なくとも50の濃度であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の製造方法。該露出面は、少なくとも1分間処理されることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の製造方法。該露出面は、少なくとも3分間処理されることを特徴とする請求項7に記載の製造方法。III族窒化物半導体材料の発光層を含むウエハ構造を提供し、該発光層の露出面を残すように該発光層の少なくとも一部を貫通して該ウエハをドライエッチングし、該発光層の該露出面をプラズマで処理することを特徴とする発光装置の製造方法。該プラズマは、水素プラズマであることを特徴とする請求項9に記載の製造方法。該プラズマは、5から100mTorrまでの圧力で、好ましくは少なくとも20mTorrの圧力であり且つ好ましくは50mTorr以下の圧力であることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の製造方法。該プラズマは、ガスをチャンバに導入し、少なくとも一つの電極を介して高周波信号をチャンバに印加し生成されることを特徴とする請求項9乃至請求項11のいずれか一項に記載の製造方法。III族窒化物半導体材料の発光層を含むウエハ構造を提供し、露出面を有する複数のピラーを残すように該ウエハをドライエッチングし、該装置の光学特性を強化するように該露出面を修正する表面修正工程を行うことを特徴とする発光装置の製造方法。該表面修正は、該材料の表面領域のフェルミエネルギを変化させることを含むことを特徴とする請求項13に記載の製造方法。該表面修正は、該材料の表面状態を減少する又は排除することを含むことを特徴とする請求項13又は請求項14に記載の製造方法。該表面修正は、該表面領域の該フェルミ準位を、該ピラー本体の該フェルミ準位に近づけるように変化させるように構成されていることを特徴とする請求項14又は請求項15に記載の方法。本発明は、III族窒化物半導体材料の発光層を含むウエハ構造を提供し、発光層の露出面を残すように発光層の少なくとも一部を貫通してウエハをドライエッチングし、発光層の露出面を少なくとも100°Cの温度で硝酸を用いて処理することを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。ドライエッチングは、複数の列を残すように行われ、複数の列は、列の表面である露出面を持つ。主として、列は、ナノスケールである。実際、本発明は、III族窒化物半導体材料の発光層を含むウエハ構造を提供し、露出面を有する複数の列を形成するためにウエハの少なくとも一部を貫通してドライエッチングし、列の露出面を少なくとも100°Cの温度で硝酸を用いて処理することを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。硝酸の温度は、少なくとも200°Cとしてもよく、少なくとも250°Cであることが好ましい。硝酸は、少なくとも30の濃度であることが好ましく、より好ましくは少なくとも50であり、さらに好ましくは少なくとも65である。濃度は、水中での重量、水中でのモル濃度又は水中での体積によるものでもよい。露出面は、少なくとも1分間処理されてもよく、又は、より好ましくは少なくとも3分間処理されてもよい。本発明は、さらに、III族窒化物半導体材料の発光層を含むウエハ構造を提供し、発光層の露出面を残すように発光層の少なくとも一部を貫通してウエハをドライエッチングし又はウエハにナノピラーを形成し、発光層の露出面をプラズマで処理することを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。本発明は、さらに、III族窒化物半導体材料の発光層を含むウエハ構造を提供し、複数の列を形成するためにウエハをドライエッチングし又はシェーピングし、列の露出面をプラズマで処理することを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。プラズマは、水素プラズマであってもよく、他の適したガス又はガスの混合物のプラズマであって、少なくとも水素を成分に含むことが好ましい。プラズマ処理は、少なくともプラズマの一つの成分を、例えば、誘導結合プラズマチャンバ内で、半導体材料に向けて加速させることを含めてもよい。ガスが水素である場合は、一般に、半導体材料に向けてプロトンを加速させることが含まれる。故に、本発明は、プロトンを半導体材料に向ける他の方法を使用しても効果が期待される。本発明は、故に、さらに、III族窒化物半導体材料の発光層を含むウエハ構造を提供し、複数の列を形成するためにウエハをドライエッチングし又はシェーピングし、プロトンを列の露出面に向けることを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。発光層は、InGaN、GaN、AIGaN及びGaNの少なくともいずれか1つを含む。すなわち、発光層は、InxGa1xN又はAIyGa1yN但しxは0から1までの数且つyは0から1までの数を含む。例えば、発光層は、InGaN又はInxGa1xN及びGaNの隣接層又はAIGaN又はAIyGa1yN及びGaNの隣接層を有してもよい。発光層は、少なくとも一つの量子井戸層を有してもよく、好ましくは、複数の量子井戸層を有する。単一の量子井戸層又は複数の量子井戸層は、InGaN又はInxGa1xN又はAIGaN又はAIyGa1yNを有してもよい。単一の量子井戸層又は複数の量子井戸層は、異なる半導体材料の層の間にあってもよく、半導体材料は、III族窒化物であってもよく、GaNであってもよい。プラズマは、5から100mTorrまでの圧力で、好ましくは少なくとも20mTorrの圧力であり且つ好ましくは50mTorr以下の圧力であることが好ましい。プラズマは、ガスをチャンバに導入し、少なくとも一つの電極又はコイルを介して高周波信号をチャンバに印加し生成されてもよい。例えば、チャンバは、誘導結合プラズマチャンバであってもよい。ドライエッチされたウエハは、プラズマ処理を行うために信号を印加するテーブルに支持されてもよい。テーブルは、円形であって且つ340mm以下の直径を有してもよく、好ましくは250mm以下の直径であってもよい。プラズマ処理は、少なくとも30秒間続いてもよく、より好ましくは、少なくとも1分間である。本発明は、III族窒化物半導体材料の発光層を含むウエハ構造を提供し、露出面を有する複数のピラーを残すようにウエハをドライエッチングし、装置の光学特性を強化するように露出面を修正する表面修正工程を行うことを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。表面修正は、ピラーの表面、特に、活性層の表面で、表面状態の発生を減少又は排除するようにしてもよい。表面状態は、上述の通り、一般に、III族窒化物において非発光再結合プロセスをエンハンスし、故に、装置の発光効率の低下を招く。例えば、材料の表面状態は、フェルミ準位を有してもよいが、ピラーの主要バルク内のフェルミ準位とは異なる。表面修正は、故に、材料の表面領域のフェルミ準位を変化させることを含んでもよい。表面修正は、故に、表面領域のフェルミ準位を、ピラー本体又はピラーの活性層本体のフェルミ準位に近づけるよう変化させるように構成してもよい。表面状態又は複数の状態は、真性又は外因性であってもよく、真性及び外因性の表面状態の組み合わせであってもよい。表面処理は、真性若しくは外因性のいずれか一方又は両方の発生を減少させるようにしてもよい。クリーンで整列した表面から生じる表面状態は、一般に、真性と称される。これらの状態は、再構成された表面から生じる状態を含み、二次元並進対称は、表面のk空間において、バンド構造を生じさせる。外因性の表面状態は、一般に、上述のような表面の欠陥及び酸化の影響など、クリーンで整列した表面から生じない状態として定義される。外因性の部類に該当する表面は、1.表面に欠陥があり、表面の並進対称が崩壊している。2.表面に吸着物質がある。3.半導体―酸化物界面又は半導体―金属界面のように、2つの材料の間に界面がある。4.固相と液相の間に界面がある。任意の一以上のこれらの部類に属する状態は、本発明の処理によって減少され得る。一般に、外因性の表面状態は、化学的、物理的又は構造的な性質の観点から、特徴付けることは容易ではない。表面修正は、熱硝酸、又は少なくとも水素を成分に含むプラズマ、又はプロトンを用いて表面を処理する工程を有しても良い。本発明の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して一例として記載する。図1を参照すると、本発明の実施の形態による発光装置は、その上に形成された半導体ダイオードシステム12を備えた基板10からなる。基板10は、本実施の形態では、サファイアの層を含む。ダイオードシステム12は、下部層14と、上部層16とを有し、その間には発光層18が設けられている。下部層14は、本実施の形態ではnドープガリウム窒化物n-GaNから形成されたnタイプ層であり、上部層16は、本実施の形態ではpドープガリウム窒化物p-GaNから形成されたpタイプ層である。本実施の形態での発光層は、InxGa1xN量子井戸QW層を形成するInxGa1xNと、バリア層を形成するInyGa1yNとから形成される但しx>y、x又はyは0から1までの数。故に、発光層18内に多数の量子井戸が形成される。他の実施の形態では、単一の発光層を形成する単一のInzGa1zN層但しzは0から1までの数が存在する。電流が半導体ダイオードシステム12を流れるとき、注入された電子と正孔とは、発光層18活性層と称することもある内で再結合し、フォトンの形でエネルギを解放し、故に発光する。pタイプ層16及びnタイプ層14は、それぞれ発光層よりも大きなバンドギャップを有する。構造的には、半導体ダイオードシステム12は、ナノピラー構造を有し、ナノピラー構造は、複数のナノピラー22が突出する連続したベース層20を持つ。nタイプ層14は、ベース層とナノピラーの下方部24とを構成し、pタイプ層16は、ナノピラーの上方部26を構成し、発光層18は、ナノピラー22の中間層を構成する。故に、pタイプ層16と、発光層18と、nタイプ層の一部とは、すべて不連続であり、ベース層20は、ギャップ30の底端部で閉じている。ナノピラー22は、直径が数百ナノメートルのオーダ、すなわち100から1000nmの間である。本実施の形態において、不連続層の中のギャップ30は、ナノピラー22の間にあり、波長変換材料32絶縁性の透明材料又は準絶縁性の透明材料からなるとメタル粒子34との混合物31で充填されている。このようにして、波長変換材料は、ギャップ30の内部のメタル粒子34を支持する支持材料として機能する。この混合物31は、ギャップ30を充填し、ベース層20からナノピラー22の頂部までの層を形成する。本実施の形態において、ギャップ30は、実際には、一緒に結合されて、すべてのナノピラー22を包囲する1つの相互に連結した空間を形成する。もし、ナノピラー22が、隣接するナノピラー22間の最大距離が、例えば200nmになるように形成されている場合、任意の1つのメタル粒子34から1つのナノピラー22の表面までの最大距離は、100nmである。いずれの場合においても、発光層18と同一平面上にあるメタル粒子34は、表面プラズモンカップリングを許容する位置に存在する。さらに、メタル粒子34は、波長変換材料32の内部に分散され、波長変換材料32全体に亘ってランダムに分布している。故に、この場合、大抵の粒子34は、1つのナノピラー22の表面から100nm以内そして、粒子によっては事実上ゼロnmに位置している。この場合の波長変換材料32は、ポリマ材料であるが、蛍光物質でもよく、さらに、硫化カドミウムを使っても良い。しかし、適したタイプの波長変換材料32の多くは、当業者には明らかである。メタル粒子34は、銀である。メタル材料34のサイズは、ピラーのサイズに部分的に依存して、数nmから約1μmであり、波長変換材料32の中の粒子濃度は、0.0001w/wから10w/wである。他の実施の形態では、メタル粒子34は、例えば、金、ニッケル、又はアルミニウムである。材料の選択は、発光層18からの光の波長、すなわち周波数に依存している。例えば、銀は、青色LEDに対しては好ましいが、アルミニウムは、紫外線LEDに対して好ましい。他の実施の形態において、同一のナノピラー構造が使用されるが、波長変換材料32及びメタル粒子は存在しない。さらなる実施の形態において、波長変換材料32は存在するが、メタル粒子は存在しない。透明pコンタクト層40は、ナノピラー22の頂部を覆うように延在して、ナノピラー22と電気的に接触し、ギャップ30の頂部を覆うようにも延在してギャップ30の端部を閉塞する。pコンタクトパッド42は、pコンタクト層40の上に形成される。ベース領域14の一部44は、ナノピラー22を超えて延在し、nコンタクト48が形成される平坦な上面46を有する。図1の装置は、最初にナノピラー構造体20、22を形成することによって製造される。これは、サファイア基板10の上にnタイプ層14を形成し、nタイプ層14の上に量子井戸層などの発光層18を形成し、発光層18を覆うようにpタイプ層16を形成し、次に、層14、16、18を貫通するようにエッチングして、ナノピラー22を残すように、ギャップ30を形成することによって行われる。エッチングを制御するために、マスクが、周知の方法によって、最初にpタイプ層16を覆うようにSiO2の薄膜層を形成することによってpタイプ層16の上に形成され、次に、5から50nmの範囲の厚みを有するニッケル層の形成が続く。続いて、サンプルは、600-900度で1-10分間N2を流しながらアニールされる。係る条件下では、シンニッケル層が、SiO2の表面に数百nmのスケールのニッケルの自己組織化アイランドとして発現する。次に、自己組織化ニッケルアイランドは、マスクとして機能して、反応性イオンエッチングRIEによって、下層の酸化物をp-GaN表面のSiO2ナノロッドへとエッチングする。最終的には、SiO2ナノロッドは、第2のマスクとして機能し、次に、誘導結合プラズマICPエッチングを使用して、p-GaN層は、pタイプ層16、発光層18、及びnタイプ層14の一部を貫通して、図1の構造体になるまでドライエッチングされる。エッチングは、例えば650nmのレーザを使用して、所望の深さに到達するまでモニタされる。これによって、ナノピラー構造体20、22が残される。nタイプコンタクトが形成される平坦な上面46を有するベース層の領域44を残すために、標準的なフォトリゾグラフィーが行われる。ナノピラー構造20、22が形成されると直ぐに、nタイプ下方部24の側壁、発光層18の側壁、及びpタイプ上方部26の側壁を含むナノピラーの露出面は、露出面の光学特性を強化するように硬化され又は処理される。本実施の形態では、ナノピラーは、露出面を例えば5分間260°Cで水中の体積濃度が70の硝酸と接触させて処理される。図3を参照すると、これは、ウエハ構造20、22の全体を硝酸102のバス100に浸漬することによって行われる。これは、後述する光学効率の観点から光学特性を強化する発光層18の表面を硬化させる。これは、同様に、ナノピラーの下方部24と上方部26の表面を硬化させる。本実施の形態において、ナノピラー22で発光層の表面が硬化すると直ぐに、波長変換材料32及びメタル粒子34の混合物31が、スピンコーティングによってギャップ30へと挿入される。透明pコンタクト層40は、ナノピラー22の頂部を覆うように形成され、ギャップ30の端部を閉塞し、ナノピラー22の頂部と電気的に接触する。pコンタクトパッド42は、pコンタクト層40の上に形成され、nコンタクト48は、平坦な上面46に形成される。ナノピラーは、キュアリング工程の利益を享受する多数の異なる方法によって形成される。例えば、ナノピラーの位置を決めるマスクは、電子線描画後のナノピラーのドライエッチングによって得られる。又は、マスクは、ナノインプリント後のナノピラーのドライエッチングによって形成される。又は、任意の自己組織化マスクは、ナノピラーのドライエッチングとともに使用される。ドライエッチングは、例えば、誘導結合プラズマICPエッチング又は反応性イオンエッチングRIEである。ドライエッチングは、pタイプ層16及び発光層18を貫通し、及びnタイプ層14の一部を貫通して、図1の構造体になるまで行われる。又は、ドライエッチングは、発光層18を一部まで貫通して、nタイプ層14に到達しないようにもできる。発光層18のキュアリング効果をテストするために、ウエハにおけるナノピラーの形成に先立ち、キュアリングせずにナノピラーを形成した後、塩酸でナノピラーを処理した後、及び、硝酸でナノピラーを処理した後の発光強度を波長の関数として測定した。それぞれの場合では、波長変換材料又はメタル粒子を、ウエハに用いなかった。図4に結果を示す。この図から分かるように、ナノピラーの形成は、発光強度を上げる。塩酸を用いたナノピラーの処理は、実際、装置の発光を減らすのに対して、硝酸を用いたナノピラーの処理は、より一層発光を増やす。上述の通り、活性層の光学特性に影響を与える物理的機構は、ドライエッチングのプロセス、又は、酸素雰囲気中におけるアニーリングといった任意の他のプロセス工程の間に、ナノピラーの表面上で表面効果が発生するためであると考えられている。これは、ナノピラーの活性層の表面層又は表面領域の表面で、半導体材料のフェルミ準位の変化をもたらす。このフェルミ準位の変化は、活性層において非発光再結合プロセスの発生を高めるため、電流が活性層を流れるとき、発光効率が減少する。このフェルミ準位の変化は、半導体格子構造内部の欠陥の結果として誘発され、これは、ナノピラーを形成するドライエッチングが原因で引き起こされる。又は、特定の活性層において、ドライエッチングプロセス中に発生するナノピラーの表面の酸化の結果として誘発される。硝酸を用いた処理は、欠陥若しくは酸化又はこれらの両方を化学的に減少又は除去し、表面状態は減少又は排除される。故に、この処理は、ナノロッドアレイ構造への作製の結果として現されるべき光学効率を回復する。この処理は、ナノピラーの活性層の表面において、真性及び外因性の両方の表面状態の発生を減少又は排除するように構成されている。故に、表面状態はドライエッチングや酸化によって発生することから、本発明のいくつかの実施の形態では、ナノピラーは、表面処理工程が実施される前のドライエッチング及びドライエッチング後に酸化を受ける以外の方法を使用して形成される。他の実施の形態において、LEDは、約525nmの波長で発光する緑色LEDである。ナノ粒子は、銀、白金、ニッケル又は金であり、そして粒子のサイズは、発光の波長を決めるために選択できることが理解される。図5を参照すると、さらなる実施の形態において、誘導結合プラズマICPチャンバ200内で行われる硝酸を用いた処理が、水素H2プラズマを用いた処理で置き換えられる以外は、第1の実施の形態の工程と同一である。ICPチャンバ200は、従来通りである。サンプルは、2つの電極202、204を有するチャンバ内に配置され、一方の電極に高周波RF信号が印加される。水素は、チャンバに導入され、RF領域の影響下でプラズマを形成し、プラズマの正イオンプロトンは、サンプル201に衝突する。この例で、水素は、毎分sccm流量20標準立方センチメートルで35mTorrの圧力であり、サンプルは、100WのRF電力で2分間、室温で処理される。水素流量と圧力、RF電力及び露光時間は、任意の特定のナノピラー構造用に最適化できることが理解される。図6を参照すると、さらなる実施の形態において、プロセスは再び、水素ガス処理を用いる以外は第1の実施の形態と同一である。この場合、ICPチャンバは、既知の構成であり、円形の頂璧の中央に管状のガス注入口302を有する環状のチャンバ300を含む。円形サンプルテーブル304は、チャンバ300と同軸に回転可能に取り付けられている。コイル305は、ガス注入口302の周囲に位置し、RFサプライ306に接続されている。RFサプライは、RF信号をコイル305に印加するように配置され、コイル305は、ガス注入口302で水素をプラズマに変換する。別のRFサプライが、テーブル304に接続され、RF信号をテーブル304に印加するように配置され、RFサプライの電源は、サンプルテーブル上のサンプルにプラズマが衝撃を与えるエネルギを決定する。本実施の形態において、ICPチャンバは、オックスフォードインストゥルメンツ株式会社が製造したICP380-100である。チャンバの直径は380mmであり、テーブルの直径は240mmである。流量は20sccmが好ましいが、10から30sccmともなり得る。コイル305に対するRFサプライ306は、1000Wに設定され、テーブルに対するRFサプライは、100Wに設定される。サンプルは、再び、2分間室温で処理される。チャンバ内の水素プラズマの圧力は35mTorrである。他の実施の形態において、ICPチャンバは、オックスフォードインストゥルメンツ株式会社が製造したICP380-133であり、テーブルの直径は330mm、チャンバの直径は380mmである。他の実施の形態において、ICPチャンバは、オックスフォードインストゥルメンツ株式会社が製造したICP65で、テーブルの直径は240mmであり、中央の直径50mmの面積にわたって均一なプラズマを有する。図7を参照すると、上述の通り形成され水素プラズマによって処理されたLED装置のフォトルミネッセンス強度は、上述の通り形成され硝酸によって処理された装置、及び、ウエハが成長されているがナノピラーが形成されていない装置と比較される。この図から分かるように、硝酸によって処理されたナノピラーは、成長装置の約5倍のフォトルミネッセンス強度を有し、水素プラズマによって処理されるナノピラーは、成長装置の約9倍のフォトルミネッセンス強度を有する。水素プラズマ処理は、表面状態の発生を減少若しくは排除し、又は、半導体デバイスの表面領域のフェルミ準位を変更すると考えられ、硝酸処理と同様の方法である。これには、真性及び外因性の両方の表面状態の存在の減少又は排除が含まれる。