低温焼結による純銀内部電極を備えた多層チップ型酸化亜鉛ZnOバリスタの製造方法において、ドーピングイオンを含有するZnO粒子の作製とZnO粒子を封じ込めるために用いる焼結材料の作製を2つの独立したプロセスとして製造することを特徴とし、a1つまたは複数の種類のドーピングイオンをドープしたZnO粒子を調製するステップであって、前記ドーピングイオンの種類が、銀Ag、リチウムLi、ナトリウムNa、カリウムK、銅Cu、アルミニウムAl、セリウムCe、コバルトCo、クロムCr、ニッケルNi、アンチモンSb、マンガンMn、チタニウムTi、鉄Fe、バナジウムV、タングステンW、ニオブNb、ジルコニウムZr、ケイ素Si、錫Sn、インジウムIn、ガリウムGa、ランタンLa、プラセオジムPr、イットリウムYおよびセレンSeからなる群から1種類以上選択され、且つ前記ドーピングイオンのドーピング量がZnOの10mol未満であるステップと、b高インピーダンス焼結材料またはガラス粉末を調製するステップであって、前記焼結材料またはガラス粉末が、Bi2O3、B2O3、Sb2O3、Co2O3、MnO2、Cr2O3、V2O5、ZnO、NiOおよびSiO2からなる群から選択される2つ以上の混合物であるステップと、cステップaで調製したZnO粒子と、ステップbで調製した焼結材料またはガラス粉末とを45:55から97.5:2.5の範囲の重量比でよく混合し、か焼及び粉砕を経てZnO複合セラミックス粉末を得て、さらにバインダーを添加してスラリーを調製するステップと、d多層ZnOバリスタの従来の作製手法に従って、ステップcのスラリーをグリーンテープに仕立て、2層以上の互い違いの純銀内部電極を印刷し、焼結温度850°C~900°C下で純銀の内部電極を備えたグリーンテープ粒子をか焼して、か焼後に粒子外部に露出された純銀内部電極の両端を外部電極で被覆し、純銀内部電極を備えた多層ZnOバリスタを製造するステップと、を含むことを特徴とする、酸化亜鉛ZnOバリスタの製造方法。ステップaのドーピングイオンのドーピング量が、ZnOの2mol未満であり、且つステップdの焼結温度が850°Cの設定下で純銀内部電極を備えた多層ZnOバリスタが作製されることを特徴とする、請求項1に記載の酸化亜鉛ZnOバリスタの製造方法。ステップaのZnOにドーピングイオンをドープする方法が、ドーピングイオンを溶液にして、ZnOを浸し、オーブン乾燥後、か焼して粉砕されることを特徴とする、請求項1または2に記載の酸化亜鉛ZnOバリスタの製造方法。ステップaのZnOにドーピングイオンをドープする方法が、亜鉛イオンおよびドーピングイオンを含有する溶液を共沈法によって形成することを特徴とする、請求項1または2に記載の酸化亜鉛ZnOバリスタの製造方法。ステップbの高インピーダンス焼結材料またはガラス粉末が、原料を溶液に調製することを経て、共沈法及びナノテクノロジーを適用し、細い粉末を形成して得られることを特徴とする、請求項3に記載の酸化亜鉛ZnOバリスタの製造方法。本発明の主な目的は、850°C~900°Cの低温焼結プロセスにおいて、純銀内部電極の化学的安定性を保証でき、且つZnOバリスタの従来の製造プロセスを徹底的に改良した、低温焼結特性を備え、純銀を内部電極に使用した多層チップ型ZnOバリスタの製造方法を提供することである。本発明の、低温焼結特性を備え、純銀を内部電極に使用した多層チップ型酸化亜鉛ZnOバリスタの製造方法は、ZnOのドーピングとZnO粒子を封じ込める高インピーダンス薄層材料の調製を2つの独立したプロセスとして行うことを特徴とし、本発明のZnOバリスタの製造方法は、十分な半導性を有するドープZnO粒子を調製するステップと、高インピーダンス焼結材料またはガラス粉末を別に調製するステップと、最後に前記ドープZnO粒子と前記高インピーダンス焼結材料を所定の比率でよく混合し、多層ZnOバリスタまたは積層バリスタMultilayervaristor、MLVとも呼ばれるの従来の作製手法に従って、850°C~900°Cの低温焼結温度下で純銀を内部電極として使用したZnOバリスタを作製するステップを含む。本発明のZnOバリスタの製造方法は、2つの発明の効果を達成することができる。焼結温度が1000°C以上に達する必要がある従来の製造方法を打破し、850°C程度でZnOバリスタの焼結を完了でき、且つ粒界層の成分選択により、ZnOバリスタおいて純銀を内部電極として使用することを具体的に実現することができる。また、低温焼結及び純銀を内部電極として使用することで、ZnOバリスタの製造コストを効果的に抑えることができる。本発明のプロセスを実施することによって、ドープしたZnO粒子のドーピングイオンの種類ならびに量と、高インピーダンス焼結材料またはガラス粉末の組成ならびに調製条件とを、得られる酸化亜鉛バリスタの所望の特性および処理要件、例えば、耐圧、非線形係数、C値、リーク電流、サージ吸収能力、ESD吸収能力、および浸透性に従って、または低温焼成の調製条件に従って、別々に設計して、さまざまな望ましい特性を有する酸化亜鉛バリスタを実現することができる。本発明ならびに好ましい使用の形態、それらのさらなる目的および利点は、添付図面と併せて考慮する場合、以下の例示的な実施形態の詳細な説明を参照することによって最もよく理解されよう。本発明の低温焼結によるZnOバリスタ製造方法は、純銀内部電極を備えた多層チップ型ZnOバリスタの製造に適用でき、850°C~900°Cの焼結温度下で、850°Cの焼結温度を最良とし、純銀の化学的安定性を保証することができる。図1に示すように、本発明のZnOバリスタの製造方法と、従来の作製手法との違いは、主に酸化亜鉛のドーピング酸化亜鉛を半導化させるとZnO粒子を封じ込める高インピーダンス焼結材料粒界層とも呼ばれるの調製を2つの独立したプロセスとして行い、得られたドープ酸化亜鉛及び高インピーダンス焼結材料を所定の比率で混合した後、か焼して本発明で使用する酸化亜鉛セラミックス粉末を調製し、ZnOバリスタの従来の作製手法に従って、純銀を内部電極に使用した多層ZnOバリスタMLVを作製することにある。a.ドーピングイオンをドープしたZnO粒子を調製するステップZnO粒子は、1つまたは複数の種類のイオンをドープすることができる。その場合、ドーピングイオン1つまたは複数の量は、好ましくはZnOの10mol未満、最も好ましくはZnの2mol未満である。ドーピングイオン1つまたは複数は、Ag、Li、Cu、Al、Ce、Co、Cr、In、Ga、La、Y、Nb、Ni、Pr、Sb、Se、Ti、V、W、Zr、Si、FeおよびSnからなる群から選択される1つまたは複数である。ドーピングイオンを予めドープしたZnO粒子を調製する方法には以下の2つがある。ドーピングイオンを含有するZnO粒子の調製亜鉛イオンを含有する溶液およびドーピングイオンを含有するもう1つの溶液を、結晶学の原理に基づいて調製する。次に、共沈法またはゾルゲル法等のナノテクノロジーが適用されて沈殿物が得られる。その沈殿物は次に熱分解を受け、その結果ドーピングイオンをドープしたZnO粒子が得られる。亜鉛イオンを含有する溶液は、酢酸亜鉛または硝酸亜鉛であり得る。ドーピングイオンを含有する溶液は、酢酸塩または硝酸塩の状態の前記のドーピングイオンの1つまたは複数の種類を溶解することによって作製することができる。次に、亜鉛イオンを含有する溶液とドーピングイオンを含有する溶液とを混合して撹拌し、亜鉛イオンおよびドーピングイオンを含有するブレンド溶液を、化学的共沈法によって形成する。混合している間に、界面活性剤または高分子物質を実践上の必要性に応じて加えることができる。次に沈殿剤を、そのブレンド溶液中に並流式または逆流式で撹拌している間に添加する。その溶液のpH値の適切な調整を経て共沈物を得る。繰り返し洗浄し、次に乾燥した後、共沈物は、ドーピングイオンをドープしたZnO粒子が得られるように適当な温度でか焼する。前述の沈殿剤は、シュウ酸、カルバミド、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、アンモニア、または他のアルカリ性溶液からなる群から選択することができる。2molのSiおよびYイオンをドープしたZnO粒子を任意の前述の手法によって作製した。2molのSiイオンをドープしたZnO粒子、および2molのYイオンをドープしたZnO粒子のX線回折図をそれぞれ図3Aおよび図3Bに示す。図3Aおよび図3Bまでの回折図と純粋なZnO粒子のX線回折図を示す図2と比較すると、SiまたはYイオンがZnO粒子の格子中に完全に溶解していることを証明している。2molのAg、Li、Cu、Al、Ce、Co、Cr、In、Ga、La、Nb、Ni、Pr、Sb、Se、Ti、V、W、Zr、FeおよびSnイオンをドープしたZnO粒子を、同様に得ることができる。したがって、ドーピングイオンをドープしたZnOを調製するステップにおいて、ドーピングイオンの種類および量は、広い範囲から選択することができる。その結果として、耐圧、非線形係数、C値、リーク電流、サージ吸収能力およびESD吸収能力を含めた、得られるZnOバリスタの特性を効果的に調節することができる。2表層ドーピングイオンを含有するZnO粒子の調製。もう1つのドープZnOの調製方法は、微細なZnO粉末をドーピングイオンを含有する溶液中に浸し、乾燥とか焼を経た後、粉砕して指定の粒径のZnO粒子を作製する。b.高インピーダンス焼結材料またはガラス粉末を調製するステップ得られるZnOバリスタの望ましい特性によって決定される組成を有する焼結材料またはガラス粉末の原料が使用される。その材料は、酸化物、水酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩からなる群から選択される1つまたは複数を含む。その選択された原料は、混合、粉砕およびか焼を含めた一連の加工処理手順を受けた後、焼結材料に変えられる。次いで、焼結材料は粉砕して所望の細かさの粉末とする。その場合、酸化物は、Bi2O3、B2O3、Sb2O3、Co2O3、MnO2、Cr2O3、V2O5、ZnO、NiOおよびSiO2からなる群から選択される2つ以上の混合物である。別法では、さまざまな組成により調製されたペーストが混合され、高温で溶融され、水で急冷され、オーブン乾燥され、微細なガラス粉末に粉砕される。別法では、ナノテクノロジーが実施されて、さまざまな組成を有する原料をナノサイズの粉末の形の焼結材料またはナノサイズのガラス粉末に変えられる。c.所定の比率でステップaのドーピングイオンを含有するZnO粒子とステップbの高インピーダンス焼結材料をよく混合し、か焼、粉砕を経た後ZnO複合セラミックス粉末とする。ZnOバリスタの指定性能に基づき、ステップaのドーピングイオンを含有するZnO粒子及びステップbの高インピーダンス焼結材料またはガラス粉末を選択し、且つZnO粒子:焼結材料またはガラス粉末の重量比は45:55~97.5:2.5の比率でよく混合する。か焼、粉砕を経てZnO複合セラミックス粉末とし、さらにバインダーを添加してスラリーを調製する。d.高温か焼、粉砕、バインダー添加、スラリー調製等の既知の作製プロセスに従って、850°C~900°Cで純銀内部電極の多層ZnOバリスタを作製する。多層ZnOバリスタの従来の作製手法は、少なくともステップcのスラリーをグリーンテープに仕立て、2層以上の互い違いの純銀内部電極を印刷し、焼結温度850°C~900°C下で純銀内部電極を備えたグリーンテープ粒子をか焼して、か焼後粒子の外部に露出された純銀内部電極の両端を外部電極で被覆し、純銀内部電極を備えた多層ZnOバリスタを得ることを含む。普通の酸化亜鉛試料01及び他の酸化物を次の混合比に従って混合し、粉砕を経た後、続いて1000kg/cm2の圧力でプレスして直径8mmのディスク型ZnOバリスタdisc-shapedZnOvaristorを作製し、さらに850°C×5時間の焼結を経た。そのバリスタ特性varistorpropertiesを表1に示す。混合比:97.5重量のZnO0.5重量のBi2O31.0重量のSb2O30.5重量のCo2O30.5重量のMnO2普通の酸化亜鉛を予めドーピングされた酸化亜鉛試料02、ZnOで表すに変えて、上述のステップを繰り返した。そのバリスタ特性を表1に示す。そのうち、予めドーピングされたZnO試料02は溶液に浸す手法で調製され、そのドーピングイオン及び比率は:1molZnO0.006molSnO20.00015molAl2O30.002molSiO2、か焼温度:900°C×2時間である。ドーピングを採用したZnOと普通のZnOのバリスタ特性に対する影響表1から分かるように、予めドーピングされたZnOを用いると850°Cの焼結温度条件下で、ディスクはすでに初歩的なバリスタ特性を示していた。ドーピングされていない普通のZnOを使用して得たディスクはバリスタ特性が比較的悪かった。化学的共沈法を用いて粒界層焼結材料G-100を調製した。その組成を表2に示す。実施例1と同じ予めドーピングされたZnOを用い、粒界層焼結材料とよく混合した後、温度750°C×5時間か焼し、最後にディスク型ZnOバリスタを作製して、850°C×5時間の焼結を経た。そのバリスタ特性を表3に示す。表3から分かるように、化学的共沈法を採用して粒界層を調製すると、ディスク型ZnOバリスタのバリスタ特性を顕著に高めることができ、同時に絶縁破壊電圧BVDもより高くなった。実施例1と同じ予めドーピングされたZnOを用いるが、か焼温度を1200°C×6時間とした。粒界層焼結材料は実施例2と同じである。予めドーピングされたZnOと粒界層焼結材料を混合した後、温度800°C×5時間か焼し、最後にディスク型ZnOバリスタを作製して、850°C×5時間の焼結を経た。そのバリスタ特性を表4に示す。表4から、ZnOドーピング温度を上げると、ディスク型ZnOバリスタの絶縁破壊電圧BVD値を顕著に低下させることができ、粒界層の量もバリスタ特性に対して影響を与えることが分かり、粒界層の量を適切に増加することでバリスタ特性をさらに高めることができる。化学的共沈法を用いてドーピングされたZnOと粒界層焼結材料をそれぞれ調製した。ZnOの組成は実施例1と同じであるが、ドーピング量を10倍にすると共に、か焼温度を1200°C×2時間とした。粒界層焼結材料は実施例2と同じである。予めドーピングされたZnOと粒界層焼結材料を混合した後、温度800°C×5時間か焼し、最後にディスク型ZnOバリスタを作製して、850°C×5時間の焼結を経た。そのバリスタ特性を表5に示す。表5から、化学的共沈法を用いて得た予めドーピングされたZnOは、ディスク型ZnOバリスタの最大放電電流能力Maximumdischargecurrentを顕著に高め、サージ吸収効果も優れていることが分かる。予めドーピングされたZnOの組成は実施例1と同じであり、粒界層焼結材料の組成は実施例2と同じである。両者の混合後、温度750°C×5時間か焼し、その後それぞれ15分間と40分間研磨し、乾燥させた後、実施例1と同じ用にプレスしてディスクZnOバリスタを作製し、さらに850°C×5時間の焼結を経た。そのバリスタ特性を表6に示す。表6から分かるように、予めドーピングされたZnOと粒界層を混合してか焼した後、さらにサンドミルで粉砕すると、ディスクZnOバリスタのバリスタ特性を顕著に高めることができ、特に最大放電電流能力の向上がより顕著であった。酸化亜鉛のドーピングはドーピングイオン溶液に浸す手法を採用し、オーブン乾燥後900°C×2時間のか焼を経た。ドーピングZnOの組成は実施例1と同じである。粒界層焼結材料は化学的共沈法を用いて調製され、その組成は実施例2と同じである。両者を混合した後、750°C×5時間のか焼を経てから粉砕し、最後にサンドミルで40分間処理してから、スラリーを230°Cでオーブン乾燥させ、粉砕してZnO複合セラミックス粉末とした。ZnO複合セラミックス粉末にバインダーを添加してスラリーを調製し、多層ZnOバリスタの従来の作製手法に従って、純銀内部電極を有する多層ZnOバリスタを作製した。焼結温度は850°C×3時間とした。図4、図5、図6にそれぞれ2層、3層、5層の互い違いの純銀内部電極を含むZnOバリスタの局部断面図を示す。これらの図から分かるように、純銀内部電極は完全に保持されている。実施例6の製造方法と同じであり、作製する仕様は0402、0603、0805、1812、2220シリーズの多層ZnOバリスタである。0402シリーズZnOバリスタの電気特性試験報告を表7に示す。0603シリーズZnOバリスタの電気特性試験報告を表8に示す。0805シリーズZnOバリスタの電気特性試験報告を表9に示す。1812シリーズZnOバリスタの電気特性試験報告を表10に示す。2220シリーズZnOバリスタの電気特性試験報告を表11に示す。表7~11から分かるように、焼結温度が850°C以下で、純銀内部電極は損耗せず、得られる仕様0402、0603、0805、1812、2220シリーズの多層ZnOバリスタは、その性能も良好である。