"半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成されている第1電極と、前記半導体基板の底面に形成されている第2電極と、を備える半導体装置であって、前記半導体基板は、前記半導体基板の表面に位置している第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域に対して前記半導体基板の縁部側に間隔を隔てて配置されると共に、前記半導体基板の表面に位置している第1導電型の第2半導体領域と、前記第1半導体領域及び前記第2半導体領域のそれぞれの側面及び底面を覆っており、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との間に位置して、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域を分離している第1導電型の第3半導体領域と、前記第3半導体領域の底面に接触し、前記第3半導体領域によって前記第1半導体領域と前記第2半導体領域から分離されている第2導電型の第4半導体領域と、を備えており、前記第1電極は、前記第2半導体領域と接触しない一方で、前記第1半導体領域と接触しており、前記第1半導体領域の第1導電型の不純物の濃度は、前記第2半導体領域の第1導電型の不純物の濃度より高く、前記第2半導体領域の第1導電型の不純物の濃度は、前記第3半導体領域の第1導電型の不純物の濃度より高い、半導体装置。前記半導体基板は、前記半導体基板の表面に位置すると共に前記第3半導体領域と前記半導体基板の縁部との間に位置し、前記第3半導体領域の側面に接触すると共に前記第4半導体領域に接触する第1導電型の第5半導体領域をさらに備えており、前記第5半導体領域の第1導電型の不純物の濃度は、前記第3半導体領域の第1導電型の不純物の濃度より低い、請求項1に記載の半導体装置。前記第3半導体領域は、前記第1半導体領域の側面及び底面を覆っている第1半導体部分と、前記第2半導体領域の側面及び底面を覆っている第2半導体部分と、を備え、前記第2半導体部分の第1導電型の不純物の濃度は、前記第1半導体部分の第1導電型の不純物の濃度よりも低い、請求項1又は2に記載の半導体装置。特許文献1の半導体装置では、半導体基板の縁部側に不純物濃度が低いP-型半導体層を配置することで、接触領域の外周縁付近に到達するホールの量を低減する。このため、接触領域の外周縁付近に到達するホールの量をより低減するためには、P-型半導体層の不純物濃度をできるだけ低くすることが好ましい。しかしながら、P-型半導体層の不純物濃度を低くし過ぎると、リカバリ動作時に、P-型半導体層が完全に空乏化されてしまう。この結果、リカバリ動作時に、ホールは、P-型半導体層の底縁端に集中せず、P型半導体層の底縁端に集中することとなる。P型半導体層の抵抗値は、P-型半導体層の抵抗値と比較して低いため、P型半導体層の底縁端に集中したホールは、P型半導体層を容易に通過して、接触領域の外周縁付近に到達することができる。このため、特許文献1の半導体装置では、接触領域の外周縁付近に電流が集中することを十分に低減することができない。本明細書では、リカバリ動作時に、接触領域の外周縁付近に電流が集中することをより抑制することができる技術を提供することを目的とする。本明細書で開示される技術は、半導体装置である。この半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面に形成されている第1電極と、半導体基板の底面に形成されている第2電極と、を備える。この半導体基板は、第1から第4半導体領域を備える。第1から第3半導体領域は、第1導電型である。第1半導体領域は、半導体基板の表面に位置している。第2半導体領域は、第1半導体領域に対して半導体基板の縁部側に間隔を隔てて配置されると共に、半導体基板の表面に位置している。第3半導体領域は、第1半導体領域及び第2半導体領域のそれぞれの側面及び底面を覆っており、第1半導体領域と第2半導体領域との間に位置して、第1半導体領域と第2半導体領域を分離している。第4半導体領域は、第3半導体領域の底面に接触し、第3半導体領域によって第1半導体領域と第2半導体領域から分離されている。第4半導体領域は、第2導電型である。第1電極は、第2半導体領域と接触しない一方で、第1半導体領域と接触している。第1半導体領域の第1導電型の不純物の濃度は、第2半導体領域の第1導電型の不純物の濃度より高い。第2半導体領域の第1導電型の不純物の濃度は、第3半導体領域の第1導電型の不純物の濃度より高い。上記の半導体装置に順電圧が印加されている状態では、第1電極から第1半導体領域を介して第3半導体領域に流入したキャリアは、第3半導体領域を通って第4半導体領域に流入する。第2半導体領域の第1導電型の不純物濃度は、第3半導体領域の第1導電型の不純物濃度より高いが、第2半導体領域は第1電極と接触していない。このため、第1電極から第2半導体領域を介して第3半導体領域にキャリアが流入することはない。したがって、第4半導体領域のうち、第1半導体領域から離れ、第2半導体領域に近い部分すなわち、半導体基板の縁部側の部分には、第1電極からのキャリアの流入が抑制される。リカバリ動作時には、第2半導体領域の第1導電型の不純物濃度が第3半導体領域の第1導電型の不純物濃度より高いため、第4半導体領域のうち第2半導体領域に近い部分に存在するキャリアは、第2半導体領域の底面のうちの第1半導体領域とは反対側に位置する端部に集中する。この端部から第2半導体領域内に流れたキャリアは、第2半導体領域から、第2半導体領域と第1半導体領域との間に位置する第3半導体領域を通過して、第1半導体領域に流れる。そして、キャリアは、第1半導体領域を通過して、第1半導体領域と第1電極とが接触している領域の外周縁に流れる。ここで、第3半導体領域の第1導電型の不純物濃度は、第2半導体領域の不純物濃度よりも低いため、第3半導体領域の抵抗値は第2半導体領域よりも高い。また、上述したように、順電圧が印加されている際に、第4半導体領域のうち第2半導体領域に近い部分に流入するキャリアの量が抑制されている。このため、第2半導体領域の底面の端部に集中するキャリアの量が低減される。この結果、リカバリ動作時に、キャリアが、第1半導体領域と第1電極とが接触している領域の外周縁付近に集中することを抑制することができる。即ち、上記の半導体装置によれば、リカバリ動作時に、第1半導体領域と第1電極とが接触している領域の外周縁付近に電流が集中することを抑制することができる。上記の半導体装置では、第3半導体領域の第1導電型の不純物濃度を低くして、リカバリ動作時に、第3半導体領域が完全に空乏化したとしても、第4半導体領域のうち第2半導体領域に近い部分に存在するキャリアが集中する位置は、第2半導体領域の底面の端部から変化しない。このため、従来の技術と比較して、第3半導体領域の第1導電型の不純物濃度をより低くすることができ、順電圧が印加されている際に、第4半導体領域のうち第2半導体領域に近い部分に流入するキャリアの量をより低減することができる。この結果、リカバリ動作時に、キャリアが、第2半導体領域から第1半導体領域と第1電極とが接触している領域の外周縁に到達することをより抑制することができる。半導体基板は、半導体基板の表面に位置すると共に第3半導体領域と半導体基板の縁部との間に位置し、第3半導体領域の側面に接触すると共に第4半導体領域に接触する第1導電型の第5半導体領域をさらに備えていてもよい。第5半導体領域の第1導電型の不純物の濃度は、第3半導体領域の第1導電型の不純物の濃度より低くてもよい。この構成によれば、半導体装置の耐圧を高くすることができる。上記の半導体装置では、第3半導体領域の第1導電型の不純物濃度を一定としてもよいし、一定としなくてもよい。第3半導体領域の第1導電型の不純物濃度を一定としない場合は、例えば、次の構成を採ることができる。すなわち、第3半導体領域は、第1半導体領域の側面及び底面を覆っている第1半導体部分と、第2半導体領域の側面及び底面を覆っている第2半導体部分と、を備えることができる。第2半導体部分の第1導電型の不純物の濃度は、第1半導体部分の第1導電型の不純物の濃度よりも低くすることが好ましい。第2半導体部分の不純物濃度を、第1半導体部分の不純物濃度よりも低くすることによって、上記の半導体装置に順電圧が印加されている状態で、第4半導体領域のうち第2半導体領域に近い部分に注入されるキャリアの量を効果的に低減することができる。本発明によると、リカバリ動作時の電流集中をより抑制することができ、リカバリ動作時に、半導体装置が破壊されることを防止することができる。実施例1に係るダイオード10について図面を参照して説明する。図1は、ダイオード10の概略断面図を示している。ダイオード10は、半導体基板12と、アノード電極14と、カソード電極16と、絶縁膜18と、保護膜20と、を備えている。アノード電極14は、半導体基板12の表面12a上に形成されている。アノード電極14と半導体基板12の表面12aとが接触している領域を中心領域70と呼ぶ。中心領域70よりも、半導体基板12の縁部側図1の右側に位置する領域を周辺領域72と呼ぶ。なお、図1は、図2のII線に対応する箇所の断面図である。図2は、半導体基板12の表面12aを示しており、表面12a上に形成されているアノード電極14、絶縁膜18、及び、保護膜20は図示されていない。図1に示すように、周辺領域72は、半導体基板12の外周縁を一巡し、中心領域70の周囲を囲んでいる。図1に示すように、絶縁膜18は、周辺領域72において、半導体基板12の表面12aに形成されている。絶縁膜18は、半導体基板12とアノード電極14との間を電気的に絶縁している。保護膜20は、アノード電極14の一部及び絶縁膜18を覆っている。なお、アノード電極14は、外部と接続可能とされている。カソード電極16は、半導体基板12の底面12cに形成されている。半導体基板12の表面12a側には、P型のアノード領域30が形成されている。アノード領域30は、中心領域70及び周辺領域72に跨って形成されている。アノード領域30は、高濃度領域30aP層と、中濃度領域30bP層と、低濃度領域30cP-層と、を備える。3個の領域30a,30b,30cのうち、高濃度領域30aの不純物濃度が最も高く、中濃度領域30bの不純物濃度が次に高く、低濃度領域30cの不純物濃度が最も低い。高濃度領域30aの表面の不純物濃度は、例えば1×1018~1×1019/cm3とし、中濃度領域30bの表面の不純物濃度は、例えば1×1017~5×1017/cm3とし、低濃度領域30cの表面の不純物濃度は、例えば1×1016~5×1016/cm3とすることができる。高濃度領域30aは、半導体基板12の表面側に形成されている。高濃度領域30aは、半導体基板12の表面に露出している。図2に示すように、複数個図2では5個の高濃度領域30aが、半導体基板12の表面側に形成されている。各高濃度領域30aは、半導体基板12を平面視した場合に、矩形状に形成されている。図1に示すように、高濃度領域30aは、アノード電極14と電気的に接触している。中濃度領域30bは、半導体基板12の表面側に形成されている。中濃度領域30bは、半導体基板12の表面に露出している。図2に示すように、中濃度領域30bは、高濃度領域30aの外側半導体基板12の縁側を一巡して、高濃度領域30aを囲っている。図1に示すように、中濃度領域30bは、絶縁膜18と接触している。即ち、中濃度領域30bは、アノード電極14から絶縁されている。低濃度領域30cは、ドリフト領域50a側から、高濃度領域30a及び中濃度領域30bの底面及び側面を覆っている。即ち、高濃度領域30a及び中濃度領域30bは、低濃度領域30cによって、後述するドリフト領域50aから分離されている。また、低濃度領域30cは、高濃度領域30aと中濃度領域30bとの間に位置して、高濃度領域30aと中濃度領域30bとを分離している。中濃度領域30bの右端半導体基板12の縁側の端と低濃度領域30cの右端半導体基板12の縁側の端との距離L1は、例えば、低濃度領域30cの深さ図1の上下方向の長さと同程度となるように形成することができる。また、中濃度領域30bの幅D図1の左右方向の長さは、例えば、10μm程度とすることができる。また、高濃度領域30a及び中濃度領域30bの深さは、2μm程度とすることができ、低濃度領域30cの深さは、5μm程度とすることができる。アノード領域30の右側端半導体基板12の縁端側には、リサーフ領域40P――層が形成されている。リサーフ領域40の不純物濃度は、低濃度領域30cの不純物濃度よりも低い。図1に示すように、アノード領域30の下側には、n-型のドリフト領域50aが形成されている。また、ドリフト領域50aの下側には、不純物濃度が高いカソード領域50bn層を備える。ドリフト領域50aは、アノード領域30及びリサーフ領域40と接する範囲に形成されている。カソード領域50bは、カソード電極16と接する範囲に形成されている。カソード電極16は、半導体基板12の底面12cの全体を覆っている。なお、半導体基板12の縁端には、互いに電気的に接続されているストッパ領域60n層と、ストッパ電極62と、が形成されている。次に、ダイオード10の動作について説明する。ダイオード10に順電圧を印加すると、ホールは、アノード電極14から高濃度領域30aを介して低濃度領域30cに流れ、低濃度領域30cを通過してドリフト領域50aに流入する。アノード電極14からドリフト領域50aにホールが流入するのと同時に、電子が、カソード電極16から、カソード領域50bを通過してドリフト領域50aに流入する。ドリフト領域50aに流入したホールはカソード電極16へ流れ、ドリフト領域50aに流入した電子はアノード電極14へ流れる。すなわち、ダイオード10がオンする。このとき、周辺領域72のドリフト領域50aには、低濃度領域30c内のホールが流入する。低濃度領域30cの不純物濃度は高濃度領域30aの不純物濃度と比較して低いため、低濃度領域30c内のホールの量は、中心領域70高濃度領域30aから離れた周辺領域72において少なくなる。このため、ダイオード10に順電圧が印加された際に、周辺領域72のドリフト領域50aに流入するホールの量が、少なく抑えられる。なお、中濃度領域30bは、アノード電極14と接触していないため、アノード電極14から中濃度領域30bを介して低濃度領域30cにホールが流入することはない。その結果、周辺領域72に中濃度領域30bを形成しても、それによって周辺領域72のドリフト領域50aに流入するホール量が増加することはない。次に、ダイオード10に逆電圧を印加すると、リカバリ動作が発生する。即ち、ドリフト領域50a内の電子は、カソード領域50bを通過してカソード電極16に排出される。また、ドリフト領域50a内のホールは、低濃度領域30cを通過して、高濃度領域30aからアノード電極14に排出される。リカバリ動作時のドリフト領域50a内のホールの動きについて、より詳細に説明する。中心領域70内のホールは、低濃度領域30cから高濃度領域30aに向かって流れ、高濃度領域30aからアノード電極14に排出される。中心領域70内のホールは、アノード電極14の底面のうち、高濃度領域30aと接触する部分以下、接触面14bというの全域に亘って分散された状態で、アノード電極14に排出される。一方において、周辺領域72内のホールは、概して2通りの経路R1,R2に分かれて、アノード電極14に到達する。経路R1では、ホールは、ドリフト領域50a内を周辺領域72から中心領域70に向かう方向に進む。次いで、ホールは、低濃度領域30cから高濃度領域30aに向かって流れ、高濃度領域30aからアノード電極14に排出される。この場合、中心領域70内のホールと同様に、アノード電極14の接触面14bの全域に亘って分散された状態で、アノード電極14に排出される。経路R2は、周辺領域72のうちの中濃度領域30bよりも半導体基板12の縁側に位置するホールが主に通過する経路である。経路R2では、ホールは、まず、自身に最も近い中濃度領域30bに向かって移動する。中濃度領域30bに向かって移動するホールは、中濃度領域30bの底面のうち、半導体基板12の縁側の端部図1の角部Cに集中して移動する。角部Cに到達したホールは、中濃度領域30bを通過し、中濃度領域30bと高濃度領域30aとの間の低濃度領域30cを通過して、高濃度領域30aからアノード電極14に排出される。経路R2を通過したホールは、アノード電極14の接触面14bのうち、周辺領域72側の端辺に集中する。従って、経路R2を通過するホールの量が多いと、アノード電極14の接触面14bの端辺に過大な電流が流れ、この結果、ダイオード10が発熱して、ダイオード10が破壊される虞がある。本実施例のダイオード10では、周辺領域72のドリフト領域50a内のホールが集中する位置が第2半導体領域の底面の端部から変化しないため、低濃度領域30cの不純物濃度を低くすることができる。そのため、ダイオード10に順電圧が印加される際に、周辺領域72のドリフト領域50aに流入するホールの量を低減することができる。この結果、経路R2を通過するホールの量を低減することができる。また、周辺領域72のドリフト領域50aに流入するホールの量が低減されるため、角部Cに集中するホールの量も低減する。即ち、角部Cの電界の大きさが緩和される。この結果、電界によって加速された電子が原子に衝突して、新たに電子及びホールが発生されることを抑制することができる。さらに、経路R2では、ホールは、中濃度領域30bと高濃度領域30aとの間の低濃度領域30cを通過する。低濃度領域30cの不純物濃度が低いため、低濃度領域30cの抵抗値は比較的に高い。このため、周辺領域72のドリフト領域50a内のホールは、経路R2より経路R1を流れ易くなる。その結果、経路R2を通過するホールの量を低減することができる。図3は、高濃度領域30aと中濃度領域30bとの間の距離と、リカバリ動作時にアノード電極14の接触面14bの端辺に流れる電流との関係を示すシミュレーション結果である。図3の縦軸は、接触面14bの端辺に流れる電流密度である。図3の横軸は、高濃度領域30aの右端と中濃度領域30bの右端との間の距離図1の距離L2である。図3に示されるように、距離L2を20μm以上とすることで、接触面14bの端辺に流れる電流がより低減されることがわかった。なお、距離L2が20μmを超えて長くなっても、接触面14bに流れる電流の低減効果は大きくは変化しない。距離L2を大きくすると、半導体素子として機能しない周辺領域72が大きくなるため、距離L2は60μm以下とすることが好ましい。実施例2のダイオード100について、実施例1のダイオード10と異なる点を説明する。ダイオード10の低濃度領域30cは、中心領域70と周辺領域72の境界においてアノード電極14と接触していない。これに対して、ダイオード100の低濃度領域130cは、中心領域70と周辺領域72の境界においてアノード電極14と接触している。この結果、リカバリ動作時には、経路R3を通るホールは、中濃度領域30bから、低濃度領域130cを通過して、アノード電極14に排出される。即ち、経路R3を通るホールは、高濃度領域30aを通過しない。低濃度領域130cとアノード電極14との接触抵抗は大きいため、実施例1の経路R2と比較して、経路R3を流れるホール量をより低減する。実施例3のダイオード200について、実施例1のダイオード10と異なる点を説明する。図5に示すように、ダイオード200の低濃度領域230cは、比較的に不純物濃度が高い第1部分230dと、比較的に不純物濃度が低い第2部分230eと、を含んでいる。第2部分230eは、第1部分230dよりも半導体基板12の縁側に位置する。低濃度領域230cを第1部分230dと第2部分230eに分けることによって、第1部分230dの不純物濃度は中心領域70に適した不純物濃度とすることができ、第2部分230eの不純物濃度は周辺領域72に適した不純物濃度とすることができる。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。1本明細書に開示される技術は、ダイオード以外に、IGBT、MOS等の半導体装置にも適用することができる。2周辺耐圧領域は、リサーフ領域40以外に、FLR領域であってもよい。3上記の各実施例において、P型半導体とN型半導体とが入れ替わっていてもよい。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"