"基板上に第1の絶縁層及び第2の絶縁層を形成し、前記第2の絶縁層上に半導体層を形成し、前記第2の絶縁層及び前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に不純物を添加し、前記第1の絶縁層、前記第2の絶縁層、及び前記ゲート絶縁膜をエッチングして、前記基板に達する第1の開口部を形成し、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、及び前記第1の開口部を覆う第3の絶縁層を形成し、前記第3の絶縁層及び前記ゲート絶縁膜をエッチングして、前記半導体層に達する第2の開口部を形成し、前記第3の絶縁層の一部及び前記第2の開口部上に導電層を形成し、前記導電層の一部及び前記第3の絶縁層上に第1の電極を形成し、前記第3の絶縁層及び前記導電層上に、前記第1の電極の一部が露出するように第3の開口部を有する隔壁層を形成し、露出した前記第1の電極上に発光層を形成し、前記発光層上に第2の電極を形成し、前記第1の開口部及び前記第3の開口部は重なっていることを特徴とする発光装置の作製方法。請求項1において、前記第3の絶縁層は、前記第1の電極の屈折率と前記基板の屈折率との間の屈折率を有することを特徴とする発光装置の作製方法。請求項1または2において、前記第3の絶縁層の屈折率は、前記第1の電極の屈折率より小さいことを特徴とする発光装置の作製方法。基板上に設けられた第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に設けられた第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層及び前記第2の絶縁層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜及び前記基板上に設けられた第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層の一部及び前記半導体層上に設けられた導電層と、前記第3の絶縁層及び前記導電層上に設けられた第1の電極と、前記第3の絶縁層及び前記導電層上に設けられ、前記第1の電極の一部が露出するように第3の開口部が設けられた隔壁層と、露出した前記第1の電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第2の電極と、を有し、前記第1の絶縁層、前記第2の絶縁層、及び前記ゲート絶縁膜に、前記基板に達する第1の開口部が設けられ、前記第3の絶縁層及び前記ゲート絶縁膜に、前記半導体層に達する第2の開口部が設けられ、前記第1の開口部及び前記第3の開口部は重なっていることを特徴とする発光装置。請求項4において、前記第3の絶縁層は、前記第1の電極の屈折率と前記基板の屈折率との間の屈折率を有することを特徴とする発光装置。請求項4または5において、前記第3の絶縁層の屈折率は、前記第1の電極の屈折率より小さいことを特徴とする発光装置。本発明は、発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減された発光装置を提供することを課題とする。上記課題を解決する為の本発明の構成の一つは、基板上に形成された第1の絶縁層を有し、前記第1の絶縁層には前記基板に達する開口部が形成されており、前記開口部を覆って第2の絶縁層が形成されており、前記第2の絶縁層上には前記開口部の少なくとも一部に重なって発光素子が設けられている事を特徴とする。また、本発明の他の構成は、基板と、前記基板上に形成された第1の絶縁層と前記絶縁層上に形成された半導体層と、記半導体層を覆って形成されたゲート絶縁層と、前記半導体層及び前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート絶縁層とを有し、前記ゲート絶縁層には前記第1の絶縁層を貫通し、前記基板まで達する開口部が設けられており、前記ゲート絶縁層、前記ゲート電極及び前記開口部を覆って第2の絶縁層が形成されており、前記第2の絶縁層上には発光前記開口部の少なくとも一部に重なって発光素子が設けられている事を特徴とする。また、本発明の他の構成は上記構成において、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層は単層構造であることを特徴とする。また、本発明の他の構成は上記構成において、前記第1の絶縁層又は/及び前記第2の絶縁層は多層構造であることを特徴とする。また、本発明における他の構成は、上記構成において、前記発光素子は第1の電極と発光層と第2の電極を有しており、前記第1の電極が前記第2の電極より前記基板側に形成されており、前記第2の絶縁層は前記第1の電極の屈折率と前記基板の屈折率の間の屈折率を有していることを特徴とする。また、本発明における他の構成は、上記構成において、前記発光素子は第1の電極と発光層と第2の電極を有しており、前記第1の電極が前記第2の電極より前記基板側に形成されており、前記開口部における前記第1の電極から前記基板までの間に存在するそれぞれの層が有する屈折率は前記基板側に近いほど小さいことを特徴とする。本発明によって、発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減された発光装置を得ることができる。また、発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減されることによって、視認性に優れた画像を提供できる表示装置等を得ることができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本発明の発光装置について、図1を参照しながら説明する。基板11上には、絶縁層12aおよび絶縁層12bが設けられている。絶縁層12bの上には、半導体層14とゲート絶縁膜15とゲート電極16とを有するトランジスタ17が設けられている。また、トランジスタ17は絶縁層21に覆われている。ここで基板11はガラスや石英などの透光性を有するものを用いる。また、プラスチックなどの仮称性を有するものを基板11として用いても良い。このほか、透光性を有し、トランジスタ17や発光素子24を支える為の支持体としての機能を有するものであれば基板11として用いることができる。また、本形態において、絶縁層12a、12bは、基板11から拡散する不純物がトランジスタ17に混入するのを阻止する為に設けられており、それぞれ別の物質からなる。なお、絶縁層12a、12bは、酸化珪素や窒化珪素、又は酸素を含む窒化珪素などからなる層であることが望ましい。ただし、この他の材料からなる層であっても良い。なお、本形態では絶縁層12は12aと12bの多層で形成されているが単層でもかまわない。また、基板11からの不純物の混入が十分に抑制されている場合は、絶縁膜12は特に設けなくとも良い。また、トランジスタ17と絶縁層21との間に図3に示したようにトランジスタ17を覆って絶縁層31を設けても良い。絶縁層31は珪素を含む絶縁材料により形成すると良い。絶縁層31を形成後、加熱を行うことで半導体層14のダングリングボンドを絶縁層31に含まれる水素によって終端することができる。発光素子24は、第1の電極20と第2の電極23との間に発光層22を挟んでなっている。第1の電極20と第2の電極23はいずれか一方が陽極、他方が陰極として機能する。また、第1の電極20はインジウム錫酸化物ITO:IndiumTinOxide等の透光性を有する導電物からなることが望ましい。なお、ITO以外に、酸化珪素を含有するITOや、酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛を含有したIZOIndiumZincOxide、もしくは酸化亜鉛などを用いても良い。また、発光層22は、発光物質を含み、単層、または多層で構成される。なお、発光層22は有機物もしくは無機物のいずれからなるものであっても良いし、または無機物と有機物の両方を含むものでも良い。トランジスタ17と発光素子24とは導電体からなる接続部19aを介して電気的に接続している。なお、接続部19aは絶縁層21上に設けられており、さらに絶縁層21を貫通するコンタクトホールを介して半導体層14に至る。また、接続部19aの一部又は全体が第1の電極20と接している。絶縁層12a、12b及びゲート絶縁膜15には基板11の一部が露出するように開口部25が設けられている。そして、開口部25は絶縁膜21により覆われている。絶縁膜21は絶縁性であり、且つ平坦化効果の高い材料により形成し、絶縁膜21を形成することで開口部25による段差を緩和し、平坦化する。絶縁膜21の材料としてはケイ素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む、または置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料、いわゆるシロキサンやアクリル、ポリイミドの塗布膜を用いると良い。また、絶縁膜21は本実施の形態のように単層であるのが良いが、多層とした場合は発光層から発した光が取り出される方向に向かって積層されている膜の屈折率が小さくなってゆく構造であることが望ましい。この際、光の取り出される場所において、基板11に接している層の屈折率は基板11より大きいことが望まれる。発光素子24は絶縁膜21上に設けられており、さらに発光素子24と開口部25は一部、もしくは全部が重なって配置されている。このような素子構成であれば、発光素子24から発した光が外に出るまでの間に通過する層の数が従来図10参照より減るため、薄膜間の多重干渉による影響を小さくすることが可能となり、発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減される。また、絶縁層15の材料に第2の電極23と基板11の間の屈折率を有する材料を用いることが望ましい。なお、トランジスタ17の構造については特に限定されない。シングルゲート型でも良いし、マルチゲート型でも良い。また、シングルドレイン構造でもよいし、LDDLightlyDopedDrain構造、もしくはLDD領域とゲート電極とがオーバーラップしたような構造でも良い。図2は、本発明の発光装置の上面図である。なお、図2において、破線A-Bで表される部分の一部の断面が図1の断面図で表されている。従って、図1として上記で説明してきたものと同一部分については同じ記号を付してある。つまり、14は半導体層であり、16はゲート電極であり、19bは配線であり、19aは接続部である。また、20は第1の電極であり、22は発光層であり、25は開口部が存在する部分を示している。また、図1には記載されていないが、19c、29a、29bは配線であり、27、28はトランジスタである。また、図4に示したように、絶縁層21の上部に絶縁層21とは異なる材料で形成された絶縁層18を形成しても良い。絶縁層18は接続部19aをエッチングする際、絶縁層21までエッチングされてしまう事を防ぐ役割や、絶縁層21から発光素子24に悪影響を及ぼす水などが侵入するのを防ぐ役割があり、窒化珪素膜などの材料からなる。もちろんこれらのことが気にならないのだとしたら設ける必要はない。また、絶縁層18を形成することで一層薄膜が増えてしまうが、絶縁層18を第1の電極20と絶縁層21の屈折率の間の屈折率を有する様な材料で形成すれば、反射による多重干渉の影響を多少和らげることが可能である。また、絶縁層21からの水などの発光素子24への水等の侵入が心配されなければ、図5のように発光素子24が形成される部分において絶縁層18を除去してしまっても良い。これにより発光する部分においては層の数が図1と同じになるため、図4の構成よりは多重干渉の影響を抑えつつ、接続部19aのエッチングの際に絶縁層21もエッチングされてしまう事を防ぐことができる。図6に示した構造のように、開口部25の形成をガラス基板11が露出するまで行わず、絶縁層32のように残した構造も考えられる。この場合、発光層22から光が取り出される迄の層の数が減っている為、図1や図5ほどではないが、従来の構成図10より多重干渉の影響を抑えることができ、光の透過率も向上させることができる。また、発光層から発した光が取り出される方向に向かって積層されている膜の屈折率が小さくなってゆく構造であることが望ましいため、絶縁層32の屈折率は基板11と絶縁層21の間の屈折率を有していることが望ましい。なお、本構成では基板11が絶縁層32により覆われているため、基板11からの不純物の侵入が危惧される場合でも用いることが可能な構成である。以上に示した本発明の発光装置は、発光素子からの発光を外部に取り出す際に、発光が通過する総数が低減されている。従って、層と層との界面において、発光素子からの発光が反射する回数または反射量が軽減され、結果として、反射光に起因した多重干渉が抑制される。このように本発明の発光装置は、多重干渉を抑制できるような構造を有するものであり、発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減された、視認性が良好な発光装置である。また、本発明と同様な効果を得る為に、絶縁層21を下層の絶縁層絶縁層12a、12b、15、31などが露出するまで、あるいは、基板11が露出するまで開口部を形成する構成も考えられるが、このような構成であると、第1の電極20や発光層21の段切れが起きてしまう恐れがある。また、隔壁30の末端を開口部の内側に作成しなければいけないため、開口率が低下してしまう。実施の形態2本実施の形態では、図1、図2に示した本発明の発光装置の作製方法について図7、図8を用いて説明する。基板11上に絶縁層12a、12bを順に積層した後、さらに半導体層を絶縁層12b上に形成する。次に半導体層を所望の形状に加工し、半導体層14を形成する。なお、加工は、レジストマスクを用いて半導体層をエッチングして行えばよい。次に、半導体層14及び絶縁層12b等を覆うゲート絶縁膜15を形成し、さらにゲート絶縁膜15上に導電層を積層する。続いて、当該電極層を所望の形状に加工し、ゲート電極16を形成する。ここで、ゲート電極16と共に配線29aと29bも形成する。なお、加工はレジストマスクを使用して当該導電層をエッチングして行えばよい。次に、ゲート電極16をマスクとして、半導体層14に高濃度の不純物を添加する。これによって、半導体層14、ゲート絶縁膜15及びゲート電極16を含むトランジスタ17が作成される。なお、トランジスタの作成工程については特に限定されず所望の構造のトランジスタを作成できるように適宜変更すればよい。続いて、絶縁層12a、12b及びゲート絶縁膜15をに開口部25を形成する。開口部25はレジストマスクを用いてこれらを基板11が露出するまでエッチングする事によって形成すれば良く、ウエットエッチングでも、ドライエッチングでも行うことができる。図3のように絶縁層31を形成する場合は、ゲート電極16を形成した後、絶縁層31を形成し加熱を行って半導体層14の水素化を行ってから開口部25の形成を行うとよい。次に、開口部25、ゲート電極16、ゲート絶縁膜15、配線29a、29bを覆う絶縁層21を形成する。本実施の形態では、絶縁層18はシロキサンなどの自己平坦性を有する無機物を用いて形成している。ただし、これに限らず、自己平坦性を有する有機物を用いても良い。絶縁層21に自己平坦性を有する物質を用いることで、開口部25が形成されていることでできている段差を平坦化することができる。絶縁層21は自己平坦性を有する物質からなる層と、事項平坦性を持たない物質からなる層とを組み合わせて形成した多層構造の膜であってもよいが、作成される発光装置の光が取り出される方向に向かうにつれて基板11も含めその屈折率が小さくなってゆくように積層することが望ましい。続いて、絶縁層21を貫通して半導体層14に至るコンタクトホールを形成する。そして、当該コンタクトホールや絶縁層21等を覆う導電層を形成する。当該導電層は所望の形状に加工し、接続部19a、配線19b及び配線19c等が形成される。次に透光性を有する導電層を接続部19aなどを覆うように形成した後、当該導電層を加工し、第1の電極20を形成する。ここで、第1の電極20は、1部が接続部と接し、また、開口部25と重なる用に形成される。次に、第1の電極の一部が露出されるように開口部を有する隔壁層30を形成する。隔壁層30は接続部19aや絶縁層21を覆って形成される。また、隔壁層18は、感光性の樹脂材料を露光現像によって所望の形状に加工して形成しても良いし、または、感光性を有しない無機物または有機物からなる層を形成した後、これらをエッチングして所望の形状に加工して形成しても良い。続いて、隔壁層18から露出した第1の電極20を覆う発光層22を形成する。発光層22は、蒸着法やインクジェット法、スピンコート法などいずれの方法を用いて形成してもかまわない。次に、発光層22を覆う第2の電極23を形成する。これによって第1の電極20と発光層22と第2の電極23とからなる発光層24を作成することができる。なお、図3、図4、図5及び図6に示したような構造は本実施の形態で示した作成プロセスを適宜変更することで当業者であれば容易に得ることができる。本実施例では発光層22の構成について詳しく説明する。発光層は、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送物質及び発光材料で形成し、その分子数から低分子系有機化合物、中分子系有機化合物昇華性を有さず、且つ分子数が20以下、又は連鎖する分子の長さが10μm以下の有機化合物を指していう、高分子系有機化合物から選ばれた一種又は複数種の層を含み、電子注入輸送性又は正孔注入輸送性の無機化合物と組み合わせても良い。電荷注入輸送物質のうち、特に電子輸送性の高い物質としては、例えばトリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、トリス5-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-アルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また正孔輸送性の高い物質としては、例えば4,4-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:α-NPDや4,4-ビス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:TPDや4,4,4-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン略称:TDATA、4,4,4-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-トリフェニルアミン略称:MTDATAなどの芳香族アミン系即ち、ベンゼン環-窒素の結合を有するの化合物が挙げられる。また、電荷注入輸送物質のうち、特に電子注入性の高い物質としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物が挙げられる。また、この他、Alq3のような電子輸送性の高い物質とマグネシウムMgのようなアルカリ土類金属との混合物であってもよい。電荷注入輸送物質のうち、正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物MoOxやバナジウム酸化物VOx、ルテニウム酸化物RuOx、タングステン酸化物WOx、マンガン酸化物MnOx等の金属酸化物が挙げられる。また、この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニンCuPC等のフタロシアニン系の化合物が挙げられる。発光層は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、R赤、G緑、B青の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルター着色層を設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化映り込みの防止を図ることができる。フィルター着色層を設けることで、従来必要であるとされていた円偏光版などを省略することが可能となり、発光層から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素部表示画面を見た場合に起こる色調の変化を低減すことができる。発光材料には様々な材料がある。低分子系有機発光材料では、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6--4H-ピラン略称:DCJT、4-ジシアノメチレン-2-t-ブチル-6--4H-ピラン略称:DPA、ペリフランテン、25-ジシアノ-14-ビスベンゼン、NN’-ジメチルキナクリドン略称:DMQd、クマリン6、クマリン545T、トリスアルミニウム略称:Alq3、99’-ビアントリル、910-ジフェニルアントラセン略称:DPAや910-ビスアントラセン略称:DNA等を用いることができる。また、この他の物質でもよい。一方、高分子系有機発光材料は低分子系に比べて物理的強度が高く、素子の耐久性が高い。また塗布により成膜することが可能であるので、素子の作製が比較的容易である。高分子系有機発光材料を用いた発光素子の構造は、低分子系有機発光材料を用いたときと基本的には同じであり、陰極/有機発光層/陽極となる。しかし、高分子系有機発光材料を用いた発光層を形成する際には、低分子系有機発光材料を用いたときのような積層構造を形成させることは難しく、多くの場合2層構造となる。具体的には、陰極/発光層/正孔輸送層/陽極という構造である。発光色は、発光層を形成する材料で決まるため、これらを選択することで所望の発光を示す発光素子を形成することができる。発光層の形成に用いることができる高分子系の電界発光材料は、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系が挙げられる。ポリパラフェニレンビニレン系には、ポリパラフェニレンビニレンPPVの誘導体、ポリ2,5-ジアルコキシ-1,4-フェニレンビニレンRO-PPV、ポリ2-2-エチル-ヘキソキシ-5-メトキシ-1,4-フェニレンビニレンMEH-PPV、ポリ2-ジアルコキシフェニル-14-フェニレンビニレンROPh-PPV等が挙げられる。ポリパラフェニレン系には、ポリパラフェニレン[PPP]の誘導体、ポリ2,5-ジアルコキシ-1,4-フェニレンRO-PPP、ポリ2,5-ジヘキソキシ-1,4-フェニレン等が挙げられる。ポリチオフェン系には、ポリチオフェン[PT]の誘導体、ポリ3-アルキルチオフェン[PAT]、ポリ3-ヘキシルチオフェン[PHT]、ポリ3-シクロヘキシルチオフェン[PCHT]、ポリ3-シクロヘキシル-4-メチルチオフェン[PCHMT]、ポリ3,4-ジシクロヘキシルチオフェン[PDCHT]、ポリ[3-4-オクチルフェニル-チオフェン][POPT]、ポリ[3-4-オクチルフェニル-2,2ビチオフェン][PTOPT]等が挙げられる。ポリフルオレン系には、ポリフルオレン[PF]の誘導体、ポリ9,9-ジアルキルフルオレン[PDAF]、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン[PDOF]等が挙げられる。なお、正孔輸送性の高分子系有機発光材料を、陽極と発光性の高分子系有機発光材料の間に挟んで形成すると、陽極からの正孔注入性を向上させることができる。一般にアクセプター材料と共に水に溶解させたものをスピンコート法などで塗布する。また、有機溶媒には不溶であるため、上述した発光性の有機発光材料との積層が可能である。正孔輸送性の高分子系有機発光材料としては、PEDOTとアクセプター材料としてのショウノウスルホン酸CSAの混合物、ポリアニリン[PANI]とアクセプター材料としてのポリスチレンスルホン酸[PSS]の混合物等が挙げられる。また、発光層は単色又は白色の発光を呈する構成とすることができる。白色発光材料を用いる場合には、画素の光放射側に特定の波長の光を透過するフィルター着色層を設けた構成としてカラー表示を可能にすることができる。白色に発光する発光層を形成するには、例えば、Alq3、部分的に赤色発光色素であるナイルレッドをドープしたAlq3、Alq3、p-EtTAZ、TPD芳香族ジアミンを蒸着法により順次積層することで白色を得ることができる。また、スピンコートを用いた塗布法によりELを形成する場合には、塗布した後、真空加熱で焼成することが好ましい。例えば、正孔注入層として作用するポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸水溶液PEDOT/PSSを全面に塗布、焼成し、その後、発光層として作用する発光中心色素1,1,4,4-テトラフェニル-1,3-ブタジエンTPB、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-p-ジメチルアミノ-スチリル-4H-ピランDCM1、ナイルレッド、クマリン6などドープしたポリビニルカルバゾールPVK溶液を全面に塗布、焼成すればよい。発光層は単層で形成することもでき、ホール輸送性のポリビニルカルバゾールPVKに電子輸送性の1,3,4-オキサジアゾール誘導体PBDを分散させてもよい。また、30wtのPBDを電子輸送剤として分散し、4種類の色素TPB、クマリン6、DCM1、ナイルレッドを適当量分散することで白色発光が得られる。ここで示した白色発光が得られる発光素子の他にも、発光層の材料を適宜選択することによって、赤色発光、緑色発光、または青色発光が得られる発光素子を作製することができる。なお、正孔輸送性の高分子系有機発光材料を、陽極と発光性の高分子系有機発光材料の間に挟んで形成すると、陽極からの正孔注入性を向上させることができる。一般にアクセプター材料と共に水に溶解させたものをスピンコート法などで塗布する。また、有機溶媒には不溶であるため、上述した発光性の有機発光材料との積層が可能である。正孔輸送性の高分子系有機発光材料としては、PEDOTとアクセプター材料としてのショウノウスルホン酸CSAの混合物、ポリアニリン[PANI]とアクセプター材料としてのポリスチレンスルホン酸[PSS]の混合物等が挙げられる。さらに、発光層は、一重項励起発光材料の他、金属錯体などを含む三重項励起材料を用いても良い。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、他を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した場合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低消費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で形成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ることができる。三重項励起発光材料の一例としては、金属錯体をドーパントとして用いたものがあり、第三遷移系列元素である白金を中心金属とする金属錯体、イリジウムを中心金属とする金属錯体などが知られている。三重項励起発光材料としては、これらの化合物に限られることはなく、上記構造を有し、且つ中心金属に周期表の8~10属に属する元素を有する化合物を用いることも可能である。以上に掲げる発光層を形成する物質は一例であり、正孔注入輸送層、正孔輸送層、電子注入輸送層、電子輸送層、発光層、電子ブロック層、正孔ブロック層などの機能性の各層を適宜積層することで発光素子を形成することができる。また、これらの各層を合わせた混合層又は混合接合を形成しても良い。発光層の層構造は変化しうるものであり、特定の電子注入領域や発光領域を備えていない代わりに、もっぱらこの目的用の電極を備えたり、発光性の材料を分散させて備えたりする変形は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において許容されうるものである。上記のような材料で形成した発光素子は、順方向にバイアスすることで発光する。発光素子を用いて形成する表示装置の画素は、単純マトリクス方式、若しくはアクティブマトリクス方式で駆動することができる。いずれにしても、個々の画素は、ある特定のタイミングで順方向バイアスを印加して発光させることとなるが、ある一定期間は非発光状態となっている。この非発光時間に逆方向のバイアスを印加することで発光素子の信頼性を向上させることができる。発光素子では、一定駆動条件下で発光強度が低下する劣化や、画素内で非発光領域が拡大して見かけ上輝度が低下する劣化モードがあるが、順方向及び逆方向にバイアスを印加する交流的な駆動を行うことで、劣化の進行を遅くすることができ、発光装置の信頼性を向上させることができる。本実施例では本発明を利用した発光装置の構成の1例を図9参照しながら説明する。なお、形が異なっていても同様の機能を示す部分には同じ符号を付し、その説明を省略する部分もある。本実施例では、トップハット型のゲート電極16を用いたLDD構造を有するトランジスタ17が接続部19aを介して発光素子24に接続しており、実施の形態1の図3に示したような絶縁膜31が形成されている構成である。図9Aは第1の電極20が透光性を有する導電膜により形成されており、基板11側に発光層22より発せられた光が取り出される構造である。なお40は対向基板であり、発光素子24が形成された後、シール剤などを用い、基板11に固着される。対向基板40と素子との間に透光性を有する樹脂45等を充填し、封止することによって発光素子24が水分により劣化することを防ぐ事ができる。また、樹脂45が吸湿性を有していることが望ましい。さらに樹脂45中に透光性の高い乾燥剤46を分散させるとさらに水分の影響を抑えることが可能になるためさらに望ましい形態である。図9Bば第1の電極20と第2の電極23両方が透光性を有する導電膜により形成されており、基板11及び基板40両方に光を取り出すことが可能な構成となっている。また、この構成では基板11と対向基板40の外側に偏光板41、42を設けることによって画面が透けてしまうことを防ぐことができ、視認性が向上する。偏光板41、42の外側には保護フィルム43、44を設けると良い。"