"内燃機関の排気を浄化する触媒を基材に担持させて構成された触媒装置であって、前記基材に通電して基材自身を発熱させる電気加熱式の触媒装置に適用され、前記基材が、温度上昇に伴い自身の電気抵抗値が低下していく特性を有する場合において、前記基材への供給電力を目標電力とするよう、前記基材への通電をデューティ制御するデューティ制御手段と、前記基材への通電を開始してから、前記目標電力を投入可能な抵抗値となる温度に触媒温度が上昇するまでの電力不足期間における、目標電力総量に対する供給電力総量の不足分を算出する電力不足量算出手段と、を備え、前記デューティ制御手段は、前記目標電力よりも高い電力を供給するようデューティ制御する補充制御を、前記電力不足期間が経過してから前記不足分が補充されるまでの期間に実施することを特徴とする触媒通電制御装置。前記補充制御では、前記基材への供給電力が予め設定しておいた上限値を超えないように制限してデューティ制御することを特徴とする請求項1に記載の触媒通電制御装置。前記補充制御では、前記基材への通電割合を100とするようにデューティ制御することを特徴とする請求項1に記載の触媒通電制御装置。前記基材は円柱形状であり、前記基材の外周面には1対の電極が取り付けられており、前記1対の電極は、前記基材の径方向に並べて配置されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の触媒通電制御装置。しかしながら、基材への供給電力を目標電力とするよう、通電オン期間とオフ期間とのデューティ比を制御デューティ制御するにあたり、上記EHCの場合には以下の問題が生じることを本発明者らは見出した。すなわち、基材がNTC特性自身の温度上昇に伴い、自身の電気抵抗値が減少する特性を有するものである場合には、低温時に基材の抵抗値が高すぎて目標電力を投入できないことが懸念される。そこで本発明者らは、低温時であっても目標電力を投入できるように、抵抗値が低い材質の基材を選定することを検討した。しかしながら、このように低抵抗の材質を選定すると、基材への通電を開始してから時間経過とともに温度が上昇して抵抗値が低下していった時に、今度は抵抗値が低すぎてしまい、デューティ制御により供給電力が目標電力になっていたとしても、デューティ制御の通電オン期間Tonに流れる電流Imax図3参照が大電流になることは避けられない。そのため、各種電気部品を大電流対応の規格のものにしなければならなくなり、コストアップを招くことになる。要するに、低温時であっても目標電力を投入可能にすべく低抵抗の基材を選定すると、その背反として大電流が流れることになりコストアップを招く。なお、大電流を回避すべく目標電力を下げたのでは、触媒の早期活性が損なわれてしまう。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、大電流が流れることを抑制してコストダウンを図ることを、触媒の早期活性を損なわせることなく実現可能にした触媒通電制御装置を提供することにある。以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果について記載する。請求項1記載の発明では、内燃機関の排気を浄化する触媒を基材に担持させて構成された触媒装置であって、前記基材に通電して基材自身を発熱させる電気加熱式の触媒装置に適用され、前記基材が、温度上昇に伴い自身の電気抵抗値が低下していく特性NTC特性を有する場合であることを前提とする。そして、前記基材への供給電力を目標電力とするよう、前記基材への通電をデューティ制御するデューティ制御手段と、前記基材への通電を開始してから、前記目標電力を投入可能な抵抗値となる温度に触媒温度が上昇するまでの電力不足期間における、目標電力総量に対する供給電力総量の不足分を算出する電力不足量算出手段と、を備え、前記デューティ制御手段は、前記目標電力よりも高い電力を供給するようデューティ制御する補充制御を、前記電力不足期間が経過してから前記不足分が補充されるまでの期間に実施することを特徴とする。要するに上記発明は、冷間時においては基材への通電初期に目標電力を投入させることを諦めて、目標電力が投入可能な温度にまで上昇した以降にその不足分を電力投入することを着想としたものである。すなわち、上記発明では、目標電力を投入可能な抵抗値となる温度にまで触媒温度が上昇した以降に、電力不足期間における供給電力総量の不足分を補充制御により補充させる。そのため、低温時であっても目標電力を投入可能な低抵抗の基材を選定することを不要にしつつ、それにより生じた供給電力総量の不足分は補充制御により補充することで触媒の早期活性を実現できる。よって、デューティ制御の通電オン期間に大電流が流れることを抑制してコストダウンを図ることと、触媒の早期活性との両立を図ることができる。請求項2記載の発明では、前記補充制御では、前記基材への供給電力が予め設定しておいた上限値を超えないように制限してデューティ制御することを特徴とする。また、請求項3記載の発明では、前記補充制御では、前記基材への通電割合を100とするようにデューティ制御することを特徴とする。ところで、本発明に反してデューティ制御を廃止して、触媒温度が活性化温度に達するまで100通電を継続させようとすると、触媒温度を高精度で管理することは困難であり、過剰に電力供給して触媒装置を熱損傷させてしまうことが懸念される。これに対し、本発明にかかるデューティ制御によれば、目標期間内に触媒温度を活性化温度にまで上昇させるのに十分な値に目標電力を設定しておけば、触媒温度を精度良く管理できて上記熱損傷の懸念を解消できる。そして、上記発明にかかる補充制御では、上述の如く設定された目標電力よりも高い電力を供給することとなるが、補充制御の実施期間は一時的であるため熱損傷の懸念は解消できるとの思想に基づくのが上記請求項3記載の発明であり、補充制御では通電割合を100とするので、目標期間内に触媒温度を活性化温度にまで上昇させることを確実にできる。一方、上記請求項2記載の発明では、供給電力が上限値を超えないように制限して補充制御を実施するので、触媒装置が熱損傷することの懸念を確実に解消できる。請求項4記載の発明では、前記基材は円柱形状であり、前記基材の外周面には1対の電極が取り付けられており、前記1対の電極は、前記基材の径方向に並べて配置されていることを特徴とする。ここで、円柱形状の基材の外周面に電極を径方向に並べて配置した場合図1参照には、基材の中心部分P1よりも外周面に近い部分外周部分P2の方が低抵抗であるので、中心部分P1よりも外周部分P2に電流が流れやすくなる。しかも、NTC特性に起因して、電流が流れ易い外周部分P2にて温度上昇が促進されていくため、基材の温度分布にバラツキが生じ易くなる。そのため、デューティ制御により触媒温度を精度良く管理することの必要性が高い。但し、デューティ制御により供給電力が目標電力になっていたとしても、デューティ制御にかかる通電オン期間に流れる電流Imax図3参照が大電流になることは避けられない。したがって、1対の電極を径方向に並べて配置した上記発明にかかるEHCの場合には、デューティ制御が必須となり、デューティ制御にかかる通電オン期間において大電流が流れることを抑制するといった本発明の効果が好適に発揮される。ちなみに、この種の電気加熱式の触媒装置EHCには、セラミック製または金属製の基材に触媒を担持させた構成が具体例として挙げられるが、セラミック製の基材を採用した場合には、金属製に比べて先述した熱損傷のおそれが高くなる。したがって、セラミック製の基材を採用した場合に、大電流が流れることを抑制するといった本発明の効果が好適に発揮される。以下、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付しており、同一符号の部分についてはその説明を援用する。第1実施形態図1は、触媒通電制御装置の適用対象となる触媒装置の、内燃機関に対する取付け位置を示す図である。この内燃機関10は、火花点火式のガソリンエンジンを想定したものであり、車両に搭載されて走行駆動源として機能する。また、本実施形態の車両は、走行用モータ図示せずを備えており、内燃機関10及び走行用モータを駆動源として走行する。内燃機関10の排気管11には、排気中のHCを酸化させるとともに、CO、NOxを還元させて浄化する、電気加熱式の触媒装置EHC20が取り付けられている。このEHC20は、セラミック基材21に触媒を担持させて構成されている。セラミック基材21には導電性を有した材質例えばシリコンとカーボンを主成分とした材質が採用されており、セラミック基材21には一対の電極22,23が取り付けられている。そして、バッテリ40図2参照から電極22,23へ電力供給すると、プラス電極22からセラミック基材21を通じてマイナス電極23へ電流が流れる。これによりセラミック基材21自体が発熱して温度上昇する。また、セラミック基材21は円柱形状に形成されており、円柱の中心軸方向図1の左右方向が排気流れ方向と一致する向きに配置されている。また、円柱の内部には複数の排気通路が形成されるよう、図1のA矢視においてセラミック基材21は格子状に仕切られている。一対の電極22,23はセラミック基材21の外周面に取り付けられている。なお、図1の例では一対の電極22,23がセラミック基材21の径方向に並べて配置されているが、これらの電極22,23を、セラミック基材21の外周面に沿って周方向に延びるリング状に形成し、セラミック基材21の中心軸方向に並べて配置してもよい。次に、図2を用いてバッテリ40とEHC20との通電オン、オフを制御するためのハード構成を説明する。バッテリ40は、EHC20への電力供給の他に、車両に搭載された走行用モータへも電力供給するものであるため、例えばリチウム蓄電池等の、鉛蓄電池に比べてエネルギ密度が高く、かつ、鉛蓄電池に比べて高電圧例えば充電状態により下限値120V~上限値192Vのバッテリが採用されている。バッテリ40からEHC20への通電オン、オフは、MOSFETやIGBT等の半導体スイッチ50により切り替えられる。半導体スイッチ50へ印加されるゲート電圧は、駆動回路51デューティ制御手段により制御され、駆動回路51は、制御装置ECU52から出力される駆動信号に基づき作動する。なお、駆動回路51は高電圧例えば120Vで作動する各種電子部品で構成されているのに対し、ECU52デューティ制御手段は、CPU、RAM、ROM等を有するマイクロコンピュータを有して構成され、低電圧例えば5Vで作動するものである。そして、ECU52および駆動回路51は、通電制御を実施している期間に対する通電オン期間Ton図3参照の割合通電割合であるデューティ比を制御して、EHC20へ供給される電力が目標電力となるようデューティ制御する。図3の縦軸は、EHC20へ入力される電流を示す図であり、デューティ制御により間欠的に入力された電流値の平均を表した平均電流Iaveに、EHC20へ印加される電圧図2の例では120Vを乗算して得られた値が供給電力を示すこととなる。つまり、供給電力が目標電力例えば6kWとなるような平均電流Iaveとなるよう、ECU52はデューティ比を設定する。目標電力は、目標期間内に触媒温度を活性化温度にまで上昇させるのに十分な値となるよう設定されている。具体的には、触媒温度が想定される最低温度になっている状態から活性化温度にまで上昇させるのに必要な熱量を発生させるために、EHC20へ投入する必要な電力量必要供給電力総量を必要量とした場合において、目標期間内に必要量を投入するのに要する電力を目標電力として設定している。ちなみに、図2中の電圧センサ53は、一対の電極22,23間の電位差を検出するものであり、電流センサ54は、EHC20を流れる電流を検出する。そして、これらのセンサ53,54により検出された電圧検出値および電流検出値はECU52へ入力される。なお、電流センサ54による電流検出は、パワー半導体半導体スイッチ50が有する電流検出機能を利用してもよいし、シャント抵抗を用いた電流検出であってもよい。ところで、図4は、セラミック基材21の温度触媒温度Tと触媒抵抗値Rとの相関R-T特性を示すグラフであり、図示されるように、本実施形態にかかるセラミック基材21のR-T特性は、温度Tが上昇するほど抵抗値Rが低下するNTC特性である。図中の一点鎖線は基準となるR-T特性を示しているが、EHC20には機差バラツキ例えば±30を考慮すると、実際のR-T特性は実線に示す範囲内で異なる値になっていることが想定される。なお、図4bは本実施形態に係るEHC20のR-T特性であり、図4aは本実施形態の比較対象となるEHCのR-T特性であり、図4bに比べて抵抗値の低いセラミック基材21を採用した場合の例である。先ず、図4aを用いて本実施形態が解決する課題について説明する。セラミック基材21がNTC特性であるため低温であるほど抵抗値は高くなるが、セラミック基材21の材質に抵抗値の高いものを選定すると、低温Taの時にはデューティ比を100にしても平均電流Iaveが十分に高くならないため供給電力が目標電力に達しないことが懸念される。そのため、図4aでは、低温Taの時であっても目標電力を投入できる程度に抵抗値図4aの例では2.4Ωが低いものを選定している。例えば、バッテリ電圧が下限値の120Vであり低温Ta時の抵抗が2.4Ωであれば、デューティ比100時の供給電力は6kWになる120V×120V/2.4Ω=6kW。しかしながら、このように低抵抗の材質を選定すると、EHC20への通電を開始してから時間経過とともに温度が上昇して抵抗値が低下していった時に、今度は抵抗値が低すぎてしまい、デューティ制御により供給電力が目標電力になっていたとしても、デューティ制御にかかる通電オン期間Tonに流れる電流図3に示す最大電流Imaxが大電流になることは避けられない。例えば、触媒温度が目標温度600°Cに達した時の抵抗が0.65Ωであり、その時のバッテリ電圧が上限値の192Vであれば、最大電流Imaxは320Aとなる192V/0.65Ω=320A。そのため、半導体スイッチ50や駆動回路51、図示しない電気配線等の各種電気部品を、大電流対応の規格のものにしなければならなくなり、コストアップを招くことになる。そこで本実施形態では、図4bに示す如く抵抗値の高い材質を選定して、低温Taの時には、先述した機差バラツキ±30によって生じる2.4Ωから3.2Ωのセラミック基材21に対して、目標電力を投入させることを諦めている。例えば、バッテリ電圧が下限値の120Vであり低温Ta時の抵抗が3.2Ωであれば、デューティ比を100にしても供給電力は4.5kW120V×120V/3.2Ω=4.5kWにしかならず、目標電力6kWに対して不足している。但し、その不足分は、目標電力が投入可能な温度にまで上昇した以降に補充させることで、触媒の早期活性化を補償している。その一方で、上述の如く低抵抗の材質を選定したことで、触媒温度が目標温度600°Cに達した時の抵抗を0.9Ωにまで高めることができ、その時のバッテリ電圧が上限値の192Vであっても、最大電流Imaxは約213Aとなる192V/0.9Ω≒213A。よって、最大電流Imaxを低下させることができ、ひいては各種電気部品のコストアップを抑制できる。以下、目標電力よりも低い電力を供給している期間電力不足期間B1と、その不足分を供給する補充期間B2と、先述したように目標電力となるようデューティ制御している通常制御期間B3とについて、図5を用いて説明する。図5abcは、触媒温度が0°Cの時にEHC20への電力供給を開始した場合において、時間が経過して触媒温度が上昇していく際の抵抗値、供給電力、デューティ比の変化をそれぞれ示す。電力不足期間B1においては、低温Ta時に2.4Ω~3.2Ωの間で分布するセラミック基材21の場合、デューティ比を100で通電しているにも拘わらず、供給電力は目標電力に対して不足した状態である。そして、電力供給開始から時間経過とともに触媒温度が上昇していくと、抵抗値が低下していくことに伴い、t1時点で供給電力が目標電力に達する。このt1時点で補充期間B2が開始され、供給電力を目標電力よりも高くするようデューティ比を設定してデューティ制御補充制御する。図5の例では、補充期間B2中のデューティ比を100に設定している。図5b中の斜線を付した面積S1は、電力不足期間B1における目標電力総量に対する供給電力総量の不足分を示す。また、面積S2は、補充期間B2における目標電力総量に対する供給電力総量の過剰分補充分を示す。そして、補充分S2が不足分S1に達したt2時点で、供給電力を目標電力よりも高くすることを終了して補充期間B2を終了させる。このt2時点から、触媒温度が目標温度に達するt3時点までの通常制御期間B3においては、供給電力が目標電力となるよう通常のデューティ制御を実施する。図6は、図5の如くデューティ比を設定して供給電力を制御する処理手順を示すフローチャートであり、イグニッションスイッチをオン操作した時点で触媒暖機が要求された場合に、ECU52のマイコンにより所定周期で繰り返し実行される。先ず、図6のステップS10において、EHC20への通電開始から現時点までに供給してきた電力の総量供給電力総量が、先述した必要量未満であるか否かを判定する。供給電力総量が必要量に達していると判定されればS10:NO、触媒温度が目標温度に達しているとみなして、続くステップS18にて通電を停止させる。一方、供給電力総量が必要量に達していないと判定されればS10:YES、次のステップS11において現時点における駆動信号つまり指令しているデューティ比を取得する。また、次のステップS12において電圧センサ53および電流センサ54の検出値を取得して、現時点でEHC20を流れる電流および電圧を取得するとともに、取得したこれらの検出値に基づき、現時点での供給電力を算出する。なお、ステップS11,S12で取得したデューティ比および供給電力は、ステップS18にて通電停止させるまでの間は記憶させておく。つまり、デューティ比および供給電力の履歴を記憶させておく。続くステップS13では、ステップS12で取得した現時点での供給電力が、予め設定しておいた目標電力より少なくなっているか否かを判定する。供給電力<目標電力と判定されればS13:YES、図5に示す電力不足期間B1であるとみなして次のステップS14電力不足量算出手段へ進み、ステップS12で取得した供給電力の履歴に基づき、先述した不足分S1目標電力総量に対する供給電力総量の不足分を算出する。そして、続くステップS15において、供給電力=目標電力となるよう通常のデューティ制御を実施する。但し、ステップS13にて供給電力<目標電力と判定されている場合には、デューティ比を100に設定することとなる。一方、供給電力<目標電力でないと判定されればS13:NO、次のステップS16において、ステップS14で算出した不足分S1が解消されているか否かを判定する。解消されていないと判定されればS16:NO、図5に示す補充期間B2であるとみなしてステップS17へ進み、デューティ比を強制的に100に設定する。一方、不足分S1が解消されていると判定されればS16:YES、図5に示す通常制御期間B3であるとみなしてステップS15へ進み、供給電力=目標電力となるよう通常のデューティ制御を実施する。以上により、図6の処理を実施すれば、図5aに示す抵抗値変化に合わせて図5bの如く供給電力が推移することとなるよう、図5cの如くデューティ比が設定されることとなる。以上詳述した本実施形態によれば、目標電力を投入可能な抵抗値となる温度にまで触媒温度が上昇した以降の補充期間B2に、デューティ比を強制的に100にすることで、電力不足期間B1における供給電力総量の不足分S1を補充させる。そのため、低温Taの時であっても目標電力を投入可能な低抵抗のセラミック基材21を選定することを不要にしつつ、それにより生じた前記不足分S1は補充期間B2に補充することで、EHC20の早期活性を実現できる。よって、デューティ制御の通電オン期間Tonに大電流が流れることを抑制してコストダウンを図ることと、EHC20の早期活性との両立を図ることができる。第2実施形態上記第1実施形態では、補充期間B2でのデューティ比を100に維持させているのに対し、図7に示す本実施形態では、供給電力が予め設定しておいた上限値Pmax図7b参照を超えないように制限してデューティ制御する。つまり、供給電力が目標電力に達したt1時点からデューティ比を100に維持させていると、触媒温度上昇に伴い抵抗値が低下してくるので供給電力が上昇していき、図7の例ではt4時点で供給電力が上限値Pmaxに達している。このように、補充期間B2中に供給電力が上限値Pmaxに達した場合、t4時点以降において供給電力が上限値Pmaxに維持されるようにデューティ比を低下させていく図7c中のt4~t5参照。その後、補充分S2が不足分S1に達したt5時点で、供給電力を目標電力よりも高くすることを終了して補充期間B2を終了させる。このt5時点から、触媒温度が目標温度に達するt6時点までの通常制御期間B3においては、供給電力が目標電力となるよう通常のデューティ制御を実施する。図7の如くデューティ比を設定して供給電力を制御する場合には、図6のフローチャートに係るステップS17を、図6中の一点鎖線に示すステップS17aに変更すればよい。すなわち、ステップS16にて不足分S1が解消されていないと判定された場合S16:NO、図7に示す補充期間B2であるとみなしてステップS17aへ進み、供給電力が上限値Pmaxを超えないよう制限しつつ、デューティ比を最大の値に設定してデューティ制御補充制御する。以上により、本実施形態によれば、上記第1実施形態と同様の効果が発揮されることに加え、次の効果が発揮される。すなわち、補充期間B2において供給電力が上限値Pmaxを超えないように制限するので、セラミック基材21および触媒が熱損傷する懸念を確実に解消できる。他の実施形態本発明は上記実施形態の記載内容に限定されず、以下のように変更して実施してもよい。また、各実施形態の特徴的構成をそれぞれ任意に組み合わせるようにしてもよい。上記各実施形態では、図6のステップS10において、供給電力総量が必要量に達しているか否かに基づき、触媒温度が目標温度に達しているか否かを判定しているが、触媒温度を温度センサで検出し、その温度検出値に基づいて触媒温度が目標温度に達しているか否かを判定するようにしてもよい。或いは、電流検出値および電圧検出値に基づきセラミック基材21の抵抗値を算出し、その抵抗値から触媒温度を推定し、その推定温度に基づいて触媒温度が目標温度に達しているか否かを判定するようにしてもよい。上記各実施形態では、図6の処理をECU52のマイコンに実施させているが、電力量を監視させる回路例えばコンデンサーをタイマーとして機能させる回路等を駆動回路51に設け、図6の処理を駆動回路51で実施させるようにしてもよい。上記各実施形態にかかる電圧センサ53および電流センサ54は、図2に示すように、EHC20の電極22,23の近傍での電圧および電流を検出している。これに対し、駆動回路51および半導体スイッチ50を筐体に収容して構成される駆動回路ユニットの内部に電圧センサおよび電流センサを配置して、駆動回路ユニットの内部における電圧および電流を検出するようにしてもよい。上記各実施形態では、一対の電極22,23がセラミック基材21の径方向に並べて配置されているが、これらの電極22,23を、セラミック基材21の外周面に沿って周方向に延びるリング状に形成し、セラミック基材21の中心軸方向に並べて配置してもよい。上記各実施形態では、EHC20の基材にセラミック基材21を採用しているが、金属製の基材を採用するようにしてもよい。また、図2に示す例では半導体スイッチ50を、EHC20に対して低電圧側負極側に配置しているが、EHC20に対して高電圧側正極側に配置してもよい。"