被処理物がそれぞれ配設され、配設された前記被処理物に対してプラズマ処理を行う2つの真空チャンバと、前記2つの真空チャンバのそれぞれに設けられた電極部と、前記2つの真空チャンバに真空排気配管を介して接続され、前記2つの真空チャンバ内を真空排気する単一の真空ポンプと、前記真空排気配管に設けられ、前記2つの真空チャンバと前記単一の真空ポンプとを断接することで前記2つの真空チャンバのいずれを前記真空ポンプと接続するかを切り換える真空バルブと、前記2つの真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記電極部に高周波電圧を印加する高周波電源部とを備えるプラズマ処理装置。前記プラズマ処理装置は、さらに、前記真空バルブを制御する制御部を備え、前記制御部は、前記2つの真空チャンバのうちの一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記一の真空チャンバを前記プラズマ処理が可能な所定の圧力とした後、前記2つの真空チャンバのうちの他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記他の真空チャンバを前記所定の圧力とするように前記真空バルブを制御する請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記制御部は、前記一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続する時間と、前記他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続する時間とが同じになるように前記真空バルブを制御する請求項2に記載のプラズマ処理装置。プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、前記プラズマ処理装置は、被処理物がそれぞれ配設される2つの真空チャンバと、前記2つの真空チャンバのそれぞれに設けられた電極部と、前記2つの真空チャンバに真空排気配管を介して接続された単一の真空ポンプとを備え、前記2つの真空チャンバのうちの一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記一の真空チャンバを真空排気する第1真空排気工程と、真空排気された前記一の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、前記一の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、前記一の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第1プラズマ処理工程と、前記2つの真空チャンバのうちの他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記他の真空チャンバを真空排気する第2真空排気工程と、真空排気された前記他の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、前記他の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、前記他の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第2プラズマ処理工程とを含むプラズマ処理方法。前記第1真空排気工程では、前記一の真空チャンバを前記プラズマ処理が可能な所定の圧力とし、前記第2真空排気工程では、前記一の真空チャンバ内の被処理物にプラズマ処理を行った後、前記他の真空チャンバを前記所定の圧力とする請求項4に記載のプラズマ処理方法。前記第1真空排気工程における前記一の真空チャンバを真空排気する時間と、前記第2真空排気工程における前記他の真空チャンバを真空排気する時間とが同じである請求項5に記載のプラズマ処理方法。ところで、プラズマ処理装置では、真空チャンバの圧力が高過ぎてもまた低過ぎても、プラズマが発生しないため、真空チャンバの圧力は適切な所定値とする必要がある。しかしながら、複数の真空チャンバを備えたプラズマ処理装置では、複数の真空チャンバは異なる別々の真空ポンプにて真空排気が行われるが、各真空ポンプは使用状態などによりその性能は微妙に異なる。従って、一の真空チャンバについてその圧力を適切な所定値とする真空排気条件を導出し、その真空排気条件で他の真空チャンバの真空排気を行ったとしても、他の真空チャンバの圧力は一の真空チャンバの圧力と微妙に異なる。その結果、一の真空チャンバと他の真空チャンバとで同じプラズマ処理を行うことができず、極端な場合には他の真空チャンバの圧力が適切な所定値とならずに他の真空チャンバでプラズマ処理を行うことができない。そこで、本発明は、かかる問題点に鑑み、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るプラズマ処理装置は、被処理物がそれぞれ配設され、配設された前記被処理物に対してプラズマ処理を行う2つの真空チャンバと、前記2つの真空チャンバのそれぞれに設けられた電極部と、前記2つの真空チャンバに真空排気配管を介して接続され、前記2つの真空チャンバ内を真空排気する単一の真空ポンプと、前記真空排気配管に設けられ、前記2つの真空チャンバと前記単一の真空ポンプとを断接することで前記2つの真空チャンバのいずれを前記真空ポンプと接続するかを切り換える真空バルブと、前記2つの真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記電極部に高周波電圧を印加する高周波電源部とを備えることを特徴とする。ここで、前記プラズマ処理装置は、さらに、前記真空バルブを制御する制御部を備え、前記制御部は、前記2つの真空チャンバのうちの一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記一の真空チャンバを前記プラズマ処理が可能な所定の圧力とした後、前記2つの真空チャンバのうちの他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記他の真空チャンバを前記所定の圧力とするように前記真空バルブを制御してもよい。また、前記制御部は、前記一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続する時間と、前記他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続する時間とが同じになるように前記真空バルブを制御してもよい。本態様によれば、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置を実現することができる。また、本発明の一態様に係るプラズマ処理方法は、プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、前記プラズマ処理装置は、被処理物がそれぞれ配設される2つの真空チャンバと、前記2つの真空チャンバのそれぞれに設けられた電極部と、前記2つの真空チャンバに真空排気配管を介して接続された単一の真空ポンプとを備え、前記2つの真空チャンバのうちの一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記一の真空チャンバを真空排気する第1真空排気工程と、真空排気された前記一の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、前記一の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、前記一の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第1プラズマ処理工程と、前記2つの真空チャンバのうちの他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記他の真空チャンバを真空排気する第2真空排気工程と、真空排気された前記他の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、前記他の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、前記他の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第2プラズマ処理工程とを含むことを特徴とする。ここで、前記第1真空排気工程では、前記一の真空チャンバを前記プラズマ処理が可能な所定の圧力とし、前記第2真空排気工程では、前記一の真空チャンバ内の被処理物にプラズマ処理を行った後、前記他の真空チャンバを前記所定の圧力としてもよい。また、前記第1真空排気工程における前記一の真空チャンバを真空排気する時間と、前記第2真空排気工程における前記他の真空チャンバを真空排気する時間とが同じであってもよい。本態様によれば、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理方法を実現することができる。本発明によれば、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を実現できるという効果が奏される。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。本発明は、特許請求の範囲だけによって限定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。また、図面において、実質的に同一の構成、動作、および効果を表す要素については、同一の符号を付す。図1は、本発明の実施の形態のプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。このプラズマ処理装置は、被処理物としての基板30a及び30bがそれぞれ配設され、配設された基板30a及び30bに対してプラズマ処理を行うための2つの真空チャンバ2a及び2bと、2つの真空チャンバ2a及び2bのそれぞれに設けられた電極部としての第1高周波電極28a及び28b並びに第2高周波電極29a及び29bと、2つの真空チャンバ2a及び2bに真空排気配管63a及び63bを介して接続され、2つの真空チャンバ2a及び2b内を真空排気する単一の真空ポンプ61と、真空排気配管63a及び63bに設けられ、2つの真空チャンバ2a及び2bと単一の真空ポンプ61とを断接することで2つの真空チャンバ2a及び2bのいずれを真空ポンプ61と接続するかを切り換える真空バルブ62と、2つの真空チャンバ2a及び2b内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部4と、電極部に高周波電圧を印加する高周波電源部3とを備える。プラズマ処理装置は、さらに、真空バルブ62を制御する制御部7を備え、制御部7は、一の真空チャンバと真空ポンプ61とを接続して一の真空チャンバをプラズマ処理が可能な所定の圧力とした後、他の真空チャンバと真空ポンプ61とを接続して他の真空チャンバを所定の圧力とするように真空バルブ62を制御する。このとき、制御部7は、一の真空チャンバと真空ポンプ61とを接続する時間と、他の真空チャンバと真空ポンプ61とを接続する時間とが同じになるように真空バルブ62を制御する。以下、本実施の形態に係るプラズマ処理装置について詳細に説明する。図1のプラズマ処理装置は、例えばベアチップを直接ワイヤボンディングする際に、ボンディングにおけるボンディングパッドとボンディングワイヤとの接合強度を向上させるため、基板のボンディングパッドを乾式で洗浄するプラズマ洗浄装置である。図1のプラズマ洗浄装置は、内部にプラズマが発生し、導入した基板30aが処理洗浄される真空チャンバ2aと、内部にプラズマが発生し、導入した基板30bが処理される真空チャンバ2bと、一対の真空チャンバ2a及び2bに交互に高周波電圧を印加する高周波電源部3と、一対の真空チャンバ2a及び2bにプラズマ発生用ガスであるアルゴンガス及びリークのための窒素ガスを交互に供給するガス供給部4と、各真空チャンバ2a及び2b内を真空状態にする真空吸引部5と、真空吸引部5及び高周波電源部3を制御する制御部7とを備えている。真空チャンバ2aは、真空容器である箱状のチャンバ本体21aと、チャンバ本体21aの前面に設けられたフランジ状の蓋体22aとを有している。蓋体22aは、チャンバ本体21aに対し進退自在に構成されている。また、蓋体22aの内側には、2枚の基板30aが載置されるトレイ27aが取り付けられており、トレイ27aは蓋体22aと共に進退する。蓋体22aが後退すると、チャンバ本体21aが開放されると共に基板30aを載置したトレイ27aが引き出される。一方、蓋体22aが前進すると、トレイ27aがチャンバ本体21aに押し込まれると共にチャンバ本体21aが閉塞される。真空チャンバ2a内には、高周波電源部3に接続された第1高周波電極28aと、アースされた第2高周波電極29aとが設けられている。第1高周波電極28aは、トレイ27aがチャンバ本体21aに押し込まれた状態でトレイ27aの下方に配設されている。一方、第2高周波電極29aは、チャンバ本体21aを構成するケーシングにより構成されている。なお、図示しないが、チャンバ本体21aと蓋体22aとの間には、真空チャンバ2aの気密性を保持すべく、Oリング等のシール部材が介在している。真空チャンバ2bは、真空容器である箱状のチャンバ本体21bと、チャンバ本体21bの前面に設けられたフランジ状の蓋体22bとを有している。蓋体22bは、チャンバ本体21bに対し進退自在に構成されている。また、蓋体22bの内側には、2枚の基板30bが載置されるトレイ27bが取り付けられており、トレイ27bは蓋体22bと共に進退する。蓋体22bが後退すると、チャンバ本体21bが開放されると共に基板30bを載置したトレイ27bが引き出される。一方、蓋体22bが前進すると、トレイ27bがチャンバ本体21bに押し込まれると共にチャンバ本体21bが閉塞される。真空チャンバ2b内には、高周波電源部3に接続された第1高周波電極28bと、アースされた第2高周波電極29bとが設けられている。第1高周波電極28bは、トレイ27bがチャンバ本体21bに押し込まれた状態でトレイ27bの下方に配設されている。一方、第2高周波電極29bは、チャンバ本体21bを構成するケーシングにより構成されている。なお、図示しないが、チャンバ本体21bと蓋体22bとの間には、真空チャンバ2bの気密性を保持すべく、Oリング等のシール部材が介在している。高周波電源部3は、高周波電源31と、自動整合器32a及び32bと、電源切り替え器33とを有している。電源切り替え器33は、制御部7の指令により、一対の真空チャンバ2a及び2bへの高周波電源の供給を交互に切り替える。自動整合器32aは、真空チャンバ2aに印加した高周波の反射波による干渉を防止するものであり、自動整合器32bは、真空チャンバ2bに印加した高周波の反射波による干渉を防止するものである。なお、図1では、一対の真空チャンバ2a及び2bに対し別々の自動整合器32a及び32bを対応させているが、各真空チャンバ2a及び2bに対し1台の同じ自動整合器を対応させるようにしてもよい。ガス供給部4は、アルゴンガスボンベ図外及び窒素ガスボンベ図外と各真空チャンバ2a及び2bとに接続された一対のガス導入管43a及び43bを有している。ガス導入管43aは、アルゴンガス及び窒素ガスを真空チャンバ2aに供給し、ガス導入管43bは、アルゴンガス及び窒素ガスを真空チャンバ2bに供給する。ガス導入管43a及び43bには、それぞれ電磁弁で構成された切替バルブが介設され、この切替バルブによりアルゴンガス及び窒素ガスのガス量が制御される。真空吸引部5は、真空ポンプ61と、真空ポンプ61と各真空チャンバ2a及び2bとを接続する真空排気配管63a及び63bと、真空バルブ切替弁62と、圧力調整バルブ64とを有している。真空バルブ62は、制御部7の指令により、一対の真空チャンバ2a及び2bと真空ポンプ61との接続を交互に切り替える。真空バルブ62が真空チャンバ2aと真空ポンプ61とを接続した状態では、圧力調整バルブ64を介して真空排気配管63aと真空ポンプ61とが連通され、真空チャンバ2a内の真空引きが行われるが、真空排気配管63bと真空ポンプ61とは遮断され、真空チャンバ2b内の真空引きは行われない。一方、真空バルブ62が真空チャンバ2bと真空ポンプ61とを接続した状態では、圧力調整バルブ64を介して真空排気配管63bと真空ポンプ61とが連通され、真空チャンバ2b内の真空引きが行われるが、真空排気配管63aと真空ポンプ61とは遮断され、真空チャンバ2a内の真空引きは行われない。制御部7は、真空バルブ62に制御信号を送信することにより真空バルブ62の切り替えを制御し、真空チャンバ2a及び2bのいずれかを真空ポンプ61と接続するかを制御する。また、制御部7は、電源切り替え器33に制御信号を送信することにより電源切り替え器33の切り替えを制御し、真空チャンバ2a及び2bのいずれかに高周波電源を供給するかを制御する。なお、図1では、真空バルブ62及び電源切り替え器33に対し1つの同じ制御部7を対応させているが、真空バルブ62及び電源切り替え器33に対し別々の制御部7を対応させるようにしてもよい。上記構成を有するプラズマ処理装置において、真空容器である真空チャンバ2aにアルゴンなどのプラズマ発生用ガスを充填し、第1高周波電極28a及び第2高周波電極29aの間に電圧を印加することで充填されたプラズマ発生用ガスに高周波電圧を印加することで、真空チャンバ2a内にプラズマを発生させる。真空チャンバ2a内に発生したプラズマのプラスに帯電したイオンは、マイナスに帯電したボンディングパッドに向かって加速され、基板30aのボンディングパッドの表面の粒子例えばニッケル成分を叩き出すことにより、基板30aのボンディングパッドが洗浄される。同様に、空容器である真空チャンバ2bにアルゴンなどのプラズマ発生用ガスを充填し、第1高周波電極28b及び第2高周波電極29bの間に電圧を印加することで充填されたプラズマ発生用ガスに高周波電圧を印加することで、真空チャンバ2b内にプラズマを発生させる。真空チャンバ2b内に発生したプラズマのプラスに帯電したイオンは、マイナスに帯電したボンディングパッドに向かって加速され、基板30bのボンディングパッドの表面の粒子を叩き出すことにより、基板30bのボンディングパッドが洗浄される。以上のように、本実施の形態のプラズマ処理装置によれば、真空チャンバ2a及び2bについて同じ1つの真空ポンプ61で真空排気することができるので、プラズマ処理の開始時点の内部の圧力を揃えることができる。よって、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置を実現することができる。図2は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置の動作プラズマ処理方法を説明するためのタイミングチャートである。図3は、同プラズマ処理方法における真空チャンバ2a及び2b内の圧力変化を示す図である。なお、図3aは図2のt2以降の真空チャンバ2a内の圧力変化を示し、図3bは図2のt7以降の真空チャンバ2b内の圧力変化を示している。このプラズマ処理方法は、図1のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、2つの真空チャンバ2a及び2bのうちの一の真空チャンバと真空ポンプ61とを接続して一の真空チャンバを真空排気する第1真空排気工程と、真空排気された一の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、一の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、一の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第1プラズマ処理工程と、2つの真空チャンバ2a及び2bのうちの他の真空チャンバと真空ポンプ61とを接続して他の真空チャンバを真空排気する第2真空排気工程と、真空排気された他の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、他の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、他の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第2プラズマ処理工程とを含む。ここで、第1真空排気工程では、一の真空チャンバをプラズマ処理が可能な所定の圧力とし、第2真空排気工程では、一の真空チャンバ内の被処理物にプラズマ処理を行った後、他の真空チャンバを前記所定の圧力とする。このとき、第1真空排気工程における一の真空チャンバを真空排気する時間t=t2~t3と、第2真空排気工程における他の真空チャンバを真空排気する時間t=t7~t9とが同じである。以下、本実施の形態に係るプラズマ処理方法について詳細に説明する。図2のプラズマ処理方法では、まず、真空チャンバ2aに基板30aが搬入されるt=t1~t2。具体的には、トレイ27aに基板30aが載置された蓋体22aがチャンバ本体21a内に押し込まれ、チャンバ本体21aが蓋体22aで閉塞される。次に、真空チャンバ2a内が真空排気されるt=t2~t3。具体的には、制御部7の指令の下、真空バルブ62により真空チャンバ2aと真空ポンプ61とを接続することでプラズマが発生可能な所定の真空値となるまで真空チャンバ2aが真空排気される。次に、真空チャンバ2a内でプラズマが発生され、基板30aがプラズマ処理されるt=t3~t5。具体的には、ガス供給部4により真空チャンバ2a内にアルゴンなどのプラズマ発生用ガスを供給して真空チャンバ2a内をプラズマ発生用ガスで充填する。その後、制御部7の指令の下、電源切り替え器33により第2高周波電極29aと高周波電源31とを接続することで充填されたプラズマ発生用ガスに高周波電圧が印加され、真空チャンバ2a内に発生したプラズマにより基板30aがプラズマ処理される。次に、真空チャンバ2bに基板30bが搬入されるt=t4~t7。具体的には、トレイ27bに基板30bが載置された蓋体22bがチャンバ本体21b内に押し込まれ、チャンバ本体21bが蓋体22bで閉塞される。次に、真空チャンバ2a内が大気開放されるt=t5~t6。具体的には、真空チャンバ2a内が大気圧Paに昇圧されるまで、ガス供給部4により真空チャンバ2a内に窒素ガスが供給される。次に、真空チャンバ2aから基板30aが搬出されるt=t6~t8。具体的には、トレイ27aに基板30aが載置された蓋体22aがチャンバ本体21aから引き出される。次に、真空チャンバ2b内が真空排気されるt=t7~t9。具体的には、制御部7の指令の下、真空バルブ62により真空チャンバ2bと真空ポンプ61とを接続することでプラズマが発生可能な所定の真空値となるまで真空チャンバ2bが真空排気される。次に、真空チャンバ2b内でプラズマが発生され、基板30bがプラズマ処理されるt=t9~t10。具体的には、ガス供給部4により真空チャンバ2b内にアルゴンなどのプラズマ発生用ガスを供給して真空チャンバ2b内をプラズマ発生用ガスで充填する。その後、制御部7の指令の下、電源切り替え器33により第2高周波電極29bと高周波電源31とを接続することで充填されたプラズマ発生用ガスに高周波電圧が印加され、真空チャンバ2b内に発生したプラズマにより基板30bがプラズマ処理される。次に、真空チャンバ2b内が大気開放されるt=t10~t11。具体的には、真空チャンバ2b内が大気圧Paに昇圧されるまで、ガス供給部4により真空チャンバ2b内に窒素ガスが供給される。最後に、真空チャンバ2bから基板30bが搬出されるt=t11~t12。具体的には、トレイ27bに基板30bが載置された蓋体22aがチャンバ本体21bから引き出される。ここで、図2のプラズマ処理方法では、t=t2~t5の期間、つまり真空チャンバ2a内が真空排気され、基板30aがプラズマ処理されている期間において、真空バルブ62により真空チャンバ2aと真空ポンプ61とが接続される。そして、t=t5以降の期間、つまり基板30aのプラズマ処理が終了して以降の期間において、真空バルブ62が切り替えられ、t=t7~t10の期間において、つまり真空チャンバ2b内が真空排気され、基板30bがプラズマ処理されている期間において、真空バルブ62により真空チャンバ2bと真空ポンプ61とが接続される。従って、真空チャンバ2a及び2bは同じ1つの真空ポンプ61で真空排気されるので、図3に示されるように、真空チャンバ2a及び2bについて、それぞれのプラズマ処理開始までの真空排気時間を同じにすることで、プラズマ処理図3のkの開始時点図3のt3及びt9での内部の圧力を同じ圧力Ppにすることができる。これに対して、真空チャンバ2a及び真空チャンバ2bが異なる真空ポンプで異なる時間だけ真空排気され場合、例えば図4に示されるように、プラズマ処理図4のkの開始時点図4のt3及びt9において、真空チャンバ2a内部の圧力は圧力Ppになるのに対し、真空チャンバ2b内部の圧力は圧力Pm≠Ppになる。以上のように、本実施の形態のプラズマ処理方法によれば、真空チャンバ2a及び真空チャンバ2bについてプラズマ処理の開始時点の内部の圧力を揃えることができる。よって、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理方法を実現することができる。以上、本発明のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。例えば、上記実施の形態において、プラズマ処理装置はプラズマ洗浄装置であるとしたが、基板にビアホール等を形成する際に、基板に対してエッチング加工を行うドライエッチング装置であっても構わない。