第1波長を有する第1光成分2、及び前記第1波長とは異なる第2波長を有する第2光成分2を生成する少なくとも1つの光源と、前記第1光成分2の位相を変化させる位相変調器5と、2つの光成分2、2を結合する共通の光ファイバ4と、を備え、前記2つの光成分2、2を重畳することによりビート信号を生成し、前記位相変調器5は、前記少なくとも1つの光源から離れた前記光ファイバ4の端部、又は、前記光ファイバ4の途中に配置され、前記位相変調器5は、前記2つの光成分2、2の両者に対して透明であり、前記第1光成分2の前記位相を、前記第2光成分2の位相とは無関係に、又は、前記第2光成分2の前記位相よりも大きく、選択的に変化させる、可変的に調節可能な時間位置又は位相位置を有する信号を生成する機構。前記少なくとも1つの光源は、好ましくはシングルモードレーザである2つのレーザ1、1、又はデュアルモードレーザ1によって実施される請求項1に記載の機構。前記レーザ1、1の少なくとも一方、又は前記デュアルモードレーザ1は、前記光成分2、2の少なくとも一方の前記波長を変化させるように波長可変である請求項2に記載の機構。前記位相変調器5は、可動部の機械的動作を伴わずに前記第1光成分2の前記位相を変化させるように電気的に制御され、好ましくは前記第1光成分2の前記位相を少なくともπ変化させる請求項1から3のいずれか1項に記載の機構。前記位相変調器5は偏光依存性を有し、前記少なくとも1つの光源は、互いに偏光の異なる前記2つの光成分2、2を生成し、前記2つの光成分2、2の前記偏光が前記位相変調器5の2つの主軸に対応するように前記光ファイバ4によって前記位相変調器5に接続され、前記機構は、前記位相変調器5の後段に配置され、前記2つの光成分2、2のうち透過された部分を重畳する偏光子7を備える請求項1から4のいずれか1項に記載の機構。前記位相変調器5は、前記第2光成分2を反射し、前記第1波長の光を透過する波長選択反射器8と、前記第1光成分2を反射する付加反射器9と、前記第1光成分2の前記位相を変化させ、前記2つの反射器8、9の間に設けられる位相変調領域10と、を有する請求項1から4のいずれか1項に記載の機構。前記位相変調器5は、少なくとも3つの出力を有し、前記出力のうち2つが前記位相変調器5の入力及び出力に対応し、前記出力のうちの3つ目が前記波長選択反射器8に光学的に結合される循環器11又は光ファイバカプラをさらに有する請求項6に記載の機構。前記波長選択反射器8は、干渉フィルタ、又はDBR、又はPFL、又はDFB構造によって実施される請求項6又は7に記載の機構。前記波長選択反射器8及び前記付加反射器9の少なくとも一方は、前記位相変調領域10とモノリシック構造を形成する請求項6から8のいずれか1項に記載の機構。前記位相変調器5の後段に接続されるパルス圧縮器12を備える請求項1から9のいずれか1項に記載の機構。前記位相変調器5の後段に接続され、光学的な前記ビート信号を電気信号に変換する検出ユニット6を備える請求項1から10のいずれか1項に記載の機構。前記位相変調器5の前段に接続され、変調されていない2つの光成分2、2からのビート信号の一部分を分離するカプラ3を備え、前記検出ユニット6は、前記一部分及び前記位相変調器5から出力される前記ビート信号の両者を検出する請求項11に記載の機構。前記分離された一部分の光路中、又は、前記位相変調器5によってシフトされた前記ビート信号の光路中に、試料13が配置される請求項12に記載の機構。前記ビート信号のビート周波数に対応する周波数を有する電磁放射線を生成する非線形部品を備える請求項1から12のいずれか1項に記載の機構。請求項1から14のいずれか1項に記載の機構を含み、前記ビート信号、又は前記ビート信号の分離された部分、又は前記ビート信号あるいは前記ビート信号の分離された部分の再成形によって生じる光信号によって活性化される感光性素子を有するTHz送信器と、前記ビート信号の分離された部分、又は前記ビート信号、又は前記ビート信号あるいは前記ビート信号の分離された部分の再成形によって生じる光信号によって活性化される感光性素子を有するTHz受信器と、を備え、前記位相変調器5は、前記少なくとも1つの光源と前記THz受信器の前記感光性素子との間、又は、前記少なくとも1つの光源と前記THz送信器の前記感光性素子との間に配置される、THz測定システム。請求項1から14のいずれか1項に記載の機構、又は請求項15に記載のTHz測定システムを含み、前記ビート信号、又は前記ビート信号の分離された部分、又は前記ビート信号あるいは前記ビート信号の分離された部分の再成形によって生じる信号に影響を及ぼすように配置される試料と、を備えるセンサ機構。前記ビート信号に対応する信号、又は、前記ビート信号を変換して得られる信号を生成し、前記信号の時間位置又は位相位置が、前記位相変調器5を制御することにより変化する、請求項1から14のいずれか1項に記載の機構、又は請求項15に記載のTHz測定システム、又は請求項16に記載のセンサ機構の使用。ビート信号を生成する機構が図1に概略的に示されている。このビート信号の時間位置又は位相位置は変調することが可能、つまり、可変的に調節可能である。この機構は2つのシングルモードレーザ1及び1を備え、少なくともその一方は波長可変である。レーザ1から出力される第1光成分2、及び、レーザ1によって生成される第2光成分2が、光学カプラ3において重畳される。この場合、第1光成分2は第1波長を有し、第2光成分2は、第1波長とはわずかに異なる第2波長を有するので、カプラ3によってビート信号が生成される。光成分2及び2の両者を含むこのビート信号は、カプラ3の2つの出力において、対応する共通の光ファイバ4及び4に結合される。選択的位相変調器5は、光ファイバ4の端部、又は途中に配置される。この位相変調器5は光成分2及び2の両者に対して透明であり、位相変調器5を制御する制御信号に応じて、第2光成分2の位相とは独立して第1光成分2の位相を選択的に変化させる特性、又は、第1光成分2の位相を第2光成分2の位相よりも少なくとも大きく変化させる特性を持つ。従って、光ファイバ4又は位相変調器5から出力されるビート信号の時間位置又は位相位置を、位相変調器5の制御に応じて変化させることができる。この様子は、図1の右側の2つの図に示されており、ビート信号は、一方では消失位相シフトを示し上図、一方では第1光成分2がπだけ位相シフトされた様子を示す下図。位相変調器5は、電気光学的位相シフタであって、純粋に電気的に制御可能である。つまり、可動部が動くことなく、第1光成分2の位相を少なくとも2πシフトさせることができる。この場合、位相変調器5は、MHz領域又はGHz領域の非常に高い周波数で制御することが可能であり、2つの光成分2及び2の間の相対位相の変化図1の右側ではΔΦで示されるも、対応するように鋸歯状の関数においてプログラムされた制御ユニットによって、それぞれ2π調節することが可能である。図1に示される機構中のカプラ3は、位相変調器5によってまだ変調されていない光成分2及び2の両者からのビート信号の一部分を分離する役割も果たす。この部分は、光ファイバ4を通じて導かれ、例えば、参照信号として用いられる。2つのレーザ1及び1の代わりに、他の実施形態においては、デュアルモードレーザを用いて2つの光成分2及び2を生成することもできる。従って、位相シフトされた参照信号が必要でなければ、ビート信号を生成するためにカプラ3を設けなくともよい。そのような機構の実施形態が図2に示される。繰り返し出てくる構成に対しては、図2及びこの後の図において、同一の参照番号が付されている。デュアルモードレーザ1は、ここでは光成分2及び2の両者に対して共通の光ファイバ4によって位相変調器5に接続されており、2つの光成分2及び2の光源として働く。デュアルモードレーザ1、あるいはその代わりに、異なる波長の2つの光波を生成するために使用可能な他の光源は、2つの光成分2及び2のうち少なくとも一方の波長を調節できるように設計されている。図2に示される機構は、さらに、位相変調器5の後段に配置され、位相変調器が出力するビート信号を電気信号に変換する検出ユニット6を備える。検出ユニット6も、光成分2及び2の両者に対して共通の光ファイバによって、あるいは、その他の様式によって、位相変調器5の出力に光学的に結合される。このようにして生成された電気信号の時間位置又は位相位置は、位相変調器5による光学的なビート信号の時間位置又は位相位置に従って調節される。このようにして生成された電気信号は、例えば、電気測定信号の時間制御に使用することができる。図2に示される実施形態における位相変調器5は、偏光に対する依存性を持つ。デュアルモードレーザ1は、それぞれ単色の2つの光成分2及び2を生成する。光成分2及び2は、互いにわずかに波長が異なり、直交した偏光を有し、2つの光成分2及び2の偏光が偏光依存性を有する位相変調器5の2つの主軸に対応するように、光ファイバ4によって位相変調器5に結合される。偏光子7は、偏光子7を透過した2つの光成分2及び2の一部分を重畳する。偏光子7は、偏光依存性によって第1光成分2の位相のみをシフトさせる位相変調器5の出力に設けられる。偏光子7は、最も単純な場合には簡単な偏光フィルタによって実現することができる。この場合偏光子7は、偏光子7の偏光方向が、光成分2及び2両者の偏光に対して通常45°である非消失角をそれぞれ含むように配置される。これにより、2つの光成分2及び2の透過した部分からのビート信号が偏光子7から出力され、その時間位置及び位相位置は、位相変調器5を制御することによって調節することができる。偏光子7は、光成分2及び2の間の強度差を相殺するべく上記の角度が調整できるように、回転可能に設計されてもよい。偏光依存性吸収器の代わりに、偏光依存性増幅器を偏光子7として使用することもできる。TE偏光波とTM偏光波に対して異なるバンド幅を有する量子井戸半導体層あるいは電気光学的効果を有する材料に基づいた歪み半導体層を有する導波路構造によって、ある1つの偏光の光専用の位相変調器5が実現される。時間において又は位相位置に関してシフト可能な信号を生成するための機構の類似した別の実施形態を図3に示す。この場合、同一の偏光を有する2つの光成分2及び2をデュアルモードレーザ1が生成するので、位相変調器5には、第1光成分2の位相を選択的に変調できるように、別の設計が要求される。この場合の機構は、第2光成分2のみを反射し第1波長の光を透過する波長選択反射器8、並びに、第1光成分2を反射する付加反射器9を有する。第1光成分2の位相を変化させるための位相変調領域10は、2つの反射器8及び9の間に設けられ、従来の位相シフタによって実現され、第1光成分2の位相を所望の程度遅延させるように、電圧を加えることによって制御可能である。波長選択反射器8及び付加反射器9は、位相変調領域10とともにモノリシック構造を形成する。付加反射器9は、位相シフタの上部平面の単純なミラーコートによって実現される。波長選択反射器8は、ここでは単純な干渉フィルタで実施され、第2波長に対して適合された非常に反射性の高いストップバンドを有し、一方、この反射器8の非反射領域は第1波長を含む。もちろん、干渉フィルタの代わりに別の分散型傾斜フィルタを使用することもできる。位相変調器5は循環器11を備える。循環器11は3つの出力を有し、デュアルモードレーザ1から来る光を2つの反射器8及び9を伴う位相変調領域10へ方向付け、次いで、そこから戻る反射光を、検出ユニット6へ案内される位相変調器5の出力へと導く。これらの出力のうち2つは位相変調器5の入力及び出力に対応し、第3の出力は波長選択反射器8に光学的に結合される。ここに示した機構の変形として、循環器11の代わりに、少なくとも3つの出力を有する光ファイバカプラを使用することもできる。図4には、図3の機構の変形形態が示されている。波長選択反射器8はPFLによって実施される。PFLに所望の透過特性及び反射特性を持たせるように選択された制御電流ItransがPFLに加えられる。PFLのストップバンドは、反射器8の右隣に示されており、その中に第2光成分2の波長λ2が位置する。位相変調領域10を形成する位相シフタは、制御電圧Uによって通常の様式で制御され、第1光成分2の位相を所望する程度遅延させる。第1光成分の波長λ1はPFLのストップバンド外にあるので、ここではまた単純なミラーコートによって実現される付加反射器9にて第1光成分2が反射される。波長選択反射器8は、PFLの代わりに、DFB構造又はDBRによって実現することもできる。ここでは、波長選択反射器8及び付加反射器9も位相変調領域10とモノリシック構造を形成する。また、ポリマ形式、又はシリコンベースの、III-V族半導体物質を有する波長選択反射器8が位相変調領域10と統合されるハイブリッド構造も考えられる。図5には、既に記載した機構と類似の機構が示されている。繰り返しとなる構成は、再び同一の参照番号で描かれている。さらにここには、選択的位相変調器5を制御する電気制御11が示されている。本実施形態においては、ビート信号をパルスに再成形するパルス圧縮器12が、位相変調器5と検出ユニット6との間に接続されている。従って、この機構を使用して、電気制御11を用いた対応する制御により、位相変調器5によって時間位置を変化させることのできる信号を、連続するパルスから生成することができる。パルス圧縮器12は、ウルトラロング半導体光増幅器又は非線形ガラスファイバである。上記した種類の機構を、試料13を検査するセンサ機構にどのようにして拡張できるかを図6に示す。繰り返しとなる構成は、再び同一の参照番号が付されており、個別に説明はしない。デュアルモードレーザ1の代わりに、わずかに波長の異なる2つの光成分2及び2を生成するための別の光源、例えば、図1及び図5のシングルモードレーザ1及び1を当然使用することができる。ここでのカプラ3は、2つの光成分2及び2を重畳して得られるビート信号の一部分を分離する役割を果たす。この場合検出ユニット6は、この分離された部分と位相変調器5から出力されるビート信号との両者を検出するように構成される。検出ユニット6は、位相変調器5において第1光成分の位相を変調することによる、光ファイバ4中のビート信号の位相変調に対する両者の相関を決定する相関器14を含む。ここで試料13はカプラ3によって分離された部分の光路に配置されるので、位相変調器5から出力されるビート信号が参照信号として働く。同様に、位相変調器5から出力されるビート信号の光路中に試料が配置されてもよい。その場合、光ファイバ4を介して案内される分離された部分が参照信号として働くことができる。どちらの場合においても、試料13によって生じ、検出ユニット6によって決定される相関信号の変化は、相関器14を有する検出ユニット6によって決定されてよい。図7に示されるセンサ機構は、光ファイバ4の途中における試料13の前と、位相変調器5の出力の後段との両方に、それぞれパルス圧縮器12が接続される点においてのみ図6のセンサ機構とは異なる。これにより、試料13を通過する信号と、位相変調器5によって時間位置が変更された参照信号との両者が、それぞれ連続したパルスに再成形される。上記した2つのセンサ機構と大部分において同じ構成を使用する別のセンサ機構を図8に示す。このセンサ機構は、カプラ3によって分離されるビート信号の一部分によって活性化され、THz送信器を形成する非線形部品によって実現される光混合器15をさらに有する。ビート信号のビート周波数に対応し、ここではTHz領域、特に0.1THzから10THz領域の周波数を有する電磁放射線が、光混合器15によって生成される。この場合検出ユニット6は、THz受信器によって実施される。光ファイバ4を介して伝導され、位相変調器5によって位相位置が設定された光学的なビート信号によって、THz受信器は活性化される。位相変調器5はまた、光ファイバ4中で光混合器15の前段に接続されてもよい。その場合、光混合器15は、位相変調器5から出力される位相シフトされたビート信号によって活性化され、一方、位相が操作されていない対応するビート信号がTHz受信器を活性化させる役割を果たす。