"取付面に絶縁材を配し、前記絶縁材上に半導体素子を取付けてなる半導体素子の冷却構造において、前記半導体素子を前記取付面に対して接触させるための狭圧手段が、金属板の周りを絶縁体である樹脂で被われた構成からなり、前記金属板は、回路を構成する導体の一部として用いられることを特徴とする半導体素子の冷却構造。前記半導体素子を複数個配置し、前記複数の半導体素子間の間隙部にリブを設けた前記狭圧手段を持つことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の冷却構造。前記複数個の半導体素子のネジ用穴部に挿入されるようにリブを設けた前記狭圧手段を持つことを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の冷却構造。前記複数の半導体素子と対向して、さらに複数の半導体素子を設け、一つの狭圧手段で狭圧することを特徴とする請求項2または3に記載の半導体素子の冷却構造。しかしながら,前記従来の構成では半導体素子を冷却管に密着させるために複雑な形状の狭圧手段を用いる必要があった。本発明は、前記従来の課題を解決するもので、単純な構造により半導体素子の取付面に対しての接触圧を確保することを目的とする。かつ、プリント基板の配線を低減可能とすることを目的とする。前記従来の課題を解決するために、本発明の半導体素子の冷却構造は、金属の導体を樹脂モールドした狭圧手段によって、半導体素子の取付け面への固定を行うものである。本発明の半導体素子の冷却構造は、樹脂モールドした導体により、半導体素子を取付面に対して狭圧することと、その導体を回路の一部として使うことにより、回路基板の小型化を成すものである。第1の発明は、取付面に絶縁材を配し、前記絶縁材上に半導体素子を取付けてなる半導体素子の冷却構造において、前記半導体素子を前記取付面に対して接触させるための狭圧手段が、金属板の周りを絶縁体である樹脂で被われた構成からなり、前記金属板は回路を構成する導体の一部として用いられるものである。これにより、半導体素子を取付面に対してより密着させることができ、また、制御基板の面積を減少させることができる。第2の発明は、前記半導体素子を複数個配置し、前記複数の半導体素子間の間隙部にリブを設けた前記狭圧手段を持つものである。これにより、横方向の位置ずれが規制され、半導体素子の取付けが行いやすくなる。第3の発明は、前記複数個の半導体素子のネジ用穴部に挿入されるようにリブを設けた前記狭圧手段を持つものである。これにより、縦方向の位置ずれが規制され、半導体素子の取り付けが行いやすくなる。第4の発明は、前記複数個の半導体素子と対向して、さらに複数個の半導体素子を設け、一つの狭圧手段で狭圧するものである。これにより、半導体素子の位置決めが容易になる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によってこの発明が限定されるものではない。実施の形態1図1と図2を用いて本発明の実施の形態を説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体素子の冷却構造の断面図を示し、図2は実施の形態1に係る半導体素子の冷却構造の平面透視図を示すものである。図1と図2に示すように、本実施の形態に係る半導体素子の冷却構造は、半導体素子1aと、絶縁材2と、取付面3と、狭圧手段4とネジ5とによって構成されている。半導体素子1aは、制御基板9にはんだ付けされている。狭圧手段4は、導体8を樹脂7で覆った構造となっている。半導体素子1aは取付面3との絶縁性と熱伝導性を考慮し熱伝導の良好な絶縁材2を介して取付面3に接触しており,狭圧手段4は半導体素子1aを十分冷却できる一定の接触圧で狭圧手段4の両端部でネジ5によって取付面3に取り付けられている。この狭圧手段4の内部に金属の導体8を配置することにより、樹脂のみの場合よりも、強固な構造となるため、取付面3に対してより密着させることができるものである。また、導体8を回路の導電部として使用することによって制御基板9上のプリント配線を減らすことが出来るため、制御基板9の面積を減少させることが出来るものである。実施の形態2図3と図4を用いて本発明の実施の形態を説明する。ただし、実施の形態1と同じ箇所は説明を省略する。図3は、実施の形態2に係る半導体素子の冷却構造の平面図であり、図4は本発明の実施の形態2における半導体素子の冷却構造の側面図である。図3と図4に示すように、図1の構成に加え、半導体素子1aと並列に半導体素子1bと1cを配し、それぞれの間にリブ10を設けることにより、横方向の位置ずれを規制することにより、実施の形態1の効果に加え、半導体素子1a~1cの取付けが行いやすくしたものである。実施の形態3図5を用いて本発明の実施の形態を説明する。ただし、実施の形態1又は2と同じ箇所は説明を省略する。図5は、本発明の実施の形態3における半導体素子の冷却構造の側面図である。図5に示すように、図4の構成に加え、ネジ穴12に挿入されるようにリブ11を設けることによって縦方向のずれを規制することにより、実施の形態1、2の効果に加え、半導体素子1a~1cの取り付けが行いやすくなるものである。実施の形態4図6を用いて本発明の実施の形態を説明する。ただし、実施の形態1ないし3と同じ箇所は説明を省略する。図6は、本発明の実施の形態4における半導体素子の冷却構造の平面図である。図6に示すように、半導体素子1d~1fを半導体素子1a~1cと対向して設け、これを一体型の狭圧手段4で狭圧することで、実施の形態1の効果に加え、半導体素子1a~1fを狭圧すると同時に、半導体素子1a~1fの位置決めが容易になるものである。"