赤外線IRセンサーにおいて、基板と、前記基板の上方に配置され、その隙間を形成する吸収体であって、現場からIRを受けるため、かつ前記現場の温度を示す電気的出力を生成するために配置される吸収体であり、吸収体が前記基板から熱的に隔離されるように、超格子量子井戸構造で形成される、吸収体とを含むサーモパイルを備えることを特徴とする、赤外線IRセンサー。請求項1に記載のセンサーにおいて、前記超格子量子井戸構造が、複数の交互にある第1層および第2層を含むことを特徴とする、センサー。請求項2に記載のセンサーにおいて、前記複数の交互にある第1層および第2層の総数が、8~10の層であることを特徴とする、センサー。請求項2に記載のセンサーにおいて、前記第1層のおのおのがシリコンを含み、かつ前記第2層のおのおのがシリコンゲルマニウムを含むことを特徴とする、センサー。請求項2に記載のセンサーにおいて、第1包み込み層および第2包み込み層をさらに含み、前記複数の交互にある第1層および第2層が、前記隙間の上方にある前記吸収体を支持するために、前記第1包み込み層と前記第2包み込み層との間に配置されることを特徴とする、センサー。請求項5に記載のセンサーにおいて、前記第1および前記第2の包み込み層のおのおのが、窒化ケイ素と二酸化ケイ素のうちの1つを含むことを特徴とする、センサー。請求項1に記載のセンサーにおいて、前記吸収体の第1の側に配置された第1アームと、前記吸収体の第2の側に配置された第2アームとをさらに含み、前記吸収体が、前記第1アームおよび前記第2アームによって熱的に隔離されるように、前記第1アームおよび前記第2アームがおのおの前記超格子量子井戸構造で形成されることを特徴とする、センサー。請求項7に記載のセンサーにおいて、前記超格子量子井戸構造が、シリコンおよびシリコンゲルマニウムの複数の交互層を含むことを特徴とする、センサー。請求項8に記載のセンサーにおいて、前記第1アームおよび前記第2アームの中の前記シリコンゲルマニウムが、n型ドープおよびp型ドープのうちの1つであり、前記シリコンゲルマニウムのドーピング濃度が、5×l018~5×l019原子/cm3の間であることを特徴とする、センサー。8に記載のセンサーにおいて、シリコンおよびシリコンゲルマニウムの各層が、概して100オングストロームの厚さを有することを特徴とする、センサー。請求項8に記載のセンサーにおいて、シリコンおよびシリコンゲルマニウムの前記複数の交互層が、概して1000オングストロームの全体厚さを有することを特徴とする、センサー。請求項8に記載のセンサーにおいて、前記複数の交互層を応力相殺をするために、シリコンおよびシリコンゲルマニウムの前記複数の交互層が、窒化ケイ素と二酸化ケイ素のうちの1つの第1層、および前記窒化ケイ素と前記二酸化ケイ素のうちの1つの第2層によって包み込まれることを特徴とする、センサー。請求項12に記載のセンサーにおいて、前記第1層が、シリコンおよびシリコンゲルマニウムの前記複数の交互層の全体厚さの10~100の範囲の厚さを有することを特徴とする、センサー。赤外線IRセンサーにおいて、基板と、前記基板の近くに吊される吸収体であって、現場からIRを受けるために、かつ前記現場の温度を示す電気的出力を生成するために吊される吸収体であり、前記基板から吸収体を熱的に隔離するために、かつ前記センサーの導電率を高めるために、超格子量子井戸構造で形成される、吸収体とを含むサーモパイルを備えることを特徴とする、赤外線IRセンサー。請求項14に記載のセンサーにおいて、前記超格子量子井戸構造が、複数の交互にある第1層および第2層を含むことを特徴とする、センサー。請求項15に記載のセンサーにおいて、前記複数の交互にある第1層および第2層が、前記複数の交互にある第1層および第2層の応力を相殺するために、第1包み込み層と第2包み込み層との間に配置されることを特徴とする、センサー。請求項16に記載のセンサーにおいて、前記第1包み込み層および前記第2包み込み層のおのおのが、窒化ケイ素と二酸化ケイ素のうちの1つを含むことを特徴とする、センサー。請求項15に記載のセンサーにおいて、前記第1層のおのおのがシリコンを含み、かつ前記第2層のおのおのがシリコンゲルマニウムを含むことを特徴とする、センサー。請求項18に記載のセンサーにおいて、シリコンの前記第1層がシリコンの4~5の層の総数を含み、かつシリコンゲルマニウムの前記第2層がシリコンゲルマニウムの4~5の層の総数を含むことを特徴とする、センサー。請求項14に記載のセンサーにおいて、前記吸収体の1つの側に配置され、前記超格子量子井戸構造で形成されるアームをさらに含むことを特徴とする、センサー。赤外線IRセンサーを形成する方法において、基板を形成するステップと、超格子量子井戸構造を有する、複数の交互にある第1層と第2層を含む吸収体を形成するステップと、前記吸収体を前記基板の近くに吊された形にするために隙間が形成されるように、前記基板の近くに前記吸収体を配置するステップとを含むことを特徴とする、方法。請求項21に記載のセンサーにおいて、前記超格子量子材料構造を有する、前記複数の交互にある第1層および第2層を含む前記吸収体の1つの側にアームを形成するステップと、前記基板の上方に前記アームを配置するステップとをさらに含むことを特徴とする、センサー。請求項21に記載のセンサーにおいて、前記第1層のおのおのがシリコンを含み、かつ前記第2層のおのおのがシリコンゲルマニウムを含むことを特徴とする、センサー。請求項21に記載のセンサーにおいて、前記複数の交互にある第1層および第2層の上の第1包み込み層を形成するステップと、前記複数の交互にある第1層および第2層の下に、第2包み込み層を形成するステップとをさらに含み、前記第1と第2の包み込み層により、前記吸収体が前記基板の上方に吊されることを可能にすることを特徴とする、センサー。請求項24に記載のセンサーにおいて、前記第1包み込み層、および前記第2包み込み層のおのおのが、窒化ケイ素と二酸化ケイ素のうちの1つを含むことを特徴とする、センサー。本発明の詳細な実施形態が本明細書で開示される。しかしながら、開示された実施形態は、様々なおよび代替の形態で具体化されてもよい本発明の単に例示的なものであることを理解されたい。図は、必ずしも一定の縮尺でなく、いくつかの特徴は、特別の構成要素を詳細に示すために誇張されたり、最小限にされたりしていることがある。したがって、本明細書で開示された特定の構造および機能的な詳細は、限定としてではなく、単に、請求の範囲の代表的な根拠として、または本発明の1つまたは複数の実施形態を種々に利用することを当業者に教える代表的な根拠として解釈すべきである。本明細書で開示される様々な実施形態は、現場のイメージを生成するために、M×N列のアレイに配置され得る複数のIR検出器を、限定はしないが、一般に提供する。別の実施形態において、発光源または現場からの熱エネルギーを捕捉するまたは検知するために、およびエネルギー記憶の目的のため、検知された熱エネルギーに基づいて電気的出力を提供するために、複数のIR検出器が用いられてもよい。別の実施形態において、単一のIR検出器が、熱検知のために提供されてもよい。IR検出器は、特に、吸収体、基板、および/または、少なくとも1つのアームを通常含む。吸収体、および/または、少なくとも1つのアームは、基板の上方に吊されてもよい。吸収体、および/または、少なくとも1つのアームは、超格子量子井戸熱電ベースの材料で構成されてもよいと考えられる。そのような構造は、吸収体および少なくとも1つのアームが、ゼーベック効果の増加、低い抵抗率および適切な熱伝導率を達成することを可能にし得る。これらの態様は、検出器の性能を改善し得る。吸収体、および/または、アームは、限定はしないが、窒化ケイ素および/または二酸化ケイ素など、ケイ素をベースとする様々な誘電材料によって包み込まれてもよいと考えられる。吸収体、および/または、少なくとも1つのアームが基板の上方に吊されている状況で、超格子量子井戸熱電材料をケイ素をベースとする誘電材料で包み込むことは、検出器の応力相殺を行い、検出器の構造的な保全性を高め得る。本明細書で記述される実施形態は、記述されるもの以外の目的のために利用されてもよく、また、本明細書で言及されることがある課題は、本発明の実施形態によって克服され得る課題の網羅的なリストであるようには意図されていないと考える。本明細書で記述され得るような課題は、説明の目的で言及するものであり、また、簡潔にするため、本発明の様々な実施形態によって克服され得る課題のすべては記述しない。さらに、本明細書で記述された実施形態は、いかなる数の結果も提供してもよく、また、言及されることは、達成され得る網羅的なリストであるようには意図されていないと考える。本明細書で開示されるような結果は、説明の目的で言及するものであり、また、同様に簡潔にするため、本発明の実施形態によって達成される結果のすべては記述しない。さらに、本明細書で提供される実施例は、説明の目的のために開示されるものであり、実施することができる実施例の網羅的なリストであるようには意図されておらず、また、いかなる方法によっても本発明の実施形態の範囲を限定することは意図されていない。図1は、本発明の一実施形態による熱検出器またはセンサー10を示す。検出器10は、レンズ13を含むカメラ11内のM×Nアレイ18に配置された多数のうちの1つであり得る。カメラ11は、現場のイメージを捕捉するように通常構成される。各検出器10は、現場からのIR照射を吸収するように、かつ現場から受けたエネルギー量に基づいて、その電位を変えるように構成される。読出し集積回路ROIC19または読出し回路は、各検出器10の下に配置される。ROIC19は、各検出器10の電位を電気的に出力し得る。各検出器10は、ROIC19の上に微細機械加工されてもよい。本明細書で開示された実施形態は、2010年3月23日に出願され、INFRAREDDETECTORと題する、同時係属の国際出願第PCT/US2010/028293号パンフレット特許出願第’293号パンフレットに記載された検出器に組込まれ得て、その全体を参照により、本明細書に組込む。検出器10は、マイクロブリッジとして通常配置される。検出器10は、サーモパイルとして形成されてもよい。上記に言及される検出器10は、カメラ内にあって、現場のイメージを捕捉するために用いられ得る一方、検出器10は、太陽から直接または間接的に受けた熱エネルギーなどの、発光源または現場からの熱エネルギーを検知するために用いられ得るとさらに考えられる。検出器10は、別のデバイスに動力を供給するために、または、バッテリーもしくは他の適切な手段などの記憶デバイス上に電気エネルギーを記憶するために、熱エネルギーに応じて、電気エネルギーを提供するために電圧出力を提供する。検出器10は、吸収体12、第1アーム14、第2アーム15、および基板16を含む。吸収体12、第1アーム14、および第2アーム15は、熱電材料を含んでもよく、また、以下により詳細に記述する超格子量子井戸材料で形成されてもよい。基板16は、限定はしないが、単結晶シリコンウェハまたはシリコンウェハを含んでもよい。基板16は、ROIC19に接続されてもよい。吸収体12、第1アーム14、および第2アーム15は、ROIC19の上方に通常吊される。第1アーム14は、吸収体12の隣りに配置され、所望の場合取り付けられていても、取り付けられていなくても、吸収体12の第1の側18に沿って延在し、かつ端子端部20で終端となってもよい。支柱22は、第1アーム14の端子端部20に結合される。ROIC19の入力パッド24は、支柱22を受け止める。支柱22は、吸収体12からROIC19への電気的導通を供給する。同様の方法で、第1アーム14は、吸収体12の隣りに配置され、所望の場合取り付けてられていても、取り付けられていなくても、吸収体12の第2の側26に沿って延在し、かつ端子端部28で終端となってもよい。支柱30は、第2アーム16の端子端部28に結合される。ROIC19の入力パッド32は、支柱30を受け止める。支柱30は、吸収体12からROIC19への電気的導通を提供する。一般に、支柱22および30は互いと協力し、吸収体12、第1アーム14、および第2アーム15を基板16の上方に支持する。例えば、吸収体12、第1アーム14、および第2アーム15を基板16の上方に吊す。吸収体12は、現場からIR照射を受けまたは吸収し、それに応答して、温度を変えるように通常構成される。検出器10は、現場から受けた照射量に基づいて、その電位を変え得る。反射体17は、吸収体12とROIC19との間に配置される。反射体17は、吸収体12がIR照射を吸収する能力を高め得る。第1アーム14および第2アーム15は、熱的に吸収体12を隔離するために、吸収体12から水平方向にずらしてもよい。熱伝導を低下させることは、検出器10の性能を高めるために望ましいことであり得る。さらに、吸収体12、第1アーム14および第2アーム15は、基板16から垂直方向にずらし、分離用隙間34または空胴をその間に画定してもよく、それは、1つの検出器をアレイ内に配置した付加的な検出器から熱的に隔離するためである。検出器10は、1つの側にp型材料、および他の側にn型材料を含み得る。例えば、吸収体12は、第1部分36、第2部分38、および活性領域40を含むように考慮されてもよい。第1アーム14および第1部分36は、p型材料から構築されてもよい。第2アーム15および第2部分38は、n型材料から構築されてもよい。活性領域40は、p型をベースとする要素第1アーム14および第1部分36を、n型をベースとする要素第2アーム15および第2部分38に電気的に結合する。図2は、本発明の別の実施形態による熱検出器10’を示す。検出器10’は、レンズ13を含むカメラ11内のM×Nアレイ18に配置された多数のうちの1つであり得る。検出器10’は、図1の検出器10に概して類似しているが、表面微細機械加工されている。検出器10’は、現場からのIR照射を吸収するように、かつ現場から受けたエネルギー量に基づいて、その電位を変えるように構成される。電気的導通21は、検出器10’のおのおの側に、そこからの電気的出力を読出し回路図示せずに、供給するために形成される。検出器10’は、特許出願第’293号パンフレットで述べられる検出器としても組み込まれ得る。検出器10’は、吸収体、第1アーム14、第2アーム15、および基板16を含む。吸収体12、第1アーム14、および第2アーム15は、熱電材料を含んでもよく、また、以下により詳細に記述もする超格子量子井戸材料で形成される。基板16は、限定はしないが、単結晶シリコンウェハまたはシリコンウェハを含んでもよい。吸収体12、第1アーム14および第2アーム15は、空胴25の上方に概して配置されるあるいは吊される図3を参照。上記と同様の方法で、第1アーム14は、延在してもよく、所望の場合取り付けてられていても、取り付けられていなくても、吸収体12の第1の側18に沿って、かつ電気的導通21に到達してもよい。第2アーム16は、延在してもよく、所望の場合取り付けてられていても、取り付けられていなくても、吸収体12の第2の側26に沿って、かつ電気的導通21に到達してもよい。図3は、本発明の別の実施形態による熱検出器を10示す。検出器10は、吸収体12を通常含み、熱の検知する応用のために、単一の検出器として配置してもよい。検出器10は、バルク微細機械加工されてもよい。この構成において、アームは存在しない。吸収体12は、熱電材料を含んでもよく、超格子量子井戸材料で形成されてもよい。電気的導通21は、検出器10からの電気的出力を提供するために吸収体12のおのおのの側に形成される。吸収体12は、空洞25の上方に通常吊される、今まで言及した検出器10、10’および/または10は、以降10と示す。基板の上方に吊されているアームと吸収体とを含むIR検出器を実現することは知られている。この従来の手法において、アームは、熱的に吸収体を隔離するが、それにより、吸収体から基板への熱伝導の減少を引き起こす。吸収体12とアーム14、15との間の熱伝導を低下させることによって、熱の伝達/漏れが低下させられ得て、IR検出器の性能における改善が実現され得る。この従来の手法は、低い熱伝導率を達成するために、熱電の構造例えばアームおよび吸収体を、以下の材料、即ち、テルル化ビスマス、テルル化アンチモン、テルル化鉛、ポリシリコン、ポリシリコン-ゲルマニウム、スクッテルド鉱、ナノ複合材料、および超格子構造の1つまたは複数を用いて、一般に形成する。前述の材料の1つまたは複数を用いて検出器を形成することより、かつ吸収体とアームを吊すことにより、これらの状況は、吸収体、および/または、アームに、検出器の故障に結びつき得るそりまたは座屈を引き起こすことがある。本明細書で記述される実施形態における認識では、とりわけ、吸収体12、および/または、アーム14、15は、IR検出装置に関連して使われるとき、検出器10に適切な検出器性能特性を実現することを可能にし得る超格子量子井戸熱電材料を用いて構成され得る。さらに、本明細書で開示される実施形態では、吸収体12、および/または、アーム14、15の超格子量子井戸材料を、窒化ケイ素または二酸化ケイ素を用いて包み込むことを企図する。ケイ素をベースとする材料で吸収体12、および/または、アーム14、15を包み込むことは、超格子量子井戸材料の堆積中に引き起こされる応力を相殺または均等化し得て、かつ検出器10の一部分がROIC16の上方に吊されている間の検出器10の機械的強度を高め得る。検出器10の機械的強度を高めることにより、かつ検出器10の応力相殺により、検出器10のそりまたは座屈は最小限に抑えられるかまたは全く排除され得る。実施形態におけるさらなる認識では、吸収体12、第1アーム14、および検出器10の第2アーム15は、超格子例えばシリコン/-シリコン-ゲルマニウムSi/SixGe1-X、ここでxは、整数または非整数であってもよい以降Si/SiGe量子井戸熱電材料から構成され得る。第1アーム14および第1部分36は、p型超格子量子井戸熱電材料から形成され得る。第2アーム15および第2部分38は、n型超格子量子井戸材料から形成され得る。吸収体12、および/または、アーム14、15を含む超格子量子井戸サーモパイル10の利用によって、そのような状況は、吸収体12からの、アーム14、15を通して基板16、および/または、吸収体12に隣接して配置された任意のデバイスへの熱の損失を最小限に抑え、それによって、周囲のデバイスから吸収体12を熱的に隔離する。現場からのIRが吸収体12を加熱する場合、検出器10は、吸収体12と基板16との間の温度差に比例する出力電圧を生成する。したがって、吸収体12が高い熱伝導を含む材料から形成される場合、検出器性能は、吸収体12からの熱エネルギーの漏れにより悪影響を及ぼされ得る。超格子量子井戸材料は、低い熱伝導率を提供するので、吸収体12での適切な熱隔離が達成され、それによって検出器性能を改善し得る。さらに、超格子量子井戸材料は、高いゼーベック係数および高い導電率をさらに提供し、これは検出器10が高い信号対雑音比で出力電圧を提供することを可能にし、高い信号対雑音比は吸収体12によって検知されたIR照射の量の高忠実度表示を提供する。通常、検出器10は、電流フローを提供しないこともある。しかしながら、いくつかの実施形態において検出器10は、ミリアンペア領域の電流のフローを提供することができる。従来のIR検出器は、吊された吸収体、および/または吊されたアームのために低い熱伝導率を達成するすなわち、検出器からの熱の放散または移動を最小限に抑える方法として、テルル化ビスマス、テルル化アンチモン、テルル化鉛、ポリシリコン、ポリシリコン-ゲルマニウム、スクッテルド鉱、ナノ複合材料、および超格子構造を含むことが知られているが、そのような材料は、十分に機械的な支持をしない、または、適切な応力相殺がされない場合がある。検出器10に超格子量子井戸熱電材料を使用すると、適切な熱伝導率を提供し得て、また、従来の検出器中の材料の種類の代替物として役に立ち得ることが分かる以下に示す。一般に、サーモパイル検出器10からの大きい応答を得るためには、検出器10例えば、吸収体12、および/または、アーム14、15から、熱の接地平面例えば基板16内のへの熱伝導であるGk’を、小さくすべきである。したがって、サーモパイル材料の熱伝導率はできるだけ小さくすべきである。最終的に、検出器10内の材料は、a高いゼーベック係数およびb高い導電率を有していることが望ましいであろう。n型およびp型の材料から作製されたサーモパイルのための性能指数は、以下のように定義される。ここで:この性能指数は、サーマルイメージングに関係する信号対雑音比の典型ではないかもしれない。なぜなら、それは、IR検出器のための一般の性能指数である検出感度またはDに比例しない場合があるためである。より適切な性能指数は、Dに比例するものであり得る。この新しい性能指数は、アーム14、15が、同一の長さおよび断面積を有すると仮定する。表1下記は、選択された材料の群に対するこの新しい性能指数を示す。サーモパイル材料選択に基づく性能向上は明白であろう。小さなピッチ例えば、≦50μmのアレイについては、Bi2Te3およびnpSi0.7Ge0.3が、熱電材料のために実際的な選択であり得る。標準的なnpポリシリコンを採用しない理由は、その熱伝導率が、妥当な検出器感度を達成するには大きすぎるかもしれないためである。さらに、堆積温度が、支柱付き相補型金属酸化膜半導体CMOSへの適合性のためには高すぎるかもしれない。量子井戸Si/SiGe、Bi2Te3、Si0.7Ge0.3、および標準的なnpポリシリコンに対する重要な測定値例えば、抵抗率、ゼーベック係数、および熱伝導率を、下記の表2に示す。Bi2Te3およびSb2Te3は、高性能のサーモパイル検出器を作製することができるが、Bi2Te3およびSb2Te3を選択することにはいくつかの欠点があり得る。例えば、1検出器抵抗が、約3kΩに至る場合があり、その結果は、電子雑音が支配的になり得るということである;2Bi2Te3およびSb2Te3の堆積およびエッチングは、非常に研究されてきているが、まだ成熟していないおそれがある。しかしながら、Bi2Te3およびSb2Te3は、低温で堆積し、パターン付けを行い、ドライエッチングをすることができる;3応答性の温度係数TCR≒0.1は、npSi0.7Ge0.3<0.04より高いかもしれない。例えば、TCRがより低いと、応答性の温度補償における努力がより少なくてもよいおよび、4化学量論比が維持されない場合、Bi2Te3およびSb2Te3の熱電的性質は大幅に変化し得て、それは、堆積において厳しい制御および同時蒸着など通常的でない蒸着工程を意味する。対照的に、Si/SiGe超格子量子井戸は、CMOSおよびマイクロメカニカルシステムMEMSの処理工程において広く用いられている材料を含む。さらに、化学量論比は、Si/SiGe超格子量子井戸の実施において問題ではないかもしれず、そのため、堆積の処理で、制御の重大さがより小さくなり得る。Bi2Te3薄膜の熱伝導率は、と測定されており、PECVDの窒化ケイ素の熱伝導率に近いと言えるが、ここで熱伝導率は、であり得る。Bi2Te3バルクの熱伝導率は、であり得て、このより低い熱伝導率は、非常に薄い膜においてよく見られる影響であり得る。膜厚が0.5μm未満に低下するにつれて、Bi2Te3の熱伝導率はさらに低下し得る。上記の表2に示すように、Bi2Te3および窒化ケイ素は、同等の熱伝導率を有し得る。この事実により、Bi2Te3が形成されるとき、アームに、および/または、吸収体に著しい量の窒化ケイ素を加えることは、検出器性能の減少を引き起こし得る。この状況により、従来の実施態様では、テルル化ビスマスをベースとする検出器に、窒化ケイ素または二酸化ケイ素を加えることを避ける傾向がある。対照的に、本発明の、アーム14、15、および/または、吸収体12は、量子井戸Si/SiGeと共に、様々な量の窒化ケイ素、および/または、二酸化ケイ素を含み得る。この状況は、検出器性能の重要な低下を引き起こさない可能性があり、それは量子井戸Si/SiGeの熱伝導率は、窒化ケイ素より≒3~4倍大きいからである。そのため、窒化ケイ素によって加えられた熱伝導率の増加分は、窒化ケイ素でSi/SiGe量子井戸に加えられた熱伝導率の全体的な増加の観点からいえば無視してもよい。例えば、Si/SiGe量子井戸の熱伝導率は、3~5W/mKの間であり得る。窒化ケイ素の熱伝導率は、1.2W/mKであり得る。適量の窒化ケイ素を加えることは、検出器性能に影響を与えない可能性があり、それはSi/SiGe量子井戸の熱伝導率が優勢であり得るからである。一般に、窒化ケイ素の厚さは、量子井戸アーム14、15の全体の厚さの10から100までのいかなる程度であってもよい。例えば、アーム14、15が、1000Åの厚さである場合、そのとき、窒化ケイ素の厚さは、100Åから1000Åの領域にあってもよい。一般に、全体の熱伝導の中で最大の構成部分は、アーム14、15による。熱伝導率の増加を防止するためにテルル化ビスマス材料が検出器内の膜を形成するのに使われる場合、吊されるアームおよび吸収体の構造を実施する従来ベースの検出器は、アーム、および/または、吸収体を窒化ケイ素で包み込むのを避ける傾向がある。しかしながら、本明細書で述べるように、包み込まれた窒化ケイ素を除去することによって、そのような状況は、上記の検出器10のそり、および/または、座屈を助長し得ることが発見された。例えば、包み込まれた窒化ケイ素の除去は、検出器の機械的強度を低下させて、応力相殺する能力を除去するおそれがある。検出器が応力相殺されない場合は、検出器はそりを起し、機能を果たさなくなるおそれがある。MEMS処理工程における別の有用な誘電体は、二酸化ケイ素であり得る。堆積されたとき、二酸化ケイ素は、通常、圧縮応力を受けている可能性があり、この材料は、窒化ケイ素と同時に、応力を相殺するために使うことができ、さらに、効果的なエッチング停止であり得る。薄膜二酸化ケイ素の熱伝導率は、であり得る。図5は、シリコン材料によって包み込まれる超格子量子井戸熱電材料を示す。一般に、吸収体12、および/または、アーム14、15の超格子量子井戸層は、窒化ケイ素の最上層と窒化ケイ素の最下層との間にはさまれてもよい。または、二酸化ケイ素の最上層と二酸化ケイ素の最下層との間にはさまれてもよく、または、窒化ケイ素の最上層と二酸化ケイ素の最下層またはその逆にとの間にはさまれてもよい図2の要素29:Si/SiGeの交互層を参照されたい。例えば障壁層または伝導層であり、ここで、障壁層は、Siを含み、および、伝導層は、SiGeを含む。図1~図2に関して、第1アーム14および第1部分36は、窒化ケイ素によって包み込まれるp型超格子量子井戸で形成されてもよい。反対に、第2アーム15および第2部分38は、窒化ケイ素によって包み込まれるn型超格子量子井戸で形成されてもよい。窒化ケイ素層上に配置したSiGe層は、Ge含有量の高いポリシリコンSiGeシード層を含んでもよい。Ge含有量は少なくとも70であり得る。低温で堆積されたとき、SiGeシード層の高濃度のGeは、多少規則正しい結晶組織を有し得るポリシリコン-ゲルマニウムを形成し得て、その結晶組織の上に次のケイ素層を積むことになる。図6A~6Bは、量子井戸効果を実現する1つの実施形態および量子井戸効果を実現しない別の実施形態をそれぞれ示す。図3aに関して、検出器の一部分例えば、第1アーム14、第2アーム15、および/または、吸収体16は、任意の層数の膜41を含んでもよい。膜41は、SiおよびSi/Geの交互層を含んでもよい例えば、SiおよびSi/Geの超格子。SiおよびSi/Geの各層は、≦200Åの厚さを有してもよい。検出器10内の量子井戸材料の全体の厚さは、≦2000Åであり得る。第1接点42は、1つの端部に置かれ、第2の接点44は、別の端部に置かれる。第1接点42は、第2接点44から水平方向に遠ざけて配置してもよい。第1接点42を第2接点44から水平方向に遠ざけて配置することによって、小量の電流と熱が、第1コンタクト42からSi/SiGe層を通して第2接点44例えば、同一面内でへ横方向に流れ得る。そのような状況は、第1アーム14、第2アーム、および/または、吸収体16が量子井戸効果を実現することを可能にする。熱電材料の性能を向上する1つの手法は、主として、隣接した障壁層による、多層膜内の活性層のキャリアの量子井戸閉じ込めによって、組成的に調整された材料を形成することであり得る。本明細書で開示される手法は、電気的に活性な各層を、荷電粒子に対する障壁を形成するのに十分なバンドオフセットを有する材料によって囲むことである。熱電的性質における改善例えば、ゼーベック効果、抵抗率、および熱伝導率は、状態密度における増加例えば、増加したゼーベック、キャリア移動度の増加例えば、より低い電気抵抗、および、量子井戸とバリア層との間の歪みによる抑制されたフォノンの流れ例えば、より低い熱伝導率から得られると予想される。層の厚さは、≦200Åであり得る。図6Bは、第1接点42が、第2接点44から垂直方向にずらされていることを示す。小量の電流と熱が、上記の量子井戸構成の面内方向に垂直の面横断方向で、第1接点42からSi/SiGeの層を通して第2接点44へ流れ得る。熱伝導率を低下し得るが、この実施態様は、量子井戸効果を実現しない。図7は、1つまたは複数の吸収体12における、および/または、アーム14、15における堆積中に、窒化ケイ素および超格子量子井戸材料の層によって引き起こされた様々な応力を示す。例えば、量子井戸Si/SiGeなどの材料は、堆積されるとき、圧縮応力の状態であり得る。圧縮応力の下で、SiおよびSiGeの様々な層は、基板16に対して伸長し得る。この応力の状態において、SiおよびSi/Geの層吸収体12内および/またはアーム15、14内、のいずれかは、吊され、2点で例えば支柱22および30において取り付けられたとき、基板16の上で座屈する場合がある。一方、窒化ケイ素は、堆積されるとき、引張強度の状態であり得る。引張応力の下で、窒化ケイ素の各層は、基板16に対して収縮し得る。この応力の状態において、窒化ケイ素の各層が、吊され、2点で例えば支柱22および30において取り付けられたとき、基板16によって引き伸ばされ得る。窒化ケイ素および量子井戸Si/SiGeに対して、所定の厚さと堆積のパラメーターを使用することによって、ほとんど応力がない検出器が構成され得る。一般に、2つの応力例えば、圧縮の、および引張りのが、反対のタイプであるという事実により、Si層およびsi/Ge層を窒化ケイ素層に組み合わせることによってほとんど応力のない薄膜を形成し得る。各層の厚さは、各層の中の応力の大きさに依存し得る。一般に、検出器10の層例えば、SiおよびSi/Geならびに窒化ケイ素の層が、同等でかつ反対の応力レベルを有する場合、そのとき、互いの上に層を堆積すると、ほとんど応力のない膜を生成し得る。例えば、δm1で、材料、m1例えば、SiおよびSi/Geの層の応力を表し、また、δm2で、材料、m2例えば、窒化ケイ素の層の応力を表わす。引張応力の状態にある材料は、正値を有し、圧縮応力の状態にある材料は、負値を有してもよい。t1で、層例えばSiおよびSi/Geの第1組の厚さを表わし、t2で、層例えば窒化ケイ素の第2組の厚さを表わす。応力相殺された検出器10を作製するためには、以下の方程式が満たされる必要があり得る。δm1t1δm2t2=03この式は、2組以上の層に容易に一般化されてもよい。上記の通り、堆積されたとき、量子井戸Si/SiGeは、圧縮応力の状態であり得て、また、堆積されたとき、窒化ケイ素は、引張応力の状態であり得て、量子井戸Si/SiGeの堆積によって引き起こされた圧縮応力は、窒化ケイ素の堆積によって引き起こされた引張応力によって相殺され得て、それはほとんど応力のない吊された検出器の実施態様を結果として生じ得る。一般に、SiGeの各層は、吸収体12内で、および/または、アーム14、15内で、n型またはp型にドープされてもよい。Si層はドープされなくてもよく、したがって電気的に伝導性ではない。シリコンゲルマニウムの1つまたは複数の層のドーピング濃度は、吸収体12内で、および/または、アーム14、15内で、およそ5×l0^18~5×l0^19原子/cm^3の間である。ドーピング濃度は、n型とp型に対して同じではない場合がある。n型アームおよびp型アームの電気抵抗は、ゼーベック効果を最大限にするために同様であるべきである。これが、シリコンゲルマニウムの様々な層のドーピング濃度が異なる理由であり、ドーピング濃度は等価なアーム抵抗を達成するために調節されることがあるからである。さらに、ドーピング濃度が上昇すると、電気抵抗は低下するが、ゼーベック効果もまた低下する。n型アームとp型のアームとの間で、電気抵抗が同様であることを確保するために、さらに、最大の信号対雑音比を達成するためにシリコンゲルマニウムの層に対する最適なドーピング濃度が達成される。検出器10内で超格子量子井戸をベースとする熱電材料を使用することは、限定はしないが、適切な熱伝導率、増加したゼーベック効果、および低い抵抗率を提供し、それは検出器の性能を高め得る。ケイ素をベースとする材料窒化ケイ素、および/もしくは、酸化ケイ素、または他の適切な材料などで超格子量子井戸をベースとする材料を包み込むことは、検出器10の機械的強度を高め得て、かつ超格子量子井戸材料の様々な層によって引き起こされた応力を差し引きし、応力相殺し得る。約言すれば、本発明の意図では、検出器10内でケイ素をベースとする材料と組み合わせるとき、超格子量子井戸熱電材料を使用することは、i超格子量子井戸熱電材料に関連して見いだされると発見された、熱伝導率、増加したゼーベック効果、および低い抵抗率の良好な水準による、向上した検出器性能、ならびに、ii超格子量子井戸熱電材料と、包み込まれた、ケイ素をベースとする材料との間の応力を相殺することによりもたらされた、向上した機械的強度/応力相殺、を提供し得る。図8は、本発明の一実施形態による、量子井戸熱電検出器10を作製するための製造プロセスフロー50を示す。プロセスフロー50は、検出器10を作製するために利用され得ると考えられる。プロセスフロー50は、エッチング停止としての窒化ケイ素を使用しない、検出器10の製造を示す。操作51において、二酸化ケイ素層を形成する。操作52において、二酸化ケイ素にパターニングを施し、ドライエッチをする。操作54において、チタンの層を二酸化ケイ素の層の上に堆積する。チタン、TiW、Crまたは他の同等の金属が、緩衝層として使われてもよく、それは、アルミニウムが、これらの高融点金属に密着するからであり、かつ高融点金属は、それらが堆積されるものすべてに密着するからである。操作56において、アルミニウムの層をチタンの層の上に堆積する図6Aを参照。アルミニウムは、高融点金属よりも、よい導電率を提供し得る。操作58において、反射体17および相互接続を形成するためにアルミニウムおよびチタンまたはTiWもしくはCrに、パターニングを施すROIC16の上の入力パッド24および32など図6Bを参照。操作60において、ポリイミドの層をアルミニウム上に堆積する。ポリイミドは、犠牲層として使われ得る有機材料である。すなわち、最後にポリイミドは、酸素プラズマエッチングにおいてエッチング除去されてもよい。ポリイミドは、高温処理に耐えることができる可能性があり、また、容易にエッチング除去され得る。ポリイミドは、容易にエッチング除去されるその能力により必要であり得て、それはMEMSスタックの底部にあってもよいためである。操作62において、プロセス50の後の方で支柱22および30を形成する開口を画定するため、ポリイミドの一部分を除去する。操作64において、窒化ケイ素の第1の層を、ポリイミドの上に堆積する。図9C参照。上記の通り、窒化ケイ素が堆積される場合、窒化ケイ素の層は、引張応力の形態を見せ得る。操作66において、シード層を、ROIC19の上に堆積する。この堆積は、post-CMOS適合性をもつSiGeポリシリコンまたはpost-CMOS適合性をもつGeを含み得る。シード層は、検出器10に十分な量子井戸性能を達成することを可能にし得る。シード層は、結晶組織またはその構造の短距離の秩序化を示し得る。例えば、Si/SiGe層は、少なくともある種の短距離の結晶の秩序を有するべきである。この理由は、非晶質の材料は貧弱な導電体であることが知られているので、導電率は貧弱かもしれないということである。低温例えば、≦450°Cで、Siおよび高いSi含有量のSiXGe1-XX≧0.4のために真のポリシリコン堆積を得ることは困難であり得る。一方、高いGe含有量のSiGeは、より低い温度例えば、≦450°Cで堆積することができ、多結晶になることができる。例えば、SiXGe1-XのGe含有量が70X=0.3である場合、良質のポリシリコンSi0.3Ge0.7を、≦400°Cの温度で堆積することができる。これは、非常に良いシード層になり得て、それは、SiまたはSiGe典型的に、Si0.8Ge0.2が、≒350°Cでのスパッタリングによって堆積されるとき、材料が、下層の結晶の秩序化を踏襲し、したがってスパッタリングされた材料がより多くの結晶配向を得るほどである。この部分は高性能検出器を作製する際に重要であり得る。シード層の付加は、後で堆積するSiとSiGeの交互層が、良好な量子井戸熱電特性を達成するのを可能にし得る。二酸化ケイ素の層は、基板16を形成するためにシード層の上に形成される。SiとSiGeの量子井戸層の交互層も、窒化ケイ素の層の上部へ堆積される。SiとSiGeの各層は約l00Åであり得る。これらのSiとSiGeの層は、圧縮応力の状態を示し得る。SiとSiGeの交互層は、n型ドープであってもよい図9C参照。SiとSiGeの層は、同様にp型ドープであってもよいと認識されている。一般に、検出器10内でSiとSiGeの4~5周期が使用されてもよいまたはSiとSiGeの8~10の層。窒化ケイ素の厚さは、1000Å10層が使われる場合までであり得る。窒化ケイ素、およびSiとSiGeの交互層の合計厚さSiおよびSiGeの10の層例えば、1000Å、ならびに窒化ケイ素の上限厚さ例えば、1000Åを仮定すればは、2000Åの合計厚さを有する。操作68において、吸収体12の第1部分36または38、およびアーム14または15を、パターニングを施すこと、およびドライエッチすることを介して、形成し得る。吸収体12のこの部分、およびアーム14または15はn型であってもよい。操作70において、フォトレジストは除去され、さらに、Siおよびp型Si/Geの交互層の第2組は、Siおよびn型SiGe、ならびに窒化ケイ素層の層の上に直接堆積される。一般に、フォトレジストは、どの領域がエッチングされてもよいか、および、どの領域がエッチングされなくてもよいかを画定する。操作72において、吸収体12の第2部分36または38、およびアーム14または15例えば、操作68において形成されたその反対にを、パターニングを施すこと、およびドライエッチすることを介して、形成し得る。操作74において、窒化ケイ素の第2層を、交互p型量子井戸Si/SiGe層および交互n型量子井戸Si/SiGe層の両方の上に堆積する。上記の通り、窒化ケイ素が堆積される場合、窒化ケイ素の層は、引張応力の形態を示し得る。窒化ケイ素の両方の層は、交互量子井戸Si/SiGe層により検出器10に加えられた圧縮応力を相殺し得る引張強度を提供する。操作76において、薄い金属膜を、照射の吸収を高めるために窒化ケイ素の第2層の上に堆積する。操作78において、窒化ケイ素の第2層の一部分およびSiとSiGeの交互層例えば、n型またはp型を、ポリイミドに至るまで除去する。操作80において、薄い金属膜、窒化ケイ素の第1層および第2層、SiおよびSi/Geの交互層の各一部分を除去し、支柱22、30をそれぞれ形成するための開口部を画定する。操作82において、チタンおよびアルミニウムを、アーム14、15内の、形成された開口部に堆積する。チタンおよびアルミニウムは、開口部内に支柱22、30を形成するために堆積される。チタンだけが吸収体領域上に堆積される図9Dを参照。検出器10のこの区画は、吸収体12上の活性領域40としても知られている。操作84において、ポリイミド膜の全体を、酸素プラズマドライエッチングにより除去する。ポリイミド膜の全体の除去によって、窒化ケイ素の第1層および第2層、ならびに、SiおよびSiGeの交互層は、基板16の上方に吊される。窒化ケイ素ならびにSiおよびSiGeの吊された層は、支柱22、30を介してROIC19に結合される。図9A~図9Dは、図8に関連して言及した通りに製造される場合の検出器10の様々な成り立ちを示す。図10は、本発明の一実施形態による量子井戸熱電検出器10の作製のための製造プロセスフロー100を示す。プロセスフロー100は、エッチング停止としての窒化ケイ素の使用を含む検出器10の製造を示す。操作101、102、104、106、108、110、112、114および116は、図8に関連して言及した通りの、操作51、52、54、56、58、60、62、64、66にそれぞれ同等である。操作118において、窒化ケイ素の第2層を、交互層n型量子井戸Si/SiGeの上に堆積する。p型またはn型の量子井戸Si/SiGeのいずれが堆積されてもよいと認識されている。上記の通り、窒化ケイ素が堆積される場合、窒化ケイ素の層は、引張応力の形態を示し得る。窒化ケイ素の両方の層は、n型量子井戸Si/SiGeの交互層により検出器10に加えられた圧縮応力を相殺し得る引張強度を提供する。窒化ケイ素の第2層は、製造プロセスの後のほうで材料の付加的層が加えられる場合に窒化ケイ素の下方にある材料の層を保護するためのドライエッチングの停止として働く。操作120において、窒化ケイ素の第2層、およびn型量子井戸Si/SiGe層の交互層をドライエッチし、アーム15および吸収体12の第2部分38を形成する図11Bを参照。例えば吸収体12の第2部分38およびアーム15は、ドライエッチングによって形成されてもよい。吸収体12のこの部分、およびアーム15は、n型であってもよい。この操作において、Si/SiGeの層は、窒化ケイ素の第1層および第2層によって包み込まれ得る。この状況は、検出器10内のアーム15および第2部分38を応力相殺し得る。操作122において、フォトレジストを除去し、さらに、p型量子井戸Si/SiGe材料の交互層の第2組が堆積する。p型Si/SiGe材料の交互層の第2組は、窒化ケイ素の第1層および第2層の上に直接堆積される図を11C参照。操作124において、窒化ケイ素の第3の層を、p型Si/SiGe材料の交互層の第2組の上に堆積する図11Cを参照。操作126において、窒化ケイ素の第3層、ならびに、Siおよびp型Si/SiGeの交互層の第2組をドライエッチし、第1アーム14、および吸収体12の第1部分36を形成する。この操作で、Siおよびp型のSi/SiGe材料の第2交互層の第1は、窒化ケイ素の第1層および第3層によって包み込まれ得る図9Dを参照。この状況は、検出器10内の、アーム14、15ならびに第1部分36および第2部分38を応力相殺し得る。操作128において、薄い金属膜を、吸収体12の上の、窒化ケイ素の第2層および窒化ケイ素の第3層の上に堆積する。薄い金属膜は、IR吸収を高めるために構成される図11Eを参照。操作130において、窒化ケイ素の第2層および第3層の一部分ならびにSiおよびSiGeの交互層例えば、n型またはp型を、ポリイミドに至るまで除去し、サーモパイルのアームを形成する。操作132において、アーム14、15の上の、薄い金属膜、窒化ケイ素の、第1層、第2層および第3層、ならびにSiおよびSi/Geの交互層の各一部分を除去し、支柱22、30を形成するための開口部を画定する。操作134において、チタンおよびアルミニウムを、アーム14、15内に形成された開口部に堆積する。チタンおよびアルミニウムを、開口部内に堆積し、支柱22、30を形成する。チタンだけが吸収体領域上に堆積される。検出器10のこの区画は、吸収体12上の活性領域40としても知られている。操作136において、ポリイミド膜の全体を、酸素プラズマドライエッチングにより除去する。ポリイミド膜の全体の除去によって、窒化ケイ素の第1層および第2層、ならびに、SiおよびSiGeの交互層は、基板16の上に吊される。窒化ケイ素ならびにSiおよびSiGeの吊された層は、支柱22、30を介してROIC19に結合される。本発明の実施形態を図示し、記述してきたが、これらの実施形態が、本発明のあらゆる可能な形態を図示し、記述するということは意図しない。むしろ、本明細書で使用される言葉は、説明の言葉であって、限定するものではなく、かつ本発明の精神および範囲から外れることなく、様々な変更が行なわれ得ることが理解される。