所定の走査方向に相対移動する試料の透過X線像を検出する透過X線分析装置であって、前記透過X線像に由来する画像を光電変換して生じる電荷を読み出す撮像素子を2次元状に複数個備えた時間遅延積分方式のTDIセンサであって、前記走査方向に垂直な方向に前記撮像素子が並ぶラインセンサを前記走査方向に複数段並べ、1つのラインセンサに蓄積された電荷を隣接する次のラインセンサへ転送するTDIセンサと、前記TDIセンサと前記試料との間に配置され、前記走査方向に進退して前記TDIセンサに入射される前記画像の一部を遮蔽する遮蔽手段と、所定の段数の前記ラインセンサを遮蔽するように前記遮蔽手段の位置を制御する遮蔽手段位置制御手段と、を備えた透過X線分析装置。所定の走査方向に相対移動する試料の透過X線像を検出する透過X線分析方法であって、前記透過X線像に由来する画像を光電変換して生じる電荷を読み出す撮像素子を2次元状に複数個備えた時間遅延積分方式のTDIセンサであって、前記走査方向に垂直な方向に前記撮像素子が並ぶラインセンサを前記走査方向に複数段並べ、1つのラインセンサに蓄積された電荷を隣接する次のラインセンサへ転送するTDIセンサを用い、前記TDIセンサと前記試料との間に配置された遮蔽手段にて、所定の段数の前記ラインセンサを遮蔽する透過X線分析方法。しかしながら、特許文献1、2記載の技術は、TDIセンサの積算段数を電気回路で制御しており、ASIC等により専用のIC集積回路を備えたTDIセンサを製造したり、TDIセンサの演算ソフトウェアを変更しなければならず、汎用のTDIセンサを利用できないためコストアップに繋がる。又、特許文献1、2記載の技術のように電気回路や演算ソフトウェア上で積算段数が設定されている場合、試料の厚みや種類等に応じて測定者がT積算段数を自由に調整することが難しい。本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、TDIセンサの積算段数を容易かつ広い範囲で調整することができるX線分析装置及び方法の提供を目的とする。上記の目的を達成するために、本発明の透過X線分析装置は、所定の走査方向に相対移動する試料の透過X線像を検出する透過X線分析装置であって、前記透過X線像に由来する画像を光電変換して生じる電荷を読み出す撮像素子を2次元状に複数個備えた時間遅延積分方式のTDIセンサであって、前記走査方向に垂直な方向に前記撮像素子が並ぶラインセンサを前記走査方向に複数段並べ、1つのラインセンサに蓄積された電荷を隣接する次のラインセンサへ転送するTDIセンサと、前記TDIセンサと前記試料との間に配置され、前記走査方向に進退して前記TDIセンサに入射される前記画像を遮蔽する遮蔽手段と、所定の段数の前記ラインセンサを遮蔽するように前記遮蔽手段の位置を制御する遮蔽手段位置制御手段と、を備えている。この透過X線分析装置によれば、TDIセンサの積算段数を遮蔽手段によって物理的に調整すればよいので、積算段数を電気回路や演算ソフトウェアで制御する専用のTDIセンサを製造しなくてよく、汎用のTDIセンサを利用してコストダウンが図られる。又、専用のTDIセンサで積算段数を調整する場合には、測定者が積算段数を自由に調整することが難しいが、本発明では遮蔽手段の移動量を物理的に調整すればよいので、TDIセンサの積算段数を自由に調整できる。又、透過X線分析にTDIセンサを用いた場合、TDIセンサの積算段数が多くなるほど被写界深度が小さくなり、厚みがある試料の場合には深さ方向の一部にだけピントが合って像として構成されてしまい、それ以外の部分は像として構成されないため、全体の把握が出来ないことがある。そこで、本発明の透過X線分析装置においては、測定者が積算段数を自由に調整することができるので、厚みがある試料のピントが合う範囲を最も広く設定することができる。本発明の透過X線分析方法は、所定の走査方向に相対移動する試料の透過X線像を検出する透過X線分析方法であって、前記透過X線像に由来する画像を光電変換して生じる電荷を読み出す撮像素子を2次元状に複数個備えた時間遅延積分方式のTDIセンサであって、前記走査方向に垂直な方向に前記撮像素子が並ぶラインセンサを前記走査方向に複数段並べ、1つのラインセンサに蓄積された電荷を隣接する次のラインセンサへ転送するTDIセンサを用い、前記TDIセンサと前記試料との間に配置された遮蔽手段にて、所定の段数の前記ラインセンサを遮蔽する。本発明によれば、試料の透過X線像をTDIセンサで検出する際に、TDIセンサの積算段数を容易かつ広い範囲で調整することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図1は本発明の実施形態に係る透過X線分析装置1の構成を示すブロック図である。透過X線分析装置1は、X線源12と、TDITimeDelayandIntegrationセンサ14と、TDIセンサ14と試料100との間に配置され、試料100からの透過X線12xを蛍光可視光画像に変換する蛍光板16と、蛍光板16の下方に配置され、TDIセンサ14に入射される可視光画像の一部を遮蔽する遮蔽板遮蔽手段21と、遮蔽板21をTDIセンサ14に対して進退させる遮蔽板移動手段30と、遮蔽板21の位置を制御する遮蔽手段位置制御手段60と、を備えている。ここで、X線源12は試料100の下方に配置され、X線源12からX線が上方に放出されて試料100を透過した後、蛍光板16を通って可視光画像に変換される。そして、この画像が試料100上方のTDIセンサ14によって受光されるようになっている。なお、試料100は例えばリチウムイオン電池の正極に用いられるCo酸リチウム電極板の連続ストリップであり、ベルトコンベア50上に載置されて走査方向L図1の左から右へへ移動するようになっている。そして、X線源12からX線が常に放出され、移動する試料100を連続的にX線分析するようになっている。遮蔽手段位置制御手段60はコンピュータからなり、CPU、ROM、RAM等を含み、所定のコンピュータプログラムを実行可能であると共に、X線源12からのX線の照射、TDIセンサ14による可視光画像の受光及び出力処理等の全体の処理も行っている。又、透過X線分析装置1は試料100中の異物101例えばFeを検出するようになっている。X線源12は、所定のX線管球からなる。X線管球は例えば、管球内のフィラメント陽極から発生した熱電子がフィラメント陽極とターゲット陰極との間に印加された電圧により加速され、ターゲットWタングステン、Moモリブデン、Crクロムなどに衝突して発生したX線を1次X線としてベリリウム箔などの窓から出射するものである。TDIセンサ14は、複数個の撮像素子電荷結合素子;CCDChargeCoupledDevicesが2次元アレイ状に並んだ構成をなしている。又、図2に示すように、TDIセンサ14は、走査方向Lに垂直な方向に撮像素子が並ぶラインセンサ14a~14hを走査方向Lに複数段図2の例では8段であるが、実際には数100~数1000段並べた構成をなしている。図2に示すように、遮蔽板21は矩形状に形成され、遮蔽板21のうち2つの辺はL方向に垂直に向き、ラインセンサ14a~14hに平行になっている。又、遮蔽板21のうち、L方向に沿う2つの側縁は、断面がL字形の1対のレール31の間に挟まれてレール31上に載置され、レール31に沿って遮蔽板21がL方向に進退可能になっている。又、遮蔽板21の一方にはL方向に沿って貫通孔21aが形成され、貫通孔21aの内部にはネジが切られている。そして、ステッピングモータ32に軸支された送りネジ32Lが貫通孔21aに螺合し、ステッピングモータ32の回転により遮蔽板21をレール31に沿ってL方向に進退させている。レール31、ステッピングモータ32、送りネジ32Lを合わせて移動機構30と称する。又、後述する遮蔽手段位置制御手段60は、ステッピングモータ32の回転量を調整して送りネジ32Lの送り量を制御することにより、遮蔽板21のL方向の移動量を制御している。以上のようにして、遮蔽板21がL方向に移動すると、ラインセンサ14a~14hの一部を遮蔽し、後述するようにTDIセンサ14による時間遅延積分の段数を物理的に調整する。なお、移動機構30の構成は上記に限られず、遮蔽板21の構成も上記に限られない。又、遮蔽板21としては、例えばタングステンやモリブデンのシート例えば、厚み0.5mm程度を用いることができる。次に、図3を参照してTDIセンサ14による時間遅延積分処理の方法の一例について説明する。ここで、図2に示すようにTDIセンサ14は、複数段8段のラインセンサ14a~14hで構成されている。いま、試料100中の異物101が1段目のラインセンサ14aの受光領域に入ったとすると、ラインセンサ14aで蓄積された電荷が2段目のラインセンサ14bに転送される図3a。次に、異物101がL方向に移動して2段目のラインセンサ14bの受光領域に入ったとすると、ラインセンサ14bには電荷が蓄積される図3b。2段目のラインセンサ14bでは1段目のラインセンサ14aから転送された電荷と自身で受光した電荷とを加算して蓄積して3段目のラインセンサ14cに転送する。このように、各ラインセンサ14a~14hには、前段のラインセンサから転送された電荷が順次加算され、最終段のラインセンサ14hに転送された累積電荷が出力される。そして、L方向に移動する試料100を連続的にライン分析することにより、試料100の2次元画像データが連続的に取得される。このようにTDIセンサ14では、段数がTの場合に単一のラインセンサに比べてT倍の電荷が蓄積され、コントラストがT倍となると共にノイズが低減され、測定を高速で行えると共にS/N比が向上する。なお、TDIセンサ14の構成及び動作は公知のものを用いることができる。ところで、図4に示すように、透過X線分析にTDIセンサ14を用いた場合、分析対象となる試料100中の異物101の厚みdが厚くなると、異物101の深さ方向の位置P1、P2によってTDIセンサ14と異物101との距離h1、h2が変化する。このとき、TDIセンサの積算段数Nが多くなるほど被写界深度が小さくなり、厚みがある異物101の位置P1にだけピントが合って像として構成されてしまい、位置P2では像として構成されないため、全体の把握が出来なくなる。このことを図4を参照して説明する。まず、X線源12からP1、P2までの距離をそれぞれS1、S2とし、試料100異物101のL方向の走査移動速度をVとする。この場合、P1がTDIセンサ14上に落とす影の移動速度V1=V×S1h1h1となる。同様に、P2がTDIセンサ14上に落とす影の移動速度V2=V×S2h2h2となる。一方、P1とP2に対してVが1つの値しか設定できないため、V1=Vに設定すると、P1のTDIセンサ14上の影の移動速度V1と試料100の走査速度Vが一致するためにP1の影が像として構成される。これに対し、P2のTDIセンサ14上の影の移動速度V2と走査速度Vが一致しないため、P2の影はTDIセンサ14の複数段に渡ってぼやける。特にこの問題は、検出対象となる異物101が試料100の表面だけでなく、深さ方向にも入り込んでいる場合や、異物101の厚みが2mm程度を超える場合に顕著になる。ここで、P2の影がTDIセンサ14上でぼやける段数NE=N×V2-V1/V1で表され、TDIセンサ14の積算段数Nに比例する。従って、積算段数Nを小さくすることにより、位置によって深さが違う異物101のピントが合う範囲を広げることができる。すなわち、図5に示すように、遮蔽板21をL方向に移動させてラインセンサ14a~14hの一部図5の例では、後段側の3個のラインセンサ14f~14hを遮蔽することで時間遅延積分を行う段数を減らし、TDIセンサ14の被写界深度を深くする。遮蔽板21を用いる場合、汎用のTDIセンサ14を用いることができる。すなわち、図3と同様に、各ラインセンサ14a~14hには、前段のラインセンサから転送された電荷が順次加算され、最終段のラインセンサ14hに転送された累積電荷が出力される。但し、遮蔽板21で遮蔽されて画像を受光できないラインセンサ14f~14hには自身の電荷が蓄積されないので、ラインセンサ14a~14eから順次転送された累積電荷は、ラインセンサ14f~14hに順次そのまま転送され、最終段のラインセンサ14hから出力される。このようにして、TDIセンサ14の積算段数を減らす図5の例では5段ことができる。以上のように、TDIセンサ14の段数を遮蔽板21によって物理的に調整すればよいので、TDIセンサの積算段数をセンサ自身の電気回路や演算ソフトウェアで制御する場合のように専用のTDIセンサを製造しなくてよく、汎用のTDIセンサを利用してコストダウンが図られる。又、専用のTDIセンサで積算段数を調整する場合には、測定者が積算段数を自由に調整することが難しいが、本発明では遮蔽板21の移動量を物理的に調整すればよいので、TDIセンサの積算段数を自由に調整できる。例えば、厚みの薄い試料を分析する場合はTDIセンサ14の段数を多くし、厚みの厚い試料を分析する場合はTDIセンサ14の段数を少なくすればよい。TDIセンサ14の段数の調整は、例えばコンピュータ遮蔽手段位置制御手段60にキーボード等の入力装置61を接続し、測定者が遮蔽板21の任意の移動量又は移動量に応じたTDIセンサ14の段数を入力装置61から入力して行うことができる。遮蔽手段位置制御手段60は、測定者の入力した情報に基づいてステッピングモータ32の回転を制御し、遮蔽板21の移動量を調整する。本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。