"以下のステップ、とりわけ以下の順序:-第1の接触面3上のレザバー形成層6中にレザバー5を形成するステップ、-レザバー5を第1のエダクト又はエダクトの第1の群で少なくとも部分的に充填するステップ、-前結合連結部の形成のために第1の接触面3を第2の接触面4と接触させるステップ、-第2の基板2を薄層化するステップ、-第1のエダクトと第2の基板2の反応層7に含まれている第2のエダクトとの反応により少なくとも部分的に強化された第1及び第2の接触面3、4間の永久的結合を形成するステップにより、第1の基板1の第1の接触面3を、少なくとも1つの反応層7を有する第2の基板2の第2の接触面4に結合する方法。薄層化がとりわけ湿潤雰囲気中で好ましくは原位置でのエッチングにより行われる、請求項1に記載の方法。薄層化がとりわけ原位置での乾式エッチングにより行われる、請求項1に記載の方法。第2の基板2の第2の接触面4上のレザバー形成層6’中に、とりわけ第1のレザバー5の形成と同時にさらなるレザバー5’を形成させる、請求項1から3の何れか一項に記載の方法。反応中に第2のエダクトのモル体積より大きいモル体積を有する反応生成物10が反応層7において形成される、請求項1から4の何れか一項に記載の方法。レザバー/複数のレザバー5、5’がプラズマ活性化により形成される、請求項1から5の何れか一項に記載の方法。レザバー形成層6としてとりわけ圧縮されたテトラエトキシシラン酸化物層を用いることによってレザバー5、5’を形成させる、請求項1から6の何れか一項に記載の方法。レザバー形成層6が、主として、とりわけ本質的に完全に、とりわけ非晶質の物質、とりわけ熱酸化により生成した二酸化ケイ素からなり、反応層7が易酸化性物質、とりわけ主として、好ましくは本質的に完全にSi、Ge、InP、GaP又はGaNからなる、請求項1から7の何れか一項に記載の方法。第2の接触面4と反応層7との間にとりわけ主として天然二酸化ケイ素の成長層8が存在し、成長層8が薄層化によって少なくとも部分的に、とりわけ完全に除去される、請求項1から8の何れか一項に記載の方法。永久的結合の形成の前で薄層化の後に、成長層8が1オングストロームから10nmの間の平均厚さAを有する、請求項9に記載の方法。レザバーの形成が真空中で行われる、請求項1から10の何れか一項に記載の方法。レザバーが、以下に挙げる1つ又は複数のステップ:-第1の接触面3をとりわけ高酸素及び/又は水含量を有する雰囲気に曝露するステップ、-第1の接触面3をとりわけ主に、好ましくはほぼ完全にとりわけ脱イオン化されたH2O及び/又はH2O2からなる流体に曝露するステップ、-第1の接触面3をとりわけ0~200eVの範囲のイオンエネルギーを有するN2ガス及び/又はO2ガス及び/又はArガス及び/又はとりわけ95Ar及び5H2からなるフォーミングガスに曝露するステップにより充填される、請求項1から11の何れか一項に記載の方法。レザバー5が0.1nmから25nmの間、とりわけ0.1nmから20nmの間の平均厚さRで形成される、請求項1から12の何れか一項に記載の方法。永久的結合の形成の直前のレザバー5と反応層7との間の平均距離Bが0.1nmから15nmの間、とりわけ0.5nmから5nmの間、好ましくは0.5nmから3nmの間である、請求項1から13の何れか一項に記載の方法。不可逆的結合が前結合強さの2倍、好ましくは4倍、より好ましくは10倍、最も好ましくは25倍を含む結合強さを有する、請求項1から14の何れか一項に記載の方法。したがって、本発明の目的は、同時にできる限り低い温度におけるできる限り高い結合力を有する永久的結合の注意深い形成の方法を考案することである。この目的は、請求項1の特徴により達成される。本発明の有利な展開を従属請求項に示す。本明細書に示す特徴の少なくとも2つのすべての組合せ、請求項及び/又は図も本発明の枠内に入る。所定の値の範囲において、表示限界内の値は、境界値としても開示されるように考慮され、いずれかの組合せにおいて請求される。本発明の基本的概念は、基板の少なくとも1つにおける第1のエダクトeductを保持するためのレザバーを考案することであり、基板の間の接触を起こさせ又は一時的結合を形成させた後にそのエダクトは他の基板に存在する第2のエダクトと反応し、それにより、基板間の不可逆的又は永久的結合を形成する。第1の接触面上のレザバー形成層にレザバーを形成する前又は後に、一般的に、特にフラッシングステップによる基板又は複数の基板の洗浄を行う。この洗浄は、非結合部位をもたらすような粒子が表面上に存在しないことを一般的に保証するものである。レザバー及びレザバーに含まれるエダクトは、結合速度を増加させ、特に反応により接触面の少なくとも1つ、好ましくはレザバーの反対側の接触面を変形させることにより、一時的又は可逆的結合を専用の方法により形成させた後の接触面における永久的な結合を直接的に強固にする反応第1のエダクト又は第1の群と第2のエダクト又は第2の群とのを誘導する技術的可能性をもたらす。本発明において請求するように反対側の第2の接触面上に、本発明において請求するように変形が起こり、第1のエダクト又は第1の群が第2の基板の反応層に存在する第2のエダクト又は第2の群と反応する成長層が存在する。第1のエダクト又は第1の群と第2のエダクト又は第2の群との反応を促進するために、本発明において請求するように、第2の基板の反応層とレザバーとの間に位置する成長層を、基板を接触させる前に薄くすることがもたらされる。その理由は、このようにして、反応相手の間の距離が減少し、同時に本発明において請求するように成長層の変形/形成が促進されるからである。成長層は、薄層化によって少なくとも部分的に、とりわけ大部分は、好ましくは完全に除去される。成長層は、完全に除去された場合でも、第1のエダクトと第2のエダクトとの反応で再び成長する。本発明において請求するように、とりわけ第2の基板の反応層の不動態化により、好ましくはN2、フォーミングガス若しくは不活性雰囲気への曝露により又は真空中で又は非晶質化により、接触面を接触させる前に成長層の成長を抑制する手段が存在し得る。これに関連して、フォーミングガスを含む、とりわけ主としてフォーミングガスからなるプラズマによる処理は、とりわけ適切であることが立証された。ここで、フォーミングガスは、少なくとも2、より有利には4、理想的には10又は15の水素を含むガスと定義される。混合ガスの残りの部分は、例えば、窒素又はアルゴンなどの不活性ガスからなる。或いは又はこの処置に加えて、本発明において請求するように、薄層化するステップと接触させるステップとの間の時間を最小限にすること、とりわけ2時間未満、好ましくは30分未満、さらにより好ましくは15分未満、理想的には5分未満にすることが有利である。それにより、薄層化の後に起こる酸化物の成長を最小限にすることができる。成長層を介するエダクトの拡散速度は、薄くされ、したがって、永久的結合の形成の少なくとも開始時又は反応の開始時に非常に薄い成長層により増加する。これは、同じ温度においてエダクトの移動時間がより短くなることにつながる。前結合ステップについては、基板の間の一時的又は可逆的結合を形成させることに関して基板の接触面間の弱い相互作用を発生させる目的について様々な可能性が存在する。前結合強さは、永久的結合を少なくとも2~3倍、特に5倍、好ましくは15倍、より好ましくは25倍下回る。指針値として、純粋な非活性化親水性化ケイ素の前結合強さが約100mJ/m2であり、純粋なプラズマ活性化親水性化ケイ素の前結合強さが約200~300mJ/m2であることに言及する。分子濡れ基板molecule-wettedsubstrates間の前結合は、異なるウェーハ側の分子間のファンデルワールス相互作用に主として起因して生ずる。したがって、主として永久双極子モーメントを有する分子は、ウェーハ間の前結合を可能にするのに適する。以下の化合物は、例としてであるが、それらに限定されない相互接続物質として記載する。-水-チオール-AP3000-シラン及び/又は-シラノール本発明で請求する基板は、その材料がエダクトとして他の供給されたエダクトと反応して、より高い分子体積を有する生成物を生成することができ、その結果として基板上の成長層の形成がもたらされる。以下の組合せは、特に有利であり、矢印の左にエダクトの名称を示し、矢印の右に生成物/複数の生成物の名称を示し、供給されたエダクト又はエダクトと反応する副生成物は、具体的には名称を示さない。-Si→SiO2、Si3N4、SiNxOy-Ge→GeO2、Ge3N4-α-Sn→SnO2-B→B2O3、BN-Se→SeO2-Te→TeO2、TeO3-Mg→MgO、Mg3N2-Al→Al2O3、AlN-Ti→TiO2、TiN-V→V2O5-Mn→MnO、MnO2、Mn2O3、Mn2O7、Mn3O4-Fe→FeO、Fe2O3、Fe3O4-Co→CoO、Co3O4,-Ni→NiO、Ni2O3-Cu→CuO、Cu2O、Cu3N-Zn→ZnO-Cr→CrN、Cr23C6、Cr3C、Cr7C3、Cr3C2-Mo→Mo3C2-Ti→TiC-Nb→Nb4C3-Ta→Ta4C3-Zr→ZrC-Hf→HfC-V→V4C3、VC-W→W2C、WC-Fe→Fe3C、Fe7C3、Fe2C以下の混合形の半導体も基板として考えられる。-III-V:GaP、GaAs、InP、InSb、InAs、GaSb、GaN、AlN、InN、AlxGa1-xAs、InxGa1-xN-IV-IV:SiC、SiGe、-III-IV:InAlP、-非線型光学:LiNbO3、LiTaO3、KDPKH2PO4-太陽電池:CdS、CdSe、CdTe、CuInSe2、CuInGaSe2、CuInS2、CuInGaS2-伝導性酸化物:In2-xSnxO3-y本発明において請求するように、ウェーハの少なくとも1つにそれぞれの接触面に直接、体積膨張反応のための特定の量の少なくとも1つの供給エダクトを保存することができるレザバー又は複数のレザバーが存在する。したがって、エダクトは、例えば、O2、O3、H2O、N2、NH3、H2O2等であり得る。系のエネルギーを低下させる反応相手の傾向に基づく、特に酸化物の成長により決定づけられる膨張により、接触面間の生じ得る隙間、孔隙及び空洞が最小限となり、これらの領域における基板の間の距離が狭められることにより、結合力がそれ相応に増加する。最善な可能な場合において、既存の隙間、孔隙及び空洞は、完全に閉鎖され、そのため、完全結合面積が増加し、ひいては、本発明において請求する結合力がそれに応じて増加する。接触面は通常、0.2nmの二次粗度quadraticroughnessRqによる粗度を示す。これは、1nmの範囲における表面のピークピーク値に相当する。これらの経験値は、原子間力顕微鏡AFMにより測定した。本発明において請求するような反応は、1単層MLの水を有する直径が200~300mmの円形ウェーハの通常のウェーハ面について成長層を0.1~0.3nm成長させるのに適している。本発明において請求するように、したがって、少なくとも2ML、好ましくは少なくとも5ML、より好ましくは少なくとも10MLの流体、特に水がレザバーに保存されることが特にもたらされる。プラズマへの曝露によるレザバーの形成は、特に好ましい。その理由は、プラズマ曝露がさらに相乗効果として接触面の平滑化及び親水性化をもたらすからである。表面は、レザバー形成層及び場合によって反応層の物質の主として粘性流によるプラズマ活性化により平滑化される。親水性の増大は、特に以下の反応によるSi-O-Siなどの表面上に存在するSi-O化合物の好ましくは分解による、ケイ素ヒドロキシル化合物の増加によって特に起こる。Si-O-SiH2O←→2SiOH特に前述の効果の結果としての他の副次的効果は、前結合強さが特に2~3倍改善することにある。第1の基板の第1の接触面上のレザバー形成層における及び場合によって、第2の基板の第2の接触面上のレザバー形成層のレザバーは、熱酸化物で被覆された第1の基板の例えばプラズマ活性化により形成される。プラズマ活性化は、プラズマに必要な条件を調節することができるために真空チャンバー中で行われる。本発明において請求するように、プラズマ放電のために0~2000eVの範囲のイオンエネルギーを有するN2ガス、O2ガス又はアルゴンガスを用い、その結果として、処理表面、この場合には第1の接触面の20nmまでの、好ましくは15nmまでの、より好ましくは10nmまでの、最も好ましくは5nmまでの深さを有するレザバーが生成される。本発明において請求するように、レザバーを生成するのに適する粒子型、原子及び/又は分子を用いることができる。好ましくは必要な特性を有するレザバーを生成するそれらの原子及び/又は分子を用いる。該当する特性は、主として細孔径、細孔分布及び細孔密度である。或いは、本発明において請求するように、例えば、空気又は95Ar及び5H2からなるフォーミングガスなどのガス混合物を用いることができる。用いるガスによって、プラズマ処理中にレザバーにとりわけ次のイオンが存在する:N、N2、O、O2、Ar。第1のエダクトは、レザバー/複数のレザバーの非占有自由空間に収容することができる。レザバー形成層と、それに応じてレザバーとが、反応層内に及び得る。有利には、反応層と反応することができ、少なくとも部分的に、好ましくは大部分、第1のエダクトからなる異なる種類のプラズマ種が存在する。第2のエダクトがSi/Siである限りにおいて、Oxプラズマ種が有利であることとなる。レザバー/複数のレザバーは、次の考慮すべき事項に基づいて形成される。すなわち、細孔径は、10nmより小さい、好ましくは5nmより小さい、より好ましくは1nmより小さい、さらにより好ましくは0.5nmより小さい、最も好ましくは0.2nm小さい。細孔密度は、好ましくは衝突作用により細孔を生成する粒子の密度に正比例し、最も好ましくは衝突種の分圧により変化させることができ、処理時間及び特に用いられるプラズマシステムのパラメーターに依存する。細孔分布は、好ましくはプラトー状の領域に重ね合されるいくつかの最大細孔濃度の領域のパラメーターの変化による、表面下の最大細孔濃度の少なくとも1つの領域を有することが好ましい図7参照。細孔分布は、深さの増加とともにゼロに収束する。衝撃時の表面に近い領域は、表面近くの細孔密度とほぼ同じ細孔密度を有する。プラズマ処理の終了後は、表面上の細孔密度は、応力緩和機構の結果として低下し得る。表面に対して厚さ方向の細孔分布は、1つの急な側面を有し、バルクに対しては、むしろより平坦であるが、連続的に低下しつつある側面を有する図7参照。細孔径、細孔分布及び細孔密度について、プラズマによらないすべての方法に同様な考慮すべき事項が適用される。レザバーは、工程パラメーターの管理された使用及び組合せにより設計することができる。図7に酸化ケイ素層への浸透深さの関数としてのプラズマにより注入された窒素原子の濃度の表示を示す。物理的パラメーターの変化により2つのプロファイルを発生させることが可能であった。第1のプロファイル11は、酸化ケイ素内により深くより高度に加速された原子により発生し、逆にプロファイル12は、工程パラメーターをより低い密度に変化させた後に得られた。2つのプロファイルの重ね合せにより、レザバーに特有の和曲線13が得られる。注入原子及び/又は分子種の濃度の間の関係は明らかである。より高い濃度は、より高い欠陥構造、したがって、その後のエダクトを収容するより多くの空間を有する領域を示す。プラズマ活性化時に専用の方法で特別に制御される工程パラメーターの連続的変化により、分布ができる限り均一である深さにわたる付加イオンの分布を有するレザバーを実現することが可能となる。プラズマにより生成されるレザバーに代わるべきものとしてのレザバーとして、基板の少なくとも1つ、少なくとも第1の基板におけるTEOSテトラエチルオルトケイ酸塩酸化物層の使用が考えられる。この酸化物は、熱酸化物より一般的に密度が低く、その理由のために本発明において請求するように圧縮が有利である。圧縮は、レザバーの規定の多孔度を設定する目的での熱処理によって起こる。本発明の1つの実施形態によれば、レザバーの充填は、第1の基板にレザバーを、第1のエダクトを既に含んでいるコーティングとして施すことによりレザバーの形成と同時に特に有利に行われ得る。レザバーは、ナノメートル範囲の多孔性を有する多孔質層、又は10nmより小さい、より好ましくは5nmより小さい、さらにより好ましくは2nmより小さい、最も好ましくは1nmより小さい、すべての中で最も好ましくは0.5nmより小さいチャンネル密度を有するチャンネルを有する層と考えられる。本発明において請求する、第1のエダクト又はエダクトの第1の群によるレザバーの充填のステップについて、以下の実施形態組合せもが考えられる。-周囲雰囲気にレザバーを曝露するステップ、-とりわけ脱イオン化された水によりフラッシングするステップ、-エダクトを含む又はそれ、とりわけH2O、H2O2、NH4OHからなる流体によりフラッシングするステップ、-任意のガス雰囲気、とりわけ原子ガス、分子ガス、ガス混合物にレザバーを曝露するステップ、-水蒸気又は過酸化水素蒸気を含む雰囲気にレザバーを曝露するステップ及び-エダクトで既に充填されたレザバーを第1の基板上にレザバー形成層として堆積させるステップ。次の化合物は、エダクトとして可能である。すなわち、Ox、O2、O3、N2、NH3、H2O、H2O2及び/又はNH4OH。上で挙げた過酸化水素蒸気の使用は、水を使用することのほかの好ましい変形形態である。過酸化水素は、より大きい酸素対水素比を有するという利点をさらに有する。さらに、過酸化水素は、特定の温度以上で、及び/又はMHz範囲の高周波場の使用により、水素と酸素に解離する。主として異なる熱膨張係数を有する物質を用いる場合、注目に値する温度上昇又はせいぜい局所的/固有の温度上昇を引き起こさない前述の種の解離のための方法の使用が有利である。特に、解離を少なくとも促進する、好ましくは引き起こすマイクロ波照射が存在する。本発明の1つの有利な実施形態によれば、成長層の形成及び不可逆的結合の強化が反応層中への第1のエダクトの拡散によって起こることがもたらされる。本発明の他の有利な実施形態によれば、不可逆的結合の形成が一般的に300°C未満、有利には200°C未満、より好ましくは150°C未満、さらにより好ましくは100°C未満の温度で、最も好ましくは室温で、とりわけ最長12日間、より好ましくは最長1日間、さらにより好ましくは最長1時間、最も好ましくは最長15分間に起こることがもたらされる。他の有利な熱処理方法は、マイクロウェーブによる誘電加熱である。ここで、不可逆的結合が1.5J/m2より大きい、とりわけ2J/m2より大きい、好ましくは2.5J/m2より大きい結合強さを有するならば、それはとりわけ有利である。反応中に、本発明において請求するように、第2のエダクトのモル体積より大きいモル体積を有する生成物が反応層中に生成するという点で、結合強さをとりわけ有利に増加させることができる。本発明において請求するように、接触面間の隙間を化学反応により閉鎖することができる結果として、このように第2の基板上の成長が達成される。結果として、接触面間の距離、したがって平均距離が減少し、デッドスペースが最小限になる。レザバーの形成が、とりわけ10から600kHzの間の活性化周波数及び/又は0.075から0.2ワット/cm2の間の電力密度及び/又は0.1から0.6mバールの間の圧力による加圧を用いたプラズマ活性化により起こる限りにおいて、接触面の平滑化、また接触面の親水性の明らかな増加などのさらなる効果が達成される。或いはそれに加えて、レザバーの形成は、レザバー形成層として特定の多孔度まで制御された仕方で圧縮されたテトラエトキシシラン酸化物層の使用によって本発明において請求するように起こり得る。本発明の他の有利な実施形態によれば、レザバー形成層が、主として、とりわけ本質的に完全に、とりわけ非晶質の二酸化ケイ素、とりわけ熱酸化により生成したものからなり、反応層が易酸化性物質から、とりわけ主として、好ましくは本質的に完全にSi、Ge、InP、GaP又はGaN又は上で代わるべきものとして言及した他の物質からなることがもたらされる。既存の隙間をとりわけ効果的に閉鎖するとりわけ安定な反応は、酸化により可能になる。ここで、本発明において請求するように、第2の接触面と反応層との間にとりわけ主として天然二酸化ケイ素又は上で代わりになるべきものとして述べた他の物質からなる成長層が存在することがもたらされる。成長層は、本発明において請求するように反応によって引き起こされる成長を受ける。成長は、非晶質SiO2の再形成によるSi-SiO2転移7並びにそれによって引き起こされる変形、とりわけ反応層との界面上の、とりわけ第1及び第2の接触面間の隙間の領域における成長層のとりわけ膨張から発して起こる。これは、2つの接触面の間の距離の減少又はデッドスペースの減少を引き起こし、その結果として2つの基板の間の結合強さが増加する。200°Cから400°Cの間の温度、好ましくは約200°C及び150°C、より好ましくは150°Cから100°Cの間の温度、最も好ましくは100°Cから室温の間の温度がとりわけ有利である。成長層は、いくつかの成長領域に分けることができる。成長層は、同時に、反応を促進する他のレザバーが形成される第2の基板のレザバー形成層であり得る。ここで、成長層が不可逆的結合の形成の前に0.1nmから5nmの間の平均厚さAを有するならば、それはとりわけ有利である。成長層が薄いほど、成長層を介しての第1及び第2のエダクト間のとりわけ反応層への成長層を介する第1のエダクトの拡散による反応がより速やか且つ容易に起こる。成長層を介するエダクトの拡散速度は、薄くされ、したがって、永久的結合の形成の少なくとも開始時又は反応の開始時に非常に薄い成長層により増加する。これは、同じ温度におけるエダクトのより低い移動時間につながる。ここで、本発明において請求する薄層化は、決定的に重要な役割を果たし得る。その理由は、反応がそれによりさらに促進することができ、且つ/又は温度をさらに低下させることができるからである。薄層化は、好ましくは湿潤雰囲気中で、より好ましくは原位置in-situでとりわけエッチングにより行うことができる。或いは、薄層化は、好ましくは原位置でとりわけ乾式エッチングにより行われる。ここで、原位置は、少なくとも1つの前及び/又は少なくとも1つの次のステップが行われる同じチャンバー内での実施を意味する。ここで用いる原位置の概念に含まれる他のシステム配置は、個々の工程チャンバー間の物質の輸送を、とりわけ真空環境中を除く、例えば、不活性ガスを用いて制御された方法で調節することができる雰囲気中で行うことができるシステムである。湿式エッチングは、蒸気相中で化学物質を用いて行われるが、乾式エッチングは、液体状態の化学物質を用いて行われる。成長層が二酸化ケイ素からなる限り、フッ化水素酸又は希フッ化水素酸を用いるエッチングを行うことができる。成長層が純Siからなる限り、エッチングはKOHを用いて行うことができる。本発明の1つの実施形態によれば、レザバーの形成が真空中で行われることが有利にもたらされる。したがって、望ましくない物質又は化合物によるレザバーの汚染を避けることができる。本発明の他の実施形態によれば、レザバーの充填が以下に挙げる1つ又は複数のステップにより起こることが有利にはもたらされる。-大気中水分及び/又は空気に含まれる酸素でレザバーを充填するために、第1の接触面を大気に曝露するステップ、-第1の接触面をとりわけ主に、好ましくはほぼ完全に、とりわけ脱イオン化されたH2O及び/又はH2O2からなる流体に大気に曝露するステップ、-第1の接触面をとりわけ0~2000eVの範囲のイオンエネルギーを有するN2ガス及び/又はO2ガス及び/又はArガス及び/又はとりわけ95Ar及び5H2からなるフォーミングガスに曝露するステップ、-既に挙げたエダクトでレザバーを充填するための蒸着。レザバーが好ましくは0.1nmから25nmの間、より好ましくは0.1nmから15nmの間、さらにより好ましくは0.1nmから10nmの間、最も好ましくは0.1nmから5nmの間の厚さRで形成されるならば、それは、工程手順においてとりわけ有効である。さらに、本発明の1つの実施形態によれば、不可逆的結合の形成の直前のレザバーと反応層との間の平均距離Bが0.1nmから15nmの間、とりわけ0.5nmから5nmの間、好ましくは0.5nmから3nmの間であるならば、それは有利である。本発明において請求する距離Bは、薄層化により影響され又はもたらされる。方法を実施するための装置は、本発明において請求するように、レザバーを形成するためのチャンバー、レザバーを充填するためのとりわけ別個に備えられたチャンバー及び前結合を形成させるためのとりわけ別個に備えられたチャンバーで構成されており、それらのチャンバーのすべては、真空システムにより互いに直接的に接続されている。他の実施形態において、レザバーの充填は、直接雰囲気を介して、したがって、雰囲気に開放させることができるチャンバー内又は覆われていないが、半自動的及び/又は完全に自動的にウェーハを取り扱うことができる単に構造上でも行われ得る。本発明の他の利点、特徴及び詳細は、好ましい具体例としての実施形態の以下の記述から、また図面を用いて明らかになる。同じ又は同等の特徴は、図における同じ参照番号により特定される。図1aに示す状況において、第1の基板1の第1の接触面3と第2の基板の第2の接触面4との間の前結合ステップ中又はその直後に進行する化学反応の一抜粋のみを示す[sic]。表面は、極性OH基で終わり、したがって親水性である。第1の基板1と第2の基板2は、表面上に存在するOH基とH2O分子との間、またH2O分子単独間の水素結合の引力により保持される。少なくとも第1の基板1の親水性は、先行するステップにおけるプラズマ処理により増加していた。代替実施形態による第1の基板1のプラズマ処理ととりわけ同時に、第2の基板2又は第2の接触面4をプラズマ処理にさらにかけることがとりわけ有利である。熱二酸化ケイ素からなるレザバー形成層6におけるレザバー5並びに図1bによる代替実施形態におけるレザバー形成層6’における第2の反対側のレザバー5’は、プラズマ処理により本発明において請求するように形成された。レザバー形成層6、6’の下に第2のエダクト又はエダクトの第2の群を含む反応層7、7’が直接隣接している。0から2000eVの間の範囲のイオンエネルギーを有するO2イオンを用いたプラズマ処理により、レザバー形成層6におけるイオン形成チャンネル又は細孔である約15nmの平均厚さRのレザバー5が得られる。レザバー形成層6と反応層7との間に同時に少なくとも部分的にレザバー形成層6’であり得る第2の基板2上の成長層8が存在する。したがって、レザバー形成層6’と反応層7’との間にさらに他の成長層が存在し得る。同様にレザバー5及び場合によってレザバー5’は、図1に示すステップの前及びプラズマ処理の後に第1のエダクトとしてのH2Oで少なくとも主として充填されている。プラズマ工程で存在するイオンの還元種、とりわけO2、N2、H2、Arもレザバーに見いだすことができる。レザバー/複数のレザバー5、5’の形成の前又は後、いずれの場合にも基板1、2を接触させる前に、成長層8及び場合によって他の成長層をエッチングにより薄層化するここではレザバー5の形成の後、図2参照。このようにして第2の接触面4と反応層7との間の平均距離Bを減少させる。同時に第2の接触面4が有利なことに平坦になる。接触面3、4は、図1a及び図1bに示す段階において接触した後に接触面3、4の間に存在する水によってとりわけ決定づけられる比較的に広い隙間をまだ有する。したがって、現存する結合強さは、比較的に低く、約100mJ/cm2から300mJ/cm2の間、とりわけ200mJ/cm2超である。これに関連して、前プラズマ活性化は、とりわけプラズマ活性化第1の接触面3の親水性の増大及びプラズマ活性化によってもたらされる平滑化効果により決定的に重要な役割を果たす。図1に示され、前結合と呼ばれる過程は、好ましくは周囲温度又は最高50°Cで進行し得る。図3a及び図3bに-OH終端表面による水の分解により生ずる親水性結合、Si-O-Si架橋を示す。図3a及び図3bにおける過程は、室温で約300時間持続する。50°Cでは約60時間である。図3bにおける状態は、レザバー5又はレザバー5、5’を生成することなく表示温度で発生する。接触面3、4の間にH2O分子が形成され、まだ自由空間が存在する程度までの少なくとも部分的にレザバー5におけるさらなる充填をもたらす。他のH2O分子は除去される。図1によるステップにおいて、OH基又はH2Oの約3~5層の個別層が存在し、図1によるステップから図3aによるステップまでに1~3単層のH2Oが除去されるか又はレザバー5に収容される。図3aに示すステップにおいて、水素架橋結合が今度はシロキサン基間に直接形成され、その結果として、より大きい結合力が生じる。これが接触面3、4を互いにより強く引きつけ、接触面3、4の間の距離を減少させる。それに応じて接触面1、2間にOH基の1~2層の個別層のみが存在する。図3bに示すステップにおいて、次に下に挿入した反応によるH2O分子の分離により、はるかに強い結合力をもたらし、より少ない空間を必要とする、シラノール基の形の共有結合化合物が今度は接触面3、4間に形成され、そのため、最終的に接触面3、4が互いに直接接触することに基づく図3に示す最小距離に達するまで、接触面3、4間の距離がさらに減少する。Si-OHHO-Si←→Si-O-SiH2Oステージ3に至るまで、とりわけレザバー5及び場合によってさらなるレザバー5’の形成により、温度を必要以上に上昇させることは必要でなく、室温でそれを処理することが可能である。このように図1a又は図1b~図4による工程ステップのとりわけ注意深い進行が可能である。図5に示す方法ステップにおいて、第1及び第2の接触面間の不可逆的又は永久的結合を形成するために、温度を好ましくは最高500°Cに、より好ましくは最高300°Cに、さらにより好ましくは最高200°Cに、最も好ましくは最高100°Cに、最も好ましくは特に室温を上回らない温度に上昇させる。従来技術と対照的に比較的に低いこれらの温度が可能である。その理由は、レザバー5及び場合によってさらにレザバー5’が図6及び図7に示す反応のための第1のエダクトを含むためである。Si2H2O→SiO22H2とりわけレザバー形成層6’及び反応層7間の界面上並びに場合によって、さらにレザバー形成層6及び反応層7’間の界面上のH2O分子のモル体積及び拡散を増加させることにより、ギブス自由エネルギーを最小化する目的のために成長層8の形の体積が増加し、隙間9が接触面3、4間に存在する領域でエンタルピー増強成長が起こる。隙間9が成長層8の体積の増加により、近づく。より正確には:上述のわずかに上昇した温度で、H2O分子は、第1のエダクトとしてレザバー5又はレザバー5、5’から反応層7及び場合によって7’に拡散する。この拡散は、酸化物層として形成されているレザバー形成層6、6’と各反応層7、7’又は成長層8との直接接触により、又は酸化物層間に存在する隙間9を介して若しくは隙間9から起こり得る。したがって純ケイ素より大きいモル体積を有する、酸化ケイ素が反応層7から前述の反応の反応生成物10として形成される。二酸化ケイ素は、反応層7と成長層8及び/又はレザバー形成層6、6’の界面で成長し、それにより隙間9の方向に、特に天然酸化物として調製されている成長層8を形成する。ここでレザバーからのH2O分子も必要である。ナノメートル範囲にある隙間の存在により、成長層8の膨張の可能性があり、その結果として、接触面3、4上の応力を低下させることができる。このようにして接触面3、4間の距離が減少し、その結果として、活性接触面とひいては結合強さがさらに増加する。このようにして生じ、すべての細孔を閉鎖し、ウェーハ全体にわたって生ずる溶接接合部は、部分的に溶接されていない従来技術における生産品と対照的に、結合力を増大させることに基本的に寄与している。互いに溶接されている2つの非晶質酸化ケイ素表面間の結合の種類は、共有結合及びイオン結合部分の混合形である。第1のエダクトH2Oと第2エダクトSiとの前述の反応は、反応層7において、第1の接触面3と反応層7との平均距離Bができる限り小さい限りとりわけ速やかに又はできる限り低い温度で起こる。したがって、第1の基板1の前処理並びにケイ素の反応層7及び成長層8としてのできる限り薄い天然酸化物層からなる第2の基板2の選択/前処理は、決定的に重要である。2つの理由のためにできる限り薄い天然酸化物層が存在する。成長層8は、とりわけ本発明において請求する通りにもたらされる薄層化のため非常に薄く、その結果、反応層7上に新たに形成される生成物10が原因で、主としてナノギャップ9の領域における、その層が酸化物層として調製されている反対側の基板1のレザバー形成層6の方に膨張し得る。さらに、できる限り速やかに、またできる限り低い温度で所望の効果を得るために、できる限り短い拡散経路が望ましい。第1の基板1は同様に、ケイ素層、及びレザバー5が少なくとも部分的又は完全に形成されているレザバー形成層6としてのその上に生成した酸化物層からなる。レザバー5又はレザバー5、5’は、できる限り短い時間に及び/又はできる限り低い温度でナノギャップ9を閉鎖するために成長層8の最適の成長が起こり得るようにナノギャップ9を閉鎖するのに必要な量の第1のエダクトで少なくとも本発明で請求するように充填されている。"