物理量に応じた電気的信号を出力するセンシング部を備えた半導体センサ10を被実装部材20の一面に接合する半導体センサの実装方法であって、前記被実装部材20の前記一面のうち、前記半導体センサ10と接合される接合領域の所定箇所にスペーサ40を形成する工程と、前記半導体センサ10と前記被実装部材20との間に前記スペーサ40を配置した状態で、前記半導体センサ10を前記被実装部材20に前記接着剤30を介して接合する接合工程と、を含み、前記スペーサ40を形成する工程では、前記被実装部材20の前記一面のうち前記所定箇所にディスペンサ70にてスペーサ材料41を配置する配置工程と、前記スペーサ材料41を硬化させて前記スペーサ40を形成する硬化工程と、を行うことを特徴とする半導体センサの実装方法。前記スペーサ40を形成する工程では、前記硬化工程の後に、前記硬化させたスペーサ材料41の前記被実装部材20の前記一面からの高さを測定する測定工程を行い、前記測定工程にて測定した高さが所定値より低い場合、前記硬化工程にて硬化させたスペーサ材料41上に前記ディスペンサ70にて再びスペーサ材料41を配置する前記配置工程と、前記新たに配置されたスペーサ材料41を硬化させる前記硬化工程と、硬化させた前記スペーサ材料41の前記被実装部材20の前記一面からの高さを測定する前記測定工程と、を行い、前記硬化させたスペーサ材料41の高さが所定の高さに達するまで、前記配置工程、前記硬化工程、前記測定工程を繰り返し行って所定の高さを有する前記スペーサ40を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体センサの実装方法。前記配置工程では、前記スペーサ材料41として紫外線が照射されると硬化する材料にて構成されるものを用い、前記硬化工程では、前記スペーサ材料41に紫外線を照射させて硬化させることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体センサの実装方法。前記配置工程および前記硬化工程では、前記被実装部材20のうち前記スペーサ材料41が配置されるスペーサ形成予定領域に対して紫外線を照射しつつ、前記スペーサ材料41を配置することを特徴とする請求項3に記載の半導体センサの実装方法。前記硬化工程では、発光ダイオードを用いて構成された紫外線光源80を用いて紫外線を照射することを特徴とする請求項4に記載の半導体センサの実装方法。前記配置工程では、被実装部材20の前記一面から前記ディスペンサ70の先端を所定距離離間させた状態で、前記ディスペンサ70から前記スペーサ材料41を噴出することによって前記スペーサ材料41を前記被実装部材20に配置することを特徴とする請求項3ないし5のいずれか1つに記載の半導体センサ。前記半導体センサ10として、裏面に凹部11が形成され、前記裏面のうちの前記凹部11の周囲が前記被実装部材20と接合される接合領域とされているものを用意し、前記接合工程の前に、前記被実装部材20の一面のうち、前記半導体センサ10の前記接合領域と対向する接合領域にガイド90を形成し、前記接合工程では、前記被実装部材20の前記接合領域の所定箇所に接着剤30を配置して当該接着剤30を前記ガイド90を介して前記接合領域に行き渡らせた後、または、行き渡らせつつ、前記半導体センサ10を前記被実装部材20に前記接着剤30を介して接合することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体センサの実装方法。しかしながら、上記実装方法では、スペーサを散布するため、スペーサが特定箇所に集中して配置される場合がある。そして、この状態で半導体センサを被実装部材に接着剤を介して接合すると、半導体センサが被実装部材に対して傾いてしまうことがある。この場合、半導体センサと被実装部材とが近接して配置される部分が形成されることになる。つまり、接着剤の厚みが所定の厚みより薄くなる部分が形成されることになり、接着剤によって熱応力を緩和し難くなる部分が形成されることになる。このため、この部分を介して熱応力がセンシング部に印加されて検出精度が低下することになる。本発明は上記点に鑑みて、半導体センサが被実装部材に対して傾くことを抑制することができる半導体センサの実装方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、被実装部材20の一面のうち、半導体センサ10と接合される接合領域の所定箇所にスペーサ40を形成する工程と、半導体センサ10と被実装部材20との間にスペーサ40を配置した状態で、半導体センサ10を被実装部材20に接着剤30を介して接合する接合工程と、を含み、以下の点を特徴としている。すなわち、スペーサ40を形成する工程では、被実装部材20の一面のうち所定箇所にディスペンサ70にてスペーサ材料41を配置する配置工程と、スペーサ材料41を硬化させてスペーサ40を形成する硬化工程と、を行うことを特徴としている。このような実装方法では、被実装部材20の所定箇所にディスペンサ70にてスペーサ材料41を配置し、当該スペーサ材料41を硬化させてスペーサ40を形成している。このため、被実装部材20の特定箇所にスペーサ40が集中して配置されることがなく、半導体センサ10を被実装部材20に接合した際に半導体センサ10が被実装部材20に対して傾くことを抑制することができる。この場合、請求項2に記載の発明のように、スペーサ40を形成する工程では、硬化工程の後に、硬化させたスペーサ材料41の被実装部材20の一面からの高さを測定する測定工程を行い、測定工程にて測定した高さが所定値より低い場合、硬化工程にて硬化させたスペーサ材料41上にディスペンサ70にて再びスペーサ材料41を配置する配置工程と、新たに配置されたスペーサ材料41を硬化させる硬化工程と、硬化させたスペーサ材料41の被実装部材20の一面からの高さを測定する測定工程と、を行い、硬化させたスペーサ材料41の高さが所定の高さに達するまで、配置工程、硬化工程、測定工程を繰り返し行って所定の高さを有するスペーサ40を形成することができる。これによれば、スペーサ40を所定の高さにすることができる。特に、被実装部材20上に複数のスペーサ40を形成する場合には、各スペーサ40の高さがばらつくことを抑制することができ、半導体センサ10が被実装部材20の一面に対して傾くことを抑制することができる。また、請求項3に記載の発明のように、配置工程ではスペーサ材料41として紫外線が照射されると硬化する材料にて構成されるものを用い、硬化工程ではスペーサ材料41に紫外線を照射させて硬化させることができる。この場合、請求項4に記載の発明のように、配置工程および硬化工程では、被実装部材20のうちスペーサ材料41が配置されるスペーサ形成予定領域に対して紫外線を照射しつつ、スペーサ材料41を配置することができる。このように、スペーサ形成予定領域に紫外線を照射しつつスペーサ材料41を配置することにより、スペーサ材料41が被実装部材20の一面に必要以上に濡れ広がってしまうことを抑制することができる。そして、請求項5に記載の発明のように、硬化工程では、発光ダイオードを用いて構成された紫外線光源80を用いて紫外線を照射することができる。このように、発光ダイオードを用いて構成された紫外線光源80から紫外線を照射することにより、被実装部材20のスペーサ形成予定領域に対して紫外線をほぼ直線状に照射することができる。このため、請求項4に記載の発明のように、スペーサ形成予定領域に紫外線を照射しつつディスペンサ70にてスペーサ材料41を配置する場合、ディスペンサ70に紫外線が照射されることを抑制することができる。したがって、スペーサ材料41がディスペンサ70に付着した状態で硬化してしまうことを抑制することができる。また、請求項6に記載の発明のように、配置工程では、被実装部材20の一面からディスペンサ70の先端を所定距離離間させた状態で、ディスペンサ70からスペーサ材料41を噴出することによってスペーサ材料41を被実装部材20に配置することができる。このように、被実装部材20の一面からディスペンサ70の先端を所定距離離間させた状態でスペーサ材料41を配置することにより、請求項4および5に記載の発明のように、スペーサ形成予定領域に紫外線を照射しつつディスペンサ70にてスペーサ材料41を配置する場合、ディスペンサ70に紫外線が照射されることを抑制することができる。したがって、スペーサ材料41がディスペンサ70に付着した状態で硬化してしまうことを抑制することができる。また、請求項7に記載の発明のように、半導体センサ10として、裏面に凹部11が形成され、裏面のうちの凹部11の周囲が被実装部材20と接合される接合領域とされているものを用意し、接合工程の前に、被実装部材20の一面のうち、半導体センサ10の接合領域と対向する接合領域にガイド90を形成し、接合工程では、被実装部材20の接合領域の所定箇所に接着剤30を配置して当該接着剤30をガイド90を介して接合領域に行き渡らせた後、または、行き渡らせつつ、半導体センサ10を被実装部材20に接着剤30を介して接合することができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。第1実施形態本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。図1は、本実施形態における実装方法により製造された半導体センサの実装構造を示す断面図、図2は図1の平面図である。図1に示されるように、半導体センサ10は、プリント基板等の被実装部材20に接着剤30を介して接合されている。半導体センサ10は、本実施形態では、圧力に応じた電気的信号を出力するセンシング部としての圧力検出素子が形成されたセンサチップである。具体的には、半導体センサ10は、裏面から凹部11が形成されてダイヤフラム12が形成され、当該ダイヤフラム12にブリッジ回路を構成するように図示しないゲージ抵抗が形成されてなるものであり、裏面のうち、凹部11が形成されない部分が接合領域とされている。本実施形態では、図2に示されるように、このような半導体センサ10として一辺が1~5mm程度の平面形状が正方形状とされているものを例に挙げて説明する。そして、図1および図2に示されるように、半導体センサ10と被実装部材20との間には、所定箇所にスペーサ40が4個配置されており、半導体センサ10と被実装部材20とがスペーサ40の高さだけ離間した状態で、半導体センサ10が被実装部材20に接着剤30を介して接合されている。具体的には、スペーサ40は、半導体センサ10の各角部と被実装部材20との間に配置されており、各スペーサ40を結んで構成される矩形状の重心と半導体センサ10の重心とが一致するように配置されている。また、各スペーサ40は高さがそれぞれほぼ等しくされている。特に限定されるものではないが、各スペーサ40は、被実装部材20の一面からの高さ以下では、単に高さというが30μm以上とされている。スペーサ40を30μm以上とすることによって半導体センサ10と被実装部材20との間に配置される接着剤30の厚みを30μm以上とすることができ、当該接着剤30によって半導体センサ10と被実装部材20との線膨張係数差に起因する熱応力を緩和できるようにするためである。また、半導体センサ10と被実装部材20とは図示しないボンディングワイヤによって電気的に接続されている。このため、スペーサ40の高さを高くしすぎると、すなわち接着剤30の厚みを厚くしすぎると、ワイヤボンディングを行う際に半導体センサ10がぐらついてしまい、ワイヤボンディングを行うことが困難になる。このため、各スペーサ40は、高さが150μm以下とされている。なお、接着剤30としては、例えば、フロロシリコーン接着剤等が用いられる。以上が本実施形態の半導体センサの実装構造である。次に、半導体センサ10を被実装部材20に実装する実装方法について説明するが、まず、被実装部材20にスペーサ40を形成する方法について説明する。図3は、被実装部材20にスペーサ40を形成する工程を示す断面図である。図2aに示されるように、X方向例えば、紙面左右方向およびY方向例えば、紙面奥行き方向に変位可能とされているXYステージ50に被実装部材20を真空吸着等によって固定する。そして、XYステージ50をX方向およびY方向に移動させ、被実装部材20におけるスペーサ40が形成されるスペーサ形成予定領域の1箇所と、後述のディスペンサ、計測装置、紫外線光源との相対位置を調整する。その後、計測装置60により、被実装部材20の一面のうちスペーサ40が形成される1箇所のスペーサ形成予定領域の高さを計測し、スペーサ40が形成される前の被実装部材20の一面の高さ、すなわち基準面の高さを計測する。この計測工程は、例えば、レーザ投光部と、レーザ受光部と、解析部とを備え、レーザ投光部から測定ポイントに向けて投光されたレーザ光線の反射光をレーザ受光部にて受光し、受光した反射光を解析部にて演算することによって測定ポイントの高さを測定するレーザ変位計等が用いられる。なお、この工程における測定ポイントとは、スペーサ形成予定領域のことである。続いて、図2cに示されるように、ディスペンサ70にてスペーサ材料41を被実装部材20のスペーサ形成予定領域に配置する。スペーサ材料41としては、本実施形態では、粘度が5mmPas~300000Pas程度であると共に線膨張係数が200ppm~300ppm程度であり、弾性率が0.1MPa~10GPa程度であって、紫外線が照射されると硬化する材料が用いられる。なお、スペーサ材料41は、接着剤30との線膨張係数の差が小さくなるように、接着剤30を構成する材料によって適宜変更されることが好ましい。そして、スペーサ材料41に紫外線光源80から紫外線を照射してスペーサ材料41を硬化させる。この場合、スペーサ材料41は、粘性があるものの、被実装部材20に配置されると時間が経過するにつれて濡れ広がってしまうため、紫外線光源80にてスペーサ形成予定領域を照射した状態でディスペンサ70からスペーサ材料41を配置することが好ましい。これにより、スペーサ材料41は、被実装部材20に配置されると同時に紫外線が照射されることになるため、被実装部材20の一面に必要以上に濡れ広がってしまうことが抑制される。また、紫外線を照射する紫外線光源80としては、電極および石英ガラス等を用いてなるランプタイプのものと比較して、発光ダイオード以下、単にLEDというを用いてなるLEDタイプのものを使用することが好ましい。すなわち、LEDタイプから照射される紫外線は光源からほぼ直線状に照射されるが、ランプタイプから照射される紫外線は光源から放射状に照射されることになる。つまり、紫外線光源80をランプタイプのものにした場合には、紫外線光源80をLEDタイプのものにした場合と比較して、同じ場所から紫外線を照射した場合、紫外線が照射される領域が広くなる。このため、紫外線光源80をランプタイプのもので構成した場合には、被実装部材20におけるスペーサ形成予定領域に対して紫外線を照射すると、当該スペーサ形成予定領域の周囲にも紫外線が照射されることになり、ディスペンサ70の先端にも紫外線が照射される可能性がある。つまり、ディスペンサ70から被実装部材20にスペーサ材料41を配置する前に、ディスペンサ70の先端でスペーサ材料41が硬化してしまう可能性がある。このため、紫外線光源80をLEDタイプのもので構成し、被実装部材20におけるスペーサ形成予定領域の周囲に紫外線が放射されることを抑制することが好ましい。そして、上記のように、紫外線光源80にてスペーサ形成予定領域を照射した状態でディスペンサ70からスペーサ材料41を配置する場合には、紫外線光源80としてLEDタイプのものを用いたとしても、ディスペンサ70を被実装部材20に近づけると、ディスペンサ70の先端に紫外線が照射されてしまう可能性がある。このため、例えば、ディスペンサ70としては、武蔵エンジニアリング製ジェットディスペンサ等のように、被実装部材20とディスペンサ70の先端とを所定距離離間させた状態で、被実装部材20に対してスペーサ材料41を噴出するものを用いることが好ましい。続いて、図2dに示されるように、計測装置60により、硬化させたスペーサ材料41の高さを測定する。この工程では、上記図2bと同様に、レーザ投光部から硬化させたスペーサ材料41の先端に向けて投光されたレーザ光線の反射光をレーザ受光部にて受光し、受光した反射光を解析部にて演算することによって硬化させたスペーサ材料41の高さを測定するレーザ変位計を用いることができる。そして、硬化させたスペーサ材料41の高さが所定値より低い場合には、上記図3cおよび図3dの工程を繰り返し行って所定の高さを有するスペーサ41を形成する。すなわち、図3eに示されるように、図3cと同様に、ディスペンサ70にて硬化したスペーサ材料41上に再びスペーサ材料41を配置し、新たに配置されたスペーサ材料41に紫外線を照射して硬化する。その後、上記図3dと同様に、計測装置60により、硬化したスペーサ材料41の高さを測定し、硬化させたスペーサ材料41の高さが所定値より低い場合には、さらにスペーサ材料41を配置して当該スペーサ材料41を硬化する。以上の工程を行うことにより、スペーサ形成予定領域の一箇所に所定の高さを有するスペーサ40を形成する。続いて、XYステージ50を移動させ、被実装部材20における残りのスペーサ形成予定領域に対して上記図3b~eの工程を順番に行って、各スペーサ形成予定領域に所定の高さを有するスペーサ40を形成する。以上が、被実装部材20にスペーサ40を形成する工程である。その後、被実装部材20における半導体センサ10の接合領域と対向する領域、つまり被実装部材20における接合領域に接着剤30を配置し、半導体センサ10を被実装部材20に接着剤30を介して接合する。このとき、上記のようにスペーサ40は、半導体センサ10が被実装部材20に接合されたときに半導体センサ10の各角部と被実装部材との間に配置されるように形成されているため、半導体センサ10が被実装部材20に対して傾くことを抑制することができる。以上説明したように、本実施形態では、被実装部材20の所定箇所にディスペンサ70によってスペーサ材料41を配置し、当該スペーサ材料41を硬化させてスペーサ40を形成している。このため、被実装部材20の特定箇所にスペーサ40が集中して配置されることがなく、半導体センサ10が被実装部材20に対して傾くことを抑制することができる。また、スペーサ材料41を硬化させた後に硬化させたスペーサ材料41の高さを測定し、硬化させたスペーサ材料41が所定値より低い場合には、スペーサ材料41上に再びディスペンサ70によってスペーサ材料41を配置する配置工程と、当該スペーサ材料41を硬化させる硬化工程と、スペーサ材料41の高さを測定する測定工程とを繰り返し行うことによって所定の高さを有するスペーサ40を形成している。このため、被実装部材20に形成された各スペーサ40の高さがばらつくことを抑制することができ、半導体センサ10が被実装部材20に対して傾くことを抑制することができる。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して被実装部材20にガイドを形成するものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図4は、本実施形態における被実装部材20の平面図である。図4に示されるように、被実装部材20には、隣接するスペーサ40の間にガイド90が形成されている。具体的には、ガイド90は、スペーサ40と同じ材料を用いて構成されており、スペーサ40より高さが低くされている。そして、隣接するスペーサ40の間に、略直方体状の棒状部材90a、90bが2本平行に形成されて構成されている。これによれば、ガイド90が形成されているため、被実装部材20の接合領域に接着剤30を容易に配置することができる。図5は、被実装部材20の接合領域に接着剤30を配置する工程を示した平面図である。なお、図5は、断面図ではないが、接着剤30にハッチングを施してある。図5に示されるように、図5中紙面左上側のスペーサ40近傍および図5中紙面右下側のスペーサ40近傍に接着剤30を塗布すると、接着剤30は毛細管現象によって棒状部材90a、90bの間を図5中矢印の方向に向かって濡れ広がっていく。このため、被実装部材20の接合領域に接着剤30を容易に配置することができる。このようなガイド90は、例えば、スペーサ40を形成する工程と同様の工程を行うことによって形成することができる。すなわち、ディスペンサ70にて、ガイド形成予定領域に紫外線が照射されると硬化する材料にて構成されるガイド材料を配置する。この場合、ガイド90は棒状部材90a、90bで構成されるため、ディスペンサ70を移動させつつガイド材料を配置するか、または、ディスペンサ70を固定した状態でXYステージ50を移動させてガイド材料を配置する。その後、当該ガイド材料を硬化させて高さを測定する。そして、高さが所定値より低い場合には、ガイド材料を配置する配置工程と、ガイド材料を効果する硬化工程と、硬化させたガイド材料の高さを測定する測定工程とを繰り返し行うことによってガイド90が形成される。なお、スペーサ40とガイド90とは、どちらから先に形成してもよい。また、ガイド材料は、スペーサ40との線膨張係数差が小さくなるように、スペーサ材料41と同じ材料を用いて構成されることが好ましい。他の実施形態上記各実施形態では、半導体センサ10として圧力検出素子が形成されたセンサチップを例に挙げて説明したが、例えば、半導体センサ10として加速度を検出する加速度検出素子が形成されたセンサチップを用いることもできるし、角速度を検出する角速度検出素子が形成されたセンサチップを用いることもできる。また、上記各実施形態では、半導体センサ10がセンサチップで構成されるものについて説明したが、半導体センサ10は次のように構成されていてもよい。すなわち、半導体センサ10は、センサチップの裏面にガラス等で構成される台座が接合されたものであってもよい。さらに、上記各実施形態では、スペーサ材料41として紫外線が照射されると硬化する材料を用いて構成されているものを説明したが、次のようにすることもできる。例えば、スペーサ材料41は、加熱されることにより硬化される材料を用いて構成されたものであってもよい。この場合は、被実装部材20を加熱した状態で、スペーサ形成予定領域にスペーサ材料41を配置することにより、スペーサ材料41が必要以上に濡れ広がることを抑制することができる。また、上記各実施形態では、半導体センサ10と被実装部材20との間に4個のスペーサ40を配置する例について説明したが、次のようにすることもできる。図6は、他の実施形態における半導体センサの実装構造の平面図である。図6aに示されるように、被実装部材20の接合領域に矩形枠状のスペーサ40が形成されていてもよい。また、図6bに示されるように、矩形枠状の各角部が除去され、半導体センサ10の各辺に沿って延設されている4個のスペーサ40が形成されていてもよい。さらに、図6cに示されるように、3個のスペーサ40が形成されていてもよい。なお、図6cに示されるように、スペーサ40を3個形成する場合には、各スペーサ40を結んで構成される三角形の重心と半導体センサ10の重心とが一致するようにスペーサ40を形成することが好ましい。スペーサ40に起因する熱応力が半導体センサ10に印加された場合、応力分布が半導体センサ10の重心中心に対してばらつくことを抑制することができ、検出精度が低下することを抑制できるためである。また、半導体センサ10は矩形板状のものでなくてもよく、例えば、平面形状が多角形状とされているものであってもよい。この場合は、上記のように半導体センサ10の重心とスペーサ40を結んで構成される多角形の重心とが一致するように被実装部材20にスペーサ40を形成することが好ましい。さらに、上記各実施形態では、被実装部材20としてプリント基板を例に挙げて説明したが、被実装部材20がプリント基板以外のものであっても本発明を適用することができる。図7は、他の実施形態における半導体センサの実装構造を示す断面図である。図7に示されるように、本発明は、ケース100の貫通孔100aに被実装部材20としてのステムが圧入され、当該ステムに半導体センサ10が接合されてなる圧力センサに対しても適用することができる。すなわち、被実装部材20としてのステムに半導体センサ10としてのセンサチップを接合する際に、上記のようにステムにスペーサ40を形成することにより、半導体センサ10が被実装部材20としてのステムに対して傾くことを抑制することができる。そして、上記第2実施形態では、ガイド90をスペーサ40と同じ材料を用いて構成する例について説明したが、ガイド90を次のように形成することもできる。すなわち、レーザ加工等や打痕等によって被実装部材20の一面を加工してガイド90を形成し、当該ガイド90によって接着剤30を配置したときに毛細管現象を実現できるようにしてもよい。また、被実装部材20の接合領域に紫外線を照射し、照射した領域を親水化処理してガイド90となるようにして当該領域における接着剤30の濡れ広がりを向上させるようにしてもよい。また、上記第2実施形態におけるスペーサ40を無くし、ガイド90を構成する棒状部材90a、90bの一方をスペーサとして機能させることもできる。例えば、内側に形成されている棒状部材90aの高さを外側に形成されている棒状部材90bの高さより低くし、棒状部材90bをガイドとしての機能と共にスペーサ40としての機能を果すものとすることができる。