"主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有する重合体と、γ-ブチロラクトンと、を含有するレジスト組成物。露光により酸を発生し、かつ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分Aと、有機溶剤Sと、を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分Aが、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有する重合体を含有し、前記有機溶剤Sとして、γ-ブチロラクトンを含有するレジスト組成物。前記重合体が、主鎖の少なくとも一方の末端に下記一般式I-1で表される基を有する、請求項1または2記載のレジスト組成物。[式中、R1は炭素数1~10の炭化水素基であり、Zは炭素数1~10の炭化水素基又はシアノ基であり、R1とZとは相互に結合して環を形成していてもよい。Xは2価の連結基であって、-O-C=O-、-NH-C=O-、及び-NH-C=NH-のいずれかを、少なくとも式中のQと接する末端に有する。pは1~3の整数である。Qはp1価の炭化水素基であり、pが1の場合のみ、Qは単結合であってもよい。R2は単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であり、qは0又は1であり、rは0~8の整数であり、Mは有機カチオンである。]前記重合体が、下記一般式Iで表される化合物からなるラジカル重合開始剤を用いたラジカル重合により得られるラジカル重合体である、請求項3記載のレジスト組成物。[式中、R1は炭素数1~10の炭化水素基であり、Zは炭素数1~10の炭化水素基又はシアノ基であり、R1とZとは相互に結合して環を形成していてもよい。Xは2価の連結基であって、-O-C=O-、-NH-C=O-、及び-NH-C=NH-のいずれかを、少なくとも式中のQと接する末端に有する。pは1~3の整数である。Qはp1価の炭化水素基であり、pが1の場合のみ、Qは単結合であってもよい。R2は単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であり、qは0又は1であり、rは0~8の整数であり、Mは有機カチオンである。式中の複数のR1、Z、X、p、Q、R2、q、r、Mはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]前記重合体が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載のレジスト組成物。支持体上に、請求項1~5のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。しかし、従来のベース樹脂を用いた場合、特許文献4~5に記載の方法を用いても、リソグラフィー特性の改善効果は充分とはいえず、未だ改善の余地がある。さらに、近年、パターンの微細化が進むにつれ、リソグラフィー特性の向上に加えて、現像後に発生するディフェクト表面欠陥の改善も重要となっている。このディフェクトとは、例えば、KLAテンコール社の表面欠陥観察装置商品名KLAにより、現像後のレジストパターンを真上から観察した際に検知される不具合全般のことである。この不具合とは、例えば現像後のブロブ、スカム、泡、ゴミ、レジストパターン間のブリッジ等である。今後、リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が進むなか、リソグラフィー用途に使用でき、かつ上記のような要求を満足し得る新規な材料に対する要求がある。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、リソグラフィー特性に優れ、形状が良好でディフェクトの少ないレジストパターンを形成できるレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。本発明者らは、鋭意検討の結果、γ-ブチロラクトンと特定の重合体とを組み合わせることにより上記課題が解決することを見出し、本発明を完成させた。すなわち本発明の第一の態様は、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有する重合体と、γ-ブチロラクトンと、を含有するレジスト組成物である。本発明の第二の態様は、露光により酸を発生し、かつ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分Aと、有機溶剤Sと、を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分Aが、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有する重合体を含有し、前記有機溶剤Sとして、γ-ブチロラクトンを含有するレジスト組成物である。本発明の第三の態様は、支持体上に、前記第一の態様または第二の態様のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。本明細書及び本特許請求の範囲において、露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。構成単位とは、高分子化合物樹脂、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。ハロゲン化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、ハロゲン化アルキレン基は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。フッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基であり、フッ素化アルキレン基は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。本発明によれば、リソグラフィー特性に優れ、形状が良好でディフェクトの少ないレジストパターンを形成できるレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供できる。≪レジスト組成物≫本発明のレジスト組成物は、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有する重合体以下、重合体A1という。と、γ-ブチロラクトンと、を含有する。重合体A1は膜形成能を有しているため、本発明のレジスト組成物を用いることで膜レジスト膜を形成し得る。また、重合体A1が露光により酸を発生する機能を有するため、該レジスト膜に対して露光を行うと、露光部にて酸が発生する。そのため、別途酸発生剤成分を含有しない場合にも、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する成分を用いてパターンを形成することが可能となる。他方、重合体A1以外の酸発生剤成分を含有する場合には、重合体A1を含有しない場合に比して感度がより向上する。重合体A1が、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する成分でもある場合は、重合体A1単独でもレジスト膜を構成し得る。レジスト組成物は、通常、含有する成分を有機溶剤に溶解して用いられる。重合体A1を溶解する有機溶剤として少なくともγ-ブチロラクトンを用いることで、γ-ブチロラクトンを含まない有機溶剤を用いる場合に比べて、露光余裕度EL、マスク再現性、ラフネス、パターン形状断面形状の矩形性等等の種々のリソグラフィー特性が向上し、形状が良好でディフェクトの少ないレジストパターンを形成できる。<重合体A1>重合体の主鎖の末端は、ラジカル重合、アニオン重合等の重合反応により成長する分子鎖の始点および終点である。重合体の主鎖の末端には、重合開始剤や連鎖移動剤、重合禁止剤などに由来する残基が結合しており、たとえばラジカル重合は、ラジカル重合開始剤の分解により生じたラジカルが起点となってモノマーの重合が開始するため、ラジカル重合開始剤に由来する残基分解により生じたラジカル部分が主鎖の末端に結合している。この点で、主鎖の少なくとも一方の末端は、主鎖から枝分かれした側鎖の末端すなわち構成単位を形成する構造の末端とは明確に異なる。つまり本発明において重合体A1の主鎖の少なくとも一方の末端に存在する露光により酸を発生するアニオン部位は、モノマーに由来する構造ではない。該アニオン部位は、好適には、重合開始剤に由来する残基であり、重合開始剤に由来する残基としては、詳しくは後で説明するが、前記アニオン部位を有する重合開始剤に由来する残基;前記アニオン部位を有さない重合開始剤に由来する残基に、前記アニオン部位を有する化合物を反応させることにより形成される基;などが挙げられる。重合体A1は、該アニオン部位を有することで、露光により酸を発生する酸発生能を有する。以下、重合体A1についてより詳細に説明する。[アニオン部位]露光により酸を発生するアニオン部位としては、化学増幅型レジスト組成物において一般にベース樹脂と共に用いられる、露光により酸を発生する酸発生剤成分であるスルホニウム塩、ヨードニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤におけるイオン性の構造部位が好ましい。オニウム塩系酸発生剤は、酸アニオンと対カチオンであるオニウムイオンとの塩から構成され、露光により分解すると酸アニオンが生じて酸が形成される。酸アニオンとしては、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。これらの酸アニオンは、露光により重合体の主鎖末端から発生する。酸アニオンとしては、スルホン酸アニオンが好ましく、アルキルスルホン酸アニオンまたはフッ素化アルキルスルホン酸アニオンがより好ましい。すなわち、露光により酸を発生するアニオン部位としては、スルホン酸を発生するものが好ましく、アルキルスルホン酸またはフッ素化アルキルスルホン酸を発生するものがより好ましい。なかでも、該アニオン部位は、下記一般式an1で表される基を有することが好ましい。該基においては、末端にフッ素化されていてもよいアルキルスルホン酸塩部位を有しており、露光によりフッ素化されていてもよいアルキルスルホン酸が発生する。該アルキルスルホン酸は、構成単位a1が有する酸分解性基を充分に分解させ得る。[式中、Rf1及びRf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基である。r0は0~8の整数である。Mは有機カチオンである。式中のは結合手を示す。]前記式an1中、Rf1、Rf2のアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rf1、Rf2のフッ素化アルキル基としては、前記Rf1、Rf2のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が好ましい。Rf1、Rf2としては、フッ素原子又はフッ素化アルキル基であることが好ましい。前記式an1中、r0は1~4の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。前記式an1中、Mは有機カチオンである。Mの有機カチオンは、特に限定されるものではなく、例えば、従来、レジスト組成物のクエンチャーに用いられる光分解性塩基や、レジスト組成物のオニウム系酸発生剤等のカチオン部として知られている有機カチオンを用いることができる。Mの有機カチオンとしては、例えば、下記一般式c-1やc-2で表されるカチオンを用いることができる。[式中、R1~R3,R5~R6は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し;式c-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。]前記式c-1中、R1~R3は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表す。式c-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R1~R3のうち、少なくとも1つはアリール基を表すことが好ましい。R1~R3のうち、2以上がアリール基であることがより好ましく、R1~R3のすべてが、アリール基であることが最も好ましい。R1~R3のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6~20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。R1~R3のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数1~5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。式c-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、イオウ原子を含めて3~10員環を形成していることが好ましく、5~7員環を形成していることが特に好ましい。式c-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、残りの1つは、アリール基であることが好ましい。前記アリール基は、前記R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられる。式c-1で表されるカチオン部の好ましいものとしては、下記式c-1-1~c-1-32で表されるカチオンが挙げられる。前記式c-1-19、c-1-20中、R50は、酸解離性溶解抑制基を含む基であり、後述する構成単位a1の説明で挙げる式p1、p1-1若しくはp2で表される基、又は、-R91-C=O-O-の酸素原子に、後述する構成単位a1の説明で挙げる式1-1~1-9若しくは2-1~2-6が結合した基であることが好ましい。ここで、R91は、単結合又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基としては、炭素数1~5であることが好ましい。前記式c-1-21中、Wは、2価の連結基である。該2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。置換基を有していてもよい2価の炭化水素基炭化水素基が置換基を有するとは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が置換基水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8がより好ましく、1~5がさらに好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH2-]、エチレン基[-CH22-]、トリメチレン基[-CH23-]、テトラメチレン基[-CH24-]、ペンタメチレン基[-CH25-]等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CCH2CH32-CH2-等のアルキルエチレン基;-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基、環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。環状の脂肪族炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。Wにおける2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、炭素数が3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基アリーレン基またはヘテロアリーレン基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基アリール基またはヘテロアリール基の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基;等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香族炭化水素環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基ヘテロ原子を含む2価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基として、具体的には、-O-、-C=O-、-C=O-O-、-O-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-、-NH-、-NH-C=O-、-NH-C=NH-、=N-等の非炭化水素系連結基、これらの非炭化水素系連結基の少なくとも1種と2価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。該2価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。上記のうち、-C=O-NH-中の-NH-、-NH-、または-NH-C=NH-中の-NH-におけるHは、アルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基の炭素数としては1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~5であることが特に好ましい。また、非炭化水素系連結基と2価の炭化水素基との組み合わせである2価の連結基としては、たとえば、-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-、-Y21-O-C=O-Y22-ただし、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0~3の整数である。等が挙げられる。上記-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-において、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記置換基を有していてもよい2価の炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Y21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。Y22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。-[Y21-C=O-O]m’-Y22-において、m’は0~3の整数であり、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-としては、-Y21-C=O-O-Y22-が特に好ましい。なかでも、-CH2a’-C=O-O-CH2b’-が好ましい。該式中、a’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。Wにおける2価の連結基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂肪族環式基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基であることが好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、直鎖状のアルキレン基であることがさらに好ましい。前記式c-1-22中、Rfはフッ素化アルキル基であり、無置換のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。該無置換のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状のアルキル基がより好ましい。前記式c-1-23中、Qは2価の連結基であり、R51はカルボニル基、エステル結合、又はスルホニル基を有する有機基である。Qの2価の連結基としては、前記式c-1-21中のWの2価の連結基と同様のものが挙げられ、アルキレン基、エステル結合を含む2価の連結基であることが好ましく、なかでも、アルキレン基、-R92-C=O-O-R93-[R92、R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。]であることがより好ましい。R51はカルボニル基、エステル結合、又はスルホニル基を有する有機基であって、有機基としては、芳香族炭化水素基であっても脂肪族炭化水素基であってもよい。芳香族炭化水素基、脂肪族炭化水素基としては、後述するX3と同様のものが挙げられる。なかでも、R51のカルボニル基、エステル結合、又はスルホニル基を有する有機基としては、脂肪族炭化水素基が好ましく、その中でも嵩高い脂肪族炭化水素基であることがより好ましく、環状の飽和炭化水素基であることがさらに好ましい。R51の好ましいものとしては、後述するL1~L6、S1~S4で表される基、後述するX3と同様の基、単環式基又は多環式基に結合した水素原子が酸素原子=Oで置換された基等が挙げられる。前記式c-1-24、c-1-25中、R52は、酸解離性基ではない炭素数4~10のアルキル基である。R52としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状のアルキル基がより好ましい。前記式c-1-26中、R53は塩基解離性部位を有する2価の基であり、R54は2価の連結基であり、R55は酸解離性基を有する基である。ここで、R53の塩基解離性部位とは、アルカリ現像液具体的には、23°Cにおいて、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の作用により解離する部位のことを指す。該塩基解離性部位が解離することにより、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する。アルカリ現像液としては、一般的にリソグラフィー分野において用いられているものであってよい。塩基解離性部位は、23°Cで、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の作用により解離することが好ましい。また、R53は、塩基解離性部位だけで構成された基であってもよく、塩基解離性部位と、塩基で解離しない基または原子とが結合して構成された基であってもよい。R53が有する塩基解離性部位としては、エステル結合-C=O-O-が最も好ましい。R53が有する、塩基で解離しない基または原子としては、たとえば、前記式c-1-21中のWの2価の連結基と同様のものや、これら連結基の組み合わせただし、塩基で解離するものを除くが挙げられる。ここで連結基の組み合わせとは、連結基同士が結合して構成された2価の基のことを指す。なかでも、アルキレン基と、ヘテロ原子を含む2価の連結基との組み合わせが好ましい。ただし、ヘテロ原子は、塩基解離性部位のうち塩基の作用で結合が切断される原子には隣接しないことが好ましい。前記アルキレン基は、前記式c-1-21中のWの説明中の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基と同様である。また、前記ヘテロ原子は、酸素原子であることが特に好ましい。上記の中でも、R53は、塩基解離性部位と、塩基で解離しない基または原子とが結合して構成された基であることが好ましい。R54は2価の連結基であり、前記式c-1-21中のWの2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでもアルキレン基または2価の脂肪族環式基が好ましく、アルキレン基が特に好ましい。R55は酸解離性基を有する基である。ここで、酸解離性基とは、酸の作用により解離しうる有機基であり、このようなものであれば特に限定されないが、例えば、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性溶解抑制基として提案されているものが挙げられる。具体的には、後述する構成単位a1において挙げる酸解離性溶解抑制基と同様であり、環状または鎖状の第3級アルキルエステル型酸解離性基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが挙げられ、これらの中でも、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。また、酸解離性基を有する基は、酸解離性基そのものであってもよく、酸解離性基と、酸で解離しない基または原子酸解離性基が解離した後も酸発生剤に結合したままの基または原子とが結合して構成された基であってもよい。ここで、酸で解離しない基または原子としては、前記式c-1-21中のWの2価の連結基と同様のものが挙げられる。前記式c-1-27中、W2は単結合または2価の連結基であり、tは0又は1であり、R62は酸によって解離しない基以下酸非解離性基という。である。W2の2価の連結基としては、前記式c-1-21中のWの2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでもW2としては、単結合であることが好ましい。tは、0であることが好ましい。R62の酸非解離性基としては、酸の作用により解離しない基であれば特に限定されないが、酸によって解離しない、置換基を有していてもよい炭化水素基であることが好ましく、置換基を有していてもよい環式炭化水素基であることがより好ましく、アダマンタンから1個の水素原子を除いた基であることがさらに好ましい。前記の式c-1-28、式c-1-29中、R9、R10は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、水酸基であり、uは1~3の整数であり、1または2が最も好ましい。前記式c-1-30中、Y10は、置換基を有していてもよい炭素数5以上の環状の炭化水素基であって酸の作用により解離し得る酸解離性基を表し;R56およびR57はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、R56とR57とは互いに結合して環を形成してもよく;Y11およびY12はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表し、Y11とY12とは互いに結合して環を形成してもよい。Y10は、置換基を有していてもよい炭素数5以上の環状の炭化水素基であって酸の作用により解離し得る酸解離性基を表す。Y10が炭素数5以上の環状の炭化水素基であって酸の作用により解離し得る酸解離性基であることにより、解像性、LWR、露光余裕度ELマージン、レジストパターン形状などのリソグラフィー特性が良好なものとなる。Y10としては、-CR56R57-C=O-O-と環状の第3級アルキルエステルを形成する基が挙げられる。ここでいう第3級アルキルエステルとは、-CR56R57-C=O-O-の末端の酸素原子に、炭素数5以上の環状の炭化水素基における第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、当該酸素原子と当該第3級炭素原子との間で結合が切断される。なお、前記環状の炭化水素基は置換基を有していてもよく、この置換基中の炭素原子は炭素数5以上の炭素数には含まない。炭素数5以上の環状の炭化水素基としては、脂肪族環式基が好ましい。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基が挙げられ、多環式基であることが好ましい。かかる脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、フッ素原子、炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。R56およびR57は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。R56およびR57のアルキル基又はアリール基は、それぞれ、前記R1~R3のアルキル基又はアリール基と同様のものが挙げられる。また、R56とR57とは、前記R1~R3と同様に、互いに結合して環を形成してもよい上記の中でも、R56およびR57は、いずれも水素原子であることが特に好ましい。Y11およびY12は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表す。Y11およびY12におけるアルキル基又はアリール基は、それぞれ、前記R1~R3におけるアルキル基又はアリール基と同様のものが挙げられる。これらの中で、Y11およびY12は、それぞれ、フェニル基またはナフチル基であることが特に好ましい。また、Y11とY12とは、前記R1~R3と同様に、互いに結合して環を形成してもよい。前記式c-1-31中、R58は、脂肪族環式基であり;R59は、単結合または置換基を有していてもよいアルキレン基であり;R60は、置換基を有していてもよいアリーレン基であり;R61は、置換基を有していてもよい炭素数4または5のアルキレン基である。R58の脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよいが、多環式基であることが好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。R59の置換基を有していてもよいアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、なかでも、単結合、または炭素数1~3のアルキレン基が好ましい。R60のアリーレン基としては、炭素数6~20が好ましく、6~14がより好ましく、炭素数6~10がさらに好ましい。このようなアリーレン基としては、たとえば、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基が挙げられ、安価に合成可能なことから、フェニレン基、ナフチレン基が好ましい。前記式c-1-32中、R01はアリーレン基またはアルキレン基であり、R02、R03はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基であり、R02、R03は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、R01~R03のうち少なくとも1つは、アリーレン基またはアリール基であり、W1はn価の連結基であり、nは2または3である。R01のアリーレン基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6~20のアリーレン基であって、該アリーレン基は、その水素原子の一部または全部が、置換されていてもよいものが挙げられ、R01のアルキレン基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基等が挙げられる。R02、R03のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6~20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部が、置換されていてもよいものが挙げられ、R02、R03のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。W1の2価の連結基としては、上記式c-1-21中のWの2価の連結基と同様のものが挙げられ、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、環状であることが好ましい。なかでも、アリーレン基の両端に2個のカルボニル基が組み合わさった基が好ましい。W1の3価の連結基としては、上記2価の連結基からさらに水素原子を1つ除いた基、上記2価の連結基の水素原子を2価の連結基で置換した基、等が挙げられ、アリーレン基に3個のカルボニル基が組み合わさった基が好ましい。前記式c-2中、R5~R6は、それぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。R5~R6のうち、少なくとも1つはアリール基を表すことが好ましく、R5~R6のすべてが、アリール基であることが特に好ましい。R5~R6のアリール基としては、R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられる。R5~R6のアルキル基としては、R1~R3のアルキル基と同様のものが挙げられる。これらの中で、R5~R6は、すべてフェニル基であることが最も好ましい。また、Mの有機カチオンとしては、下記一般式c-3で表される有機カチオンも挙げられる。[式中、R44~R46はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり;n4’~n5’はそれぞれ独立して0~3の整数であり、n6’は0~2の整数である。]R44~R46において、アルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、又はtert-ブチル基であることが特に好ましい。アルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。R44~R46に付された符号n4’~n6’が2以上の整数である場合、複数のR44~R46はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。n4’は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。n5’は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。n6’は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。重合体A1としては、リソグラフィー特性の向上効果に優れることから、主鎖の少なくとも一方の末端に下記一般式I-1で表される基以下、この基を末端基I-1ともいう。を有するものが好ましい。[式中、R1は炭素数1~10の炭化水素基であり、Zは炭素数1~10の炭化水素基又はシアノ基であり、R1とZとは相互に結合して環を形成していてもよい。Xは2価の連結基であって、-O-C=O-、-NH-C=O-、及び-NH-C=NH-のいずれかを、少なくとも式中のQと接する末端に有する。pは1~3の整数である。Qはp1価の炭化水素基であり、pが1の場合のみ、Qは単結合であってもよい。R2は単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であり、qは0又は1であり、rは0~8の整数である。Mは有機カチオンである。]前記式I-1中、Mは、前記一般式an1中と同様である。R1は、炭素数1~10の炭化水素基である。炭素数1~10の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよいが、脂肪族炭化水素基であることが好ましく、1価の脂肪族飽和炭化水素基アルキル基であることがより好ましい。前記アルキル基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~8が好ましく、1~5がより好ましく、1~2が最も好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn-ブチル基が好ましく、メチル基又はエチル基が特に好ましい。分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3~5が好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基又はtert-ブチル基であることが最も好ましい。構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を1個除いた基、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか、又は鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3~8であることが好ましく、4~6であることがより好ましい。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1つ以上の水素原子を除いた基が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。前記式I-1中、Zは、炭素数1~10の炭化水素基又はシアノ基-CNである。Zの炭素数1~10の炭化水素基としては、上記R1の炭素数1~10の炭化水素基と同様のものが挙げられる。また、R1とZとは、相互に結合して環を形成していてもよい。具体的には、R1とZとが、それぞれ独立に直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であって、R1の末端とZの末端とが相互に結合して環を形成していてもよい。形成する環としては、炭素数3~8の環が好ましく、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン又はシクロオクタンが特に好ましい。なかでも、本発明におけるR1、Zとしては、メチル基とメチル基との組み合わせ、エチル基とエチル基との組み合わせ、メチル基とシアノ基との組み合わせ、エチル基とシアノ基との組み合わせ、相互に結合して形成したシクロペンタンから2つの炭素原子を除いた基が好ましく、R1がメチル基であり、Zがシアノ基であることが特に好ましい。前記式I-1中、Xは2価の連結基であって、-O-C=O-、-NH-C=O-、及び-NH-C=NH-のいずれかを、少なくとも式中のQと接する末端に有する。式中のQと接する末端とは、Qが単結合の場合は、式I-1中の-C=O-Oq-、R2、-CF2-又はSO3-と接する末端を意味する。Xの2価の連結基は、-O-C=O-、-NH-C=O-、及び-NH-C=NH-のいずれかのみからなるものであってもよい。また、Xは、式中のQと接する末端以外にも、-O-C=O-、-NH-C=O-、又は-NH-C=NH-を有していてもよい。Xの2価の連結基としては、-O-C=O-、-NH-C=O-、又は-NH-C=NH-のみからなるもの;置換基を有していていもよい2価の炭化水素基、又はへテロ原子を含む2価の連結基と、-O-C=O-、-NH-C=O-、もしくは-NH-C=NH-との組み合わせからなるものが好適に挙げられる。該置換基を有していていもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記式c-1-21中のWの2価の連結基の説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。Xが-O-C=O-、-NH-C=O-、及び-NH-C=NH-のいずれかのみからなる場合、Xとしては、-O-C=O-又は-NH-C=O-であることが好ましい。このとき、-O-C=O-中の炭素原子C、又は-NH-C=O-中の炭素原子Cが、R1及びZと結合した炭素原子と直接結合することが好ましい。また、Xが上述したような2価の基と、-O-C=O-、-NH-C=O-、及び-NH-C=NH-のいずれかとの組み合わせである場合、Xとしては、炭素数1~5の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基と、-O-C=O-、-NH-C=O-、及び-NH-C=NH-のいずれかとの組み合わせであることが好ましく;メチレン基、エチレン基、及び-NH-を含む2価の連結基から選ばれる1つ以上の連結基と、-O-C=O-、-NH-C=O-、及び-NH-C=NH-のいずれかとの組み合わせであることがより好ましく;エチレン基、-O-C=O-、及び-NH-C=O-から選ばれる2つ以上の基の組み合わせであることが特に好ましい。前記式I-1中、pは1~3の整数であり、1であることが好ましい。pは2又は3であってもよい。この場合、該重合体中の、酸として機能発生し得るスルホン酸部位SO3-の割合が高まり、酸発生能が向上する。前記式I-1中、Qはp1価の炭化水素基であって、pが1の場合のみ、Qは単結合であってもよい。pが1の場合、Qは、単結合又は2価の炭化水素基となる。2価の炭化水素基としては、上記Xで挙げた置換基を有していてもよい2価の炭化水素基のうち、置換基を有しないものと同様のものが挙げられる。なかでもpが1の場合のQとしては、単結合、又は2価の脂肪族炭化水素基であることが好ましく、単結合、又は鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基がより好ましく、単結合、又はメチレン基若しくはエチレン基がさらに好ましく、単結合又はエチレン基が特に好ましい。また、pが2の場合、Qは3価の炭化水素基となり、pが3の場合、Qは4価の炭化水素基となる。3価又は4価の炭化水素基としては、上記Xで挙げた置換基を有していてもよい2価の炭化水素基のうち、置換基を有しない2価の炭化水素基からさらに水素原子を1つ又は2つ除いたものが挙げられ、なかでも3価又は4価の脂肪族炭化水素基であることが好ましい。Qがp1価の炭化水素基の場合の具体例を以下に示す。前記式I-1中、qは0又は1である。qが0の場合とは、式中の-C=O-Oq-が単結合であることを意味する。qとしては、上述したXの2価の連結基が-O-C=O-を有しない場合には1であることが好ましく、上述したXの2価の連結基が-O-C=O-を有する場合には0であることが好ましい。前記式I-1中、R2は、単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基である。R2のアルキレン基は、鎖状であっても環状であってもよい。このようなアルキレン基としては、上述したXの置換基を有していてもよい2価の炭化水素基における直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでも、R2のアルキレン基としては、炭素数1~10の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基又はエチレン基がより好ましい。R2の置換基を有していてもよい芳香族基は、芳香族炭化水素基であってもよく、環構造に炭素原子以外の原子を含む芳香族基複素環化合物であってもよい。芳香族炭化水素基としては、上述したXの置換基を有していてもよい2価の炭化水素基における芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。R2の芳香族炭化水素基としては、フェニル基又はナフチル基からさらに水素原子を1つ以上除いた基が好ましい。R2の芳香族炭化水素基は、その水素原子の一部又は全部が炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等で置換されていてもよく、なかでも、フッ素原子で置換されていることが好ましい。環構造に炭素原子以外の原子を含む芳香族基としては、キノリン、ピリジン、オキソール、イミダゾール等の複素環から水素原子を2つ以上除いた基が好ましい。なかでもR2としては、単結合又は置換基を有していてもよい芳香族基であることが好ましい。前記式I-1中、rは0~8の整数である。rが0の場合とは、式中の-CF2r-が単結合であることを意味する。rとしては、上述したR2が単結合又は置換基を有していてもよいアルキレン基である場合には1~8の整数であることが好ましく、より好ましくは1~4の整数、さらに好ましくは1又は2であり、上述したR2が置換基を有していてもよい芳香族基である場合には0であることが好ましい。以下に、一般式I-1で表される基の好適な具体例を示す。[式中、R1、Z、Q、p、Mは前記のものと同じ意味である。X01は単結合又は置換基を有していてもよいアルキレン基であり、R21は単結合又は置換基を有していてもよいアルキレン基であり、X02は置換基を有していてもよいアルキレン基であり、R22は置換基を有していてもよい芳香族基である。]式I-1-1~I-1-5中、R1、Z、Q、p、Mは、前記式I-1におけるR1、Z、Q、p、Mとそれぞれ同様である。式I-1-1~I-1-5中、X01は、単結合又は置換基を有していてもよいアルキレン基である。置換基を有していてもよいアルキレン基としては、上述したXの置換基を有していてもよい2価の炭化水素基における直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。X01としては、単結合又はエチレン基が特に好ましい。式I-1-1~I-1-3中、R21は、単結合又は置換基を有していてもよいアルキレン基である。R21の置換基を有していてもよいアルキレン基は、前記式I-1におけるR2の置換基を有していてもよいアルキレン基と同様である。R21としては、単結合又はメチレン基が特に好ましい。式I-1-3中、X02は置換基を有していてもよいアルキレン基であって、前記式I-1におけるXの置換基を有していてもよい2価の炭化水素基における直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。X02としては、エチレン基が特に好ましい。式I-1-4、I-1-5中、R22は、置換基を有していてもよい芳香族基である。R22の置換基を有していてもよい芳香族基は、前記式I-1におけるR2の置換基を有していてもよい芳香族基と同様である。R22としては、フェニル基若しくはナフチル基から水素原子を1つ以上除いた基、又は、キノリンから水素原子を2つ以上除いた基が特に好ましい。[重合体を構成する構成単位]上記アニオン部位を少なくとも一方の末端に有する重合体A1の主鎖は、特に限定されないが、エチレン性二重結合C=Cの開裂により形成されたものであることが好ましい。すなわち、重合体A1は、エチレン性二重結合を有する化合物から誘導される構成単位から構成されるものであることが好ましい。ここで、エチレン性二重結合を有する化合物から誘導される構成単位とは、エチレン性二重結合を有する化合物におけるエチレン性二重結合が開裂して単結合となった構造の構成単位を意味する。エチレン性二重結合を有する化合物としては、たとえば、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸またはそのエステル、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリルアミドまたはその誘導体、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいスチレンまたはその誘導体、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいビニルナフタレンまたはその誘導体、シクロオレフィンまたはその誘導体、ビニルスルホン酸エステル等が挙げられる。これらの中でも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸またはそのエステル、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリルアミドまたはその誘導体、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいスチレンまたはその誘導体、またはα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいビニルナフタレンまたはその誘導体が好ましく、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルが好ましい。ここで、アクリル酸エステルは、アクリル酸CH2=CH-COOHのカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。本明細書において、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルをα置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括してα置換アクリル酸エステルということがある。α置換アクリル酸エステルのα位の炭素原子に結合する置換基としては、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位α位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことを意味する。前記α位の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。前記α位の置換基としての炭素数1~5のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。前記α位の置換基としての炭素数1~5のハロゲン化アルキル基として具体的には、上記の炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。前記α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が好ましく、具体的には、上記の炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部がヒドロキシ基で置換された基が挙げられる。本発明において、α置換アクリル酸エステルのα位の炭素原子に結合しているのは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のフッ素化アルキル基であることがより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基であることが最も好ましい。α置換アクリル酸エステルが有する有機基としては、特に限定されないが、たとえば前述した酸解離性基や、後述する構成単位a2~a4の説明で挙げるような-SO2-含有環式基、ラクトン含有環式基、極性基含有炭化水素基、酸非解離性の脂肪族多環式基等の特性基、該特性基を構造中に含む特性基含有基等が挙げられる。該特性基含有基としては、たとえば、前記特性基に2価の連結基が結合した基等が挙げられる。2価の連結基としては、たとえば後述する一般式a1-0-2中のY2の2価の連結基と同様のものが挙げられる。アクリルアミドまたはその誘導体としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリルアミド以下、α置換アクリルアミドということがある。、α置換アクリルアミドのアミノ基末端の水素原子の一方または両方が置換基で置換された化合物、等が挙げられる。アクリルアミドまたはその誘導体のα位の炭素原子に結合してもよい置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルのα位の炭素原子に結合する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。α置換アクリルアミドのアミノ基末端の水素原子の一方または両方を置換する置換基としては、有機基が好ましい。該有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基と同様のものが挙げられる。α置換アクリルアミドのアミノ基末端の水素原子の一方または両方が置換基で置換された化合物としては、たとえば前記α置換アクリル酸エステル中のα位の炭素原子に結合した-C=O-O-を、-C=O-NRb-[式中、Rbは水素原子または炭素数1~5のアルキル基である。]で置換した化合物が挙げられる。式中、Rbにおけるアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。スチレンまたはその誘導体としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいスチレン以下、α置換スチレンということがある。、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいヒドロキシスチレン以下、α置換ヒドロキシスチレンということがある。、α置換ヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子が有機基で置換された化合物、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基で置換されていてもよいビニル安息香酸以下、α置換ビニル安息香酸ということがある。、α置換ビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子が有機基で置換された化合物、等が挙げられる。ヒドロキシスチレンは、ベンゼン環に、1つのビニル基と、少なくとも1つの水酸基とが結合した化合物である。ベンゼン環に結合する水酸基の数は、1~3が好ましく、1が特に好ましい。ベンゼン環における水酸基の結合位置は特に限定されない。水酸基の数が1つである場合は、ビニル基の結合位置のパラ4位が好ましい。水酸基の数が2以上の整数である場合は、任意の結合位置を組み合わせることができる。ビニル安息香酸は、安息香酸のベンゼン環に1つのビニル基が結合した化合物である。ベンゼン環におけるビニル基の結合位置は特に限定されない。スチレンまたはその誘導体のα位の炭素原子に結合してもよい置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルのα位の炭素原子に結合する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。スチレンまたはその誘導体のベンゼン環に結合してもよい、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基としては、特に限定されず、たとえば、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。α置換ヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子が有機基で置換された化合物における有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基として挙げた有機基が挙げられる。α置換ビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子が有機基で置換された化合物における有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基として挙げた有機基が挙げられる。ビニルナフタレンまたはその誘導体としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ナフタレン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいビニルナフタレン以下、α置換ビニルナフタレンということがある。、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ナフタレン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいビニルヒドロキシナフタレン以下、α置換ビニルヒドロキシナフタレンということがある。、α置換ビニルヒドロキシナフタレンの水酸基の水素原子が置換基で置換された化合物、等が挙げられる。ビニルヒドロキシナフタレンは、ナフタレン環に、1つのビニル基と、少なくとも1つの水酸基とが結合した化合物である。ビニル基は、ナフタレン環の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよい。ナフタレン環に結合する水酸基の数は、1~3が好ましく、1が特に好ましい。ナフタレン環における水酸基の結合位置は特に限定されない。ナフタレン環の1位または2位にビニル基が結合している場合、ナフタレン環の5~8位のいずれかが好ましい。特に、水酸基の数が1つである場合は、ナフタレン環の5~7位のいずれかが好ましく、5または6位が好ましい。水酸基の数が2以上の整数である場合は、任意の結合位置を組み合わせることができる。ビニルナフタレンまたはその誘導体のα位の炭素原子に結合してもよい置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルのα位の炭素原子に結合する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。ビニルナフタレンまたはその誘導体のナフタレン環に結合してもよい置換基としては、前記α置換スチレンのベンゼン環に結合してもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。α置換ビニルヒドロキシナフタレンの水酸基の水素原子が有機基で置換された化合物における有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基と同様のものが挙げられる。α置換アクリル酸またはそのエステルから誘導される構成単位として具体的には、下記一般式Iで表される構成単位が挙げられる。α置換アクリルアミドまたはその誘導体から誘導される構成単位から誘導される構成単位として具体的には、下記一般式IIで表される構成単位が挙げられる。α置換スチレンまたはその誘導体から誘導される構成単位から誘導される構成単位として具体的には、下記一般式IIIで表される構成単位が挙げられる。α置換ビニルナフタレンまたはその誘導体から誘導される構成単位として具体的には、下記一般式IVで表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Xa~Xdはそれぞれ独立に水素原子または有機基である。Rbは水素原子または炭素数1~5のアルキル基である。RcおよびRdはそれぞれ独立にハロゲン原子、-COOXeXeは水素原子または有機基である。、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。pは0~3の整数であり、qは0~5の整数であり、pqは0~5である。qが2以上の整数である場合、複数のRcはそれぞれ同じであっても異なってもよい。xは0~3の整数であり、yは0~3の整数であり、zは0~4の整数であり、xyzは0~7である。yzが2以上の整数である場合、複数のRdはそれぞれ同じであっても異なってもよい。]重合体A1を構成する構成単位としては、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。かかる構成単位としては、たとえば、露光により酸を発生する構成単位a0;酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1;-SO2-含有環式基またはラクトン含有環式基を含む構成単位a2;極性基を含む構成単位a3;酸非解離性環式基を含む構成単位a4;等が挙げられる。構成単位a0構成単位a0は、露光により酸を発生する構成単位である。構成単位a0を有することで、露光により主鎖末端のみならず側鎖部分からも露光により酸が発生し得るものとなり、重合体A1の酸発生能がさらに向上する。構成単位a0としては、露光により酸を発生するものであれば特に限定されるものではないが、露光により酸を発生するオニウム塩構造を有する構成単位であることが好ましい。ここでオニウム塩構造としては、化学増幅型レジスト組成物において一般に用いられるオニウム塩系酸発生剤の機能部位と同様の構造のものが挙げられる。なお、発生する酸の強度は特に限定されるものではなく、一般的にレジスト組成物の酸発生剤で発生する酸として用いられるような強酸であってもよく、それ以外の弱酸であってもよい。構成単位a0として具体的には、下記一般式a0-1又はa0-2で表される基を有する構成単位が好ましい。[式中、Q1、Q2はそれぞれ独立に、単結合又は2価の連結基であり、R3、R4、R5はそれぞれ独立に有機基であり、R4、R5は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、V-は対アニオンである。A-はアニオンを含む有機基であり、Mmは対カチオンであり、mは1~3の整数である。]式a0-1で表される基を有する構成単位式a0-1中、Q1は単結合又は2価の連結基である。Q1の2価の連結基としては、前記式c-1-21中のWの2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、本発明におけるQ1としては、単結合、又はエステル結合[-C=O-O-]、エーテル結合-O-、アルキレン基若しくはこれらの組合せであることが好ましい。式a0-1中、R3~R5は、それぞれ独立に有機基である。R3~R5の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。R3の有機基としては、アリーレン基またはアルキレン基が好ましい。R3のアリーレン基としては、例えば、炭素数6~20のアリーレン基であって、該アリーレン基は、その水素原子の一部または全部が置換されていてもよい。たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。このようなアリーレン基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリーレン基が好ましい。具体的には、たとえばフェニレン基、ナフチレン基が挙げられ、フェニレン基が特に好ましい。前記アリーレン基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることがより好ましく、メチル基が特に好ましい。前記アリーレン基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基であることがより好ましい。前記アリーレン基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。R3のアルキレン基としては、例えば、炭素数1~10の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキレン基が挙げられ、該アルキレン基は、その水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子は上記同様である。このようなアルキレン基としては、解像性に優れる点から、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基であることが好ましく、具体的には、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基等が挙げられる。R4~R5の有機基としては特に限定されるものではないが、アリール基またはアルキル基が好ましい。R4~R5のアリール基、アルキル基としては、前記式c-1中のR1~R3のアリール基、アルキル基と同様である。R4、R5は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、形成される環としては、前記式c-1中のR1~R3のいずれか2つが相互に結合して形成する環と同様である。式a0-1中、V-は対アニオンである。V-の対アニオンとしては、特に限定されるものではなく、たとえばオニウム塩系酸発生剤のアニオン部として従来知られているものを適宜用いることができる。V-としては、たとえば、一般式R4SO3-R4は、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基を表す。で表されるアニオンが挙げられる。前記一般式R4SO3-において、R4は、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基を表す。前記R4としての直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。前記R4としての環状のアルキル基は、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。R4がアルキル基の場合のR4SO3-としては、例えば、メタンスルホネート、n-プロパンスルホネート、n-ブタンスルホネート、n-オクタンスルホネート、1-アダマンタンスルホネート、2-ノルボルナンスルホネート、d-カンファー-10-スルホネート等のアルキルスルホネートが挙げられる。前記R4としてのハロゲン化アルキル基は、アルキル基中の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたものであり、該アルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖状または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、tert-ペンチル基、又はイソペンチル基であることがさらに好ましい。そして、水素原子が置換されるハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基において、アルキル基ハロゲン化前のアルキル基の水素原子の全個数の50~100がハロゲン原子で置換されていることが好ましく、水素原子の全てがハロゲン原子で置換されていることがより好ましい。ここで、該ハロゲン化アルキル基としては、フッ素化アルキル基が好ましい。フッ素化アルキル基は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。また、該フッ素化アルキル基のフッ素化率は、好ましくは10~100、さらに好ましくは50~100であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるため好ましい。このような好ましいフッ素化アルキル基として、具体的には、トリフルオロメチル基、ヘプタフルオロ-n-プロピル基、ノナフルオロ-n-ブチル基が挙げられる。前記R4としてのアリール基は、炭素数6~20のアリール基であることが好ましい。前記R4としてのアルケニル基は、炭素数2~10のアルケニル基であることが好ましい。前記R4において、置換基を有していてもよいとは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基における水素原子の一部又は全部が置換基水素原子以外の他の原子又は基で置換されていてもよいことを意味する。R4における置換基の数は1つであってもよく、2つ以上であってもよい。前記置換基としては、たとえば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、式:X3-Q’-[式中、Q’は酸素原子を含む2価の連結基であり、X3は置換基を有していてもよい炭素数3~30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R4において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。X3-Q’-で表される基において、Q’は酸素原子を含む2価の連結基である。Q’は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子エーテル結合:-O-、エステル結合-C=O-O-、アミド結合-C=O-NH-、カルボニル基-C=O-、カーボネート結合-O-C=O-O-等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。当該組み合わせに、さらにスルホニル基-SO2-が連結されていてもよい。該組み合わせとしては、たとえば、-R91-O-、-R92-O-C=O-、-C=O-O-R93-O-C=O-、-SO2-O-R94-O-C=O-、-R95-SO2-O-R94-O-C=O-式中、R91~R95はそれぞれ独立にアルキレン基である。等が挙げられる。R91~R95におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1~12が好ましく、1~5がより好ましく、1~3が特に好ましい。該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[-CH2-];-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;エチレン基[-CH2CH2-];-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-等のアルキルエチレン基;トリメチレン基n-プロピレン基[-CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[-CH2CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[-CH2CH2CH2CH2CH2-]等が挙げられる。Q’としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、-R91-O-、-R92-O-C=O-または-C=O-O-R93-O-C=O-が好ましい。X3-Q’-で表される基において、X3の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。X3における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。X3において、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。X3におけるヘテロ原子としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、シアノ基等が挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基脂肪族環式基が好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、炭素数が2~10であることが好ましく、2~5が好ましく、2~4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば下記式L1~L6、S1~S4等が挙げられる。[式中、Qは炭素数1~5のアルキレン基、-O-、-S-、-O-R94’-または-S-R95’-であり、R94’およびR95’はそれぞれ独立に炭素数1~5のアルキレン基であり、mは0または1の整数である。]式中、Q、R94’およびR95’におけるアルキレン基としては、それぞれ、前記R91~R95におけるアルキレン基と同様のものが挙げられる。これらの脂肪族環式基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが特に好ましい。前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。本発明において、X3は、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記L2~L6、S3~S4等が好ましい。上記の中でも、前記R4としては、ハロゲン化アルキル基、または置換基としてX3-Q’-を有することが好ましい。置換基としてX3-Q’-を有する場合、R4としては、X3-Q’-Y3-[式中、Q’およびX3は前記と同じであり、Y3は置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1~4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。X3-Q’-Y3-で表される基において、Y3のアルキレン基としては、前記Q’で挙げたアルキレン基のうち炭素数1~4のものと同様のものが挙げられる。フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。Y3として、具体的には、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CFCF2CF3-、-CCF32-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-、-CFCF2CF2CF3-、-CCF3CF2CF3-;-CHF-、-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2-、-CHCF2CF3-、-CCH3CF3-、-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2CH2-、-CH2CHCF3CH2-、-CHCF3CHCF3-、-CCF32CH2-;-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CH2CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CHCH2CH2CH3-、-CCH3CH2CH3-等が挙げられる。Y3としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-;-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-;-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CH2CF2CF2CF2-等を挙げることができる。これらの中でも、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、又はCH2CF2CF2-が好ましく、-CF2-、-CF2CF2-又は-CF2CF2CF2-がより好ましく、-CF2-が特に好ましい。前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が置換基を有するとは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。R4がX3-Q’-Y3-で表される基であるR4-SO3-の具体例としては、たとえば下記式b1~b9のいずれかで表されるアニオンが挙げられる。[式中、q1~q2はそれぞれ独立に1~5の整数であり、q3は1~12の整数であり、t3は1~3の整数であり、r1~r2はそれぞれ独立に0~3の整数であり、gは1~20の整数であり、R7は置換基であり、n1~n6はそれぞれ独立に0または1であり、v0~v6はそれぞれ独立に0~3の整数であり、w1~w6はそれぞれ独立に0~3の整数であり、Qは前記と同じである。]R7の置換基としては、前記X3の説明で、脂肪族環式基の環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部を置換してもよい置換基として挙げたものや、芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子を置換してもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7に付された符号r1~r2、w1~w6が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のR7はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。また、式a0-1中のV-としては、たとえば下記一般式b-3で表されるアニオン、下記一般式b-4で表されるアニオンも挙げられる。[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表し;Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。]式b-3において、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は、好ましくは2~6であり、より好ましくは炭素数3~5、最も好ましくは炭素数3である。式b-4において、Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は、好ましくは1~10であり、より好ましくは炭素数1~7、最も好ましくは炭素数1~3である。Xのアルキレン基の炭素数又はY、Zのアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、Xのアルキレン基又はY、Zのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基又はアルキル基のフッ素化率は、好ましくは70~100、さらに好ましくは90~100であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。式a0-1におけるV-としては、一般式R4SO3-で表されるアニオン特に、R4がX3-Q’-Y3-で表される基である上記式b1~b9で表されるアニオンが好ましい。以下に、式a0-1で表される基の具体例を示す。本発明において、前記式a0-1で表される基を有する構成単位以下、構成単位a0-1という。としては、下記式a0-11で表される構成単位が好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、Q1、R3~R5、V-は前記同様である。]式a0-11中、Rのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rのハロゲン化アルキル基は、前記のRのアルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Rとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。式a0-11中、Q1、R3~R5、V-は前記同様である。式a0-2で表される基を有する構成単位前記式a0-2中、Q2は単結合又は2価の連結基である。Q2の2価の連結基としては、上記式前記式c-1-21中のWの2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、本発明におけるQ2としては、単結合、又は、直鎖状分岐鎖状のアルキレン基、エステル結合[-C=O-O-]若しくはこれらの組み合わせであることが好ましい。式a0-2中、A-はアニオンを含む有機基である。A-としては、露光により発生して酸アニオンとなる部位を含むものであれば特に限定されるものではないが、スルホン酸アニオン、カルボアニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンを発生しうる基が好ましい。なかでも、A-としては、下記式a0-2-an1~a0-2-an5で表される基が好ましい。[式中、Rf1及びRf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、p0は1~8の整数である。Z3は-C=O-O-、-SO2-又は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Z4及びZ5はそれぞれ独立に-C=O-又は-SO2-である。R62及びR63はそれぞれ独立にフッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。Z1は-C=O-、-SO2-、-C=O-O-又は単結合であり、Z2は-C=O-又は-SO2-である。R61はフッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。R64はフッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。W0は置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基但し、Sに隣接する炭素にはフッ素原子は置換されていないものとするである。]式a0-2-an1中、Rf1及びRf2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。Rf1、Rf2のアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rf1、Rf2のフッ素化アルキル基としては、上記Rf1、Rf2のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が好ましい。Rf1、Rf2としては、フッ素原子又はフッ素化アルキル基であることが好ましい。式a0-2-an1中、p0は1~8の整数であり、1~4の整数であることが好ましく、1又は2であることがさらに好ましい。式a0-2-an2中、Z3は-C=O-O-、-SO2-又は置換基を有していてもよい炭化水素基である。Z3の置換基を有していていもよい炭化水素基としては、前記式c-1-21中のWの2価の連結基における置換基を有していていもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでもZ3としては-SO2-であることが好ましい。式a0-2-an2中、Z4及びZ5は、それぞれ独立に、-C=O-又は-SO2-であり、少なくとも一方が-SO2-であることが好ましく、両方が-SO2-であることがより好ましい。R62及びR63は、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよい炭化水素基であり、後述するR61におけるフッ素原子を有していてもよい炭化水素基と同様のものが挙げられる。式a0-2-an3中、Z1は-C=O-、-SO2-、-C=O-O-又は単結合である。Z1が単結合の場合、式中のN-が、Z2と結合した側とは逆側即ち、式中の左端で直接-C=O-と結合しないことが好ましい。式a0-2-an3中、Z2は、-C=O-又は-SO2-であり、-SO2-であることが好ましい。R61は、フッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。R61における炭化水素基としては、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基などが挙げられる。R61におけるアルキル基は、炭素数1~8であるものが好ましく、炭素数1~6であるものがより好ましく、炭素数1~4であるものがさらに好ましく、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等が好ましいものとして挙げられる。R61における1価の脂環式炭化水素基は、炭素数3~20であるものが好ましく、炭素数3~12であるものがより好ましく、多環式でもよく、単環式でもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。R61におけるアリール基は、炭素数6~18であるものが好ましく、炭素数6~10であるものがより好ましく、具体的にはフェニル基が特に好ましい。R61におけるアラルキル基は、炭素数1~8のアルキレン基と上記R61におけるアリール基とが結合したものが好ましい例として挙げられる。炭素数1~6のアルキレン基と上記R61におけるアリール基とが結合したアラルキル基がより好ましく、炭素数1~4のアルキレン基と上記R61におけるアリール基とが結合したアラルキル基が特に好ましい。R61における炭化水素基は、当該炭化水素基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていることが好ましく、当該炭化水素基の水素原子の30~100がフッ素原子で置換されていることがより好ましい。なかでも、上述したアルキル基の水素原子の全部がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基であることが特に好ましい。式a0-2-an4中、R64は、フッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。R64における炭化水素基としては、アルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、アリール基から1個以上の水素原子を除いた基、アラルキル基から1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。R64における炭化水素基として、具体的には、上記R61における炭化水素基アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基などについての説明の中で例示したものから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。R64における炭化水素基は、当該炭化水素基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていることが好ましく、当該炭化水素基の水素原子の30~100がフッ素原子で置換されていることがより好ましい。式a0-2-an5中、W0は置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基である。W0の置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよく、前記式c-1-21中のWの2価の連結基として説明した脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでもW0の置換基を有していてもよい炭化水素基としては、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましく、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、カンファー等から2個以上の水素原子を除いた基置換基を有していてもよいであることがより好ましい。A-が式a0-2-an1~a0-2-an2で表される基や、Z1が-C=O-O-又は単結合である式a0-2-an3で表される基を有する場合、露光によって重合体から、フッ素化スルホン酸アニオン、カルボアニオン等の比較的強い酸を発生させることができる。一方、A-が式a0-2-an4~a0-2-an5で表される基や、Z1が-C=O-又は-SO2-である式a0-2-an3で表される基を有する場合、露光によって重合体からスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン等の比較的弱い酸を発生させることができる。本発明の重合体においては、上記の様に構成単位a0から所望の酸強度を有する酸を発生させることができるため、該重合体をレジスト組成物に用いる場合、レジスト組成物における構成単位a0から発生した酸の機能を適宜決定することができ、所望の機能にあわせてA-を選択することもできる。例えば、通常レジスト組成物において用いられる酸発生剤と同様の役割を構成単位a0が担う場合は、強酸を発生するA-を選択することが好ましい。また、例えば、通常レジスト組成物において用いられるクエンチャー酸発生剤から発生する強酸と塩交換して強酸をトラップするクエンチャーと同様の機能を構成単位a0が担う場合は、弱酸を発生するA-を選択することが好ましい。なお、ここで強酸、弱酸とは、後述する構成単位a1に含まれるような酸の作用により分解する酸分解性基の活性化エネルギーとの関係性や、共に用いられる酸発生剤の酸強度との関係性において決定されるものである。そのため、上述した比較的弱い酸が、必ずクエンチャーとして用いることができるものではない。式a0-2中、Mmは対カチオンであり、mは1~3の整数である。Mmの対カチオンとしては、オニウムカチオンであることが好ましく、具体的にはスルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、ジアゾニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ピリジニウムカチオン等が挙げられる。なかでも前記式c-1~c-3で表されるカチオンが好ましく、前記式c-1-1~c-1-32で表されるカチオンがより好ましい。本発明において、式a0-2で表される基を有する構成単位以下、構成単位a0-2という。としては、下記式a0-2-11~a0-2-13、a0-2-21~a0-2-25、a0-2-31~a0-2-32、a0-2-41~a0-2-44及びa0-2-51~a0-2-53で表される基からなる群より選択される構成単位が好ましい。[式中、R、Rf1、Rf2、p0、Mm1/mは前記同様であり、Q21はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。Q22は2価の連結基である。Q23は-O-、-CH2-O-、又は-C=O-O-を含有する基である。Rq1はフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。Rnは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である。][式中、R、Q21~Q23、Z3~Z5、R62~R63、Rn、Rq1、Mm1/mは前記同様である。n60は0~3の整数である。][式中、R、Z1~Z2、Rn、Mm1/mは前記同様であり、Q24、Q25はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。][式中、R、Rn、Mm1/mは前記同様であり、Q26~Q28はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。n30は0~3の整数である。][式中、R、Q21~Q23、W0、Rq1、RnMm1/mは前記同様である。]式a0-2-11~に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。有機溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-2の使用量は、pが1である場合は通常、化合物i-11モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-1と化合物i-2との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20~200°Cが好ましく、20~150°C程度がより好ましい。反応終了後、反応液中のラジカル重合開始剤Iを単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、又はこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。上記のようにして得られるラジカル重合開始剤Iの構造は、1H-核磁気共鳴NMRスペクトル法、13C-NMRスペクトル法、19F-NMRスペクトル法、赤外線吸収IRスペクトル法、質量分析MS法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。重合体A1の別の製造方法として、下記一般式I0で表される化合物I0をラジカル重合開始剤として用いることにより、主鎖の少なくとも一方の末端に下記一般式I-01で表される基を有する重合体前駆体重合体を得て、該前駆体重合体の主鎖の末端基に-OCOq-R2-CF2r-SO3-Mq、R2、r、Mは前記と同じである。を導入する主鎖末端の水素原子を置換する方法が挙げられる。化合物I-01は公知のものが利用できる。-OCOq-R2-CF2r-SO3-Mの導入は、従来公知の方法を利用して行うことができ、たとえば、前駆体重合体と、下記一般式i-02で表される化合物i-02とを反応させることにより実施できる。該反応は、前述した化合物i-1と化合物i-2とを反応させる方法と同様にして実施できる。[式中、R1、Z、X、Q、p、q、R2、r、M、B1、B2はそれぞれ前記同様である。]上記重合体A1およびγ-ブチロラクトンを含有する本発明のレジスト組成物は、ネガ型レジスト組成物であってもよく、ポジ型レジスト組成物であってもよい。本明細書においては、露光部が溶解除去されるポジ型パターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型パターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。本発明のレジスト組成物は、非化学増幅型であってもよく、化学増幅型であってもよい。露光により酸を発生するアニオン部位を有する重合体A1を含有していることから、本発明のレジスト組成物は、化学増幅型のレジスト組成物であることが好ましい。加えて、化学増幅型のレジスト組成物は、レジストパターンをより高感度、より高解像性で形成できることからも好ましい。化学増幅型のレジスト組成物としては、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有するものが一般的である。かかるレジスト組成物に対して露光を行うと、酸発生剤成分から酸が発生し、該酸の作用により基材成分の現像液に対する溶解性が変化する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を用いて形成されたレジスト膜を選択的に露光すると、露光部の現像液に対する溶解性が変化ポジ型の場合は増大、ネガ型の場合は減少する一方で、未露光部のアルカリ現像液に対する溶解性は変化しないため、これを現像することによりレジストパターンが形成される。また、化学増幅型のレジスト組成物として、露光により酸を発生し、かつ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分を含有するものも挙げられる。かかる基材成分は酸発生剤成分としても機能することから、該レジスト組成物に対して露光を行うと、基材成分から酸が発生し、該酸の作用により基材成分の現像液に対する溶解性が変化する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を用いて形成されたレジスト膜を選択的に露光し、現像すると、前記と同様、レジストパターンが形成される。上述のように、化学増幅型のレジスト組成物においては、通常、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分が用いられる。ここで、基材成分とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。前記基材成分として用いられる分子量が500以上の有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、分子量が500以上4000未満の非重合体を低分子化合物という。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。以下、分子量が1000以上の重合体を高分子化合物という。高分子化合物の場合、分子量としてはGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。以下、高分子化合物を単に樹脂ということがある。本発明のレジスト組成物は、露光により酸を発生し、かつ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分を構成する樹脂として、重合体A1を含有していてもよく;該基材成分を構成する他の樹脂と共に、重合体A1を含有していてもよい。すなわち、重合体A1は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するものであってもよく、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化しないものであってもよい。なかでも、重合体A1は、露光により酸を発生し、かつ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分として用いられるものであることが好ましい。重合体A1は、上記のように、主鎖末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有する。それに加えて、該重合体A1が酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するものである場合、当該主鎖末端のアニオン部位と、該重合体中の酸による溶解性変化に寄与する部位具体的には例えば、後述する構成単位a1における酸分解性基等とがレジスト膜中に均一に分布し、露光部で該重合体から均一に酸が発生して該重合体自身の溶解性が好適に変化することで、良好なリソグラフィー特性を得ることができる。すなわち、本発明のレジスト組成物としては、露光により酸を発生し、かつ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A以下A成分ともいう。と、有機溶剤S以下S成分ともいう。と、を含有し、前記A成分として重合体A1を含有し、前記S成分としてγ-ブチロラクトンを含有するものが好ましい。本発明のレジスト組成物は、前記A成分および前記S成分に加えてさらに、露光により酸を発生する酸発生剤成分B但し、前記基材成分Aを除く。以下B成分ともいう。を含有してもよい。以下、A成分として重合体A1を含有するレジスト組成物について説明する。<A成分>本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するまたは溶剤現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、好ましくは、露光により酸を発生し、かつアルカリ現像液に可溶性の樹脂成分以下、A-2成分ということがある。が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。かかるレジスト組成物は、露光によりA-2成分から酸が発生すると、当該酸が作用してA-2成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、結果、アルカリ現像液に対する溶解性が減少有機系現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性有機系現像液に対して可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性有機系現像液に対して難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することによりネガ型レジストパターンが形成できる。また、このとき現像液として有機系現像液を用いると、ポジ型のレジストパターンが形成できる。A-2成分としては、アルカリ現像液に対して可溶性の樹脂以下アルカリ可溶性樹脂という。として公知の樹脂に、露光により酸を発生する酸発生部位たとえば前記露光により酸を発生するアニオン部位を導入したものが挙げられる。アルカリ可溶性樹脂酸発生部位の導入前のものとしては、例えば特開2000-206694号公報に開示されている、α-ヒドロキシアルキルアクリル酸、またはα-ヒドロキシアルキルアクリル酸のアルキルエステル好ましくは炭素数1~5のアルキルエステルから選ばれる少なくとも一つから誘導される単位を有する樹脂;米国特許6949325号公報に開示されている、スルホンアミド基を有するα位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂またはポリシクロオレフィン樹脂;米国特許6949325号公報、特開2005-336452号公報、特開2006-317803号公報に開示されている、フッ素化アルコールを含有し、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂;特開2006-259582号公報に開示されている、フッ素化アルコールを有するポリシクロオレフィン樹脂等が、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。なお、前記α-ヒドロキシアルキルアクリル酸は、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸のうち、カルボキシ基が結合するα位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸と、このα位の炭素原子にヒドロキシアルキル基好ましくは炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が結合しているα-ヒドロキシアルキルアクリル酸の一方または両方を示す。酸発生部位としては、レジスト組成物用の酸発生剤として公知の化合物が有する酸発生部位と同様の構造のものが適用できる。酸発生部位の導入位置は、主鎖末端でも側鎖部分でもよい。酸発生部位の主鎖末端への導入は、たとえばアルカリ可溶性樹脂を製造する際の重合開始剤として、酸発生部位を有する重合開始剤たとえば前記一般式Iで表される化合物からなるラジカル重合開始剤を用いいることにより実施できる。側鎖部分への導入は、アルカリ可溶性樹脂を製造する際に、アルカリ可溶性基を有する単量体たとえば前記構成単位a3を誘導する単量体またはその前駆体たとえばアルカリ可溶性基を保護基で保護したものとともに、酸発生部位を有する単量体たとえば前記構成単位a0を誘導する単量体を重合させることにより実施できる。架橋剤成分としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1~50質量部であることが好ましい。本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成し、溶剤現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、好ましくは、酸の作用により極性が増大する樹脂成分以下、A-1成分ということがある。が用いられる。A-1成分は露光前後で極性が変化するため、A-1成分を用いることにより、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。つまり、アルカリ現像プロセスを適用する場合、A-1成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光によりA-1成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型レジストパターンが形成できる。一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、A-1成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光によりA-1成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなって有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成できる。本発明において、A成分は、A-1成分であることが好ましい。すなわち、本発明のレジスト組成物は、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型となり、溶剤現像プロセスにおいてネガ型となる化学増幅型レジスト組成物であることが好ましい。したがって、重合体A1は、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、酸の作用により極性が増大する重合体以下、A-11成分という。であることが好ましい。A-11成分としては、たとえば、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、前記構成単位a1を有する重合体が挙げられる。A-11成分は、構成単位a1に加えて、前記構成単位a2をさらに有する共重合体であることが好ましい。A1-11成分は、構成単位a1に加えて、または構成単位a1およびa2に加えて、前記構成単位a3をさらに有する共重合体であることが好ましい。A1-11成分は、構成単位a1に加えて、または構成単位a1およびa2に加えて、または前記構成単位a1~a3に加えて、前記構成単位a0をさらに有する共重合体であることが好ましい。A1-11成分は、さらに、構成単位a0~a3以外の構成単位前記の構成単位a4等を有していてもよい。本発明のレジスト組成物は、A成分として、前記重合体A1に該当しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分以下A2成分という。を含有してもよい。A2成分としては、分子量が500以上2500未満であって、上述の重合体A1の説明で例示したような酸解離性基と、親水性基とを有する低分子化合物が好適に挙げられる。具体的には、複数のフェノール骨格を有する化合物の水酸基の水素原子の一部が上記酸解離性基で置換されたものが挙げられる。A2成分は、たとえば、非化学増幅型のg線やi線レジストにおける増感剤や、耐熱性向上剤として知られている低分子量フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部を上記酸解離性基で置換したものが好ましく、そのようなものから任意に用いることができる。かかる低分子量フェノール化合物としては、たとえば、ビス4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタン、2-4-ヒドロキシフェニル-2-4’-ヒドロキシフェニルプロパン、2-2,3,4-トリヒドロキシフェニル-2-2’,3’,4’-トリヒドロキシフェニルプロパン、トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-6-メチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-6-メチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、1-[1-4-ヒドロキシフェニルイソプロピル]-4-[1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルエチル]ベンゼン、フェノール、m-クレゾール、p-クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の2~6核体などが挙げられる。勿論これらに限定されるものではない。特には、トリフェニルメタン骨格を2~6個有するフェノール化合物が、解像性、LWRに優れることから好ましい。酸解離性基も特に限定されず、上記したものが挙げられる。本発明のレジスト組成物において、A成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本発明のレジスト組成物中、A成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。<任意成分>[B成分]本発明のレジスト組成物は、さらに、露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有していてもよい。本発明のレジスト組成物がB成分を含有する場合、B成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリビススルホニルジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。オニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式b-1またはb-2で表される化合物を用いることができる。[式中、R1~R3,R5~R6は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し;式b-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく;R4は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表し;R1~R3のうち少なくとも1つはアリール基を表し、R5~R6のうち少なくとも1つはアリール基を表す。]式b-1中のR1~R3、式b-2中のR5~R6は、それぞれ、前記式c-1中のR1~R3、前記式c-2中のR5~R6と同じである。式b-1~b-2中のR4SO3-は、構成単位a0において説明したR4SO3-と同じである。また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式b-1又はb-2において、アニオン部を前記一般式b-3又はb-4で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができるカチオン部はb-1又はb-2と同様。また、前記式c-3で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩をオニウム塩系酸発生剤として用いることもできる。式c-3で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩のアニオン部は、特に限定されず、これまで提案されているオニウム塩系酸発生剤のアニオン部と同様のものであってよい。かかるアニオン部としては、たとえば上記一般式b-1またはb-2で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部R4SO3-等のフッ素化アルキルスルホン酸イオン;前記一般式b-3又はb-4で表されるアニオン等が挙げられる。本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式B-1で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。[式B-1中、R31、R32はそれぞれ独立に有機基を表す。]R31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。R31の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1~6の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、置換基を有するとは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。アルキル基としては、炭素数1~20が好ましく、炭素数1~10がより好ましく、炭素数1~8がさらに好ましく、炭素数1~6が特に好ましく、炭素数1~4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基以下、ハロゲン化アルキル基ということがあるが好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。アリール基は、炭素数4~20が好ましく、炭素数4~10がより好ましく、炭素数6~10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。R31としては、特に、置換基を有さない炭素数1~4のアルキル基、または炭素数1~4のフッ素化アルキル基が好ましい。R32の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。R32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1~8のアルキル基、または炭素数1~8のフッ素化アルキル基が好ましい。オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式B-2またはB-3で表される化合物が挙げられる。[式B-2中、R33は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R34はアリール基である。R35は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。][式B-3中、R36はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R37は2または3価の芳香族炭化水素基である。R38は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。pは2または3である。]前記一般式B-2において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。R33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、70以上フッ素化されていることがより好ましく、90以上フッ素化されていることが特に好ましい。R34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。R34のアリール基は、炭素数1~10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~8であることが好ましく、炭素数1~4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。R35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、70以上フッ素化されていることがより好ましく、90以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が100フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。前記一般式B-3において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。R37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。R38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。pは、好ましくは2である。オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-p-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロ-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-クロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,4-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,6-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-2-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-チエン-2-イルアセトニトリル、α-4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-[p-トルエンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-[ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-トシルオキシイミノ-4-チエニルシアニド、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘプテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロオクテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-エチルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-プロピルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロペンチルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-p-メチルフェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。また、特開平9-208554号公報段落[0012]~[0014]の[化18]~[化19]に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、国際公開第04/074242号パンフレット65~86頁目のExample1~40に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。また、好適なものとして以下のものを例示することができる。ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。また、特開平11-035551号公報、特開平11-035552号公報、特開平11-035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。また、ポリビススルホニルジアゾメタン類としては、例えば、特開平11-322707号公報に開示されている、1,3-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,4-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルブタン、1,6-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカン、1,2-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルエタン、1,3-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,6-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカンなどを挙げることができる。B成分としては、これらの酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明のレジスト組成物がB成分を含有する場合、B成分としては、フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩系酸発生剤を用いることが好ましい。本発明のレジスト組成物がB成分を含有する場合、本発明のレジスト組成物におけるB成分の含有量は、A成分100質量部に対し、0.5~50質量部が好ましく、1~40質量部がより好ましい。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。[C成分]本発明のレジスト組成物は、さらに、本発明の効果を損なわない範囲で、前記A成分に該当しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分C以下、C成分という。を含有してもよい。C成分は、酸の作用により現像液に対する溶解性が増大する基材成分であってもよく、酸の作用により現像液に対する溶解性が減少する基材成分であってもよいが、A成分が、酸の作用により現像液に対する溶解性が増大するものである場合は、酸の作用により現像液に対する溶解性が増大するものが用いられ、A成分が、酸の作用により現像液に対する溶解性が減少するものである場合は、酸の作用により現像液に対する溶解性が減少するものが用いられる。C成分としては、特に限定されず、従来、化学増幅型レジスト組成物の基材成分として用いられているもののなかから適宜選択できる。たとえば、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型のレジストパターンを形成するために用いられる化学増幅型レジスト組成物または溶剤現像プロセスにおいてネガ型のレジストパターンを形成するために用いられる化学増幅型レジスト組成物用の基材成分として従来から知られている多数のものたとえばArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のベース樹脂から任意に選択して用いればよい。C成分としては、樹脂を用いてもよく、低分子化合物を用いてもよく、これらを併用してもよい。C成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。[D成分]本発明のレジスト組成物においては、任意の成分として、さらに、含窒素有機化合物成分D以下D成分という。を含有することが好ましい。このD成分は、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記の重合体A1やB成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものであれば特に限定されず、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いればよい。なかでも、脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1~12であることが好ましい。脂肪族アミンとしては、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミンアルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン又は環式アミンが挙げられる。アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数5~10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ-n-ペンチルアミン又はトリ-n-オクチルアミンが特に好ましい。環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの脂肪族単環式アミンであっても多環式のもの脂肪族多環式アミンであってもよい。脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。その他の脂肪族アミンとしては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられ、トリエタノールアミントリアセテートが好ましい。また、D成分として、芳香族アミンを用いてもよい。芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。D成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。D成分は、A成分100質量部に対して、通常、0.01~10.0質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。[E成分]本発明のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物E以下E成分という。を含有させることができる。有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~15のアリール基等が挙げられる。リン酸の誘導体としては、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。E成分としては、サリチル酸が特に好ましい。E成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。E成分は、A成分100質量部に対して、通常、0.01~10質量部の範囲で用いられる。[F成分]レジスト組成物には、レジスト膜に撥水性を付与するために、フッ素添加剤以下F成分という。を含有させることができる。F成分としては、例えば、特開2010-002870号公報に記載の含フッ素高分子化合物を用いることができる。F成分としてより具体的には、下記式f1-1で表される構成単位f1を有する重合体が挙げられる。かかる重合体としては、構成単位f1のみからなる重合体ホモポリマー;下記式f1で表される構成単位と、前記構成単位a1との共重合体;下記式f1で表される構成単位と、アクリル酸又はメタクリル酸から誘導される構成単位と、前記構成単位a1との共重合体、であることが好ましい。ここで、下記式f1で表される構成単位と共重合される前記構成単位a1としては、前記式a11-1で表される構成単位が好ましく、前記式a1-1-32で表される構成単位が特に好ましい。[式中、Rは前記同様であり、R41およびR42はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を表し、複数のR41またはR42は同じであっても異なっていてもよい。a1は1~5の整数であり、R7はフッ素原子を含む有機基である。]式f1-1中、Rは前記同様である。Rとしては、水素原子またはメチル基が好ましい。式f1-1中、R41、R42のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。R41、R42の炭素数1~5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1~5のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましい。R41、R42の炭素数1~5のハロゲン化アルキル基として、具体的には、上記炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部が、ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。なかでもR41、R42としては、水素原子、フッ素原子、又は炭素数1~5のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、またはエチル基が好ましい。式f1-1中、a1は1~5の整数であって、1~3の整数が好ましく、1又は2であることがより好ましい。式f1-1中、R7はフッ素原子を含む有機基であって、フッ素原子を含む炭化水素基であることが好ましい。フッ素原子を含む炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよく、炭素数は1~20であることが好ましく、炭素数1~15であることがより好ましく、炭素数1~10が特に好ましい。また、フッ素原子を含む炭化水素基は、当該炭化水素基における水素原子の25以上がフッ素化されていることが好ましく、50以上がフッ素化されていることがより好ましく、60以上がフッ素化されていることが、浸漬露光時のレジスト膜の疎水性が高まることから、特に好ましい。なかでも、R7としては、炭素数1~5のフッ素化炭化水素基が特に好ましく、メチル基、-CH2-CF3、-CH2-CF2-CF3、-CHCF32、-CH2-CH2-CF3、-CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF3が最も好ましい。F成分の質量平均分子量Mwゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準は、1000~50000が好ましく、5000~40000がより好ましく、10000~30000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。F成分の分散度Mw/Mnは、1.0~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.2~2.5が最も好ましい。F成分は、例えば、各構成単位を誘導するモノマーを、ジメチル-2,2-アゾビス2-メチルプロピオネートV-601、アゾビスイソブチロニトリルAIBNのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等により重合させることによって得ることができる。また、該重合の際に、たとえばHS-CH2-CH2-CH2-CCF32-OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に-CCF32-OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、ディフェクトの低減やLERラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸の低減に有効である。各構成単位を誘導するモノマーは、それぞれ、市販のものを用いてもよく、公知の方法に製造したものを用いてもよい。F成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。F成分は、A成分100質量部あたり0.5~10質量部の割合で用いられる。本発明のレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。<S成分>本発明のレジスト組成物は、材料をS成分有機溶剤に溶解させて製造することができる。S成分としては、少なくとも、γ-ブチロラクトンが用いられる。本発明のレジスト組成物中、γ-ブチロラクトンの含有量は、A成分100質量部に対して、1質量部以上が好ましく、3質量部以上がより好ましく、5質量部以上がさらに好ましい。1質量部以上であることにより、EL、MEF、LWR、パターン形状の矩形性の各特性に優れており、現像後のディフェクト数の低減効果にも優れる。上限は、溶液中の固形分濃度が所望の値となる範囲内であれば特に限定されないが、好ましくはA成分100質量部に対して200質量部以下、より好ましくは100質量部以下である。また、S成分中のγ-ブチロラクトンの割合は、0.01~10質量が好ましく、0.03~5質量がより好ましい。本発明のレジスト組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、S成分として、γ-ブチロラクトン以外の有機溶剤以下、S2成分という。を含有してもよい。S2成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。たとえば、γ-ブチロラクトン以外のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤、ジメチルスルホキシドDMSOなどを挙げることができる。S2成分は1種を単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、シクロヘキサノン、ELから選ばれる少なくとも1種が好ましい。また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2の範囲内とすることが好ましい。より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。S2成分として、その他には、PGMEAとシクロヘキサノンとの混合溶剤、又はPGMEAとPGMEとシクロヘキサノンとの混合溶剤も好ましい。この場合、前者の混合割合としては、質量比が好ましくはPGMEA:シクロヘキサノン=95~5:10~90とされ、後者の混合割合としては、質量比が好ましくはPGMEA:PGME:シクロヘキサノン=35~55:20~40:15~35とされる。S成分の使用量は特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1~20質量、好ましくは2~15質量の範囲内となるように用いられる。本発明のレジスト組成物は、感度、露光余裕度、マスク再現性、ラフネス、パターン形状等のリソグラフィー特性に優れる。また、現像後のディフェクトの発生を抑制できる。このような効果が得られる理由は明らかではないが次のように推測される。本発明のレジスト組成物が含有する重合体A1は、主鎖の少なくとも一方の末端に、露光により酸を発生するアニオン部位を有することから、露光により酸を発生する酸発生能を有する。一例として、前記一般式an1で表される基や末端基I-1においては、末端にスルホニウム塩部位を有することにより、露光によりスルホン酸が発生する。このため、露光部においては該重合体の末端から酸が発生することで、感度が向上すると考えられる。また、酸発生能を有する基を重合体が有することにより、B成分として挙げたような低分子化合物の酸発生剤のみを用いた場合と比べて、発生する酸の過度の拡散が抑制される。また、主鎖末端の露光により酸を発生するアニオン部位がレジスト膜内に均一に分布し、露光部では該アニオン部位から均一に酸が発生することで、露光部の重合体A1中の酸分解性基が均一に分解しやすくなる。また、重合体A1が、酸分解性基と、露光により酸を発生するアニオン部位を同一分子中に有することにより、該アニオン部位から発生する酸と酸分解性基とが比較的近くに存在することになり、酸による酸分解性基の分解反応が起こりやすくなる。また、重合体A1が主鎖末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有することにより、レジスト膜表面の親水性が高まる。このため、たとえばアルカリ現像後、水によるリンスを行った際、アルカリ現像液に溶解したベース樹脂等の成分が析出して、疎水性の高いレジストパターン表面に付着することBlob欠陥等の発生が抑制される。これにより、本発明のレジスト組成物はディフェクトの発生が抑制される、と考えられる。加えて、本発明のレジスト組成物は、該重合体とともにγ-ブチロラクトンを含有しており、これによりレジスト溶液の状態においてより均一に溶解し、且つその効果によって欠陥リスク及びパーティクルリスクの低減が可能となる。これらが相乗的に作用することで、リソグラフィー特性の向上、ディフェクト低減効果が特に良好となると推察される。なお、レジスト膜の疎水性及び親水性は、水に対する接触角、たとえば静的接触角水平状態のレジスト膜上の水滴表面とレジスト膜表面とのなす角度、動的接触角レジスト膜を傾斜させていった際に水滴が転落し始めたときの接触角転落角と、水滴の転落方向前方の端点における接触角前進角と、転落方向後方の端点における接触角後退角とがある。等を測定することにより評価できる。レジスト膜の疎水性が高いほど、静的接触角、前進角及び後退角は大きくなり、一方、転落角は小さくなる。上述の各種角度動的接触角前進角、後退角、転落角等、静的接触角は、DROPMASTER-700製品名、協和界面科学社製、AUTOSLIDINGANGLE:SA-30DM製品名、協和界面科学社製、AUTODISPENSER:AD-31製品名、協和界面科学社製等の市販の測定装置を用いて測定することができる。≪レジストパターン形成方法≫本発明のレジストパターン形成方法は、支持体上に、前記本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。本発明のレジストパターン形成方法は、例えば以下のようにして行うことができる。すなわち、まず支持体上に前記本発明のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベークポストアプライベークPAB処理を、たとえば80~150°Cの温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施してレジスト膜を形成する。次に、該レジスト膜に対し、例えばArF露光装置、電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスクマスクパターンを介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行った後、ベークポストエクスポージャーベークPEB処理を、たとえば80~150°Cの温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。次に、前記レジスト膜を現像処理する。現像処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液を用い、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有する現像液有機系現像液用いて行う。現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、純水を用いた水リンスが好ましく、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。溶剤現像プロセスの場合、前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理ポストベークを行ってもよい。このようにして、レジストパターンを得ることができる。支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜無機BARCが挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜有機BARCや多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜下層有機膜と、少なくとも一層のレジスト膜上層レジスト膜とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法2層レジスト法と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層金属薄膜等を設けた三層以上の多層構造とする方法3層レジスト法とに分けられる。露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV極紫外線、VUV真空紫外線、EB電子線、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。前記レジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EBまたはEUV用としての有用性が高い。レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光ドライ露光であってもよく、液浸露光LiquidImmersionLithographyであってもよい。液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たし、その状態で露光浸漬露光を行う露光方法である。液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。空気の屈折率よりも大きく、かつ前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180°Cのものが好ましく、80~160°Cのものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液が挙げられる。溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、A成分露光前のA成分を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001~5質量であり、0.005~2質量が好ましく、0.01~0.5質量がより好ましい。現像処理は、公知の現像方法におり実施でき、該方法としてはたとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法パドル法、支持体表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。溶剤現像プロセスで現像処理後のリンス処理に用いるリンス液が含有する有機溶剤としては、たとえば前記有機系現像液が含有する有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤およびエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を使用する。これらのなかでも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類が好ましく、アルコール系溶剤およびエステル系溶剤から選択される少なくとも1種類がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。リンス液を用いたリンス処理洗浄処理は、公知のリンス方法により実施できる。該方法としては、たとえば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出し続ける方法回転塗布法、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法等が挙げられる。以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。なお、NMRによる分析において、1H-NMRの内部標準および13C-NMRの内部標準はテトラメチルシランTMSである。19F-NMRの内部標準はヘキサフルオロベンゼンである但し、ヘキサフルオロベンゼンのピークを-160ppmとした。[合成例1:化合物Anion-Aの合成]窒素雰囲気下、ACVA28.0gとAnion-a36.8gとをジクロロメタン280gへ添加し、室温で攪拌した。そこへジイソプロピルカルボジイミド27.8gを添加して10分間攪拌した。その後、触媒としてジメチルアミノピリジン2.44gを添加し、30°Cで24時間反応を行った。その懸濁した反応溶液へt-ブチルメチルエーテル1400gを添加して30分間攪拌した後、析出した目的物をろ別し、乾燥することによってAnion-Aを20.8g得た。得られた化合物は、NMR測定を行い、以下の結果より構造を同定した。1H-NMR400MHz,DMSO-d6:δppm=4.61dt,4H,CH2CF2,2.40-2.65m,8H,CH2CH2,1.72s,6H,CH3,1.66s,6H,CH3.19F-NMR376MHz,DMSO-d6:δppm=-111.4.上記の結果から、Anion-Aが下記構造を有することが確認できた。[合成例2:化合物I-Aの合成]ビーカーへTPS-Br10.50g,Anion-A8.70g,ジクロロメタン155.0g及び純水78.0gを添加し、室温で1時間攪拌した。そして、分液した後、ジクロロメタン層に対して純水78.0gによる水洗を繰り返し、有機層を減圧下で濃縮することにより、化合物I-Aを白色固体として13.80g得た。得られた化合物は、NMR測定を行い、以下の結果より構造を同定した。1H-NMR400MHz,DMSO-d6:δppm=7.78-7.90m,30H,ArH,4.61dt,4H,CH2CF2,2.40-2.65m,8H,CH2CH2,1.72s,6H,CH3,1.66s,6H,CH3.19F-NMR376MHz,DMSO-d6:δppm=-111.4.上記の結果から、化合物I-Aが下記構造を有することが確認できた。[合成例3~55:化合物I-B~I-BBの合成]上記合成例2において、TPS-Brのカチオン部を、以下の表1~18に示すカチオン等モル量にそれぞれ変更して合成したこと以外は同様の操作を行った。これにより、表1~18に示す化合物I-B~I-BBを得た。各化合物について、NMRによる分析を行い、その結果を表1~18に併記した。[ポリマー合成例1:高分子化合物1の合成]温度計、還流管、攪拌機、窒素導入管を繋いだフラスコに、窒素雰囲気下で、15.5gのγ-ブチロラクトンを入れ、攪拌しながら内温を85°Cに上げた。4.0g12.7mmolのモノマー1、5.6g21.2mmolのモノマー2、1.7g7.4mmolのモノマー3、2.2g4.5mmolのモノマー6を、93.5gのγ-ブチロラクトンに溶解させた。この溶液に、ラジカル重合開始剤として上記化合物I-Aを3.60g添加し溶解させた。この混合溶液を一定速度で4時間かけてフラスコ中に滴下し、その後1時間加熱攪拌し、反応液を室温まで冷却した。得られた反応重合液を大量のメタノール/水混合溶液に滴下して重合体を析出させる操作を行い、沈殿した白色粉体をろ別、メタノール/水混合溶液にて洗浄した後、減圧乾燥を経て目的物である高分子化合物1を6.8g得た。この高分子化合物についてGPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは12,500、分子量分散度Mw/Mnは1.71であった。また、13C-NMRにより求められた共重合体の組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、p/q/r/s=35/35/18/12であった。[ポリマー合成例2~10:高分子化合物2~10の合成]高分子化合物2~10は、各高分子化合物を構成する構成単位を誘導する下記モノマー1~13を表19に示すモル比で用いた以外は、上記ポリマー合成例1と同様にして製造した。得られた高分子化合物2~10の質量平均分子量Mw及び分子量分散度Mw/Mnを表19に併記した。[ポリマー合成例11~16:高分子化合物11~16の合成]高分子化合物11~16は、ラジカル重合開始剤として上記化合物I-C、I-D、I-Z、I-AQ、I-KまたはI-BAを用いた以外は、上記ポリマー合成例10と同様にして製造した。得られた高分子化合物11~16の質量平均分子量Mw及び分子量分散度Mw/Mnを表19に併記した。[実施例1~17、比較例1~16]<レジスト組成物の調製>表20、21に示す各成分を混合して溶解することによりレジスト組成物を調製した。表20、21中の各略号は以下の意味を有する。また、[]内の数値は配合量質量部である。A-1~A-16:上記高分子化合物1~16。B-1:下記化学式B-1で表される化合物。B-2:下記化学式B-2で表される化合物。D-1:トリ-n-オクチルアミン。E-1:サリチル酸。F-1:下記化学式F-1で表される高分子化合物[l=100モル比、Mw=22000、Mw/Mn=1.58、ラジカル重合開始剤V-601でラジカル重合して製造された重合体]。S-1:γ-ブチロラクトン。S-2:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=1350/900/750質量比の混合溶剤。<評価>レジストパターンの形成112インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物ARC95商品名、ブリュワーサイエンス社製を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205°C、90秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚90nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、該有機系反射防止膜上に、各例のレジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で表22、23に示す温度で60秒間の条件でプレベークPAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。次に、ArF液浸露光装置NSR-S609Bニコン社製;NA開口数=1.07,Dipolein/out:0.78/0.97、w/POLANOにより、ArFエキシマレーザー193nmを、マスクパターン6ハーフトーンを介して選択的に照射した。そして、表22、23に示す温度で60秒間の露光後加熱PEB処理を行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液NMD-3商品名、東京応化工業社製で10秒間アルカリ現像し、純水を用いて15秒間水リンスし、振り切り乾燥を行った。続いて、ホットプレート上で100°C、45秒間のポストベークを行った。その結果、いずれの例においても、ライン幅50nm、ピッチ100nmの1:1ラインアンドスペースLSパターンが形成された。該LSパターンが形成される最適露光量EopmJ/cm2;感度を求めた。その結果を表22、23に併記した。露光余裕度ELマージンの評価前記EopでLSパターンのラインがターゲット寸法ライン幅50nmの±547.5nm~52.5nmの範囲内で形成される際の露光量を求め、次式によりELマージン単位:を求めた。その結果を表22、23に示す。ELマージン=|E1-E2|/EOP×100E1:ライン幅47.5nmのLSパターンが形成された際の露光量mJ/cm2E2:ライン幅52.5nmのLSパターンを形成された際の露光量mJ/cm2なお、ELマージンは、その値が大きいほど、露光量の変動に伴うパターンサイズの変化量が小さいことを示す。マスクエラーファクタMEFの評価上記レジストパターンの形成1と同じ手順に従い、前記Eopにおいて、ライン幅50nm、ピッチ100nmのLSパターンをターゲットとするマスクパターンと、ライン幅55nm、ピッチ100nmのLSパターンをターゲットとするマスクパターンとを用いてそれぞれLSパターンを形成し、以下の式からMEFの値を求めた。その結果を表22、23に示す。MEF=|CD55-CD50|/|MD55-MD50|上記式中、CD50、CD55は、それぞれ、ライン幅50nm、55mをターゲットとするマスクパターンを用いて形成されたLSパターンの実際のライン幅nmである。MD50、MD55は、それぞれ、当該マスクパターンがターゲットとするライン幅nmであり、MD50=50nm、MD55=55nmである。このMEFの値が1に近いほど、マスクパターンに忠実なレジストパターンが形成されたことを示す。LWRラインワイズラフネス評価前記Eopで形成されたライン幅50nm、ピッチ100nmのLSパターンにおいて、測長SEM走査型電子顕微鏡、加速電圧300V、商品名:S-9380、日立ハイテクノロジーズ社製により、スペース幅を、スペースの長手方向に400箇所測定し、その結果から標準偏差sの3倍値3sを求め、400箇所の3sについて平均化した値を、LWRを示す尺度として算出した。その結果を表22、23に示す。この3sの値が小さいほど、その線幅のラフネスが小さく、より均一幅のLSパターンが得られたことを意味する。パターン形状評価前記Eopにおいて形成されたパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡商品名:SU-8000、日立ハイテクノロジー社製を用いて観察し、その形状を以下の基準で評価した。その結果を表22、23に示す。○:矩形性が高く、良好である。△:ややT-top形状である。レジストパターンの形成212インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物ARC95商品名、ブリュワーサイエンス社製を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205°C、90秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚90nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、該有機系反射防止膜上に、各例のレジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、表22、23に示した各例のPAB温度と同じ温度で60秒間の条件でプレベークPAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。次に、ArF液浸露光装置NSR-S609Bニコン社製;NA開口数=1.07,Dipolein/out:0.78/0.97、w/POLANOにより、ArFエキシマレーザー193nmを、マスクパターン6ハーフトーンを介して選択的に照射した。そして、表22、23に示した各例のPEB温度と同じ温度で60秒間の露光後加熱PEB処理を行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液NMD-3商品名、東京応化工業社製で40秒間アルカリ現像し、純水を用いて15秒間水リンスし、振り切り乾燥を行った。続いて、ホットプレート上で100°C、45秒間のポストベークを行った。その結果、いずれの例においても、ライン幅55nm、ピッチ110nmの1:1ラインアンドスペースLSパターンが形成された。ディフェクト評価前記レジストパターンの形成2にて最適露光量EopmJ/cm2で形成されたLSパターンを、KLAテンコール社製の表面欠陥観察装置KLA2371製品名を用いて観察し、シリコンウェーハ1枚あたりのディフェクトの個数を測定した。結果を表24に示す。上記結果に示すとおり、実施例1、17のレジスト組成物は、γ-ブチロラクトンを含まない以外は同じ組成の比較例1のレジスト組成物よりも、EL、MEF、LWR、パターン形状の矩形性の各特性に優れており、現像後のディフェクト数も少なかった。同様に、実施例2~16のレジスト組成物は、γ-ブチロラクトンを含まない以外はそれぞれ同じ組成の比較例2~16のレジスト組成物よりも、EL、MEF、LWR、パターン形状の矩形性の各特性に優れており、現像後のディフェクト数も少なかった。これらの結果から、本発明に係るレジスト組成物が、リソグラフィー特性に優れ、形状が良好でディフェクトの少ないレジストパターンを形成できることが確認できた。"