"試料溶液に含有される化学物質を定量する方法であって、以下の工程a~eを具備する:センサチップを用意する工程a、ここで、前記センサチップは、基板、一対の作用電極、対極、ストリッピング電極、ストリッピングゲル、および保護ゲルを具備し、一対の作用電極は、第1作用電極および第2作用電極から構成され、前記ストリッピング電極の表面は銀を具備し、前記ストリッピングゲルは、前記ストリッピング電極を覆い、前記ストリッピングゲルは、一対の作用電極および対極のいずれをも覆わず、前記ストリッピングゲルは、基準電解質および、疎水性もしくは親水性イオン液体を含有し、前記ストリッピングゲルは、水を含有せず、前記疎水性もしくは親水性イオン液体は不揮発性であり、前記疎水性もしくは親水性イオン液体は、陽イオンおよび陰イオンから構成され、前記基準電解質は、前記陽イオンおよびハロゲン化物イオンから構成され、前記保護ゲルは、前記ストリッピングゲルを覆い、前記保護ゲルは、疎水性イオン液体を含有するが、前記基準電解質も水も含有せず、センサチップの表面に、前記試料溶液を供給し、前記表面を前記試料溶液により被覆する工程b、ここで、前記試料溶液は、前記化学物質および酸化還元物質を含有するか、または酸化還元物質により修飾された化学物質を含有し、ポテンシオスタットにより前記第1作用電極に電位を印加し、かつ前記第2作用電極を前記ストリッピング電極に電気的に接続し、第1作用電極、前記第2作用電極、および前記ストリッピング電極の各表面上において以下の化学式I~IIIによって表される反応をそれぞれ生じさせる工程c、第1作用電極:酸化還元物質還元体→酸化還元物質酸化体e-I第2作用電極:酸化還元物質酸化体e-→酸化還元物質還元体IIストリッピング電極:銀ハロゲン化物イオン-→ハロゲン化銀↓e-IIIここで、前記ハロゲン化銀は、前記ストリッピング電極の表面上に堆積し、前記第1作用電極および前記第2作用電極に電位が印加されない状態でストリッピング電極に電位を印加し、ストリッピング電極を流れた電流量を測定する工程d、および前記電流量に基づいて前記酸化還元物質還元体の濃度を算出し、前記算出された濃度に基づいて前記化学物質を定量する工程e。請求項1に記載の方法であって、前記センサチップは、注入口を有するカバーをさらに具備し、前記カバーと前記センサチップとの間には空間が形成されており、前記工程bにおいて、前記試料溶液は前記注入口を介して前記センサチップの表面に供給される。請求項2に記載の方法であって、前記カバーはさらに空気孔を具備し、前記工程bにおいて、前記空間に満たされていた空気が、前記空気孔から排出される。請求項2に記載の方法であって、前記工程bの後には、前記空間に試料溶液が満たされる。請求項1に記載の方法であって、前記疎水性イオン液体を構成する陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIから選択される。群I:11-R1-2-R2-3-R3-イミダゾリウムイオンR1はメチル基またはブチル基を表し、R2は水素またはメチル基を表し、R3はアルキル基を表し、R3はヘテロ原子を含んでもよい、2N-R4-イソキノリウムイオンR4はアルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい、3N-R5-ピリジニウムイオンR5はアルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい、4N,N-R6,R7-ピロリジニウムイオンR6はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、またはブチル基を表し、R7はアルキル基を表し、R7はヘテロ原子を含んでもよい、5N,N-R8,R9-ピペリジニウムイオン、またはR8はメチル基またはブチル基を表し、R9はアルキル基を表し、R9はヘテロ原子を含んでもよい6R10,R11,R12,R13-アンモニウムイオンR10,R11,R12,R13は独立してアルキル基、フェニル基、またはベンジル基であり、ヘテロ原子を含んでもよい群II:1ビストリフルオロメタンスルフォニルイミドイオン、2トリフレートイオン、または3ビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミドイオン請求項1に記載の方法であって、前記疎水性イオン液体は、以下から選択される:13-ジメチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド1-エチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミド13-ジエチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド13-ジエチルイミダゾリウムトリフレート1-ブチル-3-エチルイミダゾリウムトリフレート12-ジメチル-3-エチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート1-イソプロピル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド12-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドN,N-プロピルメチルピロリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドプロピルトリメチルアンモニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドN,N-メチルプロピルピペリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、またはN-ブチルピリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド。請求項1に記載の方法であって、前記親水性イオン液体を構成する陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIIから選択される。群I:11-R1-2-R2-3-R3-イミダゾリウムイオンR1はメチル基またはブチル基を表し、R2は水素またはメチル基を表し、R3はアルキル基を表し、R3はヘテロ原子を含んでもよい、2N-R4-イソキノリウムイオンR4はアルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい、3N-R5-ピリジニウムイオンR5はアルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい、4N,N-R6,R7-ピロリジニウムイオンR6はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、またはブチル基を表し、R7はアルキル基を表し、R7はヘテロ原子を含んでもよい、5N,N-R8,R9-ピペリジニウムイオン、またはR8はメチル基またはブチル基を表し、R9はアルキル基を表し、R9はヘテロ原子を含んでもよい6R10,R11,R12,R13-アンモニウムイオンR10,R11,R12,R13は独立してアルキル基、フェニル基、またはベンジル基であり、ヘテロ原子を含んでもよい群III:4テトラフルオロボレートイオン、または5ハライドイオン。請求項1に記載の方法であって、前記親水性イオン液体は、以下から選択される:1-エチル-3-メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、1-メチル-3-プロピルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムヨージド、1-ヘキシル-3-メチルイミダゾリウムブロマイド、1-ヘキシル-3-メチルイミダゾリウムクロライド、1-オクチル-3-メチルイミダゾリウムクロライド、またはN-ヘキシルピリジニウムクロライド。請求項1に記載の方法であって、前記ストリッピングゲルが前記保護ゲルによって完全に隠されるように、前記保護ゲルは前記ストリッピングゲルの全体を覆っている。変換ストリッピング法のためのセンサチップであって、以下を具備する:基板、一対のくし型作用電極、対極、ストリッピング電極、およびストリッピングゲル、ここで、前記ストリッピング電極の表面は銀を具備し、前記ストリッピングゲルは、前記ストリッピング電極を覆い、前記ストリッピングゲルは、一対のくし型作用電極および対極のいずれをも覆わず、前記ストリッピングゲルは、基準電解質および、疎水性もしくは親水性イオン液体を含有し、前記疎水性もしくは親水性イオン液体は、陽イオンおよび陰イオンを含有し、前記基準電解質は、前記陽イオンおよびハロゲン化物イオンを含有し、前記保護ゲルは、前記ストリッピングゲルを覆い、前記保護ゲルは、疎水性イオン液体を含有するが、前記基準電解質も水も含有しない。請求項10に記載のセンサチップであって、前記センサチップは、注入口を有するカバーをさらに具備し、前記カバーと前記センサチップとの間には空間が形成されている。請求項11に記載のセンサチップであって、前記カバーはさらに空気孔を具備する。請求項10に記載のセンサチップであって、前記疎水性イオン液体を構成する陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIから選択される。群I:11-R1-2-R2-3-R3-イミダゾリウムイオンR1はメチル基またはブチル基を表し、R2は水素またはメチル基を表し、R3はアルキル基を表し、R3はヘテロ原子を含んでもよい、2N-R4-イソキノリウムイオンR4はアルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい、3N-R5-ピリジニウムイオンR5はアルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい、4N,N-R6,R7-ピロリジニウムイオンR6はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、またはブチル基を表し、R7はアルキル基を表し、R7はヘテロ原子を含んでもよい、5N,N-R8,R9-ピペリジニウムイオン、またはR8はメチル基またはブチル基を表し、R9はアルキル基を表し、R9はヘテロ原子を含んでもよい6R10,R11,R12,R13-アンモニウムイオンR10,R11,R12,R13は独立してアルキル基、フェニル基、またはベンジル基であり、ヘテロ原子を含んでもよい群II:1ビストリフルオロメタンスルフォニルイミドイオン、2トリフレートイオン、または3ビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミドイオン請求項10に記載のセンサチップであって、前記疎水性イオン液体は、以下から選択される:13-ジメチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミド、13-ジエチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、13-ジエチルイミダゾリウムトリフレート、1-ブチル-3-エチルイミダゾリウムトリフレート、12-ジメチル-3-エチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-イソプロピル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、12-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-プロピルメチルピロリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、プロピルトリメチルアンモニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-メチルプロピルピペリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、またはN-ブチルピリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド。請求項10に記載のセンサチップであって、前記親水性イオン液体を構成する陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIIから選択される。群I:11-R1-2-R2-3-R3-イミダゾリウムイオンR1はメチル基またはブチル基を表し、R2は水素またはメチル基を表し、R3はアルキル基を表し、R3はヘテロ原子を含んでもよい、2N-R4-イソキノリウムイオンR4はアルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい、3N-R5-ピリジニウムイオンR5はアルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい、4N,N-R6,R7-ピロリジニウムイオンR6はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、またはブチル基を表し、R7はアルキル基を表し、R7はヘテロ原子を含んでもよい、5N,N-R8,R9-ピペリジニウムイオン、またはR8はメチル基またはブチル基を表し、R9はアルキル基を表し、R9はヘテロ原子を含んでもよい6R10,R11,R12,R13-アンモニウムイオンR10,R11,R12,R13は独立してアルキル基、フェニル基、またはベンジル基であり、ヘテロ原子を含んでもよい群III:4テトラフルオロボレートイオン、または5ハライドイオン。請求項10に記載のセンサチップであって、前記親水性イオン液体は、以下から選択される:1-エチル-3-メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、1-メチル-3-プロピルイミダゾリウムテトラフルオロボレート、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムヨージド、1-ヘキシル-3-メチルイミダゾリウムブロマイド、1-ヘキシル-3-メチルイミダゾリウムクロライド、1-オクチル-3-メチルイミダゾリウムクロライド、またはN-ヘキシルピリジニウムクロライド。請求項10に記載のセンサチップであって、前記ストリッピングゲルが前記保護ゲルによって完全に隠されるように、前記保護ゲルは前記ストリッピングゲルの全体を覆っている。ストリッピング液6の乾燥が、基準電解質の濃度を変化させる。このことは、化学物質の定量の精度を低下させる。本発明の目的は、変換ストリッピング法により高精度に化学物質を定量する方法およびそのために用いられるセンサチップを提供することにある。本発明は、試料溶液に含有される化学物質を定量する方法であって、以下の工程a~eを具備する:センサチップ300を用意する工程a、ここで、前記センサチップ300は、基板30、一対の作用電極31a/31b、対極33、ストリッピング電極34、ストリッピングゲル35、および保護ゲル36を具備し、一対の作用電極31a/31bは、第1作用電極31aおよび第2作用電極31bから構成され、前記ストリッピング電極34の表面は銀を具備し、前記ストリッピングゲル35は、前記ストリッピング電極34を覆い、前記ストリッピングゲル35は、一対の作用電極31a/31bおよび対極33のいずれをも覆わず、前記ストリッピングゲル35は、基準電解質および、疎水性もしくは親水性イオン液体を含有し、前記ストリッピングゲル35は、水を含有せず、前記疎水性もしくは親水性イオン液体は不揮発性であり、前記疎水性もしくは親水性イオン液体は、陽イオンおよび陰イオンから構成され、前記基準電解質は、前記陽イオンおよびハロゲン化物イオンから構成され、前記保護ゲル36は、前記ストリッピングゲル35を覆い、前記保護ゲル36は、疎水性イオン液体を含有するが、前記基準電解質も水も含有せず、センサチップの表面に、前記試料溶液を供給し、前記表面を前記試料溶液により被覆する工程b、ここで、前記試料溶液は、前記化学物質および酸化還元物質を含有するか、または酸化還元物質により修飾された化学物質を含有し、ポテンシオスタットにより前記第1作用電極31aに電位を印加し、かつ前記第2作用電極31bを前記ストリッピング電極34に電気的に接続し、第1作用電極31a、前記第2作用電極31b、および前記ストリッピング電極34の各表面上において以下の化学式I~IIIによって表される反応をそれぞれ生じさせる工程c、第1作用電極31a:酸化還元物質還元体→酸化還元物質酸化体e-I第2作用電極31b:酸化還元物質酸化体e-→酸化還元物質還元体IIストリッピング電極34:銀ハロゲン化物イオン-→ハロゲン化銀↓e-IIIここで、前記ハロゲン化銀は、前記ストリッピング電極34の表面上に堆積し、前記第1作用電極31aおよび前記第2作用電極31bに電位が印加されない状態でストリッピング電極34に電位を印加し、ストリッピング電極34を流れた電流量を測定する工程d、および前記電流量に基づいて前記酸化還元物質還元体の濃度を算出し、前記算出された濃度に基づいて前記化学物質を定量する工程e。本発明は、変換ストリッピング法により高精度に化学物質を定量する方法およびそのために用いられるセンサチップを提供する。以下、図3を参照しながら本発明の実施形態が説明される。工程aまず、センサチップ300が用意される。図3は、実施の形態1によるセンサチップ300を示す。センサチップ300は、基板30、一対のくし型作用電極31a/31b、参照極32、対極33、ストリッピング電極34、ストリッピングゲル35、保護ゲル36、およびカバー37を具備している。カバー37は、試料溶液を注入するための注入口38および空気孔39を具備する。一対のくし型作用電極31a/31bは、第1作用電極31aおよび第2作用電極31bから構成される。参照極32は、必要に応じて具備される。高い定量精度を考慮すれば、センサチップ300は参照極32を具備することが好ましい。基板30は、電極領域30aおよび接続領域30bを具備する。化学物質の定量時に、カバー37が電極領域30aを覆う。一方、カバー37は接続領域30bを覆わない。一対のくし型電極31a/31b、参照極32、対極33、およびストリッピング電極34は、電極領域30aに形成されている。これらの各電極は、リード線を有する。全てのリード線は互いに接触しておらず、電極領域30aでは絶縁膜によって覆われており、試料溶液との接触を防いでいる。全てのリード線の一端は、接続領域30bに延伸している。接続領域30bは、図3に示すポテンショスタット42のコネクタに挿入される。基板30の形状の例は、長方形、正方形、および楕円形である。基板30の表面は絶縁層図示せずを具備する。基板30の表面は、電極の形成を考慮すれば、平滑であることが好ましい。一対のくし型作用電極31a/31bは電極領域30aであれば、ストリッピングゲル35、保護ゲル36および他の電極と接触しない限りどこに配置してもよいが、電極領域30aの中心付近に配置されることが好ましい。一対のくし型作用電極31a/31bの材料の例は、電気化学反応に対する安定性を考慮して、金、白金、およびグラッシーカーボンである。一対のくし型作用電極31a/31bは、互いに対向し、かつ噛み合っている。参照極32もまた、電極領域30aのどこに配置してもよいが、一対のくし型作用電極31a/31bの近傍にあることが好ましい。参照極32は、電気化学測定時に一定の電位を有する。参照極32の例は、銀/塩化銀電極である。対極33は電極領域30aのどこにでも配置され得る。対極33の形状も制限されない。対極33の面積は、一対のくし型電極31a/31bの面積およびストリッピング電極34の面積のおよそ20~30倍であることが好ましい。一対のくし型作用電極31a/31bと同様、対極33の材料の例は、電気化学反応に対する安定性を考慮して、金、白金、およびグラッシーカーボンである。ストリッピング電極34は表面に銀を具備する。ストリッピングゲル35は、ストリッピング電極34を覆う。ストリッピングゲル35は、一対のくし型作用電極31a/31bの近傍に配置され、その間の抵抗を低下させることが好ましい。ストリッピングゲル35は好ましくは薄膜である。ストリッピングゲル35および保護ゲル36は、ストリッピング電極34以外の他の電極31~33を覆わない。万一、ストリッピングゲル35もしくは保護ゲル36が他の電極31~33のうちの1つを覆う場合、ストリッピングゲル35もしくは保護ゲル36が当該1つの電極に電気的に接続される。これは、化学物質の定量を不可能にすることをもたらす。注入口38および空気孔39は、カバー37の上面、側面のどこにあってもよい。注入口38および空気孔39の形状も制限されない。カバー37は、電極領域30aを覆い、試料溶液が接続領域30bおよびチップの外に流出することを防ぐ。カバー37は必要に応じて設けられる。カバー37によらずに、試料溶液はセンサチップ300の表面に塗布され得る。次に、ストリッピングゲル35が詳細に説明される。ストリッピングゲル35は、基準電解質を含有する疎水性もしくは親水性イオン液体をゲル化して得られる。すなわち、ストリッピングゲル35は基準電解質および疎水性もしくは親水性イオン液体を含有する。疎水性もしくは親水性イオン液体は支持電解質として機能する。疎水性もしくは親水性イオン液体をゲル化する方法は特に限定されない。例として、高分子化合物がゲル化のために用いられる。高分子化合物の例は、フッ化ビニリデン‐ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、またはポリブチルアクリレートである。次に、保護ゲル36が詳細に説明される。保護ゲル36は、ストリッピングゲル35を覆う。すなわち、ストリッピングゲル35は、保護ゲル36およびストリッピング電極34の間に挟まれる。図3に示すように、ストリッピングゲル35が保護ゲル36によって完全に隠されるように、保護ゲル36はストリッピングゲル35の全体を覆うことが好ましい。保護ゲル36は、ストリッピングゲル35と同様、疎水性イオン液体をゲル化して得られる。保護ゲル36は、基準電解質を含有しない。ストリッピングゲル35と同様、疎水性イオン液体は支持電解質として機能する。保護ゲル36は、親水性イオン液体を含有しない。疎水性のイオン液体は、以下の陽イオンおよび以下の陰イオンから構成される。陽イオン:11-R1-2-R2-3-R3-イミダゾリウムイオンR1は水素または1以上6以下の炭素数を有する低級アルキル基であり、R2は水素またはメチル基であり、R3はアルキル基であり、R3はヘテロ原子を含んでもよい、2N-R4-イソキノリウムイオンR4はアルキル基であり、ヘテロ原子を含んでもよい、3N-R5-ピリジニウムイオンR5はアルキル基であり、ヘテロ原子を含んでもよい、4N,N-R6,R7-ピロリジニウムイオンR6は水素または1以上6以下の炭素数を有する低級アルキル基であり、R7はアルキル基であり、R7はヘテロ原子を含んでもよい、5N,N-R8,R9-ピペリジニウムイオンR8は水素または1以上6以下の炭素数を有する低級アルキル基であり、R9はアルキル基であり、R9はヘテロ原子を含んでもよい、または6R10,R11,R12,R13-アンモニウムイオンR10,R11,R12,R13は独立してアルキル基、フェニル基、ベンジル基であり、ヘテロ原子を含んでもよい陰イオン:1ビストリフルオロメタンスルフォニルイミドイオン、2トリフレートイオン、または3ビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミドイオンより具体的には、疎水性イオン液体は、以下に例示される。13-ジメチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミド、13-ジエチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、13-ジエチルイミダゾリウムトリフレート、1-ブチル-3-エチルイミダゾリウムトリフレート、12-ジメチル-3-エチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-イソプロピル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、12-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-プロピルメチルピロリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、プロピルトリメチルアンモニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-メチルプロピルピペリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、およびN-ブチルピリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド親水性のイオン液体は、以下の陽イオンおよび以下の陰イオンから構成される。陽イオン:11-R1-2-R2-3-R3-イミダゾリウムイオンR1は水素または1以上6以下の炭素数を有する低級アルキル基であり、R2は水素またはメチル基であり、R3はアルキル基であり、R3はヘテロ原子を含んでもよい、2N-R4-イソキノリウムイオンR4はアルキル基であり、ヘテロ原子を含んでもよい、3N-R5-ピリジニウムイオンR5はアルキル基であり、ヘテロ原子を含んでもよい、4N,N-R6,R7-ピロリジニウムイオンR6は水素または1以上6以下の炭素数を有する低級アルキル基であり、R7はアルキル基であり、R7はヘテロ原子を含んでもよい、5N,N-R8,R9-ピペリジニウムイオン、またはR8は水素または1以上6以下の炭素数を有する低級アルキル基であり、R9はアルキル基であり、R9はヘテロ原子を含んでもよい6R10,R11,R12,R13-アンモニウムイオンR10,R11,R12,R13は独立してアルキル基、フェニル基、ベンジル基であり、ヘテロ原子を含んでもよい陰イオン:4テトラフルオロボレートイオン5ハライドイオンより具体的には、親水性イオン液体は、以下に例示される。1-エチル-3-メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート1-メチル-3-プロピルイミダゾリウムテトラフルオロボレート1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムヨージド1-ヘキシル-3-メチルイミダゾリウムブロマイド1-ヘキシル-3-メチルイミダゾリウムクロライド1-オクチル-3-メチルイミダゾリウムクロライドN-ヘキシルピリジニウムクロライド基準電解質は、上記陽イオンおよびハロゲン化物イオンから構成される。ハロゲン化物イオンとは、塩化物イオン、臭化物イオン、またはヨウ化物イオンである。溶解度の観点から、基準電解質は、ストリッピングゲルを構成する疎水性もしくは親水性イオン液体のカチオンと同一または類似のカチオンを有することが好ましい。例えば、イオン液体が1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドである場合は、基準電解質は1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムハライドであることが好ましい。センサチップの作製方法本実施形態によるセンサチップを作製する手順が以下、説明される。電極の形成フォトレジストにより被覆された絶縁性基板が、パターン作製用のマスクを通して紫外光に照射され、続いてアルカリ現像を行う。パターンが形成された基板上に、金属がスパッタされる。有機溶媒中で残りのフォトレジストが溶解され、不要な金属を除去する。基板の全面が絶縁膜により被覆される。電極上の絶縁膜がドライエッチングによって除去され、一対のくし型作用電極31a/31b、参照極32、対極33、およびストリッピング電極34を形成する。銀/塩化銀電極は、銀/塩化銀のペーストを参照電極32上に塗布して形成される。ストリッピングゲル35の形成ストリッピングゲル35は、以下のように形成され得る。まず、密閉容器中においてフッ化ビニリデン-ヘキサフルオロプロピレン共重合体が超音波照射によって、氷冷しながらアセトンに溶解され、アセトン溶液を調製する。1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムヨージドを含有する1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドがアセトン溶液に添加される。その後、アセトン溶液は攪拌され、ストリッピング電極34上に滴下される。最後に、アセトンは蒸発されて、ストリッピングゲル35を形成する。保護ゲル36の形成保護ゲル36は、以下のように形成され得る。ストリッピングゲル35の場合と同様に、密閉容器中においてフッ化ビニリデン-ヘキサフルオロプロピレン共重合体が超音波照射によって、氷冷しながらアセトンに溶解され、アセトン溶液を調製する。1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドがアセトン溶液に添加される。その後、アセトン溶液は攪拌され、ストリッピングゲル35上に滴下される。最後に、アセトンは蒸発されて、保護ゲル36を形成する。工程b上述されたセンサチップ300の表面に試料溶液が供給され、前記表面を前記試料溶液により被覆する。試料溶液は、本発明により定量される化学物質を含有する。当該化学物質の例は、抗原、抗体、核酸、細胞、細菌、ウィルス、ハプテン、糖類である。好ましくは、カバー37がセンサチップ300に設けられる。注入口38から供給された試料溶液は、センサチップ300の表面を覆う。カバー37とセンサチップ300との間の空間における空気は、空気孔39から排出される。より好ましくは、試料溶液は、カバー37とセンサチップ300との間の空間を満たす。これにより、試料溶液の容量を一定にすることが可能になる。試料溶液は、定量される化学物質および酸化還元物質を含有する。本発明では、試料溶液は、還元状態の酸化還元物質を含有する。定量される化学物質および酸化還元物質は別々の物質であり得る。例えば、定量される化学物質は酵素であり、かつ、酸化還元物質はフェロシアン化カリウムのような電子メディエータである。または、定量される化学物質は、酸化還元物質により修飾され得る。フェロセンカルボン酸以下、FcCOOHにより修飾されたタンパク質が例示される。変換ストリッピング法は、工程cおよび工程dを具備する。工程c工程cにおいては、スイッチ41aおよび41bは、いずれも各端子Aに接続され、第1作用電極31aに一定電位が印加される。さらに、第2作用電極31bはストリッピング電極34に電気的に接続され、一対のくし型作用電極31a31bの間におけるレドックスサイクルを形成する。酸化還元物質がフェロセンカルボン酸である場合、くし型作用電極31a31bおよびストリッピング電極34上では、以下の化学式I~IIIに示される反応が生じる。くし型作用電極31a:Fc2COOH還元体→Fc3COOH酸化体e-Iくし型作用電極31b:Fc3COOH酸化体e-→Fc2COOH還元体IIストリッピング電極34:AgX-→AgX↓e-IIIXはI、Br、またはClである。ハロゲン化銀が、銀からなるストリッピング電極34の表面上に堆積される。工程d工程dでは、スイッチ41aおよび41bは、いずれも端子Bに接続される。第1作用電極31aおよび第2作用電極31bのいずれにも、電位は印加されない。ポテンショスタット42により、ストリッピング電極34が掃引され、以下の化学式IVに示されるように、工程c時に析出したハロゲン化銀が試料溶液に溶解する。ストリッピング電極34:AgXe-→AgX-IVストリッピングゲル35は水を含有しない。疎水性および親水性イオン液体は不揮発性である。そのため、工程cおよび工程dにおいて、従来技術とは異なり、ストリッピングゲル35の乾燥は抑制される。ストリッピングゲル35は試料溶液と直接接触しない。そのため、ストリッピングゲル35に含有された基準電解質の溶出は抑制される。これにより、基準電解質の濃度は維持される。その結果、化学物質の定量はより正確になる。このことが、本発明を特徴付ける。工程cにおいて一定電位の印加時間が長いほど、ハロゲン化銀の析出量が増加するので、より高い感度が達成される。工程e工程dの溶解時において流れる電流量は、ハロゲン化銀の析出量に比例する。ハロゲン化銀の析出量は、酸化還元物質還元体の濃度および工程cにおいて電位が印加された時間の積に比例する。すなわち、以下の等式が充足される。ハロゲン化銀の析出量=酸化還元物質還元体の濃度工程cにおいて電位が印加された時間従って、工程dにおいて流れた電流量から、酸化還元物質還元体の濃度が算出される。酸化還元物質還元体の濃度に基づいて、化学物質が定量される。言うまでもないが、一般的な手法の場合と同様に、電流量から化学物質が定量される際には、予め用意された検量線が用いられる。参考実施例以下、本発明の参考実施例が説明される。まず、第一作用電極50を調製した。図4aは、本参考実施例による第一作用電極50を示す。第一作用電極50は、銀プレート51、ストリッピングゲル52、および保護ゲル53を具備した。第一作用電極50の作製第一作用電極50は、以下のように作製した。密閉容器中において、50mgのフッ化ビニリデンーヘキサフルオロプロピレン共重合体が、超音波照射によって氷冷しながらアセトンに溶解され、アセトン溶液を調製した。当該共重合体は、47万の平均分子量を有していた。100mMの1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムヨージドを含有した50μlの1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドを、アセトン溶液に添加し、よく攪拌した。このようにして、第1ストック溶液を調製した。第1ストック溶液の場合と同様に、50μlの1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドを、アセトン溶液に添加し、よく攪拌した。このようにして、第2ストック溶液を調製した。10μlの第1ストック溶液を銀プレート51上に滴下した。銀プレート51は、3.0mmの直径を有していた。アセトンを乾燥させ、銀プレート51の表面にストリッピングゲル52を形成した。次に、ストリッピングゲル52を覆うように、40μlの第2ストック溶液を滴下した。アセトンを乾燥させ、保護ゲル53を形成した。このようにして、第一作用電極50を得た。電気化学測定電気化学測定は、以下のように行われた。図5は、参考実施例による電気化学測定セル70を示す。電気化学測定セル70は、作用電極71、参照極72、対極73、電解液74およびポテンショスタット75を具備した。作用電極71は第一作用電極50であった。参照極72は銀/塩化銀電極であった。対極73は白金ワイヤであった。電解液74は、Dulbecco’sPhosphateBufferedSalineD-PBS:7mMNaCl、2.7mMKCl、10mMNa2HPO4、1.8mMKH2PO4であった。ポテンショスタット75BAS社より入手、商品名ALS-660Aにより、第一作用電極50の電位が、走査速度10mV/sで20周掃引された。図6aは、前記第一作用電極50を用いて得たサイクリックボルタモグラムの、1、3、5、7周目の結果を示す。約-0.38VvsAgAgClを中心とする酸化還元電流ピークが見られた。この電流は、以下の式Vで示した酸化還元反応に由来する。図7の電流501は、図5に示される電気化学セル70を用いて走査速度10mV/sで得たサイクリックボルタモグラムを示す。このサイクリックボルタモグラムでは、作用電極71として1.6mmの直径の金プレートが用いられた。電解液は、第一作用電極50を用いたサイクリックボルタンメトリー測定に用いられた生理食塩水であった。図7に示される電流501は、酸化還元反応が生じなかったことを意味する。比較例以下、本発明の比較例が説明される。第二作用電極60の作製第二作用電極60は、保護ゲルを形成しなかったこと以外、第一作用電極50の場合と同様に作製された。図4bは、比較例による第二作用電極60を示す。第二作用電極60は、銀プレート61およびストリッピングゲル62を具備した。第一作用電極50と違い、保護ゲルは具備しなかった。電気化学測定電気化学測定は、図5に示した電気化学セル70を用いて第一作用電極50の場合と同様に行った。第二作用電極60を、作用電極71に用いた。図6bは、前記第二作用電極60を用いて得たサイクリックボルタモグラムの、1周目81、3周目82、5周目83、および7周目84の結果を示す。作用電極50の場合と同様に、約-0.38VvsAgAgClを中心に、反応式Vに由来する酸化還元電流ピークが見られた。電流値は、徐々に減少した。図7の電流601は、前記第二作用電極60のサイクリックボルタンメトリー測定を実施した後の生理食塩水を電解液に用いて走査速度10mV/sで得たサイクリックボルタモグラムを示す。電流501とは違い、電流601は、酸化還元反応が生じたことを意味する。図8は、サイクル数に対して、図6で示したサイクリックボルタモグラムの酸化電流のピーク値をプロットしたものである。プロット502、602はそれぞれ、第一作用電極50および第二作用電極60を用いた結果を示す。プロット502は、ほぼ一定の酸化電流ピーク値を保持した。この結果は、ストリッピングゲル52に含有されたヨウ化物イオンの濃度が一定に保持されたことを示す。プロット602は、測定サイクル数が増加すると、酸化電流ピーク値は徐々に減少した。この結果は、ストリッピングゲル62に含有されたヨウ化物イオンが電解液74に溶出したことを示す。ストリッピングゲル52は、保護ゲル53によって試料溶液と直接接触しない。そのため、ストリッピングゲル52に含有されたヨウ化物イオンの溶出は抑制された。これにより、ストリッピングゲル52に含有されるヨウ化物イオンの濃度は一定に維持された。このことが、本発明を特徴付けた。"