"a380~750nmで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能なドーパントと、b少なくとも1単位の式I式中、Ar1、Ar2およびAr3は、同一であるか、または異なっており、H、Dまたはアリール基であるが、ただし、Ar1、Ar2およびAr3のうちの少なくとも2つがアリールであり、かつAr1、Ar2およびAr3のいずれもインドロカルバゾール部分を含まないを有するホスト化合物と、c第2のホスト化合物とを含んでなる組成物。前記第1のホスト化合物が少なくとも10重水素化されている、請求項1に記載の組成物。前記アリール基が、フェニル、ナフチル、置換ナフチル、スチリル、カルバゾリル、N,O,S-複素環、それらの重水素化類似体、および式IIの置換基式中、R1およびR2は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、D、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、ビニル、アリルもしくはそれらの重水素化類似体であるか、または隣接するR基は一緒に結合して、6員芳香族環を形成することができ、aは、0~5の整数であるが、ただし、a=5である場合、d=e=0、bは、0~5の整数であるが、ただし、b=5である場合、e=0、cは0~5の整数であり、dは0~5の整数であり、eは0または1であるからなる群から選択される、請求項1または2に記載の組成物。前記アリールが、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、フェニルナフチル、N-カルバゾリルおよびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される、請求項1または2に記載の組成物。Ar1~Ar3の少なくとも1つが、フェニル、ナフチル、カルバゾリル、ジフェニルカルバゾリル、トリフェニルシリル、ピリジルまたはそれらの重水素化類似体である置換基を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載の組成物。前記第2のホストが、カルバゾール類、インドロカルバゾール類、クリセン類、フェナントレン類、トリフェニレン類、フェナントロリン類、トリアジン類、ナフタレン類、アントラセン類、キノリン類、イソキノリン類、キノキサリン類、フェニルピリジン類、ベンゾジフラン類、金属キノリネート錯体およびそれらの重水素化類似体から選択される、請求項1~5のいずれか一項に記載の組成物。前記第2のホスト材料が、式III:式中、Ar4は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、アリールであり、Qは、多価アリール基およびからなる群から選択され、Tは、CR’g、SiR2、S、SO2、PR、PO、PO2、BRおよびRからなる群から選択され、Rは、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、アルキル、アリール、シリルまたはそれらの重水素化類似体からなる群から選択され、R’は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、H、D、アルキルとシリルからなる群から選択され、gは1~6の整数であり、かつmは0~6の整数であるを有する、請求項1~6のいずれか一項に記載の組成物。Qが、クリセン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロリン、ナフタレン、アントラセン、キノリン、イソキノリンおよびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される、請求項7に記載の組成物。前記第2のホストが、式IV式中、Q’は、次式を有する縮合環結合であり、R3は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、D、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、スチリル、ビニルまたはアリルであり、R4は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、H、D、アルキル、炭化水素アリールまたはスチリルであるか、あるいはR2の両方はN-複素環であり、R5は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、スチリル、ビニルまたはアリルであり、pは、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、0~4の整数であるを有する、請求項1~6のいずれか一項に記載の組成物。第1の電気接触層と、第2の電気接触層と、それらの間の光活性層とを含んでなる有機電子デバイスであって、前記光活性層が、a380~750nmで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能なドーパントと、b少なくとも1単位の式I式中、Ar1、Ar2およびAr3は、同一であるか、または異なっており、H、Dまたはアリール基であるが、ただし、Ar1、Ar2およびAr3のうちの少なくとも2つがアリールであり、かつAr1、Ar2およびAr3のいずれもインドロカルバゾール部分を含まないを有する第1のホスト化合物と、c第2のホスト化合物とを含んでなる、デバイス。前記ドーパントがルミネセント有機金属錯体である、請求項10に記載のデバイス。前記有機金属錯体が、イリジウムまたは白金のシクロメタレート化錯体である、請求項11に記載のデバイス。前記第2のホストが、カルバゾール類、インドロカルバゾール類、クリセン類、フェナントレン類、トリフェニレン類、フェナントロリン類、トリアジン類、ナフタレン類、アントラセン類、キノリン類、イソキノリン類、キノキサリン類、フェニルピリジン類、ベンゾジフラン類、金属キノリネート錯体およびそれらの重水素化類似体から選択される、請求項10~12のいずれか一項に記載のデバイス。前記第2のホスト材料が、式III:式III式中、Ar4は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、アリールであり、Qは、多価アリール基およびからなる群から選択され、Tは、CR’g、SiR2、S、SO2、PR、PO、PO2、BRおよびRからなる群から選択され、Rは、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、アルキル、アリール、シリルまたはそれらの重水素化類似体からなる群から選択され、R’は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、H、D、アルキルとシリルからなる群から選択され、gは1~6の整数であり、かつmは0~6の整数であるを有する、請求項10~12のいずれか一項に記載のデバイス。Qが、クリセン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロリン、ナフタレン、アントラセン、キノリン、イソキノリンおよびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される、請求項14に記載のデバイス。前記第2のホストが、式IV式中、Q’は、次式を有する縮合環結合であり、R3は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、D、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、スチリル、ビニルまたはアリルであり、R4は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、H、D、アルキル、炭化水素アリールまたはスチリルであるか、あるいはR2の両方はN-複素環であり、R5は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、スチリル、ビニルまたはアリルであり、pは、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、0~4の整数であるを有する、請求項10~12のいずれか一項に記載のデバイス。前記光活性層が、a380~750nmで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能なドーパントと、b少なくとも1単位の式Iを有するホスト化合物と、c第2のホスト化合物とから本質的になる、請求項10に記載のデバイス。前記ドーパントが、IrまたはPtの有機金属錯体である、請求項17に記載のデバイス。基板と、絶縁層と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、少なくとも1単位の式I式中、Ar1、Ar2およびAr3は、同一であるか、または異なっており、H、Dまたはアリール基であるが、ただし、Ar1、Ar2およびAr3のうちの少なくとも2つがアリールであり、かつAr1、Ar2およびAr3のいずれもインドロカルバゾール部分を含まないを有する化合物を含んでなる有機半導体層とを含んでなる有機薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極および前記半導体層が両方とも前記絶縁層と接触し、前記ソース電極および前記ドレイン電極が両方とも前記半導体層と接触し、かつ前記電極が互いに接触しないという条件の下で、任意の配列で、前記絶縁層、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極および前記ドレイン電極を配置することができる有機薄膜トランジスタ。電子デバイスのための新規材料が引き続き必要とされている。a380~750nmで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能なドーパントと、b少なくとも1単位の式I式中、Ar1、Ar2およびAr3は、同一であるか、または異なっており、H、Dまたはアリール基であるが、ただし、Ar1、Ar2およびAr3のうちの少なくとも2つがアリールであり、かつAr1、Ar2およびAr3のいずれもインドロカルバゾール部分を含まないを有する第1のホスト化合物と、c第2のホスト化合物とを含んでなる組成物を提供する。上記組成物を含んでなる電気活性層を含んでなる電子デバイスも提供される。少なくとも1単位の式Iを有する化合物を含んでなる有機半導体層を含んでなる薄膜トランジスタも提供される。本明細書において提示される概念の理解を深めるために、添付の図面に実施形態を説明する。当業者は、図面中の物体が、平易かつ明快にするために示されており、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではないことを認識する。例えば、実施形態の理解を高めるために、図面中の一部の物体の寸法が他の物体よりも誇張されていてもよい。多くの態様および実施形態を以上に説明しているが、これらは例示的で非限定的なものである。本明細書を読めば、本発明の範囲から逸脱することなく他の態様および実施形態が可能であることは当業者に認識される。いずれか1つまたはそれ以上の実施形態のその他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および特許請求の範囲から明らかとなるであろう。詳細な説明では、最初に用語の定義および説明を記載し、続いて電気活性組成物、電子デバイス、そして最後に実施例を記載する。1.用語の定義および説明以下に記載される実施形態の詳細を記載する前に、一部の用語について定義または説明を行う。本明細書に使用される場合、用語脂肪族環は、非局在化パイ電子を有さない環基を意味することが意図される。いくつかの実施形態において、脂肪族環は不飽和を有さない。いくつかの実施形態において、環は1つの二重結合または三重結合を有する。用語アルコキシは、Rがアルキルである基RO-を指す。用語アルキルは、1つの結合点を有する脂肪族炭化水素から誘導される基を意味することが意図され、直鎖、分枝、または環式基を含む。この用語は、ヘテロアルキルを含むことが意図される。用語炭化水素アルキルは、ヘテロ原子を有さないアルキル基を指す。用語重水素化アルキルは、Dによって置き換えられる少なくとも1個の利用可能なHを有する炭化水素アルキルである。いくつかの実施形態において、アルキル基は1~20個の炭素原子を有する。用語アリールは、1つの結合点を有する芳香族炭化水素から誘導される基を意味することが意図される。用語芳香族化合物は、非局在化パイ電子を有する少なくとも1個の不飽和環基を含んでなる有機化合物を意味することが意図される。この用語は、ヘテロアリールを含むことが意図される。用語炭化水素アリールは、環にヘテロ原子を有さない芳香族化合物を意味することが意図される。用語アリールは、単環を有する基、および単結合で結合可能であるか、または一緒に縮合可能である複数の環を有する基を含む。用語重水素化アリールは、Dによって置き換えられた、アリールに直接結合した少なくとも1個の利用可能なHを有するアリール基を指す。用語アリーレンは、2つの結合点を有する芳香族炭化水素から誘導される基を意味することが意図される。いくつかの実施形態において、アリール基は3~60個の炭素原子を有する。用語アリールオキシは、Rがアリールである基RO-を指す。用語カルバゾリルは、以下の単位式中、RはH、D、アルキル、アリールまたは結合点であり、かつYはアリールまたは結合点であるを含有する基を指す。用語N-カルバゾリルは、Yが結合点であるカルバゾリル基を指す。用語化合物は、物理的手段で分離することができない原子からさらになる分子から構成される荷電していない物質を意味することが意図される。句隣接するは、デバイス中の層に関して使用される場合、ある層が別の層のすぐ次にあることを必ずしも意味するというわけではない。他方、句隣接するR基は、化学的式中で互いに隣にあるR基すなわち結合している原子上にあるR基を指すために使用される。用語重水素化は、少なくとも1個のHがDによって置き換えられたことを意味することが意図される。重水素は天然存在量の少なくとも100倍で存在する。化合物Xの重水素化類似体は、化合物Xと同じ構造を有するが、少なくとも1個のDが水素を置換している。用語ドーパントは、ホスト材料を含む層中で、そのような材料を含まない場合の層の放射線放出の電子的特徴または波長、受容、またはフィルタリングと比較して、層の放射線放出の電子的特徴または標的波長、受容、またはフィルタリングを変化させる材料を意味することが意図される。用語電気活性は、層または材料に関して言及される場合、電子または電気放射特性を示す層または材料を意味することが意図される。電子デバイスにおいて、電気活性材料は、デバイスの作動を電子的に促進する。電気活性材料の例には、限定されないが、電子または正孔のいずれかであることができる電荷を伝達するか、注入するか、輸送するか、ブロックする材料、および放射線を放出するか、または放射線を受け取るときに電子正孔対の濃度の変化を示す材料が含まれる。不活性材料の例には、限定されないが、平坦化材料、絶縁材料および環境障壁材料が含まれる。接頭辞ヘテロは、1個またはそれ以上の炭素原子が異なる原子に置き換えられたことを示す。いくつかの実施形態において、異なる原子は、N、OまたはSである。用語ホスト材料は、ドーパントが添加されていてもよい材料を意味することが意図される。ホスト材料は、電子的特性、もしくは放射線の放出、受容、またはフィルタリングする能力を有していてもよく、または有さなくてもよい。いくつかの実施形態において、ホスト材料はより高濃度で存在する。用語インドロカルバゾールは、以下の部分式中、Qは、窒素含有環がいずれかの配向で縮合するフェニル環を表し、かつ、RはHまたは置換基を表すを指す。用語層は、用語膜と同義的に使用され、所望の領域を覆うコーティングを意味する。この用語は大きさによって限定されることはない。この領域は、デバイス全体の大きさであることが可能であり、実際の視覚的表示などの特殊機能領域の小ささ、または1つのサブピクセルの小ささであることも可能である。層および膜は、気相堆積、液相堆積連続的技術および不連続的技術などの従来の任意の堆積技術および熱転写によって形成することができる。連続堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングが挙げられるが、これらに限定されるものではない。不連続堆積技術としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が挙げられるが、これらに限定されるものではない。用語ルミネセンスは、発光体の温度のみに起因することが不可能であるが、化学反応、電子衝撃、電磁放射および電界などの原因から生じる発光を指す。用語ルミネセントは、ルミネセンスが可能な材料を指す。用語N-複素環は、芳香環に少なくとも1個の窒素を有する複素環式芳香族化合物または基を指す。用語O-複素環は、芳香環に少なくとも1個の酸素を有する複素環式芳香族化合物または基を指す。用語N,O,S-複素環は、芳香環に少なくとも1個のN、OもしくはSであるヘテロ原子を有する複素環式芳香族化合物または基を指す。N,O,S-複素環は、2種以上のヘテロ原子を有してもよい。用語有機電子デバイスまたは単に電子デバイスは、1種またはそれ以上の有機半導体層または材料を含むデバイスを意味することが意図される。用語有機金属は、炭素-金属結合がある材料を指す。用語光活性は、印加電圧によって活性化されるときに光を発する発光ダイオードまたは化学電池などか、または印加バイアス電圧の有無にかかわらず放射エネルギーに反応して信号を生じる光検出器または光電池など材料または層を意味することが意図される。用語S-複素環は、芳香環に少なくとも1個の硫黄を有する複素環式芳香族化合物または基を指す。用語シロキサンは、RがH、D、C1~20アルキルまたはフルオロアルキルである基RO3Si-を指す。用語シリルは、RがH、D、C1~20アルキル、フルオロアルキルまたはアリールである基R3Si-を指す。いくつかの実施形態において、Rアルキル基中の1個またはそれ以上の炭素はSiに置き換えられる。特に明記しない限り、全ての基は未置換であることも、置換されていることも可能である。いくつかの実施形態において、置換基は、D、ハロゲン化物、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、シアノ、シリル、シロキサン、およびRがアルキルまたはアリールであるNR2からなる群から選択される。特に定義しない限り、本明細書において使用される全ての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されている意味と同じ意味を有する。本明細書に記載されているものと類似または同等の方法および材料を、本発明の実施または試験において使用することができるが、好適な方法および材料については以下に説明する。本明細書において言及されるいずれの刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献も、それらの記載内容全体が援用される。矛盾が生じる場合には、定義を含めて本明細書に従うものとする。さらに、材料、方法、および実施例は、単に説明的なものであって、限定を意図したものではない。全体を通して、周期表の族が左から右へ1から18まで番号づけられるIUPAC番号方式が使用されるCRCHandbookofChemistryandPhysics,81stEdition,2000。本明細書中、対象の実施形態が、特定の特徴または要素を含んでなるか、含むか、含有するか、有するか、それらから構成されるかものとして明示または記載される使用の文脈によって、明白に明示されるか、または逆に示されない限り、明白に明示されるか、または記載されるものに加えて、1つまたはそれ以上の特徴または要素が実施形態に存在してもよい。開示された本明細書の対象の別の実施形態は、特定の特徴または要素から本質的になるものとして記載され、そのような実施形態においては、実施形態の作動原理または顕著な特徴を大いに変更する特徴または要素は存在しない。開示された本明細書の対象のさらに別の実施形態は、特定の特徴または要素からなるものとして記載され、そのような実施形態においては、またはそれらのごくわずかな変形形態においては、具体的に記述または記載された特徴または要素のみが存在する。さらに、反対の意味で明記されない限り、またはは、包含的なまたはを意味するのであって、排他的なまたはを意味するのではない。例えば、条件AまたはBが満たされるのは、Aが真でありまたは存在しBが偽であるまたは存在しない、Aが偽でありまたは存在せずBが真であるまたは存在する、ならびにAおよびBの両方が真であるまたは存在するのいずれか1つによってである。また、本発明の要素および成分を説明するためにaまたはanも使用されている。これは単に便宜的なものであり、本発明の一般的な意味を提供するために行われている。この記述は、1つまたは少なくとも1つを含むものと読むべきであり、明らかにそうではない場合を除けば、単数形は複数形も含んでいる。2.電気活性組成物電気活性組成物は、a380~750nmで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能なドーパントと、b少なくとも1単位の式I式中、Ar1、Ar2およびAr3は、同一であるか、または異なっており、H、Dまたはアリール基であるが、ただし、Ar1、Ar2およびAr3のうちの少なくとも2つがアリールであり、かつAr1、Ar2およびAr3のいずれもインドロカルバゾール部分を含まないを有するホスト化合物と、c第2のホスト化合物とを含んでなる。少なくとも1単位を有するとは、ホストが、式Iを有する化合物、2単位以上の式Iを有するオリゴマーもしくはホモポリマー、または式Iの単位および1種もしくはそれ以上の追加のモノマーの単位を有するコポリマーであることができることを意味する。オリゴマー、ホモポリマーおよびコポリマーの単位は、置換基を通して結合可能である。少なくとも1単位の式Iを有する化合物は、任意の色の発光を有するドーパントのためのコホストとして使用することができる。いくつかの実施形態において、少なくとも1単位の式Iを有する化合物を、有機金属エレクトロルミネセント材料のためのコホストとして使用する。いくつかの実施形態において、光活性組成物は、a380~750nmで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能な光活性ドーパントと、b少なくとも1単位の式Iを有するホスト化合物と、c第2のホスト化合物とから本質的になる。組成物に存在するドーパントの量は、一般に、光活性組成物の全重量に基づき、3~20重量、いくつかの実施形態においては5~15重量の範囲にある。式Iを有する第1のホスト対第2のホストの比率は、一般に、1:20~20:1、いくつかの実施形態においては5:15~15:5の範囲である。いくつかの実施形態において、式Iを有する第1のホスト材料は、全ホスト材料の少なくとも50重量、いくつかの実施形態においては少なくとも70重量である。aドーパント光活性層のドーパントとして使用可能なエレクトロルミネセントEL材料としては、限定されないが、小分子有機ルミネセント化合物、ルミネセント金属錯体、共役ポリマーおよびそれらの混合物が含まれる。小分子ルミネセント有機化合物の例としては、限定されないが、クリセン、ピレン、ペリレン、ルブレン、クマリン、アントラセン、チアジアゾール、それらの誘導体およびそれらの混合物が含まれる。金属錯体の例としては、限定されないが、金属キレート化オキシノイド化合物、ならびにイリジウムおよび白金などの金属のシクロメタレート化された錯体が含まれる。共役ポリマーの例としては、限定されないが、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、ポリスピロビフルオレン、ポリチオフェン、ポリp-フェニレン、それらのコポリマー、およびそれらの混合物が含まれる。赤色発光材料の例としては、限定されないが、フェニルキノリンまたはフェニルイソキノリン配位子を有するIrの錯体、ペリフランテン、フルオランテンおよびペリレンが含まれる。赤色発光材料は、例えば、米国特許第6,875,524号明細書および米国特許出願公開第2005-0158577号明細書に開示されている。緑色発光材料の例としては、限定されないが、フェニルピリジン配位子を有するIrの錯体、ビスジアリールアミノアントラセンおよびポリフェニレンビニレンポリマーが含まれる。緑色発光材料は、例えば、国際公開第2007/021117号パンフレットに開示されている。青色発光材料の例としては、限定されないが、フェニルピリジンまたはフェニルイミダゾール配位子を有するIrの錯体、ジアリールアントラセン、ジアミノクリセン、ジアミノピレンおよびポリフルオレンポリマーが含まれる。青色発光材料は、例えば、米国特許第6,875,524号明細書、ならびに米国特許出願公開第2007-0292713号明細書および同第2007-0063638号明細書に開示されている。いくつかの実施形態において、ドーパントは有機金属錯体である。いくつかの実施形態において、有機金属錯体は、シクロメタレート化される。シクロメタレート化されるとは、錯体が少なくとも2点で金属と結合する少なくとも1個の配位子を含有して、少なくとも1個の炭素-金属結合を有する少なくとも1個の5-または6員環を形成することを意味する。いくつかの実施形態において、金属はイリジウムまたは白金である。いくつかの実施形態において、有機金属錯体は電気的に中性であり、そして式IrL3を有するイリジウムのトリスシクロメタレート化錯体であるか、または式IrL2Yを有するイリジウムのビスシクロメタレート化錯体である。いくつかの実施形態において、Lは、炭素原子および窒素原子によって配位するモノアニオン二座シクロメタレート化配位子である。いくつかの実施形態において、Lは、アリールがフェニルまたはナフチルであり、そしてN-複素環がピリジン、キノリン、イソキノリン、ジアジン、ピロール、ピラゾールまたはイミダゾールであるアリールN-複素環である。いくつかの実施形態において、Yはモノアニオン二座配位子である。いくつかの実施形態において、Lはフェニルピリジン、フェニルキノリンまたはフェニルイソキノリンである。いくつかの実施形態において、Yは、β-ジエノレート、ジケチミン、ピコリネートまたはN-アルコキシピラゾールである。配位子は未置換であっても、またはF、D、アルキル、ペルフルオロアルキル、アルコキシル、アルキルアミノ、アリールアミノ、CN、シリル、フルオロアルコキシルもしくはアリール基で置換されてもよい。いくつかの実施形態において、ドーパントは、イリジウムまたは白金のシクロメタレート化錯体である。そのような材料は、例えば、米国特許第6,670,645号明細書、国際公開第03/063555号パンフレット、同第2004/016710号パンフレットおよび同第03/040257号パンフレットに開示されている。いくつかの実施形態において、ドーパントは、式IrL1aL2bL3c式中、L1は、炭素および窒素によって配位するシクロメタレート化されたモノアニオン二座配位子であり、L2は、炭素によって配位しないモノアニオン二座配位子であり、L3は、単座配位子であり、aは1~3であり、bおよびcは、独立して0~2であり、そしてa、bおよびcは、イリジウムが六配位であり、錯体が電気的に中性であるように選択されるを有する錯体である。式のいくつかの例には、限定されないが、IrL13、IrL12L2およびIrL12L3L3’式中、L3はアニオンであり、そしてL3’は非イオンであるが含まれる。L1配位子の例には、限定されないが、フェニルピリジン、フェニルキノリン、フェニルピリミジン、フェニルピラゾール、チエニルピリジン、チエニルキノリンおよびチエニルピリミジンが含まれる。本明細書に使用される場合、用語キノリンは、特記しない限り、イソキノリンを含む。フッ素化誘導体は、1種またはそれ以上のフッ素置換基を有することができる。いくつかの実施形態において、1~3個のフッ素置換基が配位子の非窒素環上にある。モノアニオン二座配位子、L2は、金属配位化学において周知である。一般に、これらの配位子は、配位原子としてN、O、PまたはSを有し、イリジウムに配位する場合は5-または6員環を形成する。適切な配位基には、アミノ、イミノ、アミド、アルコキシド、カルボキシレート、ホスフィノ、チオレートなどが含まれる。これらの配位子のための適切な親化合物の例は、β-ジカルボニルβ-エノレート配位子ならびにそれらのNおよびS類似体、アミノカルボン酸アミノカルボキシレート配位子、ピリジンカルボン酸イミノカルボキシレート配位子、サリチル酸誘導体サリチレート配位子、ヒドロキシキノリンヒドロキシキノリネート配位子およびそれらのS類似体、ならびにホスフィノアルカノールホスフィノアルコキシド配位子が含まれる。単座配位子L3は、アニオンまたは非イオンであることができる。アニオン配位子には、限定されないが、H-水素化物および配位原子としてC、OまたはSを有する配位子が含まれる。配位基には、限定されないが、アルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレート、ジチオカルボキシレート、スルホネート、チオレート、カルバメート、ジチオカルバメート、チオカルバゾンアニオン、スルホンアミドアニオンなどが含まれる。いくつかの場合、β-エノラートおよびホスフィノアルコキシドなどのL2として上記される配位子は、単座配位子として機能することができる。単座配位子は、ハロゲン化物、シアン化物、イソシアン化物、硝酸塩、硫酸塩、ヘキサハロアンチモネートなどの配位アニオンであることもできる。これらの配位子は、一般に商業的に入手可能である。単座L3配位子は、COまたは単座ホスフィン配位子などの非イオン配位子であることもできる。いくつかの実施形態において、配位子の1個またはそれ以上は、Fおよびフッ素化アルキルからなる群から選択される少なくとも1個の置換基を有する。イリジウム錯体ドーパントは、例えば、米国特許第6,670,645号明細書に記載されるような標準的な合成技術を使用して製造することができる。赤色発光を有する有機金属イリジウム錯体の例としては、限定されないが、以下の化合物D1~D10が含まれる。緑色発光を有する有機金属Ir錯体の例としては、限定されないが、以下の化合物D11~D33が含まれる。青色発光を有する有機金属Ir錯体の例としては、限定されないが、以下の化合物D34~D51が含まれる。いくつかの実施形態において、ドーパントは小有機ルミネセント化合物である。いくつかの実施形態において、ドーパントは、非ポリマースピロビフルオレン化合物およびフルオランテン化合物からなる群から選択される。いくつかの実施形態において、ドーパントはアリールアミン基を有する化合物である。いくつかの実施形態において、ドーパントは、次式:式中、Aは、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、3~60個の炭素原子を有する芳香族基であり、Q’は、単結合または3~60個の炭素原子を有する芳香族基であり、pおよびqは、独立して、1~6の整数であるから選択される。上記式のいくつかの実施形態において、各式のAおよびQ’の少なくとも1個は、少なくとも3つの縮合環を有する。いくつかの実施形態において、pおよびqは1に等しい。いくつかの実施形態において、Q’はスチリルまたはスチリルフェニル基である。いくつかの実施形態において、Q’は、少なくとも2個の縮合環を有する芳香族基である。いくつかの実施形態において、Q’は、ナフタレン、アントラセン、クリセン、ピレン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、クマリン、ローダミン、キナクリドンおよびルブレンからなる群から選択される。いくつかの実施形態において、Aは、フェニル、ビフェニル、トリル、ナフチル、ナフチルフェニルおよびアントラセニル基からなる群から選択される。いくつかの実施形態において、ドーパントは次式:式中、Yは、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、3~60個の炭素原子を有する芳香族基であり、Q’’は、芳香族基、二価トリフェニルアミン残基または単結合であるを有する。いくつかの実施形態において、ドーパントはアリールアセンである。いくつかの実施形態において、ドーパントは非対称アリールアセンである。小分子有機緑色ドーパントのいくつかの例としては、限定されないが、以下の化合物D52~D59が含まれる。小分子有機青色ドーパントの例としては、限定されないが、以下の化合物D60~D67が含まれる。いくつかの実施形態において、ドーパントは、アミノ置換クリセンおよびアミノ置換アントラセンからなる群から選択される。b第1のホスト第1のホストは、上記式I有する少なくとも1単位を有する化合物である。いくつかの実施形態において、式Iの化合物は少なくとも10重水素化される。これは、少なくとも10のHがDによって置き換えられることを意味する。いくつかの実施形態において化合物は少なくとも20重水素化され、いくつかの実施形態において化合物は少なくとも30重水素化され、いくつかの実施形態において化合物は少なくとも40重水素化され、いくつかの実施形態において化合物は少なくとも50重水素化され、いくつかの実施形態において化合物は少なくとも60重水素化され、いくつかの実施形態において化合物は少なくとも70重水素化され、いくつかの実施形態において化合物は少なくとも80重水素化され、いくつかの実施形態において化合物は少なくとも90重水素化され、いくつかの実施形態において化合物は100重水素化される。いくつかの実施形態において、重水素は、アリール基Ar1~Ar3の1つまたはそれ以上において存在する。いくつかの実施形態において、重水素は、アリール基上の1つまたはそれ以上の置換基において存在する。式Iのいくつかの実施形態において、アリール基は、フェニル、ナフチル、置換ナフチル、スチリル、カルバゾリル、N,O,S-複素環、それらの重水素化類似体、および式IIの置換基式中、R1およびR2は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、D、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、ビニル、アリルもしくはそれらの重水素化類似体であるか、または隣接するR基は一緒に結合して、6員芳香族環を形成することができ、aは、0~5の整数であるが、ただし、a=5である場合、d=e=0、bは、0~5の整数であるが、ただし、b=5である場合、e=0、cは0~5の整数であり、dは0~5の整数であり、eは0または1であるからなる群から選択される。式IIのいくつかの実施形態において、d=1である。式IIのいくつかの実施形態において、R1およびR2は、D、アルキルまたはアリールである。いくつかの実施形態において、R2の少なくとも1つは、フェニル、ナフチル、カルバゾリル、ジフェニルカルバゾリル、トリフェニルシリル、ピリジルまたはそれらの重水素化類似体である。いくつかの実施形態において、R2置換基は末端環上にある。式Iのいくつかの実施形態において、Ar1~Ar3のうちの1つはHまたはDであり、かつAr1~Ar3のうちの2つはアリールである。いくつかの実施形態において、アリールは、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、フェニルナフチル、N-カルバゾリルまたはそれらの重水素化類似体である。式Iのいくつかの実施形態において、Ar1~Ar3の3つ全てがアリールである。いくつかの実施形態において、アリールはフェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、フェニルナフチル、N-カルバゾリルまたはそれらの重水素化類似体である。式Iのいくつかの実施形態において、Ar1~Ar3の3つ全てが同一である。式Iのいくつかの実施形態において、Ar1~Ar3のうちの1つは他の2つとは異なる。式Iのいくつかの実施形態において、Ar1~Ar3の3つ全てが異なる。式Iのいくつかの実施形態において、Ar1~Ar3の少なくとも1つは、N,O,S-複素環である置換基を有する。式Iのいくつかの実施形態において、Ar1~Ar3の少なくとも1つは、N-複素環である置換基を有する。いくつかの実施形態において、N-複素環は、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ピロールまたはそれらの重水素化類似体である。式Iのいくつかの実施形態において、Ar1~Ar3の少なくとも1つは、O-複素環である置換基を有する。いくつかの実施形態において、O-複素環は、ジベンゾピラン、ジベンゾフランまたはそれらの重水素化類似体である。式Iのいくつかの実施形態において、Ar1~Ar3の少なくとも1つは、S-複素環である置換基を有する。いくつかの実施形態において、S-複素環は、ジベンゾチオフェンまたはそれらの重水素化類似体である。式Iのいくつかの実施形態において、Ar1~Ar3の少なくとも1つは、フェニル、ナフチル、カルバゾリル、ジフェニルカルバゾリル、トリフェニルシリル、ピリジルまたはそれらの重水素化類似体である置換基を有する。いくつかの実施形態において、第1のホストは、1単位の式Iを有する化合物である。いくつかの実施形態において、第1のホストは、2単位以上のいずれかの式Iを有するオリゴマーまたはホモポリマーである。いくつかの実施形態において、第1のホストは、式Iを有する1個の第1のモノマー単位と、少なくとも1個の第2のモノマー単位とを有するコポリマーである。いくつかの実施形態において、第2のモノマー単位も式Iを有するが、第1のモノマー単位とは異なる。いくつかの実施形態において、第2のモノマー単位はアリーレンである。第2のモノマー単位のいくつかの例には、限定されないが、フェニレン、ナフチレン、トリアリールアミン、フルオレン、N,O,S-複素環、ジベンゾフラン、ジベンゾピラン、ジベンゾチオフェンおよびそれらの重水素化類似体が含まれる。少なくとも1単位の式Iを有する化合物のいくつかの実施形態において、以下のいずれの組み合わせも存在することが可能である。i重水素化、iiアリール基は、フェニル、ナフチル、置換ナフチル、スチリル、カルバゾリル、N,O,S-複素環、それらの重水素化類似体、および上記で定義された式IIの置換基からなる群から選択される、iiiAr1~Ar3のうちの1つがHまたはDであり、かつAr1~Ar3のうちの2つがアリールであるか、あるいはAr1~Ar3の3つ全てがアリールである、ivAr1~Ar3の3つ全てが同一であるか、あるいはAr1~Ar3の1つは他の2つと異なるか、あるいはAr1~Ar3の3つ全てが異なる、vAr1~Ar3の少なくとも1つは、N,O,S-複素環である置換基を有する、vi化合物は1単位の式Iを有するか、あるいは化合物は、2単位以上のいずれかの式Iを有するオリゴマーまたはホモポリマーであるか、あるいは化合物は、式Iを有する1個の第1のモノマー単位と、少なくとも1個の第2のモノマー単位とを有するコポリマーである。少なくとも1単位の式Iを有する化合物のいくつかの非限定的な例には、以下が含まれる。化合物H1化合物H2化合物H3化合物H4化合物H5化合物H6化合物H7化合物H8化合物H9化合物H10化合物H11化合物H12化合物H13化合物H14化合物H15化合物H16化合物H17化合物H18化合物H19化合物H20式中、nは1より大きい整数である上記構造において、Phはフェニル基を表す。少なくとも1単位の式Iを有する化合物は、既知のカップリングおよび置換反応によって調製することができる。そのような反応は周知であり、文献で広範囲に記載されている。典型的な参考文献としては、Yamamoto,ProgressinPolymerScience,Vol.17,p11531992;Colonら,JournalofPolymerScience,PartA,PolymerchemistryEdition,Vol.28,p.3671990;米国特許第5,962,631号明細書,および国際公開第00/53565号パンフレット;T.Ishiyamaら,J.Org.Chem.199560,7508-7510;M.Murataら,J.Org.Chem.199762,6458-6459;M.Murataら,J.Org.Chem.200065,164-168;L.Zhu,ら,J.Org.Chem.200368,3729-3732;Stille,J.K.Angew.Chem.Int.Ed.Engl.1986,25,508;Kumada,M.Pure.Appl.Chem.1980,52,669;Negishi,E.Acc.Chem.Res.1982,15,340;Hartwig,J.,Synlett2006,No.9,pp.1283-1294;Hartwig,J.,Nature455,No.18,pp.314-322;Buchwald,S.L.,ら,Adv.Synth.Catal,2006,348,23-39;Buchwald,S.L.,ら,Acc.Chem.Res.1998,37,805-818;ならびにBuchwald,S.L.,ら,J.Organomet.Chem.5761999,125-146が挙げられる。重水素化類似体化合物は、重水素化前駆体材料を使用して、同様の方法で調製することができ、または、一般に、三塩化アルミニウムもしくは塩化エチルアルミニウム、またはCF3COOD、DClなどの酸などのルイス酸H/D交換触媒の存在下で、d6-ベンゼンなどの重水素化溶媒で非重水素化化合物を処理することによって調製することができる。重水素化反応は、国際公開第2011-053334号パンフレットとして公開された同時係属出願にも記載されている。本明細書に記載される化合物は、液相堆積技術を使用して、膜に形成することができる。c第2のホストいくつかの実施形態において、第2のホストは重水素化される。いくつかの実施形態において、第2のホストは少なくとも10重水素化され、いくつかの実施形態において少なくとも20重水素化され、いくつかの実施形態において少なくとも30重水素化され、いくつかの実施形態において少なくとも40重水素化され、いくつかの実施形態において少なくとも50重水素化され、いくつかの実施形態において少なくとも60重水素化され、いくつかの実施形態において少なくとも70重水素化され、いくつかの実施形態において少なくとも80重水素化され、いくつかの実施形態において少なくとも90重水素化される。いくつかの実施形態においては100重水素化される。第2のホスト材料の例には、限定されないが、カルバゾール類、インドロカルバゾール類、クリセン類、フェナントレン類、トリフェニレン類、フェナントロリン類、トリアジン類、ナフタレン類、アントラセン類、キノリン類、イソキノリン類、キノキサリン類、フェニルピリジン類、ベンゾジフラン類、金属キノリネート錯体およびそれらの重水素化類似体が含まれる。いくつかの実施形態において、第2のホスト材料は、式III:式中、Ar4は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、アリールであり、Qは、多価アリール基およびからなる群から選択され、Tは、CR’g、SiR2、S、SO2、PR、PO、PO2、BRおよびRからなる群から選択され、Rは、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、アルキル、アリール、シリルまたはそれらの重水素化類似体からなる群から選択され、R’は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、H、D、アルキルとシリルからなる群から選択され、gは1~6の整数であり、かつmは0~6の整数であるを有する。式IIIのいくつかの実施形態において、隣接するAr4基は一緒に結合して、カルバゾールなどの環を形成する。式III中、隣接するは、Ar基が同一のNに結合することを意味する。いくつかの実施形態において、Ar4基は、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、クオーターフェニル、ナフチル、フェナントリル、ナフチルフェニル、フェナントリルフェニルおよびそれらの重水素化類似体からなる群から独立して選択される。5~10個のフェニル環を有するクオーターフェニルより高い類似体を使用することもできる。いくつかの実施形態において、少なくとも1つのAr4は、少なくとも1つの置換基を有する。置換基は、ホスト材料の物理的または電子的特性を変更するために存在することが可能である。いくつかの実施形態において、置換基はホスト材料の加工性を改善する。いくつかの実施形態において、置換基は、溶解度を増加させ、かつ/またはホスト材料のTgを増加させる。いくつかの実施形態において、置換基は、アルキル基、アルコキシ基、シリル基、それらの重水素化類似体およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。いくつかの実施形態において、Qは、少なくとも2個の縮合環を有するアリール基である。いくつかの実施形態において、Qは、3~5個の縮合芳香環を有する。いくつかの実施形態において、Qは、クリセン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロリン、ナフタレン、アントラセン、キノリン、イソキノリンおよびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。いくつかの実施形態において、第2のホストは、式IV式中、Q’は、次式を有する縮合環結合であり、R3は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、D、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、スチリル、ビニルまたはアリルであり、R4は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、H、D、アルキル、炭化水素アリールまたはスチリルであるか、あるいはR2の両方はN-複素環であり、R5は、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、スチリル、ビニルまたはアリルであり、pは、それぞれ出現するごとに、同一であるか、または異なっており、0~4の整数であるを有する。用語縮合環結合は、任意の配向において、Q基が両窒素含有環に縮合することを示すために使用される。3.有機電子デバイス本明細書に記載の重水素化材料を含んでなる1層またはそれ以上の層を有することから有益となり得る有機電子デバイスとしては、限定されないが、1電気エネルギーを放射線に変換するデバイス例えば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、発光照明器具、またはダイオードレーザー、2電子的プロセスを介して信号を検出するデバイス例えば、光検出器、光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、光電管、IR検出器、3放射線を電気エネルギーに変換するデバイス例えば、光起電力デバイスまたは太陽電池、ならびに41つまたはそれ以上の有機半導体層を含む1つまたはそれ以上の電子部品を含むデバイス例えば、薄膜トランジスタまたはダイオードが挙げられる。発明の化合物は、バイオアッセイの酸素感応性インジケータおよびルミネセントインジケータなどの用途でしばしば有用となることが可能性である。一実施形態において、有機電子デバイスは、上記式Iを少なくとも1単位有する化合物を含んでなる少なくとも1層を含んでなる。a.第1の例示的なデバイストランジスタの特に有用な種類である薄膜トランジスタTFTは、一般に、ゲート電極、ゲート電極上のゲート誘電体、ソース電極、ゲート誘電体に隣接したドレイン電極、ならびにゲート誘電体に隣接し、そしてソースおよびドレイン電極に隣接する半導体層を含む例えば、S.M.Sze,PhysicsofSemiconductorDevices,2ndedition,JohnWileyandSons,page492を参照のこと。これらの成分は、様々な構造で組み立てることができる。有機薄膜トランジスタOTFTは、有機半導体層を有することを特徴とする。一実施形態において、OTFTは、基板と、絶縁層と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、式Iを有する少なくとも1単位を含んでなる有機半導体層とを含んでなり、ゲート電極および半導体層が両方とも絶縁層と接触し、ソース電極およびドレイン電極が両方とも半導体層と接触し、そして電極は互いに接触しないという条件の下で、任意の配列において、絶縁層、ゲート電極、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を配置することができる。図1Aにおいて、有機電界効果トランジスタOTFTは概略的に説明され、底面接触モードにおけるそのようなデバイスの電気活性層の相対的な位置を示す。OTFTの底面接触モードにおいて、ソースおよびドレイン電極ならびに任意の残存する曝露されたゲート誘電層上へ電気活性有機半導体層を堆積させる前に、ドレインおよびソース電極はゲート誘電層上へ堆積される。基板112は、ゲート電極102および絶縁層104と接触しており、その上にソース電極106およびドレイン電極108が堆積される。ソースおよびドレイン電極の上部および間は、少なくとも1単位の式Iを有する電気活性化合物を含んでなる有機半導体層110である。図1Bは、上面接触モードにおけるそのようなデバイスの電気活性層の相対的な位置を示すOTFTの概略図である。上面接触モードにおいて、OTFTのドレインおよびソース電極は電気活性有機半導体層上面へ堆積される。図1Cは、ゲートが上面にある底面接触モードのそのようなデバイスの電気活性層の相対的な位置を示すOTFTの概略図である。図1Dは、ゲートが上面にある上面接触モードのそのようなデバイスの電気活性層の相対的な位置を示すOTFTの概略図である。基板は、無機ガラス、セラミック箔、ポリマー材料例えば、アクリル、エポキシ、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリケトン、ポリオキシ-1,4-フェニレンオキシ-1,4-フェニレンカルボニル-1,4-フェニレンポリエーテルエーテルケトンまたはPEEKと呼ばれることもある、ポリノルボルネン、ポリフェニレンオキシド、ポリエチレンナフタレンジカルボキシレートPEN、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリフェニレンスルフィドPPS、充填ポリマー材料例えば、繊維強化プラスチックFRP、および/またはコーティングされた金属箔を含んでなることが可能である。基板の厚さは、約10マイクロメートル~10ミリメートル超であることが可能であり、例えば、可撓性プラスチック基板に関しては約50~約100マイクロメートル、そしてガラスまたはシリコンなどの剛性基板に関しては約1~約10ミリメートルであることが可能である。典型的に、基板は、製造、試験および/または使用の間、OTFTを支持する。任意選択で、基板は、ソース、ドレインおよび電極へのバスライン接続、ならびにOTFTのための回路などの電気的機能を提供することができる。ゲート電極は、金属薄膜、導電性ポリマー膜、導電性インクもしくはペーストから製造された導電性膜、または基板自体、例えば高濃度にドープされたシリコンであることができる。適切なゲート電極材料の例には、アルミニウム、金、クロム、インジウムスズ酸化物、ポリスチレンスルホネートがドープされたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPSS-PEDOTなどの導電性ポリマー、カーボンブラック/グラファイトから構成される導電性インク/ペースト、または高分子バインダー中のコロイド状銀の分散系が含まれる。いくつかのOTFTにおいては、同一材料でゲート電極機能を提供することができ、また基板の支持体機能を提供することができる。例えば、ドープされたシリコンはゲート電極として機能することができ、OTFTを支持することができる。ゲート電極を、真空蒸発、金属または導電性金属酸化物のスパッタリング、スピンコーティング、キャスティング、または印刷による導電性ポリマー溶液または導電性インクのコーティングによって調製することができる。ゲート電極の厚さは、例えば、金属膜に関しては約10~約200ナノメートル、そしてポリマー導体に関しては約1~約10マイクロメートルであることが可能である。ソースおよびドレイン電極は、半導体層とソースおよびドレイン電極との間の接触の抵抗が半導体層の抵抗より低いように、低い抵抗接点を半導体層にもたらす材料から製造することができる。チャネル抵抗は、半導体層の伝導性である。典型的に、抵抗はチャネル抵抗未満である。ソースおよびドレイン電極としての使用に適切な典型的な材料には、アルミニウム、バリウム、カルシウム、クロム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金、チタンおよびそれらの合金、カーボンナノチューブ、ポリアニリンおよびポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリ-スチレンスルホネートPEDOT:PSSなどの導電性ポリマー、導電性ポリマー中のカーボンナノチューブの分散系、導電性ポリマー中の金属の分散系、ならびにそれらの多層フィルムが含まれる。当業者に既知であるように、これらの材料のいくつかはN型半導体材料の用途に適切であり、そして他はP型半導体材料の用途に適切である。ソースおよびドレイン電極の典型的な厚さはおおよそ、例えば、約40ナノメートル~約1マイクロメートルである。いくつかの実施形態において、厚さは約100~約400ナノメートルである。絶縁層は、無機材料膜または有機ポリマー膜を含んでなる。絶縁層として適切な無機材料の実例としては、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化チタン、窒化ケイ素、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、セレン化亜鉛および硫化亜鉛が含まれる。加えて、上記材料の合金、組み合わせおよび多層フィルムを絶縁層に使用することができる。絶縁層のための有機ポリマーの実例としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、ならびにそれらのブレンドおよび多層フィルムが含まれる。絶縁層の厚さは、使用される誘電体材料の誘電率に応じて、例えば約10ナノメートル~約500ナノメートルである。例えば、絶縁層の厚さは約100ナノメートル~約500ナノメートルであることができる。絶縁層は、例えば、約10-12S/cmS=ジーメンス=1/オーム未満である伝導性を有することができる。絶縁層、ゲート電極、半導体層、ソース電極およびドレイン電極は、ゲート電極および半導体層の両方が絶縁層と接触し、そしてソース電極およびドレイン電極の両方が半導体層と接触する限り、任意の配列で形成される。任意の配列でという句は、連続および同時形成を含む。例えば、ソース電極およびドレイン電極は、同時に、または連続的に形成されることができる。ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は、物理気相堆積例えば、熱蒸発もしくはスパッタリング、またはインクジェット印刷などの既知の方法を使用して提供されることができる。電極のパターン化は、シャドーマスキング、アディティブフォトリソグラフィー、サブトラクティブフォトリソグラフィー、印刷、マイクロコンタクト印刷およびパターンコーティングなどの既知の方法によって達成することができる。底面接触モードのOTFに関して図1A、フォトリソグラフ法を使用して、それぞれソースおよびドレインのためのチャネルを形成する電極106および108を二酸化ケイ素層上に形成することができる。次いで、半導体層110を、電極106および108ならびに層104の表面上に堆積する。一実施形態において、半導体層110は式Iを有する少なくとも1単位を有する1種またはそれ以上の化合物を含んでなる。半導体層110は、当該技術で既知の様々な技術によって堆積することができる。これらの技術には、熱蒸発、化学気相堆積、熱移動、インクジェット印刷およびスクリーン印刷が含まれる。堆積のための分散系薄膜コーティング技術には、スピンコーティング、ドクターブレードコーティング、ドロップキャスティングおよび他の既知の技術が含まれる。上面接触モードのOTFTに関して図1B、電極106および108の製造の前に、層110を層104上に堆積する。b.第2の例示的なデバイスまた本発明は、2層の電気接触層の間に配置される少なくとも1層の電気活性層を含んでなり、デバイスの少なくとも1層の電気活性層が、少なくとも1単位の式Iを有する電気活性化合物を含む電子デバイスに関する。有機電子デバイス構造の別の例を図2に示す。デバイス200は、第1の電気接触層、アノード層210、第2の電気接触層、カソード層260、およびそれらの間の光活性層240を有する。アノードに隣接して、正孔注入層220が存在してもよい。正孔注入層に隣接して、正孔輸送材料を含んでなる正孔輸送層230が存在してもよい。カソードに隣接して、電子輸送材料を含んでなる電子輸送層250が存在してもよい。デバイスは、アノード210の隣に1つまたはそれ以上の追加の正孔注入層または正孔輸送層図示せず、および/またはカソード260の隣に1つまたはそれ以上の追加の電子注入または電子輸送層図示せずを使用することができる。層220~250は、個々に、そして集合的に、電気活性層と呼ばれる。いくつかの実施形態において、光活性層240は図3で示すようにピクセル化される。層240は層上に繰り返されるピクセルまたはサブピクセルユニット241、242および243に分離される。各ピクセルまたはサブピクセルユニットは異なる色を表す。いくつかの実施形態において、サブピクセルユニットは、赤色、緑色、青色である。3つのサブピクセルユニットが図に示されるが、2つまたは4つ以上が使用されてもよい。一実施形態において、種々の層は以下の厚さの範囲を有する。アノード210、500~5000Å、一実施形態において1000~2000Å、正孔注入層220、50~2000Å、一実施形態において200~1000Å、正孔輸送層230、50~2000Å、一実施形態において200~1000Å、電気活性層240、10~2000Å、一実施形態において100~1000Å、層250、50~2000Å、一実施形態において100~1000Å、カソード260、200~10000Å、一実施形態において300~5000Å。デバイスの電子正孔再結合領域の位置、したがって、デバイスの発光スペクトルは、各層の相対的な厚さに影響を受けることができる。層の厚さの所望の比は、使用される材料の厳密な性質に依存する。いくつかの実施形態において、デバイスは、処理を補助するか、機能性を改善するための追加的な層を有する。デバイス200の用途によって、光活性層240は、印加電圧によって活性化される発光層発光ダイオードもしくは発光電気化学電池など、または印加バイアス電圧の有無にかかわらず放射エネルギーに反応して信号を生じる材料の層光検出器などであることができる。光検出器の例には、光伝導電池、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタおよび光電管、ならびに光電池が含まれる。これらの用語については、Markus,John,ElectronicsandNucleonicsDictionary,470and476McGraw-Hill,Inc.1966に説明されているとおりである。発光層を有するデバイスは、ディスプレイを形成するため、または白色光証明器具などの照明用途のために使用されてもよい。有機発光ダイオードOLEDデバイスにおいて、発光材料は、Ir、Pt、Os、Rhなどの重原子を含有する有機金属化合物であることが多い。これらの有機金属化合物の最低励起状態は、しばしば混合シングレットおよびトリプレット特徴を有するYersin,Hartmut;Finkenzeller,WalterJ.,Tripletemittersfororganiclight-emittingdiodes:basicproperties.HighlyEfficientOLEDswithPhosphorescentMaterials2008。トリプレット特徴のため、励起状態はそのエネルギーを、同一であるか、または隣接している層にあってもよい近くの分子のトリプレット状態へ移動することができる。これによって、ルミネセンス消光が示される。OLEDデバイスにおけるそのようなルミネセンス消光を防止するため、OLEDデバイスの様々な層で使用される材料のトリプレット状態エネルギーは、有機金属発光体の最低励起状態エネルギーに匹敵するか、またはそれより高くなければならない。励起輝度は、ホスト材料のトリプレットエネルギーに最も感応性となる傾向ある。有機金属発光体の励起状態エネルギーは、輝度スペクトルの0-0トランジッションから決定することができ、それは典型的に輝度ピークより高いエネルギーである。いくつかの実施形態において、少なくとも1単位の式Iを有する化合物は、より高いトリプレットエネルギーを有し、したがって、有機金属ドーパントと一緒にホストとして使用するために適切である。光活性層いくつかの実施形態において、光活性層は、a380~750nmで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能なドーパントと、b少なくとも1単位の式Iを有する化合物と、c第2のホストとを含んでなる。いくつかの実施形態において、ドーパントは有機金属材料である。いくつかの実施形態において、有機金属材料は、IrまたはPtの錯体である。いくつかの実施形態において、有機金属材料は、Irのシクロメタレート化された錯体である。いくつかの実施形態において、光活性層は、aドーパント、b式Iを有する第1のホスト材料およびc第2のホスト材料とから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、aIrまたはPtの有機金属錯体、b式Iを有する第1のホスト材料およびc第2のホスト材料とから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、aIrのシクロメタレート化錯体、b式Iを有する第1のホスト材料およびc第2のホスト材料とから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、aドーパント、b式IIを有する第1のホスト材料およびc第2のホスト材料とから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、aIrまたはPtの有機金属錯体、b式IIを有する第1のホスト材料およびc第2のホスト材料とから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、aIrのシクロメタレート化錯体、b式IIを有する第1のホスト材料およびc第2のホスト材料とから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、aドーパント、b化合物が重水素化された式Iを有する第1のホスト材料およびc第2のホスト材料とから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、aIrまたはPtの有機金属錯体、b化合物が重水素化された式Iを有する第1のホスト材料およびc第2のホスト材料とから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、aIrのシクロメタレート化錯体、b化合物が重水素化された式Iを有する第1のホスト材料およびc第2のホスト材料とから本質的になる。いくつかの実施形態において、少なくとも1単位の式Iを有する重水素化化合物は、少なくとも10重水素化され、いくつかの実施形態において、少なくとも50重水素化される。いくつかの実施形態に、第2のホスト材料は重水素化される。いくつかの実施形態において、第2のホスト材料は、少なくとも10重水素化され、いくつかの実施形態において、少なくとも50重水素化される。他のデバイス層デバイスの他の層は、そのような層で有用であることが知られている任意の材料から製造することができる。アノード210は、正電荷キャリアの注入に特に有効な電極である。これは、例えば、金属、混合金属、合金、金属酸化物、または混合金属酸化物を含有する材料から製造することができ、または導電性ポリマー、もしくはそれらの混合物でることもできる。適切な金属としては、11族金属、4~6族金属および8~10族遷移金属が挙げられる。アノードが光透過性となる場合には、インジウムスズ酸化物などの12族、13族、および14族金属の混合金属酸化物が一般に使用される。アノード210は、Flexiblelight-emittingdiodesmadefromsolubleconductingpolymer,Naturevol.357,pp477-4791992年6月11日に記載されるようなポリアニリンなどの有機材料を含んでなることができる。アノードおよびカソードの少なくとも1つは、発生した光を観察できるように、望ましくは少なくとも部分的に透明となる。正孔注入層220は正孔注入材料を含んでなり、有機電子デバイスにおいて、限定されないが、下にある層の平坦化、電荷輸送および/または電荷注入特性、酸素または金属イオンなどの不純物の捕捉、ならびに有機電子デバイスの性能を促進または改善する他の特徴を含む1つまたはそれ以上の機能を有することができる。正孔注入材料は、ポリマー、オリゴマーまたは小分子でもよい。それらは気相堆積されるか、または溶液、分散系、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物もしくは他の組成物の形態であってもよい液体から堆積されてもよい。正孔注入層は、プロトン酸がしばしばドープされるポリアニリンPANIまたはポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTなどのポリマー材料を使用して形成することができる。プロトン酸は、例えば、ポリスチレンスルホン酸、ポリ2-アクリルアミド-2-メチル-1-プロパンスルホン酸などであることができる。正孔注入層は、銅フタロシアニンおよびテトラチアフルバレン-テトラシアノキノジメタン系TTF-TCNQなどの電荷輸送化合物などを含むことができる。いくつかの実施形態において、正孔注入層は、少なくとも1種の導電性ポリマーと少なくとも1種のフッ素化酸ポリマーとを含んでなる。そのような材料は、例えば、米国特許出願公開第2004/0102577号明細書、同第2004/0127637号明細書、同第2005/0205860号明細書および国際公開第2009/018009号パンフレットに記載されている。いくつかの実施形態において、正孔輸送層230は、少なくとも1単位の式Iを有する化合物を含んでなる。いくつかの実施形態において、正孔輸送層230は、少なくとも1単位の式Iを有する化合物から本質的になる。いくつかの実施形態において、正孔輸送層230は、化合物が重水素化されている少なくとも1単位の式Iを有する化合物を含んでなる。いくつかの実施形態において、化合物は少なくとも50重水素化される。いくつかの実施形態において、正孔輸送層230は、化合物が重水素化されている少なくとも1単位の式Iを有する化合物から本質的になる。いくつかの実施形態において、化合物は少なくとも50重水素化される。層230の他の正孔輸送材料の例は、例えば、Y.Wangにより,Kirk-OthmerEncyclopediaofChemicalTechnology,FourthEdition,Vol.18,p.837-860,1996にまとめられている。正孔輸送分子およびポリマーの両方を使用することができる。一般に使用される正孔輸送分子としては、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミンTPD、1,1-ビス[ジ-4-トリルアミノフェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス4-メチルフェニル-N,N’-ビス4-エチルフェニル-[1,1’-3,3’-ジメチルビフェニル]-4,4’-ジアミンETPD、テトラキス-3-メチルフェニル-N,N,N’,N’-2,5-フェニレンジアミンPDA、α-フェニル-4-N,N-ジフェニルアミノスチレンTPS、p-ジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾンDEH、トリフェニルアミンTPA、ビス[4-N,N-ジエチルアミノ-2-メチルフェニル]4-メチルフェニルメタンMPMP、1-フェニル-3-[p-ジエチルアミノスチリル]-5-[p-ジエチルアミノフェニル]ピラゾリンPPRまたはDEASP、1,2-トランス-ビス9H-カルバゾール-9-イルシクロブタンDCZB、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTTB、N,N’-ビスナフタレン-1-イル-N,N’-ビス-フェニルベンジジンα-NPB、および銅フタロシアニンなどのポルフィリン系化合物が挙げられる。一般に使用される正孔輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、フェニルメチルポリシラン、およびポリアニリンである。ポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマー中に上記などの正孔輸送分子をドープすることによって、正孔輸送ポリマーを得ることもできる。場合によっては、トリアリールアミンポリマー、特にトリアリールアミン-フルオレンコポリマーが使用される。場合によっては、これらのポリマーおよびコポリマーは架橋性である。いくつかの実施形態において、正孔輸送層は、p-ドーパントをさらに含んでなる。いくつかの実施形態において、正孔輸送層は、p-ドーパントでドープされる。p-ドーパントの例には、限定されないが、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンF4-TCNQおよびペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸-3,4,9,10-二無水物PTCDAが含まれる。いくつかの実施形態において、電子輸送層250は、少なくとも1単位の式Iを有する化合物を含んでなる。層250で使用可能である他の電子輸送材料の例としては、限定されないが、トリス8-ヒドロキシキノラトアルミニウムAlQ、ビス2-メチル-8-キノリノラトp-フェニルフェノラトアルミニウムBAlq、テトラキス-8-ヒドロキシキノラトハフニウムHfQ、およびテトラキス-8-ヒドロキシキノラトジルコニウムZrQなどの金属キノレート誘導体などを含む金属キレート化オキシノイド化合物;ならびに2-4-ビフェニリル-5-4-t-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ、および1,3,5-トリフェニル-2-ベンズイミダゾールベンゼンTPBIなどのアゾール化合物;2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリンなどのキノキサリン誘導体;4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンDPAおよび2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンDDPAなどのフェナントロリン;ならびにそれらの混合物が挙げられる。いくつかの実施形態において、電子輸送層は、n-ドーパントをさらに含む。n-ドーパント材料は周知である。n-ドーパントとしては、限定されないが、1族および2族金属;1族および2族金属の塩、例えば、LiF、CsF、およびCs2CO3;1族および2族金属の有機化合物、例えばLiキノレート;ならびに分子n-ドーパント、例えばロイコ染料、W2hpp4式中、hpp=1,3,4,6,7,8-ヘキサヒドロ-2H-ピリミド-[1,2-a]-ピリミジンであるなどの金属錯体、ならびにコバルトセン、テトラチアナフタセン、ビスエチレンジチオテトラチアフルバレン、複素環式ラジカルまたはジラジカル、ならびに複素環式ラジカルまたはジラジカルのダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物、および多環化合物が挙げられる。層250は、電子輸送を促進することと、層界面での励起子の消滅を防止するための緩衝層または閉じ込めconfinement層として役立つことの両方の機能が可能である。好ましくは、この層は電子移動性を促進して、励起子消滅を低下させる。カソード260は、電子または負電荷キャリアの注入に特に効率的な電極である。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有するいずれの金属または非金属であってよい。カソードの材料は、1族のアルカリ金属例えば、Li、Cs、2族アルカリ土類金属、12族金属、例えば希土類元素およびランタニド、ならびにアクチニドから選択することができる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウム、およびマグネシウム、ならびにそれらの組み合わせなどの材料を使用することができる。作動電圧を下げるために、Li-またはCs含有有機金属化合物、LiF、CsF、およびLi2Oを有機層とカソード層との間に堆積することもできる。有機電子デバイス中に別の層が存在することが知られている。例えば、注入される正電荷の量を制御するため、および/または層のバンドギャップを一致させるため、または保護層として機能させるために、アノード210と正孔注入層220との間に層図示せずが存在することができる。銅フタロシアニン、ケイ素オキシ窒化物、フルオロカーボン、シラン、またはPtなどの金属の超薄層などの当技術分野において周知の層を使用することができる。あるいは、アノード層210、電気活性層220、230、240および250、またはカソード層260の一部または全てを、電荷キャリア輸送効率を増加させるために表面処理することができる。それぞれの構成層の材料の選択は、好ましくは、高エレクトロルミネッセンス効率を有するデバイスを得るために発光層中の正電荷および負電荷のバランスがとられるように行われる。それぞれの機能層を2層以上の層で構成することができることは理解される。適切な基板上での個々の層の連続的気相堆積を含む様々な技術によって、デバイスを調製することができる。ガラス、プラスチックおよび金属などの基板を使用することができる。熱蒸発、化学気相堆積などの従来の気相堆積技術を使用することができる。あるいは、限定されないが、スピンコーティング、ディップコーティング、ロール-ツー-ロール技術、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷などを含む従来のコーティングまたは印刷技術を使用して、適切な溶媒中の溶液または分散系から有機層を塗布することができる。効率の高いLEDを達成するため、正孔輸送材料のHOMO最高被占分子軌道は、望ましくはアノードの仕事関数と一致し、そして電子伝達材料のLUMO最低空分子軌道は、望ましくはカソードの仕事関数と一致する。材料の化学適合性および昇華温度も、電子および正孔輸送材料を選択する時に考慮すべきこととなり得る。本明細書に記載のトリアゾール化合物によって製造されるデバイスの効率を、デバイスの他の層を最適化することによってさらに改善することができることは理解される。例えば、Ca、BaまたはLiFなどのより効率的なカソードを使用することができる。作動電圧の低下をもたらすか、または量子効率を増加させる成形基板および新規正孔輸送材料も適用可能である。様々な層のエネルギー準位を調整し、エレクトロルミネセンスを促進するために、追加の層を加えることもできる。以下の実施例に本発明の特定の特徴および利点を説明する。これらは、本発明の実例であるが、限定することを意図しない。特に明記しない限り、全てのパーセントは重量による。合成実施例1本実施例は、化合物H1の調製を説明する。この化合物は、以下のスキームに従って製造した。2-クロロ-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン5.5g、20.54mmol、3,6-ジフェニル-9-3-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イルフェニル-9H-カルバゾール11.249g、21.57mmol、炭酸ナトリウム10.888g、102.72mmol、第四級アンモニウム塩0.570g、トルエン114mLおよび水114mLを500mL2つ口フラスコに添加した。得られた溶液を30分間N2でスパージした。スパージ後、テトラキストリフェニルホスフィンPd01.187g、1.03mmolを反応混合物へ固体として添加し、これをさらに10分間スパージした。次いで、この混合物を16時間100Cまで加熱した。室温まで冷却後、反応混合物をジクロロメタンで希釈し、そして2層を分離した。有機層をMgSO4上で乾燥した。シリカおよびジクロロメタン:ヘキサン0~60の勾配を使用して、生成物をカラムクロマトグラフィによって精製した。化合物SH-5をクロロホルム/アセトニトリルから再結晶した。最終物質は、収率759.7gおよび99.9の純度で得られた。構造を1HNMR分析によって確認した。合成実施例2本実施例は、以下に示される化合物H-2の調製を説明する。冷却器および窒素インレットを備えた500mLの1つ口丸底フラスコに、5.55gのリン酸カリウム26.1mmolおよび100mLのDI水を加えた。この溶液に、6.74g17.44mmolの2-3-ジベンゾ[b,d]チオフェン-4-イルフェニル-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン、6.1g14.53mmolの2,4-ジビフェニル-3-イル-6-クロロ-1,3,5-トリアジンおよび160mLの1,4-ジオキサンを添加した。反応混合物を35分間窒素でスパージした。ドライボックス中、0.4g0.44mmolのトリスジベンジリデンアセトンジパラジウム0および0.28g1.15mmolのトリシクロヘキシルホスフィンを40mLの1,4-ジオキサン中で一緒に混合し、ドライボックスから取り出し、反応混合物に添加した。反応混合物を5分間窒素スパージし、次いで、18時間還流した。反応物を室温まで冷却し、そして1,4-ジオキサンをロータリー蒸発器上で除去した。残渣を塩化メチレンおよび水で希釈し、次いで、塩水を混合物に添加し、これを30分間静置した。下の層を灰色固体と一緒に除去した。水層を二塩化メチレンでさらに2回抽出した。乾燥するまで、組み合わせた有機層を取り除いた。得られた灰色の固体を、粗いフリットガラス漏斗の底部で濾紙上に置き、そして100mLの水、800mLのLC等級メタノールおよび500mLのジエチルエーテルで洗浄した。固体を最小量の熱トルエンから再結晶した。5.48g59の所望の生成物が得られた。質量分析および1HNMRCDCl2CCl2Dデータは、所望の生成物の構造と一致していた。合成実施例3本実施例は、化合物H3の調製を説明する。この化合物は、以下のスキームに従って製造した。トリアジン1は、Kostas,I.D.,Andreadaki,F,J.,Medlycott,E.A.,Hanan,G.S.,Monflier,E.TetrahedronLetters2009,50,1851に報告される調製に従って合成した。トリアジン15.6g、9.52mmol、4-ナフタレン-1-イルフェニルボロン酸7.441g、29.99mmol、炭酸ナトリウム15.895g、149.97mmol、Aliquot3360.240g、トルエン100mLおよび水100mLを500mL2つ口フラスコに添加した。得られた溶液に30分間N2スパージした。スパージ後、テトラキストリフェニルホスフィンPd01.733g、1.50mmolを反応混合物へ固体として添加し、これをさらに10分間スパージした。次いで、この混合物を22時間100Cまで加熱した。室温まで冷却後、2層を分離し、そして有機層をMgSO4上で乾燥した。シリカおよびジクロロメタン:ヘキサン0~60の勾配を使用して、生成物をカラムクロマトグラフィによって精製した。化合物H3を熱DCM/エタノールから再結晶し、続いて、クロロホルム/エタノールおよびトルエン/アセトニトリルから再結晶した。最終物質は、収率877.9gおよび99.9の純度で得られた。構造を1HNMR分析によって確認した。合成実施例4本実施例は、化合物H4の調製を説明する。この化合物は、以下のスキームに従って製造した。トリアジン11.0g、1.7mmol、3,6-ジフェニル-9-3-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イルフェニル-9H-カルバゾール5.61g、2.926mmol、炭酸ナトリウム2.70g、25.5mmol、オルトキシレン34mLおよび水17mLを250mL2つ口フラスコに添加した。得られた溶液に30分間N2スパージした。スパージ後、テトラキストリフェニルホスフィンPd00.312g、0.27mmolを反応混合物へ固体として添加し、これをさらに10分間スパージした。次いで、この混合物を64時間110°Cまで加熱した。室温まで冷却後、2層を分離し、そして有機層をトルエン50mLで希釈し、水1×20mLで洗浄し、MgSO4上で乾燥した。シリカおよびジクロロメタン:ヘキサン20~50の勾配を使用して、生成物をカラムクロマトグラフィによって精製した。化合物H4を熱DCM/エタノールから再結晶し、収率651.7gおよび99.9の純度の黄色粉末として単離した。構造を1HNMR分析によって確認した。合成実施例5本実施例は、化合物H27を調製できる方法を説明する。特に明記しない限り、全ての操作は、窒素パージされたグローブボックス中で実行される。モノマーA0.50mmolをシンチレーションガラス瓶に加えて、20mLトルエンに溶解する。清潔な乾燥50mLSchlenk管にビス1,5-シクロオクタジエンニッケル01.01mmolを入れる。2,2’-ジピリジル1.01mmolおよび1,5-シクロオクタジエン1.01mmolをシンチレーションガラス瓶に計り入れ、そして5mLのN,N’-ジメチルホルムアミドに溶解する。この溶液をSchlenk管に添加する。Schlenk管をアルミニウムブロックに挿入し、そしてブロックをホットプレート/攪拌器上で、60°Cの内部温度が得られる設定で加熱する。この触媒系を30分間60°Cで保持する。トルエン中のモノマー溶液をSchlenk管に添加し、そして管を封着する。重合混合物を6時間60°Cで攪拌する。次いで、Schlenk管をブロックから取り外し、次いで室温まで冷却する。管をグローブボックスから取り出し、そして内容物を濃HCl/MeOH1.5v/v濃HCl溶液に注ぎ入れる。45分間攪拌後、ポリマーを真空濾過によって回収し、高真空下で乾燥させる。ポリマーを、トルエンからHCl/MeOH1v/v濃HCl、MeOH、トルエンCMOS等級、および3-ペンタノンへの連続沈殿によって精製する。合成実施例6本実施例は、第2のホストSH-1:5,12-ジ[1,1’-ビフェニル]-3-イル-5,12-ジヒドロインドロ[3,2-a]カルバゾールの調製を説明する。インドロ[3,2-a]カルバゾールは、Janosik,T.;Bergman,J.Tetrahedron1999,55,2371の文献手順に従って、2,3’-ビインドリルから合成した。2,3’-ビインドリルは、Robertson,N.;Parsons,S.;MacLean,E.J.;Coxall,R.A.;Mount,AndrewR.JournalofMaterialsChemistry2000,10,2043に記載の手順に従って合成した。インドロ[3,2-a]カルバゾール7.00g、27.3mmolを窒素下で270mlのo-キシレン中に懸濁させ、そして3-ブロモビフェニル13.4g、57.5mmol、続いて、ナトリウムt-ブトキシド7.87g、81.9mmolで処理した。混合物を撹拌し、次いで、トリ-t-ブチルホスフィン0.89g、4.4mmol、続いて、パラジウムジベンジリデンアセトン2.01g、2.2mmolによって処理した。得られた暗赤色の懸濁液を20分間かけて128~130°Cまで加温したところ、この間に混合物は暗褐色となった。加熱を1.25時間128~130°Cで保持し、次いで反応混合物を室温まで冷却し、シリカゲルのショートパッドを通して濾過した。濾液を濃縮し、暗琥珀色ガラスを得た。この物質を、Biotage登録商標自動化フラッシュ精製システムにおいて溶離剤としてクロロホルム/ヘキサンを使用してクロマトグラフィを行った。最も純度の高い留分を乾燥するまで濃縮し、10.4gの白色フォームを得た。このフォームを35mLのトルエンに溶解し、攪拌しながら滴下により400mLのエタノールに添加した。添加の間、白色固体が沈殿した。固体を濾去し、乾燥して、UPLCによって決定された99.46の純度で、7.35gのN,N’-ビス[1,1’-ビフェニル]-3-イルインドロ[3,2-a]カルバゾールを得た。真空昇華によるその後の精製によって、デバイスでの試験に関して99.97の純度の物質が得られた。Tg=113.0°C。合成実施例7本実施例は、第2のホストSH-2:5,12-ジヒドロ-5,12-ビス3’-フェニルビフェニル-3-イル-インドロ[3,2-a]カルバゾールの調製を説明する。500mL丸底フラスコに、インドロ[3,2-a]カルバゾール5.0999、19.7mmol、3-ブロモ-3’-フェニルビフェニル13.198、41.3mmol、ナトリウムt-ブトキシド5.7g、59.1mmol、および280mlのo-キシレンを添加した。この系を15分間攪拌しながら窒素でパージし、次いで、酢酸パラジウム0.35g、1.6mmol、続いて、トリ-t-ブチルホスフィン0.64g、3.1mmolで処理した。得られた赤色懸濁液を20分間かけて128~130°Cまで加熱したところ、この間に混合物は暗茶色となった。加熱を3時間128~130°Cで続けて、次いで反応混合物を室温まで冷却し、トルエンで溶離させてショートクロマトグラフィカラムを通して濾過した。溶媒をロータリー蒸発によって除去し、そして得られた褐色フォームを40mLの塩化メチレンに溶解した。この溶液を撹拌しながら滴下により500mLのメタノールに添加した。沈殿物を濾過して、真空オーブンで乾燥し、褐色粉末物質を得た。この物質を、CombiFlash登録商標自動化フラッシュ精製システムにおいて溶離剤としてクロロホルム/ヘキサンを使用してクロマトグラフィを行った。最も純度の高い留分を乾燥するまで濃縮し、白色フォームを得た。このフォームを30mLのトルエンに溶解し、攪拌しながら滴下により500mLのメタノールに添加した。添加の間、白色固体が沈殿した。固体を濾去し、乾燥して、UPLCによって決定された99.9の純度で、9.8gの5,12-ジヒドロ-5,12-ビス3’-フェニルビフェニル-3-イル-インドロ[3,2-a]カルバゾールを得た。真空昇華によるその後の精製によって、デバイスでの試験に関して99.99の純度の物質が得られた。Tg=116.3°C。デバイス実施例1材料D68は、フェニル置換基を有するイリジウムのトリス-フェニルピリジン錯体である緑色ドーパントである。ET-1は、金属キノレート錯体である電子輸送材料である。HIJ-1は、導電性ポリマーおよびポリマーフッ素化スルホン酸の水性分散系から製造された正孔注入材料である。そのような材料は、例えば、米国特許出願公開第2004/0102577号明細書、同第2004/0127637号明細書および同第2005/0205860号明細書、ならびに国際公開第2009/018009号パンフレットに記載されている。HT-1、HT-2およびHT-3は、トリアリールアミンポリマーである正孔輸送材料である。そのような材料は、例えば、国際公開第2009/067419号パンフレットおよび同時係属出願[UC1001]に記載されている。2デバイス製造溶液処理および熱蒸発技術の組み合わせによってOLEDデバイスを製造した。ThinFilmDevices,Incからのパターン化されたインジウムスズ酸化物ITOコーティングガラス基板を使用した。これらのITO基板は、30オーム/スクエアのシート抵抗および80の光透過率を有するITOでコーティングされたCorning1737ガラスをベースとした。パターン化されたITO基板を洗浄水溶液中で超音波によって洗浄し、蒸留水ですすいだ。その後、パターン化されたITOをアセトン中で超音波によって洗浄し、イソプロパノールですすぎ、そして窒素流中で乾燥させた。デバイス製造直前に、洗浄してパターン化されたITO基板を10分間UVオゾンで処理した。冷却直後に、HIJ-1の水分散系をITO表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次いで基板をHT-1のトルエン溶液でスピンコーティングし、次いで加熱して溶媒を除去した。冷却後、ホストおよびドーパントの基板を安息香酸メチル溶液でスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。基板をマスクし、真空チャンバー中に置いた。ET-1の層を熱蒸発によって堆積し、続いて、CsFの層を堆積した。次いで、真空でマスクを変化させ、そしてAlの層を熱蒸発によって堆積した。チャンバーを排気し、そしてデバイスを、ガラスの蓋、防湿剤およびUV硬化性エポキシを使用して封入した。3デバイス特徴決定OLED試料は、それらの1電流-電圧I-V曲線、2電圧に対するエレクトロルミネセンス放射輝度、および3電圧に対するエレクトロルミネセンススペクトルを測定することによって特徴決定した。3つの測定は全て同時に実行されて、コンピュータで制御された。特定の電圧でのデバイスの電流効率は、LEDのエレクトロルミネセンス放射輝度をデバイスを作動するために必要とされる電流密度で割ることによって決定する。単位はcd/Aである。電力効率は、作動電圧で割った電流効率である。単位はlm/Wである。色座標は、MinoltaCS-100メーターまたはPhotoresearchPR-705メーターを使用して決定した。実施例1および比較例A本実施例は、上記の新規光活性組成物を含む光活性層を有するデバイスのデバイス性能を説明する。ドーパントは、白色発光を生じるドーパントの組み合わせであった。光活性層は、16重量のD39、0.13重量のD68および0.8重量のD9を含有した。実施例1において、第1のホストはH223重量であり、そして第2のホストはSH-160重量であった。比較例Aにおいて、第1のホストH2のみが存在した83重量。重量パーセントは、光活性層の全重量に基づく。デバイス層は以下の厚さを有した。アノード=ITO=120nm正孔注入層=HIJ-1=50nm正孔輸送層=HT-2=20nm光活性層以下に記載=50nm電子輸送層=ET-1=10nm電子注入層/カソード=CsF/Al=0.7nm/100nmデバイス結果を下記の表1に示す。表1から、少なくとも1単位の式Iを有するホストが第2のホストに存在する場合、効率が非常に増加することがわかる。実施例2本実施例は、本明細書に記載される光活性組成物による別のOLEDデバイスを説明する。第2のホストがSH-2であり、そして光活性層の厚さが64nmであったことを除き、デバイスを実施例1の場合と同様に製造した。結果は以下の通りである。EQE=8.4PE=13lm/WCIEx,y=0.41、0.444略語は実施例5の場合と同一の意味を有する。実施例3および4これらの実施例は、上記の新規光活性組成物を含む光活性層を有するデバイスのデバイス性能を説明する。ドーパントは、D3916重量であった。実施例3において、第1のホストはH124重量であり、そして第2のホストはSH-160重量であった。実施例4において、第1のホストはH124重量であり、そして第2のホストは、以下に示されるSH-560重量であった。重量パーセントは、光活性層の全重量に基づく。デバイスの結果を表2に示す。実施例5本実施例は、上記の新規光活性組成物を含む光活性層を有するデバイスのデバイス性能を説明する。ドーパントは、D2016重量であった。第1のホストは、H449重量であった。第2のホストは、SH-235重量であった。結果は以下の通りである。EQE=19.5PE=51.9lm/WCIEx,y=0.324、0.631略語は実施例5の場合と同一の意味を有する。デバイスの予測T50は、1000ニトで150,000であった。予測T50は、加速係数1.8を使用して算出された、デバイスが1000ニトにおいて初期輝度の半分に達するまでの時間hrである。一般的説明または実施例において前述した全ての行為が必要であるとは限らず、特定の行為の一部は不要である場合があり、記載の行為に加えて1つ以上のさらなる行為を行うことができることを留意されたい。さらに、行為が記載される順序は、必ずしもそれらが行われる順序ではない。以上の明細書において、具体的な実施形態を参照しながら本発明の概念を説明してきた。しかし、当業者であれば、以下の特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱せずに種々の修正および変更を行えることを認識する。したがって、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく説明的なものであると見なすべきであり、すべてのこのような修正形態は本発明の範囲内に含まれることを意図している。特定の実施形態に関して、利益、その他の利点、および問題に対する解決法を以上に記載してきた。しかし、これらの利益、利点、問題の解決法、ならびに、なんらかの利益、利点、または解決法を発生させたり、より顕著にしたりすることがある、いずれの特徴も、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての重要、必要、または本質的な特徴であるとして解釈すべきではない。別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、1つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため1つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、任意の副次的な組み合わせで提供したりすることができる。さらに、ある範囲内にあると記載される値への言及は、その範囲内のありとあらゆる値を含んでいる。"