OH基含有量が1ppm以下であり、塩素の含有量が30ppm以下で、1280°Cでの粘度Logηが12.2poise以上であり、Cuの含有量が1ppm以下、Cの含有量が100ppm以下であり、紫外線を照射することで可視光領域に1秒以上の遅延蛍光を発生する合成シリカガラスであって、紫外線を照射したときの蛍光が白色蛍光であることを特徴とするノンドープ白色蛍光合成シリカガラス。前記紫外線が、160nmから400nmの波長であることを特徴とする請求項1記載のノンドープ白色蛍光合成シリカガラス。前記紫外線が、低圧水銀ランプの254nm若しくは185nmの波長、ArFエキシマレーザの193nmの波長、又はXeエキシマランプの172nmの波長であることを特徴とする請求項1又は2記載のノンドープ白色蛍光合成シリカガラス。前記蛍光が、波長460nmにピークをもつ酸素欠損による蛍光であることを特徴とする請求項1~3いずれか1項記載のノンドープ白色蛍光合成シリカガラス。前記蛍光が、波長460nmの蛍光と波長600nm以上の遅延蛍光で発生する白色蛍光であり、前記白色蛍光のCIE色度図における色度座標が、xが0.2以上0.4以下、yが0.2以上0.4以下であることを特徴とする請求項1~4いずれか1記載のノンドープ白色蛍光合成シリカガラス。こうした現状に鑑み、本発明者等は、シリカガラスの遅延蛍光発生のメカニズムについて鋭意研究を重ねた結果、シリカガラス中に200nm~180nmの波長域に最低励起三重項励起準位のSiSiSi結合を効率的に形成させて300nm以下の紫外線を吸収させれば、最低励起一重項励起準位への逆項間交差後に可視光領域の600nm以上の波長領域にも蛍光が発生することを発見したのである。また、この長波長の蛍光は炭素、Cu又は燐光物質などをドープしていないために着色しておらず、また形状的には非常に安定で、紫外線の照射による劣化もなく、また温度変化に対しても安定である。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みなされたもので、炭素、Cu又は燐光物質をドープすることなく、紫外線を照射したときの蛍光が白色蛍光であるノンドープ白色蛍光合成シリカガラスを提供することを目的とする。本発明に係るノンドープ白色蛍光合成シリカガラスは、OH基含有量が1ppm以下であり、塩素の含有量が30ppm以下で、1280°Cでの粘度Logηが12.2poise以上であり、Cuの含有量が1ppm以下、Cの含有量が100ppm以下であり、紫外線を照射することで可視光領域に1秒以上の遅延蛍光を発生する合成シリカガラスであって、紫外線を照射したときの蛍光が白色蛍光であることを特徴とする。遅延蛍光の寿命は、1秒以上であり、例えば1秒~10数秒程度と非常に長く、遅延蛍光の発生を目視で観察することが可能である。また、前記紫外線が、160nmから400nmの波長であるのが好ましい。特に、前記紫外線が、低圧水銀ランプの254nm若しくは185nmの波長、ArFエキシマレーザの193nmの波長、又はXeエキシマランプの172nmの波長であるのが好適である。前記遅延蛍光としては、波長460nmにピークをもつ酸素欠損による蛍光であるのが好適である。前記遅延蛍光が、波長460nmの蛍光と波長600nm以上の遅延蛍光で発生する白色蛍光であり、前記白色蛍光のCIE色度図における色度座標が、xが0.2以上0.4以下、yが0.2以上0.4以下であるのがさらに好ましい。本発明によれば、炭素、Cu又は燐光物質をドープすることなく、紫外線を照射することで可視光領域に1秒以上の白色の遅延蛍光を発生するノンドープ白色蛍光合成シリカガラスを提供することができるという著大な効果を奏する。以下に本発明の実施の形態を説明するが、これらは例示的に示されるもので、本発明の技術的思想から逸脱しない限り種々の変形が可能なことはいうまでもない。本発明のノンドープ白色蛍光合成シリカガラスは、波長300nm以下にSiSiSi結合の吸収を有する合成シリカガラス、特にシリカガラスに300nm以下の紫外線を照射し、可視光領域の600nm以上の波長領域に蛍光を発生させ、この長波長の蛍光を利用して白色光を生み出し、人類の生活に必要な白色光を電気などの媒体を介在しないで有効に生み出すものである。本発明のシリカガラスにおいて、OH基含有量は1ppm以下であり、0.5ppm以下がより好ましい。また、塩素の含有量は30ppm以下であり、10ppmがより好ましい。Cuの含有量は、1ppm以下であり、0.5ppm以下がより好ましい。Cの含有量は、100ppm以下であり、50ppm以下がより好ましい。本発明のシリカガラスは高耐熱性合成シリカガラスであって、1280°Cでの粘度Logηが12.2poise以上であり、12.3poise以上が好ましい。特に、本発明のシリカガラス中には燐光発生する物質を含有させていないし、またシリカガラスそのものであることから、いろいろな形状にすることが可能である。例えば、ファイバー状に延伸したり、研磨して薄膜にしたり、またはプリズムやレンズ、球状の製品を提供することが可能となる。シリカガラス中の最低励起三重項励起準位のSiSiSiの結合は、波長300nm以下の波長190nm近傍に吸収を持つことが分かっている。また、最低励起一重項励起準位は波長300nm以下の波長240nm近傍に吸収を持つことが分かっている。この最低励起一重項励起準位は、波長460nmに蛍光を発生させることもわかっている。シリカガラス中に最低励起三重項励起準位、最低励起一重項励起準位の両方の準位を含有することで、600nm以上の長波長に蛍光は発生する。今までのシリカガラスでは最低励起一重項励起準位のみが形成されていただけで、遅延蛍光現象は確認されておらず、通常の蛍光のみが検出されていた。しかしながら、シリカガラス中のSiSiSi結合をさらに増加させると、紫外線を照射させることにより励起された電子が、最低励起三重項励起準位のSiSiSi結合に一次トラップされ、その後蛍光を発生するために600nm以上の長波長に蛍光が発生することになる。600nm以上の長波長の蛍光は、入射した300nm以下の紫外線のパワーに見合った蛍光が発生することになる。このため、300nm以下の紫外線をシリカガラスによって効率よく波長を可視光に領域に変換することが可能となる。また、一般的な有機LED材料では遅延蛍光を発生するときに、熱が放出されてしまうためにエネルギーがロスし、変換効率が悪くなってしまう。このため交換効率を良くするためには、材料を液体窒素などで冷却するなどの処理が必要であったが、該発明のシリカガラスでは熱を放出することがないので、室温でも十分な変換効率を得ることが可能である。また、300nm以下の紫外線はシリカガラスで吸収されてしまうので、完全に紫外線を可視光に変換できるメリットがある。600nm以上の長波長の蛍光とは、エネルギーを受けた電子が一重項励起電子のもっともエネルギーレベルの高いところへ移る。一重項励起電子が直接基底状態に戻るのではなく、いったんエネルギーレベルの低い三重項励起電子に移る。三重項励起電子から基底状態に戻る。このとき発生するのが600nm以上の長波長の蛍光である。シリカガラス中に三重項励起電子準位のSiSiSi結合を多く形成させることにより、また併せて一重項励起電子準位の吸収を240nmに形成させることで、常温でも遅延蛍光を観察することが可能となった。よって、今まで有機LED材料では常温ではなしえなかった波長変換を、この遅延蛍光現象を用いることによって可能となったのである。本発明のシリカガラスの場合には、蛍光の波長は460nmにピークをもつ波長と、600nm以上に遅延蛍光がふくまれるのが好ましく、遅延蛍光は数秒間も継続するものが好ましい。ただし、蛍光の波長はそれぞれの電位準位の吸収の波長によっても変わることがあり、360nm~780nmの可視光領域に変化させることは可能である。この遅延蛍光は室温でも発生するために、今までの有機EL材料のように液体窒素などで冷却する必要がなく、またシリカガラスであるために、ファイバー形状や1m角以上の大きな基板も作成することが可能である。さらに、プリズムやレンズ形状、また球状の製品を作成することができるために、レーザ光を照射することが容易で、これによって効率よく波長を変換した460nmにピークをもつ可視光を得ることが可能である。こうした可視光の遅延蛍光により、燐光物質を含有しないシリカガラスでも可視光を発生することができるので、液晶テレビのバックライトや照明装置への応用が考えられる。また、紫外線レーザを照射することで、可視光に波長を変化したレーザ光を発生させることも可能となる。更に、紫外線や宇宙線が存在する宇宙空間では、無尽蔵の紫外線や宇宙線を直接白色光に変換することができるので、従来のような電力設備を介さないで光を効率よく白色光に変換できるので、宇宙開発に非常に有効な素材となる。本発明のシリカガラスにおいて、最低励起三重項励起準位のSiSiSi結合を効率的に形成する方法は特に規定はしないが、例えば合成シリカガラススート母材にClを含有する化合物を反応させSi-Cl結合を形成した後に、このSi-Cl結合からClを還元雰囲気で引き抜くことで達成することができる。以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈されるべきものでないことはいうまでもない。実施例1シリカガラススート母材を四塩化ケイ素SiCl4ガスを水素と酸素の火炎の中で加水分解を起こして、ターゲット材に堆積させて作成した。次いで、このスート母材を有機ケイ素化合物のガス中で脱水し、水素雰囲気中で焼成した後、還元性雰囲気中で加熱後、真空炉中で1550°Cでガラス化して、酸素欠損を有する合成シリカガラス母材を作成した。比較例1シリカガラススート母材を四塩化ケイ素SiCl4ガスを水素と酸素の火炎の中で加水分解を起こして、ターゲット材に堆積させて作成した。次いで、このスート母材を有機ケイ素化合物のガス中で脱水し、還元性雰囲気中で加熱後、真空炉中で1550°Cでガラス化して、酸素欠損を有する合成シリカガラス母材を作成した。比較例2シリカガラススート母材を四塩化ケイ素SiCl4ガスを水素と酸素の火炎の中で加水分解を起こして、ターゲット材に堆積させて作成した。次いで、このスート母材を真空炉中で1550°C加熱して、酸素欠損を有しない合成シリカガラス母材を作成した。実施例1及び比較例1及び2のシリカガラスの200nm以下の透過率測定の結果を表1に示した。OH基含有量については、赤外分光光度計にて、2.7μmの赤外線の吸収スペクトルから測定を行った。Cl含有量については、蛍光X線分析にて測定を行った。粘度に関しては、ビームベンディング法によって測定を行った。上記三種類の合成シリカガラスに対し、検出器側にUV350フィルターを入れて、254nmの紫外線を照射し、280nmで発生するSi-Siによる蛍光をカットして、350nmよりも長波長側の蛍光を測定した場合の蛍光強度と蛍光波長nmの関係を示すグラフを図1に示す。また、図1に示したグラフの蛍光波長550nm~700nm部分を拡大したグラフを図2に示す。図1及び図2から、実施例1の合成シリカガラスでは、波長460nmに蛍光ピークを有し、波長600nm以上においても蛍光波長を有しており、波長460nmの蛍光と波長600nm以上の遅延蛍光で発生する白色蛍光であることがわかる。上記三種類の合成シリカガラスに254nmの紫外線を照射した場合の遅延蛍光の状態を測定し、表2に示した。三重項励起電子準位と一重項励起電子準位を含有する実施例1及び比較例1のみに1秒と10秒レベルの460nmの蛍光が認められた。白色蛍光は実施例1のみに認められた。比較例2は、紫外線照射中は可視光に僅かに蛍光は認められたが、紫外線照射をやめるとすぐに蛍光は無くなってしまった。また、上記三種類の合成シリカガラス中の不純物の含有量について表3に示した。上記三種類の合成シリカガラスに254nmの紫外線を照射した場合の蛍光のチャートを表4に示した。また、上記三種類の合成シリカガラスに254nmの紫外線を照射した場合のCIE色度図における色度座標を表5に示すと共に、図3~図5に色度座標のグラフを示した。色度座標は、浜松ホトニクス株式会社のマルチチャンネル分光器PMA-12を使用して、実施例1、比較例1及び2に低圧水銀ランプの254nmの紫外線を照射したときの蛍光で測定した。さらに、低圧水銀ランプ波長185nmの紫外線を照射した場合、ArFエキシマレーザ波長193nmを照射した場合及びXeエキシマランプ172nmの光を照射した場合の目視での蛍光観察の結果について表6に示した。白色蛍光は実施例1のみに認められた。比較例1では、全ての場合で青色の蛍光が観察された。また、比較例2では、低圧水銀ランプ波長185nmの紫外線を照射した場合には、紫色蛍光となり、ArFエキシマレーザ波長193nmを照射した場合及びXeエキシマランプ172nmの光を照射した場合では、紫色から赤色となる蛍光が観察された。