光起電または半導体産業で用いられる装置部品を洗浄する方法であって、金属化合物で汚染された装置部品の表面を、アセトニトリル、アセトンおよびテトラヒドロフランからなる群から選択される希釈剤、アミン化合物を含む促進剤、式R1-CO-CH-R2-CO-R3ここで、R1およびR3は、アルキル基および酸素置換アルキル基からなる群から独立して選択され、R2は水素、アルキル基および酸素置換アルキル基からなる群から選択されるを有し、前記金属化合物とのβ-ジケトナート錯体を形成可能なジケトン化合物を含む洗浄溶剤と接触させることであって、前記洗浄溶剤は水または超臨界CO2を含まない、および前記装置部品の表面から前記金属化合物を除去するために前記洗浄溶剤を除去することを含み、前記金属化合物は、Al、Ga、In、Sn、Zn、Cd、それらの金属酸化物、およびそれらの混合物からなる群から選択される方法。前記洗浄溶剤は、約3体積~約5体積のトリエチルアミンと、約3体積~約5体積のアセチルアセトンと、前記洗浄溶剤の残部を構成するアセトニトリルとを含有する請求項1に記載の方法。前記金属化合物はZnおよびZnOである請求項2に記載の方法。前記洗浄溶剤を除去した後に、前記装置部品をアセトニトリルですすぐことをさらに含む請求項2に記載の方法。前記接触工程中に前記洗浄溶剤を加熱すること、前記接触工程中に前記洗浄溶剤を超音波処理すること、または両方と、前記洗浄溶剤を除去した後に、前記装置部品の表面を不活性ガスで乾燥することとをさらに含む請求項1に記載の方法。太陽電池または半導体産業で用いられる装置部品から金属化合物を除去するための洗浄溶剤であって、前記洗浄溶剤は、アセトニトリル、アセトンならびにテトラヒドロフランからなる群から選択される希釈剤、アミン化合物を含む促進剤、および式R1-CO-CH-R2-CO-R3ここで、R1およびR3は、アルキル基および酸素置換アルキル基からなる群から独立に選択され、R2は水素、アルキル基および酸素置換アルキル基からなる群から選択されるを有し、前記金属化合物とのβ-ジケトナート錯体を形成可能なジケトン化合物を含み、水または超臨界CO2を含まない洗浄溶剤。前記ジケトンはアセチルアセトンであり、前記希釈剤はアセトニトリルである請求項6に記載の洗浄溶剤。前記促進剤は第三級アミンである請求項7に記載の洗浄溶剤。約3体積~約5体積のトリエチルアミンと、約3体積~約5体積のアセチルアセトンと、前記洗浄溶剤の残部を構成するアセトニトリルとから実質的になる請求項6に記載の洗浄溶剤。前記金属化合物は、Al、Ga、In、Sn、Zn、Cd、それらの金属酸化物およびそれらの混合物からなる群から選択される請求項9に記載の洗浄溶剤。半導体、光起電力、LCD-TFTまたはフラットパネルタイプの各デバイスの製造に用いられる組成物および方法の非限定的な態様を本明細書で開示する。光起電産業または半導体産業における有機金属化合物を供給する装置の部品貯蔵タンク、フィルター、供給ラインおよび注入ラインなどに析出した金属化合物のための洗浄溶剤および洗浄方法を開示する。開示される洗浄溶剤および洗浄方法は、通常の洗浄プロセスを改善することに加えて、部品を腐食することなく金属化合物を選択的に除去することもできる。貯蔵タンク用の開示される洗浄溶剤および洗浄方法は、通常の洗浄プロセスを簡素化し、洗浄時間を改善し、貯蔵タンクを安全に洗浄する。部品を搬送システムから取り外すことを必要とせずに装置部品から有機金属化合物を取り除く洗浄溶剤および洗浄方法も開示する。さらに、開示される洗浄溶剤および洗浄方法は、有機金属化合物供給システムから取り外すことなく装置部品を清浄にすることができるため、製造設備に有機金属化合物を供給する供給システムの維持費を改善する。[洗浄溶剤]開示される洗浄溶剤は、ジケトンと金属化合物との反応によって金属化合物とのβ-ジケトナート金属錯体を形成可能な、および形成するジケトン化合物を含む。開示される洗浄溶剤は、水または超臨界CO2を含まない。構造中に[R1-CO-CHR2-CO-R3]ここで、R1およびR3は、アルキル基および酸素置換アルキル基から独立して選択され、R2は水素、アルキル基、または酸素置換アルキル基であるを有する任意のジケトン化合物が許容される。例えば、アセチルアセトン[CH3-CO-CH2-CO-CH3]を用いることができる。上で述べたように、開示される洗浄溶剤は、構造[R1-CO-CHR2-CO-R3]を有するジケトン化合物を含む。好ましい態様において、洗浄溶剤は、ジケトン化合物、促進剤および希釈剤を含む。希釈剤は、アセトニトリル、アセトンまたはテトラヒドロフランとすることができ、好ましくはアセトニトリルである。希釈剤は、ジケトン化合物と金属化合物との反応により形成されるβ-ジケトナート錯体を溶解する。ジケトン化合物と金属化合物との反応速度は、促進剤の添加により増加する。促進剤は、ジケトン化合物からプロトンを引き付けるアミン化合物である。促進剤は、室温、室圧でガスであってはならない。適切な促進剤は、ピリジン、トリエチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルアミンおよびエチルアミンを含む。好ましくは、促進剤は、第三級アミン、より好ましくはトリエチルアミンまたはピリジン、より好ましくはトリエチルアミンである。希釈剤に加えられるジケトン化合物および促進剤の量は、両方の量が金属化合物の化学当量より大きければ、十分である。例えば、1モルのZnが金属化合物として除去される場合、それぞれ最小限2モルのアセチルアセトンおよびトリエチルアミンが洗浄溶剤に含まれるべきである。実際、所定の部品、貯蔵タンク、ラインまたは部品のアセンブリーを洗浄するのに必要な洗浄溶剤の量は、条件、洗浄の間の時間、および金属化合物の存在に対する製造プロセスの感度を考慮に入れて経験的に決定される。洗浄溶剤は、ジケトン化合物との反応により金属錯体を形成可能な金属化合物を除去することができる。希釈剤は、得られる金属錯体を溶解することができなければならない。例えば、金属化合物は、Al、Ga、In、Sn、Zn、Cd、これらの金属の酸化物、およびそれらの混合物を含むことができる。好ましくは、金属化合物は、ZnおよびZnOである。特に好ましい態様において、アセチルアセトン、促進剤としてのトリエチルアミン、および希釈剤としてのアセトニトリルを含む洗浄溶剤は、金属化合物金属および/または金属酸化物を洗浄するのに用いることができる。以下の実施例において、洗浄溶剤は、4体積のアセチルアセトン、4体積のトリエチルアミン、および92体積のアセトニトリルを含む。一般的に、ジケトン化合物および促進剤のそれぞれの濃度は、約3体積~約5体積の範囲にあり、希釈剤は残部を構成する。[洗浄方法]開示される洗浄方法は、上で述べた開示された洗浄溶剤を利用する。例えば、アセチルアセトン、トリエチルアミンおよびアセトニトリルを含む洗浄溶剤を用いて、装置部品例えば、貯蔵タンク、バブラータンク、フィルター、供給ラインおよび注入ラインに析出した金属化合物を除去する場合、金属化合物は、アセトニトリル中でアセチルアセトンと反応して、金属アセチルアセトネートを形成する。この反応において、トリエチルアミンは、アセチルアセトンのプロトンを引き付けることにより促進剤として作用する。金属アセチルアセトネートは、アセトニトリルに容易に溶解する。結果として、金属化合物は、洗浄溶剤中に溶解し、溶剤が系から勢いよく流されるときに排出される。少なくとも、開示される方法は、金属化合物で汚染されたデバイスの表面を開示する洗浄溶剤と接触させることを含む。接触中、加熱および/または超音波処理を用いることができる。洗浄溶剤をデバイスから除去し、それにより、装置部品の表面から金属化合物を除去する。次に、デバイスの表面を不活性ガスで乾燥することができる。開示される洗浄溶剤との接触の前に、金属汚染をもたらした有機金属化合物は、太陽電池産業または半導体産業においてそのような化合物を供給するために用いられる装置部品から除去することができる。任意の公知の除去技術を用いることができる。一態様において、真空引きおよび窒素パージを同時に行う。当業者は、窒素N2、アルゴンAr、ヘリウムHe、またはそれらの混合物を含む任意の不活性ガスをパージに用いることができることを認識するであろう。さらに、当業者は、真空引きとパージとを同時に行う必要がないことを認識するであろう。さらに、当業者は、真空引きおよびパージは、同時に行うか否かにかかわりなく、1回以上繰り返すことができることを認識するであろう。例えば、窒素パージの後に真空引きを行うことができ、それらの両方を繰り返すことができる。あるいは、真空引きの後に窒素パージを行うことができ、この後に再び真空引きのみを行うことができる。この除去工程の目的は、装置部品に残存している有機金属化合物の量を減少させることである。しかしながら、有機金属化合物は、開示される洗浄溶剤とは消極的な様式で反応せず、水と反応するので、この工程は必須ではない。次に、金属化合物で汚染された装置部品の表面と接触させるために、開示される洗浄溶剤を装置部品に導入する。洗浄溶剤を導入する任意の公知の方法を用いることができる。一態様において、洗浄溶剤をすすぎ剤として装置部品に導入する。すすぎは、複数回繰り返してもよい。その後、装置部品を十分な量の洗浄溶剤中に、ある時間浸漬することができる。当業者は、すすぎおよび/または浸漬が、すべての状況で必要であるとは限らないことを認識するであろう。同様に、すすぎおよび浸漬の回数および順序を変化させることができる。例えば、2回のすすぎの後に2回の浸漬を行うことができ、またはすすぎの後に浸漬を行い、この後にもう一度浸漬を行うことができる。当業者は、十分である必要な洗浄溶剤の量および浸漬の時間が、装置部品の種類ならびに状態および析出した金属化合物の量に依存することをさらに認識するであろう。浸漬を行う場合、装置部品のすべての内部表面が洗浄溶剤と接触するように、装置部品に洗浄溶剤を満たすべきである。DEZnなどの有機金属化合物の分解が時間とともに進行し、金属化合物が徐々に生成するので、装置部品を清浄にするために必要な溶剤の量は、用いられる洗浄頻度に依存する。場合によって、洗浄溶剤との接触中に、装置部品を加熱することができ、長音波処理に供することができ、または両方を行うことができる。加熱を用いる場合、温度は、金属錯体の分解点より低く保つべきである。任意の公知の加熱または超音波処理方法を用いることができる。例えば、波発生器を用いて複数個の装置部品を超音波処理することができる。加熱のために、熱浴を用いて個々の装置部品を加熱することができる。あるいは、装置部品は、例えば、熱板による囲いにより加熱することができる空間内に含めることができる。さらなる代替法において、加熱テープを個々の装置部品に巻きつけることができる。他の代替法において、洗浄溶剤自体を供給の前に加熱することができる。当業者は、これらの代替法をいくつでも1つのシステム中で一緒に用い得ることを認識するであろう。次に、洗浄溶剤を装置部品から除去する。除去の任意の公知の方法を用いることができる。一態様において、ドレインバルブおよびドレインラインを経て、洗浄溶剤をドレインタンクに排液する。排液後、窒素、アルゴン、ヘリウム、またはそれらの混合物などの不活性ガスを処理済み装置部品に導入し、除害装置に排出させることができる。装置部品に残存する残留洗浄溶剤は、洗浄溶剤の希釈剤ですすぐことにより除去することができる。洗浄溶剤接触の工程におけるのと同様に、任意の公知のすすぎの方法を用いることができる。一態様において、希釈剤すすぎ工程は、1回以上のすすぎとそれに続く浸漬とを含むことができる。当業者は、洗浄要件により定められているように、すすぎおよび浸漬サイクルを変更し、繰り返すことができることを認識するであろう。浸漬に用いる希釈剤の量および浸漬の時間は、様々な要因に依存する。しかしながら、希釈剤浸漬時間は、洗浄溶剤浸漬時間と同じ長さである必要はない。希釈剤をシステムから排出させ、窒素、アルゴン、ヘリウム、またはこれらの混合物などの不活性ガスを処理済み装置部品に導入し、続いて除害装置に排出させることができる。その後、装置部品を乾燥することができる。窒素、アルゴン、ヘリウム、またはこれらの混合物などの不活性ガスをシステムに導入し、装置部品が乾燥するまで除害装置に送る。これは、不活性ガスの含水率を測定することにより判断することができる。好ましくは、不活性ガスは、約3ppm未満、より好ましくは約50ppb未満の含水率を有する。乾燥時間は、装置部品を同時に加熱することにより速めることができる。しかしながら、開示される洗浄溶剤が水を含んでおらず、結果として、水は洗浄プロセスに用いられなかったため、従来技術の洗浄方法と比較して乾燥時間が非常に速い。以下の非限定的な実施例において、開示された洗浄溶剤および洗浄方法を特定の態様により説明する。これらの態様は、本発明をさらに説明するために記載する。しかしながら、それらは、すべてを含むものでなく、また本明細書で述べる本発明の範囲を限定するものでない。例1従来技術-貯蔵タンクの洗浄図4は、貯蔵タンク110の典型的な洗浄方法に必要な従来技術の工程の説明である。DEZnなどの少量の有機金属化合物111が、顧客から返却された貯蔵タンク110に残存している。工程A.有機溶剤、例えば、ヘキサンまたはオクタンを入口バルブ152を経て貯蔵タンク110に導入し、タンク110中の液体を撹拌してDEZn111を有機溶剤と混合する。次に、混合物を、サイホン管141および出口バルブ142を経て排出させる。この工程、すなわち有機溶剤の導入および排出を繰り返すことにより、貯蔵タンク110中のDEZn111が除去される。工程B.有機溶媒により除去することができない分解化合物ZnおよびZnOを、酸溶液により除去する。入口バルブ152を経て酸溶液を貯蔵タンク110に導入し、次に、酸溶液を撹拌して分解化合物を溶解する。その後、サイホン管141および出口バルブ142を経て、酸溶液を排出させる。必要な場合、この工程を慎重に繰り返すことができる。工程C.貯蔵タンク110中に残存する酸を、純水で完全に除去する。入口バルブ152を経て貯蔵タンク110に純水を導入し、次に純水を撹拌して酸を溶解する。次に、サイホン管141および出口バルブ142を経て、水を排出させる。この工程、すなわち純水の導入および排出を繰り返すことにより、貯蔵タンク110中の酸を除去する。工程D.貯蔵タンク110を不活性ガスにより乾燥する。窒素、アルゴン、ヘリウム、またはこれらの混合物などの不活性ガスを、入口バルブ152を経て導入し、サイホン管141および出口バルブ142を経て排出させて、貯蔵タンク110を乾燥する。貯蔵タンク110が乾燥するまで、この不活性ガスパージを続ける。図2cは、5フッ化水素酸で室温で6時間洗浄した後のステンレス鋼製のタンクの内部の写真である。タンクは、腐食によってもはやステンレス鋼の表面が磨かれた状態でなかった。例2-貯蔵タンクの洗浄貯蔵タンク110を洗浄する開示した方法の1つの態様を、図5とともに説明する。用いた貯蔵タンク110は、タンク110中で有機金属化合物DEZn111を100°Cで1週間加熱して、分解化合物ZnおよびZnO粒子をタンク110内に析出させることにより準備した。アセチルアセトン4体積、トリエチルアミン4体積、およびアセトニトリル92体積を有する洗浄溶剤を調製した。工程A.入口バルブ152を経て、貯蔵タンク110に洗浄溶剤を導入した。貯蔵タンク110中の洗浄溶剤を撹拌してDEZn111と混合し、次に、混合物をサイホン管141および出口バルブ142を経て排出させた。これを、すなわち洗浄溶剤の導入および排出を2回繰り返すことにより、貯蔵タンク110中のDEZn111を除去する。その後、貯蔵タンク110に洗浄溶剤を完全に満たし、浸漬して、分解化合物ZnおよびZnOを溶解する。浸漬中、貯蔵タンク110を熱浴120により加熱し、超音波発生器130により発生させた超音波によって、貯蔵タンク110を撹拌することによって、または両方によって、洗浄時間を短縮することができる。加熱を用いる場合、温度は、亜鉛アセチルアセトネート水和物の融点である約138°Cより低く保つべきである。工程B.貯蔵タンク110中に残存する洗浄溶剤を、純アセトニトリルにより完全に除去した。入口バルブ152を経て、貯蔵タンク110にアセトニトリルを導入した。貯蔵タンク110中のアセトニトリルを撹拌して残存洗浄溶剤と混合し、その後、サイホン管141および出口バルブ142を経て、混合物を排出させた。この工程、すなわちアセトニトリルの導入および排出を2回繰り返すことによって、貯蔵タンク110中の残存洗浄溶剤を除去した。工程C.貯蔵タンク110を不活性ガスにより乾燥した。入口バルブ152を経て窒素を導入し、サイホン管141を経て出口バルブ142から排出させた。熱、真空、または両方を用いることによって、パージ時間を短縮することができる。加熱を用いる場合、温度は、貯蔵タンク110、またはその構成部品の耐熱限界より低く保つべきである。例えば、多くのガスケットが約130°Cを超える温度で機能しなくなる。洗浄の前および後の結果を、図2aおよび2bに示す。多くの粒子ZnおよびZnOが洗浄の前に貯蔵タンク内に析出していた図2a。上述の洗浄方法を実施した後、貯蔵タンクの表面のステンレス鋼の磨かれた状態が戻った図2b。洗浄後にタンク中に残存した分解化合物ZnおよびZnOからのZnの量は、0.0666mgであった。洗浄前の分解化合物の初期量は、50mgと推定された。この値は、100°Cで1週間加熱したすなわち、洗浄したタンクと同じ条件他のタンク中でDEZnから生成した分解化合物を秤量することにより推定した。したがって、開示した洗浄溶剤および洗浄方法による分解化合物の除去率は、99.5[50.0-0.06666/50.0100]より大きかった。例3-ステンレス鋼に対する洗浄溶剤の影響ステンレス鋼に対して開示された洗浄溶剤が及ぼす影響を確認するために、以下の実験を実施した。4体積のアセチルアセトン、4体積のトリエチルアミン、および92体積のアセトニトリルを含有する10mLの洗浄溶剤を調製した。洗浄溶剤を10mLステンレスタンクに導入し、室温で1週間保存した。洗浄溶剤との接触後にタンクの表面に腐食の徴候はなかった。図3aは、浸漬前のタンクの表面の100倍および500倍に拡大した写真であり、図3bは、浸漬後の同様に拡大した写真である。図3aおよび3bから、一般的な洗浄時間を著しく超える長時間にわたってステンレス鋼をこの溶剤に浸漬した場合でさえ、洗浄溶剤はステンレス鋼を腐食させないことが明らかである。他方で、ステンレス鋼を20フッ化水素酸に室温で1時間浸漬した場合、ステンレス鋼の表面が腐食した。図3cは、フッ化水素酸に浸漬する前のステンレス鋼表面の1000倍に拡大した写真である。図3dは、浸漬後の同様に拡大した写真である。図3cおよび3dから、標準洗浄溶液がステンレス鋼タンクを損傷させ得ることが明らかである。結果として、開示された洗浄溶剤および洗浄方法は、デバイスの腐食を伴うことなく、デバイス上に析出した金属および/または金属酸化物などの対象金属化合物を、選択的に除去することを可能にする。例4:供給ラインの洗浄開示された洗浄溶剤311を用いる供給ラインの1つの具体的な洗浄方法を、図6とともに詳細に説明する。図6は、下でさらに詳細に述べる、供給装置200および製造設備400の部品を洗浄するための開示した洗浄溶剤311を備えた供給装置200を用いることによりDEZnなどの有機金属化合物211を製造設備400に供給するためのシステムの一態様の図である。供給装置200は、液体DEZn211の蒸気を製造設備400に供給する。DEZn211を製造設備400に供給する場合、アルゴンなどの不活性キャリヤーガス250を、入口ライン251および入口バルブ252を経てタンク210に導入する。DEZn211は、サイホン管241から押し上げられ、供給バルブ242を経てライン245に押し出される。DEZn211は、ライン245に取り付けられたフィルター243、液体マスフローコントローラ244、および気化器246を通過する。フィルター243は、貯蔵または供給中にDEZn211の分解により生ずる粒子を除去する。マスフローコントローラ244は、一定量のDEZn211を製造設備400に安定に供給する目的のために、DEZn211の流量を正確に調節する。気化器246は、液体DEZn211をガス状DEZn図示せずに気化させる。気化器246で生じたガス状DEZnは、例えば、マスフローコントローラ図示せずにより調節された流量を有するアルゴンなどのキャリヤーガス247によって、希釈することができる。当業者は、キャリヤーガス250と異なるキャリヤーガス247を用いることができることを認識するであろう。しかしながら、一般的には、キャリヤーガス247とキャリヤーガス250とは同じである。ガス状DEZnは、ライン245からライン280を通り、これらは1つのラインまたは公知の技術により接続された2つの別個のラインであり得ることを当業者は認識する。ライン280は、気化したDEZnを、プロセスバルブ401を経て製造設備400中のチャンバー450に供給する。上述したように、DEZnは、容易に分解する有機金属化合物である。分解化合物ZnおよびZnOは、DEZnの供給中に供給ラインに析出物を形成することができる。分解化合物は、半導体デバイスまたは太陽電池モジュール製造プロセスに対して悪影響を及ぼすかもしれない。上述のように、この問題は、追加費用および時間の損失をもたらす、供給ラインを取り外し、それを新しい供給ラインに交換することによって、しばしば解決されていた。開示された洗浄方法は、供給システムから供給ラインを取り外すことなく、供給ラインから分解化合物を除去することを可能にする。開示された洗浄方法の一態様を図6とともに詳細に説明する。この態様は、以下の5つの工程からなっている。1.DEZnの除去;2.溶剤洗浄;3.溶剤の除去;4.アセトニトリル洗浄;および5.乾燥。第1の工程バルブ242および401を閉じ、ライン245および280に残存するDEZnを真空ポンプ500により除去する。窒素260を、窒素入口ライン261、窒素入口バルブ262、洗浄溶剤供給ライン263および供給バルブ264から導入しつつ、ライン245および280に残存するDEZnを真空ポンプ500で排出させる。DEZnを含む排出ガスは、バイパスバルブ402、バイパスライン403および排出ライン501を経て除害装置600により処理する。最後に、窒素供給を止めることにより、ライン245および280を減圧状態に維持する。第2の工程洗浄溶剤311例えば、4体積のアセチルアセトン、4体積のトリエチルアミンおよび92体積のアセトニトリルをライン245および280に導入し、分解化合物ZnおよびZnOを溶解する。窒素入口ライン321および窒素入口バルブ322を経て、窒素320をタンク310に導入することにより、タンク310中の洗浄溶剤311は、サイホン管331から押し上げられ、次に、供給バルブ332、溶剤供給ライン333、供給バルブ334、溶剤供給ライン263および溶剤供給バルブ264を経て、ライン245および280に導入される。洗浄溶剤311で満たされたライン245および280は、析出物の量に応じた一定の時間浸漬する。浸漬中、例えば、加熱テープ図示せずにより加熱することにより、洗浄時間を短縮することができる。加熱を用いる場合、温度は、ライン245および280上の部品の耐熱限界より低く維持すべきである。第3の工程アセチルアセトンと分解化合物Znおよび/またはZnOとの反応により生じた亜鉛アセチルアセトネートを含む洗浄溶剤を、ライン245および280から排出させる。窒素260を、窒素入口ライン261から窒素入口バルブ262、溶剤供給ライン263および溶剤供給バルブ264を経て、ライン245および280に導入する。ドレインバルブ404および排出ライン405を経て、洗浄溶剤をドレインタンク700に排出させる。洗浄溶剤をドレインタンク700に排出させた後、バルブ264および401を閉じ、ライン245および280を真空ポンプ500により真空にする。排気をバイパスバルブ402、バイパスライン403および排出ライン501を経て除害装置600に送る。このプロセスの終了時に、ライン245および280を減圧状態に維持する。洗浄プロセスの除去効率を増大させるために、必要に応じて工程2および工程3を繰り返してもよい。第4の工程ライン245および280を純アセトニトリル351によりすすいで、ライン245および280から残留洗浄溶剤を除去する。窒素360を、窒素入口ライン361および窒素入口バルブ362を経てアセトニトリルタンク350に導入する。タンク350中のアセトニトリル351は、サイホン管371により押し上げられ、供給バルブ372、アセトニトリル供給ライン373、供給バルブ374、洗浄溶剤供給ライン263および溶剤供給バルブ264を経て、ライン245および280に導入される。アセトニトリル351で満たされたライン245および280が一定の時間浸漬された後、アセトニトリル351が窒素260により排出される。窒素260を、窒素入口ライン261、窒素入口バルブ262、洗浄溶剤供給ライン263および溶剤供給バルブ264を経てライン245および280に導入し、アセトニトリル351をドレインバルブ404およびドレインライン405から排液する。この工程、すなわち、アセトニトリルの導入および排液を数回繰り返すことによって、ライン245および280中の残留洗浄溶剤が十分に除去される。効率を改善するために、必要に応じて工程2から4を繰り返してもよい。第5の工程ライン245および280を窒素260により乾燥する。窒素260を、窒素入口ライン261、窒素入口バルブ262、洗浄溶剤供給ライン263、および供給バルブ264を経てライン245および280に導入する。窒素260をバイパスバルブ402、バイパスライン403および排出ライン501を経て除害装置600に送る。ライン245および280が乾燥するまで窒素パージを続ける。窒素パージ中、例えば、加熱テープ図示せずによりライン245および280を加熱することにより、パージ時間を短縮することができる。従来技術と比較して、水を洗浄プロセスに用いなかったため乾燥時間は非常に速い。以前には、分解化合物が長い長さの供給ラインに析出した場合、ラインの交換が必要であった。この態様で示すように、開示した洗浄溶剤および洗浄方法によってラインを容易に清浄にすることができる。さらに、水を洗浄プロセスに用いず、したがって、DEZnとH2Oとの激しい反応が避けられるので、DEZnに用いるラインを安全に清浄にすることができる。例5:フィルターの洗浄開示された洗浄溶剤311を用いるフィルター243の1つの具体的な洗浄方法を、図7とともに詳細に説明する。当業者は、フィルター243がセラミック、鋼鉄または焼結金属製であり得ることを認識するであろう。図7は、下でさらに詳細に述べるような、供給装置200および製造設備400の部品を洗浄するための開示した洗浄溶剤311を備えた供給装置200を用いることによって、DEZnなどの有機金属化合物211を製造設備400に供給するためのシステムの1つの態様の図である。アルゴン入口ライン251およびアルゴン入口バルブ252を経て、アルゴン250をDEZnタンク210に導入して、製造設備400のチャンバー450にDEZn211を供給する。DEZn211がDEZnサイホン管241から押し上げられ、次にDEZn211が供給バルブ242、DEZn供給ライン245、フィルター243、液体マスフローコントローラ244および気化器246を経てチャンバー450に送られる。フィルター243は、DEZn中の粒子を捕捉する。液体マスフローコントローラ244は、一定量のDEZn211を製造設備450に安定に供給する目的のためにDEZn211の流量を正確に調節する。DEZn211は、気化器246で気化させる。DEZn蒸気は、流量が制御されるアルゴンにより希釈することができ、混合物がプロセスバルブ401を経てチャンバー450に供給される。フィルター243が多くの粒子を捕捉した場合、流量の減少または閉塞が起こる。粒子がフィルターから定期的に除去されない場合、製造設備へのDEZnの安定な供給は困難になる。上述のように、この問題は、追加費用および時間の損失をもたらす、フィルター交換することによってしばしば解決されていた。開示された洗浄方法は、供給システムからフィルターを取り外すことなく、フィルターから粒子を除去することを可能にする。開示した洗浄方法の1つの態様を図7とともに詳細に説明する。この態様は、以下の5つの工程からなっている。1.DEZnの除去;2.溶剤洗浄;3.溶剤の除去;4.アセトニトリル洗浄;および5.乾燥。第1の工程フィルター243に残存する分解されたDEZnを、このプロセスで除去する。好ましくは、開示された方法は、完全な閉塞を予防するためにフィルター243から分解DEZnを除去するのに十分に頻繁に実施する。窒素260を、窒素入口ライン261、窒素入口バルブ262、洗浄溶剤供給ライン263および洗浄溶剤供給バルブ264を経て、DEZn供給ライン245および280に送る。DEZnを含む窒素が、真空ポンプ500によりフィルター243、液体マスフローコントローラ244、気化器246、バイパスバルブ402、バイパスライン403および排出ライン501を経て除害装置600に送られる。最後に、このプロセスにおける窒素供給を止めることにより、洗浄溶剤供給バルブ264およびDEZn供給バルブ242からドレインバルブ404、バイパスバルブ402およびプロセスバルブ401までに及ぶ範囲範囲を減圧状態に維持する。フィルター243は、範囲内に含まれる。第2の工程この工程において、フィルター243上のZnおよび/またはZnOなどの粒子を洗浄溶剤311例えば、4体積のアセチルアセトン、4体積のトリエチルアミン、および92体積のアセトニトリルに溶解する。窒素320を、窒素入口ライン321および窒素入口バルブ322を経て洗浄溶剤タンク310に導入する。次に、洗浄溶剤311は、洗浄溶剤供給バルブ332、洗浄溶剤供給ライン333、洗浄溶剤供給バルブ334、洗浄溶剤供給ライン263および洗浄溶剤供給バルブ264を経て、洗浄溶剤サイホン管331から上述の範囲に導入される。洗浄溶剤は、一定の時間にわたり該範囲に保存される。時間は、粒子の量に依存する。溶解効率は、発生器248による超音波の適用により改善することができる。第3の工程この工程においては、該範囲における洗浄溶剤を排出させる。窒素260を、窒素入口ライン261、窒素入口バルブ262、洗浄溶剤供給ライン263および洗浄溶剤供給バルブ264から該範囲に導入する。洗浄溶剤は、窒素によりドレインバルブ404およびドレインライン405を経て排出される。最後に、該範囲を真空ポンプ500により真空引きする。排ガスは、バイパスバルブ402、バイパスライン403および排出ライン501を経て除害装置600に送られる。必要に応じて、工程2および工程3を繰り返してもよい。第4の工程該範囲に残存する洗浄溶剤を、純アセトニトリル351により除去する。窒素360を、窒素入口ライン361および窒素入口バルブ362を経てアセトニトリルタンク350に導入する。アセトニトリル351は、アセトニトリルサイホン管371により押し上げられ、アセトニトリル供給バルブ372、アセトニトリル供給ライン373、アセトニトリル供給バルブ374、洗浄溶剤供給ライン263、および洗浄溶剤供給バルブ264を経て、上述の範囲に導入される。アセトニトリル351が該範囲内に一定の時間保存された後に、アセトニトリル351を窒素260により排出させ、該範囲を真空引きする。窒素260を、窒素入口ライン261、窒素入口バルブ262、洗浄溶剤供給ライン263および洗浄溶剤供給バルブ264を経て上記の範囲に導入し、次いで、アセトニトリル351をドレインバルブ404およびドレインライン405を経て、該範囲から排出させる。窒素260を、窒素入口ライン261、窒素入口バルブ262、洗浄溶剤供給ライン263および洗浄溶剤供給バルブ264から該範囲に導入する。アセトニトリル351は、ドレインバルブ404およびドレインライン405を経て、ドレインタンク700に排出される。最後に、該範囲を真空ポンプ500によりバイパスバルブ402、バイパスライン403、および排出ライン501を経て真空引きする。この工程、すなわち、アセトニトリルの導入、排出および真空引きを数回繰り返すことによって、該範囲に残存する洗浄溶剤が除去される。必要に応じて工程2から4を繰り返してもよい。第5の工程この工程においては、該範囲を窒素により乾燥する。窒素260を、窒素入口ライン261、窒素入口バルブ262、洗浄溶剤供給ライン263および洗浄溶剤供給バルブ264を経て該範囲に導入し、次に窒素260を、バイパスバルブ402、バイパスライン403および排出ライン501を経て除害装置600に送る。該範囲が乾燥するまで窒素パージを続ける。例えば、加熱テープまたはロープヒーター図示せずにより加熱することによって、このパージ中の乾燥時間を短縮することができる。加熱を用いる場合、温度は、該範囲内の部品の耐熱限界より低く維持すべきである。以前には、粒子が析出したフィルター243は、供給ライン245から取り外した後に洗浄しなければならなかった、または新しいものと交換しなければならなかった。この態様で示したように、フィルター243は、取り外さずに開示した方法により容易且つ安全に洗浄することができる。例6:バブラータンクの洗浄開示された洗浄溶剤311を用いるバブラータンクの1つの具体的な洗浄方法を、図8および9とともに詳細に説明する。図8は、下でさらに詳細に述べるような、供給装置200および製造設備400の部品を洗浄するための開示した洗浄溶剤311を備えた供給装置200を用いることによりDEZnなどの有機金属化合物図示せずを製造設備400に供給するためのシステムの1つの態様の図である。この態様の特徴は、DEZn供給装置200の図9により詳細に示すバブラータンク210を洗浄するための洗浄システムが取り付けられていることである。バブリング供給法は、製造設備400にガス状DEZnを供給するための1つの方法である。バブリング供給法を図8および9とともに説明する。アルゴン250を、アルゴン入口ライン251、アルゴン入口バルブ252、アルゴン入口ライン254およびアルゴン入口バルブ255を経て、DEZn供給装置200のバブラータンク210に導入する。アルゴン250をスパージャ253からDEZn図示せず中に注入し、バブラータンク210中のDEZnで飽和させる。混合物を、DEZn供給バルブ242、DEZn供給ライン245およびプロセスバルブ401を経て製造設備400中のチャンバー450に供給する。DEZnは、容易に分解し、分解化合物Znおよび/またはZnO212を生成する。分解化合物212は、バブラー210中に徐々に析出する一方で、DEZnは、製造設備400に供給される。分解化合物212は粒子として下流に移動することができ、これは、デバイス製造プロセスにおける不具合、および供給システム200に用いられる部品の閉塞を引き起こす。これを防ぐために、分解化合物212をバブラータンク210から定期的に除去しなければならない。上述のように、バブラータンク210は、供給装置200からそれを取り外すことによって洗浄することができる。しかしながら、図1に関して述べたように、バブラー210中の液体の使用と枯渇の後に、補給ライン図1、180によりバブラータンク210に接続されている大規模なタンク図1、110から補給することができるため、バブラータンク210は、取り外すことを必要とせずに操作することができる。結果として、分解化合物212を除去するために毎回バブラー210を取り外すことは非効率になる。したがって、DEZn供給システム200からバブラータンクを取り外さずにバブラータンク210を洗浄する方法が要求されていた。通常の酸溶剤はこのために設計されておらず、DEZnと高度に反応性である水を含むため、この問題の解決は、従来技術の洗浄溶剤および方法によっては困難である。開示した洗浄溶剤および方法は、問題を解決する。開示した洗浄溶剤を用いる開示した洗浄方法の1つの態様を、図8とともに詳細に説明する。開示した洗浄方法のこの態様は、以下の5つの工程からなっている。1.DEZnの除去;2.溶剤洗浄;3.溶剤の除去;4.アセトニトリル洗浄;および5.乾燥。第1の工程析出した分解化合物212Znおよび/またはZnOを有するバブラータンク210をポンプ500により真空引きする。バブラータンク210中のDEZn蒸気を、DEZn供給バルブ242、DEZn供給ライン245、バイパスバルブ402、バイパスライン403、および排出ライン501を経てポンプ500により真空引きし、除害装置600により処理する。第2の工程真空引きしたバブラータンク210に洗浄溶剤311を導入して、分解化合物ZnおよびZnOを溶解する。窒素320を、窒素入口ライン321および窒素入口バルブ322を経て洗浄溶剤タンク310に導入する。洗浄溶剤311は、洗浄溶剤サイホン管331に押し上げられ、次に洗浄溶剤311は、洗浄溶剤供給バルブ332、洗浄溶剤供給ライン333、洗浄溶剤供給バルブ334、洗浄溶剤供給ライン223および洗浄溶剤供給バルブ222を経て、洗浄溶剤ノズル221からバブラータンク210に噴霧される。洗浄溶剤311は、洗浄溶剤ノズル221の数個の小孔によって、バブラータンク210内に効率的に噴霧することができる。分解化合物212を洗浄溶剤311に溶解するために、洗浄溶剤311を満たしたバブラータンク210を一定の時間保存する。時間は、分解化合物212の量に依存する。加熱ツール213でバブラータンク210を加熱することにより、浸漬の有効性を改善することができる。加熱を用いる場合、温度は、バブラー210の部品の耐熱限界より低く保つべきである。第3の工程バブラータンク210中の洗浄溶剤311を撹拌し、排液する。窒素256を、窒素入口ライン257、窒素入口バルブ258、アルゴン入口ライン254およびアルゴン入口バルブ255を経て、スパージャ253から洗浄溶剤中に激しく注入する。窒素256のバブリングにより洗浄溶剤311を十分に撹拌し、次に洗浄溶剤311をドレインバルブ214およびドレインライン215を経て、ドレインタンク図示せずに排液する。排液後、バブラータンク210を真空ポンプ500により真空引きする。排気を、洗浄溶剤ノズル221、洗浄溶剤供給バルブ222、洗浄溶剤供給ライン223、排出バルブ224、排出ライン502および排出ライン501を経て、除害装置600により処理する。第4の工程アセトニトリル351をバブラータンク210に導入して、残存する残留洗浄溶剤を除去する。窒素360を、窒素入口ライン361および窒素入口バルブ362を経てアセトニトリルタンク350に導入して、アセトニトリルタンク350を加圧する。アセトニトリル351は、アセトニトリルサイホン管371に押し上げられ、アセトニトリル供給バルブ372、アセトニトリル供給ライン373、アセトニトリル供給バルブ374、洗浄溶剤供給ライン223および洗浄溶剤供給バルブ222を経て、洗浄溶剤ノズル221から真空引きされたバブラータンク210内に激しく噴霧される。残存洗浄溶剤を溶解するために、アセトニトリル351を満たしたバブラータンク210を一定時間保存する。次に、窒素256を、窒素入口ライン257、窒素入口バルブ258、アルゴン入口ライン254およびアルゴン入口バルブ255を経て、スパージャ253からバブラータンク210中のアセトニトリル351中に激しく導入する。次に、アセトニトリル351をドレインバルブ214およびドレインライン215を経て、ドレインタンク図示せずに排液する。排液後、バブラータンク210を真空ポンプ500により真空引きする。排気を、洗浄溶剤ノズル221、洗浄溶剤供給バルブ222、洗浄溶剤供給ライン223、排出バルブ224、排出ライン502および排出ライン501を経て除害装置600により処理する。最後に、バブラータンク210を真空引きする。この工程、すなわち、アセトニトリルの導入、排液および真空引きを繰り返すことによって、亜鉛アセチルアセトネートを含むバブラータンク210中の残留洗浄溶剤が除去される。第5の工程アセトニトリルでぬれたバブラータンク210を、この工程において窒素で乾燥する。窒素256を、窒素入口ライン257、窒素入口バルブ258、アルゴン入口ライン254、アルゴン入口バルブ255およびスパージャ253を経てバブラータンク210に導入する。次に、窒素256が洗浄溶剤ノズル221、洗浄溶剤供給バルブ222、洗浄溶剤供給ライン223、排出バルブ224、排出ライン502、排出ライン501および真空ポンプ500を経て、除害装置600に送られる。バブラータンク210が乾燥するまで窒素パージを続ける。窒素パージ中に熱、真空または両方を用いることによって乾燥時間を短縮することができる。液面が下がった場合、バブラータンクなどの供給タンク210に大きい貯蔵タンク図1、110からDEZnが補給される。したがって、DEZnからの分解化合物212の供給タンク210内での析出が徐々に起こる。しかしながら、供給タンク210を取り外すことは、化学物質を補給するために貯蔵タンク図1、110を取り外すことほど容易ではない。したがって、取り外しの必要のない供給タンク210の開示した洗浄方法は、産業上重要である。開示された洗浄溶剤311は、腐食性でも、DEZnと反応性でもない。さらに、洗浄溶剤ノズル221および液体を排液する前のスパージャ253からの窒素バブリングの作用によって、広く析出した分解化合物212を有するバブラータンク210が効果的に洗浄される。例7:管の洗浄開示された洗浄溶剤を用いて管洗浄試験を実施して、どれほどの亜鉛粒子が実際の供給管から除去されるかを測定した。洗浄試験設備を図10に示す。該設備は、アセトニトリル351用タンク350、洗浄溶剤311用タンク310、ドレインタンク700、ポンプ500、除害装置600、流量調節器702、圧力センサー703、およびそれぞれ数字で示したバルブを備えていた。洗浄溶剤311は、4体積のアセチルアセトンacacH、4体積のトリエチルアミンおよび92体積のアセトニトリルからなっている。洗浄対象管70113mm、SS316LEP上に析出した亜鉛粒子は、100μlのDEZnを導入した後、空気に一夜曝露することにより調製した。亜鉛粒子中のZnの推定量は、約62.19mgである。この推定値は、ICP-MSにより求めた。以下の洗浄工程に従い、また特に断らない限り、すべてのバルブが閉じられている。1.洗浄溶剤の導入対象管701を真空引きするV16開→V15開→ポンプ500オン→V6開→V14開→V3開→V2開洗浄溶剤の導入V13開→V7開→V8開→V9開→V2開2.洗浄溶剤による浸漬洗浄溶剤を管701中で30分間保存した。3.洗浄溶剤の除去洗浄溶剤の排液V13開→V1開→V16開→V15開→V5開→V4開→V3開→V2開4.アセトニトリルの導入対象管701を真空引きするV16開→V15開→ポンプ500オン→V6開→V14開→V3開→V2開アセトニトリルの導入V13開→V10開→V11開→V12開→V2開5.アセトニトリルの除去アセトニトリルの排液V13開→V1開→V16開→V15開→V5開→V4開→V3開→V2開6.窒素パージ窒素パージにより対象管701を乾燥するV13開→V1開→V16開→V15開→V6開→V3開→V2開以下の手順を用いて対象管701から亜鉛粒子を除去した。工程1から3を5回繰り返した1→2→3。次に、工程4および5を5回繰り返した。最後に、対象管701を窒素により30分間乾燥した。図11は、洗浄の前および後の対象管701およびバルブV2ならびにV3の写真である。バルブV6により近いバルブV3の側以後V3outを除いて、洗浄前に管701およびバルブに多くの亜鉛粒子が存在していた。洗浄後に亜鉛粒子が十分に除去され、部品のステンレス鋼の光沢が戻った。洗浄後に管中に残存した亜鉛は、ICP-MSにより測定した。結果は、0.13mgであった。亜鉛除去率は、99.8[62.19-0.13/62.19100]であった。参照として、対象管701をアセトニトリルのみにより洗浄して、洗浄溶剤の結果と比較した。手順は次のとおりである:工程4および5を5回繰り返した。次に、対象管701を窒素により30分間乾燥した。図12は、アセトニトリル洗浄のみの後の対象管701およびバルブV2ならびにV3の写真である。亜鉛粒子は十分に除去されず、これらの部品のステンレス鋼の光沢は、開示された洗浄溶剤を用いて得られた結果と同様には戻らなかった。洗浄後に管中に残存した亜鉛の量は、ICP-MSにより測定した。結果は、22.24mgであった。アセトニトリル洗浄のみによる亜鉛除去率は、64.2[62.19-22.24/62.19100]であった。洗浄溶剤4体積のアセチルアセトンacacH、4体積のトリエチルアミンおよび92体積のアセトニトリルは、実際の供給管中のZn粒子を十分に除去した。洗浄溶剤および洗浄方法の効果は、アセトニトリル洗浄のみの結果との比較によって明らかである。この実験により、アセトニトリルのみによる洗浄ではZn錯体は溶解せず、したがって、Zn粒子を十分に除去されないため、開示された洗浄溶剤がZn粒子を効果的に除去することがわかる。例8:バブラーの洗浄開示された洗浄溶剤を用いてバブラー洗浄試験を実施して、どれほどの亜鉛粒子が除去されるかを測定した。洗浄試験設備を図13に示す。この設備は、アセトニトリル351用タンク350、洗浄溶剤311用タンク310、ドレインタンク700、ポンプ500、除害装置600、2つの流量調節器702、圧力センサー703、およびそれぞれ数字で示したバルブを備えていた。洗浄溶剤は、4体積のアセチルアセトンacacH、4体積のトリエチルアミンおよび92体積のアセトニトリルからなっている。洗浄対象バブラー704100mL、SS316L上の亜鉛粒子は、DEZnの導入100μL、次に空気への一夜の曝露により調製した。亜鉛粒子中のZnの量の推定値は、約62.19mgである。この実験に用いたバブラー704の構造を図9に示す。このバブラー704は、底部の中心に向かう傾斜を有する特徴的な底部を有し、底部の中心にドレインポートを有する。この構造により、バブラー704中の液体は、残存するZn粒子とともに排液するのが容易である。このバブラー704は、容易に洗浄されるように設計された。しかしながら、開示した方法は、当技術分野で公知の他のバブラーに対しても効果的に用いることができる。以下の洗浄工程に従い、また特に断らない限り、すべてのバルブが閉じられている。1.洗浄溶剤の導入対象バブラー704を真空引きするV16開→V15開→ポンプ500オン→V6開→V14開→V18開→V17開洗浄溶剤の導入V13開→V7開→V8開→V9開→V17開2.洗浄溶剤による浸漬洗浄溶剤をバブラー704中で30分間保存した。3.洗浄溶剤の除去洗浄溶剤の排液V13開→V1開→V16開→V15開→V5開→V4開→V17開→V3開4.アセトニトリルの導入バブラー704を真空引きするV16開→V15開→ポンプ500オン→V6開→V14開→V18開→V17開アセトニトリルの導入V13開→V10開→V11開→V12開→V17開5.アセトニトリルの除去アセトニトリルの排液V13開→V1開→V16開→V15開→V5開→V4開→V17開→V3開6.窒素パージ窒素パージにより対象バブラー704を乾燥するV13開→V1開→V16開→V15開→V6開→V17開→V18開→V2開→V3開以下の手順を用いて、対象バブラー704から亜鉛粒子を除去した。洗浄溶剤パージ工程を5回繰り返した1→2→3。次に、アセトニトリルパージ工程を5回繰り返した4→5。最後に、対象バブラー704を窒素により30分間乾燥した6。図14に示すように、洗浄前に多くの亜鉛粒子がバブラー704、スパージャの末端1、バブラー出口2およびドレインライン3に存在した。洗浄後に亜鉛粒子が十分に除去され、これらの部品のステンレス鋼の光沢が戻った。亜鉛粒子は、顕微鏡観察により確認することができなかった。洗浄後にバブラー704中に残存した亜鉛の量は、ICP-MSにより測定した。結果は、0.27mgであった。除去率は、99.6[62.19-0.27/62.19100]であった。参照として、亜鉛粒子を有する対象バブラー704をアセトニトリルのみにより洗浄して、洗浄溶剤4体積のアセチルアセトンacacH、4体積のトリエチルアミンおよび92体積のアセトニトリルが液体導入、真空引き、および窒素パージなどの物理的洗浄作用の助けなしにどの程度亜鉛粒子を除去するかを確認した。アセトニトリルパージを5回繰り返した4→5。最後に、対象バブラーを窒素により30分間乾燥した6。図15に示すように、洗浄前に多くの亜鉛粒子がバブラー704、スパージャの端部1、バブラー出口2およびドレインライン3に存在した。しかしながら、革新的な洗浄溶剤の結果と比較して洗浄後に亜鉛粒子が十分に除去されず、これらの部品のステンレス鋼の光沢が戻らなかった。アセトニトリル洗浄後にバブラー中に残存した亜鉛の量は、ICP-MSにより測定した。結果は、48.46mgであった。除去率は、22.1[62.19-48.46/62.19100]であった。この実験で示されたように、開示した洗浄溶剤、方法およびバブラー構造は、バブラー中のZn粒子を除去するのに明らかに有効であった。本発明の性質を説明するために本明細書で述べ、例示した詳細、材料、工程および部品の配置の多くのさらなる変更が添付の特許請求の範囲で表明する本発明の原理および範囲内で当業者によってなされ得ることは理解されるであろう。したがって、本発明は、上で示した実施例および/または添付図面における特定の態様に限定されるものでない。