"化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型レジストパターンを形成させる方法において、レジストパターンを太らせることによってパターンを微細化するために用いられる微細パターン形成用組成物であって、繰り返し単位中にのいずれかの構造を含むポリマーと、溶剤とを含んでなることを特徴とする組成物。前記ポリマーが、前記構造BまたはCを含むものである、請求項1に記載の組成物。酸をさらに含んでなる、請求項1または2に記載の組成物。前記溶剤が水を含むことでなる、請求項1~3のいずれか1項に記載の組成物。界面活性剤をさらに含んでなる、請求項1~4のいずれか1項に記載の組成物。半導体基板上に化学増幅型フォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト層を形成する工程、前記フォトレジスト層で被覆された前記半導体基板を露光する工程、前記露光後に有機溶剤現像液で現像する工程、前記フォトレジストパターンの表面に、繰り返し単位中にのいずれかの構造を含むポリマーと、溶剤とを含んでなる微細パターン形成用組成物を塗布する工程、塗布済みのフォトレジストパターンを加熱する工程、および過剰の微細パターン形成用組成物洗浄して除去する工程を含んでなることを特徴とする微細化されたネガ型レジストパターンの形成方法。前記フォトレジスト組成物が、光酸発生剤をさらに含んでなる、請求項6に記載の微細化されたネガ型レジストパターンの形成方法。しかしながら、ポジ型フォトレジスト組成物と有機溶剤現像液との組み合わせによるネガ型レジストパターンに対して従来の方法によってパターンの微細化を試みても、十分な結果を得られない場合があった。具体的には、レジストの表面荒れやブリッジ欠陥もしくは未解像などの不具合が生じることがあった。ポジ型フォトレジストを用いてパターンを形成させようとする場合には、まず光照射されることによって酸が発生する光酸発生剤、および酸によって反応を起こし、アルカリ性現像液に対する溶解度が上がる樹脂を含む組成物を塗布してフォトレジスト層を形成させ、それに像様に光照射する。光照射された部分では光酸発生剤から酸が放出され、それにより光照射された箇所のフォトレジスト層は酸が多く発生し、アルカリ可溶化する。露光後のフォトレジストがアルカリ性現像液で現像される場合には、そのようなアルカリ可溶化された部分がアルカリ水溶液によって除去される。しかし、有機溶剤現像液によって現像される場合には、未露光部分、すなわち酸が放出されていない部分が除去され、現像後のパターン中には酸が多く存在している。このようなパターンに対して従来知られている微細パターン形成用組成物を適用すると、架橋反応が激しく起こったり、パターンに微細パターン形成用組成物が浸透する量が過剰になったりすることなどから、塗布ムラや表面荒れ、未解像などの不具合が発生する傾向にある。これは、ポジ型フォトレジスト組成物と有機溶剤現像液との組み合わせによるネガ型レジストパターンに対して有効とされる架橋層形成材料でも同様に起こることが、本発明者の詳細な試験により判明している。さらに、従来の微細パターン形成用組成物は1級アミンなどの塩基性物質を含むことが多く、一般に組成物は塩基性である。このため、酸を多く含むパターンを溶解してしまうことも多い。この結果、表面荒れやブリッジ欠陥もしくは未解像などの不具合が生じるものと考えられる。本発明は上記のような課題に鑑みて、化学増幅型ポジ型フォトレジストを有機溶剤現像液を用いて現像することで形成されたネガ型レジストパターンを被覆し、パターンを太らせることで、微細パターンを安定的に形成することができる組成物とそれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とするものである。本発明による微細パターン形成用組成物は、化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型レジストパターンを形成させる方法において、レジストパターンを太らせることによってパターンを微細化するために用いられるものであって、繰り返し単位中に、のいずれかの構造を含むポリマーと、溶剤とを含んでなることを特徴とするものである。また、本発明によるネガ型レジストパターンの形成方法は、半導体基板上に化学増幅型フォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト層を形成する工程、前記フォトレジスト層で被覆された前記半導体基板を露光する工程、前記露光後に有機溶剤現像液で現像してフォトレジストパターンを形成する工程、前記フォトレジストパターンの表面に、繰り返し単位中に、のいずれかの構造を含むポリマーと、溶剤とを含んでなる微細パターン形成用組成物を塗布する工程、塗布済みのフォトレジストパターンを加熱する工程、および過剰の微細パターン形成用組成物を洗浄して除去する工程を含んでなることを特徴とするものである。本発明によれば、表面荒れ、ブリッジ欠陥、または未解像などの不具合が無い、微細なネガ型フォトレジストパターンを得ることができる。以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明すると以下の通りである。微細パターン形成用組成物本発明による微細パターン形成用組成物は、特定の構造を含むポリマーと溶剤とを含んでなる。本発明においてもちいられる、特定の構造を含むポリマーは、繰り返し単位中にのいずれかの構造を含むものである。このようなポリマーを含む微細パターン形成用組成物は、本プロセス下において反応性の高い窒素-水素結合が無いアミン、反応性が著しく乏しいアミド基含有ポリマーを含んで成るため、有機溶剤現像液で現像した後のパターンに接触させると、ポリマーがレジストパターンに浸透intermixするか、ポリマーを含む微細パターン形成用組成物がレジストパターン表面に付着することなどが起こり、レジストパターンが太り、パターンが微細化される。そして、そのポリマーは特定の構造を含むことによって適度の塩基性を示し、フォトレジストパターン内の樹脂等に含まれるヒドロキシル基等との過度な反応などが抑制され、表面荒れなどの問題を改善するものと考えられる。ここで本発明において用いられるポリマーに含まれる特定の構造のうち、Aで表される構造は、窒素原子に3つの炭素原子が単結合により結合しているものである。一般的にこのような構造を含むものとしては3級アミンなどが挙げられる。また、Aで表される構造は窒素原子に結合している炭素は、炭化水素鎖を介して相互に結合し、環状構造であってもよい。この環状構造は、環を構成する原子間に不飽和結合を含んでもよく、また環を構成する炭素原子が、酸素原子または他の窒素原子に置換されて複素環を構成していてもよい。このような構造は、例えばN,N-ジメチルビニルアミン、N,N-ジメチルアリルアミン、N-ビニルピロリドン、N-ビニルカプロラクタムなどを重合させて得られるポリマーにも含まれている。また、Bで表される構造は、窒素原子に一つの炭素原子が単結合で、他の炭素原子が二重結合で結合しているものである、このような構造は、鎖状炭化水素の間に存在してもよいし、複素環に含まれるものであってもよい。この複素環は、Bに含まれる不飽和結合とは別の不飽和結合を含んでいてもよい。このような構造を含む複素環としては、イミダゾール環、オキサゾール環、ピリジン環、またはビピリジン環などが挙げられる。これらのうち、イミダゾール環、またはオキサゾール環を含むものが好ましく、イミダゾール環を含むものが塗布性に優れ、パターン縮小効果が大きいので特に好ましい。また、Cで表される構造は、窒素原子に水素および一つの炭素原子が単結合で結合し、さらにカルボニル基が結合したものである。このような構造はアミド結合に含まれるものである。このような化合物としては、下記一般式C-1で示されるものが好ましい。式中、R1は水素または炭素数1~10の炭化水素基であり、R2は単結合または炭素数1~10の炭化水素基であり、R1とR2は相互に結合して環状構造を形成することもできる。すなわち、アミド結合はポリマー主鎖の側鎖として結合している鎖状の炭化水素基の中間または末端に存在しても、側鎖として結合しているラクタム環などに含まれていてもよい。本発明に用いられる特定構造を含むポリマーは、前記の構造A~Cのいずれかを繰り返し単位に含むものである。これらの構造は、適用するレジストパターンの種類やポリマーの入手容易性などの観点から適切に選択されるが、これらのうち、塗布性およびパターン縮小量において有利な結果が得られるので、構造BまたはCを繰り返し単位に含むものが好ましい。本発明による微細パターン形成用組成物に用いることができるポリマーは、上記のような置換基を有するモノマーを重合単位として有するものである。そのようなモノマーとしては、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルカプロラクタム、N,N-ジアルキルアリルアミン、N-アルキルピロリンなどが挙げられる。また、これらのモノマーに対して、本発明の範囲を損なわない範囲で前記の特定の構造を含まないモノマーを組み合わせて製造したコポリマーも、本発明による微細パターン形成用組成物に用いることができる。例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリビニルアルコールなどを共重合単位として含むコポリマーが挙げられる。なお、本発明の範囲を損なわない範囲で、1級アミン構造、あるいは2級アミン構造を含むモノマーを重合単位とすることもできる。ただし、このような重合単位が多すぎると、フォトレジスト中の樹脂とポリマーとの親和性が適当に保たれず、本発明による効果が発現しないことがある。これは、ポリマーそのものの塩基性が高いことに起因していると予想されたが、驚くべきことに例えば組成物のpHを調整することなどでは解決できない。このような観点から、1級アミン構造、あるいは2級アミン構造を含む繰り返し単位は、ポリマーを構成する重合体単位の40モル以下であることが好ましく、30モル以下であることがより好ましい。また、本発明において用いられる、特定の構造を有するポリマーの分子量は特に限定されないが、重量平均分子量が一般に3,000~200,000、好ましくは5,000~150,000の範囲から選択される。なお、本発明において重量平均分子量とは、ゲル透過クロマトグラフィを用いて測定した、ポリスチレン換算平均重量分子量をいう。また、溶剤としては一般的に水が用いられる。用いられる水としては、蒸留、イオン交換処理、フィルター処理、各種吸着処理等により、有機不純物、金属イオン等が除去されたもの、特に純水が好ましい。また、濡れ性などを改良するために少量の有機溶剤を共溶剤として用いてもよい。このような溶剤としてはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、乳酸エチル、酢酸エチル等のエステル等が挙げられる。ここで溶剤は、その組成物が塗布されるレジスト膜を溶解または変性させないものから選択されるべきである。本発明による微細パターン形成用組成物は、前記した通りの特定の構造を含むポリマーを含むものであるが、ポリマーの濃度は対象となるレジストパターンの種類やサイズ、目的とするパターンサイズなどに応じて任意に選択することができる。しかし、前記の特定の構造を含むポリマーの濃度は組成物の全重量を基準として、一般に0.1~10重量、好ましくは1.0~7.0重量とされる。また、本発明による微細パターン形成用組成物は、酸を更に含んでもよい。酸の種類はレジストパターンに悪影響を与えないものであれば特に限定されず、無機酸および有機酸から選択することができる。具体的には、有機酸として、酢酸、マロン酸、クエン酸、グリシン、グルタミン酸、p-トルエンスルホン酸、またはカンファスルホン酸など、無機酸として、塩酸、硫酸、または硝酸などを用いることができる。微細パターン形成用組成物を用いてパターンの微細化を行った場合、フォトレジストパターン表面が荒れることがあるが、組成物に酸を含ませることによってその表面荒れが改善されることがある。しかしながら酸の添加量が過剰であると塗布性並びにパターン太り量の低下がみられることもある。通常組成物中の前記特定の構造を含むポリマーの全重量を基準として、一般に0.5~50重量、好ましくは2.5~30重量である。また、微細パターン形成用組成物のpHは、一般にpHは2以上11以下が好ましく、更に好ましくは3以上10以下である。pHが2未満または11を超えると、フォトレジストパターンの溶解などが起きることがあり、フォトレジストレジストパターンの表面が荒れてしまうことがあるので、pHは適切に調製することが好ましい。本発明による微細パターン形成用組成物は、必要に応じてその他の添加剤を含むこともできる。このような添加剤としては、界面活性剤、殺菌剤、抗菌剤、防腐剤、および防カビ剤が挙げられる。これらのうち、組成物の塗布性の観点から組成物は界面活性剤を含むことが好ましい。これらの添加剤は原則的に微細パターン形成用組成物の性能には影響を与えないものであり、通常組成物の全重量を基準として1以下、好ましくは0.1以下、また好ましくは0.001以下の含有量とされる。なお、界面活性剤の用いずにレジストパターンの表面を前処理してから微細パターン形成用組成物を塗布することによって、塗布性改良の効果を得ることもできる詳細後記。パターン形成方法次に、本発明による微細なレジストパターンの形成方法について説明する。本発明の微細パターン形成用組成物が適用される代表的なパターン形成方法をあげると、次のような方法が挙げられる。まず、必要に応じて前処理された、シリコン基板等の基板の表面に化学増幅型フォトレジストをスピンコート法など従来から公知の塗布法により塗布して、化学増幅型フォトレジスト層を形成させる。化学増幅型フォトレジストの塗布に先立ち、反射防止膜を基板表面に形成させてもよい。このような反射防止膜により断面形状および露光マージンを改善することができる。本発明のパターン形成方法には、従来知られている何れの化学増幅型フォトレジストを用いることができる。化学増幅型フォトレジストは、紫外線などの光の照射により酸を発生させ、この酸の触媒作用による化学変化により光照射部分のアルカリ現像液に対する溶解性を上げてパターンを形成するもので、例えば、光照射により酸を発生させる酸発生化合物と、酸の存在下に分解しフェノール性水酸基或いはカルボキシル基のようなアルカリ可溶性基が生成される酸感応性基含有樹脂からなるもの、アルカリ可溶樹脂と架橋剤、酸発生剤からなるものが挙げられる。本発明においては、有機溶剤現像液を用いて、アルカリ可溶性基が生成されていない箇所を除去する方法によって形成された、フォトレジストパターンを使用している。そのため、通常のアルカリ性現像液で現像した場合にはポジ型として機能する化学増幅型フォトレジストを用いて、露光部分がパターンとして残るネガ型フォトレジストパターンを形成している。基板上に形成された化学増幅型フォトレジスト層は、必要に応じて、例えばホットプレート上でプリベークされて化学増幅型フォトレジスト中の溶剤が除去され、厚さが通常50nm~500nm程度のフォトレジスト膜とされる。プリベーク温度は、用いる溶剤或いは化学増幅型フォトレジストにより異なるが、通常50~200°C、好ましくは70~150°C程度の温度で行われる。フォトレジスト膜はその後、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、超高圧水銀ランプ、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、軟X線照射装置、電子線描画装置など公知の照射装置を用い、必要に応じマスクを介して露光が行われる。露光後、必要に応じベーキングを行った後、例えばパドル現像などの方法で現像が行われ、レジストパターンが形成される。本発明ではレジストの現像は、有機溶剤現像液を用いて行われる。有機溶剤現像液は、露光によってアルカリ水溶液に可溶化したフォトレジスト膜部分を溶解させず、露光されていない、アルカリ水溶液に不溶なフォトレジスト膜部分を溶解させる効果があるものならば任意のものを用いることができる。一般に、アルカリ水溶液に不溶なフォトレジスト膜部分は有機溶剤に溶解しやすいため、比較的広い範囲から有機溶剤現像液を選択することができる。使用し得る有機溶剤現像液として使用できる有機溶剤は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤から選択することができる。ケトン系溶剤としては、1-オクタノン、2-オクタノン、2-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトフェノン等を挙げることができる。エステル系溶剤としては、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸イソプロピル、n-酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤を挙げることができる。アルコール系溶剤としては、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール等のアルコールや、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。エーテル系溶剤としては、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジ-n-プロピルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等が使用できる。炭化水素系溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。なお、これらの有機溶剤は2種類以上を組み合わせて用いることができ、また本発明の効果を損なわない範囲で、水などの無機溶剤を組み合わせて用いることもできる。現像処理後、リンス液を用いてレジストパターンのリンス洗浄が行われることが好ましい。本発明においてのリンス工程では、アルカン系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄することが好ましい。現像後のリンス工程で用いられるリンス液としては、例えば、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、ベンジルアルコールなどが挙げられる。これらの溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。リンス液中の含水率は、好ましくは10質量以下、より好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。リンス液には、界面活性剤を適当量さらに添加して使用することもできる。引き続き、本発明による微細パターン形成用組成物を適用してパターンの微細化を行うが、それに先立って、レジストパターンの表面に、レジストパターンを溶解しない水や有機溶剤を塗布することができる。このような処理によって、組成物の塗布性を改良し、組成物を均一に塗布することができる。すなわち、組成物に界面活性剤等の塗布性を改良するための添加剤を用いずに、塗布性を改良することができる。このような処理はプリウエット処理と呼ばれることがある。次いで、このレジストパターンを覆うように本発明による微細パターン形成用組成物を塗布し、レジストパターンと微細パターン形成用組成物との相互作用によって、レジストパターンを太らせる。ここで起こる相互作用は、ポリマーがレジストへ浸透したり、付着したりすることであると考えられ、それによってレジストパターンが太るものと考えられる。すなわちレジストパターンの表面のうち、形成された溝や孔の内壁に本発明による微細パターン形成組成物が浸透または付着などしてパターンが太り、その結果レジストパターン間の幅が狭まり、レジストパターンのピッチサイズまたはホール開口サイズを実効的に限界解像以下に微細化することが可能となる。本発明によるパターン形成方法において、微細パターン形成用組成物を塗布する方法は、例えばフォトレジスト樹脂組成物を塗布する際に従来から使用されている、スピンコート法などの任意の方法を用いることができる。微細パターン形成用組成物が塗布された後のレジストパターンは、必要に応じプリベークされる。プリベークは、一定の温度で加熱することにより行っても、段階的に温度を昇温させながら加熱することによって行ってもよい。微細パターン形成用組成物を塗布した後の加熱処理の条件は、例えば40~200°C、好ましくは80~160°C、の温度、10~300秒、好ましくは30~120秒程度である。このような加熱は、ポリマーのレジストパターンへの浸透や付着を促進するものである。微細パターン形成用組成物の塗布および加熱後に、レジストパターンは太り、レジストパターンのライン幅は太くなり、ホールパターンの孔径は小さくなる。このような寸法の変化量は、加熱処理の温度と時間、使用するフォトレジスト樹脂組成物の種類などに応じて適宜調整することができる。したがって、レジストパターンをどの程度まで微細化させるか、言い換えればレジストパターンのライン幅をどの程度広げ、ホールパターンの孔径をどの程度小さくすることが必要とされるかにより、これら諸条件を設定すればよい。しかし、レジストパターンの寸法変化量は微細パターン形成用組成物の適用の前後の差が、5~30nmとするのが一般的である。レジストパターンを実質的に微細化させた後、レジストに対して作用しなかった過剰の微細パターン形成用組成物を、必要に応じて水や溶剤によりリンス処理して除去することができる。このようなリンス処理のために用いられる水または溶剤としては、レジストパターンに浸透または付着した微細パターン形成組成物に対しては溶解性が低く、浸透していないまたは付着していない過剰の組成物に対しては溶解性が高いものが選択される。より好ましいのは、微細パターン形成用組成物に用いられている溶剤、特に純水をリンス処理に用いることが好ましい。このようにして得られたレジストパターンは、現像直後のレジストパターンが微細パターン形成用組成物の作用によってパターンの寸法が変化し、実質的に微細化されている。そして、本発明による微細化パターン形成用組成物を用いて製造されたレジストパターンは半導体素子の製造に当たって、より微細なパターンを有する半導体素子等の製造に有用なものである。本発明を諸例を用いて説明すると以下の通りである。レジストパターン形成例1スピンコーター東京エレクトロン株式会社製にて、下層反射防止膜AZArF-1C5D商品名、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製を8インチシリコンウェハーに塗布し、200°Cにて、60秒間ベークを行い、膜厚37nmの反射防止膜を得た。その上に感光性樹脂組成物AZAX2110P商品名、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製を、110°Cにて60秒間ベークを行い120nmの膜厚を得た。得られたウエハーをArF線193nmの露光波長を有する露光装置株式会社ニコン製を用いて、マスクライン/スペース=1/1を用いて、1回目のパターン露光を行った。次に、同マスクを、1回目の露光と直交する方向に回転し、2回目の露光を行った。その後110°Cにて、60秒間ベークした後、2-ヘプタノンにて30秒間現像処理ネガ型現像を行い、ピッチ160nm、ホールサイズ80nmのレジストパターンを得た。微細パターン形成用組成物の調製微細パターン形成用組成物に用いるポリマーとして以下のものを準備した。これらのポリマーを純水に溶解させて各種の微細パターン形成用組成物を調製した。必要に応じて、酸または界面活性剤も添加した。それぞれの組成物に含まれる成分およびその含有量は表1に示された通りであった。調製された組成物をレジストパターン1にスピンコーターを用いて塗布し、120°Cで60秒間加熱したのち、純水によって洗浄し、乾燥した。得られたホールパターンの寸法を測定し、微細パターン形成用組成物によるホールパターンの縮小量を測定した。また、現像後のパターン表面を目視または走査型電子顕微鏡によって評価した。得られた結果は表1に示す通りであった。なお、微細パターン表面の評価基準は以下の通りである。A:レジストパターン表面に目視により色ムラが確認できず、SEMによる観察でも元のフォトレジストパターン表面に比べて処理後のレジストパターン表面が荒れておらず、非常に良好な状態。B:レジストパターン表面に目視により色ムラが確認できるが、SEMによる観察では元のフォトレジストパターン表面に比べて処理後のレジストパターン表面が荒れておらず、良好な状態。C:レジストパターン表面に目視により色ムラが確認され、SEMによる観察でも処理後のレジストパターン表面が元のフォトレジストパターン表面に比べわずかに荒れているが、実用上問題ない状態。D:レジストパターン表面に目視により色ムラや白濁化が確認され、SEMによる観察でも処理後のレジストパターン表面が元のフォトレジストパターンに比べ著しく荒れていて、一部ホールパターンが閉塞しており、実用不能な状態。1:PTSp-トルエンスルホン酸2:EL乳酸エチル3:PGMEプロピレングリコールモノメチルエーテル4:MEUN-メトキシメチルメトキシエチレン尿素5:プロピレングリコールモノメチルエーテル6:N/A測定不能"