"真空蒸着室と、この真空蒸着室内に設けられた蒸着源と、上記真空蒸着室内に蒸着用のテープ状基材を供給するための基材供給手段と、上記蒸着源に関連して設けられ、蒸着源から蒸散する蒸着材料を上記テープ状基材の被蒸着面に対して放出する放出口と、蒸着後のテープ状基材を回収するための基材巻取り手段と、上記真空蒸着室内におけるテープ状基材の蒸着位置を、上記蒸着源の放出口に対して所定の距離に保持するための基材支持手段とを備え、上記蒸着源の放出口に、蒸着材料の放出量を規制して上記テープ状基材の被蒸着面に基材幅方向に均一な膜厚の蒸着膜を形成するための遮蔽マスクが、交換可能に装着されていることを特徴とする蒸着装置。上記遮蔽マスクが、同一の開口パターンを有する遮蔽マスク材を、その開口を揃えた状態で複数枚重ねて形成されているとともに、これら各遮蔽マスク材が一枚ずつ除去可能になっており、この除去により順次新しい遮蔽マスク材が使用されるようになっている請求項1記載の蒸着装置。上記蒸着位置における蒸着源の放出口とテープ状基材の被蒸着面との間の距離が、1~15mmである請求項1または2記載の蒸着装置。上記筒状蒸着源の放出口近傍と上記遮蔽マスクとを加熱するための加熱手段を備える請求項1~3のいずれか一項に記載の蒸着装置。しかしながら、上記のような、テープ状基材を走行させながら蒸着膜薄膜を連続形成する方法は、蒸着による付着堆積速度蒸着レートを上げるために、基材と蒸着源との間の距離を200~400mm程度と広めに設定する従来のバッチ式蒸着法に比べ、上記テープ状基材を各蒸着源に接近させ、その放出口から蒸着材料を放出させて蒸着を行っている。このため、上記連続法で形成された蒸着膜は、テープ状基材の幅方向で厚さ膜厚がばらつき、均一な性能を得られない場合があり、その改善が望まれている。本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、テープ状基材の表面に、基材の幅方向に厚みの揃った均一な薄膜を、連続して効率的に形成することのできる蒸着装置の提供をその目的とする。上記の目的を達成するため、本発明の蒸着装置は、真空蒸着室と、この真空蒸着室内に設けられた蒸着源と、上記真空蒸着室内に蒸着用のテープ状基材を供給するための基材供給手段と、上記蒸着源に関連して設けられ、蒸着源から蒸散する蒸着材料を上記テープ状基材の被蒸着面に対して放出する放出口と、蒸着後のテープ状基材を回収するための基材巻取り手段と、上記真空蒸着室内におけるテープ状基材の蒸着位置を、上記蒸着源の放出口に対して所定の距離に保持するための基材支持手段とを備え、上記蒸着源の放出口に、蒸着材料の放出量を規制して上記テープ状基材の被蒸着面に基材幅方向に均一な膜厚の蒸着膜を形成するための遮蔽マスクが、交換可能に装着されているという構成をとる。すなわち、本発明者は、前記蒸着膜厚の基材幅方向のばらつきの原因は、基材を蒸着源に近接させて行う高速成膜に起因して、蒸着源の放出口付近における蒸着材料の蒸気の濃度差濃淡が、そのまま基材に転写されているためではないかと考えた。そして、上記蒸着材料の蒸気の濃度差を緩和するために、蒸着源の放出口に、蒸着材料の蒸気を部分的に遮るマスクを取り付け、放出口の開口放出パターンを最適化することを着想した。しかしながら、上記放出口に取り付けた遮蔽マスクには、上記蒸着材料が付着して早期に汚れ、その開口パターンが変化してしまう傾向がみられた。そこで、本発明者はさらに工夫を重ね、この遮蔽マスクを、汚れた場合でも簡単に取り外しできる交換式として上記放出口に装着すれば、基材の幅方向に厚みの揃った均一な薄膜を連続して成膜できることを見出し、本発明に到達した。本発明の蒸着装置は、テープ状基材を真空蒸着室内で走行させながら連続で蒸着を行う、ロールトゥロールプロセスの蒸着装置であって、上記テープ状基材の被蒸着面に面して設けられた蒸着源の放出口に、この被蒸着面に対する蒸着材料の付着量を基材幅方向に均一にするための所定形状の遮蔽マスクが、交換可能に装着されている。そのため、この蒸着装置は、上記テープ状基材の表面に、基材幅方向に厚みの揃った蒸着膜を、高速で成膜することができる。しかも、上記遮蔽マスクが蒸着材料等により汚れた場合でも、この汚れた遮蔽マスクを取り外して交換することにより、上記均一な付着量の状態に、最少の待機時間ブランクで復帰させることが可能である。これにより、本発明の蒸着装置は、テープ状基材の幅方向に厚みの揃った高品質な薄膜を、ロスなく高効率で連続して形成することができる。そして、上記薄膜を有するテープ状基材の製造コストを、低減することができる。また、本発明の蒸着装置のなかでも、上記遮蔽マスクが、同一の開口パターンを有する遮蔽マスク材を、その開口を揃えた状態で複数枚重ねて形成されているとともに、これら各遮蔽マスク材が一枚ずつ除去可能になっており、この除去により順次新しい遮蔽マスク材が使用されるようになっているものは、上記遮蔽マスクの交換作業を、より簡単に行うことが可能になる。これにより、上記薄膜の成膜過程における工程ロスを、より低減できる。さらに、本発明の蒸着装置において、上記蒸着位置における蒸着源の放出口とテープ状基材の被蒸着面との間の距離が、1~15mmになっているものは、蒸着材料の利用効率が高く、その成膜レート速度を高く設定できる。すなわち、本発明の蒸着装置は、上記放出口-基材間の蒸着距離に由来して、蒸着速度ひいてはテープ状基材の走行速度を向上させることが可能である。そのため、この蒸着装置は、基材と蒸着源との間の距離を200~400mm程度に設定する従来の蒸着法に比べ、その加工速度を飛躍的に向上させることができる。なお、この加工速度の向上は、上記遮蔽マスクの使用でテープ状基材の幅方向に厚みの揃った高品質な薄膜が形成可能になったことにより、もたらされるものである。そして、本発明の蒸着装置のなかでも、上記筒状蒸着源の放出口近傍と上記遮蔽マスクとを加熱するための加熱手段を備えるものは、蒸発した蒸着材料が、これら放出口と遮蔽マスクの近傍へ付着することが抑制される。したがって、この蒸着装置は、上記成膜した薄膜の膜厚のばらつきがより低減され、製品の歩留りが向上する。また、上記遮蔽マスクへの蒸着材料の付着が遅くなり、この遮蔽マスクの寿命交換寿命が延びる。つぎに、本発明の実施の形態を、図面にもとづいて詳しく説明する。図1aは、本発明の実施形態における蒸着装置の概略構成図であり、図1b,cは、その蒸着装置に用いられている放出口用遮蔽マスクの形状を説明する図である。なお、これらの図においては、各部材の厚みを強調して図示している。また、図中の符号11は真空蒸着室、12は真空ポンプであり、真空蒸着室11内におけるテープ状基材10の流れ方向を白抜き矢印で示す。この実施形態の蒸着装置は、長尺のテープ状基材10の表面に、有機半導体材料や有機発光材料等からなる薄膜を形成するために用いられるものである。その構成は、要約すると、図1aに示すように、真空蒸着室11の中に配置された蒸着源1と、蒸着用のテープ状基材10を供給する基材供給手段巻き出し器3と、蒸着後のテープ状基材10をロールに巻き取る基材巻取り手段巻き取り器4と、上記蒸着源1に対するテープ状基材10の蒸着位置蒸着距離を、この蒸着源1の放出口1aに対して所定の距離に保持する基材支持手段蒸着ステージ5とから構成されている。そして、上記蒸着源1の放出口1aには、図1cのように、同じ形状の複数の遮蔽マスク材2A,2B,2C,を重ねて形成された遮蔽マスク2が、交換可能に装着されている。これが、本実施形態における蒸着装置の特徴である。すなわち、本実施形態においては、テープ状基材10を一方のロール巻き出し器3から供給し、蒸着源1から所定の距離を空けた状態で走行させながら、この蒸着源1から蒸散する蒸着材料を上記テープ状基材10の表面に連続して蒸着する、ロールトゥロールプロセスの蒸着装置において、上記蒸着源1の放出口1aに、その開口の一部を塞ぐ形状例えば凸状部2xを有する遮蔽マスク2が、交換可能に取り付けられ、テープ状基材10に対する蒸着材料の付着量蒸着量が、基材幅方向に均一になるように制御されている。これにより、上記蒸着装置は、テープ状基材10の表面に、厚みの揃った蒸着膜を、高速で成膜することができる。しかも、この蒸着装置は、上記遮蔽マスク2が蒸着材料等により汚れた場合でも、汚れた遮蔽マスク材例えば2Aを取り外して、新たな遮蔽マスク材例えば、汚れていない2Bを使用することにより、上記均一な付着量の加工条件に、最少の待機時間で復帰することが可能である。そのため、本実施形態の蒸着装置は、テープ状基材10の幅方向に厚みの揃った高品質な薄膜を、ロスなく、高効率で連続して形成することができる。上記の蒸着装置の構成を、有機薄膜等を製造する場合を例に、詳しく説明する。上記テープ状基材10としては、例えばポリエチレンナフタレートPEN,ポリイミドPI等からなる樹脂フィルムや、ステンレススチールSUS等からなる金属箔が用いられ、リールあるいはロール等に巻回された状態で、図1aのように、蒸着装置の巻き出し器3基材供給手段にセットされている。また、テープ状基材10を供給する巻き出し器3と、蒸着後のテープ状基材10を回収する巻き取り器4とは、対になるように構成されており、この巻き取り器4の回転駆動により、テープ状基材10を巻き出し器3のロールから引き出し、蒸着ステージ5の上を通過させて蒸着を行った後、この巻き取り器4のロールに巻き取って回収するようになっている図1a中の白抜き矢印を参照。そして、蒸着源1は、その内部に、蒸着材料と、この蒸着材料を加熱蒸発させるための加熱器等図示省略が配置されており、図1aのように、その下面に設けられた放出口1aの開口部には、先に述べた遮蔽マスク2が、その形状を揃えた状態で複数枚重ねて装着されている。上記遮蔽マスク2について、より詳しく説明すると、図1cに示すように、遮蔽マスク2は、同じパターン形状に打ち抜き形成された金属製遮蔽マスク材を複数枚この例においては、蒸着源1の放出口1a側から2A,2B,2Cの3枚重ねて形成されており、蒸着材料等により汚れた場合に、その汚れた遮蔽マスク材を取り外して、新たな汚れていない遮蔽マスク材を使用できるようになっている。なお、遮蔽マスク2は、上記蒸着源1の放出口1aに近い遮蔽マスク材2A側から蒸着材料が付着して汚れるため、交換メンテナンスの度に、放出口1a側の遮蔽マスク材2A図中では上側から順に取り除き、その下側にある遮蔽マスク材2B,遮蔽マスク材2Cが順次使用される。また、上記各遮蔽マスク材2A,2B,2Cは、上記放出口1aの内側に突出する縁部が、図1bの拡大図に示すように、その先端に向かって尖る鋭利な形状に加工されており、上記縁部に対する蒸着材料の付着が防止されている。さらに、前記蒸着源1と上記遮蔽マスク2遮蔽マスク材2A,2B,2Cとを同時に加熱するヒーター等の加熱手段図示省略を設ければ、上記蒸着材料の放出口1a近傍および遮蔽マスク2へ付着を、より抑制することができ、好ましい。つぎに、上記各遮蔽マスク2あるいは、それを構成する各遮蔽マスク材2A,2B,2Cのうちの1枚の形状、および、それらを用いて形成される蒸着源1の放出口1aの開口パターンについて説明する。図2aおよび図3aは、本実施形態で用いられる遮蔽マスク2の形状例を示す図であり、図2b~gおよび図3b~gは、これらを一つ以上用いて形成された蒸着源1の放出口1aの開口パターン例を示す図である。なお、これらの図は、放出口1aを上から蒸着源1側から見下ろした平面図であり、その下側を通過するテープ状基材10の流れ走行方向を、白抜き矢印で表示している。まず、図2aに示す凸状の遮蔽マスク2を用いる場合について述べる。この凸状の遮蔽マスク2は、上記放出口1a内に突出してその突出部位の付着量を低減する凸状部2xと、上記放出口1aの外側に位置して蒸着源1への取り付けに用いられる取付部2zとから形成されている。そして、上記凸状の遮蔽マスク2を蒸着源1の放出口1aに取り付ける際には、蒸着材料の付着量がテープ状基材10の幅方向に均一になるように、この蒸着装置を用いて行った予備実験蒸着試験の結果や、クヌーセン余弦定理クヌーセンの余弦法則を用いたシミュレーションの結果等を考慮して、その取り付け位置と残部となる放出口1aの開口パターンが決定される。例えば、テープ状基材10の幅方向中央部付近の蒸着膜厚が両端部付近に比べて厚いすなわち、中央部付近の蒸着材料の付着量が多い際には、上記テープ状基材10の流れ方向のどちらか一方に上記凸状の遮蔽マスク2を取り付ける場合図2bまたは図2c参照や、テープ状基材10の流れ方向の両側に上記凸状の遮蔽マスク2を取り付ける場合図2d参照等がある。また、テープ状基材10の流れ向の左右幅方向の端部付近で蒸着膜厚がばらついている際には、上記テープ状基材10の流れ方向左右のどちらか一方に上記凸状の遮蔽マスク2を取り付ける場合図2eまたは図2f参照や、テープ状基材10の流れ方向左右の両側に上記凸状の遮蔽マスク2を取り付ける場合図2g参照等がある。なお、上記テープ状基材10の流れ向左右の付着量を調整する開口パターン図2e~図2gと、前記テープ状基材10の幅方向の付着量を調整する開口パターン図2b~図2dとは、組み合わせて用いることもできる。つぎに、図3aに示す凹状の遮蔽マスク2’を用いる場合について述べる。この凹状の遮蔽マスク2’は、上記放出口1a内に凹状に突出してその突出部位凹状の両側の付着量を低減する凹状部2yと、上記放出口1aの外側に位置して蒸着源1への取り付けに用いられる取付部2zとから形成されている。そして、上記凹状の遮蔽マスク2’を蒸着源1の放出口1aに取り付ける際には、前記凸状の遮蔽マスク2と同様、蒸着材料の付着量がテープ状基材10の幅方向に均一になるように、この蒸着装置を用いて行った予備実験蒸着試験の結果や、クヌーセン余弦定理クヌーセンの余弦法則を用いたシミュレーションの結果等を考慮して、その取り付け位置と残部となる放出口1aの開口パターンが決定される。例えば、テープ状基材10の幅方向中央部付近の蒸着膜厚が両端部付近に比べて薄いすなわち、中央部付近の蒸着材料の付着量が少ない際には、上記テープ状基材10の流れ方向のどちらか一方に上記凹状の遮蔽マスク2’を取り付ける場合図3bまたは図3c参照や、テープ状基材10の流れ方向の両側に上記凹状の遮蔽マスク2’を取り付ける場合図3d参照等がある。また、テープ状基材10の流れ向の左右幅方向の端部付近で蒸着膜厚がばらついている際には、上記テープ状基材10の流れ方向左右のどちらか一方に上記凹状の遮蔽マスク2’を取り付ける場合図3eまたは図3f参照や、テープ状基材10の流れ方向左右の両側に上記凹状の遮蔽マスク2’を取り付ける場合図3g参照等がある。なお、上記テープ状基材10の流れ向左右の付着量を調整する開口パターン図3e~図2gと、前記テープ状基材10の幅方向の付着量を調整する開口パターン図3b~図3dとは、組み合わせて用いることもできる。また、先に述べた凸状の遮蔽マスク2を用いるパターン図2b~図2g参照と組み合わせてもよい。つぎに、真空蒸着室11内においてテープ状基材10を支持する蒸着ステージ5基材支持手段は、図1aのように、平板状のステージ5aと、このステージ5aを昇降自在に支持する支柱5b,5bと、これらステージ5aおよび支柱5b,5bの昇降に連動して上下する送りローラ5c,5c等とからなる。そして、前記一方のロール巻き出し器3から供給されたテープ状基材10が、上記蒸着源1の放出口1aに対する距離D蒸着距離、本実施形態においては1~15mmを一定に保った状態で、このステージ5aの上面に沿って走行できるように構成されている。この基材支持手段は、上記テープ状基材10の放出口1aに対する距離蒸着距離を一定に保持できる構造であれば、その他の構成としてもよい。なお、本実施形態においては、真空蒸着室11内に一つの蒸着源1を有する蒸着装置を例に、本発明を原理的に説明したが、本発明は、例えば真空蒸着室内に複数の蒸着源が配置され、異なる種類の蒸着材料を真空一貫で蒸着する蒸着装置や、一つの工程上に隔壁で隔てられた複数の真空蒸着室と蒸着源とが連続して配設されている蒸着装置、あるいは、蒸着源が基材の下側に配置され、この基材の下面側に蒸着を行う蒸着装置等に適用することができる。また、蒸着源が基材の下側に配置された蒸着装置の場合は、蒸着源の放出口に近い、下側の遮蔽マスク材から蒸着材料が付着して汚れるため、交換メンテナンスの際は、この放出口に近い下側の遮蔽マスク材から順に取り除き、その上側にある遮蔽マスク材を順次使用することは勿論である。つぎに、上記遮蔽マスクを備えた蒸着装置を用いて行った実施例について説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。本実施例においては、前記実施形態と同様の構成の蒸着装置テクニカルインスツルメンツ社製:TIEL-600を使用して、その蒸着源の放出口に、蒸着材料の付着量を制御するための遮蔽マスクA,Bを取り付け、蒸着試験を行った。蒸着時の使用材料および加工条件を、以下に示す。[テープ状基材]ポリエチレンナフタレートPEN製フィルム幅20mm,長さ50m,厚さ125μm[蒸着材料]有機発光ダイオードOELDの電子輸送材料兼発光材料に用いられるトリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム錯体Alq3[蒸着の加工条件]真空蒸着室の真空度:105Pa103~105Pa蒸着源蒸着材料の温度:300°C250~320°C蒸着源の放出口の開口形状:縦基材流れ方向20mm,横基材幅方向20mm蒸着源の放出口とテープ状基材との距離蒸着距離:2mm1~15mm蒸着加工速度:1~20m/分上記実施例のサンプルの蒸着の前に、遮蔽マスクを取り付けない状態で、遮蔽マスクの形状を決定する基準となるブランク品を作製した。なお、以下の蒸着膜作製手順は、ブランク,実施例ともに同じである。まず、蒸着装置の巻き出し器にロール状に巻回されたテープ状基材PEN製を取り付け、その先端を加工経路に沿って巻き取り器のロールまで口出しし、準備した。その後、蒸着源の中の加温用所定位置に、蒸着材料Alq3を1gセットし、真空蒸着室チャンバーを密閉して、真空ポンプにより所定の真空度105Paまで真空排気した。所定の真空度に達した後に、蒸着源の予備シャッターを閉じた状態で、蒸着源内の蒸着材料を300°Cまで昇温させた。蒸着材料からの蒸発量が安定したと思われる段階で、テープ状基材を所定の速度で走行させ、この走行した状態で上記予備シャッターを開放し、テープ状基材の表面に、上記Alq3からなる有機薄膜を連続で成膜し、巻き取り器のロールに、ブランクとなる蒸着済みテープ状基材を回収した。[蒸着膜厚の測定]上記テープ状基材に成膜された有機薄膜の膜厚基材幅方向の膜厚分布を、触針式段差膜厚計ULVAC社製:Dektakを用いて計測した。実施例1実施例1のテープ状基材は以下のようにして作製した。まず、コンピュータを利用して、上記蒸着装置の加工条件におけるクヌーセン余弦定理クヌーセンの余弦法則を用いた付着量のシミュレーションを行い、テープ状基材の幅方向の付着量膜厚分布を予測した。そして、この予測にもとづき、その付着量のばらつき幅方向のばらつきを抑えるための遮蔽マスクAを作製した。なお、この遮蔽マスクAの形状は、前記実施形態に記載の遮蔽マスク2に類似の凸形状である図2a参照。つぎに、この凸状の遮蔽マスクAを、蒸着源の放出口の基材流れ方向上流側図2b参照に1枚取り付け、上記ブランクと同様に蒸着を行い、実施例1の蒸着済みテープ状基材を作製した。実施例2ついで、得られた実施例1の蒸着済みテープ状基材の膜厚基材幅方向の膜厚分布を、上記ブランクと同様の方法で測定した。そして、その解析結果にもとづき、上記遮蔽マスクAの形状を修正して、改良版の遮蔽マスクBを作製した。なお、この改良版の遮蔽マスクBの形状も、図2aに記載の遮蔽マスク2に類似の凸形状である。つぎに、この遮蔽マスクBを、蒸着源の放出口の基材流れ方向上流側図2b参照に1枚取り付け、上記ブランクおよび実施例1と同様に蒸着を行い、実施例2の蒸着済みテープ状基材を作製した。実施例3つぎに、上記遮蔽マスクBを、蒸着源の放出口の基材流れ方向上流側と下流側の2個所図2c参照に1枚ずつ取り付け、上記ブランクおよび実施例1,2と同様に蒸着を行い、実施例3の蒸着済みテープ状基材を作製した。[蒸着膜の膜厚分布]上記膜厚測定方法を用いて、得られた上記実施例1~3の蒸着済みテープ状基材と遮蔽マスクを使用していないブランクの蒸着済みテープ状基材の、基材幅方向の蒸着膜の膜厚分布を計測した結果を、図4のグラフ1に示す。このグラフ1は、テープ状基材幅20mmの幅方向中央の膜厚を1とした時の膜厚のばらつきa.u.を、基材幅方向中央からの距離1mmごとに示している。なお、基材幅方向の端部縁部2mmは、蒸着膜のばらつきが大きく、実質上製品として使用できないため、基材幅方向中央から±8mmより外側は、測定から除外した。[蒸着膜の有効幅]また、膜厚のばらつき誤差が、基材幅方向中央の厚さ基準に対して±3,±5,±10に収まる範囲の幅基材幅を、上記測定データの中から抽出し、テープ状基材の幅20mmに対する蒸着膜の有効幅すなわち、製品として使用できる歩留りを計算した。結果を以下の表1に示す。上記蒸着膜の膜厚分布の測定結果グラフ1から、遮蔽マスクを用いた蒸着の方が、基材幅方向の膜厚のばらつきが縮小していることがわかる。また、上記蒸着膜の有効幅の測定結果表1から、シミュレーション結果をもとに作製した遮蔽マスクAで蒸着試験を行い、そこで見られた膜厚分布の結果をもとにさらに改良補正して設計した遮蔽マスクB実施例2が、最良の結果を生み出すことがわかった。"