"ペロブスカイト型結晶を有する誘電体薄膜の原料となる金属原料のガスと、前記金属原料ガスと反応する酸化ガスとを含む混合ガスを、チャンバ内の加熱された基板に供給し、前記基板への前記金属原料ガスの供給を停止させ、前記金属原料ガスの供給の停止後、前記基板への前記酸化ガスの供給を規制する薄膜製造方法。請求項1に記載の薄膜製造方法であって、前記規制工程は、前記酸化ガスの供給を停止又は減少させ、前記薄膜製造方法は、前記酸化ガスの供給の停止又は減少に応じて、不活性ガスを前記チャンバ内に供給することをさらに具備する薄膜製造方法。請求項2に記載の薄膜製造方法であって、前記混合ガスを供給する工程は、不活性ガスを含む前記混合ガスを供給し、前記酸化ガスの供給の停止又は減少に応じて不活性ガスを供給する工程は、前記混合ガスに含まれる前記不活性ガスを供給する薄膜製造方法。請求項3に記載の薄膜製造方法であって、前記混合ガスを供給する工程は、前記金属原料ガス、前記酸化ガス、及び前記不活性ガスを混合する混合器と前記チャンバとを接続する供給経路を介して、前記混合ガスを供給し、前記不活性ガスを供給する工程は、前記混合ガスが通った前記供給経路を介して前記不活性ガスを供給する薄膜製造方法。請求項1~4のうちいずれか1項に記載の薄膜製造方法であって、前記誘電体薄膜は、PZTPbZr,TiO3であり、前記金属原料は、Pbdpm2、Pbdibm2、又はこれらのうち少なくとも一方を一部に有する材料を含む薄膜製造方法。請求項1~5のうちいずれか1項に記載の薄膜製造方法であって、前記基板は、600°C以上に加熱されている薄膜製造方法。加熱された基板が配置されるチャンバと、ペロブスカイト型結晶を有する誘電体薄膜の原料となる金属原料のガスと、前記金属原料ガスと反応する酸化ガスとを含む混合ガスを、前記チャンバ内の前記加熱された基板に供給するための供給機構と、前記基板への前記金属原料ガスの供給を停止させ、その後前記基板への前記酸化ガスの供給を規制するガス供給制御手段とを具備する薄膜製造装置。ところで上記したような誘電体薄膜の製造においては、製造される誘電体薄膜の表面ラフネスが小さいことが望ましい。誘電体薄膜の表面ラフネスが大きいと、例えば誘電体薄膜を有する強誘電体メモリが製造されるときの製造プロセス上に問題が生じるおそれがある。また例えば誘電体薄膜の電気的な特性が十分に発揮されないことも懸念される。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、表面ラフネスの小さい誘電体薄膜を製造することができる薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る薄膜製造方法は、ペロブスカイト型結晶を有する誘電体薄膜の原料となる金属原料のガスと、前記金属原料ガスと反応する酸化ガスとを含む混合ガスを、チャンバ内の加熱された基板に供給することを含む。前記基板への前記金属原料ガスの供給が停止される。前記金属原料ガスの供給の停止後、前記基板への前記酸化ガスの供給が規制される。本発明の一形態に係る薄膜製造装置は、チャンバと、供給機構と、ガス供給制御手段とを具備する。前記チャンバには、加熱された基板が配置される。前記供給機構は、ペロブスカイト型結晶を有する誘電体薄膜の原料となる金属原料のガスと、前記金属原料ガスと反応する酸化ガスとを含む混合ガスを、前記チャンバ内の前記加熱された基板に供給するためのものである。前記ガス供給制御手段は、前記基板への前記金属原料ガスの供給を停止させ、その後前記基板への前記酸化ガスの供給を規制する。本発明の一実施形態に係る薄膜製造方法は、ペロブスカイト型結晶を有する誘電体薄膜の原料となる金属原料のガスと、前記金属原料ガスと反応する酸化ガスとを含む混合ガスを、チャンバ内の加熱された基板に供給することを含む。前記基板への前記金属原料ガスの供給が停止される。前記金属原料ガスの供給の停止後、前記基板への前記酸化ガスの供給が規制される。この薄膜製造方法では、基板への金属原料ガスの供給の停止後にペロブスカイト型結晶を構成しない余分な原子と酸化ガスとが反応することを抑制することができる。これにより、余分な原子が例えば酸化物として誘電体薄膜の表面層に取り込まれることがなく、表面ラフネスの小さい誘電体薄膜を製造することができる。前記規制工程は、前記酸化ガスの供給を停止又は減少させてもよい。その場合、前記薄膜製造方法は、前記酸化ガスの供給の停止又は減少に応じて、不活性ガスを前記チャンバ内に供給することをさらに具備してもよい。この薄膜製造方法では、酸化ガスの供給の停止及び減少に応じて、チャンバ内に不活性ガスが供給される。この不活性ガスにより例えばチャンバ内の圧力調整等が可能となる。これにより複数の基板に順次誘電体薄膜が形成される場合に、効率よく成膜プロセスを進めることができる。前記混合ガスを供給する工程は、不活性ガスを含む前記混合ガスを供給してもよい。この場合、前記酸化ガスの供給の停止又は減少に応じて不活性ガスを供給する工程は、前記混合ガスに含まれる前記不活性ガスを供給してもよい。この薄膜製造方法では、誘電体薄膜の製造のために用いられる混合ガスに不活性ガスが含まれている。この不活性ガスが、酸化ガスの供給及び停止に応じて、チャンバ内に供給される。これにより不活性ガスを供給するための新たな機構が不要となり、容易に不活性ガスを供給することができる。前記混合ガスを供給する工程は、前記金属原料ガス、前記酸化ガス、及び前記不活性ガスを混合する混合器と前記チャンバとを接続する供給経路を介して、前記混合ガスを供給してもよい。この場合、前記不活性ガスを供給する工程は、前記混合ガスが通った前記供給経路を介して前記不活性ガスを供給してもよい。この薄膜製造方法では、混合ガスが通った供給経路を介して不活性ガスがチャンバ内に供給される。これにより混合ガスが供給経路に溜まってしまうことを防止することができる。この結果、安定して基板上に誘電体薄膜を形成することができる。前記誘電体薄膜は、PZTPbZr,TiO3であってもよい。この場合、前記金属原料は、Pbdpm2、Pbdibm2、又はこれらのうち少なくとも一方を一部に有する材料を含んでもよい。前記基板は、600°C以上に加熱されていてもよい。本発明の一実施形態に係る薄膜製造装置は、チャンバと、供給機構と、ガス供給制御手段とを具備する。前記チャンバには、加熱された基板が配置される。前記供給機構は、ペロブスカイト型結晶を有する誘電体薄膜の原料となる金属原料のガスと、前記金属原料ガスと反応する酸化ガスとを含む混合ガスを、前記チャンバ内の前記加熱された基板に供給するためのものである。前記ガス供給制御手段は、前記基板への前記金属原料ガスの供給を停止させ、その後前記基板への前記酸化ガスの供給を規制する。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。[薄膜製造装置]図1は、本発明の一実施形態に係る薄膜製造装置の構成例を示す模式的な図である。本実施形態の薄膜製造装置により、MOCVD法を利用した強誘電体PZTの薄膜の製造が可能となる。薄膜製造装置100は、有機金属の有機溶媒溶液を供給する原料供給部10と、その溶液を気化して原料ガスを生成する気化器20とを有する。また薄膜製造装置100は、原料ガス、原料ガスと反応する酸化ガス、及び不活性ガスを混合させて混合ガスを生成する混合器30と、混合器30と供給経路としての供給ライン33を介して接続される成膜室50とを有する。本実施形態では、原料供給部10、気化器20、混合器30、及びこれらに設けられた各ライン及び各バルブにより供給機構が構成される。原料供給部10は、有機金属の原料溶液及び溶媒が充填されるタンクA,B,C及びDと、各タンクA~Dに供給されるHeヘリウムの供給ライン11とを有する。また原料供給部10は、各タンクA~Dに供給されるHeの圧力により押し出された金属原料溶液及び溶媒を運搬するためのキャリアガスの供給ライン12を有する。本実施形態ではキャリアガスとしてN2窒素が用いられるが、これに限られず他の不活性ガスが用いられてもよい。同様に、各タンクA~Dに供給されるガスもHeに限られず、他の不活性ガスが用いられてもよい。本実施形態では、タンクA~Dに、Pbの原料溶液、Zrの原料溶液、Tiの原料溶液、及び有機系の溶媒がそれぞれ充填される。Pb、Zr及びTiの原料溶液としては、酢酸nブチル溶液中に、各金属原料が0.25mol/Lの濃度で溶解した溶液が用いられる。Pb原料としては、Pbdpm2ビスジピバロイルメタネート鉛が用いられ、Zr原料としては、Zrdmhd4テトラキス2,6ジメチル3,5ヘプタンジオネートジルコニウムが用いられる。またTi原料としては、TiiPrO2dpm2ビスイソプロポキシドビスジピバロイルメタネートチタンが用いられる。タンクDに充填される溶媒としては酢酸nブチルが用いられる。なお、Pbdpm2は、Pbthd2ビス2,2,6,6テトラメチル3,5ヘプタンジオネート鉛ともいう。溶媒に溶解される各金属原料は、上記のものに限られない。例えばPb原料として、Pbdibm2ビスジイソブチリルメタナート鉛等や、Pbdpm2、及びPbdibm2の両方あるいは少なくとも一方を一部に有する材料が用いられてもよい。またZr原料として、Zrthd4テトラキス2,2,6,6テトラメチル3,5ヘプタンジオネートジルコニウム等や、これらを一部に有する材料が用いられてもよい。そしてTiの原料として、TiMMP4テトラキス1メトキシ2メチル2プロポキシチタン等や、これらを一部に含む材料が用いられてもよい。各金属原料を溶かす溶媒及びタンクDに充填される溶媒も、上記した酢酸nブチルに代えて、例えばトルエン、テトラヒドロフロンTHF、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、又はメチルシクロヘキサン等が用いられてもよい。気化器20は、供給ライン12を介して原料供給部10に接続されており、原料供給部10から気化器20へ、金属原料溶液及び溶媒の液滴が搬送される。気化器20は図示しない加熱手段を有しており、搬送された金属原料溶液及び溶媒が加熱により気化される。これにより金属原料ガスが生成される。なお気化効率を向上させるために、金属原料溶液及び溶媒の液滴にガスや超音波等を当てる方法や、微細ノズルを介して予め微細化された液滴を導入する方法等が併用されてもよい。図1に示すように、気化器20には、混合器30に接続されるRunライン21と、真空排気システム40に接続されるVentライン22とが設けられる。Runライン21にはバルブV1が設けられ、Ventライン22にはバルブV2が設けられる。混合器30は、気化器20により生成された金属原料ガスと、酸化ガス及び不活性ガスとの混合ガスを生成するものである。そのため、混合器30には酸化ガス供給部31及び不活性ガス供給部32が接続されている。本実施形態では、酸化ガス供給部31によりO2酸素が供給され、不活性ガス供給部32によりN2が供給される。しかしながら、酸化ガスとして例えば一酸化二窒素やオゾン等が供給されてもよい。また不活性ガスとして、アルゴン等が供給されてもよい。成膜室50は、供給ライン33に接続されるチャンバ51と、チャンバ51内に配置されるステージ52とを有する。チャンバ51の天井面にはシャワーノズル53が設けられており、このシャワーノズル53に供給ライン33が接続されている。ステージ52及びシャワーノズル53は、互いに対向する位置にそれぞれ配置される。またチャンバ51内には、図示しない防着板等の部品が洗浄済みの状態で配置される。図1に示すようにステージ52上には、PZT薄膜が形成される基板Sが載置される。ステージ52は、例えばヒータ等の図示しない加熱手段を有しており、載置された基板Sを加熱することが可能である。本実施形態では、ステージ52上に載置される基板Sとして、100nmのSiO2酸化膜が形成された8インチのSi基板上に、スパッタリング法でIrが70nm成膜された基板が用いられる。しかしながら基板の大きさや材料等は限定されない。チャンバ51は、圧力調整バルブ41を介して、例えばドライポンプやターボ分子ポンプ等を備えた真空排気システム40に接続される。圧力調整バルブ41によりチャンバ51内の圧力を適宜設定することで、様々な成膜圧力条件に容易に対応することが可能である。気化器20から成膜室50までの各ライン、各バルブ及び混合器30等を含む各装置は、気化した金属原料ガスが液化等されないように、図示しない加熱手段により例えば200°C以上の高温状態に保たれる。本実施形態に係る薄膜製造装置100は、上記で説明した各バルブや各装置を制御するガス供給制御手段としての図示しない制御ユニットを有している。制御ユニットは、例えばCPUCentralProcessingUnitや、ROMReadOnlyMemory又はRAMRandomAccessMemory等からなるメインメモリ等を有する。制御ユニットから各装置等に、例えば有線あるいは無線を介して制御信号が出力されることで、薄膜製造装置100の動作が制御される。[多室型マルチチャンバ型成膜装置]図2は、本実施形態に係る薄膜製造装置100を含む多室型成膜装置の構成例を示す模式的な図である。多室型成膜装置200は、基板Sを搬送することが可能な図示しない搬送ロボットが設けられる搬送室201と、1ロット25枚の基板をそれぞれ搭載することができる2つのストッカー室202とを有する。また多室型成膜装置200は2つの上記薄膜製造装置100を有しており、搬送室201の周囲に2つの上記成膜室50がそれぞれ配置される。成膜室50及びストッカー室202は、仕切りバルブ203を介して搬送室201にそれぞれ接続される。なおストッカー室202の数は2つに限られず、より多くのストッカー室あるいは1つのストッカー室が搬送室201の周囲に配置されてもよい。成膜室50に真空排気システム40がそれぞれ接続されているのと同様に、搬送室201及びストッカー室202にも真空排気システム204がそれぞれ接続されている。これにより各室は、独立して内部を真空雰囲気に排気することが可能である。しかしながら、例えば1つ真空排気システムが併用されて、搬送室201、成膜室50及びストッカー室202の内部が排気されてもよい。この場合、その真空排気システムが、図1に示す真空排気システム40として機能する。また搬送室201にはガス源205が接続されており、このガス源205から導入される不活性ガス等の調圧ガスによって、搬送室201内を所定の圧力に調整できるようになっている。搬送室201の内部圧力の調整は、搬送室201に設けられた図示しない自動圧力調整バルブにより行われる。図2に示すように、ストッカー室202は、仕切りバルブ203を介して大気基板搬送システム206に接続される。大気基板搬送システム206には、複数のウエハカセット207とストッカー室202との間で、成膜未処理又は成膜処理済の基板Sを搬送する図示しない搬送ロボットが設けられる。成膜工程がスタートすると25枚入りのウエハカセット207から、大気基板搬送システム206に設けられた搬送ロボットにより、所定の枚数の基板Sがストッカー室202に搬送される。基板Sが搬入されたストッカー室202内は真空排気される。真空排気されたストッカー室202と搬送室201との間にある仕切りバルブ203が開き、搬送室201及びストッカー室202の両方が真空排気される状態となる。ガス源205により搬送室201にN2等の調整ガスが例えば1200sccm供給され、搬送室201の内部圧力が調整される。本実施形態では、成膜圧力条件として成膜室50の内部圧力が約2Torrに設定されている。これに応じて、搬送室201の内部圧力は、成膜室50の内部圧力と略等しい圧力、あるいはそれよりも5程度高い圧力に調整される。なお成膜室50内の内部圧力は、図1に示す不活性ガス供給部32により供給されるN2により調整される。また上記の成膜圧力条件は適宜設定されてよい。搬送室201の調圧がほぼ終了するとストッカー室202の1枚目の基板Sが搬送室201を介して成膜室50に運ばれる。本実施形態に係る多室型成膜装置200には、ストッカー室202が2つ配置されるので、一方のストッカー室202に基板Sが全て入れば、他方のストッカー室202に基板Sを搭載することができる。2室目のストッカー室202に基板Sが搭載されている場合、1室目のストッカー室202に搭載された基板Sの成膜プロセスが終了すると、2室目のストッカー室202が真空引きされ、再び基板Sが成膜室50に運ばれていく。[薄膜製造装置の動作]図1に示すHeの供給ライン11から各タンクA~DにHeが供給されると、各タンクA~Dの内部圧力が上昇し、各タンクA~Dに充填されていた有機金属の原料溶液及び溶媒がキャリアガスN2の供給ライン12に押し出される。押し出された金属原料溶液及び溶媒の液滴は、それぞれの流量が液体流量制御器等で制御されて、キャリアガスにより気化器20に運搬される。気化器20では、成膜工程がスタートすると、タンクDから押し出されキャリアガスにより運搬された溶媒による気化器20のノズルフラッシュが始まり、3分ほどで金属原料溶液及び溶媒を気化できる状態になる。この際、Ventライン22のバルブV2が開けられ、溶媒の気化ガス及びキャリアガスはVentライン22に捨てられる。1枚目の基板Sが成膜室50に運ばれステージ52上に載置されると、ステージ52に設けられた加熱手段により基板Sが加熱される。基板の温度は3分程で所定の温度に落ち着く。本実施形態では、基板Sの温度が600°C以上になるように、基板Sが加熱される。加熱される基板Sの温度は適宜設定されてよい。基板Sの温度が収束する2分前に、気化器20の気化は、溶媒の気化から、成膜する流量にコントロールされた金属原料溶液主体の気化に切り替わるVentライン22は開けられた状態を保持している。成膜室50における基板Sやシャワーノズル53等の部品の温度が所定の温度に飽和すると、Ventライン22のバルブV2が閉じられ、Runライン21のバルブV1が開けられる。そして気化器20により気化された金属原料溶液主体の気化ガスが混合器30に供給される。混合器30では、気化器20から供給された気化ガスと、酸化ガスであるO2及び不活性ガスであるN2とが所定の混合比mol比で混合される。混合比は、例えば成膜されるPZT薄膜の結晶配向を所期のものとするために適宜設定される。混合器30により生成された混合ガスは、供給ライン33を通って成膜室50のチャンバ51内に供給される。そして加熱された基板Sに混合ガスが供給され、ペロブスカイト型結晶を有するPZT薄膜が基板S上に形成される。本実施形態では、約15nm/minの成膜レートで約70nmのPZT薄膜が形成される。従って成膜にかかる時間は約300秒程度である。しかしながら成膜されるPZT薄膜の厚み、成膜レート、及び成膜に費やされる時間がこれらに限定されるわけではない。成膜が終了すると、Runライン21のバルブV1が閉じられ、Ventライン22のバルブV2が開けられる。従ってチャンバ51内の基板Sへの金属原料溶液の気化ガスの供給が停止され、気化ガスはVentライン22に捨てられる。本実施形態では、基板Sへの金属原料ガスの供給の停止後、混合器30に接続された酸化ガス供給部31からのO2の供給が規制される。ここでいう規制とは、本実施形態では、基板SへのO2の供給の停止を意味する。そして不活性ガス供給部32から所定の量のN2が供給され、混合ガスが通った供給ライン33を介してN2がチャンバ51内に供給される。このときのN2の量としては、酸化ガス供給部31からのO2の供給が停止する前までの流量が維持されてもよいし、O2の供給が停止後に適宜調整されてもよい。あるいは、N2の量は、チャンバ51内の内部圧力が、成膜圧力条件を満たす圧力約2Torrとなるように設定されてもよい。チャンバ51内への金属原料溶液の気化ガスの供給が停止され所定の量のN2がチャンバ51内に供給されてから一定時間が経過した後、成膜室50及び搬送室201の間の仕切りバルブ203が開き、成膜処理された基板Sがアンロードされる。本実施形態では、約60sec経過後に、基板Sがアンロードされるが、これに限られない。例えば30sec~120secの経過後に基板Sがアンロードされてもよい。基板Sがアンロードされるまでの時間は、例えば成膜処理の処理時間や基板の変質等の可能性に基づいて適宜設定されればよい。このように成膜後にN2が供給されてから一定時間経過後に基板Sがアンロードされるので、例えば成膜室50に残存する混合ガスを十分に排気してから基板Sをアンロードすることができる。これにより例えば基板Sがアンロードされるときに、残存する混合ガスが搬送室201に流入し、パーティクル等が発生してしまうことを防止することができる。図3は、基板Sに供給されるPb原料ガスの流量比GasPb/ZrTiに対する、製造されたPZT薄膜中のPb組成比filmPb/ZrTi、及びZr組成比filmZr/ZrTiを表すグラフである。図3のグラフには、本実施形態に係る薄膜製造装置100により製造されたPZT薄膜についてのグラフと、比較例として挙げる薄膜製造方法で製造されたPZT薄膜についてのグラフが図示されている。本実施形態に係るPZT薄膜は、成膜後、すなわち成膜室50への金属原料ガスの供給の停止後に、チャンバ51内にN2が供給されて製造されたものである。一方、比較例として挙げられるPZT薄膜は、成膜室50への金属原料ガスの供給の停止後に、チャンバ51内にO2が供給されて製造されたものである。ペロブスカイト型結晶を有する誘電体薄膜であるPZT薄膜が製造される場合、Pb原料ガスの流量の少ない方から、アモルファス領域、自己整合領域及びPbO析出領域が順に出現する。アモルファス領域は、Pb組成が化学量論比以下となり結晶性のPZT薄膜が得られない領域であり、自己整合領域は、Pb原料ガスの流量を変化させても薄膜中のPb組成比の変化の少ない領域である。PbO析出領域は、PbO結晶が析出し急激に薄膜中のPb組成が増加する領域である。図3に示すグラフでは、上記3つの領域のうち自己整合領域内での測定結果が図示されている。なお図3では、Pb流量比の値が約1.15~約1.5となる領域が自己整合領域内の領域とされている。しかしながら自己整合領域は、例えば成膜室50における内部圧力や温度等の各成膜条件に基づいて変動する。従ってPZT薄膜が製造される際には、各成膜条件に基づいて、自己整合領域内に含まれるようなPb流量比が適宜設定される。図3に示すように、製造されたPZT薄膜のZr組成比は、本実施形態に係るPZT薄膜と比較例に係るPZT薄膜とで、ほとんど差がない。すなわち成膜後にチャンバ51内に供給されるガスが、N2であってもO2であっても、PZT薄膜のZr組成比に変化はほとんど見られなかった。なおPZT薄膜のZr組成比は、図1に示す原料供給部10でのZr流量比に基づいて適宜設定可能である。Zr組成比は、製造されるPZT薄膜が所期の特性を有するように設定されればよい。一方、製造されたPZT薄膜のPb組成比について見ると、本実施形態に係るPZT薄膜と比べて、比較例に係るPZT薄膜の方が大きい値となっている。すなわち成膜後に供給されるガスがN2である本実施形態に係る製造方法の方が、成膜後にO2が供給される比較例の製造方法と比べて、自己整合領域におけるPb組成の増加を抑えることができる。自己整合領域では理想的にはPZT結晶が得られ、ペロブスカイト型結晶を構成しない余分な原子は排除される仕組みになっている。しかしながら、実際には過剰なPb原子が例えばPZT薄膜の結晶粒界や表面に残存している形となっている。またチャンバ51内の部品等にPbが付着する場合もある。このような状態で成膜後にO2が供給されると、例えばPZT薄膜中に残存する過剰なPb原子やPZT薄膜から揮発したPb原子と、O2とが、600°C以上に加熱された基板上で結びつきPbOが生成されやすいと考えられる。またチャンバ51内の部品に付着したPbから揮発した気相中のPb原子とO2とが結びつく場合も考えられる。生成されたPbOはPZT薄膜の結晶粒界や表面層に取り込まれ、これにより図3のグラフに示すような結果となったと考えられる。図4は、本実施形態に係る薄膜製造装置100により製造されたPZT薄膜と、比較例に係る製造方法により製造されたPZT薄膜との各表面層の写真、及び表面層についての各測定値を示す図である。図4Aが、本実施形態に係るPZT薄膜であり、図4Bが、比較例に係るPZT薄膜である。各写真は、原子間力顕微鏡により撮影されたものである。図4A及びBに示す各PZT薄膜は、Pb原料ガスの流量比が1.15である場合において製造されたものである。測定値Raは平均面粗さであり、測定値Rmsは二乗平均粗さである。測定値P‐Vは、ピークトゥバレイである。これら測定値が示すように、本実施形態に係る薄膜製造装置100により製造されたPZT薄膜の方が、比較例に係る製造方法により製造されたPZT薄膜よりも、表面ラフネスが小さいことがわかる。上記したように本実施形態に係る薄膜製造方法では、ペロブスカイト型結晶を構成しない余分なPb原子が、成膜後にPbOとしてPZT薄膜の表面層に取り込まれることを防止することができる。従って本実施形態に係るPZT薄膜の表面ラフネスの方が小さくなったと考えられる。以上、本実施形態に係る薄膜製造装置100、及び当該装置100による薄膜製造方法では、基板Sへの金属原料ガスの供給の停止後に基板SへのO2の供給が停止される。従って成膜後にペロブスカイト型結晶を構成しない余分なPb原子とO2とが反応することを抑制することができる。これにより、余分なPb原子が例えば酸化物PbOとしてPZT薄膜の表面層に取り込まれることがなく、表面ラフネスの小さいPZT薄膜を製造することができる。また本実施形態に係る薄膜製造方法では、成膜後のO2の供給の停止に応じて、チャンバ51内に不活性ガスとしてN2が供給され、例えばチャンバ51内の内部圧力を成膜圧力条件を満たす圧力に調整することが可能となる。これにより例えば300枚程度の複数の基板Sに順次PZT薄膜が形成される場合に、効率よく成膜プロセスを進めることができる。また本実施形態に係る薄膜製造方法では、図1に示すように、混合器30に不活性ガス供給部32が接続されており、PZT薄膜を製造するための混合ガスに不活性ガスであるN2が含まれている。そしてこのN2が、O2の供給の停止に応じてチャンバ51内に供給される。これにより成膜後に、不活性ガスをチャンバ51内に供給するための新たな機構が不要となり、成膜後に容易に不活性ガスを供給することができる。さらに本実施形態に係る薄膜製造方法では、混合器30とチャンバ51とを接続する供給ライン33を介して混合ガスが供給され、成膜後に混合ガスが通った供給ライン33を介してN2が供給される。従って金属原料ガスの供給が停止した後、金属原料ガスを含む混合ガスを押し出すようにして、N2がチャンバ51内に供給される。これにより金属原料ガスが供給ライン33に溜まってしまうことを防止することができる。この結果、例えば成膜後のN2の供給中に、供給ラインに溜まった金属原料ガス混合ガスがチャンバ51内に供給されるといったことを防止することができ、安定して基板S上にPZT薄膜を形成することができる。本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更され得る。例えば図5は、図1に示す薄膜製造装置100の変形例を示す模式的な図である。この薄膜製造装置300では、不活性ガス供給部332が混合器330に接続されず、別途チャンバ351のシャワーノズル353に接続される。混合器330により金属原料ガスと酸化ガスとが混合され、その混合ガスが基板Sに供給される。これにより基板S上にPZT薄膜が形成される。成膜後は、混合器330からの混合ガス金属原料ガス及び酸化ガスの供給が停止され、不活性ガス供給部332から不活性ガスがチャンバ内に供給される。このように不活性ガス供給部332が混合器330とは別にチャンバ351に接続されてもよい。基板への金属原料ガスの供給の停止後、不活性ガスの供給が行われなくてもよい。この場合でも、金属原料ガスの供給の停止後に、酸化ガスの供給が停止されれば、成膜後に不要なPb原子と酸化ガスとが反応し、その酸化物PbOがPZT薄膜の表面層に取り込まれてしまうことを防止することができる。成膜後に不活性ガスの供給が行われない場合、成膜後、成膜室内部が一度引ききりの状態となり、その状態で搬送室から基板が搬送される。また混合器が設けられず、金属原料ガス、酸化ガス供給部、及び不活性ガス供給部が、それぞれ別個にチャンバに接続されてもよい。この場合、チャンバ内にて金属原料ガス、酸化ガス、及び不活性ガスの混合ガスが生成されることになる。成膜後は、上記で説明したように酸化ガス及び不活性ガスの供給が制御されればよい。上記の実施形態では、基板への金属原料ガスの供給の停止後、酸化ガスの供給が停止された。しかしながら成膜後に酸化ガスの供給が減少されてもよい。すなわち酸化ガスの供給の規制とは、酸化ガスの供給の停止及び減少の両方を含むものであってもよい。成膜後に酸化ガスの供給を減少させることで、成膜後の余分なPb原子と酸化ガスとの反応を抑えることができる。上記実施形態では、薄膜製造装置100によりPZT薄膜が製造された。しかしながらペロブスカイト型結晶を有する誘電体薄膜としてPZT薄膜以外の薄膜が製造される場合でも、本発明は適用可能である。そのような誘電体薄膜として、例えばランタンドープチタン酸ジルコン酸鉛Pb,LaZr,TiO3;PLZTや、タンタル酸ビスマス酸ストロンチウムSrBi2,Ta2,O9;SBT等がある。上記では図2に示すように、本発明の実施形態に係る薄膜製造装置100を含む装置として、多室型成膜装置200が例示されている。しかしながら例えばエッチング処理装置や洗浄処理装置等の複数の処理装置を含む基板処理装置に、本実施形態の薄膜製造装置100が設けられてもよい。そのような基板処理装置として、例えばクラスタツール型またはインライン型の基板処理装置がある。"