"a13族窒化物からなる第1の基板と、セラミックスからなる第2の基板とを用意する工程と、b前記第1の基板の裏面に水素イオン又は希ガスイオンを注入して該第1の基板内部にイオン注入層を形成する工程とc前記第1の基板の裏面と前記第2の基板の表面とのうち、少なくとも該第2の基板の表面に物理蒸着法又は化学蒸着法により金属膜を形成する工程と、d前記第1の基板の裏面と前記第2の基板の表面とを前記金属膜を介して接合する工程と、e前記第1の基板のうち前記イオン注入層から該第1の基板の表面側を剥離する工程と、を含む、複合基板の製造方法。前記金属膜は、モリブデン,タングステン,銅,金,タンタル,クロム,鉄,ニッケル,白金のいずれか1以上からなる、請求項1に記載の複合基板の製造方法。前記第1の基板は、窒化ガリウムである、請求項1又は2に記載の複合基板の製造方法。前記第2の基板は、窒化アルミニウム又は炭化珪素である、請求項3に記載の複合基板の製造方法。13族窒化物からなる第1の基板と、セラミックスからなる第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板とを接合する金属膜と、を備えた複合基板。前記金属膜は、モリブデン,タングステン,銅,金,タンタル,クロム,鉄,ニッケル,白金のいずれか1以上からなる、請求項5に記載の複合基板。前記第1の基板は、窒化ガリウムである、請求項5又は6に記載の複合基板。前記第2の基板は、窒化アルミニウム又は炭化珪素である、請求項7に記載の複合基板。しかしながら、特許文献1に記載の複合基板では、外方拡散により酸化膜を薄くしたとしても、酸化膜に起因する放熱性の悪化を完全になくすことはできないという問題があった。また、酸化膜を薄くするために外方拡散させる工程が必要であり、プロセスが複雑になるという問題もあった。本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、13族窒化物からなる第1の基板と、セラミックスからなる第2の基板とを貼り合わせた複合基板につき、放熱性をよくすると共に製造時のプロセスを簡単にすることを主目的とする。本発明は、上述の目的を達成するために以下の手段を採った。本発明の複合基板の製造方法は、a13族窒化物からなる第1の基板と、セラミックスからなる第2の基板とを用意する工程と、b前記第1の基板の裏面に水素イオン又は希ガスイオンを注入して該第1の基板内部にイオン注入層を形成する工程とc前記第1の基板の裏面と前記第2の基板の表面とのうち、少なくとも該第2の基板の表面に物理蒸着法又は化学蒸着法により金属膜を形成する工程と、d前記第1の基板の裏面と前記第2の基板の表面とを前記金属膜を介して接合する工程と、e前記第1の基板のうち前記イオン注入層から該第1の基板の表面側を剥離する工程と、を含むものである。本発明の複合基板の製造方法では、13族窒化物からなる第1の基板の裏面とセラミックスからなる第2の基板の表面とのうち、少なくとも第2の基板の表面に金属膜を物理蒸着法又は化学蒸着法により形成する。そして、この金属膜を介して第1の基板と第2の基板とを接合する。金属膜は一般に酸化膜と比べて熱伝導率が高いため、こうすることで酸化膜を介して接合した場合と比べて放熱性のよい複合基板を得ることができる。また、酸化膜を用いないため外方拡散の工程が不要となる。以上により、13族窒化物からなる第1の基板と、セラミックスからなる第2の基板とを貼り合わせた複合基板につき、放熱性をよくすると共に製造時のプロセスを簡単にすることができる。なお、工程cで第2の基板の表面にのみ金属膜を形成する場合には、工程dにおいて第1の基板の裏面と金属膜の表面とを鏡面研磨した上で接合を行うことが好ましい。同様に、工程cで第1の基板の裏面と第2の基板の表面とに共に金属膜を形成する場合には、工程dにおいて第1の基板に形成された金属膜の表面と第2の基板に形成された金属膜の表面を鏡面研磨した上で接合を行うことが好ましい。このように接合する面を両面とも予め鏡面研磨することで、接合の接着力を高めることができる。本発明の複合基板の製造方法において、前記金属膜は、モリブデン,タングステン,銅,金,タンタル,クロム,鉄,ニッケル,白金のいずれか1以上からなるものとしてもよい。また、前記第1の基板は、窒化ガリウムとしてもよい。さらに、前記第2の基板は、窒化アルミニウム又は炭化珪素としてもよい。第1の基板を窒化ガリウムとし、第2の基板を窒化アルミニウム又は炭化珪素とすると、両者の熱膨張係数が近いため、熱処理時の複合基板の反りやクラックの発生を防止できる。本発明の複合基板は、13族窒化物からなる第1の基板と、セラミックスからなる第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板とを接合する金属膜と、を備えたものである。本発明の複合基板は、上述した本発明の複合基板の製造方法によって得られるようになったものである。この複合基板では、金属膜を介して第1の基板と第2の基板とが接合されているため、酸化膜を介して接合された複合基板と比べて放熱性がよく、製造時のプロセスが簡単なものとなっている。本発明の複合基板において、前記金属膜は、モリブデン,タングステン,銅,金,タンタル,クロム,鉄,ニッケル,白金のいずれか1以上からなるものとしてもよい。また、前記第1の基板は、窒化ガリウムとしてもよい。さらに、前記第2の基板は、窒化アルミニウム又は炭化珪素としてもよい。第1の基板を窒化ガリウムとし、第2の基板を窒化アルミニウム又は炭化珪素とすると、両者の熱膨張係数が近いため、熱処理時の複合基板の反りやクラックの発生を防止できる。次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、本実施形態の複合基板10を模式的に示す断面図である。この複合基板10は、第1の基板11と、第2の基板12と、第1の基板11と第2の基板12とを接着する金属膜13とから構成されている。第1の基板11は、13族窒化物からなる基板であり、例えば窒化ガリウムからなるものである。この第1の基板11の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が50~100mm、厚さが0.1~3μmである。第1の基板11の表面11aの表面粗さは、表面上に半導体デバイスを作製できるよう、例えば算術平均粗さRaが0.1~3nmであることが好ましい。第2の基板12は、金属膜13を介して第1の基板11に接合された、セラミックスからなる基板である。この第2の基板12は、複合基板10のハンドリングをしやすくするためや第1の基板11を保護するための下地基板として機能する。セラミックスの材質としては、ヤング率が150GPa以上であるものが好ましい。また、放熱性が向上するため熱伝導率の高いもの例えば100W/mK以上が好ましい。具体的な材質としては、特に限定するものではないが、窒化アルミニウム,炭化珪素,窒化珪素などが挙げられる。さらに、熱処理時の複合基板10の反りやクラックの発生を防止できるため、熱膨張係数が第1の基板11に近いものが好ましい。例えば、第1の基板11が窒化ガリウムである場合には、第2の基板12を窒化アルミニウム又は炭化珪素からなるものとすることが好ましい。この第2の基板12の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が50~100mm、厚さが300~500μmである。金属膜13は、第1の基板11の裏面11bと第2の基板12の表面12aとを接着するものである。金属膜13の材質としては、放熱性が向上するため熱伝導率の高いもの例えば50W/mK以上が好ましい。熱伝導率が100W/mK以上の材質が更に好ましい。また、後述する複合基板10の製造工程において鏡面研磨が可能であること例えば、算術平均粗さRaが1nm以下となるまで研磨可能であることが好ましい。さらに、後述する複合基板10の製造工程や後の半導体製造工程に耐えうるよう、耐熱温度が1000°C以上であることが好ましい。特に限定するものではないが、これらの条件を満たす金属膜13の材質としてはモリブデン,タングステン,銅,金,タンタル,クロム,鉄,ニッケル,白金が挙げられる。なお、第1の基板11が窒化ガリウムである場合には、第1の基板11と金属膜13との熱膨張係数が近くなるため、上記の金属膜13の材質の中では金とクロム以外が特に好ましい。金属膜13の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.01~2μmである。金属膜13の厚さは0.1~2μmとしてもよい。また、金属膜13はモリブデン,タングステン,銅,金,タンタル,クロム,鉄,ニッケル,白金のいずれか1以上からなるものとしてもよい。例えば、金属膜13が異なる材質の層を複数重ねてなるものであり、各層がそれぞれモリブデン,タングステン,銅,金,タンタル,クロム,鉄,ニッケル,白金のいずれかからなるものとしてもよい。例えば、金属膜13がクロムの下地層とその上に形成された金の層とからなるものとしてもよい。複合基板10は、青色LED,白色LED,青紫色半導体レーザー及びパワー半導体などの半導体デバイスに用いるものとしてもよい。例えば、照明用のLEDデバイスは以下のように作成することができる。まず、この複合基板10の第1の基板11の表面11a上に、MOCVD有機金属化学堆積法やMBE分子線エピタキシャル法により13族窒化物半導体のエピタキシャル層を形成すると共に蒸着法により電極を形成して多数のLEDチップの集合体であるLEDウエハーとする。そして、このLEDウエハーをダイシングにより1つ1つに切り出すことでLEDチップが得られる。このLEDチップを基板に接着し、発光のための配線をワイヤーボンディングにより形成した後、樹脂により封入することで、照明用LEDデバイスを得ることができる。次に、こうした複合基板10の製造方法について、図2を用いて以下に説明する。図2は、複合基板10の製造工程を模式的に示す断面図である。複合基板10の製造方法は、a13族窒化物からなる第1の基板21と、セラミックスからなる第2の基板12とを用意する工程と、b第1の基板21の裏面21bに水素イオン又は希ガスイオンを注入して第1の基板21内部にイオン注入層21cを形成する工程と、c第2の基板12の表面12aに金属膜23を形成する工程と、d第1の基板21の裏面21bと第2の基板12の表面12aとを金属膜23を介して接合する工程と、e第1の基板21のうちイオン注入層21cから第1の基板21の表面21a側を剥離する工程と、を含む。工程aでは、第1の基板11となる第1の基板21と第2の基板12とを用意する図2a。第1の基板21は、直径が第1の基板11と同じであり、厚さが第1の基板11以上のものを用いることができる。特に限定するものではないが、第1の基板21の厚さは例えば300~500μmとすることができる。第1の基板21の厚さは300~350μmとしてもよい。工程bでは、第1の基板21の裏面21bに水素イオン又は希ガスイオンを注入して、第1の基板21内部にイオン注入層21cを形成する図2b。イオン注入層21cの裏面21bからの深さdは、図1の第1の基板11の厚さに応じた値であり、例えば0.1~3μmである。このようなイオン注入層を形成するためのイオン注入の条件としては、特に限定するものではないが、例えば第1の基板21の温度を150°Cとし、注入エネルギーを60keV、ドーズ量を1×1016~1×1018atoms/cm2とすればよい。工程cでは、第2の基板12の表面12aに金属膜13となる金属膜23を形成する図2c。金属膜23としては、上述した材質のものを用いることができる。形成する金属膜23の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.01~2μmである。金属膜23の厚さは0.1~2μmとしてもよい。金属膜23の形成は、例えばスパッタリングや真空蒸着等の物理蒸着法のほか、プラズマCVDなどの化学蒸着法を用いることができる。工程dでは、第1の基板21の裏面21bと第2の基板12の表面12aとを金属膜23を介して接合する図2d。この接合は、樹脂製の接着剤を用いずに直接接合するものであればどのような方法で行ってもよい。例えば、常温,真空中で貼り合わせ面にアルゴンビームを照射し、その後に貼り合わせ面を接触させ荷重をかけて接合する方法や、貼り合わせ面にプラズマを照射して大気中で接合した後に加熱する方法により行うことができる。なお、この接合を行う前に、貼り合わせ面である第1の基板21の裏面21bと金属膜23の表面とを鏡面研磨しておく。鏡面研磨は、例えば算術平均粗さRaが1nm以下となるように行うことが好ましい。このような研磨は、例えばコロイダルシリカを含んだスラリーやナノダイヤスラリーを用いて行うことができる。こうすることにより、工程dの接合で十分な接着力が得られる。ここで、第2の基板12にセラミックスを用いる場合、第2の基板12を研磨しても表面12aの算術平均粗さRaが十分小さくならず、第1の基板21と第2の基板12とを直接貼り合わせた場合に十分な接着力が得られない場合がある。このような場合でも、第2の基板12の表面12aに金属膜23を形成してこの金属膜23を鏡面研磨することで、工程dの接合で十分な接着力を得ることができる。工程eでは、第1の基板21のうちイオン注入層21c図2d参照から第1の基板21の表面21a側を剥離する図2e。この剥離は、イオン注入層21cに機械的な衝撃を加えるか、又は加熱することにより引き起こすことができる。機械的な衝撃を加える方法としては、例えば、ガスや液体等の流体ジェットを第1の基板21の側面から吹き付ける方法や、第1の基板21の側面からイオン注入層21cに楔を打ち込む方法が挙げられる。第1の基板21のうちイオン注入層21cから第1の基板21の表面21a側が剥離することで、第1の基板21のうち剥離しなかった部分が図1における第1の基板11となり、第1の基板11の厚さを所望の値とすることができる。この工程eにより、図1に示した複合基板10が得られる。なお、第1の基板11の表面11a上に半導体デバイスを作製できるよう、表面11aの表面粗さが例えば算術平均粗さRaで0.1~3nmとなるまで鏡面研磨する工程をさらに行ってもよい。以上説明した本実施形態の複合基板10の製造方法によれば、工程cでセラミックスからなる第2の基板12の表面12aに金属膜23を形成する。そして、工程dでこの金属膜23を介して13族窒化物からなる第1の基板21と第2の基板12とを接合する。金属膜23は一般に酸化膜と比べて熱伝導率が高いため、こうすることで酸化膜を介して第1の基板21と第2の基板12とを接合した場合と比べて放熱性のよい複合基板10を得ることができる。また、酸化膜を用いないため外方拡散の工程が不要となり、製造時のプロセスが簡単になる。なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施しうることは言うまでもない。例えば、本実施形態において、工程cでは、第2の基板12の表面12aに金属膜23を形成するものとしたが、第1の基板21の裏面21bにも金属膜を形成するものとしてもよい。この場合の変形例の工程cの様子を図3に示す。図示するように、この工程cでは、第1の基板21の裏面21bに金属膜23aを形成し、第2の基板12の表面12aに金属膜23bを形成する。金属膜23a,23bの形成は上述した本実施形態の工程cにおける金属膜23の形成と同様にして行うことができる。また、金属膜23a,23bの厚さは、両者の合計厚さが金属膜23と同様に例えば0.01~5μmとなるようにすればよい。両者の合計厚さは0.1~5μmとなるようにしてもよい。なお、この変形例の工程cで金属膜23a,23bを形成した場合には、工程dでの接合時には、金属膜23aと金属膜23bとを貼り合わせることになる。このため、上述した工程dにおける接合方法の他に、金属同士の原子拡散を利用して接合する方法を用いることもできる。なお、金属膜23aと金属膜23bとは同じ材質であってもよいし異なる材質であってもよい。また、この変形例の工程cにより金属膜23a,23bを形成した場合には、工程dでは金属膜23a,23bの表面を共に鏡面研磨してから接合を行うことが好ましい。これにより、第1の基板21が第2の基板12と同様に、工程dによる接合で十分な接着力を得るための算術平均粗さRaを得ることができないような材質の場合でも、鏡面研磨した金属膜23a,23bを介して第1の基板21と第2の基板12とを接合することで十分な接着力が得られる。[実施例1]実施例1として、図2を用いて説明した製造方法により図1の複合基板10を作成した。まず、工程aとして、直径が2インチ,厚さが350μmの窒化ガリウムからなる第1の基板21と、直径が2インチ,厚さが500μmの窒化アルミニウム製のセラミックスからなる第2の基板12と、を用意した。次に、工程bとして、第1の基板21の裏面21bに水素イオンを注入した。具体的には、イオン注入層21cを形成する深さdが値0.5μmとなるように、注入エネルギーが60keV,ドーズ量が3×1017atoms/cm2の注入条件で水素イオンを注入した。続いて、工程cとして、第2の基板12の表面12aにモリブデンからなる金属膜23を形成した。具体的には、平行平板RFスパッタリング装置を用いて、成膜開始真空度1.8×104Pa,ガスAr圧0.3Pa,ガス流量80sccmの条件で2時間成膜を行った。これにより、金属膜23の膜厚は1μmとなった。なお、金属膜23の表面の10μm四方の測定範囲における算術平均粗さRaは15nmであった。工程dでは、まず、第1の基板21の裏面21bの研磨を行った。具体的には、粗研磨として粒径0.5μmのダイヤモンド砥粒を含んだスラリーと金属定盤とを用いて第1の基板21の裏面21bの研磨を5時間行った。AFMAtomicForceMicroscope:原子間力顕微鏡により裏面21bの表面粗さを測定したところ、この粗研磨により20μm四方の測定範囲における算術平均粗さRaが2.7nmから2.0nmまで改善された。続いて、粗研磨後の裏面21bに残った深さ2~3μmのスクラッチを除去するため、精密研磨としてCMP研磨を行った。CMP研磨は、コロイダルシリカを含んだスラリーとポリウレタン製のパッドとを用いて24時間行った。これにより、裏面21bのスクラッチは完全になくなり、10μm四方の測定範囲における算術平均粗さRaが1nm以下になった。続いて、金属膜23の表面を鏡面研磨した。具体的には、コロイダルシリカを含んだスラリーとポリウレタンパッドを用いてCMP研磨を1時間行った。これにより、金属膜23の表面の10μm四方の測定範囲における算術平均粗さRaは1nm未満になった。次に、第1の基板21の裏面21bと第2の基板12の表面12aとを金属膜23を介して接合した。具体的には、まず、真空チャンバー内に第1の基板21と第2の基板12とを挿入し、第1の基板21の裏面21bと第2の基板12に形成された金属膜23の表面とにアルゴンビームを3分間照射した。そして、照射した両面を接触させて常温で1トンの荷重をかけて接合した。工程eでは、工程dで接合した基板を加熱炉に入れ700°Cまで加熱した。これにより、イオン注入層21cから第1の基板21の表面21a側が剥離した。剥離せず第2の基板12側に残った第1の基板11の厚さは0.5μmであった。以上により、図1に示した実施例1の複合基板10を得た。こうして得られた実施例1の複合基板10は、第1の基板11と第2の基板12とが、モリブデンからなる金属膜13により接合されている。一方、例えば上述した特許文献1に記載の複合基板においては、二酸化珪素や酸化アルミニウムなどの酸化膜により接合されている。ここで、モリブデンの熱伝導率は150W/mKであり、二酸化珪素及び酸化アルミニウムの熱伝導率はそれぞれ10W/mK,20~40W/mKである。これにより、実施例1の複合基板10を用いて作成した半導体デバイスでは、酸化膜で接合した複合基板と比べて、第1の基板21の放熱性が向上することがわかる。実施例2実施例2として、図3を用いて説明した変形例の工程cを含む製造方法により図1の複合基板10を作成した。まず、工程aとして、直径が2インチ,厚さが400μmの窒化ガリウムからなる第1の基板21と、直径が2インチ,厚さが400μmの窒化アルミニウム製のセラミックスからなる第2の基板12と、を用意した。次に、工程bとして、第1の基板21の裏面21bに水素イオンを注入した。具体的には、イオン注入層21cを形成する深さdが値1.5μmとなるように、注入エネルギーが240keV,ドーズ量が3×1017atoms/cm2の注入条件で水素イオンを注入した。次に、工程cとして、まず、第1の基板21の裏面21bの研磨を行った。具体的には、粗研磨として粒径0.5μmのダイヤモンド砥粒を含んだスラリーと金属定盤とを用いて第1の基板21の裏面21bの研磨を5時間行った。AFMにより裏面21bの表面粗さを測定したところ、この粗研磨により20μm四方の測定範囲における算術平均粗さRaが2.7nmから2.0nmまで改善された。続いて、粗研磨後の裏面21bに残った深さ2~3μmのスクラッチを除去するため、精密研磨としてCMP研磨を行った。CMP研磨は、コロイダルシリカを含んだスラリーとポリウレタン製のパッドとを用いて24時間行った。これにより、裏面21bのスクラッチは完全になくなり、10μm四方の測定範囲における算術平均粗さRaが1nm以下になった。続いて、第2の基板12の表面12aの研磨を行った。具体的には、コロイダルシリカを含んだスラリーとポリウレタン製のパッドを用いて、5時間行った。これにより、10μm四方の測定範囲における算術平均粗さRaが2.3nmになった。続いて、第1の基板21の裏面21a、第2の基板12の表面12aに、クロムを下地としその上に金を形成した金及びクロムからなる金属膜23a,23bを形成した。具体的には、平行平板RFスパッタリング装置を用いて、成膜開始真空度1.5×105Pa,ガスAr圧0.5Pa,ガスAr流量20sccm、基板加熱150°Cの条件で成膜を行った。成膜チャンバー内のウェハー搬送速度をクロム成膜時は14000pps、金成膜時は3600pps、搬送回数をクロム成膜時は1回、金成膜時は3回とすることにより、金属膜23a,23bのそれぞれについて、金の膜厚は150nm、クロムの膜厚は3nmとなった。金の下地にクロムを使用する理由は、金とウェハーの密着力を強くするためである。なお、金属膜23a,23b表面の10μm四方の測定範囲における算術平均粗さRaは3nmであった。次に、工程dとして、第1の基板21の裏面21bと第2の基板12の表面12aとを金属膜23a,23bを介して接合した。具体的には、まず、真空チャンバー内に第1の基板21と第2の基板12とを挿入し、第1の基板21の裏面21bに形成された金属膜23aの表面と第2の基板12の表面12aに形成された金属膜23bの表面とにアルゴンビームを3分間照射した。そして、照射した両面を接触させて常温で2トンの荷重をかけて接合した。工程eでは、工程dで接合した基板を加熱炉に入れ700°Cまで加熱した。これにより、イオン注入層21cから第1の基板21の表面21a側が剥離した。剥離せず第2の基板12側に残った第1の基板11の厚さは1.5μmであった。以上により、図1に示した実施例2の複合基板10を得た。[比較例1]比較例1として、金属膜23を形成せずに第1の基板21と第2の基板12とを直接接合した複合基板を作成した。具体的には、まず、実施例1と同様の工程a,bを行った。続いて、実施例1の工程cは行わず、工程dとして、第2の基板12の表面12aの研磨を行った。しかし、研磨により第2の基板12の結晶の脱粒が発生し、粒界段差を小さくすることはできなかった。そのため、第2の基板12の表面12aの10μm四方の測定範囲における算術平均粗さRaは、研磨により13.2nmから2nmまで改善されたが、これ以上算術平均粗さRaを改善することはできなかった。次に、第1の基板21の裏面21bと第2の基板12の表面12aとにアルゴンビームを照射し、照射した両面を接触させて荷重をかけることで、第1の基板21と第2の基板12とを直接接合した。そして、工程eと同様にしてイオン注入層21cから第1の基板21の表面21a側を剥離させた。これにより、比較例1の複合基板を得た。[接着状態の観察]実施例1,2及び比較例1の複合基板について、第1の基板11と第2の基板12との接着状態を肉眼で観察した。その結果、比較例1の複合基板では、外周付近で第1の基板11と第2の基板12とが未接着の部分が確認できた。一方、実施例1,2の複合基板10では、そのような未接着の部分は確認されなかった。これにより、実施例1の複合基板10は、第2の基板12の表面12aに金属膜23を形成しこれを鏡面研磨してから第1の基板21と接着することで、比較例1と比べて接着状態が良好なものとなることが確認できた。また、実施例2の複合基板10は、第1の基板21の裏面21bに金属膜23aを形成するとともに第2の基板12の表面12aに金属膜23bを形成し、金属膜23a,23bの表面を鏡面研磨してから金属膜23a,23bを接着することで、比較例1と比べて接着状態が良好なものとなることが確認できた。"