陽極酸化膜の製造方法であって、基材と、前記基材の上に形成されたアルミニウムを含有する犠牲層と、前記犠牲層の表面に形成されたアルミニウム層とを備える積層構造体を用意する工程aと、前記アルミニウム層を部分的に陽極酸化することによって、複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程bと、前記工程bの後に、前記ポーラスアルミナ層を前記積層構造体から分離する工程dとを包含し、前記陽極酸化膜は前記ポーラスアルミナ層を有する自己支持型の膜である、陽極酸化膜の製造方法。前記積層構造体は、前記基材の表面に形成された無機下地層をさらに備え、前記犠牲層は前記無機下地層の上に形成されている、請求項1に記載の陽極酸化膜の製造方法。前記工程bの後に、前記ポーラスアルミナ層を、エッチング液に接触させる工程cをさらに包含する、請求項1または2に記載の陽極酸化膜の製造方法。前記工程cは、前記ポーラスアルミナ層をエッチング液に接触させることによって、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の微細な凹部を拡大させる工程c1を包含し、前記工程c1の後に、さらに陽極酸化することによって、前記複数の微細な凹部を成長させる工程b1を包含する、請求項3に記載の陽極酸化膜の製造方法。前記工程dの後に、前記ポーラスアルミナ層に付着した前記アルミニウム層および/または前記犠牲層を除去する工程eをさらに包含する、請求項1から4のいずれかに記載の陽極酸化膜の製造方法。前記工程eの後に、前記ポーラスアルミナ層が有するバリア層を除去する工程fをさらに包含する、請求項5に記載の陽極酸化膜の製造方法。前記ポーラスアルミナ層は、表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが10nm以上500nm未満の複数の凹部または貫通孔を有する、請求項1から6のいずれかに記載の陽極酸化膜の製造方法。前記無機下地層は、酸化シリコン層または酸化チタン層である、請求項2に記載の陽極酸化膜の製造方法。前記犠牲層は、アルミニウムと、酸素または窒素とを含み、前記アルミニウムの含有率が前記基材側よりも前記アルミニウム層側において高いプロファイルを有する、請求項1から8のいずれかに記載の陽極酸化膜の製造方法。しかしながら、特許文献5に記載の方法では、アルミニウム層アルミニウム箔をアルミニウム基材に十分に密着させることは難しく、アルミニウム箔の裏面側が陽極酸化されるのを防ぐことは困難である。また、特許文献6~8に記載の方法では、残存するアルミニウム基材を、界面から浸透する処理液によって全面に亘って溶解させることは難しく、特に面積の大きいポーラスアルミナ膜の形成は困難である。本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、基材上に形成されたアルミニウム層を陽極酸化することによって得られるポーラスアルミナ層を有する自己支持型の陽極酸化膜を従来よりも簡便に製造する方法を提供することにある。本発明の陽極酸化膜の製造方法は、基材と、前記基材の上に形成されたアルミニウムを含有する犠牲層と、前記犠牲層の表面に形成されたアルミニウム層とを備える積層構造体を用意する工程aと、前記アルミニウム層を部分的に陽極酸化することによって、複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程bと、前記工程bの後に、前記ポーラスアルミナ層を前記積層構造体から分離する工程dとを包含し、前記陽極酸化膜は前記ポーラスアルミナ層を有する自己支持型の膜である。前記基材は、無機基板例えばガラス基板またはプラスチック基板であってよいが、特に、アルカリ金属を含むガラス基板を用いる場合に顕著な効果が得られる。ある実施形態において、前記積層構造体は、前記基材の表面に形成された無機下地層をさらに備え、前記犠牲層は前記無機下地層の上に形成されている。ある実施形態において、前記工程bの後に、前記ポーラスアルミナ層を、エッチング液に接触させる工程cをさらに包含する。ある実施形態の製造方法は、前記工程cが、前記ポーラスアルミナ層をエッチング液に接触させることによって、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の微細な凹部を拡大させる工程c1を包含し、前記工程c1の後に、さらに陽極酸化することによって、前記複数の微細な凹部を成長させる工程b1を包含する。前記工程c1と前記工程b1とを交互に複数回行ってもよい。ある実施形態において、前記ポーラスアルミナ層は、表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが10nm以上500nm未満の複数の凹部を有する。前記複数の凹部は規則的に配列されていてもよく、あるいは、不規則に配列されていてもよい。ある実施形態において、前記ポーラスアルミナ層は、表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが10nm以上500nm未満の複数の貫通孔を有する。前記複数の貫通孔は規則的に配列されていてもよく、あるいは、不規則に配列されていてもよい。ある実施形態において、前記無機下地層は、酸化シリコン層または酸化チタン層である。ある実施形態において、前記犠牲層は、アルミニウムと、酸素または窒素とを含み、前記アルミニウムの含有率が前記基材側よりも前記アルミニウム層側において高いプロファイルを有する。ある実施形態において、前記基材はアルカリ金属を含むガラス基材ガラス基板であり、前記犠牲層は、AlOx層である。このとき、前記AlOx層中の酸素原子濃度は10原子以上30原子以下であることが好ましく、前記AlOx層の厚さは40nm以上500nm以下であることが好ましく、ある実施形態において、前記AlOx層の厚さは50nm以上150nm以下であることがさらに好ましい。本発明によると、基材上に形成されたアルミニウム層を陽極酸化することによって得られるポーラスアルミナ層を有する自己支持型の陽極酸化膜を従来よりも簡便に製造する方法が提供される。以下、図面を参照して、本発明による実施形態のポーラスアルミナ層を有する自己支持型の陽極酸化膜の製造方法を説明する。なお、本発明は例示する実施形態に限定されない。まず、ガラス基板とアルミニウム層Al層との接着性について説明する。本発明者が、ガラス基板上に形成されたAl層を用いて、反射防止膜を形成するためのモスアイ用型を製造したところ、陽極酸化工程またはエッチング工程において、Al層一部は陽極酸化膜となっているとガラス基板との接着性が低下するという問題が起こった。この問題は、基板として、アルカリ金属を含むガラスソーダライムガラスの基板を用いたときに顕著であった。また、プラスチックフィルムを基材として用いた場合にも、Al層とプラスチックフィルムとの接着性が低下するという問題が起こった。なお、ここで、基材とAl層との接着性は、基材の表面にAl層を直接形成した場合のAl層の剥がれ難さだけでなく、基材の表面とAl層との間に他の層を介在させた場合のAl層の剥がれ難さをも表す。ここで、図9a~eを参照して、ガラス基板上に形成されたAl層を用いてモスアイ用型を製造する方法を説明する。まず、図9aに示すように、表面にAl層18を備える積層構造体を用意する。図9a~eでは簡単のためにAl層18のみを図示している。Al層18は、例えば99.99質量以上の純度のアルミニウムターゲットを用いてスパッタリング法で形成する。Al層18の厚さは、例えば1000nm1μmである。Al層18の厚さは、目的とする陽極酸化アルミナ層の厚さに応じて適宜設定される。例えば、Al層18の厚さは100nm以上3000nm以下である。次に、図9bに示すように、Al層18を部分的に表面部分を所定の条件で陽極酸化することによって、細孔22を有するポーラスアルミナ層20を形成する。陽極酸化の条件例えば化成電圧、電解液の種類、濃度、さらには陽極酸化時間などによって、細孔22の大きさ、細孔22の生成密度、細孔22の深さなどを制御することが出来る。また化成電圧の大きさを制御することによって、細孔22の配列の規則性を制御することができる。例えば、0.1Mの蓚酸水溶液を用いて、20°Cで、40秒間、80Vの電圧を印加することによって、隣接する細孔間の距離が190nmで、厚さが約100nmのポーラスアルミナ層20が得られる。なお、必要に応じて、最初に形成されたポーラスアルミナ層20を除去してもよい。最初に生成するポーラスアルミナ層20は、不純物等の影響で、欠陥を多く含むことがある。最初に形成し、除去するポーラスアルミナ層20の厚さは、再現性の観点から200nm以上であることが好ましく、生産性の観点から2000nm以下であることが好ましい。もちろん必要に応じて、最初に形成したポーラスアルミナ層20を部分的に例えば表面からある深さまで除去しても良い。ポーラスアルミナ層20の除去は、例えば、燐酸水溶液やクロム燐酸混合液に所定時間浸漬させて除去するなどの公知の方法で行うことができる。次に、図9cに示すように、細孔22を有するポーラスアルミナ層20をアルミナのエッチャントに接触させることによって所定の量だけエッチングすることにより細孔22の孔径を拡大する。ここでウェットエッチングを採用することによって、細孔壁およびバリア層をほぼ等方的にエッチングすることができる。エッチング液の種類濃度、およびエッチング時間を調整することによって、エッチング量すなわち、細孔22の大きさおよび深さを制御することが出来る。エッチング液としては、例えば10質量の燐酸や、蟻酸、酢酸、クエン酸などの有機酸の水溶液やクロム燐酸混合水溶液を用いることができる。この後、図9dに示すように、再び、Al層18を部分的に陽極酸化することにより、細孔22を深さ方向に成長させると共にポーラスアルミナ層20を厚くする。ここで細孔22の成長は、既に形成されている細孔22の底部から始まるので、細孔22の側面は階段状になる。さらにこの後、必要に応じて、図9eに示すように、ポーラスアルミナ層20をアルミナのエッチャントに接触させることによってさらにエッチングすることにより細孔22の孔径をさらに拡大する。エッチング液としては、ここでも上述したエッチング液を用いることが好ましく、現実的には、同じエッチング浴を用いればよい。このように、上述した陽極酸化工程図9bおよびエッチング工程図9cを交互に繰り返す例えば、陽極酸化工程4回とエッチング工程3回ことによって、所望の凹凸形状を有する細孔微細な凹部22を備えるポーラスアルミナ層20が得られる。陽極酸化工程およびエッチング工程のそれぞれの工程の条件を適宜設定することによって、細孔22の大きさ、生成密度、細孔の深さと共に、細孔22の側面の階段形状を制御することが出来る。なお、細孔22の底部を小さくするためには、陽極酸化工程で終えるその後のエッチング工程を行わないことが好ましい。表面の法線方向から見たときの細孔凹部22の2次元的な大きさは、例えば10nm以上500nm未満であり、互いに隣接する細孔凹部22間の距離は30nm以上600nm未満である。ここでは、陽極酸化工程とエッチング工程とを交互に行う例を説明したが、陽極酸化工程とエッチング工程との間、あるいはエッチング工程と陽極酸化工程との間に、洗浄工程やその後に乾燥工程を行っても良い。また、各陽極酸化工程の間に、化成電圧などの条件を変更しても良い。上述したように、上記の製造方法において、積層構造体としてガラス基板、特にソーダライムガラスの基板の表面にAl層を有するものを用いると、陽極酸化工程またはエッチング工程において、Al層一部は陽極酸化層となっているとガラス基板との接着性が低下するという問題が起こった。この問題は、ガラス基板として、アルカリ金属を含むガラスソーダライムガラスの基板を用いたときに顕著であった。プラスチックフィルムを基材として用いた場合にも、Al層とプラスチックフィルムとの接着性が低下するという問題が起こった。すなわち、陽極酸化工程またはエッチング工程の間に、Al層の一部または全部がガラス基板またプラスチックフィルムから剥離することがあった。以下に、図1~図3を参照して、本発明による実施形態の陽極酸化膜の製造方法およびそれに用いられる積層構造体を説明する。図1に、本発明による実施形態の陽極酸化膜の製造方法に用いられる積層構造体10の模式的な断面図を示し、図2a~dに、本発明による実施形態の陽極酸化膜の製造方法を説明するための模式的な断面図を示す。また、図3a~dに、本発明による他の実施形態の陽極酸化膜の製造方法を説明するための模式的な断面図を示す。図4aおよびbはそれぞれ、比較例の積層構造体30Aおよび30Bの模式的な断面図である。図1に示すように、本発明による実施形態の陽極酸化膜の製造方法に用いられる積層構造体10は、ガラス基板12と、ガラス基板12の表面に形成された無機下地層14と、無機下地層14の上に形成されたアルミニウムを含有する犠牲層16と、犠牲層16の表面に形成されたAl層18とを有する。その結果、基材とAl層との接着性が、陽極酸化工程またはエッチング工程の間に、必要以上に低下するという問題を解決することができる。なお、Al層18を均一に陽極酸化するために下地に導電層好ましくはバルブ金属層を設ける場合、無機下地層14と犠牲層16との間、または、犠牲層16とAl層18との間に導電層を設けることが好ましい。無機下地層14は、ガラス基板12の表面に直接形成され、ガラス基板12に含まれているアルカリ金属元素が溶出するのを防止するように作用する。ガラス基板12との接着性の観点から、無機酸化物または無機窒化物で形成されることが好ましい。無機酸化物を用いる場合、例えば酸化シリコン層または酸化チタン層が好ましく、無機窒化物を用いる場合、例えば窒化シリコン層が好ましい。また、無機酸化物層または無機窒化物層に不純物を添加することによって、熱膨張係数を整合させることが好ましい。例えば、酸化シリコン層を用いる場合には、ゲルマニウムGe、りんPまたはボロンBを添加することによって、熱膨張係数を増大させることができる。酸化シリコンに、例えば5質量のGeを添加すると、熱膨張係数は約2.8×106/°Cとなり、Geを添加しない場合の約3倍に増大する。なお、ガラス基板の材料として、パイレックス登録商標ガラスなどのアルカリの溶出量が小さいガラスを用いる場合には、上記の無機下地層を省略してもよい。無機下地層14の厚さは、40nm以上であることが好ましく、100nm以上であることがさらに好ましい。無機下地層14の厚さが40nm未満であると無機下地層14を設けた効果が十分に発揮されず、ガラス基板12からのアルカリ金属元素の溶出を十分に遮断できないことがある。表1にアルカリパッシベーション性を評価した結果を示す。評価方法の概要を説明する。まず、表1に示した各試料いずれも一辺が70mmの正方形のソーダライムガラス板を純水超音波洗浄にて2分間洗浄した。次に、各試料を白金皿65mmΦの上に置き、分析面を白金皿側下面にして加熱処理約2時間で200°Cに昇温後、200°Cで1時間保持、その後、自然放冷約半日を施した。その後、各試料の分析面に純水を接触させ、純水中に溶解したNaを炎光法により定量した。表1から分かるように、厚さ40nmのSiO2膜を形成することによってアルカリの溶出量を低減することができ、厚さ100nmのSiO2膜を形成することによってアルカリ遮蔽効果が顕著になる。無機下地層14の厚さは、500nm以下であることが好ましく、200nm以下であることがさらに好ましい。無機下地層14の厚さが500nm超であると、無機下地層14の形成時間が不必要に長くなる。また、ガラス基板12と無機下地層14との間の熱膨張係数の違いに起因する熱応力剪断応力によって、ガラス基板12と無機下地層14との間の接着力が低下することがある。また、プラスチックフィルムのように可撓性を有する基材を用いた場合には、無機下地層14の厚さが500nmを越えると、基材を屈曲させたときに無機下地層14に割れが発生することがある。犠牲層16は、無機下地層14とAl層18との間に設けられており、無機下地層14とAl層18との間の接着性を向上させるように作用する。また、犠牲層16は、耐酸性に優れた材料から形成されており、無機下地層14を酸から保護する。犠牲層16は、アルミニウムと、酸素または窒素とを含むことが好ましい。酸素または窒素の含有率は一定であってもよいが、特に、アルミニウムの含有率が無機下地層14側基材側よりもAl層18側において高いプロファイルを有することが好ましい。熱膨張係数などの物性値の整合に優れるからである。犠牲層16の厚さは、40nm以上であることが好ましい。また、犠牲層16の厚さは、500nm以下であることが好ましく、200nm以下であることがさらに好ましい。犠牲層16の厚さが40nm未満であると、Al層18側から浸透する処理液陽極酸化工程における電解液および/またはエッチング工程におけるエッチング液から、無機下地層14を十分に保護することが困難であり、犠牲層16を設けた効果が十分に発揮されないことがある。また、犠牲層16の厚さが500nm超であると、犠牲層16の形成時間が不必要に長くなるので好ましくない。犠牲層16内のアルミニウムの含有率の厚さ方向におけるプロファイルは、段階的に変化してもよいし、連続的に変化しても良い。例えば、犠牲層16をアルミニウムと酸素とで形成する場合、酸素含有率が漸次低下する複数の酸化Al層を形成し、最上層の上にAl層18を形成する。アルミニウムと窒素とを含む犠牲層16を形成する場合も同様である。Al層18は、公知の方法例えば電子線蒸着法またはスパッタ法で形成される。ここで、厚さが約1μmのAl層18は、一度に堆積するよりも複数回に分けて堆積する方が好ましい。すなわち、所望の厚さ例えば1μmまで連続して堆積するよりも、ある厚さまで堆積した段階で中断し、ある時間が経過した後に、堆積を再開するという工程を繰り返し、所望の厚さのAl層18を得ることが好ましい。例えば、厚さが50nmのAl層を堆積するたびに中断し、それぞれの厚さが50nmの20層のAl層で、厚さが約1μmのAl層18を得ることが好ましい。このように、アルミニウムの堆積を複数回に分けることによって、最終的に得られるAl層18の品質例えば、耐薬品性や接着性を向上させることができる。アルミニウムを連続的に堆積すると、基材Al層が堆積される表面を有するものを指すの温度が上昇し、その結果、Al層18内に熱応力の分布が生じ、膜の品質を低下させるためと考えられる。次に、図2a~dを参照して、本発明による実施形態の陽極酸化膜の製造方法を説明する。まず、図2aに示すように、図1に示した積層構造体10を用いて、図9a~eを参照して説明した方法でポーラスアルミナ層20aを形成することによって、積層構造体10Aが得られる。積層構造体10Aは、ガラス基板12と、ガラス基板12の表面に形成された無機下地層14と、無機下地層14の上に形成されたアルミニウムを含有する犠牲層16と、犠牲層16の表面に形成されたAl層18aと、Al層18aの表面に形成されたポーラスアルミナ層20aとを有する。ポーラスアルミナ層20aは、凹部22aを有するポーラス層20apと、バリア層20abとを有している。積層構造体10は犠牲層16を有するので、後に実験例を示して説明するように、ガラス基板12とAl層18との接着性が、陽極酸化工程またはエッチング工程の間に、必要以上に低下することがない。従って、陽極酸化工程およびエッチング工程を必要な回数だけ繰り返すことができる。例えば、陽極酸化工程とエッチング工程とを交互に多数回繰り返すことによって、図2a等に示している凹部22aの階段状側面を実質的に滑らかな曲面にすることができる。陽極酸化工程の時間やエッチング工程の時間等を調節することによって、種々の断面形状を有する凹部22aを形成することができる。言い換えると、ポーラスアルミナ層20aを形成するために必要な陽極酸化工程およびエッチング工程と、後述する分離工程とのバランスを考慮して、ガラス基板12とAl層18との接着性を調整すればよい。ガラス基板12とAl層18との接着性は、例えば、犠牲層16の組成酸素原子や窒素原子の濃度および分布および厚さ等を調整することによって、制御し得る。次に、図2bに示すように、ポーラスアルミナ層20aを積層構造体10Aから分離剥離する。この分離は、例えば、無機下地層14と犠牲層16との界面Saにおける剥離界面破壊によって起こる。犠牲層16とAl層18aとの界面Sbは、犠牲層16中のアルミニウム濃度がAl層18a側で高く、例えば、連続的に変化しているので、接着性が高く、界面Sbでの破壊は生じにくい。また、Al層18の一部が陽極酸化されることによって形成されたポーラスアルミナ層20aと、Al層18の残部陽極酸化されなかった部分18aとの界面Scの接着性も高く、界面Scで剥離界面破壊は生じにくい。なお、界面Saでの剥離が生じやすいものの、無機下地層14、犠牲層16およびAl層18aにおける凝集破壊も起こることがあるし、界面SbまたはScにおける界面破壊が部分的に発生することもある。分離する方法としては、例えば、タック性粘着性を有するシリコーンゴムをポーラスアルミナ層20aの全表面に押し当てて、シリコーンゴムを引き剥がす方法、真空ピンセットなどでポーラスアルミナ層20aの一端を吸引し、そこを起点として、徐々に引き剥がす方法、あるいは、真空吸着フィルム例えば、フジコピアン株式会社製のFIXFILm登録商標をポーラスアルミナ層20aの全表面に押し当てて、真空吸着フィルムを引き剥がす方法を挙げることができる。次に、図2cに示すように、積層構造体10Bの犠牲層16およびAl層18aを除去する。この工程は、適当な処理液を用いて行うことができる。例えば、犠牲層16がAlOx層のとき、熱燐酸、フッ化水素酸を用いたウェットエッチング法を用いることが好ましい。また、Al層18aの除去は、特許文献6~8に記載されている方法例えば、臭化メタノール、ヨードメタノール、あるいは塩化第一水銀溶液を用いる方法等によって行うことができる。このとき、特許文献6~8に記載の方法では、界面から侵入する処理液によってアルミニウム基材とポーラスアルミナ層とを分離したのに対し、本発明による実施形態では、図2bから理解されるように、犠牲層16およびAl層18aは、それぞれの裏面の全体が露出した状態で処理液に晒される。従って、犠牲層16およびAl層18aをそれぞれ確実により短時間で完全に除去することができる。このようにして、ポーラスアルミナ層20aだけで構成された自己支持型の陽極酸化膜10Cが得られる。次に、必要に応じて、図2dに示すように、ポーラスアルミナ層20aのバリア層20abを除去することによって、貫通孔22aを有する自己支持型の陽極酸化膜10Dが得られる。バリア層20abの除去は、例えば、特許文献6~8に記載されているように、クロム酸および燐酸の混合液や、燐酸溶液、硫酸溶液などの酸水溶液、または水酸化ナトリウム溶液などのアルカリ水溶液を用いて化学的に除去してもよいし、イオンビームや電子ビームを照射することによって物理的に除去してもよいし、研磨加工などによって機械的に除去してもよい。次に、図3a~dを参照して、本発明による他の実施形態の陽極酸化膜の製造方法を説明する。まず、図3aに示すように、図1に示した積層構造体10を用いて、Al層18の表面の一部を陽極酸化し、ポーラスアルミナ層20bを形成することによって、積層構造体20Aを得る。ポーラスアルミナ層20bは、円柱状の凹部22bを有するポーラス層20bpと、バリア層20bbとを有している。積層構造体10は、犠牲層16を有するので、陽極酸化工程の間に、ガラス基板12とAl層18との接着性が必要以上に低下することがない。その後、図3bに示すように、ポーラスアルミナ層20bを積層構造体20Aから分離剥離する。この工程は、図2bを参照して上述したのと同様に行うことができる。次に、図3cに示すように、積層構造体20Bの犠牲層16およびAl層18aを除去する。この工程は、図2cを参照して上述したのと同様に行うことができる。このようにして、ポーラスアルミナ層20bだけで構成された自己支持型の陽極酸化膜20Cが得られる。次に、必要に応じて、図3dに示すように、ポーラスアルミナ層20bのバリア層20bbを除去することによって、貫通孔22bを有する自己支持型の陽極酸化膜20Dが得られる。この工程は、図2dを参照して上述したのと同様に行うことができる。このように、本発明の実施形態の陽極酸化膜の製造方法によると、凹部22aまたは22bを有するポーラスアルミナ層20aまたは20bのみで構成される自己支持型の陽極酸化膜10Cまたは20Cを得ることができる。陽極酸化工程とエッチング工程とを適宜組み合わせることによって、階段状の側面またはなだらかな曲面状の側面を有する凹部や、円柱状の凹部を形成することができる。また、バリア層20ab、20bbを除去することによって、貫通孔22aまたは22bを有する自己支持型の陽極酸化膜10Dまたは20Dを得ることができる。また、良く知られているように、陽極酸化の条件を適宜設定することによって、凹部または貫通孔を規則的に配列することもできるし、不規則に配列することもできる。本発明の実施形態の陽極酸化膜の製造方法においては、ポーラスアルミナ層20a、20bを積層構造体10A、20Aから分離する工程は、主に犠牲層16と無機下地層14との界面Saにおける界面破壊剥離と、犠牲層16における凝集破壊によって起こる。犠牲層16は、陽極酸化工程および/またはエッチング工程においては、Al層18を基材12に安定に接着させるように機能し、ポーラスアルミナ層20a、20bが形成された後は、ポーラスアルミナ層20a、20bを積層構造体10A、20Aから容易に分離できる程度の接着力を有している。言い換えると、ポーラスアルミナ層20a、20bを形成するために必要な陽極酸化工程および/またはエッチング工程の条件、回数等に応じて、犠牲層16が有する接着性を調整すればよい。以下に、実験例と比較例を示し、積層構造体10を用いることによって、基材とAl層との接着性が改善されることを具体的に説明する。実験例1および比較例1、2図1に示した構成を有する実験例1の積層構造体10を以下のようにして作製した。ガラス基板12として、厚さが2.8mmのソーダライムガラス青板ガラスともいわれるの基板を用意した。ガラス基板12の表面上に直接、厚さが約100nmのSiO2層14、厚さが約100nmの犠牲層アルミニウムと酸素とを含む16及び、厚さが1μmのAl層18を形成した。こられの層は、全て、同一真空チャンバー内で、スパッタリング法で形成した。スパッタ条件は、バックグラウンドの真空度:1×105Torr0.0013Pa、雰囲気ガス:Ar、スパッタ時の真空度:1×103Torr0.13Pa、Alターゲットの純度:99.999質量を用いた。ここでは、犠牲層16として、酸素含有率の異なる複数の酸化Al層を有する犠牲層を形成した。複数の酸化アルミニウム層の酸素含有率が、SiO2層14に近い層ほど高いプロファイルを有するように、言い換えると、アルミニウムの含有率がSiO2層14側よりもAl層18側で高いプロファイルを有するように、複数の酸化アルミニウム層を形成した。なお、単一の酸化アルミニウム層から構成される犠牲層16を用いることもできる。犠牲層16を2つの酸化アルミニウム層で構成する場合、SiO2層14側の酸化アルミニウム層の酸素含有率は30at以上60at以下、Al層18側の酸化アルミニウム層の酸素含有率は5at以上30at以下で、かつ、2つの酸化アルミニウム層の酸素含有率が上記の関係を満足する構成とした。犠牲層16を3つの酸化アルミニウム層で構成する場合、SiO2層14側の酸化アルミニウム層の酸素含有率は35at以上60at以下、中間の酸化アルミニウム層の酸素含有率は20at以上35at以下、Al層18側の酸化アルミニウム層の酸素含有率は5at以上20at以下で、かつ、3つの酸化アルミニウム層の酸素含有率が上記の関係を満足する構成とした。もちろん、犠牲層16を4つ以上の酸化アルミニウム層で構成してもよい。犠牲層16は、例えば、以下の1-3の3つの方法を用いて形成することができる。1ArガスとO2ガスとの混合ガスと、酸素元素を含むAlターゲットとを用いて、反応性スパッタリング法によって成膜する。このとき、ターゲット中の酸素含有率は1at以上40at以下の範囲内にあることが好ましい。ターゲット中の酸素含有率が1at未満であるとターゲットに酸素を含有させた効果が無く、40atを超えるとO2ガスを用いる必要が無い。2スパッタガスとして純Arガスと、酸素元素を含むAlターゲットとを用いて反応性スパッタリング法によって成膜する。このとき、ターゲット中の酸素含有率は5at以上60at以下の範囲内にあることが好ましい。ターゲット中の酸素含有率が5at未満であると成膜する酸化アルミニウム層に十分な量の酸素を含有させることができないことがあり、60atを超えると成膜する酸化アルミニウム層に含まれる酸素元素の含有率が高くなり過ぎることがある。無機下地層側基材側の酸化アルミニウム層に含まれる酸素元素の含有率が60atを超えると、無機下地層SiO2と酸化アルミニウム層との接着性が低下することがある。3純アルミターゲットを用いて反応性スパッタリング法によって成膜する。このとき、スパッタリングに用いる混合ガスのArガスとO2ガスとの流量比を2:0超2:1以下程度とする。ArガスとO2ガスとの流量比が2:1を超えると、成膜する酸化アルミニウム層に含まれる酸素元素の含有率が高くなり過ぎることがある。実験例1として、上記3の方法を用いて、2つの酸化アルミニウム層を有する犠牲層16を形成した。各酸化アルミニウム層の酸素含有率は5atと48atであり、上記の関係を満足していた。酸素含有率はX線光電子分光法ESCAによって求めた。積層構造体10の各構成要素の熱膨張係数室温から100°C付近の間は以下の通りである。基板12:ソーダライムガラス:8.7×106/°C、無機下地層14:SiO2:1.0×106/°C、犠牲層16:Al2O3:6.9×106/°CAl層18:Al:23×106/°Cここで、実験例1が有する犠牲層16の酸素含有率正確に求めることは困難であるがはAl2O3よりも低いので、熱膨張係数はAl2O3の熱膨張係数6.9×106/°Cよりも大きく、Alの熱膨張係数23×106/°Cよりも小さい。従って、犠牲層16を形成することによって、Al層18に対する接着性が改善される。なお、SiO2で形成された無機下地層14の熱膨張係数は、基板12および犠牲層16最下層の熱膨張係数に比べて小さいので、SiO2中にGeを5質量~10質量程度ドープすることによって、熱膨張係数を整合させることが好ましい。図4aに示す比較例1の積層構造体30Aは、上記の実験例の積層構造体の作製方法において、犠牲層16を形成せず、ガラス基板12の上にSiO2からなる無機下地層34を形成した後、Al層18を形成することによって作製した。図4bに示す比較例2の積層構造体30Bは、上記の実験例の積層構造体の作製方法において、無機下地層14を形成せず、ガラス基板12の上に上記と同じ犠牲層36を形成した後、Al層18を形成することによって作製した。得られた積層構造体における、ガラス基板12とAl層18との接着性は、いわゆる剥離試験クロスカット試験によって、以下のように評価した。各積層構造体のガラス基板12上に形成された層に、カッタ-ナイフを用いて1桝が1cm×1cmの正方形の格子を5×5個形成した。なお、切れ目はガラス基板12の表面に到達させた。切れ目を入れた領域のAl層18に粘着テープ住友スリーエム社製スコッチテープBH-24を密着させた後、粘着テープを剥がし、粘着テープとともに剥がれた升目Al層18、無機下地層14、34および/または犠牲層16、36の数で評価した。評価結果を表2に示す。◎は剥離なし、○は剥離升目数が1以上5未満、△は剥離升目数が5以上10未満、×は剥離升目数が10以上を示している。また、剥離試験は、初期:上記積層構造体を作製した直後、陽極酸化エッチング:図9a~eを参照して説明した製造工程陽極酸化条件は、処理液:蓚酸0.05mol/Lリットル、処理温度:5°C、電圧:80V、処理時間:1min、エッチング条件は、処理液:燐酸8mol/L、処理温度:30°C、処理時間:20minを経て反転されたモスアイ構造が形成されたものについて行った。表2の結果から明らかなように、比較例1および2は、いずれも陽極酸化およびエッチング後の接着性は十分でないのに対して、実験例1の積層構造体を用いると、ガラス基板12とAl層18との接着性が改善されており、陽極酸化およびエッチング後においても十分な接着性を有している。比較例1の、SiO2からなる無機下地層34だけを有する積層構造体30Aでは、陽極酸化工程および/またはエッチング工程において、Al層18側から侵入する処理液によって、SiO2が化学的にダメージを受けるためであると考えられる。一方、比較例2の、犠牲層36だけを有する積層構造体30Bでは、陽極酸化工程および/またはエッチング工程において、ガラス基板12と犠牲層36との間に処理液が侵入し、処理液との反応によりガラス中のアルカリ金属元素が溶出し、陽極酸化アルミナ層を腐食させると考えられる。実験例2、比較例3、4上記の実験例1の積層構造体では、ガラス基板12を用いたのに対し、本実験例2ではプラスチックフィルム12を用いる。実験例2の積層構造体は、図2に示した積層構造体10の構成を有し、プラスチックフィルム12と、プラスチックフィルム12の表面に形成された無機下地層14と、無機下地層14の上に形成されたアルミニウムを含有する犠牲層16と、犠牲層16の表面に形成されたAl層18とを有する。なお、ガラス基板12を用いる場合と同様に、Al層18を均一に陽極酸化するために下地に導電層好ましくはバルブ金属層を設ける場合、無機下地層14と犠牲層16との間、または、犠牲層16とAl層18との間に導電層を設けることが好ましい。導電層の材料は、電蝕が生じないように、チタンやマグネシウムなどのアルミニウムとの標準電極電位の差が小さいものが好ましい。また、チタンは密着性を向上させる効果があることも知られている。実験例2では、プラスチックフィルム12として、PETポリエチレンテレフタレートフィルムきもと製、厚さ188μmを用い、無機下地層14として、厚さ70nmのSiO2層を形成し、犠牲層16として、厚さ150nmの酸化アルミニウム酸素含有率30atの単層を形成した後、厚さが1μmのAl層18を形成した。これら一連の操作は実験例1と同様に行った。比較例3の積層構造体は、図4aに示した積層構造体30Aの構成を有し、上記の実験例の積層構造体の作製方法において、犠牲層16を形成せず、プラスチックフィルムPETフィルム12の上にSiO2からなる無機下地層34を形成した後、Al層18を形成することによって作製した。比較例4の積層構造体は、図4bに示した積層構造体30Bの構成を有し、上記の実験例の積層構造体の作製方法において、無機下地層14を形成せず、プラスチックフィルムPETフィルム12の上に上記と同じ犠牲層36を形成した後、Al層18を形成することによって作製した。プラスチックフィルム12とAl層18との接着性は、Al層18を成膜した直後、および、燐酸水溶液1M、30°Cに30分間浸漬した後について、上記と同じ方法で評価した。比較例3の積層構造体30Aは、成膜直後および燐酸水溶液浸漬後の何れにおいても評価結果は×で、接着性が悪かった。比較例4の積層構造体30Bは、成膜直後の評価結果は△であったものの、燐酸水溶液浸漬後の評価結果は×であった。これらに対し、実験例2の積層構造体10は、成膜直後および燐酸水溶液浸漬後の何れにおいても評価結果は○で良好な接着性が得られた。図5aおよびbに比較例3の積層構造体30AのAl層18の表面のSEM像を示し、図6aおよびbに比較例4の積層構造体30BのAl層18の表面のSEM像を示し、図7aおよびbに実験例2の積層構造体10のAl層18の表面のSEM像を示す。図5~図7のそれぞれにおいて、aはAl層18の成膜直後のSEM像を示し、bは燐酸水溶液浸漬後のSEM像を示す。図5aに見られる黒い小さな点はピット窪みであり、図5bを見ると、燐酸水溶液に浸漬することによって拡大されていることが分かる。図6aおよびbを図5aおよびbと比較するとわかるように、比較例4の積層構造体30Bは比較例3の積層構造体30Aに比べてピットが少なく且つ小さくなっていることがわかる。このようにAl層18にピットが存在すると、ピットから燐酸水溶液が侵入し、プラスチックフィルム12または無機下地層34との接着性を低下させる。一方、図7aおよびbを見ると明らかなように、実験例2の積層構造体10のAl層には窪みピットは見られず、且つ、結晶粒は、比較例3および4の積層構造体のAl層の結晶粒よりも小さく、緻密なAl層が得られていることが分かる。このように、酸化アルミニウム層16を設けると、ピットの無い、緻密なAl層18が得られるので、接着性を改善することができる。ここでは、単一の酸化アルミニウム層で構成された犠牲層16を用いたが、実験例1で説明したように、複数の酸化アルミニウム層で構成された犠牲層16を用いてもよいことは、プラスチックフィルム12を用いる場合も同様である。例えば、犠牲層16として、無機下地層14側に酸素含有率が60atの酸化アルミニウム層、Al層18側に酸素含有率が1atの酸化アルミニウム層、およびこれらの酸化アルミニウム層の間に漸近的に酸素の含有率に傾斜をつけた酸化アルミニウム層を形成したところ、実験例2と同等以上の良好な結果が得られた。本発明の実施形態によると、もちろん、例示したプラスチックフィルム以外のプラスチック基材にAl層を形成することもできる。実験例3実験例3では、実験例1と同様に、犠牲層16として、アルミニウム濃度がAl層18a側で高くなるように連続的に変化しているAlOx層を形成し、AlOx層の厚さおよびAlOx層中の酸素含有率と接着性との関係を検討した。ガラス基板12としては、実験例1と同様に、厚さが2.8mmのソーダライムガラスの基板を用意し、ガラス基板12の表面上に直接、厚さが約100nmのSiO2層14を形成した。AlOx層中の酸素含有率は、SiO2層14側で0at、Al層18側で100atとなり、且つ、この間の酸素含有率が直線的に増加するようにした。このような、AlOx層は、スパッタリング中の酸素の流量を制御することによって形成した。酸素含有率はX線光電子分光法ESCAで求めた。犠牲層16の形成と連続して、厚さ1μmのAl層18を形成した。接着性の評価は以下のようにして行った。得られた積層構造体10のAl層18側から、カッタ-ナイフを用いて1桝が1mm×1mmの正方形の格子を10×10個形成した。なお、切れ目はガラス基板12の表面に到達させた。切れ目を入れた領域のAl層18に粘着テープ住友スリーエム社製スコッチテープBH-24を密着させた後、粘着テープを剥がし、粘着テープとともに剥がれた升目Al層18、無機下地層14および/または犠牲層16の数で評価した。評価は10段階で、剥がれなかった升目の数に応じて、全て剥がれた場合を0、全て残った場合を10とした。結果を表3に示す。なお、表3中のAlOx層中の酸素含有率は、AlOx層中の平均の酸素含有率を示している。表3から分かるように、AlOx層の厚さおよびAlOx層中の酸素含有率を調整することによって、AlOx層の接着性を制御することができる。図8aに、ガラス基板12上に、厚さ約100nmのSiO2層14、厚さ約150nmのAlOx層酸素含有率10at16、および厚さ約1μmのAl層18を有する積層構造体10の断面SEM像を示す。図8bは、この積層構造体10に、陽極酸化工程およびエッチング工程いずれも実験例1と同じ条件を交互に7回陽極酸化工程4回とエッチング工程3回行った後の積層構造体10A図2a参照の断面SEM像を示し、図8cは図8b中の破線の円で囲まれた部分の拡大SEM像を示す。図8aから分かるように、SiO2層14、AlOx層16およびAl層18を有する積層構造体10が形成されている。また、図8bおよび図8cから明らかなように、陽極酸化工程およびエッチング工程を経ることによって、AlOx層16がダメージを受けて、AlOx層16と下地のSiO2層14との界面の接触面積が小さくなっていることが分かる。ここで例示したように、陽極酸化工程およびエッチング工程を交互に複数回行う場合は、表3中にハッチングで示した範囲内、特に、AlOx層の厚さが50nm以上150nm以下、酸素含有率が10at以上30at以下の範囲内であると、陽極酸化工程およびエッチング工程中にAl層が剥離することがなく、且つ、陽極酸化工程およびエッチング工程を経た後、上記の方法で容易にポーラスアルミナ層20aを分離することができる。無機下地層として、酸化チタン層や窒化シリコン層を用いることもできるし、犠牲層として、アルミニウムと窒素とを含む層を用いることができる。これらを除去するための処理液は公知のものを適宜用いることができる。なお、上記の例では、ガラス基板の材料としてソーダガラスを用いたが、パイレックスガラス、テンパックスガラスまたは石英ガラスを用いることができる。これらのガラス材料は、下記の表4に示すように、アルカリの溶出量が小さいので、こられのガラス材料を基材12に用いる場合には、上記の無機下地層を省略することができる。このとき、犠牲層16は、基材とAl層との間の熱膨張係数の違いによる応力を緩和する役目を果たし、接着性を改善する。本発明による実施形態の陽極酸化膜の製造方法によって得られる自己支持型の陽極酸化膜は、種々の用途に用いられる。例えば、貫通孔を有する陽極酸化膜は、貫通孔に、例えば電解質を充填することによって、燃料電池用の電解質膜として利用できる。また、凹部や貫通孔に磁気材料を充填することによって、磁気記録メディアを構成することもできる。もちろん、反射防止膜などの光学素子を構成することもできる。また、規則的に配列された貫通孔や凹部を利用して、DNA等を規則的に配列させることができる。さらに、貫通孔を有する陽極酸化膜は、精密な分離フィルターとして利用することもできる。さらに、表面積が大きいことなどを利用した放熱素子、熱電素子などに利用することもできる。