基板上へシリコン含有膜を堆積するための方法であり、前記方法は:前記シリコン含有膜の原子層堆積ALDを実施するように構成されたバッチプロセスシステム内に基板を配置し;前記基板をシリコンを含む第1の前駆体の非飽和量に暴露し;前記バッチプロセスシステムから前記第1の前駆体を真空除去又はパージし;前記基板をシリコン又はドーパントを含む第2の前駆体の飽和量に暴露し、ここで前記第1及び第2の前駆体の1つのみがハロゲンを含み、かつ前記第2及び第2の前駆体の前記基板上での反応がシリコン含有膜と揮発性水素ハロゲン化物HX副生成物を形成し;前記第2の前駆体及び前記HX副生成物を前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージし;及び前記暴露及び真空除去又はパージするステップを、前記シリコン含有膜が望ましい厚さを持つまで繰り返す、ことを含む方法。請求項1に記載の方法であり、前記第1の前駆体がシリコン水素化合物を含むがハロゲンを含まずかつ前記第2の前記がシリコンハロゲン化合物又はハロゲン化ドーパントを含むか、又は前記第1の前駆体がシリコンハロゲン化合物を含みかつ前記第2の前駆体がシリコン水素化合物を含むがハロゲンは含まない、方法。請求項2に記載の方法であり、前記シリコン水素化合物が、シランSiH4、ジシランSi2H6又はそれらの組合せを含む、方法。請求項2に記載の方法であり、前記シリコンハロゲン化合物が、ハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランを含む、方法。請求項4に記載の方法であり、前記ハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランが、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2Cl6、SiF4、SiHF3、SiH2F2、SiH3F又はSi2F6又はそれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。請求項2に記載の方法であり、前記ハロゲン化ドーパントが、リン、ホウ素、ヒ素又はゲルマニウム又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。請求項6に記載の方法であり、前記ハロゲン化ドーパントが、PCl3、PCl5、PF3、PF5、PBr3、PBr5、BCl3、BF3又はGeCl4又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。請求項2に記載の方法であり、前記水素を含むがハロゲンを含まない前記ドーパントが、リン、ホウ素、ヒ素又はゲルマニウム又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。請求項8に記載の方法であり、前記水素を含むがハロゲンを含まない前記ドーパントが、PH3、BH3、B2H6、AsH3、炭化水素又はGeH4又はそれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、さらに:前記繰り返しの前に、前記シリコン含有膜を、周期的に、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せのガスでプラズマ処理されることを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、さらに:前記繰り返しの前に、前記シリコン含有膜を、周期的に、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せのガスでプラズマの存在なしで処理されることを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、前記シリコン含有膜がシリコン膜である、方法。基板上へシリコン含有膜を堆積するための方法であり、前記方法は:前記シリコン含有膜の原子層堆積ALDを実施するように構成されるバッチプロセスシステム内に前記基板を配置し;前記基板に、第1のシリコン前駆体の飽和量を暴露し;前記バッチプロセスシステムから前記第1のシリコン前駆体を真空除去又はパージし;前記基板を第2のシリコン前駆体の飽和量に暴露し、ここで前記第1及び第2のシリコン前駆体の1つのみがハロゲンを含み、かつ前記基板上で前記第1及び第2のシリコン前駆体の反応が前記シリコン含有膜と揮発性の水素ハロゲン化物HX副生成物を形成し;前記バッチプロセスシステムから、前記第2のシリコン前駆体と前記HX副生成物を真空除去又はパージし;及び前記暴露及び真空除去又はパージするステップを、前記シリコン含有膜が望ましい厚さを持つまで繰り返し;及び前記繰り返しの前に、前記シリコン含有膜を、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガス及びH2ガスの組合せで周期的に処理することを含む、方法。請求項13に記載の方法であり、前記第1の前駆体がシリコン水素化合物を含むがハロゲンを含まず、かつ前記第2の前駆体がシリコン水素化合物を含むか、又は前記第1の前駆体がシリコンハロゲン化合物を含み、かつ前記第2の前駆体がシリコン水素化合物を含むがハロゲンを含まない、方法。請求項14に記載の方法であり、前記シリコン水素化合物が、シランSiH4、ジシランSi2H6又はこれらの組合せを含む、方法。請求項14に記載の方法であり、前記シリコンハロゲン化合物が、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2Cl6、SiF4、SiHF3、SiH2F2、SiH3F又はSi2F6又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含むハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランを含む、方法。請求項13に記載の方法であり、前記処理が、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せで前記シリコン含有膜を周期的にプラズマ処理することを含む、方法。請求項13に記載の方法であり、前記処理が、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せで前記シリコン含有膜を周期的に、プラズマの存在なしで処理することを含む、方法。基板上へドープシリコン膜を堆積するための方法であり、前記方法は:前記シリコン含有膜の原子層堆積ALDを実施するように構成されるバッチプロセスシステム内に前記基板を配置し;前記基板に、第1のシリコン前駆体の非飽和量を暴露し;前記バッチプロセスシステムから前記第1のシリコン前駆体を真空除去又はパージし;前記基板を、ドーパントを含む第2の前駆体の飽和量に暴露し、ここで前記第1及び第2の前駆体の1つのみがハロゲンを含み、かつ前記基板上で前記第1及び第2の前駆体の反応が前記ドープシリコン膜と揮発性の水素ハロゲン化物HX副生成物を形成;前記バッチプロセスシステムから、前記第2の前駆体と前記HX副生成物を真空除去又はパージし;及び前記暴露及び真空除去又はパージするステップを、前記ドープシリコン膜が望ましい厚さを持つまで繰り返す、ことを含む方法。請求項19に記載の方法であり、前記第1の前駆体がシリコン水素化合物を含むがハロゲンは含まず、かつ前記第2の前駆体がハロゲン化ドーパントを含むか、又は前記第1の前駆体がシリコンハロゲン化合物を含み、かつ前記第2の前駆体が水素を含むがハロゲンを含まないドーパントを含む、方法。請求項20に記載の方法であり、前記シリコン水素化合物が、シランSiH4、ジシランSi2H6又はこれらの組合せを含む、方法。請求項20に記載の方法であり、前記シリコンハロゲン化合物が、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2Cl6、SiF4、SiHF3、SiH2F2、SiH3F又はSi2F6又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含むハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランを含む、方法。請求項20に記載の方法であり、前記ハロゲン化ドーパントが、PCl3、PCl5、PF3、PF5、PBr3、PBr5、BCl3、BF3CCl4又はGeCl4又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。請求項20に記載の方法であり、前記水素を含むがハロゲンを含まないドーパントが、PH3、BH3、B2H6、AsH3、炭化水素又はGeH4又はそれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。請求項19に記載の方法であり、さらに:前記繰り返しの前に、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せで前記ドープシリコン膜を周期的に、プラズマ処理することを含む、方法。請求項19に記載の方法であり、さらに:前記繰り返しの前に、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せで前記ドープシリコン膜を周期的に、プラズマの存在なしで処理することを含む、方法。原子層堆積ALDによる基板上へシリコン及びシリコン含有膜を堆積するための方法が提供される。ここでシリコン含有膜の例はドープシリコン膜を含む。1つの実施態様によると、シリコン又はシリコン含有膜を堆積するための方法が提供される。前記方法は、前記シリコン又はシリコン含有膜のALDを実施するように構成されたバッチプロセスシステム内に前記基板を準備配置し、前記基板をシリコンを含む第1の前駆体の非飽和量へ暴露し、前記バッチプロセスシステムから前記第1の前駆体を真空除去又はパージすることを含む。前記方法はさらに、前記基板をシリコン又はドーパントを含む第2の前駆体の飽和量へ暴露し、ここで前記第1及び第2の前駆体の1つのみがハロゲンを含み、かつ前記第1及び第2の前駆体の基板上での反応がシリコン又はシリコン含有膜および揮発性ハロゲン化水素HXを副生成物として形成し、前記第2の前駆体と前記ハロゲン化水素HX副生成物を前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージし、及び前記シリコン又はシリコン含有膜が望ましい厚さになるまで前記暴露及び真空除去又はパージすることを繰り返すことを含む。他の実施態様によれば、シリコン膜を堆積するための方法が提供される。前記方法は、前記シリコン膜のALDを実施するように構成されるバッチプロセスシステムに前記基板を配置し、前記基板を第1のシリコン前駆体の非飽和量に暴露し、前記バッチプロセスシステムから前記第1のシリコン前駆体を真空除去又はパージすることを含む。前記方法はさらに、前記基板を第2のシリコン前駆体の飽和量へ暴露し、ここで前記第1及び第2のシリコン前駆体の1つのみがハロゲンを含み、かつ前記第1及び第2のシリコン前駆体の基板上での反応がシリコン膜および揮発性ハロゲン化水素HXを副生成物として形成し、前記第2のシリコン前駆体と前記ハロゲン化水素HX副生成物を前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージし、及び前記シリコン膜が望ましい厚さになるまで前記暴露及び真空除去又はパージすることを繰り返すことを含む。他の実施態様によれば、ドープシリコン膜の堆積のための方法が提供される。前記方法は、前記シリコン膜のALDを実施するように構成されるバッチプロセスシステムに前記基板を配置し、前記基板をシリコンを含む第1の前駆体の非飽和量に暴露し、前記バッチプロセスシステムから前記第1の前駆体を真空除去又はパージすることを含む。前記方法はさらに、前記基板をドーパントを含む第2の前駆体の飽和量へ暴露し、ここで前記第1及び第2の前駆体の1つのみがハロゲンを含み、かつ前記第1及び第2の前駆体の基板上での反応がドープシリコン膜および揮発性ハロゲン化水素HXを副生成物として形成し、前記第2の前駆体と前記ハロゲン化水素HX副生成物を前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージし、及び前記ドープシリコン膜が望ましい厚さになるまで前記暴露及び真空除去又はパージすることを繰り返すことを含む。1つの実施態様によると、シリコン又はシリコン含有膜を堆積するための方法が提供される。前記方法は、前記シリコン又はシリコン含有膜のALDを実施するように構成されるバッチプロセスシステムに前記基板を配置し、前記基板をシリコンを含む第1の前駆体の飽和量に暴露し、前記バッチプロセスシステムから前記第1の前駆体を真空除去又はパージすることを含む。前記方法はさらに、前記基板をシリコン又はドーパントを含む第2の前駆体の飽和量へ暴露し、ここで前記第1及び第2の前駆体の1つのみがハロゲンを含み、かつ前記第1及び第2の前駆体の基板上での反応がシリコン又はシリコン含有膜および揮発性ハロゲン化水素HXを副生成物として形成し、前記第2の前駆体と前記ハロゲン化水素HX副生成物を前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージし、及び前記シリコン又はシリコン含有膜が望ましい厚さになるまで前記暴露及び真空除去又はパージすることを繰り返し、及び周期的に前記シリコン含有膜を前記繰り返す前にクリーニングガスで処理することを含む。本発明の実施態様は、ALDによる基板上へのシリコン及びシリコン含有膜を堆積するための方法を説明する。以下の説明では、本発明の十分な理解を容易にするため、かつ説明のためであり限定するためではなく、前記バッチプロセスの形状及び種々の部品の説明などの具体的な詳細が提示されている。しかし理解されるべきことは、本発明はこれらの具体的な詳細から離れて他の実施態様においても実施され得る、ということである。図1は、本発明の1つの実施態様によるバッチプロセスシステムの1つの単純化されたブロックダイヤグラムである。前記バッチプロセスシステム1は、プロセスチャンバ10及びプロセスチューブ25を含み、これは排気パイプ80に接続された上端部23及び円筒状マニホールド2の縁部27へ密閉結合された下部端部24を含む。前記排気パイプ80は前記プロセスチューブ25から真空ポンプシステム88へガスを放出して、前記バッチプロセスシステム1内の既定の大気圧又は大気圧以下の圧力に維持する。複数の基板ウェハ40を段々に積まれた垂直にある間隔でそれぞれ水平に置かれた面ように保持するための基板ホルダー35は前記プロセスチューブ25内に配置される。前記基板ホルダー35は、前記縁部27を通過する回転シャフト21上に設けられ、モーター28で駆動されるターンテーブル26上に設けられる。前記ターンテーブル26は、処理中に回転でき、全体の膜均一性を改善し得る。又は前記ターンテーブルは処理中は静止され得る。前記縁部27は、前記基板ホルダー35を前記プロセスチューブ25の内外へ移送するためにエレベータ22上に設けられる。前記縁部27がその際上部位置に位置付けされると、前記縁部27は前記マニホールド2の前記開口端部に近くなるように適合される。ガス輸送システム97は、ガスを前記プロセスチャンバ10に導入するようにされている。複数のガス供給ラインが、複数のガスを前記ガス供給ラインを通じて前記プロセスチューブ25内に供給するようにマニホールド2の回りに配置されている。図1では、複数のガス供給ラインの中でも1つのみのガス供給ライン45が示されている。前記ガス供給ライン45は第1のガスソース94と接続されている。一般的に、前記第1のガスソース94は基板40を処理するためにガスを供給できる。これには前記基板上に膜を形成即ちシリコン及びシリコン含有膜を堆積するためのシリコン含有ガス及びドーパントするためのガスを含む。加えて又はこれに代えて、1又はそれ以上のガスが操作的に第2のガスとカップルされる遠隔のプラズマソース95から前記ガス供給ライン45により前記プロセスチャンバ10へ供給されることができる。前記プラズマ励起ガスは、前記ガス供給ライン45により前記プロセスチューブ25内に導入される。前記プラズマソース95は、例えばマイクロ波プラズマソース、ラジオ周波数RFプラズマソース又は光励起によるプラズマソースであり得る。マイクロ波プラズマソースの場合に、前記マイクロ波パワーは、約500ワットWと約5000ワットWとの間である。前記マイクロ波周波数は、例えば2.45GHz又は8.3GHzであり得る。1つの実施態様では、前記遠隔プラズマソースは、DownstreamPlasmaSourceTypeAX7610MKSInstruments、Wilmington、Massachusetts、USAである。円筒状熱反射装置30が前記反応チューブ25をカバーするように設けられている。前記熱反射装置30は鏡面仕上の内部表面を有し、メインヒーター20、ボトムヒーター65、トップヒーター15及び排気パイプヒーターからに放射熱の消散を抑制する。螺旋冷却水通路図示されていないが、冷却媒体通路として前記プロセスチャンバ10の壁内に形成され得る。前記ヒーター20、65及び15は、例えば前記基板を約20°Cと約90°Cとの間に維持する。前記真空ポンプシステム88は真空ポンプ86、トラップ84及び自動圧力制御装置APC82を含む。前記真空ポンプ86は、例えば20000リットル/秒まで及びそれより大きいのポンプ速度が可能なドライ真空ポンプを含む。処理の間、ガスは、前記ガス輸送システム97の前記ガス供給ライン45を介して前記プロセスチャンバ10内に導入され、前記プロセス圧力は前記APC82で調節され得る。前記トラップ84は前記プロセスチャンバ10からの未反応前駆体材料及び副生成物を回収する。前記プロセスモニタシステム92は、リアルタイムプロセスモニタ可能なセンサ75を含み、かつ例えば質量分析装置MS、FTIR分光装置又はパーティクルカウンターを含むことができる。制御装置90はマイクロプロセッサ、メモリ及び、前記バッチプロセスシステム1からのモニタ出力と同様に前記バッチプロセスシステムへ交信し入力を開始させるために十分な制御電圧を生成することができるデジタルI/Oポートを含む。さらに、前記制御装置90は前記ガス輸送システム97、モーター28、プロセスモニタシステム92、ヒーター20、15、65及び70、及び真空ポンプシステム88に接続され情報を交換できる。前記制御装置90は、DELLPRECISIONWORKSTATION610TMとして実装され得る。前記制御装置90はまた、汎用コンピュータ、プロセッサ、デジタルシグナルプロセッサなどとして実装され、コンピュータ読み取り可能媒体に含まれた1又はそれ以上の命令の1又はそれ以上の手順を実行する前記制御装置90に応じて基板処理装置が本発明の処理ステップの1部分又は全てを実行させる。前記コンピュータ読み取り可能媒体又はメモリは、本発明の教示によりプログラムされた命令を保持するため、及びデータ構造、テーブル、レコード又はここで説明されたその他のデータを含むためである。コンピュータ読み取り可能媒体の例は、コンパクトディスク、ハードディスク、フロッピーディスク、テープ、光磁気ディスク、PROMEPROM、EEPROM、フラッシュEPROM、DRAM、SRAM、SDRAM又は全ての他の磁気媒体、コンパクトディスク例えばCD-ROM、又は全てのその他の光学媒体、パンチカード、紙テープ、又はその他の穴パターン付き物理的媒体、キャリア波以下説明する、又はその他の全てのコンピュータ読み取り可能な媒体を含む。前記制御装置90は、前記バッチプロセスシステム1に対して近くに設けられる得るか、又はインターネットやイントラネットを介して前記バッチプロセスシステムに対して離れて設けられ得る。従って、前記制御装置90は、直接接続、イントラネット及びインターネットの少なくとも1つを用いて前記バッチプロセスシステム1とデータを交換可能である。前記制御装置90は、顧客位置即ちデバイスメーカなどでイントラネットへ接続されることができ、又は販売者装置製造者でイントラネットへ接続され得る。さらに、他のコンピュータ即ち制御装置、サーバなどが制御装置90にアクセスして、直接接続、イントラネット及びインターネットの少なくとも1つを介してデータを交換することができる。理解されるべきことは、図1に記載の前記バッチプロセスシステム1は例示目的のみで示されているということ、具体的なハードウェアの多くの変更が本発明を実施するために使用され得るということ、及びこれらの変更は当業者には容易に分かるものである、ということである。図1の前記バッチプロセスシステム1は、例えば200mm基板、300mm基板又はそれより大きい基板などの全てのサイズの基板を処理することができる。さらに、前記バッチプロセスシステム1は、約200枚まで又はそれ以上の基板を同時に処理することができる。又は、前記バッチプロセスシステム1は、約25枚までの基板を同時に処理することができる。図2及び5Aから5Fを参照する。図2は本発明の1つの実施態様によるALDによる基板上へシリコン又はシリコン含有膜を形成するためのフローダイヤグラムであり、図5Aから5Eは本発明の実施態様による基板へのシリコン又はシリコン含有膜の堆積を模式的に示す。図2では、前記処理200は202で開始される。202で、基板500はバッチプロセスシステムのプロセスチャンバに配置される。前記プロセスチャンバは、例えば図1に示される前記バッチプロセスシステム1の前記プロセスチャンバ10であり得る。前記基板500は、例えばSi、SiGe、SiGeC、SiC、SiN、SiCN、SiCO、Geを含み、ガラス基板、LCD基板又は化合物半導体基板であり、かつ数多くのアクティブデバイス及び/又は分離領域を含み得る。さらに、前記基板500は、パターン化基板であってよく、ビア又はトレンチ又はそれらの組合せを含み得る。図5Aに示されるように、基板500はその上に酸化物層502を含む。前記酸化物層502は、前記シリコン又はシリコン含有膜を堆積する前に203で基板500から除去され得る。前記酸化物層502及び全てのその他の表面汚染の除去は、図5Bに示されるようにクリーンな基板表面を生成し、これによりSi又はSiGe膜などのエピタキシャルシリコン又はシリコン含有膜を基板表面503上へ堆積させることを可能とし、前記バルク基板500の結晶格子が前記新たなシリコン又はシリコン含有膜の成長を通じて拡大する。前記酸化物層502は、室温においても空気へ暴露することでシリコン基板上に容易に形成される自然酸化物であり得る。適切な膜シーディング及びエピタキシャル膜成長の妨害に加えて、酸化物層の存在はまた、異なる基板材料上への選択的堆積を減少させ得る。又は、例えば前記プロセスチャンバ内に配置される際に前記基板500がクリーンである場合、又はエピタキシャル膜の堆積が望まれない場合には酸化物除去ステップは省略され得る。基板500から酸化物層502を除去するための例示的方法及びシステムは、米国特許第7501349号、米国特許出願公開第2007/0039924号に開示されている。これらの両方の特許文献の全内容はここで参照されて本明細書に援用される。1つの例では、前記酸化物除去処理及び続くALDによるシリコン含有膜の堆積は同じプロセスチャンバ内で実施されることができ、前記処理の間の基板500の酸化を最小限にすることができる。前記酸化物除去処理に続いて、前記基板500は、シリコン及びシリコン含有膜のALDが可能となる温度範囲内の温度へ加熱され得る。ALD処理は、前記処理が自己限定的であるプロセス条件下で実施され得る。1つの例では、シリコンを含む第1の前駆体の非飽和量が基板表面上に吸収され、及びその後シリコン又はドーパントを含む第2の前駆体の飽和量が前記第1の前駆体の前記吸収された層を含む前記基板へ暴露される。前記吸収処理の自己限定的性質により、前記堆積は前記第2の暴露後自動的に停止する。前記自己限定的性質は正確な膜厚の制御を与え、これは有益であり得る。前記基板500の温度は、約25°Cと650°Cの間、又は200°Cと450°Cの間であり得る。当業者であれば、異なるシリコン前駆体は、ALD処理のための異なる温度範囲を持つ、ということは理解できるであろう。前記プロセスチャンバ内のガス圧力は、例えば0.1と100トールTorrの間であり得る。かつ前記プロセスチャンバ内へのガスフローは1sccmと10000sccmの間又は10sccmと1000sccmの間であり得る。204で、基板500は、シリコンを含む第1の前駆体の非飽和量へ暴露される。前記暴露は、前記第1の前駆体の非飽和層504又は前記第1の前駆体の断片を前記基板500上に形成する時間間隔の間実施され得る。前記非飽和暴露は、前記シリコンを含む第1の前駆体の飽和暴露の90、80、70、60、50、40、30、20又は10未満であり得る。206で、シリコンを含む前記第1の前駆体への暴露に続いて、前記第1の前駆体は前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージされる。前記パージは、N2又は希ガスなどの不活性ガスを使用することができる。208で、前記基板500が、シリコン又はドーパントを含む第2の前駆体の飽和量に暴露され、シリコン又はシリコン含有膜506を形成する。前記第2の前駆体への暴露は、前記非飽和層504を飽和させ、シリコン又はシリコン含有膜506を形成する。いくつかの例では、前記シリコン又はシリコン含有膜506はさらに、前記第2の前駆体の断片を含む。例えば、前記第2の前駆体がSiH4を含む場合に、前記断片はSiHxここでx<4を含み得る。本発明の実施態様により、ALDによる低温度でのシリコン又はシリコン含有膜506の堆積が、熱力学的に安定なかつ揮発性のハロゲン化水素副生成物HX、ここでXはハロゲンの形成により可能となる。これは、前記第1及び第2の前駆体を、前記第1及び第2の前駆体の1つのみがハロゲンを含むように選択することで達成される。本発明の実施態様によれば、前記第1の前駆体はシリコン水素化合物を含むがハロゲンは含まず、さらに前記第2の前駆体はシリコンハロゲン化合物又はシリコンハロゲン化合物又はハロゲン化ドーパントを含む。前記暴露は、前記基板500上に前記第1及び第2の前駆体の反応を飽和させ、かつ前記シリコン又はシリコン含有膜506と揮発性HX副生成物を形成する時間間隔の間実施され得る。シリコン水素化合物は、シランSiH4、ジシランSi2H6又はこれらの組合せを含み得る。前記シリコンハロゲン化合物は、ハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランを含む。前記ハロゲン化シラン及びハロゲン化ジシランは、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2Cl6、SiF4、SiHF3、SiH2F2、SiH3F又はSi2F6又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む。前記ハロゲン化ドーパントは、リンP、ホウ素B、ヒ素As、炭素C又はゲルマニウム又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む。前記ハロゲン化ドーパントには、PCl3、PCl5、PF3、PF5、PBr3、PBr5、BCl3、BF3、CCl4又はGeCl4又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む。本発明の他の実施態様によれば、前記第1の前駆体はシリコンハロゲン化合物を含み、前記第2の前駆体はシリコン水素化合物を含むがハロゲンを含まず、又は水素を含むドーパントを含むがハロゲンを含むドーパントは含まない。前記シリコンハロゲン化合物及びハロゲンを含まないシリコン水素化合物は上で説明した前駆体から選択され得る。水素を含むがハロゲンを含まないドーパントは、リン、ホウ素、ヒ素、炭素又はゲルマニウム、又はそれらの2又はそれ以上の組合せを含む。水素を含むがハロゲンを含まないドーパントは、PH3、BH3、B2H6、AsH3、炭化水素例えばCH4、C2H4又はGeH4、又はそれらの2又はそれ以上の組合せを含む。210で、前記第2の前駆体及び前記HX副生成物例えば、HF、HClは、前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージされる。前記パージは、N2又は希ガスなどの不活性ガスを使用し得る。本発明のいくつかの実施態様によれば、前記シリコン含有膜506が場合により211で処理され得る。前記選択的な処理は、前記シリコン又はシリコン含有膜506内の汚染即ちハロゲンの量をさらに低減するために使用され得る。前記選択的に処理はステップ210の後に周期的、例えばステップ210の後毎回又はより少なく、例えばステップ210の2回後、3回後又は4回の抽出などで実施され得る。本発明の1つの実施態様によると、前記繰り返しの前に、前記シリコン又はシリコン含有膜506が、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せを含むプロセスガス507でプラズマ処理され得る。他の実施態様によると、前記繰り返しの前に、前記シリコン又はシリコン含有膜506は、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せで、プラズマの存在なしで処理され得る。212では、前記暴露及び真空除去又はパージステップ204から210及び選択的なステップ211が、前記シリコン又はシリコン含有膜508が望ましい厚さを得るまで繰り返される。いくつかの例では、前記シリコン又はシリコン含有膜508は、1nmと1000nmとの間、又は10nmと100nmとの間の厚さを持ち得る。しかし他の厚さもまた含まれ、使用され得る。図3及び5Aから5Fを参照する。図3は、本発明の他の実施態様によるALDによる基板上へシリコン膜を形成するための1つのフローダイヤグラムである。図3の前記フローダイヤグラムは図2のフローダイヤグラムと類似しており、図3では前記プロセス300は302で開始される。302で、基板500は、バッチプロセスシステムのプロセスチャンバに準備される。前記プロセスチャンバは、例えば図1で示される前記バッチプロセスシステム1の前記プロセスチャンバ10であり得る。前記基板500は、例えばSi、SiGe、SiGeC、SiC、SiN、SiCN、SiCO、Geを含み、またガラス基板、LCD基板又はは化合物基板であり得る、また種々のアクティブデバイス及び/又は分離領域を含み得る。さらに、前記基板はパターン化基板であり、ビアやトレンチ又はそれらの組合せを含み得る。303で、酸化物層502が前記基板500から除去される。304で、基板500は第1のシリコン前駆体の非飽和量へ暴露される。前記暴露は、前記基板500上へ前記第1の前駆体の非飽和層504又は前記前駆体の断片が形成される時間間隔の間実施され得る。306で、前記シリコン前駆体は前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージされる。前記パージはN2又波希ガスなどの不活性ガスを使用し得る。308で、前記基板500は、第2のシリコン前駆体の飽和量に暴露されてシリコン膜506を形成する。前記第2のシリコン前駆体への暴露は、前記非飽和層504を飽和させシリコン膜506を形成する。いくつかの例では、前記シリコン含有膜506は前記第2のシリコン前駆体の断片を含み得る。例えば、前記シリコン膜506は、多結晶Si膜poly-Si-film又はエピタキシャルシリコン膜であり得る。本発明の実施態様によると、ALDによる低温度でシリコン膜506を堆積することは、熱力学的に安定な揮発性水素ハロゲン化物HX副生成物を形成することで可能となる。これは、前記第1及び第2のシリコン前駆体を、前記第1及び第2のシリコン前駆体の1つのみがハロゲンを含むように選択されることで達成される。本発明の1つの実施態様によると、前記第1のシリコン前駆体はシリコン水素化合物を含むがハロゲンは含まず、また前記第2の前駆体はシリコンハロゲン化合物を含む。前記暴露は、前記基板500上で前記第1及び第2のシリコン前駆体の反応を飽和させ、シリコン膜506と揮発性HX副生成物を形成する時間間隔で実施され得る。前記シリコン水素化合物は、シランSiH4、ジシランSi2H6又はこれらの組合せを含み得る。前記シリコンハロゲン化合物は、ハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランを含み得る。前記ハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランは、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2Cl6、SiF4、SiHF3、SiH2F2、SiH3F又はSi2F6、又はそれらの2又はそれ以上の組合せを含み得る。本発明の他の実施態様によると、前記第1の前駆体はシリコンハロゲン化合物を含み、かつ前記第2のシリコン前駆体はシリコン水素化合物を含むがハロゲンは含まない。前記シリコンハロゲン化合物及びハロゲンを含まないシリコン水素化合物は上で説明された前駆体から選択され得る。310で、前記第2のシリコン前駆体及び前記HX副生成物は前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージされる。前記パージは、N2又は希ガスなどの不活性ガスを使用し得る。本発明者は次のことを見出した。即ち、304で前記第1のシリコン前駆体の非飽和量の暴露及び308で前記第2のシリコン前駆体の飽和量の暴露が、独立に、前記基板500上のハロゲン対水素の比を制御可能とする、ということである。このことは、前記シリコン含有膜506からハロゲンを前記揮発性HX副生成物の形でハロゲン除去を最大化し、それにより前記シリコン膜506のハロゲン含有量を低減するために利用され得る。本発明のいくつかの実施態様によると、前記シリコン膜506は311で選択的に洗浄ガスで処理され得る。前記選択的処理は、前記シリコン膜506中の汚染例えばハロゲン量をさらに低減するために使用され得る。前記選択的な処理は、ステップ310の後に規則的、例えばステップ310の後毎回又はより少なく実施され得る。例えばステップ310を2回行った後、3回行った後又は4回行った後など、である。本発明の1つの実施態様によると、前記繰り返しの前に、前記シリコン膜506は、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せを含む洗浄クリーニングガス507でプラズマ処理され得る。他の実施態様によると、前記繰り返しの前に、前記シリコン膜506は、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せを含むクリーニングガス507でプラズマの不存在下で処理され得る。312で、前記暴露及び真空除去又はパージステップ304から310及び選択的ステップ311が、前記シリコン膜508が望ましい厚さを持つまで繰り返される。いくつかの例では、前記シリコン膜508は、1nmと1000nmの間、又は10nmと100nmの間の厚さを持ち得る。しかし他の厚さをここに含まれ使用され得る。他の実施態様によると、シリコン又はシリコン含有膜の堆積のための方法が提供される。前記方法は、シリコン又はシリコン含有膜のALDを実行するように構成されるバッチプロセスシステムに前記基板を配置し、前記基板をシリコンを含む第1の前駆体の飽和量へ暴露し、前記バッチプロセスシステムから前記第1の前駆体を真空除去又はパージすることを含む。前記方法はさらに、前記基板をシリコン又はドーパントを含む第2の前駆体の飽和量へ暴露し、ここで前記第1及び第2の前駆体の1つのみがハロゲンを含み、かつ前記第1及び第2の前駆体の基板上での反応がシリコン又はシリコン含有膜および揮発性ハロゲン化水素HXを副生成物として形成し、前記第2の前駆体と前記ハロゲン化水素HX副生成物を前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージし、及び前記シリコン又はシリコン含有膜が望ましい厚さになるまで前記暴露及び真空除去又はパージすることを繰り返し、及び周期的に前記シリコン含有膜を前記繰り返す前にクリーニングガスで処理することを含む。図4及び5Aから5Fを参照する。図4は、本発明の1つの実施態様によりALDによる基板上へドープシリコン膜を形成するための1つのフローダイヤグラムである。図4の前記フローダイヤグラムは、図2のフローダイヤグラムと類似するが、図4では前記プロセス400は402で開始される。402で、基板500は、バッチプロセスシステムのプロセスチャンバ内に準備される。前記プロセスチャンバは、例えば図1に示される前記バッチプロセスシステム1の前記プロセスチャンバ10である得る。前記基板500は、例えばSi、SiGe、SiGeC、SiC、SiN、SiCN、SiCO、Geを含み、またガラス基板、LCD基板又はは化合物基板であり得る、また種々のアクティブデバイス及び/又は分離領域を含み得る。さらに、前記基板はパターン化基板であり、ビアやトレンチ又はそれらの組合せを含み得る。403で、酸化物層502が基板500から除去される。404で、基板500は第1のシリコン前駆体の非飽和量へ暴露される。前記暴露は、前記基板500上へ前記第1の前駆体の非飽和層504又は前記前駆体の断片が形成される時間間隔の間実施され得る。前記非飽和暴露は、シリコンを含有する前記第1の前駆体の飽和暴露の、90、80、70、60、50、40、30、20又は10未満であり得る。406で、前記シリコン前駆体は前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージされる。前記パージはN2又波希ガスなどの不活性ガスを使用し得る。408で、前記基板は、ドーパントを含む第2の前駆体の飽和量に暴露されてドープシリコン膜506を形成する。前記第2の前駆体の暴露が前記非飽和層504を飽和させて前記ドープシリコン膜506を形成する。いくつかの例では、前記ドープシリコン膜506は前記第2の前駆体の断片を含み得る。本発明の実施態様によると、ALDによる低温度でのドープシリコン膜506の前記堆積は、熱力学的に安定な揮発性HX副生成物を形成することで可能となる。これは、前記第1及び第2の前駆体を、前記第1及び第2の前駆体の1つのみがハロゲンを含むように選択することで達成される。本発明の1つの実施態様によると、前記第1の前駆体はシリコン水素化合物を含むがハロゲンは含まず、また前記第2の前駆体はハロゲン化ドーパントを含む。前記暴露は、基板500上の前記第1及び第2の前駆体の反応を飽和させ、前記ドープシリコン膜と揮発性HX副生成物を形成することで実行され得る。本発明の他の実施態様によると、前記第1の前駆体がシリコンハロゲン化物を含み、かつ前記第2の前駆体が水素を含むがハロゲンを含まないドーパントを含む。前記シリコン水素化合物は、シランSiH4、ジシランSi2H6又はこれらの組合せを含み得る。前記シリコンハロゲン化合物は、ハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランを含み得る。前記ハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランは、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2Cl6、SiF4、SiHF3、SiH2F2、SiH3F又はSi2F6又はそれらの2又はそれ以上の組合せを含み得る。前記ハロゲン化ドーパントは、リンP、ホウ素B、ヒ素As、炭素C又はゲルマニウム又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む。前記ハロゲン化ドーパントには、PCl3、PCl5、PF3、PF5、PBr3、PBr5、BCl3、BF3、CCl4又はGeCl4又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む。前記水素を含むがハロゲンを含まないドーパントは、リン、ホウ素、ヒ素、炭素又はゲルマニウム、又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含み得る。水素を含むがハロゲンを含まないドーパントは、PH3、BH3、B2H6、AsH3、炭化水素例えばCH4、C2H4又はGeH4又はそれらの2又はそれ以上の組合せを含む。本発明者は次のことを見出した。即ち、404で前記第1の前駆体の暴露と308でドーパントを含む前記第2の前駆体の暴露とを別々に暴露することは、独立に、前記基板500上のハロゲン対水素の比を制御可能とする、ということである。このことは、前記シリコン含有膜506からハロゲンを前記揮発性HX副生成物の形でハロゲン除去を最大化し、それにより前記シリコン膜506のハロゲン含有量を低減するために利用され得る。さらに、前記別々の暴露は、シリコンの前記ドーパントとの比を制御し、従って前記ドープシリコン膜の前記ドーピングレベルを制御するために利用され得る。410で、前記第2の前駆体と前記HX副生成物例えば、HF、HClは前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージされる。前記パージは、N2又は希ガスなどの不活性ガスを使用し得る。本発明のいくつかの実施態様によると、前記シリコン含有膜506は411で選択的に処理され得る。前記選択的処理は、前記シリコン膜506中の汚染例えばハロゲン量をさらに低減するために使用され得る。前記選択的な処理は、ステップ410の後に規則的、例えばステップ310の後毎回又はより少なく実施され得る。例えばステップ310を2回行った後、3回行った後又は4回行った後など、である。本発明の1つの実施態様によると、前記繰り返しの前に、前記シリコン含有膜506は、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せを含プロセスガス507でプラズマ処理され得る。他の実施態様によると、前記繰り返しの前に、前記シリコン含有膜506は、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せを含むクリーニングガス507でプラズマの不存在下で処理され得る。412で、前記暴露及び真空除去又はパージステップが、前記シリコン含有膜508が望ましい厚さを持つまで繰り返される。いくつかの例では、前記シリコン含有膜508は、1nmと1000nmの間、又は10nmと100nmの間の厚さを持ち得る。しかし他の厚さをここに含まれ使用され得る。ここまで、ALDによりシリコン又はシリコン含有膜を堆積するための複数の実施態様が開示された。本発明の実施態様のこれまでの説明は、例示及び説明を目的として提示されてきた。これは、本発明を開示されたものだけに限定することを意図するものではない。この記載及び以下の特許請求の範囲は、説明を目的として使用され限定的に解釈されない用語を含む。例えば、ここで特許請求の範囲を含む使用される用語上は、パターン化基板上の膜が前記膜の上にかつ直接接触することを必要とする場合だけでなく、前記膜と前記パターン化基板との間に第2の膜やその他の構成がある場合も含まれる。当業者は、これまでの教示に照らして、種々の修正及び変更が可能であることを理解することができる。当業者は、図1に示された種々の要素について種々の均等な組合せ及び置換を認識できるであろう。従って、本発明の範囲は、これらの詳細な説明により限定されるものではなく、むしろ特許請求の範囲により限定されるべきものである。