吊りリードに支持され、その主面上に半導体チップが固着されるアイランドと、前記アイランドに向けて延在した複数のインナーリードと、を備え、前記複数のインナーリードの中の一部のインナーリードが前記アイランドに近い位置まで延在され且つ該インナーリードの先端部の面積が延在されていない前記インナーリードの先端部の面積に比べて大きいことを特徴とするリードフレーム。前記アイランドに近い位置まで延在されるインナーリードの両隣は延在されていないインナーリードであることを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。前記アイランドに近い位置まで延在される前記インナーリードが任意の隣り合う2本の前記インナーリードである場合を含むことを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。前記隣り合う2本の前記インナーリードのそれぞれの先端部が互いに反対側に延在することを特徴とする請求項3に記載のリードフレーム。前記アイランドに近い位置まで延在される前記インナーリードの先端部が階段状であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のリードフレーム。前記複数のインナーリードの先端部が1本おきに前記アイランドに近い位置まで延在されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のリードフレーム。吊りリードに支持されたアイランドと、前記アイランドの主面上に固着され、複数のパッドを有する半導体チップと、前記アイランドに向けて延在した複数のインナーリードと、前記パッドと対応する前記インナーリードとを接続する金属細線と、前記半導体チップを封止する樹脂パッケージと、を備え、前記複数のインナーリードの中の一部のインナーリードが前記アイランドに近い位置まで延在され且つ該インナーリードの先端部の面積が延在されていない前記インナーリードの先端部の面積に比べて大きく、該先端部に複数本の前記金属細線がワイヤーボンドされていることを特徴とする樹脂封止半導体装置。前記アイランドに近い位置まで延在されるインナーリードの両隣は延在されていないインナーリードであることを特徴とする請求項7に記載の樹脂封止半導体装置。前記アイランドに近い位置まで延在される前記インナーリードが任意の隣り合う2本の前記インナーリードである場合を含むことを特徴とする請求項7に記載の樹脂封止半導体装置。前記アイランドに近い位置まで延在される前記インナーリードの先端部が階段状であることを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれかに記載の樹脂封止半導体装置。上述した半導体チップ54の高集積化は、半導体チップ54を構成するデバイス素子等の微細加工技術の進展による小型化に加え、その数が増加するパッド53それぞれのの面積の縮小化により達成される。また、該半導体チップ54を封止した樹脂封止半導体装置のリード端子数の増加は、各インナーリード52間の間隔を物理的加工限界に近づける狭ピッチ化により達成される。この場合、各インナーリード52は出来るだけアイランド51に接近した位置まで延在させることにより、樹脂封止半導体装置の小型化がはかれる。しかし、リードフレームの板厚寸法やそれに用いる金属材料Au、Cu等により、インナーリード52の加工限界があり、隣接するインナーリード52間の間隔Aと、インナーリード52の幅Bとの縮小化には制約があった。図4を参照つまり、全てのインナーリード52の先端部を延ばしてアイランド51に近づけていくと、インナーリード52の間隔A、幅Bは狭くなっていくが、加工限界に達するとそれ以上はアイランド51に近づけられなくなる。従って、狭ピッチ化を進めるとしても、インナーリード52の先端部の幅Bは、加工限界内であって該インナーリード52の先端部に少なくとも1本の金属細線55がワイヤーボンド可能となる幅に留めなければならない。この場合、電流容量を確保するため複数の金属細線55を1本のインナーリード52にどのようにしてワイヤーボンドするかが課題となる。本発明のリードフレームは、吊りリードに支持され、その主面上に半導体チップが固着されるアイランドと、前記アイランドに向けて延在した複数のインナーリードと、を備え、前記複数のインナーリードの中の一部のインナーリードが前記アイランドに近い位置まで延在され且つ該インナーリードの先端部の面積が延在されていない前記インナーリードの先端部の面積に比べて大きいことを特徴とする。また、本発明のリードフレームは、前記アイランドに近い位置まで延在されるインナーリードの両隣は延在されていないインナーリードであることを特徴とする。また、本発明のリードフレームは、前記アイランドに近い位置まで延在される前記インナーリードが任意の隣り合う2本の前記インナーリードである場合を含むことを特徴とする。また、本発明のリードフレームは、前記隣り合う2本の前記インナーリードのそれぞれの先端部が互いに反対側に延在することを特徴とする。また、本発明のリードフレームは、前記アイランドに近い位置まで延在される前記インナーリードの先端部が階段状であることを特徴とする。また、本発明のリードフレームは、前記複数のインナーリードの先端部が1本おきに前記アイランドに近い位置まで延在されていることを特徴とする。本発明の樹脂封止半導体装置は、吊りリードに支持されたアイランドと、前記アイランドの主面上に固着され、複数のパッドを有する半導体チップと、前記アイランドに向けて延在した複数のインナーリードと、前記パッドと対応する前記インナーリードとを接続する金属細線と、前記半導体チップを封止する樹脂パッケージと、を備え、前記複数のインナーリードの中の一部のインナーリードが前記アイランドに近い位置まで延在され且つ該インナーリードの先端部の面積が延在されていない前記インナーリードの先端部の面積に比べて大きく、該先端部に複数本の前記金属細線がワイヤーボンドされていることを特徴とする。また、本発明の樹脂封止半導体装置は、前記アイランドに近い位置まで延在されるインナーリードの両隣は延在されていないインナーリードであることを特徴とする。また、本発明の樹脂封止半導体装置は、前記アイランドに近い位置まで延在される前記インナーリードが任意の隣り合う2本の前記インナーリードである場合を含むことを特徴とする。また、本発明の樹脂封止半導体装置は、前記アイランドに近い位置まで延在される前記インナーリードの先端部が階段状であることを特徴とする。本発明のリードフレーム及び樹脂封止半導体装置によれば、複数のインナーリードの中の一部のインナーリードをアイランドに近接させ、且つその先端部の面積を大きくすることにより、半導体チップの1つのパッドと該インナーリードの先端部間を複数の金属細線でワイヤーボンドし、電流容量を確保することができる。本発明の実施形態によるリードフレーム及び樹脂封止半導体装置について、図1~図4を参照して以下に説明する。図1、図2のQFPのアイランド周辺の構造に示すように、リードフレーム本体から延びた4本の吊りリード10によって、1つのアイランド11の4つの角部が支持されており、このアイランド11に向けて複数本のインナーリード12a、12bが延在している。図1の例では、インナーリードの加工限界の制約の下、複数本のインナーリードの中の一部のインナーリード12a、12a1の先端部が、両隣のインナーリード12bの先端部よりアイランド11に近くなるように延長されている。更に、インナーリード12a、12a1の先端部の面積は、インナーリード12bの先端部の面積より大きく形成される。インナーリード12a、12a1を両隣のインナーリード12bよりアイランド11に近づけることにより、インナーリード12a、12a1の先端部の両隣に大きな空間が確保できるからである。図1にはインナーリード12a、12a1はあわせて7本示されるが、その本数は必要に応じ増減される。通常、インナーリード12aの先端部の広い面積は、先端部から左右に広がる矩形状に形成される。しかし、狭ピッチ化が更に進んだとき、インナーリード12aの先端部の面積を余裕を持って確保できない場合が考えられる。特に2本のインナーリード12aが隣接する場合、問題となる。この場合、先端部の広い面積同士が接触しないように、図1の破線内のインナーリード12a1に示すように、先端部の形状を隣接するインナーリード12aと反対側の片側だけに広がる、ひしゃく形状に形成するのが有効である。また、先端部の形状は矩形状に限られず、必要に応じ、丸、楕円その他の形状にすることができる。図3Aに図1の破線で囲んだ領域の拡大図を示す。同図によれば、インナーリード12bの先端部には1本の金属細線15がワイヤーボンドされている。一方で、大きな面積のインナーリード12a、12a1の先端部には2本の金属細線15がワイヤーボンドされる。金属細線15の本数は必要に応じ増加される。もちろん、図1に示すインナーリード12bに関しても、インナーリード12aの両隣のインナーリード12bを除いて、1本おきにアイランド11に近くなるように延在させても良い。金属細線15の使用量を減らすことができるし、樹脂封止半導体装置全体の小型化に寄与するからである。この場合、延長されたインナーリード12bをインナーリード12cと表示すると、インナーリード12cは、図3Bに示されるように、両隣のインナーリード12bよりアイランド11に近接した構成になる。また、図1に示すように、複数個のパッド13を有する半導体チップ14が、アイランド11の主面上にAgペースト等の導電性ペーストを介して固着されている。複数個のパッド13は、半導体チップ14の周端に沿って配置されている。流れる電流が多いパッド13と対応するインナーリード12a、12a1、及び流れる電流の少ないパッド13と対応するインナーリード12bとは、それぞれ金属細線15によってワイヤーボンドされる。この場合、インナーリードの加工限界により定まる図5Aに示す間隔A、幅Bの制約の下で、インナーリード12bの先端部の面積より拡張された、広い面積を有するインナーリード12a、12a1それぞれの先端部に対して、電流容量を確保するため複数本の金属細線15のワイヤーボンドが可能になる。延長前のインナーリード12a、12bの先端部位置がインナーリード12a、12bの間隔Aによって決まっている場合には、インナーリード12aを延長しても問題はなく、延長した領域でインナーリード12aの先端の幅Bを広く形成できる。また、延長前のインナーリード12a、12bの先端部位置がインナーリード12a、12bの幅Bによって決まっている場合には、インナーリード12aの幅Bを最小限界以上に維持しながら先端部を延長し、延長した領域でインナーリード12aの先端の幅Bを広く形成できる。一方、図2の例では、加工限界より余裕のある寸法でインナーリード12bの加工がされているが、その幅が複数本の金属細線15をワイヤーボンドするには狭すぎる場合の例を示している。この場合も、図1の例と同様に、複数本の金属細線15をワイヤーボンドする必要があるインナーリード12aを、両隣のインナーリード12bよりアイランドに接近させて広い面積で形成することができる。図1の例と異なるのは、インナーリード12bが加工限界に対して余裕のある寸法で加工されているため、図2の破線内に示されるように、必要に応じて隣り合うインナーリード12a同士を並列にアイランドに接近させることができることである。この場合、両インナーリード12aの先端部は、それぞれ反対側に広がるひしゃく形状に形成することにより、両インナーリード12aの先端同士が接触するのを回避することができる。不図示ではあるが、隣接する3本のインナーリード12aを並列にアイランドに接近させることもできる。この場合は、左右のインナーリード12aの先端部は、前述の2本のインナーリード12aを並列にアイランドに接近させる場合と同様に、それぞれ反対側に広がるひしゃく形状に形成する。間に挟まれたインナーリード12aの先端部は、左右のインナーリード12aの先端よりアイランドに接近させ面積を確保する。本実施形態によれば、金属細線15の長さを短縮することができるので金属材料の使用量の低減にも寄与する。また、金属細線15の長さが短縮されれば、それが有するインピーダンスやインダクタンスも低減され、ノイズの影響の低減、信号遅延の低減などを図ることができ、その結果半導体チップ14の動作特性にも良い影響を与えることが期待できる。特に、上述のように、電流が多く流れる電源供給用のパッド13等に対応する、金属細線15が複数本ワイヤーボンドされるインナーリード12aの先端部を、アイランドにより近い位置まで延長することで金属細線15を短くすることができる。その結果、金属細線15に伴う電源ノイズの影響を低減し、電源電圧降下を小さくするなどの効果を期待することができる。図1においては省略されているが、インナーリード、アウターリードの支持構造について図3Aを参照して説明する。上述したように、図3Aは図1の破線で囲んだ部分の詳細構造を示したものであるが、図1のリードフレーム全体が同様の構造を有している。図3A示すように、インナーリード12a、12a1、12bは、外側の対応するアウターリード16に連結されており、各アウターリード16の端がリードフレーム本体の支持部17に連結されることで支持される。また、通常、インナーリード12a、12a1、12bは、その間に連結されたタイバー18によっても支持されている。この場合、タイバー18は、インナーリード12a、12a1、12bとアウターリード16の境界部に形成される。リードフレームにおいて、金属細線15がワイヤーボンディング工程により形成された後に、トランスファモールド工程において、絶縁性樹脂からなる樹脂パッケージ19により半導体チップ14が封止される。樹脂パッケージ19は、タイバー18より内側の領域に形成される。樹脂パッケージ19の形成後、タイバー18は刃物により切断され、さらにアウターリード16も支持部17から切り離される。そして、切り離されたアウターリード16は所定の形状に折り曲げられ、樹脂封止半導体装置が完成する。図4は、樹脂封止半導体装置の断面図であり、図4Aは延長されたインナーリード12aを含む断面図、図4bは延長されていないインナーリード12bを含む断面図である。図示のように、延長されたインナーリード12aは延長されていないインナーリード12bに比べて、アイランド11の主面上の半導体チップ14により近接している。そして、延長されたインナーリード12aとパッド13を結ぶ金属細線15は、延長されていないインナーリード12bとパッドを結ぶ金属細線15に比べて短縮される。また、延長されていないインナーリード12bとパッド13を結ぶ金属細線15図4Bは、延長されたインナーリード12aとパッド13を結ぶ金属細線15図4Aに比べて、高い空中配線の軌道を描いており両者の軌道が異なっていることから、インナーリード12aを延長しても、隣接したインナーリード12a、12bの間で金属細線15同士でショートが生じるおそれはない。なお、図4Cに示すように、延長され広い面積を有するインナーリード12aの先端部に階段状に段差20を設けてもよい。この場合、半導体チップ14の電流が多く流れる電源供給用のパッド13等にワイヤーボンドされた複数の金属細線15の一部を、インナーリード12aの先端部の段差20の上段領域21bと下段領域21aに振り分けてワイヤーボンドできる。この際、上段領域21bと下段領域21aに向かう空中配線同士は軌道を異にしており、金属細線15同士で干渉が生じるおそれはない。従って、同一インナーリード12aに対するワイヤーボンド数を増やすことができ、多数の金属細線15でパッド13とインナーリード12a間を接続することができる。尚、上記実施形態はQFPを例として説明したが、本発明はこれに限られず、他のタイプ、例えば、QIPQuadInlinePackage、SIPSingleInlinePackage等にも適用することができる。