"複数の画素部が配列された撮像領域と、前記各画素部において各色に対応して積層された複数の光電変換部と、前記各画素部において前記光電変換部に対する受光面側に配置され、前記撮像領域の中心から離れるほど非対称性を高めたことにより、当該受光面に対する斜め入射光の主光線を当該受光面に対して垂直に近づけて集光させる複数の集光素子とを備えた固体撮像装置。前記各集光素子は、光透過性材料の分布によって前記非対称性を得ている請求項1記載の固体撮像装置。前記各集光素子は、前記撮像領域の中心から離れるほど前記光電変換部に対する配置位置が当該撮像領域の中心に向かって大きくずれて配置されている請求項1記載の固体撮像装置。前記各集光素子を通過した前記主光線の入射角度θは、前記画素部の幅をw、集光素子と光電変換部の最深部との間隔をdとした場合、tanθ≦w/2dである請求項1記載の固体撮像装置。前記撮像領域は、半導体層を備え、前記画素部に積層された前記複数の光電変換部は、前記半導体層内に積層されている請求項1記載の固体撮像装置。前記撮像領域は、半導体層と、当該半導体層上に積層された光電変換膜とを備え、前記画素部に積層された前記複数の光電変換部は、前記半導体層内に積層された複数の光電変換部と、前記光電変換膜に設けられた光電変換部とである請求項1記載の固体撮像装置。前記各集光素子は、前記撮像領域の中心から離れるほど前記半導体層内に積層された光電変換部に対する配置位置が当該撮像領域の中心に向かって大きくずれて配置され、前記光電変換膜に設けられた光電変換部は、前記集光素子のズレ幅の範囲内において、前記撮像領域の中心から離れるほど前記半導体層内に積層された光電変換部に対する配置位置が当該撮像領域の中心に向かって大きくずれて配置されている請求項6記載の固体撮像装置。複数の画素部が配列された撮像領域と、前記各画素部において各色に対応して積層された複数の光電変換部と、前記各画素部において前記光電変換部に対する受光面側に配置され、前記撮像領域の中心から離れるほど非対称性を高めたことにより、当該受光面に対する斜め入射光の主光線を当該受光面に対して垂直に近づけて集光させる複数の集光素子と、前記撮像領域に入射光を導く光学系とを備えた電子機器。しかしながら上述したような、同一の画素部内において、光電変換膜で構成された光電変換部の配置をシフトさせる構成では、半導体層内に積層された赤色R用の光電変換部と青色B用の光電変換部の配置をずらすことが困難である。このため、斜め入射光の主光線を、同一画素部内に積層された全ての光電変換部の感度分布の重心を通過させることができず、半導体層内に積層された各色の光電変換部においての感度低下にばらつきが発生する。このような各色毎の感度低下のばらつきは、色シェーディングの発生要因となる。そこで本技術は、各色の光電変換部を同一の画素部内に積層させた構成において、色シェーディングの発生を効果的に防止することが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、複数の画素部が配列された撮像領域と、各画素部において各色に対応して積層された複数の光電変換部と、各画素部において光電変換部に対する受光面側に配置された複数の集光素子とを備えている。特に集光素子は、撮像領域の中心から離れるほど非対称性を高めたことにより、受光面に対する斜め入射光の主光線を当該受光面に対して垂直に近づけて集光させる構成である。また本技術の電子機器はこのような固体撮像装置を備えた電子機器である。このような構成の固体撮像装置では、各画素部に設けた集光素子の非対称性により、撮像領域の全域に配置された各画素部において、受光面に対する斜め入射光の主光線が当該受光面に対して垂直に近づけて集光されるようになる。このため、各画素部に積層された全ての光電変換部に対して垂直に近い入射角度で効果的に主光線が入射することになり、画素部内に積層された全ての光電変換部における感度低下のばらつきが防止される。以上説明したように本技術によれば、同一の画素部内に積層された全ての光電変換部における感度低下のばらつきを防止できるため、色シェーディングの発生を効果的に防止することが可能な固体撮像装置とこれを備えた電子機器を得ることが可能である。以下、図面に基づいて本技術の実施の形態を次に示す順に説明する。1.本技術が適用される固体撮像装置の概略構成例2.第1実施形態[半導体層および光電変換膜を用いて各色の光電変換部を積層した構成例]3.第2実施形態[半導体層内に各色の光電変換部を積層した構成例]4.第3実施形態[瞳補正を組み合わせた構成例]5.実施形態に用いられる集光素子の第1例[波面制御型の光学素子の積層構造]6.実施形態に用いられる集光素子の第2例[波面制御型の光学素子の単層構造]7.第1例および第2例の集光素子の作製プロセス8.実施形態に用いられる集光素子の第3例単純化した波面制御型の光学素子9.実施形態に用いられる集光素子の第4例[積層型]10電子機器の実施形態≪1.各実施形態の固体撮像装置の概略構成例≫図1に、本技術が適用される固体撮像装置の一例として、CMOSComplementaryMetaloxideSemiconductor型の固体撮像装置を用いた概略構成の一例を示す。尚、本技術は、これに限定されることなく、CCDChargeCoupledDevice型の固体撮像装置への適応も同様に可能である。この図に示す固体撮像装置1は、支持基板2の一面上に光電変換部を含む複数の画素部3が2次元的に配列された撮像領域4を有している。各画素部3には、複数の光電変換部が積層された状態で配置されており、積層型の固体撮像装置を構成している。また各画素部3には、それぞれの光電変換部に対応するフローティングディフュージョン、読出ゲート、その他の複数のトランジスタいわゆるMOSトランジスタおよび容量素子等で構成された画素回路が設けられている。以上のような撮像領域4の周辺部分には、垂直シフトレジスタ5、カラム信号処理回路6、水平シフトレジスタ7、およびシステム制御回路8などの周辺回路が設けられている。垂直シフトレジスタ5は、画素駆動線9を選択し、選択された画素駆動線9に画素部3を駆動するためのパルスを供給し、撮像領域4に配列された画素部3内の各光電変換部を行単位で駆動する。すなわち、垂直シフトレジスタ5は、撮像領域4に配列された各画素部3を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、画素駆動線9に対して垂直に配線された垂直駆動線10を通して、各画素部3の各光電変換部において受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号を、それぞれ個別にカラム信号処理回路6に供給する。カラム信号処理回路6は、画素部の例えば列ごとに配置されており、1行分の画素部3に積層された各光電変換部から出力される信号を、画素列ごとにノイズ除去などの信号処理を行う。すなわちカラム信号処理回路6は、画素部固有の固定パターンノイズを除去するための相関二重サンプリングCDS:CorrelatedDoublesamplingや、信号増幅、アナログ/デジタル変換AD:AnalogDigitalConversion等の信号処理を行う。水平シフトレジスタ7は、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路6の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路6の各々から画素部信号を出力させる。システム制御回路8は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像装置1の内部情報などのデータを出力する。すなわち、システム制御回路8では、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直シフトレジスタ5、カラム信号処理回路6、および水平シフトレジスタ7などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、これらの信号を垂直シフトレジスタ5、カラム信号処理回路6、および水平シフトレジスタ7等に入力する。以上のような各周辺回路5~8と、撮像領域4に設けられた画素部回路とで、各画素部を駆動する駆動回路が構成されている。尚、周辺回路5~8は、固体撮像装置1における受光面Aとは反対側の面上において撮像領域4に積層される状態で配置されていても良い。この場合、周辺回路5~8が設けられた側とは反対の裏面側が受光面Aとなるため、この固体撮像装置は裏面照射型となる。また支持基板2における受光面A側の上部には、集光素子層11が積層されている。この集光素子層11は、各画素部3に対応する複数の集光素子13を備えており、各画素部3に配置された光電変換部への集光率の向上が図られている。特に以下の各実施形態においては、以下に説明するように各集光素子13の構成が特徴的である。≪2.第1実施形態≫[半導体層および光電変換膜を用いて各色の光電変換部を積層した構成例]図2は、第1実施形態の固体撮像装置の構成を説明するための概略断面図であり、図1に示した撮像領域4における両端部と中央部の断面に対応している。また図3は第1実施形態の固体撮像装置の構成を説明するための平面模式図であり、撮像領域4の全体部分に対応している。以下、これらの図面に基づいて第1実施形態の固体撮像装置の構成の詳細を説明する。<固体撮像装置11の全体構成>図2に示す第1実施形態の固体撮像装置11は、例えばここでの図示を省略した支持基板上に半導体層21を備えている。この半導体層21の中央には撮像領域4が広く設定されており、この撮像領域4には複数の画素部3が配列されている。半導体層21内における各画素部3には、受光面A側から順に、青色B用の光電変換部23bと、赤色R用の光電変換部23rとが、積層して配置されている。またこの半導体層21内の各画素部3には、光電変換部23bに接続されたプラグ領域25bが配置されている。ここで、各光電変換部23b,23rはn型の不純物領域からなり、半導体層21におけるp型ウェル内に配置され、周囲がp型で覆われることとする。これにより、n型の光電変換部23b,23rと、その周囲のp型の半導体層21部分とでフォトダイオードが構成されている。また、光電変換部23bに接続されたプラグ領域25bはn型であり、光電変換部23bに蓄積された信号電荷が所定の方向に引き出される構成となっている。例えば受光面Aに対する裏面側に駆動回路が設けられた構成である場合、光電変換部23bに蓄積された信号電荷が駆動回路側に引き出される構成となっている。また半導体層21内には、ここでの図示を省略した素子分離、フローティングディフュージョンなどのその他の領域が必要に応じて設けられていることとする。以上のような半導体層21における受光面A側の上部には、光透過性の絶縁膜31を介して遮光膜33が設けられている。この遮光膜33は、複数の受光開口33aを備えている。各受光開口33aは、各画素部3に設けた光電変換部23b,23rの上部のみを広く露出する形状であり、プラグ領域25bや素子分離領域などのその他の領域を遮光膜33で完全に覆う形状である。このような遮光膜33の上部には、光透過性の絶縁膜35を介して透明導電性材料からなる複数の画素電極37が設けられている。これらの画素電極37は画素部3毎に分離して設けられており、遮光膜33の上方を分離部分として各画素部3を独立して広く覆う状態で設けられている。尚、各画素電極37は、ここでの図示を省略した配線によって、対応する緑色R用のフローティングディフュージョンに接続されていることとする。画素電極37が設けられた絶縁膜35の上部には、画素電極37を分離するための分離絶縁膜39が設けられている。この分離絶縁膜39は、各画素電極37を広く開口する画素開口を備えており、各画素電極37に接続された配線を覆う状態で設けられている。したがってこの分離絶縁膜39は、遮光膜33と類似の平面パターンで形成されることとなる。以上のような各画素電極37および分離絶縁膜39上には、例えば緑色Gの光を吸収して光電変換する光電変換膜41と、透明導電性材料からなる共通電極43とがこの順に積層されている。これらの光電変換膜41および共通電極43は、全画素部3に共通の膜としてベタ膜状で設けられており、光電変換膜41において画素電極37と共通電極43とで挟持された各部分が、各画素部3における緑色G用の光電変換部41gとなる。このような構成において、共通電極43の上部に、光透過性の平坦化絶縁膜45を介して集光素子層11が配置されている。この集光素子層11は、各画素部3に対応する複数の集光素子13を有する層である。各集光素子13は、各画素部3に対応して配置されており、例えば集光素子13の中心を画素部3における受光開口33aの中心と一致させて設けられていることとする。ここで、集光素子13の中心および受光開口33aの中心は、受光面A側からこれらを平面視的に見た場合の図形的な中心であって良い。本第1実施形態では、これらの集光素子13が、撮像領域4の中心から離れて配置されるものほど非対称性を高めたことにより、全ての画素部3において受光面Aに対する斜め入射光の主光線h0を受光面Aに対して垂直に近づけて集光させる構成となっている。つまり、各集光素子13は、集光機能と共に、斜め入射光の主光線h0の入射角度θ0が、各集光素子13を通過することによって入射角度θ=0°に近づくような斜め補正機能を有しているところが特徴的である。このような集光素子13は、次のようなものである。<集光素子13>ここで用いる集光素子13は、以下に詳細に説明するような集光機能と斜め補正機能とを実現できる構成のものであれば良く、集光素子13自体の構成が限定されることはない。先ず、各集光素子13の集光特性は、各画素部3において集光素子13から最も遠く配置された赤色Rの光電変換部23rの内部を焦点としている。また、集光素子13で集光された入射光が、分離絶縁膜39や遮光膜33でケラレることが最小限に抑えられていることとする。また各集光素子13が有する斜め補正機能は、具体的には次のようである。撮像領域4の中心に配置される画素部3x0、y0においては、入射光の主光線h0は、受光面Aに対して入射角度θ0=0°、すなわち垂直で入射する。尚、受光面Aは、集光素子13を有する集光素子層11の光入射側の面、および半導体層21における光入射側の面である。このような中心の画素部3x0、y0に配置された集光素子13x0、y0は、非対称性ゼロ、すなわち対称性が確保された集光特性を有する。このため、集光素子13x0、y0を通過した主光線hは、入射角度θ=0°に維持された状態で当該画素部3x0、y0の光電変換部41g,23b,23rに入射する。つまり、撮像領域4の中心に配置される画素部3x0、y0の集光素子13x0、y0には、集光機能のみを持たせ、斜め補正機能を持たせる必要はない。これに対して、撮像領域4の中心から最も遠く配置された画素部3xm,ynにおいては、入射光が斜め入射光となり、その主光線h0は受光面Aに対して入射角度θ0=θmn°となる。このような画素部3xm,ynに設けられる集光素子13xm、ynは、最も非対称性を高めた斜め補正機能を有する。この非対称性は、集光素子13xm、ynを通過した主光線hが、入射角度θ=0°に近づくように構成されていることする。また図3を参照し、上記画素部3xm,ynよりも、撮像領域4の中心に近い方向に配置された画素部3xa、ybの集光素子13xa、ybは、集光素子13xm、ynよりも非対称性が弱い斜め補正機能を有する。このような画素部3xa、ybの非対称性も同様に、集光素子13xa、ybを通過した主光線hが、入射角度θ=0°に近づくように構成されていることする。図4に示す様に、このような斜め補正機能は、画素部3の幅をw、集光素子13と集光素子13から最も遠く配置された光電変換部23rの最深部との間隔をdとした場合、tanθ≦w/2dとなるように、各集光素子13の斜め補正機能を設定する。尚、受光開口33aおよび光電変換部23b,23r,41gは、画素部3の中央に配置されていることとする。また間隔dは、正確には集光素子13の厚み方向の中間部からの間隔であることとする。尚、幅wは、集光素子13から最も遠く配置された光電変換部23rの幅であっても良く、受光開口33aの幅であっても良い。このうち、幅wとして最も小さい値を選択することで斜め入射光の漏れ出しが確実に防止されるため好ましいが、これに限定されることはない。以上のような集光素子13の非対称性は、各集光素子13が配置される画素部3の撮像領域4の中心からの距離に依存し、撮像領域4の中心から離れるほど、すなわち撮像領域4の中心からの距離が大きいほど非対称性を高めた構成となっている。またこのような非対称性は段階的であっても良く、撮像領域4の中心からの距離に範囲を設定し、その範囲毎に非対称性を設定しても良い。尚、このような集光素子13の具体例は、各実施形態の後に詳細に説明するが、例えば光透過性材料の屈折率差を利用したさまざまな構成のものを用いることができる。屈折率差を利用した集光素子としては、屈折率の異なる光透過性材料を交互に配置し、それらの分布を調整した構成のものが例示される。後で詳細に説明するように、このような集光素子は、屈折率の異なる光透過性材料の配置間隔であり、図32Bは平面図におけるx方向の断面模式図である。これらの図に示す光学素子205も、屈折率の異なる光透過性材料の分布によって集光機能を持たせたものであり、前述の第1例および第2例の波面制御型に加えて、ゾーンプレートの回折レンズ効果を採り入れた構造にする点に特徴がある。このような参考例となる光学素子205は、図19を用いて説明した波面制御型の光学素子と同様に、低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとを交互に配置した板状のものである。この光学素子205において、その光入射面側には単一材層100が設けられ、光射出面側には単一材層101が設けられている。各層の構成は、第1例および第2例の集光素子を構成する各光学素子と同様である。すなわち、単一材層100,101および低屈折率層200Aは酸化シリコンSiO2:屈折率n0=1.46からなり、高屈折率層200Bは窒化シリコンSiN:屈折率n1=2.0からなる。この光学素子205の厚さは0.5μmとする。光学素子205は、第2例と同様に、集光機能と斜め入射光補正機能との両者を兼ね備えたもので、光学長レンズ長に比べて十分に薄く設定される点は第2例と同様である。この光学素子205は、集光機能と斜め入射光補正機能の両者を兼ね備えるべく、左右非対称構造を持っている。画素部3対応して配置される光学素子205内において、素子の中心CLよりも光Hの入射側においては、低屈折率層200Aよりも高屈折率層200Bの配置密度が高く、逆側においては低屈折率層200Aよりも高屈折率層200Bの配置密度が低い。つまり第2例で説明した重心を用いて説明すると、画素部3に対応して配置される光学素子205内において、素子の重心よりも光Hの入射側においては、低屈折率層200Aの幅が小さく狭く、かつ高屈折率層200Bの幅が大きい広い。これに対して、重心よりも光Hの入射側とは反対側においては、低屈折率層200Aの幅が大きく広く、かつ高屈折率層200Bの幅が小さく狭く設定されている。低屈折率層200Aと高屈折率層200Bの数が少ないものの、光学素子205内における光Hの入射方向においては、高屈折率層200Bが割合で多く存在しかつ低屈折率層200Aが割合で少なく存在し、反対側では高屈折率層200Bが割合で少なくかつ低屈折率層200Aが割合で多く存在するようにしている点で、第2例の状態と同様になっている。このような光学素子205の具体的な構成は、例えば次のようである。すなわち光学素子205は、画素部のサイズ画素サイズに合わせてx-y方向で1.1μm×1.1μmのサイズを有し、このサイズを1周期として高屈折率層200Bと低屈折率層200Aとがx方向に交互に配列されて構成されている。これらの低屈折率層200Aと高屈折率層200Bは、斜め入射光の入射方向から以下のような線幅の4本が順に配置され、さらに4本を1組として斜め入射光の入射方向ここでは図面上x方向に1.1μmピッチで繰り返し配置されている。高屈折率層200B:0.25μm低屈折率層200A:0.17μm高屈折率層200B:0.17μm低屈折率層200A:0.51μmそして、最も線幅の太い高屈折率層200Bの外側の辺から、光Hの入射する先の-x方向に0.65μm隔てた位置を、光学素子205の中心CLとしている。尚、各低屈折率層200Aおよび高屈折率層200Bの長さ、すなわち光Hの入射方向に対して垂直な方向ここでは図面上y方向の延設長さは、画素ピッチ1.1よりも十分に長く、画素部3を縦断して配置されていることとする。図33は、図32に示した光学素子205を通過する緑色光λ=550nmの斜め入射光に関しての3次元の波動ミュレーション結果を示す図である。斜め入射光の入射角度は、光学素子205内のxy平面のx方向で17deg空気中換算25degである。図33Aのx-z断面に示すように、光学素子205において低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとを配列させたx方向においては、斜め入射光Hは、光学素子205を通過することにより、光学素子205のほぼ中心x=0μmに集光している。これにより、低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとを配列させたx方向に対しては、集光機能と共に斜め補正機能が効果的に働くことが判る。しかしながら、図33Bのy-z断面および図33Cのx-y断面に示すように、低屈折率層200Aおよび高屈折率層200Bを延設させたy方向においては、斜め入射光は、光学素子205を通過することにより、1μm前後の深さz方向に集光するものの、y方向には集光しない。これにより、低屈折率層200Aおよび高屈折率層200Bを延設させたy方向には、集光機能がないと言って良い。ここで一般的な固体撮像装置において光電変換部は、各画素部の中心付近に孤立した島状で配置される。したがって、この光学素子205を集光素子として用いた場合には、y方向に光電変換部に入射しない光が存在することになり、ロスが発生してしまう。第3例の集光素子その1...単純化した波面制御型の光学素子図34は、上述した各実施形態に用いられる第3例の集光素子その1の平面模式図である。この図に示す第3例の集光素子その1は、上述した参考例の光学素子において一方向のみに集光されてしまう点を解消するものである。図34に示す集光素子133aは、図32に示した参考例の構造において、画素部3において斜め入射光Hの入射方向と垂直に延設して設けた高屈折率層200Bの長さを、画素サイズと同等か画素サイズよりも短くした構成である。ここでは、高屈折率層200Bは、画素サイズx×y=1.1μm×1.1μmに対して0.9μmの長さであり、長さ方向y方向において画素部3の中央に配置されている。尚、1つの高屈折率層200Bは、平面視的な形状が矩形上であって線幅が一定であり、斜め入射光Hの入射方向x方向に対して垂直な方向y方向において、高屈折率層200Bは対称性を有している。また低屈折率層200Aは、高屈折率層200Bの周囲を埋め込む状態で設けられていて良い。このような構造の集光素子133aでは、画素部3の中心に比べてy方向の端における屈折率が低くなり、y方向においてゾーンプレートの回折レンズ効果が機能する。これにより、y方向で集光していなかった光は、その屈折率差によってy方向の中心に集められるようになる。図35は、図34に示した集光素子133aを通過する緑色光λ=550nmの斜め入射光に関しての3次元の波動ミュレーション結果を示す図である。斜め入射光の入射角度は、集光素子133a内のx-y平面のx方向で17deg空気中換算25degである。図35Aのx-z断面に示すように、集光素子133aにおいて低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとを配列させたx方向においては、斜め入射光Hは、集光素子133aを通過することにより、集光素子133aのほぼ中心x=0μmに集光している。これにより、低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとを配列させたx方向に対しては、集光機能と共に斜め補正機能が効果的に働くことが判る。また、図35Bのy-z断面に示すように、高屈折率層200Bを延設させたy方向においても、斜め入射光は、集光素子133aを通過することにより、0.9μm程度の深さz方向に集光する。さらに図35Cのx-y断面に明らかなように、斜め入射光は、集光素子133aを通過することにより、x-y方向に集光する。ただし、y方向において画素の端部で光の漏れが発生しており、光のロスが僅かではあるが残っている。以上の結果、y方向においてゾーンプレートの回折レンズ効果を機能させた集光素子133aは、低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとが直線のみでパターン形成された単純な構成でありながらも、集光機能と共に斜め補正を備えていることがわかる。第3例の集光素子その2...単純化した波面制御型の光学素子図36は、上述した各実施形態に用いられる第3例の集光素子その2の平面模式図である。この図に示す第3例の集光素子その2は、上述した第3例の集光素子その1において、画素部3の端部で発生する光の漏れを解消するものである。図36に示す集光素子133bの仕組みは、図34に示した第3例の集光素子その1:133aの構造において、素子内における斜め入射光Hの入射側に配置された2つの高屈折率層200B間を、その長手方向の中間部で接続させた構成である。2つの高屈折率層200B間を接続する追加の高屈折率層200B’は、例えばy方向に0.17μmの幅を有していることとする。このような構造では、y方向におけるゾーンプレートの回折レンズ効果が、追加の高屈折率層200B’部分でも機能するようになり、y方向の集光効果がより高まる。図37は、図36に示した集光素子133bを通過する緑色光λ=550nmの斜め入射光に関しての3次元の波動ミュレーション結果を示す図である。斜め入射光の入射角度は、集光素子133b内のxy平面のx方向で17deg空気中換算25degである。図37Aのx-z断面に示すように、集光素子133bにおいて低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとを配列させたx方向においては、斜め入射光Hは、集光素子133bを通過することにより、集光素子133bのほぼ中心x=0μmに集光している。これにより、低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとを配列させたx方向に対しては、集光機能と共に斜め補正機能が効果的に働くことが判る。さらに図37Bのy-z断面に示すように、斜め入射光の入射方向と垂直をなすy方向においても、斜め入射光は、集光素子133bを通過することにより、集光素子133bのほぼ中心y=0μmに集光している。以上は図37Cのx-y断面からも明らかであり、y方向での画素の端部における光の漏れがなく、画素中心で集光効率が高くなっていることが判る。実際に画素中心では5ほどの集光効率の上昇が見られた。第3例の集光素子その3...単純化した波面制御型の光学素子図38は、上述した各実施形態に用いられる第3例の集光素子その3の平面模式図である。この図に示す第3例の集光素子その3は、画素部3のxy平面においてx方向に対する斜方向からの斜め入射光に対応するものである。図38に示す集光素子133cの仕組みは、基本的には第3例の他の集光素子と同様であり、集光素子133cの中心よりも、素子における斜め入射光Hの入射方向で高屈折率層200Bを高密度とし、かつ低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとを交互に配置した構成である。ここでは図示したように、4枚の高屈折率層200Bを、集光素子133c内における斜め入射光Hの入射方向に偏って配置することにより、画素部3の中心CLよりも斜め入射光の入射方向に重心を偏らせ、さらにこれらの高屈折率層200B間に低屈折率層200Aを配置している。また、4枚の矩形の高屈折率層200Bを部分的に重ねることで一連の高屈折率層のパターンを形成している。4枚の高屈折率層200Bは、斜め入射光の入射角度と入射方向によって、それぞれのサイズでそれぞれの配置箇所に設けられ、入射角度が大きいほど画素部の中心からの重心のシフト量が大きくなるように配置される。図示した例では、x方向に対して斜め45°の方向から、入射角度11.3deg空気中換算16.5degで斜め入射光が入射される場合を想定し、4枚の各サイズの高屈折率層200Bを配置している。尚、これらの4枚の高屈折率層200B間は、低屈折率層200Aで埋め込まれている。図39は、図37に示した集光素子133cを通過する緑色光λ=550nmの斜め入射光に関しての3次元の波動ミュレーション結果を示す図である。斜め入射光の入射角度は、集光素子133c内のxy平面のxy方向45°で入射角度11.3deg空気中換算16.5degである。図39Aのx-z断面、図39Bのy-z断面、および図39Cのx-y断面上面図に示すように、画素部に対する斜め方向からの斜め入射光Hは、集光素子133cを通過することにより、画素部3の中心x=0、y=0に集光されていることが判る。これにより、集光素子133cは、低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとが直線のみでパターン形成された単純な構成でありながらも、集光機能と共に斜め補正機能が効果的に働いていることが判る。第3例の集光素子その4...単純化した波面制御型の光学素子図40は、上述した各実施形態に用いられる第3例の集光素子その4の平面模式図である。この図に示す第3例の集光素子その4は、画素部3のxy平面において-y方向からの斜め入射光Hに対応するものである。図40に示す集光素子133dは、基本的には第3例の他の集光素子と同様であり、集光素子133cの中心よりも斜め入射光の入射側で高屈折率層200Bを高密度とし、かつ低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとを交互に配置した構成である。具体的には、集光素子133cの中心よりも斜め入射光の入射側に偏らせて、入射方向と垂直方向に延設する高屈折率層200Bを配置している。また、2つの高屈折率層200B間には、画素部3の端部で発生する光の漏れを解消するための追加の高屈折率層200B’を配置し、2つの高屈折率層200B間を接続している。これらの高屈折率層200B,200B’のサイズは、斜め入射光Hの入射角度によって、それぞれのサイズでそれぞれの位置に設けられ、入射角度が大きいほど画素部3の中心からの重心のシフト量が大きくなるように配置される。図示した例では、-y方向から入射角度8.5deg空気中換算12.5degで斜め入射光が入射される場合を想定した、各サイズと配置位置で高屈折率層200B,200B’が設けられている。尚、これらの3枚の高屈折率層200B,200b’間は、低屈折率層200Aで埋め込まれている。図41は、図40に示した集光素子133dを通過する緑色光λ=550nmの斜め入射光Hに関しての3次元の波動ミュレーション結果を示す図である。斜め入射光Hの入射角度は、集光素子133d内のy方向で入射角度8.5deg空気中換算12.5degである。図41Aのx-z断面、図41Bのy-z断面、および図41Cのx-y断面上面図に示すように、画素部に対する-y方向からの斜め入射光Hは、集光素子133dを通過することにより、画素部の中心に集光されていることが判る。これにより、集光素子133dは、低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとが直線のみでパターン形成された単純な構成でありながらも、集光機能と共に斜め補正機能が効果的に働いていることが判る。第3例の集光素子の固体撮像装置への適用例図42は、上述した第3例の集光素子を適用した固体撮像装置の構成を説明するための撮像領域の平面模式図であり、撮像領域における代表的な位置の集光素子をピックアップして拡大して示している。図42に示すように、固体撮像装置の撮像領域4には、複数の画素部3がアレイ状に配列されており、各画素部3における光入射面側にそれぞれ集光素子133が設けられている。各集光素子133は、各画素部3に入射する光を、各画素部3の中央に集光させるように構成されている。したがって各集光素子133は、撮像領域4における配置箇所毎、すなわち入射光の入射方向および入射角度毎に、上述したその1~その4のようなそれぞれのサイズと配置位置とで低屈折率層200Aと高屈折率層200Bとが設けられた構成を備えている。具体的には、撮像領域4において中央よりも左側図面上-x側の領域に位置する画素部3に対しては、右側図面上x側から斜め入射光が入射する。このため、この領域に配置される集光素子133には、高屈折率層200Bを画素部3内の右側に偏って配置した集光素子133bが適用される。このような高屈折率層200Bの偏りは、撮像領域4の端部に位置する画素部3ほど大きくなる。また、2つの高屈折率層200B間に配置される追加の高屈折率層200B’は、撮像領域4の端部に位置する画素部3ほど小さくなる。同様に、撮像領域4において中央よりも右側図面上x側の領域に位置する画素部3に対しては、左側図面上-x側から斜め入射光が入射する。このため、この領域に配置される集光素子133には、高屈折率層200Bを左側に偏って配置した集光素子133bが適用される。このような高屈折率層200Bの偏りは、撮像領域4の端部に位置する画素部3ほど大きくなる。また、2つの高屈折率層200B間に配置される追加の高屈折率層200B’は、撮像領域4の端部に位置する画素部3ほど小さくなり、撮像領域4の中央部に近づくほど±y方向に伸びる。そして、撮像領域4の中央付近では、2つの高屈折率層200Bと、これらの間に配置された追加の高屈折率層200B’とのy方向の長さが同一となり、四角形の高屈折率層200Bが画素部3の中央に配置されることになる。また撮像領域4において中央よりも上側図面上y側の領域に位置する画素部3に対しては、下側図面上-y側から斜め入射光が入射する。このため、この領域に配置される集光素子133には、高屈折率層200Bを下側に偏って配置した集光素子133dが適用される。このような高屈折率層200Bの偏りは、撮像領域4の端部に位置する画素部3ほど大きくなる。また、2つの高屈折率層200B間に配置される追加の高屈折率層200B’は、撮像領域4の端部に位置する画素部3ほど小さくなり、撮像領域4の中央部に近づくほど±x方向に伸びる。そして、撮像領域4の中央付近では、2つの高屈折率層200Bと、これらの間に配置された追加の高屈折率層200B’とのx方向の長さが同一となり、先と同様に四角形の高屈折率層200Bが画素部3の中央に配置されることになる。尚、撮像領域4の中央付近の画素部3には、入射角度0°で光が入射する。このため、これらの画素部3に配置される集光素子133は、斜め補正機能を備える必要はなく、集光機能のみで良い。したがって、集光素子133の中心と重心とは一致していて良く、集光素子133の中央に集光用の高屈折率層200Bを設ければ良い。さらに撮像領域4の左下側図面上-x,-y側の領域に位置する画素部3に対しては、右上側図面上x,y側から斜め入射光が入射する。このため、この領域に配置される集光素子133には、4枚の高屈折率層200Bを右上側図面上x,y側に偏って配置した集光素子133cが適用される。このような高屈折率層200Bの偏りは、撮像領域4の端部に位置する画素部3ほど大きくなる。尚、各集光素子13における高屈折率層200Bの配置状態は、例えばこの領域に配置された基準となる集光素子133cを構成する4枚の高屈折率層200Bのパターン情報と、画素部3の位置情報とに基づき、4枚の高屈折率層200Bを所定方向に変形させることで得ることができる。第3例の集光素子の設計方法以上のような第3例の集光素子133における高屈折率層200Bのパターン設計には、特開2009-15315号公報におけるマスクパターンの製法の何れかを適用すればよい。図43は、以上のような第3例の集光素子133の設計方法の一例を説明するための図であり、先の図42と共に設計方法の一例を説明する。これらの図を用いて説明される設計方法は、撮像領域4の中心位置と、着目する画素部3の座標位置との関係から、各画素部3に配置される集光素子133における高屈折率層200Bのパターン設計を行う方法である。この場合先ず、撮像領域4の中心の座標x,y=0,0を原点とし、この原点に配置される画素部3x0,y0に対して、座標=0,0を付与する。そして、そのx方向隣の画素部3x1,y0に対して座標=1,0を付与し、さらにそのx方向隣の画素部3x2,y0に対して座標=2,0を付与し...、すべての画素部3に座標を付与する。また撮像領域4を、座標の原点x,y=0,0に対して、第1象限x、y、第2象限-x、y、第3象限-x、-y、第4象限x、-yの4つの領域に分ける。またさらに、xy座標を付与した各画素部3に、計算用のX軸とY軸を決める。各画素部3におけるXY原点は、第1象限~第4象限のそれぞれにおいて異なる、第1象限では画素部3の右上の角、第2象限では画素部3の左上の角、第3象限では画素部3の左下の角、第4象限では画素部3の右下の角とする。これにより、撮像領域4の全面においては、左右対称性および上下対称性が保たれるようにする。その後、例えば第1象限~第4象限を代表し、第3象限における手順を説明すると、先ず、第3象限の左下コーナー寄りに存在する画素部3xa,ybに着目する。この画素部3xa,ybは、撮像領域4全体中においても左下側図面上-x,-y側の領域に位置する。このような画素部3xa,ybには、図38を用いて説明した第3例の集光素子その3のように、4枚の高屈折率層200Bが、素子内において撮像領域4の中心側に偏って配置される。そこで、画素部3xa,ybにおける4枚の高屈折率層200Bを、それぞれの頂点の座標頂点座標を使って数式化する。先ず図43に示すように、画素部3xa,ybの中心に最も近く配置される高屈折率層200B1に着目したとき、4つの頂点座標をX1,Y1,X2,Y1,X2,Y2,X1,Y2とする。そして、この高屈折率層200B1を規定する設計式f1xa,ybを、下記式2および式3のように定義する。なお、係数s1,s2,s3,s4,s5,s6,s7,s8,c1,c2,c3,c4は定数となる。また、|xa|,|yb|は、それぞれxa,ybの絶対値を示す。同様にして、画素部3xa,ybに配置される残りの高屈折率層200B2~200B4についても、設計式f2xa,yb~f4xa,ybで定義する。また同様に、全ての画素部3について、高屈折率層200B1~200B4を設計式f1xa,yb~f4xa,ybで定義する。そして以上のような設計式を、全て矛盾なく成り立つように係数s1,s2,s3,s4,s5,s6,s7,s8,c1,c2,c3,c4を設定すれば良い。尚、第1象限~第4象限において、先に説明したような各画素部3のX,Y座標の原点方向の取り方をすることにより、象限に関わらず、各設計式f1~f4の係数sの正負の関係は、全ての象限で同じで成り立つ。これは、画素部のシフト方向に着目したとき、撮像領域の四隅から中央の画素部3xa,ya=0,0に画素位置をシフトさせる設計式であるので、そのシフト方向に沿ってX,Y座標の原点方向を取ることで、左右対称性や上下対称性が保たれることに起因する。以上により、各画素部3の集光素子13に配置される高屈折率層200Bを、頂点座標としてパターン設計することが可能になる。≪9.実施形態に用いられる集光素子の第4例≫[第4例の集光素子...積層型]図44は、上述した各実施形態に用いられる集光素子の第4例の構成を説明する断面模式図である。この図に示す集光素子134も、他の例と同様に屈折率の異なる光透過性材料の分布によって集光機能を持たせたものであり、低屈折率層200A間に配置された高屈折率層200Bの積層位置と大きさを調整することにより集光機能と斜め補正機能とを得ている。この場合、撮像領域の中心に配置される集光素子134には、光Hが垂直に入射角度=0°で入射する。このため撮像領域の中心に配置される集光素子134は、画素サイズよりも一回り小さな高屈折率層200Bと、この上部の中央に偏ることなくさらに一回り小さな高屈折率層200Bを積層させた構成である。したがって、撮像領域の中心に配置される集光素子134は、非対称性がゼロであり、集光素子134の機械的な中心に向かって、全方向から均等に高屈折率層200Bの配置状態が徐々に密になっている。これに対して、撮像領域の端部に配置される集光素子134には、撮像領域の中心側から斜めに光Hが入射する。このため、撮像領域の端部に配置される集光素子134は、画素サイズよりも一回り小さな高屈折率層200Bと、この上部の撮像領域の中心側に偏った位置にさらに一回り小さな高屈折率層200Bを積層させた非対称な構成である。この際、撮像領域の端部ほど、斜め入射光の入射角度が大きくなる。このため、撮像領域の端部に配置される集光素子134ほど、非対称性を高めた構成であり、上部に積層させる高屈折率層200Bの撮像領域の中心方向への偏り大きくする。このような構成の集光素子134であっても、他の例の集光素子と同様に、撮像領域の端部に配置される集光素子134ほど、主光線が斜め入射するのを補正して集光素子134による集光ポイントを画素中心に持っていく構成とすることができる。≪10.電子機器の実施形態≫上述の各実施形態で説明した本技術に係る積層型の固体撮像装置は、例えばデジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話、あるいは撮像機能を備えた他の機器、などの電子機器に適用することができる。図45は、本技術に係る電子機器の一例として、固体撮像装置を用いたカメラの構成図を示す。本実施形態例に係るカメラは、静止画像又は動画撮影可能なビデオカメラを例としたものである。本実施形態例のカメラ91は、固体撮像装置1と、固体撮像装置1の受光センサ部に入射光を導く光学系93と、シャッタ装置94と、固体撮像装置1を駆動する駆動回路95と、固体撮像装置1の出力信号を処理する信号処理回路96とを有する。固体撮像装置1は、上述した各実施形態で説明した構成の固体撮像装置11,12,13が適用される。光学系光学レンズ93は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置1の撮像面上に結像させる。光学系93は、複数の光学レンズから構成された光学レンズ系としても良い。シャッタ装置94は、固体撮像装置1への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路95は、固体撮像装置1の転送動作及びシャッタ装置94のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路95から供給される駆動信号タイミング信号により、固体撮像装置1の信号転送を行う。信号処理回路96は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、或いは、モニタに出力される。以上説明した本実施形態に係る電子機器によれば、複数の光電変換部を画素部において積層させた積層型でありながらも、色シェーディングの発生が防止された固体撮像装置を用いたことにより、小型化および撮像画像の高品質化を達成することが可能になる。図46は、実施例および比較例の固体撮像装置について、入射角度を変化させた場合の各色光の規格化感度のシミュレーション結果を示す図である。実施例の固体撮像装置としては、図2を用いて説明した第1実施形態の固体撮像装置11を採用した。集光素子13としては、図28に示した実施例構造2の非対称な集光素子132を用いた。この実施例については、半導体層21の最も深い位置に設けた赤色Rの光電変換部23rについて、x方向に入射角度0°~25°の範囲においての規格化感度をシミュレーションした。その結果を、図46中のRに示した。また比較例の固体撮像装置としては、第1実施形態の固体撮像装置11における集光素子13を、通常の対称型の凸レンズに変更した構成を採用した。この比較例については、各色の光電変換部23r、23b、41gについて、x方向に入射角度0°~25°の範囲においての規格化感度をシミュレーションした。その結果を、図46中のr,g,bに示した。また、青色の光電変換部23bについては、-x方向に入射角度0°~25°の範囲においての規格化感度をシミュレーションした。その結果を図46中のb-に示した。尚、規格化感度は、半導体層21に設けた赤色Rの光電変換部23rでλ=650nm、青色Bの光電変換部23bでλ=450nmとした。また、光電変換膜膜厚1.37μmを用いた緑色Gの光電変換部41gでλ=550nmとした。図46に示すように、通常の対称型の凸レンズを集光素子として設けた比較例の構成の結果r,g,b,b-では、光の入射角度が大きくなると感度が低下し、特に最も深い位置に設けた赤色Rの光電変換部23rの感度低下が著しい。これに対して、本技術構成のように非対称な集光素子13を設けた実施例の構成の結果Rでは、光の入射角度が大きくなっても赤色Rの光電変換部23rの感度低下が抑えられていることがわかる。これにより、大きい入射角度で入射光であっても、非対称な集光素子13によって斜め入射光が垂直な入射角度に補正され、深い位置に配置された赤色の光電変換部23rにおいての光吸収が十分になされていることが確認された。また以上のように、一つの画素部3内に積層した各光電変換部23r、23b、41gにおいての光吸収が十分になされることにより、同一の画素部3内においては青色用のプラグ領域25bや緑色用のプラグ領域への等への光の漏れ込みが防止され、さらに隣接する画素部3への光の漏れ込みが防止されることが確認された。また図47は、実施例および比較例の固体撮像装置に対して行った波動シミュレーションの結果を示す図である。図47Aは本技術を適用した実施例の結果であり、図47Bは比較例の結果である。実施例の固体撮像装置としては、図2を用いて説明した第1実施形態の固体撮像装置11を採用した。集光素子13としては、図28に示した実施例構造2の非対称な集光素子132を用いた。また比較例の固体撮像装置としては、図6を用いて説明した第3実施形態の瞳補正を組み合わせた固体撮像装置13における集光素子13を、通常の対称型の凸レンズ103に変更した構成を採用した。これらの実施例および比較例の固体撮像装置に対して、x方向から入射角度25°で波長λ=450nmの光Hを入射させた。図47Bに示す、通常の対称型の凸レンズ130を瞳補正した位置に設けた構成では、凸レンズ130で集光されて半導体層21内に達した光Hは、赤色R用の光電変換部23rに隣接する青色用のプラグ領域25bにまで漏れ込んでいることがわかる。これに対して図47Aに示す、本技術を適用して非対称の集光素子13を設けた構成では、集光素子13で集光された光Hは、非対称な集光素子13によって斜め補正され、半導体層21に対して入射角度=0°で入射されている。これにより、半導体層21内に達した光Hは、赤色R用の光電変換部23rで吸収され、隣接する青色用のプラグ領域25bに対する漏れ込みがほとんど無いことがわかる。本技術は以下のような構成も取ることができる。1複数の画素部が配列された撮像領域と、前記各画素部において各色に対応して積層された複数の光電変換部と、前記各画素部において前記光電変換部に対する受光面側に配置され、前記撮像領域の中心から離れるほど非対称性を高めたことにより、当該受光面に対する斜め入射光の主光線を当該受光面に対して垂直に近づけて集光させる複数の集光素子とを備えた固体撮像装置。2前記各集光素子は、光透過性材料の分布によって前記非対称性を得ている1記載の固体撮像装置。3前記各集光素子は、前記撮像領域の中心から離れるほど前記光電変換部に対する配置位置が当該撮像領域の中心に向かって大きくずれて配置されている1または2に記載の固体撮像装置。4前記各集光素子を通過した前記主光線の入射角度θは、前記画素部の幅をw、集光素子と光電変換部の最深部との間隔をdとした場合、tanθ≦w/2dである1~3の何れかに記載の固体撮像装置。5前記撮像領域は、半導体層を備え、前記画素部に積層された前記複数の光電変換部は、前記半導体層内に積層されている1~4の何れかに記載の固体撮像装置。6前記撮像領域は、半導体層と、当該半導体層上に積層された光電変換膜とを備え、前記画素部に積層された前記複数の光電変換部は、前記半導体層内に積層された複数の光電変換部と、前記光電変換膜に設けられた光電変換部とである1~4の何れかに記載の固体撮像装置。7前記各集光素子は、前記撮像領域の中心から離れるほど前記半導体層内に積層された光電変換部に対する配置位置が当該撮像領域の中心に向かって大きくずれて配置され、前記光電変換膜に設けられた光電変換部は、前記集光素子のズレ幅の範囲内において、前記撮像領域の中心から離れるほど前記半導体層内に積層された光電変換部に対する配置位置が当該撮像領域の中心に向かって大きくずれて配置されている6記載の固体撮像装置。8複数の画素部が配列された撮像領域と、前記各画素部において各色に対応して積層された複数の光電変換部と、前記各画素部において前記光電変換部に対する受光面側に配置され、前記撮像領域の中心から離れるほど非対称性を高めたことにより、当該受光面に対する斜め入射光の主光線を当該受光面に対して垂直に近づけて集光させる複数の集光素子と、前記撮像領域に入射光を導く光学系とを備えた電子機器。"