第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む発光構造物と、前記第2半導体層が露出されるように少なくとも前記第1半導体層と前記活性層とを貫通する第1キャビティと、前記第1キャビティの内部の前記第2半導体層から前記第1キャビティの外部に延長された第1電極と、前記第1電極から離隔し、前記第1電極の側面を囲むように前記第1半導体層の下面の縁領域に配置された第2電極と、前記第1電極と前記発光構造物との間の第1絶縁層と、を含むことを特徴とする発光素子。前記第1電極の下面及び前記第2電極の下面は、前記第1半導体層の下面から同一高さを有することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1キャビティは複数であり、前記各第1キャビティに配置された前記第1電極は複数であることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1キャビティは前記第2半導体層の下面に対して傾斜した傾斜面を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1絶縁層は前記キャビティの内側面に配置され、前記第1電極と前記第1半導体層及び活性層を絶縁することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1電極と前記第2半導体層との間の第1反射層と、前記第1半導体層と前記第2電極との間に配置され、一部は前記第1電極と前記第1絶縁層の間に延長された第2反射層と、前記第1電極と前記第2反射層との間の第2絶縁層と、をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第2絶縁層は、前記第1電極と前記第2反射層との間から延長され、前記第1及び第2電極との間の前記第2反射層の下面に配置されたことを特徴とする、請求項6に記載の発光素子。前記第2絶縁層は、前記第1キャビティの内部で前記第2反射層を挟んで前記第1絶縁層と連結されることを特徴とする、請求項6に記載の発光素子。前記第2半導体層の上面に凹凸形状を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1キャビティの反対側に前記第1電極を露出するように前記第2半導体層を貫通する第2キャビティと、前記第2半導体層の上面の第1導電層と、前記第1導電層から前記第2キャビティの内部に延長されて前記第1電極と接触する第2導電層と、をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1及び第2導電層は透光性及び伝導性を有する材質であることを特徴とする、請求項10に記載の発光素子。前記第1絶縁層はキャパシタンスを形成するための誘電体であることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含み、前記第1半導体層、前記活性層、及び前記第2半導体層を貫通する貫通ホールを有する発光構造物と、前記貫通ホールの内部に形成され、前記貫通ホールから外部に延長された第1電極と、前記第1電極の側面と離隔して少なくとも前記第1電極の側面を囲むように前記第1半導体層の下面の縁領域に配置された第2電極と、前記貫通ホールの内の前記第1電極から延長されて前記第2半導体層の上に形成された導電性部材と、少なくとも前記貫通ホールの内の前記第1電極に接触されるように形成された絶縁部材と、を含むことを特徴とする、発光素子。前記第1電極は、前記導電性部材と同一な物質で形成されることを特徴とする、請求項13に記載の発光素子。前記第1電極及び前記導電性部材は、透光性及び伝導性を有する材質で形成されることを特徴とする、請求項14に記載の発光素子。本発明は、新たな構造を有する発光素子を提供することを目的とする。本発明は、放熱特性が向上した発光素子を提供することを目的とする。本発明は、パッケージ化が容易な発光素子を提供することを目的とする。本発明は、光損失を最小化する発光素子を提供することを目的とする。本発明は、静電気放電による損傷を防止する発光素子を提供することを目的とする。本発明は、発光効率を向上させた発光素子を提供することを目的とする。本発明は、均一な発光効率を得る発光素子を提供することを目的とする。本発明は、光抽出効率を向上させた発光素子を提供することを目的とする。本発明による発光素子は、第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む発光構造物と、上記第2半導体層が露出されるように、少なくとも上記第1半導体層と上記活性層とを貫通するキャビティと、上記キャビティの内部の上記第2半導体層から上記キャビティの外部に延長された第1電極と、上記第1電極から離隔し、上記第1電極の側面を囲むように上記第1半導体層の下面の縁領域に配置された第2電極と、上記第1電極と上記発光構造物との間の第1絶縁層と、を含む。本発明による発光素子は、第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含み、上記第2半導体層が露出するように少なくとも上記第1半導体層と上記活性層とを貫通するキャビティを有する発光構造物と、上記キャビティの内部の上記第2半導体層から上記キャビティの外部に延長された第1電極と、上記第1電極の側面と離隔して少なくとも上記第1電極の側面を囲むように上記第1半導体層の下面の縁領域に配置された第2電極と、上記第1電極と上記発光構造物との間の絶縁部材と、上記第2半導体層の上面から上記第2半導体層を貫通して上記第1電極に接触するように延長された導電性部材と、を含む。本発明による発光素子は、第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含み、上記第1半導体層、上記活性層、及び上記第2半導体層を貫通する貫通ホールを有する発光構造物と、上記貫通ホールの内部に形成され、上記貫通ホールから外部に延長された第1電極と、上記第1電極の側面と離隔して少なくとも上記第1電極の側面を囲むように上記第1半導体層の下面の縁領域に配置された第2電極と、上記貫通ホール内の上記第1電極から延長されて上記第2半導体層の上に形成された導電性部材と、少なくとも上記貫通ホールの内の上記第1電極に接触されるように形成された絶縁部材と、を含む。本発明によれば、新たな構造を有する発光素子を得ることができる。本発明によれば、放熱特性が向上した発光素子を得ることができる。本発明によれば、パッケージ化が容易な発光素子を得ることができる。本発明によれば、光損失を最小化する発光素子を得ることができる。本発明によれば、静電気放電による損傷を防止する発光素子を得ることができる。本発明によれば、発光効率を向上させた発光素子を得ることができる。本発明によれば、均一な発光効率を得る発光素子を得ることができる。本発明によれば、光抽出効率を向上させた発光素子を得ることができる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。以下、添付した図面を参照して実施形態を説明すると、次の通りである。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。図1は本発明の第1実施形態による発光素子の断面図であり、図2は図1の発光素子のA-A’断面を示す図であり、図3は図1の発光素子を下から見た背面図である。図1乃至図3を参照すると、第1実施形態による発光素子100は、第1電極141、第2電極142、絶縁層120、125、反射部材130、及び発光構造物110を含むことができる。上記発光構造物110は、3族乃至5族化合物半導体、例えばGaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、AlInN、AlInGaN、GaAs、GaAsP、GaP系列の化合物半導体を含むことができる。上記発光構造物110は、第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を含むことができる。上記第1及び第2導電型半導体層112、116から上記活性層114に電子及び正孔が提供され、上記活性層114でこれら電子及び正孔が再結合recombinationすることで、光エネルギーを放出することができる。上記第1導電型半導体層112は、p型ドーパントがドーピングされた3族乃至5族化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択される。上記p型ドーパントはMg、Znなどを含むことができる。上記第2導電型半導体層116は、単層または多層に形成されうるが、これに対して限定するものではない。上記第1導電型半導体層112の上に上記活性層114が形成される。上記活性層114は、第1導電型半導体層112を通じて注入される正孔と以後に形成される第2導電型半導体層116を通じて注入される電子とが互いに再結合して、上記活性層114のエネルギーバンドキャップに相応する波長を有する光を放出することができる。上記活性層114は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW、量子点構造、または量子線構造のうち、いずれか1つを含むことができる。上記活性層114は、3族乃至5族化合物半導体を井戸層と障壁層の周期で反復形成される。例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期、InGaN井戸層/AlGaN障壁層の周期、InGaN井戸層/InGaN障壁層の周期などで形成される。上記障壁層のバンドギャップは、上記井戸層のバンドギャップより高く形成される。上記活性層114の上または/及び下には導電型クラッド層が形成されることもあり、上記導電型クラッド層はGaN系列の化合物半導体で形成される。上記導電型クラッド層は上記障壁層より大きいバンドギャップを有することができる。上記第2導電型半導体層116は、n型ドーパントがドーピングされた3族乃至5族化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択される。上記n型ドーパントは、Si、Ge、Sn、Se、Teなどを含むことができる。上記第2導電型半導体層116は、単層または多層に形成され、これに対して限定するものではない。一方、上記第1導電型半導体層112はn型ドーパントを含むn型半導体層であり、上記第2導電型半導体層116はp型ドーパントを含むp型半導体層でありうる。また、上記発光構造物110は、np接合構造、pn接合構造、npn接合構造、及びpnp接合構造のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記発光構造物110にはキャビティ118が形成される。上記キャビティ118は、上記第1導電型半導体層112と上記活性層114とを貫通し、上記第2導電型半導体層116の一部領域が露出されるように形成される。上記第1電極141は、上記キャビティ118を通じて上記第2導電型半導体層116に接触されるように上記キャビティ118に埋め立てられる。上記第1電極141は、下から見て、円形または多角形を有することができるが、これに対して限定するものではない。上記第1電極141は、多層構造を有することができる。例えば、上記第1電極141の上部領域をなす第1層は上記第2導電型半導体層116と電気的に導通するために、オーミックコンタクトを形成する材質で形成される。上記第1電極141の下部領域をなす第3層は、発光素子パッケージのリード電極のような外部電極と容易に接着できるように接着力の良い材質で形成される。上記第1電極141の上記第1層と第3層との間の第2層は、層間拡散を防止するNiのような拡散防止diffusionbarrier金属材質及び高い電気伝導性を有するCuのような金属材質のうち、少なくとも1つを含むように形成される。上記第1電極141は、例えば、Cu、Ag、Al、Ni、Ti、Cr、Pd、Au、またはSnなどの金属材質からなる群から少なくとも1つを含むように単層または多層構造に形成されるが、これに対して限定するものではない。上記第2電極142は、上記第1電極141から離隔し、上記第1導電型半導体層112に接触するように形成される。上記第2電極142は、上記第1導電型半導体層112と電気的に連結され、上記第1電極141と共に上記発光構造物110に電源を提供することができる。上記第2電極142は、上記第1電極141と電気的ショートを防止するために所定の間隔が離隔して形成される。例えば、上記離隔した間隔は10μm乃至50μmであることがあるが、これに対して限定するものではない。図2に示すように、上記第2電極142は、上記第1電極141の側面から離隔して、少なくとも上記第1電極141の側面を囲むように形成されるが、これに対して限定するものではない。上記第1及び第2電極141、142の間の上記第2反射層130bの上に第2絶縁層125が形成されて、上記第2絶縁層125により上記第1及び第2電極141、142の間の電気的ショートが防止できる。上記第2電極142の下面は、上記第1電極141の下面と同一平面上に配置されるように形成される。言い換えると、上記第1導電型半導体層112の下面から同一高さを有することができる。これによって、上記発光素子100は発光素子パッケージのリード電極のような外部電極にチップボンディング方式により搭載される。上記チップボンディング方式は、上記第1電極141及び上記第2電極142が発光素子パッケージのリード電極に対向し、これら電極141、142と上記リード電極との間をソルダリング物質半田付け用の材料または接合金属物質を用いてボンディングして、これら電極141、142と上記リード電極とを電気的に連結する方式であって、ワイヤボンディング工程が不要になるので、上記発光素子100をパッケージングpackagingする工程の歩留まり及び効率性を向上させることができる。上記第2電極142は多層構造を有することができる。例えば、上記第2電極142の上部領域をなす第1層は上記第1導電型半導体層112と電気的に導通するために、オーミックコンタクトを形成する材質で形成される。上記第2電極142の下部領域をなす第3層は発光素子パッケージのリード電極と容易に接着できるように接着力の良い材質で形成される。上記第1層と第3層との間の第2層は、層間拡散を防止するNiのような拡散防止diffusionbarrier金属材質及び高い電気伝導性を有するCuのような金属材質のうち、少なくとも1つを含むように形成される。上記第2電極142は、例えば、Cu、Ag、Al、Ni、Ti、Cr、Pd、Au、またはSnなどの金属材質からなる群から少なくとも1つを含むように単層または多層構造に形成され、これに対して限定するものではない。図3に示すように、上記第1電極141及び第2電極142は、上記発光素子100の下面の大部分の領域に形成される。即ち、上記第1及び第2電極141、142の間の電気的なショートを防止するために、上記第1及び第2電極141、142は所定間隔離隔し、上記離隔間隔を除外した上記発光素子100の残りの領域に形成される。但し、上記第1及び第2電極141、142の構造に対して限定するものではない。発光素子100の上面及び外側面には電極構造が形成されないので、上記発光素子100の上面及び外側面の方向に抽出される光が電極により吸収されて光の損失を防止することができる。上記第1及び第2電極141、142は、上記発光素子100の下面の大部分の領域に形成されるので、上記発光構造物110で生成された熱が上記第1及び第2電極141、142を通じて迅速に発光素子パッケージのリード電極を経由して胴体に伝えられることで、上記発光素子100の放熱性能を向上させることができる。上記第1電極141及び第2電極142は、上記発光構造物110を支持する役割をすることができる。上記第1及び第2電極141、142は、外部から電源が供給されて上記電源を上記発光構造物110の上記第1導電型半導体層112と上記第2導電型半導体層116に供給する。上記第1及び第2電極141、142は同一平面上に位置し、同一高さに外部に突出するように形成される。これによって、上記発光素子100は、発光素子パッケージのリード電極にチップボンディング方式により搭載される。したがって、実施形態は、ワイヤボンディング工程が不要になって、上記発光素子の工程効率を向上させることができる。また、上記第1及び第2電極141、142は互いに異なる厚さを有することができる。上記第1及び第2電極141、142が全て上記発光構造物110の上面や側面に形成されるものでなく、上記発光構造物110の下面に形成されることで、従来の発光構造物の上面や側面に形成された電極による光の吸収による光損失を防止することができる。言い換えると、実施形態は上記発光素子の光損失を防止することができる。上記発光構造物110で光が生成される時に熱が発生される。実施形態は、上記第1及び第2電極141、142が全て上記発光構造物110の下面に形成される一方、これら電極141、142が発光素子パッケージの胴体に備えられたリード電極に電気的に連結されるので、上記発光構造物110で発生した熱が上記第1及び第2電極141、142を通じて迅速に胴体に放出される。したがって、実施形態は上記発光素子100の放熱性能を向上させることができる。上記反射部材130は、第1反射層130a及び第2反射層130bを含むことができる。上記第1反射層130aは、上記発光構造物110のキャビティ118の内側の底面、即ち上記キャビティ118にある上記第2導電型半導体層116の下面と上記第1電極141の上面との間に形成される。上記第2反射層130bは、上記発光構造物のキャビティ118の内側面、即ち上記キャビティ118にある上記第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116の側面と上記第1電極141の側面との間と、上記第1導電型半導体層112の下面と上記第2電極142の上面との間に形成される。言い換えると、上記第2反射層130bは上記第1導電型半導体層112の下面に形成され、上記キャビティ118の上記第1導電型半導体層112の側面に延長形成され、上記キャビティ118の上記活性層114と上記第2導電型半導体層116の側面に延長形成される。上記第2導電型半導体層116と上記第1電極141がオーミックコンタクトを形成しない場合には、上記第1反射層130aは上記第1導電型半導体層112とオーミックコンタクトを形成することができる材質で形成される。上記第1導電型半導体層112と上記第2電極142とがオーミックコンタクトを形成しない場合には、上記第2反射層130bは、上記第1導電型半導体層112とオーミックコンタクトを形成することができる材質で形成される。上記第1反射層130a及び上記第2反射層130bは、例えば、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち、少なくとも1つを含む金属または合金で形成される。また、上記第1及び第2反射層130a、130bは、上記金属または合金と透光性物質を用いて多層に形成されることもできる。透光性物質は、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxideなどを含むことができる。上記第1及び第2反射層130a、130bのそれぞれが多層構造の場合、例えばIZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどで形成される。上記第1反射層130aと上記第2反射層130bとは互いに同一または相異する材質で形成され、これに対して限定するものではない。上記反射部材130は、上記発光構造物110で生成される光が電極141、142により吸収されることを最小化するために、上記第1電極141及び第2電極142の周囲に上記反射部材130を形成することができる。したがって、上記発光構造物110の上記活性層114で生成された光を最大限反射させて発光素子の光抽出効率が向上できる。上記絶縁部材は、第1及び第2絶縁層120、125を含むことができる。上記第1絶縁層120は、上記キャビティ118の内側面において、上記第2反射層130bの側面と上記第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116の側面との間に形成される。上記第2絶縁層125は、上記キャビティ118の内側面において、上記第1電極141の側面と上記第2反射層130bの側面との間と、上記第1電極141と上記第2電極142との間に離隔した上記第1導電型半導体層112の下面に形成される。上記第1及び第2絶縁層120、125は、上記キャビティにある上記第2導電型半導体層116の下面で互いに連結されるように形成される。上記絶縁層120、125は、上記キャビティ118の内側面に形成された上記第2反射層130bの両側面と上面を囲むように形成される。言い換えると、上記第2反射層130bは上記第1導電型半導体層112の下面に形成され、上記キャビティ118の内側面で上記第1及び第2絶縁層120、125の間に延長されて形成される。上記第1絶縁層120は、上記キャビティ118の内側面に形成された第2反射層130bにより上記第1導電型半導体層112、上記活性層114、及び上記第2導電型半導体層116の間の電気的なショートを防止する役割をすることができる。上記第2絶縁層125は、上記第1及び第2電極141、142の間の電気的なショートを防止する一方、上記第1電極141と上記第2反射層130bとの間の電気的なショートを防止する役割をすることができる。上記絶縁層120、125は、透光性及び電気絶縁性を有する材質で形成される。例えば、上記絶縁層120、125は、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、またはTiOxのうち、少なくとも1つで形成されるが、これに対して限定するものではない。上記第1絶縁層120及び第2絶縁層125は、互いに同一または相異する材質で形成される。上記絶縁層120、125は導電性物質で形成された上記発光構造物110と上記第1電極141との間に形成された誘電体としての役割をし、これによって、キャパシタンスCD、図1参照が発生することができる。上記キャパシタンスCDは、発光素子100に急激な逆方向電圧が印加されて静電気放電ESD:electrostaticdischargeが起こる場合に上記発光構造物110を保護する耐電圧効果を有する。以下、これについて詳細に説明する。図4は、本発明の実施形態による発光素子を等価的に示す回路図である。図4を参照すると、上記キャパシタンスCDと上記発光構造物110とは並列に連結される。上記キャパシタンスCDは、上記発光構造物110及び上記第2反射層130bの間の第1絶縁層120と、上記第2反射層130b及び上記第1電極141の間の第2絶縁層125に存在することができる。ここで、上記発光構造物110の上記第1導電型半導体層112と上記第2反射層130bとは実質的に電気的に連結されて、上記発光構造物110と上記第2反射層130bとの間に等電位が形成されて、上記第1絶縁層120には上記キャパシタンスCDが存在しないことがある。したがって、上記キャパシタンスCDは、上記第1電極141と上記第2反射層130bとの間の第2絶縁層125に存在することができる。上記発光素子100に順方向Forward電圧が印加される場合、上記発光構造物110を通じて電流が流れて光を発光する。しかしながら、静電気放電electrostaticdischargeによる逆方向Reverse電圧が印加される場合、電流の一部は上記第1電極141を通じて上記発光構造物の上記第2導電型半導体層116に流れるようになるが、他の一部は上記キャパシタンスCDを通じて上記発光構造物110の上記第1導電型半導体層112に流れることができる。したがって、上記第2導電型半導体層116から上記活性層114を経由して上記第1導電型半導体層112に流れる一部の電流が上記第1導電型半導体層112から上記活性層114を経由して上記第2導電型半導体層116に流れる他の電流により相殺されるので、上記活性層114に流れる電流量を最大限減少させて上記発光構造物110の上記活性層114の降伏breakdownによる損傷を防止することができる。この際、静電気放電による逆方向Reverse電圧の場合、総キャパシタンスTotalcapacitance:CTotが大きいほど上記発光構造物110の上記活性層114に流れる電流量が小さくなって、静電気放電による衝撃を緩和させることができる。これを数式により表すと、下記の通りである。QDis=CTotVESDQDisは放電discharging時の電荷量、CTotは放電時の総キャパシタンスCTot=CDI=dQ/dt=△Q/τ=QDis/RCD∴CD↑→I↓即ち、静電気放電による逆方向電圧が印加される場合、総キャパシタンスTotalcapacitance:CTot即ち、上記第1電極141と上記第2反射層130bとの間の第2絶縁層125のキャパシタンスCDが大きいほど上記発光構造物110の上記活性層114に流れる電流量Iは小さくなり、衝撃を緩和させることができる。したがって、上記キャパシタンスCDを大きくするために、上記絶縁層120、125は誘電率εの高い絶縁性材質、例えばTiO2、BaTiO3、SrTiO3などを含むことができるが、これに対して限定するものではない。図5は、本発明の実施形態による発光素子の静電気放電時の波形図である。図5を参照すると、一般的にパルスPulse波形はフーリエ変換をするようになれば高周波成分を有するようになり、立ち上がり区間risingperiodtでパルス波形が険しいほど高周波成分のサイズは増加する。これを数式により表すと下記の通りである。Impedance:Z=ZRjZImZRは実部のインピーダンス、jは虚数部因子、ZImはキャパシタンスCDによるインピーダンスZIm、C=1/jωCD、但し、ω=2πfこのような数式を実施形態による発光素子100に代入すると、上記発光素子100に静電気放電による逆電圧が急激に印加されるほど上記キャパシタンスCDは大きくなり、これによって発光素子100の耐電圧特性が向上できる。即ち、実施形態によって、急激な過剰電流に対する耐電圧特性が向上した発光素子100が提供される。以下、実施形態による発光素子の製造工程について詳細に説明する。但し、前述した説明と重複する内容は省略または簡略に説明する。図6A乃至図6Hは、本発明の実施形態による発光素子の製造工程を示す図である。図6Aを参照すると、基板101の上に上記発光構造物110を形成することができる。上記基板101は、サファイアAl2O3、SiC、GaN、Si、ZnO、AlN、GaAs、β-Ga2O3、GaP、InP、Geのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記基板101の上に上記第2導電型半導体層116、上記活性層114、及び上記第1導電型半導体層112を順次に積層して上記発光構造物110を形成することができる。上記第2導電型半導体層116はn型ドーパントを含むn型半導体層であり、上記第1導電型半導体層112はp型ドーパントを含むp型半導体層であることがあるが、これに対しては限定するものではない。上記発光構造物110は、例えば、有機金属化学蒸着法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDeposition、化学蒸着法CVD:ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD:PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE:MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE:HydrideVaporPhaseEpitaxyなどの方法を用いて形成され、これに対して限定するものではない。上記基板101と上記第2導電型半導体層116との間には2つ層の間の格子定数及び熱膨脹係数の差を緩和し、上記発光構造物110の結晶性を向上させるためにバッファ層図示せず及びアンドープドUndoped半導体層図示せずがさらに形成されることもできる。図6Bを参照すると、上記発光構造物110の中心領域を選択的に除去して、上記第2導電型半導体層116の上面の一部領域が露出するようにキャビティ118を形成することができる。上記キャビティ118により、上記第2導電型半導体層116の上面の一部領域、上記活性層114の側面、及び上記第1導電型半導体層112の側面が露出される。上記キャビティ118は、湿式エッチング工程や乾式エッチング工程を用いて形成されたり、レーザー工程を用いて形成されるが、これに対して限定するものではない。上記エッチング工程またはレーザー工程により上記キャビティ118の内側面は上記第2導電型半導体層116の上面に対して垂直または傾斜するように形成されるが、これに対しては限定するものではない。上記キャビティ118は、上記第1導電型半導体層112及び上記活性層114を貫通して上記第2導電型半導体層116が露出するように形成される。図6Cを参照すると、上記キャビティ118の内側面に上記第1絶縁層120が形成される。言い換えると、上記第1絶縁層120は、上記第2導電型半導体層116の上面の一部領域から上記第2導電型半導体層116の側面、上記活性層の側面、及び上記第1導電型半導体層112の側面を経由して上記第1導電型半導体層112の上面の一部領域まで延長されるように形成される。上記第1絶縁層120は、電子ビームEbeam、スパッタリングSputtering及びPECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDepositionのような蒸着工程により形成されるが、これに対して限定するものではない。上記第1絶縁層120は、上記キャビティ118にマスク図示せずを形成した後、上記蒸着工程を遂行して形成されるが、上記マスク図示せずの形状によって上記第1絶縁層120の形状も変わることがあるが、上記第1絶縁層の形状に対して限定するものではない。図6Dを参照すると、上記第1及び第2反射層130a、130bが同時にまたは個別工程により形成される。上記第1反射層130aは、上記第2導電型半導体層116の上面のうち、上記第1絶縁層120が形成された領域を除いた領域に形成される。言い換えると、上記第1反射層130aは、上記第1絶縁層120の間に露出された上記第2導電型半導体層116の上面に形成される。上記第2反射層130bは、上記キャビティ118の内側面に形成された上記第1絶縁層120の上面と、上記第1導電型半導体層112の上面の一部領域に形成された上記第1絶縁層120の上面と、上記第1導電型半導体層112の上面に形成される。言い換えると、上記第2反射層130bは、上記内側面に形成された上記第1絶縁層120の上面から上記第1導電型半導体層112の全領域に延長されて形成される。上記第2導電型半導体層116の上面の一部領域に形成された上記第1絶縁層120の端部は上記キャビティ118の内側面に形成された上記第2反射層130bの端部より少なくてもさらに水平方向に突出するように形成される。これは、後工程で形成される第2絶縁層125が上記第1絶縁層120に連結されるようにするためである。上記第1絶縁層120は、上記キャビティ118の内側面に形成された上記第2反射層130bによる上記発光構造物110の各層、例えば、上記第1導電型半導体層112、上記活性層114、及び上記第2導電型半導体層116の間の電気的なショートが防止できるようにする。上記第1及び第2反射層130a、130bは、電子ビームEbeam、スパッタリングSputtering、及びPECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDepositionのような蒸着工程により形成されたり、メッキ工程により形成されるが、これに対して限定するものではない。上記第1及び第2反射層130a、130bは蒸着工程により形成される時、上記キャビティ118にマスク図示せずを形成した後、上記蒸着工程を遂行して形成されるが、上記マスク図示せずの形状によって上記第1及び第2反射層130a、130bの形状も変わることがあるが、上記第1及び第2反射層130a、130bの形状に対して限定するものではない。図6Eを参照すると、上記キャビティ118の底面、即ち上記第2導電型半導体層116の上面に形成された第1絶縁層120と連結され、上記キャビティ118の内側面と上記第1導電型半導体層112の上面に形成された上記第2反射層の一部領域まで延長されるように第2絶縁層125が形成される。上記第2絶縁層125は、上記キャビティ118の内側面に形成された少なくとも上記第2反射層130bの全領域を囲むように形成される。このように、上記第2絶縁層125が形成されることで、以後の工程に形成される第1電極141と上記第2反射層130bとの間の電気的なショートを防止することができる。上記第2絶縁層125は、上記キャビティ118の内側面に形成された上記第2絶縁層125から上記第1導電型半導体層112の上面に形成された上記第2反射層130bの一部領域まで延長されて形成される。このように第2絶縁層125が形成されることで、以後に形成される第1及び第2電極141、142の間の電気的なショートを防止することができる。上記第2絶縁層125は、電子ビームEbeam、スパッタリングSputtering、及びPECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDepositionのような蒸着工程により形成され、上記第1絶縁層120と同一な方法により形成されることもできる。図6Fを参照すると、上記キャビティ118を含んだ上記発光構造物110の上面の全領域に金属層140を形成することができる。上記金属層140は、少なくともキャビティ118の内部に埋め立てられる。言い換えると、上記金属層140の上記キャビティ118の内部から延長されて上記第2絶縁層125と上記第2反射層130bの上面に形成される。上記金属層140は、上記キャビティ118の内部において、上記キャビティ118の底面に形成された第1反射層130aの上面と、上記キャビティ118の内側面に形成された第2絶縁層125の上面に接触して形成される。上記金属層140は上記キャビティ118の内部から形成され、上記キャビティ140の内部の形成が完了すれば、上記発光構造物110の上面に形成された上記第2絶縁層125と上記第2反射層130bの上面から一定厚さを有するように形成される。ここで、厚さは発光素子パッケージのパッキングあるいはパッケージ構造によって変更されることがあり、特定の厚さに限定するものではない。上記金属層140は、電解メッキ及び無電解メッキのうち、少なくとも1つを含むメッキ工程により形成されたり、蒸着工程により形成されうるが、これに対して限定するものではない。図6Gを参照すると、上記発光構造物110の上面に形成された上記第2絶縁層125の上面が露出されるように上記金属層140を選択的に除去することで、第1電極141及び第2電極142が形成される。上記第1及び第2電極141、142の間の間隔は上記第1及び第2電極141、142の間の電気的なショートが発生しないように設定される。上記の間隔は10μm乃至50μmであることがあるが、これに対して限定するものではない。上記の間隔が10μm以下の場合、上記第1及び第2電極141、142の間の電気的なショートの発生可能性がある。上記の間隔が10μm以上の場合、上記第1及び第2電極141、142のそれぞれの面積が小さくならざるをえない。このような場合、上記第1及び第2電極141、142と上記発光構造物110との間の電気的な特性や界面特性が悪化される。上記第1及び第2電極141、142は、上記金属層140の上にマスク図示せずを形成した後、上記マスク図示せずに沿って湿式エッチングや乾式エッチングを遂行することにより形成される。但し、これに対して限定するものではない。図6Hを参照すると、上記基板101を除去することで、実施形態による発光素子100を製造することができる。上記基板101は、レーザーリフトオフLLO:LaserLiftOff工程、化学的リフトオフCLO:ChemicalLiftOff工程、または物理的研磨工程のうち、少なくとも1つの工程により除去できるが、これに対して限定するものではない。製造工程の信頼性のために上記第1及び第2電極141、142が形成された後に上記基板101を除去することが好ましいが、製造工程の順序に対して限定するものではない。上記基板101を除去した後、上記発光構造物110の上面に残っている残存物を除去し、光抽出向上のためのラフネスまたは凹凸を形成するためにエッチング工程が実施されることもできる。図7A及び図7Bは、本発明の第2実施形態による発光素子を示す図である。図7Aは図1の発光素子のA-A’断面を拡大した図であり、図7Bは図1の発光素子を下から見たものを拡大した背面図である。図7A及び図7Bを参照すると、本発明の第2実施形態による発光素子100Aは、複数の第1電極141がマトリックス形態に配列される。上記各第1電極141の周りに上記第2絶縁層125が形成される。上記第1電極141及び上記第2絶縁層125を除いた発光素子100Aの下面の領域には第2電極142が形成される。第2実施形態による発光素子100Aは、複数の発光構造物110を含むことができる。各発光構造物110は、図1の発光素子と同一な構造を有することができる。各発光構造物110当たり、1つの第1電極141が形成される。上記第2電極142は、各発光構造物110に形成される一方、各発光構造物110から延長されて相互間に連結される。または、上記第2電極142は各発光構造物110のみに形成され、各発光構造物110に形成された第2電極142の間に離隔するように形成されることもできる。上記第2電極142の構造は発光素子パッケージの構造によって変更可能であるので、これに対しては限定するものではない。第2実施形態による発光素子100Aの各発光構造物110の間は互いに延長されて連結される。言い換えると、第2実施形態による発光素子100Aは、1つの大面積の発光構造物110と、上記発光構造物110の下面にマトリックス形態に配列された複数の第1電極141と、上記第1電極141のそれぞれの周りに形成された複数の第2絶縁層125と、上記発光構造物110の下面において、上記第1電極141及び上記第2絶縁層125を除いた領域に形成された1つの第2電極142と、を含むことができる。したがって、大面積の発光構造物110であっても上記発光構造物110の下面に形成された複数の第1電極141と大面積の第2電極142を通じて円滑に電源が供給されることで、大面積の発光構造物110の全面積に均一に電流が広がるので、製品の信頼性を格段に向上させることができる。上記第1電極141は、図示したように行と列をなして配置されたり、その他の多様な方法により配置され、これに対して限定するものではない。図8は、本発明の第3実施形態による発光素子の断面図である。第3実施形態による発光素子100Bは、上記発光構造物110の上面にラフネスや凹凸が形成されること除いては、第1実施形態の発光素子100と似ている。したがって、第3実施形態の説明において、上記第1実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を使用し、上記第1実施形態で説明された同一な内容は説明の重複を避けるために省略する。図8を参照すると、本発明の第3実施形態による発光素子100Bは、上記発光構造物110の上面にラフネスroughnessや凹凸111の構造を含むことができる。言い換えると、上記ラフネスや凹凸111は、上記発光構造物110の第2導電型半導体層116の上面の全領域に形成される。上記ラフネスや凹凸は、湿式エッチングによりランダムなパターンを含むように形成されたり、乾式エッチングにより一定のパターンを含むように形成されるが、これに対しては限定するものではない。上記ラフネスや凹凸111は、一定の周期を有するように形成される。上記周期は、上記発光構造物110から放出される光の波長によって決まる。上記ラフネスや凹凸111は、例えば、200nm乃至3000nmの周期を有する光結晶photoniccrystal構造でありうる。上記ラフネスや凹凸111により上記発光構造物110の内部に閉じ込められた光が全反射により外部に放出されるので、発光素子100Bの光抽出効率を向上させることができる。図9は、本発明の第4実施形態による発光素子の断面図である。本発明の第4実施形態による発光素子100Cは、キャビティ118の内側面が上記キャビティ118の底面に対して傾斜するように形成されることを除いては、第1実施形態の発光素子100と似ている。したがって、第4実施形態の説明において、上記第1実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を使用し、上記第1実施形態で説明された同一な内容は説明の重複を避けるために省略する。図9を参照すると、本発明の第4実施形態による発光素子100Cは、上記発光構造物110にキャビティ118を含むことができる。上記キャビティ118は、上記発光構造物110が選択的に除去されて形成される。上記キャビティ118の内側面により、上記第1導電型半導体層112の側面、上記活性層114の側面、上記第2導電型半導体層116の側面、及び底面が外部に露出される。上記キャビティ118の内側面は、上記キャビティ118の底面、即ち上記第2導電型半導体層116の底面に対して傾斜するように形成される。上記発光構造物110の上部から下部への垂直方向に上記キャビティ118の幅が徐々に広がるように上記キャビティ118の内側面が上記第2導電型半導体層116の底面に対して傾斜するように形成される。上記キャビティ118の内部に形成された上記第2反射層130bも上記第2導電型半導体層116の底面に対して傾斜するように形成される。したがって、上記活性層114で生成された光は、上記傾斜した第2反射層130bにより最大限上方に反射させることによって、発光素子100Cの光抽出効率を向上させることができる。上記キャビティ118は湿式エッチング工程や乾式エッチング工程により形成されたりレーザー工程により形成される。図10は、本発明の第5実施形態による発光素子の側断面図である。第5実施形態による発光素子100Dは、上記発光構造物110の上面に導電性部材150を形成することを除いては、第1実施形態の発光素子100と似ている。したがって、第5実施形態の説明において、上記第1実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を使用し、上記第1実施形態で説明された同一な内容は説明の重複を避けるために省略する。図10を参照すると、本発明の第5実施形態による発光素子100Dは、上記発光構造物110に形成された第2キャビティ155の内部と上記発光構造物110の上面に導電性部材150が形成される。上記第1キャビティ118は、上記発光構造物110の下部に形成され、これについては前述したことがあるので、これ以上の説明は省略する。上記第2キャビティ155は、上記発光構造物110が上記第1反射層130aが露出されるまで上記発光構造物110の上部から選択的に除去されて形成される。上記第2キャビティ155の底面には上記第2導電型半導体層116の上面の一部領域が露出される。上記第2キャビティ155は、上記第2導電型半導体層116が貫通されて形成される。したがって、上記第2キャビティ155は、上記第2導電型半導体層116の内部に形成される。上記導電性部材150は、上記発光構造物110の第2キャビティ155の内部から延長されて上記発光構造物110の上面の全領域に形成される。言い換えると、上記導電性部材150は、上記発光構造物110の上記第2導電型半導体層116に形成された第2キャビティ155の内部から延長されて上記第2導電型半導体層116の上面の全領域に形成される。上記導電性部材150は、第1及び第2導電層151、152を含むことができる。上記第1導電層151は上記第2導電型半導体層116の上面に形成され、上記第2導電層152は上記第1導電層151から延長されて上記第2導電型半導体層116を貫通して形成された上記第2キャビティ155の内部に上記第1反射層130aに接触して形成される。万一、上記第1反射層130aが形成されない場合、上記第2導電層152は直接上記第1電極141と電気的に接触されるように形成される。上記第1反射層130aもまた導電性を有しているので、上記第1反射層130aの形成の有無に関わらず、上記第2導電層152及び上記第1電極141は上記第1反射層130aを媒介にして電気的に連結される。上記第2導電層152は上記第1反射層130aの上のみに形成されるものではなく、上記絶縁層120、125の上にもさらに形成できる。即ち、上記第2導電層152の直径に対して限定するものではない。上記導電性部材150は、透光性及び電気伝導性を有する材質で形成される。上記導電性部材150は、具体的にはITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、Ni、Ag、またはAuのうち、1つ以上を含んで単層または多層構造を有するように形成することができる。上記第1導電層151は、上記発光構造物110の上面、即ち上記第2導電型半導体層116の上面に、例えば100nm乃至500nmの厚さで形成される。上記第1導電層151は、上記発光構造物110の上面、即ち上記第2導電型半導体層116の上面に、例えば100nm乃至500nmの厚さで形成される。上記第1及び第2導電層151、152を含む上記導電性部材150は、電子ビームEbeam、スパッタリングSputtering、PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDepositionのような蒸着工程やメッキ工程を用いて均一な厚さを有するように形成される。上記第1及び第2導電層151、152を含む上記導電性部材150は、上記第1電極141に供給された電源の電流を上記第2導電型半導体層116の全領域にスプレッディングspreadingさせることで、上記発光構造物110の活性層114の全領域で均一に光が生成されて、上記発光素子100Dの発光効率を均一に得ることができる。従来の発光構造物の上面に電極が局部的にlocally形成される構造において、電流が発光構造物の一部領域のみに偏重して流れるようになって、活性層もまた一部領域のみで光が生成される問題があった。しかしながら、実施形態は、上記第1電極141に供給された電源の電流が上記第2導電層152を経由して上記第1導電層151の全領域に広がり、これによって、第1導電層151の全領域で上記電流が均一に上記第2導電性半導体層116に供給されることで、上記活性層114の全領域で均一な光が生成される。以下、本発明の第5実施形態による発光素子の製造工程について詳細に説明する。但し、前述したことと重複する内容は省略または簡略に説明する。図11A乃至図11Jは、本発明の第5実施形態による発光素子の製造工程を示す図である。図11A乃至図11Hは、第1実施形態による発光素子の製造工程を示す図6A乃至図6Hと実質的に同一である。したがって、図11A乃至図11Hについての説明は簡略に説明する。図11Aを参照すると、基板101の上に上記発光構造物110を形成することができる。上記基板101の上に、上記第2導電型半導体層116、上記活性層114、及び上記第1導電型半導体層112を順次に積層して上記発光構造物110を形成することができる。上記第2導電型半導体層116はn型ドーパントを含むn型半導体層であり、上記第1導電型半導体層112はp型ドーパントを含むp型半導体層であることがあるが、これに対しては限定するものではない。図11Bを参照すると、上記発光構造物110の中心領域を選択的に除去して、上記第2導電型半導体層116の上面の一部領域が露出するようにキャビティ118を形成することができる。図11Cを参照すると、上記キャビティ118の内側面に上記第1絶縁層120が形成される。言い換えると、上記第1絶縁層120は、上記第2導電型半導体層116の上面の一部領域から上記第2導電型半導体層116の側面、上記活性層の側面、及び上記第1導電型半導体層112の側面を経由して、上記第1導電型半導体層112の上面の一部領域まで延長されるように形成される。図11Dを参照すると、上記第1及び第2反射層130a、130bが同時に、または個別工程により形成される。上記第1反射層130aは、上記第2導電型半導体層116の上面のうち、上記第1絶縁層120が形成された領域を除いた領域に形成される。言い換えると、上記第1反射層130aは、上記第1絶縁層120の間に露出された上記第2導電型半導体層116の上面に形成される。上記第1絶縁層120は、上記キャビティ118の内側面に形成された上記第2反射層130bによる上記発光構造物110の各層、例えば、上記第1導電型半導体層112、上記活性層114、及び上記第2導電型半導体層116の間の電気的なショートを防止できるようにする。図11Eを参照すると、上記キャビティ118の底面、即ち上記第2導電型半導体層116の上面に形成された第1絶縁層120と連結され、上記キャビティ118の内側面と上記第1導電型半導体層112の上面に形成された上記第2反射層の一部領域まで延長されるように第2絶縁層125が形成される。上記第2絶縁層125は、上記キャビティ118の内側面に形成された少なくとも上記第2反射層130bの全領域を囲むように形成される。このように、上記第2絶縁層125が形成されることで、以後の工程に形成される第1電極141と上記第2反射層130bとの間の電気的なショートを防止することができる。上記第2絶縁層125は、上記キャビティ118の内側面に形成された上記第2絶縁層125から上記第1導電型半導体層112の上面に形成された上記第2反射層130bの一部領域まで延長されて形成される。このように、第2絶縁層125が形成されることで、以後に形成される第1及び第2電極141、142の間の電気的なショートを防止することができる。図11Fを参照すると、上記キャビティ118を含んだ上記発光構造物110の上面の全領域に金属層140を形成することができる。上記金属層140は、少なくともキャビティ118の内部に埋め立てられる。言い換えると、上記金属層140の上記キャビティ118の内部から延長されて上記第2絶縁層125と上記第2反射層130bの上面に形成される。上記金属層140は、上記キャビティ118の内部において、上記キャビティ118の底面に形成された第1反射層130aの上面と、上記キャビティ118の内側面に形成された第2絶縁層125の上面に接触して形成される。図11Gを参照すると、上記発光構造物110の上面に形成された上記第2絶縁層125の上面が露出するように上記金属層140を選択的に除去することで、第1電極141及び第2電極142が形成される。上記第1及び第2電極141、142の間の間隔は上記第1及び第2電極141、142の間の電気的なショートが発生しないように設定される。上記間隔は10μm乃至50μmであることがあるが、これに対して限定するものではない。図11Hを参照すると、レーザーリフトオフLLO:LaserLiftOff工程、化学的リフトオフCLO:ChemicalLiftOff工程、または物理的研磨工程のうち、少なくとも1つの工程を用いて上記基板101を除去することができるが、これに対しては限定するものではない。図11Iを参照すると、上記発光構造物110の上記第2導電型半導体層116を貫通して上記第1反射層130aの一部領域が露出するように上記第2導電型半導体層116を選択的に除去して第2キャビティ155が形成される。上記第2キャビティ155は、例えば、エッチング工程またはレーザードリリング工程のうち、少なくとも1つにより形成されるが、これに対して限定するものではない。上記第2キャビティ155の内側面は、上記エッチング工程またはレーザードリリング工程によって上記第1反射層130aに対して垂直に形成されるが、これに対して限定するものではない。図11Jを参照すると、上記第2キャビティ155の内部から延長されて上記第2導電型半導体層116の上面の全領域に上記導電性部材150を形成して発光素子100Dを製造することができる。上記導電性部材150は、上記第2導電型半導体層116の上に形成された第1導電層151と、上記第1導電層から上記第2キャビティ155の内部に延長されて上記第2キャビティ155の内部に露出された上記第1反射層130aに接触するように形成された第2導電層152を含むことができる。上記第1反射層130aは導電性を有しているので、上記第1反射層130aの形成の有無に関わらず、上記第2導電層152及び上記第1電極141は、上記第1反射層130aを媒介にして電気的に連結される。上記第1導電層151は、上記発光構造物110の上面、即ち上記第2導電型半導体層116の上面に、例えば100nm乃至500nmの厚さで形成される。上記第1及び第2導電層151、152を含む上記導電性部材150は、電子ビームEbeam、スパッタリングSputtering、PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDepositionのような蒸着工程やメッキ工程を用いて均一な厚さを有するように形成される。上記第1及び第2導電層151、152を含む上記導電性部材150は、上記第1電極141に供給された電源の電流を上記第2導電型半導体層116の全領域に拡散スプレッディング;spreadingさせることによって、上記発光構造物110の活性層114の全領域で均一に光が生成されて上記発光素子100Dの発光効率を均一に得ることができる。第5実施形態による発光素子の製造工程において、上記第1及び第2電極141、142を上記導電性部材150に先立って形成することと説明したが、上記導電性部材150を先に形成し、上記第1及び第2電極141、142を形成することもできるが、このような形成順序に対して限定するものではない。図12は、本発明の第6実施形態による発光素子の側断面図である。本発明の第6実施形態による発光素子100Eは、上記導電性部材150の上面にラフネスや凹凸119の構造を形成することを除いては、第5実施形態の発光素子100と似ている。したがって、第6実施形態の説明において、上記第5実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を使用し、上記第5実施形態で説明された同一な内容は説明の重複を避けるために省略する。図12を参照すると、本発明の第6実施形態による発光素子100Eは、上記導電性部材150、即ち上記第1導電層151の上面の全領域にラフネスや凹凸119の構造が形成される。この際、上記第2導電型半導体層116の上面には如何なるラフネスや凹凸構造が形成されない。上記ラフネスや凹凸119の構造は、例えば、200nm乃至3000nmの周期を有する光結晶photoniccrystal構造でありうる。このように、上記第1導電層151の上面にラフネスや凹凸119の構造が形成されることで、上記ラフネスや凹凸119により上記発光構造物110の内部に閉じ込められた光が全反射により外部に放出されるので、発光素子100Eの光抽出効率を向上させることができる。図13は、本発明の第7実施形態による発光素子の側断面図である。第7実施形態による発光素子100Fは、上記発光構造物110の上面や内部に上記導電性部材150を形成することを除いては、第3実施形態図8の発光素子100Bと似ており、上記第2導電性半導体層の上面に形成された第1ラフネスや凹凸111の構造や上記導電性部材150の上面に形成された第2ラフネスや凹凸119の構造を除いては、第5実施形態の発光素子100と似ている。したがって、第7実施形態の説明において、上記第3及び第5実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を使用し、上記第3及び第5実施形態で説明された同一な内容は説明の重複を避けるために省略する。図13を参照すると、第7実施形態による発光素子100Fは、上記第2導電型半導体層116の上面の全領域に第1ラフネスや凹凸111の構造が形成され、上記導電性部材150、具体的に上記第1導電層151の上面の全領域に第2ラフネスや凹凸119の構造が形成される。上記第1導電層151は、上記第2導電型半導体層116の上に形成される。上記第2導電型半導体層116の上に上記第1導電層151を形成する時、上記第2導電型半導体層116の上面に形成された第1ラフネスや凹凸111の構造によって上記第2導電型半導体層116の上に別途の工程無しで上記第2ラフネスや凹凸119の構造が形成される。または、上記第2導電型半導体層116の上に上記第1導電層151を形成した後、別途のパターニング工程により上記第2ラフネスや凹凸119の構造を形成することもできる。しかしながら、これに対して限定するものではない。上記第2ラフネスや凹凸119の構造は、例えば、200nm乃至3000nmの周期を有する光結晶photoniccrystal構造でありうる。図14は、本発明の第8実施形態による発光素子の側断面図である。第8実施形態による発光素子100Gは、上記第2キャビティ155が上記第2導電型半導体層116に対して傾斜するように形成されることを除いては、第5実施形態の発光素子100と似ている。したがって、第8実施形態の説明において、上記第5実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を使用し、上記第5実施形態で説明された同一な内容は説明の重複を避けるために省略する。図14を参照すると、第8実施形態による発光構造物100Gには、第2導電型半導体層116を貫通して上記第1反射層130aが露出するように形成された第2キャビティ155が形成される。上記第1反射層130aが形成されない場合、上記第1電極141が露出されることもできる。上記第2キャビティ155は、上記第2導電型半導体層116の上面に対して傾斜するように形成される。例えば、上記第2キャビティ155の傾斜面158は、上記第2導電型半導体層116の上面に対して30 ゚乃至80 ゚の傾斜角θを有するように形成される。言い換えると、上記キャビティの傾斜面158と上記第2導電型半導体層116の上面により形成された傾斜角θを有することができる。上記第2導電型半導体層116の上面と上記第2キャビティ155の内側面に上記導電性部材150が形成される。上記導電性部材150は、上記第2導電型半導体層116の上面に形成された第1導電層151と、上記第1導電層151から上記第2キャビティ155の内側面に延長されて上記第1反射層130Aに接触するように形成された第2導電層152を含むことができる。したがって、上記第2キャビティ155の傾斜面158に接触して形成された上記第2導電層152の側面もまた上記第2導電型半導体層116または上記第1導電層151の上面に対して30 ゚乃至80 ゚の傾斜角θを有するように形成される。したがって、このように上記第2導電層152の側面を傾斜するように形成して上記第2導電層152と上記活性層114との間の距離を短縮させることができる。これによって、より円滑な電流の流れを作って上記活性層114でより多い光量を生成することで、上記発光素子100Gの発光効率を向上させることができる。図15は、本発明の第9実施形態による発光素子の側断面図である。第9実施形態による発光素子100Hは、第1導電型半導体層112の下部面bottomsurfaceの上にラフネスや凹凸170が形成されることを除いては、第1実施形態と似ている。したがって、第9実施形態の説明において、上記第1実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を使用し、上記第1実施形態で説明された同一な内容は説明の重複を避けるために省略する。図15を参照すると、第9実施形態による発光構造物100Hには第1導電型半導体層112の下部面の上にラフネスや凹凸170が形成される。上記凹凸170は、第2反射層130bに接するように形成される。したがって、上記活性層114で生成されて上記第2反射層130bに入射された光は上記第2反射層130bにより前方または、上方、または側方に反射される。このような場合、上記凹凸170により上記光はランダムに前方または側方に広がるので、光抽出効率をより向上させることができる。図16は、本発明の第10実施形態による発光素子の側断面図である。第10実施形態による発光素子100Hは、発光構造物110Iの側面に配置されたパッシベーション層172を除いては、第1実施形態と似ている。したがって、第10実施形態の説明において、上記第1実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を使用し、上記第1実施形態で説明された同一な内容は説明の重複を避けるために省略する。図16を参考すると、第10実施形態による発光素子100Iには少なくとも上記発光構造物110の側面に配置されたパッシベーション層172が形成される。上記パッシベーション層172は、第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を少なくとも含むように上記第1導電型半導体層112の側面、活性層114の側面、及び第2導電型半導体層116の側面に形成される。上記パッシベーション層172により外部の異質物から上記発光構造物110が保護され、外部の導電型異質物により上記第1導電型半導体層112と上記第2導電型半導体層116との間の電気的なショートの発生を防止することができる。または、上記パッシベーション層172は、上記発光構造物110の側面だけでなく、上記第2反射層130bの側面にも形成される。上記パッシベーション層172は、例えば、SiOxやSiNxのような無機絶縁物質で形成される。または、上記パッシベーション層172は有機絶縁物質で形成されることもできる。または、上記パッシベーション層172は透明な絶縁物質で形成されることもできる。したがって、活性層114で生成された光は上記パッシベーション層172を透過して側方向に進行される。図17は、本発明の第11実施形態による発光素子の側断面図である。第11実施形態による発光素子100Jは、第1電極141と導電性部材150とが同一な物質で形成されることを除いては、第5実施形態と似ている。したがって、第11実施形態の説明において、上記第5実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を使用し、上記第1実施形態で説明された同一な内容は説明の重複を避けるために省略する。図17を参考すると、第11実施形態による発光素子100Jは、少なくとも発光構造物110を貫通する第1電極141と上記第1電極から延長されて上記発光構造物110の上に形成された導電性部材150を含むことができる。上記導電性部材150は、上記発光構造物110、言い換えると、上記第2導電型半導体層116の全領域の上に形成される。上記発光構造物110の上面、即ち上記第2導電型半導体層116の上面から上記発光構造物110の下面、即ち上記第1導電型半導体層112の下面まで貫通される。上記第1電極141は、上記導電性部材150から上記第2導電型半導体層116の上面と上記第1導電型半導体層112の下面との間の貫通ホールに延長され、上記第2電極142の下部面と同一な高さになるように突出形成される。上記貫通ホール内において、上記第1電極141は上記第2絶縁層125に接して形成される。上記第1電極141及び上記導電性部材150は、同一な物質で形成される。上記第1電極141及び上記導電性部材150は、一括的に形成されたり、個別的に形成される。上記第1電極141及び上記導電性部材150は、例えば、透光性及び電気伝導性を有する材質で形成される。上記透光性及び電気伝導性を有する材質には、例えばITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、Ni、Ag、及びAuからなるグループから選択された少なくとも1つを含むことができる。上記第1電極141及び上記導電性部材150は、1つの透光性及び電気伝導性を有する材質を含む単層、または少なくとも1つ以上の透光性及び電気伝導性を有する材質を含む多層に形成することができる。このような構造により、上記第1電極141は電流を供給するための電極としての機能を有することができる。上記導電性部材150は、上記第1電極141に供給された電流を上記第2導電型半導体層116の全領域に対応する面積を有する上記導電性部材150の全領域に迅速に拡散スプレッディング;spreadingさせて、上記拡散電流が上記導電性部材150の全領域から上記第2導電型半導体層116の全領域に均一に供給できる電流拡散機能を有することができる。また、上記導電性部材150は、上記活性層114で生成された光が上記導電性部材150を透過して外部に進行されるようにする透光性機能を有することができる。図18は、本発明の実施形態による発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。図18を参照すると、実施形態による発光素子パッケージ30は、パッケージ胴体20と、上記パッケージ胴体20の少なくとも上面及び側面の周りに設置された第1リード電極31及び第2リード電極32と、上記パッケージ胴体20の上の上記第1及び第2リード電極31、32に設置されて上記第1リード電極31及び第2リード電極32と電気的に連結される実施形態による発光素子100と、上記発光素子100を囲むモールディング部材40と、を含む。上記パッケージ胴体20は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成される。上記胴体部20は、上から見て、内部に傾斜面53を有するキャビティcavity50を有する。上記第1リード電極31及び第2リード電極32は互いに電気的に分離され、上記発光素子100に電源を提供する。また、上記第1リード電極31及び第2リード電極32は、上記発光素子100で発生した光を反射させて光効率を増加させる反射板の役割と、上記発光素子100で発生した熱を外部に放出させる放熱板の役割をすることができる。上記第2リード電極32は、上記胴体部20を貫通して形成される。図面では、上記第2リード電極32が上記胴体部20を貫通して形成されることと図示されているが、上記第2リード電極32の代りに上記第1リード電極31が上記胴体部20を貫通するように形成することもできる。これは、上記発光素子100の電極構造によって変形可能であるので、これに対しては限定するものではない。上記発光素子100は、上記パッケージ胴体20の上に設置されたり、上記第1リード電極31及び第2リード電極32のうちのいずれか1つの上に設置される。上記発光素子100は、ワイヤ方式、フリップチップ方式、またはダイボンディング方式のうちのいずれか1つを用いて、上記第1リード電極31及び第2リード電極32のうちのいずれか1つの上に電気的に連結されることもできる。例えば、上記発光素子100の第1電極141は上記第2リード電極32に電気的に連結され、上記発光素子100の第2電極142は上記第1リード電極31に電気的に連結される。上記モールディング部材40は、上記発光素子100を囲んで保護することができる。上記モールディング部材40は、蛍光体を含んで上記発光素子100から放出された光の波長を変化させることができる。上記発光素子パッケージは、上記に開示された実施形態の発光素子のうち、少なくとも1つまたは複数個で搭載することができ、これに対して限定するものではない。上記発光素子パッケージは、COBChipOnBoardタイプを含むことができる。即ち、COBタイプによると、上記パッケージ胴体20の上面は平らであり、上記パッケージ胴体20には複数の発光素子100が設置されることもできる。実施形態による発光素子または発光素子パッケージは、ライトユニットに適用される。上記ライトユニットは、複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、図19及び図20に図示された表示装置、図21に図示された照明装置を含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれる。図19は、本発明の実施形態による表示装置の分解斜視図である。図19を参照すると、表示装置1000は、導光板1041と、上記導光板1041に光を提供する発光モジュール1031と、上記導光板1041の下に反射部材1022と、上記導光板1041の上に光学シート1051と、上記光学シート1051の上に表示パネル1061と、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022を収納するボトムカバー1011と、を含むことができるが、これに限定されるものではない。上記ボトムカバー1011、反射部材1022、導光板1041、及び光学シート1051は、ライトユニット1050と定義される。上記導光板1041は、上記発光モジュール1031から提供された光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板1041は、透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つを含むことができる。上記発光モジュール1031は、上記導光板1041の少なくとも一側面に配置されて上記導光板1041の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には表示装置の光源として作用する。上記発光モジュール1031は少なくとも1つを含み、上記導光板1041の一側面から直接または間接的に光を提供することができる。上記発光モジュール1031は、基板1033と上記に開示された実施形態による発光素子パッケージ30を含み、上記発光素子パッケージ30は、上記基板1033の上に所定間隔でアレイされる。上記基板は印刷回路基板printedcircuitboardであるが、これに限定するものではない。また、上記基板1033は、メタルコアPCBMCPCB:MetalCorePCB、軟性PCBFPCB:FlexiblePCBなどを含むこともでき、これに対して限定するものではない。上記発光素子パッケージ30は、上記ボトムカバー1011の側面または放熱プレートの上に搭載される場合、上記基板1033は除去できる。上記放熱プレートの一部は上記ボトムカバー1011の上面に接触される。したがって、発光素子パッケージ30で発生した熱は放熱プレートを経由してボトムカバー1011に放出される。上記複数の発光素子パッケージ30は、上記基板1033の上に光が放出される出射面が上記導光板1041と所定距離離隔するように搭載され、これに対して限定するものではない。上記発光素子パッケージ30は、上記導光板1041の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに対して限定するものではない。上記導光板1041の下には上記反射部材1022が配置される。上記反射部材1022は、上記導光板1041の下面に入射された光を反射させて上記表示パネル1061に供給することで、上記表示パネル1061の輝度を向上させることができる。上記反射部材1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成されるが、これに対して限定するものではない。上記反射部材1022は、上記ボトムカバー1011の上面であることがあり、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011は、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー1011は、上面が開口されたボックスbox形状を有する収納部1012が備えられることができ、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011は、トップカバー図示せずと結合され、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011は金属材質または樹脂材質で形成され、プレス成形または圧出成形などの工程を用いて製造される。また、上記ボトムカバー1011は、熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができ、これに対して限定するものではない。上記表示パネル1061は、例えばLCDパネルであって、互いに対向する透明な材質の第1及び第2基板、そして第1及び第2基板の間に介された液晶層を含む。上記表示パネル1061の少なくとも一面には偏光板が付着され、このような偏光板の付着構造に限定するものではない。上記表示パネル1061は、上記発光モジュール1031から提供された光を透過または遮断させて情報を表示するようになる。このような表示装置1000は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用される。上記光学シート1051は、上記表示パネル1061と上記導光板1041との間に配置され、少なくとも一枚以上の透光性シートを含む。上記光学シート1051は、例えば拡散シートdiffusionsheet、水平及び垂直プリズムシートhorizontal/verticalprismsheet、及び輝度強化シートbrightnessenhancedsheetのようなシートのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平または/及び垂直プリズムシートは入射される光を上記表示パネル1061に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、上記表示パネル1061の上には保護シートが配置され、これに対して限定するものではない。上記発光モジュール1031の光経路上には、光学部材として、上記導光板1041、及び光学シート1051を含むことができ、これに対して限定するものではない。図20は、本発明の実施形態による表示装置を示す図である。図20を参照すると、表示装置1100は、ボトムカバー1152、上記に開示された発光素子パッケージ30がアレイされた基板1120、光学部材1154、及び表示パネル1155を含む。上記基板1120及び上記発光素子パッケージ30は、発光モジュール1060と定義される。上記ボトムカバー1152、少なくとも1つの発光モジュール1060、及び光学部材1154は、ライトユニット図示せずと定義される。上記ボトムカバー1152には収納部1153を具備することができ、これに対して限定するものではない。上記光学部材1154は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記導光板は、PC材質またはPMMAPolymethylmethacrylate材質からなることができ、このような導光板は除去できる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を上記表示パネル1155に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。上記光学部材1154は上記発光モジュール1060の上に配置され、上記発光モジュール1060から放出された光を面光源化したり、拡散、集光などを遂行する。図21は、本発明の実施形態による照明装置の斜視図である。図21を参照すると、照明装置1500は、ケース1510、上記ケース1510に設置された発光モジュール1530、及び上記ケース1510に設置されて外部電源から電源が提供される連結端子1520を含むことができる。上記ケース1510は、放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成される。上記発光モジュール1530は、基板1532、及び上記基板1532に搭載される実施形態による発光素子パッケージ30を含むことができる。上記発光素子パッケージ30は、複数個がマトリックス形態または所定間隔で離隔してアレイされる。上記基板1532は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCB、FR-4基板などを含むことができる。また、上記基板1532は光を効率的に反射する材質で形成されたり、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層となることができる。上記基板1532の上には少なくとも1つの発光素子パッケージ30が搭載される。上記発光素子パッケージ30のそれぞれは少なくとも1つのLEDLightEmittingDiodeチップを含むことができる。上記LEDチップは、赤色、緑色、青色、または白色のような可視光線帯域の発光ダイオード、または紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール1530は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ30の組合を有するように配置される。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置することができる。上記連結端子1520は、上記発光モジュール1530と電気的に連結されて電源を供給することができる。上記連結端子1520は、ソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するものではない。例えば、上記連結端子1520は、ピンpin形態に形成されて外部電源に挿入されたり、配線により外部電源に連結されることもできる。実施形態によれば、第1及び第2電極が同一平面上に位置することで、発光素子パッケージへのパッケージ化が容易であり、パッケージング時、ワイヤが不要になって工程効率を向上させることができる。実施形態によれば、第1及び第2電極が全て発光構造物の下面に形成されることで、従来の発光構造物の上面と側面に電極が形成されるに伴う光損失を減らすことができる。実施形態によれば、第1及び第2電極を直接パッケージに実装して第1及び第2電極が放熱板の役割をすることで、放熱性能を向上させることができる。実施形態によれば、発光構造物の下部領域に形成された第1及び第2電極の周囲に反射部材を形成することで、光を最大限反射させて光抽出効率を向上させることができる。実施形態によれば、p型半導体層と第1電極との間の絶縁層によるキャパシタンスが形成されて、静電気放電が発生する時、発光構造物に最小の電流量を流れるようにして、静電気放電による発光構造物の損傷を防止することができる。実施形態によれば、第1電極を複数で形成することで、大面積の発光素子でも充分の電流供給が可能である。実施形態によれば、第1電極を形成するためのキャビティを傾斜するようにしてキャビティに形成された反射部材もまた傾斜するように形成されることで、光をできる限り上向きに反射させて光抽出効率を向上させることができる。実施形態によれば、絶縁部材をキャビティの内部の第1及び第2半導体層と活性層の側面に形成することで、第1電極と第1半導体層との間、そして反射層と第1電極及び第2半導体層の間との電気的なショートを防止することができる。実施形態によれば、第2半導体層の上面に凹凸形状を形成することで、凹凸形状により発光構造物の内部に閉じ込められた光が全反射により外部に放出されて光抽出効率を向上させることができる。実施形態によれば、第2半導体層の上の全領域に第1電極と連結された導電性部材を形成することで、第1電極に供給された電流が第2半導体層の全領域にスプレッディングされ、このような電流が導電性部材の全領域で第2半導体層の上に供給されて、発光構造物の活性層の全領域で均一な光が生成されて均一な発光効率を得ることができる。実施形態によれば、第2半導体層の上に形成された導電性部材は透光性を有するので、発光構造物で生成された光が損失無しで外部に放出できる。実施形態によれば、第2半導体層に備えられたキャビティが傾斜するように形成されることで、キャビティに形成された導電性部材もまた傾斜するように形成されて導電性部材と活性層との間の距離が短縮されて、より円滑な電流の流れによるより多い光量が生成されて発光効率を向上させることができる。実施形態によれば、導電性部材の上面に凹凸形状が形成されることで、凹凸形状により発光構造物の内部に閉じ込められた光が全反射により外部に放出されて光抽出効率を向上させることができる。実施形態による発光素子の製造方法は、第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む発光構造物を形成するステップと、上記第2半導体層が露出されるように上記発光構造物を選択的に除去してキャビティを形成するステップと、上記第1半導体層の下面の縁領域を除いた上記第1半導体層の上面と上記キャビティの内側面に絶縁層を形成するステップと、上記キャビティの内側面から上記第1半導体層の下面の全領域に金属層を形成するステップと、上記金属層を選択的に除去して上記絶縁層により互いに電気的に絶縁された第1及び第2電極を形成するステップと、を含む。実施形態による発光素子パッケージは、胴体と、上記胴体に設置された第1リード電極及び第2リード電極と、上記胴体に設置されて上記第1及び第2リードに電気的に連結された発光素子と、を含み、上記発光素子は、第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含み、上記第2半導体層が露出されるように少なくとも上記第1半導体層と上記活性層とを貫通するキャビティを有する発光構造物と、上記キャビティの内部の上記第2半導体層から上記キャビティの外部に延長された第1電極と、上記第1電極の側面と離隔して少なくとも上記第1電極の側面を囲むように上記第1半導体層の下面の縁領域に配置された第2電極と、上記第1電極の側面と上記発光構造物との間の第1絶縁層と、を含む。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。