"積層された複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って形成される複数の内部電極を備え、複数の前記内部電極の各一部が露出している、部品本体を作製する、部品本体作製工程と、複数の前記内部電極と電気的に接続される外部電極を前記部品本体上に形成する、外部電極形成工程とを備え、前記部品本体作製工程において作製される前記部品本体は、複数の前記内部電極の隣り合う露出端間に位置する前記セラミック層の端面に、前記内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域が存在しているものであり、前記外部電極形成工程は、前記部品本体における前記内部電極の露出端および前記導電領域をめっき析出の核としてめっき成長させることによって、複数の前記内部電極と電気的に接続されるめっき膜を前記部品本体上に直接形成する、めっき工程を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。前記部品本体作製工程において作製される前記部品本体に備える前記セラミック層は、ガラス成分を10重量以上含むガラスセラミックからなる、請求項1に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。前記外部電極形成工程は、前記めっき工程の前に、前記部品本体にPd含有溶液を付与し、それによって、前記導電領域の少なくとも表面において前記導電成分をPdで置換する工程を含む、請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。前記めっき工程は、電解めっき工程である、請求項1ないし3のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。積層された複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って形成される複数の内部電極を備え、複数の前記内部電極の各一部が露出している、部品本体と、複数の前記内部電極と電気的に接続されるように前記部品本体上に形成される、外部電極とを備え、前記部品本体は、複数の前記内部電極の隣り合う露出端間に位置する前記セラミック層の端面に、前記内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域を有し、前記外部電極は、前記部品本体における前記内部電極の露出端および前記導電領域上に直接形成されるめっき膜を含む、積層セラミック電子部品。前記導電領域は、島状または網目状に形成されている、請求項5に記載の積層セラミック電子部品。前記セラミック層は、ガラス成分を10重量以上含むガラスセラミックからなる、請求項5または6に記載の積層セラミック電子部品。前記導電領域の少なくとも表面において前記導電成分がPdで置換されている、請求項5ないし7のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。前記めっき膜は、電解めっきによって形成されたものである、請求項5ないし8のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。この発明の目的は、内部電極の隣り合う露出端の間隔が広くても、複数の内部電極の露出端間を接続するように連続した、外部電極の少なくとも一部としてのめっき膜を形成することができる、積層セラミック電子部品の製造方法を提供しようとすることである。この発明の他の目的は、上述した製造方法によって製造され得る積層セラミック電子部品を提供しようとすることである。この発明は、積層された複数のセラミック層およびセラミック層間の界面に沿って形成される複数の内部電極を備え、複数の内部電極の各一部が露出している、部品本体を作製する、部品本体作製工程と、複数の内部電極と電気的に接続される外部電極を部品本体上に形成する、外部電極形成工程とを備える、積層セラミック電子部品の製造方法にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。上記部品本体作製工程において作製される部品本体は、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層の端面に、内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域が存在しているものとされる。そして、上記外部電極形成工程は、部品本体における内部電極の露出端および上記導電領域をめっき析出の核としてめっき成長させることによって、複数の内部電極と電気的に接続されるめっき膜を部品本体上に直接形成する、めっき工程を含む。部品本体作製工程において作製される部品本体に備えるセラミック層は、ガラス成分を10重量以上含むガラスセラミックからなることが好ましい。外部電極形成工程は、めっき工程の前に、部品本体にPd含有溶液を付与し、それによって、導電領域の少なくとも表面において導電成分をPdで置換する工程を含むことが好ましい。上述しためっき工程において、特に電解めっきが適用されるとき、この発明の意義が大きい。この発明は、また、積層された複数のセラミック層およびセラミック層間の界面に沿って形成される複数の内部電極を備え、複数の内部電極の各一部が露出している、部品本体と、複数の内部電極と電気的に接続されるように部品本体上に形成される、外部電極とを備える、積層セラミック電子部品にも向けられる。この発明に係る積層型電子部品の特徴とするところは、部品本体が、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層の端面に、内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域を有し、外部電極が、部品本体における内部電極の露出端および導電領域上に直接形成されるめっき膜を含む、ということである。上述した導電領域は、通常、島状または網目状に形成されている。セラミック層は、ガラス成分を10重量以上含むガラスセラミックからなることが好ましい。上記導電領域の少なくとも表面において導電成分がPdで置換されていることが好ましい。また、めっき膜は、電解めっきによって形成されたものであることが好ましい。この発明によれば、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層の端面に、導電領域が存在するので、内部電極の露出端およびこの導電領域によって与えられるめっき析出の核を高密度に分布させることができる。したがって、複数の内部電極の隣り合う露出端間の間隔が広くても、複数の内部電極の露出端間を接続するように連続しためっき膜を容易に形成することができる。また、単に導電粒子を付着させた場合とは異なり、この発明によれば、導電領域はセラミック層と一体化しているため、外部電極となるめっき膜において、高い固着強度を得ることができるとともに、水分浸入の通路が効果的に塞がれるため、積層セラミック電子部品において、シール性耐湿信頼性を向上させることができる。セラミック層が、ガラス成分を10重量以上含むガラスセラミックからなるとき、内部電極に含まれる導電成分の拡散による導電領域がより形成されやすくなる。すなわち、内部電極の導電成分特に銅や銀がセラミックの粒界を通って拡散し、セラミック層の端面において島状もしくは網目状に分布する導電領域が形成されやすくなる。導電領域の少なくとも表面において導電成分がPdで置換されると、導電領域上でのめっき成長がより生じやすくなり、連続しためっき膜の形成がより容易になる。したがって、無電解めっきに比べてめっき成長力の小さい電解めっきを問題なく適用することができる。なお、前述したように、セラミック層が、ガラス成分を10重量以上含むガラスセラミックからなり、セラミック層の端面において導電成分が島状もしくは網目状に分布する導電領域が形成されると、上述したPdによる置換が生じやすくなる。この発明の一実施形態による積層セラミック電子部品1の外観が図13に示されている。まず、この積層セラミック電子部品1の構成について、図1および図2を参照しながら説明する。積層セラミック電子部品1は、部品本体2を備えている。部品本体2は、その外観が図12に示されている。図13に示す積層セラミック電子部品1は、図12に示した部品本体2の外表面上であって、各端部に、端子となる外部電極3および4が形成され、各側面の中間部に、端子となる外部電極5および6が形成されて得られたものである。この積層セラミック電子部品1は、チップ多層LCフィルタを構成するものである。より詳細には、積層セラミック電子部品1は、後述する図2の構成から明らかになるように、外部電極3および4の間に直列接続された2つのインダクタンスを構成し、2つのインダクタンスの接続点と外部電極5および6との間にキャパシタンスを構成するものである。図2に示すように、部品本体2は、積層された複数のセラミック層7~19を備えている。図2において、1~12の数字は、セラミック層7~19の上からの積層順序を示している。なお、部品本体2に備えるセラミック層の数は図示したものに限定されない。セラミック層7~19には、必要に応じて、上述したインダクタンスおよびキャパシタンスを与えるための電極、それらを引き出すための電極、あるいは専らめっき析出の核となる電極が形成されている。それらの電極の詳細について以下に説明する。なお、図2において、1に示したセラミック層7の上面に形成される電極は、部品本体2の外表面上に形成されるものであり、2~11に示したセラミック層9~18の各上面に形成される電極は、セラミック層9~18の各々の上に積層されるセラミック層8~17との界面に沿って形成されるものであり、12に示したセラミック層19において点線で示した電極は、セラミック層19の下面、すなわち部品本体2の外表面上に形成されるものである。図21に示すように、セラミック層7には、前述した外部電極3~6の各々の下地となる外部ダミー電極20~23が形成されている。これら外部ダミー電極20~23は、図11および2にも図示されている。図22に示すように、セラミック層9には、内部電極として、第1のインダクタンスの一部を構成するコイルパターン24が形成されるとともに、このコイルパターン24の一方端から延びる引出しパターン25が形成されている。引出しパターン25の位置は、外部電極3の位置に対応している。また、コイルパターン24の他方端には、ビアホール導体26が設けられている。さらに、セラミック層9には、外部電極4~6の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極27~29が形成されている。図23に示すように、セラミック層10には、内部電極として、第1のインダクタンスの一部を構成するコイルパターン30が形成されている。また、コイルパターン30の一方端には、ビアホール導体31が設けられている。コイルパターン29の他方端は、1点鎖線で示すように、前述したビアホール導体26に接続されている。なお、図23では、ビアホール導体26の位置が26の参照符号をもって示されている。さらに、セラミック層10には、外部電極3~6の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極32~35が形成されている。図24に示すように、セラミック層11には、上述のビアホール導体31に接続されるビアホール導体36が設けられている。さらに、セラミック層11には、外部電極3~6の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極37~40が形成されている。図25に示すように、セラミック層12には、内部電極として、キャパシタンスの一部を構成するコンデンサパターン41が形成されるとともに、コンデンサパターン41から延びる引出しパターン42および43が形成されている。引出しパターン42および43の位置は、それぞれ、外部電極5および6の位置に対応している。また、このセラミック層12には、前述したビアホール導体36に接続されるビアホール導体44が設けられている。さらに、セラミック層12には、外部電極3および4の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極45および46が形成されている。図26に示すように、セラミック層13には、内部電極として、上記キャパシタンスの一部を構成するコンデンサパターン47が形成されている。コンデンサパターン47はセラミック層12を介して前述のコンデンサパターン41と対向している。また、セラミック層13には、コンデンサパターン47に接続されるビアホール導体48が設けられている。コンデンサパターン47は、また、1点鎖線で示すように、前述したビアホール導体44に接続されながら、ビアホール導体36および31を順次介して、コイルパターン30の端部に接続されている。なお、図26では、ビアホール導体44の位置が44の参照符号をもって示されている。さらに、セラミック層13には、外部電極3~6の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極49~52が形成されている。図27に示すように、セラミック層14には、内部電極として、上記キャパシタンスの一部を構成するコンデンサパターン53が形成されるとともに、このコンデンサパターン53から延びる引出しパターン54および55が形成されている。コンデンサパターン53はセラミック層13を介して前述のコンデンサパターン47と対向している。引出しパターン54および55の位置は、それぞれ、外部電極5および6の位置に対応している。また、このセラミック層14には、前述したビアホール導体48に接続されるビアホール導体56が設けられている。さらに、セラミック層14には、外部電極3および4の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極57および58が形成されている。図28に示すように、セラミック層15には、上述のビアホール導体56に接続されるビアホール導体59が設けられている。さらに、セラミック層15には、外部電極3~6の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極60~63が形成されている。図29に示すように、セラミック層16には、内部電極として、第2のインダクタンスの一部を構成するコイルパターン64が形成されている。また、コイルパターン64の一方端には、ビアホール導体65が設けられている。コイルパターン64の他方端は、1点鎖線で示すように、前述したビアホール導体59に接続されながら、ビアホール導体56および48を順次介して、コンデンサパターン47に接続されている。なお、図29では、ビアホール導体59の位置が59の参照符号をもって示されている。さらに、セラミック層16には、外部電極3~6の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極66~69が形成されている。図210に示すように、セラミック層17には、内部電極として、第2のインダクタンスの一部を構成するコイルパターン70が形成されるとともに、このコイルパターン70の一方端から延びる引出しパターン71が形成されている。引出しパターン71の位置は、外部電極4の位置に対応している。また、コイルパターン70の他方端は、1点鎖線で示すように、前述したビアホール導体65に接続されている。なお、図210では、ビアホール導体65の位置が65の参照符号をもって示されている。さらに、セラミック層17には、外部電極3、5および6の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極72~74が形成されている。図211に示すように、セラミック層18には、外部電極3~6の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極75~78が形成されている。図212に示すように、セラミック層19には、前述した外部電極3~6の各々の下地となる外部ダミー電極79~82が形成されている。なお、図21において、セラミック層7の下にセラミック層8の一部が図示されているが、このようなセラミック層8のような適当数のセラミック層が、セラミック層7と次に説明するセラミック層9との間に介在されてもよい。同様に、図24に示したセラミック層11、図28に示したセラミック層15、および図211に示したセラミック層18は、それらが省略されても、あるいは、それらと同様の形態のセラミック層がさらに積層されてもよい。また、内部ダミー電極27~29、32~35、37~40、45、46、49~52、57、58、60~63、66~69、72~74、および75~78については、そのいくつかのものを省略してもよい。セラミック層7~19は、ガラス成分を10重量以上含むガラスセラミックからなることが好ましい。また、部品本体2に備える外部ダミー電極20、コイルパターン24、ビアホール導体26、内部ダミー電極27、コンデンサパターン41等の導体は、たとえば銅または銀を導電成分として含む導電性ペーストの焼結体から構成される。以上説明した積層構造の部品本体2を得るため、図11に示した生の部品本体2aが、セラミックグリーンシートの成形、セラミックグリーンシートへの導電性ペーストの印刷およびビアホールへの充填、セラミックグリーンシートの積層およびプレス、セラミックグリーンシート積層体のカット、といった周知の工程を経て製造される。以下の説明では、図11に示した生の部品本体2aまたは図12に示した部品本体2では、外部電極3に接続される位置にある引出しパターン25、内部ダミー電極32等の内部電極については、内部電極91と総称し、外部電極4に接続される位置にある内部ダミー電極27、引出しパターン71等の内部電極については、内部電極92と総称し、外部電極6に接続される位置にある内部ダミー電極29、引出しパターン55等の内部電極については、内部電極93と総称する。なお、図11および同2には図示されないが、外部電極5に接続される位置にある内部ダミー電極28、引出しパターン54等の内部電極については、内部電極94と総称する。また、図11および同2では、セラミック層7~19を一様に95の参照符号で示す。図11に示した生の部品本体2aは、次いで焼成される。これによって、図12に示す焼結した部品本体2が得られる。部品本体2は、図2に示したように、焼結したセラミック層7~19、ならびに外部ダミー電極20、コイルパターン24、ビアホール導体26、内部ダミー電極27、コンデンサパターン41等の焼結した導体20~82図2参照から構成されるものである。さらに、部品本体2には、図12において網掛けで示すように、複数の内部電極91の隣り合う露出端間、複数の内部電極92の隣り合う露出端間、および複数の内部電極93の隣り合う露出端間にそれぞれ位置するセラミック層95の端面に、導電領域96、97および98が形成されている。これら導電領域96~98は、内部電極91~93に含まれる導電成分が拡散して形成されたものである。なお、図12では図示されないが、外部電極5に接続される位置にある内部電極94の隣り合う露出端間にそれぞれ位置するセラミック層95の端面にも、内部電極94に含まれる導電成分が拡散して得られた導電領域99が形成されている。また、この実施形態では、外部ダミー電極20~23および79~82が形成され、外部ダミー電極20~23および79~82に含まれる導電成分も拡散するので、導電領域96~99は、これら外部ダミー電極20~23および79~82と内部電極91~94との間に位置する最外層をなすセラミック層95の端面にまで延びている。上述した導電成分の拡散は、セラミック層95が、ガラス成分を10重量以上含むガラスセラミックからなるとき、より生じやすい。この場合、内部電極91~94ならびに外部ダミー電極20~23および79~82に含まれる導電成分は、セラミックの粒界を通って拡散し、セラミック層95の端面において島状もしくは網目状に分布する導電領域96~99を形成する。このような現象は、導電成分が特に銅や銀であるとき、生じやすい。次に、好ましくは、部品本体2にPd含有溶液を付与し、それによって、導電領域96~99の少なくとも表面において導電成分をPdで置換する工程が実施される。これによって、後のめっき工程において、導電領域96~99上でのめっき成長がより生じやすくなり、連続しためっき膜の形成がより容易になる。したがって、めっき工程において、無電解めっきに比べてめっき成長力の小さい電解めっきをより容易に適用することができるようになる。なお、このPd置換工程の結果、内部電極91~94の露出端ならび外部ダミー電極20~23および79~82の各表面においても、導電成分がPdによって置換される。前述したように、セラミック層95が、ガラス成分を10重量以上含むガラスセラミックからなり、導電領域96~99がセラミック層95の端面において島状もしくは網目状に分布するように形成されると、上述したPdによる置換が生じやすくなる。次に、部品本体2に対してめっき工程が実施される。めっき工程では、たとえば電解Niめっきが実施され、部品本体2における内部電極91~94の露出端、導電領域96~99ならびに外部ダミー電極20~23および79~82をめっき析出の核としてめっき成長させることによって、各々複数の内部電極91~94と電気的に接続される均一なNiめっき膜が部品本体2上に直接形成される。次に、純水による洗浄工程が実施された後、好ましくは、上記Niめっき膜のような第1層のめっき膜が形成された部品本体2は熱処理される。熱処理温度としては、たとえば600°C以上、好ましくは800°C以上の温度が採用される。上記Niめっき膜は、図13に示した外部電極3~6の少なくとも一部を構成するもので、その後、必要に応じて、たとえば電解Snめっきが実施される。次に、純水による洗浄工程が実施された後、乾燥され、積層セラミック電子部品1が完成される。なお、上述したNiめっきおよびSnめっきにおいて、電解めっきではなく、無電解めっきが適用されてもよい。以上、この実施形態では、積層セラミック電子部品1がLCフィルタを構成するものであったが、この発明は、LCフィルタ以外の、たとえば、積層セラミックコンデンサ、インダクタ、サーミスタ、圧電部品などを構成する他の積層セラミック電子部品にも適用することができる。次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。[実施例1]1.部品本体の準備試料となる積層セラミック電子部品の部品本体として、以下のようなチップ多層LCフィルタのための部品本体を用意した。すなわち、この部品本体は、平面寸法が長さ3.2mmおよび幅1.6mmであり、セラミック層がSiO2-B2O3系ガラス:15重量とBaCo,Zn,NbO系セラミック:85重量とからなるガラスセラミックからなり、外部ダミー電極、内部ダミー電極、コイルパターン、コンデンサパターン、引出しパターンおよびビアホール導体といった導体の導電成分がCuであった。また、内部ダミー電極および引出しパターンといった内部電極の各々の露出端間の間隔は40μmであり、各露出端の厚みは2μmであった。また、部品本体を得るための焼成温度は1040°Cであり、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層の端面に、内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域が十分に存在しているものであった。2.Pd置換次に、Pd2のイオン濃度が100ppmであって、pH:2.0の塩化パラジウム含有溶液25°Cに、上記部品本体を3分間浸漬し、上記導電領域の少なくとも表面において導電成分としてのCuをPdで置換した。3.めっき以下のようなめっき装置条件を適用した。20mlの体積分のめっき対象物としての部品本体を、ドラムの容積が300ccで、直径が70mmの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径0.7mmのSn製メディアを40ml投入するとともに、攪拌玉として直径8.0mmのナイロン被覆鉄球を50cc投入し、バレル回転数20rpmにて回転させながら、電解めっきを実施した。上記めっき装置条件にて、まず、以下のワット浴を用い、9A、120分の通電条件で電解Niめっきを実施し、6μmの膜厚のNiめっき膜を内部電極の露出端および導電領域上に形成した。ワット浴硫酸ニッケル:300g/L塩化ニッケル:45g/Lホウ酸:40mg/LpH:4.0浴温:55°C。次いで、純水による洗浄を実施した。次に、同じめっき装置条件にて、石原薬品社製NB-RZSpH:4.5、浴温:30°Cをめっき浴として用い、※補充下さい。A、※補充下さい。分の通電条件で、上記Niめっき膜上に、3μmの膜厚のSnめっき膜を形成した。次いで、純水による洗浄を実施した後、空気中にて、80°C、15分間の乾燥を実施した。[実施例2]1.部品本体の準備実施例1の場合と同様のチップ多層LCフィルタのための部品本体を用意した。2.Pd置換次に、実施例1の場合と同じ条件にて、部品本体上の導電領域の少なくとも表面において導電成分としてのCuをPdで置換した。3.めっき次に、実施例1の場合と同様のめっき装置条件にて、電解Niめっきの前に、まず、以下のCuめっき浴を用い、8A、140分の通電条件で電解Cuめっきを実施し、6μmの膜厚のCuめっき膜を内部電極の露出端および導電領域上に形成した。Cuめっき浴ピロリン酸銅:14g/Lピロリン酸:120g/Lシュウ酸カリウム:10g/LpH:87浴温:30°C。次いで、純水による洗浄を実施した。次に、めっき後の部品本体に対して、N2雰囲気中において、温度:750°Cで20分間、熱処理を実施した。次に、実施例1の場合と同様の条件にて、電解Niめっきおよび電解Snめっきを実施し、上記Cuめっき膜上に、6μmの膜厚のNiめっき膜およびその上に3μmの膜厚のSnめっき膜を順次形成した。電解Niめっき後および電解Snめっき後には、純水による洗浄を実施し、最終的に、空気中にて、80°C、15分間の乾燥を実施した。[比較例1]1.部品本体準備セラミック層がSiO2-B2O3系ガラス:5重量とBaCo,Zn,NbO系セラミック:95重量とからなるガラスセラミックからなることを除いて、実施例1の場合と同様の部品本体を用意した。なお、比較例1に係る部品本体では、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層の端面に、内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成されるべき導電領域が十分に確認されなかった。2.Pd置換比較例1では、Pd置換工程を実施しなかった。3.めっき次に、実施例1の場合と同様の条件にて、電解Niめっきを実施した。しかし、Niめっきの成膜性が悪かったため、この時点で実験を終了した。[比較例2]1.部品本体準備比較例1の場合と同様の部品本体を用意した。2.Pd置換比較例2では、Pd置換工程を実施しなかったが、Pd置換に代えて、部品本体における内部電極の露出端が並ぶ領域に、スパッタリングによってPd薄膜を形成した。3.めっき次に、実施例1の場合と同様の条件にて、電解Niめっきおよび電解Snめっきを実施し、Pd薄膜上に、6μmの膜厚のNiめっき膜およびその上に3μmの膜厚のSnめっき膜を順次形成した。電解Niめっき後および電解Snめっき後には、純水による洗浄を実施し、最終的に、空気中にて、80°C、15分間の乾燥を実施した。[評価]評価結果が表1に示されている。成膜性...各試料の外部電極となるめっき膜を観察し、連続膜が形成されていれば、合格と判定し、表1において○で示した。他方、連続膜が形成されていなければ、不合格と判定し、表1において×で示した。固着強度...Niコートおよびその上にSnコートされた真ちゅう製であって、底面寸法が1mm×1mmのブロックを、各試料の外部電極にはんだ接合し、外部電極面を水平方向に配置しながら、ブロックを鉛直方向に引っ張った際の破壊強度を測定し、これを固着強度とした。固着強度が10N以上であれば、合格と判定した。なお、比較例1については、成膜性が×であったため、固着強度を測定しなかった。実施例1および2によれば、成膜性および固着強度において良好な結果を示した。特に、実施例2では、Cuめっき膜形成後に熱処理を施したため、実施例1に比べて、より高い固着強度を示した。他方、比較例1では、部品本体において、内部電極の露出端間に導電領域が十分に形成されていなかったため、成膜性が悪かった。また、比較例2では、部品本体にPd薄膜を形成したため、成膜性は良好であったが、Pd薄膜が、スパッタリングによるものであるため、固着強度が10N未満と低かった。"