反応室と、前記反応室内に設置されており、供給される酸素ガス及び水素ガスによりH2Oを生成する触媒と、前記生成されたH2Oを噴出する噴出口と、を有する触媒反応部と、前記触媒反応部に接続されており、前記触媒反応部に供給する酸素ガス及び水素ガスを混合するガス混合器と、前記触媒反応部の噴出口の近傍に設けられている有機金属材料または金属のハロゲン化合物を供給する原料供給部と、を有し、前記反応室内に設置された基板に、前記有機金属材料または前記金属のハロゲン化合物に含まれる金属の金属酸化物膜を成膜することを特徴とする成膜装置。前記ガス混合器は、酸素ガス供給部及び水素ガス供給部と触媒反応部の間に設置されており、前記ガス混合器は、スタティックミキサーまたはダイナミックミキサーであることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記ガス混合器に供給される酸素ガスに対する水素ガスの比は、2以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。前記反応室は減圧されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の成膜装置。前記原料供給部からは、亜鉛の有機化合物または亜鉛のハロゲン化合物を含む原料が供給されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の成膜装置。前記触媒反応部において、前記酸素ガス及び前記水素ガスが供給される部分は、500°C以下に冷却されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の成膜装置。前記触媒は、白金、ルテニウム、イリジウム及び銅のうち、1または2以上の元素を含むものであることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の成膜装置。前記触媒は、平均粒径0.05~2.0mmの微粒子状の担体の表面に、平均粒径1~10nmの白金、ルテニウム、イリジウム及び銅の超微粒子が担持されたものであることを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。しかしながら、成膜される酸化亜鉛、酸化チタン等の金属酸化物薄膜に求められる特性は用途によって異なっており、触媒反応に伴う化学エネルギーを利用した成膜装置であれば、常に、所望の特性の膜を得ることができるとは限らない。例えば、金属酸化物により形成されている透明導電膜においては、成膜された膜の透過率が高いことと、低い抵抗率であることとの双方の特性を満足することが求められており、このような膜は容易には得ることはできない。よって、本発明は、所望の特性の金属酸化膜を容易に成膜することのできる成膜装置を提供することを目的とするものであり、特に、透過率が高く、かつ、抵抗率の低い金属酸化膜を成膜することのできる成膜装置を提供することを目的とするものである。本発明は、反応室と、前記反応室内に設置されており、供給される酸素ガス及び水素ガスによりH2Oを生成する触媒と、前記生成されたH2Oを噴出する噴出口と、を有する触媒反応部と、前記触媒反応部に接続されており、前記触媒反応部に供給する酸素ガス及び水素ガスを混合するガス混合器と、前記触媒反応部の噴出口の近傍に設けられている有機金属材料または金属のハロゲン化合物を供給する原料供給部と、を有し、前記反応室内に設置された基板に、前記有機金属材料または前記金属のハロゲン化合物に含まれる金属の金属酸化物膜を成膜することを特徴とする。本発明における成膜装置によれば、所望の特性の金属酸化膜を容易に成膜することができ、特に、透明導電膜に用いられる透過率が高く、かつ、抵抗率の低い金属酸化膜を成膜することができる。成膜装置発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施の形態における成膜装置は、基板上に酸化膜を成膜する装置であり、例えば、ディスプレーパネル用の基板や半導体ウエハ等の表面に膜を成膜する装置である。図1に基づき本実施の形態における成膜装置について説明する。本実施の形態における成膜装置は、反応室となる真空チャンバー10を有しており、真空ポンプ11により真空チャンバー10の内部を排気することができる。真空チャンバー10の内部には、基板12、基板12を設置するための基板ホルダー13及び触媒反応部20が設けられている。尚、基板12としては、金属、金属酸化物、ガラス、セラミックス、半導体、プラスチック等を用いることができる。触媒反応部20は、図2に示すように、ステンレス鋼等の金属材料により形成された円筒状の触媒容器ジャケット21内に、セラミックス又は金属材料により形成された触媒反応容器22を有しており、触媒反応容器22の内部には、触媒材料により形成された微粒子状の触媒23が収納されている。触媒容器ジャケット21の一方の側には、ガス導入部24を有しており、ガス導入部24より酸素O2ガスと水素H2ガスとの混合ガスが供給される。触媒反応容器22では、ガス導入部24より供給された酸素ガスと水素ガスにより、触媒23においてH2Oが生成され、触媒容器ジャケット21の他方の側に設けられた噴出口25よりH2Oガスが噴出する。このように触媒反応部20における触媒23において、酸素ガスと水素ガスとの混合ガスにより、大量の発熱反応を伴った化学反応が生じ、高温のH2Oガスが生成される。尚、本実施の形態における成膜装置においては、触媒反応部20における触媒容器ジャケット21の一方の側、即ち、酸素ガスと水素ガスとの混合ガスが供給されるガス導入部24が設けられている側は、500°C以下に冷却されている。これは、水素ガスと酸素ガスとの混合ガスは、570°C以上においては、触媒がなくとも反応してH2Oが生成され、この際、H2Oが生成されることにより発生した熱により、ガス導入部24近傍の触媒反応部20がダメージを受け、触媒反応部20の寿命が短くなってしまうからである。このため、本実施の形態では、触媒容器ジャケット21において、ガス導入部24が設けられている側を水冷等により冷却することにより、触媒23に触れることなく、酸素ガスと水素ガスによりH2Oが生成されることを防いでいる。また、本実施の形態における成膜装置には、有機金属材料等の原料が蓄えられている原料ボンベ50が接続されており、原料ボンベ50より供給される原料は真空チャンバー10内において、触媒反応部20の噴出口25の近傍に設けられた原料供給部となるノズル部51より供給される。本実施の形態においては、原料となる有機金属材料として、アルキル亜鉛であるジメチル亜鉛DMZn、アルキルアルミニウムであるトリメチルアルミニウムTMAlが供給されている。尚、基板13の表面に形成される膜が、酸化亜鉛または酸化亜鉛を含むものである場合には、ノズル部51より供給される有機金属材料としては、亜鉛の有機化合物、または、亜鉛のハロゲン化合物等を用いることができ、アルキル亜鉛、特に、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛等のジアルキル亜鉛が好ましい。また、基板13の表面に形成される膜が、アルミニウムを含むものである場合には、更に、ノズル部51より供給される有機金属材料としては、アルミニウムの有機化合物、または、アルミニウムのハロゲン化合物等を用いることができ、アルキルアルミニウム、特に、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウムが好ましい。本実施の形態においては、触媒反応部20の噴出口25より噴出したH2Oガスと、ノズル部51より供給されたDMZnとが反応し、ZnOが生成され、更に、TMAlも供給される場合には、ZnO:AlAlがドープされたZnOからなる膜が基板12の表面に成膜される。尚、原料となる有機金属材料としては、金属のアルキル化合物、金属アルコキシド等が挙げられるが、これ以外にも、従来からCVD法等により金属酸化物を成膜する際に用いられている有機金属化合物ガスも使用可能である。具体的には、このような有機金属化合物ガスとしては、金属のアルケニル化合物、フェニルあるいはアルキルフェニル化合物、ジーピバロイルメタン化合物、アセチルアセトネート化合物、EDTA化合物等が挙げられる。また、金属酸化膜の原料となるものとしては、有機金属材料以外の金属のハロゲン化合物等の無機金属化合物ガスであってもよい。例えば、このような金属のハロゲン化合物としては、塩化亜鉛ZnCl2等が挙げられる。また、本実施の形態における成膜装置においては、ノズル部51より供給される有機金属材料を変えることにより、基板12に所望の膜を成膜することができる。具体的には、基板12に成膜される金属酸化物としては、SiO2、TiO2、HfO2、Al2O3、SnO2、In2O3等が挙げられ、Si、Ti、Hf、Al、Sn、Inを含む有機金属材料等を原料としてノズル部51より供給することにより、基板12の表面に、これらの金属酸化物膜を成膜することが可能である。本実施の形態において、触媒反応部20に設けられている触媒23としては、平均粒径0.05~2.0mmの微粒子状の担体の表面に、平均粒径1~10nmの超微粒子状の触媒成分を担持させたものや、平均粒径が0.1mm~0.5mm程度の白金Pt、ルテニウムRu、イリジウムIr、銅Cu等の金属粉末を用いることができる。担体としては、酸化アルミニウムAl2O3、酸化ジルコニウムZrO2、酸化亜鉛ZnO等の金属酸化物の微粒子、即ち、酸化物セラミックスの微粒子を用いることができる。尚、本実施の形態においては、触媒23は、酸化アルミニウムの担体の表面に白金ナノ粒子を担持させたもの、特に、多孔質γ-アルミナを500~1200°Cで加熱処理して、その表面構造を維持したままα-アルミナ結晶相に変換した担体に1~20wt程度の白金を担持されたもの、具体的には、10wtPt/γ-Al2O3触媒等が用いられている。この担体の形状は、微粒子等の形状に限定されるものではなく、スポンジ状等の多くの孔を有する形状や、ハニカム形状等の貫通孔を有する形状等のバルク形状であってもよい。また、担体に担持される白金、ルテニウム、イリジウム、銅等からなる触媒物質の形状は、超微粒子等に限定されるものではなく、担体に成膜された膜等であってもよい。具体的には、触媒物質が形成されている表面積を広くしたものであれば、本実施の形態における効果と同様の効果を得ることができるため、例えば、スポンジ状等の多くの孔を有する形状等の担体の表面に触媒物質の膜を形成すれば、触媒物質における表面積が広くなり、微粒子状の触媒と同様の効果を得ることができきる。本実施の形態における成膜装置には、ガス混合器30が設けられており、酸素ガスが入れられている酸素ガス供給部となる酸素ガスボンベ41及び水素ガスが入れられている水素ガス供給部となる水素ガスボンベ44とが接続されている。ガス混合器30では、供給された酸素ガスと水素ガスとが混合され、ガス導入部24を介し触媒反応部20に供給される。具体的には、図1及び図3に示されるように、酸素ガスボンベ41はマスフローコントローラー42及びバルブ43を介しガス混合器30と接続されており、水素ガスボンベ44はマスフローコントローラー45及びバルブ46を介しガス混合器30と接続されている。よって、ガス混合器30には、酸素ガスボンベ41よりマスフローコントローラー42により流量が制御された酸素ガスが供給され、水素ガスボンベ44よりマスフローコントローラー45により流量が制御された水素ガスが供給される。ガス混合器30では、このように供給された酸素ガスと水素ガスとが混合され真空チャンバー10の内部に設置されている触媒反応部20に供給される。ガス混合器30は、供給された複数の種類のガスを混合するものであり、ガス混合器30を用いていない場合では、複数のガスを供給しても、流れの中心部と周辺部とがいつまでたっても入れ替わらない状態混じり合わない状態が生じるが、ガス混合器30を用いることにより、複数の種類のガスを均一に混合することができる。本実施の形態において、ガス混合器30とは、流体の流れを分割、反転、転換するうちの1または2以上の作用を有するものである。このようなガス混合器30としては、スタティックミキサー静的混合器、ダイナミックミキサー動的混合器等があり、流体供給機構の単純化のためには、例えば、攪拌翼等が回転する構造のダイナミックミキサーよりも、回転等の駆動部を有しないスタティックミキサーが好ましい。尚、スタティックミキサーは、流体の混合を均一化するために流体の流れを分割、反転、転換するうちの1または2以上の作用を有する混合エレメントを有するものである。しかしながら、このような専用の混合エレメントを有するもの以外にも、配管の一部が縮径しているものや、拡径しているものであっても、流体の流れを反転、転換するうちの1または2の作用が発揮される場合があり、この場合は、この部分が本実施の形態におけるガス混合器30に相当する。尚、本実施の形態における成膜装置においては、ガス混合器30として、アプリオリ社製のスタティックミキサーを用いている。ガス混合器30により水素ガスと酸素ガスとが混合されたガスは、触媒反応部20に供給され、触媒反応部20内おける触媒23と接触することにより、高いエネルギーを有するH2Oガスが生成される。このように生成されたH2Oガスは、触媒反応部20における噴出口25より噴出し、ノズル部51より供給される有機金属材料と主に気相中で反応し、この反応により生成された金属酸化物膜が基板13の表面に堆積する。本実施の形態では、触媒23を用いて酸素ガスと水素ガスとを反応させることにより、高いエネルギーを有する高温のH2Oを生成することができるため、基板13の加熱等を行なわなくとも金属酸化物膜を成膜することが可能である。金属酸化物膜の成膜次に、本実施の形態における成膜装置を用いて成膜される金属酸化物膜について説明する。以下、金属酸化物膜として、透明導電膜等に用いられるZnO:Al膜を成膜した試料1~4について説明する。尚、試料1~4は、液晶等のディスプレーに用いられるガラス基板を使用しており、ZnO:Al膜の成膜の際における基板温度は、いずれの場合も250°Cである。試料1試料1は、図4に示されるようなガス混合器が設けられていない構造の成膜装置、即ち、図1に示される成膜装置よりガス混合器30を取り外した構造の成膜装置により、ZnO:Al膜を成膜したものである。この成膜装置において、触媒反応部20に水素:酸素が2:1の比率で水素ガス及び酸素ガスを供給し、ノズル51よりDMZn及びDMAlを供給することにより、ZnO:Al膜を成膜して試料1を形成した。このようにして形成された試料1における波長と透過率との関係を図5に示す。また、図6は、真空チャンバー10内における残留ガスを質量分析計により計測した結果であり、横軸が時間、縦軸が計測されたガスの検出強度を示す。尚、図6に示される検出強度は、検出強度が高いガス成分は多いことを示し、検出強度の低いガス成分は少ないことを示すものであるが、ガスの種類によって検出強度が異なるため、残留ガスの絶対的な値ではなく残留ガスの相対的な値を示すものである。尚、このことは、後述する図8及び図11についても同様である。試料1は、基板上に成膜されているZnO:Al膜の膜厚が2.5μmであり、ホール移動度が32cm2V-1s-1、キャリア密度が4.0×1020cm-3、抵抗率が4.9×10Ω-4cmであった。図5に示されるように、試料1における可視領域における透過率は、最大で80弱であり、長波長領域及び短波長領域においては、透過率が低下しており、透明導電膜としての条件を十分に満たすものではない。また、見た目にも白濁している。試料1の成膜の際には、図6に示されるように、真空チャンバー10内における残留ガスには、酸素及び水素が多く含まれている。これは、この成膜装置は、ガス混合器30が設けられていなため、酸素ガスと水素ガスとが十分に混合されておらず、H2Oガスの生成効率が十分ではなく、未反応の酸素ガス及び水素ガスが比較的多く検出されているものと考えられる。このように、未反応の酸素ガス及び水素ガスが比較的多く検出される場合には、噴出口25より噴出されるガスにおいて、H2Oガスが多く含まれる領域とそうでない領域とが生じるため、DMZnとの反応等にもムラが生じ、膜の光学的な特性等も十分ではなく、また、成膜条件や再現性等も不安定になりやすいものと推察される。更に、未反応の酸素ガスは噴出口25近傍でDMZnと反応し、これによる反応生成物が噴出口25を詰まらせる事態も発生する。試料2試料2は、図1に示されるように、ガス混合器30を有する本実施の形態における成膜装置により、ZnO:Al膜を成膜したものである。本実施の形態における成膜装置において、触媒反応部20に水素:酸素が1.3:1の比率で水素ガス及び酸素ガスを供給し、ノズル51よりDMZn及びDMAlを供給することにより、ZnO:Al膜を成膜して試料2を形成した。このようにして形成された試料2における波長と透過率との関係を図7に示す。また、図8は、真空チャンバー10内における残留ガスを質量分析計により計測した結果であり、横軸が時間、縦軸が計測されたガスの検出強度を示す。試料2は、基板上に成膜されているZnO:Al膜の膜厚が1.6μmであり、ホール移動度が1.7cm2V-1s-1、キャリア密度が6.8×1019cm-3、抵抗率が5.4×10Ω-2cmであった。図7に示されるように、試料2における可視領域における透過率は、約90であり、長波長領域においても透過率は低下しておらず、透過率の点においては透明導電膜としての条件を満たしている。しかしながら、抵抗率はやや高い値を示している。試料2の成膜の際には、図8に示されるように、真空チャンバー10内における残留ガスに含まれる酸素及び水素の量は図6の場合と比べて少ない。これは、本実施の形態における成膜装置では、ガス混合器30が設けられているため、酸素ガスと水素ガスとが十分に混合されており、触媒反応部20においてH2Oガスの生成効率が高くなることから、未反応の酸素ガス及び水素ガスの検出量は少なくなるものと推察される。水素に対する酸素の供給量は、試料1の場合よりも試料2の方が多い。しかし、ガス混合器30の設置により試料2の残留酸素の分圧は試料1よりも低くなり、これにより噴出口25の詰まりが生じず、膜の光学的特性も格段に上昇する目視にても透明度が飛躍的に向上している。試料3及び4試料3及び4は、図1に示されるように、ガス混合器30を有する本実施の形態における成膜装置により、ZnO:Al膜が成膜したものである。本実施の形態における成膜装置において、触媒反応部20に水素:酸素が2.1:1の比率で水素ガス及び酸素ガスを供給し、ノズル51よりDMZn及びDMAlを供給することにより、ZnO:Al膜を成膜して試料3及び4を形成した。ここで、試料1、試料2に比べて酸素に対する水素の供給量を上げたのは、真空チャンバー10内の残留酸素の分圧をさらに下げるためである。このようにして形成された試料3における波長と透過率との関係を図9に示し、試料4における波長と透過率との関係を図10に示す。また、図11は、真空チャンバー10内における残留ガスを質量分析計により計測した結果であり、横軸が時間、縦軸が計測されたガスの検出強度を示す。試料3は、基板上に成膜されているZnO:Al膜の膜厚が1.8μmであり、ホール移動度が20.3cm2V-1s-1、キャリア密度が6.8×1020cm-3、抵抗率が4.5×10Ω-4cmであった。試料4は、基板上に成膜されているZnO:Al膜の膜厚が0.9μmであり、ホール移動度が12cm2V-1s-1、キャリア密度が6.1×1020cm-3、抵抗率が8.6×10Ω-4cmであった。図9及び図10に示されるように、試料3及び4における可視領域における透過率は、約90であり、長波長領域においても透過率は低下しておらず、また、抵抗率も低く、透過率及び抵抗率の観点より、透明導電膜としての条件を十分に満たしている。ところで、試料3の成膜の際には、図11に示されるように、真空チャンバー10内における残留ガスに含まれる酸素及び水素の量は、図6の場合と比べて少ない。これは、本実施の形態における成膜装置では、ガス混合器30が設けられており、酸素ガスと水素ガスとが十分に混合されているため、H2Oガスの生成効率が高くなることから、未反応の酸素ガス及び水素ガスの検出量は少なくなるものと推察される。また、図11に示す場合では、図8に示す場合と比べると、水素の供給量を上げた分だけ残留ガスとして検出される水素ガスは高くなるが、酸素ガスは水素の供給量を上げることにより低くなる。つまり、酸素ガスの供給量に対する水素ガスの供給量をH2Oにおける化学量論比よりも多くすること、即ち、水素/酸素の値を2以上とすることにより、残留する酸素ガスを減らしつつ、成膜されたZnO:Al膜は光学的特性のみならず、電気的特性も良好なものとなる。尚、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。