"バイアス電流の供給を受けて光信号を出力する、複数の発光素子と、複数の前記発光素子からの複数の前記光信号が入力され、複数の前記光信号を合波し、合波した前記光信号を出力する導波路型合波器と、前記発光素子近傍の温度を検出する温度検出器と、前記温度検出器で検出した温度に基づいて前記バイアス電流を制御する制御回路と、を備え、前記発光素子は、素子温度が高温側へ変化すると発振波長が長波長側へずれる特性を有するとともに、素子温度が高温側へ変化するとバイアス電流の閾値は高くなり、スロープ効率は低下する光出力特性を有し、前記導波路型合波器は、前記制御回路が前記バイアス電流を制御する温度範囲である制御温度範囲内において、高温時の発振波長で前記光信号の損失が最小となる分光特性を有し、前記制御回路は、前記導波路型合波器から出力される前記光信号の光出力が一定となるように、前記バイアス電流を制御する、光モジュール。請求項1に記載の光モジュールにおいて、前記導波路型合波器は、前記制御温度範囲内において、温度が低温側へ変化すると、前記光信号の損失が増加する前記分光特性を有し、前記制御回路は、前記制御温度範囲内において、高温時の前記発光素子の光出力を低くし、温度が低温側へ変化すると、前記導波路型合波器から出力される前記光信号の光出力が一定となるよう前記発光素子の光出力を増加させるように、前記バイアス電流を制御する、光モジュール。請求項2に記載の光モジュールにおいて、前記制御回路は、前記導波路型合波器から出力される前記光信号の光出力が一定となるような前記バイアス電流の目標値を前記制御温度範囲内において温度毎に設定したマップを記憶しており、前記温度検出器で検出した温度に基づいて前記マップを参照し、前記バイアス電流の目標値を設定することにより、前記バイアス電流を制御する光モジュール。請求項1から3いずれかに記載の光モジュールにおいて、前記導波路型合波器は、多段に接続したマッハツェンダ干渉計から構成される、光モジュール。通常、半導体レーザは、素子温度に応じてバイアス電流の閾値とスロープ効率が変化する特性を有している。このため、半導体レーザを制御する温度範囲内で光出力を一定水準にするには、素子温度を加味したバイアス電流の制御が必要となる。半導体レーザの特性上、一般的には高温時ほど制御上でバイアス電流を増加させる必要がある。しかし、常温時の発振波長を基準として合波器の透過中心波長を設計していると、高温時に半導体レーザの発振波長が透過中心波長から大きくずれた場合、透過率の低下に伴う光損失を補うため、さらに制御上でバイアス電流を増加しなければならない。このような制御は、全ての単波長光源器について行う必要があるため、伝送システム全体として高温時の消費電力が大幅に増大する4波多重なら増大幅も4倍になるという問題がある。そこで本発明は、高温時に半導体レーザ等の発光素子に供給するバイアス電流の増加を抑制することができる技術を提供する。上記の課題を解決するため、本発明は、バイアス電流の供給を受けて光信号を出力する、複数の発光素子と、複数の前記発光素子からの複数の前記光信号が入力され、複数の前記光信号を合波し、合波した前記光信号を出力する導波路型合波器と、前記発光素子近傍の温度を検出する温度検出器と、前記温度検出器で検出した温度に基づいて前記バイアス電流を制御する制御回路と、を備え、前記発光素子は、素子温度が高温側へ変化すると発振波長が長波長側へずれる特性を有するとともに、素子温度が高温側へ変化するとバイアス電流の閾値は高くなり、スロープ効率は低下する光出力特性を有し、前記導波路型合波器は、前記制御回路が前記バイアス電流を制御する温度範囲である制御温度範囲内において、高温時の発振波長で前記光信号の損失が最小となる分光特性を有し、前記制御回路は、前記導波路型合波器から出力される前記光信号の光出力が一定となるように、前記バイアス電流を制御する、光モジュールを一態様とする。本発明の光モジュールによれば、高温時に発光素子に供給するバイアス電流の増加を抑制することができる。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。図1は、波長多重伝送システムの構成を概略的に示す図である。本発明の光モジュールは、例えば図1に示される波長多重伝送システムに適用することができる。ただし、以下は1つの適用例として示すものであり、光モジュールの適用範囲は以下の適用例に限られるものではない。波長多重伝送システムは、例えば送信側の光トランシーバ10から4波長多重化した光信号を出力し、1芯の光ファイバ22を伝送路として光信号を伝送する。伝送区間が長距離に及ぶ場合、伝送路の途中には中継器24を設置することができ、中継器24は光増幅器24aで光信号を増幅しながら伝送する。伝送された光信号は、受信側の光トランシーバ40で4つの単波長光信号に分波される。なお、ここでは送信側、受信側としてそれぞれ簡略化しているが、双方の光トランシーバ10,40には、光送信機能と光受信機能とが合わせて装備されていてもよい。この適用例において、光モジュールは送信側の光トランシーバ10に内蔵されている。光トランシーバ10は、光源器12及び導波路型合波器20を備えている。光源器12は、複数の発光素子及びAPC回路制御回路の一部を含む。光モジュールは、複数の発光素子、制御回路、及び導波路型合波器から構成される。なお、光モジュールとしての実施形態については後述するものとし、ここでは光トランシーバ10の各構成要素について概略的に説明する。光源器12には、光モジュールを構成する発光素子として、例えば4つのレーザダイオードLD:LaserDiode12a~12dが含まれている。これら4つのレーザダイオード12a~12dは、バイアス電流の供給を受けて、それぞれ異なる波長λ1,λ2,λ3,λ4の光信号を出力する。また光源器12には、複数の発光素子及びAPCAutomaticPowerControl回路の他に、図示しない変調駆動回路を含む。APC回路は、レーザダイオード12a~12dが発する後方の光出力をモニタし、出力誤差をフィードバックしてバイアス電流を制御する。また変調回路は、レーザダイオード12a~12dに対し変調電流を供給して光を直接変調する。前方の変調された光は、光信号として導波路型合波器20へ入力される。導波路型合波器は、複数の発光素子からの複数の光信号が入力され、複数の光信号を合波し、合波した光信号を出力する。図1に示す導波路型合波器20は、4つの異なる波長λ1,λ2,λ3,λ4の光信号を合波して出力する。なお、導波路型合波器20の具体的な構成や分光特性についてはさらに後述する。受信側の光トランシーバ40は、導波路型分波器30及び受光器32を備えている。導波路型分波器30は、光ファイバ22を通じて入力された多重化信号を4つの単波長λ1,λ2,λ3,λ4の光信号に分波する。また受光器32には、例えば4つのフォトダイオードPD:PhotoDiode32a~32dが含まれており、これら4つのフォトダイオード32a~32dは、それぞれ単波長λ1,λ2,λ3,λ4に分波された光信号を電気信号に変換する。APC回路の構成例図2は、光トランシーバ10に内蔵されたAPC回路50の構成例を概略的に示す図である。ここでは便宜上、光源器12に含まれる1つのレーザダイオード12aを対象として説明するが、その他の3つのレーザダイオード12b,12c,12dについても同様のAPC回路50が設けられている。APC回路50は、モニタ用のフォトダイオード以下、モニタPDと言う。52を有している。またAPC回路50は、差動増幅器54及び電流源56を有している。モニタPD52は、レーザダイオード12aが発する後方への光出力をモニタ受光し、モニタ電流Imtを発生させる。モニタ電流Imtは、グランドされた抵抗器図示していないでモニタ電圧Vmに変換され、このモニタ電圧Vmが差動増幅器54の反転入力端子に入力されている。また光トランシーバ10には、制御回路の一部としてMCUMicroControlUnit58が内蔵されているほか、温度検出器として温度センサ62が内蔵されている。このうちMCU58は図示しないプロセッサコアを有するほか、EEPROMElectricallyErasableandProgrammableReadOnlyMemory64や図示しないRAMRandomAccessMemory等の記憶素子、入出力ドライバ等を有している。温度センサ62は、レーザダイオード12a近傍の温度を検出する。具体的には、温度センサ62はレーザダイオード12a近傍の温度に対応した検出電圧を出力する。温度センサ62は、例えば、レーザダイオード12a近傍の基板上に実装される。MCU58は、APC回路50とともに光モジュールの制御回路を構成しており、MCU58はAPC回路50に対してバイアス電流の目標値を指示設定している。差動増幅器54の非反転入力端子には、MCU58の1つの出力ポートが接続されており、MCU58は、APC回路50に対するバイアス電流の目標値を目標電圧Vtとして、差動増幅器54に印加する。これを受けて差動増幅器54は、目標電圧Vtに対するモニタ電圧Vmの誤差を増幅して電流源56に供給する。電流源56は、差動増幅器54の出力に基づいて、目標電圧Vtに対するモニタ電圧Vmの誤差がなくなるように、レーザダイオード12aに供給されるバイアス電流Ibsを制御する。これにより、レーザダイオード12aが発する前方の光出力が目標電圧Vtを基準とした出力で安定する。なお、レーザダイオード12aから発せられる前方の光出力波長λ1は図示しないレンズ系を通じて導波路型合波器20に入力される。APC回路50によるバイアス電流Ibsの制御に際して、MCU58は温度センサ62の検出電圧から温度を判定し、判定した温度に基づいて目標電圧Vtを設定する。目標電圧Vtで設定されるバイアス電流目標値は、レーザダイオード12aが発する前方の光出力の目標値に対応する。MCU58のEEPROM34には、温度毎のレーザダイオード12aの光出力特性バイアス電流と光出力との関係、温度毎のレーザダイオード12aの発振波長、導波路型合波器20の分光特性が記憶されている。MCU58は温度センサ62の検出電圧から現在の温度を判定すると、レーザダイオード12aの光出力特性、レーザダイオード12aの発振波長及び導波路型合波器20の分光特性を参照して、導波路型合波器20から出力される光出力が一定となるような目標電圧Vt温度毎のバイアス電流目標値を設定する。温度に対する目標電圧Vtの設定は、制御温度範囲MCU58がバイアス電流を制御する温度範囲内において、例えば、1°C刻みの温度毎に行う。制御温度範囲は、例えば、0°C~85°Cである。以下、制御温度範囲内において、低温は0°C程度、常温は25°C程度、高温は85°C程度とする。なお、具体的な目標値の設定例についてはさらに後述する。また光源器12は、APC回路50の他に変調回路60を有している。変調回路60は、上記のようにレーザダイオード12aに供給される変調電流Imdの振幅を制御する。MCU58は、変調回路60に対して変調電流Imdの振幅値を出力し、これを受けて変調回路60は、レーザダイオード12aが発する前方への光出力を二値の光信号に変調する。導波路型合波器の構成例図3は、導波路型合波器20の構成例を概略的に示す図である。導波路型合波器20は、例えば3つのマッハツェンダ干渉計20a~20cを多段に接続して構成されている。具体的には、光信号の入力段に2つのマッハツェンダ干渉計20b,20cが位置し、残る1つのマッハツェンダ干渉計20aが出力段に位置している。3つのマッハツェンダ干渉計20a~20cは、いずれも構造的には同等ただし分光特性は個別に異なるの光導波路素子であるが、配置によって機能が異なる。入力段に位置する2つのマッハツェンダ干渉計20b,20cは、導波路型合波器20全体としての入力ポート200を形成している。入力ポート200には、第1ポート200a~第4ポート200dまでの4つが含まれる。このうち第1ポート200a及び第2ポート200bが1つのマッハツェンダ干渉計20bで構成されており、第3ポート200c及び第4ポート200dがもう1つのマッハツェンダ干渉計20cで構成されている。4つある入力ポート200のうち、第1ポート200aには波長λ1の光信号が入力され、第2ポート200bには波長λ3の光信号が入力される。また第3ポート200cには波長λ2の光信号が入力され、第4ポート200dには波長λ4の光信号が入力されるものとなっている。なお、同一のマッハツェンダ干渉計20bに入力される2つの光信号波長λ1,λ3の間には、標準グリッドよりも大きい波長間隔が確保されている。同様に、同一のマッハツェンダ干渉計20cに入力される2つの光信号波長λ2,λ4の間にも、標準グリッドより大きい波長間隔が確保されているものとする。出力段に位置する1つのマッハツェンダ干渉計20aは、導波路型合波器20全体としての出力ポート210を形成している。マッハツェンダ干渉計20aと他の2つのマッハツェンダ干渉計20b,20cとは、それぞれ中間導波路200e,200fで接続されている。入力段のマッハツェンダ干渉計20bで合波された光信号波長λ1,λ3は、中間導波路200eを通じて出力段のマッハツェンダ干渉計20aに入力され、また、別の入力段のマッハツェンダ干渉計20cで合波された光信号波長λ2,λ4は、中間導波路200fを通じて出力段のマッハツェンダ干渉計20aに入力されている。出力段のマッハツェンダ干渉計20aは、入力された2つの光信号波長λ1,λ3が合波されたものと波長λ2,λ4が合波されたものをさらに合波し、4波長多重化した光信号波長λ1~λ4を出力ポート210から出力する。図4は、一実施形態の光モジュールに用いられる導波路型合波器20の分光特性を示す図である。導波路型合波器20は、短波長から長波長に向かって波長λ1’,λ2’,λ3’,λ’4の順に、光損失を極小化する各透過中心波長がほぼ一定間隔で配置された分光特性を有している。ここでは透過中心波長の間隔を一定としているが、波長間隔は一定でなくてもよい。なお図4中、波長毎の損失曲線を異なる線種で示している。ここで、レーザダイオード12a~12d等の発光素子は、素子温度発光素子の温度が変化すると、発振波長のずれ温度ドリフトが生じる特性を有している。具体的に、発光素子は、素子温度が高温側へ変化すると発振波長が長波長側へずれる特性を有している。このとき本実施形態の光モジュールでは、制御温度範囲内において、高温時の発振波長λ1’~λ4’に導波路型合波器20の透過中心波長を一致させた分光特性を採用している。したがって、高温時に導波路型合波器20での光損失Lhが最小となるが、常温時に得られる各波長λ1~λ4では高温時より光損失Lnが大きくなり、低温時に得られる各波長λ1~λ4では光損失Lcが最大となる。バイアス電流制御との関係上記の温度ドリフト特性とは別に、レーザダイオード12a~12d等の発光素子は、素子温度が変化するとバイアス電流の閾値やスロープ効率が変化する特性を有している。通常、バイアス電流の閾値光出力が得られる電流値は低温時で最も小さく、素子温度が高温側に向かって変化するほど高くなる。スロープ効率は、バイアス電流の変化に対する光出力の変化の比出力変化幅/電流変化幅であり、スロープ効率は低温時で最も高く、素子温度が高温側に向かって変化するほど低下する傾向にある。このためAPC回路50によるバイアス電流の制御では、ある一定水準の光出力を得ようとすると、高温時ほどバイアス電流の目標値を高く設定する必要がある。また、光出力が導波路型合波器20で減衰する点に鑑みると、仮に高温時の発振波長で光損失が大きくなる分光特性を採用していた場合、その分も見越してバイアス電流をさらに大きくしなければならなくなる。この点について本実施形態では、上記のように高温時の発振波長λ1’~λ4’で光損失を最小化する分光特性を導波路型合波器20に持たせることにより、高温時のバイアス電流の増大を抑えることとした。検証例以下、図5、図6を参照し、比較例との対比をもって本実施形態の有用性を検証する。図5は、レーザダイオードの光出力特性バイアス電流と光出力との関係を示す図である。図6は、温度毎に設定されるバイアス電流について、比較例と本実施形態とを対比して示した図である。光出力特性図5のバイアス電流-光出力の特性図に示されているように、レーザダイオード12a~12dは、低温時にバイアス電流の閾値が最も小さく、高温時で閾値が最大となる光出力特性を有している。一方、スロープ効率は低温時に最も高く急勾配、高温時で低下緩勾配する。このため、温度が低温から常温、そして高温までの範囲で変化する場合、全ての温度で一定水準の光出力Psを得ようとすると、低温時には光出力特性上の動作ポイントTc0でバイアス電流Ic0が目標値となるが、常温時には動作ポイントTn0でバイアス電流In0が目標値となり、そして、高温時は動作ポイントTh0でバイアス電流Ih0が目標値となる。その結果、バイアス電流の各目標値を比較すると、Ic0<In0<Ih0となり、高温時にバイアス電流を最大に設定する必要があることが分かる。分光特性図6中Aに示されているように、比較例では、導波路型合波器の分光特性を、従来一般的な手法で常温時の発振波長λ1に合わせて透過中心波長を設定するものとする。この場合、常温時の光損失Lnが最小となっており、高温時の発振波長λ1’及び低温時の発振波長λ1でそれぞれ光損失Lh,Lcは大きくなる。なお、常温時と高温時、又は低温時との間での分光特性による損失変化幅はΔLである。一方、図6中Bに示されているように、本実施形態の導波路型合波器20の分光特性は、例えば波長λ1を例に挙げると、高温時の発振波長λ1’を透過中心波長に設定しているため、高温時の光損失Lhが最小となっている。この場合、常温時の発振波長λ1では光損失Lnが高温時より大きくなり、低温時の発振波長λ1では光損失Lcは最も大きくなる。なお、常温と高温との間での分光特性による損失変化幅はΔLhであり、常温と低温との間での分光特性による損失変化幅はΔLcである。比較例のバイアス電流の設定図6中Cは、比較例において、図5に示す光出力特性を有するレーザダイオードの光信号を導波路型合波器に入力し、導波路型合波器から出力される光出力が一定となるようにバイアス電流を設定した場合の図である。図6中Cに示されているように、比較例では、常温時のバイアス電流の目標値In2を設定し、常温時の光出力Pnとする。一方、高温時及び低温時では、分光特性による損失変化幅ΔLを補償する光出力の増加量ΔPを得るため、常温時よりも光出力Ph,Pcを大きくする。制御温度範囲内において、常温時の光出力Pnが最小となる。ここで、常温時には光出力Pnの動作ポイントTn2を適用し、低温時には光出力Pcの動作ポイントTc2を適用し、高温時には光出力Ph=Pc>Pnの動作ポイントTh2を適用するため、高温時の動作ポイントTh2が大きく右方向電流大に移行してしまう。しかも高温時は、バイアス電流-光出力特性の傾斜が緩いため、常温時より光出力を増加しようとすると、より多くのバイアス電流が必要となってしまう。このため、高温時で特にバイアス電流Ih2が大幅に増大し、4つのレーザダイオード12a~12dを足し合わせると、光トランシーバ10全体としての消費電力が極端に大きくなってしまうという問題がある。本実施形態のバイアス電流の設定図6中Dは、本実施形態において、図5に示す光出力特性を有するレーザダイオードの光信号を導波路型合波器20に入力し、導波路型合波器20から出力される光出力が一定となるようにバイアス電流を設定した場合の図である。図6中Dに示されているように、本実施形態では、高温時のバイアス電流の目標値Ih1を設定し、高温時の光出力Phとする。ここで、本実施形態の高温時の光出力Phは、比較例の常温時の光出力Pnと同じである。一方、常温時では、分光特性による損失変化幅ΔLhを補償する光出力の増加量ΔPhを得るため、高温時よりも光出力Pnを大きくする。さらに、低温時では、分光特性による損失変化幅ΔLcを補償する光出力の増加量ΔPcを得るため、常温時よりも光出力Pcを大きくする。制御温度範囲内において、高温時の光出力Phが最小となる。本実施形態と比較例との対比本実施形態では図6中Bに示される分光特性を用いるため、比較例よりも高温時の光出力Phを低くすることができ、図6中Dに示すように、高温時の動作ポイントを、比較例の動作ポイントTh2から本実施形態の動作ポイントTh1に左方向へ移行させることができる。これにより、高温時のバイアス電流を、比較例に比べΔIh=Ih2-Ih1分だけ低減できる。特に高温時は、低温時や常温時よりもバイアス電流-光出力特性の傾斜が緩いため、比較例の動作ポイントTh2から本実施形態の動作ポイントTh1に移行させたときのバイアス電流の減少ΔIhは他の温度に比較して大きい。このようなバイアス電流の低減効果は4つのレーザダイオード12a~12dについて有効であるため、光トランシーバ10全体としての消費電力は比較例より大幅に少ない。なお、常温時と低温時については、動作ポイントTn1,Tc1の光出力Pn,Pcは、比較例の動作ポイントTn2,Tc2の光出力Pn,Pcよりも大きくなり、その分だけバイアス電流の目標値は大きくなるが、高温時に比較するとバイアス電流-光出力の傾斜が急であるため、全体的なバイアス電流の増加分は低く抑えられる。このため、比較例のように高温時のバイアス電流を大きく増加させる手法よりも、本実施形態の手法の方が、バイアス電流の増加を抑制する効果は大きい。MCU58のEEPROM64には、導波路型合波器20の分光特性、温度毎の各レーザダイオード12a~12dの光出力特性、温度毎の各レーザダイオード12a~12dの発信波長に基づいて、導波路型合波器20から出力される光信号の光出力が一定となるようなバイアス電流の目標値を制御温度範囲内において温度毎に設定したマップを記憶しておくことができる。MCU58は、温度センサ62の検出電圧からリアルタイムに判定した温度に基づいてマップを参照し、APC回路50に指示するバイアス電流の目標値を設定することにより、バイアス電流を動的に制御することができる。これにより、温度が頻繁に変化した場合であっても、直ちにバイアス電流の目標値を増減させることができる。以上のように本実施形態の光モジュールによれば、高温時にレーザダイオード12a~12dのバイアス電流の増加を抑制できる。結果として、光トランシーバ10全体としての消費電力を低減することができる。本発明は上述した一実施形態に制約されることなく、種々の変形を伴って実施することができる。例えば、光モジュールは、4波長よりチャンネル数が多い例えば10チャンネル導波路型合波器20を有していてもよい。この場合であっても、一実施形態で挙げた分光特性を適用することにより、チャンネル毎に高温時のバイアス電流の増加を抑制することができる。また、各実施形態で挙げた温度や発振波長、透過中心波長等の値は好ましい例示であり、本発明の実施に際して個々の値を適宜に変更できることは言うまでもない。"