デバイスであって、互いに上下して積み重ねられる複数のブロックであって、前記複数のブロックは、熱伝導材料で充填される垂直バイアによって相互に接続され、かつ埋込み式の熱伝導層によって分離される複数のブロックと、前記複数のブロックの一番上または下へ熱抽出層または接地平面として接着される熱伝導層であって、前記熱伝導層は高い熱伝導率を有する熱伝導層とを備えるデバイス。デバイスであって、基板と、前記基板上へ堆積される断熱層であって、前記断熱層は前記基板の加熱を低減するために温度勾配をサポートすることができる断熱層と、前記断熱層の内部に形成されかつ前記基板を介して外部の熱抽出層へ接続するための垂直バイアを有する埋込み熱伝導層と、前記断熱層上へ堆積されかつ電気配線用にパターン化される半導体層とを備えるデバイス。方法であって、互いに上下して積み重ねられる複数のブロックを形成することであって、前記複数のブロックは、熱伝導金属で充填される垂直バイアによって相互に接続され、かつ埋込み式の熱伝導層によって分離されることと、前記複数のブロックの一番上または下に熱伝導層を熱抽出層または接地平面として形成することであって、前記熱伝導層は高い熱伝導率を有すること、を含む方法。方法であって、基板を形成することと、前記基板上へ断熱層を堆積することであって、前記断熱層は前記基板の加熱を低減するために温度勾配をサポートすることができることと、前記断熱層の内部に埋込み式の熱伝導層を形成しかつ前記基板を介して外部の熱抽出層へ接続するための少なくとも1つの垂直バイアを有することと、前記断熱層上へ半導体層を堆積しかつ電気配線用にパターン化することを含む方法。しかしながら、このようなアレイの良好な製造及び使用に関しては問題点がある。第1に、半導体上層の加熱は、既に生成されている下層のデバイスを乱すことがある。第2に、使用の間、パフォーマンスが熱によって低下することがある。開示する本実施形態の特徴の1つは、多ブロック半導体デバイスにおける熱の抽出及び遮蔽のための技術である。互いに上下して積み重ねられる複数のブロックは、熱伝導材料で充填される垂直バイアによって相互に接続され、かつ埋込み式の熱伝導層によって分離される。熱伝導層は、複数のブロックのうちの一番上と下へ熱抽出層または接地平面として接着される。熱伝導層は、高い熱伝導率を有する。実施形態は、下記の説明及び様々な実施形態を例示するために使用される添付の図面を参照することにより、最も良く理解され得る。開示する本実施形態の特徴の1つは、多ブロック半導体デバイスにおける熱の抽出及び遮蔽のための技術である。互いに上下して積み重ねられる複数のブロックは、金属等の熱伝導材料以後金属と称するで充填される垂直バイアによって相互に接続され、かつ埋込み式の熱伝導層によって分離される。熱伝導層は、複数のブロックのうちの一番上または下へ、熱抽出層または共通電圧電気平面以後、接地平面と称するとして接着される。熱伝導層は、高い熱伝導率を有する。一実施形態は、単ブロック半導体デバイスにおいて熱を抽出しかつ遮蔽するための方法及び装置である。基板上には、断熱層が堆積される。断熱層は、基板の加熱を低減するための温度勾配をサポートすることができる。断熱層の内部には埋込み式の熱伝導層が形成され、これは、基板を介して外部の熱抽出層へ接続される垂直バイアを有する。半導体層はこの断熱層上へ堆積され、電気配線用にパターン化される。開示される本実施形態の特徴の1つは、半導体デバイスにおいて熱を抽出しかつ遮蔽するための方法及び装置である。三次元モノリシック集積回路は、先に加工された層を高温の後続処理から隔離するために使用される埋込み式の熱伝導例えば、金属層で製造されてもよい。埋込み式の熱伝導層はさらに、回路動作の間に発生される熱を抽出するように修正される。熱伝導層は、金属製バイアによって、熱抽出または接地平面として作用する外部の熱伝導層へ接続される。金属平面が互いに、またはバイアによって外部ヒートシンクに接続されない場合でも、これらの平面はやはり熱をヒートスポットから離れて横方向へ分配するように作用し、よって有益であり得ることは留意される。また、埋込み式の熱伝導層は、活性層間の電子スクリーニングのために使用されてもよい。この同じ構造は、低温基板上での半導体の製造及び高温製造用途を拡大するために、かつ低温基板上で高速/高電流回路を動作させるために使用されることも可能である。断熱緩衝層への銅またはアルミニウム等の埋込み熱伝導層の追加は、効果的な熱拡散器及び半導体層を介して伝わる任意の放線の反射器として作用する。局所化された熱領域から熱伝導層へと下方へ拡散する熱は、金属層内を横方向へ高速で拡散し得る場合がある。従って、デバイス下層における温度は、例えば400°Cである受容可能なレベルより下に保たれてもよい。埋込み式の熱伝導層は、回路動作の間に発生される熱を抽出するための効率的な手段として作用してもよい。さらに、熱伝導層は、層間の望ましくない電子的相互作用を最小限に抑えるために、接地平面として作用するというさらなる有益な機能を実行することができる。銅400W/m/K及びアルミニウム250W/m/Kの熱伝導率は二酸化珪素1W/m/K等の断熱材のそれより遙かに高く、よって熱をデバイスアレイから高い有効性で案内することができる。この技術は、単一活性層のアプリケーションへ効果的に適用され得る。具体的には、低温基板上及び高温基板上の双方での高電流/高速電子機器の製造及び使用は、埋込み式の熱伝導熱拡散器及び熱抽出器の使用によって大きな益を得る。本技術は、アクティブな電子回路の三次元3Dアレイ、またはアクティブな電子機器の単層において使用されてもよい。以下の説明において、ブロックという用語は、半導体デバイスにおける幾つかの材料層を含み得る活性層を指して使用されることがある。製造プロセスは、幾つかの段階またはステップで実行されてもよい。プロセスの段階またはステップへの分離は、単に説明を目的としたものである。段階またはステップは、組み合わされる場合もあれば、重なり合う場合もある。図1は、ある実施形態による多ブロックデバイスの第1の製造段階100を示す図である。第1の段階100は、層110及び120を含む。層110は、基板であってもよい。これは、ガラス質シリカ等の高温溶融断熱層である上部を有するガラスまたはプラスチック等のアモルファス断熱基板から形成され、生成され、または製造されてもよい。層120は、基板層110上に堆積されるシリコンまたはゲルマニウムまたは他の任意のIV群半導体元素または合金等の半導体層であってもよい。層120は、従来の製造技術を用いて回路または電気配線用にパターン化されてもよい。またこれは、場合により、堆積される誘電薄層によって封入されてもよい。層120は、二酸化炭素、YAGまたはエキシマレーザ等の高出力ソースによるスキャンされた、またはパルス化された光照射によって結晶化されてもよい。図2は、ある実施形態による多ブロックデバイスの第2の製造段階200を示す図である。第2の段階200は、第1のブロック205及び第2のブロックの一部250の製造完了を含む。第2の段階の間は、デバイスのドーピング及びさらなる必要な製造ステップが実行されてもよく、かつ面内電気配線用にパターン化されてもよい。二酸化珪素層が堆積されてもよい。層120上には、断熱層210が成長または堆積されてもよい。スルーウエハバイア及び面間バイア220は、銅等の高伝熱材を充填されて形成または構築されてもよい。これらのバイア220は、他のブロックへの相互接続を提供してもよい。層210上には、埋込み式の熱伝導層230が堆積されてもよい。埋込み式の熱伝導層230は、銅またはアルミニウムまたは高い熱伝導率例えば、200W/m/Kより高いを有する任意の材料で製造されてもよい。これは、層120または310図3に示されている等の半導体層を介して伝わる任意の放線の効果的な熱拡散器及び/または反射器として作用してもよい。1つまたは複数の垂直バイア240は、埋込み熱伝導層230へ接続するように構築されてもよい。垂直バイア240は、図3及び図4に示されているように、デバイス内の全ての埋込み熱伝導層を相互接続するように延長されてもよい。埋込み式の熱伝導層230上には、断熱層250が成長または形成されてもよい。図3は、ある実施形態による多ブロックデバイスの第3の製造段階300を示す図である。第3の段階300は、第1のブロック205上へ積み重ねられる第2のブロック305を形成する。第2のブロック305における層の製造は、第1のブロック205の場合と同様であってもよい。スルーウエハバイア及び面間バイア330は、銅等の高伝熱材を充填されて形成または構築されてもよい。バイア330は、ブロック205及び305内の回路成分を相互接続するバイアを形成するために、図2に示されているバイア220と組み合わされてもよい。半導体層310は、層250上に、図1における層120と同様にして堆積されてもよい。半導体層310は、従来の製造技術を用いて回路用にパターン化されかつ製造されてもよい。半導体層310上には、断熱層320が成長または堆積されてもよい。層320上には、埋込み式の熱伝導層340が堆積されてもよい。埋込み式の熱伝導層230と同様に、埋込み式の熱伝導層340は、金属例えば、銅またはアルミニウムまたは高い熱伝導率例えば、200W/m/Kより高いを有する任意の材料で製造されてもよい。これは、半導体層を介して伝わる任意の放線の効果的な熱拡散器及び/または反射器として作用してもよい。垂直バイア350は、埋込み熱伝導層340を第1のブロック205内の埋込み熱伝導層230へ接続するように構築されてもよい。第1及び第2のブロック205及び305上へ積み重ねるために、追加のブロックが製造されてもよい。その製造は、モノリシックな3D積層活性電子回路を形成する。図4は、ある実施形態による多ブロックデバイスの最終製造段階400を示す図である。最終段階400は、互いに積層された第1及び第2のブロック205及び305と、熱伝導層410とを含む。熱伝導層410は、複数のブロック205及び305のうちの一番上または下へ熱抽出層または接地平面として接着されてもよい。熱伝導層410は、200W/m/Kより高い高熱伝導率を有する。熱伝導層410の材料の例には、400W/m/Kの熱伝導率を有する銅及び250W/m/Kの熱伝導率を有するアルミニウムが含まれてもよい。熱伝導層410は、デバイスに統合されるヒートシンクとして作用してもよい。従って、垂直バイア240及び350は、熱伝導層410へ熱を方向づけるヒートガイドとして機能するように結合されてもよい。設計に対しては、様々な修正が行われてもよい。例えば、熱伝導層410は、上側へのアクセスが不要であれば、発熱により近い上側に設けられてもよい。このようなアクセスは、例えばディスプレイまたはセンサアレイ用途で必要とされる場合がある。これに対して、3Dプロセッサの場合、光学的アクセスの必要はないと思われ、よって熱伝導層410は上側に設けられてもよい。別の修正は、垂直のヒートガイド例えば、垂直バイア240及び350が共有式に接続される必要はないことであってもよい。例えば、様々な平面が電源及び接地平面として使用されていれば、別々のバイアを使用して熱抽出層を分離させてもよい。電源平面の場合、熱抽出層はバイアへ熱的に接続されてもよいが、場合によって電気的には切断されてもよい。この製造のプロセスまたは設計は、単ブロックのアクティブな電子機器層に適用されてもよい。図5は、ある実施形態による単ブロックデバイス500を示す図である。デバイス500は、層501、510、520、540及び550を含む。層501は、ガラスまたはプラスチックであり得る基板層である。層510及び540は、基板層501上へ堆積される断熱層であってもよい。断熱層は、任意選択であってもよい。断熱層510及び540は、シリカまたは類似材料の厚膜であってもよい。これらは、製造及び/または使用中に低温基板層における温度を下げるために用いられてもよい。層520は断熱層の内部に構築された埋込み式の熱伝導層であって、断熱層を層510と層540とに分離してもよい。埋込み熱伝導層520は、基板を介して外部の熱抽出層またはヒートシンク層へ接続するための垂直バイア530を有してもよい。層550は、シリコン等のアモルファスの多結晶または再結晶化された単結晶半導体層であってもよい。これは、断熱層540上へ堆積され、かつ場合によりシリカまたは類似材料で封入されてもよい。これは、電気配線または回路555用にパターン化されてもよい。単結晶領域の画定には、レーザ再結晶化プロセスが使用されてもよい。高速電子回路が製造される。次に、デバイス完成における、光センサ層またはディスプレイ例えば、OLED層の追加等のさらなる全ステップが完了されてもよい。ヒートシンクバイア例えば、バイア530は、外部のヒートシンクへ接続されてもよい。トランジスタは、低温基板を損傷することなく高い放散レベルで使用されてもよい。同様に、熱伝導層が活性層とその上のディスプレイまたは検出層との間に置かれれば、発生される熱は光相互作用層から隔絶されてもよい。図6は、ある実施形態による多ブロックデバイスの製造プロセス600を示すフローチャートである。開始と同時に、プロセス600は、互いに積み重ねられる複数のブロックを形成する。複数のブロックは、熱伝導材料で充填される垂直バイアによって相互に接続され、かつ埋込み式の熱伝導層によって分離されてもよい。複数のブロックの形成は、ブロックの各々を形成することを含むブロック610。次に、プロセス600は、熱伝導層を複数のブロックのうちの一番上または下へ熱抽出層または接地平面として接着するブロック620。熱伝導層は、金属のような高い熱伝導率を有する。ある実施形態では、熱伝導層は200W/m/Kより高い熱伝導率を有する。次いで、プロセス600は、埋込み式の熱伝導層と熱伝導層とを相互接続するために垂直な金属相互接続または垂直バイアを形成するブロック630。プロセス600は、これで終了される。図7は、ある実施形態による多ブロックデバイスにおけるブロックの製造プロセス610を示すフローチャートである。開始と同時に、プロセス610はアモルファス断熱基板を生成するブロック710。次に、プロセス610はアモルファス断熱基板上へ半導体層を堆積し、電気配線用にパターン化するブロック720。次いで、プロセス610は半導体層上へ断熱層を堆積するブロック730。プロセス610は、これで終了される。図8は、ある実施形態による単ブロックデバイスの製造プロセス800を示すフローチャートである。開始と同時に、プロセス800は基板を形成するブロック810。ある実施形態において、基板はガラスまたはプラスチックである。次に、プロセス800は、基板上へ断熱層を堆積するブロック820。断熱層は、基板の加熱を低減するための温度勾配をサポートすることができる。ある実施形態において、断熱層はシリカまたは類似材料の厚膜である。次に、プロセス800は、断熱層の内部に埋込み熱伝導層を形成するブロック830。埋込み熱伝導層は、基板を介して外部の熱抽出層へ接続するための垂直バイアを有する。埋込み熱伝導層は、200W/m/Kより高い熱伝導率を有してもよい。次に、プロセス800は断熱層上へ半導体層を堆積し、電気配線及び/または回路用にパターン化するブロック840。プロセス800は、これで終了される。