半導体装置を製造する方法であって、半導体基板に陽極処理を行うことにより、前記半導体基板上に多孔質層からなる分離層を形成する工程と、前記分離層の上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜に半導体素子及び/又は半導体集積回路を形成する工程と、前記半導体膜に前記半導体膜の表面側から切り込み溝を、前記切り込み溝の先端が、前記半導体基板、前記分離層内部あるいは前記半導体膜と前記分離層との界面に位置するように形成する工程と、前記溝形成工程後、前記分離層に熱、振動、又は外力を加えることにより、前記分離層において前記半導体素子及び/又は半導体集積回路の領域の一部を前記半導体基板から分離する分離工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記分離工程は、前記切り込み溝に流体を注入することにより行われることを特徴とする請求項1記載の薄膜半導体装置の製造方法。しかしながら、上記LSIチップの薄層化技術では、保持基板との接着工程やダイシング用フィルムとの接合工程などの複数の工程を経なければならない。更に、分離する際にデバイス形成層全体が繋がっていると、その一部に局所的に歪み等が加わりデバイス特性に影響を及ぼす場合がある。本発明の目的は上記問題点に鑑み、少ない工程で、且つ分離の際のデバイス形成層への影響を少なくした薄膜半導体装置、及びその製造方法を提供することにある。更に、一度薄膜半導体装置の製造に使用した部材を、再度その製造に利用することができる経済的な薄膜半導体装置の製造方法を提供することをも目的とする。本発明に係る薄膜半導体装置の製造方法は、半導体基板に陽極処理を行うことにより、前記半導体基板上に多孔質層からなる分離層を形成する工程と、前記分離層の上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜に半導体素子及び/又は半導体集積回路を形成する工程と、前記半導体膜に前記半導体膜の表面側から切り込み溝を、前記切り込み溝の先端が、前記半導体基板、前記分離層内部あるいは前記半導体膜と前記分離層との界面に位置するように形成する工程と、前記溝形成工程後、前記分離層に熱、振動、又は外力を加えることにより、前記分離層において前記半導体素子及び/又は半導体集積回路の領域の一部を前記半導体基板から分離する分離工程と、を含むことを特徴とする。特に前記分離工程を、前記切り込み溝に流体を注入することにより行うことができる。ここで、前記部材は、半導体基板表面に多孔質層を形成し、且つ該多孔質層表面に前記半導体膜を形成した後、前記半導体素子及び/又は半導体集積回路を形成して得られる。あるいは半導体基板表面に前記半導体素子及び/又は半導体集積回路を形成した後、該表面側から所定深さにイオンを注入して前記分離層を形成して得られる。前記切り込み溝は、前記半導体膜に形成してもよいし、あるいは前記半導体素子及び/又は半導体集積回路を前記半導体膜に形成する過程において作製された領域に形成してもよい。また、前記切り込み溝の先端が、前記分離層内部、あるいは前記半導体膜と前記分離層との界面に位置するように該切り込み溝を形成することができる。更にまた、前記部材が、半導体領域上に前記分離層、及び前記半導体膜を有している場合に、前記切り込み溝の先端が、前記分離層と該半導体領域の界面、あるいは該半導体領域内部に位置するように該切り込み溝を形成してもよい。前記分離工程は、前記切り込み溝から高圧の流体を注入することにより行われたり、あるいは液体あるいは気体からなる前記流体を、前記切り込み溝の少なくとも一部に噴きつけることにより行われる。前記分離工程を静圧下で行うこともできる。前記分離工程により前記領域の一部が複数のチップにチップ化することもできる。なお、前記部材から前記領域の一部が分離された後に残る残留部材を用いて、前記部材を再度作製することもできる。本発明においては、半導体素子や半導体集積回路素子が形成されたデバイス層を部材から分離する前に、切り込み溝を形成し、そして流体を用いて領域の一部を分離するので、きわめて効率的にかつデバイス層に影響を与えることなく半導体装置の薄層化が可能となる。本発明によれば、少ない工程で、且つ分離の際のデバイス形成層への影響を少なくした薄膜半導体装置を製造することができる。本発明の主たる実施形態につき図1を用いて説明する。まず、図1aに示すように、半導体領域130上に分離層100を介して半導体膜110を有する部材120を用意する。そして、上記半導体膜110に半導体素子及び/又は半導体集積回路140を形成する図1b。そして、半導体素子及び/又は半導体集積回路140をチップ化するに先だって、所望の位置に、上記半導体膜110側から切り込み溝150を形成する。その後、所望の半導体素子又は半導体集積回路140を上記分離層100を利用して分離する。分離工程は、例えば切り込み溝150の少なくとも一部に流体を注入することにより分離を行うことができる。あるいは、分離する所望領域を真空チャック等で保持した後、その領域に超音波振動を印加して分離層で分離したり、あるいは所望領域に局所的に熱を印加して分離することもできる。こうしてチップ化された、単数あるいは複数の薄膜半導体装置160が得られる図1d。薄膜半導体装置160に分離層100の一部が残留する場合には、当該残留部分を研磨、研削あるいはエッチング等により除去した後、他の回路との接続、あるいはパッケージングを行うことができる。勿論、当該残留部分を残したまま、パッケージングを行ってもよい。即ち、図1eのように残留分離層101を介して支持基体170上に薄膜半導体装置160を載置したり、図1fのように、プラスチックカード上に移設することもできる。なお、180は封入用樹脂、190はワイヤ、200は封止樹脂/フィルム、210はプラスチックカードである。また、分離層がゲッタリングサイトになり、プロセス中の金属汚染耐性が増す。分離層なお、分離層100は、具体的には単結晶シリコンウエハ表面の陽極化成により形成される多孔質シリコン層や、単結晶シリコンウエハの所望の深さに水素、ヘリウム、希ガス等のイオンを注入して形成されるイオン注入層である。前者の場合には、部材120を形成するには、多孔質シリコン層上にCVD法等を用いて単結晶シリコンなどの非多孔質薄膜を成長させる。また、分離層100を多孔度の異なる複数の層で構成することもできる。例えば、図2aに示すように、半導体領域130側から高多孔度層310、低多孔度層300と2層の構成にしてもよいし、あるいは半導体領域130側から低多孔度層320、高多孔度層330、低多孔度層340と3層構成にすることもできる。高多孔度層の場合の多孔度は、10から90、低多孔度層の場合の多孔度は、0から70の範囲で利用可能である。多孔度の異なる複数の層の形成は、陽極化成の際の電流密度を変えたり、化成溶液の種類あるいは濃度を変えることで実現できる。陽極化成により多孔質層を形成した場合には、該多孔質層上へ半導体膜110を成長させるに先だって、多孔質の孔の内壁に窒化膜あるいは酸化膜などの保護膜を設ける保護膜形成工程、や水素を含む雰囲気中での熱処理工程を行うのがよい。勿論、上記保護膜形成工程後、前記熱処理工程を行うことも好ましい。更に、CVD法により半導体膜110を成長させる場合には、所定の厚み例えば10nmまでは、20nm/min.以下の低成長速度で行うのがよい。半導体膜また、半導体膜110としては、非多孔質単結晶シリコン薄膜や、GaAs、InP、GaN等の化合物半導体膜を用いることができる。半導体膜が単結晶シリコンの場合に原料ガスとして、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiH4、あるいはHClガスを添加しても良い。形成方法はCVD法に限らず、MBE法、スパッター法等も可能である。なお、多孔質層を水素を含む雰囲気中で第1の熱処理した後、薄膜を成長させるに先だって当該第1の熱処理温度よりも高い温度で第2の熱処理することも好ましいものである。第1の熱処理温度としては、800°C~1000°C、第2の熱処理温度として、900°C~融点の範囲で利用できる。これにより多孔質層表面の孔の封止が十分行われるのである。例えば、第1の熱処理温度を950°Cで行い、第2の熱処理を1100°Cで行うことができる。部材また、部材120としては、CZ法、MCZ法、あるいはFZ法などで作製された単結晶シリコンウエハのみならず、基板表面が水素アニール処理されたウエハ、あるいはエピタキシャルシリコンウエハなどを用いることができる。勿論、シリコンに限らずGaAs基板やInP基板等の化合物半導体基板も用いることができる。半導体素子及び/又は半導体集積回路また、半導体素子及び/又は半導体集積回路140としては、CMOS、バイポーラトランジスタ、ダイオード、コイル、キャパシタ等の素子、DRAM、マイクロプロセッサー、ロジックIC、メモリ等の半導体集積回路を作製することができる。素子や回路の用途としては、電子回路、発振回路、受発光素子、光導波路、各種センサーなどを含む。切り込み溝また、切り込み溝150は、通常用いられるダイシング装置を用いることができる他、エッチングやレーザーアブレーション、超音波カッター、高圧ジェット例えば、ウォータージェット、超音波カッターなども用いることができる。エッチングにより行う場合は、HFH2O2、HFHNO3、アルカリ溶液などのエッチング液を用いることができる。レーザーとしては、YAGレーザー、CO2レーザー、エキシマレーザー等である。切り込み溝の先端は、半導体領域130に達しても構わないが、好ましくは分離層100の内部、あるいは半導体膜110と分離層100との界面付近に達することが好ましい。分離層が高多孔度層と低多孔度層を含み形成される場合には、高多孔度層の内部あるいはその界面付近に切り込み溝の先端が達するのが好ましい。なお、切り込み溝を形成する先だって、分離後は個々のチップになる当該チップ間を、LOCOS局所酸化あるいはメサエッチングし、チップ間には半導体膜が存在しないようにしておいてもよい。分離また、分離方法としては、分離したい箇所、すなわち複数のチップ化された部分の所望のチップを取り囲む切り込み溝150の少なくとも一部に液体や気体等の流体を注入することにより行うことができる。ここでいう、流体を注入するとは、高圧の流体ジェットを噴きつける場合や、静圧下での分離をも含むものである。各チップの周囲の切り込み溝に流体を噴きつける場合は、所望のチップ毎に分離できるし、静圧下の場合は、複数のチップをまとめて、即ち複数個を一度に分離することも可能である。かかる場合には、分離に先だって各チップを支持する支持部材にあらかじめ貼り合わせておくことも好ましいものである。なお、流体に超音波を印加しておくことも可能である。流体としては、液体として水、エッチング液、アルコールなど、気体としては空気、窒素ガス、アルゴンガス等である。流体を切り込み溝に吹きつけて分離する場合の一例について、具体的に説明する。なお、ノズルを2つ用いて分離する場合について説明するが、流体の圧力等を制御して分離できさえすれば、以下の分離方法に限定されるものではない。図3aは、半導体領域430上に分離層としての多孔質層400を介して半導体膜410が形成され、更に当該半導体膜に半導体素子又は半導体集積回路440が形成されている場合を示している。ここで、441は、絶縁キャップ層である。図3bに示すように切り込み溝450を形成する。同図においては切り込み溝449、450の先端が多孔質層の内部に位置する場合を示している。チップ460を半導体領域430から剥離する場合、チップ保持手段452で保持しつつ、ノズル451及び454から流体453、455を切り込み溝に向けて噴射する。流体は切り込み溝の先端まで達した後、横方向に拡がろうとするので456~459は流体の流れを模式的に示すものである。それぞれの切り込み溝449、450から進入した流体457、458が重なるとチップ460は半導体領域430から剥離する図3d。多孔質層内で多孔度の変化がある場合には、より剥離しやすくする為に切り込み溝の先端部付近を境に多孔度が変わるように分離層を形成しておくのがよい。そして、チップ保持手段452で保持したまま半導体領域430上から移設する図3e。次にチップ470を剥離したい場合は、ノズル454からは流体を噴きつけず、ノズル451のみから切り込み溝471に流体を吹きつけることのみにより剥離を行ってもよい図3f。なお、チップ保持手段452として、真空チャック、切り込み溝で挟み込むようにして保持することができる。さらに、分離するチップを真空チャック等で保持した後、そのチップに超音波振動を印加して分離する。流体を切り込み溝に噴きつける場合は、チップの周囲を取り囲む切り込み溝のうち、相対向する溝の2箇所に噴きつけてもよいし、チップのコーナー部分の1箇所に噴きつけることもできる。また、切り込み溝の形成により微小領域に区分けされた所望領域を真空チャック等で保持した後その領域に超音波振動を印加したり、あるいは局所的に熱を印加することで分離することができる。とりわけ分離層を水素、窒素、He、希ガス等のイオン注入により作製した場合には、400°Cから600°C程度の熱処理を施すことで、イオン注入により形成される微小気泡層が凝集するので斯かる現象を利用して分離することもできる。CO2レーザー等により加熱することもできる。あるいは、切り込み溝により微小領域に区分けされているので、所望領域を真空チャック等で保持したまま、引っ張り力、圧縮力、剪断力を加えることで分離することもできる。このように、分離前に微小領域に区分けしておくことで、外力により分離する際にも不必要な応力集中を避けることができる。微小領域としては、10cm×10cm以下、好ましくは5cm×5cm以下、更に好ましくは2cm×2cm以下が望ましい。実施例1比抵抗0.01ΩcmのP型の単結晶Si基板を用意し、HF溶液中において基板表面の陽極化成を行った。陽極化成条件は以下の通りであった。電流密度:7mAcm-2陽極化成溶液:HF:H2O:C2H5OH=1:1:1時間:11分多孔質Si層の厚み:12μm多孔質Si層は、当該多孔質Si層上に高品質エピタキシャルSi層を形成させることができ、さらに分離層として用いることができるよう多孔度を調整した。具体的には、20であった。なお、多孔質Si層の厚さは、上記厚さに限らず、数百μmから0.1μm程度まで使用できる。この単結晶Si基板を400°Cの酸素雰囲気中で1時間酸化した。これにより多孔質Siの孔の内壁は熱酸化膜で覆われた。その後、この多孔質Si層の表面をフッ酸に浸漬し、孔の内壁の酸化膜を残して、多孔質Si層の表面の酸化膜のみ除去した。次に多孔質Si層上にCVDChemicalVaporDeposition法により単結晶Si層を3μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。ソースガス:SiH2Cl2/H2ガス流量:0.5/180l/minガス圧力:80Torr温度:950°C成長速度:0.3μm/minエピタキシャル成長に先立って、水素含有雰囲気中の熱処理を行った。これは、表面孔を封止するためである。この熱処理に加えて、微小なSi原子を原料ガスなどにより添加し、その表面孔封止用の原子を補っても良い。こうして得られる部材は、通常用いられているエピウエハと同一のウエハとして扱うことが出来る。異なるのは、エピ層の下に多孔質Si層が形成されていることのみである。このエピ層に、マイクロプロセッサー、ロジックIC、メモリ、等の回路を作製した。LSIの作製は、通常と全く同じ工程を通すことにより、従来と同一の性能を持つLSIを作製できた。なお、エピ層にデバイスを形成するに先立って、エピ層を水素雰囲気中で熱処理することも好ましいものである。多孔質Siの残留Si領域は空乏化しており、高抵抗化されている。これにより一種SOI的なデバイスの高速化、低消費電力化が実現される。なお、素子分離としてトレンチを用いることにより、チップ面積の縮小が達成されウエハ内の取れ数も増大する。また、トレンチあるいはLOCOSを多孔質Si層まで達するようにすることにより、多孔質Si層の高抵抗性と合わせて、素子間絶縁性を達成することが出来た。次に、複数のチップに分ける為に、デバイス形成層側からダイシングを行い、切り込み溝を形成した。溝の先端は多孔質Si層の内部に位置していた。そして、流体として水を切り込み溝から吹きつけた。流体ジェットはチップの周囲の切り込み溝の2箇所から吹きつけた。こうして、チップが部材から分離された。既に周囲のチップが剥離されている場合には、一つのノズルから噴射される流体のみで分離できた。なお、流体には、気体、液体、あるいは、それらに固体の粒体粉体を含有したものがある。この実施例では、ウォータージェット以下WJと記述するを記述するが、エアージェット、窒素ガスジェット、その他気体ジェット、水以外の液体ジェット、氷やプラスチック片、研磨材の混ざった流体ジェット、あるいはこれらの静圧をかけることも可能である。流体は非常に微小な隙間へも流入し内部の圧力を上げることが可能で、外圧を分散して印加できることが特徴である。また、一部に極端に圧力がかからないことから、もっとも分離しやすい個所を選択的に分離させるという特徴がある。分離の際には、チップ表面を支持部材等で支持するのが好ましい。デバイス層側に残留した多孔質Siは、除去してもしなくても良い。その後、それぞれのチップをパッケージした。分離面をパッケージ台に乗せて、表面側からワイアーボンディングしても良いし、表面を伏せてパッケージしてもよい。なお、プラスチックカードに直接パッケージすることで、ICカードを作製することもできる。パッケージ台をヒートシンクとして用いれば、従来のバックグラインダー方式に比較して格段の熱放散性を有する。バックグラインダーによる裏面の薄層化は、通常数百ミクロンである。本発明では、表面のエピ層の厚さと多孔質Siの残留部の厚さ合計、即ち10μm程度以下しか残留しないため、デバイスの熱発生源とヒートシンクの距離が狭まり、熱放散性が格段に向上する。OEICOptoelectronicIntegratedCircuitsをのエピ層に作製して、光透過性基板あるいは光導波路にパッケージすることもできる。なお、分離して残った単結晶Si基板は、必要に応じて表面再研磨、エッチング等を行い、再度同じ工程に投入できた。あるいは、別目的の基板として利用することもできる。実施例2実施例1においては、多孔質層は1層であったが、本実施例においては、多孔度の異なる2層構成の多孔質層とした。まず、シリコン基板表面の陽極化成を以下の条件で行った。電流密度:8mAcm-2陽極化成溶液:HF:H2O:C2H5OH=1:1:1時間:5分多孔質Si層の厚み:6μmその後、以下の条件で陽極化成を行った。電流密度:33mAcm-2陽極化成溶液:HF:H2O:C2H5OH=1:1:1時間:80秒多孔質Siの厚み:3μmこうして、単結晶シリコン基板側から多孔度45の高多孔度層、更にその上に20の低多孔度層が形成された。その後、実施例1と同じ条件によりエピタキシャルシリコン層を低多孔度層上に形成し、更に集積回路等を形成した。次に、チップ化のためにエピタキシャル層側からダイシングを行った。切り込み溝の先端が前記高多孔度層と低多高度層の界面付近に位置するように制御した。そして、当該溝に水を噴射してチップを剥離することができた。分離は、上述の2層の多孔質層の界面付近で生じた。その他の要件は、実施例1と同様とした。なお、2層の多孔質層の厚さは、6μm/3μmの構成でなくてもよく、陽極化成条件を変えることによって、厚さを可変させることができる。また陽極化成液は、HF:H2O:C2H5OH=1:1:1でなくても良い。また、エタノールの代わりにIPAイソプロピルアルコール等の他のアルコールを用いても良い。アルコールは界面活性剤として反応泡のウエハ表面付着を防止することを目的としているので、アルコールでなくて他の界面活性剤でもよいし、界面活性剤を添加せずに超音波で表面付着泡を除去してもよい。なお、切り込み溝を形成した後、上記集積回路等のデバイス層を形成してもよい。実施例3抵抗率14ΩcmのP型の単結晶Si基板を用意した。面方位は<100>であった。この単結晶Si基板表面に、マイクロプロセッサー、ロジックIC、メモリ等の回路形成層を作製した。その後、回路形成層側から、所定の深さ本実施例では、表面側から3μmの深さに水素イオンを注入してイオン注入層を形成した。注入量は、数E16からE17/cm2であった。注入に際して、最表面にSiO2などの保護膜を形成しておいてもよい。次に、ダイシングを行い所望領域に区分けされるよう切り込み溝を作製した。溝の先端はイオン注入層の内部に位置していた。その後、該切り込み溝からウォータージェットを噴きつけたところ複数のチップに分離することができた。また、切り込み溝にウォータージェットを噴きつけることなく、分離してチップ化したい領域に局所的にレーザー加熱を行うことでも分離できる。また、イオン注入層を形成する前に、切り込み溝を形成しておくことも可能である。なお、分離層をイオン注入により形成している場合は、400°Cから600°C程度の加熱でイオン注入による微小空隙マイクロキャビティ-が凝集し分離が生じるので、通常800°C程度以上のプロセス温度が必要な集積回路等の形成は困難であるが、本実施例のようにイオン注入層の形成に先だって、デバイス層を形成しておくことで上記問題点が解消できる。実施例4比抵抗0.01ΩcmのP型の単結晶Si基板を用意し、HF溶液中において基板表面の陽極化成を行った。陽極化成条件は以下の通りであった。電流密度:8mAcm-2陽極化成溶液:HF:H2O:C2H5OH=1:1:1時間:5分多孔質Si層の厚み:6μmその後、以下の条件で陽極化成を行った。電流密度:33mAcm-2陽極化成溶液:HF:H2O:C2H5OH=1:1:1時間:80秒多孔質Siの厚み:3μmこうして、単結晶シリコン基板側から多孔度45の高多孔度層、更にその上に20の低多孔度層が形成された。その後、実施例1と同じ条件によりエピタキシャルシリコン層を低多孔度層上に形成し、更に集積回路等を形成した。次に、チップ化のためにエピタキシャル層側からダイシングを行い、微小領域に区分けした。切り込み溝の先端が前記高多孔度層と低多高度層の界面付近に位置するように制御した。次に、チップ化を図りたい所望の領域の一部を真空ピンセット等の保持手段で保持しつつ、外力本実施例においては、引っ張り力により分離した。なお、分離の際に、圧縮力を加えた後、引っ張り力により剥がすなど、種々の外力を組み合わせたり、外力と流体とを組み合わせて分離を行うこともできる。