"半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、Aエポキシ樹脂、B硬化剤、C無機充填材を含有し、C無機充填材が球状アルミナと球状シリカとの混合物を含み、且つD塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物。pH値が7以上である、請求項1記載の液状封止樹脂組成物。D塩基性化合物が、1,8-ジアザビシクロ5.4.0ウンデセン-7、1,5-ジアザビシクロ4.3.0ノネン-5、およびそれらの塩のうち少なくとも1種類である請求項1又は2記載の液状封止樹脂組成物。C無機充填材の含有量が70質量以上80質量以下であって、そのうち球状アルミナの含有量が30質量以上45質量以下である請求項1~3いずれか一項に記載の液状封止樹脂組成物。前記球状アルミナが平均径0.5μm以上3μm以下であり、且つ前記球状シリカが平均径0.25μm以上2μm以下である請求項1~4いずれか一項に記載の液状封止樹脂組成物。前記半導体素子と前記基板との間が、請求項1~5いずれか一項に記載の液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されていることを特徴とする半導体装置。前記半導体素子と前記基板との間に、請求項1~5いずれか一項に記載の液状封止樹脂組成物を充填する充填工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明の目的は、従来は実現が困難であった高熱伝導率と低誘電率、高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供することである。本発明は以下の通りである。1半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、Aエポキシ樹脂、B硬化剤、C無機充填材を含有し、C無機充填材が球状アルミナと球状シリカとの混合物を含み、且つD塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物。2pH値が7以上である、1記載の液状封止樹脂組成物。3D塩基性化合物が、1,8-ジアザビシクロ5.4.0ウンデセン-7、1,5-ジアザビシクロ4.3.0ノネン-5、およびそれらの塩のうち少なくとも1種類である1又は2の液状封止樹脂組成物。4C無機充填材の含有量が70質量以上80質量以下であって、そのうち球状アルミナの含有量が30質量以上45質量以下である1~3いずれかの液状封止樹脂組成物。5前記球状アルミナが平均径0.5μm以上3μm以下であり、且つ前記球状シリカが平均径0.25μm以上2μm以下である1~4いずれかの液状封止樹脂組成物。6前記半導体素子と前記基板との間が、1~5いずれかの液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されていることを特徴とする半導体装置。7前記半導体素子と前記基板との間に、1~5いずれかの液状封止樹脂組成物を充填する充填工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明によれば、高熱伝導率と低誘電率、高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物の提供を可能にし、その液状封止樹脂組成物を用いて組み立てられたバンプ接続方式の半導体装置の発熱対策や電磁ノイズ対策、及び小型薄型化を可能にすることで、低消費電力で安定した高速動作が可能な半導体装置を得ることができる。以下、本発明の液状封止樹脂組成物および半導体装置について説明する。本発明は、半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、Aエポキシ樹脂、B硬化剤、C無機充填材を含有し、C無機充填材が球状アルミナと球状シリカとの混合物を含み、且つD塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物、及び該液状封止樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置である。まず、液状封止樹脂組成物について説明する。本発明の液状封止樹脂組成物は、エポキシ樹脂Aを含む。これにより、硬化後の封止樹脂脂組成物が耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れ、且つ半導体素子と基板とを強固に接着することができる。そのため、信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。エポキシ樹脂Aとしては、一分子中にエポキシ基を2個以上有するものであれば特に分子量や構造は限定されるものではないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、N,N-ジグリシジルアニリン、N,N-ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンなどの芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ-アジペイドなどの脂環式エポキシなどの脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。さらに本発明の場合、芳香族環にグリシジル構造またはグリシジルアミン構造が結合した構造を含むものが耐熱性、機械特性、耐湿性という観点からより好ましく、脂肪族または脂環式エポキシ樹脂は信頼性、特に接着性という観点から使用する量を制限するほうがさらに好ましい。これらは単独でも2種以上混合して使用してもよい。また本発明では液状封止樹脂組成物の態様のため、エポキシ樹脂Aとして最終的に常温25°Cで液状であることが好ましいが、常温で固体のエポキシ樹脂であっても常温で液状のエポキシ樹脂に溶解させ、結果的に液状の状態であればよい。本発明において、常温とは25°Cを指し、また、液状とは樹脂又は樹脂組成物が流動性を有していることを指す。本発明において、上記液状樹脂組成物は、常温25°Cにおいて流動性を有している。本発明の液状封止樹脂組成物は、硬化剤Bを含む。これによりエポキシ樹脂Aを硬化させることができるものであれば特に限定はされないが、そのようなものとしては例えば、アミン類、フェノール類、酸無水物、ポリアミド樹脂、ポリスルフィド樹脂などが挙げられ、これらは1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。なかでも、硬化性と保存性、物性のバランスから、アミン類を硬化剤として用いるのが好ましく、そのようなものとしては、例えばジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、m-キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、2-メチルペンタメチレンジアミン脂肪族ポリアミン、イソフォロンジアミン、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス4-アミノシクロヘキシルメタン、ノルボルネンジアミン、1,2-ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、N-アミノエチルピペラジン、1,4-ビス2-アミノ-2-メチルプロピルピペラジンなどのピペラジン型のポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、m-フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジエチルトルエンジアミン、トリメチレンビス4-アミノベンゾエート、ポリテトラメチレンオキシド-ジ-P-アミノベンゾエートなどの芳香族ポリアミン類が挙げられる。これらは、単独で用いても2種以上の硬化剤を配合して用いてもよい。さらに半導体装置の封止用途を考慮すると、耐熱性、電気的特性、機械的特性、密着性、耐湿性の観点から芳香族ポリアミン型硬化剤が一層好ましい。性状としては、熱硬化性液状封止樹脂組成物の流動性を確保するため液状の硬化剤が好ましいが、結果的に常温で液状の状態であれば固形の硬化剤を溶解させて用いることもできる。本発明の液状封止樹脂組成物は、無機充填材Cとして球状アルミナと球状シリカとの混合物を含む。高熱伝導と低誘電率、高隙間流入性とを兼備しており半導体装置の信頼性を十分保持可能で、且つ半導体素子と基板との隙間への流入が可能であれば含有量やサイズに制限はないが、無機充填材の含有量が70質量以上80質量以下であって、そのうち球状アルミナの含有量が30質量以上45質量以下であることが好ましい。特に無機充填材の含有量が73質量以上77質量以下であって、そのうち球状アルミナの含有量が33.5質量以上39.5質量以下であることが、高熱伝導と低誘電率、隙間流入性とを兼備させる観点から、さらに好ましい。無機充填材の含有量が下限値以上だと熱伝導率を上昇する効果が高くなり、上限値以下だと隙間流入性が良好である。球状アルミナの含有量が下限値以上だと熱伝導率をさらに上昇する効果が高く、上限値以下であると誘電率を低下させる効果が高くなる。球状アルミナと球状シリカのサイズについては、球状アルミナが平均径0.5μm以上3μm以下であり、且つ球状シリカが平均径0.25μm以上2μm以下であることが、特に半導体素子と基板との隙間が10~100μmの比較的狭い半導体装置への流入性の観点から、さらに望ましい。球状アルミナの平均径が下限値以上で、且つ球状シリカの平均径が下限値以上であると、隙間流入速度を上昇させる効果が高くなり、球状アルミナの平均径が上限値以下で、且つ球状シリカの平均径が上限値以下であると、隙間入口でのフィラー詰まり防止効果が高くなる。球状アルミナと球状シリカ以外の無機充填材も、本発明の効果である高熱伝導と低誘電率、高隙間流入性とが得られる範囲で加えることができ、そのようなものとしては窒化ケイ素や窒化アルミニウム、酸化マグネシウムなどを適宜併用することができる。その場合、熱伝導率と誘電率、隙間流入性とのバランスを最適化するため、球状アルミナと球状シリカの配合量やサイズ、塩基性化合物Dの配合量を適宜調整できることは当然である。本発明の液状封止樹脂組成物は塩基性化合物Dを含有する。塩基性化合物とは、液状封止樹脂組成物に加えることで封止樹脂系全体のpH値を塩基性方向へ移行させるように働き、そのことによって球状アルミナと球状シリカの表面電位をマイナス方向へ変位させることで各々の封止樹脂系への分散性を改善し、粘度を低下できるので隙間流入性を向上させることができる。それと同時に、球状アルミナと球状シリカとの静電気的相互作用を弱められるので、未充填ボイドや巻き込みボイド、揮発ボイドなど熱伝導を妨げる各種ボイドの発生を抑制できることから、高い熱伝導率を得ることができる。従って、塩基性化合物Dとして、封止樹脂物全体のpH値を塩基性方向へ移行し得るものであれば特に制限はないが、そのようなものとしては、例えばヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミンなどの1級アミン類、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、イソプロピルベンジルアミン、ジヘキシルアミン、ジオクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、ジデシルアミンなどの2級アミン類、イミノジエタノール、エチルアミノエタノール、イソプロピルアミノエタノール、ベンジルエタノールアミン、ジブチルアミノエタノール、アニリノエタノール、2-アミノ-2-エチル-1,3-プロパンジオール、イソプロパノールアミン、アミノメチルプロパノール、エタノールアミン、アミノプロパノール、ヘキサノールアミン、アミノエトキシエタノール、トリスヒドロキシメチルアミノメタンなどの1級,2級,3級アミノアルコール類、N2アミノエチル3アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N2アミノエチル3アミノプロピルトリメトキシシラン、N2アミノエチル3アミノプロピルトリエトキシシラン、3アミノプロピルトリエトキシシラン、3トリエトキシシリルN13ジメチルブチリデンプロピルアミンとその部分加水分解物、3トリメトキシシリルN13ジメチルブチリデンプロピルアミンとその部分加水分解物、Nフェニル3アミノプロピルトリメトキシシランなどの各種塩基性カップリング剤や、18ジアザビシクロ540ウンデカ7エンDBUあるいはその塩、15ジアザビシクロ430ノナ5エンDBNあるいはその塩などの塩基性物質などを挙げる事ができる。なかでも、18ジアザビシクロ540ウンデカ7エンDBUあるいはその塩、15ジアザビシクロ430ノナ5エンDBNあるいはその塩が封止樹脂系のpH値を塩基性に移行させる効果がより高く好ましい。塩基性化合物Dの配合量は、封止樹脂物全体のpH値を塩基性方向へ移行し得るものであれば特に制限はないが、0.005質量以上1.0質量以下であることが好ましい。特に封止樹脂系のpH値は、7より大きいことが好ましく、そのことによってシリカフィラーとアルミナフィラーそれぞれの樹脂系への分散性がいっそう向上し、粘度が低下して隙間流入性が向上する。それと同時にアルミナとシリカとの静電気的相互作用がいっそう弱まるので、未充填ボイドや巻き込みボイド、揮発ボイドなど熱伝導を妨げる各種ボイドの発生が抑制され、高い熱伝導率を得ることができる。さらに好ましくは、pH値8より大きいことが、シリカの等電点とアルミナの双方の等電点を上回るので、前記効果がいっそう高くなる。ここでpH値とは、水素イオン指数または水素イオン濃度指数を指す。pH値の決定方法は特に限定されないが、例えばリトマス試験紙などのpH試験紙、pH指示薬、pH電極やpHセンサーなどを用いた一般的なものを使用することができる。なお、pH値の決定に際しては、液状封止樹脂組成物のpH値を変動させない範囲で前処理を施したり、添加剤を加えたり、加熱や冷却などの操作も加えることができる。本願では、液状封止樹脂組成物0.01~0.1mlを、pHメーターのセンサー部に乗せ、その上から純水を0.02~0.2ml加えて検体とした。さらに、センサー部を傾けるなどして全体が検体で覆われるようにし、pH値が安定するまで静置し、表示されたpH値を液状樹脂組成物のpH値とした。本発明の液状封止樹脂組成物には、エポキシ樹脂A、硬化剤B、無機充填材Cとして球状アルミナと球状シリカとの混合物、塩基性化合物Dを含有する以外に、必要に応じて密着助剤、分散剤、ブリード防止剤、着色剤、消泡剤、希釈剤、顔料、難燃剤、レベリング剤などの各種添加剤を用いることができる。ただし、それらの添加物によって塩基性化合物の働きが抑えられる場合は、適宜塩基性化合物Dの配合量を増やすことで本発明の効果を維持できる。本発明の液状封止樹脂組成物は、上述した各成分、添加剤などをプラネタリーミキサー、三本ロール、二本熱ロール、ライカイ機などの装置を用いて分散混練したのち、真空下で脱泡処理して製造することができる。このような液状封止樹脂組成物は、半導体装置の製造プロセスにおける時間の短縮や半導体デバイスへの熱応力低減の観点から、150°C以下2時間以下の硬化条件でエポキシ樹脂の反応率が95以上であることが好ましい。その理由としては、反応率が95以上になると、高温保管などによる後硬化により、ガラス転移温度Tgや破壊靱性値などの物性が変化することが少なく、反りや剥離など半導体装置へ悪影響が低減されるからである。ここで硬化とは、エポキシ樹脂の熱硬化反応によって3次元網状構造を形成することを指し、その反応率YはDSC示差走査熱量測定により測定し、未硬化のサンプルの発熱量AmJ/mgと硬化後のサンプルの発熱量BmJ/mgを測定し、Y=1-B/A×100の計算式を用いて算出する。DSCによる発熱量測定はアルミパンにサンプルを20mg秤量し蓋をした後、SeikoInstruments社製DSC220を用い30-300°Cの温度範囲を10°C/minの昇温条件で測定し、横軸に温度°C縦軸にDSCmJ/mgをとったグラフにおけるベースラインを底辺とした反応ピークの面積として求めることができる。次に、半導体装置について説明する。本発明の半導体装置は、上述した液状封止樹脂組成物を用いて製造される。例えばフリップチップ接続の場合について説明すると、まず半田バンプを有する半導体素子と基板とを、リフロー装置を通して半田接続を行う。次に、半導体素子と基板との間隙に液状封止樹脂組成物を充填する。充填する方法としては、毛細管現象を利用する方法が一般的である。具体的には、半導体素子の一辺に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法、半導体素子の2辺に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法、半導体素子の中央部にスルーホールを開けておき、半導体素子の周囲に上記液状封止樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法などが挙げられる。また、一度に全量を塗布するのではなく、2度に分けて塗布する方法なども行われる。次に、充填した上記液状封止樹脂組成物を硬化させる。硬化条件は、特に限定されないが、例えば100°C~170°Cの温度範囲で1~12時間加熱を行うことにより硬化できる。さらに、例えば100°Cで1時間加熱した後、引き続き150°Cで2時間加熱するような、段階的に温度を変化させながら加熱硬化を行っても良い。このようにして、半導体素子と基板との間が、液状封止樹脂組成物の硬化物で封止されている半導体装置を得ることができる。このような半導体装置には、フリップチップ方式の半導体装置、キャビティーダウン型BGABallGridArray、POPPackageonPackage型BGABallGridArray、TABTapeAutomatedBonding型BGABallGridArray、CSPChipScalePackage等が挙げられる。以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例1~7比較例1~3下記に示すエポキシ樹脂Aと硬化剤B、無機充填剤Cとして球状アルミナと球状シリカとの混合物、塩基性化合物D、その他に希釈溶剤、密着助剤を表1に示した組成で配合、それを3本ロールにて十分に混練分散した後、真空脱泡して液状封止樹脂組成物を得た。なお、塩基性化合物と希釈溶剤とは予め室温混合したものを用いた。○エポキシ樹脂A大日本インキ化学工業株製EXA-830LVPジャパンエポキシレジン株製JER-630○硬化剤B日本化薬株製カヤハードAA○無機充填材C球状アルミナフィラーアドマテクス株製AO-502:平均径0.7μm昭和電工株製CB-P02:平均径2.0μm球状シリカフィラーアドマテクス株製SO-E3:平均径1μmアドマテクス株製SO-E5:平均径1.5μm○塩基性化合物D1,8-ジアザビシクロ5,4,0ウンデセン-7DBUDBU-フェノール塩サンアプロ製U-CATSA-11,5-ジアザビシクロ4,3,0ノネン-5DBN○希釈溶剤ブチルセロソルブアセテートBCSA○密着助剤信越化学株製KBM-403測定及び評価得られた液状封止樹脂組成物および半導体装置について、以下の測定及び評価を行った。得られた結果を表2に示す。1.pHの測定各液状封止樹脂組成物0.05mlを、予め校正液を用いて校正されたHORIBA製コンパクトpHメーターB-211のセンサー部に乗せ、その上から純水約0.1ml加えて検体とした。さらに、センサー部を傾けるなどして全体が検体で覆われるようにし、センサー部の蓋を閉めてpH値が安定したとの表示が出るまで静置した。表示されたpH値を液状樹脂組成物のpH値とした。2.熱伝導率の測定と評価各液状封止樹脂組成物について、150°C雰囲気下で2時間加熱して得られる硬化物の熱拡散率α、密度ρおよび比熱Cpを下記方法によってそれぞれ測定して求め、式1により熱伝導率λを算出した。熱拡散率αは、熱拡散率測定装置LFA447NanoflashNETZSCH社製を用い、JISR1611:2011最小二乗法に準拠したレーザーフラッシュ法によって測定、密度ρはJISK7112A法に準拠した水中置換法によって測定、また比熱Cpについては示差走査熱量計DSC7PERKIN-ELMER社製を用い、JISK7123に準拠した方法によって測定した。熱伝導率の評価については、熱伝導率値が0.8W/mK以上のものは良好、0.8W/mK未満のものは不可と判定した。λ=α×ρ×Cp式1λ:熱伝導率W/mKα:熱拡散率m2/secρ:密度kg/m3Cp:比熱J/kgK3.誘電率の測定と評価各液状封止樹脂組成物について、150°C雰囲気下で2時間加熱して得られる硬化物直径50mm、厚さ3mmの測定周波数1MHzにおける誘電率を、JISK6911に準拠した方法によって測定した。誘電率の評価の評価については、誘電率値が5以下のものは良好、誘電率値が5を超えるものは不可と判定した。4.隙間流入性バンプサイズ100μm、バンプ数3872個の半田バンプが設けられた15mm角の半導体素子と、BT基板ビスマレイミドトリアジン基板、接続パッド:金メッキ表面とを、ロジン系フラックス剤タルチンケスター社製Kester6502を使用し、260°Cで加熱して半田を溶融接合して得られた、半導体素子とBT基板との隙間が80μmの半導体装置を、110°Cに加熱した熱板上に乗せ、半導体素子とBT基板との隙間に前記の液状封止樹脂組成物を半導体素子の一辺から毛細管現象を利用して充填した後、150°Cで2時間硬化封止して半導体装置を得た。得られた半導体装置を、超音波深傷装置を用いて検査し、未充填部の無かったものを良好、未充填部のあったものを不可と判定した。"