発光ダイオードであって、以下を具備する:n型窒化物半導体層93、多重量子井戸層94、p型窒化物半導体層95、窓電極層96、p側電極97、およびn側電極98、ここで、前記n型窒化物半導体層93、前記多重量子井戸層94、前記p型窒化物半導体層95、前記窓電極層96、および前記p側電極97は、この順に積層され、前記n側電極98は前記n型窒化物半導体層93に電気的に接続され、前記窓電極層96は、単結晶n型ITO透明電極膜11および単結晶n型ZnO透明電極膜12を具備し、前記p側窒化物半導体層95は、前記単結晶n型ITO透明電極膜11に接しており、単結晶n型ITO透明電極膜11は、単結晶n型ZnO透明電極膜12に接しており、前記p側電極97は、前記単結晶n型ZnO透明電極膜12に電気的に接続されており、前記単結晶n型ITO透明電極膜11はInだけでなくGaをも含有し、前記単結晶n型ITO透明電極膜11は、0.08以上0.5以下のGa/InGaのモル比を有し、前記単結晶n型ITO透明電極膜11は、1.1nm以上55nm以下の厚みを有し、前記発光ダイオードは、前記単結晶n型ZnO透明電極膜12上に形成された複数の単結晶ZnOロッド13をさらに具備し、前記単結晶ZnOロッド13の各先端部は、複数の針の形状を有するように分岐しており、前記単結晶ZnOロッド13の各下部は、下方向の突起を有する。発光ダイオードから光を放出させる方法であって、以下の工程a~工程bを具備する:請求項1に記載の発光ダイオードを用意する工程a、および前記n側電極98および前記p側電極97の間に電位差を印加し、前記発光ダイオードから光を放出させる工程b。GaN上に通常の方法によって形成されたITOは多結晶である。多結晶における結晶粒界のために光は散乱されやすい。これは光取り出し効果を低下させることをもたらす非特許文献2を参照。非特許文献3および非特許文献4は、酸化亜鉛ZnOから構成される窓電極層が、ITOと比較して、高い光取り出し効率を有することを開示している。この理由は、p型GaN上に単結晶のZnOが成長され得るからである。言うまでもないが、単結晶は、光の散乱を引き起こす結晶粒界を有さない。しかし、ZnOの仕事関数の深さは、p型GaNの価電子帯端のエネルギー準位と比べて相対的に小さい。この理由のため、p型GaNに接するZnOは、高い接触抵抗を有する。すなわち、窓電極層からの光抽出効率の向上およびp型GaNに接する窓電極層の接触抵抗の低減の間には、矛盾が存在する。本発明の目的は、窓電極層からの光抽出効率の向上およびp型GaNに接する窓電極層の接触抵抗の低減を同時に達成する発光ダイオードを提供することである。本発明は、以下を具備する発光ダイオードである:n型窒化物半導体層93、多重量子井戸層94、p型窒化物半導体層95、窓電極層96、p側電極97、およびn側電極98、ここで、前記n型窒化物半導体層93、前記多重量子井戸層94、前記p型窒化物半導体層95、前記窓電極層96、および前記p側電極97は、この順に積層され、前記n側電極98は前記n型窒化物半導体層93に電気的に接続され、前記窓電極層96は、単結晶n型ITO透明電極膜11および単結晶n型ZnO透明電極膜12を具備し、前記p側窒化物半導体層95は、前記単結晶n型ITO透明電極膜11に接しており、単結晶n型ITO透明電極膜11は、単結晶n型ZnO透明電極膜12に接しており、前記p側電極97は、前記単結晶n型ZnO透明電極膜12に電気的に接続されており、前記単結晶n型ITO透明電極膜11はInだけでなくGaをも含有し、前記単結晶n型ITO透明電極膜11は、0.08以上0.5以下のGa/InGaのモル比を有し、前記単結晶n型ITO透明電極膜11は、1.1nm以上55nm以下の厚みを有し、前記発光ダイオードは、前記単結晶n型ZnO透明電極膜12上に形成された複数の単結晶ZnOロッド13をさらに具備し、前記単結晶ZnOロッド13の各先端部は、複数の針の形状を有するように分岐しており、前記単結晶ZnOロッド13の各下部は、下方向の突起を有する。発光ダイオードから光を放出させる方法であって、以下の工程a~工程bを具備する:請求項1に記載の発光ダイオードを用意する工程a、および前記n側電極98および前記p側電極97の間に電位差を印加し、前記発光ダイオードから光を放出させる工程b。本発明の発光ダイオードは、窓電極層からの光抽出効率の向上およびp型GaNに接する窓電極層が有する接触抵抗の低減を同時に達成する。図面を参照しながら、以下、実施の形態を説明する。実施の形態1図1Aおよび図1Bは、実施の形態1による発光ダイオードの断面図を示す。図1に示される要素が図13に示される要素と同一である場合、同一の符号が用いられ、説明を省略する。実施の形態1による窓電極層は、Gaをドープした単結晶ITO透明電極膜11および単結晶n型ZnO透明電極膜12から構成される。単結晶n型ZnO透明電極膜12の上には、p側電極97が形成されている。p側電極97の例は、チタンTi及びアルミニウムAlから構成される二層膜である。n側電極98の例は、チタンTi及びアルミニウムAlから構成される二層膜である。図2A~図6は、実施の形態1による発光ダイオードを製造する方法を示す。III族窒化物半導体の結晶成長法として、MOCVD法が用いられる。ガリウムGa源の例は、トリメチルガリウムTMGである。アルミニウム源の例は、トリメチルアルミニウムTMAである。インジウム源の例は、トリメチルインジウムTMIである。窒素源の例は、アンモニアNH3である。n型ドーパントの原料の例は、シランSiH4である。p型ドーパントの原料の例は、シクロペンタジエニルマグネシウムCP2Mgである。図2Aに示されるように、0001面の主面を有するサファイヤ基板91上に、およそ500°Cの低温MOCVD法によってGaN低温バッファ層92が成長される。その後、およそ900°CのMOCVD法によって、n型GaNから構成されるn型クラッド層93、多重量子井戸層94、およびp型GaNから構成されるp型クラッド層95が、この順で成長される。当該多重量子井戸層94の例は、InxGa1xNとGaNとが交互に積層することにより形成された多層膜である。次に、図2Bに示されるように、窓電極層が形成される。単結晶ITO透明電極膜11は、Gaを含有する。単結晶ITO透明電極膜11におけるGa/GaInのモル比は、0.08以上0.5以下である。0.08未満のGa/GaInのモル比は、ITO透明電極膜11を多結晶にすることをもたらしてしまう。0.5を超えるGa/GaInのモル比は、単結晶ITO透明電極膜11の結晶性を低下させることをもたらしてしまう。単結晶ITO透明電極膜11は、1.1nm以上55nm以下の厚みを有する。1.1nm未満の厚みは、接触抵抗を増加させることをもたらしてしまう。55nmを超える厚みは、n型ITO透明電極膜11を多結晶にすることをもたらしてしまう。単結晶ITO透明電極膜11は、パルスレーザー堆積法PLD法により成長され得る。より具体的には、ガリウムGaをドープしたITO膜と、p型クラッド層95を具備するサファイヤ基板91とを平行に配置する。当該ITO膜に、248nmの波長を有するエキシマレーザを斜めに照射することによって、ITO膜のアブレーションを介して単結晶ITO透明電極膜11がp型クラッド層95上に形成される。PLD法における気圧の例は1×103Pa以下である。サファイヤ基板91の温度の例は、およそ250°Cである。単結晶ITO透明電極膜11の上に、単結晶n型ZnO透明電極膜12が成長される。単結晶n型ZnO透明電極膜12は、単結晶ITO透明電極膜11と同様、ZnO膜を用いたPLD法により成長される。PLD法における酸素ガス分圧の例は2×101Paである。PLD法におけるサファイヤ基板91の温度の例は、400°Cである。単結晶n型ZnO透明電極膜12は、AlまたはGaを含有し得る。AlまたはGaを含有する単結晶n型ZnO透明電極膜12は、AlまたはGaを含有するZnO膜を用いたPLD法により形成される。図3Aに示されるように、n型GaNクラッド層93が表面に露出するまで、多重量子井戸層94~単結晶n型ZnO透明電極膜12の一部がドライエッチングにより除去される。次いで、図3Bに示されるように、単結晶ZnO透明電極膜12およびn型GaNクラッド層93の上に、それぞれ、p側電極97およびn側電極98が、リフトオフ法により形成される。図4Aに示されるように、フォトレジスト21が塗布され、p側電極97、単結晶ZnO透明電極膜12、およびn側電極98を覆う。次いで、図4Bに示されるように、周期的な複数の開口部51がフォトレジスト21に形成される。当該各開口部51の形状の例は、円形である。フォトレジスト21に代えて、樹脂、シリコン酸化膜、およびシリコン窒化膜がマスク層として用いられ得る。さらに、図5Aおよび図5Bに示されるように、開口部51に露出する単結晶ZnO透明電極膜12の上に、液相エピタキシャル法により単結晶のZnOロッド13が形成される。当該液相エピタキシャル法においては、ヘキサメチレンテトラミンCH26N4およびポリエチレンイミンCH2CH2NHnを含有する硝酸亜鉛溶液が用いられる。当該硝酸亜鉛溶液のpHの例は、5以上7以下である。好ましくは、硝酸亜鉛の濃度は0.01mol/L以上0.08molL以下である。好ましくは、ポリエチレンイミンCH2CH2NHnの濃度は0.002molL以上0.01molL以下である。これらの濃度が、ロッドの先端に複数の針の形状を持たせることを可能にする。図5Aに示されるように、ZnOロッド13の高さがフォトレジスト21の厚みより小さい間は、ZnOロッド13は開口部51の内部にのみ成長する。一方、図5Bに示されるように、ZnOロッド13の高さがフォトレジスト21の厚みより大きくなった後は、ZnOは高さ方向だけでなく、サファイヤ基板91の表面に平行な方向にも成長する。このようにして、下方向の突起を下部に有する複数のZnOロッド13が形成される。突起の幅はロッド13の上部の幅よりも狭い。最後に、図6に示されるように、フォトレジスト21が除去され、発光ダイオードを得る。図6に示されるように、長さL1は下方向の突起の高さである。長さL2は、ロッド13の高さである。長さL2は、針の高さを含まない。長さL3は、針の高さである。ピッチpは、隣接する2つのロッド13の中心間隔を意味する。実施の形態1によれば、p型GaNクラッド層95の上に単結晶n型ITO透明電極膜11が成長する。さらに、単結晶n型ITO透明電極膜11の上に、GaNと同一の方位を有する単結晶n型ZnO透明電極膜12が成長する。単結晶の窓電極層では、多結晶の窓電極層とは異なり、結晶粒界による出力光の散乱が生じないので、光抽出効率が向上される。さらに、単結晶n型ITO透明電極膜11は、多結晶のITOと比較して、p型GaNクラッド層95に対して極めて低い接触抵抗を有する。先端に針状の形状を有する単結晶のZnOロッド13は、光出力を向上する。液相エピタキシャル法は、ZnOロッド13がエッチングを用いずに形成されることを可能にする。実施例1以下の実験例は、本発明をさらにより詳細に説明する。まず、MOCVD法を用いて、2μmの厚みを有するGaNからなるバッファ層92をサファイヤ基板91の上に成長した。Siがドーピングされたn型GaNクラッド層93をバッファ層92上に成長した。InxGa1xNおよびGaNの積層成長を5回、繰り返し、多重量子井戸層94をn型GaNクラッド層93の上に成長した。xは0.01以上0.20以下であることが好ましいため、実施例1ではxは0.12に設定された。多重量子井戸層94を成長するためのInxGa1xNおよびGaNの積層成長の回数は1回以上10回以下であり得る。Mgがドーピングされたp型GaNクラッド層95を多重量子井戸層94の上に成長した。その後、窒素雰囲気中おいて800°Cで30分間アニールすることにより、ドーパントを活性化した。VanderPauw法を用いて測定したp型GaNのキャリア濃度は1.9×1017cm3であった。キャリア型はp型であることを、本発明者らは確認した。2×104Paの真空度を有するチャンバーに、当該サファイヤ基板91を装填した。サファイヤ基板91の温度を250°Cに上昇させた。PLD法を用いて、Gaを含有するITO膜を成長した。Gaを含有するITO膜を、以下、GITO膜という。チャンバーに酸素ガスを導入した。当該酸素ガスの分圧は2×101Paに設定された。サファイヤ基板91の温度を400°Cに上昇させた。PLD法を用いて、Gaを2atomドーピングしたn型のZnO膜以下、ZnO膜を成長した。Gaを2atomドーピングしたZnOとは、0.02のGa/GaZnモル比を有するZnOを意味する。成膜中のITO膜およびZnO膜の結晶成長状態は、チャンバーに取り付けられている反射電子線回折ReflectiveHighEnergyElectronDiffraction、以下RHEED装置でその場観察により確かめられた。まず、本発明者らは、GITO膜の結晶成長状態と、その上に成長したZnO膜の結晶成長状態を観察した。当該観察においては、当該GITO膜に含まれるGaの添加量を変化させた。表1は、0、0.08、0.3、および0.5のGa/InGaモル比を有する各ITO膜厚み1.1nm、およびその上に成長した100nmの膜厚を有する各ZnO膜の結晶成長状態を示す。当該結晶成長状態は、RHEED装置を用いてその場観察により得られた。Gaを含有しないITO膜すなわち、Ga/GaIn=0の上にZnO膜を成長した場合、図7Aに示されるように、RHEEDは暗いスポットおよびリングが混在したパターンを示した。これは、多結晶のITO膜および多結晶のZnO膜が成長したことを意味する。これに対して、0.08のGa/GaInのモル比を有するGITO膜およびその上のZnO膜を成長した場合、図7Bに示されるように、RHEEDは明瞭なストリークパターンを示した。これは、単結晶のGITO膜および単結晶のZnO膜の両者がエピタキシャルな方位関係を持つように、単結晶のGITO膜および単結晶のZnO膜が成長したことを意味する。推定であるが、GITO膜は、Gaを有しないITOとは異なる結晶系を有しているため、ZnOがGITO膜上に容易にエピタキシャル成長すると考えられる。0.3または0.5のGa/GaInのモル比を有するGITO膜およびその上のZnO膜を成長した場合、図7Cおよび図7Dに示されるように、RHEEDはストリークパターンを示した。これは、エピタキシャルな方位関係を有する単結晶のGITO膜および単結晶のZnO膜が成長したことを意味する。しかし、Gaの添加量の増加はRHEEDのパターン強度の低下をもたらし、結晶性を幾分低下させた。0.08のGa/GaInのモル比を有するGITO膜は、最も優れた結晶性を有する単結晶ZnO膜の成長をもたらした。表1および図7A~図7Dから理解されるように、単結晶n型ITO透明電極膜11におけるGa/GaInのモル比は、0.08以上0.5以下であることが必要とされる。単結晶ITO透明電極膜11の厚みの考察次に、本発明者らは、異なる厚みを有する複数のGITO膜の結晶成長状態と、その上に形成したZnO膜の結晶成長状態を観察した。表2は、0nm、1.1nm、11nm、55nm、および111nmの厚みを有するGITO膜、およびその上に形成した100nmの厚みを有するZnO膜の結晶成長状態を示す。当該GITO膜は、0.08のGa/GaInのモル比を有していた。当該結晶成長状態は、RHEED装置を用いてその場観察により得られた。GITO膜なしでGaN上に成長したZnO膜のRHEEDは、図8Aに示されるように、明瞭なストリークパターンを示した。これは、単結晶のZnO膜が成長したことを意味する。1.1nm、11nm、および55nmの厚みを有するGITO膜の上に成長したZnO膜のRHEEDは、それぞれ図8B、図8C、および図8Dに示されるように、明瞭なストリークパターンを示した。これらはいずれも、GITO膜とエピタキシャルな方位関係を有する単結晶のZnO膜が成長したことを意味する。GITO膜の厚みの増加は、RHEEDパターン強度の低下をもたらし、結晶性を低下させた。111nmの厚みを有するGITO膜のRHEEDは、図8Eに示されるように、暗いスポット状を有するパターンであった。これは、多結晶のGITOが成長したことを意味する。表1、表2、図7A~図7D、および図8A~図8Eから理解されるように、0.08以上0.50以下のGa/GaInのモル比を有し、かつ1.1nm以上55nmの厚みを有するGITO膜は単結晶であり、かつその上に単結晶ZnO膜が成長する。図9AはSEM写真像である。図9Aにおける符号31は、0.08のGa/GaInのモル比および1.1nmの厚みを有するGITO膜上に成長された100nmの厚みを有するZnO膜の領域を指し示す。符号32は、当該GITO膜およびZnO膜の一部をフッ酸を用いたウェットエッチング法によって除去することによって露出したGaN膜の領域を指し示す。このZnO膜の領域31と、GaN膜の領域32に対して、後方散乱電子回折ElectronBackscatterDiffraction、以後EBSDと略す法によって得られた極点図から結晶方位関係を決定した。図9Bは、ZnO膜からなる領域31の面からの極点図を示す。図9Cは、GaN膜からなる領域32の10-11面からの極点図を示す。図9Bおよび図9Cにおいては、6回対称の回折パターンが示された。さらに、ZnO膜の回折スポットがGaN膜のスポットに一致した。すなわち、この結果は、ZnO膜が間にGITO膜が存在するにも関わらずGaNに対してエピタキシャル成長することを示す。接触抵抗の測定本発明者らは、c-TLM法を用いて、p型GaNクラッド層95と単結晶ITO透明電極膜11との間の接触抵抗を測定した。表3から理解されるように、p型GaNクラッド層93の上に接触するZnO膜の接触抵抗は3.2×104Ω/cm2であり、非常に高かった。一方、0.08のGa/GaInのモル比を有し、111nmの厚みを有するGITO膜を間に挟むp型GaNクラッド層93および単結晶ZnO透明電極膜12の間の接触抵抗は6.4×102Ω/cm2であり、低かった。一方、0.08のGa/GaInのモル比を有し、1.1nmの厚みを有するGITO膜を間に挟むp型GaNクラッド層93および単結晶ZnO透明電極膜12の間の接触抵抗は7.9×103Ω/cm2であり、非常に低かった。図10は、7.9×103Ω/cm2の接触抵抗を有する発光ダイオードのI-V曲線を示す。図10から理解されるように、極めて優れたオーミック性を有するI-V特性が得られた。窓電極層の光透過率の測定本発明者らは、窓電極層の光透過率を測定した。図11は、波長300~500nmの光に対する透過スペクトルを測定した結果を示す。符号81は、0.08のGa/GaInのモル比および111nmの厚みを有する多結晶のGITO膜の透過スペクトルを指し示す。符号82は、0.08のGa/GaInのモル比および1.1nmの厚みを有する単結晶のGITO膜の上に成長された100nmの厚みを有する単結晶のZnO膜の透過スペクトルを指し示す。符号83は、100nmの厚みを有する単結晶のZnO膜の透過スペクトルを指し示す。スペクトル81と比較して、スペクトル82は高い透過率を示す。当該高い透過率は、ZnO単層構造のスペクトル83と同様である。従って、発光ダイオードの内部からの高い光抽出効率が期待できる。表4は、以下a~dの窓電極層の光透過率を示す。a:0.08のGa/GaInのモル比を有し、かつ1.1nmの厚みを有するGITO膜と、当該GITO膜上に成長された500nmの厚みを有するZnO膜とから構成される単結晶ZnO/GITO二層体、b:4nmの厚みを有するNi膜と、当該Ni膜上に形成された8nmの厚みを有するAuとから構成されるNi/Au二層体、c:230nmの厚みを有するITO膜、およびd:500nmの厚みを有する単結晶ZnO膜光透過率は、一定の動作電圧~3.5Vで発光ダイオードを点灯させながら、積分球を用いて測定した。表4から理解されるように、Ni/Au積層体と比較して、ITO膜は1.36倍の光出力を有する。しかし、単結晶ZnO膜は、Ni/Au積層体と比較して、0.43倍の光出力しか有しない。単結晶のZnO/GITO積層体は、Ni/Au積層体と比較して、1.54倍の光出力を有する。上記の実験例から理解されるように、0.08以上0.5以下のGa/GaInのモル比を有し、かつ1.1nm以上55nm以下の厚みを有する単結晶GITO透明電極膜と、当該単結晶GITO透明電極膜上に成長した単結晶ZnO膜とから構成される窓電極層は、低い接触抵抗および高い光出力を同時に達成した。単結晶ZnOロッド13の形成単結晶のZnO膜上に、複数の単結晶ZnOロッド13を、液相エピタキシャル法により、以下のように形成した。0.01~0.08mol/Lの濃度を有する硝酸亜鉛溶液に、0.01~0.08mol/Lの濃度を有するヘキサメチレンテトラミンCH26N4および0.002~0.01mol/Lの濃度を有するポリエチレンイミンCH2CH2NHnを添加した。溶液のph値を5から7に調整した。続いて、レジストを塗布した。レジストが逆テーパ形状にならないように電子線描画ElectronBeamLithography法によってレジストをパターニングした。このようにして、開口部51を形成した。発光ダイオードを溶液に浸漬した。溶液の温度が70°Cに維持されながら、10から30分、発光ダイオードを溶液に静置した。このようにして、図5Aおよび図5Bに示すように、開口部51に複数の単結晶ZnOロッド13が成長した。単結晶ZnOロッド13の成長速度は、およそ30nm/minであった。単結晶ZnOロッド13の高さは、成長時間を変化させることによって調節された。単結晶ZnOロッド13が成長した後、アセトンによりレジストが剥離された。図12Aは、1μmのピッチp図6参照を有する単結晶ZnOロッド13成長後の表面SEM観察像を示す。図12Bは、600nmのピッチpを有する単結晶ZnOロッド13成長後の表面SEM観察像を示す。図12Abに示されるように、各ロッド13は六角柱状の形状を有する。各ロッド13はファセット面を有する。ロッド13の各先端は、複数の針を有するように分岐している。1つの単結晶ZnOロッド13のファセット面の方位をXRDのφスキャンにより測定した。6回対称の回折が得られたので、当該ファセット面は1-100面と等価な面であることが明らかになった。これは、単結晶ZnOロッド13が単結晶であることを意味する。単結晶ZnOロッド13の上部は、開口部13よりも大きい幅を有する。各単結晶ZnOロッド13は、下部に突起を有する。UV-可視透過率測定による350nm~2.5μmの広い範囲の波長における単結晶ZnOロッド13の光透過率は、95以上であった。この値は、非常に高い。本発明者らは、単結晶ZnO膜を液相エピタキシャル法によって調製した。4端子法によって測定され当該単結晶ZnO膜の抵抗率は1.2×102Ωcmであり、比較的低かった。これは、単結晶ZnOロッド13が透明電極として使用され得ることを意味する。発光ダイオードの光出力の評価本発明者らは、積分球を用いて、得られた発光ダイオードの光出力を測定した。単結晶ZnOロッド13を形成する前の光出力は100a.u.であった。図12Bに示されるように、複数の単結晶ZnOロッド13が形成された。隣接する2つの単結晶ZnOロッド13は0.6μmの間隔を有していた。各単結晶ZnOロッド13は、0.6μmの高さを有していた。各単結晶ZnOロッド13は0.27μmの幅を有していた。下方向の各突起は0.22μmの幅を有していた。0.5nmの厚みを有するn型ZnO透明電極膜12の上に単結晶ZnOロッド13を形成した後の光出力は163a.u.であった。このことは、単結晶ZnOロッド13が光出力の効率を向上させることを意味する。推定であるが、これは、n型ZnO透明電極膜12の表面での光の反射によって引き起こされる戻り光の量が減少し、n型ZnO透明電極膜12の外部に抽出される光の量が増えたためである。本発明者らは、単結晶ZnOロッド13の上部における複数の針の形状がどれくらい光出力の向上に寄与するかを測定した。図5Bに示される単結晶ZnOロッド13を形成する際に、成長時間ならびに硝酸亜鉛、ヘキサメチレンテトラミン、およびポリエチレンイミンの濃度を変化させた。このようにして、異なる高さL3を有する針を先端に有する単結晶ZnOロッド13を形成した。表5は、高さL3と光出力の変化率を示す。高さL3が0.2以上0.25以下である場合、光出力は一定であった。一方、高さL3が0の場合、光出力の量が22低下した。これらのことから、高さL3が0.2以上0.25以下である場合、光出力の量が低下しないことがわかる。これは、ロッドの先端の針状形状は、光出力の低下を抑制することを意味する。