同軸構造の伝送線路において、中心導体が、複数の異なる導電率を持つ導体の層を有して構成された積層導体を有し、誘電体と接する側である表層側の導電体層の導電率が、誘電体から遠い内層側の導電体層の導電率と比べて低く、前記表層側の導電体層の厚みが、前記伝送線路を使用する周波数において、表皮深さより薄く、しかも前記伝送線路を使用する周波数において前記積層導体の抵抗で決まる前記伝送線路の単位長さあたりの抵抗Rが、前記伝送線路の単位長さあたりのインダクタンスL、単位長さあたりのコンダクタンスG、単位長さあたりのキャパシタンスCとの関係でR/G=L/Cとなるよう前記表層側の導電体層の導電率と厚みを調整することを特徴とする伝送線路。請求項1記載の伝送線路において、積層導体は前記中心導体だけではなく、外導体も複数の異なる導電率を持つ導体の層で構成され、前記誘電体と接する側に近い層の導電率が遠い層の導電率より低いことを特徴とする伝送線路。請求項1又は2に記載の伝送線路において、伝送線路構造が同軸構造だけに限らず、マイクロストリップ線路構造もしくはストリップ線路構造もしくは平行2線構造であることを特徴とする伝送線路。請求項1乃至3の何れか1項に記載の伝送線路において、特定の構造の伝送線路に限らず、誘電体と導体で構成される伝送線路であることを特徴とする伝送線路。請求項1乃至4の何れか1項に記載の伝送線路において、伝送線路を構成する導体のいずれかひとつもしくは複数が、複数の異なる導電率を持つ導体の層を有し表層側の導電率が内層側の導電率より低いことを特徴とする伝送線路。請求項1乃至5の何れか1項に記載の伝送線路を用いたことを特徴とするケーブルもしくはプリント配線基板。しかしながら、R/G=L/Cの条件に近づけるために線路にコイルを挿入する装荷線路の方法には問題がある。装荷線路の方法では、幅広い周波数帯域でR/G=L/Cの条件を満たせず、利用できる周波数帯域が狭いといった問題がある。また、R/G=L/Cの条件に近づけるために導体の抵抗を調整する方法には問題がある。Rの主な要因である導体の抵抗は、表皮効果により周波数の平方根に比例し増加する。それに対し、誘電損失が主な要因であるGは、周波数に比例して増加する。したがって、周波数の変化によるRとGの変化率が異なる。また、伝送線路として用いられる周波数においては、LやCはほとんど変化しない。そのため、広い周波数帯域でR/G=L/Cの条件を満たすことができない。また、特許文献1~2の表皮効果の影響を抑える方法では、問題がある。誘電損失が周波数とともに上昇するために発生するひずみを抑えることができないといった問題がある。また、特許文献3の表面に抵抗性導電部を持たせただけの伝送線路においては、R/G=L/Cの条件を満たさず、伝送線路の特性は悪化し、信号のひずみが発生してしまう。本発明の目的は、R/G=L/Cの条件をより幅広い周波数帯域で実現することで、信号の伝達特性を向上した伝送線路を提供することにある。[発明の特徴]複数の異なる導電率を持つ導体の層を有して構成された積層導体をひとつもしくは複数と、積層導体と積層導体もしくは積層導体と導体に挟まれた誘電体有し、層導電体は、誘電体と接する側に遠い内層側の導電体層に比べて、誘電体と接する側に近い表層側の導電体層の導電率が低い事を特徴とする。また、表層側の導電体層の厚みが、伝送線路を使用する周波数において、表層側の導電体層での表皮深さより薄く、しかも伝送線路を使用する周波数において積層導体の抵抗で決まる伝送線路の単位長さあたりの抵抗Rが、伝送線路の単位長さあたりのインダクタンスL、単位長さあたりのコンダクタンスG、単位長さあたりのキャパシタンスCとの関係において、R/G=L/Cを満たすよう表層側の導電体層の導電率と厚みを調整することを特徴とする。[作用]単位長さあたりのコンダクタンスGは、誘電損失が主な要素であるため、周波数に比例して増加する。それに対し、単位長さあたりの抵抗Rの増加は導体の抵抗が主な要素であるため、周波数の平方根に比例して増加する。つまり、周波数の上昇に対するGの増加に対しRの増加が少ないために、R/G=L/Cの条件を満たす領域が狭い。内層側の導電体層に比べて表層側の導電体層の導電率を低くした積層導体における表皮効果による抵抗の変化は、次のようになる。表皮効果の影響が少ない低周波では、電流は低い抵抗値である高い導電率の導体層に多く流れる。周波数が上昇すると表皮効果により、電流は高い導電率の導体層から、表面側の低い導電率を持つ導体層に多く流れるようになる。そのため、単一の導電率の導体の抵抗の変化は、電流の流れる面積の減少による抵抗値の変化だけであったのに対し、積層導体では電流の流れる面積が減少しさらにより低い導電率側に電流が集中するようになるため、抵抗の上昇が大きくなる。この変化は、表皮効果による抵抗の変化は周波数の増加に対し比例に近い増加をする。さらに、周波数が上昇し表面側の導体の導電率における表皮深さが表面側の導体層の厚みと同等以下になれば、表層側のほぼ表面側の導体層のみに電流が集中する。このときには、抵抗は周波数の平方根に比例して増加する。そのため、表層側の導電体層の厚みは表皮効果による電流が集中する厚みより薄くする必要がある。このときの導電率の変化をグラフにしたものを図7に示す。また、内層側の導電率のみで構成した場合の抵抗と、外層側の導電率のみで構成した場合の抵抗も同時に示す。積層導体の抵抗が周波数に比例して上昇する周波数帯域と積層導体の抵抗は、表層側の導電体層の導電率と厚みを変えることで調整可能である。そのため、伝送線路を利用する周波数で、積層導体の抵抗が周波数に比例して上昇する周波数範囲かつR/G=L/Cとなるように、表層側の導電体層の導電率と厚みを調整することで、広い周波数帯域でR/G=L/Cを満たすことができる。第1の効果は誘電体と接する側に遠い導電体層に比べて誘電体と接する側に近い導電体層の導電率が低くした積層導体を用い広い周波数帯域でR/G=L/Cを満たすことでひずみの少ない信号伝送を実現した伝送線路を提供することができる。以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。[構造]次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の第一の実施の形態である伝送線路の断面図である。導電率の高い導体で内層側に形成された内層側導体11aと導電率の低い導体で表層側に形成された表層側導体11bで形成された層内導体11が形成されている。その周りには誘電体13が形成されている。また、その周りには外導体12が形成されている。これらにより、内導体を積層導体とした同軸形伝送線路構造となっている。表層導体11bの導電率および厚みは、信号の周波数において、表皮効果により導体の抵抗が周波数に比例しかつ伝送線路の特性がR/G=L/Cとなるように調整されている。従って、広い帯域でR/G=L/Cとなり、伝送線路の特性インピーダンスや伝搬特性が広い帯域で一定となる。従って、本発明による層内導体11の存在により、信号をひずみなく伝播できる。[製法]次に、図1を参照して第1の実施の形態の製造方法を説明する。必要とする伝送線路の特性より、伝送線路の構造と使用する誘電体13および外導体12の材質および形状を決定する。また、層内導体11の形状、内層側導体11aの材質を決定する。これらのパラメータから伝送線路として使用する周波数から、LおよびC、Gを計算により求める。求めた値を元にR/G=L/CとなるRを求める。このRと内層側導体11aの導電率より、計算やシミュレータを用い、使用する周波数帯域でR/G=L/Cとなるように、表層側導体11bの材料および厚みを決定する。これらによって、伝送線路に用いる材料および構造を決定し、通常の伝送線路を作成する方法で、作成する。[発明の他の実施の形態]上記実施の形態において、積層導体の構造を内導体だけでなく、外導体も積層導体で構成することができる。そのための構成を図2に示す。この実施例においては、外導体も層構造となるため、外導体の抵抗の影響も考慮して単位長さあたりの抵抗Rを調整できる。上記実施の形態において、積層導体の構造を2層だけではなく3層以上の層構成で構成することができる。そのための構成を図3に示す。この実施例においては、より広い周波数において、抵抗の増加を周波数に比例するようにできるため、より広い周波数において特性の向上が行える。上記実施の形態において、伝送線路の構造を同軸線路だけではなく、マイクロストリップラインやストリップライン、平行2線などの伝送線路で構成することができる。そのための構成図を図4、5、6に示す。次に、具体的な実施例を用いて、第1の実施の形態の製造方法を説明する。特性インピーダンス50オームで200MHzまでの信号を通す伝送線路を作成する。誘電体として誘電率4.3、tanδ0.015のエポキシ樹脂を用い、内導体の直径を1mmで構成する。このとき、特性インピーダンスを50オームにするためには、外導体の内径は、5.64mmとなる。外導体の外径は8mmとする。外導体および内導体の内層側導体は導電率59.8S/mの銅を用いて構成する。200MHzのとき、Lは346nH/mとなり、Cは138pF/mとなり、Gは2.61mS/mとなった。したがって、目指すRは、6.52Ω/mとなる。表面側の導体として導電率2.34S/mチタンを用いるとし、シミュレータにて表面側の厚みを調整したところ、厚み0.03mのときに目的の抵抗が得られた。したがって、内層側導体の内径を0.94mとし、外層側導体を外径1mm、内径0.94mmで構成すればよい。この構成において、シミュレーションにおいて効果を確認した。1mの長さで、内導体を銅のみにて構成した場合と本実施例における伝送線路の反射特性と遅延特性を比較する。その結果の反射特性を図8、遅延特性を図9に示す。反射特性と遅延特性ともに本実施例のほうが小さい。また、遅延特性は本実施例ではほぼ一定の遅延となっており、周波数による遅延差が少ないため、信号のひずみが少なくなる。