長手方向軸線及び横断面を有する半導体材料から成る結晶から多数のウェハを切断する方法において、テーブルに固定された結晶が該テーブルとワイヤソーのワイヤ群との相対移動によって案内され、切断ワイヤによって行われる進入切断が結晶の引上げエッジの近くにおいて行われるか又は切断ワイヤによって行われる退出切断が結晶の引上げエッジの近くにおいて行われるように、前記相対移動が、結晶の長手方向軸線に対して垂直な方向に、切断ワイヤによって形成されたワイヤ群を通過するように方向付けられることを特徴とする、多数のウェハを切断する方法。結晶が、シリコンから成り、結晶方位100、110又は111を有している、請求項1記載の方法。低いワープを有するウェハが望まれる場合、切断ワイヤによって行われる退出切断が引上げエッジの近くにおいて行われるように、結晶がワイヤ群を通過して案内される、請求項1又は2記載の方法。高いワープを有するウェハが望まれる場合、切断ワイヤによって行われる進入切断が引上げエッジの近くにおいて行われるように、結晶がワイヤ群を通過して案内される、請求項1又は2記載の方法。本発明の課題は、これらの観察の真相を究め、ワイヤ切断のための新規の方法を提供することである。本発明の課題は、請求項1に記載の方法によって達成される。結晶片は、結晶方位に依存した形式及び引上げエッジの位置に依存した形式で、テーブル又は取付けプレートに固定され、その後、進入切断工程が引上げエッジのうちの1つのすぐ近くにおいて行われるか又は退出切断工程が引上げエッジのうちの1つのすぐ近くにおいて行われるように、ワイヤソーにおいて半導体ウェハに分割される。発明者は、半導体ウェハのワープ値が、ワイヤソーによる進入切断工程が開始するところの加工物の結晶平面に極めて著しく依存するということを確認した。既に上で説明したように、加工物はワイヤ群を通過するように案内され、すなわち、進入切断は、加工物の極めて特定の位置において行われ、退出切断は、反対側の位置において加工物の側面に行われる。驚くべきことに、退出切断が引上げエッジにおいて行われると低いワープ値が生ずることが分かった。これを達成するために、加工物は、引上げエッジの領域における側面において、ソーイングストリップ、支持体又はワイヤソーのテーブルに固定される。これに対して、進入切断が引上げエッジのうちの1つにおいて行われるように結晶が支持体に固定されると、高いワープ値が生ずる。引上げエッジの数は、原理的に、結晶構造の対称性によって予め決まっている。つまり、例えば111シリコン結晶は、3つの引上げエッジを有している図1参照。切断される加工物は、好適には、シリコンから成る単結晶である。シリコン単結晶は、好適には、結晶方位100、110又は111を有している。増大したワープを生ずるために好適には進入切断が引上げエッジにおいて行われる。これは、例えば半導体ウェハのエピタキシャルコーティングが提供されている場合、後続の方法工程にとって有利である。以下に2つの図面を参照しながら発明を説明する。結晶片は、帯のこによって2つの部分に切断された。2つの結晶片11及び12は、取付けプレート又はソーイングストリップ3に別個にセメント結合された。2つの結晶片11及び12は、結晶方位111を有している。111結晶は、3つの引上げエッジpullingedge2を有している。4はワイヤソーのワイヤ群を示している。結晶片12は、側面において、引上げエッジ22の近くにおいてソーイングストリップ3に固定されている引上げエッジにおける退出切断。結晶片11は、引上げエッジ21と反対側に位置する側面によって、ソーイングストリップ3に固定されている引上げエッジにおける進入切断。両結晶片11及び12は、同じ加工条件を保証するために、1回の作業で切断される。5は、加工物11及び12とワイヤ群4との相対移動の方向vを示している。全ての切断されたウェハが、ワープについて試験され、これにより、図2に示された分布を示した。引上げエッジにおける退出切断の場合、オーダだけ優れたワープ分布7が見られる。6は、進入切断が引上げエッジにおいて行われた単結晶のためのワープ分布を示している。