ガラス、ガラスセラミック、または半導体から、応力を緩和しながら穿孔された加工品を製造する方法であって、a穿孔する加工品を準備する準備工程であって、前記加工品の材料は軟化する遷移温度を有する材料である前記準備工程と、b前記加工品の全体を前記遷移温度に近い温度範囲まで加熱する工程と、c好適な周波数またはパルス波形の高電圧電界を用いての前記加工品の穿孔工程であって、前記高電圧電界では、穿孔箇所に流れる電流を増加させ、それが前記穿孔材料を加熱して蒸発させるものである前記穿孔工程と、d前記穿孔された加工品を、前記遷移温度範囲から室温まで、前記穿孔プロセスによって生じる機械的応力が緩和する速度で冷却する冷却工程と、を具備する方法。請求項1に記載の方法であって、前記加工品の前記軟化は1012デシパスカル秒から1014デシパスカル秒の粘度範囲内に入る方法。請求項1または2に記載の方法であって、前記冷却速度は、毎分摂氏マイナス0.5度から毎分摂氏マイナス5度の範囲内の速度である方法。請求項3に記載の方法であって、前記遷移温度範囲付近での冷却中の加工品としての穿孔されたガラス板に対する前記冷却速度は、毎分摂氏マイナス2度±50パーセントである方法。請求項1から4のいずれか一項に記載の方法であって、無アルカリガラスまたは低アルカリガラスから作られた加工品に対して、摂氏650°Cから摂氏730の範囲にある加熱温度が用いられる方法。請求項1から5のいずれか一項に記載の方法であって、前記工程dにおいて、前記穿孔された加工品が室温まで冷却される前に、前記穿孔された加工品の再加熱を行う方法。請求項6に記載の方法であって、再加熱は、前記加工品材料の前記遷移温度に近い温度範囲に至るまで達成される方法。したがって、本発明の目的は、電熱的に穿孔される、ガラス、ガラスセラミックまたは半導体の穿孔加工品を、応力を緩和しながら製造する方法を提供することである。本発明によれば、穿孔される加工品を、加工品の材料が軟化する遷移温度に近い温度範囲まで加熱するが、加工品の変形のリスクが生じるほど長い間この温度範囲に留めておかない。好適な周波数またはパルス波形の高電圧電界に基づいて、加工品を穿孔する。このプロセスの間に電流フローが増加し、したがって、穿孔材料を加熱して蒸発させる。ここで、加工品の他の領域よりも穿孔の縁領域においてより高い温度を有する穿孔された加工品を、穿孔プロセスによって引き起こされた機械的応力が緩和するようにゆっくりと冷却することが可能である。冷却工程も同様に、穿孔された加工品を再加熱してから室温まで冷却するペンジュラム方式による焼き鈍しによって達成することができる。好適には、再加熱は、加工品材料の遷移温度前後の温度範囲に至るまで行われる。本発明によって、熱によって誘導される応力状態の形成を大きく回避して、または既に存在している応力状態を軽減し若しくは除去することにある。本発明を、穿孔された加工品を製造するプロセスを概略的に示す図面を参照して説明する。ガラス、ガラスセラミックまたは半導体の板状加工品1が炉2内に配置されて、その炉内で加工品材料の遷移温度に近い温度まで加熱される。遷移温度において材料は軟化するが、加工品は、遷移温度に近い温度までの加熱がなされていなければこの遷移温度における短い滞留時間中にその形が崩れる。この遷移温度に近い温度は、1012デシパスカル秒から1014デシパスカル秒の粘度範囲、すなわち遷移温度のちょうど前後の範囲に対応する。このようにして熱的に前処理された加工品1を、加工スペース30と電極31及び対電極32とを備える穿孔装置3内に配置する。加工品1が適切な周波数またはパルス波形の高電圧電界にさらされるように、高電圧発生器33が電極31、32を励起する。高電圧電界は、矢印34によって示されている個々の箇所において感知可能である。これらの箇所では、高電圧電界は加工品1の材料の絶縁耐力を上回り、その結果電流が加工品を横切って流れ、これにより材料が局所的に加熱され、したがって、材料がこれらの箇所において蒸発するまで電流が増加し、また産熱量が増加する。いわば、個々の孔10が開けられる。これらの孔10は、加工品表面に対して実質的に垂直に形成され、概ね円形の輪郭を有する。孔10が形成されると、加工品1は、ここでは徐冷窯として作動される炉2内に再び移される。冷却速度は、穿孔プロセスによって生じる機械的応力が緩和するような速度である。冷却速度は、毎分摂氏マイナス0.5度から毎分摂氏マイナス5度の範囲内にあるものとすることができる。ガラスの加工品に対しては、約毎分摂氏マイナス5度の冷却速度が、遷移温度に近い温度範囲では好ましい。遷移温度から遠い温度範囲では、応力緩和が既に生じているため、冷却をより急速に達成することができる。無アルカリガラスまたは低アルカリガラスの場合、遷移温度は約摂氏700度である。用いられる加熱温度は摂氏650度から摂氏730度に及ぶ。本発明の別の実施形態によれば、炉2をペンジュラム法による焼き鈍し炉として作動させることができる。これは、穿孔された加工品を、遷移温度に近い温度範囲まで再加熱し、そして再び冷却することができるため、加工品の完全緩和を期待することができることを意味する。