半導体ウェハに形成された自然酸化膜を除去した後に前記半導体ウェハを窒素雰囲気で保管し、続いて重金属を含むシリカ源を前記半導体ウェハの上面もしくは下面に塗布してから前記シリカ源を硬化し、続いて前記半導体ウェハを熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記窒素雰囲気では、窒素が30リットル/分以上で流れていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体ウェハを前記窒素雰囲気にて保管する時間が10分以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記窒素雰囲気では窒素が100リットル/分以上で流れており且つ前記半導体ウェハを前記窒素雰囲気にて保管する時間が20分以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記シリカ源に含まれる重金属が、白金もしくは金であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記シリカ源に含有される白金もしくは金の含有濃度が0.1重量~10重量であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。実施の形態を以下の実施例で説明する。以下では、半導体ウェハをシリコンウェハとするが、シリコンでなくても構わず、例えばシリコンカーバイドSiC、あるいは窒化ガリウムGaNなどの半導体がある。図1は、この発明の一実施例の半導体装置の製造方法を示す工程フロー図である。この半導体装置は、例えば、白金拡散したpinダイオード100である。また、従来の工程と異なるのは工程4であり、シリコンウェハを乾燥させた後のシリコンウェハの保管を大気中で行なうのではなく大量の窒素を流した30リットル/分以上窒素雰囲気の保管箱16で行なう点である。その他の工程は従来の工程と同じである。まず、図2A及び図2Bに示すように、pinダイオード100を構成するアノード層となるp層3、ドリフト層i層となるn層2、カソード層となるn層1およびガードリングなどの耐圧構造4が形成され、絶縁膜7酸化膜が耐圧構造4上とp層3の外周端上を被覆するように形成されたシリコンウェハ10の表面にレジスト膜11を塗布硬化させた後、すでにシリコンウェハ10の裏面に形成されている自然酸化膜12をフッ化水素酸HF溶液にて除去する工程1。つぎに、図3に示すように、複数のシリコンウェハ10をカセット13に収納し、そのカセット13を水15の入った水槽14に浸漬し攪拌してシリコンウェハ10を洗浄する工程2。つぎに、シリコンウェハ10が収納されたカセット13をスピン乾燥機にセットして、シリコンウェハ10をスピン乾燥する工程3。このスピン乾燥はバッチ式である。つぎに、スピン乾燥機から図4に示す保管箱デシケータ16にシリコンウェハ10が収納された複数のカセット13を移動し、保管箱16で一緒に保管され次工程に入るまで待機する。保管箱16の構成は、例えばアクリル樹脂製の蓋16aおよび本体16bを、その接合面にOリングを介して密閉する。保管箱16の一方の側面図4の紙面の左側にはバルブからなる流入口21と、同じく対面の側面にはバルブからなる吹出口22が備えられている。保管箱16には、流入口21から30リットル/分以上好ましくは、100リットル/分以上の窒素17が流れており、吹出口22から保管箱16の外部へ流れ出ている。保管箱16にてシリコンウェハ10を保管するときには、蓋16aと本体16bが密閉されているので、大量の窒素17を保管箱16の内部に十分多く流すことができる。このように窒素を流すことで、酸素濃度が十分小さい例えば1以下窒素雰囲気にてシリコンウェハ10を保管することができる。またシリコンウェハ10の保管時間待機時間は10分未満でもよいが、好ましくは10分以上がよい工程4。保管されたカセット13は複数あり、順次工程5へ送られる。つぎに、カセット13はシリカ源塗布装置へ1個ずつ搬送され工程5、図5A及び図5Bに示すように、白金を含有したシリカ源18をシリコンウェハ10の裏面に1枚づつ塗布する工程6。このとき裏面は上側にする。このシリカ源塗布は枚葉式である。1個のカセット13分のシリコンウェハ10への塗布が終了した後、つぎのカセット13がシリカ源塗布装置に搬送される。そのため、最後のカセット13に収納されたシリコンウェハ10は長時間例えば、1時間程度待機状態にあるが、窒素17が大量に流れている保管箱16にシリコンウェハ10は入っているので、大気に晒される時間は保管箱16からカセット13を取り出す短い時間である。そのため、自然酸化膜の成長は抑制される。尚、シリカ源18は白金を0.1重量~10重量含有したペーストである。この白金の含有量が0.1重量未満になると導入量が少な過ぎて良好なダイオード特性が得られなくなる。また、10重量を超えると、結晶欠陥が多発して、やはり良好なダイオード特性が得られなくなる。また、この白金の含有量は略1重量が好ましい。つぎに、シリカ源18を塗布した後、シリコンウェハ10を恒温槽に搬送し、シリカ源18を硬化させる工程6。つぎに、図6A及び図6Bに示すように、シリコンウェハ10の表面のレジスト膜11を除去した後、裏面がシリカ源18で被覆がされたシリコンウェハ10を拡散炉にセットし、800°C以上例えば、950°C程度の高温でシリカ源18の白金19をシリコンウェハ10内に拡散する工程7。つぎに、シリコンウェハ10を拡散炉から取り出し、シリカ源18を除去し、シリコンウェハ10内に形成されたダイオードに電極アノード電極5、カソード電極6付けをする工程8。つぎに、ウェハ状態でダイオードのオン電圧、漏れ電流、耐圧などの素子特性を測定する工程9。つぎに、規定値から外れたチップには印を付け、チップ化した時に選別して、本発明の半導体装置100である、図7に示すような良品のダイオードが完成する工程10。工程4において、保管箱16に流す窒素17の流量を30リットル/分以上好ましくは、100リットル/分以上と大量にすることで、保管箱16の蓋16aを開けてカセット13の出し入れをした場合でも、常に窒素17の雰囲気でシリコンウェハ10を待機させることができる。その結果、待機時間保管時間に関係なくシリコンウェハ10に形成される自然酸化膜は薄い厚さに保持される。また、保管時間を10分以上好ましくは20分以上とすると、自然酸化膜の厚さは薄く一定に保持されるので、オン電圧などの素子特性のバラツキはさらに小さくなる。図8は、オン電圧のバラツキを示す図である。この図はオン電圧のヒストグラムであり、横軸はオン電圧であり、縦軸は頻度個数である。保管条件は、窒素の流量を100リットル/分、保管時間を20分以上とした。オン電圧のバラツキは2.60V~2.63Vの範囲であり、従来のバラツキ幅の25となるので、オン電圧のバラツキ幅を大幅に小さくできる。これは、窒素の流量を30リットル/分、保管時間10分以上とした場合もほぼ同じバラツキである。また、窒素の流量を30リットル/分、保管時間なしの場合も従来の図17のオン電圧のバラツキと比べると小さくなる。その結果、良品率は向上する。尚、保管時間は待機時間に相当する。図9は、窒素雰囲気での保管時間とオン電圧の関係を示す図である。図1の工程で保管条件を変えて実験したデータである。縦軸はオン電圧、横軸は保管時間である。また、保管箱16に流す窒素17の流量は、10リットル/分、30リットル/分、100リットル/分の3種類とした。30リットル/分および100リットル/分の場合、保管時間が10分を超えるとオン電圧の低下は急速に抑えられる。このことは、自然酸化膜の成長が10分を超えると飽和傾向となるためである。流量が少ない10リットル/分の場合は、前記の流量の場合と比べてオン電圧の低下の割合が大きく、そのためオン電圧のバラツキは大きくなる。また、オン電圧の低下が抑えられる保管時間の条件は20分以上となり、30リットル/分の場合よりも遅くなる。前記したように、窒素17の流量が大きくなると、オン電圧の低下が小さくなる。これは保管箱16からシリコンウェハ10を取り出す際に窒素17と置換される大気酸素の量が、窒素17の流量を増やすにつれて減少するためである。このオン電圧の低下が小さいということは、シリコンウェハ10間でのダイオードのオン電圧のバラツキが小さくなるということである。前記のことから、シリカ源塗布前にシリコンウェハ10を窒素17の流量が30リットル/分以上流入する保管箱16で保管することで、自然酸化膜の成長が抑制されて、オン電圧のバラツキを小さくすることができる。また、保管時間を10分以上とすることで、自然酸化膜の成長が飽和し停止され、オン電圧の保管時間による依存性が極めて小さくなる。その結果、素子特性のバラツキを一層小さくすることができる。しかし、量産においては、前記の実験を踏まえ、保管条件のバラツキなどを考慮して、保管条件は窒素17の流量が100リットル/分以上、保管時間が20分以上となるようにするとよい。その結果が、前記の図8に示すように、オン電圧のバラツキを極めて小さくすることができる。また、窒素17の流量の上限の目安は、例えば1000リットル/分ではあるが、これより高い流量でも構わない。保管時間の上限については、前述の図9のように保管時間が20分以上であればオン電圧のバラツキは抑えられるので、特に無いものの、保管時間が120分より短ければ、全ての工程のリードタイムの増加の影響は少なくて済む。保管箱16の形状等は、図4に示したものには限らない。要は、蓋16aと本体16bが、外気が保管箱16の内部に入らないように密閉されていて、窒素17などの置換ガスの流入口21と吹出口22が備えられていればよい。この流入口21または吹出口22については、バルブの開閉にて置換ガスの流れの方向を制御できることが好ましい。保管箱16の材質についても、例えば蓋16aおよび本体16bが、アクリル等の樹脂の他に、ステンレスを主として構成されていてもよいし、ガラスを主として構成されていてもよい。また、シリコンウェハ10の入ったカセット13の出し入れをする部分が、蓋16aではなく、保管箱16の側面に形成された扉であっても勿論構わない。また、蓋もしくは扉の密閉性を高めるために、パチン錠DrawLatchなどを用いて本体に締め付けても良い。さらに置換ガスについては、酸素の含有量が十分小さく、且つ湿度も低いことが重要で、例えば本発明の実施例の窒素17の他に、ヘリウム、アルゴンといった不活性ガス、あるいはこれらの組み合わせであっても構わない。また、保管箱16の内部の気圧を大気圧よりも減圧しても良い。ただし、ウェハの出し入れの際は、保管箱16の内部の気圧を大気圧に戻して、埃やパーティクルなどが保管箱16に流入しないようにする。一方、本発明の実施例では、シリコンウェハ10を窒素雰囲気の保管箱16にて保管するとしたが、保管箱16は必ずしも必要ではなく、保管雰囲気が窒素雰囲気であればよい。例えば、シリコンウェハ10の自然酸化膜12をフッ化水素酸HF溶液にて除去し、水15でシリコンウェハ10を洗浄してからスピン乾燥機にて乾燥後、スピン乾燥機からシリカ源18を塗布する塗布装置までシリコンウェハ10を搬送する。このとき、シリコンウェハ10を載せたカセット13をベルトコンベアによる搬送装置にて搬送するようにし、この搬送装置の内部に30リットル/分以上の流量で窒素を流して窒素雰囲気とする。そしてスピン乾燥機と搬送装置の間および搬送装置とシリカ源塗布装置の間の空間も窒素雰囲気とする。そして搬送装置でのシリコンウェハ10の搬送時間を、10分以上とする。こうすることで、保管箱16を用いることなく、シリコンウェハ10を全て窒素雰囲気にて10分以上保管することと同様の効果を奏することができる。上で説明した実施例はダイオードのライフタイム制御に本発明を適用したものであるが、本発明はさらに、ダイオードではなく多数キャリアデバイスである絶縁ゲート型トランジスタMOSFET、あるいは少数キャリアデバイスである絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBT、あるいはサイリスタやゲートターンオフサイリスタのライフタイム制御でも同様に適用できる。例えばMOSFETは良く知られているように、寄生ダイオードを内蔵しており、この寄生ダイオードが逆回復動作することがある。この逆回復動作を高速化するために白金や金などの重金属を導入してライフタイム制御をすることがある。この重金属例えば白金をMOSFETの裏面ドレイン側から導入する工程において、本発明の方法を用いれば、ライフタイムのバラつきが小さく、内蔵ダイオードの順電圧降下や逆回復時間などの電気的特性のバラつきが小さいMOSFETを製造することができる。また、上で説明した実施例は、ライフタイムキラーとして白金を使用した例であるが、金の場合にも本発明を適用することで、同様の効果を得ることができる。