"複数の板状物を連続して研削、研磨して平坦化する板状物の加工方法であって、板状物を保持する保持面を有する回転可能なチャックテーブルで板状物を保持する板状物保持ステップと、該チャックテーブルで板状物を保持した後、該チャックテーブルを回転させるとともに研削砥石が装着された研削ホイールを回転させつつ該チャックテーブルで保持された板状物に該研削砥石を当接して板状物を所定の厚みへと研削する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、研磨する板状物の直径より大きい直径を有する研磨パッドで該チャックテーブルで保持された板状物を覆った状態で、該研磨パッドと該チャックテーブルとをそれぞれ回転させて板状物を該研磨パッドで研磨し、該研削ステップで板状物に生成された研削歪を除去する研磨ステップと、該研磨ステップを実施した後、研磨された板状物の厚みを半径方向に複数点測定して板状物の断面形状が凹状か凸状かを検出する板状物断面形状検出ステップと、該板状物断面形状検出ステップで検出した板状物の断面形状に基づいて、該チャックテーブルの該保持面を僅かに傾斜させて研磨後の板状物が平坦化されるように調整する保持面傾き調整ステップと、を具備したことを特徴とする板状物の加工方法。前記保持面傾き調整ステップを実施した後、前記チャックテーブルで第2の板状物を保持する第2板状物保持ステップを更に具備し、該チャックテーブルで該第2の板状物を保持した状態で該第2の板状物に対して前記研削ステップ及び前記研磨ステップを実施する請求項1記載の板状物の加工方法。ところで、研削及び研磨されたウエーハには、例えば1.5μm程度の僅かな厚みばらつきが生じる。最近のデバイスは益々薄くなる傾向にあり、研削及び研磨された半導体ウエーハも50μm程度と薄くなってきており、僅かな厚みばらつきも望ましくない。通常、研削及び研磨されたウエーハは、中央部分が外周部分に比べて厚くなる所謂中凸形状か、中央部分が外周部分に比べて薄くなる所謂中凹形状となる傾向がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハ等の板状物の更なる平坦化を可能とする板状物の加工方法を提供することである。本発明によると、複数の板状物を連続して研削、研磨して平坦化する板状物の加工方法であって、板状物を保持する保持面を有する回転可能なチャックテーブルで板状物を保持する板状物保持ステップと、該チャックテーブルで板状物を保持した後、該チャックテーブルを回転させるとともに研削砥石が装着された研削ホイールを回転させつつ該チャックテーブルで保持された板状物に該研削砥石を当接して板状物を所定の厚みへと研削する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、研磨する板状物の直径より大きい直径を有する研磨パッドで該チャックテーブルで保持された板状物を覆った状態で、該研磨パッドと該チャックテーブルとをそれぞれ回転させて板状物を該研磨パッドで研磨し、該研削ステップで板状物に生成された研削歪を除去する研磨ステップと、該研磨ステップを実施した後、研磨された板状物の厚みを半径方向に複数点測定して板状物の断面形状が凹状か凸状かを検出する板状物断面形状検出ステップと、該板状物断面形状検出ステップで検出した板状物の断面形状に基づいて、該チャックテーブルの該保持面を僅かに傾斜させて研磨後の板状物が平坦化されるように調整する保持面傾き調整ステップと、を具備したことを特徴とする板状物の加工方法が提供される。本発明の板状物の加工方法によると、研削及び研磨後の板状物の厚みを半径方向の複数点で測定して板状物の断面形状を検出し、板状物の断面形状に基づいて次の板状物を研削する前にチャックテーブルの傾きを調整するため、板状物の更なる平坦化が可能となる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の加工方法を実施するのに適した加工装置2の斜視図が示されている。加工装置2は、略直方体形状の装置ハウジング4を具備している。装置ハウジング4の右上端には、コラム6が立設されている。コラム6の内周面には、上下方向に伸びる二対の案内レール8及び10が設けられている。一方の案内レール8には粗研削ユニット12が粗研削ユニット送り機構14により上下方向Z軸方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール10には仕上げ研削ユニット16が仕上げ研削ユニット送り機構18により上下方向に移動可能に装着されている。粗研削ユニット12は、ユニットハウジング20と、図5に示されるように、ユニットハウジング20中に回転自在に収容されたスピンドル22と、スピンドル22の先端に固定されたホイールマウント24と、ホイールマウント24の先端に着脱自在に装着された粗研削ホイール26と、スピンドル22を回転駆動するモータ32とを含んでいる。粗研削ホイール26は、ホイール基台28と、ホイール基台28の下端面外周に環状に固着された複数の粗研削砥石30とから構成されている。仕上げ研削ユニット16は、ユニットハウジング34と、図12に示すように、ユニットハウジング34内に回転可能に収容されたスピンドル36と、スピンドル36の先端に固定されたホイールマウント38と、ホイールマウント38に着脱可能に装着された仕上げ研削ホイール40と、スピンドル36を回転駆動するモータ46とを含んでいる。仕上げ研削ホイール40は、環状基台42と、環状基台42の下端面外周に環状に装着された複数の仕上げ研削砥石44とから構成されている。加工装置2は、コラム6の前側において装置ハウジング4の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル48を具備している。ターンテーブル48は比較的大径の円板状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印49で示す方向に回転される。ターンテーブル48には、互いに円周方向に90度離間して4個のチャックテーブル50が水平面内で回転可能に配置されている。各チャックテーブル50は、図4に示すように、SUSステンレス鋼等から形成された枠体52を有しており、枠体52の上部には嵌合凹部54が形成されているとともに中央部に吸引路58が形成されている。吸引路58は、図示しない真空吸引源に選択的に接続される。枠体52の嵌合凹部54内にはポーラスセラミックス等から形成された吸引部56が嵌合されている。チャックテーブル50の吸引部56は、チャックテーブル50の回転軸50aを頂点として僅かな山形状に形成された保持面56aを有しており、吸引部56の半径Rを10cmとすると、保持面56aの中心部と周辺部との高さの差Hは10~20μm程度に形成されている。ターンテーブル48に配設された4個のチャックテーブル50は、ターンテーブル48が適宜回転することにより、ウエーハ搬入搬出領域A、粗研削加工領域B、仕上げ研削加工領域C、研磨領域D、及びウエーハ搬入搬出領域Aに順次移動される。次に、図6及び図7を参照して、チャックテーブル50の支持機構について説明する。図6の模式図に示すように、チャックテーブル50は互いに円周方向に120度離間した1個の固定点62と、2個の可動点64により支持されている。30aは粗研削砥石30の回転軌跡であり、60は粗研削砥石30がチャックテーブル50に保持されたウエーハを研削する加工領域であり、チャックテーブル50が矢印a方向に回転され、研削砥石30が矢印b方向に回転されると、加工領域60はチャックテーブル50に保持されたウエーハの中心から外周に向かって設定され、研削方向はウエーハの中心から外周に向かう方向となる。このような加工領域60は、図4に示すように保持面56aの山形形状と、チャックテーブル50の保持面56aの傾斜状態により設定される。図7を参照すると、チャックテーブル50の支持機構の側面図が示されている。チャックテーブル50は基台66上に配設されており、基台66にはフランジ68が固定されている。70はターンテーブル48に固定されたフレームである。チャックテーブル50の傾斜調整機構72は、フレーム70に固定されたパルスモータ74と、パルスモータ74に連結されたボルト76と、ボルト76の先端に螺合されたナットを有する調整てこ78を含んでいる。調整てこ78の支点首部80は支点ブロック84の上面84aに固定されている。調整てこ78はフランジ68に固定された調整ブロック82を支持している。調整てこ78は、支点ブロック84に固定される支点78aと、調整ブロック82が固定される作用点78bと、ボルト76がナットに螺合される力点78cを有しており、力点78cに加えられる力によって作用点78bに力が作用する構成になっている。支点ブロック84は、ターンテーブル48のフレーム70に固定されており、その上面84aに支点首部80が固定されている。調整ブロック82は、下端が調整てこ78に支持され、フランジ68及び基台66を介してチャックテーブル50を支持している。固定点62は、フレーム70に配設されたシャフト86にフランジ68を所定の遊びをもって固定することにより構成されている。図5はチャックテーブル50の保持面56aと粗研削ホイール12との標準状態の関係を示す一部断面側面図であり、チャックテーブル50の保持面56aと研削砥石30の先端研削面とは平行に維持されている。粗研削ユニット12のスピンドル22はその軸線22aが鉛直方向となるように支持されており、チャックテーブル50の中心軸50aは鉛直方向から僅かに傾斜して配設されている。図5では、チャックテーブル50の傾斜は誇張して示されている。研磨ユニット88は、図2に示すように、装置ハウジング4上に固定された静止ブロック90と、静止ブロック90に装着されてX軸移動機構94によりX軸方向に移動可能なX軸移動ブロック92と、X軸移動ブロック92に装着されてZ軸移動機構98によりZ軸方向に移動可能なZ軸移動ブロック96とを含んでいる。Z軸移動ブロック96にはユニットハウジング100が配設されており、ユニットハウジング100中にはスピンドル102が回転可能に収容されている。スピンドル102の先端にはホイールマウント104が固定されており、このホイールマウント104に対して着脱自在に研磨ホイール106が装着されている。研磨ホイール106は、図3に示されるように、ホイールマウント104に装着される基台108と、基台108に貼着された研磨パッド110とから構成される。研磨パッド110は、例えばポリウレタンやフェルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフェルト材から形成されている。基台108及び研磨パッド110の中心部には研磨液供給穴116が形成されている。更に、研磨パッド110の研磨面下面には研磨液を保持する複数の溝118が形成されている。再び図1を参照すると、加工装置2のハウジング4の前方側には、加工前のウエーハをストックする第1のカセット122と、加工後のウエーハをストックする第2のカセット124が着脱可能に装着される。126はウエーハ搬送ロボットであり、第1のカセット122内に収容されたウエーハを仮置きテーブル128に搬出するとともに、スピンナ洗浄ユニット132で洗浄された加工後のウエーハを第2のカセット124に搬送する。130は、仮置きテーブル128からウエーハをウエーハ搬入搬出領域Aに位置付けられたチャックテーブル50に搬入したり、チャックテーブル50から加工後のウエーハを吸着してスピンナ洗浄ユニット132まで搬送するウエーハ搬出入ユニットであり、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向に移動可能である。図8を参照すると、本発明の加工方法の加工対象となる半導体ウエーハ11の斜視図が示されている。図8に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ラインストリート13が格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。本発明の加工方法を実施するのに当たり、半導体ウエーハ11の表面11aには、表面11aに形成されたデバイス15を保護するために保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図9に示すように裏面11bが露出する形態となる。以下、図1に示す加工装置2を使用した本発明の加工方法について説明する。第1のウエーハカセット122に収容された表面に保護テープ23が貼着された半導体ウエーハ11は、ウエーハ搬送ロボット126により第1のカセット122から引き出されて仮置きテーブル128まで搬送され、仮置きテーブル128で半導体ウエーハ11の中心出しが実施される。次いで、ウエーハ搬出入ユニット130により吸着されたウエーハ11がウエーハ搬入搬出領域Aに位置付けられたチャックテーブル50に搬送され、チャックテーブル50の吸引路58を真空吸引源に接続することにより、図10に示すように、チャックテーブル50の吸引部56により保護テープ23を介して吸引保持される。半導体ウエーハ11をチャックテーブル50で吸引保持した後、ターンテーブル48を矢印49で示す時計回り方向に90度回転して、チャックテーブル50が粗研削ユニット12に対向する粗研削加工領域Bに位置付ける。半導体ウエーハ11の粗研削では、図11に示すように、このように位置付けられた半導体ウエーハ11に対してチャックテーブル50を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール26を矢印b方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、粗研削ユニット送り機構14を作動して粗研削用の研削砥石30を半導体ウエーハ11の裏面11bに接触させる。そして、研削ホイール26を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、半導体ウエーハ11の裏面11bの粗研削を実施する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージによってウエーハ11の厚みを測定しながらウエーハ11を所望の厚みに研削する。粗研削が終了すると、ターンテーブル48を時計回り方向に更に90度回転して、粗研削の終了したウエーハ11を仕上げ研削加工領域Cに位置付ける。この仕上げ研削では、図12に示すように、チャックテーブル50を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール40を矢印b方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、仕上げ研削ユニット送り機構18を作動して仕上げ研削用の研削砥石44をウエーハ11の裏面に接触させる。そして、研削ホイール40を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハ11の裏面研削を実施する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージによってウエーハ11の厚みを測定しながらウエーハ11を所望の厚み、例えば52μmに仕上げる。仕上げ研削の終了したウエーハ11を保持したチャックテーブル50は、ターンテーブル48を時計回り方向に更に90度回転することにより、研磨ユニット88に対向する研磨加工領域Dに位置付けられる。図13に示すように、本実施形態の研磨ユニット88の研磨パッド110は半導体ウエーハ11の直径より大きい直径を有している。研磨ユニット88のスピンドル102は研磨ホイール106の研磨液供給路116に連通した研磨液供給路103を有している。ここで、図13に示したチャックテーブル50の傾きと図12に示したチャックテーブル50の傾きとは同一であることに注意されたい。図12のチャックテーブル50の傾きが誇張して示されている。研磨ステップでは、研磨パッド110でチャックテーブル50に吸引保持された研削済みの半導体ウエーハ11を覆った状態で、研磨液供給路103,116を介して研磨液を供給しながら、チャックテーブル50を矢印a方向に回転するとともに研磨パッド110を矢印b方向に回転しながら、半導体ウエーハ11の裏面11bに研磨パッド110を押し付けてウエーハ11の裏面11bを研磨してその厚さを約50μm程度に仕上げる。この研磨ステップにより、研削ステップで生成された研削歪が除去される。研磨ステップ終了後、図14に示すように、非接触式厚み測定器120を矢印A方向に回動して半導体ウエーハ11の厚みを半径方向に複数点で測定して、半導体ウエーハ11の断面形状が凹状か凸状かを検出するウエーハ断面形状検出ステップを実施する。このウエーハ断面形状検出ステップでは、図15Aに示すように、中央部分が外周部分に比べて薄くなる中凹形状か、或いは図16に示すように、中央部分が外周部分に比べて厚くなる中凸形状かを検出する。図15Bは図15Aの厚さ検出データを示すグラフである。ウエーハ断面形状検出ステップで図15に示すような中凹形状が検出されたとすると、図17に示すように、標準状態のチャックテーブル50の回転軸50aを矢印Aに示す方向にごく小さい角度だけ回転して回転軸50aを若干寝かせ、保持面56aの中央部分が標準状態から若干低くなるように調整する保持面傾き調整ステップを実施する。一方、図16に示すような中凸形状が検出されたとすると、チャックテーブル50の回転軸50aを矢印Aと反対方向に回転して回転軸50aを若干立てて、保持面56aの中央部分が標準状態から若干高くなるように調整する。これにより、4個のチャックテーブル50のうち1個のチャックテーブル50の保持面の傾き調整が終了したことになり、次回からはこの状態でチャックテーブル50の保持面56a上に半導体ウエーハ11を吸引保持して、粗研削ステップ、仕上げ研削ステップ及び研磨ステップを実施する。他の3個のチャックテーブル50についても、一回目の粗研削ステップ、仕上げ研削ステップ、研磨ステップ及びウエーハ断面形状検出ステップを実施した後、ウエーハ11の断面形状に基づいて保持面56aの傾きを調整する保持面傾き調整ステップを実施する。このように全てのチャックテーブル50について保持面傾き調整ステップが終了すると、2回目以降の半導体ウエーハ11の研削及び研磨加工では半導体ウエーハ11の更なる平坦化が可能となる。上述した実施形態では、半導体ウエーハ11に本発明の加工方法を実施した例について説明したが、被加工物は半導体ウエーハ11に限定されるものではなく、光デバイスウエーハ、ガラス基板等の他の板状物にも本発明の加工方法は同様に適用可能である。"