"絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された配線パターンと、前記配線パターンに固定された半導体チップと、一端が前記絶縁基板に固定され他端が前記絶縁基板の上方に伸びるように前記配線パターンと同じ材料で形成され、前記半導体チップと電気的に接続された中継端子と、前記中継端子と電気的に接続され、前記半導体チップの制御信号を送信する制御回路と、を備えたことを特徴とする半導体装置。一端が前記絶縁基板に固定され他端が前記絶縁基板の上方に伸びるように前記配線パターンと同じ材料で形成され、前記半導体チップと電気的に接続された電力端子を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。絶縁基板と、前記絶縁基板上に第1配線パターン、第2配線パターン、第3配線パターンを有するように形成された配線パターンと、前記第1配線パターンに固定された半導体チップと、一端が前記第2配線パターンに埋め込まれ他端が前記絶縁基板の上方に伸びる、前記半導体チップと電気的に接続された中継端子と、前記中継端子と電気的に接続され、前記半導体チップの制御信号を送信する制御回路と、一端が前記第3配線パターンに埋め込まれ他端が前記絶縁基板の上方に伸びる、前記半導体チップと電気的に接続された電力端子と、を備えたことを特徴とする半導体装置。前記配線パターンと同じ材料で、前記絶縁基板上に形成された制御回路用配線パターンを備え、前記制御回路は前記制御回路用配線パターンに固定されたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。前記絶縁基板の裏面に形成された裏面パターンと、前記裏面パターンの前記絶縁基板と反対の面、前記中継端子の他端、及び前記電力端子の他端を外部に露出させるように、前記絶縁基板、前記配線パターン、前記半導体チップ、前記中継端子、前記制御回路、及び前記電力端子を覆うモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置。前記絶縁基板の裏面に形成された裏面パターンと、前記配線パターンの表面と前記絶縁基板の表面に形成された接着プライマーと、前記裏面パターンの前記絶縁基板と反対の面、前記中継端子の他端、及び前記電力端子の他端を外部に露出させるように、前記絶縁基板、前記配線パターン、前記プライマー、前記半導体チップ、前記中継端子、前記制御回路、及び前記電力端子を覆うモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置。前記モールド樹脂の線膨張係数は前記配線パターンの線膨張係数と同じであることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置。前記半導体チップは、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置。前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、又はダイヤモンドであることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。絶縁基板の上に配線パターンを形成するための配線パターン用キャビティと前記絶縁基板から上方に伸びる中継端子を形成するための中継端子用キャビティとを有する鋳型の内部に前記絶縁基板を配置する工程と、前記配線パターン用キャビティと前記中継端子用キャビティにアルミを流し込むアルミ注入工程と、前記アルミを冷却する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記鋳型は前記絶縁基板から上方に伸びる電力端子を形成するための電力端子用キャビティを有し、前記アルミ注入工程では、前記電力端子用キャビティにアルミを注入することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。特許文献1に開示の半導体装置は、配線パターンの上に接続端子を固定するため、製造工程が複雑であった。その結果特許文献1に開示の半導体装置ではコスト高となっていた。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、低コスト化に好適な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置は、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された配線パターンと、該配線パターンに固定された半導体チップと、一端が該絶縁基板に固定され他端が該絶縁基板の上方に伸びるように該配線パターンと同じ材料で形成され、該半導体チップと電気的に接続された中継端子と、該中継端子と電気的に接続され、該半導体チップの制御信号を送信する制御回路と、を備えたことを特徴とする。本発明に係る他の半導体装置は、絶縁基板と、該絶縁基板上に第1配線パターン、第2配線パターン、第3配線パターンを有するように形成された配線パターンと、該第1配線パターンに固定された半導体チップと、一端が該第2配線パターンに埋め込まれ他端が該絶縁基板の上方に伸びる、該半導体チップと電気的に接続された中継端子と、該中継端子と電気的に接続され、該半導体チップの制御信号を送信する制御回路と、一端が該第3配線パターンに埋め込まれ他端が該絶縁基板の上方に伸びる、該半導体チップと電気的に接続された電力端子と、を備えたことを特徴とする。本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁基板の上に配線パターンを形成するための配線パターン用キャビティと該絶縁基板から上方に伸びる中継端子を形成するための中継端子用キャビティとを有する鋳型の内部に該絶縁基板を配置する工程と、該配線パターン用キャビティと該中継端子用キャビティにアルミを流し込むアルミ注入工程と、該アルミを冷却する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、低コスト化に好適な半導体装置及びその製造方法を提供することができる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の断面図である。半導体装置10は、絶縁基板12を備えている。絶縁基板12は例えば、AlN、Al2O3、SiNなどで形成されている。絶縁基板12の上には配線パターン14a、14bが形成されている。絶縁基板12の上には更に中継端子14cが形成されている。中継端子14cは、一端が絶縁基板12に固定され他端が絶縁基板12の上方に伸びるように配線パターン14a、14bと同じ材料で形成されている。絶縁基板12の裏面には、裏面パターン16が形成されている。裏面パターン16、及び配線パターン14a、14bは、厚み1~5mmのアルミで形成されている。配線パターン14bには、はんだ18により半導体チップ20が固定されている。半導体チップ20は、例えば珪素を用いたIGBTやダイオードで形成されている。半導体チップ20はワイヤ22により中継端子14c、及び配線パターン14aと電気的に接続されている。絶縁基板12には接着剤24a、24bによりケース26が固定されている。ケース26は、裏面パターン16を外部に露出するように形成されている。ケース26の内壁に沿うように電力端子28が形成されている。電力端子28はワイヤ22で半導体チップ20と電気的に接続されている。ケース26の中にはシリコンゲル30が形成されている。シリコンゲル30は半導体チップ20を封止している。中継端子14cと電力端子28はシリコンゲル30から外部に伸びている。シリコンゲル30の外部における中継端子14cには制御基板32が接続されている。制御基板32には制御回路34が固定されている。制御回路34は、中継端子14cと電気的に接続され、半導体チップ20の制御信号を送信するものである。制御基板32の上方にはケース26のふた38が取り付けられている。制御基板32には制御端子40が固定されている。制御端子40は、ふた38の外部に伸びている。次に、本発明実施の形態1に係る半導体装置の製造方法について説明する。図2は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法で用いる鋳型などを示す図である。前述の配線パターン14a、14b、中継端子14c、及び裏面パターン16は、鋳造で形成する。具体的には、鋳型42、44を用いて形成する。鋳型42には、絶縁基板12の上に配線パターン14a、14bを形成するための配線パターン用キャビティ14a ́、14b ́が形成されている。また、絶縁基板から上方に伸びる中継端子14cを形成するための中継端子用キャビティ14c ́が形成されている。鋳型44には、裏面パターン16を形成するための裏面パターン用キャビティ16 ́が形成されている。鋳型42、44を用いて以下の処理を行う。まず、鋳型42、44の内部に絶縁基板12を配置する。次いで、配線パターン用キャビティ14a ́、14b ́、中継端子用キャビティ14c ́、及び裏面パターン用キャビティ16 ́に溶融したアルミを流し込む。この工程をアルミ注入工程と称する。次いで、前述のアルミを冷却する。次いで、鋳型42、44を成形物からはずして、配線パターン14a、14b、中継端子14c、及び裏面パターン16が形成される。その後、半導体チップ20を配線パターン14bにはんだ付けするなどして、図1の半導体装置10を形成する。本発明の実施の形態1に係る半導体装置によれば、鋳造により配線パターン14a、14bなどと同時に中継端子14cを形成することができる。よって、中継端子を配線パターンに固定する工程を省略して半導体装置を製造できる。よって、低コスト化に好適な半導体装置を製造することができる。実施の形態2.本発明の実施の形態2に係る半導体装置及びその製造方法は、実施の形態1と共通点が多いので、実施の形態1との相違点を中心に説明する。図3は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の断面図である。半導体装置50は、電力端子14dを備えている。電力端子14dは、一端が絶縁基板12に固定され他端が絶縁基板12の上方に伸びるように形成されている。電力端子14dは、配線パターン14bと同じ材料であるアルミで形成されている。よって、電力端子14d、配線パターン14b、中継端子14c、及び裏面パターン16は全てアルミで形成されている。なお、電力端子14dは、ワイヤ22により半導体チップ20と電気的に接続されている。次に、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法について説明する。本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法は、基本的に実施の形態1と同様であるが、鋳型の形状が異なる。図4は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法で用いる鋳型などを示す図である。鋳型46は、絶縁基板12から上方に伸びる電力端子14dを形成するための電力端子用キャビティ14d ́を有している。アルミ注入工程では、配線パターン用キャビティ14b ́、中継端子用キャビティ14c ́、電力端子用キャビティ14d ́、及び裏面パターン用キャビティ16 ́に溶融したアルミを注入する。電力端子用キャビティ14d ́により絶縁基板12から上方にまっすぐ伸びるように形成された部分は、電力端子14dの形状となるように、鋳型46を取り外した後に折り曲げる。こうして、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法では、鋳型44、46を用いて、配線パターン14b、中継端子14c、電力端子14d、及び裏面パターン16を鋳造で形成する。本発明の実施の形態2に係る半導体装置及びその製造方法によれば、配線パターン14b、中継端子14c、電力端子14d、及び裏面パターン16を鋳造で一括形成するので、工程が簡素となり低コスト化に好適な半導体装置を製造することができる。実施の形態3.本発明の実施の形態3に係る半導体装置及びその製造方法は、実施の形態1と共通点が多いので、実施の形態1との相違点を中心に説明する。図5は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の断面図である。半導体装置60は、絶縁基板12上に形成された制御回路用配線パターン14eを備えている。制御回路用配線パターン14eは、配線パターン14bと同じ材料であるアルミで形成されている。よって、制御回路用配線パターン14e、電力端子14d、配線パターン14b、中継端子14c、及び裏面パターン16は全てアルミで形成されている。制御回路用配線パターン14eには制御回路34が固定されている。制御回路34はワイヤ22によって半導体チップ20及び中継端子14cと接続されている。そして、制御回路34はシリコンゲル30によって封止されている。本発明の実施の形態3に係る半導体装置によれば、制御回路34を制御回路用配線パターン14eに固定したので、制御基板が不要となる。また、例えば、図1の半導体装置では、半導体チップと外部を接続するために中継端子と制御端子が必要であったが、本発明の実施の形態3に係る半導体装置では中継端子14cだけでよい。よって、低コスト化に好適な半導体装置を製造することができる。実施の形態4.本発明の実施の形態4に係る半導体装置及びその製造方法は、実施の形態3と共通点が多いので、実施の形態3との相違点を中心に説明する。図6は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の断面図である。半導体装置70は、モールド樹脂72を備えている。モールド樹脂72は、裏面パターン16の絶縁基板12と反対の面、中継端子14cの他端、及び電力端子14dの他端を外部に露出させるように、絶縁基板12、配線パターン14b、制御回路用配線パターン14e、半導体チップ20、中継端子14c、制御回路34、及び電力端子14dを覆っている。モールド樹脂72の線膨張係数は配線パターン14bの線膨張係数アルミの線膨張係数と同じである。本発明の実施の形態4に係る半導体装置70によれば、モールド樹脂72を形成したので、ケース、ふた、シリコンゲルが不要となる。よって低コスト化に好適な半導体装置を製造することができる。ところで、半導体装置の構成上、絶縁基板の裏面の裏面パターンの方が絶縁基板の上の配線パターンなどより大面積となる。つまり、絶縁基板の上表面よりも裏面に大量のアルミが形成される。そうすると、加熱後の裏面パターンの収縮により絶縁基板が上に凸となるように反ることがあった。ところが、本発明の実施の形態4に係る半導体装置では、モールド樹脂72の線膨張係数と配線パターン14bの膨張係数を一致させたので、絶縁基板12の周りを囲む材料の線膨張係数は均一となる。よって、絶縁基板12の反りを防止できる。モールド樹脂72の材料は特に限定しなかったが、エポキシ樹脂にガラスやシリカなどの充填材を入れると、線膨張係数がアルミと一致するように調整しやすい。また、モールド樹脂72の材料自体を最適化してもよい。例えば、モールド樹脂72としてフェノール樹脂を用いることが考えられる。ところで、モールド樹脂72の線膨張係数は、絶縁基板12の反りを抑制できる程度にアルミの線膨張係数に近ければ特に限定されない。よって、絶縁基板12の反りを抑制できる限り、モールド樹脂72の線膨張係数とアルミの線膨張係数が一致しなくてもよい。実施の形態5.本発明の実施の形態5に係る半導体装置及びその製造方法は、実施の形態4と共通点が多いので、実施の形態4との相違点を中心に説明する。図7は、本発明の実施の形態5に係る半導体装置の断面図である。半導体装置74は、配線パターンの表面アルミで形成された部分の表面をいうと絶縁基板12の表面に形成された接着プライマー76を有している。接着プライマー76は、モールド樹脂72と絶縁基板12の密着性を高めるために形成されるものである。本発明の実施の形態5に係る半導体装置によれば、接着プライマー76によりモールド樹脂72と絶縁基板12の密着性を確保できる。実施の形態6.本発明の実施の形態6に係る半導体装置及びその製造方法は、実施の形態1と共通点が多いので、実施の形態1との相違点を中心に説明する。図8は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の断面図である。半導体装置80は、中継端子82の一端と電力端子84の一端が、それぞれ配線パターンに埋め込まれている点が特徴である。絶縁基板12上に第1配線パターン14f、第2配線パターン14g、及び第3配線パターン14hが形成されている。第1配線パターン14f、第2配線パターン14g、及び第3配線パターン14hをまとめて配線パターンと称することがある。第1配線パターン14fには半導体チップ20が固定されている。半導体装置80は中継端子82を備えている。中継端子82は、一端が第2配線パターン14gに埋め込まれ、他端が絶縁基板12の上方に伸び制御基板32と接続されている。中継端子82は、第2配線パターン14gとワイヤ22を介して半導体チップ20と電気的に接続されている。中継端子82の他端には、半導体チップ20の制御信号を送信する制御回路34が電気的に接続されている。半導体装置80は電力端子84を備えている。電力端子84は、一端が第3配線パターン14hに埋め込まれ、他端が絶縁基板12の上方に伸びている。電力端子84は、半導体チップ20と電気的に接続されている。図9は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法で用いる鋳型などを示す図である。鋳型86は、第1配線パターン14fを形成するための第1配線パターン用キャビティ14f ́、第2配線パターン14gを形成するための第2配線パターン用キャビティ14g ́、及び第3配線パターン14hを形成するための第3配線パターン用キャビティ14h ́を備えている。鋳型44、86を用いて絶縁基板12に第1配線パターン14f、第2配線パターン14g、第3配線パターン14h、及び裏面パターン16を形成する。このとき、中継端子82と電力端子84を鋳型86に挿入した状態で鋳型44,86内にアルミを流し込むことで、中継端子82の一端を第2配線パターン14gに埋め込み、電力端子84の一端を第3配線パターン14hに埋め込む。絶縁基板12から上方にまっすぐ伸びるように形成された電力端子84は、鋳型86を取り外した後に折り曲げる。本発明の実施の形態6に係る半導体装置及びその製造方法によれば、配線パターン形成と同時に、中継端子82と電力端子84を配線パターンに固定することができる。よって、工程を簡素化できる。ところで、中継端子や電力端子の形状が複雑であった場合には、それらに対応した鋳型を作成するのはコスト面で困難となっていた。ところが、本発明の実施の形態6に係る半導体装置及びその製造方法によれば、中継端子や電力端子を配線パターンに埋め込むため、鋳型を中継端子や電力端子の形状に合わせる必要がない。よって、簡素な工程で複雑な構造の中継端子や電力端子を有する半導体装置を製造できる。本発明の実施の形態6に係る半導体装置及びその製造方法は、上述の様々な技術と組み合わせると更なる低コスト化に効果的である。図10は、制御回路を配線パターンに固定した半導体装置を示す断面図である。この構成は、制御基板などが不要となるため、低コスト化に効果的である。図11は、モールド樹脂を形成した半導体装置を示す断面図である。モールド樹脂72を形成することで、ケース、ふた、シリコンゲルが不要となるため、低コスト化に効果的である。図12は、接着プライマーを形成した半導体装置を示す断面図である。この構成は、図11の構成よりも信頼性を高めることができる点で効果的である。上記実施の形態1乃至6における半導体チップ20は珪素で形成したが、珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体で半導体チップを形成してもよい。ワイドバンドギャップ半導体としては、例えば、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、又はダイヤモンドがある。IGBTやダイオードをワイドバンドギャップ半導体で形成すると、許容できる電流密度を大きくできるのでこれらを小型化できる。"