絶縁性の基板と、上記基板を載置するステージと、上記ステージ内にあって上記基板をリフトアップさせるリフトピンと、上記ステージ表面の孔につながる配管と、上記配管に接続される真空排気部と気体供給部と、上記孔と上記真空排気部との間に設けられた真空用バルブと、上記孔と上記気体供給部との間に設けられた真空破壊用バルブと、上記気体供給部と上記真空破壊用バルブとの間で上記配管に接続し、上記気体供給部より導入される気体をイオン化し、さらに発生するイオンの極性が時間的に切り替わるイオナイザと、上記イオナイザから発生するイオンの極性の切り替わる周波数を変更できる周波数制御部と、上記周波数制御部に信号を送り、かつ、上記リフトピンの昇降動作を制御するリフトアップ制御部とを備えた基板処理装置。請求項1記載の基板処理装置を用いて、前記基板が前記ステージ上に載置されている状態で、前記真空破壊用バルブを開けることにより、前記気体を前記配管内に導入させる工程と、前記周波数変換部により第1の周波数にて前記イオナイザを動作させ、前記リフトピンの上昇による前記基板の前記ステージからの離間を開始する工程と、前記基板が前記ステージから離間している間、前記周波数変換部により前記イオナイザの周波数を増大させる工程とを含む基板処理方法。前記リフトピンの上昇が完了した時点において、前記イオナイザは第2の周波数で動作しており、前記第2の周波数は、前記第1の周波数よりも高いことを特徴とする請求項2に記載の基板処理方法。しかしながら、このような帯電除去方法においては、イオン生成箇所から基板保持面の表面に至るまでの配管の中でイオンが再結合することによる効果を見落としているため、効果的な除電ができない。配管の中でイオンが再結合する効果について、図6を用いて説明する。図6aでは、配管の中でイオンが再結合する状況を示している。このようにイオンが再結合をすると、イオン生成箇所から基板保持面に到達するイオン数が減少するため、基板が基板保持面から剥離する際の帯電を効果的な除電ができないことになる。これに対しては、イオン生成手段に交流式、パルスDC方式、あるいはパルスAC方式といった、発生するイオンの極性が時間的に切り替わるタイプのイオナイザを用いる場合、イオンの再結合を防ぐためにイオナイザの周波数を低くする手段が考えられる。すなわち、イオナイザの周波数とは、発生するイオンの極性が時間的に切り替わる周波数のことであるが、この切り替えの時間を長くすることによってイオンの再結合を防ぐということである。この状況を示したのが図6bであるが、配管内でイオンの時間的なムラができてしまい、かえってガラス基板を帯電させてしまう弊害を生じさせてしまう。本発明では、イオン化ガスの中のイオンが再結合することなく基板保持表面に到達し、効果的にガラス基板の裏面を除電し、なおかつイオンの時間的なムラもできないような装置と方法を提供する。本発明にかかる基板処理装置は、ガラス基板が基板保持面から剥離され、リフトアップを開始した時においては、イオナイザの周波数を低くしておき、ガラス基板のリフトアップが進むにつれて徐々に周波数を高くするものである。基板のリフトアップを開始した時は、基板裏面の蓄積電荷が最も多く、これを低い周波数のイオナイザにてイオンを効率よく基板裏面に到達させることで、蓄積電荷を減少させる。この時点ではイオンの偏りムラが残るので、その後徐々に周波数を高くすることによって、イオンのムラを除去する。周波数が高いことによる再結合は発生するが、リフトアップ開始時の周波数が低いイオナイザからのイオンにより基板裏面の蓄積電荷量は少なくなっているので、問題にはならない。以下に、本発明の好ましい実施の形態を説明する。図1に、本実施の形態1にかかる基板処理装置について示す。図中、1は液晶表示パネル用のガラス基板、2はガラス基板1に処理を施すためにガラス基板1を保持するためのステージ、3はガラス基板1をステージ2に対して昇降させるためのリフトピンである。ステージ2の表面には、孔4が開いており、孔4は配管5につながっている。さらに、配管5内には、真空用バルブ6、真空破壊用バルブ7があり、それぞれの配管の末端には、真空排気部8、気体供給部9がある。言い換えれば、真空排気部8と孔4との間に真空用バルブ6があり、気体供給部9と孔4との間に真空破壊用バルブ7が設けられている。真空破壊用バルブ7と気体供給部9との間には、配管5内のエアー内にイオンを混入させるためのAC型イオナイザ10が設けられている。イオナイザ10は、交流高電圧が印加される針先を有し、その交流高電圧の周波数は外部の周波数制御部11から制御できるようになっている。つまり、周波数制御部11によって、イオナイザ10から発生するイオンの極性を時間的に切り替える周波数であるところのイオナイザの周波数を制御することができる。12は、リフトピン3を上下させるリフトアップ制御部であり、周波数制御部11との信号のやりとりを行う。次に、本発明に係る基板処理装置の動作について説明する。まず、基板が塗布、乾燥、冷却などの処理をされている間は、真空破壊用バルブ7が閉じ、真空用バルブ6が開いており、ガラス基板1はステージ2に真空吸着されることにより固定されている。基板への処理が終わると、真空用バルブ6が閉じ、真空破壊用バルブ7が開くことにより、気体供給部9よりエアーや窒素等の気体が配管5内に導入される。そして、真空破壊用バルブ7が開くと同時、あるいは開いた後に、イオナイザ10に例えば1Hzの第一周波数の交流高電圧が印加されてイオン生成の動作を開始する。一方、気体供給部9から供給されたエアーは配管5内を通り、孔4を介してガラス基板1とステージ2の間に供給される。配管5内の孔4近辺が大気圧に到達した段階でリフトピン3が上昇し始め、ガラス基板1をステージ2より離間すなわちリフトアップさせ始める。リフトアップ開始直後はイオナイザ10の周波数は第一周波数として、例えば1Hzと低いため、イオナイザ10から発生するイオンの極性には時間的なムラが生じる。しかし、その反面、配管5内でのイオンの再結合が生じにくい。したがって、再結合によるイオンの消失は多少あるものの、十分な量のイオンがガラス基板1まで到達することができる。また、ガラス基板1に供給されるイオンは前述のとおり時間的に極性のムラが生じるため、ガラス基板1の裏面に蓄積した静電気と同極性のイオンが供給される時間帯では、イオンは反発され、ガラス基板1の裏面に蓄積した静電気が増加することはない。その一方で、イオンの極性が切り替わり、逆極性のイオンが供給される時間帯では、ガラス基板1の裏面の静電気は効果的に中和される。リフトアップ制御部12は、リフトピン3を上昇させると共に、その上昇量に合せた情報を周波数制御部11へ送る。周波数制御部11はその情報を処理して、リフトピン3の上昇量にあわせてイオナイザ10の周波数が連続的に増大するよう制御する。この際、イオナイザ10により電離したイオンがガラス基板1に到達するまでの時間も考慮して制御するとなおよい。イオナイザ10の交流高電圧の周波数を上げていくにつれて、ガラス基板1に供給されるイオンの極性の時間的なムラは減少していく。また、ガラス基板1に供給されるイオンの量も、リフトアップ当初よりも減少する。しかし、リフトアップが進んだ時点の基板1は、リフトアップ当初の第一周波数のような低周波のイオンにより十分中和されているため、問題にならない。むしろ、基板1の剥離帯電が十分中和されている状況になっても尚、時間的に極性のムラを生じるような低周波のイオンを照射することにより、基板1の帯電の不安定な増大を引き起こす弊害がある。本発明の実施の形態では、基板1の帯電が中和するにつれて、イオンの極性の時間的なムラも少なくしていくことにより、基板1の剥離帯電を減少させている。そして、周波数制御部11は、リフトピン3が完全に上昇した時点で、イオナイザ10の周波数として第二周波数、例えば60Hzで動作するように制御する。ここで、第二周波数は第一周波数よりも高く設定されている。以上の除電状況とリフトピン3の上昇状況とを時系列のグラフで、図2に示す。図2において、グラフ中の細線は、リフトピン3の上昇高さを示し、太線は基板1の帯電量を示す。横軸は時間経過を示している。基板1の帯電量については、横軸ではゼロであり、横軸よりも上側と下側とでは極性が異なり、横軸よりも離れるに従い帯電量が大きいことを示している。図2において、リフトピン3の上昇の初期は、イオナイザの極性切替の周波数が低いため、基板1の帯電量が大きく変動するものの、リフトピン3が上昇するに従い、周波数が増大し、基板1の帯電量もゼロに収束していく。一方、比較例として同様のグラフを図3に示す。グラフの表記は、図2と同じである。ここで、図3aとは、従来の基板処理装置で、イオナイザ10の周波数が低く一定の場合の、基板リフトアップ動作と基板の帯電量との関係を示した図である。また、図3bとは、従来の基板処理装置で、イオナイザ10の周波数が高く一定の場合の、基板リフトアップ動作と基板の帯電量との関係を示した図である。図3aにおいては、イオナイザ10の極性切替の周波数が低いため、基板1の帯電量の変動は収束せず、大きなままとなっている。一方、図3bにおいては、イオナイザ10の周波数が高いため、前述したイオンの再結合により除電効果が抑制されてしまい、リフトアップ動作に伴う基板1の帯電量の増大を抑えきれずに、結果として基板1の帯電量の増大を引き起こしている。ここで、リフトアップ動作に伴い、基板の帯電量が増大するというのは、例えば、特開平11-271735号にもあるように、リフトアップによる基板とステージとの間の距離の変化に伴う電気的容量の変化によるものが一般的である。リフトアップが完了した時点で、真空破壊用バルブ7を閉じ、同時にイオナイザ10も停止する。この時点で、ガラス基板1の裏面には、静電気が蓄積していない状態とすることができる。ここでは、イオナイザ10を真空破壊用バルブ7の気体供給部9側に設けたため、イオナイザ10の内部が真空に晒されることがなく、イオナイザ10自体に真空漏れの防止などの特別の配慮をする必要がないという効果を奏する。また、イオナイザ10内をエアーが流れていないときにイオナイザ10が動作すると、その針先近傍にイオンが滞留し、針先への異物付着や配管の劣化等が進行してしまい、短期間でのメンテナンスが必要となるが、本実施の形態ではイオナイザ10の動作を、真空破壊用バルブ7が開いているときのみ動作させるようにしたため、その劣化も少なく、好ましい。また、リフトピン3が完全に上昇した時点で、イオナイザ10の交流高電圧の周波数が第二周波数に達する形態について説明したが、必ずしもこの形態には限定されない。リフトピン3が完全に上昇する前に基板1の帯電が中和されるのであれば、リフトピン3の上昇中に、イオナイザ10の交流高電圧の周波数が増大する工程が含まれていればよい。リフトピン3が完全に上昇する前に基板1の帯電が中和されるのであれば、リフトピン3が完全に上昇した時点でイオナイザ10の動作は停止していてもよい。また、ここでは、最も低い周波数を1Hz、最も高い周波数を60Hzとしたが、最も効果的な周波数は、配管の長さ、エアーの流速、イオナイザの位置、リフトアップの量、リフトアップの速度などにもよるため、これらを考慮して適宜周波数を決定すればよい。たとえば、リフトアップが開始してから完了するまでの所要時間に、第一周波数における一周期が経過すると、基板1には極性の異なるイオンが両方とも照射されることになるため、帯電を中和するのによい。すなわち、第一周波数は、リフトアップ所要時間の逆数よりも高く設定するとよい。さらに、本実施の形態においては、リフトピンの上昇量に合せて、第一周波数から連続的直線的に増大するように周波数を上げていき、第二周波数に到達するような形態について説明したが、必ずしもそれに限定されず、ステップごとや段階的に上昇してもよく、例えば、リフトアップの所要時間が6秒として、最初の2秒間を1Hz、次の2秒間を30Hz、最後の2秒間を60Hzで動作させるようにしてもよい。また、リフトアップが進むにつれて加速的に交流高電圧の周波数が増大するように制御してもよい。実施の形態2実施の形態1では、リフトピン3の昇降を制御するリフトアップ制御部12からの情報によりイオナイザ10の周波数を制御するようにしたが、図4に示すように、ガラス基板1のステージ3からの距離を検出するセンサー13を設け、そのセンサー13からのガラス基板1の高さに見合った信号を周波数制御部11に送って、イオナイザ6の周波数を制御するようにしてもよい。実施の形態3実施の形態1では、イオナイザ10を真空破壊用バルブ7のエアー供給側に設けたが、図5に示すように、真空破壊用バルブ7のステージ側に設けてもよく、この場合、イオナイザ10をガラス基板1により近く配することができるため、配管5内でのイオン同士の再結合が生じにくく、周波数の高い領域でも、実施の形態1よりも多くのイオンをガラス基板1に供給することができ、除電能力は高くなる。実施の形態4実施の形態1では、真空破壊用バルブ7が開いているときのみイオナイザ10を動作するようにしたが、真空破壊用バルブ7が開く前からイオナイザ10を動作させると、真空破壊用バルブ7が開いてエアーが供給され始めた時のイオン発生に遅れがなく、エアーを供給された瞬間から十分なイオンが供給されて、好ましい。実施の形態5実施の形態1では、イオナイザ10として1本の放電針に交流高電圧が印加される交流型を用いたが、発生するイオンの極性が時間的に変化するタイプのイオナイザであればよく、放電針毎に発生するイオンの極性が決まっており、その極性が切り替わるパルスDCタイプや、1本の放電針にパルス的に極性が切り替わる高電圧が印加されるパルスACタイプを用いてもよい。