R-T-B系焼結磁石体を準備する工程と、重希土類元素RHDy、Tbの少なくともいずれか1種の含有量が前記R-T-B系焼結磁石体の含有量より少なくとも0.5質量多いR-T-B系合金からなるRH拡散源を準備する工程と、前記R-T-B系焼結磁石体と前記RH拡散源とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理容器内に装入する工程と、前記R-T-B系焼結磁石体と前記RH拡散源とを前記処理室内にて連続的または断続的に移動させながら、800°C以上1000°C以下の熱処理を行うRH拡散工程と、を包含するR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記RH拡散源を準備する工程において、前記RH拡散源は、研摩、切断又は破砕されている請求項1に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。前記RH拡散工程の前または途中において、攪拌補助部材を前記処理室内に装入する請求項1又は2に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。特許文献1の方法では、700°C以上1000°C以下という比較的低い温度で重希土類元素RHを焼結磁石体に供給拡散することができるためR-T-B系焼結磁石体への重希土類元素RHの供給量が過多にならず、残留磁束密度の低下がほとんどなく保磁力の向上したR-T-B系焼結磁石を作製することができた。しかし、重希土類元素RHを適正量供給拡散するためには、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを所定間隔あけて対抗配置する必要があり、この配置工程に手間がかかり量産性に劣るという問題がある。また、重希土類元素RHのR-T-B系焼結磁石体への供給が気化昇華によってなされるためR-T-B系焼結磁石体内部まで重希土類元素RHを効率よく拡散させるには、比較的高い温度で加熱することが好ましいが、温度を高くすると重希土類元素RHの供給が過多になり、R-T-B系焼結磁石体の表層部と内部との重希土類元素RHの濃度勾配が大きくなりすぎて表層付近の主相結晶粒では重希土類元素RHが深く拡散してしまい、残留磁束密度の低下を招く恐れがある。さらに、RH拡散源とR-T-B系焼結磁石体との間、保持部材とR-TB系焼結磁石体の間とで拡散処理中に溶着が生じる可能性もある。また、RH拡散源から気化昇華した重希土類元素RHの一部は、僅かとはいえ、保持部材や処理室内壁、真空排気装置へも飛散するため、これらの重希土類元素RHは有効活用されず、無駄となる。特許文献2の方法では、重希土類元素RHはR-T-B系焼結磁石体の表面に塗布した分のみがR-T-B系焼結磁石体内部に拡散するので、安定した保磁力向上効果を得るためには塗布量、塗布層の厚さを厳密にコントロールする必要があり、このような塗布作業は非常に煩雑となる。また、重希土類元素RHは、拡散処理の初期からR-T-B系焼結磁石体表面に付着しているので、重希土類元素RHの濃度勾配が大きく、R-T-B系焼結磁石体の最表層部分では主相結晶粒内の奥深くまでRH拡散が拡散し、残留磁束密度の低下を招きやすい。さらに、RH拡散源として、重希土類元素RHの酸化物、フッ化物、酸フッ化物を用いるため、拡散処理後に酸素やフッ素が磁石内部に残存することとなり、磁石特性の向上には限界があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、残留磁束密度を低下させることなくDyやTbの重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体の表面から内部に拡散させるR-T-B系焼結磁石の製造方法において、比較的簡便な方法にて、高保磁力を有するR-T-B系焼結磁石を量産可能な製造方法を提供することである。本発明のR-T-B系焼結磁石の製造方法は、R-T-B系焼結磁石体を準備する工程と、重希土類元素RHDy、Tbの少なくともいずれか一種の含有量が前記R-T-B系焼結磁石体の含有量より少なくとも0.5質量多いR-T-B系合金からなるRH拡散源を準備する工程と、前記R-T-B系焼結磁石体と前記RH拡散源とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理容器内に装入する工程と、前記R-T-B系焼結磁石体と前記RH拡散源とを前記処理室内にて連続的または断続的に移動させながら、800°C以上1000°C以下の熱処理を行うRH拡散工程と、を包含している。ある好ましい実施形態において、前記RH拡散源を準備する工程で、前記RH拡散源は、研摩、切断又は破砕されている。ある好ましい実施形態において、前記RH拡散の前または途中で、攪拌補助部材を前記処理室内にさらに装入する。本発明によれば、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源の処理室内への装入作業が簡単であるばかりでなく、これらを処理室内にて連続的また断続的に移動させながら所定温度でRH拡散するため、拡散工程時での焼結磁石体とRH拡散源との溶着が防止でき、高保磁力を有するR-TB系焼結磁石を量産性良く得ることができる。特にRH拡散源として、R-T-B系焼結磁石体と組成比が類似したR-T-B系合金を用いることによって、RH拡散処理中に、R-T-B系焼結磁石体の液相量を過剰に増やさずに重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体に拡散することができ、焼結磁石の残留磁束密度の低下を抑制することができる。本発明のR-T-B系焼結磁石の製造方法の一実施形態を以下に説明する。ここで、RH拡散工程完了前の焼結磁石素材をR-T-B系焼結磁石体、RH拡散工程完了後の焼結磁石拡散磁石をR-T-B系焼結磁石と区別して表記する。RH拡散工程において、例えば、処理容器を回転または揺動させたり、処理容器に振動を加えたりすることにより、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを前記処理容器内にて連続的にまたは断続的に移動して、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源との接触部の位置を変化させたり、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを近接離間させながら、重希土類元素RHの直接接触での供給及び/または気化昇華による供給とR-T-B系焼結磁石体への拡散とを同時に実行するRH拡散工程。上記のRH拡散処理工程において、R-T-B系焼結磁石体の粒界相Rリッチ相及び主相結晶の最表面が溶解して液相になり、この液相に重希土類元素RHが供給されることで液相に含まれる希土類成分が重希土類元素RHリッチに変化し、再凝固過程において重希土類元素RHが主相側により多く分配されることによって重希土類元素RHが濃縮した主相外殻部が形成される。ただし、重希土類元素RHのみが多量に供給されると、RH拡散処理中の液相成分が大きく変化することによって主相表層部の溶け出し液相量増加にともなう主相溶出量の増加がより多くなってしまい、再凝固時に主相外殻部の重希土類元素RHの濃化領域が厚くなって主相結晶の磁化が低下する磁石としては残留磁束密度が低下することが推測される。また、主相表層部の溶け出しが多いと、RH拡散源とR-T-B系焼結磁石体との間、保持部材とR-T-B系焼結磁石体の間とでRH拡散工程中に溶着を発生させることが懸念される。本発明では、RH拡散源として、R-T-B系焼結磁石体と組成比が類似したR-T-B系合金を用いることによって、RH拡散工程中に、R-T-B系焼結磁石体の拡散工程開始前の液相成分と、RH拡散源とから生成される液相成分のR、T、B組成を近似なものにするただし、R中の重希土類元素RHの量は異なることができ、その結果R-T-B系焼結磁石体の液相量を過剰に増やさずに重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石に拡散することができる。また、RH拡散工程中に過剰に液相が生成しないので、重希土類元素RHの気化昇華のみによらず、溶着を発生することなく直接接触によっても所定量の重希土類元素RHをR-T-B系焼結体へ供給することができるため、本発明の製造方法の特徴を一層効果的に発現できる。さらに、特許文献1、特許文献2の方法と異なり、液相中の希土類元素Rの濃度が大きく変わることがないので、液相がRH拡散源やR-T-B系焼結体から外部へ染み出すことが抑制され、処理部材との溶着が防止できる。また、RH拡散源とR-T-B系焼結磁石体とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理容器内に装入し、連続的または断続的に移動させることでRH拡散源とR-T-B系焼結体とを特定の接触状態に保持せず、随時接触状態を変化接触点の移動させることが可能となり、前記RH拡散源の組成による効果と合わせて、これらの溶着防止効果を一層高めることができる。また、RH拡散源とR-T-B系焼結磁石体とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に処理容器内に装入し、連続的または断続的に移動させることで目的とするRH拡散が達成できるので、特許文献1の方法に比べR-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを所定位置に対向配置する工程が不要となり、また、特許文献2の方法に比べ、RH拡散源の塗布等の煩雑な作業が不要となる。本発明において、RH拡散する拡散工程は800°C以上1000°C以下の温度範囲で実施する。800°C以上1000°C以下という温度範囲が、R-T-B系焼結磁石体においてRH拡散が促進される温度範囲であり、重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体内部に拡散させやすい状況でRH拡散ができる。すなわち、800°C未満では目的とするRHの供給拡散が実現できず、1000°C超ではR-T-B系焼結磁石体への重希土類元素RHの供給が過多となり、残留磁束密度の低下が懸念される。ここで、RH拡散工程においてR-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを処理容器内において連続的または断続的に移動させる方法としては、R-T-B系焼結磁石体に欠けや割れを発生させることなく、RH拡散源とR-T-B系焼結磁石体との相互配置関係を変動させることが可能であれば、任意の方法を採用し得る。例えば、処理容器を回転、揺動したり、外部から処理容器に振動を加えたりする方法を採用できる。また、処理容器内に攪拌手段を設けてもよい。[R-T-B系焼結磁石体]まず、本発明では、重希土類元素RHの拡散の対象とするR-T-B系焼結磁石体を準備する。このR-T-B系焼結磁石体は、例えば以下の組成からなる。R希土類元素:28質量以上33質量以下BBの一部はCで置換されていてもよい:0.80質量以上1.2質量以下TFeを主とする遷移金属であって、Coを含んでもよいおよび不可避不純物:残部、また、Tの一部は以下の範囲で添加元素Mと置換してもよい。添加元素MAl、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb、およびBiからなる群から選択された少なくとも1種:0以上0.5質量以下ここで、希土類元素Rは、主としてNd、Pr等の軽希土類元素から選択される少なくとも1種の元素であるが、重希土類元素を含有していてもよい。重希土類元素を含有する場合は、DyおよびTbの少なくとも一方を含むことが好ましい。上記組成のR-T-B系焼結磁石体は、公知の製造方法によって製造される。[RH拡散源]RH拡散源は重希土類元素RHDy、Tbの少なくとも1種の含有量がR-T-B系焼結磁石体の含有量より少なくとも0.5質量以上多いR-T-B系合金からなる。このR-T-B系合金は、上記希土類元素RHの含有量の条件を満足し、例えば以下の組成からなる。R重希土類元素RHを含む希土類元素:28.0質量以上40質量以下BBの一部はCで置換されていてもよい:0.1質量以上1.5質量以下TFeを主とする遷移金属であって、Coを含んでもよいおよび不可避不純物:残部Tの一部は以下の範囲で添加元素Mと置換してもよい。添加元素MAl、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb、およびBiからなる群から選択された少なくとも1種:0以上0.5質量以下RH拡散源に含まれる重希土類元素RHの量がRH拡散工程前のR-T-B系焼結磁石体に含まれる重希土類元素RHより0.5質量以上多く存在していれば本発明の効果が得られる。RH拡散源が0.5質量多い場合、RH拡散源からR-T-B系焼結磁石体への重希土類元素RHの拡散がスムーズにできる。R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源との重希土類元素RHの差が0.5質量未満である場合、RH元素の拡散が充分に進行せず、目的となる保磁力向上効果が得られない。拡散工程中の液相の組成を母材であるR-T-B系焼結磁石体と近似させるため、RH拡散源に含まれるBの量は0.1質量以上1.5質量以下にする。Bの量は0.5質量以上1.2質量以下にするのが好ましい。RH拡散源に用いるR-T-B系合金は、少なくとも上記重希土類元素RHの含有量の条件を満たしておればよく、例えばR2T14B化合物からなる主相を有するR-T-B系焼結磁石の製造工程中で割れ欠けが発生したり、寸法規格外となったもの、所定形状に加工した後に残る焼結磁石端材等からなる焼結磁石スクラップを用いることができる。また、同様条件を満足するR-T-B系焼結磁石体の製造工程中で発生したR-T-B系合金鋳片以下、原料合金スクラップを用いてもよく、新たに組成を調整し作製したR-T-B系合金を用いてもよい。さらに、上記焼結磁石スクラップ、原料合金スクラップ、合金との混合物や、これらに新たに所定量の重希土類元素RH、RH化合物を混合して用いてもよい。特に、焼結磁石スクラップがRH拡散源であると、R-T-B系焼結磁石体と焼結磁石スクラップとを連続的または断続的に移動させながらRH拡散工程を行う際にRH拡散源がR-T-B系焼結磁石体と処理中に分離することなく均一に混合攪拌することから一層良好なRH拡散を実現する効果がある。処理容器に装入する際のRH拡散源の形態は、例えば、球状、線状、板状、ブロック状など任意である。RH拡散源の形状は、特に限定されない。また、処理容器に装入する際のRH拡散源の大きさは、目開き2mmの篩を通過したものを用いることが好ましい。RH拡散源の大きさを2mm以下にすることで、RH拡散源からR-T-B系焼結磁石体へのRH拡散を促進させる。RH拡散源の準備工程において、RH拡散源表面にある酸化膜を除去するのが好ましい。酸化膜を除去することにより、RH拡散源からR-T-B系焼結磁石体への重希土類元素RHの供給拡散をより効果的に実現できる。酸化膜の除去にはRH拡散源を破砕するのがよい。RH拡散源は研摩、切断又は破砕して用いてもよい。ここで、研磨とは、例えばショットブラストにてRH拡散源表面を研摩することやバレルに投入しRH拡散源表面を研摩し、RH拡散源の清浄面を露出することである。切断とは、例えば、ダイヤモンドカッターにてRH拡散源を切断し、RH拡散源の清浄面を露出させることである。破砕とは、例えば、RH拡散源をハンマーにて砕き、RH拡散源の清浄面を露出させることである。[攪拌補助部材]本発明の実施形態では、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源に加えて、攪拌補助部材を処理容器内に導入することが好ましい。攪拌補助部材はR-T-B系焼結磁石体とRH拡散源との接触を促進し、また攪拌補助部材に一旦付着した重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体へ間接的に供給する役割をする。さらに、攪拌補助部材は、処理容器内において、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源との接触による欠けを防ぐ役割もある。攪拌補助部材は処理容器内で運動しやすい形状にし、その攪拌補助部材をR-T-B系焼結磁石体とRH拡散源と混合して処理容器の回転、揺動又は振動の少なくともいずれかを行うことが効果的である。ここで運動しやすい形状の例として、直径数百μmから数十mmの球状、楕円状、円柱状等が挙げられる。攪拌補助部材は、RH拡散処理中にR-T-B系焼結磁石体と反応しにくい材料から形成されることが好ましい。攪拌補助部材としてはジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素並びに窒化硼素、または、これらの混合物のセラミックスから好適に形成され得る。ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素並びに窒化硼素、または、これらの混合物のセラミックスは比重がR-T-B系焼結磁石体とほぼ等しいので、攪拌がしやすい。また、R-T-B系焼結磁石体と反応しにくい金属材料としては、Mo、W、Nb、Ta、Hf、Zr、または、これらの少なくともいずれかを含む金属、合金またはこれらの混合物からも形成され得る。[RH拡散工程]図1を参照しながら、本発明による拡散処理工程の好ましい例を説明する。図1に示す例では、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2がステンレス製の筒3の内部に導入されている。ここで、RH拡散源2となるR-T-B系合金は、処理容器に装入する前に破砕、切断又は研摩されているのが好ましい。また、図示していないが、ジルコニア球などを攪拌補助部材として筒3の内部に導入されていることが好ましい。この例では、筒3が処理容器処理室として機能する。筒3の材料は、ステンレスに限定されず、1000°Cを超える温度に耐える耐熱性を有し、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2と反応しにくい材料であれば任意である。例えば、Nb、Mo、Wまたはそれらの少なくとも1種を含む合金を用いるのがよい。オーステナイト系ステンレスにAlまたはCoを添加したFe―Cr-Al系合金、Fe―Cr-Co系合金を用いてもよい。筒3には開閉または取り外し可能な蓋5が設けられている。また筒3の内壁には、RH拡散源2とR-T-B系焼結磁石体1とが連続的または断続的に移動しながら近接または接触を行い得るように、突起物を設置することができる。筒3の長軸方向に垂直な断面形状も、円に限定されず、楕円または多角形、あるいはその他の形状であってもよい。図1に示す状態の筒3は排気装置6と連結されている。排気装置6の働きにより、筒3の内部は減圧され得る。筒3の内部には、不図示のガスボンベなどからArなどの不活性ガスが導入され得る。筒3は、その外周部に配置されたヒータ4によって加熱される。筒3の加熱により、その中心軸の回りに回転可能に支持されており、ヒータ4による加熱中も可変モータ7によって回動することができる。筒3の回転速度は、例えば筒3の内壁面の周速度を毎秒0.005m以上に設定され得る。回転により筒内のR-T-B系焼結磁石体とRH拡散源が衝突して欠けないよう、毎秒0.5m以下に設定するのが好ましい。図1の例では、筒3は回転するが、本発明は、このような場合に限定されない。RH拡散工程中に筒3内でR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とが相対的に移動可能かつ接触可能であればよい。例えば、筒3は、回転することなく揺動または振動していてもよいし、回転、揺動および振動の少なくとも2つが同時に生じていてもよい。次に、例えば、図1の処理装置を用いて行うRH拡散処理の手順を説明する。まず、蓋5を筒3から取り外し、筒3の内部を開放する。複数のR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2を筒3の内部に装入した後、再び、蓋5を筒3に取り付ける。排気装置6を接続して筒3の内部を真空排気する。筒3の内部圧力が充分に低下した後、排気装置6を取り外す。必要圧力まで不活性ガスを導入し、モータ7によって筒3を回転させながら、ヒータ4による加熱を実行する。RH拡散処理時における筒3の内部は不活性雰囲気であることが好ましい。本明細書における不活性雰囲気とは、真空、または不活性ガスを含むものとする。また、不活性ガスは、例えばアルゴンArなどの希ガスであるが、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2との間で化学的に反応しないガスであれば、不活性ガスに含まれ得る。不活性ガスの圧力は、大気圧以下であることが好ましい。本実施形態においては、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2とが近接または接触しているため、真空度を高めなくともRH拡散ができる。また、真空度とRHの供給量との相関は比較的小さく、真空度を更に高めても、重希土類元素RHの供給量保磁力の向上度に大きく影響しない。雰囲気圧力は10-3Paから大気圧である。供給量は、雰囲気圧力よりもR-T-B系焼結磁石体1の温度に敏感である。本実施形態では、R-T-B系焼結磁石体1と重希土類元素RHをより多く含むRH拡散源2をいっしょに回転させつつ、加熱することにより、RH拡散源2から重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体1の表面に供給しつつ、内部に拡散させることができる。拡散処理時における処理室の内壁面の周速度は、例えば0.005m/s以上に設定され得る。回転速度が低くなると、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2との接触部の移動が遅くなり、溶着が発生しやすくなる。好ましい回転速度は、拡散温度やRH拡散源の形状やサイズ、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2の装入量等に応じて適宜選定することが好ましい。本実施形態では、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2の温度を800°C以上1000°C以下の範囲内に保持する。この温度範囲は、重希土類元素RHがR-T-B系焼結磁石体1の粒界相を伝って内部へ拡散するのに好ましい温度領域である。より好ましくは拡散する温度が850°Cを超える温度領域である。850°Cを超えるとより効率的に重希土類元素RHを内部に拡散することができる。熱処理の時間は、例えば10分以上72時間以下である。好ましくは1時間以上12時間以下である。処理温度が1000°Cを超えると、R-T-B系焼結磁石体への重希土類元素RHの供給が過多となり、残留磁束密度の低下が懸念されるばかりでなく、R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とが溶着してしまう問題が生じ易く、またR-T-B系焼結磁石体そのものが溶融したり、組織が変化してしまう可能性があり好ましくない。一方、処理温度が800°C未満では、目的とするRHの供給拡散が実現できない。保持時間は、RH拡散処理工程をする際のR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2の装入量の比率、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2の形状、RH拡散処理によってR-T-B系焼結磁石体1に拡散されるべき重希土類元素RHの量拡散量などを考慮して決めることが好ましい。RH拡散工程時における雰囲気ガスの圧力処理室内の雰囲気圧力は、10-3Paから大気圧の範囲内に設定され得る。RH拡散工程後に、拡散された重希土類元素RHを均質化する目的でR-T-B系磁石体1に対する第1熱処理を行っても良い。熱処理は、RH拡散源2を取り除いた後、重希土類元素RHが実質的に拡散し得る700°C以上1000°C以下の範囲で行い、より好ましくは800°C以上950°C以下の温度で実行される。この第1熱処理では、RH拡散源2を取り除いた後に行われるため、R-T-B系焼結磁石体1内部に対して重希土類元素RHの更なる供給は生じないが、R-T-B系焼結磁石体1において重希土類元素RHの拡散が生じるため、R-T-B系焼結磁石の表面側から奥深くに重希土類元素RHを拡散し、R-T-B系焼結磁石全体として保磁力を高めることが可能になる。第1熱処理の時間は、例えば10分以上72時間以下である。好ましくは1時間以上12時間以下である。ここで、第1熱処理を行う熱処理炉の雰囲気圧力は、大気圧以下である。好ましいのは10kPa以下である。RH拡散工程と第1熱処理は別々の熱処理装置で行ってもよいし、一つの熱処理装置にて連続して処理を行ってもよい。[第2熱処理]また、必要に応じて保磁力を高める目的で第2熱処理400°C以上700°C以下を行ってもよい。第1熱処理700°C以上1000°C以下と第2熱処理の両方を行う場合、第2熱処理は第1熱処理の後に行うことが好ましい。第1熱処理700°C以上1000°C以下と第2熱処理400°C以上700°C以下とは、同じ処理室内で行っても良い。第2熱処理の時間は、例えば10分以上72時間以下である。好ましくは1時間以上12時間以下である。ここで、第2熱処理を行う熱処理炉の雰囲気圧力は、大気圧以下である。好ましいのは10kPa以下である。なお、第1熱処理を行わずに第2熱処理のみを行ってもよい。[実験例1]まず、組成比Nd=28.5、Dy=2.0、B=1.0、Co=0.9、Al=0.1、Cu=0.1、残部=Fe質量のR-T-B系焼結磁石体を作製した。これを機械加工することにより、7.4mm×7.4mm×7.4mmの立方体のR-T-B系焼結磁石体を得た。比較のため作製したR-T-B系焼結磁石体の磁気特性をB-Hトレーサによって測定したところ、熱処理500°C後の特性で保磁力HcJは1250kA/m、残留磁束密度Brは1.38Tであった。次に、図1の装置を用いてRH拡散処理を実行した。筒の容積:128000mm3、R-T-B系焼結磁石体の投入重量又は投入個数:50g5個、RH拡散源の投入重量:50gであった。RH拡散源は、表1に記載にしたNd、Pr、Dy、Tb量が異なる種々のR-T-B系合金を破砕して用いた。大きさは篩いの目開きで2mm以下であった。拡散処理時における処理容器内の温度は、図2に示すように変化した。図2は、加熱開始後における処理容器内の温度の変化ヒートパターンを示すグラフである。図2の例では、ヒータによる昇温を行いながら、真空排気を実行した。昇温レートは、約10°C/分である。処理容器内の圧力が10Paに達するまで、約600°Cに温度を保持した。その後、処理容器の回転を開始し、拡散処理温度に達するまで昇温を行った。昇温レートは約10°C/分であった。表1のRH拡散温度に達した後、表1のRH拡散時間だけ、その温度に保持した。その後、ヒータによる加熱を停止し、室温程度まで降温させた。その後、図1の装置から取り出したRH拡散工程完了後のR-T-B系焼結磁石を別の熱処理炉に投入し、拡散処理時と同じ雰囲気圧力で第1熱処理900°C、4時間を行い、さらに第2熱処理500°C、4時間を行った。Dy量、Tb量を変えたRH拡散源サンプル1から12を用いてRH拡散処理を行ったところ、表1の結果となった。ここで、磁気特性は拡散処理後におけるR-T-B系磁石の各面を0.2mmずつ研削し、7.0mm×7.0mm×7.0mmの立方体に加工した後、B-Hトレーサにてその磁石特性を評価している。表では、RH拡散源の欄には、拡散処理工程で使用したRH拡散源の組成が示されている。周速度の欄には、図1に示す筒3の内壁面の周速度が示されている。RH拡散温度の欄には、拡散処理中において保持される筒3内の温度が示されている。RH拡散時間の欄は、RH拡散温度を保持した時間が示されている。雰囲気圧力は拡散処理開始時の圧力を示している。RH拡散工程完了後の保磁力HcJ増加量をΔHcJ、RH拡散工程完了後の残留磁束密度Br増加量をΔBrで示している。表1からわかるように、本発明の範囲では、残留磁束密度の低下を抑え、かつ保磁力が向上していた。また、溶着は発生しなかった。本発明の範囲では、RH拡散源の組成を除いて同じ条件にてRH拡散処理を行ったサンプル1から4について、表1よりサンプル1で保磁力向上効果ΔHcJが最も高く、かつ残留磁束密度の低下もなかったのがわかった。RH拡散源のDy含有量に対応して保磁力向上効果ΔHcJが高まることがわかった。また、サンプル5はR-T-B系焼結磁石体2がR-T-B系焼結磁石体よりもDy含有量が低いため、Dy拡散が進まず保磁力向上効果ΔHcJがなかった。また、RH拡散源の組成以外を同じ条件にてRH拡散処理を行ったサンプル6は表1より保磁力向上効果ΔHcJが200kA/mあり、かつ残留磁束密度の低下もなかったのがわかった。サンプル7、8より、RH拡散源の組成中のB量が異なるRH拡散源でも保磁力向上効果ΔHcJがあり、かつ残留磁束密度の低下もなかった。サンプル9より、Prをさらに含んだ組成でも、保磁力向上効果ΔHcJがあり、かつ残留磁束密度の低下もなかった。また、サンプル10、11より、本発明では雰囲気圧力が高くても保磁力向上効果ΔHcJがあり、かつ残留磁束密度の低下もなかった。サンプル12より、700°CでRH拡散した場合、目的とする保磁力向上効果が得られないことがわかった。[実験例2]ここで、直径5mmのジルコニア球を重量50g、攪拌補助部材として追加してRH拡散処理、第1熱処理を行った以外は、実験例1と同じ条件でRH拡散処理を行い、磁気特性を評価したところ、表2の結果となった。表2の通り、サンプル13から21はサンプル1から4、6から8、10、11と比べてRH拡散処理時間が半分になったにも関わらず、短時間でHcJの向上効果があり、かつBrがほとんど低下していない。サンプル15、20、21の結果から雰囲気圧力が高くとも残留磁束密度を低下させることなく保磁力を高める効果があることがわかった。欠けの発生は、サンプル1から12と比べ撹拌補助部材を用いたサンプル13から21で抑制されていることが確認できた。[実験例3]RH拡散源が表3に記載の組成の焼結体スクラップであることを除き、サンプル8と同じ条件にてRH拡散処理を行ったところ表3の結果となった。サンプル22から25いずれもサンプル1からサンプル4と同様に保磁力向上効果ΔHcJがあり、かつ残留磁束密度の低下もなかった。RH拡散源のDy含有量に対応して保磁力向上効果ΔHcJが高まることがわかった。以上のことから分かるように、R-T-B系合金からなるRH拡散源とR-T-B系焼結磁石体とを所定温度に加熱した処理容器内で連続的または断続的に移動させながら、互いに近接または接触させることで、量産性良くRH拡散源の重希土類元素RHを効果的にR-T-B系焼結磁石体の粒界内に導入し、磁石特性を向上させることが可能となった。なお、本発明の拡散処理で実行可能なヒートパターンは、図2に示す例に限定されない。