第1の表面5と接する第1の端部と第2の表面6と接する第2の端部とを有する第1及び第2の脚部2a、2bを備える熱電装置であって、前記第1及び第2の脚部は、前記第1の表面と前記第2の表面との間で途切れることなく伸びる第1及び第2の導電性素子8a、8bをそれぞれ備え、前記第1及び第2の脚部2a、2bは、前記第1の表面と前記第2の表面との間で途切れることなく伸びる第3及び第4の導電性素子8c、8dをそれぞれ備え、前記第3の導電性素子8cは、前記第1の導電性素子8aと隣り合い、且つ、絶縁体9により前記第1の導電性素子と隔てられており、前記第4の導電性素子8dは、前記第2の導電性素子8bと隣り合い、且つ、絶縁体10により前記第2の導電性素子と隔てられており、前記第1及び第2の導電性素子8a、8bからの第1の熱電対の形成と、前記第3及び第4の導電性素子8c、8dからの第2の熱電対の形成とを可能とする選択手段を備える、ことを特徴とする熱電装置。前記第1の導電性素子と前記第3の導電性素子8a、8cとは同じ熱電特性の材料から形成され、前記第2の導電性素子と前記第4の導電性素子8b、8dとは同じ熱電特性の材料から形成される、ことを特徴とする請求項1に記載の熱電装置。前記選択手段は、前記第1及び第2の脚部2a、2bの複数の外部表面上の可動接続素子3を備え、前記第1の脚部2aの前記外部表面は前記第1及び第3の導電性素子8a、8cを露出し、前記第2の脚部2bの前記外部表面は前記第2及び第4の導電性素子8b、8dを露出する、ことを特徴とする請求項2に記載の熱電装置。前記第1及び第3の導電性素子8a、8cは同心円筒形状であり、前記第2及び第4の導電性素子8b、8dは同心円筒形状である、ことを特徴とする請求項3に記載の熱電装置。前記可動接続素子3は、変形可能である導電性材料から形成された中央部3dを備える、ことを特徴とする請求項3に記載の熱電装置。前記可動接続素子3は、前記第1の脚部2aと接する第1の部分3aと前記第2の脚部2bと接する第2の部分3bとを備え、前記第1及び第2の部分は互いに対して移動することができる、ことを特徴とする請求項3に記載の熱電装置。前記第1及び第2の導電性素子8a、8bは第1の断面積Anp1を有し、前記第3及び第4の導電性素子8c、8dは第2の断面積Anp2を有し、前記第2の断面積は前記第1の断面積Anp1と異なる、ことを特徴とする請求項1に記載の熱電装置。前記選択手段は、-前記第1及び第2の導電性素子8a、8bを接続する第1の金属層13aと、-前記第1の金属層から電気的に絶縁され、前記第3及び第4の導電性素子8c、8dを接続する第2の金属層13bと、-電子回路V、V-中の前記第1及び第2の金属層のうちの一方又は他方を接続するスイッチ手段14、T1、T2と、を備えることを特徴とする請求項7に記載の熱電装置。前記第1及び第2の導電性素子8a、8bの前記第1の断面積Anp1は、ペルチェ効果及びゼーベック効果の2つの効果のうちの一方を助けるディメンションを持ち、前記第3及び第4の導電性素子8c、8dの前記第2の断面積Anp2は、前記2つの効果の他方を助けるディメンションを有する、ことを特徴とする請求項7に記載の熱電装置。前記第1の導電性素子8aは、前記第3の導電性素子8cの各側に配置された2つの部分を備え、前記第2の導電性素子8bは前記第4の導電性素子8dの各側に配置された2つの部分を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の熱電装置。本発明の目的は、所望のゼーベックモード又はペルチェモードに対して最適な動作を行うことができる単一のコンパクトな熱電装置を提供することである。この目的は以下のことにより達成することができる。熱電装置は、第1の表面と接する第1の端部と第2の表面と接する第2の端部とを有する第1及び第2の脚部を備える。第1及び第2の脚部は、第1の表面と第2の表面との間で途切れることなく伸びる第1及び第2の導電性素子をそれぞれ備える。第1及び第2の脚部は、第1の表面と第2の表面との間で途切れることなく伸びる第3及び第4の導電性素子をそれぞれ備える。第3の導電性素子は第1の導電性素子と隣り合い、且つ、絶縁体により第1の導電性素子と隔てられている。第4の導電性素子は第2の導電性素子と隣り合い、且つ、絶縁体により第2の導電性素子と隔てられている。装置は、第1及び第2の導電性素子からの第1の熱電対の形成と、第3及び第4の導電性素子からの第2の熱電対の形成とを可能とする選択手段をさらに備える。他の利点及び特徴は、本発明の特有の実施形態についての下記の説明により、さらに明らかにされる。本発明の特有の実施形態は、単なる例示であって、本発明を限定するものではない。本発明の特有の実施形態は、添付の図面により示される。熱電装置は、使用される条件と所望の動作モードとに対してその形状を調節することにより最適化することができる。熱電気及び熱の一般式を用いて得られるモデルは、この最適な形状を決定するために用いることができる。図1のモジュールに基づくケーススタディは以下のように説明される。ゼーベックモードにおける装置の最適化はペルチェモードのものと異なることを強調する。表1は、このモデルにおいて使用される熱電装置の電気、熱及び形状のパラメータをまとめたものである。装置の環境を定めるべく、熱交換機を装置と冷温側熱源6との間に配置する。熱交換機の特性も表1に示される。第1のカテゴリーのパラメータ温度は、高温側5の温度Thケルビンと、冷温側6の温度Tfケルビンとである。第2のカテゴリーのパラメータは、材料の個々の特性を定義し、例えば、脚部を形成する導電性材料のゼーベック係数S、熱伝導率λ、電気抵抗率ρ、及び、例えば脚部の間の電気絶縁材料といったマトリックスの熱伝導率λMATである。第3のカテゴリーは装置の形状を特徴づける。例えば、脚部の数nN=n/2は、熱電対の数と等しい、脚部の高さL、ここでは長さbを有する辺をもつ正方形により定められる脚部の断面積AnpAnp=b2、2つの連続した脚部の間の距離d、及び、脚部を配置することができる利用可能表面積Ateである。熱交換カテゴリーのパラメータは、冷温側の装置の環境を特徴づける:熱交換機の熱拡散表面積Ahs、及び、装置と冷温側熱源又は冷温源との間の熱交換器の熱伝導係数hである。この冷温源は、例えば外気温Tf300Kにある空気であり、この空気を用いた熱交換機は、脚部が形成されている金属板又は基板とすることができる。抵抗カテゴリーのパラメータは、各脚部2a、2bとコネクター3、4a、4b、4cとの間のコンタクトの品質を示すコンタクト抵抗RC、及び、直列の熱電対の端子において測定された装置のトータル抵抗に対応する内部抵抗Rintである。このモデル例においては、高温側及び冷温側は、それぞれ350ケルビンと等しいTh及び300ケルビンと等しいTfにある。モジュールの表面積Ateは1cm2に固定され、その上には10000個の脚部、すなわち、5000個の熱電対が配置される。複数の脚部は40μmの長さを持ち、空気により隔てられている。熱交換に関する最終的なパラメータは、2cm2の表面積Ahsと100Wm-2K-1の熱伝導係数hである。特に高温側5における熱拡散のために、冷温側6の温度Tfは、コネクター4aの面での熱電対の冷温温度に実際には対応するものではない。熱電対の冷温側は温度Tfよりも高い温度TCにある。従って、式中においては装置の温度差Th-TCが扱われ、環境における温度差Th-Tfは扱われない。ゼーベック効果に従って及びペルチェ効果に従って動作する熱電対のパフォーマンスに対する脚部の断面積Anpの影響について検討することを提案する。脚部の辺及び断面積にそれぞれ対応するパラメータb及びAnpは従って変化する。ゼーベックモードにおいて生成された電力Qgenは、以下の式により表1のパラメータを用いて表現することができる。式1は、パラメータTc及びRintを含み、これらは既知ではなく、脚部の断面積Anpに依存する内部抵抗Rintは以下のように表記される。Tcを求めるために、熱交換機の面におけるパワーバランスを示す式は以下のように示される。ここで、PSeebは、熱交換器の界面において生成された熱電力を示し温度TCである、Pcondは、伝導により伝わったパワーを示し、Pjは、ジュール効果により生成されたパワーを示し、Phsは、熱交換器の表面において自然又は強制的な対流によるパワーの減衰を示す。これらの4つのタームはTCを含む。各タームを以下の式により置き換えることにより、式3は以下のようになる。ここで、ΔTは温度差Th-TCを示し、λairは脚部を隔てる空気の熱伝導率を示し、Iは直列の熱電対により生成された電流を示し、さらに、Aairは装置側の上の空気の熱交換面の面積を示すAair=Ate-2NAnp。パラメータAnpの関数としてのTCを式4から得ることができる。式2及び4により式1中の内部抵抗Rint及び温度TCを置き換えることにより、生成された電力Qgenは、脚部の断面積Anpにのみに依存するものとして表現することができる。図2は、脚部の断面積Anpに対するQgenの変化を示す。最大電力Qgen_MAXは断面積AnpSeeb=6.67×10-10m2の際に得られ、これは、b=26μmの長さを有する辺をもつ正方形に対応することがわかる。この値AnpSeebは、以下の式を解くことにより分析的に得ることができる。同様に、モデル化はペルチェ効果に従い動作する装置に対しても行うことができる。熱電装置に10mAの入力電流Iを印加する。ペルチェ効果により生成されたパワー、ジュール効果及び熱伝導による損失を考慮し、ペルチェモードでの熱電装置の冷温電力は以下のような形式で表記することができる。この式6は、脚部の断面積を示す変数Anpと、直列の熱電対を通過する電流Iと、トータル熱伝導率KAnpとを含む。トータル熱伝導率は以下のように表記することができる。図3は、式2、6、7及び表1のパラメータの値から得られた、脚部の断面積AnpによるQcoldの変化を示す。この場合、これらのパラメータはゼーベックモードとは異なる。従って、10mAと等しい入力電流は直列の熱電対を流れる。このような条件の下で、脚部の断面積がゼーベックモードとして事前に決定されたものと等しい場合は、3.2Wの電力Qcoldを得ることができる。図3の曲線から3.2Wというこの値は最適なものではないことが読み取れる。3.94Wの最大電力Qcold_MAXは実際には断面積AnpPelt=3.24×10-10m2の際に得ることができ、その場合、約18μmの辺を有する正方形となる。従って、ペルチェモードに最適化された脚部の断面積は、ゼーベックモードに対して同じ熱電装置を最適化するために用いられる値よりも小さい。このモデル化の例は、動作モードに応じて最適な脚部の断面積が変化することを示す。ペルチェ効果及びゼーベック効果のうちの1つのみに最適化された従来のモジュールとは異なり、同じモジュールで両方の動作モードにおいて最大の効率を得るために、以下に説明される装置は、脚部の断面積を調整modulateすることができる構造を有する。図4は、変化する断面積を持ち熱電装置の一般的実施形態を概略的に示す。装置は、2つの熱源の間を平行に熱的に接続され、少なくとも1つの熱電対を形成するように直列に電気的に接続された、2つの熱電脚部2a及び2bを備える。各脚部は、熱源5と接する第1の端部と熱源6と接する第2の端部とを有する。熱源5は、例えば熱電装置の高熱表面を構成し、一方、熱源6は冷温表面を構成する。以下において熱源との表現は、ゼーベックモードにおいて装置の温度勾配をなす高温熱源又は冷温熱源、もしくは、ペルチェモードにおける冷却される環境のことを指す。装置は複数の脚部を用い、各脚部は様々な導電性素子により形成され、好ましくは互いに平行に配置され、且つ、電気絶縁材料の層により隔てられている。従って、ここで熱電脚部とは、様々に固定取り付けされた導電性素子から形成された部分であり、各素子は、熱源5及び6の間を脚部の高さ全体にひろがるextendover。この脚部の構造は、電気的に接続された異なる導電性素子によって異なる断面積を有する2つの熱電対を形成することができる。2つの熱電対のうちの一方又は他方は、所望の動作モードに従い選択される。脚部2a及び2bのそれぞれは、第1の導電性素子8a、8bを備える。素子8a及び8bは、高温源5から冷温源6まで連続的に伸びている。脚部2aの導電性素子8aと脚部2bの導電性素子8bとは、好ましくは同じディメンションであり、図4中に符号Anp1として示される同じ断面積を有する。熱電装置の脚部2a及び2bのそれぞれは、第2の導電性素子をさらに備える。従って、脚部2aは、素子8aと隣り合い、且つ、電気絶縁体9により素子8aと隔てられた導電性素子8cを備える。同様に、脚部2bは、素子8bと隣り合い、且つ、電気絶縁体10により素子8bと隔てられた導電性素子8dを備える。導電性素子8c及び8dは、好ましくは同じディメンションである。これらの断面積は符号Anp2として示される。導電性素子を形成する材料は、例えばシリコン及びゲルマニウムといった半導体材料、又は、特にアンチモン又はビスマスといった半金属から選択することができる。絶縁体9及び10は好ましくは同じ材料からなり、例えば、樹脂、窒化物、酸化物及び空気から選択される。以下の実施形態においては、第1の熱電対は導電性素子8a及び8bから形成され、一方、第2の熱電対は導電性素子8c及び8dから形成される。従って、素子8aを形成する材料と8bを形成する材料とは、異なる熱電特性であり、例えばn型にドーピングされた及びp型にドーピングされたシリコン-ゲルマニウム合金である。素子8cを形成する材料と8dを形成する材料とは、異なる熱電特性である。素子8aを構成する材料と8cを構成する材料とは、同じ又は異なるものとすることができ、素子8bを構成する材料と8dを構成する材料とも同様である。図5から7は、調節された断面積の脚部を有する装置の第1の実施形態の詳細を示すものである。図5は、図4の装置の熱電脚部2aの前面左図及び上面右図を示す。この実施形態では、脚部2aのコアは円筒形状の導電性素子8cにより構成される。素子8cは電気絶縁材料9により覆われた円筒状の表面を有する。外部リングは、材料9及び円筒状の素子8cの周りに、円筒状の素子8aにより形成される。従って、脚部2aの素子8a及び8cは、絶縁材料9により隔てられた同心円筒である。第2の脚部も同様の構成である。図6は、この脚部の構成に対応する電気接続モードを示す。各脚部の円筒は基板不図示の上に立っている。基板は、例えばxz平面に平行な面に配置されている。従って、各脚部を形成する円筒はyに沿って向く共通軸を有する。電気接続素子3は、素子8a及び8cを露出する脚部2aの外部表面上を移動することができる。図6の場合には、脚部の外部表面は、電気コネクター3と接しており、素子8a及び8cの上面に対応する。コネクターは例えばx方向に移動する。図6中に実線で示される第1の位置においては、コネクター3は、脚部の外部リング、すなわち素子8aと接触している。点線で示される第2の位置においては、コネクター3は素子8a及び8cと接触している。従って、コネクターは2つの円筒状の素子と電気的に接している。同様に、コネクター3は、素子8b及び8dを露出する脚部2bの外部表面上を移動する。図7は、この第1の実施形態にかかる熱電装置の概観を示す。図5に示されるタイプの脚部2a及び2bは、図6中の関連する記載の1つのように、移動可能なコネクター3に対応するものである。図6及び図7に概略的に示されるように、コネクター3が脚部2a及び2bの外部リングと接している場合には、素子8aと素子8bとの間の電気的接続が形成され、第1の熱電対が形成される。この熱電対をなす導電性材料の断面はAnp1と等しい。コネクター3が、素子8a、8b、8c及び8dを少なくとも部分的に覆う場合図6中の点線には、すべての素子の間の電気的接続が形成される。そして、Anp1とAnp2との総和に等しい断面積を有する第2の熱電対が得られる。第1の熱電対は例えばペリチェ効果に従った動作に最適化されている。この場合、素子8a及び8bの断面積Anp1は最大冷温電力が得られるように選択される。導電性素子の2つの対により形成される第2の熱電対は、例えばゼーベックモードにおいて用いられる。素子8a及び8cの断面積の総和と等しい対応する断面積は、電流生成を最適化するために選択される。図7の実施形態においては、コネクター3は、脚部2aと接する第1の部分3aと脚部2bと接する第2の部分とを備える。部分3a及び3bは、例えば電線3cにより電気的に接続される。部分3a及び3bは、互いに対して移動することができる。各部分は例えば電気機械的アクチュエーターを用いて独立して動くことができる。図8及び9は、コネクター3の他の実施形態を示す。コネクター3は、変形可能である導電性材料から形成された中央部分3dを備える単一の部分により形成することができる。コネクター3の部分3a及び3bは、それぞれ脚部2a及び2bと接しており、収縮又は膨張するように変形する材料3dによって反対方向に連続的に移動することができる。図8の部分3a及び3bの位置は待機位置に対応することができ、変形可能な部分3dに力がかかっていない場合である。変形可能な部分3dを圧縮することにより図9、部分3aはX方向に移動し、部分3bは-X方向移動し、第2の熱電対を形成する。反対に、待機位置は図9に対応することもできる。部分3a及び3bは、材料3dを膨張させることにより、各脚部のみの外部リングに接触することとなる。変形可能な材料としては例えば形態変化材料shapechangematerialがある。円筒状の脚部2a及び2bは、半導体材料から形成されたナノワイヤにより形成することができる。第1のステップは、例えばシリコンといった第1の材料のナノワイヤの成長を基板上で行う。ナノワイヤはその表面を酸化して、2つの導電性素子の間に例えば酸化シリコンSiO2といった絶縁材料の層を形成する。最終的には、最後のステップにおいて。第2の材料例えばシリコンの新しい成長を行い、絶縁材料を覆う。図10から12は、調節された断面積の脚部を有する熱電装置の第2の実施形態を示す。図10は、熱電脚部2a、2b及び2aが基板12の上に並んで配置されているような装置を示す。図1、図4から9の示される垂直構造と異なり、この構造は、例えば堆積し、次いで層をパターニングするといった薄膜製造planerfabricationに基づいている。装置は、第1の熱電対を形成するための素子8a及び8bの間の第1の電気接続13aと、第2の熱電対を形成するための素子8c及び8dの間の第2の電気接続13bとを備える。素子8a及び8bの断面積Anp1は、素子8c及び8dの断面積Anp2と異なる。よって、第1及び第2の熱電対は、異なるサイズの断面積を有する。これらのうちの一方は、好ましくはゼーベックモードでの動作に最適化されており、他方はペルチェモードでの動作に最適化されている。第1の電気接続13aは、素子8a及び8bを接続する金属層13aにより形成することができ、好ましくは脚部2a及び2bの1つの端部に位置する。金属層13bは、好ましくは層13aの近傍であって層13aと平行に配置され、素子8c及び8dを接続する。各熱電対は、好ましくは連続的な脚部2a、2bの対により形成された同じ特性の他の熱電対と直列に接続される。脚部2bの外部素子8bは、金属層13cにより、図10の右において以下の脚部2aの外部素子と電気的に接続される。同様に、脚部2bのコア8dは、金属層13dにより、以下の熱電対の脚部2aのコアに電気的に接続される。金属層13c及び13dは、好ましくは脚部の反対側の端にある層13a及び13bと同様に形成される。従って、2つの独立した電気経路は導電性素子から形成される。2つの直列の熱電対は、スイッチ装置14により外部電気回路不図示と接続される。装置14は、入力-出力端子V及びV-に2つの電気経路のうちの一方又は他方を接続する。装置がペルチェモードで動作している際には、これらの入力-出力端子V及びV-は装置の電源端子supplyterminalである。反対に、ゼーベックモードにおいては、入力-出力端子V及びV-は外部回路の電源端子である。図10に示される実施例においては、装置14は2つのスイッチT1及びT2を備え、例えばMOSトランジスタ型である。各スイッチは、入力-出力端子V及びV-のうちの1つと対応する直列の熱電対との間の電気経路に配置される。スイッチT1及びT2は、互いに逆位相の関係にある信号φ及び信号/φにより制御される。このようにして、直列の熱電対の1つのみがどの時点においても外部回路電力供給又は負荷と接続する。例えば、直列の第1の熱電対を用いて2つの効果であるペルチェ効果又はゼーベック効果のうちの一方に応じた動作のために、トランジスタT1は信号φによりオンにされる。直列の第2の熱電対を用いた他方の効果に応じた動作のために、トランジスタT2は逆位相の信号/φによりオンされる。この実施形態においては、素子8aは、素子8cの各側に対称に配置された2つの部分からなる。同様に、素子8dは、素子8bの各側に対称に配置されている。しかしながら、装置はこのような対称な構成に限定されるものではない。特に、素子8a及び8cは、図4に示されるように並んで配置することができる。図11及び12は、図10の装置の断面であって、それぞれ、導電性素子8a上の層13aにより形成された電気接続におけるものと、導電性素子8c上の層13bにより形成された電気接続におけるものとである。導電性材料から形成された素子8a及び8cは電気絶縁材料により囲まれている。絶縁材料の上部は除去され、領域15aの素子8aと接続する図12、もしくは、領域15bの素子8cと接続する図13ことを可能にする。図13から21は、図10にかかる熱電脚部の製造方法の第1の連続する複数の工程を示す。図13においては、電気絶縁材料の層16及び17は基板12の上に堆積される。エッチングマスク18は層17の上に形成される。マスク18は好ましくはフォトリソグラフィーでパターニングされた樹脂を備える。マスクにより定められた開口部は熱電脚部のディメンションに対応するディメンションを有する。図14においては、誘電層16及び17は、マスク18を介して異方性エッチングされる。マスク18は、例えばO2タイプのプラズマエッチングにより、層16及び17に対して選択的に除去される。図15は、上述のエッチング領域において、基板12の上のスペーサー19a及び19bの製造を示す。スペーサーは、好ましくは犠牲材料の層のコンフォーマルな堆積と犠牲材料の異方性エッチングにより形成される。犠牲材料は例えば酸化シリコン酸化又は窒化シリコンである。図16は導電性素子8cの形成を示す。例えばドーピングされたシリコンから形成された導電性材料の層は、スペーサー19a及び19bの間にある空間の中に形成され、さらに、スペーサー19a及び19bと同じ面をなすように薄層化される。薄層化は例えば化学機械研磨又は化学エッチングにより行うことができる。ドーピングは、局所的なイオン注入による堆積を連続的に行うことにより、もしくは、ガス状のドーパントを堆積の際に追加することにより行うことができる。図17において、スペーサー19a及び19bは、層16、17に対して及び素子8cの材料に対して選択的に除去される。図18は、素子8cは電気絶縁材料9により覆われている。材料9は好ましくは素子8cの表面酸化により形成される。酸化は、例えば酸素の下での熱処理により行うことができる。シリコン素子8cの場合には、酸化シリコンSiO2を得ることとなる。図19においては、素子8aの導電性材料は、素子8cの各側に形成され、素子8cの上部上の絶縁体9と平坦な表面を形成するように薄層化される。素子8aの材料は例えば素子8cの材料と同一である。図20及び21は、素子8a及び8cの上方にスペーサー20a、20b、21a及び21cの形成を示す。スペーサー20a及び20bは、素子8cの各側において素子8aの部分のみを覆う。スペーサー21a及び21aは、それぞれスペーサー20a及び20bにそれぞれ接しており、素子8aを部分的に覆い、さらに絶縁材料9を部分的に覆う。スペーサー21a及び21bの間にある自由領域は、素子8cのほぼ上方に配置され、しかしながら素子8aにまで至ることはない。図13から21に関係する工程は、装置の熱電脚部2a及び2bのすべてに共通する。図22から図25は、製造方法の第2の連続する複数の工程を示す。これらは脚部の間の電気接続の形成に対応する。図22及び図23は金属層13aの形成を示す。図22においては、スペーサー21a及び21bはフォトリソグラフィーにより事前に定められた領域においてエッチングされる。この領域は、第1の脚部の素子8aと第2の脚部の素子8c不図示とに接する金属層13aの形成を与える。よって、素子8aとの接続は、スペーサー21a及び21bを除去することにより得られる。金属層13aはスペーサー20a及び20bの間にある空間に堆積される。層13aは好ましくは化学機械研磨により平坦化される。図23に示される他の実施形態においては、すべてのスペーサーは除去される。素子8a上の層13aの接続は、素子8aの上面全体の上に形成される。図24及び25は金属層13bの形成を示す。図24においては、絶縁材料9の上部はフォトリソグラフィーにより定められた他の領域においてエッチングされる。このエッチングは、連続する工程の中で電気接続を形成するように素子8cに接続する開口部を形成する。スペーサー21a及び21bは、好ましくはエッチングマスクとして機能する。従って、この接続領域はスペーサー21a及び21bの間にある空間の下に配置される。図25は、金属層13bはスペーサー21a及び21bの間の空間に堆積され、次いで化学機械研磨により最終的に平坦化される。製造方法は、脚部2aに関するものして脚部2aについての言及を用いて説明した。しかしながら、例えば図4に示される脚部2bといった装置の他の熱電脚部にも、方法を適用することができる。どの脚部の導電性素子であっても、好ましくは同じ熱電特性の材料から形成される。一般的には、導電性素子はすべてシリコンから形成することができる。脚部2aの素子8a及び8cはn型ドーピングされ、脚部2bの素子8b及び8dはp型ドーピングされることができる。他の例においては、素子8a及び8bはそれぞれn型ドーピングされたシリコン及びp型ドーピングされたシリコンから形成され、一方、素子8c及び8dはそれぞれn型ドーピングされたシリコン-ゲルマニウム合金及びp型ドーピングされたシリコン-ゲルマニウム合金から形成される。