半導体ウェーハの欠陥をレビューするウェーハ欠陥レビュー装置において、試料となる半導体ウェーハを載置して移動する試料ステージと、前記試料ステージ上に載置された前記試料の表面高さを検出する高さ検出センサと、圧痕針を前記試料の表面に対して垂直方向に駆動して試料表面にマーキングを施す圧痕マーキング機構とを備え、前記圧痕針により前記試料の表面にマーキングを施す位置は、前記ウェーハ欠陥レビュー装置で予め取得した前記試料上の欠陥の座標情報に基づいて求め、前記圧痕針の垂直方向の送り量は前記高さ検出センサで取得した前記試料の高さ情報により求め、前記座標情報に基づいて前記試料ステージを駆動し、前記高さ情報に基づいて前記圧痕マーキング機構を駆動することを特徴とするウェーハ欠陥レビュー装置。請求項1に記載のウェーハ欠陥レビュー装置において、前記圧痕マーキング機構は、前記試料の表面に対し垂直方向に移動可能な送り機構に対し概ね垂直に配置したレバーの先端に前記圧痕針が固定された構成を有し、前記レバーは前記送り機構に対する取り付け角度を調整可能であり、前記圧痕針が前記試料と接触した際の押し付け力を計測する荷重計が前記レバーに備えられていることを特徴とするウェーハ欠陥レビュー装置。請求項1に記載のウェーハ欠陥レビュー装置において、前記圧痕マーキング機構の垂直方向の送り速度を、前記高さ情報に基づき少なくとも2段階に調節可能であることを特徴とするウェーハ欠陥レビュー装置。請求項1に記載のウェーハ欠陥レビュー装置において、前記圧痕マーキング機構の垂直方向の送り量を前記荷重計の出力情報に基づき制御することを特徴とするウェーハ欠陥レビュー装置。特許文献1によれば、欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にレーザ光や、イオンビーム、電子ビーム、メカニカルプローブによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を作製する方法が開示されている。しかしながら、従来技術には、低コストで確実な圧痕針を用いたマーキング機構の具体的な開示がない。したがって、品質のよいマーキングを実際に短時間で再現性よく作成することが困難であった。本発明の目的は、半導体ウェーハ上の異物や欠陥などを高速でレビューするウェーハ欠陥レビュー装置光学式、電子式を含むで発見した欠陥や異物の故障解析を行うために必要な試験片を、高品質で再現性よく短時間に、かつ低コストで製作可能なウェーハ欠陥レビュー装置を提供することである。本発明では、ウェーハ欠陥レビュー装置に、検査対象である半導体ウェーハの表面に対して垂直方向に駆動可能で先端が針状の圧痕針を備える圧痕マーキング機構を付属させる。圧痕マーキングを施す位置は、ウェーハ欠陥レビュー装置で予め取得した異物や欠陥の座標情報に基づいて決定し、圧痕マーキング機構の垂直方向の送り量はウェーハ欠陥レビュー装置に設けられているウェーハ表面の高さ検出センサで取得した高さ情報に基づいて決定する。圧痕マーキング機構は、半導体ウェーハの表面に対し垂直方向に移動可能な送り機構に対し概ね垂直に配置したレバーの先端に、ウェーハ表面に対し垂直な方向に圧痕針を固定した構成とし、レバーの送り機構に対する取り付け角度を調整可能とし、またレバーに圧痕針が試料と接触した際の押し付け力を計測する荷重計を設けるのが好ましい。圧痕マーキング機構の垂直方向の送り速度は、高さ検出センサで取得した高さ情報に基づいて少なくとも2段階に調節するのが好ましく、それにより短時間で圧痕を付与することが可能となる。さらに、圧痕マーキング機構の垂直方向の送り量を荷重計の出力に基づき制御するのが好ましく、それにより再現性のよい圧痕形状を実現することができる。本発明によれば、高品質なマーキングを容易に形成することが可能である。上記した以外の、課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1に、本発明の実施例によるウェーハ欠陥レビュー装置の全体構成例を示す。以下では、ウェーハ欠陥レビュー装置として走査型電子顕微鏡欠陥レビュー装置を例にとって説明するが、本発明は光学式欠陥レビュー装置に対しても適用可能である。走査型電子顕微鏡欠陥レビュー装置100は、制御PC101、走査電子顕微鏡カラム102、高さ検出センサ103、表示モニター104、試料ステージ駆動モータ301、試料ステージ302、試料ステージボールねじ303、試料ステージガイド304、試料ステージ蓋305を有する。走査型電子顕微鏡欠陥レビュー装置100は、上位装置で検査された半導体ウェーハ201を上位装置の検査座標データを基に試料ステージを駆動させ、異物あるいは欠陥以下、両者を総称して単に欠陥というの箇所を走査電子顕微鏡カラム102の視野に高速で移動させ、欠陥画像を取得して表示モニター104に表示させ、制御PC101に画像保存する。走査型電子顕微鏡欠陥レビュー装置100は、欠陥レビュー終了後に後段の解析装置で解析したい欠陥部分を割断しチップ形状にする為の目標を、半導体ウェーハ201に形成する。そのために、圧痕マーキング装置500にて、半導体ウェーハ201に圧痕針を押し当てて目標となる圧痕を形成する。図2に、圧痕マーキング装置500の詳細を示す。圧痕マーキング装置500は、駆動モータ501、駆動ボールねじ502、駆動ガイド503、真空ベローズ504、アームシャフト505、圧痕針バーコビッチ圧子601、針アーム602、を備える。駆動モータ501は、駆動ボールねじ502を回転させ、駆動ガイド503のガイドによってアームシャフト505を昇降動作させる。アームシャフト505に固定されている針アーム602は、アームシャフト505の昇降動作に伴い上下動作する。針アーム602の先端には圧痕針バーコビッチ圧子601が固定されており、針アーム602の上下動作に伴い圧痕針601が上下動作し、半導体ウェーハ201に圧痕針601を押し当てて圧痕を形成する。針アーム602には、ひずみゲージ701が組み込まれている。半導体ウェーハ201に圧痕針601を押し当てて圧痕を形成する際、ひずみゲージ701のひずみ量を目安に半導体ウェーハ201に圧痕針601を押し当てる圧力を制御することで、図3に示すように圧痕形状の大きさを制御する。例えば、図4に示すように、欠陥周辺を割断し、割断チップ904の形状に加工するための圧痕マークの場合、ひずみゲージ701の値を大きく設定することで高い圧力設定となり、圧痕マークが深く大きく形成され、目視で容易に確認出来る圧痕マーク901が形成される。また、割断チップ904中で欠陥箇所を特定する目的のためには、ひずみゲージ701の値を小さく設定し、欠陥の極めて近傍に圧痕針601を押し当てる。すると、低い圧力設定となり、圧痕が浅く小さく形成される。従って、欠陥に影響を及ぼすことのない小さな圧痕マーク903が欠陥の近傍に形成され、後段の解析装置に付属するアライメント顕微鏡などで容易に確認することが出来る。なお、一つの欠陥に対して圧痕を付与する位置や個数は、欠陥位置に対して予め定めた方向、距離、個数とすることができる。欠陥の位置座標データは上位の欠陥検査装置から走査型電子顕微鏡欠陥レビュー装置100に渡されていて既知であるため、特定の欠陥に対して圧痕を付与すべきことが決定されると、その欠陥に対して圧痕を形成すべき位置も計算により求めることができる。圧痕を半導体ウェーハ201に形成する際、圧痕針601を半導体ウェーハ201に接触させる際の接触スピードは、例えば100nm/sec以下と極めて低速にする必要がある。接触スピードが高速であると、圧痕周辺にクラック等が発生し、異物が発生したり欠陥にダメージを及ぼす可能性がある。一方、圧痕針601を低速の接触スピードで移動させる距離は極力短くしなければ、圧痕を形成させるのに要する時間が膨大となり、スループットが著しく低下する。換言すると、圧痕針601を予め半導体ウェーハ表面の極近くまで高速で接近させておいてから低速の接触スピードで降下させるようにしなければならない。そこで、本実施例では、走査電子顕微鏡欠陥レビュー装置100に付属している高さ検出センサ103を用いて、予め半導体ウェーハ201の圧痕形成箇所の表面高さを計測することで、圧痕針601の先端を半導体ウェーハ201表面近傍に高速に移動させることを可能とした。その結果、圧痕針を極めて低速の接触スピードで移動する距離を短くすることができ、圧痕を形成するための時間を大幅に短縮することが可能となってスループットの向上に寄与する。走査電子顕微鏡欠陥レビュー装置100に付属している高さ検出センサ103と圧痕針601の高さ方向の位置合わせは、次のようにして行う。まず、走査電子顕微鏡欠陥レビュー装置100のフォーカス原点位置を高さ検出センサ103で測定する。次に、試料ステージ302を駆動して、その測定点を圧痕マーキング装置500の圧痕針601の直下に移動する。そして、圧痕針601を昇降させ、フォーカス原点位置に接触させる。その際の高さ検出センサ103と圧痕針601の高さ情報を記録し補正しておく。図5は、本発明の実施例に基づく欠陥レビュー及び圧痕マーキングの動作フローを説明するフローチャートである。上位装置で検査された半導体ウェーハ201を、圧痕マーキング装置を備える走査型電子顕微鏡欠陥レビュー装置に搬送するS11。上位検査装置の検査データに基づき、搬送された半導体ウェーハ201を載せた試料ステージ302を高速で駆動し、欠陥箇所を走査電子顕微鏡カラム102の視野に移動させるS12。次に、高さ検出センサ103で半導体ウェーハ201の表面高さを計測し、その情報を走査電子顕微鏡カラム102のフォーカス値の算出情報として適用することで、走査電子顕微鏡カラム102のフォーカスを瞬時に合わせるS13。その後、欠陥位置の画像を取得し、欠陥レビューを行うS14。欠陥レビューの結果に応じて、圧痕マーキングを実施するかどうか判定するS15。その欠陥を後段の解析装置にて観察させたい場合には、圧痕マークを欠陥周辺に形成し割断チップを形成するための準備に入る。すなわち、ステップ15からステップ21に進み、試料ステージ302を高速で圧痕マーキング装置500の下部に移動させ、圧痕マークを形成させたい箇所の上方に圧痕針が位置するように試料ステージ302を微調整するS21。次に、駆動モータ501によって駆動ボールねじ502を回転させ、駆動ガイド503のガイドによってアームシャフト505をホームポジション原点位置から降下させる。その際、その欠陥に対して走査電子顕微鏡カラム102のフォーカス値情報として適用した高さ検出センサ103による高さ情報を圧痕マーキング装置500に適用しS22、圧痕針601を半導体ウェーハ201表面の極めて近傍、例えばウェーハ表面上5μmの高さまで高速移動、例えば100μm/secで移動させるS23。次に、圧痕針601の降下スピードを高速から低速に切り替えS24、圧痕針601を低速、例えば100nm/secで駆動し、半導体ウェーハ201に接触させるS25。なお、本実施例では、圧痕針の下降スピードを高速と低速の2段階に制御したが、高速、中速、低速の3段階、あるいは高速と低速の間に2段階以上のスピードを設定して合計4段階以上に制御してもよい。次に、針アーム602に組み込まれているひずみゲージ701の出力値を監視する。形成させたい圧痕マーク形状に合わせてひずみゲージ701の閾値は予め変更されている。割断チップ形成のための圧痕マークの場合、ひずみゲージ701の閾値は、例えば200mNと大きな値に設定されている。この設定では、大きな圧痕マーク901が形成される。また、割断チップ内で欠陥箇所を特定させるための圧痕の場合、ひずみゲージ701の閾値は、例えば50mNと小さく設定されている。この設定では、小さな圧痕マーク903が形成される。観察したい欠陥が比較的大きな場合などには、中くらいの大きさの圧痕マーク902を形成させることも出来る。ひずみゲージ701の出力値が設定閾値に達すると、圧痕針が停止するS26。その後、圧痕針601を低速で上昇駆動させるS27。ここでも、ひずみゲージ701の出力値を監視し、ひずみゲージ701の出力値0を確認出来た段階でS28、圧痕針601上昇スピードを高速に切り替えて更に上昇させるS29。圧痕針601が原点待機位置に達すると、そこで停止させて待機させるS30。その後、次の欠陥レビューを行うかどうかを判定しS16、行う場合には、ステップ12に戻って試料ステージ302を次欠陥座標に移動させ、以下同様の手順で欠陥レビューを行なう。ステップ15の判定で、欠陥レビューの結果、圧痕マーキングの必要がない場合には、ステップ16に進み、次の欠陥レビューを行うかどうかの判定を行う。ステップ16の判定で、欠陥レビューが終了したと判定された場合には、半導体ウェーハ201を走査型電子顕微鏡欠陥レビュー装置より搬出しS17、その半導体ウェーハに対する欠陥レビューと圧痕マーキングを終了する。走査型電子顕微鏡欠陥レビュー装置より搬出された半導体ウェーハは、表面に付与された圧痕をもとに割断チップ904の形状への加工が行われる。適正な圧痕形状を付与するには、圧痕針601を半導体ウェーハ201に対して垂直に配置する必要がある。そこで、針アーム602をZ方向及びθ方向に調整する機構を備える。この調整機構は、針先調整部Z方向603と、針先調整部θ方向604とからなる。針先調整部Z方向603は、針アーム602の根元付近に位置する回動軸の回りに針アーム602を微小角度回動させることにより、針アーム602の長軸を半導体ウェーハに投影してできる軸に沿う方向の圧痕形状を調整することができる。また、針先調整部θ方向604は、針アーム602をその長軸の回りに微小角度回動させることにより、針アームの長軸に垂直な方向の圧痕形状を調整することができる。圧痕を形成する際、駆動モータ501が制御不能となった場合を考慮し、圧痕マーキング装置500は、原点リミットセンサ801及び接触リミットセンサ802を備える。例えば、圧痕形成中に駆動モータ501が制御不能となった場合、接触リミットセンサ802により昇降リミット位置を監視し駆動モータ501の駆動電源をOFFすることで、半導体ウェーハ201に異常圧力が加わらないようにする。さらに、機械的に下降位置を制限できる機械寸法とすることで、半導体ウェーハ201に異常圧力がかかって破損するのを防止する。以上のように本実施例によれば、試料に電子線を照射して試料の観察を行う走査電子顕微鏡欠陥レビュー装置に対し、検査対象である半導体ウェーハの表面に対して垂直方向に駆動可能で先端が針状の圧痕マーキング機構を設け、マーキングを施す位置は欠陥レビュー装置で予め取得した異物や欠陥の座標情報から決定し、かつ圧痕マーキング機構の垂直方向の送り量は欠陥レビュー装置に設けたウェーハ表面の高さ検出センサで取得した高さ情報により決定されるので、高品質なマーキングを容易に得ることが可能である。また、本実施例によれば、欠陥レビュー装置に備える圧痕マーキング機構を、半導体ウェーハの表面に対し垂直方向に移動可能な送り機構に対し概ね垂直に配置したレバー針アームの先端に、ウェーハ表面に対し垂直な方向に圧痕針を固定する構成とし、このレバーの送り機構に対する取り付け角度を調整可能とし、またレバーに圧痕針が試料と接触した際の押し付け力を計測する荷重計を設けたので、低コストでマーキングが可能となる。さらに、本実施例によれば、圧痕マーキング機構の垂直方向の送り速度を高さ情報にもとづき少なくとも2段階に調節するため、より短時間のうちに試料にマーキングを形成することが可能となる。さらに、本実施例によれば、圧痕マーキング機構の垂直方向の送り量を荷重計の出力情報にもとづき制御するため、より再現性よく試料にマーキングを形成することが可能となる。なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加削除置換をすることが可能である。