半導体基板上に第1の金属元素を含む被エッチング膜を形成する工程と、前記被エッチング膜上に第2の金属元素を含有するカーバイド層を形成する工程と、前記カーバイド層をエッチングする工程と、前記カーバイド層をマスクとして前記被エッチング膜をエッチングする工程と、を有するエッチング方法。前記第1の金属元素は、Pt、Au、Ag、Ir、Pd、Rh、Ru又はOsから選ばれる元素であり、前記第2の金属元素は、Ti、Ta、W、Mo、Nb又はHfから選ばれる元素であることを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。前記被エッチング膜のエッチングは、Cl2ガス及びO2ガスを供給した状態でプラズマエッチングであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエッチング方法。基板上方に下部電極、磁気抵抗効果素子、及び上部電極から構成され、第1の金属元素を含む積層構造を形成する工程と、前記積層構造上に前記第1の金属元素を含有するカーバイド層を形成する工程と、前記カーバイド層をエッチングする工程と、前記カーバイド層をマスクとして、前記上部電極、前記磁気抵抗効果素子、及び前記下部電極をエッチングする工程と、を有する半導体装置の製造方法。前記第1の金属元素は、Pt、Au、Ag、Ir、Pd、Rh、Ru又はOsから選ばれる元素であり、前記第2の金属元素は、Ti、Ta、W、Mo、Nb又はHfから選ばれる元素であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、被エッチング膜を精度良くエッチングするエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供することである。実施形態に係るエッチング方法によれば、半導体基板上に第1の金属元素を含む被エッチング膜が形成される。前記被エッチング膜上に第2の金属元素を含有するカーバイド層が形成される。前記カーバイド層がエッチングされる。前記カーバイド層をマスクとして前記被エッチング膜がエッチングされる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。第1の実施形態第1の実施形態に係るエッチング方法について以下説明する。図1は第1の実施形態におけるエッチング方法を示す断面図である。図1に示すように、半導体基板1上に層間絶縁膜2を形成する。層間絶縁膜2には、例えばシリコン酸化膜が用いられる。次に、層間絶縁膜2上には、被エッチング膜3を形成する。被エッチング膜3は、例えば第2の金属元素として例えばPt、Au、Ag、Ir、Pd、Rh、Ru又はOsを含むものである。被エッチング膜3には、貴金属元素以外の元素が含まれていてもよい。例えば、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Ir、Pt、Zr、Hf、La又はSrから選ばれる元素が含まれてもよい。その後、被エッチング膜3上には、カーバイド層4を形成する。カーバイド層4は、第1の金属元素であるTi、Ta、W、Mo、Nb又はHf元素と、C元素を含む膜である。カーバイド層4には、例えば、TiC膜やTaC膜が用いられる。TiC膜やTaC膜は、例えばTiC又はTaCをターゲットにしたスパッタ法、TaをターゲットとしてCOを導入した化成スパッタ法、CVDChemicalVaporDeposition法、Ta膜の成膜後にCイオン照射による形成方法等により形成される。次いで、カーバイド層4上には、ハードマスク層5としてシリコン酸化膜を形成する。その後、ハードマスク層5上にフォトレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ法によりフォトレジスト膜図示なしを所望の加工パターンに加工する。その後、所望のパターンにフォトレジスト膜をマスクとして、ハードマスク層5を例えばプラズマエッチング法により、エッチングし、カーバイド層4をエッチングするためのハードマスクを形成する。このとき、エッチングガスとして、例えばCF4CHF3C4F8C4F6等のフルオロカーボン系のガスを用いる。次に、ハードマスクをマスクとして、カーバイド層4を例えばプラズマエッチング法によりエッチングし、被エッチング膜3をエッチングするためのエッチングマスクを形成する。このとき、例えばプラズマ処理容器にBCl3ガスを50sccm、Cl2ガスを50sccm、Arガスを100sccm混合させ、プラズマ容器内の圧力を07Paとし、プラズマ励起に関わるRF電力を1000W、バイアス電力を200Wとした。その後、エッチングマスクをマスクとして、例えばウェーハを250~450°Cに加熱した状態において、RIEのようなプラズマエッチング法により被エッチング膜3をエッチングする。このとき、例えばプラズマ処理容器にCl2ガスを170sccm、O2ガスを30sccm混合させ、プラズマ容器内の圧力を1Paとし、プラズマ励起に関わるRF電力を1000W、バイアス電力を400Wとした。プラズマ容器内の圧力は05~3Paが望ましく、さらに望ましくは1~2Paの範囲である。また、プラズマ励起に関わるRF電力は200~4000Wが望ましく、500~1500Wがより望ましい。バイアス電力は300~600Wが望ましく、より好ましくは300~400Wの範囲である。表1に、Ta膜、Ti膜、TaC膜、TiC膜をエッチングマスクに用いて、被エッチング膜3としてPt膜をエッチングする場合において、エッチングマスクとPt膜との選択比を示す。表1のように、エッチングガスにCl2O2ガス及びArガスを用いた場合には、Ta膜又はTi膜のように第1の金属元素からなる膜の場合と比較して、TaC膜又はTiC膜のようにC元素が含まれている膜の方が、選択比が大きい。TaC膜又はTiC膜等のカーバイド層4はそれぞれTa膜又はTi膜と比較して硬度が増すことが知られている。例えばArガスを用いたエッチングにおいては、被エッチング膜3のスパッタリングイールドはほぼ硬度に比例する。そのため、マスクをTaC膜又はTiC膜等のカーバイド層4とした場合には、Ta膜又はTi膜をマスクとした場合と比べて、マスクのエッチングレートが低下し、被エッチング膜3との選択比が向上する。また、Cl2ガスを用いてエッチングする場合、被エッチング膜3に含まれる原子と反応し、揮発性があるPtClxが生成されつつエッチングが進行する。さらに、マスクをTaC膜やTiC膜などのカーバイド層4とし、エッチングガスをCl2ガス及びO2ガスの混合ガスとした場合には、マスクにTaOx又はTiOxが形成される。Cl2ガスに対し、TaOx又はTiOxは、TaまたはTiに比較して結合エネルギーが高く、マスクのエッチングレートは低くなるため選択比を大きく向上することが可能となる。これにより、上記エッチング方法によりエッチングされた被エッチング膜3としてのPt膜のテーパー角は、Ta膜をエッチングマスクとした場合には82°であったのに対し、TaC膜をエッチングマスクとした場合には86°であった。以上のように、第1の実施形態によれば、エッチングマスクに、第1の金属元素とC元素を含ませることにより、被エッチング膜3に対するエッチングマスクの選択比が大きくなり、被エッチング膜3を略垂直にエッチングすることができる。第2の実施形態第2の実施形態においては、半導体装置の製造方法について以下説明する。本実施形態は、第1の実施形態に係るエッチング方法を半導体装置としての磁気ランダムアクセスメモリの製造方法に適用したものである。図2は第2の実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。図2aのように、半導体基板15に素子分離溝が形成され、素子分離絶縁膜16、例えばシリコン酸化膜がこの素子分離溝部に埋め込まれ、STIShallowTrenchIsolation構造が形成される。その後、半導体基板15上にゲート絶縁膜17としてシリコン酸化膜及びゲート絶縁膜17上にゲート電極18としてn型ポリシリコン膜が形成される。その後、ゲート電極18上にワード線WLとして例えばWSix膜を形成し、ワード線WL上に窒化膜19として例えばSiN膜を形成する。その後、窒化膜19、ワード線WL、ゲート電極18、及びゲート絶縁膜17をエッチングし、選択トランジスタ積層膜を形成する。その後、半導体基板15上に選択トランジスタ積層膜を覆うように、窒化膜として例えばシリコン窒化膜を覆い、この窒化膜をエッチバックすることにより、スペーサ膜20を形成する。その後、窒化膜19及びスペーサ膜20をマスクとしたイオン注入により、半導体基板15にソース領域S及びドレイン領域Dを形成し、選択トランジスタを形成する。次に、図2bのように、半導体基板15上に、第1の保護膜を覆うように第1の絶縁膜21として例えばシリコン酸化膜をプラズマCVDChemicalVaporDeposition法により形成する。その後、ソース領域Sが露出するようにリソグラフィ法及びRIE法ReactiveIonEtchingにてコンタクトホールを形成する。次に、スパッタ法又はCVD法により、このコンタクトホール内にフォーミングガスの雰囲気下においてメタルバリア膜図示なしとしてTi膜及びTiN膜を形成する。その後、メタルバリア膜上にコンタクトプラグ材を形成する。コンタクトプラグ材は、例えばCVDにより成膜したW膜である。さらに、コンタクトプラグ材及びメタルバリア膜をCMPChemicalMechanicalPolishingにより平坦化する。これにより第1の絶縁膜21内にソース領域Sに連通する第1のコンタクトプラグ22を形成する。次に、第1の絶縁膜21及び第1のコンタクトプラグ22上に、CVD法により窒化膜23を形成する。その後、ドレイン領域Dに連通するコンタクトホールを形成する。その後、コンタクトホール内にメタルバリア膜図示なしを形成し、メタルバリア膜上に第2のコンタクトプラグ24材としてW膜を形成する。その後、CMP処理により研磨することにより、第2のコンタクトプラグ24を形成する。これにより、第1の絶縁膜21内にドレイン領域Dに連通する第2のコンタクトプラグ24を形成する。次に、図2cのように、第1のコンタクトプラグ22、第2のコンタクトプラグ24、及び第1の絶縁膜21上に磁気抵抗効果素子6を形成する。第1のコンタクトプラグ22、第2のコンタクトプラグ24、及び第1の絶縁膜21上に下部電極7として、膜厚が50ÅのTa層を形成する。他にもPt層、Ru層、Ir層等の被エッチング膜3を用いてもよい。次に、下部電極7上に配向制御膜8として、例えば膜厚が50ÅのPt膜を形成する。その後、配向制御膜8上に第1の磁性層9として磁化参照層を形成する。磁化参照層は、例えば膜厚が10ÅのCoPt層である。その後、第1の磁性層9上に第1の界面磁性層10として例えば膜厚が10Åのアモルファス状のCo40Fe40B20を形成する。次に、第1の界面磁性層10上に非磁性層11として膜厚が10Åのアモルファス状のMgOからなるトンネル絶縁膜を形成する。その後、非磁性層11上に第2の界面磁性層12として例えば膜厚が10Åのアモルファス状のCo40Fe40B20層を形成する。次に、第2の界面磁性層12上には第2の磁性層13として磁化記憶層を形成する。磁化記憶層は、例えばCo膜とPt膜を交互に積層したCoPt人工格子を形成する。次に、第2の磁性層13上には上部電極14として膜厚が100ÅのTa層を形成する。上部電極14には、Ru層等の被エッチング膜3を用いてもよい。以上により磁気抵抗効果素子6が形成する。なお、磁気抵抗効果素子6において、第1の磁性層9を磁化参照層、第2の磁性層13を磁化記憶層としたが、第1の磁性層9を磁化記憶層、第2の磁性層13を磁化参照層としてもよい。以上において、下部電極7、配向制御膜8、第1の磁性層9、第1の界面磁性層10、非磁性層11、第2の界面磁性層12、第2の磁性層13、上部電極14は、例えばスパッタ法を用いて形成される。次に、真空中において300~350°Cで1時間程度の熱処理を行う。これにより、非磁性層11として用いられるMgOが結晶化し、熱処理によって第1の界面磁性層10及び第2の界面磁性層12として用いられるアモルファス状のCo40Fe40B20が結晶であるCo50Fe50となる。次に、図2dのように、上部電極14上に例えばTaCをターゲットにしたスパッタ法により、カーバイド層4としてTaC膜を形成する。カーバイド層4は、他にもTiC膜であってもよい。その後、カーバイド層4上に、CVD法によりハードマスク層図示なしとして、例えばシリコン酸化膜を形成する。次いで、ハードマスク層上にフォトレジスト膜図示なしを形成し、フォトリソグラフィ法によりフォトレジスト膜を所望の加工パターンに加工する。その後、所望のパターンにフォトレジスト膜をマスクとして、ハードマスク層を例えばプラズマエッチング法により、エッチングし、カーバイド層4をエッチングするためのハードマスクを形成する。その後、ハードマスクをマスクとして、RIEにより、カーバイド層4をエッチングし、貴金属をエッチングするためのエッチングマスクを形成する。次に、図2eのように、RIE法により、被エッチング膜3を有する磁気抵抗効果素子、下部電極、又は上部電極をエッチングする。すなわち、上部電極14、第2の磁性層13、第2の界面磁性層12、非磁性層11、第1の界面磁性層10、第1の磁性層9、配向制御膜8、下部電極7をエッチングする。このとき、本実施形態においては、エッチングマスクにTaC膜等の第1の金属元素及びC元素を含む膜を用いている。これにより、貴金属を有する磁気抵抗効果素子、下部電極、又は上部電極を略垂直にエッチングすることができる。次に、磁気抵抗効果素子6の保護膜として、CVD法により、磁気抵抗効果素子6を覆うように保護膜図示なしとしてシリコン窒化膜を形成する。次に、図2fのように、窒化膜23上に、保護膜図示なしを覆うように第2の絶縁膜25として、例えばシリコン酸化膜を形成する。次に、磁気抵抗効果素子6の上部電極14に接続する第3のコンタクトプラグ26及び第2のコンタクトプラグ24に接続する第4のコンタクトプラグ27を形成する。これは、第2の絶縁膜25をリソグラフィ法及びRIE法により加工し、コンタクトホールを形成した後に、Alを埋め込み、CMP処理することにより形成する。次に、第2の絶縁膜25、第3のコンタクトプラグ26及び第4のコンタクトプラグ27上に酸化膜28を形成する。その後、リソグラフィ法及びRIE法を用いて、酸化膜28を、第3のコンタクトプラグ26及び第4のコンタクトプラグ27が露出するように加工し、第1の配線29を形成するための溝を形成する。その後、この溝にAlを埋め込み、CMP処理をすることにより、第1の配線29を形成する。次に、酸化膜28及び第1の配線29上に第3の絶縁膜30を形成する。さらに、リソグラフィ法及びRIE法により第3の絶縁膜30を第1の配線29が露出するように加工し、ビアホールを形成する。その後、このビアホールにAlを埋め込み、CMP処理することによってビアプラグ31を形成する。次に、第3の絶縁膜30及びビアプラグ31上に酸化膜32を形成する。その後、リソグラフィ法及びRIE法によって酸化膜32をビアプラグ31が露出するように加工し、第2の配線33を形成するための配線溝を形成する。さらに、この配線溝にAlを埋め込みCMP処理をすることによって第2の配線33を形成する。なお、ダマシンプロセスを用いてCu配線を形成してもよい。この場合はTa、TaNのバリア膜、Cuシード層を形成し、Cuめっきによる埋め込みプロセスにより配線する。以上の製造工程により、第2の実施形態に係る半導体装置として磁気ランダムアクセスメモリを形成する。以上のように、本発明の第2の実施形態によれば、本実施形態においては、エッチングマスクにTaC膜等の第1の金属元素及びC元素を含む膜を用いている。これにより、エッチングマスクと貴金属を有する磁気抵抗効果素子、下部電極、又は上部電極との選択比を大きくすることができ、磁気抵抗効果素子等を略垂直にエッチングすることができる。なお、第1の実施形態に係るエッチング方法は、上述の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法に適用する場合に限らず、強誘電体メモリにおける被エッチング膜を有する電極等をエッチングする場合やその他の場合にも適用できる。なお、上述した第2の実施形態において、第1の磁性層9に磁化記憶層が用いられ、第2の磁性層13に磁化参照層が用いられるものとして説明したが、第1の磁性層9に磁化参照層が用いられ、第2の磁性層13に磁化記憶層が用いられてもよい。なお、本発明は、上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。