"ポリチオフェンを含む組成物の製造方法であって、Iチオフェン単量体および酸化剤を含む組成物Z1を準備する工程と、II前記酸化剤を還元生成物へと還元し、前記チオフェン単量体を酸化することにより、前記チオフェン単量体を酸化重合させ、ポリチオフェンおよび前記還元生成物を含む組成物Z2を形成する工程と、III工程IIで得られた前記組成物Z2から、前記還元生成物を少なくとも部分的に除去して、組成物Z3を得る工程と、を含み、工程IIIの完結後に、前記組成物Z3中の未重合のチオフェン単量体の含有量は、前記組成物Z3の総重量に基づき1ppm~100ppmの範囲にあることが確保される、製造方法。工程IIIの完結後に、前記組成物Z3中の未重合のチオフェン単量体の含有量は、前記組成物Z3の総重量に基づき3ppm~50ppmの範囲にある、請求項1に記載の製造方法。工程IIIの完結後に、前記組成物Z3中の未重合のチオフェン単量体の含有量は、前記組成物Z3の総重量に基づき5ppm~30ppmの範囲にある、請求項1または請求項2に記載の製造方法。前記チオフェン単量体は3,4-エチレンジオキシチオフェンEDTであり、前記ポリチオフェンはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTである、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の製造方法。前記チオフェン単量体および前記酸化剤に加えて、工程Iで準備される溶液は、ポリアニオンをも含む、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の製造方法。前記ポリアニオンはポリスチレンスルホン酸PSSである、請求項5に記載の製造方法。工程IIIで得られる前記組成物Z3はPEDOT/PSS分散液である、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の製造方法。工程Iにおける前記酸化剤は、a1分子あたり1つの電子を吸収する酸化剤の場合には、2.33:1未満の酸化剤:チオフェン単量体のモル比で使用され、b1分子あたり2つの電子を吸収する酸化剤の場合には、1.16:1未満の酸化剤:チオフェン単量体のモル比で使用される、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の製造方法。工程IIIにおいて前記還元生成物を少なくとも部分的に除去することは、前記組成物Z2をイオン交換体で処理することによって行われる、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の製造方法。請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の製造方法を使用して、組成物Z3として得ることができる組成物。ポリチオフェンを含む組成物であって、前記組成物は、前記ポリチオフェンに加えて、前記組成物の総重量に基づき1ppm~100ppmの範囲の、前記ポリチオフェンが基礎とするチオフェン単量体を含む、組成物。前記組成物は、前記組成物の総重量に基づき3ppm~50ppmの範囲の、前記ポリチオフェンが基礎とするチオフェン単量体を含む、請求項11に記載の組成物。前記組成物は、前記組成物の総重量に基づき5ppm~30ppmの範囲の、前記ポリチオフェンが基礎とするチオフェン単量体を含む、請求項11に記載の組成物。前記組成物は、前記組成物の総重量に基づき500ppm未満の無機アニオンを含む、請求項11から請求項13のいずれか1項に記載の組成物。前記ポリチオフェンはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンであり、前記チオフェン単量体は3,4-エチレンジオキシチオフェンである、請求項11から請求項14のいずれか1項に記載の組成物。前記ポリチオフェンに加えて、前記組成物はポリアニオンを含む、請求項11から請求項15のいずれか1項に記載の組成物。前記ポリアニオンはポリスチレンスルホン酸である、請求項16に記載の組成物。前記組成物はPEDOT/PSS分散液である、請求項11から請求項17のいずれか1項に記載の組成物。前記組成物は、以下の特性:i少なくとも500S/cmの、本願明細書に記載される試験方法による電気伝導率、ii前記組成物の総重量に基づき0.8重量~2重量の範囲のPEDOT/PSS含有量、のうちの少なくとも1つを有する、請求項11から請求項18のいずれか1項に記載の組成物。層構築物であって、A基板表面を持つ基板と、B前記基板表面を少なくとも部分的に覆う層と、を含み、前記層は、請求項10から請求項19のいずれか1項に記載の組成物に含まれる固形分から形成される、層構築物。前記層Bは、以下の特性:B1前記層の内部透過率は80超である、B2前記層の電気伝導率は少なくとも500S/cmである、を有する、請求項20に記載の層構築物。請求項20または請求項21に記載の層構築物を含む電子部品。電子部品における導電層を製造するための、請求項10から請求項19のいずれか1項に記載の組成物の使用。それゆえ、ポリチオフェンを含む組成物に関する先行技術、特にPEDOT/PSS分散液に関する先行技術、およびこのような組成物からまたはこの分散液から製造される積層体に関する先行技術の短所を克服することが本発明の目的である。特に、長い貯蔵時間の後でさえもゲル化する傾向がほとんどないか、好ましくはまったくないことを特に特徴とする、ポリチオフェンを含む組成物、好ましくはPEDOT/PSS分散液の製造方法を提供することが本発明の目的である。さらには、この方法を用いて得ることができる組成物または分散液は、その組成物または分散液から製造される層が特に高い電気伝導率を有することを特徴とするということにより、際立つはずである。それゆえ、先行技術から公知の組成物または分散液と比べて、製造された層における良好な加工性および高い電気伝導率という特性の特に有利な組み合わせを特徴とするポリチオフェンを含む組成物、好ましくはPEDOT/PSS分散液、を提供することも本発明の目的であった。本発明のさらなる目的は、特に印刷プロセスによって得ることができる、高い柔軟性を持つ透明な層の製造を可能にするタッチパネル用分散液についての要求を満たすことにある。この手段によって、高度の柔軟性および透過率を持つがエネルギー消費および製造原価が低いタッチパネルを得ることができる。これらの課題の解決への寄与は、ポリチオフェンを含む組成物の製造方法であって、Iチオフェン単量体および酸化剤を含む組成物Z1を準備する工程と、IIこの酸化剤を還元生成物へと還元し、チオフェン単量体を酸化することにより、このチオフェン単量体を酸化重合させ、ポリチオフェンおよび上記還元生成物を含む組成物Z2を形成する工程と、III工程IIで得られた組成物Z2から、この還元生成物を少なくとも部分的に除去して、組成物Z3を得る工程とを含み、組成物Z3中の未重合のチオフェン単量体の含有量が、いずれの場合も組成物Z3の総重量に基づき1ppm~100ppmの範囲、好ましくは3ppm~50ppmの範囲、特に好ましくは5ppm~30ppmの範囲にあることが確保される、製造方法によってなされる。驚くべきことに、ゲル化挙動に関するポリチオフェンを含む組成物、特にPEDOT/PSS分散液、の保存安定性、およびこの組成物または分散液に基づいて得られる層の電気伝導率は、未変換のチオフェン単量体の特定の含有量が当該組成物または分散液の中で確立されると、著しく改善されうるということが見出された。未変換のチオフェン単量体の濃度が1ppm未満であると、電気伝導率の著しい上昇が達成されうる。未変換のチオフェン単量体の濃度が100ppmを超えると、この組成物または分散液は、保存安定性の低下を特徴とし、この保存安定性の低下は、短い貯蔵時間の後の当該組成物または分散液のゲル化となって顕在化する。本発明に係る方法の工程Iでは、チオフェン単量体および酸化剤を含む組成物Z1がまず準備される。使用されるチオフェン単量体は、好ましくは、式Iの化合物式中、Aは、置換されていてもよいC1-C5-アルキレン残基を表し、Rは、互いに独立に、H、直鎖状もしくは分枝状の、置換されていてもよいC1-C18-アルキル残基、置換されていてもよいC5-C12-シクロアルキル残基、置換されていてもよいC6-C14-アリール基、置換されていてもよいC7-C18-アラルキル残基、置換されていてもよいC1-C4-ヒドロキシアルキル残基またはヒドロキシル残基を表し、xは、0~8の整数を表し、複数の残基RがAに結合されている場合、それらの残基は、同じであってもよいしまたは異なってもよいである。一般式Iは、x個の置換基Rがアルキレン残基Aに結合されていてもよいというように理解されるべきである。Aが置換されていてもよいC2-C3-アルキレン残基を表し、xが0または1を表す一般式Iのチオフェン単量体が特に好ましい。工程IIで重合してポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンを与える3,4-エチレンジオキシチオフェンは、チオフェン単量体としてとりわけ好ましい。本発明に係るC1-C5-アルキレン残基Aは、好ましくはメチレン、エチレン、n-プロピレン、n-ブチレンまたはn-ペンチレンである。C1-C18-アルキルRは、好ましくは、メチル、エチル、n-プロピルもしくはiso-プロピル、n-ブチル、iso-ブチル、sec-ブチルもしくはtert-ブチル、n-ペンチル、1-メチルブチル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1-エチルプロピル、1,1-ジメチルプロピル、1,2-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、n-ヘキシル、n-ヘプチル、n-オクチル、2-エチルヘキシル、n-ノニル、n-デシル、n-ウンデシル、n-ドデシル、n-トリデシル、n-テトラデシル、n-ヘキサデシルまたはn-オクタデシルなどの直鎖状もしくは分枝状のC1-C18-アルキル残基を表し、C5-C12-シクロアルキル残基Rは、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニルまたはシクロデシルを表し、C6-C14-アリール残基Rは、例えば、フェニルまたはナフチルを表し、C7-C18-アラルキル残基Rは、例えば、ベンジル、o-トリル、m-トリル、p-トリル、2,3-キシリル、2,4-キシリル、2,5-キシリル、2,6-キシリル、3,4-キシリル、3,5-キシリルまたはメシチルを表す。上記の一覧は、本発明を例示的に説明する働きをするが、排他的なものであると考えられるべきではない。本発明に関しては、残基Aおよび/または残基Rの他の可能な置換基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基、エーテル基、チオエーテル基、ジスルフィド基、スルホキシド基、スルホン基、スルホネート基、アミノ基、アルデヒド基、ケト基、カルボン酸エステル基、カルボン酸基、カーボネート基、カルボキシレート基、シアノ基、アルキルシラン基およびアルコキシシラン基、ならびにカルボン酸アミド基などの多くの有機基である。工程Iで準備される組成物は、チオフェン単量体に加えて、酸化剤をも含む。この酸化剤として、ピロールの酸化重合に好適な酸化剤を使用することができ、この酸化剤は、例えば、J.Am.Chem.Soc.、1963年、第85巻、454頁に記載されている。好ましくは、実務面の理由から、経済的で容易に扱われる酸化剤は、例えば、FeCl3、FeClO43などの鉄III塩ならびに有機酸の鉄III塩および有機基を有する無機酸の鉄III塩、またH2O2、K2Cr2O7、過硫酸アルカリおよび過硫酸アンモニウム、過ホウ酸アルカリ塩、過マンガン酸カリウムおよび銅塩、例えばテトラフルオロホウ酸銅である。過硫酸塩ならびに有機酸の鉄III塩および有機基を有する無機酸の鉄III塩は腐食効果を有しないので、それらの使用は実務面で大きな利点を有する。有機基を有する無機酸の鉄III塩の例は、C1-C20-アルカノールの硫酸セミエステルの鉄III塩、例えば、ラウリル硫酸の鉄III塩である。有機酸の鉄III塩の例は、例えば、メタンスルホン酸およびドデカンスルホン酸などのC1-C20-アルキルスルホン酸の鉄III塩;2-エチルヘキシルカルボン酸などの脂肪族C1-C20カルボン酸の鉄III塩;トリフルオロエタン酸およびペルフルオロオクタン酸などの脂肪族ペルフルオロカルボン酸の鉄III塩;例えば、シュウ酸などの脂肪族ジカルボン酸の鉄III塩、ならびに、とりわけ、C1-C20アルキル基で置換されていてもよい芳香族スルホン酸、例えばベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸およびドデシルベンゼンスルホン酸、の鉄III塩である。本発明に係る方法の特に好ましい実施形態によれば、工程Iで準備される組成物は、ポリアニオンをも含み、ポリアニオンは、好ましくは、少なくとも2、好ましくは少なくとも3、特に好ましくは少なくとも4、とりわけ好ましくは少なくとも10の同一の、アニオン性のモノマー繰り返し単位を含む高分子アニオンであると理解される。しかしながら、この同一の、アニオン性のモノマー繰り返し単位は、必ずしも直接互いに連結されている必要はない。ポリアニオンは、例えば、高分子カルボン酸、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸もしくはポリマレイン酸、のアニオン、または高分子スルホン酸、例えば、ポリスチレンスルホン酸およびポリビニルスルホン酸、のアニオンであることができる。このポリカルボン酸およびポリスルホン酸は、ビニルカルボン酸およびビニルスルホン酸と他の重合性単量体、例えば、アクリル酸エステルおよびスチレンとのコポリマーであることもできる。好ましくは、高分子カルボン酸または高分子スルホン酸のアニオンが、工程Iで準備される分散液の中に、ポリアニオンとして含まれる。ポリアニオンとして特に好ましいのは、ポリスチレンスルホン酸PSSのアニオンである。ポリアニオンを与えるポリ酸の分子量は、好ましくは1,000~2,000,000、特に好ましくは2,000~500,000の範囲にある。分子量の決定は、明確な分子量を有するポリスチレンスルホン酸を較正用標品として用いて、ゲル透過クロマトグラフィによって実施される。上記ポリ酸またはそのアルカリ金属塩は、例えば、ポリスチレンスルホン酸およびポリアクリル酸など市販されているし、または公知の方法を用いて生成される例えば、HoubenWeyl、MethodenderorganischenChemie[MethodsofOrganicChemistry]、第E20巻、MakromolekulareStoffe[MacromolecularSubstances]、part2、1987年、1141頁以降を参照。このポリアニオンおよびチオフェン単量体は、工程Iで準備される組成物の中に、特に0.5:1~50:1の範囲、好ましくは1:1~30:1の範囲、特に好ましくは2:1~20:1の範囲の重量比で含まれてもよい。本発明によれば、工程Iで準備される組成物が、上記チオフェン単量体、酸化剤および任意にポリアニオンの他に、上記成分が溶解もしくは分散する溶媒または分散剤、または溶媒および/もしくは分散剤の混合物を含むことも好ましい。例えば、以下の物質が、溶媒および/または分散剤として挙げられる:メタノール、エタノール、i-プロパノールおよびブタノールなどの脂肪族アルコール;アセトンおよびメチルエチルケトンなどの脂肪族ケトン;酢酸エチルおよび酢酸ブチルなどの脂肪族カルボン酸エステル;トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素;ヘキサン、ヘプタンおよびシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素;ジクロロメタンおよびジクロロエタンなどの塩素化炭化水素;アセトニトリルなどの脂肪族ニトリル;ジメチルスルホキシドおよびスルホランなどの脂肪族スルホキシドおよび脂肪族スルホン;メチルアセトアミド、ジメチルアセトアミドおよびジメチルホルムアミドなどの脂肪族カルボン酸アミド;ジエチルエーテルおよびアニソールなどの脂肪族エーテルおよび芳香族脂肪族エーテル。さらには、水または水と上述の有機溶媒との混合物を溶媒または分散剤として使用することができる。好ましい溶媒および分散剤は、水、またはアルコール、例えば、メタノール、エタノール、i-プロパノールおよびブタノールなどの他のプロトン性溶媒、ならびに水とこのアルコールとの混合物であり、特に好ましい溶媒または分散剤は水である。当該チオフェン単量体およびポリアニオンが工程Iで調製される組成物に含まれる量または濃度は、固形分含量が0.05重量~50重量、好ましくは0.1重量~10重量、特に好ましくは0.8重量~2重量の範囲にある安定なポリチオフェン/ポリアニオン分散液が得られるように、選ばれることが好ましい。本発明に係る方法の工程IIでは、酸化剤が還元生成物へ還元され、チオフェン単量体が酸化されることにより、チオフェン単量体が酸化的に重合され、好ましくはカチオン性ポリチオフェンおよび還元生成物を含む組成物Z2が形成され、この重合は、好ましくは、0°C~100°Cの範囲の温度で行われる。ポリアニオンが工程Iで準備される組成物の中に存在する場合、電荷補償のための対イオンとしてポリアニオンを含むカチオン性ポリチオフェンが工程IIで得られ、このようなカチオン性ポリチオフェンは、上記のとおり、当業者によってポリチオフェン/ポリアニオン錯体と記載されることも多い。本発明によれば、特に好ましいポリチオフェン/ポリアニオン錯体は、PEDOT/PSS錯体である。接頭辞ポリは、本発明に関しては、複数の同一のまたは異なる繰り返し単位が当該ポリマーまたはポリチオフェンの中に含まれるということを意味すると理解されたい。工程IIで形成されるポリチオフェンは、合計n個の、一般式Iの繰り返し単位を含み、nは2~2,000、好ましくは2~100の整数である。ポリチオフェン内の一般式Iの繰り返し単位は、工程Iで調製される組成物の中に同一のまたは異なるチオフェン単量体が存在したかどうかに応じて、同一であってもよいしまたは異なってもよい。工程IIで酸化重合によって形成されるポリチオフェン、特に上述のポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン、は、電荷を帯びていなくてもよいし、またはカチオン性であってもよい。特に好ましい実施形態では、それらはカチオン性である。カチオン性との表現は、単にこのポリチオフェン主鎖上に存在する電荷のみに関する。基R上の置換基に応じて、当該ポリチオフェンは正電荷および負電荷をその構造単位の中に有することができ、この場合、この正電荷は当該ポリチオフェン主鎖上に存在し、負電荷は、存在する場合、スルホネート基またはカルボキシレート基によって置換された基R上に存在する。当該ポリチオフェン主鎖の正電荷は、基Rに任意に存在するアニオン性基によって部分的に均衡がとられていてもよい。全体的に見ると、これらの場合のポリチオフェンは、カチオン性であってもよく、電荷を帯びていなくてもよく、またはアニオン性でさえあってもよい。とはいうものの、本発明に関しては、それらは、すべてカチオン性ポリチオフェンであると考えられる。なぜなら、このポリチオフェン主鎖上の正電荷が非常に重要だからである。正電荷の数は、好ましくは少なくとも1であり、多くともnであるnは、このポリチオフェン内のすべての同じまたは異なる繰り返し単位の総数である。本発明に係る方法の工程IIIでは、当該還元生成物は、工程IIで得られた組成物Z2から少なくとも部分的に除去され、組成物Z3が得られる。還元生成物のこの除去は、好ましくは、1以上のイオン交換体を用いて行われる。この方法により、工程IIで得られる組成物は、この還元生成物を含まないようになるだけでなく、依然存在する塩全般も含まないようになる。このイオン交換体は、例えば、工程IIで得られた組成物Z2とかき混ぜてもよいし、または工程IIで得られた組成物Z2がイオン交換体を充填した1以上のカラムに通される。工程IIで得られる組成物を陰イオン交換体および陽イオン交換体の両方で処理することが特に好ましい。好適な陽イオン交換体および陰イオン交換体の例は、LanxessAGから、LEWATIT登録商標の商標名で入手できるイオン交換体である。本発明によれば、組成物Z2または組成物Z3が、PEDOT/PSS錯体を含む組成物であることが特に好ましい。好ましくは、組成物Z2または組成物Z3は、PEDOT/PSS分散液である。本発明に係る方法は、組成物Z3中の未重合のチオフェン単量体の含有量が、いずれの場合も組成物Z3の総重量に対して1ppm~100ppmの範囲、好ましくは3ppm~50ppmの範囲、特に好ましくは5ppm~30ppmの範囲で存在することが確保されることを特徴とする。これは、様々な方法のバリエーションで確保することができる。例えば、工程Iの酸化剤を酸化剤:チオフェン単量体の明確な量比で使用することにより、狙った態様で組成物Z3中の未重合のチオフェン単量体の含有量を調整することが可能である。理論上は、式Iのチオフェン単量体の酸化重合のために、チオフェン1モルあたり、2.25当量の酸化剤が必要とされる例えばJ.Polym.Sc.、PartA、PolymerChemistry、1988年、第26巻、1287頁を参照。しかしながら、先行技術では、酸化剤は、通常は、ある過剰量、例えばチオフェン1モルあたり0.1~2当量過剰に使用される。しかしながら本発明によれば、特に、酸化剤に基づき過剰量でチオフェン単量体が使用されることで、組成物Z3における未重合のチオフェン単量体の特定の含有量は成し遂げられる。これに関して、工程Iにおける酸化剤は、a1分子あたり1つの電子を吸収する酸化剤の場合には、2.33:1未満の酸化剤:チオフェン単量体のモル比で使用され、b1分子あたり2つの電子を吸収する酸化剤の場合には、1.16:1未満の酸化剤:チオフェン単量体のモル比で使用される、ことが特に好ましい。酸化剤:チオフェン単量体の量比によって組成物Z3の中のチオフェン単量体含有量を特定的に調整する可能性の他に、例えば、反応混合物を1以上のイオン交換体で処理することにより酸化剤が分離されることで、工程IIに係る重合反応を途中で終了させるという可能性もある。この手段は、当然、上記の手段酸化剤:チオフェン単量体の量比の設定と組み合わせることもできる。さらには、選択した方法条件における組成物Z3中のチオフェン単量体含有量が1ppmという最小量未満である場合には、組成物Z3において所望のチオフェン単量体含有量を確保するために、組成物Z3に対してEDT単量体を、特定の態様で、または可能であれば早くも組成物Z2の段階で加えることも可能である。上述の課題の解決への寄与は、上記の方法を用いて組成物Z3として得ることができ、かついずれの場合も組成物Z3の総重量に基づき好ましくは1ppm~100ppmの範囲、好ましくは3ppm~50ppmの範囲、特に好ましくは5ppm~30ppmの範囲の未重合のチオフェン単量体の含有量を有する組成物によってもなされる。上述の課題の解決への寄与は、ポリチオフェンを含む組成物であって、この組成物は、ポリチオフェンに加えて、組成物の総重量に基づき1ppm~100ppm、好ましくは3~50ppm、特に好ましくは5ppm~30ppmの、当該ポリチオフェンが基礎とするチオフェン単量体を含む、組成物によってもなされる。本発明に係る組成物の好ましい実施形態によれば、この組成物は、いずれの場合も組成物の総重量に基づき500ppm未満、特に好ましくは300ppm未満、とりわけ好ましくは100ppm未満の無機アニオン、特に硫酸イオンを含む。本発明に係る組成物の好ましい実施形態によれば、上記ポリチオフェンはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンである。本発明によれば、当該組成物が、ポリチオフェンに加えて、好ましくはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンに加えて、ポリアニオンも含むことも好ましく、本発明に係る方法に関連して好ましいポリアニオンとしてこれまでに提示された化合物がポリアニオンとして好ましい。これに関して、特に好ましいポリアニオンはポリスチレンスルホン酸PSSのアニオンである。これに関して、本発明に係る組成物がPEDOT/PSS錯体を含むことも好ましい。本発明に係る方法に関して上記のとおり、このような組成物は、3,4-エチレンジオキシチオフェンがポリスチレンスルホン酸の存在下で酸化的に重合されることで得ることができる。これに関して、本発明に係る組成物がPEDOT/PSS分散液であることが特に好ましい。本発明に係る組成物の特定の実施形態によれば、当該組成物は、以下の特性の少なくとも1つの、しかし好ましくはすべてを有する:i少なくとも200S/cm、好ましくは少なくとも400S/cm、特に好ましくは少なくとも500S/cmの、本願明細書に記載される試験方法による電気伝導率、iiいずれの場合も当該組成物の総重量に基づき0.05重量~50重量、好ましくは0.1重量~10重量、特に好ましくは0.8重量~2重量の範囲のPEDOT/PSS含有量。上述の課題の解決への寄与は、層構築物であって、A基板表面を持つ基板と、Bこの基板表面を少なくとも部分的に覆う層と、を含み、この層は、本発明に係る組成物または本発明に係る方法によって得ることができる組成物に含まれる固形分から形成される、層構築物によってもなされる。これに関して好ましい基板はプラスチックフィルムであり、特に好ましいのは、通常5μm~5,000μmの範囲、好ましくは10μm~2,500μmの範囲、特に好ましくは100μm~1,000μmの範囲の厚さを有する透明なプラスチックフィルムである。このようなプラスチックフィルムは、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、例えば、PETおよびPENポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレンジカルボキシレート、コポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンPES、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレンまたは環状ポリオレフィンまたは環状オレフィンコポリマーCOC、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、水素化されたスチレンポリマーまたは水素化されたスチレンコポリマーなどのポリマーに基づいてもよい。表面の極性を改良し、従って濡れ性および化学親和性を改良するために、基板の表面は、任意に、例えばコロナ処理、火炎処理、フッ素化処理またはプラズマ処理によって前処理し、その後に本発明に係る組成物でコーティングしてもよい。本発明に係る組成物または本発明に係る方法を用いて得ることができる組成物が、層を形成する目的で基板表面に付与される前に、電気伝導率を上昇させるさらなる添加剤を当該組成物に加えることができ、そのような化合物としては、例えば、テトラヒドロフランなどのエーテル基を含む化合物、ブチロラクトン、バレロラクトンなどのラクトン基を含む化合物、カプロラクタム、N-メチルカプロラクタム、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドDMF、N-メチルホルムアミド、N-メチルホルムアニリド、N-メチルピロリドンNMP、N-オクチルピロリドン、ピロリドンなどのアミド基もしくはラクタム基を含む化合物、例えば、スルホランテトラメチレンスルホン、ジメチルスルホキシドDMSOなどのスルホンおよびスルホキシド、例えば、スクロース、グルコース、フルクトース、ラクトースなどの糖もしくは糖誘導体、例えば、ソルビトール、マンニトールなどの糖アルコール、例えば、2-フランカルボン酸、3-フランカルボン酸などのフラン誘導体、ならびに/または、例えば、エチレングリコール、グリセリンもしくはジエチレングリコールもしくはトリエチレングリコールなどの二価アルコールもしくは多価アルコールが挙げられる。特に好ましくは、電気伝導率を上昇させる添加剤として、テトラヒドロフラン、N-メチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、エチレングリコール、ジメチルスルホキシドまたはソルビトールが使用される。有機溶媒または水に可溶性の1以上の有機結合剤、例えば、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸アミド、ポリメタクリル酸エステル、ポリメタクリル酸アミド、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポリビニルピロリドン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、シリコーン、エポキシ樹脂、スチレン/アクリル酸エステルコポリマー、酢酸ビニル/アクリル酸エステルコポリマーおよびエチレン/酢酸ビニルコポリマー、ポリビニルアルコールまたはセルロース誘導体も、当該組成物に加えられてよい。添加される場合のこの高分子結合剤の割合は、通常、当該コーティング組成物の総重量に基づき0.1重量~90重量の範囲、好ましくは0.5重量~30重量の範囲、特に好ましくは0.5重量~10重量の範囲にある。pH値を調整するために、例えば、酸または塩基をこのコーティング組成物に加えることができる。このような添加剤は、分散液の膜形成を損なわないことが好ましく、例えば塩基2-ジメチルアミノ-エタノール、2,2’-イミノジエタノールまたは2,2’,2-ニトリロトリエタノール、およびアンモニアが挙げられる。次いで、このコーティング組成物は、公知の方法を使用して、例えば、スピンコーティング、ディッピング浸漬、注ぎ込み、滴下、注入、噴霧、ドクターブレード塗布、塗装または印刷、例えば、インクジェット印刷、スクリーン印刷、凹版印刷、オフセット印刷またはパッド印刷によって、0.5μm~250μmの範囲の乾燥前膜厚、好ましくは2μm~50μmの範囲の乾燥前膜厚で基板上に付与され、その後、20°C~200°Cの範囲の温度で乾燥されてもよい。好ましくは、基板表面を少なくとも部分的に覆う層は、本発明に係る積層体においては、0.01μm~50μmの範囲、特に好ましくは0.1μm~25μmの範囲、とりわけ好ましくは1μm~10μmの範囲の層の厚さを有する。本発明に係る層構築物に関しては、層Bが以下の特性を示すことがさらに好ましい:B1当該層の内部透過率は、50超、好ましくは70超、特に好ましくは80超である、B2少なくとも200S/cm、好ましくは少なくとも400S/cm、特に好ましくは少なくとも500S/cmの、本願明細書に記載される試験方法による電気伝導率。ある場合には、99.5までの内部透過率が成し遂げられる。また、ある場合には、1,500S/cmまでの電気伝導率が成し遂げられる。上述の課題の解決への寄与は、本発明に係る積層体を含む電子部品によってもなされる。好ましい電子部品は、特に、有機発光ダイオード、有機太陽電池または有機コンデンサであり、コンデンサにおける使用、特に誘電体としての酸化アルミニウムを伴うコンデンサにおける固体電解質としての使用が特に好ましい。上述の課題の解決への寄与は、電子部品における、特に有機発光ダイオード、有機太陽電池または有機コンデンサにおける導電層を製造するための、本発明に係る組成物または本発明に係る方法を用いて得ることができる組成物の使用によってもなされる。このあと、本発明は、試験方法および非限定的な実施例を参照してより詳細に説明される。試験方法特段の記載がない限り、温度21°C、50~70の範囲の大気湿度、大気圧の実験室中で試験を実施した。3,4-エチレンジオキシチオフェン含有量の決定PEDOT:PSS分散液の中のEDTの量は、紫外可視検出器を取り付け、関連ソフトウェアを具えたHPLC高速液体クロマトグラフを用いて決定した。AgilentTechnologies製のモデル1100HPLCを使用した。評価のために、AgilentTechnologiesChemStationを使用した。使用したThermoKeystone製のカラムは、長さ12.5cm、直径4.6mmを有し、かつHypersilODS2が充填されていた。溶離剤は、400mLのアセトニトリルおよび600mLの水の混合物であった。流量は1mL/分であり、カラム温度は25°Cであった。注入量20μLであり、実行時間は9分であった。較正のために、標準溶液を使用した。この目的のために、2gのEDTを100mLのメスシリンダーに入れ、次いでこれにメタノールを充填した。測定用試料の中のEDT含有量を求めるために、分散液2.000gを10mLのメスシリンダーに入れ、次いでこれにメタノールを充填した。この混合物を超音波で処理し、その後、0.45μmのシリンジフィルターMilliporeMillexHVに通した。その後、この溶液20μLを注入した。EDTバンドの検出は257nmの波長で実施した。上記較正に基づき、0.5mg/kg~100mg/kgの範囲のEDT濃度を検出した。電気伝導率の決定洗浄したガラス基板をスピンコーターに置き、この基板上に10mLの本発明に係る組成物を広げた。次いで、残りの溶液を、プレートの回転により振り落とした。このあと、このようにコーティングした基板を、ホットプレートの上で、130°Cで15分間乾燥した。次いで、層の厚さを測定する装置Tencor、Alphastep500を用いて層の厚さを求めた。長さ2.5cmのAg電極を、シャドーマスクを介して10mmの距離で気相堆積することによって、電気伝導率を求めた。電位計Keithly614を用いて求めた表面抵抗に層の厚さを掛け合わせ、比電気抵抗を得た。電気伝導率は、この比電気抵抗の逆数である。ゲル化挙動の決定20gの組成物を250mLのビーカーの中に入れた。次いでこの組成物を、45°の傾斜角度を有する滑らかなプラスチック表面に注ぎ込んだ。ゲル状の組成物の場合、以下の効果が生じる:aビーカーから注ぎ込んだときに、その組成物は、均等に流れず、この組成物が塊となってガラス壁に付着して残る領域および組成物がほとんど何も残っていない領域を残す。bその物質がプラスチック表面にわたって流れるとき、この物質は所々に塊となって残る。この流れは、均一でなく、何度も断裂する[図1]。均一な組成物の場合、以下の効果が生じる:A注ぎ出されたとき、均一な膜がビーカー壁に残り、この膜は、組成物の粘度に応じて薄いかまたは厚い。どの場合でも、膜は均一であり、不均等性をまったく示さない。Bこの物質がプラスチック表面にわたって流れるとき、均一な膜が生成する[図2]。これらの基準に基づき、組成物を、ゲル状または均一と分類することができる。透過率の決定コーティングした基板の透過率は、2チャネル分光計PerkinElmer製のLambda900を用いて求めた。試料によって散乱した透過光のあらゆる部分をさらに検出するために、この装置に、球形光束計UlbrichtSphereを取り付けられていた。測定対象の試料を球形光束計の入力開口部に固定した。次に、コーティングなしの基板の分光透過率を測定した。使用した基板は、50mm×50mmの正方形に切断した厚さ2mmのガラスプレートであった。基板のコーティングのために、基板をスピンコーターに置き、この基板の上に10mLの本発明に係る組成物を広げた。次いで、残りの溶液を、プレートの回転により振り落とした。このあと、このようにコーティングした基板を、ホットプレートの上で、130°Cで15分間乾燥した。次に、コーティングを有する基板の分光透過率を測定した。次に、基板上のコーティングを、球体の前で球体に向けた。可視光領域、すなわち320nm~780nm、における透過スペクトルを5nmの刻み幅で記録した。このスペクトルから、試料の標準色彩値Y輝度を、視野10°およびD65光源に基づいて、DIN5033に従って算出した。コーティングなしの基板の輝度Y0に対するコーティングを有する基板の輝度Yの比から、以下のとおりに内部透過率を算出した:内部透過率は、Y/Y0×100に対応する。実施例1:過剰のEDTを含まないPEDT/PSS分散液の製造比較例撹拌機、物質導入口、ガス注入管、およびサーモスタットを取り付けた温度調整用ジャケットを具える3リットルのガラスシリンダーの中に、2,050gの水、500gのポリスチレンスルホン酸水溶液5.0、Mw=70,000g/molおよび5.6gの10硫酸鉄III溶液を入れた。撹拌機を50rpmで回転した。温度を18°Cに設定した。この溶液に、ガスラインを介して30分間、窒素を供給した。その後、物質導入口を介して、10.13gの3,4-エチレンジオキシチオフェン71.2mmol;H.C.StarckCleviosGmbH製のCleviosMV2を導入した。次いで、23.7gのペルオキソ二硫酸ナトリウム99.5mmolを、物質導入口を通して加えた。この混合物を18°Cで18時間撹拌した。この反応が完結した後、この混合物をプラスチック製ビーカーに移し、無機塩を除去するために、500mLの陽イオン交換体LewatitS100H、LanxessAG製および290mLの陰イオン交換体LewatitMP62、LanxessAG製を加えた。この混合物を2時間撹拌し、Lewatitを濾別した。最後に、この混合物を10μmフィルターに通した。この分散液のEDT含有量を求めた。EDT含有量は0mg/kgであった。この試料19gに1gのジメチルスルホキシドDMSOを加え、電気伝導率を求めた。電気伝導率は370S/cmであった。さらには、製造後に、および製造から14日後に再度、この分散液のゲル化挙動を検討した。両方の場合とも、この分散液は、均一と評価された。実施例2:大過剰のEDTを持つPEDT/PSS分散液の製造さらなる比較例撹拌機、物質導入口、ガス注入管、およびサーモスタットを取り付けた温度調整用ジャケットを具える3リットルのガラスシリンダーの中に、2,050gの水、500gのポリスチレンスルホン酸水溶液5.0、Mw=70,000g/molおよび5.6gの10硫酸鉄III溶液を入れた。撹拌機を50rpmで回転した。温度を18°Cに設定した。この溶液に、ガスラインを介して30分間、窒素を供給した。その後、物質導入口を介して、10.13gの3,4-エチレンジオキシチオフェン71.2mmol;CleviosMV2、H.C.StarckCleviosGmbH製を導入した。次いで、18.6gのペルオキソ二硫酸ナトリウム78.1mmolを、物質導入口を通して加えた。この混合物を18°Cで18時間撹拌した。この反応が完結した後、この混合物をプラスチック製ビーカーに移し、無機塩を除去するために、500mLの陽イオン交換体LewatitS100H、LanxessAG製および290mLの陰イオン交換体LewatitMP62、LanxessAG製を加えた。この混合物を2時間撹拌し、Lewatitを濾別した。最後に、この混合物を10μmフィルターに通した。この分散液のEDT含有量を求めた。EDT含有量は430mg/kgであった。この試料19gに1gのジメチルスルホキシドDMSOを加え、電気伝導率を求めた。電気伝導率は540S/cmであった。この分散液を濾過した後、そのゲル化挙動も判定した。この分散液は、均一と評価された。14日後、ゲル化挙動を再度検討した。ゲル化が起こっていることが判明した。実施例3:大過剰のEDTを持つPEDT/PSS分散液の製造本発明に係る撹拌機、物質導入口、ガス注入管、およびサーモスタットを取り付けた温度調整用ジャケットを具える3リットルのガラスシリンダーの中に、2,050gの水、500gのポリスチレンスルホン酸水溶液5.0、Mw=70,000g/molおよび5.6gの10硫酸鉄III溶液を入れた。撹拌機を50rpmで回転した。温度を18°Cに設定した。この溶液に、ガスラインを介して30分間、窒素を供給した。その後、物質導入口を介して、10.13gのエチレンジオキシチオフェン71.2mmol;H.C.StarckCleviosGmbH製のCleviosMV2を導入した。次いで、19.5gのペルオキソ二硫酸ナトリウム81.9mmolを、物質導入口を通して加えた。この混合物を18°Cで18時間撹拌した。この反応が完結した後、この混合物をプラスチック製ビーカーに移し、無機塩を除去するために、500mLの陽イオン交換体LewatitS100H、LanxessAG製および290mLの陰イオン交換体LewatitMP62、LanxessAG製を加えた。この混合物を2時間撹拌し、Lewatitを濾別した。最後に、この混合物を10μmフィルターに通した。この分散液のEDT含有量を求めた。EDT含有量は27mg/kgであった。この試料19gに1gのジメチルスルホキシドDMSOを加え、電気伝導率を求めた。電気伝導率は580S/cmであった。さらには、製造後に、および製造から14日後に再度、この分散液のゲル化挙動を検討した。両方の場合とも、この分散液は、均一と評価された。電気伝導率の決定の方法に従って、ガラス基板をこの分散液でコーティングした。電気伝導率の決定の欄の方法で層の厚さを求めると、161nmであることが判明した。内部透過率は84.3であった。実施例4:大過剰のEDTを持つPEDT/PSS分散液の製造本発明に係るPEDOT/PSS分散液の合成は、実施例3と同様に実施した。イオン交換体の添加後、混合物を3時間撹拌し、次いでイオン交換体を濾別した。次いで、この混合物を濾過した。この分散液のEDT含有量を求めた。EDT含有量は15mg/kgであった。この試料19gに1gのジメチルスルホキシドDMSOを加え、電気伝導率を求めた。電気伝導率は580S/cmであった。さらには、製造後に、および製造から14日後に再度、この分散液のゲル化挙動を検討した。両方の場合とも、この分散液は、均一と評価された。実施例5:大過剰のEDTを持つPEDT/PSS分散液の製造本発明に係るPEDOT/PSS分散液の合成は、実施例3と同様に実施した。イオン交換体の添加後、混合物を14時間撹拌し、次いでイオン交換体を濾別した。次いで、この混合物を濾過した。この分散液のEDT含有量を求めた。EDT含有量は3mg/kgであった。この試料19gに1gのジメチルスルホキシドDMSOを加え、電気伝導率を求めた。電気伝導率は570S/cmであった。さらには、製造後に、および製造から14日後に再度、この分散液のゲル化挙動を検討した。両方の場合とも、この分散液は、均一と評価された。実施例1~5から得た測定結果を以下の表にまとめる。上記結果は、PEDOT/PSS分散液の中の1ppm~100ppmの範囲のEDT含有量が確保される場合には、高電気伝導率および有利な保存安定性という特性の特に有利な組み合わせが成し遂げられうるということを示す。EDT含有量が1ppm未満であると、有利な保存安定性は成し遂げることができるが、電気伝導率は比較的低い。EDT含有量が100ppmを超えると、電気伝導率は高いが、保存安定性が悪くなるという犠牲を払うことになる。"