"NiまたはNiを主成分とする合金で構成された第1の金属端子および第2の金属端子と、前記第1の金属端子の一端部と第2の金属端子の一端部との間に橋設され、かつ周囲にフラックスが塗布された可溶合金と、前記可溶合金を覆うように設けられた絶縁体とを備えた温度ヒューズを実装する実装基板において、前記第1の金属端子および第2の金属端子の他端部が、前記実装基板の上面に形成された一対のランドパターンに、前記一対のランドパターンの上面に形成された金属層を介してレーザによって接続され、さらに、前記金属層の材料を前記第1、第2の金属端子を構成する材料と略同じものを使用した温度ヒューズを実装した実装基板。NiまたはNiを主成分とする合金で構成された第1の金属端子および第2の金属端子と、前記第1の金属端子の一端部と第2の金属端子の一端部との間に橋設され、かつ周囲にフラックスが塗布された可溶合金と、前記可溶合金を覆うように設けられた絶縁体とを備えた温度ヒューズにおいて、前記第1の金属端子および第2の金属端子を実装基板の上面に形成された一対のランドパターンに、前記一対のランドパターンの上面に形成されその材料が前記第1、第2の金属端子を構成する材料と略同じである金属層を介しかつレーザによるレーザ溶接によって接続するようにした温度ヒューズの実装方法。近年、電池装置等が組み込まれている電子機器を小型化することが求められているが、そのためには電子機器内部の実装基板に直接実装する必要性がある。しかしながら、上記従来の温度ヒューズにおいては、はんだ溶融による実装は、可溶合金4への影響が大きく採用できない。そこで、レーザ照射により金属端子1、2の他端部1b、2bを直接実装基板のランドパターンに接続して温度ヒューズを実装基板に面実装する方法が考えられる。しかし、一般的に温度ヒューズの端子はNi系で、端子の厚みは0.1mm程度あり、一方実装基板のランドパターンの厚みは0.05mm以下と薄くかつ熱伝導率の良い銅で構成されている。そのため、レーザ照射による接合を実施した場合、レーザ条件のバラツキにより、そのレーザの熱がランドパターンを瞬時に通過し実装基板に伝わる場合があるため、このレーザ熱によって実装基板がダメージを受けてしまう可能性があるという課題を有していた。本発明は上記従来の課題を解決するもので、温度ヒューズをレーザ照射することによる実装において、レーザ条件が多少ばらついても温度ヒューズを実装基板に影響を与えることなく実装できる実装基板および温度ヒューズの実装方法を提供することを目的とするものである。上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。本発明の請求項1に記載の発明は、NiまたはNiを主成分とする合金で構成された第1の金属端子および第2の金属端子と、前記第1の金属端子の一端部と第2の金属端子の一端部との間に橋設され、かつ周囲にフラックスが塗布された可溶合金と、前記可溶合金を覆うように設けられた絶縁体とを備えた温度ヒューズを実装する実装基板において、前記第1の金属端子および第2の金属端子の他端部が、前記実装基板の上面に形成された一対のランドパターンに、前記一対のランドパターンの上面に形成された金属層を介してレーザによって接続され、さらに、前記金属層の材料を前記第1、第2の金属端子を構成する材料と略同じものを使用したもので、この構成によれば、ランドパターンと第1、第2の金属端子の他端部との間の金属層によってレーザの熱が実装基板に直接伝わりにくくなるため、レーザ条件が多少ばらついても実装基板が影響を受けることがないという作用効果が得られるものである。本発明の請求項2に記載の発明は、NiまたはNiを主成分とする合金で構成された第1の金属端子および第2の金属端子と、前記第1の金属端子の一端部と第2の金属端子の一端部との間に橋設され、かつ周囲にフラックスが塗布された可溶合金と、前記可溶合金を覆うように設けられた絶縁体とを備えた温度ヒューズにおいて、前記第1の金属端子および第2の金属端子を実装基板の上面に形成された一対のランドパターンに、前記一対のランドパターンの上面に形成されその材料が前記第1、第2の金属端子を構成する材料と略同じである金属層を介しかつレーザによって接続するようにしたもので、この方法によれば、ランドパターンと第1、第2の金属端子の他端部との間の金属層によってレーザの熱が実装基板に直接伝わりにくくなるため、レーザ条件が多少ばらついても温度ヒューズを実装基板に影響を与えることなく実装基板に直接実装することが可能になるという作用効果が得られるものである。以上のように本発明の温度ヒューズを実装した実装基板は、第1の金属端子および第2の金属端子の他端部が、実装基板の上面に形成された一対のランドパターンに、一対のランドパターンの上面に形成された金属層を介してレーザによって接続され、さらに、金属層の材料を前記第1、第2の金属端子を構成する材料と略同じものを使用しているため、ランドパターンと第1、第2の金属端子の他端部との間の金属層によってレーザの熱が実装基板に直接伝わりにくくなり、これにより、レーザ条件が多少ばらついても実装基板が影響を受けることがないという優れた効果を奏するものである。以下、本発明の一実施の形態における温度ヒューズを実装した実装基板について、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の一実施の形態における温度ヒューズの断面図である。本発明の一実施の形態における温度ヒューズ10は、図1に示すように、NiまたはNiを主成分とする合金で構成された第1の金属端子11および第2の金属端子12と、前記第1の金属端子11の一端部11aと第2の金属端子12の一端部12aとの間に橋設され、かつ周囲にフラックス13が塗布された可溶合金14と、前記可溶合金14の下方に配置された第1の絶縁フィルム15と、前記可溶合金14を覆うようにその一部が前記第1の金属端子11、第2の金属端子12の上面に配置され、かつ前記第1の絶縁フィルム15に固着された第2の絶縁フィルム16とを備えているものである。上記構成において、前記第1の金属端子11および第2の金属端子12は、NiまたはNiを90以上含有するCuNi合金により構成され、かつ、可溶合金14に接合される一端部11a,12aと、外方へ突出する他端部11b,12bとをそれぞれ有している。なお、第1の金属端子11、第2の金属端子12の表面は、他端部11b,12bを除いて、はんだめっき、錫めっき等を形成してもよく、さらに、第1の金属端子11、第2の金属端子12の先端部11a、12aの幅を他の部分の幅より狭くしてもよい。また、前記可溶合金14は、第1の金属端子11の一端部11aと第2の金属端子12の一端部12aとの間に橋設されて、錫、ビスマス、インジウムなどのうち2つ以上の金属の合金により構成されている。なお、前記可溶合金14の周囲にはロジンからなるフラックス13が塗布されている。そして、前記第1の絶縁フィルム15は、方形板状に構成され、かつその上面の一部に第1の金属端子11および第2の金属端子12の各一端部11a,12aが形成されている。なお、第1の絶縁フィルム15の一部に貫通孔を設けるとともに、第1、第2の金属端子11,12の各一端部11a,12aに突出部を設け、かつこの貫通孔に前記突出部を下から嵌め込み、第1、第2の金属端子11,12の突出部を第1の絶縁フィルム15の上面に露出させるようにしてもよい。そしてまた、前記第2の絶縁フィルム16は、可溶合金14を覆うように第1の絶縁フィルム15の上面の周縁部に溶着されるもので、このように第2の絶縁フィルム16を第1の絶縁フィルム15に溶着することにより、これらの間に可溶合金14を収納する空間を形成でき、また第1の絶縁フィルム15と第2の絶縁フィルム16とで第1の金属端子11を固定できる。なお、第1の絶縁フィルム15、第2の絶縁フィルム16は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどの熱可塑性樹脂により構成されている。そして、第1の絶縁フィルム15、第2の絶縁フィルム16は、超音波融着、熱圧着、レーザ照射等の方法で互いに溶着される。なお、可溶合金14は、2つの絶縁フィルム15、16ではなく、セラミックケース等の他の絶縁体で密封されるようにしてもよい。上記のように構成された温度ヒューズ10は、図2に示すように実装基板21に実装される。このとき、温度ヒューズ10の第1の金属端子11の他端部11bおよび第2の金属端子12の他端部12bを、実装基板21の上面に形成された一対のランドパターン22に、金属層23を介して接続するようにしている。また、前記実装基板21はガラスエポキシ等で構成され、電池装置等が組み込まれている電子機器の内部に設けられており、他の各種電子部品も実装されている。さらに、前記一対のランドパターン22は、実装基板21の上面に間隔をおいて対向するように形成され、銅箔で構成されている。この一対のランドパターン22に温度ヒューズ10が金属層23を介して実装される。そしてまた、前記金属層23は、金属板または金属箔で構成され、かつ一対のランドパターン22のそれぞれの上面にはんだ等によって接合され、第1、第2の金属端子11、12を構成する材料と略同じ材料で構成されている。例えば、第1、第2の金属端子11、12がNiで構成されている場合は、金属層23もNiで構成される。次に、温度ヒューズ10の実装方法について説明する。図2において、まず、上述したような、一対のランドパターン22が形成された実装基板21を用意する。次に、一対のランドパターン22のそれぞれの上面に、金属層23の上面にまで半田が回り込まない量のはんだを載せ、さらにこのはんだの上に金属層23を載せる。次に、リフローして金属層23を一対のランドパターン22の上面に接続させる。このとき、はんだが冷却されて固まる前に、金属層23の上から下面が平らな板で押さえ、金属層23の上面が平滑かつ実装基板21と平行になるようにしてもよい。次に、温度ヒューズ10を上記の構成になるように作製し、その後、温度ヒューズ10の第1の金属端子11の他端部11bおよび第2の金属端子12の他端部12bを、金属層23の上面に配置する。このとき、温度ヒューズ10の下面と実装基板21の間に接着剤を付け、温度ヒューズ10を固定するようにしてもよい。最後に、第1の金属端子11の他端部11bおよび第2の金属端子12の他端部12bの上からレーザを照射して、第1の金属端子11の他端部11b、第2の金属端子12の他端部12bを、金属層23にレーザ溶接する。このとき、金属端子11の他端部11bの2箇所、第2の金属端子12の他端部12bの2箇所それぞれにレーザを1パルス照射してスポット溶接する。なお、1パルスでのレーザのエネルギーは0.5~10J、照射時間は0.5~10msecとする。この場合、レーザの照射を第1の金属端子11の他端部11b、第2の金属端子12の他端部12b、第1の金属端子11の他端部11b、第2の金属端子12の他端部12bの順に行い、同じ金属端子に連続してレーザの照射をしないようにすれば、レーザ照射による可溶合金14への影響を抑えることができる。また、レーザ照射による可溶合金14への影響を抑えるために、エアーを吹き付けたり、冷却板を当接したりしてもよい。上記のように本発明の一実施の形態における温度ヒューズを実装した実装基板は、第1の金属端子11および第2の金属端子12の他端部11b、12bが、実装基板21の上面に形成された一対のランドパターン22に、一対のランドパターン22の上面に形成された金属層23を介してレーザによって接続され、さらに、金属層23の材料を前記第1、第2の金属端子11、12を構成する材料と略同じものを使用しているため、一対のランドパターン22と第1、第2の金属端子11、12の他端部11b、12bとの間の金属層23によってレーザの熱が実装基板21に直接伝わりにくくなり、これにより、レーザ条件が多少ばらついても実装基板21が影響を受けるのを防止できるという効果が得られるものである。また、第1、第2の金属端子11、12と金属層23を略同一材料で構成しているため、略同一材料の金属同士をレーザで溶接することになり、これにより、第1、第2の金属端子11、12と実装基板21との接合強度が強くなる。さらに、第1、第2の金属端子11、12の実装をレーザを用いて行っているため、はんだを用いて実装することに比べて可溶合金14が熱の影響を受けにくくなり、これにより、第1、第2の金属端子11、12の長さを短くすることが可能になるため、電子機器の小型化に対応できる。このとき、従来の温度ヒューズの金属端子の長さを短くしたものをそのまま使用できるため、安定した特性が得られ、可溶合金14、フラックス13の密閉性を保持でき、かつコスト面でも有利となる。さらに、温度ヒューズを実装基板に面実装するとき、レーザを使用しているため、圧接、超音波等による他の方法に比べ、実装基板に実装されている他の電子部品への影響も抑えることができる。"