"磁気記録メディアの第1の表面に対して垂直に延伸する単一磁極を形成することと、前記単一磁極を成形することにより、前記第1の表面に対して垂直をなすように平坦化されたリーディング面を形成することと、前記リーディング面と平行に、かつ、第1の距離を隔てるように、前記第1の表面においてホットスポットを生成するプラズモンジェネレータを配置することと、前記リーディングエッジからの第2の距離が50nm以下である終端縁へ向けて前記リーディング面から広がるエアベアリング面を有することとなるように前記単一磁極を成形することと、前記単一磁極に、前記終端縁から始まり、前記エアベアリング面に対して30°以上70°以下の角度で前記第1の表面から遠ざかるトレーリング面を形成することとを含み、前記単一磁極によって形成される記録磁界のピークを前記ホットスポットと重ね合わせるようにした熱アシスト磁気記録方法。前記第2の距離を零とする請求項1記載の熱アシスト磁気記録方法。前記プラズモンジェネレータから前記リーディング面までの第1の距離を10以上60nm以下とする請求項1記載の熱アシスト磁気記録方法。前記エアベアリング面を、前記第1の表面から1nm以上15nm以下の位置とする請求項1記載の熱アシスト磁気記録方法。前記プラズモンジェネレータを、500以上1400nm以下の波長を有するプラズモンを射出するものとする請求項1記載の熱アシスト磁気記録方法。磁気記録メディアの第1の表面に対して垂直に延伸するメインポールと、前記メインポールと磁気的に結合されたスティッチトポールとを含む複合型磁極を設けることと、前記スティッチトポールを、前記メインポールから延伸する上面および下面と、上部エッジおよび下部エッジにおいて前記上面および下面とそれぞれ接続されたリーディング面とを有するように成形することと、前記メインポールに対して平行であり、前記スティッチトポールからの最短距離が10nm以上60nm以下となるように配置され、前記第1の表面においてホットスポットを形成するプラズモンジェネレータを設けることとを含み、前記複合型磁極が形成する記録磁界のピークと前記ホットスポットとを重ね合わせるようにした熱アシスト磁気記録方法。前記リーディング面を前記第1の表面に対して垂直とし、前記上面を前記第1の表面と平行とし、前記下面を、前記リーディング面および第1の表面の双方から遠ざかるように、かつ、前記第1の表面に対して30°以上70°以下の範囲の傾斜角をなすように傾斜させる請求項6記載の熱アシスト磁気記録方法。前記下部エッジを、前記メインポールから100nm以上1000nm以下の距離を有する位置に設ける請求項7記載の熱アシスト磁気記録方法。前記リーディング面を、前記第1の表面に対して45°以上80°以下の角度をなすようにし、前記下面を、前記メインポールから延伸させて前記上面よりも長い寸法とすると共に、前記リーディング面および第1の表面の双方から遠ざかるように前記第1の面に対して30°以上70°以下の角度で傾斜させる請求項6記載の熱アシスト磁気記録方法。前記下部エッジを、前記メインポールから100nm以上1000nm以下の距離だけ離れた位置とする請求項9記載の熱アシスト磁気記録方法。磁気記録メディアの第1の表面に対して垂直に延伸し、かつ、前記第1の表面に対して垂直をなすように平坦化されたリーディング面を有する単一磁極と、前記リーディング面に対して第1の距離を隔てて平行に設けられたプラズモンジェネレータとを備え、前記単一磁極は前記リーディング面からの第2の距離が50nm以下である端縁に至るまで延在するエアベアリング面を有し、前記単一磁極は、前記端縁から前記エアベアリング面に対して30°以上70°以下の角度で前記第1の表面から遠ざかるトレーリング面を有する熱アシスト磁気記録ヘッド。前記第2の距離が零である請求項11記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記第1の距離は、前記プラズモンジェネレータおよびリーディング面の相互間距離であり、10nm以上60nm以下である請求項11記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記エアベアリング面は、前記第1の表面から1nm以上15nm以下の距離に位置する請求項11記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記プラズモンジェネレータは、500nm以上1400nm以下の波長を有するプラズモンを放射するものである請求項11記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。磁気記録メディアの第1の表面に対して垂直に延伸するメインポールと、前記メインポールと磁気的に結合されたスティッチトポールとを含む複合型磁極を備え、前記スティッチトポールは、前記メインポールから延伸する上面および下面と、前記上面および下面と上部エッジおよび下部エッジにおいてそれぞれ接続されたリーディング面とを有する熱アシスト磁気記録ヘッド。前記リーディング面は前記第1の表面に対して垂直であり、前記上面は前記第1の表面に対して平行であり、前記下面は前記リーディング面および第1の表面の双方から遠ざかるように、かつ、前記第1の表面に対して30°以上70°以下の範囲の傾斜角をなすように傾斜している請求項16記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記下部エッジは、前記メインポールから100nm以上1000nm以下の距離に位置する請求項16記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記リーディング面は、前記第1の表面に対して45°以上80°以下の角度をなし、前記下面は、前記メインポールから延伸し、前記上面よりも長い寸法を有すると共に、前記リーディング面および第1の表面の双方から遠ざかるように前記第1の表面に対して30°以上70°以下の角度で傾斜している請求項16記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。前記下部エッジは、前記メインポールから100nm以上1000nm以下の距離に位置する請求項16記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。図1は、従来のTAMRヘッド構造を表す。このTAMRヘッドは、光導波路112と、プラズモンジェネレータ113と、コイル114と、再生ヘッド部115と、ヨーク116とを備える。レーザダイオードからの光111は、光導波路12の入り口inletを照射し、光導波路112の内部に光を通し、プラズモンジェネレータ113と結合させるものである。こうすることで、プラズモンモードの光が、プラズモンジェネレータ113の表面もしくはエッジにおいて放出されるようになっている。最終的に、ニアフィールド近接場スポットが、ABSにおけるプラズモンジェネレータ113の尖端tipに現れる。この小さな近接場スポットは、磁気記録媒体における極めて局所的な温度上昇を誘発する。磁気記録媒体の保磁力磁界は、温度上昇と共に減少するので、TAMRでは、室温での記録を行うには大きすぎる保磁力を有するものであっても、そのよな磁気記録媒体への磁気記録が可能となる。しかしながら、TAMRを成功させるためには、加熱スポットと記録磁界との正確な位置合わせが重要である。図2A~2Cは、TAMRに使用される3つの従来のプラズモンジェネレータおよびメインポールの構造をそれぞれ表す概略図である。プラズモンジェネレータ113は、メインポール121のリーディングエッジからリーディング側へ10~60mm離れた位置に設けられている。この構造では、加熱スポットの中心はメインポールの直下ではない。しかしながら、TAMRヘッドの記録磁界は、メインポールの内部へ向かう負の傾斜を示している。図3は、メインポール121と関連する、TAMRヘッドの記録磁界のダウントラックプロファイルを表している。図3では、横軸がダウントラック方向の位置μmを表し、縦軸が記録磁界Heffの強度Oeを表している。記録磁界Heffは、下記の式1によって表される。Heff=HinHy32......1ここで、Hinは面内磁界であり、Hyはエアベアリング面から17.5nm離れた位置での記録磁界Heffの垂直成分である。また、図3には、光スポット131および加熱スポット132の位置を併せて表している。加熱スポット132の直径は100nm未満であるべきであり、特に50nm未満であることが望ましい。加熱スポット132の中心が主磁極からわずか40nm離れた位置にあるときでさえ、加熱スポット132のトレーリングエッジは外側に位置し、もしくはメインポール121の端縁に辛うじて重なる状態である。結果として、従来はTAMR記録においても変換品質は非常に悪く、従来のTAMRヘッドにおける遷移曲線は良好なものではなかった。これは、磁化遷移は、基本的にヘッドの記録磁界の勾配よりも磁気メディアの異方性の勾配温度特性に従うによって決定されるからである。図4は、従来のTAMRヘッドにおける磁気記録媒体の、計算によって求められた記録パターンである。なお、線密度は2000kFCIとした。図4に示したように、磁化遷移はあまり良好ではなく、信号対雑音比SNRは僅か5.52dBであった。このような理由により、現状のTAMRの挙動は、熱因子によって支配される。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、磁気記録媒体に記録される記録密度を向上させることにある。また、本発明の第2の目的は、主磁極に近接する加熱スポットでの磁気記録メディアの保磁力を一時的に低下させることにある。本発明の第3の目的は、加熱スポットとメインポールとの距離を低減することにある。さらに、本発明の第4の目的は、記録磁界の最大ピークの位置を、加熱スポットと重ね合わせることにある。これらの目的は、書き込み磁極メインポールの成形によって達成される。メインポールを、例えば自らのリーディングエッジもしくはその近傍を基点として、磁気記録媒体の表面から離れる方向において傾斜するような下面を有するようにする。このような手法は、一体型のメインポール、もしくは複合型のスティッチトポールに適用される。このような形状の使用による正味の効果は、記録磁界のピークが、プラズモンジェネレータによって生成されるホットスポットの内部に収まるということである。具体的には以下の通りである。本発明の第1の熱アシスト磁気記録方法は、磁気記録メディアの第1の表面に対して垂直に延伸する単一磁極一体型の磁極を形成することと、そのような単一磁極を成形することにより、第1の表面に対して垂直をなすように平坦化されたリーディング面を形成することと、リーディング面と平行に、かつ、第1の距離を隔てるように、第1の表面においてホットスポットを生成するプラズモンジェネレータを配置することと、リーディングエッジからの第2の距離が50nm以下である終端縁へ向けてリーディング面から広がるエアベアリング面を有することとなるように単一磁極を成形することと、単一磁極に、終端縁から始まりエアベアリング面に対して30°以上70°以下の角度で第1の表面から遠ざかるトレーリング面を形成することとを含み、単一磁極によって形成される記録磁界のピークをホットスポットと重ね合わせるようにしたものである。本発明の第1の熱アシスト磁気記録方法では、第2の距離を零とするとよい。また、プラズモンジェネレータからリーディング面までの第1の距離を10以上60nm以下とするとよい。また、エアベアリング面を、第1の表面から1nm以上15nm以下の位置とするとよい。また、プラズモンジェネレータを、500以上1400nm以下の波長を有するプラズモンを射出するものとするとよい。本発明の第2の熱アシスト磁気記録方法は、磁気記録メディアの第1の表面に対して垂直に延伸するメインポールと、そのメインポールと磁気的に結合されたスティッチトポールとを含む複合型磁極を設けることと、スティッチトポールを、メインポールから延伸する上面および下面と、上部エッジおよび下部エッジにおいて上面および下面とそれぞれ接続されたリーディング面とを有するように成形することと、メインポールに対して平行であり、スティッチトポールからの最短距離が10nm以上60nm以下となるように配置され、第1の表面においてホットスポットを形成するプラズモンジェネレータを設けることとを含み、複合型磁極が形成する記録磁界のピークとホットスポットとを重ね合わせるようにしたものである。本発明の第2の熱アシスト磁気記録方法では、リーディング面を第1の表面に対して垂直とし、上面を前記第1の表面と平行とし、下面をリーディング面および第1の表面の双方から遠ざかるように、かつ、第1の表面に対して30°以上70°以下の範囲の傾斜角をなすように傾斜させるとよい。その場合、下部エッジを、メインポールから100nm以上1000nm以下の距離だけ離れた位置とするとよい。あるいは、リーディング面を、第1の表面に対して45°以上80°以下の角度をなすようにし、下面を、メインポールから延伸させて上面よりも長い距離とすると共にリーディング面および第1の表面の双方から遠ざかるように第1の面に対して30°以上70°以下の角度で傾斜させてもよい。その場合、下部エッジを、メインポールから100nm以上1000nm以下の距離だけ離れた位置とするとよい。本発明の第1の熱アシスト磁気記録ヘッドは、磁気記録メディアの第1の表面に対して垂直に延伸し、かつ、第1の表面に対して垂直をなすように平坦化されたリーディング面を有する単一磁極と、リーディング面に対して第1の距離を隔てて平行に設けられたプラズモンジェネレータとを備える。ここで、単一磁極はリーディング面からの第2の距離が50nm以下である端縁に至るまで延在するエアベアリング面を有する。さらに、単一磁極は、端縁からエアベアリング面に対して30°以上70°以下の角度で第1の表面から遠ざかるトレーリング面を有する。本発明の第1の熱アシスト磁気記録ヘッドでは、第2の距離が零であるとよい。第1の距離は、例えばプラズモンジェネレータおよびリーディング面の相互間距離であり、10nm以上60nm以下の範囲であるとよい。また、エアベアリング面は、第1の表面から1nm以上15nm以下の距離に位置するとよい。また、プラズモンジェネレータは、例えば500nm以上1400nm以下の範囲の波長を有するプラズモンを放射するものである。本発明の第2の熱アシスト磁気記録ヘッドは、磁気記録メディアの第1の表面に対して垂直に延伸するメインポールと、このメインポールと磁気的に結合されたスティッチトポールとを含む複合型磁極を備える。ここで、スティッチトポールは、メインポールから延伸する上面および下面と、これら上面および下面と上部エッジおよび下部エッジにおいてそれぞれ接続されたリーディング面とを有するものである。本発明の第2の熱アシスト磁気記録ヘッドでは、リーディング面は第1の表面に対して垂直であり、上面は第1の表面に対して平行であり、下面はリーディング面および第1の表面の双方から遠ざかるように、かつ、第1の表面に対して30°以上70°以下の範囲の傾斜角をなすように傾斜しているとよい。また、下部エッジは、メインポールから100nm以上1000nm以下の距離に位置するとよい。さらに、リーディング面は、第1の表面に対して45°以上80°以下の角度をなし、下面は、メインポールから延伸し、上面よりも長い距離を有すると共に、リーディング面および第1の表面の双方から遠ざかるように第1の面に対して30°以上70°以下の角度で傾斜しているとよい。また、下部エッジは、メインポールから100nm以上1000nm以下の距離に位置するとよい。本発明の熱アシスト磁気記録方法および熱アシスト磁気記録ヘッドによれば、磁極の一部に、エアベアリング面に対して傾斜した面を設けるようにしたので、記録磁界の最大ピークの位置を加熱スポットと重ね合わせることが可能となり、記録密度の向上を図ることができる。本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドおよび熱アシスト磁気記録方法における対象、特徴および長所は、以下に述べる実施の形態の記載により理解される。図5は、本実施の形態のTAMRヘッドにおける概略構成を表す、エアベアリング面と直交する断面図である。図5に示したように、このTAMRヘッドは、単一構造の主磁極メインポール21と、光導波路12と、プラズモンジェネレータPG13と、コイル14と、再生ヘッド部15と、ヨーク16とを備える。コイル14は、その内部を書込電流が流れることにより誘導磁界を発生させ、ヨーク16を介して主磁極21の内部に記録磁界を生成するものである。主磁極21は、磁気記録媒体100へ向けて記録磁界を放出し、磁気記録媒体100への磁気情報の書き込み記録を行う部分である。このTAMRヘッドでは、図示しないレーザダイオードからのレーザ光11は、光導波路12に進入してその内部を通過したのち、PG13と結合する。こうすることで、プラズモンモードの光プラズモンが、PG13の表面もしくはエッジにおいて放出されるようになっている。PG13は、例えば500nm以上1400nm以下の波長を有するプラズモンを放射するものである。最終的に、ニアフィールド近接場スポットが、磁気記録媒体100の記録面100Sと対向するエアベアリング面ABSに露出したPG13の尖端に現れる。この小さな近接場スポットは、記録面100Sにおける極めて局所的な温度上昇を誘発する。ABSは、記録面100Sから例えば1nm以上15nm以下の距離に位置する。図6A,6Bは、それぞれ、本実施の形態のTAMRヘッドに用いられる主磁極21の形状を拡大して表すものである。主磁極21は、記録面100Sに対して垂直に延伸しており、PG13と対向するリーディング面21LSを有している。リーディング面21LSは、記録面100Sに対して垂直かつ平坦な面である。リーディング面21LSとPG13との距離は、例えば10nm以上60nm以下である。主磁極21は、例えば図6Aに示したように、リーディング面21LSからの距離t1が例えば50nm以下である端縁21EGに至るまで延在するABSを有している。主磁極21は、端縁21EGからABSに対して30°以上70°以下の傾斜角51をなすように記録面100Sから遠ざかるトレーリング面21TSを有している。また、図6Bに示したように、主磁極21は、ABSを有さず、リーディング面21LSとトレーリング面21TSとが端縁21EGにおいて交差するような形状距離t1=0であることが望ましい。このように、このTAMRヘッドの重要な特徴は、主磁極21のリーディングエッジ21LEとしての端縁21EGもしくはその近傍を基点として、所定の傾斜角51をなすように傾斜した傾斜面トレーリング面21TSを有していることである。トレーリング面21TSは、トレーリングエッジ21TEへ近づくほど、ABSからの距離が徐々に増加するようになっている。図7は、距離t1=0および10nmのときの、記録磁界の勾配の傾斜角依存性を示している。図7において、横軸は傾斜角51°を表し、縦軸は記録磁界Heffの勾配Oe/nmを表す。このデータは、距離t1=0のときに傾斜角51が約55~65°のときに最小の記録磁界勾配が得られることを示している。すなわち、傾斜するトレーリング面21TSの基点をリーディングエッジ21LEに近づけることが望ましい。図8は、距離t1=0および10nmのときの、記録磁界Heffのピーク位置を、傾斜角51の関数として表したものである。図8において、横軸は傾斜角51°を表し、縦軸は主磁極21のリーディングエッジ21LEからの、記録磁界Heffのピークまでの距離nmを表す。このピーク磁界は、PG13が形成する加熱スポットの中心で発生することが理想である。このデータによれば、傾斜角51が約20°~60°の範囲において、ピーク位置が傾斜角51の上昇に伴って増加しており、傾斜角51が60°のとき、距離t1=10に比べて距離t1=0の場合に約2nmほどピーク位置がずれていることがわかる。図9は、傾斜角51が45°のときの距離t1と記録磁界Heffの勾配との関係を表している。距離t1が20nm以下の場合、勾配はほとんど変化せず、-175Oe/nmという非常に大きな数値を示している。ところが、距離t1が30nmに至ると、記録磁界勾配は緩やかになる。しかし、距離t1が100nm以上となっても、記録磁界勾配は従来の一般的なTAMRヘッドの50Oe/nmよりも急な勾配が維持される。図10は、熱アシスト磁気記録の実施中における、磁気記録メディアの温度分布曲線81および異方性磁界Hk曲線82の分布を表したものである。図10では、横軸がダウントラック方向の位置μmを表している。また、左側の縦軸が温度Kを表し、右側の縦軸が異方性磁界Hkの強度Oeを表している。異方性磁界Hkが零となる部分温度が700K以上となる領域に相当するが、主磁極21リーディングエッジ21LEから20nmほど離れた位置から始まっていることがわかる。この距離の位置においては、主磁極21の記録磁界勾配が、従来のTAMRヘッドよりも急峻な負の磁界勾配を示している。この相違点は、磁気記録媒体100の異方性磁界がダウントラック方向において主磁極21からさらに約30nm遠ざかる位置で再び増加し始めるまで維持される。図11は、本実施の形態のTAMRヘッドでの、記録磁界のピークが光スポット熱スポットに収まっている様子を表している。図11において、横軸はダウントラック方向の位置μmを表し、縦軸は記録磁界Heffの強度Oeを表している。また、図11において、曲線C11Aが本実施の形態のTAMRヘッドにおける特性を表し、曲線C11Bが従来のTAMRヘッドにおける特性を表している。これは従来のTAMRヘッドでは見られなかったものである。この特徴は、熱スポットと記録磁界との位置合わせを改善するものである。それにより、記録磁界勾配は主磁極のリーディングエッジ21LEにおいて負となる。さらに、傾斜は、従来のTAMRヘッドに比べてより急峻となる。図12は、本実施の形態のTAMRヘッドによる磁気記録パターンを計算して表したものである。条件は、主磁極の構造を除き、他は図4と同一である。図12に示したように、遷移領域は、従来のような急峻な曲線ではなく、より良好な磁化遷移の品質を示唆するものとなっている。このことは、SNRの改善に反映されている。すなわち、SNRは、従来のTAMRヘッドでは6.41dBであったのに対し、本発明のTAMRヘッドでは11.93dBとなっている。この5.52dBの改善は、より急峻な磁化遷移に関連してノイズが低減されたことによるものである。このように、本実施の形態のTAMRヘッドおよびそれを用いた熱アシスト磁気記録方法によれば、主磁極21の一部に、ABSに対して傾斜したトレーリング面21TSを設けるようにした。このような構造により、記録磁界の最大ピークの位置を加熱スポットと重ね合わせることが可能となり、空間分解能の向上、記録密度の向上を図ることができる。以上、特定の実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態において説明した態様に限定されず、本発明の趣旨から外れることがない限りにおいて、製造方法、プロセス、材料、構造などについての種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態のTAMRヘッドは、1つの部分からなる主磁極21を備えたものであるが、本発明はスティッチトポール構造に適用可能なものである。一般的に、スティッチトポール構造は製造コストが高い。しかしながら、スティッチトポール構造ではないものに比べて以下のような利点を有するものである。具体的には、TAMRヘッドにおいては、主磁極は、プラズモンジェネレータにおけるプラズモンの伝播を弱めることとなり、光導波路の光伝播lightpropagationを低下させてしまう。そのため、光効率を最大にするため、主磁極を、光導波路およびプラズモンジェネレータから十分に離された位置100nm以上に設ける必要がある。しかしながら、プラズモンジェネレータはABSにおいて主磁極の尖端に可能な限り近づけるべきである。熱アシスト磁気記録を行う際に、熱スポットと記録磁界の発生領域との位置合わせを最適化するためである。スティッチトポール構造は、記録磁界の発生位置および加熱スポットを近づけつつ、主磁極21の本体20と光導波路およびプラズモンジェネレータとの十分な分離を行うことを可能とするものなので、その点において有利である。図13A,13Bに、スティッチトポール91,92の一例を示す。双方とも、一体型の主磁極21と同様に、PG13から離れるほどABSから遠ざかるように傾斜した下面94を有する。ここで、スティッチトポール91,92におけるABSと反対側の上面93は、図13Aに示したようにABSと平行であってもよいし、下面94と同様に傾斜していてもよい。スティッチトポール91,92におけるリーディング面95は、上面93および下面94と上部エッジ93EGおよび下部エッジ94EGにおいてそれぞれ接続されている。下部エッジ94EGは、本体20から100nm以上1000nm以下の距離に位置するとよい。また、リーディング面95は、図13Bに示したように記録面100Sに対して45°以上80°以下の角度をなすように傾斜してもよい。また、スティッチトポール91,92において、下面94は、本体20から延伸し上面93よりも長い寸法を有すると共に、リーディング面95および記録面100Sの双方から遠ざかるようにABSもしくは記録面100Sに対して30°以上70°以下の角度で傾斜している。"