"イオン捕捉剤を含む接着剤組成物により構成され、175°Cで5時間硬化させた後の260°Cでの引張貯蔵弾性率が0.5MPa以上1000MPa以下である接着シート。上記接着剤組成物は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂をさらに含む請求項1に記載の接着シート。上記熱可塑性樹脂は、重量平均分子量が10万以上のアクリル樹脂を含む請求項2に記載の接着シート。上記アクリル樹脂はエポキシ基又はカルボキシル基を含む請求項3に記載の接着シート。上記接着剤組成物中の上記熱可塑性樹脂の重量基準の含有量は、上記熱硬化性樹脂の重量基準の含有量の0.5~20倍である請求項2~4のいずれか1項に記載の接着シート。10ppmの銅イオンを有する水溶液50ml中に、重さ2.5gの接着シートを浸漬し、120°Cで20時間放置した後の上記水溶液中の銅イオン濃度が、0~9.9ppmである請求項1~5のいずれか1項に記載の接着シート。基材及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、上記粘着剤層上に積層された請求項1~6のいずれか1項に記載の接着フィルムとを備えるダイシングダイボンドフィルム。請求項7に記載のダイシングダイボンドフィルムの接着シートと半導体ウェハとを貼り合わせる工程、上記半導体ウェハをダイシングして半導体チップを形成する工程、上記半導体チップを上記接着シートとともにピックアップする工程、ピックアップした上記半導体チップを上記接着シートを介して被着体上に固定する工程、上記半導体チップと上記被着体とをボンディングワイヤーにより電気的に接続する工程、及び封止樹脂により上記半導体チップを封止する工程を含む半導体装置の製造方法。ところが、例えば接着シートに金属イオンを吸着するような成分を含有させても、接着シートが半導体チップから剥離してしまうと、剥離した領域の分だけゲッタリング効果の補完作用は低減してしまう。近年の半導体装置の高容量化に伴い、同規格のパッケージであれば薄型化した半導体チップ及び接着シートの多段積層が要求されるところ、積層が進むにつれて接着シートには熱処理による熱履歴が蓄積する。その結果、接着シートの接着特性が低下して封止工程やリフロー工程の際に接着シートが半導体チップから剥離することがあり、ゲッタリング効果の補完作用が低減する傾向は強まっている。このような剥離現象は、上記従来の技術では解決できていない。従って、本発明の目的は、高温処理を施しても半導体チップからの剥離が生じず、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能な接着シートを提供することにある。本願発明者らは、上記従来の問題点を解決すべく鋭意検討し、金属イオンを捕捉し得る接着シートの高温での貯蔵弾性率に着目した結果、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明に係る接着シートは、イオン捕捉剤を含む接着剤組成物により構成され、175°Cで5時間硬化させた後の260°Cでの引張貯蔵弾性率が0.5MPa以上1000MPa以下である。当該接着シートでは、所定条件で熱硬化させた後の260°Cでの引張貯蔵弾性率以下、単に弾性率と称する場合がある。を0.5MPa以上1000MPa以下としているので、高温下例えば175°C~260°Cでの弾性率を維持することができ、封止工程やリフロー工程において半導体チップからの接着シートの剥離を防止することができる。また、接着シートの剥離を防止して接着シートと半導体チップとの密着状態を維持可能であることから、半導体チップに混入した、又は混入する可能性のある金属イオンの捕捉効率の低下を防止することができ、得られる半導体装置の電気特性の劣化を防止することができる。なお、接着シートの引張貯蔵弾性率の測定方法は、実施例の記載による。当該接着シートを構成する上記接着剤組成物は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂をさらに含むことが好ましい。両成分を採用することで、接着シートの弾性率を所定範囲に好適に設定することができる。上記熱可塑性樹脂は、重量平均分子量が10万以上のアクリル樹脂を含むことが好ましい。これにより、アクリル樹脂による凝集力が十分に発揮され、低温例えば60°Cでの接着力が得られるとともに、高温下での弾性率の低下を防止することができる。当該接着シートにおいて、上記アクリル樹脂はエポキシ基又はカルボキシル基を含むことが好ましい。エポキシ基含有アクリル樹脂又はカルボキシル基含有アクリル樹脂の採用により熱硬化性樹脂との架橋反応が可能となり、高温下での弾性率を確保することができる。当該接着シートでは、上記接着剤組成物中の上記熱可塑性樹脂の重量基準の含有量は、上記熱硬化性樹脂の重量基準の含有量の0.5~20倍であることが好ましい。熱可塑性樹脂の含有量と熱硬化性樹脂の含有量との比をこのような範囲とすることで、低温での接着性と高温での弾性率とを効率良く両立させることができる。当該接着シートでは、10ppmの銅イオンを有する水溶液50ml中に、重さ2.5gの接着シートを浸漬し、120°Cで20時間放置した後の上記水溶液中の銅イオン濃度が、0~9.9ppmであることが好ましい。接着シートがこのような銅イオン捕集性を有することにより、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップ等に混入してくる金属イオンを捕捉することができる。その結果、外部から混入する金属イオンがウェハ上に形成された回路形成面に到達しにくくなり、電気特性の低下が抑えられて製品信頼性を向上させることができる。本発明には、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、上記粘着剤層上に積層された当該接着フィルムとを備えるダイシングダイボンドフィルムも含まれる。このように、当該接着シートは、ダイシングダイボンドフィルムを構成するダイボンドフィルムとして好適に用いることができる。本発明には、当該ダイシングダイボンドフィルムの接着シートと半導体ウェハとを貼り合わせる工程、上記半導体ウェハをダイシングして半導体チップを形成する工程、上記半導体チップを上記接着シートとともにピックアップする工程、ピックアップした上記半導体チップを上記接着シートを介して被着体上に固定する工程、上記半導体チップと上記被着体とをボンディングワイヤーにより電気的に接続する工程、及び封止樹脂により上記半導体チップを封止する工程を含む半導体装置の製造方法も含まれる。当該接着シートをダイボンドフィルムとして用いたダイシングダイボンドフィルムにより半導体装置を製造することで、封止工程やリフロー工程における接着シートの半導体チップからの剥離を防止することができるので、半導体装置の製造の歩留まりの向上が可能となるとともに、半導体チップに混入し得る金属イオンを効率良く捕捉して電気特性に優れた半導体装置を製造することができる。本発明の一実施形態に係る接着シート及びこれを用いたダイシングダイボンドフィルム、このダイシングダイボンドフィルムを用いて得られる半導体装置とその製造方法について、必要に応じて図面を参照しつつ説明する。<接着シート>本発明に係る接着シートは、イオン捕捉剤を含む接着剤組成物により構成され、175°Cで5時間硬化させた後の260°Cでの引張貯蔵弾性率が0.5MPa以上1000MPa以下である。上記接着シートでは、所定条件で熱硬化させた後の260°Cでの引張貯蔵弾性率を0.5MPa以上1000MPa以下としているので、高温下での弾性率を維持することができ、封止工程やリフロー工程において半導体チップからの接着シートの剥離を防止することができる。また、接着シートの剥離を防止可能であり接着シートと半導体チップの密着性を維持することができることから、半導体チップに混入した、又は混入し得る金属イオンの捕捉効率の低下を防止することができる。上記接着シートは、膜厚が3~150μmであることが好ましく、5~120μmであることがより好ましく、5~60μmであることがさらに好ましい。上記接着シートの膜厚を3μm以上とすることにより、より良好に金属イオンを捕捉することができる。一方、上記接着シートの膜厚を150μm以下とすることにより、膜厚の制御が容易となる。上記接着シートは、85°C、85RHの雰囲気下で120時間放置したときの吸水率が3重量以下であることが好ましく、2重量以下であることがより好ましく、1重量以下であることがさらに好ましい。上記吸水率が3重量以下であると、半導体パッケージ中において、接着シート中の金属イオンの運動が抑制され、より好適に金属イオンを捕捉することができる。上記接着シートは、シリコンウェハに対する熱硬化後の剪断接着力が、175°Cの条件下において、0.1MPa以上20MPa以下であることが好ましく、0.15MPa以上15MPa以下であることがより好ましく、0.2MPa以上10MPa以下であることがさらに好ましい。上記剪断接着力が、175°Cの条件下において、0.1MPa以上であると、半導体パッケージ中において、金属イオンが支持部材例えば、ウェハ等から接着シートへと拡散し易くなり、金属イオンをより好適に捕捉することができる。当該接着シートでは、10ppmの銅イオンを有する水溶液50ml中に、重さ2.5gの接着シートを浸漬し、120°Cで20時間放置した後の上記水溶液中の銅イオン濃度が、0~9.9ppmであることが好ましい。接着シートがこのような銅イオン捕集性を有することにより、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップ等に混入してくる金属イオンを捕捉することができる。その結果、外部から混入する金属イオンがウェハ上に形成された回路形成面に到達し難くなり、電気特性の低下が抑えられて製品信頼性を向上させることができる。本発明において、銅イオン捕捉後の銅イオン濃度を0~9.9ppmとする方法としては、上述したように、イオン捕捉剤を接着シートに含有させる方法に加え、使用する樹脂成分にカルボン酸基等の金属イオンを捕捉する官能基を導入する方法や、ボロン又はn型ドーパントをイオン注入する方法なども採用することができる。[接着剤組成物]上記接着シートを構成する接着剤組成物はイオン捕捉剤を含み、好ましくは熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を含み、必要に応じて他の成分を含む。イオン捕捉剤上記接着シートに、金属イオンを捕捉するイオン捕捉剤を含有させると、半導体装置の製造における各種プロセス中に外部から半導体ウェハ又は半導体チップに混入した、又は混入し得る金属イオンをより好適に捕捉することができる。上記イオン捕捉剤としては、陽イオン交換体、又は、錯体形成化合物などを挙げることができる。なかでも、耐熱性に優れる点で、陽イオン交換体が好ましく、良好に金属イオンを捕捉することができる点で、錯体形成化合物がより好ましい。上記陽イオン交換体としては、より好適に金属イオンを捕捉できるという観点から、無機陽イオン交換体が好ましい。本発明において、上記イオン捕捉剤により捕捉する金属イオンとしては、金属イオンであれば特に制限されないが、例えば、Na、K、Ni、Cu、Cr、Co、Hf、Pt、Ca、Ba、Sr、Fe、Al、Ti、Zn、Mo、Mn、V等のイオンを挙げることができる。無機陽イオン交換体上記無機陽イオン交換体は特に制限されるものではなく、従来公知の無機陽イオン交換体を用いることができ、例えば、より好適に金属イオンを捕捉できる観点から、アンチモン、ビスマス、ジルコニウム、チタン、スズ、マグネシウム及びアルミニウムからなる群より選ばれる元素の酸化水和物を挙げることができる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。なかでも、マグネシウム及びアルミニウムの酸化水和物が好ましい。上記無機陽イオン交換体の市販品としては、東亜合成株式会社製の商品名:IXE-700F、IXE-770、IXE-770D、IXE-2116、IXE-100、IXE-300、IXE-600、IXE-633、IXE-6107、IXE-6136等を挙げることができる。上記無機陽イオン交換体の平均粒径は、0.05~20μmであることが好ましく、0.1~10μmであることがより好ましい。上記無機陽イオン交換体の平均粒径を20μm以下とすることにより、接着力の低下を抑制することができ、0.05μm以上とすることにより、分散性を向上させることができる。錯体形成化合物上記錯体形成化合物は、金属イオンと錯体を形成するものであれば、特に制限されるものではないが、有機系錯体形成化合物であることが好ましく、好適に金属イオンを捕捉できるという観点から、窒素含有化合物、水酸基含有化合物、カルボン酸基含有化合物からなる群より選ばれる1種以上であることが好ましい。窒素含有化合物上記窒素含有化合物としては、微粉末状のもの、有機溶媒に溶解し易いもの、又は、液状のものが好ましい。このような窒素含有化合物としては、より好適に金属イオンを捕捉できる観点から、3級の窒素原子を有する複素環化合物が好ましく、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、又は、ビピリジル化合物を挙げることができるが、銅イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点から、トリアゾール化合物がより好ましい。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。上記トリアゾール化合物としては、特に制限されないが、1,2,3-ベンゾトリアゾール、1-{N,N-ビス2-エチルヘキシルアミノメチル}ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、2-{2’-ヒドロキシ-5’-メチルフェニル}ベンゾトリアゾール、2-{2’-ヒドロキシ-3’、5’-ジ-t-ブチルフェニル}-5-クロロベンゾトリアゾール、2-{2’-ヒドロキシ-3’-t-ブチル-5’-メチルフェニル}-5-クロロベンゾトリアゾール、2-{2’-ヒドロキシ-3’、5’-ジ-t-アミルフェニル}ベンゾトリアゾール、2-{2’-ヒドロキシ-5’-t-オクチルフェニル}ベンゾトリアゾール、6-2-ベンゾトリアゾリル-4-t-オクチル-6’-t-ブチル-4’-メチル-2,2’-メチレンビスフェノール、1-2’、3’-ヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、1-1’、2’-ジカルボキシジエチルベンゾトリアゾール、1-2-エチルヘキシアミノメチルベンゾトリアゾール、2,4-ジ-t-ベンチル-6-{H-ベンゾトリアゾール-1-イルメチル}フェノール、2-2-ヒドロキシ-5-t-ブチルフェニル-2H-ベンゾトリアゾール、3-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル-5-1,1-ジメチルエチル-4-ヒドロキシ、オクチル-3-[3-t-ブチル-4-ヒドロキシ-5-5-クロロ-2H-ベンゾトリアゾール-2-イルフェニル]プロピオネート、2-エチルヘキシル-3-[3-t-ブチル-4-ヒドロキシ-5-5-クロロ-2H-ベンゾトリアゾール-2-イルフェニル]プロピオネート、2-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル-6-1-メチル-1-フェニルエチル-4-1,1,3,3-テトラメチルブチルフェノール、2-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル-4-t-ブチルフェノール、2-2’-ヒドロキシ-5’-メチルフェニルベンゾトリアゾール、2-2’-ヒドロキシ-5’-t-オクチルフェニル-ベンゾトリアゾール、2-3’-t-ブチル-2’-ヒドロキシ-5’-メチルフェニル-5-クロロベンゾトリアゾール、2-2’-ヒドロキシ-3’,5’-ジ-t-アミルフェニルベンゾトリアゾール、2-2’-ヒドロキシ-3’,5’-ジ-t-ブチルフェニル-5-クロロ-ベンゾトリアゾール、2-[2’-ヒドロキシ-3,5-ジ1,1-ジメチルベンジルフェニル]-2H-ベンゾトリアゾール、2,2’-メチレンビス[6-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル-4-1,1,3,3-メトラメチルブチルフェノール]、2‐[2‐ヒドロキシ‐3,5‐ビスα,α‐ジメチルベンジルフェニル]‐2H‐ベンゾトリアゾール、メチル3-3-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル-5-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート等があげられる。上記トリアゾール化合物の市販品としては、特に制限はされないが、城北化学株式会社製の商品名:BT-120、BT-LX、CBT-1、JF-77、JF-78、JF-79、JF-80、JF83、JAST-500、BT-GL、BT-M、BT-260、BT-365、BASF社の商品名:TINUVINPS、TINUVINP、TINUVINPFL、TINUVIN99-2、TINUVIN109、TINUVIN900、TINUVIN928、TINUVIN234、TINUVIN329、TINUVIN329FL、TINUVIN326、TINUVIN326FL、TINUVIN571、TINUVIN213、台湾永光化学公司製の製品名:EVESORB81、EVESORB109、EVESORB70、EVESORB71、EVESORB72、EVESORB73、EVESORB74、EVESORB75、EVESORB76、EVESORB78、EVESORB80等を挙げることができる。トリアゾール化合物は、防錆剤としても使用される。上記テトラゾール化合物としては、特に限定されないが、5-アミノ-1H-テトラゾール等が挙げられる。上記ビピリジル化合物としては、特に限定されないが、2,2’-ビピリジル、1,10-フェナントロリンなどが挙げられる。水酸基含有化合物上記水酸基含有化合物としては、特に制限されないが、微粉末状のもの、有機溶媒に溶解し易いもの、又は、液状のものが好ましい。このような水酸基含有化合物としては、より好適に金属イオンを捕捉できる観点から、1つの芳香環上に水酸基を2つ以上有する化合物が好ましく、具体的にはキノール化合物、ヒドロキシアントラキノン化合物、又は、ポリフェノール化合物を挙げることができるが、銅イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点から、ポリフェノール化合物がより好ましい。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。なお、芳香環とは、π電子系が非局在化した共役環構造をいい、縮合していない芳香環例えば、ベンゼン環だけでなく、縮合している芳香環例えば、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ピレン環等、アントラキノン環等が含まれる。上記キノール化合物としては、特に限定されないが、1,2-ベンゼンジオールなどが挙げられる。上記ヒドロキシアントラキノン化合物としては、特に限定されないが、アリザリン、アントラルフィンなどが挙げられる。上記ポリフェノール化合物としては、特に限定されないが、タンニン、タンニン誘導体没食子酸、没食子酸アルキルエステルアルキル基として、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等、ピロガロールなどが挙げられる。カルボン酸基含有化合物上記カルボン酸基含有化合物としては、特に限定されないが、カルボキシル基含有芳香族化合物、カルボキシル基含有脂肪酸化合物等が挙げられる。上記カルボキシル基含有芳香族化合物としては、特に限定されないが、フタル酸、ピコリン酸、ピロール-2-カルボン酸等が挙げられる。上記カルボキシル基含有脂肪酸化合物としては、特に限定されないが、高級脂肪酸、カルボン酸系キレート試薬、等が挙げられる。上記カルボキシル酸系キレート試薬の市販品としては、特に制限はされないが、キレスト株式会社製の製品名:キレストA、キレスト110、キレストB、キレスト200、キレストC、キレストD、キレスト400、キレスト40、キレスト0D、キレストNTA、キレスト700、キレストPA、キレストHA、キレストMZ-2、キレストMZ-4A、キレストMZ-8を挙げることができる。上記金属イオンを捕捉する添加剤の含有量は、上記接着シートを構成する樹脂成分100重量部に対して、0.1~80重量部であることが好ましく、0.1~50重量部であることがより好ましく、0.1~20重量部であることがさらに好ましい。0.1重量部以上とすることにより、金属イオン特に、銅イオンを効果的に捕捉することができ、80重量部以下とすることにより、耐熱性の低下やコストの増加を抑制することができる。熱可塑性樹脂上記接着シートの形成に用いられる接着剤組成物は、熱可塑性樹脂を含有することが好ましい。上記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。上記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下、特に炭素数4~18の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体アクリル共重合体等が挙げられる。上記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。上記接着シートでは、上記熱可塑性成分と後述する熱硬化性成分とが互いに架橋可能であることが好ましい。熱可塑性成分と熱硬化性成分とが架橋することにより、高温例えば、175~260°Cでの接着力がより高まり、リフロー工程等における剥離等を防止することができ、その結果、半導体装置の製造の歩留まりを向上させることができる。上記熱可塑性成分と上記熱硬化性成分とが互いに架橋可能となるようにする手段として、例えば両成分に互いに架橋可能な官能基を導入すること等が挙げられる。互いに架橋可能な官能基の組み合わせとしては、例えばエポキシ基と水酸基、エポキシ基とカルボキシル基、エポキシ基とアミノ基等が挙げられる。これらの官能基の組み合わせの一方を上記熱可塑性成分に導入し、残りの官能基を上記熱硬化性成分に導入することで上記熱可塑性成分と上記熱硬化性成分とが互いに架橋可能とすることができる。上記熱可塑性成分と上記熱硬化性成分とを架橋させるために、上記熱可塑性成分が具体的にエポキシ基又はカルボキシル基を有すると、好適に熱硬化性成分との架橋反応を進行させることができる。熱可塑性成分がエポキシ基を有する場合、上記接着シートは、熱硬化性成分としてフェノール樹脂を含むことが好ましい。また、熱可塑性成分がカルボキシル基を有する場合、上記接着シートは、熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を含むことが好ましい。熱可塑性成分のエポキシ基と熱硬化性成分のフェノール樹脂の水酸基との間、又は熱可塑性成分のカルボキシル基と熱硬化性成分のエポキシ樹脂のエポキシ基との間で好適に架橋反応させることができる。上記熱可塑性成分にエポキシ基を導入するには、上記アクリル共重合体の構成モノマーとしてエポキシ基含有モノマーを採用することができる。エポキシ基含有モノマーとしてはエポキシ基を有する限り特に限定されず、例えばグリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等が挙げられる。また、上記熱可塑性成分にカルボキシル基を導入するには、上記アクリル共重合体の構成モノマーとしてカルボキシル基含有モノマーを採用することができる。カルボキシル基含有モノマーとしてはカルボキシル基を有する限り特に限定されず、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸及びクロトン酸等が挙げられる。また、上記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えば無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタアクリル酸8-ヒドロキシオクチル、メタアクリル酸10-ヒドロキシデシル、メタアクリル酸12-ヒドロキシラウリル若しくは4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル-メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタアクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピルメタアクリレート若しくはメタアクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。熱硬化性樹脂また、上記接着剤組成物は、上記熱可塑性樹脂とともに熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。上記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は2種以上を併用して用いることができ、特に、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくともいずれか一方を用いることが好ましい。これにより、接着シートとウェハとの接着界面に水が入りにくくなり、イオンが移動し難くなる。その結果、半導体装置の信頼性が向上する。上記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。更に、上記フェノール樹脂は、エポキシ基の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。上記熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で接着シートを加熱した際に熱硬化型の接着シートとしての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、接着剤組成物の合計量に対して1~80重量の範囲内であることが好ましく、3~70重量の範囲内であることがより好ましい。上記接着剤組成物のなかでも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及び、アクリル樹脂を含有し、アクリル樹脂100重量部に対するエポキシ樹脂、及び、フェノール樹脂の合計量が10~2000重量部であることが好ましく、10~1500重量部であることがより好ましく、10~1000重量部であることがさらに好ましい。アクリル樹脂100重量部に対するエポキシ樹脂、及び、フェノール樹脂の合計量を10重量部以上とすることにより、硬化による接着効果が得られ、剥離を抑制することができ、2000重量部以下とすることより、フィルムが脆弱化して作業性が低下することを抑制することができる。上記接着シートでは、上記接着剤組成物中の上記熱可塑性樹脂含有量は、重量基準で、上記熱硬化性樹脂の含有量の0.5~20倍であることが好ましく、1~15倍であることがより好ましい。熱可塑性樹脂の含有量と熱硬化性樹脂の含有量との比をこのような範囲とすることで、上記接着シートの低温での接着性と高温での弾性率とを効率良く両立させることができる。架橋剤上記接着剤組成物を用いて作成する接着シートを予めある程度架橋をさせておく場合には、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。上記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、1,5-ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、上記の重合体100重量部に対し、通常0.05~7重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が7重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、0.05重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。フィラーまた、上記接着剤組成物には、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。フィラーの配合は、上記接着剤組成物より得られる接着シートへの導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。上記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、取り扱い性の向上、熱電導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与等の特性の観点から、無機フィラーが好ましい。上記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。熱電導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。また、上記各特性のバランスがよいという観点からは、結晶質シリカ、又は、非晶質シリカが好ましい。また、導電性の付与、熱電導性の向上等の目的で、無機フィラーとして、導電性物質導電フィラーを用いることとしてもよい。導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、胴、ニッケル、導電性合金等を球状、針状、フレーク状とした金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。上記フィラーの平均粒径は、0.005~10μmとすることができる。上記フィラーの平均粒径を0.005μm以上とすることにより、被着体への濡れ性、及び、接着性を良好とすることができる。また、10μm以下とすることにより、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができるとともに、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、光度式の粒度分布計HORIBA製、装置名;LA-910により求めた値である。他の添加剤なお、上記接着剤組成物には、上記成分以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、陰イオン捕捉剤、分散剤、酸化防止剤、シランカップリング剤、硬化促進剤などが挙げられる。これらは、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。上記の実施形態では、接着剤組成物に含有させる接着剤主成分として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いる場合について説明したが、本発明においては、接着剤組成物に含有させる接着剤主成分として、上記のような熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂に代えて、又は加えて、セラミック系、セメント系、はんだ等の無機系のものを含有させることとしてもよい。[接着剤組成物の調製方法]上記接着剤組成物の調製方法としては、特に限定されず、例えば、イオン捕捉剤と、必要に応じて、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、他の添加剤を容器に投入して、有機溶媒に溶解させ、均一になるように攪拌することによって接着剤組成物溶液として得ることができる。上記有機溶媒としては、接着シートを構成する成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶媒としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、安価で入手できる点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを使用することが好ましい。[接着シートの製造方法]本実施形態に係る接着シートは、例えば、次の通りにして作製される。まず、上記のようにして調製した接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させる。基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が使用可能である。また、塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度70~160°C、乾燥時間1~5分間の範囲内で行われる。これにより、本実施形態に係る接着シートが得られる。上記接着シートの用途としては特に限定されず、半導体装置の製造に好適に用いることができ、例えば、リードフレーム等の被着体に半導体チップを固着するためのダイボンドフィルムや、フリップチップ型半導体装置の半導体チップの裏面を保護する保護フィルムや、半導体チップを封止するための封止シートとして用いられるものが挙げられる。上記接着シートは、熱硬化前における60°Cでの引張貯蔵弾性率が、0.01MPa以上1000MPa以下であることが好ましく、0.05MPa以上100MPa以下であることがより好ましく、0.1MPa以上50MPa以下であることがさらに好ましい。熱硬化前における60°Cでの引張貯蔵弾性率を、0.01MPa以上とすることにより、フィルムとしての形状を維持し、良好な作業性を付与することができる。また、熱硬化前における60°Cでの引張貯蔵弾性率を、1000MPa以下とすることにより、被着体に対する良好な濡れ性を付与することができる。[半導体装置]本実施形態に係る半導体装置について図2を参照しつつ説明する。半導体装置は、被着体6と、上記被着体6上に積層された上記接着シート3と、上記接着シート3上に配置された半導体チップ5とを備える。被着体6としては、基板でもよく他の半導体チップであってもよい。図2では基板を被着体として用いている。図2に示した半導体装置では、さらに半導体チップ5と被着体6との電気的接続を担うボンディングワイヤー7が、被着体6の端子部インナーリードの先端と半導体チップ5上の電極パッド図示しないとを接続するように設けられ、ボンディングワイヤー7も含めて半導体チップ5が封止樹脂8により覆われている。本実施形態に係る半導体装置では、半導体チップの被着体への固定に当該接着シートを用いているので、封止工程やリフロー工程等の高温処理を経ても接着シートと半導体チップとの密着性を維持しつつ、その製造プロセスにおいて混入してくる金属イオンを効率的に捕捉することができ、その結果、優れた製品信頼性を確保することができる。[半導体装置の製造方法]次に、上記接着シートをダイボンドフィルムとして使用した場合における半導体装置の製造方法の一実施形態について説明する。本発明に係る半導体装置の製造方法は、ダイシングダイボンドフィルムの接着シートと半導体ウェハとを貼り合わせる工程、上記半導体ウェハをダイシングして半導体チップを形成する工程、上記半導体チップを上記接着シートとともにピックアップする工程、及びピックアップした上記半導体チップを上記接着シートを介して被着体上に固定する工程を含む。ダイシングダイボンドフィルム以下では、従来公知のダイシングフィルムに、本実施形態に係る接着シート3以下、ダイボンドフィルム3ともいうが積層されたダイシングダイボンドフィルム10を用いた半導体装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態に係るダイシングフィルムは、基材1上に粘着剤層2が積層された構造である。図1は、本発明の一実施形態に係る接着シートをダイボンドフィルムとして用いたダイシングダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図2は、上記ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。半導体装置の製造方法まず、図1に示すように、ダイシングダイボンドフィルム10におけるダイボンドフィルム3の半導体ウェハ貼り付け部分3a上に半導体ウェハ4を圧着し、これを接着保持させて固定するマウント工程。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。次に、半導体ウェハ4のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ4を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ5を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ4の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングダイボンドフィルム10まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングダイボンドフィルム10により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ4の破損も抑制できる。ダイシングダイボンドフィルム10に接着固定された半導体チップを剥離するために、半導体チップ5のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ5をダイシングダイボンドフィルム10側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ5をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。ここでピックアップは、粘着剤層2が紫外線硬化型の場合、該粘着剤層2に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層2のダイボンドフィルム3に対する粘着力が低下し、半導体チップ5の剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックアップが可能となる。次に、図2に示すように、ダイシングにより形成された半導体チップ5を、ダイボンドフィルム3を介して被着体6にダイボンドする。ダイボンドは圧着により行われる。ダイボンドの条件としては特に限定されず、適宜必要に応じて設定することができる。具体的には、例えば、ダイボンド温度80~160°C、ボンディング圧力5N~15N、ボンディング時間1~10秒の範囲内で行うことができる。次に、被着体6の端子部インナーリードの先端と半導体チップ5上の電極パッド図示しないとをボンディングワイヤー7で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。上記ボンディングワイヤー7としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、80~250°C、好ましくは80~220°Cの範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒~数分間行われる。結線は、上記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。なお、ワイヤーボンディング工程は、加熱処理によりダイボンドフィルム3を熱硬化させることなく行う。この場合、ダイボンドフィルム3の25°Cにおけるせん断接着力は、被着体6に対し0.2MPa以上であることが好ましく、0.2~10MPaであることがより好ましい。上記せん断接着力を0.2MPa以上にすることにより、ダイボンドフィルム3を熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程における超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム3と半導体チップ5又は被着体6との接着面でずり変形を生じることがない。すなわち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これにより、ワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。続いて、封止樹脂8により半導体チップ5を封止する封止工程を行う。本工程は、被着体6に搭載された半導体チップ5やボンディングワイヤー7を保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂8としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常175°Cで60~90秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば165~185°Cで、数分間キュアすることができる。以下の後硬化工程においてダイボンドフィルム3が熱硬化されない場合でも、本工程において封止樹脂8の硬化と共にダイボンドフィルム3を熱硬化させて接着固定が可能になる。次に、後硬化工程において、上記封止工程で硬化不足の封止樹脂8を完全に硬化させる。封止工程においてダイボンドフィルム3が熱硬化されない場合でも、本工程において封止樹脂8の硬化と共にダイボンドフィルム3を熱硬化させて接着固定が可能になる。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば165~185°Cの範囲内であり、加熱時間は0.5~8時間程度である。これにより、半導体パッケージが得られる。次に、プリント配線板上に、上記半導体パッケージを表面実装する。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めハンダを供給した後、温風などにより加熱溶融しハンダ付けを行うリフローハンダ付けが挙げられる。加熱方法としては、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、全体加熱、局部加熱の何れの方式でもよい。加熱温度は240~265°C、加熱時間は1~60秒の範囲内であることが好ましい。上記接着シートによると、175°Cで5時間硬化させた後の260°Cにおける引張貯蔵弾性率が0.5MPa以上1000MPa以下であるので、高温下例えば175°C~260°Cでの弾性率を維持することができ、封止工程やリフロー工程における半導体チップからの接着シートの剥離を防止することができる。また、接着シートダイボンドフィルムは、図3に示すように、複数の半導体チップを積層して3次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図3は、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを3次元実装した例を示す断面模式図である。図3に示す3次元実装の場合、まず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも1つのダイボンドフィルム3を被着体6上に貼り付けた後、ダイボンドフィルム3を介して半導体チップ5を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にして貼り付ける。次に、ダイボンドフィルム13を半導体チップ5の電極パッド部分を避けて貼り付ける。さらに、他の半導体チップ15をダイボンドフィルム13上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。次に、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ5及び他の半導体チップ15におけるそれぞれの電極パッドと、被着体6とをボンディングワイヤー7で電気的に接続する。なお、本工程は、ダイボンドフィルム3、13の加熱工程を経ることなく実施される。続いて、封止樹脂8により半導体チップ5等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。次に、後硬化工程において、上記封止工程で封止樹脂8が硬化不足であれば完全に硬化させる。このようにして得られる半導体パッケージは、その後、上述のようなリフロー工程を経てプリント配線板に表面実装される。以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。実施例1イオン捕捉剤として東亜合成株製、IXE-100を25部、アクリル樹脂としてナガセケムテックス株製、SG-80H、エポキシ基含有、重量平均分子量35万80部、エポキシ樹脂として三菱化学株製、JER82810部、フェノール樹脂として明和化成株製、MEH780010部、球状シリカアドマテックス株製、SO-25R125部をメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させることにより、厚さ25μmの接着シートを作製した。実施例2イオン捕捉剤として城北化学株製、BT-120を5部、アクリル樹脂としてナガセケムテックス株製、SG-80H、エポキシ基含有、重量平均分子量35万50部、エポキシ樹脂として三菱化学株製、JER82825部、フェノール樹脂として明和化成株製、MEH780025部、球状シリカアドマテックス株製、SO-25R50部をメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させることにより、厚さ25μmの接着シートを作製した。実施例3イオン捕捉剤として東亜合成株製、IXE-100を25部、アクリル樹脂としてナガセケムテックス株製、SG-708-6、カルボキシル基含有、重量平均分子量80万80部、エポキシ樹脂として三菱化学株製、JER82810部、フェノール樹脂として明和化成株製、MEH780010部、球状シリカアドマテックス株製、SO-25R80部をメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させることにより、厚さ25μmの接着シートを作製した。実施例4イオン捕捉剤として東亜合成株製、IXE-100を25部、アクリル樹脂としてナガセケムテックス株製、SG-708-6、カルボキシル基含有、重量平均分子量35万50部、エポキシ樹脂として三菱化学株製、JER82830部、フェノール樹脂として明和化成株製、MEH780030部、球状シリカアドマテックス株製、SO-25R110部をメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させることにより、厚さ25μmの接着シートを作製した。比較例1イオン捕捉剤として東亜合成株製、IXE-100を25部、アクリル樹脂として東亜合成株製、UH2000、重量平均分子量。1.2万80部、エポキシ樹脂としてDIC株製、HP-720010部、フェノール樹脂として明和化成株製、MEH780010部、球状シリカアドマテックス株製、SO-25R100部をメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させることにより、厚さ25μmの接着シートを作製した。比較例2アクリル樹脂としてナガセケムテックス株製、SG-80H、重量平均分子量35万80部、エポキシ樹脂として三菱化学株製、JER82810部、フェノール樹脂として明和化成株製、MEH780010部、球状シリカアドマテックス株製、SO-25R100部をメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させることにより、厚さ25μmの接着シートを作製した。熱硬化後における260°Cでの引張貯蔵弾性率の測定各実施例及び比較例の接着シートを175°Cのオーブン中に5時間放置した後、粘弾性測定装置RSA-II、レオメトリック社製を用いて熱硬化後における260°Cでの引張貯蔵弾性率を測定した。測定には、作成した接着シートを複数枚貼り合わせ、長さ30mm、幅10mm、厚さ0.20mmとなるように切り出した測定試料を用いた。引張貯蔵弾性率の測定は、-40~300°Cの温度域で周波数1Hz、歪み量0.1、昇温速度10°C/分で行った。その際の260°Cにおける測定値を表1に示す。銅イオン捕捉性評価実施例、及び比較例の各接着シートを重さ約2.5gとなるように切り出し、切り出したサンプルを直径58mm、高さ37mmの円柱状の密閉式テフロン登録商標製容器にいれ、10ppmの銅IIイオン水溶液50mlを加えた。その後、恒温乾燥機エスペック株製、PV-231に120°Cで20時間放置した。フィルムを取り出した後、ICP-AESエスアイアイナノテクノロジー株製、SPS-1700HVRを用いて水溶液中の銅イオンの濃度を測定した。水溶液中の銅イオンの濃度が0~9.8ppmの場合を○とし、9.8ppmより大きい場合を×とした。結果を表1に示す。併せて、初期銅イオン濃度10ppmと試験後に測定した銅イオン濃度との差をイオン捕捉量ppmとして表1に示す。データ保持性試験JEDECにより定められた規格であるJESD22-A117Bに準じて試験を行った。具体的には、以下の手順で作製した半導体パッケージにデータを書き込み、150°Cの乾燥機中に1000時間放置する加速試験の後のサンプルのデータ保持性を確認して、データ保持エラーを起こしたパッケージが20パッケージ中5個以下のときは○とし、6個よりも多い場合は×として評価した。結果を表1に示す。半導体パッケージの作製回路を形成したウェハを50μmの厚さまで研磨した。このウェハと、実施例及び比較例の各接着シートとを60°Cで貼り合わせた後、ダイシングを行ってダイシング装置:株DISCO製、DFD6361、接着シートが貼り合わされた10mm×10mmのチップを作製した。作製した接着シート付きのチップをリードフレームAlloy42上にダイボンディングした。ダイボンディングは、120°Cの温度下で荷重0.1MPaをかけ、1秒間加熱するという条件下で、ダイボンダー株新川製SPA-300を用いて行った。次いで、ワイヤー径23μmのAuワイヤーを用いて175°Cでワイヤーボンディングを行い、封止樹脂日東電工株製、GE-100により175°Cで2分間封止した。その後、175°Cで5時間封止樹脂を加熱硬化させて、半導体パッケージを作製した。表1の結果より、実施例に係る接着シートでは、熱硬化後の260°Cでの引張貯蔵弾性率、銅イオン捕捉性、及びデータ保持性のいずれも良好な結果であった。一方、比較例1の接着シートでは、銅イオン捕捉性は良好であったものの、データ保持性は多数のサンプルでデータ保持エラーが生じた。これは、熱硬化後の260°Cでの引張貯蔵弾性率が0.4MPaと低い値であるために加速試験の際に接着シートと半導体チップとの間で剥離が生じ、接着シートによる金属イオン捕捉作用が低減したことに起因すると考えられる。また、比較例2の接着シートではイオン捕捉剤が添加されていなかったことから、銅イオン捕捉性はほとんど示さず、その結果、データ保持性試験でもサンプル全数でデータ保持エラーが発生した。"