基板上に形成された被エッチング層の上部にマスク層を形成し、当該マスク層をマスクとして前記被エッチング層のエッチングを行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板に第1フォトレジスト層を形成する第1フォトレジスト層形成工程と、前記第1フォトレジスト層に、第1のピッチで整列したホール形状の第1フォトレジストパターンを形成する第1フォトレジストパターン形成工程と、前記第1フォトレジストパターンを不溶化する不溶化工程と、前記第1フォトレジストパターンの上に、第2フォトレジスト層を形成する第2フォトレジスト層形成工程と、前記第2フォトレジスト層に、前記第1のピッチより広い第2のピッチのパターンを形成する第2フォトレジストパターン形成工程と、によって前記マスク層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1のピッチは80~100nmであり、前記第2のピッチは160~200nmであることを特徴とする半導体の製造方法。請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1のピッチで整列したホール形状のパターンが真円または楕円であることを特徴とする半導体の製造方法。基板上に形成された被エッチング層の上部にマスク層を形成し、当該マスク層をマスクとして前記被エッチング層のエッチングを行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板に第1フォトレジスト層を形成し、露光、現像して第1フォトレジストパターンを形成する第1パターン形成工程と、前記第1フォトレジストパターンを不溶化する第1不溶化工程と、前記第1フォトレジストパターンの上に、第2フォトレジスト層を形成し、露光、現像して、前記第1フォトレジストパターンと交差する第2フォトレジストパターンを形成する第2パターン形成工程と、前記第2フォトレジストパターンを不溶化する第2不溶化工程と、前記第1フォトレジストパターン及び前記第2フォトレジストパターンの上に、第3フォトレジスト層を形成し、露光、現像して、第3フォトレジストパターンを形成する第3パターン形成工程と、によって前記マスク層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項4記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1パターン形成工程と、前記第2パターン形成工程とによって、第1のピッチで整列したホール形状のパターンを形成し、前記第3パターン形成工程によって、前記第1のピッチより広い第2のピッチのパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項5記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1のピッチは80~100nmであり、前記第2のピッチは160~200nmであることを特徴とする半導体装置の製造方法。基板上に塗布されたフォトレジストに、第1の平行したパターンを転写する工程と、前記フォトレジストに、前記第1の平行したパターンと直交する第2の平行したパターンを転写する工程と、前記フォトレジストに、第3の予め定められたランダムパターンのホールに対応したパターンを転写する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1の平行したパターンのピッチは80~100nmであり、前記第2の平行したパターンのピッチは80~100nmであり、前記第3の予め定められたランダムパターンのピッチは160~200nmであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7記載の半導体装置の製造方法であって、前記第3の予め定められたランダムパターンのピッチは、前記第1の平行したパターンのピッチよりも大きく、前記第2の平行したパターンのピッチよりも大きいことを特長とする半導体装置の製造方法。請求項7記載の半導体装置の製造方法であって、前記第3の予め定められたランダムパターンのホールの形状が真円または楕円であることを特徴とする半導体装置の製造方法。基板上に塗布したフォトレジストに第1の平行したパターンを転写する工程と、前記フォトレジストに、前記第1の平行したパターンに平行した第2の平行したパターンを転写する工程と、前記フォトレジストに、第3の予め定められたランダムパターンのホールに対応したパターンを転写する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項11記載の半導体装置の製造方法であって、前記第3の予め定められたランダムパターンのピッチは、前記第1の平行したパターンのピッチよりも大きく、前記第2の平行したパターンのピッチよりも大きいことを特長とする半導体装置の製造方法。請求項12記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1の平行したパターンのピッチは80~100nmであり、前記第2の平行したパターンのピッチは80~100nmであり、前記第3の予め定められたランダムパターンのピッチは160~200nmであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項11~13いずれか1項記載の半導体装置の製造方法であって、前記第3の予め定められたランダムパターンのホールの形状が真円または楕円であることを特徴とする半導体装置の製造方法。基板にフォトレジスト層を形成する手段と、前記フォトレジスト層を露光する手段と、露光された前記フォトレジスト層を現像する手段と、現像された前記フォトレジスト層を不溶化する手段とを具備し、請求項1~14いずれか1項記載の半導体装置の製造方法を実施するよう構成されたことを特徴とする半導体装置の製造装置。従来の半導体製造工程においては、基板上の目的の場所に微細なホールを形成しようとすると、第一のステップでVLINEを第一回目の露光により形成し、第二ステップでVLINEに直交するHLINEを第二回目の露光で形成して得られた直交パターンを一度ハードマスクに転写し、第三ステップで目的とする場所にホールを形成する目的のパターンを形成して、これをハードマスクに転写して初めて基板上に微細なランダムホールが得られた。これは、第二ステップで微細なランダムホールの場所に目的のパターンを形成したレジストパターンを使用することが出来ないことが三つのステップを要する原因であった。本発明は、上記の事情に対処してなされたもので、最初のハードマスクへの転写のステップを無くして、生産効率を向上させることを目的とする半導体装置の製造方法及び製造装置を提供しようとするものである。本発明の半導体装置の製造方法の一態様は、基板上に形成された被エッチング層の上部にマスク層を形成し、当該マスク層をマスクとして前記被エッチング層のエッチングを行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板に第1フォトレジスト層を形成する第1フォトレジスト層形成工程と、前記第1フォトレジスト層に、第1のピッチで整列したホール形状の第1フォトレジストパターンを形成する第1フォトレジストパターン形成工程と、前記第1フォトレジストパターンを不溶化する不溶化工程と、前記第1フォトレジストパターンの上に、第2フォトレジスト層を形成する第2フォトレジスト層形成工程と、前記第2フォトレジスト層に、前記第1のピッチより広い第2のピッチのパターンを形成する第2フォトレジストパターン形成工程と、によって前記マスク層を形成することを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法の他の態様は、基板上に形成された被エッチング層の上部にマスク層を形成し、当該マスク層をマスクとして前記被エッチング層のエッチングを行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板に第1フォトレジスト層を形成し、露光、現像して第1フォトレジストパターンを形成する第1パターン形成工程と、前記第1フォトレジストパターンを不溶化する第1不溶化工程と、前記第1フォトレジストパターンの上に、第2フォトレジスト層を形成し、露光、現像して、前記第1フォトレジストパターンと交差する第2フォトレジストパターンを形成する第2パターン形成工程と、前記第2フォトレジストパターンを不溶化する第2不溶化工程と、前記第1フォトレジストパターン及び前記第2フォトレジストパターンの上に、第3フォトレジスト層を形成し、露光、現像して、第3フォトレジストパターンを形成する第3パターン形成工程と、によって前記マスク層を形成することを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法の他の態様は、基板上に塗布されたフォトレジストに、第1の平行したパターンを転写する工程と、前記フォトレジストに、前記第1の平行したパターンと直交する第2の平行したパターンを転写する工程と、前記フォトレジストに、第3の予め定められたランダムパターンのホールに対応したパターンを転写する工程とを備えたことを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法の他の態様は、基板上に塗布したフォトレジストに第1の平行したパターンを転写する工程と、前記フォトレジストに、前記第1の平行したパターンに平行した第2のパターンを転写する工程と、前記フォトレジストに、第3の予め定められたランダムパターンのホールに対応したパターンを転写する工程とを備えたことを特徴とする。本発明によれば、従来に比べて工程数を削減して効率良く微細化パターンを形成することができ、生産効率を向上させることのできる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することができる。以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る基板としての半導体ウエハの一部を拡大して模式的に示し、一実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程を示すものである。また、図2は、一実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程を示すフローチャートである。図1aに示すように、半導体ウエハ100の上には、絶縁膜例えば、TEOS膜101、ハードマスク102、反射防止膜103が下側からこの順で形成されている。そして、本実施形態では、まずこの反射防止膜103上にフォトレジストを塗布し、露光、現像を行ってラインアンドスペース形状の第1フォトレジストパターン104を形成する図2の工程201。なお、図1aの上部に、上面から見た第1フォトレジストパターン104の形状を模式的に示す。この第1フォトレジストパターン104の線幅は、例えば、40nm~50nm程度、ピッチは、例えば、80nm~100nm程度ハーフピッチが例えば40nm~50nm程度であり、このような第1フォトレジストパターン104の形成は、例えばArF液浸露光等によって行うことができる。次に、図1bに示すように、第1フォトレジストパターン104を不溶化して不溶化層104aを形成する第1不溶化処理第1フリージング処理を行う図2の工程202。この第1不溶化処理は、例えば、ケミカルフリージング等によって行うことができる。次に、図1cに示すように、第1フォトレジストパターン104の上に、第2フォトレジスト105を塗布する図2の工程203。次に、図1dに示すように、露光、現像を行ってラインアンドスペース形状の第2フォトレジストパターン106を形成する図2の工程204。なお、図1dの上部に示すように、上面から見た場合、第1フォトレジストパターン104と第2フォトレジストパターン106とは、直交するように交差して形成されている。次に、図1eに示すように、第2フォトレジストパターン106を不溶化して不溶化層106aを形成する第2不溶化処理第2フリージング処理を行う図2の工程205。この第2不溶化処理は、例えば、ケミカルフリージング等によって行うことができる。次に、図1fに示すように、第1フォトレジストパターン104及び第2フォトレジストパターン106の上に、第3フォトレジスト107を塗布する図2の工程206。次に、図1gに示すように、露光、現像を行って第3フォトレジストパターン108を形成する図2の工程207。なお、図1gの上部に示すように、上面から見た場合、第3フォトレジストパターン108は、ランダムなパターンとなっており、第1フォトレジストパターン104及び第2フォトレジストパターン106より広いピッチでパターンが形成された状態となっている。以上の工程により、狭ピッチで整列されたコンタクトホールと、これらのコンタクトホールより広いピッチで形成されたランダムな形状のホールが混在するパターンのマスクを形成することができる。そして、このマスクを用いて、下層の反射防止膜103、ハードマスク102をエッチングし、さらに、絶縁膜例えば、TEOS膜101をエッチングして、絶縁膜例えば、TEOS膜101にホールを形成する。上記のように、本実施形態では、途中で一旦パターンをハードマスクに転写し、このハードマスク上に再度フォトレジストのマスクを形成するのではなく、3層のフォトレジストパターンからなるマスクを用いて、線幅が40~50nm程度、ピッチが80~100nm程度ハーフピッチが40~50nm程度の密に整列したコンタクトホールと、これらのコンタクトホールより広い160~200nm程度のピッチで形成された2次元パターンの転写を一度に行うことができる。したがって、従来に比べて工程数を削減して効率良く微細化パターンを形成することができ、生産効率の向上を図ることができる。さらに、第1フォトレジストパターン104は80~100nm程度のピッチのラインアンドスペース形状であり、第2フォトレジストパターン106は第1フォトレジストパターンと同等のピッチのこれと直交するラインアンドスペース形状であるため、微細な位置合わせを必要とすることなく、80~100nm程度のピッチで密に整列されたコンタクトホールを形成することができる。その後、第1フォトレジストパターンおよび第2フォトレジストパターンよりも広い160~200nm程度のピッチの第3フォトレジストパターンにより、密に整列したコンタクトホールのうち所定のコンタクトホールのみを残すことができ、これにより、全てのパターンに最小の解像度を用いる必要なく、2回の最小ピッチのパターンとそれよりも広いピッチのパターンの3回の簡易な露光で所定形状のコンタクトホールを形成することができる。すなわち、80~100nm程度のピッチで密に整列されたコンタクトホールを作成するためにはパターンを何回かに分割する必要があるが、例えば、第1フォトレジストパターンをホールが整列されたパターンとし、これらのホールの間に、ホールが整列されたパターンの第2フォトレジストパターンを露光する際には、精密な位置合わせが必要となり、ホールの位置がずれる可能性が高くなる。一方、本実施形態のようにラインアンドスペース形状のパターンを直交させてホールを形成する場合は、そのような精密な位置合わせを行うことなく密なピッチで整列されたコンタクトホールを形成することができる。本実施形態のように、第1フォトレジストパターンのピッチよりも第3フォトレジストパターンのピッチを大きく広くすることで、精密な位置合わせをしなくとも、両方のパターンを重ねることにより第1フォトレジストパターンの中から第3フォトレジストパターンと重なったコンタクトホールだけを選択的に形成するという技術が達成できる発明である。また、本実施形態では第1フォトレジストパターン104および第2フォトレジストパターン106は同等のピッチの直交するラインアンドスペース形状を使用したが、これらのピッチは同等でなくともよく、パターンは直交していなくともよい。さらに、密に整列したホールパターンを形成する工程において、密に整列したホール形状のパターンを使用することもできる。その場合は、本実施形態のようにラインアンドスペース形状のパターンを交差させる方法ではなく、1回の露光、現像により密に整列したホール形状のフォトレジストパターンを形成し、その後は、本実施形態と同様の手順によってランダムなホールパターンを形成することができる。次に、上述した半導体装置の製造方法を実施する半導体装置の製造装置の実施形態について説明する。図3~5は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置としてのレジスト塗布現像処理システムの構成を模式的に示すものであり、図3は平面図、図4は正面図、図5は背面図である。このレジスト塗布現像処理システム100は、カセットステーション111と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション112と、処理ステーション112に隣接して設けられる露光装置114と処理ステーション112との間で半導体ウエハWを受け渡すためのインターフェイスステーション113とを具備している。上記カセットステーション111には、レジスト塗布現像処理システム100において処理を行う複数枚の半導体ウエハWが水平に収容されたウエハカセットCRが他のシステムから搬入される。また、逆にレジスト塗布現像処理システム100における処理が終了した半導体ウエハWが収容されたウエハカセットCRがカセットステーション111から他のシステムへ搬出される。さらにカセットステーション111はウエハカセットCRと処理ステーション112との間での半導体ウエハWの搬送を行う。図3に示すように、カセットステーション111の入口側端部図3中Y方向端部には、X方向に沿って延在するカセット載置台120が設けられている。このカセット載置台120上にX方向に沿って1列に複数図3では5個の位置決め突起120aが配設されており、ウエハカセットCRはウエハ搬入出口を処理ステーション112側に向けてこの突起120aの位置に載置されるようになっている。カセットステーション111には、カセット載置台120と処理ステーション112との間に位置するように、ウエハ搬送機構121が設けられている。このウエハ搬送機構121は、カセット配列方向X方向およびウエハカセットCR中の半導体ウエハWの配列方向Z方向に移動可能なウエハ搬送用ピック121aを有しており、このウエハ搬送用ピック121aは、図3中に示すθ方向に回転可能とされている。これにより、ウエハ搬送用ピック121aは、いずれのウエハカセットCRに対してもアクセスでき、かつ、後述する処理ステーション112の第3処理ユニット群G3に設けられたトランジションユニットTRS-G3にアクセスできるようになっている。処理ステーション112には、システム前面側に、カセットステーション111側から順に、第1処理ユニット群G1と第2処理ユニット群G2が配設されている。また、システム背面側に、カセットステーション111側から順に、第3処理ユニット群G3、第4処理ユニット群G4および第5処理ユニット群G5が配設されている。また、第3処理ユニット群G3と第4処理ユニット群G4との間に第1主搬送部A1が配設され、第4処理ユニット群G4と第5処理ユニット群G5との間に第2主搬送部A2が配設されている。さらに、第1主搬送部A1の背面側には第6処理ユニット群G6が配設され、第2主搬送部A2の背面側には第7処理ユニット群G7が配設されている。図3および図4に示すように、第1処理ユニット群G1には、カップ内で半導体ウエハWをスピンチャックに載せて所定の処理を行う液供給ユニットとしての5台のスピンナ型処理ユニット、例えば、3台のフォトレジスト塗布ユニットCOTと、露光時の光の反射を防止する反射防止膜を形成する2台のコーティングユニットBARCが計5段に重ねられて配設されている。また第2処理ユニット群G2には、5台のスピンナ型処理ユニット、例えば、前述した不溶化処理としてのケミカルフリージングを実施するケミカルフリージングユニットCHFと4台の現像ユニットDEVが5段に重ねられて配設されている。図5に示すように、第3処理ユニット群G3には、下から、温調ユニットTCP、カセットステーション111と第1主搬送部A1との間での半導体ウエハWの受け渡し部となるトランジションユニットTRS-G3、所望のオーブン型処理ユニット等を設けることができるスペア空間V、半導体ウエハWに精度のよい温度管理下で加熱処理を施す3台の高精度温調ユニットCPL-G3、半導体ウエハWに所定の加熱処理を施す4台の高温度熱処理ユニットBAKEが、合計10段に重ねられて配設されている。また、第4処理ユニット群G4には、下から、高精度温調ユニットCPL-G4、レジスト塗布後の半導体ウエハWに加熱処理を施す4台のプリベークユニットPAB、現像処理後の半導体ウエハWに加熱処理を施す5台のポストベークユニットPOSTが、合計10段に重ねられて配設されている。また、第5処理ユニット群G5には、下から、4台の高精度温調ユニットCPL-G5、6台の露光後現像前の半導体ウエハWに加熱処理を施すポストエクスポージャーベークユニットPEBが、合計10段に重ねられて配設されている。第3~5処理ユニット群G3~G5に設けられている高温度熱処理ユニットBAKE、プリベークユニットPAB、ポストベークユニットPOST、ポストエクスポージャーベークユニットPEBは、例えば、全て同じ構造を有し、加熱処理ユニットを構成する。なお、第3~5処理ユニット群G3~G5の積み重ね段数およびユニットの配置は、図示するものに限らず、任意に設定することが可能である。第6処理ユニット群G6には、下から、2台のアドヒージョンユニットADと、半導体ウエハWを加熱するための2台の加熱ユニットHPとが合計4段に重ねられて配設されている。第7処理ユニット群G7には、下から、レジスト膜厚を測定する膜厚測定装置FTIと、半導体ウエハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置WEEとが2段に重ねられて配設されている。図3に示すように、第1主搬送部A1には第1主ウエハ搬送装置116が設けられ、この第1主ウエハ搬送装置116は、第1処理ユニット群G1、第3処理ユニット群G3、第4処理ユニット群G4と第6処理ユニット群G6に備えられた各ユニットに選択的にアクセス可能となっている。第2主搬送部A2には第2主ウエハ搬送装置117が設けられ、この第2主ウエハ搬送装置117は、第2処理ユニット群G2、第4処理ユニット群G4、第5処理ユニット群G5、第7処理ユニット群G7に備えられた各ユニットに選択的にアクセス可能となっている。第1主ウエハ搬送装置116及び第2主ウエハ搬送装置117には、半導体ウエハWを保持するための3本のアームが上下方向に積層するように配設されている。そして、これらのアームに半導体ウエハWを保持して、X方向、Y方向、Z方向及びθ方向の各方向に搬送するよう構成されている。図3に示すように、第1処理ユニット群G1とカセットステーション111との間には液温調ポンプ124およびダクト128が設けられ、第2処理ユニット群G2とインターフェイスステーション113との間には液温調ポンプ125およびダクト129が設けられている。液温調ポンプ124、125は、それぞれ第1処理ユニット群G1と第2処理ユニット群G2に所定の処理液を供給するものである。また、ダクト128、129は、レジスト塗布現像処理システム100外に設けられた図示しない空調器からの清浄な空気を各処理ユニット群G1~G5の内部に供給するためのものである。第1処理ユニット群G1~第7処理ユニット群G7は、メンテナンスのために取り外しが可能となっており、処理ステーション112の背面側のパネルも取り外しまたは開閉可能となっている。また、図4に示すように、第1処理ユニット群G1と第2処理ユニット群G2の下方には、第1処理ユニット群G1と第2処理ユニット群G2に所定の処理液を供給するケミカルユニットCHM126、127が設けられている。インターフェイスステーション113は、処理ステーション112側の第1インターフェイスステーション113aと、露光装置114側の第2インターフェイスステーション113bとから構成されており、第1インターフェイスステーション113aには第5処理ユニット群G5の開口部と対面するように第1ウエハ搬送体162が配置され、第2インターフェイスステーション113bにはX方向に移動可能な第2ウエハ搬送体163が配置されている。図5に示すように、第1ウエハ搬送体162の背面側には、下から順に、露光装置114から搬出された半導体ウエハWを一時収容するアウト用バッファカセットOUTBR、露光装置114に搬送される半導体ウエハWを一時収容するイン用バッファカセットINBR、周辺露光装置WEEが積み重ねられて構成された第8処理ユニット群G8が配置されている。イン用バッファカセットINBRとアウト用バッファカセットOUTBRは、複数枚、例えば25枚の半導体ウエハWを収容できるようになっている。また、第1ウエハ搬送体162の正面側には、図4に示すように、下から順に、2段の高精度温調ユニットCPL-G9と、トランジションユニットTRS-G9とが積み重ねられて構成された第9処理ユニット群G9が配置されている。図3に示すように、第1ウエハ搬送体162は、Z方向に移動可能かつθ方向に回転可能であり、さらにX-Y面内において進退自在なウエハ受け渡し用のフォーク162aを有している。このフォーク162aは、第5処理ユニット群G5、第8処理ユニット群G8、第9処理ユニット群G9の各ユニットに対して選択的にアクセス可能であり、これによりこれらのユニット間での半導体ウエハWの搬送を行うことが可能となっている。第2ウエハ搬送体163も同様に、X方向およびZ方向に移動可能、かつ、θ方向に回転可能であり、さらにX-Y面内において進退自在なウエハ受け渡し用のフォーク163aを有している。このフォーク163aは、第9処理ユニット群G9の各ユニットと、露光装置114のインステージ114aおよびアウトステージ114bに対して選択的にアクセス可能であり、これら各部の間で半導体ウエハWの搬送を行うことができるようになっている。図4に示すように、カセットステーション111の下部にはこのレジスト塗布現像処理システム100全体を制御する集中制御部119が設けられている。この集中制御部119は、レジスト塗布現像処理システム100の各ユニットおよび各搬送機構等の各構成部を制御するCPUを備えたプロセスコントローラと、キーボードやディスプレイ等からなるユーザーインターフェイスと、制御プログラム、レシピ、各種データベース等が格納された記憶部とを備えている。このように構成されたレジスト塗布現像処理システム100を用いて、上述した第1~第3レジストパターンの形成工程等を以下のように実施する。まず、ウエハカセットCRから処理前の半導体ウエハWを1枚ずつウエハ搬送機構121により取り出し、この半導体ウエハWを処理ステーション112の処理ユニット群G3に配置されたトランジションユニットTRS-G3に搬送する。次に、半導体ウエハWに対し、温調ユニットTCPで温調処理を行った後、第1処理ユニット群G1に属するコーティングユニットBARCで反射防止膜の形成、加熱ユニットHPにおける加熱処理、高温度熱処理ユニットBAKEにおけるベーク処理を行う。コーティングユニットBARCによる半導体ウエハWへの反射防止膜の形成前にアドヒージョンユニットADによりアドヒージョン処理を行ってもよい。次に、高精度温調ユニットCPL-G4で半導体ウエハWの温調を行った後、半導体ウエハWを第1処理ユニット群G1に属するレジスト塗布ユニットCOTへ搬送し、フォトレジストの塗布処理を行う。次に、第4処理ユニット群G4に設けられたプリベークユニットPABで半導体ウエハWにプリベーク処理を施し、周辺露光装置WEEで周辺露光処理を施した後、高精度温調ユニットCPL-G9等で温調する。その後、半導体ウエハWを第2ウエハ搬送体163により露光装置114内に搬送する。露光装置114により露光処理がなされた半導体ウエハWは、第2ウエハ搬送体163によってトランジションユニットTRS-G9に搬入する。この後、半導体ウエハWに、第5処理ユニット群G5に属するポストエクスポージャーベークユニットPEBによるポストエクスポージャーベーク処理、第2処理ユニット群G2に属する現像ユニットDEVによる現像処理、ポストベークユニットPOSTによるポストベーク処理等の温調処理を行う。以上の手順によって、第1フォトレジストパターンのパターニングが行われる。次に、半導体ウエハWを第2処理ユニット群G2に属するケミカルフリージングユニットCHFに搬送し、ここで不溶化処理を行う。次に、上記レジスト塗布ユニットCOTによるフォトレジストの塗布処理からケミカルフリージングユニットCHFによる不溶化処理までの工程を繰り返して第2フォトレジストパターンを形成する。さらに、上記レジスト塗布ユニットCOTによるフォトレジストの塗布処理からポストベークユニットPOSTによるポストベーク処理等の温調処理までの工程を繰り返して第3フォトレジストパターンを形成する。そして、これらの第1~第3フォトレジストパターンをマスクとして、エッチングを行う。以上、本発明を各実施形態について説明したが、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。