"凹部が設けられた主面を有する電極と、前記電極の前記主面に半田により接合された電子部品とを備え、前記凹部は、前記電極と前記電子部品の接合部の内側から前記接合部の外側まで延び、かつ前記電極の外周に達しないことを特徴とする電子装置。前記電子部品は、互いに離間した第1の電子部品と第2の電子部品を有し、前記凹部は、前記電極と前記第1の電子部品の接合部の内側から前記電極と前記第2の電子部品の接合部の方向に延びることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。前記凹部は、前記接合部の外側において、前記接合部の内側における前記凹部の幅よりも大きい幅を持つ部分を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子装置。前記凹部は、ひし形、紡錘形、又はこれに類する形状であることを特徴とする請求項3に記載の電子装置。前記電子部品と前記凹部の重ね合わせ部分の面積は、前記接合部の面積の5以上、50以下であることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の電子装置。前記電子部品は熱電素子であることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の電子装置。しかし、ガスの流れと同時に半田が凹部から電極の外側に流れ出る場合がある。また、ガスが弾ける時に半田が凹部からツノのように飛び出る場合がある。これにより他の電子部品とショートするという問題があった。特に、ペルチェ冷却装置では、隣り合う電極間の距離が半導体パッケージの電極に比べて小さいため、隣り合う電極間のショートの問題が顕著であった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は半田にボイドが発生するのを防ぎ、かつ電極の外側に半田が出るのを防ぐことができる電子装置を得るものである。本発明に係る電子装置は、凹部が設けられた主面を有する電極と、前記電極の前記主面に半田により接合された電子部品とを備え、前記凹部は、前記電極と前記電子部品の接合部の内側から前記接合部の外側まで延び、かつ前記電極の外周に達しないことを特徴とする。本発明により、半田にボイドが発生するのを防ぎ、かつ電極の外側に半田が出るのを防ぐことができる。図1は、本発明の実施の形態に係る電子装置を示す垂直断面図である。図2は当該装置を示す水平断面図であり、図3は当該装置の一部を示す斜視図である。ここでは、電子装置の一例としてペルチェ冷却装置について説明する。セラミック基板1a,1b上にそれぞれCu製の電極2a,2bが部分エッチングにより設けられている。電極2a,2bの厚さは20μm、寸法は0.4mm×1.0mmである。電極2aの主面に凹部3aが設けられ、電極2bの主面に凹部3bが設けられている。凹部3a,3bの深さは10μm、寸法は0.1mm×0.6mmである。凹部3a,3b内を含む電極2a,2bの表面には、表面メタライズとして、厚さ3μmのNi膜と、その上に厚さ1μmのAu膜が施されている。互いに離間した熱電素子4a,4bの下面が電極2aの主面にそれぞれ半田5a,5bにより接合されている。互いに離間した熱電素子4b,4cの上面が電極2bの主面にそれぞれ半田5c,5dにより接合されている。熱電素子4a,4b,4cは例えばペルチェ素子であり、高さは0.6mm、寸法は0.3mm×0.3mmである。半田5a,5b,5c,5dは例えばAuSn半田である。熱電素子4a,4b,4cの半田付け面には、NiやAuなどの表面メタライズが施されている。電極2a,2bは、二枚のセラミック基板1a,1bを対向させると全ての熱電素子4a,4b,4cが直列に繋がるように設計されている。本実施の形態では、凹部3aは電極2aと熱電素子4a,4bの接合部の内側から接合部の外側まで延び、凹部3bは電極2bと熱電素子4b,4cの接合部の内側から接合部の外側まで延びる。これにより、半田溶融時に発生するガスを接合部の外側に排出できるため、半田5a,5b,5c,5dにボイドが発生するのを防ぐことができる。また、凹部3a,3bがそれぞれ電極2a,2bの外周に達しないようにする。これにより、電極2a,2bの外側に半田5a,5b,5c,5dが出るのを防ぐことができる。この結果、他の電子部品とショートするのを防ぐことができる。また、凹部3aは、電極2aと熱電素子4aの接合部の内側から電極2aと熱電素子4bの接合部の内側まで延びる。凹部3bは、電極2bと熱電素子4bの接合部の内側から電極2bと熱電素子4cの接合部の内側まで延びる。このように凹部3a,3bは、ある熱電素子の接合部の内側からそれに隣接した熱電素子の方向に延びる。隣接する熱電素子は同じ電極に接続され同電位であるため、凹部3a,3bを通って接合部の外側に半田が流れてもショートの問題は生じない。また、熱電素子4aと凹部3aの重ね合わせ部分の面積は、例えば接合部の面積の20である。ただし、接合部の面積に対する重ね合わせ部分の面積の比率が5以上であれば、ガスを逃がすのに十分な効果がある。一方、重ね合わせ部分が大きくなると半田が厚くなって熱抵抗が増大するため、この比率を50以下にする必要がある。熱電素子4bと凹部3aの重ね合わせ部分、熱電素子4bと凹部3bの重ね合わせ部分、及び熱電素子4cと凹部3bの重ね合わせ部分も同様である。図4は、本発明の実施の形態に係る電子装置の変形例を示す水平断面図である。凹部3a,3bはひし形、紡錘形、又はこれに類する形状である。これにより半田溶融時に発生するガスを接合部の外側に更に効果的に排出できる。また、凹部3a,3bは、接合部の外側において、接合部の内側における凹部3a,3bの幅よりも大きい幅を持つ部分を有する。このため、接合部から流れ出した半田が、凹部3a,3bの大きい幅を持つ部分に溜まるため、電極2a,2bの外側に半田5a,5b,5c,5dが出るのを更に確実に防ぐことができる。なお、熱電素子の代わりに他の電子部品を用いたペルチェ冷却装置以外の電子装置でも、本実施の形態の効果を得ることができる。ただし、熱電素子を用いたペルチェ冷却装置では、隣り合う電極間の距離が小さいため、本実施の形態の構成が特に有効である。また、凹部3a,3bの形成には、部分エッチングが用いられるが、機械切削やレーザ照射などによる部分的除去や、2段めっきや金属ペースト焼結による積み上げを用いてもよい。また、凹部3a,3b内にCu導体が全く無く、メタライズのみ存在する場合や、セラミック基板1a,1bが露出している場合でも、本実施の形態の効果を得ることができる。"