"気相法によるAlxGa1xN結晶0<x≦1の成長方法であって、結晶成長の際、前記AlxGa1xN結晶の主成長平面に複数のファセットを有するピットを少なくとも1つ形成し、前記ピットが少なくとも1つ存在している状態で前記AlxGa1xN結晶を成長させることにより、前記AlxGa1xN結晶の転位を低減することを特徴とするAlxGa1xN結晶の成長方法。前記ピットの底部から前記主成長平面に対して実質的に垂直方向に伸びる線状転位集中部が存在する請求項1に記載のAlxGa1xN結晶の成長方法。前記線状転位集中部の密度が105cm2以下である請求項2に記載のAlxGa1xN結晶の成長方法。前記ピットは、前記結晶成長の雰囲気中に不純物を含めることにより形成されることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載のAlxGa1xN結晶の成長方法。前記不純物がIVb族元素の少なくとも1つである請求項4に記載のAlxGa1xN結晶の成長方法。前記気相法は、昇華法である請求項1から請求項5までのいずれかに記載のAlxGa1xN結晶の成長方法。結晶成長後において、前記主成長平面の総面積に対する前記ピットの開口面の総面積の割合が30以上であること特徴とする請求項1から請求項6までのいずれかに記載のAlxGa1xN結晶の成長方法。前記結晶成長後における前記主成長平面の総面積に対する前記ピットの開口面の総面積の割合が30以上である前記AlxGa1xN結晶の結晶表面上に、第2のAlxGa1xN結晶を成長させて、結晶成長後における前記第2のAlxGa1xN結晶の主成長平面の総面積に対するピット開口面の総面積の割合を30未満とすることを特徴とする請求項7に記載のAlxGa1xN結晶の成長方法。請求項7または請求項8の成長方法で得られたAlxGa1xN結晶の表面を加工することにより得られる平坦な主面を有するAlxGa1xN結晶基板。AlxGa1xN結晶0<x≦1の基板であって、線状転位集中部を中心とする高転位密度部と、転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部とを含み、主面における前記低転位密度部の面積は、前記主面の総面積の30以上であるAlxGa1xN結晶基板。AlxGa1xN結晶0<x≦1の基板であって、線状転位集中部を中心とする高転位密度部と、転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部とを含み、前記高転位密度部は前記低転位密度部の第1部分および第2部分に挟まれ、前記第1部分の結晶方位と前記第2部分の結晶方位の最大のずれ角が50arcsec以下であるAlxGa1xN結晶基板。しかし、Alを構成元素として含むAlxGa1xN結晶0<x≦1については、GaN結晶と異なり、下地基板上に窓付きのマスク層を形成して気相法による結晶成長を行なっても、マスク層上にもAlxGa1xN多結晶が生成するため、複数のファセットを有するピットを形成することができず、大型で転位密度の低い結晶が得られない。本発明は、大型で転位密度の低い結晶が得られるAlxGa1xN結晶の成長方法およびAlxGa1xN結晶基板を提供することを目的とする。本発明は、気相法によるAlxGa1xN結晶0<x≦1の成長方法であって、結晶成長の際、AlxGa1xN結晶の主成長平面に複数のファセットを有するピットを少なくとも1つ形成し、ピットが少なくとも1つ存在している状態でAlxGa1xN結晶を成長させることにより、AlxGa1xN結晶の転位を低減することを特徴とするAlxGa1xN結晶の成長方法である。本発明にかかるAlxGa1xN結晶の成長方法において、ピットの底部から主成長平面に対して実質的に垂直方向に伸びる線状転位集中部が存在し得る。また、線状転位集中部の密度を105cm2以下とすることができる。また、ピットは、結晶成長の雰囲気中に不純物を含めることにより形成され得る。ここで、不純物がIVb族元素の少なくとも1つとすることができる。また、気相法は、昇華法とすることができる。また、結晶成長後において、主成長平面の総面積に対するピットの開口面の総面積の割合を30以上とすることができる。また、結晶成長後における主成長平面の総面積に対するピットの開口面の総面積の割合が30以上であるAlxGa1xN結晶の結晶表面上に、第2のAlxGa1xN結晶を成長させて、結晶成長後における第2のAlxGa1xN結晶の主成長平面の総面積に対するピット開口面の総面積の割合を30未満とすることができる。また、本発明は上記の成長方法で得られたAlxGa1xN結晶の表面を加工することにより得られる平坦な主面を有するAlxGa1xN結晶基板である。また、本発明は、AlxGa1xN結晶0<x≦1の基板であって、線状転位集中部を中心とする高転位密度部と、転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部とを含み、主面における低転位密度部の面積は主面の総面積の30以上であるAlxGa1xN結晶基板である。また、本発明は、AlxGa1xN結晶0<x≦1の基板であって、線状転位集中部を中心とする高転位密度部と転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部とを含み、高転位密度部は低転位密度部の第1部分および第2部分に挟まれ、第1部分の結晶方位と第2部分の結晶方位の最大のずれ角が50arcsec以下であるAlxGa1xN結晶基板である。本発明によれば、大型で転位密度の低い結晶が得られるAlxGa1xN結晶の成長方法およびAlxGa1xN結晶基板を提供することができる。実施形態1図1~3を参照して、本発明にかかるAlxGa1xN結晶の成長方法は、気相法によるAlxGa1xN結晶0<x≦1の成長方法であって、結晶成長の際、AlxGa1xN結晶10の主成長平面11に複数のファセット12を有するピット10pを少なくとも1つ形成し、ピット10pが少なくとも1つ存在している状態でAlxGa1xN結晶10を成長させることにより、AlxGa1xN結晶10の転位を低減することを特徴とする。本実施形態によれば、AlxGa1xN結晶の成長においても、結晶の成長条件を調整することにより、結晶成長の際、AlxGa1xN結晶10の主成長平面11に複数のファセット12を有するピット10pを少なくとも1つ形成し、ピット10pが少なくとも1つ存在している状態でAlxGa1xN結晶10を成長させることにより、AlxGa1xN結晶10の転位を低減することができる。本実施形態の製造方法は、AlxGa1xN結晶の中でも、AlN結晶の成長において特に好ましく用いることができる。以下に、具体的に説明する。図1および図2を参照して、本実施形態においては、結晶の成長条件を調整することにより、AlxGa1xN結晶10の主成長平面11であるC面{0001}面をいう、以下同じに、C面以外の面指数をもつ複数のファセット12を有するピット10pを1つ以上形成する。なお、{0001}面とは、0001面と結晶学的に等価な面の総称であり、0001面の他、000-1面が含まれる。ここで、ピット10pの形状には、特に制限はないが、AlxGa1xN結晶10が六方晶系であることから、P-ABCDEFの六角錘形状をとり易い。また、ピット10pを形成するファセット12には、特に制限はないが、S面{10-11}面をいう、以下同じとなる場合が多い。なお、{10-11}面とは、10-11面と結晶学的に等価な面の総称である。すなわち、図1および図2に示すピット10pは、面指数の異なる複数のファセット12により形成されている。また、ファセット12内に、M面{10-10}面をいう、以下同じを含む場合がある。かかる場合には、ファセット12の面自体が三次元形状となる。なお、{10-10}面とは、10-10面と結晶学的に等価な面の総称である。また、本実施形態においては、上記ピット10pが少なくとも1つ存在している状態でAlxGa1xN結晶10を成長させる。このとき、たとえば、図1および図2の三角形面PFAからなるファセット12においては、三角形面PFAに実質的に垂直な方向図1における結晶成長方向12cに結晶成長するとともに、結晶成長方向と実質的に平行な方向に転位も伝搬する。ここで、実質的に垂直な方向または平行な方向とは、実際の結晶において垂直または平行と認識される方向をいい、数学的な垂直または平行に限定されない。ここで、図2を参照して、三角形面PFAからなるファセット12以下、PFAファセットというにおける結晶成長方向12cおよび転位伝搬方向12dは、主成長平面に垂直な方向から見ると、いずれもピット10pの底部Pの方向に向かう。同様にして、三角形面PFAからなるファセット12に隣接する三角形面PABからなるファセット12以下、PABファセットというにおける結晶成長方向および転位伝搬方向もピット10pの底部Pの方向に向かう。ここで、PFAファセットとPABファセットとの境界近くの転位は、境界線AP上に集中する。境界線AP上において、互いにバーガーズベクトルの符号が反対で大きさが等しい転位は相互作用により消滅する。残った転位は、境界線AP上をピット10pの底部Pの方向に伝搬する。このようにして、ピット10pが形成されている領域内の転位は、各々のファセット12の境界線AP、BP、CP、DP、EPおよびFPを介してまたは直接にピット10pの底部Pに集中する。ここで、ピット10pの底部Pにおいて、互いにバーガーズベクトルの符号が反対で大きさが等しい転位は相互作用により消滅する。残った転位は、ピット10pの底部Pに残存する。上記図2による説明は、主成長平面11に垂直な方向から見たものであり、実際には、各々のファセット12は、主成長平面11に実質的に垂直な方向図1における主成長平面の結晶成長方向11cにも成長していくため、ピット10pが形成されている領域内の転位は、図1および図3を参照して、各々のファセット12の境界線のそれぞれを含み主成長平面11に対して実質的に垂直なそれぞれの面この面を、面状転位集中部10qという、およびピット10pの底部Pから主成長平面11に対して実質的に垂直方向に伸びる線この線を、線状転位集中部10rという上に転位が集中し、かかる部分で、互いにバーガーズベクトルの符号が反対で大きさが等しい転位は相互作用により消滅するため、AlxGa1xN結晶10の転位を低減することができる。本実施形態においては、線状転位集中部10rの密度は、105cm2以下であることが好ましく、104cm2以下であることがより好ましく、103cm2以下であることがさらに好ましい。線状転位集中部10rの密度が105cm2より高いと、AlxGa1xN結晶10の転位の低減効果が低くなる。本実施形態においては、上記ピット10pを形成するために、結晶成長の雰囲気中に不純物を含めることが好ましい。結晶成長の雰囲気中に不純物を含めることにより、主成長平面11となるC面以外にも安定な結晶成長面として複数のファセット12を形成することができ、かかる複数のファセット12を有するピット10pを形成することができる。本実施形態において、ピット10pが消滅することなくAlxGa1xN結晶10が成長するのは、ピット10pの開口部が広がろうとするからである。図1および図3を参照して、主成長平面11に実質的に垂直な方向主成長平面11の結晶成長方向11cの結晶成長速度をV、主成長平面11とファセット12とのなす角度をθとすると、ファセットの結晶成長速度VFがVsinθであるとき、ピット10pの大きさは不変で、主成長平面11に実質的に垂直な方向にVの速度で成長することになる。結晶成長の雰囲気中に不純物を含める方法には、特に制限はなく、結晶を成長させる容器内に、キャリアガスとともに不純物含有ガスを導入する方法、または、結晶の原料とともに不純物を配置する方法などが好ましく用いられる。ここで、不純物としては、結晶成長の際の安定な結晶成長面を変化させる観点から、IVb族元素の少なくとも1つが含まれていることが好ましい。特に、不純物としては、C炭素が含まれていることが好ましい。不純物としてのCは、Cを含むガスたとえば、CO2ガスなどの酸化物ガス、CCl4ガスなどの塩化物ガス、HCNガスなどの窒化物ガス、CH4ガスなどの水素化物ガスなどをキャリアガスとともに結晶成長容器内に導入する方法、または、Cを含む不純物たとえば、固体カーボンなどの単体、Al4C3などの金属炭化物などを結晶原料とともに結晶成長容器内に配置する方法などにより、結晶成長の雰囲気中に含めることができる。ここで、結晶成長の雰囲気中の不純物の濃度は、Cを含むガスで導入する場合はガス中の流量比により、原料中に不純物を含ませる場合はその質量比により示される。また、結晶成長の雰囲気中に含める不純物の濃度は、少なくとも結晶成長の前期においては、1ppm以上15質量以下であることが好ましい。ここで、結晶成長の前期とは、その結晶成長の開始時から結晶成長時間の前半の経過時までの期間をいう。不純物の濃度が、1ppmより低いと上記の目的とするピットが形成されにくいか、あるいはピットを維持しながら厚く結晶成長させることが難しく、15質量より高いと結晶成長が阻害される場合がある。かかる観点から、結晶成長の雰囲気中に含める不純物の濃度は、100ppm以上3質量以下であることが好ましい。ここで、結晶成長の雰囲気中の不純物の濃度は、キャリアガスとともに不純物含有ガスを導入する場合はキャリアガスに対する不純物含有ガスの流量比により、原料中に不純物を配置する場合は原料中の不純物含有量質量により測定することができる。さらに、ピット10pを容易に成形するために、結晶成長の雰囲気中の不純物の制御の他、結晶成長温度の制御、およびこれらの経時的な制御を行なうことが好ましい。結晶成長温度は、気相法の種類によっても異なるが、昇華法の場合は1600°C以上2500°C以下が好ましい。1600°Cより低いと結晶品質が低下したり結晶成長速度が低くなり、2500°Cより高いと安定した結晶成長が難しくなる。また、本実施形態の成長方法は、異種基板上にAlxGa1xN結晶を成長させる際の格子定数のミスマッチなどに起因した結晶中の内部応力やクラックを低減する効果がある。特に、結晶成長後5mmの厚さまでにおける結晶厚さxと転位密度yの関係を示す式1y=Aexpkx1において傾き係数kが-20<k<-4であるとき、より好ましく転位密度の低減とクラックおよび内部応力の低減とが行なわれた。ここで、式1においてAは切片係数を示す。本実施形態のAlxGa1xN結晶の成長方法は、本発明の目的に反しない限り、気相法であれば、昇華法、HVPE法など各種の気相法に適用できる。AlxGa1xN結晶0<x≦1は、高温領域で良好な結晶性が得られやすいと考えられることから、昇華法が好ましい。ここで、昇華法とは、図5を参照して、AlyGa1yN粉末0<y≦1などのAlyGa1yN原料1を昇華または気化させた後、下地基板9などの上に再度固化させて、AlxGa1xN結晶10を成長させる方法をいう。昇華法による結晶成長においては、たとえば、図5に示すような高周波加熱方式の縦型の昇華炉50を用いる。この縦型の昇華炉50における反応容器51の中央部には、結晶成長容器として排気口52cを有するWC炭化タングステン製の坩堝52この坩堝52は坩堝本体52aおよび坩堝蓋52bにより構成されているが設けられ、坩堝52の周りに坩堝の内部から外部への通気を確保するように加熱体54が設けられている。また、反応容器51の外側中央部には、坩堝52を加熱する加熱体54を加熱するための高周波加熱コイル55が設けられている。さらに、反応容器51の端部には、反応容器51の坩堝52の外側にN2ガスを流すためのN2ガス導入口51aおよびN2ガス排気口51cと、坩堝52の下面および上面の温度を測定するための放射温度計56が設けられている。図5を参照して、上記縦型の昇華炉50を用いて、たとえば、以下のようにしてAlxGa1xN結晶10を作製することができる。坩堝52の上部に下地基板9を、坩堝52の下部にAlyGa1yN粉末などのAlyGa1yN原料1を収納し、反応容器51内にN2ガスを流しながら、高周波加熱コイル55を用いて坩堝52内の温度を上昇させて、坩堝52のAlyGa1yN原料1側の温度を、下地基板9側の温度よりも高く保持することによって、AlyGa1yN原料1からAlxGa1xNを昇華させて、坩堝52の上部に配置された下地基板9上で、AlxGa1xNを再度固化させてAlxGa1xN結晶10を成長させる。ここで、AlxGa1xN結晶10の成長中は、結晶成長容器としての坩堝52のAlyGa1yN原料1側の温度は1600°C~2400°C程度とし、坩堝52の上部の下地基板9側の温度をAlyGa1yN原料1側の温度より10°C~300°C程度低くすることにより、AlxGa1xN結晶10が効率よく得られる。ここで、結晶成長中に、反応容器51内の坩堝52の外側に、キャリアガスとして、ガス分圧が101.3hPa~5000hPa程度、流量5sccm~5000sccm程度1sccmとは、標準状態1013hPa、0°Cにおけるガスの1分間当たり1cm3の流量をいうのN2ガスとともに、不純物含有ガスとして、ガス分圧が50hPa~2500hPa程度、流量0.005sccm~250sccm程度の不純物含有ガスを流すことにより、結晶成長容器である坩堝52内の結晶成長の雰囲気中に1ppm~5質量程度の不純物を導入することができる。また、坩堝52内への不純物の導入は、不純物含有ガスを導入する替わりに、坩堝52内に、AlyGa1yN原料1とともに不純物含有物を配置してもよい。図3を参照して、本実施形態のAlxGa1xN結晶の成長方法は、結晶成長後において、主成長平面11の総面積に対するピット10pの開口面10sの総面積の割合が30以上であることが好ましく、50以上であることがより好ましい。ピット10pの開口面10sの総面積の割合が大きくなるほど、主成長平面11におけるピット形成領域が大きくなり、より大きな領域においてAlxGa1xN結晶の転位を低減することができる。主成長平面11の総面積に対するピット10pの開口面10sの総面積の割合が30以上とすることにより、AlxGa1xN結晶の転位を低減効果が高くなり、より結晶性の高いAlxGa1xN結晶が得られる。ここで、結晶成長後の主成長平面11の総面積に対するピット10pの開口面10sの総面積の割合が30以上となるようにAlxGa1xN結晶10を成長させるための結晶成長条件には、特に制限は無いが、不純物の濃度を1ppm以上3質量以下、基板温度を1600°C以上2000°C未満とすることが好ましい。図4を参照して、本実施形態のAlxGa1xN結晶の成長方法において、上記の結晶成長後における主成長平面11の総面積に対するピット10pの開口面10sの総面積の割合が30以上であるAlxGa1xN結晶10の結晶表面上に、第2のAlxGa1xN結晶20を成長させて、結晶成長後における第2のAlxGa1xN結晶20の主成長平面21の総面積に対するピット20pの開口面20sの総面積の割合を30未満とすることもできる。ここで、図4においては、AlxGa1xN結晶10の主成長平面11には複数のファセット12を有するピット10pが形成され、第2のAlxGa1xN結晶20の主成長平面21には複数のファセット22を有するピット20pが形成されている。かかる成長方法により、AlxGa1xN結晶10の少なくとも一部のピット10pが縮小および/または消滅するため、線状転位集中部が減少して、低転位密度でかつ転位の集中が緩和された第2のAlxGa1xN結晶20が得られる。ここで、結晶成長後における第2のAlxGa1xN結晶20の主成長平面21の総面積に対するピット20pの開口面20sの総面積の割合が30未満となるように第2のAlxGa1xN結晶20を成長させるための結晶成長条件には、特に制限は無いが、不純物の濃度を15質量以下、基板温度を2000°C以上2500°C未満とすることが好ましい。実施形態2本実施形態にかかるAlxGa1xN結晶基板0<x≦1は、図3および図4を参照して、実施形態1の成長方法で得られたAlxGa1xN結晶10,20の表面13,23を加工することにより得られるものであり、平坦な主面31を有する。かかるAlxGa1xN結晶基板30は、実施形態1の成長方法により得られた転位が著しく低減された結晶性の高いAlxGa1xN結晶10,20から得られるものであり、半導体デバイスの基板として好ましく用いることができる。ここで、AlxGa1xN結晶10,20の表面13,23を加工するとは、得られたAlxGa1xN結晶10,20の表面313,23を切削、研削および/または研磨することにより平坦な主面31とすることをいう。ここで、切削、研削および研磨は、公知の方法を用いることができる。また、本実施形態にかかるAlxGa1xN結晶基板0<x≦1は、図6を参照して、線状転位集中部30rを中心とする高転位密度部30hと、転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部30kとを含み、主面31における低転位密度部30kの面積は、主面31の総面積の30以上である。低転位密度部30kの転位密度を2×106cm2未満、好ましくは2×105cm2未満とすることにより、半導体デバイスの基板としてより好ましく用いることができる。また、主面31における低転位密度部30kの面積を主面31の総面積の30以上、好ましくは主面31の総面積の50以上とすることにより、半導体デバイスの基板としてより好ましく用いることができる。ここで、AlxGa1xN結晶基板の転位密度は、エッチピット法、CLカソードルミネッセンス法、蛍光顕微鏡観察法などによって測定することができる。本実施形態のAlxGa1xN結晶基板30においては、転位密度の変化が連続的であり、高転位密度部30hと低転位密度部30kとの境界は必ずしも明らかではない。このため、主面の総面積に対する2×106cm2未満の低転位密度部30kの面積の割合は、主面上の等間隔に配置される複数の測定区域における転位密度を測定し、転位密度が2×106cm2未満となる測定区域の数を、主面上の総測定区域数で除することにより算出される。また、本実施形態にかかるAlxGa1xN結晶基板0<x≦1は、図6を参照して、線状転位集中部30rを中心とする高転位密度部30hと、転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部30kとを含み、高転位密度部30hは低転位密度部30kの第1部分30kaおよび第2部分30kbに挟まれ、第1部分30kaの結晶方位と第2部分30kbの結晶方位の最大のずれ角が50arcsec以下である。本実施形態のAlxGa1xN結晶基板30は、線状転位集中部30rを中心とする高転位密度部30hが存在するにもかかわらず、高転位密度部30hを挟む第1部分30kaと第2部分30kbとの間の結晶方位の最大ずれ角が50srcsecと小さいため、半導体デバイスの基板としてより好ましく用いることができる。ここで、高転位密度部30hを挟む第1部分30kaと第2部分30kbとの間の結晶方位の最大ずれ角は、たとえば以下のようにして求められる。X線回折により、第1部分および第2部分それぞれの結晶方位たとえば、a1軸、a2軸、a3軸およびc軸の方向が求められる。このとき、第1部分と第2部分との間で結晶方位のずれ角が最も大きいものを最大ずれ角とする。実施例1図5を参照して、WC製の坩堝52の上部に下地基板9として1インチ2.54cm径のSiC基板を配置し、下部にAlyGa1yN原料1としてAlN粉末を配置した。次いで、反応容器51に、ガス分圧900hPa、流量200sccmのN2ガスを流しながら、坩堝52のAlyGa1yN原料1AlN粉末側の温度を2100°C、下地基板9SiC基板側の温度が2000°Cになるように高周波加熱コイル55を用いて坩堝52を加熱して、30時間AlN結晶を成長させた。反応容器51内の坩堝52に、不純物含有ガスとしてCO2ガスを、結晶成長開始から1時間後までは5sccm、1時間後から20時間後までにかけて流量を徐々に減少させて、20時間後以降は0.05sccm流した。こうして成長させたAlN結晶は、1インチ径2.54cm径×厚さ10mmと大型であり、XRDX線回折、以下同じ法により単結晶であることが確認された。このAlN単結晶の主成長平面には、複数の六角錘状のピットが形成されていた。これを、主成長平面に垂直な方向から実体顕微鏡を用いて写真撮影し、その写真から算出した主成長平面の総面積に対するピットの開口面の総面積の割合は90であった。また、上記写真から算出されたピットの底部Pの線状転位集中部の面密度は30cm2であった。このAlN単結晶の表面を研磨により平坦な主面を形成した後、250°CのKOH融液中に浸漬してエッチングピットを形成した。主面上に等間隔に配置された20個の測定区域100μm×100μmについてその区域の転位密度を測定した。転位密度が2×106cm2未満である測定区域は18個であった。こうして、転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部の面積は主面の総面積の90であった。また、平均の転位密度は、3×104cm2と非常に低かった。また、低転位密度部において高転位密度部を挟んで互いに180°反対の位置にある第1部分と第2部分との結晶方位のずれ角をX線回折により測定したところ、各部分のc軸[0002]方向間において最大のずれ角20arcsecであった。比較例1坩堝52のAlyGa1yN原料1AlN粉末側の温度を2100°C、下地基板9SiC基板側の温度が2000°Cとし、反応容器51内の坩堝52に不純物含有ガスであるCO2ガスを流さなかったこと以外は、実施例1と同様にして、AlN結晶を成長させた。得られたAlN結晶は、1インチ径2.54cm径×厚さ5mmであり、XRD法により単結晶であることが確認された。このAlN単結晶の表面を研磨により平坦な主面を形成した後、250°CのKOH融液中に浸漬してエッチングピットを形成した。主面上に等間隔に配置された20個の測定区域100μm×100μmについてその区域の転位密度を測定した。転位密度が2×106cm2未満である測定区域は1個であった。こうして、転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部の面積は主面の総面積の5であった。また、平均の転位密度は、5×108cm2とであった。また、低転位密度部において高転位密度部を挟んで互いに180°反対の位置にある第1部分と第2部分との結晶方位のずれ角をX線回折により測定したところ、各部分のc軸[0002]方向間において最大のずれ角150arcsecであった。実施例2図5を参照して、WC製の坩堝52の上部に下地基板9として実施例1で得られた1インチ径2.54cm径のAlN結晶を研磨後配置し、下部にAlyGa1yN原料1としてAlN粉末を配置した。ここで、AlN結晶は、複数の六角錘状のピットが形成されている主成長面上に第2のAlN結晶が成長するように配置した。次いで、反応容器51に、ガス分圧2000hPa、流量200sccmのN2ガスを流しながら、坩堝52のAlyGa1yN原料1AlN粉末側の温度を2100°C、下地基板9AlN結晶側の温度が2000°Cになるように高周波加熱コイル55を用いて坩堝52を加熱して、15時間第2のAlN結晶を成長させた。反応容器51内の坩堝52に、不純物含有ガスとしてCO2ガスを、結晶成長開始から終了まで0.01sccm流した。こうして成長させた第2のAlN結晶は、1インチ径2.54cm径×厚さ3mmと大型であり、XRD法により単結晶であることが確認された。この第2のAlN単結晶の主成長平面にも、複数の六角錘状のピットが形成されていた。これを、主成長平面に垂直な方向から実体顕微鏡を用いて写真撮影し、その写真から算出した主成長平面の総面積に対するピットの開口面の総面積の割合は5であった。また、上記写真から算出されたピットの底部Pの線状転位集中部の面密度は1cm2であった。また、この第2のAlN単結晶の表面を研磨により平坦な主面を形成した後、250°CのKOH融液中に浸漬してエッチングピットを形成した。主面上に等間隔に配置された20個の測定区域100μm×100μmについてその区域の転位密度を測定した。転位密度が2×106cm2未満である測定区域は19個であった。こうして、転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部の面積は主面の総面積の95であった。また、平均の転位密度は、2×104cm2と非常に低かった。また、低転位密度部において高転位密度部を挟んで互いに180°反対の位置にある第1部分と第2部分との結晶方位のずれ角をX線回折により測定したところ、各部分のc軸[0002]方向間において最大のずれ角15arcsecであった。実施例3図5を参照して、WC製の坩堝52の上部に下地基板9として1インチ2.54cm径のSiC基板を配置し、下部にAlyGa1yN原料1としてAlN粉末とGaN粉末とを7:3のmol比で混合した状態で配置した。次いで、反応容器51に、ガス分圧900hPa、流量200sccmのN2ガスを流しながら、坩堝52のAlyGa1yN原料1AlN粉末およびGaN粉末側の温度を2100°C、下地基板9SiC基板側の温度が2000°Cになるように高周波加熱コイル55を用いて坩堝52を加熱して、30時間AlxGa1xN結晶を成長させた。反応容器51内の坩堝52に、不純物含有ガスとしてCO2ガスを、結晶成長開始から1時間後までは3.5sccm、1時間後から20時間後までにかけて流量を徐々に減少させて、20時間後以降は0.035sccm流した。こうして成長させたAlxGa1xN結晶は、1インチ径2.54cm径×厚さ7mmと大型であり、XRD法により単結晶であることが確認され、XPSX線光電子分光、以下同じ法により化学組成がAl08Ga02Nであることが確認された。このAl08Ga02N単結晶の主成長平面には、複数の六角錘状のピットが形成されていた。これを、主成長平面に垂直な方向から実体顕微鏡を用いて写真撮影し、その写真から算出した主成長平面の総面積に対するピットの開口面の総面積の割合は80であった。また、上記写真から算出されたピットの底部Pの線状転位集中部の面密度は200cm2であった。このAl08Ga02N単結晶の表面を研磨により平坦な主面を形成した後、250°CのKOH融液中に浸漬してエッチングピットを形成した。主面上に等間隔に配置された20個の測定区域100μm×100μmについてその区域の転位密度を測定した。転位密度が2×106cm2未満である測定区域は15個であった。こうして、転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部の面積は主面の総面積の75であった。また、平均の転位密度は、6×105cm2と非常に低かった。また、低転位密度部において高転位密度部を挟んで互いに180°反対の位置にある第1部分と第2部分との結晶方位のずれ角をX線回折により測定したところ、各部分のc軸[0002]方向間において最大のずれ角25arcsecであった。比較例2坩堝52のAlyGa1yN原料1AlN粉末およびGaN粉末側の温度を2100°C、下地基板9SiC基板側の温度が2000°Cとし、反応容器51内の坩堝52に不純物含有ガスであるCO2ガスを流さなかったこと以外は、実施例2と同様にして、AlxGa1xN結晶を成長させた。得られたAlN結晶は、1インチ径2.54cm径×厚さ3mmであり、XRD法により単結晶であることが確認され、XPS法により化学組成がAl08Ga02Nであることが確認された。このAl08Ga02N単結晶の表面を研磨により平坦な主面を形成した後、250°CのKOH融液中に浸漬してエッチングピットを形成した。主面上に等間隔に配置された20個の測定区域100μm×100μmについてその区域の転位密度を測定した。転位密度が2×106cm2未満である測定区域は0個であった。こうして、転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部の面積は主面の総面積の0であった。また、平均の転位密度は、1×109cm2であった。また、低転位密度部において高転位密度部を挟んで互いに180°反対の位置にある第1部分と第2部分との結晶方位のずれ角をX線回折により測定したところ、各部分のc軸[0002]方向間において最大のずれ角2000arcsecであった。実施例4図5を参照して、WC製の坩堝52の上部に下地基板9として実施例3で得られた1インチ径2.54cm径のAl08Ga02N結晶を配置し、下部にAlyGa1yN原料1としてAlN粉末とGaN粉末とを7:3のmol比で混合した状態で配置した。ここで、Al08Ga02N結晶は、複数の六角錘状のピットが形成されている主成長面上に第2のAlxGa1xN結晶が成長するように配置した。次いで、反応容器51に、ガス分圧2000hPa、流量200sccmのN2ガスを流しながら、坩堝52のAlyGa1yN原料1AlN粉末およびGaN粉末側の温度を2200°C、下地基板9Al08Ga02N結晶側の温度が2100°Cになるように高周波加熱コイル55を用いて坩堝52を加熱して、15時間第2のAlxGa1xN結晶を成長させた。反応容器51内の坩堝52に、不純物含有ガスとしてCO2ガスを、結晶成長開始から終了まで0.01sccm流した。こうして成長させた第2のAlxGa1xN結晶は、1インチ径2.54cm径×厚さ7mmと大型であり、XRD法により単結晶であることが確認され、XPS法により化学組成がAl08Ga02Nであることが確認された。このAl08Ga02N単結晶の主成長平面には、複数の六角錘状のピットが形成されていた。これを、主成長平面に垂直な方向から実体顕微鏡を用いて写真撮影し、その写真から算出した主成長平面の総面積に対するピットの開口面の総面積の割合は1であった。また、上記写真から算出されたピットの底部Pの線状転位集中部の面密度は0.5cm2であった。また、この第2のAl08Ga02N単結晶の表面を研磨により平坦な主面を形成した後、250°CのKOH融液中に浸漬してエッチングピットを形成した。主面上に等間隔に配置された20個の測定区域100μm×100μmについてその区域の転位密度を測定した。転位密度が2×106cm2未満である測定区域は18個であった。こうして、転位密度が2×106cm2未満の低転位密度部の面積は主面の総面積の90であった。また、平均の転位密度は、4×105cm2と非常に低かった。また、低転位密度部において高転位密度部を挟んで互いに180°反対の位置にある第1部分と第2部分との結晶方位のずれ角をX線回折により測定したところ、各部分のc軸[0002]方向間において最大のずれ角20arcsecであった。比較例1と実施例1との対比および比較例2と実施例3との対比から明らかなように、気相法によるAlxGa1xN結晶0<x≦1の成長方法において、結晶成長の際、AlxGa1xN結晶の主成長平面に複数のファセットを有するピットを少なくとも1つ形成し、ピットが少なくとも1つ存在している状態でAlxGa1xN結晶を成長させることにより、AlxGa1xN結晶の転位を低減することができた。また、実施例1と実施例2との対比および実施例3と実施例4との対比から明らかなように、結晶成長後の主成長平面の総面積に対するピットの開口面の総面積の割合が30以上となるようにAlxGa1xN結晶を成長させ、このAlxGa1xN結晶上に、結晶成長後の主成長平面の総面積に対するピット開口面の総面積の割合を30未満となるように第2のAlxGa1xN結晶を成長させることにより、AlxGa1xN結晶に比べて転位密度が低く転位の集中が緩和された第2のAlxGa1xN結晶が得られた。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。"