赤画素、緑画素、青画素及び赤外画素を具備したことを特徴とする固体撮像素子。赤外画素のフォトダイオードをシリコンよりもバンドギャップが小さい半導体に形成することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。赤画素のフォトダイオードを、シリコンよりもバンドギャップが小さい半導体であって、赤外画素が形成された半導体よりもバンドギャップが大きい半導体に形成することを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子。シリコンよりもバンドギャップが小さい半導体として、シリコンゲルマニウムを用いたことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の固体撮像素子。赤画素、緑画素及び青画素の画素数よりも、赤外画素の画素数が少なく構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像素子。しかしながら、上記の固体撮像素子によれば、赤外の画像信号を演算により得る必要があり、固体撮像素子自体が赤外の画像信号を出力することができないという問題を有していた。本発明は上記のような従来の固体撮像素子における問題点を解決せんとしてなされたもので、その目的は、赤画素、緑画素、青画素と同時に赤外光を受光し画像信号を出力することのできる固体撮像素子を提供することである。本発明に係る固体撮像素子は、赤画素、緑画素、青画素及び赤外画素を具備したことを特徴とする。本発明に係る固体撮像素子は、赤外画素のフォトダイオードをシリコンよりもバンドギャップが小さい半導体に形成することを特徴とする。本発明に係る固体撮像素子は、赤画素のフォトダイオードを、シリコンよりもバンドギャップが小さい半導体であって、赤外画素が形成された半導体よりもバンドギャップが大きい半導体に形成することを特徴とする。本発明に係る固体撮像素子では、シリコンよりもバンドギャップが小さい半導体として、シリコンゲルマニウムを用いたことを特徴とする。本発明に係る固体撮像素子は、赤画素、緑画素及び青画素の画素数よりも、赤外画素の画素数が少なく構成されていることを特徴とする。本発明に係る固体撮像素子によれば、赤画素、緑画素、青画素及び赤外画素を具備しているので、可視光から赤外光まで広範囲の波長を同時に受光して撮像を行うことができる。本発明に係る固体撮像素子によれば、赤外画素のフォトダイオードをシリコンよりもバンドギャップが小さい半導体に形成しているので、赤外光に対する感度を向上させることができる。本発明に係る固体撮像素子によれば、赤画素のフォトダイオードをシリコンよりもバンドギャップが小さい半導体であって、赤外画素が形成された半導体よりもバンドギャップが大きい半導体に形成しているので、赤画素の赤色光に対する感度と赤外画素の赤外光に対する感度をそれぞれ個別に向上させることができる。以下、添付図面を参照して本発明に係る固体撮像素子の実施形態を説明する。各図において、同一の構成要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。図1は、第1の実施形態に係る固体撮像素子における各画素の配列を示す平面図である。赤画素、緑画素、青画素及び赤外画素がマトリックスの各位置に設けられている。マトリックス状以外に、ハニカム状等に配列されていても良い。この図1の例では、赤画素、緑画素、青画素、赤外画素の画素数比率をベイヤー配列にならって、1:2:1:1としている。しかしながら、赤外画素の解像度を可視光の解像度ほど必要がない場合には、赤外画素を間引いて、赤画素、緑画素、青画素の画素数を赤外画素の画素数より多くすることができる。図2は、第2の実施形態に係る固体撮像素子における各画素の配列を示す平面図である。この第2の実施形態にあっては、赤画素、緑画素、青画素、赤外画素の画素数比率を、2:4:2:1としている。第1の実施形態と比べて、赤外画素の画素数比率を半分に減少させた比率を採用したものである。画素の配列は第1の実施形態と第2の実施形態など、適宜な配列を採用し、深さ方向の構成を図3のように構成した第3の実施形態を説明する。この固体撮像素子は、P型シリコンSi半導体基板10を備え、このP型シリコンSi半導体基板10に、光電変換により発生した電荷を蓄積するN型不純物層11、12、13、14が設置されている。N型不純物層11、12、13、14のそれぞれの表面側には、P型シリコン半導体基板10の表面をシールドし、フォトダイオードの暗電流を抑制するためのP型不純物層15、16、17、18が設置されている。更に、N型不純物層11、12、13、14のそれぞれの間には、フォトダイオード間の分離を強化するP型不純物層21、22、23、24、25がN型不純物層11、12、13、14の深さより深い位置まで設置されている。P型シリコン半導体基板10の受光面より上部側撮像対象側には、画素の配列を実現するように、入射光から赤色光、緑色光、青色光、赤外光を分離する透過させるカラーフィルター26、27、28、29が配置されている。カラーフィルター26から、P型シリコン半導体基板10側を見込んだ領域が赤画素31であり、カラーフィルター27から、P型シリコン半導体基板10側を見込んだ領域が緑画素32であり、カラーフィルター28から、P型シリコン半導体基板10側を見込んだ領域が青画素33であり、カラーフィルター29から、P型シリコン半導体基板10側を見込んだ領域が赤外画素34である。上記構成の固体撮像素子によれば、赤画素31、緑画素32、青画素33、赤外画素34のいずれもが、P型シリコン半導体基板10に形成されている。シリコンP型シリコン半導体基板10のバンドギャップは112eVであるから、フォトダイオードにおいて理論的には1107nmより短い波長で光電変換が起き、可視光から赤外光まで広範囲の波長を受光して撮像を行うことができる。しかしながら、バンドギャップ近傍のエネルギーを有する波長の変換効率は良くないため、赤外画素34において赤外光の感度が十分に得られないことが考えられる。そこで、第4の実施形態として、深さ方向の構成を図4のように構成した固体撮像素子を説明する。この固体撮像素子は、第3の実施形態における赤外画素34の部分を変更し、赤外画素34’としたものである。この固体撮像素子は、光電変換により発生した電荷を蓄積するためのN型不純物層14と、N型不純物層14の表面側に設けられ、P型シリコン半導体基板10の表面をシールドし、フォトダイオードの暗電流を抑制するためのP型不純物層18により構成されるフォトダイオードをシリコンP型シリコン半導体基板10よりもバンドギャップが小さいシリコンゲルマニウム41内に形成したものである。図4に示した固体撮像素子の製造方法を、図5から図7の工程断面図を用いて説明する。まず、図5に示すように、P型シリコン半導体基板10上にマスク材となるマスク材酸化膜51を形成し、後に赤外画素34’のフォトダイオードとなる領域上のマスク材酸化膜51をエッチングする。このとき、マスク材酸化膜51は、後にフォトダイオード間の分離を強化するP型不純物層24、25が設置される領域まで広くエッチングする。次に、マスク材酸化膜51をマスクとして、後に赤外画素34’のフォトダイオードとなる領域のP型シリコン半導体基板10をエッチングすることにより、図6に示す断面構成を作成する。このとき、エッチングされたP型シリコン半導体基板10部分の深さを、後に設置されるN型不純物層14の深さより深くしておく。続いて、後に赤外画素34’のフォトダイオードとなる領域のP型シリコン半導体基板10に形成された凹部に、シリコンゲルマニウム41を結晶成長により選択的に形成し、図7に示す断面構成を作成する。次に、マスク材酸化膜51を剥離して、フォトダイオード間の分離を強化するP型不純物層21、22、23、24、25を形成し、光電変換により発生した電荷を蓄積するN型不純物層11、12、13、14を形成する。更に、N型不純物層11、12、13、14のそれぞれの表面側に、P型シリコン半導体基板10の表面をシールドし、フォトダイオードの暗電流を抑制するためのP型不純物層15、16、17、18を形成して図4に示した固体撮像素子を得る。この構成により、赤外画素34’のフォトダイオードはシリコンゲルマニウム41内に形成される。シリコンゲルマニウム41のバンドギャップは、シリコンP型シリコン半導体基板10のバンドギャップ112eVよりも小さくなる。例えば、シリコンゲルマニウム41のゲルマニウム濃度を20とすると、シリコンゲルマニウム41のバンドギャップは、103eVとなる。このとき、フォトダイオードでは理論的には1204nmより短い波長で光電変換が起きる。即ち、シリコンP型シリコン半導体基板10に形成したフォトダイオードよりも97nm長い波長から光電変換が起きることになる。この結果、赤外画素34′において赤外光の感度を向上させることができる。また、シリコンゲルマニウム41におけるゲルマニウム濃度を変えることによって、バンドギャップを067eVから112eVの範囲において所望の値に設定することができる。従って、赤外画素34′において赤外光の感度を所望の特性に設定することができる。前述の通り、マスク材酸化膜51は、後にフォトダイオード間の分離を強化するP型不純物層24、25が設置される領域まで広くエッチングした。また、P型シリコン半導体基板10のエッチングされた部分の深さを、後に設置されるN型不純物層14の深さより深くした。これによって、結晶成長により選択的に形成されるシリコンゲルマニウム41とP型シリコン半導体基板10の境界は、P型不純物層24、25側へ突出し、後に設置されるN型不純物層14の深さより深い部位へ到る。この境界部がフォトダイオード内にあると暗電流が増加するが、光電変換により発生した電荷を蓄積するN型不純物層14が上記境界部を含まないことにより、暗電流の増加を抑制することができる。次に、第5の実施の形態に係る固体撮像素子を説明する。この固体撮像素子では図8に示すように、第4の実施の形態に対し、赤画素31’のフォトダイオードを、シリコンよりもバンドギャップが小さい半導体であって、赤外画素が形成された半導体よりもバンドギャップが大きい半導体内に構成したものである。この第5の実施の形態に係る固体撮像素子の製造方法を、図9から図14の工程断面図を用いて説明する。図9から図11までの工程は、第4の実施の形態における図5から図7によって説明した通りであるため、説明を省略する。例えば、シリコンゲルマニウム41のゲルマニウム濃度は20としておく。図11の状態において、マスク材酸化膜51を剥離し、P型シリコン半導体基板10上にマスク材となるマスク材酸化膜52を形成し、後に赤画素31’のフォトダイオードとなる領域上のマスク材酸化膜52を図12に示すようにエッチングする。このとき、マスク材酸化膜52は、後にフォトダイオード間の分離を強化するP型不純物層21、22が設置される領域まで広くエッチングする。次に、マスク材酸化膜52をマスクとして、後に赤画素31’のフォトダイオードとなる領域のP型シリコン半導体基板10をエッチングすることにより、図13に示す断面構成を作成する。このとき、エッチングされた部分の深さを、後に設置されるN型不純物層11の深さより深くしておく。続いて、後に赤画素31’のフォトダイオードとなる領域のP型シリコン半導体基板10に形成された凹部に、ゲルマニウム濃度が10のシリコンゲルマニウム42を結晶成長により選択的に形成し、図14に示す断面構成を作成する。次に、マスク材酸化膜52を剥離して、フォトダイオード間の分離を強化するP型不純物層21、22、23、24、25を形成し、光電変換により発生した電荷を蓄積するN型不純物層11、12、13、14を形成する。更に、N型不純物層11、12、13、14のそれぞれの表面側に、P型シリコン半導体基板10の表面をシールドし、フォトダイオードの暗電流を抑制するためのP型不純物層15、16、17、18を形成して図8に示した固体撮像素子を得る。上記の固体撮像素子によれば、赤画素31’のフォトダイオードはシリコンゲルマニウム42内に形成されている。前述の通り、シリコンゲルマニウム42のゲルマニウム濃度を10とすると、シリコンゲルマニウム42のバンドギャップは108eVとなる。これによりシリコンゲルマニウム42は、緑画素及び青画素のシリコンP型シリコン半導体基板10よりも小さなバンドギャップであって、赤外素子のシリコンゲルマニウム41より大きなバンドギャップとすることができる。このとき、赤画素31’のフォトダイオードでは理論的には1148nmより短い波長で光電変換が起きる。これによって、赤色光の感度向上と分光感度特性の合わせ込みが容易となる。この実施形態では、赤外画素34’のみならず赤画素31’の製造工程においても、マスク材酸化膜を後にフォトダイオード間の分離を強化するP型不純物層が設置される領域まで広くエッチングした。また、P型シリコン半導体基板のエッチングされた部分の深さを、後に設置されるN型不純物層の深さより深くした。これによって、結晶成長により選択的に形成されるシリコンゲルマニウムとP型シリコン半導体基板の境界は、P型不純物層側へ突出し、後に設置されるN型不純物層の深さより深い部位へ到る。この境界部がフォトダイオード内にあると暗電流が増加するが、光電変換により発生した電荷を蓄積するN型不純物層が上記境界部を含まないことにより、暗電流の増加を抑制することができる。なお、上記において、赤画素31’と赤外画素34’のフォトダイオードをシリコンゲルマニウムにより構成したが、上記条件を満たす半導体であれば、これに限らないことは当然である。