"A数平均分子量500以上30000以下で、かつ分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物またはその誘導体、Bエチレン性不飽和基を有する重合性モノマー、Cラジカル重合触媒、D下記一般式1または2で示されるジスルフィド化合物及びE充填剤を含有することを特徴とする半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。{式1及び式2中、R1は水素原子または炭素数1~4のアルキル基であり、R2は水素原子、炭素数1~4のアルキル基またはフェニル基であり、R3は炭素数2~12の2価の飽和炭化水素基または下記一般式3、一般式4もしくは一般式5で表わされる基であり、Zは-COO-基、-CH2O-基または-C6H4-CH2O-基但し、いずれも右端の酸素原子がR3に結合する。であり、R4は水素原子またはメチル基である。}。式3~式5中、nは1~5の整数であり、o及びpはそれぞれ独立に1~10の整数であり、qは1~5の整数であり、r及びsはそれぞれ独立に1~10の整数である。但し、いずれも式3~式5の左端の炭素原子が式1または式2のZに結合する。A成分が室温で液状であり、かつ1分子内に少なくとも1つのアクリル基もしくはメタクリル基を有することを特徴とする請求項1記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。A成分とB成分の質量比が10:90~90:10であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。A成分とB成分の合計量100質量部に対し、D成分を1~200質量部含有することを特徴とする請求項1乃至3記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。A成分とB成分の合計量100質量部に対し、C成分を0.1~10質量部、E成分を1~300質量部含有することを特徴とする請求項4記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。請求項1乃至5のいずれか1項記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物により、半導体素子を半導体素子支持部材上に接着してなることを特徴とする半導体装置。本発明は上記要求に応えるべくなされたもので、低弾性率で、かつ高密着性の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物、及びそのような半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を用いた耐半田クラック性に優れた半導体装置を提供することを目的としている。本発明の一態様に係る半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、A数平均分子量500以上30000以下で、かつ分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物またはその誘導体、Bエチレン性不飽和基を有する重合性モノマー、Cラジカル重合触媒、D下記一般式1または2で示されるジスルフィド化合物及びE充填剤を含有することを特徴としている。{式1及び式2中、R1は水素原子または炭素数1~4のアルキル基であり、R2は水素原子、炭素数1~4のアルキル基またはフェニル基であり、R3は炭素数2~12の2価の飽和炭化水素基または下記の一般式3、一般式4もしくは一般式5で表わされる基であり、Zは-COO-基、-CH2O-基または-C6H4-CH2O-基但し、いずれも右端の酸素原子がR3に結合する。であり、R4は水素原子またはメチル基である。}。式3~式5中、nは1~5の整数であり、o及びpはそれぞれ独立に1~10の整数であり、qは1~5の整数であり、r及びsはそれぞれ独立に1~10の整数である。但し、いずれも式3~式5の左端の炭素原子が式1式または式2のZに結合する。また、本発明の他の一態様に係る半導体装置は、上記半導体接着用熱硬化型樹脂組成物により、半導体素子が半導体素子支持部材上に接着されてなることを特徴としている。本発明の一態様によれば、低弾性率で、かつ高密着性の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を得ることができる。また、本発明の他の一態様によれば、耐半田クラック性に優れた半導体装置を得ることができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物に使用されるA成分は、分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物またはその誘導体であり、例えば、ブチルゴムBR、イソプレンゴムIR、ポリブタジエン等のジエン系ゴム、あるいはその水素添加型等の誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明においては、可とう性を付与するために、A成分である炭化水素化合物またはその誘導体は、数平均分子量が500以上30000以下であり、好ましくは500以上20000以下であり、より好ましくは500以上15000以下である。数平均分子量が500未満では、可とう性が低下し、また耐熱性も低下する。一方、30000を超えると、組成物調製時の作業性や使用時の塗布作業性が不良となる傾向にある。A成分としては、特に、室温で液状であり、かつ1分子内に少なくとも1つのアクリル基もしくはメタクリル基を有するものが好ましい。A成分は1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物に使用されるB成分の重合性モノマーは、エチレン性不飽和基を有するものであり、例えば、脂環式メタアクリル酸エステル、脂肪族メタアクリル酸エステル、芳香族メタアクリル酸エステル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。具体的には、例えば、1、6-ヘキサンジオールジメタクリレート、1、9-ノナンジオールジメタクリレート、フェノキシジエチレングリコールジメタクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、フェノキシエチルメタクリレート等が使用される。B成分は1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。このB成分の配合量は、A成分とB成分の合計質量中の割合が10~90質量となる範囲、つまり、A成分とB成分の質量比が10:90~90:10となる範囲が好ましい。B成分の割合が10質量未満では、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の粘度が高くなり作業性が低下する。また、90重量を越えると接着性に問題が生ずるおそれがある。より好ましくはA成分とB成分の質量比が20:80~80:20となる範囲である。本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物に使用されるC成分のラジカル重合触媒は、ラジカル重合に一般に用いられているものであれば特に限定されることなく使用することができるが、好ましくは、急速加熱試験における分解温度試料1gを電熱板の上に乗せ、4°C/分で昇温したときの分解開始温度が40~140°Cとなるものである。分解温度が40°C未満であると、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の常温における保存性が不良となり、140°Cを越えると硬化時間が極端に長くなるおそれがある。上記条件をラジカル重合触媒の例としては、例えば、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ-2-メチルシクロヘキサン、t-ブチルパーオキシネオデカノエート、ジクミルパーオキサイド等が挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、あるいは硬化性を制御するために2種以上を混合して使用してもよい。なお、本発明においては、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の保存性の低下を防止するために、重合禁止剤をラジカル重合触媒を添加する前に予め添加しておいてもよい。そのような重合禁止剤の例としては、ヒドロキノン、メチルヒドロキノン、ジブチルヒドロキシトルエンBHT等が挙げられる。このC成分の配合量は、A成分とB成分の合計質量100質量部に対して、0.1~10質量部が好ましく、0.5~8質量部がより好ましい。0.1質量部未満では、硬化性が著しく低下するおそれがあり、10質量部を越えると、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の粘度の経時変化が大きくなり、作業性が低下するおそれがある。本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物に使用されるD成分は、下記一般式1または2で示されるジスルフィド化合物であり、本発明の目的とする低弾性率と高密着性を実現する上で重要な成分である。式1及び式2中、R1は水素原子または炭素数1~4のアルキル基である。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が例示される。式1及び2中、R2は水素原子、炭素数1~4のアルキル基またはフェニル基であり、R2がアルキル基の場合、上記R1と同様のものが例示できる。式1及び2中、R3は炭素数2~12の2価の飽和炭化水素基、または下記の一般式3、一般式4もしくは一般式5で表わされる基である。R3が炭素数2~12の2価の飽和炭化水素基の場合、その例としては、エチレン基、プロピレン基、イソプロペン基、ヘキシレン基、デシレン基、ドデシレン基等が挙げられる。また、一般式3で表される基において、nは1~5の整数であり、一般式4で表される基において、o及びpはそれぞれ独立に1~10の整数であり、qは1~5の整数である。さらに、一般式5で表される基において、r及びsはそれぞれ独立に1~5の整数である。なお、一般式3~一般式5で表される基は、いずれも左端の炭素原子が式1または式2のZに結合し、右端の炭素原子が式1または式2の酸素原子に結合する。式1及び式2中、Zは-COO-基、-CH2O-基または-C6H4-CH2O-基である。なお、これらの基は、いずれも右端の酸素原子がR3に結合し、左端の炭素原子が不飽和炭素原子に結合する。式1及び式2中、R4は水素原子またはメチル基である。このようなジスルフィド化合物は、例えば、次のように製造することができる。下記一般式6式中、R1は水素原子または炭素数1~4のアルキル基である。で示されるチオ尿素誘導体と、下記一般式7式中、R2は水素原子、炭素数1~4のアルキル基またはフェニル基である。で示されるマロン酸誘導体を縮合反応させ、下記一般式8または9式8及び9中、R1及びR2は前述の通りである。で示されるカルボエトキシチオウラシル誘導体を得た後、このカルボエトキシチオウラシル誘導体を加水分解して下記一般式10または11式中、10及び11R1及びR2は前述の通りである。で示されるカルボキシチオウラシル誘導体を得る。次いで、このカルボキシチオウラシル誘導体と下記一般式12{式中、R3は炭素数2~12の2価の飽和炭化水素基または下記一般式3、一般式4もしくは一般式5式3~式5中、nは1~5の整数であり、o及びpはそれぞれ独立に1~10の整数であり、qは1~5の整数であり、r及びsはそれぞれ独立に1~10の整数である。但し、いずれも式3~式5の左端の炭素原子が式1または式2のZに結合する。で表わされる基であり、Zは-COO-基、-CH2O-基または-C6H4-CH2O-基但し、いずれも右端の酸素原子がR3に結合する。であり、R4は水素原子またはメチル基である。}で示される重合性不飽和結合を有するアルコール以下、重合性アルコールというを反応させることにより、下記一般式13または14式13及び14中、R1、R2、R3、Z及びR4は前述の通りである。で示されるチオウラシル誘導体を得た後、このチオウラシル誘導体を酸化的二量化反応させる。これにより、一般式1または2で示されるジスルフィド化合物が得られる。D成分としては、接着力や合成の容易さの観点から、特に、下記式15及び16に示すジスルフィド化合物の使用が好ましい。D成分は1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。このD成分の配合量は、A成分とB成分の合計質量100質量部に対して、1~200質量部が好ましく、2~50質量部がより好ましい。1質量部未満では、密着性が十分に得られないおそれがあり、200質量部を越えると、硬化物の耐熱性が低下するおそれがある。本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物に使用されるE成分の充填材は、無機系及び有機系のいずれであってもよい。無機系充填材としては、例えば、銀粉、金粉、銅粉、アルミニウム粉、ニッケル粉等の金属粉や、溶融シリカ、結晶シリカ、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミニウム、炭酸カルシウム等が挙げられる。これらの無機系充填材のうち、金属粉は主に導電性や熱伝導性を付与するために用いられる。また、有機系充填材としては、例えば、シリコーン樹脂、ポリテトラフロロエチレン等のフッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ベンゾグアナミンやメラミンとホルムアルデヒドとの架橋物等が挙げられる。さらに、シリカとアクリル樹脂との複合材や、有機系充填材表面に金属コーティングを施したもの等、有機化合物と無機化合物を複合した充填材等も使用される。これらの充填材は、分散性等を高めるため、アルコキシシラン、アシロキシシラン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシランカップリング材等により表面処理が施されていてもよい。これらの充填剤は1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。E成分の充填剤としては、導電性の用途には、特に銀粉が、入手が容易で、形状、粒径の種類が多く、導電性が良好で、かつ加熱しても導電性が変化しないことから好ましい。また、絶縁用途には、特にシリカが、入手の容易さと種類の豊富さの観点から好ましい。これらの充填剤は、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量が10ppm以下であることが好ましい。また、充填剤の形状は特に限定されず、例えば、フレーク状、鱗片状、樹枝状、球状のもの等が用いられる。また、粒径も特に限定されず、例えば、粒径が1~100nm程度のナノスケールのものも用いられる。このE成分の配合量は、A成分とB成分の合計質量100質量部に対して、1~300質量部が好ましい。配合量を1質量部以上とすることで、硬化物の膨張係数が過度に大きくなることを抑制し、接着の信頼性を良好にすることができる。また、300質量部以下とすることで、粘度が過度に大きくなることを抑制し、作業性を良好にすることができる。本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物には、以上の各成分の他、本発明の効果を阻害しない範囲で、この種の組成物に一般に配合される、硬化促進剤、ゴムやシリコーン等の低応力化剤、カップリング剤、消泡剤、界面活性剤、着色剤顔料、染料、難燃剤、その他の各種添加剤を、必要に応じて配合することができる。また、各種溶剤も必要に応じて適宜配合することができる。これらの各添加剤はいずれも1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、前記したA~E成分、及び必要に応じて配合されるカップリング剤等の添加剤等を十分に混合した後、さらにディスパース、ニーダー、3本ロールミル等により混練処理を行い、次いで、脱泡することにより、調製することができる。本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、低弾性率で、かつ密着性に優れており、これを用いて、特に耐半田クラック性が従来に比べ向上した半導体装置を得ることができる。次に、本発明の半導体装置について説明する。本発明の半導体装置は、例えば、本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を介して半導体素子をリードフレームにマウントし、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を加熱硬化させた後、リードフレームのリード部と半導体素子上の電極とをワイヤボンディングにより接続し、次いで、これらを封止樹脂を用いて封止することにより製造することができる。ボンディングワイヤとしては、例えば、銅、金、アルミ、金合金、アルミ-シリコン等からなるワイヤが例示される。また、導電性ペーストを硬化させる際の温度は、通常、150~250°Cであり、0.5~2間程度加熱することが好ましい。図1は、このようにして得られた本発明の半導体装置の一例を示したものであり、銅フレーム等のリードフレーム1と半導体素子2の間に、本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の硬化物である接着剤層3が介在されている。また、半導体素子2上の電極4とリードフレーム1のリード部5とがボンディングワイヤ6により接続されており、さらに、これらが封止樹脂7により封止されている。なお、接着剤層3の厚さとしては、10~30μm程度が好ましい。本発明の半導体装置は、低弾性率で、かつ密着性に優れた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物により半導体素子が接着固定されているので、耐半田クラック性に優れており、高い信頼性を具備している。次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。実施例16-ヒドロキシヘキシルアクリレート7.76g45mmol、N,N’-ジシクロヘキシルカルボジイミド11.1g54mmol、5-カルボキシ-2-シオウラシル5.16g30mmol、4-ジメチルアミノピリジン0.36g3mmol及びテトラヒドロフラン300mlを500ml三つ口フラスコに入れて溶解し、室温で3日間撹拌を続けた。その後、溶液をろ過し、反応中に生じた白色沈殿物を除去した。得られたろ液からテトラヒドロフランを減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに添加した。酢酸エチル及び塩化メチレンの混合溶媒を展開溶媒として用いて、6-アクリロイルオキシヘキシル-2-チオウラシル-5-カルボキシレート4.12gを得た。得られた6-アクリロイルオキシヘキシル-2-チオウラシル-5-カルボキシレート3.26g10mmol、ビスp-メトキシフェニルセレノオキサイド3.40g11mmol及びエタノール400mlを1Lの三つ口フラスコに入れて溶解し、室温で2時間攪拌した。反応終了後、反応混合物からエタノールを減圧留去し、残渣にクロロホルムを加えた。不溶物をろ過し、ろ液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに添加した。クロロホルムを展開溶媒として用いて、前述した式15で示されるジスルフィド化合物2.05g3.14mmolを得た。上記ジスルフィド化合物ジスルフィド化合物Iと表記10質量部、アクリル変性ポリブタジエンとしてMM-1000-80日本石油化学株製商品名、数平均分子量100070質量部、2-メタクリロイロキシエチルコハク酸としてライトエステルHO-MS共栄社化学株製商品名30質量部、ジクミルパーオキサイドとしてパークミルD日本油脂株製商品名、急速加熱試験における分解温度175°C1質量部、アルコキシシランとしてKBM-403信越化学工業株製商品名0.2質量部及び銀粉粒径0.1~30μm、平均粒径3μm、フレーク状250質量部を十分に混合し、さらに三本ロールで混練して半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。実施例2銀粉に代えて、シリカ粉末平均粒径3μm、最大粒径20μm、球状180質量部を用いるとともに、アルコキシシランKBM-403の配合量を0.5質量部とした以外は実施例1と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。実施例3アクリル変性ポリブタジエンに代えて、アクリル変性水素添加型ポリブタジエンTEAI-1000日本曹達株製商品名、数平均分子量225070質量部を用いた以外は実施例1と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。実施例4アクリル変性ポリブタジエンに代えて、メタクリル変性ポリイソプレンUC-102クラレ株製商品名、数平均分子量1700070質量部を用いた以外は実施例1と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。実施例5式15で示されるジスルフィド化合物に代えて、式16で示されるジスルフィド化合物ジスルフィド化合物IIと表記10質量部を用いた以外は実施例1と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。実施例6ジスルフィド化合物Iの配合量を20質量部とした以外は実施例1と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。比較例1ジスルフィド化合物を非配合とし、かつアルコキシシランKBM-403の配合量を0.5質量部とした以外は実施例1と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。比較例2ジスルフィド化合物を非配合とした以外は実施例2と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。上記各実施例及び各比較例で得られた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物について、下記に示す方法で各種特性を評価した。1初期粘度調製直後の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の粘度を、東機産業株製のE型粘度計3°コーンを用い、25°C、2.5rpmの条件で測定した。2引張弾性率得られた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を150°Cで30分間加熱し硬化させて作製したフィルム状試験片20mm×4mm×0.1mmについて、セイコーインスツルメンツ株製の動的粘弾性測定装置DMS6100を用い、25°Cにおける引張弾性率を測定した。測定条件は以下の通りである。測定温度:-100~300°C昇温速度:5°C/分周波数:10Hz荷重:100mN3ポットライフ得られた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を25°Cの恒温槽内に放置し、粘度が初期粘度の1.5倍以上に増粘するまでの日数を調べた。4熱時接着強度得られた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を銅フレーム上に20μm厚に塗布し、その上に2mm×2mmの半導体チップシリコンチップをマウントし、200°Cで60分間加熱硬化させ、接続サンプルを作製した。この接続サンプルについて、西進商事株製のボンドテスターSS-100KPを用いて260°Cで測定した。5耐半田リフロー性得られた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を銅フレーム上に20μm厚に塗布し、その上に6mm×6mmの半導体チップシリコンチップ、表面アルミ配線のみをマウントし、200°Cで60分間加熱硬化させた後、京セラケミカル株製のエポキシ樹脂封止材商品名KE-G1200を用いて封止し、半導体パッケージ80pQFP、14mm×20mm×2mmを作製した。封止は、まず、175°C、2分間、1MPaの条件でトランスファー成形し、その後、175°Cで8時間の後硬化を行った。このパッケージに85°C、85RH、168時間の吸湿処理を施した後、IRリフロー処理260°C、10秒を行い、パッケージの外部クラックパッケージ表面のクラックの発生の有無を顕微鏡倍率:15倍で観察し、その発生数を調べた。また、パッケージの内部クラックチップクラックの発生の有無を超音波顕微鏡で観察し、その発生数を調べたn=5。これらの結果を、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の組成とともに表1に示す。表1からも明らかなように、実施例の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、低弾性率で、かつ高い密着性を有しており、また、これを用いた半導体装置は耐半田リフロー性に優れていた。"