基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び上部反射鏡が積層されているメサ構造の発光部を有する面発光レーザ素子において、前記メサ構造の上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層で被覆され、該テーパ面の前記基板面に対するテーパ角は、前記メサ構造における側面の前記基板面に対する傾斜角よりも小さく、前記誘電体層の端部と前記上部反射鏡の端部とが一致して形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子。前記誘電体層及び前記メサ構造の側面は、保護膜で覆われていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。前記誘電体層は、窒化シリコン及び酸化シリコンのいずれかの層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の面発光レーザ素子。請求項1~3のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイ。光によって被走査面を走査する光走査装置であって、請求項1~3のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子を有する光源と、前記光源からの光を偏向する偏向器と、前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置。光によって被走査面を走査する光走査装置であって、請求項4に記載の面発光レーザアレイを有する光源と、前記光源からの光を偏向する偏向器と、前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置。少なくとも1つの像担持体と、前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも1つの請求項5又は6に記載の光走査装置と、を備える画像形成装置。前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする請求項7に記載の画像形成装置。基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び上部反射鏡が積層された積層体に、その側面が前記基板面に対して傾斜しており発光部となるメサ構造体が形成されている面発光レーザ素子の製造方法であって、前記メサ構造体を形成するのに先立って、前記積層体の上面に、誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層の上面に、前記メサ構造体の外形を規定するパターンを含むレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記誘電体層をエッチングし、マスクされている誘電体層に、前記メサ構造体における側面の前記基板面に対する傾斜角よりも小さいテーパ角で、前記メサ構造体の最外周部となる部分に向かって厚さが小さくなるテーパ面を形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記メサ構造体を形成するとともに前記誘電体層の端部と前記メサ構造体の端部とを一致して形成する工程と、を含む面発光レーザ素子の製造方法。前記テーパ面はウェットエッチング法で形成され、前記メサ構造体はドライエッチング法で形成されることを特徴とする請求項9に記載の面発光レーザ素子の製造方法。しかしながら、特許文献3に開示されている液晶表示装置では、段差のテーパを多段に形成しているが、ウェットエッチングまたはドライエッチングで、段差のテーパ角が変化する度にエッチング条件を変更して形成しているため、エッチング形状の面内分布が段差形状の分布となり、段差形状の均一性が悪く、歩留まり良く製造することは困難であった。また、特許文献4に開示されている面発光型半導体レーザ装置では、メサをテーパ形状とし配線を形成しているが、メサ上端の辺縁部の角度が直角に近いため、この部分で配線の段切れが発生し、歩留まり良く製造することは困難であった。また、特許文献5に開示されている半導体レーザ装置では、テーパ形状のメサをウェットエッチングで形成した後に配線を形成しているが、メサ上端での辺縁部の形状が直角に近いために、この部分での配線の段切れが発生し、歩留まり良く製造することは困難であった。また、特許文献6には、メサ側壁全面をメタル配線で被覆した面発光型半導体レーザの例が開示されているが、メタル配線の応力によりレーザ特性の変動を引き起こし、歩留まりの低下を招いていた。また、特許文献7に開示されている面発光レーザ素子では、メサをテーパ形状とし配線を形成しているが、メサ上端の辺縁部の角度が直角に近いために、この部分で配線の段切れが発生し、歩留まり良く製造することは困難であった。また、特許文献8に開示されている面発光型半導体レーザ装置では、図15に示されるように、メサ上部にテーパ形状のコンタクトメタル5101の端部がメサ5100の上端から離れた位置X部に形成されており、メサ上端の一部が露出した領域X部上に層間絶縁膜5102が形成され、更にメタル配線5103が形成されている。この面発光型半導体レーザ装置では、図15における断線危険部位として示されている領域に、配線部材の厚さが非常に薄い部分が存在するため、歩留まり良く面発光型半導体レーザ装置を製造することは困難であった。本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第1の目的は、高い歩留まりで製造することができる面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイを提供することにある。また、本発明の第2の目的は、安定して高精度の光走査を行うことができる光走査装置を提供することにある。また、本発明の第3の目的は、安定して高品質の画像を形成することができる画像形成装置を提供することにある。また、本発明の第4の目的は、高い歩留まりで面発光レーザ素子を製造することができる面発光レーザ素子の製造方法を提供することにある。本発明は、第1の観点からすると、基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び上部反射鏡が積層されているメサ構造の発光部を有する面発光レーザ素子において、前記メサ構造の上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層で被覆され、該テーパ面の前記基板面に対するテーパ角は、前記メサ構造における側面の前記基板面に対する傾斜角よりも小さく、前記誘電体層の端部と前記上部反射鏡の端部とが一致して形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子である。これによれば、高い歩留まりで製造することができる。本発明は、第2の観点からすると、本発明の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイである。これによれば、本発明の面発光レーザ素子が集積されているため、高い歩留まりで製造することができる。本発明は、第3の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザ素子を有する光源と、前記光源からの光を偏向する偏向器と、前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置である。これによれば、光源が本発明の面発光レーザ素子を有しているため、安定して高精度の光走査を行うことができる。本発明は、第4の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザアレイを有する光源と、前記光源からの光を偏向する偏向器と、前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置である。これによれば、光源が本発明の面発光レーザアレイを有しているため、安定して高精度の光走査を行うことができる。本発明は、第5の観点からすると、少なくとも1つの像担持体と、前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも1つの本発明の光走査装置と、を備える画像形成装置である。これによれば、本発明の光走査装置を備えているため、結果として、安定して高品質の画像を形成することが可能である。本発明は、第6の観点からすると、基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び上部反射鏡が積層された積層体に、その側面が前記基板面に対して傾斜しており発光部となるメサ構造体が形成されている面発光レーザ素子の製造方法であって、前記メサ構造体を形成するのに先立って、前記積層体の上面に、誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層の上面に、前記メサ構造体の外形を規定するパターンを含むレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記誘電体層をエッチングし、マスクされている誘電体層に、前記メサ構造体における側面の前記基板面に対する傾斜角よりも小さいテーパ角で、前記メサ構造体の最外周部となる部分に向かって厚さが小さくなるテーパ面を形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記メサ構造体を形成するとともに前記誘電体層の端部と前記メサ構造体の端部とを一致して形成する工程と、を含む面発光レーザ素子の製造方法である。これによれば、高い歩留まりで面発光レーザ素子を製造することができる。以下、本発明の一実施形態を図1~図18に基づいて説明する。図1には、一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ1000の概略構成が示されている。このレーザプリンタ1000は、光走査装置1010、感光体ドラム1030、帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034、クリーニングユニット1035、トナーカートリッジ1036、給紙コロ1037、給紙トレイ1038、レジストローラ対1039、定着ローラ1041、排紙ローラ1042、排紙トレイ1043、通信制御装置1050、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置1060などを備えている。なお、これらは、プリンタ筐体1044の中の所定位置に収容されている。通信制御装置1050は、ネットワークなどを介した上位装置例えばパソコンとの双方向の通信を制御する。感光体ドラム1030は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム1030の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム1030は、図1における矢印方向に回転するようになっている。帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034及びクリーニングユニット1035は、それぞれ感光体ドラム1030の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム1030の回転方向に沿って、帯電チャージャ1031→現像ローラ1032→転写チャージャ1033→除電ユニット1034→クリーニングユニット1035の順に配置されている。帯電チャージャ1031は、感光体ドラム1030の表面を均一に帯電させる。光走査装置1010は、帯電チャージャ1031で帯電された感光体ドラム1030の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム1030の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム1030の回転に伴って現像ローラ1032の方向に移動する。なお、この光走査装置1010の構成については後述する。トナーカートリッジ1036にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ1032に供給される。現像ローラ1032は、感光体ドラム1030の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ1036から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した潜像以下では、便宜上トナー像ともいうは、感光体ドラム1030の回転に伴って転写チャージャ1033の方向に移動する。給紙トレイ1038には記録紙1040が格納されている。この給紙トレイ1038の近傍には給紙コロ1037が配置されており、該給紙コロ1037は、記録紙1040を給紙トレイ1038から1枚ずつ取り出し、レジストローラ対1039に搬送する。該レジストローラ対1039は、給紙コロ1037によって取り出された記録紙1040を一旦保持するとともに、該記録紙1040を感光体ドラム1030の回転に合わせて感光体ドラム1030と転写チャージャ1033との間隙に向けて送り出す。転写チャージャ1033には、感光体ドラム1030の表面のトナーを電気的に記録紙1040に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム1030の表面のトナー像が記録紙1040に転写される。ここで転写された記録紙1040は、定着ローラ1041に送られる。定着ローラ1041では、熱と圧力とが記録紙1040に加えられ、これによってトナーが記録紙1040上に定着される。ここで定着された記録紙1040は、排紙ローラ1042を介して排紙トレイ1043に送られ、排紙トレイ1043上に順次スタックされる。除電ユニット1034は、感光体ドラム1030の表面を除電する。クリーニングユニット1035は、感光体ドラム1030の表面に残ったトナー残留トナーを除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム1030の表面は、再度帯電チャージャ1031に対向する位置に戻る。次に、前記光走査装置1010の構成について説明する。この光走査装置1010は、一例として図2に示されるように、光源14、カップリングレンズ15、開口板16、シリンドリカルレンズ17、反射ミラー18、ポリゴンミラー13、偏向器側走査レンズ11a、像面側走査レンズ11b、及び走査制御装置図示省略などを備えている。そして、これらは、光学ハウジング30の所定位置に組み付けられている。なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を主走査対応方向と略述し、副走査方向に対応する方向を副走査対応方向と略述する。カップリングレンズ15は、光源14から射出された光束を略平行光とする。開口板16は、開口部を有し、カップリングレンズ15を介した光束のビーム径を規定する。シリンドリカルレンズ17は、開口板16の開口部を通過した光束を、反射ミラー18を介してポリゴンミラー13の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。光源14とポリゴンミラー13との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施形態では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ15と開口板16とシリンドリカルレンズ17と反射ミラー18とから構成されている。ポリゴンミラー13は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面に6面の偏向反射面が形成されている。このポリゴンミラー13は、副走査対応方向に平行な軸のまわりを等速回転しながら、反射ミラー18からの光束を偏向する。偏向器側走査レンズ11aは、ポリゴンミラー13で偏向された光束の光路上に配置されている。像面側走査レンズ11bは、偏向器側走査レンズ11aを介した光束の光路上に配置されている。そして、この像面側走査レンズ11bを介した光束が、感光体ドラム1030の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー13の回転に伴って感光体ドラム1030の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム1030上を走査する。このときの光スポットの移動方向が主走査方向である。また、感光体ドラム1030の回転方向が副走査方向である。ポリゴンミラー13と感光体ドラム1030との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、偏向器側走査レンズ11aと像面側走査レンズ11bとから構成されている。なお、偏向器側走査レンズ11aと像面側走査レンズ11bの間の光路上、及び像面側走査レンズ11bと感光体ドラム1030の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも1つの折り返しミラーが配置されても良い。光源14は、一例として図3に示されるような面発光レーザアレイ100を有している。なお、本明細書では、レーザ発振方向をZ軸方向とし、Z軸に垂直な面内における互いに直交する2つの方向をX軸方向及びY軸方向として説明する。この面発光レーザアレイ100は、2次元的に配列されている32個の発光部、及び32個の発光部の周囲に設けられ、各発光部に対応した32個の電極パッドを有している。また、各電極パッドは、対応する発光部と配線部材によって電気的に接続されている。32個の発光部は、図4に示されるように、全ての発光部をZ軸方向に延びる仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等しく図4ではd2なるように配置されている。また、32個の発光部がほぼ同一の条件で形成されるように、該32個の発光部の周囲には、発光部と同一形状のダミーが形成されている。各発光部は、発振波長が780nm帯の面発光レーザVCSELであり、一例として図5に示されるように、基板101、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、コンタクト層109などを有している。なお、図5は、分かりやすくするための模式図であって、各層の厚さの関係は正確なものではない。基板101は、n-GaAs単結晶基板である。下部半導体DBR103は、バッファ層を介して基板101のZ側の面上に積層され、n-Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層と、n-Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層のペアを40.5ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ20nmの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、発振波長をλとするとλ/4の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さとその層の実際の厚さについては以下の関係がある。光学的厚さがλ/4のとき、その層の実際の厚さDは、D=λ/4n但し、nはその層の媒質の屈折率である。下部スペーサ層104は、下部半導体DBR103のZ側に積層され、ノンドープのAl0.6Ga0.4Asからなる層である。活性層105は、下部スペーサ層104のZ側に積層され、3層の量子井戸層と4層の障壁層とを有している。各量子井戸層は、Al0.12Ga0.88Asからなり、各障壁層は、Al0.3Ga0.7Asからなる。上部スペーサ層106は、活性層105のZ側に積層され、ノンドープのAl0.6Ga0.4Asからなる層である。下部スペーサ層104と活性層105と上部スペーサ層106とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが1波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層105は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。上部半導体DBR107は、上部スペーサ層106のZ側に積層され、p-Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層とp-Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層のペアを24ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、λ/4の光学的厚さとなるように設定されている。上部半導体DBR107における共振器構造体から光学的にλ/4離れた位置に、p-AlAsからなる被選択酸化層108が設けられている。なお、図5では、便宜上、被選択酸化層108は、上部半導体DBR107と共振器構造体との間に図示されている。コンタクト層109は、上部半導体DBR107のZ側に積層され、p-GaAsからなる層である。なお、このように基板101上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上積層体ともいう。次に、面発光レーザアレイ100の製造方法について説明する。1上記積層体を有機金属気相成長法MOCVD法あるいは分子線エピタキシャル成長法MBE法による結晶成長によって作成する図6A参照。ここでは、III族の原料には、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMIを用い、V族の原料には、フォスフィンPH3、アルシンAsH3を用いている。また、p型ドーパントの原料には四臭化炭素CBr4、ジメチルジンクDMZnを用い、n型ドーパントの原料にはセレン化水素H2Seを用いている。2プラズマCVD法を用いて、SiO2からなる誘電体層111aを形成する図6B参照。ここでは、誘電体層111aの膜厚は約100nmに設定している。なお、誘電体層としてSiNを用いることも可能である。3誘電体層111aの表面に、レジストを塗布し、メサ構造体以下では、便宜上、メサと略述するの外形を規定するためのレジストパターン120a、及び電極パッドが形成される領域をマスクするためのレジストパターン120bなどを形成する図7A参照。なお、ここでのメサは、発光部となるメサだけでなく、ダミーとなるメサを含む。4ウェットエッチング法により、不要な誘電体層111aを除去する。このとき、残っている誘電体層111aの端面はテーパを有している図7B参照。そして、該端面のX軸に対する傾斜角以下では、テーパ角ともいうをδとする図7C参照。ここでは、HF濃度が5程度の緩衝フッ酸液BufferedHFを用い、テーパ角δを40°とした。なお、テーパ角δは、HF濃度、エッチング時間浸漬時間、液温を変更することによって制御可能である。また、テーパ角δとしては、20°~60°が好ましい。5Cl2ガスを用いるECRElectronCyclotronResonance方式、若しくはICPInductivelyCoupledPlasma方式のドライエッチング法により、レジストパターン120a及びレジストパターン120bをエッチングマスクとして積層体をエッチングし、少なくとも被選択酸化層108が側面に露出しているメサを形成する。ここでは、エッチングの底面は下部半導体DBR103の途中に位置するようにした。ここで形成されたメサは、側面がX軸に対して傾斜しているテーパ形状。このテーパ形状は、ドライエッチング時のガス流量、プラズマ放電電力、基板温度等のプロセス条件を適宜変更することで制御可能であって、プラズマ放電電力の増加や基板温度の低下によって、テーパ角θを小さくすることが可能である。6アセトン液に浸漬し、超音波洗浄によってエッチングマスクを除去する図8A参照。メサの側面のX軸に対する傾斜角をθとする。ここでは、傾斜角θは上記誘電体のテーパ角δよりも大きく形成される。このように、誘電体端部のテーパ角δをウェットエッチング法により形成し、メサ傾斜角をドライエッチング法により形成することで、δ<θの関係を有するメサを形成する。ウェットエッチング法によりテーパ角δの誘電体端部を形成し、ドライエッチング法により傾斜角θのメサを形成しているので、テーパ角δと傾斜角θを制御性良く形成することができる。δの角度を小さくすることで、図14又は図15における断線危険部位のメタルの膜厚を厚く形成することができ断線防止が可能となるが、テーパ角δは概ね20°~60°であることが望ましい。テーパ角δが20°以下の場合は、テーパ角とメサの傾斜角とを合わせた角度が、メサの傾斜角θの補角メサ上端部の角度に徐々に近くなるため、断線危険部位でのメタルの膜厚が厚くならず断線の危険性が大きくなる。一方、テーパ角δが概ね60°以上になると、テーパ角がメサの傾斜角θに近似するため、断線危険部位において十分なメタルの膜厚を確保することができない。メサの傾斜角θを75°とし、誘電体のテーパ角δを70°~10°の間で変化させて、メタル配線における断線の有無を調べた結果が図16に示されている。また、誘電体のテーパ角δを60°とし、メサの傾斜角θをドライエッチング条件を変更して50°~80°の間で変化させて、メタル配線における断線の有無を調べた結果が図17に示されている。これらの結果から、誘電体のテーパ角δとメサの傾斜角θとの間で、δ<θの関係が満たされると、メタル配線の断線は見られず、誘電体のテーパ角δは、20°程度~60°程度が好ましいことが分かった。このように、ウェットエッチングでの角度の制御は、レジストと誘電体との界面における横方向へのエッチング速度V1と、下地であるp-GaAsと誘電体との界面における横方向へのエッチング速度V2との差で制御することができる。ここで、エッチング速度V1は、一般的にエッチング速度V2よりも速く、この差を利用することで、角度を制御することができる。例えば、エッチング時間が長くなると、テーパ角δが小さくなる。なお、エッチング時間は、エッチング液の濃度、液温などにより制御される。また、ドライエッチングでは、反応生成物の競合反応を制御することで角度を制御することができる。具体的には、ガス流量、圧力、放電電力、基板バイアス、基板温度などの各種プロセスパラメータを制御することで、角度を制御することになる。7積層体を水蒸気中で熱処理する。これにより、被選択酸化層108中のAlアルミニウムがメサの外周部から選択的に酸化され、メサの中央部に、Alの酸化物108aによって囲まれた酸化されていない領域108bが残留する図8B参照。すなわち、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、いわゆる酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域108bが電流通過領域である。8プラズマCVD法を用いて、SiO2からなる保護膜111bを形成する図9A参照。ここでは、該保護膜111bの膜厚を約200nmに設定している。なお、保護膜としてSiN膜が形成されても良い。9p側電極113のコンタクトホールを形成するためのレジストマスク124を、フォトリソグラフィにより形成する図9B参照。10BHFにて保護膜111b及び誘電体層111aをエッチングし、p側電極コンタクトの窓開けを行う。11レジストマスク124を除去する図10A参照。12メサ上部の光射出部となる領域射出領域及び、配線パターンを除く領域などにレジストパターンを形成し、p側の電極材料の蒸着を行なう。p側の電極材料としてはCr/AuZn/Auからなる多層膜、もしくはTi/Pt/Auからなる多層膜が用いられる。また、p側の電極材料の厚さは、700nm~900nmとした。なお、p側の電極材料は、配線の材料、電極パッドの材料と同じである。13蒸着された電極材料をリフトオフし、p側電極113、配線パターンを形成する図10B参照。このp側電極113で囲まれた領域が射出領域である。なお、p側電極113は、発光部となるメサのみに形成される。14基板101の裏側を所定の厚さ例えば100μm程度まで研磨した後、n側電極114を形成する図11参照。ここでは、n側電極114はAuGe/Ni/Auからなる多層膜である。15アニールによって、p側電極113とn側電極114のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。16チップ毎に切断する。そして、種々の後工程を経て、面発光レーザアレイ100となる。このようにして製造された面発光レーザアレイ100では、図12に示されるように、A部、B部及びC部において、電極材料及び配線材料がカバレージ良く形成されている。上記A部及びC部を拡大した図が図13に示されている。ここでは、p側の電極材料の厚さL2700nm~900nmが、メサ上に順次形成された誘電体層111aの厚さと保護膜111bの厚さの合計L1約300nmに対して十分大きく、且つ、誘電体層の端部とメサの上端部とが一致して形成されているので、誘電体層のC部での断線は見られなかった。また、A部においても、配線材料の厚さが十分に確保されているため、断線は見られなかった。なお、B部においては、拡大図は示していないが、A部と同様に配線材料の厚さが十分に確保されているため、断線は見られなかった。誘電体層の端部とメサの上端部とが一致するとは、誘電体層の端部の稜線と、メサの上端部の稜線が一致することである。これにより、メサの上端部の角度をゆるくすることができる。また、配線がダミーを跨ぐ場合であっても、断線は見られなかった。ところで、仮に、メサ上に形成された誘電体層111aがテーパ面を有していないときには、一例として図14に示されるように、メサの側面の上部近傍に配線材料の厚さが薄い部分断線危険部位が存在する。一方、図15に示される従来例1のように、傾斜角θが90°垂直のメサ5100上部にテーパ形状のコンタクトメタル5101の端がメサ5100の上端から離れた位置に形成され、メサ5100の上端の一部が露出した領域X部上に層間絶縁膜5102が形成され、更に、メタル配線5103が形成されている面発光レーザの場合には、メサ5100の側壁を含む断線危険部位として示されている領域で、配線部材の厚さが薄くなるため、歩留まり良く製造することは困難であった。また、図18に示される従来例2のように、傾斜角θが90°より小さい、メサ6100の上部にテーパ形状のコンタクトメタル6101の端がメサ6100の上端から離れた位置に形成され、メサ6100の上端の一部が露出した領域X部上に層間絶縁膜6102が形成され、更に、メタル配線6103が形成されている面発光レーザの場合には、断線危険部位として示されている領域で、メサの傾斜角を反映する角が層間絶縁膜6102の表面に存在するため、配線部材の厚さがこの部分で薄くなり断線が発生し易く、歩留まり良く製造することは困難であった。真空蒸着法では、金属粒子の飛程直進性があるため、飛程方向に平行な面には付着しにくくなるため、断線危険部位が生ずる。以上の説明から明らかなように、前述した面発光レーザアレイ100の製造方法において、本発明の面発光レーザ素子の製造方法が実施されている。以上説明したように、本実施形態に係る面発光レーザアレイ100によると、基板101、下部半導体DBR103、活性層105を含む共振器構造体、上部半導体DBR107、コンタクト層109などを有している。メサの上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層111aで被覆されており、誘電体層の端部とメサの上端部とが一致するように形成されている。これにより、保護膜111bもメサの上面における辺縁部では誘電体層111aのテーパ角δと同様な角度で基板面に対して傾斜した状態で形成される。そして、保護膜111b上に配線材料が蒸着されるため、該配線材料もメサの上面における辺縁部では誘電体層111aのテーパ角δと同様な角度で基板面に対して傾斜した状態で蒸着される。そして、誘電体層111aのテーパ角δは、メサにおける側面の基板面に対する傾斜角θよりも小さくなるように設定されている。この場合は、カバレージ良く配線を形成することが可能となり、製造時の歩留まり及び信頼性を向上させることができる。そこで、信頼性の高い面発光レーザアレイを低コストで供給することが可能となる。上記従来例1及び従来例2において断線危険部位として示されている領域では、真空蒸着法により形成される配線は、金属粒子の付着が少なくなり、薄くなる。これにより、断線が発生しやすい。他方、本実施形態では、金属粒子が付着しやすい形状となっており、断線が生じ難い。また、保護膜で被覆するので、該保護膜の角度をある曲率を持たせて緩やかな形状にすることで、金属粒子の被膜性を向上させることができる。このように、面発光レーザアレイ100では、メサの上面における辺縁部は、誘電体層111aと保護膜111bからなる2層構造体に覆われている。なお、従来の面発光レーザアレイでは、メサの上面における辺縁部は、保護膜のみで覆われているのが一般的であった。そして、本実施形態に係る光走査装置1010によると、光源14が面発光レーザアレイ100を有しているため、安定して高精度の光走査を行うことができる。また、面発光レーザアレイ100が複数の発光部を有しているため、同時に複数の光走査が可能となり、画像形成の高速化を図ることができる。また、本実施形態に係るレーザプリンタ1000によると、光走査装置1010を備えているため、結果として、安定して高品質の画像を形成することが可能である。ところで、面発光レーザアレイ100では、各発光部を副走査対応方向に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔が等間隔d2であるので、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム1030上では副走査方向に等間隔で発光部が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。そして、例えば、上記間隔d2を2.65μm、光走査装置1010の光学系の倍率を2倍とすれば、4800dpiドット/インチの高密度書込みができる。もちろん、主走査対応方向の発光部数を増加したり、副走査対応方向のピッチd1図4参照を狭くして間隔d2を更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯のタイミングで容易に制御できる。また、この場合には、レーザプリンタ1000では書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。なお、上記実施形態において、一例として図19に示されるように、射出領域内の中央部が、光学的厚さがλ/4の偶数倍である誘電体層111dで覆われ、射出領域内の周辺部が、光学的厚さがλ/4の奇数倍である誘電体層111cと光学的厚さがλ/4の偶数倍である誘電体層111dの2層で覆われていても良い。この場合、射出領域内の周辺部における反射率が低下し、基本横モードの光強度を低下させることなく、高次横モードの発生を抑制することができる。このとき、各誘電体は、窒化シリコンSiNであっても良い。また、上記実施形態において、一例として図20に示されるように、射出領域内の中央部が、光学的厚さがそれぞれλ/4の奇数倍である誘電体層111eと誘電体層111fの2層で覆われ、射出領域内の周辺部が、光学的厚さがλ/4の奇数倍である誘電体層111fで覆われていても良い。この場合、射出領域内の中央部における反射率が上昇し、射出領域内の周辺部における反射率が低下する。そして、基本横モードの光強度を低下させることなく、高次横モードの発生を抑制することができる。このとき、誘電体層111eが酸化シリコンSiO2からなり、誘電体層111fが窒化シリコンSiNからなっていても良い。また、上記実施形態では、各発光部の発振波長が780nm帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、各発光部の発振波長を変更しても良い。また、上記実施形態では、面発光レーザアレイが32個の発光部を有する場合について説明したが、これに限定されるものではない。また、上記実施形態において、前記面発光レーザアレイ100に代えて、1個の発光部を有する面発光レーザ素子を用いても良い。なお、上記実施形態では、光走査装置1010がプリンタに用いられる場合について説明したが、プリンタ以外の画像形成装置、例えば、複写機、ファクシミリ、又は、これらが集約された複合機にも用いることができる。また、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ1000の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、レーザ光によって発色する媒体例えば、用紙に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。例えば、媒体が、CTPComputertoPlateとして知られている印刷版であっても良い。つまり、光走査装置1010は、印刷版材料にレーザアブレーションによって直接画像形成を行い、印刷版を形成する画像形成装置にも好適である。また、レーザ光によって発色に可逆性を与えることができる媒体例えば、用紙に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。例えば、媒体が、いわゆるリライタブルペーパーであっても良い。これは、例えば紙や樹脂フィルム等の支持体上に、以下に説明するような材料が記録層として塗布されている。そして、レーザ光による熱エネルギー制御によって発色に可逆性を与え、表示/消去を可逆的に行うものである。透明白濁型リライタブルマーキング法とロイコ染料を用いた発消色型リライタブルマーキング法があり、いずれも適用できる。透明白濁型は、高分子薄膜の中に脂肪酸の微粒子を分散したもので、110°C以上に加熱すると脂肪酸の溶融により樹脂が膨張する。その後、冷却すると脂肪酸は過冷却状態になり液体のまま存在し、膨張した樹脂が固化する。その後、脂肪酸が固化収縮して多結晶の微粒子となり樹脂と微粒子間に空隙が生まれる。この空隙により光が散乱されて白色に見える。次に、80°Cから110°Cの消去温度範囲に加熱すると、脂肪酸は一部溶融し、樹脂は熱膨張して空隙を埋める。この状態で冷却すると透明状態となり画像の消去が行われる。ロイコ染料を用いたリライタブルマーキング法は、無色のロイコ型染料と長鎖アルキル基を有する顕消色剤との可逆的な発色及び消色反応を利用している。レーザ光により加熱されるとロイコ染料と顕消色剤が反応して発色し、そのまま急冷すると発色状態が保持される。そして、加熱後、ゆっくり冷却すると顕消色剤の長鎖アルキル基の自己凝集作用により相分離が起こり、ロイコ染料と顕消色剤が物理的に分離されて消色する。また、媒体が、紫外光を当てるとCシアンに発色し、可視光のRレッドの光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとMマゼンタに発色し、可視光のGグリーンの光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとYイエローに発色し、可視光のBブルーの光で消色するフォトクロミック化合物が、紙や樹脂フィルム等の支持体上に設けられた、いわゆるカラーリライタブルペーパーであっても良い。これは、一旦紫外光を当てて真っ黒にし、RGBの光を当てる時間や強さで、YMCに発色する3種類の材料の発色濃度を制御してフルカラーを表現し、仮に、RGBの強力な光を当て続ければ3種類とも消色して真っ白にすることもできる。このような、光エネルギー制御によって発色に可逆性を与えるものも上記実施形態と同様な光走査装置を備える画像形成装置として実現できる。また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、CTスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。また、一例として図21に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ2000であっても良い。このカラープリンタ2000は、4色ブラック、シアン、マゼンタ、イエローを重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用の感光体ドラムK1、帯電装置K2、現像装置K4、クリーニングユニットK5、及び転写装置K6と、シアン用の感光体ドラムC1、帯電装置C2、現像装置C4、クリーニングユニットC5、及び転写装置C6と、マゼンタ用の感光体ドラムM1、帯電装置M2、現像装置M4、クリーニングユニットM5、及び転写装置M6と、イエロー用の感光体ドラムY1、帯電装置Y2、現像装置Y4、クリーニングユニットY5、及び転写装置Y6と、光走査装置2010と、転写ベルト2080と、定着ユニット2030などを備えている。各感光体ドラムは、図21中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置2010により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト2080上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット2030により記録紙に画像が定着される。光走査装置2010は、前記光源14と同様な光源を、色毎に有している。そこで、上記光走査装置1010と同様の効果を得ることができる。また、カラープリンタ2000は、この光走査装置2010を備えているため、上記レーザプリンタ1000と同様の効果を得ることができる。ところで、カラープリンタ2000では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、点灯させる発光部を選択することで色ずれを低減することができる。