"ある特定の基板温度下における2つの誘起層分子の共堆積によって形成されることを特徴とする、非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル膜用の固溶体誘起層であって、前記固溶体誘起層薄膜は十分に均一であり、かつドメインは単結晶様構造を示し、前記誘起層分子は、下記の構造式:[式中、Arは、共役芳香族基、または下記の構造:の1つであり、式IおよびII中のR1は、水素原子Hまたはフッ素原子Fであり、R2は、水素原子Hまたはフッ素原子Fである]を有する任意の種類の分子である、固溶体誘起層。式I中のArが、下記の構造:を含むことを特徴とする、請求項1に記載の非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル膜用の固溶体誘起層。前記2つの誘起層分子が、下記のタイプ:[タイプ1、2つの分子が末端基としてフェニルを使用し、中央の共役芳香族基が異なる;タイプ2、一方の分子が末端基としてフェニルを使用し、他方の分子が末端基としてフッ素置換フェニルを使用し、中央の共役芳香族基が同じまたは異なる;タイプ3、2つの分子が末端基としてフッ素置換フェニルを使用し、中央の共役芳香族基が同じまたは異なる]のいずれかで組み合わせられていることを特徴とする、請求項1に記載の非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル膜用の固溶体誘起層。前記基板温度が150°Cから240°Cの間であることを特徴とする、請求項1または2に記載の非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル膜用の固溶体誘起層。前記共堆積が、前記誘起層の2つの分子を蒸着によって同時に堆積させることであることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル膜用の固溶体誘起層。前記蒸着が分子蒸着であり、ここで真空度は10-4から10-5Paであることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル膜用の固溶体誘起層。前記誘起層分子の共堆積の前に、窒化ケイ素層が基板上に堆積され、その厚さは200から500nmであることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル膜用の固溶体誘起層。基板上の共堆積固溶体誘起層の厚さが1から3分子層であることを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル膜用の固溶体誘起層。請求項1から7に記載の固溶体誘起層のいずれか1つの上に、非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル成長から形成され、薄膜と前記固溶体誘起層との間に配向関係があることを特徴とする、非平面フタロシアニンの薄膜。請求項8に記載の前記固溶体誘起層3の上に、非平面フタロシアニン弱エピタキシャル成長の薄膜を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタであって、前記固溶体誘起層上の非平面フタロシアニン弱エピタキシャル成長の薄膜が、前記トランジスタ中の有機半導体層2である、有機薄膜トランジスタ。従来技術の欠陥を克服するために、本発明の1つの目的は、一種の固溶体誘起層を提供することであり、該層は、下記の一般式IおよびIIの2つの誘起層分子のいずれかを用い、ある特定の基板温度において共堆積法を利用して調製される。本発明の別の目的は、前述の固溶体誘起層上での弱エピタキシャル成長から形成された非平面フタロシアニンの一種の薄膜thinfilmsofnon-planarphthalocyanineを提供することである。本発明の他の目的は、上記弱エピタキシャル成長非平面フタロシアニンで作られた一種の有機薄膜トランジスタを有機半導体層として提供することである。本発明の原理は、共蒸着法vaporco-depositionmethodによって固溶体誘起層を調製することである。2つの単一誘起層分子の共堆積は、ある特定の基板温度において、単結晶様構造を有する均質かつ大粒径の固溶体薄膜を形成する。固溶体薄膜の格子パラメータは成分割合によって制御され、その一方で、固溶体薄膜の電子構造は各単一成分の電子構造とは異なる。本発明の利点の1つは、誘起層薄膜の格子パラメータが成分割合によって制御され得るため、誘起層と非平面フタロシアニンとの間の格子一致を適切となるように制御することができ、非平面フタロシアニンの高品質薄膜を生成するのに役立つことである。別の観点では、固溶体誘起層の電子構造は成分割合によって制御され得る。誘起層と非平面フタロシアニンとの間には通常ヘテロ接合効果があるため、電子構造の変化は、非平面金属フタロシアニンと誘起層との間のヘテロ接合効果の変化につながり、非平面フタロシアニントランジスタデバイスの性能を調整するのに役立つ。本発明において固溶体誘起層薄膜を構成するために使用される分子は、中国特許InducingLayerMaterialsforWeakEpitaxialFilmsofNon-planarMetalPhthalocyanine、出願第200910200459.5号によって提供されるものであり、下記の一般式の通りに示される。一般式I中のArは、共役芳香族基、または下記の構造:の1つである。一般式IおよびII中のR1およびR2は、水素原子Hまたはフッ素原子Fである。一般式I中のArが共役芳香族基である場合、Arは、下記の構造:を含む。誘起層中の分子は、2,7-ビ4-ビフェニリル-フェナントレンBPPh、2,7-ビ4-ビフェニリル-ジベンゾチオフェンBPBTB、2,6-ビ4-ビフェニリル-ベンゾ[1,2-β:4,5-β’]ビチオフェンBPTBT、2,5-ビ4-ビフェニリル-[3,2-β]ビジチオフェンbidithiopheneBPTT、5,5’’-ビビフェニリル-2,2’:5’,2’’-テルチオフェンBP3T、5,5’’’-ビビフェニリル-2,2’:5’,2’’:5’’,2’’’-クアテルチオフェンBP4T、1,1’:4’,1’’:4’’,1’’’:4’’’,1’’’’:4’’’’,1’’’’’:4’’’’’,1’’’’’’:4’’’’’’,1’’’’’’’-オクチフェニルp8P、2,5-ビ4-1,1’:4’,1’’-テルビフェニリルterbiphenylyl-チオフラン3PT、5,5’-ビ4-1,1’:4’,1’’-テルビフェニリル-2,2’-ビチオフェン3P2T、2,5-ビ4-1,1’:4’,1’’-テルビフェニリル-[3,2-β]ビジチオフェン3PTT、2,7-ビ4-4’-フルオロビフェニリル-フェナントレンF2-BPPh、2,7-ビ4-4’-フルオロビフェニリル-ジベンゾチオフェンF2-BPBTB、2,6-ビ4-4’-フルオロビフェニリル-ベンゾ[1,2-β:4,5-β’]ビチオフェンF2-BPTBT、2,5-ビ4-4’-フルオロビフェニリル-[3,2-b]ビジチオフェンF2-BPTT、5,5’-ビ4-4’-フルオロビフェニリル-2,2’-ビチオフェンF2-BP2T、5,5’’-ビ4-4’-フルオロビフェニリル-2,2’:5’,2’’-テルチオフェンF2-BP3T、5,5’’’-ビ4-4’-フルオロビフェニリル-2,2’:5’,2’’:5’’,2’’’-クアテルチオフェンF2-BP4T、4,4’’’’’-ビ4-フルオロフェニル-1,1’:4’,1’’:4’’,1’’’:4’’’,1’’’’:4’’’’,1’’’’’-セキシフェニルF2-p8P、2,5-ビ4-4’’-フルオロ-1,1’:4’,1’’-テルビフェニリル-チオフランF2-3PT、5,5’-ビ4-4’’-フルオロ-1,1’:4’,1’’-テルビフェニリル-2,2’-ビチオフェンF2-3P2T、2,5-ビ4-4’’-フルオロ-1,1’:4’,1’’-テルビフェニリル-[3,2-β]ビジチオフェンF2-3PTT、2,7-ビ4-3’,5’-ビフルオロビフェニリルbifluorobiphenylyl-フェナントレンF4-BPPh、2,7-ビ4-3’,5’-ビフルオロビフェニリル-ジベンゾチオフェンF4-BPBTB、2,6-ビ4-3’,5’-ビフルオロビフェニリル-ベンゾ[1,2-β:4,5-β’]ビチオフェンF4-BPTBT、2,5-ビ4-3’,5’-ビフルオロビフェニリル-[3,2-β]ビジチオフェンF4-BPTT、5,5’-ビ4-3’,5’-ビフルオロビフェニリル-2,2-ビチオフェンF4-BP2T、5,5’’-ビ4-3’,5’-ビフルオロビフェニリル-2,2’:5’,2’’-テルチオフェンF4-BP3T、5,5’’’-ビ4-3’,5’-ビフルオロビフェニリル-2,2’:5’,2’’:5’’,2’’’-クアテルチオフェンF4-BP4T、4,4’’’’’-ビ3,5-ビフルオロフェニル-1,1’:4’,1’’:4’’,1’’’:4’’’,1’’’’:4’’’’,1’’’’’-オクチフェニルF4-p8P、2,5-ビ4-3’’,5’’-ジフルオロ-1,1’:4’,1’’-テルフェニリル-チオフランF4-3PT、5,5’-ビ4-3’’,5’’-ジフルオロ-1,1’:4’,1’’-テルフェニリル-2,2’-ビチオフェンF4-3P2T、2,5-ビ4-3’’,5’’-ジフルオロ-1,1’:4’,1’’-テルフェニリル-[3,2-β]ビジチオフェンF4-3PTT、5,5’’’-ジフェニル-2,2’:5’,2’’:5’’,2’’’-テトラチオフェンP4T、5,5’’’-ビ4-フルオロフェニル-2,2’:5’,2’’:5’’,2’’’-テトラチオフェンF2-P4Tおよび5,5’’’-ビ3,5-ビフルオロフェニル-2,2’:5’,2’’:5’’,2’’’-テトラチオフェンF4-P4Tである。分子は、固溶体誘起層を構成した材料の選択によって下記のタイプに分類される。タイプ1、誘起層の2つの分子における末端基、すなわち、R1としてフェニルが使用され、R2は、中央の共役芳香族基を変化させた水素原子に固定されている。例えば、BPPh:BPTT、BPPh:BP2T、BPPh:6P、BPPh:BPTBT、BPPh:BPBTB、BPPh:BP3T、BPTT:BPTBT、BPTT:3PT、BP3T:3PT、p6P:p8P、BP3T:BP4T、BPTBT:3PTT、3PTT:p8P。タイプ2、一方の誘起層中における末端基としてフェニルが使用され、他方の誘起層において末端基としてF原子を含有するフェニルが使用される、すなわち、R1またはR2はフッ素原子であり、ここで、中央の共役芳香族基は同じであっても異なっていてもよい。例えば、P4T:F2-P4T、P4T:F4-P4T、BP3T:F2-BP3T、BP3T:F4-BP3T、BPPh:F2-BPPh、BPPh:F4-BPPh、BPTT:F2-BPTT、BPTT:F4-BPTT、BP4T:F2-BP4T、BP4T:F4-BP4T、BPTBT:F2-BPTBT、BPTBT:F4-BPTBT、p8P:F2-p8P、3PT:F2-3PT、3P2T:F2-3P2T、3PTT:F2-3PTT、BPTT:F2-BPPh、BPPh:F2-BPTT。タイプ3、固溶体を形成する2つの分子中の末端基としてF原子を含有するフェニルが使用され、ここで、中央の共役芳香族基は同じであっても異なっていてもよい。例えば、F2-BPPh:F4-BPPh、F2-BPTT:F4-BPTT、F2-BP3T:F4-BP3T、F2-BPTBT:F4-BPTBT、F2-3PT:F4-3PT、F2-3PTT:F4-3PTT、F2BP3T:F2BP4T、F2-BPPh:F2-BPTT、F2-BPBTB:F2:BPTBT。固溶体誘起層を調製するために使用される分子は、本発明の前述の分子の任意の2種またはそれらの組合せであってよい。固溶体誘起層において使用される2つの誘起層分子は、本発明の任意の割合で共堆積されていてよい。本発明における共堆積は、蒸着中に2つのサンプルソースを同時に蒸発させ、これによって基板上に2種の分子を同時に堆積させることであり、薄膜の成分割合は2つのサンプルソースの蒸発速度を調整することによって制御した。以下の実施例との組合せによって本発明をさらに説明する。実験において使用するガラス基板は、市販品Corning70596であり、UScorningcompanyから購入し、浄化した後に使用する。実験において使用する非平面フタロシアニンは、市販品であり、USAldrichCompanyから購入し、昇華によって精製した後に使用する。実験において使用する誘起層材料は、昇華によって精製した後に使用する。まず、Corning7059ガラス基板6上でRFマグネトロンスパッタリングを利用してAl/Mo/Nd合金膜をメッキし、スパッタリング条件は、バックグラウンド真空が2×10-3Pa、Arの空気圧が1Pa、RFパワーが500Wおよびグリッド電極5へのフォトエッチングとし、次いで、化学蒸着法を使用して、300nmの窒化ケイ素を絶縁層4として生成する。次いで、1~3分子層の固溶体誘起層を窒化ケイ素の表面3に堆積させる。詳細な方法は、BPTTおよびBPPh等の2種の分子を2つのサンプルソースに入れ、その2つのソースの材料を蒸発させて絶縁層4上に同時に堆積させるというものであり、薄膜の成分割合は、2つのソースの蒸発速度を調整することによって制御した。堆積の過程において、真空は10-4Pa、基板温度は230°Cである。次いで、20nmの非平面フタロシアニンを誘起層上に有機半導体層2として堆積させ、圧力および基板温度は誘起層調製3中のものと同じにする。最後に、真空熱蒸発を使用し60nmのAuを堆積させてソース/ドレイン電極1を形成し、一方で、蒸発中の圧力は10-4Paとする。図1は、異なる成分割合を有する2.5nmBPTT:BPPh固溶体誘起層のAFM凹凸像であり、実験におけるすべての成分割合の中でも、該固溶体膜は、層ごとの成長、合体した隣接するドメイン、大粒径の連続的で平滑な薄膜の形成を提示し、上部半導体層のエピタキシャル成長にとって有益である。図2aは、異なる割合を有する20nmBPTT:BPPh膜の面外X線回折パターンである。該パターンは、一連の00l回折を含有し、これは薄膜が高秩序であることを意味する。その一方で、各回折ピークは、共堆積した薄膜が、単結晶様構造を有する均一組成のものであり、該膜は固溶体薄膜であることを表す単一ピークを示す。図2bは、回折ピークが成分割合に伴って絶えず変化することを表す。図3は、異なる割合の20nmBPTT:BPPh薄膜の面内X線回折パターンであり、共堆積膜はすべて単一構造を有する一連の回折ピークを示し、その薄膜構造パラメータは成分割合に伴って直線的に変動する。図4aおよび4bは、BPTT:BPPh1:2および2:1固溶体膜の制限視野電子回折パターンであり、単一ドメインは、単結晶の回折パターンと同様の回折パターンを示し、単一ドメインは、共堆積薄膜が、単一成分薄膜の構造とは異なる構造を有する固溶体膜であることをさらに示す。図5は、異なる成分割合を有する固溶体膜のHOMOエネルギーレベルであり、HOMO値は、2つの単一物質膜のHOMO値の間であり、成分割合に伴って変動する。図6は、2:1、1:1、1:2の成分割合を有するBPTT:BPPh固溶体の誘起層上でエピタキシャル成長したVOPc薄膜のAFM凹凸像である。VOPcは、層および島状に成長する。図7aは、有機半導体層としてエピタキシャルVOPc薄膜を使用するトランジスタ配置を示す。図7b、c、dは、対応するトランジスタ伝達曲線であり、薄膜が高移動度を提示することを示す。図8aは、固溶体誘起層のトランジスタ移動度と成分割合との間の関係を示し、薄膜移動度は、ほぼ1:1の比で最大値を獲得する。図8bは、閾値電圧と成分割合との間の関係である。実験方法は実施例1と同じであり、誘起層材料はP4T、F2-P4Tである。図9は、異なる成分割合を有する2.5nmP4T:F2-P4T膜のAFM凹凸像である。薄膜は、層ごとの成長モードを呈し、隣接するドメインは、大粒径の平滑な薄膜を形成する良好な合体を示す。これは、誘起層としてエピタキシー成長に適している。図10は、前述の共堆積薄膜の面内XRD回折パターンである。すべての成分割合の薄膜は、ほとんど同じ格子間隔を示す。これは、P4TおよびF2-P4Tの単位セルパラメータが非常に近似しているためである。図11は、成分割合がそれぞれ2:1、1:1、1:2である共堆積薄膜の制限視野電子回折パターンを示し、薄膜の各単一ドメインは、単結晶様回折パターンを示す。図12aは、VOPc薄膜のトランジスタ移動度と誘起層の成分割合との間の関係の図である。その移動度は、誘起層の成分割合に伴って直線的に増大する。図11は、割合に伴う閾値電圧の変化を示し、同様に、閾値電圧が誘起層の成分割合に伴って直線的に変動するという傾向を示す。実験方法は実施例1と同じであり、誘起層材料はF2-BP3T、F4-BP3Tである。図13は、2.5nm共堆積F2-BP3T:F4-BP3T薄膜成分比は1:1であるのAFM凹凸像である。図14は、前述の薄膜上でエピタキシャル成長したVOPc薄膜に基づくトランジスタのデバイス性能を示す。表1は、異なる材料から共堆積させた固溶体誘起層薄膜、および対応する固溶体誘起層上でエピタキシャル成長した非平面フタロシアニン薄膜に基づくトランジスタtransisitor性能を示す。"