"対向する第1の主面及び第2の主面と側面とを有するシリコン配線埋込ガラス基板であって、ガラスベース部と、該ガラスベース部の内部に埋設されたシリコン配線と、を備え、前記シリコン配線は、前記第1の主面に露出する第1の引出部と、前記第1の主面、前記第2の主面或いは前記側面のいずれか1つの面に露出する第2の引出部と、前記第1の引出部及び前記第2の引出部間を接続する接続部と、を備え、前記第1の引出部及び前記第2の引出部は、前記第1の主面の法線方向からみて異なる位置に配置されていることを特徴とするシリコン配線埋込ガラス基板。前記接続部は、前記第1の引出部を一端部として含む第1の貫通接続部と該第1の貫通接続部の他端に接続された内層接続部とを含む請求項1記載のシリコン配線埋込ガラス基板。前記内層接続部の一端が前記ガラスベース部の側面に露出し、その露出した一端が前記第2の引出部であることを特徴とする請求項2に記載のシリコン配線埋込ガラス基板。前記接続部は、前記第2の引出部を一端として含み他端が前記内層接続部に接続された第2の貫通接続部をさらに含み、前記第2の貫通接続部の中心軸が前記第1の貫通接続部の中心軸とは異なる直線上に位置する請求項2に記載のシリコン配線埋込ガラス基板。前記第1の貫通接続部の中心軸と前記第2の貫通接続部の中心軸とが平行である請求項4に記載のシリコン配線埋込ガラス基板。前記第1の引出部及び前記第2の引出部の少なくとも一方の露出面を覆う金属電極を更に備える請求項1~5のうちのいずれか1つに記載のシリコン配線埋込ガラス基板。ガラスベース部にシリコン配線が埋め込まれてなるシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法であって、第1のシリコン基板の一方の面に第1の凸部を形成して、該第1の凸部の周囲にガラスを埋込むことと、前記第1の凸部を残して前記第1のシリコン基板を除くことにより前記第1の凸部の一端面が露出する第1の主面を形成することと、その第1の主面に対向しかつ前記第1の凸部の他端面が露出するように第2の主面を形成することとを含み、前記第1の主面から前記第1の凸部の一端面が露出し、前記第1の凸部の他端面が前記第2の主面から露出する第1のガラス基板を作製する第1の工程と、第2のシリコン基板の一方の面に第2の凸部を峰状に形成して、該第2の凸部の周囲にガラスを埋込むことと、前記第2の凸部を残して前記第2のシリコン基板を除くことにより、前記第2の凸部の第1面が露出する第1の主面を形成することと、その第1の主面に対向しかつ前記第2の凸部の第2面が露出する第2の主面を形成することとを含み、第1の主面から前記第2の凸部の前記第1面が露出し、前記第1面に対向する第2面が前記第2の主面から露出する第2のガラス基板を作製する第2の工程と、前記第1の凸部の一端面と前記第2の凸部の第1面とが接続されるように前記第1のガラス基板の第1の主面と前記第2のガラス基板の第1の主面とを対向させ、前記第2のガラス基板の第2の主面に第3のガラス基板を対向させて前記第1~第3のガラス基板を接合する接合工程と、を含むことを特徴とするシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法。前記第1の工程は、前記第1の凸部が形成された第1のシリコン基板の一方の面にガラス基板を重ね合わせることと、当該ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記第1のシリコン基板の凸部の周囲に埋め込むことを含み、前記第2の工程は、前記第2の凸部が形成された第2のシリコン基板の一方の面にガラス基板を重ね合わせることと、当該ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記第2のシリコン基板の凸部の周囲に埋め込むことを含む、請求項7記載のシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法。前記接合工程において、前記第1の凸部を、金属膜を介して前記第2の凸部に接触させることを特徴とする請求項7又は8に記載のシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法。前記接合工程の前に、第3のシリコン基板の一方の面に第3の凸部を形成して、該第3の凸部の周囲にガラスを埋込むことと、前記第3の凸部を残して前記第3のシリコン基板を除くことにより前記第3の凸部の一端面が露出する第1の主面を形成することと、その第1の主面に対向しかつ前記第3の凸部の他端面が露出するように第2の主面を形成することとを含み、前記第1の主面から前記第3の凸部の一端面が露出し、前記第3の凸部の他端面が前記第2の主面から露出するように前記第3のガラス基板を作製する第3の工程を更に有し、前記接合工程において、前記第3の凸部の一端面と前記第2の凸部の第2面とが接続されるように前記第2のガラス基板の第2の主面と前記第3のガラス基板の第1の主面とを対向させて前記第2のガラス基板と第3のガラス基板とを接合する請求項7記載のシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法。前記第1の工程は、前記第1の凸部が形成された第1のシリコン基板の一方の面にガラス基板を重ね合わせることと、当該ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記第1のシリコン基板の凸部の周囲に埋め込むことを含み、前記第2の工程は、前記第2の凸部が形成された第2のシリコン基板の一方の面にガラス基板を重ね合わせることと、当該ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記第2のシリコン基板の凸部の周囲に埋め込むことを含み、前記第3の工程は、前記第3の凸部が形成された第3のシリコン基板の一方の面にガラス基板を重ね合わせることと、当該ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記第3のシリコン基板の凸部の周囲に埋め込むことを含む、請求項10記載のシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法。前記接合工程において、前記第1の凸部及び前記第3の凸部を、金属膜を介して前記第2の凸部にそれぞれ接触させることを特徴とする請求項10又は11に記載のシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法。前記第1の凸部の一端と他端は、前記第1のガラス基板の第1の主面の法線方向から見て同じ位置に配置され、前記第2の凸部の第1面と第2面は、前記第2のガラス基板の第1の主面の法線方向から見て同じ位置に配置され、前記第3の凸部の一端と他端は、前記第3のガラス基板の第1の主面の法線方向から見て同じ位置に配置されていることを特徴とする請求項10~12のいずれか一項に記載のシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法。しかし、特許文献1に記載されたフラット基板の製造方法において、フラット基板の表裏面に露出するチャンネルの位置は、フラット基板の表裏面の法線方向から見て同じである。したがって、特許文献1のチャンネルでは、入出力電圧を任意の箇所に引き出すことができず、入出力電圧の引き出し位置はマイクロメカニカルスイッチの電極の位置に応じて決まってしまう。よって、パッケージの設計自由度が下がり、デバイスの小型化を妨げてしまう。本発明は、上記問題点に鑑みて成されたものであり、その目的は、シリコン配線の引き出し箇所を任意に設定できるシリコン配線埋込ガラス基板及びその製造方法を提供することである。以上の目的を達成するために、本発明に係るシリコン配線埋込ガラス基板は、対向する第1の主面及び第2の主面と側面とを有するシリコン配線埋込ガラス基板であって、ガラスベース部と、該ガラスベース部の内部に埋設されたシリコン配線と、を備え、前記シリコン配線は、前記第1の主面に露出する第1の引出部と、前記第1の主面、前記第2の主面或いは前記側面のいずれか1つの面に露出する第2の引出部と、前記第1の引出部及び前記第2の引出部間を接続する接続部と、を備え、前記第1の引出部及び前記第2の引出部は、前記第1の主面の法線方向からみて異なる位置に配置されていることを特徴とする。ここで、第1の引出部及び前記第2の引出部は、前記第1の主面の法線方向からみて異なる位置に配置されているには、第1の引出部の面方向と第2の引出部の面方向が異なることの他、第1の引出部の中心軸と第2の引出部の中心軸とが一直線上にないことを含む。本発明のある態様では、前記シリコン配線埋込ガラス基板において、前記接続部は、前記第1の引出部を一端部として含む第1の貫通接続部と該第1の貫通接続部の他端に接続された内層接続部とを含む。本発明のある態様では、前記シリコン配線埋込ガラス基板において、前記内層接続部の一端が前記ガラスベース部の側面に露出し、その露出した一端が前記第2の引出部である。本発明のある態様では、前記シリコン配線埋込ガラス基板において、前記接続部は、前記第2の引出部を一端として含み他端が前記内層接続部に接続された第2の貫通接続部をさらに含み、前記第2の貫通接続部の中心軸が前記第1の貫通接続部の中心軸とは異なる直線上に位置する。本発明のある態様では、前記シリコン配線埋込ガラス基板は、前記第1の貫通接続部の中心軸と前記第2の貫通接続部の中心軸とが平行である。本発明のある態様では、前記シリコン配線埋込ガラス基板は、前記第1の引出部及び前記第2の引出部の少なくとも一方の露出面を覆う金属電極を更に備える。本発明に係るシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法は、ガラスベース部にシリコン配線が埋め込まれてなるシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法であって、第1のシリコン基板の一方の面に第1の凸部を形成して、該第1の凸部の周囲にガラスを埋込むことと、前記第1の凸部を残して前記第1のシリコン基板を除くことにより前記第1の凸部の一端面が露出する第1の主面を形成することと、その第1の主面に対向しかつ前記第1の凸部の他端面が露出するように第2の主面を形成することとを含み、前記第1の主面から前記第1の凸部の一端面が露出し、前記第1の凸部の他端面が前記第2の主面から露出する第1のガラス基板を作製する第1の工程と、第2のシリコン基板の一方の面に第2の凸部を峰状に形成して、該第2の凸部の周囲にガラスを埋込むことと、前記第2の凸部を残して前記第2のシリコン基板を除くことにより、前記第2の凸部の第1面が露出する第1の主面を形成することと、その第1の主面に対向しかつ前記第2の凸部の第2面が露出する第2の主面を形成することとを含み、第1の主面から前記第2の凸部の前記第1面が露出し、前記第1面に対向する第2面が前記第2の主面から露出する第2のガラス基板を作製する第2の工程と、前記第1の凸部の一端面と前記第2の凸部の第1面とが接続されるように前記第1のガラス基板の第1の主面と前記第2のガラス基板の第1の主面とを対向させ、前記第2のガラス基板の第2の主面に第3のガラス基板を対向させて前記第1~第3のガラス基板を接合する接合工程と、を含むことを特徴とする。本発明のある態様では、前記シリコン配線埋込ガラス基板の製造方法において、前記第1の工程は、前記第1の凸部が形成された第1のシリコン基板の一方の面にガラス基板を重ね合わせることと、当該ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記第1のシリコン基板の凸部の周囲に埋め込むことを含み、前記第2の工程は、前記第2の凸部が形成された第2のシリコン基板の一方の面にガラス基板を重ね合わせることと、当該ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記第2のシリコン基板の凸部の周囲に埋め込むことを含む。本発明のある態様では、前記シリコン配線埋込ガラス基板の製造方法は、前記接合工程において、前記第1の凸部を、金属膜を介して前記第2の凸部に接触させる。本発明のある態様では、前記シリコン配線埋込ガラス基板の製造方法において、前記接合工程の前に、第3のシリコン基板の一方の面に第3の凸部を形成して、該第3の凸部の周囲にガラスを埋込むことと、前記第3の凸部を残して前記第3のシリコン基板を除くことにより前記第3の凸部の一端面が露出する第1の主面を形成することと、その第1の主面に対向しかつ前記第3の凸部の他端面が露出するように第2の主面を形成することとを含み、前記第1の主面から前記第3の凸部の一端面が露出し、前記第3の凸部の他端面が前記第2の主面から露出するように前記第3のガラス基板を作製する第3の工程を更に有し、前記接合工程において、前記第3の凸部の一端面と前記第2の凸部の第2面とが接続されるように前記第2のガラス基板の第2の主面と前記第3のガラス基板の第1の主面とを対向させて前記第2のガラス基板と第3のガラス基板とを接合する。本発明のある態様では、前記シリコン配線埋込ガラス基板の製造方法において、前記第1の工程は、前記第1の凸部が形成された第1のシリコン基板の一方の面にガラス基板を重ね合わせることと、当該ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記第1のシリコン基板の凸部の周囲に埋め込むことを含み、前記第2の工程は、前記第2の凸部が形成された第2のシリコン基板の一方の面にガラス基板を重ね合わせることと、当該ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記第2のシリコン基板の凸部の周囲に埋め込むことを含み、前記第3の工程は、前記第3の凸部が形成された第3のシリコン基板の一方の面にガラス基板を重ね合わせることと、当該ガラス基板に熱を加えて軟化させて、当該ガラス基板の一部を前記第3のシリコン基板の凸部の周囲に埋め込むことを含む。本発明のある態様では、前記シリコン配線埋込ガラス基板の製造方法は、前記接合工程において、前記第1の凸部及び前記第3の凸部を、金属膜を介して前記第2の凸部にそれぞれ接触させる。本発明のある態様では、前記シリコン配線埋込ガラス基板の製造方法において、前記第1の凸部の一端と他端は、前記第1のガラス基板の第1の主面の法線方向から見て同じ位置に配置され、前記第2の凸部の第1面と第2面は、前記第2のガラス基板の第1の主面の法線方向から見て同じ位置に配置され、前記第3の凸部の一端と他端は、前記第3のガラス基板の第1の主面の法線方向から見て同じ位置に配置されている。本発明のシリコン配線埋込ガラス基板及びその製造方法によれば、シリコン配線の引き出し箇所を任意に設定することができる。以下図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付している。第1の実施の形態図1a及び図1bを参照して、本発明の第1の実施の形態に係わる半導体装置の概略構成を説明する。半導体装置は、MEMSデバイスの一例としての加速度センサチップAと、加速度センサチップAから出力された信号を処理する信号処理回路が形成された制御ICチップBと、加速度センサチップA及び制御ICチップBが収納された表面実装型のパッケージ101とを備える。パッケージ101は、図1bにおける上面に位置する一面が開放された箱形の形状を有するプラスチックパッケージ本体102と、パッケージ101の開放された一面を閉塞するパッケージ蓋リッド103とを備える。プラスチックパッケージ本体102は、加速度センサチップA及び制御ICチップBに電気的に接続される複数のリード112を備える。各リード112は、プラスチックパッケージ本体102の外側面から導出されたアウタリード112bと、プラスチックパッケージ本体102の内側面から導出されたインナリード112aとを備える。各インナリード112aは、ボンディングワイヤWを通じて、制御ICチップBが備える各パッドに電気的に接続されている。加速度センサチップAは、加速度センサチップAの外周形状に基づいて規定した仮想三角形の3つの頂点に対応する3箇所に配置された接着部104により、プラスチックパッケージ本体102の底部に位置する搭載面102aに固着されている。接着部104は、プラスチックパッケージ本体102に連続して一体に突設されている円錐台状の突起部と、この突起部を被覆する接着剤とからなる。接着剤は、例えば、弾性率が1MPa以下のシリコーン樹脂などのシリコーン系樹脂からなる。ここで、加速度センサチップAが備える総てのパッドは、プラスチックパッケージ本体102の開放された一面に垂直な加速度センサチップAの側面のうち、制御ICチップBに対向する一側面において、この一側面の1辺に沿って配置されている。この1辺の両端の2箇所と、当該一側面に対向する加速度センサチップAの側面の1箇所例えば、中央部との3箇所とに頂点を有する仮想三角形の各頂点に接着部104が位置している。制御ICチップBは、単結晶シリコン等から成る半導体基板上に形成された複数の半導体素子、これらを接続する配線、及び半導体素子や配線を外部環境から保護するパッシベーション膜からなる半導体チップである。そして、制御ICチップBの裏面全体がシリコーン系樹脂によりプラスチックパッケージ本体102の底面に固着されている。制御ICチップB上に形成される信号処理回路は、加速度センサチップAの機能に応じて適宜設計すればよく、加速度センサチップAと協働するものであればよい。例えば、制御ICチップBをASICApplicationSpecificICとして形成することができる。図1の半導体装置を製造するには、先ず、加速度センサチップA及び制御ICチップBをプラスチックパッケージ本体102に固着するダイボンディング工程を行う。そして、加速度センサチップAと制御ICチップBとの間、制御ICチップBとインナリード112aとの間を、それぞれボンディングワイヤWを介して電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。その後、樹脂被覆部116を形成する樹脂被覆部形成工程を行い、続いて、パッケージ蓋リッド103の外周を、プラスチックパッケージ本体102に接合するシーリング工程を行う。これにより、プラスチックパッケージ本体102の内部は気密状態で封止される。なお、パッケージ蓋103の適宜部位には、レーザマーキング技術により、製品名称や製造日時などを示す表記113が形成されている。なお、制御ICチップBが1枚のシリコン基板を用いて形成されているのに対して、加速度センサチップAは、積層された複数の基板を用いて形成されている。よって、加速度センサチップAの厚みが制御ICチップBの厚みに比べて厚くなっているので、プラスチックパッケージ本体102の底部において加速度センサチップAを搭載する搭載面102aを制御ICチップBの搭載部位よりも凹ませてある。したがって、プラスチックパッケージ本体102の底面について、加速度センサチップAを搭載する部位の厚みは他の部位に比べて薄くなっている。更に、本発明の第1の実施の形態では、プラスチックパッケージ本体102の外形を直方体としてあるが、これは一例であり、加速度センサチップAや制御ICチップBの外形、リード112の本数やピッチなどに応じて適宜設定すればよい。プラスチックパッケージ本体102の材料としては、熱可塑性樹脂の一種であって、酸素および水蒸気の透過率が極めて低い液晶性ポリエステルLCPを採用する。しかし、LCPに限らず、例えば、ポリフェニレンサルファイトPPS、ポリビスアミドトリアゾールPBTなどを採用してもよい。また、各リード112の材料、つまり、各リード112の基礎となるリードフレームの材料としては、銅合金の中でもばね性の高いりん青銅を採用する。ここでは、リードフレームとして、材質がりん青銅で板厚が0.2mmのリードフレームを用い、厚みが2μm~4μmのNi膜と、厚みが0.2μm~0.3μmのAu膜との積層膜からなるめっき膜を電解めっき法により形成してある。これにより、ワイヤーボンディングの接合信頼性と半田付け信頼性とを両立させることができる。また、熱可塑性樹脂成形品のプラスパッケージ本体102は、リード112が同時一体に成形されている。しかし、熱可塑性樹脂であるLCPにより形成されるプラスチックパッケージ本体102とリード112のAu膜とは密着性が低い。したがって、上述のリードフレームのうちプラスチックパッケージ本体102に埋設される部位にパンチ穴を設けることで各リード112が抜け落ちるのを防止する。また、図1の半導体装置は、インナリード112aの露出部位およびその周囲を覆う樹脂被覆部116が設けられている。樹脂被覆部116は、例えば、アミン系エポキシ樹脂などのエポキシ系樹脂などの非透湿性の樹脂からなる。ワイヤーボンディング工程の後に、ディスペンサを用いてこの非透湿性の樹脂を塗布し、これを硬化させることで、気密性を向上させている。なお、この非透湿性の樹脂に代えてセラミックスを用いてもよく、セラミックスを用いる場合には、プラズマ溶射などの技術を用いて局所的に吹き付ければよい。また、ボンディングワイヤWとしては、Alワイヤに比べて耐腐食性の高いAuワイヤを用いる。また、直径が25μmのAuワイヤを採用するが、これに限らず、例えば、直径が20μm~50μmのAuワイヤから適宜選択すればよい。図2を参照して、図1の加速度センサチップAの概略構成を説明する。加速度センサチップAは、静電容量型の加速度センサチップであって、SOISiliconOnInsulator基板10を用いて形成されたセンサ本体1と、ガラス基板20を用いて形成された第1の固定基板2と、ガラス基板30を用いて形成された第2の固定基板3とを備えている。第1の固定基板2は、センサ本体1の一表面側図2における上面側に固着され、第2の固定基板3は、センサ本体1の他表面側図2における下面側に固着される。第1及び第2の固定基板2、3はセンサ本体1と同じ外形寸法に形成されている。なお、図2は、センサ本体1、第1の固定基板2及び第2の固定基板3のそれぞれの構成を示すべく、センサ本体1、第1の固定基板2及び第2の固定基板3が分離した状態を示している。また、センサ本体1は、SOI基板10に限らず、例えば、絶縁層を備えない通常のシリコン基板を用いて形成してもよい。また、第1及び第2の固定基板2、3は、それぞれ、シリコン基板及びガラス基板のどちらで形成してもかまわない。センサ本体1は、2つの平面視矩形状の開口窓12が上記一表面に沿って並設するフレーム部11と、フレーム部11の各開口窓12の内側に配置された2つの平面視矩形状の重り部13と、フレーム部11と重り部13との間を連結する各一対の支持ばね部14とを備える。2つの平面視矩形状の重り部13は、第1及び第2の固定基板2、3からそれぞれ離間して配置されている。第1の固定基板2に対向する各重り部13の主面上に可動電極15A、15Bがそれぞれ配置されている。重り部13の周囲を囲むフレーム部11の外周全体が第1及び第2の固定基板2、3に接合されている。これにより、フレーム部11と第1及び第2の固定基板2、3は、重り部13及び後述する固定子16を収納するチップサイズパッケージを構成している。一対の支持ばね部14は、フレーム部11の各開口窓12の内側で重り部13の重心を通る直線に沿って重り部13を挟む形で配置されている。各支持ばね部14は、ねじれ変形が可能なトーションばねトーションバーであって、フレーム部11及び重り部13に比べて薄肉に形成されており、重り部13は、フレーム部11に対して一対の支持ばね部14の回りで変位可能となっている。センサ本体1のフレーム部11には、各開口窓12それぞれに連通する平面視矩形状の窓孔17が2つの開口窓12と同じ方向に並設されている。各窓孔17の内側には、それぞれ2つの固定子16が一対の支持ばね部14の並設方向に沿って配置されている。各固定子16と窓孔17の内周面との間、各固定子16と重り部13の外周面との間、及び隣り合う固定子16同士の間には、それぞれ隙間が形成され、互いに分離独立して電気的に絶縁されている。各固定子16は、第1及び第2の固定基板2、3にそれぞれ接合されている。また、センサ本体1の一表面側において、各固定子16には、例えば、Al-Si膜などの金属薄膜からなる円形状の電極パッド18が形成されている。また同様に、フレーム部11において隣り合う窓孔17の間の部位にも、例えば、Al-Si膜などの金属薄膜からなる円形状の電極パッド18が形成されている。各固定子16に形成された各電極パッド18は、後述の各固定電極25に電気的にそれぞれ接続され、フレーム部11に形成された電極パッド18は、可動電極15A及び可動電極15Bに電気的に接続されている。以上説明した複数の電極パッド18は、加速度センサチップAの矩形状の外周形状の1辺に沿って配置されている。第1の固定基板2は、ガラス基板20の一表面センサ本体1に重なり合う面とガラス基板20の側面との間を貫通する複数の配線28と、ガラス基板20の一表面上に形成された複数の固定電極25とを備える。固定電極25Aa及び固定電極25Abは、対を成して可動電極15Aに対向して配置されている。同様に、固定電極25Ba及び固定電極25Bbは、対を成して可動電極15Bに対向して配置されている。各固定電極25は、例えば、Al-Si膜などの金属薄膜からなる。各配線28の一端は、ガラス基板20の一表面において、センサ本体1の電極パッド18にそれぞれ電気的に接続されている。各配線28の他端は、ガラス基板20の側面に表出している。これにより、電極パッド18を介して、各固定電極25の電位及び可動電極15の電位をそれぞれ加速度センサチップAの外部側面へ取り出すことができる。各配線28の他端には金属電極29がそれぞれ接続されている。図1のボンディングワイヤWは、金属電極29に接続されている。第2の固定基板3の一表面センサ本体1に重なり合う面であって、重り部13と対応する位置に、例えば、Al-Si膜などの金属薄膜からなる付着防止膜35が配置されている。付着防止膜35は、変位する重り部13の付着を防止する。図3を参照して、図2の加速度センサチップAの断面構成を説明する。図3は、一対の支持ばね部14を通る直線に垂直な切断面における加速度センサチップAの構成を示す。センサ本体1はSOI基板10を用いて形成されている。SOI基板10は、単結晶シリコンからなる支持基板10aと、支持基板10aの上に配置されたシリコン酸化膜からなる絶縁層10bと、絶縁層10bの上に配置されたn形のシリコン層活性層10cとを有する。センサ本体1のうち、フレーム11及び固定子16は、第1の固定基板2及び第2の固定基板3に接合されている。これに対して、重り部13は、第1及び第2の固定基板2、3からそれぞれ離間して配置され、一対の支持ばね部14によりフレーム11に支持されている。重り部13の過度の変位を規制する複数の微小な突起部13cが、重り部13における第1及び第2の固定基板2、3のそれぞれとの対向面から突設されている。重り部13には、矩形状に開口された凹部13a、13bが形成されている。凹部13a、13bは互いに大きさが異なるため、一対の支持ばね部14を通る直線を境にして、重り部13の左右の質量が異なっている。第1の固定基板2の配線28の一端は、電極パッド18に電気的に接続されている。電極パッド18は、固定子16、連絡用導体部16d、金属配線26を通じて、固定電極25に接続されている。配線28は、ガラス基板20の一表面に平行な方向に延伸され、配線28の他端は、ガラス基板20の側面に表出する。ガラス基板20の側面のうち配線28の他端が位置する領域には金属電極29が形成されている。上述の加速度センサチップAは、センサ本体1に設けられた可動電極15と第1の固定基板2に設けられた固定電極25との対を4対有し、可動電極15と固定電極25との対ごとに可変容量コンデンサが構成されている。加速度センサチップA、すなわち重り部13に加速度が加わると、支持ばね部14がねじれて、重り部13が変位する。これにより、対をなす固定電極25と可動電極15との対向面積及び間隔が変化し、可変容量コンデンサの静電容量が変化する。よって、加速度センサチップAは、この静電容量の変化から加速度を検出することができる。次に、図4aを参照して、図2及び図3に示した第1の固定基板2の形成に用いられるガラス基板20の一例としてのシリコン配線埋込ガラス基板の構成を説明する。シリコン配線埋込ガラス基板は、ガラス基板61と、ガラス基板61の内部に配置されたシリコン配線62とを備える。ガラス基板61は、対向する第1の主面SF1及び第2の主面SF2と、この第1の主面SF1及び第2の主面SF2の外周に接続された側面SF3とで規定される。シリコン配線62は、ガラス基板61の第1の主面SF1に露出する第1の引出部62aと、ガラス基板61の第1の主面SF1、第2の主面SF2或いは側面SF3のいずれか1つの面に露出する第2の引出部62bと、第1の引出部62a及び第2の引出部62bに接続された接続部62cとを備える。第1の実施の形態では、第2の引出部62bが、ガラス基板61の側面SF3に露出している場合を示す。尚、本明細書において、接続部62cにおいて、第1のシリコン配線埋込ガラス基板201に形成された部分を貫通接続部といい、第2のシリコン配線埋込ガラス基板202に形成された部分を内層接続部ともいう。第1の引出部62a及び第2の引出部62bは、第1の主面SF1の法線方向から見て異なる位置に配置されている。シリコン配線埋込ガラス基板は、第1の引出部62a及び第2の引出部62bの露出面をそれぞれ覆う金属電極63a、63bと、接続部62cの途中に配置された金属電極63cとを更に備える。このように、シリコン配線埋込ガラス基板は、ガラス基板61にシリコン配線62が埋め込まれたものである。そして、シリコン配線62の一端は、ガラス基板61の第1の主面SF1に表出し、シリコン配線62の他端は、ガラス基板61の側面SF3に表出している。よって、図4aのシリコン配線62を図2及び図3に示した配線28に当てはめ、図4aのガラス基板61を図2及び図3に示したガラス基板20に当てはめる。そして、図4aの金属電極63bを図2及び図3に示した金属電極29に当てはめる。これにより、図2及び図3に示した第1の固定基板2の形成に用いられるガラス基板20に、図4aに示したシリコン配線埋込ガラス基板を適用することができる。この場合、図4aのシリコン配線62は、図2及び図3に示したセンサ本体1に入力される電気信号及びセンサ本体1から出力される電気信号を伝達する。図4bを参照して、図4aに示したシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法を説明する。イ先ず、単結晶シリコンから成る第1の凸部52aの周囲に第1のガラス基板54aを埋込み、第1のガラス基板54aの対向する表裏面に第1の凸部52aの両端部をそれぞれ露出させる。これにより、第1のシリコン配線埋込ガラス基板201を形成する第1の工程。その後、第1のガラス基板54aの表裏面のうち、第1の凸部52aの両端部が露出した部分に、フォトリソグラフィ方法、及びメッキ処理、スパッタリング、或いは化学的気相成長法CVD等の成膜方法により、銅やアルミニウムからなる金属電極63aを形成する。なお、第1のシリコン配線埋込ガラス基板201及び後述する第2のシリコン配線埋込ガラス基板202を製造する詳細な工程は、図6を参照して、後述する。ロそして、単結晶シリコンから成る第2の凸部52bの周囲に第2のガラス基板54bを埋込み、第2のガラス基板54bの対向する表裏面の一方の面及び側面に第2の凸部52bの両端部をそれぞれ露出させる。これにより、第2のシリコン配線埋込ガラス基板202を形成する第2の工程。その後、第2のガラス基板54bの側面のうち、第2の凸部52bの端部が露出した部分に、金属電極63bを形成する。ハ平板状の第3のガラス基板54cをそのまま、第3のシリコン配線埋込ガラス基板203として、用意する。第1の実施の形態において、第3のシリコン配線埋込ガラス基板203は、ガラス基板54cのみから成り、シリコンからなる凸部を有していない。ニ図4bに示すように、第2のシリコン配線埋込ガラス基板202の表裏面を、第1のシリコン配線埋込ガラス基板201及び第3のシリコン配線埋込ガラス基板203で挟む第4の工程。そして、金属電極63cを介して第1の凸部52aを第2の凸部52bに接触させる第5の工程。その後、第1乃至第3のシリコン配線埋込ガラス基板201~203を、溶融接合、陽極接合、表面活性化結合、或いは樹脂接着などの方法により接合する第6の工程。第1~第6の工程を実施することにより、図4aに示したシリコン配線埋込ガラス基板を製造することができる。以上の製造方法では、金属電極63cを介して第1の凸部52aを第2の凸部52bに接触させるようにした。このようにすると、第1の凸部52aと第2の凸部52bとを接合する際に、第1の凸部52aと第2の凸部52b間の酸化膜の形成を容易に防止することができる。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、図5に示すように、金属電極63cを形成することなく、第1の凸部52aと第2の凸部52b間の酸化膜の形成を防止しながら、第1の凸部52aを第2の凸部52bに接触させるようにしてもよい。図6a~図6eを参照して、第1のシリコン配線埋込ガラス基板201及び第2のシリコン配線埋込ガラス基板202の製造方法の一例を説明する。い先ず、図6bに示すように、単結晶シリコンから成る平板状のシリコン基板51を用意し、その主面図6における上面に凸部52を形成する第1段階。なお、シリコン基板51の全体には、p型或いはn型の不純物が添加され、シリコン基板51の電気抵抗は十分に小さい。ここでは、シリコン基板51の全体に不純物を添加する場合を説明するが、シリコン基板51全体に添加されていなくても構わない。少なくとも、シリコン配線62として残す部分の深さまで不純物が添加されていればよい。具体的には、先ず、図6aに示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、シリコン基板51の主面のうち、凸部52に対応する領域にレジスト膜55を選択的に形成する。そして、レジスト膜55をエッチングマスクとして用いて、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液をエッチャントとするウェットエッチングや反応性イオンエッチングRIEなどのドライエッチングを行う。これにより、シリコン基板51の主面のうち、レジスト膜55が形成されていない領域を選択的に除去して、シリコン基板51の主面に凸部52を形成することができる。ろ図6cに示すように、対向する第1の主面図6における下面及び第2の主面図6における上面を有するガラス基板54を用意する。そして、シリコン基板52の主面にガラス基板54の第1の主面を重ね合わせる第2段階。なお、重ね合わせたシリコン基板51の凸部52の頂上面とガラス基板54の第1の主面とを、陽極接合、表面活性化結合、樹脂接着などの方法により接合してもよい。は図6dに示すように、ガラス基板54に熱を加えて軟化させて、ガラス基板54の一部をシリコン基板51の凸部52の周囲に埋め込む第3段階。具体的には、平坦な板状の加熱加圧治具でガラス基板54とシリコン基板51を挟み、ガラス基板54をその屈伏点よりも高く且つシリコンの融点よりも低い温度まで加熱して軟化させる。そして、加熱加圧治具を用いて、ガラス基板54とシリコン基板51をプレスする。プレス処理及びガラスの自重によって、軟化したガラス基板54の一部は、シリコン基板51の凸部52の周囲に埋め込まれる。なお、ガラス基板54とシリコン基板51の配置を入れ替えた場合、ガラスの自重の代りに、シリコン基板51の自重となる。にその後、ガラス基板54を冷却する第4段階。そして、ガラス基板54のうち、シリコン基板51の凸部52の周囲に埋め込まれた部分を残し、他の部分を除去する第5段階。具体的には、ダイヤモンド砥石を用いた研削、化学機械研磨CMP等の研磨、或いはRIEなどのドライエッチングやHFによるウェットエッチングなどの方法を用いて、ガラス基板54の第2の主面を均一に削り取る。第2の主面を均一に削り取る処理を、図6eに示すように、少なくともガラス基板54の第2の主面に凸部52の頂上面が表出するまで、実施する。これにより、ガラス基板54の第2の主面に凸部52の頂上面が露出する。この第5段階で、例えば、化学機械研磨CMPを採用する場合には、次のような工程も有効である。先ず、単結晶シリコンからなる凸部52を形成する際に、レジスト55に代えて凸部52の頂上部に金属膜を形成する。つぎに、その金属膜よりもシリコン基板に対するエッチング速度が速い異方性のエッチング方法を用いて、シリコン基板51の第1の主面SF1を選択的に除去することにより凸部52を形成する。その後、上述の第2段階~第4段階を経てガラス基板55を冷却した後、ガラス基板54のうち、シリコン基板51の凸部52の周囲に埋め込まれた部分を残し、他の部分を以下のようにして除去する第5段階。先ず、ガラス基板54の第4の主面SF4に対して、ダイヤモンド砥石を用いた研削を実施する。この研削は、ガラス基板54の凸部52上の金属膜レジスト55の代わりに形成したものが露出する前に終了する。その後、ガラス基板54の第4の主面SF4に対して、化学機械研磨CMPを実施する。CMPは、ガラス基板54の第4の主面SF4に金属膜が露出するまで、実施する。これにより、凸部52の頂上面金属膜が露出したガラス基板54の第4の主面SF4を、鏡面に仕上げることができる。なお、CMPは、研磨剤或いは研磨液による化学的作用を伴う機械的研磨の一例である。この凸部52の上に残した金属膜が図4bに示した金属電極63cに相当する。ほシリコン基板51のうち、凸部52を残し、他の部分を除去する第6段階。具体的には、研削、研磨、ドライエッチングやウェットエッチングなどの方法を用いて、シリコン基板51の凸部52を形成した主面に対向する裏面図6における下面を均一に削り取る。シリコン基板51の裏面を均一に削り取る処理を、図6eに示すように、少なくともシリコン基板51の裏面にガラス基板54が表出するまで、実施する。これにより、ガラス基板54の第1の主面及び第2の主面に凸部52の両端部が露出する。なお、軟化したガラス基板54の一部をシリコン基板51の凸部52の周囲に埋め込むために、ガラスの自重による力で十分である場合、第3段階におけるプレス処理を行わなくてもよい。例えば、ガラス基板54の温度を高くすることにより、ガラス基板54の粘性が低下する。この場合、プレス処理を省略しても、ガラスの自重により凸部52の周囲に軟化したガラス基板54の一部を埋め込むことができる。以上説明したように、本発明の第1の実施の形態によれば、以下の作用効果が得られる。図4aに示したように、第1の引出部62a及び第2の引出部62bは、第1の主面SF1の法線方向から見て異なる位置に配置されている。このため、ガラス基板61の内部に、ガラス基板61の表面のうち任意の複数箇所の間の導通を取る、3次元方向に延伸されたシリコン配線62を配置することができる。よって、シリコン配線62の引き出し箇所62a、62bを任意に設定することができる。第2の引出部62bがガラス基板61の側面SF3に露出している。よって、図2及び図3に示した第1の固定基板2の形成に用いられるガラス基板20に、図4aに示したシリコン配線埋込ガラス基板を適用した場合、加速度センサチップAに入出力される電気信号を加速度センサチップAの側面から引き出すことが出来る。したがって、図1の半導体装置における第1の主面の法線方向の小型化に貢献する。また、ボンディングワイヤWの引回しが容易になり、パッケージ設計の自由度が向上する。金属電極63a、63bが、第1の引出部62a及び第2の引出部62bの露出面を覆っている。よって、図2及び図3に示したガラス基板20に、図4aに示したシリコン配線埋込ガラス基板を適用した場合、第1の引出部62a及び第2の引出部62bへのワイヤーボンディングやはんだ付けが容易になる。図4bの第5の工程において、第1の凸部52aを、金属膜63cを介して第2の凸部52bに接触させることにより、シリコン部材同士52a、52bの電気的な接続抵抗を金属膜63cが低減することができる。図12は、ブラスト加工によりガラス基板20に形成された穴88から表出した電極パッド18に対して直接、ボンディングワイヤWを接続した従来例を示す断面図である。第1の実施の形態によれば、図12の従来例に比べて、容易にワイヤーボンディングやはんだ付けを行うことができる。また、図1の半導体装置を、第1の主面SF1の法線に垂直な方向に小型化することができる。第2の実施の形態図4aでは、第1の引出部62a及び第2の引出部62bが、それぞれガラス基板61の第1の主面SF1及び側面SF3に露出している場合を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図10aに示すように、第1の引出部72a及び第2の引出部72bが、それぞれガラス基板71の第1の主面SF1及び第2の主面SF2に露出していてもよい。図7a及び図7bを参照して、本発明の第2の実施の形態に係わる半導体装置の概略構成を、図1a及び図1bの半導体装置との対比において説明する。加速度センサチップAが備える総てのパッドは、プラスチックパッケージ本体102の開放された一面に対向する加速度センサチップAの主面において、この主面の1辺に沿って配置されている。図8を参照して、図7の加速度センサチップAの概略構成を、図2の加速度センサチップAとの対比において説明する。第1の固定基板2は、ガラス基板20の第1の主面とこれに対向する第2の主面センサ本体1に重なり合う面との間を貫通する複数の配線38を備える。各配線38の一端は、ガラス基板20の第2の主面に表出し、ガラス基板20の第2の主面において、センサ本体1の電極パッド18にそれぞれ電気的に接続されている。各配線38の他端は、ガラス基板20の第1の主面に表出している。これにより、電極パッド18を介して、各固定電極25の電位及び可動電極15の電位をそれぞれ加速度センサチップAの外部へ取り出すことができる。各配線38の他端には金属電極39がそれぞれ接続されている。図1のボンディングワイヤWは、金属電極39に接続されている。各配線38の一端と他端は、ガラス基板20の第2の主面の法線方向から見て、異なる位置に配置されている。図9を参照して、図7の加速度センサチップAの断面構成を、図3の加速度センサチップAとの対比において説明する。図9は、一対の支持ばね部14を通る直線に垂直な切断面における加速度センサチップAの構成を示す。第1の固定基板2の配線38の一端は、電極パッド18に電気的に接続されている。電極パッド18は、固定子16、連絡用導体部16d、金属配線26を通じて、固定電極25に接続されている。配線38は、ガラス基板20の第1の主面に平行な方向に延伸され、配線38の他端は、ガラス基板20の第1の主面に表出している。ガラス基板20の第1の主面のうち配線38の他端が位置する領域には金属電極39が形成されている。以上の相違点を除き、図7a及び図7bの半導体装置の構成、図8及び図9の加速度センサチップAの構成は、図1a及び図1bの半導体装置、図2及び図3の加速度センサチップAと同じである。次に、図10aを参照して、図8及び図9に示した第1の固定基板2の形成に用いられるガラス基板20の一例としてのシリコン配線埋込ガラス基板の構成を説明する。シリコン配線埋込ガラス基板は、対向する第1の主面SF1及び第2の主面SF2と、この第1の主面SF1及び第2の主面SF2の外周に接続された側面SF3とで規定されるガラス基板71と、ガラス基板71の内部に配置されたシリコン配線72とを備える。シリコン配線72は、ガラス基板71の第1の主面SF1に露出する第1の引出部72aと、ガラス基板71の第1の主面SF1、第2の主面SF2或いは側面SF3のいずれか1つの面に露出する第2の引出部72bと、第1の引出部72a及び第2の引出部72bに接続された接続部72cとを備える。第2の実施の形態では、第2の引出部72bが、ガラス基板71の第2の主面SF2に露出している場合を示す。尚、本明細書において、接続部72cにおいて、第1のシリコン配線埋込ガラス基板301及び第3のシリコン配線埋込ガラス基板303に形成された部分を貫通接続部といい、第2のシリコン配線埋込ガラス基板302に形成された部分を内層接続部ともいう。第1の引出部72a及び第2の引出部72bは、第1の主面SF1の法線方向から見て異なる位置に配置されている。シリコン配線埋込ガラス基板は、第1の引出部72a及び第2の引出部72bの露出面をそれぞれ覆う金属電極73a、73bと、接続部72cの途中に配置された金属電極73c、73dとを更に備える。このように、シリコン配線埋込ガラス基板は、ガラス基板71にシリコン配線72が埋め込まれたものである。そして、シリコン配線72の一端は、ガラス基板71の第1の主面SF1に表出し、シリコン配線72の他端は、ガラス基板71の第2の主面SF2に表出している。よって、図10aのシリコン配線72を図8及び図9に示した配線38に当てはめ、図10aのガラス基板71を図8及び図9に示したガラス基板20に当てはめる。そして、図10aの金属電極73bを図8及び図9に示した金属電極39に当てはめる。これにより、図8及び図9に示した第1の固定基板2の形成に用いられるガラス基板20に、図10aに示したシリコン配線埋込ガラス基板を適用することができる。この場合、図10aのシリコン配線72は、図8及び図9に示したセンサ本体1に入力される電気信号及びセンサ本体1から出力される電気信号を伝達する。図10bを参照して、図10aに示したシリコン配線埋込ガラス基板の製造方法を説明する。イ先ず、単結晶シリコンから成る第1の凸部52aの周囲に第1のガラス基板54aを埋込み、第1のガラス基板54aの対向する表裏面に第1の凸部52aの両端部をそれぞれ露出させる。これにより、第1のシリコン配線埋込ガラス基板301を形成する第1の工程。その後、第1のガラス基板54aの表裏面のうち、第1の凸部52aの両端部が露出した部分に、金属電極73aを形成する。なお、第1のシリコン配線埋込ガラス基板301及び後述する第2のシリコン配線埋込ガラス基板302及び第3のシリコン配線埋込ガラス基板303を製造する詳細な工程は、図6を参照して説明したとおりである。ロそして、単結晶シリコンから成る第2の凸部52bの周囲に第2のガラス基板54bを埋込み、第2のガラス基板54bの対向する表裏面に第2の凸部52bの両端部をそれぞれ露出させる。これにより、第2のシリコン配線埋込ガラス基板302を形成する第2の工程。ハ単結晶シリコンから成る第3の凸部52cの周囲に第3のガラス基板54cを埋込み、第3のガラス基板54cの対向する表裏面に第3の凸部52cの両端部をそれぞれ露出させる。これにより、第3のシリコン配線埋込ガラス基板303を形成する第3の工程。その後、第3のガラス基板54cの表裏面のうち、第3の凸部52cの両端部が露出した部分に、金属電極73bを形成する。ここで、金属電極73c,73dについては、第1の実施の形成で説明した方法と同様にして、以下のようにして形成される。先ず、単結晶シリコンからなるシリコン基板上に凸部52a,52cを形成する際、レジスト膜に代えて凸部52a,52cの頂上部となる位置に金属膜を形成する。つぎに、金属膜が形成されていない部分にあるシリコン基板を選択的に除去することにより凸部52a,52cを形成する。そして、ガラス基板を埋め込んで冷却した後、シリコン基板の凸部52a,52cの周囲に埋め込まれたガラスを残し、他の部分を金属膜が露出するまで除去する。この凸部52a,52cの上に残した金属膜がそれぞれ図10bに示した金属電極73c,73dに相当する。ニ図10bに示すように、第2のシリコン配線埋込ガラス基板302の表裏面を、第1のシリコン配線埋込ガラス基板301及び第3のシリコン配線埋込ガラス基板303で挟む第4の工程。そして、第1の凸部52a及び第3の凸部52cを、第1の主面SF1の法線方向から見て異なる位置において、第2の凸部52bにそれぞれ接触させる第5の工程。詳細には、第1の凸部52a及び第3の凸部52cを金属電極73c、73dを介して第2の凸部52bに接触させる。ホそして、第1乃至第3のシリコン配線埋込ガラス基板301~303を、溶融接合、陽極接合、表面活性化結合、或いは樹脂接着などの方法により接合する第6の工程。第1~第6の工程を実施することにより、図10aに示したシリコン配線埋込ガラス基板を製造することができる。以上説明したように、本発明の第2の実施の形態によれば、以下の作用効果が得られる。図10aに示したように、第1の引出部72a及び第2の引出部72bは、第1の主面SF1及び第2の主面SF2にそれぞれ露出し、且つ第1の主面SF1の法線方向から見て異なる位置に配置されている。このため、ガラス基板71の内部に、ガラス基板71の対向する表裏面のうち任意の複数箇所の間の導通を取る、3次元方向に延伸されたシリコン配線72を配置することができる。よって、シリコン配線72の引き出し箇所72a、72bを任意に設定することができる。第2の引出部72bがガラス基板61の第2の主面SF2に露出している。よって、図8及び図9に示した第1の固定基板2の形成に用いられるガラス基板20に、図10aに示したシリコン配線埋込ガラス基板を適用した場合、加速度センサチップAに入出力される電気信号を加速度センサチップAの表面の任意の箇所から引き出すことが出来る。したがって、ボンディングワイヤWの引回しが容易になり、パッケージ設計の自由度が向上する。ひいては、図1の半導体装置の小型化に貢献する。金属電極73a、73bが、第1の引出部72a及び第2の引出部72bの露出面を覆っている。よって、図8及び図9に示したガラス基板20に、図10aに示したシリコン配線埋込ガラス基板を適用した場合、第1の引出部72a及び第2の引出部72bへのワイヤーボンディングやはんだ付けが容易になる。図10bの第5の工程において、第1の凸部52a及び第3の凸部52cを、金属膜73c、73dを介して第2の凸部52bにそれぞれ接触させる。シリコン部材同士52a、52b、52cの電気的な接続抵抗を低減することができる。以上の製造方法では、第1の凸部52a及び第3の凸部52cを、金属膜73c、73dを介して第2の凸部52bに接触させるようにした。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、図11に示すように、金属膜73c、73dを形成することなく、第1の凸部52a及び第3の凸部52cを、酸化膜の形成を防止しながら、第2の凸部52bに接触させるようにしてもよい。上記のように、本発明は、2つの実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、第1及び第2の実施の形態では、第2の引出部62b、72bがそれぞれガラス基板61の側面及びガラス基板71の第2の主面に露出している場合を示したが、本発明はこれに限定されない。第1の引出部及び第2の引出部は、第1の主面SF1の法線方向から見て異なる位置に配置されていればよく、両方ともガラス基板の第1の主面SF1に露出していてもよいし、両方ともガラス基板の側面SF3に露出していても構わない。また、シリコン基板51の主面に凸部52を形成する第1段階では、単結晶シリコンから成るシリコン基板51の一部を加工して、単結晶シリコンから成る凸部52を形成していた。しかし、これに限定されることない。例えば、単結晶シリコンから成るシリコン基板51の主面に、多結晶シリコンから成るシリコン膜を堆積し、シリコン膜の一部を除去して多結晶シリコンから成る凸部52を形成してもよい。また、3次元方向に延伸された凸部を有するシリコンの型を形成し、このシリコンの型に軟化したガラスを流し込むことにより、3次元方向に延伸されたシリコン配線を形成してもよい。複数のシリコン配線埋込ガラス基板を積層する必要がなくなり、製造工程を簡略化することができる。本発明の実施の形態では、MEMSデバイスの一例として静電容量型の加速度センサチップAについて説明したが、本発明は、静電容量型の加速度センサチップA以外のMEMSデバイス、例えば、ピエゾ抵抗型の加速度センサチップ、ジャイロセンサ、マイクロアクチュエータ、マイクロリレー、赤外線センサ等や、ICチップなどにも適用することができる。即ち、センサ本体1によるセンシング対象は、加速度に限らず、圧力、角度、角速度等であってもよい。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定されるものである。"