"第1及び第2導電型半導体層とその間に位置する活性層を含み、それぞれ前記第1及び第2導電型半導体層により形成され互いに反対方向を向いた第1及び第2面とその間に位置する側面を有する複数の発光積層体と、前記第1導電型半導体層に接続するように前記それぞれの発光積層体の前記第1面に形成された第1コンタクトと、前記第2導電型半導体層に接続するよう前記それぞれの発光積層体の前記第2面に形成された第2コンタクトと、前記第2コンタクトが形成された領域を除いた前記それぞれの発光積層体の前記第2面及び側面に形成された第1絶縁層と、前記第2コンタクトに連結され前記それぞれの発光積層体の側面に沿って延長され、前記第1面に隣接した部分が前記第1面と同一の方向に向かって露出した導電層と、前記それぞれの発光積層体の側面と前記第2面を囲むよう形成された基板構造物と、前記複数の発光積層体が互いに電気的に連結されるように形成された少なくとも一つの配線層を含む発光装置。前記基板構造物は導電性物質からなり、前記発光積層体の前記第2コンタクト及び前記導電層が前記基板構造物と電気的に絶縁されるように前記発光積層体と前記基板構造物との間に形成された第2絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。前記基板構造物は、メッキ工程によって得られた金属層であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。前記基板構造物は、電気的絶縁性を有する物質からなることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。前記導電層のうちの前記第1面に隣接した部分は、前記発光積層体の前記第1面とほぼ同一の高さに位置していることを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の発光装置。前記導電層のうちの前記第1面に隣接した部分は、前記発光積層体の前記第1面より低い位置に配置されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の発光装置。前記少なくとも一つの配線層は、前記発光積層体の1つに設けられた前記導電層の露出した部分と、他の前記発光積層体に設けられた前記第1コンタクトとを連結する配線層を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。前記少なくとも一つの配線層は、前記発光積層体の1つに設けられた前記導電層の露出した部分と、他の前記発光積層体に設けられた前記導電層の露出した部分とを連結する配線層を含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか1つに記載の発光装置。前記発光積層体の前記第1面のうち前記配線層が形成されている領域に形成された第3絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項1から8のいずれか1つに記載の発光装置。前記複数の発光積層体は、交流電圧で動作できるよう相互に電気的に連結されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1つに記載の発光装置。それぞれ成長用基板上に第1及び第2導電型半導体層とその間に位置する活性層を含む複数の発光積層体を形成する段階であって、前記それぞれの発光積層体は前記第1及び第2導電型半導体層により形成され互いに反対方向を向いた第1及び第2面とその間に位置する側面を有する段階と、前記それぞれの発光積層体の前記第2面の少なくとも一部領域に第2コンタクトを形成し、前記第2コンタクトが形成された領域を除いた前記発光積層体の前記第2面と側面に第1絶縁層を形成する段階と、前記第2コンタクトに連結され前記それぞれの発光積層体の側面に沿って前記第1面に隣接した領域まで延長された導電層を形成する段階と、前記それぞれの発光積層体の側面と前記第2面を囲むように基板構造物を形成する段階と、前記導電層のうちの前記第1面まで延長された部分が露出されるよう前記成長用基板から前記複数の発光積層体を分離する段階と、前記第1導電型半導体層に接続するように前記それぞれの発光積層体の前記第1面に第1コンタクトを形成する段階と、前記複数の発光積層体が互いに電気的に連結されるように少なくとも一つの配線層を形成する段階を含む発光装置の製造方法。前記基板構造物は導電性物質からなり、前記導電層の形成段階と前記基板構造物の形成段階との間に、前記発光積層体の側面と前記第2面上に第2絶縁層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の発光装置の製造方法。前記基板構造物を形成する段階は、メッキ工程により行われることを特徴とする請求項12に記載の発光装置の製造方法。前記基板構造物は、電気的絶縁性を有する物質からなることを特徴とする請求項11に記載の発光装置の製造方法。前記第2コンタクト及び前記第1絶縁層を形成する段階は、前記第2コンタクトが形成される領域を除いた前記発光積層体の前記第2面と側面に第1絶縁層を形成する段階と、前記第2面の、前記第1絶縁層が形成されない領域に前記第2コンタクトを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項11から14のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。前記複数の発光積層体を形成する段階は、前記成長用基板上に前記第1導電型半導体層、前記活性層及び前記第2導電型半導体層を順に形成する段階と、成長させられたこれらの層から前記複数の発光積層体が得られるようメサエッチングを行う段階とを含むことを特徴とする請求項11から15のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。前記第1絶縁層は、前記複数の発光積層体の間の領域の上面まで延長され、前記発光積層体を分離する段階の後に、前記第1絶縁層の、前記複数の発光積層体の間に位置する部分を除去する段階を含むことを特徴とする請求項16に記載の発光装置の製造方法。前記メサエッチングは、前記複数の発光積層体の間の領域で前記成長用基板の一部が露出するよう行われることを特徴とする請求項16または17に記載の発光装置の製造方法。前記導電層を形成する段階は、前記第2コンタクトに連結され前記発光積層体の側面に沿って前記成長用基板の露出した部分まで延長された導電層を形成する段階であることを特徴とする請求項18に記載の発光装置の製造方法。前記メサエッチングは、前記複数の発光積層体の間の領域で前記第1導電型半導体層の少なくとも一部が残留するように行われることを特徴とする請求項16または17に記載の発光装置の製造方法。前記導電層を形成する段階は、前記第2コンタクトに連結され前記発光積層体の側面に沿って前記第1導電型半導体層の残留した部分まで延長されるように前記導電層を形成する段階であることを特徴とする請求項20に記載の発光装置の製造方法。前記少なくとも一つの配線層は前記発光積層体の1つに設けられた前記導電層の露出した部分と、他の前記発光積層体に設けられた前記第1コンタクトとを連結する配線層を含むことを特徴とする請求項11から21のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。前記少なくとも一つの配線層は前記発光積層体の1つに設けられた前記導電層の露出した部分と、他の前記発光積層体に設けられた前記導電層の露出した部分とを連結する配線層を含むことを特徴とする請求項11から22のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。前記配線層を形成する段階の前に、前記発光積層体の前記第1面のうちの前記配線層が形成される領域上に第3絶縁層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11から23のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。前記複数の発光積層体は交流電圧で動作できるように相互に電気的に連結されていることを特徴とする請求項11から24のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。それぞれ第1及び第2導電型半導体層とその間に位置する活性層を有する発光積層体と、前記第1導電型半導体層に接続されるよう形成された第1コンタクトと、前記第2導電型半導体層に接続されるよう形成された第2コンタクトとをそれぞれ含む第1乃至第5LEDセルと、前記第2導電型半導体層のうち前記第2コンタクトが形成された面が上面で露出されるように前記第1乃至第5LEDセルが埋設された基板構造物と、前記各LEDセルの前記発光積層体の表面のうち前記第2コンタクトが形成された領域を除いた前記基板構造物に埋め込まれた面を覆うよう形成された絶縁層と、前記各LEDセルの前記第2コンタクトに接続された領域と前記絶縁層に沿って延長されて前記基板構造物の上面の方向に露出して形成された領域を有するように形成された導電層と、前記基板構造物の上面に配置され、前記LEDセルの1つの前記第1コンタクトまたは前記導電層の露出領域と他の前記LEDセルの前記第1コンタクトまたは前記導電層の露出した領域とを連結する配線層と、を含むモノリシック発光ダイオードアレイ。前記配線層は前記第1乃至第5LEDセルが交流電圧で動作できるように相互に電気的に連結されるよう形成されていることを特徴とする請求項26に記載のモノリシック発光ダイオードアレイ。前記配線層は、前記第1LEDセルの前記第1コンタクトと前記第2LEDセルの前記第2コンタクトが一電源端に連結され、前記第3LEDセルの前記第2コンタクトと前記第2LEDセルの前記第1コンタクトが他の電源端に連結され、前記第5LEDセルの前記第1コンタクトに対して前記第1及び第4LEDセルの前記第2コンタクトが共通接点を有し、前記第5LEDセルの前記第2コンタクトに対して前記第2及び第3LEDセルの前記第1コンタクトが共通接点を有するよう形成されていることを特徴とする請求項27に記載のモノリシック発光ダイオードアレイ。相互に直列に連結された複数の前記第5LEDセルを含み、該直列の連結で、一端に位置した前記第5LEDセルの前記第1コンタクトに対して前記第1及び第4LEDセルの前記第2コンタクトが共通接点を有し、他端に位置した前記第5LEDセルの前記第2コンタクトに対して前記第2及び第3LEDセルの前記第1コンタクトが共通接点を有することを特徴とする請求項28に記載のモノリシック発光ダイオードアレイ。2~4つの前記第5LEDセルを有することを特徴とする請求項29に記載のモノリシック発光ダイオードアレイ。本発明は上記の従来の技術的問題を解決するためのもので、その1つの目的は多様な配線連結構造、特にAC電圧駆動のための複雑な配線連結構造を容易に実現できる発光装置とモノリシック発光ダイオードアレイを提供することにある。本発明の他の目的は、多様な配線連結構造、特にAC電圧駆動のための複雑な配線連結構造を有する発光装置とモノリシック発光ダイオードアレイの製造方法を提供することにある。上記の技術的目的を実現すべく、本発明の一態様は、第1及び第2導電型半導体層とその間に位置した活性層を含み、第1及び第2導電型半導体層により形成され互いに反対方向を向いた第1及び第2面と、その間に位置する側面を有する少なくとも一つの発光積層体と、第1導電型半導体層に接続するように発光積層体の第1面に形成された第1コンタクトと、第2導電型半導体層に接続するよう発光積層体の第2面に形成された第2コンタクトと、第2コンタクトが形成された領域を除いた発光積層体の第2面及び側面に形成された第1絶縁層と第2コンタクトに連結され発光積層体の側面に沿って延長され、第1面に隣接した部分が第1面と同一の方向に向かって露出した導電層と、発光積層体の側面と第2面を囲むよう形成された基板構造物とを含む発光装置を提供する。基板構造物は導電性物質からなることができ、この場合、発光装置は、発光積層体の第2コンタクト及び導電層が基板構造物と電気的に絶縁されるように発光積層体と基板構造物との間に形成された第2絶縁層をさらに含むことが出来る。このような基板構造物はメッキ工程から得られた金属層とすることが出来る。これとは異なって、基板構造物は電気的絶縁性を有する物質から構成することが出来る。この場合、第2絶縁層はなくてもよい。本発明の特定の実施態様では、発光装置は、複数の発光積層体を含むモノリシック発光ダイオードアレイ構造を有することが出来る。他の実施態様では、導電層のうち第1面に隣接した部分は発光積層体の第1面とほぼ同一の高さに配置することが出来る。これとは異なって、導電層のうち第1面に隣接した部分は発光積層体の第1面より低い位置に配置することも出来る。発光装置は、好ましくは、複数の発光積層体が相互に電気的に連結するように形成された少なくとも一つの配線層を含むことが出来る。少なくとも一つの配線層は発光積層体の1つに設けられた導電層の露出した部分または第1コンタクトと、他の発光積層体に設けられた導電層の露出した部分または第1コンタクトとを連結することが出来る。発光積層体の第1面のうち配線層が形成された領域が存在する場合には、その領域上に形成された第3絶縁層をさらに含むことが出来る。このような発光積層体間の電気的な連結は、複数の発光積層体が交流電圧で動作できるよう構成することが出来る。本発明の他の態様は、成長用基板上に第1及び第2導電型半導体層とその間に位置する活性層を含む少なくとも一つの発光積層体を形成する段階であって、発光積層体は第1及び第2導電型半導体層により形成され互いに反対方向を向いた第1及び第2面と、その間に位置する側面を有する、段階と、発光積層体の第2面の少なくとも一部領域に第2コンタクトを形成し、第2コンタクトが形成された領域を除いた発光積層体の第2面と側面に第1絶縁層を形成する段階と、第2コンタクトに連結され発光積層体の側面に沿って第1面に隣接した領域まで延長された導電層を形成する段階と、発光積層体の側面と第2面を囲むように基板構造物を形成する段階と、導電層のうちの第1面まで延長された部分が露出されるように成長用基板から発光積層体を分離する段階と、第1導電型半導体層に接続するように発光積層体の第1面に第1コンタクトを形成する段階と、を含むことが出来る。基板構造物は導電性物質からなることができ、この場合、導電層形成段階と基板構造物形成段階との間に、発光積層体の側面と第2面上に第2絶縁層を形成する段階をさらに含むことが出来る。このような基板構造物を形成する段階は、メッキ工程により行うことが出来る。これとは異なって、基板構造物は電気的絶縁性を有する物質から成ることが出来る。第2コンタクト及び第1絶縁層を形成する段階は、第2コンタクトが形成される領域を除いた発光積層体の第2面と側面に第1絶縁層を形成する段階と、第2面のうち第1絶縁層が形成されていない領域に第2コンタクトを形成する段階で実現することが出来る。少なくとも一つの発光積層体としては複数の発光積層体を形成することができ、この場合、少なくとも一つの発光積層体を形成する段階は、成長用基板上に第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を順に形成する段階と、成長させられた層から複数の発光積層体が得られるようにメサエッチングを行う段階を含むことが出来る。好ましくは、第1絶縁層は、複数の発光積層体の間の領域の上面まで延長され、発光積層体を分離する段階の後に、複数の発光積層体の間に位置した第1絶縁層の部分を除去する段階を含むことが出来る。メサエッチングは、複数の発光積層体の間の領域で成長用基板の一部が露出するよう行うことが出来る。この場合、導電層を形成する段階は、第2コンタクトに連結され発光積層体の側面に沿って成長用基板の露出した部分まで延長された導電層を形成する段階とすることが出来る。これとは異なって、メサエッチングは、複数の発光積層体の間の領域で第1導電型半導体層の少なくとも一部が残留するよう行うことも出来る。この場合、導電層を形成する段階は、第2コンタクトに連結され発光積層体の側面に沿って、残留した第1導電型窒化物半導体層まで延長された導電層を形成する段階とすることが出来る。本発明の好ましい形態のモノリシック発光ダイオードアレイは、それぞれ第1及び第2導電型半導体層とその間に位置する活性層を有する発光積層体と、第1導電型半導体層にそれぞれ接続するよう形成された第1コンタクトと、第2導電型半導体層にそれぞれ接続するよう形成された第2コンタクトを含む第1乃至第5LEDセルと、第2導電型半導体層のうちの第2コンタクトが形成された面が露出した上面を有するよう第1乃至第5LEDセルが埋設された基板構造物と、各LEDセルの発光積層体の表面のうち第2コンタクトが形成された領域を除いた、基板構造物に埋め込まれた面に位置するよう形成された絶縁層と、各LEDセルの第2コンタクトに接続された領域と絶縁層に沿って延長されて基板構造物の上面の方向に露出する領域を有するように形成された導電層と、基板構造物の上面に配置され、LEDセルの1つの第1コンタクトまたは導電層の露出領域と他のLEDセルの第1コンタクトまたは導電層の露出した領域とを連結する配線層とを含む。本実施形態において、配線層は、第1乃至第5LEDセルが交流電圧で動作可能であるように第1乃至第5LEDセルを相互に電気的に連結することができ、好ましくは、第1LEDセルの第1コンタクトと第2LEDセルの第2コンタクトが一電源端に連結され、第3LEDセルの第2コンタクトと第2LEDセルの第1コンタクトは他の電源端に連結され、第5LEDセルの第1コンタクトに対して第1及び第4LEDセルの第2コンタクトが共通接点を有し、第5LEDセルの第2コンタクトに対して第2及び第3LEDセルの第1コンタクトが共通接点を有するよう形成することが出来る。本明細書で使用する用語のうち、発光積層体は発光ダイオードを構成するためのエピタキシャル層が積層された構造体を意味し、発光ダイオードLEDセルはコンタクト構造が設けられた発光積層体を意味する。また、モノリシック発光ダイオードアレイは複数の発光積層体または発光ダイオードLEDセルを有する発光装置を意味し、従って、複数の発光積層体を有する発光装置と類似した用語として使われる。本発明によると、基板構造物に埋め込まれた一方のコンタクトを導電層によって引出すことにより同一の面に両コンタクトが配置された発光装置が提供される。このような発光装置は、複数のLEDセルを含むモノリシック構造の発光装置に適用することにより、複雑な連結直列、並列またはその組合せを有するLEDアレイを同一の面に形成された配線層を用いて容易に実現することが出来る。以下、添付の図面を参照して本発明をより詳しく説明する。図1は、本発明の一実施形態による発光装置を示す側断面図である。図1には、様々な配線連結を容易に実現できる発光装置の例として、単一セル構造のものが図示されている。図1に図示されている通り、本実施形態による発光装置10は、第1導電型半導体層11a及び第2導電型半導体層11bとその間に位置する活性層11cを有する発光積層体11と、発光積層体11の下面及び側面を囲むよう形成された基板構造物17とを含む。本実施形態に採用できる発光積層体10は、AlGaInNだけでなく、AlGaAs、AlGaInP、ZnOのような公知の半導体物質で構成することが出来る。発光積層体11の上面と下面にはそれぞれ第1及び第2導電型半導体層11a,11bに接続するように第1及び第2コンタクト18,13が形成されている。活性層11cから生成された光は上記発光積層体11の上面、即ち第1導電型半導体層11aを通して放出される。効率的な光放出が保障されるように、本実施形態のように第1コンタクト18は発光積層体11の上面のうちの一部の領域に限って形成されるか、光透過性を有する電極物質で形成されることが好ましい。発光積層体11の下面のうちの第2コンタクト13が形成されていない領域と側面には第1絶縁層12aが形成されている。第1絶縁層12aはSiO2、Si3N4、AlN、Al2O3のような高抵抗性酸化物または窒化物とすることが出来る。発光装置10は第2コンタクト13に連結され発光積層体11の側面に沿って延長された導電層14を含む。ここで、導電層14は第1絶縁層12aにより発光積層体11と電気的に絶縁することが出来る。導電層14のうち発光積層体21の上面に隣接した部分はその上面と同一の方向に向かって露出している。導電層14の露出領域と第1コンタクト18またはそれぞれから連結された他の導電物質の領域は外部回路と連結されるボンディング領域として構成することが出来る。本実施形態において、基板構造物17は導電性物質から成ることが出来る。このような導電性物質は一般的に優れた熱伝導性を有するため、発光装置10の基板として好ましく使用することが出来る。基板構造物17は金属層とすることができ、支持体として十分な厚さを容易に得るため、好ましくはメッキ工程により形成することが出来る。このように基板構造物17が電気的伝導性を有する場合には、発光積層体11と基板構造物17との間に第2絶縁層12bをさらに形成する。第2絶縁層12bにより発光積層体11の第2コンタクト13及び導電層14は基板構造物17と電気的に絶縁することが出来る。勿論、基板構造物17は電気的絶縁性を有する物質から構成することが考えられ、この場合、第2絶縁層12bが要らないこともある。このように、基板構造物17に埋設された第2コンタクト13を導電層14及び第1及び第2絶縁層12a,12bを有する電極引出構造を通して基板構造物17の上面に引出すことにより、ほぼ同一の平面上に両極性のコンタクト領域を配置することが出来る。このような構造を有する複数の発光積層体をモノリシック発光ダイオードアレイに適用した場合には、複数の発光積層体間の直列または並列の配線構造をより容易に実現することが出来る。図2及び図3は本発明の他の実施形態による発光装置のモノリシック発光ダイオードアレイの配線構造の例を示す側断面図である。図2及び図3に図示されたモノリシック発光ダイオードアレイはそれぞれ直列及び並列の連結構造の例として理解することが出来る。先ず、図2を参照すると、それぞれLEDセル20A,20Bとして提供される2つの発光積層体21が直列に連結されたモノリシック発光ダイオードアレイ20が図示されている。各発光積層体21は、第1及び第2導電型半導体層21a,21bとその間に位置した活性層21cを有する。基板構造物27が発光積層体21の下面及び側面を囲むよう形成されている。発光積層体21の上面と下面にはそれぞれ第1及び第2導電型半導体層21a,21bに接続された第1及び第2コンタクト28,23が形成されている。第1コンタクト28は発光積層体21の上面のうちの一部の領域に限って形成されている。これとは異なって、より効率的な光放出が保障されるよう第1コンタクト28は透明電極物質で形成することも出来る。勿論、本実施形態のように一部の領域に限って形成した場合にも透明電極物質を使用することが出来る。また、発光積層体21間の配線連結が容易となるよう、第1コンタクト28は図示されている通り、少なくとも発光積層体21の上面の角領域に位置するよう形成することが好ましい。発光積層体21の下面のうち第2コンタクト23が形成されない領域と側面には第1絶縁層22aが形成されている。第1絶縁層22aはSiO2、Si3N4、AlN、Al2O3のような高抵抗性酸化物または窒化物とすることが出来る。また、発光装置、すなわちモノリシック発光ダイオードアレイ20は第2コンタクト23に連結され発光積層体21の側面に沿って延長された導電層24を含む。ここで、導電層24は第1絶縁層22aにより発光積層体21と電気的に絶縁することが出来る。ここで、LEDセルの所望の配線連結構造に応じて導電層24が延長される側面を適切に選択することが出来る。即ち、本実施形態のように、直列連結を実現するため、1つのLEDセル20Bの導電層24は他のLEDセル20Aに隣接した側面に沿って延長することが好ましい。導電層24は発光積層体21の上面に隣接した位置まで延長された構造を有することにより、埋め込まれた第2コンタクト23を別途の配線層29を用いて他の第2コンタクト23に連結された導電層24または第1コンタクト28に連結させることが出来る。即ち、本実施形態のように、LEDセル20Bの導電層24はそのLEDセル20Bの第2コンタクト23から延長された形態を有し、配線層29により他の隣接したLEDセル20Aの第1コンタクト28と連結させることが出来る。図2には、2つのLEDセル20A,20Bのみが例示されているが、当技術分野において通常の知識を有している者であれば、このような連結構造は3つ以上のLEDセルでも同様に実現できるということが理解出来る。本実施形態において、基板構造物27は導電性物質から構成することが出来る。基板構造物27はメッキ工程により形成される金属層とすることが出来る。基板構造物27が電気的伝導性を有する場合、発光積層体21と基板構造物27との間に第2絶縁層22bをさらに形成することが出来る。第2絶縁層22bにより発光積層体21の第2コンタクト23及び導電層24を基板構造物27と電気的に絶縁することが出来る。配線層29が発光積層体21の所望しない領域に接触することを効果的に防ぐため、発光積層体21の上面のうち配線層29が形成される領域に第3絶縁層22cをさらに形成することが出来る。このように、基板構造物27に埋設された第2コンタクト23は導電層24及び第1及び第2絶縁層22a,22bを有する引出構造を用いて基板構造物27の上面まで引出すことが出来る。従って、第1コンタクト28と共に第2コンタクト23はほぼ同一の平面上に接続部を有するため、本実施形態のように、簡素な配線層29の形成工程を用いてLEDセルの直列連結構造を容易に実現することが出来る。図3に図示されたモノリシック発光ダイオードアレイ30は、並列連結構造のLEDセル30A,30Bの配線構造を表す。図3に図示されている通り、モノリシック発光ダイオードアレイ30は、それぞれLEDセル30A,30Bとして構成された2つの発光積層体31を含む。発光積層体31はそれぞれ第1及び第2導電型半導体層31a,31bとその間に位置する活性層31cを有する。基板構造物37が発光積層体31の下面及び側面を囲むよう形成されている。先の実施形態と同様に、発光積層体31の上面と下面にはそれぞれ第1及び第2導電型半導体層31a,31bに接続された第1及び第2コンタクト38,33が形成されている。第1コンタクト38は発光積層体31の上面のうちの一部の角領域に限って形成されている。発光積層体31の下面のうち第2コンタクト33が形成されない領域と側面には第1絶縁層32aが形成されている。第1絶縁層32aはSiO2、Si3N4、AlN、Al2O3のような高抵抗性酸化物または窒化物とすることが出来る。また、発光装置、すなわちモノリシック発光ダイオードアレイ30は第2コンタクト33に連結され発光積層体31の側面に沿って延長された導電層34を含む。ここで、導電層34は第1絶縁層32aにより発光積層体31と電気的に絶縁することが出来る。本実施形態において、基板構造物37は導電性物質から成ることが出来る。基板構造物37はメッキ工程により形成される金属層とすることが出来る。基板構造物37が電気的伝導性を有する場合、発光積層体31と基板構造物37との間に第2絶縁層32bをさらに形成することが出来る。先の実施形態で説明した通り、第2絶縁層32bにより発光積層体31の第2コンタクト33及び導電層34は基板構造物37と電気的に絶縁することが出来る。また、本実施形態では、並列に連結されるよう、隣接した2つのLEDセル30A,30Bの導電層34は他のLEDセル30B,30Aに隣接した側面に沿って延長することが好ましい。このような構造において、LEDセル30A,30Bの導電層34は相互に連結することができ、連結されるように形成されなくても、上面に隣接した領域が相互に連結されるように配線層39を形成することにより連結することが出来る。これにより、埋め込まれた第2コンタクト33は相互に電気的に連結することが出来る。配線層39が発光積層体31の所望しない領域と接触することを効果的に防ぐため、発光積層体31の上面のうち配線層39が形成される領域に第3絶縁層32cをさらに形成することが出来る。図3には2つのLEDセル30A,30Bのみ例示されているが、当技術分野において通常の知識を有している者であれば、このような連結構造は3つ以上のLEDセルでも同様に実現できるということが理解できる。このように、本実施形態は先の実施形態と同様に、基板構造物37に埋設された第2コンタクト33を導電層34及び第1及び第2絶縁層32a,32bを有する電極引出構造を用いて基板構造物37の上面まで引出すことにより、ほぼ同一の平面上に両極性のコンタクト領域を配置することが出来る。従って、本実施形態のように、簡素な配線層39の形成工程を用いてLEDセルの連結構造を実現することが出来る。上述の発光装置または複数のLEDセルとその配線構造を含むモノリシック発光ダイオードアレイは、基板の分離工程を採用する通常の垂直構造発光ダイオードの製造方法を応用して製造することが出来る。図4a乃至図4gは、本発明によるモノリシック発光ダイオードアレイの製造工程の一例を説明するための工程別の断面図である。先ず、図4aに図示されている通り、成長用基板110上にn型半導体層111a、活性層111c及びp型半導体層111bを順に成長させた後に、メサエッチング工程を適用して複数の発光積層体111を形成する。n及びp型半導体層111a,111bと活性層111cはAlGaInNだけでなく、AlGaAs、AlGaInP、ZnOのような公知の半導体物質で構成することが出来る。本実施形態において、上記のメサエッチング工程は成長用基板110が露出する深さまで行われ、エピタキシャル層であるn半導体層111a,p型半導体層111b,及び活性層111cが複数の発光積層体111毎に完全に分離される。このように、2つの発光積層体111は、n及びp型半導体層111a,111bにより形成され、互いに反対方向を向いた第1及び第2面と、その間に位置する側面を有する構造体として構成することが出来る。次に、図4bのように、コンタクト形成領域を除いた発光積層体111の第2面と側面に第1絶縁層112aを形成する。絶縁層112aの形成工程は、発光積層体111の第2面と側面の全領域に絶縁体を蒸着させた後に、所望のコンタクト形成領域で絶縁体を選択的に除去することによって実現することが出来る。第1絶縁層112aはSiO2、Si3N4、AlN、Al2O3のような高抵抗性酸化物または窒化物とすることが出来る。本実施形態において、第1絶縁層112aは、発光積層体111の間の領域の上面まで延長された形態で例示されている。この場合、発光積層体111を分離する工程の後に、第1絶縁層112aの、発光積層体111の間に位置する部分を除去することが出来る。これとは異なって、本工程で発光積層体111の間の第1絶縁層112aの部分をさらに除去することにより、後続の工程で成長用基板110の分離と共に必要な導電層の部分を露出させることも出来る。次に、図4cに図示されている通り、発光積層体111の第2面のうちの露出されたコンタクト形成領域にp側コンタクト層113を形成し、p側コンタクト層113に連結され発光積層体111の側面に沿って第1面に隣接する領域まで延長された導電層114を形成する。p側コンタクト層113はp型半導体層111bとオーミックコンタクトを形成する電極物質で構成することが出来る。導電層114はp側コンタクト層113の一部領域から第1絶縁層112aが形成された発光積層体111の側面に沿って延長されて第1面に隣接する領域まで延長されるように形成される。先に説明した通り、導電層114を形成する側面としては、連結する他の発光積層体と隣接する側面を選択することが好ましい。p側コンタクト層113は後続の工程で基板構造物117内に埋設されても、p側コンタクト層113と連結された導電層114は発光積層体111の第1面の方向に露出した領域を有することが出来るため、他の発光積層体との適切な配線連結が可能になる。次に、図4dに図示されている通り、発光積層体111の側面と第2面上に第2絶縁層112bを形成することが出来る。第2絶縁層112bは後続の工程で形成する基板構造物図4eの117と導電層114を電気的に絶縁する役割を果たす。従って、第2絶縁層112bは少なくとも導電層114が覆われるよう形成される。第2絶縁層112bも第1絶縁層112aと同様にSiO2、Si3N4、AlN、Al2O3のような高抵抗性酸化物または窒化物とすることが出来る。このような第2絶縁層112bは基板構造物117を導電性物質で構成する場合に要される。従って、基板構造物117が電気的絶縁性を有する物質で形成される場合には第2絶縁層112bの形成工程を省略することが出来る。次に、図4eに図示されている通り、発光積層体111の側面と第2面を囲むように基板構造物117を形成する。本実施形態において、基板構造物117はメッキ工程のためのシード層116を第2絶縁層112b上に形成した後、メッキ工程を行うことによって得られる。基板構造物117はメッキ工程により形成された金属物質として例示されているが、これに限らず、先に説明した通り、金属のような導電性基板ではなく他の絶縁性基板で構成することもできる。次に、図4fに図示されている通り、成長用基板110から発光積層体111を分離する。必要に応じて、本実施形態のように、発光積層体111の第1面の一部領域に第3絶縁層112cを形成することが出来る。基板構造物117を形成した後、成長用基板110を発光積層体111から分離する。このような分離工程としては、成長用基板110を除去する機械的または機械化学的研磨、化学的エッチング工程のような公知の工程が用いられるが、好ましくはレーザーリフトオフ工程により行うことが出来る。本工程によって、発光積層体111の第1面には先に形成された導電層114のうちの一部を露出させることができる。このような導電層114の露出領域は埋め込まれたp側コンタクト層113のための外部接続構造として用いることが出来る。最後に、図4gに図示されている通り、n型半導体層111aに接続するように発光積層体111の第1面にn側コンタクト層118を形成し、次にLEDセル120A,120Bを連結する配線層119を形成する。本工程は成長用基板110の分離により露出した面に関する工程である。露出した面は発光積層体111の第1面を含む。発光積層体111の第1面の一部領域に所望のn側コンタクト層118を形成する。n側コンタクト層118にはn型半導体層111aとオーミックコンタクトを形成する電極物質を使用することが出来る。次に各発光積層体111を含むLEDセル120A,120Bが相互に連結されるように配線層119を形成する。本実施形態のように、必要に応じて、配線層119の形成工程に先立ち、所望しない領域との接続を防ぐため、発光積層体111の第1面上に第3絶縁層112cを形成する工程をさらに行うことが出来る。本例では、図2と同様に配線層119が1つのLEDセル120Aのn側コンタクト層118と他のLEDセル120Bのp側コンタクト層113正確にはそれと連結された導電層114の露出領域が連結されたモノリシック発光ダイオードアレイ120として例示されているが、図3で説明した通り、他の連結方式も容易に実現することが出来る。上述の製造工程では、発光積層体の形成のため成長用基板が露出するようエピタキシャル層を完全に分離させる形態ディープメサエッチングdeep-mesaetchingを例示したが、これとは異なり、発光積層体のためのメサエッチング工程をエピタキシャル層の一部領域を残留させる方式で行うことも出来る。この場合、導電層がレーザーリフトオフのような分離工程により損傷されることを防ぐことが出来る。図5a乃至図5gは本発明の他の実施形態で、シェロウメサエッチングshallowmesaetchingを採用したモノリシック発光ダイオードアレイの製造工程を説明するための工程別の断面図である。先ず、図5aに図示されている通り、成長用基板130上にn型半導体層131a、活性層131c及びp型半導体層131bを順に成長させた後、メサエッチング工程を適用して複数の発光積層体131を形成する。本実施形態で採用されたメサエッチング工程は、エピタキシャル層、すなわちn型半導体層131a、p型半導体層131b及び活性層131cを複数の発光積層体131毎に分離させるが、そのエピタキシャル層特に、131aの一部が所定の厚さtで残留するよう行われる。残留した部分は、先に説明した通り、成長用基板の分離工程で導電層の損傷を防ぎながらもその後の除去が容易な程度の厚さとするのが好ましい。本工程を通して得られた2つの発光積層体131は、図4aに図示する発光積層体111と同様に、n及びp型半導体層131a,131bにより形成され、互いに反対方向を向いた第1及び第2面と、その間に位置する側面を有する構造体となっていることが分かる。次に、図5bのように、コンタクトの形成領域を除いた発光積層体131の第2面と側面に第1絶縁層132aを形成する。第1絶縁層132aの形成工程は、発光積層体131の第2面と側面の全領域に絶縁体を蒸着した後に、所望のコンタクト形成領域で絶縁層を選択的に除去することによって実現することが出来る。第1絶縁層132aはSiO2、Si3N4、AlN、Al2O3のような高抵抗性酸化物または窒化物とすることが出来る。次に、図5cに図示されている通り、発光積層体131の第2面のうちの露出されたコンタクトの形成領域にp側コンタクト層133を形成し、p側コンタクト層133に連結され発光積層体131の側面に沿って第1面に隣接する領域まで延長された導電層134を形成する。p側コンタクト層133は、p型半導体層131bとオーミックコンタクトを形成する電極物質で構成することが出来る。導電層134はp側コンタクト層133の一部領域から第1絶縁層132aが形成された発光積層体131の側面に沿って延長されて第1面に隣接する領域まで延長されるように形成される。p側コンタクト層133は後続の工程で基板構造物130内に埋め込まれても、p側コンタクト層133と連結された導電層134は発光積層体131の第1面の方向に露出した領域を有することが出来るため、他の発光積層体との適切な配線連結が可能になる。次に、図5dに図示されている通り、発光積層体131の側面と第2面上に第2絶縁層132bを形成することが出来る。第2絶縁層132bは、後続の工程で形成される基板構造物図5eの137と導電層134を電気的に絶縁する役割を果たす。従って、第2絶縁層132bは少なくとも導電層134が覆われるよう形成される。次に、図5eに図示されている通り、発光積層体131の側面と第2面を囲むように基板構造物137を形成する。本実施形態において、基板構造物137はメッキ工程のためのシード層136を第2絶縁層132b上に形成した後、メッキ工程を行うことによって得られる。基板構造物137はメッキ工程により形成された金属物質として例示されているが、これに限定されず、金属のような導電性基板ではない他の絶縁性基板により構成することも出来る。次に、図5fに図示されている通り、成長用基板130から発光積層体131を分離する。必要に応じて、本実施形態のように、発光積層体131の第1面の一部領域に第3絶縁層132cを形成することが出来る。基板構造物137を形成した後、成長用基板130を発光積層体131から分離する。このような分離工程としては、成長用基板130を除去する機械的または機械化学的研磨、化学的エッチング工程のような公知の工程が用いられるが、好ましくはレーザーリフトオフ工程により行うことが出来る。導電層134は残留したエピタキシャル層の部分Sにより保護されるため、本分離工程において機械的な、化学的な、またはレーザー照射による損傷を効果的に防ぐことが出来る。また、残留したエピタキシャル層の部分Sは導電層134の一部を露出させるため第1絶縁層132aの一部と共に除去する必要がある。分離工程においてレーザー照射などにより付随的に除去されるようにすることが好ましいが、必要に応じてさらなるエッチング工程を通して、配線連結に必要な導電層134の一部を露出させることが出来る。発光積層体131の第1面には先に形成された導電層134のうちの一部が露出されるようにすることが出来る。このような導電層134の露出領域は埋め込まれたp側コンタクト層133のための外部接続構造として用いることが出来る。最後に、図5gに図示されている通り、n型半導体層131aに接続するように発光積層体131の第1面にn側コンタクト層138を形成し、次にLEDセル140A,140Bを連結する配線層139を形成する。本工程は、成長用基板130の分離により露出した面に関する工程である。露出した面は発光積層体131の第1面を含む。発光積層体131の第1面の一部領域に所望のn側コンタクト層138を形成する。n側コンタクト層138にはn型半導体層131bとオーミックコンタクトを形成する電極物質を使用することが出来る。次に、各発光積層体131を含むLEDセル140A,140Bが相互に連結されるよう配線層139を形成する。本実施形態のように、必要に応じて、配線層139の形成工程に先立ち、所望しない領域との接続を防ぐために、発光積層体131の第1面上に第3絶縁層132cを形成する工程をさらに行うことが出来る。本例では、図2と同様に配線層139が1つのLEDセル140Aのn側コンタクト層138と他のLEDセル140Bのp側コンタクト層133正確にはそれと連結された導電層134の露出領域が連結されたモノリシック発光ダイオードアレイ140と例示されているが、図3で説明した通り、他の連結方式も容易に実現することが出来る。本発明で提案するモノリシック発光ダイオードアレイは、ほぼ平面の同一の面に両コンタクトと連結された外部接続構造を配置することにより、複数のLEDセル間の複雑な配線連結を容易に実現することが出来る。特に、交流電圧で動作するよう連結されたモノリシック発光素子は複雑な配線構造を要する場合が多い。このような場合に本発明は非常に有益に適用できる。図6aは本発明により実現できるモノリシック発光ダイオードアレイのレイアウトで、図6bに図示された等価回路によって表される形態を例示している。図6aに図示されたレイアウトによるモノリシック発光ダイオードアレイは、相互に反対側に位置した両辺に隣接して形成された第1及び第2LEDセルA1,A2と第3及び第4LEDセルC1,C2とを含み、その間に位置した3つの第5LEDセルB1,B2,B3に区分して理解することが出来る。以下、図6bを参照して、上記のモノリシック発光ダイオードアレイの配線構造を説明する。先ず、第1LEDセルA1のn側コンタクトと第2LEDセルA2のp側コンタクトは第1AC電源端P1に連結される。第3LEDセルC1のp側コンタクトと第2LEDセルC2のn側コンタクトは第2AC電源端P2に連結される。3つの第5LEDセルB1,B2,B3は相互に直列に連結された構造を有している。一側辺に位置した、即ち第1及び第4LEDセルA1,C2の間に位置した第5LEDセルB1のn側コンタクトは第1及び第4LEDセルA1,C2のp側コンタクトとの共通接点を構成し、他の側辺に位置した、即ち第2及び第3LEDセルA2,C1の間に位置した第5LEDセルB3のp側コンタクトは第2及び第3LEDセルA2,C1のn側コンタクトとの共通接点を構成している。このようなレイアウトによる発光ダイオードアレイでは、電源端P1,P2にAC電圧が印加された際に、3つの第5LEDセルB1,B2,B3は常に駆動され、AC電圧の周期に応じて第1及び第4LEDセルA1,C2と第2及び第3LEDセルA2,C1は交代で駆動される。結果として、AC電圧が印加されても、3つのLEDセルB1,B2,B3を連続して駆動することが出来る。また、本例によるモノリシック発光ダイオードアレイのレイアウトは、ブレイクダウン電圧の面で有利な長所を有する。ブレイクダウン電圧の耐性を考慮して、LEDセルに印加される電圧がほぼ同様となるように設計することがより好ましい。このような設計は各LEDセルをほぼ同一の面積に構成することにより効果的に実現することが出来る。また、このために、第5LEDセルの数を適切に調整することが出来る。好ましい第5LEDセルの数は1乃至4つの範囲である。上述のAC用モノリシック発光ダイオードアレイは、図6aのレイアウトに図示されている通り、複雑な配線構造を有するため、モノリシック構造で実現することが困難である。しかし、このような配線構造も本発明で提示した配線構造を通して非常に容易に実現することが出来る。これは図6aに図示されたモノリシック発光ダイオードアレイを本発明によって実現できる形態である図7a乃至図7cを参照した説明を通して理解することができる。図7a乃至図7cはそれぞれ図6aに図示されたモノリシック発光ダイオードアレイをX1-X1、X2-X2及びY-Yに沿って切断した側断面図で、図2及び図3についての説明を参照することが出来る。但し、本実施形態において発光積層体を構成するメサエッチング工程及びそれによる構造に関しては、図3に説明した方式と同様の場合を例示している。図7a乃至図7cを参照すると、切断線に応じて、基板構造物157に埋め込まれたLEDセルのうちの3つがそれぞれ図示されている。LEDセルはそれぞれn型及びp型半導体層151b,151aとその間に位置した活性層151cを有する発光積層体151と発光積層体151の下面及び側面を囲むよう形成された基板構造物157を含んでいる。切断線に応じて部分的に図示されていない場合もあるが、発光積層体151の上面と下面にはそれぞれn型及びp型半導体層151b,151aに接続されたn及びp側コンタクト158,153が形成されている。発光積層体151の下面のうちp側コンタクト153が形成されない領域と側面には第1絶縁層152aが形成されている。p側コンタクト153に連結され発光積層体151の側面に沿って延長された導電層154が形成されている。導電層154は第1絶縁層152aにより発光積層体151と電気的に絶縁することが出来る。以下、図6aに図示された各コンタクトの配線連結に関して図7a乃至図7cをそれぞれ参照して説明する。先ず、図7aを参照すると、各LEDセルA1,C2に設けられた導電層154は、そのp側コンタクトを連結する対象他のLEDセルとコンタクト種類と隣接した側面を選択して、その側面に沿って延長されている。即ち、図7aに図示された構造即ち、図6aのX1-X1では、第1及び第4LEDセルA1,C2の導電層154は第5LEDセルB1に隣接した側面に沿って延長することが出来る。導電層154は配線連結のために発光積層体151の上面に隣接した位置で露出した領域を有する。第1及び第4LEDセルA1,C2の導電層154のうちの露出した領域は、配線層159により第5LEDセルB1のn側コンタクト158と電気的に連結されている。これにより、第1及び第4LEDセルA1,C2のp側コンタクト153はその間に位置する第5LEDセルB1のn側コンタクト158との共通接点を有することが出来る。図7bX2-X2線に沿った断面図を参照すると、第2及び第3LEDセルA2,C1の間に位置した第5LEDセルB3の導電層154は、第2及び第3LEDセルA2,C1に隣接した側面に沿って2つの方向に延長され、配線連結のために発光積層体151の上面に隣接した位置で露出した領域を有する。第5LEDセルB3の導電層154のうちの露出した領域は、配線層159により第2及び第3LEDセルA2,C1のn側コンタクト158と電気的に連結されている。これにより、第2及び第3LEDセルA2,C1のn側コンタクト158はその間に位置した第5LEDセルB3のp側コンタクト153との共通接点を有することが出来る。図7cY-Y線に沿った断面図を参照すると、3つの第5LEDセルB1,B2,B3が並んで直列に連結された構造が図示されている。第5LEDセルB1,B2の導電層154はそれぞれ他の第5LEDセルB2,B3に隣接した側面に沿って延長され、配線連結のために発光積層体151の上面に隣接した位置で露出した領域を有している。第5LEDセルB1,B2の導電層154のうちの露出した領域は、配線層159により他の第5LEDセルB2,B3のn側コンタクト158と電気的に連結されている。これにより、3つの第5LEDセルB1,B2,B3は並んで直列に連結することが出来る。このように、基板構造物157に埋め込まれたp側コンタクト153を引出す導電層154の位置を適切に選択し、配線層157を形成することによりLEDセル間の所望の連結を容易に実現することが出来る。特に、切断面毎に別々に説明したが、各断面図において互いに対応する構成要素は同一の工程を通して形成されるため、図6aに図示された複雑な配線構造を有するモノリシック発光ダイオードアレイをより効率的に製造することが出来る。上述の例では説明しなかったが、配線層159の形成位置に応じて第3絶縁層152cをさらに形成することが出来る。第3絶縁層152cは主に配線層159のような外部要素との接触を防ぐことにより発光積層体151を保護する働きをする。本発明は上述の実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲により規定される。特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で様々な形態の置換、変形及び変更が可能であるということは当技術分野の通常の知識を有している者には自明である。"