第1の画素電極及び第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、フォトダイオードに電気的に接続された第2のトランジスタと、第2の画素電極及び第2の信号線に電気的に接続された第3のトランジスタとを有し、第2のトランジスタは、電荷を蓄積するノードと電気的に接続し、ノードは、第1のトランジスタと電気的に接続された前記第1の信号線との間に第1のシールド配線を有し、ノードは、第3のトランジスタと電気的に接続された前記第2の信号線との間に第2のシールド配線を有する画素構成を有する電子機器。請求項1において、第1のシールド配線及び第2のシールド配線は、電位が固定された共通配線であることを特徴の一とする電子機器。画素電極及び第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、フォトダイオードに電気的に接続された第2のトランジスタと、第2のトランジスタは、電荷を蓄積するノードと電気的に接続し、ノードは、第1のトランジスタと電気的に接続された前記第1の信号線との間にシールド配線を有し、ノードは、第2のトランジスタのゲートと電気的に接続された第2の信号線との間に前記シールド配線を有する電子機器。画素電極及び第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、フォトダイオードに電気的に接続された第2のトランジスタと、第2のトランジスタは、電荷を蓄積するノードと電気的に接続し、ノードは、第1のトランジスタと電気的に接続された前記第1の信号線との間にシールド配線を有し、ノードは、フォトダイオードと電気的に接続された第2の信号線との間に前記シールド配線を有する電子機器。画素電極及び第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、フォトダイオードに電気的に接続された第2のトランジスタと、電荷を蓄積するノードをゲートとする第3のトランジスタと、第3のトランジスタと電気的に接続された第4のトランジスタとを有し、第2のトランジスタは、前記ノードと電気的に接続し、ノードは、第1のトランジスタと電気的に接続された前記第1の信号線との間にシールド配線を有し、ノードは、第4のトランジスタのゲートと電気的に接続された第2の信号線との間に前記シールド配線を有する電子機器。請求項3乃至5のいずれか一において、シールド配線は、電位が固定された共通配線であることを特徴の一とする電子機器。上記3つの動作の際、フォトダイオードで生成した光電流により電荷を蓄積するFDと制御信号を供給する配線や、その他の信号線との間に寄生容量が存在する場合、上記信号の変化により、FDの電位が変化する。その結果、フォトセンサの出力が変化し、撮像品質が低下する。また、CMOSセンサを用いた表示装置では、各画素内にFDが配置されている。そのため、撮像素子の配線同様に、表示素子の信号線と、FDとの間に寄生容量が存在する場合、上記信号の変化により、FDの電位が変化する。その結果、フォトセンサの出力が変化し、撮像品質が低下する。フォトセンサの出力が変化し、撮像品質が低下することを防ぐ画素構成とすることを課題の一つとする。FDの電位の変化を抑えるため、FDと信号線との寄生容量が小さくなる、或いは、寄生容量がなくなるように、FDと撮像用信号線PR配線や、TX配線や、SE配線との間、またはFDと表示用信号線との間にシールド配線を配置する画素レイアウト構成とする。シールド配線としては、撮像用電源線、表示用電源線、GND配線、またはコモン電位配線などの電位が固定された共通配線を用いる。本明細書で開示する本発明の一態様は、隣り合う画素の2本の容量線を第1のシールド配線及び第2のシールド配線として用い、FDノードと表示用信号線との間にそれぞれ配置することでFDの電位の変化を抑える。具体的には、第1の画素電極及び第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、フォトダイオードに電気的に接続された第2のトランジスタと、第2の画素電極及び第2の信号線に電気的に接続された第3のトランジスタとを有し、第2のトランジスタは、電荷を蓄積するノードと電気的に接続し、ノードは、第1のトランジスタと電気的に接続された第1の信号線との間に第1のシールド配線を有し、ノードは、第3のトランジスタと電気的に接続された第2の信号線との間に第2のシールド配線を有する画素構成を有することを特徴の一つとする電子機器である。ただし、ノードは、第1のトランジスタと電気的に接続された信号線との間にシールド配線を有するとは、画素平面図においてノードと信号線との間にシールド配線が配置された画素レイアウトを指している。上記構成は、上記課題の少なくとも一つを解決する。また、本発明の他の一態様は、画素の容量線をシールド配線として用い、FDノードと表示用信号線との間に配置し、且つ、FDノードとTX配線との間に同じシールド配線を配置することでFDの電位の変化を抑える。具体的には、画素電極及び第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、フォトダイオードに電気的に接続された第2のトランジスタと、第2のトランジスタは、電荷を蓄積するノードと電気的に接続し、ノードは、第1のトランジスタと電気的に接続された第1の信号線との間にシールド配線を有し、ノードは、第2のトランジスタのゲートと電気的に接続された第2の信号線との間にシールド配線を有することを特徴の一つとする電子機器である。上記構成は、上記課題の少なくとも一つを解決する。また、本発明の他の一態様は、画素の容量線をシールド配線として用い、FDノードと表示用信号線との間に配置し、且つ、FDノードとPR配線との間に同じシールド配線を配置することでFDの電位の変化を抑える。具体的には、画素電極及び第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、フォトダイオードに電気的に接続された第2のトランジスタと、第2のトランジスタは、電荷を蓄積するノードと電気的に接続し、ノードは、第1のトランジスタと電気的に接続された第1の信号線との間にシールド配線を有し、ノードは、フォトダイオードと電気的に接続された第2の信号線との間に前記シールド配線を有することを特徴の一つとする電子機器である。上記構成は、上記課題の少なくとも一つを解決する。また、本発明の他の一態様は、画素の容量線をシールド配線として用い、FDノードと表示用信号線との間に配置し、且つ、FDノードとSE配線との間に同じシールド配線を配置することでFDの電位の変化を抑える。具体的には、画素電極及び第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、フォトダイオードに電気的に接続された第2のトランジスタと、電荷を蓄積するノードをゲートとする第3のトランジスタと、第3のトランジスタと電気的に接続された第4のトランジスタとを有し、第2のトランジスタは、前記ノードと電気的に接続し、ノードは、第1のトランジスタと電気的に接続された前記第1の信号線との間にシールド配線を有し、ノードは、第4のトランジスタのゲートと電気的に接続された第2の信号線との間に前記シールド配線を有することを特徴の一つとする電子機器である。上記構成は、上記課題の少なくとも一つを解決する。ノードの電位に影響を与える恐れのある信号線との寄生容量を低減することで、フォトセンサの出力の変動を抑え、撮像品質が低下することを防止することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、画像表示を行う表示部1032を有する電子機器1030の一例を図1A及び図1Bに示す。電子機器1030の表示部1032はフォトセンサを用いるタッチ入力機能を有し、図1Aに示すように表示部の領域1033にキーボードのボタン1031が複数表示される。表示部1032は表示領域全体を指しており、表示部の領域1033を含む。そして、使用者が所望のキーボードのボタンをタッチして情報を入力し、表示部1032に入力された情報の表示を行う。電子機器1030を使用している様子の一例を示す。例えば、表示部の領域1033に表示されているキーボードボタンを使用者の指を用いて順次触れる、または非接触で文字入力を行い、その結果表示される文章を表示部の領域1033以外の領域に表示する。使用者が画面のキーボードから指をはずし、フォトセンサの出力信号の検出されない期間が一定時間経つと自動的に表示部の領域1033に表示されていたキーボード表示が消され、表示部の領域1033にも入力された文章の表示が行われ、画面全体で入力された文章を使用者は確認することができる。再度入力する場合には、表示部1032に使用者の指を用いて順次触れる、または非接触でフォトセンサの出力信号を検出させることで再び表示部の領域1033にキーボードボタンを表示し、文字入力を行うこともできる。また、自動的ではなく、使用者が切り換えスイッチ1034を押すことによって、図1Bに示すように表示部1032にキーボード表示をなくした画像表示することもできる。また、キーボード表示スイッチ1036を押すことによってキーボードを表示し、タッチ入力可能な状態とすることもできる。また、切り換えスイッチ1034、電源スイッチ1035、及びキーボード表示スイッチ1036は、表示部1032にそれぞれスイッチボタンとして表示し、表示されたスイッチボタンに触れることで、各操作を行ってもよい。また、電子機器1030は少なくともバッテリーを有し、データ情報を保存するためのメモリFlashMemory回路、SRAM回路、DRAM回路など、CPU中央演算処理回路やLogic回路を備えた構成とすることが好ましい。CPUやメモリを備えることにより、様々なソフトウェアのインストールが行え、パーソナルコンピュータの機能の一部または全部の機能を持たせることができる。また、電子機器1030に対して、ジャイロスコープ、または3軸加速度センサなどの傾き検出部を設け、傾き検出部からの信号に応じて、電子機器1030で使用する機能、特に表示面での表示及び入力に係る機能を、演算回路により切り替えることができる。そのため、備え付けの操作キーのように入力キーの種類、大きさ、または配置が予め定まったものとは異なり、使用者の利便性を向上させることができる。次に表示部1032を構成する表示パネルの一例について、図2を参照して説明する。表示パネル100は、画素回路101、表示素子制御回路、及びフォトセンサ制御回路を有する。画素回路101は、行列方向にマトリクス状に配置された複数の画素103、104、113、114、及びフォトセンサ106を有する。画素103、104、113、114は、1つの表示素子をそれぞれ有する。本実施の形態では、画素103と画素104の間、且つ、画素113と画素114の間に1つのフォトセンサ106を配置する。即ち、4つの画素に一つのフォトセンサを配置する画素レイアウト構造とする。画素103、104、113、114は、トランジスタ、保持容量、及び液晶層を有する液晶素子などを有する。トランジスタは、画素電極105、115、125、135と電気的に接続する。トランジスタは、保持容量への電荷の注入もしくは保持容量からの電荷の排出を制御する機能を有する。保持容量は、液晶層に印加する電圧に相当する電荷を保持する機能を有する。液晶層に電圧を印加することで偏光方向が変化することを利用して、液晶層を透過する光の明暗階調を作ることで、画像表示が実現される。液晶層を透過する光には、外光太陽光または照明光を利用して液晶表示装置の外から照射される光を用いる。液晶層としては、特に限定されず、公知の液晶材料代表的には、ネマチック液晶材料やコレステリック液晶材料を用いれば良い。例えば、高分子分散型液晶PDLCPolymerDispersedLiquidCrystal、高分子分散液晶、ポリマー分散型液晶ともいう又は高分子ネットワーク型液晶PNLCPolymerNetworkLiquidCrystalを液晶層に用いて、液晶による光の散乱光を利用して白表示明表示を行ってもよい。また、表示素子制御回路は、画素103、104、113、114を制御するための回路であり、ビデオデータ信号線などの信号線ソース信号線ともいう。からトランジスタを介して画素電極105、115、125、135に信号を入力する表示素子駆動回路107と、走査線ゲート信号線ともいう。を介して各画素に配置されたトランジスタのゲート電極に信号を入力する表示素子駆動回路108を有する。例えば、走査線に接続された表示素子駆動回路108は、特定の行に配置された画素が有する表示素子を選択する機能を有する。また、信号線に接続された表示素子駆動回路107は、選択された行の画素が有する表示素子に任意の電位を与える機能を有する。なお、走査線に接続された表示素子駆動回路108により高電位を印加された表示素子では、トランジスタが導通状態となり、信号線に接続された表示素子駆動回路107により与えられる電荷が供給される。また、フォトセンサ106は、フォトダイオードなど、受光することで電気信号を発する機能を有する受光素子と、トランジスタとを有する。フォトセンサ制御回路は、フォトセンサ106を制御するための回路であり、フォトセンサ出力信号線、フォトセンサ基準信号線等の信号線に接続されたフォトセンサ読み出し回路109と、走査線に接続されたフォトセンサ駆動回路110を有する。走査線に接続されたフォトセンサ駆動回路110は、特定の行に配置された画素が有するフォトセンサ106に対して、後述するリセット動作と選択動作とを行う機能を有する。また、信号線に接続されたフォトセンサ読み出し回路109は、選択された行の画素が有するフォトセンサ106の出力信号を取り出す機能を有する。本実施の形態では、画素103と、フォトセンサ106の回路図について、図3を用いて説明する。画素301は、トランジスタ330、保持容量331及び液晶素子332を有する。また、フォトセンサ302は、フォトダイオード351、トランジスタ352、トランジスタ353、及びトランジスタ354を有する。トランジスタ330は、ゲートがゲート信号線310に、ソース又はドレインの一方がビデオデータ信号線311に、ソース又はドレインの他方が保持容量331の一方の電極と液晶素子332の一方の電極に電気的に接続されている。保持容量331の他方の電極は、容量配線312に電気的に接続され、一定の電位に保たれている。また、液晶素子332の他方の電極は一定の電位に保たれている。液晶素子332は、一対の電極と、該一対の電極の間の液晶層を含む素子である。トランジスタ330は、ゲート信号線310にHが印加されると、ビデオデータ信号線311の電位を保持容量331と液晶素子332に印加する。保持容量331は、印加された電位を保持する。液晶素子332は、印加された電位により、光の透過率を変更する。フォトダイオード351は、一方の電極がフォトダイオードリセット信号線341PR配線とも呼ぶに、他方の電極がトランジスタ352のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。また、トランジスタ352のソース又はドレインの他方がFDノードである。トランジスタ352は、FDノードの電圧の制御及び、電圧を保持する役割を持ち、ゲートはフォトセンサ電荷転送用信号線342TX配線とも呼ぶに接続される。上記信号線342は、上記トランジスタ352のスイッチングを制御する役割を担う。また、トランジスタ354は、ゲートがFDノードであり、ソース又はドレインの一方に電源配線344が電気的に接続されている。また、トランジスタ354のソース又はドレインの一方にトランジスタ353のソース又はドレインの一方が電気的に接続されている。トランジスタ353のゲートはフォトセンサ基準信号線345SE配線に電気的に接続されている。また、トランジスタ353のソース又はドレインの他方は、フォトセンサ出力信号線343OUT配線とも呼ぶに電気的に接続されている。次に、フォトセンサ読み出し回路109の構成の一例について、図4を用いて説明する。一例として、表示部は、1024行768列の画素で構成され、表示素子は各行各列の画素に1個、フォトセンサは2行2列の画素に1個、を有する構成とする。すなわち、表示素子は1024行768列、フォトセンサは512行384列で構成される。また、フォトセンサ出力信号線は2列を1組として表示装置外部に出力する例を示す。すなわち、2行4列の画素8個に挟まれるフォトセンサ計2個から出力を1個取得する。図3は、画素の回路構成で、2行2列分の4つの画素と、1つのフォトセンサを示している。表示素子を1画素に1個、フォトセンサを4画素に1個、有する。図4は、フォトセンサ読み出し回路109の回路構成で、説明のため、一部のフォトセンサも示している。なお、図3に示すトランジスタにはチャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを用いることができる。図4に示すように、フォトセンサの走査線駆動回路は、同時に画素4行分すなわちフォトセンサ2行分を駆動し、選択行を画素2行分に相当するフォトセンサ1行分ずつシフトさせていく駆動方法を行う例を考える。ここで、各行のフォトセンサは、走査線駆動回路が選択行のシフトを2回行う期間、連続して選択されることになる。このような駆動方法を用いることで、フォトセンサによる撮像のフレーム周波数を向上させることが容易になる。特に、大型の表示装置の場合に有利である。なお、フォトセンサの出力信号線343には、同時に2行分のフォトセンサの出力が重畳されることになる。また、選択行のシフトを512回繰り返すことで、全フォトセンサを駆動することができる。フォトセンサ読み出し回路109は、図4に示すように、画素24列に1個ずつセレクタを有する。セレクタは、表示部におけるフォトセンサの出力信号線343について2列分を1組とする12組から1組を選択して出力を取得する。すなわち、フォトセンサ読み出し回路109全体で、セレクタを32個有し、同時に32個の出力を取得する。各々のセレクタによる選択を12組全てに対して行うことで、フォトセンサ1行分に相当する合計384個の出力を取得することができる。セレクタによる12組の選択を、フォトセンサの走査線駆動回路が選択行をシフトさせる都度行うことで、全フォトセンサの出力を得ることができる。本実施の形態では、図4に示すように、信号線に接続されたフォトセンサ読み出し回路109は、アナログ信号であるフォトセンサの出力を表示装置外部に取り出し、表示装置外部に設けたアンプを用いて増幅した後にAD変換器を用いてデジタル信号に変換する構成を考える。勿論、表示装置と同一基板上にAD変換器を搭載し、フォトセンサの出力をデジタル信号に変換した後、表示装置外部に取り出す構成とすることも可能である。図6のタイミングチャートを用いて、図3のフォトセンサ回路の駆動方法について説明する。図6では簡易に説明するため、TX910、PR911、SE912は、二値変化する信号として与え、以下、TX910は、高電位をHigh-TX、低電位側をLow-TX、PR911は、高電位をHigh-PR、低電位側をLow-PR、SE912は、高電位をHigh-SE、低電位側をLow-SE、と表現する。ただし、各電位は実際にはアナログ信号であるため、各電位は状況に応じて二値に限らず種々の値を取り得る。まず時刻901にTX910をHigh-TXにする。次に時刻902にPR911をHigh-PRにすると、FDの電位913はPR911と同じHigh-PRになる。以上をリセット動作と呼ぶ。時刻903にPR911をLow-PRにすると、FDの電位913はHigh-PRを保持し、pinフォトダイオードに逆バイアスがかかる状態になる蓄積動作開始。このとき、pinフォトダイオードのi層に光が入射することで逆電流が流れるため、光の量に応じてFDに蓄積される電荷量が変化する。時刻904にTX910をLow-TXにすると、FDからpinフォトダイオードへの電荷の移動が止まり、FDに蓄積される電荷量が決定する蓄積動作終了。時刻905にSE912をHigh-SEにすると、FDの電位913に応じて電源配線からOUT配線へと電荷が供給される読出動作開始。時刻906にSE912をLow-SEにすると、電源配線からOUT配線への電荷供給が停止され、OUT914が決定する読出動作終了。OUT914を用いることで撮像画像を生成することができる。以降は、時刻901の動作に戻り、同じ動作を繰り返す。本実施の形態においては、全フォトセンサのリセット動作、蓄積動作、及び読み出し動作を実行することで、外光の局所的陰影を検出することができる。また、検出した陰影について適宜画像処理など行うことにより、指やペンなどが表示装置に接触した位置を知ることができる。あらかじめ、接触した位置に対応する操作、例えば文字入力であれば文字の種類を規定しておくことで、所望の文字の入力を行うことができる。なお、本実施の形態における表示装置では、フォトセンサにより外光の局所的陰影を検出する。そのため、指やペンなどが表示装置に物理的に接触しなくても、非接触で近接することにより陰影が形成されれば検出が可能である。以下、指やペンなどが表示装置に接触するとは、非接触で近接することも含むものとする。上記構成により、表示部1032にタッチ入力機能を持たせることができる。実施の形態2本実施の形態では、図3と一部異なる回路配置を図5とし、画素レイアウトの一例を図7に示す。画素回路は表示回路3501及びセンサ回路3502で構成されている。表示回路は、トランジスタ3530、液晶素子3532および容量3531で構成される。トランジスタ3530のゲートは、信号線3510に接続され、ソースまたは、ドレインの一方が信号線3511に接続され、他方は、容量3531の一方の電極及び、液晶素子3532の一方の電極に接続される。容量3531の他方の電極は、信号線3512に接続される。液晶素子3532の他方の電極は、共通電極に対応する。また、センサ回路は、pinフォトダイオード3551、FET-T3552、FET-AMP3554、FET-S3553で構成される。FET-T3552のゲートはTX配線3542、及び3547の2本に接続され、ソースまたは、ドレインの一方がpinフォトダイオード3551のカソードに接続され、他方がFET-AMP3554のゲートに接続される。FET-AMP3554のソースは電源配線3544に接続され、ドレインはFET-S3553のソースに接続される。FET-S3553のゲートはSE配線3545に接続され、ソースはOUT配線3543に接続される。pinフォトダイオード3551のアノードはPR配線3541及び3546に接続される。なお、図5に示すトランジスタにはチャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを用いることができる。図7は、図5の回路図に対応する画素レイアウトの平面図の一例である。画素レイアウトには、4つの表示回路のレイアウト3610a、3610b、3610c、3610dとセンサ回路のレイアウト3620が1つから構成される。表示回路のレイアウト3610a、3610b、3610c、3610dは、それぞれ選択FET3603、Cs線3601、ビデオデータ配線3602、選択配線3600、COM配線3604から構成される。また、センサ回路のレイアウト3620は、pinフォトダイオード3630、半導体層3637を有するFET-T、半導体層3638を有するFET-AMP、半導体層3636を有するFET-T、FD3641、垂直TX配線3632、水平TX配線3640、垂直PR配線3631、水平PR配線3639、SE配線3635、OUT配線3633、VDD配線3634で構成される。半導体層3636、3637、3638の材料は特に限定されないが、多結晶半導体膜ポリシリコン膜などや、微結晶半導体膜や、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される酸化物半導体膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。また、上記酸化物半導体膜にSiO2を含んでもよい。画素レイアウトの各層は、半導体層3636、3637、3638、ゲート配線層3651、SD配線層3652、Si層3653、ITO電極層3654から形成される。また、垂直TX配線3632、垂直PR配線3631はSD配線層3652を、水平TX配線3640、水平PR配線3639はゲート配線層3651を利用して形成している。また、水平配線と垂直配線はコンタクトを取ることで、メッシュ状のレイアウトを形成している。画素レイアウトは、FD3641と、ビデオデータ線3602や隣接画素の信号線との間に、シールド配線として機能するCs線3601が存在する。そのため、FD3641と上記複数の信号線との間に形成する寄生容量が低減し、または、上記信号線の電圧変化に伴った周辺電位の変化をブロックし、FDの電位変化を抑える。また、画素レイアウトの特徴の一つは、FD3641が、FD3641が設けられている画素及び隣接画素に配置されているPR配線、SE配線及び、OUT配線とは十分な距離を設けて配置されていることである。したがって、FD3641の電位変化を抑制し、フォトセンサの出力信号にノイズが少ない撮像機能を有する表示装置を提供することができる。また、図7の一部拡大図を図8Aに示し、その断面構造の一例を図8Bに示す。なお、図8A及び図8Bにおいて、図7と共通の部分には同じ符号を用いる。図8Bにおいて、基板500上にフォトダイオードと電気的に接続するトランジスタのゲート配線層3651と、水平PR配線3639が同一材料、同一工程で形成される。また、ゲート配線層3651と、水平PR配線3639を覆うゲート絶縁層502が形成され、ゲート絶縁層502上に、ゲート配線層3651と重なる位置に半導体層3637が形成される。また、半導体層3637に一部重なるSD配線3652が形成され、SD配線3652を覆う第1の層間絶縁層505が形成されている。また、pinフォトダイオード3630は、p型の不純物元素を含有するシリコン層3653pと、i型のアモルファスシリコン層3653iと、n型の不純物元素を含有するシリコン層3653nとを積層して光電変換層を形成する。また、pinフォトダイオード3630及び第1の層間絶縁層505を覆う第2の層間絶縁層509が形成され、第2の層間絶縁層509上に透明導電膜からなるITO電極3654が形成される。ITO電極3654は、半導体層3637を有するトランジスタのSD配線3652と、pinフォトダイオード3630とを接続する接続電極として機能する。なお、表示領域において、画素電極は、ITO電極3654と同一材料、同一工程で形成される。なお、図8Bにおいて、pinフォトダイオード3630と電気的に接続するトランジスタは、ボトムゲート型のトランジスタの例を示したが特に限定されず、他のボトムゲート構造や、トップゲート構造であってもよい。実施の形態3本実施の形態においては、上記実施の形態で説明したタッチ入力機能を有する表示部タッチパネルを具備する電子機器の例について説明する。図9Aは情報端末であり、筐体9630、表示部9631、操作キー9632、太陽電池9633、充放電制御回路9634を有することができる。太陽電池9633と、タッチパネルとを開閉自在に装着しており、太陽電池からの電力をタッチパネル、または映像信号処理部に供給する情報端末である。図9Aに示した情報端末は、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能、等を有することができる。なお。図9Aでは充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ以下、コンバータ9636と略記を有する情報端末の構成について示している。なお太陽電池9633は、筐体9630の表面及び裏面に効率的なバッテリー9635の充電を行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。また図9Aに示す充放電制御回路9634の構成、及び動作について図9Bにブロック図を示し説明する。図9Bには、太陽電池9633、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3、表示部9631について示しており、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3が充放電制御回路9634に対応する箇所となる。まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。なお太陽電池9633については、充電手段の一例として示したが、他の手段によるバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。また、上記実施の形態で説明したタッチ入力機能を有する表示部タッチパネルを具備していれば、図9に示した電子機器に特に限定されないことは言うまでもない。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。