ソレノイドのコイルに電気的に接続された、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュールを用いて、前記ソレノイドを操作する方法であって、aソレノイド駆動信号が真となるのに応じて、前記モジュールによって起動電圧を接続して前記コイルへの起動電流を確立するステップであって、前記起動電圧及び起動電流によって前記ソレノイドが閉状態又は密閉状態となる、ステップ;b前記ソレノイドが閉状態又は密閉状態となった後で、前記コイルの持続電圧及び持続電流を前記モジュールによって変化させるステップであって、前記持続電圧又は持続電流は前記起動電圧又は起動電流より小さく、前記ソレノイドは閉位置又は密閉位置に維持される、ステップ;並びにc前記持続電圧及び持続電流を前記モジュールによって維持するステップ;を備え、前記モジュールは、少なくとも1つのコンダクタを前記モジュールと前記ソレノイドの間に接続するためのデバイス通信コネクタ装置と、前記モジュールによって、複数の信号のうちいずれかを前記デバイス通信コネクタ装置の複数のコンタクトのいずれかに配置するための、インターフェース装置とを含む、方法。前記変化させるステップは、前記モジュールによって、前記起動電圧及び起動電流を前記ソレノイドから接続解除して、前記持続電圧及び持続電流を前記ソレノイドに接続することを含む、請求項1に記載の方法。前記変化させるステップは、単一の電源の電圧又は電流レベルを変化させることを含む、請求項1に記載の方法。前記持続電圧又は持続電流は、前記起動電圧又は起動電流の50未満である、請求項1に記載の方法。前記ソレノイド駆動信号が偽となった場合に、前記ソレノイドから電力を除去するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。前記モジュールによって、前記コイルの電流をスロットリングするステップと、前記コイルの電圧をクランプするステップとを更に含む、請求項5に記載の方法。前記スロットリングするステップは、前記コイルが供給できる電圧が前記クランプ下電圧未満に降下するまで続けられる、請求項6に記載の方法。前記スロットリングするステップの後、前記コイルから残留エネルギを散逸させるために、前記モジュールによって前記コイルを固定トランジスタ駆動に接続するステップを更に含む、請求項7に記載の方法。前記モジュールは、前記ソレノイドの両側を同一の電源の高圧側と低圧側とに接続することにより、前記コイルからエネルギを散逸させるための導電経路を提供する、請求項5に記載の方法。前記コイルからエネルギを散逸させるために、前記モジュールによって前記コイルを固定トランジスタ駆動に接続するステップを更に含む、請求項9に記載の方法。前記モジュールによって前記ソレノイドの状態を決定するステップを更に含み、ここで前記状態は、開状態から閉状態又は密閉状態までを含む、請求項1に記載の方法。前記決定するステップは、前記モジュールによって前記コイルのインダクタンスを測定することを含む、請求項11に記載の方法。前記決定するステップは、前記ソレノイドが開状態の場合に前記インダクタンスを測定すること、前記ソレノイドが閉状態又は密閉状態の場合に前記インダクタンスを測定すること、及び、前記モジュールのマイクロプロセッサのメモリに前記測定を記憶することを含む、請求項12に記載の方法。前記測定は連続的又は周期的である。請求項12に記載の方法。前記測定は、前記モジュールによって前記コイルに正弦波電圧信号を印加することと、前記モジュールによって、前記印加した正弦波電圧に対する前記コイルの電流の相対マグニチュード及び相対段階を測定することとを含む、請求項12に記載の方法。前記測定は、前記モジュールによって前記コイルに矩形波電圧信号を印加することと、前記モジュールによって、前記印加した矩形波電圧に対する前記コイルの電流の相対マグニチュード及び相対段階を測定することとを含む、請求項12に記載の方法。前記測定は、前記モジュールによって前記コイルに一連のパルスを印加することと、前記モジュールによって、前記印加した電圧パルスに対する、ある時間にわたる前記コイルの段階的応答を測定することと、前記段階的応答から前記インダクタンスを算出することとを含む、請求項12に記載の方法。前記ソレノイド駆動信号が真又は偽である場合に、前記ソレノイドの前記状態を連続的又は周期的に決定するステップを更に含む、請求項11に記載の方法。前記ソレノイドが閉状態又は密閉状態ではないと決定された場合に、上記接続するステップ、上記起動電圧及び起動電流を維持するステップ、上記持続電圧及び電流を変化させるステップ、並びに上記持続電圧及び電流を維持するステップを繰り返すことを更に含む、請求項18に記載の方法。前記持続電圧又は持続電流は、前記繰り返しの間に増大する、請求項19に記載の方法。前記インターフェース装置は、前記コンタクトのうちの特定の1つへの選択可能な相互接続装置を提供する少なくとも1つの集積回路を含む、請求項1に記載の方法。前記集積回路はASICである、請求項21に記載の方法。前記インターフェース装置は、前記モジュールによって、前記デバイス通信コネクタ装置の前記複数のコンタクトのいずれかに、前記複数の信号のいずれかを配置するための、マイクロプロセッサを含む、請求項1に記載の方法。前記ソレノイドを操作するための設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュールであって、少なくとも1つのコンダクタを前記モジュールと前記ソレノイドの間に接続するためのデバイス通信コネクタ装置と、前記モジュールによって、複数の信号のうちいずれかを前記デバイス通信コネクタ装置の複数のコンタクトのいずれかに配置するための、インターフェース装置とを備える、モジュールにおいて、前記インターフェース装置は、コンピュータプログラムを記憶するためのメモリ及び前記プログラムを実行するためのプロセッサを含み、前記プログラムは、前記プロセッサにaソレノイド駆動信号が真となるのに応じて、前記モジュールによって起動電圧を接続して前記コイルへの起動電流を確立するステップであって、前記起動電圧及び起動電流によって前記ソレノイドが閉状態又は密閉状態となる、ステップ;b前記ソレノイドが閉状態又は密閉状態となった後で、前記コイルの持続電圧及び持続電流を前記モジュールによって変化させるステップであって、前記持続電圧又は持続電流は前記起動電圧又は起動電流より小さく、前記ソレノイドは閉位置又は密閉位置に維持される、ステップ;並びにc前記持続電圧及び持続電流を前記モジュールによって維持するステップ;を実行させる、モジュール。前記プログラムは、前記プロセッサに前記モジュールよって前記コイルのインダクタンスを測定させて前記ソレノイドの状態を決定し、ここで前記状態は、開状態から閉状態又は密閉状態までを含む、請求項24に記載のモジュール。ソレノイドを操作するためのシステムであって、前記システムは;少なくとも1つのコンダクタを前記モジュールと前記ソレノイドの間に接続するためのデバイス通信コネクタ装置と、前記モジュールによって、複数の信号のうちいずれかを前記デバイス通信コネクタ装置の複数のコンタクトのいずれかに配置するための、インターフェース装置と、を備える、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール;通信リンクによって前記モジュールに接続されたコントローラであって、前記コントローラは、コンピュータプログラムを記憶するためのメモリ及び前記プログラムを実行するためのプロセッサを含み、前記プログラムは前記プロセッサに、ソレノイド駆動信号を真へと切り替えさせ、前記信号を前記モジュールへ送信し、前記モジュールに以下の:a起動電圧を接続して前記コイルへの起動電流を確立することであって、前記起動電圧及びコイル電流によって前記ソレノイドが閉状態又は密閉状態となる、確立すること;b前記ソレノイドが閉状態又は密閉状態となった後で、前記コイルの持続電圧及び持続電流を前記モジュールによって変化させることであって、前記持続電圧又は持続電流は前記起動電圧又は起動電流より小さく、前記ソレノイドは閉位置又は密閉位置に維持されるよう、変化させること;並びにc前記持続電圧及び持続電流を前記モジュールによって維持すること;を実行させる、システム。前記通信リンクはイーサネットリンクである、請求項26に記載のシステム。本発明は、ソレノイドを完全な開位置から密閉位置に動かすために十分に高い力を提供することができる、ソレノイドコイルを駆動するための、設定変更可能なコネクタ付きの方法及び装置を提供する。これはまた、消費エネルギ及びソレノイドが密閉状態である場合のソレノイドコイルの発熱を低減することもできる。本発明は、直列スロットリングトランジスタ又はレジスタからの連続的な損失無しにエネルギを削減する。本発明は、開状態又は短絡したソレノイドコイルの検知を容易にし、また、電流を削減することができ、そのために、結果として起こるコイルの過熱を低減するためにアーマチュアを動かなくする。本発明は、駆動方法としてPWMを使用するための要件を削除し、ダイオード等の追加の構成部品を必要とせずに、コイルのオフ動作を統御する。本発明により、1つ以上のリレー又はソレノイドへの接続が外部電源を必要とせず、簡略化される。本発明により、ソレノイドが密閉状態であるかどうかの決定を、補助電気的コンタクトを必要とせずに行うことができ、また、密閉状態でないソレノイドの情報を用いて、ソレノイドアーマチュア上の力を本質的に瞬間的に増大させ、アーマチュアが大きく移動する前にアーマチュアを密閉位置に戻すことができる。本発明は、米国特許第6892265号、米国特許第7216191号及び米国特許第7822896号、並びに、米国特許出願公開第2001/0231176号として公開された米国特許出願第13/069292号の教示を拡張するものである。過去の発明では、電圧の測定、電圧の生成、電流の測定、電流の生成、様々な電力レベルの生成、又はシリアル通信データ等の周波数情報の統御に至る、非常に多様な電気的機能のために、システムのいずれのコネクタピンを構成してよい、設定変更可能なコネクタ付きシステムが記載されている。これらの教示を利用して構築された単一バージョンの製品によって、数多くの工業的制御に関わる問題が解決されてきた。従来の工業的制御入力/出力モジュールと比較すると、設定変更可能なコネクタ付きの入力/出力モジュールは、電源やターミナルブロック等、必要とされる追加の構成部品の数を劇的に削減する。設定変更可能なコネクタ付きの入力/出力システムは、そのコネクタピンの電気的構成を変化させることができるため、多くの異なる固定構成モジュールの必要を排除する。本発明では、入力/出力モジュールのピン構成を通常動作中に変更することができ、これにより、ソレノイドが2つのこのようなピンの間に接続されている場合、ソレノイドにわたる電圧を、いずれの追加の構成要素を用いずに、又はPWMの使用を必要とせずに、変化させ得る。本発明によってピンの構成を1つの電源から別の電源へと変化させることができる、又はいずれの上記複数の電源の電圧レベルを変化させることができるようになるため、本発明によって、高効率の電源を使用することができるようになる。従って、ソレノイドにわたる電圧を低減するためにスロットリング又はPWMは必要でなくなるが、本発明におけるPWMの使用は、それが何らかの理由で有益であると決定される場合には、排除されるものではない。その上、本発明は、オフ時に誘導性電流を統御する2つの方法も提供する。第一に、設定変更可能なコネクタ付きモジュールは、コイルの電圧を許容可能なレベル内に保持したまま、電流を徐々にスロットリングすることができる。第二に、ソレノイドの2つのピンのうち第1のピンを、第2のピンと同一の電圧に再び再構成することで、ソレノイドコイルの両側を同一の電源の高圧側と低圧側とに接続し得る。この2つの方法によって、回路オフ中のインダクタンスの影響に対処し、また、回路の安全な動作を提供するために追加の要素を必要としない。その上、本発明は、他の感知及びソース回路要素のコネクタピンへの接続を提供し、これにより、ソレノイドが密閉状態であるかどうかを決定できる。上記決定は、ソレノイドの電気的インダクタンスは電気的磁気抵抗と反比例の関係にあること、及び、上記リラクタンスはソレノイドの空隙がゼロに近づくにつれて減少することに基づいている。上記決定は、ソレノイドにわたる電圧に周期的又は段階的な変化を与えて、その結果発生する電流の周期的又は段階的な変化を測定することによって達成される。上記結果として発生する電流はソレノイドインダクタンスの関数である。又は代替として、上記決定は、ソレノイドを通る電流に段階的変化又は周期的変化を与えて、その結果発生する電圧の変化を測定することによって達成してもよいが、好ましい実施形態は前者の決定方法である。上記決定は、ソレノイドが密閉状態である、開きつつある、又は開いているかどうかを含む。その上、ソレノイドが意図せず密閉状態で無くなる場合、本発明の方法及び装置は、ソレノイドの電流を本質的に同時に増大させてソレノイドを再び密閉し、これによってソレノイドが意図せず開くのを防止することができる。上記再密閉は、本発明に見られるもの以外のいずれの追加の装置も必要とすることなく行うことができる。図6は、本発明の設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15の、機能ブロック図を示す。好ましい実施形態の上記モジュール15の内部にはマイクロプロセッサ80が含まれており、これは、複数の信号のいずれを1つ以上のピン16へ配向することができ、これらピン16はその後、ソレノイド等のただしソレノイドに限定されない様々なセンサ及びアクチュエータに接続されるものである。特に、上記設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15は1つ以上の電源81を含み、これは、複数の信号のうち上記以外のものと同様、R5又はR6等のスイッチング手段82を介してルーティングされて、1つ以上のコネクタピン16に接続されてよい。ソレノイドが2つのこのようなピン16の間に接続される場合、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15は、上記ソレノイドへの複数の電力レベルのうち1つを生成して、ソレノイドを通って流れる電流をPWMを必要とすることなく調整することができる。設定変更可能な入力/出力モジュール15は、いずれの数の相互接続装置83を含んでよい。各相互接続装置83は1つのデバイスコネクタ16に接続され、任意に、別の相互接続装置への内部クロスポイントスイッチを通る図13及びそれに関連する記載を参照。図6は極度に定型化されており、本発明のモジュールの本質を伝えることを意図したものである。図7は、ソレノイド10に接続されている状態の、本発明の設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15を示す。この構成では、上記モジュール15は、複数の電力レベルを電源81から上記モジュール15のピン1及び2にルーティングするためのマイクロプロセッサ80によって構成されている。従来技術による固定構成の出力モジュールとは異なり、図7に示す15個のピンのいずれは、この機能のために構成することができる。外部デバイス電源を必要とする従来技術による固定構成の出力モジュールとは異なり、本発明には外部デバイス電源は必要なく、図7に図示されていない。また、出力モジュールを保護するためにフライバックダイオードを必要とする、従来技術による固定構成の出力モジュールとは異なり、本発明にはフライバックダイオードは必要なく、図示されていない。よって、本発明の設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15は、複数の電圧のうち1つを接続されたソレノイド10に印加することができ、これにより、本発明の目的を実現することができる。図8A、8B及び8Cは、減衰を抑制する方法及び装置を用いたソレノイド10の起動の結果として発生する電圧及び電流の波形を示し、図8Aではソレノイド駆動信号として示す。以下に説明する電圧の波形には9個の段階がある。図8Bでは各段階に21~29の符号が付けられている。段階21では、ソレノイドの電圧はゼロであり、これはソレノイドの無作動状態である。ソレノイドには電力供給されておらず、起動準備状態である。段階22では、ソレノイド駆動信号が真となるのに応じて、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15は、起動レベル電圧をソレノイド10に接続する。この好ましい実施形態では、上記起動レベル電圧は24Vである。印加された電圧に応じて、ソレノイドコイルの電流は急峻に増加し符号40、印加された電圧が好ましくは持続可能な定常状態のコイルの電圧より高いため、ソレノイドは迅速に動く。しかしながら、段階23の期間を変化させることにより、ソレノイドの起動力を制御することができる。段階23では、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15は、ソレノイドコイルの電圧を引き込みレベルに維持し、コイルの電流は定常状態に漸近的に移動する符号41。段階23部分の長さは、ソレノイドの起動力を制御するために、上記ソレノイドの電流が定常状態に到達しないよう設定される。段階41の終わりにおいて、ソレノイドは好ましくは閉位置又は密閉位置となる。段階24では、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15は、ソレノイドから起動レベル電圧の接続を解除して、ソレノイドに持続レベル電圧を接続することを実質的に同時に行う。代替として、単一の電源の電圧レベルを変化させて、同一の目的を達成することができる。持続レベル電圧は、ソレノイドに十分な保持力を供給できるよう選択するが、上記持続レベル電圧は、いかなる条件下においても高い信頼性をもってソレノイドに引き込まれるには不十分なものとする。上記持続レベル電圧は好ましくは、マイクロプロセッサ80によって調整することができる。段階24が開始すると、ソレノイドコイルの電流42は、低い電圧の印加に応じて減少し始める。上記ソレノイドコイルの電流は、ある程度の期間が経過した後で定常状態43になるまで減少するが、この期間はソレノイドの電気的特性の関数である。段階25では、ソレノイドを密閉状態に保持するために、ソレノイドにおいて持続レベル電圧が維持される。制御システムによって、必要なだけ段階25を維持する。この時間は数ミリ秒から数ヶ月又はそれ以上の範囲とすることができる。段階26では、プロセスは、ソレノイド駆動信号が偽31となり始めるのに応じてソレノイドから電力を除去し始める。ソレノイドのインダクタンスこれは電流の迅速な低下を不可能とするは、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュールのピン16をグランドに対して大きく負とし、スイッチング手段82に損傷を与えたり、又はこれを破壊したりすることがあるため、設定変更可能なソレノイド駆動回路は、その駆動トランジスタをソレノイドへ開くことは決してできない。ソレノイドコイルがいわゆるフライバックダイオードを備えている場合、上記ソレノイドの電流に経路が提供され、コイルのエネルギが散逸する。しかしながら、フライバックダイオードは存在せず、よってコイルの電圧はゼロを通過して負となる。従って、本発明の設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15は、コイルの電流をスロットリングしてコイルの電圧をある値にクランプし始めるように構成され、この値は、好ましい実施形態ではグランドに対しておよそ-5Vである。段階27では、コイルが供給できる電圧がクランプされた電圧未満に低下するまで、スロットリングプロセスを続ける。段階27の間、ソレノイドコイルの電流は線形に減少する符号44。段階28では、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15は、ソレノイドコイルの電流を能動的にスロットリングするのを停止し、その代わりに、固定トランジスタゲート駆動を提供し、ソレノイドコイルから残留エネルギを散逸させる。段階28の間にソレノイドの電流45はゼロまで指数関数的に減衰し、ソレノイドコイルは無作動状態に戻る。段階29では、ソレノイドコイルは段階21でそうであったのと同じ状態である:即ち、コイルは作動しておらず、ソレノイドには電力供給されておらず、再び起動準備状態となっている。ソレノイドの電流46もまたゼロである。図6及び7を参照すると、インターフェース装置84は、複数の電源のうち1つを、ソレノイド10が接続されたデバイスコネクタ16に接続するよう構成されてよい。例えば、スイッチング手段82は最初に、ソレノイドの引き込み段階を達成するために、24VDC電源を上記デバイスコネクタ16に接続させることができる。同様に、上記インターフェース装置84は続いて、ソレノイドの持続段階を達成するために、5VDC電源を上記デバイスコネクタ16に接続させてよい。図9A、9B及び9Cは図8A、8B及び8Cとよく似ているが、ソレノイドの電流をスロットリングするのではなく、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15の、ソレノイド10に接続された2つのピンを、高圧側又は低圧側の同一の電圧に設定する点で異なる。このようにする際、ソレノイドの電流は上記モジュール15を通って、ソレノイドの電流が枯渇するまで流れる。よって、図9Bの段階27は0Vのままであり、図8Bにおけるように-5Vではない。そして、図9Cの電流は、段階46においてゼロまで指数関数的に減少する。上記インダクタンスは、それ自体がソレノイドの空隙の関数である磁気抵抗と反比例の関係にあり:即ち、磁気抵抗は空隙が減少するに従って減少し、ソレノイドが完全に密閉され空隙がほぼ無くなると完全に低下するため、本発明の文脈において、ソレノイドの状態が密閉状態であるか、開きつつあるか、又は完全に開状態であるかの決定は、ソレノイドコイルのインダクタンスの測定により達成される。本発明は、上記インダクタンスを測定するための方法及び装置を多数提供する。2つの方法及び2つの装置について以下に説明するが、これは単に例示を目的としたものである。本発明の特徴を用いたより簡単又はより適切な方法も可能であるが、以下の説明は本発明の本質を伝えることを意図したものである。図10は、本発明のインダクタンスの測定を説明するために用いられる、一般的な電気回路モデルを示す。具体的には、ソレノイド10は2つの構成部品に分割される。抵抗性構成部品95は、誘導性構成部品96と直列接続される。このモデルにより、インダクタンス測定システムの説明が容易となる。図11Aは、ソレノイドにわたるDC電圧を示す。上記電圧は、0V以上のいずれの適切な電圧であってよい。図11Bは、図11Aに示す電圧を印加した場合に得られるDC電流を示し、上記得られるDC電流は0以上である。図11Cは、図11AのDC電圧信号に印加される、適切な周波数の正弦波電圧信号であり、上記正弦波電圧は、ソレノイドの動作に影響を与えない程度の、上記DC電圧の十分に小さい割合であるが、その一方で上記ソレノイド10内に測定可能な電流を生成するのに十分な大きさである。上記正弦波電圧信号は、本発明の設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15に接続された複数の電源81のいずれかの電圧の設定値をわずかに変化させることによって確立される。上記正弦波電圧信号は、図11BのDC電流信号の変動を引き起こし、これもまた本質的に正弦波である。DC電流信号の上記変動を図11Dに示す。図11Cの正弦波電圧信号に対する図11Dの信号の段階は、図10に示す2つの構成要素、即ち上記ソレノイド10の抵抗性構成部品95及び誘導性構成部品96の相対マグニチュードの関数となる。具体的には、図10の抵抗性要素95が大きくなり、かつ図10の誘導性構成部品96が小さくなるとすると、図11Cの電圧信号に対する図11Dの電流信号の段階は小さくなり、90°より0°に近くなる。しかしながら、図10の抵抗性構成部品95が小さくなり、かつ図10の誘導性構成部品96が大きくなるとすると、図11Cの電圧信号に対する図11Dの電流信号の段階は大きくなり、0°より90°に近くなる。電流信号の直交成分を抽出することができる、信号処理の公知の方法を用いて、ソレノイド10の誘導性構成部品を測定することができる。インダクタンスの測定のために代替の方法及び装置を使用してよく、周期的正弦波励起ではなく周期的矩形波励起等を用いて、同様の結果及び恐らくはより簡単かつ効果的な実施形態とすることができる。更に、電圧又は電流の段階的変化、及びそれに続く電流又は電流の応答の測定によって、使用される電気回路により適切であり得る実施形態において、同様のインダクタンス測定を提供することができる。ソレノイド状態決定の代替方法は、周期的励起に対する段階及びマグニチュードではなく、段階的応答の観察によるものである。図12Aは、ソレノイドが密閉状態であるかどうかを決定するために使用される状態クエリパルスによって、典型的なエネルギ印加及び脱エネルギシーケンスに関するソレノイド電圧を示す。これらのクエリパルスのマグニチュード又は極性、及び期間は、ソレノイドの状態が変化するのを回避できるよう設計される。図12Bは、図12Aのシーケンス及びそのクエリパルスに関する電流を示す。本方法においてリレーにわたって印加される、エネルギ印加、保持、及び脱エネルギ化に使用される3つの電圧は、好ましい実施形態では同じレベルであるが、これは本発明の重要な側面ではない。図示したシーケンスにおける事象又は段階の順に従って、本方法を以下に詳細に説明する。まず、ソレノイドを脱エネルギ化してゼロ電流及び電圧状態とする。この状態では、十分に小さい振幅及び期間のクエリパルスを適用して、ソレノイドのアーマチュアを動かすことなく電流の応答50を生成することができる。クエリパルスの期間が、その密閉状態若しくは非密閉状態又は中間状態におけるソレノイドのL/R時間定数と比較して短い場合、公知のピークにおいて、即ちクエリパルスの終端において上記電流の応答をサンプリングすることによって、ソレノイドのインダクタンスを、1つのサンプルを用いて推測できる。上述のように、このインダクタンスはソレノイドの状態を示し、これが本発明の目的である。ある程度時間が経ってから、ソレノイドにエネルギを印加し、電流の応答51、及びソレノイドのアーマチュアが動くかどうかに応じて電流の応答52又は53を生成する。インダクタンスを脱エネルギ状態に関して測定することができるため、及び、応答51及び53は共に、上述の既知のインダクタンス及び他の方法から既知の磁気抵抗によって決定される単純な真の指数関数の一部であるため、この動かないピンの応答は、顕著に異なる曲線を呈する応答51及び52の対から容易に区別することができる。この区別は、タイムセパレーションがL/R時間定数と比較して短い応答に沿って電流を何度かサンプリングすることによって行ってよく、これにより、マイクロプロセッサ80による簡単な計算によって、単純な真の指数関数から曲線の起点52を検知することができ、この起点はソレノイドのアーマチュアの所望の動きを示す。本方法は、ソレノイドのアーマチュアがエネルギ印加過程の終わりに急停止することがない場合に緩和又は削除され得る頂点の二重の微分又は存在に依存するものではないため、応答段階52の終端における先端の検知に基づく過去の発明である米国特許第3946285号より進歩したものである。エネルギ印加が成功すると、ソレノイドの電圧は保持レベルまで減少し、電流の応答54を生成し、最終的には電流の応答55の開始点の低電力保持電流に落ち着く。エネルギ印加中、この応用例に適切ないずれの速度のクエリパルスを印加して、電流の応答55を生成する。これが電流の応答50と同じである間は、段階的振幅に対する電流の変化は、密閉状態のソレノイドの相当に高いインダクタンスにより、小さくなる。ここで再び、応答50の場合と同様に、応答55のピークの単一のサンプルを用いて、ソレノイドのインダクタンスを推測することができ、従ってソレノイドの密閉状態又は非密閉状態を推測することができる。非密閉状態におけるインダクタンスは、密閉状態のインダクタンスより数倍小さいため、保持電流のベースラインに対する電流の応答55の振幅によって、容易にソレノイドの状態を区別できる。ある程度時間が経ってから、ソレノイドを脱エネルギ化し、電流の応答56、及びソレノイドのアーマチュアが動くかどうかに応じて応答57又は58の一方を生成する。これらの条件は、脱エネルギ化の成功を検知する以外は上述のエネルギ印加の成功の検知の基準と同一の基準によって区別することができる。最終的に、脱エネルギ化された開始状態に到達し、クエリパルスはこの応用例に適切ないずれの速度の電流の応答59を生成する。クエリパルスは、電流の曲線を区別することによってアーマチュアの動きを検知するかどうかとは独立に、ソレノイドのアーマチュアの位置を示すことに留意すべきである。多くの応用例について、ソレノイドの不具合を検知するにはクエリパルスのみで十分である。しかしながら、動きの検知によって、クエリパルスを印加できない時間の間に、成功又は不具合をより早く示すことができる。他のシステムの起動がソレノイドの状態の変化に即座に追従するが、このような変化が命令通りに起こった場合のみそれが行われるような応用例において、このような早い検知は重要となり得る。インダクタンスの上記測定は、本発明による設定変更可能なコネクタ付きシステムによって常に実施することができる。測定はソレノイドの動作に影響しないため、ソレノイドが0を超えるDC電圧によってエネルギ印加される際に最初にこの測定を行うのが好ましい。そして、上記第1の測定を、ソレノイドのインダクタンスのベースラインとして使用する。設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15の起動によってソレノイドを密閉するよう最初に命令が出されている間、インダクタンスの上記測定を行い続ける。ソレノイドが密閉状態となると、密閉状態において測定したインダクタンスは、上記第1のベースラインのインダクタンスの測定より高くなるが、これは上述のようなソレノイドの電気的特性によるものである。上記密閉状態において測定したインダクタンスを、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15のマイクロプロセッサ80によって記憶し、続いて、これを用いてソレノイドの状態が密閉状態であるか、開きつつあるか、又は開状態であるかを決定する。上記インダクタンスの測定を、ソレノイドを閉状態のままとしようとする間この間ソレノイドの電圧は低い方の保持レベル25である、連続して実施する。何らかの理由によって上記ソレノイドが非密閉状態となった場合、その結果としてインダクタンスは低下する。上記インダクタンスの測定はこのインダクタンスの低下を検知する。これと実質的に同時に、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15は、ソレノイド10を再び密閉状態とするために、ソレノイドの電圧を引き込み値23まで上昇させる。このようにして、本発明は、ソレノイドのアーマチュア5が、ソレノイド10が接続された機構の機械的状態に影響を与えてしまうほどの距離を動くのを回避することができる。ソレノイド10が消費したエネルギを再び削減するために、ソレノイド10が再び密閉状態となった後、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール15は、印可したソレノイドの電圧を再び保持電圧25まで降下させる。任意に、本発明の方法及び装置は、印加するソレノイドの電圧を若干増大させて、ソレノイドの非密閉状態をもたらす影響を補償するためにソレノイドの保持力を若干増大させてよい。図8A-8Cを参照して上述した減衰を抑制する方法、図9A-9Cを参照して上述したその変形例、図10及び図11A-11Dを参照して上述したソレノイドの状態を決定するための方法、並びにその変形例を、本発明の設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュール及びコンピュータプログラムに全て実装してよい。コンピュータプログラムをモジュール内のメモリに記憶させ、これをモジュール内のマイクロプロセッサで実行してよい。代替として、プログラムをモジュールの外部、例えば制御システム内に記憶させてよく、プロセッサを動作させるためにモジュール内のマイクロプロセッサに指示を送る。更なる代替例では、本発明のプロセスのうちいくつかのためのコンピュータプログラムをモジュールのメモリに記憶させ、その他をモジュールの外部、例えば制御システム内のメモリに記憶させてよい。図7に、モジュール15に接続されたシステムコントローラ85の例を示す。システムコントローラとモジュールとの間の接続は、標準的なケーブル又はネットワーク接続例えばイーサネット登録商標であってよい。接続はバックプレーンコネクタであってよく、例えばモジュールをPLCのバックプレーン又は埋め込み式コントローラに差し込んでよい。また、接続は無線接続であってもよい。本発明の教示から逸脱しない限り、設定変更可能なコネクタ付き入力/出力モジュールは:いわゆる埋め込み式コントローラとして動作してよい;より大きなシステムの一部である回路基板であってよい;又は、それ自体がシステムコントローラとして機能してよい。図6に示したような相互接続装置83を含むインターフェース装置84を、集積回路ICとして構成してよい。ICは、I/Oモジュール15内において各デバイスコネクタ16について繰り返される。よって、25個のデバイスコネクタ16がある場合、25個のICが使用されることになる。モジュール15は、単にいずれのモジュールがいずれの数のデバイスコネクタ16を含むかによって、いずれの数のICを含むことができる。別の実施形態では、複数のデバイスコネクタ16を各ICにおいて統御するか、又は複数のICを用いて1つ以上のデバイスコネクタを統御するような、異なるICのアーキテクチャを使用してよい。ICを用いると、結果として、最新の半導体プロセスによって得られる小型化のおかげで、モジュール15のサイズ及び作製コストを劇的に削減できる。図13は、インターフェース装置84を実現することができる集積回路のブロック図である。集積回路198は、相互接続装置の役割を果たすように特に設計されており、従って、特定用途向け集積回路ASICと呼び得る。このASICは、相互接続装置83の機能性を提供するように特に設計される。将来のある時点で、このようなASICは集積回路製造元からの標準的な製品となり得る。従って、ここで使用されるASICという用語は、インターフェース装置として機能するよう設計された標準的な集積回路を含む。更に、ここで使用される集積回路ICという用語は、以下の様々な装置を包含することを意図したものである:ASIC、ハイブリッドIC、低温同時焼成セラミックLTCCハイブリッドIC、マルチチップモジュールMCM、及びシステムインパッケージSiPデバイス。ハイブリッドICは、モノリシックICと同一の機能性を提供する、小型化された電子回路である。MCMは少なくとも2つのICを備えるものであり;本発明のインターフェース装置は、必要な機能性を複数のICに分割したMCMによって実現してよい。チップスタックMCMとしても知られるSiPは、単一のパッケージ又はモジュールに封入された多数のICである。本発明では、MCMと同様にSiPを利用することができる。理論上は、プログラマブル論理デバイスを用いて、本発明のインターフェース装置を実現し得る。しかしながら、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGA等の現在入手可能なプログラマブル論理デバイスは、例えば電力又はグランドを所定のピンにルーティングできない等の多くの機能的制限を有し、その使用が望ましくない。これらの機能的制限を克服するためにFPGAが拡張されれば、このような改良されたFPGAを、インターフェース装置84を実現するための構成部品として用いてよい。図13は、ピンドライバASIC198のブロック図を示す。SPIインターフェース等のシリアル通信バス206によってマイクロプロセッサ80に接続される場合、図6及び7のマイクロプロセッサ80は、相互接続装置83の回路の機能を果たすようASIC198に命令することができる。図13の回路構成は相互接続装置83と異なるように見えるが、ASICは同一又は同様の所望の機能を実行することができる。図6は、本発明のモジュールの本質を伝えることを意図した、若干理想化された図であるが、図13は1つの回路要素がASIC内部に配置されるより多くの回路要素を含む。それにも関わらず、図13は図6の回路要素を全て実装する。例えば、図6は、デバイス通信コネクタ16に接続可能なデジタル/アナログコンバータD/A又はDACを示す。図13では、デジタル/アナログコンバータ226はスイッチ220を介して出力ピン208に接続されている。本発明はまた、同一又は同様の目的のために、ASIC198の他の回路配置も含む。当業者には、このような様々な回路構成を設計する方法は公知であり、これらは本発明に含まれるものとする。図13の例示的なASICの特徴を、ここで簡単に説明する。高電流スイッチ222bを閉じて、供給セレクタ227を24V、12V、5V、グランド、又は-12V等の利用可能な電源電圧のいずれかに設定することにより、電力をピン208に印加してよい。上記利用可能な電源電圧は、ソレノイドを駆動するために必要な引き込み電圧レベル及び持続電圧レベルを提供する。ASICは、低電流スイッチ222を閉じて、アナログ/デジタルコンバータ216によって変換された電圧を読み取ることにより、ピン208における電圧を測定することができる。ASICは、高電流スイッチ222bを通して、電流測定装置を含む複数のプログラマブル電流リミッタ224を用いて、ピン208に供給される電流を測定することができる。上記電流測定を用いて、ソレノイドのインダクタンスを決定し、また、上記ソレノイドが短絡しているか開状態であるかを決定する。ソレノイドのインダクタンスの決定に使用されるソレノイドへの電圧の周期的変動は、複数の電源81の電圧を若干変化させることによって極めて容易に達成でき、上記適切な電源は、供給セレクタ227によって選択される。ソレノイドのインダクタンスの決定に使用されるソレノイドへの電圧の段階的変化は、ソレノイドのインダクタンスの測定を実行するためにソレノイドの電流を増大又は減少させるために、供給セレクタ227を瞬間的に変化させてソレノイドの電圧を増大又は減少させることによって極めて容易に達成できる。ASIC198は、図13でPinと標識されたノード208へ、又はそこから流れる電流の量を測定することができる。この場合のピンドライバ回路198は、A/Dコンバータ216を用いて、ピンノード208へ、又はそこから流れる電流の量を測定し、これにより、過剰な電流を検知することができる、又はPinノード208に接続されたデバイスが機能しているかどうか若しくは正しく配線されているかどうかを検知する。ASIC198はまた、ピンノード208へ、又はそこから流れる電流を監視して、回路198を一方的に接続解除し、これによって、回路の短絡又はその他のあり得る損傷条件による損傷からASIC198を保護する。ASIC198は、いわゆる酷使検知回路218を用いて、ASIC198に潜在的に損傷を与え得る電流の急峻な変化を監視する。低電流スイッチ220、221及び222並びに高電流スイッチ222bは、酷使検知回路218に応答して、ピン208を接続解除する。ASIC198の酷使検知回路218は、ピン208に関して電流の限界を確立することができ、この電流の限界は、マイクロプロセッサ80によってプログラムに基づいて設定される。これは選択224が必要とするものである。ピンノードに接続されたデジタル入力の状態をマイクロプロセッサ80によって決定することができるようにするために、ASICはピンノード208における電圧を測定することができる。これにより、デジタル入力の閾値をハードウェアで固定するのではなく、プログラムすることができる。デジタル入力の閾値は、マイクロプロセッサ80によって、デジタル/アナログコンバータ226を用いて設定される。デジタル/アナログコンバータ226の出力を、ラッチコンパレータ225の一方の側に印加する。ラッチコンパレータ225の他方の入力は、ピン208からルーティングされ、デジタル入力を表す。従って、ピン208のデジタル入力の電圧が、デジタル/アナログコンバータが設定した閾値を通過すると、マイクロプロセッサ80は入力における変化を決定して、これによってデジタル入力が状態を変化させたことを推測することができる。ASIC198は、ピンノードに存在する電流信号を測定することができ、この電流信号は様々な工業的制御デバイスによって生成される。ASIC198は、標準的な4-20mA及び0-20mAの範囲にわたって変化する信号を測定することができる。この電流測定手段は、マイクロプロセッサ80によって達成することができ、これは、マイクロプロセッサ80によって、選択可能利得電圧バッファ231が出力端子において0V等の都合のよい電圧を生成するからである。同時に、マイクロプロセッサ80によって、選択可能なソース抵抗器228が工業的制御デバイス及びその電流出力からの電流経路に抵抗をもたらす。この電流はピン208を介してASIC198に入る。既知の抵抗の一方の側に印加される電圧により、外部デバイスからの未知の電流がピン208における電圧を生成し、この電圧は、アナログ/デジタルコンバータ216によって、低電流スイッチ222を介して測定される。マイクロプロセッサ80はオームの法則を用いて、工業的制御デバイスによって生成されている未知の電流を求める。ASIC198は、インターフェース装置84と関連する上述の機能を含む。例えば、ASIC198は、デジタル/アナログコンバータ226を含む相互接続装置83を含むことができ、ここでマイクロプロセッサ80は、マイクロプロセッサ80からのデジタル信号の受信を配向してこの信号をデジタル/アナログコンバータ226によってアナログ信号に変換するため、及びこのアナログ信号の複製をピン208に配置するために、プログラム可能である。図6及び13を参照のこと。ASIC198はまた、アナログ/デジタルコンバータ216を含む相互接続装置83も含むことができ、ここでマイクロプロセッサ80は、いずれの選択したコンタクト16のアナログ信号を検知するためにプログラム可能であり、アナログ/デジタルコンバータ216によって信号をデジタル信号に変換して、このデジタル信号の複製をマイクロプロセッサ80に出力する。ASIC198はまた、供給セレクタ227も含むことができ、セレクタ227とピン208の間に高電流スイッチ222bを配置する。マイクロプロセッサ80は、供給セレクタ227を操作して、電源電圧を第1のコンタクト16に接続し、電源のリターンを第2のコンタクト16に接続するようにプログラム可能である。図13を参照すると、2つの隣接するデバイス通信コネクタ16に接続される2つの隣接するピン208にセンサを接続する役割を果たす、2×8クロスポイントスイッチ210が存在する。クロスポイントスイッチ210によって、熱電対等のセンサを精密示差増幅器212に接続することができる。精密示差増幅器212を、低電流スイッチ222及び2×8クロスポイントスイッチ210を介して、4ウェイクロスポイントI/O214と、それに続いて隣接する集積回路19隣接するコンタクト16用の集積回路上の別の4ウェイクロスポイントI/O214とに接続してよい。本発明の別の改善形態では、モジュール15が、モジュール15に接続されたデバイスの独立制御を実施することができる。例えばソレノイドをモジュール15に接続した場合、マイクロプロセッサ80は、ソレノイドの電圧を若干変化させて、結果として発生する電流を、プログラマブル電流リミッタ224において電流測定装置を用いて測定することにより、インダクタンスの必要な周期的又は連続的測定を実施することができる。更に、上記マイクロプロセッサ80は、電流をスロットリングする又は再循環させることにより、ソレノイドをシャットダウンするために必要なステップを実施することができる。これにより、モジュール15は、ソレノイドを起動し、その状態が密閉状態であるか開状態であるかを確認するために必要なあらゆる機能を実施することができる。図6及び7を参照すると、マイクロプロセッサ80は一般に、ソレノイドのインダクタンス等の、選択したデバイスの特定の状態を感知するために、及び/又はソレノイド10等の選択したデバイスを起動するために、並びに対応するデータをシステムコントローラに供給するために、必要に応じてコントローラから指示を受信するよう、コントローラ85によって構成/プログラムされる。マイクロプロセッサ80はまた、選択したいずれの1つ以上のコンタクト16に特定の信号が印加されるよう、コントローラによってプログラム/命令されてもよい。更に、マイクロプロセッサ80は選択したタイプの信号をデバイスのうち1つ以上からシステムコントローラへ送信するための命令に応答するようプログラムされる。換言すれば、マイクロプロセッサはインターフェース装置84の構成を制御し、一般に、マイクロプロセッサはシステムコントローラによって制御される。代替として、インターフェース装置を、モジュール15のマイクロプロセッサ80のメモリに記憶したメッセージに応じて構成することができる。いくつかの実施形態では、マイクロプロセッサ80は埋め込み式ウェブサーバを有する。イーサネットケーブル又は無線通信デバイスを用いて、パーソナルコンピュータをモジュール15に、続いてインターネットに接続してよい。ここで、パーソナルコンピュータはシステムコントローラであってもよい。埋め込み式ウェブサーバは、モジュール15に接続された各デバイスに関する構成ページを提供する。ユーザはマウス又は他のキーボード入力を用いて、デバイスの機能を構成し、入力/出力ピンを割り当てる。ユーザは、コンタクトの各々に対して特定の相互接続装置を決定するために、構成ページ上でアイコンをドラッグ及びドロップするだけでよい。他の実施形態では、マイクロプロセッサ80はネットワーク接続を用いてインターネット上のサーバにアクセスし、上記サーバから、コンタクトの各々に対して特定の相互接続装置を決定するための指示を受信する。モジュール15の動作の例として、例えば上記マイクロプロセッサに接続されたネットワークケーブル上の、上記モジュール15に接続された特定のソレノイドを起動するための指示を含むイーサネットパケットに含まれる特定の入力データを認識するように、マイクロプロセッサ80をプログラムしてよい。回路スイッチング装置R1-R12を、電気機械的リレーとして図式的に示す。ある実施形態では、このスイッチング装置は半導体回路で実現される図13及びこれに関連する説明を参照のこと。半導体回路は、電気機械的リレー回路と比べて極めて安価に実現することができ、また迅速に動作することができる。電気機械的リレーを、本発明の本質を示すために用いる。本発明を説明するために、特定の代表的な実施形態及び詳細を示したが、添付の請求項に定義される本発明の範囲から逸脱しない限りにおいて、ここに説明した方法及び装置に様々な変更を加え得ることは、当業者には明らかである。