"導電性支持体上に色素が吸着された半導体微粒子層を有する感光体、電荷移動体、および対極を含む積層構造よりなる光電変換素子の製造方法であって、半導体微粒子以外の固形分の含量が半導体微粒子分散液全体の1質量以下の分散液を前記導電性支持体上に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子を得る工程、及び当該多孔質半導体微粒子を下記一般式1で表される構造を有する色素で増感する工程を含有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。MLL1m1LL2m2Xm3CI一般式1[一般式1において、Mは金属原子を表し、LL1は下記一般式2で表される2座又は3座の配位子であり、LL2は下記一般式3で表される2座又は3座の配位子である。Xはアシルオキシ基、アシルチオ基、チオアシルオキシ基、チオアシルチオ基、アシルアミノオキシ基、チオカルバメート基、ジチオカルバメート基、チオカルボネート基、ジチオカルボネート基、トリチオカルボネート基、アシル基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基、イソシアネート基、シアノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基からなる群から選ばれた基で配位する1座又は2座の配位子、あるいはハロゲン原子、カルボニル、ジアルキルケトン、1,3-ジケトン、カルボンアミド、チオカルボンアミドまたはチオ尿素からなる1座または2座の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m1が2以上のとき、LL1は同じでも異なっていてもよい。m2は0~2の整数を表し、m2が2のとき、LL2は同じでも異なっていてもよい。m3は0~2の整数を表し、m3が2のとき、Xは同じでも異なっていてもよく、X同士が連結していてもよい。CIは一般式1において、電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。][一般式2において、R1及びR2はそれぞれ独立に、カルボキシル基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、ヒドロキサム酸基、ホスホリル基またはホスホニル基を表す。R3及びR4はそれぞれ独立に置換基を表し、R5及びR6はそれぞれ独立にアリール基又はヘテロ環基を表す。L1及びL2はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換のエテニレン基及び/又はエチニレン基からなる共役鎖を表す。a1及びa2はそれぞれ独立に0~3の整数を表し、a1が2以上のときR1は同じでも異なっていてもよく、a2が2以上のときR2は同じでも異なっていてもよく、b1及びb2はそれぞれ独立に0~3の整数を表す。b1が2以上のときR3は同じでも異なっていてもよく、R3は互いに連結して環を形成してもよく、b2が2以上のときR4は同じでも異なっていてもよく、R4は互いに連結して環を形成してもよい。b1及びb2が共に1以上のとき、R3とR4が連結して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。][一般式3において、Za、Zb及びZcはそれぞれ独立に、5又は6員環を形成しうる非金属原子群を表し、cは0又は1を表す。]前記導電性支持体が高分子材料であることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子の製造方法。前記多孔質半導体微粒子を得る工程が、前記半導体微粒子分散液が塗布された導電性支持体を100~250°Cで加熱する工程であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換素子の製造方法。前記MがRu、Fe、Os又はCuであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載の光電変換素子の製造方法。前記MがRuであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項記載の光電変換素子の製造方法。前記R5又はR6がヘテロ環基又はヘテロ環が縮環した炭素環芳香族基であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項記載の光電変換素子の製造方法。前記ヘテロ環基がチオフェン環、ピロール環、又はフラン環を有することを特徴とする請求項6記載の光電変換素子の製造方法。前記R5又はR6が脂肪族基又はアルコキシ基で置換されているヘテロ環基又はヘテロ環が縮環した炭素環芳香族基であることを特徴とする請求項6又は7記載の光電変換素子の製造方法。前記R5又はR6が複数のヘテロ環を有することを特徴とする請求項6~8のいずれか1項記載の光電変換素子の製造方法。請求項1~9のいずれか1項記載の製造方法で製造されてなることを特徴とする光電変換素子。請求項10記載の光電変換素子を備えることを特徴とする光電気化学電池。本発明の課題は、変換効率が高く、さらに耐久性に優れた光電変換素子の製造方法、光電変換素子及び光電気化学電池を提供することにある。本発明者等は、鋭意検討を重ねた結果、特定の半導体微粒子分散液を導電性支持体に塗布乾燥させ、その後に特定の構造を有する色素で半導体微粒子を増感させることで、変換効率が高く、さらに耐久性に優れた光電変換素子の製造方法、光電変換素子及び光電気化学電池を提供することを見出した。本発明は、この知見に基づきなされたものである。本発明の課題は、以下の手段によって達成された。<1>導電性支持体上に色素が吸着された半導体微粒子層を有する感光体、電荷移動体、および対極を含む積層構造よりなる光電変換素子の製造方法であって、半導体微粒子以外の固形分の含量が半導体微粒子分散液全体の1質量以下の分散液を前記導電性支持体上に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子を得る工程、及び当該多孔質半導体微粒子を下記一般式1で表される構造を有する色素で増感する工程を含有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。MLL1m1LL2m2Xm3CI一般式1[一般式1において、Mは金属原子を表し、LL1は下記一般式2で表される2座又は3座の配位子であり、LL2は下記一般式3で表される2座又は3座の配位子である。Xはアシルオキシ基、アシルチオ基、チオアシルオキシ基、チオアシルチオ基、アシルアミノオキシ基、チオカルバメート基、ジチオカルバメート基、チオカルボネート基、ジチオカルボネート基、トリチオカルボネート基、アシル基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基、イソシアネート基、シアノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基からなる群から選ばれた基で配位する1座又は2座の配位子、あるいはハロゲン原子、カルボニル、ジアルキルケトン、1,3-ジケトン、カルボンアミド、チオカルボンアミドまたはチオ尿素からなる1座または2座の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m1が2以上のとき、LL1は同じでも異なっていてもよい。m2は0~2の整数を表し、m2が2のとき、LL2は同じでも異なっていてもよい。m3は0~2の整数を表し、m3が2のとき、Xは同じでも異なっていてもよく、X同士が連結していてもよい。CIは一般式1において、電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。][一般式2において、R1及びR2はそれぞれ独立に、カルボキシル基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、ヒドロキサム酸基、ホスホリル基またはホスホニル基を表す。R3及びR4はそれぞれ独立に置換基を表し、R5及びR6はそれぞれ独立にアリール基又はヘテロ環基を表す。L1及びL2はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換のエテニレン基及び/又はエチニレン基からなる共役鎖を表す。a1及びa2はそれぞれ独立に0~3の整数を表し、a1が2以上のときR1は同じでも異なっていてもよく、a2が2以上のときR2は同じでも異なっていてもよく、b1及びb2はそれぞれ独立に0~3の整数を表す。b1が2以上のときR3は同じでも異なっていてもよく、R3は互いに連結して環を形成してもよく、b2が2以上のときR4は同じでも異なっていてもよく、R4は互いに連結して環を形成してもよい。b1及びb2が共に1以上のとき、R3とR4が連結して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。][一般式3において、Za、Zb及びZcはそれぞれ独立に、5又は6員環を形成しうる非金属原子群を表し、cは0又は1を表す。]<2>前記導電性支持体が高分子材料であることを特徴とする<1>に記載の光電変換素子の製造方法。<3>前記多孔質半導体微粒子を得る工程が、前記半導体微粒子分散液が塗布された導電性支持体を100~250°Cで加熱する工程であることを特徴とする<1>又は<2>に記載の光電変換素子の製造方法。<4>前記MがRu、Fe、Os又はCuであることを特徴とする<1>~<3>のいずれか1項記載の光電変換素子の製造方法。<5>前記MがRuであることを特徴とする請求項<1>~<4>記載の光電変換素子の製造方法。<6>前記R5又はR6がヘテロ環基又はヘテロ環が縮環した炭素環芳香族基であることを特徴とする<1>~<5>のいずれか1項記載の光電変換素子の製造方法。<7>前記ヘテロ環基がチオフェン環、ピロール環、又はフラン環を有することを特徴とする<6>記載の光電変換素子の製造方法。<8>前記R5又はR6が脂肪族基又はアルコキシ基で置換されているヘテロ環基又はヘテロ環が縮環した炭素環芳香族基であることを特徴とする<6>又は<7>記載の光電変換素子の製造方法。<9>前記R5又はR6が複数のヘテロ環を有することを特徴とする<6>~<8>のいずれか1項記載の光電変換素子の製造方法。<10><1>~<9>のいずれか1項記載の製造方法で製造されてなることを特徴とする光電変換素子。<11><10>に記載の光電変換素子を備えることを特徴とする光電気化学電池。本発明の製造方法により作製した多孔質半導体微粒子層を感光体に用いることによって、変換効率が高く、耐久性に優れた光電変換素子を、廉価な手段で製造することができる。また本発明により、変換効率が高く、耐久性に優れた光電変換素子及び光電気化学電池を提供することができる。本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。本発明は、導電性支持体上に色素が吸着された多孔質半導体微粒子を有する感光体、電荷移動体、および対極を含む積層構造よりなる光電変換素子の製造方法であって、半導体微粒子以外の固形分の含量が半導体微粒子分散液全体の1質量以下の分散液を前記導電性支持体上に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子を得る工程、及び当該多孔質半導体微粒子を特定の構造を有する金属錯体色素で増感する工程を含有することを特徴とする光電変換素子の製造方法である。本発明方法によって製造される光電変換素子の好ましい実施態様を、図面を参照して説明する。図1に示すように、光電変換素子10は、導電性支持体1、導電性支持体1上に色素が吸着された半導体微粒子を有する感光体2、電荷移動体3及び対極4からなる。感光体2が形成された導電性支持体1は光電変換素子10において作用電極として機能する。この光電変換素子10を外部回路6で仕事をさせる電池用途に使用できるようにして、光電気化学電池図示せずとして作動させることができる。受光電極5は、導電性支持体1および導電性支持体上に塗設される色素21の吸着した半導体微粒子22の感光層半導体膜2よりなる電極である。感光体半導体膜2に入射した光は色素を励起する。励起色素はエネルギーの高い電子を有している。そこでこの電子が色素21から半導体微粒子22の伝導帯に渡され、さらに拡散によって導電性支持体1に到達する。このとき色素21の分子は酸化体となっている。電極上の電子が外部回路で仕事をしながら色素酸化体に戻ることにより、光電気化学電池として作用する。この際、受光電極5はこの電池の負極として働く。本発明方法によって製造される光電変換素子は、導電性支持体上に後述の色素が吸着された多孔質半導体微粒子層を有する感光体を有する。感光体は目的に応じて設計され、単層構成でも多層構成でもよい。感光体中の色素は一種類でも多種類の色素が混合されたものでもよいが、このうちの少なくとも1種は、後述の色素を用いる。本発明の光電変換素子の感光体には、この色素が吸着した半導体微粒子を含み、感度が高く、光電気化学電池として使用する場合に、高い変換効率と耐久性を得ることができる。A色素本発明の光電変換素子及び光電気化学電池においては、導電性支持体上に下記一般式1で表される構造を有する色素が吸着された半導体微粒子層を有する感光体を有する。MLL1m1LL2m2Xm3CI一般式1一般式1の構造を有する色素は、金属原子を中心として、配位子LL1とともに、場合により、配位子LL2と特定の官能基Xが配位しており、必要な場合はCIにより電気的に中性に保たれている。A1金属原子MMは金属原子を表す。Mは好ましくは4配位または6配位が可能な金属であり、より好ましくはRu、Fe、Os、Cu、W、Cr、Mo、Ni、Pd、Pt、Co、Ir、Rh、Re、Mn又はZnである。特に好ましくは、Ru、Fe、Os又はCuであり、最も好ましくはRuである。A2配位子LL1配位子LL1は、下記一般式2により表される2座または3座の配位子であり、好ましくは2座の配位子である。配位子LL1の数を表すm1は1~3の整数であり、1又は2であるのが好ましく、1であるのがより好ましい。m1が2以上のとき、LL1は同じでも異なっていてもよい。一般式2において、R1及びR2はそれぞれ独立にカルボキシル基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、ヒドロキサム酸基好ましくは炭素原子数1~20、例えば―CONHOH、―CONCH3OH等、ホスホリル基例えば―OPOOH2等及びホスホニル基例えば―POOH2等のいずれかを表し、好ましくはカルボキシル基、ホスホリル基またはホスホニル基であり、より好ましくはカルボキシル基又はホスホニル基であり、最も好ましくはカルボキシル基である。R1及びR2はピリジン環上のどの炭素原子に置換してもよい。一般式2中のR3及びR4はそれぞれ独立に置換基を表す。好ましくはアルキル基好ましくは炭素原子数1~20のアルキル基、例えば、メチル、エチル、イソプロピル、t-ブチル、ペンチル、ヘプチル、1-エチルペンチル、ベンジル、2-エトキシエチル、1-カルボキシメチル等、アルケニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、オレイル等、アルキニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルキニル基、例えば、エチニル、ブタジイニル、フェニルエチニル等、シクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、4-メチルシクロヘキシル等、アリール基好ましくは炭素原子数6~26のアリール基、例えば、フェニル、1-ナフチル、4-メトキシフェニル、2-クロロフェニル、3-メチルフェニル等、ヘテロ環基好ましくは炭素原子数2~20のヘテロ環基、例えば、2-ピリジル、4-ピリジル、2-イミダゾリル、2-ベンゾイミダゾリル、2-チアゾリル、2-オキサゾリル等、アルコキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、イソプロピルオキシ、ベンジルオキシ等、アリールオキシ基好ましくは炭素原子数6~26のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、1-ナフチルオキシ、3-メチルフェノキシ、4-メトキシフェノキシ等、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルコキシカルボニル基、例えば、エトキシカルボニル、2-エチルヘキシルオキシカルボニル等、アミノ基好ましくは炭素原子数0~20のアミノ基、例えば、アミノ、N,N-ジメチルアミノ、N,N-ジエチルアミノ、N-エチルアミノ、アニリノ等、スルホンアミド基好ましくは炭素原子数0~20のスルホンアミド基、例えばN,N-ジメチルスルホンアミド、N-フェニルスルホンアミド等、アシルオキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルオキシ、例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等、カルバモイル基好ましくは炭素原子数1~20のカルバモイル基、例えばN,N-ジメチルカルバモイル、N-フェニルカルバモイル等、アシルアミノ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルアミノ基、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等、シアノ基、又はハロゲン原子例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等である。より好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基またはシアノ基である。配位子LL1がアルキル基、アルケニル基等を含むとき、それらは直鎖状でも分岐状でもよく、置換されていても無置換でもよい。また配位子LL1がアリール基、ヘテロ環基等を含むとき、これらは単環でも縮環でもよく、置換されていても無置換でもよい。一般式2中、R5及びR6はそれぞれ独立にアリール基好ましくは炭素原子数6~30のアリール基、例えばフェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル等又はヘテロ環基好ましくは炭素原子数1~30のヘテロ環基、例えば、2-チエニル、2-フリル、2-ピロリル、2-イミダゾリル、1-イミダゾリル、4-ピリジル、3-インドリルであり、好ましくはアリール基またはヘテロ環基であり、より好ましくは1~3個の電子供与基を有するアリール基、または置換基を有するヘテロ環基である。好ましいアリール基上の電子供与基はアルキル基好ましくは炭素原子数1~20のアルキル基、例えば、メチル、エチル、イソプロピル、t-ブチル、ペンチル、ヘプチル、1-エチルペンチル、ベンジル、2-エトキシエチル、1-カルボキシメチル等、アルケニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、オレイル等、アルキニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルキニル基、例えば、エチニル、ブタジイニル、フェニルエチニル等、シクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、4-メチルシクロヘキシル等、アルコキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、イソプロピルオキシ、ベンジルオキシ等、アリールオキシ基好ましくは炭素原子数6~26のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、1-ナフチルオキシ、3-メチルフェノキシ、4-メトキシフェノキシ等、アミノ基好ましくは炭素原子数0~20のアミノ基、例えば、アミノ、N,N-ジメチルアミノ、N,N-ジエチルアミノ、N-エチルアミノ、アニリノ等、アシルアミノ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルアミノ基、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等又はヒドロキシル基である。この中でも、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基又はヒドロキシル基であるのがより好ましく、アミノ基であるのが特に好ましい。電子供与基はL1又はL2に対して4位に置換するのが好ましい。R5とR6は同じであっても異なっていてもよいが、同じであるのが好ましい。R5又はR6で表される好ましいへテロ環基としては、2-チエニル基、2-フリル基、2-ピロリル基、2-イミダゾリル基、1-イミダゾリル基、4-ピリジル基、3-インドリル基が挙げられ、これらのヘテロ環は置換基によって置換されていてもよい。へテロ環上の置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、アシルアミノ基が挙げられる。好ましくはアルキル基好ましくは炭素原子数1~20のアルキル基、例えば、メチル、エチル、イソプロピル、t-ブチル、ペンチル、ヘプチル、1-エチルペンチル、ベンジル、2-エトキシエチル、1-カルボキシメチル等、アルケニル基好ましくは炭素原子数2~20、例えばビニル、アリル、オレイル等、アルキニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルキニル基、例えばエチニル、ブタジイニル、フェニルエチニル等、シクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、4-メチルシクロヘキシル等、アリール基好ましくは炭素原子数6~26のアリール基、例えば、フェニル、1-ナフチル、4-メトキシフェニル、2-クロロフェニル、3-メチルフェニル等、ヘテロ環基好ましくは炭素原子数2~20のヘテロ環基、例えば、2-チエニル、1-ピペリジル、4-モルホリニル、2-ピリジル、4-ピリジル、2-イミダゾリル、2-ベンゾイミダゾリル、2-チアゾリル、2-オキサゾリル等、アルコキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロピルオキシ、ベンジルオキシ等、アリールオキシ基好ましくは炭素原子数6~26のアリールオキシ基、例えばフェノキシ、1-ナフチルオキシ、3-メチルフェノキシ、4-メトキシフェノキシ等、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルコキシカルボニル基、例えばエトキシカルボニル、2-エチルヘキシルオキシカルボニル等、アミノ基好ましくは炭素原子数0~20のアミノ基、例えば、アミノ、N,N-ジメチルアミノ、N,N-ジエチルアミノ、N-エチルアミノ、アニリノ等、スルホンアミド基好ましくは炭素原子数0~20のスルホンアミド基、例えば、N,N-ジメチルスルホンアミド、N-フェニルスルホンアミド等、アシルオキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルオキシ基、例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ、カルバモイル基好ましくは炭素原子数1~20のカルバモイル基、例えば、N,N-ジメチルカルバモイル、N-フェニルカルバモイル等、アシルアミノ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルアミノ基、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等、シアノ基又はハロゲン原子例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等である。より好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基、シアノ基又はハロゲン原子である。特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子である。一般式2中、L1及びL2はそれぞれ独立に置換もしくは無置換のエテニレン基及び/又はエチニレン基からなる共役鎖を表す。エテニレン基が置換基を有する場合、該置換基はアルキル基であるのが好ましく、メチル基であるのがより好ましい。L1及びL2はそれぞれ独立に炭素原子数2~6個の共役鎖であるのが好ましく、エテニレン基、ブタジエニレン基、エチニレン基、ブタジイニレン基、ヘキサトリイニレン基、メチルエテニレン基またはジメチルエテニレン基であるのがより好ましく、エテニレン基またはブタジエニレン基であるのが特に好ましく、エテニレン基であるのが最も好ましい。L1とL2は同じであっても異なっていてもよいが、同じであるのが好ましい。なお、共役鎖が炭素―炭素二重結合を含む場合、各二重結合はトランス体であってもシス体であってもよく、それらの混合物であってもよい。一般式2中、nは0又は1であり、a1及びa2はそれぞれ独立に0~3の整数を表す。a1が2以上のときR1は同じでも異なっていてもよく、a2が2以上のときR2は同じでも異なっていてもよい。a1は0又は1であるのが好ましく、a2は0~2の整数であるのが好ましい。特に、nが0のときa2は1又は2であるのが好ましく、nが1のときa2は0又は1であるのが好ましい。a1とa2の和は0~2の整数であるのが好ましい。一般式2中、b1およびb2はそれぞれ独立に0~3の整数を表し、0~2の整数であるのが好ましい。b1が2以上のとき、R3は同じでも異なっていてもよく互いに連結して環を形成していてもよい。b2が2以上のとき、R4は同じでも異なっていてもよく互いに連結して環を形成していてもよい。b1及びb2がともに1以上のとき、R3とR4が連結して環を形成してもよい。形成されている環の好ましい例としては、ベンゼン環、ピリジン環、チオフェン環、ピロール環、シクロヘキサン環、シクロペンタン環等が挙げられる。一般式2中、a1とa2の和が1以上のとき、すなわち配位子LL1がカルボキシル基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、ヒドロキサム酸基、ホスホリル基及びホスホニル基のいずれかを少なくとも1個有するときは、前記一般式1中のm1は2又は3であるのが好ましく、2であるのがより好ましい。配位子LL1は下記一般式4又は5により表されるものが好ましい。上記一般式4及び5中、R1~R4、a1、a2、b1、b2及びnは一般式2中のものと同義である。一般式4中、R11~R14はそれぞれ独立に水素、アルキル基、アルケニル基又はアリール基以上好ましい例は上記R3およびR4の場合と同様であるを表し、好ましくはアルキル基又はアリール基を表し、より好ましくはアルキル基を表す。R11~R14がアルキル基である場合はさらに置換基を有していてもよく、該置換基としてはアルコキシ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基またはカルボンアミド基が好ましく、アルコキシ基が特に好ましい。R11とR12ならびにR13とR14はそれぞれ互いに連結して環を形成してもよく、形成する環としてはピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環等が好ましい。一般式4中、R15およびR16はそれぞれ独立に置換基を表し、好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、アシルアミノ基以上好ましい例は上記R3およびR4の場合と同様またはヒドロキシル基であり、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アミノ基またはアシルアミノ基である。一般式4中、d1及びd2はそれぞれ独立に0~4の整数を表す。d1が1以上のときR15はR11及び/又はR12と連結して環を形成してもよく、形成される環はピペリジン環またはピロリジン環であるのが好ましい。d1が2以上のときR15は同じでも異なっていてもよく互いに連結して環を形成しいてもよい。d2が1以上のときR16はR13及び/又はR14と連結して環を形成してもよく、形成される環はピペリジン環またはピロリジン環であるのが好ましい。d2が2以上のときR16は同じでも異なっていてもよく互いに連結して環を形成していてもよい。一般式5中、Het1及びHet2はへテロ環基を表す。Het1及びHet2で表される好ましいへテロ環基としては、2-チエニル基、2-フリル基、2-ピロリル基、2-イミダゾリル基、1-イミダゾリル基、4-ピリジル基、3-インドリル基が挙げられ、これらのヘテロ環は置換基によって置換されていてもよい。へテロ環上の置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、アシルアミノ基が挙げられる。好ましくはアルキル基好ましくは炭素原子数1~20のアルキル基、例えば、メチル、エチル、イソプロピル、t-ブチル、ペンチル、ヘプチル、1-エチルペンチル、ベンジル、2-エトキシエチル、1-カルボキシメチル等、アルケニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、オレイル等、アルキニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルキニル基、例えば、エチニル、ブタジイニル、フェニルエチニル等、シクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、4-メチルシクロヘキシル等、アリール基好ましくは炭素原子数6~26のアリール基、例えばフェニル、1-ナフチル、4-メトキシフェニル、2-クロロフェニル、3-メチルフェニル等、ヘテロ環基好ましくは炭素原子数2~20のヘテロ環基、例えば2-ピリジル、4-ピリジル、2-イミダゾリル、2-ベンゾイミダゾリル、2-チアゾリル、2-オキサゾリル等、アルコキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、イソプロピルオキシ、ベンジルオキシ等、アリールオキシ基好ましくは炭素原子数6~26のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、1-ナフチルオキシ、3-メチルフェノキシ、4-メトキシフェノキシ等、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルコキシカルボニル基、例えば、エトキシカルボニル、2-エチルヘキシルオキシカルボニル等、アミノ基好ましくは炭素原子数0~20のアミノ基、例えば、アミノ、N,N-ジメチルアミノ、N,N-ジエチルアミノ、N-エチルアミノ、アニリノ等、スルホンアミド基好ましくは炭素原子数0~20のスルホンアミド基、例えば、N,N-ジメチルスルホンアミド、N-フェニルスルホンアミド等、アシルオキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルオキシ基、例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等、カルバモイル基好ましくは炭素原子数1~20のカルバモイル基、例えば、N,N-ジメチルカルバモイル、N-フェニルカルバモイル等、アシルアミノ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルアミノ基、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等、シアノ基又はハロゲン原子例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等である。より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基又はハロゲン原子である。配位子LL1の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下に示す、Etはエチル基、Prnはn-プロピル基、Bunはn-ブチル基、Hexnはn-ヘキシル基、Octnはn-オクチル基である。A3配位子LL2一般式1中、LL2は2座または3座の配位子を表す。配位子LL2の数を表すm2は0~2の整数であり、0又は1であるのが好ましい。m2が2のときLL2は同じでも異なっていてもよい。配位子LL2は、下記一般式3により表される2座または3座の配位子であることが好ましい。一般式3中、Za、ZbおよびZcはそれぞれ独立に5または6員環を形成しうる非金属原子群を表す。形成される5または6員環は置換されていても無置換でもよく、単環でも縮環していてもよい。Za、ZbおよびZcは炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子及び/又はハロゲン原子で構成されることが好ましく、芳香族環を形成するのが好ましい。5員環の場合はイミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環またはトリアゾール環を形成するのが好ましく、6員環の場合はピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環またはピラジン環を形成するのが好ましい。なかでもイミダゾール環およびピリジン環がより好ましい。これらの形成された環は、ベンゼン環で縮環されていてもよく、例えばキノリン環、ベンズイミダゾール環が挙げられる。また、Za、ZbおよびZcで形成された環に置換する置換基同士が互いに結合して、環を形成してもよく、例えばZaとZbで形成された環が縮環して、1,10-フェナントロリン環化合物となってもよい。一般式3中、cは0または1を表す。cは0であるのが好ましく、すなわちLL2は2座配位子であるのが好ましい。配位子LL2は、下記一般式6-1~6-8のいずれかにより表されるのが好ましく、一般式6-1、6-2、6-4または6-6により表されるのがより好ましい。一般式6-1または6-2により表されるのが特に好ましく、一般式6-1により表されるのが最も好ましい。なお、含窒素へテロ環に置換する置換基は、例えば一般式6-1では、R21やR29は2つのピリジン環に分布して置換されているものも包含するものである。一般式6-1~6-8中、R21~R28はそれぞれ独立にカルボキシル基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、ヒドロキサム酸基好ましくは炭素原子数1~20、例えば―CONHOH、―CONCH3OH等、ホスホリル基例えば―OPOOH2等およびホスホニル基例えば―POOH2等のいずれかを表し、好ましくはカルボキシル基、ホスホリル基またはホスホニル基であり、より好ましくはカルボキシル基またはホスホニル基であり、最も好ましくはカルボキシル基である。一般式6-1~6-8中、R29~R36はそれぞれ独立に置換基を表し、好ましくはアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシル基、スルホンアミド基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子以上好ましい例は上記R3およびR4の場合と同様であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基またはアシルアミノ基である。一般式6-1~6-8中、R37~R41はそれぞれ独立に水素、アルキル基、アルケニル基またはアリール基以上好ましい例は上記R3及びR4の場合と同様を表す。なお、配位子LL2がアルキル基、アルケニル基等を含むとき、それらは直鎖状でも分岐状でもよく、置換されていても無置換でもよい。また、LL2がアリール基、ヘテロ環基等を含むとき、それらは単環でも縮環でもよく、置換されていても無置換でもよい。R37~R41はそれぞれ独立にアルキル基であるのが好ましく、カルボキシル基を有するアルキル基であるのがより好ましい。一般式6-1~6-8中、R21~R36は前述のように複数の環のどの位置に結合していてもよい。またe1~e6はそれぞれ独立に0~4の整数、好ましくは0~2の整数を表し、e7およびe8はそれぞれ独立に0~4の整数、好ましくは0~3の整数を表す。e9~e12およびe15はそれぞれ独立に0~6の整数を表し、e13、e14およびe16はそれぞれ独立に0~4の整数を表す。e9~e16はそれぞれ独立に0~3の整数であるのが好ましい。e1~e8が2以上のときR21~R28はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、e9~e16が2以上のときR29~R36はそれぞれ同じでも異なっていてもよく互いに連結して環を形成していてもよい。配位子LL2の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。A4配位子X一般式1中、Xは1座または2座の配位子を表す。配位子Xの数を表すm3は0~2の整数を表し、好ましくは1または2である。Xが1座配位子のときm3は2であるのが好ましく、Xが2座配位子のときm3は1であるのが好ましい。m3が2のとき、Xは同じでも異なっていてもよく、X同士が連結していてもよい。配位子Xは、アシルオキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルオキシ基、例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ、サリチル酸、グリシルオキシ、N,N-ジメチルグリシルオキシ、オキザリレン基―OCOCOO―等、アシルチオ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルチオ基、例えば、アセチルチオ、ベンゾイルチオ等、チオアシルオキシ基好ましくは炭素原子数1~20のチオアシルオキシ基、例えば、チオアセチルオキシCH3CSO―等、チオアシルチオ基好ましくは炭素原子数1~20のチオアシルチオ基、例えば、チオアセチルチオCH3CSS―、チオベンゾイルチオPhCSS―等、アシルアミノオキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルアミノオキシ、例えば、N-メチルベンゾイルアミノオキシPhCONCH3O―、アセチルアミノオキシCH3CONHO―等、チオカルバメート基好ましくは炭素原子数1~20のチオカルバメート基、例えば、N,N-ジエチルチオカルバメート等、ジチオカルバメート基好ましくは炭素原子数1~20のジチオカルバメート基、例えば、N-フェニルジチオカルバメート、N,N-ジメチルジチオカルバメート、N,N-ジエチルジチオカルバメート、N,N-ジベンジルジチオカルバメート等、チオカルボネート基好ましくは炭素原子数1~20のチオカルボネート基、例えば、エチルチオカルボネート基等、ジチオカルボネート基好ましくは炭素原子数1~20のジチオカルボネート基、例えばエチルジチオカルボネート基C2H5OCSS―等、トリチオカルボネート基好ましくは炭素原子数1~20のトリチオカルボネート基、例えば、エチルトリチオカルボネートC2H5SCSS-等、アシル基好ましくは炭素原子数1~20のアシル基、例えば、アセチル、ベンゾイル等、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基、イソシアネート基、シアノ基、アルキルチオ基好ましくは炭素原子数1~20のアルキルチオ基、例えば、メタンチオ、エチレンジチオ等、アリールチオ基好ましくは炭素原子数6~20のアリールチオ基、例えば、ベンゼンチオ、1,2-フェニレンジチオ等、アルコキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアルコキシ基、例えばメトキシ等及びアリールオキシ基好ましくは炭素原子数6~20のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、キノリン-8-ヒドロキシル基等からなる群から選ばれた基で配位する1座または2座の配位子、あるいはハロゲン原子好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、カルボニル...CO、ジアルキルケトン好ましくは炭素原子数3~20のジアルキルケトン、例えば、アセトンCH32CO...等、1,3-ジケトン好ましくは炭素原子数3~20の1,3-ジケトン、例えば、アセチルアセトンCH3CO...CH=CO―CH3、トリフルオロアセチルアセトンCF3CO...CH=CO―CH3、ジピバロイルメタンt-C4H9CO...CH=CO―t-C4H9、ジベンゾイルメタンPhCO...CH=CO―Ph、3-クロロアセチルアセトンCH3CO...CCl=CO―CH3等、カルボンアミド基好ましくは炭素原子数1~20のカルボンアミド基、例えば、CH3N=CCH3O―、―OC=NH―C=NHO―等、チオカルボンアミド基好ましくは炭素原子数1~20のチオカルボンアミド基、例えば、CH3N=CCH3S―等、またはチオ尿素好ましくは炭素原子数1~20のチオ尿素、例えばNH...=CS―NH2、CH3N...=CS―NHCH3、CH32N―CS...NCH32等からなる配位子を表す。なお、...は金属原子であるMとの配位結合を示す。配位子Xは、好ましくはアシルオキシ基、チオアシルチオ基、アシルアミノオキシ基、ジチオカルバメート基、ジチオカルボネート基、トリチオカルボネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基、イソシアネート基、シアノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基からなる群から選ばれた基で配位する配位子、あるいはハロゲン原子、カルボニル、1,3-ジケトンまたはチオ尿素からなる配位子である。より好ましくはアシルオキシ基、アシルアミノオキシ基、ジチオカルバメート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基、イソシアネート基、シアノ基またはアリールチオ基からなる群から選ばれた基で配位する配位子、あるいはハロゲン原子、1,3-ジケトンまたはチオ尿素からなる配位子であり、特に好ましくはジチオカルバメート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基およびイソシアネート基からなる群から選ばれた基で配位する配位子、あるいはハロゲン原子または1,3-ジケトンからなる配位子であり、最も好ましくは、ジチオカルバメート基、チオシアネート基およびイソチオシアネート基からなる群から選ばれた基で配位する配位子、あるいは1,3-ジケトンからなる配位子である。なお配位子Xがアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキレン基等を含む場合、それらは直鎖状でも分岐状でもよく、置換されていても無置換でもよい。またアリール基、ヘテロ環基、シクロアルキル基等を含む場合、それらは置換されていても無置換でもよく、単環でも縮環していてもよい。Xが2座配位子のとき、Xはアシルオキシ基、アシルチオ基、チオアシルオキシ基、チオアシルチオ基、アシルアミノオキシ基、チオカルバメート基、ジチオカルバメート基、チオカルボネート基、ジチオカルボネート基、トリチオカルボネート基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基からなる群から選ばれた基で配位する配位子、あるいは1,3-ジケトン、カルボンアミド、チオカルボンアミド、またはチオ尿素からなる配位子であるのが好ましい。Xが1座配位子のとき、Xはチオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基、イソシアネート基、シアノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基からなる群から選ばれた基で配位する配位子、あるいはハロゲン原子、カルボニル、ジアルキルケトン、チオ尿素からなる配位子であるのが好ましい。一般式1中のMがCu、Pd、Pt等のように4配位を好む金属の場合、m2は0でありm1が1又は2であるのが好ましい。m1が1のとき、m3は1又は2であるのが好ましく、m1が2のとき、m3は0であるのが好ましい。6配位を好む金属の場合は、m1は1又は2であることが好ましく、m1が1のとき、m2は好ましくは1又は2、より好ましくは1であり、m2が1のときm3は1又は2であるのが好ましく、m2が2のときm3は0であるのが好ましい。m1が2のときはm2は好ましくは0または1、より好ましくは0であり、m2が0のときm3は0~2の整数であるのが好ましく、m2が1のときm3は0であるのが好ましい。m1が3のときはm2及びm3ともに0であるのが好ましい。これらの中で、m1が1であり、m2が1であり、m3が1又は2であり、かつLL2が上記一般式6-1により表される2座または3座の配位子であるのが特に好ましい。A5対イオンCI一般式1中のCIは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。色素が陽イオンまたは陰イオンであるか、あるいは正味のイオン電荷を有するかどうかは、色素中の金属、配位子および置換基に依存する。置換基が解離性基を有する場合、解離して色素は負電荷を有していてもよく、この場合、分子全体の電荷はCIにより中和される。典型的な正の対イオンは無機または有機のアンモニウムイオン例えばテトラアルキルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン等、アルカリ金属イオンおよびプロトンである。一方、負の対イオンは無機陰イオンおよび有機陰イオンのいずれでもよく、例えばハロゲン陰イオン例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等、置換アリールスルホン酸イオン例えば、p-トルエンスルホン酸イオン、p-クロロベンゼンスルホン酸イオン等、アリールジスルホン酸イオン例えば1,3-ベンゼンジスルホン酸イオン、1,5-ナフタレンジスルホン酸イオン、2,6-ナフタレンジスルホン酸イオン等、アルキル硫酸イオン例えばメチル硫酸イオン等、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ピクリン酸イオン、酢酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等が挙げられる。さらに電荷均衡対イオンとして、イオン性ポリマーあるいは色素と逆電荷を有する他の色素を用いてもよいし、金属錯イオン例えばビスベンゼン-1,2-ジチオラトニッケルIII等も使用可能である。A6結合基一般式1により表される金属錯体色素は、半導体微粒子の表面に対する適当な結合基interlockinggroupを少なくとも1つ以上有するのが好ましく、1~6個有するのがより好ましく、1~4個有するのが特に好ましい。好ましい結合基はカルボキシル基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、ヒドロキサム酸基例えば―CONHOH等、ホスホリル基例えば―OPOOH2等、ホスホニル基例えば―POOH2等等の酸性基解離性のプロトンを有する置換基である。A7金属錯体色素の具体例上記金属錯体色素は、カルボキシル基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、ヒドロキサム酸基、ホスホリル基及びホスホニル基のいずれかを少なくとも1個有するのが好ましい。本発明の一般式1により表される金属錯体色素のうち、特に好ましいものは下記一般式10で表されるルテニウム錯体色素である。RuLL1m1LL2m2Xm3CI一般式7[ただし、LL1は上記一般式2により表される2座または3座の配位子であり、好ましくは上記一般式4又は5により表される配位子であり、LL2は上記一般式6-1~6-8のいずれかにより表される2座または3座の配位子である。Xはアシルオキシ基、アシルチオ基、チオアシルオキシ基、チオアシルチオ基、アシルアミノオキシ基、チオカルバメート基、ジチオカルバメート基、チオカルボネート基、ジチオカルボネート基、トリチオカルボネート基、アシル基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基、イソシアネート基、シアノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基からなる群から選ばれた基で配位する1座または2座の配位子、あるいはハロゲン原子、カルボニル、ジアルキルケトン、1,3-ジケトン、カルボンアミド、チオカルボンアミドまたはチオ尿素からなる1座または2座の配位子を表す。m1は1又は2であり、m1が2のときLL1は同じでも異なっていてもよく、m2は0又は1であり、m3は0~2の整数を表し、m3が2のときXは同じでも異なっていてもよく、またX同士が連結していてもよく、m2とm3は同時に0とはならず、CIは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。]また、上記一般式4および5中のR11及び/又はR12はアルコキシ基が置換したアルキル基であるのが好ましく、m1が1であり、m2が1であり、m3が1又は2であるのが好ましい。本発明で用いる金属錯体色素の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、下記具体例における金属錯体色素がプロトン解離性基を有する配位子を含む場合、該配位子は必要に応じて解離しプロトンを放出してもよい。本発明の一般式1により表される金属錯体色素は、特開2001-291534号公報や当該公報に引用された方法を参考にして合成することができる。本発明の色素は、溶液における最大吸収波長が、好ましくは400~1000nmの範囲であり、より好ましくは410~900nmの範囲であり、特に好ましくは420~800nmの範囲である。B導電性支持体図1に示すように、本発明の光電変換素子には、導電性支持体1上には多孔質の半導体微粒子22に色素21が吸着された感光体2が形成されている。後述する通り、例えば、半導体微粒子の分散液を導電性支持体に塗布乾燥後、本発明の色素溶液に浸漬することにより、感光層を製造することができる。導電性支持体としては、金属のように支持体そのものに導電性があるものか、または表面に導電膜層を有するガラスや高分子材料を使用することができる。導電性支持体は実質的に透明であることが好ましい。実質的に透明であるとは光の透過率が10以上であることを意味し、50以上であることが好ましく、80以上が特に好ましい。導電性支持体としては、ガラスや高分子材料に導電性の金属酸化物を塗設したものを使用することができる。このときの導電性の金属酸化物の塗布量は、ガラスや高分子材料の支持体1m2当たり、0.1~100gが好ましい。透明導電性支持体を用いる場合、光は支持体側から入射させることが好ましい。好ましく使用される高分子材料の一例として、テトラアセチルセルロースTAC、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、シンジオタクチックポリスチレンSPS、ポリフェニレンスルフィドPPS、ポリカーボネートPC、ポリアリレートPAR、ポリスルフォンPSF、ポリエステルスルフォンPES、ポリエーテルイミドPEI、環状ポリオレフィン、ブロム化フェノキシ等を挙げることができる。本発明における導電性支持体の厚さは10μm以上2000μm以下であることが好ましく、さらに好ましくは10μm以上1000μm以下であり、特に好ましくは50μm以上500μm以下である。この厚さが厚すぎると可撓性に欠けるため、光電変換素子として使用する場合に支障が生じることがある。また薄すぎると光電変換素子を使用中に破損することがあり好ましくない。本発明に用いられる導電性支持体の表面抵抗は低い程よい。好ましい表面抵抗の範囲としては10Ω/m2以下であり、さらに好ましくは1Ω/m2以下であり、特に好ましくは0.1Ω/m2以下である。この値が高すぎると、通電しにくくなり光電変換素子としての機能を発揮することができない。本発明の導電性支持体としては、高分子材料層の上に導電層を設けたものを好ましく使用することができる。高分子材料層としては、特に制限されないが、導電層上に半導体微粒子分散液を塗布後加熱した場合に溶融して形状を保持することがない材料を選択する。導電層は高分子材料層に従来の方法、例えば押出被覆等により積層して製造することができる。使用することが可能な高分子材料層としては、テトラアセチルセルロースTAC、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、シンジオタクチックポリスチレンSPS、ポリフェニレンスルフィドPPS、ポリカーボネートPC、ポリアリレートPAr、ポリスルフォンPSF、ポリエステルスルフォンPES、ポリエーテルイミドPEI、環状ポリオレフィン、ブロム化フェノキシ等を例示することができる。本発明の導電性支持体として、高分子材料層の上に導電層を設けたものを使用することにより、該高分子材料層は光電変換素子や光電気化学電池の保護層として機能することが可能となる。高分子材料として電気絶縁性の材料を使用すれば、該高分子材料層は保護層としてだけでなく、絶縁層として機能することができる。これにより、光電変換素子自体の絶縁性を確保することができる。該高分子材料層を絶縁層として使用する場合は、この体積固有抵抗は1010~1020Ωcmのものを使用することが好ましい。さらに好ましくは、体積固有抵抗は1011~1019Ωcmである。前記の材料を使用して、特に導電性の材料を配合しなければ、この範囲内の体積固有抵抗を有する絶縁層のものを得ることができる。導電性支持体は実質的に透明であることが好ましい。実質的に透明であるとは光の透過率が10以上であることを意味し、50以上であることが好ましく、80以上が特に好ましい。導電性支持体上には、表面に光マネージメント機能を施してもよい。例えば、高屈折膜及び低屈性率の酸化物膜を交互に積層した反射防止膜や、ライトガイド機能を設けてもよい。導電性支持体上には、紫外光を遮断する機能を持たせることが好ましい。例えば、紫外光を可視光に変えることが出来る蛍光材料を前記高分子材料層の内部または表面に存在させる方法が挙げられる。また、別の好ましい方法して、紫外線吸収剤を用いる方法も挙げられる。導電性支持体上には、特開平11-250944号公報などに記載の機能を付与してもよい。導電膜の抵抗値はセル面積が大きくなると大きくなる為、集電電極を配置してもよい。好ましい集電電極の形状及び材質としては、特開平11-266028号公報などに記載のものを使用することができる。高分子材料層と導電層の間にガスバリア膜及び/又はイオン拡散防止膜を配置しても良い。ガスバリア層としては、樹脂膜や無機膜のどちらでもよい。C半導体微粒子図1に示すように、本発明の光電変換素子には、導電性支持体1上には多孔質半導体微粒子22に色素21が吸着された感光体2が形成されている。後述する通り、例えば、半導体微粒子の分散液を前記の導電性支持体に塗布乾燥後、本発明の色素溶液に浸漬することにより、感光体を製造することができる。半導体微粒子としては、好ましくは金属のカルコゲニド例えば酸化物、硫化物、セレン化物等またはペロブスカイトの微粒子が用いられる。金属のカルコゲニドとしては、好ましくはチタン、スズ、亜鉛、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、もしくはタンタルの酸化物、硫化カドミウム、セレン化カドミウム等が挙げられる。ペロブスカイトとしては、好ましくはチタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム等が挙げられる。これらのうち酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステンが特に好ましい。半導体には伝導に関わるキャリアーが電子であるn型とキャリアーが正孔であるp型が存在するが、本発明の素子ではn型を用いることが変換効率の点で好ましい。n型半導体には、不純物準位をもたず伝導帯電子と価電子帯正孔によるキャリアーの濃度が等しい固有半導体あるいは真性半導体の他に、不純物に由来する構造欠陥により電子キャリアー濃度の高いn型半導体が存在する。本発明で好ましく用いられるn型の無機半導体は、TiO2、TiSrO3、ZnO、Nb2O3、SnO2、WO3、Si、CdS、CdSe、V2O5、ZnS、ZnSe、SnSe、KTaO3、FeS2、PbS、InP、GaAs、CuInS2、CuInSe2などである。これらのうち最も好ましいn型半導体はTiO2、ZnO、SnO2、WO3、ならびにNb2O3である。また、これらの半導体の複数を複合させた半導体材料も好ましく用いられる。半導体微粒子の粒径は、半導体微粒子分散液の粘度を高く保つ目的で、一次粒子の平均粒径が2nm以上50nm以下であることが好ましく、また一次粒子の平均粒径が2nm以上30nm以下の超微粒子であることがより好ましい。粒径分布の異なる2種類以上の微粒子を混合してもよく、この場合小さい粒子の平均サイズは5nm以下であるのが好ましい。また、入射光を散乱させて光捕獲率を向上させる目的で、上記の超微粒子に対して平均粒径が50nmを越える大きな粒子を、低含率で添加することもできる。この場合、大粒子の含率は、平均粒径が50nm以下の粒子の質量の50以下であることが好ましく、20以下であることがより好ましい。上記の目的で添加混合する大粒子の平均粒径は、100nm以上が好ましく、250nm以上がより好ましい。半導体微粒子の作製法としては、作花済夫のゾルゲル法の科学アグネ承風社1998年等に記載のゲルゾル法が好ましい。またDegussa社が開発した塩化物を酸水素塩中で高温加水分解により酸化物を作製する方法も好ましい。半導体微粒子が酸化チタンの場合、上記ゾルゲル法、ゲルゾル法、塩化物の酸水素塩中での高温加水分解法はいずれも好ましいが、さらに清野学の酸化チタン物性と応用技術技報堂出版1997年に記載の硫酸法および塩素法を用いることもできる。さらにゾルゲル法として、バルべ等のジャーナルオブアメリカンセラミックソサエティー,第80巻,第12号,3157~3171頁1997年に記載の方法や、バーンサイドらのケミストリーオブマテリアルズ,第10巻,第9号,2419~2425頁に記載の方法も好ましい。この他に、半導体微粒子の製造方法として、例えば、チタニアナノ粒子の製造方法として好ましくは、四塩化チタンの火炎加水分解による方法、四塩化チタンの燃焼法、安定なカルコゲナイド錯体の加水分解、オルトチタン酸の加水分解、可溶部と不溶部から半導体微粒子を形成後可溶部を溶解除去する方法、過酸化物水溶液の水熱合成、またはゾルゲル法によるコア/シェル構造の酸化チタン微粒子の製造方法が挙げられる。チタニアの結晶構造としては、アナターゼ型、ブルッカイト型、または、ルチル型があげられ、アナターゼ型、ブルッカイト型が好ましい。チタニアナノチューブナノワイヤーナノロッドをチタニア微粒子に混合してもよい。チタニアは、非金属元素などによりドーピングされていても良い。チタニアへの添加剤としてド―パント以外に、ネッキングを改善する為のバインダーや逆電子移動防止の為に表面へ添加剤を用いても良い。好ましい添加剤の例としては、ITO、SnO粒子、ウイスカー、繊維状グラファイトカーボンナノチューブ、酸化亜鉛ネッキング結合子、セルロース等の繊維状物質、金属、有機シリコン、ドデシルベンゼンスルホン酸、シラン化合物等の電荷移動結合分子、及び電位傾斜型デンドリマーなどが挙げられる。チタニア上の表面欠陥を除去するなどの目的で、色素吸着前にチタニアを酸塩基又は酸化還元処理しても良い。エッチング、酸化処理、過酸化水素処理、脱水素処理、UV-オゾン、酸素プラズマなどで処理してもよい。D半導体微粒子分散液本発明においては、半導体微粒子以外の固形分の含量が、半導体微粒子分散液全体の1質量以下よりなる半導体微粒子分散液を前記の導電性支持体に塗布し、適度に加熱することにより、多孔質半導体微粒子塗布層を得ることができる。半導体微粒子分散液を作製する方法としては、前述のゾルゲル法の他に、半導体を合成する際に溶媒中で微粒子として析出させそのまま使用する方法、微粒子に超音波などを照射して超微粒子に粉砕する方法、あるいはミルや乳鉢などを使って機械的に粉砕しすり潰す方法、等が挙げられる。分散溶媒としては、水および/または各種の有機溶媒を用いることができる。有機溶媒としては、メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,シトロネロール,ターピネオールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、酢酸エチルなどのエステル類、ジクロロメタン、アセトニトリル等が挙げられる。分散の際、必要に応じて例えばポリエチレングリコール、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロースのようなポリマー、界面活性剤、酸、またはキレート剤等を分散助剤として少量用いてもよい。しかし、これらの分散助剤は、導電性支持体上へ製膜する工程の前に、ろ過法や分離膜を用いる方法、あるいは遠心分離法などによって大部分を除去しておくことが好ましい。半導体微粒子分散液は、半導体微粒子以外の固形分の含量が分散液全体の1質量以下とすることができる。この濃度は好ましくは0.8以下であり、さらに好ましくは0.5以下であり、特に好ましくは0.3以下である。すなわち、半導体微粒子分散液中に、溶媒と半導体微粒子以外の固形分を半導体微分散液全体の1質量以下とすることができる。実質的に半導体微粒子と分散溶媒のみからなることが好ましい。半導体微粒子分散液の粘度が高すぎると分散液が凝集してしまい製膜することができず、逆に半導体微粒子分散液の粘度が低すぎると液が流れてしまい製膜することができないことがある。したがって分散液の粘度は、25°Cで10~300Ns/m2が好ましい。さらに好ましくは、25°Cで50~200Ns/m2である。半導体微粒子分散液の塗布方法としては、アプリケーション系の方法としてローラ法、ディップ法等を使用することができる。またメータリング系の方法としてエアーナイフ法、ブレード法等を使用することができる。またアプリケーション系の方法とメータリング系の方法を同一部分にできるものとして、特公昭58-4589号公報に開示されているワイヤーバー法、米国特許2681294号明細書等に記載のスライドホッパー法、エクストルージョン法、カーテン法等が好ましい。また汎用機を使用してスピン法やスプレー法で塗布するのも好ましい。湿式印刷方法としては、凸版、オフセットおよびグラビアの3大印刷法をはじめ、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等が好ましい。これらの中から、液粘度やウェット厚さに応じて、好ましい製膜方法を選択する。また本発明の半導体微粒子分散液は粘度が高く、粘稠性を有するため、凝集力が強いことがあり、塗布時に支持体とうまく馴染まない場合がある。このような場合に、UVオゾン処理で表面のクリーニングと親水化を行うことにより、塗布した半導体微粒子分散液と導電性支持体表面の結着力が増し、半導体微粒子分散液の塗布が行い易くなる。半導体微粒子層全体の好ましい厚さは0.1~100μmである。半導体微粒子層の厚さはさらに1~30μmが好ましく、2~25μmがより好ましい。半導体微粒子の支持体1m2当りの担持量は0.5g~400gが好ましく、5~100gがより好ましい。塗布した半導体微粒子の層に対し、半導体微粒子同士の電子的接触の強化と、支持体との密着性の向上のため、また塗布した半導体微粒子分散液を乾燥させるために、加熱処理が施される。この加熱処理により多孔質半導体微粒子層を形成することができる。また、加熱処理に加えて光のエネルギーを用いることもできる。例えば、半導体微粒子として酸化チタンを用いた場合に、紫外光のような半導体微粒子が吸収する光を与えることで表面を活性化してもよいし、レーザー光などで半導体微粒子表面のみを活性化することができる。半導体微粒子に対して該微粒子が吸収する光を照射することで、粒子表面に吸着した不純物が粒子表面の活性化によって分解され、上記の目的のために好ましい状態とすることができる。加熱処理と紫外光を組み合わせる場合は、半導体微粒子に対して該微粒子が吸収する光を照射しながら、加熱が100°C以上250°C以下あるいは好ましくは100°C以上150°C以下で行われることが好ましい。このように、半導体微粒子を光励起することによって、微粒子層内に混入した不純物を光分解により洗浄するとともに、微粒子の間の物理的接合を強めることができる。また、半導体微粒子分散液を前記の導電性支持体に塗布し、加熱や光を照射する以外に他の処理を行ってもよい。好ましい方法として例えば、通電、化学的処理などが挙げられる。塗布後に圧力をかけても良く、圧力をかける方法としては、特表2003-500857号公報等が挙げられる。光照射の例としては、特開2001-357896号公報等が挙げられる。プラズママイクロ波通電の例としては、特開2002-353453号公報等が挙げられる。化学的処理としては、例えば特開2001-357896号公報が挙げられる。上述の半導体微粒子を導電性支持体上に塗設する方法は、上述の半導体微粒子分散液を導電性支持体上に塗布する方法のほか、特許第2664194号公報に記載の半導体微粒子の前駆体を導電性支持体上に塗布し空気中の水分によって加水分解して半導体微粒子膜を得る方法などの方法を使用することができる。前駆体として例えば、NH42TiF6、過酸化チタン、金属アルコキシド金属錯体金属有機酸塩等が挙げられる。また、金属有機酸化物アルコキシドなどを共存させたスラリーを塗布し加熱処理、光処理などで半導体膜を形成する方法、無機系前駆体を共存させたスラリー、スラリーのpHと分散させたチタニア粒子の性状を特定した方法が挙げられる。これらスラリーには、少量であればバインダーを添加しても良く、バインダーとしては、セルロース、フッ素ポリマー、架橋ゴム、ポリブチルチタネート、カルボキシメチルセルロースなどが挙げられる。半導体微粒子又はその前駆体層の形成に関する技術としては、コロナ放電、プラズマ、UVなどの物理的な方法で親水化する方法、アルカリやポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸などによる化学処理、ポリアニリンなどの接合用中間膜の形成などが挙げられる。半導体微粒子を導電性支持体上に塗設する方法として、上述の1湿式法とともに、2乾式法、3その他の方法を併用しても良い。2乾式法として好ましくは、特開2000-231943号公報等が挙げられる。3その他の方法として、好ましくは、特開2002-134435号公報等が挙げられる。乾式法としては、蒸着やスパッタリング、エアロゾルデポジション法などが挙げられる。また、電気泳動法電析法を用いても良い。また、耐熱基板上でいったん塗膜を作製した後、プラスチック等のフィルムに転写する方法を用いても良い。好ましくは、特開2002-184475号公報記載のEVAを介して転写する方法、特開2003-98977号公報記載の紫外線、水系溶媒で除去可能な無機塩を含む犠牲基盤上に半導体層導電層を形成後、有機基板に転写後、犠牲基板を除去する方法などが挙げられる。半導体微粒子は多くの色素を吸着することができるように表面積の大きいものが好ましい。例えば半導体微粒子を支持体上に塗設した状態で、その表面積が投影面積に対して10倍以上であることが好ましく、100倍以上であることがより好ましい。この上限には特に制限はないが、通常5000倍程度である。好ましい半導体微粒子の構造としては、特開2001-93591号公報等が挙げられる。一般に、半導体微粒子の層の厚みが大きいほど単位面積当たりに担持できる色素の量が増えるため光の吸収効率が高くなるが、発生した電子の拡散距離が増すため電荷再結合によるロスも大きくなる。半導体微粒子層の好ましい厚みは素子の用途によって異なるが、典型的には0.1~100μmである。光電気化学電池として用いる場合は1~50μmであることが好ましく、3~30μmであることがより好ましい。半導体微粒子は、支持体に塗布した後に粒子同士を密着させるために、100~800°Cの温度で10分~10時間加熱してもよい。支持体としてガラスを用いる場合、製膜温度は400~600°Cが好ましい。支持体として高分子材料を用いる場合、250°C以下で製膜後加熱することが好ましい。その場合の製膜方法としては、1湿式法、2乾式法、3電気泳動法電析法を含むの何れでも良く、好ましくは、1湿式法、又は2乾式であり、更に好ましくは、1湿式法である。なお、半導体微粒子の支持体1m2当たりの塗布量は0.5~500g、さらには5~100gが好ましい。半導体微粒子に色素を吸着させるには、溶液と本発明の色素よりなる色素吸着用色素溶液の中に、製膜後の半導体電極を浸漬するのが好ましい。色素吸着用色素溶液に使用される溶液は、本発明の色素が溶解できる溶液なら特に制限なく使用することができる。例えば、エタノール、メタノール、イソプロパノール、トルエン、t-ブタノール、アセトニトリル、アセトン、n-ブタノールなどを使用することができる。その中でも、エタノール、トルエンを好ましく使用することができる。溶液と本発明の色素よりなる色素吸着用色素溶液は必要に応じて50°Cないし100°Cに加熱してもよい。色素の吸着は半導体微粒子の塗布前に行っても塗布後に行ってもよい。また、半導体微粒子と色素を同時に塗布して吸着させてもよい。未吸着の色素は洗浄によって除去する。塗布膜の焼成を行う場合は色素の吸着は焼成後に行うことが好ましい。焼成後、塗布膜表面に水が吸着する前にすばやく色素を吸着させるのが特に好ましい。吸着する色素は1種類でもよいし、数種混合して用いてもよい。混合する場合、本発明の色素を2種以上混合してもよいし、本発明の趣旨を損なわない範囲内で錯体色素と本発明の色素を混合してもよい。光電変換の波長域をできるだけ広くするように、混合する色素が選ばれる。色素を混合する場合は、すべての色素が溶解するようにして、色素吸着用色素溶液とすることが必要である。色素の使用量は、全体で、支持体1m2当たり0.01~100ミリモルが好ましく、より好ましくは0.1~50ミリモル、特に好ましくは0.1~10ミリモルである。この場合、本発明の色素の使用量は5モル以上とすることが好ましい。また、色素の半導体微粒子に対する吸着量は半導体微粒子1gに対して0.001~1ミリモルが好ましく、より好ましくは0.1~0.5ミリモルである。このような色素量とすることによって、半導体における増感効果が十分に得られる。これに対し、色素量が少ないと増感効果が不十分となり、色素量が多すぎると、半導体に付着していない色素が浮遊し増感効果を低減させる原因となる。また、会合など色素同士の相互作用を低減する目的で無色の化合物を共吸着させてもよい。共吸着させる疎水性化合物としてはカルボキシル基を有するステロイド化合物例えばコール酸、ピバロイル酸等が挙げられる。色素を吸着した後に、アミン類を用いて半導体微粒子の表面を処理してもよい。好ましいアミン類としては4-tert-ブチルピリジン、ポリビニルピリジン等が挙げられる。これらは液体の場合はそのまま用いてもよいし有機溶媒に溶解して用いてもよい。対向電極は、光電気化学電池の正極として働くものである。対向電極は、通常前述の導電性支持体と同義であるが、強度が十分に保たれるような構成では支持体は必ずしも必要でない。ただし、支持体を有する方が密閉性の点で有利である。対向電極の材料としては、白金、カーボン、導電性ポリマー、などがあげられる。好ましい例としては、白金、カーボン、導電性ポリマーが挙げられる。対極の構造としては、集電効果が高い構造が好ましい。好ましい例としては、特開平10-505192号公報などが挙げられる。受光電極は酸化チタンと酸化スズTiO2/SnO2などの複合電極を用いても良く、チタニアの混合電極として例えば、特開2000-113913号公報等が挙げられる。チタニア以外の混合電極として例えば、特開2001-185243号公報、特開2003-282164号公報等が挙げられる。受光電極は、入射光の利用率を高めるなどのためにタンデム型にしても良い。好ましいタンデム型の構成例としては、特開2002-90989号公報等に記載の例が挙げられる。受光電極層内部で光散乱、反射を効率的に行う光マネージメント機能を設けてもよい。好ましくは、特開2002-93476号公報に記載のものが挙げられる。導電性支持体と多孔質半導体微粒子層の間には、電解液と電極が直接接触することによる逆電流を防止する為、短絡防止層を形成することが好ましい。好ましい例としては、特開平06-507999号公報等が挙げられる。受光電極と対極の接触を防ぐ為に、スペーサーやセパレータを用いることが好ましい。好ましい例としては、特開2001-283941号公報が挙げられる。以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。1.色素の調製以下の方法で色素A-1を調製した。8ml0.057molのジイソプロピルアミンを乾燥テトラヒドロフランTHF16mlに溶解し、窒素雰囲気下、反応液を0°Cに保ちながら35.2ml0.056molのn-ブチルリチウムヘキサン溶液濃度1.6mol/lを滴下し、0°Cで20分間攪拌してLDAを調製した。この反応液に4.0g0.0217molの4,4’-ジメチルビピリジン1を乾燥THF80mlに溶解してなる溶液を、反応液を0°Cに保ちながら滴下し、0°Cで75分間攪拌した。次に7.64g0.0432molのアルデヒド2を乾燥THF80mlに溶解してなる溶液を反応液を0°Cに保ちながら滴下し、0°Cで75分間、室温で5時間攪拌した。得られた溶液にメタノール8mlを加え、続いて水80mlを加え、析出した結晶をろ別、水洗し、ベンゼンから再結晶してアルコール3の結晶6.9gを得た収率66。6.76g14mmolのアルコール3を10硫酸水溶液170mlに溶解し、90°Cで2時間攪拌した。この水溶液を冷却後、水酸化ナトリウム水溶液濃度1mol/lで中和し、塩化メチレンを用いて3回抽出し、水洗した。得られた塩化メチレン溶液を硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮し、塩化メチレン-メタノール混合溶媒に分散し、ろ別してビスジエチルアミノスチリルビピリジン4の黄色結晶5.3gを得た。0.97g2mmolのルテニウム錯体5および0.9gのビスジエチルアミノスチリルビピリジン4をクロロホルム20mlに溶解し、4時間還流した。減圧濃縮後、アセトン-ジエチルエーテル混合液を加え、生じた結晶をろ別し、エーテルで洗浄して1.54gのルテニウム錯体6を得た収率99。なお、ルテニウム錯体5はJ.Chem.Soc.,Dalton,1973,204に記載の方法を参考に合成した。0.155g0.2mmolのルテニウム錯体6および0.0324g0.4mmolのチオシアン酸ナトリウムをDMF30mlおよび水10mlの混合溶媒に溶解し、窒素雰囲気下、暗所にて2時間還流した。次いで反応液に0.045g0.2mmolのビピリジン-4,4’-ジカルボン酸7を加え6時間還流した。得られた溶液を濃縮し、メタノールに分散、ろ別して金属錯体色素A-1の結晶0.046gを得た。なお、構造はNMRスペクトルにより確認した。実験に使用した他の色素についても色素A-1と同様の方法で調製した。2.色素の極大吸収波長の測定前述の色素の極大吸収波長を測定した。比較色素Rについては、後述の色素について、極大吸収波長を測定した。測定は分光光度計U-4100商品名、日立ハイテク株製によって行い、溶液としては、エタノール、又はテトラヒドロフランと水との質量比が70:30の混合溶液を用いた。実験I以下の方法に従って、光電気化学電池を作製し、評価した。その結果を表2に示す。1透明導電性支持体の作製厚さ1.9mmの無アルカリガラスの基板に、CVD法によってフッ素ドープ型の二酸化スズを全面に均一にコーティングし、厚さ600nm、面抵抗約15Ω/cm2、500nmにおける光透過率が85の導電性二酸化スズ膜を片面に被覆した透明導電性支持体を作製した。2半導体微粒子の準備以下の三種類の半導体粒子a、b、cを調製した。i半導体微粒子aC.J.BarbeらのJ.Am.CeramicSoc.80巻、p.3157の論文に記載の製造方法に従い、チタン原料にチタニウムテトライソプロポキシドを用い、オートクレーブ中での重合反応の温度を230°Cに設定して、二酸化チタン濃度11質量のアナターゼ型二酸化チタンの分散液を合成した。得られた二酸化チタン粒子の一次粒子のサイズは10~30nmであった。得られた分散液を、超遠心分離機にかけて、粒子を分離し、凝集物を乾燥した後、メノウ乳鉢上で粉砕して白色粉末の半導体微粒子aを得た。ii半導体微粒子b日本アエロジル社製のP-25商品名を使用した。P-25は、気相中の焼成法によって作られた一次粒径20nm、BET比表面積50m2/g、アナターゼ含有率77の酸化チタン微粒子である。iii半導体微粒子cアルドリッチ社製のアナターゼ型酸化チタンアナターゼ含有率99を使用した。3多孔質半導体微粒子層の作製水とアセトニトリルの容量比4:1からなる混合溶媒100mlに、上記2の半導体微粒子a、b、cをそれぞれ、溶媒100mlあたり32gの濃度で添加し、自転/公転併用式のミキシングコンディショナーを使って均一に分散、混合した。この結果、得られた白色の半導体微粒子分散液は、半導体微粒子a、bについては50~150Ns/m2の高粘度のペースト状となり、このまま塗布に用いるのに適した液物性をもっていることがわかった。しかしながら、半導体微粒子cについては粘度が低く、一定の厚さの塗膜を得ることができなかった。そこで、1で作製した導電性二酸化スズ膜が被覆された透明導電性支持体に、アプリケータを用いて、半導体微粒子aおよびbを用いて得られた分散液を塗布し、室温下で1時間乾燥させることにより、40~70μmの均一な厚さの塗布層を形成した。さらに、この塗布層を120°Cで30分間乾燥した後に、100Wの水銀灯紫外線光源のUV光に30分間露光して、後処理を行った。このようにして色素増感のための多孔質半導体微粒子層を作製した。多孔質半導体微粒子層の最終的な平均膜厚は半導体微粒子aを用いた基板aは6.5μm、半導体微粒子bを用いた基板bは6.2μmであった。分散液中に含まれる半導体微粒子以外の固形分の質量を調べるために、上記半導体微粒子層を空気中、350°Cで0.5時間加熱し、加熱前後の質量変化を測定した。この結果、分散液中に固形分として半導体微粒子層a、b以外を含まない実施例1~6、実施例8~10及び比較例1の、単位面積当たりの質量減少はいずれも0.3であった。実施例7及び比較例2では、重量平均分子量が50万のポリエチレングリコールPEGの粉末を、それぞれ、分散液中に加え、半導体微粒子分散液全体における半導体微粒子以外の固形分含量をそれぞれ、0.8、1.2に調製した。4色素吸着溶液の調製表1記載の本発明の色素を、乾燥したエタノールに濃度3×10-4モル/リットルとなるように溶解して、色素吸着溶液を得た。また比較例として、表1記載の比較色素R特開2002-280587号公報に記載の色素を、乾燥したアセトニトリル:tブタノール:エタノールを体積比で2:1:1の混合溶媒に、色素濃度が3×10-4モル/リットルとなるように溶解した。この色素溶液に添加剤として、p-C9H19-C6H4-O-CH2CH2-O3-CH24-SO3Naの構造の有機スルホン酸誘導体を0.025モル/リットルの濃度となるように溶解して、色素吸着用溶液を調製した。5色素の吸着上記の多孔質半導体微粒子層を塗設した基板a、bを、上記の吸着用色素溶液に浸漬して、撹拌下40°Cで3時間放置した。このようにして半導体微粒子層に最適量の色素を吸着させ、多孔質半導体微粒子層を作製した。6光電気化学電池の作製色素吸着した多孔質半導体微粒子層をかき落として、受光面積1.0cm2直径約1.1cmの円型の感光性電極を形成した。この電極に対して、対極の白金蒸着ガラス基板を、熱圧着性のポリエチレンフィルム製のフレーム型スペーサー厚さ20μmを挿入して重ね合わせ、スペーサー部分を120°Cに加熱し両基板を圧着した。さらにセルのエッジ部をエポキシ樹脂接着剤でシールした。対極の基板のコーナー部にあらかじめ設けた電解液注液用の小孔を通して、電解液として、1,2-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムヨージド/ヨウ素50:1の組成からなる室温溶融塩を基板の小孔から毛細管現象を利用して電極間の空間にしみこませた。以上のセル組立工程と、電解液注入の工程をすべて上記の露点-60°Cの乾燥空気中で実施した。溶融塩の注入後、真空下でセルを数時間吸引し感光性電極および溶融塩を含めたセル内部の脱気を行い、最終的に小孔を低融点ガラスで封じた。これにより、導電性支持体、色素が吸着された感光体、電荷移動体及び対極が順に積層された光電気化学電池を作製した。7光電変換効率の測定実施例1~10及び比較例1~2の光電気化学電池について、光電変換効率の測定を行った。500Wのキセノンランプウシオ電気社製に太陽光シミュレーション用補正フィルタOriel社製AM1.5direct商品名を装着し、上記光電気化学電池に対し、入射光強度が100mW/cm2の模擬太陽光を、多孔質半導体微粒子電極感光性電極の側から照射した。光電気化学電池は恒温装置のステージ上に密着して固定し、照射中の温度を50°Cに制御した。電流電圧測定装置ケースレー社製ソースメジャーユニット238型商品名を用いて、印加DC電圧を10mV/秒の定速でスキャンし、出力光電流を計測することにより、光電流―電圧特性を測定した。これにより求められたエネルギー変換効率を、光電気化学電池の構成半導体微粒子、色素及び分散液の半導体微粒子以外の固形分含量の内容とともに表2に示す。また24時間連続光照射後の変換効率の低下率も測定し、その結果も表2に示す。変換効率の初期値が2.5以上で、変換効率低下率が8以下のものを耐久性合格とした。比較色素R特開2002-280587号公報に記載の色素表2の結果から、半導体微粒子以外の固形分の含量が分散液の1質量以下の粒子分散液を支持体に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子層を作製し、本発明の色素を吸着させた場合には、同条件での比較色素Rを吸着させた場合比較例1と比較して、変換効率が合格レベルの光電気化学電池を得られることがわかった実施例1~10。一方、本発明の色素を用いた場合であっても、半導体微粒子以外の固形分の含量が分散液の1質量を越える粒子分散液を支持体に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子層を作製した場合は、変換効率が低く、連続光照射後の変換効率は30を越え、耐久性に問題があることがわかった。実験II以下の方法に従って、光電気化学電池を作製し、評価した。1透明導電性支持体の作製感光性電極用支持体として、表面がフッ素コートされた厚さ0.4mmのシートの片面に、導電性の酸化スズの薄膜を厚さ200nmで均一にコーティングして可撓性のある透明導電性支持体を使用した。2対極用の導電性シートの作製厚さ0.4mmのポリイミド製カプトン登録商標フィルムの片面に、真空スパッタリング法によって厚さ300nmの白金膜で均一に被覆した。面抵抗は5Ω/cm2であった。3半導体微粒子分散液の調製実験Iで用いた半導体微粒子aを用いて、半導体微粒子分散液を調製した。実施例115及び比較例105では、重量平均分子量が50万のポリエチレングリコールPEGの粉末を分散液中に加えることで、半導体微粒子分散液全体における半導体微粒子以外の固形分含量をそれぞれ調製した。その他の半導体微粒子分散液には、半導体微粒子以外の固形分は加えなかった。4半導体微粒子分散液中の固形分の測定厚さ1.9mmの無アルカリガラスの基板に分散液をアプリケータで塗布し、40~70μmの厚さで塗布し、室温で1時間乾燥させた。その後、空気中、350°Cで0.5時間加熱し、加熱前後の質量変化を測定したところ、前記実施例115及び比較例105で用いた半導体微粒子分散液中の固形分含量はそれぞれ、順に1.0と1.2であった。それ以外の試料の半導体微粒子以外の固形分含量は、0.3であった。5半導体微粒子層の作製1で用意した透明導電性支持体に、3で調製した分散液をアプリケータで塗布し、室温下で1時間乾燥させることにより、40~70μmの均一な厚さの塗布層を形成した。この塗布層を表2記載の、塗布後の熱処理/UV処理条件で処理して、色素増感のための多孔質半導体微粒子層を作製した。この条件は、塗布層を各温度で30分間乾燥した後に、100Wの水銀灯紫外線光源のUV光に30分間露光することにより行った。多孔質半導体微粒子層の最終的な平均膜厚は、いずれも6~7μmであった。6色素の吸着上記の多孔質半導体微粒子層が形成された支持体を、実験Iと同様にして作製した吸着用色素溶液に浸漬して、撹拌下40°Cで3時間放置した。このようにして半導体微粒子層に最適量の色素を吸着させ、多孔質半導体微粒子層を作製した。7光電気化学電池の作製5で得られた多孔質半導体微粒子層を用いて、実験Iと同様の方法で光電気化学電池を作製した。8光電変換効率の測定実施例101~118及び比較例101~105の光電気化学電池について、光電変換効率の測定を行った。実験Iと同様の方法で、変換効率と24時間連続光照射後の変換効率の低下率を測定した。その結果を表3に示す。変換効率の初期値が2.5以上で、変換効率低下率が8以下のものを耐久性合格とした。表3に示すように、半導体微粒子以外の固形分の含量が分散液の1質量以下の粒子分散液を支持体に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子層を作製し、本発明の色素を吸着させた場合には、同条件での比較色素Rを吸着させた場合比較例101~104と比較して、特に、24時間連続光照射後の変換効率の低下率が優れ、合格レベルの光電気化学電池を得られることがわかった実施例101~118。これに対し、本発明の色素を用いて、半導体微粒子以外の固形分の含量が半導体微粒子分散液全体の1質量を越える分散液を前記導電性支持体上に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子層を作製し、本発明の色素を吸着させた光電気化学電池は、変換効率の初期値も、24時間連続光照射後の変換効率の低下率も、合格レベルに到達しなかった比較例105。また導電性高分子製の支持体を用いて、半導体微粒子以外の固形分の含量が分散液の1質量以下の粒子分散液を支持体に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子層を作製し、本発明の色素を吸着させた場合には、変換効率び24時間連続光照射後の変換効率の低下率も、合格レベルの光電変換効率を有する電気化学電池が得られた実施例101~118。特に半導体微粒子以外の固形分含量が0.3の分散液を支持体に塗布し、熱処理を120~150°Cで行い、その後本発明の色素を吸着させて多孔質半導体微粒子層を作製した場合は、光電変換効率が3以上と高くなった実施例101~105、109~111、及び115~118。本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものでなく、添付の請求項の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。本願は、2010年3月24日に日本で特許出願された特願2010-068946に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。"