"ポリマーポストに配置されたフラーレン及びナノチューブのうちの少なくとも一方を含む熱伝導層を有するヒートシンク、を含むことを特徴とする装置。前記熱伝導層は、厚さが500ミクロン又はそれよりも薄く、熱伝導率が50W/mK又はそれよりも高いことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記熱伝導層は、厚さが200ミクロン又はそれよりも薄く、熱伝導率が400W/mK又はそれよりも高いことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記熱伝導層の前記厚さは、100ミクロン又はそれよりも薄いことを特徴とする請求項3に記載の装置。前記熱伝導層の前記厚さは、80ミクロン又はそれよりも薄いことを特徴とする請求項3に記載の装置。前記熱伝導層は、ポリマーホストに配置されたカーボンナノチューブを含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記カーボンナノチューブは、前記ポリマーホスト内でランダムに配向されることを特徴とする請求項6に記載の装置。前記カーボンナノチューブは、前記熱伝導層の平面と平行の選択された配向に向けてバイアスされることを特徴とする請求項6に記載の装置。前記ヒートシンクは、前記熱伝導層が上に配置されたヒートシンク本体、を更に有する、ことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記ヒートシンク本体は、表面積増強熱放射構造を有し、前記熱伝導層は、少なくとも該表面積増強熱放射構造の上に配置されることを特徴とする請求項9に記載の装置。前記表面積増強熱放射構造は、熱放射フィンを含むことを特徴とする請求項10に記載の装置。前記ヒートシンク本体は、比較的低い熱伝導率を有し、前記熱伝導層は、比較的高い熱伝導率を有することを特徴とする請求項9に記載の装置。前記ヒートシンク本体は、断熱性であることを特徴とする請求項9に記載の装置。前記ヒートシンク本体は、プラスチックヒートシンク本体であることを特徴とする請求項9に記載の装置。1つ又はそれよりも多くの発光ダイオードLEDデバイスを有するLEDモジュール、を更に含み、前記LEDモジュールは、前記ヒートシンクに固定されてそれと熱的に連通し、LEDベースランプを形成する、ことを特徴とする請求項9に記載の装置。前記LEDベースランプは、A線球構成を有することを特徴とする請求項15に記載の装置。前記ヒートシンク本体は、中空でほぼ円錐形状のヒートシンク本体を含み、前記ヒートシンクは、前記熱伝導層が該中空でほぼ円錐形状のヒートシンク本体の少なくとも外面の上に配置された中空でほぼ円錐形状のヒートシンクを含み、LEDモジュールが、前記LEDベースランプをMR又はPARベースランプとして形成するように前記中空でほぼ円錐形状のヒートシンクの頂部に配置される、ことを特徴とする請求項15に記載の装置。前記熱伝導層は、前記中空でほぼ円錐形状のヒートシンク本体の外面のみの上に配置されることを特徴とする請求項17に記載の装置。前記中空でほぼ円錐形状のヒートシンクの内面上に配置された反射層を含む集光反射器、を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の装置。ヒートシンク本体を形成する段階と、ポリマーポストに配置されたナノチューブを含む熱伝導層を前記ヒートシンク本体上に配置する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記ナノチューブは、カーボンナノチューブを含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記形成する段階は、前記ヒートシンク本体を成形プラスチックヒートシンク本体として成形する段階を含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記配置する段階は、前記熱伝導層を前記ヒートシンク本体上にスプレー被覆する段階を含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記配置する段階は、前記スプレー被覆する段階中に外部エネルギ場を印加して前記ポリマーポストに配置された前記ナノチューブに非ランダム配向を付与する段階を更に含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。前記配置する段階は、前記熱伝導層を前記ヒートシンク本体上に塗装する段階を含み、前記塗装する段階は、前記ポリマーポストに配置された前記ナノチューブに非ランダム配向を付与する、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。全てが光の熱放出体である白熱、ハロゲン、及びHID光源の場合には、ランプに近接する大気への熱伝達は、放射性及び対流性熱経路の設計により管理し、それによって光源の作動中の上昇した目標温度を達成する。対照的に、LED光源の場合、光子は熱的に励起されず、むしろ半導体のp-n接合における電子の正孔との再結合により発生される。光源の性能及び寿命の両方は、LEDのp-n接合における作動温度を上昇した目標温度で作動するよりも最小限にすることにより、最適化される。フィン又は他の表面積増強構造を有するヒートシンクを提供することにより、放射性及び対流性熱伝達のための表面が増大する。図1において、フィンを有する金属ヒートシンクMBはブロックで概略的に示され、ヒートシンクのフィンMFは破線の長円で概念的に示されている。熱が通り対流及び/又は放射により周囲の大気へ伝達する表面は、ここでは放熱面例えば、フィンMFとして説明されており、LEDデバイスにその安定状態において十分な放熱作用を与えるために、広い面積であることが必要である。放熱面MFから大気への対流及び放射による放熱は、それぞれ熱抵抗Rconvection及び熱抵抗RIRにより、又は熱伝導率で等価にモデル化されている。抵抗Rconvectionは、ヒートシンクの外面から近い大気への自然な又は強制された空気流れによる対流をモデル化している。熱抵抗RIRは、ヒートシンクの外面から離れた大気への赤外線IR放射をモデル化している。また、熱伝導経路図1において、熱抵抗Rspreader及び熱抵抗Rconductorにより示されているは、LEDデバイスLDと放熱面MFとの間で直列となっており、これはLEDデバイスLDから放熱面MFへの熱伝導を表している。この直列熱伝導経路のために熱伝導率が高いので、LEDデバイスLDから近い空気への放熱面を通じた熱放出が、確実に直列熱伝導によって制限されないようになる。これは、通常はヒートシンクMBをフィン付き又は他の増大された表面積MFを有し放熱面を形成する金属の比較的大きく重いブロックで構成することにより達成される。金属ヒートシンク本体はLEDデバイスと放熱面の間の望ましい高い熱伝導率を提供する。この設計では、放熱面は本来的に連続的であり、高い熱伝導経路を提供する金属ヒートシンク本体と密接に熱接触している。従って、従来のLEDベースランプのための放熱は、近い空間に露出した広い面積の放熱面MFを有する金属又は金属合金のブロックを備えたヒートシンクMBを含む。金属ヒートシンク本体はLEDデバイスと放熱面の間の高い熱伝導経路Rconductorを提供する。図1の抵抗Rconductorは、ヒートシンク本体MBを通じた伝導をモデル化している。LEDデバイスは、熱スプレッダを有する金属コア回路基板又は他の支持体に取り付けられ、LEDデバイスからの熱は熱スプレッダを通ってヒートシンクに伝導する。これは抵抗Rspreaderとしてモデル化されている。放熱面を通じた大気への放熱抵抗Rconvection及びRIRに加えて、通常、エジソンベース又は他のランプコネクタ又はランプベースLB図1のモデルにおいて破線の円で概略的に示されているを通して、少しの熱放出すなわち、放熱もある。このランプベースLBを通した熱放出は、図1の概略モデルではRsinkで表されており、Rsinkは固体又は熱パイプを通って離れた大気又は建物の基礎施設への伝導を表している。しかし、ここで、エジソンタイプベースの一般的な場合では、ベースLBの熱伝導率及び温度制限は、べースを通した熱フラックスを約1ワットに制限することになることを理解すべきである。対照的に、部屋のような内部空間の照明又は戸外照明を意図するLEDベースランプでは、吸熱すべき熱出力は、通常、約10ワット又はそれより高い。従って、ランプベースLBは主要な放熱経路を提供できないことを理解すべきである。むしろ、LEDデバイスLDからの熱放出は、金属ヒートシンク本体を通した外側の放熱面への伝導に支配され、熱は、対流Rconvection及びより少ない程度の放射RIRにより周囲の外気に放熱される。放熱面はフィン付きとすることができ例えば、図1の概略図におけるフィンMF、又はフィンを付けない場合には、その表面積を増大させて放熱性が改善するように変更することができる。そのような放熱にはいくつかの不具合がある。例えば、ヒートシンクMBが作られた金属又は金属合金の体積が大きいので、ヒートシンクは重い。重い金属ヒートシンクでは機械的応力はベース及びソケットに発生して損傷につながり、いくつかの損傷例は電気的な危険をもたらす。そのようなヒートシンクにおける他の問題は製造コストである。バルク金属ヒートシンクの機械加工は高価であり、選択する金属よっては材料コストも高くなる。更に、ヒートシンクは時々電子機器のためのハウジングとして、又はエジソンベースの取付けポイントとして、又はLEDデバイス回路基板の支持体としても使用される。これらの使用ではヒートシンクをある程度の精度で熱加工することが必要になり、これも製造コストを上昇させる。本発明者は、図1に示す簡素化した熱モデルを用いてこれらの問題を分析した。図1の熱モデルは、熱インピーダンスの直列-並列回路として代数的に表すことができる。安定状態では、ランプ自体の熱質量又は近い大気中のランプコネクタ、配線、及び構造的マウントのような物体の熱質量のような全ての過渡的なインピーダンスは、熱的なキャパシタンスとして扱うことができる。過渡的なインピーダンスすなわち、熱的キャパシタンスは、安定状態では、ちょうど直列電気回路では電気的キャパシタンスを無視することができるように無視することができ、必要なのは抵抗を考慮することのみである。LEDデバイスと外気の間の合計熱抵抗Rthermalは以下の式で表される。ここで、Rsinkは、エジソンコネクタ又は他のランプコネクタを通って大気電気配線に至る熱の熱抵抗であり、Rconvectionは、放熱面から対流熱伝達により周囲の大気に至る熱の熱抵抗であり、RIRは、放熱面から放射熱伝達により周囲の大気に至る熱の熱抵抗であり、はLEDデバイスから熱スプレッダRspreader及び金属ヒートシンク本体Rconductionを通じて放熱面に至る熱の直列熱抵抗である。ここで、の項に対して直列熱経路は放熱面ではなくランプコネクタにつながっているので、対応する直列熱抵抗は正確にはではないことに注意すべきである。しかし、通常のランプではベースコネクタを通る熱伝導率は小さいので、この誤差は無視可能である。実際、ベースを通った放熱を無視した簡素化モデルは、全体として以下のように表される。この簡素化された式は、ヒートシンク本体を通した直列熱抵抗Rconductionが熱モデルを制御するパラメータであることを明らかにしている。実際、それによってヒートシンク本体が非常に低い直列熱抵抗Rconductionの値をもたらすバルク金属ヒートシンクMBを採用している従来のヒートシンク設計が正当化される。上述のことを考慮して、直列熱抵抗Rconductionが低く、同時に、従来のヒートシンクに比べて重量が低減したかつ望ましくはコストが低減したヒートシンクの実現が望ましいことが分る。これを達成する1つの方法は、ベースを通した放熱Rsinkを高めることであり、それによってこの経路は強化され、10ワット又はそれよりも高い放熱率が得られる。しかし、従来の白熱、ハロゲン、及びHIDランプをLEDランプで置換した換装光源の使用では、置換したLEDランプは、白熱、ハロゲン、及びHIDランプのように設計された従来のベース、ソケット又は照明器具に取り付けられる。このような結合をすると、建物の基礎施設や離れた大気例えば、接地に対する熱抵抗Rsinkは、Rconvection又はRIRと比べて大きく、その結果対流及び放射による大気への熱経路が支配的になる。更に、LEDアセンブリの作動温度は比較的低い状態で安定しているので、放射経路は通常対流経路により支配される。従って、通常のLEDベースランプを支配する熱経路は、RconductionとRconvectionとの直列熱回路である。従って、ヒートシンクの重量加えて、望ましくはコストを低減しながら、直列熱抵抗を低くすることが望ましい。本発明者は、第1原則による観点から、LEDベースランプにおける熱除去の問題を注意深く考察した。ここで、特に考察すべきパラメータヒートシンクの体積、伝導率に対するヒートシンクの質量、ヒートシンクの表面積、及びベースを通した伝導性の熱除去及び放熱のうち、設計のための2つの支配的な属性は、LEDとヒートシンクすなわち、Rconductionの間の経路の熱伝導率、及び大気への対流及び放射による熱伝達のためのヒートシンクの外側表面積Rconvection及びRIRに影響するである。消去プロセスにより分析を更に進めることができる。ヒートシンクの体積は、それがヒートシンクの質量及びヒートシンクの表面積に影響する限りにおいてのみ重要である。ヒートシンクの質量は、過渡的な状況で重要であるが、安定状態の熱除去機能には強く影響せず、これは連続的に作動するランプでは、金属ヒートシンク本体の直列抵抗Rconductionが低い範囲を除き、重要なことである。PAR、MR、反射器、又はA線ランプのような置換ランプのベースを通した放熱経路はピンタイプベースのような他のベースタイプは、対等な又はより少ない熱伝導率を有し易い、より低い電力ランプに対しては重要であるが、エジソンベースの熱伝導率は、大気への約1ワットの放熱を得る上で十分であるに過ぎず、従って、ベースを通した大気への伝導放熱は、市販されているLEDベースランプに対して重要であるとは予想されておらず、市販のLEDベースランプではそれは安定状態で数桁高い熱負荷を発生することが予想されている。上述のことに基づいて、図2に示す改良されたヒートシンクは、必ずしも熱伝導性でなくても良い軽量のヒートシンク本体LBと、ヒートシンク本体上に配置され放熱面を形成する熱伝導層CLとを含む。ヒートシンク本体は熱回路の一部ではないが又は任意的に、ヒートシンク本体が熱伝導性であれば副次的な構成要素とすることもできる、ヒートシンク本体LBは、放熱面を形成する伝熱性層CLの形状を形成する。例えば、ヒートシンク本体LBは伝熱性層CLにより被覆されたフィンLFを有してもよい。ヒートシンク本体LBは熱回路の一部ではないので図2に示すように、構造的頑丈性及び軽量性のような生産率及び特性を考慮した設計が可能である。一部の実施形態では、ヒートシンク本体LBは、熱絶縁性又は比較的低い熱伝導性のプラスチックを含む成形プラスチック構成要素である。軽量のヒートシンク本体LB上に配置された熱伝導層CLは放熱面としての機能を果たし、周囲の大気への放熱に関するその性能熱抵抗Rconvection及びRIRにより定量化されるは、図1においてモデル化された従来のヒートシンクのそれと実質的に同じである。しかし、熱伝導層CLはLEDデバイスから放熱面への熱経路直列の熱抵抗Rconductionにより定量化されるを形成する。これも図2に概略的に示されている。Rconductionの値を十分低くするために、熱伝導層CLは十分に厚いRconductionは厚さの増加に連れて減少するのでと共に、材料熱伝導性Rconductionは材料熱伝導性の増加時にも減少するのでは十分に低いことが必要である。熱伝導層CLの材料及び厚さを適切に選択することにより、軽量のかつ可能であれば熱絶縁性のヒートシンク本体LB及びヒートシンク本体上の上に配置され放熱面を形成する熱伝導層CLは、同等の寸法及び形状を有し、バルク金属ヒートシンクの放熱特性と同じか又はよりも優れ、同時に同等のバルク金属ヒートシンクよりも軽量かつ廉価に製造することができる。繰り返すと、単にヒートシンクの性能に依存する大気への放射性/対流性放熱に役立つ表面積のみではなく、放熱層により形成された外面を横切って外気と熱的に連通する熱の熱伝導率すなわち、直列抵抗Rconductionに相当するも、ヒートシンクの性能を決める。表面伝導率が高くなると、熱の放熱面にわたるより効率的な分配が促進され、従って、大気への放射性及び対流性放熱が促進される。上述のことを考慮して、本明細書に示すヒートシンクの実施形態は、ヒートシンク本体と、このヒートシンク本体上に少なくともその放熱面の上にかつ放熱面を形成するように配置された熱伝導層とを含む。ヒートシンクの材料は、熱伝導層の材料よりも熱伝導率が低い。実際、ヒートシンク本体は断熱性とすることができる。他方、熱伝導層は、i区域を有し、ii厚さを有し、更にiii十分な熱伝導性材料から作られ、大気への十分な放熱面を提供しなければならず、それによってLEDベースランプのLEDデバイスのp-n半導体接合は、通常は200°Cより低く、時々100°Cよりも低い識別された最大温度か又はそれよりも十分低く維持される。熱伝導層の厚さ及び材料熱伝導率は一緒に熱伝導層における熱シート伝導率を定義し、それは電気シート伝導率又は反対に電気シート抵抗に類似している。熱シート抵抗はで定義され、ρは材料の熱抵抗率であり、σは材料の熱伝導率であり、dは熱伝導層の厚さである。逆にすると、熱シート伝導率はで表される。すなわち、熱伝導層の厚さdと材料熱伝導率σの間に二律背反が生じる。熱伝導率が高い材料の場合には、熱伝導層は薄くすることができ、それによって重量、体積及びコストが低減される。本明細書に示す実施形態では、熱伝導層はカーボンナノチューブCNT層であり、ポリマーホスト内に配置されたカーボンナノチューブを含む。いくつかの適するカーボンナノチューブは、例示の実施例により、Elhard他の2009年4月3日に公開されその全体が本明細書に組み込まれている国際特許出願WO2009/052110A2に開示されており、また、Heintz他の2008年7月17日に公開されその全体が本明細書に組み込まれている国際特許出願WO2008/085550A2に開示されている。カーボンナノチューブは、チューブに沿って非常に高い熱伝導率を有すると共に、チューブに沿って非常に高い電気伝導率を有することは公知である。上記WO2009/052110A2及びWO2008/085550A2に開示されたカーボンナノチューブ層は、ポリマーホスト内に配置されランダムに配向されたカーボンナノチューブを含み、そこではカーボンナノチューブは、隣接するカーボンナノチューブを横切る電気的伝導も非常に高くなるように十分近くにある。従って、カーボンナノチューブ層材料は非常に高い導電率を有する。カーボンナノチューブ構成で達成することができる非常に高い熱伝導率を示すために、その全体が本明細書に組み込まれているBerber他著カーボンナノチューブの非常に高い熱伝導性UnusuallyHighThermalConductivityofCarbonNanotubes、PhysicalReviewLetters、第84巻、20号、461316ページ2000を参照されたい。Berber他には、様々なカーボンナノチューブの複合特性に対してデータが報告されている。例えば、Berber他の図2は、カーボンナノチューブの熱伝導率が温度の関数として示され、温度100Kにおける熱伝導率のピークは37000W/m-Kであり、この温度を超えると伝導率は次第に減少することを見出している。室温では、伝導率は約6600W/m-Kである。Berber他の図3は、10,10カーボンナノチューブの熱伝導率データを200Kと400Kの間の温度において拘束グラファイト単層及びAAグラファイトのベース面と比較している。これらのデータによれば、孤立したカーボンナノチューブは、仮想上の孤立したグラフェン単層と比べて、非常に類似した熱移送特性を有することが分る。Berber他で報告されたこれらのデータは、ポリマーホスト内に配置されたカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ層について達成可能な高い熱伝導率を示している。特別なカーボンナノチューブ層の正確な熱特性は、ポリマーホスト内におけるナノチューブの密度及び配向例えば、ランダムな又は優先的配向、ナノチューブの形式単一壁又は多重壁、他の様々なパラメータに依存すると予想されることを理解すべきである。単一壁カーボンナノチューブSWNTのようなカーボンナノチューブストック又はグラファイト化された多重壁カーボンナノチューブMWNTを使用して構成されたカーボンナノチューブ層は、例えば、カーボンナノチューブマットマットはカーボンナノチューブ材料の紐を含むとして形成された場合、又はそれよりも高くに達するほど高く、非常に高い熱伝導率を有する。より一般的には、ポリマーホスト内にフラーレンを含むフラーレン層の熱伝導層を形成することすなわち、カーボンナノチューブのようなカーボンナノ構造、Buckyballsとして公知であるブックミンスターフラーレン、正20面体フラーレンなど、又はこれら様々な混合物が考えられ、そこではフラーレンはポリマーホスト内で十分に大きな密度を有し、それによって隣接するフラーレンを横切る非常に効率的な熱伝導を促進する。ヒートシンク本体すなわち、熱伝導層を含まないヒートシンクは、熱拡散図2の熱モデルにおいて直列抵抗Rconductionにより定量化されるを行い、しかも放熱面図2の熱モデルにおいて抵抗Rconvection及びRIRにより定量化されるを形成する熱伝導層の形状を限定しない限り、熱除去に強く影響しない。ヒートシンク本体によって得られる表面積は、放射及び対流を通じて引き続き行われる熱除去に影響する。その結果、ヒートシンク本体は、軽量、低コスト、構造的な強度又は頑丈性、熱的頑丈性例えば、ヒートシンク本体は溶融したり過度に軟化することなく、作動温度に耐えなければならない、製造容易性、最大表面積これがひいては熱伝導層の表面積を制御する等の望ましい特性を達成するように選択される。ここに例示した一部の実施形態では、ヒートシンク本体は成形プラスチック要素であり、例えば、ポリメタクリル酸メチル、ナイロン、ポリエチレン、エポキシ樹脂、ポリイソプレン、sbsゴム、ポリジシクロペンタジセン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンサルファイド、酸化フェニレン、シリコーン、ポリケトン、又は熱可塑性物質等のポリマー材料から作られている。ヒートシンク本体は成形してフィン又は他の熱放射/対流の表面積増強構造を有することができる。以下に、いくつかの例示的な実施形態を説明する。図3及び図4において、ヒートシンク10は、MR又はPAR形式のLEDベースランプに使用するのに適する構造を有する。ヒートシンク10は、上述のプラスチック又は適切な材料で作られたヒートシンク本体12と、ヒートシンク本体12に配置されカーボンナノチューブ層を含む熱伝導層14とを含む。より一般的には、熱伝導層14はポリマーホスト内に配置されたフラーレンカーボンナノチューブ、Buckyballsとして公知であるブックミンスターフラーレン、正20面体フラーレン等を含むフラーレン層とすることができる。図4で最も良く分るように、ヒートシンク10はフィン16を有し、それによって放射及び対流による最高の熱除去を高めている。図示のフィン16の代わりに、多数のセグメントから構成されるフィン、ロッド、マクロ/ナノスケール表面、及び体積特徴部等の他の表面増大構造が採用可能である。例示したヒートシンク本体12は、内面20及び外面22を有する中空でほぼ円錐形状のヒートシンク10を形成する。図3の実施形態では、熱伝導層14は内面20及び外面22の両方の上に配置されている。代替的に、熱伝導層は、図7に示す代わりの実施形態のヒートシンク10’のように外面22の上だけに配置してもよい。図3及び4を引き続き参照して更に図5及び図6を参照すると、例示した中空でほぼ円錐形状のヒートシンク10は中空の頂部26を含む。LEDモジュール30図6に示すは頂部26に適切に配置され図5に示すように、それによってMR又はPARベースランプを形成している。LEDモジュール30は1つ又はそれよりも多く例示した実施形態では3つの発光ダイオードLEDデバイス32を含み、発光ダイオードデバイス32は金属コアプリント回路基板MCPCB34に取り付けられ、MCPCB34は、例えば、MCPCB34の金属層を含む熱スプレッダ36を含む。更に、例示したLEDモジュール30はネジ切りされたエジソンベース40を含むが、差込みピン形式のベース、又は豚の尾形状の電気コネクタのような他の形式のベースが、エジソンベース40の代わりに使用可能である。更に、例示したLEDモジュール30は電子機器42を含む。電子機器は図示のような包まれた電子機器ユニット42を含むことができ、又は分離したハウジングなしでヒートシンク10の中空頂部26に配置された電子構成要素とすることができる。電子機器42は、交流電力例えば、米国住居のための110ボルト、米国産業のための又は欧州のための220ボルト等を通常は低い適切な直流電圧に変換してLEDデバイス32を作動させる電源回路を適切に含む。電子機器42は、任意的に、静放電ESD保護回路、ヒューズ又は他の保護回路、又は調光回路などのような他の構成要素を含むことができる。ここで使用されているように、用語LEDデバイスは、無機又は有機のLEDの裸の半導体チップ、無機又は有機のLEDの封入された半導体チップ、LEDチップパッケージであり、そこではLEDチップがサブマウント、リードフレーム、表面取付け支持体のような1つ又はそれよりも多くの中間要素に取り付けられるLEDチップパッケージ、封入材料例えば、黄色、白色、琥珀色、緑色、オレンジ色、赤色燐光体又は他の協働して白色光を生成する燐光体で被覆した紫外線、紫色又は青色のLEDチップと共に又は関係なく波長変換燐光体コーティングを含む無機又は有機のLEDの半導体チップ、多重チップを有する無機又は有機のLEDデバイス例えば、赤色、緑色及び青色、更に他の色の光をそれぞれ発光する3つのLEDチップを含み、それらを集めて白色を生成する白色のLEDデバイスなどを包含することを理解すべきである。1つ又はそれよりも多くのLEDデバイス32は、白色光ビーム、黄色がかった光ビーム、赤色光ビーム又は所定の点灯に重要な他の実質的にあらゆる色の光ビームを集めるように構成されている。1つ又はそれよりも多くのLEDデバイス32は異なる色の光を発光するLEDデバイスを含むように考慮され、電子機器42は異なる色のLEDデバイスを独立して作動させるために適切な回路を含み、それによって調整可能な色を出力するように考慮されている。熱スプレッダ36はLEDデバイス32と熱伝導層14とを熱的に連通する。熱スプレッダ36と熱伝導層14とは、半田付け、熱伝導性接着剤、任意的にLEDモジュール30とヒートシンクの頂部26との間で高い熱伝導性パッドで補助された緊密な機械的な装着などの様々な方法で良好に熱的に結合される。図示していないが、熱伝導層14は頂部26の内径表面の上に配置され、それによって熱スプレッダ36と熱伝導層14の間に熱的結合を与える又は強化することも考えられる。図7を参照して、製造方法について説明する。本方法では、成形のような適切な方法で初めにヒートシンク本体12を形成し形成は不図示、それはプラスチック又は他のポリマー材料から構成される実施形態のヒートシンク本体12の形成に有利である。ヒートシンク本体12を形成する他の方法は、鋳造、押出し筒状のヒートシンクの場合などを含む。スプレー被覆50概念的に矢印に示しているを適用して、ポリマーホスト内に配置されたカーボンナノチューブのようなフラーレンを含む熱伝導層14により外面22を被覆する。マスクした浸せきコーティング、又はブッシュの使用などの他のコーティング方法が使用可能である。その結果、図3及び図5のヒートシンク本体10と比較して内面が熱伝導層14により被覆されていない変更されたヒートシンク本体10’が得られる。これは、外面22上に配置された熱伝導層14フィン又は他の表面積増強構造を含むことができるにより、十分な最高の放射性/対流性放熱が得られれば、満足することができるものである。このような実施形態では、内面20は反射コーティング52で被覆することができ、それによってMR、PAR又は反射ランプのための集光反射器が形成される。MR又はPAR反射ランプは、1つ又はそれよりも多くのフレネル又は他のレンズ、1つ又はそれよりも多くの拡散要素などの他の光学構成要素不図示を含むことができることを理解すべきである。内面20上に熱伝導層14を付加的に配置することが望ましい場合図3及び図5のヒートシンク10による例示的な実施例に示すように、図7のスプレー被覆は、内面22をスプレーに対面させてすなわち、図7に示すヒートシンクを180°回して繰り返される。代替的に、塗装等の他のコーティング方法が使用可能であり、それによって内側及び外面20、22の両方のコーティングが可能になる。一般的に、熱伝導層14では、フラーレンはポリマーホスト内でランダムな配向を示している。これは通常の構成であり、例として、その全体が本明細書に組み込まれたWO2009/052110A2及びWO2008/085550A2に示されたカーボンナノチューブ層では良くあることである。しかし、カーボンナノチューブのような異方性のフラーレンの場合、熱伝導層14をカーボンナノチューブ層として形成し、そこではカーボンナノチューブを熱伝導層14の平面と平行な選択された配向に向けてバイアスすることも考えられる。そのような配向にすると、貫通層熱伝導率と比較して横方向熱伝導率が改善する。熱伝導率は、面内値及び貫通層値を有するテンソルになる。カーボンナノチューブに向うバイアスは熱伝導層14の平面に向けられているので、であり、シート伝導率はになる。カーボンナノチューブが更に熱伝導層14の平面と平行な選択された配向に向けてバイアスされている場合、テンソルは、付加的な成分すなわち、面内値は異なる面内方向に対して異なる値に分解されるを有し、選択された配向が熱流れの望ましい方向と平行な場合、最高の放射性/対流性放熱は、更に改善する。そのようなカーボンナノチューブの好ましい配向を得るための1つの方法は、スプレー被覆の間、電界E破線に示した大きな矢印で概念的に示しているを掛けることである。より一般的には、コーティング中に外部からエネルギ場を加えて、それによってポリマーホスト内に配置したカーボンナノチューブに非ランダムな配向を与える。カーボンナノチューブの好ましい配向を得るための他の方法は、塗装を利用して熱伝導層14をヒートシンク本体12上に配置し、その際、塗装のストロークを望ましい配向に沿って向け、それによってカーボンナノチューブに望ましい配向に向う機械的なバイアスを掛けることである。一部の実施形態では、熱伝導層14は、ヒートシンク本体14上に配置された後、加熱、紫外線光露出等の処理が適切に行われる。そのような実施形態では、電界を加えること、又はポリイミドアラインメント層がいくつかの液晶デバイス内で形成される方法に類似した機械的な磨きが採用され、それによってカーボンナノチューブに優先的な配向を与える。図8に、材料熱伝導率が4000W/mKの熱伝導層の厚さを最適化するためのシュミレーションデータを示している。このシミュレーションにおけるヒートシンク本体の熱伝導率は2W/mKであるが、結果のこの値への依存性は弱いことが分った。図8の値は、長さが0.05m、厚さが0.0015m、かつ幅が0.01mの簡素化されたスラブヒートシンクに関するものであり、スラブの両面を熱伝導層で被覆している。熱伝導層の厚さが約15から20ミクロンよりも厚いと、等価の抵抗は厚さに依存して非常に弱くなることが分る。従って、数十ミクロン又はそれよりも小さい薄層は、熱伝導及び引き続く放射及び対流による大気への熱除去に関し、バルク金属ヒートシンクの性能と比較して安定状態性能を得るのに十分である。一般的に、熱伝導層14のシート熱伝導率は十分高く、それによってLEDデバイス32からの熱が確実に熱放射/対流表面区域を横切って一様に拡散されるようにすべきである。本発明者が行ったシミュレーション図8に示すようなによれば、熱伝導層14の厚さ所定の材料の熱伝導率を増加して性能を改良すると、厚さがあるレベルを超えると一旦平坦になる又は、より正確には、性能対厚さ曲線はほぼ指数関数的に低下することが分った。作動に関する特別の理論に制限されることなく、これは、より厚い厚さでは、大気への放熱が、熱伝導層を通じた熱伝導Rconductionよりも放射性/対流性熱抵抗Rconvection及びRIRによって制限されるようになるためであると考えられる。他の方法に示したように、直列熱抵抗Rconductionは、より厚い厚さではRconvection及びRIRと比べると無視可能である。図9及び図10は、バルク金属ヒートシンクの熱シミュレーションにおいて材料熱伝導率が上昇した場合の同様の性能の平坦化を示している。図9は、4つの異なる材料熱伝導率、すなわち、20W/mK、40W/mK、60W/mK及び80W/mKを有する、バルクヒートシンクのミュレートされた熱画像によって得られた結果を示している。各シミュレーションに関するLED基板プリント基板直接実装方式すなわち、CoB又はTboard温度は図9にプロットされている。CoB温度の低下は80W/mKにおいて水平になり始めていることが分る。図10は、CoB温度対材料熱伝導率をプロットしており、熱伝導率が600W/mKのバルクヒートシンク材料の100から200W/mKにおける実質的な性能の平坦化を示している。作動に関する特別の理論に制限されることなく、これはより高いバルク材料伝導率では、大気への放熱が、熱伝導層を通じた熱抵抗Rconductionよりも放射性/対流性熱抵抗Rconvection及びびRIRによって制限されるようになるためであると考えられる。他の方法に示したように、直列熱抵抗Rconductionは、より高いバルク材料伝導率ではRconvection及びびRIRと比べると無視可能である。上述のことに基づいて、いくつかの熟慮した実施形態では、熱伝導層14は、厚さが500ミクロン又はそれより薄く、熱伝導率が50W/mK又はそれより高い。しかし、カーボンナノチューブ層は50W/mKを桁だけ超える熱伝導率を有することができるので例えば、上記Berber他参照、実質的に薄いカーボンナノチューブ層が利用可能である。例えば、バルクアルミニウムの熱伝導率は約100W/mKである。図8から、バルクアルミニウムの放熱性能を超える放熱性能が、約20ミクロン又はそれよりも厚い4000W/mKのカーボンナノチューブ層に対して達成可能であることが分る。熱伝導率:この実施例では及びであるに従って測定すると、約80ミクロンの厚さを有する1000W/mKのカーボンナノチューブ層、約100ミクロンの厚さを有する800W/mKのカーボンナノチューブ層、又は約200ミクロンの厚さを有する400W/mKのカーボンナノチューブ層等に対してバルクアルミニウムの放熱性能を超える放熱性能が得られる。所定のカーボンナノチューブの厚さに対して、カーボンナノチューブ層の熱伝導率を上昇させると例えば、層内のカーボンナノチューブの密度を上昇させることにより、又はより高い個々の熱伝導率を有するカーボンナノチューブの使用により、放熱性能は改善する。同様に、所定のカーボンナノチューブ層の熱伝導率に対して、カーボンナノチューブ層の厚さを厚くすると放熱性能が改善する。図11及び図12に、LEDベースランプの様々な形式に導入可能なヒートシンクの態様を示している。図11は、白熱A線球に適するように改造されたA線球ランプの側面図である。ヒートシンク本体62は構造上の基礎を形成しており、成形プラスチック要素として適切に組み立てられる。プラスチック要素は、例えば、例えば、ポリメタクリル酸メチル、ナイロン、ポリエチレン、エポキシ樹脂、ポリイソプレン、sbsゴム、ポリジシクロペンタジセン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンサルファイド、酸化フェニレン、シリコーン、ポリケトン、熱プラスチック等から作られている。熱伝導層64はヒートシンク本体62上に配置されたカーボンナノチューブ層を含む。より一般的には、熱伝導層64はポリマーホスト内に配置されたフラーレンを含むフラーレン層カーボンナノチューブ、Buckyballsとして公知であるブックミンスターフラーレン、正20面体フラーレン等とすることができる。熱伝導層64は、図3から図5及び図7の実施形態に示すMR/PARランプの熱伝導層14と同様の方法で製造可能である。ランプベース区画66はヒートシンク本体62に固定されてランプ本体を形成している。ランプベース区画66は、図3から図5及び図7の実施形態に示すMR/PARランプのエジソンベース40と同様のネジ切りされたエジソンベース70を含む。一部の実施形態では、ヒートシンク本体62及び/又はランプベース区画66は、電子構成要素不図示を収容する中空区域71を形成しており、電子構成要素はエジソンベース70で受け取った電力をランプ光を出力するLEDデバイス72を駆動するのに適する作動電力に変換する。LEDデバイス72は、熱伝導層64を通じて熱的に連通している金属コアプリント回路基板MCPCB又は他の熱拡散支持体73上に取り付けられている。熱拡散支持体73とLEDデバイス72との熱的結合は、半田付け、熱伝導性接着剤等によって良好になるように任意的に改善される。広い立体角にわたって実質的に全方位の光出力少なくとも2πステラジアンを得るために、ディフューザ74がLEDデバイス72の上に配置されている。一部の実施形態では、ディフューザ74は例えば、コーティングによって形成された波長変換燐光体を含むことができる。実質的にランバート光出力を生成するLEDデバイス72のために、図示の配置では、ディフューザ74は実質的に球形状で、ディフューザ74の外周に配置されており、それによってLEDデバイス72は出力される照明の全方位性を強化している。図12に示すA線球ランプの変形例は、図11のエジソンベース70及びディフューザ74を含むベース区画66を含むと共に、LEDデバイス72図12の側面図では見えないを含む。図12のランプは図11のヒートシンク62、64に類似したヒートシンク80を含み、このヒートシンク80はヒートシンク本体図12の側面図では見えないを有し、このヒートシンク本体はその上に配置されたカーボンナノチューブ層を含む熱伝導層64図12の側面図ではクロスハッチで示されているで被覆されている。図12のランプは、図11のランプと比べて、ヒートシンク80のヒートシンク本体がディフューザ74にわたって延びるフィン82を形成するように成形されている点が異なる。図示のフィン82の代わりに、ヒートシンク本体は他の熱放射/対流/面積増大構造を有するように成形することができる。図12の実施形態では、ヒートシンク80のヒートシンク本体及びディフューザ74は、単一で一体構造のプラスチック要素を備えるように考慮されている。しかし、この場合、単一で一体構造の成形プラスチック要素はディフューザが光を伝達可能なように光学的に透明又は半透明な材料で作らなければならない。また、カーボンナノチューブ層64がランプ光出力に対して光吸収性である場合、図12に示すように、カーボンナノチューブ層64はヒートシンク本体のみを被覆し、ディフューザ74をコートすべきでない。これは、例えば、スプレー被覆の間、ディフューザの表面をマスキングすることによって達成することができる。図13及び図14に、代替のヒートシンク80’、80’’を示し、それらは、フィンがディフューザ74を覆うように延びていない点を除いて、ヒートシンク80と実質的に同じである。これらの実施形態では、ヒートシンク80’、80’’のディフューザ74及びヒートシンク本体は、別々に成形された又は、そうでなければ別々に組み立てられた要素でも良く、それによってヒートシンク本体上にカーボンナノチューブ層64を配置する工程を簡素化することができる。好ましい実施形態を図示して説明した。上記記載を読みかつ理解する時に、他への修正及び変形が可能であることは自明である。本発明は、添付した特許請求の範囲又は均等物と調和する限り、それらの修正及び変形を含むと解釈されることを意図している。"