"半極性面III族窒化物半導体系光電子素子構造であって、該素子構造は、活性層を含む1つ以上のIII族窒化物素子層を含み、該活性層は、少なくとも第1および第2のアルミニウムAl含有量子井戸障壁層と、該第1と第2のAl含有量子井戸障壁層との間に設置される半極性インジウムIn含有量子井戸層とを含み、該半極性In含有量子井戸層ならびに該第1および第2のAl含有量子井戸障壁層は、半極性面上において半極性配向に成長させられる、素子構造。前記III族窒化物素子層は、前記活性層の両側に設置される上方In含有分離閉じ込めヘテロ構造SCH層および下方In含有SCH層をさらに含み、該上方および下方SCH層のIn組成は、前記第1および第2のAl含有量子井戸障壁層を有しない類似素子の中の上方および下方SCH層の中のIn組成よりも多い、請求項1に記載の素子構造。前記III族窒化物素子層は、前記活性層の両側に設置される上方In含有分離閉じ込めヘテロ構造SCH層および下方In含有SCH層をさらに含み、該上方および下方In含有SCH層は、10よりも多いIn組成を有する、請求項1に記載の素子構造。前記Al含有量子井戸障壁層は、AlGaNであり、前記In含有量子井戸層は、InGaNである、請求項1に記載の素子構造。前記上方および下方In含有SCH層は、InGaN層である、請求項2に記載の素子構造。前記上方In含有SCH層および下方In含有SCH層のうちの少なくとも1つは、可変In組成を含むInGaN/GaNまたはInGaN/AlGaN超格子SL構造である、請求項2に記載の素子構造。前記第1および第2のAl含有量子井戸障壁層のAl組成は、前記下方および上方In含有SCH層によって生じる前記素子構造の中における歪みを補償することによって、より少ないAl組成を有する量子井戸障壁と比較して、該下方および上方SCH層のIn組成によって生じる前記III族窒化物素子層の中のミスフィット転位を低減または防止する、請求項2に記載の素子構造。前記素子構造は、少なくとも3の光閉じ込め係数および20mAの駆動電流に対して少なくとも2mWの出力パワーを有するレーザダイオード構造である、請求項6に記載の素子構造。前記III族窒化物素子層は、積層欠陥またはミスフィット転位を伴わずに、コヒーレントに成長させられる、請求項1に記載の素子構造。前記III族窒化物素子層は、発光素子を形成し、前記活性層は、光を放出し、該素子は、該活性層の上面の全体、底面の全体、または側壁の全体のうちの1つ以上にわたって、均一に該光を放出する、請求項1に記載の素子構造。前記第1および第2のAlGaN量子井戸障壁のAl組成は、前記量子井戸の中のIn組成による歪みを補償することによって、より少ないAl組成を有する量子井戸障壁と比較して、前記半極性In含有量子井戸の中のIn組成によって生じる前記素子構造の中の三角形暗欠陥を低減または防止する、請求項1に記載の素子構造。前記素子構造の中の暗欠陥は、100マイクロメートル×100マイクロメートルを下回る表面積および~4.5×103cm-2を下回る密度を有する、請求項1に記載の素子構造。前記半極性面は、20-21、11-22、30-31、30-3-1、10-1-1、n0-n1、n0-n-1面であり、nは、平面ステップ成長が達成されるような整数であり、前記III族窒化物素子層および前記量子井戸構造は、平滑平面表面および界面を有する、請求項1に記載の素子構造。2つの鏡によって囲まれるレーザキャビティをさらに含み、該鏡は、ドライエッチングによってエッチングされるかまたは劈開される、請求項1に記載の素子構造。前記第1および第2のAl含有量子井戸障壁の中のAl百分率組成xは、0<x<5である、請求項1に記載の素子構造。前記素子構造は、緑色光を放出する20-21面レーザダイオードを形成する、請求項1に記載の素子構造。前記素子構造を含むAlGaN無被覆層レーザダイオードをさらに含み、前記III族窒化物素子層は、GaN基板の半極性面上またはその上方に配置される第1のGaN被覆層と、該第1のGaN被覆層上またはその上方に配置される第1のInGaN誘導または分離閉じ込めヘテロ構造SCH層と、該第1のInGaN誘導またはSCH層上またはその上方に配置される活性層と、該活性層上またはその上方に配置される第2のInGaN誘導またはSCH層と、該第2のInGaN誘導またはSCH層上またはその上方に配置される第2のGaN被覆層とをさらに含む、請求項1に記載の素子構造。前記インジウム含有量子井戸層は、前記第1および第2のAl含有量子井戸障壁層を有しない素子と比較して、インジウムのより多い組成を有する、請求項1に記載の素子構造。前記In含有量子井戸層ならびに前記第1および第2のAl含有障壁層は、前記素子が、緑色、黄色、または赤色スペクトル範囲の中にピーク強度を有する光を放出あるいは吸収するようなものである、請求項1に記載の素子構造。前記In含有量子井戸層および前記Al含有障壁層は、前記素子が、515nmを上回るピーク波長を有する光を放出または吸収するようなものである、請求項1に記載の素子構造。前記In含有量子井戸層は、少なくとも16のインジウム組成および4ナノメートルを上回る厚さを有する、請求項1に記載の素子構造。前記III族窒化物素子層は、0.07nmを下回る二乗平均平方根表面粗度を有する上面または界面を有する、請求項1に記載の素子構造。半極性面III族窒化物半導体系光電子素子を加工するための方法であって、該方法は、活性層を含む1つ以上のIII族窒化物素子層を形成することを含み、該活性層は、第1の半極性アルミニウムAl含有量子井戸障壁層を蒸着することと、該第1のAl含有量子井戸障壁層上に半極性インジウムIn含有量子井戸層を蒸着することと、半極性In含有量子井戸が、AlGaN量子井戸障壁層の間に設置されるように、該In含有量子井戸層上に、第2の半極性Al含有量子井戸障壁層を蒸着することであって、該半極性InGaN量子井戸層および該AlGaN量子井戸障壁層は、半極性面上において半極性配向に成長させられる、こととによって形成される、方法。前記III族窒化物素子層を蒸着することは、下方In含有分離閉じ込めヘテロ構造SCH層を蒸着することと、該下方In含有SCH層上または上方に、前記活性層を蒸着することと、該活性層上または上方に、上方In含有SCH層を蒸着することであって、該上方および下方SCH層のIn組成は、前記第1および第2のAl含有量子井戸障壁層を有しない類似素子の中の上方および下方SCH層の中のIn組成よりも多い、こととをさらに含む、請求項23に記載の方法。前記III族窒化物素子層を蒸着することは、下方In含有分離閉じ込めヘテロ構造SCH層を蒸着することと、該下方In含有SCH層上または上方に、前記活性層を蒸着することと、該活性層上または上方に、上方In含有SCH層を蒸着することであって、該上方および下方In含有SCH層は、10を上回るIn組成を有する、こととをさらに含む、請求項23に記載の方法。前記Al含有量子井戸障壁層は、AlGaNであり、前記In含有量子井戸層は、InGaNである、請求項23に記載の方法。前記上方および下方In含有SCH層は、InGaN層である、請求項24に記載の方法。前記上方In含有SCH層および下方In含有SCH層のうちの少なくとも1つは、可変In組成を含むInGaN/GaNまたはInGaN/AlGaN超格子SL構造である、請求項24に記載の方法。前記第1および第2のAl含有量子井戸障壁層のAl組成は、前記下方および上方In含有SCH層によって生じる前記素子構造の中の歪みを補償することによって、より少ないAl組成を有する量子井戸障壁と比較して、該下方および上方SCH層のIn組成によって生じる前記III族窒化物素子層の中のミスフィット転位を低減または防止する、請求項24に記載の方法。前記素子構造は、少なくとも3の光閉じ込め係数を有するレーザダイオード構造である、請求項28に記載の方法。前記III族窒化物素子層は、積層欠陥またはミスフィット転位を伴わずに、コヒーレントに成長させられる、請求項23に記載の方法。前記III族窒化物素子層は、発光素子を形成し、前記活性層は、光を放出し、該素子は、該活性層の上面の全体、底面の全体、または側壁の全体のうちの1つ以上にわたって均一に該光を放出する、請求項23に記載の方法。前記第1および第2のAlGaN量子井戸障壁のAl組成は、前記量子井戸の中のIn組成による歪みを補償することによって、より少ないAl組成を有する量子井戸障壁と比較して、前記半極性In含有量子井戸の中のIn組成によって生じる前記素子構造の中の三角形暗欠陥を低減または防止する、請求項23に記載の方法。前記素子構造の中の暗欠陥は、100マイクロメートル×100マイクロメートルを下回る表面積および~4.5×103cm-2を下回る密度を有する、請求項23に記載の方法。前記半極性面は、20-21、11-22、30-31、30-3-1、10-1-1、n0-n1、n0-n-1面であって、nは、平面ステップ成長が達成されるような整数であって、前記III族窒化物素子層および前記量子井戸構造は、平滑平面表面および界面を有する、請求項23に記載の方法。2つの鏡によって囲まれるレーザキャビティをさらに含み、該鏡は、ドライエッチングによってエッチングされるかまたは劈開される、請求項23に記載の方法。前記第1および第2のAl含有量子井戸障壁の中のAl百分率組成xは、0<x<5である、請求項23に記載の方法。前記III族窒化物層は、緑色光を放出する20-21面レーザダイオードを形成する、請求項23に記載の方法。前記素子構造から、AlGaN無被覆層レーザダイオードを形成することをさらに含み、前記III族窒化物素子層を形成することは、GaN基板の半極性面上または上方に、第1のGaN被覆層を蒸着することと、該第1のGaN被覆層上または上方に、第1のInGaN誘導または分離閉じ込めヘテロ構造SCH層を蒸着することと、該第1のInGaN誘導またはSCH層上または上方に活性層を蒸着することと、該活性層上または上方に第2のInGaN誘導またはSCH層を蒸着することと、該第2のInGaN誘導またはSCH層上またはその上方に配置される第2のGaN被覆層を蒸着することとをさらに含む、請求項23に記載の方法。前記インジウム含有量子井戸層は、前記第1および第2のAl含有量子井戸障壁層を有しない素子と比較して、インジウムについてのより多い組成を有する、請求項23に記載の方法。前記In含有量子井戸層ならびに前記第1および第2のAl含有障壁層は、前記素子が、緑色、黄色、または赤色スペクトル範囲の中にピーク強度を有する光を放出または吸収するようなものである、請求項23に記載の方法。前記In含有量子井戸層および前記Al含有障壁層は、前記素子が、515nmを上回るピーク波長を有する光を放出または吸収するようなものである、請求項23に記載の方法。前記In含有量子井戸層は、少なくとも16のインジウム組成および4ナノメートルを上回る厚さを有する、請求項23に記載の方法。前記III族窒化物素子層は、0.07nmを下回る二乗平均平方根表面粗度を有する上面または界面を有する、請求項23に記載の方法。素子の量子井戸構造の中のアルミニウムAl含有障壁層を使用する方法であって、該方法は、該Al含有障壁層を使用して、該素子の中のミスフィット転位、積層欠陥、または暗無発光性欠陥のうちの1つ以上を低減または防止することを含む、方法。前述の従来技術における制限を克服するため、および本明細書の熟読および理解に応じて明白となる他の制限を克服するために、本発明は、AlGaN障壁および超格子SCHを有する、半極性III族窒化物半導体系LDと、その加工方法を開示する。具体的には、本発明は、半極性20-21-面InGaN/GaN系活性領域を採用する、長波長LDを加工するための技法について説明する。本発明は、特に、緑色スペクトル範囲の中の長波長LDの構造、電気、および光学特性を改良するための新規構造およびエピタキシャル成長技法を特徴とする。このスペクトル範囲内において、大規模三角形無放射欠陥が、20-21-面InGaN量子井戸から観察されている。表面起伏が、ミスフィット転位発生に関連する、高インジウムIn組成誘導層を有するレーザ構造の中に示されている。歪み補償層としてのAlGaN障壁の使用は、平滑表面形態を維持し、三角形無放射欠陥の数を低減させ、本発明に、SCH内のIn組成を増加させることを可能にすることができる。InGaN超格子SCH層の使用は、InGaNバルク誘導層より高い屈折率差およびより高い閉じ込め係数を達成することができるように、SCHの中により多い平均In組成を提供する。例えば、本発明は、アルミニウムAl含有量子井戸障壁層を含む、活性層を含む1つ以上のIII族窒化物素子層と、Al含有量子井戸障壁層間に設置される半極性インジウムIn含有量子井戸層とを備え、半極性In含有量子井戸層およびAl含有量子井戸障壁層が、半極性面上に半極性配向に成長させられる、半極性面III族窒化物半導体系光電子素子構造を開示する。AlGaN量子井戸障壁の中のAl百分率組成xは、0<x<5であってもよい。In含有量子井戸層は、AlGaN量子井戸障壁層を有しない素子と比較して、より多いIn組成を有してもよい。In含有量子井戸層およびAl含有障壁層は、素子が、緑色、黄色、または赤色スペクトル範囲の中のピーク強度を有する光を放出あるいは吸収するような、例えば、素子が、515nm超のピーク波長を有する光を放出または吸収するようなものであってもよい。In含有量子井戸層は、例えば、少なくとも16のインジウム組成および4ナノメートル超の厚さを有してもよい。半極性面は、20-21、11-22、30-31、30-3-1、10-1-1、n0-n1、n0-n-1面であってもよく、nは、平面ステップ成長が達成されるような整数であって、III族窒化物素子層および量子井戸構造は、平滑平面表面と、界面とを有する。III族窒化物素子層は、積層欠陥またはミスフィット転位を伴わずに、コヒーレントに成長させられてもよい。III族窒化物素子層は、0.07nm未満の二乗平均平方根表面粗度を有してもよい。III族窒化物素子層は、発光素子を形成してもよく、活性層は、光を放出し、素子は、活性層の上面の全体、底面の全体、または側壁の全体のうちの1つ以上にわたって、均一に光を放出する。III族窒化物素子層はさらに、活性層の両側に設置される、上方In含有分離閉じ込めヘテロ構造SCHまたは導波層と、下方In含有SCHまたは導波層とを備えてもよく、上方および下方In含有導波またはSCH層のIn組成は、Al含有量子井戸障壁を伴わない、類似素子のSCHまたは導波層内のIn組成よりも多い。III族窒化物素子層はさらに、活性層の両側に設置される、上方In含有SCHまたは導波層と、下方In含有SCHまたは導波層とを備えてもよく、上方および下方In含有導波またはSCH層は、10超のIn組成を有する。例えば、Al含有層は、AlGaNであってもよく、In含有層は、InGaNであってもよい。上方In含有SCHおよび下方SCHのうちの少なくとも1つは、可変In組成を備える、InGaN/GaNまたはInGaN/AlGaN超格子SL構造であってもよい。Al含有量子井戸障壁のAl組成は、より少ないAl組成を有する量子井戸障壁と比較して、下方および上方In含有SCHによって生じる素子構造内の歪みを補償することによって、下方および上方In含有SCHのIn組成によって生じる、III族窒化物素子層内のミスフィット転位を低減または防止してもよい。Al含有量子井戸障壁のAl組成は、より少ないAl組成を有する量子井戸障壁と比較して、量子井戸内のIn組成による歪みを補償することによって、量子井戸内のIn組成によって生じる、素子構造内の三角形暗欠陥を低減または防止してもよい。素子構造内の暗欠陥は、100マイクロメートル×100マイクロメートル未満の表面積を有してもよい。素子構造は、20mAの駆動電流に対して、少なくとも3の光閉じ込め係数および少なくともの出力パワーを有するレーザダイオード構造であってもよい。素子はさらに、2つの鏡によって囲まれるレーザキャビティを備えてもよく、鏡は、ドライエッチングによってエッチングされるかまたは分割される。素子は、緑色光を放出する、20-21面レーザダイオードであってもよい。例えば、レーザダイオードは、AlGaN-無被覆層レーザダイオードまたは、被覆層含有Alを伴わない、レーザダイオードを備えてもよく、III族窒化物素子層はさらに、GaN基板の半極性面上またはその上方に配置される、第1のGaN被覆層と、第1のGaN被覆層上またはその上方に配置される、第1のInGaN誘導層と、第1のInGaN誘導層上またはその上方に配置される、活性層と、活性層上またはその上方に配置される、第2のInGaN誘導層と、第2のInGaN誘導層上またはその上方に配置される、第2のGaN被覆層とを備える。本発明はさらに、半極性面III族窒化物半導体系光電子素子を加工するための方法であって、活性層を含む、1つ以上のIII族窒化物素子層を形成するステップであって、活性層が、Al含有量子井戸障壁層を蒸着することによって形成されるステップと、半極性In含有量子井戸が、Al含有量子井戸障壁層間に設置されるように、半極性In含有量子井戸層を設置するステップとを備え、半極性In含有量子井戸層およびAl含有量子井戸障壁層が、半極性面上に半極性配向に成長させられる、方法を開示する。本発明はさらに、素子の量子井戸構造内において、Al含有障壁層を使用する方法であって、素子内のミスフィット転位、積層欠陥、または暗無発光性欠陥のうちの1つ以上を低減または防止するためのAl含有障壁層を使用するステップを備える、方法を開示する。次に、図面を参照するが、全体を通して、類似参照数字は、対応する部品を表す。以下の発明を実施するための形態において、本明細書の一部を形成し、かつ本発明が実践され得る特定の実施形態を例示目的で示す添付図面を参照する。本開示の範囲から逸脱することなく、他の実施形態が用いられてもよく、また、構造的な変更が行われてもよいことを理解されたい。概要本発明の目的は、緑色スペクトル範囲の中の高効率半極性-面LDを開発することであった。目標は、高In含有量InGaN井戸とともに、高効率活性領域および均一かつ平滑高In含有量InGaN超格子SCH層を使用しながら、平滑界面および平滑表面形態を達成し、無放射欠陥を低減させることであった。量子井戸の前および間におけるAlGaN障壁の使用は、平滑形態蛍光顕微鏡画像に例示されるようにおよびInGaNSCH層In>5を有するを有するレーザ構造内の平滑界面をもたらした。AlGaN無被覆LDInGaN誘導/GaN被覆では、本発明は、AlGaN-障壁が、例えば、図13に示されるように、三角形無放射欠陥を防止する際、有効であったことを確認した。AlGaN障壁を使用することによって、本発明は、光閉じ込めを向上させることができる、誘導層内のIn組成を増加させてもよい。InGaN超格子SCH層の使用は、同一成長条件下、InGaNバルクSCH層~6In内より高い平均In含有量~10Inをもたらした。この技術に基づいて、本発明は、513nmおよび516nmにおいて、レージングを確認した。命名法GaN、ならびにアルミニウムおよびインジウムを組み込む、その三元および四元化合物AlGaN、InGaN、AlInGaNは、一般的に、Al,Ga,InN、III窒化物、III族窒化物、窒化物、0<x<1および0<y<1であるAl1-x-yInyGaxN、または本明細書で使用されるようなAlInGaNといった用語を使用して呼ばれる。これら全ての用語は、同等であることを目的とし、単一の種、Al、Ga、およびInのそれぞれの窒化物、ならびにそのようなIII族金属種の二元、三元、および四元化合物を含むと広義に解釈される。したがって、これらの用語は、そのような命名法に含まれる種として、化合物AlN、GaN、およびInN、ならびに三元化合物AlGaN、GaInN、およびAlInN、および四元化合物AlGaInNを包含する。Ga,Al,In構成種のうちの2つ以上が存在するとき、組成に存在するGa,Al,In構成種のそれぞれを表す相対モル分率に関して化学量論的割合ならびに化学量論外割合を含む、全ての可能な組成を、本発明の広義の範囲内で採用することができる。したがって、主にGaN材料に関する、以降の本発明の論議は、種々の他のAl,Ga,InN材料種の形成に適用可能であることが理解されるであろう。さらに、本発明の範囲内のAl,Ga,InN材料は、軽微な数量のドーパントおよび/または他の不純物あるいは包含物質をさらに含んでもよい。ホウ素Bもまた、含まれてもよい。AlxGa1-xN無被覆という用語は、AlxGa1-xN/GaN超格子、バルクAlxGa1-xN、またはAlN等のAlの任意のモル分率を含有する、導波被覆層が不在であることを指す。光学誘導のために使用されない他の層が、ある程度の量のAl例えば、10Al含有量未満を含有してもよい。例えば、AlxGa1-xN電子遮断層は、存在しなくてもよい。GaNまたはIII族窒化物ベースの光電子素子内の自発および圧電偏光効果を排除する1つのアプローチは、結晶の非極性面上でIII族素子を成長させることである。そのような面は、等しい数のGaまたはIII族原子およびN原子を含有し、電荷中性である。さらに、後続非極性層は、相互に同等であって、したがって、バルク結晶は、成長方向に沿って偏光されないであろう。GaN内の対称同等非極性面の2つのそのような族は、集合的にa-面として知られている{11-20}族、および集合的にm-面として知られている{1-100}族である。したがって、非極性III族窒化物は、III族窒化物の0001c-軸と垂直な方向に沿って成長させられる。Ga,Al,In、BN素子内の偏光効果を低減させる別のアプローチは、結晶の半極性面上で素子を成長させることである。半極性面semi-polarplaneまた、半極性面semipolarplaneとも称されるという用語は、c-面、a-面、またはm-面として分類することができない、任意の面を指すために使用することができる。結晶学的用語では、半極性面は、少なくとも2つの非ゼロのh、i、kミラー指数、および非ゼロのlミラー係数を有する、任意の面を含んでもよい。技術説明本発明は、半極性GaN、GaN被覆、InGaN誘導層、およびAlGaN障壁を備える、LDを開示する。AlGaN成長は、種々の困難性を生じさせ、InGaN誘導が、LDの光学モードを閉じ込めるために不可欠であるので、AlGaN無被覆素子は、大量生産に好適である。より多いIn組成が好ましいが、高Inは、ミスフィット転位を生じさせる参考文献[1]参照。AlGaN障壁は、歪みを補償し、本発明に、誘導層内のIn組成を増加させることを可能にすることによって、ミスフィット転位を防止することができる。プロセスステップ図2は、半極性面III族窒化物半導体系光電子素子を加工する方法を例示する流れ図である。方法は、以下のステップを備える。ブロック200は、半極性成長に好適な基板、例えば、MitsubishiChemicalCorporationによって提供される、自立形20-21GaN基板を取得するステップを表す。ブロック202は、基板上に、1つ以上の第1のIII族窒化物素子層を蒸着例えば、成長させるステップを表す。第1のIII族窒化物層は、基板上に、1つ以上の第1の極性または第1のドープ例えば、n-型またはp-型III族窒化物層を備えてもよい。ブロック204は、ブロック202のIII族窒化物層上に、1つ以上のIII族窒化物活性層を蒸着するステップを表す。図3は、第1のアルミニウムAl含有例えば、AlxGa1-xN、式中、0<x<1量子井戸障壁層300例えば、ブロック202のn-型またはp-型III族窒化物層上に、その後、第1のAl含有量子井戸障壁層300上に蒸着される、インジウムIn含有量子井戸層302、その後、In含有量子井戸層302上に蒸着される、第2のAl含有例えば、AlxGa1-xN、式中、0<x<1量子井戸障壁層304を蒸着するステップを備え得ることを例示する。層は、多重量子井戸MQWが存在するように、蒸着されてもよい。図3は、例えば、トリエチルアルミニウムTMAフロー306およびトリエチルガリウムTEGフロー308を使用して成長させられた障壁層300、304と、トリメチルインジウムTMIフロー310およびTEGフロー308を使用して成長させられた量子井戸層302を例示する。MQWの場合、少なくとも1つのAlGaN障壁が、MQW内の各QW間に設置されてもよい。Al含有例えば、AlxGa1-xN量子井戸障壁300、304の中のAl百分率組成xは、例えば、0<x<5であってもよい。AlGaN量子井戸障壁のAl組成は、より少ないAl組成を有する量子井戸障壁と比較して、量子井戸内の高In組成内の歪みを補償することによって、多重量子井戸の量子井戸内の高In組成によって生じる、LED内の三角形暗欠陥を低減または防止してもよい。In含有例えば、InGaN量子井戸層302は、第1および第2のAl含有例えば、AlGaN量子井戸障壁層300、304を有しない素子と比較して、インジウムInのより多い組成を有してもよい。In含有例えば、InGaN量子井戸層302および第1および第2のAl含有例えば、AlGaN障壁層300、304は、素子が、緑色、黄色、または赤色スペクトル範囲の中のピーク強度を有する光を放出あるいは吸収するようなもの、例えば、ピーク波長が、515nmまたは528nm超であるようなものであってもよい。In含有例えば、InGaN量子井戸層302は、例えば、少なくとも16のインジウム組成および4ナノメートル超の厚さを有してもよい。典型的には、QW内へのInの取り込みが増加することに伴って、QWからの放出波長は、より長い波長に向かって増加される。ブロック206は、ブロック204の活性層上に、1つ以上の第2のIII族窒化物層を蒸着するステップを表す。第2のIII族窒化物層は、1つ以上の第2の極性または第2のドープn-型またはp-型III族窒化物層を備えてもよい。第2の極性または第2のドープIII族窒化物層は、例えば、ブロック202における層と反対極性を有してもよい。例えば、n-型III族窒化物層が、ブロック202において蒸着される場合、p-型III族窒化物層は、ブロック206において、蒸着されてもよい。または、p-型III族窒化物層が、ブロック202において蒸着される場合、p-型III族窒化物層は、例えば、ブロック206において、蒸着されてもよい。ブロック202および206のIII族窒化物層は、例えば、導波層および被覆層例えば、GaNまたはAlGaN被覆層を含んでもよい。本開示全体を通して、上のon第2の層上の第1の層を説明するために使用されるようにという用語は、第2の層上または上方にある、それを覆って、あるいはそれに連結される、第1の層を含むように定義される。ブロック208は、結果として生じた素子構造を表す。一実施形態では、図4aに例示されるように、結果として生じた素子構造400は、第1のドープ例えば、n-型III族窒化物素子層404と第2のドープIII族窒化物素子層406例えば、p-型との間に設置される、1つ以上のIII族窒化物活性層402を含むIII族窒化物素子層を備える。代替として、層404は、p-型であってもよく、層406は、n-型であってもよい。III族窒化物層は、基板410例えば、GaNの上面408に蒸着される。GaN基板の上面は、半極性面例えば、20-21、11-22、30-31、30-3-1、10-1-1、n0-n1、n0-n-1面であってよく、nは、平面ステップ成長が達成されるような整数であって、素子の層および量子井戸構造は、平滑平面表面を有する。III族窒化物層は、特定の種類の素子層に限定されない。例えば、光電子素子のIII族窒化物層は、LD、AlGaN無被覆LD、発光ダイオードLED、太陽電池、光検出器、光結晶レーザ、垂直キャビティ面発光レーザ、スーパールミネセントダイオード、半導体増幅器、トランジスタ例えば、高電子移動度トランジスタHEMT等のための素子層であってもよい。別の実施形態では、図4bは、20-21半極性面である、基板410の上面408上の自立形20-21GaN基板410上にホモエピタキシャルに成長させられたLD構造412を備える、結果として生じた素子構造を示す。図4bの構造は、AlGaN無被覆であって、さらに、GaN基板410上のn-型GaNn-GaN層414と、n-GaN層414上のn-GaN被覆層4161μm厚のSi-ドープn-GaNと、n-GaN被覆層416上に、5-15In組成50-nm厚のSi-ドープInxGa1-xNx=7~10を有する、n-型InGaNn-InGaN超格子SLSCHまたは導波層418と、半極性InGaN量子井戸を含む、量子井戸構造を備える活性領域420と、量子井戸構造が、n-型InGaNSLSCH418上にある半極性InGaN量子井戸間のAlGaN量子井戸障壁4.5nm厚のInGaN井戸および10nm厚のAlGaN障壁を有する、3周期MQWと、活性層420上のp-型AlGaN電子遮断層EBL10nm厚のAl0.20Ga0.80N422と、AlGaNEBL422上に、5-15In組成50-nm厚のMg-ドープInxGa1-xNx=7~10を有する、p-型InGaNp-InGaNSLSCHまたは導波層424と、p-型InGaNSCHまたは導波層424上のp-型GaNp-GaN被覆層426500nm厚のMg-ドープp-GaNと、p-型GaN被覆層426上のp型GaN接触層100-nm厚のMg-ドープpGaN接触層428とを備える。しかしながら、別の実施形態では、素子は、GaNと異なる材料の被覆層416、426を有してもよく、例えば、AlGaN被覆層が、使用されてもよい。素子構造は、気圧金属有機化学蒸着MOCVDによって、成長させられてもよい。成長条件は、[27]ArpanChakraborty、You-DaLin、ShujiNakamura、およびStevenP.DenBaarsによって、2010年6月7日に出願された米国実用出願第12/795,390号LONGWAVELENGTHNONPOLARANDSEMIPOLARAl,Ga,InNBASEDLASERDIODESに説明されるようなものであって、本願は、参照することによって本明細書に組み込まれる。ブロック202および206のn-型およびp-型III族窒化物層は、可変In組成を備える、バルク構造またはInGaN/GaNまたは、InGaN/AlGaN超格子SL構造418、424である、下方および上方インジウムIn含有例えば、InGaN導波層またはSCH層を備えてもよい。下方および上方In含有例えば、InGaN誘導層またはSCH418、424は、例えば、活性層が、下方誘導層上および上方誘導層下にあるように、活性層420の両側に設置され、下方と上方In含有誘導層またはSCH418、424間に、レーザダイオードの光学モードを閉じ込めるような組成を有してもよい。下方および上方In含有導波層またはSCHのIn組成は、Al含有例えば、AlGaN量子井戸障壁を伴わない、レーザダイオードまたは類似素子の上方および下方導波層内のIn組成より多くあることができる。下方および上方In含有例えば、InGaN導波またはSCH層418、424のIn組成は、例えば、5超または10超であってもよい。導波層はまた、誘導層と称されてもよい。図4cは、図4bの構造とともに加工されたLDのTEM画像であって、SCH層418、424が、SL構造であることを示す。図4cもまた、半極性InGaN量子井戸430と、半極性InGaN量子井戸430間のAlGaN量子井戸障壁432、AlGaNEBL422とを含む、活性層420の量子井戸構造を示す。したがって、ブロック204、図4a、および図4bは、活性層を含む、1つ以上のIII族窒化物素子層402を例示し、活性層は、少なくとも第1および第2のAlGaN量子井戸障壁層432と、第1と第2のAlGaN量子井戸障壁層432との間に設置される、半極性InGaN量子井戸層430とを含み、半極性InGaN量子井戸層および第1および第2のAlGaN量子井戸障壁層432は、半極性面408上に半極性配向に成長させられる。図4dは、n-InGaN7InバルクSCH434およびp-InGaN7InバルクSCH436層SL層418、424の代わりにを有する、図4bによる、AlGaN無被覆レーザ構造のTEM画像を示す。また、示されるのは、p-GaN層426、EBL層422、およびAlGaN障壁432を有する、InGaN井戸430を備える、n-型InGaN7Inを有するバルクSCH434上の量子井戸構造である。ミスフィット転位は、図4dのTEMでは、観察されない。図4e矢印に沿って、g=0002および図4f矢印に沿って、g=11-20は、n-型InGaN7InバルクSCH層434およびp-型InGaN7InバルクSCH層436SL層418、424の代わりにを有する、図4bによる、LD構造のTEM画像を示し、活性領域420は、n-型7InGaNバルクSCH層434上に、量子井戸構造を備え、量子井戸構造は、AlGaN障壁432を有する、InGaN井戸430を備える。図4eおよび図4fのTEM画像は、欠陥例えば、積層欠陥およびミスフィット転位を有していない。しかしながら、他の実施形態では、積層欠陥またはミスフィット転位密度は、106cm-2未満であってもよい。Al含有量子井戸障壁432のAl組成は、より少ないAl組成を有する量子井戸障壁と比較して、下方および上方In含有誘導層418、424によって生じる、レーザダイオードまたは素子内の歪みを補償することによって、下方および上方In含有誘導層418、424のIn組成によって生じる、レーザダイオードまたは素子内のミスフィット転位を低減または防止してもよい。例えば、Al含有量子井戸障壁432のAl組成は、より少ないAl組成を有する量子井戸障壁と比較して、量子井戸430内の高In組成内の歪みを補償することによって、量子井戸内の高In組成によって生じる、レーザダイオードまたは素子内の無発光性欠陥例えば、三角形暗欠陥を低減または防止してもよい。図4aおよび図4bはまた、III族窒化物層402-406が、各層402-406の上面またはその間の界面440が、半極性面例えば、表面408の半極性面であるように、上面408上に、半極性配向または方向例えば、20-21方向438に、エピタキシャルに成長させられ得ることを例示する。本発明は、Al含有量子障壁層、In含有量子井戸層、およびIn含有SCH層を使用してもよい。図4b-fは、Al含有層が、AlGaN432であって、In含有層が、InGaN430、418である、具体的実施例を例示する。ブロック210は、素子構造を素子に処理するステップを表す。例えば、1200μmのキャビティ長を有する、2μmリッジのストライプパターンが、従来のリソグラフィおよびドライエッチング技法によって、c-軸の面内投影に沿って、図4aの構造内に形成されてもよい。ファセットは、劈開によって、形成されてもよい。SiO2520nmにおいてn=1.5およびTa2O5520nmにおいてn=2.2スタックから成る、高反射率分布型Bragg反射器DBRが、従来のスパッタリングプロセスによって、劈開ファセット上に蒸着された。520nmにおける、正面および後面ファセットの反射率は、それぞれ、97および99であった。一実施形態では、素子構造は、少なくとも3の光閉じ込め係数および20mAの駆動電流に対して少なくとも2mWの出力パワーを有する、レーザダイオード構造である。光電子および電子素子の加工において、当技術分野において周知のように、ステップは、省略または追加されてもよく、あるいは付加的層例えば、n-およびp-接点および電極が、追加されてもよい。実験結果図5aおよび5bは、20-21面上で成長させられた図1のAlGaN-無被覆層レーザ構造の蛍光顕微鏡画像レーザ構造の上側またはpGaN118側から放出される蛍光を視認するを示す。しかしながら、図5aは、バルクInGaNSCH108、114を有しない図1のレーザ構造の画像である一方、図5bは、バルクInGaNSCH108、114を有する、図1のレーザ構造の画像である。両方の図5aおよび図5bでは、活性層110は、面上に成長させられたGaNまたはInGaN障壁を有するInGaN量子井戸を備える。黒線特徴500は、バルクInGaNSCH108、114図5bを有する場合に示されるが、黒線特徴は、バルクInGaNSCH図5aを伴わない場合、不可視である。図6aおよび6bは、図1のAlGaN-無被覆層LD構造の蛍光顕微鏡画像レーザ構造の上側またはpGaN118側から放出される蛍光を視認するを示す。図6aおよび図6bは、5バルクInGaNSCH108、114図6aおよび7.5バルクInGaNSCH108、114図6bを有する、面上に成長させられたAlGaN無被覆LD構造に対して測定された。黒線特徴または欠陥600は、図6bにおいて、より顕著であって、黒線特徴または欠陥600の数が、SCH108、114内のインジウム組成が増加することに伴って増加することを示す図6aと比較して、図6bにおける、より多くの黒線欠陥によって示されるように。SCH内のより多いIn組成もまた、活性領域内の黒線欠陥形成をもたらす、全体的構造内に蓄積されたより高い圧縮歪みを意味する。AlGaN障壁は、活性領域内のこの歪みを補償することができる。図7aおよび7bは、図1のAlGaN-無被覆層LD構造の蛍光顕微鏡画像レーザ構造の上側またはpGaN118側から放出される蛍光を視認するを示す。図7aおよび図7bは、4.5nm厚および10nm厚のInGaN障壁を有する、3つのInGaN量子井戸を備える、3周期MQWを有する、20-21面上に成長させられたAlGaN無被覆LD構造に対して測定される。大きな黒色三角形領域700光出力が減少および暗線欠陥702が、可視である。図8aおよび8bは、図1のAlGaN-無被覆層LD構造の蛍光顕微鏡画像レーザ構造の上側またはpGaN118側から放出される蛍光を視認するを示す。図8aおよび図8bは、4.5nm厚および10nm厚のInGaN障壁を有する、5つのInGaN量子井戸を備える、5周期MQWを有する、20-21面上に成長させられたAlGaN無被覆LD構造に対して測定される。大きな黒色三角形領域800光出力が減少および暗線欠陥802が、可視である。図4bの構造を使用する、3つのレーザサンプルレーザA、レーザB、およびレーザCが、成長させられた。レーザAでは、AlGaN障壁432は、GaN障壁GaNbrと置換され、レーザBでは、Al0.05Ga0.95N障壁432が、使用されAlGaNbr、レーザCでは、AlGaN障壁432は、In0.03Ga0.97N障壁InGaNbrと置換された。図9は、LD成長後のレーザA、レーザB、およびレーザCの上部のデジタル写真を示す。レーザA、B、およびCのエレクトロルミネセンスEL自発放出ピーク波長は、520540nmの範囲であった。レーザBAlGaN障壁を有するが、視覚的尺度において、均一のように見えることは明白である。対照的に、レーザAGaN障壁を有するおよびレーザCInGaN障壁を有するの大きな面積は、視覚的尺度において、暗面積900によって証明されるように不均一であった。したがって、III族窒化物素子層は、発光素子を形成し得、活性層は、光を放出し、素子は、活性層の上面の全体、底面の全体、または側壁の全体のうちの1つ以上にわたって、均一に光を放出する。レーザAの同一面積の蛍光顕微鏡画像および光学顕微鏡画像レーザ構造の上側またはpGaN428側を視認するは、それぞれ、図10aおよび10bに示される。本発明は、非発光三角形面積1000が、蛍光および光学顕微鏡画像の両方において観察され得ることに注目する。三角形面積1000は、推定上、QW430内に高密度の無放射再結合中心を有する、欠陥から成り、これらの欠陥群は、緑色スペクトル範囲放出波長λ>515nm内における、QW430からの低出力パワーを生じさせる。レーザAGaN障壁を有する、レーザBAlGaN障壁を有する、およびレーザCInGaN障壁を有するのより高い倍率を有する、レーザ構造の上側またはpGaN428側を視認する、蛍光顕微鏡画像が、それぞれ、図11a-11cに示される。図11bでは、レーザBは、非発光領域を有しない、均一なQW放出を示し、EL自発放出ピーク波長は、527nmであった。全3つのLDに共通である、方向に沿った条線1100は、エピタキシャル成長が、InGaN誘導層418、424を含有するときに現れる。レーザBと比較して、レーザAおよびCの蛍光画像は、大きな三角形非発光領域1102、1104を示し、これは、これらのエピタキシャルウエハに対して、より低い量子効率を示す。これらの三角形欠陥の尺度は、高量子効率を有する面積が、大幅に低減されるように、非常に大きい100μm超ことに留意されたい。これらの三角形欠陥を有するLDは、より低い内部量子効率、非均一放出領域、および高光学損失を有する。故に、本発明は、素子構造内の暗または無発光性欠陥が、100マイクロメートル×100マイクロメートル未満の表面積および~4.5×103cm-2未満の密度を有する、素子を可能にし得る。全体的レーザAエピタキシャルウエハ、および全体的レーザBエピタキシャルウエハの蛍光画像が、それぞれ、図12aおよび図12bに示されるレーザ構造の上側またはpGaN428側を視認する。蛍光顕微鏡下、本発明は、光が放出されない、多くの小さい三角形非発光特徴1200から成る、レーザA内の非発光領域を識別する。レーザBAlGaN障壁を有するは、遥かに少なく、かつより小さい、三角形非発光領域1200を有する。両LDでは、フォトルミネセンスPLピーク波長は、サセプタ上の温度非均一性によって、非意図的に、ウエハにわたって、左から右に、徐々に増加し、これは、井戸430内のインジウム組成が、ウエハにわたって、左から右に、徐々に増加することを示す。レーザAの場合、PLピーク波長が増加することに伴って、三角形形状の非発光領域1200の数もまた、増加した。レーザBは、レーザAより優れた放出均一性および少ない三角形非発光領域1200を示すが、レーザBの平均PLピーク波長は、より長かった。全ウエハ間の三角形非発光領域の配向は、ウエハの同一側に面し、これは、三角形非発光領域が、結晶学的であることを示す。また、自立形20-21GaN基板のc-方向φcに向かうミスカット角度は、緑色スペクトル範囲の中の活性領域の品質に悪影響を有する。非発光領域の数およびサイズの両方が、φc>0.25°であるとき、大幅に増加する。活性領域内のAlGaN障壁によって、高品質活性領域は、依然として、φc>0.45°であるとき、取得することができる。BPSFおよびミスフィット転位が、TEM分析によって、レーザAおよびレーザCにおいて観察された。図13a-cは、GaN障壁を有するもの図13a、InGaN障壁と置換されたGaN障壁を有するもの図13b、およびcAlGaN障壁と置換されたGaN障壁を有するもの図13cの図4aのレーザ構造を有する、別のサンプルの蛍光顕微鏡画像レーザ構造の上側またはpGaN428側を視認するを示す。図13a-cは、AlGaN-障壁が、三角形無放射欠陥1300を防止する際、有効であったことを確認する。図14は、XRD走査を示し、図15は、InGaN超格子SCH層In=10のAFM走査を示し、図15における二乗平均RMS表面粗度は、5μmx5μmの面積にわたって、0.07nmである。したがって、図4aまたは図4bの素子構造の1つ以上または全てのIII族窒化物素子層402-406は、0.07nm未満のRMS粗度を有する、上面440を有してもよい。図15に示される表面1500は、層418の上面であって、20-21半極性面である。XRD走査におけるクリアな縞ピークは、SCH薄膜の良好な結晶品質およびコヒーレントな成長を示す。図16は、レーザ素子の代表的劈開ファセット1600のSEM画像を示し、LDがさらに、2つの鏡によって囲まれるレーザキャビティを備えてもよいことを示す。しかしながら、LDは、劈開された鏡に限定されず、鏡は、例えば、エッチングされてもよい例えば、ドライエッチングによって。図17は、レーザBの逆格子マッピングを示し、GaN1700とInGaNSCHおよびQW1702のマッピングを示し、コヒーレントな成長を確認する。積層欠陥またはミスフィット転位を伴わない、コヒーレントな成長が、図4cのTEM画像で観察された。図18は、レーザエピタキシャルウエハの波長の関数として、EL出力パワーの散布図を示す。AlGaN障壁432を有する、エピタキシャルウエハは、InGaNまたはGaN障壁を有する、ウエハの上限1802より高いEL出力パワーおよびより高い現在の上限1800を有する。AlGaN障壁432の使用は、緑色および黄色スペクトル領域内の放出のための高内部量子効率への経路を提供する。非放出領域の排除に及ぼすAlGaN障壁532の影響は、515nmより長いPLピーク波長にとって、有意である。レーザBは、従来のリソグラフィおよびドライエッチング技法によって、c-軸の面内投影に沿って、図4aの構造内に形成される、1200μmのキャビティ長を有する、2μmリッジのストライプパターンを使用して、素子に処理された。ファセットは、劈開によって、形成された。SiO2520nmにおいて、n=1.5およびTa2O5520nmにおいて、n=2.2スタックから成る、高反射率分布型Bragg反射器DBRが、従来のスパッタリングプロセスによって、劈開ファセット上に蒸着された。520nmにおける正面および後面ファセットの反射率は、それぞれ、97および99であった。図19aおよび19bは、それぞれ、パルス動作0.01デューティサイクル下、2μmのレーザリッジ幅と、1200マイクロメートルのキャビティ長に対する、レーザBのレージングスペクトルおよび光出力パワー-注入電流-電圧LIV曲線を示す。図19aは、20mAの駆動電流の場合の自発放出と、I>Ithの駆動電流の場合の誘導放出の代表的スペクトルをプロットする。低電流20mAにおける自発放出ピークおよびレージング波長は、それぞれ、528ならびに516nmであった。図19bは、閾値電流が、720mAであって、30kA/cm2の閾値電流密度に対応することを示す。図19aの自発放出スペクトルは、本発明が、少なくとも528nmのピーク波長を有する光電子素子からの放出を可能にすることを例示する。図20は、図4bの構造と、AlGaN障壁432とを有する、別のLDサンプルからのレージングを示し、513nmレージングが達成された。したがって、本発明は、500nm超のピーク波長、例えば、例えば、少なくとも513nmの波長において、レージングを産生するLDを開示する。図21[21]のシミュレーションに基づいて、予想される光閉じ込め係数は、GaN障壁および50nmn-およびp-In0.1Ga0.9N誘導層によって、3.33であった。光閉じ込め係数は、障壁内のAlが、0から10に変動することに伴って、3.33から2.83に変化する。シミュレーションによると、光閉じ込めをさらに改良するために、誘導層内のインジウム含有量が増加されてもよく、障壁内のアルミニウム含有量が、高量子効率活性領域を得るために、最小限にされてもよい。本発明は、AlGaN障壁内で要求される最小Al組成が、3であって、放出均一性および内部効率を改善することを確認した。しかしながら、本発明は、このAl組成およびこのシミュレーションの結果に限定されない。前述の実験結果は、平滑界面および表面形態を達成するための本発明の目標が、高効率活性領域および均一かつ平滑誘導層とともに、達成されたことを示す。1.高In組成量子井戸およびSCH層からの歪みを補償する、歪み補償層および井戸間の障壁としてのAlGaN層1-5Alの使用は、無放射欠陥低減および緑色放出領域内の均一量子井戸放出をもたらした。AlGaN障壁によって、より多いIn組成SCHを、レーザ構造内で使用することができる。2.InGaNバルクSCHと比較して、類似温度で成長させられた、高In-含有量InxGa1-xN/GaN超格子SCHx=5-25の使用は、平滑および無欠陥導波層をもたらした。平均In-含有量は、8-15の範囲であってもよい。本発明は、GaN被覆層を採用した。典型的LD構造の場合、QW周期の数は、2から6の範囲であって、井戸幅は、2から8nmの範囲であって、障壁幅は、6から15nmの範囲であることができる。最終障壁の典型的厚さは、5から20nmである。最終障壁は、AlGaN電子遮断層EBLに追従してもよく、典型的厚さおよびAl濃度は、それぞれ、6-20nmおよび10-25の範囲である。AlGaNEBLは、典型的には、Mgでドープされる。一実施形態では、図4bに示されるように、本発明は、特に、緑色スペクトル領域内の放出のために、20-21-面AlGaN無被覆層構造とともに使用される。可能性として考えられる修正以下の可能性として修正が、本発明に行われてもよい。1.本発明は、極性、非極性、および半極性LDに適用されてもよい。2.本発明は、例えば、紫外線UVから緑色スペクトル範囲およびより長い波長に及ぶ、任意の波長を放出する、任意の発光素子に適用されてもよい。3.本発明は、InGaN、GaN、またはAlInGaNSCH層を含有する、LD構造に適用されてもよい。4.下方被覆層は、GaN層の代わりに、四元合金AlInGaNまたは三元AlGaN層であってもよい。5.非対称設計は、下方と上方被覆との間において、AlGaN組成差を使用してもよい。6.非対称設計はまた、下方および上方SCH層のために、異なるInGaN組成を有する構造を含んでもよい。7.非対称設計はまた、下方および上方SCH層のために、異なるInGaN超格子およびInGaNバルク層を有する構造を含んでもよい。8.他の半極性配向例えば、LDが成長させられる、半極性面として、20-21、11-22、30-31、30-3-1、10-1-1、n0-n1、およびn0-n-1面nは、整数である等を含むが、それらに限定されない。これは、ステップ成長例えば、面成長、平滑表面、および平滑量子井戸が、これらの面上で可能であるためである。故に、半極性面408は、平面であってもよい。III族窒化物素子層のうちの1つ以上は、平面層であってもよい。例えば、III族窒化物層のうちの1つ以上は、平面である、上面を有してもよい。III族窒化物層のうちの1つ以上は、平面である、他のIII族窒化物層との界面を有してもよい。9.LD鏡は、ドライエッチングまたは劈開によって、エッチングされてもよい。劈開された鏡は、大量生産のために好ましいが、エッチングされた鏡は、半極性GaNの場合、垂直ファセッとを保証するために好ましい。10.障壁内のAl組成は、0<x<5であってもよい。AlGaN障壁は、より小さい屈折率を生じさせ、光閉じ込めを低減させるので、障壁内のAl組成が高いほど、好適ではない。11.InGaN誘導層は、異なるIn組成を備える、バルクあるいはInGaN/GaNまたはInGaN/AlGaN超格子SL構造であってもよい。バルクは、成長が容易であって、大量生産に好適である。しかしながら、SLは、臨界厚を増加させ得、したがって、本発明は、ミスフィット転位を伴わずに、誘導層内の平均In組成を増加させ、それによって、光閉じ込めを向上させることができる。12.本発明は、LD内のAlGaN障壁層およびSCH層について説明した。SCH層例えば、InGaNSCH層は、典型的には但し、必ずしも、そうではない、LD内で使用されるが、しかしながら、AlGaN障壁層は、LD内だけではなく、また、発光ダイオードLED等の他の光電子素子内で使用することもできる。したがって、LD同様に、LEDは、本発明を使用して、加工されてもよい。変形例として、また、他の光電子素子光結晶レーザ、太陽電池、光検出器、スーパールミネセントダイオードSLD、半導体増幅器、垂直キャビティ面発光レーザVCSEL、およびトランジスタ例えば、高電子移動度トランジスタを含む。本発明は、III族窒化物層の特定の厚さまたは組成に限定されない。本発明は、量子井戸および障壁の特定の数または厚さに限定されないが、4nm超の量子井戸の厚さが、好ましい。13.素子は、例えば、分子線エピタキシャル成長法MBEおよびハイドライド気相成長HVPEを含むが、それらに限定されない、MOCVD以外の成長方法を使用して、成長させられてもよい。本発明は、本明細書に提示される、任意の特定の科学理論によって拘束されることを意図されない。利点および改良点本発明は、従来の-面レーザダイオード構造と比較して、以下の利点および改良点を有する。1.AlGaN障壁層の使用は、緑色発光量子井戸内の大規模三角形欠陥の低減をもたらした。2.AlGaN障壁層の使用は、より多いIn組成バルクSCH層In>7を有する平滑表面形態および均一量子放出をもたらした。3.InGaN超格子SCH層の使用は、高In含有InGaN層の成長を可能にした。4.非対称InGaNSPSLSの使用は、高In含有InGaN層の成長を可能にした。参考文献以下の参考文献は、参照することにより本明細書にその全体が組み込まれる。結論これは、本発明の好適な実施形態の説明を締めくくるものである。本発明の1つ以上の実施形態の上述の説明は、図解および説明のために示したものである。この記述は、網羅的であること、または本発明を開示された形態に限定することを意図したものではない。上述の教示に照らして、多数の修正および変形が可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明によって限定されるのではなく、むしろ本明細書に添付された請求項によって限定されることを意図する。"