"式Iで表される塩。[式I中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表すか、又は、R1及びR2は互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数5~20の脂肪族環を形成する。R3及びR4は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基を構成する-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Z1は、有機対イオンを表す。]R1及びR2が互いに結合して、それらが結合している炭素原子とともに形成される脂肪族環が、シクロヘキサン環である請求項1記載の塩。X1が、-CO-又は以下で表される基である請求項1又は2記載の塩。は、-CR3R4-の炭素原子との結合手を表す。Z1が、トリアリールスルホニウムカチオンである請求項1~3のいずれか一項記載の塩。請求項1~4のいずれか一項記載の塩を含有する酸発生剤。請求項5記載の酸発生剤と樹脂とを含有するレジスト組成物。樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である請求項6記載のレジスト組成物。さらに、塩基性化合物を含有する請求項6又は7記載のレジスト組成物。1請求項6~8のいずれか一項記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来から知られる上記酸発生剤を含むレジスト組成物では、得られるレジストパターンのラインエッジラフネスLERが必ずしも十分に満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される塩。[式I中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表すか、又は、R1及びR2は互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数5~20の脂肪族環を形成する。R3及びR4は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基を構成する-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Z1は、有機対イオンを表す。]2R1及びR2が互いに結合して、それらが結合している炭素原子とともに形成される脂肪族環が、シクロヘキサン環である1記載の塩。3X1が、-CO-又は以下で表される基である1又は2記載の塩。は、-CR3R4-の炭素原子との結合手を表す。4Z1が、トリアリールスルホニウムカチオンである1~3のいずれか一項記載の塩。51~4のいずれか一項記載の塩を含有する酸発生剤。65記載の酸発生剤と樹脂とを含有するレジスト組成物。7樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である6記載のレジスト組成物。8さらに、塩基性化合物を含有する6又は7記載のレジスト組成物。916~8のいずれか一項記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の塩を含むレジスト組成物を用いれば、優れたラインエッジラフネスLERを有するレジストパターンを製造することができる。式Iで表される塩本発明の塩は、式Iで表される。[式I中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基を表すか、又は、R1及びR2は互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数5~20の脂肪族環を形成する。R3及びR4は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基を構成する-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Z1は、有機対イオンを表す。]なお、以下の説明において、塩Iのうち、正電荷を有するZ1で示される有機対オンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。R1及びR2における炭素数1~6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基等が挙げられる。R1及びR2が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに形成される炭素数5~20の環としては、シクロへプタン環、シクロへキサン環及びアダマンタン環等が挙げられる。中でも、シクロへキサン環が好ましい。R3及びR4は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。ペルフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。R3及びR4は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。X1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表す。2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分枝鎖状アルカンジイル基、及び2価の脂環式炭化水素基が挙げられる。直鎖状アルカンジイル基としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基が挙げられる。分枝鎖状アルカンジイル基としては、例えば、前記直鎖状アルカンジイル基に、炭素数1~4のアルキル基例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を付け加えたものが挙げられる。2価の脂環式炭化水素基としては、シクロアルカンジイル基例えばシクロヘキサンジイル基、2価の橋かけ脂環式炭化水素基例えばアダマンタンジイル基が挙げられる。該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。フッ素原子で置換された基としては、例えば、以下で表される2価の基などが挙げられる。X1の飽和炭化水素基を構成する-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。X1は、好ましくは式X1-A~式X1-F、より好ましくは式X1-A又は式X1-B、さらに好ましくは式X1-Aで、それぞれ表される。なお、式X1-A~式X1-Fでそれぞれ表される基は、その左右を式Iに合わせて記載しており、それぞれで示される2つの結合手のうち、左側の結合手はCR3R4の炭素原子と結合している。以下の式X1-A~式X1-Fそれぞれの具体例も同様である。[X11は、2価の炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。X12は、2価の炭素数1~14の飽和炭化水素基を表す。X13~X17は、それぞれ独立に、2価の炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。但し、X13とX14との合計炭素数、X15とX16との合計炭素数、及び、X17とX18との合計炭素数の上限は、それぞれ13である。]X11~X17は、それぞれ-CH2-、-CH22-、-CH24-、-CH28-又は-CH212-であることが好ましい。式X1-Bで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Cで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Dで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Eで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Fで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。塩Iを構成するスルホン酸アニオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。Z1としては、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。Z1は、好ましくは式b2-1~式b2-4のいずれかで表される。これらの式b2-1~式b2-4において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該アルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。Rb4、Rb5及びRb6から選ばれる2つが一緒になって、イオウ原子を含む環を形成してもよい。Rb4、Rb5及びRb6から選ばれる2つが一緒になって形成してもよい環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、イオウ原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上のイオウ原子及び/又は1以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数3~18の環が好ましく、炭素数4~13の環がより好ましい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。m2が2以上である場合、複数のRb7は互いに同一であっても異なってもよく、n2が2以上である場合、複数のRb8は互いに同一であっても異なってもよい。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11のアルキル基は、好ましくは炭素数1~12であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4~12である。Rb12は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10と、及びRb11とRb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して、それらが結合している原子とともに3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの環に含まれる-CH2-は、-O-、-S-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の、それらが結合している原子とともに基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一であっても異なってもよい。p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一であっても異なってもよい。q2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一であっても異なってもよい。r2が2以上であるとき、複数のRb16は互いに同一であっても異なってもよい。s2が2以上であるとき、複数のRb17は互いに同一であっても異なってもよい。t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一であっても異なってもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。好ましいアルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基である。好ましい脂環式炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。水素原子が芳香族炭化水素基で置換されたアルキル基アラルキル基としては、ベンジル基などが挙げられる。Rb9及びRb10が互いに結合して、それらが結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環、1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11及びRb12が互いに結合して、それらが結合するメチン基及びカルボニル基それぞれの炭素原子とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。式b2-1~式b2-4で表される有機対イオンの中でも、式b2-1で表される有機対イオンが好ましく、下記式b2-1-1で表される有機対イオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表し、Rb19、Rb20及びRb21から選ばれる2つが一緒になって単結合、-O-又は炭素数1~4の2価の脂肪族炭化水素基を表し、イオウ原子を含む環を形成してもよい。アルキル基は、好ましくは炭素数1~12であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18である。前記アルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。v2~x2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一でも異なってもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なってもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なってもよい。なかでも、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基である。有機対イオンとしては、具体的には、特開2010-204646号公報に記載されたカチオンが挙げられる。塩Iを構成する好適な有機対イオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-1-1のうち、イオウ原子を含む環が形成されたカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-1のうち、イオウ原子を含む環が形成されたカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3としては、以下のものが挙げられる。塩Iを、それを構成するスルホン酸アニオン及び有機対イオンの各々について説明したが、該塩Iは該スルホン酸アニオン及び該有機対イオンの組合せである。該スルホン酸アニオンと該有機対イオンとは任意に組み合わせることができる。塩Iとしては、例えば、下記表1~7記載の塩が挙げられる。なかでも以下に示す塩が好ましい。式Iで表される塩のうち、式b1で表される塩式IにおけるX1が-CO-は、-CR3R4-の炭素原子との結合手を表す。である塩の製造方法を下記に示す。式中、R1、R2、R3、R4及びZ1は、それぞれ上記と同じ意味を表す。まず、式b1-aで表される塩と式b1-bで表される化合物とを反応させることにより、式b1-cで表される塩を得る。式b1-aで表される塩は、例えば、特開2008-13551号公報に記載された方法で合成することができる。得られた式b1-cで表される塩と式b1-dで表される化合物とを、溶剤中で反応させることにより、式b1で表される塩を得ることができる。ここでの溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。式b1-dで表される化合物としては、以下で表される化合物等が挙げられる。式Iで表される塩のうち、式b2で表される塩式IにおけるX1が以下で表される基である塩の製造方法を下記に示す。は、-CR3R4-の炭素原子との結合手を表す。式中、R1、R2、R3、R4及びZ1は、それぞれ上記と同じ意味を表す。まず、式b2-aで表される化合物と式b2-bで表される化合物とを溶剤中で反応させることにより、式b1-cで表される化合物を得る。溶剤としては、クロロホルムなどが挙げられる。得られた式b2-cで表される化合物と式b2-dで表される化合物とを、溶剤中で反応させることにより、式b2-eで表される化合物を得ることができる。ここでの溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。式b2-dで表される化合物としては、以下で表される化合物等が挙げられる。得られた式b2-eで表される化合物を、還元剤存在下、溶剤中で反応させることにより、式b2-fで表される化合物を得ることができる。ここでの還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム等が挙げられる。ここでの溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。得られた式b2-eで表される化合物を、還元剤存在下、溶剤中で反応させることにより、式b2-fで表される化合物を得ることができる。ここでの還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム等が挙げられる。ここでの溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。式b2-gで表される塩と式b2-cで表される化合物とを反応させることにより、式b2-hで表される塩を得る。式b2-gで表される塩は、例えば、特開2008-13551号公報に記載された方法で合成することができる。得られた式b2-hで表される塩と式b2-fで表される化合物とを、溶剤中で反応させることにより、式b2で表される塩を得ることができる。ここでの溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。式Iで表される塩のうち、式b3で表される塩式IにおけるX1が-CF2-は、-CR3R4-の炭素原子との結合手を表す。である塩の製造方法を下記に示す。式中、R1、R2、R3、R4及びZ1は、それぞれ上記と同じ意味を表す。まず、式b3-aで表される塩と式b3-bで表される化合物とを反応させることにより、式b3で表される塩を得ることができる。式b3-aで表される塩は、例えば、特開2008-260745号公報に記載された方法で合成することができる。式b3-bで表される化合物としては、アセトン、シクロヘキサノン、アダマンタノンなどが挙げられる。酸発生剤本発明の酸発生剤は、塩Iを含有する。塩Iは、本発明の酸発生剤は、1種又は2種以上の塩Iを含んでもよい。また、本発明の酸発生剤は、さらに、塩I以外の、酸発生剤として公知の塩例えば、塩Iに含まれる有機カチオン及び公知のアニオン塩Iに含まれるスルホン酸アニオン以外のアニオンからなる塩等を含んでいてもよい。以下、かかる本発明の酸発生剤に含まれる塩I以外の塩を酸発生剤Bという場合がある。塩Iと併用する酸発生剤Bとしては、例えば、式B1-1~式B1-17でそれぞれ表されるものが挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムカチオン及びトリトリルスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-7、式B1-11、式B1-12、式B1-13及び式B1-14でそれぞれ表される塩がさらに好ましい。本発明の酸発生剤は、全量が塩Iでもよい。本発明の酸発生剤が塩Iと酸発生剤Bとを含む場合、塩Iの含有量は、酸発生剤全量100質量部に対して、好ましくは10質量部以上より好ましくは30質量部以上、好ましくは90質量部以下より好ましくは70質量部以下である。次に、本発明のレジスト組成物について説明する。本発明のレジスト組成物は、上記本発明の酸発生剤と樹脂とを含み、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂以下、樹脂Aという場合がある。である。上記酸発生剤の含有量は、樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上より好ましくは3質量部以上、好ましくは40質量部以下より好ましくは35質量部以下である。樹脂Aは、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂である。樹脂Aは、酸に不安定な基を有するモノマー以下酸に不安定な基を有するモノマーa1という場合があるを重合することによって製造でき、酸の作用によりアルカリ可溶となる。酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得るとは、酸の接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。酸に不安定な基を有するモノマーa1酸に不安定な基とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式1で表される基、式2で表される基などが挙げられる。[式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成する。は結合手を表す。][式2中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び2価の基に含まれる-CH2-は、-O-又は-S-で置き換わってもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及び下記のような基等が挙げられる。式1では、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数5~16である。Ra1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3基としては、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数3~12である。式1で表される酸に不安定な基としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。好ましくは、Ra1’及びRa2’のうち少なくとも1つが水素原子である。式2で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸に不安定な基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーである。酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5~20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。酸に不安定な基と脂環式炭化水素基とを有するメタアクリル系モノマーとして、好ましくは式a1-1で表されるモノマー又は式a1-2で表されるモノマーが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-を表し、k1は1~7の整数を表し、は-CO-との結合手を表す。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0又は1の整数を表す。]La1及びLa2は、好ましくは、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-であり、より好ましくは-O-である。k1は、好ましくは1~4の整数、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ra6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。Ra6及びRa7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及び下記のような基等が挙げられる。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。式a1-1で表されるモノマーとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a1-1-1~a1-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-1-1~a1-1-3で表されるモノマーがより好ましい。式a1-2で表されるモノマーとしては、例えば、1-エチルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレート、1-エチルシクロヘプタン-1-イルメタアクリレート、1-メチルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート、1-イソプロピルシクロペンタン-1-イルメタアクリレート等が挙げられる。下式a1-2-1~a1-2-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-2-3~a1-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a1-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂Aにおける式a1-1で表されるモノマー又は式a1-2で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。樹脂Aは、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマーa1と、酸に不安定な基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるとの共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。樹脂Aが酸に不安定な基を有するモノマーa1と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位は、全構造単位100モルに対して、好ましくは10~80モル、より好ましくは20~60モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に酸に不安定な基を有するモノマーa1-1に由来する構造単位の含有率は、好ましくは酸に不安定な基を有するモノマーa1に対して15モル以上である。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2という場合がある又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下ラクトン環を有する酸安定モノマーa3という場合があるに由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0を使用する。短波長のArFエキシマレーザ露光193nmなどを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、好ましくは、式a2-1で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーa2-0として、式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一であっても異なってもよい。]Ra30におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基が挙げられ、好ましくは、炭素数1~4のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルキル基であり、さらに好ましくは、メチル基である。また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基等が挙げられ、好ましくは、炭素数1~4のアルコキシ基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルコキシ基であり、さらに好ましくは、メトキシ基である。maは、好ましくは、0~2であり、より好ましくは、0又は1であり、さらに好ましくは、0である。このようなフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、該当するメタアクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン及び又は他の重合性モノマーとをラジカル重合した後、塩基によって脱アセチルすることによって得ることができる。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとしては、例えば、特開2010-204634号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a2-0-1及びa2-0-2で表されるモノマーが好ましい。樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されたものを用いることもできる。樹脂Aにおける式a2-0で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常0~90モルであり、好ましくは10~85モルであり、より好ましくは15~80モルである。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式a2-1で表されるモノマーが挙げられる。式a2-1中、La3は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、-O-、-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1としては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a2-1-1~a2-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a2-1-1~a2-1-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a2-1-1又はa2-1-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂Aにおける式a2-1で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常3~40モルであり、好ましくは5~35モルであり、より好ましくは5~30モルである。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環、δ-バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ-ブチロラクトン環、又は、γ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、好ましくは、式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4のアルキル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4のアルキル基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。式a3-1~式a3-3では、La4~La6としては、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-であることが好ましく、より好ましくは-O-である。k3は、好ましくは1~4の整数であり、より好ましくは1である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1~r1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3としては、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a3-1-1~a3-1-4、a3-2-1~a3-2-4、a3-3-1~a3-3-4で表されるモノマーが好ましく、下式a3-1-1~a3-1-2、a3-2-3~a3-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a3-1-1又はa3-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂Aにおけるラクトン環を有する酸安定モノマーa3に由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常5~60モルであり、好ましくは10~55モルであり、より好ましくは10~50モルであり、さらに好ましくは15~50モルである。その他のモノマーa4樹脂Aは、上述したモノマー以外のその他の公知のモノマーa4に由来する構造単位を有していてもよい。好ましくは、樹脂Aは、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマーa1、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマーa3を重合させた共重合体である。該共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマーa1は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2の少なくとも1種さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1であり、ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、より好ましくはγ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種である。樹脂Aは、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは30,000以下である。樹脂Aの含有率は、好ましくは、組成物の固形分中80質量以上99質量以下である。なお本明細書において組成物中の固形分とは、後述する溶剤Eを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂Aの含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。塩基性化合物以下塩基性化合物Cという場合がある本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cを含むことが好ましい。塩基性化合物Cはクエンチャーとして作用する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なってもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一でも異なってもよい。][式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3又はp3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc14及びRc15は互いに同一でも異なってもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3、r3及びs3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc18、Rc19及びRc20は互いに同一でも異なってもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6-ジイソプロピルアニリンが挙げられる。式C2で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリン等が挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾール等が挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジン等が挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。塩基性化合物Cの含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、0.01~5質量であり、より好ましくは0.01~3質量であり、さらに好ましくは0.01~1質量である。溶剤以下溶剤Eという場合がある本発明のレジスト組成物は、溶剤Eを含むことが好ましい。溶剤Eの含有率は、例えばレジスト組成物中90質量以上、好ましくは92質量以上、より好ましくは94質量以上であり、例えば99.9質量以下、好ましくは99質量以下である。溶剤Eの含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。溶剤Eとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤Eは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。その他の成分以下その他の成分Fという場合がある本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分Fを含有していてもよい。成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。<本レジスト組成物及びその調製方法>本レジスト組成物は、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤Eを混合することで、又は、樹脂A、酸発生剤B、塩基性化合物C及び溶剤Eを混合することで調製することができる。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、樹脂Aなどの種類や樹脂A等の溶剤Eに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて選べばよく、0.5~24時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。このように、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤E、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。レジストパターンの製造方法本発明のレジストパターンの製造方法は、1本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程を含む。レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。塗布後の組成物を乾燥させて溶剤を除去する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、あるいは減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わることにより行われる。この場合の温度は、50~200°C程度が好ましい。また、圧力は、1~1.0×105Pa程度が好ましい。得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して露光という場合がある。露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。加熱温度としては、通常50~200°C程度、好ましくは70~150°C程度である。加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。用途本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物として好適である。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製化合物の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MSはAgilent製LC/MSD型を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値をMSで示す。実施例1:式I1で表される塩の合成式I1-aで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I1-aで表される塩5.00部及びクロロホルム25部を仕込み、30°Cで30分間攪拌し、式I1-bで表される化合物1.83部を仕込み、60°Cで1時間攪拌することにより、式I1-cで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I1-cで表される化合物を含む溶液に、式I1-dで表される化合物1.76部を仕込み、23°Cで3時間攪拌した。得られた反応マスに、イオン交換水10部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル30部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮した。その後、得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式I1で表される塩2.19部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-329.1実施例2:式I57で表される塩の合成式I57-aで表される化合物6.00部及びクロロホルム30部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、式I57-bで表される化合物5.51部を仕込み、60°Cで1時間攪拌することにより、式I57-cで表される化合物を含む溶液を得た。23°Cまで冷却した後、得られた式I57-cで表される化合物を含む溶液に、式I57-dで表される化合物3.67部及びクロロホルム3.67部の混合溶液を30分かけて滴下し、さらに23°Cで12時間攪拌した。得られた反応マスに、イオン交換水15部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を3回行った。得られた有機層をろ過した後、回収されたろ液を濃縮することにより、式I57-eで表される塩6.12部を得た。式I57-eで表される化合物5.00部及びアセトニトリル27.85部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、0°Cまで冷却し、水素化ホウ素ナトリウム0.31部及びイオン交換水3.07部の混合溶液を10分かけて滴下し、更に、0°Cで2時間攪拌した。得られた反応溶液に、1N塩酸8.11部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、濃縮した。得られた濃縮マスに、クロロホルム44.56部及びイオン交換水11.14部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を3回行った。得られた有機層をろ過した後、回収されたろ液を濃縮し、得られた濃縮マスに、N-ヘプタン37.70部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式I57fで表される化合物3.27部を得た。式I57-gで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I57-gで表される塩3.87部及びアセトニトリル19.41部を仕込み、30°Cで30分間攪拌し、式I57-cで表される化合物1.71部を仕込み、80°Cで1時間攪拌することにより、式I57-hで表される化合物を含む溶液を得た。23°Cまで冷却した後、得られた式I57-hで表される化合物を含む溶液に、式I57-fで表される化合物3.27部及びアセトニトリル3.27部の混合溶液を仕込み、80°Cで12時間攪拌した。得られた反応マスを濃縮した後、得られた濃縮マスに、クロロホルム38.82部及びイオン交換水9.70部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル37.90部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮した。その後、得られた濃縮物に、アセトニトリル1.84部及びtert-ブチルメチルエーテル27.60部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式I57で表される塩2.96部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-467.1実施例3:式I58で表される塩の合成式I58-aで表される化合物6.00部及びクロロホルム30部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、式I58-bで表される化合物5.51部を仕込み、60°Cで1時間攪拌することにより、式I58-cで表される化合物を含む溶液を得た。23°Cまで冷却した後、得られた式I58-cで表される化合物を含む溶液に、式I58-dで表される化合物4.78部及びクロロホルム4.78部の混合溶液を30分かけて滴下し、さらに23°Cで12時間攪拌した。得られた反応マスに、イオン交換水15部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を3回行った。得られた有機層をろ過した後、回収されたろ液を濃縮することにより、式I58-eで表される塩6.28部を得た。式I58-eで表される化合物5.65部及びアセトニトリル31.47部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、0°Cまで冷却し、水素化ホウ素ナトリウム0.31部及びイオン交換水3.07部の混合溶液を10分かけて滴下し、更に、0°Cで2時間攪拌した。得られた反応溶液に、1N塩酸8.11部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、濃縮した。得られた濃縮マスに、クロロホルム48.32部及びイオン交換水12.08部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を3回行った。得られた有機層をろ過した後、回収されたろ液を濃縮し、得られた濃縮マスに、N-ヘプタン39.12部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式I58fで表される化合物3.85部を得た。式I58-gで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I58-gで表される塩3.87部及びアセトニトリル19.41部を仕込み、30°Cで30分間攪拌し、式I58-cで表される化合物1.71部を仕込み、80°Cで1時間攪拌することにより、式I58-hで表される化合物を含む溶液を得た。23°Cまで冷却した後、得られた式I58-hで表される化合物を含む溶液に、式I58-fで表される化合物3.69部及びアセトニトリル3.69部の混合溶液を仕込み、80°Cで12時間攪拌した。得られた反応マスを濃縮した後、得られた濃縮マスに、クロロホルム42.22部及びイオン交換水10.56部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル38.40部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮した。その後、得られた濃縮物に、アセトニトリル1.91部及びtert-ブチルメチルエーテル28.68部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式I58で表される塩2.68部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-507.2実施例4:式I4で表される塩の合成式I4-aで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I4-aで表される塩20.00部及びクロロホルム100部を仕込み、30°Cで30分間攪拌し、式I4-bで表される化合物8.81部を仕込み、60°Cで1時間攪拌することにより、式I4-cで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I4-cで表される化合物を含む溶液に、式I4-dで表される化合物6.00部及びクロロホルム6.00部を仕込み、23°Cで3時間攪拌した。得られた反応マスに、イオン交換水25部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル120部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式I4で表される塩20.71部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-289.0実施例5:式I128で表される塩の合成式I128-aで表される塩を、特開2008-260745号公報に記載された方法で合成した。式I128-aで表される塩1.69部、式I128-bで表される化合物60部及び濃硫酸0.03部を仕込み、60°Cで24時間還流脱水した後、23°Cに冷却した。得られた反応物に、クロロホルム120部及び1炭酸カリウム水溶液16.16部を添加攪拌後、分液した。回収された有機層に、イオン交換水40部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物を、アセトニトリルに溶解した後、濃縮した。得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌し、上澄み液を除去した後、濃縮することにより、式I128で表される塩1.59部を得た。MSESISpectrum:M305.1MSESI-Spectrum:M-311.0実施例6:式I126で表される塩の合成式I126-aで表される塩を、特開2008-260745号公報に記載された方法で合成した。式I126-aで表される塩1.69部、式I126-bで表される化合物10部、クロロホルム120部及び濃硫酸0.03部を仕込み、65°Cで48時間還流脱水した後、23°Cに冷却した。得られた反応物に、1炭酸カリウム水溶液16.16部を添加攪拌後、分液した。回収された有機層に、イオン交換水40部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物を、アセトニトリルに溶解した後、濃縮した。得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌し、上澄み液を除去した後、濃縮することにより、式I126で表される塩1.61部を得た。MSESISpectrum:M305.1MSESI-Spectrum:M-351.1実施例7:式I127で表される塩の合成式I127-aで表される塩を、特開2008-260745号公報に記載された方法で合成した。式I127-aで表される塩1.69部、式I127-bで表される化合物10部、クロロホルム120部及び濃硫酸0.03部を仕込み、65°Cで24時間還流脱水した後、23°Cに冷却した。得られた反応物に、1炭酸カリウム水溶液16.16部を添加攪拌後、分液した。回収された有機層に、イオン交換水40部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物を、アセトニトリルに溶解した後、濃縮した。得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌し、上澄み液を除去した後、濃縮することにより、式I127で表される塩1.45部を得た。MSESISpectrum:M305.1MSESI-Spectrum:M-403.1合成例1樹脂Aの合成使用した化合物を下記に示す。樹脂A1の合成モノマーとして、モノマーa1-1-3、モノマーa1-2-3、モノマーa2-1-1、モノマーa3-1-1及びモノマーa3-2-3を用い、そのモル比モノマーa1-1-3:モノマーa1-2-3:モノマーa2-1-1:モノマーa3-1-1:モノマーa3-2-3が30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.1×103の樹脂A1共重合体を収率65で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A2の合成モノマーとして、モノマーa1-1-2、モノマーa2-1-1及びモノマーa3-1-1を用い、そのモル比モノマーa1-1-2:モノマーa2-1-1:モノマーa3-1-1が50:25:25となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを80°Cで約8時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.2×103の樹脂A2共重合体を収率60で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。表8に示すように、以下の各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1:樹脂A1A2:樹脂A2<酸発生剤>I1:式I1で表される塩実施例1I57:式I57で表される塩実施例2I58:式I58で表される塩実施例3I4:式I4で表される塩実施例4I128:式I128で表される塩実施例5I126:式I126で表される塩実施例6I127:式I127で表される塩実施例7B1:B2:<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265部2-ヘプタノン20.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部γ-ブチロラクトン3.5部12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表8のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏向]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表8のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、レジストパターンを得た。さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。各レジスト膜において、50nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。ラインエッジラフネス評価LER:リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅が、3.5nm以下であるものを◎◎、3.5nmを超え4.0nm以下であるものを◎4.0nmを超え、5.0nm以下であるものを○、5.0nmを超えるものを×とした。これらの結果を表9に示す。"