"ビットパターン化された記憶媒体と;該ビットパターン化された記憶媒体に近接して配置された書き込み変換器と;該書き込み変換器に結合され、書き込みパルスを前記書き込み変換器に供給する書き込みドライバと;ビットパターンを生成するための光学式センサと;ビットパターン信号に応答して同期信号を生成するためのタイミング復元回路とを含み、前記書き込みパルスのタイミングが前記同期信号に応答して調整される、前記装置。請求項1記載の装置において、光学式センサが:金属ピンと光を該金属ピン上に集光するためのレンズを有する近接場変換器を含む、前記装置。請求項2記載の装置において、前記金属ピンの端部の断面積が、前記ビットパターン化された記憶媒体内のアイランドの表面の断面積より小さい、前記装置。請求項1記載の装置が更に:光を前記ビットパターン化された記憶媒体の表面上に照射するための光源と;前記ビットパターン化された記憶媒体の表面から反射された光を検出するための象限光学式検出器とを含む、前記装置。請求項1記載の装置において、前記光学式センサが前記ビットパターン化された記憶媒体上の1つのビットアイランドから反射された光を検出する、前記装置。請求項1記載の装置において、前記光学式センサが前記ビットパターン化された記憶媒体上の複数のビットアイランドから反射された光を検出する、前記装置。ビットパターン化された記憶媒体内のビットアイランド位置を表すビットパターン信号を生成するために光学式センサを使用し;前記ビットアイランドの磁化方向を制御するために書き込み変換器に供給される書き込みパルスのタイミングを制御するために、前記ビットパターン信号を使用する、方法。請求項7記載の方法において、前記光学式センサが:金属ピンと光を該金属ピン上に集光するためのレンズを有する近接場光学変換器を含む、前記方法。請求項8記載の方法において、前記金属ピンの端部の断面積が、前記ビットパターン化された記憶媒体内のアイランドの表面の断面積より小さい、前記方法。請求項7記載の方法において、前記ビットパターン化された記憶媒体内の前記ビットアイランドの位置を表す前記ビットパターン信号を生成するために前記近接場光学変換器を使用するステップが:光を前記ビットパターン化された記憶媒体の表面上に指向させ;前記ビットパターン化された記憶媒体の表面から反射された光を検出するために、象限光学式検出器を使用する事を含む、前記方法。請求項7記載の方法において、前記光学式センサが前記ビットパターン化された記憶媒体上の1つの前記ビットアイランドから反射された光を検出する、前記方法。請求項7記載の方法において、前記光学式センサが前記ビットパターン化された記憶媒体上の複数の前記ビットアイランドから反射された光を検出する、前記方法。光点をビットパターン化されたデータ記憶媒体の表面上に指向させ;前記ビットパターン化されたデータ記憶媒体上の1つのアイランドから反射された光に応答してエラー信号を生成することを含み、前記エラー信号が前記アイランドに関する光点の位置を表している、方法。請求項13記載の方法において、光検出器が第1、第2、第3および第4の検出器信号を生成し、前記エラー信号が、前記第1および第4の検出器信号の合計と前記第2および第3の検出器信号の合計の間の差である、前記方法。請求項13記載の方法において、前記エラー信号が縁検出信号を含む、前記方法。請求項13記載の方法において、前記エラー信号がプッシュプル信号を含む、前記方法。請求項13記載の方法において、前記エラー信号が差分位相検出信号を含む、前記方法。請求項13記載の方法において、前記光検出器が前記第1、第2、第3および第4の検出器信号を生成し、前記エラー信号が前記第1、第2、第3および第4の検出信号の合計を含む、前記方法。請求項13記載の方法において、前記光点の直径が前記ビットパターン化されたデータ記憶媒体上の前記アイランドの幅よりも小さい、前記方法。ビットパターン化記録を実現する際の解決すべき問題点は、タイミング復元または同期である。書き込みヘッドは、ビットアイランドの位置を認識する必要があるが、それはヘッドがトラック上を通過する際に書き込み場を詳細に切り換えるためである。同様に、読み取りヘッドは正しいサンプリング事象を読み返し波形から復元する必要がある。書き込み同期の失敗はビットの挿入/削除エラーと同様に近傍でのビット反転の原因となる。ひとつの特徴として本発明は、ビットパターン化された磁気記憶媒体、ビットパターン化された磁気記憶媒体に近接して配置された書き込み変換器、書き込み変換器に結合され、書き込み変換器に書き込みパルスを供給する書き込みドライバ、ビットパターン信号を生成するための光センサ、およびビットパターン信号に応答して同期信号を生成するためのタイミング復元回路とを含み、ここで書き込みパルスのタイミングが同期信号に応答して調整されている。別の特徴として、本発明はひとつの方法を提供しており、これは、ビットパターン化された磁気記憶媒体内のビットアイランドの位置を表す1つのビットパターン信号を生成するための光学式センサを使用し、そのビットパターン信号を用いて書き込み変換器に供給される書き込みパルスのタイミングを制御し、そのビットアイランドの磁化方向を制御することを含む。更に別の特徴として、本発明はひとつの方法を提供しており、これは、光点をビットパターン化されたデータ記憶媒体の表面上に誘導し、そのビットパターン化されたデータ記憶媒体上のアイランドからの反射光に応答してエラー信号を生成することを含む。ここでエラー信号はそのアイランドに関する点の位置を表している。これらおよび種々のその他の特徴および長所は、以下の詳細な説明を読むことにより明らかとなろう。ビットパターン化されたデータ記憶媒体がデータ記憶装置内で使用されている場合、読み取りそして/または書き込み変換器、例えば記録ヘッド、の媒体上のアイランドに対する相対位置を検出し制御する必要がある。ひとつの特徴として、本発明はビットパターン化された媒体を含むデータ記憶装置内でのタイミング復元のために使用可能な、位置信号を与える方法並びに装置を提供する。媒体内のアイランドの存在を検出するために、非磁気センサが使用される。図1はデータ記憶装置10の各部の図式表現であり、スライダ12と関連するデータ記憶媒体14を含む。この例において、データ記憶媒体は、非磁性材で満たされたトレンチ18で分離された、磁気材料の複数のアイランド16を含むパターン化された媒体である。スライダまたはキャリアは、既知の技術に基づき記憶媒体表面近くに配置されていて、書き込みヘッド20、読み取りヘッド22およびビットパターンセンサ24を含む。書き込みヘッドは書き込み変換器26を含み、これは磁場を記憶媒体に加えて、アイランドの磁化の向きを制御する。読み取りヘッドはセンサ28を含み、これは例えば磁気抵抗MR:Magneto-Resistive素子、トンネル磁気抵抗TMR:TunnelingMagneto-Resistive素子、または巨大磁気抵抗GMR:GiantMagneto-Resistive素子であって、これは磁化されたアイランドにより生成された磁場に応答して、アナログ電圧信号を発生する。ビットパターンセンサ24はビットパターンセンサと媒体上のアイランドとの相対位置に関する情報を含む信号を生成する。アーム30はスライダを媒体に対して位置決めするために使用される。このアームは既知のサーボ技術により制御される。通常動作時、スライダはひとつのトラックまたは千鳥状の場合、副トラック対の上を飛翔し、これらのトラックはトレンチで分離された複数のビットアイランドを含む。書き込みヘッドは全てのビットアイランドを、書き込まれる情報ビットに基づく所望の向き例えば、上向きまたは下向きに磁化するように、アイランドに対して十分近くを通過する。しかしながら書き込みヘッド場はトレンチ壁を貫通せず、トレンチには情報は一切書き込めない。事実上トレンチは、隣接するビット間の安定したドメイン壁境界として機能する。読み取りおよび書き込みヘッドは制御回路32に接続されており、これは書き込みヘッドに電圧または電流パルスを供給するための書き込みチャンネル34と読み取りヘッドで生成された信号を処理するための読み取りチャンネル36を含む。タイミング復元回路38はビットパターンセンサからの信号を用いて制御信号を供給し、これは書き込みパルスのタイミングを調整するために使用できる。制御回路はその他の構成要素も含み得るが、これらは本明細書に特に関連しないので、図示しない。書き込みチャンネルは制御回路内の他の構成部品そして/またはバス40上のホスト装置と通信可能である。読み取りチャンネルは制御回路内の他の構成部品そして/またはバス42上のホスト装置と通信可能である。図2はビットパターン化された媒体50の図式的平面図である。この媒体はトレンチ54で分離された磁気材料の複数のアイランド52を含む。この例において、アイランドは線形配列に構成されてデータトラック56を形成している。別の例では、アイランドを千鳥状配列で構成することも可能であり、データトラックは2つの隣接する副トラックで形成される。図3は図2のビットパターン化された媒体の断面図である。磁気アイランドは記録層60内に構成されており、これは基板62で支えられている。別の層、例えばヒートシンク層64もまた含むことが可能である。プレーナ型媒体を形成するために、非磁性誘電体材料66がアイランドの間に配置されている。非プレーナ型媒体では、アイランドはアイランド間の隙間に固体材料を配置することなく、互いに分離可能である。ビットパターンセンサ68がトラックに近接して配置されている。ひとつの特徴として、本発明は非磁性ビットパターンセンサ68を用いて、ビットアイランド位置を検出している。非磁性センサはビットパターン化された媒体の物性を用いて、センサの位置と媒体上のビットアイランドとの相対位置に関する信号を生成することが可能である。非磁性センサを使用することにより、書き込みヘッドで生成された磁場または読み取りヘッドで検出された磁場との相互干渉が回避できる。シミュレーション目的で使用される1つの例において、これらのアイランドは媒体表面と平行または同一面上に、正方形断面形状を有し、各々のビットアイランドは24ナノメートル掛ける24ナノメートルの正方形断面形状を有する柱の中に存在するものと仮定されている。この例において、アイランドは24ナノメートルの距離で分離されている。アイランドは磁性材料であり、誘電材料は例えばSiO2である。アイランドは別の断面形状を有することも可能であり、その形状が均一で無くても良いことは理解されよう。一例において、ビットパターンセンサは光を媒体上に導く光変換器と、媒体から反射された光を検出して位置信号を生成する光検出器を含み、この位置信号は処理されて読み取りそして/または書き込み変換器の媒体上のアイランドに対する相対位置を制御するために使用可能である。ビットアイランドはトレンチ、またはトレンチ内の誘電材料とは異なる反射係数を有するので、媒体の表面から反射された光を用いてビットアイランドを追尾し、それらの場所にビットを書き込むようにヘッドを同期させることが可能である。図4はタイミング復元回路70のブロック図である。タイミング回路は、チャンネル74への入力72と、低域通過フィルタ76を含む、前処理部を含む。センサで生成された信号は信号anであり、これはチャンネルを通して伝送され、その結果受信信号rτとなる。この受信信号は、低域通過フィルタでフィルタ処理され、フィルタ処理信号sτを生成する。フィルタ処理信号は続いてサンプリングスイッチ78で図示されるようにサンプリングされて、サンプル信号ynを線80上に生成する。このサンプル信号はイコライザ82で処理され、イコライズド信号znを線84上に生成する。このイコライズド信号は次に検出器86で検出されて出力信号を生成する。タイミングエラー検出器88は、イコライズド信号と出力信号を用いて、エラー信号を線90上に生成する。エラー信号はループフィルタ92でフィルタ処理され、ループフィルタの出力は電圧制御発振器94の周波数を制御するために使用される。電圧制御発振器は次に、フィルタ処理信号sτのサンプルを採取するために使用されるサンプリング時間を制御する。従って、タイミングを検出するために、パターンセンサを用いて信号を生成し、これがサンプリングされて複数のサンプルを生成できることが理解されよう。タイミング復元の基本構成は、タイミングエラー検出器を含み、これは受信信号を処理して、タイミング位相エラーの尺度となる量を生成する。この量は更にループフィルタを通って修正信号を生成し、これはサンプリング時間を、例えばサンプリング器を電圧制御発振器VCO:VoltageControlledOscillatorを通して駆動して制御するために使用される。検出されたビットは、これらがエラーを含まないという前提で、タイミング復元アルゴリズムで使用される。図5はビットパターン化された記憶媒体で使用される、光学式トラッキングシステム100の図式表現である。このシステムは光104を、半透明鏡106を通して近接場光学変換器108に導く光源102を含む。近接場光学変換器108は光をビットパターン化された記憶媒体114の表面112上の小さな点110に集光する。入射光の一部116は鏡に向けて反射され、鏡で検出器118に反射される。検出器はエラー信号120を生成し、これは続いてサーボシステム122で処理されて記録ヘッドの位置を制御する。図6はビットパターン化された記憶媒体114の表面112に近接して配置された近接場光学変換器108の図式表現であり、基板128に近接して配置されている導電性ヒートシンク層126に近接して配置された記録層124を含む。この例において、近接場光学変換器108は対物レンズ130、固体半球レンズ132および金属ピン134を含む。近接場光学変換器は、光を集光してビットパターン化された媒体の表面に供給する。半径方向に偏光された光線136は対物レンズにより半球レンズの中心に集中されて、例えば金である金属ピンを照射する。金属ピンの端部は記憶媒体の表面から約10ナノメートルに配置できる。一例において、金製ピンは12ナノメートルの先端を有し、その寸法は光学的効率を最大とするように最適化される。記憶媒体は正方形の粒状アイランドを含み、これらは例えばSiO2の様な誘電材料で分離されている。各粒状物は記録フィルム面内で24ナノメートル掛ける24ナノメートルの寸法を有する。粒状物間の間隔もまた24ナノメートルである。図7はビットパターン化された記憶媒体144の表面142の一部140の拡大平面図であり、アイランド146,148,150および154を含む。アイランド148上および周辺の番号は光点の中心の近接位置を表す。図5の例において、光点156は中心ビットの右下隅すなわち位置1に集中されている。入射光点は反射され、反射光線は図7に示されるように光点が異なる位置にある間監視することができる。象限検出器を使用して反射強度を検出することが可能である。図8は象限検出器158の図式表現である。象限検出器は1,2,3および4と番号を付けられた4つの象限内で光を検出する。4つの象限1,2,3および4から、検出器はそれぞれ信号S1,S2,S3およびS4を生成する。信号S1,S2,S3およびS4を組み合わせて種々のエラー信号を生成することが可能である。例えば、差分位相検出DPD:DifferentialPhaseDetectionエラー信号は次のように定義できる:[S2S4-S1S3]。比較するためにDPD信号は総強度S1S2S3S4で正規化して、正規化DPD信号SDPDを生成できる。正規化DPD信号はたった10-5程度であることが分かっている。この信号は位置3と4との間で符号が反転する。プッシュプルエラー信号は次のように定義できる:図9は媒体のアイランド上の光点の位置に関するプッシュプルエラー信号のグラフである。図9は光点が位置5から2へ、および位置1から3へスキャンした際のプッシュプルエラー信号を示す。このプッシュプルエラー信号は~1.5x10-3程度で有ることが分かる。図9は光点がビットの中央を横切って、位置5から位置2へスキャンした場合、またはビットの縁に沿って位置1から位置3へスキャンした場合のプッシュプルエラー信号を示す。この信号はサーボとして使用することが可能であろう、何故ならばこれは差分信号であり雑音レベルもまた小さいからである。しかしながら、この信号は光点がビットの2つの列の中間にある場合はゼロである。縁検出信号は次のように定義される:図10は媒体のアイランド上の光点の位置に関する縁検出エラー信号のグラフである。図10は光点が位置5から2へ、および位置1から3へスキャンした際の縁検出エラー信号を示す。図10は光点がビットの中央を横切って、位置5から位置2へスキャンした場合、またはビットの縁に沿って位置1から位置3へスキャンした場合の縁検出信号を示す。縁検出信号の強度はプッシュプル信号と同じであるが、プッシュプル信号とは振る舞いが異なることは明らかである。これは点位置をビット上でピンポイントに指示するために使用されてもよい。反射もまた光点が移動するに連れて変化する。変化量はそれが加算信号であるためおよそ0.8であり、雑音レベルは高い。別の実施方法において、光学センサは媒体上の個々のビットの解像度を有する必要はない。例えば、このセンサは複数のn個のビットから反射された光を検出し、書き込みクロックは複数のビットアイランドを検出したことに対応して積算されることが可能である。n個のビットアイランドからの反射光の結果得られる信号の位相が十分精密である場合、各々のビットアイランドを光学センサで分解する必要は無い。一例として、10ビット毎に1つが抜けている場合、10ビットのアイランド毎に半ビット分ずれている場合、少なくとも10ビットのアイランドから反射される光を検出するセンサを使用できる。本発明をいくつかの事例で説明してきたが、種々の変更を、説明された事例に対して、添付の特許請求項に記載された本発明の範囲から逸脱することなく行いうることは明らかであろう。記載された実現方法およびその他の実現方法は以下の特許請求項の範囲に含まれる。"