"プラスチックフィルムの一方の面に蒸着法により磁性金属薄膜を形成した後、110~180°Cの範囲内の温度で熱処理してなるノイズ抑制フィルムであって、前記磁性金属薄膜の光透過率波長660nmのレーザ光が3~50であり、前記磁性金属薄膜の10cm×10cmの正方形の試験片TPの対向辺部に、辺全体を覆う長さの一対の電極を配置し、平坦な加圧板を介して385kgの荷重をかけて測定した表面抵抗が10~200Ω/□であることを特徴とするノイズ抑制フィルム。請求項1に記載のノイズ抑制フィルムにおいて、前記熱処理を10分~1時間行うことを特徴とするノイズ抑制フィルム。請求項1又は2に記載のノイズ抑制フィルムにおいて、前記磁性金属がNi又はその合金であることを特徴とするノイズ抑制フィルム。請求項1~3のいずれかに記載のノイズ抑制フィルムにおいて、前記プラスチックフィルムがポリエチレンテレフタレートの延伸フィルムであることを特徴とするノイズ抑制フィルム。請求項1~4のいずれかに記載のノイズ抑制フィルムにおいて、前記磁性金属薄膜の表面に保護フィルムが積層されていることを特徴とするノイズ抑制フィルム。従って本発明の目的は、数百MHz乃至数GHzの電磁波ノイズに対して高い吸収能を有し、携帯情報端末や電子機器等に好適な安価なノイズ抑制フィルムを提供することである。プラスチックフィルムに磁性金属を蒸着することにより数百MHz乃至数GHzの電磁波ノイズに対して高い吸収能を有するノイズ抑制フィルムを得るべく鋭意研究の結果、以下のことが分った。プラスチックフィルムに蒸着法により形成した磁性金属薄膜の表面抵抗が数十Ω/□程度であると、近傍界電磁波ノイズに対して優れた吸収能を有するが、このように薄い磁性金属薄膜を精度良く形成することは非常に困難であり、実際に形成される磁性金属薄膜の表面抵抗は大きくばらつく。このように薄い磁性金属薄膜の表面抵抗は大きな経時変化を受け、完全に安定するのに長期間を要するだけでなく、その間の環境条件温度、湿度等により表面抵抗の経時変化が異なる。上記問題を解決するために鋭意研究の結果、本発明者は、プラスチックフィルムは金属に比較して著しく耐熱性に劣り、加熱により大きな熱収縮を受けるおそれがあるにも係わらず、プラスチックフィルムに形成した磁性金属の蒸着薄膜に対して110~180°Cの範囲内の温度で熱処理を施すと、磁性金属薄膜の電磁波吸収能が向上するのみならず、電磁波吸収能のバラツキ及び経時変化が低減し、もって優れた電磁波吸収能を安定して有するノイズ抑制フィルムが得られることを発見し、本発明に想到した。すなわち、本発明のノイズ抑制フィルムは、プラスチックフィルムの一方の面に蒸着法により磁性金属薄膜を形成した後、110~180°Cの範囲内の温度で熱処理してなり、前記磁性金属薄膜の光透過率波長660nmのレーザ光が3~50であり、前記磁性金属薄膜の10cm×10cmの正方形の試験片の対向辺部に、辺全体を覆う長さの一対の電極を配置し、平坦な加圧板を介して385kgの荷重をかけて測定した表面抵抗が10~200Ω/□であることを特徴とする。前記熱処理は10分~1時間行うのが好ましい。前記磁性金属はNi又はその合金であるのが好ましい。前記プラスチックフィルムはポリエチレンテレフタレートの延伸フィルムであるのが好ましい。前記磁性金属薄膜の表面に保護フィルムが積層されているのが好ましい。本発明のノイズ抑制フィルムは、磁性金属薄膜の蒸着後熱処理してなるので、数百MHz乃至数GHzの電磁波ノイズに対して高い吸収能を有するとともに、表面抵抗が安定化して経時変化が実質的になく、もって電磁波吸収能の経時変化もない。このような特徴を有する本発明のノイズ抑制フィルムは、携帯電話、スマートフォン等の各種の携帯情報端末や、パソコン等の電子機器における近傍界の数百MHz乃至数GHzの電磁波ノイズの吸収に効果的である。本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明するが、特に断りがなければ一つの実施形態に関する説明は他の実施形態にも適用される。また下記説明は限定的ではなく、本発明の技術的思想の範囲内で種々の変更をしても良い。1ノイズ抑制フィルム図1に示すように、本発明のノイズ抑制フィルム10はプラスチックフィルム1の一方の面に磁性金属薄膜2を形成した後、熱処理したものである。プラスチックフィルムプラスチックフィルム1を形成する樹脂は、十分な絶縁性、耐熱性及び強度を有する限り特に制限されず、例えばポリエステルポリエチレンテレフタレート等、ポリアリーレンサルファイドポリフェニレンサルファイド等、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド等が挙げられる。プラスチックフィルム10の厚さは10~100μm程度で良く、特に10~30μmが好ましい。磁性金属薄膜磁性金属薄膜2用の磁性金属としてはNi,Fe,Co又はそれらの合金が挙げられるが、蒸着の容易性、導電性及び透磁率の観点からNi又はその合金が好ましい。磁性金属薄膜2はスパッタリング法、真空蒸着法等の公知の方法により形成することができる。磁性金属薄膜の光透過率磁性金属薄膜2は非常に薄いために、図2に示すように、厚さが不均一であり、厚く形成された領域2aと、薄く形成された領域又は全く形成されていない領域2bとがある。そのため、磁性金属薄膜2の厚さを正確に測定するのは困難である。そこで、本発明では磁性金属薄膜2の厚さを波長660nmのレーザ光の透過率単に光透過率という。で表す。光透過率は磁性金属薄膜2の任意の複数箇所の測定値を平均して求める。測定箇所数が5以上であると、光透過率の平均値は安定する。プラスチックフィルム1の厚さが30μm以下であるとプラスチックフィルム1自身の光透過率はほぼ100であるので、ノイズ抑制フィルム10の光透過率が磁性金属薄膜2の光透過率と一致する。しかし、プラスチックフィルム1がそれより厚い場合には、ノイズ抑制フィルム10の光透過率からプラスチックフィルム1の光透過率を引いた値が磁性金属薄膜2の光透過率である。磁性金属薄膜2の光透過率は3~50の範囲内である必要がある。光透過率が3未満であると、磁性金属薄膜2が厚くなり過ぎて金属箔のような挙動を示し、電磁波反射率が高く、電磁波ノイズの吸収能は低い。一方、光透過率が50超であると、磁性金属薄膜2が薄すぎて電磁波吸収能が不十分である。磁性金属薄膜2の光透過率は好ましくは5~45であり、より好ましくは8~30である。表面抵抗光透過率が3~50と薄い磁性金属薄膜2の表面抵抗は測定方法により大きく異なることが分った。そのため、磁性金属薄膜2と電極との接触面積をできるだけ大きくするとともに、磁性金属薄膜2と電極とができるだけ均一に密着するように、図3に示す装置を用いて、加圧下での直流二端子法単に加圧二端子法と言うにより表面抵抗を測定する。具体的には、硬質な絶縁性平坦面上に磁性金属薄膜2を上にして載置した10cm×10cmのノイズ抑制フィルム10の正方形試験片TP1の対向辺部に、長さ10cm×幅1cm×厚さ05mmの電極本体部11aと、電極本体部11aの中央側部から延びる幅1cm×厚さ05mmの電極延長部11bとからなる一対の電極11,11を載置し、試験片TP1と両電極11,11を完全に覆うようにそれらの上に10cm×10cm×厚さ5mmの透明アクリル板12を載せ、透明アクリル板12の上に直径10cmの円柱状重り13385kgを載せた後で、両電極延長部11b,11b間を流れる電流から表面抵抗を求める。熱処理後の磁性金属薄膜2の表面抵抗は10~200Ω/□の範囲内である必要がある。表面抵抗が10Ω/□未満であると、磁性金属薄膜2が厚すぎて金属箔のような挙動を示し、電磁波ノイズの吸収能が低い。一方、表面抵抗が200Ω/□超であると、磁性金属薄膜2が薄すぎてやはり電磁波吸収能が不十分である。熱処理後の磁性金属薄膜2の表面抵抗は好ましくは15~150Ω/□であり、より好ましくは20~120Ω/□であり、最も好ましくは30~100Ω/□である。2熱処理光透過率が3~50で、表面抵抗が10~200Ω/□と非常に薄い磁性金属薄膜2は、図2に示すように全体的に厚さムラがあり、比較的厚い領域2aと比較的薄い又は薄膜がない領域2bとを有する。比較的薄い領域2bは磁気ギャップ及び高抵抗領域として作用し、近傍界ノイズにより磁性金属薄膜2内を流れる磁束及び電流を減衰させると考えられる。しかし、このような薄い磁性金属薄膜2の状態は製造条件により大きく異なり、一定の光透過率及び表面抵抗を有する磁性金属薄膜2を安定的に形成するのは非常に困難であることが分った。そこで鋭意研究した結果、蒸着法により形成した磁性金属薄膜2に対して、プラスチックフィルム1の熱収縮が起こり得る100°C超の温度で熱処理すると、磁性金属薄膜2の表面抵抗は若干低下するとともに安定化し、経時変化が実質的になくなることが分った。延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムのように熱収縮が起こり得るプラスチックフィルムに対して100°Cを超す温度で熱処理を行うということは、従来では全く考えられないことであった。しかし、110~180°Cの範囲内の温度で短時間例えば10分~1時間熱処理すると、プラスチックフィルム1が僅かに熱収縮するだけで、磁性金属薄膜2の表面抵抗が僅かに低下するとともに安定化し、もって電磁波ノイズ吸収能も安定化することが分った。ここで、電磁波ノイズ吸収能の安定化とは、電磁波ノイズ吸収能の経時変化が実質的になくなるだけでなく、製造条件によるばらつき及び製造ロット間のばらつきも低下することを意味する。熱処理条件を変えることにより表面抵抗を調整することができる。例えば、表面抵抗が高めの磁性金属薄膜2に対しては、熱処理温度を高くするか熱処理時間を長くすることにより、表面抵抗を所望の値に低下させることができる。逆に、表面抵抗が低めの磁性金属薄膜2に対しては、熱処理温度を低くするか熱処理時間を短くすることにより表面抵抗の低下を抑制することができる。同じ表面抵抗を有する蒸着フィルムであっても、熱処理なしのものと熱処理したものとでは電磁波吸収能に著しい差があり、熱処理により所望の表面抵抗に調整した蒸着フィルムの方が高い電磁波吸収能を有することが分った。この理由は明らかではない。というのは、非常に薄い磁性金属薄膜の状態特に組織の熱処理による変化を評価することは非常に困難であるからである。実験の結果磁性金属薄膜の電磁波吸収能が熱処理温度に応じて変化することが分ったので、本発明では磁性金属薄膜の組織状態を熱処理温度により規定することにする。熱処理温度は110~180°Cの範囲内である。熱処理温度が110°C未満であると、熱処理による電磁波吸収能の向上及びバラツキの低減の効果が実質的に得られない。一方、熱処理温度が180°C超であると、磁性金属薄膜2の表面酸化が起こるだけでなく、十分な耐熱性を有さないプラスチックフィルムでは熱収縮が大きくなり過ぎる。熱処理温度は120~170°Cが好ましく、130~160°Cがより好ましい。熱処理時間は熱処理温度により異なるが、一般に10分~1時間が好ましく、20~40分がより好ましい。熱処理した磁性金属薄膜2の表面に保護フィルムを積層することにより、磁性金属薄膜2の保護とともに絶縁性を確保するのが好ましい。保護フィルムとしては、プラスチックフィルム1と同じものを使用しても良い。3近傍界電磁波ノイズの吸収能伝送減衰率伝送減衰率Rtpは、図4及び図4に示すように、50ΩのマイクロストリップラインMSL644mm×44mmと、マイクロストリップラインMSLを支持する絶縁基板20と、絶縁基板20の下面に接合された接地グランド電極21と、マイクロストリップラインMSLの両端に接続された導電性ピン22,22と、ネットワークアナライザNAと、ネットワークアナライザNAを導電性ピン22,22に接続する同軸ケーブル23,23とで構成されたシステムを用い、マイクロストリップラインMSLにノイズ抑制フィルムの試験片TP2を粘着剤により貼付し、01~6GHzの入射波に対して、反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、下記式:Rtp=-10×log10S2110により求める。ノイズ吸収率図4及び図4に示すシステムに入射した電力から反射波S11の電力及び透過波S12の電力を差し引くことにより、電力損失Plossを求め、Plossを入射電力Pinで割ることによりノイズ吸収率PlossPinを求める。本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。実施例1、比較例1厚さ16μmのポリエチレンテレフタレートPETフィルム1に真空蒸着法により目標光透過率波長660nm9のNi薄膜2を形成し、長尺の蒸着フィルムを作製した。蒸着フィルムの任意の部分から10cm×10cmの試験片TP1を5枚切り出した。各試験片TP1の任意の5箇所の光透過率を、株式会社キーエンス製の透過型レーザセンサIB05を使用し、波長660nmのレーザ光で測定し、平均した。また各試験片TP1の表面抵抗を図3に示すように加圧二端子法により測定した。各電極11は長さ10cm×幅1cm×厚さ05mmの電極本体部11aと幅1cm×厚さ05mmの電極延長部11bとからなり、透明アクリル板12は10cm×10cm×厚さ5mmであり、円柱状重り13は10cmの直径を有し、385kgであった。両電極11,11を鶴賀電機株式会社製の抵抗計型名:3565に接続し、得られた電流値から表面抵抗を求めた。全試験片TP1の平均光透過率は91であり、平均表面抵抗は43Ω/□であった。長尺の蒸着フィルムの任意の部分から切り出した20枚の試験片TP2552mm×47mmの各々を図4及び図4に示すシステムのマイクロストリップラインMSLに粘着剤により貼付し、01~6GHzの周波数範囲における反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、上記式により01~6GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtpを求めた。熱処理していない20枚の試験片TP2の伝送減衰率Rtpの最高値及び最低値を比較例1として図6に示す。次に、長尺の蒸着フィルムの任意の部分からA4サイズ210mm×297mmのサンプルSを20枚切り取り、図5及び図5に示すように、各サンプルSをNi薄膜2を下にして加熱装置40のホットプレート41上に載置し、A4サイズで厚さ3mmのテフロン登録商標製断熱シート42、及びA4サイズで厚さ2mmの鉄板43を載せた後、150°Cで30分間熱処理を行った。熱処理による熱収縮は約1であった。熱処理した各サンプルSから切り出した10cm×10cmの5枚の試験片TP1に対して、上記と同じ方法で光透過率及び表面抵抗を測定した。その結果、熱処理した試験片TP1の平均光透過率は89であり、平均表面抵抗は39Ω/□であった。さらに熱処理した20枚の蒸着フィルムサンプルSの各々から切り取った各試験片TP2552mm×47mmに対して上記と同様に01~6GHzの周波数範囲における反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、上記式により01~6GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtpを求めた。熱処理した20枚の試験片TP2の伝送減衰率Rtpの最高値及び最低値を実施例1として図6に示す。実施例1の20枚の試験片TP2熱処理あり及び比較例1の20枚の試験片TP2熱処理なしの6GHzにおける伝送減衰率Rtpの分布をそれぞれ図7及び図7に示す。各Rtpの頻度は、例えばRtpの値が30dBの場合、30dB≦Rtp<31dBの範囲のRtpを有する試験片の数により表される以下同様。図6及び図7から明らかなように、熱処理した蒸着フィルムからなる実施例1の試験片のRtpは熱処理していない蒸着フィルムからなる比較例1の試験片のRtpより高いだけでなく、その分布も狭かったバラツキも小さかった。実施例2、比較例2Ni薄膜2の目標光透過率波長660nmを15とした以外実施例1と同じ方法で長尺の蒸着フィルムを作製し、その任意の部分から切り出したそれぞれ5枚の試験片TP1に対して、実施例1と同じ方法で光透過率及び表面抵抗を測定した。全試験片TP1の平均光透過率は155であり、平均表面抵抗は52Ω/□であった。長尺の蒸着フィルムの任意の部分から切り出した20枚の試験片TP2552mm×47mmの各々に対して実施例1と同じ方法で01~6GHzの周波数範囲における反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、上記式により01~6GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtpを求めた。熱処理していない20枚の試験片TP2の伝送減衰率Rtpの最高値及び最低値を比較例2として図8に示す。次に、長尺の蒸着フィルムの任意の部分からA4サイズ210mm×297mmのサンプルSを20枚切り取り、実施例1と同じ方法で150°Cで30分間熱処理を行った。熱処理による熱収縮は約1であった。熱処理した各サンプルSから切り出した10cm×10cmの5枚の試験片TP1に対して、実施例1と同じ方法で光透過率及び表面抵抗を測定した。熱処理した試験片TP1の平均光透過率は152であり、平均表面抵抗は48Ω/□であった。熱処理した20枚の蒸着フィルムサンプルSの各々から切り取った試験片TP2552mm×47mmに対して実施例1と同じ方法で01~6GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtpを求めた。熱処理した20枚の試験片TP2の伝送減衰率Rtpの最高値及び最低値を実施例2として図8に示す。実施例2の20枚の試験片TP2熱処理あり及び比較例2の20枚の試験片TP2熱処理なしの6GHzにおける伝送減衰率Rtpの分布をそれぞれ図9及び図9に示す。図8及び図9から明らかなように、熱処理した蒸着フィルムからなる実施例2の試験片のRtpは熱処理していない蒸着フィルムからなる比較例2の試験片のRtpより高いだけでなく、その分布も狭かったバラツキも小さかった。実施例3、比較例3Ni薄膜2の目標光透過率波長660nmを28とした以外実施例1と同じ方法で長尺の蒸着フィルムを作製し、その任意の部分から切り出したそれぞれ5枚の試験片TP1に対して、実施例1と同じ方法で光透過率及び表面抵抗を測定した。全試験片TP1の平均光透過率は270であり、平均表面抵抗は107Ω/□であった。長尺の蒸着フィルムの任意の部分から切り出した20枚の試験片TP2552mm×47mmの各々に対して実施例1と同じ方法で01~6GHzの周波数範囲における反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、上記式により01~6GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtpを求めた。熱処理していない20枚の試験片TP2の伝送減衰率Rtpの最高値及び最低値を比較例3として図10に示す。次に、長尺の蒸着フィルムの任意の部分からA4サイズ210mm×297mmのサンプルSを20枚切り取り、実施例1と同じ方法で150°Cで30分間熱処理を行った。熱処理による熱収縮は約1であった。熱処理した各サンプルSから切り出した10cm×10cmの5枚の試験片TP1に対して、実施例1と同じ方法で光透過率及び表面抵抗を測定した。熱処理した試験片TP1の平均光透過率は265であり、平均表面抵抗は99Ω/□であった。熱処理した20枚の蒸着フィルムサンプルSの各々から切り取った試験片TP2552mm×47mmに対して実施例1と同じ方法で01~6GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtpを求めた。熱処理した20枚の試験片TP2の伝送減衰率Rtpの最高値及び最低値を実施例3として図10に示す。実施例3の20枚の試験片TP2熱処理あり及び比較例3の20枚の試験片TP2熱処理なしの6GHzにおける伝送減衰率Rtpの分布をそれぞれ図11及び図11に示す。図10及び図11から明らかなように、熱処理した蒸着フィルムからなる実施例3の試験片のRtpは熱処理していない蒸着フィルムからなる比較例3の試験片のRtpより高いだけでなく、その分布も狭かったバラツキも小さかった。実施例4、比較例4Ni薄膜2の目標光透過率波長660nmを48とした以外実施例1と同じ方法で長尺の蒸着フィルムを作製し、その任意の部分から切り出したそれぞれ5枚の試験片TP1に対して、実施例1と同じ方法で光透過率及び表面抵抗を測定した。全試験片TP1の平均光透過率は475であり、平均表面抵抗は217Ω/□であった。長尺の蒸着フィルムの任意の部分から切り出した20枚の試験片TP2552mm×47mmの各々に対して実施例1と同じ方法で01~6GHzの周波数範囲における反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、上記式により01~6GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtpを求めた。熱処理していない20枚の試験片TP2の伝送減衰率Rtpの最高値及び最低値を比較例4として図12に示す。次に、長尺の蒸着フィルムの任意の部分からA4サイズ210mm×297mmのサンプルSを20枚切り取り、実施例1と同じ方法で150°Cで30分間熱処理を行った。熱処理による熱収縮は約1であった。熱処理した各サンプルSから切り出した10cm×10cmの5枚の試験片TP1に対して、実施例1と同じ方法で光透過率及び表面抵抗を測定した。熱処理した試験片TP1の平均光透過率は465であり、平均表面抵抗は185Ω/□であった。熱処理した20枚の蒸着フィルムサンプルSの各々から切り取った試験片TP2552mm×47mmに対して実施例1と同じ方法で01~6GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtpを求めた。熱処理した20枚の試験片TP2の伝送減衰率Rtpの最高値及び最低値を実施例4として図12に示す。実施例4の20枚の試験片TP2熱処理あり及び比較例4の20枚の試験片TP2熱処理なしの6GHzにおける伝送減衰率Rtpの分布をそれぞれ図13及び図13に示す。図12及び図13から明らかなように、熱処理した蒸着フィルムからなる実施例4の試験片のRtpは熱処理していない蒸着フィルムからなる比較例4の試験片のRtpより高いだけでなく、その分布も狭かったバラツキも小さかった。熱処理した蒸着フィルムからなる実施例4の試験片TP2を、図4及び図4に示すシステムのマイクロストリップラインMSLに粘着剤により貼付し、反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定し、上記3の方法によりノイズ吸収率PlossPinを求めた。結果を図14に示す。図14から明らかなように、実施例4の試験片TP2は01~6GHzの周波数範囲において良好なノイズ吸収率PlossPinを示した。比較例5Ni薄膜2の目標光透過率波長660nmを03とした以外比較例1と同様に長尺の蒸着フィルムを作製し、その任意の部分から切り出したそれぞれ5枚の試験片TP1に対して、実施例1と同じ方法で光透過率及び表面抵抗を測定した。全試験片TP1の平均光透過率は03であり、平均表面抵抗は38Ω/□であった。また長尺の蒸着フィルムの任意の部分からA4サイズ210mm×297mmのサンプルSを1枚切り取り、伝送減衰率Rtpを測定した。結果を図15に示す。同じサンプルSに対して実施例1と同じ方法で150°Cで30分間熱処理を行った後、実施例1と同じ方法で光透過率、表面抵抗を測定した。平均光透過率は03であり、平均表面抵抗は37Ω/□であった。さらに熱処理したサンプルSから切り出した試験片TP2552mm×47mmに対して実施例1と同じ方法で01~6GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtpを求めた。結果を図15に示す。図15から明らかなように、光透過率が03のNi蒸着フィルムでは、熱処理の有無にかかわらず01~6GHzの周波数範囲での伝送減衰率Rtpが不十分であった。比較例6Ni薄膜2の目標光透過率波長660nmを60とした以外比較例1と同様に長尺の蒸着フィルムを作製し、その任意の部分から切り出したそれぞれ5枚の試験片TP1に対して、実施例1と同じ方法で光透過率及び表面抵抗を測定した。全試験片TP1の平均光透過率は605であり、平均表面抵抗は390Ω/□であった。長尺の蒸着フィルムの任意の部分から切り出した20枚の試験片TP2552mm×47mmの各々に対して実施例1と同じ方法で01~6GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtpを求めた。熱処理していない20枚の試験片TP2の伝送減衰率Rtpの最高値及び最低値を図16に示す。次に、長尺の蒸着フィルムの任意の部分からA4サイズ210mm×297mmのサンプルSを20枚切り取り、実施例1と同じ方法で150°Cで30分間熱処理を行った。熱処理による熱収縮は約1であった。熱処理した各サンプルSから切り出した10cm×10cmの5枚の試験片TP1に対して、実施例1と同じ方法で光透過率及び表面抵抗を測定した。熱処理した試験片TP1の平均光透過率は590であり、平均表面抵抗は350Ω/□であった。熱処理した20枚の蒸着フィルムサンプルSの各々から切り取った試験片TP2552mm×47mmに対して実施例1と同じ方法で01~6GHzの周波数範囲における伝送減衰率Rtpを求めた。熱処理した20枚の試験片TP2の伝送減衰率Rtpの最高値及び最低値を図16に示す。図16から明らかなように、光透過率が約60のNi蒸着フィルムでは、熱処理の有無にかかわらず01~6GHzの周波数範囲での伝送減衰率Rtpが不十分であった。実施例1~4の試験片150°Cで30分間の熱処理あり及び比較例1~6の試験片の光透過率及び表面抵抗、並びに6GHzにおける平均伝送減衰率Rtp、及び平均ノイズ吸収率PlossPinを表1に示す。実施例5比較例2の蒸着フィルム光透過率:155に対して80°C、110°C、120°C、150°C、170°C及び190°Cの各温度で30分間の熱処理を行った。実施例1と同じ方法で長尺の蒸着フィルムの任意の部分から切り出した20枚の試験片TP2552mm×47mmの各々に対して、伝送減衰率Rtpを測定した。各熱処理温度での試験片の伝送減衰率Rtpの範囲及び平均値を表2に示す。表2から明らかなように、110°C~170°Cの熱処理温度では、得られるノイズ抑制フィルムの伝送減衰率Rtpは大きく、かつその範囲は狭かったバラツキは小さかった。これに対して、80°Cの熱処理温度では、伝送減衰率Rtpの向上効果は不十分であり、また180°Cを超える190°Cの熱処理温度では、伝送減衰率Rtpが低下するのみならず、PETフィルムのような汎用樹脂のフィルムを使用できないという問題も生じた。"