"発光ダイオードと、前記発光ダイオードの温度が上昇すると抵抗値が非線形に減少する変化特性のサーミスタと、前記サーミスタの温度に応じた抵抗値の変化特性を線形化するための抵抗器と、前記発光ダイオード、前記サーミスタ及び前記抵抗器を配置するための基板とを備え、前記発光ダイオードと前記サーミスタと前記抵抗器とは、電源に対して並列に接続され、前記サーミスタは、前記発光ダイオードの温度と同じ温度となるように配置され、前記抵抗器の抵抗値は、前記発光ダイオードの抵抗値の数倍から数十倍に設定されると共に、前記発光ダイオードに前記電源から電流が加えられて熱が発生する前の前記サーミスタの抵抗値の数分の一に設定されていることを特徴とする発光ダイオード装置。請求項1に記載の発光ダイオード装置において、前記サーミスタは、前記発光ダイオードに近接して配置され、又は前記発光ダイオードの熱を前記サーミスタに伝達する部材を介して配置されていることを特徴とする発光ダイオード装置。請求項1又は2に記載の発光ダイオード装置において、前記抵抗器は、前記基板との間に断熱空間を備えた抵抗部と、他に接続する接続部とで構成されていることを特徴とする発光ダイオード装置。しかしながら、特許文献1に記載の発光ダイオード装置では、温度制御部のような回路を別途設ける必要があり、装置の複雑化及び大型化の要因となっている。そこで、本発明は、上記温度制御部のような温度制御用の回路を別途設けることなく、発光ダイオードの温度に応じて適切な電流を加えることができる発光ダイオード装置を提供することを目的とする。本発明の発光ダイオード装置は、発光ダイオードと、発光ダイオードの温度が上昇すると抵抗値が非線形に減少する変化特性のサーミスタと、サーミスタの温度に応じた抵抗値の変化特性を線形化するための抵抗器と、発光ダイオード、サーミスタ及び抵抗器を配置するための基板とを備え、発光ダイオードとサーミスタと抵抗器とは、電源に対して並列に接続され、サーミスタは、発光ダイオードの温度と同じ温度となるように配置され、抵抗器の抵抗値は、発光ダイオードの抵抗値の数倍から数十倍に設定されると共に、発光ダイオードに電源から電流が加えられて熱が発生する前のサーミスタの抵抗値の数分の一に設定されていることを特徴とする。本発明によれば、温度が上昇すると抵抗値が減少するサーミスタが発光ダイオードの温度と同じ温度となるように配置されているので、発光ダイオードが発光することで温度が上昇すると、サーミスタの抵抗値が減少する。また、抵抗器がサーミスタの温度に対する抵抗値の変化特性を線形化するので、サーミスタと抵抗器との合成抵抗値が、発光ダイオードの温度上昇に応じて線形に減少する。発光ダイオードとサーミスタと抵抗器とは電源に対して並列に接続されているので、発光ダイオードの温度が上昇する前に比べて、上昇後は発光ダイオードの抵抗値に対するサーミスタと抵抗器との合成抵抗値の割合が増加する。このため、発光ダイオードの温度が上昇した場合には、上昇する前に比べて発光ダイオードに加えられる電流が減少する。従って、発光ダイオードの温度が上昇した場合には、発光ダイオードに加えられる電流が減少するため、発光ダイオードの更なる発熱が抑制される。また、抵抗器の抵抗値は、発光ダイオードに電源から電流が加えられることで熱が発生する前のサーミスタの抵抗値の数分の一に設定されている。発光ダイオードとサーミスタと抵抗器との各素子は並列に接続されているので、各素子に加えられる電流は、各素子の抵抗値に反比例する。従って、発光ダイオードの発熱前には、サーミスタに加えられる電流は小さくなり、その分発光ダイオードに加えられる電流が大きくなる。また、抵抗器の抵抗値は、発光ダイオードの抵抗値の数倍から数十倍に設定されているので、発光ダイオードが発熱してサーミスタの温度も上昇することでサーミスタの抵抗値が減少した場合であっても、発光ダイオードに損傷を与えるほどの大きな電流が加えられることを防止できる。このように、発光ダイオードの温度が上昇する前は、発光ダイオードを充分に発光させることができる電流が加えられ、発光ダイオードの温度が上昇した後は、発光ダイオードに加えられる電流が減少して発光ダイオードの発熱を抑制し、発光ダイオードの損傷を防止できる。従って、前述の温度制御部のような回路を別途設けることなく、発光ダイオードの温度に応じて適切な電流を加えることができる。ここで、同じ温度とは、全く同じ温度である必要はなく、発熱による発光ダイオードの損傷を抑制可能な程度の差があってもよい。本発明において、サーミスタは、発光ダイオードに近接して配置され、又は発光ダイオードの熱をサーミスタに伝達する部材を介して配置されることが好ましい。サーミスタを、発光ダイオードに近接して配置するか、又は発光ダイオードの熱をサーミスタに伝達する部材を介して配置することで、サーミスタと発光ダイオードとの温度の差を小さくすることができる。本発明において、抵抗器は抵抗部と接続部とで構成され、抵抗部と基板との間に断熱空間が設けられることが好ましい。これにより、発光ダイオードの熱が抵抗器に伝達されにくくなり、抵抗器の抵抗値が温度変化によって変化し難くなる。このため、サーミスタと抵抗器との合成抵抗値の理論値と実際値との誤差を少なくできる。図1から図6を参照して、本発明の実施形態の発光ダイオード装置の構成について説明する。本実施形態の発光ダイオード装置1は、電流が加えられることで発光する発光ダイオード2と、サーミスタ3と、抵抗器4と、多層基板5とを備える。発光ダイオード2は、実使用領域の電流の範囲が0.02~1[A]程度、抵抗値が0.1~3[Ω]の一般的な発光ダイオードを使用する。本実施形態では、発光ダイオード2として、抵抗値RLが1[Ω]の発光ダイオードを使用している。サーミスタ3は、温度が上昇すると抵抗値が小さくなる負の温度特性を持つ所謂NTCサーミスタNegativeTemperatureCoefficientThermistorである。サーミスタ3は、温度の変化に対して抵抗値が非線形に変化する。詳細には、サーミスタ3は、図6aに示されるように、下に凸の変化特性となっている。ここで、図6aの横軸は温度T、縦軸はサーミスタ3の抵抗値RTを示す。サーミスタ3の抵抗値RTは、図6aに示されるように、温度Tが0°のとき72[Ω]、温度Tが30°のとき18[Ω]、温度Tが60°のとき5[Ω]となる。抵抗器4は、抵抗部4aと接続部4bとで構成されている。抵抗部4aは、熱の影響によって抵抗値が変化し難い材料で構成されている。接続部4bは、所謂リード線又は金属端子で構成されており、多層基板5上の電極等に半田付けされることで、抵抗部4aに電流が加えられる。本実施形態では、抵抗器4として、抵抗値Rrが14.2[Ω]の抵抗を使用している。多層基板5は、セラミックで形成された基板を積層して多層構造に形成されている。セラミックの材料は、酸化アルミニウムAl2O3又は窒化アルミニウムAlNが使用される。また、多層基板5は、中間層51と上部層52と下部層53とで構成される。中間層51は、下部層53の上側図2の上方向に積層されており、中間層51の上側図2の上方向には上部層52が積層されている。中間層51には、発光ダイオード2、サーミスタ3、抵抗器4が実装される。詳細には、中間層51の上側表面に発光ダイオード2及び抵抗器4が実装され、中間層51の下側表面にサーミスタ3が実装される。中間層51の上側表面及び下側表面に実装される発光ダイオード2、サーミスタ3及び抵抗器4を避けるように、上部層52及び下部層53にはキャビティ空間52a,52b,53aが形成されている。詳細には上部層52のキャビティ52a内には発光ダイオード2が配置され、上部層52のキャビティ52b内には抵抗器4が配置され、下部層53のキャビティ53a内にはサーミスタ3が配置され、それぞれが中間層51の表面上に実装されている。中間層51及び下部層53には、多数のビア貫通孔が設けられている。詳細には、中間層51には、放熱をするための放熱ビア51aが複数設けられていると共に、発光ダイオード2に通電するための電極ビア51b,51c及び抵抗器4に通電するための電極ビア51e,51fが設けられている。サーミスタ3に通電するための電極ビア図示省略等の複数の電極ビアが設けられている。また、下部層53には、放熱をするための放熱ビア53bが複数設けられている。これらの放熱ビア51a,53bの内部には、モリブデン又はタングステン等の熱伝導率の高い材料が充填されている。また、下部層53の下側表面には電極部材6a,6bが接着されており、外部の回路図示省略から電圧が加えられ、発光ダイオード2の発光が可能となる。電極部材6a,6bと発光ダイオード2、サーミスタ3及び抵抗器4との配線は省略する。中間層51の発光ダイオード2の下側の面にも放熱ビア51aが設けられており、発光ダイオード2が発光することで発生した熱が、放熱ビア51aを介して中間層51の逆側この場合には下側の面に伝達される。サーミスタ3の温度が発光ダイオード2と同じ温度になるように、この逆側の面の放熱ビア51aの下側にサーミスタ3が実装されている。このようにして、サーミスタ3には、発光ダイオード2の発生した熱が効率良く伝達され、サーミスタ3の温度が発光ダイオード2と同じ温度になる。本実施形態の放熱ビア51aに充填されたモリブデン又はタングステン等が、本発明における発光ダイオードの熱をサーミスタに伝達する部材に相当する。また、本実施形態では、サーミスタ3は、発光ダイオード2に対して中間層51を介して配置されているが、発光ダイオード2の熱が充分に伝達できるという点では、発光ダイオードに近接して配置されているものである。なお、サーミスタ3を発光ダイオード2と同じ側の面、例えば中間層51の上側の面に近接して実装してもよい。発光ダイオード2は、融点が300°程度の金錫AuSnで中間層51に接合され、その後、サーミスタ3が融点が230°程度のSnAgCu系の無鉛半田で中間層51に接合される。抵抗器4は、発光ダイオード2の発光によって発生する熱の影響を少なくするために、発光ダイオード2とは離れた場所に実装されている。また、抵抗器4は、中間層51から伝達される熱を少なくするために、中間層51との間に空間7を設けるように実装されている。更に、抵抗器4の付近の中間層51には、発光ダイオード2の熱の影響を少なくするために、ガラス51dを充填している。これらによって、抵抗器4が発光ダイオード2の熱の影響を少なくでき、抵抗器4の抵抗値Rrを一定に保つことができる。図5に示されるように、発光ダイオード2とサーミスタ3と抵抗器4とは、電源図示省略に対して並列に接続されている。また、図1~図4では省略しているが、発光ダイオード2とサーミスタ3と抵抗器4との並列回路に加えられる電圧を制限するための制限抵抗器41が電源にこれらの並列回路に対して直列に接続されている。制限抵抗器41は、抵抗器4と同様に、中間層51の表面上に実装され、制限抵抗器41を配置するための空間を形成するために、上部層52又は下部層53にはキャビティ図示省略が設けられている。電源は定電圧回路図示省略を介して電圧が加えられており、このときの電圧は13.5[V]に設定されている。図6aに示されるように、サーミスタ3の温度変化に対する抵抗値RTの変化は下に凸の非線形の特性を有する。このため抵抗器4を接続せずに、発光ダイオード2とサーミスタ3とを電源に対して並列に接続した場合には、低温時、特に30°よりも低い温度では、サーミスタ3の抵抗値RTの減少が著しく、この減少に応じて発光ダイオード2に加えられる電流ILも著しく減少する。この場合には、発光ダイオード2の輝度を高く保つことができる温度の範囲が狭いため、発光ダイオード2の性能を充分に発揮できない。そこで、低温時における発光ダイオード2に加えられる電流ILの著しい減少を抑制するために、発光ダイオード2とサーミスタ3とに抵抗器4を加えている。すなわち、図6bに示されるように、サーミスタ3と抵抗器4との合成抵抗値RTRが温度Tの増加に対して線形に減少するように、電源に対して発光ダイオード2とサーミスタ3と抵抗器4とを並列に接続する。なお、線形とは直線である必要はなく多少の誤差があってもよい。ここで、図6bの横軸は温度T、縦軸はサーミスタ3と抵抗器4との合成抵抗値RTRを示す。合成抵抗値RTRは、図6bに示されるように、温度Tが0°のとき11.9[Ω]、温度Tが30°のとき7.9[Ω]、温度Tが60°のとき4[Ω]となる。サーミスタ3と抵抗器4との合成抵抗値RTRの変化が温度変化に対して略線形となるので、図6cに示されるように、発光ダイオード2に加えられる電流ILの温度変化に対する変化も略線形となる。このため、抵抗器4を接続しない場合のように、発光ダイオード2に加えられる電流ILの著しい減少を防止でき、発光ダイオード2の輝度を不要に下げることを防止できる。これによって発光ダイオード2の性能を充分に発揮できる。ここで、図6cの横軸は温度T、縦軸は発光ダイオード2に加えられる電流ILを示す。なお、抵抗器4の抵抗値Rrは、サーミスタ3を使用する温度範囲を0°~60°として、この温度範囲内でサーミスタ3と抵抗器4との合成抵抗値RTRの変化が温度変化に対して線形になるように決定している。詳細には、下限温度0°のときのサーミスタ3の抵抗値RT1と、上限温度60°のときのサーミスタ3の抵抗値RT2と、下限温度0°及び上限温度60°の中間の温度30°のときのサーミスタ3の抵抗値RT3とからRr=RT1×RT2RT2×RT3-2×RT1×RT3RT1RT3-2×RT2として、抵抗器4の抵抗値Rrを決定している。抵抗器4の抵抗値Rrは、発光ダイオード2の抵抗値RLの数倍から数十倍であると共に、発光ダイオード2に電流ILが加えられることで熱が発生する前、すなわち、下限温度0°のときのサーミスタ3の抵抗値RTの数分の一に設定するとよい。本実施形態では上述のように、抵抗器4の抵抗値Rrは14.2[Ω]、下限温度0°のときのサーミスタ3の抵抗値RTは72[Ω]、発光ダイオード2の抵抗値RLは1.0[Ω]としている。発光ダイオード2とサーミスタ3と抵抗器4との各素子は並列に接続されているため、各素子2,3,4に加えられる電流は、各素子の抵抗値RL,RT,Rrに反比例する。従って、発光ダイオードの温度Tが下限温度0°のときのサーミスタ3の抵抗値RT72[Ω]は、抵抗器4の抵抗値Rr14.2[Ω]に比べて大きいので、サーミスタ3に加えられる電流は小さくなり、その分発光ダイオード2に加えられる電流ILが大きくなるIL=0.403[A]。また、発光ダイオード2が発熱してサーミスタ3の温度が上昇例えば60°することでサーミスタ3の抵抗値RT5[Ω]が減少した場合であっても、抵抗器4の抵抗値Rr14.2[Ω]は、発光ダイオード2の抵抗値RL1[Ω]に比べて大きいので、発光ダイオード2に損傷を与えるほどの大きな電流ILが加えられることを防止できる。以上のように、本実施形態の発光ダイオード装置1では、発光ダイオード2の温度が上昇する前は、発光ダイオード2の性能に応じた発光が充分にできる電流ILが加えられ、発光ダイオード2の温度が上昇した後は、発光ダイオード2に加えられる電流ILが減少して発光ダイオード2の発熱を抑制し、発光ダイオード2の損傷を防止できる。従って、前述した温度制御部のような回路を別途設けることなく、発光ダイオード2の温度に応じて適切な電流ILを加えることができる。また、本実施形態の発光ダイオード装置1では、サーミスタ3は、熱を伝達する部材として、放熱ビア51aに充填されたモリブデン又はタングステン等及びセラミックで形成された中間層51を介して、発光ダイオード2に近接して配置されている。これにより、サーミスタ3の温度と発光ダイオード2の温度との差を小さくすることができ、発光ダイオード2の温度が発光ダイオード2を損傷させるほど高くなることを適切に防止できる。また、本実施形態の発光ダイオード装置1では、抵抗器4の抵抗部4aは、基板としての中間層51との間に空間が設けられている。これによって、発光ダイオード2の熱が抵抗器4に伝達されにくくなり、抵抗器4の抵抗値Rrが温度変化によって変化し難くなる。このため、サーミスタと抵抗器との合成抵抗値の理論値と実際値との誤差を少なくできる。更に、抵抗器4の付近の中間層51にはガラス51dが充填されている。これによって、抵抗器4に伝達される発光ダイオード2の熱の伝達を更に抑制できる。なお、本実施形態では、多層基板としてセラミック基板で構成しているが、これに限らずガラスエポキシ基板で構成してもよい。この場合、発光ダイオード2の温度とサーミスタ3の温度とを同じにするために、発光ダイオード2の電極とサーミスタ3の電極とを同一の厚銅箔上に実装する。この場合、Auバンプ接合による接合を行なうことが望ましい。また、本実施形態では、発光ダイオード2に電流を加えるために定電圧回路を利用して一定の電圧を、発光ダイオード2、サーミスタ3、抵抗器4及び制限抵抗器41で構成される回路に加えたが、定電流回路を利用して一定の電流を加えるようにしてもよい。この場合には、制限抵抗器41に加えられる電流と、発光ダイオード2、サーミスタ3及び抵抗器4によって構成される並列回路全体に加えられる電流とは同じになるので、制限抵抗器41は不要となる。これによっても、温度制御部のような回路を別途設けることなく、発光ダイオード2の温度に応じて適切な電流ILを加えることができるという効果が得られる。また、本実施形態では、発光ダイオード2、サーミスタ3、抵抗器4及び制限抵抗器41の抵抗値を上述した値のものを使用しているが、これに限らない。発光ダイオード2の発熱前に充分な輝度が得られるような電流を発光ダイオード2に加えることができると共に、発光ダイオード2の発熱時には発光ダイオード2に加えられる電流を減少させ、発光ダイオード2の損傷が防止できる抵抗値であればよい。また、電圧値及び電流値も、本実施形態での値は一例であり、この値に限られるものではない。また、本実施形態では、抵抗器4の抵抗部4aと基板としての中間層51との間に空間7が設けられて実装されたディスクリートタイプの抵抗器を用いたが、これに限定されず、リード線がない面実装タイプのものであってもよい。また、多層基板5のように積層構造の基板である必要はない。例えば、図7に示されるように、一枚で形成された基板8上に、発光ダイオード2、サーミスタ3、抵抗器4及び制限抵抗器41が実装されていてもよい。詳細には、基板8の上側図7の上方向の表面上に、発光ダイオード2と抵抗器4が実装されている。抵抗器4は、発光ダイオード2の熱の影響を抑制するために発光ダイオード2から遠くに配置されている。同様に、制限抵抗器41も基板8の上側に実装されている図示省略。また、基板8の下側図7の下方向の表面上にサーミスタ3が実装されている。基板8は、本実施形態の多層基板5と同様にセラミック基板で構成してもよく、又はガラスエポキシ基板で構成してもよい。基板8の上側には、発光ダイオード2の光が透過できるように、透明な樹脂でレンズ状に形成された透光性レンズ9が、発光ダイオード2及び抵抗器4を覆うように接合されている。発光ダイオード2、サーミスタ3、抵抗器4及び制限抵抗器41は、基板8上の配線パターン図示省略及び電極ビア図示省略等を介して電気的に接続されている。発光ダイオード2、サーミスタ3、抵抗器4及び制限抵抗器41の電気的な配線については、本実施形態の図5に示されるものと同じである。このような構成であっても、温度制御部のような回路を別途設けることなく、発光ダイオード2の温度に応じて適切な電流ILを加えることができるという効果が得られる。"