表面にポーラスアルミナ層を有する型の製造方法であって、aアルミニウム基材と、前記アルミニウム基材の表面に堆積された純度が99.99質量以上であるアルミニウム膜とを有する型基材を用意する工程と、b前記工程aの後に、前記アルミニウム膜の表面を陽極酸化することによって、複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程と、c前記工程bの後に、前記ポーラスアルミナ層をエッチング液に接触させることによって、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の微細な凹部を拡大させる工程とを包含する、型の製造方法。前記工程bは、前記アルミニウム膜に、結晶粒間の空隙が存在する場合に、前記アルミニウム基材の前記表面のうち、前記結晶粒間の空隙の下に存在する部分を陽極酸化することにより、前記部分に陽極酸化膜を形成する工程を含む、請求項1に記載の型の製造方法。前記アルミニウム基材の表面は、バイト研削が施されている、請求項1または2に記載の型の製造方法。前記アルミニウム基材は、円筒状のアルミニウム管である、請求項1から3のいずれかに記載の型の製造方法。表面にポーラスアルミナ層を有する型の製造方法であって、a金属製の基材と、前記金属製の基材の表面に設けられた無機材料層と、前記無機材料層の上に堆積された純度が99.99質量以上であるアルミニウム膜とを有する型基材を用意する工程と、b前記工程aの後に、前記アルミニウム膜の表面を陽極酸化することによって、複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程と、c前記工程bの後に、前記ポーラスアルミナ層をエッチング液に接触させることによって、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の微細な凹部を拡大させる工程とを包含する、型の製造方法。前記金属製の基材はアルミニウム基材である、請求項5に記載の型の製造方法。前記工程bは、前記アルミニウム膜に結晶粒間の空隙が存在し、前記無機材料層にピンホールが存在し、前記結晶粒間の空隙と前記ピンホールとが厚さ方向に重なっている場合に、前記金属製の基材の前記表面のうち、前記結晶粒間の空隙および前記ピンホールの下に存在する部分を陽極酸化することにより、前記部分に陽極酸化膜を形成する工程を含む、請求項5または6に記載の型の製造方法。前記無機材料層の厚さは、500nm以上である、請求項5から7のいずれかに記載の型の製造方法。前記金属製の基材の表面は、バイト研削が施されている、請求項5から8のいずれかに記載の型の製造方法。前記金属製の基材は円筒状である、請求項5から9のいずれかに記載の型の製造方法。前記ポーラスアルミナ層は、表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが50nm以上500nm未満の複数の凹部を有し、d前記工程cの後に、さらに陽極酸化することによって、前記複数の微細な凹部を成長させる工程をさらに包含し、前記工程dの後に、前記工程cおよびdをさらに行う、請求項1から10のいずれかに記載の型の製造方法。請求項1から11のいずれかに記載の製造方法により作製された型であって、表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが50nm以上500nm未満である複数の微細な凹部を有する、反転されたモスアイ構造を表面に有するポーラスアルミナ層を有する、型。請求項12に記載の型と、被加工物とを用意する工程と、前記型と前記被加工物の表面との間に紫外線硬化樹脂を付与した状態で、前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射することによって前記紫外線硬化樹脂を硬化する工程とを包含する、反射防止膜の製造方法。本発明者は、バルクのアルミニウム円筒の表面を陽極酸化およびエッチングすることによってポーラスアルミナ層を形成し、モスアイ用型の作製を試みた。モスアイ用型の十分な剛性を得るために、不純物元素を含むアルミニウム円筒例えばJIS1050アルミニウムの純度99.50質量以上を用いると、反転されたモスアイ構造を形成する細孔直径数百nm程度に比べて大きなピット例えば直径1μm程度が形成されることがあった。ピットは、エッチング工程において、アルミニウム円筒の内部に存在する不純物とその周辺のアルミニウムとの間に局所電池反応が起こることにより形成される。局所電池反応に起因して、アルミニウムがアノード溶解することにより、ピットが形成される。この問題は、モスアイ用型に限らず、表面にポーラスアルミナ層を有する型に共通の問題である。本発明の主な目的は、ピットの形成を抑制できる、表面にポーラスアルミナ層を有する型の製造方法を提供することにある。本発明の型の製造方法は、表面にポーラスアルミナ層を有する型の製造方法であって、aアルミニウム基材と、前記アルミニウム基材の表面に堆積された純度が99.99質量以上であるアルミニウム膜とを有する型基材を用意する工程と、b前記工程aの後に、前記アルミニウム膜の表面を陽極酸化することによって、複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程と、c前記工程bの後に、前記ポーラスアルミナ層をエッチング液に接触させることによって、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の微細な凹部を拡大させる工程と、を包含する。ある実施形態において、前記工程bは、前記アルミニウム膜に、結晶粒間の空隙が存在する場合に、前記アルミニウム基材の前記表面のうち、前記結晶粒間の空隙の下に存在する部分を陽極酸化することにより、前記部分に陽極酸化膜を形成する工程を含む。ある実施形態において、前記アルミニウム基材の表面は、バイト研削が施されている。ある実施形態において、前記アルミニウム基材は、円筒状のアルミニウム管である。ある実施形態において、前記アルミニウム基材のアルミニウムの純度は、99.50質量以上99.99質量未満である。本発明の他の型の製造方法は、表面にポーラスアルミナ層を有する型の製造方法であって、a金属製の基材と、前記金属製の基材の表面に設けられた無機材料層と、前記無機材料層の上に堆積された純度が99.99質量以上であるアルミニウム膜とを有する型基材を用意する工程と、b前記工程aの後に、前記アルミニウム膜の表面を陽極酸化することによって、複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程と、c前記工程bの後に、前記ポーラスアルミナ層をエッチング液に接触させることによって、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の微細な凹部を拡大させる工程と、を包含する。ある実施形態において、前記金属製の基材はアルミニウム基材である。ある実施形態において、前記工程bは、前記アルミニウム膜に結晶粒間の空隙が存在し、前記無機材料層にピンホールが存在し、前記結晶粒間の空隙と前記ピンホールとが厚さ方向に重なっている場合に、前記金属製の基材の前記表面のうち、前記結晶粒間の空隙および前記ピンホールの下に存在する部分を陽極酸化することにより、前記部分に陽極酸化膜を形成する工程を含む。ある実施形態において、前記無機材料層の厚さは、500nm以上である。ある実施形態において、前記金属製の基材の表面は、バイト研削が施されている。ある実施形態において、前記金属製の基材は円筒状である。ある実施形態において、前記ポーラスアルミナ層は、表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが50nm以上500nm未満の複数の凹部を有し、d前記工程cの後に、さらに陽極酸化することによって、前記複数の微細な凹部を成長させる工程をさらに包含し、前記工程dの後に、前記工程cおよびdをさらに行う。本発明の型は、上記いずれかに記載の製造方法により作製された型であって、表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさが50nm以上500nm未満である複数の微細な凹部を有する、反転されたモスアイ構造を表面に有するポーラスアルミナ層を有する。本発明の反射防止膜の製造方法は、上記の型と、被加工物とを用意する工程と、前記型と前記被加工物の表面との間に紫外線硬化樹脂を付与した状態で、前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射することによって前記紫外線硬化樹脂を硬化する工程とを包含する。本発明によると、ピットの形成を抑制できる、表面にポーラスアルミナ層を有する型の製造方法が提供される。以下、図面を参照して、本発明による実施形態の型および型の製造方法を説明するが、本発明は例示する実施形態に限定されない。本発明による実施形態の型の製造方法では、アルミニウム基材と、アルミニウム基材の表面に堆積された純度が99.99質量以上であるアルミニウム膜とを有する型基材を用いて陽極酸化およびエッチングを行う。上記型基材を用いることにより、ピットの形成を抑制できる。ここで、型基材とは、型の製造工程において、陽極酸化およびエッチングされる対象をいう。また、アルミニウム基材とは、板状、円筒状、または円柱状の自己支持が可能なバルク状のアルミニウムをいう。本発明による実施形態の型の製造においては、十分な剛性を有する型を得るために、アルミニウム基材として、アルミニウムの純度が99.50質量以上99.99質量未満である、不純物を含むアルミニウム基材を用いる。堆積されたアルミニウム膜は、多数の結晶粒で構成されており、結晶粒間に空隙が存在する図4参照。本発明者の検討によると、結晶粒の大きさや空隙間の距離は、堆積条件によって変化するものの、空隙を無くすことはできなかった。したがって、アルミニウム基材の上に高純度のアルミニウム膜を堆積しても、結晶粒間の空隙からエッチング液が侵入し、ピットが形成されると考えていた。しかしながら、上記型基材を用いて陽極酸化およびエッチングを行うと、予想に反してピットが形成されなかった。これは、アルミニウム基材の不純物がアルミニウム膜の結晶粒間の空隙に露出している確率が十分に低かったためと考えられる。本発明による他の実施形態の型の製造方法では、型基材として、アルミニウム基材とアルミニウム膜との間に形成された無機材料層をさらに有する型基材を用いる。無機材料層はアルミニウム基材とアルミニウム膜とを絶縁する必要はなく、緻密な膜である必要はない。無機材料層をさらに有する型基材を用いて作製された型は、無機材料層をエッチストップ層として用いることができるので、後述するように容易にリワーク可能であるという利点を有する。以下、図1a~eを参照して、本発明による実施形態の型の製造方法を説明する。図1a~eは、本発明による実施形態の型の製造方法を説明するための模式的な断面図である。なお、本発明による実施形態の型の製造方法は、例えばモスアイ構造を有する反射防止膜を形成するために好適に用いられるモスアイ用型を製造する方法である。以下では、モスアイ用型を製造する場合を例に説明する。まず、図1aに示すように、アルミニウム基材12と、アルミニウム基材12の表面に堆積された純度が99.99質量以上であるアルミニウム膜18とを有する型基材10を用意する。例えば、アルミニウム基材12の表面に、真空蒸着法またはスパッタ法を用いて、厚さ1μmのアルミニウム膜18を形成した型基材10を用意する。アルミニウム基材12としては、アルミニウムの純度が99.50質量以上99.99質量未満である比較的剛性の高いアルミニウム基材を用いる。アルミニウム基材12に含まれる不純物としては、鉄Fe、ケイ素Si、銅Cu、マンガンMn、亜鉛Zn、ニッケルNi、チタンTi、鉛Pb、スズSnおよびマグネシウムMgからなる群から選択された少なくとも1つの元素を含むことが好ましく、特にMgが好ましい。エッチング工程におけるピット窪みが形成されるメカニズムは、局所的な電池反応であるので、理想的にはアルミニウムよりも貴な元素を全く含まず、卑な金属であるMg標準電極電位が-2.36Vを不純物元素として含むアルミニウム基材12を用いることが好ましい。アルミニウムよりも貴な元素の含有率が10ppm以下であれば、電気化学的な観点からは、当該元素を実質的に含んでいないと言える。Mgの含有率は、全体の0.1質量以上であることが好ましく、約3.0質量以下の範囲であることがさらに好ましい。Mgの含有率が0.1質量未満では十分な剛性が得られない。一方、含有率が大きくなると、Mgの偏析が起こり易くなる。モスアイ用型を形成する表面付近に偏析が生じても電気化学的には問題とならないが、Mgはアルミニウムとは異なる形態の陽極酸化膜を形成するので、不良の原因となる。不純物元素の含有率は、アルミニウム基材12の形状、厚さおよび大きさに応じて、必要とされる剛性に応じて適宜設定すればよい。例えば圧延加工によって板状のアルミニウム基材12を作製する場合には、Mgの含有率は約3.0質量が適当であるし、押出加工によって円筒などの立体構造を有するアルミニウム基材12を作製する場合には、Mgの含有率は2.0質量以下であることが好ましい。Mgの含有率が2.0質量を超えると、一般に押出加工性が低下する。本実施形態においては、アルミニウム基材12として、例えば、JIS1050、Al-Mg系合金例えばJIS5052、またはAl-Mg-Si系合金例えばJIS6063で形成された円筒状のアルミニウム管を用いる。次に、図1bに示すように、アルミニウム膜18の表面18sを陽極酸化することによって、複数の細孔14p微細な凹部を有するポーラスアルミナ層14を形成する。ポーラスアルミナ層14は、細孔14pを有するポーラス層と、バリア層とを有している。ポーラスアルミナ層14は、例えば、酸性の電解液中で表面18sを陽極酸化することによって形成される。ポーラスアルミナ層14を形成する工程で用いられる電解液は、例えば、シュウ酸、酒石酸、燐酸、クロム酸、クエン酸、リンゴ酸からなる群から選択される酸を含む水溶液である。例えば、後述する実施例1のように、アルミニウム膜18の表面18sを、シュウ酸水溶液濃度0.3wt、液温5°Cを用いて、印加電圧80Vで55秒間陽極酸化を行うことにより、ポーラスアルミナ層14を形成する。次に、図1cに示すように、ポーラスアルミナ層14をアルミナのエッチャントに接触させることによって所定の量だけエッチングすることにより細孔14pの孔径を拡大する。エッチング液の種類濃度、およびエッチング時間を調整することによって、エッチング量すなわち、細孔14pの大きさおよび深さを制御することができる。エッチング液としては、例えば10質量の燐酸や、蟻酸、酢酸、クエン酸などの有機酸の水溶液やクロム燐酸混合水溶液を用いることができる。例えば、後述する実施例1のように、燐酸1mol/Lリットル、30°Cを用いて20分間エッチングを行う。次に、図1dに示すように、再び、アルミニウム膜18を部分的に陽極酸化することにより、細孔14pを深さ方向に成長させるとともにポーラスアルミナ層14を厚くする。ここで細孔14pの成長は、既に形成されている細孔14pの底部から始まるので、細孔14pの側面は階段状になる。さらにこの後、必要に応じて、ポーラスアルミナ層14をアルミナのエッチャントに接触させることによってさらにエッチングすることにより細孔14pの孔径をさらに拡大する。エッチング液としては、ここでも上述したエッチング液を用いることが好ましく、現実的には、同じエッチング浴を用いればよい。このように、上述した陽極酸化工程およびエッチング工程を交互に複数回例えば5回:陽極酸化を5回とエッチングを4回繰り返すことによって、図1eに示すように、所望の凹凸形状を有するポーラスアルミナ層14を有するモスアイ用型100が得られる。以下、本発明による実施形態のモスアイ用型の製造方法により、上記のピットの形成が抑制できることを説明する。まず、上述した不純物元素を含むアルミニウム基材の表面を陽極酸化およびエッチングすると、細孔14pより大きなピットが形成されるという問題を説明する。図2に、不純物元素を含むアルミニウム基材を用いて作製されたモスアイ用型の表面の走査型電子顕微鏡SEM像を示す。図2に示すモスアイ用型は、JIS1050のアルミニウム円筒の表面を直接陽極酸化およびエッチングして作製した。図2に示すように、得られたモスアイ用型の表面には、直径1μm前後のピット窪みが形成されており、ピットの間およびピットの内周面には複数の微細な凹部が形成されている。図3aに、不純物元素29を含むアルミニウム基材28を用いて、ポーラスアルミナ層陽極酸化層24を形成し、細孔24pを拡大するためのエッチング工程を行なった際に、細孔24pに比べて大きなピット窪み23が形成されている様子を模式的に示す。ピット23は、不純物元素29の近傍に形成される。ピット23は、図3bに示すように、局所電池反応によって形成されると考えられる。例えば不純物元素29として、Feを含む場合、Feの標準電極電位-0.44VはAlの標準電極電位-1.70Vよりも高いので、Feがカソードとなり、Alがエッチング液中にアノード溶解するガルバニック腐食ともいう。。本発明による実施形態のモスアイ用型の製造方法においては、以下に示すように局所電池反応が起こりにくいので、ピットの形成を抑制できる。図1aに示したアルミニウム膜18には、表面18sに結晶粒間の空隙が存在する。図4に、アルミニウム基材12の表面にスパッタ法により形成したアルミニウム膜18の表面のSEM像を示す。図4に示すように、アルミニウム膜18の表面には、結晶粒間に複数の空隙黒い点として観察されるが形成されている。型基材10をエッチング液に浸漬すると、結晶粒間の空隙からエッチング液が侵入する。局所電池反応は、標準電極電位が異なる金属例えば異種金属間で起こるものであるので、アルミニウム基材12の表面のうち、結晶粒間の空隙が存在する部分の下にある部分が、アルミニウムであれば、局所電池反応は起こらない。一方、アルミニウム基材12の表面のうち、結晶粒間の空隙が存在する部分の下にある部分に不純物が露出し、結晶粒間の空隙から侵入したエッチング液が不純物に接触すると、不純物とアルミニウム膜18との間で局所電池反応が起こる可能性がある。実施例を示して後述するように、本発明者が型基材10と同じ構成を有する型基材を用いて陽極酸化およびエッチングを行ったところ、ピットが形成されなかった。アルミニウム基材12の表面のうち空隙の下にある部分に不純物が露出している確率が十分に低かったと考えられる。その結果、不純物とアルミニウム膜18との間で局所電池反応が起きなかったと考えられる。従って、本発明による実施形態の型の製造方法においては、型基材10を用いることにより、局所電池反応を起こりにくくすることができるのでピットの形成を抑制できる。以下に示すように、アルミニウム基材12の表面のうち、結晶粒間の空隙の下にある部分には、陽極酸化工程において陽極酸化膜が形成されるので、局所電池反応が起こりにくい。図5aに示すように、アルミニウム膜18に、複数の結晶粒間の空隙18aおよび18bが存在し、アルミニウム基材12の表面のうち、空隙18bが存在する部分に不純物19例えばFeが存在すると、エッチング工程において、空隙18bからエッチング液が侵入し、不純物19と不純物19の周辺のアルミニウムとの間、または不純物19とアルミニウム膜18との間で局所電池反応が起こる可能性がある。陽極酸化工程においては、アルミニウム基材12の表面のうち、空隙18bの下に存在する部分は電解液に接触するので、陽極酸化され、図5bに示すように、陽極酸化膜14bが形成される。空隙18bにエッチング液が侵入したとしても、陽極酸化膜14bがエッチング液に溶解してしまうまでは、エッチング液が不純物19に接触しない。その結果、局所電池反応が起こりにくくなる。なお、陽極酸化膜14bは空隙18b内に形成されているので、陽極酸化膜14bのエッチングレートは比較的小さい。例えば、ポーラスアルミナ層14の表面に比べ、エッチングレートが小さい。従って、陽極酸化膜14bは比較的溶解されにくい。また、本発明による実施形態のモスアイ用型の製造方法では、以下に示すように、アルミニウム以外の金属製の基材52例えばステンレス鋼製の基材と、基材52の表面に形成されたアルミニウム膜58とを有する型基材50を用いてモスアイ用型を作製する場合に、酸素ガスに起因して発生する欠陥が生じない。図6に、アルミニウム以外の金属製の基材52ここではステンレス鋼製の基材と、基材52の表面に形成されたアルミニウム膜58とを有する型基材50を用いてモスアイ用型を作製する様子を模式的に示す。図6aは、型基材50の模式的な断面図である。アルミニウム膜58には、結晶粒間の空隙58aおよび58bが存在する。型基材50を用いた場合、陽極酸化工程において、電解液が空隙58aから侵入し、電解液が基材52に触れると、酸素ガスが爆発的に発生し、アルミニウム膜58に直径1mm程度の欠陥57が発生することがある図6b。この酸素は、水の電気分解に起因するものである。本発明による実施形態のモスアイ用型の製造方法では、アルミニウム基材12と、アルミニウム基材12の表面に形成されたアルミニウム膜18とを有する型基材10を用いているので、陽極酸化工程において、アルミニウム基材12に電解液が触れたとしても、水の電気分解で生ずる酸素は、アルミニウム基材12の表面のアルミニウムと結合するので、欠陥57図6bのような欠陥が生じない。なお、図6bには、型基材50の表面に形成されたピット53も併せて示している。型基材50を用いて陽極酸化およびエッチングを行うと、エッチング工程において空隙58bからエッチング液が侵入し、基材52とアルミニウム膜58との間で局所電池反応が起こることにより、図6bに示すように、ピット53が形成される。本発明による実施形態のモスアイ用型の製造方法においては、上述した理由から、型基材50を用いた場合に生じるピット53のようなピットが形成されない。アルミニウム基材12は、例えばステンレス鋼製の基材に比べて軽い。従って、型基材10は、比較的取り扱いが容易であるという利点もある。例えば、上記の陽極酸化工程およびエッチング工程を繰り返す作業を比較的簡単に行うことができる。特に、大面積の反射防止膜の製造に用いるためのモスアイ用型を製造するときは、型や型基材が大きくなるので、型基材10を用いると有利である。本発明による実施形態のモスアイ用型の製造方法によれば、アルミニウム基材の表面を直接陽極酸化およびエッチングすることによりモスアイ用型を作製する場合に比べ、細孔の直径や深さをむらのないように形成できる。本発明者がアルミニウム基材の表面を直接陽極酸化およびエッチングしたところ、ポーラスアルミナ層の細孔の直径や深さにむらが生じることがあった。細孔の直径や深さのむらは、アルミニウム基材の表面状態に起因すると考えられる。アルミニウム基材の表面には複数の結晶粒が存在する。図7に、アルミニウム基材の表面の光学顕微鏡像微分干渉像を示す。図7に示すように、アルミニウム基材の表面には複数の結晶粒が存在する。複数の結晶粒の直径は、数百μm~20mm程度である。アルミニウム基材の表面には、結晶粒ごとに異なる結晶面が露出している。図8に、アルミニウム基材の表面を陽極酸化およびエッチングして作製されたモスアイ用型後述する比較例1のモスアイ用型の表面の、アルミニウム基材の粒界が存在する部分のSEM像を示す。図8に示す範囲においては、アルミニウム基材の表面の中央に粒界が存在する。図8に示すように、粒界の左側と右側とを比較すると、粒界の左側に形成された細孔図8において、黒い小さな点として観察されるの直径は、右側に形成された細孔に比べ大きい。また、細孔の深さも粒界の左側と右側とで異なっていた。この原因は、以下のように考えられる。図9aに、アルミニウム基材62の断面を模式的に示し、図9bに、アルミニウム基材62の表面を陽極酸化およびエッチングすることにより作製したモスアイ用型300の断面を模式的に示す。図9aに示すように、アルミニウム基材62の表面には複数の結晶粒61a~61cが存在し、結晶粒ごとに異なる結晶面が露出している。結晶面が異なると表面の化学的性質が異なるので、結晶粒ごとに陽極酸化レートおよびエッチングレートが異なる。従って、図9bに示すように、結晶粒61a~61cの表面に、互いに直径または深さの異なる細孔が形成されると考えられる。すなわち、アルミニウム基材62の表面には陽極酸化レートおよびエッチングレートが異なる領域が存在することになるので、細孔の直径や深さにむらが生じたと考えられる。比較例1図8においては、結晶粒ごとに陽極酸化レートおよびエッチングレートが異なるので、図8に示すように、粒界の左側と右側とで直径や深さの異なる細孔が形成されたと考えられる。型基材10のアルミニウム膜18のように、堆積したアルミニウム膜の表面に存在する結晶粒はアルミニウム基材12の表面に存在する結晶粒に比べて小さく、アルミニウム膜18の表面18sに露出している結晶面は比較的ランダムになる。従って、細孔の直径や深さがランダムになるので、細孔の直径や深さのむらが目立たない。上記の細孔の直径や深さのむらは、アルミニウム基材の表面の研削痕や研磨痕が存在する部分と、それ以外の部分とにおいて化学的性質が異なることによっても発生する可能性があると考えられる。図10に、バフ研磨を施したアルミニウム基材の表面のうち、研磨痕が存在する部分のSEM像を示す。アルミニウム基材の表面には、図10に示すような、筋状の研磨痕が見られた。アルミニウム膜18の表面18sには、アルミニウム基材の表面のような研磨痕や研削痕が無い。従って、細孔の直径や深さのむらが生じにくい。なお、実施例を示して後述するように、アルミニウム基材12の表面はバイト研削が施されていると、上記の細孔の直径や深さのむらが抑制されるので好ましい。アルミニウム基材12の表面状態が悪い例えば、加工の痕研磨痕、研削痕がある。または、加工に用いた砥粒が残っている。と、アルミニウム基材の表面に堆積されたアルミニウム膜の表面に、アルミニウム基材の表面状態が反映された凹凸が形成される。アルミニウム膜の表面に凹凸が存在すると、凹凸に対応して陽極酸化レートおよびエッチングレートが異なるので、細孔の直径や深さのむらが発生しやすい。バイト研削が施されたアルミニウム基材は、例えばバフ研磨のように砥粒を用いた加工を施した基材に比べ、表面状態が良いので、細孔の直径や深さのむらを抑制できる。次に、図11を参照して、本発明による他の実施形態のモスアイ用型の製造方法を説明する。本実施形態のモスアイ用型の製造方法は、型基材として、アルミニウム基材12と、アルミニウム基材12の表面に形成された無機材料層16と、無機材料層16の上に堆積された純度が99.99質量以上であるアルミニウム膜18とを有する型基材10b図11aを用いる。本実施形態のモスアイ用型の製造方法は、型基材10図1aに代えて、アルミニウム基材12とアルミニウム膜18との間に設けられた無機材料層16をさらに有する型基材10bを用いる点で、図1を参照して上述した実施形態のモスアイ用型の製造方法と異なる。まず、図11aに示すように、アルミニウム基材12と、アルミニウム基材12の表面に形成された無機材料層16と、無機材料層16の上に堆積された純度が99.99質量以上であるアルミニウム膜18とを有する型基材10bを用意する。無機材料層16の材料としては、例えばSiO2またはTa2O5を用いることができる。無機材料層16は、例えばスパッタ法により形成することができる。次に、図11bに示すように、アルミニウム膜18の表面を陽極酸化することによって、複数の微細な凹部14pを有するポーラスアルミナ層14を形成する。次に、図11cに示すように、ポーラスアルミナ層14をエッチング液に接触させることによって、ポーラスアルミナ層14の複数の微細な凹部14pを拡大させる。次に、図11dに示すように、微細な凹部14pを深さ方向に成長させるとともにポーラスアルミナ層14を厚くし、さらに必要に応じて陽極酸化およびエッチングを繰り返すことにより、モスアイ用型100b図11eが得られる。本実施形態のモスアイ用型の製造方法では、図1を参照して上述した実施形態のモスアイ用型の製造方法と同様に、局所電池反応を起こりにくくすることができるので、ピットの形成が抑制される。無機材料層16にはピンホールが形成されやすい。特に比較的薄い無機材料層16を形成したときは、ピンホールが形成されやすい。アルミニウム膜18の結晶粒間の空隙とピンホールとが厚さ方向に重なっていると、結晶粒間の空隙とピンホールからエッチング液が侵入する。アルミニウム基材12の表面のうち、結晶粒間の空隙とピンホールとが重なっている部分の下にある部分に不純物が露出していると、侵入したエッチング液が不純物に接触し、不純物とアルミニウム膜18との間、または不純物と不純物周辺のアルミニウムとの間で局所電池反応が起こる可能性がある。上記のように、アルミニウム基材12の表面のうち、結晶粒間の空隙の下に存在する部分に不純物が露出している確率は十分に低いと考えられる。結晶粒間の空隙とピンホールとが重なっている部分の下に不純物が露出している確率はさらに低いと考えられるので、エッチング液が侵入しても、エッチング液が不純物に接触する可能性は低く、局所電池反応は起こりにくい。アルミニウム基材12の表面のうち、結晶粒間の空隙とピンホールとが重なっている部分の下にある部分は、陽極酸化工程において、電解液と接触する。従って、陽極酸化膜が形成されるので、陽極酸化膜が溶解してしまうまではエッチング液とアルミニウム基材12との接触が防止される。従って、局所電池反応が起こりにくい。図12aに示すように、アルミニウム膜18に結晶粒間の空隙18aおよび18bが存在し、無機材料層16にピンホール16pが存在し、結晶粒間の空隙18bとピンホール16pとが型基材10bの厚さ方向に重なっていると、アルミニウム基材12の表面の一部が露出する。アルミニウム基材12の表面のうち、結晶粒間の空隙18bとピンホール16pとが重なっている部分の下にある部分に不純物が存在すると、エッチング工程において、エッチング液が不純物に接触する。従って、局所電池反応が起こる可能性がある。陽極酸化工程において、アルミニウム基材12の露出している部分すなわち、ピンホール16pが存在する部分は、電解液に接触するので、陽極酸化され、図12bに示すように、この部分に陽極酸化膜14cが形成される。従って、エッチング工程においては、陽極酸化膜14cがエッチング液に溶解してしまうまでは、エッチング液が不純物19に接触しない。その結果、局所電池反応が起こりにくくなる。型100bは、無機材料層16をエッチストップ層として用いることができるので、リワークが比較的容易であるという利点を有する。まず、型100bをエッチング液例えば水酸化ナトリウム水溶液、濃度10、液温20°Cに浸漬し、アルミニウム膜18無機材料層16とポーラスアルミナ層14との間に残存するアルミニウム膜18図11eを溶解除去する。このとき、無機材料層16がエッチストップ層となるので、アルミニウム基材12は溶解されない。続いて、無機材料層16上に新たなアルミニウム膜を堆積し、アルミニウム膜の表面の陽極酸化を行うことにより、リワークできる。例えば、上述した型100図1eをリワークするときは、ポーラスアルミナ層14を削ることにより除去することとなる。型100bは、型100に比べ、容易にリワークが可能である。また、型100bは、アルミニウム基材12を交換することなく、何回でもリワークできるという利点がある。例えば、アルミニウム基材の表面を陽極酸化およびエッチングすることにより作製されたモスアイ用型は、表面のポーラスアルミナ層を削ることによりリワークを行うので、リワークを行うたびにアルミニウム基材が小さくなっていく。従って、リワークを行う回数に制限がある。無機材料層16の厚さは、500nm以上であることが好ましい。実施例を示して後述するように、無機材料層16の厚さが500nm以上であれば、アルミニウム基材12とアルミニウム膜18との間における絶縁性を得やすい。アルミニウム基材12とアルミニウム膜18との間が絶縁されれば、局所電池反応を起こりにくくすることができる。アルミニウム基材12の表面は、バイト研削が施されていることが好ましい。アルミニウム基材12の表面に、例えば砥粒が残っていると、砥粒が存在する部分において、アルミニウム膜18とアルミニウム基材12との間で導通しやすくなる。砥粒以外にも、凹凸が存在するところでは、アルミニウム膜18とアルミニウム基材12との間で導通しやすくなる。アルミニウム膜18とアルミニウム基材12との間で導通すると、アルミニウム基材12内の不純物とアルミニウム膜18との間で局所電池反応が起こる可能性がある。表面にバイト研削が施されていると、砥粒が無く、表面状態が比較的良いので、アルミニウム膜18とアルミニウム基材12との間の絶縁性を得やすい。従って、局所電池反応が起こりにくい。アルミニウム基材12に代えて、アルミニウム以外の金属製の基材を有する型基材を用いてもよい。金属製の基材としては、バルブ金属製の基材を用いることが好ましい。バルブ金属は、陽極酸化される金属の総称であって、アルミニウムの他、タンタルTa、ニオブNb、モリブデンMo、チタンTi、ハフニウムHf、ジルコニウムZr、亜鉛Zn、タングステンW、ビスマスBi、アンチモンSbを含む。特に、タンタルTa、ニオブNb、モリブデンMo、チタンTi、タングステンWが好ましい。上記で例示した型基材10bには、アルミニウム基材12が用いられているので、陽極酸化工程において、上記のように、アルミニウム基材12の表面のうち露出している部分に陽極酸化膜14cが形成される。金属製の基材としてバルブ金属製の基材を有する型基材を用いることにより、アルミニウム基材12を有する型基材10bを用いたときと同様に、陽極酸化工程において表面の一部に陽極酸化膜が形成される。なお、型基材10bは、アルミニウム基材12を用いるので、エッチング液がアルミニウム基材12の表面に接触したとしても、不純物が露出していなければ、局所電池反応が起こらないという利点がある。例えば無機材料層を厚く緻密に形成することにより、金属製の基材とアルミニウム膜との間が絶縁されていれば、金属製の基材として、バルブ金属製の基材以外の金属製の基材を用いてもよい。例えば金属製の基材としてステンレス鋼例えばJIS規格SUS製の基材を用いたときでも、ステンレス鋼製の基材とアルミニウム膜との間が絶縁されていれば、局所電池反応が起こりにくい。なお、アルミニウム基材12は、例えばステンレス鋼製の基材に比べて軽いので、作業性の観点からもアルミニウム基材12を有する型基材10bを用いることが好ましい。また、型基材10bの無機材料層16は、アルミニウム基材12とアルミニウム膜18とを絶縁する必要はなく、緻密な膜である必要はないため、有利である。無機材料層16の上には、アルミニウムを含有する緩衝層を形成することが好ましい。緩衝層は、無機材料層16とアルミニウム膜18との接着性を向上させるように作用する。また、緩衝層は、無機材料層16を酸から保護する。緩衝層は、アルミニウムと、酸素または窒素とを含むことが好ましい。酸素または窒素の含有率は一定であってもよいが、特に、アルミニウムの含有率が無機材料層16側よりもアルミニウム膜18側において高いプロファイルを有することが好ましい。熱膨張係数などの物性値の整合に優れるからである。緩衝層内のアルミニウムの含有率の厚さ方向におけるプロファイルは、段階的に変化してもよいし、連続的に変化してもよい。例えば、緩衝層をアルミニウムと酸素とで形成する場合、アルミニウム膜18に近い層ほど酸素含有率が漸次低下するように複数の酸化アルミニウム層を形成し、最上層の上にアルミニウム膜18を形成する。言い換えると、アルミニウムの含有率が、無機材料層16側よりもアルミニウム膜18側で高いプロファイルを有するように、複数の酸化アルミニウム層を形成する。アルミニウム膜18に近い層ほど酸素含有率が漸次低下するように複数の酸化アルミニウム層を形成することにより、アルミニウム膜18に近い層ほど熱膨張係数を高くすることができ、アルミニウム膜18に近い層ほど熱膨張係数をアルミニウム膜18の熱膨張係数に近付けることができる。その結果、比較的低温の陽極酸化と比較的高温のエッチングを繰り返すことで生じる熱応力に強く、密着性の高いアルミニウム膜18を形成することができる。例えば、緩衝層を2つの酸化アルミニウム層で構成する場合、無機材料層16例えばSiO2層側の酸化アルミニウム層の酸素含有率は30at以上60at以下、アルミニウム膜18側の酸化アルミニウム層の酸素含有率は5at以上30at以下で、かつ、2つの酸化アルミニウム層の酸素含有率が上記の関係を満足する構成としてもよい。緩衝層を3つの酸化アルミニウム層で構成する場合、例えば、無機材料層16側の酸化アルミニウム層の酸素含有率は35at以上60at以下、中間の酸化アルミニウム層の酸素含有率は20at以上35at以下、アルミニウム膜18側の酸化アルミニウム層の酸素含有率は5at以上20at以下で、かつ、3つの酸化アルミニウム層の酸素含有率が上記の関係を満足する構成としてもよい。もちろん、緩衝層を4つ以上の酸化アルミニウム層で構成してもよい。なお、酸素含有率は、例えばX線光電子分光法ESCAによって求めることができる。緩衝層は、例えば、以下の1-3の3つの方法を用いて形成することができる。1ArガスとO2ガスとの混合ガスと、酸素元素を含むAlターゲットとを用いて、反応性スパッタリング法によって成膜する。このとき、ターゲット中の酸素含有率は1at以上40at以下の範囲内にあることが好ましい。ターゲット中の酸素含有率が1at未満であるとターゲットに酸素を含有させた効果が無く、40atを超えるとO2ガスを用いる必要が無い。2スパッタガスとして純Arガスと、酸素元素を含むAlターゲットとを用いて反応性スパッタリング法によって成膜する。このとき、ターゲット中の酸素含有率は5at以上60at以下の範囲内にあることが好ましい。ターゲット中の酸素含有率が5at未満であると成膜する酸化アルミニウム層に十分な量の酸素を含有させることができないことがあり、60atを超えると成膜する酸化アルミニウム層に含まれる酸素元素の含有率が高くなり過ぎることがある。無機材料層16側の酸化アルミニウム層に含まれる酸素元素の含有率が60atを超えると、無機材料層16SiO2層と酸化アルミニウム層との接着性が低下することがある。3純Alターゲットを用いて反応性スパッタリング法によって成膜する。このとき、スパッタリングに用いる混合ガスのArガスとO2ガスとの流量比を2:0超2:1以下程度とする。ArガスとO2ガスとの流量比が2:1を超えると、成膜する酸化アルミニウム層に含まれる酸素元素の含有率が高くなり過ぎることがある。なお、単一の酸化アルミニウム層から構成される緩衝層を用いてもよい。また、アルミニウムと窒素とを含む緩衝層も上記と同様に形成することができる。また、緩衝層の厚さは、生産性の観点から、1μm以下であることが好ましい。本発明による実施形態の型の製造方法は、ロール状の型の製造に好適に用いられる。例えば、図1を参照して上述したモスアイ用型の製造工程において、アルミニウム基材12として、円筒状のアルミニウム基材12を用いることにより、表面にポーラスアルミナ層14を有するロール状のモスアイ用型100を作製できる。表面にポーラスアルミナ層を有するロール状のモスアイ用型は、例えば、可撓性を有する高分子フィルムの上にアルミニウム層を形成し、アルミニウム層の表面を陽極酸化することによりポーラスアルミナ層を形成した後、高分子フィルムを、円筒状の金属管の外周面に固定することによっても作製できる。しかしながら、高分子フィルムをロール状に固定するので、この方法により作製したロール状のモスアイ用型100の外周面上には、継ぎ目が存在する。一方、図1を参照して上述したモスアイ用型の製造方法において、上記のように、例えば円筒状のアルミニウム基材12を有する型基材10を用いたときは、円筒状のアルミニウム基材12の表面に形成されたアルミニウム膜18の表面18sを陽極酸化して作製するので、継ぎ目の無いロール状のモスアイ用型100が得られる。したがって、この方法により作製したロール状のモスアイ用型100は、継ぎ目無くモスアイ構造を形成することができる。図11を参照して上述したモスアイ用型の製造方法においても、型基材10bとして、例えば円筒状のアルミニウム基材12を有する型基材10bを用いることにより、継ぎ目の無いロール状のモスアイ用型100bが得られる。ポーラスアルミナ層14の微細な構造、例えば細孔14pの深さ、細孔14pの直径、隣接細孔間距離細孔の中心間距離、細孔14pの配列の規則性の程度は、電解液の種類、濃度、温度や、印加電圧の大きさ、印加時間などによって変わるので、必要に応じて調整すればよい。反射防止性能の優れた反射防止膜を形成するためには、細孔14pの、表面の法線方向から見たときの2次元的な大きさ細孔の直径は10nm以上500nm以下、隣接細孔間隔細孔14pの中心間距離も10nm以上500nm以下、細孔14pの深さは100nm以上500nm以下で、細孔14pの分布に規則性がないものが好ましい。エッチング時間は、以下に説明するように、30分未満であることが好ましい。上記のように、エッチング液がアルミニウム基材12の表面に存在する不純物に接触すると、局所電池反応が起こる可能性がある。図5を参照して説明したように、アルミニウム基材12の表面のうち、結晶粒間の空隙18bが存在する部分に陽極酸化膜14b図5bが形成されていれば、エッチング液とアルミニウム基材12との接触が防止される。エッチング工程を長時間行うと、陽極酸化膜14bが溶解され、陽極酸化膜14b下にあったアルミニウム基材12の表面が露出するため、エッチング液がアルミニウム基材12の表面に接触することになる。アルミニウム基材12の表面に不純物が露出していれば、局所電池反応が起こる可能性がある。以下、エッチング時間を検討した実験結果を示す。アルミニウム基材JIS1050のアルミニウム基板の表面に形成した厚さ1μmのアルミニウム膜の表面の、陽極酸化およびエッチングを行うことによる、ポーラスアルミナ層の細孔の直径の時間変化を調べた。比較のため、ガラス基板上に形成した厚さ1μmのアルミニウム膜についてもポーラスアルミナ層の細孔の直径の時間変化を調べた。陽極酸化工程は、シュウ酸水溶液濃度0.3wt、液温5°Cを用いて、80V印加して60秒間行った。エッチング工程は、燐酸水溶液濃度1mol/L、液温30°Cを用いた。表1に示す時間エッチング液に浸漬し、SEMで孔径を調べた。表1に示す孔径は、アルミニウム膜表面に存在する複数の細孔の直径の平均値である。また、図13に、表1に示すエッチング時間に対する孔径の関係のグラフを示す。図13において、■はアルミニウム基板上のポーラスアルミナ層の細孔の孔径を示し、◆はガラス基板上のポーラスアルミナ層の細孔の孔径を示す。図13からわかるように、エッチング時間が30分未満であればアルミニウム基板およびガラス基板上のポーラスアルミナ層の細孔の孔径の差は小さく、30分以上エッチングを行うと、孔径の差が広がっていく。アルミニウム基板上のポーラスアルミナ層を30分以上エッチングすると、アルミニウム基板の表面に形成された陽極酸化膜図5bに模式的に示す陽極酸化膜14bがエッチングされ、エッチング液が不純物に接触し、局所電池反応が起こったと考えられる。さらに、40分以上エッチングを行うと、アルミニウム基板上のポーラスアルミナ層の孔径は急に増大している。露出する不純物が増加したと考えられる。30分以上エッチング行うと、エッチング時間が長くなるほど、孔径が増大することがわかる。上記の検討から、局所電池反応を起こりにくくするという観点から、エッチング時間を30分未満とすることが好ましい。次に、図14を参照して、本発明による実施形態の反射防止膜の製造方法を説明する。図14は、ロールツーロール方式により反射防止膜を製造する方法を説明するための模式的な断面図である。まず、ロール状のモスアイ用型100を用意する。なお、ロール状のモスアイ用型100は、例えば図1を参照して上述したモスアイ用型の製造方法において、アルミニウム基材12として円筒状のアルミニウム基材12を有する型基材10を用いることにより作製できる。次に、図14に示すように、紫外線硬化樹脂32’が表面に付与された被加工物42を、モスアイ用型100に押し付けた状態で、紫外線硬化樹脂32’に紫外線UVを照射することによって紫外線硬化樹脂32’を硬化する。紫外線硬化樹脂32’としては、例えばアクリル系樹脂を用いることができる。被加工物42は、例えば、TACトリアセチルセルロースフィルムである。被加工物42は、図示しない巻き出しローラから巻き出され、その後、表面に、例えばスリットコータ等により紫外線硬化樹脂32’が付与される。被加工物42は、図14に示すように、支持ローラ46および48によって支持されている。支持ローラ46および48は、回転機構を有し、被加工物42を搬送する。また、ロール状のモスアイ用型100は、被加工物42の搬送速度に対応する回転速度で、図14に矢印で示す方向に回転される。その後、被加工物42からモスアイ用型100を分離することによって、モスアイ用型100の凹凸構造反転されたモスアイ構造が転写された硬化物層32が被加工物42の表面に形成される。表面に硬化物層32が形成された被加工物42は、図示しない巻き取りローラにより巻き取られる。次に、実施例および比較例を示し、本発明による実施形態の型の製造方法をより詳細に説明する。実施例1~5実施例1~5では、図1を参照して上述したモスアイ用型の製造方法により、モスアイ用型を作製した。また、モスアイ用型を用いて、反射防止膜を作製し、得られた反射防止膜の反射率を調べた。まず、アルミニウム基材と、アルミニウム基材の表面に形成されたアルミニウム膜とを有する型基材を用意した。実施例1~3では、型基材として、表面にバフ研磨を施したJIS1050のアルミニウム基板5cm×5cm、厚さ2mmと、アルミニウム基板の表面にEB蒸着法により形成された厚さ1μmのアルミニウム膜とを有する型基材を用意した。実施例4では、表面にバイト研削が施されたAl-Mg-Si系合金JIS6063、Si:0.4、Mg:0.5のアルミニウム管直径150mm、厚さ2mmと、アルミニウム管の表面にスパッタ法により形成された厚さ1μmのアルミニウム膜とを有する型基材を用意した。実施例5では、表面が圧延素地のままである、Al-Mg系合金JIS5052、Mg:2.6、クロムCr:0.2のアルミニウム管直径150mm、厚さ0.3mmと、アルミニウム管の表面にスパッタ法により形成された厚さ1μmのアルミニウム膜とを有する型基材を用意した。次に、濃度0.3wtのシュウ酸を用いて陽極酸化を行った。実施例1~3は液温5°Cで55秒間陽極酸化を行った。実施例4および5では、液温15°Cで37秒間行った。印加電圧は80Vとした。次に、リン酸水溶液濃度1mol/L、液温30°Cを用いてエッチングを行った。実施例1、2、3、4、および5でのエッチング時間は、それぞれ、20分、25分、30分、29分、および20分とした。上記の条件で陽極酸化およびエッチングを交互に5回陽極酸化を5回、エッチングを4回繰り返し、モスアイ用型を作製した。得られたモスアイ用型について、ピットの有無および細孔の直径や深さのむらの有無を調べた。細孔の直径や深さのむらについては、表面SEM像を観察し、結晶粒の影響によるものおよび研削痕または研磨痕の影響によるものの有無を調べた。実施例1、2および4のモスアイ用型を用いて反射防止膜を作製し、反射率を測定した。コニカミノルタ社製の分光測色計CM2600dを用いて、380nm~740nmの範囲について、反射率の波長依存性を調べた。表2には、測定波長550nmにおける反射率を示す。表2に示すように、実施例1、2、4、および5のモスアイ用型には、ピットは形成されなかった。一方、実施例3のモスアイ用型の表面にはピットが形成された。陽極酸化工程において、アルミニウム基材の表面のうち、アルミニウム膜の結晶粒間の空隙の下にある部分には陽極酸化膜図5bに模式的に示す陽極酸化膜14bが形成されたと考えられるが、実施例3では、エッチング時間が長かったので、陽極酸化膜が溶解され、エッチング液が不純物に接触することにより、局所電池反応が起こったと考えられる。実施例4のモスアイ用型には、細孔のむらはなかった。一方、実施例1~3および5のモスアイ用型には、図8に示したような結晶粒に起因する細孔のむらはなかったが、実施例1~3のモスアイ用型の表面には、研磨痕に沿って細孔が形成されており、実施例5のモスアイ用型の表面には、圧延痕に沿って細孔が形成された。実施例4のように、バイト研削を施したアルミニウム基材を有する型基材を用いた場合、バフ研磨を施したアルミニウム基材を有する型基材や表面が圧延素地のままであるアルミニウム基材を有する型基材を用いた場合に比べ、細孔のむらを抑制することができる。図15aに、実施例4のアルミニウム基材の表面のSEM像を示し、図15bに実施例4のモスアイ用型の表面のSEM像を示す。図15aおよび図15bに示すように、実施例4のアルミニウム基材の表面には、直径が数百nm程度の複数の結晶粒が存在し、結晶粒の間には空隙が存在した図15aが、陽極酸化およびエッチングを行っても、ピットが形成されることなく、細孔を全面にむらのないように形成することができた図15b。図16a~cに、それぞれ、実施例1、2および4の反射防止膜の表面のSEM像を示し、図17a~cに、それぞれ、実施例1、2および4の反射防止膜の断面のSEM像を示す。図16a~cからわかるように、実施例1、2および4の反射防止膜の全面に、底面の直径が数百nm程度の複数の突起が形成された。また、図17a~cに示すように、実施例1、2および4の反射防止膜の表面の複数の突起の高さは数百nm程度であった。図16a~cを比較するとわかるように、実施例1、2、および4の反射防止膜の表面の突起は、底面の大きさが互いに異なる。また、図17a~cを比較するとわかるように、実施例1、2および4の反射防止膜の表面の突起は、互いに高さや形状も異なる。実施例1と2と4とは、陽極酸化条件およびエッチング条件が互いに異なり、モスアイ用型の細孔の大きさや形状が異なるので、転写された複数の突起の大きさや形状が異なると考えられる。なお、図16bの中央付近には、突起が直線状に並んでいるのが観察された。この部分の突起は、上記の研磨痕に沿って並ぶように形成された細孔が転写されたものであると考えられる。図18に実施例1、2および4の反射防止膜の反射率の波長依存性のグラフを、それぞれ破線、実線および点線で示す。図18に示すように、実施例1、2、および4のいずれも、測定波長範囲380nm~740nmの全体にわたって、反射率を1.4以下とすることができた。特に、実施例1および4の反射防止膜の反射率は、いずれも、測定波長範囲の全体にわたって1.0以下とすることができた。実施例1、2、および4の反射防止膜の550nm程度の光の反射率は、それぞれ、0.4、0.7、および0.4であり、いずれも良好な反射防止特性を示した。実施例1と実施例4とを比較すると、実施例1では550nm以上の範囲で測定波長が大きくなるほど反射率が高くなり、740nmでは1.0程度となったのに対し、実施例4では550nm~740nmの範囲では、0.4~0.5程度であり、実施例4の反射防止膜のほうが優れた反射防止特性を有していた。実施例6実施例6では、図11を参照して上述した方法により、モスアイ用型を作製した。まず、Al-Mg-Si系合金JIS6063のアルミニウム管直径150mm、長さ500mmと、アルミニウム管の表面にスパッタ法により形成された厚さ100nmのSiO2層と、SiO2層の表面に形成された厚さ300nmの酸化アルミニウム層と、酸化アルミニウム層の表面に形成された厚さ1μmのアルミニウム膜とを有する型基材を用意した。次に、陽極酸化工程とエッチング工程とを交互に5回陽極酸化を5回、エッチングを4回行った。陽極酸化工程は、シュウ酸水溶液濃度0.3wt、液温18°Cを用いて、80V印加して50秒間行い、エッチング工程は、燐酸水溶液濃度1mol/L、液温30°Cを用いて29分間行った。得られたモスアイ用型の表面を調べたところ、ピットは形成されていなかった。実施例7実施例7では、アルミニウム基材に代えて金属製の基材を有する型基材を用いて、図11を参照して上述した方法により、モスアイ用型を作製した。まず、金属製の基材10cm角のステンレス鋼製の基板と、基板上にスパッタ法により形成された無機材料層厚さ500nmのTa2O5層と、Ta2O5層の表面にスパッタ法により形成された厚さ1μmのアルミニウム膜とを有する型基材を用意した。次に、陽極酸化工程とエッチング工程とを交互に5回陽極酸化を5回、エッチングを4回行った。陽極酸化工程は、シュウ酸水溶液濃度0.3wt、液温18°Cを用いて、80V印加して37秒間行い、エッチング工程は、燐酸水溶液濃度1mol/L、液温30°Cを用いて29分間行った。実施例7で用いた型基材について、絶縁性を調べた。アルミニウム膜の表面とステンレス鋼製の基板の裏面との間の導通の有無を、テスターを用いて調べたところ、導通しなかった。得られたモスアイ用型の表面には、ピットが形成されなかった。実施例7で用いた型基材は、アルミニウム膜とステンレス鋼製の基板との間を絶縁できていたことが、ピットが形成されなかった一因となっていると考えられる。なお、無機材料層として、厚さ300nmのTa2O5層を形成したこと以外は実施例7の型基材と同じとした型基材を作製し導通の有無を調べたところ、ステンレス鋼製の基板とアルミニウム膜との間で導通した。無機材料層が比較的薄かったことが一因となっていると考えられる。また、ステンレス鋼製の基板に代えて、ステンレス鋼製の管直径150mm、長さ400mmに、厚さ300nmのTa2O5層と厚さ1μmのアルミニウム膜とを形成して型基材を作製し、導通の有無を調べたところ、ステンレス鋼製の管とアルミニウム膜との間で導通した。ステンレス鋼製の管の表面に、厚さ100nmのSiO2層、厚さ500nmのTa2O5層、厚さ1μmのTa2O5層を形成して作製した型基材も、いずれも導通した。ステンレス鋼製の管は表面積が比較的大きい。ステンレス鋼製の管を有する型基材を用いたときは、比較的大面積の無機材料層を形成したので、無機材料層にはピンホールが多く形成され、導通したと考えられる。比較例1比較例1では、アルミニウム基材の表面を直接陽極酸化およびエッチングすることによりモスアイ用型を作製した。比較例1では、アルミニウム基材として、実施例1~3と同じアルミニウム板を用いた。陽極酸化条件液温、陽極酸化時間も実施例1~3と同じとし、エッチング条件は、実施例2と同じとした。陽極酸化およびエッチングを交互に5回陽極酸化を5回、エッチングを4回繰り返し、モスアイ用型を作製した。比較例1のモスアイ用型にはピットが発生した。エッチング工程において、アルミニウム基材内に存在する不純物と、不純物の周辺のアルミニウムとの間で局所電池反応が起こったと考えられる。比較例1のモスアイ用型の表面においては、図8を示して説明したように、結晶粒界の左側と右側とで細孔の直径や深さが異なっていた。また、比較例1のモスアイ用型の表面には、研磨痕に沿って細孔が形成されていた。以上、モスアイ用型を製造する場合を例に説明したが、本発明による実施形態の型の製造方法は、モスアイ用型以外の、表面にポーラスアルミナ層を有する型の製造にも用いることができる。例えば、フォトニック結晶を形成する型の製造に用いることができる。