"化学機械平坦化パッドを形成する方法であって、該方法は、1つ以上のポリマー前駆体を重合し、表面を有する化学機械平坦化パッドを形成するステップと、前記表面に溝を形成し、該溝の間にランドを画定するステップであって、前記溝は第1の幅W1を有する、ステップと、前記ランドを、前記表面における第1のランドの長さL1から前記表面における第2のランドの長さL2にまで収縮させるステップであって、前記第2のランドの長さL2は第1のランドの長さL1より小さく、かつ前記溝は第2の幅W2を有し、W1≦XW2であり、Xは0.01~0.75の範囲の値を有する、ステップとを含むことを特徴とする方法。前記ランドを収縮させるステップは、前記表面に溝を形成した後、更に前記ポリマー前駆体を重合することを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記溝は、第1の深さD1を有し、収縮後は第2の深さD2を有し、D1≦YD2であり、Yは0.80~0.95の範囲の値を有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記L1はL1≧ZL2であり、Zは1.1~1.4の範囲の値を有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記ランドを収縮させるステップは、前記化学機械平坦化パッドを110°F~400°F約43.3°C~約204.4°Cの範囲の温度で一定時間加熱することを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記ランドを収縮させるステップは、前記化学機械平坦化パッドを80°F~150°F約26.7°C~約65.6°Cの温度で一定時間冷却することを更に含むことを特徴とする、請求項5に記載の方法。前記化学機械平坦化パッドは、少なくとも1つの埋込み構造をポリマーマトリクス中に含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記埋込み構造は、前記ポリマーマトリクスの少なくとも一部には存在せず、前記化学機械平坦化パッドは、前記埋込み構造が存在しない前記パッドの前記一部に画定された、前記パッドと一体的な窓を含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記少なくとも1つの埋込み構造は可溶性材料を含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。化学機械平坦化パッドを形成する方法であって、該方法は、表面を有する化学機械平坦化パッドを形成するステップであって、前記化学機械平坦化パッドは、ポリマー前駆体を選択された転化率まで重合することによって形成される、ステップと、1つ以上の溝を前記化学機械平坦化パッドの前記表面に形成するステップであって、前記溝は第1の幅W1と第1の深さD1とを有し、溝の間にランドを画定する、ステップと、前記表面に形成された溝を有する化学機械平坦化パッドを熱処理し、前記転化率を上昇させ、前記ランドを収縮させるステップであって、前記溝が第2の幅W2と第2の深さD2とを示し、前記第2の幅W2は前記第1の幅W1より大きく、前記第2の深さD2は前記第1の深さD1より大きい、ステップとを含むことを特徴とする方法。前記ランドは第1の長さL1を前記表面において有し、収縮後は前記表面において第2の長さL2を有し、前記第2のランドの長さL2は、前記第1のランドの長さL1より小さく、L1≧ZL2であり、Zは1.1~1.4の範囲の値を有することを特徴とする、請求項10に記載の方法。前記化学機械平坦化パッドを熱処理するステップは、前記化学機械平坦化パッドを液体槽あるいは炉に、少なくとも部分的に入れることを含むことを特徴とする、請求項10に記載の方法。前記化学機械平坦化パッドを熱処理するステップは、前記パッドを110°F~400°F約43.3°C~約204.4°Cの範囲の温度で10時間以上加熱することを含むことを特徴とする、請求項10に記載の方法。前記化学機械平坦化パッドを熱処理するステップは、前記パッドを160°F~190°F約71.1°C~約87.8°Cの範囲の温度で16時間~90時間加熱することを含むことを特徴とする、請求項10に記載の方法。前記化学機械平坦化パッドを熱処理するステップは、前記化学機械平坦化パッドを80°C~150°Cの範囲の中間温度で、10分以上冷却することを含むことを特徴とする、請求項10に記載の方法。前記化学機械平坦化パッドを熱処理するステップは、前記化学機械平坦化パッドを100°F~130°F約37.8°C~約54.4°Cの範囲の中間温度で10分~120分冷却することを含むことを特徴とする、請求項10に記載の方法。前記化学機械平坦化パッドは、少なくとも1つの埋込み構造をポリマーマトリクス中に含むことを特徴とする、請求項10に記載の方法。前記埋込み構造は、前記ポリマーマトリクスの少なくとも一部には存在せず、前記化学機械平坦化パッドは、前記埋込み構造が存在しない前記パッドの前記一部に画定された、前記パッドと一体的な窓を含むことを特徴とする、請求項17に記載の方法。前記埋込み構造は、1つあるいは複数の繊維を備えることを特徴とする、請求項10に記載の方法。前記少なくとも1つの埋込み構造は可溶性材料を含むことを特徴とする、請求項10に記載の方法。本願は、化学機械平坦化CMPパッド、およびCMPパッドの形成方法に関する。本願における研磨パッドの一例が、図1に示されている。図示の通り、パッド10は、必要に応じて埋込み構造12を含んでいてもよく、該埋込み構造12は、以下により詳細に説明されるが、パッドのポリマーマトリクス中に分散された、複数の交差位置14を形成してもよい。また、該埋込み構造は、1つあるいは複数の、埋込み構造が存在しない窓領域16を含むよう設けられてもよい。ポリマーマトリクスは、レーザあるいはその他の光を窓16を通して用い、該レーザあるいは光がその後基板の研磨面から反射されることによって光学式終点検出を行うことが可能なポリマー樹脂から選択されてもよい。したがって、ポリマーマトリクスは、光学的放射を含む、入射放射の少なくとも一部を伝達可能であってもよい。入射放射とは、ポリマーマトリクスの表面に作用する光などの放射として理解することができる。1~99の範囲の全ての値および増分を含めて、少なくとも1以上の放射がポリマーマトリクスの一部分、例えばパッドの厚さ、を貫通して伝達されてもよい。窓16には、任意の所望の形状、例えば円形、楕円形、正方形、長方形、多面体等、を想定することができる。また図2に示すように、埋込み構造は、窓領域16を同様に含む非相互接続型のパターン18になっていてもよい。埋込み構造は、ランダム型のパターンであってもよい。埋込み構造自体は、繊維、より具体的には、不織布、織布および/または編布タイプの構造で構成されていてもよい。このような繊維の網状体は、パッドの特定の特徴を向上させてもよい。このような特徴には、例えばパッド表面の硬度および/または体積弾性率および/または剛性が含まれていてもよい。また、繊維の網状体は、所与の研磨パッド製品に対する要求に応じて、このような特徴を別々に高めるように構成されていてもよい。したがって、本開示のパッドは、窓を用いた終点検出機能と同様に、研磨された半導体ウエハのより良好な全体的均一性および局所的平面性も要求通りに提供するべく構成されていてもよい。上記を更に詳細に説明すると、埋込み構造のためのその他の入手可能な材料には、オープンセルポリマー発泡体およびスポンジ、ポリマーフィルタ例えば、ろ過紙および繊維フィルタ、格子およびスクリーンなどが含まれていてもよい。よって、埋込み構造は、決められた二次元または三次元パターンを有することができる。したがって、埋込み構造は、該構造が存在しない選択的な領域を有するパッド中に分散された任意の材料として理解されてもよく、該領域は、所与の研磨作業において終点検出を行うための窓の位置を決定する。更なる実施形態において、埋込み構造は、パッドの本体全体に分散された粒子を含んでいてもよい。該粒子は、相互接続してあるいは接触して網状体を形成していてもよく、あるいは相対的に分離されていてもよい。現段階で認識されているかもしれないが、埋込み構造をパッドの形成に用いられるポリマーマトリクスに組込み、窓がパッド構造と一体的であるすなわち、該パッドが単一構造であると考えられ得るように窓を設けることによって、パッドが形成された後に、別途窓をパッドに設置することに付随する問題のいくつかを回避することができる。例えば、窓を含むパッドを製造する際に、通常はパッドに開口部を切取り、材料の透明な部分を取付け得る。しかしながら、このような方法は、窓挿入物の縁部の周囲が不適切に取付けられていると、スラリーの漏れにつながり得る。埋込み構造と同様に、ポリマー物質は、様々な特定のポリマー樹脂から入手されてもよいが、これらに限定されない。例えばポリマー樹脂には、ポリビニルアルコール、ポリアクリレート、ポリアクリル酸、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシルメチルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリエチレングリコール、デンプン、マレイン酸共重合体、多糖類、ペクチン、アルギン酸、ポリウレタン、ポリエチレンオキシド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリプロピレン、ポリアクリルアミド、ポリアミン、ならびに上記樹脂の任意の共重合体および誘導体が含まれ得る。ポリマーマトリクスがポリウレタンで形成され得るいくつかの実施形態において、プレポリマー、例えばMDIまたはTDI終端ポリエステルまたはポリエーテルプレポリマーが、架橋剤あるいは硬化剤と組み合わされてもよい。ポリウレタンプレポリマーは、例えば、Chemtura社のADIPRENELF750D、COIM社のIMUTHANEAPC-504、およびこれらの混合物から入手されてもよい。硬化剤は、二官能性または三官能性アミン、4,4’メチレンビスo‐クロロアニリンあるいはその他の二官能性または三官能性硬化剤を含んでいてもよい。CMPパッドは、多数の工程によって形成することができる。例えば、CMPパッドは、射出成形あるいは鋳造を用いてパッドを成形することによって形成されてもよい。埋込み構造を加える際には、型にポリマーマトリクスを注入する前に、最初に埋込み構造を型の中に配置しておいてもよい。ポリマー材料によっては、特にプレポリマーを用いる場合には、ポリマーマトリクスを硬化させて固体構造を得る必要が生じ得る。硬化は、炉あるいはその他の加熱環境において、ポリマーマトリクスを反応させるのに十分な温度と時間をかけて行われてもよい。いくつかの実施形態において、ポリマーマトリクスは、150°F~250°F65°C~122°C該範囲内の全ての値および範囲を含み、例えば210°F99°Cで、10時間~30時間該範囲内の全ての値および範囲を含み、例えば16時間~24時間かけて行われてもよい。CMPパッド、および特にポリマーマトリクスは、パッドの全体形状の形成に関して98.00以上98.00~99.9の範囲の全ての値および範囲を含むの転化率を示してもよい。形成された後、CMPパッドの表面は研磨され、関係のない表面特徴を除去してもよい。図3に示されるように、本開示のパッド10は、場合に応じて、1つあるいは複数の溝20を少なくとも1つの表面22に含んでいてもよく、該溝20は、溝間にランド24を表面22上あるいは表面22付近に画定していてもよい。例えば、溝は、研磨あるいは平坦化される加工物に接触する、パッドの加工面に形成されてもよい。このような溝加工は、上記の窓が設けられたパッドに対して、かつ/または、このような窓形状を含まないパッドに対しても適用することができる。様々な溝のパターン、例えば同心状、渦巻状、正の対数および負の対数反時計回りおよび時計回りならびに/またはこれらの組合せがパッド上に形成されてもよい。最終的な溝の寸法は、深さ0.004ミル0.10μm以上、幅0.004ミル0.10μm以上、ピッチ中心から隣接する溝の中心までの距離0.004ミル0.10μm以上を有していてもよい。例えば、本開示のパッドは、最終的な溝の深さ2ミル~197ミル50μm~5000μm、最終的な幅2ミル~197ミル50μm~5000μm、および最終的なピッチ2ミル~102ミル50μm~2600μmを含んでいてもよい。これらの全ての値に関し、本開示では、列挙された特定の範囲内における全ての値および増分が含まれる、という点は理解されるべきである。具体的には、本開示の溝のピッチは、59ミル~89ミル1500ミクロン~2250ミクロン1500μm~2250μm該範囲内の全ての値および増分を含むの値を有していてもよい。本開示では、パッドに切削あるいは形成された上述の任意の物理的な特徴は、初期の段階では所望される最終的な寸法よりも小さな寸法で設けられてもよい、という点が認識されている。この場合、最終的な寸法は、パッドの寸法に物理的な変化を起こすことによって、パッドに形成されてもよい。例えば熱処理によってパッドを収縮させ、所望の物理的特徴例えば最終的な溝および/または深さおよび/または長さおよび/またはピッチを与えてもよい。したがって、一実施形態において、CMPパッドの溝加工には、第1の寸法の組合せ例えば深さ、長さ、幅、体積および/またはピッチを含むを有する溝をパッドに切削することと、切削加工されたパッドを、加熱された液体あるいは1以上の気体媒体に曝露することとが含まれていてもよい。加熱された液体あるいは気体媒体に曝露されると、CMPパッドは寸法の変化を経て、溝の寸法深さ、長さ、および/または幅を変化させてもよい。冷却によってこのような寸法の変更が確定され、パッドがこの段階でCMP研磨が効率的に行われるための最終的な溝の寸法を有するようにしてもよい。なお、寸法の変化は、パッドの形成に用いられた任意のポリマー前駆体の更なる重合の結果によるものであってもよく、かつ/または、パッドの形成に用いられた構成要素の熱収縮の結果によるものであってもよい。したがって、CMPパッドの形成および硬化を行い、パッドの全体的な形状を形成した後、CMPパッドは切削装置、例えば外形加工機、旋盤切断ブレード、フライス盤あるいはその他の切断システムなどを用いて切削されてもよいということは認識されるべきである。パッドの全体的な形状には、パッドの外形の寸法、例えば外径、厚さなどが含まれていてもよい。上述の通り、様々な形状を有する1つあるいは複数の溝が、十字溝、平行線状の溝あるいは図3に示されたような同心円状の溝などを含むパッドを形成するように切削により形成されてもよい。また、パッド表面の一部分あるいは全体にわたって延びる渦巻形、均一あるいは非均一に離間されて繰り返される山形模様が繰り返されたパターン、ランダムなパターン、あるいはこれらの組合せなどを含む、その他の形状が設けられてもよい。溝の様々な特徴の一例が、図3の断面図である図4に示されている。CMP表面22が切削されると、初期の溝は、概して幅W1、深さD1およびランドL1を有していてもよい。幅W1とは、溝が表面22と交差する位置における、溝を画定している壁と壁の間の距離であると理解することができる。切削された溝の幅は、1ミル~30ミル25.4μm~762μm該範囲の全ての値および範囲を含む、例えば5ミル~10ミル127μm~254μm、6ミル~12ミル152.4μm~304.8μm、約10ミル254μmなどとすることができる。いくつかの実施形態において、幅は溝の深さD1に沿って変化していてもよく、溝の底面に向かってより狭くあるいはより広くなっていてもよい。切削された溝の深さD1とは、溝の底面から、該溝が表面22と交差する位置までの距離として理解することができる。溝の深さは、10ミル~80ミル254μm~2032μm該範囲内の全ての値と範囲を含む、例えば30ミル762μm、40ミル1016μm、60ミル1524μmなどとすることができる。いくつかの実施形態において、切削された溝の深さは、パッドの厚さ全体の3分の1~2分の1とすることができる。溝のランドL1とは、CMPパッド表面22に沿った、あるいは該表面と実質的に平行な、隣接する溝同士の隣合った壁同士の間の距離であると理解することができる。また、全体的な空隙の体積あるいは溝の体積は、CMPの表面22に設けられた溝によって画定されてもよい。切削装置は、様々な形状の切削ビットを用いて溝を切削してもよく、その結果、溝は様々な形状を有し得る。一実施形態において、切削ビットがテーパードカッターおよび/またはシャフトを有し、尖った底面を有するV字状の溝を形成してもよい。別の実施形態において、切削ビットの少なくとも一部分が平坦な切削面を有し、鋭利な角あるいは半径を有する角のいずれかを備えたU字状の溝を形成してもよい。したがって、溝の底面は、平坦、尖鋭、丸みを帯びた形状であってもよく、あるいはその他多数の形状が想定され得る。CMPパッドに初期の切削溝の形状が形成された後、CMPパッドが熱処理されてもよい。CMPパッドを熱処理するために、CMPパッドが部分的あるいは完全に加熱された環境に入れられ、その後冷却されてもよい。加熱は、CMPパッドが硬化し、最終的に寸法を縮小できる十分な温度で十分な時間行われてもよい。したがって、いくつかの実施形態において、冷却はポリマーマトリクスの負の熱膨張すなわち収縮が可能となる十分な速度で行われてもよい。他の実施形態において、冷却は熱膨張した状態にあるCMPパッドを急冷するに十分な速度で行われてもよい。一実施形態において、CMPパッドは、液体槽、例えば脱イオン水槽あるいは炉、例えば対流式の炉に入れられてもよい。該槽あるいは炉の温度は、110°F~400°F43°C~205°C該範囲内の全ての値と範囲を含む、例えば160°F~190°F71°C~88°Cなどとすることができる。パッドは10時間以上該範囲内の全ての値と範囲を含む、例えば10時間~120時間、例えば16時間~90時間入れられてもよい。炉を用いる場合には、炉内を真空に引いてもよく、あるいは不活性ガスまたはガス混合物が炉内に供給されてもよい。不活性ガスには、窒素、アルゴン等が含まれ得る。CMPパッドが加熱されている間、CMPパッドは加圧もされていてもよい。例えば、パッドは、液体槽の中の液体によって、炉内のガスによって、あるいはプレス機を用いて、加圧されてもよい。圧力は、加熱サイクルの間中、あるいは該サイクルの一部において維持されてもよい。例えば、一実施形態において、加圧は加熱サイクルの最後に、あるいは加熱サイクルの終盤に近付くにつれて行われてもよい。加熱後、CMPパッドは冷却されてもよい。冷却は単にCMPパッドを加熱された環境から移動させ、CMPパッドを周囲温度で保管することによって行われてもよい。その他の実施形態において、冷却は段階的に行われてもよく、CMPパッドが1つあるいは複数の中間温度で所定の期間保持されてもよい。中間温度とは、周辺温度と最大加熱温度との間の温度であると理解することができる。冷却は、液体槽あるいは炉、例えば対流式の炉において行われてもよい。一実施形態において、冷却温度は、80°F~150°F26°C~66°C該範囲内の全ての値および増分を含む、例えば100°F~130°F37°C~55°Cなどとすることができる。冷却は10分以上、例えば10分~120分の範囲等で行われてもよい。CMPパッドはその後、使用されるまで、あるいは更に加工されるまで、68°F~77°F20°C~25°Cの周囲温度に曝露されてもよい。CMPパッドには、付加的な焼鈍工程あるいは同様に熱サイクルが施されてもよく、これらの工程はCMPパッドが周囲温度まで冷却できる前、あるいは冷却できた後に行われてもよい。熱処理および冷却工程の間、CMPパッドは収縮負の熱膨張されてもよく、またCMPパッドは更に転化させて残留ポリマー前駆体からポリマーを生成し、同様に収縮されてもよい。重合がされる場合の追加の転化率は、少なくとも0.01以上該範囲内の全ての値および範囲を含む、例えば0.01~1.99の範囲とすることができる。熱処理の後、溝の深さおよび溝の幅は、図5に示されるように、同量分拡張しても、あるいは異なった量で拡張してもよい。本開示において、切削された溝の初期の幅の寸法W1と最終的な幅W2更なる硬化および/または熱処理によるとの関係は、W1≦XW2ただし、Xの値は0.01~0.75の範囲で、増分0.01である。として示されてもよい。好ましくは、Xの値は0.50~0.75の範囲で、増分0.01である。同様に、深さについては、切削された溝の初期の深さの寸法D1と最終的な深さD2硬化および/または熱処理によるとの関係は、D1≦YD2ただし、Yの値は0.80~0.95の範囲で、増分0.01である。として示されてもよい。ランドの長さについては、初期のランドの長さL1と最終的なランドの長さL2硬化および/または熱処理によるの関係はL1≧ZL2ただし、Zは1.1~1.4の値を有し、増分は0.01である。として示されてもよい。したがって、一例において、初期の溝の幅W1は5ミル~10ミル127μm~254μmの範囲、熱処理後は第2の溝の幅W2が10ミル~20ミル254μm~508μmを示してもよい。初期の溝の深さD1は40ミル1016μm、熱処理後は第2の溝の深さD2は45ミル1143μmを示してもよい。初期のランドの長さL1は95ミル~120ミル2413μm~3048μm、熱処理後は長さL2は85ミル~90ミル2159μm~2286μmを示してもよい。なお、切削された溝の深さD1が深いほど、最終的な溝の幅W2は、特に溝とパッド表面との交差位置において、より広くなる。いかなる特定の理論にも制限されていないが、熱処理工程によって溝の間のランドが収縮されてもよい。したがって、材料を除去することのみならず、溝の間のランドを収縮させることによっても、溝の寸法の制御を行い、パッドから除去される材料をより少なくしてもよい。これによって、切削ブレードが保護され、切削ブレードの寿命が延び、溝加工の時間が減るため、CMPパッドを提供するためのコストと生産性の損失とが減少する。いくつかの例においては、特定の最終的な溝の体積を達成するために、材料の体積の50未満がパッド表面から除去される必要があるということを理解されよう。このような点について、オングストローム/分の除去率RRをSX1122-21に関して示す図6を参照する。SX1122-21は508ミクロン508μmの溝幅と、762ミクロン762μmの溝の深さと、2159ミクロン2159μmのピッチとを有する。図から分かるように、このようなパッドの特徴は、508ミクロン508μmの溝幅と762ミクロン762μmの溝の深さと2286ミクロン2286μmのピッチとを有するIC-1010の除去率RRと比較して、相対的に高い除去率をもたらした。また、SX1122-21は、6.0未満の不均一性NUを維持しており、これはパッド研磨の許容範囲であると考えられる。パラメータNUに言及するということは、研磨されたウエハの厚さのばらつきに言及するということである。次に図7に注目する。図7は上記のSX1122パッド2つのパッドサンプル対RohmHaas社から市販されているIC-1010の更なる比較データを提供している。評価されたパラメータは、凹部0.5であり、これはパッドの絶縁領域の上端と、隣接する0.5ミクロン0.5μmの導電配線との間の距離のことである。図から分かるように、SX1122が150~200オングストローム15nm~20nmの垂直測定値を示したのに対し、IC1010はこの垂直測定値は400オングストローム40nmを示した。またエロージョンのパラメータも示されている。エロージョンとは、絶縁層の好ましくない過度の除去として理解することができる。図から分かるように、SX1122が約100オングストローム10nmパッド1あるいは約150オングストローム15nmパッド2の垂直測定値を示したのに対し、IC1010は約175オングストローム約17.5nmの垂直測定値を有していた。EOEあるいはエッジオンエロージョンのパラメータは、所与のパッドの周囲に位置する有効でない研磨領域を反映する水平測定値を示している。図から分かるように、SX122が約200~225オングストローム約20~22.5nmの値を示したのに対し、IC1010は約425オングストローム約42.5nmのEOEを有していた。先に示唆した通り、本開示のパッドの埋込み構造部分は、3次元構造を所与のパッドに組み込むものであると理解することができ、その一例が図8に示されている。図から分かるように、該構造は、相互接続するポリマー要素30を複数の接合位置32と共に含んでいてもよい。3次元構造の中すなわち隙間は、特定のポリマー結合剤材料34すなわちポリマーマトリクスであってもよく、該結合剤材料34は、3次元相互接続ポリマー要素30と組み合わされると、研磨パッド基材を提供する。また、該網状体は相対的な正方形あるいは長方形の形状で示されているが、楕円形、円形、多面体等これらに限定されるものではない、その他のタイプの構造を含んでいてもよいという点は理解されよう。また、本発明の更なる態様は、複数の3次元埋込み構造の網状体を一体的に形成された窓と共に用いることであり、該網状体は、同一のパッドにおいて異なる物理的および化学的性質の領域に作用してもよい。したがって、埋込み構造要素30のための上記化学ポリマー組成および/またはこのような要素の物理的な特徴を変化させてもよい。このような物理的特徴には、以下により詳細に説明されるように、要素30の間隔および/または埋め込み構造要素の全体形状が含まれていてもよい。半導体の先端技術では、半導体ウエハ上に多数のより小さなデバイスを集積することが要求される、という点は注目されるに値する。そして、デバイス密集度が高いほど、フォトリソグラフィーにおける焦点深度の理由から、ウエハ上に、より高度な局所的平面性および全体的均一性が求められることになる。したがって、本発明における3次元構造網状体および窓の構成は、従来の網状体を用いないCMPパッド構造よりも、CMPパッドの機械的および寸法的安定性を向上させ得る。また、一体形成された窓を有する本開示の3次元埋込み構造は、研磨動作による圧縮応力および粘性せん断応力に対してより良好に耐え得るため、パッドの表面の変形が減少することにより、所望の程度の局所的平面性および全体的均一性をもたらし、またウエハのスクラッチ欠陥を低減する。先に示唆した通り、パッドの中の実際の3次元埋込み構造は、ポリマー材料のタイプと、相互接続要素および埋込み要素の寸法と、これらの要素の大きさおよび形状とを変化させることによって、特定のCMPの用途に合わせて作製することも可能である。また、界面活性剤、安定剤、阻害剤、pH緩衝剤、抗凝固剤、キレート剤、促進剤および分散剤これらに限定されるものではないを含む様々な化学物質を、パッドの表面あるいはバルクに加えることにより、これらの物質が制御された態様、あるいは制御されていない態様で研磨スラリーあるいは研磨液の中に放出され、CMPの性能および安定性を向上させてもよい。本発明の一実施形態は、分散され、水溶性材料例えばポリアクリレートで構成され埋込まれた3次元網状体の隙間を部分的あるいは全体的に充填するポリウレタン物質と、相互接続する埋込み構造要素とを備える。パッド内に配置され、ポリウレタン中に分散された相互接続要素は、円筒形を有していてもよく、該円筒形は1ミクロン未満例えば0.1ミクロン0.1μm~約1000ミクロン約1000μmの直径と、0.1ミクロン0.1μm以上の隣接する相互接続接合点同士の間の水平距離と呼べるもの例えば、接合点間の水平距離が0.1ミクロン0.1μm~20cmにわたる該範囲内の全ての値および増分を含むである接合点とを有していてもよい。この相互接続接合点間の長さは、アイテムAとして図8に示されている。また、相互接続接合点間の垂直距離と呼べるものはアイテムBとして図8に示されており、これも所望に応じて0.1ミクロン0.1μm以上で変化させてもよい例えば、0.1ミクロン0.1μm~20cm該範囲内の全ての値および増分を含むにわたる接合点間の垂直距離を有する接合点。最後に、接合点間の奥行きと呼べるものはアイテムCとして図8に示されており、これもまた、所望に応じて0.1ミクロン0.1μm以上で変化させてもよい例えば0.1ミクロン0.1μm~20cm該範囲内の全ての値および増分を含むにわたる接合点間の奥行き距離を有する接合点。3次元埋込み構造自体は、薄い正方形あるいは円形の平板の形態とすることができ、10~6000ミル約254μm~約15.24cmの範囲、好ましくは60~130ミル約1.524mm~約3.302mmの厚さと、20~4000平方インチ約129cm2~約2.6m2、好ましくは100~1600平方インチ約645cm2~約1m2の面積とを有する形状であってもよいこれら範囲中の全ての値および増分を含む。硬化剤と混合されたウレタンプレポリマーが、埋込み構造の隙間を充填するために用いられてもよく、該複合材料は、その後炉で硬化され、ウレタンプレポリマーの硬化反応を完了させる。通常の硬化温度は、室温~800°F約426.7°Cの範囲にわたり、通常の硬化時間は最低1時間未満~24時間以上である。その結果生じる複合材料はその後、バフ研磨、スカイビング、ラミネーティング、溝切加工および穿孔加工などの従来のパッド転換工程を用いてCMPパッドへと転換される。また、埋込み構造は上記の実施形態において、円筒体あるいは矩形ブロックの形態で利用可能であってもよい。したがって、本実施形態において硬化剤と混合されたウレタンプレポリマーで充填された埋込み構造を備える複合材料は、円筒体あるいは矩形ブロックの形態をとるように硬化されてもよい。この場合、硬化された複合材料の円筒体あるいはブロックは、転換される前に、個々のパッドを作製するためにまずスカイビングされてもよい。本発明の別の実施形態では、異なる厚さを有する2つ以上の埋込み構造を備え、該2つ以上の埋込み構造は、その中に含まれるポリマー材料のタイプによって、更に互いに異なる。例えば、第1の埋込み構造を含むパッドの一部は、1~20cmの厚さを有していてもよく、第2の埋込み構造を含むパッドの第2の部分は、1~20cmの厚さを有していてもよい。なお、これら範囲内には、該範囲内の全ての値および増分を含む。同一のCMPパッド中の埋込み構造は、該埋込み構造の化学的あるいは物理的特性における選択された相違点に起因して、異なった物理的および化学的特性を有する異なるパッドの領域を画定してもよい。例えば、第1の埋込み構造が第1のポリマーから選択され、第2の埋込み構造が第2のポリマーから選択されてもよく、これらのポリマーは化学的反復単位構造において相違している。化学的反復単位構造における相違とは、選択された2つのポリマー間の、反復単位の少なくとも1つの要素における相違、あるいは反復単位における要素の数の相違として理解することができる。例えば、第1および第2のポリマーは、ポリエステル、ナイロン、セルロース、ポリオレフィン、ポリアクリレート、ポリアクリロニトリル系繊維などの変性アクリル繊維、ポリウレタン等のポリマーから選択されてもよい。一実施例では、厚さ20ミル508μmの第1の領域を含み、該第1の領域は、直径10ミクロン10μmの比較的小さな円筒体の形態をとり、かつ互いに50~150ミクロン50~150μm離間した、複数の可溶性ポリアクリレート繊維からなる埋込み構造を備え、該埋込み構造は、第1のポリアクリレート繊維の網状体と同様の円筒体形状と、同様の寸法とを有するポリエステル繊維を備える第2の埋込み構造上に積み重ねられる。その後、硬化剤と混合されたウレタンプレポリマーが、積み重ねられた繊維の網状体の隙間を充填するために用いられてもよく、複合材料全体が上述したように硬化される。その結果生じた複合材料はその後、バフ研磨、スカイビング、ラミネーティング、溝切加工、および穿孔加工などの従来のパッド転換工程を用いてCMPパッドへと転換される。したがってこのように形成されたCMPパッドは、2つの明確に異なった、ただし互いに積重ねられた、付着構造層を有する。CMPにおいて、可溶性ポリアクリレート繊維要素を備える層が、研磨層として用いられてもよい。該可溶性ポリアクリレート要素は、研磨粒子を含む水性スラリーに溶解してもよく、パッド表面の上下に空隙を残し、パッド全体にスラリーを均一に分配するためのミクロンサイズの流路およびトンネルを形成してもよい。一方、比較的不溶性のポリエステル要素を含む層は、CMPにおける機械的安定性およびパッドのバルク特性を保持するために、支持層として用いられてもよい。上述の実施形態にかかわらず、CMPパッドの設計、製造および応用の分野における当業者であれば、CMPパッドに網状構造体を組込むことによって生じる予期しない特性を容易に理解し、本発明に基づき、同一のパッドにおける様々なタイプの網状体材料、構造およびポリマー物質に関する同じ概念を用いて、特定のCMPの用途の要件を満たすような多数のパッドの設計を容易に導き出し得ることが、本願において理解されよう。"