"流路内を通流する微小粒子にレーザ光を照射する光照射部と、前記レーザ光が照射された微小粒子から発せられた光を検出する検出部と、を有し、前記光照射部は、少なくとも、半導体レーザからなる光源と、該光源から発生したレーザ光のビームパターンをトップハット型に変換する光ファイバと、前記光源に直流電流に高周波電流を重畳した駆動電流を供給する光源駆動制御部と、を備える微小粒子分析装置。前記光源駆動制御部には、少なくとも、高周波発振器と、広帯域増幅器と、電流スイッチ回路とが設けられており、これらが直流的に結合されている請求項1に記載の微小粒子分析装置。前記電流スイッチ回路は、エミッタ結合型回路であり、光源に接続されていない出力端子から取り出された平均電流に基づいて重畳電流を調節する請求項2に記載の微小粒子分析装置。前記光ファイバの出射端側のコアの断面形状が矩形状又は略矩形状である請求項1に記載の微小粒子分析装置。半導体レーザからなる光源から出射したレーザ光を光ファイバに入射し、該光ファイバにより前記レーザ光のビームパターンをトップハット型に変換した後、流路内を通流する微小粒子に変換後のレーザ光を照射する工程と、前記レーザ光が照射された微小粒子から発せられた光を検出する工程と、を有し、直流電流に高周波電流を重畳した駆動電流を、前記光源に供給する微小粒子分析方法。フローサイトメーターなどの微小粒子分析装置は、励起光レーザ光の照射スポットの位置ずれによる検出信号の変化が大きいため、装置性能を安定化し、測定精度を向上させるためには、照射スポットの位置を常に一定にしておく必要がある。しかしながら、シングルモードファイバを用いた場合、励起光のスポット位置ずれを厳しく管理する必要があるにもかかわらず、実際には装置に加わる振動や温度変化などで容易に発生し、また、経時的に自然にずれが生じることもある。特に、マイクロチップを使用して測定する場合、チップを交換する毎に光軸調整を行わなければならず、更に、チップに形成された流路の位置精度や装置にチップを取り付ける際の精度も影響するため、調整が適正に行われていないと、検出信号が劣化するという問題点がある。一方、特許文献1~4に記載されている装置のようにレーザ駆動を制御すると、照射スポットの光量などを一定にすることが可能であるが、これらの従来の技術は、シングルモードファイバの使用を前提としている。このため、そのままトップハットファイバに適用すると、ビーム強度のプロファイルがスポット内で一様にならず、斑スペックルが発生し、スポットと細胞の流れる流路の位置によっては、検出信号の信号成分対ノイズ成分S/N比が低下する。そこで、本開示は、光源に起因するノイズが少なく、マイクロチップを使用した測定においても高精度な測定を安定して行うことができる微小粒子分析装置及び微小粒子分析方法を提供することを主目的とする。本開示に係る微小粒子分析装置は、流路内を通流する微小粒子にレーザ光を照射する光照射部と、前記レーザ光が照射された微小粒子から発せられた光を検出する検出部と、を有し、前記光照射部は、少なくとも、半導体レーザからなる光源と、該光源から発生したレーザ光のビームパターンをトップハット型に変換する光ファイバと、前記光源に直流電流に高周波電流を重畳した駆動電流を供給する光源駆動制御部と、を備える。この装置は、前記光源駆動制御部に、少なくとも、高周波発振器と、広帯域増幅器と、電流スイッチ回路とを設け、これらを直流的に結合してもよい。その場合、前記電流スイッチ回路をエミッタ結合型回路とし、光源に接続されていない出力端子から取り出された平均電流に基づいて重畳電流を調節することができる。また、前記光ファイバの出射端側のコアの断面形状は、矩形状又は略矩形状にすることができる。本開示に係る微小粒子分析方法は、半導体レーザからなる光源から出射したレーザ光を光ファイバに入射し、該光ファイバにより前記レーザ光のビームパターンをトップハット型に変換した後、流路内を通流する微小粒子に変換後のレーザ光を照射する工程と、前記レーザ光が照射された微小粒子から発せられた光を検出する工程と、を有し、直流電流に高周波電流を重畳した駆動電流を、前記光源に供給する。本開示によれば、トップハットファイバを介して励起光を照射すると共に、光源となる半導体レーザの駆動電流に大振幅の高周波電流を重畳しているため、光源に起因するノイズが少なく、マイクロチップを使用した測定においても高精度な測定を安定して行うことができる。以下、本開示を実施するための形態について、添付の図面を参照して詳細に説明する。なお、本開示は、以下に示す各実施形態に限定されるものではない。なお、本開示は、以下に示す各実施形態に限定されるものではない。また、説明は、以下の順序で行う。1.第1の実施の形態光源駆動制御部を備えた微小粒子分析装置の例2.第1の実施の形態の変形例光源駆動制御部に加えて、音響光学素子を備えた微小粒子分析装置の例<1.第1の実施の形態>[微小粒子分析装置の全体構成]先ず、本開示の第1の実施形態に係る微小粒子分析装置の構成について説明する。図1は本実施形態の微小粒子分析装置の構成を模式的に示す図である。図1に示すように、本実施形態の微小粒子分析装置1は、サンプル流4内を1列になって通流する微小粒子5に、レーザ光を照射する光照射部2と、レーザ光が照射された微小粒子5から発せられた蛍光及び/又は散乱光を検出する検出部3が設けられている。[光照射部2]光照射部2は、少なくとも、励起光となるレーザ光を発生する光源21と、光源21から出射したレーザ光のビームパターンをトップハット型に変換する光ファイバ25と、光源21の駆動を制御する光源駆動制御部27とを備えている。また、光照射部2には、必要に応じて、コリメータレンズ22、ミラー23、集光レンズ24,26などを設けることができる。図2aはトップハット型光ファイバ25から出射したレーザ光のビーム強度を示す図であり、図2bはそのビームスポット形状を示す図である。トップハット型光ファイバ25の入射端25aから入射したレーザ光は、コア内を多くのモードに分かれて伝搬し、コア中を広がりながら進み、出射端25bからコアの全領域に均一に広がった状態で出射される。そして、トップハット型光ファイバ25を通過し、サンプル流4に照射される励起光レーザ光の断面強度は、図2aに示すように、出射端25bにおけるコア形状に対応した形状出射スポットLで、略均一に分布する。なお、トップハット型光ファイバ25の出射端25bにおけるコア形状は、矩形状又は矩形状に近い形状以下、略矩形状という。であることが望ましい。これにより、微小粒子の通流位置が変動しても、レーザ光を均一に照射することができる。一方、トップハット型光ファイバ25を使用した場合でも、近視野像NFPのスペックルにより、ビームがトップハット形状を成さなかったり、モードホップに起因する光源21の変動が生じたりすることがある図2aの破線で囲った部分参照。そして、出射スポットLにおけるビーム強度が弱い領域図2bの黒で塗りつぶした部分を微小粒子が通過すると、検出精度を低下させる原因となる。そこで、本実施形態の微小粒子分析装置1においては、光源21に半導体レーザレーザダイオードを使用し、光源駆動制御部27によって、このレーザダイオードの駆動を制御する。図3は光源駆動制御部27の構成を示す図である。また、図4a~eは図3に示す高周波駆動回路50の動作を示す図である。なお、図3においては、光源21にレーザダイオードLDを使用し、検出器33にフォトダイオードPDを使用した場合を例に示している。光源駆動制御部27は、光源21であるレーザダイオードLDに、直流電流に大振幅の高周波電流を重畳した駆動電流を供給するものであり、少なくとも、高周波発振器重畳信号発振回路51と、広帯域増幅器高周波増幅回路52と、電流スイッチ回路高周波駆動回路50とを備えている。また、重畳信号発振回路51、高周波増幅回路52及び高周波駆動回路50は、直流的に結合されている。高周波駆動回路50は、光源21であるレーザダイオードLDを駆動するものであり、レーザダイオードLDの近傍に設けられており、例えば、エミッタ結合の電流スイッチ回路の構成をとることができる。ただし、電流スイッチ回路そのものの回路構成で駆動すると、重畳のONとOFFとで、レーザダイオードLDに流れる平均電流値に変化が生じてしまう。つまり、通常のエミッタ結合の電流スイッチ回路は、APCAutoPowerControlなどを経由して供給される直流電流から、パルス状の電流を引き算する形式であるため、パルス形状に応じて平均電流が低下する。このため、低下した分の電流を補う必要があるが、仮に、APCによって電流低下分を賄おうとすると、重畳振幅を上昇させたときに、APCが自動的に平均電流を上昇させてしまうため、レーザダイオードLDの閾値電流を割り込みにくくなる。その結果、高周波重畳の効果が低くなり、更には効果がなくなる場合もある。そこで、本実施形態の微小粒子分析装置1においては、重畳をかけても平均電流が変化しない構成を採っている。具体的には、高周波駆動回路50について、電流スイッチ回路の出力端子のうち一方をレーザダイオードLDに接続すると共に、他方を外部に接続し、レーザダイオードLDに供給されない電流を、外部に取り出す構成としている。そして、その取りだした平均電流と設定振幅で演算を行い、更に、APC60からの制御電流Dに直流電流Cを加算する。これにより、高周波重畳のON/OFFに関わらず、レーザダイオードLDに流れる平均電流を一定にすることができる。なお、光源駆動制御部27におけるAPC60は、例えば、引き算回路61,62、電流電圧変改回路63、差動増幅回路64、電圧電流変換回路65などで構成され、電源6に接続されている。また、高周波駆動回路50は、レーザダイオードLDの近傍数mm以内に配置されているが、一方の直流の加算電流Cは、APC60による制御電流Dに加算して、駆動することが可能であるため、レーザダイオードLDから離れた位置数十cmに配置してもよい。ただし、その場合、高周波電流と、直流電流とを混合する前に、コイルにより交流的に分離することが望ましい。図4a~eは図3に示す高周波駆動回路50の動作を示す図である。重畳の振幅Aを、図4dに示す設定にすると、図4eに示すように、重畳電流の平均、即ちレーザダイオードLDに接続されていない方の電流スイッチの出力が検出される。図4aに示すように、この値をBとすると、加算すべき直流電流はCとなる。そして、図4bに示すように、このCを、APC60からの制御電流D直流に加算して、レーザダイオードLDに印加する。そうすると、図4cに示すように、レーザダイオードLDには、CDの直流電流とスイッチング電流Gの引き算した電流が流れる。これにより、レーザダイオードLDへの電流平均値D×gm-k×gm×Ak×gm×A=D×gmとなり、レーザダイオードLDに流れる平均電流は一致することとなる。なお、図4b及び図4cの縦軸方向のディメンジョンは、図4bから図4cへは、gmをかける関係、即ちP×gm=Eとなる。なお、gmは、電圧を電流に変換するアンプの固有係数である。前述した方法により、直流電流に高周波電流を重畳した駆動電流を光源21に供給することで、トップハット型光ファイバ25の出射端25bから出射するレーザ光のスペックルを軽減できると共に、モードホップによる光源21のパワー変動を抑制することが可能となる。なお、光源駆動制御部27においては、フォトダイオードPDにより検出した結果を、APC回路にフィードバックしてもよい。[検出部3]検出部3は、例えば、CCDChargeCoupledDevice;電荷結合素子及びPMTPhotoMultiplierTube;光電子増倍管などの光検出器33、対物レンズ31、波長フィルタ32などを備えている。そして、微小粒子5から発せられた蛍光及び/又は散乱光は、集光レンズ31で集光された後、波長フィルタ32により検出対象の波長のみが反射され、光検出器33に入射する。[動作]次に、微小粒子分析装置1の動作、即ち、本実施形態の微小粒子分析装置1を使用して微小粒子を分析する方法について説明する。本実施形態の微小粒子分析方法において測定される微小粒子には、細胞、微生物及びリボゾームなどの生体関連微小粒子、又はラテックス粒子、ゲル粒子及び工業用粒子などの合成粒子などが広く含まれる。そして、生体関連微小粒子には、各種細胞を構成する染色体、リボゾーム、ミトコンドリア、オルガネラ細胞小器官などが含まれる。また、細胞には、植物細胞、動物細胞及び血球系細胞などが含まれる。更に、微生物には、大腸菌などの細菌類、タバコモザイクウイルスなどのウイルス類、イースト菌などの菌類などが含まれる。この生体関連微小粒子には、核酸や蛋白質、これらの複合体などの生体関連高分子も包含され得るものとする。一方、工業用粒子としては、例えば有機高分子材料、無機材料又は金属材料などで形成されたものが挙げられる。有機高分子材料としては、ポリスチレン、スチレンジビニルベンゼン、ポリメチルメタクリレートなどを使用することができる。また、無機材料としては、ガラス、シリカ及び磁性材料などを使用することができる。金属材料としては、例えば金コロイド及びアルミニウムなどを使用することができる。なお、これら微小粒子の形状は、一般には球形であるが、非球形であってもよく、また大きさや質量なども特に限定されない。本実施形態の微小粒子測定装置1においては、光照射部2の光源21から出射されたレーザ光を、トップハット型光ファイバ25を介して、マイクロチップ図示せずに形成された流路内を通流する微小粒子5に照射する。そして、微小粒子5から発せられた蛍光及び/又は散乱光を、検出部3の対物レンズ31で捕捉した後、波長フィルタ32により試料から発せられた光以外の外乱成分を除去し、光検出器33で検出する。その際、光源駆動制御部27において、直流電流に、大振幅の高周波電流を重畳し、これを駆動電流として光源21を構成するレーザダイオードLDに供給する。具体的には、光源駆動制御部27に設けられた高周波駆動回路50において、パルス状のsink電流を生成し、レーザダイオードLDに流れる直流電流を減らす又は減らさないの動作を繰り返し行う。なお、ここでいう大振幅の高周波電流とは、振幅が100mAp-p以上の電流をいう。以上詳述したように、本実施形態の微小粒子分析装置1においては、光源21から出射したレーザ光を、トップハット型光ファイバ25を介して微小粒子5に照射しているため、励起光レーザ光の断面強度を均一にすることができる。また、光源駆動制御部27により、高周波重畳によるレーザダイオードLDの波長スペクトルのマルチモード化を図っているため、光ファイバの出射端面から発せられるNFPのスペックルを抑制することができると共に、モードホップによる光源であるレーザダイオードLDのパワー変動を抑制することも期待できる。そして、本実施形態の微小粒子分析装置1では、高周波駆動回路50を、電流で駆動する形式とし、重畳電流がレーザの微分抵抗の温度変化で変動しにくい構成としている。また、高周波重畳電流の振幅によらず、光源21を構成するレーザダイオードLDのもつ閾値電流を割り込む時間及び間隔デューティが変わらないようパルス駆動としている。更に、高周波駆動回路50におけるレーザダイオードLD駆動側の電源電圧は、レーザダイオードLDの通電電圧と、APC及び重畳用の加算電流Cを利用した構成としている。その結果、光源に起因するノイズを低減することができると共に、マイクロチップを使用した測定においても、高精度でかつ安定した測定を行うことができる。これにより、光軸調整の難易度だけでなく、チップに形成される流路の位置精度や装置へのチップの取り付け精度も緩和されるため、作業者の負担が軽減されると共に、測定安定性信頼性の向上にも貢献することができる。<2.第1の実施の形態の変形例>本開示の微小粒子分析装置は、図1に示す構成に限定されるものではなく、光照射部に、少なくとも、光源、トップハット型光ファイバ及び光源駆動制御部が設けられていればよい。図5は本開示の第1の実施形態の変形例に係る微小粒子分析装置の構成を模式的に示す図である。例えば、図5に示す本開示の変形例の微小粒子分析装置41のように、光照射部42に、結晶の粗密波による回折を利用して、光の周波数を変化させる音響光学素子AOM28が配設されていてもよい。この場合、音響素子28は、光源21とトップハット型光ファイバ25との間に配置される。このように、音響素子28を併用することにより、出射スポット内のビーム強度を、更に均一にすることができる。即ち、音響素子28を併用することにより、トップハット型光ファイバ25によりレーザ光のビームパターンをトップハット型にした効果を、更に高めることができる。なお、本開示は、以下のような構成をとることもできる。1流路内を通流する微小粒子にレーザ光を照射する光照射部と、前記レーザ光が照射された微小粒子から発せられた光を検出する検出部と、を有し、前記光照射部は、少なくとも、半導体レーザからなる光源と、該光源から発生したレーザ光のビームパターンをトップハット型に変換する光ファイバと、前記光源に直流電流に高周波電流を重畳した駆動電流を供給する光源駆動制御部と、を備える微小粒子分析装置。2前記光源駆動制御部には少なくとも、高周波発振器と、広帯域増幅器と、電流スイッチ回路とが設けられており、これらが直流的に結合されている1に記載の微小粒子分析装置。3前記電流スイッチ回路は、エミッタ結合型回路であり、光源に接続されていない出力端子から取り出された平均電流に基づいて重畳電流を調節する2に記載の微小粒子分析装置。4前記光ファイバの出射端側のコアの断面形状が略矩形状である1~3のいずれかに記載の微小粒子分析装置。5半導体レーザからなる光源から出射したレーザ光を光ファイバに入射し、該光ファイバにより前記レーザ光のビームパターンをトップハット型に変換した後、流路内を通流する微小粒子に変換後のレーザ光を照射する工程と、前記レーザ光が照射された微小粒子から発せられた光を検出する工程と、を有し、直流電流に高周波電流を重畳した駆動電流を、前記光源に供給する微小粒子分析方法。"