"第1導電粒子又は第1半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている第1複合層と、前記第1複合層上に設けられ、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材と、が積層された第1積層基材と前記第1積層基材の第1基材上に設けられた第1絶縁層と、前記第1積層基材の第1複合層上に設けられた第2絶縁層と、前記第1絶縁層上で長尺方向に延在して設けられた第1導電路と、前記第2絶縁層上で長尺方向に延在し、前記第1導電路に平行に設けられた第2導電路と、を有するキャパシタ型蓄電池。第1導電粒子又は第1半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている第1複合層と、前記第1複合層上に設けられた第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材と、が積層された第1積層基材と、前記第1積層基材の第1基材上に設けられた第1絶縁層と、前記第1絶縁層上で該第1積層基材の長尺方向に延在して設けられた第1導電路と、前記第1絶縁層上で該第1積層基材の長尺方向に延在し、前記第1導電路に平行に設けられた第2導電路と、を有するキャパシタ型蓄電池。前記第1導電路及び前記第2導電路の外面上に連続して設けられた第2絶縁層と、前記第2絶縁層上に設けられた第2導電膜又は第2半導体膜からなる第2基材と、第2基材上に設けられた第2導電粒子又は第2半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている第2複合層と、がこの順に積層された第2積層基材と、を有する請求項2に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第1複合層に含まれる第1導電粒子又は第1半導体粒子の粒子間の距離は、30nm以上3000nm以下である請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第2複合層に含まれる第2導電粒子又は第2半導体粒子の粒子間の距離は、30nm以上3000nm以下である請求項3又は請求項4に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第1絶縁層が接する前記第1基材の表面が凹凸を有し、前記凹凸の凹部の幅が30nm以上3000nm以下である請求項1~請求項5のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第2絶縁層が接する前記第2基材の表面が凹凸を有し、前記凹凸の凹部の幅が30nm以上3000nm以下である請求項3~請求項6のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第1絶縁層は、前記第1基材に隣接して設けられる第1接着剤層、及び前記第1接着剤層よりも前記第1基材の表面から遠い側に設けられる第2接着剤層を含む2層以上からなる請求項6又は請求項7に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第2絶縁層は、前記第2基材に隣接して設けられる第3接着剤層、及び前記第3接着剤層よりも前記第2基材の表面から遠い側に設けられる第4接着剤層を含む2層以上からなる請求項7又は請求項8に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第1接着剤層は、貯蔵弾性率が、1×104Pa以上1×105Pa未満の範囲にある有機高分子層であり、前記第2接着剤層は、貯蔵弾性率が1×105Pa以上の有機高分子層である請求項8又は請求項9に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第1接着剤層は、誘電正接tanδが0.1以上1以下の範囲にある有機高分子層であり、前記第2接着剤層は、誘電正接tanδが0.5以下の有機高分子層である請求項8~請求項10のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第2接着剤層が、樹脂中に無機化合物粉を分散させ形成した層である請求項8~請求項11のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第2接着剤層が、高分子樹脂を用いた多孔質材料に樹脂を含浸させ形成した層である請求項8~請求項12のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。更に、前記第1接着剤層と前記第2接着剤層の間に、第1強度確保層を有する請求項8~請求項13のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第3接着剤層は、貯蔵弾性率が、1×104Pa以上1×105Pa未満の範囲にあり、前記第4接着剤層は、貯蔵弾性率が1×105Pa以上の有機高分子層である有機高分子層である請求項9~請求項14のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第3接着剤層は、誘電正接tanδが0.1以上1以下の範囲にある有機高分子層であり、前記第4接着剤層は、誘電正接tanδが0.5以下の有機高分子層である請求項9~請求項15のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第4接着剤層が、樹脂中に無機化合物粉を分散させ形成した層である請求項9~請求項16のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第4接着剤層が、高分子樹脂を用いた多孔質材料に樹脂を含浸させ形成した層である請求項9~請求項17のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。更に、前記第3接着剤層と第4接着剤層の間に、第2強度確保層を有する請求項9~請求項18のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第1導電膜が、Fe、Al、Co、Cr、Ni、Ag、Mg、Cu、Sn、Au、Pt、Pd、In、Ti,Ta及びCからなる群より選択される少なくとも一つの元素、前記群より選択される少なくとも二種の元素で構成される合金若しくは共析物、又は前記群より選択される少なくとも一つの元素を含み更に周期律表の3族~14族からなる群より選択される少なくとも一つの元素を含んで構成される合金若しくは共析物、を含有する請求項1~請求項19のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第2導電膜が、Fe、Al、Co、Cr、Ni、Ag、Mg、Cu、Sn、Au、Pt、Pd、In、Ti,Ta及びCからなる群より選択される少なくとも一つの元素、前記群より選択される少なくとも二種の元素で構成される合金若しくは共析物、又は前記群より選択される少なくとも一つの元素を含み更に周期律表の3族~14族からなる群より選択される少なくとも一つの元素を含んで構成される合金若しくは共析物、を含有する請求項3~請求項20のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第1半導体膜が、ニッケルナイトライド、アナターゼ構造のチタン酸化物、酸化錫混入の酸化インジウム、酸化錫、ジルコニウム酸化物、ガリウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、シリコン及びカーボンからなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含有する請求項1~請求項21のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第2半導体膜が、ニッケルナイトライド、アナターゼ構造のチタン酸化物、酸化錫混入の酸化インジウム、酸化錫、ジルコニウム酸化物、ガリウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、シリコン及びカーボンからなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含有する請求項3~請求項22のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。常温で不純物準位から50以上の励起電子が発生するよう、前記化合物にn型またはp型の遷移金属、希土類金属又は非磁性金属をドープしてなる請求項22又は請求項23に記載のキャパシタ型蓄電池。前記第1絶縁層の同一面上に、複数列の前記第1導電路及び前記第2導電路を備える請求項2~請求項24のいずれか1項に記載のキャパシタ型蓄電池。前記複数列の第1導電路に接続する第1端子と、前記複数列の第2導電路に接続する第2端子と、を備え、前記第1端子及び前記第2端子は、前記第1導電路及び前記第2導電路から離れるに従って幅が狭くなる部分を有しており、この部分において、前記第1導電路と同一方向に延伸する2辺は、互いになす角度が30°以下である請求項25に記載のキャパシタ型蓄電池。導電粒子又は半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている複合層と、前記複合層上に設けられ、導電膜又は半導体膜からなる基材と、が積層された積層基材と前記積層基材の基材上に設けられた絶縁層と、を有するキャパシタ型蓄電池用蓄電層。上記状況を踏まえ本発明者らが鋭意検討を行った結果、上記薄膜キャパシタ型蓄電池において高い容量と蓄電保持性能を両立するためには量子ドット構造が形成されており、且つ、膜としての導電性が高いことが必要となることがわかった。高い保持特性の発現のため量子ドット構造を形成するには粒子同士が接触しないための工夫が必要であり、膜としての導電性は低くなり、静電容量は低下してしまう。また、静電容量向上のため導電性の付与を目的とし粒子間距離を縮めようとすると粒子同士の融着がおこり量子ドットとしての性質を失う粒子が出てくるため保持特性が低下してしまうことがわかった。そこで、本発明では、静電容量が高く、高い電荷保持性能を有するキャパシタ型蓄電池、及びキャパシタ型蓄電池用蓄電層を提供することを課題とする。本発明者らは、上記課題を鑑み、鋭意研究を行った結果、高分子樹脂中に導電粒子又は半導体粒子が埋め込まれた膜を設けることで、導電粒子若しくは半導体粒子、又はこれらの粒子集合体が互いに直接接触することがなく量子ドット構造を維持でき、当該膜の導電路側に導電膜又は半導体膜で構成された高導電率薄膜が存在することで静電容量を高く維持できることを見出した。すなわち、上記課題を解決するための手段は以下の通りである。本発明の第一の形態のキャパシタ型蓄電池は、第1導電粒子又は第1半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている第1複合層と、前記第1複合層上に設けられ、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材と、が積層された第1積層基材と前記第1積層基材の第1基材上に設けられた第1絶縁層と、前記第1積層基材の第1複合層上に設けられた第2絶縁層と、前記第1絶縁層上で長尺方向に延在して設けられた第1導電路と、前記第2絶縁層上で長尺方向に延在し、前記第1導電路に平行に設けられた第2導電路と、を有するキャパシタ型蓄電池である。本発明の第二の形態のキャパシタ型蓄電池は、第1導電粒子又は第1半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている第1複合層と、前記第1複合層上に設けられた第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材と、が積層された第1積層基材と、前記第1積層基材の第1基材上に設けられた第1絶縁層と、前記第1絶縁層上で該第1積層基材の長尺方向に延在して設けられた第1導電路と、前記第1絶縁層上で該第1積層基材の長尺方向に延在し、前記第1導電路に平行に設けられた第2導電路と、を有するキャパシタ型蓄電池である。本発明の第二の形態のキャパシタ型蓄電池では、更に、前記第1導電路及び前記第2導電路の外面上に連続して設けられた第2絶縁層と、前記第2絶縁層上に設けられた第2導電膜又は第2半導体膜からなる第2基材と、第2基材上に設けられた第2導電粒子又は第2半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている第2複合層と、がこの順に積層された第2積層基材と、を有していてもよい。本発明の第一~第二の形態のキャパシタ型蓄電池において、第1複合層に含まれる第1導電粒子又は第1半導体粒子の粒子間の距離は、30nm以上3000nm以下であることが好ましい。一方、本発明の第二の形態のキャパシタ型蓄電池において、第2複合層に含まれる第2導電粒子又は第2半導体粒子の粒子間の距離は、30nm以上3000nm以下であることが好ましい。本発明の第一~第二の形態のキャパシタ型蓄電池において、前記第1絶縁層が接する前記第1基材の表面が凹凸を有し、前記凹凸の凹部の幅が30nm以上3000nm以下であることが好ましい。一方、本発明の第二の形態のキャパシタ型蓄電池において、前記第2絶縁層が接する前記第2基材の表面が凹凸を有し、前記凹凸の凹部の幅が30nm以上3000nm以下であることが好ましい。本発明の第一~第二の形態のキャパシタ型蓄電池において、前記第1絶縁層が接する前記第1基材の表面が凹凸を有する場合、前記第1絶縁層は、前記第1基材に隣接して設けられる第1接着剤層、及び前記第1接着剤層よりも前記第1基材の表面から遠い側に設けられる第2接着剤層を含む2層以上からなることが好ましい。一方、本発明の第二の形態のキャパシタ型蓄電池において、前記第2絶縁層が接する前記第2基材の表面が凹凸を有する場合、前記第2絶縁層は、前記第2基材に隣接して設けられる第3接着剤層、及び前記第3接着剤層よりも前記第2基材の表面から遠い側に設けられる第4接着剤層を含む2層以上からなることが好ましい。ここで、前記第1接着剤層及び前記第3接着剤層は、貯蔵弾性率が、1×104Pa以上1×105Pa未満の範囲にある有機高分子層であることが好ましく、前記第2接着剤層及び前記第4接着剤層は、貯蔵弾性率が1×105Pa以上の有機高分子層であることが好ましい。また、前記第1接着剤層及び前記第3接着剤層は、誘電正接tanδが0.1以上1以下の範囲にある有機高分子層であることが好ましく、前記第2接着剤層及び前記第4接着剤層は、tanδが0.5以下の有機高分子層であることが好ましい。前記第2接着剤層が、樹脂中に無機化合物粉を分散させ形成した層である、或いは高分子樹脂を用いた多孔質材料に樹脂を含浸させ形成した層であることが好適である。更に、前記第1接着剤層と前記第2接着剤層の間に、前記第1基材の表面の凹凸が前記第1導電路及び第2導電路に接触するのを防止する第1強度確保層を有することが好ましく、前記第3接着剤層と前記第4接着剤層の間に、前記第2基材の表面の凹凸が前記第1導電路及び第2導電路に接触するのを防止する第2強度確保層を有することが好ましい。前記第1導電膜及び前記第2導電膜が、各々独立に、Fe、Al、Co、Cr、Ni、Ag、Mg、Cu、Sn、Au、Pt、Pd、In、Ti、Ta及びCからなる群より選択される少なくとも一つの元素、前記群より選択される少なくとも二種の元素で構成される合金若しくは共析物、又は前記群より選択される少なくとも一つの元素を含み更に周期律表の3族から14族からなる群より選択される少なくとも一つの元素を含んで構成される合金若しくは共析物を含有することが好ましい。また、単独でも導電性を有するFe、Al、Co、Cr、Ni、Ag、Mg、Cu、Sn、Au、Pt、Pd、Inの場合は単一の元素により形成されていても何ら問題ない。前記第1半導体膜及び前記第2半導体膜が、各々独立に、ニッケルナイトライド、アナターゼ構造のチタン酸化物、酸化錫混入の酸化インジウム、酸化錫、ジルコニウム酸化物、ガリウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、シリコン及びカーボンからなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含有することが好ましい。更に、これら化合物にn型またはp型の遷移金属、希土類金属又は非磁性金属をドープすることが、常温で不純物準位から50以上の励起電子を発生させる観点から好適である。なお、前記第1絶縁層の同一面上には、複数列の前記第1導電路及び前記第2導電路を備える態様も好適である。また、前記複数列の第1導電路に接続する第1端子と、前記複数列の第2導電路に接続する第2端子と、を備え、前記第1端子及び前記第2端子は、前記第1導電路及び前記第2導電路から離れるに従って幅が狭くなる部分を有しており、この部分において、前記第1導電路と同一方向に延伸する2辺は、互いになす角度が30°以下であることが好ましい。また、導電粒子又は半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている複合層、及び前記複合層上に設けられ、導電膜又は半導体膜からなる基材と、が積層された積層基材と、前記積層基材の基材上に設けられた絶縁層と、を有するものは、キャパシタ型蓄電池用蓄電層として有用である。本発明によれば、静電容量が高く、高い強度を有するキャパシタ型蓄電池、及びキャパシタ型蓄電池用蓄電層が得られる。本発明の第一の形態のキャパシタ型蓄電池は、第1導電粒子又は第1半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている第1複合層と、前記第1複合層上に設けられ、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材と、が積層された第1積層基材と前記第1積層基材の第1基材上に設けられた第1絶縁層と、前記第1積層基材の第1複合層上に設けられた第2絶縁層と、前記第1絶縁層上で長尺方向に延在して設けられた第1導電路と、前記第2絶縁層上で長尺方向に延在し、前記第1導電路に平行に設けられた第2導電路と、を有する。本発明の第二の形態のキャパシタ型蓄電池は、第1導電粒子又は第1半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている第1複合層と、前記第1複合層上に設けられた第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材と、が積層された第1積層基材と、前記第1積層基材の第1基材上に設けられた第1絶縁層と、前記第1絶縁層上で該第1積層基材の長尺方向に延在して設けられた第1導電路と、前記第1絶縁層上で該第1積層基材の長尺方向に延在し、前記第1導電路に平行に設けられた第2導電路と、を有する。ここで、第1導電路と第2導電路のペア線を流れる電流によって生じた導電路長さ方向に進行する電磁波は、第1導電路と第2導電路と接する絶縁層によって速度の低下が生じ、TE成分やTM成分を持つことになる。これらの成分は、導電膜若しくは半導体膜内、又は導電粒子若しくは半導体粒子内の電子の粗密波、つまり表面プラズモンと干渉しやすくなる。特に、導電膜又は半導体膜を構成する要素が粒子の場合に、TM成分と表面プラズモンとの波面の整合確率が高くなることより、TM成分は表面プラズモンと干渉しやすくなる。この干渉によって粗密波表面プラズモンはエネルギーを得るが、電界の影響により電子の粗密な状態を、導電膜又は半導体膜内に生じさせる。これにより、電子が密に存在する部分に電子が集まることになる。この電子の集まりは、連続的な金属半導体中においては、伝搬の際に原子格子の熱振動によって熱緩和し、エネルギーを損失させることになる。しかし、粗密波の発生する箇所に粒子化した金属半導体導電粒子半導体粒子。以下ではこれらを総称して粒子という場合がある。を配置し、この粒子又は該粒子の集合体の最大幅を小さく例えば10μm以下とすることで、熱緩和しない距離でのエネルギー伝搬となる。更に、この最大幅の粒子又は粒子集合体が互いに接触せずに、互いの間に絶縁物を存在させることで、粗密波から電磁波に戻すことができる。そして再び、電磁波から粗密波にエネルギーを変換する。これを繰り返すことで、熱緩和を抑制でき、電荷の保持性能を向上させることができる。一方、本発明第一及び第二の形態のキャパシタ型蓄電池では、上述の通り、第1導電粒子又は第1半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれた第1複合層と、第1複合層上に設けられた第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材と、が積層された第1積層基材を有している。ここで、複合層において、導電粒子または半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれているとは、有機高分子中に、導電粒子若しくは半導体粒子、又はこれらの粒子集合体が、互いに接触することなく、分散された状態で含まれることを意味する。第1複合層においては、第1導電粒子または第1半導体粒子が有機高分子である絶縁体中に埋め込まれており、その表面第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材と接する側の表面においてはTM波と表面プラズモンがエネルギー変換できるようになっており、第1導電膜または第1半導体膜からなる第1基材においては導電性が低く電子を注入できるようになっている。本発明において粒子とは、均一な固体相で構成され、その固体相は他相と接している境界で区切られた有限な一単位を意味する。例えば、導電粒子又は半導体粒子固体相の周囲に絶縁物他相が充填されている場合、特定の結晶方位を有する金属相の周囲に他の結晶方位を有する金属相又は半導体相が充填されている場合、極薄酸化膜他層が形成されている場合などが挙げられる。つまり、固体相は、単結晶、上記サイズの多結晶、アモルファスでもよい。なお、一般に固体相と他相との境界においては、バルク体と異なり電子の移動の多少の制限を受けるが、複合層中の粒子が導電膜又は半導体膜からなる基材と接触している場合には、電荷は、粒子と基材とが接触していることで接触面を通過できるものも存在している。一方で、粗密波は、複合層中の粒子の周囲を形成する境界によって、粒子の外へ伝搬が阻害される。したがって、複合層と導電膜または半導体膜からなる基材とを連続して形成することでTM波と表面プラズモンが起きやすい状態と表面プラズモンの基となる電荷注入が同時に達成される。ここで、第1複合層に含まれる第1導電粒子又は第1半導体粒子の粒子間又はそれらの粒子集合体間の距離は、30nm以上3000nm以下であることが好ましい。互いの距離を30nm以上とすることで、粗密波から電磁波に、また電磁波から粗密波にエネルギーが変換し、結果として蓄電池の容量が大きくなる。また、大きな容量を得るためには、粒子の数を一定以下に減らさないことが必要であり、この観点から互いの距離は、3000nm以下とすることがよい。更に、第1複合層に含まれる第1導電粒子又は第1半導体粒子の粒子又はそれらの粒子集合体の最大幅が100nm未満の場合には、下記に説明するような量子効果が発現する。前記最大幅が100nm未満の場合には、固有電子状態を形成し、電子のエネルギーはバルクスケールの連続的なバンド構造ではなく、離散的な複数のエネルギー準位を発生させることができる。つまり量子ドットとなり量子効果が発現する。電磁波と表面プラズモン干渉によりエネルギーを得た粗密状態は、量子ドットの量子効果で得られた離散的エネルギー準位において、基底のエネルギー準位から高いエネルギーバ準位への移動、つまり準位間励起となることができる。バルクスケールの連続的なバンド構造では、バンド内でエネルギーが緩和されてしまい保持が困難であるのに対し、離散的エネルギー準位間の励起では、エネルギーの保持作用を発現できる。さらに言うならば、金属の連続的なエネルギー順位にあっても量子ドット的構造で離散的エネルギー順位となり、エネルギーの保持作用が発現できる。離散的励起状態では、電子を伝導体に励起することで電子の抜け殻にホールができ、その電子ホールペア状態でエネルギーが保持される。この状態では、外部から見たとき電気的に中性である。すなわち、電磁エネルギーから電子ホールペア励起エネルギーにエネルギーが変換されたことになり、いわゆる静電気的な電界強度で対抗電極の一方に電子、他方にホールが保持された状態とは異なるエネルギー保持状態となる。また、電子が一方の電極側に集まっていることにより、カップリングの存在する範囲で正の電荷ホールは分極的に、他方に位置することになる。熱緩和的な正の電荷の存在確率が少ないことにより、中和が生じにくくなり、電子の強い粗密状態の保持作用に有効である。上記メカニズムでの蓄電の安定化作用は、本発明の第二の形態のキャパシタ型蓄電池において、第1導電路と第2導電路のペア線の一方の面でだけでなく、他面も活用できることから、第1導電路及び前記第2導電路の外面上、連続した第2絶縁層を設け、第2絶縁層上に、第2導電膜又は第2半導体膜からなる第2基材と、第2導電粒子又は第2半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている第2複合層と、をこの順に積層してもよい。つまり、本発明の第二の形態のキャパシタ型蓄電池は、前記第1導電路及び前記第2導電路の外面上に連続して設けられた第2絶縁層と、第2絶縁層上に設けられ、第2導電膜又は第2半導体膜からなる第2基材、及び第2基材上に設けられ、第2導電粒子又は第2半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている第2複合層がこの順に積層された第2積層基材と、を有していてもよい、以上から、本発明の第一及び第二の形態のキャパシタ型蓄電池は、静電容量が高く、高い電荷保持性能を有するキャパシタ型蓄電池となると考えられる。本発明の第一及び第二の形態のキャパシタ型蓄電池において、第1絶縁層が接する第1基材の表面は凹凸を有し、凹凸の凹部の幅は30nm以上3000nm以下であることがよい。また、本発明の第二の形態のキャパシタ型蓄電池においては、上記第2絶縁層及び第2積層基材を有する場合、第2絶縁層が接する第2基材の表面が凹凸を有し、凹凸の凹部の幅が30nm以上3000nm以下であることがよい。ここで、絶縁層が接する導電膜又は半導体膜からなる基材において、絶縁層が接する基材の表面に凹凸を有する場合、上記複合層に含まれる粒子と同様に、凹凸の凸部においてはTM波と表面プラズモンがエネルギー変換できるようになる、つまり、導電膜又は半導体膜からなる基材の凹凸の凸部において、粗密波から電磁波に、また電磁波から粗密波にエネルギーが変換し、蓄電池の容量が大きくなる。凹凸の凹部の幅は、上記複合層に含まれる粒子間の距離に相当し、当該凹凸の凹部の幅を30nm以上とすることで、粗密波から電磁波に、また電磁波から粗密波にエネルギーが変換し、結果として蓄電池の容量が大きくなる。また、大きな容量を得るためには、凹凸の凹部の幅を3000nm以下とすることがよい。なお、凹凸は、凸部同士が間隔を持って設けられており、当該間隔である凹部の幅が上記範囲であることがよい。また、凹凸の凸部の最大高さは10μm以下30nm以上が望ましく、形成の容易さの点から10μm以下、凸部の最大幅は10μm以下、凹部の最大幅は3μm以下であることがよい。本発明の第一及び第二の形態のキャパシタ型蓄電池において、第1絶縁層が接する第1基材の表面が凹凸を有する場合、第1絶縁層は、第1基材に隣接して設けられる第1接着剤層、及び第1接着剤層よりも第1基材の表面から遠い側に設けられる第2接着剤層を含む2層以上からなることがよい。第1基材に隣接して設けられる第1接着剤層は、第1基材の表面の凹凸の間に密着する接着剤層であり、第1接着剤層よりも第1基材の表面の凹凸から遠い側に設けられる第2接着剤層は、第1基材の表面の凹凸が導電路第1の形態の場合、第1導電路、第二の形態の場合、第1導電路及び第2導電路に接触するのを防止する接着剤層として機能する。これにより、第1基材の凹凸の凸部が導電路と接触するのを防止すると共に、第1基材の凹凸の凹部に空隙を生じさせることなく絶縁物を存在つまり、凹凸の凸部同士の間に絶縁物を介在させることができる。その結果、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材の凹凸の凸部において、表面プラズモンの発生が安定し、粗密波から電磁波に、また電磁波から粗密波にエネルギーが変換し、蓄電池の容量が大きくなる。また、本発明の第二の形態のキャパシタ型蓄電池においては、上記第2絶縁層及び第2積層基材を有し、第2絶縁層が接する第2基材の表面が凹凸を有する場合、第2絶縁層は、第2基材に隣接して設けられる第3接着剤層、及び第3接着剤層よりも第2基材の表面から遠い側に設けられる第4接着剤層を含む2層以上からなることがよい。第2基材に隣接して設けられる第3接着剤層は、第2基材の凹凸の間に密着する接着剤層であり、第3接着剤層よりも前記第1導電路及び前記第2導電路側に設けられる第4接着剤層は、第2基材の凹凸が第1導電路及び第2導電路に接触するのを防止する接着剤層として機能する。これにより、第2基材の凹凸の凸部が導電路と接触するのを防止すると共に、第2基材の凹凸の凹部に絶縁物を存在つまり、凹凸の凸部同士の間に絶縁物を介在させることができる。その結果、第2導電膜又は第2半導体膜からなる第2基材の凹凸の凸部において、表面プラズモンの発生が安定し、粗密波から電磁波に、また電磁波から粗密波にエネルギーが変換し、蓄電池の容量が大きくなる。ここで、導電膜又は半導体膜からなる基材の表面の凹凸に追従させて空隙を発生させないためには、基材に隣接して設けられる接着剤層第1接着剤層、第3接着剤層と、この接着剤層第1接着剤層、第3接着剤層よりも導電路側に設けられる接着剤層第2接着剤層。第4接着剤層の貯蔵弾性率を調節することが好適である。具体的には、各接着剤層第1~第4接着剤層を有機高分子層とし、第1接着剤層及び第3接着剤層の貯蔵弾性率は1×104Pa以上1×105Pa未満の範囲とし、第2接着剤層及び第4接着剤層の貯蔵弾性率は1×105Pa以上とすることが好ましい。また、第1接着剤層及び第3接着剤層と、第2接着剤層及び第4接着剤層の誘電正接tanδを調節することも好適である。具体的には、各接着剤層第1~第4接着剤層を有機高分子層とし、第1接着剤層及び第3接着剤層のtanδは0.1以上1以下の範囲とし、第2接着剤層及び第4接着剤層のtanδは0.5以下とすることが好ましい。更に、第2接着剤層及び第4接着剤層の強度を高めて基材の凹凸その凸部が導電路に接触するのを効果的に防止するよう、樹脂中に無機化合物粉を分散させ形成した層としたり、或いは高分子樹脂を用いた多孔質材料に樹脂を含浸させ形成した層としたりすることが好適である。更に、基材の凹凸その凸部が導電路に接触するのをより効果的に防止するよう、第1接着剤層と第2接着剤層の間に第1強度確保層を設ける、また第3接着剤層と第4接着剤層の間に第2強度確保層を設ける形態も好適である。この第1~第2強度確保層は、接着性を有していなくともよい。以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。<キャパシタ型蓄電池>[第1の実施形態]図1は、第1の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の一例を示す短尺方向幅方向での断面図である。第1の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池は、図1に示すように、導電性又は半導電性の第1粒子12Aが有機高分子中に埋め込まれた第1複合層12と、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材13と、が積層された第1積層基材11を有している。第1積層基材11の第1基材13上には第1絶縁層21が設けられており、第1積層基材の第1複合層12の第1複合層12上には第2絶縁層22が設けられている。第1絶縁層21上には、第1積層基材11の長尺方向図1では紙面の手前から奥に向かう方向に延在する第1導電路31が設けられ、第2絶縁層22上には、第1積層基材の長尺方向に延在し、第1導電路31と平行するように第2導電路32が設けられている。以下、各部材について説明する。第1複合層第1複合層12は、導電性又は半導電性の第1粒子12A第1導電粒子又は第1半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれた有機高分子膜で構成されている。ここで、導電性又は半導電性の第1粒子12A第1導電粒子又は第1半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれたとは、第1粒子12Aが有機高分子に覆われてることを意味する。第1粒子12Aは、少なくとも一部が有機高分子で覆われていればよいが、完全に有機高分子で覆われていることがよい。導電性又は半導電性の第1粒子12Aは、有機高分子中に分散した状態で、埋め込まれており、複数個が集合凝集した粒子集合体第1粒子集合体となって埋め込まれていてもよい。そして、第1粒子12A又は第1粒子集合体は、その互いの間に有機高分子である絶縁物を介在された状態で第1複合層12中に存在している。また、第1粒子12A第1粒子集合体を含む。以下同様であるは、TM波と表面プラズモンが起きやすい状態と表面プラズモンの基となる電荷注入を同時に達成させ易くする観点から、導電膜又は半導体膜からなる第1基材13側に偏在する、具体的には第1基材13面上に接触するようにして第1複合層12中に存在することがよい。なお、第1粒子12Aは、単一種の粒子であってもよいし、2種以上を併用してもよい。導電性の第1粒子12Aの組成としては、後述する第1導電膜で説明するものを適用することができ、好適に用いられる材料についても同様である。半導電性の第1粒子12Aの組成としては、後述する第1半導体膜で説明するものを適用することができ、好適に用いられる材料についても同様である。特に半導電性の第1粒子12Aにおいては、常温で不純物準位から50以上の励起電子が発生するよう、前記群より選択される化合物にn型又はp型の遷移金属、希土類金属又は非磁性金属をドープすることが有効である。第1粒子12Aは、キャリア密度が高く、表面プラズモンを発生しやすく、また、粒子を形成しやすい材料で構成されることが好ましい。第1粒子12Aの最大幅は、例えば、10μm以下であり、前述の通り、量子効果を発揮させる観点からは、5nm以上100nm以下であることがより好ましく、5nm以上80nm以下であることが更に好ましい。ここで、第1粒子12Aの最大幅とは、第1導電路31及び第2導電路32の延在方向、つまり表面プラズモンの進行方法に沿った第1粒子12Aを含む断面をAFMによって画像を観察し、その断面画像に含まれる100個以上の任意の第1粒子12Aについて最大幅を測定したときの値をいう。第1粒子12Aの間の距離は、30nm以上3000nm以下であることがよく、より好ましくは、30nm以上1500nm以下であり、更に好ましくは50nm以上1000nm以下である。なお、第1粒子12Aの間の距離は、有機高分子に埋め込ませる量含有量によって調整できる。ここで、第1粒子12Aの間の距離とは、第1粒子12Aの粒径の測定と同様の方法で断面を観察し、このときに隣り合う第1粒子12Aどうしにおいて、もっとも短い距離を測定したときの値をいう。有機高分子は、絶縁物であり、具体的には、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリケトン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリシロキサン系樹脂、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂や、天然ゴム、ジエン系ゴム例えばイソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム等、非ジエン系ゴム例えば、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等等が挙げられる。これらは、熱可塑性であってもよく、熱硬化性であってもよく、その未硬化物であってもよい。また、有機高分子は、樹脂、ゴムなどの変性物、混合物、共重合物であってもよい。これらの中でも、有機高分子は、耐熱性に優れる観点から、ポリイミド系樹脂であることがよい。なお、有機高分子は、第1絶縁層21及び第2絶縁層22を構成する絶縁物とは異なる材料であることがよい。有機高分子は、第1複合層12を形成するための塗液有機高分子及び第1粒子12Aの混合物の塗工性、第1複合層12を形成する際、予め形成した有機高分子膜に対して第1粒子12Aを埋め込むときの分散性の観点から、常温での剪断弾性率が、1×103Pa以上1×107Pa以下であることがよく、より好ましくは1×103Pa以上1×106Pa以下、さらに好ましくは1×103Pa以上5×106Pa以下である。なお、剪断弾性率は、JISK6254により規定された方法により求められる値である。第1複合層12の厚みは、10μm以上1mm以下であることがよく、より好ましくは10μm以上200μm以下、さらに好ましくは10μm以上100μm以下である。第1基材第1基材13は、第1導電膜又は第1半導体膜からなり、導電物質、半導体物質のいずれで構成されていてもよい。また、第1基材13は、導電物質又は半導体物質で構成されるが、導電物質又は半導体物質の粒子導電粒子又は半導体粒子が接触した状態で集合した膜からなっていてもよいし、導電物質又は半導体物質のバルク状の膜からなっていてもよい。ここで、第1基材13第1導電膜又は第1半導体膜は、第1複合層12の構成する第1粒子12A第1導電粒子又は第1半導体粒子と一体形成されていることがよい。具体的には、例えば、第1基材13と第1複合層12との界面で、第1基材13を構成する導電物質又は半導体物質と第1複合層12を構成する第1粒子12A第1導電粒子又は第1半導体粒子とが互いに結合した状態で、第1基材13と第1粒子12Aとが一体形成されていることがよい。これにより、第1基材13と第1複合層の第1粒子12Aとの間に、余分な層例えば、酸化層が介在せず、内部抵抗が低下し易くなる。なお、導電性導電膜とは、体積抵抗率が10-3Ωcm以下であることを意味する。半導電性半導体膜とは、体積抵抗率が10-3Ωcmを超えて106Ωcm以下であることを意味する第1導電膜又は第1半導体膜は、キャリア密度が高く、電荷の移動度が高い材料であることが好ましい。具体的には例えば以下の材料を例示することができる。第1導電膜は、導電性を示すものであれば特に限定されないが、例えば、Fe、Al、Co、Cr、Ni、Ag、Mg、Cu、Sn、Au、Pt、Pd、In、Ti、Ta及びCからなる群より選択される少なくとも一種の元素を含むことが好ましく、単一元素で構成されていても、2種以上の元素が含まれていてもよい。2種以上の元素が含まれている場合には、合金若しくは共析物であってもよい。更に前記群より選択される少なくとも一つの元素を含み更に周期律表の3族から14族からなる群より選択される少なくとも一つの元素を含んで構成される合金若しくは共析物あってもよい。なお、合金には固溶限界以下の固溶体も含まれる。また、単独でも導電性を有するFe、Al、Co、Cr、Ni、Ag、Mg、Cu、Sn、Au、Pt、Pd、In、Ti、Ta及びCの場合は単一の元素により形成されていても何ら問題ない。また、第1導電膜としてSi含有物を用いる場合、SiにB、Al、Pなどに代表される、周期律表の3族から15族からなる群より選択される少なくとも一つの元素を固溶限界以下にまで固溶させ導電性を付与したものを用いることができる。第1半導体膜は、半導電性を示すものであれば特に限定されないが、ニッケルナイトライド、アナターゼ構造のチタン酸化物、酸化錫混入の酸化インジウム、酸化錫、ジルコニウム酸化物、ガリウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、シリコン、カーボンからなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含有し、二種以上の化合物を併用してもよい。特に半導体においては、常温で不純物準位から50以上の励起電子が発生するよう、前記群より選択される化合物にn型又はp型の遷移金属、希土類金属又は非磁性金属をドープすることが有効である。第1基材13は、第1導電膜又は第1半導体膜のいずれか1層で構成される単層であっても、異なる材料で構成される第1導電膜を2層以上積層する複層であっても、異なる材料で構成される第1半導体膜を2層以上積層する複層であっても、更には第1導電膜及び第1半導体膜から選択される2層以上を積層してもよい。第1基材13の厚みは、20nm以上30000nm以下であることが好ましく、モジュール化した際の電気容量向上のための電荷量の確保の観点から、1μm以上20μm以下であることが好ましい。第1基材13の表面粗さRzμmは、1μm以上10μm以下であることが好ましく、2μm以上5μm以下であることがより好ましい。表面粗さRzの測定方法は以下の通りである。第1基材13の表面の凹凸状態を原子間力顕微鏡AFMを用いて測定する。この粗さ曲線からJISB0601-1994に従い、その平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の山頂線と谷底線との間隔を粗さ曲線の縦倍率の方向に測定して求める。第1絶縁層、第2絶縁層第1絶縁層21及び第2絶縁層22としては、有機絶縁物、無機絶縁物、又は有機絶縁物と無機絶縁物の複合体のいずれから形成されていてもよい。有機絶縁物としては、ポリエステル、PETポリエチレンテレフタレート、PPCポリエステルポリカーボネート、ビニリデン、ポリイミド、ポリスチレン、ゴム、アクリル、エポキシなどを挙げることができる。無機絶縁物としては、ほう珪酸ガラス、ソーダライムガラス、チタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムなどの金属酸化物などを挙げることができる。特に、第1絶縁層21及び第2絶縁層22には、実効的に誘電率の高い材料を用いることが、TE成分やTM成分の発生、及び空間電荷分布による容量成分の追加に有利であるため好ましい。また、第1絶縁層21及び第2絶縁層22は、アクリル系接着剤で形成されていることがよい。アクリル系接着剤は、高い粘着性を有し、導電路と導電膜の間に空気などが介在することを予防するため該キャパシタの製造性が向上する。なお、第1絶縁層21及び第2絶縁層22は、第1複合層12を構成する有機高分子とは異なる材料で形成されていることがよい。第1絶縁層21及び第2絶縁層22は、それぞれ単層であっても、2層以上の複層であってもよい。第1絶縁層21及び第2絶縁層22の厚み2層以上を重ねて使用する場合には総厚は、電磁波と表面プラズモンのエネルギー交換の効率化の観点から、各々20nm以上10000nm以下が好ましい。この膜厚は耐電圧の配慮もなされ、用途に適した電圧に耐えうる最低の厚みを確保することが好ましい。第1導電路、第2導電路第1導電路31及び第2導電路32の組成としては、第1導電膜で説明したものを適用することができ、好適に用いられる材料についても同様である。第1導電路31と第2導電路32は同じ材質で形成してもよいし、異なる材質で形成されていてもよい。第1導電路31及び第2導電路32の短尺方向の長さ幅wは、例えば各々1μm以上100mm以下であり、第1導電路31と第2導電路32との間隔d第1導電路31と第2導電路32の間に介在する各膜の層厚みは、例えば各々1μm以上100mm以下である。また第1導電路31及び第2導電路32の厚み高さtは、例えば各々0.5μm以上10μm以下である。また、幅wと間隔dの関係は、w/d≧1.5が望ましい。また幅wと高さtの関係は、t/w≦1が好ましく、より好ましくはt/w≦0.5である。作製方法第1の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の製造方法は、上記構成のキャパシタ型蓄電池を形成し得る方法であれば特に限定されるものではない。以下に製造方法の一例について説明する。まず、基材シートの上に、例えばバーコート法などの塗工、貼合、蒸着、めっき、イオンプレーティング、CVD、溶射などの手法で、有機高分子膜を形成した後、形成した有機高分子膜の表面に対して、第1粒子12A第1導電粒子又は第1半導体粒子を物理的に高エネルギーで蒸着する。これにより、最初に蒸着された第1粒子12Aは有機高分子の結合を破壊し有機高分子膜内部に埋め込まれるようにして分散される結果、第1複合層12が形成される。一方、有機高分子膜の内部に分散後、有機高分子膜の外部に出た第1粒子12Aは、有機高分子膜第1複合層12の表面上で互いに結合して膜状に堆積していき、その結果、導電膜又は半導体膜からなる第1基材13が形成される。ここで、第1粒子12Aを高エネルギーで蒸着する方法として具体的には、例えば、マグネトロンスパッタ、DCスパッタ、RFスパッタ、イオンビームスパッタ等が挙げられる。また、蒸着するためのエネルギーは、例えば、粒子加速エネルギーと有機高分子の結合エネルギーで決定する。なお、第1複合層12及び第1基材13の形成方法は、これに限られず、例えば、予め有機高分子と第1粒子12A第1導電粒子又は第1半導体粒子との混合物を用い、例えば塗工、貼合、溶射などの手法で、第1複合層12を形成した後、第1複合層12上に、例えばスパッタ、蒸着、めっき、イオンプレーティング、CVD、溶射などの手法で、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材13を形成する方法を採用してもよい。次に、例えばバーコート法などの塗工、貼合、蒸着、めっき、イオンプレーティング、CVD、溶射などの手法で、第1絶縁層21する。そして、更に、第1絶縁層21の上に第1導電路31を形成する。他方、これら各膜を積層した積層体から基材シートを剥がし、その剥がされた面の上つまり第1複合層12の表面第1基材13と接する面とは反対側の面の上に、第1絶縁層21の形成方法と同様の方法により第2絶縁層22を形成する。そして、更に第2絶縁層22の上に、第2導電路32を形成する。以上の工程を経て、第1の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池が製造できる。使用図示しないが、第1の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池において、蓄電池の長尺方向の一方の端部では第1導電路31及び第2導電路32が露出している。この露出している部分に、第1導電路31及び第2導電路32に電圧を与えるための第1端子及び第2端子がそれぞれ接続している。第1端子及び第2端子に所定の電位差を与えると、第1基材13と、第1導電路31及び第2導電路32との間に広がった電磁界すなわちフォトンとの間で、フォトン-表面プラズモンのエネルギー交換が行われ、大きな容量で蓄電される。以下の実施形態においても同様である。[第2の実施形態]図2は、第2の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の一例を示す短尺方向幅方向での断面図である。第2の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池は、図2に示すように、第1の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池において、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材13の表面第1絶縁層21と接する面に、凸部13A及び凹部13Bで構成された凹凸を有している。第1基材第1基材13の表面に有する凹凸は、例えば、第1基材13の表面に導電粒子若しくは半導体粒子、又はこれらの集合粒子を複数個点在させて構成している。つまり、例えば、凹凸を構成する凸部13Aが導電粒子若しくは半導体粒子、又はこれらの集合粒子で構成し、凹凸を構成する凹部13Bが点在する粒子又は集合粒子の間で構成している。ここで、第1基材13の表面に有する凹凸を構成する導電粒子若しくは半導体粒子は、導電性又は半導電性の第1粒子12Aで説明したものを適用することができ、好適に用いられる材料についても同様である。なお、第1基材13の表面に有する凹凸は、上記構成に限られず、第1基材13の表面に窪みが設けられて構成していてもよい。第1基材13の表面に有する凹凸の凸部13Aの最大幅及び最大高さ本実施形態では、本実施形態では、導電粒子若しくは半導体粒子、又はこれらの集合粒子の最大幅は、10μm以下であることが好ましく、100nm以下であることが更に好ましく、80nm以下であることが特に好ましい。ここで、凸部13Aの最大幅及び最大高さとは、第1導電路31及び第2導電路32の延在方向、つまり表面プラズモンの進行方法に沿った凸部13Aを含む断面をAFMによって画像を観察し、その断面画像に含まれる100個以上の任意の凸部13Aについて最大幅及び最大高さを測定したときの値をいう。第1基材13の表面に有する凹凸の凹部13Bの幅本実施形態では、導電粒子若しくは半導体粒子、又はこれらの集合粒子の間の距離は、30nm以上3000nm以下であり、より好ましくは、30nm以上1500nm以下であり、更に好ましくは50nm以上1000nm以下である。ここで、凹部13Bの幅とは、上記凸部13Aの最大幅の測定と同様の方法で断面を観察し、このときに隣り合う凸部13Aどうしにおいて、もっとも短い距離を測定したときの値をいう。作製方法第2の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の製造方法は、上記構成のキャパシタ型蓄電池を形成し得る方法であれば特に限定されるものではない。以下に製造方法の一例について説明する。まず、基材シートの上に、第1の実施形態と同様にして、第1複合層12及び第1基材13をこの順に形成する。次に、第1基材13第1導電膜又は第1半導体膜の表面に導電粒子又は導電粒子等による凹凸を形成するために、マグネトロンスパッタ、蒸着、めっき、イオンプレーティング、CVD、溶射などの手法により、上記サイズの凹凸となるように、第1基材13の上に導電粒子又は導電粒子を付与する。或いは、電界めっき、イオンプレーティング、CVD、溶射などの手法により、上記サイズの凹凸となるように、第1基材13の上に導電粒子又は導電粒子を析出させる。ここで、形成する導電粒子又は導電粒子等による凹凸の大きさの調整は、スパッタ法の場合は製膜条件の最適化を行うこと、電解メッキ法では印加電流条件の最適化により行うことができる。なお、第1基材13第1導電膜又は第1半導体膜とその表面に形成する導電粒子又は導電粒子等による凹凸を一体形成する場合には、同じ手法による一連のプロセスで、第1基材13の成膜条件と導電粒子又は導電粒子等による凹凸の製膜条件とを変更することで実現できる。無論、これらを各々異なる条件や異なる手法により形成してもよい。次に、表面に凹凸を設けた第1基材13上に、上記第1の実施形態と同様にして、第1絶縁層21を形成する。但し、このとき、第1基材13の表面に設けた凹凸の凹部13Bに第1絶縁層21が介在するように、用いる絶縁体の流動性を制御することが有益である。これ以降は、上記第1の実施形態と同様にして、第1導電路31、第2絶縁層22、第2導電路32を順次形成する。以上の工程を経て、第2の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池が製造できる。なお、以上説明した以外は、第1の実施形態と同様であるため、説明を省略する。[第3の実施形態]図3は、第3の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の一例を示す短尺方向幅方向での断面図である。第3の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池は、図3に示すように、第2の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池において、表面に凹凸を設けた第1基材13第1導電膜又は第1半導体膜側から、第1接着剤層211、第1強度確保層213、及び第2接着剤層212をこの順に積層する3層からなる第1絶縁層21を設けている。なお、第1強度確保層213は任意に設けられるが、絶縁層の強度を高めて第1基材13に設けた凹凸その凸部13Aが第1導電路31に接触するのを確実に防止する観点からは、設けることが好ましい。第1絶縁層第1絶縁層21は、少なくとも、第1基材13に隣接して設ける第1接着剤層211と、第1接着剤層211よりも第1導電路31側に設ける第2接着剤層212とが積層されてなり、更に、第1接着剤層211と第2接着剤層212との間に第1強度確保層213を設けて、第1接着剤層211、第1強度確保層213、及び第2接着剤層212の3層構造となっている。なお、第1接着剤層211、第1強度確保層213、及び第2接着剤層212は、それぞれ2層以上から構成されていてもよい。第1絶縁層21の総厚は、電磁波と表面プラズモンのエネルギー交換の効率化を高めて電容量を大きくするという観点から、1000nm以上30000nm以下が好ましく、5000nm以上20000nm以下がより好ましい。第1接着剤層211は圧着時に第1基材13表面の凹凸に追従して密着できるほどに軟らかい層とすることが好ましい。第2接着剤層212は、第1接着剤層211と第1導電路31の間に位置し、第1導電路31の角端や第1基材13表面の凹凸が第1接着剤層211を貫通して、第1導電路31と第1基材13とが互いに傷付けることなく、一定の間隔を保持しつつ接着させるよう、第1接着剤層211よりも硬い層とすることが好ましい。具体的には、貯蔵弾性率を調節することが好適であり、その具体的な物性値については後述する。また、第1接着剤層211及び第2接着剤層212が絶縁層として効果的に機能するよう、誘電正接tanδを調節することが好ましい。その具体的な数値については後述する。以下、第1接着剤層211、第2接着剤層212、及び第1強度確保層213について説明する。-第1接着剤層-第1接着剤層211は、第1基材13表面の凹凸に追従して密着する接着剤層である。第1接着剤層211は圧着時に第1基材13表面の凹凸に追従して密着できるほどに軟らかい層とすることが好ましい。具体的には、第1接着剤層211が有機高分子層である場合に、貯蔵弾性率は1×104Pa以上1×105Pa未満の範囲とすることが好ましく、2×104Pa以上9×104Pa以下の範囲とすることがより好ましく、3×104Pa以上6×104Pa以下の範囲とすることが更に好ましい。また、第1接着剤層211の誘電正接tanδは、第1粒子層との密着性を向上させるという観点から0.1以上1以下の範囲とすることが好ましく、0.2以上0.8以下の範囲とすることがより好ましく、0.3以上0.6以下の範囲とすることが更に好ましい。第1接着剤層211には、例えば、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、シリコン系接着剤、又は低分子のゴム系接着剤などを適用することができる。第1接着剤層211は、それぞれ単層であっても、2層以上の複層であってもよい。第1接着剤層211の厚み2層以上を重ねて使用する場合には総厚は、第1基材13表面の凹凸に追従して密着させるという観点から、各々500nm以上20000nm以下が好ましく、2000nm以上15000nm以下がより好ましい。-第2接着剤層-第2接着剤層212は、第1接着剤層211よりも第1導電路31側に設けられ、第1基材13表面の凹凸その凸部13Aが第1導電路31に接触するのを防止する接着剤層である。第1接着剤層211は圧着したときであっても、第1基材13表面の凹凸その凸部13Aが第1導電路31に接触するのを確実に防止するよう、第1接着剤層211よりも強度の高い層とすることが好ましい。具体的には、第2接着剤層212が有機高分子層である場合に、貯蔵弾性率は1×105Pa以上とすることが好ましく、2×105Pa以上1×107Pa以下の範囲とすることがより好ましく、5×105Pa以上1×106Pa以下の範囲とすることが更に好ましい。また、第2接着剤層212の誘電正接tanδは、第2接着剤層212の強度を上げ第1導電路31の端面により破壊されることを防止する観点から、0.5以下とすることが好ましく、0.05以上0.5以下の範囲とすることがより好ましく、0.1以上0.2以下の範囲とすることが更に好ましい。第2接着剤層212には、例えば、プチルゴム、CRゴム、CSMゴムなどのゴム系接着剤、高分子型のアクリル系接着剤、又は高分子型のシリコン系接着剤などを適用することができる。第2接着剤層212は、圧着時においても第1導電路31と第1基材13との間を一定の間隔で保持できるよう、樹脂中に無機化合物粉を分散させ形成した層としたり、高分子樹脂を用いた多孔質材料に樹脂を含浸させ形成した層としたりすることが好適である。無機化合物粉としては、SiO2、MgO、ZrO2及びTiO2等を例示することができる。また、無機化合物粉を分散させる樹脂としては、無機化合物粉を分散させることができるものであれば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、UV硬化性樹脂などいずれであってもよい。例えば、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂例えばPET等、ポリカーボネートとポリエステルを含むアロイ樹脂、ABS系樹脂、AS系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、塩化ビニル系樹脂、及びフッ素系樹脂等を例示することができる。樹脂中の無機化合物粉の含有率は、20質量以上85質量以下とすることが好ましく、30質量以上80質量以下とすることがより好ましく、40質量以上80質量以下とすることが更に好ましい。高分子樹脂を用いた多孔質材料としては、ポリテトラフルオロエチレンPTFEまたはポリエチレンPEなどに代表されるような高分子樹脂を例示することができる。多孔質材料とするために、発泡剤を添加してもよい。また、多孔質材料に含浸させる樹脂としては、無機化合物粉を分散させる樹脂として例示したもの等を適宜適用することができる。第2接着剤層212は、それぞれ単層であっても、2層以上の複層であってもよい。第2接着剤層212の厚み2層以上を重ねて使用する場合には総厚は、第1基材13と第1導電路31の確実な絶縁の観点から、各々500nm以上10000nm以下が好ましく、1000nm以上5000nm以下がより好ましい。-第1接着剤層と第2接着剤層の組み合わせ例-第1接着剤層211と第2接着剤層212の組み合わせ例を以下に示す。1第1接着剤層211が、貯蔵弾性率1×104Pa以上1×105Pa未満の範囲にある有機高分子層であり、第2接着剤層212が貯蔵弾性率1×105Pa以上の有機高分子層。2第1接着剤層211が、誘電正接tanδ0.1以上1以下の範囲にある有機高分子層であり、第2接着剤層212が誘電正接tanδ0.5以下の有機高分子層。3第1接着剤層211が、貯蔵弾性率1×104Pa以上1×105Pa未満の範囲にある有機高分子層であり、第2接着剤層212が無機化合物粉を分散させ形成した層。4第1接着剤層211が、誘電正接tanδ0.1以上1以下の範囲にある有機高分子層であり、第2接着剤層212が無機化合物粉を分散させ形成した層。5第1接着剤層211が、貯蔵弾性率1×104Pa以上1×105Pa未満の範囲にある有機高分子層であり、第2接着剤層212が高分子樹脂を用いた多孔質材料に樹脂を含浸させ形成した層。6第1接着剤層211が、誘電正接tanδ0.1以上1以下の範囲にある有機高分子層であり、第2接着剤層212が高分子樹脂を用いた多孔質材料に樹脂を含浸させ形成した層。7第1接着剤層211が、貯蔵弾性率1×104Pa以上1×105Pa未満の範囲にあり且つ誘電正接tanδ0.1以上1以下の範囲にある有機高分子層であり、第2接着剤層212が貯蔵弾性率1×105Pa以上で且つ誘電正接tanδ0.5以下の有機高分子層。8第1接着剤層211が、貯蔵弾性率1×104Pa以上1×105Pa未満の範囲にあり且つ誘電正接tanδ0.1以上1以下の範囲にある有機高分子層であり、第2接着剤層212が無機化合物粉を分散させ形成した層。9第1接着剤層211が、貯蔵弾性率1×104Pa以上1×105Pa未満の範囲にあり且つ誘電正接tanδ0.1以上1以下の範囲にある有機高分子層であり、第2接着剤層212が高分子樹脂を用いた多孔質材料に樹脂を含浸させ形成した層。-第1強度確保層-第1強度確保層213は、第1接着剤層211と第2接着剤層212の間に配置され、第1基材13表面の凹凸その凸部13Aが第1導電路31に接触するのをより効果的に防止する層である。圧着時において、第1基材13表面の凹凸その凸部13Aが第1導電路31に接触するのを確実に防止するという観点からは、第1強度確保層213に要求される物性値は、第2接着剤層212に要求されるものと同様であり、よって、第2接着剤層212で説明した好適な貯蔵弾性率や誘電正接tanδは、第1強度確保層213にも適用できる。第1強度確保層213において、より好適な貯蔵弾性率は、2×105Pa以上1×108Pa以下の範囲であり、更に好適には1×106Pa以上1×107Pa以下の範囲である。また、より好適な誘電正接tanδは0.05以上0.2以下の範囲であり、更に好適には0.05以上0.1以下の範囲である。なお、第1接着剤層211及び第2接着剤層212が接着性を有するため、これらの層の間に設ける第1強度確保層213には接着性が必ずしも要求されず、接着性を有していなくともよい。第1強度確保層213としては、市販の熱可塑性樹脂シートを使用することができ、特に限定されるものではない。例えば、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂例えばPET等、ポリカーボネートとポリエステルを含むアロイ樹脂、ABS系樹脂、AS系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、塩化ビニル系樹脂、及びフッ素系樹脂等の樹脂シートが挙げられる。シートの形状で入手されるものであっても、熱硬化性樹脂UV硬化樹脂のように非固体であって絶縁層上に付与した後で硬化させるものであってもよい。第1強度確保層213は、圧着時においても第1導電路31と第1基材13との間を一定の間隔で保持できるよう、樹脂中に無機化合物粉を分散させ形成した層としたり、高分子樹脂を用いた多孔質材料に樹脂を含浸させ形成した層としたりすることが好適である。無機化合物粉を分散させ形成した層や、高分子樹脂を用いた多孔質材料に樹脂を含浸させ形成した層については、第2接着剤層212で説明したものと同様であるため説明を省略する。第1強度確保層213は、表面に、周知の種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、紫外線防止剤、可塑剤、滑剤などが付与されてもよい。また、第1接着剤層211と第2接着剤層212との密着性を向上させるために、前処理としてコロナ放電処理、低温プラズマ処理、イオンボンバード処理、薬品処理、溶剤処理などを施してもよい。第1強度確保層213は、それぞれ単層であっても、2層以上の複層であってもよい。第1強度確保層213の厚み2層以上を重ねて使用する場合には総厚は、蓄電池の薄化の観点から、各々200nm以上5000nm以下が好ましく、500nm以上2000nm以下がより好ましい。作製方法本発明の第3の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の製造方法は、上記構成のキャパシタ型蓄電池を形成し得る方法であれば特に限定されるものではない。以下に製造方法の一例について説明する。まず、基材シートの上に、第2の実施形態と同様にして、第1複合層12及び、表面に凹凸を設けた第1基材13をこの順に形成する。次に、表面に凹凸を設けた第1基材13上に、別途作製した第1絶縁層21第1接着剤層211、第1強度確保層213、及び第2接着剤層212をこの順に積層する3層からなる積層体を載せて、圧着させる。このとき、第1基材13の表面に設けた凹凸の凹部13Bに第1絶縁層21の第1接着剤層211が埋込するように、加熱によりラミネートをすることが有益である。これ以降は、上記第2の実施形態と同様にして、第1導電路31、第2絶縁層22、第2導電路32を順次形成する。以上の工程を経て、第3の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池が製造できる。なお、以上説明した以外は、第2の実施形態と同様であるため、説明を省略する。[第4の実施形態]図4は、第4の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の一例を示す短尺方向幅方向での断面図である。第4の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池は、図4に示すように、基材シート41上に、導電性又は半導電性の第1粒子12Aが有機高分子中に埋め込まれた第1複合層12と、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材13と、がこの順で積層された第1積層基材11を有している。第1積層基材11の第1基材13上には第1絶縁層21が設けられている。第1絶縁層21上には、第1積層基材11の長尺方向図4では紙面の手前から奥に向かう方向に延在する第1導電路31と、第1導電路31に平行する第2導電路32とが設けられている。基材シート基材シート41は、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材13を積層できるものであれば、導電性、半導電性、及び絶縁性のいずれの性質を有するものであってもよい。絶縁性であれば、本キャパシタ型蓄電池を巻いて使用する場合には、基材シートは導電性又は半導電性のある第1基材13と第1導電路31及び第2導電路32の間を絶縁する役割を果たせる。基材シート41のうち、導電性のシートとしては、第1基材13として第1導電膜で説明したものと適用することができ、半導電性のシートとしては、第1基材13第1半導体膜で説明したものと適用することができ、絶縁性のシートとしては、第1絶縁層21で説明したものを適用することができる。好適に用いられる材料についても同様である。基材シート41の厚みは、1μm以上25μm以下が好ましい。なお、基材シート41の適用は任意であり、基材シート41を設けなくともよい。作製方法本発明の第4の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の製造方法は、上記構成のキャパシタ型蓄電池を形成し得る方法であれば特に限定されるものではない。以下に製造方法の一例について説明する。まず、基材シート41の上に、第1の実施形態と同様にして、第1複合層12、第1基材13、第1絶縁層21を形成する。次に、第1絶縁層21の上に第1導電路31と第2導電路32とを、互いが平行するように形成する。以上の工程を経て、第4の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池が製造できる。なお、以上説明した以外は、第1の実施形態と同様であるため、説明を省略する。但し、本実施形態では、導電膜又は半導体膜からなる第1基材13の厚みは、特に限定されないが20nm以上30000nm以下であることが好ましく、モジュール化した際の電気容量向上のための電荷量の確保の観点から、1μm以上20μm以下であることが好ましい。また、第1絶縁層21の厚みは、電磁波と表面プラズモンのエネルギー交換の効率化の観点から、20nm以上10000nm以下が好ましい。この膜厚は耐電圧の配慮もなされ、用途に適した電圧に耐えうる最低の厚みを確保することが好ましい。ここで、第4の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池は、第2の実施形態で説明した第1基材13と同様に、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材13の表面第1絶縁層21と接する面に、凸部13A及び凹部13Bで構成された凹凸を有している形態、第3の実施形態で説明した第1絶縁層21と同様に、表面に凹凸を設けた第1基材13第1導電膜又は第1半導体膜側から、第1接着剤層211、第1強度確保層213、及び第2接着剤層212をこの順に積層する3層からなる第1絶縁層21を設けた形態であってもよい。[第5の実施形態]図5は、第5の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の一例を示す短尺方向幅方向での断面図である。第5の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池は、図5に示すように、第4の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池において、更に、第1導電路31及び第2導電路32の外面上に、第2絶縁層23が連続して設けられ、第2絶縁層23の外面上に、第2導電膜又は第2半導体膜からなる第2基材16と、導電性又は半導電性の第2粒子15Aが有機高分子中に埋め込まれた第2複合層15と、をこの順で積層した第2積層基材14を設けている。そして、第2積層基材14の第2複合層15上には、さらに基材シート42が設けている。ここで、第2絶縁層23は第1の実施形態で説明した第2絶縁層22と、第2基材16は第1の実施形態で説明した第1基材13と、第2複合層15は第1の実施形態で説明した第1複合層12と、基材シート42は第4実施形態で説明した基材シート41と同じものを適用することができ、好適に用いられる材料についても同様である。但し、本実施形態では、第2絶縁層23及び第2基材16は平板状のものとして示しているが、このような形状に限定されず、第1導電路31及び第2導電路32による凹凸に沿って設けられていてもよい。作製方法本発明の第5の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の製造方法は、上記構成のキャパシタ型蓄電池を形成し得る方法であれば特に限定されるものではない。以下に製造方法の一例について説明する。まず、基材シート41の上に、第4の実施形態と同様にして、第1複合層12、第1基材13、第1絶縁層21を形成した後、第1絶縁層21の上に第1導電路31と第2導電路32とを互いが平行するように形成する。これを第1の積層体とする。次に、他方、基材シート42の上に、第1の実施形態で説明した第1複合層12、第1基材、第1絶縁層21と同様にして、第2複合層15、第2基材16、第2絶縁層23を順次形成する。これを第2の積層体とする。次に、得られた第1の積層体及び第2の積層体を、第1の積層体の第1絶縁層21と第2積層体の第2絶縁層23が対向するようにして、その第1絶縁層21と第2絶縁層23の間に、第1導電路31と第2導電路32とが平行するように配置して挟持するようにして貼り合せる。以上の工程を経て、第5の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池が製造できる。なお、以上説明した以外は、第4の実施形態と同様であるため、説明を省略する。ここで、第5の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池は、第2の実施形態で説明した第1基材13と同様に、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材13の表面第1絶縁層21と接する面に、凸部13A及び凹部13Bで構成された凹凸を有している形態、第3の実施形態で説明した第1絶縁層21と同様に、表面に凹凸を設けた第1基材13第1導電膜又は第1半導体膜側から、第1接着剤層211、第1強度確保層213、及び第2接着剤層212をこの順に積層する3層からなる第1絶縁層21を設けた形態であってもよい。加えて、第5の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池は、第2の実施形態で説明した第1基材13と同様に、第2導電膜又は第2半導体膜からなる第2基材16の表面第2絶縁層23と接する面に、凸部13A及び凹部13Bで構成された凹凸を有している形態、第3の実施形態で説明した第1絶縁層21と同様に、表面に凹凸を設けた第2基材16第2導電膜又は第2半導体膜側から、第1接着剤層211、第1強度確保層213、及び第2接着剤層212をこの順に積層する3層からなる第2絶縁層23を設けた形態であってもよい。[第6の実施形態]図6は、第6の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の一例を示す短尺方向幅方向での断面図である。第6の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池は、図6に示すように、第5の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池において、第1絶縁層21の同一面上に、第1導電路31及び第2導電路32を複数交互に設け、更に図示しないが複数の第1導電路31が同一の第1端子に接続しており、複数の第2導電路32が同一の第2端子に接続している。対を形成している第1導電路31及び第2導電路32の幅wとその間の距離dとは、w/d≧1.5の関係を満たすことが望ましい。対を形成していない第1導電路31と第2導電路32との距離をsとした場合、s/d≧1を満たすことが望ましい。第1端子及び第2端子は、第1導電路31及び第2導電路32から離れるに従って幅が狭くなる部分を有しており、かつこの部分において、第1導電路31及び第2導電路32が延伸する2辺が互いになす角度θが30°以下である。これにより、第1端子及び第2端子における電力の抵抗損失を少なくすることができる。また、第1端子は、直接第1導電路31に接続しているが、第2端子は貫通電極図示せずを介して第2導電路32に接続している。貫通電極は、第1端子上及び第1導電路31及び第2導電路32上に設けられた絶縁層を貫通している。第2端子は、絶縁層上に位置している。第6の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池によっても、第1~第5の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池と同様の効果を得ることができる。特に、第6の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池では、第1導電路31及び第2導電路32の数を多くしたため、蓄電池の容量がさらに大きくなる。なお、第6の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池では、第5の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の構成で、第1導電路31及び第2導電路32を複数交互に設けたものを示したが、第1~4の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池の構成で、第1導電路31及び第2導電路32を複数交互に設けたものであってもよい。[その他の実施形態]第1~6の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池は、シート状のものを説明したが、このシートを長尺方向においてロール状に巻いて使用してもよい。<キャパシタ型蓄電池用蓄電層>導電粒子又は半導体粒子が有機高分子中に埋め込まれている複合層、及び複合層上に設けられ、導電膜又は半導体膜からなる基材と、が積層された積層基材と、積層基材の基材上に設けられた絶縁層と、を有するものは、キャパシタ型蓄電池用蓄電層として有用である。キャパシタ型蓄電池用蓄電層において、複合層、導電膜又は半導体膜からなる基材、絶縁層は、第1の実施形態で説明した第1複合層12、第1基材13、第1絶縁層21とそれぞれ同義であり、好適な範囲についても同様である。以下、本発明の実施例について比較例と共に説明する。尚、本発明は下記実施例に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。実施例1支持シートとして12μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム上に、複合層としてシリコーンゴム常温での剪断弾性率:1×107PaとCuナノ粒子分散液Cuナノ粒子径10nm、体積分率10wtを重量比で1:10の割合で混合した分散液を乾燥後の厚みが20μmとなるよう塗工乾燥した。この複合層有機高分子中に埋め込まれた導電粒子Cuナノ粒子又はその粒子集合体の間の距離は50nm上に、上記Cuナノ粒子分散液を単独で10μm厚みとなるように塗工、140°C以上で加熱し一様な金属板を形成し、これを導電膜からなる基材とし、蓄電基板1を得た。次に、メチルアクリレート、2-エチルヘキシルアクリレート、及び2-ヒドロキシエチルアクリレートを用い、これらを混合し、更に硬化剤を適量添加して、有機高分子である樹脂1を合成した。上記の樹脂に関してJIS-K7244に準拠した方法で粘弾性を測定したところ、25°C、1Hzの条件において樹脂1で貯蔵弾性率が1.2×105Pa、tanδが0.4であった。次に、ポリエチレンテレフタレートフィルム側でない蓄電基板1の導電膜からなる基材上に樹脂1を乾燥後の厚みが10μm厚となるようにバーコート法により塗工し、乾燥して、絶縁層1を形成すると共に、さらに絶縁層1上に2cm幅の銅箔を貼合し、導電路を形成した。その後、蓄電基板1の支持シートを剥離し、逆面複合層上にも同様に乾燥後厚みが10μm厚となるように樹脂1を塗工、乾燥し絶縁層2を形成すると共に、さらに絶縁層2上に2cm幅の銅箔を貼合し、導電路を形成して、試験用キャパシタ型蓄電池を作製した。実施例2実施例1で作製した蓄電基板1に対して、実施例1で作製した樹脂1を乾燥後の厚みが10μm厚となるようにバーコート法により塗工、乾燥し、絶縁層1を形成した。その絶縁層1上に2cm幅の銅箔を1mm間隔で平行に並べることで、2本の導電路を形成し、試験用キャパシタ型蓄電池を作製した。実施例3支持シートとして12μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム常温での剪断弾性率3.8×109Pa上に、有機高分子として20μm厚のシリコーンゴム常温での剪断弾性率:1×107Paを設け、この上に、Alを、対向ターゲット型マグネトロンスパッタ法により、基板温度を常温に保ち、7eVの粒子エネルギーを持つよう電圧を印加し、スパッタを行い、複合層有機高分子中に埋め込まれた導電粒子Al粒子又はその粒子集合体の間の距離は45nmを形成すると共に、複合層上に100nm厚みAl層が形成し、これを導電膜からなる基材とし、蓄電基板2を得た。次に、蓄電基板1に代えて、蓄電基板2を使用する以外は、実施例2と同様の作製方法で試験用キャパシタ型蓄電池を作製した。実施例4実施例1で作製した蓄電基板1のポリエチレンテレフタレートフィルム側でない側、つまり導電膜Cu層からなる基材上にCuナノ粒子を塗工し120°C以下で乾燥させ、当該基材の表面にCuナノ粒子又はその粒子集合体からなる凹凸凸部の最大幅及び最大高さ80nm、凹部の幅100nmを形成し、蓄電基板3を作製した。次に、蓄電基板1に代えて、蓄電基板3を使用する以外は、実施例2と同様の作製方法で、試験用キャパシタ型蓄電池を作製した。実施例5支持シートとして12μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム常温での剪断弾性率3.8×109Pa上に、有機高分子として20μm厚のシリコーンゴム常温での剪断弾性率:3×107Paを設け、この上に、Alを、対向ターゲット型マグネトロンスパッタ法により、基板温度を常温に保ち、8eVの粒子エネルギーを持つよう電圧を印加し、スパッタを行い、複合層有機高分子中に埋め込まれた導電粒子Al粒子又はその粒子集合体の間の距離は51nmを形成すると共に、100nm厚みAl層が形成し、これを導電膜からなる基材とし、蓄電基板4を得た。次に、蓄電基板1に代えて、蓄電基板4を使用する以外は、実施例2と同様の作製方法で試験用キャパシタ型蓄電池を作製した。実施例6蓄電基板4の導電膜Al層からなる基材上に、Snを対向ターゲット型マグネトロンスパッタ法により基板温度を常温に保ち、8eVの粒子エネルギーを持つよう電圧を印加しスパッタを行い、当該基材の表面にSn粒子又はその粒子集合体からなる凹凸凸部の最大幅及び最大高さ100nm、凹部の幅50nmを形成し、蓄電基板5を作製した。次に、蓄電基板1に代えて、蓄電基板5を使用する以外は、実施例2と同様の作製方法で、試験用キャパシタ型蓄電池を作製した。実施例7まず、モノマーとして、2-エチルヘキシルアクリレート、及び2-ヒドロキシエチルアクリレートを用い、これらを混合し、更に硬化剤を適量添加して、有機高分子である樹脂2を合成した。また、モノマーとして、メチルアクリレート、2-エチルヘキシルアクリレート、及び2-ヒドロキシエチルアクリレートを用い、これらを混合し、更に硬化剤を適量添加して、有機高分子である樹脂3を合成した。ここで、上記の樹脂に関してJIS-K7244に準拠した方法で粘弾性を測定したところ、25°C、1Hzの条件において、樹脂2で貯蔵弾性率が5.1×104Pa、誘電正接tanδが0.4、樹脂3で貯蔵弾性率が1.2×105Pa、誘電正接tanδが0.4であった。支持シートとしての25μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに、樹脂3を乾燥後の厚みが10μm厚となるようにバーコート法により塗工し乾燥した後、さらに樹脂2を乾燥後の厚みが10μm厚となるように塗工乾燥し、2層の接着剤層からなる絶縁層3を得た。絶縁層3の樹脂2からなる接着剤層の表面に、蓄電基板1を貼合し蓄電基板1の表面に形成した導電膜Cu層からなる基材が対向して貼合し、絶縁層の樹脂2からなる接着剤層の表面に、2cm幅の銅箔を1mm間隔で平行に並べ貼合して、2本の導電路を形成することで、試験用キャパシタ型蓄電池を作製した。比較例1支持シートとして12μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム上に、複合層としてシリコーンゴム常温での剪断弾性率:1×107PaとCuナノ粒子分散液Cuナノ粒子径10nm、体積分率10wtを重量比で1:10の割合で混合した分散液を乾燥後の厚みが20μmとなるよう塗工乾燥し、蓄電基板6を得た。なお、複合層における有機高分子中に埋め込まれた導電粒子Cuナノ粒子又はその粒子集合体の間の距離は50nmであった。次に、蓄電基板1に代えて、蓄電基板6を使用する以外は、実施例1と同様の作製方法で試験用キャパシタ型蓄電池を作製した。比較例2蓄電基板1に代えて、蓄電基板6を使用する以外は、実施例2と同様の作製方法で試験用キャパシタ型蓄電池を作製した。比較例3支持シートとして12μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム上に、Cuナノ粒子分散液Cuナノ粒子径10nm、体積分率10wtを単独で10μm厚みとなるように塗工、140°C以上で加熱し一様な金属板を形成し、これを導電膜からなる基材とし、蓄電基板7を得た。蓄電基板1に代えて、蓄電基板7を使用する以外は、実施例2と同様の作製方法で試験用キャパシタ型蓄電池を作製した。評価各例で作製した試験用キャパシタ型蓄電池型蓄電池について、定電流充電装置を用いて電気容量を評価した。評価の方法を以下に示す。また、結果を表1に示す。1被測定物に対し10Cのレートで充電を行い、電源から切り離した状態で10~720時間放置した。2上記1の後に1Cのレートで放電を行った。3放電電気量を測定、電気量が60mAh以下となる経過日数を保持時間とし、比較した。製品としての合格ラインとしては保持日数が20日以上を基準とした。表1に示されるように、比較例の試験用キャパシタ型蓄電池では、放置日数が10日も持たないが、実施例の試験用キャパシタ型蓄電池の場合は保持日数が大幅に向上していることがわかる。比較例1、2の試験用キャパシタ型蓄電池では、金属粒子同士の接触が不十分なため放電開始時の電圧降下が大きく必要となる電気容量は放置時間が短い段階で満足できなくなる。一方で、比較例3の試験用キャパシタ型蓄電池において電圧降下は小さくなっており放置開始時の電気容量は大きいが、熱緩和によるエネルギ放出があるため保持特性が悪く基準を満たさない。一方、実施例1,3の試験用キャパシタ型蓄電池では、導電性と保持特性を保てているため基準を満たした。また、実施例4の試験用キャパシタ型蓄電池では、導電膜からなる基材の一方の面側に複合層に含まれる導電粒子又はその粒子集合体が存在すると共に、他方の面には導電粒子又はその粒子集合体からなる凹凸が存在しているためプラズモンが発生しやすい状態になっており、また、表面積が大きくなるため表面プラズモン密度が向上し、容量が向上したものと考えられる。また、実施例5の試験用キャパシタ型蓄電池では、導電膜からなる基材が導電粒子で形成されているため、高い容量と保持特性が同時に満たされている。また、実施例6の試験用キャパシタ型蓄電池では、導電膜からなる基材が導電粒子で形成されていると共に、導電膜からなる基材の一方の面側に複合層に含まれる導電粒子又はその粒子集合体が存在すると共に、他方の面には導電粒子又はその粒子集合体からなる凹凸が存在しているためプラズモンが発生しやすい状態になっており、また、表面積が大きくなるため表面プラズモン密度が向上し、容量が飛躍的に向上したものと考えられる。以上の結果から、実施例の試験用キャパシタ型蓄電池では、高静電容量と高い保持特性を両立できる蓄電池が得られることがわかる。"