-透明基板;-前記基板上に配置された、部分的に透明なアノード層又はアノード層アセンブリ;-前記アノード層上に配置された発光層;及び-前記発光層上に配置された透明カソード層;を有し、-前記アノード層又はアノード層アセンブリは、前記基板に面する第1表面と、前記発光層に面し且つ前記第1表面と反対側に位置する第2表面とを有し;-前記第1表面は透明導電材料を有し;-前記第2表面は第1領域及び第2領域を有し;-前記第1領域は導電性且つ不透明であり;-前記第2領域は透明且つ電気絶縁性であり;且つ-前記第1領域は、前記発光層と直接的に接触し、前記第1表面と前記発光層との間の電気接触を可能にするように構成されている、発光デバイス。前記第1表面は導電性ポリマーを有する、請求項1に記載の発光デバイス。前記第1表面は少なくとも1つの導電性酸化物を有する、請求項1に記載の発光デバイス。前記第1領域は金属又は合金を有する、請求項1に記載の発光デバイス。前記第2領域は絶縁性の透明ポリマーを有する、請求項1に記載の発光デバイス。前記第2領域はセラミック材料又はガラス材料を有する、請求項1に記載の発光デバイス。前記第2表面は、前記第1領域と前記第2領域とを含む金属層を有し、前記金属層は、前記第1領域内では非酸化形態にあり且つ前記第2領域内では酸化された少なくとも1つの金属又は合金を有する、請求項4に記載の発光デバイス。前記アノード層は、部分的に酸化された形態にある少なくとも1つの金属又は合金層で構成され、前記第1表面及び前記第1領域は非酸化形態にあり、前記第2領域は酸化された形態にある、請求項4に記載の発光デバイス。-前記カソード層上に配置された更なる発光層;及び-前記更なる発光層上に配置された、部分的に透明な、更なるアノード層又はアノード層アセンブリ;を更に有し、-前記更なるアノード層又はアノード層アセンブリは、前記更なる発光層に面する第1表面と、該第1表面と反対側に位置する第2表面とを有し;-該第1表面は第1領域及び第2領域を有し;-該第1領域は導電性且つ不透明であり;-該第2領域は透明且つ電気絶縁性であり;-該第2表面は透明導電材料を有し;-該第1領域は、前記更なる発光層と直接的に接触し、該第2表面と前記更なる発光層との間の電気接触を可能にするように構成されている、請求項1に記載の発光デバイス。請求項1乃至9の何れか一項に記載の発光デバイスを有するOLED。発光デバイスを製造する方法であって:-透明基板を準備する工程;-前記基板上に、部分的に透明なアノード層又はアノード層アセンブリを設ける工程であり、該アノード層又はアノード層アセンブリは、前記基板に面する透明且つ導電性の第1表面を有し、該アノード層又はアノード層アセンブリは、不透明導電材料の第1領域と、透明電気絶縁材料の第2領域とを備える、工程;-前記アノード層上に発光層を設ける工程;及び-前記発光層上に透明カソード層を設ける工程;を有し、前記第1領域は、前記発光層と直接的に接触し、前記第1表面と前記発光層との間の電気接触を可能にするように構成される、方法。前記アノード層は、-前記基板上に、透明導電材料の第1のサブレイヤを設け;-前記第1のサブレイヤを部分的に覆うように、透明電気絶縁材料の不連続な第2のサブレイヤを設け;-前記不連続な第2のサブレイヤによって覆われていない前記第1のサブレイヤ上の領域に不透明導電材料を設ける;ことによって設けられる、請求項11に記載の方法。前記アノード層は、-透明導電材料の第1のサブレイヤを設け;-金属又は合金の第2のサブレイヤを設け;-前記第2のサブレイヤを選択酸化し、それにより前記第1領域及び前記第2領域を形成する;ことによって設けられる、請求項11に記載の方法。前記選択酸化は、-前記第2のサブレイヤを部分的に覆い;且つ-覆われていない前記第2のサブレイヤの領域を酸化する;ことによって行われる、請求項13に記載の方法。前記アノード層は、-金属又は合金の層を設け;-該層の表面を所定深さまで選択酸化し、それにより導電材料の前記第1領域と電気絶縁材料の前記第2領域とを形成する;ことによって設けられる、請求項11に記載の方法。前記アノード層を設ける工程は、金属の電気めっきを用いることを有する、請求項11に記載の方法。本発明の1つの目的は、従来技術の問題を少なくとも部分的に解決し、改善されたエミッション制御を有する発光デバイスと、そのようなデバイスを製造する有利な方法とを提供することである。第1の態様によれば、本発明は発光デバイスに関し、当該発光デバイスは、透明基板と、前記基板上に配置された、部分的に透明なアノード層又はアノード層アセンブリと、前記アノード層上に配置された発光層と、前記発光層上に配置された透明カソード層とを有し、前記アノード層又はアノード層アセンブリは、前記基板に面する第1表面と、前記発光層に面し且つ前記第1表面と反対側に位置する第2表面とを有し、前記第1表面は透明導電材料を有し、前記第2表面は第1領域及び第2領域を有し、前記第1領域は導電性且つ不透明であり、前記第2領域は透明且つ電気絶縁性であり、且つ前記第1領域は、前記発光層と直接的に接触し、前記第1表面と前記発光層との間の電気接触を可能にするように構成される。それにより、非常に効率的な放射方向の制御が達成される。例えば、本発明は、改善された片面放射型透明OLEDデバイスの製造と、デバイスの一方の面で1つの色の光を放射し且つ反対側の面で第2の色の光を放射する透明発光デバイスの製造とを可能にする。放射方向の高度な制御が達成され得るのと同時に、この発光デバイスは、高い光透明性と有するように製造されることができる。本発明の実施形態において、発光デバイスのアノードの第1表面は導電性ポリマーを有する。導電性ポリマーを用いることにより、改善された柔軟性を有する発光デバイスを得ることができる。本発明の実施形態において、発光デバイスの上記第1表面は、例えばITO又はAlZnO材料などの少なくとも1つの導電性酸化物を有する。第1表面に酸化物材料を用いることにより、次の層の製造中のダメージの虞が低減される。例えば、第1表面が既に酸化物の形態にあるので、第1表面が酸化によって影響されるかにかかわらず、選択酸化を用いてアノードの第2表面を製造することができるからである。本発明の実施形態において、アノードの第2表面の第1領域は金属又は合金、好ましくは電気めっきされた金属、例えばAg、Pd、Ni、Al、Cuなどを有する。金属又は合金を用いることにより、高い導電性の表面を作り出すことができる。電気めっきされた金属が使用される場合、これは、製造コストを低減することを可能にする。本発明の実施形態において、発光デバイスのアノードの第2領域は絶縁性の透明ポリマーを有する。絶縁透明ポリマーを用いることにより、改善された柔軟性を有する発光デバイスを得ることができる。本発明の実施形態において、発光デバイスのアノード層の第2領域は、例えばSiO2などのガラスを有する。ガラス材料を用いることにより、高い透明度を得ることができる。また、例えばSiN又はAlOなどのセラミック材料が使用されてもよい。本発明の実施形態において、発光デバイスの上記第2表面は、上記第1領域と上記第2領域とを含む金属層を有し、該金属層は、上記第1領域内では非酸化形態にあり且つ上記第2領域内では酸化された少なくとも1つの金属又は合金を有する。このような第1及び第2領域を有する金属層を用いることにより、効率的な、交互の、導電不透明領域と透明非導電領域とを有する発光デバイスを低コストで達成することが可能である。さらに、比較的少ない製造工程によってデバイスを製造する可能性が提供される。本発明の実施形態において、発光デバイスのアノード層は、部分的に酸化された形態にある少なくとも1つの金属又は合金層で構成されることができ、上記第1表面及び上記第1領域は非酸化形態にあり、上記第2領域は酸化された形態にあるようにされ得る。このような第1及び第2領域とこのような第1表面とを有する金属層を用いることにより、交互にされた導電不透明領域及び透明非導電領域と、導電性の第1表面とを有する効率的な発光デバイスを低コストで達成することが可能である。さらに、比較的少ない製造工程によってデバイスを製造する可能性が提供される。本発明の実施形態において、発光デバイスは更に、カソード層上に配置された更なる発光層と、更なる発光層上に配置された、部分的に透明な、更なるアノード層又はアノード層アセンブリとを有し、更なるアノード層又はアノード層アセンブリは、更なる発光層に面する第1表面と、該第1表面と反対側に位置する第2表面とを有し、該第1表面は第1領域及び第2領域を有し、該第1領域は導電性且つ不透明であり、該第2領域は透明且つ電気絶縁性であり、該第2表面は透明導電材料を有し、且つ該第1領域は、更なる発光層と直接的に接触し、該第2表面と更なる発光層との間の電気接触を可能にするように構成される。このようなレイヤ構成を用いることにより、非常に先進的なエミッション制御が可能なデバイスを達成することができる。例えば、デバイスの相異なる面から反対方向に放射する2つの異なる色又は光パターンを作り出すことが可能である。第2の態様によれば、本発明は、発光層が有機材料を有するようにした上述の発光デバイスを有するOLEDに関する。このOLEDは、フレキシブルOLEDであってもよく、また、例えばランプ、内視鏡、ウィンドウ、又はセキュリティ用途に適用され得る。本発明に係る発光デバイスをOLEDにて用いることにより、放射方向が制御可能であるのと同時に高度な柔軟性が達成され得る。さらに、デバイスの高い透明度が維持される。第3の態様によれば、本発明は、上述の発光デバイスを製造する方法に関し、当該方法は、透明基板を準備する工程と、前記基板上に、部分的に透明なアノード層又はアノード層アセンブリを設ける工程であり、該アノード層又はアノード層アセンブリは、前記基板に面する透明且つ導電性の第1表面を有し、該アノード層又はアノード層アセンブリは、不透明導電材料の第1領域と、透明電気絶縁材料の第2領域とを備える、工程と、前記アノード層上に発光層を設ける工程と、前記発光層上に透明カソード層を設ける工程とを有し、前記第1領域は、前記発光層と直接的に接触し、前記第1表面と前記発光層との間の電気接触を可能にするように構成される。それにより、上述の利点を有する発光デバイスを製造することができる。また、この方法は、高い透明度、高い柔軟性及び制御エミッションを備えた発光デバイスを製造するコスト効率の良い手法を可能にする。本発明の実施形態において、アノード層は、上記基板上に透明導電材料の第1のサブレイヤを設け、第1のサブレイヤを部分的に覆うように透明電気絶縁材料の不連続な第2のサブレイヤを設け、不連続な第2のサブレイヤによって覆われていない第1のサブレイヤ上の領域に不透明導電材料を設けることによって設けられる。それにより、第1表面と第2表面とで材料を異ならせることで、機能に関して、且つ発光デバイスの製造中の材料劣化のリスクの最小化に関して、材料を最適化することができる。本発明の実施形態において、アノード層は、透明導電材料の第1のサブレイヤを設け、金属又は合金の第2のサブレイヤを設け、第2のサブレイヤを選択酸化し、それにより上記第1領域及び上記第2領域を形成することによって設けられる。この方法は第1領域及び第2領域の両方に対して1つの配設工程のみを必要とするため、コスト効率の良い方法が提供される。本発明の実施形態において、選択酸化は、第2のサブレイヤを部分的に覆い、且つ覆われていない第2のサブレイヤの領域を酸化することによって行われる。それにより、導電不透明領域と透明非導電領域とを交互に有するデバイスを達成することができる、また、エッチング工程は不要である。本発明の実施形態において、アノード層は、金属又は合金の層を設け、該層の表面を所定深さまで選択酸化し、それにより上記第1表面と、導電材料の上記第1領域と、電気絶縁材料の上記第2領域とを形成することによって設けられる。この方法は第2表面の第1領域及び第2領域と第1表面とを有するアノード層に対して単一の配設工程のみを必要とするため、コスト効率の良い方法が提供される。本発明の実施形態において、アノード層を設ける工程は、金属の電気めっきを用いることを有する。電気めっきを用いることの利点は、標準的な透明OLEDの製造と比較して追加の工程を必要としないこと、及び電気めっきは低コストの金属堆積工程であることである。また、このプロセスは、例えば選択酸化プロセスなどのその他の堆積プロセスより、制御するのが単純である。なお、本発明は、特許請求の範囲に記載される特徴群の可能な組合せ全てに関する。本発明は、放射方向を制御することが可能な透明発光デバイス、その製造方法、及び、例えばフレキシブル透明OLEDなどの透明OLEDにおけるデバイスの使用方法に関する。このようなデバイスは特に、内視鏡、ウィンドウ広告又はセキュリティ用途におけるランプとして有用である。以下の詳細な説明では、本発明の好適な複数の実施形態を説明する。しかしながら、理解されるように、これら相異なる実施形態の特徴群は、実施形態間で交換可能であるとともに、特に断らない限り、異なるように組合わされてもよい。図面に示されるように、層レイヤ及び領域の大きさは、説明目的のために誇張されており、故に、本発明の実施形態の概略構造を例示するために提示されたものである。図面全体を通して、同様の要素は似通った参照符号で参照する。図1は、本発明に係る発光デバイスの一例を示している。発光デバイス10は、透明基板11と、基板11上に配置された部分的に透明なアノード層アセンブリ12と、アノード層アセンブリ12上に配置された発光層13と、発光層13上に配置された透明カソード層14とを有している。アノード層アセンブリ12は、基板11に面する第1表面15と、第1表面15の反対側に位置して発光層13に面する第2表面16とを有する。第1表面15は透明導電材料を有し、第2表面16は第1及び第2の領域17、18を有する。第1の領域17は導電性且つ不透明であり、第2の領域18は透明且つ電気絶縁性である。第1の領域17は、発光層13と直接的に接触しており、第1表面15と発光層13との間の電気接触を可能にするように構成されている。本発明の発明者は、交互にした導電性不透明領域17及び非導電性絶縁領域18を用いることによって放射方向の優れた制御を達成できることを見出した。この発光デバイスは有利である。何故なら、例えば、絶縁性透明領域と導電性不透明領域とを有する表面又は層が、放射方向の非常に効率的な制御を可能にするからである。この発光デバイスは特に片面放射型のOLED及びOLEDデバイスに有利である。また、量子ドットデバイスにも適している。透明基板11は、ガラス又はプラスチックからなるものとすることができ、デバイス寿命を長期化するために防湿層モイスチャーバリアを含んでいてもよい。基板は、平坦な基板であってもよいし、例えばレンズ用に、湾曲した基板であってもよい。透明アノード層アセンブリ12は、2つ以上のサブレイヤ部分層からなるものとすることができ、下側の層は、第1表面15を形成する基本的に透明且つ導電性の材料からなり、上側の層は、第2表面16を形成する透明電気絶縁材料及び不透明導電材料を交互にしたものからなるものとし得る。ここでは、下側は基板11に近い側を意味し、上側は発光層13に近い側を意味する。ここでは、透明材料は、半透明、部分的に透明、あるいは完全に透明な材料を意味する。例えば、透明材料は、入射光の少なくとも20が当該材料を通過することを可能にする材料にかかわる。透明もまた、例えば格子構造を形成する層によって、その層を通して光を輸送可能にすることを含むものである。続いて、図1のアノード層アセンブリ12を更に詳細に説明する。アノードは、第1のサブレイヤ19と、該第1のサブレイヤに接触する第2のサブレイヤ20とを用い、それによりレイヤアセンブリ12を形成することによって作り出され得る。アノード層アセンブリの第1のサブレイヤ19は、例えばITO若しくはAlZnO材料といった基本的に透明な導電性酸化物、又は透明導電性ポリマーから製造されることができる。例えば、第1のサブレイヤは、非常に薄い例えば、0.1μm未満、あるいは格子構造を有した、金属層で形成されてもよい。第2のサブレイヤ20は、交互にされた導電性不透明領域17第1領域及び非導電性絶縁領域18第2領域を有し、あるいは、これらから形成され得る。導電性不透明領域17は、第1のサブレイヤ19と発光層13との間の電気接触を可能にするように層内に配置される。第2のサブレイヤ20の第1領域17は、不透明な導電性ポリマー、導電性酸化物、又は例えばAg、Pd、Niなどの導電性金属若しくは合金で製造されることができ、その一方で、第2領域18は、絶縁性で透明な、ポリマー、例えばSiO2などのガラス、SiN若しくはAlOに基づくセラミック材料を有し得る。他の例では、第1領域17は複数の金属又は合金のスタック積層体であってもよく、例えば、第1のサブレイヤ19への良好な接着性を提供する第1の金属又は合金と、発光層13への良好な電荷注入を提供する第2の金属又は合金とを有し得る。接着性を促進する金属の場合、例えばTiN又はTiWNなどの、ドープされた金属も使用され得る。他の例では、アノードは、第1及び第2表面を有し且つ該第2表面が上述の第1及び第2領域を有する単一層で形成されてもよい。本発明の発明者は、アノード層アセンブリ12を製造することには幾つかの好適手法が存在することを見出した。第1の例において、発光デバイスのアノード層アセンブリは、例えばITO又はAlZnOなどの導電性酸化物からなる第1のサブレイヤを有し、第2のサブレイヤは、部分的に酸化された金属又は合金材料例えばAlからなる。第2のサブレイヤの第1領域では上記金属又は合金は非酸化形態であるのに対し、上記金属又は合金の第2領域は、絶縁性をもたらすように酸化された形態にある。第2の例において、発光デバイスのアノード層アセンブリ12はその全体が金属又は合金で製造され、非酸化形態の金属又は合金が第1のサブレイヤを形成し、第2の金属サブレイヤが部分的に酸化されて、導通を提供する第1の非酸化領域と電気絶縁を提供する第2の酸化領域とを形成する。この例において、第1のサブレイヤの厚さは、該第1のサブレイヤを通した光輸送を可能にするのに十分な薄さに選定される。代替的に、第1のサブレイヤは不連続にされて、格子内のスペースを介した光透過を提供してもよい。第3の例において、アノード層アセンブリ12は、例えばITOなどの導電性酸化物の第1のサブレイヤを有し、導電性の第1領域17は金属又は合金からなり、第2領域18はSiO2からなる。好ましくは、第2表面16のうちの70よりかなり低い部分が不透明領域によって覆われる。例えば、該表面の約10-50が不透明領域で覆われ得る。他の例では、例えば10未満など、第2表面16のうちの更に小さい部分が不透明領域で覆われてもよい。導電領域の形状及び配置は、所望の外観に応じて自由に選定することができる。例えば、正方形、長方形、円形、格子状、又は蜂の巣状のドット群が使用され得る。複数の第1領域が、第1領域の規則的なパターンにて配置されてもよいし、あるいはアノード層内に無秩序的に配置されてもよい。後者の配置は、干渉効果及びモアレ効果が低減あるいは抑圧され得るという利点を有する。例えばストライプや同心円など、ドット以外の形状も可能であり、故に、特に金属領域が視認可能な実装形態の場合に、最終的な外観における更に大きな設計自由度がもたらされる。発光層13は、1層又は複数層の従来からの光活性材料で形成され得る。光活性材料は、例えば有機蛍光体などの有機材料からなってもよいし、あるいはセラミック蛍光体材料を有していてもよい。好適な材料の例に、量子ドット材料が含まれる。透明カソード層14は、例えば銀層などの金属層からなり得る。基本的に透明なカソード層を達成するため、金属層は、例えば100μm未満といった非常に薄い金属層から形成され得る。他の例では、透明カソード層は、導電性の酸化物、ポリマー、若しくは不連続層、又は格子構造にされた金属層で形成されてもよい。また、発光デバイスは、例えば電荷輸送層や電荷注入層などの更なる機能層を有していてもよい。図2は、本発明に係る発光デバイスの他の一例を示している。この発光デバイス20は、図1のデバイス10と同じレイヤ構造を有し、さらに、カソード層14上に配置された更なる発光層21と、更なる発光層21上に配置された、部分的に透明な、更なるアノード層アセンブリ22とを有している。更なるアノード層アセンブリ22は、更なる発光層21に面する第1表面23と、該第1表面の反対に位置する第2表面27とを有する。第1表面23は第1領域25及び第2領域26を有している。第1領域25は導電性且つ不透明であり、第2領域26は透明且つ電気絶縁性である。第2表面27は透明な導電材料を有しており、第1領域25が、発光層21に直接的に接触して、第2表面27と発光層21との間の電気接触を可能にするように構成されている。第1領域25及び第2領域26は、領域17、18に関して上述したのと同様とし得る。なお、アノード層アセンブリ22は、上記第1及び第2表面を有し且つ第2表面が上記第1及び第2領域を有する単一のアノード層によって置き換えられてもよい。この図に示されるように、発光デバイス20は光を二方向に放射し得る。異なる方向に放射される光は、発光層の光活性材料の選択や波長変換材料の存在などによって、異なる色を有するようにしてもよい。また、大きい下向きの矢印によって表されるように、デバイス20は光的に透明である。図3a-3dは、本発明に係る発光デバイスを製造する方法の一例を示している。この方法は、A例えばガラス又はプラスチックなどの透明基板を準備するステップ図3a;B部分的に透明なアノード層アセンブリを基板上に配設するステップ図3b;Cアノード層アセンブリ上に発光層を配設するステップ図3c;及びD発光層上に透明カソード層を配設するステップ図3dを有する。この方法において、アノード層アセンブリは、基板に面する透明且つ導電性の第1表面と、不透明な導電材料の第1領域と、透明な電気絶縁材料の第2領域とを備える。また、第1領域は、発光層と直に接触しており、第1表面と発光層との間の電気接触を可能するように構成される。図4a、4b及び4cは、本発明によるアノード層又はアノード層アセンブリを製造するための3つの異なる方法のステップ群を示している。図4aにおいて、アノード層アセンブリは、a1透明導電材料の第1のサブレイヤ19を基板11上に設け;a2第1のサブレイヤ19を部分的に覆うように、透明で電気絶縁性の材料の不連続な第2のサブレイヤ20を設け;且つa3上記不連続な第2のサブレイヤによって覆われていない第1のサブレイヤ上の領域に、不透明な導電材料を設けることによって配設される。例えば、これは、例えばITOを基板上に設けた後に、例えばSiO2などの絶縁透明材料の連続層をITO層上に堆積することによって行われ得る。連続した絶縁層を不連続な層に変換するため、連続した層の複数部分が、例えば従来からの有機コーティングなどの保護材料で覆われ、絶縁層の複数部分が、例えば剥離溶液又はプラズマエッチングを用いることによって、エッチングによって除去される。その後、形成された絶縁層の孔内に、例えば電気めっきを用いて、金属が堆積される。上述の保護コーティングは、エッチング工程の直後又は金属の堆積後の何れかに除去されることができる。後者は、構造のうちの不所望の領域での金属堆積が回避され得るという利点をもたらす。また、金属は、表面全体に堆積されて、絶縁領域の頂部から例えば研磨を用いて除去されてもよい。図4bにおいて、アノード層アセンブリは、b1透明導電材料の第1のサブレイヤ19を設け;b2金属又は合金の第2のサブレイヤ20を設け;且つb3第2のサブレイヤを選択的に酸化し、それにより第1及び第2領域17、18を形成することによって配設される。例えば、これは、ITOの第1のサブレイヤを基板上に設け、Alの第2のサブレイヤを付加し、導電性に維持されるべきレイヤアセンブリの部分すなわち、第1領域を、印刷又はフォトリソグラフィによって、構造化されたレジストで覆い、そして、覆われていないAl層の部分を下方にITO層まで酸化することでAl2O3の電気絶縁領域を形成することによって行われ得る。その後、レジストは除去され得る。他の例では、第1領域が所望される位置において第2のサブレイヤ上に導電性の不活性材料が設けられる。金属領域17は不透明のままであり、酸化された領域18は酸化によって透明になる。図4cにおいて、アノード層は、c1金属又は合金の層12を設け;c2層12の表面を所定の深さまで選択的に酸化し、それにより、この酸化で未反応の領域である導電材料の第1領域17を画成するとともに、非導電性の酸化された材料の第2領域酸化領域18を形成することによって配設される。この選択酸化は、第2のサブレイヤを部分的に覆い;覆われていない第2のサブレイヤの領域を下方に所定の深さまで酸化することによって行われ得る。金属領域17は不透明なままであり、酸化領域18は上述の酸化によって透明になる。第2領域18の下方の領域の金属層は透明さをもたらすべきである。例えば、第2領域18の下の金属領域は、透明であるのに十分な薄さにされ得る。また、第2領域18の下の金属領域は、この層を光が通過することを可能にするよう、気孔ポア若しくは通路チャンネルを備えたり、不連続であったりしてもよい。例えば、一部の用途では、アノード層12の総厚の少なくとも30-70に相当する酸化深さが選択され得る。また、不連続な層が使用される場合、導電領域の網状構造例えば、格子パターンにされた第1領域構造によって導電領域が互いに電気的に接続されること、又は、第1領域が個々に電気接続されることが必要とされる。不連続な層が望まれる一部の用途において、アノード層の複数領域の複数部分を下方に基板まで酸化してもよい場合がある。請求項において、括弧内に置かれた如何なる参照符号も、請求項を限定するものとして解されるべきでない。動詞有する及びその活用形の使用は、その請求項中に記載されたもの以外の要素又はステップの存在を排除するものではない。要素の前に置かれる冠詞a又はanは、その要素が複数存在することを排除するものではない。本発明は、複数の別個の要素を有するハードウェアによって実現されてもよい。複数の手段を列挙するデバイスクレームにおいて、それらの手段のうちの幾つかが、単一且つ同一のハードウェア品目によって具現化されてもよい。特定の複数の手段が互いに異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、それらの手段の組合せが有利に使用され得ないことを指し示すものではない。