第1接地パターンと、前記第1接地パターンの両面に形成される第1絶縁層と、前記第1絶縁層の表面に形成される第1導電パターンとを有する第1基板部と、第2接地パターンと、前記第2接地パターンの両面に形成される第2絶縁層と、前記第2絶縁層の表面に形成される第2導電パターンとを有する第2基板部と、前記第1基板部と前記第2基板部とを対向させた状態で、前記第1基板部の前記第1導電パターンと、前記第2基板部の前記第2導電パターンとを接続する接続部とを含む、高速信号伝送用基板。前記第1基板部と前記第2基板部との間の間隔は、前記接続部によって一定に保持される、請求項1に記載の高速信号伝送用基板。前記第1基板部と前記第2基板部との間において、前記第1絶縁層の表面のうち前記第1導電パターンが形成されていない部分と、前記第2絶縁層の表面のうち前記第2導電パターンが形成されていない部分との間に形成される中間絶縁層をさらに含む、請求項1又は2に記載の高速信号伝送用基板。一端が前記第1導電パターンに接続され、前記第1接地パターンとは絶縁された状態で前記第1絶縁層を貫通する第1ビアと、一端が前記第2導電パターンに接続され、前記第2接地パターンとは絶縁された状態で前記第2絶縁層を貫通する第2ビアとのうちの少なくとも一方をさらに含む、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の高速信号伝送用基板。前記接続部は、半田又は導電性接着剤である、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の高速信号伝送用基板。ところで、従来の基板は、信号電極及び導電体と、接地電極とが共通の空気層空間部によって絶縁されているため、信号の劣化が生じ、高速での信号伝送に障害が生じる可能性があった。そこで、本発明は、高速での信号伝達特性の良好な高速信号伝送用基板を提供することを目的とする。本発明の一局面の高速信号伝送用基板は、高速信号伝送用基板は、第1接地パターンと、前記第1接地パターンの両面に形成される第1絶縁層と、前記第1絶縁層の表面に形成される第1導電パターンとを有する第1基板部と、第2接地パターンと、前記第2接地パターンの両面に形成される第2絶縁層と、前記第2絶縁層の表面に形成される第2導電パターンとを有する第2基板部と、前記第1基板部と前記第2基板部とを対向させた状態で、前記第1基板部の前記第1導電パターンと、前記第2基板部の前記第2導電パターンとを接続する接続部とを含む。また、前記第1基板部と前記第2基板部との間の間隔は、前記接続部によって一定に保持されてもよい。また、前記第1絶縁層の表面のうち前記第1導電パターンが形成されていない部分と、前記第2絶縁層の表面のうち前記第2導電パターンが形成されていない部分との間に形成される、中間絶縁層をさらに含んでもよい。また、一端が前記第1導電パターンに接続され、前記第1接地パターンとは絶縁された状態で前記第1絶縁層を貫通する第1ビアと、一端が前記第2導電パターンに接続され、前記第2接地パターンとは絶縁された状態で前記第2絶縁層を貫通する第2ビアとのうちの少なくとも一方をさらに含んでもよい。また、前記接続部は、半田又は導電性接着剤であってもよい。高速での信号伝達特性の良好な高速信号伝送用基板を提供できるという特有の効果が得られる。以下、高速信号伝送用基板を適用した実施の形態について説明する。<実施の形態1>図1は、実施の形態1の高速信号伝送用基板100の一部の断面を示す図である。高速信号伝送用基板100は、第1基板部110と第2基板部120とを含む。第1基板部110と第2基板部120とは、接続部131及び132により、互いに空間部140を隔てて対向するように接続されている。第1基板部110は、絶縁層111、グランドパターン112、配線パターン113、ビア114、配線パターン115、及び配線パターン116を含む。第2基板部120は、配線パターン121、配線パターン122、ビア123、ビア124、絶縁層125、グランドパターン126、配線パターン127、及び配線パターン128を含む。実施の形態1の高速信号伝送用基板100に含まれる第1基板部110と第2基板部120は、それぞれ、例えば、FR4FlameRetardantType4基板によって構成される多層基板である。ここで、図1に示す断面は、実施の形態1の高速信号伝送用基板100の一部の断面である。実施の形態1の高速信号伝送用基板100の第1基板部110及び第2基板部120は、さらに多くの配線パターン、ビア、グランドパターンを含んでいてもよい。また、図1には、2つの接続部131及び132だけを示すが、実施の形態1の高速信号伝送用基板100は、さらに多くの接続部を含んでいてもよい。第1基板部110及び第2基板部120は、接続部131及び132により、互いの間の間隔が一定になるように接続されている。絶縁層111は、絶縁層111Aと絶縁層111Bとの2層を含み、絶縁層111Aと絶縁層111Bとの間にグランドパターン112が形成されている。すなわち、グランドパターン112の両面に絶縁層111Aと絶縁層111Bとがそれぞれ形成されている。絶縁層111は、例えば、絶縁層111Bの一方の面図中下側の面にグランドパターン112を形成した後に、絶縁層111Aを形成することによって作製される。なお、図1には、絶縁層111Aと絶縁層111Bとの境界を示さないが、グランドパターン112を境界として、絶縁層111の下半分が絶縁層111Aであり、上半分が絶縁層111Bである。グランドパターン112は、接地電位に保持され、高速信号のリターン側になるパターンであり、例えば、銅箔によって構成される。グランドパターン112は、配線パターン113、115、116、121、122とのインピーダンス整合を良好にし、配線パターン113、115、116、121、122を伝送される信号の伝達特性を良好にするために設けられている。配線パターン113は、絶縁層111Aの表面図1中における下面に形成され、ビア114を介して配線パターン115に接続されている。配線パターン113は、高速信号伝送用基板100の表面図1中の下面に形成されており、例えば、LSILargeScaleIntegratedcircuit:大規模集積回路チップ、抵抗器、キャパシタ等の電子部品が接続される。配線パターン113は、例えば、銅箔によって構成される。ビア114は、層間での接続を確保するために設けられており、グランドパターン112と絶縁された状態で絶縁層111A、111Bを層厚方向に貫通している。ビア114は、例えば、銅によって作製される。配線パターン115は、絶縁層111Bの表面図1中の上面に形成され、ビア114と接続部131が接続されている。配線パターン115は、上面が空間部140に露出している。配線パターン115は、例えば、銅箔によって構成される。配線パターン116は、絶縁層111Bの表面図1中の上面に形成され、上面に接続部132が接続されている。配線パターン116は、上面が空間部140に露出している。配線パターン116は、例えば、銅箔によって構成される。配線パターン121は、絶縁層125Aの表面図1中の下面に形成され、接続部131とビア123に接続されている。配線パターン121は、下面が空間部140に露出している。配線パターン121は、例えば、銅箔によって構成される。配線パターン122は、絶縁層125Aの表面図1中の下面に形成され、接続部132とビア124に接続されている。配線パターン122は、下面が空間部140に露出している。配線パターン122は、例えば、銅箔によって構成される。ビア123は、層間での接続を確保するために設けられており、グランドパターン126と絶縁された状態で絶縁層125A、125Bを層厚方向に貫通している。ビア123は、例えば、銅によって作製される。ビア124は、層間での接続を確保するために設けられており、グランドパターン126と絶縁された状態で絶縁層125A、125Bを層厚方向に貫通している。ビア124は、例えば、銅によって作製される。絶縁層125は、絶縁層125Aと絶縁層125Bとの2層を含み、絶縁層125Aと絶縁層125Bとの間にグランドパターン126が形成されている。すなわち、グランドパターン126の両面に絶縁層125Aと絶縁層125Bとがそれぞれ形成されている。絶縁層125は、例えば、絶縁層125Bの一方の面図中下側の面にグランドパターン126を形成した後に、絶縁層125Aを形成することによって作製される。なお、図1には、絶縁層125Aと絶縁層125Bとの境界を示さないが、グランドパターン126を境界として、絶縁層125の下半分が絶縁層125Aであり、上半分が絶縁層125Bである。グランドパターン126は、接地電位に保持され、高速信号のリターン側になるパターンであり、例えば、銅箔によって構成される。グランドパターン126は、配線パターン115、116、121、122、127、128とのインピーダンス整合を良好にし、配線パターン115、116、121、122、127、128を伝送される信号の伝達特性を良好にするために設けられている。配線パターン127は、絶縁層125Bの表面に形成され、ビア123を介して配線パターン121に接続されている。配線パターン127は、高速信号伝送用基板100の表面図1中の上面に形成されており、例えば、LSIチップ、抵抗器、キャパシタ等の電子部品が接続される。配線パターン127は、例えば、銅箔によって構成される。配線パターン128は、絶縁層125Bの表面に形成され、ビア124を介して配線パターン122に接続されている。配線パターン128は、高速信号伝送用基板100の表面図1中の上面に形成されており、例えば、LSIチップ、抵抗器、キャパシタ等の電子部品が接続される。配線パターン128は、例えば、銅箔によって構成される。接続部131は、配線パターン115と配線パターン121との間の電気的接続を確保するために設けられているとともに、配線パターン115を含む第1基板部110と配線パターン121を含む第2基板部120とを固定するために設けられている。接続部131は、例えば、導電性接着剤又は半田によって構成される。接続部132は、配線パターン116と配線パターン122との間の電気的接続を確保するために設けられているとともに、配線パターン116を含む第1基板部110と配線パターン122を含む第2基板部120とを固定するために設けられている。接続部131は、例えば、導電性接着剤又は半田によって構成される。第1基板部110と第2基板部120とは、接続部131及び132によって、互いの間に空間部140を隔てるとともに、互いの間の間隔が均一になるように接続されている。以上のような高速信号伝送用基板100において、配線パターン115、116、121、122は、空間部140により、表面が空気に晒されている。ここで、空気の誘電率と、FR4基板に含まれる絶縁層111、125との誘電率の比は、1:4である。高速信号の伝送損失は、誘電率の平方根に比例するため、両面が空気に晒されている配線パターンの伝送損失は、両面がFR4製の絶縁層によって覆われている配線パターンの1/2である。配線パターン115、116、121、122は、高速信号伝送用基板100の内部層間に存在しながら、空間部140によって片方の面が空気に晒されている。このため、配線パターン115、116、121、122における伝送損失は、両面が絶縁層に覆われている配線パターンに比べて、2/3=1/1.5に低減される。ここで、図2及び図3を用いて、FR4基板に含まれる絶縁層によって両面が覆われた配線と、FR4基板に含まれる絶縁層の上に形成され、上面が空気に晒された配線とにおける伝送損失を求めたシミュレーション結果について説明する。図2Aは、FR4基板に含まれる絶縁層によって両面が覆われた配線を示す斜視図であり、図2Bは、FR4基板に含まれる絶縁層の上に形成され、上面が空気に晒された配線を示す斜視図である。図2A及び図2Bに示す配線151、152は差動の高速信号の高速信号と-の高速信号を伝送する配線である。図2Aに示す配線151及び152は、絶縁層153の上に形成され、上面は絶縁層154によって覆われている。図2Bに示す配線151及び152は、絶縁層153の上に形成され、上面は空気に晒されている。なお、図2A及び図2Bに示すようにX軸、Y軸、Z軸を定義し、配線151、152はX軸に平行に、かつ、配線151及び152の間にX軸が通るように配置した。図3A及び図3Bは、それぞれ、図2A及び図2Bに示す配線151及び152における信号の伝送損失を求めたシミュレーション結果を示す図である。なお、シミュレーションにはHFSSHighFrequencyStructureSimulatorを用いた。図3Aに示すように、配線151及び152の上面が絶縁層154によって覆われている場合は、配線151に示す高速信号の周波数が10GHzのときには、伝送損失は約-1.51dBであり、20GHzでは-2.79dBであった。また、図3Bに示すように、配線151及び152の上面が空気に晒されている場合は、配線151に示す高速信号の周波数が10GHzのときには、伝送損失は約-1.07dBであり、20GHzでは-2.88dBであった。以上より、図2Bに示すように、上半分を空気に晒した配線151及び152では、図2Aに示すように、上半分が絶縁層154によって覆われた配線151及び152に比べて、伝送損失が2/3に低減されていることが分かる。これにより、図1に示す配線パターン115、116、121、122における伝送損失は、両面が絶縁層に覆われている配線パターンに比べて、2/3=1/1.5に低減されることが分かる。また、配線パターン115、116、121、122は、グランドパターン112、126とは絶縁層111、125によって隔離されている。このため、配線パターン115、116、121、122における信号の劣化が生じ難く、高速での良好な信号伝送特性を得ることができる。また、実施の形態1の高速信号伝送用基板100では、第1基板部110と第2基板部120との間は、接続部131及び132により、一定間隔に保持されている。このため、各配線パターン113、115、116、121、122、127、128と、各グランドパターン112、126との間の層厚方向の距離は一定に保持される。このように、接地電位に保持されるグランドパターン112、126と、高速信号が伝送される配線パターン113、115、116、121、122、127、128との層厚方向の間隔が一定である。このため、実施の形態1の高速信号伝送用基板100では、配線パターン113、115、116、121、122、127、128における特性インピーダンスのばらつきやインピーダンスの不整合の発生を抑制することができる。また、この結果、信号の劣化、損失の増大等を抑制し、高速での信号伝達特性の良好な高速信号伝送用基板100を提供することができる。以上、実施の形態1の高速信号伝送用基板100によれば、配線パターン115、116、121、122の一方の面が空気に晒されることにより、信号の伝送損失を低減できるとともに、配線パターン115、116、121、122が絶縁層111、125によってグランドパターン112、126と隔離されていることにより、配線パターン115、116、121、122における高速での良好な信号伝送特性を得ることができる。また、第1基板部110と第2基板部120との間が、接続部131及び132により、一定間隔に保持されることにより、配線パターン113、115、116、121、122、127、128における特性インピーダンスのばらつきやインピーダンスの不整合の発生を抑制することができる。この結果、信号の劣化、損失の増大等を抑制し、高速での信号伝達特性の良好な高速信号伝送用基板100を提供することができる。<実施の形態2>実施の形態2の高速信号伝送用基板200は、第1基板部110と第2基板部120とを接続する部材として、接続部131及び132に加えて、中間絶縁層を含む点が実施の形態1の高速信号伝送用基板100と異なる。以下において、実施の形態1の高速信号伝送用基板100と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図4は、実施の形態2の高速信号伝送用基板200の一部の断面を示す図である。実施の形態2の高速信号伝送用基板200は、実施の形態1の高速信号伝送用基板100の第1基板部110と第2基板部120との間の空間部140の一部に、中間絶縁層211及び225を挿入したものである。中間絶縁層211は、第1基板部110の絶縁層111B、配線パターン115、及びビア114の表面図4中の上面の一部覆うように形成されている。中間絶縁層225は、第2基板部120の絶縁層125Aの表面図4中の下面の一部を覆うように形成されている。中間絶縁層211及び225の層厚は、それぞれ、空間部140の層厚の半分に設定されており、図4の右端側に示すように、中間絶縁層211と中間絶縁層225が積層される部分において、接着剤等で接着されることにより、第1基板部110と第2基板部120とを固定する。実施の形態1で図2及び図3を用いて説明したように、配線の上面は、絶縁層に覆われているよりも、空気に晒されている方が信号の伝送損失が低減される。このため、中間絶縁層211及び225は、空間部140に面する配線パターン115、116、121、122の上面を覆う部分が少なくなるように形成されることが好ましい。例えば、図4に示す中間絶縁層211は、ビア114の上面を覆っているが、中間絶縁層211は、ビア114の上面を覆わないように形成してもよい。以上、実施の形態2の高速信号伝送用基板200によれば、接続部131及び132に加えて、中間絶縁層211及び225によって第1基板部110と第2基板部120を接続することができるので、実施の形態1の高速信号伝送用基板100よりも第1基板部110と第2基板部120との接合力を強化することができる。以上、実施の形態2によれば、信号の劣化、損失の増大等を抑制し、高速での信号伝達特性が良好で、第1基板部110と第2基板部120との接合力を強化した高速信号伝送用基板200を提供することができる。以上、本発明の例示的な実施の形態の高速信号伝送用基板について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。