"筐体を備える真空遮断器1であって、前記筐体が、中心平面Sに対して対称に形成および配置された2つの絶縁筐体領域9、10を有し、前記2つの絶縁筐体9、10のそれぞれが、複数の絶縁筐体部11、12、13、14、15、16と、それぞれ隣り合う絶縁筐体部間、および絶縁筐体部と別の隣接筐体部6、8、17それぞれとの間に配置された、真空遮断器の内側に延在するシールド素子18、19、20、21、22、23、24、25と、を含み、前記シールド素子18、19、20、21、22、23、24、25の幾何学的寸法が、隣り合うシールド間の印加電圧および可能な臨界電界強度に応じて決定されることを特徴とする真空遮断器1。真空遮断器1の接点機構2、4から最も遠く離して配置された絶縁筐体部11、12、13、14、15、16に配置されているシールド素子18、19、24、25が、絶縁筐体部11、12、13、14、15、16からの距離sと、曲率半径がRのシールド素子の各端部における互いの距離dsと、を有し、ここで、によるs、dsおよびRが、前記最も遠く離された絶縁部における最大電圧差ΔUmax、および臨界電界強度に準拠し、前記臨界電界強度が真空遮断器1の電界計算から得られ、前記最大電圧差ΔUmaxが次式から得られ、ここで、αは、電界計算による結合係数であり、εrは、絶縁筐体部の数で決まる前記絶縁筐体部の誘電率であることを特徴とする請求項1に記載の真空遮断器1。三接合点を遮蔽するために各シールド素子18、19、20、21、22、23、24、25が、前記シールド素子が前記絶縁筐体部11、12、13、14、15、16から距離δで前記絶縁筐体部11、12、13、14、15、16に接続されるポイントの領域において、前記真空遮断器1の内側に半径方向に延在し、δは次式の関係で決定され、ここで、εrは、前記絶縁筐体部11、12、13、14、15、16の誘電率であり、LSは、比例に基づくシールドの長さであり、LKは、前記絶縁筐体部の長さであることを特徴とする請求項1または2に記載の真空遮断器1。本発明の目的は、改善された誘電特性を有すると同時に材料節約設計になっている、最初に述べたタイプの真空遮断器を設計することである。こうした設計は、本発明によれば、最初に述べたタイプの真空遮断器の場合、各シールド素子の幾何学的寸法geometricdimensionsが、隣り合うシールド間の印加電圧および可能な臨界電界強度に応じて決定されるということによって実現される。隣り合うシールド間の印加電圧および可能な臨界電界強度に応じて大きさを決めることによって、必要とされる誘電特性が、最少量の必要材料消費で、まず第1に、過度に大きな寸法を有する必要のあるシールド素子を用いずに得られる。第2には、真空遮断器に印加される電圧に関する要件に適合する誘電特性が同時に得られ、真空遮断器の個々のシールド素子の間にフラッシュオーバーなどが起こることがない。本発明でいう幾何学的寸法とは、例えば、隣り合うシールド素子間の距離、軸方向範囲内のシールド素子と絶縁筐体部との間の距離、または一端で曲げられているシールド素子の曲率半径のことである。本発明の有利な一構成において、真空遮断器の接点機構から最も遠く離して配置された絶縁筐体部に配置されているシールド素子は、絶縁筐体部からの距離sと、曲率半径がRのシールド素子の各端部における互いの距離dsと、を有し、ここで、によるs、dsおよびRが、最も遠く離された絶縁部における最大電圧差ΔUmax、および臨界電界強度に準拠し、前記臨界電界強度は真空遮断器の電界計算から得られ、最大電圧差ΔUmaxは次式から得られる。ここで、αは、電界計算による結合係数であり、εrは、絶縁筐体部の数で決まる絶縁筐体部の誘電率である。真空遮断器の接点機構から最も遠く離して配置されたこのようなシールド素子の構成は、一連の実験および計算において、各シールド素子間の距離およびシールド素子とセラミック部の間の距離と、曲率半径の設計との最適な幾何学的形態となったが、これは、真空遮断器に沿って軸方向に設定される電位分布、したがって絶縁耐力の故であり、この絶縁耐力は、遮断器の形状と、例えば真空遮断器が中に配置されている、切り替えデバイスの接地電位の筐体または接地された筐体などの外部状態への容量結合との両方に依存する。真空遮断器の一端に配置された絶縁筐体部と、それに配置されたシールド素子とは、最大電位差を有する。結合ベクトルαはこの場合、真空遮断器の両端間の電圧がどのように設定されるか、または具体的に、どのような比率で接点機構に最も近い絶縁筐体部の両端間の電圧降下が構成されるかを示す。本発明の別の有利な構成では、三接合点を遮蔽するために各シールド素子は、前記シールド素子が絶縁筐体部から距離δで絶縁筐体部に接続されるポイントの領域で、真空遮断器の内側に半径方向に延在し、δは次式の関係で決定される。ここで、εrは、絶縁筐体部の誘電率である。LSは、比例に基づくシールドの長さである。Lkは、絶縁筐体部の長さである。シールド素子と絶縁筐体部との間の接続ポイントの領域におけるこのような構成を考えると、三接合点内の電界の最適な負の制御が実現する。本発明でいう三接合とは、この場合、絶縁筐体部とシールド素子と真空とが互いに隣接する真空遮断器の任意の接続領域のことである。本発明を、例示的な一実施形態を用い、添付の図面を参照して、より詳細に説明する。図面において、一つの図が、本発明にかかる真空遮断器の例示的な一実施形態を示す。同図は、接点機構が固定接点2を固定接点接続ピン3、移動接点4および移動接点接続ピン5とともに備える、真空遮断器1を示す。固定接点接続ピン3は、開閉装置図示せずの電流伝導部に接続するために、カバー部の形の金属筐体部6を真空気密に貫いて真空遮断器の中から外へ通され、同様に移動接点接続ピン5は、第2のカバー部の形の金属筐体部8をベローズ7によって真空気密に、かつ移動可能に貫いて真空遮断器1の中から外へ通される。移動接点4および固定接点2を有する接点機構は、真空遮断器を経由して伝導される電流を切り替えるまたは遮断するためのものであり、接点機構を切替えるまたは遮断する駆動装置図示せずの駆動の動きは、移動接点接続ピン5を介して取り入れることができる。真空遮断器は、第1の絶縁筐体領域9、および第2の絶縁筐体領域10を有し、第1の絶縁筐体領域9は、セラミック円筒の形をした絶縁筐体部11、12および13で構築され、かつ第2の絶縁筐体領域10は、同様にセラミック円筒の形をした絶縁筐体部14、15および16で構築され、さらに金属チャンバの形をした別の絶縁筐体部17が、第1の絶縁筐体領域9と第2の絶縁筐体領域10との間に配置される。中心平面Sに対して真空遮断器1は、その筐体に関してほぼ対称形である。真空遮断器の内側へ延在するシールド素子18~25は、隣り合う絶縁筐体部間に、ならびに金属筐体部6,8とそれぞれの隣接絶縁筐体部との間に、いずれの場合も配置される。シールド素子18~25は、以下でより詳細に説明するように、それらの幾何学的寸法が、隣り合うシールド間の印加電圧、および可能な臨界電界強度に応じて決定されるように構成される。同図に示された、固定接点と移動接点とが互いに間隔を置いて離れている接続解除された接点機構の場合、電位分布が真空遮断器の両端間に設定され、この電位分布は、真空遮断器の形状と、例えば、開閉装置図示せずの接地電位の筐体または接地された筐体である外部状態への容量結合との両方に依存する。この電位分布は、真空遮断器の絶縁耐力に関して重要である。したがって、電位分布によりまた、隣り合うシールド素子間の各電位差が異なることになり、それぞれ最も遠く離された絶縁筐体部にあるシールド素子が、最大の電位差を有する。シミュレーションおよび電界計算により、接点機構に最も近く配置されたシールド素子の総印加電圧との関係が次式となる。Us=αUここで、αは、電界計算により得られる結合係数であり、例えば4つの絶縁筐体部を有する真空遮断器では、外部状態にもよるが、0.3の値を想定することができる。n番目とn-1番目のシールド素子n=2、3、...Nの間の電位差について、おおよそ次式の関係が、接点機構から最も遠く離して配置されたシールド素子n=Nにおける最大電圧が次式になるという結果とともに、実験的に得られる。例えば、4つの絶縁筐体部を有し、結合係数α=0.3である真空遮断器の場合では、最大電圧差について以下が得られる。ΔUmax=0.4U言い換えると、接点機構から最も遠く離して配置された絶縁筐体部の両端間に生じる、したがって前記絶縁筐体部に配置されたシールド素子間に生じる最大電圧差は、接続解除された接点機構の場合では、4つの絶縁部とα=0.3の外部状態から得られる結合係数とを有する真空遮断器内で、真空遮断器の両端間に印加される総電圧の約40になる。この最大電圧差と、電界計算から得られ、材料および表面積に依存しかつ1mm当たり20kVから50kVの間の典型的な値を前提とする臨界電界強度とは、シールド素子の丸くなった端部の曲率半径Rと、シールド素子から絶縁筐体部までの距離sと、隣り合うシールド素子の各端部間の距離dsとの間に次式の関係が維持されるように、最も遠く離された絶縁筐体部の上のシールド素子の幾何学的寸法を決定する際に考慮に入れる必要がある。この場合、εrは、絶縁筐体部の誘電率である。さらに、最小距離δが、いわゆる三接合点、すなわち絶縁筐体部と、金属筐体部またはシールド素子と、真空と、が互いに隣接する接続ポイントの領域内で維持される必要があり、この距離は、シールド素子が絶縁筐体部から離れて半径方向に延在する距離であり、次式の関係がこの距離δに対して満たされなければならない。この場合、LSは、真空遮断器の軸方向にシールド素子がそれだけ延在するシールド長さであり、LKは絶縁筐体部の長さであり、図1に示された例示的な実施形態でシールド素子19およびセラミック部11を用いて図示されている。固定接点2および移動接点4を備える接点機構に最も近く配置されている各シールド素子の領域において、図1の例示的な実施形態では、シールド素子20およびシールド素子21は、上記の関係、および設定される電位差に基づいて著しく低くなり、シールド素子20とシールド素子21との間に必要な距離が小さくなるという結果になり、また、絶縁筐体部の絶縁特性を維持するために、固定接点2および移動接点4を備える接点機構の接続解除の切り替え動作中に生じる金属蒸気による蒸発から、絶縁筐体部13の幾何学的シェーディングgeometricshadingを可能な限り効果的に遮蔽するための、これらシールド素子20とシールド素子21との間の軸方向での重なりが可能になる。"