"EUV光を反射する多層膜とEUV光を吸収する吸収体パターンとを有するEUVリソグラフィ用マスクを用いて、投影光学系を介して前記吸収体パターンをウェハの主面上に転写する投影露光方法であって、a前記EUVリソグラフィ用マスクに関する欠陥情報を取得する工程と、b前記EUV光を前記EUVリソグラフィ用マスクに照射する工程と、c前記EUVリソグラフィ用マスクと前記ウェハとを所定の露光位置に同期移動させて、前記所定の露光位置において、前記吸収体パターンを前記ウェハの主面上に転写する工程と、を有し、前記c工程において、前記EUVリソグラフィ用マスクと前記ウェハとを同期移動させる際に、前記EUVリソグラフィ用マスクに関する前記欠陥情報に応じて転写条件を変更することを特徴とする投影露光方法。請求項1記載の投影露光方法において、前記EUVリソグラフィ用マスクに関する前記欠陥情報は、前記EUVリソグラフィ用マスクに残存する前記多層膜内の位相欠陥の情報であり、前記位相欠陥の位置座標および前記EUVリソグラフィ用マスクのパターン面の凹凸の区別の情報であることを特徴とする投影露光方法。請求項1記載の投影露光方法において、前記転写条件は、前記ウェハの局所的なフォーカス位置、前記EUV光の照明条件、前記同期移動の速度、および前記投影光学系の開口数のうちの1つの条件または2以上の条件であることを特徴とする投影露光方法。EUV光を反射する多層膜とEUV光を吸収する吸収体パターンとを有するEUVリソグラフィ用マスクを用いて、投影光学系を介して前記吸収体パターンをウェハの主面上に転写する投影露光装置であって、前記EUVリソグラフィ用マスクを保持すると共に移動可能なマスクステージと、前記EUV光を前記EUVリソグラフィ用マスクに照射する照明光学系と、前記ウェハを保持すると共に移動可能なウェハステージと、前記EUVリソグラフィ用マスクと前記ウェハとを同期移動させる駆動手段と、前記EUVリソグラフィ用マスクに関する欠陥情報を記憶する記憶部と、前記欠陥情報に対応して露光条件を演算する露光条件演算手段と、前記EUVリソグラフィ用マスクと前記ウェハとを同期移動させる際に、前記露光条件演算手段において得られた結果に整合した露光条件に変更する露光条件変更手段と、を有することを特徴とする投影露光装置。請求項4記載の投影露光装置において、前記露光条件変更手段において変更する前記露光条件は、前記露光条件演算手段において得られた前記ウェハの局所的なフォーカス位置であることを特徴とする投影露光装置。請求項4記載の投影露光装置において、前記露光条件変更手段は、前記ウェハの局所的なフォーカス位置、前記EUV光の照明条件、前記同期移動の速度、および前記投影光学系の開口数のうちの1つの条件または2以上の条件を変更する手段であることを特徴とする投影露光装置。EUV光を反射する多層膜と前記EUV光を吸収する吸収体パターンとを有するEUVリソグラフィ用マスクを用いて、投影光学系を介して前記吸収体パターンをウェハの主面上に転写するマスクパターンの転写方法であって、a基板上に前記多層膜を形成する工程と、b前記多層膜内に位相欠陥が存在するか否かを検査する工程と、c前記位相欠陥が検出された場合には、前記位相欠陥を残存させて良いか否かを判断する工程と、d前記多層膜上に吸収体層を形成した後、前記吸収体層を所望の形状に加工して前記吸収体パターンを形成し、EUVリソグラフィ用マスクを製作する工程と、e前記吸収体パターンの欠陥が存在するか否かを検査する工程と、f前記吸収体パターンの形状の修正が必要であると判断された場合には、前記吸収体パターンの形状を修正する工程と、g前記EUVリソグラフィ用マスクに残存する前記位相欠陥の欠陥情報を記録する工程と、h前記EUVリソグラフィ用マスクを投影露光装置のマスクステージに載置する工程と、i前記ウェハを前記投影露光装置のウェハステージに載置する工程と、j前記欠陥情報を前記投影露光装置に入力する工程と、k前記欠陥情報に応じて前記投影露光装置における最適なフォーカス位置を決定する工程と、l前記EUV光を前記EUVリソグラフィ用マスクに照射する工程と、m前記EUVリソグラフィ用マスクと前記ウェハとを同期移動させて、前記ウェハの主面上にパターン転写を行なう工程と、を有し、前記m工程において、前記EUVリソグラフィ用マスクと前記ウェハとを同期移動させる際に、前記EUVリソグラフィ用マスクに関する前記欠陥情報に応じて前記パターン転写の条件を変更することを特徴とするマスクパターンの転写方法。請求項7記載のマスクパターンの転写方法において、前記位相欠陥の前記欠陥情報は、前記位相欠陥の位置座標および前記EUVリソグラフィ用マスクのパターン面の凹凸の区別の情報であることを特徴とするマスクパターンの転写方法。従来のEUVLでは、マスクブランクの表面の位相欠陥を検出した後、欠陥転写性を検討し、もし欠陥転写性が小さいと判断された場合は、このマスクブランクは良品として取扱われていた。また、マスクブランク検査の段階で致命欠陥と判断されても、マスクブランクの表面に吸収体パターンを形成した後に、ウェハの主面上の転写パターンを評価した結果、位相欠陥が致命的とならず、EUVL用マスクが良品となることもあった。実際、マスクブランク検査の段階では致命的な位相欠陥であっても、吸収体パターンを形成するときに位相欠陥を完全に被覆するようなレイアウトであれば、実質的にEUVL用マスクの欠陥とはならない。従って、マスクブランク検査の段階で位相欠陥が皆無であることを確認することは必須ではない。また、マスクブランク検査の段階で、仮に吸収体パターンを形成した後に位相欠陥が露出しても、転写パターンの寸法の誤差が許容値以内と判断されれば、その位相欠陥は許容される。位相欠陥が転写される度合いが小さければ位相欠陥の残留は許容される。これらはマスクブランクの不良率の低減に極めて有益である。ところが、残留が許容された位相欠陥であっても、吸収体パターンをウェハの主面上に転写する段階で露光条件が異なると欠陥として転写される場合がある。例えば焦点合わせが充分に出来ていれば位相欠陥は実質的に転写パターンの質の低下を招かないが、焦点深度内であっても一部のデフォーカス状態においては欠陥として転写される場合がある。また、ある露光条件を仮定してEUVL用マスクを製作し、実質的に転写に影響を与える位相欠陥は無い場合であっても、異なる露光条件でEUVL用マスクを使用すると位相欠陥が転写に影響を与える場合がある。このような様々な露光条件に対応して、全ての露光条件で実質的に無欠陥であることを要求すると、EUVL用マスクの製造が極めて困難となり、マスクブランクの製造歩留まりの低下は避けられない。これまでの露光方法または位相欠陥検査法においては、このようなマスクブランクの製造歩留まり低下の回避については考慮されていなかった。本発明の目的は、多層膜と吸収体パターンとを有するEUVL用マスクに微細な位相欠陥が残留しても、位相欠陥が吸収体パターンの転写像に与える影響を低減できる吸収体パターンの投影露光方法を提供することにある。また、本発明の目的は、EUVL用マスクに残留する位相欠陥が吸収体パターンの転写像に与える影響を低減できる投影露光装置を提供することにある。また、本発明の目的は、EUVL用マスクおよび投影露光装置を用いてEUVL用マスクのコストを低く抑えた半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態を簡単に説明すれば、次のとおりである。この実施の形態は、多層膜と、多層膜上に形成された吸収体パターンとを有するEUVL用マスクを用いて、投影光学系を介して吸収体パターンをウェハの主面上に転写する投影露光方法であって、EUVL用マスクに関する欠陥情報を取得する工程と、EUV光をEUVL用マスクに照射する工程と、EUVL用マスクとウェハとを所定の露光位置に同期移動させて、所定の露光位置において吸収体パターンをウェハの主面上に転写する工程とを有し、EUVL用マスクとウェハとを所定の露光位置に同期移動させる際に、EUVL用マスクに関する欠陥情報に応じて転写条件を変更するものである。また、この実施の形態は、多層膜と、多層膜上に形成された吸収体パターンとを有するEUVL用マスクを用いて、投影光学系を介して吸収体パターンをウェハの主面上に転写する投影露光装置であって、EUVL用マスクを保持すると共に移動可能なマスクステージと、EUV光をEUVL用マスクに照射する照明光学系と、ウェハを保持すると共に移動可能なウェハステージと、EUVL用マスクとウェハとを同期移動させる駆動手段と、EUVL用マスクに関する欠陥情報を記憶する記憶部と、欠陥情報に対応して露光条件を演算する露光条件演算手段と、EUVL用マスクとウェハとを同期移動させる際に、露光条件演算手段において得られた結果に整合した露光条件に変更する露光条件変更手段とを有するものである。また、この実施の形態は、多層膜と、多層膜上に形成された吸収体パターンとを有するEUVL用マスクを用いて、投影光学系を介して吸収体パターンをウェハの主面上に転写するマスクパターンの転写方法であって、基板上に多層膜を形成する工程と、多層膜内に位相欠陥が存在するか否かを検査する工程と、位相欠陥が検出された場合には、位相欠陥を残存させて良いか否かを判断する工程と、多層膜上に吸収体パターンを形成して、EUVL用マスクを製作する工程と、吸収体パターンの欠陥が存在するか否かを検査する工程と、吸収体パターンの形状の修正が必要であると判断された場合には、吸収体パターンの形状を修正する工程と、EUVL用マスクに残存する位相欠陥の欠陥情報を記録する工程と、EUVL用マスクを投影露光装置のマスクステージに載置する工程と、ウェハを投影露光装置のウェハステージに載置する工程と、欠陥情報を投影露光装置に入力する工程と、欠陥情報に応じて投影露光装置における最適なフォーカス位置を対応させる工程と、EUV光をEUVL用マスクに照射する工程と、EUVL用マスクとウェハとを同期移動させて、ウェハの主面上にパターン転写を行なう工程とを有し、EUVL用マスクとウェハとを同期移動させる際に、EUVL用マスクに関する欠陥情報に応じてパターン転写の条件を変更するものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。多層膜と吸収体パターンとを有するEUVL用マスクに微細な位相欠陥が残留しても、位相欠陥が吸収体パターンの転写像に与える影響を低減できる吸収体パターンの投影露光方法を提供することができる。また、EUVL用マスクに残留する位相欠陥が吸収体パターンの転写像に与える影響を低減できる投影露光装置を提供することができる。また、EUVL用マスクおよび投影露光装置を用いてEUVL用マスクのコストを低く抑えた半導体集積回路装置の製造方法を提供することができる。以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等個数、数値、量、範囲等を含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態において、ウェハと言うときは、SiSilicon単結晶ウェハを主とするが、それのみではなく、SOISiliconOnInsulatorウェハ、集積回路をその上に形成するための絶縁膜基板等を指すものとする。その形も円形またはほぼ円形のみでなく、正方形、長方形等も含むものとする。また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態1本実施の形態1による投影露光方法を説明するにあたり、まず、EUVL用マスクの構造およびEUVL用マスクに生じる位相欠陥について図1および図2をそれぞれ用いて説明する。図1aはEUVL用マスクの吸収体パターンが形成された面の要部平面図、図1bは同図aのA-A線に沿った一部を拡大して示す要部断面図である。また、図2aは位相欠陥を有するマスクブランクの要部断面図、図2bは位相欠陥を有するマスクブランクに吸収体パターンおよびバッファ層が形成されたEUVL用マスクの要部断面図である。図1aに示すように、EUVL用マスクMの中央部には、半導体集積回路装置の回路パターンを有するデバイスパターンエリアMDEを有し、周辺部には、EUVL用マスクMの位置合わせのためのマークまたはウエハアライメントマークなどを含むアライメントマークエリアMA1,MA2,MA3,MA4が配置されている。また、図1bに示すように、EUVL用マスクMのマスクブランクは、石英ガラスまたは低熱膨張ガラスからなる基板MSと、基板MSの主面に形成されたモリブデンMoとシリコンSiとを交互に積層例えば各層が40層程度した多層膜MLと、多層膜ML上に形成されたキャッピング層CAPと、基板MSの裏面主面と反対側の面に形成されたEUVL用マスクMを静電チャックするためのメタル膜CFとにより構成されている。基板MSの厚さは、例えば7~8mm程度であり、多層膜MLの厚さは、例えば300nm程度である。さらに、キャッピング層CAP上にバッファ層BUFを介して吸収体パターンABSが形成されている。吸収体パターンABSの厚さは、例えば50~70nm程度である。EUVLでは、マスクブランクの表面にわずか数nm程度の高さの異常が発生した場合でも、その高さ異常によりEUV反射光に大きな位相変化を与え、吸収体パターンのウェハの主面上への転写の際に欠陥を生じさせる。図2aに示したマスクブランクの要部断面図は、基板MS上に多層膜MLを被着させる際に、基板MSの主面に微小な窪みまたは突起が存在したまま上記多層膜MLを被着させた結果、表面が凹形状のピット位相欠陥PD1または表面が凹形状のバンプ位相欠陥PD2が生じた一例を示している。これら欠陥を残したままバッファ層BUFおよび吸収体パターンABSを形成すると、例えば図2bに示すように、隣り合う吸収体パターンABSの間にピット位相欠陥PD1またはバンプ位相欠陥PD2が残存する場合がある。これらピット位相欠陥PD1またはバンプ位相欠陥PD2が存在すると、ウェハの主面上に転写するパターン転写像、転写パターン、投影像、パターン投影像が乱れて、ウェハの主面上の転写パターンに欠陥が発生する。従来の光リソグラフィ用の透過マスクブランクでは、その表面に数nm程度の凹凸があっても、これを無視することができる。しかし、EUVL用マスクは、従来の透過マスクと比較すると欠陥転写に関して質的に大きな差があり、位相差を与えるマスクブランク欠陥ピット位相欠陥PD1またはバンプ位相欠陥PD2の発生を回避しなければならない。このようなピット位相欠陥PD1またはバンプ位相欠陥PD2が吸収体パターンの転写像に与える影響の一例を、図3および図4を用いて説明する。図3aはEUVL用マスクの吸収体パターンを拡大して示す要部平面図であり、複数のライン状の吸収体パターンABSが一定の間隔で配置されたラインアンドスペースLSと称するパターンと、隣り合う吸収体パターンABSの間に残存するバンプ位相欠陥PD2とを示している。複数のライン状の吸収体パターンABSのライン幅は128nm、ピッチは256nmである。また、図3bは同図aのB-B線に沿った要部断面図であり、バンプ位相欠陥PD2は多層膜MLの全層に渡って凸型形状を有している。また、図3cは上記吸収体パターンABSを1/4縮小投影露光装置によりウエハの主面上に投影したときに得られる転写像を3種のデフォーカスに対して計算した結果を示す要部平面図である。負のデフォーカスではバンプ位相欠陥PD2付近でライン幅が増大する転写パターン11が得られ、デフォーカスが0の状態でも、バンプ位相欠陥PD2付近ではライン幅が増大する転写パターン12が得られた。さらに、正のデフォーカスにおいても、ライン幅の変化が認められる転写パターン13が得られた。図4aに、EUVL用マスクのLSパターンを投影して得られる転写LSパターンのバンプ位相欠陥PD2付近におけるライン幅の変化を表示し、そのデフォーカス位置依存性を纏めた結果を示す。バンプ位相欠陥PD2が存在しない場合のライン幅の変化は、曲線14に示すようにほとんど変化しないが、バンプ位相欠陥PD2を有する場合は、曲線15に示すようにフォーカス依存性が認められた。図4bに、EUVL用マスクのLSパターンを投影して得られる転写LSパターンのピット位相欠陥PD1付近におけるライン幅の変化を表示し、そのデフォーカス位置依存性を纏めた結果を示す。バンプ位相欠陥PD2と同様に、ピット位相欠陥PD1を有する場合も、曲線16に示すようにフォーカス依存性が認められる。これらのことから、隣り合う吸収体パターンABSの間にピット位相欠陥PD1またはバンプ位相欠陥PD2が存在すると、転写LSパターンのライン幅は変化し、その変化はデフォーカス依存性を示すこと、デフォーカス依存性はピット位相欠陥PD1とバンプ位相欠陥PD2とでは逆の傾向を示すこと、さらに、ピット位相欠陥PD1およびバンプ位相欠陥PD2においてライン幅の誤差が小さいデフォーカスレベルが存在することが分かる。従って、小さな位相欠陥が残留する場合は、フォーカスレベルを調整することによりライン幅の誤差を小さくできるので、実質的に無欠陥EUVL用マスクとして取扱うことが可能になる。フォーカスレベルの移動量は投影露光装置の光学パラメータで定められる許容焦点深度内に抑えることが望ましく、許容焦点深度を越える場合は欠陥付きのEUVL用マスクとして処理することになる。以上の現象を利用した本実施の形態1による投影露光方法を実現する投影露光装置の構成の概念を、図5を用いて説明する。図5はEUVL用マスクM上の吸収体パターンをウェハの主面上に縮小転写する投影露光装置の構成図を示している。投影露光装置は、光源20、照明光学系21、および縮小投影光学系22を主構成要素とする光学系部と、EUVL用マスクMおよびウェハWを移動位置決めする機構部と、投影露光装置を全体的に制御する主制御装置34を備えている。また、露光に必要な全てのパラメータを格納しておく記録部32および露光状態を表示するモニタ部33も備えている。光源20から発する中心波長13.5nmのEUV光は多層膜反射鏡からなる照明光学系21を介してEUVL用マスクMのパターン面を照明する。パターン面から反射するEUV光は多層膜反射鏡からなる縮小投影光学系22を通過してウェハWの主面上に吸収体パターンを転写する。なお、図示した照明光学系21および縮小投影光学系22は多数の多層膜反射鏡から構成されている概念を示すものであり、実際の構成そのものを示すものではない。ここで、EUVL用マスクMを静電的に固定するマスクステージMSTは、マスクステージ駆動手段23により矢印24に示す方向に所定ストローク範囲内で移動できる。マスクステージMSTの移動面内の位置は、その一部に固定された参照鏡25を介してマスク位置計測用レーザ測長器26により高い分解能で常時検出される。一方、ウェハWを静電吸着するウェハステージWSTは、ウェハステージ駆動手段27により矢印28で表されるXY2次元面内に移動できると共に、ウェハWを矢印29に示すZ軸方向、およびXY面に対する傾斜方向に微動できるように構成されている。ウェハステージWSTの位置は、それに固定された参照鏡30の位置をレーザ測長器31で計測することにより正確に検出できる。さらに、図示は省略するが、ウェハWの主面のZ軸方向の位置を計測するフォーカス位置検出手段が設けられており、Z軸方向の微動によリウェハWの主面を縮小投影光学系22の結像面に正確に合わせるフォーカス合わせ機能を有している。主制御装置34は、マスクステージ駆動手段23およびウェハステージ駆動手段27を制御して、露光動作が的確に行なわれるように、EUVL用マスクMとウェハWとの同期走査およびウェハWのステッピングを統括して制御する。ここで用いる投影光学系では、EUVL用マスクMのパターンを精度良く一括転写できる領域は、図6に示す円弧領域35に限られる。図6ではEUVL用マスクMのパターン面を見た図が示されているが、実際のEUVL用マスクMのパターン面は縮小投影光学系22に向かって下向きに配置されている。ここで、前述の同期走査においてEUVL用マスクMを縮小投影光学系22の光軸に垂直な面内の矢印36に示す向きに移動させると、円弧領域35はEUVL用マスクMのパターン面を矢印37に示す向き矢印36と反対の向きに移動することになる。ウェハWの移動と同期させてEUVL用マスクMの走査を行ないながら露光することにより、EUVL用マスクMに形成されている所望の全パターンをウェハWの主面上に転写することができる。次に、本実施の形態1による投影露光方法について図7および図8を用いて説明する。図7aは本発明を適用するEUVL用マスクMの一部を拡大して示す要部平面図であり、吸収体パターン図示は省略を形成した後に、2個のバンプ位相欠陥41,42および1個のピット位相欠陥43の合計3個の位相欠陥が残留した一例を示している。また、図7bは一括転写できる円弧領域を同図aに重ねたEUVL用マスクMの一部を拡大して示す要部平面図である。この投影露光には、前述の図5に示した投影露光装置を用いる。EUVL用マスクMを走査露光するにあたり、主制御装置34からの指示に基づいて、マスクステージ駆動手段23およびウェハステージ駆動手段27を介してマスクステージMSTとウェハステージWSTとの同期走査が行なわれる。ここで、図7bに示すように、EUVL用マスクMを矢印44に示す向きに走査させると、一括転写できる円弧領域は矢印45に示す向き矢印44と反対の向きにEUVL用マスクMのパターン面を移動することになる。このとき、ウェハW図示は省略のZ軸方向の位置はデフォーカス量0に位置決めされる。ここで、円弧領域がバンプ位相欠陥41を含む位置46およびバンプ位相欠陥42を含む位置47に達したときに、ウェハステージWSTを制御してウェハWの主面が、予め欠陥情報に対応付けた位置にデフォーカスさせるように制御する。また、円弧領域がピット位相欠陥43を含む位置48に達したときに、ウェハステージWSTを制御してウェハWの主面が、予め欠陥情報に対応付けた位置にデフォーカスさせるように制御する。図8は、走査露光を開始してマスクステージMSTの移動と共に円弧領域例えば前述の図6に示す円弧領域35の位置がX0からX7まで移動する間の、マスクステージMSTのZ方向位置制御量フォーカス位置設定値の変化49を示すグラフ図である。基本的に位相欠陥が無い限り、ウェハWのデフォーカス量は0になるように制御され、ウェハステージWSTのZ方向位置フォーカス位置はf2に保たれる。X座標がX1<X<X2の範囲は、円弧領域が前述の図7bに示す位置46に相当し、バンプ位相欠陥41を含む領域である。そこで、ウェハステージWSTのZ方向位置フォーカス位置をf3に制御し、所定のデフォーカス量を与える。X座標がX2を超えるとウェハステージWSTのZ方向位置フォーカス位置は再びf2に戻される。以後同様に、X座標がX3<X<X4の範囲では円弧領域に前述したバンプ位相欠陥42が含まれるので、ウェハステージWSTのZ方向位置フォーカス位置をf4に、X座標がX5<X<X6の範囲では円弧領域に前述したピット位相欠陥43が含まれるので、ウェハステージWSTのZ方向位置フォーカス位置をf1に制御する。X座標が上記以外の場合は、ウェハステージWSTのZ方向位置フォーカス位置をf2に制御し、ウェハWのデフォーカス量を0とする。ここで所定のデフォーカス量とは、前述の図4aに示した曲線15または前述の図4bに示した曲線16を用いて説明したように、位相欠陥の大きさと転写パターンの寸法との組み合わせから得られる、ライン幅の誤差が小さくなるデフォーカスレベルのことである。位相欠陥から充分に離れた転写パターンの寸法を考慮すると、このデフォーカス量の範囲が許容焦点深度内であることは言うまでもない。ところで、前述の図4aに示した曲線15または前述の図4bに示した曲線16は位相欠陥の大きさおよび転写パターンの寸法に依存して変化するので、様々なケースについて予め曲線を記録しておく、または位相欠陥の大きさおよび転写パターンの寸法を入力すると最適なフォーカス位置を算出する演算手段を用いることによって、所定のデフォーカス量に制御することができる。本実施の形態1では、投影露光装置に欠陥情報を記憶する記憶部を設け、さらに露光条件演算手段および露光条件変更手段を設ける。露光条件演算手段は欠陥情報に対応して露光条件例えばウェハの局所的なフォーカス位置を演算する手段である。また、露光条件変更手段は予め設定してある露光条件を上記露光条件演算手段において得られた結果に整合した露光条件に変更する手段であり、例えばウェハの局所的なフォーカス位置、EUV光の照明条件、同期移動の速度、および投影光学系の開口数のうちの1つの条件または2以上の条件を変更する手段である。記憶部は前述の図5に示した投影露光装置の記録部32に設けることができ、露光条件演算手段および露光条件変更手段は前述の図5に示した投影露光装置の主制御装置34に設けることができる。次に、本実施の形態1による投影露光方法のフローを、図9に示すフローチャート図を用いて説明する。<ステップS101>まず、位相欠陥が残留するEUVL用マスクを前述の図5に示す投影露光装置のマスクステージに載置する。<ステップS102>EUVL用マスクに関する入力情報として、EUVL用マスクの位相欠陥の情報、すなわち位相欠陥の位置座標、位相欠陥の大きさ、およびパターン面の凹凸の区別を入力する。<ステップS103>吸収体パターンを転写するウェハを投影露光装置のウェハステージ上に載置する。<ステップS104>ウェハをパターン転写できる露光位置に移動し、マスクステージMSTとウェハステージWSTとの同期走査により走査露光を開始する。<ステップS105>走査露光の途中で、EUVL用マスクの位置が予め入力した位相欠陥の位置に到達したときは、ウェハのフォーカス位置を移動させるべきか否かを判断する。<ステップS106またはS107>フォーカス位置の移動が必要な場合ステップS106は位相欠陥の情報に応じてフォーカス位置を移動して走査露光を行ない、フォーカス位置の移動が不要な場合ステップS107はフォーカス位置を移動することなく走査露光を継続する。<ステップS108>ウェハ全面への走査露光が終了したかどうかを判断し、まだ未露光部があればステップS104に戻って次の走査露光を行なう。<ステップS109>ウェハ全面への走査露光が終了したら、そのウェハを回収すると共に、準備された全ウェハの走査露光が終了したかどうかを判断する。まだウェハが残っていればステップS103に戻って次のウェハをウェハステージ上に載置して走査露光を開始し、全ウェハを露光し終えたら、一連の走査露光処理を終了する。本実施の形態1では、EUVL用マスクに関する位相欠陥の情報および位相欠陥に対応した最適な露光条件を投影露光装置に入力する。そこで、予めEUVL用マスクに残留する位相欠陥の位置を認識しておく必要がある。次に、この位相欠陥の情報を得るフローを、図10に示すフローチャート図を用いて説明する。<ステップS201>まず、EUVL用マスクを製造するにあたり、石英ガラスまたは低熱膨張ガラス基板を準備する。<ステップS202>石英ガラスまたは低熱膨張ガラス基板の上にモリブデンMoとシリコンSiとを交互に重ねた多層膜およびキャッピング層を形成してマスクブランクを製作する。<ステップS203>マスクブランクの位相欠陥の検査を行なう。この検査方法としては、DUVDeepUltraViolet光を用いる検査法のほか、例えば前述の特許文献2,3に記載されているEUV光を用いる検査法がある。これらの検査では、欠陥検出信号の大きさに関連付けた位相欠陥の大きさまたは位相欠陥の位置を認識できると共に、位相欠陥の表面の凹凸の区別も判断することが可能である。ただし、多層膜の形成までしか行なっていないマスクブランクの段階では、欠陥位置を正確に特定することは一般的には困難であり、別途マスクブランクにフィデュシャルマークを形成し、そのマークに対する相対座標として認識することが考えられる。<ステップS204>マスクブランクにおける致命的な位相欠陥の有無を判断する。<ステップS205またはS213>ステップS204において、明らかに救済不可能な大きさの位相欠陥が検出されたと判断された場合は、マスクブランクは不良品として処理されるステップS213。一方、無欠陥または残留する位相欠陥は許容される大きさであると判断された場合は、さらにバッファ層および吸収体パターンを形成して、EUVL用マスクを製作するステップS205。<ステップS206>EUVL用マスクをパターン検査装置で検査して、吸収体パターンの欠陥の大きさまたは欠陥の位置を検出する。<ステップS207>EUVL用マスクにおける吸収体パターンの欠陥の有無を判断する。<ステップS208またはS213>ステップS207において、吸収体パターンに救済不可能な大きさの欠陥が検出されたと判断された場合は、EUVL用マスクは不良品として処理されるステップS213。それ以外の場合は、吸収体パターンの修正が必要か否かを判断するステップS208。<ステップS209>ステップS208において、吸収体パターンの修正が必要であると判断された場合は、位相欠陥の影響を許容範囲以内に抑えるよう適宜吸収体パターンを修正する。<ステップS210>必要に応じて、吸収体パターンの修正結果の確認などの最終的な吸収体パターンの確認を行なう。具体的には、EUV光を検査光としてその明視野投影像の強度分布から最終的に残留する吸収体パターンの欠陥を認識する方法などがある。<ステップS211>マスクブランク検査の段階で位相欠陥が残存し、かつ吸収体パターンによって完全には被覆されていない位相欠陥がEUVL用マスクに存在する場合、例えばその位相欠陥が吸収体パターンで構成された特定の吸収体パターンを原点としたときの相対位置座標で表わされれば、その位置が明確になる。このようにして得られた位相欠陥の位置座標および位相欠陥の表面の凹凸の区別などの、残存する位相欠陥の情報を用いて、位相欠陥に応じた最適なフォーカス位置を算出する。<ステップS212>位相欠陥の位置座標と対応する最適なフォーカス位置を記録する。前述の図9投影露光方法のフローのステップS102の説明において、EUVL用マスクの位相欠陥の情報を読み込むにあたり、位相欠陥の位置座標、位相欠陥の大きさ、およびパターン面の凹凸の区別を入力すると記載したが、その場合は、投影露光装置に位相欠陥に応じた最適なフォーカス位置を算出する手段露光条件演算手段を設けておく。EUVL用マスクの製造工程のなかで、前述の図10位相欠陥の情報を得るフローのステップS212まで進めておけば、前述の図9投影露光方法のフローのステップS102における位相欠陥の情報の読み込みは、位相欠陥の位置情報とそれに応じた最適なフォーカス位置情報となる。なお、本実施の形態1では、変更する露光条件が最適なフォーカス位置である例を示した。さらに、フォーカス位置を変更できる範囲は許容焦点深度内であることも述べた。フォーカス位置を変更すると許容できるフォーカス誤差の範囲プロセスウインドウが低減することは避けられないが、吸収体パターンに応じて、露光照明用のEUV光の照明条件または縮小投影光学系の開口数を変更して露光条件を最適化することが可能である。このように、本実施の形態1によるEUVL用マスクの投影露光方法を採用すれば、多層膜および吸収体パターンを有するEUVL用マスクに微細な位相欠陥が残留しても、位相欠陥が吸収体パターンの転写像に与える影響を低減することができる。これにより、EUVL用マスクの製造歩留りが向上し、最終的にEUVL用マスクのコストを低減することができる。実施の形態2本実施の形態2では、EUVL用マスクの吸収体パターンを走査露光するにあたり、一括露光できる円弧領域内に互いに大きさの異なる位相欠陥が2個以上存在する場合の投影露光方法について図11および図12を用いて説明する。使用する投影露光装置は、基本的に前述した実施の形態1において説明したものと同じであり、その構成は前述の図5に示す通りである。図11aは本発明を適用するEUVL用マスクMの一部を拡大して示す要部平面図であり、吸収体パターン図示は省略を形成した後に、互いに大きさの異なるバンプ位相欠陥51,52,53およびピット位相欠陥54,55の合計5個の位相欠陥が残留した例を示している。残留したバンプ位相欠陥51,52,53およびピット位相欠陥54,55の位置またはパターン面の凹凸の区別を認識する方法は、前述した実施の形態1において説明した方法と同じである。このEUVL用マスクMを走査露光するにあたり、主制御装置34からの指示に基づいて、マスクステージ駆動手段23およびウェハステージ駆動手段27を介してマスクステージMSTとウェハステージWSTとの同期走査が行なわれる。ここで、図11bに示すように、EUVL用マスクMを矢印56に示す向きに走査させると、一括転写できる円弧領域は矢印57に示す向き矢印56と反対の向きにEUVL用マスクMのパターン面を移動することになる。このとき、ウェハW図示は省略のZ軸方向の位置はデフォーカス量0に位置決めされる。ここで、円弧領域が互いに大きさの異なる2個のバンプ位相欠陥51,52を含む位置58に達したときに、ウェハステージWSTのZ方向位置とXY面に対する傾斜量を制御して、上記2個の位相欠陥バンプ位相欠陥51,52の転写への影響が共に小さくなるように最適焦点面を制御する。いずれもバンプ位相欠陥51,52なので、Z軸方向の移動量すなわち焦点移動の向きは同符号であり、位相欠陥の大きさの差に応じた傾斜量を与える。勿論、ウェハステージWSTの制御によリウェハのXY面に対する傾斜を与えたときに、位置58における円弧領域の両端の領域を許容焦点深度内に抑える必要はある。円弧領域がバンプ位相欠陥53およびピット位相欠陥54を含む位置59に達したときも、ウェハステージWSTのZ方向位置とXY面に対する傾斜量を制御して、上記2個の位相欠陥バンプ位相欠陥53およびピット位相欠陥54の転写への影響が共に小さくなるように最適焦点面を制御する。2個の位相欠陥に対するZ軸方向の移動量すなわち焦点移動の向きは異符号となるので、ウェハステージWSTのZ方向の平均移動量は小さく、XY面に対する傾斜量の制御が主となる。さらに、円弧領域がピット位相欠陥55を含む位置60に達したときは、前述した実施の形態1において説明した方法と同じウェハステージWSTの制御を行なえばよい。図12は、走査露光を開始してマスクステージMSTの移動と共に円弧領域例えば前述の図6に示す円弧領域35の位置がX10からX17まで移動する間の、マスクステージMSTのZ方向の平均位置制御量フォーカス位置設定値の変化61、およびXY面に対する傾斜量傾斜量設定値の変化62を示すグラフ図である。前述した実施の形態1と同様に、基本的に位相欠陥が無い限リ、ウェハWのデフォーカス量および傾斜量は0になるように制御される。すなわち、ウェハステージWSTのZ方向平均位置フォーカス位置はf2に設定されている。図12において、円弧領域のX座標がX11<X<X12の範囲は、前述の図11bに示す領域58に相当し、2個の互いに大きさの異なるバンプ位相欠陥51,52を含む領域である。そこで、ウェハステージWSTのZ方向平均位置をf5に制御すると共に、微小の傾斜量θ1を与える。X座標がX12を超えるとウェハステージWSTのZ方向平均位置は再びf2に戻され、傾斜量も0に戻される。以後同様に、X13<X<X14の範囲では前記の図11bに示す領域59に相当し、バンプ位相欠陥53およびピット位相欠陥54が含まれるので、ウェハステージWSTのZ方向平均位置は微小な値のf6に、傾斜量はθ2に制御される。X15<X<X16の範囲では前記の図11bに示す領域60に相当し、ピット位相欠陥55が1個のみ含まれるので、ウェハステージWSTのZ方向平均位置をf7に制御し、傾斜量は0に戻す。X座標が上記以外の場合は、ウェハステージWSTのZ方向平均位置をf2に、傾斜量は0に制御してウェハWのデフォーカス量を0とする。なお、走査される円弧領域の中に3個以上の位相欠陥が含まれる場合は、位相欠陥のパターン転写への影響が極小となるように、ウェハステージWSTのZ方向平均位置量と面傾斜量を定めて制御することになる。制御した結果、円弧領域内の所望の転写すべき吸収体パターンは全て許容焦点深度内に入ることが望ましく、この条件が満たされない場合は、そのEUVL用マスクMは基本的に不良品となる。これを避けるために、例えば前述の図1に示すEUVL用マスクMにおいて、デバイスパターンMDEの周辺部分には、その内側の領域より大きい吸収体パターンを配置するなどの工夫を行なって、円弧領域の両端部における実質的な焦点深度の数値を大きくすることが考えられる。本実施の形態2では、ウェハステージWSTのZ軸方向の微動量やXY面の傾斜量のほか、前述した実施の形態1と同様に、吸収体パターンに応じて、露光照明用のEUV光の照明条件または縮小投影光学系の開口数を変更して露光条件を最適化することが可能である。このように、本実施の形態2によるEUVL用マスクの投影露光方法を採用すれば、多層膜および吸収体パターンを有するEUVL用マスクに微細な位相欠陥が残留し、かつ一度に露光でき走査する円弧領域内に互いに大きさまたは種類の異なる位相欠陥が存在する場合であっても、位相欠陥が吸収体パターンの転写像に与える影響を低減することができる。これにより、EUVL用マスクの製造歩留りが向上し、最終的にEUVL用マスクのコストを低減することができる。実施の形態3本実施の形態3では、前述した投影露光装置およびEUVL用マスクの吸収体パターンを走査露光する方法を採用した半導体装置の製造方法について図13~図19を用いて説明する。図13はICIntegratedCircuit、LSILargeScaleIntegratedCircuit、液晶パネル、またはCCDChargeCoupledDeviceチップなどの半導体デバイスの製造の基本フローの一例を示す工程図、図14~図19は半導体デバイスの要部断面図である。まず、半導体デバイスの製造工程を図13を用いて簡単に説明する。<ステップS301>半導体デバイスの機能を実現するための回路パターンを設計する。<ステップS302>設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。このマスクはリソグラフィ工程により異なる構造を有する。すなわち、マスクが通常の光リソグラフィに使用される場合は光透過型の透過マスクを製作し、マスクがEUVリソグラフィに使用される場合は反射型のEUVL用マスクを製作することになる。<ステップS303>シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。<ステップS304>ステップS302で製作されたマスクとステップS303で製造されたウェハを準備し、リソグラフィ技術によってウェハの主面上に回路パターンを形成する。ここでは、様々なリソグラフィ工程、成膜工程、エッチング工程などが含まれる。<ステップS305>ステップS304で処理されたウェハを用いて半導体デバイスの組立てを行なう。このステップS305には、必要に応じて、ウェハから半導体チップを切り出すダイシング工程、外部との配線を繋ぐボンディングエ程、および半導体チップの封入などのパッケージエ程が含まれる。<ステップS306>最後に、組立て製作された半導体デバイスの動作確認試験や耐久性試験などの検査を行なう。以上の工程を経た後、検査に合格したものが完成品として出荷される。次に、ステップS304のウェハ処理における半導体デバイスの製造方法を図14~図19を用いて簡単に説明する。ここでは、ツインウェル方式のCMISComplimentaryMetalInsulatorSemiconductor回路を製造する場合を例示するが、他の種々の方式の回路にも本願発明は適用することができる。図14~図19中、pMISで示す領域はpチャネル型電界効果トランジスタpMISトランジスタ形成領域、nMISで示す領域はnチャネル型電界効果トランジスタnMISトランジスタ形成領域である。まず、図14に示すように、単結晶シリコンSiからなる基板101この段階では半導体ウェハと称する平面略円形状の半導体の薄板を準備する。次に、基板101の主面に酸化膜102を形成した後、酸化膜102上に、イオンインプランテーションマスク用のレジストパターン103を通常の光リソグラフィを用いて形成する。その後、リンPまたは砒素Asをイオン注入してpMIS領域にn型ウェル104nを形成する。次に、図15に示すように、アッシング処理を行ってレジストパターン103を除去した後、酸化膜102を除去する。続いて、基板101上に酸化膜105を形成した後、酸化膜105上にイオンインプランテーションマスク用のレジストパターン106を通常の光リソグラフィを用いて形成する。その後、ホウ素Bをイオン注入してnMIS領域にp型ウェル104pを形成する。次に、図16に示すように、アッシング処理を行ってレジストパターン106を除去した後、酸化膜105を除去する。続いて、基板101の主面に、例えば酸化シリコンからなる分離用のフィールド絶縁膜107を溝型アイソレーションの形状で形成する。この溝型アイソレーションの形状は、ウェハ上での最小寸法が小さいとともに寸法制度もナノメータレベルの厳しい値が要求される。そのため、この溝型アイソレーションを形成する際のリソグラフィとして、EUVLを用いることができる。このフィールド絶縁膜107によって囲まれた活性領域には、nMISトランジスタQnおよびpMISトランジスタQpが形成される。nMISトランジスタQnおよびpMISトランジスタQpのそれぞれのゲート絶縁膜108は、例えば酸化シリコンからなり、熱酸化法などで形成される。またnMISトランジスタQnおよびpMISトランジスタQpのそれぞれのゲート電極109は、例えば最小寸法がウェハ上で30~20nmと小さく、寸法精度が3~2nmと厳しい値が要求される。そのため、例えばCVDChemicalVaporDeposition法等を用いて低抵抗多結晶シリコンSiからなる導電体膜を堆積した後、EUVLを用いてレジストパターンを形成し、エッチング処理によりゲート電極109を形成する。この工程のリソグラフィは、一般にゲート層用リソグラフィと称され、極めて微細で、かつ寸法精度の高いパターン転写が求められる。nMISトランジスタQnの半導体領域110は、ゲート電極109をマスクとして基板101に、例えばリンPまたはヒ素Asをイオン注入法等によって導入することにより、ゲート電極109に対して自己整合的に形成される。また、pMISトランジスタQpの半導体領域111は、ゲート電極109をマスクとして基板101に、例えばホウ素Bをイオン注入法などによって導入することにより、ゲート電極109に対して自己整合的に形成される。ここで、ゲート電極109は、低抵抗多結晶シリコンの単層膜で形成されることに限定されるものではなく、種々変更可能である。例えばゲート電極109は、低抵抗多結晶シリコン膜上にタングステンシリサイドWSiまたはコバルトシリサイドCoSi等のようなシリサイド層を設けた、いわゆるポリサイド構造としてもよい。あるいは、ゲート電極109は、低抵抗多結晶シリコン膜上に、窒化チタンTiNまたは窒化タングステンWN等のようなバリア導体膜を介在し、さらにタングステンW等のような金属膜を設けた、いわゆるポリメタル構造としてもよい。次に、図17に示すように、基板101上に、例えばCVD法等を用いて酸化シリコンからなる層間絶縁膜112を形成した後、層間絶縁膜112上に配線用の多結晶シリコン膜をCVD法等によって堆積する。続いて、この多結晶シリコン膜をリソグラフィおよびエッチングによりパターニングした後、パターニングされた多結晶シリコン膜の所定領域に不純物を導入することにより、多結晶シリコン膜からなる配線113Lおよび抵抗113Rを形成する。次に、図18に示すように、基板101上に、例えばCVD法等を用いて酸化シリコン膜114を堆積する。そして、層間絶縁膜112および酸化シリコン膜114に対してEUVLを用いてレジストパターンを形成し、エッチング処理により、半導体領域110,111および配線113Lの一部が露出するような接続孔115を形成する。微細な孔は光回折の影響により解像しにくいので、この接続孔用リソグラフィには高い解像度を持ったEUVLを適用する。次に、図19に示すように、基板101上に、例えばスパッタリング法またはCVD法等を用いてチタンTi、窒化チタンTiNおよびタングステンWからなる金属膜を順次堆積した後、その金属膜上にEUVLを用いてレジストパターンを形成し、エッチング処理により、第1配線層116を形成する。第1配線層116は、微細な密集パターンと孤立パターンが含まれ、また近隣の配線を避けて配線を引き回す、または配線間を接続するため複雑なレイアウト形状となる。このため、第1配線層用リソグラフィも高い解像度と寸法精度とが要求される。これ以降も、第1配線層116と同様にして第2配線層図示は省略等を形成することにより、最終製品を製造し、ウェハ処理の工程を終了する。上述した一連のウェハ処理の工程の中で、ゲート層用リソグラフィ、接続孔用リソグラフィ、および第1配線層用リソグラフィには十分高い解像性能が要求されるので、EUVLを適用することが望ましい。そして、ゲート層用および第1配線層用のEUVL用マスクは位相欠陥の有無が検査され、前述した実施の形態1、2で説明した露光装置および投影露光方法を用いてパターン転写を行うことが好ましい。また、接続孔の形成においては、通常の光リソグラフィでは解像度の面で実質的な限界があるので、EUVL用マスクを用いて、実施の形態1、2で説明した露光装置および投影露光方法を用いることが望ましい。接続孔の面積は小さく、またパターン密度も10以下である場合が多いので、接続孔付近に欠陥が発生する比率は少なく、残留する位相欠陥は極めて少ない。従って、本発明の露光方法により使用できるマスクの歩留まりは高くなる。このように、本実施の形態3による半導体デバイスの製造方法を採用すれば、微細な位相欠陥が残存するEUVL用マスクを用いても前述した実施の形態1、2において説明した露光装置および投影露光方法を用いることにより、実質的に無欠陥マスクによる回路パターン転写と同等のパターン転写を行なうことができる。このため、製造したEUVL用マスクの歩留まりを向上させることが可能となり、その結果、半導体デバイスの製造コスト低減にも寄与することができる。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。"