同一ロット内における複数の太陽電池素子に生じた欠陥を検査する太陽電池素子の検査装置であって、前記太陽電池素子における前記欠陥の位置を検出する検出ユニットおよび該検査ユニットで検出された前記欠陥の位置情報を画像データに処理する画像処理ユニットを有する制御部と、同一ロット内の複数の前記太陽電池素子における前記欠陥の位置を、前記画像データを重ね合わせて画面上に表示する表示部とを備えた太陽電池素子の検査装置。前記制御部は、同一ロット内の複数の前記太陽電池素子についての重ね合わせた前記画像データ群に基づき、前記太陽電池素子における前記欠陥の起点を特定する特定ユニットを有する、請求項1に記載の太陽電池素子の検査装置。前記表示部は、前記特定ユニットで特定された前記欠陥の起点の位置を画面上に表示する、請求項2に記載の太陽電池素子の検査装置。前記制御部は、前記欠陥の検出の有無に応じて前記太陽電池素子を分別する分別ユニットを有する、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の太陽電池素子の検査装置。同一ロット内における複数の太陽電池素子に生じた欠陥を検査する太陽電池素子の検査方法であって、前記太陽電池素子における前記欠陥の位置を検出する検出工程と、該検出工程で検出された前記欠陥の位置情報を画像データに処理する画像処理工程と、同一ロット内の複数の前記太陽電池素子における前記欠陥の位置を、同一ロット内の複数の前記太陽電池素子についての前記画像データを重ね合わせて画面上に表示する表示工程とを備える太陽電池素子の検査方法。前記検出工程において、同一ロット内の複数の前記太陽電池素子についての重ね合わせた前記画像データ群に基づき、前記太陽電池素子における前記欠陥の起点を特定する、請求項5に記載の太陽電池素子の検査方法。前記表示工程において、前記検出工程で特定された前記欠陥の起点の位置を画面上に表示する、請求項6に記載の太陽電池素子の検査方法。前記検出工程後に、前記欠陥の検出の有無に応じて前記太陽電池素子を分別する分別工程をさらに有する、請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の太陽電池素子の検査方法。しかしながら、従来の検査装置は個々の太陽電池素子の欠陥の有無のみを判定するだけのものであり、同一のロット内の太陽電池素子に生じ得る欠陥の発生原因を検証する機能を有していなかった。本発明の1つの目的は、太陽電池素子に生じ得る欠陥の発生原因を検証可能な検査装置および検査方法を提供することである。本発明の一形態に係る太陽電池素子の検査装置は、同一ロット内における複数の太陽電池素子に生じた欠陥を検査するものである。本実施形態では、前記太陽電池素子における前記欠陥の位置を検出する検出ユニットおよび該検査ユニットで検出された前記欠陥の位置情報を画像データに処理する画像処理ユニットを有する制御部を有している。そして、本実施形態では、同一ロット内の複数の前記太陽電池素子における前記欠陥の位置を、前記画像データを重ね合わせて画面上に表示する表示部を備えている。また、本発明の一形態に係る太陽電池素子の検査方法は、同一ロット内における複数の太陽電池素子に生じた欠陥を検査するものである。本実施形態では、前記太陽電池素子における前記欠陥の位置を検出する検出工程と、該検出工程で検出された前記欠陥の位置情報を画像データに処理する画像処理工程とを有している。そして、本実施形態では、同一ロット内の複数の前記太陽電池素子における前記欠陥の位置を、同一ロット内の複数の前記太陽電池素子についての前記画像データを重ね合わせて画面上に表示する表示工程を備えている。上記の太陽電池素子の検査装置および検査方法では、同一ロット内における太陽電池素子に発生したクラック等の欠陥の起点を推察しやすくなる。これにより、同一ロット内における太陽電池素子群が、この太陽電池素子群のどの製造工程または製造装置において欠陥が生じたかを検証しやすくなる。そして、この検証結果に基づいて、欠陥が発生した原因を排除することにより、太陽電池素子の欠陥が低減される。以下、本発明の太陽電池素子の検査装置および検査方法の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。まず、検査の対象となる太陽電池素子について説明する。<太陽電池素子>太陽電池素子10は、図1乃至図3に示すように、半導体基板1と、逆導電型層2と、反射防止層3とを備えている。半導体基板1は、光が入射する受光面図3における上面に相当するものであり、以下では第1面とすると該第1面の裏面に相当する非受光面図3における下面に相当するものであり、以下では第2面とするとを有する。逆導電型層2は、半導体基板1の第1面側の表層に設けられている。反射防止層3は、半導体基板1の第1面上本実施形態では、逆導電型層2上に設けられている。また、太陽電池素子10は、半導体基板1の第1面上に設けられた第1電極4と、半導体基板1の第2面上に設けられた第2電極5とを有する。半導体基板1としては、例えば、所定のドーパント元素導電型制御用の不純物を有して一導電型例えば、p型の単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板等の結晶シリコン基板が用いられる。逆導電型層2は、半導体基板1と逆の導電型例えば、n型を呈する層であり、半導体基板1の第1面の表層内に形成されている。反射防止層3は、所望の波長領域の光の反射率を低減させて、光生成キャリア量を増大させる機能を有する。反射防止層3としては、例えば窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化シリコン膜、酸化マグネシウム膜、酸化インジウムスズ膜、酸化スズ膜または酸化亜鉛膜などが挙げられる。BSF領域6は、半導体基板1の第2面近くでキャリアの再結合による発電効率の低下を低減させる機能を有している。また、BSF領域6は、半導体基板1の第2面側に内部電界を形成している。BSF領域6は、半導体基板1と同一の導電型を有している。そして、BSF領域6が含有するドーパント濃度は、半導体基板1が含有するドーパントの濃度よりも高い。すなわち、BSF領域6中のドーパント元素は、半導体基板1において一導電型を呈するためにドープされたドーパント元素よりも多く存在している。第1電極4は、図1に示すように、第1出力取出電極4aと、複数の線状の第1集電電極4bと、線状の補助電極4cとを有する。第1出力取出電極4aの少なくとも一部は、第1集電電極4bと交差している。また、補助電極4cは半導体基板1の両端部において、第1集電電極4bと交差している。第1出力取出電極4aは、例えば、1.3~2.5mm程度の幅を有しており、2本以上設けられてもよい。一方で、第1集電電極4bおよび補助電極4cは、線状であり、40~150μm程度の幅を有している。また、第1集電電極4bおよび補助電極4cは、第1出力取出電極4aの幅よりも小さい幅を有していてもよい。また、第1集電電極4bは、互いに1~3mm程度の間隔を空けて複数設けられている。また、このような第1電極4は銀または銅等の金属からなり、その厚みは、10~40μm程度であってもよい。第2電極5は、図2に示すように、第2出力取出電極5aと、第2集電電極5bとを有する。第2出力取出電極5aの厚みは10~30μm程度、幅は1.3~7mm程度であってもよい。第2出力取出電極5aは、上述の第1電極4と同等の材質および製法で形成することができる。また、第2集電電極5bはアルミニウム等の金属からなり、その厚みが15~50μm程度であってもよい。第2集電電極5bは、半導体基板1の第2面の第2出力取出電極5aの一部を除いた略全面に形成される。また、第2電極5は上記形状に限らず、例えば、第1電極4と同様の電極形状を有してもよい。<太陽電池素子の製造方法>次に、太陽電池素子10の製造方法の一例について説明する。まず、半導体基板1の製法について説明する。半導体基板1が単結晶シリコン基板の場合は、例えば引き上げ法などによって形成される。また、半導体基板1が多結晶シリコン基板の場合は、例えば鋳造法などによって形成される。なお、以下では、半導体基板1としてp型の多結晶シリコンを用いた例で説明する。最初に、例えば鋳造法により多結晶シリコンのインゴットを作製する。次いで、そのインゴットを、例えば、250μm以下の厚みにスライスする。その後、半導体基板1の切断面の機械的ダメージ層や汚染層を清浄化するために、切断面をNaOHやKOHあるいはフッ酸やフッ硝酸などでごく微量エッチングしてもよい。なお、このエッチング工程後に、ドライエッチング方法やウエットエッチング方法を用いて、半導体基板1の表面に微小な凹凸を形成してもよい。次に、半導体基板1の所望領域の表層内にn型の逆導電型層2を形成する。このような逆導電型層2は、塗布熱拡散法や気相熱拡散法等によって形成される。次に、逆導電型層2の上に反射防止層3を形成する。反射防止層3は、例えば、PECVDplasmaenhancedchemicalvapordeposition法、蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成される。次に、半導体基板1の第2面側に、一導電型の半導体不純物が高濃度に拡散されたBSF領域6を形成する。BSF領域6の形成方法としては、例えば、以下の2つの方法が挙げられる。第1の方法としては、三臭化ボロンBBr3を拡散源とした熱拡散法を用いて温度800~1100°C程度で形成する方法がある。第2の方法としては、アルミニウム粉末および有機ビヒクル等からなるアルミニウムペーストを印刷法で塗布したのち、温度600~850°C程度で熱処理焼成してアルミニウムを半導体基板1に拡散する方法がある。この第2の方法を用いれば、印刷面だけに所望の拡散領域を形成することができるだけではなく、逆導電型層2の形成工程で第2面側に形成されたn型の逆導電型層を除去する必要もない。そのため、第2の方法を用いれば、所望の拡散領域を形成した後、第1面または第2面の外周部のみレーザ等を用いてPN分離を行えばよい。次に、第1電極4および第2電極5の形成方法について説明する。第1電極4は、例えば銀Ag等を含む金属粉末と、有機ビヒクルと、ガラスフリットとを含有する導電性ペースト銀ペーストを用いて作製される。このような導電性ペーストをスクリーン印刷法などで半導体基板1の第1面に塗布し、その後、最高温度600~850°Cで数十秒~数十分程度焼成する。これにより、ファイヤースルー法によって導電性ペーストが反射防止層3を突き破り、半導体基板1上に第1電極4が形成される。次に、第2電極5について説明する。まず、第2集電電極5bは、例えばアルミニウム粉末と、有機ビヒクルとを含有するアルミニウムペーストを用いて作製される。このアルミニウムペーストを、第1電極4および第2出力取出電極5aを形成する部位の一部を除いて、第2面のほぼ全面に塗布する。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。このようにアルミニウムペーストを塗布した後に、所定の温度で溶剤を蒸散させてアルミニウムペーストを乾燥させてもよく、この場合、作業時にアルミニウムペーストがその他の部分に付着しにくく作業効率が高まる。第2出力取出電極5aは、例えば銀粉末などを含む金属粉末と、有機ビヒクルと、ガラスフリットとを含有する導電性ペースト銀ペーストを用いて作製される。この導電性ペーストを半導体基板1の第2面に予め決められた形状に塗布する。なお、導電性ペーストは、アルミニウムペーストの一部と接する位置に塗布されることで、第2出力取出電極5aと第2集電電極5bとの一部が重なる。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。そして、半導体基板1を焼成炉内にて最高温度が600~850°Cで数十秒~数十分程度焼成することにより、第2電極5が半導体基板1の第2面に形成される。なお、上述の形態においては、第1電極4および第2電極5の形成方法として、印刷して焼成する電極形成方法を例示したが、蒸着またはスパッタリング等の薄膜形成方法、めっき法等を用いることも可能である。なお、太陽電池素子は、上記説明した結晶系に限らず、アモルファスシリコン、CIGSまたはCdTe等の薄膜系の太陽電池素子であってもよい。<検査装置>次に、本発明の実施形態に係る太陽電池素子の検査装置20について説明する。検査装置20は、図4に示すように、検出ユニット11aと画像処理ユニット11bとを備えた制御部11と、表示部12とを備えている。制御部11は、CPU中央演算装置及びその作業領域であるRAM等を含んだコンピュータであり、各部に処理の実行を命令する。また、制御部11は、データ21より太陽電池素子における欠陥の有無および欠陥の位置を検出する検出ユニット11aを有する。さらに、制御部11は、検出ユニット11aで検出された欠陥の位置情報を画像データに処理する画像処理ユニット11bを有する。このようなデータ21は、例えば、太陽電池素子10に電流を流して太陽電池素子10をEL発光させて、発光状態によって欠陥の位置情報を取得する方法で得られる。また、データ21は、太陽電池素子10にレーザビームを照射し、誘起される電流や電圧を測定し少数キャリア拡散長ならびに欠陥粒界粒内を解析するLBICLaserBeamInducedCurrent法で得てもよい。また、データ21は、太陽電池素子10の裏面から強い光を照射して漏光を検出することにより欠陥を検出する方法で得てもよい。また、データ21は、太陽電池素子10に逆バイアスを印加してリークしている部分を発熱させて、この発熱位置から欠陥を検出する方法で得てもよい。表示部12は、制御部11からの命令により太陽電池素子に生じた欠陥の位置を有する画像データを表示する機能を有する。このような表示部12としては、例えば、液晶ディスプレイまたは有機ELディスプレイ等を用いることができる。また、表示部12は、画像処理ユニット11bによって同一ロット内の複数の太陽電池素子10の欠陥31の位置を重ね合わせるように処理された画像データを表示することができる。表示部12は、例えば、図5に示すように、欠陥31が多く重なっている部分または集中している領域を表示できる。そして、このような欠陥31が多く重なっている部分または集中している領域を欠陥31の起点32と見なすことができる。このような欠陥31の起点32は、太陽電池素子10のどの製造装置または製造工程において欠陥31が生じたかを推察することができる。なお、このような欠陥31の起点32は、例えば、太陽電池素子10の製造工程における搬送工程において、太陽電池素子10の外周部を固定する支持部材が過度な力で該外周部を固定した場合に起きる。そして、各製造工程の担当者は、欠陥31の起点32の位置に基づき推察した原因部分を重点的に確認することによって、欠陥31の発生原因を見つけることができるため、対策を講じやすくなる。なお、表示部12は、一箇所に設置するのみならず、各製造工程に設置するようにしてもよい。また、画像処理ユニット11bは、同一のロット内のすべての太陽電池素子10の欠陥31の位置を重ね合わせて画像データに処理するだけではなく、指定枚数の太陽電池素子10の欠陥31の位置を重ね合わせて画像データに処理してもよい。そして、表示部12では、順番に欠陥31の位置を重ね合わせた画像データを表示するようにしてもよい。例えば、同一ロットの複数の太陽電池素子10について、最初から3番目までの太陽電池素子10の欠陥を重ね合わせた画像データ、最初から4番目までの太陽電池素子10の欠陥31を重ね合わせた画像データ、最初から5番目までの太陽電池素子10の欠陥31を重ね合わせた画像データを、順次、表示するようにしてもよい。これにより、ロット中に欠陥31を生じる原因が2つ以上発生した場合、どの時間軸から新たな原因が発生したかを知ることができる。また、画像処理ユニット11bは、順次、製造された同一ロットの複数の太陽電池素子10について、ある時間軸の指定枚数のみの太陽電池素子10の欠陥31を重ね合わせて画像データに処理してもよい。そして、表示部12は、指定枚数の欠陥31を重ね合わせた画像データを表示するようにしてもよい。例えば、同一ロットの複数の太陽電池素子10において、最初から5番目までの太陽電池素子10の欠陥31を重ね合わせた画像データを表示し、次に6番目から12番目までの太陽電池素子10の欠陥31を重ね合わせた画像データを表示してもよい。これにより、所定の期間内に製造された複数の太陽電池素子10の欠陥の位置を重ね合わせて表示することで、それぞれの太陽電池素子10における欠陥31が生じた起点を切り分けて判断することができる。また、制御部11は、同一ロットの複数の太陽電池素子10についての画像データに基づき、太陽電池素子10における欠陥31の起点32を特定する特定ユニット11cを有することが好ましい。特定ユニット11cは、欠陥31の位置を重ね合わせた画像データに基づいて、欠陥31の起点32を自動的に認識する機能を有している。この特定ユニット11cでは、欠陥31が多く重なっている部分を判別し、この部分を欠陥31の起点32と判断している。また、欠陥31の起点32は、欠陥31が多く集中している領域を判別し、この領域を起点32と判断してもよい。具体的に、特定ユニット11cでは、所定のサイズ、例えば、図6に示すような1cm角の単位領域23中の、欠陥が占める割合が他の領域に比べて高い領域を欠陥31の起点32として特定している。なお、調査を行う単位領域23は、太陽電池素子の面積の25以下、好ましくは10以下であればよい。また、調査方法として、太陽電池素子10を単位領域23毎に分割して調査してもよい。また、一度調査した単位領域23の一部を再度調査するようにしてもよい。これは、例えば、図6に示すように、第1の単位領域23aを調査した後、第1の単位領域23aと一部が重複している第2の単位領域23bを調査するようなことを指す。このような操作を連続して上下、左右方向に行なうように調査すればよい。重複する領域は、例えば、単位領域23の50以上90以下であればよい。このように、重複して調査することにより、より詳細に欠陥31の起点32の位置を判別することができる。さらに、特定ユニット11cは、欠陥31の起点32を1つだけではなく、複数の起点32を特定してもよい。また、特定ユニット11cは、起点32である可能性の高い順番を特定する機能を有していてもよい。また、表示部12は、特定ユニット11cによって特定された欠陥31の起点32の位置を表示する機能を有してもよい。これにより、各製造工程の担当者が各自で欠陥31の起点32を判断することなく、表示部12を確認するだけで欠陥31の起点32の位置を把握して、欠陥31の発生原因を特定しやすくなる。また、欠陥31の起点32の位置を他の欠陥31の位置に比べて強調して表示してもよい。このような表示方法としては、例えば、欠陥31の起点の位置となる部分は矩形や円状で囲ったり、赤や青等の他と異なる色で強調したり、点滅表示するものがある。また、表示部12の画面上において、欠陥31の起点32となる箇所を複数表示する場合には、欠陥31の起点32である可能性の高い順番に数字を付与する、または予め指定した色で表示するようにしてもよい。また、制御部11は、ロット中における欠陥31を生じた太陽電池素子10の枚数をカウントして不良率を計算する機能を有していてもよい。一方で、表示部12は、指定されたロットの全太陽電池素子10の枚数と欠陥31を生じた太陽電池素子10の枚数、または不良率を画像データとともに表示してもよい。また、表示部12は、ロット中における欠陥31を生じた太陽電池素子10が製造工程を流れた順番を表示してもよく、欠陥31を生じた各太陽電池素子10の間隔を表示するようにしてもよい。例えば、製造工程に流れた順番の10枚目、20枚目、30枚目、41枚目に欠陥を生じた太陽電池素子10があった場合には、番号10、20、30、41が表示部12によって表示され、欠陥31を生じた太陽電池素子10の間隔を10枚、10枚、10枚、11枚と表示するようにしてもよい。このように、製造工程を流れた順番またはその間隔を表示することにより、複数枚の太陽電池素子10を同時に処理することができる製造装置において、製造装置内の特定の位置に原因があることを推定できるようになる。また、制御部11は、欠陥31の検出の有無に応じて太陽電池素子10を分別する分別ユニット11dを有してもよい。分別ユニット11dは、欠陥31の有無に関する情報に基づいて、工程中から排除する太陽電池素子10または一部再利用できる太陽電池素子10であるかを判断する機能を有している。例えば、分別ユニット11dは、欠陥31を生じた太陽電池素子10が検出されると、搬送部14に信号を送り、吸着アーム等を用いて製造工程中から欠陥31を有する太陽電池素子10を排除できる。これにより、信頼性の高い太陽電池素子10を製造できるようになる。一方で、製造工程から排除された太陽電池素子10は、廃棄されるか、または溶解して再生利用される。再利用される太陽電池素子10は、例えば、使用可能な部分のみをカットして、小型の太陽電池素子として再利用される。また、検査装置20は、操作部13を備えてもよい。操作部13は、キーボードやマウス等から構成され、ユーザの操作に基づく操作入力を制御部11に転送する。例えば、各欠陥31の起点32の位置に関して、関連する不良原因を制御部11に転送してもよい。また、制御部11は、特定ユニット11cが特定した欠陥の起点に対応する過去の不良原因を調査し、該当する不良原因をリストアップして表示部12に表示するようにしてもよい。このように不良原因をリストアップすることによって、各製造工程の担当者がすぐに対策を講じることができる。なお、本発明は上記検査装置に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。次に、EL発光を利用して太陽電池素子10の欠陥の位置情報を取得する方法を用いた検査装置20Aについて説明する。このような検査装置20Aは、図7に示すように、検査装置20の構成に加えて、通電部15および撮像部16を有している。通電部15は、太陽電池素子10に通電する機能を有し、例えば、プローブに接続した太陽電池素子10に順方向の電流を供給する。撮像部16は、通電された太陽電池素子10を撮像するものであり、例えば、CCDカメラ等で構成される。検査装置20Aでは、暗室内に太陽電池素子10を設置し、通電部15より太陽電池素子10に電流を供給して、太陽電池素子10をEL発光させて撮像部16によってその発光状態を撮像する。撮像部16より得られたデータを制御部11に入力し、制御部11によって欠陥31の有無および欠陥31の位置を検出することができる。<検査方法>次に、太陽電池素子の欠陥を検査する検査方法について説明する。本発明の実施形態に係る検査方法は、同一ロット内における複数の太陽電池素子10に生じた欠陥31の有無を判断し、太陽電池素子10における欠陥31の位置を検出する検出工程を有している。さらに、本実施形態では、複数の太陽電池素子10の欠陥31の位置情報を画像データに処理する画像処理工程と、同一ロット内の複数の太陽電池素子10の欠陥31の位置を重ね合わせて処理した画像データを表示する表示工程とを有している。本実施形態では、表示工程で表示された、欠陥31が多く重なっている部分または集中している領域を欠陥31の起点32と見なすことができる。このような欠陥の起点31は、太陽電池素子10のどの製造装置または製造工程において欠陥31が生じたかを推察することができる。そして、例えば、各製造工程の担当者は、欠陥31の起点32の位置に基づき推察した原因部分を重点的に確認することによって、欠陥31の発生原因を見つけることができるため、対策を講じやすくなる。また、画像処理工程では、同一のロット内のすべての太陽電池素子10の欠陥31の位置を重ね合わせた画像データとして処理するだけではなく、指定枚数の太陽電池素子の欠陥の位置を重ね合わせた画像データで処理してもよい。そして、表示工程では、順番に欠陥の位置を重ね合わせた画像データを表示するようにしてもよい。これにより、ロット中に欠陥を生じる原因が2つ以上発生した場合、どの時間軸から新たな原因が発生したかを知ることができる。また、画像処理工程は、順次、製造された同一ロットの複数の太陽電池素子10について、ある時間軸の指定枚数のみの太陽電池素子10の欠陥31の位置を重ね合わせて画像データに処理してもよい。そして、表示工程は、指定枚数の欠陥の位置を重ね合わせた画像データを表示するようにしてもよい。これにより、所定の期間内に製造された複数の太陽電池素子10の欠陥の位置を重ね合わせて表示することで、それぞれの太陽電池素子10における欠陥31が生じた起点を切り分けて判断することができる。また、本実施形態では、同一ロット内の複数の太陽電池素子10における画像データに基づき、欠陥31の起点32を特定する特定工程を有してもよい。この特定工程は、欠陥31の位置を重ね合わせた画像データに基づいて、欠陥31の起点32を自動的に認識するものである。この特定工程では、欠陥31が多く重なっている部分を判別し、この部分を欠陥31の起点32と判断している。また、欠陥31の起点32は、欠陥31が多く集中している領域を判別し、この領域を起点32と判断してもよい。さらに、特定工程では、欠陥31の起点32を1つだけではなく、複数の起点32を特定してもよい。また、特定ユニット11cは、起点32である可能性の高い順番を特定する機能を有していてもよい。また、表示工程は、特定工程において特定された欠陥31の起点32の位置を画面上に表示してもよい。これにより、各工程の担当者が各自で欠陥31の起点32を判断することなく、表示部12を確認するだけで欠陥31の起点32の位置を把握して、欠陥の発生原因を特定しやすくなる。また、欠陥31の起点32の位置を他の欠陥31の位置に比べて強調して表示してもよい。このような表示方法としては、例えば、欠陥31の起点32の位置となる部分は矩形や円状で囲ったり、赤や青等の他と異なる色で強調したり、点滅表示するものがある。また、表示部12の画面上において、欠陥31の起点32となる箇所を複数表示する場合には、欠陥31の起点32である可能性の高い順番に数字を付与する、または予め指定した色で表示するようにしてもよい。また、本実施形態では、ロット中における欠陥31を生じた太陽電池素子の枚数をカウントして不良率を計算してもよい。一方で、表示工程では、指定されたロットの全太陽電池素子10の枚数と欠陥31を生じた太陽電池素子10の枚数、または不良率を欠陥31の位置を示した画像データとともに表示してもよい。また、表示工程では、ロット中における欠陥31を生じた太陽電池素子10が製造工程を流れた順番を表示してもよく、欠陥31を生じた各太陽電池素子10の間隔を表示するようにしてもよい。このように、工程を流れた順番またはその間隔を表示することにより、複数枚の太陽電池素子10を同時に処理することができる製造装置において、製造装置内の特定の位置に原因があることを推定できるようになる。また、検出工程後に、欠陥31の検出の有無に応じて太陽電池素子を分別する分別工程をさらに有していてもよい。この分別工程では、太陽電池素子10の製造工程中から排除する太陽電池素子10または一部再利用できる太陽電池素子かを判断している。このような分別工程は、例えば、欠陥31を有する太陽電池素子10が検出されると、吸着アーム等を用いて製造工程中から欠陥31を有する太陽電池素子10を排除する。これにより、信頼性の高い太陽電池素子10を製造できるようになる。一方で、製造工程から排除された太陽電池素子10は、廃棄されるか、または溶解して再生利用される。再利用される太陽電池素子10は、例えば、使用可能な部分のみカットして、小型の太陽電池素子として再利用される。また、本実施形態では、各欠陥31の起点32の位置に関して、過去に起こった関連する不良原因を装置内に入力するようにしてもよい。また、特定工程では、欠陥31の起点32に対応する過去の不良原因を調査するとともに、表示工程において該当する不良原因をリストアップするようにしてもよい。このように不良原因をリストアップすることによって、各製造工程の担当者がすぐに対策を講じることができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。また、本発明は上述した実施形態の種々の組合せを含むものであることは言うまでもない。