電流供給源とクランプ容量との間に接続され、かつ並列に接続された第1スイッチング素子と、第2スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第1基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第1スイッチング素子を制御する第1制御手段と、前記入力信号が第2基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて電圧情報を蓄積し、前記入力信号の電圧が前記第1基準電圧以上になった場合に、前記電圧情報に基づいて予め定められた期間、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第2スイッチング素子を制御する第2制御手段と、を備えたクランプ回路。前記第1基準電圧は、前記第2基準電圧よりも大きい、請求項1に記載のクランプ回路。前記第2制御手段は、前記電圧情報に応じた電荷を蓄積する容量蓄積手段を備え、前記入力信号の電圧が前記第1基準電圧以上になった場合に、前記容量蓄積手段に蓄積された電荷に基づいて予め定められた期間、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第2スイッチング素子を制御する、請求項1または請求項2に記載のクランプ回路。前記第2制御手段は、前記容量蓄積手段が、一端が接地電位に接続されると共に、他端が第3スイッチング素子に接続された容量素子であり、前記容量素子に並列に接続された抵抗素子と、前記容量素子と電源とを接続する前記第3スイッチング素子と、前記第2基準電圧と前記入力信号とを比較し、前記入力信号が前記第2基準電圧未満の場合に、前記容量素子と電源とを接続させるよう前記第3スイッチング素子に制御信号を出力する比較手段と、を備えた、請求項3に記載のクランプ回路。前記第2制御手段は、前記入力信号が前記第2基準電圧未満の場合に、前記供給源と前記クランプ容量とを接続させるよう前記第2スイッチング素子に制御信号を出力する比較手段と、充電期間に応じて入力される充電制御信号に基づいて、前記入力信号が前記比較手段に入力されるように、前記比較手段と前記クランプ容量とを接続する第4スイッチング素子と、を備え、前記容量蓄積手段は、一端が接地され、かつ他端が前記第4スイッチング素子と前記比較手段との間に接続された容量素子である、請求項3に記載のクランプ回路。前記第2制御手段は、前記第2基準電圧と前記入力信号とを比較した比較結果に応じた信号を出力する比較手段と、充電期間に応じて入力される充電制御信号の指示に基づいて、前記比較手段から出力された比較結果に応じた信号を保持し、保持した比較結果に応じた信号を出力する保持手段と、を備えた、請求項1または請求項2に記載のクランプ回路。入力信号に電圧を加算して入力信号を生成するクランプ容量と電気的に接続される第1端子と、電流供給源と電気的に接続される第2端子と、前記第1端子と前記第2端子との間に接続され、かつ並列に接続された第1スイッチング素子と、第2スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第1基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第1スイッチング素子を制御する第1制御手段と、前記入力信号が第2基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて電圧情報を蓄積し、前記入力信号の電圧が前記第1基準電圧以上になった場合に、前記電圧情報に基づいて予め定められた期間、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第2スイッチング素子を制御する第2制御手段と、を備えた半導体装置。入力信号に電圧を加算して入力信号を生成するクランプ容量と、前記クランプ容量と電気的に接続される第1端子と、電流供給源と、前記電流供給源と電気的に接続される第2端子と、前記第1端子と前記第2端子との間に接続され、かつ並列に接続された第1スイッチング素子と、第2スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第1基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第1スイッチング素子を制御する第1制御手段と、前記入力信号が第2基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて電圧情報を蓄積し、前記入力信号の電圧が前記第1基準電圧以上になった場合に、前記電圧情報に基づいて予め定められた期間、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第2スイッチング素子を制御する第2制御手段と、を備えた信号処理システム。クランプ容量により入力信号に電圧を加算して入力信号を生成する生成ステップと、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第1基準電圧未満の場合に、電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう、前記クランプ容量と前記電流供給源との間に接続された第1スイッチング素子を第1制御手段により制御する第1制御ステップと、前記入力信号が第2基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて電圧情報を蓄積し、前記入力信号の電圧が前記第1基準電圧以上になった場合に、前記電圧情報に基づいて予め定められた期間、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう、前記第1スイッチング素子に並列に接続された第2スイッチング素子を第2制御手段により制御する第2制御ステップと、を備えた信号クランプ方法。前記第1制御ステップにおける前記第1基準電圧は、前記第2制御ステップにおける前記第2基準電圧よりも大きい、請求項9に記載の信号クランプ方法。前記第2制御ステップは、前記入力信号が第2基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて電圧情報に応じた電荷を容量蓄積手段に蓄積し、前記入力信号の電圧が前記第1基準電圧以上になった場合に、前記容量蓄積手段に蓄積された電荷に基づいて予め定められた期間、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう、前記第1スイッチング素子に並列に接続された第2スイッチング素子を第2制御手段により制御する、請求項9または請求項10に記載の信号クランプ方法。前記電圧情報は、前記入力信号の電圧であり、前記容量蓄積手段は、前記入力信号の電圧に応じた電荷を蓄積する、請求項11に記載の信号クランプ方法。しかながら、入力容量を小さくすることで充電時間を短くした場合、入力容量が小さくなると、クランプ時の入力端子のサグ変動が大きくなり、またノイズに対する入力端子電圧の安定性が低下するという問題が生じる。また、特許文献2に記載の技術のように、クランプ電流を増加させることで充電時間を短くした場合、クランプ電流は信号源側外部へ流れるために、信号源インピーダンスに対して電圧降下を発生する。この電圧降下は入力端子電圧を押し上げ、クランプ電流が流れなくなる瞬間に電圧降下が無くなり信号源の電位が変化し、同時に入力端子電圧が変化する。クランプ電流が大きいと、この電位の変化が大きいため、同期信号レベルと目標とするクランプ電圧との誤差が大きくなるという問題が生じる。本発明は、上述した問題を解決するために提案されたものであり、クランプ容量を小さくすること無く、かつ充電に要するクランプ電流を大きくすること無く、クランプ容量の充電に要する充電時間を短縮することができるクランプ回路、半導体装置、信号処理システム、及び信号クランプ方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1に記載のクランプ回路は、電流供給源とクランプ容量との間に接続され、かつ並列に接続された第1スイッチング素子と、第2スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第1基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第1スイッチング素子を制御する第1制御手段と、前記入力信号が第2基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて電圧情報を蓄積し、前記入力信号の電圧が前記第1基準電圧以上になった場合に、前記電圧情報に基づいて予め定められた期間、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第2スイッチング素子を制御する第2制御手段と、を備える。請求項7に記載の半導体装置は、入力信号に電圧を加算して入力信号を生成するクランプ容量と電気的に接続される第1端子と、電流供給源と電気的に接続される第2端子と、前記第1端子と前記第2端子との間に接続され、かつ並列に接続された第1スイッチング素子と、第2スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第1基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第1スイッチング素子を制御する第1制御手段と、前記入力信号が第2基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて電圧情報を蓄積し、前記入力信号の電圧が前記第1基準電圧以上になった場合に、前記電圧情報に基づいて予め定められた期間、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第2スイッチング素子を制御する第2制御手段と、を備える。請求項8に記載の信号処理システムは、入力信号に電圧を加算して入力信号を生成するクランプ容量と、前記クランプ容量と電気的に接続される第1端子と、電流供給源と、前記電流供給源と電気的に接続される第2端子と、前記第1端子と前記第2端子との間に接続され、かつ並列に接続された第1スイッチング素子と、第2スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第1基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第1スイッチング素子を制御する第1制御手段と、前記入力信号が第2基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて電圧情報を蓄積し、前記入力信号の電圧が前記第1基準電圧以上になった場合に、前記電圧情報に基づいて予め定められた期間、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう前記第2スイッチング素子を制御する第2制御手段と、を備える。請求項9に記載の信号クランプ方法は、クランプ容量により入力信号に電圧を加算して入力信号を生成する生成ステップと、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第1基準電圧未満の場合に、電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう、前駆クランプ容量と前記電流供給源との間に接続された第1スイッチング素子を第1制御手段により制御する第1制御ステップと、前記入力信号が第2基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて電圧情報を蓄積し、前記入力信号の電圧が前記第1基準電圧以上になった場合に、前記電圧情報に基づいて予め定められた期間、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう、前記第1スイッチング素子に並列に接続された第2スイッチング素子を第2制御手段により制御する第2制御ステップと、を備える。本発明によれば、クランプ容量を小さくすること無く、かつ充電に要するクランプ電流を大きくすること無く、クランプ容量の充電に要する充電時間を短縮することができる、という効果を奏する。[第1の実施の形態]以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態のクランプ回路及び当該クランプ回路を備えたLSI半導体集積回路:半導体装置の信号処理システムについて詳細に説明する。まず、本実施の形態の信号処理システムの構成について説明する。本実施の形態の信号処理システムの概略構成の一例を図1に示す。図1に示した本実施の形態の信号処理システム10は、信号源からノードN1を介してビデオ信号が入力される入力容量C1と、入力容量C1からノードN2を介して入力された信号をクランプするクランプ回路30詳細後述、クランプ回路30のノードN3にクランプ参照電圧を供給し、またノードN6に参照電圧を供給する参照電圧源24、及びノードN2を介して入力されたクランプされた信号に対して所定の映像処理を施す次段回路26が同一の基板22上に形成されたLSI20と、を備えて構成されている。本実施の形態の信号処理システム10で処理するビデオ信号の具体的一例を図2に示す。当該ビデオ信号は、コンポジットビデオ信号であり、図2に示すように、1周期が同期信号同期期間と、バースト信号バースト信号期間と、映像信号映像信号期間とから成る複数周期の信号である。同期信号は、走査の位置とタイミングを決めるための信号であり、バースト信号は、色相の基準となる信号である。本実施の形態のクランプ回路30の具体的一例の回路図を図3に示す。本実施の形態のクランプ回路30は、当該ビデオ信号の直流成分を映像信号に付加する機能を有しており、同期信号の底部をクランプ参照電圧に固定するものである。クランプ回路30は、端子容量C1に充電用のクランプ電流を供給する電流源I1が接続されるノードN0と、ノードN2と、を接続するスイッチング回路34と、第1制御回路32と、第2制御回路36と、を備えて構成されている。スイッチング回路34は、スイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2を含んで構成されている。第1制御回路32は、ノードN3に入力されるクランプ参照電圧以下、クランプ参照電圧VN3というと、ノードN2の信号電圧以下、電圧VN2というとを比較し、クランプ参照電圧の方が高い場合に、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1をオンにするよう制御信号Hレベルの信号でスイッチング素子SW1がオンを制御ノードN4に出力する比較器X1を備えて構成されている。一方、第2制御回路36は、スイッチング素子SW2を制御する制御信号Hレベルの信号でスイッチング素子SW2がオンが出力されるノードN5と接地電位Vssとの間を接続する容量C2と、容量C2と並列に接続された抵抗R1と、電源電位Vddと制御ノードN5とを接続するスイッチング素子SW3と、ノードN6に入力される参照電圧以下、参照電圧VN6というとノードN2の信号電圧とを比較し、参照電圧の方が高い場合に、スイッチング素子SW3をオンにするよう制御信号Hレベルの信号でスイッチング素子SW3がオンを制御ノードN7に出力する比較器X2と、を備えて構成されている。なお、本実施の形態では、参照電圧は、クランプ参照電圧よりも電圧値が小さい電圧に設定されている詳細後述。次に、本実施の形態のクランプ回路30によるクランプ動作及び各ノード制御ノード含むの電圧について説明する。まず、入力容量C1の充電が未完了な場合におけるクランプ動作及び各ノード電圧について説明する。図4に、入力容量C1の充電が未完了な場合のクランプ回路30におけるクランプ動作の流れの一例のフローチャートを示す。また、図5に、クランプ回路30の各ノード電圧の一例を示す。図5に示すように、入力容量C1の充電が未完了な場合は、同期期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN6の参照電圧VN6よりも低く、かつ同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも高い。クランプ回路30の第1制御回路32の動作について説明する。比較器X1が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3とノードN2の電圧VN2とを比較する図4:ステップ100。同期期間は、クランプ参照電圧VN3がノードN2の電圧VN2以上であるため図4:ステップ102比較器X1から制御ノードN4にHレベルの制御信号が出力され、スイッチング素子SW1がオン状態になる図4:ステップ104、図5:タイミングt1a。一方、クランプ回路30の第2制御回路36の動作について説明する。比較器X2が、ノードN6の参照電圧VN6とノードN2の電圧VN2とを比較する図4:ステップ200。同期期間は、参照電圧VN6がノードN2の電圧VN2以上であるため図4:ステップ202比較器X2から制御ノードN7にHレベルの制御信号が出力され、スイッチング素子SW3がオン状態になる図4:ステップ204、図5:タイミングt1a。スイッチング素子SW3がオン状態になることにより、第2制御回路36では、電源電位Vddと容量C2とが接続された状態になり、容量C2が充電される。また、制御ノードN5の電圧VN5が制御信号としてスイッチング回路34のスイッチング素子SW2に出力される図4:ステップ206、図5:タイミングt1a。本実施の形態のクランプ回路30では、具体的一例として、スイッチング素子SW1、SW2、SW3として、MOSトランジスタを用いており、制御ノードN5の電圧VN5がMOSトランジスタの閾値電圧Vtをこえるまではスイッチング素子SW2はオフ状態を保持する図4:ステップ208で否定、図5:タイミングt1a~t2aの期間。制御ノードN5の電圧VN5がMOSトランジスタの閾値電圧Vtをこえると図4:ステップ208で肯定、図5:タイミングt2aスイッチング素子SW2はオン状態になる図4:ステップ210、図5:タイミングt2a。このように、タイミングt1aで第1制御回路32により制御されるスイッチング素子SW1がオン状態になり、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。また、タイミングt2aで第2制御回路36により制御されるスイッチング素子SW2もオン状態になり、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。ビデオ信号の同期期間中は、ノードN2の電圧VN2<参照電圧VN6<クランプ参照電圧VN3であるため図4:ステップ106で肯定及びステップ212で肯定、図5タイミングt1a~t3aの期間、制御ノードN4の電圧VN4及び制御ノードN5の電圧VN5は、Hレベルとなり、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2がオン状態になり、電流源I1から供給される電流I1により、入力容量C1が充電される。ビデオ信号の同期期間が終了しバースト信号期間及び映像信号期間図5:タイミングt3a~になると、参照電圧VN6<クランプ参照電圧VN3<ノードN2の電圧VN2となる図4:ステップ106で否定及びステップ212で否定ため、第1制御回路32の比較器X1は、Lレベルの制御信号を制御ノードN4に出力する。これにより、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1はオフ状態になる図4:ステップ108、図5:タイミングt3a。一方、第2制御回路36では、比較器X2は、Lレベルの制御信号を制御ノードN7に出力する。これにより、スイッチング素子SW3はオフ状態になる図4:ステップ214、図5:タイミングt3a。スイッチング素子SW3がオフ状態になると、容量C2の両極の電荷は抵抗R1によって放電される図4:ステップ216。容量C2の放電により、制御ノードN5の電圧VN5は、Hレベルから接地電位Vssに、所定の時間例えば、容量C2に蓄積される電荷量等に基づいて予め得られている時間かけて遷移する。ここで、制御ノードN5の電圧VN5が、スイッチング素子SW2の閾値電圧Vt以上の場合図4:ステップ218で肯定は、スイッチング素子SW2はオン状態を保持し、電流源I1から供給される電流I1により、入力容量C1が充電される。一方、制御ノードN5の電圧VN5が、スイッチング素子SW2の閾値電圧Vt未満になった場合図4:ステップ218で否定、図5:タイミングt4aは、スイッチング素子SW2はオフ状態図4:ステップ220になり、ノードN2には、電流源I1から電流が供給されなくなり、従って、入力容量C1の充電が停止する。次に、入力容量C1の充電が完了している場合におけるクランプ動作及び各ノード電圧について説明する。図6に、入力容量C1の充電が完了している場合のクランプ回路30におけるクランプ動作の流れの一例のフローチャートを示す。また、図7に、クランプ回路30の各ノード電圧の一例を示す。図7に示すように、入力容量C1の充電が完了している場合は、同期期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN6の参照電圧VN6よりも高く、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも低く、かつ同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも高い。クランプ回路30の第1制御回路32の動作について説明する。比較器X1が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3とノードN2の電圧VN2とを比較する図6:ステップ150。同期期間は、クランプ参照電圧VN3がノードN2の電圧VN2以上であるため図6:ステップ152比較器X1から制御ノードN4にHレベルの制御信号が出力され、スイッチング素子SW1がオン状態になる図6:ステップ154、図7:タイミングt1b。一方、クランプ回路30の第2制御回路36の動作について説明する。比較器X2が、ノードN6の参照電圧VN6とノードN2の電圧VN2とを比較する図6:ステップ250。入力容量C1の充電が完了している状態では、参照電圧VN6がノードN2の電圧VN2よりも小さいため図6:ステップ252比較器X2から制御ノードN7にLレベルの制御信号が出力され、スイッチング素子SW3がオフ状態を保持する図6:ステップ254、図7:タイミングt1b。スイッチング素子SW3がオフ状態であるため、スイッチング回路34のスイッチング素子SW2に出力される制御ノードN5の電圧VN5は、Lレベルを保持し図6:ステップ256、従って、スイッチング素子SW2もオフ状態を保持する図6:ステップ258、図7:タイミングt1b。このように、タイミングt1bで第1制御回路32により制御されるスイッチング素子SW1がオン状態になり、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。一方、第2制御回路36により制御されるスイッチング素子SW2はオフ状態を保持するが、スイッチング素子SW1がオン状態であることにより、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。ビデオ信号の同期期間中は、参照電圧VN6<ノードN2の電圧VN2<クランプ参照電圧VN3であるため図6:ステップ156で肯定、図7:タイミングt1b~t2bの期間、制御ノードN4の電圧VN4はHレベル、制御ノードN5の電圧VN5はLレベルとなり、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオン状態になり、スイッチング素子SW2がオフ状態を保持する。これにより、電流源I1から供給される電流I1により、入力容量C1が充電される。ビデオ信号の同期期間が終了しバースト信号期間及び映像信号期間図7:タイミングt2b~になると、参照電圧VN6<クランプ参照電圧VN3<ノードN2の電圧VN2となる図6:ステップ156で否定ため、第1制御回路32の比較器X1は、Lレベルの制御信号を制御ノードN4に出力する。これにより、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1はオフ状態になる図6:ステップ158、図6:タイミングt2b。一方、第2制御回路36では、制御ノードN7はLレベルの制御信号を保持するため、スイッチング素子SW3はオフ状態を保持し、スイッチング素子SW2もオフ状態を保持する図6:ステップ258、図7:タイミングt2b~。このようにバースト信号期間及び映像信号期間は、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2ともに、オフ状態であるため、電流源I1から電流I1が供給されず、入力容量C1は充電されない。以上説明したように、本実施の形態の信号処理システム10の半導体装置20におけるクランプ回路30は、第1制御回路32、スイッチング回路34、第2制御回路36を備えている。スイッチング回路34は、電流源I1とノードN2入力容量C1との間に、並列に接続され、かつHレベルの制御信号でオン状態になるスイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2を備えている。第1制御回路32は、比較器X1を備えており、ノードN2の電圧VN2とノードN3のクランプ参照電圧VN3とを比較して、電圧VN2≦クランプ参照電圧VN3の場合に、制御ノードN4にHレベルの制御信号を出力する。また、第2制御回路36は、比較器X2、一端が接地電位Vssに接続された容量C2、容量C2と並列に接続された抵抗R1、及び容量C2の他端と電源電位Vddとを接続し、かつHレベルの制御信号でオン状態になるスイッチング素子SW3を備えている。比較器X2は、ノードN2の電圧VN2とノードN6の参照電圧VN6とを比較して、電圧VN2≦参照電圧VN6の場合に、制御ノードN7にHレベルの制御信号を出力する。また、スイッチング素子SW3と容量C2との中間ノードの信号電圧が制御ノードN5に制御信号として出力される。同期期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN6の参照電圧VN6よりも低く、かつ同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも高い、入力容量C1の充電が未完了な場合は、同期期間では、第1制御回路32の比較器X1は、Hレベルの制御信号を制御ノードN4に出力し、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオン状態になる。また、第2制御回路36の比較器X2は、Hレベルの制御信号を制御ノードN7に出力し、スイッチング素子SW3がオン状態になり、電源電位Vddと容量C2とが接続され、容量C2の充電が行われるとともに、制御ノードN5の信号がスイッチング回路34のスイッチング素子SW2の閾値電圧Vtを越えると、スイッチング素子SW2がオン状態になる。同期期間では、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2がオン状態になり、電流源I1から供給された電流クランプ電流I1がノードN2に供給され、入力容量C1が充電される。また、同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間では、第1制御回路32の比較器X1は、Lレベルの制御信号を制御ノードN4に出力し、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオフ状態になる。また、第2制御回路36の比較器X2は、Lレベルの制御信号を制御ノードN7に出力し、スイッチング素子SW3がオフ状態になり、電源電位Vddと容量C2とが非接続になる。容量C2の両端の電荷が放電され、制御ノードN5の電圧VN5がスイッチング素子SW2の閾値電圧Vt未満になるまでの期間、スイッチング素子SW2はオン状態を保持し、電流源I1から供給された電流クランプ電流I1がノードN2に供給され、入力容量C1が充電される。このように、バースト信号期間及び映像信号期間において、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオフ状態になった後でも、制御ノードN5の電圧VN5がスイッチング素子SW2の閾値電圧Vt未満になるまでの期間、スイッチング素子SW2はオン状態を保持し、電流I1により入力容量C1が充電されるため、ビデオ信号の1周期当りの入力容量C1の充電期間を延長することができ、入力容量C1の充電が完了するまでに要するビデオ信号の周期の数を少なくすることができる。従って、本実施の形態では、入力容量C1の容量を小さくすること無く、かつ充電に要するクランプ電流I1を大きくすること無く、入力容量C1の充電に要する充電時間を短縮することができる。また、1周期における充電期間の延長幅延長期間は、容量C2の容量値及び抵抗R1の抵抗値の設定により任意に変更することができ、他の制御信号例えば、クランプ回路30の外部から入力される制御信号等を必要としない。また、本実施の形態のクランプ回路30では、同期期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN6の参照電圧VN6よりも高く、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも低く、かつ同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも高い、入力容量C1の充電が完了している場合は、同期期間では、第1制御回路32の比較器X1は、Hレベルの制御信号を制御ノードN4に出力し、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオン状態になる。また、第2制御回路36の比較器X2は、Lレベルの制御信号を制御ノードN7に出力し、スイッチング素子SW3はオフ状態を保持し、制御ノードN5に出力される制御信号もLレベルであるため、スイッチング素子SW2はオフ状態を保持する。同期期間では、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオン状態になり、電流源I1から供給された電流クランプ電流I1がノードN2に供給され、入力容量C1が充電される。また、同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間では、第1制御回路32の比較器X1は、Lレベルの制御信号を制御ノードN4に出力し、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオフ状態になる。一方、第2制御回路36では、制御ノードN7及び制御ノードN5に出力される制御信号はともにLレベルのままであるため、スイッチング素子SW2はオフ状態を保持する。このように、入力容量C1の充電が完了している場合は、同期期間において第2制御回路36では、スイッチング素子SW3がオフ状態を保持するため、容量C2の充電を行わない。そのため、同期期間が終了すると、スイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2ともオフ状態となり、入力容量C1の充電が行われない。すなわち、本実施の形態では、クランプ参照電圧VN3よりも参照電圧VN6の方が小さく、具体的には、クランプ後のノードN2の電圧VN2の同期期間の最低電圧図7参照未満に設定しているため、第2制御回路36では、制御ノードN5の制御信号が常にLレベルとなり、スイッチング素子SW2がオフ状態を保持する。従って、同期期間のみ入力容量C1の充電が行われるため、入力容量C1の過充電を防止できる。なお、本実施の形態では、具体的一例として第2制御回路36を、抵抗R1、容量C2、及びスイッチング素子SW3により構成したがこれに限らず、カウンタを利用した回路等、任意の一定期間、スイッチング素子SW2の制御レベルを保持することができる回路であればよく、その構成は特に限定されるものではない。[第2の実施の形態]以下、図面を参照して本発明の第2の実施の形態の信号処理システム半導体装置、クランプ回路及びクランプ動作について詳細に説明する。なお、本実施の形態の信号処理システム半導体回路、クランプ回路及びクランプ動作は、第1の実施の形態と略同一の構成動作を含むため、第1の実施の形態と略同一の構成動作である部分にはその旨を示して同一符号を付し、詳細な説明を省略する。まず、本実施の形態の信号処理システムの構成について説明する。本実施の形態の信号処理システムの概略構成の一例を図8に示す。図8に示した本実施の形態の信号処理システム40は、信号処理システム40における半導体装置42のクランプ回路44の第2制御回路46の構成及び動作が、第1の実施の形態の信号処理システム10における半導体装置20のクランプ回路30の第2制御回路36と、異なっている。また、本実施の形態の半導体装置42は、第2制御回路46に制御信号N10を出力する制御信号源43を備えている。本実施の形態のクランプ回路44の具体的一例の回路図を図9に示す。本実施の形態のクランプ回路44は、上述したように、第2制御回路46の構成及び動作が第1の実施の形態のクランプ回路30の第2制御回路36と異なるため、第2制御回路46の構成について説明する。本実施の形態の第2制御回路46は、ノードN6の参照電圧VN6とノードN9の信号電圧とを比較し、参照電圧VN6の方が高い場合に、Hレベルの制御信号をノードN11に出力する比較器X3と、ノードN9とノードN2とを接続するスイッチング素子SW4と、ノードN9と接地電位Vssとの間に設けられた容量C3と、を備えて構成されている。なお、スイッチング素子SW4のオン/オフは、制御ノードN10の制御信号により制御Hレベルでオンされる。次に、本実施の形態のクランプ回路44によるクランプ動作及び各ノード制御ノード含むの電圧について説明する。まず、入力容量C1の充電が未完了な場合におけるクランプ動作及び各ノード電圧について説明する。図10に、入力容量C1の充電が未完了な場合のクランプ回路44におけるクランプ動作の流れの一例のフローチャートを示す。また、図11に、クランプ回路44の各ノード電圧の一例を示す。図11に示すように、入力容量C1の充電が未完了な場合は、同期期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN6の参照電圧VN6よりも低く、かつ同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも高い。クランプ回路44の第1制御回路32の動作は、第1の実施の形態における入力容量C1の充電が未完了な場合における動作と略同様である。同期期間において比較器X1が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3とノードN2の電圧VN2とを比較し図10:ステップ300、クランプ参照電圧VN3がノードN2の電圧VN2以上であるため図10:ステップ302比較器X1から制御ノードN4にHレベルの制御信号が出力され、スイッチング素子SW1がオン状態になる図10:ステップ304、図11:タイミングt2a。一方、クランプ回路44の第2制御回路46の動作について説明する。第2制御回路46には、同期期間の開始前に、クランプ回路44の外部から制御ノードN10にHレベルの制御信号が入力され図10:ステップ400、スイッチング素子SW4がオン状態になる図10:ステップ402、図11:タイミングt1a。スイッチング素子SW4がオン状態になることにより、ノードN2の電圧VN2がノードN9の電圧VN9にサンプリングされVN2=VN9、図10:ステップ404、容量C3が充電される図10:ステップ406。比較器X3は、ノードN6の参照電圧VN6とノードN9の電圧VN9とを比較する図10:ステップ408。参照電圧VN6がノードN9の電圧VN9未満の場合図10:ステップ410で否定は、制御ノードN11にLレベルの制御信号が出力され、スイッチング素子SW2はオフ状態を保持する図10:ステップ412、図11:タイミングt1a~t2a。第2制御回路46では、同期期間になると、参照電圧VN6がノードN2の電圧VN2以上であり、ノードN9の電圧VN9以上であるため図4:ステップ410で肯定比較器X3から制御ノードN11にHレベルの制御信号が出力され、スイッチング素子SW2がオン状態になる図4:ステップ414、図11:タイミングt2a。このように、タイミングt1aで第1制御回路32により制御されるスイッチング素子SW1がオン状態になり、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。また、タイミングt2aで第2制御回路46により制御されるスイッチング素子SW2もオン状態になり、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。ビデオ信号の同期期間中は、第1制御回路32では、ノードN2の電圧VN2<参照電圧VN6<クランプ参照電圧VN3であるため図10:ステップ306で肯定、図11タイミングt2a~t4aの期間、制御ノードN4の電圧VN4はHレベルとなり、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオン状態になり、電流源I1から供給される電流I1により、入力容量C1が充電される。一方、第2制御回路36では、同期期間中に、クランプ回路44の外部から制御ノードN10にLレベルの制御信号が入力され図10:ステップ416、スイッチング素子SW4がオフ状態になる図10:ステップ418、図11:タイミングt3a。スイッチング素子SW4がオフ状態になると、容量C3により、ノードN2にサンプリングされたノードN9の電圧VN9VN2=VN9が保持される。この際、ノードN2の電圧VN2=ノードN9の電圧VN9<参照電圧VN6であるため、ノードN11の制御信号はHレベルを保持し、従って、スイッチング素子SW2のオン状態が保持される。図10:ステップ420、図11:タイミングt3a~t5a。ビデオ信号の同期期間が終了しバースト信号期間及び映像信号期間図11:タイミングt4a~になると、参照電圧VN6<クランプ参照電圧VN3<ノードN2の電圧VN2となる図10:ステップ306で否定ため、第1制御回路32の比較器X1は、Lレベルの制御信号を制御ノードN4に出力する。これにより、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1はオフ状態になる図10:ステップ308、図11:タイミングt4a。一方、第2制御回路46では、比較器X3は、上述したように、スイッチング素子SW4がオフ状態であるため、容量C3により、ノードN2の電圧VN2=ノードN9の電圧VN9が保持されており、ノードN11の制御信号はHレベルを保持し、スイッチング素子SW2のオン状態が保持されている。図10:ステップ420、図11:タイミングt3a~t5a。その後、第2制御回路46では、バースト信号期間及び映像信号期間中に、クランプ回路44の外部から制御ノードN10にHレベルの制御信号が入力され図10:ステップ422、スイッチング素子SW4がオン状態になる図10:ステップ424、図11:タイミングt5a。スイッチング素子SW4がオン状態になることにより、ノードN2の電圧VN2がノードN9の電圧VN9にサンプリングされるVN2=VN9、図10:ステップ426。この際、参照電圧VN6<ノードN2の電圧VN2=ノードN9の電圧VN9であるため図10:ステップ428、比較器X3は、ノードN6の参照電圧VN6とノードN9の電圧VN9とを比較した結果図10:ステップ430、ノードN11の制御信号はLレベルとなり、従って、スイッチング素子SW2がオフ状態になる。図10:ステップ432、図11:タイミングt5a。スイッチング素子SW1が既にオフ状態であり、スイッチング素子SW2もオフ状態になるため、ノードN2には、電流源I1から電流が供給されなくなり、従って、入力容量C1の充電が停止する。次に、入力容量C1の充電が完了している場合におけるクランプ動作及び各ノード電圧について説明する。図12に、入力容量C1の充電が完了している場合のクランプ回路44におけるクランプ動作の流れの一例のフローチャートを示す。また、図13に、クランプ回路44の各ノード電圧の一例を示す。図13に示すように、入力容量C1の充電が完了している場合は、同期期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN6の参照電圧VN6よりも高く、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも低く、かつ同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも高い。クランプ回路44の第1制御回路32の動作は、第1の実施の形態における入力容量C1の充電が完了している場合における動作と略同様である。同期期間において比較器X1が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3とノードN2の電圧VN2とを比較し図12:ステップ350、クランプ参照電圧VN3がノードN2の電圧VN2以上であるため図12:ステップ352比較器X1から制御ノードN4にHレベルの制御信号が出力され、スイッチング素子SW1がオン状態になる図12:ステップ354、図13:タイミングt1b。一方、クランプ回路44の第2制御回路46の動作について説明する。第2制御回路46には、同期期間中に第2制御回路46には、クランプ回路44の外部から制御ノードN10にLレベルの制御信号が入力され図12:ステップ450、スイッチング素子SW4がオフ状態になる図12:ステップ452、図13:タイミングt2b。スイッチング素子SW4がオフ状態になることにより、ノードN9の電圧VN9にサンプリングされていたノードN2の電圧VN2が保持VN2=VN9される。図12:ステップ454。この際、参照電圧VN6<ノードN2の電圧VN2=ノードN9の電圧VN9であるため図12:ステップ456、比較器X3は、ノードN6の参照電圧VN6とノードN9の電圧VN9とを比較した結果図12:ステップ458、ノードN11の制御信号はLレベルとなり、従って、スイッチング素子SW2はオフ状態を保持する。図12:ステップ460、図13:タイミングt2b。このようにビデオ信号の同期期間中は、タイミングt1bで第1制御回路32により制御されるスイッチング素子SW1がオン状態になり、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。一方、第2制御回路46により制御されるスイッチング素子SW2はオフ状態を保持するが、スイッチング素子SW1がオン状態であることにより、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。ビデオ信号の同期期間が終了しバースト信号期間及び映像信号期間図13:タイミングt3b~になると、参照電圧VN6<クランプ参照電圧VN3<ノードN2の電圧VN2となる図12:ステップ356で否定ため、第1制御回路32の比較器X1は、Lレベルの制御信号を制御ノードN4に出力する。これにより、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1はオフ状態になる図12:ステップ358、図13:タイミングt3b。一方、第2制御回路46では、比較器X3は、上述したように、スイッチング素子SW4がオフ状態からオン状態になるまでの期間、ノードN2の電圧VN2=ノードN9の電圧VN9が保持されており、ノードN11の制御信号はLレベルを保持し、スイッチング素子SW2のオフ状態が保持されている。図13:タイミングt2b~t4b。第2制御回路46では、バースト信号期間及び映像信号期間中に、クランプ回路44の外部から制御ノードN10にHレベルの制御信号が入力され図12:ステップ462、スイッチング素子SW4がオン状態になる図12:ステップ464、図13:タイミングt4b。スイッチング素子SW4がオン状態になることにより、ノードN2の電圧VN2がノードN9の電圧VN9にサンプリングされるVN2=VN9、図12:ステップ466。この際、参照電圧VN6<ノードN2の電圧VN2=ノードN9の電圧VN9であるため図12:ステップ468、比較器X3は、ノードN6の参照電圧VN6とノードN9の電圧VN9とを比較した結果図12:ステップ470、ノードN11の制御信号はLレベルとなり、従って、スイッチング素子SW2はオフ状態を保持する。図12:ステップ472、図13:タイミングt4b。スイッチング素子SW1が既にオフ状態であり、スイッチング素子SW2もオフ状態になるため、ノードN2には、電流源I1から電流が供給されなくなり、従って、入力容量C1の充電が停止する。このようにバースト信号期間及び映像信号期間は、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2ともに、オフ状態であるため、電流源I1から電流I1が供給されず、入力容量C1は充電されない。以上説明したように、本実施の形態の信号処理システム40の半導体装置42におけるクランプ回路44では、第1制御回路32、スイッチング回路34、第2制御回路46を備えている。スイッチング回路34は、電流源I1とノードN2入力容量C1との間に、並列に接続され、かつHレベルの制御信号でオン状態になるスイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2を備えている。第1制御回路32は、比較器X1を備えており、ノードN2の電圧VN2とノードN3のクランプ参照電圧VN3とを比較して、電圧VN2≦クランプ参照電圧VN3の場合に、制御ノードN4にHレベルの制御信号を出力する。また、第2制御回路46は、ノードN6の参照電圧VN6とノードN9の電圧VN9とを比較して制御信号を制御ノードN11に出力する比較器X3、ノードN9に接続された容量C3、及びノードN9とノードN2とを接続するスイッチング素子SW4を備えている。スイッチング素子SW4はクランプ回路44の外部から制御ノードN10に入力される制御信号により、制御信号がHレベルのときにオン状態になるように制御される。比較器X3は、ノードN9の電圧VN9とノードN6の参照電圧VN6とを比較して、電圧VN9≦参照電圧VN6の場合に、制御ノードN11にHレベルの制御信号を出力する。同期期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN6の参照電圧VN6よりも低く、かつ同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも高い、入力容量C1の充電が未完了な場合は、同期期間では、第1制御回路32の比較器X1は、Hレベルの制御信号を制御ノードN4に出力し、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオン状態になる。また、第2制御回路46では、クランプ回路44の外部から制御ノードN10にHレベルの制御信号が入力され、スイッチング素子SW4がオン状態になり、ノードN9の電圧VN9=ノードN2の電圧VN2となる。ノードN9の電圧VN9=ノードN2の電圧VN2<ノードN6の参照電圧VN6であるため、比較器X3は、Hレベルの制御信号を制御ノードN11に出力し、スイッチング素子SW2がオン状態になる。同期期間では、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2がオン状態になり、電流源I1から供給された電流クランプ電流I1がノードN2に供給され、入力容量C1が充電される。また、同期期間中に、第2制御回路46では、クランプ回路44の外部から制御ノードN10にLレベルの制御信号が入力され、スイッチング素子SW4がオフ状態になり、容量C3によってノードN9の電圧VN9=ノードN2の電圧VN2が保持される。この際、ノードN9の電圧VN9=ノードN2の電圧VN2<ノードN6の参照電圧VN6であるため、制御ノードN11はHレベルの制御信号を保持し、スイッチング素子SW2のオン状態を保持する。さらに、同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間では、第1制御回路32の比較器X1は、Lレベルの制御信号を制御ノードN4に出力し、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオフ状態になる。また、第2制御回路46では、制御ノードN10に入力されるLレベルの制御信号により、スイッチング素子SW4がオフ状態を保持し、容量C3によって、ノードN9の電圧VN9=ノードN2の電圧VN2<ノードN6の参照電圧VN6が保持されるため、制御ノードN11はHレベルの制御信号を保持し、スイッチング素子SW2のオン状態を保持し、電流源I1から供給された電流クランプ電流I1がノードN2に供給され、入力容量C1が充電される。このように、バースト信号期間及び映像信号期間において、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオフ状態になった後でも、スイッチング素子SW2はオン状態を保持し、電流I1により入力容量C1が充電されるため、ビデオ信号の1周期当りの入力容量C1の充電期間を延長することができるため、入力容量C1の充電が完了するまでに要するビデオ信号の周期の数を少なくすることができる。従って、第1の実施の形態と同様に、入力容量C1の容量を小さくすること無く、かつ充電に要するクランプ電流I1を大きくすること無く、入力容量C1の充電に要する充電時間を短縮することができる。また、スイッチング素子SW2の充電期間は、バースト信号期間及び映像信号期間中に制御ノードN10にHレベルの制御信号が入力されるまで継続されるため、より、1周期における充電期間の延長幅延長期間を長くすることができる。また、本実施の形態では、入力容量C1の充電期間の調整をノードN10に入力される制御信号により制御することができるため、例えば、第1の実施の形態のクランプ回路30に比べて、クランプ回路44のレイアウトを増大することなく、1周期における充電期間を長くすることができ、入力容量C1の充電に要する充電時間を短縮することができる。また、入力容量C1の充電が完了している場合は、同期期間において第2制御回路46は、ノードN10に入力される制御信号に基づいて、スイッチング素子SW4のオン、オフが制御され、ノードN6の参照電圧VN6<ノードN9の電圧VN9=ノードN2の電圧VN2が保持されるため、制御ノードN11はLレベルの制御信号を保持し、スイッチング素子SW2のオフ状態を保持するため、容量C2の充電を行わない。また、同期期間が終了すると、スイッチング素子SW1がオフ状態になると共に、スイッチング素子SW2はオフ状態を保持しているため、入力容量C1の充電が行われない。すなわち、本実施の形態では、第1の実施の形態と同様に、クランプ参照電圧VN3よりも参照電圧VN6の方が小さく、具体的には、クランプ後のノードN2の電圧VN2の同期期間の最低電圧図11参照未満に設定しているため、第2制御回路46では、制御ノードN11の制御信号が常にLレベルとなり、スイッチング素子SW2がオフ状態を保持する。従って、同期期間のみ入力容量C1の充電が行われるため、入力容量C1の過充電を防止できる。なお、本実施の形態では、具体的一例として第2制御回路46を、容量C3、及びスイッチング素子SW4を用いたS/H回路サンプルホールド回路により構成したがこれに限らず、ノードN2の電圧VN2を保持することができる回路であればよく、その構成は特に限定されるものではない。[第3の実施の形態]以下、図面を参照して本発明の第3の実施の形態の信号処理システム半導体装置、クランプ回路及びクランプ動作について詳細に説明する。なお、本実施の形態の信号処理システム半導体回路、クランプ回路及びクランプ動作は、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と略同一の構成動作を含むため、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と略同一の構成動作である部分にはその旨を示して同一符号を付し、詳細な説明を省略する。まず、本実施の形態の信号処理システムの構成について説明する。本実施の形態の信号処理システムの概略構成の一例を図14に示す。図14に示した本実施の形態の信号処理システム50は、信号処理システム50における半導体装置52のクランプ回路54の第2制御回路56の構成及び動作が、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と異なっている。また、本実施の形態の半導体装置52は、第2制御回路56に制御信号N13を出力する制御信号源53を備えている。本実施の形態のクランプ回路54の具体的一例の回路図を図15に示す。本実施の形態のクランプ回路54は、上述したように、第2制御回路56の構成及び動作が第1の実施の形態及び第2の実施の形態と異なるため、第2制御回路56の構成について説明する。本実施の形態の第2制御回路56は、ノードN6の参照電圧VN6とノードN2の電圧VN2とを比較し、参照電圧VN6の方が高い場合に、Hレベルの制御信号をノードN12に出力する比較器X4と、DFFDフリップフロップと、を備えて構成されている。DFFは、ノードN12に出力される信号をデータ入力とし、制御ノードN13を制御信号入力とし、スイッチング素子SW2の制御ノードN14を出力とする。すなわち、DFFは、制御ノードN13の制御信号パルスの立ち上がりタイミングのときのノードN12の信号状態を制御ノードN14に出力し、保持する機能を有している。次に、本実施の形態のクランプ回路54によるクランプ動作及び各ノード制御ノード含むの電圧について説明する。まず、入力容量C1の充電が未完了な場合におけるクランプ動作及び各ノード電圧について説明する。図16に、入力容量C1の充電が未完了な場合のクランプ回路54におけるクランプ動作の流れの一例のフローチャートを示す。また、図17に、クランプ回路54の各ノード電圧の一例を示す。図17に示すように、入力容量C1の充電が未完了な場合は、同期期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN6の参照電圧VN6よりも低く、かつ同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも高い。クランプ回路44の第1制御回路32の動作は、第1の実施の形態及び第2の実施の形態における入力容量C1の充電が未完了な場合における動作と略同様である。同期期間において比較器X1が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3とノードN2の電圧VN2とを比較し図16:ステップ500、クランプ参照電圧VN3がノードN2の電圧VN2以上であるため図16:ステップ502比較器X1から制御ノードN4にHレベルの制御信号が出力され、スイッチング素子SW1がオン状態になる図16:ステップ504、図17:タイミングt1a。一方、クランプ回路54の第2制御回路56の動作について説明する。比較器X4が、ノードN6の参照電圧VN6とノードN2の電圧VN2とを比較する図16:ステップ600。同期期間は、参照電圧VN6がノードN2の電圧VN2以上であるため図16:ステップ602比較器X4から制御ノードN12にHレベルの制御信号が出力される図16:ステップ604、図17:タイミングt1a。同期期間中に、クランプ回路54の外部から制御ノードN13に制御信号パルスが入力されると図16:ステップ606、図17:タイミングt2a、DFFは、このときのノードN12のHレベルである電圧レベルを制御ノードN14に出力する図16:ステップ608、図17タイミングt2a。制御ノードN14がHレベルであるため、スイッチング素子SW2はオン状態になる図16:ステップ610、図17タイミングt2a。このように、タイミングt1aで第1制御回路32により制御されるスイッチング素子SW1がオン状態になり、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。また、タイミングt2aで第2制御回路56により制御されるスイッチング素子SW2もオン状態になり、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。ビデオ信号の同期期間中は、第1制御回路32では、ノードN2の電圧VN2<参照電圧VN6<クランプ参照電圧VN3であるため図16:ステップ506で肯定、図17タイミングt1a~t3aの期間、制御ノードN4の電圧VN4はHレベルとなり、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオン状態になり、電流源I1から供給される電流I1により、入力容量C1が充電される。一方、第2制御回路56では、制御ノードN13に制御信号パルスが入力されないため、DFFでは、制御ノードN14の制御信号はHレベルを保持し、従って、スイッチング素子SW2は、オン状態を保持する。ビデオ信号の同期期間が終了しバースト信号期間及び映像信号期間図17:タイミングt3a~になると、参照電圧VN6<クランプ参照電圧VN3<ノードN2の電圧VN2となる図16:ステップ506で否定ため、第1制御回路32の比較器X1は、Lレベルの制御信号を制御ノードN4に出力する。これにより、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1はオフ状態になる図16:ステップ508、図17:タイミングt3a。一方、第2制御回路56では、バースト信号期間及び映像信号期間には、制御ノードN13に制御信号パルスが入力されないため、DFFでは、制御ノードN14の制御信号はHレベルを保持し、従って、スイッチング素子SW2は、オン状態を保持する。従って、バースト信号期間及び映像信号期間は、スイッチング素子SW1はオフ状態であるが、スイッチング素子SW2はオン状態であるため、ノードN2には、電流源I1から電流が供給され、従って、入力容量C1が充電される。次に、入力容量C1の充電が完了している場合におけるクランプ動作及び各ノード電圧について説明する。図18に、入力容量C1の充電が完了している場合のクランプ回路54におけるクランプ動作の流れの一例のフローチャートを示す。また、図19に、クランプ回路54の各ノード電圧の一例を示す。図19に示すように、入力容量C1の充電が完了している場合は、同期期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN6の参照電圧VN6よりも高く、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも低く、かつ同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも高い。クランプ回路54の第1制御回路32の動作は、第1の実施の形態及び第2の実施の形態における入力容量C1の充電が完了している場合における動作と略同様である。同期期間において比較器X1が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3とノードN2の電圧VN2とを比較し図18:ステップ550、クランプ参照電圧VN3がノードN2の電圧VN2以上であるため図18:ステップ552比較器X1から制御ノードN4にHレベルの制御信号が出力され、スイッチング素子SW1がオン状態になる図18:ステップ554、図19:タイミングt1b。一方、クランプ回路54の第2制御回路56の動作について説明する。第2制御回路56では、比較器X4が、ノードN6の参照電圧VN6とノードN2の電圧VN2とを比較する図18:ステップ650。同期期間は、参照電圧VN6<ノードN2の電圧VN2であるため図18:ステップ652比較器X4から制御ノードN12にLレベルの制御信号が出力される図16:ステップ654、図19:タイミングt1b。同期期間中に、クランプ回路54の外部から制御ノードN13に制御信号パルスが入力されると図18:ステップ656、図19:タイミングt2b、DFFは、このときのノードN12のLレベルである電圧レベルを制御ノードN14に出力する図18:ステップ658、図19タイミングt2b。制御ノードN14がLレベルであるため、スイッチング素子SW2はオフ状態になる図18:ステップ660、図19タイミングt2b。このようにビデオ信号の同期期間中は、タイミングt1bで第1制御回路32により制御されるスイッチング素子SW1がオン状態になり、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。一方、第2制御回路56により制御されるスイッチング素子SW2はオフ状態を保持するが、スイッチング素子SW1がオン状態であることにより、電流源I1から供給された電流I1により、入力容量C1が充電される。ビデオ信号の同期期間中は、第1制御回路32では、参照電圧VN6<ノードN2の電圧VN2<クランプ参照電圧VN3であるため図18:ステップ556で肯定、図19タイミングt1b~t3bの期間、制御ノードN4の電圧VN4はHレベルとなり、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオン状態になり、電流源I1から供給される電流I1により、入力容量C1が充電される。一方、第2制御回路56では、制御ノードN13に制御信号パルスが入力されないため、DFFでは、制御ノードN14の制御信号はLレベルを保持し、従って、スイッチング素子SW2は、オフ状態を保持する。ビデオ信号の同期期間が終了しバースト信号期間及び映像信号期間図13:タイミングt3b~になると、参照電圧VN6<クランプ参照電圧VN3<ノードN2の電圧VN2となる図18:ステップ556で否定ため、第1制御回路32の比較器X1は、Lレベルの制御信号を制御ノードN4に出力する。これにより、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1はオフ状態になる図18:ステップ558、図19:タイミングt3b。一方、第2制御回路56では、バースト信号期間及び映像信号期間には、制御ノードN13に制御信号パルスが入力されないため、DFFでは、制御ノードN14の制御信号はLレベルを保持し、従って、スイッチング素子SW2は、オフ状態を保持する。このようにバースト信号期間及び映像信号期間は、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2ともに、オフ状態であるため、電流源I1から電流I1が供給されず、入力容量C1は充電されない。以上説明したように、本実施の形態の信号処理システム50の半導体装置52におけるクランプ回路54では、第1制御回路32、スイッチング回路34、第2制御回路56を備えている。スイッチング回路34は、電流源I1とノードN2入力容量C1との間に、並列に接続され、かつHレベルの制御信号でオン状態になるスイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2を備えている。第1制御回路32は、比較器X1を備えており、ノードN2の電圧VN2とノードN3のクランプ参照電圧VN3とを比較して、電圧VN2≦クランプ参照電圧VN3の場合に、制御ノードN4にHレベルの制御信号を出力する。また、第2制御回路56は、ノードN6の参照電圧VN6とノードN9の電圧VN9とを比較した比較結果をノードN12に出力する比較器X4と、ノードN12に出力される信号をデータ入力とし、制御ノードN13を制御信号入力とし、スイッチング素子SW2の制御ノードN14を出力とするDFFと、を備えている。比較器X3は、ノードN2の電圧VN2とノードN6の参照電圧VN6とを比較して、電圧VN2≦参照電圧VN6の場合に、制御ノードN12にHレベルの信号を出力する。DFFは、クランプ回路54の外部から制御ノードN13に入力される制御信号パルスの立ち上がりタイミングのときのノードN12の信号状態を制御ノードN14に出力し、保持する。同期期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN6の参照電圧VN6よりも低く、かつ同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間のノードN2の電圧VN2が、ノードN3のクランプ参照電圧VN3よりも高い、入力容量C1の充電が未完了な場合は、同期期間では、第1制御回路32の比較器X1は、Hレベルの制御信号を制御ノードN4に出力し、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオン状態になる。また、第2制御回路56では、クランプ回路54の外部から制御ノードN13に制御信号パルスが入力されると、DFFは、このときのノードN12のHレベルである電圧レベルを制御ノードN14に出力し、スイッチング素子SW2がオン状態になる。同期期間では、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1及びスイッチング素子SW2がオン状態になり、電流源I1から供給された電流クランプ電流I1がノードN2に供給され、入力容量C1が充電される。また、同期期間終了後のバースト信号期間及び映像信号期間では、第1制御回路32の比較器X1は、Lレベルの制御信号を制御ノードN4に出力し、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオフ状態になる。また、第2制御回路46では、制御ノードN13に制御信号パルスが入力されないため、DFFでは、制御ノードN14の制御信号はLレベルを保持し、従って、スイッチング素子SW2は、オフ状態を保持し、電流源I1から供給された電流クランプ電流I1がノードN2に供給され、入力容量C1が充電される。このように、バースト信号期間及び映像信号期間において、スイッチング回路34のスイッチング素子SW1がオフ状態になった後でも、スイッチング素子SW2はオン状態を保持し、電流I1により入力容量C1が充電されるため、ビデオ信号の1周期当りの入力容量C1の充電期間を延長することができるため、入力容量C1の充電が完了するまでに要するビデオ信号の周期の数を少なくすることができる。従って、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と同様に、入力容量C1の容量を小さくすること無く、かつ充電に要するクランプ電流I1を大きくすること無く、入力容量C1の充電に要する充電時間を短縮することができる。また、スイッチング素子SW2の充電期間は、図17に示すように、次周期の同期期間まで継続させることができるため、より、1周期における充電期間の延長幅延長期間を長くすることができる。また、本実施の形態では、入力容量C1の充電期間を第2制御回路56のDFFのノードN13に入力される制御信号パルスにより制御することができるため、例えば、第2の実施の形態のように、ノードN2の電圧VN2を保持するためのS/H回路図9、容量C3及びスイッチング素子SW4参照を必要とせず、よりクランプ回路54基板22の面積を削減することができる。また、入力容量C1の充電が完了している場合は、同期期間において第2制御回路56は、ノードN6の参照電圧VN6<ノードN2の電圧VN2であるため、制御ノードN14はLレベルの制御信号を保持し、スイッチング素子SW2のオフ状態を保持するため、容量C2の充電を行わない。また、同期期間が終了すると、スイッチング素子SW1がオフ状態になると共に、スイッチング素子SW2はオフ状態を保持しているため、入力容量C1の充電が行われない。すなわち、本実施の形態では、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と同様に、クランプ参照電圧VN3よりも参照電圧VN6の方が小さく、具体的には、クランプ後のノードN2の電圧VN2の同期期間の最低電圧図17参照未満に設定しているため、第2制御回路56では、制御ノードN14の制御信号が常にLレベルとなり、スイッチング素子SW2がオフ状態を保持する。従って、同期期間のみ入力容量C1の充電が行われるため、入力容量C1の過充電を防止できる。なお、本実施の形態では、第2制御回路46は、DFFを備えるように構成しているがこれに限らず、他のフリップフロップ回路等、同期期間中の入力信号であるノードN12の電圧VN12を出力であるノードN14の電圧VN14として保持できるものであれば特に限定されるものではない。なお、第1の実施の形態~第3の実施の形態では、クランプ参照電圧VN3<参照電圧VN6である場合について説明したがこれに限らず、クランプ参照電圧VN3=参照電圧VN6であってもよいが、第1の実施の形態~第3の実施の形態で上述したように、クランプ参照電圧VN3<参照電圧VN6とすることにより、入力容量C1の過充電を防止することができるため、好ましい。また、クランプ参照電圧VN3と参照電圧VN6との差は小さく方が好ましい。また、第1の実施の形態~第3の実施の形態では、スイッチング素子SWSW1~SW4をMOSトランジスタとした場合について説明したがこれに限らず、バイポーラトランジスタ等、一般的に用いられるその他のスイッチング素子を用いてもよい。また、比較器XX1~X4についても、特に限定されず、一般的に用いられる回路比較回路を比較器として用いればよい。また、第1の実施の形態~第3の実施の形態で説明した、クランプ回路の構成や動作等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更されることは言うまでもない。