"導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁されたリード端子と、前記ステムの一部であるステムマウントに備えられた誘電体基板と、前記誘電体基板に搭載された光素子を備えた光モジュールにおいて、前記誘電体基板の裏面は、前記ステムマウントに電気的に接続され、前記誘電体基板の表面には、前記リード端子及び前記光素子と電気的に接続されると共にオープンスタブとなる配線パタンが形成されていることを特徴とする光モジュール。導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第1のリード端子と、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第2のリード端子と、前記ステムの一部であるステムマウントに備えられた誘電体基板と、前記誘電体基板に搭載された光素子を備えた光モジュールにおいて、前記誘電体基板の裏面は、前記ステムマウントに電気的に接続され、前記誘電体基板の表面には、オープンスタブとなるパタンを含む配線が形成された第1の配線パタンと、オープンスタブとなるパタンを含む配線が形成された第2の配線パタンとが形成され、前記第1の配線パタンは、前記光素子の一端と電気的に接続されると共にワイヤを介して前記第1のリード端子に電気的に接続され、前記第2の配線パタンは、ワイヤを介して前記光素子の他端と電気的に接続されると共にワイヤを介して前記第2のリード端子に電気的に接続されていることを特徴とする光モジュール。請求項2に記載の光モジュールにおいて、前記光素子はレーザダイオードであり、そのカソードまたはアノードが前記第1の配線パタンに電気的に接続され、そのアノードまたはカソードが前記ワイヤを介して前記第2の配線パタンに接続されていることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記オープンスタブは、前記配線パタンのうち前記リード端子と電気的に接続される接続点を起点とすることを特徴とする光モジュール。請求項2に記載の光モジュールにおいて、前記誘電体基板の幅は、前記第1のリード端子と前記第2のリード端子との間隔よりも広いことを特徴とする光モジュール。請求項5に記載の光モジュールにおいて、前記誘電体基板の表面に形成された前記第1の配線パタンと前記第2の配線パタンが、前記第1のリード端子と前記第2のリード端子の外側にも存在してなることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記オープンスタブが、直線状の配線パタンで構成されていることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記オープンスタブが、1つ以上の屈曲部を有する配線パタンで構成されていることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記誘電体基板がヒートシンクであることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記オープンスタブが複数のオープンスタブにより構成されていることを特徴とする光モジュール。請求項2乃至請求項10のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記誘電体基板の表面には、前記第1の配線パタンの他に第3の配線パタンが形成され、前記第1の配線パタンと、前記第3の配線パタンが電気的に接続され、かつ前記誘電体基板の表面には、前記第2の配線パタンの他に第4の配線パタンが形成され、前記第2の配線パタンと、前記第4の配線パタンが電気的に接続されることを特徴とする光モジュール。請求項11に記載の光モジュールにおいて、前記第3の配線パタンは、複数の分割されたパタンで形成され、当該複数の分割されたパタンの2個以上を互いに接続し、前記第4の配線パタンは、複数の分割されたパタンで形成され、当該複数の分割されたパタンの2個以上を互いに接続してなることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の光モジュールにおいて、前記光素子、前記ステムマウント、前記誘電体基板、前記リード端子のうち前記光素子が配置されている側に突出している部分、前記ステムの面のうち前記ステムマウントが形成されている側の面が、キャップにより封止されていることを特徴とする光モジュール。上述したように従来技術では、入力された高周波電気信号は、伝送線路102aを経由した後、伝送線路102aと伝送線路103aの界面で反射を受けるため、伝送線路102a~103aの高周波特性が悪くなってしまうという問題があった。本発明は、上記従来技術に鑑み、従来の安価なキャン型パッケージを用いても、10Gbits級の高速信号で駆動できる、高周波特性に優れた光モジュールを提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の構成は、導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁されたリード端子と、前記ステムの一部であるステムマウントに備えられた誘電体基板と、前記誘電体基板に搭載された光素子を備えた光モジュールにおいて、前記誘電体基板の裏面は、前記ステムマウントに電気的に接続され、前記誘電体基板の表面には、前記リード端子及び前記光素子と電気的に接続されると共にオープンスタブが一体的に形成された配線パタンが形成されていることを特徴とする。また本発明の構成は、導電材からなると共にグランドに接続されるステムと、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第1のリード端子と、前記ステムを貫通して前記ステムに取り付けられると共に、前記ステムを貫通する部分に絶縁材が介在することにより前記ステムとは電気的に絶縁された第2のリード端子と、前記ステムの一部であるステムマウントに備えられた誘電体基板と、前記誘電体基板に搭載された光素子を備えた光モジュールにおいて、前記誘電体基板の裏面は、前記ステムマウントに電気的に接続され、前記誘電体基板の表面には、オープンスタブが一体的に形成された第1の配線パタンと、オープンスタブが一体的に形成された第2の配線パタンが形成され、前記第1の配線パタンは、前記光素子の一端と電気的に接続されると共にワイヤを介して前記第1のリード端子に電気的に接続され、前記第2の配線パタンは、ワイヤを介して前記光素子の他端と電気的に接続されると共にワイヤを介して前記第2のリード端子に電気的に接続されていることを特徴とする。また本発明の構成は、前記光素子はレーザダイオードであり、そのカソードまたはアノードが前記第1の配線パタンに電気的に接続され、そのアノードまたはカソードが前記ワイヤを介して前記第2の配線パタンに接続されていることを特徴とする。また本発明の構成は、前記オープンスタブは、前記配線パタンのうち前記リード端子と電気的に接続される接続点を起点とすることを特徴とする。また本発明の構成は、前記誘電体基板の幅は、前記第1のリード端子と前記第2のリード端子との間隔よりも大きいことを特徴とする。また本発明の構成は、前記誘電体基板の表面に形成された前記第1の配線パタンと前記第2の配線パタンが、前記第1のリード端子と前記第2のリード端子の外側にも存在してなることを特徴とする。また本発明の構成は、前記オープンスタブが、直線状の配線パタンで構成されていることを特徴とする。また本発明の構成は、前記オープンスタブが、複数の直線状の配線パタン及び前記複数の直線状の配線パタンを接続する屈曲した配線パタンで構成されていることを特徴とする。また本発明の構成は、前記誘電体基板がヒートシンクであることを特徴とする。また本発明の構成は、前記オープンスタブが複数のオープンスタブにより構成されていることを特徴とする。また本発明の構成は、前記誘電体基板の表面には、前記第1の配線パタンの他に第3の配線パタンが形成され、前記第1の配線パタンと、一個以上の配線パタンから成る第3の配線パタンとが互いに電気的に接続され、かつ前記誘電体基板の表面には、前記第2の配線パタンの他に第4の配線パタンが形成され、前記第2の配線パタンと、一個以上の配線パタンから成る第4の配線パタンとが互いに電気的に接続されることを特徴とする。また本発明の構成は、前記光素子、前記ステムマウント、前記誘電体基板、前記リード端子のうち前記光素子が配置されている側に突出している部分、前記ステムの面のうち前記ステムマウントが形成されている側の面が、キャップにより封止されていることを特徴とする。本発明によれば、10Gbits級の高速信号伝送が可能な高周波特性が良好で、かつ既存のパッケージにより構成される安価な光モジュールを提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、実施例に基づき詳細に説明する。スタブ基板容量小を用いた光モジュール以下、図1に基づいて本発明の第1実施形態である光モジュールについて詳細に説明する。図1a,図1b,図1cはそれぞれ、第1実施形態の光モジュールの側面図、上面図、ステムマウント1c付近の拡大図である。図1において、ヒートシンク誘電体基板6a及びヒートシンク6aの表面に形成された配線パタン6b,6c及びオープンスタブ10a,10bを導入した以外は、図13に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている図13及び図1において同一の部材には、図13と図1で共通の番号を振っている。そのため、配線パタン6b,6c及びオープンスタブ10a,10bを有するヒートシンク6aの追加を行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。この第1実施形態では、絶縁体誘電体基板であるヒートシンク6aの裏面は、全面にメタライズが施され図示せず、裏面の一部はステムマウント1cに半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続されているため、ヒートシンク6aの裏面はグランドと同位で接地している。さらに、図1cに示したようにヒートシンク6aの表面には、配線パタン6b,6cが形成されており、配線パタン6b,6cの一端はそれぞれリード端子2a,2bとそれぞれワイヤ4a,4bを介して電気的に接続されており、接続箇所をそれぞれ接続点11a,11bとする。配線パタン6bの他端は、LD素子5のカソードと半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続される。さらに配線パタン6bには、オープンスタブ10aが具備一体的に形成されているため、配線パタン6bにはオープンスタブ10aのスタブ長、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率により定まる容量が付加される。なお、オープンスタブ10aは、オープンスタブ起点10cとオープンスタブ終点10dの範囲の配線パタン6bを指し、オープンスタブ10aのスタブ長は、オープンスタブ起点10cとオープンスタブ終点10dとの間隔に等しい。また、配線パタン6cの他端は、LD素子5のアノードとワイヤ4cを介して電気的に接続される。さらに、配線パタン6cには、オープンスタブ10bが具備一体的に形成されているため、配線パタン6cにはオープンスタブ10bのスタブ長、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率により定まる容量が付加される。なお、オープンスタブ10bは、オープンスタブ起点10eとオープンスタブ終点10fの範囲の配線パタン6cを指し、オープンスタブ10bのスタブ長は、オープンスタブ起点10eとオープンスタブ終点10fとの間隔に等しい。図1に示す光モジュールは、10Gbits級の高速光信号を送信するための光通信システム用モジュールであり、光半導体素子としてLD素子5が搭載されている。LD素子5としては、温度特性に優れるInGaAlAsを含む多重量子井戸構造を活性層に有する分布帰還型LDDFBLDが好適である。図1に示す第1実施形態の光モジュールにおいて、ステム外部からの10Gbits級の差動駆動電気信号N信号、P信号のうち、N信号は、伝送線路101a,102a,103aを経由し、ワイヤ4a及び接続点11aを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6b及び配線パタン6bに形成されたオープンスタブ10aを経て、LD素子5の下面図示せずに形成されたカソード側に供給される。P信号も同様に、伝送線路101b,102b,103bを経由し、ワイヤ4b及び接続点11bを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6c及び配線パタン6cに形成されたオープンスタブ10bとワイヤ4cを経てLD素子5のアノード側に供給される。ここで、N信号に着目すると、オープンスタブ10aの導入による容量の追加により、伝送線路103aの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102a―103a間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102a―103a間のN信号の反射を抑制することが可能となる。同様に、P信号においては、オープンスタブ10bの導入による容量の追加により、伝送線路103bの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102b―103b間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102b―103b間のP信号の反射を抑制することが可能となる。このように駆動電気信号N信号、P信号の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。図2に、実際にオープンスタブ10a,10bを備えるヒートシンク6aを導入したキャン型LDパッケージの高周波特性を示す。なお、ヒートシンク6aの材質には熱伝導性に優れた窒化アルミAlN、比誘電率85を用い、ヒートシンク6aの厚さは100μmである。測定は、N信号側について行った。図2に示すように、オープンスタブを導入しない従来の方式では周波数10GHzにおいて、S21透過特性-2dB、S11反射特性-5dBと非常に劣化した。一方、オープンスタブ10a,10bを導入した場合、S21-15dB、S11-65dBと改善した。よって、高周波特性の悪い安価なキャン型パッケージを用いても、ヒートシンクの配線パタンを変更するだけの非常に安価で簡便な本実施形態により、10Gbits級の高速信号で駆動しても良好な高周波特性が得られる。本実施例の最大の特徴は、従来のLD用パッケージにおいても用いられていたヒートシンク6aの配線パタンに、オープンスタブ10a,10bを追加するだけで、高周波特性を改善できることにある。そのため、コスト増を招く新規の部材追加を行う必要がない。また、オープンスタブ10a,10bは、配線パタンのパタン設計を変更するだけで実現できるため、オープンスタブ10a,10bの追加も容易である。なお、ヒートシンク6aの厚さは、光学実装を考慮すると数百μm以下であることが望ましい。そのため、ヒートシンク6aの材質としては窒化アルミAlN、比誘電率8~9やアルミナAl2O3、比誘電率9~10など比誘電率が高い材質が望ましい。スタブ基板容量小を用いた光モジュール以下、図3に基づいて本発明の第2実施形態である光モジュールについて詳細に説明する。図3a,図3b,図3cはそれぞれ、第2実施形態の光モジュールの側面図、上面図、ステムマウント1c付近の拡大図である。図3において、ヒートシンク誘電体基板6a及びヒートシンク6aの表面に形成された配線パタン6b,6c及びオープンスタブ110a,110bを導入した以外は、図13に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている図13及び図3において同一の部材には、図13と図3で共通の番号を振っている。そのため、配線パタン6b,6c及びオープンスタブ110a,110bを有するヒートシンク6aの追加を行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。この第2実施形態では、絶縁体誘電体基板であるヒートシンク6aの裏面は、全面にメタライズが施され図示せず、裏面の一部はステムマウント1cに半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続されているため、ヒートシンク6aの裏面はグランドと同位で接地している。さらに、図3cに示したようにヒートシンク6aの表面には、配線パタン6b,6cが形成されており、配線パタン6b,6cはそれぞれリード端子2a,2bとそれぞれワイヤ4a,4bを介して電気的に接続されており、接続箇所をそれぞれ接続点111a,111bとする。配線パタン6bにおいて、接続点111aからz軸方向へはLD素子5のカソードと半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続される。さらに配線パタン6bには、接続点111aから-z軸方向にオープンスタブ110aが具備一体的に形成されているため、配線パタン6bにはオープンスタブ110aのスタブ長、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率により定まる容量が付加される。なお、オープンスタブ110aは、オープンスタブ起点110cとオープンスタブ終点110dの範囲の配線パタン6bを指し、オープンスタブ110aのスタブ長は、オープンスタブ起点110cとオープンスタブ終点110dとの間隔に等しい。なお、本実施形態において、接続点111aとオープンスタブ起点110cは、同一の箇所である。また、配線パタン6cにおいて、接続点111bからz軸方向へは、LD素子5のアノードカソードとワイヤ4cを介して電気的に接続される。さらに、配線パタン6cには、接続点111bから-z軸方向にオープンスタブ110bが具備一体的に形成されているため、配線パタン6cにはオープンスタブ110bのスタブ長、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率により定まる容量が付加される。なお、オープンスタブ110bは、オープンスタブ起点110eとオープンスタブ終点110fの範囲の配線パタン6cを指し、オープンスタブ110bのスタブ長は、オープンスタブ起点110eとオープンスタブ終点110fとの間隔に等しい。なお、本発明の実施形態において、接続点111bとオープンスタブ起点110eは、同一の箇所である。本発明の第2実施形態における最大の特徴は、接続点111a,111bがそれぞれ、オープンスタブ起点110c,110eと同一の箇所に設定する点にあり、配線パタン6b,6cのパタン簡略化の効果及びオープンスタブの設計レイアウトの自由度が高くなる利点がある。さらに、接続点111a111bの位置を変更することにより、自動的にスタブ長が変更となるので、光モジュールに適用するLD素子、ドライバIC、フレキシブル配線の高周波特性に合わせて、付加容量を簡便に調整することで、ドライバICを含めた光モジュール全体での高周波特性の最適化が可能な利点もある。図3に示す光モジュールは、10Gbits級の高速光信号を送信するための光通信システム用モジュールであり、光半導体素子としてLD素子5が搭載されている。LD素子5としては、温度特性に優れるInGaAlAsを含む多重量子井戸構造を活性層に有する分布帰還型LDDFBLDが好適である。図3に示す第2実施形態の光モジュールにおいて、ステム外部からの10Gbits級の差動駆動電気信号N信号、P信号のうち、N信号は、伝送線路101a,102a,103aを経由し、ワイヤ4a及び接続点111aを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6bを経てLD素子5の下面図示せずに形成されたカソード側に供給される。P信号も同様に、伝送線路101b,102b,103bを経由し、ワイヤ4b及び接続点111bを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6cとワイヤ4cを経てLD素子5のアノード側に供給される。ここで、N信号に着目すると、オープンスタブ110aの導入による容量の追加により、伝送線路103aの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102a―103a間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102a―103a間のN信号の反射を抑制することが可能となる。同様に、P信号においては、オープンスタブ110bの導入による容量の追加により、伝送線路103bの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102b―103b間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102b―103b間のP信号の反射を抑制することが可能となる。このように駆動電気信号N信号、P信号の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。図4に、実際にオープンスタブ110a,110bを備えるヒートシンク6aを導入したキャン型LDパッケージの高周波特性を示す。なお、ヒートシンク6aの材質には熱伝導性に優れた窒化アルミAlN、比誘電率85を用い、ヒートシンク6aの厚さは100μmである。測定は、N信号側について行った。図4に示すように、オープンスタブを導入しない従来の方式では周波数10GHzにおいて、S21透過特性-2dB、S11反射特性-5dBと非常に劣化した。一方、オープンスタブ110a,110bを導入した場合、S21-15dB、S11-65dBと改善した。よって、高周波特性の悪い安価なキャン型パッケージを用いても、ヒートシンクの配線パタンを変更するだけの非常に安価で簡便な本実施形態により、10Gbits級の高速信号で駆動しても良好な高周波特性が得られる。本実施例の特徴は、従来のLD用パッケージにおいても用いられていたヒートシンク6aの配線パタンに、オープンスタブ110a110bを追加するだけで、高周波特性を改善できることにある。そのため、コスト増を招く新規の部材追加を行う必要がない。また、オープンスタブ110a110bは、配線パタンのパタン設計を変更するだけで実現できるため、オープンスタブ110a110bの追加も容易である。なお、ヒートシンク6aの厚さは、光学実装を考慮すると数百μm以下であることが望ましい。そのため、ヒートシンク6aの材質としては窒化アルミAlN、比誘電率8~9やアルミナAl2O3、比誘電率9~10など比誘電率が高い材質が望ましい。スタブ基板容量大を用いた光モジュール以下、図5に基づいて本発明の第3実施形態である光モジュールについて詳細に説明する。図5a,図5b,図5cはそれぞれ、第3実施形態の光モジュールの側面図、上面図、ステムマウント1c付近の拡大図である。図5において、ヒートシンク誘電体基板6a及びヒートシンク6aの表面に形成された配線パタン6b,6c及びオープンスタブ210a,210bを導入した以外は、図13に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている図13及び図5において同一の部材には、図13と図5で共通の番号を振っている。そのため、配線パタン6b,6c及びオープンスタブ210a,210bを有するヒートシンク6aの追加を行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。この第3実施形態では、絶縁体誘電体基板であるヒートシンク6aの裏面は、全面にメタライズが施され図示せず、裏面の一部はステムマウント1cに半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続されているため、ヒートシンク6aの裏面はグランドと同位で接地している。さらに、図5cに示したようにヒートシンク6aの表面には、配線パタン6b,6cが形成されており、配線パタン6b,6cはそれぞれリード端子2a,2bとそれぞれワイヤ4a,4bを介して電気的に接続されており、接続箇所をそれぞれ接続点211a,211bとする。配線パタン6bにおいて、接続点211aからz軸方向へはLD素子5のカソードと半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続される。さらに配線パタン6bには、接続点211aから-z軸方向にオープンスタブ210aが具備一体的に形成されているため、配線パタン6bにはオープンスタブ210aのスタブ長、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率により定まる容量が付加される。なお、オープンスタブ210aは、オープンスタブ起点210cとオープンスタブ終点210dの配線パタン6bに沿う範囲を指し、本実施例において屈曲部212aを導入することにより、図3cに示した第2実施例におけるオープンスタブよりも、スタブ長を延伸したことを特徴とする。オープンスタブ210aのスタブ長は、配線パタン6bに沿ってオープンスタブ起点210cとオープンスタブ終点210dとの間隔に等しい。なお、本実施形態において、接続点211aとオープンスタブ起点210cは、同一の箇所である。また、配線パタン6cにおいて、接続点211bからz軸方向へは、LD素子5のアノードとワイヤ4cを介して電気的に接続される。さらに、配線パタン6cには、オープンスタブ210bが具備されているため、配線パタン6cにはオープンスタブ210bのスタブ長、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率により定まる容量が付加される。なお、オープンスタブ210bは、オープンスタブ起点210eとオープンスタブ終点210fの配線パタン6cに沿う範囲を指し、本実施例において屈曲部212bを導入することにより、図3cに示した第2実施例におけるオープンスタブよりも、スタブ長を延伸したことを特徴とする。オープンスタブ210bのスタブ長は、配線パタン6cに沿ってオープンスタブ起点210eとオープンスタブ終点210fとの間隔に等しい。なお、本発明の実施形態において、接続点211bとオープンスタブ起点210eは、同一の箇所である。本発明の第3実施形態における最大の特徴は、オープンスタブ210a,210bにそれぞれ屈曲部212a,212bを導入することにより、単位面積当たりのオープンスタブ長を延伸したことにある。図5に示す光モジュールは、10Gbits級の高速光信号を送信するための光通信システム用モジュールであり、光半導体素子としてLD素子5が搭載されている。LD素子5としては、温度特性に優れるInGaAlAsを含む多重量子井戸構造を活性層に有する分布帰還型LDDFBLDが好適である。図5に示す第3実施形態の光モジュールにおいて、ステム外部からの10Gbits級の差動駆動電気信号N信号、P信号のうち、N信号は、伝送線路101a,102a,103aを経由し、ワイヤ4a及び接続点211aを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6bを経てLD素子5の下面図示せずに形成されたカソード側に供給される。P信号も同様に、伝送線路101b,102b,103bを経由し、ワイヤ4b及び接続点211bを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6cとワイヤ4cを経てLD素子5のアノード側に供給される。ここで、N信号に着目すると、オープンスタブ210aの導入による容量の追加により、伝送線路103aの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102a―103a間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102a―103a間のN信号の反射を抑制することが可能となる。同様に、P信号においては、オープンスタブ210bの導入による容量の追加により、伝送線路103bの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102b―103b間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102b―103b間のP信号の反射を抑制することが可能となる。このように駆動電気信号N信号、P信号の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。図6に、実際にオープンスタブ210a,210bを備えるヒートシンク6aを導入したキャン型LDパッケージの高周波特性を示す。なお、ヒートシンク6aの材質には熱伝導性に優れた窒化アルミAlN、比誘電率85を用い、ヒートシンク6aの厚さは100μmである。測定は、N信号側について行った。図6に示すように、オープンスタブを導入しない従来の方式では周波数10GHzにおいて、S21透過特性-2dB、S11反射特性-5dBと非常に劣化した。一方、オープンスタブ210a,210bを導入した場合、S21-15dB、S11-65dBと改善した。よって、高周波特性の悪い安価なキャン型パッケージを用いても、ヒートシンクの配線パタンを変更するだけの非常に安価で簡便な本実施形態により、10Gbits級の高速信号で駆動しても良好な高周波特性が得られる。本実施例の特徴は、従来のLD用パッケージにおいても用いられていたヒートシンク6aの配線パタンに、オープンスタブ210a210bを追加するだけで、高周波特性を改善できることにある。そのため、コスト増を招く新規の部材追加を行う必要がない。また、オープンスタブ210a210bは、配線パタンのパタン設計を変更するだけで実現できるため、オープンスタブ210a210bの追加も容易である。なお、ヒートシンク6aの厚さは、光学実装を考慮すると数百μm以下であることが望ましい。そのため、ヒートシンク6aの材質としては窒化アルミAlN、比誘電率8~9やアルミナAl2O3、比誘電率9~10など比誘電率が高い材質が望ましい。スタブ基板容量大、大型基板を用いた光モジュール以下、図7に基づいて本発明の第4実施形態である光モジュールについて詳細に説明する。図7a,図7b,図7cはそれぞれ、第4実施形態の光モジュールの側面図、上面図、ステムマウント1cの拡大図である。図7において、ヒートシンク誘電体基板6a及びヒートシンク6aの表面に形成された配線パタン6b,6c及びオープンスタブ310a,310bを導入した以外は、図13に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている図13及び図7において同一の部材には、図13と図7で共通の番号を振っている。そのため、配線パタン6b,6c及びオープンスタブ310a,310bを有するヒートシンク6aの追加を行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。この第4実施形態では、絶縁体誘電体基板であるヒートシンク6aの裏面は、全面メタライズが施され図示せず、裏面の一部はステムマウント1cに半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続されているため、ヒートシンク6aの裏面はグランドと同位で接地している。また、ヒートシンク6aの外形寸法面積をステムマウント1cの外形寸法面積よりも大きく広くしている。そしてヒートシンク6aのx軸方向の幅が、リード端子2aとリード端子2bの間隔よりも大きくなっており、配線パタン6b,6cはリード端子2a,2bの外側にも存在している。さらに、図7cに示したようにヒートシンク6aの表面には、配線パタン6b,6cが形成されており、配線パタン6b,6cはそれぞれリード端子2a,2bとそれぞれワイヤ4a,4bを介して電気的に接続されており、接続箇所をそれぞれ接続点311a,311bとする。配線パタン6bにおいて、接続点311aからz軸方向へは、LD素子5のカソードと半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続される。さらに配線パタン6bには、オープンスタブ起点310cからx軸方向にオープンスタブ310aが具備一体的に形成されているため、配線パタン6bにはオープンスタブ310aのスタブ長、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率により定まる容量が付加される。なお、オープンスタブ310aは、オープンスタブ起点310cとオープンスタブ終点310dの範囲の配線パタン6bを指し、オープンスタブ310aのスタブ長は、オープンスタブ起点310cから配線パタン6bに沿って結ばれるオープンスタブ終点310dとの間隔に等しい。また、配線パタン6cにおいて、接続点311bからz軸方向へは、LD素子5のアノードとワイヤ4cを介して電気的に接続される。さらに、配線パタン6cには、オープンスタブ310bが具備されているため、配線パタン6cにはオープンスタブ310bのスタブ長、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率により定まる容量が付加される。なお、オープンスタブ310bは、オープンスタブ起点310eとオープンスタブ終点310fの範囲の配線パタン6cを指し、オープンスタブ310bのスタブ長は、配線パタン6cに沿って結ばれるオープンスタブ起点310eとオープンスタブ終点310fとの間隔に等しい。オープンスタブにおいて大きな容量を付加したい場合は、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率一定の場合、スタブ長を長くすることが有効である。ところが、図13に示した従来のキャン型LD用パッケージでは、ステムマウント1cの搭載面積と同じかそれより小さいヒートシンク6aを用いるのが一般的である。そのため、スタブ長は、ステムマウント1cに搭載するヒートシンク6aの大きさにより制約を受けていた。図7に示した本発明の第4の実施例においては、ヒートシンク6aの外形寸法をステムマウント1cの外形寸法よりも大きくすることにより、オープンスタブ310a,310bの長さを、リード端子2a,2bに対しそれぞれx軸方向、-x軸方向に延伸したことを最大の特徴とする。また、本実施例においては、オープンスタブ310a,310bが、複数の直線状の配線パタンと屈曲部312a,312b,312c,312dから構成されることも特徴とし、オープンスタブ310a,310bの配線パタンのレイアウトの設計自由度が高くなる利点を有する。図7に示す光モジュールは、10Gbits級の高速光信号を送信するための光通信システム用モジュールであり、光半導体素子としてLD素子5が搭載されている。LD素子5としては、温度特性に優れるInGaAlAsを含む多重量子井戸構造を活性層に有する分布帰還型LDDFBLDが好適である。図7に示す第4実施形態の光モジュールにおいて、ステム外部からの10Gbits級の差動駆動電気信号N信号、P信号のうち、N信号は、伝送線路101a,102a,103aを経由し、ワイヤ4aを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6bを経てLD素子5の下面図示せずに形成されたカソード側に供給される。P信号も同様に、伝送線路101b,102b,103bを経由し、ワイヤ4bを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6cとワイヤ4cを経てLD素子5のアノード側に供給される。ここで、N信号に着目すると、オープンスタブ310aの導入による容量の追加により、伝送線路103aの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102a―103a間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102a―103a間のN信号の反射を抑制することが可能となる。同様に、P信号においては、オープンスタブ310bの導入による容量の追加により、伝送線路103bの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102b―103b間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102b―103b間のP信号の反射を抑制することが可能となる。このように駆動電気信号N信号、P信号の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。図8に、実際にオープンスタブ310a,310bを備えるヒートシンク6aを導入したキャン型LDパッケージの高周波特性を示す。なお、ヒートシンク6aの材質には熱伝導性に優れた窒化アルミAlN、比誘電率85を用い、基板厚は100μmである。測定は、N信号側について行った。図8に示すように、オープンスタブを導入しない従来の方式では周波数10GHzにおいて、S21透過特性-2dB、S11反射特性-5dBと非常に劣化した。一方、オープンスタブ310a,310bを導入した場合、S21=-14dB、S11-7dBと改善した。よって、高周波特性の悪い安価なキャン型パッケージを用いても、ヒートシンクの配線パタンを変更するだけの非常に安価で簡便な本実施形態の本発明技術を導入することにより、10Gbits級の高速信号で駆動しても良好な高周波特性が得られる。本実施例の特徴は、従来のLD用パッケージにおいても用いられていた誘電体基板の配線パタンに、オープンスタブ310a310bを追加するだけで高周波特性を改善できることにある。そのため、コスト増を招く新規の部材追加を行う必要がない。また、オープンスタブ310a310bは、配線パタンのパタン設計を変更するだけで実現できるため、オープンスタブ310a310bの追加も容易である。なお、ヒートシンク6aの厚さは、光学実装を考慮すると数百μm以下であることが望ましい。そのため、ヒートシンク6aの材質としては窒化アルミAlN、比誘電率8~9やアルミナAl2O3、比誘電率9~10など比誘電率が高い材質が望ましい。スタブ基板容量大、大型基板、複数スタブを用いた光モジュール以下、図9に基づいて本発明の第5実施形態である光モジュールについて詳細に説明する。図9a,図9b,図9cはそれぞれ、第5実施形態の光モジュールの側面図、上面図、ステムマウント1cの拡大図である。図9において、ヒートシンク誘電体基板6a及びヒートシンク6aの表面に形成された配線パタン6b,6c及びオープンスタブ410a,410b,414a,414bを導入した以外は、図13に示した従来の光モジュールと同様の構成となっている図13及び図9において同一の部材には、図13と図9で共通の番号を振っている。そのため、配線パタン6b,6c及びオープンスタブ410a,410b,414a,414bを有するヒートシンク6aの追加を行っただけであり、用いているパッケージは従来からの安価なキャン型LDパッケージと同一である。この第5実施形態では、絶縁体誘電体基板であるヒートシンク6aの裏面は、全面メタライズが施され図示せず、裏面の一部はステムマウント1cに半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続されているため、ヒートシンク6aの裏面はグランドと同位で接地している。また、ヒートシンク6aの外形寸法面積をステムマウント1cの外形寸法面積よりも大きく広くしている。そしてヒートシンク6aのx軸方向の幅が、リード端子2aとリード端子2bの間隔よりも大きくなっており、配線パタン6b,6cはリード端子2a,2bの外側にも存在している。さらに、図9cに示したようにヒートシンク6aの表面には、配線パタン6b,6cが形成されており、配線パタン6b,6cはそれぞれリード端子2a,2bとそれぞれワイヤ4a,4bを介して電気的に接続されており、接続箇所をそれぞれ接続点411a,411bとする。配線パタン6bにおいて、接続点411aからz軸方向へは、LD素子5のカソードと半田または銀ペースト等の導電性接着剤により電気的に接続される。さらに配線パタン6bには、オープンスタブ起点410cからx軸方向にオープンスタブ410aが具備一体的に形成されているため、配線パタン6bにはオープンスタブ410aのスタブ長、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率により定まる容量が付加される。オープンスタブ410aは、オープンスタブ起点410cとオープンスタブ終点410dの範囲の配線パタン6bを指し、オープンスタブ410aのスタブ長は、オープンスタブ起点410cから配線パタン6bに沿って結ばれるオープンスタブ終点410dとの間隔に等しい。さらに、配線パタン6bには、オープンスタブ起点415aから-z軸方向にオープンスタブ414aを具備一体的に形成しており、オープンスタブ414aのスタブ長は、オープンスタブ起点415aとオープンスタブ終点413aとの間隔に等しい。なお、オープンスタブ起点415aと接続点411aは同一の箇所を指す。また、配線パタン6cにおいて、接続点411bからz軸方向へは、LD素子5のアノードとワイヤ4cを介して電気的に接続される。さらに、配線パタン6cには、オープンスタブ410bが具備されているため、配線パタン6cにはオープンスタブ410bのスタブ長、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率により定まる容量が付加される。なお、オープンスタブ410bは、オープンスタブ起点410eとオープンスタブ終点410fの範囲の配線パタン6cを指し、オープンスタブ410bのスタブ長は、配線パタン6cに沿って結ばれるオープンスタブ起点410eとオープンスタブ終点410fとの間隔に等しい。さらに、配線パタン6cには、オープンスタブ起点415bから-z軸方向にオープンスタブ414bを具備一体的に形成しており、オープンスタブ414bのスタブ長は、オープンスタブ起点415bとオープンスタブ終点413bとの間隔に等しい。なお、オープンスタブ起点415bと接続点411bは同一の箇所を指す。オープンスタブにおいて大きな容量を付加したい場合は、ヒートシンク6aの厚さ及び誘電率一定の場合、スタブ長を長くすることが有効である。ところが、図13に示した従来のキャン型LD用パッケージでは、ステムマウント1cの搭載面積と同じがそれより小さいヒートシンク6aを用いるのが一般的である。そのため、スタブ長は、ステムマウント1cに搭載するヒートシンク6aの大きさにより制約を受けていた。図9に示した本発明の第5の実施例においては、ヒートシンク6aの外形寸法をステムマウント1cの外形寸法よりも大きくすることにより、オープンスタブ410a,410bの長さを、リード端子2a,2bに対しそれぞれx軸方向、-x軸方向に延伸したことを特徴とする。また、本実施例においては、オープンスタブ410a,410bが、複数の直線状の配線パタンと屈曲部412a,412b,412c,412dから構成されることも特徴とし、オープンスタブ410a,410bの配線パタンのレイアウトの設計自由度が高くなる利点を有する。なお、オープンスタブによる容量付加を行う場合、スタブ長を延伸するだけでなく、複数のオープンスタブを導入することによっても、付加容量を増大することが可能である。本発明の第5実施形態における最大の特徴は、図9cに示したように誘電体基板10aにおいて配線パタン6b,6cがそれぞれ、オープンスタブ410a,414a及びオープンスタブ410b,414bを具備することである。このように配線パタン上に複数のオープンスタブを備えることの利点は、ヒートシンク6aにおいて配線パタンのレイアウト設計自由度を増大させ、かつ付加容量の増大を図ることが可能な点にある。本実施例においては、接続点411a,411bがそれぞれ、オープンスタブ起点415a,415bと同一の箇所に設定している。そのため、接続点411a,411bの位置を変更することにより、自動的にオープンスタブ414a,414bのスタブ長が変更となるので、光モジュールに適用するLD素子、ドライバIC、フレキシブル配線の高周波特性に合わせて、付加容量を簡便に調整することで、ドライバICを含めた光モジュール全体での高周波特性の最適化が可能な利点もある。図9に示す光モジュールは、10Gbits級の高速光信号を送信するための光通信システム用モジュールであり、光半導体素子としてLD素子5が搭載されている。LD素子5としては、温度特性に優れるInGaAlAsを含む多重量子井戸構造を活性層に有する分布帰還型LDDFBLDが好適である。図9に示す第5実施形態の光モジュールにおいて、ステム外部からの10Gbits級の差動駆動電気信号N信号、P信号のうち、N信号は、伝送線路101a,102a,103aを経由し、ワイヤ4aを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6bを経てLD素子5の下面図示せずに形成されたカソード側に供給される。P信号も同様に、伝送線路101b,102b,103bを経由し、ワイヤ4bを介し、ヒートシンク6aの上面に形成された配線パタン6cとワイヤ4cを経てLD素子5のアノード側に供給される。ここで、N信号に着目すると、オープンスタブ410a,414aの導入による容量の追加により、伝送線路103aの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102a―103a間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102a―103a間のN信号の反射を抑制することが可能となる。同様に、P信号においては、オープンスタブ410b,414bの導入による容量の追加により、伝送線路103bの特性インピーダンスが下がり、その結果伝送線路102b―103b間の特性インピーダンス差が小さくなったため、伝送線路102b―103b間のP信号の反射を抑制することが可能となる。このように駆動電気信号N信号、P信号の反射を抑制することができるため、高周波特性を向上することができる。図10に、実際にオープンスタブ410a,410b,414a,414bを備えるヒートシンク6aを導入したキャン型LDパッケージの高周波特性を示す。なお、ヒートシンク6aの材質には熱伝導性に優れた窒化アルミAlN、比誘電率85を用い、基板厚は100μmである。測定は、N信号側について行った。図10に示すように、オープンスタブを導入しない従来の方式では周波数10GHzにおいて、S21透過特性-2dB、S11反射特性-5dBと非常に劣化した。一方、オープンスタブ410a,410b,414a,414bを導入した場合、S21-14dB、S11-7dBと改善した。よって、高周波特性の悪い安価なキャン型パッケージを用いても、ヒートシンクの配線パタンを変更するだけの非常に安価で簡便な本実施形態により、10Gbits級の高速信号で駆動しても良好な高周波特性が得られる。本実施例の特徴は、従来のLD用パッケージにおいても用いられていた誘電体基板の配線パタンに、オープンスタブ410a,410b,414a,414bを追加するだけで高周波特性を改善できることにある。そのため、コスト増を招く新規の部材追加を行う必要がない。また、オープンスタブ410a,410b,414a,414bは、配線パタンのパタン設計を変更するだけで実現できるため、オープンスタブ410a,410b,414a,414bの追加も容易である。なお、ヒートシンク6aの厚さは、光学実装を考慮すると数百μm以下であることが望ましい。そのため、ヒートシンク6aの材質としては窒化アルミAlN、比誘電率8~9やアルミナAl2O3、比誘電率9~10など比誘電率が高い材質が望ましい。図11は、図1に示す第1の実施の形態に係る光モジュールに変更を加えた、第6の実施の形態に係る光モジュールである。第6の実施の形態では、ヒートシンク6aの上面には、配線パタン6b,6cのみならず、調整用の配線パタン10x,10yが形成されている。そして配線パタン6bの一部であるオープンスタブ10aと調整用の配線パタン10xとがワイヤ4xにより接続され、配線パタン6cの一部であるオープンスタブ10bと調整用の配線パタン10yとがワイヤ4yにより接続されている。他の部分の構成は、図1に示す第1の実施の形態と同様であり、図1と同一部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。この実施の形態では、オープンスタブ10aと配線パタン10xとをワイヤ4xにより接続するか否か、及び、オープンスタブ10bと配線パタン10yとをワイヤ4yにより接続するか否かにより、オープンスタブの長さ容量を調整することができる。例えば、搭載するLD素子5の容量が異なる場合、もしくは、リード端子2a,2bの直径が異なる場合などにおいても、所望の負荷容量を同一のヒートシンク6a上に形成された調整用の配線パタン10x,10yをオープンスタブ10a,10bに接続したり接続しなかったりすることで、オープンスタブの長さ容量を調整することが可能となる。即ち、異なる仕様のLD素子もしくはキャン型パッケージを用いる場合においても、オープンスタブ長調整機能を有する同一のヒートシンク6aを適用することが可能となる。このため、部材の共通化による低コスト化が可能となる。なお、第2から第5の実施の形態においても、調整用の配線パタン、及び、調整用の配線パタンと配線パタンに一体的に形成されたオープンスタブとを接続するワイヤを導入することにより、オープンスタブの長さを調整をすることが可能となる。図11に示す本発明の第6実施形態の変形例を、図12に示す。図12に示す実施の形態では、ヒートシンク6aの上面には、配線パタン6b,6cのみならず、調整用のオープンスタブ10x,10y及び調整用の配線パタン10xx,10yyが形成されている。そして配線パタン6bの一部であるオープンスタブ10aと調整用の配線パタン10xとがワイヤ4xにより接続され、調整用の配線パタン10xと調整用の配線パタン10xxとがワイヤ4xxにより接続され、配線パタン6cの一部であるオープンスタブ10bと調整用の配線パタン10yとがワイヤ4yにより接続され,調整用の配線パタン10yと調整用の配線パタン10yyとがワイヤ4yyにより接続されている。図12の実施の形態では、オープンスタブ10aと配線パタン10xとをワイヤ4xにより接続するか否か、更には、オープンスタブ10aと配線パタン10x,10xxとをワイヤ4x,4xxにより接続するか否か、及び、オープンスタブ10bと配線パタン10yとをワイヤ4yにより接続するか否か、更には、オープンスタブ10bと配線パタン10y,10yyとをワイヤ4y,4yyにより接続するか否かにより、オープンスタブの長さ容量を調整することができる。つまり、ワイヤ4x,4xx4y,4yyによる接続の有無により、二段階に調整することができ、付加容量値の設計自由度がより向上する。なお、第2から第5の実施の形態においても同様に、調整用のオープンスタブ配線パタンを増加することにより、容量値の調整の幅がより広がり、さらに設計自由度が向上する。"