"パラジウムナノ粒子を水素に露出させ、前記パラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する、ことを備えたパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。前記パラジウムナノ粒子が、パラジウム、パラジウム合金、およびそれらの組合せからなる群から選択された化学物質を備えることを特徴とする請求項1に記載のパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。前記パラジウムナノ粒子の水素への露出が、水素の吸着、吸収、および放出に必要な電位またはそれ未満の電位を前記パラジウムナノ粒子に印加し、前記パラジウムナノ粒子に水素を浸透させるように十分な時間、前記電位を維持することを備えることを特徴とする請求項1に記載のパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。前記パラジウムナノ粒子に印加される前記電位が、-0.2V~0.1Vであることを特徴とする請求項3に記載のパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。前記パラジウムナノ粒子に印加される前記電位が、-0.05Vであることを特徴とする請求項4に記載のパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。前記電位が、5分未満の間、前記パラジウムナノ粒子に印加されることを特徴とする請求項3に記載のパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。前記電位が、1分を超えない時間、前記パラジウムナノ粒子に印加されることを特徴とする請求項6に記載のパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。前記パラジウムナノ粒子を15°C~30°Cの温度に維持しながら、前記電位を前記パラジウムナノ粒子に印加することを特徴とする請求項3に記載のパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。希酸の存在下で、前記電位を前記パラジウムナノ粒子に印加することを特徴とする請求項3に記載のパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。前記パラジウムナノ粒子への前記電位の印加後、前記パラジウムナノ粒子を水で洗浄することをさらに備えることを特徴とする請求項3に記載のパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。前記パラジウムナノ粒子への前記電位の印加後、前記パラジウムナノ粒子を濾過することをさらに備えることを特徴とする請求項3に記載のパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。前記パラジウムナノ粒子の水素への露出が、前記パラジウムナノ粒子を容器内に配置し、前記パラジウムナノ粒子に水素を吸収させるように、前記容器に水素ガスを追加することを備えることを特徴とする請求項2に記載のパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する方法。パラジウムナノ粒子の幾何学的特性に影響を及ぼすとともに該パラジウムナノ粒子に結合する界面活性剤を用いて、該パラジウムナノ粒子を合成し、前記パラジウムナノ粒子から前記界面活性剤を除去するように、前記パラジウムナノ粒子を水素に露出させることを備えた方法。前記パラジウムナノ粒子が、パラジウム、パラジウム合金、およびそれらの組合せからなる群から選択された化学物質を備えることを特徴とする請求項13に記載の方法。前記パラジウムナノ粒子の水素への露出が、水素の吸着、吸収、および放出に必要な電位またはそれ未満の電位を前記パラジウムナノ粒子に印加し、前記界面活性剤と前記パラジウムナノ粒子との結合を弱めるために水素を前記パラジウムナノ粒子に浸透させるように十分な時間、前記電位を維持することを備えることを特徴とする請求項13に記載の方法。前記パラジウムナノ粒子に印加される前記電位が、-0.2V~0.1Vであることを特徴とする請求項15に記載の方法。前記パラジウムナノ粒子に印加される前記電位が、-0.05Vであることを特徴とする請求項16に記載の方法。前記電位が、5分未満の間、前記パラジウムナノ粒子に印加されることを特徴とする請求項15に記載の方法。前記電位が、1分を超えない時間、前記パラジウムナノ粒子に印加されることを特徴とする請求項18に記載の方法。前記界面活性剤と前記パラジウムナノ粒子との間の結合を水素分子に露出させることが、前記パラジウムナノ粒子を容器内に配置し、前記パラジウムナノ粒子に水素を吸収させるように、前記容器に水素ガスを追加することを備えることを特徴とする請求項14に記載の方法。一旦ナノ粒子が形成されると、粒子の成形およびサイジングに使用される界面活性剤を除去する必要がある。一部の界面活性剤は、洗浄および低温加熱により除去することができる。一方、その他の界面活性剤は、長い洗浄時間特別な溶媒で数週間または300°Cを上回る温度による高温処理を必要とする。一部の触媒ナノ粒子では、高温処理により問題が発生する。例えば、300°Cでは、立方晶パラジウムのナノ粒子は形が崩れ、粒径が増大する場合がある。その結果、ナノ粒子から界面活性剤を除去するために高温処理を用いることにより、その界面活性剤が提供するように意図されている利点がなくなってしまう。パラジウムナノ粒子からの界面活性剤の除去方法が、パラジウムナノ粒子を水素に露出させ、パラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去することを含む。除去方法が、界面活性剤を用いてパラジウムナノ粒子を合成することを含む。界面活性剤はパラジウムナノ粒子の幾何学的特性に影響を及ぼすとともに、パラジウムナノ粒子に結合する。この方法はまた、パラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去するようにパラジウムナノ粒子を水素に露出させることを含む。本発明は、パラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する単純かつ効果的な方法を提供する。パラジウムナノ粒子への界面活性剤の吸着を弱めるための電気化学的および化学的プロセスが水素を利用する。この方法は、高温を使用することなくパラジウムナノ粒子から界面活性剤を除去する単純かつ効果的な方法を提供する。界面活性剤は多くの場合、燃料電池触媒としての役割を果たすパラジウムナノ粒子の寸法および形状を修正するように用いられる。パラジウムナノ粒子の形成時に存在する界面活性剤のミセルはナノ粒子の形態に影響を及ぼす。燃料電池性能要件を満たすために必要な特定の寸法および形状を有するパラジウムナノ粒子を形成するように、特定の界面活性剤および界面活性剤濃度を用いることができる。パラジウムナノ粒子のサイジングおよび成形に適切な界面活性剤は、ポリビニルピロリドンPVP、塩素ベースおよび臭素ベースの塩を含む。界面活性剤がナノ粒子を成形するように、界面活性剤がパラジウムナノ粒子に結合する。ナノ粒子が反応物質により十分接触可能となるように、パラジウムナノ粒子を触媒として使用する前にそれらの界面活性剤をパラジウムナノ粒子から除去する必要がある。上記のように、界面活性剤は通常、ナノ粒子を低温熱処理の有無にかかわらず洗浄、または高温処理することによって除去される。それらの界面活性剤の除去方法の各々は欠点を有する。ある界面活性剤は、非常に長い洗浄時間後にのみ除去することができる。ナノ粒子の洗浄に費やされる長い期間により、最終的なナノ粒子触媒の製造に必要な時間と費用が増大する。高温処理は通常、300°Cを上回る温度を必要とし、パラジウムナノ粒子に悪影響を及ぼしうる。上述したように、300°Cでは、パラジウムナノ粒子は型崩れが生じ、寸法が増大する場合がある。ナノ粒子から界面活性剤を除去するための高温処理により、界面活性剤を用いて提供された寸法および形状の修正が除去されるおそれがある。非常に長い洗浄手段や有害な高温手段を用いる代わりに、本発明は、ナノ粒子と、ナノ粒子の成形および/またはサイジングに用いた界面活性剤と、の間の結合を弱めるように水素分子を使用する。図1は、ナノ粒子から界面活性剤を除去する方法の概略図を示す。方法10は、ナノ粒子を水素に露出させステップ12、ナノ粒子から界面活性剤を除去するステップ14ことを含む。水素がパラジウム粒子に浸透し、パラジウム-パラジウム間の格子距離を膨張させる。このパラジウム-パラジウム格子距離の膨張により、界面活性剤の吸着が弱められ、ナノ粒子からの界面活性剤の除去が容易となる。以下に述べるように、水素の露出ステップ12は電気化学的または化学的方法によって行われる。図2は、ナノ粒子から界面活性剤を除去するための電気化学的方法16の概略図を示す。ステップ18では、ナノ粒子に電位が印加される。適切な電位は水素吸着/吸収および水素放出が生じる電位またはそれ未満の電位である。例示の実施例では、その電位は可逆水素電極に対して約-0.2V~約0.35Vである。更に例示の実施例では、その電位は可逆水素電極に対して約-0.2V~約0.1Vである。特定の実施例では、その電位は可逆水素電極に対して約-0.05Vである。ステップ20では、その電位は水素がナノ粒子に浸透するのに十分な時間、維持される。ナノ粒子は電極としての役割を果たし、多段階反応の結果として水素が生成する。まず、吸着された水素原子がナノ粒子の表面に形成される:H3Oe→HadsH2O1ここでHadsは、ナノ粒子表面の吸着した水素原子である。電位に応じて、吸着した水素原子は結合して水素分子を形成する:HadsHads→H22または、更なる電気化学反応により水素分子を生じさせる。:HadsH3Oe→H2H2O3形成された水素は、パラジウムナノ粒子中に浸透し、水素化パラジウムを形成してパラジウムナノ粒子の格子を膨張させる。水素化パラジウムは、その結晶格子内部に多量の水素を含有する金属パラジウムである。室温および大気圧では、パラジウムは自己の体積の900倍までの水素を吸収することができる。界面活性剤の吸着は弱くなり、格子の膨張により、界面活性剤はパラジウム表面から容易に脱着する。場合によっては、水素分子は必要ではない。反応1により生成した水素原子もまたパラジウムに吸収されて、格子の膨張を生じさせる。例示の実施例では、電位は約5分未満の間、維持される。一つの特定の実施例では、電位はせいぜい約1分間、維持される。ステップ18,20は通常、室温で行われる約15°C~約30°C。ステップ18,20時に電解質が用いられる。適切な電解質は、0.1M過塩素酸HClO4などの希釈酸性水溶液を含む。図3はパラジウムナノ粒子上の界面活性剤を除去するための化学的方法22の概略図を示す。パラジウムナノ粒子の表面上に水素を形成する代わりに、電気化学反応を伴うことなく水素分子がパラジウムナノ粒子へと運ばれる。ステップ24では、界面活性剤を有するサイジングおよび成形されたパラジウムナノ粒子が容器に配置される。ステップ26では、水素分子がパラジウムナノ粒子に吸収されてパラジウムナノ粒子の格子の膨張がもたらされるように、水素ガスが容器内に追加される。吸収された水素によりパラジウムナノ粒子と界面活性剤との結合が弱められ、それにより界面活性剤が容易に除去される。一旦十分な量の水素がパラジウムナノ粒子に吸収されると、界面活性剤が単にナノ粒子から脱着するほど十分に界面活性剤とパラジウムナノ粒子との結合が弱められるすなわち、界面活性剤はナノ粒子から剥離する。パラジウムナノ粒子の表面上またはパラジウム結晶格子内部に存在する水素に対しても追加の処理を必要としない。存在するあらゆる水素が燃料電池触媒としての使用前または使用時に自然に消失する。図4は後処理を有するナノ粒子から界面活性剤を除去するための方法の概略図を示す。方法28は、ナノ粒子を水素に露出させ、ナノ粒子から界面活性剤を除去する方法10のステップに加えて、洗浄ステップ30および濾過ステップ32を含む。パラジウムナノ粒子が水で洗浄される。洗浄ステップ30により、不純物ならびにステップ18,20時に使用されたあらゆる溶媒が除去される。上記の方法により処理したパラジウムナノ粒子もまた、ナノ粒子をさらに浄化するようにステップ32で濾過される。図5はパラジウムナノ粒子の調整方法の概略図を示す。方法34は、パラジウムナノ粒子を界面活性剤と結合させることを含むステップ36。ステップ36では、界面活性剤がナノ粒子の幾何学的特性例えば、寸法、形状等を修正する。ステップ36の幾何学的修正により界面活性剤がナノ粒子に結合する。一旦ナノ粒子の幾何学的特性が修正されると、ナノ粒子から界面活性剤を除去するようにナノ粒子がステップ38で水素に露出される。上記の方法16または方法22に従ってステップ38が実行される。ステップ38後、界面活性剤は既にナノ粒子に結合しておらず、ナノ粒子は使用できる状態である。要約すると、パラジウムナノ粒子と、ナノ粒子の成形およびサイジングに使用される界面活性剤と、の結合を弱めるために水素が用いられる。水素がナノ粒子によって吸収されるように、水素がパラジウムナノ粒子の表面上に電気化学的方法を用いて形成される。水素はまた、ナノ粒子によって吸収されるようにナノ粒子環境に追加される。ナノ粒子を水素に露出させることによりナノ粒子の格子構造が膨張し、界面活性剤とナノ粒子との結合が弱められて、界面活性剤が容易に除去される。本発明の方法により、悪影響を及ぼす高温を用いることのない、または長い処理時間を必要としない、単純、迅速かつ効果的な界面活性剤の除去が可能となる。好適な実施例を参照しながら本発明について記載したが、本発明の真意および範囲を逸脱することなく形式および詳細について変更がなされうることが当業者にとって理解されるであろう。"