"レーザ光源から出射されるレーザ光を真空処理装置内部の検出領域に向けて照射するレーザ光照射ユニットと、前記レーザ光の照射時に微粒子から発せられる散乱光を検出する散乱光検出ユニットと、前記散乱光検出ユニットから出力される信号を処理して微粒子の数量及び粒径を測定する信号処理ユニットとを備えた微粒子検出装置であって、前記レーザ光の照射方向と同一の軸線上に配置され、前記真空処理装置の投光側及び受光側の光学窓を透過してくるレーザ光を取り込む照射光検出ユニットを備え、前記信号処理ユニットは、前記照射光検出ユニットから出力される信号のレベルと基準値とを比較する比較手段を備え、前記光学窓によるレーザ光の光量低下が許容範囲内であるか否かを判定し、許容範囲から外れる場合にはアラームを出力するようにした、ことを特徴とする微粒子検出装置。レーザ光源から出射されるレーザ光を真空処理装置内部の検出領域に向けて照射するレーザ光照射ユニットと、前記レーザ光の照射時に微粒子から発せられる散乱光を検出する散乱光検出ユニットと、前記散乱光検出ユニットから出力される信号を処理して微粒子の数量及び粒径を測定する信号処理ユニットとを備えた微粒子検出装置であって、前記真空処理装置の内部に配置され、投光側の光学窓及びコリメータレンズ系を保持する第1のホルダーと、入射端側が前記レーザ光源に接続され、出射端側が前記1のホルダーに接続された照射用光ファイバとからなり、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を前記検出領域に向けて照射する照射用光ユニットと、前記真空処理装置の内部に前記照射用光ユニットと対向するように配置され、照射光受光用の光学窓及び集光レンズ系を保持する第2のホルダーと、入射端が前記第2のホルダーに接続され、出射端側が前記真空処理装置の外部に設けられた光検出器に接続された第2の光ファイバとで構成された前記照射光検出ユニットと、前記真空処理装置の内部に配置され、散乱光受光用の光学窓及び集光レンズ系を保持する第3のホルダーと、入射端が前記第3のホルダーに接続され、出射端側が前記真空処理装置の外部に設けられた散乱光検出器に接続された第3の光ファイバとで構成された前記散乱光検出ユニットと、を備え、前記信号処理ユニットは、前記照射光検出ユニットから出力される信号のレベルと基準値とを比較する比較手段を備え、前記光学窓によるレーザ光の光量低下が許容範囲内であるか否かを判定し、許容範囲から外れる場合にはアラームを出力するようにした、ことを特徴とする微粒子検出装置。請求項1または請求項2に記載の微粒子検出装置において、前記信号処理ユニットは、前記照射光検出ユニットから出力される信号のレベルが一定となるように、前記光学窓によるレーザ光の光量低下分に応じて前記レーザ光源の出力を増加させる制御を行う制御手段を備える、ことを特徴とする微粒子検出装置。請求項1または請求項2に記載の微粒子検出装置において、前記信号処理ユニットは、前記照射光検出ユニットの出力信号および前記散乱光検出ユニットの出力信号を、それぞれに設定されたゲインで増幅する増幅手段と、前記照射光検出ユニットから出力される信号のレベルが一定となるように当該照射光検出ユニットのゲイン調整を行った後、前記照射光検出ユニットに対する調整率と同じ比率で前記散乱光検出ユニットに対してゲインの変更を行う制御手段とを備える、ことを特徴とする微粒子検出装置。請求項1または請求項2に記載の微粒子検出装置において、前記信号処理ユニットは、前記散乱光検出ユニットから出力される信号を前記照射光検出ユニットから出力される信号で除する演算を実行する補正手段を備え、この補正手段による演算結果を微粒子検出信号として出力するようにした、ことを特徴とする微粒子検出装置。一般に、半導体製造装置やその排気ラインでは、製造過程で生じた反応生成物等が真空装置内部や排気ラインの内壁に付着、堆積することが知られている。そのような過酷な環境下に微粒子検出装置を配置した場合、レーザ光を導入、導出する部分に設けられる光学窓窓ガラスやレンズ等の光学系部品に、反応生成物等が付着、堆積し、微粒子の検出信号レベルを低下させてしまう。これは、反応生成物の付着、堆積により、特に光学窓やレンズ等の透過率が低下し、検出領域でのレーザ照射光量の低下、受光素子へ到達する散乱光量の低下が原因であると考えられる。その結果、検出性能の低下や粒子径把握の精度悪化を招くことになる。従来技術では検出性能の低下の程度を知る術がなかったために信頼性の高い測定ができないという問題があった。本発明は上記の問題点に鑑みなされたもので、光学部品の汚損に起因する透過率低下の影響を受けることなく、真空処理装置内を浮遊する微粒子を精度よく測定することが可能な微粒子検出装置を提供することを目的とする。請求項1の発明は、レーザ光源から出射されるレーザ光を真空処理装置内部の検出領域に向けて照射するレーザ光照射ユニットと、前記レーザ光の照射時に微粒子から発せられる散乱光を検出する散乱光検出ユニットと、前記散乱光検出ユニットから出力される信号を処理して微粒子の数量及び粒径を測定する信号処理ユニットとを備えた微粒子検出装置であって、前記レーザ光の照射方向と同一の軸線上に配置され、前記真空処理装置の投光側及び受光側の光学窓を透過してくるレーザ光を取り込む照射光検出ユニットを備え、前記信号処理ユニットは、前記照射光検出ユニットから出力される信号のレベルと基準値とを比較する比較手段を備え、前記光学窓によるレーザ光の光量低下が許容範囲内であるか否かを判定し、許容範囲から外れる場合にはアラームを出力するようにした、ことを特徴とする。請求項2の発明は、レーザ光源から出射されるレーザ光を真空処理装置内部の検出領域に向けて照射するレーザ光照射ユニットと、前記レーザ光の照射時に微粒子から発せられる散乱光を検出する散乱光検出ユニットと、前記散乱光検出ユニットから出力される信号を処理して微粒子の数量及び粒径を測定する信号処理ユニットとを備えた微粒子検出装置であって、前記真空処理装置の内部に配置され、投光側の光学窓及びコリメータレンズ系を保持する第1のホルダーと、入射端側が前記レーザ光源に接続され、出射端側が前記1のホルダーに接続された照射用光ファイバとからなり、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を前記検出領域に向けて照射する照射用光ユニットと、前記真空処理装置の内部に前記照射用光ユニットと対向するように配置され、照射光受光用の光学窓及び集光レンズ系を保持する第2のホルダーと、入射端が前記第2のホルダーに接続され、出射端側が前記真空処理装置の外部に設けられた光検出器に接続された第2の光ファイバとで構成された前記照射光検出ユニットと、前記真空処理装置の内部に配置され、散乱光受光用の光学窓及び集光レンズ系を保持する第3のホルダーと、入射端が前記第3のホルダーに接続され、出射端側が前記真空処理装置の外部に設けられた散乱光検出器に接続された第3の光ファイバとで構成された前記散乱光検出ユニットと、を備え、前記信号処理ユニットは、前記照射光検出ユニットから出力される信号のレベルと基準値とを比較する比較手段を備え、前記光学窓によるレーザ光の光量低下が許容範囲内であるか否かを判定し、許容範囲から外れる場合にはアラームを出力するようにした、ことを特徴とする。請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載の微粒子検出装置において、前記信号処理ユニットが、前記照射光検出ユニットから出力される信号のレベルが一定となるように、前記光学窓によるレーザ光の光量低下分に応じて前記レーザ光源の出力を増加させる制御を行う制御手段を備える、ことを特徴とする。請求項4の発明は、請求項1または請求項2に記載の微粒子検出装置において、前記信号処理ユニットが、前記照射光検出ユニットの出力信号および前記散乱光検出ユニットの出力信号を、それぞれに設定されたゲインで増幅する増幅手段と、前記照射光検出ユニットから出力される信号のレベルが一定となるように当該照射光検出ユニットのゲイン調整を行った後、前記照射光検出ユニットに対する調整率と同じ比率で前記散乱光検出ユニットに対してゲインの変更を行う制御手段とを備える、ことを特徴とする。請求項5の発明は、請求項1または請求項2に記載の微粒子検出装置において、前記信号処理ユニットが、前記散乱光検出ユニットから出力される信号を前記照射光検出ユニットから出力される信号で除する演算を実行する補正手段を備え、この補正手段による演算結果を微粒子検出信号として出力するようにした、ことを特徴とする。本発明によれば、真空処理装置内部で発生した反応生成物等の光学窓への付着によるレーザ光の光量低下を照射光検出ユニットからの信号の変化で捉えることにより、光学部品等の汚損に起因する検出性能の低下度合いを確実に検知することができる。また、光学窓の汚れの状態に応じ、レーザ光源の出力を調整したり、照射光検出信号を用いた補正演算を行うようにしたことにより、真空処理装置内を浮遊する微粒子の大きさや数量を長期間に渡って精度よく測定することが可能な微粒子検出装置を実現できる。以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。第1の実施の形態図1に示す微粒子検出装置210は、半導体製造装置のように装置内部が105Torrといった高真空状態になる真空処理装置80を対象に、その内部を浮遊する微粒子100の大きさ及び数量を測定するものである。微粒子検出装置210は、レーザ光源90、駆動回路と電源を内蔵したレーザ光源の駆動ユニット91、照射光検出ユニット92、散乱光検出ユニット93、信号処理ユニット94、表示部95とを備える。これらの各構成要素は、真空処理装置80の外部に設置されている。レーザ光源90から出射されたレーザ光測定光90aは、真空処理装置80の一方の側壁に設けられた投光側の光学窓81を透過して検出領域84へと導かれ、真空処理装置80の他方の側壁に設けられた受光側の光学窓82を透過し、レーザ光源90と対向するようにレーザ光90aの照射方向と同一の直線上に配置された照射光検出ユニット92によって受光される。なお、照射光検出ユニット92は、レーザ光90aを集光する集光レンズと照射光検出素子とで構成される。微粒子100からの散乱光90bは、照射光検出ユニット92と隣接するように配置された散乱光検出ユニット93によって受光される。この散乱光検出ユニット93は、散乱光90bを集光する集光レンズと散乱光検出素子とで構成される。真空処理装置80の内部が真空状態にあるとき、微粒子100は重力やプロセスガスの流れにより処理装置内を移動する。そして、浮遊する微粒子100が検出領域84に到達し、微粒子100にレーザ光90aが照射されると、微粒子100からは粒径およびレーザ光90aの光量光パワー密度に応じた散乱光90bが発生し、散乱光検出ユニット93へ到達する。散乱光検出ユニット93は、この散乱光90bの光量に応じた電気信号を後段の信号処理ユニット94へ出力する。信号処理ユニット94は、増幅手段941によって電気信号の増幅処理を行った後、演算制御手段945にて微粒子の数量及び大きさを演算し、出力手段944を介して測定結果を表示部95に出力する。ところで、前述したように微粒子100からの散乱光90bは、粒径およびレーザの光量に依存する。したがって、例えば、真空処理装置80の内部で発生した反応生成物等により光学窓81、82が汚れ、レーザ光90aの透過率が低下した場合には、検出領域84でのレーザ光量も低下するために、散乱光検出ユニット93で検出される信号のレベルも低下し、粒径および粒子数の正確な測定が困難となり、測定結果の信頼性が非常に低くなってしまう。本実施形態では、このような光学窓81,82の汚れに起因するレーザ光量の低下光減衰分に伴う微粒子の検出感度の低下量をモニタリングする手段として、照射光検出ユニット92を設けている。ここで、真空処理装置80の光学窓81、82を透過してきたレーザ光90aが照射光検出ユニット92内の光検出素子へ到達すると、その光量に応じた電気信号が信号処理ユニット94へ出力される。信号処理ユニット94では、照射光検出ユニット92から出力された電気信号を増幅処理した後、演算制御手段945によって照射光量の演算を行う。比較手段942は、演算で求めた照射光量の値と記憶手段943に予め格納されている基準値例えば、光学窓81、82に汚れのない初期状態での受光光量とを比較し、光量の低下率が一定の割合を超えているか否かを判定する。そして、光量の低下率が許容範囲から外れる場合には、出力手段944を介して表示部95にメンテナンスが必要である旨のアラームを表示する。真空処理装置80の光学窓81、82の汚れに起因する光量の低下について、一例として透過率90の窓ガラスを用いた場合で説明する。投光側の光学窓81に汚れがない場合、検出領域84には光源に対して90のレーザ光量が到達する。そして、微粒子100からの散乱光90bは、受光側の光学窓82を通じてその90が散乱光検出ユニット93へ到達し、その光量に応じた電気信号が出力される。ここで、製造過程での反応生成物等により真空処理装置80の投光側の光学窓81の透過率が80に減少したとすると、検出領域84に到達するレーザ光90aの光量は汚れのない場合に比べ、8090×100≒89に減少する。同様に受光側の光学窓82の透過率も80に減少したとすると、微粒子100からの散乱光90bは、汚れのない場合に比べ同様に8090≒89に減少することになる。従って、散乱光検出ユニット93から出力される電気信号のレベル強度は、2つの光学窓81、82に汚れのない状態に比べ、089×089×100≒80まで減少する。照射光検出ユニット92からの出力も同様の計算により、光学窓81、82に汚れのない場合に比べ、汚れのある場合は80まで減少することになるので、照射光検出ユニット92の出力信号に基づいて微粒子検出の感度低下量を把握することができる。したがって、記憶手段943に初期状態における光量を基準値として格納しておき、照射光検出ユニット92の出力信号と基準値とを比較し、許容範囲を外れた場合、例えば、感度低下光量低下率が80を下回った場合にアラームを出力するように設定しておくことにより、一定の信頼性を満たす微粒子測定データを得ることが可能となる。第2の実施の形態次に、第2の実施の形態について説明する。図2に、第2の実施の形態に係る微粒子検出装置210の構成を示す。なお、上述した第1の実施の形態図1参照と同一部分については同一の符号を付し、ここでの説明は省略する。本実施形態においては、照射光検出ユニット92からの出力信号に基づいてレーザ光源90から出射されるレーザ光の光量を調整する機能を付加している。具体的には、レーザ光源90として、駆動ユニット91に外部の信号処理装置ユニット94から制御信号電圧信号を送出することにより、出射されるレーザ光の光量を200mW~1000mWの範囲でコントロールできるものを用いている。なお、本実施形態に係る微粒子検出装置220では、光学窓81、82に汚れがない状態において、レーザ光源90から出射されるレーザ光の光量200mWにて最小可測粒径の検出感度を満たす構成となっている。そして、レーザ光源90から出射される光量200mWのレーザ光90aが、汚れのない光学窓81、82を透過して照射光検出ユニット92で検出されるときの初期状態における信号出力を基準として、照射光検出ユニット92の信号出力が許容範囲から外れた場合、すなわち、記憶手段943に格納されている許容値以下になった場合には、信号処理ユニット94から駆動ユニット91へ制御信号が送出され、レーザ光源90の光量を増加させるように制御が行われる。このように、信号処理ユニット94にて、照射光検出ユニット92の出力信号のレベルが常に一定となるようレーザ光源90の光量制御を連続的に行うことにより、同一径の微粒子に対する散乱光検出信号は光学窓81、82の汚損状態によらず一定となる。なお、レーザ光90aが照射された微粒子100からの散乱光量に関係するのは、厳密には光量ではなくレーザ光の光パワー密度であるが、レンズなどの光学系の構成を変更しない限りレーザ光90aの断面積ビーム径は一定であるために、光量の変化のみを捉えてレーザ光源90の制御を行うことで問題はない。上述の制御により、同一の微粒子径に対して、光学窓81、82の汚れの影響を受けることなく、散乱光検出信号が一定となることを具体的に説明する。まず、汚れのない状態における投光側の光学窓81の透過率が90である場合、レーザ光源90の光量を200mWとすると、検出領域84に到達するレーザ光90aの光量は200×09180mWである。この光量が微粒子100に照射された場合に、散乱光検出ユニット93へ向かう微粒子による散乱光量は180×xmWとなる。ここで、xはレンズなどの光学系が一定であるという条件下で、微粒子径のみに依存するパラメータである。そして、散乱光検出ユニット93前段の光学窓82の透過率も90であるとすると、最終的に散乱光検出ユニット93に受光される光量は162×xmWとなる。また、照射光検出ユニット92に受光される光量についても、同様に考えて162×ymWとなる。ここで、製造過程で生じる反応生成物等の付着に起因して、投光側の光学窓81受光側の光学窓82の透過率が、それぞれ、5040に減少したとする。従来装置のようにレーザ光源90の光量制御を行わない場合、レーザ光源90の光量は200mWで一定のままであるので、散乱光検出ユニット93に受光される光量は200×05×x×0440×xmWとなり、汚れがない場合に比べて約25に検出信号が減少し、感度低下を招いてしまうことになる。一方、本実施形態によれば、レーザ光源90の光量は、照射光検出ユニット92の出力信号が一定のレベル、つまり、照射光検出ユニット92に受光される光量が一定となるよう制御されているので、レーザ光源90の光量をW1とすると、W1×05×y×04162×yなる関係から、W1810mWとなる。このとき散乱光検出ユニット93に受光される光量を計算すると、光学窓81、82に汚れがない場合と同一の粒子径に対しては、810×05×x×04162×xmWの受光光量となる。すなわち、同一の粒子径に対しては、光学窓81、82の汚れの影響を受けることなく散乱光検出信号は一定となることが分かる。また、本実施形態では、微粒子測定と併行して、光学窓81、82を透過してくるレーザ光の光量を照射光検出ユニット92でモニタリングしながら、レーザ光源の光量調整を自動で連続的に行うことが可能である。したがって、真空処理装置80の光学窓81、82の透過率が変化するような状況下であっても、長期に渡って微粒子を精度よく測定することのできる微粒子測定装置が実現可能となる。なお、許容できる光学窓81、82の汚れの度合いは、基本的にレーザ光源90の出力可能範囲に依存する。本実施形態では、光学窓81、82に汚れのない初期状態に比べ、2枚の光学窓81、82を合わせた透過光量の減少率が200mW1000mW×10020まで許容できる。第3の実施の形態次に、第3の実施の形態について説明する。図3は、第3の実施形態による微粒子検出装置230の構成を示す図である。なお、上述の第1の実施形態に係る装置と同一の部分については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態では、第1の実施形態の構成に、照射光検出ユニット92の信号出力が一定となるように感度調整を行い、これと同一の調整率にて散乱光検出ユニット93に対する感度調整を行う機能を付加している。本実施形態においては、レーザ光の光量を可変とする必要はなく、従って、レーザ光源90として、例えば、出力200mWの一定出力の光源を用いることでも良い。照射光検出ユニット92及び散乱光検出ユニット93と接続される後段の信号処理ユニット94は、照射光検出ユニット92の出力信号、散乱光検出ユニット93の出力信号を、それぞれに設定されたゲインで増幅する増幅手段941を備えている。演算制御手段945は、所定の時間間隔で、光学窓81、82を透過してくるレーザ光の光量を照射光検出ユニット92にて検出し、照射光検出ユニット92から出力される信号のレベルが一定となるように増幅手段941に設定されている照射光検出ユニット用のゲインG1の調整を行う。次いで、演算制御手段945は、照射光検出ユニット92に対する調整率と同じ比率で散乱光検出ユニット用のゲインG2を変更して保持する。上述の実施形態と同様、初期状態において透過率が90の光学窓81、82を使用した場合を例にして、感度調整について説明する。光学窓81、82に汚れがない初期状態においては、上述したように、散乱光検出ユニット93で受光される光量は162×xmWであり、また、照射光検出ユニット92にて受光される光量は162×ymWである。各検出ユニットのゲインは、その受光光量に比例して設定されており、散乱光検出ユニット93から出力される出力信号を162×x×αmV、照射光検出ユニット92から出力される出力信号を162×y×βmVとする。ここで、製造過程で生じる反応生成物等の付着に起因して、投光側の光学窓81、受光側の光学窓82の透過率が、それぞれ、50、40に減少したとする。照射光検出ユニット92の感度調整とこの調整結果に基づく散乱光検出ユニット93の感度調整を行わなかった場合、つまり、散乱光検出ユニット93の出力信号のみで微粒子測定を行った場合には、散乱光検出ユニット93で受光される光量は200×05×x×0440×xmWとなり、光学窓81、82に汚れがない初期状態に比べ約25に検出信号が減少してしまうことになる。これに対し、本実施形態では、まず、照射光検出ユニット92の出力信号が一定となるように感度調整が行われる。その調整倍率Gは200×05×y×04×G162×yなる関係より、G405となる。次いで、散乱光検出ユニット93に関し、照射光検出ユニット92と同一の調整倍率にて感度調整が行われる。従って、散乱光検出ユニット93からの出力信号は200×05×x×04×G=162×xmWとなり、同一の粒子径をもつ微粒子100であれば、光学窓81、82の汚れの影響を受けることなく微粒子検出信号は一定となる。なお、第3の実施形態では、信号処理ユニット94にゲイン調整可能な増幅手段941を設けるようにしているが、例えば、照射光検出ユニット92及び散乱光検出ユニット93に組み込む検出素子としてフォトマルチプライヤーを用い、フォトマルチプライヤーへ印加する外部電圧の変更により感度を調整するような構成としても良い。本実施形態によれば、照射光検出ユニット92の出力に基づき、光学窓81、82の汚れの状態に応じ、散乱光検出ユニット93の感度が好適な値に自動的に調整されるので、真空処理装置内の微粒子100を精度よく測定することができる。第4の実施の形態次に、第4の実施の形態について説明する。第4の実施形態による微粒子検出装置240は、信号処理ユニットに格納される演算プログラムを除き、第3の実施形態と同様の構成であるので、図3を用いて説明を行う。本実施形態では、特に、照射光検出ユニット92からの出力信号と、散乱光検出ユニット93からの出力信号とに基づいて、微粒子検出信号の補正演算を行う機能を持たせるようにしている。なお、本実施形態においても、レーザ光源90として、例えば、出力200mWの一定出力の光源を用いることで良い。照射光検出ユニット92及び散乱光検出ユニット93と接続される信号処理ユニット94の演算制御手段945は、記憶手段943に格納されている演算プログラムに基づいて光学窓81、82の汚れに起因する誤差を低減するための補正演算を実行する。具体的には、散乱光検出ユニット93からの出力信号を照射光検出ユニット92からの出力信号で除することにより、光学窓81、82の汚れに起因する光量の低下を補正し、その演算結果を微粒子検出信号として出力する。上述の第1~第3の実施形態と同様、初期状態において透過率が90の光学窓81、82を使用した場合を例に、補正演算の内容について説明する。光学窓81、82に汚れがない初期状態においては、上述したように、散乱光検出ユニット93で受光される光量は162×xmWであり、照射光検出ユニット92にて受光される光量は162×ymWである。また、散乱光検出ユニット93から出力される出力信号を162×x×αmV、照射光検出ユニット92から出力される出力信号を162×y×βmVとする。本実施形態よれば、演算制御手段945から162×x×α÷162×y×βx×αy×βが補正演算の結果として出力され、この補正演算結果をもとに微粒子100の大きさ及び数量の測定が行われることになる。ここで、製造過程で生じる反応生成物等の付着に起因して、投光側の光学窓81、受光側の光学窓82の透過率が、それぞれ、50、40に減少したとする。照射光検出ユニット92の出力信号に基づいて補正演算を行わなかった場合、つまり、従来装置のように散乱光検出ユニット93の出力信号のみで微粒子測定を行った場合には、散乱光検出ユニット93で受光される光量は200×05×x×0440×xmWとなり、光学窓81、82に汚れがない初期状態に比べ、約25に検出信号が減少してしまうことになる。一方、本実施形態においては、光学窓81、82に汚れがある場合の散乱光検出ユニット93からの出力信号は200×05×x×04×α=40×x×αmVであり、また、照射光検出ユニット92からの出力信号は200×05×y×04×β40×y×βmVである。したがって、補正演算の結果として出力される微粒子検出信号は40×x×α÷40×y×β=x×αy×βとなり、光学窓81、82の汚れによらず微粒子検出信号が一定となることがわかる。このように、散乱光検出ユニット93からの出力信号を照射光検出ユニット92からの出力信号で除する補正演算を実行することにより、真空処理装置80内の微粒子100を精度よく測定することができる。第5の実施の形態図4は、第5の実施形態に係る微粒子検出装置250の構成を示す図である。本実施形態では、第1乃至第4の実施形態とは異なり、複数本の光ファイバを用い、外部に設置されたレーザ光源90から出射されるレーザ光を真空処理装置80内部へ導光するとともに、レーザ光90aおよび散乱光90bを装置内から装置外へと導光するようにしている。図示のように、照射用光ユニット85は、真空処理装置80の内部に配置され、投光側の光学窓及びコリメータレンズ系を保持する第1のホルダー851と、集光レンズ系852を有する入射端側がレーザ光源90に接続され、出射端側が第1のホルダー851に接続された照射用光ファイバ853とから構成されている。また、照射光検出ユニット86は、真空処理装置80の内部に照射用光ユニット85と対向するように配置され、照射光受光用の光学窓及び集光レンズ系を保持する第2のホルダー861と、入射端が第2のホルダー861に接続され、出射端側が真空処理装置80の外部に設けられた光検出器862に接続された第2の光ファイバ863とで構成されている。そして、散乱光検出ユニット87は、真空処理装置80の内部に配置され、散乱光受光用の光学窓及び集光レンズ系を保持する第3のホルダー871と、入射端が第3のホルダー871に接続され、出射端側が真空処理装置80の外部に設けられた散乱光検出器872に接続された第3の光ファイバ873とで構成されている。一般的な真空処理装置80では装置形状に制約があり、好適な位置に観測用の光学窓を設けたり、レーザ光源や検出受光ユニット等を設置することができない場合もあるが、本実施形態によれば、複数本の光ファイバを用い、外部に設置されたレーザ光源90から出射されるレーザ光を真空処理装置80内部へ導光するとともに、レーザ光90aおよび散乱光90bを装置内から装置外へと導光するようにしているので、様々な真空処理装置に適用することが可能となる。なお、その他の構成要素については、上述した第1の実施形態と同様であるため、説明を省略する。なお、上記の第1~第5の実施形態では、微粒子100の前方散乱光を検出する方式の微粒子測定装置に適用した例にもとづいて説明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、微粒子100からの側方散乱光を検出する方式の微粒子測定装置に適用しても良いことは勿論である。図5は、第6実施形態に係る側方散乱光検出方式の微粒子測定装置260を示す図である。本実施形態では、真空処理装置80の上部に光学窓83を設け、微粒子100からの散乱光90bを、レーザ光90aの照射方向と直交する方向に配置された散乱光検出ユニット93によって受光する構成としている。但し、本実施形態では、散乱光検出ユニット93と照射光検出ユニット92とを離れた位置に設置することになるので、精度の高い測定を行うためには、散乱光検出ユニット93側の光学窓83と照射光検出ユニット92側の光学窓82に関し、汚れに起因する透過率の低下がほぼ同一であることが前提条件となる。"