"高分子材料で作製されたバルーンを含むバルーンカテーテルであって、前記バルーンは表面を有し、前記表面は、式:式中、R1は互いに独立してHまたはFであり;R2はH、F、Z基から選択され、前記Z基は-CONH-Ra、-SO2NH-Raおよび-PO2NH-Raから選択され式中Raは、所望により、1以上の-OH、-COOH、-SO3、-PO4、-NH2、-NH4などのような極性官能基または-CF2m-CF3ペルフルオロアルキル基式中mは1~70で置換されたC1-C4直鎖または分岐飽和アルキル鎖であるか;またはRaは-CHRCH2On-X式中nは1~70であり、RはHまたは-CH3であり、XはH、飽和分岐若しくは直鎖C1-C4アルキル鎖または-CH2p-O-CH2q-W基式中WはH、-CH3または-NH2であり、pとqは独立して1~30であるから選択されるか;またはRaはC1-C70直鎖若しくは分岐飽和アルキル鎖または芳香族化合物である;R3は-NO2または上記定義のZ基から選択されるの共有結合基を含むことを特徴とする、バルーンカテーテル。Ra中の前記直鎖または分岐飽和アルキル鎖が炭化水素鎖、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリオレフィンを含む群より選択される、請求項1に記載のバルーンカテーテル。Raの芳香族基がキシレン、ポリスチレンおよびアクリロニトリルブタジエンスチレンを含む群より選択される、請求項1または2のいずれか一項に記載のバルーンカテーテル。Ra中の前記ペルフルオロアルキル基が式-CF2nCF3式中、n=1~70であるのものである、請求項1~3のいずれか一項に記載のバルーンカテーテル。前記ペルフルオロアルキル基がポリテトラフルオロエチレンである、請求項1または4のいずれか一項に記載のバルーンカテーテル。式:の化合物において、R1とR2は独立してHまたはFであり、R3は-CONH-Ra、-SO2NH-Raおよび-PO2NH-Raから選択されるZ基式中、Raは、所望により1以上の-OH、-COOH、-SO3、-PO4、-NH2、-NH4などのような極性官能基または-CF2m-CF3ペルフルオロアルキル基式中、mは1~70であるで置換されたC1-C4直鎖または分岐飽和アルキル鎖であるか;またはRaは-CHRCH2On-X式中、nは1~70であり、RはHまたは-CH3であり、XはH、飽和分岐若しくは直鎖C1-C4アルキル鎖または-CH2p-O-CH2q-W基式中、WはH、-CH3または-NH2であり、pとqは独立して1~30であるから選択されるであるか;またはRaはC1-C70直鎖若しくは分岐飽和アルキル鎖または芳香族化合物であるである、請求項1に記載のバルーンカテーテル。式:の化合物において、R1は独立してHまたはFであり、R2はCONH-Ra、-SO2NH-Raおよび-PO2NH-Raから選択されるZ基式中、Raは所望により1以上の-OH、-COOH、-SO3、-PO4、-NH2、-NH4などのような極性官能基または-CF2m-CF3ペルフルオロアルキル基式中、mは1~70であるで置換されたC1-C4直鎖または分岐飽和アルキル鎖であるか;またはRaは-CHRCH2On-X式中、nは1~70であり、RはHまたは-CH3であり、XはH、飽和分岐若しくは直鎖C1-C4アルキル鎖または-CH2p-O-CH2q-W基式中、WはH、-CH3または-NH2であり、pとqは独立して1~30であるから選択されるであるか;またはRaはC1-C70直鎖若しくは分岐飽和アルキル鎖または芳香族化合物であり;R3は-NO2であるである、請求項1に記載のバルーンカテーテル。前記Z基中のRaが-CH2CH2OH、-CH2CH2CH2OH、-CCH2OH3、-CHCH3CH2O9-CH2CH2OCH3、-CH2CF27CF3から選択される、請求項1~7のいずれか一項に記載のバルーンカテーテル。高分子材料が、一般式:HnOH式中、PAはポリアミドセグメントであり、PFはOH末端基ダイマージオールポリエステルを含むジオールセグメントであり、nは5~20の間であるのポリアミド系コポリマーと、以下の式1のアミノカルボン酸と以下の式2のラクタムを含む群において選択されるブロック化合物を形成するポリアミドを以下の式3のポリエーテルジアミントリブロックと以下の式4のジカルボン酸を重合化させて得られるエラストマー式中、R1、R2およびR3はそれぞれその中に炭化水素鎖を含む連結基であり、1以上のアミド基により中断され得、R1とR2は独立して2~20個の炭素原子を有するアルキレン基とアミド結合を含み、R3は1~20個の炭素原子を有するアルキレン基を含み、xは1~20に変化し得、yは4~50に変化し得、zは1~20に変化し得、mは0または1であるとを含む群において選択される、請求項1~8のいずれか一項に記載のバルーンカテーテル。前記表面が親水基を含む、請求項1~9のいずれか一項に記載のバルーンカテーテル。前記表面が疎水基を含む、請求項1~10のいずれか一項に記載のバルーンカテーテル。前記表面が前記バルーンの外表面である、請求項1~11のいずれか一項に記載のバルーンカテーテル。前記表面が前記バルーンの内表面である、請求項1~12のいずれか一項に記載のバルーンカテーテル。前記表面が前記バルーンの内表面および外表面である、請求項1~13のいずれか一項に記載のバルーンカテーテル。前記表面が前記バルーンの外表面であり、少なくとも1つの活性物質が前記外表面の少なくとも一部分に結合する、請求項1~9のいずれか一項に記載のバルーンカテーテル。前記活性物質が前記バルーン外表面に直接結合する、請求項15に記載のバルーンカテーテル。前記活性物質が、前記活性物質を連結または包含するのに適した架橋物質により前記バルーン外表面に結合される、請求項15に記載のバルーンカテーテル。請求項1~17のバルーンカテーテルのバルーン表面を改質する方法であって、a式I:式中、R1は独立してHまたはFであり;R2はH、F、Z基より選択され、前記Z基は-CONH-Ra、-SO2NH-Raおよび-PO2NH-Ra式中、Raは、所望により1以上の-OH、-COOH、-SO3、-PO4、-NH2、-NH4などのような極性官能基または-CF2m-CF3ペルフルオロアルキル基式中mは1~70で置換されたC1-C4直鎖または分岐飽和アルキル鎖であるか;またはRaは-CHRCH2On-X式中、nは1~70であり、RはHまたは-CH3であり、XはH、飽和分岐若しくは直鎖C1-C4アルキル鎖または-CH2p-O-CH2q-W基式中、WはH、-CH3または-NH2であり、pとqは独立して1~30であるから選択されるであるか;またはRaはC1-C70直鎖若しくは分岐置換アルキル鎖または芳香族化合物であり;R3は-NO2または上記定義のZ基であるから選択されるの化合物の溶液を適切な溶媒中で準備するステップ;b前記バルーン表面をステップaで準備した溶液と接触させるステップ;cステップbで得られたバルーン表面を前記表面を光活性化することができる放射線で照射するステップ、を含む方法。式Iの前記化合物が、N-トリスヒドロキシメチル-4-アジドベンゼンスルホニルアミド、N-2-ヒドロキシエチル-4-アジドベンズアミド、N-2-ヒドロキシエチル-4-アジドベンゼンスルホニルアミドおよびN-ポリエーテルアミン-4-アジドベンズアミド、4-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-3-ヒドロキシプロピルベンズアミド、4-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-ヘプタデカフルオロウンデシルベンズアミド、2-ニトロ-5-アジドベンゾイルグリシン、N-4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-ヘプタデカフルオロウンデシル5-アジド-2-ニトロベンゾエート、N-トリスヒドロキシメチル-5-アジド-2-ニトロベンゾエート、N-ドデカエチレングリコールモノメチルエーテル-5-アジド-2-ニトロベンゾエート、N-ヘキサデシル-5-アジド-2-ニトロベンゾエート、を含む群において選択される、請求項18に記載の方法。ステップaの溶媒が、メタノール、エタノール、アセトニトリルおよびクロロホルムから選択される、請求項18または19のいずれか一項に記載の方法。前記放射線が、前記バルーンカテーテルの前記高分子材料を透過することができる波長を有する、請求項18~20のいずれか一項に記載の方法。前記放射線が、約200nm~約600nm、好ましくは約250nm~約350、より好ましくは約230nm~約300nmで構成される波長を有する、請求項18~21のいずれか一項に記載の方法。ステップcの照射が暗所において室温で実施される、請求項18~22のいずれか一項に記載の方法。ステップcの照射が約0.5~1時間実施される、請求項18~23のいずれか一項に記載の方法。ステップbが、式Iの前記化合物を含む前記溶液を前記バルーン表面を通して流すことにより実施される、請求項18~24のいずれか一項に記載の方法。ステップbの前に処理される前記バルーン表面を洗浄し乾燥させるステップを含む、請求項18~25のいずれか一項に記載の方法。ステップbの後、結合しなかった式の化合物を除去するために前記バルーン表面を洗浄する、請求項18~25のいずれか一項に記載の方法。前記バルーン表面が、バルーン内表面、バルーン外表面または両方である、請求項18~27のいずれか一項に記載の方法。本発明の目的は、バルーン表面が置換芳香族アジドにより光活性化反応を通じて改質されたバルーンカテーテルである。具体的には、当該光活性化反応は、バルーンカテーテルのバルーン表面に疎水性または親水性のいずれかの特性を付与する。あるいは、当該光活性化反応は、バルーンの改質された表面に対象例えば治療薬の任意の所与の物質を結合するのに使用され得る。本発明の1つの実施形態によると、バルーンカテーテルは、高分子材料でできたバルーンを含み、該バルーンの外表面は、光活性化反応を通じて親水性部分の挿入により改質されている。本発明により改質された親水性のバルーン外表面は、バルーンカテーテルのバルーン外表面の摩擦係数を有利に低下させるので、バルーンカテーテルは、血管壁に損傷を与えることなく血管系に沿って容易に移動され得る。あるいは、本発明により改質された親水性のバルーン外表面は、例えば、所与の薬剤例えば治療または診断剤を介入部位に移送するための担体例えばナノ粒子を結合するのに有利に使用され得る。本発明のさらなる1つの実施形態によると、バルーンカテーテルは高分子材料でできたバルーンを含み、該バルーンの内表面は、光活性化反応を通じて親水性部分の挿入により改質されている。本発明により改質された親水性のバルーン内表面は、バルーンカテーテルのバルーン内表面の摩擦係数を有利に低下させる。この付与された特性は、血管内インターベンション例えば血管形成術の間、長いバルーン最高300mm長が関与する場合に特に関係する特徴であるが、バルーン膨張および収縮時間を減少させるのに貢献し得るバルーン長がバルーン膨張収縮時間を著しく増加させたことは明白である。本発明のさらなる1つの実施形態によると、バルーンカテーテルは、高分子材料でできたバルーンを含み、バルーンの外表面は、光活性化反応を通じて疎水性部分の挿入により改質されている。本発明により改質された疎水性のバルーン外表面は、例えば、所与の薬剤例えば治療または診断剤を介入部位に移送するための担体例えばナノ粒子を結合するのに有利に使用され得る。あるいは、バルーンの疎水外表面は、バルーンが血管の閉塞例えば慢性的全閉塞を貫通する能力を向上させるのに有利に使用され得る。実際、疎水表面が血管閉塞物質と親和性があるおかげで、改質された外表面を有するバルーンは血管の閉塞をより良好に貫通して進むことができる。本発明のさらなる1つの実施形態によると、バルーンカテーテルは、高分子材料でできたバルーンを含み、バルーンの内表面は、光活性化反応を通じて疎水性部分の挿入により改質されている。このさらなる実施形態のあり得る利点は、製品保存期間中に生じ得るポリマー層間の望まれない接着を防止することである。このことは、このバルーンの折り目を遮断し貼り付ける接着がバルーンの初回膨張時に破れやピンホールによる不具合をもたらし得るので、重要な問題である。さらなる1つの実施形態によると、バルーンカテーテルは、薬物溶出バルーンすなわち、所与の介入部位で開放され得る活性物質、例えば治療薬を備えたバルーンを含み、その外表面は、少なくとも1つの活性物質をバルーン外表面の少なくとも一部分に適切に結合させるように、本発明による光活性化反応を通じて改質される。活性物質は、改質された表面に直接結合され得るか、あるいは活性物質は、該活性物質を結合または封入するのに適した架橋物質により、改質された表面に結合され得る。適切な活性物質は、抗増殖、抗炎症、消炎、抗過形成、抗悪性腫瘍、抗有糸分裂、細胞増殖抑制、細胞障害性、血管新生抑制、抗再狭窄、微小管阻害、移動抑制antimigrativeまたは抗血栓活性物質である。抗増殖、抗炎症、消炎、抗過形成、抗悪性腫瘍、抗有糸分裂、細胞増殖抑制、細胞障害性、血管新生抑制、抗再狭窄、微小管阻害、移動抑制antimigrativeまたは抗血栓活性物質の例は、アブシキシマブ、アセメタシン、アセチルビスミオンB、アクラルビシン、アデメチオニン、アドリアマイシン、アエシン、アフロモソンafromoson、アカゲリン、アルデスロイキン、アミドロンamidorone、アミノグルテテミドaminoglutethemide、アムサクリン、アナキンラ、アナストロゾール、アネモニン、アノプテリン、抗真菌剤、抗血栓剤、アポシマリンapocymarin、アルガトロバン、アリストラクタム-AII、アリストロキア酸、三酸化ヒ素および他のヒ素含有化合物、アスコマイシン、アスパラギナーゼ、アスピリン、アトルバスタチン、オーラノフィン、アザチオプリン、アジスロマイシン、バッカチンbaccatine、バフィロマイシン、バシリキシマブ、ベンダムスチン、ベンゾカイン、ベルベリン、ベツリン、ベツリン酸、ビロボール、ビオリムス、ビスパルテノリジンbisparthenolidine、ブレオマイシン、ボムブレスタチンbombrestatin、ボスウェル酸とそれらの誘導体、ブルセアノールbruceanoleA、BおよびC、ブリオフィリンA、ブスルファン、抗トロンビン、ビバリルジン、カドヘリン、カンプトテシン、カペシタビン、o-カルバモイルフェノキシ酢酸、カルボプラチン、カルムスチン、セレコキシブ、セファランチン、セリバスタチン、CETP阻害剤、クロランブシル、リン酸クロロキン、シクトキシンcictoxin、シプロフロキサシン、シスプラチン、クラドリビン、クラリスロマイシン、コルヒチン、コンカマイシン、クマジン、C型ナトリウム利尿ペプチドCNP、クドライソフラボンcudraisoflavoneA、クルクミン、シクロホスファミド、シクロスポリンA、シタラビン、ダカルバジン、ダクリズマブ、ダクチノマイシン、ダプソン、ダウノルビシン、ジクロフェナク、1,11-ジメトキシカンチン-6-オン、ドセタキセル、ドキソルビシン、ズナマイシン、エピルビシン、エポチロンAおよびB、エリスロマイシン、エストラムスチン、エトポシド、エベロリムス、フィルグラスチム、フルロブラスチンfluroblastin、フルバスタチン、フルダラビン、フルダラビン-5-リン酸二水素、フルオロウラシル、ホリミシン、ホスフェストロール、ゲムシタビン、グハラキノシド、ギンコール、ギンコール酸、グリコシド1a、4-ヒドロキシオキシシクロホスファミド、イダルビシン、イホスファミド、ジョサマイシン、ラパコール、ロムスチン、ロバスタチン、メルファラン、ミデカマイシン、ミトキサントロン、ニムスチン、ピバスタチン、プラバスタチン、プロカルバジン、マイトマイシン、メトトレキサート、メルカプトプリン、チオグアニン、オキサリプラチン、ビスマスおよびビスマス化合物またはキレート、イリノテカン、トポテカン、ヒドロキシカルバミド、ミルテホシン、ペントスタチンpentostatine、ペガスパルガーゼ、エキセメスタン、レトロゾール、ホルメスタン、SMC増殖阻害剤-2ω、ミトキサントロン、ミコフェノール酸モフェチル、c-mycアンチセンス、bmycアンチセンス、β-ラパコン、ポドフィロトキシン、ポドフィル酸2-エチルヒドラジド、モルグラモスチムrhuGMCSF、ペグインターフェロンα-2b、ラノグラスチムlanograstimrHuGCSF、マクロゴール、セレクチンサイトカインcytokinアンタゴニスト、サイトカインcytokin阻害剤、COX-2阻害剤、NFkB、アンギオペプチン、筋肉の細胞増殖を阻害するモノクローナル抗体、bFGFアンタゴニスト、プロブコール、プロスタグランジン、1-ヒドロキシ-11-メトキシカンチン-6-オン、スコポレチン、NOドナー、四硝酸ペンタエリスリトール、シンドノイミンsyndnoimine、S-ニトロソ誘導体、タモキシフェン、スタウロスポリン、β-エストラジオール、α-エストラジオール、エストリオール、エストロン、エチニルエストラジオール、メドロキシプロゲステロン、エストラジオールシピオナート、エストラジオールベンゾエート、トラニラスト、カメバカウリンおよび癌治療に使用される他のテルペノイド、ベラパミル、チロシンキナーゼ阻害剤チロホスチン、パクリタキセル、パクリタキセル誘導体、6-α-ヒドロキシパクリタキセル、2-スクシニルパクリタキセル、2-スクシニルパクリタキセルトリエタノールアミン、2-グルタリルパクリタキセル、2-グルタリルパクリタキセルトリエタノールアミン、パクリタキセルのN-ジメチルアミノエチルグルタミドとの2-O-エステル、パクリタキセルのN-ジメチルアミノエチルグルタミドヒドロクロリドとの2-O-エステル、タキソテール、亜酸化炭素MCS、亜酸化炭素の大環状オリゴマー、モフェブタゾン、ロナゾラク、リドカイン、ケトプロフェン、メフェナム酸、ピロキシカム、メロキシカム、ペニシラミン、ヒドロキシクロロキン、金チオリンゴ酸ナトリウム、オキサセプロール、β-シトステリン、ミルテカイン、ポリドカノール、ノニバミド、レボメントール、エリプチシン、D24851Calbiochem、コルセミド、サイトカラシンA~E、インダノシン、ノコダゾール、S100タンパク質、バシトラシン、ビトロネクチン受容体アンタゴニスト、アゼラスチン、金属プロテイナーゼ1および2のグアニジルシクラーゼ刺激因子組織阻害剤、遊離核酸、ウイルス伝達物質、DNAおよびRNA断片に組み込まれた核酸、プラスミノーゲン活性化因子阻害剤-1、プラスミノーゲン活性化因子阻害剤-2、アンチセンスオリゴヌクレオチド、VEGF阻害剤、IGF1、セファドロキシル、セファゾリン、セファクロル、セフォチキシン、トブラマイシン、ゲンタマイシン、ジクロキサシリン、オキサシリンなどのペニシリン、スルホンアミド、メトロニダゾールなどの抗生物質、エノキソパリンenoxoparin、脱硫酸およびN-再アセチル化ヘパリン、組織プラスミノーゲン活性化因子、GpIIb/IIIa血小板膜受容体、ファクターXa阻害剤抗体、ヘパリン、ヒルジン、r-ヒルジン、PPACK、プロタミン、プロウロキナーゼ、ストレプトキナーゼ、ワルファリン、ウロキナーゼ、ジピラミドールdipyramidol、トラピジル、ニトロプルシドなどの血管拡張剤、トリアゾロピリミジンおよびセラミンなどのPDGFアンタゴニスト、カプトプリル、シラザプリル、リシノプリル、エナラプリル、ロサルタンなどのACE阻害剤、チオプロテアーゼthioprotease阻害剤、プロスタサイクリン、バピプロスト、インターフェロンa、βおよびγ、ヒスタミンアンタゴニスト、セロトニンブロッカー、アポトーシス阻害剤、p65、NF-kBまたはBcl-xLアンチセンスオリゴヌクレオチドなどのアポトーシス調節因子、ハロフジノン、ニフェジピン、トコフェロールトラニラスト、モルシドミン、茶ポリフェノール、エピカテキンガラート、エピガロカテキンガラート、レフルノミド、エタネルセプト、スルファサラジン、エトポシド、ジクロキサシリン、テトラサイクリン、トリアムシノロン、ムタマイシン、プロカイニミドprocainimide、レチノイン酸、キニジン、ジソピラミド、フレカイニド、プロパフェノン、ソトロールsotolol、イノトジオール、マキロシドmaquirosideA、グハラキノシド、マンソニンmansonine、ストレブロシド、ヒドロコルチゾン、ベタメタゾン、デキサメタゾンなどの天然および合成ステロイド、フェノポルフェンfenoporfen、イブプロフェン、インドメタシン、ナプロキセン、フェニルブタゾンなどの非ステロイド物質NSAIDおよび他のアシクロビル、ガンシクロビルおよびジドブジンなどの抗ウイルス剤、クロトリマゾール、フルシトシン、グリセオフルビン、ケトコナゾール、ミコナゾール、ニスタチン、テルビナフィン、クロロキン、メフロキン、キニーネなどのアンチプロゾアールantiprozoal剤、さらにヒポカエスクリンhippocaesculin、バリングトゲノール-C21-アンゲラート、14-デヒドロアグロスチスタチンdehydroagrostistachin、アグロスケリンagroskerin、アグロスチスタチンagrostistachin、17-ヒドロヒドロキシアグロスチスタチンhydroxyagrostistachin、オバトジオリド、4,7-オキシシクロアニソメルoxycycloanisomelic酸、バッカリノイドB1、B2、B3およびB7、ツベイモシド、ブルセアンチノシドC、ヤダンジオシドyadanziosideNおよびP、イソデオキシエレファントピン、トメンファトピンtomenphantopinAおよびB、コロナリンA、B、CおよびD、ウルソル酸、ヒプタチン酸A、イソイリドゲルマナール、メイテンホリオール、エフサンチンeffusantinA、エクスシサニンAおよびB、ロンギカウリンB、スクルポネアチンC、カメバウニンkamebaunin、ロイカメニンAおよびB、13,18-デヒドロ-6-α-セネシオイルオキシカパリン、タキサマイリンAおよびB、レゲニロールregenilol、トリプトリド、シマリン、ヒドロキシアノプテリン、プロトアネモニン、塩化ケリブリンcheliburin、シノコクリンAおよびB、ジヒドロニチジン、ニチジンクロリド、12-β-ヒドロキシプレグナジエンhydroxypregnadien-3,20-ジオン、ヘレナリン、インジシン、インジシン-N-オキシド、ラシオカルピン、イノトジオール、ポドフィロトキシン、ジュスチシジンAおよびB、ラレアチンlarreatin、マロテリンmalloterin、マロトクロマノール、イソブチリルマロトクロマノール、マキノリシドmaquirosideA、マルカンチンA、マイタンシン、リコリジシンlycoridicin、マルゲチンmargetine、パンクラチスタチン、リリオデニン、ビスパルテノリジンbisparthenolidine、オキソウシンスニン、ペリプロコシドA、ウルソル酸、デオキシプソロスペルミンdeoxypsorospermin、サイコルビンpsycorubin、リシンA、サンギナリン、マヌコムギ酸、メチルソルビフォリンmethylsorbifolin、スファテリアクロメンsphatheliachromen、スチゾフィリン、マンソニンmansonine、ストレブロシド、ジヒドロウサンバレンシンdihydrousambaraensine、ヒドロキシウサンバリンhydroxyusambarine、ストリクノペンタミン、ストリクノフィリン、ウサンバリン、ウサンバレンシン、リリオデニン、オキソウシンスニン、ダフノレチン、ラリシレシノール、メトキシラリシレシノール、シリンガレシノール、シロリムスラパマイシン、ラパマイシンとヒ素若しくはヒ素化合物若しくはヒ素含有複合体との併用、ソマトスタチン、タクロリムス、ロキシスロマイシン、トロレアンドマイシン、シンバスタチン、ロスバスタチン、ビンブラスチン、ビンクリスチン、ビンデシン、サリドマイド、テニポシド、ビノレルビン、トロホスファミド、トレオスルファン、トレモゾロミドtremozolomide、チオテパ、トレチノイン、スピラマイシン、ウンベリフェロン、デスアセチルビスミオンA、ビスミオンAおよびB、ゼオリン、ファスジルなどの天然テルペノイドの群からの活性物質である。カテーテルバルーンに適用され得る好ましい活性物質は、パクリタキセルおよび他のタキサン類、ラパマイシンおよび他のmTOR哺乳動物のラパマイシン標的阻害剤、メトトレキシックmethotrexic酸、ヒ素またはヒ素化合物、ビスマス若しくはビスマス化合物またはサリドマイドである。本明細書および特許請求の範囲では、親水性と疎水性hydrophobocityは、それぞれ、所与の分子または化合物の水との高親和性および低親和性を指す。これらの特性は一般に、本明細書の実験セクションによりよく説明されるように、接触角θを測定することで評価される。湿潤性は、固体が湿潤する程度を定義し、液体と固体間の分子の相互作用による液体分子同士の凝集力および接着力により決定される。典型的には、範囲限界は次のとおりである:1固/液相互作用S/Lが強く液/液相互作用L/Lが弱い場合、湿潤性は完全であり接触角θ=0°である湿潤性は完全なので最大の親水性である;2固/液相互作用S/Lが弱く液/液相互作用L/Lが弱い場合、湿潤性は中程度であり接触角θ=90°である:3固/液相互作用S/Lが弱く液/液相互作用L/Lが強い場合、湿潤性はなく接触角θ=180°である湿潤性がないので最大の疎水性である。例えば、PA12の接触角θは約85°なので、この角度値を増加させる表面改質ではPA12材料をより疎水性にするが、この角度値を低下させる表面改質ではPA12材料をより親水性にする。親水基の例は、-OH、-COOH、-SO3、-PO4、-NH2、-NH4、PEGポリエチレングリコール、PEOポリエチレンオキシドである。疎水基の例は、脂肪族炭素鎖、例えば、一般的には炭化水素鎖、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリオレフィン、または芳香族、例えば、キシレン、ポリスチレン、アクリロニトリルブタジエンスチレンまたは式CF2nCF3式中、n=1~70のフッ化ポリマー、例えばポリテトラフルオロエチレンPTFEである。本発明は医療機器を調製する特定の用途を見出すので、生体高分子は、バルーンカテーテルの作製に特に適した高分子材料である。以下の開示においては、生体適合性高分子材料または生体高分子は、体表面または組織および特に血液と接触しても組織刺激または凝血若しくは血栓の形成を引き起こすことなく適切に留置され得るような材料を包含することを意図する。親水表面は実際に、血液の巨大分子および血球の吸収を減速することが実証されている。好ましくは、本発明に適した高分子材料は、C-HまたはC-X官能基を含み、ここでXはヘテロ原子である。好ましくは、Xは窒素、酸素、硫黄、亜リン酸、ホウ素、塩素、臭素およびヨウ素を含む群から選択される。本発明に適した特に好ましい生体適合性ポリマーは、例えば、化合物と調製方法に関しその内容を参照によりここに組み込む国際公開第2005/037337号に記載されているような一般式:HnOHのポリアミド、ポリエステル-ポリアミドコポリマー、ポリアミド系コポリマー式中、PAはポリアミドセグメントであり、PFはOH末端基ダイマー二量体ジオールポリエステルを含むジオールセグメントであり、nは5~20の間であるを含み、または高分子材料は、化合物と調製方法に関しその内容を参照によりここに組み込む国際公開第2007/132485号に記載されているような以下の式1のアミノカルボン酸および以下の式2のラクタムを含む群において選択される、ブロック化合物を形成するポリアミドを以下の式3のポリエーテルジアミントリブロックと以下の式4のジカルボン酸と重合化させて得られるエラストマーであり得る:式中、R1、R2およびR3はそれぞれその中に炭化水素鎖を含む連結基であり、1以上のアミド基により中断され得、R1とR2は独立して2~20個の炭素原子を有するアルキレン基とアミド結合を含み、R3は1~20個の炭素原子を有するアルキレン基を含み、xは1~20、好ましくは1~18、より好ましくは1~16に変化し得、yは4~50、好ましくは5~45、より好ましくは8~30に変化し得、zは1~20、好ましくは1~18、より好ましくは1~12に変化し得、mは0または1である。本発明に適した特に好ましいポリマーはポリアミドであり、より具体的には、ポリアミドPA12とPEBAX登録商標の商標名で販売されているポリエーテルブロックアミドコポリマーである。本発明によると、ポリマー表面の改質は、材料表面の湿潤特性を改質することができる部分を挿入して得られる。図1に示すように、紫外線下におけるR基を有する置換芳香族アジドは極めて反応性の高い中間体フェニルニトレンを産生する。その後、ニトレン遊離基はC-H結合を有する基質から水素を取って2つの遊離基部分を生じ、次いでそれらは結合する。結果として、アジド分子が基質に挿入される。本発明の1つの実施形態によると、バルーンカテーテルの高分子バルーン表面は、式:式中、R1は互いに独立してHまたはFであり;R2はH、F、Z基から選択され、該Z基は-CONH-Ra、-SO2NH-Raおよび-PO2NH-Raから選択され、式中Raは、所望により、1以上の-OH、-COOH、-SO3、-PO4、-NH2、-NH4などのような極性官能基または-CF2m-CF3ペルフルオロアルキル基式中mは1~70で置換されたC1-C4直鎖または分岐飽和アルキル鎖であるか;またはRaは-CHRCH2On-X式中nは1~70であり、RはHまたは-CH3であり、XはH、飽和分岐若しくは直鎖C1-C4アルキル鎖または-CH2p-O-CH2q-W基式中WはH、-CH3または-NH2であり、pとqは独立して1~30であるから選択されるであるか;またはRaはC1-C70直鎖若しくは分岐飽和アルキル鎖または芳香族化合物であり;R3は-NO2または上記定義のZ基から選択されるの当該表面基への共有結合により親水性または少なくとも以前よりも高い親水性を与えられる。直鎖または分岐飽和アルキル鎖であるRaについては、炭化水素鎖、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリオレフィンを含む群より選択され得るが、Raが芳香族基である場合はキシレン、ポリスチレンおよびアクリロニトリルブタジエンスチレンを含む群内で選択され得る。好ましいペルフルオロアルキルRa基は、-CF2nCF3式中nは1~70かまたはポリテトラフルオロエチレンであるである。本発明の1つの好ましい実施形態について、N-トリスヒドロキシメチル-4-アジドベンゼンスルホニルアミド、N-2-ヒドロキシエチル-4-アジドベンズアミド、N-2-ヒドロキシエチル-4-アジドベンゼンスルホニルアミド、N-JEFFAMINEM-600-4-アジドベンズアミド、4-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-3-ヒドロキシプロピルベンズアミド、4-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-ヘプタデカフルオロウンデシルベンズアミド、2-ニトロ-5-アジドベンゾイルグリシン、N-4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-ヘプタデカフルオロウンデシル5-アジド-2-ニトロベンゾエート、N-トリスヒドロキシメチル-5-アジド-2-ニトロベンゾエート、N-ドデカエチレングリコールモノメチルエーテル-5-アジド-2-ニトロベンゾエートおよびN-ヘキサデシル-5-アジド-2-ニトロベンゾエートがバルーン高分子材料の表面処理に使用されている。JEFFAMINEはポリオキシアルキレンポリアミンの登録商標である。JEFFAMINEM600ポリエーテルアミンは分子量600のポリプロピレングリコールモノアミンであり、他端にメトキシエチル末端基を有し、酸化プロピレン/エチレンオキシドPO/EOモル比は9/1である。当該化合物の調製については以下の実施例セクションで詳述する。しかし、パラ置換R基の組成物を変えることにより、上述の親水基の代わりに、適切な疎水性部分が上述のようにバルーンカテーテルのバルーン表面に導入される。バルーンの内表面を本発明の方法により変更する必要がある場合は、出願人は、バルーンの内表面に対しても光活性化反応が成功裏に実施され得ることを見出している。この目的のために、処理する高分子材料並びに放射線吸収が生じないように紫外線源の波長を選択する必要がある。上述のアジド化合物の光活性化波長は、通常バルーンカテーテルに使用される材料の吸収波長に干渉しないことが見出されている。本発明の1つの実施形態によると、パラ置換アリールアジド化合物のメタノール若しくはエタノール若しくはアセトン溶液またはアセトニトリル若しくはクロロホルム溶液が調製され、処理するバルーン内表面を当該溶液と接触させる。典型的には、バルーン作製プロセスの最後にバルーンをカテーテルシャフト上に配置して連結する前に、バルーン内すなわちバルーン内腔を通して溶液を流す。次いで処理後の表面をパラ置換アリールアジドを光活性化することができる適切な波長の光線により活性化し、照射は適切な時間にわたり実施される。好ましくは、所与のパラ置換アリールアジドの光線波長は、その特定のパラ置換アリールアジドの最大波長に実質的に対応する波長として選択される。典型的には、光線波長は約200nm~約600nmで構成される。好ましくは、光線波長は約250nm~約350nmで構成され、より好ましくは約230nm~約300nmで構成される。光活性化反応は暗所において室温すなわち約25°Cで実施され、反応時間は典型的には0.5~1時間からなる。出願人はまた、光活性化反応は、アジド化合物溶液をバルーン内に継続的に流すことによっても生じ得ることを見出した。この態様は、バッチプロセスに典型的な、具体的には時間とコスト削減の点、並びに処理表面の均一性と均質性の点におけるあらゆる欠点が継続的なプロセスにより回避されるので、特に有利である。光反応処理前、バルーン内表面の全ての不純物を除去するために内表面を好ましくは洗浄する。典型的には、光反応が生じた後、バルーン内表面を非結合分子が全て除去されるまで再度洗浄する。洗浄溶液の監視は通常UVにより実施される。上述したように、バルーンの内表面を改質する場合は、照射紫外線がバルーンの高分子材料を貫通して、活性化プロセスが生じるバルーン内表面に到達することが必要である。従って、バルーンの高分子材料は使用される特定のUV照射光に対し透過性でなければならない。好ましくは、光線波長は可視スペクトルに含まれ、使用される活性化分子に応じて選択される。本発明の1つの実施形態によると、置換アリールアジド化合物の最大吸収波長が使用される。例えば、254nmの波長が有利に使用され得るが、これはバルーン作製に典型的に使用される高分子材料がこの波長に透過性を有するからである。本発明により処理されるバルーン表面の改質並びに当該表面の湿潤特性の改質の程度は、以下の実施例に記載するように、Wilhelmy法を用いて動的接触角DCAを測定することにより評価されている。上記開示のように、バルーンカテーテルのバルーン外表面は、親水または疎水特性を付与するために、並びに任意の適当な活性物質を結合させるために改質され得る。バルーン外表面を改質するために、あらゆる既知の技法、例えば浸漬、噴霧、分注、ブラッシングなどによりアジド化合物溶液をバルーン表面に適用してよい。また、バルーン外表面を改質するために、光反応処理前に、表面から全ての不純物を除去するためにバルーン外表面を好ましくは洗浄する。典型的には、光反応が生じた後、バルーン外表面を非結合分子が全て除去されるまで再度洗浄する。実施例1N-トリスヒドロキシメチル-4-アジドベンゼンスルホニルアミドの調製表題化合物の調製の第1ステップは、GAWieseeJWJonesPreparationofTrissulfanilamidomethaneJournaloftheAmericanPharmaceuticalAssociationSEVolume37Issue9380383の開示に従った。二口フラスコ内で、2モルの2-アミノ-2ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオールトリスを最小量の水に溶解させた。次いで、1モルのアセトアミドベンゼンスルホニルクロリドを加えた。反応を約30分70°Cで放置し、t-ブタノール-エチルアセテート2:8を溶出剤とする薄層クロマトグラフィーTLCにより反応をチェックした。置換アミドをモル比1/1.4で4~6NのHCl溶液と共に用いて、70~80°Cで還流下約5時間かけて処理した。反応は、出発化合物が消失するまで、t-ブタノール-エチルアセテート2:8を溶出剤としてTLCでチェックした。次いで溶媒を黄色っぽいゲルが得られるまで蒸発させた。ゲルをトリスクロリドレートchloridrateを除く最小量のエタノールで処理して可溶化させた。次いで、完全に可溶化するまで水を加温し続け、その後クエンチして濾過した。アルコール溶液を、塩化アンモニアの白色沈殿物が得られるまで気体性アンモニアで処理した。次いで濾過ステップを実施し、濾過された混合物を冷蔵庫内に一晩置いた。N-トリスヒドロキシメチル-4-アミノベンゼンスルファニルアミドの白色沈殿物が得られ、これを濾過しエタノール-水9:1溶液を用いて再結晶させた。濾過し再結晶化させた沈殿物の融点は158°Cであった。この値は文献に記載の値約159~161°Cと一致した。表題化合物を次いでN-トリスヒドロキシメチル-4-アミノベンゼンスルファニルアミドをクロリド酸chlorideacid比率5:1水溶液中で可溶化させ、0°Cで氷浴中15分撹拌し調製した。次いで、亜硝酸ナトリウムを最小量の水中に溶解して得た溶液亜硝酸:アニリンの比率1:1を滴下して加え、温度を氷浴中-5/-10°にした。次いで、撹拌しながら反応を30分放置した。NaN3を最小量の水で可溶化させアジドナトリウム:アニリンのモル比1:3、次いでクエンチした。それを溶液に滴下して加え、撹拌しながら室温で1時間かけて反応させた。白色沈殿物が形成され、これを濾過し水性メタノール1:1溶液を用いて再結晶させた。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析融点、IR、H-NMR、C-NMRおよびUVに従い特徴決定した。濾過し再結晶した沈殿物の融点は125°Cであった。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3280cm-1、2110cm-1、2130cm-1、1590cm-1、1288cm-1、1054cm-1であった。表題化合物のH-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで3.43s,6H;4.2br,3H;6.92s,1H;7.252H,d;7.872H,dであった。表題化合物のC-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで60.8CH2;64.5,119.2CH;128.2CH;140.7;142.8であった。表題化合物のUVMeOHスペクトルの特徴的なピークは2084.06;2634.07;290sh,3.40であった。実施例2N-2-ヒドロキシエチル-4-アジドベンズアミドの調製この合成はHBrintzingerandHKoddebuschAmidundEsteramidBildungzwischencarbonsaurechloridenundMonoDiundTriathanolaminChemischeBerichte82201により開示されたプロセスの記載に従った。1モル量のp-ニトロベンゾイルクロリドを最小量のクロロホルムに溶解させ、当量モルのエタノールアミンをクロロホルムに溶解させたおよそ同体積。2種類の溶液を、フラスコ内室温で撹拌条件下、2mlのクロロホルム溶液に滴下して加えた。温度は氷浴を用いて40°C未満に維持した。4-ニトロ-N-2-ヒドロキシエチルベンズアミドの白色の結晶性固体が生成し収率90、圧力下で濾過して再結晶させた100酢酸エチル。濾過し再結晶した沈殿物の融点は123°Cであった。この値は文献に記載の値約123~125°Cと一致していた。次いで4-ニトロ-N-2-ヒドロキシエチルベンズアミドをエタノールに可溶化させ、触媒としてPd/Cを加えたPd/C:4-ニトロ-N-2-ヒドロキシエチルベンズアミドの重量比1:5。水素化Erlenmeyerフラスコの底に触媒を配置し、次いで4-ニトロ-N-2-ヒドロキシエチルベンズアミドと25mlのエタノールを加えた。混合物を撹拌し水素添加器に接続した。水素を撹拌条件下および大気圧下でアルコール溶液中に流した。水素化を水素の消費後にチェックした。水素化終了時に濾過紙上で濾過を行い、溶媒を回転エバポレーターにより除去した。冷却により結晶化した油性の残渣が得られた。100酢酸エチル中で結晶化した白色固体が得られた。4-アミノ-N-2-ヒドロキシエチルベンズアミドの白色結晶性固体が得られた。濾過し再結晶した沈殿物の融点は119°Cであった。この値は文献に記載の値と一致していた約:119~120°C。次いで4-アミノ-N-2-ヒドロキシエチル-ベンズアミドを塩化物酸chloridicacidの水溶液に可溶化し比率5:1、氷浴中0°Cで15分撹拌して表題化合物を得た。次いで、亜硝酸ナトリウムを最小量の水に溶解して得た溶液亜硝酸:アニリンの比率1:1を滴下して加え、氷浴中で-5/-10°Cの温度にした。次いで、撹拌しながら30分かけて反応させた。NaN3を最小量の水に可溶化させてからアジドナトリウム:アニリンのモル比1:3クエンチした。次いでこれを滴下して溶液に加え、撹拌しながら室温で1時間かけて反応させた。白色沈殿物が生成し、これを濾過して水性メタノール1:1溶液を用いて再結晶させた。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析融点、IR、H-NMR、C-NMRおよびUVに従い特徴決定した。濾過し再結晶した沈殿物の融点は97~98°Cであった。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3305cm-1、2132cm-1、2110cm-1、1634cm-1、1284cm-1、1058cm-1であった。表題化合物のH-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで3.30q,2H;3.50q,2H;7.2d,2H;7.9d,2H;8.45tであった。表題化合物のC-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで42.2CH2;59.7CH2;118.8CH;129.1CH;131.1;142.1;165.3であった。表題化合物のUVMeOHスペクトルの特徴的なピークは2114.23;2684.27;290sh,378であった。実施例3N-2-ヒドロキシエチル-4-アジドベンゼンスルホニルアミドの調製この合成は、MLCrossleyEHNortheyMEHultquistSulfanilamideDerivativesVISubstitutedNAliphaticSulfaniamidesJAmChemSoc62pp532534に開示されるプロセスの記載に従い、いくつか変形を加えた。1モルのp-ニトロベンゼンスルホニルクロリドを最小量のクロロホルムに可溶化させ、当量モルのエタノールアミンをクロロホルムに溶解させたおよそ同体積。2種類の溶液をフラスコ内で撹拌条件下および室温下で滴下して2mlのクロロホルム溶液に加えた。温度は氷浴中40°C未満に維持した。N-2-ヒドロキシエチル-4-ニトロベンゼンスルホンアミドの赤色結晶性固体が生成し収率68圧力下で濾過して再結晶させた100酢酸エチル。濾過し再結晶した沈殿物の融点は127°Cであった。この値は文献に記載の値と一致していた約126~127°C。1モルのN-2-ヒドロキシエチル-4-ニトロベンゼンスルホンアミドをErlenmeyerフラスコ内でエタノールに溶解させ、Pd/Cを触媒として加えたN-2-ヒドロキシエチル-4-ニトロベンゼンスルホンアミド:Pd/Cの重量比5:1。次いで、Erlenmeyerフラスコの底に触媒を配置してからN-2-ヒドロキシエチル-4-ニトロベンゼンスルホンアミドと25mlのエタノールを加えた。混合物を撹拌して水素添加器に接続した。撹拌条件下および大気圧下で水素をアルコール溶液内に流した。水素が消費された後水素化をチェックした。水素化終了時に濾過紙上で濾過を行い、溶媒を回転エバポレーターにより除去した。冷却により結晶化した油性の残渣が得られた。100酢酸エチル中で結晶化した黄茶色の固体が得られた。N-2-ヒドロキシエチル-4-アミノベンゼンスルホンアミドの黄茶色の固体が得られた。濾過し再結晶した沈殿物の融点は95°Cであった。この値は文献に記載の値と一致していた約95~97°C。N-2-ヒドロキシエチル-4-アミノベンゼンスルホンアミドを塩化物酸chloridicacidの水溶液に可溶化し比率5:1、氷浴中0°Cで15分撹拌して表題化合物を調製した。次いで、亜硝酸ナトリウムを最小量の水に溶解して得た溶液亜硝酸:アニリンの比率1:1を滴下して加え、氷浴中で-5/-10°Cの温度にした。次いで、撹拌しながら30分かけて反応させた。NaN3を最小量の水に可溶化させてからアジド:アニリンのモル比1:3クエンチした。次いでこれを滴下して溶液に加え、撹拌しながら室温で1時間かけて反応させた。白色沈殿物が生成し、これを濾過して水性メタノール1:1溶液を用いて再結晶させた。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析融点、IR、H-NMR、C-NMRおよびUVに従い特徴決定した。濾過し再結晶した沈殿物の融点は57~58°Cであった。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3445cm-1、2134cm-1、2115cm-1、1588cm-1、1301cm-1、1160cm-1であった。表題化合物のH-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで2.77q,2H;3.36t,2H;4.8br,1H;7.328d,2H;7.64t、1H;7.47d,2Hであった。表題化合物のC-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで45.0CH2;59.8CH2;119.7CH2;128.5CH2;136.8;143.5であった。表題化合物のUVMeOHスペクトルの特徴的なピークは2104.30;2634.40;290sh,2.45であった。実施例4N-JEFFAMINEM-6004-アジドベンズアミドの調製p-ニトロベンゾイルクロリドを最小量のクロロホルムに溶解させ、式:の当量モルのJEFFAMINEM600をクロロホルムに溶解させた。2種類の溶液を滴下して2mlのクロロホルム溶液にフラスコ内で撹拌条件下および室温下で加えた。24時間かけて反応させ、反応は、反応混合物内にp-ニトロベンゾイルクロリドが検出されなくなるまで100酢酸エチル中TLCでチェックした。溶媒を回転エバポレーターにより蒸発させ、黄色っぽいシロップ状の油を得た。TLC酢酸エチル/シクロエサンcycloesane8/2により、図2に示すように4種類の反応生成物が検出され、ライン1はp-ニトロベンゾイルクロリドに対応し、ライン2は反応生成物に対応する。反応生成物はフラッシュクロマトグラフィー後、茶色い油として直接ケイ素ゲルに充填した。クロマトグラフィーカラム:油を最小量のシクロエサンcycloesaneに可溶化させ、カラム内に入れた。第1溶出化合物RfTLC:0.87はエチル-4-ニトロベンゾエートの白色結晶性固体であり、その他の3種類の溶出産生物は全てN-JEFFAMINEM-600-4-ニトロベンズアミドである。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析IR、H-NMR、C-NMRに従い特徴決定した。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3325cm-1、2975cm-1、1653cm-1、1602cm-1、1527cm-1、1346cm-1、1107cm-1であった。表題化合物のH-NMRCDCl3スペクトルの特徴的なピークは300MHzで1.1m,約21H;3.3s,3H;3.3、3.7m,約22H;8.0m,2H;8.23d,2Hであった。表題化合物のC-NMRCDCl3スペクトルの特徴的なピークは300MHzで約176CH3;59.0CH3;71.5,73.45CH2;74.7、75.35CH;123.3,123.4CH;18.43CH;140.42C;149.3;164.5;164.8であった。N-JEFFAMINEM-600-4-ニトロベンズアミドをエタノールに可溶化させ、Pd/Cを触媒として加えたN-JEFFAMINEM-600-4-ニトロベンズアミド:Pd/Cの重量比5:1。次いでErlenmeyerフラスコの底に触媒を配置してから、N-JEFFAMINEM-600-4-ニトロベンズアミドと25mlのエタノール。混合物を撹拌して水素添加器に接続した。水素を撹拌条件下および大気圧下でアルコール溶液中に流した。水素化を水素の消費後にチェックした。水素化終了時に濾過紙上で濾過を行い、溶媒を回転エバポレーターにより除去した。黄茶色の油が得られた。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析IR、H-NMRに従い特徴決定した。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3355cm-1,2972cm-1,1634cm-1,1608cm-1,1506cm-1,1105cm-1であった。表題化合物のH-NMRCDCl3スペクトルの特徴的なピークは300MHzで1.15,1.25約30H,m;3.45s,3H;3.3、3.8約36H,m;6.82m,2H;7.70m,2Hであった。次いで、N-JEFFAMINEM-600-4-アミノベンズアミドを塩化物酸chloridicacidの水溶液に可溶化し比率5:1、氷浴中0°Cで15分撹拌して表題化合物を得た。次いで、亜硝酸ナトリウムを最小量の水に溶解して得た溶液亜硝酸:アニリンの比率1:1を滴下して加え、氷浴中で-5/-10°Cの温度にした。次いで、撹拌しながら30分かけて反応させた。NaN3を最小量の水に可溶化させてからアジドナトリウム:アニリンのモル比1:3クエンチした。次いでこれを滴下して溶液に加え、撹拌しながら室温で1時間かけて反応させた。クロロホルムを加えることにより2つの相が生成された黄色っぽい油が得られた。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析IR、H-NMR、C-NMRに従い特徴決定した。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3350cm-1、2972cm-1、2123cm-1、1654cm-1、1688cm-1、1604cm-1、1499cm-1、1275cm-1、1109cm-1であった。表題化合物のH-NMRCDCl3スペクトルの特徴的なピークは300MHzで1.15m,21H;3.4s,3H;3.4、3.7m,23H;7.4d,2H;7.8、7.9m,2Hであった。表題化合物のC-NMRCDCl3スペクトルの特徴的なピークは300MHzで176CH3;58.9CH3;725CH;744CH2;118.7CH;1282CH;131.3,142.9,165.52Cであった。実施例54-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-3-ヒドロキシプロピルベンズアミドの調製この合成は、FacileUVPatterningofRobustCarbonNanotubeForestsUsingPerfluoroarylazidesSJPastineDOkawaBKesslerMRolandiMLlorenteAZettlandJMJFrechetJAMCHEMSOC200813042384239に開示されるプロセスの記載に従った。二口フラスコにスクシンイミジル-4-アジドテトラフルオロベンゾエート204mg、0.614mmol、1.0当量および2mLのCH2Cl2を入れた。得られた溶液にプロポノールアミンproponolamine60μL、0.737mmol、1.2当量をシリンジを介して加えた。2時間後、反応をCH2Cl2で希釈し、水2回、ブラインで洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、真空内で濃縮してオフホワイト/ピンク色っぽい固体を定量的な収率、すなわち収率約100で得た。化合物をフラッシュクロマトグラフィーヘキサン/酢酸エチル=1:2によりさらに精製し白色固体を得てもよい。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析融点、IR、H-NMR、UVに従い特徴決定した。化合物の融点は95°C~100°Cであった。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3276cm-1;2133cm-1;1656cm-1であった。表題化合物のH-NMRCDCl3スペクトルの特徴的なピークは300MHzで6.6NH;3.8CH2OH;3.6CH2NH;2.9OH;1.9CH2であった。表題化合物のUVMeOHスペクトルの特徴的なピークは256nmであった。実施例64-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-ヘプタデカフルオロウンデシルベンズアミドの調製この合成は、FacileUVPatterningofRobustCarbonNanotubeForestsUsingPerfluoroarylazidesSJPastineDOkawaBKesslerMRolandiMLlorenteAZettlandJMJFrechetJAMCHEMSOC200813042384239に開示されるプロセスの記載に従った。二口フラスコにスクシンイミジル-4-アジドテトラフルオロベンゾエート100mg、0.300mmol、1.0当量、2mLのCH2Cl2および2mLの酢酸エチルを入れた。得られた溶液に4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-ヘプタデカフルオロウンデシルアミン150mg、0.314mmol、1.05当量をシリンジを介して加えた。4時間後、フラッシュクロマトグラフィーヘキサン:酢酸エチル=2:1の後1:1後に反応懸濁物を白色固体として直接ケイ素ゲルに充填した。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析融点、IR、H-NMR、UVに従い特徴決定した。得られた固体の融点は、100°C~102°Cであった。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは2127cm-1;1654cm-1;1147cm-1であった。表題化合物のH-NMRCDCl3スペクトルの特徴的なピークは300MHzで6.1NH;3.55CH2NH;2.20CH2CF27;1.95CH2-CH2-CH2であった。表題化合物のUVMeOHスペクトルの特徴的なピークは256nmであった。実施例72-ニトロ-5-アジドベンゾイルグリシンの調製この合成は、PhotoaffinityLabelingofPeptideHormoneBindingSitesREGalardyLCCraigJDJamiesonandMPPrintzTheJournalofBiologicalChemistryVol249No11PP251026181974に開示されるプロセスの記載に従った。70mlの水中2.5gの炭酸水素ナトリウムと1.1gのグリシンに、140mlのジオキサン中3.9gの4-アジド安息香酸のN-ヒドロキシスクシンイミドエステルを加えた。12時間後、混合物を40mlまで回転蒸発させ、氷冷し、濃塩酸で調製しpH2にした。全手順を暗所で行った。固体生成物を水から再結晶させた。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析融点、IR、H-NMR、C-NMRおよびUVに従い特徴決定した。濾過し再結晶した沈殿物の融点は189°C~195°Cであった。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3287cm-1;2102cm-1;1704cm-1;1644cm-1;1582cm-1であった。表題化合物のH-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで12.35OH;9.0NH;8.1、7.4、7.2芳香族H;3.9CH2であった。表題化合物のC-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで170、164C=O;145,143,134,126,120,118芳香族H;40CH2であった。表題化合物のUVMeOHスペクトルの特徴的なピークは307nmであった。実施例8N-4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-ヘプタデカフルオロウンデシル5-アジド-2-ニトロベンゾエートの調製二口フラスコに3mLの酢酸エチル中N-スクシンイミジル-5-アジド-2-ニトロベンゾエート100mgと4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-ヘプタデカフルオロウンデシルアミン180mgを入れた。溶液を暗所に置き一晩撹拌した。反応生成物をフラッシュクロマトグラフィー後ヘキサン:酢酸エチル=2:1白色固体として直接ケイ素ゲルに充填した。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析融点、IR、H-NMR、C-NMRおよびUVに従い特徴決定した。濾過し再結晶した沈殿物の融点は105~110°Cであった。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3260cm-1;2100cm-1;1640cm-1;1200cm-1;1100cm-1であった。表題化合物のH-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで8.75NH;8.1、7.4、7.25芳香族H;2.45,1.75脂肪族Hであった。表題化合物のC-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで165C=O;145,142,135,125,120,118芳香族C;40,30,20脂肪族Hであった。表題化合物のUVMeOHスペクトルの特徴的なピークは308nmであった。実施例9N-トリスヒドロキシメチル-5-アジド-2-ニトロベンゾエートの調製二口フラスコにN-スクシンイミジル-5-アジド-2-ニトロベンゾエート100mgと3.6mLのジオキサンを入れた。得られた溶液にトリスヒドロキシメチルアミノメタン1mLの水中80mgと200μLのTEA溶液をシリンジを介して加えた。溶液を暗所に置き一晩撹拌した。試料を回転エバポレーターと真空ポンプを用いて乾燥させた一晩。生成物は黄色結晶性固体であった。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析融点、IR、H-NMR、C-NMRおよびUVに従い特徴決定した。得られた生成物の融点は、125~130°Cであった。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3381cm-1;2124cm-1;1713cm-1;1583cm-1;1410cm-1であった。表題化合物のH-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで8.1NH;7.4,7.1,7.05芳香族H;3.75OH;2.25脂肪族Hであった。表題化合物のC-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで165C=O;145,140,135,127,125,120芳香族C;62C-OH;25,35,40脂肪族Cであった。表題化合物のUVMeOHスペクトルの特徴的なピークは308nmであった。実施例10N-ドデカエチレングリコールモノメチルエーテル-5-アジド-2-ニトロベンゾエートの調製二口フラスコにN-スクシンイミジル-5-アジド-2-ニトロベンゾエート100mg、5mLの酢酸エチルおよび200μLのトリエチルアミンを入れた。得られた溶液に酢酸エチル中メチル-PEG12-アミンThermoFisherScientific社から購入溶液5mL中183mgをシリンジを介して加えた。溶液を暗所に16時間置いた。溶液明るい黄色を10mLのブラインで2回抽出した。水相を10mLのCH2Cl2で抽出した3回。有機層を無水MgSO4で脱水し、濾過して回転エバポレーターで乾燥させた。生成物は暗い黄色の油である。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析融点、IR、H-NMR、C-NMRおよびUVに従い特徴決定した。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3200cm-1;2873cm-1;2121cm-1;1669cm-1;1104cm-1であった。表題化合物のH-NMRCDCl3スペクトルの特徴的なピークは300MHzで6.8NH;8.2,7.3,7.2芳香族H;3.65脂肪族H;3.3OCH3であった。表題化合物のC-NMRCDCl3スペクトルの特徴的なピークは300MHzで165C=O;146,142,135,127,120,119芳香族C;70脂肪族C;57OCH3であった。表題化合物のUVMeOHスペクトルの特徴的なピークは305nmであった。実施例11N-ヘキサデシル-5-アジド-2-ニトロベンゾエートの調製二口フラスコに50mLの酢酸エチルと30mLのジクロロメタン中N-スクシンイミジル-5-アジド-2-ニトロベンゾエート1gとヘキサデシルアミン0.791gを入れた。続いて撹拌条件下で200μLのトリエタノールアミンを加えた。溶液を暗所に置き一晩撹拌した。反応生成物をフラッシュクロマトグラフィー後ヘキサン:酢酸エチル=2:1白色固体として直接ケイ素ゲルに充填した。表題化合物を、例えばFoundationsofSpectroscopySDuckettandBGilbertOxfordUniversityPress2000に記載されている以下の解析融点、IR、H-NMR、UVに従い特徴決定した。反応生成物の融点は、94~100°Cであった。表題化合物のIRNaClスペクトルの特徴的なピークは3278.4cm-1;2122.2cm-1;1644.2cm-1であった。表題化合物のH-NMRDMSOスペクトルの特徴的なピークは300MHzで8.6NH;8.1,8.05,7.4,7.3,7.2芳香族H;3.2、0.8脂肪族Hであった。表題化合物のUVMeOHスペクトルの特徴的なピークは305nmであった。実施例12動的接触角DCAの決定典型的には、分子間の相互作用を測定する方法は、動的接触角DCA試験傾斜した基部を用いる前進および後退接触角である。接触角は、液滴について滴のプロファイルを解析しその頂点が3相ラインで開始する角度を測定することにより測定される。固体が0°~90°傾斜している場合、後退角は減少するが前進角は増加する。前進角と後退角の差は、接触角ヒステリシスである。しかし、目的は円筒状プロファイルすなわち血管形成術バルーンの動的接触角DCAを測定することなので、傾斜基部を用いる方法はこの試料タイプには使用できなかった。従って、この試料の動的接触角DCAはWilhelmy法により測定した。この方法によると、固体試料を電気天秤に設置し、既知の表面張力を有する液体の中に入れ、または該液体から引き出す。固体試料が液体に貫入する際に前進接触角を決定し、該試料を液体から引き出す際に後退接触角測定値を得る。Wilhelmy法は、例えばContactHysteresisonHeterogeneousSurface、MolecularMechanismsAssociatedwithAdhesionandContactAngleHysteresisofMonolayerSurface、DinamicContactAnglessandContactAngleHysteresisofPlasmaPolymers、ASystematicComparisonofContactAngleMethodsに開示されている。Wilhelmy法による動的接触角DCAの測定は、aプレート試料と、bバルーン試料の両方において実施して、バルーン試料幾何学的形状が複雑から得られた値をプレート試料幾何学的形状が単純から得られた値と比較できるようにした。実施例12aWilhelmy法によるプレート試料の動的接触角DCAの決定試験プロトコルを規定するために、最初に高分子プレートの動的接触角DCAを測定した。プレートはポリアミド12で作製し、寸法は以下の通りであった:幅W=25mm、長さL=30mm、厚みs=1.2mm。測定は、ForceTensiometerSigma700KSVInstrumentsInc社製を用いて実施した。プレートをメタノールとアセトンで洗浄し、それに続いて特定の芳香族アジド溶液に一晩浸漬した。プレートは3mm/分の速度で溶液に出し入れした。プレートを溶液中深さ17mmで浸漬した。5種類の異なる芳香族アジド以下表1のとおりを試験したが、PA12で作製した試料1つは一切芳香族アジドで処理しなかった対照試料:試料は全て波長254nmの紫外線を30分照射した。次いで照射した試料をメタノール、アセトンおよび水の溶液で洗浄した。15分かけて水分を切り、試料をForceTensiometerで試験した結果を表1に示す。PA12プレート対照試料を、アジド処理試料に実施した全ステップに供した。唯一の違いは、PA12プレートを浸漬した溶液は一切芳香族アジドを含有していなかったことである。表2の値を解析すると以下が明らかとなる:-親水性分子それぞれTRIS、pnTRIS、pnPEG材料でできた試料S2、S4およびS5については、θ後退表面の極性画分の試験に有用なパラメーターがPA12自体PA12でできた試料S1であり、芳香族アジドで処理されていないのθ後退値に対し減少する;-疎水性分子それぞれpnPTFEとpnALC材料でできた試料S3およびS6については、θ前進表面の分散性画分の試験に有用なパラメーターがPA12自体PA12でできた試料S1であり、芳香族アジドで処理されていないのθ前進値に対し増加する。表2の値は、ヒストグラムとして図3にもプロットされている。さらに、図4と図5はそれぞれ、表2のθ後退およびθ前進値、それぞれ標準偏差を示してプロットされたものを示す。従って、表2は、高分子プレートの表面が、本発明による光活性化反応の結果として明白に改質されたことを明らかに示している。このことは、非処理表面すなわちS1の後退および前進接触角に対する後退および前進接触角の変動パーセンテージθを示す表3に報告されている値によっても確認される。実施例12bWilhelmy法によるバルーン試料の動的接触角DCAの決定モル実施例12aに記載の試験手順をバルーン試料の試験にも使用した。バルーンInvatecSpA社製ADMIRAL登録商標XTREMEはポリアミド12で作製し、寸法は以下のとおりであった:外径=4mm、長さL=60mm。測定は、ForceTensiometerSigma700を用いて実施した。バルーンをメタノールとアセトンで洗浄し、それに続いて特定の芳香族アジド溶液に一晩浸漬した。2種類の異なる芳香族アジド以下の表のとおりを試験したが、PA12で作製した試料1つは一切芳香族アジドで処理しなかった対照試料:試料は全て波長254nmの紫外線を30分照射した。次いで照射した試料をメタノール、アセトンおよび水の溶液で洗浄した。15分かけて水分を切り、試料をForceTensiometerで試験した結果を表5に示す。PA12バルーン対照試料を、アジド処理試料に実施した全ステップに供した。唯一の違いは、PA12バルーンを浸漬した溶液は一切芳香族アジドを含有していなかったことである。表5の値を解析すると以下が明らかとなる:-親水性分子pnTRIS材料でできた試料S8については、θ後退表面の極性画分の試験に有用なパラメーターがPA12自体PA12でできた試料S7であり、芳香族アジドで処理されていないのθ後退値に対し著しく減少する;-疎水性分子pnALC材料でできた試料S9については、θ前進表面の分散性画分の試験に有用なパラメーターがPA12自体PA12でできた試料S7であり、芳香族アジドで処理されていないのθ前進値に対し増加する。表5の値は、ヒストグラムとして図6にもプロットされている。さらに、図7と図8はそれぞれ、表5のθ後退およびθ前進値、それぞれ標準偏差を示してプロットされたものを示す。したがって、表5は、高分子バルーンの表面が、本発明による光活性化反応の結果として明白に改質されたことを明らかに示している。このことは、非処理表面すなわちS7の後退および前進接触角に対する後退および前進接触角の変動パーセンテージθを示す表6に報告されている値によっても確認される。さらに、同じ材料について、プレート試料とバルーン試料について得られた接触角を比較すると表2と表5、本発明による光活性化反応後に得られた接触角は明らかに非常に似ている。このことは、プレート試料初等幾何学的に平坦な試料で得られた表面改質が、バルーン試料幾何学的に非常に複雑な円筒状試料でも得られたことを意味する。実施例13高分子表面の光活性化反応収率の評価この解析は、高分子表面の光活性化反応収率が、反応に使用された置換芳香族アジドにいかに影響されるかを示す。アリールアジドの光励起について提案される反応機構を図9に示すThrombininhibitorsgraftingonpolyestermembranesforthepreparationofbloodcompatiblematerialsClaudioSalvagnini2005。まず、アリールアジド1は窒素分子の欠失と一過性の一重線アリールニトレン2Sの形成を経る。この不安定な化合物は、炭化水素の挿入3または1,2-アザシクロヘプタテトラエンに対する内部再配置4により高速に反応し得る。これは電子不足種であり、主として求核剤Nuと反応してアゼピン付加物5を形成する。少量の三重線ニトレン種2Tが項間交差を通じて形成される。三重線ニトレンは本質的にジラジカル種であり、水素-ラジカル抽出および炭化水素基質への共有結合ができる7。本発明による高分子表面の処理では、高分子材料表面の親水性または疎水特徴を増強するために、特に光活性化反応の良好な収率を得るために、溶液中アリールアジドの大部分が炭化水素基質3または7への共有結合により反応することが重要である。特に光活性化反応の良好な収率を得るために、溶液中アリールアジドの残基部分のみが反応廃棄物を意味するアゼピン付加物5形成により反応することが重要である。ここで反応に戻ると、一度形成された当該一重線アリールニトレン2Sは通常、ニトレンの性質に応じた速度で、対応する三重線への項間交差を経る。共有結合の形成では、単一反応ステップにおいてその基質から1つの電子対を得るので、一重線アリールニトレンの方が良好である。一方、三重線ニトレン2Tは、その電子的性質により2ステップ反応を経ることを余儀なくし、ここでニトレンと基質の共有結合は2番目のステップにおいてのみなされる。このため、通常アリールアジドの光励起反応機構では、アゼピン形成が主たる反応経路である一方で、一重線アリールニトレン2sの非常に小さな部分のみがゆっくりと炭化水素基質3または三重線ニトレン2Tへと変換される。以上に予測されるように、光活性化反応の良好な収率のためには、溶液中アリールアジドの大部分が炭化水素基質3または7との共有結合により反応することが重要である。実施例5の化合物[4-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-3-ヒドロキシプロピルベンズアミド;実施例6の4-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-ヘプタデカフルオロウンデシルベンズアミド;実施例7の2-ニトロ-5-アジドベンゾイルグリシン;実施例8のN-4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-ヘプタデカフルオロウンデシル5-アジド-2-ニトロベンゾエート;実施例9のN-トリスヒドロキシメチル-5-アジド-2-ニトロベンゾエートと実施例10のN-ドデカエチレングリコールモノメチルエーテル-5-アジド-2-ニトロベンゾエートは、良好な反応速度と収率を提供することを示している。これらの置換芳香族アジドの光活性化反応をUV照射光線を用いて試験している。2種類の異なる試料を以下を用いて調製した:-実施例3のN-2-ヒドロキシエチル-4-アジドベンゼンスルホニルアミド3mlの溶液10-2MAz1;-実施例5の4-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-3-ヒドロキシプロピルベンズアミド3mlの溶液10-2MAz2。試料に使用した溶媒はメタノールであった。PA12表面を各溶液に浸漬し、試料を光波長254nmで照射した。光活性化反応の収率を評価するためにこれらの試料をTLC試験溶出剤:100酢酸エチルで別々の時間で試験した。別々の時間で得られた試料Az1とAz2の両方の光活性化反応のTLCの結果を図10~13に示す。時間t=0アジドの存在はスポット点により示され、特定の距離Rfと相関付けられる。開始点では、2つのアジドを表す2つのスポットの存在、特に高分子表面との反応に利用可能なアリールアジドの存在を見ることができる。Rfの具体的な開始値は、AZ1がRfAz1=0.64であり、AZ2がRfAz2=0.58である。時間t=5分一定の反応時間5分の後、2つの反応生成物に対応する、それぞれPh1とPh2として示されるスポットも検出することができる。具体的には、N-2-ヒドロキシエチル-4-アジドベンゼンスルホニルアミドに関する反応については、以下を見ることができる:-反応に利用可能であり同じRfAz1=0.64で示される少量のアリールニトレンに対応する、t=0時のスポットと比較して非常に小さいスポット;-RfPh1=0.46で示される、少量のアゼピンに対応する新しいスポット。この状況は、アリールニトレンの一部がアゼピンに変換されていることを示す。4-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-3-ヒドロキシプロピルベンズアミドに関する反応については、反応に利用可能であり同じRfAz2=0.58で示される少量のアリールアジドに対応する、t=0時のスポットと比較して非常に小さいスポットのみを見ることができる。この状況では、アゼピンの不存在すなわち関連スポットの不存在と反応に利用可能なアリールアジド量の減少すなわち小さい関連スポットにより表されるにより、アリールニトレンの一部分が高分子表面と反応していることが示される。時間t=30分反応のこの段階では、N-2-ヒドロキシエチル-4-アジドベンゼンスルホニルアミドについては、まだ両方のスポットを見ることが可能である:アリールアジドRfAz1=0.64に対応するスポットさらに減少すると、アゼピンRfPh1=0.46に対応するスポット増加する。4-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-3-ヒドロキシプロピルベンズアミドに関する反応については、今や以下を見ることができる:-反応に利用可能であり同じRfAz2=0.58で表されるアリールアジドに対応する小さいスポット;-RfPh2=0.35で示される、少量のアゼピンに対応する新しいスポット。この状況は、アリールニトレンの新しいnow部分のみがアゼピンに変換されていることを示す。時間t=1時間30分反応のこの段階では、N-2-ヒドロキシエチル-4-アジドベンゼンスルホニルアミドについては、アゼピンRfPh1=0.46に対応する1つのスポットのみを見ることができる。この状況は、高分子表面との反応に利用可能なアリールニトレンはもう存在せず、反応が終了したことを示す。4-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ-N-3-ヒドロキシプロピルベンズアミドに関する反応については、まだ両方のスポットを見ることが可能である:反応に利用可能なアリールアジドに対応する小さいスポットと、アゼピンに対応するスポット。この状況は、高分子表面との反応に利用可能なアリールニトレンが尚も存在し、反応は継続中であることを示す。電子吸引性置換基を有するアジドについて得られたTLC測定値は、反応廃棄物を表すアゼピンがすぐには出現しないことを示す。上述の結果は、電子吸引性置換基例えば-Fおよび-NO2で増強されたアジドは、高分子表面との良好な光活性化反応収率を有する。"