半導体基板を備えるIGBTであって、半導体基板の上面に露出する範囲に形成されているn型のエミッタ領域と、エミッタ領域の下側に形成されているp型のトップボディ領域と、トップボディ領域の下側に形成されており、トップボディ領域によってエミッタ領域から分離されているn型のフローティング領域と、フローティング領域の下側に形成されており、フローティング領域によってトップボディ領域から分離されているp型のボトムボディ領域と、半導体基板の上面に形成されており、エミッタ領域、トップボディ領域、フローティング領域、及び、ボトムボディ領域を貫通しているトレンチと、トレンチの内面を覆っているゲート絶縁膜と、トレンチの内部に配置されているゲート電極、を有しており、エミッタ領域よりも下側に位置するトップボディ領域とフローティング領域内のp型不純物濃度分布を半導体基板の厚み方向に沿って見たときに、p型不純物濃度がエミッタ領域よりも下側に位置するトップボディ領域の上端から下側に向かうに従って減少し、フローティング領域内の所定深さで極小値となる、IGBT。フローティング領域内のn型不純物濃度分布を半導体基板の厚み方向に沿って見たときに、フローティング領域内にn型不純物濃度の極大値が存在しない請求項1に記載のIGBT。フローティング領域が、エピタキシャル層により形成されている請求項1または2に記載のIGBT。ボトムボディ領域内のp型不純物濃度分布を半導体基板の厚み方向に沿って見たときに、ボトムボディ領域内にp型不純物濃度の極大値が存在する請求項1~3の何れか一項に記載のIGBT。半導体基板の厚み方向に沿ったフローティング領域の幅が、ゲート絶縁膜から離れた位置よりもゲート絶縁膜に接している位置において広い請求項1~4の何れか一項に記載のIGBT。ボトムボディ領域の下端が、ゲート絶縁膜から離れた位置よりもゲート絶縁膜に接している位置において下側に位置している請求項1~5の何れか一項に記載のIGBT。IGBTの製造方法であって、半導体基板の上面に露出する範囲にn型のエミッタ領域を形成する工程と、半導体基板の上面にエミッタ領域の深さ範囲内で停止するようにp型不純物を注入し、注入したp型不純物を拡散させることによって、エミッタ領域の深さ範囲の下側にp型のトップボディ領域を形成する工程と、半導体基板の上面にエミッタ領域の深さ範囲内で停止するようにn型不純物を注入し、注入したn型不純物を拡散させることによって、トップボディ領域の深さ範囲の下側にn型のフローティング領域を形成する工程と、半導体基板の上面にトレンチを形成し、トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜、及び、トレンチ内に配置されたゲート電極を形成する工程と、トレンチ、ゲート絶縁膜、及び、ゲート電極を形成した後に、半導体基板の上面にフローティング領域の深さ範囲よりも下側の深さで停止するようにp型不純物を注入して、フローティング領域の深さ範囲の下側にp型のボトムボディ領域を形成する工程、を有しており、上記各工程の実施後に、トレンチが、エミッタ領域、トップボディ領域、フローティング領域、及び、ボトムボディ領域を貫通するように配置される、製造方法。トレンチ、ゲート絶縁膜、及び、ゲート電極を形成する工程よりも前に、トップボディ領域を形成する工程及びフローティング領域を形成する工程を実施する請求項7に記載の製造方法。ボトムボディ領域を形成する工程では、ゲート電極の上面が半導体基板の上面よりも下側に存在している状態で、半導体基板にp型不純物を注入する請求項7または8に記載の製造方法。IGBTの製造方法であって、基礎基板の上面に、n型半導体からなるエピタキシャル層を成長させる工程と、エピタキシャル層の上面に露出する範囲にn型のエミッタ領域を形成する工程と、エピタキシャル層の上面にエミッタ領域の深さ範囲内で停止するようにp型不純物を注入し、注入したp型不純物を拡散させることによって、エミッタ領域の深さ範囲の下側にp型のトップボディ領域を形成する工程と、エピタキシャル層の上面にトレンチを形成し、トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜、及び、トレンチ内に配置されたゲート電極を形成する工程と、トレンチ、ゲート絶縁膜、及び、ゲート電極を形成した後に、エピタキシャル層の上面に基礎基板内で停止するようにp型不純物を注入して、基礎基板内にp型のボトムボディ領域を形成する工程、を有しており、上記各工程の実施後に、トップボディ領域とボトムボディ領域の間にn型のエピタキシャル層が残存してフローティング領域を構成し、トレンチが、エミッタ領域、トップボディ領域、フローティング領域、及び、ボトムボディ領域を貫通するように配置される、製造方法。トレンチ、ゲート絶縁膜、及び、ゲート電極を形成する工程よりも前に、トップボディ領域を形成する工程を実施する請求項10に記載の製造方法。ボトムボディ領域を形成する工程では、ゲート電極の上面が半導体基板の上面よりも下側に存在している状態で、半導体基板にp型不純物を注入する請求項10または11に記載の製造方法。特許文献1の製造方法では、トレンチゲート電極を形成した後に各不純物を注入する。このようにトレンチゲート電極の形成後に各領域に不純物を注入すると、トレンチゲート電極の上部に存在する凹部の形状の影響を受けて、トレンチゲート電極の近傍の領域への不純物の注入深さを正確に制御することが困難となる。特許文献1の技術には、凹部の深さを所定値とすることで、トレンチゲート電極の近傍の領域への不純物の注入深さが安定することが説明されている。しかしながら、この方法でも、ある程度の注入深さのばらつきは発生してしまう。この注入深さのばらつきによって、量産されるIGBTの間で、オン電圧やゲート閾値電圧のばらつきが生じる。トレンチゲート電極の近傍における不純物の注入深さのばらつきを防止するために、不純物を注入した後に、トレンチゲート電極を形成することも考えられる。しかしながら、特許文献1のように各領域に不純物を直接注入する方法では、高エネルギーによって各不純物を深い位置に注入する必要があるため、半導体基板に対するダメージが大きい。このようにダメージを受けた半導体基板に対してトレンチゲート電極を形成すると、ゲート絶縁膜を形成するための熱処理において、半導体基板中に酸化誘起欠陥以下、OSFというが発生する。OSFが形成された半導体基板にはリーク電流が生じるため、この方法を採用することは難しい。したがって、本明細書では、量産されるIGBTの間でオン電圧とゲート閾値電圧のばらつきを抑制することができる技術を提供する。本明細書が提供するIGBTは、半導体基板を備える。IGBTは、エミッタ領域、トップボディ領域、フローティング領域、ボトムボディ領域、トレンチ、ゲート絶縁膜、及び、ゲート電極を有する。エミッタ領域は、半導体基板の上面に露出する範囲に形成されているn型の領域である。トップボディ領域は、エミッタ領域の下側に形成されているp型の領域である。フローティング領域は、トップボディ領域の下側に形成されており、トップボディ領域によってエミッタ領域から分離されているn型の領域である。ボトムボディ領域は、フローティング領域の下側に形成されており、フローティング領域によってトップボディ領域から分離されているp型の領域である。トレンチは、半導体基板の上面に形成されており、エミッタ領域、トップボディ領域、フローティング領域、及び、ボトムボディ領域を貫通している。ゲート絶縁膜は、トレンチの内面を覆っている。ゲート電極は、トレンチの内部に配置されている。エミッタ領域よりも下側に位置するトップボディ領域とフローティング領域内のp型不純物濃度分布を半導体基板の厚み方向に沿って見たときに、p型不純物濃度がエミッタ領域よりも下側に位置するトップボディ領域の上端から下側に向かうに従って減少し、フローティング領域内の所定深さで極小値となる。なお、トップボディ領域は、エミッタ領域の下側だけでなく、エミッタ領域の側方に形成されていてもよい。また、上記の半導体基板の上面に露出する範囲とは、半導体基板上に形成された電極や絶縁膜を除去した場合に、半導体基板の上面に現れる範囲を意味する。したがって、表面が電極や絶縁膜に覆われている領域であっても、半導体基板の上面に露出する範囲に該当する場合がある。また、本明細書において半導体基板中の不純物濃度分布に関して説明する際には、振幅が不純物濃度の30よりも小さい波形は、測定誤差によるノイズであり、極大値または極小値として扱わない。例えば、図41のグラフAに示すようなトップボディ領域及びフローティング領域内のp型不純物濃度分布が得られた場合には、プラスピーク値A1及びマイナスピーク値A2は、極大値及び極小値として扱わない。これは、値A1、A2を含む波形の振幅Aw=A1-A2/2が、値A1と値A2の平均値A3の30より小さいためである。このように小さい波形を無視すると、グラフAは、グラフBのように見なすことができる。また、グラフBのプラスピーク値B1は極大値として扱い、マイナスピーク値B2は極小値として扱う。これは、値B1、値B2を含む波形の振幅Bw=B1-B2/2が、値B1と値B2の平均値B3の30より大きいためである。したがって、図41に示すグラフAは、p型不純物濃度がエミッタ領域よりも下側に位置するトップボディ領域の上端から下側に向かうに従って減少し、フローティング領域内の所定深さで極小値となるとの構成を有している。なお、図41は、説明のために例示されたものであり、請求項を限定するものではない。例えば、プラスピーク値B1は、ボトムボディ領域内に存在しなくてもよい。このように、下側に向かうに従って減少するようにp型不純物濃度が分布しているトップボディ領域は、半導体基板の上面近傍エミッタ領域の深さ範囲内にp型不純物を注入し、注入したp型不純物を拡散することで形成することができる。この方法では、浅い位置に注入したp型不純物を拡散することでトップボディ領域を形成するので、トレンチゲート電極トレンチ内に配置されたゲート電極とゲート絶縁膜のセットを形成した後にトップボディ領域を形成しても、トレンチゲート電極の形状によってトップボディ領域内のp型不純物濃度分布にほとんど影響が生じない。また、この方法では、トップボディ領域を形成した後にトレンチゲート電極を形成することもできる。この場合でも、トップボディ領域とその周辺にOSFはほとんど生じない。これは、半導体基板の上面近傍にp型不純物が注入されるため、トップボディ領域内にp型不純物のピークがなく、トップボディ領域にダメージがほとんど加わらないためである。このように、このトップボディ領域は、トレンチゲート電極の形成前でも、トレンチゲート電極の形成後でも、安定して形成することができる。トップボディ領域のp型不純物濃度分布は、IGBTのゲート閾値電圧に大きく影響する。したがって、このIGBTを量産した場合には、量産されるIGBTの間でゲート閾値電圧のばらつきが生じ難い。また、p型不純物濃度の極小値を有するフローティング領域は、フローティング領域よりも下側の領域例えば、ボトムボディ領域にp型不純物を注入することで実現できる。このようにフローティング領域にp型不純物濃度の極小値を設けることで、フローティング領域におけるn型不純物とp型不純物との濃度差が大きくなるので、フローティング領域を安定して形成することができる。フローティング領域の不純物濃度は、IGBTのオン電圧に影響する。したがって、このIGBTを量産した場合には、量産されるIGBTの間でオン電圧のばらつきが生じ難い。また、上述したフローティング領域よりも下側の領域へのp型不純物の注入は、高エネルギーによる注入になるので、トレンチゲート電極を形成した後に行う必要がある。トレンチゲート電極を形成した後に深い位置へのp型不純物の注入を行うと、上述したように、トレンチゲート電極の近傍で不純物の注入深さが安定しない。したがって、フローティング領域よりも下側の領域例えば、ボトムボディ領域の不純物濃度の制御が困難となる。しかしながら、本発明者らは、フローティング領域よりも下側のトレンチゲート電極の近傍の不純物濃度分布は、IGBTの特性オン電圧とゲート閾値電圧等に大きく影響しないことを発見した。したがって、フローティング領域よりも下側の領域の不純物濃度分布のばらつきに起因するIGBTの特性のばらつきはほとんど生じない。したがって、このIGBTが量産されたときに、IGBTの間でオン電圧とゲート閾値電圧がばらつき難い。上述したIGBTは、フローティング領域内のn型不純物濃度分布を半導体基板の厚み方向に沿って見たときに、フローティング領域内にn型不純物濃度の極大値が存在しないことが好ましい。このようなフローティング領域は、半導体基板の上面近傍エミッタ領域の深さ範囲内にn型不純物を注入し、注入したn型不純物を拡散することで形成することができる。若しくは、このようなフローティング領域は、エピタキシャル成長により形成することもできる。これらの方法によれば、トレンチゲート電極の形状の影響を受けずにフローティング領域内のn型不純物濃度を制御できる。したがって、このIGBTが量産されたときに、IGBTの間でオン電圧のばらつきがさらに生じ難い。上述したIGBTは、フローティング領域が、エピタキシャル層により形成されていることが好ましい。このような構成によれば、フローティング領域内のn型不純物濃度をほぼ一定とすることができる。したがって、フローティング領域内のn型不純物濃度をより正確に制御することができる。したがって、このIGBTが量産されたときに、IGBTの間でオン電圧のばらつきがさらに生じ難い。上述したIGBTは、ボトムボディ領域内のp型不純物濃度分布を半導体基板の厚み方向に沿って見たときに、ボトムボディ領域内にp型不純物濃度の極大値が存在することが好ましい。このようにボトムボディ領域内にp型不純物濃度の極大値が存在すると、IGBTを量産したときに、IGBTの間でフローティング領域の下端の位置がばらつき難い。したがって、このIGBTが量産されたときは、IGBTの間でオン電圧のばらつきがさらに生じ難い。上述したIGBTは、半導体基板の厚み方向に沿ったフローティング領域の幅が、ゲート絶縁膜から離れた位置よりもゲート絶縁膜に接している位置において広いことが好ましい。このように、ホールが流れ易いゲート絶縁膜近傍でフローティング領域の幅が広くなっていると、IGBTがオンしているときにフローティング領域よりも下側の領域例えば、ドリフト領域により多くのホールを蓄積することができる。したがって、この構成によれば、IGBTのオン電圧を低減することができる。上述したIGBTは、ボトムボディ領域の下端が、ゲート絶縁膜から離れた位置よりもゲート絶縁膜に接している位置において下側に位置していることが好ましい。このような構成によれば、IGBTの帰還容量を低減することができる。また、本明細書は、新たなIGBTの製造方法を提供する。この製造方法は、半導体基板の上面に露出する範囲にn型のエミッタ領域を形成する工程と、半導体基板の上面にエミッタ領域の深さ範囲内で停止するようにp型不純物を注入し、注入したp型不純物を拡散させることによって、エミッタ領域の深さ範囲の下側にp型のトップボディ領域を形成する工程と、半導体基板の上面にエミッタ領域の深さ範囲内で停止するようにn型不純物を注入し、注入したn型不純物を拡散させることによって、トップボディ領域の深さ範囲の下側にn型のフローティング領域を形成する工程と、半導体基板の上面にトレンチを形成し、トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜、及び、トレンチ内に配置されたゲート電極を形成する工程と、トレンチ、ゲート絶縁膜、及び、ゲート電極を形成した後に、半導体基板の上面にフローティング領域の深さ範囲よりも下側の深さで停止するようにp型不純物を注入して、フローティング領域の深さ範囲の下側にp型のボトムボディ領域を形成する工程を有している。上記各工程の実施後に、トレンチが、エミッタ領域、トップボディ領域、フローティング領域、及び、ボトムボディ領域を貫通するように配置される。なお、エミッタ領域を形成する工程、トップボディ領域を形成する工程、フローティング領域を形成する工程、トレンチ、ゲート絶縁膜、及び、ゲート電極を形成する工程は、どのような順序で行ってもよい。したがって、上記のエミッタ領域の深さ範囲は、既に形成されているエミッタ領域の深さ範囲である場合と、これから形成されるエミッタ領域の深さ範囲である場合とがある。同様にトップボディ領域の深さ範囲及びフローティング領域の深さ範囲も、既に形成されている領域の深さ範囲である場合と、これから形成される領域の深さ範囲である場合とがある。また、本明細書において、所定の深さ範囲で停止するように不純物を注入するとは、注入する不純物の平均停止位置がその所定の深さ範囲となることを意味する。この方法によれば、不純物拡散によってトップボディ領域とフローティング領域を安定して形成することができる。また、トレンチゲート電極形成後に深い位置へp型不純物を注入することでボトムボディ領域を形成するので、フローティング領域のp型不純物をそれほど上昇させることなくボトムボディ領域を形成することができる。したがって、この製造方法によりIGBTを量産すると、量産されるIGBTの間でオン電圧とゲート閾値電圧がばらつくことが抑制される。上述した製造方法は、トレンチ、ゲート絶縁膜、及び、ゲート電極を形成する工程よりも前に、トップボディ領域を形成する工程及びフローティング領域を形成する工程を実施することが好ましい。この製造方法によれば、ゲート絶縁膜を形成する際に、ゲート絶縁膜近傍のフローティング領域の幅が広がる。したがって、この製造方法によれば、よりオン電圧が低いIGBTを製造することができる。上述した製造方法は、ボトムボディ領域を形成する工程で、ゲート電極の上面が半導体基板の上面よりも下側に存在している状態で、半導体基板にp型不純物を注入することが好ましい。この製造方法によれば、ボトムボディ領域を、その下端がゲート絶縁膜から離れた位置よりもゲート絶縁膜に接している位置において下側に位置するように形成することができる。したがって、IGBTの帰還容量を低減することができる。また、本明細書は、他の製造方法を提供する。このIGBTの製造方法は、基礎基板の上面に、n型半導体からなるエピタキシャル層を成長させる工程と、エピタキシャル層の上面に露出する範囲にn型のエミッタ領域を形成する工程と、エピタキシャル層の上面にエミッタ領域の深さ範囲内で停止するようにp型不純物を注入し、注入したp型不純物を拡散させることによって、エミッタ領域の深さ範囲の下側にp型のトップボディ領域を形成する工程と、エピタキシャル層の上面にトレンチを形成し、トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜、及び、トレンチ内に配置されたゲート電極を形成する工程と、トレンチ、ゲート絶縁膜、及び、ゲート電極を形成した後に、エピタキシャル層の上面に基礎基板内で停止するようにp型不純物を注入して、基礎基板内にp型のボトムボディ領域を形成する工程を有している。上記各工程の実施後に、トップボディ領域とボトムボディ領域の間にn型のエピタキシャル層が残存してフローティング領域を構成し、トレンチが、エミッタ領域、トップボディ領域、フローティング領域、及び、ボトムボディ領域を貫通するように配置される。この製造方法によれば、エピタキシャル成長と不純物拡散によって、トップボディ領域とフローティング領域を安定して形成することができる。したがって、この製造方法によりIGBTを量産すると、IGBTの間でオン電圧とゲート閾値電圧がばらつくことが抑制される。また、この製造方法では、フローティング領域がn型のエピタキシャル層により構成される。したがって、フローティング領域内のn型不純物濃度を略一定とすることができる。したがって、このIGBTを量産した場合には、IGBTの間でオン電圧のばらつきがさらに生じ難い。エピタキシャル層を成長させる上記製造方法は、トレンチ、ゲート絶縁膜、及び、ゲート電極を形成する工程よりも前に、トップボディ領域を形成する工程を実施することが好ましい。この製造方法によれば、ゲート絶縁膜を形成する際に、ゲート絶縁膜近傍のn型エピタキシャル層すなわち、フローティング領域の幅が広がる。したがって、この製造方法によれば、よりオン電圧が低いIGBTを製造することができる。エピタキシャル層を成長させる上記製造方法は、ボトムボディ領域を形成する工程では、ゲート電極の上面が半導体基板の上面よりも下側に存在している状態で、半導体基板にp型不純物を注入することが好ましい。この製造方法によれば、ボトムボディ領域を、その下端がゲート絶縁膜から離れた位置よりもゲート絶縁膜に接している位置において下側に位置するように形成することができる。したがって、IGBTの帰還容量を低減することができる。第1実施形態図1に示すIGBT10は、半導体基板12と、半導体基板12の上面及び下面に形成された電極、絶縁膜等により構成されている。半導体基板12の上面には、複数のトレンチ40が形成されている。各トレンチ40の内面は、ゲート絶縁膜42に覆われている。各トレンチ40の内部には、ゲート電極44が形成されている。ゲート電極44の上面は、キャップ絶縁膜46に覆われている。また、キャップ絶縁膜46上には、層間絶縁膜47が形成されている。但し、図示しない位置で、ゲート電極44は外部に接続可能とされている。以下では、トレンチ40内に形成されたゲート絶縁膜42とゲート電極44をまとめて、トレンチゲート電極48という場合がある。図2に示すように、各トレンチゲート電極48は、互いに平行に伸びている。半導体基板12の内部には、エミッタ領域20、トップボディ領域22、フローティング領域24、ボトムボディ領域26、ドリフト領域28、バッファ領域30、及び、コレクタ領域32が形成されている。エミッタ領域20は、n型領域であり、半導体基板12の上面に露出する範囲に選択的に形成されている。エミッタ領域20は、ゲート絶縁膜42に接している。図2に示すように、エミッタ領域20は、トレンチゲート電極48に沿って平行に延びている。トップボディ領域22は、p型領域であり、エミッタ領域20の下側とエミッタ領域20の側方に形成されている。図1、2に示すように、トップボディ領域22は、2つのエミッタ領域20の間において、半導体基板12の上面に露出している。また、トップボディ領域22は、エミッタ領域20の下側において、ゲート絶縁膜42に接している。フローティング領域24は、n型領域であり、トップボディ領域22の下側に形成されている。フローティング領域24は、トップボディ領域22によってエミッタ領域20から分離されている。フローティング領域24は、ゲート絶縁膜42に接している。フローティング領域24の上側の境界は、ゲート絶縁膜42に近づくほど上側に変位している。フローティング領域24の下側の境界は、ゲート絶縁膜42に近づくほど下側に変位している。したがって、半導体基板12の厚み方向に沿ったフローティング領域24の幅は、位置によって変化している。すなわち、ゲート絶縁膜42に接している位置のフローティング領域24の幅W1は、ゲート絶縁膜42から離れている位置のフローティング領域24の幅W2よりも大きい。以下では、幅W1を有する部分のフローティング領域24を幅広部24aという。ボトムボディ領域26は、p型領域であり、フローティング領域24の下側に形成されている。ボトムボディ領域26は、フローティング領域24によってトップボディ領域22から分離されている。ボトムボディ領域26は、ゲート絶縁膜42と接している。ボトムボディ領域26の下側の境界は、ゲート絶縁膜42から離れた位置よりもゲート絶縁膜42に接している位置において下側に位置している。すなわち、ゲート絶縁膜42に接する部分のボトムボディ領域26に、ゲート絶縁膜42に沿って下側に変位している変位部26aが形成されている。ドリフト領域28は、低濃度のn型不純物を含有するn型領域である。ドリフト領域28は、ボトムボディ領域26の下側に形成されている。ドリフト領域28は、ボトムボディ領域26によってフローティング領域24から分離されている。ドリフト領域28は、トレンチ40の下端に位置するゲート絶縁膜42と接している。バッファ領域30は、ドリフト領域28よりも高い濃度のn型不純物を含有するn型領域である。バッファ領域30は、ドリフト領域28の下側に形成されている。コレクタ領域32は、高濃度のp型不純物を含有するp型領域である。コレクタ領域32は、半導体基板12の下面に露出する範囲に形成されている。コレクタ領域32は、ドリフト領域28とバッファ領域30によって、ボトムボディ領域26から分離されている。上記のように半導体基板12の内部に各領域が形成されているので、各トレンチ40は、エミッタ領域20、トップボディ領域22、フローティング領域24、及び、ボトムボディ領域26を貫通して、ドリフト領域28に達するように配置されている。また、ゲート電極44は、トレンチ40の側面のゲート絶縁膜42を介して、エミッタ領域20、トップボディ領域22、フローティング領域24、及び、ボトムボディ領域26と対向している。半導体基板12の上面には、エミッタ電極60が形成されている。エミッタ電極60は、エミッタ領域20とトップボディ領域22に対してオーミック接続されている。エミッタ電極60は、キャップ絶縁膜46、層間絶縁膜47によってゲート電極44から絶縁されている。半導体基板12の下面には、コレクタ電極62が形成されている。コレクタ電極62は、コレクタ領域32に対してオーミック接続されている。図3は、図1のA-A線に沿って見たときの半導体基板12中のn型不純物とp型不純物の濃度分布を示しており、図4は、図1のB-B線に沿って見たときの半導体基板12中のn型不純物とp型不純物の濃度分布を示している。なお、図3、4、及び、その他の不純物濃度分布を示す図図41を除くでは、測定誤差レベルの微小なノイズ波形を除去したグラフを示している。また、これらの図においては、濃度を示す軸として、対数軸を用いている。図3に示すように、p型不純物濃度は、エミッタ領域20の上端において最大値である。p型不純物濃度は、エミッタ領域20の上端から下側に向かうに従って減少し、フローティング領域24内で極小値PLLとなる。p型不純物濃度は、その極小値PLLの位置から下側に向かうに従って増加し、ボトムボディ領域26内で極大値PLHとなる。p型不純物濃度は、その極大値PLHの位置から下側に向かうに従って減少し、ボトムボディ領域26とドリフト領域28の境界において略ゼロとなる。n型不純物濃度は、エミッタ領域20の上端において最大値である。n型不純物濃度は、エミッタ領域20の上端から下側に向かうに従って減少する。そのn型不純物濃度の減少割合は、トップボディ領域22内の位置22cで緩やかになる。しかし、位置22cから下側の領域でも、n型不純物濃度は、下側に向かうに従って減少する。n型不純物濃度は、ボトムボディ領域26内で値NLまで低下し、ドリフト領域28内ではn型不純物濃度が値NLで略一定となる。また、図4に示すように、B-B線においても、p型不純物濃度は、A-A線におけるp型不純物濃度と略同様に分布している。また、B-B線においては、エミッタ領域20の深さ範囲で、n型不純物濃度がp型不純物濃度より低くなっている。B-B線でも、エミッタ領域20の深さ範囲よりも下側では、n型不純物濃度は、A-A線におけるn型不純物濃度と略同様に分布している。次に、IGBT10の製造方法について説明する。IGBT10は、図5に示すフローチャートに従って製造される。IGBT10は、図6に示す半導体基板100から製造される。半導体基板100は、ドリフト領域28と略同じn型不純物濃度NL本実施形態では、約1×1014cm3を有するn型のシリコン基板である。半導体基板100の厚みは約700μmである。ステップS2では、図7に示すように、半導体基板100にフローティング領域24を形成する。具体的には、まず、半導体基板100の上面に、n型不純物本実施形態では、リンをイオン注入する。ここでは、イオンの加速エネルギーを30keV~300keVとし、ドーズ量を1×1011~1×1014/cm2とする。n型不純物の注入は、注入されるn型不純物が半導体基板100の上面近傍の領域後にエミッタ領域20が形成される深さ範囲で停止するように行う。より詳細には、n型不純物の注入は、注入されるn型不純物の平均停止位置が半導体基板100の上面近傍の領域後にエミッタ領域20が形成される深さ範囲となるように行う。次に、半導体基板100を熱処理する。ここでは、窒素N2または酸素O2雰囲気下で、半導体基板100を、900~1250°Cの温度に30~120分間保持する。なお、熱処理の雰囲気は、窒素と酸素の混合雰囲気であってもよいし、酸素、窒素、またはこれらの混合気体に、水素H2が添加された雰囲気であってもよい。熱処理を行うことで、半導体基板100に注入されたn型不純物が拡散し、活性化する。これによって、図7に示すように、半導体基板100に、フローティング領域24が形成される。図8に示すように、フローティング領域24内では、半導体基板100の上面の位置で最もn型不純物濃度が高く、その位置から下側に向かうほど不純物濃度が減少する。このようにn型不純物濃度が分布するのは、半導体基板100の上面近傍で停止するようにn型不純物を注入し、そのn型不純物を拡散させたためである。ステップS4では、図9に示すように、半導体基板100にトップボディ領域22を形成する。具体的には、まず、半導体基板100の上面に、p型不純物本実施形態では、ボロンをイオン注入する。ここでは、イオンの加速エネルギーを30keV~150keVとし、ドーズ量を1×1011~5×1014/cm2とする。p型不純物の注入は、注入されるp型不純物が半導体基板100の上面近傍の領域後にエミッタ領域20が形成される深さ範囲で停止するように行う。より詳細には、p型不純物の注入は、注入されるp型不純物の平均停止位置が半導体基板100の上面近傍の領域後にエミッタ領域20が形成される深さ範囲となるように行う。次に、半導体基板100を熱処理する。ここでは、窒素、酸素、窒素と酸素の混合気体、または、これらに水素を添加した気体の雰囲気下で、半導体基板100を、900~1250°Cの温度で30~120分間保持する。熱処理を行うことで、半導体基板100に注入したp型不純物が拡散し、活性化する。これによって、図9に示すように、半導体基板100の内部に、トップボディ領域22が形成される。図10に示すように、半導体基板100内のp型不純物濃度は、半導体基板100の上面の位置で最も高く、その位置から下側に向かうほど減少する。このようにp型不純物濃度が分布するのは、半導体基板100の上面近傍で停止するようにp型不純物を注入し、そのp型不純物を拡散させたためである。ステップS6では、図11に示すように、半導体基板100にエミッタ領域20を形成する。具体的には、まず、半導体基板100の上面にレジストを形成する。レジストは、エミッタ領域20を形成しない範囲図11においてトップボディ領域22が半導体基板100の上面に露出している範囲を覆うように形成する。次に、半導体基板100の上面に、n型不純物本実施形態では、ヒ素をイオン注入する。ここでは、イオンの加速エネルギーを30keV~150keVとし、ドーズ量を1×1013~1×1016/cm2とする。これによって、レジストに覆われていない範囲の半導体基板100の上面に、n型不純物を注入する。また、n型不純物の注入は、n型不純物が半導体基板100の上面近傍の領域で停止するように行う。次に、半導体基板100を熱処理する。ここでは、窒素、酸素、窒素と酸素の混合気体、または、これらに水素を添加した気体の雰囲気下で、半導体基板100を、900~1250°Cの温度に20~120分間保持する。熱処理を行うことで、半導体基板100に注入したn型不純物が拡散し、活性化する。これによって、図11に示すように、エミッタ領域20が形成される。図12に示すように、エミッタ領域20内のn型不純物濃度は、半導体基板100の上面の位置で最も高く、その位置から下側に向かうほど減少する。このようにn型不純物濃度が分布するのは、半導体基板100の上面近傍で停止するようにn型不純物を注入し、そのn型不純物を拡散させたためである。ステップS8では、図13に示すように、半導体基板100の上面にトレンチ40を形成する。具体的には、まず、半導体基板100の上面にエッチングマスクを形成する。エッチングマスクには、トレンチ40を形成すべき領域に開口部を形成しておく。次に、RIE等の異方性エッチングによって、開口部内の半導体基板100の上面をエッチングする。これによって、半導体基板100の上面に、トレンチ40を形成する。トレンチ40は、図1のドリフト領域28に相当する深さまで達するように形成する。エッチングマスクは、エッチング後に除去する。ステップS10では、酸化雰囲気中で半導体基板100を800°C~1150°Cで熱処理する。これによって、図14に示すように、半導体基板100の表面に酸化膜を形成する。このとき、トレンチ40の内面にも酸化膜が形成される。トレンチ40の内面に形成された酸化膜は、ゲート絶縁膜42である。トレンチ40の内面に酸化膜ゲート絶縁膜42が成長する際に、成長する酸化膜が周囲の領域からp型不純物を吸収するとともに、酸化膜自身の中から周囲の領域にn型不純物を排出する。この現象は、一般に偏析と呼ばれる。この偏析のため、ゲート絶縁膜42を形成すると、図14に示すように、ゲート絶縁膜42の近傍のフローティング領域24の幅半導体基板100の厚み方向に沿った幅が広がる。その結果、ゲート絶縁膜42に接する範囲にフローティング領域24の幅広部24aが形成される。ステップS12では、半導体基板100の表面にポリシリコンを成長させる。これによって、トレンチ40の内部にポリシリコンを充填する。次に、エッチングによって、半導体基板100の上面に形成されたポリシリコンを除去する。その結果、半導体基板100が図15に示す状態となる。図15に示すように、トレンチ40の内部に残ったポリシリコンによってゲート電極44が形成される。なお、ステップS12は、図16に示すように、ゲート電極44の上面が半導体基板100の上面よりも下側に位置するように行う。すなわち、ステップS12の実施後に、ゲート電極44と半導体基板100の上面との間に段差H1が形成される。ステップS13では、酸化雰囲気中で半導体基板100を熱処理する。これによって、ゲート電極44の上面を酸化させて、キャップ絶縁膜46を形成する。ここでは、厚さが約30nmのキャップ絶縁膜46を形成する。ステップS14では、ボトムボディ領域26を形成するために、半導体基板100にp型不純物を注入する。具体的には、まず、半導体基板100の上面に、p型不純物本実施形態では、ボロンをイオン注入する。ここでは、イオンの加速エネルギーを300keV~3MeVとし、ドーズ量を1×1011~1×1014cm2とする。このp型不純物の注入は、p型不純物がフローティング領域24の下側の領域ボトムボディ領域26を形成すべき深さ範囲で停止するように行う。より詳細には、このp型不純物の注入は、注入されるp型不純物の平均停止位置がフローティング領域24の下側の領域ボトムボディ領域26を形成すべき深さ範囲となるように行う。ステップS15では、CVDによって、半導体基板100上に層間絶縁膜47を形成する。ここでは、厚さが約1000nmの層間絶縁膜47を形成する。ステップS16では、ボトムボディ領域26を形成する。具体的には、リフローによって半導体基板100を熱処理する。この熱処理では、窒素雰囲気すなわち、非酸化雰囲気中で、半導体基板100を900~1000°Cの温度に15~60分間維持する。熱処理を行うことで、ステップS14で半導体基板100に注入されたp型不純物が拡散し、活性化する。これによって、図17に示すように、半導体基板100にボトムボディ領域26が形成される。なお、この熱処理は非酸化雰囲気中で行われるので、半導体基板100中にOSFが発生することが防止される。また、ボトムボディ領域26の下側のn型領域は、ドリフト領域28である。ステップS14を実施すると、図17のF-F線に沿った半導体基板100内の不純物濃度分布が、図3に示す分布となる。ボトムボディ領域26内にp型不純物濃度の極大値PLHが形成されるのは、ステップS14のイオン注入を、ボトムボディ領域26を形成すべき範囲内にp型不純物が停止するように実施するためである。また、このようにボトムボディ領域26のp型不純物濃度が高くなるので、フローティング領域24内にp型不純物濃度の極小値PLLが形成される。なお、上述したように、ステップS14のp型不純物の注入時において、ゲート電極44の上面と半導体基板100の上面との間に段差H1が形成されている。このため、段差H1の形状の影響によって、トレンチゲート電極48の近傍の領域では、トレンチゲート電極48から離れた領域よりも、p型不純物の平均停止位置が下側になる。このため、ゲート絶縁膜42に接する範囲のボトムボディ領域26に、変位部26aが形成される。ステップS17では、エミッタ領域20とトップボディ領域22を覆っている絶縁膜を除去する。次に、図18に示すように、半導体基板100の上面にエミッタ電極60を形成する。ステップS18では、半導体基板100の下面に対する加工を行う。具体的には、まず、半導体基板100の下面を研磨して、半導体基板100を薄くする。次に、半導体基板100の下面に対するイオン注入と熱処理によって、半導体基板100の内部にバッファ領域30とコレクタ領域32を形成する。その後、半導体基板100の下面にコレクタ電極62を形成する。ステップS18を実施すると、図1に示すIGBT10が完成する。次に、IGBT10の動作について説明する。エミッタ電極60とコレクタ電極62の間にコレクタ電極62がプラスとなる電圧を印加した状態で、ゲート電極44にゲート閾値電圧IGBT10をオンさせるのに必要最小限のゲート電圧以上の電圧を印加すると、IGBT10がオンする。すなわち、ゲート絶縁膜42に接している範囲のトップボディ領域22とボトムボディ領域26にチャネルが形成され、電子が、エミッタ領域20からチャネルを通ってコレクタ領域32へ流れる。同時に、ホールが、コレクタ領域32からドリフト領域28に流入する。ドリフト領域28へのホールの流入によって、ドリフト領域28で伝導度変調現象が起こり、ドリフト領域28の電気抵抗が下がる。したがって、電子は、低損失でドリフト領域28内を流れる。また、ドリフト領域28に流入したホールは、ドリフト領域28からトップボディ領域22に向かって流れる。しかしながら、ドリフト領域28とトップボディ領域22の間にはフローティング領域24が存在しており、このフローティング領域24が障壁となってホールがトップボディ領域22に向かって移動することを抑制する。このため、ドリフト領域28内のホールの濃度が高くなり、ドリフト領域28の電気抵抗がより低減される。これによって、IGBT10のオン電圧が低減される。また、上述した製造方法では、半導体基板100の上面近傍に注入したp型不純物を拡散させることで、トップボディ領域22を形成した。その結果、トップボディ領域22内において、p型不純物濃度が上側から下側に向かうに従って減少している。この方法によれば、半導体基板100にOSF等の欠陥を形成することなく、かつ、トレンチゲート電極48の形状の影響を受けることなく、トップボディ領域22を形成することができる。すなわち、トップボディ領域22の位置やトップボディ領域22内のp型不純物濃度を正確に制御することができる。このため、第1実施形態のIGBT10を量産すると、量産されるIGBT10の間でゲート閾値電圧がばらつき難い。また、上述した製造方法では、トレンチゲート電極48を形成した後にボトムボディ領域26の深さに直接p型不純物を注入することで、ボトムボディ領域26を形成した。このため、フローティング領域24内のp型不純物濃度をほとんど上昇させることなく、ボトムボディ領域26を形成することができる。その結果、フローティング領域24内にp型不純物濃度の極小値PLLが形成されている。このため、フローティング領域24内において、n型不純物とp型不純物の濃度差が比較的大きい。これによって、フローティング領域24が安定して形成されやすくなっている。このため、第1実施形態のIGBT10を量産すると、量産されるIGBT10の間では、オン電圧がばらつき難い。また、このようにトレンチゲート電極48を形成した後にボトムボディ領域26の深さにp型不純物を注入すると、トレンチゲート電極48の上部の段差H1の形状に応じて、トレンチゲート電極48近傍のp型不純物の注入深さが変化する。このため、トレンチゲート電極48近傍のp型不純物の注入深さは、それほど正確に制御することができない。しかしながら、トレンチゲート電極48近傍のボトムボディ領域26内のp型不純物濃度は、IGBT10のオン電圧やゲート閾値電圧に与える影響が小さい。したがって、この影響によるオン電圧やゲート閾値電圧のばらつきはほとんど生じない。また、このようにボトムボディ領域26を形成すると、ボトムボディ領域26に変位部26aを形成することができる。これにより、以下の利点が得られる。IGBT10では、ボトムボディ領域26よりも下側に突出するトレンチゲート電極48の突出量L1が比較的大きい。このため、ボトムボディ領域26の近くのドリフト領域28内に存在するホールが、突出しているトレンチゲート電極48に遮られて、ドリフト領域28内を横方向に移動することが抑制される。このため、ボトムボディ領域26の近くのドリフト領域28内に多くのホールが蓄積される。これによって、IGBT10のオン電圧が低減される。一方、一般的に、トレンチゲート電極の突出量を大きくすると、ゲート絶縁膜とドリフト領域との接触面積が大きくなり、IGBTの帰還容量が大きくなる。しかしながら、上述したIGBT10では、変位部26aが形成されていることで、ゲート絶縁膜42とドリフト領域28との接触面積が少なくなっている。したがって、このIGBT10は、突出量L1が大きいにも係わらず、帰還容量が小さい。したがって、第1実施形態のIGBT10で生じるスイッチング損失は小さい。また、ドリフト領域28からトップボディ領域22へ移動するホールの多くは、ゲート絶縁膜42の近くすなわち、チャネルの近くのフローティング領域24を通って移動する。上述したIGBT10では、ゲート絶縁膜42の近くにフローティング領域24の幅広部24aが形成されている。幅広部24aによって、ホールがドリフト領域28からトップボディ領域22へ移動することが抑制される。これにより、IGBT10のオン電圧がより低減される。なお、上述した第1実施形態では、フローティング領域24、トップボディ領域22、エミッタ領域20の順でこれらを形成したが、これらを形成する順序はどのように変更してもよい。また、フローティング領域24に幅広部24aを形成する必要がない場合には、トレンチゲート電極48を形成した後に、フローティング領域24、トップボディ領域22、及び、エミッタ領域20を形成してもよい。なお、トレンチゲート電極48を形成するよりも前にエミッタ領域20を形成する場合には、上述したように、エミッタ領域20を形成するためのn型不純物としてヒ素を用いることが好ましい。これは、ヒ素は熱拡散し難いため、トレンチゲート電極48の形成時に熱を受けても目的の領域にヒ素を留めておくことができるためである。エミッタ領域20を形成するために、ヒ素に代えてリンを使用することもできる。この場合には、リンは熱拡散し易いため、トレンチゲート電極48を形成した後にエミッタ領域20を形成した方がよい。また、上述した第1実施形態では、フローティング領域24を形成するためのn型不純物としてリンを用いたが、リン代えてヒ素を用いてもよい。また、上述した第1実施形態では、フローティング領域24とトップボディ領域22を形成した後にゲート絶縁膜42を形成することで、フローティング領域24に幅広部24aを形成した。しかしながら、以下の方法によって、フローティング領域24に幅広部を形成してもよい。この方法では、まず、上述したステップS2~4を実施する。次に、図19に示すように、半導体基板100の上面に、トレンチ40が形成される領域に開口部を設けたマスク102を形成する。そして、そのマスク102越しにフローティング領域24にn型不純物を注入し、注入したn型不純物の拡散、活性化させる。これによって、図20に示すように、幅広部24bを形成する。その後、幅広部24bを貫通するようにトレンチゲート電極48を形成し、その他の必要な工程を実施することで、図21に示すIGBTが完成する。また、上述した第1実施形態では、半導体基板の上面において、トレンチゲート電極48、エミッタ領域20、トップボディ領域22が図2に示すように配置されていた。しかしながら、これらが、図22または図23に示すように配置されていてもよい。なお、第1実施形態では、図8に示すように半導体基板100の上端でn型不純物濃度が最大となるようにフローティング領域24を形成したので、図4図1のB-B線における不純物濃度分布でも、半導体基板100の上端でn型不純物濃度が最大となっている。しかしながら、上述したn型不純物の平均停止位置が第1実施形態よりも少し深くなると、B-B線における不純物濃度が図24のようになる。すなわち、エミッタ領域20の深さ範囲内に、n型不純物濃度の極大値NLHが形成される。このように、エミッタ領域20の深さ範囲内にn型不純物濃度の極大値NLHが形成されても、エミッタ領域20よりも下側のトップボディ領域22及びフローティング領域24にn型不純物濃度の極大値がなければ、特に問題はない。これは、エミッタ領域20の深さ範囲内であれば、n型不純物の注入深さが浅いので、OSF等の問題が生じないためである。同様に、図25に示すように、p型不純物濃度の極大値PLH2がエミッタ領域20の深さ範囲内にあってもよい。また、図26に示すように、エミッタ領域20内に、n型不純物濃度の極大値NLH2があってもよい。また、図27に示すように、p型不純物の極小値PLLがドリフト領域28のn型不純物濃度NLより高くてもよい。また、図28は、ステップS2、S4、S6、S14で注入された不純物の濃度分布を、ステップ毎に分けて描いたものである。図28に示すように、ステップS14で注入されたp型不純物の一部が、エミッタ領域20内に分布していてもよい。例えば、図28に示すように、ステップS14で注入されたp型不純物濃度のグラフとステップS6で注入されたn型不純物濃度のグラフとの交点C1におけるn型不純物濃度が、ドリフト領域28のn型不純物濃度NL元の半導体基板100のn型不純物濃度より大きくてもよい。また、図29に示すように、ステップS2で注入、拡散させたn型不純物の一部が、ボトムボディ領域26の下側にまで分布していてもよい。すなわち、ボトムボディ領域26の下側に、濃度NLよりもn型不純物濃度が高い領域28aが形成されていてもよい。この構成では、領域28aを含むボトムボディ領域よりも下側のn型領域全体によって、ドリフト領域28が形成されている。この構造は、ステップS2で注入したn型不純物の拡散距離を長くすることで形成することができる。このようにn型不純物の拡散距離を長くすることで、フローティング領域24におけるn型不純物濃度分布の傾きが小さくなり、n型不純物濃度分布がフラットに近くなる。このため、フローティング領域24を安定して形成することが可能となり、オン電圧のばらつきがより低減される。また、このようにn型不純物の拡散距離を長くすることで、トップボディ領域22内のn型不純物濃度が低くなり、ゲート閾値電圧のばらつきがより低減される。第2実施形態次に、第2実施形態のIGBTについて説明する。第2実施形態のIGBTは、図1、2に示す第1実施形態のIGBT10と略同様に各部が配置されている。但し、第2実施形態のIGBTは、不純物濃度分布が、第1実施形態のIGBT10と異なる。図30に示すように、第2実施形態のIGBTでは、トップボディ領域22内及びフローティング領域24内において、n型不純物濃度が略一定である。次に、第2実施形態のIGBTの製造方法について説明する。第2実施形態のIGBTは、図31のフローチャートに従って製造される。第2実施形態のIGBTは、ドリフト領域28と略同じn型不純物濃度NLを有するシリコン基板以下、基礎基板というから製造される。ステップS32では、図32に示すように、基礎基板200上に、基礎基板200よりもn型不純物濃度が高いn型半導体層210をエピタキシャル成長させる。以下では、n型半導体層210をエピタキシャル層210という。また、エピタキシャル層210と基礎基板200をまとめて、半導体基板300という。ステップS32を実施すると、半導体基板300内の不純物濃度が、図33に示す分布となる。図示するように、エピタキシャル層210内のn型不純物濃度は、略一定となる。ステップS34では、図34に示すように、エピタキシャル層210内にトップボディ領域22を形成する。ここでは、上述したステップS4と同様の条件によって、エピタキシャル層210の上面にp型不純物をイオン注入する。すなわち、注入されるp型不純物の平均停止位置がエピタキシャル層210の上面近傍の領域後にエミッタ領域20が形成される深さ範囲となるようにp型不純物を注入する。次に、上述したステップS4と同様の条件によって半導体基板300を熱処理し、注入したp型不純物を拡散、活性化させる。これによって、エピタキシャル層210内に、トップボディ領域22を形成する。ここでは、トップボディ領域22の下側に、n型のエピタキシャル層210が残るようにトップボディ領域22を形成する。トップボディ領域22の下側のn型のエピタキシャル層210は、フローティング領域24となる。ステップS36では、上述したステップS6と同様にして、エピタキシャル層210内にエミッタ領域20を形成する。ステップS38では、半導体基板300の上面に、エミッタ領域20、トップボディ領域22、フローティング領域24を貫通して基礎基板200に達するトレンチ40を形成する。ステップS40では、上述したステップS10と同様にして、ゲート絶縁膜42を形成する。このとき、ゲート絶縁膜42の近傍のフローティング領域24に幅広部24aが形成される。ステップS42では、上述したステップS12と同様にして、ゲート電極44を形成する。ステップS42の実施後に、半導体基板300は、図35に示す状態となる。ステップS44では、図36に示すように、基礎基板200内のフローティング領域24と接する領域に、ボトムボディ領域26を形成する。ステップS44では、上述したステップS14と同様の条件で、注入されるp型不純物の平均停止位置がフローティング領域24の下側の領域形成すべきボトムボディ領域26の深さ範囲内となるように、p型不純物を注入する。次に、半導体基板300を熱処理して、p型不純物を拡散させ、活性化させる。これによって、図36に示すように、ボトムボディ領域26が形成される。なお、ゲート電極44の上面とエピタキシャル層210の上面との間の段差の影響により、ボトムボディ領域26に変位部26aが形成される。ステップS45、46、48は、ステップS15、16、S18と同様に実施される。これによって、図1に示す断面構造を有し、図30に示す不純物濃度分布を有するIGBTが完成する。第2実施形態のIGBTでは、第1実施形態のIGBT10で得られる利益に加えて、以下の利益が得られる。第2実施形態のIGBTでは、フローティング領域24が、n型のエピタキシャル層210により形成されている。このようにエピタキシャル成長によりフローティング領域24を形成する場合には、第1実施形態のように拡散によりフローティング領域24を形成する場合に比べて、フローティング領域24のn型不純物濃度を高くすることができる。これによって、フローティング領域24をより安定して形成することが可能となり、量産時におけるIGBTの間のオン電圧のばらつきをさらに低減することができる。また、第2実施形態のIGBTでは、図30に示すように、フローティング領域24内のn型不純物濃度が略一定である。これによっても、オン電圧のばらつきが低減される。すなわち、第1実施形態のIGBT10では、図3に示すように、フローティング領域24内のn型不純物濃度の最大値NFHが、トップボディ領域22とフローティング領域24の境界に存在する。その境界近傍のp型不純物濃度が変化すると、最大値NFHも変化する。最大値NFHは、IGBTのオン電圧に影響する。このため、第1実施形態のIGBT10では、前記境界近傍のp型不純物濃度が、IGBT10のオン電圧を決定する要因の1つとなっている。一方、第2実施形態のIGBTでは、フローティング領域24内のn型不純物濃度が略一定であるので、前記境界近傍のp型不純物濃度が変化しても、フローティング領域24内のn型不純物濃度の最大値が変化しない。このように、第2実施形態のIGBTではオン電圧を決定する要因が減っているので、量産時にIGBTの間でオン電圧のばらつきがより生じ難い。なお、第2実施形態において、p型不純物濃度の極大値PLHがボトムボディ領域26内にあった。しかしながら、図37に示すように、極大値PLHがフローティング領域24とボトムボディ領域26の境界に存在していてもよいし、図38に示すように、極大値PLHがフローティング領域24内に存在していてもよい。また、第2実施形態では、極大値PLHがフローティング領域24内のn型不純物濃度よりも低かった。しかしながら、図39に示すように、極大値PLHがフローティング領域24内のn型不純物濃度と同程度であってもよいし、図40に示すように、極大値PLHがフローティング領域24内のn型不純物濃度よりも高くてもよい。また、第2実施形態のIGBTでも、図24~28に関して上述したように不純物濃度が分布していてもよい。また、第2実施形態のIGBTでも、図22、23のように各領域が配置されていてもよい。また、第1実施形態及び第2実施形態では、半導体基板に形成されたIGBTについて説明したが、半導体基板に他の半導体素子がさらに形成されていてもよい。例えば、半導体基板に、IGBTに加えて、IGBTとは逆方向に導通するダイオードが形成されていてもよい。また、第1実施形態及び第2実施形態では、トップボディ領域へ不純物を拡散させるための熱処理と、フローティング領域へ不純物を拡散させるための熱処理を個別に行ったが、1度の熱処理でフローティング領域への不純物拡散とトップボディ領域への不純物拡散を行ってもよい。以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。