"シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成するシリコン基板のエッチング方法であって、フッ素含有ガスのプラズマを前記シリコン基板に供給して、該シリコン基板に前記凹部を形成するエッチング工程と、ホウ素含有ガスのプラズマを前記シリコン基板に供給して、前記凹部の内壁面にホウ素とシリコンとを含む保護膜を形成する保護膜形成工程とを備えるシリコン基板のエッチング方法。前記エッチング工程と前記保護膜形成工程とを同時に行う請求項1に記載のシリコン基板のエッチング方法。前記エッチング工程と前記保護膜形成工程とを交互に複数回繰り返す請求項1に記載のシリコン基板のエッチング方法。前記フッ素含有ガスが六フッ化硫黄ガスであり、前記ホウ素含有ガスが三フッ化ホウ素ガスであり、前記エッチング工程では、前記三フッ化ホウ素ガスのプラズマに加えて、酸素ガスのプラズマを前記シリコン基板に供給する請求項1~3のいずれか一項に記載のシリコン基板のエッチング方法。シリコン基板を収容する真空槽と、前記真空槽内にフッ素含有ガス及びホウ素含有ガスを供給するガス供給部と、前記真空槽内に前記フッ素含有ガスのプラズマ及び前記ホウ素含有ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記ガス供給部と前記プラズマ生成部との駆動を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記ガス供給部と前記プラズマ生成部とを駆動することで、前記真空槽内に前記フッ素含有ガスのプラズマを生成して、前記シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成させるとともに、前記真空槽内に前記ホウ素含有ガスのプラズマを生成して、前記凹部の内壁面にホウ素とシリコンとを含む保護膜を形成させることを特徴とするシリコン基板のエッチング装置。ところで、上記半導体デバイスを構成する各シリコン基板の厚さは、数十μmから数百μmである。こうしたシリコン基板に対して、直径が数μm以下の貫通孔が形成されることから、貫通孔のアスペクト比は数十から数百程度にもなる。上述のように、フッ素含有ガスのプラズマを用いてシリコン基板をエッチングした場合、正イオンを用いたエッチングによれば、シリコン基板の厚さ方向への異方性エッチングが進行する一方、ラジカルを用いたエッチングによれば、シリコン基板の等方的なエッチングが進行する。そのため、上述のような高アスペクト比の貫通孔を形成する場合にあっては特に、貫通孔の深さ方向へのエッチングが進行するに従い、貫通孔の径方向へのエッチングが、所望とする領域以上に進行してしまうことになる。なお、こうした問題は、シリコン基板に対する貫通孔の形成する場合に限らず、シリコン基板に対してその厚さ方向に延びるトレンチ等を含む凹部を形成する場合にも、概ね共通して生じるものである。この発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、シリコン基板に形成される凹部の加工精度を高めることのできるシリコン基板のエッチング方法及び該方法を用いるシリコン基板のエッチング装置を提供することにある。以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。請求項1に記載の発明は、シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成するシリコン基板のエッチング方法であって、フッ素含有ガスのプラズマを前記シリコン基板に供給して、該シリコン基板に前記凹部を形成するエッチング工程と、ホウ素含有ガスのプラズマを前記シリコン基板に供給して、前記凹部の内壁面にホウ素とシリコンとを含む保護膜を形成する保護膜形成工程とを備えることを要旨とする。請求項1に記載の発明では、シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成する際に、フッ素含有ガスのプラズマによって凹部を形成するためのエッチング工程と、ホウ素含有ガスのプラズマによってシリコンとホウ素とを含有する化合物からなる保護膜を凹部の内壁面に形成するための保護膜形成工程とを行うようにしている。これにより、凹部の底壁面には、エッチャントに含まれる垂直成分と、該垂直成分とは交差する方向に進行する成分とが到達するため、保護膜の除去とシリコン基板のエッチングとが進行することになる。他方、凹部の側壁面には、エッチャントに含まれる上記垂直成分とは交差する方向に進行する成分が到達するため、形成された保護膜が維持されることで、シリコン基板がエッチングされにくくなる。それゆえに、凹部の底壁面におけるエッチングの進行を維持しつつ、凹部の側壁面が、その開口以上に該凹部の形成方向とは直交する方向にエッチングされることを抑えることができる。その結果、凹部の加工精度を高めることができる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のシリコン基板のエッチング方法において、前記エッチング工程と前記保護膜形成工程とを同時に行うことを要旨とする。請求項2に記載の発明では、フッ素含有ガスのプラズマによるシリコン基板のエッチングと、ホウ素含有ガスのプラズマによる保護膜の形成とを同時に行うようにしている。そのため、シリコン基板に対するエッチングの進行と同時に保護膜の形成が行われることから、エッチャントに含まれる垂直成分に曝されにくい凹部の側壁面は、凹部を形成している間中、エッチャントに曝されにくくなる。他方、エッチャントの垂直成分に曝されやすい凹部の底壁面が、優先的にエッチングされるようになる。それゆえに、凹部の側壁面が、その開口以上に該凹部の形成方向とは直交する方向にエッチングされることを抑えることができ、ひいては凹部の加工精度を高めることができる。請求項3に記載の発明は、請求項1に記載のシリコン基板のエッチング方法において、前記エッチング工程と前記保護膜形成工程とを交互に複数回繰り返すことを要旨とする。請求項3に記載の発明では、凹部を形成するためのエッチング工程と、凹部の内壁面に保護膜を形成する工程とを交互に行うようにしている。そのため、エッチング工程時には、それ以前の保護膜形成工程にて形成された保護膜が、凹部の内壁面に付着していることになる。それゆえに、エッチャントに含まれる垂直成分に曝される凹部の底壁面に対して、同垂直成分に曝されにくい凹部の側壁面では、エッチング工程中にわたって保護膜が維持されやすくなる。したがって、凹部の側壁面が、その開口以上に該凹部の延びる方向とは直交する方向にエッチングされることを抑えることができ、ひいては凹部の加工精度を高めることができる。請求項4に記載の発明は、請求項1~3のいずれか一項に記載のシリコン基板のエッチング方法において、前記フッ素含有ガスは六フッ化硫黄ガスであり、前記ホウ素含有ガスは三フッ化ホウ素であり、前記エッチング工程では、前記三フッ化ホウ素ガスのプラズマに加えて、酸素ガスのプラズマを前記シリコン基板に供給することを要旨とする。請求項4に記載の発明では、凹部の内壁面をエッチングするときに、六フッ化ホウ素ガスのプラズマと、酸素ガスのプラズマとを用いるようにしている。これにより、凹部の内壁面には、六フッ化硫黄ガスのプラズマに対する選択比が、シリコン基板よりも小さいシリコン酸化物が形成される。それゆえに、該シリコン酸化膜が保護膜として機能し、凹部の側壁面が、該凹部の延びる方向とは垂直な方向にエッチングされることをより抑えることができる。請求項5に記載の発明は、シリコン基板のエッチング装置において、シリコン基板を収容する真空槽と、前記真空槽内にフッ素含有ガス及びホウ素含有ガスを供給するガス供給部と、前記真空槽内に前記フッ素含有ガスのプラズマ及び前記ホウ素含有ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記ガス供給部と前記プラズマ生成部との駆動を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記ガス供給部と前記プラズマ生成部とを駆動することで、前記真空槽内に前記フッ素含有ガスのプラズマを生成して、前記シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成させるとともに、前記真空槽内に前記ホウ素含有ガスのプラズマを生成して、前記凹部の内壁面にホウ素とシリコンとを含む保護膜を形成させることを要旨とする。請求項5に記載の発明では、エッチング装置の備える制御部が、シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成する際に、ガス供給部とプラズマ生成部とを駆動して、フッ素含有ガスのプラズマを真空槽内に生成する。また、制御部は、同じく凹部を形成する際に、ガス供給部とプラズマ生成部とを駆動して、ホウ素含有ガスのプラズマを真空槽内に生成することによって、シリコンとホウ素とを含有する化合物からなる保護膜を凹部の内壁面に形成する。このとき、凹部の底壁面には、エッチャントに含まれる垂直成分と、該垂直成分とは交差する方向に進行する成分とが到達するため、保護膜の除去とシリコン基板のエッチングとが進行することになる。他方、凹部の側壁面には、エッチャントに含まれる上記垂直成分とは交差する方向に進行する成分が到達するため、形成された保護膜が維持されることで、シリコン基板がエッチングされにくくなる。それゆえに、凹部の底壁面におけるエッチングの進行を維持しつつ、凹部の側壁面が、その開口以上に該凹部の形成方向とは直交する方向にエッチングされることを抑えることができる。その結果、凹部の加工精度を高めることができる。以下、本発明のシリコン基板のエッチング方法、及びシリコン基板のエッチング装置の一実施形態について図1及び図2を参照して説明する。まず、シリコン基板のエッチング装置の一実施形態としてのドライエッチング装置について図1を参照して説明する。[ドライエッチング装置]図1に示されるように、ドライエッチング装置10の有する円筒状の真空槽11には、該真空槽11の開口を封止する石英窓12が固着されている。真空槽11と石英窓12とによって形成される空間には、基板Sを保持する基板ステージ13が設置されている。基板ステージ13内に配置されたステージ電極14には、例えば13.56MHzの高周波電力を出力するバイアス用高周波電源15が、基板Sにバイアス電圧を印加するコンデンサを含むバイアス用整合器16を介して接続されている。バイアス用整合器16は、バイアス用高周波電源15の出力時に、該バイアス用高周波電源15の出力インピーダンスとその負荷の入力インピーダンスとを整合させるとともに、基板Sにバイアス電圧を印加する。石英窓12の外表面側には、上段アンテナ21aと下段アンテナ21bとを備える高周波アンテナ21が配設されている。高周波アンテナ21の備える各アンテナ21a,21bは、例えば基板Sの周方向に2回半巻き回された渦巻き形状をなすとともに、渦巻きの中心側の端部である電力入力部21cと、同渦巻きの外側の端部である電力出力部21dとにおいて接続されている。高周波アンテナ21の電力入力部21cには、例えば13.56MHzの高周波電力を出力するアンテナ用高周波電源22が、入力側可変コンデンサ23とアンテナ用整合器24とを介して接続されている。高周波アンテナ21の電力出力部21dには、出力側可変コンデンサ25が接続されている。アンテナ用整合器24は、上記アンテナ用高周波電源22の出力時に、アンテナ用高周波電源22の出力インピーダンスとその負荷の入力インピーダンスとを整合させる。また、入力側可変コンデンサ23と出力側可変コンデンサ25とは、エッチング処理の実施時に、高周波アンテナ21の電力入力部21c側と電力出力部21d側とに流れる電流量を略等しくする。これにより、石英窓12の内表面に付着した副生成物が該内表面の全体にわたりスパッタされやすくなる。石英窓12の外周には、真空槽11内に磁気中性線を形成する磁場コイル26が配置されている。磁場コイル26は、上段コイル26a、中段コイル26b、及び下段コイル26cから構成されている。磁場コイル26には、上記磁気中性線を形成するための電流を出力する電流供給部27が接続されている。より詳細には、上段コイル26aには上段供給部27aが接続され、また、中段コイル26bには中段供給部27bが接続され、そして、下段コイル26cには下段供給部27cが接続されている。電流供給部27のうち、上段供給部27aと下段供給部27cとが同じ向きの電流を上段コイル26a及び下段コイル26cの各々に出力するとともに、中段供給部27bが、他の供給部27a,27cとは逆向きの電流を中段コイル26bに出力することによって、上記磁気中性線が真空槽11内に形成される。真空槽11に貫通形成された排気口11aには、真空槽11内の流体を排気する排気部31が接続されている。排気部31は、例えば真空槽11内の圧力を調整する圧力調整弁や、各種真空ポンプから構成されている。真空槽11に貫通形成されたガス供給口11bには、基板Sのエッチングに用いられるフッ素含有ガスとしての六フッ化硫黄SF6ガスを真空槽11に供給するエッチングガス供給部32が接続されている。エッチングガス供給部32は、六フッ化硫黄ガスを貯蔵するボンベに接続されるマスフローコントローラであって、真空槽11内に供給される六フッ化硫黄ガスの流量を調節する。また、上記ガス供給口11bには、基板Sに保護膜を形成するホウ素含有ガスとしての三フッ化ホウ素BF3ガスを真空槽11に供給する保護膜形成ガス供給部33が接続されている。保護膜形成ガス供給部33は、三フッ化ホウ素ガスを貯蔵するボンベに接続されるマスフローコントローラであって、真空槽11内に供給される三フッ化ホウ素ガスの流量を調節する。基板Sに対するエッチング処理が実施されるときには、上記排気部31の排気流量、エッチングガス供給部32から供給される六フッ化硫黄ガスの流量、及び保護膜形成ガス供給部33から供給される三フッ化ホウ素ガスの流量によって、真空槽11内が所定の圧力とされる。ドライエッチング装置10には、上記バイアス用高周波電源15、アンテナ用高周波電源22、電流供給部27、排気部31、エッチングガス供給部32、及び保護膜形成ガス供給部33の駆動を制御する制御部41が搭載されている。制御部41は、上記ステージ電極14に供給すべき電力量をプロセス条件の一つとして記憶しているとともに、該電力量に応じた駆動信号をバイアス用高周波電源15に出力する。また、制御部41は、上記高周波アンテナ21に供給すべき電力量をプロセス条件の一つとして記憶しているとともに、該電力量に応じた駆動信号をアンテナ用高周波電源22に出力する。また、制御部41は、上記磁場コイル26に供給すべき電流値をプロセス条件の一つとして記憶しているとともに、該電流値に応じた駆動信号を電流供給部27に出力する。また、制御部41は、排気部31の排気流量をプロセス条件の一つとして記憶するとともに、該流量にて真空槽11内の流体を排気するための駆動信号を排気部31に出力する。また、制御部41は、六フッ化硫黄ガスの供給流量をプロセス条件の一つとして記憶するとともに、該流量にて六フッ化硫黄ガスを供給するための駆動信号をエッチングガス供給部32に出力する。また、制御部41は、三フッ化ホウ素ガスの供給流量をプロセス条件の一つとして記憶するとともに、該流量にて三フッ化ホウ素ガスを供給するための駆動信号を保護膜形成ガス供給部33に出力する。制御部41は、こうしたプロセス条件に基づき、エッチングガス供給部32と、保護膜形成ガス供給部33とを駆動しつつ、アンテナ用高周波電源22、電流供給部27、及びバイアス用高周波電源15とを駆動する。これにより、六フッ化硫黄ガスを用いたプラズマと、三フッ化ホウ素ガスを用いたプラズマとが上記基板Sに対して同時に供給されることで、該基板Sの厚さ方向に延びる凹部の形成と、該凹部の側壁面に対する保護膜の形成とが同時に行われる。なお、本実施形態では、上記高周波アンテナ21、アンテナ用高周波電源22、磁場コイル26、及び電流供給部27によってプラズマ生成部が構成される。[シリコン基板のエッチング方法]上記ドライエッチング装置10の作用のうち、特に同ドライエッチング装置10にて実施されるシリコン基板のエッチング方法における一実施形態について、図2及び図3を参照して以下に説明する。図2aに示されるように、上記エッチング処理の対象である基板Sは、シリコン酸化物等からなる支持基板51と、支持基板51上に積層されたシリコン基板52と、該シリコン基板52に形成する凹部の形状に応じた開口53aを有するレジストパターン53とからなる。こうした基板Sが、上記ドライエッチング装置10内に搬入されて、基板ステージ13上に載置される。基板Sが真空槽11内に搬入されると、エッチングガス供給部32が、六フッ化硫黄ガスを例えば56sccmの流量で真空槽11内に供給するとともに、保護膜形成ガス供給部33が、三フッ化ホウ素ガスを例えば224sccmの流量で同真空槽11内に供給する。なお、シリコン基板52に対して異方性エッチングを行う上では、六フッ化硫黄ガスと三フッ化ホウ素ガスとの総流量に対して、三フッ化ホウ素ガスの流量が80以上90以下だけ含まれていることがより好ましい。次いで、アンテナ用高周波電源22が高周波アンテナ21に高周波電力を出力するとともに、電流供給部27が磁場コイル26に電流を供給することにより、真空槽11内に上記六フッ化硫黄ガスと三フッ化ホウ素ガスとを用いたプラズマが生成される。そして、バイアス用高周波電源15がステージ電極14に高周波電力を出力することによって、ステージ電極14に負のバイアス電圧が印加される。これにより、上記プラズマに含まれる正イオン、特にフッ素を含有する正イオンが、バイアス電圧によって基板Sの表面に引き込まれることで、図2bに示されるように、レジストパターン53の開口53aからシリコン基板52の厚さ方向に延びる凹部54が形成される。このとき、上記フッ素を含む正イオンに加えて、ホウ素を含む正イオン及びホウ素を含むラジカルもレジストパターン53の開口からシリコン基板52に対して供給される。これらホウ素を含む正イオン及びラジカルは、基板Sに付着する程度に蒸気圧が低く、且つフッ素が含まれるホウ化ケイ素化合物SiaBbFcを形成する。そのため、シリコン基板52に形成される凹部54の内壁面には、ホウ化ケイ素化合物からなる保護膜55が形成される。なお、凹部54の底壁面54aには、上記フッ素を含有する正イオンとフッ素を含有するラジカルの両方が到達する一方、凹部54の側壁面54bには、フッ素を含有するラジカルが到達するものの、フッ素を含有する正イオンはほとんど到達しない。そのため、凹部54の底壁面54aでは、保護膜55の除去によりシリコン基板52が露出することから、シリコン基板52の厚さ方向に延びるエッチングが進行する。これに対して、凹部54の側壁面54bでは、保護膜55による側壁面54bの保護が維持されることでシリコン基板52がエッチングされにくいことから、シリコン基板52の厚さ方向と垂直な方向へのエッチングは進行しにくくなる。そして、六フッ化硫黄ガスと三フッ化ホウ素ガスとを用いて生成したプラズマによるエッチングを継続すると、図2cに示されるように、凹部54の側壁面54bの略全体に保護膜55が形成されることになる。このように、本実施形態によれば、シリコン基板52の厚さと垂直な方向へのエッチングが進行しにくいことから、該シリコン基板52に形成される凹部54の加工精度を高めることができる。ちなみに、凹部54の側壁面54bに付着した保護膜55は、例えばRCA法を用いた洗浄処理により除去することができる。なお、上記凹部54を形成するときのプロセス条件としては、アンテナ用高周波電源22の出力値が800W以上1200W以下、バイアス用高周波電源15の出力値が50W以上150W以下、真空槽11内の圧力が6Pa以上7Pa以下であることが好ましい。以上説明したように、上記実施形態におけるシリコン基板のエッチング方法、及びシリコン基板のエッチング装置よれば、以下の効果が得られるようになる。1六フッ化硫黄ガスを用いたプラズマによるシリコン基板52のエッチングと、三フッ化ホウ素ガスを用いたプラズマによる保護膜55の形成とを同時に行うようにしている。そのため、シリコン基板52に対するエッチングの進行と同時に保護膜55の形成が行われることから、エッチャントに含まれる垂直成分に曝されにくい凹部54の側壁面54bは、凹部54を形成している間中、エッチャントに曝されにくくなる。他方、エッチャントの垂直成分に曝されやすい凹部54の底壁面54aが、優先的にエッチングされるようになる。それゆえに、凹部54の側壁面54bが、その開口以上に該凹部54の形成方向とは直交する方向にエッチングされることを抑えることができ、ひいては凹部54の加工精度を高めることができる。[実施例][実施例1]直径200mmのシリコン基板に直径が2μmである開口を有したレジストパターンを形成した。そして、下記プロセス条件にて生成した六フッ化硫黄ガスと三フッ化ホウ素ガスとを用いたプラズマによってシリコン基板に凹部を形成した。六フッ化硫黄ガスの流量56sccm三フッ化ホウ素ガスの流量224sccmガスの総流量に占める三フッ化ホウ素ガスの流量:80アンテナ用高周波電源の出力値1000Wバイアス用高周波電源の出力値100W真空槽内の圧力6Paエッチングレート3.25μm/min上記プロセス条件でのシリコン基板のエッチングによれば、図3aに示されるような異方性エッチングが可能であることが認められた。[実施例2]実施例1の条件から、六フッ化硫黄ガスの流量と三フッ化ホウ素ガスの流量のみを以下のように変更したプロセス条件にて、シリコン基板に凹部を形成した。六フッ化硫黄ガスの流量28sccm三フッ化ホウ素ガスの流量252sccmエッチングレート2.4μm/minガスの総流量に占める三フッ化ホウ素ガスの流量:90上記プロセス条件でのシリコン基板のエッチングによれば、図3bに示されるような異方性エッチングが可能であることが認められた。このように、上記ガスの総流量に占める三フッ化ホウ素ガスの流量が、80以上90以下では、シリコン基板の異方性得エッチングが可能であることが認められた。[比較例]実施例1の条件から、六フッ化硫黄ガスの流量と三フッ化ホウ素ガスの流量のみを以下のように変更したプロセス条件にて、シリコン基板に凹部を形成した。六フッ化硫黄ガスの流量280sccm三フッ化ホウ素ガスの流量0sccm上記プロセス条件でのシリコン基板のエッチングによれば、等方的なエッチングとなることが認められた。[他の実施形態]なお、上記各実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。バイアス用高周波電源15の出力する高周波電力の周波数は、シリコン基板52のエッチングが可能な範囲で任意に変更可能である。アンテナ用高周波電源22の出力する高周波電力の周波数は、シリコン基板52のエッチングが可能な範囲で任意に変更可能である。上記ドライエッチング装置10は、磁場コイル26とこれに電力を供給する電流供給部27とを備えているが、これらを割愛してもよい。上記ドライエッチング装置10は、高周波アンテナ21を用いて真空槽11内にプラズマを形成するいわゆる誘導結合型のプラズマエッチング装置とした。これに限らず、真空槽11内の基板ステージ13と対向する位置に電極を有したいわゆる容量結合型のドライエッチング装置であってもよい。エッチング対象物である基板Sは、シリコン酸化物等からなる支持基板51と、シリコン基板52と、レジストパターン53とをこの順に積層した積層体とした。これに限らず、基板Sは、シリコン基板52を含んでなるものであればよく、例えば、シリコン基板52に積層された多層配線層や各種絶縁層等を備えるものであってもよい。上記レジストパターン53に代えて、酸化シリコンや窒化シリコン等からなるハードマスクがパターニングされたものを用いるようにしてもよい。プラズマ生成に用いられるガスに希釈ガスとして、例えばアルゴンArガス、ヘリウムHeガス、ネオンNeガス、キセノンXeガス等の希ガスを混合するようにしてもよい。凹部54を形成する際に、六フッ化硫黄ガスと三フッ化ホウ素ガスとを用いるようにした。これに加えて、酸素ガスを用いるようにしてもよい。これにより、以下の効果が得られるようになる。2凹部54の内壁面には、シリコンとホウ素とを含む化合物からなる保護膜に加えて、シリコン酸化膜も形成されるようになる。シリコン基板52は、上記六フッ化硫黄ガスのプラズマに対する選択比がシリコン酸化膜よりも大きいことから、上記シリコンホウ化物を含有する保護膜に加えて、シリコン酸化膜も保護膜として機能する。それゆえに、凹部54の側壁面54bが、該凹部54の延びる方向とは垂直な方向にエッチングされることをより抑えることができる。六フッ化硫黄ガスと三フッ化ホウ素ガスとの総流量に占める三フッ化ホウ素ガスの割合は上記80以上90以下でなくともよい。シリコン基板をエッチングする際のガスに三フッ化ホウ素ガスが含まれていれば、六フッ化硫黄ガスのみによってエッチングを行う場合と比較して、シリコン基板がその厚さ方向とは垂直な方向にエッチングされることを抑制することができる。六フッ化硫黄ガスを用いたエッチング工程と、三フッ化ホウ素ガスを用いた保護膜形成工程とを同時に行うようにした。これに限らず、図4に示されるように、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に行うようにしてもよい。つまり、図4aに示されるように、酸化シリコン等からなる支持基板61、シリコン基板62、開口63aを有するレジストパターン63をこの順に積層した基板Sがドライエッチング装置10に搬入されると、上記エッチングガス供給部32が六フッ化硫黄ガスを真空槽11内に供給する。次いで、アンテナ用高周波電源22が高周波アンテナ21に対して高周波電力を供給するとともに、電流供給部27が磁場コイル26に電流を供給することによって、六フッ化硫黄ガスを用いたプラズマが真空槽11内に生成される。そして、バイアス用高周波電源15が上記ステージ電極14に高周波電力を供給すると、図4bに示されるように、基板Sに引き込まれたフッ素を含有する正イオンと、基板Sに到達したフッ素を含有するラジカルとが、レジストパターン63の開口63aから露出するシリコン基板62をエッチングする。これにより、シリコン基板62の厚さ方向に延びる凹部64が形成される。シリコン基板62のエッチングが所定時間継続されると、エッチングガス供給部32が、真空槽11内への六フッ化硫黄ガスの供給を停止するとともに、保護膜形成ガス供給部33が、真空槽11内への三フッ化ホウ素ガスの供給を開始する。これにより、図4cに示されるように、先のエッチングで形成された凹部64の底壁面64a及び側壁面64bを覆うように、基板Sに付着する程度に蒸気圧が低いホウ化ケイ素化合物SiaBbからなる保護膜65が形成される。凹部64の底壁面64a及び側壁面64bに対する保護膜65の形成が所定時間継続されると、保護膜形成ガス供給部33が、真空槽11内への三フッ化ホウ素ガスの供給を停止するとともに、エッチングガス供給部32が、真空槽11内への六フッ化硫黄ガスの供給を開始する。これにより、図4dに示されるように、底壁面64aに形成された保護膜65が除去されるとともに、凹部64の底壁面64aにおいてシリコン基板62がその厚さ方向にエッチングされる。シリコン基板62のエッチングが所定時間継続されると、エッチングガス供給部32が、真空槽11内への六フッ化硫黄ガスの供給を停止するとともに、保護膜形成ガス供給部33が、真空槽11内への三フッ化ホウ素ガスの供給を開始する。これにより、図4eに示されるように、凹部64の底壁面64a及び側壁面64bからなる内壁面に保護膜65が形成される。このように、六フッ化硫黄ガスを用いたプラズマによってシリコン基板62の厚さ方向に延びる凹部64を形成するエッチング工程と、エッチング工程によって形成された凹部64の底壁面64a及び側壁面64bを覆う保護膜65を形成する保護膜形成工程とを繰り返す。これにより、図4fに示されるように、シリコン基板62を貫通する凹部64が形成される。エッチング工程と保護膜形成工程とを繰り返す回数は、シリコン基板62の厚さや、一度のエッチング工程によって形成される凹部64の深さ等によって規定される。これにより、以下のような効果を得ることができる。3凹部64を形成するためのエッチング工程と、凹部64の内壁面である底壁面64aと側壁面64bとに保護膜65を形成する工程とを交互に行うようにしている。そのため、エッチング工程時には、それ以前の保護膜形成工程にて形成された保護膜65が、凹部の内壁面に付着していることになる。それゆえに、エッチャントに含まれる垂直成分に曝される凹部64の底壁面64aに対して、同垂直成分に曝されにくい凹部64の側壁面64bでは、エッチング工程中にわたって保護膜65が維持されやすくなる。したがって、凹部64の側壁面64bが、その開口以上に該凹部64の延びる方向とは直交する方向にエッチングされることを抑えることができ、ひいては凹部64の加工精度を高めることができる。なお、上述のように、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に行う場合に、エッチング工程にて六フッ化硫黄ガスに加えて、酸素ガスを用いるようにしてもよい。これにより、以下の効果が得られるようになる。4凹部64の内壁面である底壁面64aと側壁面64bとには、シリコン酸化膜が形成されるようになる。シリコン基板62は、上記六フッ化硫黄ガスのプラズマに対する選択比がシリコン酸化膜よりも大きいことから、シリコン酸化膜が保護膜として機能する。それゆえに、凹部64の側壁面64bが、該凹部64の延びる方向とは垂直な方向にエッチングされることをより抑えることができる。上記シリコン基板52,62に形成される凹部54,64は、シリコン基板52,62を貫通するものでなくともよく、該シリコン基板52,62の厚さ方向の途中まで延びる凹部でもよい。フッ素含有ガスとして六フッ化硫黄ガスを用いるようにした。これに限らず、フッ素含有ガスとしてNF3、CF4、BF3、PF3、XeF2、IF5、F2、ClF3、COF2、AsF3、SiF4、WF6、及びMoF6等のガスを用いるようにしてもよい。これらのガスを用いる場合であっても、これらのガスによって生成されるプラズマでは、上述したホウ化ケイ素化合物がエッチングされ難く、且つスパッタされた残渣の粒子を蒸気圧が高いフッ化物として揮発させることが可能であるため、上記1~4に準じた効果を得ることが可能である。なお、フッ素含有ガスとして上記F2ガスを用いる場合には、Ar等の希ガスによって希釈するようにしてもよい。ホウ素含有ガスとして三フッ化ホウ素ガスを用いるようにした。これに限らず、ホウ素含有ガスとしてB2H6、BCl3、BBr3等のガスを用いるようにしてもよい。これらのガスを用いる場合であっても、これらのガスによって生成されるホウ化ケイ素化合物がエッチングされ難いため、上記1~4に準じた効果を得ることが可能である。"