第1の基板上に第1の発振波長の光を出射する第1のレーザ部と第2の発振波長の光を出射する第2のレーザ部とを有する第1のレーザダイオードと、第2の基板上に半導体積層構造が形成され、第3の発振波長の光を出射する第3のレーザ部を有し、前記第3のレーザ部の共振器が前記半導体積層構造の積層方向および共振器方向と垂直な方向における中央線から一端部方向へずれた位置に形成された第2のレーザダイオードと、前記第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、前記第2のレーザダイオードは前記一端部側で前記第1のレーザダイオードと隣接するようにサブマウント上に実装されていることを特徴とする多波長半導レーザ装置。第1の基板上に、第1の発振波長の光を出射する第1のレーザ部と、第2の発振波長の光を出射する第2のレーザ部を有する第1のレーザダイオードと、第2の基板上に半導体積層構造を有し、第3の発振波長の光を出射する第2のレーザダイオードと、前記第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、前記第1のレーザダイオードと前記第2のレーザダイオードは隣接するように前記サブマウント上に実装されており、前記第1のレーザダイオードは共振器側を前記サブマウント側に、前記第2のレーザダイオードは前記第2の基板側を前記サブマウント側にして実装されていることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。前記サブマウントに段差が形成されており、第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードの実装位置が共振器方向に対する鉛直断面上で異なる位置にあることを特徴とする請求項2に記載の多波長半導体レーザ装置。前記第1のレーザダイオードのレーザ光軸と前記第2のレーザダイオードのレーザ光軸が共振器方向の一平面上に揃っていることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。前記第1のレーザダイオードの一部分と前記第2のレーザダイオードの一部分が共振器方向に対する鉛直断面上で重なっていることを特徴とする請求項3に記載の多波長半導体レーザ装置。第1の基板上に、第1の発振波長の光を出射する第1のレーザ部と、第2の発振波長の光を出射する第2のレーザ部を有する第1のレーザダイオードと、第2の基板上に半導体積層構造を有し、第3の発振波長の光を出射する第2のレーザダイオードと、前記第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、前記サブマウントが第1の平面部と概第1の平面部に対して内角を形成する第1の側面を有する第1の側壁部を有し、前記第1のレーザダイオードを前記第1の平面部に実装し、前記第2のレーザダイオードを、前記第2の基板側が前記第1の側面と対向するように前記第1の側壁部に実装していることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。第1の基板上に、第1の発振波長の光を出射する第1のレーザ部と、第2の発振波長の光を出射する第2のレーザ部を有する第1のレーザダイオードと、第2の基板上に半導体積層構造を有し、第3の発振波長の光を出射する第2のレーザダイオードと、前記第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、前記サブマウントが第2の平面部と概第2の平面部に対して外角を形成する第2の側面面を有する第2の側壁部を有し、前記第1のレーザダイオードを前記第2の平面部に実装し、前記第2のレーザダイオードを、共振器側が前記第2の側面と対向するように前記第2の側壁部に実装していることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。前記サブマウントの前記第2の側壁部に凹部を有し、前記第2のレーザダイオードからの光が前記凹部を形成する側面との間に所定の間隔を有することを特徴とする請求項7に記載の多波長半導体レーザ装置。前記凹部が溝状であることを特徴とする請求項8に記載の多波長半導体レーザ装置。前記第2のレーザダイオードの共振器が端部近傍に形成されていることを特徴とする請求項2から9のいずれか1項に記載の多波長半導体レーザ装置。しかしながら、特許文献1に記載の多波長レーザ装置においては、赤外LDと赤色LDが青紫色LD上に接着して配置されているため、赤外LDおよび赤色LDが動作時に発する熱をヒートシンクに効率的に放熱することができないという問題があった。また、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなるという問題があった。この発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、チップサイズが小さく光学設計が容易で、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を提供するものである。この発明に係る多波長半導体レーザ装置は、第1の基板上に第1の発振波長の光を出射する第1のレーザ部と第2の発振波長の光を出射する第2のレーザ部とを有する第1のレーザダイオードと、第2の基板上に半導体積層構造が形成され、第3の発振波長の光を出射する第3のレーザ部を有し、前記第3のレーザ部の共振器が前記半導体積層構造の積層方向および共振器方向と垂直な方向における中央線から一端部方向へずれた位置に形成された第2のレーザダイオードと、前記第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、前記第2のレーザダイオードは前記一端部側で前記第1のレーザダイオードと隣接するようにサブマウント上に実装されていることを特徴とするものである。また、この発明に係る多波長半導体レーザ装置は、第1の基板上に、第1の発振波長の光を出射する第1のレーザ部と、第2の発振波長の光を出射する第2のレーザ部を有する第1のレーザダイオードと、第2の基板上に半導体積層構造を有し、第3の発振波長の光を出射する第2のレーザダイオードと、前記第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、前記第1のレーザダイオードと前記第2のレーザダイオードは隣接するように前記サブマウント上に実装されており、前記第1のレーザダイオードは共振器側を前記サブマウント側に、前記第2のレーザダイオードは前記第2の基板側を前記サブマウント側にして実装されていることを特徴とするものである。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。この発明によれば、チップサイズが小さく光学設計が容易で、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。実施の形態1.図1は、実施の形態1に係る多波長半導体レーザ装置の斜視図である。また、図2は本実施の形態1の多波長半導体レーザ装置に搭載される2波長LDと青紫LDの積層構造を示す断面図である。また、図3は本実施の形態1の多波長半導体レーザ装置のレーザ光の出射方向に対して直交する一方向からみた側面図である。実施の形態における多波長半導体レーザ装置は、金属板材を円板状に成形したステム101と、ステム101の上面に載置されたブロック103と、ブロック103を構成する一平面に載置されたサブマウント105とを有する。サブマウント105上には、2波長LD107と青紫LD109が搭載される。2波長LD107は、第1の基板207上に半導体積層構造を有し、第1のレーザ部として波長780nmの赤外レーザ光を出射する赤外レーザ部201と、第2のレーザ部として波長650nmの赤色レーザ光を出射する赤色レーザ部203とがモノリシックに形成されている。裏面には第1の裏面n側電極209が形成されている。青紫LD109は、第2の基板211上に窒化物系半導体が積層された第3のレーザ部205が形成されたもので、波長405nmの青紫レーザ光を出射する。裏面には第2の裏面n側電極213が形成されている。青紫LD109の共振器117は、共振器方向および半導体積層方向と垂直な方向においてチップの中央線215からチップの一端部217方向へずれた位置に形成されている。ステム101を貫通して設けられたリードピン111は、2波長LD107および青紫LD109とボンディングワイヤ113を介して電気的に接続され、接地ピン115はステム101を貫通し、ステム101と電気的に接続されている。ブロック103は、銅合金等の熱伝導率の高い金属材料で形成されており、2波長LD107および青紫LD109で発生した熱を効率よく放熱する。ブロック103に載置されたサブマウント105上に2波長LD107と青紫LD109が隣接してはんだ付けされている。青紫LD109は、中央線215からずれて共振器が形成された一端部217側が2波長LD107と隣接するようにサブマウント105上に搭載されている。2波長LD107および青紫LD109から放出されるレーザ光は、同一方向に放射されるように配置されている。なお、ブロック103、サブマウント105、2つのLDの設置順は特に限定されない。リードピン111は、絶縁体を介してステム101を貫通しており、2波長LD107のp側電極301および青紫LD109のp側電極303とボンディングワイヤ113で電気的に接続される。接地ピン115はステム101と溶接で接合されており、ステム101を介してブロック103およびサブマウント105は接地ピン115と電気的に接続されている。サブマウント105上にはGND配線パターン305が形成されており、2波長LD107および青紫LD109は、GND配線パターン305と第1の裏面n側電極209および第2のn側電極213が接続されるようにサブマウント105上に配置され、接地ピン115と電気的に接続されている。さらにサブマウント105上のGND配線パターン305と接地ピン115とはボンディングワイヤ113で電気的に接続されている。このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、2波長LD107の2つのレーザの発光点間の距離の制約を満たした状態でチップサイズが小さい多波長半導体レーザ装置を得ることができる。さらに本実施の形態1では、2波長LD107の2つのレーザの共振器と青紫LD109の共振器117は同方向となっており、また、図2に示すように2波長LD107の2つのレーザの発光点219、221と青紫LD109の発光点223が共振器方向において同一平面上に揃っている。そのため、モニタPDの配置などの光学設計を容易にすることができる。また、2波長LD107と青紫LD109のの間隔を調整することにより、各発光点間の距離を等しくすることも可能である。本実施の形態1によれば、多波長半導体レーザ装置を、2つのレーザの発光点間の距離に制約がある2波長LDと発光点が中央からずれた青紫LDを隣接して載置するように構成したので、各発光点間の距離を等しくすることができる。あるいは、2波長LD107の2つのレーザの発光点間の距離の制約を満たした状態で光学系が小さくなるように設計することが可能な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。また、2波長LD107の2つのレーザの共振器と青紫LD109の共振器は同方向となっており、2波長LD107の2つの発光点219、221と青紫LD109の発光点223が共振器方向において同一平面上に揃っているので、光学設計を容易にすることができる。また本実施の形態1では、サブマウント105のGND配線パターン305と接地ピン115とがボンディングワイヤ113で電気的に接続されているが、接地ピン115とステム101とが溶接で接合されており、ステム101およびブロック103およびサブマウント105は電気的に接続されているので、サブマウント105上のGND配線パターン301と接地ピン115との間のボンディングワイヤ113を省くこともできる。実施の形態2.図4は本発明の他の実施の形態2に係る多波長半導体レーザ装置の斜視図である。また、図5は本実施の形態2の多波長半導体レーザ装置のレーザ光の出射方向に対する側面図である。本実施の形態2に係る多波長半導体レーザ装置は、2波長LD107をサブマウント105上に積層する際に、2つの発光点219、221側をサブマウント105側に、基板207の第1のn側電極209がサブマウント105から離れる方向とするジャンクションダウンで積層している。2波長LD107は発熱量が大きくジャンクションダウンで実装することにより共振器から発生する熱をサブマウント105を介して効率的に放熱することが可能となる。放熱の問題が2波長LD107と比較して少ない青紫LD109は組立てが容易なジャンクションアップで実装する。青紫LD109の光軸の水平位置を2波長LD107の各光軸から切り離し、2波長LD107と青紫LD109の光学設計を分けて行う場合には、青紫LD109の共振器をチップ中央からずれた位置に形成する必要はない。サブマウント105上には2波長LD107用の信号パターン501と青紫LD109用にGNDパターン503が形成されている。サブマウント105とサブマウント105上の信号パターン501とは絶縁膜などで電気的に絶縁されている。本実施の形態2のその他の構成は、実施の形態1と同様である。2波長LD107の2つのレーザの発光点間の距離および青紫LD109の光学系に制約がある場合には、実施の形態1と同様に青紫LD109の共振器をチップ中央からずれた位置に形成することで外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。本実施の形態2によれば、多波長半導体レーザ装置を、2波長LD107をジャンクションダウンとし、青紫LD109をジャンクションアップで実装したので、放熱に優れ組立てが容易な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。実施の形態3.図6は本発明の他の実施の形態3の多波長半導体レーザ装置に搭載される2波長LDと青紫LDの積層構造を示す断面図である。本実施の形態3に係る多波長半導体レーザ装置は、2波長LD107と青紫LD109を実装するサブマウント105に段差601が形成されており、2波長LD107と青紫LD109の実装位置が共振器方向に対する鉛直断面上で異なる位置にある。本実施の形態3のその他の構成は、実施の形態2と同様である。また、2波長LD107の2つのレーザの発光点219、221と青紫LD109の発光点223が共振器方向において同一平面上に揃っている。本実施の形態3のその他の構成は、実施の形態2と同様である。このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、2波長LD107の2つのレーザの発光点219、221と青紫LD109の発光点223を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。また、2波長LD107の2つのレーザの発光点219、221と青紫LD109の発光点223を共振器方向において同一平面上に揃えることも可能で、モニタPDの配置などの光学設計を容易にすることができる。実施の形態4.図7は本発明の他の実施の形態4の多波長半導体レーザ装置に搭載される2波長LDと青紫LDの積層構造を示す断面図である。本実施の形態4に係る多波長半導体レーザ装置は、段差が形成されたサブマウント105上に搭載された2波長LD107と青紫LD109の一部が、上下に重なり部分701を有している。本実施の形態4のその他の構成は、実施の形態2と同様である。このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、2波長LD107の2つのレーザの発光点219、221と青紫LD109の発光点223を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。実施の形態5.図8および図9は本発明の他の実施の形態5の多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略図である。図8は本実施の形態5の多波長半導体レーザ装置の概略断面図、図9は概略側面図である。本実施の形態5に係る多波長半導体レーザ装置は、2波長LD107と青紫LD109を実装するサブマウント105に第1の平面部801と概第1の平面部に対して内角θ1を形成する第1の側面803を有する第1の側壁部805が形成されている。2波長LD107は第1の平面部801に実装され、青紫LD109は第2の基板側が第1の側面803と対向するように第1の側壁部805に実装されている。第1の平面部801および第1の側壁部805には信号配線パターン807およびGND配線パターン809が形成されている。本実施の形態5では2波長LD107をジャンクションダウンで実装し、青紫LD109をジャンクションアップで実装しているので、第1の平面部801には信号配線パターン807を形成し、第1の側壁部805にはGND配線パターン809が形成されている。信号配線パターン807およびGND配線パターン809はボンディングワイヤ113によってリードピン111あるいは接地ピン115と接続されている。本実施の形態5のその他の構成は、実施の形態1と同様である。さらに第1の平面部801と第1の側壁部805の間に第1の凹部811を形成することで、2波長LD107の2つのレーザの発光点219、221と青紫LD109の発光点223を共振器方向において同一平面上に揃えることも可能となる。本実施の形態5では、第1の側面803は、第1の平面部801に対して鉛直面としているが、第1の側面803は、第1の平面部801に対して必ずしも鉛直である必要はなく、内角θ1は90度以上であってもよい。内角θ1を90度以上にした場合には内角θ1を90度とした場合より、青紫LD109へのワイヤボンディングが容易となる。このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、2波長LD107の2つのレーザの発光点219、221と青紫LD109の発光点223を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。実施の形態6.図10および図11は本発明の他の実施の形態6の多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略図である。図10は本実施の形態6の多波長半導体レーザ装置の概略断面図、図11は概略側面図である。本実施の形態6に係る多波長半導体レーザ装置は、サブマウント105の第2の平面部1001と概第2の平面部1001に対して外角θ2をなす面である第2の側壁部1003に、それぞれ2波長LD107と青紫LD109が実装されている。第2の平面部1001および第2の側壁部1003には信号配線パターン1005が形成されている。本実施の形態5では2波長LD107および青紫LD109をジャンクションダウンで実装しているので、第2の平面部1001および第2の側壁部1003には信号配線パターン1005が形成されているが、ジャンクションアップで実装した場合には、その実装部分にGND配線パターンが形成される。信号配線パターン1005はボンディングワイヤ113によってリードピン111と接続され、2波長LD107の第1の裏面n電極209および青紫LD109の第2の裏面n電極213がボンディングワイヤ113によって接地ピン115と接続されている。本実施の形態6のその他の構成は、実施の形態1と同様である。さらに本実施の形態6に係る多波長半導体レーザ装置は、青紫LD109の実装位置を調節することにより、2波長LD107の2つのレーザの発光点219、221と青紫LD109の発光点223を共振器方向において同一平面上に揃えることも可能となる。このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、2波長LD107の2つのレーザの発光点219、221と青紫LD109の発光点223を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。実施の形態7.図12は本発明の他の実施の形態7の多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。本実施の形態7に係る多波長半導体レーザ装置は、サブマウント105の第2の側壁部1003に、第2の凹部1201が形成されている。この第2の凹部1201は、第2の凹部1201を形成する凹部側面1203と青紫LD109からの光との間に所定の間隔を有するように形成されている。この第2の凹部1201によって青紫LD109からの光とサブマウント105とが所定の間隔を有して分離されており、サブマウント105上の実装位置によって青紫LD109からの光にサブマウント105が与える影響を小さくすることが可能となる。本実施の形態7のその他の構成は、実施の形態6と同様である。このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、2波長LD107の2つのレーザの発光点219、221と青紫LD109の発光点223を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、さらにサブマウント105が光に与える影響を小さくし、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。本明細書の各実施の形態では、赤外レーザおよび赤色レーザの2波長LDと青紫LDを搭載することで多波長半導体レーザ装置を構成したが、各レーザの波長はこれに限定されない。例えば赤色、緑色、青色の三つの波長のレーザを組み合わせて本発明の多波長半導体レーザ装置を構成してもよい。なお、図面および明細書では本発明の典型的な好ましい実施形態を開示しており、特定の用語を使用しているが、それらは一般的かつ記述的な意味合いでのみ使用しており、本明細書に記載の特許請求の範囲を限定することを目的とするものではないことは言うまでもない。