共通電極を有する観察側の基板と、画素電極を有する非観察側の基板との間に電解液を封入し、前記各電極間の電位に応じて前記電解液中のデポジション材料を酸化還元反応させることにより、表示を行う電気化学表示素子であって、前記非観察側の基板は、電源バスからの電流を駆動トランジスタを介して前記画素電極に供給するための金属配線と、前記駆動トランジスタおよび前記金属配線を覆うように形成される第1の絶縁膜とを有しており、前記画素電極は、前記第1の絶縁膜上に形成されているとともに、前記第1の絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して前記金属配線と接続されており、前記非観察側の基板は、さらに、前記コンタクトホールを覆うように前記画素電極上に形成される第2の絶縁膜を有していることを特徴とする電気化学表示素子。前記画素電極は、前記駆動トランジスタを覆うように前記第1の絶縁膜上に形成されており、前記第2の絶縁膜は、前記駆動トランジスタを覆うように前記画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気化学表示素子。前記非観察側の基板は、前記駆動トランジスタによって駆動される画素を選択するための選択トランジスタをさらに有しており、前記画素電極は、前記選択トランジスタを覆うように前記第1の絶縁膜上に形成されており、前記第2の絶縁膜は、前記選択トランジスタを覆うように前記画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の電気化学表示素子。前記第2の絶縁膜は、前記画素電極の周縁部をさらに覆うように形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の電気化学表示素子。前記画素電極は、前記電源バスと前記駆動トランジスタのゲート電極とが前記第1の絶縁膜を介して交差することにより形成される段差部を覆うように形成されており、前記第2の絶縁膜は、前記段差部を覆うように前記画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の電気化学表示素子。前記第2の絶縁膜は、開口部を有し、かつ、1画素内で層構成が同一の領域以外の部分を覆うように形成されていることを特徴とする請求項4または5に記載の電気化学表示素子。前記画素電極を第1の画素電極とすると、前記第2の絶縁膜は、前記開口部内に前記第1の画素電極と導通する第2の画素電極を形成する際の隔壁を兼ねていることを特徴とする請求項6に記載の電気化学表示素子。前記第2の絶縁膜の前記開口部は、円形であることを特徴とする請求項6または7に記載の電気化学表示素子。前記第2の絶縁膜は、前記画素電極と前記共通電極との間を埋めるように形成されていることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の電気化学表示素子。上記のように、画素電極と駆動トランジスタおよび金属配線とを絶縁膜を介して別レイヤーとする構成では、絶縁膜に設けられるコンタクトホールが孔であるがゆえに、コンタクトホールの内部と外部とで、画素電極に凹凸が生じる。このように画素電極に凹凸が生じると、繰り返し駆動を行ったときに画素電極の凹凸部分でデポジション材料が異常析出し、表示素子としての性能が劣化するという問題が生ずる。なお、上記の異常析出は、以下の理由によるものと考えられる。つまり、画素電極の凹凸部分では、黒表示時に、観察側でのデポジション材料の析出反応が他の部分例えば画素電極の平坦な部分に比べて起こりにくくなり、非観察側である画素電極側に、析出していたデポジション材料が溶解せずに残ってしまう。一方、白表示時には、観察側に析出していたデポジション材料を十分に溶解させて非観察側に析出させるだけの酸化還元反応が行われる。このため、黒/白の駆動を繰り返すごとに、非観察側で析出するデポジション材料が次第に大きくなり、異常析出となる。なお、用いる電解液、駆動条件により、異常析出が起こる駆動回数は異なるが、画素電極の凹凸の大きい部分で異常析出が起こりやすいことに変わりはない。本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、コンタクトホールによって画素電極に凹凸が生じる場合でも、その凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避して表示素子の性能劣化を回避できる電気化学表示素子を提供することにある。本発明の電気化学表示素子は、共通電極を有する観察側の基板と、画素電極を有する非観察側の基板との間に電解液を封入し、前記各電極間の電位に応じて前記電解液中のデポジション材料を酸化還元反応させることにより、表示を行う電気化学表示素子であって、前記非観察側の基板は、電源バスからの電流を駆動トランジスタを介して前記画素電極に供給するための金属配線と、前記駆動トランジスタおよび前記金属配線を覆うように形成される第1の絶縁膜とを有しており、前記画素電極は、前記第1の絶縁膜上に形成されているとともに、前記第1の絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して前記金属配線と接続されており、前記非観察側の基板は、さらに、前記コンタクトホールを覆うように前記画素電極上に形成される第2の絶縁膜を有していることを特徴としている。本発明によれば、第1の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを覆うように画素電極上に第2の絶縁膜が形成されているので、画素電極のうちでコンタクトホールによる凹凸が生じている部分と観察側の共通電極との間では、第2の絶縁膜の存在によって電解液に電流が流れなくなり、デポジション材料の析出/溶解自体が行われなくなる。したがって、繰り返し駆動における、画素電極の上記凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避することができ、表示素子の性能劣化を回避することができる。本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。表示素子の基本構成図1abは、本実施形態の表示素子1の1画素の概略の構成を模式的に示す説明図である。ただし、図1aは黒表示状態での画素を示し、図1bは白表示状態での画素を示している。表示素子1は、EDと呼ばれる電気化学表示素子で構成されており、観察側の基板10と非観察側の基板20との間に電解液30を封入して構成されている。電解液30には、デポジション材料としての銀が溶解しており、銀イオン31が存在している。なお、電解液30の詳細については後述する。観察側の基板10は、例えば透明なガラス基板で構成されるコモン基板11を有している。そして、コモン基板11上には、各画素1aに共通のコモン電極12共通電極が形成されている。一方、非観察側の基板20は、例えば透明なガラス基板で構成される駆動基板21を有している。なお、駆動基板21は非観察側に配置されるため、透明でなくてもよい。この駆動基板21上には、各画素1aに対応する画素電極25が形成されている。各基板1020は、コモン電極12および画素電極25が内側となるように電解液30を介して対向するように貼り合わされている。コモン電極12は、観察側の電極であるため、透明であることが必要である。このため、コモン電極12としては、通常、酸化インジウムスズ以下、ITOと言うなどの透明電極が用いられる。ここで、ITOは、電解液30によるエッチング耐性を高めるため、結晶性のものが望ましい。アモルファスのITOを用いる場合は、300°C以上の温度でアニールして結晶化させる必要があるが、観察側の基板10側には、熱によるダメージを受ける材料が形成されていないので、アモルファスITOを用いてコモン電極12を形成することが可能である。一方、画素電極25は、電解液30中のデポジション材料よりもイオン化傾向の大きい材料で構成されている。例えば、デポジション材料として銀を用いた場合、画素電極25としては、金属酸化物であるアモルファス状のITOを用いる場合が多い。これは、非観察側の駆動基板21上に形成されるトランジスタ例えばTFTやそれを覆う絶縁膜にダメージを与えることなく、上記絶縁膜上に約200°C程度で低温成膜通常はスパッタすることができ、また、同じく上記トランジスタ等にダメージを与えることなくフォトリソグラフィ技術によるパターニングが可能だからである。このように、アモルファスITOは、画素電極25の成膜プロセスの観点から有利であり、汎用装置で画素電極25を容易に形成することができる。次に、表示素子1の表示原理について説明する。図1aにおいて、スイッチSW1が閉じられると、コモン電極12のコモン電圧Vcomとして、画素電極25に対して閾値以上の負の電圧Vbが印加され、コモン電極12から電解液30に電子が注入されてコモン電流Icomが流れ、コモン電極12の画素電極25に対向する位置に、銀イオン31が還元されて銀の層32が析出する。これをコモン電極12側から見ると、黒く見える。一方、図1bにおいて、同様にスイッチSW1が閉じられ、コモン電極12のコモン電圧Vcomとして、画素電極25に対して閾値以上の正の電圧Vwが印加されると、図1aで析出した銀の層32が酸化されて銀イオン31となり、電解液30の内部に分散される。銀の層32が銀イオン31に変化した状態は、コモン電極12側から見ると透明であるため、電解液30を白く着色しておく、あるいは画素電極25の上に拡散層を設ける等により、白く見える。このようにして白と黒の表示を切り替えることができる。図1abでは、スイッチSW1を用いて表示素子1の画素1aに電圧を印加しているが、スイッチSW1として1画素当たり2個の薄膜トランジスタTFTを用いれば、各画素1aをマトリクス状に配置して、各画素1aごとに電圧を印加して表示を行う、いわゆるアクティブマトリクス方式の表示素子1を構成することができる。画素の詳細な構成次に、表示素子1の1画素の詳細な構成について説明する。図2aは、表示素子1の画素1aの等価回路を示す説明図であり、図2bは、表示素子1の非観察側の基板20における画素1aの一構成例を示す平面図である。なお、図2bでは、便宜上、後述する図3に示すゲート絶縁膜22、層間絶縁膜24および画素電極25の図示を省略しているこれらを図示すると層の上下関係が複雑化するため。画素1aには、2個の薄膜トランジスタQ1Q2が形成されている。薄膜トランジスタQ1は、駆動する画素1aを選択するための選択トランジスタスイッチングトランジスタであり、薄膜トランジスタQ2は、画素1aを駆動する駆動トランジスタである。薄膜トランジスタQ1は、ゲートバスGmの信号により駆動され、オンされたときのソースバスSnの信号を薄膜トランジスタQ2のゲート電極に印加する。薄膜トランジスタQ2は、薄膜トランジスタQ1によってゲート電位が高電位にされたときに、コモン電位Vcomと電源バスVDDによる駆動電位Vddとの差の電位、すなわち図1abで説明した電圧VbまたはVwを、コモン電極12と画素電極25との間に印加して、電解液30に電流を流す。コモン電極12と画素電極25との間の電位に応じて、電解液30中のデポジション材料である銀が酸化還元反応を起こし、これによって、画素1aを黒化させたり白化させたりすることができる。このように、EDとしての表示素子1は、電流駆動型の表示素子であるので、各画素1aには駆動時に瞬間的に比較的大きな電流が流れる。この際の電圧降下を防止するために、電源バスVDDは太くする必要がある。ただ、画素サイズとの兼ね合いから、電源バスVDDはむやみに幅方向に太くすることはできないので、電源バスVDDを厚く形成することで対応するのが一般的である。次に、画素1aにおける非観察側の基板20の構成について、さらに詳しく説明する。図3は、画素1aの詳細な構成を示す断面図である。なお、図3では、説明の理解をしやすくするために、互いに折れ曲がった複数の切断面を一方向につなげて模式的に示しており、単一の面で切断されたときの断面図ではないことを先に断わっておく。この点は、以下で登場する断面図でも同様である。駆動基板21上には、走査バスGmと、薄膜トランジスタQ1Q2のゲート電極とが形成されている。薄膜トランジスタQ1のゲート電極は、走査バスGmと接続されている。そして、走査バスGmおよび各ゲート電極を覆うように、ゲート絶縁膜22が駆動基板21上に形成されている。ゲート絶縁膜22上には、薄膜トランジスタQ1Q2の半導体がパターニング形成されているとともに、ソースバスSn、電源バスVDD、薄膜トランジスタQ1Q2のソース/ドレイン電極および金属配線23が形成されている。薄膜トランジスタQ1のソース/ドレイン電極の一方の電極は、ソースバスSnと接続されており、他方の電極は、ゲート絶縁膜22に設けられるコンタクトホール22aを介して、薄膜トランジスタQ2のゲート電極と接続されている。また、薄膜トランジスタQ2のソース/ドレイン電極の一方の電極は、電源バスVDDと接続されており、他方の電極は、金属配線23と接続されている。なお、上記他方の電極は、金属配線23と一体形成されていてもよい。そして、薄膜トランジスタQ1Q2の半導体、ソースバスSn、電源バスVDD、薄膜トランジスタQ1Q2のソース/ドレイン電極および金属配線23を覆うように、層間絶縁膜24第1の絶縁膜が形成されており、この層間絶縁膜24上に画素電極25第1の画素電極が形成されている。画素電極25は、層間絶縁膜24に設けられるコンタクトホール24aを介して、金属配線23と接続されている。したがって、薄膜トランジスタQ2がオンされたときには、電源バスVDDからの電流が薄膜トランジスタQ2および金属配線23を介して画素電極25に供給されることになる。画素電極25上には、コンタクトホール24aを覆うようにコンタクトホール24aよりも大きいサイズで、絶縁膜26第2の絶縁膜が形成されている。そして、画素電極25と絶縁膜26の非形成領域25aで導通するように、多孔質金属酸化物電極27第2の画素電極が形成されている。なお、絶縁膜26および多孔質金属酸化物電極27の詳細材料、形成方法については後述する。なお、多孔質金属酸化物電極27の代わりに、画素電極25と同じ金属材料アモルファスITOからなる電極を第2の画素電極として形成してもよい。層間絶縁膜24に設けられたコンタクトホール24aは孔であるため、コンタクトホール24aの内部と外部とで画素電極25に凹凸が生じている。しかし、コンタクトホール24aを覆うように少なくとも画素電極25上に絶縁膜26が形成されているので、画素電極25のうちでコンタクトホール24aによる凹凸が生じている部分と観察側のコモン電極12との間では、絶縁膜26の存在によって電解液30に電流が流れなくなり、デポジション材料である銀の析出/溶解自体が行われなくなる。したがって、繰り返し駆動における、画素電極25の上記凹凸部分での銀の異常析出を回避することができ、表示素子1の性能劣化を回避することができる。また、コンタクトホール24aを覆うように絶縁膜26が形成されているので、本実施形態のように、画素電極25が電解液30中のデポジション材料である銀よりもイオン化傾向の大きいアモルファスITOで構成されている場合でも、コンタクトホール24a内およびコンタクトホール24a上に位置する画素電極25が電解液30によって溶解するのを抑えることができる。したがって、コンタクトホール24aの画素電極25の溶解により、電源バスVDDからの電流が画素1aに供給されなくなって欠陥画素となり、表示不良が生じるのを低減することもできる。画素の他の構成図4は、画素1aの他の構成を示す断面図である。同図に示すように、絶縁膜26は、開口部26pを有し、かつ、1つの画素1a内で層構成が同一の領域T以外の部分を覆うように形成されていてもよい。なお、層構成が同一とは、各層の材料、厚さ、層数などが同一であることを指す。例えば、図4では、開口部26pの内側では、ゲート絶縁膜22、電源バスVDD、層間絶縁膜24、画素電極25の各層が、各層ともに同一厚さでこの順で積層されており、層構成が同一であると言える。同図に示すように、層構成が同一の領域Tでは、画素電極25に凹凸が生じないので、1画素内で領域T以外の部分、すなわち、凹凸が生じている部分を覆うように絶縁膜26を形成することにより、凹凸部分での銀の異常析出を回避することができる。また、開口部26pの存在により、領域Tは絶縁膜26で覆われず、画素電極25が開口部26pを介してコモン電極12と対向するため、上記画素電極25を銀の析出/溶解による表示に寄与させて開口率を確保することができる。また、上記した多孔質金属酸化物電極27は、後述する実施例5のように、例えばインクジェット法により多孔質ITO材料を画素電極25上に塗布して形成されるが、絶縁膜26が開口部26pを有して形成される場合、絶縁膜26は、開口部26p内に多孔質金属酸化物電極27を形成する際の隔壁を兼ねていてもよい。この場合、表示素子1の作製時に、多孔質金属酸化物電極27の形成専用の隔壁を別途設けなくても済み、また、多孔質金属酸化物電極27の画素1aごとのパターニングも不要となるので、製造プロセスを簡略化することができる。また、図4の構成では、画素電極25は、駆動トランジスタである薄膜トランジスタQ2を覆うように層間絶縁膜24上に形成されており、絶縁膜26は、同じく薄膜トランジスタQ2を覆うように画素電極25上に形成されている。薄膜トランジスタQ2の形成領域は、ゲート、ソース、ドレインの各電極、半導体およびゲート絶縁膜22が積層された構造であるため、薄膜トランジスタQ2の上層の画素電極25に凹凸が生じやすい。しかし、コンタクトホール24aを覆うことに加えて、薄膜トランジスタQ2によって生じる画素電極25の凹凸部分を絶縁膜26で覆うことにより、繰り返し駆動における該凹凸部分での銀の異常析出を回避して、表示素子1の性能劣化をさらに回避することができる。ところで、図5a~図5cは、画素電極25および絶縁膜26の形成例を示す断面図である。なお、図5aおよび図5cは、前述した図3および図4の構成にそれぞれ対応している。これらの図に示すように、画素電極25は、1画素1a内で、層間絶縁膜24の表面の一部に形成され、絶縁膜26は、画素電極25および層間絶縁膜24の両方に形成されていてもよい。そして、絶縁膜26は、同図aに示すように、コンタクトホール24aの形成部分だけを覆うように形成されていてもよいし、同図bに示すように、開口部26pを形成して、凹凸の比較的大きな領域例えばコンタクトホール24aおよび薄膜トランジスタQ1の形成領域のみを覆うように形成されていてもよいし、同図cに示すように、開口部26pを形成して、層構成が同一の領域T以外の領域を覆うように形成されていてもよいさらに薄膜トランジスタQ2を覆うように形成されてもよい。また、図6a~図6cは、画素電極25および絶縁膜26のさらなる形成例を示す断面図である。これらの図に示すように、画素電極25は、1画素1a内で、層間絶縁膜24の表面のほぼ全体に形成されていてもよい。この場合でも、画素電極25上に形成される絶縁膜26は、同図aに示すように、コンタクトホール24aの形成部分だけを覆うように形成されていてもよいし、同図bに示すように、開口部26pを形成して、凹凸の比較的大きな領域例えばコンタクトホール24aおよび薄膜トランジスタQ1の形成領域を覆うように形成されていてもよいし、同図cに示すように、開口部26pを形成して、層構成が同一の領域T以外の領域を覆うように形成されていてもよいさらに薄膜トランジスタQ2を覆うように形成されてもよい。つまり、図5a~図5cのように、1画素に対して画素電極25を小さく形成する場合でも、図6a~図6cのように、1画素に対して画素電極25を大きく形成する場合でも、その上層に形成される絶縁膜26の形成範囲を調整することで、画素電極25において実質的に電極として機能する領域コモン電極12と対向する領域を小さくし、その領域での平坦性を高めることができる。電解液次に、上述した電解液30の詳細について説明する。電解液30は、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含んでおり、電解液30に銀イオンが存在している。ここで、銀または銀を化学構造中に含む化合物とは、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物の総称である。このとき、固体状態や液体への可溶化状態や気体状態等の相の状態種、中性、アニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に問わない。電解液30に含まれる銀イオン濃度は、0.2モル/kg≦[Ag]≦2.0モル/kgが好ましい。銀イオン濃度が0.2モル/kgよりも少ないと、希薄な銀溶液となって駆動速度が遅延し、逆に、2モル/kgよりも大きいと、溶解性が劣化し、低温保存時に析出が起きやすくなる傾向にあり、不利である。また、電解液30は、25°Cにおける粘度が、0.1mPas以上100mPas未満であることが好ましく、溶媒に対する高分子バインダーの量が、重量比で10未満であることが好ましい。さらに、電解液30は、有機溶媒、イオン性液体、酸化還元活性物質、支持電解質、錯化剤、白色散乱物、高分子バインダー等を必要に応じて選択して構成されてもよい。第2の絶縁膜次に、第2の絶縁膜としての絶縁膜26の詳細について説明する。絶縁膜26の材料としては、良好な絶縁性を有し、成膜時に、スイッチング素子薄膜トランジスタQ1Q2の半導体材料を劣化させないものが適用可能である。例えば、絶縁膜26として、酸化ケイ素等の無機酸化物や、窒化ケイ素等の無機窒化物、あるいは、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルラン、パリレン等の有機化合物が適用可能である。さらには、有機材料と無機材料の複数層の重ね合わせで絶縁膜26を構成してもよい。絶縁膜26の形成方法としては、例えば、全面塗布後、所定形状にパターニングする方法と、ダイレクトに所定形状でパターニング形成する方法とがある。前者の方法の場合、上記光硬化性樹脂を用いてスピンコート成膜し、パターン露光、現像の各工程を経て、コンタクトホール24aの形状よりも少し大きめにパターンを残すのが望ましい。なお、絶縁膜26の形成パターンが大きすぎると、多孔質金属酸化物電極27と画素電極25との接触面積が小さくなって導通時の抵抗が大きくなり、逆に小さすぎると、コンタクトホール24aの保護機能および銀の異常析出を防止する機能が失われる。なお、成膜材料の塗布方法は、上記のスピンコートに限定されるわけではなく、スプレーコート、スリットコート、ディッピングコート等でもよい。また、ドライフィルムレジストをラミネートして用いることもできる。一方、後者の方法の場合、インクジェット法、ディスペンサ法、スクリーン印刷、などの塗布方法を適用することが可能である。多孔質金属酸化物電極次に、多孔質金属酸化物電極27の詳細について説明する。一般に、多孔質構造の電極を構成する微粒子の主成分としては、Cu、Al、Ag、Pd等の金属や、ITO、SnO2、TiO2、ZnO等の金属酸化物、カーボンナノチューブ、グラッシーカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、窒素含有カーボン等の炭素電極等があげられるが、画素電極25の耐久性の面から、多孔質金属酸化物電極27としては、特に、ITO、SnO2およびZnO等の金属酸化物から選択されることが好ましい。ここで、多孔質構造とは、電極中にナノメートルサイズの孔が無数に存在する、いわゆるナノ多孔質構造の内部を、電解液中に含まれるイオン種が移動可能な構造を有することを言う。そのため、多孔質金属酸化物電極27を構成する微粒子の平均粒子径は、5nmから30nm程度が好ましい。上記微粒子としては、不定形、針状、球形等、任意の形状のものを用いることができる。このような多孔質構造を有する多孔質金属酸化物電極27を設けることにより、多孔質金属酸化物電極27中にデポジション材料である銀が担持され、この部分に電源バスVDDからの電流が画素電極25を介して供給されるので、電流供給時の酸化還元反応速度駆動速度を速めることができる。多孔質金属酸化物電極27の形成方法としては、絶縁膜26の場合と同様に、全面塗布後、所定形状にパターニングする方法と、ダイレクトに所定形状でパターニング形成する方法とがあるが、本実施形態では、特に後者の方法を採用している。後者の方法としては、インクジェット法、ディスペンサ法など、基板20に非接触で材料を飛翔させる方式が望ましい。この場合、バンクとなる絶縁膜26をセパレーターとして利用し、絶縁膜26に撥液処理を施すことで、多孔質状の金属酸化物を各画素ごとに良好にパターニングすることが可能となる。実施例次に、本実施形態の表示素子1の実施例について、図3等を参照しながら、実施例1~7として説明する。また、実施例1~7との比較のため、比較例1も併せて示す。実施例1<電解液の作製>ジメチルスルホキシド以下、DMSOと言う2.5g中に、ヨウ化ナトリウム90mg、ヨウ化銀75mgを加えて完全に溶解させた後に、平均分子量約15000のポリビニルピロリドン150mgを加えて、120°Cに加熱しながら1時間攪拌し、溶液化した。この溶液に、さらに平均分子量が約10万のポリエチレングリコール以下、PEGと言うと、酸化チタンの粉末とを加えて混合し、ゲル状の白色の電解液30を作製した。このとき、PEGは電解液30の5wtとし、酸化チタンの粉末は電解液30の30wtとした。<観察側の基板の作製>コモン基板11としてガラス基板を用いた。そして、コモン基板11上に、透明導電膜である結晶性ITOをスパッタ法にて150nmの膜厚となるように成膜し、全面に各画素1aに共通のコモン電極12を形成し、観察側の基板10を作製した。<非観察側の基板の作製>[工程1:ベースの形成]駆動基板21としてガラス基板を用い、この駆動基板21上に、2次元マトリクス状に、1画素当たり2個のTFT薄膜トランジスタQ1Q2を有するTFTアレイを形成し、そのTFTアレイを覆うように層間絶縁層24を形成し、さらに層間絶縁膜24上に、アモルファスITOを用いて薄い画素電極25を各画素1aに対応して形成した。駆動基板21上に画素電極25まで形成したものを、ここでは、基板20のベースと呼ぶことにする。なお、ベースの作製まで、すなわち画素電極25の形成までは、周知の技術により行うことができる。例えば、表示素子1と同じ電流駆動型素子であるECDや、有機EL表示素子等で広く公知となっている技術により、画素電極25までの形成が可能である。ここで、後述する絶縁膜26と、その下層の電極パターンや配線パターンとの位置関係を明確にする目的で、画素電極25までの形成について図面を用いて説明を補足しておく。図7a~図7fは、駆動基板21上に画素電極25を形成するまでの各工程を示す平面図である。まず、駆動基板21上に、走査バスGmおよび薄膜トランジスタQ1Q2の各ゲート電極G1G2を形成する図7a参照。次に、走査バスGmおよび各ゲート電極G1G2を覆うように、駆動基板21のほぼ全面にゲート絶縁膜22を形成するとともに、ゲート絶縁膜22にコンタクトホール22aを形成する図7b参照。なお、図7bでは、ゲート絶縁膜22を図示すると、層の上下関係を示す図示が複雑化するため、便宜上、ゲート絶縁膜22の図示を省略し、コンタクトホール22aの外縁のみを破線で示している。続いて、ゲート絶縁膜22上の所定の位置に、薄膜トランジスタQ1Q2の半導体A1A2をパターニング形成し図7c参照、さらに、ソースバスSn、薄膜トランジスタQ1のソース/ドレイン電極の一方として機能する電極E11および他方として機能する電極E12、薄膜トランジスタQ2のソース/ドレイン電極の一方として機能する電極E21および他方として機能する電極E22、金属配線23、電源バスVDDを形成する図7d参照。このとき、薄膜トランジスタQ1の電極E11をソースバスSnと接続して形成し、薄膜トランジスタQ1の電極E12を、ゲート絶縁膜22のコンタクトホール22aを介して薄膜トランジスタQ2のゲート電極G2と接続して形成する。また、薄膜トランジスタQ2の電極E21を電源バスVDDと接続して形成し、薄膜トランジスタQ2の電極E22を金属配線23と接続して形成する。なお、電極E22と金属配線23とを一体的に形成してもよい。次に、図7dで形成した電極パターンおよび配線パターンを覆うように、層間絶縁膜24を形成するとともに、層間絶縁膜24にコンタクトホール24aを形成する図7e参照。なお、図7eでは、層間絶縁膜24を図示すると、層の上下関係を示す図示が複雑化するため、便宜上、層間絶縁膜24の図示を省略し、コンタクトホール24aの外縁のみを破線で示している。そして、層間絶縁膜24上およびコンタクトホール24aの内部に画素電極25を形成する図7f参照。これにより、画素電極25は、コンタクトホール24aを介して金属配線23と接続される。また、このとき、画素電極25は、図7eで示した薄膜トランジスタQ1Q2や段差部Cを覆うように、1画素全体に形成される。ここで、上記の段差部Cとは、電源バスVDDと薄膜トランジスタQ2のゲート電極G2とが層間絶縁膜24を介して交差することにより段差が形成される部分である。なお、電源バスVDDとゲート電極G2とが層間絶縁膜24を介して交差する部分では、補助容量Csとも言うが形成される。[工程2:第2の絶縁膜の形成]次に、工程1で形成されたベースの画素電極25上に、コンタクトホール24aのみを覆うように第2の絶縁膜としての絶縁膜26を形成した。より詳しくは、ベース上に塗布型感光性アクリル樹脂JSR社、型番:PC403をスピンコート3000rpmで成膜した。なお、上記樹脂の厚みは0.5μmとした。続いて、所定のフォトマスクを用い、照射光量200mJcm2で露光を行い、その後、現像、焼成を行った。なお、現像は、所定の現像液TMAHテトラメチルアンモニウムヒドロキシド0.238wt水溶液で1分間行った。焼成は、220°Cで1時間行った。図8は、このときの絶縁膜26塗布型感光性アクリル樹脂の形成パターンを示している。なお、図8では、絶縁膜26と下層との位置関係を明確にするため、画素電極25をその縁のみ二点鎖線で示している。以下の図面でも同様に図示するものとする。[工程3:多孔質金属酸化物電極材料の塗布]次に、画素電極25および画素電極25上の絶縁膜26を覆うように、多孔質ITOを塗布し、平均膜厚0.5μmの多孔質ITO膜を形成した。塗布には、スプレー塗布装置株式会社ワイディーメカトロソリューションズ社製のSTS600を用いた。このときの塗布の条件は、以下の通りである。スプレーガンのノズル型番:アトマックスノズルAM25株式会社アトマックス社製霧化エア:窒素ガスN2霧化エアの流量:8L/min塗布液ITOインク型番:X806CN27S住友金属鉱山株式会社製塗布液流量:7mL/minノズル吐出速度:300mm/秒ノズル-駆動基板間距離:60mm[工程4:多孔質金属酸化物電極のパターニング形成]工程3で形成された多孔質ITO膜を、既存のフォトリソグラフィ技術によりパターニングし、多孔質金属酸化物電極27を形成した。なお、パターニングについての詳細は、以下の通りである。東京応化工業社製のレジスト材型番:OFPR800LBを、スピンコート条件1000rpmで塗布した後、ホットプレート上で80°Cで5分間乾燥させた。そして、所定サイズのフォトマスクを用い、露光量120mJcm2でパターン露光した後、所定の現像液TMAHテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38wt水溶液で120秒現像を行った。その後、林純薬工業社製のエッチング第二塩鉄液を用い、200秒間エッチングを行った。レジスト材の剥離は、NaOH2wt水溶液を用い、剥離後、80°Cオーブンで1時間の乾燥を行った。<シール剤の塗布>次に、多孔質金属酸化物電極27が形成された基板20の周縁部に、電解液30の注入口を除いて、ディスペンサを用いて、熱硬化型のオレフィン系シール剤を塗布した。そして、シール剤中に25μmのビーズスペーサを配置することで、基板1020間のギャップが25μmとなるように設定した。<基板の貼り合わせ>基板1020を上記のシール剤を介して貼り合わせた後、加熱押圧してシール剤を硬化させ、内部が空の空セルを作製した。このとき、基板1020間の距離を一定に保つため、φ25μmの球状スペーサをコモン基板11上に50個mm2程度配置した。続いて、液晶パネルの製造等で用いられる真空注入法を用いて、空セルの内部に電解液30を注入し、電解液30の注入口を、紫外線硬化型接着剤にて封止し、実施例1の表示素子1を得た。実施例2図9は、実施例2の絶縁膜26の形成パターンを示す平面図である。実施例2では、実施例1の[工程2:第2の絶縁膜の形成]において、コンタクトホール24aに加えて、2個の薄膜トランジスタQ1Q2をさらに覆うように、絶縁膜26を画素電極25上に形成した以外は、実施例1と同様の手法で表示素子1を作製した。実施例3図10aは、実施例3の絶縁膜26の形成パターンを示す平面図であり、図10bは、画素電極25の周縁部25bを示す平面図である。実施例3では、実施例1の[工程2:第2の絶縁膜の形成]において、コンタクトホール24aに加えて、2個の薄膜トランジスタQ1Q2および画素電極25の周縁部25bをさらに覆うように、絶縁膜26を画素電極25上に形成した以外は、実施例1と同様の手法で表示素子1を作製した。実施例3では、絶縁膜26が画素電極25の周縁部25bを少なくとも覆う形状であるため、結果として、絶縁膜26が開口部26pを有することになり、開口部26p以外の領域で画素電極25を覆うことになる。実施例4図11は、実施例4の絶縁膜26の形成パターンを示す平面図である。実施例4では、実施例1の[工程2:第2の絶縁膜の形成]において、コンタクトホール24aに加えて、2個の薄膜トランジスタQ1Q2、画素電極25の周縁部25b、および段差部Cをさらに覆うように、絶縁膜26を画素電極25上に形成した以外は、実施例1と同様の手法で表示素子1を作製した。なお、実施例4においても実施例3と同様に、絶縁膜26が画素電極25の周縁部25bを少なくとも覆う形状であるため、結果として絶縁膜26が実施例3よりも狭い開口部26pを有することになり、開口部26p以外の部分で画素電極25を覆うことになる。実施例5実施例5では、実施例4において<非観察側の基板の作製>の工程の一部を以下のように変更した以外は、実施例4と同様の手法で表示素子1を作製した。なお、実施例5は、絶縁膜26の形成方法および多孔質金属酸化物電極27の形成方法が異なる以外は、実施例4と同様である。つまり、絶縁膜26の形状形成範囲については実施例4と同様であり、コンタクトホール24a、2個の薄膜トランジスタQ1Q2、画素電極25の周縁部25b、および段差部Cを覆うように、絶縁膜26を画素電極25上に形成している図11参照。<非観察側の基板の作製>[工程2:第2の絶縁膜の形成]工程1で形成されたベースの画素電極25上に、塗布型感光性アクリル樹脂JSR社、型番:PC403をスピンコート700rpmで成膜した。なお、上記樹脂の厚みは2.0μmとした。続いて、所定のフォトマスクを用い、照射光量200mJcm2で露光を行い、その後、現像、焼成を行った。現像は、所定の現像液TMAHテトラメチルアンモニウムヒドロキシド0.238wt水溶液で2分間行った。焼成は、220°Cで1時間行った。なお、実施例5においては、絶縁膜26の表面に対する液体材料次に塗布する多孔質ITOの非親和性の程度はじきやすさが、基板上の絶縁膜26の非形成領域画素電極25上の非形成領域および層間絶縁膜24の表面を含むに比べて高くなるように、絶縁膜26の表面および絶縁膜26の非形成領域の少なくとも一方に表面処理を施しておくことが好ましい。このような表面処理により、次に多孔質金属酸化物電極27を形成すべく、薄膜層多孔質金属酸化物電極27の厚みに比べて多量の液体材料を吐出しても、その液体材料が絶縁膜26を乗り越えて隣りの画素1aに溢れ出ることがなく、各画素1aの所定の領域、すなわち、絶縁膜26の非形成領域にのみ液体材料を充填することができる。つまり、絶縁膜26をバンクとして機能させることができる。ここで、上記した表面処理としては、例えば導入ガスにフッ素またはフッ素化合物を含むガスを使用し、フッ素化合物および酸素を含む減圧雰囲気下あるいは大気圧雰囲気下でプラズマ照射をする減圧プラズマ処理や大気圧プラズマ処理が挙げられる。フッ素またはフッ素化合物を含むガスとしては、CF4、SF6、CHF3等が挙げられる。実施例5では、CF4プラズマ処理圧力:5Pa、出力:5W、CF4流量:7sccm、時間:1分間を行い、絶縁膜26と液体材料多孔質ITO材料との接触角を約60°とした。なお、上記の接触角とは、図12に示すように、固体の表面Sと液体の表面Lとの接点における、表面Sと表面Lとのなす角度α°を指す。接触角αが大きいほど、液体は固体に対して非親和性が高くなり、はじくことになる。上述した表面処理による効果を確実に得るためには、液体材料多孔質ITO材料の絶縁膜26の表面に対する接触角を50°以上とし、絶縁膜26の非形成領域に対する接触角を20°以下とすることが好ましい。[工程3:多孔質金属酸化物電極材料の塗布]工程2で形成した絶縁膜26の開口部26p内に、インクジェット法にて液体材料である多孔質ITOを滴下する。インクジェット法における吐出量は、多孔質ITOの塗布後の加熱処理により体積が減少したときに所望の厚みになるような量とする。なお、乾燥後に多孔質ITOを再度吐出して重ね合わせ処理を行うことにより、所望の厚みになるようにしてもよい。実施例5においては、吐出される液体材料の液滴の大きさに対して、絶縁膜26の大きさ高さ、幅を規定することにより、薄膜層多孔質金属酸化物電極27の厚さに比べて多量の液体材料を吐出しても、液体材料が絶縁膜26を乗り越えて溢れ出ることなく、所定の領域に液体材料が充填される。液体材料が溶媒を含む材料の場合は、液体材料を充填した後、加熱処理および/または減圧処理を行い、溶媒成分を除去することにより、液体材料の体積が減少し、絶縁膜26の非形成領域に薄膜層が形成される。このとき、絶縁膜26の非形成領域の表面、すなわち基板表面は、前述のように親和性親液性を示すように表面処理されているので、薄膜層が好適に密着する。なお、インクジェット方式としては、ピエゾジェット方式や、熱による気泡発生により吐出する方式のいずれであってもよいが、加熱による流動体の変質がない点で、ピエゾジェット方式が好ましい。実施例5では、コニカミノルタIJ株式会社製ピエゾヘッドKM512Mを有するインクジェット装置を用い、膜厚1.2μmの多孔質ITOを形成し、多孔質金属酸化物電極27とした。なお、実施例5では、絶縁膜26がバンクとなり、多孔質金属酸化物電極27の形成と同時に、多孔質金属酸化物電極27が絶縁膜26で区切られるので、実施例1の[工程4:多孔質金属酸化物電極のパターニング形成]は不要となる。実施例6図13abは、実施例6の表示素子1の非観察側の基板20における画素1aの平面図であって、図13aは、絶縁膜26および多孔質金属酸化物電極27を形成する前の状態での平面図を示し、図13bは、絶縁膜26および多孔質金属酸化物電極27を形成した後の状態での平面図を示している。なお、図13abでは、便宜上、ゲート絶縁膜22および層間絶縁膜24の図示を省略している。また、図13cは、実施例6の表示素子1の断面図である。実施例6の表示素子1は、絶縁膜26の材料および厚さ高さを変更して、絶縁膜26に基板間の距離ギャップを制御するスペーサの機能を持たせている点以外は、実施例1と同様である。したがって、実施例6では、実施例1における<非観察側の基板の作製>の工程の一部を以下のように変更して表示素子1を作製した。なお、実施例6では、図13aに示すように、画素電極25は、コンタクトホール24aおよび補助容量を形成する電源バスVDDを覆うように形成されており、薄膜トランジスタQ1Q2の上方には形成されていないものとする。また、多孔質金属酸化物電極27は、補助容量を形成する電源バスVDDを覆う画素電極25上に形成されているものとする。<非観察側の基板の作製>[工程2:第2の絶縁膜の形成]工程1で形成されたベースの画素電極25上に、厚さ25μmのエポキシ系のネガ型感光性ドライフィルムレジストを、ラミネータを用いて温度50°C、圧力0.4MPa、速度1mminの条件でラミネートした。次に、平行光露光機にて円柱パターンが形成されたフォトマスクを介して、400mJcm2の紫外線を照射し、続いて80°Cのホットプレート上で5分間熱処理を行った。熱処理後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA液を用いて現像処理を行い、紫外線の照射されていないレジスト材料を除去し、イソプロピルアルコールIPA液にてリンス処理を行った後、液を乾燥させることにより、絶縁膜26として、高さ25μmの柱状構造物を得た。柱状構造物のサイズは、コンタクトホールサイズ10μm角よりも大きくし、30μm角の柱状とした。<基板の貼り合わせ>基板1020をシール剤を介して貼り合わせた後、加熱押圧してシール剤を硬化させ、内部が空の空セルを作製した。このとき、基板1020間の距離を一定に保つための球状スペーサを配置せず、絶縁膜26によって基板1020間の距離を一定に保つようにした。そして、真空注入法を用いて、空セルの内部に電解液30を注入し、電解液30の注入口を、紫外線硬化型接着剤にて封止し、実施例6の表示素子1を得た。実施例7図14aは、実施例7の表示素子1の平面図であり、図14bは、実施例7の表示素子1の模式的な断面図である。なお、図14aでは、便宜上、ゲート絶縁膜22、層間絶縁膜24、画素電極25、観察側の基板10のコモン基板11およびコモン電極12の図示を省略している。また、図14bにおいても、便宜上、ゲート絶縁膜22、層間絶縁膜24および薄膜トランジスタQ1Q2等の図示を省略して簡略化している。実施例7の表示素子1は、基板10側に隔壁部13を設け、基板20側の絶縁膜26の開口部26pの形状を円形とした以外は、実施例5と同様である。以下では、実施例5と異なる工程のみ示す。<観察側の基板の作製>コモン基板11としてガラス基板を用いた。そして、コモン基板11上に、透明導電膜である結晶性ITOをスパッタ法にて150nmの膜厚となるように成膜し、フォトリソグラフィ技術により、コモン電極12を形成した。さらに、コモン電極12上に、格子状の隔壁部13を線幅5μm、高さ15μmで形成し、観察側の基板10を作製した。ここで、隔壁部13を構成する材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の材料を用いることができる。また、隔壁部13の形成方法としては、例えば、1感光性樹脂組成物をスピンコート法、スリットコート法等の方法にて基板上に塗布し、露光現像工程を経て所望のパターンを得る方法、2非感光性樹脂組成物を基板上に形成後、レジストパターンをフォトプロセスもしくは印刷プロセスを用いて形成し、その後サンドブラストエッチング法にて樹脂組成物を除去していく方法、3直接スクリーン印刷法にてダイレクトに隔壁部13のパターンを印刷する方法がある。用いる材料は、隔壁部13の形成方法に合わせて適宜選択すればよい。<非観察側の基板の作製>[工程2:第2の絶縁膜の形成]開口部26pの形状を円形とした以外は、実施例5と同様の条件で絶縁膜26を形成した。<基板の貼り合わせ>画素電極25が絶縁膜26の円形の開口部26pを介して隔壁部13以外の位置でコモン電極12と対向するように、基板1020をシール剤を介して貼り合わせた後、加熱押圧してシール剤を硬化させ、内部が空の空セルを作製した。そして、真空注入法を用いて、空セルの内部に電解液30を注入し、電解液30の注入口を、紫外線硬化型接着剤にて封止し、実施例7の表示素子1を得た。比較例1比較例1は、実施例1で説明した<非観察側の基板の作製>の工程の一部、すなわち、[工程2:第2の絶縁膜の形成]を省略して表示素子を作製した以外は、実施例1と同様である。駆動検査次に、実施例1~7および比較例1の各表示素子を用いて、駆動検査を実施した。検査の手順は、以下の通りである。なお、実施例1~7および比較例1では、各表示素子の画素ピッチを0.2mmとし、図15に示すように、有効画素エリアRを70mm×50mmとした。したがって、有効画素エリアRの画素数は、70/0.2×50/0.2=350×250=87500個となる。また、ここでは、有効画素エリアRを8分割して、以下の検査を行った。したがって、1エリアあたりの検査画素数は、87500/8≒10000個である。まず、各エリアの画素全体に対して、電圧の印加、無印加を繰り返し、白/黒の表示を交互に繰り返し行った。なお、電圧印加による黒表示は、コントラストが10となるように行った。なお、コントラスト10とは、白と黒との視感反射率Y値比が10:1であることを示す。このとき、黒表示は、コモン電極12を基準として画素電極25に1.2Vの電圧を1200msec印加することにより行い、白表示は、コモン電極12を基準として画素電極25に-1.2Vの電圧を2000msec印加することにより行った。連続駆動時は、黒印加パルスと白印加パルスとの間に1000msecの待ち時間を挿入した。次に、駆動回数黒の表示回数が1000回に達したところで、表示素子を分解し、電解液30を除去した。そして、各エリアごとに非観察側の基板20において20×20=400画素を顕微鏡にて観察し、Agの異常析出の有無を調べた。このとき、サイズがφ5μm以上のAgの析出を異常析出とした。このような処理を、Agの異常析出が確認されるまで、駆動回数が5000回、1万回、5万回、10万回に達するごとに行った。図16は、実施例1~7、比較例1の各表示素子の駆動回数ごとのAgの異常析出の発生状況を示している。比較例においては、1000回の駆動時点において、層間絶縁膜24のコンタクトホール24aでAgの異常析出が見られた。これは、画素電極25に凹凸が生じるコンタクトホール24aにおいて、電圧印加時にAgを析出させる反応が周囲の平坦な部分に比べて起こりにくいことが原因と考えられる。つまり、観察側を黒表示にするときに、観察側でのAgの析出が遅いために、非観察側に析出していたAgが完全に溶解せずに残ってしまう。そして、観察側を白表示にするときに、観察側で析出したAgを完全に溶解させるだけの十分な反応が起こるために、非観察側では残っていたAgに加えてAgの析出が起こる。このような過程を繰り返すことによって、非観察側で析出するAgは次第に大きくなり、異常析出として観察されるものと考えられる。これに対して、実施例1~7では、いずれも、絶縁膜26が少なくともコンタクトホール24aを覆っているため、少なくとも1000回の駆動時点ではコンタクトホール24aでのAgの異常析出は確認されなかった。したがって、実施例1~7の表示素子によれば、繰り返し駆動におけるコンタクトホール24aでのAgの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化を回避できると言える。なお、実施例1において、5000回の駆動時点では、画素電極25における薄膜トランジスタQ1Q2の上方に位置する領域X1図17参照において、Agの異常析出が確認された。これは、薄膜トランジスタQ1Q2の凹凸構造により、領域X1では画素電極25に凹凸が生じ、この凹凸部分でのAgを析出させる反応が周囲の平坦な部分に比べて相対的に起こりにくくなっているためと考えられる。しかし、実施例2~7のように、さらに薄膜トランジスタQ1Q2を覆うように絶縁膜26を画素電極25上に形成することにより、領域X1でのAgの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避できることがわかる。また、層間絶縁膜24は、下層に形成された薄膜トランジスタQ1Q2の凹凸を小さくするような平坦化機能を有しているが、完全に平坦にすることは難しく、多少の凹凸が残り、結果として画素電極25に凹凸が生じることになる。しかし、実施例2~7のように絶縁膜26を設けることにより、層間絶縁膜24では除去しきれない凹凸によるAgの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化を回避できるとも言うことができる。また、実施例2および6では、1万回の連続駆動後に、画素電極25の周辺部分の領域X2、X3ともに図18参照および領域X4図19参照において、Agの異常析出が観察された。これは、領域X2~X4では、配線電極電源バスVDD、走査バスGmとの段差により画素電極25に凹凸が生じ、この凹凸部分でのAgを析出させる反応が他の平坦な部分に比べて相対的に起こりにくくなっているためと考えられる。しかし、実施例3~5および実施例7のように、さらに画素電極25の周縁部25bを覆うように絶縁膜26を形成することにより、領域X2~X4でのAgの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避できることがわかる。また、実施例3では、5万回の連続駆動後に、Cs形成のための電極ゲート電極G2および配線電源バスVDDによる画素電極25の凹凸部分である領域X5図20参照、段差部Cに対応において、Agの異常析出が観察された。しかし、実施例4、5、7に示すように、段差部Cを覆うように絶縁膜26を画素電極25上に形成することにより、領域X5でのAgの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避できることがわかる。さらに、実施例4および5では、10万回の連続駆動後に、絶縁膜26の開口部26pの角部X6図21参照において、Agの異常析出が発生していた。これは、絶縁膜26の開口部26pにおいては画素電極25に凹凸はないが、開口部26pの角部X6では開口部26pの他の部分と比べてAgの析出反応がやや起こりにくくなっているためと考えられる。この点、絶縁膜26の開口部26pを円形にした実施例7では、10万回の連続駆動後にも局所的にAgの異常析出が見られる箇所はなった。これは、開口部26pのどの位置においても、Agの析出反応が同じように起こるためと考えられる。したがって、開口部26pを円形にすることにより、角部X6でのAgの異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避できることがわかる。なお、開口部26pを四角形状で形成した後、エッチング等により角部X6にアール丸みを持たせることにより、上記と同様の効果が得られるのは勿論のことである。なお、今回の連続駆動回数に基づく評価は、あくまでも作製した表示素子を相対的に評価するための指標である。また、上記の連続駆動回数は、電解液30やその他の構成材料によって変動するものであり、実用可能性を判断するものではない。なお、本実施形態では、電源バスVDDと薄膜トランジスタQ1Q2のソースドレイン電極層とを同一面に形成した例にして説明したが、図22に示すように、電源バスVDDを薄膜トランジスタQ1Q2のゲート電極層と同一面に形成した場合でも、絶縁膜26によって画素電極に凹凸が生じる部分を覆うことにより、本実施形態と同様の効果を得ることができる。本発明の電気化学表示素子は、以下のように表現することができ、これによって以下の作用効果を奏する。本発明の電気化学表示素子は、共通電極を有する観察側の基板と、画素電極を有する非観察側の基板との間に電解液を封入し、前記各電極間の電位に応じて前記電解液中のデポジション材料を酸化還元反応させることにより、表示を行う電気化学表示素子であって、前記非観察側の基板は、電源バスからの電流を駆動トランジスタを介して前記画素電極に供給するための金属配線と、前記駆動トランジスタおよび前記金属配線を覆うように形成される第1の絶縁膜とを有しており、前記画素電極は、前記第1の絶縁膜上に形成されているとともに、前記第1の絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して前記金属配線と接続されており、前記非観察側の基板は、さらに、前記コンタクトホールを覆うように前記画素電極上に形成される第2の絶縁膜を有していることを特徴としている。上記の構成によれば、非観察側の基板では、電源バスからの電流が駆動トランジスタおよび金属配線を介して画素電極に供給される。したがって、観察側の共通電極と非観察側の画素電極との間の電位に応じた電流が電解液に流れ、負極となる電極側では、還元反応により電解液中のデポジション材料例えば銀が析出し、正極となる電極側では、酸化反応により、デポジション材料が溶解する。このようなデポジション材料の析出/溶解により、黒/白の表示およびその切り替えを行うことができる。上記の駆動トランジスタおよび金属配線は、第1の絶縁膜で覆われており、画素電極は、第1の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して上記金属配線と接続されている。上記のコンタクトホールは孔であり、その部分で段差凹凸が生じるため、コンタクトホールの内部と外部とで画素電極に凹凸が生じる。しかし、そのコンタクトホールを覆うように画素電極上に第2の絶縁膜が形成されているので、画素電極のうちでコンタクトホールによる凹凸が生じている部分と観察側の共通電極との間では、第2の絶縁膜の存在によって電解液に電流が流れなくなり、デポジション材料の析出/溶解自体が行われなくなる。したがって、繰り返し駆動における、画素電極の上記凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避することができ、表示素子の性能劣化を回避することができる。本発明の電気化学表示素子において、前記画素電極は、前記駆動トランジスタを覆うように前記第1の絶縁膜上に形成されており、前記第2の絶縁膜は、前記駆動トランジスタを覆うように前記画素電極上に形成されていることが望ましい。駆動トランジスタの形成領域は、ゲート、ソース、ドレインの各電極、半導体および絶縁膜ゲート絶縁膜が積層された構造であるため、駆動トランジスタを覆うように画素電極が形成されると、画素電極に凹凸が生じる。したがって、同じく駆動トランジスタを覆うように第2の絶縁膜を画素電極上に形成し、画素電極の駆動トランジスタによる凹凸部分を第2の絶縁膜で覆うことにより、繰り返し駆動における該凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避することができる。本発明の電気化学表示素子において、前記非観察側の基板は、前記駆動トランジスタによって駆動される画素を選択するための選択トランジスタをさらに有しており、前記画素電極は、前記選択トランジスタを覆うように前記第1の絶縁膜上に形成されており、前記第2の絶縁膜は、前記選択トランジスタを覆うように前記画素電極上に形成されていることが望ましい。選択トランジスタの形成領域も駆動トランジスタと同様に、ゲート、ソース、ドレインの各電極、半導体および絶縁膜ゲート絶縁膜が積層された構造であるため、選択トランジスタを覆うように画素電極が形成されると、画素電極に凹凸が生じる。したがって、選択トランジスタを覆うように第2の絶縁膜を画素電極上に形成し、画素電極の選択トランジスタによる凹凸部分を第2の絶縁膜で覆うことにより、繰り返し駆動における該凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避することができる。本発明の電気化学表示素子において、前記第2の絶縁膜は、前記画素電極の周縁部をさらに覆うように形成されていることが望ましい。画素電極の周縁部周縁を含む領域は、例えば電源バスと交差することにより、凹凸が生じる。したがって、画素電極の周縁部を第2の絶縁膜で覆うことにより、繰り返し駆動における該周縁部でのデポジション材料の異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避することができる。本発明の電気化学表示素子において、前記画素電極は、前記電源バスと前記駆動トランジスタのゲート電極とが前記第1の絶縁膜を介して交差することにより形成される段差部を覆うように形成されており、前記第2の絶縁膜は、前記段差部を覆うように前記画素電極上に形成されていることが望ましい。電源バスと駆動トランジスタのゲート電極とが第1の絶縁膜を介して交差していることにより、いわゆる補助容量が形成されるが、この補助容量の段差部を覆うように画素電極が形成されているため、画素電極に凹凸が生じる。しかし、この段差部を覆うように第2の絶縁膜が画素電極上に形成されるので、繰り返し駆動における該段差部でのデポジション材料の異常析出を回避して、表示素子の性能劣化をさらに回避することができる。本発明の電気化学表示素子において、前記第2の絶縁膜は、開口部を有し、かつ、1画素内で層構成が同一の領域以外の部分を覆うように形成されていることが望ましい。層構成各層の材料、厚さ、層数が同一の領域では、凹凸が生じないので、1画素内で上記領域以外の部分凹凸が生じている部分を覆うように第2の絶縁膜を形成することにより、凹凸部分でのデポジション材料の異常析出を回避することができる。また、層構成が同一の領域は、第2の絶縁膜によって覆われず開口部が存在するため、この領域に位置する画素電極が開口部を介して共通電極と対向するため、開口部内の画素電極をデポジション材料の析出/溶解による表示に寄与させて開口率を確保することができる。本発明の電気化学表示素子において、前記画素電極を第1の画素電極とすると、前記第2の絶縁膜は、前記開口部内に前記第1の画素電極と導通する第2の画素電極を形成する際の隔壁を兼ねていてもよい。この場合、第2の画素電極を例えばインクジェット方式で形成する際に、別途、隔壁を設けなくても済み、第2の画素電極を形成する場合でも、製造プロセスが複雑化するのを回避できる。本発明の電気化学表示素子において、前記第2の絶縁膜の前記開口部は、円形であることが望ましい。第2の絶縁膜の開口部が多角形の場合とは異なり、開口部が円形の場合は、開口部のどの位置においても、デポジション材料の酸化還元反応が同じように起こるので、繰り返し駆動時におけるデポジション材料の異常析出が起こりにくくなり、表示性能の劣化を確実に回避することができる。本発明の電気化学表示素子において、前記第2の絶縁膜は、前記画素電極と前記共通電極との間を埋めるように形成されていてもよい。この構成では、第2の絶縁膜により、画素電極と共通電極との間の距離が一定となるので、電解液に含まれるデポジション材料の分布状態の表示面内でのばらつきを抑えることができ、表示ムラ表示濃度や表示速度のムラを低減することができる。