基板上に複数の光電変換セルを形成する工程と、前記基板上の前記複数の光電変換セルを挟むように充填材を介して裏面保護材を接着する工程と、を有する光電変換装置の製造方法であって、前記裏面保護材を接着する工程においては、前記基板の前記複数の光電変換セルが形成された面に形成された凸部と重畳する領域を除去した樹脂シートを用いて前記充填材を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。請求項1に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記充填材は、前記凸部に重畳する領域以下の面積を除去した樹脂シートを用いることを特徴とする光電変換装置の製造方法。請求項1に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記充填材は、前記凸部に対応した領域に孔を設けた樹脂シートを用いて形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。請求項3に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記充填材は、前記凸部に重畳する領域以下の面積の孔を形成した樹脂シートを用いることを特徴とする光電変換装置の製造方法。基板上に複数の光電変換セルを形成する工程と、前記基板上の前記複数の光電変換セルを挟むように充填材を介して裏面保護材を接着する工程と、を有する光電変換装置の製造方法であって、前記裏面保護材を接着する工程において、前記充填材は、前記基板の前記複数の光電変換セルが形成された面に形成された凸部と重畳する領域が他の領域より架橋速度の遅い樹脂シートを用いて形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。請求項5に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記充填材は、前記凸部に重畳する領域に孔を形成した第1の樹脂シートを用い、前記孔内に前記第1の樹脂シートより架橋速度の遅い第2の樹脂シートを配置して形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。基板上に複数の光電変換セルを形成する工程と、前記基板上の前記複数の光電変換セルを挟むように充填材を介して裏面保護材を接着する工程と、を有する光電変換装置の製造方法であって、前記裏面保護材を接着する工程において、前記充填材は、前記基板の前記複数の光電変換セルが形成された面に形成された凸部と重畳する領域が他の領域より柔らかい樹脂シートを用いて形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。請求項5に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記充填材は、前記凸部に重畳する領域に孔を形成した第1の樹脂シートを用い、前記孔内に前記第1の樹脂シートより柔らかい第2の樹脂シートを配置して形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。請求項1~8のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記複数の光電変換セルに電流を集めるための集電配線を形成する工程と、前記集電配線に電力を外部に出力するための出力配線を形成する工程と、前記凸部は、前記集電配線と前記出力配線とが重畳する領域であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。請求項1~8のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記複数の光電変換セルに電流を集めるための集電配線を形成する工程と、前記集電配線に電力を外部に出力するための出力配線を形成する工程と、前記凸部は、前記出力配線に重畳する領域であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。請求項1~10のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換セルおよび前記集電配線の前記基板端部側の端面を絶縁被覆材で覆うことを特徴とする光電変換装置の製造方法。請求項1~11のいずれか1項に記載の光電変換装置であって、前記光電変換素子が形成されていない前記基板端部において、端部封止部材が形成されていることを特徴とする光電変換装置の製造方法。光電変換装置200において、集電配線118および出力配線122が重畳するように接続されるため、ガラス基板110上に凸部170が形成される。裏面保護材130としてガラスを用いる場合、樹脂等とは異なって、この凹凸に応じて柔軟に変形しない。このため、モジュールを形成する際に行われる真空ラミネート処理で裏面保護材130側からガラス基板110に圧力を加えたとき、凸部170近傍の裏面保護材130に力が集中し、裏面保護材130が歪み、割れが発生することがあり、歩留まりが低くなる問題がある。本発明の光電変換装置の製造方法の1つの態様は、基板上の複数の光電変換セルを挟むように充填材を介して裏面保護材を接着する工程と、を有し、裏面保護材を接着する工程においては、基板の複数の光電変換セルが形成された面に形成された凸部と重畳する領域を除去した樹脂シートを用いて充填材を形成する。本発明によれば、歩留まりの高い光電変換装置の製造方法を提供することができる。図1~図5は、本発明の実施の形態における光電変換装置100の構成を示す。図1は、光電変換装置100を受光面とは反対側である裏面からみた平面図である。図2、図3および図4は、図1のラインA-AおよびB-Bに沿った製造工程を示すための断面図である。図5は、製造工程を説明するための斜視図である。なお、図1では、光電変換装置100の構成を明確に示すために充填材28および裏面保護材30を記載せず、実際には重なり合って見えない構成部分を破線で示している。また、図1~図5では、構成を明確に示すために各部の寸法を実際のものとは変えて示している。光電変換装置100は、図1~図5に示すように、基板10、透明電極層12、光電変換層14、裏面電極16、集電配線18、絶縁部材20、出力配線22、絶縁被覆材24、端部封止材26、充填材28、裏面保護材30および端子ボックス32を含んで構成される。基板10は、光電変換装置100を支持する部材である。光電変換装置100は基板10側から光を入射させて発電を行う構成であるので、基板10は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等の少なくとも可視光波長領域において透過性を有する材料を適用する。本実施の形態では、ガラスからなる基板10を用いた。図2aに示すように基板10上に、透明電極層12を形成する。透明電極層12は、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等に錫Sn、アンチモンSb、フッ素F、アルミニウムAl等をドープした透明導電性酸化物TCOのうち少なくとも一種類又は複数種を組み合わせて用いることが好適である。特に、酸化亜鉛ZnOは、透光性が高く、抵抗率が低く、耐プラズマ特性にも優れているので好適である。そこで本実施の形態では、透明電極層12として酸化亜鉛を用いた。なお、透明電極層12はスパッタリング法又はCVD法で形成することができる。光電変換セル50を複数直列に接続した構成とする場合、透明電極層12を短冊状にパターニングする。本実施の形態では、図1の上下方向に沿って透明電極層12に第1スリットS1を形成して分割する。また、光電変換セル50を並列に分割した構成とする場合、上記直列接続を形成するための第1スリットS1に直交する方向に短冊状にパターニングして透明電極層12を分割する。本実施の形態では、図1の左右方向に沿って透明電極層12に第2スリットS2を形成して分割する。例えば、波長1064nm、エネルギー密度13J/cm2、パルス周波数3kHzのYAGレーザを用いて透明電極層12をパターニングすることができる。図2bに示すように透明電極層12上に、p型層、i型層、n型層のシリコン系薄膜を順に積層して光電変換層14を形成する。光電変換層14は、アモルファスシリコン薄膜光電変換層や微結晶シリコン薄膜光電変換層等の薄膜系光電変換層とすることができる。また、これらの光電変換層を積層したタンデム型やトリプル型の光電変換層としてもよい。アモルファスシリコン薄膜光電変換層や微結晶シリコン薄膜光電変換層は、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガスおよび水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うプラズマ化学気相成長法CVD法により形成することができる。プラズマCVD法は、例えば、13.56MHzの平行平板型RFプラズマCVD法を適用することが好適である。複数の光電変換セル50を直列接続する場合、光電変換層14を短冊状にパターニングする。例えば、透明電極層12を分割する第1スリットS1から50μm横の位置にYAGレーザを照射して第3スリットS3を形成して光電変換層14を短冊状にパターニングする。YAGレーザは、例えば、エネルギー密度0.7J/cm2、パルス周波数3kHzのものを用いることが好適である。図2cに示すように光電変換層14上に、裏面電極16を形成する。裏面電極16は、導電性を有する単層体或いは積層体を用いることができ、透明導電性酸化物と反射性金属とをこの順に積層した構造とすることが好適である。透明導電性酸化物としては、酸化錫、酸化亜鉛、インジウム錫酸化物等の透明導電性酸化物、又は、これらの透明導電性酸化物に不純物をドープしたものが用いられる。例えば、酸化亜鉛にアルミニウムを不純物としてドープしたものでもよい。また、反射性金属としては、銀Ag、アルミニウムAl等の金属が用いられる。透明導電性酸化物および反射性金属は、例えば、スパッタリング法又はCVD法等により形成することができる。透明導電性酸化物と反射性金属の少なくとも一方には、光閉じ込め効果を高めるための凹凸が設けることが好適である。本実施の形態では、裏面電極16として、酸化亜鉛上に反射金属として銀が積層されたものを用いた。光電変換セル50を複数直列接続した構成とする場合、裏面電極16を短冊状にパターニングする。光電変換層14を分割する第3スリットS3の位置から50μm横の位置にYAGレーザを照射して第4スリットS4を形成して裏面電極16を短冊状にパターニングする。さらに、光電変換セル50を並列に分割した構成とする場合、透明電極層12を分割する第2スリットS2内に形成された光電変換層14および裏面電極16を分割する第5スリットS5を形成する。YAGレーザは、エネルギー密度0.7J/cm2、パルス周波数4kHzのものを用いることが好適である。このように基板10上に透明電極層12、光電変換層14および裏面電極16を積層して複数の光電変換セル50が形成される。続いて、図3dに示すように基板10端部に位置する光電変換セル50の裏面電極16上に集電配線18を延設する。集電配線18は、光電変換装置100の端辺付近において並列に分割された光電変換層14の正電極同士および負電極同士を接続するために形成する。したがって、集電配線18は、第1スリットS1の延在方向に沿って延設される。すなわち、第2スリットS2および第5スリットS5によって並列に分割された光電変換セル50を並列に接続するように、第2スリットS2および第5スリットS5を跨いで裏面電極16上に延設される。ここでは、集電配線18は、図1における左右の端辺に上下方向に沿って延設する。ただし、図1に示される上下の端辺近傍において、光電変換機能を有さない光電変換セル50と、その端辺近傍の第2スリットS2および第5スリットS5とは跨がない。集電配線18は、超音波で溶融したはんだ等によって裏面電極16に電気的に接続する。これによって、直列接続された光電変換セル50の正電極同士および負電極同士が並列に接続される。集電配線18としては、幅2mm、厚さ200μmを有するはんだで覆われた銅配線を用いる。次に、図1および図3eに示すように、絶縁部材20を光電変換装置100の端辺に沿って設けられた集電配線18近傍から中央部の端子ボックス32の位置まで、第4スリットS4を跨いで裏面電極16上に第2スリットS2の延在方向に沿って延設する。ここでは、図1に示すように、絶縁部材20は、左右の集電配線18の近傍から端子ボックス32に向けて左右方向に沿って延設する。絶縁部材20は、抵抗率が1016Ωcm以上の絶縁性の材料で構成することが好適である。例えば、ポリエステルPE、ポリエチレンテレフタラートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリイミドPI、ポリフッ化ビニルPVF等とすることが好適である。また、絶縁部材20は、テープ状、シート状、フィルム状の形状を有し、裏面にシール状に接着剤が塗布されたものを用いることが好適である。これにより、絶縁部材20を配設する際の手間が軽減される。そこで本実施の形態では、絶縁部材20としてPETテープを用いた。出力配線22は、図1および図3fに示すように、両端の集電配線18上から絶縁部材20上へ第2スリットS2の延在方向に沿って、光電変換装置100の中央部へ向けて延設する。出力配線22と裏面電極16との間に絶縁部材20が挟み込まれ、出力配線22と裏面電極16との電気的な絶縁が保たれる。出力配線22の一端は集電配線18上まで延設され、集電配線18に電気的に接続される。例えば、出力配線22は超音波で溶融したはんだ等によって集電配線18に電気的に接続することが好適である。出力配線22の他端は、後述する端子ボックス32内の電極端子に接続される。これにより、光電変換セル50で発電された電力が光電変換装置100の外部へ取り出される。出力配線22としては、幅4mm、厚さ140μmを有するはんだで覆われた銅配線を用いた。次に、図4gに示すように絶縁被覆材24は、少なくとも後述する端部封止材26の近傍に位置する透明電極層12、光電変換層14、裏面電極16、集電配線18および出力配線22の一部を覆うように設ける。特に、透明電極層12、光電変換層14、裏面電極16、集電配線18および出力配線22の端面を含んで覆うように設けることが好適である。本実施の形態では、絶縁被覆材24は、透明電極層12、光電変換層14、裏面電極16、集電配線18および出力配線22の端部を覆うように光電変換層14の第1スリットS1の延在方向に沿って延設する。具体的には、出力配線22が設けられていない領域では集電配線18の表面全体並びに透明電極層12、光電変換層14および裏面電極16の端部を覆い、出力配線22が設けられている領域では出力配線22の表面の一部並びに透明電極層12、光電変換層14および裏面電極16の端部を覆うように絶縁被覆材24を配設する。絶縁被覆材24は、抵抗率が1016Ωcm以上の絶縁性の材料で構成することが好適である。例えば、PE、PET、PEN、PI、PVF等とすることが好適である。また、絶縁被覆材24は、テープ状、シート状、フィルム状の形状を有し、裏面にシール状に接着剤が塗布されたものを用いることが好適である。これにより、絶縁被覆材24を配設する際の手間が軽減される。そこで本実施の形態では、絶縁被覆材24としてPETテープを用いた。続いて、図4hに示すように端部封止材26を配設する。端部封止材26は、光電変換装置100の端部周辺の光電変換セル50を形成していない部分幅7mm~15mm程度に配設する。光電変換装置100の端部周辺において光電変換セル50を形成していない部分を設けるには、光電変換セル50を形成する際に透明電極層12、光電変換層14および裏面電極16が形成されないように枠部材を用いて基板10の周囲をマスクして成膜処理を行ってもよいし、光電変換セル50を形成後にレーザ、サンドブラスト又はエッチングによって光電変換装置100の端部周辺の光電変換セル50を除去してもよい。端部封止材26は、このようにして形成された光電変換装置100の端部周辺の光電変換セル50を形成していない部分に塗布することによって設ける。端部封止材26は、抵抗率が1010Ωcm以上の絶縁材料とする。また、端部封止材26は、光電変換装置100の端部からの水分の浸入を防ぐために水分の透過性の低い材料とすることが好適である。特に、端部封止材26は、後述する充填材28よりも水分の透過性の低い材料とすることが好適である。さらに、光電変換装置100の端部に機械的な力が加えられた場合に、光電変換装置100に発生する力を緩和するための弾性を有することが好適である。例えば、端部封止材26は、エポキシ系樹脂やブチル系樹脂とすることが好適であり、より具体的には、高温での塗布および接着が容易なホットメルトブチルを適用することが好適である。そこで、本実施の形態では、端部封止材26としてホットメルトブチルを用いた。なお、端部封止材26は、その幅は6mm~10mm程度であり、厚さは充填材28の厚さよりも0.05mm~0.2mm程度厚くする。端部封止材26を塗布した後、裏面保護材30によって光電変換装置100の裏面を封止する。裏面保護材30は、電気的な絶縁性を有し、水分の透過性が低く、耐腐食性が高い材料とすることが好適であり、裏面保護材30としては、ガラスからなるものが用いられる。光電変換層14と裏面保護材30との間には充填材28を充填して裏面保護材30により光電変換装置100の裏面を封止する。充填材28は、絶縁材料とする。より具体的には、抵抗率が1014Ωcm程度の絶縁樹脂とすることが好適であり、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂EVAやポリビニルブラチールPVBとすることが好適であり、本実施の形態では充填材28としてEVAを用いた。光電変換層14と裏面保護材30との間を充填し、封止するための充填材28は、樹脂シート28aにより形成する。図5に示すように、光電変換装置100の裏面の端部封止材26で囲まれた領域に端部封止材26で囲まれた領域と同等か、若しくはその領域よりも縦横ともに1mm小さい樹脂シート28aを配置する。このとき、集電配線18と出力配線22が重なって形成される凸部70に重畳する領域が除去された樹脂シート28aを用いる。具体的には本実施の形態では、凸部70に重畳する領域に孔28bが設けられた樹脂シート28aを用いた。また、樹脂シート28aとしては、厚さ400μm~1mm程度のものが用いることができ、本実施の形態では厚さ600μmのものを用いた。そして、光電変換装置100の裏面を覆うように裏面保護材30を配置し、端子ボックス32へ出力配線22の端部を接続するために裏面保護材30から引き出す処理を施した後に、裏面保護材30側から圧力を加えて真空ラミネート処理を施す。さらに、充填材28としてEVAを用いた場合にあっては、光電変換装置100を加熱し、架橋を行う。架橋を行うための加熱処理は、例えば150°Cで30分程度行うとよい。このようにして、図4iに示すような基板10、端部封止材26および裏面保護材30によって複数の光電変換セル50を封止する構造とすることによって、周囲から光電変換層14への水分や腐食性物質が浸入することを防ぐことができ、光電変換装置100の耐環境性を高めることができる。最後に、図1に示すように、光電変換装置100を保護する裏面保護材30から引き出された出力配線22の端部の近傍に端子ボックス32を取り付ける。端子ボックス32は、シリコーン等を用いて接着して取り付けることができる。出力配線22の端部を端子ボックス32内の端子電極にハンダ付け等により電気的に接続し、端子ボックス32内の空間にシリコーン等の絶縁樹脂を充填して蓋をする。以上のようにして、本実施の形態における光電変換装置100が完成する。本発明の実施形態においては、図5に示すように、集電配線18と出力配線22が重なって形成される凸部70に対応した領域は切り取られ、孔28bが設けられた樹脂シート28aを用いる。これによって、裏面保護材30側から基板10側へ圧力を加えて真空ラミネート処理を施したときに凸部70近傍に力が集中して裏面保護材30が歪み、破損して歩留まりが低くなることを抑制できる。また樹脂シート28aに設けられた孔28bは、凸部70の面積以下の面積となるように形成される。これにより、孔28b近傍の樹脂シート28aが加熱処理の際に溶融し、凸部70と裏面保護材30の間に入り込み、充填されることによって光電変換装置100中に空間ができることをより良く防止することができる。したがって、光電変換装置100中にできた空間に、充填材28を透過して侵入した水蒸気から発生した水分が溜まり、耐候性が低下することを防止することができる。つまり、樹脂シート28aに凸部70以下の面積以下の面積の孔28bを設けるにより、歩留まりが低くなることと耐候性の低下を同時に抑制することができる。なお、本実施の形態においては、集電配線18と出力配線22が重なって形成される凸部70に対応する領域に孔28bを設けた樹脂シート28aを用いたが、これに限らず他の実施の形態として、図6に示したように出力配線22と重畳する領域に対応する孔28cを設けた樹脂シート28aを用いてもよい。裏面電極16上には、絶縁部材20と出力配線22が重なるように配置された構成となっており、基板面に対して凸となっているため、この凸部近傍に力が集中し易かった。さらには、出力配線22の一方端は、裏面保護材30に設けられた開孔部を介して端子ボックス32に接続するため、凸部はこの開孔部が重畳する位置まで形成される。このため、裏面保護材30側から基板10側へ圧力を加えて真空ラミネート処理を施したときに開孔部を起点として裏面保護材30に亀裂が入り、破損することがあった。そこで、本発明の他の実施の形態では、出力配線22と重畳する領域に対応する樹脂シート28aの領域に孔28cを設ける。これにより、出力配線22近傍において裏面保護材30に集中する力が分散し、破損して歩留まりが低くなることを抑制することができる。つまり、本発明においては上述の実施形態のように基板10上に形成された凸部と重畳する領域に対応する領域に孔を設けた樹脂シートを用いればよい。これにより、凸部近傍において裏面保護材30に集中する力が分散し、破損して歩留まりが低くなることを抑制することができる。また、上記実施の形態では、樹脂シート28aに孔28b、28cを形成したものを用いたが、これに限らず、孔28b、28cの代わりに凹部を形成してもよい。この場合であっても、同様の作用効果を得ることができる。さらには、図7に示すように孔28bを形成した架橋速度の速い樹脂シート28dと、架橋速度の遅い材料からなる樹脂シート28eを用いてもよい。具体的には、樹脂シート28dの孔28b内に樹脂シート28eを配置する。この結果、基板10上に形成された凸部70と重畳しない領域の樹脂シート28dに比べ、凸部70と重畳する領域に対応する樹脂シート28eの架橋速度が遅いため、凸部70と重畳しない領域を架橋して固くしても、凸部70と重畳する領域を柔らかい状態とすることができる。つまり、樹脂シート28eは、凸部70の形状に応じて変形するため、裏面保護材30側から基板10側へ圧力を加えて光電変換装置100を形成した時に光電変換装置100内部での応力を緩和し、破損して歩留まりが低くなることを抑制できる。また、樹脂シート28eを構成するEVAが柔らかくなり、凸部70と裏面保護材30の間に入り込み充填されることによって光電変換セル50と裏面保護材30との間に空間ができることをより良く防止することができる。これによって、光電変換セル50と裏面保護材30との間にできた空間に、充填材28を透過して侵入した水蒸気から発生した水分が溜まり、耐候性が低下することを防止することができる。なお、少なくとも凸部70と重畳しない領域に対応する樹脂シート28eにおいて、光電変換装置100が必要とする強度となるように架橋すればよく、凸部70と重畳する領域に対応する樹脂シート28dも完全に架橋しなくても良い。また、樹脂シート28dとしては、架橋速度を高める反応促進剤を含むEVAなどを用いることが好ましい。さらに樹脂シート28eとしては、樹脂シート28aと同様のEVAなどが用いられ、凸部70に比べて1~5mm程度大きい大きさとすることが好ましく、厚さについては、凸部70の厚さに応じて樹脂シート28dよりも薄くすることが好ましい。また、本実施の形態では、架橋速度の速い樹脂シート28dの孔28b内に架橋速度の遅い樹脂シート28eを配置したが、これに限られない。例えば、図8の樹脂シートのように出力配線22と重畳する領域に対応する領域に孔28cを設けた場合にあっては、架橋速度の速い樹脂からなる樹脂シート28fとし、樹脂シート28gを架橋速度の遅い樹脂からなるものとするなど、架橋速度の速い樹脂シートに設けた孔の内部に架橋速度の遅い樹脂を配置すればよい。なお、同様の効果は、固い樹脂シートに設けた孔の内部に柔らかい樹脂シートを配置しても得ることができる。上記各実施の形態では、光電変換層14はpin接合を有するものとしたが、これに限定されるものではなく、pn接合を基本構造とするものでもよい。さらに光電変換層14は、上記各実施の形態のようにシリコン系光電変換層の他、例えば、カドミウムテルルや、CIS銅、インジウム、セレン又はCIGS銅、インジウム、ガリウム、セレン系などの非シリコン系の光電変換層を用いることができる。また、上記各実施の形態では、両端の光電変換セル50に集電配線18を形成したが、集電配線18の位置は両端の光電変換セル50に限られない。