"光入射側より、透明導電性酸化物からなる透明電極層、少なくとも1つの光電変換ユニット、及び裏面電極がこの順番に配置された薄膜太陽電池であって、前記光電変換ユニットと前記裏面電極との間には、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層Aが形成されており、透明導電性酸化物層Aは、ケイ素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Bと、ケイ素以外の元素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Cとを有し、透明導電性酸化物層Bの膜厚が、透明導電性酸化物層Aの膜厚の30~80を占めることを特徴とする薄膜太陽電池。透明導電性酸化物層Bにおけるケイ素を主成分とする導電性不純物の含有量が1~8重量であり、かつ、透明導電性酸化物層BのX線光電子分光Si2P12ピークから見て、ケイ素が実質4価である請求項1に記載の薄膜太陽電池。透明導電性酸化物層Aの膜厚が、10~120nmである請求項1又は2に記載の薄膜太陽電池。透明導電性酸化物層Cにおける導電性不純物は、アルミニウムを主成分とするものである請求項1~3のいずれかに記載の薄膜太陽電池。透明導電性酸化物層Bが光電変換ユニットを構成する層のうちのn型半導体層に接して配置され、透明導電性酸化物層Cが裏面電極に接して配置されている請求項4に記載の薄膜太陽電池。透明導電性酸化物層Bは、導電性不純物として酸化ケイ素を1~5重量含有し、透明導電性酸化物層Cは、導電性不純物として酸化アルミニウムを1~7重量含有する請求項4又は5に記載の薄膜太陽電池。透明導電性酸化物層Bの膜厚が、透明導電性酸化物層Aの膜厚の60~80を占める請求項4~6のいずれかに記載の薄膜太陽電池。透明導電性酸化物層Cにおける導電性不純物は、アルミニウム、ガリウム、及びホウ素からなる群より選ばれた1種以上を主成分とするものである請求項1~3のいずれかに記載の薄膜太陽電池。前記光電変換ユニットが、p-i-n型接合からなる非単結晶シリコンにより構成されている請求項1~8のいずれかに記載の薄膜太陽電池。85°Cかつ相対湿度85の環境で1000時間処理した場合における発電効率の保持率が90以上である請求項1~9のいずれかに記載の薄膜太陽電池。しかしながら特許文献3では、2層の透光性導電膜としてZnOを用い、必要に応じてドープ元素を用いる旨が記載されているものの、具体的なドープ元素やその量については明記されていない。また特許文献4では、透明性と導電性が向上しているものの、最表面すなわち実質2層の透明導電性酸化物層のうち裏面側に炭素が存在しており、直列抵抗の最適化という観点からはまだ改善の余地がある。上記現状に鑑み、本発明は、発電特性がさらに向上した薄膜太陽電池を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討を重ねた。その結果、薄膜太陽電池の光電変換層と裏面電極との間に、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層であってケイ素をドープした層を設けることで、裏面電極に起因する寄生吸収を抑制し、結果として光電変換層に取り込まれる光の量を増加することが可能となり、発生電流量を向上できることを見出した。また、前記したケイ素をドープした透明導電性酸化物層に加えて、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層であってアルミニウムをドープした層を裏面電極側に用いることで、高い透明性と導電性を高いレベルでバランスよくすることができ、結果として発電特性の向上が可能となることを見出した。さらに、この構成を採用することにより、透明導電性酸化物層と半導体層との電気的接合、及び透明導電性酸化物層と裏面電極との電気的接合が良好となり、太陽電池の性能を向上できることを見出した。すなわち本発明は、以下に関する。本発明の1つの様相は、光入射側より、透明導電性酸化物からなる透明電極層、少なくとも1つの光電変換ユニット、及び裏面電極がこの順番に配置された薄膜太陽電池であって、前記光電変換ユニットと前記裏面電極との間には、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層Aが形成されており、透明導電性酸化物層Aは、ケイ素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Bと、ケイ素以外の元素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Cとを有し、透明導電性酸化物層Bの膜厚が、透明導電性酸化物層Aの膜厚の30~80を占めることを特徴とする薄膜太陽電池である。ここで、透明導電性酸化物層Aにおける酸化亜鉛を主成分とするとは、透明導電性酸化物層を形成する成分のうち、酸化亜鉛を50より多く含むことを意味する。ここで、透明導電性酸化物層Bの導電性不純物におけるケイ素を主成分とするとは、導電性不純物の85以上がケイ素原子であることを意味する。同様に、透明導電性酸化物層Cの導電性不純物におけるケイ素以外の元素を主成分とするとは、導電性不純物の85以上がケイ素以外の原子であることを意味する。好ましくは、透明導電性酸化物層Bにおけるケイ素を主成分とする導電性不純物の含有量が1~8重量であり、かつ、透明導電性酸化物層BのX線光電子分光Si2P12ピークから見て、ケイ素が実質4価である。好ましくは、透明導電性酸化物層Aの膜厚が、10~120nmである。好ましくは、透明導電性酸化物層Cにおける導電性不純物は、アルミニウムを主成分とするものである。好ましくは、透明導電性酸化物層Bが光電変換ユニットを構成する層のうちのn型半導体層に接して配置され、透明導電性酸化物層Cが裏面電極に接して配置されている。かかる構成により、光電変換ユニットで生成した導電性キャリアをロスなく取り出すことが可能となる。好ましくは、透明導電性酸化物層Bは、導電性不純物として酸化ケイ素を1~5重量含有し、透明導電性酸化物層Cは、導電性不純物として酸化アルミニウムを1~7重量含有する。好ましくは、透明導電性酸化物層Bの膜厚が、透明導電性酸化物層Aの膜厚の60~80を占める。好ましくは、透明導電性酸化物層Cにおける導電性不純物は、アルミニウム、ガリウム、及びホウ素からなる群より選ばれた1種以上を主成分とするものである。好ましくは、前記光電変換ユニットが、p-i-n型接合からなる非単結晶シリコンにより構成されている。好ましくは、85°Cかつ相対湿度85の環境で1000時間処理した場合における発電効率の保持率が90以上である。本発明によれば、光電変換ユニットと透明導電性酸化物層との電気的接合、及び、透明導電性酸化物層と裏面電極との電気的接合が良好なものとなり、結果として太陽電池の光電変換特性を向上することができる。本発明の1つの様相は、光入射側より、透明導電性酸化物からなる透明電極層、少なくとも1つの光電変換ユニット、及び裏面電極がこの順番に配置された薄膜太陽電池であって、前記光電変換ユニットと前記裏面電極との間には、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層Aが形成されており、透明導電性酸化物層Aは、ケイ素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Bと、ケイ素以外の元素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Cとを有し、透明導電性酸化物層Bの膜厚が、透明導電性酸化物層Aの膜厚の30~80を占めることを特徴とする薄膜太陽電池である。太陽電池は、光電変換ユニットに入った光により励起された導電性キャリアを、電極を介して取り出すことで発電体として機能する。しかし、導電性キャリアは積層体の界面で再結合を起こすことがあり、これが発電効率を低下させる一つの要因となる。また、導電性キャリアが界面準位に遷移することによって熱として消費されることによるロスがある。本発明では、上記した構成の透明導電性酸化物層を光電変換ユニットと裏面電極の間に配置する。このことにより、光電変換ユニット/透明導電性酸化物層の界面の接合、および透明導電性酸化物層/裏面電極の界面の接合が良好となり、界面における導電性キャリアの再結合の抑制と、熱によるロスを抑制することができると考えられる。以下、本発明に係る透明電極付き基板の代表的な態様を説明する。図1は本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池の断面構造の概略を表している。本実施形態の薄膜太陽電池10は、基板1上に、透明電極層2、光電変換ユニット3、透明導電性酸化物層透明導電性酸化物層A4および裏面電極5がこの順に配置された構造を有している。さらに、光電変換ユニット3は、第1の光電変換ユニット3-1、透明導電性中間層3-2および第2の光電変換ユニット3-3により形成されている。基板1については、公知の透明材料を用いることができる。例えば透明絶縁性の材料を用いることが好ましく、その中でもガラス、サファイヤなどを用いることがより好ましい。ガラスの具体例としては、アルカリガラスやホウ珪酸ガラス、無アルカリガラスなどがあげられる。基板1の厚みは、使用目的により任意に選択することができるが、取り扱いと重量のバランスを加味して、0.5mm~10.0mmが好ましい範囲として例示できる。0.5mm以上の場合、強度不足による割れなどを防ぐことができる。また10.0mm以下の場合、軽量のためポータブル機器などへも利用でき、透明性とコストの面からも好ましい。透明電極層2には、公知の透明電極材料を用いることができる。透明電極材料としては、例えば、酸化インジウムや酸化錫およびその複合酸化物、酸化亜鉛などの透明導電性酸化物が挙げられる。透明電極層2を、薄膜シリコン太陽電池用の透明電極として使用する場合には、水素プラズマに対する耐性から、上記の中でも特にフッ素化酸化錫や酸化亜鉛などが好ましく使用される。透明電極層2は、透明であることと高い導電性を有することが特に重要である。これらを両立する為に、透明電極材料は結晶性の高いことが好ましい。結晶性が高くなることにより、透明性が高い透明電極層2を得ることが可能となる。また、導電性が高い、すなわちシート抵抗は低いほど好ましいが、透明性とのバランス、その結果として性能の良い太陽電池を製造できるという面から、5~30Ω/□が好ましい。透明電極層2の製造方法は、透明性と導電性を達成可能な方法であればどのような手法でも構わない。好ましくは、ウェットプロセスやドライプロセスなどの手法を採用することができる。中でも、有機金属化合物と水との反応を利用した有機金属化学的気相堆積MOCVDなどは、結晶性の良い透明電極層が形成できるのでより好ましい。さらに、透明電極層2として透明導電性酸化物を用いる場合、透明導電性酸化物の結晶方位を制御して透明電極層表面にテクスチャを形成することが好ましい。このことにより、光電変換層内での光閉じ込め効率を上げることができ、結果として発電特性を向上することが可能となる。光電変換ユニット3は、例えば1ユニットがp-i-n接合からなるシリコン半導体積層構造体を少なくとも1つ配置して構成することができる。用いられるシリコンの構造は多結晶構造や非晶質構造のものが用いることができ、p/i/nで結晶構造が異なっても構わない。なお、非晶質あるいは結晶質のシリコン系材料としては、半導体を構成する主要元素としてシリコンのみを用いる場合だけでなく、炭素、酸素、窒素、ゲルマニウムなどの元素をも含む合金材料であってもよい。各々の半導体層は、例えば、プラズマCVD法により好適に作製することができる。すなわち、シランガスをシリコン材料として用い、プラズマエネルギーを利用してシリコン半導体層を形成することができる。p型層やn型層を製膜する場合には、シランガスに、それぞれジボランやホスフィンなどの不純物ガスを適量添加すればよい。さらに、上記光電変換ユニットを複数積み重ねることで、発電性能を向上させることができる。光電変換ユニットを複数ユニット積層する場合、光入射側から順にバンドギャップが広い光電変換ユニットを設けると、入射光が有効に利用できるので、性能向上が期待できる。本実施形態における光電変換ユニット3は、2個の光電変換ユニット、すなわち、第1の光電変換ユニット3-1と第2の光電変換ユニット3-3を有している。例えば、薄膜太陽電池10が薄膜シリコン太陽電池の場合には、ワイドバンドギャップの第1の光電変換ユニット3-1を光入射側に配置し、その上にナローバンドギャップの第2の光電変換ユニット3-3を配置すればよい。この場合、第1の光電変換ユニットとして非晶質シリコンからなる光電変換ユニットを、第2の光電変換ユニットとして微結晶シリコンからなる光電変換ユニットを配置することができる。さらに、3つ以上の光電変換ユニットを配置してもかまわない。これら複数の光電変換ユニット間には、透明導電性中間層3-2を形成し、光の反射と透過を選択的に行う層を設けることができる。これにより、上記の例では第1の光電変換ユニット3-1に取り込まれる光をより多くすることができ、さらに透過した光で第2の光電変換ユニット3-3の発電に寄与することができる。透明導電性中間層3-2としては、例えば非酸化状態のシリコンを含有する酸化ケイ素などを用いることができる。透明電極層2と光電変換ユニット3の間には、電気的なコンタクトの改善を目的とした層を設けることができる。この層としては、光電変換ユニットよりもバンドギャップの広い半導体層を用いることが好ましい。なぜなら、これにより、透明電極層と光電変換層との界面付近での電子-正孔の再結合を抑制されるので、光電変換層で生成した電子-正孔を電極に効率よく取り出すことができ、結果として変換効率を向上することが可能となるためである。この様な半導体としては、例えば、p型シリコンカーバイドなどが挙げられる。裏面電極5としては、Al、Ag、Au、Cu、PtおよびCrから選ばれる少なくとも一つの材料からなる少なくとも一層の金属層をスパッタ法または蒸着法により形成することが好ましい。裏面電極5の膜厚は、特に制限されないが、200~1000nm2000~10000Åが好ましい。200nm2000Å以上の場合には、導電性が十分確保でき、また裏面電極として重要な光反射材料としての機能を十分に果たすことが可能となるため好ましい。一方、1000nm10000Å以下の場合には、コストなどの観点から好ましい。本発明の薄膜太陽電池は、透明導電性酸化物層Aの構成に特徴がある。以下、詳細に説明する。図1に示す透明導電性酸化物層透明導電性酸化物層A4は、酸化亜鉛を主成分とする透明かつ導電性の層である。透明導電性酸化物層4は、不連続な組成を示す2つ以上の層により形成されている。具体的には、ケイ素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Bと、ケイ素以外の元素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Cの、少なくとも2層を有している。すなわち、透明導電性酸化物層Bと透明導電性酸化物層Cとは、含まれる導電性不純物の主成分が異なる。導電性不純物は、透明導電性酸化物内でイオン化することで導電性を付与することができる。なお、これらの導電性不純物は最低限の不純物とは別に添加されたものである。ここで最低限の不純物とは、ターゲットの製造過程で意図せずに含有される原子や、スパッタリング製膜過程での装置由来による不純物原子や、薄膜太陽電池の光電変換ユニットや裏面電極からの微量の原子拡散などであって、濃度として0.1以下のものを表す。上記最低限の不純物は、少ない方が好ましく、濃度が0すなわち含まれないことがより好ましい。前述のように、酸化亜鉛を主成分とするとは、透明導電性酸化物層4を形成する成分のうち、酸化亜鉛を50より多く含むことを意味する。酸化亜鉛を70以上含むことが特に好ましい。ここで、本発明の薄膜太陽電池の機能を損なわない限り、主成分たる酸化亜鉛以外に、例えば酸化インジウム酸化錫酸化チタンなどの透明導電性酸化物も含有した複合酸化物なども用いることができるが、導電性不純物以外は全て酸化亜鉛である透明導電性酸化物層を用いることがより好ましい。この場合、広い波長領域で透過率の高い透明導電性酸化物層4の形成が期待できる。透明導電性酸化物層Bは、ケイ素を主成分とする導電性不純物を含有している。前述のようにケイ素を主成分とするとは、導電性不純物の85以上がケイ素原子であることを意味する。導電性不純物の、好ましくは90以上、より好ましくは95以上がケイ素原子であり、さらに好ましくは100がケイ素原子、すなわち、透明導電性酸化物層Bが実質的にケイ素原子のみを導電性不純物として含有する。これらの範囲のケイ素を含有する導電性不純物を用いることで、導電性と透明性に優れる透明導電性酸化物層4および湿熱耐久性に優れた薄膜太陽電池10を作製することができる。なお、導電性不純物におけるケイ素以外の成分主成分以外の成分としては、アルミニウムやガリウムが挙げられる。透明導電性酸化物層Bにおける、ケイ素を主成分とする導電性不純物の含有量は、特に限定されるものではないが、通常は酸化ケイ素が1.0~8.0重量、好ましくは1.5~6.0重量、より好ましくは1.5~5.0重量、さらに好ましくは2.0~4.5重量含有されている。酸化ケイ素を導入することで、実用時の湿熱耐久性を向上することが可能である。すなわち、酸化ケイ素を導入することで、結晶構造に適度な歪みを与え、残留応力のバランスをとることで、薄膜太陽電池の湿熱耐久性を向上することが可能となると考えられる。酸化ケイ素は酸化亜鉛に添加されることで、実質的に、ケイ素が導電性不純物としてドーピングされたものと同じ働きを示す。ケイ素原子のドーピング量が上記範囲より少ない場合は、湿熱耐久性向上の効果が低下し、一方、ケイ素原子のドーピング量が多い場合は、導電性が著しく低下し抵抗となるため、発電効率の低下の原因となるため好ましくない。ケイ素のドーピング量は各種元素分析法で検出することが可能であるが、例えば、二次イオン質量分析SIMSやX線光電子分光XPSなどにより精度よく原子数をカウントすることができる。透明導電性酸化物層Bの成膜において、スパッタターゲットの原子組成と成膜される透明導電性酸化物層Bの原子組成が等しくなることが、エネルギー分散型X線分光測定装置EDSなどの元素分析からわかっている。したがって、ケイ素原子のドーピング量は、スパッタターゲットの原子組成比により制御することができる。スパッタターゲットの原子組成比の制御は、焼結体作成時に酸化亜鉛とケイ素または酸化ケイ素とを組成比に従って混錬し、焼結することで実施可能である。透明導電性酸化物層B中のケイ素は、実質4価であることが好ましい。4価のケイ素が特に耐久性に及ぼす影響についての詳細は不明であるが、ケイ素が4価となることで安定な導電性キャリアを供給すること、ケイ素の4価が安定酸化数であること、が有効となっていると推定される。また4価のケイ素では、価電子が全て導電性キャリアとなり、このため可視光領域での電子遷移が少なくなり、その結果、透明性に優れることとなる。このようなケイ素の酸化数は、X線光電子分光XPSにより検出可能である。X線源としては一般的なものを任意に使用することができるが、広いエネルギー範囲を高分解能で測定可能であることから、AlKαやMgKαを用いることが好ましい。XPSでは、通常の測定では入射X線により発生する光電子の運動エネルギーを検出するが、入射X線のエネルギー、例えばMgKαでは約1254eV、からの差をとり結合エネルギーで評価する。Si2P12のピークに注目すると、Si0価のピークは結合エネルギーが約100eVに検出されることが予想される。この場合Si3価は約103eVに、Si4価のピークは約104eVに検出される図2。ここでの実質4価とは、XPSで測定されるSi2P12の4価と3価のピーク比Si4/Si3が0.5以上であることを意味する。この値をとることでケイ素が安定酸化数となり、透明性と耐久性、特に湿熱耐久性に優れた透明導電性酸化物が得られる。このような比は、図2に示す様に、XPSで測定されるスペクトルの結合エネルギーが100~108eV付近において直線のベースラインを引き、Si3については103eVの、Si4については104eVの、各々の測定値から各々のベースラインの値を引いた差分の値を各々のピークの値、即ち、Si4、及びSi3として、その比Si4/Si3を計算することで求めることができる。透明導電性酸化物層透明導電性酸化物層A4は、透明導電性酸化物層Bの他に、ケイ素以外の元素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Cを有している。当該導電性不純物の主成分たるケイ素以外の元素としては、アルミニウム、ガリウム、ホウ素などが挙げられる。具体的には、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ホウ素などが導電性不純物として添加された酸化亜鉛により、透明導電性酸化物層Cを形成することができる。ケイ素以外の元素は、1種のみでもよいし、2種以上でもよい。透明導電性酸化物層Cの存在により、透明導電性酸化物層4の導電性が高くなり、透明導電性酸化物層4と光電変換ユニット3や裏面電極5との電気的コンタクトが良好となることが考えられる。また前述のように、透明導電性酸化物Bと透明導電性酸化物層Cとは、不連続な組成により積層されることとなる。このような構成とすることで、導電性と透明性を両立し、特性の高い薄膜太陽電池を作製することができる。ここで不連続な組成とは、透明導電性酸化物層Bと透明導電性酸化物層Cとの界面を境に、相互の導電性不純物や不純物の原子拡散を除いて、組成が異なることを意味する。このような構成の透明導電性酸化物層Aは、透明導電性酸化物層Bと透明導電性酸化物層Cを、別々のターゲットを用いてスパッタリング製膜することで作製できる。透明導電性酸化物層Bの膜厚dBは、透明導電性酸化物層透明導電性酸化物層A4の膜厚dAの30~80を占める。より好ましくは、45~80である。これらの範囲とすることで、導電性と透明性を両立し、特性の高い薄膜太陽電池を作製することができる。透明導電性酸化物層4の膜厚dAは、必要とする光学的効果や導電性に応じて自由に設計できるが、好ましくは10~120nm100~1200Å、より好ましくは25~110nm250~1100Å、さらに好ましくは30~110nm300~1100Å、特に好ましくは40~110nm400~1100Åである。膜厚dAが10nm100Å以上の場合には、光学的な特性が良好となり、また裏面電極を形成する金属材料が、光電変換ユニットへ拡散することなどが起こりにくくなり、結果として発電特性が良好となる。ここで、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層は、他を主成分とする透明導電性酸化物層に比べて透明性が高いことが特徴であるが、バンドギャップ付近3.3eV付近以上や自由電子反射吸収の領域である1eV以下は光が吸収され、膜厚が厚くなるほど吸収量は大きくなる。従って、膜厚dAが120nm1200Å以下の場合には、透明導電性酸化物層4の吸収ロスなどが起こりにくく、光学的な特性および性能が良好となると考えられるため、好ましい。一方、膜厚dAが120nmより厚い場合には、光学的な特性だけでなく、透明導電性酸化物層4自体による光の吸収の影響が大きくなるため好ましくない。ここでいう光学的な特性とは、光電変換ユニット/透明導電性酸化物層の界面と透明導電性酸化物層/裏面電極の界面でそれぞれ反射される光の干渉であり、必要な波長の光を光電変換ユニットに取り入れるために必要な特性である。このような光の干渉は、必要な波長の光を光電変換ユニットに取り入れるために必要な特性である。各々の透明導電性酸化物層は、マグネトロンスパッタリング法や各種蒸着法などによる物理堆積の他、プラズマや熱を利用した化学気相堆積などにより製膜することができる。中でもマグネトロンスパッタリング法は、容易に製膜が可能であるため好ましい。マグネトロンスパッタリングに用いるターゲットは、成膜すべき透明導電性酸化物層と同組成の材料を用いることが好ましい。このとき、アルゴンガスなどのキャリアガスをイオン化し、ターゲットをスパッタすることで製膜することができる。キャリアガスには、アルゴンガスの他にも、酸素や水素などの反応性ガスや、窒素などの不活性ガスを使用することができ、これらの混合ガスを使用することもできる。上記のようにスパッタリング法により透明導電性酸化物層を製膜する場合、スパッタリングに用いる電源は、直流DC電源や低周波AC電源の他に高周波電源を用いることができる。高周波電源にはRFやVHFなどの周波数があるが、どの周波数においても透明導電性酸化物層4を好適に製膜することができる。製膜時のパワー密度は、特に透明導電性酸化物層Bの場合、1.5~15.0W/cm2が好ましく、さらには3.5~12.0W/cm2、その中でも特に7.0~12.0W/cm2が好ましい。透明導電性酸化物層Bは製膜時のパワー密度により、本発明の太陽電池特性に影響を与える可能性があり、パワー密度が低い場合は製膜速度が向上せず、また結晶性の問題であると予想され、湿熱耐久性が良くないことがある。一方、パワー密度が大きすぎる場合には、プラズマ中で生成する酸素イオンによって透明導電性酸化物層が再スパッタされ、透明性導電性の良くない透明電極付き基板となる可能性があるため好ましくない。電源の印加方式は、連続波でもパルス波でもよく、製膜装置による最適条件により任意に決定できる。一方、透明導電性酸化物層Cなど、透明導電性酸化物層B以外の層は、任意のパワー密度で製膜することができる。この場合は、透明導電性酸化物層Bのように太陽電池特性に影響を与える可能性は低い。スパッタリング時の製膜室内の圧力は、0.7Pa以下であることが好ましく、中でも0.1~0.4Paであることがより好ましい。製膜室内の圧力は、製膜室内に存在するキャリアガス原子原子団イオン状態を含むの数を表しており、これらはターゲットから飛来する透明導電性酸化物層の構成原子原子団イオン状態を含むの散乱源となる。本発明においては、製膜室内の圧力を上記範囲とすることで基板に十分な運動エネルギーを持ったまま付着させ、本発明において有効な透明導電性酸化物層を形成することが可能となる。スパッタリング時の基板の温度は、基板の軟化温度以下であればどのような温度でも可能である。特には、25°C以下で製膜することが好ましい。基板温度を下げることで、スパッタ粒子の運動エネルギーを急激に低下させ、結晶粒を密にすること、組成によっては非晶質に近い状態にすることが可能となる。これにより湿熱耐久性の向上が可能となる。透明導電性酸化物層A中における透明導電性酸化物層Bと透明導電性酸化物層Cの配置の順序には特に制限はなく、光電変換ユニット3側からB-Cの順番でも、C-Bの順番でも構わない。換言すれば、n型半導体層/透明導電性酸化物層B/透明導電性酸化物層C/裏面電極5の順番でもよく、n型半導体層/透明導電性酸化物層C/透明導電性酸化物層B/裏面電極5の順番でもよい。さらに、透明導電性酸化物層Aが3層以上からなる場合には、透明導電性酸化物層Bと透明導電性酸化物層Cを交互に積層してもよい。1つの例として、導電性の高い透明導電性酸化物層Cが光電変換ユニット3n型半導体層と接する側に配置されると、電気的コンタクトが高くなり、太陽電池構造の直列抵抗が低減されることが期待される。一方、透明導電性酸化物層Bが光電変換ユニット3と接する側に配置され、透明導電性酸化物層Cが裏面電極5と接する側に配置された実施形態においても、優れた性能を得ることができる。すなわち、好ましい実施形態では、透明導電性酸化物層Cにおける導電性不純物がアルミニウムを主成分とするものであり、かつ透明導電性酸化物層Bが光電変換ユニット3を構成する層のうちのn型半導体層に接して配置され、透明導電性酸化物層Cが裏面電極5に接して配置されている。以下、この実施形態第二実施形態について説明する。すなわち、第二実施形態はn型半導体層/透明導電性酸化物層B/透明導電性酸化物層C/裏面電極5の順番に配置された薄膜太陽電池に係るものである。第二実施形態において、透明導電性酸化物層Bは、導電性不純物として酸化ケイ素を1~5重量含有することが好ましく、1.5~3重量含有することがより好ましい。なお、透明導電性酸化物層Bは、酸化ケイ素以外の導電性不純物を含有していてもよく、例えば、酸化アルミニウムを0~0.5重量程度含有していてもよいが、酸化アルミニウムの含有量は0重量に近い方が好ましく、0重量含まれないがより好ましい。透明導電性酸化物層Bにおいては、導電性不純物たる酸化ケイ素の含有量を1~5重量とすることで、導電性と電気的接合性の両方の特性を良好なものとすることができる。また、酸化アルミニウム等の含有量をできる限り少なくすることにより、光電変換ユニットと透明導電性酸化物層Bとの電気的接合を良好なものとすることができる。また透明導電性酸化物層Bを、光電変換ユニット3を形成する半導体層のうちn型半導体層と接するようにすることで、電気的接合のさらなる向上が期待できる。第二実施形態において、透明導電性酸化物層Cは、導電性不純物として酸化アルミニウムを1~7重量含有していることが好ましく、1~4重量含有することがより好ましい。なお、透明導電性酸化物層Cは、酸化アルミニウム以外の導電性不純物を含有していてもよく、例えば、酸化ケイ素を0~0.5重量程度含有していてもよいが、酸化ケイ素の含有量は0重量に近い方が好ましく、0重量含まれないがより好ましい。透明導電性酸化物層Cにおいては、導電性不純物たる酸化アルミニウムを1~7重量とすることで、裏面電極との電気的接合を良好なものとすることができる。また酸化ケイ素等の含有量をできる限り少なくすることにより、裏面電極と透明導電性酸化物層Cとの電気的接合を良好なものとすることができる。また透明導電性酸化物層Cを、裏面電極5と接するようにすることで、電気的接合のさらなる向上が期待できる。ここで、導電性不純物の含有量は、透明導電性酸化物層に対する含有量である。例えば、透明導電性酸化物層Bについて酸化ケイ素を1~5重量含有するとは、透明導電性酸化物層Bを形成する全ての成分の重量のうち、酸化ケイ素を1~5含有することを意味する。透明導電性酸化物層Cにおける酸化アルミニウムの含有量についても同様である。第2実施形態において、透明導電性酸化物層Bの膜厚dBが、透明導電性酸化物層Aの膜厚dAの60~80を占めることが好ましく、65~80を占めることがさらに好ましい。第2実施形態における透明導電性酸化物層BおよびCによる電気的接合の向上に関する詳細については明確になっていないが、本実施形態の構成、すなわちn型半導体層/透明導電性酸化物層B/透明導電性酸化物層C/裏面電極の順番に配置することで、各界面の接合が良好となると推測される。また上記構成により、各層のフェルミ準位の関係によるバンドベンディングが少なくなる、また欠陥準位を補償する、などが起こるためと推測される。なお、本発明においては、透明導電性酸化物層BとCの配置順序は任意であり、透明導電性酸化物層Bが裏面電極5側に、透明導電性酸化物層Cが光電変換ユニット3側に配置された薄膜太陽電池も、本発明に含まれる。後述の実施例で示すように、この構成の薄膜太陽電池によれば、発電効率の保持率が向上する。ただし、後述の実施例で示すように、第2実施形態によれば曲線因子がさらに向上する。これは、光電変換ユニット3と透明導電性酸化物層B、及び、透明導電性酸化物層Cと裏面電極5との電気的接合が、より良くなるためであると考えられる。上記した実施形態では、透明導電性酸化物層4が透明導電性酸化物層Bと透明導電性酸化物層Cを有するものであるが、これら以外の層をさらに有していてもよい。例えば、透明導電性酸化物層Bと透明導電性酸化物層Cとの間に、他の透明導電性酸化物層を形成することができる。このような他の透明導電性酸化物層は、導電性の酸化物であれば、酸化インジウムや酸化錫、酸化亜鉛などを主成分とするものを用いることができるが、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を用いることが透明性の観点から好ましい。この場合、他の透明導電性酸化物層には種々の導電性不純物などを添加することができる。導電性不純物としては、例えばアルミニウム、ガリウム、ホウ素、ケイ素、炭素、ニオブ、セレンなどの公知のものを採用することができる。なお、他の透明導電性酸化物層においても、透明導電性酸化物層B、Cと同様、導電性不純物を添加する場合、1種類のみ添加することが好ましい。これは、複数種の導電性不純物を同時に添加する場合に比べてキャリア密度が小さい為、透過率が高くなることが期待できるからである。前述のように、ケイ素、アルミニウム、その他の導電性不純物の添加量は、各種元素分析法で検出することが可能である。例えば、エネルギー分散型測定装置EDSや二次イオン質量分析SIMSやX線光電子分光XPSなどにより精度よく原子数をカウントすることができる。また前述のように、本発明における透明導電性酸化物層の成膜において、スパッタターゲットの原子組成と透明導電性酸化物層の原子組成が等しくなることが、エネルギー分散型測定装置EDSなどの元素分析からわかっている。したがって、スパッタターゲットの原子組成を制御することにより、透明導電性酸化物層に含まれる導電性不純物の量を制御することができる。スパッタターゲットの原子組成比の制御は、導電性不純物として酸化ケイ素を含有する透明導電性酸化物層を作製する場合、焼結体作製時に、酸化亜鉛とケイ素または酸化ケイ素を組成比に従って混錬し、焼結することで実施可能である。また導電性不純物として酸化アルミニウムを含有する透明導電性酸化物層を作製する場合、焼結体作製時に、酸化亜鉛とアルミニウムまたは酸化アルミニウムを組成比に従って混錬し、焼結することで実施可能である。本発明における透明導電性酸化物層は、湿熱耐久性が高い。ここで湿熱耐久性が高いとは、湿熱耐久性試験前後、すなわち85°Cかつ相対湿度85の環境下で1000時間放置した場合における放置前後の導電性の変化が小さいことを示し、具体的な測定としては、透明導電性酸化物層のシート抵抗の湿熱耐久性試験前後の変化比が小さいことをいう。これは、太陽電池の想定される使用環境の中でも過酷な条件に対する加速試験として実施されるものである。薄膜シリコン系太陽電池を例にとると、湿熱耐久性試験で性能が低下する最も大きな原因は、光電変換ユニットと裏面電極間に設けられた透明導電性酸化物層である。酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層4では、湿熱耐久性試験前後のシート抵抗の比、すなわち湿熱耐久性試験後のシート抵抗/湿熱耐久性試験前のシート抵抗の値が、好ましくは1.0~3.0、より好ましくは1.01~2.0、さらに好ましくは1.02~1.8、特に好ましくは1.03~1.40となる。また、透明導電性酸化物層が太陽電池特性に与える影響に直列抵抗があり、極度なシート抵抗上昇は直列抵抗の上昇を意味する。これにより太陽電池特性のうち曲線因子が低下する。従って、シート抵抗の比を上記範囲とすることで、長期間にわたり太陽電池の特性を良好に保つことができる。なお、シート抵抗の変化が大きくなると、透明導電性酸化物層が抵抗となり、光電変換ユニットで生成されたキャリアは透明導電性酸化物層で熱として消費されてしまい、発電に寄与しない。本発明で採用する透明導電性酸化物層は、これを抑制し、長時間にわたり安定して発電することを可能にする。湿熱耐久性試験は、太陽電池を裏面電極まで作製後に裏面電極のみ除去して実施したり、裏面電極作製前の状態で実施することも可能であるが、ガラスなどの基板上に透明導電性酸化物層4と同条件で製膜した、いわゆる単膜の状態でも実施可能である。上記した実施形態では、透明導電性酸化物層4が透明導電性酸化物層Bと透明導電性酸化物層Cを有するものであるが、これら以外の層をさらに有していてもよい。また、複数の透明導電性酸化物層Bや、複数の透明導電性酸化物層Cを有するものでもよい。本発明において、薄膜太陽電池の発電効率の保持率は、湿熱耐久性試験前後の発電効率の変化によって定義される。具体的には下記1式に示すとおりである。保持率=[湿熱耐久試験後の発電効率/湿熱耐久試験前の発電効率]×1001本発明の薄膜太陽電池における発電効率の保持率は、90以上であることが好ましく、94以上であることがより好ましい。発電効率の保持率が高い薄膜太陽電池は、屋外の使用など、実際に太陽電池が使用される環境において、長期間の使用においても性能の低下が小さく、実用性が高いため、好ましい。以下に、実施例をもって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。以下の実施例において、ドーピング量測定には、走査電子顕微鏡JSM-6390-LA日本電子社製を用いた。透明導電性酸化物層の膜厚は、分光エリプソメーターVASEJ.Aウーラム社製を使用した測定結果につきChaucyモデルによりフィッティングすることにより算出した。X線光電子分光XPSは、X線源としてMgKα1254eVを用いて、Si2P12ピークの結合エネルギーを0価を約100eVとして算出した。光電変換特性は、AM1.5のスペクトル分布を有するソーラシミュレータを用いて、擬似太陽光を25°Cの下で100mW/cm2のエネルギー密度で照射して出力特性を測定し、開放電圧Voc、短絡電流密度Jsc、曲線因子FF、発電効率Eff、電圧-電流特性により評価した。湿熱耐久性試験は、作製した薄膜太陽電池を85°Cかつ相対湿度85の環境で1000時間放置し、その前後の発電効率を比較することで実施した。発電効率の保持率を上記式1にしたがって算出した。基板1には、透光性の無アルカリガラス基板厚み1.1mm、日本電気硝子社製を使用した。透明電極層2には、熱CVD法により作製したフッ素化酸化錫F:SnO2を用いた。この際の透明電極層2の膜厚は800nm、シート抵抗は10Ω/□、ヘイズ値は15~20であった。この上に、高周波プラズマCVD装置を用いて、ボロンドープのp型シリコンカーバイドSiC層を10nm、ノンドープの非晶質シリコン光電変換層を200nm、リンドープのn型μc-Si層を20nmの膜厚で製膜した。これにより、前方光電変換ユニットであるp-i-n接合の非晶質シリコンからなる第1の光電変換ユニット3-1トップセルを形成した。上記第1の光電変換ユニット3-1を形成した基板を大気中に取り出すことなく、プラズマCVD装置にて、導電性酸素化シリコン層からなる導電性中間層3-2を形成した。このときの製膜条件については、プラズマの励起周波数を13.56MHz、基板温度を150°C、反応室内圧力を666Paとした。プラズマCVD反応室内に導入される原料ガスとしてSiH4、PH3、CO2、およびH2を用いた。以上の条件で60nm600Åの導電性酸素化シリコン層3-2を製膜した。更に、ボロンドープのp型微結晶シリコン層を15nm、ノンドープの結晶質シリコン光電変換層を1500nm、リンドープのn型微結晶シリコン層を20nmの膜厚で、それぞれプラズマCVD法により製膜した。これにより、後方光電変換ユニットであるp-i-n接合の結晶質シリコンからなる第2の光電変換ユニット3-3ボトムセルを形成した。上記結晶質シリコン光電変換ユニット形成済みの工程仕掛品を、高周波プラズマCVD装置から大気中に取り出した後、高周波マグネトロンスパッタリング装置の製膜室に導入し、第2の光電変換ユニット3-3上に、透明導電性酸化物層4を製膜した。透明導電性酸化物層4の成膜は、表1に示すスパッタターゲット材料と製膜パワー密度を採用し、製膜圧力を0.2Pa、基板温度を150°Cとして、基板/ターゲット距離を60mmに設定して実施した。表1の膜厚欄における括弧書きは、透明導電性酸化物層4の膜厚に対して透明導電性酸化物層Bの膜厚が占める割合を示す。また、実施例1-1から1-11においては、透明導電性酸化物層4を導電性不純物の種類が異なる2以上の層で構成した。操作として、第2の光電変換ユニット3-3上に第1層を成膜し、その上に第2層を成膜した。実施例1-5では、第2層の上にさらに第3層を成膜した。また、第1層としてケイ素以外の元素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層C、第2層としてケイ素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Bを採用した。さらに実施例1-5では、第3層としてケイ素以外の元素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Cを採用した。表1における1層目、2層目、3層目は、それぞれ透明導電性酸化物層4の第1層、第2層、第3層に対応する。具体的には、まず、実施例1-1から1-11において、透明導電性酸化物層Bにおける導電性不純物として酸化ケイ素SiO2を用いた。実施例1-6,1-9,1-10,1-11では、透明導電性酸化物層Cにおける導電性不純物として酸化アルミニウムAl2O3を用いた。実施例1-5では、透明導電性酸化物層Cを2つ設け、透明導電性酸化物層Bを挟むように配置した。実施例1-7では、透明導電性酸化物層Cにおける導電性不純物として酸化ガリウムGa2O3を用いた。実施例1-8では、透明導電性酸化物層Cにおける導電性不純物として酸化ホウ素B2O3を用いた。実施例1-1,1-3,1-4,1-7,1-8,1-11では、透明導電性酸化物層Bを裏面電極5に接して配置し、透明導電性酸化物層Cを光電変換ユニット3に接して配置した。実施例1-2,1-6,1-9,1-10では、透明導電性酸化物層Bを光電変換ユニット3に接して配置し、透明導電性酸化物層Cを裏面電極5に接して配置した。実施例1-5では、一方の透明導電性酸化物層Cを裏面電極5に接して配置し、他方の透明導電性酸化物層Cを光電変換ユニット3に接して配置した。実施例1-5では、透明導電性酸化物層Bは光電変換ユニット3と裏面電極5のいずれにも接していない。一方、比較例では、いずれも1層のみからなる透明導電性酸化物層4を用いた。具体的には、比較例1-1では、導電性不純物として酸化アルミニウムAl2O3を用いた。比較例1-2,1-3では、導電性不純物として酸化ケイ素SiO2を用いた。比較例1-4では、導電性不純物として酸化ケイ素SiO2と酸化アルミニウムAl2O3を併用した同時ドーピング。引き続き、真空蒸着装置を用いて、裏面電極5としてAg膜を250nmの膜厚で製膜した。製膜中の真空度は1×104Pa以下、製膜速度は0.2±0.02nm/秒とした。以上のようにして、計15種類実施例11種、比較例4種の薄膜太陽電池を作製した。作製した各薄膜太陽電池の光電変換特性を、表2に示す。すなわち、実施例の薄膜太陽電池は、いずれも高い保持率を示した。これは、酸化ケイ素をドーピングした酸化亜鉛透明導電性酸化物の湿熱耐久性が優れているためと考えられる。また実施例の薄膜太陽電池では、短絡電流密度Jscと開放電圧Vocも、それぞれ向上していることがわかった。これは、酸化アルミニウムをドーピングした酸化亜鉛に比べて、酸化ケイ素をドーピングした酸化亜鉛の方が、透過率が高くなる傾向があり、これにより、光電変換ユニットへの光の取り込み量が増加し、その結果、短絡電流密度が向上したものと考えられる。開放電圧の向上については、不純物としてドーピングしたケイ素とアルミニウムのイオン半径の差および電気陰性度の差によって生じる透明導電性酸化物層の内部応力への影響と、その内部応力により発生する欠陥準位が少なくなると考えることで、説明可能である。なお、比較例1-3は薄膜太陽電池としての機能を示さなかった。これは、透明導電性酸化物層の抵抗が非常に大きいために電流が流れなかったためと考えられる。図2に、実施例1-1および比較例1-4におけるX線光電子分光スペクトルを示す。図2中、実線は実施例1-1、破線は比較例1-4を示す。XPS測定の結果、表1と図2に示すように、実施例の条件で製膜した透明導電性酸化物層では、4価のケイ素を示す約104eVの結合エネルギーのピークが優先であった。一方、比較例の条件で製膜した透明導電性酸化物層では、3価のケイ素を示す約103eVの結合エネルギーのピークが優先であった。このことから、4価のケイ素を含有する透明導電性酸化物層を用いることで特性が良く、耐久性に優れた薄膜太陽電池を作製可能であることがわかった。以上の結果、光電変換ユニットと裏面電極との間に、ケイ素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Bと、ケイ素以外の元素を主成分とする導電性不純物を含有する透明導電性酸化物層Cを配置することで、発電効率に優れる薄膜太陽電池を作製できることがわかった。これは、透明導電性酸化物層の透過率が向上することで、光電変換ユニット内に取り込まれる光の量が多くなるためだと考えられる。透過率が向上した理由は、透明導電性酸化物中のキャリア濃度が低下したためであると考えられる。さらに、上記した透明導電性酸化物層Bと透明導電性酸化物層Cで透明導電性酸化物層4を構成することにより、高い保持率を実現できることが分かった。なお、図2に示すように、比較例1-4ではケイ素が十分に酸化されていないことがわかった。これは、アルミニウムが優先して酸化されたためと考えられる。実施例2-1上記の実施例1と同様にして、基板1上に透明電極層2を設けた。この上に、高周波プラズマCVD装置を用いて、ボロンドープのp型シリコンカーバイドSiC層を10nm、ノンドープの非晶質シリコン光電変換層を250nm、リンドープのn型μc-Si層を20nmの膜厚で製膜した。これにより、前方光電変換ユニットであるp-i-n接合の非晶質シリコンからなる第1の光電変換ユニット3-1トップセルを形成した。続いて、上記の実施例1と同様にして、導電性酸素化シリコン層3-2を製膜した。更に、ボロンドープのp型微結晶シリコン層を15nm、ノンドープの結晶質シリコン光電変換層を1750nm、リンドープのn型微結晶シリコン層を20nmの膜厚でそれぞれプラズマCVD法により製膜した。これにより、後方光電変換ユニットであるp-i-n接合の結晶質シリコンからなる第2の光電変換ユニット3-3ボトムセルを形成した。続いて、上記の実施例1と同様にして、第2の光電変換ユニット3-3上に、透明導電性酸化物層4を製膜した。透明導電性酸化物層4として、透明導電性酸化物層BとCの2層を形成した。スパッタにより製膜圧力を0.2Pa、基板温度を150°Cとして、基板/ターゲット距離を60mmに設定して製膜を実施した。透明導電性酸化物層Bとして、酸化ケイ素を2.0含有した酸化亜鉛をターゲットとして10W/cm2のパワー密度で60nm600Å製膜し第1層、その上に透明導電性酸化物層Cとして、酸化アルミニウムを2.0含有した酸化亜鉛をターゲットとして1.5W/cm2のパワー密度で30nm300Å製膜した第2層。引き続き、真空蒸着装置を用いて裏面電極5としてAg膜を250ナノメートルの膜厚で製膜した。製膜中の真空度は1×104Pa以下、製膜速度は0.2±0.02nm/秒とした。以上のように薄膜太陽電池を作製した。実施例2-2から2-6透明導電性酸化物層BおよびCとして、ターゲットに含有される酸化ケイ素あるいは酸化アルミニウムの含有量、または膜厚を変更した以外は、実施例2-1と同じ条件で、薄膜太陽電池を作製した。参考例2-1第1層として、酸化アルミニウムを2.0含有した酸化亜鉛をターゲットとして1.5W/cm2のパワー密度で20nm200Å製膜し、その上に第2層として酸化ケイ素を2.0含有した酸化亜鉛をターゲットとして7.0W/cm2のパワー密度で60nm600Å製膜した。それ以外は、実施例2-1と同じ条件で、薄膜太陽電池を作製した。参考例2-2第1層として、酸化アルミニウムを2.0含有した酸化亜鉛をターゲットとして1.5W/cm2のパワー密度で60nm600Å製膜し、その上に第2層として酸化ケイ素を2.0含有した酸化亜鉛をターゲットとして7.0W/cm2のパワー密度で30nm300Å製膜した。それ以外は、実施例2-1と同じ条件で、薄膜太陽電池を作製した。つまり、実施例2-1から2-8では、透明導電性酸化物層Bを光電変換ユニット3に接して配置し、透明導電性酸化物層Cを裏面電極5に接して配置した。一方、参考例2-1と2-2では、透明導電性酸化物層Bを裏面電極5に接して配置し、透明導電性酸化物層Cを光電変換ユニット3に接して配置した。比較例2-1から2-3透明導電性酸化物層4として、酸化アルミニウムを2.0比較例2-1、酸化ケイ素を2.0比較例2-2、又は酸化ケイ素を7.0比較例2-3含有した酸化亜鉛ターゲットを用いて1層のみ製膜した。それ以外の条件は、実施例2-1と同じ条件で製膜した。以上のようにして、計13種類実施例8種、参考例2種、比較例3種の薄膜太陽電池を作製した。各薄膜太陽電池について、透明導電性酸化物層4の成膜条件を表3に示す。表3における1層目と2層目は、それぞれ透明導電性酸化物層4の第1層と第2層に対応する。表3の膜厚欄における括弧書きは、透明導電性酸化物層4の膜厚に対して透明導電性酸化物層Bの膜厚が占める割合を示す。作製した各薄膜太陽電池の光電変換特性を、表4に示す。なお、比較例2-3では、透明導電性酸化物層4の導電性が著しく悪かった為、太陽電池を形成することができなかった。表4より、透明導電性酸化物層として1層のみを使用した比較例に対し、2層使用した実施例や参考例では、発電効率の保持率が向上していることがわかる。これは、透明導電性酸化物層の耐久性向上による導電性の保持と、電気的接合の保持の影響のためであると考えられる。具体的には、比較例2-1と実施例2-1から2-8を比較すると、所定の量の酸化ケイ素を含有する透明導電性酸化物層Bと光電変換ユニットのn型半導体層とを接するようにすることで、酸化アルミニウムを含有する透明導電性酸化物層のみを有する比較例2-1と比べて特に曲線因子の向上が明確となった。これは、上記したとおり、光電変換ユニットを形成するn型半導体層と透明導電性酸化物層との電気的接合が向上したためと考えられる。また比較例2-2,2-3と実施例2-1から2-8とを比較すると、所定の量の酸化アルミニウムを含有する透明導電性酸化物層Cと、裏面電極5とを接するようにすることで、酸化ケイ素を含有する透明導電性酸化物層のみを有する比較例2-2,2-3と比べて特に曲線因子の向上が明確となった。これは、比較例2-2に対し、実施例2-1から2-8では透明導電性酸化物層4と裏面金属5との電気的接合が向上したためと考えられる。また酸化ケイ素のドープ量が多いことに起因する透明導電性酸化物層4の抵抗が高くなった比較例2-3に対し、実施例2-1から2-8では抵抗が低く、導電性に優れるためと考えられる。また実施例2-1から2-8と参考例2-1,2-2とを比較すると、実施例2-1から2-8の方が曲線因子の値がより高かった。つまり、酸化ケイ素を含有する透明導電性酸化物層Bを光電変換ユニット3に接して配置し、酸化アルミニウムを含有する透明導電性酸化物層Cを裏面電極5に接して配置することにより、より高い曲線因子の値が得られた。以上の結果より、光電変換ユニット3と裏面電極5との間に、ケイ素を含む酸化亜鉛透明導電性酸化物層を製膜し、且つ光電変換ユニット3に接する側にケイ素を含有する酸化亜鉛を、裏面電極5に接する側にアルミニウムを含有する酸化亜鉛を形成することで、発電効率に優れる薄膜太陽電池を作製できることがわかった。これは、透明導電性酸化物層4と光電変換ユニット3を形成するn型半導体層との電気的接合、並びに、透明導電性酸化物層4と裏面電極5との電気的接合が、いずれも良好となり、光によって誘起されたキャリアを効率よく取り出すことができるためと考えられる。さらに、湿熱耐久性試験後においても、高い保持率を示すことがわかった。また参考例2-1では、比較例2-1,2-2に対し、保持率が向上した。そして、実施例2-1から2-8では、この高い保持率を維持したまま、特に曲線因子の向上が可能となった。これは、所定の透明導電性酸化物層の積層順と膜厚等の条件を最適化したためであると考えられる。参考例2-2に対しても同様に、実施例2-1から2-8において曲線因子の向上が確認された。以上より、本発明の構成とすることで、太陽電池の光電変換特性を向上することができたと考えられる。"