"第1面を有し、該第1面に開口する凹部を供える基材と、該基材の第1面上及び該凹部の壁面上に形成されている下部電極と、該下部電極上に形成されている誘電体層と、該誘電体層上に形成されている上部電極とから成るコンデンサ部と、前記凹部の内部であって、前記上部電極により形成されている空間に充填されている樹脂充填材と、前記基材の第1面上に形成されている絶縁層と、前記絶縁層上に形成される導体部と、前記下部電極及び前記上部電極のいずれか一方と前記導体部とを接続するビア導体と、を有する電子部品であって、前記導体部は、前記凹部を覆うように設けられている電子部品。前記導体部は、前記ビア導体のランドである請求項1の電子部品。前記ビア導体は、前記基材のうち前記凹部が形成されていない領域に位置する下部電極又は上部電極に接続されている請求項1の電子部品。前記樹脂充填材と前記絶縁層とは同一材料である請求項1の電子部品。前記絶縁層は感光性樹脂からなる請求項1の電子部品。前記基板は、シリコン、ガラス及びセラミックのいずれか1つから成る請求項1の電子部品。前記下部電極は、前記凹部の開口周縁において段差部を有する請求項1の電子部品。前記コンデンサ部は、記凹部の開口周縁において略R状の厚肉部を有する請求項1の電子部品。電子部品の製造方法であって、第1面を有する基材に凹部を形成することと、前記凹部を含む基材の表面に、下部電極と誘電体層と上部電極とを順次形成することでコンデンサ部を設けることと、前記凹部内において、前記上部電極で形成される空間内に樹脂充填材を充填することと、前記コンデンサ部を覆うように前記基材上に絶縁層を形成することと、前記絶縁層上に導体部を形成することと、前記絶縁層の内部に、前記下部電極及び前記上部電極のいずれか一方と前記導体部とを接続するビア導体を形成することと、を有し、前記凹部を覆うように前記導体部を設ける電子部品の製造方法。請求項9に記載の電子部品の製造方法であって、前記樹脂充填材と前記絶縁層とは同一材料である。請求項9に記載の電子部品の製造方法であって、前記絶縁層をマスクとして前記誘電体層を除去することを含む。特許文献1の電子部品では、無機基板の主面上に、下部電極、誘電体膜、上部電極の順で堆積させ、所定のエッチングによりコンデンサを形成するプロセスに関して、無機基板を用いることで、高温工程で比誘電率の大きい誘電体膜を堆積させることが可能である。しかしながら、コンデンサの容量を決定する対向電極面積を大きくするのに限界があり、大容量のコンデンサを形成するのは困難であった。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、高い容量を備え、好適な接続信頼性を確保し得る電子部品を提供することにある。請求項1に記載の電子部品は、第1面を有し、該第1面に開口する凹部を供える基材と、該基材の第1面上及び該凹部の壁面上に形成されている下部電極と、該下部電極上に形成されている誘電体層と、該誘電体層上に形成されている上部電極とから成るコンデンサ部と、前記凹部の内部であって、前記上部電極により形成されている空間に充填されている樹脂充填材と、前記基材の第1面上に形成されている絶縁層と、前記絶縁層上に形成される導体部と、前記下部電極及び前記上部電極のいずれか一方と前記導体部とを接続するビア導体と、を有する電子部品であって、前記導体部は、前記凹部を覆うように設けられていることを技術的特徴とする。請求項1の電子部品では、下部電極と誘電体層と上部電極とから成るコンデンサ部が、基材の凹部の壁面上に形成されているため、電極間の実質的な対向面積を広げることができ、高い容量を得ることができる。また、凹部の内部に樹脂充填材が充填されているため、例えば凹部の側壁で生じる応力を可撓性の有る樹脂充填材で吸収することができ、凹部トレンチを狭い間隔で設け容量の増大を図っても、凹部の側壁へクラックが入ることが無い。さらに、凹部内の樹脂充填材を覆うように導体部を設けることで、樹脂充填材の熱膨張が抑えられ、例えばビア導体に対する応力が緩和され、ビア導体の断線などが抑制される。請求項11、12のプリント配線板では、実装されるICチップの直下位置に高容量のコンデンサ部を供える電子部品が収容されるため、ICチップとコンデンサ部との距離を近づけることができ、ICチップへの電力供給を強化できる。このため、高周波のICチップで、瞬時的に消費電力が増えても、供給電圧が低下することが無くなり、ICチップが適性な動作を継続できる。請求項13のプリント配線板では、高容量のコンデンサ部を供える電子部品の直上にICチップが実装されるため、ICチップとコンデンサ部との距離を近づけることができ、ICチップへの電力供給を強化できる。このため、高周波のICチップで、瞬時的に消費電力が増えても、供給電圧が低下することが無くなり、ICチップが適性な動作を継続できる。第1実施形態本発明の第1実施形態に係る電子部品を構成するコンデンサ部品について図1~図3を参照して説明する。図1Aは、コンデンサ部品10の平面図である。コンデンサ部品10は、主に基材と、基材上に形成されているコンデンサ部とを有する。基材としては、平坦性に優れるシリコン、ガラス及びセラミックのいずれか1つが好ましい。コンデンサ部品10の上面には、複数の開口14aを有する絶縁層14が形成されている。開口14aからは電極パッド12P及び電極パッド12Mがそれぞれ露出している。本実施形態では、電極パッド12Mが下部電極に接続し、電極パッド12Pが上部電極に接続している。これら電極パッド12P及び電極パッド12Mは、マトリクス状に、交互に配置されている。電極パッド間のピッチPは500μmに設定されている。図1Bは、図1Aのb-b断面図であり、図1Cは、図1B中の一部を拡大して示す断面図である。基板20の第1面上面側には、凹部30が形成され、該凹部30内にコンデンサ部40が形成されている。例えば、基板20の厚さS1は300μmに、凹部30の深さTDは70μmに設定されている。Si基板20の上面に電極パッド12P及び電極パッド12Mが設けられている。電極パッド12P及び電極パッド12Mの外径D1は200μmに形成され、ビア導体60D、60Uの径D2は50μmに設定されている。図2Aは、図1A中の電極パッド12Mを示し、図2Bは、図2Aのb’-b’断面図であり、図2Cは、図2B中の一部を拡大して示す断面図であり、図2Dは、図2C中の一部を拡大して示す断面図である。図2Dでは、凹部30の上部のみを示すが、図13、図14中に凹部の全体構成が開示されている。図2Cに示すように、凹部を含む基板の第1面上には絶縁層50が形成されている。絶縁層50上に電極パッド12Mが形成されている。電極パッド12Mは、ビア導体60Dを介して下部電極と接続されている。より詳しくは、凹部が形成されていない領域基板の平面部分に位置する下部電極に接続されている。そして、電極パッド12Mは、複数の凹部内の樹脂充填材を覆うように形成されている。なお、絶縁層50は厚さID10μmに、電極パッド12Mのランド部58は厚さCD10μmに形成されている。図2Dに示すように、コンデンサ部40は、基板20の第1面上面上及び凹部30の壁面に形成されている。コンデンサ部40は、TiN/W/TiNから成る下部電極42と、AlO/ZrSiOから成る誘電体層44と、TiN/Wから成る上部電極46とから構成されている。ここで、トレンチ30内では、コンデンサ部40の下部電極42がTiNから成り、上部電極46はTiN/Tiから成る。凹部内において、上部電極で形成される空間には樹脂充填剤52が充填されている。そして、基板上には、コンデンサ部40を覆うように絶縁層50が設けられている。絶縁層50には、下部電極を露出させる開口50aが形成されている。この開口50aの内部にはビア導体60Dが設けられており、このビア導体60Dを介して電極パッド12Mと下部電極が接続されている。このとき、ビア導体60Dと上部電極46とは絶縁されている。すなわち、ビア導体60Dと上部電極46との間には絶縁層50が存在する。図3Aは、図1A中の電極パッド12Pを示し、図3Bは、図3Aのb’’-b’’断面図であり、図3Cは、図3B中の一部を拡大して示す断面図であり、図3Dは、図3C中の一部を拡大して示す断面図である。図3Dでは、凹部30の上部のみを示すが、図13、図14中に凹部の全体構成が開示されている。図3Cに示すように、電極パッド12Pは絶縁層50上に形成されている。電極パッド12Mは、ビア導体60Uを介して上部電極と接続されている。より詳しくは、凹部が形成されていない領域基板の平面部分に位置する上部電極に接続されている。そして、電極パッド12Mは、複数の凹部内の樹脂充填材を覆うように形成されている。図3Dに示すように、絶縁層50の内部には上部電極を露出させる開口50bが形成されている。この開口50bの内部にはビア導体60Uが設けられており、このビア導体60Uを介して電極パッド12Pと上部電極が接続されている。第1実施形態のコンデンサ部品10では、下部電極42と誘電体層44と上部電極46とから成るコンデンサ部40が、基板20の表面第1面に加え、凹部30の壁面上にも形成されているため、電極間の実質的な対向面積を広げることができ、高い容量を得ることができる。また、凹部30の内部に樹脂充填材52が充填されているため、凹部30の側壁で生じる応力を樹脂充填材52で吸収することができ、凹部を狭い間隔で設け容量の増大を図っても、凹部30の側壁に生じるクラックを抑制することができると推測される。第1実施形態のコンデンサ10では、基板20上に樹脂製の絶縁層50を備えるため、プリント配線板の内部に収容された際に、基板20で生じた応力を絶縁層50で緩和することができる。第1実施形態のコンデンサ10では、電極パッド12P及び電極パッド12Mのランド部58が樹脂絶縁層50を介して、複数の凹部30を覆っている。このため、トレンチ30内部の樹脂充填剤52が熱膨張する際に、上部のランド部58により膨張が抑えられる。その結果、例えば絶縁層50の熱膨張によりビア導体60U、60Dへ加わる応力が緩和され、ビア導体の断線などを抑制することが可能になると推測される。引き続き、コンデンサ部品10の製造工程について、図4~図14を参照して説明する。1厚み約300μmのSiウエハー20を用意する図4A。2スパッタリング法により、Siウエハー20上に厚み10nmのTiN膜を形成する図1B。3引き続き、スパッタリング法により、TiN膜上に厚み100nmのW膜を形成する図4C。4W膜上にTEOSテトラエトキシシランを用いるプラズマCVDでSiO2から成るハードマスク70を形成する図5A。5ハードマスク70上にポジレジストを塗布し、露光、現像TMAHで所定パターンのレジスト層72を形成する図5B。6RIE反応イオンエッチングにより、レジスト層72非形成部のハードマスク70に開口部70aを形成し図5C、W膜を露出させる。ハードマスク70上のレジスト層を除去する図5D。7エッチングにより、ハードマスク70の開口部70aから露出されるW膜を除去し、W膜の開口W-aを形成する図6A。そして、ハードマスク70を剥離する図6B。8W層の上に開口74aを備えるレジスト74を形成する図6C。この際に、開口W-aが埋まるように、TiN層上まで延在させてレジスト74の開口74aを形成する。9レジスト74の開口74aから露出されたTiN層をエッチングにより除去する図6D。そして、レジスト74を除去する図7A。ここで、TiN膜の端部TiN-aは、W膜の開口W-aよりも内側へ延在している。すなわち、TiN膜及びW膜を有する下部電極は段差状に形成される。これにより、下部電極のエッジ部分の表面積が大きくなり、そこに集中する応力が緩和される。その結果、後述する誘電体層の内部へ発生するクラックが抑制されると推測される。10W膜上にTEOSテトラエトキシシランを用いるプラズマCVDでSiO2から成る開口76aを有するスペーサ76を形成する図7B。ここで、開口76aは、TiN膜の端部TiN-aより内側に形成される。11Siエッチングにより、Siウエハー20にトレンチ30を形成する図7C。凹部30の全体を図13に示す。そして、フッ酸を用いるエッチングによりスペーサ76を除去する図7D。12Siウエハー20上面及びトレンチ30内に、既にSiウエハー20上に形成されたTiN膜、W層上に、更にCVDで厚さ30nmのTiN膜を形成し、TiN/W/TiNから成る下部電極42を完成する。引き続き、下部電極42上にALDAtomicLayerDeposition原子層蒸着プロセスで厚さ12nmのZrSiO膜を形成し、次に、ALDで厚さ1nmのAlO膜を形成し、ZrSiO/AlOからなる誘電体層44を完成する。また更に、誘電体層44上にCVDで厚さ20nmのTiN膜を形成し、CVDで厚さ10nmのTi膜を形成する図8A。13スパッタリングにより既に形成されたTiN膜、Ti膜上に厚さ100nmのW層を形成し、これにより、TiN/Ti/Wから成る上部電極46を形成し、コンデンサ部40を完成する図8B。なお、図2Dを参照して上述したように、コンデンサ部40は、Siウエハー20上面では、下部電極42がTiN/W/TiNら成り、上部電極46がTiN/Ti/Wから成るとから成る。そして、トレンチ30内では、コンデンサ部40の下部電極42がTiNから成り、上部電極46はTiN/Tiから成る。ここで、Siウエハー20の第1面上とトレンチ30とのエッジ部に、上部電極の最外層であるW層を厚く設けることで、該エッジ部にアールを形成する。これにより、後述する樹脂充填剤、絶縁層での応力集中を防ぐ。14トレンチ30内に樹脂充填剤52を充填する図8C。ここでは、感光性樹脂例えばJSR株社製商品名WPRを塗布し、露光、現像後に、熱硬化することにより樹脂充填剤52を充填する。15レジスト液を塗布し、露光、現像TMAHすることで、開口78aを備えるレジスト78を形成する図9A。16H2O2KOH液を用いるウエットエッチングで、レジスト78の開口78a内の上部電極46を構成するTiN/Ti/W膜を除去し、誘電体層44を露出させる図9B。そして、レジスト78を除去する図10A。17電極パッド12M形成用開口50a、電極パッド12P形成用開口50bを備える絶縁膜50を形成する図10B。ここでは、樹脂充填材と同じ感光性樹脂を塗布し、露光、現像後に、熱硬化する。18ウエットエッチング、希HF処理で、開口50aから露出する誘電体層44を除去する図11A。ここで、第1実施形態では、絶縁層50がエッチングレジストの役割を果たす。19TiN/Ti/Cuスパッタにより、TiN15nm/Ti30nm/Cu60nmのシード層54を、絶縁層50の表面及び開口50a、50b内に形成する図11B。20所定パターンのめっきレジスト55を形成し、シード層54を介して通電し、めっきレジスト55の非形成部に電解銅めっき膜56を形成する図12。21めっきレジストを薬液で除去し、めっきレジスト下のシード層54をエッチングで溶解することで、ビア導体60U、60D及びランド部58電極パッドを形成する図14。これにより、コンデンサ部品10が完成する。ここで、絶縁層50の上に、図1Bを参照して上述したように、絶縁膜14例えばソルダーレジスト膜を形成することも好適である。第1実施形態のコンデンサ部品10を内蔵する第1実施形態のプリント配線板について、図15を参照して説明する。なお図15は、コンデンサ部品10をコア基板130の内部に収容した例を開示する。図15Aは、第1実施形態のプリント配線板の断面図を示す。Siコンデンサ10を収容するコア基板130は、プリプレグを積層して形成される。例えば、ガラス繊維やアラミド繊維の布あるいは不織布に、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フッ素材脂ポリテトラフルオロエチレン等等を含浸させてBステージとしたプリプレグを積層して、次いで、加熱プレスして一体化することにより形成される。コア基板130の上面及び下面上には回路パターン134が形成される。コア基板130の上層には、回路パターン158及びビア導体160を備える層間樹脂絶縁層132が積層されている。層間樹脂絶縁層は、芯材を備えない熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体を用いることができる。そして、コア基板130の表裏の回路パターン158を接続するスルーホール導体136を有する。層間樹脂絶縁層132の上層には、回路パターン158及びビア導体160を備える層間樹脂絶縁層150が形成されている。更に、層間樹脂絶縁層150の上層には、回路パターン158及びビア導体160を備える層間樹脂絶縁層250が形成されている。層間樹脂絶縁層250の上層にはソルダーレジスト層70が形成され、上面側のソルダーレジスト層70の開口71には半田バンプ176が形成されている。図15Bは、該プリント配線板にICチップ300が実装された状態を示す。ICチップ300は、パッド302を介して半田バンプ176に実装される。第1実施形態のプリント配線板では、実装されるICチップ300の直下位置に高容量のコンデンサ部を供えるSiコンデンサ10が収容されるため、ICチップとコンデンサ部との距離を近づけることができ、ICチップへの電力供給を強化できる。このため、高周波のICチップで、瞬時的に消費電力が増えても、供給電圧が低下することが無くなり、ICチップが適性な動作を継続できる。この場合、コンデンサ部品の内部にスルーホール導体を設けることが好ましい。これによれば、そのスルーホール導体を介してICチップへ電圧を供給することが可能となり、電圧供給回路の短縮が図られる。第2実施形態Siコンデンサ10を内蔵する第2実施形態のプリント配線板について、図16を参照して説明する。なお図16は、コンデンサ部品10を層間樹脂絶縁層の内部に収容した例を開示する。図16Aは、第2実施形態のプリント配線板の断面図を示す。コア基板130の上面及び下面上には回路パターン134が形成され、回路パターン158及びビア導体160を備える層間樹脂絶縁層132が積層されている。そして、コア基板130、及び、上面の層間樹脂絶縁層132、下面の層間樹脂絶縁層132を挿通するようにスルーホール136が形成されている。上面側の層間樹脂絶縁層132の上層には、開口150aにSiコンデンサ10を収容する層間樹脂絶縁層150が形成されている。該上側層間樹脂絶縁層150には、回路パターン158及びビア導体160が形成されている。同様に、下面側の層間樹脂絶縁層150にも回路パターン158及びビア導体160が形成されている。更に、層間樹脂絶縁層150の上層には、回路パターン158及びビア導体160を備える層間樹脂絶縁層250が形成されている。層間樹脂絶縁層250の上層にはソルダーレジスト層70が形成され、上面側のソルダーレジスト層70の開口71には半田バンプ176が形成されている。図16Bは、該プリント配線板にICチップ300が実装された状態を示す。ICチップ300は、パッド302を介して半田バンプ176に実装される。第2実施形態のプリント配線板では、実装されるICチップ300の直下位置に高容量のコンデンサ部を供えるSiコンデンサ10が収容されるため、ICチップとコンデンサ部との距離を近づけることができ、ICチップへの電力供給を強化できる。このため、高周波のICチップで、瞬時的に消費電力が増えても、供給電圧が低下することが無くなり、ICチップが適性な動作を継続できる。第3実施形態本実施形態においては、プリント配線板とICチップとの間に介在するインターポーザとして電子部品を用いる。詳細は図17を参照して説明する。第3実施形態の電子部品としてのインターポーザ10は、基板の上面第1面と下面第2面とを接続するスルーホール導体62を有し、下面側には半田バンプ76Dが形成されている。このスルーホール導体62により、Siコンデンサ10の第1面側と第2面側とを最短で接続することができる。インターポーザ10の上面には、層間樹脂絶縁層150,250,350と、回路パターン358とが交互に設けられ、層間の回路パターンがビア導体360を介して接続されている。最上層の回路パターン358には、半田バンプ76Uが配置され、該半田バンプ76Uを介して、図中左側にCPUチップ310が実装され、図中右側にメモリーユニット320が実装されている。該メモリーユニット320は、メモリチップ322,324,326から成る。第3実施形態においては、高容量のコンデンサ部40を供えるインターポーザ10の直上にICチップ310が実装されるため、ICチップ310とコンデンサ部40との距離を近づけることができ、ICチップへの電力供給を強化できる。このため、高周波のICチップで、瞬時的に消費電力が増えても、供給電圧が低下することが無くなり、ICチップが適性な動作を継続できる。"