陽極リードが導出された弁作用金属からなる陽極体と、前記陽極体の表面に形成された誘電体酸化皮膜層と、前記誘電体酸化皮膜層の表面に形成された固体電解質層と、前記固体電解質層の表面に順次形成されたグラファイト層および銀ペースト層からなる陰極層を有するコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサであって、前記固体電解質層は、前記誘電体酸化皮膜層の表面に形成された鉄濃度が1ppm以下である第一の導電性高分子層と、前記第一の導電性高分子層の表面に形成された第二の導電性高分子層を備えることを特徴とする固体電解コンデンサ。前記第一の導電性高分子層は、第二鉄塩からなる酸化剤とモノマーを用いた化学酸化重合を施し、洗浄をして形成され、前記第二の導電性高分子層は、前記第一の導電性高分子層の表面に、導電性高分子を含む分散水溶液を付着させ、乾燥して形成されることを特徴とする請求項1に記載の固体電解コンデンサ。陽極リードを導出した弁作用金属からなる陽極体の表面に、誘電体酸化皮膜層を形成し、前記誘電体酸化皮膜層の表面に固体電解質層を形成し、前記固体電解質層の表面にグラファイト層および銀ペースト層からなる陰極層を順次形成するコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサの製造方法であって、前記固体電解質層は、前記誘電体酸化皮膜層の表面に、鉄濃度を1ppm以下とした第一の導電性高分子を形成し、前記第一の導電性高分子層の表面に第二の導電性高分子層を形成することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。前記第一の導電性高分子層は、第二鉄塩からなる酸化剤とモノマーを用いた化学酸化重合を施した後、洗浄をして形成し、前記第二の導電性高分子層は、前記第一の導電性高分子層の表面に、導電性高分子を含む分散水溶液を付着させた後、乾燥して形成することを特徴とする請求項3に記載の固体電解コンデンサの製造方法。特許文献1に記載されている固体電解コンデンサは、導電性高分子層の鉄濃度を100ppm以下とすることにより、漏れ電流が低く、ショート不良を低減する効果を得ている。しかしながら、近年、固体電解コンデンサは、更なる小型化および耐電圧化が要求されており、特許文献1の実施の形態として記載されているような導電性高分子層の鉄濃度が数十ppm程度では、信頼性が劣るという問題があった。これは、小型化を図った固体電解コンデンサにおいては、導電性高分子層の鉄濃度が数十ppm程度では、相対的に鉄濃度が高く、製品に鉄イオンが残留する可能性があるためである。この残留鉄イオンが誘電体酸化皮膜層の欠陥部に接触し、還元されて鉄が析出することで、漏れ電流が大きくなり、ショート不良が発生する可能性があるという課題がある。また、化学酸化重合工法や電解酸化重合工法による導電性高分子層の形成方法では、導電性高分子層は、非常に薄く形成される。このため、導電性高分子層の表面に形成される陰極層に含有するカーボンブラックの侵入や、外部からのストレスによる導電性高分子層の損傷等を要因として、ショート不良が発生する可能性があるという課題がある。本発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、その目的は、漏れ電流を低減し、ショート不良を抑制した小型の固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することである。本発明は、誘電体酸化皮膜層の表面に、鉄濃度が1ppm以下である第一の導電性高分子層と、第一の導電性高分子層の表面に形成された第二の導電性高分子層から構成される固体電解質層を備えることを特徴とする固体電解コンデンサおよびその製造方法である。すなわち、本発明によれば、陽極リードが導出された弁作用金属からなる陽極体と、前記陽極体の表面に形成された誘電体酸化皮膜層と、前記誘電体酸化皮膜層の表面に形成された固体電解質層と、前記固体電解質層の表面に順次形成されたグラファイト層および銀ペースト層からなる陰極層を有するコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサであって、前記固体電解質層は、前記誘電体酸化皮膜層の表面に形成された鉄濃度が1ppm以下である第一の導電性高分子層と、前記第一の導電性高分子層の表面に形成された第二の導電性高分子層を備えることを特徴とする固体電解コンデンサが得られる。また、本発明によれば、前記第一の導電性高分子層は、第二鉄塩からなる酸化剤とモノマーを用いた化学酸化重合を施し、洗浄をして形成され、前記第二の導電性高分子層は、前記第一の導電性高分子層の表面に、導電性高分子を含む分散水溶液を付着させ、乾燥して形成されることを特徴とする上記の固体電解コンデンサが得られる。また、本発明によれば、陽極リードを導出した弁作用金属からなる陽極体の表面に、誘電体酸化皮膜層を形成し、前記誘電体酸化皮膜層の表面に固体電解質層を形成し、前記固体電解質層の表面にグラファイト層および銀ペースト層からなる陰極層を順次形成するコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサの製造方法であって、前記固体電解質層は、前記誘電体酸化皮膜層の表面に、鉄濃度を1ppm以下とした第一の導電性高分子を形成し、前記第一の導電性高分子層の表面に第二の導電性高分子層を形成することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法が得られる。また、本発明によれば、前記第一の導電性高分子層は、第二鉄塩からなる酸化剤とモノマーを用いた化学酸化重合を施した後、洗浄をして形成し、前記第二の導電性高分子層は、前記第一の導電性高分子層の表面に、導電性高分子を含む分散水溶液を付着させた後、乾燥して形成することを特徴とする上記の固体電解コンデンサの製造方法が得られる。本発明の固体電解コンデンサは、誘電体酸化皮膜層の表面に形成された、鉄濃度が1ppm以下である第一の導電性高分子層と、第一の導電性高分子層の表面に形成された第二の導電性高分子層から構成される固体電解質層を備えている。第一の導電性高分子層の鉄濃度を1ppm以下とすることにより、小型化した固体電解コンデンサにおいても、鉄イオンの残留を要因とする、漏れ電流およびショート不良の低減を図ることができる。また、第二の導電性高分子層を設けることにより、陰極層に含有するカーボンブラックの侵入や、外部からのストレスによる導電性高分子層の損傷を要因とする、ショート不良の低減を図ることができる。さらに、第二の導電性高分子層を、第一の導電性高分子層の表面に、導電性高分子を含む分散水溶液を付着させ、乾燥して形成することにより、第二の導電性高分子層の厚みを確保し、更にショート不良の低減を図ることができる。したがって、本発明によれば、漏れ電流を低減し、ショート不良を抑制した小型の固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することが可能となる。図1は、本発明に係るコンデンサ素子を示す模式図で、図1aは、断面図、図1bは、A部拡大図である。本発明の固体電解コンデンサは、図1に示すようなコンデンサ素子101を有している。弁作用金属からなる陽極体2からは、陽極リード1が導出されている。弁作用金属として、タンタルやニオブ、アルミニウムまたはこれらの合金を多孔質化されたものが使用できる。陽極体2の陽極リード1が導出された部分を除く表面には、誘電体酸化皮膜層3を形成する。誘電体酸化皮膜層3は、陽極体2を、リン酸、またはその塩等を含む水溶液中で化成することにより形成することができる。次に、誘電体酸化皮膜層3の表面に第一の導電性高分子層4と第二の導電性高分子層5を順次形成し、固体電解質層11を構成する。第一の導電性高分子層4は、以下に説明する化学酸化重合工法と洗浄により形成することができる。導電性高分子を構成するEDT、ピロール、アニリン等のモノマーを含有する水溶液に、第二鉄塩を含む酸化剤とドーパントを加え混合水溶液とし、この混合水溶液に陽極体を浸漬させ、化学酸化重合を行う。さらに、洗浄を施し、第一の導電性高分子層4の鉄濃度を1ppm以下とするように調整する。洗浄は、純水に試料を浸漬させた後、洗い流す方法や、次亜塩素酸ナトリウム等の水溶液に試料を浸漬させた後、純水で洗い流す方法等で実施することが可能であるが、鉄濃度が1ppm以下となるような洗浄方法であれば特に限定されない。第二の導電性高分子層5は、第一の導電性高分子層4の表面に、導電性高分子を含む分散水溶液を、以下のような方法で付着させることにより形成することができる。すなわち、EDTやピロール等からなる可溶性の導電性高分子化合物の分散水溶液を準備し、この分散水溶液中に、第一の導電性高分子層4が形成された陽極体を浸漬させ、分散水溶液から取り出した後、乾燥させる工程を繰り返し行うことにより形成することができる。また、上記の分散水溶液を、第一の導電性高分子層4の表面に塗布し、乾燥させる工程を繰り返し行うことにより形成することができる。その後、グラファイトペースト層6、銀ペースト層7を順次形成し、陰極層とする。陰極層は、公知の技術により形成が可能であるため、説明を省略する。さらに、図示はしないが、陰極層に陰極リードフレームを導電接着剤等で接合し、陽極リードと陽極リードフレームを溶接等で接合する。次に、それぞれのリードフレームの一部分が露出するようにコンデンサ素子を外装樹脂でモールド成形し、本発明の固体電解コンデンサを得る。タンタル粉末に、直径0.4mmのタンタルからなる陽極リードを埋め込み、3.5mm×4.5mm×1.0mm高さのプレス体を形成し、温度1500°Cで焼結し、タンタル焼結体からなる陽極体を作製した。この陽極体にリン酸水溶液中で60Vの電圧を印加して陽極酸化を行い、誘電体酸化皮膜層を形成した。次に、誘電体酸化皮膜層の表面に第一の導電性高分子層を形成した。まず、フェノールスルホン酸系のドーパントと純水を重量比2:3で混合、攪拌させ、完全に溶解させた。この混合液と、第二酸化鉄を含む酸化剤であるフェノールスルホン酸2-メチルイミダソールを体積比1:1で混合、攪拌させた溶液と、モノマーであるEDTとからなる混合水溶液を作製した。この混合水溶液に誘電体酸化皮膜層が形成された陽極体を浸漬して化学酸化重合を2回実施し、第一の導電性高分子層を形成した試料を作製した。さらに、この試料を純水中に浸漬させて洗い流す工程を700秒×4サイクル行うことにより、洗浄を施し、第一の導電性高分子層に含有する鉄濃度を1ppmとした。その後、第一の導電性高分子層の表面に第二の導電性高分子層を形成した。まず、可溶性導電性高分子であるEDTを含む分散水溶液を準備した。この導電性高分子の分散水溶液に、第一の導電性高分子層が形成された陽極体を浸漬し、取り出した後に乾燥させる工程を4回繰り返し、厚さ20μmとなる第二の導電性高分子層を形成した。第一の導電性高分子層と第二の導電性高分子層からなる固体電解質層が形成された陽極体を、カーボンブラックと樹脂と有機溶剤からなるグラファイトペーストに浸漬し、引き上げた後、150°Cの熱処理を施すことでグラファイトペースト層を形成した。さらに、銀フィラーと樹脂と有機溶剤からなる銀ペーストに浸漬し、引き上げた後150°Cの熱処理を施すことで銀ペースト層を形成した。グラファイトペースト層と銀ペースト層を陰極層とし、コンデンサ素子を作製した。この陰極層に、銅を基体としてその両面をニッケルでめっき処理した、厚さ30μmの陰極リードフレームを導電接着剤で接着した。さらに陽極リードにも、陰極層に接着したものと同様の陽極リードフレームをレーザー溶接した。それぞれのリードフレームの一部分を露出させるように、エポキシ系の外層樹脂によりモールド成形し、固体電解コンデンサを作製した。比較例1比較例1では、固体電解質層として、導電性高分子層を一層のみ形成し、その他の構成は実施例と同様となるように、固体電解コンデンサを作製した。比較例1における導電性高分子層は、フェノールスルホン酸系のドーパントと純水を重量比2:3で混合、攪拌させ、完全に溶解させた。この混合液と、第二酸化鉄を含む酸化剤であるフェノールスルホン酸2-メチルイミダソールを体積比1:1で混合、攪拌させた溶液と、モノマーであるEDTとからなる混合水溶液を作製した。この混合水溶液に誘電体酸化皮膜層が形成された陽極体を浸漬して化学酸化重合を2回実施し、第一の導電性高分子層を形成した試料を作製した。さらに、この試料を純水中に浸漬させて洗い流す工程を600秒×2サイクル行うことにより洗浄を施し、導電性高分子層に含有する鉄濃度を50ppmとした。比較例2比較例2では、固体電解質層として、実施例と同様に、第一の導電性高分子層と第二の導電性高分子層を形成した。実施例と異なる点は、第一の導電性高分子層を比較例1の導電性高分子層と同様に作製し、鉄濃度を50ppmとしたことである。実施例および比較例1~2で作製したコンデンサ素子の鉄濃度は、以下の方法で測定した。各コンデンサ素子を20個ずつ作製し、50mlのバイアルに入れ、その上に濃硝酸2mlを入れた後、55°Cで一晩放置した。その後、純水を28ml入れ希釈し、0.2μmのフィルターを通して、ICP誘導結合プラズマ発光分析装置により測定し、20個の平均値を算出した。実施例および比較例1~2で作製した固体電解コンデンサの漏れ電流は、LC測定器にて、定格電圧を印加し、印加30秒後の漏れ電流値を測定した。また、ショート不良は、以下のように評価した。各固体電解コンデンサに定格電圧の1.3倍の電圧を印加し、15時間通電させた後、定格電圧でのショートの有無を確認し、ショートが発生したものをショート不良と評価した。各固体電解コンデンサは20個ずつ作製し、漏れ電流については平均値を算出した。表1は、実施例および比較例1~2の鉄濃度と、漏れ電流、ショート不良について、測定および評価した結果である。表1に示すように、本発明による実施例は、鉄濃度が1ppm以下とする第一の導電性高分子層を設けることにより、漏れ電流とショート不良を低減することが確認できた。また、第二の導電性高分子層を設けることにより、更なるショート不良の改善効果が得られることが確認できた。本発明の構成を採用することにより、漏れ電流を大幅に低減し、ショート不良も発生しない固体電解コンデンサを得ることが可能となった。