共振器と機械的分離モジュールとを含むデバイスであって、前記共振器が、その中心縦軸に沿って伸張/圧縮モードで振動する直柱によって形成され、前記縦軸に垂直な中央平面に振動ノードを有し、前記振動が半径方向の伸張/圧縮変形を自然に誘起するデバイスであって、前記分離モジュールが、間隙を介して前記共振器を包囲し前記共振器の中心縦軸及び中央平面と一致する中心縦軸及び中央平面を有する中空の直柱と、前記中央平面に位置決めされ、前記共振器の柱状面及び前記中空柱体の内側柱状面に固定的に接続された膜とを含み、前記中空柱体が、前記共振器の振動と逆位相でその縦軸に沿って伸張/圧縮モードで振動し、その結果、前記中空柱体と前記共振器の半径方向変形の影響が、前記中央平面に近接した前記中空柱体の外面上に位置する領域で互いに相殺し合うことを特徴とするデバイス。間隙を介して前記中空柱体を包囲し前記共振器の中心縦軸及び中央平面と一致する中心縦軸及び中央平面を有する追加の中空の直柱と、前記中央平面に位置決めされ、前記中空柱体の外側柱状面と前記追加の中空柱体の内側柱状面とに固定的に接続された追加の膜とを備え、前記追加の中空柱体が、前記中空柱体の振動と逆位相でその縦軸に沿って伸張/圧縮モードで振動することを特徴とする請求項1に記載のデバイス。平らなプレート状の材料に形成され、前記平らなプレートの厚み寸法が前記共振器の縦軸上に位置することを特徴とする請求項1又は2に記載のデバイス。前記デバイスがモノリシックであり、前記材料がシリカ等の超低粘性減衰の等方性材料であり、前記共振器と前記中空柱体の準線が円形をなすことを特徴とする請求項3に記載のデバイス。前記デバイスがモノリシックであり、前記材料が水晶であり、前記平らなプレートが結晶面XYに平行であり、前記共振器と前記中空柱体の準線が、Y軸に平行な各辺を有する正三角形をなすことを特徴とする請求項3に記載のデバイス。前記プレートがSOIプレートであり、前記共振器と前記中空柱体の準線が、シリコンの主軸に平行な辺を有する正方形をなすことを特徴とする請求項3に記載のデバイス。しかし、これら既知のデバイスは、特に、最適な曲率半径の精密な値との適合性に関して、十分な精度でブランクの凸面を形成することが困難であるという欠点がある。従って、この要件のために、生成される各ブランクを検査して補修しなければならず、結果的に製造コストが高くなる。本発明の目的は、特に、同様に効果的であるが安価なマシニング処理によって作製可能な機械的分離モジュールを含むデバイスを提案することによって先行技術の欠点を克服することである。この目的のため、本デバイスは、共振器と機械的分離モジュールとを含み、該共振器が、その中心縦軸に沿って伸張/圧縮モードで振動する直柱によって形成され、該縦軸に垂直な中央平面に振動ノードを有し、該振動が半径方向の伸張/圧縮変形を自然に誘起するデバイスであって、該分離モジュールが、間隙を介して該共振器を包囲し該共振器の中心縦軸及び中央平面と一致する中心縦軸及び中央平面を有する中空の直柱と、該中央平面に位置決めされ、該共振器の柱状面及び該中空柱体の内側柱状面に固定的に接続された膜とを含み、該中空柱体が、該共振器の振動と逆位相でその縦軸に沿って伸張/圧縮モードで振動し、その結果、該中空柱体と該共振器の半径方向変形の影響が、該中央平面に近接した該中空柱体の外面上に位置する領域で互いに相殺し合うことを特徴とする。共振器と中空柱体との逆位相の同時振動は、本発明によるデバイスの特定の機械的共振モードに相当し、このモードの存在条件は、共振器と中空柱体の高さが略同一であるということである。このように、中空柱体の外面上に位置する該領域は、共振器の振動から分離され、本デバイスをこの領域に取付けることによって、共振器の実際のQ値をその高い固有のQ値に近づけることができる。最大分離を達成するために、例えば有限要素法に基づくデジタルシミュレーションによって本デバイスの設計を最適化する。また、本デバイスは、共振器の縦軸上に厚み寸法を有する平らなプレート状の材料の両面に安価なマシニングを施すことで該膜に対応する深さを設けることによって形成することもできる。例えば、本デバイスは、時計用の水晶振動子を製造する時計製造産業で用いられる方法と類似の方法による、水晶板の複合ケミカルマシニングによって形成される。本発明の特徴及び利点は、詳細な説明及びそれに関する図面から明らかになる。最初に、本発明によるデバイス10の斜視図を示す図1A及び図1Aの縦断面の斜視図を示す1Bを参照する。デバイス10は、縦軸に垂直な中央平面πに関して対称的な、円形準線及び中心縦軸Δを有する直柱によって形成される共振器Rと、円形準線を有し、間隙を介して共振器Rを包囲し、共振器の中心縦軸と中央平面と一致する中心縦軸と中央平面とを有する中空の直柱2と、該中央平面に位置し、共振器の柱状面及び中空柱体の内側柱状面に固定的に接続された膜1とを含む。中空柱体2及び膜1はデバイス10の機械的分離モジュールを形成する。図面では、共振器R及び中空柱体2は同じ高さ寸法hを有する。以下に説明するように、共振器Rと中空柱体2とが略同一の高さを有することが本デバイスの動作にとって重要である。記号Φは共振器Rの直径を示し、d1とeはそれぞれ膜1の半径寸法と厚さとを示し、d2は中空柱体2の壁の厚み、言い換えれば、中空柱体2の外径と内径との差を示す。デバイス10はモノリシックであり、シリカ等の超低粘性減衰の等方性材料からなる平らなプレート状から作製される。このプレートの厚み寸法は、共振器の縦軸Δ上に位置し、該高さhと等しい。デバイス10は、例えば、該膜に対応する深さに達するまで該プレートの両面にプラズママシニングを施すことによって形成される。本発明によるデバイスの動作を、図2A、2B、3A及び3Bを参照して説明する。図2A及び図2Bは、図1Bの共振器R及び膜1の縦断面図であり、その縦軸Δに沿って伸張図2Aと圧縮図2Bを交互に行うように振動し、その中央平面πに振動ノードNを有する共振器の変形を誇張拡大して示している。この伸張/圧縮振動によって、該材料のポアソン効果による半径方向の伸張/圧縮変形が自然に引き起こされ、これら半径方向の変形は中央平面πにおいて最大であり、共振器の端部においてゼロである。このように、共振器の振動は、縦軸Δ上、言い換えれば、共振器材料の中心に位置する唯一の振動ノードNを有する。これらの図面では、縦方向の変形がベクトル矢印で示され、半径方向の変形がV字型矢印で示されている。その縦軸に沿う共振器の伸張/圧縮が十分に純粋であること、言い換えれば、共振器の断面が、事実上、該縦方向の並進及び半径方向の変形のみを受けることを保証するため、共振器の高さhは、その直径Φよりもかなり大きくなければならない。好ましくは、高さhは直径Φの3倍から10倍の間である。中央平面πに膜1を位置決めすると、共振器の振動中に中央平面に膜が留まることができるので、共振器のその縦軸に沿う変形に関しては有益であるが、中央平面πにおける共振器の半径方向に交互に起きる伸張及び圧縮変形が膜1に直接作用し、特に、その外径を交互に変化させる。言い換えれば、膜1をケーシング内に直接取付けることは、共振器の振動エネルギーの損失に繋がるため、有益ではない。しかし、膜1を中央平面πに位置決めすることは、共振器の振動の機械的分離に関しては非常に有益であるとみなすことができる。尚、この見解は、膜の厚みeが共振器の高さhに対して十分に小さい場合に限って有意義である。好ましくは、厚みeは高さhの20分の1よりも小さい。また、膜の機械的共振の寄生モードが本発明によるデバイスの動作を阻害しないことを保証するためには、膜の半径寸法d1がその厚みeに対して大き過ぎないことも重要である。好ましくは、寸法d1は厚みeの20倍以下である。図3B及び図3Aを参照して、共振器Rを包囲する中空柱体2がどのように共振器の振動の優れた機械的分離を行うかを説明する。図3Bは、図1Bと同様の図であり、矢印を用いて、共振器Rの共振振動時の、共振器及び中空柱体2の縦方向の変形とともに、関連する半径方向の変形を示している。中空柱体に対応する矢印は破線で示す。中空柱体は、その縦軸に沿って、共振器の振動と逆位相で伸張/圧縮モードで振動する。共振器と中空柱体との逆位相の同時振動は本発明によるデバイスの特定の機械的共振モードに対応し、共振振動において音叉の2つの略同一の二又部分の逆位相の同時振動とよく似た方法で作用することを強調すべきである。本発明によるデバイスに関して、特定の共振モードが存在する条件は、共振器Rと中空柱体2の高さが略同一であるということであり、その結果、別々のものと考えられる共振器と中空柱体の共振伸張/圧縮振動が同様の周波数を有する。この条件が満たされれば、これら2つの要素に固定的に取付けられた膜1は、音叉の2つの二又部分に固定的に接続されたベースと同様に、これらの振動間で強い機械的結合を行い、該特定の共振モードが存在できるようになる。音叉の2つの略同一の二又部分は略同一の振幅を有するが、本発明によるデバイスの共振器Rと中空柱体2の振幅は概して互いに大きく異なる。これは、中空柱体の質量が共振器の質量よりも概してかなり大きいからである。その結果、中空柱体の振幅は、共振器の振幅よりも概してはるかに低く、それによって、本発明によるデバイスの特定の共振モードに存在する移動量のバランスを自然に保つことができる。中空柱体の半径寸法、特にその壁厚d2が、本デバイスの特定の共振モードの存在に影響を及ぼすことなく、ある程度中空柱体の振幅と共振器の振幅との比率を調整するために用いることができる次元パラメータであることが分かると思われる。この動作の自由を、以下に説明するように、本発明によるデバイスにおいて有効利用する。再度図3Bを参照すると、中空柱体の縦方向の変形によって、その壁に半径方向の変形が生じる。より正確には、縦方向の伸張によって壁の厚みd2が圧縮され、縦方向の圧縮によって厚みd2が伸張する。いずれの場合も、これによって、中空柱体の外側及び内側柱状面上で相反する半径方向の移動が生じ、本発明によるデバイスの2つの特定のクオリティQを得ることが可能になる。これらの内の第1のクオリティは、中空柱体の内側柱状面の半径方向の移動が共振器の柱状面の半径方向の移動と同じ方向であるという事実によるもので、共振器の振動と中空柱体の振動との間に膜1を介した前述の強い機械的結合を生成することに寄与する。本発明によるデバイスの第2のクオリティは、中空柱体の外側柱状面上において、中空柱体の半径方向の変形による半径方向の移動が、共振器の半径方向の変形による半径方向の移動と反対の方向であるという事実によるもので、従って、中央平面πに近接する中空柱体の外面上に位置する領域内でこれらの影響を相殺できるようになる。このように、該領域は、共振器の振動から実質的に分離され、また、本デバイスをこの領域に取付けることによって、共振器の実際のQ値がその高い固有のQ値に近づくことになる。この領域を取付領域と呼び、図3AにおいてZFで示し、破線で画定している。取付領域ZFは、高さzを有する柱状面であり、共振器及び中空柱体と同じ中央平面πを有する。高さzは膜1の厚みeよりも概して大きい。例えば、高さzは厚みeの2倍に等しくてもよく、こうすると、以下に説明するように、領域ZF上に取付システムを位置決めするのに比較的都合がよい。共振器の振動について領域ZFの最大分離を達成するためには、例えば有限要素法に基づくデジタルシミュレーションによって、本発明によるデバイスの設計を最適化する。中空柱体及び共振器によるポアソン効果は、中空柱体の縦方向の振幅を調整することによって実質的には完全に相殺される。これは、中空柱体によるポアソン効果がこの振幅に比例するためである。上述のように、この調整は中空柱体の質量を変化させること、例えば、その壁の厚みd2を変化させることで行うことができる。図では、半径寸法d2は共振器の直径Φと同じオーダー桁である。より一般的には、半径寸法d2は、直径Φの2分の1から直径Φの2倍の間であることが好ましい。その材料の中心に1つの振動ノードNを有する共振器Rを使用する際に、膜1及び中空の直柱2を含む分離モジュールによって、本発明によるデバイス10が、共振器の振動から実質的に分離されるとともに中空柱体の外側柱状面上に位置する取付領域ZFを有することができるようになり、それによってケーシング内に本デバイスを取付けるシステムを位置決めすることが容易になるメカニズムについて説明した。この取付システムは様々な構成を有し得る。例えば、図4は金属サポートSMとしての取付システムを示し、各金属サポートは、前文で説明した先行技術で用いられる方法によれば、一端が取付領域ZF上に取付けられ、他端がケーシングEB図示せずのベース上に取付けられている。また、一例として、図5A及び5Bは、本発明によるデバイス10と一体化した取付システムを示し、その取付けは、同じ平らなプレート状の材料において行われる。取付システムは、間隙を介して中空柱体2を包囲する略正方形の準線を有する中空の直柱CCと、中央平面πに位置決めされ、中空柱体2の外側柱状面と中空柱体CCの内側柱状面とに固定的に接続され、薄厚Pを有するリンクとからなる。中空柱体CCの外側ベースのうちの一つはケーシングEB図示せずのベース上に取付けられる。この取付システムは、従って、前文で説明した先行技術で使用される取付システムに関連し、この取付システムは、例えば熱による又は加速場の存在による寄生効果から本発明によるデバイス10が保護される点で有用である。しかし、中空柱体CC及びリンクPは共振器の振動の機械的分離には寄与しない。従って、中空柱体CCの形状はほとんど重要ではなく、例えば、ケーシングEBのベースの形状を基に成形してもよい。次に、本発明の第2の実施形態によるデバイス20を示す図6A及び6Bを参照する。デバイス20は、上述のデバイス10と、間隙を介して中空柱体2を包囲しデバイス10の縦軸と中央平面と一致する縦軸と中央平面とを有する追加の中空の直柱4と、前述の中央平面に位置決めされ、中空柱体2の外側柱状面と追加の中空柱体4の内側柱状面とに固定的に接続された追加の膜3とを備える。例えば、より広範な製造公差が求められる場合、デバイス20の使用が有益である。デバイス20は、デバイス10に関して上記で説明したように、中空柱体2及び共振器Rが互いに逆位相で振動し、追加の中空柱体4が中空柱体2と逆位相で振動する特定の共振モードを有している。このように、例えば製造欠陥に起因する、中央平面に近接した中空柱体2の外面上に残る任意の残留半径方向移動は、デバイス10に関して説明したメカニズムと同じメカニズムによって、中央平面に近接した追加の中空柱体4の外側柱状面上に位置する取付領域ZF’における追加の中空柱体4の半径方向変形によって、その影響が相殺される。従って、デバイス20の分離モジュールは、構成及び機能の点で、上述したように2つの分離モジュールを直列に配置したものとみなすことができる。図7A及び7Bは、本発明の第3の実施形態によるモノリシックデバイスを示す。デバイス10との主な違いは、共振器R’’と中空柱体2’’の三角形の準線と、材料の性質に関することであり、デバイス30は、Xが電気軸でありYが機械軸である結晶面XYに平行な水晶quartzの平面に形成される。低製造コストが決定的な判断基準である場合、水晶を選択すると有益である。このように、デバイス30は、時計用の水晶振動子を製造するための時計製造産業で用いられる方法に類似の方法により、水晶板の複合ケミカルマシニングによって形成される。大抵の場合、一般的にはフッ化水素酸を含む槽において行われる水晶のケミカルマシニングによって、斜めのファセットが出現するので、一般的にはこの斜めのファセットのための余裕を持たせておかなければならない。ケミカルマシニングによって生成した共振器R’’を直柱に似せるためには、柱体の準線が、機械軸Yに平行な辺を有する正三角形でなければならない。尚、水晶の三方晶系結晶格子とは、120°の等角度間隔で離間した3つのX軸が結晶面XYに存在し、120°の等角度間隔で離間した3つのY軸が存在することを意味することに留意すべきである。また、Y軸に平行な辺のケミカルマシニングは、取り除くべき材料が対応するX軸の反対側にある場合、エッチングの底に到達するまで、言い換えれば、事実上斜めのファセットなしに、面XYに略垂直に行われることにも留意すべきである。このように、共振器R’’と中空柱体2’’の外側柱状面は直柱である。一方、内側柱状面2’’は、図7Bに示すように、三角形の準線を有する円錐台の形状をしている。これは、この形状が本デバイスの設計を最適化するのに用いられるデジタルシミュレーションにおいて許容されるなら、デバイス30の動作にとって欠点にはならない。当業者には、本文で用いられる直柱という表現はより広義にとらえられるべきであることが理解されるであろうし、その重要な要件は、デバイス30の動作が上記のデバイス10の動作と類似であること、及び、デバイス30が中空柱体の外面上に位置する取付領域ZF’’に取付けられ、この領域ZF’’が共振器の振動から実質的に分離されていることである。図8A及び8Bは本発明の第4の実施形態によるデバイス40を示す。デバイス10との主な違いは、共振器R’’’と中空柱体2’’’の正方形の準線と、デバイス40がSOIシリコンオンインシュレータプレートに形成されることによる本デバイスの非モノリシックな性質とに関する。より具体的には、SOIプレートは、平らなプレート状のシリカSiO2の両面上に取付けられた2枚の同一の平らなプレート状のシリコンSiによって形成される。シリコンは、シリカ同様に、超低粘性減衰の材料である。シリコンプレート及びシリカプレートの取付けは、一般に原子レベルでの接着に基づくものであり、これは、超低粘性減衰の確保にも寄与する。シリカプレートの厚みeは、好ましくは、各シリコンプレートの厚みの10分の1未満、言い換えれば、SOIプレートの全厚hの20分の1未満である。デバイス40は、SOIプレートの両面に施されるプラズママシニングによって形成される。マシニングパラメータは、マシニングが選択的であり、シリコンの強エッチング及びシリカの弱エッチングに適していることを確実にするように選択される。このように、停止層として機能するシリカプレートにエッチングが到達したときにマシニングを停止させるためエッチングの深さを制御することは容易である。従って、膜1’’’がシリカから作製され、共振器R’’’及び中空柱体2’’’の大部分がシリコンによって作製されたデバイス40を形成することは容易である。シリコンは立方晶結晶格子を有する。従って、共振器と中空柱体の準線には正方形状を選択し、この正方形の辺がシリコンの主軸に平行である方が概して有益であり、その結果デバイス40の動作がより良くなる。特に中空柱体の準線の形状に関して、本デバイスの動作を更に向上させるためには、おおむね正方形に似た形状を維持しながらも、完全な正方形を用いることは避ける方が有益である。これは、デジタルシミュレーションによってデバイス40の形状を最適化するために行われ、取付領域ZF’’’が共振器の振動から実質的に分離されることを確実にすることを目的とする作業によって実証されている。製造の実現可能性に関して、プラズマエッチングに使用されるマシニングマスクはフォトリソグラフィー法によって作製されるため、デジタルシミュレーションによる最適形状をマシニングすることには格別の困難はない。従って、本文で用いられる正方形の準線という用語は広義に解釈されるべきであり、また、より一般的には、中空柱体の準線の形状は共振器の準線の形状と大きく異なっていてもよい。本発明によるデバイスを、主にその機械的挙動に関して説明した。共振器の振動を励起する方法に関しては、様々な手段を使用することができる。例えば、三角形の水晶デバイス30に関して、中空柱体のマシニングを受けた側に被着した電極を使用して電気軸Xに沿って電界を発生させてもよく、この電界は中空柱体の壁厚の交互の圧縮及び伸張に圧電効果によって結合される。また、一例として、シリカデバイス10及びSOIデバイス40に関して、プレートの面と同一平面の共振器の面上に載置された金属シート又はミラーを使用して、静電効果によって、又は光熱効果等の光学効果によって、又は放射圧によって、共振器の振動を励起してもよい。共振器のこれらの面は、機械的変形をほとんど受けず、単に共振器の振動中に交互並進を受けるだけなので、金属シート及びミラーは、質量の平衡を保つように共振器の二面上に載置されているとすれば、共振器のQ値を全く変化させることはない。