リードフレームと、前記リードフレームの表面に実装された半導体素子と、前記リードフレームの裏面に接着される接着部を一方面側に有し、他方面側には放熱用の凹凸部を有するヒートシンクと、前記リードフレームと前記半導体素子と前記ヒートシンクを、少なくとも前記ヒートシンクの凹凸部を露出させて、一体的にモールドするモールド樹脂とを備え、前記ヒートシンクの凹凸部の周囲には前記モールド樹脂のモールド時に使用される金型に密着して前記凹凸部に前記モールド樹脂が漏れ出るのを防ぐ第1の受け面を設けると共に、前記ヒートシンクの凹凸部の一部には前記金型と密着して前記モールド樹脂の注入圧力による前記ヒートシンクの変形を抑制する第2の受け面を設けたことを特徴とする半導体モジュール。前記ヒートシンクの凹凸部の周囲に形成される第1の受け面及び前記凹凸部の一部に形成される第2の受け面は平坦部または突起部で構成され、前記第1の受け面及び第2の受け面の平坦部または突起部は同一面として構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。前記ヒートシンクの凹凸部の一部に形成される前記第2の受け面が、少なくとも前記ヒートシンクの中央に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。前記ヒートシンクの第1の受け面と前記凹凸部との間に、前記第1の受け面に対して突出する位置決め部を形成し、前記位置決め部によって、前記モールド樹脂をモールドするための金型を位置決め可能とすることを特徴とする請求項1~請求項3のうちいずれか1項に記載の樹脂モールド型半導体モジュール。リードフレームの表面に半導体素子を実装する工程、ヒートシンクの一方面側には前記リードフレームの裏面が接着される接着面を設け、前記ヒートシンクの他方面側には放熱用の凹凸部と、この凹凸部の周囲および前記凹凸部の一部に第1及び第2の受け面を設ける工程、前記ヒートシンクの周囲に設けた第1の受け面を下側金型に設けた第1の密着面に密着させると共に、前記ヒートシンクの凹凸部の一部に設けた第2の受け面を前記下側金型に設けた第2の密着面に密着させて、前記ヒートシンクを前記下側金型に載置する工程、前記下側金型に載置した前記ヒートシンクの一方面側に前記半導体素子を実装したリードフレームを配置して上側金型を被せ、前記上側金型と前記下側金型とにより前記リードフレームを挟み込み、前記半導体素子を含む充填空間を形成する工程、前記充填空間にモールド樹脂を流し込むことにより、前記リードフレームおよび半導体素子を前記モールド樹脂により一体的にモールドする工程を備えた半導体モジュールの製造方法。前記ヒートシンクの周囲に設けた第1の受け面は平坦部または突起部で構成し、下側金型に設けた第1の密着面に密着して前記ヒートシンクの凹凸部に前記モールド樹脂が漏れ出るのを防ぐと共に、前記ヒートシンクの凹凸部の一部に設けた第2の受け面は平坦部または突起部で構成し、前記下側金型に設けた第2の密着面に密着して前記モールド樹脂の注入圧力による前記ヒートシンクの変形を抑制するようにした請求項5に記載の半導体モジュールの製造方法。上記特許文献2および3に示される半導体モジュールは、小容量で、ヒートシンクの露出面の大きさに対して、その厚みが相対的に大きい場合、つまりヒートシンクの曲げ剛性が高い場合には、問題なく製造可能である。しかしながら、より大容量の半導体モジュールにこれを適用することを考えると、放熱すべき熱量が大きくなることから必然的にヒートシンクの露出面の大きさは大きくなり、一方、ヒートシンクの厚さは熱抵抗を抑制する必要から十分な曲げ剛性を得るための厚さを確保できない場合が多い。また、モールド時の樹脂注入圧力一般的に100~150kgfcm2がヒートシンクの露出面と対向する面全体に印加されるのに対し、ヒートシンクの露出面は凹凸部の周囲のみで支持されることから、ヒートシンクの曲げ剛性が低いと、モールド樹脂注入圧力によって変形することがある。ヒートシンクが変形したままモールドすると、半導体モジュールの内部に応力が残留し、モールド樹脂の割れや、ヒートシンクとモールド樹脂の剥離が発生しやすくなる。さらに、ヒートシンクの曲げ剛性がモールド樹脂注入圧力に対して著しく低い場合には、ヒートシンクが塑性変形し、所望の形状を保持することができなくなる。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、大容量の半導体モジュールであっても、ヒートシンクの放熱性能を高めつつ、樹脂系材料をモールドする際のヒートシンクと金型との密着不良およびモールド時の樹脂注入圧によるヒートシンクの変形を抑えて歩留まりを向上させることを目的とする半導体モジュールを得ることにある。この発明に係わる半導体モジュールは、リードフレームと、リードフレームの表面に実装された半導体素子と、リードフレームの裏面に接着される接着部を一方面側に有し、他方面側には放熱用の凹凸部を有するヒートシンクと、リードフレームと半導体素子とヒートシンクを、少なくともヒートシンクの凹凸部を露出させて、一体的にモールドするモールド樹脂とを備え、ヒートシンクの凹凸部の周囲にはモールド樹脂のモールド時に使用される金型に密着して凹凸部にモールド樹脂が漏れ出るのを防ぐ第1の受け面を設けると共に、ヒートシンクの凹凸部の一部には金型と密着してモールド樹脂の注入圧力によるヒートシンクの変形を抑制する第2の受け面を設けたものである。この発明に係わる半導体モジュールの製造方法は、リードフレームの表面に半導体素子を実装する工程、ヒートシンクの一方面側にはリードフレームの裏面が接着される接着面を設け、ヒートシンクの他方面側には放熱用の凹凸部と、この凹凸部の周囲および凹凸部の一部に第1及び第2の受け面を設ける工程、ヒートシンクの周囲に設けた第1の受け面を下側金型に設けた第1の密着面に密着させると共に、ヒートシンクの凹凸部の一部に設けた第2の受け面を下側金型に設けた第2の密着面に密着させて、ヒートシンクを下側金型に載置する工程、下側金型に載置したヒートシンクの一方面側に半導体素子を実装したリードフレームを配置して上側金型を被せ、上側金型と下側金型とによりリードフレームを挟み込み、半導体素子を含む充填空間を形成する工程、充填空間にモールド樹脂を流し込むことにより、リードフレームおよび半導体素子をモールド樹脂により一体的にモールドする工程を備えたものである。この発明によれば、ヒートシンクの露出面に設けた凹凸部によって表面積の拡大を可能にし、放熱性能の向上に寄与することができるとともに、凹凸部の周囲に設けた受け面が、樹脂系材料をモールドする際の金型と密着することで、樹脂系材料の凹凸部への漏れを防いで歩留まりの向上に寄与することができるだけでなく、凹凸部の一部に設けた受け面が、樹脂系材料をモールドする際の金型と密着することで、大容量の半導体モジュールであっても樹脂注入圧力によるヒートシンクの変形を抑制することが可能となる。実施の形態1.以下、この発明の実施の形態1に係る半導体モジュールを図1~図4に基づいて説明する。図1はこの発明の半導体モジュールの概略構成を示す横断面図、図2は半導体モジュールのヒートシンクをフィン部側から見た平面図、図3はリードフレーム基板の外観斜視図、図4は半導体モジュールの製造方法の一工程を示す断面図である。図1および図2において、半導体モジュール100は、リードフレーム1a、1b総称する場合は添字を省略と、このリードフレーム1の表面に実装された半導体素子2と、リードフレーム1の裏面に接着される接着部を一方面側に有し、他方面側には放熱用の凹凸部を有するヒートシンク3と、リードフレーム1と半導体素子2とヒートシンク3を、少なくともヒートシンク3の凹凸部を露出させて、一体的にモールドするモールド樹脂4とを備えている。ヒートシンク3は、半導体モジュール100のベース基板であるとともに、半導体素子2が駆動した際に発する熱を放熱する機能を有する。ヒートシンク3としては、熱伝導率が高く放熱性の良好な金属材料が用いられ、例えば、アルミニウムが用いられる。ヒートシンク3は、ベース部31とフィン部凹凸部32とを有して構成される。ベース部31は、リードフレーム1に接着される接着面接着部31aを一方面側に有する。接着面31aには絶縁性樹脂5が設けられる。絶縁性樹脂5としては、例えば、エポキシ樹脂に窒化アルミや窒化ホウ素、アルミナなどの絶縁性高熱伝導フィラーを含有させ、熱伝導率を高めたものを適用する。フィン部凹凸部32は、接着面31aの他方面側に形成された複数の放熱フィンによって形成されている。フィン部32は、凹凸からなる放熱面32aによって放熱性能を向上させることができる。フィン部凹凸部32の周囲のベース部31には、モールド樹脂4のモールド時に使用される金型後述するに密着して凹凸部32にモールド樹脂4が漏れ出るのを防ぐ第1の受け面31bを設けている。また、フィン部凹凸部32の一部である略中央部には、金型後述すると密着してモールド樹脂の注入圧力によるヒートシンク3の変形を抑制する第2の受け面31cを設けている。この第2の受け面31cは、図2に示すように、フィン部凹凸部32のフィンと平行に形成されている。第1の受け面31bおよび第2の受け面31cは、この実施形態1では接着面31aと略平行とされた平坦な面平坦部で形成され、第1の受け面31b及び第2の受け面31cの平坦部は接着面31aからの高さ寸法が同じ同一面として構成されている。リードフレーム1は、半導体素子2に電力を供給するためのものであり、リードフレーム1を介して半導体素子2に電力が供給される。リードフレーム1は、正極側の正極側リードフレーム1aと、負極側の負極側リードフレーム1bとを有して構成される。正極側リードフレーム1aは、半導体素子2がはんだ6で接合されて実装される実装部表面11を有する。正極側リードフレーム1aの実装部11には、複数の半導体素子2が実装されている。半導体素子2としては、例えばフリーホイールダイオードFrDiや絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBTが用いられる。半導体素子2同士は、アルミ等のワイヤ7によって電気的に接続されている。また、半導体素子2と負極側リードフレーム1bとが、ワイヤ7で電気的に接続されている。正極側リードフレーム1aの実装部11の裏面がヒートシンク接着面裏面12になっており、ヒートシンク3の接着面31aが絶縁性樹脂5によって接着されるようになっているが、その接着工程については後述する。モールド樹脂4は、ヒートシンク3のベース部31の受け面31b及びフィン部凹凸部32以外の部分を覆う樹脂系材料からなるモールド部材である。モールド樹脂4は、リードフレーム1、半導体素子2、ヒートシンク3を一体的にモールドして、樹脂モールド型半導体モジュール100のケースとして機能する。このように、半導体素子2と正極側リードフレーム1aとが、導電性で熱伝導率が高いはんだ6を介してつながっており、正極側リードフレーム1aとヒートシンク3とが、絶縁性で熱伝導率の高い絶縁性樹脂5を介してつながっているので、半導体素子2で発生した熱は、はんだ6、正極側リードフレーム1a、絶縁性樹脂5を介して効率よくヒートシンク3に伝わり放熱性能が向上する。なお、実施の形態1では、正極側リードフレーム1aに半導体素子2とヒートシンク3が取り付けられているが、負極側リードフレーム1bに半導体素子2とヒートシンク3が取り付けられていても構わない。すなわち、正極側リードフレーム1a又は負極側リードフレーム1bのいずれか一方に対して半導体素子2とヒートシンク3の両方が取り付けられていれば、半導体素子2で発生した熱を、ヒートシンク3を介して効率よく放熱させることができる。次に、樹脂モールド型半導体モジュール100の製造工程の一部について図面を用いて説明する。図3は、正極側リードフレーム1aと負極側リードフレーム1bとが一体となって形成されたリードフレーム基板10の外観斜視図である。リードフレーム基板10は、正極側リードフレーム1aと負極側リードフレーム1bとを一体的に連結した形状で形成された板状の部材であり、モールド樹脂4でモールドした後の工程において、切断部分13で切断されることによって、正極側リードフレーム1aと負極側リードフレーム1bとに分離するようになっている。リードフレーム基板10の実装部表面11には、後に正極側リードフレーム1aと繋がる部分に半導体素子2が、はんだ6によって取り付けられ、半導体素子2はワイヤ7によって各部が接続される。こうしてリードフレーム1の表面に半導体素子2を実装する工程が構成される。一方、ヒートシンク3の一方面側にはリードフレーム1の裏面が接着される平坦な接着面31a設け、ヒートシンク3の他方面側には放熱用の凹凸部32と、この凹凸部32の周囲には後述する金型と密着する平坦な第1の受け面31bと、凹凸部32の中央部には後述する金型と密着する平坦な第2の受け面31cを設けて、ヒートシンク3を製作する工程とする。次に、図4aに示すように、ヒートシンク3を金型8の下側金型81に載置する。この場合、ヒートシンク3は、第1の受け面31bと凹凸部32との間に、第1の受け面31bに対してヒートシンク裏面側に突出する突出面31dからなる位置決め部を形成し、この突出面31dが下側金型81に形成された当接面8aが当接することで、下側金型81に対するヒートシンク3の位置が決まる。更にこの際に、ヒートシンク3の周囲に設けた第1の受け面31bを下側金型81に設けた第1の密着面8bに密着させると共に、ヒートシンク3の凹凸部32の一部に設けた第2の受け面31cを下側金型81に設けた第2の密着面8cに密着させて、ヒートシンク3を下側金型81に載置する。この場合、下側金型81に設けた第1および第2の密着面8b、8cは平坦で同じ高さの同一面となっており、ヒートシンク3に設けた第1および第2の受け面31b、31cも同一面となっているため、ヒートシンク3と下側金型81は密着した関係となる。次に、下側金型81に載置したヒートシンク3の一方面側に半導体素子2を実装したリードフレーム基板10を配置して上側金型82を被せ、上側金型82と下側金型81とによりリードフレーム基板10およびヒートシンク3が挟み込まれ、半導体素子2を含む充填空間9が形成される。この状態では、ヒートシンク3とリードフレーム基板10とは、その間に絶縁性樹脂5が配置されているだけで、未だ接着されていない。また、リードフレーム基板10は上側金型82と下側金型81とによって保持されて位置が決まる。次に、図4bに示すように、充填空間9にエポキシ等の熱硬化性の樹脂系材料からなるモールド部材が流し込まれ、そのモールド部材が硬化することでモールド樹脂4が形成される。モールド部材を充填空間9に充填する際の注入圧力は、100~300kgf/cm2と非常に高圧であり、樹脂温度は約150~200°Cに加熱される。ヒートシンク3とリードフレーム基板10との間に配置された絶縁性樹脂5は、充填空間9に流し込まれたモールド部材の熱によって軟化するとともに、その圧力を受けてヒートシンク3とリードフレーム基板10に密着し、その後、架橋反応によって硬化する。これによってヒートシンク3とリードフレーム基板10とが接着される。また、こうしてリードフレーム1と半導体素子2とヒートシンク3がモールド樹脂4により一体的にモールドされる。ここで、ヒートシンク3のフィン部凸凹部32の周囲に形成された受け面31bと下側金型81の密着面8bとが密着して、モールド部材がフィン部凸凹部32側に漏れ出すのを防いでいる。受け面31bは平坦な面であるため、受け面31bと下側金型81の密着面8bとが密着しやすく、モールド部材の漏れの原因となるような隙間ができにくい。また、ヒートシンク3のフィン部凸凹部32の略中央に形成された受け面31cは、下側金型81の密着面8cが密着して、モールド部材の注入圧力によるヒートシンク3の変形を抑制している。ヒートシンク3に形成される受け面31bおよび31cは、この実施形態のように、同一面として形成されていることが望ましい。受け面31bおよび31cが同一面ではなく段差を有する場合、段差の寸法バラツキがあると、一方が下側金型81の密着面8bに密着したときに、他方が密着面8cに密着していないという状況となり、モールド部材がフィン部凸凹部32に漏れ出したり、ヒートシンク3の変形抑制が不十分になる可能性がある。これらの不具合を抑制するためには、受け面31bおよび31cの段差のバラツキを10~50μm程度にしておく必要があるが、このような高精度加工はコストが高くなる要因となる。これに対し、受け面31bおよび31cをこの実施形態のように同一面として形成すれば、段差の寸法バラツキを考慮する必要がなく、低コストで歩留まりの高い製造が可能となる。また、ヒートシンク3のフィン部凸凹部32の一部に形成された受け面31cは、この実施形態のように、変形量が最も大きくなるヒートシンク3の略中央を支持する構成とすることが望ましい。フィン部凸凹部32の一部に受け面31cを形成することは、放熱面32aを減少させ、放熱性能を低下させることになる。したがって変形量が最も大きくなるヒートシンク3の略中央を支持する構成とすることによって、受け面31cの面積を最小限に抑制し、ひいては放熱面32aの減少を最小限に抑制することで、放熱性能の低下を最小限に抑制することができる。以上のようにこの発明の半導体モジュールによれば、ヒートシンク3の露出面に設けた凹凸部32によって表面積の拡大を可能にし、放熱性能の向上に寄与することができるとともに、凹凸部32の周囲に設けた平坦な第1の受け面31bが、樹脂系材料をモールドする際の金型8と密着することで、樹脂系材料の凹凸部32への漏れを防いで歩留まりの向上に寄与することができる。また、凹凸部32の一部に設けた平坦な第2の受け面31cが、樹脂系材料をモールドする際の金型8と密着することで、大容量の半導体モジュールであっても樹脂注入圧力によるヒートシンク3の変形を抑制することが可能となる。更には、ヒートシンク3の露出面に一体的に凹凸のフィン部32を設けることにより、別の放熱部材や熱伝導グリスを不要とすることができ、半導体モジュールが適用される機器の生産性向上や低コスト化を図ることができる。実施の形態2.次に、この発明の実施の形態2に係る半導体モジュールを図5に基づいて説明する。図5は半導体モジュールのヒートシンクをフィン部側から見た平面図である。実施の形態1の発明では、ヒートシンク3の凹凸部32の一部に設けた平坦な第2の受け面31cは、凹凸部32の略中央部にフィン部凹凸部32のフィンと平行に形成したが、実施の形態2の発明では、図5に示すように、第2の受け面31cをヒートシンク3の凹凸部32の略中央部にフィン部凹凸部32のフィンと直交するように形成したものである。その他の構成は、実施の形態1と同じにつき、同じまたは相当部分には同じ符号を付して説明を省略する。このような構成でも実施の形態1と同じ効果を得ることができる。実施の形態3.次に、この発明の実施の形態3に係る半導体モジュールを図6に基づいて説明する。図6は半導体モジュールのヒートシンクをフィン部側から見た平面図である。実施の形態1および実施の形態2の発明では、ヒートシンク3の凹凸部32の一部に設けた平坦な第2の受け面31cは、凹凸部32の略中央部にフィン部凹凸部32と同じ長さでフィンと平行または直交するように形成したが、実施の形態3の発明では、図6に示すように、第2の受け面31cをヒートシンク3の凹凸部32の略中央部のみにほぼ円形状に形成したものである。その他の構成は、実施の形態1と同じにつき、同じまたは相当部分には同じ符号を付して説明を省略する。このような構成にすれば、フィン部凹凸部32の放熱面32aの減少を最小限に抑制することができ、放熱性能の低下を最小限に抑制することができる。実施の形態4.次に、この発明の実施の形態4に係る半導体モジュールを図7に基づいて説明する。図7は半導体モジュールのヒートシンクをフィン部側から見た平面図である。実施の形態1~3の発明では、ヒートシンク3の凹凸部32の一部に設けた平坦な第2の受け面31cは、凹凸部32の略中央部に長方形状または円形状で1箇所に形成した。実施の形態4の発明では、図7に示すように、ヒートシンク3の第2の受け面31cを形成する位置をヒートシンク3の中央に限定せず、ヒートシンク3のフィン部凹凸部32を3分割するような位置に、ヒートシンク3の凹凸部32の一部にフィン部凹凸部32のフィンと平行に2箇所の第2の受け面31cで形成したものである。このようにヒートシンク3の第2の受け面31cを、ヒートシンク3の中央に限定せず、全体としてヒートシンク3の変形を所望の範囲に抑制するように、支持する箇所を分散してもよい。その他の構成は、実施の形態1と同じにつき、同じまたは相当部分には同じ符号を付して説明を省略する。このような構成によれば、樹脂注入圧力を分散して支持できるから、大容量の半導体モジュールでも樹脂注入圧力によるヒートシンク3の変形を抑制することが可能となる。実施の形態5.次に、この発明の実施の形態5に係る半導体モジュールを図8および図9に基づいて説明する。図8はこの発明の実施の形態5に係る半導体モジュールの概略構成を示す横断面図、図9は半導体モジュールのヒートシンクをフィン部側から見た平面図である。実施の形態1では、ヒートシンク3の第1の受け面31bおよび第2の受け面31cが平坦部の場合について説明したが、実施の形態5の発明は平坦部に代えて突起部で構成したものである。図8において、ヒートシンク3のフィン部凹凸部32の周囲のベース部31には、モールド樹脂4のモールド時に使用される金型に密着して凹凸部32にモールド樹脂4が漏れ出るのを防ぐ突起部で形成された第1の受け面31eを設けている。また、フィン部凹凸部32の一部である略中央部には、金型と密着してモールド樹脂の注入圧力によるヒートシンク3の変形を抑制する突起部で形成された第2の受け面31fを設けている。この第2の受け面31fは、図9に示すように、フィン部凹凸部32のフィンと平行に形成されている。第1の受け面31eおよび第2の受け面31fは、この実施形態5では接着面31aと略平行とされた平坦な面平坦部を有する突起部で形成され、第1の受け面31e及び第2の受け面31fの平坦突起部は接着面31aからの高さ寸法が同じ同一面として構成されている。その他の構成は実施の形態1の図1と同じにつき、同一または相当部分には同一符号を付して説明を省略する。このように実施の形態5の発明においても、モールド樹脂4のモールド時に、凹凸部32の周囲に設けた第1の受け面31eが、下側金型8の第1の密着面8bと密着することで、樹脂系材料の凹凸部32への漏れを防いで歩留まりの向上に寄与することができる。また、凹凸部32の一部に設けた第2の受け面31fが、樹脂系材料をモールドする際の下側金型8の第2の密着面8cと密着することで、大容量の半導体モジュールであっても樹脂注入圧力によるヒートシンク3の変形を抑制することが可能となる。また、この発明の実施形態5において、ヒートシンク3のフィン部凹凸部32の周囲に設けられる第1の受け面31eの突起部、フィン部凹凸部32の一部に設けられる第2の受け面31fの突起部うち、どちらか一方を実施の形態1のように平坦な面平坦部で形成された受け面としてもよい。この場合は受け面が突起部と平坦部となるが、それぞれの平坦な面平坦部は接着面31aからの高さ寸法が同じ同一面として構成される必要がある。以上の実施形態では、ヒートシンク3とフィン部凹凸部32が一体の場合について説明したが、これに限定するものではなく、ヒートシンク3とフィン部凹凸部32が別体であっても同様の効果が得られることはいうまでもない。