下部電極層が形成されたウェハを酸素雰囲気で加熱する酸素雰囲気下加熱処理工程と、該酸素雰囲気下加熱処理工程後にアーク放電イオンプレーティング法によってPb蒸発量、Zr蒸発量及びTi蒸発量を制御して前記下部電極層上にPbZrxTi1xO3よりなるPZT圧電体層を形成する圧電体層形成工程とを具備する圧電アクチュエータの製造方法。前記圧電体層形成工程におけるPbZrxTi1xO3の組成比Pbを12以下とした請求項1に記載の圧電アクチュエータの製造方法。さらに、前記酸素雰囲気下加熱処理工程と前記圧電体層形成工程との間に、前記ウェハを真空雰囲気で加熱する真空雰囲気下加熱処理工程を具備する請求項1に記載の圧電アクチュエータの製造方法。しかしながら、上述の従来の製造方法において製造された圧電アクチュエータにおいては、Pt下部電極層4とPZT圧電体層5との間の印加される印加電圧は大きい程、圧電アクチュエータは大きく動作するが、大きな印加電圧はPZT圧電体層5の絶縁破壊を招く。この絶縁破壊を招く印加電圧は絶縁破壊電圧と呼ばれるが、上述の従来の製造方法によって製造された圧電アクチュエータにおいては、PZTの膜厚1μm当りの絶縁破壊電圧が20V以下と小さく以下、絶縁破壊電圧とは膜厚1μm当りの電圧を意味する、この結果、印加電圧を大きくできず、製造された圧電アクチュエータの信頼性が低いという課題があった。上述の課題を解決するために、本発明に係る圧電アクチュエータの製造方法は、下部電極層が形成されたウェハを酸素雰囲気で加熱する酸素雰囲気下加熱処理工程と、酸素雰囲気下加熱処理工程後にアーク放電イオンプレーティング法によってPb蒸発量、Zr蒸発量及びTi蒸発量を制御して下部電極層上に組成比xのPbZrxTi1xO3よりなるPZT圧電体層を形成する圧電体層形成工程とを具備するものである。これにより、PZT圧電体層の絶縁破壊電圧が大きくなる。本発明によれば、絶縁破壊電圧が大きくなるので、印加電圧を大きくでき、製造された圧電アクチュエータの信頼性を高くできる。図1は本発明に係る圧電アクチュエータの製造方法の第1の実施の形態を説明するためのフローチャートである。図1においては、図8の真空雰囲気によるADRIP前処理ステップ803及びADRIP本処理ステップ804の代りに、酸素雰囲気によるADRIP前処理ステップ101及びADRIP本処理ステップ102を設けてある。図8に示す従来の圧電アクチュエータの製造方法と同様に、ステップ801、802を参照すると、単結晶シリコン基板1を熱酸化して酸化シリコン層2を形成し、酸化シリコン層2上にスパッタリング法によってTi密着層3を形成し、引き続いて、Ti密着層3上にスパッタリング法によってPt下部電極層4を形成する。次に、ステップ101を参照すると、図1のステップ101のADRIP本処理の前処理として酸素雰囲気において約500°Cまでウェハを加熱する。すなわち、単結晶シリコン基板1、酸化シリコン層2、Ti密着層3及びPt下部電極層4よりなるウェハ903aを図9のADRIP装置に投入し、約01Pa以上の酸素雰囲気にすると共に、ヒータ付ウェハ回転ホルダ903によって約500°Cまで加熱する。次に、ステップ102を参照すると、引き続き、図9に示すADRIP装置において、Pb蒸発源902-1のPb蒸発量、Zr蒸発源902-2のZr蒸発量及びTi蒸発源902-3のTi蒸発量を制御してPbZrxTi1xの組成比が1:x:1xとなるようにする。この場合、Pb蒸発量Ti蒸発量≦15となるように制御する。最後に、図8に示す従来の製造方法と同様、ステップ805を参照すると、PZT圧電体層5上にスパッタリング法によってPt上部電極層6を形成する。図2は本発明に係る圧電アクチュエータの製造方法の第2の実施の形態を説明するためのフローチャートである。図2においては、ADRIP装置内で行われる図1の酸素雰囲気によるADRIP前処理ステップ101の代りに、電気炉内で行われる酸素雰囲気によるADRIP前処理ステップ201及びADRIP装置内で行われる真空雰囲気によるADRIP前処理ステップ202を設けてある。すなわち、ステップ201を参照すると、図2のステップ202のADRIP本処理の前処理として、単結晶シリコン基板1、酸化シリコン層2、Ti密着層3及びPt下部電極層4よりなるウェハ903aを電気炉に投入し、約01Pa以上の酸素雰囲気にすると共に、約500°Cまで加熱して15分間以上保持する。その後、電気炉から取り出す。これにより、酸素アニールを行う。次に、ステップ202を参照すると、図8のステップ803と同様に、ウェハ903aを図9に示すADRIP装置に投入する。次いで、ADRIP装置を真空雰囲気にすると共に、ヒータ付ウェハ回転ホルダ903によって約500°Cまで加熱する。以後、図1の場合と同様に、ステップ102においてADRIP装置においてPZT圧電体層5を成膜し、ステップ805において、Pt上部電極層6を形成する。図3は図1、図2の製造方法による圧電アクチュエータのPZT圧電体層の絶縁破壊電圧特性を示すグラフである。尚、絶縁破壊電圧は図7の下部電極層4とPt上部電極層6との間に直流電圧VDCを印加し、これらの電極間に流れる電極間電流Iを測定することにより評価する。たとえば、ある直流電圧VDCを1分間印加し、1Vステップで直流電圧VDCを上昇させ、上述の電極間電流Iが50μAに到達したときに絶縁破壊が生じたとみなし、VBDVDCとする。図3に示すように、本発明において、酸素雰囲気によるADRIP前処理により絶縁破壊電圧は高くなった。下部電極層4のPtは酸素雰囲気中の加熱で111面により多く配向するようになる。この上にPZT圧電体層5が積まれるので、下部電極層4の結晶配向が影響することで絶縁破壊電圧が改善されたものと考えられる。また、酸素雰囲気によるADRIP前処理を行いかつADRIP本処理において組成比Pb≦12とした場合には、絶縁破壊電圧VBDは22Vμm以上と高かったのに対し、従来のごとく、真空雰囲気によるADRIP前処理かつADRIP本処理においてPb蒸発量Ti蒸発量をたとえば約1とした場合には、絶縁破壊電圧VBDは15Vμm以下と低かった。このように、本発明によれば、絶縁破壊電圧VBDは高くなる。図4は図3のPb蒸発量/Ti蒸発量比とPbZrxTi1xO3の組成比Pbとの関係を示すグラフである。図4に示すように、Pb蒸発量/Ti蒸発量比が15以下の場合には、PbZrxTi1xO3の組成比Pbは12以下であることが認められる。従って、上述の第1、第2の実施の形態における圧電体層形成工程によって形成されるPZTの組成比Pbは12以下となる。