複数の分割予定ラインによって区画されて表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面側を保持手段で保持し、該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけて裏面側から照射し、分割予定ラインに沿って分割の起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、該保持手段からウェーハを搬出し次の工程に該ウェーハを搬送する搬送工程と、を少なくとも含み、該改質層形成工程において、ウェーハの外周余剰領域には改質層を形成しないで外周補強部を形成するウェーハの加工方法。前記ウェーハは、サファイア基板の表面の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウェーハであり、該搬送工程においてウェーハの裏面に反射膜を形成する裏面加工工程に搬送される請求項1記載のウェーハの加工方法。前記改質層形成工程の後、ウェーハの分割予定ラインに外力を付与して個々のデバイスに分割する分割工程を含む請求項1または2に記載のウェーハの加工方法。しかし、ウェーハの内部に改質層を形成すると、その後の搬送時に改質層を起点としてウェーハが切断されてしまうという問題がある。また、光デバイスウェーハの裏面に金、アルミニウム等から構成された反射膜が形成されていると、裏面側からはレーザー光線を照射できないという問題がある。本発明は、このような問題にかんがみなされたもので、ウェーハの内部に改質層が形成される場合において、搬送時に改質層を起点としてウェーハが切断されてしまうのを防止するとともに、ウェーハの裏面に反射膜が形成される場合においても、レーザー光線の照射によりウェーハの内部に改質層を形成するのを可能とすることを課題とする。本発明は、複数の分割予定ラインによって区画されて表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面側を保持手段で保持し、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけて裏面側から照射し、分割予定ラインに沿って分割のきっかけとなる改質層を形成する改質層形成工程と、保持手段からウェーハを搬出し次の工程に該ウェーハを搬送する搬送工程と、を少なくとも含み、改質層形成工程において、ウェーハの外周余剰領域には改質層を形成しないで外周補強部を形成する。ウェーハが、サファイア基板の表面の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウェーハである場合は、搬送工程においてウェーハの裏面に反射膜を形成する裏面加工工程に搬送される。改質層形成工程の後には、ウェーハの分割予定ラインに外力を付与して個々のデバイスに分割する分割工程が行われる。本発明では、改質層形成工程においては、外周余剰領域に改質層を形成しないで外周補強部を形成するため、後の搬送工程においてウェーハが改質層を起点として切断されることがない。また、裏面に反射膜が形成されるウェーハであっても、改質層形成工程の時点では裏面に反射膜が形成されていないため、裏面に反射膜が形成されるウェーハであるか否かにかかわらず、分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成することができる。さらに、ウェーハが切断されることなく、裏面加工工程にウェーハを搬送することができるため、ウェーハの裏面に反射膜を形成することができ、光デバイスウェーハの製造にも対応することができる。図1に示すウェーハWは、サファイア基板の表面側に発光層エピ層が形成されて構成された光デバイスウェーハであり、表面Waには、縦横に形成された分割予定ラインSによって区画された複数の領域に光デバイスDが形成されている。複数の光デバイスDは、ウェーハWの周縁部を残してデバイス領域W1に形成されており、デバイス領域W1は、デバイスが形成されていない外周余剰領域W2に囲繞されている。1改質層形成工程図1に示すように、このウェーハWの表面Waに、保護テープ等の保護部材1を貼着する。そして、図2に示すように、保護部材1が表面Waに貼られたウェーハWの表裏を反転させ、保護部材1が貼着された表面側をレーザー加工装置の保持手段2に載置し、裏面Wbが上方に向けて露出した状態で、保持手段2に形成された吸引部20においてウェーハWを吸引保持する。この時点では、裏面Wbには反射膜は形成されていない。本工程では、まず、レーザー光線を照射すべき分割予定ラインSを検出する。かかる検出は、表面Waに対面する保持手段2側にカメラを配設して撮像することによって行ってもよいし、裏面Wbの上方に赤外線カメラを配設し、赤外線を用いて裏面Wb側からウェーハWを透過させて撮像することによって行ってもよい。次に、図3に示すように、保持手段2をX軸方向に移動させながら、レーザー照射ヘッド3から裏面Wbに向けてレーザー光線30を照射する。このレーザー光線30の波長は、ウェーハWに対して透過性を有する波長であり、このレーザー光線30は、表面Waに形成された分割予定ラインSに沿って、図4に示すように、集光点31を分割予定ラインSの内部に位置づけて裏面Wb側から照射される。例えば、加工条件は以下のとおりである。波長:1045[nm]平均出力:0.1~0.4[W]繰り返し周波数:100[kHz]送り速度:300~800[mm/秒]サファイア基板の厚み:120[μm]集光点の位置:裏面から60[μm]改質層の幅:30[μm]1本の分割予定ラインSに沿ってレーザー照射を行って改質層32を形成した後は、隣り合う分割予定ライン間の間隔ずつレーザー照射ヘッド3をY軸方向にインデックス送りしながら、同様にレーザー照射を行っていく。そうすると、同方向のすべての分割予定ラインSに沿ってその内部に改質層32が形成される。そしてさらに、保持手段2を90度回転させてから同様のレーザー照射を行うと、図5に示すように、分割予定ラインSに沿って、縦横に、改質層32が形成される。この改質層32は、ウェーハWを分割する際の起点となるものである。改質層32の形成にあたっては、デバイス領域W1のみにレーザー光線30を照射し、外周余剰領域W2にはレーザー光線を照射しないようにする。したがって、図5および図6に示すように、外周余剰領域W2には、改質層が形成されていないリング状の外周補強部W3が形成される。すなわち、改質層32が形成されることによりウェーハWが分割されやすい状態になるが、外周補強部W3がウェーハWの割れを防止している。改質層形成工程は、ウェーハWの裏面Wbに金属膜反射膜を被覆する前に行う。したがって、裏面Wb側からレーザー照射を行うにあたって、障害となるものがないため、ウェーハWの内部に確実に集光することができる。2搬送工程次に、図7に示すように、デバイス領域W1に改質層32が形成されたウェーハWを保持手段2から搬出し、次の工程にウェーハWを搬送する。例えば、図7に示す搬送手段4を構成するアーム部40の先端に備えた吸着部41によって裏面Wb側が吸着され、アーム部40が移動することにより、吸着部41によって吸着されたウェーハWが、次の工程が行われる装置に搬送される。搬送工程において搬送されるウェーハWは、デバイス領域W1のみに改質層32が形成され、その周囲には改質層が形成されていない外周補強部W3が形成されているため、搬送時にウェーハWに対して何らかの外力が加わったとしても、改質層32に沿ってウェーハWが割れることはない。3裏面加工工程ウェーハWは、搬送工程によって、ウェーハWの裏面Wbに反射膜を形成する裏面加工工程に搬送される。裏面加工工程では、図8に示すように、裏面Wbに、金、アルミニウム等からなる反射膜5を形成する。この反射膜5は、光デバイスの輝度を高めるために被覆するもので、例えば、蒸着、スパッタリング、CVD等によって形成する。搬送工程においてウェーハWが切断されることがないため、ウェーハWの裏面Wbに確実に反射膜5を形成することができる。4分割工程裏面加工工程の後、図9に示すように、反射膜5側をダイシングテープTに貼着する。ダイシングテープTの周縁部には、リング状のフレームFが貼着されており、ウェーハWは、ダイシングテープTを介してフレームFに支持される。また、ウェーハWの表面Waに貼着されていた保護テープ1は剥離される。このようにしてウェーハWがダイシングテープTを介してフレームFに支持されると、図10に示すように、吸着部60、61によって、隣り合う光デバイスD1、D2の裏面Wb側に被覆された反射膜5を、ダイシングテープTを介して吸着する。そして、2つの吸着部60、61を、互いが離れる方向である矢印B方向、C方向にそれぞれ移動させ、ウェーハWの分割予定ラインSに対して水平方向の外力を加える。そうすると、改質層32が起点となって光デバイスD1と光デバイスD2との間が分離される。同様に、すべてのデバイス間を離間させると、ウェーハWが個々の光デバイスDに分割される。個々の光デバイスDの裏面側には、反射膜5が被覆されている。なお、図11に示すウェーハWxのように、光デバイスDがウェーハWxの外周Wcに迫る位置まで形成されているために、外周余剰領域W2の幅が極めて狭くなっている場合もある。このような場合は、改質層形成工程において、改質層32がデバイス領域W1の周縁部まで達しないようにして、デバイスDを完全に切断できる位置まで改質層32を形成しないようにすることにより、外周補強部W3の幅が外周余剰領域W2の幅よりも広くなるようにする。そして、分割工程では、改質層32を起点として隣り合うデバイス間が分離される時に生じる力を利用し、改質層32の延長線32aに沿って切断することで、光デバイスDに分割することができる。このように、デバイスDがウェーハWの外周Wcに接近した位置まで形成されている場合は、外周補強部W3が、外周余剰領域W2からデバイス領域W1にかけて形成されることもある。