液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、前記露光光が射出される射出面を有し、前記射出面側に前記液体の液浸空間が形成される光学部材と、計測光が照射される導電性の第1膜を有する計測部材と、前記光学部材の周囲の少なくとも一部において前記計測部材が対向可能に配置され、前記計測部材との間で液体を保持可能な液浸部材と、前記第1膜及び前記液浸部材の少なくとも一方に交流電圧を加える電圧調整装置と、を備える露光装置。前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、前記第1膜の表面を含む請求項1に記載の露光装置。前記計測部材は、前記第1膜の少なくとも一部を覆うように配置される絶縁性の第2膜を有する請求項1又は2に記載の露光装置。前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、前記第2膜の表面を含み、前記第2膜を介して前記第1膜に前記計測光が照射される請求項3に記載の露光装置。前記計測部材は、前記第2膜の少なくとも一部を覆うように配置される、前記液体に対して前記第1膜よりも撥液性の第3膜を含む請求項3又は4に記載の露光装置。前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、前記第3膜の表面を含む請求項5に記載の露光装置。前記計測部材は、前記第1膜の少なくとも一部を覆うように配置される、前記液体に対して前記第1膜よりも撥液性の第3膜を含む請求項3又は4に記載の露光装置。前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、前記第3膜の表面を含む請求項7に記載の露光装置。前記計測光は、前記第3膜を介さずに、前記第1膜に照射される請求項5~8のいずれか一項に記載の露光装置。前記第3膜は、フッ素を含む請求項5~9のいずれか一項に記載の露光装置。前記計測部材上に前記液体を供給する供給口を備え、前記液体を介して前記計測部材に前記計測光が照射される請求項1~10のいずれか一項に記載の露光装置。前記電圧調整装置は、前記計測光の前記第1膜への照射の少なくとも一部と並行して、前記交流電圧を加える請求項1~11のいずれか一項に記載の露光装置。前記計測部材は、前記射出面と対向可能であり前記計測光が入射する第1部分と前記第1部分の周囲の少なくとも一部に配置され前記液体に対して前記第1膜よりも撥液性の第3膜の表面を含む第2部分とを含む上面を有し、前記電圧調整装置は、前記液浸空間の液体の界面の少なくとも一部が前記第2部分に位置するとき、前記交流電圧を加える請求項1に記載の露光装置。前記電圧調整装置は、前記界面の少なくとも一部が前記第2部分に位置した状態で前記計測部材が移動するとき、前記交流電圧を加える請求項13に記載の露光装置。前記電圧調整装置は、前記計測部材が第1移動条件で移動するときに第1電圧を加え、前記計測部材が第2移動条件で移動するときに第2電圧を加える請求項14に記載の露光装置。前記第1移動条件においては、前記界面が前記第2部分から前記第1部分へ移動し、前記第2移動条件においては、前記界面が前記第1部分から前記第2部分へ移動する請求項15に記載の露光装置。前記第1移動条件における前記計測部材の移動速度は、前記第2移動条件における前記計測部材の移動速度と異なる請求項15又は16に記載の露光装置。前記第1部分の少なくとも一部は、前記第1膜の表面を含む請求項13~17のいずれか一項に記載の露光装置。前記計測部材は、前記第1膜の少なくとも一部を覆う絶縁性の第2膜を有し、前記第1部分の少なくとも一部は、前記第2膜の表面を含む請求項13~18のいずれか一項に記載の露光装置。前記第3膜は、フッ素を含む請求項13~19のいずれか一項に記載の露光装置。前記光学部材と前記計測部材との間に前記液体を供給する供給口を備える請求項13~20のいずれか一項に記載の露光装置。前記電圧調整装置は、アースされる請求項1~21のいずれか一項に記載の露光装置。前記光学部材に対して移動可能なステージを備え、前記計測部材は、前記ステージに配置され、前記電圧調整装置の少なくとも一部は、前記ステージに設けられる請求項1~22のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1膜は、クロム、銅、白金、及びタンタルの少なくとも一つを含む請求項1~23のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1膜は、遮光膜を含む請求項1~24のいずれか一項に記載の露光装置。前記計測光は、前記射出面から射出される前記露光光を含む請求項1~25のいずれか一項に記載の露光装置。液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、前記露光光が射出される射出面を有し、前記射出面側に前記液体の液浸空間が形成される光学部材と、計測光が照射される第1導電部、及び前記第1導電部の周囲の少なくとも一部に配置され、前記第1導電部に対して絶縁された第2導電部を有する計測部材と、を備え、前記第2導電部がアースされている露光装置。前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、撥液膜の表面を含む請求項27に記載の露光装置。前記撥液膜は、フッ素を含む請求項28に記載の露光装置。前記計測部材は、前記第1導電部と前記第2導電部とを絶縁する絶縁部を有する請求項28又は29に記載の露光装置。前記計測部材の絶縁部の少なくとも一部は、前記撥液膜と前記第1導電部との間に配置される請求項30に記載の露光装置。前記計測部材の絶縁部の少なくとも一部は、前記第1導電部の少なくとも一部を覆うように配置される請求項30に記載の露光装置。前記第1導電部は、開口を有し、前記絶縁部を介して前記第1導電部の前記開口に前記計測光が入射する請求項31又は32に記載の露光装置。前記射出面と対向可能な前記計測部材の上面の少なくとも一部は、前記絶縁部の表面を含み、前記絶縁部を介して前記第1導電部に前記計測光が照射される請求項30~33のいずれか一項に記載の露光装置。前記計測部材の絶縁部の少なくとも一部は、前記撥液膜と前記第2導電部との間に配置される請求項30~34のいずれか一項に記載の露光装置。前記計測部材上に前記液体を供給する供給口を備え、前記液体を介して前記計測部材に前記計測光が照射される請求項27~33のいずれか一項に記載の露光装置。前記計測部材上に供給された前記液体は、前記第1導電部及び前記第2導電部と接触しない請求項36に記載の露光装置。前記光学部材に対して移動可能なステージを備え、前記計測部材は、前記ステージに配置され、前記第2導電部は、前記ステージを介してアースされる請求項27~37のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1導電部及び前記第2導電部の一方又は両方は、クロム、銅、白金、及びタンタルの少なくとも一つを含む請求項27~38のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1導電部は、遮光膜を含む請求項27~39のいずれか一項に記載の露光装置。前記計測光は、前記射出面から射出される前記露光光を含む請求項27~40のいずれか一項に記載の露光装置。請求項1~41のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される前記露光光が照射可能な位置に配置可能な計測部材が有する導電性の第1膜に計測光を照射することと、前記第1膜、及び前記光学部材の周囲の少なくとも一部において前記計測部材が対向可能に配置され、前記計測部材との間で液体を保持可能な液浸部材の少なくとも一方に交流電圧を加えることと、前記計測部材を用いる前記計測の結果に基づいて、前記射出面側に形成された前記液体の液浸空間を介して前記基板を露光することと、を含む露光方法。液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される前記露光光が照射可能な位置に配置可能な第1導電部及び前記第1導電部の周囲の少なくとも一部に配置され前記第1導電部に対して絶縁された第2導電部を有する計測部材の前記第1導電部に計測光を照射することと、前記第2導電部をアースすることと、前記計測部材を用いる前記計測の結果に基づいて、前記射出面側に形成された前記液体の液浸空間を介して前記基板を露光することと、を含む露光方法。請求項43又は44に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。計測部材が劣化すると、その計測部材を用いる計測精度が低下する可能性がある。例えば、計測部材が計測用の開口パターンを備えている場合、その開口の形状が変化すると、その計測部材を用いる計測精度が低下する可能性がある。計測部材を用いる計測結果に基づいて露光が実行される場合、計測精度が低下すると、露光不良が発生し、不良デバイスが発生する可能性がある。本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。本発明の第1の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有し、射出面側に液体の液浸空間が形成される光学部材と、計測光が照射される導電性の第1膜を有する計測部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部において計測部材が対向可能に配置され、計測部材との間で液体を保持可能な液浸部材と、第1膜及び液浸部材の少なくとも一方に交流電圧を加える電圧調整装置と、を備える露光装置が提供される。本発明の第2の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有し、射出面側に液体の液浸空間が形成される光学部材と、計測光が照射される第1導電部、及び第1導電部の周囲の少なくとも一部に配置され、第1導電部に対して絶縁された第2導電部を有する計測部材と、を備え、第2導電部がアースされている露光装置が提供される。本発明の第3の態様に従えば、第1又は第2の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明の第4の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光が照射可能な位置に配置可能な計測部材が有する導電性の第1膜に計測光を照射することと、第1膜、及び光学部材の周囲の少なくとも一部において計測部材が対向可能に配置され、計測部材との間で液体を保持可能な液浸部材の少なくとも一方に交流電圧を加えることと、計測部材を用いる計測の結果に基づいて、射出面側に形成された液体の液浸空間を介して基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。本発明の第5の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光が照射可能な位置に配置可能な第1導電部及び第1導電部の周囲の少なくとも一部に配置され第1導電部に対して絶縁された第2導電部を有する計測部材の第1導電部に計測光を照射することと、第2導電部をアースすることと、計測部材を用いる計測の結果に基づいて、射出面側に形成された液体の液浸空間を介して基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。本発明の第6の態様に従えば、第4又は第5の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向すなわち鉛直方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。<第1実施形態>第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。また、本実施形態においては、露光装置EXが、例えば米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である場合を例にして説明する。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、計測部材Cを保持して移動可能な計測ステージ3と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、投影光学系PLから射出される露光光ELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能な液浸部材4と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置5とを備えている。液浸空間は、液体で満たされた空間である。本実施形態においては、液体LQとして、水純水を用いる。マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Pは、デバイスを製造するための基板である。基板Pは、例えば半導体ウエハと、その半導体ウエハ上に形成された感光材の膜とを含む。照明系ILは、所定の照明領域IRに露光光ELを照射する。照明領域IRは、照明系ILから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。本実施形態においては、照明系ILから射出される露光光ELとして、ArFエキシマレーザ光を用いる。なお、露光光ELとして、KrFエキシマレーザ光を用いてもよい。マスクステージ1は、第1定盤6のガイド面上面において移動可能である。マスクステージ1は、マスクMをリリース可能に保持する保持部7を有する。マスクステージ1は、保持部7に保持されたマスクMを、照明系ILから射出される露光光ELが照射可能な位置に移動可能である。マスクステージ1は、駆動システムの作動により移動可能である。駆動システムは、マスクステージ1に配置された可動子と、第1定盤6に配置された固定子とを有する平面モータを含む。なお、平面モータの一例が、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されている。マスクステージ1は、駆動システムの作動により、第1定盤6のガイド面上において、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影光学系PLは、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面9を有する。投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子10が射出面9を有する。液体LQの液浸空間LSは、射出面9側に形成される。投影領域PRは、射出面9から射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態において、射出面9から射出される露光光ELは、-Z方向に進行する。基板ステージ2及び計測ステージ3は、第2定盤11のガイド面上面において移動可能である。基板ステージ2は、基板Pをリリース可能に保持する保持部12を有する。基板ステージ2は、射出面9から射出される露光光ELが照射可能な位置に移動可能である。計測ステージ3は、計測部材Cをリリース可能に保持する保持部13を有する。計測ステージ3は、射出面9から射出される露光光ELが照射可能な位置に移動可能である。基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、駆動システムの作動により移動可能である。駆動システムは、基板ステージ2に配置された可動子と、計測ステージ3に配置された可動子と、第2定盤11に配置された固定子とを有する平面モータを含む。なお、平面モータの一例が、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されている。基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれは、駆動システムの作動により、第2定盤11のガイド面上において、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。本実施形態において、基板ステージ2は、米国特許出願公開第2007/0177125号明細書、及び米国特許出願公開第2008/0049209号明細書等に開示されているような、保持部12の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材Tをリリース可能に保持する保持部14を有する。計測ステージ3は、保持部13の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材Sをリリース可能に保持する保持部15を有する。マスクステージ1、基板ステージ2、及び計測ステージ3の位置は、干渉計システム17によって計測される。基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置5は、干渉計システム17の計測結果に基づいて駆動システムを作動し、マスクステージ1マスクM、基板ステージ2基板P、及び計測ステージ3計測部材Cの位置制御を実行する。次に、計測部材Cについて説明する。図2は、本実施形態に係る計測部材Cの一例を示す側断面図である。図2において、計測部材Cは、射出面9に対向可能な上面Caと、上面Caの反対の方向を向く下面Cbとを有する。保持部13は、下面Cbの少なくとも一部を保持する。計測部材Cが保持部13に保持された状態で、上面Caは、Z方向を向く。計測部材Cが保持部13に保持された状態で、上面Caは、射出面9と対向可能である。本実施形態において、計測部材Cは、計測光を透過可能な基材21と、基材21に形成され、計測光が照射される導電性の第1膜23とを備えている。また、本実施形態において、計測部材Cは、第1膜23の少なくとも一部を覆う絶縁性の第2膜24を有する。また、本実施形態において、計測部材Cは、第2膜24の少なくとも一部を覆う撥液性の第3膜25を有する。本実施形態において、基材21は、石英ガラスで形成されている。石英ガラスは、計測光を透過可能である。なお、基材21が、計測光を透過可能な螢石で形成されてもよい。本実施形態において、基材21は、ほぼ直方体である。図2において、基材21は、Z方向を向く上面21Aと、上面21Aの反対の-Z方向を向く下面21Bと、上面21Aのエッジと下面21Bのエッジとを結ぶ側面21C、21D、21E、21Fとを有する。側面21Cは、Y方向を向く。側面21Dは、-Y方向を向く。側面21Eは、X方向を向く。側面21Fは、-X方向を向く。なお、図2において、側面21E、21Fは示されていない。第1膜23は、導電性である。第1膜23は、計測光に対して遮光性である。すなわち、第1膜23は、計測光の通過を遮る。なお、第1膜23は、照射された計測光を全て遮ってもよいし、遮らなくてもよい。すなわち、計測光に対する第1膜23の透過率が0でもよいし、所望の精度で計測光の計測を実行できるのであれば、第1膜23が計測光を僅かに透過させてもよい。以下の説明において、第1膜23を適宜、遮光膜23、と称する。本実施形態において、遮光膜23は、クロムCrで形成されている。なお、遮光膜23が、銅Cuで形成されてもよいし、白金Ptで形成されてもよいし、タンタルTaで形成されてもよい。あるいは、遮光膜23が、金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、及びニッケルの少なくとも一つで形成されていてもよい。あるいは、遮光膜23が、クロム、白金、タンタル、金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、及びニッケルの少なくとも一つを含む合金で形成されてもよい。遮光膜23は、基材21の上面21Aの少なくとも一部に配置される。また、本実施形態において、遮光膜23は、側面21C、21Dの少なくとも一部に配置される。また、本実施形態において、遮光膜23は、下面21Bの少なくとも一部に配置される。上面21Aに配置される遮光膜23と、側面21C、21Dに配置される遮光膜23とは、接続される。側面21C、21Dに配置される遮光膜23と、下面21Bに配置される遮光膜23とは、接続される。すなわち、本実施形態において、上面21Aに配置される遮光膜23と下面21Bに配置される遮光膜23とは、側面21C、21Dに配置される遮光膜23を介して、電気的に接続される。本実施形態において、遮光膜23は、基材21の表面上面21A、下面21B、側面21C、21D、21E、21Fと接触する。なお、基材21と遮光膜23との間に、遮光膜23とは別の膜中間膜が配置されてもよい。本実施形態において、露光装置EXは、例えば米国特許出願公開第2002/0041377号明細書等に開示されているような投影光学系PLの空間像結像特性を計測可能な空間像計測システム18を備えている。本実施形態において、計測部材Cは、空間像計測システム18の一部を構成する。本実施形態において、計測光は、終端光学素子10の射出面9から射出される露光光ELを含む。すなわち、計測部材Cを用いる計測において、計測部材Cに射出面9からの露光光ELが照射される。本実施形態において、計測部材Cは、露光光ELが入射可能な開口22を有する。遮光膜23は、開口22を規定する。開口22は、上面21Aにおいて遮光膜23が設けられていない部分である。本実施形態において、開口22は、上面21Aのほぼ中央に配置される。本実施形態において、上面21Aと平行なXY平面内における開口22の形状は、X軸方向に長いスリット状である。本実施形態においては、開口22の内側において基材21の一部が露出する。本実施形態において、計測部材Cは、遮光膜23の少なくとも一部を覆う絶縁性の第2膜24を有する。第2膜24は、遮光膜23よりも電気を通しにくい。以下の説明において、第2膜24を適宜、絶縁膜24、と称する。本実施形態において、絶縁膜24は、露光光計測光ELに対して透過性である。すなわち、露光光計測光ELは、絶縁膜24を透過可能である。本実施形態において、絶縁膜24は、二酸化珪素SiO2を含む。なお、絶縁膜24が、フッ化マグネシウムMgF2、あるいはフッ化カルシウムCaF2からなる微粒子を含んでもよい。本実施形態において、絶縁膜24の少なくとも一部は、開口22の内側に配置される。本実施形態においては、開口22の内側において、絶縁膜24は、基材21の上面21Aと接触する。また、絶縁膜24は、Z方向を向く遮光膜23の上面23Aを覆うように配置される。本実施形態において、絶縁膜24は、遮光膜23の上面23Aと接触する。なお、遮光膜23と絶縁膜24の間に、遮光膜23及び絶縁膜24とは別の膜中間膜が配置されてもよい。本実施形態において、計測部材Cは、絶縁膜24の少なくとも一部を覆う撥液性の第3膜25を有する。第3膜25は、遮光膜23よりも電気を通しにくい。本実施形態において、第3膜25は、絶縁性の膜絶縁膜である。以下の説明において、第3膜25を適宜、撥液膜25、と称する。本実施形態において、撥液膜25は、液体LQに対して撥液性である。液体LQに対する撥液膜25の表面の接触角は、例えば90度よりも大きい。本実施形態において、撥液膜25の上面表面25Aは、遮光膜23よりも液体LQに対して撥液性である。また、撥液膜25の上面表面25Aは、絶縁膜24よりも液体LQに対して撥液性である。本実施形態において、撥液膜25は、フッ素を含む。本実施形態において、撥液膜25は、例えば国際公開第2005/055296号パンフレットに開示されているような、非晶質フッ素樹脂を含む。撥液膜25は、開口22の周囲の少なくとも一部に配置される。また、撥液膜25は、Z方向を向く絶縁膜24の上面24Aの一部を覆うように配置される。本実施形態において、撥液膜25は、絶縁膜24の上面24Aと接触する。なお、絶縁膜24と撥液膜25の間に、絶縁膜24及び撥液膜25とは別の膜中間膜が配置されてもよい。本実施形態において、上面Caの少なくとも一部は、Z方向を向く絶縁膜24の上面24Aを含む。また、本実施形態において、上面Caの少なくとも一部は、Z方向を向く撥液膜25の上面25Aを含む。本実施形態において、遮光膜23は露出しておらず、上面Caに含まれない。すなわち、本実施形態において、遮光膜23は液浸空間LSの液体LQと接触しない。本実施形態において、計測部材Cの上面Caは、露光光計測光ELが入射する第1部分51と、第1部分51の周囲の第2部分52とを含む。本実施形態において、第1部分51は、絶縁膜24の上面24Aの少なくとも一部を含み、第2部分52は、撥液膜25の上面25Aの少なくとも一部を含む。すなわち、絶縁膜24は、第1部分51の少なくとも一部に配置され、撥液膜25は、第2部分52の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、第1部分51は、撥液膜25の上面25Aを含まない。なお、第1部分51に、撥液膜25の上面25Aの一部が含まれてもよい。本実施形態において、下面Cbの少なくとも一部は、-Z方向を向く遮光膜23の下面23Bを含む。また、本実施形態において、下面Cbの少なくとも一部は、基材21の下面21Bを含む。図3は、本実施形態に係る基板ステージ2及び計測ステージ3の一例を示す斜視図、図4は、保持部13に保持された計測部材Cの近傍を示す側断面図である。本実施形態において、保持部13は、いわゆるピンチャック機構を含み、計測部材Cをリリース可能に保持する。保持部13は、計測部材Cの上面CaがZ方向を向くように、計測部材Cを保持する。本実施形態において、保持部13は、上面CaとXY平面とがほぼ平行となるように、計測部材Cを保持する。計測部材Cが保持部13に保持されることによって、上面Caは、射出面9と対向可能である。保持部15は、いわゆるピンチャック機構を含み、カバー部材Sをリリース可能に保持する。本実施形態において、保持部15は、カバー部材Sの上面SaとXY平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Sを保持する。本実施形態において、保持部13に保持された計測部材Cの上面Caと、保持部15に保持されたカバー部材Sの上面Saとは、ほぼ同一平面内に配置される面一である。なお、上面Saの少なくとも一部が、XY平面に対して非平行でもよいし、曲面を含んでもよい。また、上面Caの少なくとも一部が、XY平面に対して非平行でもよいし、曲面を含んでもよい。計測部材Cは、保持部13に保持されて計測ステージ3に配置される。保持部13に保持された計測部材Cの周囲に、保持部15に保持されたカバー部材Sが配置される。カバー部材Sは、計測部材Cが配置可能な開口SKを有する。保持部13に保持される計測部材Cは、保持部15に保持されるカバー部材Sの開口SKの内側に配置される。計測部材Cは、射出面9から射出される露光光ELが照射可能な位置投影領域PRに配置可能である。本実施形態においては、計測部材Cは、終端光学素子10に対して移動可能な計測ステージ3に搭載されており、その計測ステージ3の位置が調整されることによって、計測部材Cが、射出面9から射出される露光光ELが照射可能な位置投影領域PRに配置可能である。図4に示すように、本実施形態において、露光装置EXは、物体に電圧を加える電圧システム600を備えている。本実施形態において、電圧システム600は、電圧調整装置60と、電圧調整装置60に接続された配線61とを有する。本実施形態において、電圧システム600は、物体に交流電圧を加えることができる。電圧調整装置60は、電源60Aと、物体に加える交流電圧の周波数を調整可能な第1調整部60Bと、物体に加える交流電圧の最大振幅を調整可能な第2調整部60Cと、物体に加える交流電圧の波形を調整可能な第3調整部60Dとを含む。本実施形態において、電圧調整装置60は、第1、第2、第3調整部60B、60C、60Dを用いて、交流電圧の値を調整可能である。交流電圧の値は、交流電圧の実効値、瞬時値、及び半波平均値の少なくとも一つを含む。また、本実施形態において、電圧調整装置60は、任意の波形の交流電圧を発生可能である。本実施形態において、電圧調整装置60は、正弦波の交流電圧を発生する。なお、電圧調整装置60は、矩形波の交流電圧を発生させてもよいし、三角波の交流電圧を発生してもよい。また、電圧調整装置60は、物体に加える交流電圧の位相を調整可能である。本実施形態において、電圧システム600は、遮光膜23に交流電圧を加える。本実施形態において、電圧システム600の少なくとも一部は、計測ステージ3の外側に配置される。また、電圧システム600の少なくとも一部は、計測ステージ3に設けられる。本実施形態において、電圧調整装置60及び配線61の一部が、計測ステージ3の外側に配置される。電圧調整装置60は、アース接地されている。配線61の一部が、計測ステージ3に配置される。電圧調整装置60は、配線61を介して、遮光膜23に交流電圧を加える。本実施形態においては、保持部13は、下面Cbの遮光膜23の少なくとも一部と接触可能な導電部62を有する。導電部62は、配線61を介して、電圧調整装置60と接続される。電圧調整装置60は、配線61及び導電部62を介して、導電部62に接触した遮光膜23に交流電圧を加える。すなわち、本実施形態において、電圧調整装置60は、計測ステージ3に設けられた導電部62を介して、遮光膜23に交流電圧を加える。なお、保持部13を含む計測ステージ3全体を導電体としてもよい。電圧調整装置60は、その導電体の計測ステージ3を介して、遮光膜23に交流電圧を加えてもよい。また、電圧システム600が計測ステージ3を含む概念でもよい。液浸部材4は、終端光学素子10の周囲の少なくとも一部において、計測部材Cが対向可能に配置される。本実施形態において、液浸部材4は、アース接地されている。液浸部材4は、計測部材Cとの間で液体LQを保持可能である。終端光学素子10及び液浸部材4と計測部材Cとの間に保持される液体LQによって、射出面9から射出される露光光ELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。図4に示すように、本実施形態においては、射出面9から射出される露光光ELは、液浸空間LSの液体LQを介して計測部材Cに照射される。液浸部材4は、射出面9から射出される露光光ELが通過可能な開口31と、開口31の周囲に配置され、上面Caと対向可能な下面32とを有する。液浸部材4は、下面32と対向する上面Caとの間で液体LQを保持可能である。また、液浸部材4は、液体LQを供給可能な供給口33と、液体LQを回収可能な回収口34とを備えている。供給口33は、終端光学素子10と計測部材Cとの間に液体LQを供給可能である。すなわち、供給口33は、射出面9から射出される露光光ELの光路に液体LQを供給可能である。供給口33から供給された液体LQは、開口31を介して、計測部材Cの上面Caに供給される。本実施形態において、供給口33は、露光光ELの光路に面するように液浸部材4の所定位置に配置される。供給口33は、供給流路を介して、液体供給装置35に接続される。液体供給装置35は、液体LQを送出可能である。供給口33は、液体供給装置35から供給された液体LQを、露光光ELの光路に供給する。回収口34は、下面32と対向する計測部材C上の液体LQの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態において、回収口34は、上面Caに面するように液浸部材4の所定位置に配置される。本実施形態において、液浸部材4は、多孔部材36が配置される開口4Kを有する。多孔部材36は、液体LQが通過可能な複数の孔を有する。本実施形態において、計測部材C上の液体LQは、多孔部材36の孔を介して回収される。すなわち、本実施形態において、回収口34は、多孔部材36の孔を含む。本実施形態において、多孔部材36は、プレート状の部材である。本実施形態において、下面32は、開口31の周囲に配置された平坦面、及びその平坦面の周囲に配置された多孔部材36の下面を含む。なお、開口4Kに多孔部材36が配置されてなくてもよい。例えば、開口4Kが回収口として機能してもよい。回収口34は、回収流路を介して、液体回収装置37に接続される。液体回収装置37は、真空システムを含み、液体LQを吸引可能である。回収口34から回収された液体LQは、液体回収装置37に回収される。本実施形態においては、供給口33からの液体LQの供給動作と並行して、回収口34からの液体LQの回収動作が実行されることによって、終端光学素子10及び液浸部材4と計測部材Cとの間に液浸空間LSが形成される。なお、終端光学素子10及び液浸部材4との間に液体LQを保持して液浸空間LSを形成可能な物体は、計測部材Cに限られない。射出面9及び下面32と対向する位置に移動可能な物体は、終端光学素子10及び液浸部材4との間に液体LQを保持して液浸空間LSを形成可能である。本実施形態においては、カバー部材T基板ステージ2、基板ステージ2に保持される基板P、及びカバー部材S計測ステージ3の少なくとも一つが、終端光学素子10及び液浸部材4との間に液体LQを保持して液浸空間LSを形成可能である。例えば、基板Pの露光においては、射出面9から射出される露光光ELの光路が液体LQで満たされるように、終端光学素子10及び液浸部材4と基板Pとの間に液体LQが保持されて液浸空間LSが形成される。本実施形態において、露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。図4に示すように、液浸空間LSの液体LQの界面メニスカス、エッジLGは、下面32と上面Caとの間に形成される。なお、本実施形態においては、XY平面内における液浸空間LSの大きさは、計測部材Cよりも小さいが、大きくてもよい。例えば、射出面9と開口22との間の光路が液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成されている状態において、界面LGが下面32と上面Saとの間に配置されてもよい。次に、計測部材Cを用いる計測処理の一例について図4を参照しながら説明する。制御装置5は、計測部材Cを用いる計測処理を実行する際、射出面9と対向する位置に計測部材Cを配置する。射出面9及び下面32と計測部材Cとの間に供給口33から供給された液体LQが保持されることによって液浸空間LSが形成される。液浸空間LSの液体LQは、射出面9、下面32、及び上面Caに接触する。計測部材Cを含む空間像計測システム18を用いて投影光学系PLの空間像結像特性を計測するために、制御装置5は、照明系ILより露光光ELを射出して、投影光学系PLの物体面側に配置された計測用パターンを照明する。計測用パターンに照射され、投影光学系PLを通過した露光光ELは、射出面9から射出される。射出面9から射出された露光光ELは、液浸空間LSの液体LQを介して計測部材Cの遮光膜23の少なくとも一部に照射される。本実施形態においては、射出面9から射出された露光光ELは、液浸空間LSの液体LQ及び絶縁膜24を介して、遮光膜23に照射される。本実施形態においては、射出面9から射出された露光光ELは、計測部材Cの上面Caのうち、第1部分51に入射し、第2部分52には入射しない。すなわち、露光光ELは、絶縁膜24及び遮光膜23に照射され、撥液膜25には照射されない。換言すれば、露光光ELは、撥液膜25を介さずに、遮光膜23に入射する。第1部分51に照射された露光光ELの少なくとも一部は、開口22に入射する。液体LQを介して開口22に入射した露光光ELは、基材21を通過し、下面21Bから射出される。本実施形態においては、空間像計測システム18の光学素子38が下面21Bに接触するように配置されている。下面21Bから射出され、光学素子38を通過した露光光ELは、空間像計測システム18の受光素子39に受光される。制御装置5は、受光素子39の受光結果に基づいて、液体LQを介した投影光学系PLの空間像結像特性を求める。図5及び図6は、終端光学素子10と計測部材Cの少なくとも一部との間に液体LQの液浸空間LSが形成されている状態の一例を示す図である。本実施形態において、電圧調整装置60は、液浸空間LSの液体LQの界面LGの少なくとも一部が第2部分52に位置するとき、遮光膜23に交流電圧を加える。本実施形態において、計測部材Cは、対向する終端光学素子10及び液浸部材4との間で液体LQの液浸空間LSを形成可能であり、液浸空間LSが形成されている状態で、終端光学素子10及び液浸部材4に対してXY平面内において移動する。例えば、電圧調整装置60は、液浸空間LSの液体LQの界面LGの少なくとも一部が第2部分52に位置した状態で計測部材Cが移動するとき、遮光膜23に交流電圧を加えてもよい。例えば、電圧調整装置60は、計測部材Cの移動条件に応じて、遮光膜23に加える交流電圧を調整してもよい。本実施形態において、計測ステージ3の位置は、干渉計システム17によって計測される。干渉計システム17は、計測ステージ3が有する干渉計用のミラーに検出光を照射して、その計測ステージ3の位置を求める。計測ステージ3が有する干渉計用のミラーと、計測ステージ3に搭載された計測部材Cとの位置関係は、既知である。また、干渉計用のミラーと、計測部材Cの第1、第2部分51、52との位置関係は、既知である。したがって、制御装置5は、干渉計システム17の計測結果に基づいて、干渉計システム17の座標系内における計測部材C第1、第2部分51、52の位置を求めることができる。また、終端光学素子10及び液浸部材4と計測ステージ3等の物体との間に液浸空間LSが形成された状態で物体が移動したときの、干渉計システム17の座標系内における界面LGの位置は、予測可能、あるいは既知である。例えば、界面LGの位置は、液浸部材4の下面における回収口34の位置、大きさ、及び形状等の液浸部材4の構造に依存する。また、界面LGの位置は、供給口33からの単位時間当たりの液体供給量、及び回収口34からの単位時間当たりの液体回収量を含む液浸条件に依存する可能性もある。また、界面LGの位置は、液浸空間LSが形成された状態における物体の移動条件移動速度、加速度、ある一方向に関する連続的な移動距離、及び移動軌跡等に依存する可能性もある。例えば、液浸部材4の構造、液浸条件、及び移動条件の少なくとも一つに基づいて定められる界面LGの位置は、予備実験又はシミュレーションによって求めることができる。したがって、制御装置5は、干渉計システム17の計測結果等に基づいて、干渉計システム17の座標系内における、計測部材C第1、第2部分51、52と界面LGとの位置関係を求めることができる。本実施形態において、制御装置5は、計測部材C第1、第2部分51、52と界面LGとの位置関係に基づいて、電圧調整装置60を調整することができる。図5は、液浸空間LSの液体LQの界面LGが計測部材Cの上面Caの第2部分52から第1部分51へ移動するように計測部材Cが移動する状態の一例を示す。図6は、液浸空間LSの液体LQの界面LGが計測部材Cの上面Caの第1部分51から第2部分52へ移動するように計測部材Cが移動する状態の一例を示す。本実施形態において、第2部分52は、撥液膜25の上面25Aを含む。第1部分51は、絶縁膜24の上面24Aを含む。以下の説明において、液浸空間LSの液体LQの界面LGが上面Caの第2部分52から第1部分51へ移動されるときの計測部材Cの移動条件を適宜、第1移動条件、と称し、第1部分51から第2部分52へ移動されるときの計測部材Cの移動条件を適宜、第2移動条件、と称する。終端光学素子10及び液浸部材4と計測部材Cの少なくとも一部との間に液体LQの液浸空間LSが形成され、その液浸空間LSの液体LQの界面LGの少なくとも一部が第2部分52に位置するとき、例えば放電により遮光膜23の少なくとも一部が損傷する可能性がある。また、終端光学素子10及び液浸部材4と計測部材Cの少なくとも一部との間に液体LQの液浸空間LSが形成されている状態で計測部材Cが移動すると、例えば放電により遮光膜23の少なくとも一部が損傷する可能性がある。なお、液浸空間LSの液体LQの界面LGが第2部分52に位置するとき、あるいは液浸空間LSの液体LQと計測部材Cの上面Caの少なくとも一部とが接触している状態で計測部材Cが移動するとき、計測部材Cに露光光ELが照射されても、照射されなくても、放電が発生する可能性がある。放電が発生した場合、例えば、遮光膜23の少なくとも一部が、静電破壊される可能性がある。例えば、静電破壊により、開口22の形状が変化したり、遮光膜23の一部に光透過孔があいたりする等、遮光膜23が劣化する可能性がある。その結果、計測部材Cを用いる計測精度が低下する可能性がある。本実施形態においては、電圧システム600が、遮光膜23に交流電圧を加える。これにより、遮光膜23の劣化が抑制される。すなわち、遮光膜23に交流電圧を加えることによって、その遮光膜23の静電破壊が抑制される。本実施形態において、電圧調整装置60は、第1移動条件と第2移動条件とで、遮光膜23に加える電圧の条件を切り替えてもよい。換言すれば、計測部材Cが第1移動条件で移動するときに遮光膜23に加えられる第1の交流電圧の条件と、計測部材Cが第2移動条件で移動するときに遮光膜23に加えられる第2の交流電圧の条件とが異なってもよい。例えば、第1移動条件と第2移動条件とで、遮光膜23に加えられる交流電圧の値実効値、瞬時値、及び半波平均値の少なくとも一つが異なってもよい。また、第1移動条件と第2移動条件とで、遮光膜23に加えられる交流電圧の最大振幅が異なってもよい。また、第1移動条件と第2移動条件とで、遮光膜23に加えられる交流電圧の周波数が異なってもよい。また、第1移動条件と第2移動条件とで、遮光膜23に加えられる交流電圧の波形が異なってもよい。また、第1移動条件と第2移動条件とで、遮光膜23に加えられる交流電圧の位相が異なってもよい。本実施形態において、電圧調整装置60は、終端光学素子10に対する計測部材Cの移動速度に応じて、遮光膜23に加える交流電圧の値実効値、最大振幅等を調整してもよい。例えば、計測部材Cが第1の速度で移動する場合に遮光膜23に加える交流電圧の値と、計測部材Cが第2の速度で移動する場合に遮光膜23に加える交流電圧の値とを変えてもよい。例えば、第1移動条件における計測部材Cの移動速度が、第2移動条件における計測部材Cの移動速度と異なる場合、電圧調整装置60は、その第1移動条件において加える交流電圧の値と第2移動条件において加える交流電圧の値とが異なるように調整してもよい。なお、本実施形態において、電圧調整装置60は、液浸空間LS液浸部材4に対して計測部材Cが実質的に静止している状態において、遮光膜23に電圧を加えてもよい。次に、基板Pの液浸露光処理を含む露光装置EXの動作の一例について説明する。計測部材Cの開口22に露光光ELを照射し、その計測部材Cを用いる計測が終了した後、制御装置5は、基板Pの露光を開始する。制御装置5は、終端光学素子10と基板Pとの間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成された状態で、照明系ILから射出された露光光ELでマスクMを照明する。マスクMを介した露光光ELは、投影光学系PL及び液浸空間LSの液体LQを照明する。マスクM及び投影光学系PLを通過した露光光ELは、射出面9から射出される。射出面9から射出された露光光ELは、液浸空間LSの液体LQを介して基板Pに照射される。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pに投影され、基板Pは露光光ELで露光される。本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置所謂スキャニングステッパである。本実施形態においては、基板Pの走査方向同期移動方向をY軸方向とし、マスクMの走査方向同期移動方向もY軸方向とする。制御装置5は、基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射して、その基板Pを露光する。本実施形態においては、制御装置5は、計測部材Cを用いる計測結果に基づいて、射出面9側に形成された液浸空間LSの液体LQを介して基板Pを露光する。例えば、制御装置5は、計測部材Cを用いて計測された投影光学系PLの空間像の計測結果に基づいて、露光条件を調整し、その調整された露光条件で基板Pを露光する。露光条件は、例えば露光光ELの照射条件、及び投影領域PRに対する基板ステージ2基板Pの移動条件の少なくとも一方を含む。以上説明したように、本実施形態によれば、遮光膜23に交流電圧を加えるようにしたので、遮光膜23の劣化、あるいは遮光膜23によって規定される開口22の形状の変化等を抑制することができる。したがって、計測部材Cを用いる計測精度の低下を抑制でき、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制できる。なお、図3に示すように、計測ステージ3に配置された計測部材Cb、Ccに交流電圧を加えてもよい。本実施形態において、計測部材Cbは、例えば米国特許第4465368号明細書等に開示されているような露光光ELの照度むらを計測可能な照度むら計測システム19の一部を構成する。計測部材Ccは、例えば米国特許第5493403号明細書等に開示されているような基板Pのアライメントマークを計測可能なアライメントシステム20によって計測される基準マークを有する。なお、計測部材Cbが、例えば米国特許出願公開第2002/0061469号明細書等に開示されているような照射量計測システム照度計測システム、例えば欧州特許第1079223号明細書等に開示されているような波面収差計測システム等、露光光ELの露光光ELを計測する計測システムの一部を構成するものでもよい。本実施形態において、XY平面内における計測部材Cbの形状は、ほぼ円形である。計測部材Cbは、露光光ELを透過可能な基材と、基材に形成され、液体LQを介して露光光ELが入射可能な開口40を規定する導電性の遮光膜41とを備えている。本実施形態において、開口40は、ほぼ円形である。計測部材Cbが絶縁性撥液性の膜を有する場合において、少なくとも液浸空間LSの液体LQの界面LGが、その膜の上面に位置するときに、遮光膜41に交流電圧を加えることによって、遮光膜41の劣化、開口40の変形等を抑制することができる。また、上述の実施形態において、液浸部材4はアースされていなくてもよい。<第2実施形態>次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。本実施形態においては、電圧調整装置70が液浸部材4に交流電圧を加える例について説明する。液浸部材4は、導電性である。液浸部材4の少なくとも一部は、例えばチタン等の金属製である。図7は、第2実施形態に係る露光装置EXの一例を示す図である。図7に示すように、露光装置EXは、液浸部材4に交流電圧を加える電圧システム700を備えている。電圧システム700は、電圧調整装置70と、電圧調整装置70に接続された配線71とを有する。電圧調整装置70は、電源70Aと、液浸部材4に加える交流電圧の周波数を調整可能な第1調整部70Bと、液浸部材4に加える交流電圧の最大振幅を調整可能な第2調整部70Cと、液浸部材4に加える交流電圧の波形を調整可能な第3調整部70Dとを含む。本実施形態において、電圧調整装置70は、第1、第2、第3調整部70B、70C、70Dを用いて、交流電圧の値を調整可能である。交流電圧の値は、交流電圧の実効値、瞬時値、及び半波平均値の少なくとも一つを含む。また、本実施形態において、電圧調整装置70は、任意の波形の交流電圧を発生可能である。本実施形態において、電圧調整装置70は、正弦波の交流電圧を発生する。なお、電圧調整装置70は、矩形波の交流電圧を発生させてもよいし、三角波の交流電圧を発生してもよい。また、電圧調整装置70は、液浸部材4に加える交流電圧の位相を調整可能である。電圧調整装置70は、液浸部材4の外側に配置される。電圧調整装置70は、アース接地されている。電圧調整装置70は、配線71を介して、液浸部材4に交流電圧を加える。本実施形態において、遮光膜23は、アース接地されている。電圧調整装置70は、液浸部材4と計測部材Cとが対向するときに、液浸部材4に電圧を加える。なお、電圧調整装置70は、液浸部材4と計測部材Cとが対向しないときに、液浸部材4に電圧を加えてもよい。電圧調整装置70は、例えば液浸空間LSの液体LQの界面LGの少なくとも一部が計測部材Cの第2部分52に位置するとき、液浸部材4に交流電圧を加える。また、電圧調整装置70は、界面LGの少なくとも一部が第2部分52撥液膜25上で移動するとき、液浸部材4に交流電圧を加える。また、電圧調整装置70は、計測部材Cの移動条件に応じて、液浸部材4に加える交流電圧の条件を調整してもよい。交流電圧の条件は、交流電圧の値、最大振幅、周波数、波形、及び位相の少なくとも一つを含む。例えば、電圧調整装置70は、計測部材Cが第1移動条件で移動するときに液浸部材7に第1条件の交流電圧を加え、計測部材Cが第2移動条件で移動するときに液浸部材7に第2条件の交流電圧を加えてもよい。また、電圧調整装置70は、例えば液浸空間LSの液体LQの界面LGが上面Caの第2部分52から第1部分51へ移動する第1移動条件と、第1部分51から第2部分52へ移動する第2移動条件とで、液浸部材4に加える交流電圧の条件を切り替えてもよい。また、第1移動条件における計測部材Cの移動速度が、第2移動条件における計測部材Cの移動速度と異なってもよいし、同じでもよい。また、電圧調整装置70は、終端光学素子10及び液浸部材4に対する計測部材Cの速度に応じて、液浸部材4に加える交流電圧の値を調整してもよい。例えば、第1移動条件における計測部材Cの移動速度が、第2移動条件における計測部材Cの移動速度よりも大きい場合、第1移動条件における交流電圧の値を、第2移動条件における交流電圧の値よりも大きくしてもよいし、同じにしてもよい。なお、本実施形態において、電圧調整装置70は、液浸空間LS液浸部材4に対して計測部材Cが実質的に静止している状態において、液浸部材4に電圧を加えてもよい。なお、本実施形態においては、遮光膜23がアースされていなくてもよい。あるいは、電圧調整装置70で液浸部材4に交流電圧を加えるとともに、電圧調整装置60で遮光膜23に交流電圧を加えてもよい。制御装置5は、電圧調整装置60及び電圧調整装置70の少なくとも一方を制御して、少なくとも界面LGが第2部分52に位置するときに、遮光膜23の劣化静電破壊が抑制されるように、遮光膜23及び液浸部材4の一方又は両方に交流電圧を加えてもよい。例えば、制御装置5は、遮光膜23と液浸部材4との電位差に起因する遮光膜23の劣化静電破壊が抑制されるように、遮光膜23及び液浸部材4の一方又は両方に交流電圧を加えてもよい。なお、例えば液浸部材4に交流電圧を加えるとともに、遮光膜23に直流電圧を加えてもよいし、液浸部材4に直流電圧を加えるとともに、遮光膜23に交流電圧を加えてもよい。なお、上述の第1、第2実施形態において、電圧調整装置60は、露光光ELの遮光膜23への照射の少なくとも一部と並行して、遮光膜23に交流電圧を加えてもよい。また、電圧調整装置70は、露光光ELの遮光膜23への照射の少なくとも一部と並行して、液浸部材7に交流電圧を加えてもよい。すなわち、計測部材Cを用いる計測処理の少なくとも一部と並行して、遮光膜23及び液浸部材4の一方又は両方に交流電圧を加えてもよい。遮光膜23に対する露光光ELの照射と並行して、遮光膜23及び液浸部材4の一方又は両方に交流電圧を加える場合、遮光膜23に対する露光光ELの照射によって遮光膜23の劣化静電破壊が抑制されるように、遮光膜23及び液浸部材4の一方又は両方に加える交流電圧の条件交流電圧の値、最大振幅、周波数、波形、及び位相の少なくとも一つを決定してもよい。また、計測ステージ3に配置された計測部材Cb、Ccに対する露光光ELの照射の少なくとも一部と並行して、計測部材Cb、Cc及び液浸部材4の少なくとも一方に交流電圧を加えてもよい。なお、上述の各実施形態においては、計測部材Cは、基材21上に、遮光膜23、絶縁膜24、及び撥液膜25を有することとしたが、例えば図8に示すように、絶縁膜24が省略されてもよい。図8に示す計測部材C2は、基材21と、基材21上に配置され、開口22を規定する導電性の遮光膜23と、遮光膜23の少なくとも一部を覆う撥液膜25とを含む。撥液膜25は、遮光膜23よりも液体LQに対して撥液性である。撥液膜25は、遮光膜23の上面23Aにおいて開口22の周囲の少なくとも一部に配置される。計測部材C2の上面Caは、遮光膜23の上面23A及び撥液膜25の上面25Aを含む。計測部材C2の上面Caの第1部分51は、遮光膜23の上面23Aを含み、上面Caの第2部分52は、撥液膜25の上面25Aを含む。また、本実施形態において、第2部分52は、遮光膜23の上面23Aの少なくとも一部を含む。露光光ELは、撥液膜25を介さずに、遮光膜23に入射する。計測部材C2を用いる場合においても、上述の各実施形態で説明した方法に従って、計測部材C2の遮光膜23及び液浸部材4の一方又は両方に交流電圧を加えることによって、遮光膜23の劣化を抑制することができる。<第3実施形態>次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図9は、本実施形態に係る計測部材C3の一例を示す側断面図である。図10は、図9に示す計測部材C3の平面図である。図9及び図10において、計測部材C3は、射出面9に対向可能な上面Caと、上面Caの反対の方向を向く下面Cbとを有する。保持部13は、下面Cbの少なくとも一部を保持する。計測部材C3が保持部13に保持された状態で、上面Caは、Z方向を向く。計測部材C3が保持部13に保持された状態で、上面Caは、射出面9と対向可能である。計測部材C3は、計測光露光光ELを透過可能な透明な基材152と、基材152の上面Z側の面に配置された第1導電部155A153A、154Aと、第1導電部155Aの周囲の少なくとも一部に配置され、第1導電部155Aに対して絶縁された第2導電部155B153B、154Bとを有する。第2導電部155Bの少なくとも一部は、基材152の上面に配置される。本実施形態において、第1導電部155Aは、膜状の部材である。第2導電部155Bは、膜状の部材である。なお、第1導電部155Aは、膜でなくてもよい。第2導電部155Bは、膜でなくてもよい。以下の説明において、第1導電部155Aを適宜、第1導電膜155A、と称する。また、第2導電部155Bを適宜、第2導電膜155B、と称する。また、計測部材C3は、第1導電膜155Aと第2導電膜155Bとを絶縁する絶縁部156を有する。本実施形態において、絶縁部156の少なくとも一部は、膜状の部材である。なお、絶縁部156は、膜でなくてもよい。以下の説明において、絶縁部156を適宜、絶縁膜156、と称する。本実施形態において、絶縁膜156の少なくとも一部は、第1導電膜155Aの少なくとも一部を覆うように配置される。また、本実施形態において、絶縁膜156の少なくとも一部は、第2導電膜155B上にも配置される。また、計測部材C3は、絶縁膜156上に配置された撥液膜157を備えている。本実施形態において、第1導電膜155Aは、基材152の上面に配置された導電膜153Aと、導電膜153A上に配置された導電膜154Aとを含む。第2導電膜155Bは、基材152上に配置された導電膜153Bと、導電膜153B上に配置された導電膜154Bとを含む。第1導電膜155Aの導電膜153Aは、開口153Hを有する。導電膜154Aは、開口154Hを有する。なお、以下の説明においては、第1導電膜155Aは、2つの導電膜153A、154Aによって形成されることとするが、1つの導電膜で形成されてもよいし、3以上の導電膜で形成されてもよい。同様に、第2導電膜155Bは、2つの導電膜で形成されてもよいし、1つの導電膜で形成されてもよいし、3以上の導電膜で形成されてもよい。本実施形態において、撥液膜157は、計測光露光光ELが入射可能な開口157Hを有する。本実施形態において、XY平面内における開口157Hの形状は、円形である。なお、開口157Hの形状は、例えば楕円形でもよいし、四角形、六角形、八角形等の多角形でもよい。第1導電膜155Aの少なくとも一部は、開口157Hの内側に配置される。開口157Hの内側に、計測光露光光ELが照射される計測部151が配置される。計測部151は、開口153Hを含む。本実施形態において、第1導電膜155Aと第2導電膜155Bとの間に間隙G1が形成される。第2導電膜155Bは、間隙G1を介して、第1導電膜155Aの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、間隙G1の内側に、基材152の上面の一部が配置される。本実施形態においては、第1導電膜155Aと第2導電膜155Bとの間に絶縁部256が配置される。本実施形態において、絶縁部256は、間隙G1に配置された絶縁膜156を含む。第2導電膜155Bは、絶縁部256を介して、第1導電膜155Aの周囲の少なくとも一部に配置される。絶縁膜156の少なくとも一部は、開口157Hの内側に配置される。絶縁膜156は、第1導電膜155Aの少なくとも一部を覆うように配置される。本実施形態において、絶縁膜156と第1導電膜155Aとは接触する。また、本実施形態において、絶縁膜156は、開口153H開口153Hの内側の基材152の上面を覆うように配置される。換言すれば、絶縁膜156の一部は、開口153Hの内側において、基材152の上面と接触する。また、本実施形態において、絶縁膜156の少なくとも一部は、撥液膜157の下面側-Z側に配置される。本実施形態において、絶縁膜156の少なくとも一部は、撥液膜157と第1導電膜155Aとの間に配置される。また、本実施形態において、絶縁膜156の少なくとも一部は、撥液膜157と第2導電膜155Bとの間に配置される。本実施形態において、絶縁膜156の少なくとも一部と第1導電膜155Aとは接触する。また、本実施形態において、絶縁膜156の少なくとも一部と第2導電膜155Bとは接触する。また、絶縁膜156の上面と撥液膜157の下面とは接触する。本実施形態において、絶縁膜156の少なくとも一部は、間隙G1を覆うように配置される。また、絶縁膜156の一部は、間隙G1の内側に配置される。本実施形態において、絶縁膜156の一部は、間隙G1の内側において、基材152の上面に接触するように配置される。本実施形態において、絶縁部256及び第2導電膜155Bは、撥液膜157の下面側-Z側に配置される。本実施形態において、射出面9と対向可能な計測部材C3の上面Caの少なくとも一部は、撥液膜157の上面を含む。また、本実施形態において、上面Caの少なくとも一部は、絶縁膜156の上面を含む。本実施形態において、開口153Hの内側に、基材152の上面が配置される。また、本実施形態において、開口154Hの内側に、開口153H及び導電膜153Aの上面が配置される。計測光露光光ELは、計測部151開口153Hを含む第1導電膜155Aの少なくとも一部に照射される。本実施形態においては、絶縁膜156を介して、計測部151開口153Hを含む第1導電膜155Aの少なくとも一部に計測光が照射される。本実施形態において、第1導電膜155A及び第2導電膜155Bのそれぞれは、クロムCrで形成されており、計測光露光光ELに対して遮光性である。すなわち、第1、第2導電膜155A、155Bは、遮光膜である。なお、第1導電膜155Aがクロムで形成され、第2導電膜155Bが、銅、白金、及びタンタルの少なくとも一つによって形成されてもよい。あるいは、第1導電膜155A及び第2導電膜155Bの一方又は両方が、金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、及びニッケルの少なくとも一つで形成されていてもよい。あるいは、第1導電膜155A及び第2導電膜155Bの一方又は両方が、クロム、白金、タンタル、金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、及びニッケルの少なくとも一つを含む合金で形成されてもよい。また、第2導電膜155Bは、第1導電膜155Aよりも光の透過率が高くてもよい。本実施形態において、絶縁膜156は、第1、第2導電膜155A、155Bよりも絶縁性である。また、絶縁膜156は、計測光露光光ELを透過可能である。例えば、絶縁膜156は、第1導電膜155Aよりも計測光を透過可能である。本実施形態において、絶縁膜156は、二酸化珪素SiO2を含み、絶縁性及び透過性を有する。なお、絶縁膜156が、フッ化マグネシウムMgF2、あるいはフッ化カルシウムCaF2を含んでもよい。なお、上述したように、本実施形態においては、絶縁部256は、絶縁膜156の一部である。なお、絶縁部256が、絶縁膜156とは異なる部材膜で形成されてもよい。例えば、絶縁部256が、絶縁膜156よりも絶縁性の材料で形成されてもよい。本実施形態において、撥液膜157は、少なくとも第1、第2導電膜155A、155Bよりも液体LQに対して撥液性である。また、撥液膜157は、少なくとも絶縁膜156よりも液体LQに対して撥液性である。なお、液体LQに対する撥液性とは、液体LQとの接触角を含む。撥液性が大きいとは、接触角が大きいことをいう。本実施形態においては、撥液膜157は、フッ素を含む。本実施形態においては、撥液膜157は、例えば国際公開第2005/055296号パンフレットに開示されているような、非晶質フッ素樹脂を含む。本実施形態においては、撥液膜157は、旭硝子社製サイトップによって形成されている。撥液膜157と絶縁膜156との密着性は高い。また、第1、第2導電膜155A、155Bと絶縁膜156との密着性も高い。例えばSiO2からなる微粒子を含む絶縁膜接着微粒子層156によって、撥液膜157に対する密着性を高めることができる。なお、絶縁膜接着微粒子層156が、フッ化マグネシウムMgF2、あるいはフッ化カルシウムCaF2からなる微粒子を含むものであっても、撥液膜157に対する密着性を高めることができる本実施形態においては、第1導電膜155Aに対して絶縁部256の外側に、第2導電膜155Bが配置されている。絶縁部256は、第1導電膜155Aと、第2導電膜155Bとの間に配置されている。第1導電膜155Aと第2導電膜155Bとは、絶縁部256によって、電気的に分離されている。本実施形態において、第2導電膜155Bは、アースされる。例えば、第2導電膜155Bは、計測ステージ3を介してアースされる。図9に示すように、第2遮光膜155Bの少なくとも一部は、基材152の側面及び下面に配置される。計測部材C3が、計測ステージ3の保持部13に保持されると、基材152の下面計測部材C3の下面Cbに配置されている第2遮光膜155Bの少なくとも一部と保持部13とが接触する。したがって、計測ステージ3保持部13がアースされることによって、計測ステージ3を介して第2導電膜155Bがアースされる。次に、本実施形態に係る露光装置EXの動作の一例について説明する。制御装置5は、計測部材C3を用いる計測処理を実行する際、射出面9と対向する位置に、計測ステージ3の保持部13に保持された計測部材C3を配置する。射出面9及び下面32と計測部材C3との間に供給口33から供給された液体LQが保持されることによって液浸空間LSが形成される。液浸空間LSの液体LQは、射出面9、下面32、及び上面Caに接触する。本実施形態において、計測部材C3上に供給された液体LQは、第1導電膜155A及び第2導電膜155Bとは接触しない。計測部材C3を含む空間像計測システム18を用いて投影光学系PLの空間像結像特性を計測するために、制御装置5は、照明系ILより露光光ELを射出して、投影光学系PLの物体面側に配置された計測用パターンを照明する。計測用パターンに照射され、投影光学系PLを通過した露光光ELは、射出面9から射出される。射出面9から射出された露光光ELは、液浸空間LSの液体LQを介して計測部材C3の第1導電膜155A計測部151の少なくとも一部に照射される。本実施形態においては、射出面9から射出された露光光ELは、液浸空間LSの液体LQ及び絶縁膜156を介して、第1導電膜155A計測部151に照射される。本実施形態においては、射出面9から射出された露光光ELは、計測部材C3の上面Caのうち、開口157Hの内側に照射され、撥液膜157には照射されない。換言すれば、露光光ELは、撥液膜157を介さずに、絶縁膜156を介して、計測部151第1導電膜155Aに入射する。第1導電膜155Aに照射された露光光ELは、第1導電膜155A導電膜153Aによって規定される開口153H計測部151を通過して、基材152に入射する。基材152に入射し、その基材152を通過した露光光ELは、空間像計測システム18の受光素子39に受光される。なお、本実施形態において、間隙G1絶縁部256の位置、大きさ、及び形状の少なくとも一つは、計測部材C3計測部151に露光光EL計測光が照射されても、計測部材C3を用いる計測に影響を与えないように定められている。換言すれば、開口157の内側に露光光ELが照射された場合において、その露光光ELは、間隙G1には照射されないように、その間隙G1の位置、大きさ、及び形状の少なくとも一つが定められている。計測部材C3の開口157Hに露光光ELを照射し、その計測部材C3を用いる計測が終了した後、制御装置5は、基板Pの露光を開始する。本実施形態においては、制御装置5は、計測部材C3を用いる計測結果に基づいて、射出面9側に形成された液浸空間LSの液体LQを介して基板Pを露光する。例えば、制御装置5は、計測部材C3を用いて計測された投影光学系PLの空間像の計測結果に基づいて、露光条件を調整し、その調整された露光条件で基板Pを露光する。露光条件は、例えば露光光ELの照射条件、及び投影領域PRに対する基板ステージ2基板Pの移動条件の少なくとも一方を含む。以上説明したように、本実施形態によれば、計測部151を含む第1導電膜155Aの周囲の少なくとも一部に、絶縁部256を介して第2導電膜155Bを配置し、その第2導電膜155Bをアースしたので、放電に起因する第1導電膜155Aの劣化、あるいは第1導電膜155Aによって規定される開口153Hの形状の変化等を抑制することができる。これにより、開口153Hを含む計測部151の劣化を抑制することができる。また、本実施形態によれば、第1導電膜155Aの周囲に絶縁部256が配置されており、第1導電膜155Aの面積を小さくすることができる。また、第1遮光膜155Aと他の部品/物質との間で放電を引き起こすような電位差が発生することが抑制される。その場合、計測部51開口153Hを形成する第1遮光膜155Aの劣化が抑制される。なお、第1遮光膜155Aとの間で放電を引き起こす可能性がある他の部品/物質として、液浸部材4、あるいは撥液膜157、あるいはその両方が挙げられるが、それらに限定されないことは言うまでもない。なお、本実施形態においては、第2導電膜155Bは、第1導電膜155Aの周囲に配置されることとした。第2導電膜155Bが、絶縁部256を介して、第1導電膜155Aの周囲の一部に配置されてもよいし、第1導電膜155Aの周囲に複数配置されてもよい。例えば、複数の第2導電膜155Bが、第1導電膜155Aの周囲の少なくとも一部において離散的に配置されてもよい。また、第1導電膜155Aの外側の一部の領域に、第2導電膜155Bが1つだけ配置されてもよい。また、第2導電膜155Bが複数配置される場合、それら全部の第2導電膜155Bのそれぞれがアースされてもよいし、複数の第2導電膜155Bのうち、一部の第2導電膜155Bのみがアースされてもよい。なお、本実施形態においては、開口157Hの内側において、第1導電膜155Aの上面の全部が絶縁膜156で覆われることとしたが、第1導電膜155Aの上面の一部のみが絶縁膜156で覆われ、第1導電膜155Aの一部が絶縁膜156で覆われないようにしてもよい。換言すれば、開口157Hの内側において、第1導電膜155Aの上面の一部が露出してもよい。なお、本実施形態においては、絶縁膜156を介して、計測部151開口153Hを含む第1導電膜155Aの少なくとも一部に計測光が照射されるが、撥液膜157及び絶縁膜156を介して、計測部151開口153Hを含む第1導電膜155Aの少なくとも一部に計測光が照射されてもよい。例えば、撥液膜157に開口157Hが形成されていなくてもよい。すなわち、撥液膜157が絶縁膜156の上面を覆っていてもよい。なお、本実施形態において、撥液膜157が無くてもよい。なお、本実施形態において、絶縁膜156は、第1導電膜155Aを覆っていなくてもよい。また、絶縁膜156は、第2導電膜155Bを覆っていなくてもよい。なお、上述の各実施形態においては、計測部材C等が計測ステージ3に搭載されることとしたが、終端光学素子10に対して移動可能な、計測ステージ3とは異なる移動部材に搭載されてもよい。例えば、計測部材Cが、基板ステージ2に搭載されてもよい。基板ステージ2等を含む移動部材が移動することによって、計測部材Cが、射出面9から射出される露光光ELが照射可能な位置投影領域PRに配置可能である。また、計測部材が複数設けられる場合、一部の計測部材が基板ステージ2に搭載され、一部の計測部材が計測ステージ3に搭載されてもよい。なお、計測部材Cが、基板ステージ2及び計測ステージ3とは異なる移動部材に搭載されてもよい。また、その移動部材に、電圧調整装置60に接続される配線を有してもよいし、移動部材全体が導電体でもよい。なお、上述の各実施形態においては、投影光学系PLの終端光学素子10の射出側像面側の光路が液体LQで満たされているが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子10の入射側物体面側の光路も液体LQで満たされる投影光学系PLを採用することができる。なお、上述の各実施形態においては、液体LQとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体LQとしては、露光光ELに対して透過性であり、露光光ELに対して高い屈折率を有し、投影光学系PLあるいは基板Pの表面を形成する感光材フォトレジストなどの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテルHFE、過フッ化ポリエーテルPFPE、フォンブリンオイル等のフッ素系液体を用いることも可能である。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハ等が適用される。露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。さらに、ステップアンドリピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよいスティッチ方式の一括露光装置。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップアンドスティッチ方式の露光装置にも適用できる。また、例えば米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクションアライナーなどにも本発明を適用することができる。また、露光装置EXが、例えば米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような、計測ステージを備えていない、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール回折格子を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれるを用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にラインアンドスペースパターンを露光する露光装置リソグラフィシステムにも本発明を適用することができる。上述の実施形態の露光装置EXは、上述の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図11に示すように、マイクロデバイスの機能性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理露光処理を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む205、検査ステップ206等を経て製造される。なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。