各読み取りから少なくとも1つの概略厚さ値RTWを得て、結果的に複数の概略厚さ値RTWを得るために、光学干渉法により物体の厚さTの複数回の読み取りを行う工程と、前記複数の概略厚さ値RTWを分析することにより、前記物体2の厚さTの実際値を決定する工程と、を備えた、物体2の厚さTを干渉法により光学的に計測する方法であって、前記複数の概略厚さ値RTWの少なくとも1つの有意な部分集合を含むのに十分広い、前記概略厚さ値RTWのばらつき区間を規定する工程と、前記ばらつき区間の前記概略厚さ値RTWの度数を求める工程と、互いに対して近接した値である複数の概略厚さ値RTWの限定されたセットであって、その度数の積分又は合計が絶対最大値を表すという限定されたセットを特定する工程と、前記物体2の厚さTの前記実際値を、前記限定されたセットの値に属する複数の概略厚さ値RTWの関数として決定する工程と、を備えたことを特徴とする方法。前記ばらつき区間の前記概略厚さ値RTWの度数を求める工程は、前記概略厚さ値RTWの度数密度を表す連続関数FRTWを処理する工程と、相対度数密度関数を計算する工程と、を含んでおり、前記互いに対して近接した値である複数の概略厚さ値RTWの限定されたセットは、限定された区間を規定しており、前記度数の積分又は合計は、前記限定された区間における前記連続関数FRTWの積分として規定されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記概略厚さ値RTWのばらつき区間を規定する工程は、前記概略厚さ値RTWの有意な部分集合を含むのに十分大きい複数の厚さ階級Cを決定する工程を含んでおり、前記ばらつき区間の前記概略厚さ値RTWの度数を求める工程は、各厚さ階級C毎にどのくらいの頻度で概略厚さ値RTWが当該厚さ階級Cに該当するかを示す対応度数Fを決定するように、前記概略厚さ値RTWを分類する工程を含んでおり、前記方法は、1又はそれ以上の近接する厚さ階級Cからなる厚さ階級Cのグループであって、当該グループにおける前記対応度数Fの和が絶対最大値を表す前記度数の積分又は合計を規定するという優勢グループGmaxを決定する工程を更に備え、前記互いに対して近接した値である複数の概略厚さ値RTWの限定されたセットは、前記厚さ階級Cの優勢グループGmaxにより規定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記厚さ階級Cmaxの優勢グループGmaxにおいて、最大度数Fmaxを有する厚さ階級Cを決定する工程と、前記物体2の厚さTの前記実際値を、前記最大度数Fmaxを有する前記厚さ階級Cmaxに属する前記概略厚さ値RTWの平均値として決定する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記物体2の厚さTの前記実際値を、前記互いに対して近接した値である複数の概略厚さ値RTWの限定されたセットに属する全ての概略厚さ値RTWを平均することにより決定する工程を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。前記物体2の厚さTの前記実際値の最小値Tmin及び最大値Tmaxを決定する工程、すなわち、前記物体2の厚さTの前記実際値の変動域の振幅ΔTを、前記互いに対して近接した値である複数の概略厚さ値RTWの限定されたセットに属する概略厚さ値RTWの最小値及び最大値の関数として決定する工程を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法。前記物体2の厚さTの連続的な計測を行う工程と、前記物体2の厚さTの前記実際値の最小値Tmin及び最大値Tmaxを決定する工程、すなわち、前記物体2の厚さTの前記実際値の変動域の振幅ΔTを、前記物体2の厚さTの連続的な計測によって決定された当該物体2の厚さTの前記実際値の最小値及び最大値の関数として決定する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法。前記物体2の厚さTの前記連続的な計測を行う間、前記物体を回転軸6の周りに回転させる工程と、前記回転軸6の周りの前記物体2の完全な一回転の間中ずっと前記連続的な計測が行われるというように、前記物体2の厚さTの前記連続的な計測を行う工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項7に記載の方法。各読取値と各概略厚さ値RTWとに対して対応質係数MFを有する工程と、各概略厚さ値RTWに割り当てられた重みが前記質係数MFが増大すると増大するというように、当該質係数MFを考慮しつつ前記概略厚さ値RTWの度数Fを決定する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の方法。各読取値と各概略厚さ値RTWとに対して対応質係数MFを有する工程と、最小質閾値MTminを設定する工程と、質係数MFが前記最小質閾値MTminよりも小さい全ての概略厚さ値RTWを除去する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の方法。前記物体2の厚さTの前記実際値を含む検索区間を特定する最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxを設定する工程と、前記最小リジェクト閾値Rminよりも小さいか或いは前記最大リジェクト閾値Rmaxよりも大きい全ての概略厚さ値RTWを除去する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の方法。公知の加工処理によって前記物体2の厚さTを漸次的に低減させるように前記物体2の表面を加工する工程と、前記物体2の表面加工の進行状態を前記加工処理の関数として決定する工程と、前記最小リジェクト閾値Rmin及び前記最大リジェクト閾値Rmaxを、前記物体2の前記表面加工の進行状態の関数として随時更新する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記物体2の厚さTの計測を連続して行う工程と、前記物体2の厚さTの最新の計測に使用される前記最小リジェクト閾値Rmin及び前記最大リジェクト閾値Rmaxを、前記物体2の厚さTの前回の計測の最後に決定された当該物体2の厚さTの前記実際値の関数として更新する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記物体2の厚さTの各計測毎に、前記物体2の厚さTの前記実際値の変動域の振幅ΔTを決定する工程と、前記物体2の厚さTの最新の計測に使用される前記最小リジェクト閾値Rmin及び前記最大リジェクト閾値Rmaxを、それぞれ、前記物体2の厚さTの前回の計測の最後に決定された当該物体2の厚さTの前記実際値から、当該物体2の厚さTの前回の計測の最後に決定された当該物体2の厚さTの前記実際値の変動域の前記振幅ΔTの半分の値を引き、且つ、前記物体2の厚さTの前回の計測の最後に決定された当該物体2の厚さTの実際値に、当該物体2の厚さTの前回の計測の最後に決定された当該物体2の厚さTの前記実際値の変動域の前記振幅ΔTの半分の値を加算することにより設定する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項13に記載の方法。各読み取りから少なくとも1つの概略厚さ値RTWを得て、結果的に複数の概略厚さ値RTWを得るために、光学干渉法により物体の厚さTの複数回の読み取りを行う工程と、前記複数の概略厚さ値RTWを分析することにより、前記物体2の厚さTの実際値を決定する工程と、前記物体2の厚さTの前記実際値を含む検索区間を規定する最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxを設定する工程と、前記最小リジェクト閾値Rminより小さいか或いは前記最大リジェクト閾値Rmaxより大きい全ての概略厚さ値RTWを除去する工程と、を備えた、物体2の厚さTを漸次的に低減させる物体2の表面加工中に、当該物体2の厚さTを干渉法により光学的に計測する方法であって、前記最小リジェクト閾値Rmin及び前記最大リジェクト閾値Rmaxを、前記物体2の厚さTの漸次的な低減の関数として随時更新する工程、を備えたことを特徴とする方法。前記物体2の厚さTを漸次的に低減させる前記物体2の表面加工は、公知の加工方法に従って行われ、前記方法は、前記物体2の表面加工の進行状態を、加工法則machininglawの関数として決定する工程と、前記最小リジェクト閾値Rmin及び前記最大リジェクト閾値Rmaxを、前記物体2の表面加工の進行状態の関数として随時更新する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項15に記載の方法。前記物体2の厚さTの連続的な計測を行う工程と、前記物体2の厚さTの最新の計測に使用される前記最小リジェクト閾値Rmin及び前記最大リジェクト閾値Rmaxを、前記物体2の厚さTの前回の計測の最後に決定された当該物体2の厚さTの前記実際値の関数として更新する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項15に記載の方法。前記物体2の厚さTの各計測毎に、当該物体2の厚さTの前記実際値の変動域の振幅ΔTを決定する工程と、前記物体2の厚さTの最新の計測に使用される前記最小リジェクト閾値Rmin及び前記最大リジェクト閾値Rmaxを、それぞれ、前記物体2の厚さTの前回の計測の最後に決定された当該物体2の厚さTの前記実際値から、当該物体2の厚さTの前回の計測の最後に決定された当該物体2の厚さTの前記実際値の変動域の前記振幅ΔTの半分の値を引き、且つ、前記物体2の厚さTの前回の計測の最後に決定された当該物体2の厚さTの前記実際値に、当該物体2の厚さTの前回の計測の最後に決定された当該物体2の厚さTの前記実際値の変動域の前記振幅ΔTの半分の値を加算することにより、設定する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記複数の概略厚さ値RTWの有意な部分集合を含むのに十分大きい複数の厚さ階級Cを決定する工程と、各厚さ階級C毎にどのくらいの頻度で前記概略厚さ値RTWが当該厚さ階級Cに該当するかを示す対応度数Fを決定するように、前記概略厚さ値RTWを分類する工程と、1又はそれ以上の近接する厚さ階級Cからなる厚さ階級Cのグループであって、当該グループにおける前記対応度数Fの和が絶対最大値を規定するという優勢グループGmaxを決定する工程と、前記物体2の厚さTの前記実際値を、厚さ階級Cの前記優勢グループGmaxに属する前記概略厚さ値RTWの関数として決定する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項15乃至18のいずれか一項に記載の方法。前記物体2の厚さTの前記実際値を、厚さ階級Cの前記優勢グループGmaxに属する全ての概略厚さ値RTWを平均することにより決定する工程を更に備えたことを特徴とする請求項19に記載の方法。前記物体2の厚さTの連続的な計測を行う工程と、後続する一連の計測値を分析することにより、当該後続する一連の計測値において常に一定であり続ける少なくとも1個の見込み寄生厚さ値と、当該寄生厚さ値に対応する厚さ階級Cに属する当該寄生厚さ値の概略厚さ値RTWの対応平均個数と、を決定する工程と、前記寄生厚さ値に対応する厚さ階級Cから、前記寄生厚さ値の概略厚さ値RTWの平均個数を除去する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項3、4、19又は20のいずれか一項に記載の方法。各読取値と各概略厚さ値RTWに対して対応質係数MFを持つ工程と、最小質閾値MTminを設定する工程と、質係数MFが前記最小質閾値MTminよりも小さい全ての概略厚さ値RTWを除去する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項15乃至21のいずれか一項に記載の方法。概略厚さ値RTWの少なくとも1つのリジェクト基準を決定する工程と、前記リジェクト基準に適合しない全ての概略厚さ値を除去する工程と、利用可能な概略厚さ値RTWの総数と比較して前記リジェクト基準に適合する概略厚さ値RTWの個数を表す受容可能百分率Aを決定する工程と、前記受容可能百分率Aが代表閾値RTより大きい場合のみ、前記物体2の厚さTの前記実際値を決定する工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至22のいずれか一項に記載の方法。前記物体2の厚さTの連続的な計測を行う工程であって、各計測は、光学干渉法により行われ計測区間の範囲内である前記物体の厚さTの所定の一定個数の読取値を使用する工程と、干渉法により行われた前記物体の厚さTの多数の読取値が先行する計測の最後の部分と後続する計測の最初の部分との両方に属するというように、連続する2度の計測の間において、時間の経過とともに前記計測区間を当該計測区間それ自身の長さよりも小さい長さだけ移す工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至23のいずれか一項に記載の方法。前記物体2は、半導体材料のスライスである、請求項1乃至24のいずれか一項に記載の方法。物体2の厚さTを干渉法により光学的に計測する装置であって、各読み取りから少なくとも1つの概略厚さ値RTWと結果的に複数の概略厚さ値RTWとを得るために、複数回の前記物体の厚さTの読み取りを行う、干渉法により厚さ計測を行う計測装置11と、請求項1乃至25のいずれか一項に記載された計測方法を実施する処理ユニット13と、を備えたことを特徴とする装置。図1において、参照符号1は、例えば半導体材料のスライス等の物体2を、半導体材料のスライス2上で当該材料の表面を徐々に除去する研削加工を行うために、機械的に加工する工作機械を全体的に示す。図2に示すように、半導体材料のスライス2は、より高い機械的頑強性、したがって扱い易さを提供する役目を果たす典型的にはプラスチック材料又はガラスから作られる支持層3上に載置されている。本明細書には説明されない他の実施の形態において、支持層3は、省略される。工作機械1は、鉛直回転軸6の周りに回転するように設けられた電動式回転テーブル5を有する支持器4を備えている。半導体材料のスライス2は、回転テーブル5の上に配置され、例えば吸引力により回転テーブル5に接触している。さらに、工作機械1は、操作器8を有する加工ヘッド7を備えている。操作器8は、研削工具9を鉛直回転軸10の周りに回転させ、且つ研削工具9を回転軸10に沿って鉛直方向に移動させるように、研削工具9を支持している。工作機械1は、半導体材料のスライスの厚さT図2に示すを干渉法により光学的に計測する計測装置11を備えている。計測装置11は、例えば、国際公開第WO2009013231A1号で公開された国際特許出願において記載されたタイプの計測装置である。計測装置11の更に詳細な説明のために、当該文献が参照される。計測装置11は、放射光源と、分光計と、光学プローブと、を有している。光学プローブは、光ファイバによって、放射光源及び分光計に接続されており、検査されるべき半導体材料のスライス2に対面する。また、光学プローブには、回転テーブル5上に載置された検査されるべき半導体材料のスライス2上に、放射光の光線12を集中させ、且つ検査されるべき半導体材料のスライス2により反射された放射光を集光するためのレンズを有している。分光計により、半導体材料のスライス2により反射された放射光間の干渉に起因する組合せのスペクトルが、分析される。このようなスペクトル分析から、反射された放射光により横断された材料の厚さの寸法を決定することができる。放射光源から放射される放射光は、多くの場合赤外線である。なぜなら、現在使用されている半導体材料はシリコンをベースとしており、シリコンは赤外線に対して十分に透過性を有しているからである。或いは、放射光は、特に薄い厚さを計測するために、より広いスペクトルを有している。放射された放射光の光線は、低い干渉性と所定の帯域の範囲内における複数の波長とを特徴とする。半導体材料のスライス2の厚さTの読取値を計測装置11から受け取って計測装置11によって提供された半導体材料のスライスの厚さTとして読み取られたこれらの値を利用するために、工作機械1は、計測装置11に接続された処理装置13を備え、以下に述べる方法に従って半導体材料のスライスの厚さTの実際値を決定する。したがって、計測装置11と処理装置13とは、半導体材料のスライス2の厚さを干渉法により光学的に計測する装置を構成する。また、工作機械1は、制御装置14を備えている。制御装置14は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を処理装置13から受け取って、支持器4と加工ヘッド7とを制御することにより、回転テーブル5の回転速度と研削工具9の回転速度と研削工具9の鉛直方向の位置とを調節することにより、半導体材料のスライス2の研削加工を制御する。特に、制御装置14は、予め規定されたそれ自体公知の加工処理に従って、半導体材料のスライス2の研削加工を制御する。一般に、この加工処理によれば、材料の除去速度単位時間における除去された材料の厚さは、半導体材料のスライス2の厚さTが所望の値に近づくのに伴って次第に低下される。研削加工による半導体材料のスライス2の厚さTの経時的変化の仕方の一例を、図6に示す。図6は、どのように半導体材料のスライス2の厚さTが加工当初は迅速に減少し、研削加工の終了頃にはこれよりずっと緩慢に減少していくか、を示している。半導体材料のスライス2の厚さTの各読み取りにおいて、半導体材料のスライス2の外面により反射された放射光と、半導体材料のスライス2の内部に存在し得る光学的不連続面により反射された放射光と、の干渉に起因する組合せのスペクトルが、分光計を用いて分析される。このようなスペクトル分析から、放射光が横断した光学的に均質の材料からなる1以上の層の厚さの寸法を決定することができる。特に、反射された放射光間の干渉に起因する組合せのスペクトルのこのような分析から始まって、計測装置11は、一般に互いに異なる複数の概略的な厚さ値RTWを決定する。実際には、半導体材料のスライス2により反射された放射光間の干渉に起因する組合せの分析から始まって、計測装置11は、反射された放射光が横断した材料の厚さの寸法を決定することができるが、計測装置11は、反射された放射光が実際に辿った道筋を決定することはできない。換言すれば、前述された組合せは、半導体材料のスライス2の外面上で、及び各光学的不連続面において半導体材料のスライス2の内部で発生した複数の反射の最終結果である放射光により生み出されるが、公知の装置においては、反射された放射光の組合せの中に存在し得る情報を用いて、直接的又は間接的に、光学プローブと反射を引き起こした各不連続面との間の距離を計測することはできない。したがって、半導体材料のスライス2により反射された放射光の組合せの分析は、光学的不連続面の対の間に配置された層の厚さの寸法を決定することはできるけれども、この厚さの寸法が割り当てられるべき半導体材料のスライス2の層又はその一部を決定することすなわち、厚さの寸法が、2回横断された第一の層に割り当てられるべきか、n回横断された第一の層に割り当てられるべきか、第二又は第三の層に割り当てられるべきか、或いは第二の層に追加された第一の層に割り当てられるべきか等を決定することはできない。好適な実施の形態によれば、計測装置11は、各概略厚さ値RTWについて、例えば特定の光強度と全体の光強度との間の比率に基づいて、対応質係数MFを定めることができる。実は、この質係数は、関連する読取値が計測されるべき厚さに対応しているということを示唆する手掛かりのひとつなのである。各読み取りの最後に、計測装置11は、決定された全ての概略厚さ値RTWを、利用可能な対応質係数MFの関数として整理し、処理装置13に、最大質係数を有する概略厚さ値RTWを3つだけ提供する。半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を決定するために、処理装置13は、計測装置11により読み取られた複数の連続する読取値典型的には、半導体材料のスライス2の完全な一回転に対応する読取値の数を使用し、したがって、複数の連続する概略厚さ値RTWを考慮する例えば、前述のように、計測装置11により行われる各読み取りにより、3つの概略厚さ値RTWに、関連する質係数MFが定められ得る。例として、図3は、計測装置11により実行された複数の連続する読み取りにより定められた複数の概略厚さ値RTWの分布を示すグラフである図3において、縦軸は、ミクロン単位の厚さ値を表しており、横軸は、ミリ秒単位の時間を表している。更なる例示として、スライス2が約300RPMの速度で回転し、計測装置が4KHzのデータ捕捉周波数を有する適用例において、処理された読取値の数は、800個であり、これは、-3つの値RTWが各読取値に対して提供される前述の場合において-2400個の概略厚さ値RTWに対応する。処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を、計測装置11により行われた複数の連続する読み取りにより提供された複数の概略厚さ値RTWを分析することにより決定することができる。処理装置13は、概略厚さ値RTWの度数発生数と、そのような度数の分布と、を求める。第一の実施手順によれば、初めに、概略厚さ値RTWのばらつき区間が、そのような複数の値RWTの有意な部分集合を含むのに十分広いように、決定される。次に、処理装置13は、前述のばらつき区間内の度数密度を表す連続関数FRTWを定めて処理し、次いで相対度数密度関数を計算する。図4Aは、例えば図3におけるグラフの概略厚さ値RTWのそのような関数FRTWに関する曲線を示している。以下の説明の大部分のために参照される他の好適な実施手順によれば、初期の段階において、処理装置13は、概略厚さ値RTWの前述のばらつき区間を、複数の概略厚さ値RTWの有意な部分集合を含むのに十分大きな複数の厚さ階級Cを決定することにより規定する。厚さ階級Cの分解度すなわち、各厚さ階級Cの幅は、好適にはミクロンの大きさオーダーである。続いて、処理装置13は、概略厚さ値RTWが前記厚さ階級Cに該当することとなる対応度数Fを決定するように、すなわち、どのくらいの頻度で概略厚さ値RTWが当該厚さ階級Cに該当するかを決定するように、各厚さ階級Cについて、概略厚さ値RTWの分類によって度数を求める。換言すれば、各厚さ階級Cにつき、処理装置13は、当該厚さ階級Cに含まれる概略厚さ値RTWが何度発生するかを決定する。すなわち、当該厚さ階級Cに含まれる概略厚さ値RTWの発生回数は、概略厚さ値RTWが当該厚さ階級Cに該当する度数Fを表す。例として、図4Bは、図3におけるグラフの概略厚さ値RTWが1ミクロンの分解度を有する一連の厚さ階級Cにいくつ該当するかを示すヒストグラムである図4Bにおいて、縦軸は、度数Fを表しており、横軸は、厚さ階級Cを表している。絶対度数F発生回数に代えて、絶対度数Fを厚さ階級Cの幅で分割することにより得られる特定の度数又は密度すなわち、単位長さ辺りの1つの度数を使用することができる。好適な実施の形態によれば、処理装置13は、計測装置11により提供された各概略厚さ値RTWに割り当てられる重みが単純発生simpleoccurrenceに対応する重みより大きくなるように、且つ質係数MFが増大するに連れて増大するように質係数MFを考慮することにより、概略厚さ値RTWが厚さ階級Cに該当することとなる度数Fを決定する。換言すれば、高い質係数MFを有する概略厚さ値RTWは、低い質係数MFを有する概略厚さ値RTWよりも、対応する厚さ階級Cの度数Fの計算にあたってより重みを付けられている。このように、より高い重要度が、より高い質係数MFを有する概略厚さ値RTWに対して与えられ、したがって計測されるべき厚さをより多く参照する概略厚さ値RTWに対して与えられる。相対質係数MFを有する値RTWの度数の類似の重み付け方法が、図4Aを参照して説明された連続関数を用いた場合において実施され得る。前記第一の実施手順によれば、次の工程は、-図4Aの横軸上の-関数FRTWの異なる限定された区間のうち、すなわち互いに対して近接した値である複数の概略厚さ値RTWの限定されたセット中において、度数の積分又は合計、特には関数FRTWの積分が絶対最大値を表す限定された区間を決定することと、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を前記隣接値の限定されたセットの値RTWの関数として決定することと、からなる。同様に、図4Bが示す好適な実施手順においては、一旦概略厚さ値が分類されると、処理装置13は、対応度数Fの合計が絶対最大値を表す1又はそれ以上の近接する厚さ階級Cからなる厚さ階級Cの優勢グループGMAXを決定する図4Bのヒストグラム図参照。実質的には、前記好適な実施手順によれば、厚さ階級Cの優勢グループGMAXは、積分又は合計が絶対最大値を表すという互いに対して近接した値である複数の概略厚さ値RTWの限定されたセットを含んでこれを規定する。したがって、処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を、厚さ階級Cの優勢グループGMAXの関数として決定する。換言すれば、ヒストグラム中の度数である全ての度数Fのうち、処理装置13は、存在する全てのグループG相対度数Fが有意にゼロでないという近接する厚さ階級Cの全てのセットを決定し、そして全ての存在するグループGを比較することにより厚さ階級Cの優勢グループGMAXを認定する。厚さ階級Cの優勢グループGMAXを認定するために、処理ユニット13は、全グループGの度数Fの和を計算し、最も大きい度数Fの和度数の積分又は合計の絶対最大値を調べる。一般的に、厚さ階級Cの優勢グループGMAXは、複数の近接する厚さ階級Cを含んでいるが、単一の厚さ階級Cしか含まない場合もあり得る。図5に示すように、厚さ階級CのグループGを決定するしたがって厚さ階級Cの優勢グループGMAXをも決定するために、処理ユニット13は、最初に、ある局所的な領域において最も高い度数FMAXを有するすなわち、厚さ階級Cの比較的高い区間における相対最大値を局所的に表す厚さ階級CMAXを決定し、そのような厚さ階級CMAXに、比較的高い度数Fを有する近接する厚さ階級Cこれらは左方及び右方の厚さ階級Cであるを合併させる。例えば、厚さ階級CのグループGは、最大度数FMAXを有する厚さ階級CMAXに、厚さ階級CMAXの度数FMAXの少なくとも10或いは、例えば12.5又は6.25等の他の所定の百分率に等しい度数Fを有する近接する全ての厚さ階級Cを合併することにより形成される。以上の説明は、例として、図4Bのヒストグラムの詳細を拡大した尺度で表す図5に示されている。図5は、最大度数FMAXを有する厚さ階級CMAXを示しており、水平の破線は、例えば厚さ階級CMAXの度数FMAXの10に等しい度数限界を示している。厚さ階級CMAXに近接するとともに厚さ階級CMAXの度数FMAXの10より大きい度数Fを有する厚さ階級C灰色で示されているが、厚さ階級CMAXに合併される一方、厚さ階級CMAXに近接するとともに厚さ階級CMAXの度数FMAXの10より小さい度数Fを有する厚さ階級Cは、厚さ階級CMAXに合併されない。前述の第一の実施手順図4Aによれば、関数FRTWの限定された区間、または互いに対して近接した値である複数の概略厚さ値RTWの限定されたセットは、同様の方法で決定され得る。すなわち最大度数FMAXRTWを検出し、度数が相対最大度数FMAXRTWの例えば10に等しいという概略厚さ値RTWにより画定される区間、すなわち窓windowΔRTW図4Aを規定することにより決定できることが注目される。図4Bが示す好適な実施手順のヒストグラムにおいて、一連の相対最大値である最大度数FMAXを局所的に有するさらなる厚さ階級CMAXを特定することができる。この場合、処理装置13は、局所的に最大度数FMAXを有する各厚さ階級CMAXについて、厚さ階級Cの対応グループGを決定し、厚さ階級Cの各グループGについて、度数の積分又は合計、更に具体的には対応度数Fの和すなわち、厚さ階級CのグループGに属する全ての厚さ階級Cの度数Fの和を計算し、最終的に、対応度数Fの最大の和を有する厚さ階級Cの優勢グループGMAXを特定する。好適な実施の形態によれば、処理装置13は、厚さ階級Cの優勢グループGMAXの厚さ階級Cに属する概略厚さ値RTWを平均することにより、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を決定する。他の実施の形態によれば、処理装置13は、厚さ階級Cの優勢グループGMAXにおいて、最大度数FMAXを有する厚さ階級CMAXを決定し、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値が最大度数FMAXを有する厚さ階級CMAXに属する全ての概略厚さ値RTWの平均値に等しいことを規定する。半導体材料のスライス2は、回転軸6の周りを回転テーブル5が回転していることから、計測装置11の読み取りの間は継続的に動作していることに注意しなければならない。したがって、計測装置11に読み取られて処理アルゴリズムにおいて考慮される概略厚さ値RTWは、半導体材料のスライス2の同一箇所を表すものではなく、円周弧circumferencearcこの円周弧circumferencearcの角度は、周角の10分の1に対応する少なくとも36°の大きさを一般的に有するが、周角である360°にまで達し得るに沿って位置する半導体材料のスライス2の一連の箇所を表すものである。前記円周弧circumferencearcの範囲内において、半導体材料のスライス2の厚さTは、例えば想定される材料の不均一性のために、通常、一定ではない。したがって、円周弧circumferencearcに沿った概略厚さ値RTWの読み取りは、当該円周弧circumferencearcに沿った厚さTの平均値を表す厚さTの実際値を決定することができるだけでなく、当該円周弧circumferencearcに沿った半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最小値Tmin及び最大値Tmaxであって当該環状弧に沿ってどのように厚さTの実際値が変化するかを表す最小値Tmin及び最大値Tmaxをも決定することができる。一般に、処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最小値Tmin及び最大値Tmaxを決定する。すなわち、処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の変動域の振幅ΔTを決定する。なぜならば、そのようなデータは、研削工具9により実施される加工を正確に制御するのに有用であり得るからである。半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最小値Tmin及び最大値Tmaxは、振幅ΔTΔT=Tmax-Tminを有する半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の変動域を定める2つの極限値を表している。第一の実施の形態によれば、処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最小値Tmin及び最大値Tmaxを決定する。すなわち、処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の変動域の振幅ΔTを、厚さ階級Cの優勢グループGMAXに属する概略厚さ値RTWの最小値及び最大値の関数として決定する。前記最小値及び最大値は、例えば、そのような概略厚さ値RTWの分布における標準偏差についての処理に基づいて評価され得る。換言すれば、厚さ階級Cの優勢グループGMAXに属する概略厚さ値RTWのうち最も小さい値であると評価される概略厚さ値は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最小値Tminを表している一方、厚さ階級Cの優勢グループGMAXに属する概略厚さ値RTWのうち最も大きい値であると評価される概略厚さ値は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最大値Tmaxを表している。そのような方法は、典型的に、半導体材料のスライス2の厚さTの一回の計測に用いられる概略厚さ値RTWが長い円周弧circumferencearc長さが周角に近いか又は等しい円周弧circumferencearcに沿って読み取られる時、適用される。他の実施の形態によれば、半導体材料のスライス2の厚さTの一回の計測に用いられる概略厚さ値RTWが短い円周弧circumferencearc角度の大きさが例えば周角の1/10、すなわち36°に等しい円周弧circumferencearcに沿って読み取られる時、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最小値Tmin及び最大値Tmaxを決定するために、すなわち半導体材料のスライスの厚さTの実際値の変動域の振幅ΔTを決定するために、半導体材料のスライス2の厚さTの更に多くの連続的な計測値が、考慮される。この場合、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最小値Tmin及び最大値Tmax、すなわち半導体材料のスライスの厚さTの実際値の変動域の振幅ΔTは、半導体材料のスライス2の厚さTの一連の計測値により決定される半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最小値及び最大値の関数として決定されるすなわち、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最小値Tmin及び最大値Tmaxは、それぞれ、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最小値Tmin及び最大値Tmaxに等しい。完璧に信頼し得る結果を得るために、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の最小値Tmin及び最大値Tmaxを決定するために考慮される半導体材料のスライス2の厚さTの一連の計測値は、半導体材料のスライス2の完全な一回転に一致している必要がある。好適な実施の形態によれば、処理装置13のメモリに格納された最小質閾値MTminが、決められている。概略厚さ値RTWを分類する前に、処理装置13は、質係数MFが最小質閾値MTminより小さい全ての概略厚さ値RTWを除外する拒絶する。このようにして、小さすぎるしたがって顕著な計測エラーによって影響される可能性がある質係数MFを有する概略厚さ値RTWは、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を決定する際に考慮されない。例えば、質係数MFの範囲が0から100に亘っている場合、30乃至20より小さい質係数MFを有する概略厚さ値RTWが、拒絶され得る。好適な実施の形態によれば、処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を含む検索区間を定める最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxを設定し、最小リジェクト閾値Rminより小さく最大リジェクト閾値Rmaxより大きい概略厚さ値RTWの全てを除外する拒絶する。換言すれば、最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxにより定められる検索区間は、検索領域を縮小するべく、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値が検索されるべき場所を定めている。半導体材料のスライス2の厚さTの漸次的な低減を起こす半導体材料のスライス2の表面加工中、処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの漸次的低減に追随するために、最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxを、半導体材料のスライス2の表面加工の進行状態の関数として、随時更新する。前述されたことは、表面加工中の半導体材料のスライス2の厚さTの経時的変化、したがって最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxの経時的変化を示す図6に図示されている。第一の実施の形態によれば、処理装置13は、半導体材料のスライス2の表面加工の進行状態を、加工処理の関数前述のように、それは表面加工の進行状態を制御するとして決定し、これにより、最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxを表面加工の進行状態の関数として随時更新する。具体的には、加工処理は、材料除去速度VAすなわち、単位時間当たりに除去される材料厚さを定める。したがって、半導体材料のスライス2の厚さTが制御時点tPCこの制御時点tPCは典型的には材料除去速度VAにおける最終変化に対応するにおいて値TPCを取るとわかっていれば、以下の式を用いることによりリジェクト閾値Rmin及びRmaxを随時更新することがより容易となる。[1]Rmint=TPC-VA×t-tPC-MSC[2]Rmaxt=TPC-VA×t-tPCMSCここで、Rmintは時点tにおける最小リジェクト閾値、Rmaxtは時点tにおける最大リジェクト閾値、TPCは制御時点tPCにおける半導体材料のスライス2の厚さTの値、tPCは制御時点、VAは材料除去速度、MSCは材料の理論的除去値と材料の実際除去値との間の最大偏差通常実験により予め設定されている、を表す。第二の実施の形態によれば、半導体材料のスライス2の厚さTの計測は、連続して行われ、処理装置13は、厚さTの最新の計測に使用される最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxを、厚さTの前回の計測の最後に決定された厚さTの実際値の関数として更新する。好適には、前述の方法によれば、処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの各計測毎に、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の変動域の振幅ΔTも決定する。そして、処理装置13は、前回の計測の最後に決定された厚さTの実際値から前回の計測の最後に決定された厚さTの実際値のそのような変動域の振幅ΔTの半分の値を差し引き、且つ前回の計測の最後に決定された厚さTの実際値に前回の計測の最後に決定された厚さTの実際値のそのような変動域の振幅ΔTの半分の値を加算することにより、半導体材料のスライス2の厚さTの最新の計測に使用される最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxを設定する。変動域の振幅ΔTの半分の値には、10-30の範囲の安全係数KSが、加算され得る、或いはされ得ない。換言すれば、リジェクト閾値Rmin及びRmaxは、以下の式を用いることにより更新され得る。[3]Rmin-i=Ti-1-ΔTi-1/2×1KS[4]Rmax-i=Ti-1ΔTi-1/2×1KSここで、Rmin-iは半導体材料のスライス2の厚さTのi回目の計測に使用される最小リジェクト閾値、Rmax-iは半導体材料のスライス2の厚さTのi回目の計測に使用される最大リジェクト閾値、Ti-1はi-1回目の計測の最後に決定された半導体材料のスライス2の厚さTの実際値、ΔTi-1はi-1回目の計測の最後に決定された半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の変動域の振幅、KSは安全係数を表す。他の実施の形態によれば、リジェクト閾値Rminと、上述の変動域の振幅ΔTよりも大きい又は小さいリジェクト閾値Rmaxと、の間の距離を選択することができる。リジェクト閾値Rmin及びRmaxは静的すなわち常に一定ではなく動的すなわちそれらは半導体材料のスライス2の厚さTの実際値の経時的変化に追随して継続的に変動するものであるから、リジェクト閾値Rmin及びRmaxは、厚さTを計算するために処理から除かれた概略厚さ値の除去に、したがって前記処理の効率と厚さTの実際値の決定における精度の向上に、特に有効である。そのような効果が実現できるのは、リジェクト閾値Rmin及びRmaxが動的なものであるため、これらが非常に狭い受容可能区間を定め得るからである。半導体材料のスライス2の厚さTの第一回目の計測が実施される時、最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxを決定するために参照され得る先行の計測結果が、存在しない。したがって、半導体材料のスライス2の厚さTの第一回目の計測が実施される時には、最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxの採用値は、半導体材料のスライス2の公称特性nominalfeatures及び当該公称特性nominalfeaturesの許容差の関数として予め定められ計算される。典型的には、公称特性nominalfeaturesの関数として計算されたリジェクト閾値Rmin及びRmaxの当初所定値は、広い区間を含むものであるが、この区間は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値のより多くの計測値が利用できるようになるにつれて次第に縮小される。実行可能な特定の解決法によれば、最初は、リジェクト閾値Rminとリジェクト閾値Rmaxとの間に含まれる当初の広い範囲は、当初計測値の所定の持続性が検出されるまで有効であり続ける。例えば、アルゴリズムにより生成された1回目の計測値は、それが限定された所定の範囲例えば3ミクロンを超えない小さい変動で少なくともN回連続して例えばN=100持続した時に得られる。そして、この局面において、リジェクト閾値Rmin及びRmaxは、当初の理論的厚さとその許容差とに基づいて引き続き決定される。この特定の解決法は、その後の自動的限定が決定される基礎となる当初の値に、より高い信頼性を与える役割を果たす。好適な実施の形態によれば、2つのリジェクト基準に適合しない概略厚さ値RTWすなわち、最小リジェクト閾値Rminより小さい概略厚さ値RTWか、最大リジェクト閾値Rmaxより大きい概略厚さ値RTWか、或いは最小質閾値MTminより小さい質係数MFを有する概略厚さ値RTWを拒絶した後、処理装置13は、利用可能な概略厚さ値RTWの総数と比較したリジェクト基準に適合する概略厚さ値RTWリジェクト基準に基づく拒絶後に残っている概略厚さ値の数を表す受容可能百分率Aを決定する。さらに、受容可能百分率Aが代表閾値RTより大きい場合のみ、処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を決定する。そのような条件は、有意な数の概略厚さ値RTWを利用可能な場合にのみ、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値が決定されることを保証する。実際に、利用する概略厚さ値RTWの数が少なすぎると、半導体材料のスライス2の厚さTの決定において無視できないミスを招く危険がある。受容可能百分率Aが代表閾値RTより大きくないため半導体材料のスライス2の厚さTの実際値が決定され得ない時、処理装置13は、好適には受容可能百分率Aを増加させるために、概略厚さ値RTWの少なくとも一方のリジェクト基準を変更する。典型的には、少なくとも一方のリジェクト基準が変更された後においても受容可能百分率Aが代表閾値RTより小さい場合、処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を決定せず、失敗した計測値missedmeasurementを送る。考えられ得る実施の形態によれば、処理装置13は、半導体材料のスライス2の厚さTの一連の連続計測値を分析することにより、概ね常に一定であり続ける少なくとも1つの見込み寄生厚さ値と、当該寄生厚さ値に対応する厚さ階級Cに属する寄生厚さ値の概略厚さ値RTWの相対平均個数と、を決定する。したがって、寄生厚さ値を決定した後、処理装置13は、寄生値に対応する厚さ階級Cから、寄生厚さ値の概略厚さ値RTWの平均個数を除去する。このようにして、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値が減少する際に寄生値と交わるとき、マイナス効果を有し得る寄生値の影響を取り除くことができる。前述されたことは、図7a乃至図7dに例示されている。図7a、図7b、図7c及び図7dの4つの図を比較すると、厚さ階級Cの優勢グループGMAXと、厚さ階級Cの2つの少数グループGP1及びGP2と、が存在することが理解される。厚さ階級Cの優勢グループGMAXは、研削工具9による表面加工により時間の経過とともに次第に小さい値の方へ移動する。これに対し厚さ階級Cの2つの少数グループGP1及びGP2は、時間を経ても常に概ね一定であり続ける。処理装置13は、厚さ階級Cの2つの少数グループGP1及びGP2が時間を経ても常に概ね一定であること、したがって少数グループGP1及びGP2は、研削工具9により実施される表面加工により時間の経過とともに減少すべき半導体材料のスライス2の厚さTを表し得ないことを認識する。厚さ階級Cの優勢グループGMAXが厚さ階級Cの少数グループGP2を横切るすなわち重なる時、優勢グループGMAXは、図7bに示されるように少数グループGP2によって変形される。そのような変形を避けるため、処理装置13は、少数グループGP2が優勢グループGMAXを横切る時、図7cに示すように優勢グループGMAXに重なる少数グループGP2を削除する。前述のように、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を決定するために、処理装置13は、計測装置11により行われた複数の連続読み取りを利用し、これにより複数の概略厚さ値RTWを考慮する計測装置11による読み取りは、例えば1つの概略厚さ値RTW、或いは、前述の実施の形態によれば、3つの概略厚さ値RTWを提供する。好適な実施の形態によれば、半導体材料のスライス2の厚さTの各計測は、計測時間区間の範囲において厚さTの所定の一定数の読取値を利用する。連続する2度の計測の間に、処理装置は、時間の経過とともに計測時間区間を、厚さTの多数の読取値が先行する計測の最後の部分と後続する計測の最初の部分との両方に属するように、計測時間区間それ自身の長さよりも小さい長さだけ移す。半導体材料のスライス2の厚さTを干渉法により光学的に計測する前述の方法は、半導体材料のスライス2の厚さTに対応する概略厚さ値RTWが他の全ての値よりも非常に高い頻度で発生するか、及び/又は他の全ての値よりも平均して高い質係数MFを有しているという仮説に基づいている。多くの実験が、そのような仮説が正しいものであると証明しており、したがって前述の方法は信頼し得るものである。本発明による他の方法においては、厚さTは、これまで説明してきた方法とは異なる方法で、例えば、公知の方法による質係数MFに基づいて、或いは検出された他の値よりも理論的な予め設定された厚さ値に近い概略厚さ値RTWを考慮することにより、最初に決定され得る。しかしながら、本発明によるそのような別の方法において、最小リジェクト閾値Rmin及び最大リジェクト閾値Rmaxは、例えばこれまで説明してきた方法のうちの1つを用いることにより、動的な態様で定められる。半導体材料のスライス2の厚さT、又は使用される放射光に対して少なくとも部分的に透過性を有する他の材料で作られた物体の厚さTを干渉法により光学的に計測する前述の方法は、多くの利点を提供する。第一に、前述の方法は、半導体材料のスライス2の厚さTの実際値を迅速且つ正確に決定することができる。実際に、多くの実験が、前述の方法が半導体材料のスライス2の厚さTの実際値をわずかなエラーのみで決定できることを実証してきた。さらに、前述の方法は、操作パラメータを調整するための外的介入を全く必要としない。それどころか、そのような方法は、各状況において最大の精度を提供するために、最新の計測の特性に対する外的介入なしに自律的に適応可能である。したがって、前述の方法は、連続生産中の生産ラインにおける使用に特に適している。最後に、前述の方法は、大きい処理パワーを必要とせず、大きな収納スペースもとらない。したがって、前述の方法は、制御装置14に一体化することも可能な既存のすなわち簡単に更新し得る処理装置13において簡単且つ安価に実施できる。