第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層とを有する半導体層と、前記第2の面に設けられたp側電極と、前記p側電極に対して分離して前記半導体層に設けられたn側電極と、を備え、前記p側電極は、前記第2の面に接して前記半導体層に選択的に設けられ、ニッケル、金およびロジウムのうちの少なくとも1つを含む複数のコンタクトメタルと、前記複数のコンタクトメタルの間で前記第2の面に接して前記半導体層に設けられ、前記コンタクトメタルよりも前記発光層が放出する光に対する透過率が高いシリコン酸化膜である透明膜と、前記コンタクトメタルに接して前記コンタクトメタル上及び前記透明膜上に設けられ、銀を含み、前記コンタクトメタルよりも、前記発光層が放出する光に対する反射率が高い反射メタルと、を有し、前記反射メタルにおける前記発光層側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記半導体層と接する面積の総和よりも大きく、前記透明膜の前記半導体層側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記半導体層と接する面積の総和よりも大きく、前記透明膜の前記反射メタル側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記反射メタルと接する面積の総和よりも大きく、前記コンタクトメタルと、前記半導体層のうち前記コンタクトメタルと接触する部分の半導体とのショットキーバリアハイトは、前記半導体と前記反射メタルとのショットキーバリアハイトよりも小さい半導体発光装置。第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層とを有する半導体層と、前記第2の面に設けられたp側電極と、前記p側電極に対して分離して前記半導体層に設けられたn側電極と、を備え、前記p側電極は、前記第2の面に接して前記半導体層に選択的に設けられた複数のコンタクトメタルと、前記複数のコンタクトメタルの間で前記第2の面に接して前記半導体層に設けられ、前記コンタクトメタルよりも前記発光層が放出する光に対する透過率が高い透明膜と、前記コンタクトメタルに接して前記コンタクトメタル上及び前記透明膜上に設けられた、銀を含む反射メタルと、を有し、前記反射メタルにおける前記発光層側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記半導体層と接する面積の総和よりも大きい半導体発光装置。前記透明膜の前記半導体層側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記半導体層と接する面積の総和よりも大きく、前記透明膜の前記反射メタル側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記反射メタルと接する面積の総和よりも大きい請求項2記載の半導体発光装置。前記コンタクトメタルは、ニッケル、金およびロジウムのうちの少なくとも1つを含む請求項2または3に記載の半導体発光装置。前記透明膜は、シリコン酸化膜である請求項2~4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記透明膜は、ITOIndiumTinOxide膜である請求項2~4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記コンタクトメタルと、前記半導体層のうち前記コンタクトメタルと接触する部分の半導体とのショットキーバリアハイトは、前記半導体と前記反射メタルとのショットキーバリアハイトよりも小さい請求項2~6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記コンタクトメタルは、前記反射メタルよりも、前記発光層が放出する光に対する反射率が低い請求項2~6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記反射メタルと前記半導体層との間の前記コンタクトメタルの膜厚と、前記反射メタルと前記半導体層との間の前記透明膜の膜厚とが、ほぼ同じである請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記反射メタルと前記半導体層との間の前記コンタクトメタルの膜厚は、前記反射メタルと前記半導体層との間の前記透明膜の膜厚よりも薄く、前記透明膜の間の前記コンタクトメタル上に前記反射メタルが設けられている請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記第2の面は、前記発光層に対向する発光領域と、前記発光層に対向しない非発光領域とを有し、前記p側電極は前記第2の面における前記発光領域に設けられ、前記n側電極は前記第2の面における前記非発光領域に設けられた請求項1~10のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記複数のコンタクトメタルが前記半導体層と接する面積の総和は、前記第2の面における前記発光領域の面積よりも小さい請求項11記載の半導体発光装置。前記第2の面側に設けられた第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に設けられるとともに、前記第1の絶縁層を貫通する第1のビアを通じて前記p側電極と接続されたp側配線部と、前記第1の絶縁層上に設けられるとともに、前記第1の絶縁層を貫通する第2のビアを通じて前記n側電極と接続されたn側配線部と、をさらに備えた請求項11または12に記載の半導体発光装置。前記p側配線部は、前記第1の絶縁層上に設けられたp側配線層と、前記p側配線層上に設けられ、前記p側配線層よりも厚いp側金属ピラーと、を有し、前記n側配線部は、前記第1の絶縁層上に設けられたn側配線層と、前記n側配線層上に設けられ、前記n側配線層よりも厚いn側金属ピラーと、を有する請求項13記載の半導体発光装置。前記p側配線部と前記n側配線部との間に設けられた第2の絶縁層をさらに備えた請求項13または14に記載の半導体発光装置。前記第1の絶縁層は、前記半導体層の前記第1の面から続く側面を覆っている請求項13~15のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記n側配線層と前記n側金属ピラーとの接続面積は、前記n側配線層と前記n側電極との接続面積よりも大きい請求項14~16のいずれか1つに記載の半導体発光装置。半導体発光装置のp側電極における高反射性及び低接触抵抗の両立を図る。実施形態によれば、半導体発光装置は、第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層とを有する半導体層と、前記第2の面に設けられたp側電極と、前記p側電極に対して分離して前記半導体層に設けられたn側電極と、を備えている。前記p側電極は、前記第2の面に接して前記半導体層に選択的に設けられた複数のコンタクトメタルと、前記複数のコンタクトメタルの間で前記第2の面に接して前記半導体層に設けられ、前記コンタクトメタルよりも前記発光層が放出する光に対する透過率が高い透明膜と、前記コンタクトメタルに接して前記コンタクトメタル上及び前記透明膜上に設けられた、銀を含む反射メタルと、を有している。前記反射メタルにおける前記発光層側の面の面積は、前記複数のコンタクトメタルが前記半導体層と接する面積の総和よりも大きい。以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各実施形態および各図面で、共通する要素には同じ符号を付している。第1実施形態図1は、第1実施形態の半導体発光装置1の模式断面図である。半導体発光装置1は、半導体層15を含み、その半導体層15の第1の面15aから主に光が外部に放出される。半導体層15における第1の面15aの反対側の第2の面に、p側電極14及びn側電極22が設けられている。半導体層15は、第1の半導体層11と第2の半導体層12を有する。第1の半導体層11及び第2の半導体層12は、例えば窒化ガリウムを含む材料からなる。第1の半導体層11は、例えば電流の横方向経路として機能するn型層などを含む。第2の半導体層12は、p型層と発光層活性層12aを含む。半導体層15の第2の面は、凹凸形状に加工され、発光層12aの一部が除去されている。したがって、半導体層15の第2の面は、発光層12aに対向する発光領域16と、発光層12aに対向しない非発光領域17とを有する。p側電極14は第2の面における発光領域16に設けられ、n側電極22は第2の面における非発光領域17に設けられている。第2の面において、発光領域16の面積は非発光領域17の面積よりも広い。p側電極14における後述する反射メタル20の半導体層15側発光層12a側の面積は、n側電極22が第1の半導体層11と接する面積よりも広い。p側電極14は、複数のコンタクトメタル18と、発光層12aが放出する光に対して透過性を有する透明膜としてのシリコン酸化膜19と、発光層12aが放出する光に対して反射性を有する反射メタル20とを含む。複数のコンタクトメタル18は、半導体層15の第2の面に接して第2の半導体層12に選択的に設けられている。複数のコンタクトメタル18は、図5bに示すように、第2の面上に例えば島状にレイアウトされている。コンタクトメタル18の平面形状は、円形に限らず、角形であってもよい。あるいは、複数のコンタクトメタル18は、格子状やライン状に形成されてもよい。コンタクトメタル18は、半導体層15の第2の面にオーミック接触している。コンタクトメタル18は、半導体層15に含まれるガリウムGaと合金を形成可能な、例えば、ニッケルNi、金AuおよびロジウムRhのうちの少なくとも1つを含む。複数のコンタクトメタル18の間には、コンタクトメタル18よりも発光層12aが放出する光に対する透過率が高いシリコン酸化膜19が設けられている。シリコン酸化膜19は、複数のコンタクトメタル18の間を埋め、第2の面に接して第2の半導体層12に設けられている。複数のコンタクトメタル18が第2の半導体層12と接する面積の総和は、第2の面における発光領域16の面積よりも小さい。図5bの平面視において、発光領域16上におけるシリコン酸化膜19の面積は、複数のコンタクトメタル18の面積の総和よりも大きい。さらに具体的には、シリコン酸化膜19が第2の半導体層12と接する面積は、複数のコンタクトメタル18が第2の半導体層12と接する面積の総和よりも大きく、シリコン酸化膜19が反射メタル20と接する面積は、複数のコンタクトメタル18が反射メタル20と接する面積の総和よりも大きい。また、シリコン酸化膜19は、発光領域16と非発光領域17との間の段差部を被覆している。この段差部のシリコン酸化膜19は、p側電極14とn側電極22との間、および後述するp側パッドメタル21とn側パッドメタル23との間を絶縁する。複数のコンタクトメタル18及びシリコン酸化膜19上に、反射メタル20が設けられている。反射メタル20は、図5dに示すように、第2の面の発光領域16のほぼ全体に広がっている。また、反射メタル20は、複数のコンタクトメタル18に接し、複数のコンタクトメタル18と電気的に接続されている。反射メタル20における半導体層15側発光層12a側の面の面積は、複数のコンタクトメタル18が第2の半導体層12と接する面積の総和よりも大きい。また、反射メタル20における半導体層15側発光層12a側の面の面積は、複数のコンタクトメタル18が反射メタル20と接する面積の総和よりも大きい。また、反射メタル20における半導体層15側発光層12側の面の面積は、図5dの平面視において最外周のコンタクトメタル18をつないで形成される領域の面積よりも大きい。反射メタル20と半導体層15との間のコンタクトメタル18の膜厚と、反射メタル20と半導体層15との間のシリコン酸化膜19の膜厚とはほぼ同じであり、反射メタル20はほぼ平坦な面上に設けられている。反射メタル20は、コンタクトメタル18よりも発光層12aが放出する光に対する反射率が高く、主成分として銀Agを含む。反射メタル20として、銀膜を用いることもできるし、銀の合金膜を用いることができる。逆に言えば、コンタクトメタル18は、反射メタル20よりも発光層12aが放出する光に対する反射率が低い金属材料が用いられ、前述したように、例えば、ニッケルNi、金AuおよびロジウムRhのうちの少なくとも1つを含む。ただし、コンタクトメタル18と半導体層15との接触抵抗は、反射メタル20を半導体15に接触させた場合の接触抵抗よりも低い。すなわち、コンタクトメタル18と、半導体層15のうちコンタクトメタル18と接触する部分の半導体窒化物半導体とのショットキーバリアハイトは、その窒化物半導体と反射メタル20とのショットキーバリアハイトよりも小さい。したがって、p側電極14に正電位を印加したとき、コンタクトメタル18を半導体層15に接触させた構造の方が、反射メタル20を半導体層15に接触させた構造よりも、金属から半導体へ電流が多く流れる。銀を含む反射メタル20は、光の外部への主な取り出し面である第1の主面15aの反対側に向かう光を反射させて第1の主面15a側へと向かわせる反射膜として機能する。銀の反射率は、600nm以上の光に対して98、500~600nm付近の光に対して98、450~500nm付近の光に対して97と、可視領域の波長において高い反射率を有する。ただし、銀はGaNに対してオーミックコンタクトをとり難い。そこで、実施形態によれば、反射メタル20は半導体層15と接触させずに、コンタクトメタル18を半導体層15と接触させている。すなわち、p側電極14において、コンタクトメタル18に半導体層15との電気的導通を担わせている。反射メタル20は第2の面の発光領域16のほぼ全体にわたって広がって設けられ、反射メタル20よりも反射率に劣る複数のコンタクトメタル18が半導体層15と接する面積の総和は、反射メタル20の半導体層15側の面の面積よりも小さい。したがって、実施形態によれば、半導体発光装置1のp側電極14における高光反射性及び低接触抵抗の両立を図ることができる。また、半導体層15の第2の面と、反射メタル20との間において、コンタクトメタル18が設けられていない部分には、発光層12aが放出する光に対してコンタクトメタル18よりも透過率が高い透明膜としてシリコン酸化膜19が設けられている。そのシリコン酸化膜19の半導体層15側の面の面積は、複数のコンタクトメタル18が半導体層15と接する面積の総和よりも広く、シリコン酸化膜19の反射メタル20側の面の面積は、複数のコンタクトメタル18が反射メタル20と接する面積の総和よりも広い。したがって、反射メタル20における半導体層15側発光層12a側の面に、広い反射面を確保できる。反射メタル20上には、p側パッドメタル21が設けられている。また、p側パッドメタル21は、反射メタル20の端部側面も覆っている。p側パッドメタル21は、反射メタル20よりも厚い。p側パッドメタル21は、例えば、反射メタル20側から順に積層されたチタンTi膜と、白金Pt膜と、金Au膜とを有する。それらの膜の中で金膜が最も厚く、p側パッドメタル21における電気導通を担う。チタン膜は、反射メタル20の銀との密着性に優れる。白金膜は、金膜の拡散を防止する。n側電極22上には、n側パッドメタル23が設けられている。n側パッドメタル23は、n側電極22の端部側面も覆っている。n側パッドメタル23は、n側電極22よりも厚い。p側パッドメタル21およびn側パッドメタル23を外部端子として、半導体発光装置1を実装基板に実装させることができる。例えば、第1の面15aを、実装基板の実装面の上方に向けた状態で、半導体発光装置1を実装基板に実装することができる。次に、図2a~図5eを参照して、第1実施形態の半導体発光装置1の製造方法について説明する。図2a~図4dは、半導体発光装置1の製造方法を示す模式断面図である。図5a~eは、半導体層15の第2の面におけるp側電極14が形成される発光領域16の模式平面図である。図2aは、基板10の主面上に、第1の半導体層11及び第2の半導体層12を含む半導体層15が形成されたウェーハの断面を表す。基板10の主面上に第1の半導体層11が形成され、その第1の半導体層11の上に第2の半導体層12が形成される。例えば、窒化ガリウム系材料からなる第1の半導体層11及び第2の半導体層12は、サファイア基板上にMOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition法でエピタキシャル成長させることができる。基板10上に半導体層15を形成した後、図示しないレジストを用いた例えばRIEReactiveIonEtchingで、図2bに示すように、発光層12aを含む第2の半導体層12を選択的に除去して、第1の半導体層11の一部を露出させる。発光層12aを含む第2の半導体層12の上面は発光領域16となり、第1の半導体層11が露出された領域は発光層12aを含まない非発光領域17となる。半導体層15の第2の面を前述のように加工した後、第2の面の全面に、図2cに示すようにシリコン酸化膜19を形成する。その後、非発光領域17上のシリコン酸化膜19の一部を除去し、そのシリコン酸化膜19が除去された部分に、図2dに示すようにn側電極22を形成する。n側電極22は、第2の面とオーミック接触する。n側電極22を形成した後、ウェーハ全面に、図3aに示すレジスト膜61を形成する。レジスト膜61に対しては、フォトリソグラフィ及び現像が行われ、レジスト膜61に複数のホール61aが形成される。このレジスト膜61をマスクにして発光領域16上のシリコン酸化膜19を選択的にエッチングする。したがって、図5aにも示されるように、ホール61aの底部に第2の半導体層12が露出する。その後、図3bに示すように、レジスト膜61をマスクにしてコンタクトメタル18の成膜を行う。コンタクトメタル18は、ホール61aの側壁及び底部に露出する第2の半導体層12上に形成される。その後、レジスト膜61を除去することで、図3c及び図5bに示すように、発光領域16上に選択的に複数のコンタクトメタル18が残される。複数のコンタクトメタル18は、シリコン酸化膜19に選択的に形成された開口内に埋め込まれている。その後、ウェーハ全面に、図3dに示すレジスト膜62を形成する。レジスト膜62に対しては、フォトリソグラフィ及び現像が行われ、レジスト膜62に開口62aが形成される。開口62aの底部には、図5cにも示すように、複数のコンタクトメタル18が形成された領域が露出する。その後、図4aに示すように、レジスト膜62をマスクにして反射メタル20の成膜を行う。反射メタル20は、開口62aの底部に露出する複数のコンタクトメタル18上およびシリコン酸化膜19上に形成される。その後、レジスト膜62を除去することで、図4bに示すように、発光領域16におけるコンタクトメタル18上及びシリコン酸化膜19上に反射メタル20が残される。図5dに示すように、反射メタル20は、発光領域16のほぼ全面に広がって形成される。その後、図4cに示すように、反射メタル20上にp側パッドメタル21が形成され、n側電極22上にn側パッドメタル23が形成される。図5eに示すように、p側パッドメタル21は、反射メタル20の全面を覆う。なお、発光領域16上に反射メタル20を形成するときに、n側電極22上にも反射メタル20を形成してもよい。その場合、n側電極22上に形成された反射メタル20をn側パッドメタルとして兼用させることができるため、図4cの工程におけるn側パッドメタル23の形成を省略することができる。その後、図4dに示すように、半導体層15に基板10に達する溝71を形成し、半導体層15を基板10上で複数に分離する。その後、基板10を半導体層15から剥離すると、複数の半導体発光装置1に個片化される。あるいは、第1の面15a上に基板を残した状態で、溝71の位置で基板10を切断して、複数の半導体発光装置1に個片化してもよい。また、第1の面15a上には、蛍光体層、レンズなどを形成することもできる。第2実施形態図6は、第2実施形態の半導体発光装置2の模式断面図である。第2実施形態の半導体発光装置2においても、p側電極14は第2の面における発光領域16に設けられ、n側電極22は第2の面における非発光領域17に設けられている。また、p側電極14は、複数のコンタクトメタル18と、発光層12aが放出する光に対して透過性を有する透明膜としてのシリコン酸化膜19及び42と、反射メタル20とを含む。複数のコンタクトメタル18は、半導体層15の第2の面に接して第2の半導体層12に選択的に設けられている。複数のコンタクトメタル18の間には、コンタクトメタル18よりも発光層12aが放出する光に対する透過率が高いシリコン酸化膜19及び42が設けられている。シリコン酸化膜19及び42は、複数のコンタクトメタル18の間を埋め、第2の面に接して第2の半導体層12に設けられている。発光領域16上におけるシリコン酸化膜19及び42の半導体層15側の面積は、複数のコンタクトメタル18が半導体層15と接する面積の総和よりも大きい。複数のコンタクトメタル18、シリコン酸化膜19及び42上に、反射メタル20が設けられている。反射メタル20は、発光領域16のほぼ全体に広がっている。反射メタル20における半導体層15側の面反射メタル20とコンタクトメタル18との接触面および反射メタル20とシリコン酸化膜42との接触面の面積は、複数のコンタクトメタル18が半導体層15と接する面積の総和よりも大きい。反射メタル20は、シリコン酸化膜42を貫通するビア20aを介して、コンタクトメタル18に接し、コンタクトメタル18と電気的に接続されている。反射メタル20と半導体層15との間のコンタクトメタル18の膜厚は、反射メタル20と半導体層15との間のシリコン酸化膜42の膜厚よりも薄く、シリコン酸化膜42の間のコンタクトメタル18上に反射メタル20の一部であるビア20aが設けられている。第2実施形態においても、銀を含む反射メタル20は、光の外部への主な取り出し面である第1の主面15aの反対側に向かう光を反射させて第1の主面15a側へと向かわせる反射膜として機能する。そして、反射メタル20は半導体層15と接触させずに、コンタクトメタル18を半導体層15と接触させている。すなわち、p側電極14において、コンタクトメタル18に半導体層15との電気的導通を担わせている。したがって、第2実施形態においても、半導体発光装置2のp側電極14における高光反射性及び低接触抵抗の両立を図ることができる。また、半導体層15の第2の面と、反射メタル20との間において、コンタクトメタル18が設けられていない部分には、発光層12aが放出する光に対してコンタクトメタル18よりも透過率が高い透明膜として、シリコン酸化膜42、またはシリコン酸化膜19とシリコン酸化膜42との積層膜が設けられている。そのシリコン酸化膜19及び42の半導体層15側の面の面積は、複数のコンタクトメタル18が半導体層15と接する面積の総和よりも広く、シリコン酸化膜19及び42の反射メタル20側の面の面積は、複数のコンタクトメタル18が反射メタル20と接する面積の総和よりも広い。したがって、反射メタル20における半導体層15側発光層12a側の面に、広い反射面を確保できる。次に、図7a~図10fを参照して、第2実施形態の半導体発光装置2の製造方法について説明する。図7a~図9dは、半導体発光装置2の製造方法を示す模式断面図である。図10a~fは、半導体層15の第2の面におけるp側電極14が形成される発光領域16の模式平面図である。図2dに示す工程までは、前述した第1実施形態と同様に進められる。その後、ウェーハ全面に、図3aに示すレジスト膜61を形成する。レジスト膜61に対しては、フォトリソグラフィ及び現像が行われ、レジスト膜61に複数のホール61aが形成される。このレジスト膜61をマスクにして発光領域16上のシリコン酸化膜19を選択的にエッチングする。したがって、図5aにも示されるように、ホール61aの底部に第2の半導体層12が露出する。その後、図3bに示すように、レジスト膜61をマスクにしてコンタクトメタル18の成膜を行う。コンタクトメタル18は、ホール61aの側壁及び底部に露出する第2の半導体層12上に形成される。その後、レジスト膜61を除去することで、図3c及び図5bに示すように、発光領域16上に選択的に複数のコンタクトメタル18が残される。複数のコンタクトメタル18は、シリコン酸化膜19に選択的に形成された開口内に埋め込まれている。その後、ウェーハ全面に、図7aに示すレジスト膜63を形成する。レジスト膜63に対しては、フォトリソグラフィ及び現像が行われ、レジスト膜63に開口63aが形成される。開口63aの底部には、図10aにも示すように、発光領域16の第2の半導体層12が露出する。その後、図7bに示すように、レジスト膜63をマスクにしてコンタクトメタル18の成膜を行う。コンタクトメタル18は、開口63aの底部に露出する第2の半導体層12の第2の面に形成される。その後、レジスト膜63を除去することで、図7c及び図10bに示すように、発光領域16に第2の半導体層12の第2の面にコンタクトメタル18が残される。コンタクトメタル18を形成した後、ウェーハ全面に、図7dに示すレジスト膜64を形成する。レジスト膜64に対しては、フォトリソグラフィ及び現像が行われ、図10cに示すように、発光領域16上にレジスト膜64が選択的に残される。そのレジスト膜64をマスクにして、コンタクトメタル18をエッチングして選択的に除去する。その後、レジスト膜64を除去することで、図8a及び図10dに示すように、発光領域16上に選択的に複数のコンタクトメタル18が残される。その後、ウェーハ全面に、図8bに示すシリコン酸化膜42を形成した後、そのシリコン酸化膜42上に、図8cに示すレジスト膜65を形成する。レジスト膜65に対しては、フォトリソグラフィ及び現像が行われ、レジスト膜65にコンタクトメタル18に達するホール65aが形成される。したがって、図10eにも示されるように、ホール65aの底部にコンタクトメタル18が露出する。その後、図8dに示すようにレジスト膜65を除去した後、図9aに示すようにウェーハ全面に反射メタル20を形成する。反射メタル20は、シリコン酸化膜42に形成された開口を通じてコンタクトメタル18と接続する。その後、図9bに示すように、発光領域16の反射メタル20上に選択的に形成されたレジスト膜66をマスクにして、発光領域16以外の反射メタル20をエッチングして除去する。これにより、図9cに示すように、発光領域16上に反射メタル20が残される。図10fに示すように、反射メタル20は、発光領域16のほぼ全面にわたって形成される。その後、図9dに示すように、反射メタル20上にp側パッドメタル21が形成され、n側電極22上にn側パッドメタル23が形成される。第2実施形態においても、反射メタル20をn側電極22上に設けてもよく、その場合、n側電極22上に形成された反射メタル20をn側パッドメタルとして兼用させることができるため、図9dの工程におけるn側パッドメタル23の形成を省略することができる。その後、基板10を除去した後、あるいは基板10を残したまま、図9dにおいて1点鎖線で示す位置でダイシングして、複数の半導体発光装置2に個片化する。第3実施形態図11は、第3実施形態の半導体発光装置3の模式断面図である。第3実施形態の半導体発光装置3は、図1に示す前述した第1実施形態の半導体発光装置1の要素に加えて、第1の絶縁層以下単に絶縁層ともいう31、p側配線層33、n側配線層34、p側金属ピラー35、n側金属ピラー36および第2の絶縁層としての樹脂層32をさらに備えている。半導体発光装置3において、p側電極14、n側電極22、p側パッドメタル21及びn側パッドメタル23は、絶縁層31で覆われている。半導体層15の第1の面15aは、絶縁層31で覆われていない。第1の面15aから続く半導体層15の側面は、絶縁層31で覆われている。絶縁層31は、この絶縁層31に積層された樹脂層32とともに半導体発光装置3の側面を形成する。絶縁層31は、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂を用いることができる。あるいは、絶縁層31としてシリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機物を用いてもよい。絶縁層31上には、p側配線層33とn側配線層34とが互いに離間して設けられている。p側配線層33は、絶縁層31を貫通する複数の第1のビア33aを介して、p側パッドメタル21及びp側電極14と電気的に接続されている。n側配線層34は、絶縁層31を貫通する第2のビア34aを介して、n側パッドメタル23n側電極22と電気的に接続されている。p側配線層33上には、p側配線層33よりも厚いp側金属ピラー35が設けられている。p側配線層33及びp側金属ピラー35は、p側配線部を構成する。n側配線層34上には、n側配線層34よりも厚いn側金属ピラー36が設けられている。n側配線層34及びn側金属ピラー36は、n側配線部を構成する。また、絶縁層31上には、樹脂層32が設けられている。樹脂層32は、p側配線部の周囲およびn側配線部の周囲を覆っている。樹脂層32は、p側金属ピラー35とn側金属ピラー36との間に設けられ、p側金属ピラー35の側面及びn側金属ピラー36の側面を覆っている。p側金属ピラー35におけるp側配線層33に対する反対側の面は、樹脂層32で覆われずに露出され、実装基板に接合されるp側外部端子として機能する。n側金属ピラー36におけるn側配線層34に対する反対側の面は、樹脂層32で覆われずに露出され、実装基板に接合されるn側外部端子として機能する。p側配線部、n側配線部及び樹脂層32のそれぞれの厚さは、半導体層15の厚さよりも厚い。p側金属ピラー35、n側金属ピラー36及びこれらを補強する樹脂層32は、半導体層15の支持体として機能する。したがって、半導体層15を形成するために使用した基板10を除去しても、p側金属ピラー35、n側金属ピラー36及び樹脂層32を含む支持体によって、半導体層15を安定して支持し、半導体発光装置3の機械的強度を高めることができる。また、半導体発光装置3を実装基板に実装した状態で半導体層15に加わる応力を、p側金属ピラー35及びn側金属ピラー36が吸収することで緩和することができる。p側配線層33、n側配線層34、p側金属ピラー35およびn側金属ピラー36の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。樹脂層32は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。絶縁層31上に広がるn側配線層34の面積は、n側電極22の面積よりも広い。また、n側配線層34とn側金属ピラー36との接続面積は、n側配線層34がビア34aを介してn側電極22と接続する面積よりも大きい。n側電極22よりも広い領域にわたって広がる発光層12aによって高い光出力を得ることができる。なおかつ、発光領域16よりも狭い非発光領域17に設けられたn側電極22が、これよりも面積の大きなn側配線層34として実装面側に配置し直された構造となっている。p側配線層33が複数のビア33aを通じてp側パッドメタル21と接続する面積は、n側配線層34がビア34bを通じてn側電極22と接続する面積よりも大きい。よって、発光層12aへの電流分布が向上し、且つ発光層12aで発生した熱の放熱性が向上できる。第4実施形態図12は、第4実施形態の半導体発光装置4の模式断面図である。第4実施形態の半導体発光装置4は、発光領域16の第2の面と、反射メタル20との間に設けられた透明膜として、導電性を有するITOIndiumTinOxide膜51を有する。すなわち、複数のコンタクトメタル18の間には、コンタクトメタル18よりも発光層12aが放出する光に対する透過率が高いITO膜51が設けられている。ITO膜51は、複数のコンタクトメタル18の間を埋め、第2の面に接して第2の半導体層12に設けられている。発光領域16上におけるITO膜51の面積は、複数のコンタクトメタル18の面積よりも大きい。すなわち、ITO膜51が第2の半導体層12と接する面積は、複数のコンタクトメタル18が第2の半導体層12と接する面積の総和よりも大きく、ITO膜51が反射メタル20と接する面積は、複数のコンタクトメタル18が反射メタル20と接する面積の総和よりも大きい。なお、発光領域16と非発光領域17との間の段差部には、ITO膜51は設けられず、絶縁膜として例えばシリコン酸化膜19が設けられている。この段差部のシリコン酸化膜19は、p側電極14とn側電極22との間、およびp側パッドメタル21とn側パッドメタル23との間を絶縁する。複数のコンタクトメタル18及びITO膜51上に、反射メタル20が設けられている。反射メタル20は、複数のコンタクトメタル18の面積よりも広い面積でもって、複数のコンタクトメタル18上及びITO膜51上に広がって設けられている。すなわち、反射メタル20の半導体層15側の面の面積は、複数のコンタクトメタル18が半導体層15と接する面積の総和よりも大きい。反射メタル20は、複数のコンタクトメタル18及びITO膜51に接し、コンタクトメタル18及びITO膜51と電気的に接続されている。第4実施形態の半導体発光装置4においても、銀を含む反射メタル20は、光の外部への主な取り出し面である第1の主面15aの反対側に向かう光を反射させて第1の主面15a側へと向かわせる反射膜として機能する。また、反射メタル20は半導体層15と接触させずに、コンタクトメタル18を半導体層15と接触させている。すなわち、p側電極14において、コンタクトメタル18に半導体層15との電気的導通を担わせている。さらに、第4実施形態においては、半導体層15と反射メタル20との間に設けられた透明膜として導電性を有するITO膜51を用いているため、ITO膜51も半導体層15と反射メタル20との間の電気的導通を担う。したがって、第4実施形態では、発光層12aの面方向全体にわたって均一に電流供給しやすい。第4実施形態においても、半導体発光装置4のp側電極14における高光反射性及び低接触抵抗の両立を図ることができる。また、半導体層15の第2の面と、反射メタル20との間において、コンタクトメタル18が設けられていない部分には、発光層12aが放出する光に対してコンタクトメタル18よりも透過率が高い透明膜としてITO膜51が設けられている。そのITO膜51の半導体層15側の面の面積は、複数のコンタクトメタル18が半導体層15と接する面積の総和よりも広く、ITO膜51の反射メタル20側の面の面積は、複数のコンタクトメタル18が反射メタル20と接する面積の総和よりも広い。したがって、反射メタル20における半導体層15側発光層12a側の面に、広い反射面を確保できる。前述した各実施形態は、光の主な取り出し面である第1の面15aの反対側の第2の面に、p側電極14及びn側電極22が設けられている。したがって、n側電極22も、p側電極14と同様な、銀を含む反射メタル、コンタクトメタルおよび透明膜を含む構造にすることで、そのn側電極22における高光反射性及び低接触抵抗の両立を図ることができる。第5実施形態図13aは、第5実施形態の半導体発光装置5の模式断面図である。図13bは、その半導体発光装置5におけるn側電極80の平面パターンの一例を示す模式平面図である。第5実施形態の半導体発光装置5においても、半導体層15の第1の面15aから、主に光が外部に取り出される。その第1の面15aの反対側の第2の面に、p側電極14が設けられている。p側電極14は、第1実施形態と同様に、複数のコンタクトメタル18と、発光層が放出する光に対して透過性を有する透明膜としてのシリコン酸化膜19と、発光層が放出する光に対して反射性を有する反射メタル20とを含む。複数のコンタクトメタル18は、半導体層15の第2の面に接して半導体層15に選択的に設けられている。複数のコンタクトメタル18の間には、コンタクトメタル18よりも発光層が放出する光に対する透過率が高いシリコン酸化膜19が設けられている。シリコン酸化膜19は、複数のコンタクトメタル18の間を埋め、第2の面に接して半導体層15に設けられている。複数のコンタクトメタル18及びシリコン酸化膜19上に、反射メタル20が設けられている。反射メタル20は、複数のコンタクトメタル18の面積よりも広い面積でもって、複数のコンタクトメタル18上及びシリコン酸化膜19上に広がって設けられている。反射メタル20は、第2の面の発光領域のほぼ全体に広がっている。また、反射メタル20は、複数のコンタクトメタル18に接し、複数のコンタクトメタル18と電気的に接続されている。第5実施形態においても、反射メタル20は半導体層15と接触させずに、コンタクトメタル18を半導体層15と接触させている。すなわち、p側電極14において、コンタクトメタル18に半導体層15との電気的導通を担わせている。反射メタル20は第2の面の発光領域のほぼ全体にわたって広がって設けられ、反射メタル20よりも反射率に劣る複数のコンタクトメタル18が半導体層15と接する面積の総和は、反射メタル20の半導体層15側の面の面積よりも小さい。したがって、第5実施形態においても、半導体発光装置5のp側電極14における高光反射性及び低接触抵抗の両立を図ることができる。また、半導体層15の第2の面と、反射メタル20との間において、コンタクトメタル18が設けられていない部分には、発光層が放出する光に対してコンタクトメタル18よりも透過率が高い透明膜としてシリコン酸化膜19が設けられている。そのシリコン酸化膜19の半導体層15側の面の面積は、複数のコンタクトメタル18が半導体層15と接する面積の総和よりも広く、シリコン酸化膜19の反射メタル20側の面の面積は、複数のコンタクトメタル18が反射メタル20と接する面積の総和よりも広い。したがって、反射メタル20における半導体層15側発光層12a側の面に、広い反射面を確保できる。反射メタル20は、p側パッドメタル85で覆われている。さらに、p側パッドメタル85は、金属層86で覆われている。金属層86は、半導体層15の支持体およびp側の外部端子として機能する。第4の実施形態の半導体発光装置5では、第1の面15aにn側電極80が設けられている。n側電極80は、図13bに例示するように、パッド部81と細線電極部82とを有する。パッド部81は、n側の外部端子として機能する。細線電極部82は、電流を半導体層15の面方向に拡散させる役割を担う。半導体層15の第1の面15aから続く側面は、絶縁膜87で覆われている。絶縁膜87は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、樹脂膜などを用いることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。