"インプリントリソグラフィに用いられる基板の表面汚染のレベルを検出する方法であって、基板を準備するステップと、前記基板の上に周期的液滴パターンで重合性材料を堆積させるステップと、前記重合性材料を平坦なインプリントテンプレートに接触させるステップと、前記重合性材料を重合させて前記基板の上にインプリント層を形成するステップと、前記インプリント層上の欠陥の存在を検出するステップと、前記検出された欠陥を分析して、前記検出された欠陥のうちの周期的ナノボイド欠陥を識別するステップと、前記基板の単位面積当たりの前記周期的ナノボイド欠陥の数を判定するステップと、を含み、前記単位面積当たりの前記周期的ナノボイド欠陥の数が、前記基板の前記表面汚染のレベルと相関する、ことを特徴とする方法。前記検出するステップは、光散乱技術を用いるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記基板の散乱マップを作成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項2に記載の方法。前記検出された欠陥の総数は、前記散乱マップから判定されることを特徴とする、請求項3に記載の方法。前記分析するステップは、前記散乱マップのフーリエ変換FFT分析を実施するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の方法。前記検出された欠陥の総数に対する前記周期的ナノボイド欠陥の比を判定するステップをさらに含み、前記比は、前記フーリエ変換FFT分析から得られる1次ピーク体積とゼロ次ピーク体積の比に基づくことを特徴とする、請求項5に記載の方法。前記周期的ナノボイド欠陥の数を前記判定するステップは、前記検出された欠陥の総数に対する前記周期的ナノボイド欠陥の前記比に、前記検出された欠陥の総数を掛けるステップをさらに含むことを特徴とする、請求項6に記載の方法。インプリントリソグラフィに用いる基板の表面汚染を減らす方法であって、基板を準備するステップと、前記基板をクリーニングして既存の表面汚染を前記基板から除去するステップと、前記クリーニングされた基板を、化学フィルタによってろ過された密閉環境内に保管するステップと、を含むことを特徴とする方法。前記化学フィルタは、炭素フィルタであることを特徴とする、請求項8に記載の方法。前記密閉環境は、高性能微粒子空気HEPAフィルタによってさらにろ過されることを特徴とする、請求項8~請求項9のいずれか1項に記載の方法。前記基板を接着性コーティングでコーティングするステップをさらに含むことを特徴とする、請求項8~請求項10のいずれか1項に記載の方法。インプリントリソグラフィに用いられる基板の表面汚染を減らすためのシステムであって、基板をクリーニングするためのクリーニングツール、前記基板をコーティングするためのコーティングツール、前記基板を保管するための保管容器、及び前記基板にインプリントするためのインプリントリソグラフィシステムを収容するエンクロージャと、前記エンクロージャに空気流を供給するための、前記エンクロージャへの1つ又はそれ以上の吸気開口部と、前記エンクロージャに供給される前記空気流をろ過するように配置された化学フィルタと、を備えることを特徴とするシステム。前記化学フィルタは、炭素フィルタであることを特徴とする、請求項12に記載のシステム。前記化学フィルタと順に並んだ高性能微粒子空気HEPAフィルタをさらに備えることを特徴とする、請求項11~請求項12のいずれか1項に記載のシステム。インプリントリソグラフィに用いられる基板の表面汚染を減らすためのシステムであって、各々が別々のエンクロージャ内に収容された、基板をクリーニングするためのクリーニングツールと、前記基板をコーティングするためのコーティングツールと、前記基板を保管するための保管容器と、前記基板にインプリントするためのインプリントリソグラフィシステムと、前記各々のエンクロージャに空気流を供給するための、前記各々のエンクロージャへの1つ又はそれ以上の吸気開口部と、前記各々のエンクロージャに供給される前記空気流をろ過するように配置された化学フィルタと、を備えることを特徴とするシステム前記化学フィルタは、炭素フィルタであることを特徴とする、請求項15に記載のシステム。前記化学フィルタと順に並んだ高性能微粒子空気HEPAフィルタをさらに備えることを特徴とする、請求項15~請求項16のいずれか1項に記載のシステム。前記エンクロージャ間で基板を移動させるための1つ又はそれ以上の気密密閉可能な携帯型基板移動モジュールをさらに備え、前記1つ又はそれ以上のモジュールは有機汚染物を有さず清浄であることを特徴とする、請求項15~請求項17のいずれか1項に記載のシステム。インプリントリソグラフィに用いられる基板の清浄度のレベルは、高品質の結果のために重要である。基板表面の汚染は、形成される層内の欠陥及び/又は層間剥離、ボイド、粒状物などを生じさせることがある。例えば、GCMS及びTOF-SIMS技術などを用いる基板表面汚染の直接分析は、費用及び時間がかかり、そして多くの場合、結果が不確かであり得る。本発明の態様は、基板上に形成されるインプリント層内に周期的に生じるナノボイドのレベルの検出に有利に基づく、インプリントリソグラフィ基板の表面汚染のレベルを検出するための方法を含む。一態様において、この方法は、基板を準備するステップと、基板上に周期的液滴パターンで重合性材料を堆積させるステップと、重合性材料を平坦なインプリントテンプレートに接触させるステップと、重合性材料を重合させて基板上にインプリント層を形成するステップと、インプリント層上の欠陥の存在を検出するステップとを含む。検出された欠陥を分析して、検出された欠陥のうちの周期的に生じたナノボイド欠陥を識別する。基板の単位面積あたりの周期的ナノボイド欠陥の数は、基板の表面汚染のレベルと相関する。特定の態様において、基板欠陥の検出は、光散乱技術を用いることができ、基板の散乱マップを作成するステップをさらに含むことができる。検出された欠陥の総数は、散乱マップから得ることができる。さらなる態様において、検出された欠陥の分析は、散乱マップのフーリエ変換FFT分析を実施するステップを含むことができる。検出された全欠陥に対する周期的ナノボイド欠陥の比を、フーリエ変換FFT分析から、1次及びゼロ次のフーリエピーク体積から得られる比に基づいて得ることができる。この比に検出された欠陥の総数を掛けると、周期的ナノボイド欠陥の数が得られる。本発明の他の態様は、インプリントリソグラフィに用いる基板の表面汚染を減らす方法を含む。この方法は、基板を準備することと、基板をクリーニングして既存の表面汚染を基板から除去することと、クリーニングされた基板を、空気から有機汚染物質を除去するのに適した化学フィルタによってろ過された密閉環境内に保管することとを含むことができる。例示的な化学フィルタは、炭素フィルタを含む。さらに別の態様に置いて、密閉環境は、粒子汚染から保護するために高性能微粒子空気HEPAフィルタによってろ過することもできる。保管される基板は、コーティングされなくてもよく、又は、例えば、接着性コーティングによってコーティングすることもできる。本発明のさらに別の態様は、そのような基板を取扱い、保管し及び加工するためのシステム内にそのような化学フィルタを組み込むことを含む。一態様において、基板をクリーニングするためのクリーニングツール、基板をコーティングするためのコーティングツール、基板を保管するための保管容器、及び基板をインプリントするためのインプリントリソグラフィシステムを収容するエンクロージャと、エンクロージャに空気流を供給するための、エンクロージャに対する1つ又はそれ以上の吸気開口部と、エンクロージャに供給される空気流をろ過するように配置される化学フィルタとを有するシステムが提供される。他の態様において、クリーニングツール、コーティングツール、保管容器及びインプリントリソグラフィシステムの各々は、それぞれが別個の専用吸気開口部及び各エンクロージャへの空気流を別々にろ過するように配置された化学フィルタを有する別々のエンクロージャ内に収容することができる。ここでもやはり、化学フィルタは、炭素フィルタとすることができ、さらに高性能微粒子空気HEPAフィルタを順に並べて設けることができる。さらに別の態様において、システムは、基板を別々のエンクロージャ間で移動させるための、1つ又はそれ以上の気密密閉可能な携帯型基板移動モジュールをさらに含むことができる。本明細書で説明する主題の1つ又はそれ以上の実施形態を、添付の図面及び以下の説明において説明する。本主題の他の特徴、態様、及び利点は、説明、図面、及び特許請求の範囲から明らかとなるであろう。本発明の特徴及び利点を詳細に理解することができるように、添付の図面に示す実施形態を参照することにより、本発明の実施形態のより具体的な説明を行うことができる。しかし、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態を示すためだけのものであり、本発明は他の均等に有効な実施形態を認めるので、本発明の範囲を限定するものと考えるべきではないことに留意されたい。図面、特に図1を参照すると、基板12の上にレリーフパターンを形成するために使用されるリソグラフィックシステム10が示されている。基板12は、基板チャック14に連結することができる。図示するように、基板チャック14は真空チャックである。しかし、基板チャック14は、真空式、ピン式、溝式、静電式、電磁気式及び/又はそれらに類するものを含むがそれらに限定されない任意のチャックとすることができる。例示的なチャックは、引用により本明細書に組み入れられる特許文献4に説明されている。基板12及び基板チャック14は、さらにステージ16によって支持することができる。ステージ16は、x、y、及びz軸に沿った並進及び/又は回転移動を与えることができる。ステージ16、基板12、及び基板チャック14は、基部図示せずの上に配置することもできる。基板12から離間してテンプレート18が配置される。テンプレート18は、第1の面と第2の面とを有する本体を含むことができ、一方の面は、そこから基板12に向かって延びるメサ20を有する。メサ20はその上にパターン付け表面22を有する。さらに、メサ20は鋳型20と呼ぶことができる。代替的に、メサ20無しでテンプレート18を形成することができる。テンプレート18及び/又は鋳型20は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイア及び/又はそれに類するものを含むが、それらに限定されない材料から形成することができる。図示するように、パターン付け表面22は、離間した複数の凹部24及び/又は凸部26によって定められる構造部を含むが、本発明の実施形態はそのような構成に限定されない例えば、平坦面。パターン付け表面22は、基板12の上に形成されることになるパターンの基礎を形成する任意の原型パターンを定めることができる。テンプレート18は、チャック28に連結することができる。チャック28は、それらに限定されないが、真空式、ピン式、溝式、静電式、電磁気式及び/又は他の同様のチャック型式として構成することができる。例示的なチャックは、引用により本明細書に組み入れられる特許文献4にさらに説明されている。さらに、チャック28は、インプリントヘッド30に連結することができ、その結果、チャック28及び/又はインプリントヘッド30は、テンプレート18の移動を容易にするように構成することができる。システム10は、流体分注システム32をさらに含むことができる。流体分注システム32を用いて、成形可能材料34例えば、重合性材料を基板12の上に堆積させることができる。成形可能材料34は、例えば、液滴分注、スピンコーティング、浸漬コーティング、化学気相堆積CVD、物理気相堆積PVD、薄膜堆積、厚膜堆積及び/又はそれらに類する技術を用いて基板12の上に配置することができる。成形可能材料34は、設計検討事項に応じて、鋳型22と基板12との間に所望の体積を定める前に、及び/又は後で、基板12の上に配置することができる。成形可能材料34は、バイオ分野、太陽電池産業、バッテリ産業、及び/又は機能性ナノ粒子を必要とする他の産業における用途を有する機能性ナノ粒子とすることができる。例えば、成形可能材料34は、両方ともに引用により本明細書に組み入れられる特許文献5及び特許文献6に説明されている、モノマー混合物を含むことができる。あるいは、成形可能材料34は、それらに限定されないが、生体材料例えば、PEG、太陽電池材料例えば、N型、P型材料、及び/又はそれらに類するものを含むことができる。図1及び図2を参照すると、システム10は、エネルギー40を経路42に沿って方向付けるように結合されたエネルギー源38をさらに含むことができる。インプリントヘッド30及びステージ16は、テンプレート18及び基板12を経路42に重なるように配置するよう構成することができる。システム10は、ステージ16、インプリントヘッド30、流体分注システム32、及び/又はエネルギー源38と通信する、プロセッサ54によって調整することができ、メモリ56内に格納されたコンピュータ可読プログラム上で動作することができる。インプリントヘッド30、ステージ16、又はその両方が鋳型20と基板12との間の距離を変化させて、成形可能材料34で充填される所望の体積をそれらの間に定める。例えば、インプリントヘッド30は、鋳型20が成形可能材料34に接触するようにテンプレート18に力を加えることができる。所望の体積が成形可能材料34で充填された後、エネルギー源38は、エネルギー40、例えば紫外線を生成して、基板12の表面44及びパターン付け表面22の形状に適合するように成形可能材料34を固化及び/又は架橋させ、パターン付けされた層46を基板12上に定める。パターン付けされた層46は、残留層48、並びに、凸部50及び凹部52として示される複数の構造部を含むことができ、凸部50は厚さt1を有し、残留層は厚さt2を有する。上記のシステム及びプロセスは、その全てが引用によりその全体が本明細書に組み入れられる特許文献7、特許文献8、特許文献9、及び特許文献10において言及されているインプリントリソグラフィのプロセス及びシステムにおいてさらに用いることができる。ナノボイドの検出前記のように、インプリントリソグラフィにおける基板の汚染は、形成されるインプリント層における層間剥離及び/又はボイド、粒状物などの存在を含めて、形成される層内の欠陥をもたらすことがある。特に、ナノボイドは、基板の表面汚染、特に、揮発性溶媒、シロキサン、揮発性有機物質などのような有機汚染物の存在に起因する汚染の結果、生じることがある。これらの種類の有機汚染物の制御は、インプリントリソグラフィの品質及び再現性にとって重要である。本明細書で用いる場合、ナノボイドという用語は、基板上に形成されたインプリント層の表面上の開いたボイドを指し、このボイドは、ボイドの厚さ又は深さより大きな直径、典型的には厚さ又は深さよりも3倍又はそれ以上のオーダーで大きく、典型的には10nmから50μmまでの範囲の直径を有する、受け皿状の幾何学的形状を有する。ナノボイドの底面の曲率半径もまた、典型的には、ナノボイドの直径よりも遥かに大きい。ナノボイドの直径及び厚さ又は深さは、形成される層の厚さ又は深さに依存し得るが、通常、その層の厚さよりも小さいか又はそれに等しい。図3は、形成されたインプリント層46の表面上のナノボイド60を示し、ナノボイド60は、その厚さt3よりも大きく、且つ、層46の厚さt4よりも小さい、直径d1を有する。本明細書において提供するのは、ナノボイドの検出に依拠した、基板汚染レベルを検出する迅速、簡単及び効果的な方法である。具体的には、本発明者らは、基板上に液体重合性材料を周期的液滴パターンで堆積させ、ブランクの又は構造部無しのインプリントテンプレートを用いて平坦なインプリント層を形成することにより、周期的ナノボイドを層上に形成することができることを見出した。即ち、周期的な液体ポリマー液滴パターンを用いて層を形成した場合に、ナノボイド60が周期的配列を有することを見出した。理論によって拘束されるものではないが、液滴が広がるとき、局所の汚染物が液滴と共に移動し、液滴が合体する領域内で凝集し、繰返しパターンを形成し、これがナノボイドの繰返しパターンを生じさせると考えられる。この性質を利用して、ナノボイドを、基板自体、付加的コーティング層などの不完全さから区別する。そのようなその他の不完全さは、基板がそのような不完全さを有するように意図的に作られ及び/又は製造されていない限り、周期的に配列することはない、即ち、それらはランダムである。このようにして、本発明者らは、基板汚染の全体としてのレベルを基板の単位面積当たりに検出される周期的に生じるナノボイドの数と相関させることができることを見出した。ナノボイドは、走査電子顕微鏡法SEM例えば、図4に示すイメージ、原子間力顕微鏡法AFMなどを用いて検出及び/又は分析することができる。これらの技術を用いてナノボイドを直接視覚化することができるが、しかし、これらの技術は、時間がかかり、コストが高く、かならずしもナノボイドを確実に検出するとは限らない。本明細書で説明するのは、欠陥分析用の光散乱システム及び技術であり、SEM及びAFMと比較すると精度がより高く、より迅速である。図3-図5を参照すると、一般に、光散乱欠陥検査ツールを用いて、ナノボイド60を含んだ基板12の表面の散乱マップ62を提供することができる。光散乱欠陥検査ツールは、業界内で知られており、インプリントリソグラフィにおいて普通に用いられる。周期的液体ポリマー液滴パターンを用いて、形成された層46を基板12上に生成することができる。液体ポリマー液滴パターンは、基板12上の所定の位置に配置された個々の液体ポリマー液滴から構成される。液滴の位置は、図6に示す5つのブラヴェ2D格子又は2D空間格子のうちのいずれかを形成することができる。周期的液滴パターンの一例は、170ミクロンの周期を有し、|a1|=|a2|且つφ=90°である、6pL液滴の正方配列である。層46内の散乱欠陥は、散乱マップ62内の暗点として示される。これらの欠陥のうちの幾つかがボイド60であり、一方、その他は、基板12、付加的コーティング層などの不完全さであり得る。図7を参照すると、図5に示す基板12の表面の散乱マップから、フーリエ変換FFT分析64を得ることができる。ゼロ次のフーリエ成分即ち、ピークは中心に位置する。フーリエピークの数及び対称性は、図5のナノボイド60のパターンの対称性及び周期性に依存し得る。図5の散乱欠陥のFFT分析は、ナノボイド60の百分率例えば、89及びナノボイドの周期性例えば、4直線単位を与えることができる。単位の値は、用途に応じて様々であり得る。図8を参照すると、FFTピーク下の体積は、ピークに寄与する散乱の数に比例し得る。図8は、ゼロ次ピーク66及び1次ピーク68のそれぞれの下の体積V0及びV1を略図で示す。散乱体NOは、規則的なものも不規則的なものも両方が、ゼロ次ピーク66に寄与することができるが、一方、規則的散乱体のみが1次ピーク68に寄与する。比r=V1/V0は、規則的散乱体の部分を、全体から区別する。規則的散乱体は、ナノボイド60を含む。従って、比rを計測し、値NNV=rN0を計算することによってナノボイド60の量が与えられることになる。図9を参照すると、2次元パターン及び2次元FFT分析69に対して、1つのピークの代りにより多くのピークを用いることができる。例えば、正方パターン格子の2次元FFT分析69は、第1の方向xに2つの1次ピーク70及び72を含み、第2の方向yに2つの1次ピーク74及び76を含むことができる。第2の方向yは、第1の方向xに直交するものとすることができる。ゼロ次ピーク75は中心に位置する。第1の方向xにおける周期は、第2の方向における周期と異なることがある。一例において、正方パターンの場合、両方向の周期は実質的に同じであり得る。別の例において、異なる量の1次ピークが存在してもよい例えば、六方パターンは3つの軸を有することができる。分析領域が有限サイズであること及び/又は空間解像度に関連する2次元FFT分析の誤差を最小にするために、FFT変換に用いられる複数の点について平均することができる。例えば、ピーク70及び72の下の体積を平均することができ、及び/又は、ピーク74及び76の下の体積を平均することができる。従って、各方向における比は次式で表すことができる。ナノボイド60の計算には、次式のようにrx又はryの大きい方の値を用いることができる。NNV=N0maxrx,ry式3式中、maxr1,r2...rNは、r1,r2...rNの最大値に実質的に等しい値を与える関数とすることができる。ナノボイドの数は次式で与えることができる。NNV=N0maxr1,r2,...ri式4式中、iは、パターンに関する対称軸の数である。例えば、六方格子パターンにおいては3つの軸が存在するi=3。図3-図4に関連して前述したように、ナノボイド60は基板12の表面汚染によって生じることがある。ガスクロマトグラフィー質量分析法GC-MS及び飛行時間型2次イオン質量分析法TOF-SIMSのような直接表面分析技術の代わりに又はそれに加えて、ナノボイド60の計測を用いることができる。GC-MS及びTOF-SIMSは費用が高く、且つ、結果を得るのに時間がかかる。表面汚染のレベルを推定するために本明細書で説明するようにFFT分析の使用することは、入手が容易な光散乱欠陥ツールを用いて、図1のシステム10上で局所的に行うことができる。FFT分析は、試料の表面汚染のレベルについての結果を与える、簡単、迅速且つ有効な方法である。本明細書で説明する表面汚染検出方法を使用することで、インプリントリソグラフィに用いる基板の清浄度を改善するための手段をさらに提供することができる。例えば、そのような方法は、ナノインプリントリソグラフィにおいて、クリーニング及びコーティング、保管条件、試料の取扱い、クリーンルーム環境などに関する推奨規格を開発する一助となり得る。汚染のレベルは、基板12の前履歴、クリーニング方法、コーティング、保管条件などに依存し得る。汚染、特に有機汚染物の性質は、環境例えば、クリーンルーム内の環境の清浄度、保管容器の清浄度などに応じて異なり得る。前述のように、汚染には、それらに限定されないが、揮発性溶媒、シロキサン、揮発性有機物質などの有機汚染物が含まれ得る。基板のクリーニング及び保管初めに、インプリントリソグラフィに使用するための納入基板は、典型的には、業界で知られた、特定の基板に適用できる技術例えば、SC1、UV、ピラニアクリーニングなどを用いてクリーニングされる。クリーニングは、一般に、これまで蓄積された汚染を除去するための重要なステップである。基板の前履歴が清浄度に影響を及ぼす可能性がある例えば、試料が調製された場所、製造場所の環境、保管条件、輸送など。販売者に特定レベルの清浄度を要求するのは難しいことがあるので、納入基板の様々なバッチに対して定期的な管理を実施することができる。例えば、納入基板の汚染のレベルは、本明細書で説明するナノボイド検出方法を用いて計測することができる。ひとたびクリーニングすると、保管及び取扱い条件によっては、さらなる調製、処理及び保管を通じて、特に有機汚染物による、許容できない汚染のレベルになることがある。ナノボイドを、従って対応する汚染のレベルを本明細書で説明するように検出することにより、最適な調製ステップ及び保管条件を設定することができる。例示的な基板を異なる調製ステップ及び保管条件に供し、結果として生じる周期的ナノボイドを検出し、基板汚染のレベルに相関させた。調製ステップ及び/又は保管条件の変動の結果、満足又は不満足な格付け即ち、許容できる又は許容できない汚染レベルのいずれかをもたらすナノボイドが検出された。実施例1第1の実施例において、ガラス製の65mmハードディスクドライブを、SC1プロセスを用いてクリーニングし、約15nmのタンタル層でコーティングし、HEPAフィルタ下の周囲実験室環境内で開放して2週間保管し、次いで、250ミクロンの周期を有する6pL液滴の正方配列の周期的液滴パターンを用いてインプリントした。カンデラCandela散乱ツールを用いて散乱欠陥を判定し、散乱マップを生成した。フーリエ変換FFT及び比分析を用いて、前述したように周期的ナノボイドの総数を判定した。これらの特定の調製ステップ及び保管条件の結果、30cm2のディスク面積にわたって47,345個の周期的ナノボイド、即ち、約1,578ナノボイド/cm2が検出されたが、これは、この用途には許容できないレベルの汚染である。許容できるレベルは、23ナノボイド/cm2に等しいか又はそれ以下である。実施例2第2の実施例においては、基板を上記の実施例1と同様に調製して分析したが、但し、基板をコーティングした後、基板を清浄な密閉保管容器内に保管し、インプリントする直前に取出した。これらの条件下では、全部で58個のナノボイド、即ち、2ナノボイド/cm2しか存在せず、これは許容できるレベルの汚染であった。これらの結果を実施例1と比較すると、基板の汚染は、コーティングとインプリントとの間の保管期間中に生じ得ることを示す。実施例1及び2の両方において、コーティングプロセス自体は、コーティング中に表面汚染を導入しないことが検証された。実施例3第3の実施例においては、基板を上記の実施例1と同様にクリーニングしたがコーティングしなかった。実施例1と同様に、基板をHEPAフィルタ下の周囲実験室環境内で開放して2週間保管した。次に基板を取り出し、コーティングし、インプリントし、次いで分析した。8,619個のナノボイド、即ち、約287個/cm2が検出されたが、これは許容できないレベルの汚染である。実施例4第4の実施例においては、基板を上記の実施例1と同様にクリーニングしたが、やはり実施例3と同様にコーティングしなかった。基板を、炭素フィルタを通して定常空気流が供給される清浄な保管容器内で5日間保管した。次いで、基板を取り出し、コーティングし、インプリントした。これらの条件下では、611個のナノボイド、即ち、約20ナノボイド/cm2しか存在せず、これは許容できるレベルの汚染であった。上記の結果は、望ましくない基板汚染はコーティングとインプリントとの間の保管中に起こる可能性があることを示す。さらに、汚染は、クリーニングとコーティングとの間の基板を保管している間、及び/又はコーティングとインプリントとの間の保管中にも起こり得る。従って、保管中の汚染を防ぐために、化学フィルタを用いて保管環境中の有機汚染物のレベルを下げることができる。適切な化学フィルタは、空気から有機汚染物を除去することができるフィルタ、例えば、炭素フィルタ、液体窒素トラップなどである。さらに、化学フィルタ例えば、炭素フィルタの下での保管は、HEPAフィルタのみの下での保管に比べて著しいナノボイドの減少を示す。クリーニング解決策は、基板表面汚染を減らすように構成することができる。本明細書で説明するのは、そのような3つの解決策、即ち、クラスタツール解決策、清浄移動システム、及び全室wholeroom手法である。図10を参照すると、クラスタツール解決策は、同じ気密密閉された清浄環境内にクリーナ102、コータ104、システム10、及び保管容器106を有するクラスタツール100を含むことができる。クラスタツール100内での試料の取扱いは、基板12並びにクリーナ102、コータ104、システム10、及び保管容器106が、ナノボイドを生じさせる汚染物を実質的に有さない実質的に清浄な空気環境内にある限り、多様であり得る。空気フィルタ107を用いて、清浄空気環境を作り出すことができる。一実施例において、空気フィルタは、化学フィルタとHEPAフィルタとを順に含むことができる。HEPAフィルタを含めることは、これもまたインプリント層欠陥を生じさせることがある粒子状物質を除去するのに有利である。他のフィルタ及び組合せも、それらがナノボイドを生じさせる有機汚染物を実質的に除去する限りは、用いることができる。一般に、クラスタツール解決策の操作において、汚染された試料キャリア及び/又は試料ホルダがクラスタツール100内に入ることは許されない。クラスタツール100は、要素10、102、104及び/又は106の保守/修理のための定期的クリーニング及び/又は日常保守を必要とすることがある。ナノボイドの特性決定により、試料取扱いカセット、ボックスなどに加えて各要素10、102、104及び/又は106の決定された清浄度閾値を提供することができる。図11は、清浄移動解決策を示す。清浄移動解決策は、各々が別々の環境109a-d及び専用の空気制御を有する、クリーナ102、コータ104、システム10、及び/又は保管容器106を用いる。例えば、クリーナ102、コータ104、システム10、及び/又は保管容器106は、ナノボイドを生じさせる汚染物を実質的に有さない清浄空気の別々の流入を含むことができる。クリーナ102、コータ104、システム10、及び/又は保管容器106は、それぞれ、別々のフィルタの組合せ107a-d例えば、化学フィルタ、HEPAフィルタなどを含むことができる。任意のフィルタ及び/又はフィルタの組合せを、それらがナノボイド60を生じさせる汚染物を実質的に除去する限りは、用いることができる。1つ又はそれ以上の携帯型基板移動モジュール又はポッド110は、クリーナ102、コータ104、システム10、及び/又は保管容器106の間での基板12の移動をもたらすことができる。ポッド110は、実質的に清浄であり、気密密閉することができる。一般に、ポッド110は、外部環境からの試料汚染を防ぐような方式で開閉することができる。産業界において一般的に受け入れられている慣例は、個々の環境109a-dがクリーンルーム内の空気圧よりも僅かに高い空気圧を有すること、即ちクリーンルームに比べて正圧の空気圧を有することである。従って、個々の環境109a-d内部でポッドを開放することで、正圧の空気圧差のためにクリーンルームからポッド空間内への汚染物の流入を防ぐことになる。ポッド110は、定期的にクリーニングすることができる。そのクリーニングの効力は、特定の期間にわたってポッド内に保管された基板上に形成される、検出された周期的ナノボイドのレベルを計測することによって監視することができる。例えば、基板12がポッド内に特定の時間量にわたって保管されていたときにクリーニングを監視することができる。ナノボイド60の発生は、特定の時間間隔毎に判定することができる。発生に基づいて、特定の基板及びその用途に関連して保管のための最大時間を設定することができる。クリーナ102、コータ104、システム10、及び/又は保管容器106の全てが、他の付加的な実験室設備と共に同じ清浄なエンクロージャ内に存在する全室手法もまた提供することができる。全室手法は、製造に必要な他の設備例えば、部屋内の他の実験室設備の存在についての制限がないので、クラスタ手法とは異なる。例えば、エンクロージャは、製造室及び/又は指定領域とすることができる。ナノボイドを生じさせる有機汚染物を実質的に有さない清浄空気を、フィルタの組例えば、組み合せた化学/HEPAフィルタを通して室内に入れることができる。フィルタの量は部屋のサイズ及び/又は他のクリーンルーム要件/設備に応じたものとすることができる。それ以外の他の空気は室内に入ることができず、これは施設外部に比べて僅かに正圧の空気圧を確立することによって達成することができる。ここでもやはり、炭素フィルタとHEPAフィルタとの組合せを用いることができ、又は、ナノボイドを生じさせる有機汚染物を効果的に除去する限りは、他のフィルタ若しくはフィルタの組合せを用いることができる。基板12の取扱い及び移動は、実質的に清浄な設備、容器、及び筐体を用いて行うことができる。納入される取扱い設備は、室内に入れる前に、業界で既知の方法に従ってクリーニングすることができる。クリーニングの効果は、本明細書で説明した方法により、それら設備の環境に供された基板において見出されるナノボイドのレベルを検出することによって監視することができる。種々の態様のさらなる修正及び代替の実施形態は、本説明を考慮すれば、当業者には明らかである。従って、本説明は例証のためだけのものと解釈されるべきである。本明細書で示し、説明した形態は、実施形態の例として考えられるべきであることを理解されたい。本説明の利益を享受した後の当業者には明らかなように、要素及び材料は、本明細書で例証し、説明したものと置き換えることができ、部分及びプロセスは、逆向きにすることができ、特定の構造部は独立に用いることができることが明白となるであろう。以下の特許請求の範囲において説明される趣旨及び範囲から逸脱することなく、本明細書で説明した要素に変更を加えることができる。"