"可視領域の波長のレーザ光を発振する2以上の半導体レーザ素子と、前記レーザ光が照射され、照射された前記レーザ光を波長を変えずに散乱させる光散乱体と、を備え、2以上の前記半導体レーザ素子から発振された前記レーザ光は、それぞれ異なる色であり、2以上の前記半導体レーザ素子からそれぞれ発振された前記レーザ光を前記光散乱体まで導光し、導光された前記レーザ光を前記光散乱体に向かって照射する導光手段をさらに備える、光源装置。前記導光手段は、外形が略錐台状に形成され、入光面と前記入光面より面積が小さい出光面とを有する導光部材であり、前記導光部材は、可視光に対して透明な材料から構成され、前記入光面側に2以上の前記半導体レーザ素子が配置され、前記出光面側に前記光散乱体が配置される、請求項1に記載の光源装置。2以上の前記半導体レーザ素子は、2以上の前記半導体レーザ素子から発振される前記レーザ光の光軸が前記光散乱体に向くように配置されている、請求項2に記載の光源装置。前記光散乱体は、前記導光部材と一体的に構成されている、請求項2または3のいずれかに記載の光源装置。前記光散乱体により波長を変えずに散乱された前記レーザ光は、混光されて白色光を形成している、請求項1から4のいずれかに記載の光源装置。焦点を有する略凹面形状の反射鏡をさらに備え、前記光散乱体は、前記焦点の位置に配置される、請求項1から5のいずれかに記載の光源装置。前記反射鏡は開口部を有しており、2以上の前記半導体レーザ素子からそれぞれ発振された前記レーザ光は、前記開口部を通して前記光散乱体に向かって照射される、請求項6に記載の光源装置。前記白色光を形成するため、2以上の前記半導体レーザ素子は、3以上の前記半導体レーザ素子であり、青色の前記レーザ光を発振する前記半導体レーザ素子と、赤色の前記レーザ光を発振する前記半導体レーザ素子と、緑色の前記レーザ光を発振する前記半導体レーザ素子と、を含む、請求項5に記載の光源装置。前記白色光を形成するため、2以上の前記半導体レーザ素子は、黄色の前記レーザ光を発振する前記半導体レーザ素子と、青色の前記レーザ光を発振する前記半導体レーザ素子と、を含む、請求項5に記載の光源装置。前記白色光を形成するため、2以上の前記半導体レーザ素子は、赤色の前記レーザ光を発振する前記半導体レーザ素子と、青緑色の前記レーザ光を発振する前記半導体レーザ素子と、を含む、請求項5に記載の光源装置。2以上の前記半導体レーザ素子は、2以上の前記半導体レーザ素子から発振された前記レーザ光が、前記導光部材の内部において全反射を繰り返しながら、前記入光面側から前記出光面側に向かって導波するように配置されている、請求項2に記載の光源装置。前記光散乱体は、透明な樹脂またはガラス材から構成される母材と、前記母材と異なる屈折率を有し前記母材の内部に分散された透明な光散乱粒子と、を含む、請求項1から11のいずれかに記載の光源装置。特許文献1に開示される発光装置によると、レーザ光を吸収した蛍光物質は、任意の波長域の光を放出している。しかしながら、特許文献1に開示される発光装置によると、レーザ光を吸収した蛍光物質がレーザ光の波長を変換しているため、レーザ光のエネルギーが損失しているストークス損失。光源装置として所望の明るさを得るために、発光装置に備えられている半導体レーザ素子は、損失を考慮したより大きなエネルギーを有するレーザ光を発振しなければならない。この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、半導体レーザ素子が発振したレーザ光のエネルギーを損失させることなく放出することができる光源装置を提供することを目的とする。本発明に基づく光源装置は、可視領域の波長のレーザ光を発振する2以上の半導体レーザ素子と、上記レーザ光が照射され、照射された上記レーザ光を波長を変えずに散乱させる光散乱体と、を備え、2以上の上記半導体レーザ素子から発振された上記レーザ光は、それぞれ異なる色であり、2以上の上記半導体レーザ素子からそれぞれ発振された上記レーザ光を上記光散乱体まで導光し、導光された上記レーザ光を上記光散乱体に向かって照射する導光手段をさらに備える。好ましくは、上記導光手段は、外形が略錐台状に形成され、入光面と上記入光面より面積が小さい出光面とを有する導光部材であり、上記導光部材は、可視光に対して透明な材料から構成され、上記入光面側に2以上の上記半導体レーザ素子が配置され、上記出光面側に上記光散乱体が配置される。好ましくは、2以上の上記半導体レーザ素子は、2以上の上記半導体レーザ素子から発振される上記レーザ光の光軸が上記光散乱体に向くように配置されている。好ましくは、上記光散乱体は、上記導光部材と一体的に構成されている。好ましくは、上記光散乱体により波長を変えずに散乱された上記レーザ光は、混光されて白色光を形成している。好ましくは、焦点を有する略凹面形状の反射鏡をさらに備え、上記光散乱体は、上記焦点の位置に配置される。好ましくは、上記反射鏡は開口部を有しており、2以上の上記半導体レーザ素子からそれぞれ発振された上記レーザ光は、上記開口部を通して上記光散乱体に向かって照射される。好ましくは、上記白色光を形成するため、2以上の上記半導体レーザ素子は、3以上の上記半導体レーザ素子であり、青色の上記レーザ光を発振する上記半導体レーザ素子と、赤色の上記レーザ光を発振する上記半導体レーザ素子と、緑色の上記レーザ光を発振する上記半導体レーザ素子と、を含む。好ましくは、上記白色光を形成するため、2以上の上記半導体レーザ素子は、黄色の上記レーザ光を発振する上記半導体レーザ素子と、青色の上記レーザ光を発振する上記半導体レーザ素子と、を含む。好ましくは、上記白色光を形成するため、2以上の上記半導体レーザ素子は、赤色の上記レーザ光を発振する上記半導体レーザ素子と、青緑色の上記レーザ光を発振する上記半導体レーザ素子と、を含む。好ましくは、2以上の上記半導体レーザ素子は、2以上の上記半導体レーザ素子から発振された上記レーザ光が、上記導光部材の内部において全反射を繰り返しながら、上記入光面側から上記出光面側に向かって導波するように配置されている。好ましくは、上記光散乱体は、透明な樹脂またはガラス材から構成される母材と、上記母材と異なる屈折率を有し上記母材の内部に分散された透明な光散乱粒子と、を含む。本発明における各用語の意義は、次の通りである。可視領域の波長のレーザ光とは、波長が約380nm~約780nmのレーザ光のことを意味する。青色のレーザ光とは、波長が約430nm~約490nmであるレーザ光のことを意味する。青緑色のレーザ光とは、波長が約490nm~約510nmであるレーザ光のことを意味する。緑色のレーザ光とは、波長が約510nm~約570nmであるレーザ光のことを意味する。黄色のレーザ光とは、波長が約570nm~約590nmであるレーザ光のことを意味する。赤色のレーザ光とは、波長が約590nm~約780nmであるレーザ光のことを意味する。なお、波長が約380nm~約430nmであるレーザ光とは、青紫色のレーザ光のことを意味する。本発明によれば、半導体レーザ素子が発振したレーザ光のエネルギーを損失させることなく放出することができる光源装置を提供することができる。本発明に基づいた各実施の形態における光源装置について、以下、図を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。また、特に制限が無い限り、下記に示す各実施の形態に示す構成を適宜組み合わせて用いることは、当初から予定されていることである。実施の形態1構成図1を参照して、本実施の形態における光源装置100について説明する。この光源装置100は、第1半導体レーザ素子10Aと、第2半導体レーザ素子10Bと、光散乱体30と、略凹面形状の反射鏡40とを備えている。半導体レーザ素子第1半導体レーザ素子10Aは、可視領域の波長の第1レーザ光11Aを発振する。第2半導体レーザ素子10Bは、可視領域の波長の第2レーザ光11Bを発振する。第1半導体レーザ素子10Aは、青色の波長の第1レーザ光11Aを発振し、第2半導体レーザ素子10Bは、第1レーザ光11Aとは異なる、黄色の波長の第2レーザ光11Bを発振するとよい。なお、色の組合せは青色と黄色とに限定されるものではない。発振されるレーザ光の種類または構成について、特に制限は無い。第1半導体レーザ素子10Aは、光散乱体30に向かって第1レーザ光11Aを照射する。第2半導体レーザ素子10Bは、光散乱体30に向かって第2レーザ光11Bを照射する。第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、相互に独立した状態で、光散乱体30に向かってそれぞれ照射される。本実施の形態においては、各レーザ光11A,11Bは、後述されるコリメータレンズまたは導光部材などを通さずにそのまま光散乱体30に照射される。光散乱体30光散乱体30について、第1レーザ光11Aに基づき説明する。第2レーザ光11Bについても同様である。光散乱体30は、照射された第1レーザ光11Aを、波長を変えずに散乱させる。波長を変えずにとは、光散乱体30が照射された第1レーザ光11Aの波長を全く変えずに散乱させることを示し、蛍光物質によりレーザ光の波長が変換される場合を含まない。光源装置100は、光散乱体30が照射された第1レーザ光11Aにより発熱することを防ぐために、光散乱体30を一定の温度に維持する温度制御手段をさらに備えていてもよい。温度制御手段は、たとえば冷却ファンである。光散乱体30は、透明な樹脂またはガラス材から構成される母材と、母材と異なる屈折率を有し母材の内部に分散された透明な光散乱粒子とを含んでいるとよい。樹脂は、たとえばシリコーンである。光散乱粒子は、たとえばTiO2微粒子である。光散乱体30の大きさは、たとえば直径約1mm~約10mmの球体、または1辺約1mm~約10mmの立方体とすることができる。光散乱体30の第1レーザ光11Aが照射される側の形状は、所定の面積を有する平面形状であるとよい。第1レーザ光11Aは光散乱体30に向かって所定の幅に広がりつつ照射される。第1レーザ光11Aが所定の幅に広がりつつ照射されるため、光散乱体30に照射される第1レーザ光11Aの単位面積あたりの光密度が小さくなる。第1半導体レーザ素子10Aから光散乱体30までの距離が十分に短いと、第1レーザ光11Aは、第1レーザ光11Aが広がる前に光散乱体30に十分に照射される。第1レーザ光11Aが照射される側の光散乱体30の形状を、第1レーザ光11Aが光散乱体30に十分に照射されるような所定の断面積を有する任意の形状とすることができる。第1レーザ光11Aが照射される側の光散乱体30の形状を所定の面積を有する平面形状とすることで、照射される第1レーザ光11Aの光密度が小さくなり、かつ照射される第1レーザ光11Aによって光散乱体30が発熱することを抑制できる。発熱することを抑制された光散乱体30は、十分に照射された第1レーザ光11Aのエネルギーを損失することなく散乱させることができる。レーザ光第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、光散乱体30により散乱されるとき、混光されて照射対象物の視認が可能な光色を形成しているとよい。たとえば、白色のレーザ光を形成するため、光源装置100は、青色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子と、黄色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子とを備えているとよい。白色のレーザ光を形成するため、光源装置100は、赤色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子と、青緑色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子とを備えていてもよい。反射鏡40反射鏡40は焦点を有しているとよい。光散乱体30は、反射鏡40の焦点を含むように配置されているとよい。光散乱体30が反射鏡40の焦点を含むように配置されていると、反射鏡40の投光効率が高くなる。第1半導体レーザ素子10Aは、光散乱体30に向かって第1レーザ光11Aを照射する。第2半導体レーザ素子10Bは、光散乱体30に向かって第2レーザ光11Bを照射する。反射鏡40の出射口がある側図1紙面、反射鏡40より右側から、光散乱体30に向かって第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが照射される。第1レーザ光11Aは反射鏡40に設けられた第1開口部41A2を通して光散乱体30に向かって照射され、第2レーザ光11Bは反射鏡40に設けられた第2開口部41B2を通して光散乱体30に向かって照射されている。反射鏡40は、たとえばアルミニウムが表面にコーティングされたガラス製の凹面鏡である。散乱された第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが、混光されて白色光を形成する場合は、白色光に対して高い反射率を有するものを用いるとよい。反射鏡40の形状は、たとえば半径約30mm、深さ約50mmのパラボラ形状の凹面鏡である。作用効果本実施の形態における光源装置100の作用および効果について説明する。光源装置100は、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bを備えている。第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bが任意の色のレーザ光をそれぞれ発振し、発振されたレーザ光は光散乱体30を用いて混光され、光源装置100は任意の色の光を放出する光源として用いられることができる。光散乱体30に向かって照射された第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、光散乱体30の内部において多重散乱を繰り返す。多重散乱を繰り返した第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、光散乱体30の内部において合成され、光散乱体30の表面から放射状に任意の方向に向かう散乱光31A~31Fとなって散乱する。光散乱体30は、散乱光31A~31Fを放出する光源を形成する。多重散乱を繰り返す前は、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのコヒーレンシーは高い。多重散乱を繰り返した後、光散乱体30は、コヒーレンシーが十分に低くなった散乱光31A~31Fを放出する。第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのコヒーレンシーが低下するため、光源装置100はレーザ光の重ね合わせ光干渉によって縞模様が発生することを抑制できる。第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのコヒーレンシーが低下し、かつ見かけ上の光源の大きさが光散乱体30の大きさにまで拡大するため、光源装置100はレーザ光が人体眼に悪影響を及ぼすことも抑制できる。光源装置100は、光散乱体30により第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bの波長を変換すること無く散乱光31A~31Fを放出する。散乱光31A~31Fが放出されても、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーは損失しない。光源装置100は、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bが発振した第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーを損失させることなく放出することができる。光源装置100は、所望の明るさを得るために、蛍光物質を備えた発光装置に比べてより小さなエネルギーを有するレーザ光により実現することができる。なお、本実施の形態では、2つの半導体レーザ素子を用いる場合について説明しているが、それぞれ異なる色のレーザ光を発振する2以上の半導体レーザ素子を用いる構成とすることも可能である。散乱光31A~31Fのうち、反射鏡40と反対側に向かって図1紙面、左方から右方へ向かって散乱光31A~31Cが放出される。散乱光31A~31Fのうち、反射鏡40に向かって図1紙面、右方から左方へ向かって放出される散乱光31D~31Fは、反射鏡40によって反射される。散乱光31A~31Cおよび反射された散乱光31D~31Fはさらに合成され、指向性を有する合成光32A~32Cとなって放出される。反射鏡40を所望の大きさ若しくは形状に設計することにより、光源装置100は所望の指向性または明るさを有する合成光32A~32Cを放出することができる。反射鏡40の設計により、光源装置100は、所望の指向性または明るさを有し投光効率が高い合成光32A~32Cを放出することもできる。放出された合成光32A~32Cにより、光源装置100を、所望の指向性または明るさを有する光を放出する光源として利用することができる。光源装置100によれば、散乱光31D~31Fが反射鏡40によって反射されても、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーは損失しない。反射鏡40によって第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーが損失したとしても、エネルギーの損失量は、蛍光物質を備えた発光装置が波長を変換するときのエネルギーの損失量に比べて極めて低い。反射鏡40によって散乱光31D~31Fのエネルギーが損失しないため、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが光散乱体30に照射され、合成光32A~32Cとなって放出されても、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーは損失しない。光源装置100は、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bが発振した第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーを損失させることなく放出することができる。たとえば第1レーザ光11Aについて考えると、第1レーザ光11Aは光散乱体30に向かって所定の幅レーザ光11Aaとレーザ光11Abとの間の幅に広がりつつ照射される。同様に、第2レーザ光11Bも光散乱体30に向かって所定の幅レーザ光11Baとレーザ光11Bbとの間の幅に広がりつつ照射される。第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bと、光散乱体30との間の距離が十分に短くなるように第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bを配置することにより、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが広がる前に光散乱体30に十分に各レーザ光11A,11Bを照射することができる。光散乱体30の第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが照射される側の形状は、所定の断面積を有する任意の形状であるとよい。図1には、平面形状を有する光散乱体30を図示している。照射される第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bの光密度が小さくなり、かつ照射される第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bによって光散乱体30が発熱することを抑制できるため、発熱することを抑制された光散乱体30は、十分に照射された第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーを損失することなく散乱させることができる。照射される第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bの光密度が小さくなるため、光散乱体30の劣化を抑制することもできる。さらに、光散乱体30において、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが照射されている領域から最も効率的に散乱光を外へ取り出すことができるため、反射鏡40の出射口がある側から各レーザ光11A,11Bを照射させることにより、出射口がある側へ散乱光を効率よく取り出すことができる。実施の形態2構成図2を参照して、本実施の形態における光源装置100aについて説明する。この光源装置100aは、第1半導体レーザ素子10Aと、第2半導体レーザ素子10Bと、第3半導体レーザ素子10Cと、光散乱体30と、パッケージ50とを備えている。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cは、実施の形態1と同様に、可視領域の波長のレーザ光を発振する。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振される各レーザ光の波長は、それぞれ異なっている。パッケージ50は、金属キャップ部52と、基台部54と、ヒートシンク56と、透光性を有する透光部材としてのガラス58とにより、箱状に構成されている。ガラス58は、金属キャップ部52に開口して設けられた窓部53に取り付けられている。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cは、パッケージ50の内部に実装されている。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cは、銅製または鉄製のヒートシンク56の上に、半田材図示せずを介して実装されている。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cを実装したヒートシンク56を、金属キャップ部52が封止している。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cは、ヒートシンク56と各半導体レーザ素子10A,10B,10Cとの間に、ヒートスプレッダとして機能するサブマウント材SiCまたはAlNなどを介して実装されていてもよい。光散乱体30は、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cからレーザ光を照射される。本実施の形態においては、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振された各レーザ光は、後述されるコリメータレンズまたは導光部材などを通さずにそのまま光散乱体30に照射される。光散乱体30は、実施の形態1と同様に、照射された各レーザ光を、波長を変えずに散乱させる。光散乱体30は、ドーム状に形成されているとよい。光散乱体30は、実施の形態1と同様に、透明な樹脂またはガラス材から構成される母材と、母材と異なる屈折率を有し母材の内部に分散された透明な光散乱粒子とを含んでいるとよい。樹脂は、たとえばシリコーンである。光散乱粒子は、たとえばTiO2微粒子である。光散乱体30は、パッケージ50と一体的に構成されている。光散乱体30は、ガラス58上において、ガラス58に密着するように配置されているとよい。外部からリード線18を通して所定の命令が各半導体レーザ素子10A,10B,10Cに与えられることにより、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cは、それぞれ独立してレーザ光を発振することができる。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振された各レーザ光は、光散乱体30により散乱されるとき、混光されて照射対象物の視認が可能な光色を形成しているとよい。たとえば白色のレーザ光を形成するため、光源装置100aにおいては、第1半導体レーザ素子10Aは、青色のレーザ光を発振するとよい。第2半導体レーザ素子10Bは、赤色のレーザ光を発振するとよい。第3半導体レーザ素子10Cは、緑色のレーザ光を発振するとよい。なお、色の組合せは上記に限定されるものではない。発振されるレーザ光の種類または構成についても、特に制限は無い。青色のレーザ光を発振する第1半導体レーザ素子10Aは、たとえばGaN基板またはサファイア基板の上にAlGaInN系の材料を形成することにより得ることができる。青色のレーザ光を発振する第1半導体レーザ素子10Aは、波長がたとえば約445nmのレーザ光を発振する。赤色のレーザ光を発振する第2半導体レーザ素子10Bは、たとえばGaAs基板の上にAlGaInP系の材料を形成することにより得ることができる。赤色のレーザ光を発振する第2半導体レーザ素子10Bは、波長がたとえば約635nmのレーザ光を発振する。緑色のレーザ光を発振する第3半導体レーザ素子10Cは、AlGaInN系の材料により形成された緑色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子を用いることが出来る。緑色のレーザ光を発振する第3半導体レーザ素子10Cは、波長がたとえば約520nmのレーザ光を発振する。緑色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子は、現時点では研究開発段階ではあるものの、近い将来、量産および市販されることが予定されている。作用効果本実施の形態における光源装置100aの作用および効果について説明する。光源装置100aは、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cが任意の色のレーザ光をそれぞれ発振する。各レーザ光は、光散乱体30の内部において多重散乱を繰り返す。多重散乱を繰り返した各レーザ光は、光散乱体30の内部において合成され、光散乱体30の表面から放射状に任意の方向に向かう散乱光31A~31Eとなって散乱する。光散乱体30は、散乱光31A~31Eを放出する光源を形成する。放出された散乱光31A~31Eにより、光源装置100aを種々の用途に用いられる光源として利用することができる。種々の用途とは、具体的には照明用の光源に限られず、オーバーヘッドプロジェクタのランプの代替用として、画像を投影する光源としても利用することができる。多重散乱を繰り返す前は、各レーザ光のコヒーレンシーは高い。多重散乱を繰り返した後、光散乱体30は、コヒーレンシーが十分に低くなった散乱光31A~31Eを放出する。各レーザ光のコヒーレンシーが低下するため、光源装置100aはレーザ光の重ね合わせ光干渉によって縞模様が発生することを抑制できる。各レーザ光のコヒーレンシーが低下し、かつ見かけ上の光源の大きさが光散乱体30の大きさにまで拡大するため、光源装置100aはレーザ光が人体眼に悪影響を及ぼすことも抑制できる。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cがパッケージ50により一体化されているため、光源装置100aとしての全体の構成が非常に小さい。光源装置100aを、安価かつシンプルに構成することができる。パッケージ50と光散乱体30とが一体化されているため、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振された各レーザ光をパッケージ50から外部に出すことが無く、安全性が高い。光源装置100aは、光散乱体30により各レーザ光の波長を変換すること無く散乱光31A~31Eを放出する。散乱光31A~31Eが放出されても、各レーザ光のエネルギーは損失しない。光源装置100aは、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cが発振した各レーザ光のエネルギーを損失させることなく放出することができる。光源装置100aは、所望の明るさを得るために、蛍光物質を備えた発光装置に比べてより小さなエネルギーを有するレーザ光により実現することができる。なお、本実施の形態では、3つの半導体レーザ素子を用いる場合について説明しているが、それぞれ異なる色のレーザ光を発振する2以上の半導体レーザ素子を用いる他の構成とすることも可能である。たとえば、2つの半導体レーザ素子を用いる構成とする場合、第1半導体レーザ素子10Aは青色の波長のレーザ光を発振し、第2半導体レーザ素子10Bは黄色の波長のレーザ光を発振するとよい。第1半導体レーザ素子10Aは赤色の波長のレーザ光を発振し、第2半導体レーザ素子10Bは青緑色の波長のレーザ光を発振してもよい。実施の形態3図3を参照して、本実施の形態における光源装置100bについて説明する。ここでは、上述の実施の形態2における光源装置100aとの相違点についてのみ説明する。光源装置100bは、実施の形態1の光源装置100と同様に、略凹面形状の反射鏡40をさらに備えている。反射鏡40は焦点を有しているとよい。光散乱体30は、反射鏡40の焦点を含むように配置されているとよい。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振された各レーザ光は、反射鏡40に設けられた開口部41を通して光散乱体30に向かって照射されている。作用効果本実施の形態における光源装置100bの作用および効果について説明する。光源装置100bは、光散乱体30により各レーザ光の波長を変換すること無く散乱光31A~31Eを放出する。光源装置100bは、所望の明るさを得ることを、蛍光物質を備えた発光装置に比べてより小さなエネルギーを有するレーザ光により実現することができる。光源装置100bは、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振された各レーザ光は、光散乱体30の内部において多重散乱を繰り返し、散乱光31A~31Eとなって散乱する。光散乱体30は、散乱光31A~31Eを放出する光源を形成する。多重散乱を繰り返すことにより、各レーザ光のコヒーレンシーが低下する。光源装置100bは、レーザ光の重ね合わせ光干渉によって縞模様が発生することを抑制できる。光源装置100bはレーザ光が人体眼に悪影響を及ぼすことも抑制でき、安全性が高い。反射鏡40を所望の大きさ若しくは形状に設計することにより、光源装置100bは所望の指向性または明るさを有する散乱光31A~31Eを放出することができる。反射鏡40の設計により、光源装置100bは、所望の指向性または明るさを有し投光効率が高い散乱光31A~31Eを放出することもできる。放出された散乱光31A~31Eにより、光源装置100bを、所望の指向性または明るさを有する光を放出する光源として利用することができる。光源装置100bは、散乱光31A~31Eにより実施の形態1と同様な合成光が形成されるよう構成されてもよい。実施の形態4構成図4を参照して、本実施の形態における光源装置101の構成について説明する。光源装置101は、第1半導体レーザ素子10Aと、第2半導体レーザ素子10Bと、光散乱体30とを備えている。半導体レーザ素子第1半導体レーザ素子10Aは、可視領域の波長の第1レーザ光11Aを発振する。第2半導体レーザ素子10Bは、可視領域の波長の第2レーザ光11Bを発振する。第1半導体レーザ素子10Aは、青色の波長の第1レーザ光11Aを発振し、第2半導体レーザ素子10Bは、第1レーザ光11Aとは異なる、黄色の波長の第2レーザ光11Bを発振するとよい。なお、色の組合せは青色と黄色とに限定されるものではない。発振されるレーザ光の種類または構成について、特に制限は無い。第1半導体レーザ素子10Aは、光散乱体30に向かって第1レーザ光11Aを照射する。第2半導体レーザ素子10Bは、光散乱体30に向かって第2レーザ光11Bを照射する。第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、相互に独立した状態で、光散乱体30に向かってそれぞれ照射される。光散乱体30に向かってより精度良く第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bを照射するために、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは平行光線を形成しているとよい。ここで言う平行光線とは、光学の分野で用いられている学術用語の1つであり、光線をどこまで飛ばしても広がらない完全な直線状の光線無限遠となる光線を形成していることである。第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが平行光線を形成しているとは、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bがそれぞれ完全な直線状の光線を形成していることである。ここで言う平行光線とは、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが幾何学的に平行に並んでいることを意味しない。第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、幾何学的に平行に並んで光散乱体30に照射されていてもよい。第1レーザ光11Aが平行光線を形成するために、光源装置101は、たとえば第1コリメータレンズ15Aを備えているとよい。第1レーザ光11Aは、第1コリメータレンズ15Aを通過することにより変換され、平行光線を形成する。第2レーザ光11Bが平行光線を形成するために、光源装置101は、たとえば第2コリメータレンズ15Bを備えているとよい。第2レーザ光11Bは、第2コリメータレンズ15Bを通過することにより変換され、平行光線を形成する。平行光線を形成した第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、光散乱体30にそれぞれ照射される。第1半導体レーザ素子10Aから発振された第1レーザ光11A、および第2半導体レーザ素子10Bから発振された第2レーザ光11Bは、光散乱体30に向かってそのままコリメータレンズまたは後述される導光部材などを通さずに照射されてもよい。第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bから光散乱体30までの距離が十分に短いと、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが広がる前に、光散乱体30に十分に照射されるため、コリメータレンズを設けなくてよい場合もある。光散乱体30光散乱体30について、第1レーザ光11Aに基づき説明する。第2レーザ光11Bについても同様である。光散乱体30は、照射された第1レーザ光11Aを、波長を変えずに散乱させる。波長を変えずにとは、光散乱体30が照射された第1レーザ光11Aの波長を全く変えずに散乱させることを示し、蛍光物質によりレーザ光の波長が変換される場合を含まない。光源装置101は、光散乱体30が照射された第1レーザ光11Aにより発熱することを防ぐために、光散乱体30を一定の温度に維持する温度制御手段をさらに備えていてもよい。温度制御手段は、たとえば冷却ファンである。光散乱体30は、透明な樹脂またはガラス材から構成される母材と、母材と異なる屈折率を有し母材の内部に分散された透明な光散乱粒子とを含んでいるとよい。樹脂は、たとえばシリコーンである。光散乱粒子は、たとえばTiO2微粒子である。光散乱体30の大きさは、たとえば直径約1mm~約10mmの球体、または1辺約1mm~約10mmの立方体とすることができる。第1コリメータレンズ15Aにより平行光線を形成している第1レーザ光11Aを光散乱体30に照射する場合、光散乱体30の大きさは小さければ小さいほど、光散乱体30は理想的な点光源を形成する。第1コリメータレンズ15Aを設けないで第1レーザ光11Aを光散乱体30に照射する場合、光散乱体30の第1レーザ光11Aが照射される側の形状は、所定の面積を有する平面形状であるとよい図1参照。第1コリメータレンズ15Aを設けない場合、第1レーザ光11Aは光散乱体30に向かって所定の幅に広がりつつ照射される。第1レーザ光11Aが所定の幅に広がりつつ照射されるため、光散乱体30に照射される第1レーザ光11Aの単位面積あたりの光密度は、第1レーザ光11Aが平行光線を形成して照射される場合より、第1コリメータレンズ15Aを設けない場合の方が小さくなる。第1半導体レーザ素子10Aから光散乱体30までの距離が十分に短いと、第1レーザ光11Aが広がる前に光散乱体30に十分に照射されるため、第1コリメータレンズ15Aを設けなくてよい場合もある。第1コリメータレンズ15Aを設けなくてもよい場合は、第1レーザ光11Aが照射される側の光散乱体30の形状を、第1レーザ光11Aが光散乱体30に十分に照射されるような所定の断面積を有する任意の形状とすることができる。第1レーザ光11Aが照射される側の光散乱体30の形状を所定の面積を有する平面形状とすることで、照射される第1レーザ光11Aの光密度が小さくなり、かつ照射される第1レーザ光11Aによって光散乱体30が発熱することを抑制できる。発熱することを抑制された光散乱体30は、十分に照射された第1レーザ光11Aのエネルギーを損失することなく散乱させることができる。レーザ光第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、光散乱体30により散乱されるとき、混光されて照射対象物の視認が可能な光色を形成しているとよい。たとえば、白色のレーザ光を形成するため、光源装置101は、青色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子と、黄色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子とを備えているとよい。白色のレーザ光を形成するため、光源装置101は、赤色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子と、青緑色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子とを備えていてもよい。作用効果図4を再び参照して、本実施の形態における光源装置101の作用および効果について説明する。光源装置101は、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bを備えている。第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bが任意の色のレーザ光をそれぞれ発振し、発振されたレーザ光は光散乱体30を用いて混光され、光源装置101は任意の色の光を放出する光源として用いることができる。光散乱体30の大きさは小さければ小さいほど、光散乱体30は理想的な点光源を形成するため非常に有用である。光散乱体30に向かって照射された第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、光散乱体30の内部において多重散乱を繰り返す。多重散乱を繰り返した第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、光散乱体30の内部において合成され、光散乱体30の表面から放射状に任意の方向に向かう散乱光31A~31Fとなって散乱する。光散乱体30は、散乱光31A~31Fを放出する光源を形成する。放出された散乱光31A~31Fにより、光源装置101を種々の用途に用いられる光源として利用することができる。種々の用途とは、具体的には照明用の光源に限られず、オーバーヘッドプロジェクタのランプの代替用として、画像を投影する光源としても利用することができる。多重散乱を繰り返す前は、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのコヒーレンシーは高い。多重散乱を繰り返した後、光散乱体30は、コヒーレンシーが十分に低くなった散乱光31A~31Fを放出する。第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのコヒーレンシーが低下するため、光源装置101はレーザ光の重ね合わせ光干渉によって縞模様が発生することを抑制できる。第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのコヒーレンシーが低下し、かつ見かけ上の光源の大きさが光散乱体30の大きさにまで拡大するため、光源装置101はレーザ光が人体眼に悪影響を及ぼすことも抑制できる。光源装置101は、光散乱体30により第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bの波長を変換すること無く散乱光31A~31Fを放出する。散乱光31A~31Fが放出されても、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーは損失しない。光源装置101は、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bが発振した第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーを損失させることなく放出することができる。光源装置101は、所望の明るさを得るために、蛍光物質を備えた発光装置に比べてより小さなエネルギーを有するレーザ光により実現することができる。なお、本実施の形態では、2つの半導体レーザ素子を用いる場合について説明しているが、それぞれ異なる色のレーザ光を発振する2以上の半導体レーザ素子を用いる構成とすることも可能である。実施の形態5構成図5を参照して、本実施の形態における光源装置102について説明する。光源装置102は、合成手段20を備えている。より具体的に、光源装置102は、第1半導体レーザ素子10A、第2半導体レーザ素子10Bおよび第3半導体レーザ素子10Cと、光散乱体30と、合成手段20とを備えている。光源装置102は、実施の形態4の光源装置101と同様に、第1コリメータレンズ15A、第2コリメータレンズ15B、および第3コリメータレンズ15Cを備えているとよい。合成手段20は、第1ミラー20A、第2ミラー20B、および第3ミラー20Cを有する。合成手段20は、第1半導体レーザ素子10Aから発振された第1レーザ光11A、第2半導体レーザ素子10Bから発振された第2レーザ光11B、および第3半導体レーザ素子10Cから発振された第3レーザ光11Cを合成する。上述の実施の形態4における光源装置101において図4参照、第1半導体レーザ素子10Aから発振された第1レーザ光11A、および、第2半導体レーザ素子10Bから発振された第2レーザ光11Bは、相互に独立した状態で光散乱体30に向かってそれぞれ照射される。一方、本実施の形態における光源装置102において図5参照、第1半導体レーザ素子10Aから発振された第1レーザ光11A、第2半導体レーザ素子10Bから発振された第2レーザ光11B、および第3半導体レーザ素子10Cから発振された第3レーザ光11Cは、合成手段20により相互に合成された状態で1つのレーザ光12として光散乱体30に向かって照射される。第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cが合成手段20により合成され、レーザ光12を形成することについて、より詳細に説明する。第1半導体レーザ素子10Aから発振された第1レーザ光11Aは、第1ミラー20Aにより反射され、光散乱体30に向かって照射される。第2半導体レーザ素子10Bから発振された第2レーザ光11Bは、第2ミラー20Bにより反射され、光散乱体30に向かって照射される。第2ミラー20Bは誘電体多層膜ミラーである。第2ミラー20Bは、第2レーザ光11Bのみを99以上反射し、他の波長の光を透過させる。第1ミラー20Aにより反射され光散乱体30に向かって照射される第1レーザ光11Aは、第2ミラー20Bを図5紙面左方から右方に向かって通過する。第2ミラー20Bを通過した第1レーザ光11Aは、第2レーザ光11Bと合成する。第3半導体レーザ素子10Cから発振された第3レーザ光11Cは、第3ミラー20Cにより反射され、光散乱体30に向かって照射される。第3ミラー20Cも第2ミラー20Bと同様、誘電体多層膜ミラーである。第3ミラー20Cは、第3レーザ光11Cのみを99以上反射し、他の波長の光を透過させる。第2ミラー20Bを通過した第1レーザ光11A、および第2ミラー20Bにより反射され光散乱体30に向かって照射される第2レーザ光11Bは、第3ミラー20Cを図5紙面左方から右方に向かって通過する。第3ミラー20Cを通過した第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、第3レーザ光11Cと合成する。第3ミラー20Cを通過した第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、第3レーザ光11Cと合成して、1つのレーザ光12を形成する。レーザ光12は、合成手段20により光散乱体30に向かって照射される。その他の構成第1半導体レーザ素子10A、第2半導体レーザ素子10Bおよび第3半導体レーザ素子10C、および光散乱体30の構成については、実施の形態4における光源装置101と同様であるため、その説明を繰り返さないものとする。レーザ光第1レーザ光11A、第2レーザ光11Bおよび第3レーザ光11Cは、光散乱体30により散乱されるとき、混光されて照射対象物の視認が可能な光色を形成しているとよい。照射対象物の視認が可能な光色は、たとえば、白色であるとよい。散乱されたレーザ光が混光されて照射対象物の視認が可能な光色を形成するため、光源装置102は、第1半導体レーザ素子10Aに青色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子を用い、第2半導体レーザ素子10Bに赤色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子を用い、第3半導体レーザ素子10Cに緑色のレーザ光を発振する半導体レーザ素子を用いる。したがって、第1レーザ光11Aが青色レーザ光であり、第2レーザ光11Bは赤色レーザ光であり、第3レーザ光11Cが緑色レーザ光である。赤色レーザ光を発振する半導体レーザ素子は、たとえばGaAs基板の上にAlGaInP系の材料を形成することにより得ることができる。赤色レーザ光を発振する半導体レーザ素子は、波長約635nmのレーザ光を発振する。青色レーザ光を発振する半導体レーザ素子は、たとえばGaN基板またはサファイア基板の上にAlGaInN系の材料を形成することにより得ることができる。青色レーザ光を発振する半導体レーザ素子は、波長約445nmのレーザ光を発振する。緑色レーザ光を発振する半導体レーザ素子は、たとえば波長約808nmの赤外線レーザと、Nd:YVO4結晶から発振される波長約1064nmの赤外線とを非線形光学結晶を通すことにより得ることができる。緑色レーザ光を発振する半導体レーザ素子は、波長約532nmの第二高調波を発振する。なお、現時点では研究開発段階であり市販されていないが、緑色レーザ光を直接発振するAlGaInN系の材料を形成することにより得られる緑色レーザ光を発振する半導体レーザ素子を用いてもよい。赤色レーザ光を発振する半導体レーザ素子を約0.6W、青色レーザ光を発振する半導体レーザ素子を約1.5W、および緑色レーザ光を発振する半導体レーザ素子を約0.3Wでそれぞれ発振させることにより、白色光を得ることが出来る。発振されるレーザ光の種類または構成について、特に制限は無い。光源装置102は、光源として用いる所望の色に応じて任意の色のレーザ光を発振する2以上の半導体レーザ素子を備えているとよい。作用効果本実施の形態における光源装置102によれば、合成手段20によって第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cが合成されてレーザ光12となっても、第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーは損失しない。合成手段20によって第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーが損失したとしても、エネルギーの損失量は、蛍光物質を備えた発光装置が波長を変換するときのエネルギーの損失量に比べて極めて低い。合成手段20によって第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーが損失しないため、実施の形態4と同様に、レーザ光12が光散乱体30に照射され、散乱光31A~31Fが放出されても、第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーは損失しない。光源装置102は、第1半導体レーザ素子10A、第2半導体レーザ素子10Bおよび第3半導体レーザ素子10Cがそれぞれ発振した第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーを損失させることなく放出することができる。光散乱体30の大きさは小さければ小さいほど、光散乱体30は理想的な点光源を形成するため非常に有用である。実施の形態4における光源装置101によれば、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが相互に独立した状態で照射されるため、第1レーザ光11Aと第2レーザ光11Bとの間に、相互に所定の角度θをもって光散乱体30に向かって照射される図4参照。光源装置101は、光散乱体30の周りに、第1レーザ光11Aと第2レーザ光11Bとの間に相互に所定の角度θをもって照射されるための空間を有している必要がある。図5を再び参照して、光源装置102によれば、第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cが合成手段20により合成されて、1つのレーザ光12として光散乱体30に向かって照射される。光源装置102は、光散乱体30の周りに、1つのレーザ光12が照射されるための空間を有していればよい。光源装置102は、光源装置101に比べ、レーザ光が照射されるために必要な光散乱体30の周りの空間を小さくすることができる。光源装置102は、光源装置101に比べ、光散乱体30の周りの空間を利用して種々の機器を配置することができる。図5を再び参照して、光源装置102によれば、合成手段20によりレーザ光12が光散乱体30に向かって照射される。第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cを光散乱体30に向かって適切に照射するために、合成手段20の設置角度のみを精度良く調整すればよく、個々の半導体レーザ素子の全体の設置角度を調整する必要がない。ミラーなどの合成手段20の設置角度を調整する方が、個々の半導体レーザ素子の全体の設置角度を調整する方に比べて容易であり、且つ破損する可能性も低い。光源装置102は、光源装置101に比べ、容易かつ破損する可能性も低く設置することができる。実施の形態6構成図6を参照して、本実施の形態における光源装置103について説明する。光源装置103は、導光手段13を備えている。より具体的に、光源装置103は、第1半導体レーザ素子10A、第2半導体レーザ素子10B、および第3半導体レーザ素子10Cと、光散乱体30と、導光手段13とを備えている。導光手段13は、第1光ファイバ13A、第2光ファイバ13B、および第3光ファイバ13Cを有する。第1光ファイバ13Aは、第1半導体レーザ素子10Aから発振された第1レーザ光11Aを光散乱体30まで導光し、光散乱体30に向かって第1レーザ光14Aとして照射する。第2光ファイバ13Bは、第2半導体レーザ素子10Bから発振された第2レーザ光11Bを光散乱体30まで導光し、光散乱体30に向かって第2レーザ光14Bとして照射する。第3光ファイバ13Cは、第3半導体レーザ素子10Cから発振された第3レーザ光11Cを光散乱体30まで導光し、光散乱体30に向かって第3レーザ光14Cとして照射する。導光手段13として光ファイバを用いた場合について説明したが、光ファイバに限らず、導光手段13はたとえば石英を材料とするライトガイドであってもよい。その他の構成第1半導体レーザ素子10A、第2半導体レーザ素子10Bおよび第3半導体レーザ素子10Cおよび光散乱体30の構成については、実施の形態5における光源装置102と同様であるため、その説明を繰り返さないものとする。作用効果本実施の形態における光源装置103によれば、第1レーザ光14A、第2レーザ光14B、および第3レーザ光14Cは、相互に独立した状態で、導光手段13によって光散乱体30に向かってそれぞれ照射される。光源装置103によれば、導光手段13によって第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cが導光されて第1レーザ光14A、第2レーザ光14B、および第3レーザ光14Cとなっても、第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーは損失しない。導光手段13によって第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーが損失したとしても、エネルギーの損失量は、蛍光物質を備えた発光装置が波長を変換するときのエネルギーの損失量に比べて極めて低い。導光手段13によって第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーが損失しないため、実施の形態5と同様に、第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cが第1レーザ光14A、第2レーザ光14B、および第3レーザ光14Cとして光散乱体30に照射され、散乱光31A~31Fが放出されても、第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーは損失しない。光源装置103は、第1半導体レーザ素子10A、第2半導体レーザ素子10Bおよび第3半導体レーザ素子10Cがそれぞれ発振した第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーを損失させることなく放出することができる。光散乱体30の大きさは小さければ小さいほど、光散乱体30は理想的な点光源を形成するため非常に有用である。実施の形態4における光源装置101によれば、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bと光散乱体30との間の所定の空間を通じて光散乱体30に向かって照射される図4参照。光源装置101によれば、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bと光散乱体30との間に種々の機器を配置するとき、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bと光散乱体30との間に、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bの通り道である空間を有している必要がある。実施の形態5における光源装置102によれば、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振されたそれぞれの各レーザ光11A,11B,11Cは、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cと合成手段20との間の所定の空間、および合成手段20と光散乱体30との間の所定の空間を通じて光散乱体30に向かって照射される図5参照。光源装置102によれば、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cと合成手段20との間、または合成手段20と光散乱体30との間に種々の機器を配置するとき、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cと光散乱体30との間に、各レーザ光11A,11B,11Cの通り道である空間を有している必要がある。図6を再び参照して、本実施の形態における光源装置103によれば、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振されたそれぞれの各レーザ光11A,11B,11Cが導光手段13により導光され、各レーザ光14A,14B,14Cとして光散乱体30に向かって照射される。光源装置103は、光散乱体30の周りに各レーザ光14A,14B,14Cが照射されるための空間を有していればよい。光源装置103は、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cと光散乱体30との間に種々の機器を配置したとしても、種々の機器を避けるようにそれぞれの各レーザ光11A,11B,11Cを導光手段13によって導光することができる。光源装置103は、導光手段13によって光散乱体30に向かって各レーザ光14A,14B,14Cとして照射することができる。光源装置103は、光源装置101および光源装置102に比べ、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cと光散乱体30との間に種々の機器を配置することができる。実施の形態7構成図7を参照して、本実施の形態における光源装置201について説明する。光源装置201は、実施の形態4における光源装置101の構成に加え、略凹面形状の反射鏡40をさらに備えている。より具体的に、光源装置201は、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bと、光散乱体30と、反射鏡40とを備えている。反射鏡40は焦点を有しているとよい。光散乱体30は、反射鏡40の位置に配置されているとよい。光散乱体30が反射鏡40の焦点を含むように配置されていると、反射鏡40の投光効率が高くなる。光源装置201は、実施の形態4の光源装置101と同様に、第1コリメータレンズ15Aおよび第2コリメータレンズ15Bを備えているとよい。なお、本実施の形態に示す構成であっても、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bから光散乱体30までの距離が十分に短いと、コリメータレンズを設けなくてよい場合もある。第1半導体レーザ素子10Aは、光散乱体30に向かって第1レーザ光11Aを照射する。第2半導体レーザ素子10Bは、光散乱体30に向かって第2レーザ光11Bを照射する。図7の中では、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは反射鏡40を通して光散乱体30に向かって照射されている。第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが、反射鏡40を通して光散乱体30に向かって照射される場合、反射鏡40の第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bの通路に相当する位置に、第1開口部ピンホール41A1、および第2開口部41B1をそれぞれ設けるとよい。第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、反射鏡40を通さず、反射鏡40の出射口がある側図7紙面、反射鏡40より右側から光散乱体30に向かって照射されてもよい。作用効果実施の形態4と同様に、光散乱体30に向かって照射された第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、光散乱体30の内部において多重散乱を繰り返す。多重散乱を繰り返した第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bは、光散乱体30の内部において合成され、光散乱体30の表面から放射状に任意の方向に向かう散乱光31A~31Fとなって散乱する。光散乱体30は、散乱光31A~31Fを放出する光源を形成する。散乱光31A~31Fのうち、反射鏡40と反対側に向かって図7紙面、左方から右方へ向かって散乱光31A~31Cが放出される。散乱光31A~31Fのうち、反射鏡40に向かって図7紙面、右方から左方へ向かって放出される散乱光31D~31Fは、反射鏡40によって反射される。散乱光31A~31Cおよび反射された散乱光31D~31Fはさらに合成され、指向性を有する合成光32A~32Cとなって放出される。光散乱体30の大きさは小さければ小さいほど、光散乱体30は理想的な点光源を形成する。光散乱体30を、非常に小さな点光源として反射鏡40の焦点を含むように配置することにより、反射鏡40による光束の制御を効率的に行なうことが可能となる。反射鏡40を所望の大きさ若しくは形状に設計することにより、光源装置201は所望の指向性または明るさを有する合成光32A~32Cを放出することができる。反射鏡40の設計により、光源装置201は、所望の指向性または明るさを有し投光効率が高い合成光32A~32Cを放出することもできる。放出された合成光32A~32Cにより、光源装置201を、所望の指向性または明るさを有する光を放出する光源として利用することができる。反射鏡40をパラボラ形状放物線ミラーに構成し、反射鏡40の焦点位置に可能な限り小さな点光源を配置することにより、コヒーレンシーが十分に低くなった可視光の合成光を平行光線状に投光することが可能となる。この場合、光源装置201として、投光器、スポットライトなどの用途に適した光学系を容易に設計することが可能となる。なお、反射鏡40をパラボラ形状放物線ミラーに構成することで投光することが可能となり、反射鏡40を楕円ミラー形状に構成することで集光することが可能となる。光源装置201によれば、散乱光31D~31Fが反射鏡40によって反射されても、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーは損失しない。反射鏡40によって第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーが損失したとしても、エネルギーの損失量は、蛍光物質を備えた発光装置が波長を変換するときのエネルギーの損失量に比べて極めて低い。反射鏡40によって散乱光31D~31Fのエネルギーが損失しないため、実施の形態4と同様に、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bが光散乱体30に照射され、合成光32A~32Cとなって放出されても、第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーは損失しない。光源装置201は、第1半導体レーザ素子10Aおよび第2半導体レーザ素子10Bが発振した第1レーザ光11Aおよび第2レーザ光11Bのエネルギーを損失させることなく放出することができる。実施の形態8構成図8を参照して、本実施の形態における光源装置202について説明する。光源装置202は、合成手段20を有する実施の形態5の光源装置102の構成に加え、実施の形態7で説明した略凹面形状の反射鏡40をさらに備えている。より具体的に、光源装置202は、第1半導体レーザ素子10A、第2半導体レーザ素子10B、および第3半導体レーザ素子10Cと、合成手段20と、光散乱体30と、反射鏡40とを備えている。光源装置202は、実施の形態7の光源装置201と同様に、第1コリメータレンズ15A、第2コリメータレンズ15B、および第3コリメータレンズ15Cを備えているとよい。合成手段20は、実施の形態5における合成手段20と同じである。第1半導体レーザ素子10Aから発振された第1レーザ光11A、第2半導体レーザ素子10Bから発振された第2レーザ光11B、および第3半導体レーザ素子10Cから発振された第3レーザ光11Cは、合成手段20により合成されて、1つのレーザ光12を形成する。レーザ光12は、合成手段20により光散乱体30に向かって照射される。図8の中では、レーザ光12は反射鏡40を通して光散乱体30に向かって照射されている。レーザ光12は、反射鏡40を通さず、反射鏡40の出射口がある側図8紙面、反射鏡40より右側から光散乱体30に向かって照射されてもよい。実施の形態7と同様に、第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cが、反射鏡40を通して光散乱体30に向かって照射される場合、反射鏡40の各レーザ光11A,11B,11Cレーザ光12の通路に相当する位置に、開口部ピンホール41C1を設けるとよい。その他の構成第1半導体レーザ素子10A、第2半導体レーザ素子10B、第3半導体レーザ素子10C、光散乱体30および反射鏡40の構成については、実施の形態5の光源装置102および実施の形態7の光源装置201と同様であるため、その説明を繰り返さないものとする。作用効果実施の形態5と同様に、光源装置202によれば、合成手段20によって第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、第3レーザ光11Cが合成されてレーザ光12となっても、第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーは損失しない。光源装置202は、第1半導体レーザ素子10A、第2半導体レーザ素子10Bおよび第3半導体レーザ素子10Cが発振したそれぞれの第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cのエネルギーを損失させることなく放出することができる。実施の形態5の構成と同様に、光源装置202によれば、第1レーザ光11A、第2レーザ光11B、および第3レーザ光11Cが合成手段20により合成されて、1つのレーザ光12として光散乱体30に向かって照射される。光源装置202は、光源装置201に比べ、光散乱体30の周りの空間を利用して種々の機器を配置することができる。実施の形態7と同様に、反射鏡40をパラボラ形状放物線ミラーに構成し、反射鏡40の焦点位置に可能な限り小さな点光源を配置することにより、コヒーレンシーが十分に低くなった可視光の合成光を平行光線状に投光することが可能となる。この場合の光源装置202によれば、投光器、スポットライトなどの用途に適した光学系を容易に設計することが可能となる。実施の形態9構成図9を参照して、本実施の形態における光源装置203ついて説明する。光源装置203は、導光手段13を有する実施の形態6の光源装置103の構成に加え、実施の形態7で説明した略凹面形状の反射鏡40をさらに備えている。より具体的に、光源装置203は、第1半導体レーザ素子10A、第2半導体レーザ素子10B、および第3半導体レーザ素子10Cと、光散乱体30と、導光手段13と、反射鏡40とを備えている。導光手段13は、第1光ファイバ13A、第2光ファイバ13B、および第3光ファイバ13Cを有する。導光手段13は、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cがそれぞれ発振した各レーザ光11A,11B,11Cを光散乱体30まで導光する。導光手段13は、導光された各レーザ光11A,11B,11Cを、光散乱体30に向かって各レーザ光14A,14B,14Cとしてそれぞれ照射する。図9の中では、各レーザ光14A,14B,14Cは、反射鏡40に設けられた開口部41C2を通して光散乱体30に向かって照射されている。反射鏡40に設けられた開口部41C2を通して各レーザ光14A,14B,14Cを光散乱体30に照射する場合、導光手段13は光散乱体30の近くまで各レーザ光11A,11B,11Cを導光し、導光された各レーザ光11A,11B,11Cをできるだけ光散乱体30の近くから光散乱体30に向かって各レーザ光14A,14B,14Cとして照射するとよい。その他の構成第1半導体レーザ素子10A、第2半導体レーザ素子10B、第3半導体レーザ素子10C、光散乱体30および反射鏡40の構成については、実施の形態6の光源装置103および上記の光源装置201と同様であるため、その説明を繰り返さないものとする。作用効果本実施の形態における光源装置203によれば、実施の形態6の構成と同様に、各レーザ光14A,14B,14Cは、相互に独立した状態で、導光手段13によって光散乱体30に向かってそれぞれ照射される。光源装置203によれば、導光手段13によって各レーザ光11A,11B,11Cが導光されて各レーザ光14A,14B,14Cとなっても、各レーザ光11A,11B,11Cのエネルギーは損失しない。導光手段13によって各レーザ光11A,11B,11Cのエネルギーが損失しないため、実施の形態6の構成と同様に、各レーザ光11A,11B,11Cが各レーザ光14A,14B,14Cとして光散乱体30に照射され、散乱光31A~31Fが放出されても、各レーザ光11A,11B,11Cのエネルギーは損失しない。光源装置203は、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cがそれぞれ発振した各レーザ光11A,11B,11Cのエネルギーを損失させることなく放出することができる。実施の形態7と同様に、反射鏡40をパラボラ形状放物線ミラーに構成し、反射鏡40の焦点位置に可能な限り小さな点光源を配置することにより、コヒーレンシーが十分に低くなった可視光の合成光を平行光線状に投光することが可能となる。この場合の光源装置203によれば、投光器、スポットライトなどの用途に適した光学系を容易に設計することが可能となる。実施の形態10図10を参照して、本実施の形態における光源装置203aついて説明する。光源装置203aは、実施の形態9における光源装置203に対して、反射鏡40に開口部41C2を設けずに、第1レーザ光14A、第2レーザ光14B、および第3レーザ光14Cを、反射鏡40の出射口がある側図10紙面、反射鏡40より右側から光散乱体30に向かって照射するように、導光手段13を配設している。その他の構成は、実施の形態9における光源装置203と同じである。この構成によっても、上記の実施の形態9における光源装置203と同様に、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cが発振した各レーザ光11A,11B,11Cのエネルギーを損失させることなく放出することができる。実施の形態7と同様に、反射鏡40をパラボラ形状放物線ミラーに構成し、反射鏡40の焦点位置に可能な限り小さな点光源を配置することにより、コヒーレンシーが十分に低くなった可視光の合成光を平行光線状に投光することが可能となる。この場合の光源装置203aによれば、投光器、スポットライトなどの用途に適した光学系を容易に設計することが可能となる。実施の形態11構成図11および図12を参照して、本実施の形態における光源装置301について説明する。図11を参照して、この光源装置301は、第1半導体レーザ素子10Aと、第2半導体レーザ素子10Bと、第3半導体レーザ素子10Cと、光散乱体30と、導光手段としての導光部材60とを備えている。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cは、それぞれ波長の異なる可視領域のレーザ光を発振する。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振される各レーザ光の波長は、それぞれ異なっている。導光部材60は、外形が略錐台状に形成されている。ここでいう錐台状とは、たとえば四角錐等の多角錐または円錐などの頭頂部を底面よりも面積が小さな面で切断した形状のことを意味する。導光部材60は、可視光に対して透明な材料から構成されている。導光部材60は、たとえば、可視光に対して透明性を有する光学ガラスBK7または樹脂等である。導光部材60は、入光面62底面と、入光面62より表面積が小さい出光面64とを有している。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cは、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振された各レーザ光11A,11B,11Cが導光部材60の内部に向かうように、入光面62側に近接して配置されている。光散乱体30は、導光部材60の内部を導光した各レーザ光11A,11B,11Cが照射されるように、出光面64側に近接して配置されている。図12を参照して、第1半導体レーザ素子10Aは、第1半導体レーザ素子10Aから発振された第1レーザ光11Aが、導光部材60の内部において全反射を繰り返しながら、入光面62側から出光面64側に向かって導波するように配置されているとよい。第3半導体レーザ素子10Cは、第3半導体レーザ素子10Cから発振された第3レーザ光11Cが、導光部材60の内部において全反射を繰り返しながら、入光面62側から出光面64側に向かって導波するように配置されているとよい。図12においては、各レーザ光の光軸を破線11A~11Cで示している。この破線11A~11Cは、各レーザ光の光軸の方向および導光部材60の内部での反射の様子を模式的に示したものである。実際には、各レーザ光はこの光軸を中心として、各半導体レーザ素子10A~10Cから所定の角度の放射角をもって拡がって放出される。各レーザ光が拡がって放出されても、拡がった光も含めて導光部材60の内部で全反射が起こり、出光面64に集光される。以下の図13~図17においても同様である。外部からリード線18を通して所定の命令が各半導体レーザ素子10A,10B,10Cに与えられることにより、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cは、それぞれ独立してレーザ光を発振することができる。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振された各レーザ光11A,11B,11Cは、光散乱体30により散乱されるとき、混光されて照射対象物の視認が可能な光色を形成しているとよい。たとえば白色のレーザ光を形成するため、光源装置301においては、第1半導体レーザ素子10Aは、青色のレーザ光を発振するとよい。第2半導体レーザ素子10Bは、赤色のレーザ光を発振するとよい。第3半導体レーザ素子10Cは、緑色のレーザ光を発振するとよい。なお、色の組合せは上記に限定されるものではない。発振されるレーザ光の種類、数または構成についても、特に制限は無い。作用効果本実施の形態における光源装置301の作用および効果について説明する。光源装置301は、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cが任意の色のレーザ光11A,11B,11Cをそれぞれ発振する。各レーザ光11A,11B,11Cは、導光部材60の内部を全反射しながら、出光面64に向かって導波する。各レーザ光11A,11B,11Cは、出光面64を通って光散乱体30に到達する。導光部材60の斜面側の傾斜角は、各レーザ光11A,11B,11Cが全反射しながら導波するように設計されているとよい。各レーザ光11A,11B,11Cは、光散乱体30の内部において多重散乱を繰り返す。多重散乱を繰り返した各レーザ光は、光散乱体30の内部において合成され、光散乱体30の表面から放射状に任意の方向に向かう散乱光31A~31Eとなって散乱する。光散乱体30は、散乱光31A~31Eを放出する光源を形成する。多重散乱を繰り返すことにより、光散乱体30は、コヒーレンシーが十分に低くなった散乱光31A~31Eを放出する。各レーザ光のコヒーレンシーが低下するため、光源装置301はレーザ光の重ね合わせ光干渉によって縞模様が発生することを抑制できる。各レーザ光のコヒーレンシーが低下し、かつ見かけ上の光源の大きさが光散乱体30の大きさにまで拡大するため、光源装置301はレーザ光が人体眼に悪影響を及ぼすことも抑制できる。光源装置301が導光部材60を備えていることにより、上述の実施の形態1~9で説明した各光源装置レーザ光をコリメートレンズに通過させることにより平行光線を形成する構成、または、導光手段として光ファイバを用いる構成などとは異なり、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cの取付精度に対する要求を低くすることが可能となる。換言すると、アライメントフリーで各レーザ光を集光および散乱させることが可能になる。外部要因により光源装置301に振動などが発生したとしても、アライメントがずれたり故障したりすることが極めて少なくなる。実施の形態12図13を参照して、本実施の形態における光源装置301aについて説明する。ここでは、上述の実施の形態11における光源装置301との相違点についてのみ説明する。光源装置301aにおいては、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cが、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振される各レーザ光11A,11B,11Cの光軸が、すべて光散乱体30に向くように配置されている。各レーザ光11A,11B,11Cは、各レーザ光11A,11B,11Cの光軸がすべて光散乱体30に向いた状態で、導光部材60の内部を導波する。導光部材60の内部において各レーザ光が反射しないため若しくは反射する回数が極めて少なくなるため、各レーザ光11A,11B,11Cのエネルギーが損失することを抑制できる。実施の形態13図14を参照して、本実施の形態における光源装置301bについて説明する。ここでは、上述の実施の形態12における光源装置301aとの相違点についてのみ説明する。光源装置301bにおいては、光散乱体30が、出光面64側において導光部材60と一体化接合されている。光散乱体30は、導光部材60の出光面64側に対して作りつけられることにより、導光部材60と一体化されている。各レーザ光11A,11B,11Cは、導光部材60の内部を導波した後、そのまま光散乱体30に照射入光される。導光部材60の出光面64側と、光散乱体30との間において、各レーザ光11A,11B,11Cのエネルギーが損失することを抑制できる。実施の形態14図15を参照して、実施の形態14における光源装置302について説明する。ここでは、上述の実施の形態12における光源装置301aとの相違点についてのみ説明する。光源装置302は、実施の形態1と同様な略凹面形状の反射鏡40をさらに備えている。反射鏡40は焦点を有しているとよい。光散乱体30は、反射鏡40の焦点を含むように配置されているとよい。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振された各レーザ光11A,11B、11Cは、導光部材60の内部を導波した後、光散乱体30に照射される。各レーザ光11A,11B、11Cは、反射鏡40に設けられた開口部41を通して光散乱体30に向かって照射されている。各レーザ光11A,11B、11Cは、光散乱体30の内部において合成され、光散乱体30の表面から放射状に任意の方向に向かう散乱光31A~31Eとなって散乱する。光源装置302は、散乱光31A~31Eにより実施の形態1と同様な合成光が形成されるよう構成されてもよい。反射鏡40を所望の大きさ若しくは形状に設計することにより、光源装置302は所望の指向性または明るさを有する散乱光31A~31Eを放出することができる。反射鏡40の設計により、光源装置302は、所望の指向性または明るさを有し投光効率が高い散乱光31A~31Eを放出することもできる。放出された散乱光31A~31Eにより、光源装置302を、所望の指向性または明るさを有する光を放出する光源として利用することができる。実施の形態15図16を参照して、本実施の形態における光源装置303について説明する。この光源装置303は、第1半導体レーザ素子10Aと、第2半導体レーザ素子10Bと、第3半導体レーザ素子10Cと、光散乱体30と、パッケージ50と、導光部材60とを備えている。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cおよびパッケージ50については、上述の実施の形態2における光源装置100a図2参照と同様に構成される。導光部材60は、上述の実施の形態11における光源装置301図11参照と同様に構成される。本実施の形態の光源装置303における導光部材60は、導光部材60の入光面62が、パッケージ50のガラス58に密着するように配置されているとよい。作用効果光源装置303においては、光散乱体30の大きさを、上述の実施の形態2の光源装置100a図2参照における光散乱体30の大きさに比べて小さくすることが可能となる。光源装置303においては、たとえば各半導体レーザ素子10A,10B,10Cの間隔よりも小さな光散乱体30を採用することが可能となる。光散乱体30の大きさとしてより小さいものを採用することにより、光散乱体30は理想的な点光源を形成することが可能となる。本実施の形態における光源装置303において、上述の実施の形態12と同様に、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cが、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振される各レーザ光11A,11B,11Cの光軸が、すべて光散乱体30に向くように配置されていてもよい。本実施の形態における光源装置303において、上述の実施の形態13と同様に、光散乱体30が、導光部材60と一体的に構成されていてもよい。実施の形態16図17を参照して、本実施の形態における光源装置303aについて説明する。ここでは、上述の実施の形態15における光源装置303との相違点についてのみ説明する。光源装置303aにおいては、実施の形態1と同様な略凹面形状の反射鏡40をさらに備えている。反射鏡40は焦点を有しているとよい。光散乱体30は、反射鏡40の焦点を含むように配置されているとよい。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振された各レーザ光11A,11B、11Cは、導光部材60の内部を導波した後、光散乱体30に照射される。各レーザ光11A,11B、11Cは、反射鏡40に設けられた開口部41を通して光散乱体30に向かって照射されている。各レーザ光11A,11B、11Cは、光散乱体30の内部において合成され、光散乱体30の表面から放射状に任意の方向に向かう散乱光31A~31Eとなって散乱する。光源装置303aは、散乱光31A~31Eにより実施の形態1と同様な合成光が形成されるよう構成されてもよい。反射鏡40を所望の大きさ若しくは形状に設計することにより、光源装置303aは所望の指向性または明るさを有する散乱光31A~31Eを放出することができる。反射鏡40の設計により、光源装置303aは、所望の指向性または明るさを有し投光効率が高い合成光32A~32Eを放出することもできる。放出された散乱光31A~31Eにより、光源装置303aを、所望の指向性または明るさを有する光を放出する光源として利用することができる。なお、上記の各実施の形態1~16においては、2つの半導体レーザ素子を用いる場合、または3つの半導体レーザ素子を用いる場合について説明しているが、半導体レーザ素子は、これらの数量に限定されるものではない。より好ましい白色光を得るために、4つ以上の半導体レーザ素子を用いて、異なる4色以上のレーザ光を用いることも可能である。実施の形態17構成図18を参照して、本実施の形態における光源装置401について説明する。光源装置401は、第1半導体レーザ素子10Aと、第2半導体レーザ素子10Bと、第3半導体レーザ素子10Cと、導光手段としての導光部材60とを備えている。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cは、それぞれ波長の異なるレーザ光を発振する。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振される各レーザ光の波長は、それぞれ異なっていても、略同一であってもよい。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振される各レーザ光の波長は、可視領域であってもよい。導光部材60は、外形が略錐台状に形成されている。ここでいう錐台状とは、たとえば四角錐等の多角錐または円錐などの頭頂部を底面よりも面積が小さな面で切断した形状のことを意味する。導光部材60は、レーザ光に対して透明な材料から構成されている。導光部材60は、たとえば使用するレーザ光が可視光であれば、可視光に対して透明性を有する光学ガラスBK7または樹脂等である。導光部材60は、たとえば使用するレーザ光が紫外光であれば、合成石英等である。導光部材60は、入光面62底面と、入光面62より表面積が小さい出光面64とを有している。各半導体レーザ素子10A,10B,10Cは、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振された各レーザ光11A,11B,11Cが導光部材60の内部に向かうように、入光面62側に近接して配置されている。第1半導体レーザ素子10Aは、第1半導体レーザ素子10Aから発振された第1レーザ光11Aが、導光部材60の内部において全反射を繰り返しながら、入光面62側から出光面64側に向かって導波するように配置されているとよい。第3半導体レーザ素子10Cは、第3半導体レーザ素子10Cから発振された第3レーザ光11Cが、導光部材60の内部において全反射を繰り返しながら、入光面62側から出光面64側に向かって導波するように配置されているとよい。図18においては、各レーザ光の光軸を破線11A~11Cで示している。この破線11A~11Cは、各レーザ光の光軸の方向および導光部材60の内部での反射の様子を模式的に示したものである。実際には、各レーザ光はこの光軸を中心として、各半導体レーザ素子10A~10Cから所定の角度の放射角をもって拡がって放出される。各レーザ光が拡がって放出されても、拡がった光も含めて導光部材60の内部で全反射が起こり、出光面64に集光される。以下の図19および図20においても同様である。外部からリード線18を通して所定の命令が各半導体レーザ素子10A,10B,10Cに与えられることにより、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cは、それぞれ独立してレーザ光を発振することができる。作用効果本実施の形態における光源装置401の作用および効果について説明する。光源装置401は、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cが任意の色のレーザ光11A,11B,11Cをそれぞれ発振する。各レーザ光11A,11B,11Cは、導光部材60の内部を全反射しながら、出光面64に向かって導波する。導光部材60の斜面側の傾斜角は、各レーザ光11A,11B,11Cが全反射しながら導波するように設計されているとよい。光源装置401が導光部材60を備えていることにより、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cの取付精度に対する要求を低くすることが可能となる。換言すると、アライメントフリーで各レーザ光を集光させることが可能になる。外部要因により光源装置401に振動などが発生したとしても、アライメントがずれたり故障したりすることが極めて少なくなる。光源装置401によれば、比較的低い取付精度でレーザ光を容易に集光させ、レーザ光31として出射させることができる。光源装置401を簡便な集光光学素子として利用することができる。実施の形態18図19を参照して、本実施の形態における光源装置401aについて説明する。ここでは、上述の実施の形態17における光源装置401との相違点についてのみ説明する。光源装置401aにおいては、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cが、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振される各レーザ光11A,11B,11Cの光軸が、すべて出光面64に向くように配置されている。好適には、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cが、各半導体レーザ素子10A,10B,10Cから発振される各レーザ光11A,11B,11Cの光軸が、すべて出光面64の略中央に向くように配置されているとよい。各レーザ光11A,11B,11Cは、各レーザ光11A,11B,11Cの光軸がすべて出光面64に向いた状態で、導光部材60の部を導波する。導光部材60の内部において、各レーザ光の光軸方向に沿って出射されたレーザ光は反射しないで出光面に届き、また各レーザの光軸方向に対して斜めに出射されたレーザ光は、導光部材内でより少ない回数の全反射で出光面に届くため、各レーザ光11A,11B,11Cのエネルギーが損失することを抑制できる。実施の形態19図20を参照して、本実施の形態における光源装置402について説明する。光源装置402は、第1半導体レーザ素子10Aと、実施の形態17および実施の形態18と同様に構成される導光部材60とを備えている。第1半導体レーザ素子10Aは、第1半導体レーザ素子10Aから発振された第1レーザ光11Aが導光部材60の内部に向かうように、入光面62側に近接して配置されている。第1半導体レーザ素子10Aは、第1半導体レーザ素子10Aから発振された第1レーザ光11Aが、導光部材60の内部において全反射を繰り返しながら、入光面62側から出光面64側に向かって導波するように配置されているとよい。外部からリード線18を通して所定の命令が第1半導体レーザ素子10Aに与えられることにより、第1半導体レーザ素子10Aはレーザ光を発振することができる。光源装置402においても、第1半導体レーザ素子10Aから発振されたレーザ光を、比較的低い取付精度で容易に集光させることができる。光源装置402を、集光されたレーザ光31を出射する簡便な集光光学素子として利用することができる。以上、本発明の各実施の形態について説明したが、今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"