1半極性面を主面とする複数のIII族窒化物シードを同一平面上に各シード間の主面の面方位の分布が±0.5°以内となるように配置し、前記半極性面上にホモエピタキシャル成長を行ってIII族窒化物半導体結晶を得る第1工程、および、2前記III族窒化物半導体結晶から、前記半極性面とは異なる面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得する第2工程を含むことを特徴とする、III族窒化物半導体基板の製造方法。前記複数のIII族窒化物シードを下記式を満たすように配置することを特徴とする、請求項1に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。Sa/Sc≧1上式において、SaはIII族窒化物シードの極性面と主面との交線方向の辺どうしが接する距離の総和を表し、Scはそれ以外の辺どうしが接する距離の総和を表す。前記第1工程において、主面がhklmである半極性面を主面とするIII族窒化物シードを用いることを特徴とする、請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法前記h、k、l、mは、それぞれ独立に-3~3のいずれかの整数である。前記第1工程において、主面上に結晶を1mm以上成長させることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。前記第2工程において、前記III族窒化物半導体結晶を研磨および/または切断することにより前記III族窒化物半導体基板を取得することを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。前記第2工程において、非極性面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得することを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。前記第2工程において、{10-10}面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得することを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。前記第2工程において、厚さが100μm以上のIII族窒化物半導体基板を取得することを特徴とする、請求項1~7のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。前記第2工程において、主面の最大径が10mm以上のIII族窒化物半導体基板を取得することを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。前記III族窒化物が窒化ガリウムであることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。請求項1~10のいずれか一項に記載の製造方法により製造されるIII族窒化物半導体基板。上記のとおり、極性面を主面とするIII族窒化物シード上に結晶をホモエピタキシャル成長させた後に、所望の面が現われるように切り出す方法では、積層欠陥が少ないIII族窒化物半導体基板が得られるものの大きいサイズの基板を得ることができないという課題がある。一方、10-10面のような非極性面を主面とするIII族窒化物シード上に結晶をホモエピタキシャル成長させた後に、10-10面を主面とする基板を切り出す方法を本発明者らが検討したところ、厚膜の結晶を成長させて基板を作製しようとすると積層欠陥が多くなってしまうというという課題があることが初めて明らかになった。つまり、本発明者らの検討において、10-10面を主面とするIII族窒化物シード上でホモエピタキシャル成長をして得られたIII族窒化物結晶は、0001面を主面とするIII族窒化物シード上でホモエピタキシャル成長をして得られたIII族窒化物結晶に比べて、厚膜成長をさせた場合に多くの積層欠陥を有するとの課題が判明した。このように、従来の方法では積層欠陥が少なくて、なおかつ、大きなIII族窒化物半導体基板を提供することはできなかった。一方、基板の主面上にホモエピタキシャル成長を行ったときに特に極性面に平行な方向の積層欠陥の発生を顕著に抑えることができれば、高性能で高効率な発光デバイスの製造に極めて有用であると考えられる。しかしながら、そのようなIII族窒化物半導体基板を提供する方法は従来まったく提供されていなかった。そこで本発明者らは、このような従来技術の課題を解決するために、積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を提供することが可能である新しい製造方法を提供することを本発明の目的として検討を進めた。また本発明者らは、基板の主面上にさらにホモエピタキシャル成長を行った場合に、積層欠陥が少なくて、特に極性面に平行な方向の積層欠陥が顕著に抑えられた結晶を得ることが可能なIII族窒化物半導体基板を提供することも目的として検討を進めた。さらに本発明者らは、上記の製造方法やIII族窒化物半導体基板を用いることにより、発光強度が強くて、耐久性がある半導体発光デバイスを提供できるようにすることも目的として検討を進めた。本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、シードの半極性面上にホモエピタキシャル成長を行った後に、所望の面が現れるように研磨または切断することにより、従来技術の課題を解決しうることを見出した。すなわち、課題を解決する手段として、以下の本発明を提供するに至った。[1]1半極性面を主面とする複数のIII族窒化物シードを同一平面上に各シード間の主面の面方位の分布が±0.5°以内となるように配置し、前記半極性面上にホモエピタキシャル成長を行ってIII族窒化物半導体結晶を得る第1工程、および、2前記III族窒化物半導体結晶から、前記半極性面とは異なる面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得する第2工程を含むことを特徴とする、III族窒化物半導体基板の製造方法。[2]前記複数のIII族窒化物シードを下記式を満たすように配置することを特徴とする、[1]に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。Sa/Sc≧1上式において、SaはIII族窒化物シードの極性面と主面との交線方向の辺どうしが接する距離の総和を表し、Scはそれ以外の辺どうしが接する距離の総和を表す。[3]前記第1工程において、主面がhklmである半極性面を主面とするIII族窒化物シードを用いることを特徴とする、[1]または[2]に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法前記h、k、l、mは、それぞれ独立に-3~3のいずれかの整数である。[4]前記第1工程において、主面上に結晶を1mm以上成長させることを特徴とする、[1]~[3]のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。[5]前記第2工程において、前記III族窒化物半導体結晶を研磨および/または切断することにより前記III族窒化物半導体基板を取得することを特徴とする、[1]~[4]のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。[6]前記第2工程において、非極性面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得することを特徴とする、[1]~[5]のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。[7]前記第2工程において、{10-10}面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得することを特徴とする、[1]~[6]のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。[8]前記第2工程において、厚さが100μm以上のIII族窒化物半導体基板を取得することを特徴とする、[1]~[7]のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。[9]前記第2工程において、主面の最大径が10mm以上のIII族窒化物半導体基板を取得することを特徴とする、[1]~[8]のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。[10]前記III族窒化物が窒化ガリウムであることを特徴とする[1]~[9]のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法。[11][1]~[10]のいずれか一項に記載の製造方法により製造されるIII族窒化物半導体基板。本発明の製造方法によれば、積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を簡便に提供することが可能である。そして製造されるIII族窒化物半導体基板の主面上にホモエピタキシャル成長を行えば、積層欠陥が少なくて、特に極性面に平行な方向の積層欠陥が顕著に抑えられた結晶を得ることができる。このため、本発明を利用すれば、発光強度が強くて、耐久性に優れた半導体発光デバイスを提供することができる。以下において、本発明の製造方法とIII族窒化物半導体基板について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様や具体例に限定されるものではない。なお、本願において~を用いて表される数値範囲は、~の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本願におけるミラー指数は、指数が負である場合に当該指数の前にマイナス記号をつけて表記している。本明細書においてオフ角とは、ある面の指数面からのずれを表す角度である。また、チルト角とは、結晶面内で基準とする結晶軸に対するある結晶軸のずれを表す角度である。本明細書では、結晶面の主面の中心における結晶軸を基準として、主面上の他の位置における結晶軸が中心の結晶軸からどの程度ずれているかを表す角度である。[1]III族窒化物半導体基板の製造方法1-1第1工程<第1工程の内容>本発明のIII族窒化物半導体基板の製造方法における第1工程は、半極性面を主面とするIII族窒化物シードの前記半極性面上にホモエピタキシャル成長を行ってIII族窒化物半導体結晶を得る工程である。ここでIII族窒化物シードの主面とは、構造体において最も広い面であって、結晶成長を行うべき面のことを指す。<III族窒化物シード>第1工程において使用するシードは、III族窒化物で構成される。III族窒化物としては、窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムAlN、窒化インジウムInN、又はこれらの混晶などを挙げることができる。本発明では、本発明の製造方法によって製造するIII族窒化物半導体基板と同種のIII族窒化物で構成されるシードを選択する。例えば、本発明によって窒化ガリウムGaN半導体基板を製造する場合は、窒化ガリウムGaNで構成されるシードを用いる。ただし、前記シードと前記III族窒化物半導体基板とは、完全に同一の組成である必要はなく、99.75原子比以上の組成が一致していれば同種のIII族窒化物であるとする。例えば、GaNで構成されるシード上にSiや酸素などをドーピングしたIII族窒化物結晶を成長させる場合は、同種のIII族窒化物を成長させているとしてホモエピタキシャル成長と称する。第1工程において使用するIII族窒化物シードは、半極性面を主面とするものである。本願において半極性面とは、表面にIII族元素と窒素元素の両方が存在しており、かつその存在比が1:1でない面を意味する。具体的には、極性面から11°以上傾いている面であって、非極性面から5°以上傾いている面が好ましい。半極性面は、低指数面であることが好ましい。例えば、III族窒化物シードが六方晶であってその主面がhklmで表される場合、h、k、l、mはそれぞれ独立に-3~3のいずれかの整数であることが好ましく、-2~2のいずれかの整数であることがより好ましい。本発明で用いるIII族窒化物シードの主面の具体例として、10-11面、10-1-1面、20-21面、20-2-1面、10-12面、10-1-2面などを挙げることができる。第1工程において使用するIII族窒化物シードの主面は、本発明の製造方法によって製造するIII族窒化物半導体基板の主面に対する角度が特定の範囲内になるように選択することが好ましい。具体的には、本発明の製造方法によって製造するIII族窒化物半導体基板の主面に対して13~49°の角度で交差する面を主面とするIII族窒化物シードを選択することが好ましく、13~43°の角度で交差する面主面とするIII族窒化物シードを選択することがより好ましく、13~30°の角度で交差する面主面とするIII族窒化物シードを選択することがさらに好ましい。例えば、10-10面を主面とするIII族窒化物半導体基板を製造する場合は、28°で交差する10-11面又は10-1-1面を主面とするIII族窒化物シードや、15°で交差する20-21面又は20-2-1面を主面とするIII族窒化物シードを採用することが好ましい。より好ましくは、20-21面又は20-2-1面を主面とするIII族窒化物シードである。これらのIII族窒化物シードを用いた場合には、得られるIII族窒化物半導体結晶の積層欠陥が低減するため好ましい。なお、III族窒化物シードは、0001面の総面積よりも000-1面の総面積が大きくなっていると、極性面と主面の交差線方向の基板の反りを交差線に直交する方向の基板の反りよりも、より小さくすることができるため好ましい。第1工程においては、複数のIII族窒化物シードを用いてもよい。上述のIII族窒化物シードとして大型のものを準備できない場合でも、複数のIII族窒化物シードの半極性面を並べて配置し、大面積の主面を作製すればよい。複数のIII族窒化物シードを用いた場合でも、後述のホモエピタキシャル成長を行った場合には、複数のIII族窒化物シード上に一体となった結晶が成長するため、大面積のIII族窒化物半導体結晶を得ることが可能となる。複数のIII族窒化物シードは、同一の半極性面を有するものを用いても、異なる半極性面を有するものを用いてもよい。複数のIII族窒化物シードを並べる際には、同一平面上に結晶方位をそろえて並べ、少なくとも隣り合うシードが互いに接するように並べることが好ましい。なお、結晶方位とは各シードにおける主面法線方向の傾きを意味するものであるため、結晶方位をそろえることはシード間のオフ角度をそろえることと同義である。特に、得られるIII族窒化物半導体結晶が均一になることから、シード間の主面の面方位の分布が±5°以内であることが好ましく、より好ましくは±3°以内、さらに好ましくは±1°以内、もっとも好ましくは±0.5°以内である。なお、面方位とは各シードにおける主面法線方向の傾きを意味するものであるため、面方位の分布が±5°以内であることはオフ角度が±5°以内であることと同義である。複数のIII族窒化物シードの配置方法は特に限定されず、同一平面上に隣り合うように配置してもよいし、平面上で重なり合って隣り合うように配置してもよい。複数のIII族窒化物シードの主面が異なる面方位である場合には、各々の主面の面方位が同一方向となるように配置すると、シードの接合部上に得られるIII族窒化物半導体結晶の結晶性が良好になる傾向があり好ましい。なお、複数のIII族窒化物シードを並べる際には各シードの主面と極性面との交線方向を揃えて並べることが好ましく、各シード間の主面と極性面との交線方向の分布が±5°以内となるように揃えることが好ましく、±3°以内となるように揃えることがより好ましく、±1°以内となるようにそろえることがさらに好ましく、±0.5°以内となるように揃えることが特に好ましい。また、少なくともシードの主面と極性面との交線方向の辺で互いに接するように並べることが好ましい。例えば、主面とC面との交線方向の辺と、それに直交する辺を有する主面を含む直方体または立方体の同一形状のIII族窒化物自立基板を並べる際には、少なくとも主面と極性面との交線方向の辺どうしが接するように、好ましくはそれに直交する辺どうしも接するように並べる。このとき、極性面と主面との交線方向の辺どうしが接する距離の総和Saが、それ以外の辺どうしが接する距離の総和Scよりも長くなるようにすることが好ましい。距離の総和の比Sa/Scは1以上であることが好ましく、2以上であることがより好ましく、2.5以上であることがさらに好ましい。このように、距離の総和の比が下限以上である場合には、極性面と主面の交差線方向の反りを小さくすることができ、好ましい。また、距離の総和の比が下限以上である場合には、各シードにおける<0001>c軸方向のオフ角度をそろえることが好ましい。また、距離の総和の比Sa/Scは20以下であることが好ましく、15以下であることがより好ましく、10以下であることがさらに好ましく、8以下であることがよりさらに好ましく、5以下であることが特に好ましい。<ホモエピタキシャル成長>第1工程におけるホモエピタキシャル成長は、シードを構成するIII族窒化物と同種のIII族窒化物をシードの半極性面上に成長させるものである。このとき、III族窒化物シードの主面である半極性面以外の面にも成長が行われてもよい。また、第1工程におけるホモエピタキシャル成長は、III族窒化物シードの主面上に成長するものであれば、主面に対して必ずしも垂直な方向に成長させるものでなくてもよい。また、成長の方向は第1工程中に変わってもよい。III族窒化物シードの半極性面上に成長させる結晶の厚さは、最終的に取得したいIII族窒化物半導体基板のサイズ等に応じて適宜決定することができる。シードの半極性面上に成長させる結晶の厚さは、例えば1~51mmとすることができ、3~24mmとすることができ、10~14mmとすることができる。ここでいう厚さは、シードの半極性面に対して垂直な方向の厚さを意味する。ホモエピタキシャル成長の具体的な方法については特に制限されない。例えば、ハイドライド気相成長法HVPE法、有機金属化学気相堆積法MOCVD法、液相法、アモノサーマル法などを採用することが可能であり、HVPE法、液相法、アモノサーマル法を好ましく用いることができる。<製造装置と製造条件>本発明では、III族窒化物半導体結晶を成長させることができる製造装置を適宜選択して用いることができる。以下では、本発明の製造方法を実施するための好ましい製造装置の一例として、図1を参照しながらHVPE法の製造装置を説明する。1基本構造図1の製造装置は、リアクター100内に、シード110を載置するためのサセプター108と、成長させるIII族窒化物半導体の原料を入れるリザーバー106とを備えている。また、リアクター100内にガスを導入するための導入管101~105と、排気するための排気管109が設置されている。さらに、リアクター100を側面から加熱するためのヒーター107が設置されている。2リアクターの材質、雰囲気ガスのガス種リアクター100の材質としては、石英、焼結体窒化ホウ素、ステンレス等が用いられる。好ましい材質は石英である。リアクター100内には、反応開始前にあらかじめ雰囲気ガスを充填しておく。雰囲気ガスキャリアガスとしては、例えば、水素、窒素、He、Ne、Arのような不活性ガス等を挙げることができる。これらのガスは混合して用いてもよい。3サセプターの材質、形状、成長面からサセプターまでの距離サセプター108の材質としてはカーボンが好ましく、SiCで表面をコーティングしているものがより好ましい。サセプター108の形状は、本発明で用いるIII族窒化物シードを設置することができる形状であれば特に制限されないが、結晶成長する際に結晶成長面付近に構造物が存在しないものであることが好ましい。結晶成長面付近に成長する可能性のある構造物が存在すると、そこに多結晶体が付着し、その生成物としてHClガスが発生して結晶成長させようとしている結晶に悪影響が及んでしまう。シード110とサセプター108の接触面は、シードの主面結晶成長面から1mm以上離れていることが好ましく、3mm以上離れていることがより好ましく、5mm以上離れていることがさらに好ましい。4リザーバーリザーバー106には、成長させるIII族窒化物半導体の原料を入れる。具体的には、III族源となる原料を入れる。そのようなIII族源となる原料として、Ga、Al、Inなどを挙げることができる。リザーバー106にガスを導入するための導入管103からは、リザーバー106に入れた原料と反応するガスを供給する。例えば、リザーバー106にIII族源となる原料を入れた場合は、導入管103からHClガスを供給することができる。このとき、HClガスとともに、導入管103からキャリアガスを供給してもよい。キャリアガスとしては、例えば水素、窒素、He、Ne、Arのような不活性ガス等を挙げることができる。これらのガスは混合して用いてもよい。5窒素源アンモニア、セパレートガス、ドーパントガス導入管104からは、窒素源となる原料ガスを供給する。通常はNH3を供給する。また、導入管101からは、キャリアガスを供給する。キャリアガスとしては、導入管103から供給するキャリアガスと同じものを例示することができる。このキャリアガスは原料ガス同士の気相での反応を抑制し、ノズル先端にポリ結晶が付着することを防ぐ効果もある。また、導入管102からは、ドーパントガスを供給することもできる。例えば、SiH4やSiH2Cl2、H2S等のn型のドーパントガスを供給することができる。6ガス導入方法導入管101~104から供給する上記ガスは、それぞれ互いに入れ替えて別の導入管から供給しても構わない。また、窒素源となる原料ガスとキャリアガスは、同じ導入管から混合して供給してもよい。さらに他の導入管からキャリアガスを混合してもよい。これらの供給態様は、リアクター100の大きさや形状、原料の反応性、目的とする結晶成長速度などに応じて、適宜決定することができる。7排気管の設置場所ガス排気管109は、リアクター内壁の上面、底面、側面に設置することができる。ゴミ落ちの観点から結晶成長端よりも下部にあることが好ましく、図1のようにリアクター底面にガス排気管109が設置されていることがより好ましい。8結晶成長条件上記の製造装置を用いた結晶成長は、通常は950°C~1120°Cで行い、970°C~1100°Cで行うことが好ましく、980°C~1090°Cで行うことがより好ましく、990°C~1080°Cで行うことがさらに好ましい。極性面と主面の交差線方向の基板の反りを交差線に直交する方向の基板の反りよりも、より小さくするためには、結晶成長中の温度が徐々に低下しないように制御することが好ましい。結晶成長中の温度低下は60°C以内に制御することが好ましく、40°C以内に制御することがより好ましく、20°C以内に制御することがさらに好ましく、10°C以内に制御することがさらにより好ましい。リアクター内の圧力は10kPa~200kPaであるのが好ましく、30kPa~150kPaであるのがより好ましく、50kPa~120kPaであるのがさらに好ましい。9結晶の成長速度上記の製造装置を用いた結晶成長の成長速度は、成長方法、成長温度、原料ガス供給量、結晶成長面方位等により異なるが、一般的には5μm/h~500μm/hの範囲であり、10μm/h以上が好ましく、50μm/h以上がより好ましく、70μm以上であることがさらに好ましい。成長速度は、上記の他、キャリアガスの種類、流量、供給口-結晶成長端距離等を適宜設定することによって制御することができる。1-2第2工程<第2工程の内容>本発明のIII族窒化物半導体基板の製造方法における第2工程は、第1工程で得られたIII族窒化物半導体結晶から、前記半極性面とは異なる面を主面とする基板を取得する工程である。<基板の主面>第2工程において取得するIII族窒化物半導体基板の主面は、シードの主面とは異なる面であれば特に限定されず、例えば非極性面であってもよいし、半極性面であってもよい。ここでIII族窒化物半導体基板の主面とは、構造体において最も広い面であって、デバイスを形成すべき面のことを指す。非極性面としては、例えば、{10-10}面や{11-20}面を例示することができる。ここでいう{10-10}面とはいわゆるM面のことであり、六方晶構造ウルツ鋼型結晶構造における10-10面と等価な面であって、具体的には1-100面、-1100面、01-10面、0-110面、10-10面、-1010面を意味する。また、{11-20}面とはいわゆるA面のことであり、六方晶構造ウルツ鋼型結晶構造における11-20面と等価な面であって、具体的には、11-20面、-1-120面、1-210面、-12-10面、-2110面、2-1-10面を意味する。半極性面としては、例えば、10-11面、10-1-1面、20-21面、20-2-1面などを例示することができる。<基板を取得する方法>第2工程において、第1工程で得られたIII族窒化物半導体結晶から目的とするIII族窒化物半導体基板を取得する方法として、例えば、研磨、切断、エッチングなどの挙げることができる。これらの方法は、いずれか1つだけを選択して用いてもよいし、組み合わせて用いてもよい。組み合わせて用いる場合は、切断またはエッチングを行った後に研磨を行うことが好ましく、必要に応じてさらに研磨後にエッチングを行ってもよい。第2工程において好ましく採用される方法は、研磨、切断、またはこれらの組み合わせである。研磨を行う場合は、ダイヤモンド砥粒などの砥粒を用いて表面を研磨した後、CMPchemicalmechanicalpolishingなど公知の方法にて基板表面の粗さを任意の範囲にすることが可能である。第2工程では、所望のサイズのIII族窒化物半導体基板が得られるように研磨、切断、エッチングなどを行う。本発明の製造方法によれば、比較的大きなサイズの主面を有するIII族窒化物半導体基板を得ることが可能である。例えば、主面の最大径が10~153mm、好ましくは18~101mm、さらに好ましくは51~77mmであるIII族窒化物半導体基板を得ることが可能である。ここで最大径とは、主面の中で最長の長さを有する直線の長さのことをいい、主面の形状は円形に限られるものではない。また、本発明の製造方法によれば、厚さが0.1~2mm、好ましくは0.2~1.5mm、さらに好ましくは0.3~0.6mmであるIII族窒化物半導体基板を得ることが可能である。本発明の製造方法では、積層欠陥が極めて少ないIII族窒化物半導体基板を得ることができる。III族窒化物半導体基板の積層欠陥の多少は、III族窒化物半導体基板上にLED構造を作製し、室温にてPLphotoluminescence測定を行うことで評価することが可能である。また、III族窒化物半導体基板上にLED構造を作製し蛍光顕微鏡で観察した場合、積層欠陥に対応する輝線を確認することができるため、該輝線の強度でもIII族窒化物半導体基板の積層欠陥の多少を評価することができる。積層欠陥は極性面に平行に存在する面欠陥であるため、非極性面または半極性面を主面とする基板においては、積層欠陥の断面に相当する直線を前記輝線として確認することができる。本発明の製造方法を用いた場合、輝線強度が200cm1以下であるIII族窒化物半導体基板を得ることが可能であり、好ましくは150cm1以下、より好ましくは100cm1以下である。さらに、III族窒化物半導体基板の積層欠陥の多少は、基板自体を低温10KにてPL測定を行うことでも評価することが可能である。本発明の製造方法を用いた場合、バンド端PL強度に対する3.41eV付近の積層欠陥起因のPL強度低温が0.1以下であるIII族窒化物半導体基板を得ることが可能であり、好ましくは0.08以下、より好ましくは0.05以下である。[2]III族窒化物半導体基板2-1特徴本発明のIII族窒化物半導体基板は、非極性面または半極性面を主面とするIII族窒化物半導体基板であって、極性面と主面の交差線方向の基板の反りが、前記交差線に直交する方向の基板の反りよりも小さくて、前記交差線に直交する方向の基板の反りが40mmあたり1°未満であることを特徴とする。ここでいう交差線方向とそれに直交する方向は、いずれも基板の面内に想定される方向である。2-2厚さ本発明のIII族窒化物半導体基板は、自立基板であることが好ましい。具体的には、厚さが0.2mm以上であることが好ましく、0.3mm以上であることがより好ましく、0.4mm以上であることがさらに好ましい。基板の厚さやサイズは、上記の本発明の製造方法の第1工程において成長させる結晶の厚さを調整したり、第2工程における研磨、切断、エッチング等を調節したりすることにより、所望の範囲内に調整することができる。2-3主面本発明のIII族窒化物半導体基板の主面は、非極性面または半極性面のいずれであってもよいが、非極性面であることが好ましく、また、低指数面であることが好ましい。例えば、III族窒化物シードが六方晶であってその主面がhklmで表される場合、h、k、l、mはそれぞれ独立に-3~3のいずれかの整数であることが好ましく、-2~2のいずれかの整数であることがより好ましい。本発明のIII族窒化物半導体基板の主面の具体例として、{10-10}面、{11-20}面、10-11面、10-1-1面、20-21面、20-2-1面などを挙げることができる。2-3基板の反り本発明のIII族窒化物半導体基板は、基板の反りの方向と大きさが従来のIII族窒化物半導体基板とは異なっている。従来のIII族窒化物半導体基板のうち反りの絶対量が小さいものは、極性面と主面の交差線方向の基板の反りが、交差線に直交する方向の基板の反りよりも大きい。一方、従来のIII族窒化物半導体基板の中で、極性面と主面の交差線方向の基板の反りが、交差線に直交する方向の基板の反りよりも小さいものは、いずれも反りの絶対量が大きい。本発明のIII族窒化物半導体基板は、極性面と主面の交差線方向の基板の反りが、交差線に直交する方向の基板の反りよりも小さくて、なおかつ、反りの絶対量が小さいことを特徴としており、従来は提供されるに至っていなかったものである。本発明のIII族窒化物半導体基板における交差線に直交する方向の基板の反りは、40mmあたり1°未満であることが好ましく、0.80°未満であることがより好ましく、0.60°未満であることがさらに好ましく、0.40°未満であることが特に好ましい。交差線方向の基板の反りは、40mmあたり0.85°未満であることが好ましく、0.65°未満であることがより好ましく、0.45°未満であることがさらに好ましく、0.25°未満であることが特に好ましい。交差線に直交する方向の40mmあたりの基板の反りと、交差線方向の40mmあたりの基板の反りの差は、通常0.02~1.0°であり、0.03~0.75°であることが好ましく、0.05~0.5°であることがより好ましい。なお、基板の反りは、後述する実施例に記載される方法により測定することができる。例えば、本発明のIII族窒化物半導体基板の主面が六方晶の10-10面[すなわちM面]である場合、極性面である0001面[すなわちC面]と主面の交差線方向[すなわちa軸方向]の反りは、それに直交する方向[すなわちc軸方向]の反りよりも小さい。このとき、c軸方向の反りは40mmあたり1°未満である。また、他の例として、本発明のIII族窒化物半導体基板の主面が六方晶の11-20面[すなわちA面]である場合、極性面である0001面[すなわちC面]と主面の交差線方向[すなわちm軸方向]の反りは、それに直交する方向[すなわちc軸方向]の反りよりも小さい。このとき、c軸方向の反りは40mmあたり1°未満である。極性面と主面の交差線方向の基板の反りW1と、その交差線に直交する方向の基板の反りW2の比W1/W2は、1未満であることが好ましく、0.8未満であることがより好ましく、0.5未満であることがさらに好ましい。また、下限値は0.01以上であることが好ましく、0.02以上であることがより好ましく、0.04以上であることがさらに好ましい。2-4基板及び該基板上に形成される結晶の結晶性本発明のIII族窒化物半導体基板の主面上にIII族窒化物半導体結晶をホモエピタキシャル成長させると、成長した結晶内に発生する主たる積層欠陥は極性面に平行となる。積層欠陥は、例えば下記実施例に記載されるように結晶表面を蛍光顕微鏡で観察することにより確認することができる。例えば、主面が10-10面[すなわちM面]である本発明のIII族窒化物半導体基板や、主面が11-20面[すなわちA面]である本発明のIII族窒化物半導体基板では、主面上にIII族窒化物半導体結晶を成長させると極性面である0001面[すなわちC面]に平行な積層欠陥が主として発生し、蛍光顕微鏡で主面側から観察するとa軸方向またはm軸方向へ伸びる直線状に観察される。本発明のIII族窒化物半導体基板および、該基板上に形成される結晶は、積層欠陥が少なく、よってLEDなどの半導体発光素子として用いた場合に良好な発光を示す。積層欠陥の程度は、前述の本発明の製造方法で得られるIII族窒化物半導体基板と同様である。また、III族窒化物半導体基板および該基板上に形成される結晶の主面には、貫通転位が存在する。これは、通常貫通転位は結晶の成長方向に伸びるように発生するため、本発明の製造方法のように半極性面を主面とするIII族窒化物シード上に成長した結晶の成長面には、貫通転位が存在することによる。貫通転位はCL測定で観測される暗点に略一致することから、III族窒化物半導体基板および該基板上に形成される結晶の主面におけるCL測定での平均暗点密度は5×105~1×108cm2であることが好ましく、より好ましくは1×106~5×107cm2である。[3]半導体発光デバイス上記の本発明のIII族窒化物半導体基板を用いることにより、半導体発光デバイスを製造することができる。通常は、本発明のIII族窒化物半導体基板の主面上にIII族窒化物半導体結晶を成長させることにより、LEDなどの半導体発光デバイスを製造する。成長させるIII族窒化物半導体結晶としては、例えばGaN、GaAlAs、AlInGaP、AlInGaP、InGaNなどを挙げることができる。結晶成長の方法は特に制限されず、例えば有機金属化学気相堆積法MOCVD法などを挙げることができる。本発明のIII族窒化物半導体基板上に結晶を成長させれば、例えば従来のサファイアベースの基板や積層欠陥の多いIII族窒化物半導体基板上に結晶を成長させた場合に比べて結晶欠陥が少なくなるため、高出力で耐久性のある半導体発光デバイスを提供することができる。以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。1III族窒化物半導体基板の製造<参考例1>主面が10-1-1面であり、主面内において<11-20>a軸に直交する方向の長さが5mmで、<11-20>a軸方向の長さが20mmである長方形のGaN自立基板を用意し、これをシード110としてサセプター108上に置いた。シード110を搭載したサセプター108を図1に示すようにリアクター100内に配置して、反応室の温度を1020°Cまで上げ、HVPE法にてGaN単結晶膜を54時間成長させた。成長中の温度低下は5°C未満であった。この単結晶成長工程においては成長圧力を1.01×105Paとし、GaClガスG3の分圧を5.96×102Paとし、NH3ガスG4の分圧を6.98×103Paとした。単結晶成長工程が終了後、室温まで降温し、GaN結晶を得た。結晶は[10-1-1]方向に最大4.5mm成長していた。得られたGaN結晶について外形加工、表面研磨処理を行った後、通常の手法でこれをスライスし、研磨を行って、厚さ330μmの10-10面を主面とするGaN自立基板を3枚作製した。得られた3枚のGaN自立基板のうち、シード側から2番目の基板の評価を実施した。基板面内におけるc軸方向のチルト角分布をX線回折法のωスキャンを、c軸方向に3点実施することにより測定したところ40mm間隔換算で±0.26°であったため、c軸方向の基板の反りは40mmあたり0.52°であった。<参考例2>シードとして主面が20-2-1面であるGaN自立基板を用いた点を変更して、参考例1と同じ条件でGaN結晶を得た。結晶は[20-2-1]方向に最大4.8mm成長していた。<比較例1>シードとして主面が10-10面であるGaN自立基板を用いた点を変更して、参考例1と同じ条件でGaN結晶を得た。結晶は[10-10]方向に最大4.7mm成長していた。この結晶から参考例1と同じ方法により厚さ330μmの3枚のGaN自立基板を得て、シード側から2番目の基板の反りを測定した。<実施例1>シードとして、主面が20-21面であり、c軸方向の長さが17mmで、a軸方向の長さが25mmの長方形であるGaN自立基板を8枚用意し、GaN自立基板どうしの<0001>c軸方向が±0.25°の精度で揃うようにこれらをc軸方向に4列、a軸方向に2列に並べて使用した点を変更して、参考例1と同じ条件でGaN結晶を得た。主面とC面との交線方向の辺どうしが接する距離の総和Saは150mmであり、それ以外の辺どうしが接する距離の総和Scは68mmであった。なお、各GaN自立基板間の面方位の分布は、±0.15°以内であった。結晶は[20-21]方向に最大17mm成長していた。同条件で2結晶作製し、1結晶は10-10面でスライスし、複数枚の基板を得て、そのうち39mm×53mmの基板を測定用に抜き取り、もう1結晶は20-21面でスライスし、複数枚の基板を得て、そのうちの38mm×53mmの基板を測定用に抜き取った。測定温度10Kにて、励起光源に中心波長325nmのHe-Cdレーザーを用い、PL測定を実施した。バンド端PL強度に対する3.41eV付近の積層欠陥起因のPL強度低温を調べたところ、10-10面スライス基板で図3の結果に、20-21面スライス基板で図4の結果になった。いずれのスライス基板においても、基板中心を通るc軸に平行なラインではバンド端PL強度に対する3.41eV付近の積層欠陥起因のPL強度低温が高く、一方、a軸方向側の基板端はバンド端PL強度に対する3.41eV付近の積層欠陥起因のPL強度低温が低い結果となった。基板面内におけるチルト角分布をX線回折法により測定したところ、c軸方向は40mm間隔換算で±0.22°、a軸方向は40mm間隔換算で±0.033°であった。よって、c軸方向の基板の反りは40mmあたり0.44°、a軸方向の基板の反りは40mmあたり0.066°であった。本発明のIII族窒化物半導体基板は、極性面と主面の交差線方向の基板の反りが、前記交差線に直交する方向の基板の反りよりも小さくて、なおかつ、前記交差線に直交する方向の基板の反りが40mmあたり1°未満であって比較例の基板よりも有意に小さい。また、本発明のIII族窒化物半導体基板を用いて製造したLEDは、PL強度室温が大きい。また、輝線は極性面と主面の交差線方向に認められ、積層欠陥が極性面と平行に発生していることが確認されたが、その頻度は比較例に比べると有意に少なかった。<実施例2>0001面成長により作製されたGaN結晶塊から、20-21面から<0001>c軸方向に1°のオフ角を有する主面を有する長方体のGaN自立基板を8枚切り出した。各GaN自立基板は、<11-20>a軸方向に30mm、主面内においてa軸に直交する方向に17mmとなるように切り出した。各GaN自立基板間の面方位の分布は、±0.15°以内であった。このGaN自立基板をシードとして、サセプター上に、GaN自立基板どうしの<0001>c軸方向が±0.25°の精度で揃うように、<11-20>a軸方向に2列、a軸に直交する方向に4列に並べた。主面とC面との交線方向の辺どうしが接する距離の総和Saは180mm、それ以外の辺どうしが接する距離の総和Scは68mmであった。その後、図1に示すように、シード110を搭載したサセプター108をリアクター100内に配置し、反応室の温度を970°Cまで上げ、HVPE法にてGaN単結晶膜の成長を開始した。成長開始と同時に、反応室の温度を970°Cから1020°Cまで1時間で昇温させた後、1020°C一定で77時間成長させた。成長中の温度低下は5°C未満であった。この単結晶成長工程においては成長開始から成長終了まで成長圧力を1.01×105Paとし、GaClガスG3の分圧を5.96×102Paとし、NH3ガスG4の分圧を5.34×103Paとした。単結晶成長工程が終了後、室温まで降温し、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶は<20-21>方向に最大で12.0mm、最小で8.1mm成長していた。成長膜厚分布には傾向がなく、ランダムな膜厚分布であった。得られたGaN結晶を、ダイシングにより外形加工し、さらにダイヤモンド砥粒を用いた研磨およびChemicalmechanicalPolishingCMPにより表面研磨して、厚さ400μmの10-10面M面を主面とする55mm角の正方形のGaN自立基板を作製した。基板面内における<11-20>a軸方向および<0001>c軸方向のチルト角分布を、X線回折法のωスキャンを各方向に3点実施することにより測定した。3点の測定点は、基板中心1点と、基板中心から20mm離れた2点となる位置とした。測定結果は、40mm間隔換算で<11-20>a軸方向は±0.11°、<0001>c軸方向は±0.35°であった。<11-20>a軸方向のチルト角分布を<0001>c軸方向のチルト角分布で割った値は、0.31であった。なお、2つの軸方向のチルト角分布は主面中でほぼ一定であった。<比較例2>20-21面から<11-20>a軸方向に-1°から1°のオフ角を有する主面を有する8枚のGaN自立基板を用意し、このGaN自立基板をシードとして、サセプター上に、GaN自立基板どうしの<0001>c軸方向±0.25°の精度で揃うように、<11-20>a軸方向に2列、a軸に直交する方向に4列に並べた。<11-20>側に-1°のオフ角を有する基板を、<-1-120>側に1°のオフ角を有する基板をサセプター上に並べた。主面とC面との交線方向の辺どうしが接する距離の総和Saは180mm、それ以外の辺どうしが接する距離の総和Scは68mmであった。成長中の温度低下は5°C未満であった。図1の結晶製造装置を用いて、実施例2と同様の条件でGaN結晶を成長させた。得られたGaN結晶を、ワイヤーで切断することによりスライスし、ダイシングにより外形加工し、さらにダイヤモンド砥粒を用いた研磨とCMPにより表面研磨して、厚さ400μmの10-10面M面を主面とする55mm角の正方形のGaN自立基板を作製した。基板面内における<11-20>a軸方向および<0001>c軸方向のチルト角分布を、X線回折法のωスキャンを実施例2と同様に各方向に3点実施することにより測定したところ、40mm間隔換算で<11-20>a軸方向は±0.81°、<0001>c軸方向は±0.41°であった。<11-20>a軸方向のチルト角分布を<0001>c軸方向のチルト角分布で割った値は、1.97であった。なお、2つの軸方向のチルト角分布は主面中でほぼ一定であった。<参考例3>実施例2と同じ方法にしたがって、GaN自立基板をシードとしてサセプター上に並べ、リアクター内に配置した。反応室の温度1080°Cで、45分間成長させた後、1020°Cまで30分で降温し、1020°Cで77時間成長させた。成長中の温度低下は60°Cであった。得られたGaN結晶を、ワイヤーで切断することによりスライスし、ダイシングすることにより外形加工し、さらにダイヤモンド砥粒を用いた研磨とCMPにより表面研磨して、厚さ400μmの10-10面M面を主面とする55mm角の正方形のGaN自立基板を作製した。基板面内における<11-20>a軸方向および<0001>c軸方向のチルト角分布と反りは実施例2よりも明らかに大きいことが確認された。2半導体発光デバイス構造の製造デバイス構造製造例1実施例2で製造した10-10面を主面とする基板上に、MOCVD法により405nm発光を目標にしたInGaN系のLED構造を作製した。具体的には、基板にInGaN/GaN量子井戸を含んだ構造を成長することによってLED構造を作製した。作製したLED構造は、光学顕微鏡で50倍から1000倍の倍率まで確認したところ平坦に作製されていることが確認された。作製したLEDについて、中心波長325nmのHe-Cdレーザーを励起光源として用いて室温にてPLphotoluminescence測定を実施したところ、ウェハ全面から、発光波長405nm付近の量子井戸からの発光が観測された。デバイス構造製造例2参考例1で製造した10-1-1面を主面とするシード側から2番目の基板を用いた点を変更して、デバイス構造製造例1と同様にしてLED構造を作製した。作製したLEDについて、中心波長325nmのHe-Cdレーザーを励起光源として用いて室温にてPL測定を実施したところ、ウェハ全面から、発光波長405nm付近の量子井戸からの発光が観測され、PL強度は2.147であった。また、蛍光顕微鏡を用いて表面を200倍の倍率で観察した結果を図2aに示す。蛍光顕微鏡写真の縦方向がc軸方向で、横方向がa軸方向である。輝線密度は、少ない領域では0、多い領域では100cm1であった。輝線は長波長発光領域に対応している。デバイス構造製造例3参考例2で製造した20-2-1面を主面とする基板を用いた点を変更して、デバイス製造例1と同様にしてLED構造を作製した。作製したLEDについて、中心波長325nmのHe-Cdレーザーを励起光源として用いて室温にてPL測定を実施したところ、ウェハ全面から、発光波長405nm付近の量子井戸からの発光が観測され、PL強度は1.707であった。また、蛍光顕微鏡を用いて表面を200倍の倍率で観察した結果を図2bに示す。蛍光顕微鏡写真の縦方向がc軸方向で、横方向がa軸方向である。輝線密度は、少ない領域では0、多い領域では90cm1であった。デバイス構造製造例4比較例1で製造した10-10面を主面とする基板を用いた点を変更して、デバイス構造製造例1と同様にしてLED構造を作製した。作製したLEDについて、中心波長325nmのHe-Cdレーザーを励起光源として用いて室温にてPL測定を実施したところ、PL強度は0.337であった。また、蛍光顕微鏡を用いて表面を200倍の倍率で観察した結果を図2cに示す。蛍光顕微鏡写真の縦方向がc軸方向で、横方向がa軸方向である。輝線密度は、少ない領域では0、多い領域では500cm1であり、積層欠陥に相当する輝線がa軸方向に多数認められた。デバイス構造製造例5比較例2で製造した10-10面を主面とする基板を用いた点を変更して、デバイス製造例1と同様にしてLED構造を作製した。作製したLED構造の表面を光学顕微鏡で50倍の倍率で観察したところ、非常に荒れた表面になっていることが確認された。作製したLEDについて、中心波長325nmのHe-Cdレーザーを励起光源として用いて室温にてPL測定を実施したところ、ウェハ全面で発光波長405nm付近の量子井戸からの発光が全く観測されず、440nmより長波長側の発光のみ観測された。