炭素を含む被加工物1をシリコン処理するシリコン処理装置であって、上記シリコン処理装置は、入口110および出口120を有し、室内にシリコン処理機器130が設けられている加工室100と、固定支持部210および搬送部220を有する搬送機器200と、を備え、上記支持部は、上記入口110と上記シリコン処理機器130との間、および上記シリコン処理機器と上記出口120との間に設けられており、上記搬送部は、互いに平行して移動可能な2つのビーム221、222を含み、上記支持部210および上記搬送部220は、それぞれ一対の溝210a、220aを有し、それぞれの対の2つの溝210a、220aが、上記搬送機器200の長手方向軸Lに対して互いに向かい合い、且つ、棒状体10を支持するため、または、被加工物自体を直接支持するために設けられ、上記搬送部220は、上記支持部210に載置かれた棒状体10を、長手方向軸Lに沿って、上記入口110から上記シリコン処理機器130へ、および、当該シリコン処理機器から上記出口120へと、同調して移動させるために、持ち上げ運動、送り運動、および降下運動を含む運動サイクルを繰り返し行うように作動可能となっていることを特徴とするシリコン処理装置。上記支持部210の溝対210aは、互いに同じ間隔で形成されていることを特徴とする請求項1に記載のシリコン処理装置。上記支持部210は、互いに平行なビーム211、212を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン処理装置。上記搬送部の第1のビーム221は、一方向に支持部210の第1のビーム211に接して延び、上記搬送部の第2のビーム222は、同じ方向に上記支持部の第2のビーム212に接して延びることを特徴とする請求項3に記載のシリコン処理装置。上記運動サイクルは、持ち上げ運動、送り運動、降下運動、および戻り運動をこの順に含む、閉じたサイクルであることを特徴とする請求項1から4までのいずれか1項に記載のシリコン処理装置。入口110とシリコン処理機器130との間に存在する支持部210の第1の部分が、空間的に、シリコン処理機器130と出口120との間に存在する第2の部分の上方に配置されていることを特徴とする請求項1から5までのいずれか1項に記載のシリコン処理装置。上記シリコン処理機器130は、その中に2つの回転円筒132が設けられている槽131を含み、上記搬送機器200は、支持部210に載置されている棒状体10を、1つの運動サイクルにおいて、回転円筒132の間に載置し、続く運動サイクルにおいて、再び取り上げて支持部210に載置するように構成されていることを特徴とする請求項1から6までのいずれか1項に記載のシリコン処理装置。上記シリコン処理機器130は、その中に複数の回転しない円筒が設けられている槽131を含み、上記搬送機器200は、支持部210に載置されている1または複数の被加工物10を、1つの運動サイクルにおいて、上記回転しない円筒の上に載置し、続く運動サイクルにおいて、再び取り上げて支持部210に載置するように構成されていることを特徴とする請求項1から7までのいずれか1項に記載のシリコン処理装置。炭素を含む被加工物1のシリコン処理方法であって、上記シリコン処理方法は、a1または複数の被加工物1を棒状体10に取り付ける工程と、bシリコン処理の加工室の入口110と当該室内にあるシリコン処理機器130との間、および当該シリコン処理機器130とシリコン処理の加工室の出口120との間に延びる固定支持部210、および、互いに平行して移動可能な2つのビーム221、222を含む搬送部220を含む搬送機器200の一対の溝210a、220aの上に上記棒状体10を載置する工程と、c上記棒状体10が入口110からシリコン処理機器130の内部まで段階的に運搬されるように、当該棒状体10を、搬送部220により、1回または数回の持ち上げ、送り、および降下により支持部210の上に搬送する工程と、dシリコン処理機器130における、被加工物1のシリコン処理の工程と、e上記棒状体10がシリコン処理機器130から出口120まで段階的に運搬されるように、当該棒状体10を、搬送部220により、繰り返される持ち上げ、送り、および降下により支持部210の上に搬送する工程とを含んでいることを特徴とするシリコン処理方法。上記工程cおよび上記工程eにおいて、持ち上げ運動、送り運動、および降下運動の運動サイクルが、互いに一致していることを特徴とする請求項9に記載のシリコン処理方法。上記運動サイクルは、搬送部220のビーム221、222の持ち上げ運動、送り運動、降下運動、および戻り運動をこの順に含む、閉じたサイクルであり、ビーム221、222の戻り運動の間に、上記棒状体10が支持部210の一対の溝210aに支持されていることを特徴とする請求項9または請求項10に記載のシリコン処理方法。上記シリコン処理機器130は、融解ケイ素で満たされた槽131を含み、上記シリコン処理機器130の内部への運搬は、棒状体10を、槽131内の回転円筒132の上に載置することを含むことを特徴とする請求項9から11までのいずれか1項に記載のシリコン処理方法。上記工程aは、被加工物1にある貫通開口部を通って、棒状体10を貫入することを含むことを特徴とする請求項9から12までのいずれか1項に記載のシリコン処理方法。ケイ素をはじく材料からなるスリーブが、棒状体10と被加工物1との間に配置されることを特徴とする請求項13に記載のシリコン処理方法。上記工程eは、上記工程cが行われる空間的領域の下方の空間的領域において行われることを特徴とする請求項9から14までのいずれか1項に記載のシリコン処理方法。