表面にゲート領域とカソード領域が形成され、裏面にアノード領域が形成された半導体基板と、前記カソード領域に重なるように接続されたカソードポスト電極と、前記ゲート領域と接続されたゲート電極と、前記アノード領域に重なるように接続されたアノードポスト電極と、回路基板と、前記カソードポスト電極に重なり、かつ前記回路基板に接続されたカソードフランジと、前記カソードフランジに重なるように接続されたカソードフィン電極と、前記アノードポスト電極と重なるように接続されたアノードフィン電極と、前記ゲート電極と接続され、かつ前記回路基板に接続されたゲートフランジと、前記回路基板に対して水平な水平部と前記回路基板に対して垂直な垂直部を有し、前記垂直部が前記カソードフィン電極の側面に固定された固定部材と、上部において前記固定部材の前記水平部と固定され、下部において前記回路基板と固定された、板状部材で形成されたスペーサと、を備えたことを特徴とする圧接型半導体装置。前記スペーサは、前記スペーサの長手方向に沿って前記固定部材を支持する支持部を有することを特徴とする請求項1に記載の圧接型半導体装置。前記スペーサの下部と、前記回路基板とを接続するねじと、前記ねじのねじ山に塗布された、エポキシ樹脂を封入したマイクロカプセルを有する接着剤と、を備えたことを特徴とする請求項1又は2に記載の圧接型半導体装置。前記回路基板にはスルーホールが形成され、前記スペーサの下部には前記スルーホールに挿入可能な凸部が形成され、前記凸部は、前記スルーホールに挿入されて前記回路基板とはんだ付けされたことを特徴とする請求項1に記載の圧接型半導体装置。圧接型半導体装置は、例えば電鉄等の車載用途に用いられることがある。振動を受ける環境下で圧接型半導体装置を利用すると、回路基板が共振し、フランジが金属疲労することがある。フランジが金属疲労すると圧接型半導体装置の信頼性を確保できない。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、回路基板の共振を抑制することができる圧接型半導体装置を提供することを目的とする。本発明にかかる圧接型半導体装置は、表面にゲート領域とカソード領域が形成され、裏面にアノード領域が形成された半導体基板と、該カソード領域に重なるように接続されたカソードポスト電極と、該ゲート領域と接続されたゲート電極と、該アノード領域に重なるように接続されたアノードポスト電極と、回路基板と、該カソードポスト電極に重なり、かつ該回路基板に接続されたカソードフランジと、該カソードフランジに重なるように接続されたカソードフィン電極と、該アノードポスト電極と重なるように接続されたアノードフィン電極と、該ゲート電極と接続され、かつ該回路基板に接続されたゲートフランジと、該回路基板に対して水平な水平部と該回路基板に対して垂直な垂直部を有し、該垂直部が該カソードフィン電極の側面に固定された固定部材と、上部において該固定部材の該水平部と固定され、下部において該回路基板と固定された、板状部材で形成されたスペーサと、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、圧接型半導体装置を軽量化できるので、回路基板の共振を抑制することができる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る圧接型半導体装置の概要を示す平面図である。圧接型半導体装置10は、GCTサイリスタ装置として構成されている。圧接型半導体装置10は、ゲートドライブ基板として回路基板12を備えている。回路基板12にはGCTサイリスタ14が固定されている。GCTサイリスタ14は、ターンオフ時にすべての主電流をゲート側へ転流することができるゲート転流型ターンオフGateCommutedTurnoffサイリスタである。GCTサイリスタ14は、カソードフランジ16とゲートフランジ18を備えている。カソードフランジ16は薄板で枝状の端子部を有した円板形状の導電性材料で形成されている。ゲートフランジ18も同様である。ゲートフランジ18の端子部は、カソードフランジ16の端子部と交互に配置され、ゲートとカソードの間の最小絶縁距離が確保されている。カソードフランジ16とゲートフランジ18が回路基板12に固定されることにより、GCTサイリスタ14と回路基板12が電気的に接続されている。回路基板12には、コンデンサ20及びトランジスタ22が固定されている。コンデンサ20とトランジスタ22は、ゲートドライバに含まれる部品である。圧接型半導体装置10は、補強部材24を備えている。補強部材24は一対のL字型の部材でありGCTサイリスタ14を挟むように、互いに平行に配設されている。補強部材24は圧接型半導体装置10の強度を高めるために設けられている。補強部材24は4つのねじ26により回路基板12に固定されている。さらに、補強部材24の上方には、カソードフィン電極28が配置されている。図1では説明の便宜上、カソードフィン電極28を、その輪郭のみ破線で表している。補強部材24はねじ30によりカソードフィン電極28の側面に固定されている。カソードフィン電極28の側面には、ねじ31により、固定部材32が固定されている。固定部材32はL字型の部材であり、回路基板12側とねじ33により固定されている。固定部材32は、カソードフィン電極28と回路基板12を固定するために設けられている。図2は、図1の切断線A-Aに沿った圧接型半導体装置の断面図である。図2は主にGCTサイリスタの断面を示すものである。GCTサイリスタは、半導体基板40を備えている。半導体基板40の表面にはゲート領域とカソード領域が形成され、裏面にはアノード領域が形成されている。カソード領域は、カソード歪み緩衝板42を介してカソードポスト電極44に接続されている。カソードポスト電極44はカソード領域と重なるように形成されている。ゲート領域にはゲート電極46が接続されている。アノード領域は、アノード歪み緩衝板48を介してアノードポスト電極50に接続されている。アノードポスト電極50はアノード領域と重なるように形成されている。カソードフランジ16は、カソードポスト電極44に重なり、かつ回路基板12に接続されている。カソードフランジ16の一部は、回路基板12にはんだ付けされたカソード端子台52にカソードねじ54でねじ止めされ、回路基板12に固定されている。カソードフランジ16には、これと重なるようにカソードフィン電極28が接続されている。カソードフランジ16は、カソードポスト電極44とカソードフィン電極28に挟まれている。このようにカソードフランジ16は、カソードポスト電極44とカソードフィン電極28に挟まれている部分と、回路基板12に固定されている部分とを有している。ゲートフランジ18は、ゲート電極46と接続され、かつ回路基板12に接続されている。ゲートフランジ18の一部は、回路基板12にはんだ付けされたゲート端子台56にゲートねじ58でねじ止めされ、回路基板12に固定されている。上述のとおり、カソードフランジ16とゲートフランジ18により半導体基板40と回路基板12が電気的に接続されている。アノードポスト電極50には、これと重なるようにアノードフィン電極60が接続されている。半導体基板40、カソード歪み緩衝板42、アノード歪み緩衝板48、カソードポスト電極44、アノードポスト電極50、及びカソードフランジ16は、カソードフィン電極28とアノードフィン電極60の両者によって挟まれて圧接されている。図3は、図1の切断線B-Bに沿った圧接型半導体装置の断面図である。固定部材32は、回路基板12に対して水平な水平部32aと回路基板12に対して垂直な垂直部32bを有している。垂直部32bはカソードフィン電極28の側面にねじ31で固定されている。圧接型半導体装置10はスペーサ70を備えている。スペーサ70は、板状部材で形成されている。スペーサ70は、長手方向の両端に支持部70aを有するように板状部材をプレス加工したものである。スペーサ70は、上部において固定部材32の水平部32aと固定され、下部において回路基板12と固定されている。固定部材32の水平部32aとスペーサ70の上部との接続にはねじ33が用いられている。スペーサ70の下部と回路基板12との接続にはねじ72が用いられている。このようにして、スペーサ70は固定部材32を回路基板12に固定している。補強部材24は、回路基板12に対して水平な水平部24aと回路基板12に対して垂直な垂直部24bを有している。水平部24aと回路基板12の間にはリング74が配置され、一定距離だけ両者を離間させている。垂直部24bはねじ30によりカソードフィン電極28の側面に固定されている。こうして、カソードフィン電極28は、補強部材24、固定部材32、及びスペーサ70により回路基板12に固定されている。圧接型半導体装置10の中で、カソードフィン電極28及びアノードフィン電極60を除いた部分、すなわちカソードフィン電極28とアノードフィン電極60とによって押圧力を持って挟まれて使用される装置部分は、ゲートドライブユニット80を構成している。図4は、本発明の実施の形態1に係る圧接型半導体装置の組み立てを示す斜視図である。ねじ72のねじ山には、エポキシ樹脂を封入したマイクロカプセルを有する接着剤72aが塗布されている。各部品は図4の矢印で示す方向にねじ止めされる。ところで、圧接型半導体装置を振動を受ける環境下で利用すると、補強部材とカソードフィン電極の連結部、及び固定部材とカソードフィン電極の連結部を支点としたモーメントによる応力が、カソードフランジとゲートフランジに発生する。そして、特許文献1の圧接型半導体装置のように、固定部材と回路基板の固定に重量のあるフィンブロックを用いると、この応力により回路基板が共振しやすい。回路基板が共振すると、カソードフランジとゲートフランジが金属疲労することがある。この金属疲労は、ゲートフランジの端子部とカソードフランジの端子部において顕著である。ところが、本発明の実施の形態1に係る圧接型半導体装置10によれば、固定部材32と回路基板12の固定に用いるスペーサ70を板状部材で形成しているため、軽量な部材で両者を固定できる。そのため、圧接型半導体装置10が苛酷な振動を受ける環境下でも、ゲートドライブユニット80に発生する振動エネルギを軽減し回路基板12の共振を抑制できる。ゆえに、本発明の実施の形態1に係る圧接型半導体装置10によれば、カソードフランジ16とゲートフランジ18の金属疲労を抑制し、圧接型半導体装置10の信頼性を高めることができる。また、スペーサ70は板状部材を折り曲げて簡単に製造できるので、安価かつ組み立て容易である。本発明の実施の形態1に係る圧接型半導体装置10によれば、ねじ72のねじ山に接着剤72aが塗布されているので、回路基板12の振動によるねじ72のゆるみを防止できる。図5は、本発明の実施の形態1に係る圧接型半導体装置の変形例を示す斜視図である。変形例の圧接型半導体装置は、スペーサ90の形状に特徴がある。スペーサ90は、スペーサ90の長手方向に沿って固定部材32を支持する支持部90aを有するように板状部材をプレス加工したものである。こうすると前述の支持部70aよりも支持部90aを長くして、スペーサ90の剛性を高めることができる。よって、軽量かつ剛性の高いスペーサ90により固定部材32と回路基板12を固定し、回路基板12の共振を抑制することができる。実施の形態2.本発明の実施の形態2に係る圧接型半導体装置については、実施の形態1に係る圧接型半導体装置との相違点を中心に説明する。図6は、本発明の実施の形態2に係る圧接型半導体装置の組み立てを示す斜視図である。回路基板12にはスルーホール12aが形成されている。スペーサ92の下部には、スルーホール12aに挿入可能なように凸部92aが形成されている。この凸部92aがスルーホール12aに挿入される。図7は、本発明の実施の形態2に係るスペーサの固定方法を示す図である。凸部92aは、スルーホール12aに挿入されてはんだ94により回路基板12に固定されている。本発明の実施の形態2に係る圧接型半導体装置によれば、スペーサ92を回路基板12にはんだで固定するためねじが不要となり、圧接型半導体装置を低コストで製造できる。なお、本発明の実施の形態2に係る圧接型半導体装置は少なくとも実施の形態1と同程度の変形が可能である。