"式I[式I中、A1、A2及びA3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~18の1価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~18の1価の芳香族炭化水素基を表し、A4は、炭素数1~18の2価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~18の2価の芳香族炭化水素基を表す。A2と、A3又はA4とが互いに結合し、これらが結合する窒素原子とともに炭素数3~20の複素環を形成していてもよい。該1価の脂肪族炭化水素基及び該2価の脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよく、該1価の芳香族炭化水素基、該2価の芳香族炭化水素基及び該複素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。また、該1価の脂肪族炭化水素基及び該2価の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。X1は、炭素数1~10の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X2は、単結合、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基又は酸素原子を表す。]で表される化合物Iと、式B1[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]で表される塩B1と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂Aと、溶剤とを含有するレジスト組成物。前記化合物Iは、前記式IのA1が水素原子又はメチル基の化合物である請求項1記載のレジスト組成物。前記化合物Iは、前記式IのA2及びA3がそれぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基の化合物である請求項1又は2記載のレジスト組成物。前記塩B1は、前記式B1のZが、以下の式b2-1-1で表される有機カチオンの塩である請求項1~3のいずれか記載のレジスト組成物。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。v2が2以上のとき、複数のRb1は互いに同一でも異なってもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なってもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なってもよい。前記塩B1は、前記式B1のLb1が、カルボニルオキシ基又はカルボニルオキシメチル基の塩である請求項1~4のいずれか記載のレジスト組成物。式FIで表される構造単位を有する樹脂Fを、さらに含有する請求項1~5のいずれか記載のレジスト組成物。[式FI中、RF1は、水素原子又はメチル基を表す。AF1は、炭素数1~6のアルカンジイル基を表す。RF2は、フッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基を表す。]1請求項1~6のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。レジスト組成物を用いる半導体微細加工の設計寸法が、ますます微細化していくことに従い、露光量の変動に伴う製造されるレジストパターンの線幅の変動をより小さくすることが求められている。すなわち、より優れたパターンコラプスマージンPCMで、レジストパターンが製造できるレジスト組成物が求めるようになってきている。優れたパターンコラプスマージンPCMでレジストパターンを製造する点では、特許文献1記載のレジスト組成物は、いまだ改善の余地があった。本発明は、以下の発明を含む。1式I[式I中、A1、A2及びA3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~18の1価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~18の1価の芳香族炭化水素基を表し、A4は、炭素数1~18の2価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~18の2価の芳香族炭化水素基を表す。A2と、A3又はA4とが互いに結合し、これらが結合する窒素原子とともに炭素数3~20の複素環を形成していてもよい。該1価の脂肪族炭化水素基及び該2価の脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよく、該1価の芳香族炭化水素基、該2価の芳香族炭化水素基及び該複素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。また、該1価の脂肪族炭化水素基及び該2価の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。X1は、炭素数1~10の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X2は、単結合、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基又は酸素原子を表す。]で表される化合物Iと、式B1[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]で表される塩B1と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂Aと、溶剤とを含有するレジスト組成物。2前記化合物Iは、前記式IのA1が水素原子又はメチル基の化合物である、前記1記載のレジスト組成物。3前記化合物Iは、前記式IのA2及びA3がそれぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基の化合物である、前記1又は2記載のレジスト組成物。4前記塩B1は、前記式B1のZが、以下の式b2-1-1で表される有機カチオンの塩である、前記1~3のいずれか記載のレジスト組成物。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。v2が2以上のとき、複数のRb1は互いに同一でも異なってもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なってもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なってもよい。5前記塩B1は、前記式B1のLb1が、カルボニルオキシ基又はカルボニルオキシメチル基の塩である、前記1~4のいずれか記載のレジスト組成物。6式FIで表される構造単位を有する樹脂Fを、さらに含有する、前記1~5のいずれか記載のレジスト組成物。[式FI中、RF1は、水素原子又はメチル基を表す。AF1は、炭素数1~6のアルカンジイル基を表す。RF2は、フッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基を表す。]71前記1~6のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明のレジスト組成物によれば、優れたパターンコラプスマージンPCMでレジストパターンを製造できる。本発明のレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物という。は、前記式Iで表される化合物Iと、前記式B1で表される塩B1と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂Aと、溶剤以下、場合により溶剤Dという。とを含有する。以下、本レジスト組成物を構成する各構成成分、及びこれらを用いる本レジスト組成物の調製方法について説明し、さらに本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法を説明する。本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。脂肪族炭化水素基のうち、アルキル基のように直鎖状又は分岐状をとることができるものは、そのいずれをも含む。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。以下の置換基の例示において、Cに付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。さらに、本明細書において、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種並びにアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。本明細書において、炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び脂環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素-炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち1価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられる。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち2価のものとしては、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。該アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2-プロピリデン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基及び2-メチル-1,4-ブチレン基などが挙げられる。環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基という。は、典型的には、シクロアルキル基を意味し、以下に示す単環式及び多環式のいずれをも包含する。脂環式炭化水素基のうち1価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-1~KA-7で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-8~KA-19で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。脂環式炭化水素基のうち2価のものとしては、式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、そのつど定義するが、該置換基は例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられる。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの並びにベンゾイル基C7などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが包含される。アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基C6、ナフチルオキシ基C10、アントニルオキシ基C14、ビフェニルオキシ基C12、フェナントリルオキシ基C14及びフルオレニルオキシ基C13などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。芳香族炭化水素基のうち1価のものは、典型的には、アリール基が挙げられる。アリール基としては、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントニル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などが挙げられる。ここに示すアリール基から、さらに水素原子を1個取り去ったアリーレン基が、2価の芳香族炭化水素基に該当する。芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。これらのうち、アルキル基は、鎖式脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、芳香族炭化水素基に任意に有する置換基のうち、アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。<化合物I>化合物Iは上述のとおり、式Iで表される。繰り返しになるが、式Iを以下に示す。[式I中、A1、A2及びA3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~18の1価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~18の1価の芳香族炭化水素基を表し、A4は、炭素数1~18の2価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~18の2価の芳香族炭化水素基を表す。A2と、A3又はA4とが互いに結合し、これらが結合する窒素原子とともに炭素数3~20の複素環を形成していてもよい。該1価の脂肪族炭化水素基及び該2価の脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよく、該1価の芳香族炭化水素基、該2価の芳香族炭化水素基及び該複素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。また、該1価の脂肪族炭化水素基及び該2価の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。X1は、炭素数1~10の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X2は、単結合、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基又は酸素原子を表す。]A1、A2及びA3の1価の脂肪族炭化水素基は、典型的にはアルキル基又は脂環式炭化水素基であり、これらの具体例は、炭素数18以下の範囲ですでに例示したものを含む。中でも、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基が好ましい。A1、A2及びA3の1価の芳香族炭化水素基の具体例は、炭素数6~18の範囲ですでに例示したものを含む。この1価の芳香族炭化水素基は例えば、アルキル基を有しているものでもよく、当該アルキル基の炭素数を含めて、この芳香族炭化水素基の炭素数とする。具体的に、芳香族炭化水素基及びアルキル基を有する芳香族炭化水素基を例示すると、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニルなどが挙げられる。A4は、2価の脂肪族炭化水素基又は2価の芳香族炭化水素基を表す。当該2価の脂肪族炭化水素基及び当該2価の芳香族炭化水素基の具体例は、それぞれの炭素数の範囲において、すでに例示したものを含む。なお、A3の2価の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わることもある。この場合の具体例は、後述する塩B1のLb1の具体例と同じである。A1、A2及びA3[A1~A3]は水素原子であってもよいが、これらのうち少なくとも1つは水素原子以外であると好ましく、これらのうち2つが水素原子以外であることがさらに好ましい。A1、A2及びA3のうち1つが水素原子であるとき、化合物Iは以下に示す平衡反応により、式I’で示される化合物[以下、場合により化合物I’という。]になることもある。ここでは、A3が水素原子である場合について、化合物Iの平衡式当該平衡式中の符号はいずれも前記と同じ意味である。を示す。また、A2とA3とが互いに結合し、これらが結合する窒素原子とともに複素環を形成している場合の具体例は、化合物Iに含まれるで示される部分構造が、以下のいずれかの構造となった場合を挙げることができる。これらの式においては、Rs1及びRs2は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数3~12の脂環式炭化水素基を表す。また、t1は0~4の整数、t2は0~5の整数をそれぞれ表す。なお、ここでいうアルキル基、アルコキシ基及び脂環式炭化水素基のそれぞれの具体例は、炭素数が各々の範囲において、すでに例示したものを含む。また、これらのうちのは、環を構成するメチレン基の1つ乃至2つが、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。なお、A2とA3とが互いに結合して形成される複素環は、その炭素数が4~6の範囲であるとさらに好ましい。一方、A2とA4とが互いに結合して、これらが結合する硫黄原子とともに複素環を形成している場合の具体例は、以下のいずれかの構造となった場合を挙げることができる。これらの式において、Rs1、及びt1は前記と同じ意味を表す。Rs3はヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数3~12の脂環式炭化水素基を表す。また、t3は0~2の整数を表す。一方、A2とA3及びA4とが互いに結合して、これらが結合する硫黄原子とともに複素環を形成している場合の具体例は、以下のいずれかの構造となった場合を挙げることができる。これらの式において、Rs1、t2及びt4は上記と同じ意味を表す。Rs4はヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数3~12の脂環式炭化水素基を表す。また、t4は、0~6の整数をそれぞれ表す。A1及びA2の1価の芳香族炭化水素基、A3の2価の芳香族炭化水素基、或いは、A1と、A2又はA3とが結合して形成される複素環は、上述のとおり、アルキル基及び脂環式炭化水素基といった脂肪族炭化水素基、又はアルコキシ基を有していてもよい。ここでいう脂肪族炭化水素基及びアルコキシ基各々の具体例は、それぞれの炭素数の範囲ですでに例示したものを含み、このような置換基のある炭素原子の数も含めて、芳香族炭化水素基及び複素環の炭素数とする。以上、化合物IのA1~A3について具体例を示しつつ説明したが、A1は、水素原子又はメチル基であると好ましい。A2及びA3は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基であると好ましく、メチル基、エチル基又はプロピル基であるとより好ましい。化合物Iの具体例を以下に示す。なお、この具体例では式Iで表されるものの形式で示すが、上述のとおり、A1~A3のうちの1つが水素原子である場合、その化合物Iに対応した化合物I’となることもある。次に、化合物Iの製造方法を、X2がカルボニルオキシ基である化合物I[式IDで表される化合物I]の製造方法を例にとり、簡単に説明する。この製造方法を反応形式の形で示すと、以下のとおりである。[上式中の全ての符号は、いずれも前記と同義である。]式ID-1で表される化合物と、式ID-2で表される塩とを、溶媒中、塩基性条件で反応させることにより、式IDで表される塩Iを得ることができる。溶媒としてはアセトニトリル、ジメチルホルムアミド及びテトラヒドロフランなどが用いられる。塩基性条件にするためには、反応系中に適当な塩基を共存させればよい。当該塩基としては炭酸カリウム、炭酸ナトリウム及び水素化ナトリウムなどの無機塩基、並びに、トリエチルアミン、DBU、ジメチルアミノピリジン及びピリジンなどの有機塩基が挙げられる。また、化合物Iは市場から容易に入手できるものを用いることもできる。このような市販品としては例えば、2-ジプロピルアンモニオプロピオネートなどがある。<塩B1>上述のとおり、塩B1は式B1で表される。繰り返しになるが、式B1を以下に示す。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該2価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基の具体例は、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数1~6のアルキル基において、該アルキル基を構成する水素原子の全部がフッ素原子に置き換わったものが該当する。具体的にいうと、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。塩B1としては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子であると好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子であると、さらに好ましい。Lb1の脂肪族炭化水素基の具体例は、すでに例示したアルカンジイル基、及び、上述の式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基などである。Lb1の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6式b1-1~式b1-6のいずれかで表される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6における結合手を示すは、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2の炭素原子と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb4は、炭素数1~13の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15のの脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。本レジスト組成物に用いる塩B1としては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する塩B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基を、Lb1として有する塩B1がより好ましい。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。Yは置換基を有していてもよい炭素数1~18の1価の脂肪族炭化水素基を表す。この脂肪族炭化水素基のうち、Yはアルキル基又は脂環式炭化水素基であると好ましく、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~12の脂環式炭化水素基であると、さらに好ましく、炭素数3~12の脂環式炭化水素基であると特に好ましい。Yの脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合、この置換基は例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基、-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。及びオキソ基などが挙げられる。ここでいう芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。Yの脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる基2価の基に置き換わっていてもよい。脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。特に好ましいYの脂環式炭化水素基としては、式Y1~式Y26で表される基が挙げられる。これらの中でも、好ましくは式Y1~式Y19のいずれかで表される基であり、より好ましくは式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基であり、さらに好ましくは式Y11又は式Y14で表される基である。Yとしては、例えば以下のものが挙げられる。すでに説明したとおり、Yの脂環式炭化水素基は、式Y11及び式Y14で示したようにアダマンタン環を有する基であると好ましく、これらが置換基を有する場合、その置換基はヒドロキシ基又はオキソ基が好ましい。すなわち、置換基を有する脂環式炭化水素基としては、ヒドロキシアダマンチル基及びオキソアダマンチル基がYとして特に好ましい。スルホン酸アニオンの好適例を具体的に示すと、式b1-1-1、式b1-1-2、式b1-1-3、式b1-1-4、式b1-1-5、式b1-1-6、式b1-1-7、式b1-1-8及び式b1-1-9式b1-1-1~式b1-1-1-9で表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。この式b1-1-1~式b1-1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。以下、これらのスルホン酸アニオンを、その式番号に応じて、アニオンb1-1-1などという。式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンの具体例は例えば、特開2010-204646号公報に記載されているスルホン酸アニオンを挙げることができる。塩B1に含まれる有機カチオンZは例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4[式b2-1~式b2-4]のいずれかで表される有機カチオン以下、場合により、各式の番号に応じてカチオンb2-1、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4という。である。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、この炭化水素基のうちでは、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11Rb9~Rb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、この脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12の範囲であると好ましく、この脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18の範囲であると好ましく、4~12の範囲であるとさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。この炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環好ましくは3員環~7員環は脂肪族環又は、該脂肪族環を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっている環である。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14はそれぞれ独立であり、s2が2以上であるとき、複数のRb15は同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は同一でも異なっていてもよい。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては、すでに例示したアシル基と酸素原子とが結合したものである。Rb9~Rb12のアルキル基の好適例は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などである。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基の好適例は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基及びイソボルニル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基の好適例は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基とアルキル基が結合したものは、典型的にはアラルキル基である。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。カチオンb2-1、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4の具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。例示した有機カチオンの中でも、式b2-1で表されるものが好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、R19、R20及びR21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。この脂肪族炭化水素基の炭素数は1~12の範囲であると好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましく、さらには置換基として、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は同一でも異なっていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基である。塩B1は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができ、好ましくは、アニオンb1-1-1~アニオンb1-1-9のいずれかとカチオンb2-1-1との組合せ、並びにアニオンb1-1-3~b1-1-5のいずれかとカチオンb2-3との組合せが挙げられる。さらに好ましい塩B1を具体的に示す。このような塩B1は、以下の式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5、式B1-6、式B1-7、式B1-8、式B1-9、式B1-10、式B1-11、式B1-12、式B1-13、式B1-14、式B1-15、式B1-16及び式B1-17のいずれかで表されるものである。中でも、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-7、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14のいずれかで表されるものがより好ましい。<樹脂A>本レジスト組成物に含有される樹脂Aは上述のとおり、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る特性以下、場合により酸作用特性という。を有する。かかる樹脂Aを含有することにより、本レジスト組成物は、後述する酸発生剤Bから発生される酸の作用により、レジストパターンを製造することができる。なお、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得るとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。酸作用特性を有する樹脂Aは、その分子内に酸に不安定な基以下、場合により酸不安定基という。を有する。このような樹脂Aは、酸不安定基を有するモノマー以下、このモノマーを場合によりモノマーa1といい、該モノマーa1由来の構造単位を構造単位a1という。を重合することによって製造できる。樹脂Aを製造する際には、モノマーa1を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<酸不安定基>酸不安定基とは、酸と接触すると脱離基が解離して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する基を意味する。酸不安定基としては、例えば、式1で表される基酸不安定基1、式2で表される基酸不安定基2などが挙げられる。[式1中、Ra1、Ra2及びRa3Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。は結合手を表す。][式2中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の1価の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。該1価の炭化水素基及び該2価の炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子に置き換わってもよい。は結合手を表す。]酸不安定基1のRa1~Ra3のアルキル基及び脂環式炭化水素基の具体例は、その炭素数がそれぞれ前記の範囲において、すでに例示したものを含む。該脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは5~16の範囲である。Ra1及びRa2が、互いに結合して環を形成する場合とは、-CRa1Ra2Ra3で表される基が、以下のいずれかの基となる場合である。Ra1及びRa2が結合して形成される環の炭素数は、好ましくは3~12の範囲である。酸不安定基1としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブチル基、2-アルキル-2-アダマンチルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が結合することで、アダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-1-アダマンチル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。酸不安定基2のRa1’及びRa2’の炭化水素基は、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基などである。これらの基もすでに例示したもののうち、炭素数20以下の範囲で同じものを含む。ただし、Ra1及びRa2のうち少なくとも1つは水素原子であると好ましい。酸不安定基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸不安定基[好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2]を有するモノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーのうち、炭素数5~20の脂環式炭化水素基を有するモノマーa1が好ましい。このようなモノマーa1を用いて得られる樹脂Aは、脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するものとなるので、該樹脂Aを含有する本レジスト組成物の解像度が一層良好となる傾向がある。<好適な構造単位a1>かかる脂環式炭化水素基を有するモノマーa1を用いて得られる好適な樹脂Aについて、さらに詳述する。該樹脂Aの中でも、式a1-1で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-1という。又は式a1-2で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-2という。を有する樹脂が好ましい。かかる樹脂Aには、構造単位a1-1を単独種有していてもよく、複数種有していてもよく、構造単位a1-2を単独種で有していてもよく、複数種有していてもよく、構造単位a1-1と構造単位a1-2とを合わせて有していてもよい。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手を表す。で表される基を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は前記と同義である。で表される基を表す。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0又は1の整数を表す。]La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は、k1が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは酸素原子又は-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基のうち、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基であり、この炭素数の上限以下の範囲で、すでに例示したものと同じものを含む。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基はそれぞれ独立に、好ましくは炭素数8以下のアルキル基又は炭素数8以下の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6以下のアルキル基又は炭素数6以下の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。構造単位a1-1を誘導し得るモノマーa1は、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたものなどが挙げられる。これらに由来する構造単位a1-1のうち、以下の式a1-1-1、式a1-1-2、式a1-1-3、式a1-1-4、式a1-1-5、式a1-1-6、式a1-1-7及び式a1-1-8[式a1-1-1~式a1-1-8]のいずれかで表される構造単位a1-1が好ましく、式a1-1-1~式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1がより好ましい。一方、構造単位a1-2を誘導し得るモノマーa1としては、例えば、1-エチル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロヘキシルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロヘプチルメタアクリレート、1-メチル-1-シクロペンチルメタアクリレート及び1-イソプロピル-1-シクロペンチルメタアクリレートなどが挙げられる。構造単位a1-2としては、以下の式a1-2-1、式a1-2-2式a1-2-3、式a1-2-4、式a1-2-5及び式a1-2-6[式a1-2-1~式a1-2-6]のいずれかで表されるものが好ましい。これらのなかでも、式a1-2-3又はa1-2-4で表される構造単位a1-2がより好ましく、式a1-2-3で表される構造単位a1-2がさらに好ましい。樹脂Aが構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を有する場合、これらの合計含有割合は、該樹脂Aの全構造単位100モルに対して、通常、10~95モルの範囲であり、15~90モルの範囲が好ましく、20~85モルの範囲がより好ましく、20~60モルの範囲がさらに好ましい。また、構造単位a1として、アダマンチル基を有する構造単位a1特に好ましくは、構造単位a1-1を有する場合には、樹脂A中の構造単位a1の合計100モルに対して、アダマンチル基を有する構造単位a1が15モル以上であることが好ましい。このような含有割合で、アダマンチル基を有する構造単位a1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを含有するレジスト組成物から製造されるレジストパターンのドライエッチング耐性が良好となる傾向がある。なお、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合を、上述の範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対する、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーの使用量を調整すればよい。以上、好適な構造単位a1である、構造単位a1-1及び構造単位a1-2について説明したが、樹脂Aはこれらの以外の酸不安定基を有する構造単位a1他の構造単位a1を有していてもよい。この場合は、すでに述べた樹脂A中の構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合を、構造単位a1-1、構造単位a1-2及び/又は他の構造単位a1の合計含有割合に読み替えればよい。<酸安定構造単位>樹脂Aは、酸不安定基を有する構造単位a1に加え、酸不安定基を有さない構造単位以下、場合により酸安定構造単位といい、該酸安定構造単位を誘導し得るモノマーを、酸安定モノマーという。を有していると好ましい。該樹脂A中、酸安定構造単位は1種のみを有していてもよく、複数種を有していてもよい。樹脂A中の酸安定構造単位は、1種であってもよく、2種以上であってもよい。樹脂Aが構造単位a1と酸安定構造単位とを有する場合、当該酸安定構造単位は100モルから酸安定構造単位の含有割合を引いたものである。なお、構造単位a1の含有割合と酸安定性構造単位の含有割合との比は、構造単位a1/酸安定構造単位で表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。このようにすると、樹脂Aを含有する本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより一層良好となる傾向がある。次に、酸安定構造単位のうち、好ましいものを説明する。酸安定構造単位は、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a2という。及び/又はラクトン環を有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a3という。を有する樹脂Aは、当該樹脂Aを含有する本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、この本レジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。なお、ここでいう本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法に関しては後述する。まず、酸安定構造単位として好適な、酸安定構造単位a2及び酸安定構造単位a3に関して具体例を挙げつつ説明する。<酸安定構造単位a2>酸安定構造単位a2を樹脂Aに導入する場合、当該樹脂Aを含有する本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定構造単位a2を選択することができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ波長:248nmを露光源とする露光、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線を露光源とする露光に用いる場合には、酸安定構造単位a2として、フェノール性水酸基を有する酸安定構造単位a2-0を樹脂Aに導入することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ波長:193nmを露光源とする露光を用いる場合は、酸安定構造単位a2として、後述の式a2-1で表される酸安定構造単位を樹脂Aに導入することが好ましい。このように、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a21種のみを有していてもよく、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a22種以上を有していてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a2と、それ以外の酸安定構造単位a2とを組み合わせて有していてもよい。酸安定構造単位a2の具体例の1つは、以下の式a2-1で表されるもの以下、場合により酸安定構造単位a2-1という。である。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。以上、例示した酸安定構造単位a2-1は、例えば、特開2010-204646号公報に記載された酸安定モノマーから誘導される。これらの中でも、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-3及び式a2-1-4のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1がより好ましく、式a2-1-1又はa2-1-3で表される酸安定構造単位a2-1がさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、該樹脂Aの全構造単位に対して、3~40モルの範囲が好ましく、5~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。次に、ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位のうち、フェノール性水酸基を有する酸安定構造単位について説明する。該酸安定構造単位は、以下の式a2-0で表されるもの以下、場合により酸安定構造単位a2-0という。が好ましい。式a2-0中、Ra30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一でも異なっていてもよい。Ra30のハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基における炭素数1~6のアルキル基の具体例は、炭素数がこの範囲において、すでに例示したものを含む。ハロゲン原子を有する炭素数1~6のアルキル基とは、該炭素数1~6のアルキル基に含まれる水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換されたものである。なお、ハロゲン原子の具体例もすでに説明したとおりである。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルコキシ基の具体例は、炭素数1~6の範囲で、すでに例示したものを含む。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。酸安定構造単位a2-0の中でも、以下の式a2-0-1及び式a2-0-2のいずれかで表されるものが好ましい。かかる構造単位を誘導し得るモノマーa1は、例えば、特開2010-204634号公報に記載されている。p-ヒドロキシスチレンやp-ヒドロキシ-α-メチルスチレンといった酸安定構造単位a2-0を誘導し得る酸安定モノマー[以下、場合により酸安定モノマーa2という。]を、樹脂A製造に用いることにより、式a2-0-1又は式a2-0-2で表される酸安定構造単位a2-0を、樹脂Aに導入することができるが、該酸安定モノマーa2にあるフェノール性水酸基を例えば、アセチル基のような保護基で保護し、保護化酸安定モノマーa2とした後、この保護化酸安定モノマーa2を用いて樹脂Aを製造することもできる。保護化酸安定モノマーa2に由来する構造単位を有する樹脂を脱保護処理して、保護基を脱離することにより、酸安定構造単位a2-0を有する樹脂Aを製造できる。ただし、脱保護処理を実施する際には、他の構造単位a1を著しく損なわないようにして、該脱保護処理を実施する必要がある。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-0を有する場合、その含有割合は、該樹脂Aの全構造単位に対して、90モル以下の範囲であればよく、好ましくは10~85モルの範囲であり、さらに好ましくは、15~80モルの範囲である。<酸安定構造単位a3>酸安定構造単位a3が有するラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定構造単位a3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aは、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示されるものを酸安定構造単位a3-1といい、式a3-2で示されるものを酸安定構造単位a3-2といい、式a3-3で示されるものを酸安定構造単位a3-3という。[式a3-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra21は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は同一でも異なっていてもよい。式a3-2中、La5は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。q1は、0~3の整数を表す。Ra22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は同一でも異なっていてもよい。式a3-3中、La6は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra20は、水素原子又はメチル基を表す。r1は、0~3の整数を表す。Ra23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、r1が2以上の場合、複数のRa23は同一でも異なっていてもよい。]式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、式a2-1のLa3で説明したものと同じものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は、k3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子及び、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。なお、p1が2である場合、2つのRa21は互いに同一でも異なっていてもよく、q1が2である場合、2つのRa22は互いに同一でも異なっていてもよく、r1が2である場合、2つのRa23は互いに同一でも異なっていてもよい。以下、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3の各々の好適例を示す。酸安定構造単位a3-1の好適例は、以下の式a3-1-1、式a3-1-2、式a3-1-3及び式a3-1-4のいずれかで表されるものである。酸安定構造単位a3-2の好適例は、以下の式a3-2-1、式a3-2-2、式a3-2-3及び式a3-2-4のいずれかで表されるものである。酸安定構造単位a3-3の好適例は、以下の式a3-3-1、式a3-3-2、式a3-3-3及び式a3-3-4のいずれかで表されるものである。酸安定構造単位a3-3を誘導し得る酸安定モノマーとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。樹脂Aが、酸安定構造単位a3-3を有する場合、その含有割合は、該樹脂Aの全構造単位に対して、5~50モルの範囲が好ましく、10~45モルの範囲がより好ましく、15~40モルの範囲がさらに好ましい。以上、樹脂Aが有する構造単位a1として好適な構造単位a1-1又は構造単位a1-2、酸安定構造単位として好適な酸安定構造単位a2及び酸安定構造単位a3について詳述したが、これら以外の構造単位を当該樹脂Aは有していてもよく、かかる構造単位としては、当技術分野で周知の構造単位を挙げることができる。<樹脂Aの製造方法>樹脂Aは、構造単位a1を誘導するモノマーa1を、さらに好ましくは、該モノマーa1と、酸安定構造単位を誘導する酸安定モノマーとを共重合させたものであり、より好ましくは、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーa1、酸安定構造単位a2及び/又は酸安定構造単位a3を誘導する酸安定モノマーとを共重合させたものである。樹脂Aは、構造単位a1として、アダマンチル基を有する構造単位a1-1を有することがさらに好ましい。酸安定構造単位a2としては、ヒドロキシアダマンチル基を有する構造単位a2-1を用いることが好ましい。酸安定構造単位a3としては、γ-ブチロラクトン環を有する酸安定構造単位a3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-2の少なくとも1種を有することが好ましい。樹脂Aは、上述したようなモノマーを公知の重合法例えばラジカル重合法に供し、重合共重合することにより製造できる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは30,000以下である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。この分析の詳細な分析条件は、本願の実施例に記載する。<樹脂F>本レジスト組成物を例えば、液浸露光によるレジストパターンの製造に用いる場合、該本レジスト組成物は、式FIで表される構造単位以下、場合により構造単位FIという。を有する樹脂Fを含有していると好ましい。[式FI中、RF1は、水素原子又はメチル基を表す。AF1は、炭素数1~6のアルカンジイル基を表す。RF2は、フッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基を表す。]AF1のアルカンジイル基の具体例は、炭素数が1~6の範囲ですでに例示したものを含む。AF1のアルカンジイル基は、その炭素数が1~4の範囲であると好ましく、エチレン基であるとさらに好ましい。RF2はフッ素原子を有する炭化水素基であるが、中でも、フッ素原子を有するアルキル基フッ化アルキル基及びフッ素原子を有する脂環式炭化水素基が好ましい。このフッ素原子を有するアルキル基とは、アルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換されたものであり、その具体例としては、ジフルオロメチル基、ペルフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-パーフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。フッ素原子を有する脂環式炭化水素基とは、脂環式炭化水素基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換されたものであり、典型的にはフッ化シクロアルキル基である。該フッ化シクロアルキル基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基及びペルフルオロアダマンチル基などが挙げられる。以上のように、RF2はフッ素原子を有する炭化水素基を、その具体例を示して説明したが、これらの中でも、RF2はフッ化アルキル基が好ましく、炭素数1~6のフッ化アルキル基がさらに好ましい。構造単位FIを、AF1が特に好ましいエチレン基であり、RF1がメチル基である場合で例示すると、以下のとおりである。前記式FI-1~前記FI-11で示した構造単位FIの具体例において、RF1をメチル基から水素原子に置き換えたものも、構造単位FIの具体例として挙げることができる。構造単位FIは、式FI’で表される化合物以下化合物FI’というから誘導される。[式FI’中、RF1、AF1及びRF2は、前記と同義である。]化合物FI’は例えば、式FI’-1で表される化合物と式FI’-2で表される化合物とを、塩基性触媒の存在下で反応させることにより製造できる。この反応を反応式の形式で示すと以下のとおりである。この反応は、通常、テトラヒドロフランなどの溶媒中で行われる。塩基性触媒としては、ピリジンなどを用いればよい。式FI’-1で表される化合物は、市場から容易に入手できるものとして、ヒドロキシエチルメタクリレートなどが挙げられる。式FI’-2で表される化合物は、RF2の種類に応じて、対応するカルボン酸を無水物へと変換することで得ることができる。市場から容易に入手できるものとしては、ヘプタフルオロ酪酸無水物などが挙げられる。樹脂Fは、構造単位FIを単独種又は複数種を有していればよいが、構造単位FIとは異なる構造単位を有していてもよい。構造単位FIとは異なる構造単位としては、前述の酸安定モノマーに由来する構造単位酸安定構造単位a2及び酸安定構造単位a3に加え、式FIIIで表される構造単位などを挙げることができる。[式FIII中、R11は、水素原子又はメチル基を表す。環W2は、炭素数6~10の脂肪族環を表す。A12は、酸素原子、カルボニルオキシ基-CO-O-又はオキシカルボニル基-O-CO-[は環W1との結合手を表す。]を表す。R12は、フッ素原子を有する炭素数1~6のアルキル基を表す。]R12のフッ素原子を有するアルキル基の具体例は、炭素数が異なる以外は、前記式FIのRF2のフッ素原子を有するアルキル基として例示したものと同じである。中でも、R12は、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロ-n-プロピル基、ペルフルオロ-n-ブチル基及び1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-フルオロ-n-ヘキシル基などが好ましい。環W2の脂肪族環は、炭素炭素不飽和結合を有しない飽和の脂肪族環が好ましく、具体的には、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、ノルボルネン環、アダマンタン環及びペルヒドロナフタレン環などが挙げられ、アダマンタン環及びシクロヘキサン環が好ましく、アダマンタン環がより好ましい。式FIIIで表される構造単位以下、場合により構造単位FIIIという。としては、以下で表される構造単位などが挙げられる。式FIII-1~式FIII-8で示される構造単位FIIIの具体例において、R11の水素原子をメチル基に置き換えたものも、構造単位FIIIの具体例として挙げられるが、R11が水素原子である構造単位FIII、すなわち、式FIII-1~式FIII-8のいずれかで示される構造単位FIIIが特に好ましい。以上のとおり、樹脂Fは構造単位FIを有していればよく、該構造単位FIの含有割合は、樹脂Fの全構造単位100モルに対して、5モル以上であれば好ましく、樹脂Fが有する構造単位FI以外のものは、構造単位FIIIが好ましい。また、樹脂Fは構造単位FIからなるものであってもよい。樹脂Fは、構造単位FIを誘導するモノマーと、必要に応じて他の構造単位例えば、構造単位FIIIを誘導するモノマーとを、樹脂Aの製造と同様の公知の重合方法に供することにより製造できる。その際、構造単位FIを誘導するモノマーと他の構造単位を誘導するモノマーとの使用量比を調節することで、該樹脂Fの構造単位FIの含有割合はコントロールできる。樹脂Fの重量平均分子量は、好ましくは、5,000以上より好ましくは7,000以上、80,000以下より好ましくは50,000以下である。この重量平均分子量の測定手段は、樹脂Aの重量平均分子量の測定手段として説明したものと同じである。<塩基性化合物C>本レジスト組成物は塩基性化合物Cを含有していてもよい。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性のアミン、アンモニウム塩又はこれらの組み合わせであり、該アミン及び該アンモニウム塩はその分子内に硫黄原子を有さないものが好ましい。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、1級アミン、2級アミン及び3級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1~式C8のいずれかで表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、前記と同義である。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なってもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同義である。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一でも異なってもよい。][式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同義である。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同義である。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は互いに同一でも異なってもよい。p3が2以上であるとき、複数のRc15は互いに同一でも異なってもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同義である。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は互いに同一でも異なってもよい。r3が2以上であるとき、複数のRc19は互いに同一でも異なってもよい。s3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なってもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6-ジイソプロピルアニリンが挙げられる。式C2で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール及び4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン及び4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミン、ビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。<溶剤D>本レジスト組成物に含有される溶剤Dは、化合物Iや樹脂Aなどの種類及びその量に応じた溶解性、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。溶剤Dとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。溶剤Dは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。本レジスト組成物は、化合物I、塩B1、樹脂A及び溶剤Dを含有する。また、必要に応じて塩基性化合物Cを含有することもある。本レジスト組成物において、本レジスト組成物は、酸発生剤として塩B1を含有するが、本レジスト組成物は、その特性を著しく損なわない範囲で、塩B1以外の酸発生剤を含有していてもよい。このような酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、DNQ4-スルホネート及びスルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタンなどの非イオン系酸発生剤;特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号及び欧州特許第126,712号などに記載の放射線によって酸を発生する化合物を挙げることができる。また、同様に本レジスト組成物の特性を著しく損なわない範囲で、本技術分野で広く用いられている添加剤を含有することもできる。かかる添加剤としては、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などが挙げられる。以下、これらの添加剤を総じて、成分Fという。<本レジスト組成物の調製方法>続いて、化合物I、塩B1、樹脂A及び溶剤Dを含有する本レジスト組成物の調製方法を説明する。本レジスト組成物は、化合物I、塩B1、樹脂A及び溶剤Dを混合することで、又は、化合物I、塩B1、樹脂A、塩基性化合物Cや成分Fなどの添加剤及び溶剤Dを混合することで調製することができる。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、樹脂Aなどの種類や樹脂Aなどの溶剤Dに対する溶解度などに応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。本レジスト組成物における化合物Iの含有量は、塩B1の含有量を基準として好ましい範囲が定められる。具体的には、化合物I及び塩B1の合計含有量が、本レジスト組成物の固形分の質量に対して、0.1~35質量程度が好ましく、1~30質量程度がより好ましく、10~25質量程度がさらに好ましい。なお、化合物Iと、塩B1との含有量の比重量比は、化合物I/塩B1で表して、5/95~95/5の範囲が好ましく、10/90~90/10の範囲が、より好ましく、15/85~85/15の範囲がさらに好ましい。なお、ここでいう固形分の質量とは、本レジスト組成物から溶剤Dを除いた成分の合計を意味する。当該固形分は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。本レジスト組成物における樹脂Aの含有割合は、本レジスト組成物の固形分を基準に好ましい範囲が定められる。具体的は、該固形分の質量を基準として、樹脂Aは80質量以上であることが好ましい。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを含有させる場合、その含有割合は、本レジスト組成物の固形分に対して、好ましくは、0.01~5質量程度であり、より好ましく0.01~3質量程度であり、特に好ましく0.01~1質量程度である。本レジスト組成物中の溶剤Dの含有割合は、本レジスト組成物の総質量に対して、90質量以上、好ましくは92質量以上、より好ましくは94質量以上であり、例えば99.9質量以下、好ましくは99質量以下である。本レジスト組成物に成分Fを含有させる場合、該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を定めることができる。このように、化合物I、塩B1、樹脂A及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる、塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.2μm程度のフィルターを用いてろ過などすることにより、本レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法を具体的に示すと、1本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程を含むものが挙げられる。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト組成物塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上に、本レジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験などを行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成しておいたりすることもできる。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレートなどの加熱装置を用いた加熱手段、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤Dを蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含有される溶剤Dの種類などに応じて調整されるが、例えばホットプレートを用いる加熱手段ホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にしておけばよい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤Dを除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンに応じたマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2レーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するものなど、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤塩B1が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸の作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理が行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段などが採用される。なお、工程4におけるホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がさらに好ましい。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させ、未露光部の組成物層を基板上に残すことにより、当該基板上にレジストパターンが製造される。ここで用いられるアルカリ水溶液は、アルカリ現像液と称されて、本技術分野で用いられるものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。以上のような工程1~工程5を含むレジストパターン製造方法によれば、本レジスト組成物は、優れたパターンコラプスマージンPCMでレジストパターンを製造できる。LWRを有するレジストパターンを製造することができる。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、EB用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物として好適である。次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。実施例及び比較例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。また重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。また、化合物の構造はNMRGX-270型又はEX-270型;日本電子製、質量分析LC;Agilent製1100型、MASS;Agilent製LC/MSD型又はLC/MSDTOF型で確認した。合成例1:式I-2で表される化合物Iの合成式I-18-aで表される塩4.53部と、クロロホルム13.6部とを混合した溶液に、式I-18-bで表される化合物5.00部とN―メチルピロリジン3.31部とを加え、その混合物を5°C程度の温度条件下、1時間攪拌した。反応混合溶液にイオン交換水を加え、クロロホルムにより抽出した。抽出した有機層を減圧濃縮し、得られた残渣にアセトニトリルと2-メトキシ-2-メチルプロパンとを加えて攪拌した後、上澄みを除去し、残渣を乾燥することで、式I-18で表される化合物4.7部を得た。MSESISpectrum:MH=258.2C13H23NO4=257.2樹脂Aの合成樹脂の合成において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーを、その式番号に応じて、モノマーM-2などという。合成例2:樹脂A1の合成モノマーM-115.00部、モノマーM-24.89部、モノマーM-611.12部及びモノマーM-38.81部を反応器に仕込みモル比モノマーM-1:モノマーM-2:モノマーM-6:モノマーM-3=35:12:23:30、全モノマー量の1.5重量倍のジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対してそれぞれ1mol、3mol添加し、77°C程度で約5時間保温した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる動作を3回行いうことで精製し、重量平均分子量が約8.1×103の樹脂共重合体を収率78で得た。この樹脂は、次式の各構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。合成例3:樹脂Fの合成モノマーMF-1に、該モノマーMF-1の質量に対し、1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを、モノマーMF-1の物質量に対して、各々、0.7mol及び2.1mol添加し、この混合物を75°C程度で約5時間保温した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.8×104の樹脂共重合体を収率77で得た。この樹脂は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂F1とする。実施例及び比較例[レジスト組成物の調製]表1に示す各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過し、レジスト組成物を調製した。表中-は含有量が0であることを表す。<樹脂A>A1:樹脂A1<樹脂F>F1:樹脂F1<塩B1>B1:式B1-6で表される酸発生剤<化合物I>I1:式I-1で表される化合物東京化成株から購入I2:式I-18で表される化合物<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤D>D1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート270.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部γ-ブチロラクトン3.0部2-ヘプタノン20.0部レジスト組成物の評価12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[AR26N510;RohmandHass製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークし厚さ48nmの反射防止膜を形成し、さらにその上に有機反射防止膜用組成物[XB080957CA;RohmandHass製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって厚さ40nmの反射防止膜を形成し、合計で厚さ88nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が90nmとなるようにスピンコートした。得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、100°Cで50秒間プリベークPBした。得られたウェハに、液浸露光用ArFエキシマスキャナー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=130、Dipole35、σoutin0.970.82、Y偏向]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。露光後、ホットプレート上にて、95度で50秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。リソグラフィプロセス後の線幅がピッチ80nmライン40nmのレジストパターンとなるマスクを用いた。パターンコラプスマージンPCM:露光量を変えて露光して得られたレジストパターンの線幅を走査型電子顕微鏡で観察し、パターンの倒れが起きないときのレジストパターンの最小の線幅が30nm未満であるものをggood、30nm以上のものをbbadとした。結果を表2に示す。"