"基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソースドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、前記酸化物半導体膜のソースドレイン電極が重ならない部分の表面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とする薄膜デバイス。基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソースドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、前記酸化物半導体膜と前記ソースドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とする薄膜デバイス。基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソースドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、前記酸化物半導体膜のソースドレイン電極が重ならない部分の表面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしており、かつ、前記酸化物半導体膜と前記ソースドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とする薄膜デバイス。請求項1又は3記載の薄膜デバイスにおいて、前記表面層が、インジウムとフッ素との化学的結合を含む、ことを特徴とする薄膜デバイス。請求項2又は3記載の薄膜デバイスにおいて、前記界面層の酸素含有量が、当該界面層の下に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さい、ことを特徴とする薄膜デバイス。請求項3記載の薄膜デバイスにおいて、前記表面層が、インジウムとフッ素との化学的結合を含み、前記界面層の酸素含有量が、当該界面層の下に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さい、ことを特徴とする薄膜デバイス。請求項5又は6記載の薄膜デバイスにおいて、前記界面層が前記ソースドレイン電極の構成元素を含むことを特徴とする薄膜デバイス。請求項1乃至7のいずれか一つに記載の薄膜デバイスにおいて、前記ソースドレイン電極がチタン又はモリブデンを含む、ことを特徴とする薄膜デバイス。請求項1乃至8のいずれか一つに記載の薄膜デバイスにおいて、前記インジウムを含む酸化物半導体膜がインジウム、ガリウム及び亜鉛を含む、ことを特徴とする薄膜デバイス。基板上にゲート電極を形成し、このゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、このゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、この酸化物半導体膜上にソースドレイン電極用金属膜を成膜し、フッ素を含むプラズマガスを用いて前記ドレイン電極用金属膜をパターニングすることによりソースドレイン電極を形成する薄膜デバイスの製造方法において、前記フッ素を含むプラズマガスを誘導結合プラズマ源によって生成し、かつ、前記基板をアース電位電極上に設置して前記ソースドレイン電極用金属膜のエッチングを行う、ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。請求項10記載の薄膜デバイスの製造方法において、前記誘導結合プラズマ源の反応ガスとして、六フッ化硫黄、四フッ化炭素、アルゴン、酸素、又は、これらのガスの混合ガスを用いる、ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。インジウムを含む酸化物半導体の中でも現在最も広く用いられている材料は、IGZOInGaZnO4である。この材料は、インジウムの酸化物In2O3、ガリウムの酸化物Ga2O3、及び亜鉛の酸化物ZnOの化合物からなる。C-J.Kim等の報告非特許文献2では、IGZO膜上に形成されたソースドレイン電極金属のTiをパターニングする際に、フッ素系ガスであるSF6ガスを用いたプラズマエッチングを用いている。その際、基板を反応性イオンエッチング装置のカソード電極側に設置して行っている。このようにして作製した酸化物半導体TFTでは、上述のようにバックチャネル付近に酸素欠損層が形成されることによりオフ電流が増加してしまうので、塩酸溶液でこの酸素欠損層をエッチング除去する必要があった。このような酸素欠損層の存在は、IGZO膜のXPS測定で、In3dピークが通常の酸素欠損の無いIn2O3起因のピーク位置より低エネルギ側へシフトしていることから、確認されている。また、このような塩酸溶液でのエッチングは、プロセスコストの増加につながるとともに、Ti電極とIGZO酸化物半導体膜との選択エッチングが難しいため、IGZO膜がオーバーエッチングされて歩留まりが著しく低下するという課題があった。このような課題は、上記の非特許文献3等の場合でも同様である。このようにIGZOからなる酸化物半導体TFTでは、IGZO膜の表面においてIn3dピークが通常のIn2O3起因のピーク位置より低エネルギ側へシフトしやすく、この低エネルギ側へのピークシフトを如何に抑制するかすなわち酸素欠損層の発生を如何に抑制するかが重要な課題であった。また、シリコン系の薄膜材料ではリンやボロンをシリコン中にドーピングすることで抵抗値を下げ、これらをソースドレイン領域に用いることで良好なオーミックコンタクト特性を実現できる。一方、酸化物半導体膜の場合、シリコンと異なりドーピングを制御して行うことが難しいので、ソースドレイン領域で良好なオーミックコンタクト特性を実現することが難しいという課題があった。したがって、特許文献2、3のように抵抗の低い層を個別に形成するなどの必要があり、これがコスト高の原因となっていた。本発明に係る薄膜デバイスは、基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソースドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、前記酸化物半導体膜のソースドレイン電極が重ならない部分の表面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とする。本発明に係る薄膜デバイスの製造方法は、基板上にゲート電極を形成し、このゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、このゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、この酸化物半導体膜上にソースドレイン電極用金属膜を成膜し、フッ素を含むプラズマガスを用いて前記ドレイン電極用金属膜をパターニングすることによりソースドレイン電極を形成する薄膜デバイスの製造方法において、前記フッ素を含むプラズマガスが誘導結合プラズマ源によって生成され、かつ、前記基板をアース電位電極上に設置して前記ソースドレイン電極用金属膜のエッチングを行う、ことを特徴とする。本発明によれば、酸化物半導体膜の表面において酸素欠損生成を抑制できるので、酸化物半導体膜の表面をエッチングすることなく、良好なスイッチング特性を有する薄膜デバイスを実現できる。以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態以下実施形態という。について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。また、第一構成要素の上に第二構成要素があるという場合は、第一構成要素の上に接して第二構成要素がある場合、第一構成要素の上に他の構成要素があり更にその上に第二構成要素がある場合、第一構成要素の全体の上に第二構成要素がある場合、及び、第一構成要素の一部の上にのみ第二構成要素がある場合を含む。また、各実施形態では、本発明に係る薄膜デバイスの一例として酸化物半導体TFT以下、単にTFTと略称する。について説明する。[実施形態1]図1は、実施形態1のTFTを示す断面図である。本実施形態1のTFT101は、基板としての絶縁性基板10上のゲート電極11、ゲート電極11上のゲート絶縁膜12、ゲート絶縁膜12上のインジウムを含む酸化物半導体膜13、及び、酸化物半導体膜13上のソースドレイン電極14を有する。そして、酸化物半導体膜13のソースドレイン電極14が重ならない部分例えば、ソースドレイン電極14を構成するソース電極14sとドレイン電極14dとの間の酸化物半導体膜13などの表面層15におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、表面層15の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている。換言すると、絶縁性基板10上にゲート電極11が形成され、その上にゲート絶縁膜12が成膜されている。更にその上に、インジウムを含む島状の酸化物半導体膜13が形成されている。島状の酸化物半導体膜13上にソースドレイン電極14が形成されている。酸化物半導体膜13とソースドレイン電極14とが重なり合わない領域には、酸化物半導体膜13の上面付近に表面層15が形成されている。ここで、表面層15におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、表面層15の下部に存在する酸化物半導体膜13の領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている構造が本実施形態1のポイントである。更に、TFT101の全体を覆うようにパッシベーション膜16が成膜されている。図1乃至図3を用いて、本実施形態1を更に詳しく説明する。図1に示すように、絶縁性基板10としてのガラス基板上にスパッタリング法によりAl合金膜を成膜し、そのAl合金膜を所望の形状にパターニングすることにより、ゲート電極11を形成する。続いて、プラズマCVD法により、ゲート絶縁膜12としてのシリコン酸化膜を成膜する。続いて、スパッタリング法により酸化物半導体膜13となるIGZO膜を成膜し、そのIGZO膜を所望の島状形状にパターニングする。ここで、酸化物半導体膜13としては、Inが含まれていることが望ましい。上記のIGZO膜以外にも、In-Zn-O膜、In-Ga-O膜、In-Si-O膜等の酸化物半導体膜が使用可能である。更に、ソースドレイン電極金属として、Ti及びAl合金をこの順序でスパッタリング法により成膜する。そして、まずAl合金のみをエッチングして除去し、その後、フッ素系ガスプラズマ、例えばSF6ガスやCF4ガスのプラズマを用いてTiを所望の形状にエッチングすることにより、ソースドレイン電極14を形成する。上記のように作製したTFT101のIGZO膜の表面側から、アルゴンガスでIGZO膜を少しずつ約2[nm]ずつスパッタしながら、XPS測定した結果を、図2及び図3に示す。図2に示すように、IGZO膜の表面に、In3dピークが通常のIn2O3起因のピーク位置17より高エネルギ側へシフトした表面層が、存在していることが、本実施形態1の重要な点である。また、図3に示すようにこの表面層15にはフッ素が含まれていることからF1sに起因するピーク18、図2の高エネルギ側へのシフトは、表面のIn-O結合がIn-F結合に置換されることに起因していると言える。このように、フッ素がインジウムと化学的に結合することにより表面での酸素欠損生成を抑制でき、その結果、TFT101のオフ電流の増加を抑えることができる。また、このような表面層15を有することで、外部環境に対してより安定な特性を有するTFT101を実現することができた。具体的には、パッシベーション膜16の上部に第二のゲート電極この場合、トップゲート電極を設け、この第二のゲート電極に一定電圧を印加しながらトランジスタの伝達特性ボトムゲート電圧-ドレイン電流特性を測定すると、上記のような表面層15を設けることで、表面層15が無い場合に比べて特性のシフト量を2分の1以下に抑制することができた。第二のゲート電極に電圧を印加することは、パッシベーション膜16上に不純物のイオン等が発生した場合に等価的に相当するので、この結果は、表面層15を設けることで外部の不純物電荷に対する特性シフト量を2分の1以下に抑制でき、特性の安定性が向上したことを示している。[実施形態2]図4は、実施形態2のTFTを示す断面図である。本実施形態2のTFT102は、基板としての絶縁性基板10上のゲート電極11、ゲート電極11上のゲート絶縁膜12、ゲート絶縁膜12上のインジウムを含む酸化物半導体膜13、及び、酸化物半導体膜13上のソースドレイン電極14を有する。そして、酸化物半導体膜13とソースドレイン電極14との間に存在する界面層19におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、界面層19の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている。換言すると、絶縁性基板10上にゲート電極11が形成され、その上にゲート絶縁膜12が成膜されている。更にその上に、インジウムを含む島状の酸化物半導体膜13が形成されている。島状の酸化物半導体膜13上にソースドレイン電極14が形成されている。酸化物半導体膜13とソースドレイン電極14との間には、界面層19が存在する。ここで、界面層19におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、界面層19の下部に存在する酸化物半導体膜13の領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている構造が、本実施形態2のポイントである。更に、TFT102の全体を覆うようにパッシベーション膜16が成膜されている。図4及び図5を用いて、本実施形態2を更に詳しく説明する。図4に示すように、絶縁性基板10としてガラス基板上にスパッタリング法によりMo合金膜を成膜し、そのMo合金膜を所望の形状にパターニングすることにより、ゲート電極11を形成する。続いて、プラズマCVD法により、ゲート絶縁膜12として窒化シリコン膜及びシリコン酸化膜をこの順序で成膜する。その後、スパッタリング法により酸化物半導体膜13となるIGZO膜を成膜し、そのIGZO膜を所望の島状形状にパターニングする。ここで、酸化物半導体膜13としては、Inが含まれていることが望ましい。上記のIGZO膜以外にも、In-Zn-O膜、In-Ga-O膜、In-Si-O膜等の酸化物半導体膜が使用可能である。更に、ソースドレイン電極金属としてTi及びAl合金を、この順序でスパッタリング法により成膜する。そして、まずAl合金をエッチングして除去し、その後、フッ素系ガスプラズマ、例えばSF6ガスやCF4ガスのプラズマを用いてTiを所望の形状にエッチングすることにより、ソースドレイン電極14を形成する。上記のように作製したTFT102のソースドレイン電極14のTi膜内部から、アルゴンガスで膜を少しずつ約2[nm]ずつスパッタしながら、IGZO膜内部に至るまで、XPS測定した結果を、図5に示す。図5に示すように、Ti膜内部では、金属Tiに起因するTi2p軌道起因のピーク20が見られる。その後、Ti膜とIGZO膜との界面付近に、In2O3起因のIn3dピーク位置よりも低エネルギ側にシフトしたピーク21が見られる。この低エネルギ側のピーク21は酸素欠損In2O3-xに起因するものである。更にIGZO内部まで進むと、In3dピーク位置は通常のIn2O3に起因するピーク位置22になる。このように、Ti電極とIGZO膜との間の界面層19において、In3d起因のピーク位置が、通常のIn2O3におけるIn3dピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしていること、が本実施形態2の重要な点である。この低エネルギ側にシフトしたピーク21は、In2O3から酸素が欠損したIn2O3-xに起因するピークである。また、本実施形態2では、In3dピークが低エネルギ側にシフトした独立したピークのみが、界面層19に存在する場合を示した。しかし、このような単独ピークの場合に限らず、通常位置及び低エネルギ側にシフトした位置の両方に、ピークを有する界面層の場合でも良い。すなわち、少なくとも低エネルギ側にシフトしたXPS信号ピークを有する界面層19が存在すること、がポイントである。このような界面層19は、ソースドレイン電極金属を成膜する際に成膜雰囲気を還元雰囲気にすると効率よく形成でき、例えば、5×10-4[Pa]以下の高真空に排気した後に、Arガスのみの還元雰囲気で金属材料をスパッタリング法により成膜すると良い。更には、ソースドレイン電極金属をスパッタリング成膜する前に、基板表面をAr、He等の希ガスプラズマや水素プラズマに曝すことで、酸化物半導体表面を還元しても良い。あるいは、スパッタリングに限らず、真空蒸着法などの成膜法でもよい。上記の実施形態2では、酸化物半導体膜と接する部分のソースドレイン電極材料としてTiの場合を説明したが、Mo、Cr、Al、Cu、Wやこれらの合金でも使用可能である。[実施形態3]図6は,実施形態3のTFTを示す断面図である。本実施形態3のTFT103は、基板としての絶縁性基板10上のゲート電極11、ゲート電極11上のゲート絶縁膜12、ゲート絶縁膜12上のインジウムを含む酸化物半導体膜13、及び、酸化物半導体膜13上のソースドレイン電極14を有する。そして、酸化物半導体膜13のソースドレイン電極14が重ならない部分例えば、ソースドレイン電極14を構成するソース電極14sとドレイン電極14dとの間の酸化物半導体膜13などの表面層15におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、表面層15の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている。かつ、酸化物半導体膜13とソースドレイン電極14との間に存在する界面層19におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、界面層19の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている。換言すると、本実施形態3のTFT103は、図1の構造と図4の構造とを併せ持った構造であり、In3d起因のピークが高エネルギ側へシフトした表面層15と、In3d起因のピークが低エネルギ側へシフトした界面層19の双方とを、有する構造である。本実施形態3の構造は、上記実施形態1、2に記載の製造方法を組み合わせて作製することができる。図6の表面層の破線15aに沿ったXPSスペクトルは図2及び図3と同様であり、また、ソースドレイン領域の破線14aに沿ったXPSスペクトルは図5と同様である。以上の実施形態1~3では、酸化物半導体膜13の上部に成膜した金属をエッチングしてソースドレイン電極14の形状にパターニングすることで、ソースドレイン分離を行いチャネルを形成する構造チャネルエッチング型構造を説明した。本発明は、このチャネルエッチング型構造に限られるものではない。本発明は、例えば、酸化物半導体膜上にチャネル保護絶縁膜を所望の形状に形成し、その後、ソースドレイン電極金属材料の成膜とパターニングを行うことにより、ソースドレイン分離を行う構造チャネル保護型構造でも適用可能である。[実施形態4]実施形態4のボトムゲート構造のTFT構造及びその製造工程について、図7乃至図19を参照して説明する。まず、図7[A]に示すように、絶縁性基板23としてのガラス基板上に、ゲート電極となるCr金属膜をスパッタ法により50[nm]の膜厚で成膜した後、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチング法を用いてそのCr金属膜をゲート電極24の形状にパターニングした。その後、図7[B]に示すように、ゲート絶縁膜25としてのシリコン酸化膜を、単結晶シリコンターゲットを用いた反応性スパッタ法により、200[nm]の膜厚で成膜した。その後、大気に曝すことなく、図7[C]に示すように、スパッタ法により酸化物半導体膜26となるIGZO膜を50[nm]の膜厚で成膜し、そのIGZO膜をフォトリソグラフィ法及びウェットエッチング法を用いて酸化物半導体膜26の形状にパターニングした。ここで、ウェットエッチングには、硝酸、塩酸、シュウ酸、又はこれらの混酸を用いることができるが、好ましくは5以下の濃度のシュウ酸水溶液を用いる。その後、図8[A]に示すように、ソースドレイン電極29となるTi金属膜27をスパッタ法により100[nm]の膜厚で成膜した。このとき、ソースドレイン電極29となるTiと酸化物半導体膜26としてのIGZOとの界面領域に、TiがIGZO層に拡散した層28が形成される。層28は最大で50[nm]の厚さで形成されていることが、図9に示すXPS法を用いたデプスプロファイル分析により確認されている。IGZO層に拡散したTiの還元作用により、IGZO層を構成するIn2O3、Ga2O3、及びZnOの酸素原子の全て又は一部が脱離して、In2O3-x、Ga2O3-x、及びZnO1-xの化学組成となっている酸素欠損層が形成されている。このようなIGZO層の酸素欠損は、図10乃至図12に示すように、XPS法を用いたデプスプロファイル分析において、化学量論組成であるIn2O3図10、Ga2O3図11、及びZnO図12に対して、結合エネルギが低エネルギ側にシフトしたピーク31,32,33として観察されている。結合エネルギのシフト量はおおむね0.1~5.0[eV]である。0.1eV未満のピークシフトとして観察される程度の酸素欠損では欠損量が十分ではなく、したがってこの酸素欠損層の抵抗が高くなってしまう。この場合、TFTとして良好な電気特性が得られない。IGZO層に形成された酸素欠損の一部は、Ti金属膜のスパッタ成膜の際にArプラズマ環境に曝されたことにより形成されたものである。IGZO層に形成された酸素欠損は、過剰ドナー電子の供給源となるため、ソースドレイン電極29としてのTiと酸化物半導体膜26としてのIGZOとの界面に、低抵抗化されたn層が形成されていることになる。このような酸素欠損に起因するn層は、ショットキー接合よりも熱的に安定なオーミック接合の形成に寄与する。図8[B]に示すソースドレイン電極29としてのTiのパターニングには、誘導結合型プラズマエッチング装置後述するを用い、プロセスガスとしてはSF6を用い、基板バイアス電圧を無印加でエッチングを行った。引き続いて、ソースドレイン電極29のパターニングにより露出したIGZOの上層バックチャネルを、SF6プラズマに曝した。このように露出したIGZOをSF6プラズマに曝すことにより、最表層に形成されたTi拡散層を除去すること、及び、酸素が離脱している未結合手をフッ素元素によって再終端化することが図られるので、図8[C]に示すように、低抵抗化していたn層を再度高抵抗化した層30を形成することができる。このようなフッ素元素による終端化された層は、図13に示すXPS法によるデプスプロファイル分析により、最表層から最大で5[nm]の深さまで、F1s軌道に起因するピーク34が見られることから確認できる。このフッ素により終端化された層は、図14乃至図16に示すように、XPS法によるデプスプロファイル分析により、化学量論組成であるIn2O3図14、Ga2O3図15及びZnO図16に対して、結合エネルギが高エネルギ側にシフトしたピーク35,36,37として観察されている。フッ素で終端化された層のIn、Ga、Znのピークの分離及び帰属を試みると、フッ化に起因するピーク38と酸化に起因するピーク39とに分離することができる。代表してInの結果を、図17に示す。以上の工程を経て図8[C]に示すTFT100が得られた。TFT100の動作として、図18及び図19に示す良好な伝達特性及び出力特性が得られている。[実施形態5]実施形態5のボトムゲート構造のTFT構造及びその製造工程について、図20乃至29を参照して説明する。まず、図20[A]に示すように、絶縁性基板40としてのガラス基板上に、ゲート電極41となるCr金属膜をスパッタ法により50[nm]の膜厚で成膜した後、フォトリソグラフィ法とウェットエッチング法を用いてそのCr金属膜をゲート電極41の形状にパターニングした。その後、図20[B]に示すように、ゲート絶縁膜42としてのシリコン酸化膜を、単結晶シリコンターゲットを用いた反応性スパッタ法により、200[nm]の膜厚で成膜した。その後、大気に曝すことなく、図20[C]に示すように、スパッタ法により酸化物半導体膜43となるIGZOを50[nm]の膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチング法を用いてそのIGZOを酸化物半導体膜43の形状にパターニングした。その後、図21[A]に示すように、ソースドレイン電極46となるMo金属膜44を、スパッタ法により100[nm]の膜厚で成膜した。このときソースドレイン電極46としてのMoと酸化物半導体膜43としてのIGZOとの界面領域に、MoがIGZO層に拡散した層45が最大で50[nm]の厚さで形成されていることが、図22に示すXPS法を用いたデプスプロファイル分析により確認されている。Mo金属膜44のスパッタ成膜の際にArプラズマ環境に曝されたことにより、IGZO層を構成するIn2O3の酸素原子の全て又は一部が脱離して、In2O3-xのとおりの化学組成となっている酸素欠損層が形成されている。Moは不活性金属であるため、それ自体の作用が酸素欠損層の形成に寄与していることは無い。Moをソースドレイン電極46に用いた構造では、Ga及びZnには、酸素欠損に起因する低エネルギ側へのピークシフトは確認されていない。このようなIGZO層の酸素欠損は、図23に示すように、XPS法を用いたデプスプロファイル分析において、化学量論組成であるIn2O3に対して結合エネルギが低エネルギ側にシフトした、ピークとして観察されている。結合エネルギのシフト量はおおむね0.1~5.0[eV]である。0.1eV未満のピークシフトとして観察される程度の酸素欠損では欠損量が十分ではなく、したがってこの酸素欠損層の抵抗が高くなってしまう。この場合、TFTとして良好な電気特性が得られない。IGZO層に形成された酸素欠損は、過剰ドナー電子の供給源となるため、ソースドレイン電極46としてのMoと酸化物半導体膜43としてのIGZOとの界面に、低抵抗化されたn層が形成されていることになる。このような酸素欠損に起因するn層は、ショットキー接合よりも熱的に安定なオーミック接合の形成に寄与する。図21[B]に示すソースドレイン電極46としてのMoのパターニングには、誘導結合型プラズマエッチング装置後述するを用い、プロセスガスとしてはSF6を用い、基板バイアス電圧を無印加でエッチングを行った。引き続いて、ソースドレイン電極46のパターニングにより露出したIGZOの上層バックチャネルを、SF6プラズマに曝した。このように露出したIGZOをSF6プラズマに曝すことにより、最表層に形成されていたMo拡散層を除去すること、及び、酸素が離脱している未結合手をフッ素元素によって再終端化することが図られるので、図21[C]に示すように、低抵抗化していたn層を再度高抵抗化した層47を形成することができる。このようなフッ素元素による終端化された層は、図24に示すXPS分析法によるデプスプロファイル分析により、最表層から最大で5[nm]の深さまで、F1s軌道に起因するピーク48が見られることから確認できる。このフッ素により終端化された層は、図25乃至図27に示すように、XPS分析法によるデプスプロファイル分析により、化学量論組成であるIn2O3図25、Ga2O3図26及びZnO図27に対して結合エネルギが高エネルギ側にシフトした、ピーク49,50,51として観察されている。以上の工程を経て図21[C]に示すTFT200が得られた。TFT200の動作として、図28及び図29に示す良好な伝達特性及び出力特性が得られている。[実施形態6]実施形態6のボトムゲート構造のTFT構造及びその製造工程について、図30及び31を参照して説明する。まず、図30に示すように、絶縁性基板52としてのガラス基板上に、ゲート電極53となるCr金属膜をスパッタ法により50[nm]の膜厚で成膜した後、フォトリソグラフィ法とウェットエッチング法を用いてそのCr金属膜をゲート電極53の形状にパターニングした。その後、ゲート絶縁膜54としてのシリコン酸化膜を、単結晶シリコンターゲットを用いた反応性スパッタ法により、200[nm]の膜厚で成膜した。その後、大気に曝すことなく、酸化物半導体膜55となるIGZO膜をスパッタ法により50[nm]の膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチング法を用いてそのIGZO膜を酸化物半導体膜55の形状にパターニングした。このウェットエッチングには、硝酸、塩酸、シュウ酸、又はこれらの混酸を用いることができ、好ましくは5以下の濃度のシュウ酸水溶液を用いる。その後、ソースドレイン電極56となるTi金属膜をスパッタ法により100[nm]の膜厚で成膜し、誘導結合型プラズマエッチング装置を用いて、そのTi金属膜をソースドレイン電極56の形状にパターニングした。このとき、Ti金属膜とIGZOとの界面層に存在しているTiOx57が、TiOxとチタンとのエッチングレート差から最表面に残存する。このようなTiOxの残存層は、図31に示すXPS分析法によるデプスプロファイル分析により、最表層から最大で5[nm]の深さまで、Ti2p軌道に起因するピーク58が見られることから確認できる。このようなTiOxからなる表面層を有することで、外部環境に対してより安定な特性を有するTFTを実現することができた。[実施形態7]実施形態7のボトムゲート構造のTFT構造及びその製造工程について、図32乃至34を参照して説明する。実施形態2に例示した手法に従い、In3d起因のピークが低エネルギ側へシフトした界面層を有するTFTを作製し、作製プロセス終了後にアニール処理を行った。アニール処理は、大気雰囲気において300°Cで1時間、ホットプレート上で行った。In3d起因のピークが低エネルギ側へシフトした界面層について、XPS分析法によるデプスプロファイル分析を行った。その結果、アニール処理前図32に30[nm]程度であったIn3d起因のピーク59の低エネルギ側へのシフト範囲が、アニール処理後図33に約50[nm]程度まで成長していることが確認された。In3d起因のピークが低エネルギ側へシフトした層は、すなわちIGZOの酸素が欠損し酸素含有量が低い層は、導電性が高いn層となっているので、TFTのオーミックコンタクト性に寄与している。このように、300°Cのアニールで成長したIGZO酸素欠損層を有することで、図34に示すように、オンオフ比が高く、ゲート電圧0V付近から立ち上がったより安定したスイッチング特性を有するTFTを実現できた。[実施形態8]図35は、実施形態8のTFT製造方法の一工程における断面図を示す。本実施形態8のTFT製造方法は、基板としての絶縁性基板10上にゲート電極11を形成し、ゲート電極11上にゲート絶縁膜12を形成し、ゲート絶縁膜12上に酸化物半導体膜13を形成し、酸化物半導体膜13上にソースドレイン電極用金属膜を成膜し、フッ素を含むプラズマガスを用いてドレイン電極用金属膜をパターニングすることによりソースドレイン電極14を形成する工程を有する。そして、ソースドレイン電極14を形成する際に、フッ素を含むプラズマガス60を誘導結合プラズマ源64によって生成し、かつ、絶縁性基板10をアース電位電極としてのアノード電極63上に設置してソースドレイン電極用金属膜のエッチングを行う。図35は、ソースドレイン電極14の形成終了時の状態を示し、ソースドレイン電極14上には予めパターニングされたレジスト膜65が残っている。以下、絶縁性基板10と絶縁性基板10上に形成されたゲート電極11等とを含めて、便宜的に絶縁性基板10と呼ぶことにする。更に詳しく説明する。ソースドレイン電極14をフッ素系ガスのプラズマガス60を用いたエッチングによりパターニングする際、ガラス又は石英からなるウインドウ61に設置されたコイル62とプラズマガス60との誘導カップリングによる誘導結合プラズマ源64を用いて行う。コイル62には高周波電圧が印加される。誘導結合プラズマ源64では原理的に大きな負のセルフバイアスが発生するチャンバ壁が存在しないので、どこに絶縁性基板10を設置しても正イオンによるプラズマダメージが小さい。プラズマダメージを最も小さくするためには、図35に示すように、絶縁性基板10をアース電位であるアノード電極63上に設置するのが良い。また、誘導結合プラズマ源64は、従来の容量結合プラズマ源の場合に比べて高密度プラズマを生成しやすいので、プラズマガス60中に効率的にフッ素ラジカルを形成することができる。したがって、酸化物半導体膜13の表面を効率的にフッ化し、表面層15のIn3d起因のXPSピークを高エネルギ側にシフトさせることが可能である。フッ素系ガスとしては、SF6ガス、CF4ガス、CHF3ガス、NF3ガス等が使用可能である。また、これらのガスを任意に混ぜた混合ガス、又はこれらのガスにArやHe等の希ガスや酸素ガスを加えた混合ガスでも使用可能である。エッチング時のガス圧力としては、0.05~20[Pa]の範囲が望ましい。誘導結合プラズマ源ではガスの分解効率が容量結合プラズマ源よりも高いので、より低ガス圧力で安定したプラズマ生成が可能である。本実施形態ではコイルを用いた誘導結合プラズマ源で説明したが、マイクロ波を用いた誘導結合プラズマ源、例えば、ECRElectronCyclotronResonance:電子サクロトロン共鳴プラズマ源などでも可能である。酸化物半導体膜の表面のIn3d起因のピークが高エネルギ側にシフトしている表面層の層厚は、3[nm]以上20[nm]以下が望ましい。層厚が3[nm]未満では、オフ電流の低減化や特性シフト量の抑制による特性安定化の効果が小さくなるためである。また20[nm]を超えてしまうと、半導体活性層として作用する酸化物半導体膜の層が薄くなりすぎてトランジスタ特性の特にオン特性が低下してしまうためである。TFTの典型的な酸化物半導体膜の膜厚は30~100[nm]程度の範囲である。このようなIn3d起因のピークが高エネルギ側にシフトしている表面層の層厚は、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチング時のプラズマ放電電力や放電時間を変えることで制御することが可能である。[総括]本発明では、前述のような課題を解決するために、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、インジウムを含む酸化物半導体膜、ソースドレイン電極がこの順序で形成されたボトムゲート型のTFTにおいて、酸化物半導体膜の上面ゲート絶縁膜と接する側と反対側の面付近に、Inのピークが通常の化学量論組成を有するIn2O3起因のピーク位置よりも高エネルギ側へシフトした表面層を有することを特徴とするTFTを提供する。すなわち、本発明は、表面層のインジウムの電子の結合エネルギが、表面層の下部に存在する酸化物半導体領域のインジウムの電子の結合エネルギよりも、高い構造である。このようなピーク位置の高エネルギ側へのシフトは、表面層においてインジウムとフッ素とが化学的に結合することで得られる。このような表面層は酸素欠損層に比べて抵抗値が非常に高いので、オフ電流が増加するという問題も生じない。このような表面層は、フッ素系ガスプラズマを用いてソースドレイン電極をエッチングすることで実現でき、特に誘導結合プラズマ源を用いて高密度プラズマを発生させ、ラジカル反応が支配的となる条件でエッチングを行うことで、より効率的に形成することができる。更に、本発明は、インジウムを含む酸化物半導体膜とソースドレイン電極金属との界面に、Inのピークが通常のIn2O3起因のピーク位置より低エネルギ側へシフトした界面層を有することを特徴とするTFTを提供する。すなわち、本発明は、界面層のインジウムの電子の結合エネルギが、界面層の下部に存在する酸化物半導体領域のインジウムの電子の結合エネルギよりも、低い構造である。このような界面層は通常のインジウムを含む酸化物半導体膜に比べて抵抗値が非常に小さくので、関連技術と異なり抵抗の低い層を個別に成膜することなく、ソースドレイン領域において良好なオーミックコンタクトが得られる。以上のようなInのピークシフトは、XPS測定により確認することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体のXPSデータの結合エネルギ波長として、451~453[nm]付近及び444~446[nm]付近に存在するIn3dの信号ピークのピーク位置から確認することができる。また、インジウムを含む酸化物半導体膜が特にIGZO膜の場合、上記のIn3d軌道に起因するピークに加えて、1116~1119[nm]付近に存在するGa2p軌道に起因するピーク及び1021~1023[nm]付近に存在するZn2p軌道に起因するピークの位置からも、ピーク位置のシフトを確認することができる。更に、酸化物半導体膜の表面層においてインジウムとフッ素が化学的に結合していることは、685[nm]付近に存在するF1s軌道に起因するピークからも確認することができる。本発明を用いることで、低コストで高性能なTFTを実現できる。具体的には、オフ電流の十分低いTFTを実現できる。また、表面層においてインジウムとフッ素とが化学的に結合することで、表面層が電気的に不活性となるすなわち、表面層側のバックチャネルが不活性になる。そのため、表面層の上部に不純物のイオン等の荷電粒子が存在しても、TFTの電気特性の変動が小さくなるので、外部環境に対してより安定な特性を示すようになるという効果もある。本発明によれば、酸化物半導体膜の表面にフッ素を含む表面層を形成することにより酸素欠損生成を抑制できるので、酸化物半導体膜の表面をエッチングすることなく、オンオフ比5桁以上の良好なスイッチング特性を有するTFTを実現できる。換言すると、インジウムを含むTFTでは、酸化物半導体膜の表面において、XPSスペクトルのInピーク位置が通常のIn2O3起因のピーク位置より低エネルギ側へシフトしやすく、この低エネルギ側へのピークシフトを如何に抑制するかが課題であった。このような低エネルギ側へのシフトはオフ電流の増加や特性の不安定性につながってしまう。そこで、本発明では、インジウムを含む酸化物半導体膜の表面層にインジウムとフッ素の化学結合を導入し、Inピーク位置を高エネルギ側にシフトさせたTFT構造を提供する。高エネルギ側へのピークシフトを効率よく実現するために、ソースドレイン電極をフッ素系ガスのプラズマでエッチング加工する際に、誘導結合高密プラズマ源を用い基板をアース電位の電極上に設置して行う。以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。上記の実施形態の一部又は全部は以下の付記のようにも記載され得るが、本発明は以下の構成に限定されるものではない。[付記1]基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソースドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、前記酸化物半導体膜のソースドレイン電極が重ならない部分の表面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とする薄膜デバイス。[付記2]基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソースドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、前記酸化物半導体膜と前記ソースドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とする薄膜デバイス。[付記3]基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソースドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、前記酸化物半導体膜のソースドレイン電極が重ならない部分の表面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしており、かつ、前記酸化物半導体膜と前記ソースドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とする薄膜デバイス。[付記4]付記1又は3記載の薄膜デバイスにおいて、前記表面層が、インジウムとフッ素との化学的結合を含む、ことを特徴とする薄膜デバイス。[付記5]付記2又は3記載の薄膜デバイスにおいて、前記界面層の酸素含有量が、当該界面層の下に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さい、ことを特徴とする薄膜デバイス。[付記6]付記3記載の薄膜デバイスにおいて、前記表面層が、インジウムとフッ素との化学的結合を含み、前記界面層の酸素含有量が、当該界面層の下に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さい、ことを特徴とする薄膜デバイス。[付記7]付記5又は6記載の薄膜デバイスにおいて、前記界面層が前記ソースドレイン電極の構成元素を含むことを特徴とする薄膜デバイス。[付記8]付記1乃至7のいずれか一つに記載の薄膜デバイスにおいて、前記ソースドレイン電極がチタン又はモリブデンを含む、ことを特徴とする薄膜デバイス。[付記9]付記1乃至8のいずれか一つに記載の薄膜デバイスにおいて、前記インジウムを含む酸化物半導体膜がインジウム、ガリウム及び亜鉛を含む、ことを特徴とする薄膜デバイス。[付記10]基板上にゲート電極を形成し、このゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、このゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、この酸化物半導体膜上にソースドレイン電極用金属膜を成膜し、フッ素を含むプラズマガスを用いて前記ドレイン電極用金属膜をパターニングすることによりソースドレイン電極を形成する薄膜デバイスの製造方法において、前記フッ素を含むプラズマガスを誘導結合プラズマ源によって生成し、かつ、前記基板をアース電位電極上に設置して前記ソースドレイン電極用金属膜のエッチングを行う、ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。[付記11]付記10記載の薄膜デバイスの製造方法において、前記誘導結合プラズマ源の反応ガスとして、六フッ化硫黄、四フッ化炭素、アルゴン、酸素、又は、これらのガスの混合ガスを用いる、ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。[付記21]基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、少なくともインジウムを含む酸化物半導体膜、ソースドレイン電極がこの順序で形成されたボトムゲート型TFTにおいて、前記酸化物半導体膜と前記ソースドレイン電極とが重なり合わない領域の、前記酸化物半導体膜の上面前記ゲート絶縁膜と接する側と反対側の面付近の表面層における、XPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とするTFT。[付記22]基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、少なくともインジウムを含む酸化物半導体膜、ソースドレイン電極がこの順序で形成されたボトムゲート型TFTにおいて、前記酸化物半導体膜と前記ソースドレイン電極との間に存在する界面層における、XPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とするTFT。[付記23]基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、少なくともインジウムを含む酸化物半導体膜、ソースドレイン電極がこの順序で形成されたボトムゲート型TFTにおいて、前記酸化物半導体膜と前記ソースドレイン電極とが重なり合わない領域の、前記酸化物半導体膜の上面前記ゲート絶縁膜と接する側と反対側の面付近の表面層における、XPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしており、かつ、前記酸化物半導体膜と前記ソースドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム3d軌道起因のピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とするTFT。[付記24]付記21又は23記載のTFTにおいて、前記表面層がインジウムとフッ素との化学的結合を含む、ことを特徴とするTFT。[付記25]付記22又は23記載のTFTにおいて、前記界面層の酸素含有量が当該界面層の下部に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さい、ことを特徴とするTFT。[付記26]付記23記載のTFTにおいて、前記表面層がインジウムとフッ素との化学的結合を含み、前記界面層の酸素含有量が当該界面層の下部に存在する酸化物半導体領域の酸素含有量よりも小さい、ことを特徴とするTFT。[付記27]付記25又は26記載のTFTにおいて、前記界面層が前記ソースドレイン電極の構成元素を含む構造である、ことを特徴とするTFT。[付記28]付記21乃至27のいずれか一つに記載のTFTにおいて、前記ソースドレイン電極の元素としてチタン又はモリブデンを用いた構造である、ことを特徴とするTFT。[付記29]付記21乃至28のいずれか一つに記載のTFTにおいて、前記酸化物半導体膜が少なくともインジウム、ガリウム及び亜鉛を含む構造である、ことを特徴とするTFT。[付記30]基板上に、ゲート電極用金属膜を成膜しパターニングすることでゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜を成膜する工程と、酸化物半導体膜を成膜しパターニングすることで島状酸化物半導体チャネル領域を形成する工程と、ソースドレイン電極用金属膜を成膜しフッ素を含むプラズマガスを用いてパターニングすることでソースドレイン電極を形成する工程と、を含むTFTの製造方法において、前記フッ素を含むプラズマガスが誘導結合プラズマ源により生成され、かつ、前記基板をアース電位電極上に設置して前記ソースドレイン電極用金属膜のエッチングを行う、ことを特徴としたTFTの製造方法。[付記31]付記30記載のTFTの製造方法であって、前記誘導結合プラズマ源誘導結合型プラズマエッチング装置の反応ガスとして、六フッ化硫黄、四フッ化炭素、アルゴン、酸素、又は、前述したガスの混合ガスを用いる、ことを特徴とするTFTの製造方法。[付記41]基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソースドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、前記酸化物半導体膜のソースドレイン電極が重ならない部分の表面層におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とする薄膜デバイス。[付記42]基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソースドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、前記酸化物半導体膜と前記ソースドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とする薄膜デバイス。[付記43]基板上のゲート電極、このゲート電極上のゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のインジウムを含む酸化物半導体膜、及び、この酸化物半導体膜上のソースドレイン電極を有する薄膜デバイスにおいて、前記酸化物半導体膜のソースドレイン電極が重ならない部分の表面層におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置が、前記表面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしており、かつ、前記酸化物半導体膜と前記ソースドレイン電極との間に存在する界面層におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置が、前記界面層の下部に存在する酸化物半導体領域におけるXPSスペクトルのインジウム電子軌道に起因するピーク位置よりも、低エネルギ側にシフトしている、ことを特徴とする薄膜デバイス。"