"接地側壁および接地上壁によって境界を画された堆積装置であって、前記接地側壁によって境界を画され、天井および床面を有する処理チャンバと、前記処理チャンバの前記天井に位置し、導電性中空円筒と、前記導電性中空円筒に接続された少なくとも1つの電源とを備えるプラズマ源アセンブリと、前記導電性中空円筒の外側に位置し、前記堆積装置の前記接地側壁および前記接地上壁の1つまたは複数に接触する実質的に連続する接地シールドであり、前記導電性中空円筒と接地シールドとの間の空間が実質的に均一になるように、前記導電性中空円筒と実質的に共形の形状を有する接地シールドとを備える装置。前記少なくとも1つの電源が、前記連続する接地シールドを通過しない接続ロッドを通って前記導電性中空円筒に接続される、請求項1に記載の装置。前記少なくとも1つの電源が、前記接地上壁内の開口を通って前記導電性中空円筒に接続され、前記導電性中空円筒に軸外しで接続される、請求項1または2に記載の装置。前記連続する接地シールドが、前記接地側壁および接地上壁と一体形成される、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の装置。前記少なくとも1つの電源が、前記導電性中空円筒の両側に接続されたRF電源および直流電源を含む、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の装置。RF電源および直流電源によって生成される電界が、前記実質的に連続する接地シールドをもたない類似の装置内で生成される電界より均一な分布をスパッタターゲットにわたって有する、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の装置。接地側壁および接地底壁によって境界を画された堆積装置であって、前記接地側壁および接地底壁によって境界を画され、導電性ペデスタルの上の空間として画定される処理領域を有し、前記導電性ペデスタルが前記接地底壁に隣接して位置決めされる、処理チャンバと、前記ペデスタルの外側に位置し、前記堆積装置の前記接地側壁および前記接地底壁の1つまたは複数に接触する実質的に連続する接地シールドであり、前記導電性ペデスタルと接地シールドとの間の空間が実質的に均一になるように、前記導電性ペデスタルと実質的に共形の形状を有する接地シールドとを備える装置。少なくとも1つの電源が、前記連続する接地シールドを通過しない接続ロッドを通って前記導電性ペデスタルに接続される、請求項7に記載の装置。前記連続する接地シールドが、前記接地側壁および接地底壁と一体形成される、請求項7または8に記載の装置。RF電源によって生成される電界が、前記実質的に連続する接地シールドをもたない類似の装置内で生成される電界より均一な分布を前記ペデスタルにわたって有する、請求項7ないし9のいずれか一項に記載の装置。前記ペデスタルが内部電極をさらに備える、請求項7ないし10のいずれか一項に記載の装置。質量流量制御装置を通って前記チャンバ内のガス分布リングに接続されたプロセスガス源をさらに備える、請求項7ないし11のいずれか一項に記載の装置。前記連続する接地シールドが、対称の電界を生じさせる同軸伝送線として働く、請求項7ないし12のいずれか一項に記載の装置。前記連続する接地シールドが、非磁性導体、アルミニウム、銅、ニッケルめっきされた材料、銀めっきされた材料、およびそれらの組合せからなる群から選択される材料から作られる、請求項7ないし13のいずれか一項に記載の装置。前記空間が誘電体材料で充填される、請求項7ないし14のいずれか一項に記載の装置。理解を容易にするために、複数の図に共通の同一の要素を指すには、可能な場合、同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素および特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態で有益に組み込むことができることが企図される。しかし、本発明は他の等しく効果的な実施形態も許容しうるため、添付の図面は本発明の例示的な実施形態のみを示しており、したがって本発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。本発明のいくつかの例示的な実施形態について説明する前に、本発明は、以下の説明で述べる構造または処理ステップの詳細に限定されるものではないことを理解されたい。本発明では他の実施形態が可能であり、様々な方法で実行または実施することができる。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、単数形のa、an、およびtheは、文脈上別途明示しない限り、複数の指示対象を含む。たとえば、1つのセルへの言及は2つ以上のセルも指すことができ、以下同様である。本明細書および添付の特許請求の範囲では、VHFおよびRFという用語は区別なく使用される。慣用では、RFという用語は、約30MHz未満の周波数を説明するために使用され、VHFという用語は、約30MHzを上回る周波数を説明するために使用される。本発明の様々な実施形態は、VHFまたはRF周波数のいずれにも限定されるものではなく、これは実施形態の範囲を限定すると見なすべきではないことを理解されたい。周波数が高ければ高いほど、プラズマ密度も高くなることが観察されてきた。周波数が約27MHzを超えて増大すると、プラズマの非対称性が劇的に増大する。より高い周波数が望ましいことが多いため、電界の非対称性はより大きな問題になる。本発明の実施形態は、非対称性のRF/VHF設計の不均一性を軽減するのに役立つ。給電部の周りに接地面が配置されると、堆積のスキューを無視できるほどのレベルまで低減できることが分かっている。いかなる特定の動作理論にも拘束されるものではないが、接地面は、電界を遮蔽して電流分布を変更すると考えられる。ソースのインピーダンスは、誘導性の高いリアクタンスから誘導性のより低いリアクタンスへ著しく変化した。追加の接地面は、下方にRF給電部周りに延びて同軸型の供給システムを形成し、その結果、スキューを劇的に低減させることができる。PVD内のウエハ-ターゲット間隙を低減させると、処理はターゲットへのRF電力の分布の非対称性に対して脆弱になることが分かっている。具体的には、中心軸がマグネトロン回転装置によって占有されているため、RF電力は、スパッタターゲットの上のオーバーヘッド構造たとえば、天井へ軸外し接続で印加しなければならない。マグネトロンアセンブリの回転磁石が軸外しRF電力接続の下を通るたびに、プラズマへのRF結合は一時的に強化され、プラズマ条件たとえば、VHF電力に付与されるプラズマ負荷インピーダンスは変化する。ターゲットの上の別の軸外し位置で接続できる直流電力は、これらの変化の影響を受ける。これらの変動は、軸外しRF電力接続を越えて磁石が回転するたびに発生する。ウエハ-ターゲット間隙が大きいたとえば、300mm従来の反応器では、そのような変動は問題にならなかったが、ウエハ-ターゲット間隙が非常に小さいたとえば、5cmの場合、そのような変動はウエハに密接に関わる。上記の1つの徴候は、ターゲット上のRF電力および直流電力接続の軸外し位置を反映して、ウエハ表面上で不均一な堆積の方位パターンが生じることである。一例では、方位方向で最小の堆積膜の厚さと最大の堆積膜の厚さとの偏差は26であった。別の徴候は、より高いチャンバ圧力では、VHFインピーダンス整合部がプラズマの不安定性またはプラズマインピーダンスの変動に追従できず、処理制御の損失、場合によってはVHF生成器の自動停止を招くことである。もう1つの徴候は、プラズマがウエハ支持ペデスタルの下へ透過し、そこで保護されていない構成要素を損傷して汚染を招くことである。インピーダンスの変動は、使用可能なチャンバ圧力の範囲を所望の圧力未満に低減させる。関連する問題は、直流電力レベルが低減された場合、磁石がターゲットの上でRF接続の下を通ることによって引き起こされるプラズマ条件の変動たとえば、突然の電圧低下により、直流電源内の自動アーク防止特徴が直流電源を停止させることである。VHF生成器でも類似の影響が生じる可能性があり、その結果、直流電力とRF電力のいずれかまたは両方が、磁石が回転するたびにちらつく恐れがある。これらの問題は、高いチャンバ圧力たとえば、100mTで実現可能な処理の実行を困難にしてきた。非磁性金属のハウジングが空間を覆い、その空間内でチャンバ天井の上を磁石が循環する。この導電性ハウジングの天井内の中心通路を、磁石回転駆動シャフトが通って延びる。シャフトを取り囲む導電性中空円筒は、磁石回転駆動シャフトと同軸方向に、導電性ハウジングの天井から上方へ延びる。VHFインピーダンス整合部VHF生成器用の出力は、中空円筒の側面に結合される。直流電源もまた、中空円筒カップの側面に結合される。直流およびRF接続は、導電性中空円筒の周りで約180°ずらすことができる。磁石循環空間を取り囲む導電性中空円筒と導電性ハウジングはどちらも、ターゲットへ印加されるVHFソース電力の導体である。導電性ハウジングを取り囲む外側の導電性シールドによって、RFが遮蔽される。シールドは接地されており、絶縁空間によってハウジングから分離される。絶縁空間は空気とすることができ、または別法としてプラスチックなどの絶縁材料で充填することができる。絶縁空間が主に空気で充填される場合、空間に沿って周期的な間隔で小さいプラスチックスペーサを配置することによって、分離を維持することができる。寄生容量による電力損失は、絶縁空間内に低い誘電率を有する材料空気などを提供することによって最小化される。寄生容量は、シールドとハウジングとの間に大きな分離距離を提供することによってさらに最小化される。一実施形態では、シールドによって付与される寄生容量は約14ピコファラッドであり、60MHzで約0.2Ωのインピーダンスを接地へ付与した。絶縁材料のアークまたは破壊を回避するために、分離距離は、天井にかかる電圧に起因する絶縁空間全体の電界が絶縁材料の電気破壊閾値を超過しないように十分な大きさである。ハウジング-シールド分離空間が空気で充填される場合、分離距離は、電界を30,000ボルト/cm空気の破壊閾値に制限するのに十分な大きさである。一例では、天井にかかる電圧は、RFソースからのVHFを約500ボルトにし、直流ソースからの直流を約500ボルトにし、ウエハに印加されて天井を通って戻るバイアス電圧からのRFを約100ボルトにすることで、約1100ボルトにすることができる。この例では、分離距離は、少なくとも約0.3mmにする必要があるはずである。図1は、本発明の1つまたは複数の実施形態による、処理チャンバ100とも呼ばれる物理的気相堆積PVD装置を示す。物理的気相堆積チャンバを示すが、この装置を化学気相堆積チャンバにすることもできることを理解されたい。これは後の図に示す。図示のチャンバ100は、半導体ウエハなどの加工物上でプラズマ物理的気相堆積を実施するのに適している。図示のPVD装置、すなわち処理チャンバ100は、円筒形の接地側壁102と、接地上壁103とを有する。処理チャンバ100、すなわち真空チャンバは、円筒形の側壁102、天井104、および底壁106によって密閉される。処理チャンバ100内の加工物支持ペデスタル108は、処理チャンバ100内でリフトアセンブリすなわちペデスタル基部110上に保持されており、天井104に面する加工物支持表面108aを有する。支持表面108a上では、半導体ウエハ112などの加工物を保持することができる。天井104の内面にはスパッタターゲット114が保持され、ペデスタル108の支持表面108aに面する主表面114aを有する。支持表面108aとターゲット主表面114aとの間には、処理領域116が画定される。スパッタターゲット114の側縁部114bを、環状のセラミックスペーサ118が取り囲む。セラミックスペーサ118から支持ペデスタル108の上部周辺縁部108bへ軸方向に、処理領域116を取り囲む環状の閉じ込めスカート120が延びる。隔置された位置で側壁102を通って延びるガス噴射ノズル122が、中空のガス分布リング124に結合される。ガス分布リング124にはプロセスガス源126が、質量流量制御装置すなわちバルブ128を通ってプロセスガスを送る。チャンバ100には、底壁106を貫通する通路132を通って真空ポンプ130が結合される。このチャンバ圧力を、真空制御バルブ133が制御する。特有の実施形態では、ターゲット114は、ケイ素、ドープされたケイ素、酸化亜鉛、インジウムスズ酸化物、透明導電酸化物、金属、銅インジウムガリウムジセレニドCIGS、およびそれらの組合せからなる群から選択される。ウエハ支持ペデスタル108は、内部電極134を含むことができる。ペデスタル108が静電チャックを具現化する場合、ペデスタル内部電極134に制御可能な直流電圧源135を接続することができる。ウエハ112の表面のイオンエネルギーを制御するために、電極134には、RFインピーダンス整合部137を通って低周波RFバイアス電力生成器136を接続することができる。さらに、電極134には、インピーダンス整合部139を通って中間または高周波RFバイアス電力生成器138を接続することができる。天井104の上にあるプラズマ源アセンブリ142は、導電性中空円筒140を収容する。図示のプラズマ源アセンブリ142は、径方向アーム146上に支持された磁石144と、アーム146を支持する軸方向スピンドル148とを含む。径方向アーム146は、別個の関節アーム部146a、146bを有する。回転アクチュエータ150がスピンドル148を回転させ、それによって磁石144は、天井104の上で軌道回転運動を実行する。導電性中空円筒140は、密閉側壁152およびハウジングリッド154を含む。リッドは中心の円形開口156を有し、スピンドル148は、径方向アーム146と導電性中空円筒140の外部の回転アクチュエータ150との間で円形開口156を通って延びる。詳細な実施形態では、軸方向スピンドル148は誘電体材料から作られる。特有の実施形態では、この材料の誘電率は約10未満である。様々な実施形態では、誘電率は約9、8、7、6、5、4、3、または2未満である。いくつかの実施形態では、誘電率は約8未満である。1つまたは複数の実施形態では、誘電率は約4である。プラズマ変動の問題は、チャンバ天井104上の軸外し点またはハウジングリッド154上の軸外し点2つの可能な例としてにソース電力を結合することによって、ターゲット114にRFソース電力を印加するときに生じる。RF電力分布は必然的に印加点に集中し、RF電力分布は方位方向に不均一になる。磁石144がRF電力の印加点と位置合わせされた回転点を通過すると、プラズマへの電力結合は一時的にピークに達し、本明細書ですでに論じた処理の変動を招く。RF電力のそのような非対称の分布を回避するため、RF供給システムは、ターゲット114へRFおよび直流電力を印加するために、導電性中空円筒140上に提供される対称軸と同心円状の対称の導体を含む。具体的には、スピンドル148を取り囲む導電性中空円筒延長部158が、導電性中空円筒140から離れて円形開口156の縁部から延びる。中空円筒延長部158から径方向に外方へ、RF接続ロッド160が延びる。RF接続ロッド160の外端部には、RFインピーダンス整合部162が結合される。RFインピーダンス整合部162には、RF電力生成器164が結合される。中空円筒延長部158から径方向に外方へ、RF接続ロッド160とは反対の方向に、直流接続ロッド166が延びる。直流接続ロッド166の外端部には、直流電源168が結合される。直流接続ロッド166は、直流電源168のRF阻止フィルタ169に接続することができる。実質的に連続する接地シールド170が、RF供給システムを取り囲む。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、実質的に連続するという用語は、電界の対称性に5を超えるずれを引き起こすのに十分な寸法の開口がシールド内にないことを意味する。より具体的には、連続する接地シールド170は、装置100の円筒形の壁102内に位置する。連続する接地シールド170は、導電性中空円筒140のような円形の構成要素であり、図は横断面を示す。図1~3に示す連続する接地シールド170は、接地上壁103に接続された2つの端部を有する。これは、1つまたは複数の実施形態の単なる例示であり、連続する接地シールド170の形状を限定すると見なすべきではない。いくつかの実施形態では、図4に示すように、連続する接地シールド170は、円筒形の側壁102と接地上壁103の両方に接触することができる。連続する接地シールド170は、導電性中空円筒140の少なくとも上部部分と実質的に共形の形状を有しており、導電性中空円筒140に合わせて方向を変化させることが分かる。特有の実施形態では、連続する接地シールド170は、非磁性導体、アルミニウム、銅、ニッケルめっきされた材料、銀めっきされた材料、およびそれらの組合せからなる群から選択される材料から作られる。連続する接地シールド170は、中空または中実の材料とすることができる。特有の実施形態では、連続する接地シールド170は中空円筒140に接触しないが、導電性中空円筒140の形状と共形である。詳細な実施形態では、実質的に連続する接地シールド170は、導電性中空円筒140と実質的に共形の形状を有しており、連続する接地シールド170と導電性中空円筒140との間に空間180を形成する。空間180は、空間180の長さ全体で実質的に均一である。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、実質的に均一という用語は、導電性中空円筒140と連続する接地シールド170との間の空間が、形成される伝送線のインピーダンスが約25未満しか変動しないような量しか変動しないことを意味する。様々な実施形態では、実質的に均一とは、形成される伝送線のインピーダンスが約20、15、10、または5未満しか変動しないような量しか空間が変動しないことを意味する。連続する接地シールド170の厚さは、製造処理に応じて変えることができる。高周波電力は、連続する接地シールド170内で使用される材料の厚さ全体を透過しないで、特定の深さ侵入度まで表面を進む。周波数が増大するにつれ、侵入度はより浅くなる。いくつかの実施形態では、連続する接地シールド170の厚さは、使用される周波数のおおよその侵入度より大きい。詳細な実施形態では、連続する接地シールド170の厚さは、使用される周波数の侵入度の約2倍より大きい。様々な実施形態では、連続する接地シールド170の厚さは、周波数の侵入度の約3倍、4倍、または5倍より大きい。中空円筒158、接続ロッド160、166、導電性中空円筒140、および天井104は、たとえばアルミニウムなどの非磁性の導電性材料から形成される。接続ロッド160、166は、チャンバ100の接地上壁103を通過して導電性中空円筒140に接続されるが、連続する接地シールド170は通過しない。したがって、連続する接地シールド170内にこの通路のための孔は必要ない。接続ロッド160、166および導電性中空円筒140は、導電性の高い電流路を提供するために、銅から形成することができる。生成器164からのRF電流は、導電性中空円筒140の円周の周りで均一に分布してターゲット114へ均一に適用されるように、中空円筒延長部158の周りを円形に流れる。直流ソース168からの直流電流は、導電性中空円筒140の円周の周りで均一に分布してターゲット114へ均一に適用されるように、中空円筒延長部158の周りを円形に流れる。ターゲット114は通常、加工物またはウエハ112上へ堆積される金属種である。いかなる特定の動作理論にも拘束されるものではないが、実質的に連続する接地シールド170は、RFインピーダンス整合部とプラズマ負荷とを接続する同軸伝送線として働くと考えられる。伝送線として、接地シールド170は導波管と同様に働くが、同軸ケーブルの場合のように中心導体を有する。したがって、接地部分は外側の導体連続する接地シールド170であり、入力電力を搬送する内側の導体は、伝送線の中心導体に類似している。この構造は、内側の導体と外側の接地シールドとの間で平面波モードを維持する。これは横電磁モード、すなわちTEMモードと呼ばれる。特有の実施形態では、接地シールドは、1つまたは複数の対称の電界を生じさせる同軸伝送線として働く。このタイプの伝送線の重要な特性は、唯一の電位変化が伝送線の長さに沿って生じるが、軸方向には等電位であることである。この特性により、プラズマに接触する導体に供給される波の電位または電圧が中心の周りで確実に対称性になり、均一性または同心性が確保される。この構造の別の重要な特性は、広帯域であり、カットオフ周波数がないことである。言い換えれば、この設計は、間隔または誘電体に適切な変更を加えるだけで、RFからマイクロ波までの非常に広い周波数スペクトルにとって良好である。本発明の特有の実施形態では、伝送線の適切な構造は、導体間の一貫した間隙、導体間の一貫した誘電体または空気もしくは真空を組み込み、導体内のあらゆる不連続性は排除または最小化される。詳細な実施形態では、RF電源および直流電源によって生成される電界は、実質的に連続する接地シールドをもたない類似の装置内で生成される電界より均一の分布をスパッタターゲットにわたって有する。図2は、本発明の1つまたは複数の実施形態による装置の拡大図である。導電性中空円筒140が、導電性中空円筒140と共形の形状を有する連続する接地シールド170によって取り囲まれる。連続する接地シールド170は、少なくとも1つの円筒形の側壁172と、少なくとも1つの環状上部174とを含み、環状上部174は、導電性中空円筒延長部158の口部に円形開口156を有する。連続する接地シールド170は、中空円筒延長部158と同軸の円筒形の側壁172をさらに含む。連続する接地シールド170は、たとえばアルミニウムまたは銅などの非磁性金属から形成することができる。第1の接地シールド170と導電性中空円筒140は、絶縁空間180によって分離される。いくつかの実施形態では、空間180は、低い誘電率を有する誘電体材料で充填される。適した材料の一例は、G-10プラスチックなどのプラスチックである。図2に示す実施形態は、導電性中空円筒140の形状と実質的に共形に成形された第1の接地シールド170を有する。これらの部品は、単一のユニットの2つの表面とすることができ、または別個の部品とすることができる。図4は、連続する接地シールド170がチャンバ100の円筒形の側壁102に接続される異なる構成を示す。連続する接地シールド170の部品が中空円筒140の部品に近接していることは非限定的であり、様々な要因に依存する可能性がある。これについては、図4に関して以下でさらに説明する。図3は、空間180が主に空気で充填され、複数の小さいスペーサ182によって維持される一実施形態を示す。スペーサ182は、G-10プラスチックなどの誘電体材料から形成することができる。寄生容量は、空間180の誘電率を最小化することによって最小化される。たとえば、スペーサ182は、空間180の体積の非常に小さい割合を占有することができ、空間180の残りは、空気などの誘電率が最小の物質で充填される。寄生容量は、空間180の間隙距離Dを増大させることによってさらに最小化される。一実施形態では、接続ロッド160、166は、第1の接地シールド170の円筒形の被覆178内のそれぞれの開口184を通過することができる。開口184内には、環状の絶縁体リング186を挿入して、各ロッド160、166と対応する各開口184の縁部との間に絶縁を提供することができる。空間180の間隙距離Dは、間隙の電界が空間180の誘電体材料たとえば、空気またはプラスチックの破壊閾値を超過しないように十分な大きさである。たとえば、絶縁空間180の間隙Dの両端間の電圧差は、1100~1200ボルトにすることができる。これは、RF生成器164がハウジング140に約500ボルトの平均RF電圧をかけ、直流ソース168がハウジング140に約500ボルトの直流電圧をかけ、ハウジング140から戻るRFバイアス電力が追加の100ボルトをかける場合に生じさせることができる。この場合、空間180が空気破壊閾値は33,000ボルト/cmで充填される場合、特有の実施形態の間隙距離Dは最小約0.3mmを有するはずである。図4は、連続する接地シールド170を示す1つまたは複数の実施形態の拡大図を示す。導電性中空円筒140と連続する接地シールド170との間の距離または空間180を、様々な位置で寸法D1、D2、D3、D4、およびD5として示す。いくつかの実施形態では、寸法D1~D5は異なる。特有の実施形態では、寸法D1~D5は実質的に同じであり、これは寸法間の絶対差が約10未満であることを意味する。図4は5つの寸法を有する形状を示すが、これは単なる例示であり、本発明の範囲を限定すると見なされるべきではない。特有の実施形態では、空間180が空気で充填される場合、寸法D1またはその均等物は、約5mm~約25mmの範囲内である。これらの寸法は、必要に応じて変更することができ、プラズマ負荷および周波数に基づいて調整することができる。図5は、図2または3のものに類似の堆積チャンバの一実施形態を示すが、回転磁石アセンブリをもたない。図6は、本発明の1つまたは複数の実施形態による化学気相堆積装置200の一実施形態を示す。装置200は、前述したものに類似の構成要素を含むが、導電性中空円筒は、導電性中空円筒240からガスが均一に流れるように隔置された一連の孔241を有する導電性中空円筒240に置き換えられている。図6は、導電性中空円筒240全体にわたって隔置された複数の孔241が見えるように横断面図を示すことが理解されよう。孔241は、RFインピーダンス整合部162からの電力の伝導に干渉しないように十分に小さい。ガス入り口226が導電性中空円筒240内へ処理ガスを供給し、装置200内の処理ガスの圧力を制御する計測デバイス224を含むことができる。ガス入り口226は、連続する接地シールド170を通過しているところを示すが、特有の実施形態では、ガス入り口226はシールドを通過しないため、シールド内に孔は形成されない。図7は、本発明の様々な実施形態による別の装置200を示す。図7に示す装置200はCVD装置であるが、図1に示すようなPVD装置とすることもできる。堆積装置200は、接地側壁102および接地底壁106を有する。接地側壁102および接地底壁106によって、処理チャンバ100が境界を画される。処理チャンバ100は、導電性ペデスタル基部110の上の空間として画定された処理領域を有する。導電性ペデスタル基部110は、装置200の接地底壁106に隣接して位置決めされる。ペデスタル基部110にはRFインピーダンス整合部162が接続されており、いくつかの実施形態では、ペデスタル基部110は、図1に示すように内部電極134を有する。ペデスタル基部110の外側ペデスタルの周りには、実質的に連続する接地シールド170が配置されており、導電性ペデスタルと接地シールドとの間の空間が実質的に均一になるように、ペデスタル基部110と実質的に共形に成形される。この構成は、図1~6に関して説明した実施形態と同じ非対称性の利益を提供する。特有の実施形態では、ペデスタル基部110と導電性中空円筒140はどちらも、実質的に連続する接地シールド170によって取り囲まれる。この結果、装置内の電気的対称性がより大きくなる。詳細な実施形態では、連続する接地シールドを通過しない接続ロッドを通って、少なくとも1つの電源が導電性ペデスタルに接続される。特有の実施形態の連続する接地シールド170は、対称の電界を生じさせる同軸伝送線として働き、接地側壁および接地底壁と一体形成することができ、または別個の構成要素とすることができる。本明細書全体にわたって、一実施形態oneembodiment、特定の実施形態、1つまたは複数の実施形態、一実施形態anembodiment、一態様oneaspect、特定の態様、1つまたは複数の態様、および一態様anaspectへの言及は、その実施形態に関連して記載する特定の特徴、構造、材料、または特性が本発明の少なくとも一実施形態内に含まれることを意味する。したがって、1つまたは複数の実施形態では、特定の実施形態では、一実施形態ではinoneembodiment、一実施形態ではinanembodiment、1つまたは複数の態様によれば、一態様ではなどの語句が本明細書全体にわたって様々な場所で見られるが、必ずしも本発明の同じ実施形態または態様に言及しているわけではない。さらに、1つまたは複数の実施形態または態様では、特定の特徴、構造、材料、または特性を適宜組み合わせることができる。上記の方法の説明の順序は限定的と見なされるべきではなく、方法では、順序に関わらず、または省略もしくは追加を加えて、記載の動作を使用することができる。上記の説明は、例示的かつ非限定的であることを理解されたい。上記の説明を読めば、多くの他の実施形態が当業者には明らかであろう。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照することで、そのような特許請求の範囲に与えられる均等物の完全な範囲とともに決定される。"