"圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスを、スクライブ予定ラインに沿ってスクライブするガラス基板のスクライブ方法であって、基板保持用の複数の吸着孔を有するテーブルに強化ガラスを載置するとともに、強化ガラスのスクライブ予定ラインの終端側のガラス端部を中央部に比較して強い吸着圧で吸着する第1工程と、強化ガラスの表面に初期亀裂を形成する第2工程と、強化ガラスの表面にレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、スクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させてスクライブ溝を形成する第3工程と、を含むガラス基板のスクライブ方法。前記第1工程では、強化ガラスのスクライブ予定ラインの開始端側のガラス端部を中央部に比較して強い吸着圧で吸着する、請求項1に記載のガラス基板のスクライブ方法。前記第3工程では、互いに直交する複数のスクライブ予定ラインに沿ってスクライブ溝を形成するものであり、前記第1工程では、強化ガラスの全外周端部を他の領域に比較して強い吸着圧で吸着する、請求項1に記載のガラス基板のスクライブ方法。圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスを、スクライブ予定ラインに沿ってスクライブするガラス基板の加工装置であって、複数の吸着孔を有し、表面に載置された強化ガラスを吸着して保持するテーブルと、レーザビームを強化ガラスに照射する照射部と、前記照射部によって加熱された領域を冷却する冷却部と、前記照射部及び冷却部を、強化ガラスに設定されたスクライブ予定ラインに沿って相対移動させる移動手段と、前記テーブルにおける吸着圧を、強化ガラスの少なくともスクライブ予定ラインの終端側の端部が中央部に比較して強くなるように制御する吸着圧制御部と、を備えたガラス基板の加工装置。ところで、最近のFPDフラットパネルディスプレイ業界では、基板端面の強度が重要視されるために、ガラス基板として、表面に強化層が形成された化学強化ガラスが主に用いられている。この化学強化ガラスは、イオン交換処理によって表面に圧縮応力を持たせた層強化層を有し、内部には引張応力が存在している。このような化学強化ガラスは、最近では、特に端面強度が要求されるタッチパネル等のカバーガラスに用いられている。本件発明者は、このような強化ガラスのなかで、最近開発された、特に表面が高強度の強化ガラスにレーザスクライブ方法によってスクライブ溝を形成した場合、主にスクライブ溝の終端部からスクライブ溝に沿って深い亀裂が進展し、自然分断されることを実験により見出した。ここで、自然分断とは、スクライブ溝を形成した後に、分断工程を実施することなくスクライブ溝に沿ってガラス基板が分断される現象である。自然分断は、ガラス基板の周縁部においてスクライブ溝の亀裂が深くなることに起因していると考えられ、この深い亀裂がスクライブ溝に沿って進展し、生じると考えられる。そして、ガラス基板の周縁部においてスクライブ溝の亀裂が深くなるのは、以下の理由が考えられる。スクライブ溝が形成されたガラス基板の終端部では、端面が拘束されないので、スクライブ溝の両側が開きやすくなる。スクライブ溝が形成されたガラス基板の終端部では、そこから先に熱の逃げる場所がなく、終端部に熱がこもる。以上のような原因によって自然分断が生じると、後工程の処理が困難になる。そこで、スクライブ溝がガラス基板の周縁部に形成されないように、スクライブ予定ラインの終端部にアルミテープを貼ってレーザ光を遮蔽することが考えられる。しかし、この方法では、生産性の観点から実用的ではない。また、レーザ光の照射を制御することによって、ガラス基板の周縁部に加熱処理及び冷却処理が実施されないようにすることで、スクライブ溝がスクライブ予定ラインの終端まで達しないようにすることが考えられる。しかし、この方法では、所望の位置でスクライブ溝を止めることが困難であり、安定性がない。本発明の課題は、強化ガラスに対して、容易にかつ安定して所望のスクライブ溝を形成し、自然分断を防止することにある。第1発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスを、スクライブ予定ラインに沿ってスクライブする方法であって、以下の工程を有している。第1工程:基板保持用の複数の吸着孔を有するテーブルに強化ガラスを載置するとともに、強化ガラスのスクライブ予定ラインの終端側のガラス端部を中央部に比較して強い吸着圧で吸着する。第2工程:強化ガラスの表面に初期亀裂を形成する。第3工程:強化ガラスの表面にレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、スクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させてスクライブ溝を形成する。ここでは、まず、加工すべき強化ガラスがテーブルに載置される。テーブルには、複数の吸着用の孔が設けられており、この吸着用孔を介して強化ガラスが吸引されてテーブルの所定位置に保持される。このとき、スクライブ予定ラインの終端側のガラス端部が、他の領域に比較してより強い力で吸引されて保持される。そして、初期亀裂が形成された後、強化ガラス表面にレーザ光が照射されて加熱され、さらに加熱された領域が冷却される。この加熱及び冷却処理によって、初期亀裂はスクライブ予定ラインに沿って進展し、スクライブ溝が形成される。この方法では、スクライブ予定ラインの終端側のガラス端部が、より強い吸着力でテーブル上に保持される。したがって、ガラス端部は、加熱及び冷却処理を実施した場合に、変形しにくくなる。このため、ガラス端部では亀裂が開きにくくなり、深い亀裂が形成されるのを抑えることができ、自然分断を避けることができる。また、アルミテープを貼る等の煩雑な作業は不要であり、しかも安定してスクライブ溝の形成を所望の位置で止めることができる。第2発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第1発明のスクライブ方法において、第1工程では、強化ガラスのスクライブ予定ラインの開始端側のガラス端部を中央部に比較して強い吸着圧で吸着する。例えば初期亀裂の溝深さが深い場合には、スクライブ溝の形成工程第3工程において、初期亀裂から加熱及び冷却の走査方向とは逆方向に向かって、すなわちガラス端部に向かって深い亀裂が進展し、自然分断を生じることがある。そこで、この第2発明では、スクライブ予定ラインの開始端側のガラス端部を強い吸着力で保持するようにしている。これにより、スクライブ溝の形成時におけるガラス端部での変形が抑えられ、スクライブ予定ラインの開始端側に向かって亀裂が進展するのを抑えることができる。このため、自然分断を避けることができる。第3発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第1発明の方法において、3工程では、互いに直交する複数のスクライブ予定ラインに沿ってスクライブ溝を形成するものである。そして、第1工程では、強化ガラスの全外周端部を他の領域に比較して強い吸着圧で吸着する。ここでは、クロススクライブを行う場合に、前記同様に、ガラス端部において深い亀裂が形成されるのを抑えることができ、自然分断を避けることができる。第4発明に係るガラス基板の加工装置は、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスを、スクライブ予定ラインに沿ってスクライブする装置であり、テーブルと、照射部と、冷却部と、移動手段と、吸着圧制御部と、を備えている。テーブルは、複数の吸着孔を有し、表面に載置された強化ガラスを吸着して保持する。照射部はレーザビームを強化ガラスに照射する。冷却部は照射部によって加熱された領域を冷却する。移動手段は、照射部及び冷却部を、強化ガラスに設定されたスクライブ予定ラインに沿って相対移動させる。吸着圧制御部は、テーブルにおける吸着圧を、強化ガラスの少なくともスクライブ予定ラインの終端側の端部が中央部に比較して強くなるように制御する。以上のように、本発明では、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスに対して、容易にかつ安定してスクライブ予定ラインの終端部手前で亀裂の進展を止めることができる。したがって、強化ガラスにスクライブ溝を形成した時点で強化ガラスが自然分断するのを防止できる。[装置構成]図1は、本発明の一実施形態による方法を実施するためのスクライブ装置の概略構成を示す図である。スクライブ装置1は、例えば、マザーガラス基板を、FPDフラットパネルディスプレイに使用される複数の単位基板に分断するための装置である。ここでのガラス基板は、表面に強化層が形成された化学強化ガラスが主に用いられている。前述のように、この化学強化ガラスは、イオン交換処理によって表面に圧縮応力を持たせた強化層を有している。スクライブ装置1は、ガラス基板Gが載置されるテーブル2と、カッターホイール3と、レーザ照射部4と、冷却部5と、駆動機構6と、2つの吸引ポンプ7a,7bと、制御部8と、を備えている。テーブル2には、上部がテーブル表面に解放された複数の貫通孔10が形成されている。複数の貫通孔10のうちのガラス基板Gの外周端部に対応する位置に形成された貫通孔10aは、実線で示す第1通路11を介して第1吸引ポンプ7aに接続されている。また、貫通孔10a以外の複数の貫通孔10bは一点鎖線で示す第2通路12を介して第2吸引ポンプ7bに接続されている。カッターホイール3は、ガラス基板Gの端部にスクライブの起点となる初期亀裂を形成するためのツールである。このカッターホイール3は主に、ホルダと、ホルダに支持されたスクライビングホイールとを有している。レーザ照射部4は、レーザビームを照射するレーザ発振器例えば、CO2レーザを有し、このレーザビームを、光学系を介してガラス基板G上にビームスポットとして照射する。また、冷却部5は、図示しない冷媒源から供給される冷媒例えば、水と空気、ヘリウムガス等を、ノズルを介して噴射して冷却スポットを形成する。駆動機構6は、カッターホイール3、レーザ照射部4、及び冷却部5を、レール14に沿って移動させる機構である。この駆動機構6によって、カッターホイール3、レーザ照射部4、及び冷却部5が、ガラス基板Gに設定されたスクライブ予定ラインに沿って移動させられる。制御部8は、カッターホイール3、レーザ照射部4、冷却部5、駆動機構6、及び2つの吸引ポンプ7a,7bを制御する。具体的には、制御部8によって、カッターホイール3のガラス基板Gへの押圧力、レーザ出力、冷媒の噴射量、駆動速度走査速度、吸引ポンプ7a,7bの回転数吸着圧が制御される。[基板吸着圧とスクライブとの関係]レーザ出力と走査速度とを変えて、それぞれの条件で吸着圧を変えた場合のスクライブ結果を以下に示す。各実験例のまとめを図2に示している。<実験例1>ガラス基板Gのテーブル2への吸着圧kPa:5,10,20レーザ出力:140W走査速度:190mmsこの実験例1では、低い吸着圧5kPaではスクライブが可能図2において○で示しているであったが、高い吸着圧10及び20kPaではスクライブすることができなかった図中×で示している。<実験例2>ガラス基板Gのテーブル2への吸着圧kPa:5,10,20レーザ出力:160W走査速度:230mmsこの実験例2では、吸着圧5及び10kPaではスクライブが可能であったが、吸着圧20kPaではスクライブすることができなかった。<実験例3>ガラス基板Gのテーブル2への吸着圧kPa:5,10,20レーザ出力:170W走査速度:250mmsこの実験例3では、吸着圧5及び10kPaではスクライブが可能であったが、吸着圧20kPaではスクライブすることができなかった。<実験例4>ガラス基板Gのテーブル2への吸着圧kPa:5,10,20レーザ出力:180W走査速度:260mmsこの実験例4では、吸着圧5及び10kPaではスクライブが可能であったが、吸着圧20kPaではスクライブすることができなかった。以上の実験例から明らかなように、吸着圧を高めると、すなわち吸引力を強くして、スクライブ溝の形成時にガラス基板の変形を抑えると、亀裂の進展が止まることがわかる。[スクライブ方法]以上の知見に基づいて、本実施形態では、以下のようなスクライブ方法によってスクライブ溝が形成される。まず、加工対象となるガラス基板Gをテーブル2上に載置する。そして、第1吸引ポンプ7a及び第2吸引ポンプ7bを駆動して、ガラス基板Gをテーブル2上に吸着する。このとき、制御部8によって各吸引ポンプ7a,7bの回転数を制御し、第1吸引ポンプ7aによる吸着圧が20kPa以上になるように制御し、第2吸引ポンプ7bによる吸着圧が10kPa以下になるように制御する。次に、カッターホイール3を用いてガラス基板Gの端部にスクライブの起点となる初期亀裂を形成する。次に、ガラス基板Gに対して、レーザ照射部4からレーザビームが照射される。このレーザビームはビームスポットとしてガラス基板G上に照射される。そして、レーザ照射部4から出射されるレーザビームが、スクライブ予定ラインに沿って走査される。ガラス基板Gはビームスポットによってガラス基板Gの軟化点よりも低い温度に加熱される。また、冷却スポットをビームスポットの移動方向後方において追従させる。以上のようにして、レーザビームの照射によって加熱されたビームスポットの近傍には圧縮応力が生じるが、その直後に冷媒の噴射によって冷却スポットが形成されるので、垂直クラックの形成に有効な引張応力が生じる。この引張応力により、ガラス基板Gの端部に形成された初期亀裂を起点としてスクライブ予定ラインに沿った垂直クラックが形成され、所望のスクライブ溝が形成される。ここで、スクライブ溝の形成工程において、スクライブ予定ラインの開始端部及び終端部、すなわちガラス基板Gの端部は強い吸着圧吸引力で保持されている。したがって、加熱及び冷却処理によるガラス基板Gの変形が抑えられ、亀裂の進展を抑えることができる。このため、ガラス基板Gの端部において深い亀裂が形成されるのを抑えることができ、基板が自然に分断されるのを防止することができる。[特徴]この実施形態では、ガラス基板の端部を強い力でテーブル上に保持し、加工中の変形を抑えるようにしたので、ガラス基板端部に深い亀裂が形成されるのを抑えることができる。このため、基板の自然分断を避けることができる。また、ガラス基板端部における亀裂進展を停止させるための手段として、テーブルへの基板の吸着圧を制御により実現しているので、簡単な方法で基板の自然分断を避けることができる。[他の実施形態]本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。a前記実施形態では、ガラス基板におけるスクライブ予定ラインの開始側の端部及び終端側の端部の両方を強い力でテーブルに保持するようにしたが、スクライブ予定ラインの終端側の端部のみを強い力で保持するようにしてもよい。また、開始側の端部を強い力で保持すると、初期亀裂の進展が抑えられ、スクライブ溝が形成されない場合があるので、開始側の端部は、終端側の端部に比較して弱く、かつ中央部に比較して強く保持するようにしてもよい。b前記実施形態では、テーブルを固定し、レーザ照射部等を移動させるようにしたが、レーザ照射部等を固定し、テーブルを移動させるようにしてもよい。c前記実施形態では、初期亀裂を形成するためのカッターホイールをレーザ照射部等とともに同じ装置に設けたが、カッターホイールをレーザ照射部等とは別の装置に設けてもよい。この場合は、まず初期亀裂を形成した後に、ガラス基板がテーブル上に吸着されることになる。すなわち、初期亀裂形成工程第2工程と、ガラス基板のテーブルへの載置工程第1工程とが、前記実施形態とは順序が逆になる。d前記実施形態では、初期亀裂を形成するためにカッターホイールを用いたが、レーザーアブレーションや、改質などのレーザ加工を用いて初期亀裂を形成することとしてもよい。この場合は、初期亀裂形成用にUVレーザやグリーンレーザなどを光源とするレーザ照射機構を設ける。"