"半導体チップと、前記半導体チップ上に設けられた第1及び第2のトランジスタと、前記半導体チップ上に前記第1及び第2のトランジスタに隣接して設けられた第1及び第2のパッドと、前記半導体チップ上に設けられ、前記第1及び第2のトランジスタと前記第1及び第2のパッドをそれぞれ接続する第1及び第2の配線と、前記半導体チップ外に設けられた外部パッドと、前記外部パッドに接続された外部端子と、前記第1及び第2のパッドと前記外部パッドをそれぞれ接続する第1及び第2のワイヤとを備え、前記第1のパッドは前記第2のパッドよりも前記外部パッドから遠い位置に配置され、前記第1のパッドから前記外部端子までの電気長は、前記第2のパッドから前記外部端子までの電気長と同じであることを特徴とする高周波電力増幅器。前記第1のワイヤは前記第2のワイヤよりも細いことを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。前記第1のワイヤは前記第2のワイヤよりも本数が少ないことを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。前記外部パッドは、前記第1及び第2のワイヤにそれぞれ接続された第1及び第2のパッド部を有し、前記第1のパッドと前記外部パッドの水平距離は、前記第2のパッドと前記外部パッドの水平距離よりも長く、前記第1のパッド部と前記第2のパッド部は高さが異なり、前記第1のワイヤは前記第2のワイヤと同じ電気長を有することを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。前記外部パッドは、前記第1及び第2のワイヤにそれぞれ接続された第1及び第2のパッド部を有し、前記第1のパッド部と前記第2のパッド部の間にキャパシタが接続され、前記第2のパッド部に前記外部端子が接続されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。前記外部パッドは、前記第1及び第2のワイヤにそれぞれ接続された第1及び第2のパッド部を有し、前記第1のパッド部と前記第2のパッド部の間にインダクタが接続され、前記第1のパッド部に前記外部端子が接続されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。図7の高周波電力増幅器では、各トランジスタ3のコレクタから外部パッド8までの電気長が異なるため、各トランジスタ3の負荷インピーダンスが不均一となるという問題があった。一方、図8の高周波電力増幅器では、レイアウト面積が増加するという問題があった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的はレイアウト面積を増加させることなく、各トランジスタの負荷インピーダンスを均一にすることができる高周波電力増幅器を得るものである。本発明に係る高周波電力増幅器は、半導体チップと、前記半導体チップ上に設けられた第1及び第2のトランジスタと、前記半導体チップ上に設けられた第1及び第2のパッドと、前記半導体チップ上に設けられ、前記第1及び第2のトランジスタと前記第1及び第2のパッドをそれぞれ接続する第1及び第2の配線と、前記半導体チップ外に設けられた外部パッドと、前記外部パッドに接続された出力端子と、前記第1及び第2のパッドと前記外部パッドをそれぞれ接続する第1及び第2のワイヤとを備え、前記第1の配線と前記第2の配線は同じ電気長を有し、前記第1のパッドは前記第2のパッドよりも前記外部パッドから遠い位置に配置され、前記第1のパッドから前記出力端子までの電気長は、前記第2のパッドから前記出力端子までの電気長と同じである。本発明により、レイアウト面積を増加させることなく、各トランジスタの負荷インピーダンスを均一にすることができる。本発明の実施の形態に係る高周波電力増幅器について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。パッケージ基板1上に、MMICmonolithicmicrowaveintegratedcircuitの半導体チップ2が実装されている。半導体チップ2上にトランジスタ3a,3bが設けられている。半導体チップ2上にコレクタパッド4a,4bとゲートパッド5が設けられている。トランジスタ3a,3bのコレクタとコレクタパッド4a,4bはそれぞれコレクタ配線6a,6bにより接続されている。トランジスタ3a,3bのゲートとゲートパッド5はゲート配線7により接続されている。半導体チップ2外のパッケージ基板1上に外部パッド8が設けられている。この外部パッド8に出力端子9が接続されている。コレクタパッド4a,4bと外部パッド8はそれぞれワイヤ10a,10bにより接続されている。コレクタ配線6a,6bはトランジスタ3a,3bに隣接している。従って、コレクタ配線6a,6bが短くなるため、半導体チップ2上のレイアウト面積を増加させない。コレクタパッド4aは、コレクタパッド4bよりも外部パッド8から遠い位置に配置されている。そこで、実施の形態1では、ワイヤ10aをワイヤ10bよりも細くする。これにより、コレクタパッド4aから出力端子9までの電気長を、コレクタパッド4bから出力端子9までの電気長と同じにしている。よって、各トランジスタ3a,3bの負荷インピーダンスを均一にすることができる。この結果、各トランジスタ3a,3bのコレクタに対して最適な負荷条件を実現することができる。実施の形態2.図2は、本発明の実施の形態2に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。実施の形態1とは異なり、ワイヤ10aの太さはワイヤ10bと同じであるが、ワイヤ10aはワイヤ10bよりも本数が少ない。これにより、コレクタパッド4aから出力端子9までの電気長を、コレクタパッド4bから出力端子9までの電気長と同じにしている。よって、各トランジスタ3a,3bの負荷インピーダンスを均一にすることができる。実施の形態3.図3は、本発明の実施の形態3に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。図4はその断面図である。コレクタパッド4aと外部パッド8の水平距離は、コレクタパッド4bと外部パッド8の水平距離よりも長い。外部パッド8は、ワイヤ10a,10bにそれぞれ接続されたパッド部8a,8bを有する。コレクタパッド4aとコレクタパッド4bは高さが異なる。このため、ワイヤ10aがワイヤ10bと同じ電気長を有する。これにより、コレクタパッド4aから出力端子9までの電気長を、コレクタパッド4bから出力端子9までの電気長と同じにしている。よって、各トランジスタ3a,3bの負荷インピーダンスを均一にすることができる。実施の形態4.図5は、本発明の実施の形態4に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。パッド部8aとパッド部8bの間に、コンデンサなどのキャパシタ11が接続されている。パッド部8bに出力端子9が接続されている。これにより、コレクタパッド4aから出力端子9までの電気長を、コレクタパッド4bから出力端子9までの電気長と同じにしている。よって、各トランジスタ3a,3bの負荷インピーダンスを均一にすることができる。実施の形態5.図6は、本発明の実施の形態5に係る高周波電力増幅器を示す上面図である。パッド部8aとパッド部8bの間に、コイルなどのインダクタ12が接続されている。パッド部8aに出力端子9が接続されている。これにより、コレクタパッド4aから出力端子9までの電気長を、コレクタパッド4bから出力端子9までの電気長と同じにしている。よって、各トランジスタ3a,3bの負荷インピーダンスを均一にすることができる。なお、一般的にコレクタの負荷インピーダンスはベースの負荷インピーダンスに比べて電力増幅器の特性への影響が大きいため、実施の形態1~5では、各トランジスタ3a,3bのコレクタの負荷インピーダンスを均一にする構成とした。これに限らず、入力端子から各トランジスタ3a,3bのベースまでの電気長を等しくして、各トランジスタ3a,3bのベースの負荷インピーダンスを均一にしてもよい。また、実施の形態1~5では、トランジスタ3a,3bがバイポーラトランジスタの場合について説明したが、これに限らずMOSトランジスタでもよい。この場合、コレクタはドレインとなり、ベースはゲートとなる。"