"Cr:24質量以下、Ti:200~1000質量ppm、Zr:200質量ppm以上、O:10~150質量ppm、N:70質量ppm以上、C:0.03質量以下、並びに残部としてFe及び残余元素を含むフェライト系ステンレス鋼であって、Zr/Ti比は0.3超であり、N/O比は1.5超であることを特徴とするフェライト系ステンレス鋼。直径5μm以下のTiとZrとの少なくとも一方の酸化物/窒化物を含むことを特徴とする、請求項1記載のフェライト系ステンレス鋼。鋼1mm3当たり合計1×106を超える数のTiとZrとの少なくとも一方の酸化物/窒化物を含有することを特徴とする、請求項1記載のフェライト系ステンレス鋼。弱い脱酸化剤から強い脱酸化剤への順序で、脱酸化剤Si、Mn、Ti、及びZrを融解物に添加する、つまり初めにSi及びMn、続けてTi、そして最後にZrの順に添加する工程を含む、請求項1記載のフェライト系ステンレス鋼の製造方法。1~5分間の添加間隔で前記順序で前記脱酸化剤を用いて融解物を脱酸化させる工程と、前記融解物を少なくとも1分間保持する工程と、前記融解物を成形する工程を含む、請求項4記載の方法。発明者はTi、Zr、及びCeの添加に関する試験を行い、高いN含有率及び低いC含有率をもつフェライト系ステンレス鋼の結晶粒細粒化性能を安定的に強化するために、形成された酸化物/窒化物の分布特性及び結果としての微細構造を検討した。発明者は特に、前記目的に沿う酸化物/窒化物及び微粒子分散技術大量であり及び空間的に均一な分布を有するの選択に注目した。最も有望な粒子としては、Ti-Zr酸化物/窒化物、つまりチタン及びジルコニウムの双方を含む酸化物/窒化物、及びジルコニウム窒化物が見出され、これらは以下の結晶粒細粒化性能を示した。aTi-Zr酸化物/窒化物はフェライト凝固核形成剤nucleantとして高性能を持ち、鋳放しの構造において等軸結晶粒ゾーン比equiaxedgrainzoneratio及び等軸結晶粒細粒化を強化する。bZr窒化物は再加熱された構造のフェライト結晶粒成長におけるピン止め粒子として熱安定性効能をもつ。上記試験の結果に基づく本発明は、窒化物の効率的な応用を提供する新酸化物金属工学技術、つまりより高いN含有量仕様及びより低いC含有量仕様をもつフェライト系ステンレス鋼の製造方法のための酸化物/窒化物金属工学技術を提供する。本発明の実施形態に従うフェライト系ステンレス鋼A酸化物/窒化物及び粒子の特性本発明による酸化物/窒化物は、Ti-Zr酸化物/窒化物とZr窒化物を含む。上記酸化物又は窒化物の選択は以下の点を考慮して行われた。1ZrNは格子ディスレジストリlatticedisregistryの観点からはTiN、VN等のようにフェライト凝固核形成剤として高性能を有し、鋳放しの構造において等軸結晶粒ゾーン比equiaxedgrainzoneratio及び等軸結晶粒細粒化を強化する。当然、Ti-Zr酸化物/窒化物及びZr窒化物の両方は一部又は全体にZrNの表面を有する。2ZrNはTiNとは比較的に、再加熱された構造のフェライト結晶粒成長におけるピン止め粒子として熱安定性効能をもつ。当然、融解物中に主にZrNが沈殿され、凝固又は冷却工程中にZrNの表面にTiNが沈殿される可能性があるため、Zr窒化物はTiNを少量含む。よって、Ti-Zr酸化物/窒化物は主にTiN,Oのコアが部分的に又は完全にZr酸化物、Zr窒化物、又はその複合体例えば、TiN,O低含有量のZrO2-ZrNに覆われたものを意味する。Zr窒化物は主に、TiNを含むZrNを意味する例えば、ZrN-TiN。ここでは、便宜上このようなTi、Zr、O、及びNの含有量による呼称を使用する。過剰のTi含有量の場合、Ti-Zr酸化物/窒化物の他に比較的に大きいTi酸化物が存在する。一方、低Ti含有量の場合、Ti-Zr酸化物/窒化物の他に比較的に大きいZr化物が存在する。従って、Zr/Ti比は0.3を超えるように制御する必要があり、N/O比は1.5を超えるように制御する必要もある。B化学成分本発明に従うフェライト系ステンレス鋼は請求項1記載の化学成分を有する。OはTi及びZrの添加によるTi-Zr酸化物/窒化物の製造において不可欠な元素である。顕著な効果を得るために十分な数のTi-Zr酸化物/窒化物の粒子を得るために、O含有量は10~150質量ppmに設定される。NはTi及びZrの添加によるTi-Zr酸化物/窒化物及びZr窒化物の製造において不可欠な元素である。顕著な効果を得るために十分な数のTi-Zr酸化物/窒化物及びZr窒化物の粒子を得るために、N含有率は70質量ppmを超えるように設定する。加えて、Zr窒化物の優先的な形成の観点からは、N/O比は1.5超である。過剰のC含有量は、炭化物形成及びγループ移動によるフェライト領域の顕著な狭窄により靭性の劣化を引き起こす。従って、C含有量は0.03質量より低く設定する。Al含有量が低い場合に、TiはTiN,Oコアの初期生成を、そして結果としての細かいTi-Zr酸化物又は窒化物の形成を提供し、これは融解物中でのフェライト凝固のための核形成剤として働く。加えて、Tiは再加熱の際にフェライト結晶粒成長のためのピン止め粒子として働く細かいTiNの凝固/冷却における形成に貢献する。上記の効果を得るには少なくとも200質量ppmのTi含有率が必要である。しかし、過剰なTi含有率は炭化物の形成により靱性の劣化を引き起こす。従って、靱性の劣化を避ける/軽減するために、Ti含有率は1000質量ppmより低く設定する。顕著な効果を得るために十分な数のTi-Zr酸化物/窒化物及びZr窒化物を得るために、Zr含有率は、Cが無い条件下、200質量ppmを超えるように設定する。なお、Zr窒化物の優先的な形成の観点からは、Zr/Ti比は0.3超である。過剰なCr含有率は脆性σ相の形成原因となる。よって、Cr含有率は24質量より低く設定される。残余元素:SiとMnはフェライト系ステンレス鋼の製造において第一の脱酸化剤として基本的な元素である。加えて、Mo、Nb、及びV等、フェライト系ステンレス鋼内の残余元素としてフェライト安定化元素を一つ以上添加することも可能である。更に、フェライト系ステンレス鋼における残余元素を構成するNi又はCu等の耐食性の元素を一つ以上添加することも可能である。本発明の実施形態に従うフェライト系ステンレス鋼の製造方法請求項4記載のTi-Zr酸化物/窒化物及びZr窒化物の微粒子の分散多数の粒子及び空間的に均一な分布を制御する方法は、以下の脱酸化順序を特徴とする:鋼の脱酸化工程はSi-Mn脱酸化後における融解物中へのTi及びZrの添加に基づく。融解物はTiの次にZrを用いて脱酸化され、添加間の間隔は1~5分である。続けて融解物は少なくとも1分の保持後に成形される。すなわち、脱酸化剤全ては弱い脱酸化剤から強い脱酸化剤への順に添加するべきである、つまり、Si及びMn、そしてTi、そして最後にZrの順に添加する。微粒子分散を制御するために、粒子凝集を防ぐようにAl無の条件を維持することは重要である。本質的にはAl無の材料ではあっても、製造過程中にフェライト系ステンレス鋼が不可避的にAlで汚染されることもある。従って、Alの含有率は0.01質量より低く、好ましくは0.005質量より低く設定される。例1表1に示された化学組成のFe20質量Crフェライト系ステンレス鋼を高周波誘導炉内にアルゴンガスの雰囲気下でMgO坩堝に1600°Cで溶かした。サンプルの形成過程は、一定の自由酸素含有量:150質量ppm、及び異なるN含有量:65質量ppm、250質量ppm、及び500質量ppm、のFe-20質量Cr合金を溶かすことに基づいていた。その後、融解物はTi0.1質量並びにZr若しくはCe0.1質量を60秒の間隔で添加して脱酸化され、30秒後に1400°Cまで冷却された。そして、鋳塊サンプルは水で急冷された。最終化学組成、鋳塊の鋳放した構造柱状結晶粒ゾーンに対する等軸結晶粒ゾーンの比REC、及び平均等軸結晶粒サイズDA、及び粒子の特性単位体積当たりの粒子数、NV、と粒子の中央径dは、表1に示す。異なるN含有率を用いたTi-Zr脱酸化試験についての、異なる組成の粒子サイズ分布は図1に示されている。TiZr-1からTiZr-3サンプルはTi-Zr添加試験に対応し、TiCe-1及びTiCe-2サンプルはTi-Ce添加試験に対応する。Ti-Zr添加の場合、鋳放し構造における結晶粒細粒化が一般的に有望であることが明らかである。特に、本発明によって形成されたTiZr-2及びTiZr-3のサンプルは、柱状結晶粒ゾーンに対する等軸結晶粒ゾーンの比:50超、平均等軸結晶粒サイズDA:300ミクロンを下回る、という鋳放し構造をもつ。一方、TiZr-1のサンプルに関しては、NとZrの不存在のため鋳放し構造の結晶粒細粒化が確認できなかった。例2TiZr添加されたTiZr-1及びTiZr-3のサンプルの等軸結晶粒ゾーンから新しい試料を切り取り、それらは60分間アルゴンの雰囲気下で共焦点レーザー顕微鏡CLSMを用いて1200°C及び1400°Cに再加熱された。その場観察によって各再加熱された試料における結晶粒成長性が調査された。熱処理中の各試料の平均等軸結晶粒サイズの変化は図2にしめす。本発明に従って形成されたTiZr-2及びTiZr-3のサンプルは1200°Cでの60分再加熱中にフェライト結晶粒成長に対して完璧なピン止め効果を与えることが可能であった。特に、TiZr-3サンプルは1400°Cの再加熱でも数分フェライト結晶粒成長に対して完璧なピン止め効果を示した。一方、TiZr-1サンプルに関しては、N及びZrの不存在のため、ピン止め効果が明確に確認されなかった。当業者にとっては本発明の請求項の範囲内のさらなる改善は明白であろう。"