"基板上に、表示素子がマトリクス状に配置される表示領域と、前記基板の辺部に配置される端子部と、前記表示領域と前記基板の辺縁部との間の領域を介して配置され、前記表示画素と前記端子部とを電気的に接続する信号線とを備える表示装置であって、前記信号線は、前記基板に近い側に形成される第1の信号線と、第1の絶縁膜を介して前記第1の信号線の上層に形成される第2の信号線と、第2の絶縁膜を介して前記第2の信号線の上層に形成され、前記第1の信号線と前記第2の信号線とを電気的に接続する透明導電膜とからなり、前記透明導電膜は、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを貫通して前記第1の絶縁膜に至る第1の接続孔と、前記第2の絶縁膜を貫通して前記第2の信号線に至る第2の接続孔とを覆うようにして形成され、前記第1の接続孔又は前記第2の接続孔の内で、前記基板の辺縁部に近い側の接続孔と前記基板の辺縁部との間に配置され、前記第1の絶縁膜又は/及び前記第2の絶縁膜に形成される溝部を備え、前記透明導電膜の辺縁部が、前記溝部の底部まで伸延してなることを特徴とする表示装置。前記溝部は、前記基板の辺縁部の内で近接する辺縁部の延在方向に伸延することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。前記溝部は、前記透明導電膜の1つの辺に沿って形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。前記溝部が形成される側の接続孔を有する信号線は、前記溝部の形成位置を迂回して配置され、前記溝部は第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を貫通してなることを特徴とする請求項1乃至3の内のいずれかに記載の表示装置。前記第1の絶縁膜の上層に前記溝部と重畳して形成されるバリヤ層を備え、前記バリヤ層が形成される領域で、前記第1の信号線又は/及び前記第2の信号線と前記溝部とが交差することを特徴とする請求項1乃至3の内のいずれかに記載の表示装置。前記第1の信号線又は前記第2の信号線の内で、前記基板の辺縁部から遠い側の信号線が配置される側の辺縁部を除く前記透明導電膜の辺縁部に沿って前記溝部が形成され、前記透明導電膜の各辺縁部は前記溝部の底部まで伸延してなることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。前記透明導電膜の全ての辺縁部に沿って前記溝部が環状に形成され、前記透明導電膜の各辺縁部は、前記溝部の底部まで伸延してなることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。前記溝部に沿って、前記バリヤ層が環状に形成されることを特徴とする請求項7に記載の表示装置。前記第1の信号線及び前記第2の信号線は前記溝部と交差するように形成され、前記第2の信号線は信号線幅よりも開口幅が小さい開口部を有し、前記開口部の領域内に前記第1の接続孔が形成されることを特徴とする請求項1乃至8の内のいずれかに記載の表示装置。前記第2の絶縁膜の上層に形成されると共に、前記透明導電膜の形成領域に開口部を有するシールド膜を備え、前記溝部は前記開口部の開口領域の内側に形成され、前記シールド膜の端部が前記溝部の辺縁部と重畳しないことを特徴とする請求項1乃至9の内のいずれかに記載の表示装置。前記溝部は、前記第1の接続孔及び前記第2の接続孔と同一の工程で形成されることを特徴とする請求項1乃至10の内のいずれかに記載の表示装置。前記第1の信号線及び/又は前記第2の信号線は金属薄膜からなることを特徴とする請求項1乃至11の内のいずれかに記載の表示装置。前記第1の信号線は前記表示領域と前記基板の辺縁部との間に形成され、前記第2の信号線は前記表示領域内に形成されることを特徴とする請求項1乃至12の内のいずれかに記載の表示装置。前記基板と液晶層を介して対向配置される対向基板を備えることを特徴とする請求項1乃至13の内のいずれかに記載の表示装置。しかしながら、従来の表示装置では、走査信号線と引き回し配線とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成される領域接続領域は、表示品質への影響を考慮して額縁領域に形成されることが一般的である。このような額縁領域では、図11aに示す接続領域における平面図、及び図11bに示す図11aのM-M’線での断面図に示すように、第1基板SUB1の表面に形成される走査信号線DCRの端部と引き回し配線GALの端部とが近接する領域において、走査信号線DCRの上層に形成される第1絶縁膜PAS1に第1接続孔第1のコンタクトホールTH1が形成されると共に、引き回し配線GALの上層に順に形成される第1絶縁膜PAS1及び第2絶縁膜PAS2に第2接続孔第2のコンタクトホールTH2がそれぞれ形成されている。この接続領域では、例えば、画素電極を形成する工程で、第1接続孔TH1及び第2接続孔TH2を覆うようにして、透明導電膜CHLが第2絶縁膜PAS2の上層に形成され、走査信号線DCRと引き回し配線GALとが該透明導電膜CHLを介して電気的に接続される構成となっている。このような構成からなる表示装置では、図11a及び図11bに示すように、透明導電膜CHLの端部は第2絶縁膜PAS2の上層に開放される構成となっている。このために、図11bに示すように、第2絶縁膜PAS2と透明導電膜CHLとの界面から矢印Nで示すように水分等の不純物が侵入した場合、侵入した水分等の不純物は平坦化膜としても機能する第2絶縁膜PAS2と透明導電膜CHLとの界面に沿って第2接続孔TH2に到達した後に、その側壁面に沿って更に侵入し、透明導電膜CHLと引き回し配線GALとの接続領域Pに容易に到達することができ、金属薄膜からなる引き回し配線GALを腐食させてしまい、走査信号駆動回路から引き回し配線GALを介して走査信号線DCRに至る信号線を断線させてしまうことが懸念されている。特に、高温高湿での使用では、金属薄膜と第1及び第2絶縁層PAS1,2と透明導電膜CHLとの熱膨張率がそれぞれ異なるために、更に、水分等の異物質不純物の侵入可能性が高くなるので、その対策が切望されている。本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、透明導電膜とその下層の絶縁膜との界面からの水分等の異物質の侵入を防止し、信号線の接続領域での信頼性を向上させ、表示装置の信頼性を向上させることが可能な技術を提供することにある。1前記課題を解決すべく、本発明の表示装置は、基板上に表示素子がマトリクス状に配置される表示領域と、前記基板の辺部に配置される端子部と、前記表示領域と前記基板の辺縁部との間の領域を介して配置され、前記表示画素と前記端子部とを電気的に接続する信号線とを備える表示装置であって、前記信号線は、前記基板に近い側に形成される第1の信号線と、第1の絶縁膜を介して前記第1の信号線の上層に形成される第2の信号線と、第2の絶縁膜を介して前記第2の信号線の上層に形成され、前記第1の信号線と前記第2の信号線とを電気的に接続する透明導電膜とからなり、前記透明導電膜は、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを貫通して前記第1の絶縁膜に至る第1の接続孔と、前記第2の絶縁膜を貫通して前記第2の信号線に至る第2の接続孔とを覆うようにして形成され、前記第1の接続孔又は前記第2の接続孔の内で、前記基板の辺縁部に近い側の接続孔と前記基板の辺縁部との間に配置され、前記第1の絶縁膜又は/及び前記第2の絶縁膜に形成される溝部を備え、前記透明導電膜の辺縁部が、前記溝部の底部まで伸延してなる。本発明によれば、透明導電膜とその下層の絶縁膜との界面からの水分をはじめとする異物質の侵入を防止し、信号線の接続領域での信頼性を向上させ、表示装置の信頼性を向上させることができる。以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。また、図中に示すX,YはそれぞれX軸,Y軸を示す。さらには、溝部DCHやバリヤ層BAL等の各薄膜層は公知のフォトリソグラフィ技術により形成可能であるので、形成方法の詳細な説明は省略する。実施形態1全体構成図1は本発明の実施形態1の表示装置である液晶表示装置の全体構成を説明するための図であり、以下、図1に基づいて、実施形態1の表示装置の全体構成を説明する。ただし、以下の説明では、本願発明をIPSInPlaneSwitching方式の液晶表示装置に適用した場合について説明するが、TNTwistedNematic方式やVAVerticalAlignment方式等の液晶表示装置にも適用可能である。さらには、本願発明は液晶表示装置等の非発光型の表示装置に限定されることはなく、例えば、有機EL表示装置等の自発光型の表示装置にも適用可能である。また、以下の説明では、透明導電膜として酸化インジウム系のITOIndiumTinOxideを用いた場合について説明するが、これに限定されることはなく、例えば、酸化亜鉛系ZnOのAZOAluminumdopedZincOxideやGZOGalliumdopedZincOxide等、及び酸化スズ系等の透明導電膜材料を用いた構成であってもよい。図1に示すように、実施形態1の液晶表示装置は、画素電極PXや薄膜トランジスタTFT等が形成される第1基板SUB1と、図示しないカラーフィルタやブラックマトリクスが形成され、第1基板SUB1に対向して配置される第2基板SUB2と、第1基板SUB1と第2基板SUB2とで挟持される図示しない液晶層とで構成される液晶表示パネルを有し、該液晶表示パネルの光源となる図示しないバックライトユニットバックライト装置とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第1基板SUB1と第2基板SUB2との固定及び液晶の封止は、第2基板の周辺部に環状に塗布された図示しないシール材で固定され、液晶も封止される構成となっている。また、第2基板SUB2は、第1基板SUB1よりも小さな面積となっており、第1基板SUB1の図中下側の辺部を露出させるようになっている。この第1基板SUB1の辺部には、半導体チップで構成される駆動回路DRが搭載されている。この駆動回路DRは、表示領域ARに配置される各画素を駆動する。なお、以下の説明では、液晶表示パネルの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。また、第1基板SUB1及び第2基板SUB2としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、ガラス基板に限定されることはなく、石英ガラスやプラスチック樹脂のような他の絶縁性基板であってもよい。例えば、石英ガラスを用いれば、プロセス温度を高くできるため、薄膜トランジスタTFTのゲート絶縁膜を緻密化できるので、信頼性を向上することができる。一方、プラスチック樹脂基板を用いる場合には、軽量で、耐衝撃性に優れた液晶表示装置を提供できる。また、実施形態1の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素以下、画素と略記するの形成される領域が表示領域ARとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ARとはならない。実施形態1の液晶表示装置では第1基板SUB1の液晶側の面であって表示領域AR内には、図1中X方向に延在しY方向に並設され、駆動回路DRからの走査信号が供給される走査信号線ゲート線DCRが形成されている。また、図1中Y方向に延在しX方向に並設され、駆動回路からの映像信号階調信号が供給される映像信号線ドレイン線DLが形成されている。これら映像信号線DL及び走査信号線DCRは、例えば、アルミニウム等の金属薄膜で形成されているが、他の導電材料で形成した導電膜で形成してもよい。映像信号線DLと走査信号線DCRとで囲まれる矩形状の領域は画素が形成される領域以下、画素領域と記すを構成し、これにより、各画素は表示領域AR内においてマトリックス状に配置されている。各画素は、例えば図1中丸印Aの等価回路図A’に示すように、走査信号線DCRからの走査信号によってオン/オフ駆動される薄膜トランジスタTFTと、このオンされた薄膜トランジスタTFTを介して映像信号線DLからの映像信号が供給される画素電極PXと、少なくとも表示領域の全面に形成され、X方向の左右第1基板SUB1の端部の一端から、又は両側からコモン線CLを介して、映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極CTとを備えている。ただし、薄膜トランジスタTFTは、いわゆる逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、映像信号線DLと接続される側をドレイン電極DT、画素電極PXと接続される側をソース電極STと記す。画素電極PXと共通電極CTとの間には、第1基板SUB1の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から、IPS方式あるいは横電界方式と称される。また、このような構成の液晶表示装置において、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小黒表示とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。各映像信号線DL及び各走査信号線DCRは、図1中丸印Bの拡大図B’に示すように、図1中の右側端部のコンタクト領域接続領域CHにおいて、例えば、アルミニウム等の金属薄膜で形成される引き回し配線引き出し線GALにそれぞれ電気的に接続される。各引き回し配線GALは第1基板SUB1の図1中の右側辺部、すなわち表示領域ARと第1基板SUB1の端辺との間の領域である額縁領域の内の図1中の右側の額縁領域に形成されている。この額縁領域に形成される引き回し線GALは、Y方向に延在しX方向に並設され、その一端がコンタクト領域CHで走査信号線DCRに接続され、他端が駆動回路DRに接続されている。なお、コンタクト領域CHの構成については、後に詳述する。また、引き回し配線GALは金属薄膜に限定されることはなく、他の導電材料からなる導電膜で形成してもよい。また、駆動回路DRは、外部システムから図示しないフレキシブルプリント基板を介して入力される入力信号に基づいて、映像信号や走査信号等の駆動信号を生成する。ただし、実施形態1の液晶表示装置では、駆動回路DRを半導体チップで形成し第1基板SUB1に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板にテープキャリア方式やCOFChipOnFilm方式で搭載し、第1基板SUB1に接続させる構成であってもよい。なお、実施形態1の液晶表示装置では、少なくとも表示領域ARの全面に共通電極CTを形成する構成としたが、これに限定されることはなく、例えば、画素毎に独立して形成される共通電極CTに対して、コモン線CLを介して共通信号を入力する構成であってもよい。コンタクト領域の構成図2は本発明の実施形態1の液晶表示装置におけるコンタクト領域の概略構成を説明するための図であり、図2aは第1基板に形成されるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図2bは図2aのD-D’線での断面図である。ただし、図2a及び図2bにおいては、それぞれ図中の右側D-D’線のD’側が第1基板SUB1の端部に近い側を示している。また、以下の説明では、ガラス基板である第1基板SUB1からのアルカリイオン等の侵入を防止するために第1基板SUB1の表面に形成される下地膜と称される保護膜や、液晶分子の初期配向方向を制御する配向膜等は省略する。図2aから明らかなように、実施形態1の液晶表示装置では、溝部DCHは透明導電膜CHLの辺部の内で、第1基板SUB1の端部に近い側の辺部を含むようにして形成されている。このとき、溝部DCHのY方向幅が透明導電膜CHLのY方向幅よりも大きく形成されている。さらには、引き回し配線GALは接続孔コンタクトホール,第1の接続孔TH1からY方向に伸延した後に、X方向に伸延する形状となっている。すなわち、溝部DCHと引き回し配線GALとが重畳しないように、引き回し配線GALが溝部DCHの形成領域を迂回する形状としている。このような形状とすることにより、絶縁膜PAS1,PAS2のエッチングで接続孔TH1,TH2を形成する際に、溝部DCHも形成することを可能とし、工程数を増加させることなく溝部DCHを形成する構成としている。この溝部DCHが形成される領域においては、絶縁膜PAS1,PAS2は第1基板SUB1までエッチングされることとなるので、引き回し配線GALが溝部DCHを迂回するような形状としている。また、実施形態1では、走査信号線DCRの伸延方向であるX方向に2つの接続孔TH1,TH2が並列される構成となっており、第1基板SUB1の辺縁部側に近い側に接続孔TH1が形成されている。従って、実施形態1においては、透明導電膜CHLの辺縁部の内で、接続孔TH1と第1基板SUB1の辺縁部との間に形成される図中右側の辺縁部に溝部DCHが形成される。図2bに示すように、実施形態1の液晶表示装置の額縁領域では、第1基板SUB1の上層に引き回し配線GALが形成され、その上層に絶縁膜第1の絶縁膜PAS1が形成される構成となっている。該絶縁膜PAS1の上層には走査信号線DCRが形成され、該走査信号線DCRの上層に絶縁膜第2の絶縁膜PAS2が形成されている。このように、実施形態1では、引き回し配線GALと走査信号線DCRとは絶縁膜PAS1を介して形成される構成となっており、上層側に形成される信号線である走査信号線DCRの上層には、絶縁膜PAS2が形成される構成となっている。また、接続孔コンタクトホール,第2の接続孔TH2は絶縁膜PAS2のみを貫通し走査信号線DCRの表面に至る構成となり、接続孔TH1は絶縁膜PAS1及び絶縁膜PAS2を貫通し引き回し配線GALの表面に至る構成となっている。さらには、溝部DCHは絶縁膜PAS1及び絶縁膜PAS2を貫通し第1基板SUB1の表面に至る構成となっている。溝部DCHが形成される領域においては、エッチングストッパとなる薄膜層が絶縁膜PAS1及び絶縁膜PAS2の何れの下層においても形成されない構成となっているからである。従って、この2つの接続孔TH1,TH2の形成領域を含むようにして形成される透明導電膜CHLは、接続孔TH2の形成領域において走査信号線DCRに電気的に接続され、接続孔TH1の形成領域において引き回し配線GALに電気的に接続され、その結果、走査信号線DCRと引き回し配線GALとが透明導電膜CHLを介して電気的に接続されることとなる。一方、溝部DCHにおいては、透明導電膜CHLの辺縁部が溝部DCHの底部すなわち第1基板SUB1の表面部分に形成されることとなる。その結果、例えば、透明導電膜CHLの溝部DCHから水分等の不純物異物質が侵入した場合であっても、侵入した水分等の不純物は第1基板SUB1と透明導電膜CHLとの間、及び溝部DCHの側壁面と透明導電膜CHLとの間、絶縁膜PAS2と透明導電膜CHLとの間、及び接続孔TH1の側壁面を経た後に、引き回し配線GALの表面に到達するすなわち第1基板SUB1の法線方向の段差を経由することとなるので、引き回し配線GALの表面に到達するまでの距離を大きくできると共に、その形状が複雑となる。従って、透明導電膜CHLの溝部DCHから侵入した水分等の不純物が引き回し配線GALの表面に容易に到達し、該引き回し配線GALを腐食させてしまうことを防止でき、液晶表示装置の信頼性を向上させることが可能となる。また、実施形態1においては、引き回し配線GALの方が走査信号線DCRよりも第1基板SUB1に近い側すなわち下層に積層される構成となっている。このような構成とすることにより、表示領域ARに形成される他の配線層と同一の工程で引き回し配線GALを形成することが可能となる。ただし、走査信号線DCRの方が引き回し配線GALよりも下層に形成される構成であってもよい。特に、実施形態1においては、引き回し配線GALと溝部DCHとが重畳しない構成となっているので、前述と同様の工程で溝部DCHを形成できる。以上説明したように、実施形態1の液晶表示装置では、接続孔TH1と接続孔TH2との内で、第1基板SUB1の辺縁部に近い側の接続孔TH1と辺縁部との間の領域に溝部DCHを形成すると共に、接続孔TH1と接続孔TH2とを介して走査信号線DCRと引き回し配線GALとを電気的に接続する導電性薄膜CHLの辺縁部が溝部DCHの底部すなわち第1基板SUB1の表面に形成される構成としている。従って、第1基板SUB1の辺縁部側における導電性薄膜CHLの辺縁部から接続孔TH1に至る水分等の不純物の侵入経路中に第1基板SUB1の法線方向の段差が形成され、侵入経路の形状を複雑にすることが可能となる。その結果、第1基板SUB1の辺縁部から水分等の不純物が侵入した場合であっても、導電性薄膜CHLとその下層の薄膜との間から侵入した水分等の不純物が接続孔TH1に容易に到達することを防止でき、当該接続孔TH1の形成部分における引き回し配線GALの腐食を防止できるので、コンタクト領域の信頼性を向上させることができ、その結果として、液晶表示装置の信頼性を向上させることができる。また、実施形態1の液晶表示装置では、絶縁膜PAS1,PAS2をエッチングすることにより溝部DCHを形成する構成としているので、第1基板SUB1の表面に形成される薄膜層の膜厚を増加させることなく、透明導電膜CHLの形成面に第1基板SUB1の表面の法線方向すなわち薄膜層の積層方向への段差を形成できるという効果も得られる。なお、実施形態1の液晶表示装置においては、透明導電膜CHLのY方向幅よりも溝部DCHのY方向幅が大きい構成としたが、これに限定されることはなく、溝部DCHのY方向幅が透明導電膜CHLのY方向幅以下であってもよい。実施形態2図3は本発明の実施形態2の表示装置である液晶表示装置におけるコンタクト領域の拡大図であり、図3aは実施形態2の液晶表示装置におけるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図3bは図3aに示すE-E’線での断面図である。ただし、実施形態2の液晶表示装置は、コンタクト領域の構成を除く他の構成は実施形態1と同様の構成となる。従って、以下の説明では、コンタクト領域の構成について詳細に説明する。図3aから明らかなように、実施形態2の液晶表示装置では、従来と同様に、引き回し配線GALは走査信号線DCRの伸延方向X方向と同一の方向に伸延される構成になっており、特に、図3a中の左側端部である表示領域側端部は接続孔TH2を超えて表示領域側に伸延されている。また、実施形態2の液晶表示装置では、溝部DCHは引き回し配線GALと重畳する位置に形成されると共に、該溝部DCHと重畳する領域にバリヤ層BALが形成される構成となっている。また、実施形態2の液晶表示装置では、透明導電膜CHLのY方向幅よりも溝部DCHのY方向幅が小さい構成となっており、第1基板SUB1の辺縁部に近い側の透明導電膜CHLの辺縁部が溝部DCHのX方向の形成領域内に位置する構成となっている。また、溝部DCHと重畳する領域にはバリヤ層BALが形成されており、該バリヤ層BALは引き回し配線GALとも重畳するように形成されている。特に、実施形態2の構成においては、バリヤ層BALは溝部DCHを形成する際のエッチングストッパとして機能する薄膜層となるので、その平面的な大きさは溝部DCHのX方向及びY方向の何れに対しても大きく形成されている。図3bに示すように、実施形態2の液晶表示装置においては、第1基板SUB1の辺縁部側の上面側に引き回し配線GALが形成され、その上層に絶縁膜PAS1が形成される構成となっている。該絶縁膜PAS2の上層に走査信号線DCRが形成されると共に、溝部DCHが形成される領域の絶縁膜PAS2の上層にはバリヤ層BALが形成される構成となっている。このとき、実施形態2においては引き回し配線GALの端部と走査信号線DCRの端部とが重畳しているが、引き回し配線GALと走査信号線DCRとは絶縁膜PAS1を介して重畳する構成となっているので、直接的には接続されない構成となる。ただし、バリヤ層BALを形成する薄膜材料としては、絶縁膜PAS1,PAS2のエッチングストッパとして機能すると共に、水分等の不純物による腐食や液晶へ不純物等を放出しない薄膜物質を用いることが可能であり、例えば、導電性薄膜CHLを形成するITO等を用いることが可能であるが、ITOに限定されることはなく、絶縁膜PAS1,PAS2をエッチングする際のエッチングストッパとしても機能する他の薄膜材料であってもよい。走査信号線DCR及びバリヤ層BAL等の上層には絶縁膜PAS2が形成されており、この絶縁膜PAS2の上層に透明導電膜CHLが形成される構成となっている。このとき、実施形態2においても、絶縁膜PAS2に形成され走査信号線DCRにまで貫通する接続孔TH2と絶縁膜PAS2から絶縁膜PAS1を貫通し引き回し配線GALに至る接続孔TH1及び絶縁膜PAS2を貫通しバリヤ層BALに至る溝部DCHが形成されている。従って、実施形態1と同様に、走査信号線DCRと引き回し配線GALとは透明導電膜CHLを介して電気的に接続される。さらには、第1基板SUB1の辺縁部に近い側に位置する透明導電膜CHLの辺縁部の内で、接続孔TH1に近い辺縁部すなわち溝部DCHと重畳する辺縁部は、溝部DCHの底部である絶縁膜PAS2から露出されたバリヤ層BALの表面に位置することとなる。一方、透明導電膜CHLの辺縁部の内で、溝部DCHと重畳しない辺縁部は、従来と同様に、絶縁膜PAS2の表面に形成されることとなる。このように、実施形態2の液晶表示装置においても、接続孔TH1に近い透明導電膜CHLの辺縁部は、溝部DCHの底部に位置することとなるので、実施形態1と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態2の液晶表示装置においては、接続孔TH1,TH2を形成する工程において溝部DCHも形成する構成となっているので、実施形態2ではバリヤ層BALを設けることにより、溝部DCHの形成のエッチングにより絶縁膜PAS2のみをエッチングし、その下層の絶縁膜PAS1をエッチングしない構成としている。このような構成とすることにより、溝部DCHが形成される領域すなわち溝部DCHと引き回し配線GALとが重畳して形成することを可能としている。その結果、溝部DCHを形成することによるY方向への引き回し配線GALの迂回等をすることなく、溝部DCHの形成に伴うコンタクト領域のY方向への拡大を防止できるという格別の効果を得ることができる。なお、実施形態2においては、溝部DCHのY方向幅よりも透明導電膜CHLのY方向幅を大きく形成する構成としたが、これに限定されることはなく、溝部DCHのY方向幅が透明導電膜CHLのY方向幅以上であってもよい。また、走査信号線DCRの端部と引き回し配線GALの端部とを絶縁膜PAS1を介してX方向に重畳する構成としたが、これに限定されることはなく、例えば、実施形態1に示すように、その先端部がX方向に重畳されない構成であってもよい。実施形態3図4は本発明の実施形態3の表示装置である液晶表示装置におけるコンタクト領域の構成を説明するための図であり、図4aは実施形態3の液晶表示装置におけるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図4bは図4aに示すF-F’線での断面図である。実施形態3の液晶表示装置は、溝部DCHの構成が異なるのみで、他の構成は実施形態2の液晶表示装置と同様となる。従って、以下の説明では、溝部DCHの構成について詳細に説明する。図4aから明らかなように、実施形態3の液晶表示装置では、溝部DCHと重畳するバリヤ層BALが形成されない構成となっている。すなわち、実施形態3の液晶表示装置では、バリヤ層BALを形成することなく、引き回し配線GALと重畳する領域を含む溝部DCHを絶縁膜PAS1,PAS2に形成する構成となっている。すなわち、図4bに示すように、実施形態3の液晶表示装置においては、絶縁膜PAS1,PAS2をエッチングして接続孔TH1,TH2及び溝部DCHを形成する際に、例えば、周知のハーフトーンエッチング技術を用い、絶縁膜PAS1,PAS2の途中でエッチングを終了させることにより、溝部DCHの底面に絶縁膜PAS1を残す構成としている。このような構成とすることにより、第1基板SUB1の辺縁部に近い側に位置する透明導電膜CHLの辺縁部の内で、接続孔TH1に近い辺縁部すなわち溝部DCHと重畳する辺縁部は、溝部DCHの底部である絶縁膜PAS2から露出された絶縁膜PAS1の表面に位置する構成となる。一方、透明導電膜CHLの辺縁部の内で、溝部DCHと重畳しない辺縁部は、従来と同様に、絶縁膜PAS2の表面に形成されることとなる。従って、実施形態3の構成であっても、接続孔TH1に近い透明導電膜CHLの辺縁部は、溝部DCHの底部に位置することとなるので、実施形態2と同様の効果を得ることができる。また、実施形態3の液晶表示装置では、バリヤ層を設けない構成としているので、バリヤ層を形成する工程をなくすことができるという格別の効果を得ることができる。なお、実施形態3においても、溝部DCHのY方向幅よりも透明導電膜CHLのY方向幅が大きい構成としたが、これに限定されることはなく、溝部DCHのY方向幅が透明導電膜CHLのY方向幅以上であってもよい。また、走査信号線DCRの端部と引き回し配線GALの端部とを絶縁膜PAS1を介してX方向に重畳する構成としたが、これに限定されることはなく、例えば、実施形態1に示すように、その先端部がX方向に重畳されない構成であってもよい。さらには、図4bに示すように、絶縁膜PAS2のみをエッチングして溝部DCHを形成する構成としたが、絶縁膜PAS2の途中又は絶縁膜PAS1の途中まで絶縁膜PAS1、PAS2をエッチングし溝部DCHを形成する構成であってもよい。実施形態4図5は本発明の実施形態4の表示装置である液晶表示装置におけるコンタクト領域の概略構成を説明するための図であり、特に、図5aは実施形態4の液晶表示装置におけるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図5bは図5aに示すG-G’線での断面図である。ただし、実施形態4の液晶表示装置は、走査信号線DCRの構成及び溝部DCHの構成を除く他の構成は実施形態2の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、走査信号線DCR及び溝部DCHの構成について詳細に説明する。図5aから明らかなように、実施形態4の液晶表示装置では、走査信号線DCRの配線幅Y方向幅が引き回し配線GALの配線幅Y方向幅よりも大きく形成されると共に、その伸延方向X方向の端部がコンタクト領域CHを超えて引き回し配線GALの形成側図中右側に伸延される構成となっている。すなわち、実施形態4の走査信号線DCRは、コンタクト領域CHの一端側に形成されるバリヤ層BAL及び溝部DCHを超えて、引き回し配線GALが形成される額縁領域側に突出されるように形成されている。このとき、実施形態4においても、絶縁膜PAS1を介して引き回し配線GALの上層に走査信号線DCRが配置される構成となっている。従って、引き回し配線GALと走査信号線DCRとが重畳する領域の内で、絶縁膜PAS1,PAS2を貫通し引き回し配線GALに至る接続孔TH1が形成される領域には、走査信号線DCRが形成されない開口部OP1が形成されている。このような構成とすることにより、接続孔TH1,TH2を同一の工程で形成する際に、引き回し配線GALの上層に配置される走査信号線DCRがエッチングストッパとなることを防止している。すなわち、接続孔TH1,TH2を同一工程で形成可能としている。また、実施形態4においては、バリヤ層BALのX方向幅は溝部DCHのX方向幅よりも大きく形成されている。また、バリヤ層BALのY方向幅は下層に形成される走査信号線DCRの配線幅よりも大きく、透明導電膜CHLのY方向幅よりも小さく形成されている。さらには、溝部DCHのY方向幅は透明導電膜CHLのY方向幅よりも大きく形成されている。このような構成とすることにより、図5bに示すように、実施形態4の液晶表示装置においては、絶縁膜PAS2を貫通し走査信号線DCRに至る接続孔TH2、及び絶縁膜PAS1,PAS2を貫通し引き回し配線GALに至る接続孔TH1を介して透明導電膜CHLが走査信号線DCRと引き回し配線GALとを電気的に接続する。一方、透明導電膜CHLの端部が形成される一辺であり、図中右側の溝部DCHが形成される領域の内で、走査信号線DCR及び引き回し配線GAL並びにバリヤ層BALが形成される領域では、図5bのG’側図中右側に示すように、絶縁膜PAS1の上層に走査信号線DCRの先端部が形成され、その上層にバリヤ層BAL及び絶縁膜PAS2が形成されている。この絶縁膜PAS2には、当該絶縁膜PAS2を貫通しバリヤ層BALに至る溝部DCHが形成され、この溝部DCHから露出するバリヤ層BALの表面すなわち溝部DCHの底面部分に透明導電膜CHLの端部すなわち透明導電膜CHLの辺縁部が位置する構成となっている。一方、溝部DCHの形成領域の内で、バリヤ層BALと重畳しない領域では、溝部DCHは前述する実施形態1と同様に、絶縁膜PAS1,PAS2を貫通し第1基板SUB1に至る構成となる。従って、溝部DCHと重畳する透明導電膜CHLの辺縁部の内で、バリヤ層BALと重畳しない辺縁部は、実施形態1と同様に、第1基板SUB1の表面に形成されることとなる。このように、実施形態4の液晶表示装置では、接続孔TH1に近い透明導電膜CHLの辺縁部は、溝部DCHの底部に形成されると共に、溝部DCHと重畳する位置にバリヤ層BALを形成する構成としているので、実施形態2と同様の効果を得ることができる。なお、実施形態4においては、透明導電膜CHLのY方向幅よりも溝部DCHのY方向幅が大きい構成としたが、これに限定されることはなく、透明導電膜CHLのY方向幅が溝部DCHのY方向幅以上であってもよい。実施形態5図6は本発明の実施形態5の表示装置である液晶表示装置の概略構成を説明するための図であり、特に、図6aは実施形態5の液晶表示装置におけるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図6bは図6aに示すH-H’線での断面図である。ただし、実施形態5の液晶表示装置は、バリヤ層BAL及び溝部DCHの構成を除く他の構成は実施形態2の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、溝部DCH及びバリヤ層BALの構成について詳細に説明する。図6aに示すように、実施形態5の液晶表示装置は、接続孔TH1,TH2の周囲に環状の四角形に形成された溝部DCHが配置され、第1基板SUB1の面内方向に対して溝部DCHで接続孔TH1,TH2を囲む構成となっている。すなわち、実施形態5では、走査信号線DCRの上層に形成される絶縁膜PAS2に島状の領域を形成し、該島状に領域内に接続孔TH1,TH2を形成する構成としている。なお、溝部DCHの形状は四角形に限定されることはなく、円形等の他の形状であってもよい。このような構成からなる実施形態5の液晶表示装置では、走査信号線DCRと引き回し配線GALとの内で上層側である走査信号線DCRの上層にバリヤ層BALが形成される構成となっている。このとき、バリヤ層BALも環状の四角形に形成されており、接続孔TH1,TH2が形成される領域に開口部OP3が形成され、当該バリヤ層BALの形成領域内に重畳するようにして、溝部DCHが形成されている。すなわち、バリヤ層BALの外周側の辺縁部外縁部のY方向幅が溝部DCHの外縁部のY方向幅よりも大きく、且つバリヤ層BALの外縁部のX方向幅が溝部DCHの外縁部X方向幅よりも大きく形成されている。また、バリヤ層BALは内周側の辺縁部内縁部すなわち開口部OP3のY方向幅が溝部DCHの内縁部開口部OP2のY方向幅よりも小さく形成され、且つバリヤ層BALの内縁部すなわち開口部OP3のX方向幅が溝部DCHの内縁部すなわち開口部OP2のX方向幅よりも小さく形成されている。さらには、実施形態5においては、透明導電膜CHLの辺縁部が溝部DCHの領域内に形成される構成となっている。すなわち、透明導電膜CHLのY方向幅が溝部DCHの外縁部のY方向幅よりも小さく、且つ溝部DCHの内縁部のY方向幅よりも大きく形成されると共に、透明導電膜CHLのX方向幅が溝部DCHの外縁部のX方向幅よりも小さく、且つ溝部DCHの内縁部のX方向幅よりも大きく形成されている。このとき、実施形態5の液晶表示装置では、図6bに示すように、絶縁膜PAS1の上層に走査信号線DCRを形成した後にバリヤ層BALを形成し、該バリヤ層BALの上層に絶縁膜PAS2を形成する構成となっている。次に、絶縁膜PAS2に接続孔TH1,TH2及び溝部DCHを形成することにより、走査信号線DCRと溝部DCHとが重畳して当該溝部DCHが形成される領域では、図中左側H側に示すように、絶縁膜PAS2を貫通して走査信号線DCRの上面のバリヤ層BALに至る溝部DCHが形成される。また、走査信号線DCRと溝部DCHとが重畳する領域を除く溝部DCHの形成領域においては、図中右側H’側に示すように、絶縁膜PAS2を貫通しバリヤ層BALに至る溝部DCHが形成されることとなる。その結果、接続孔TH1,TH2を介して走査信号線DCRと引き回し配線GALとを電気的に接続する透明導電膜CHLは、島状に形成された絶縁膜PAS2の上層に形成されると共に、その辺縁部はバリヤ層BALの表面すなわち溝部DCHの底面に配置される。以上説明したように、実施形態5の液晶表示装置では、透明導電膜CHLの辺縁部は、接続孔TH1,TH2を囲む環状の溝部DCHの底部に形成される。従って、第1基板SUB1の辺縁部に近い側に位置する透明導電膜CHLの辺縁部から接続孔TH1に到達するまでの不純物の侵入経路を含む透明導電膜CHLの辺縁部から接続孔TH1,TH2に到達するまでの不純物の侵入経路中に第1基板SUB1の法線方向の段差が形成され、不純物の侵入経路の形状を複雑にすることが可能となる。その結果、第1基板SUB1の辺縁部から水分等の不純物が侵入した場合であっても、導電性薄膜CHLとその下層の薄膜との間から侵入した水分等の不純物が接続孔TH1,TH2に容易に到達することを防止でき、接続孔TH1,TH2の形成部分における引き回し配線GALの腐食を防止できるので、コンタクト領域CHの信頼性を更に向上させることができ、その結果として、液晶表示装置の信頼性も更に向上させることが可能となる。また、本実施形態5の液晶表示装置においても、接続孔TH1,TH2を形成する工程において溝部DCHも形成する構成となっているので、実施形態5ではバリヤ層BALを設けることにより、溝部DCHの形成のエッチングにより絶縁膜PAS2のみをエッチングし、その下層の走査信号線DCRを露出させない構成としている。従って、溝部DCHが形成される領域の内で走査信号線DCR及び引き回し配線GALと溝部DCHとが重畳して形成することが可能となるので、実施形態2と同様に、溝部DCHを形成することによるY方向への引き回し配線GALの迂回等をなくし、溝部DCHの形成に伴うコンタクト領域のY方向への拡大を防止できる。なお、実施形態5の液晶表示装置においては、環状のバリヤ層BALを形成することにより、絶縁膜PAS1をエッチングしない構成としたが、これに限定されることはない。例えば、透明導電膜CHLの4つの辺縁部に形成される溝部DCHの内で、信号線である走査信号線DCR及び引き回し配線GALと交差する2つの辺縁部に形成される溝部DCHに重畳してバリヤ層BALを設ける構成であってもよい。この場合には、バリヤ層BALが形成されない領域においては、溝部DCHは絶縁膜PAS1,PAS2を貫通して第1基板SUB1に至る構成となり、透明導電膜CHLの辺縁部は第1基板SUB1の表面に位置することとなる。実施形態6図7は本発明の実施形態6の表示装置である液晶表示装置の概略構成を説明するための図であり、特に、図7aは実施形態6の液晶表示装置におけるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図7bは図7aに示すJ-J’線での断面図である。また、図8は図7aに示すK-K’線での断面図である。ただし、実施形態6の液晶表示装置は、溝部DCHの構成を除く他の構成は実施形態2の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、溝部DCHの構成について詳細に説明する。図7aに示すように、実施形態6の液晶表示装置は、第1基板SUB1の面内方向において、上層側に配置される信号線である走査信号線DCRの側が開口されるC字型U字型の溝部DCHを有する構成となっている。すなわち、実施形態6の液晶表示装置では、透明導電膜CHLの4つの辺縁部の内で、第1基板SUB1の辺縁部から最も遠い側の辺縁部を除く透明導電膜CHLの3つの辺縁部に溝部DCHが形成される構成となっている。この構成からなる溝部DCHには、信号線である引き回し配線GALと交差する個所である図中右側J’側において、実施形態4と同様に、溝部DCHのX方向幅よりも大きい幅のバリヤ層BALが形成され、該バリヤ層BALに重畳して、溝部DCHが形成されると共に、バリヤ層BALに重畳して引き回し配線GALが形成されている。このような構成とすることにより、図7bに示すように、引き回し配線GALが形成される領域においては、実施形態4と同様に、当該引き回し配線GALの上層に形成される絶縁膜PAS1を残して絶縁膜PAS2のみがエッチングされる構成となっている。すなわち、絶縁膜PAS2を貫通した溝部DCHがバリヤ層BALに至り、バリヤ層BALの上面が露出され、この露出されたバリヤ層BALの上面に透明導電膜CHLの辺縁部が配置される構成となっている。一方、引き回し配線GALが形成されない個所に形成される溝部DCHすなわち図中上側と下側の溝部DCHでは、図8に示すように、バリヤ層BALが絶縁膜PAS1の上層に形成されない構成となっているので、接続孔TH1,TH2と共に溝部DCHを形成する際のエッチングにより絶縁膜PAS1,PAS2が共にエッチングされることとなる。従って、溝部DCHは絶縁膜PAS1,PAS2を貫通し第1基板SUB1に至る構成となる。その結果、透明導電膜CHLの辺縁部は溝部DCHから露出される第1基板SUB1の表面すなわち溝部DCHの底面部に位置することとなる。このように、実施形態6の液晶表示装置では、接続孔TH1,TH2を介して走査信号線DCRと引き回し配線GALとを電気的に接続する透明導電膜CHLの4つの辺部の内で、第1基板SUB1の辺縁部から最も遠い辺縁部を除く他の3つの辺縁部は、バリヤ層BALの表面又は第1基板SUB1の表面すなわち溝部DCHの底面に形成される構成となっているので、実施形態2の効果に加えて、実施形態2の溝部DCHの形成個所を迂回して透明導電膜CHLの図中上側及び下側の辺縁部から侵入する不純物も防止できるという格別の効果を得ることができ、コンタクト領域及び液晶表示装置の信頼性を更に向上できる。実施形態7図9は本発明の実施形態7の表示装置である液晶表示装置における走査信号線と引き回し配線との位置関係を示した図であり、図10は本発明の実施形態7の液晶表示装置におけるコンタクト領域の概略構成を説明するための図である。特に、図10aは第1基板に形成されるコンタクト領域図9中のC部を拡大した平面図であり、図10bは図10aのL-L’線での断面図である。ただし、実施形態7の液晶表示装置は、シールド用の透明導電膜以下、シールド膜SHLと記すを除く構成は実施形態5の液晶表示装置と同様の構成である。従って、以下の説明では、シールド膜SHLについて詳細に説明する。図9に示すように、実施形態7の液晶表示装置では、第1基板SUB1の対向面側すなわち液晶が配置される側に、シールド用の透明導電膜であるシールド膜SHLが形成される構成となっている。このシールド膜SHLは、後に詳述するように、コンタクト領域に形成される透明導電膜と同層、すなわち絶縁膜PAS2の上面に形成され、共通電極と同じ電位の電圧が供給されている。従って、コンタクト領域CHに対応する位置には、シールド膜SHLが形成されない開口部OP4が形成され、コンタクト領域に形成される透明導電膜CHLとシールド膜SHLとの短絡を防止する構成となっている。また、図10aに示すように、斜線で示すシールド膜SHLはコンタクト領域CHの周囲に形成されており、このシールド膜SHLに形成される開口部OP4に実施形態7のコンタクト領域CHが形成される構成となっている。すなわち、第1基板SUB1の面内方向に形成される開口部OP4の内側の領域内に、点のハッチングで示す環状の溝部DCHが形成され、該溝部DCHの外縁部と内縁部との間の領域すなわちバリヤ層BALの表面に透明導電膜CHLの辺縁部が位置することとなる。このような構成からなる透明導電膜CHLでは、図10bに示すように、シールド膜SHLの開口部OP4の領域内では、実施形態5と同様に、接続孔TH1,TH2を介して走査信号線DCRと引き回し配線GALとを電気的に接続する透明導電膜CHLは、島状に形成された絶縁膜PAS2の上層に形成されると共に、その辺縁部はバリヤ層BALの表面すなわち溝部DCHの底面に配置される。すなわち、透明導電膜CHLの辺縁部は、接続孔TH1,TH2を囲む環状の溝部DCHの底部に位置することとなるので、実施形態5の液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。さらには、実施形態7の液晶表示装置においては、溝部DCHの底面部に透明導電膜CHLの辺縁部が形成されることにより、第1基板SUB1の面内方向の距離間隔W1を増大させることなく、透明導電膜CHLの辺縁部とシールド膜SHLの開口部OP4の辺縁部との距離W2を大きくすることが可能となる。従って、透明導電膜CHLとシールド膜SHLとの間に印加される電界VEの電界強度を低減させることができるので、透明導電膜CHLとシールド膜SHLとの間の電界強度を小さくすることが可能となる。その結果、透明導電膜CHLの劣化を大幅に低減させることができるという格別の効果を得ることができる。さらには、透明導電膜CHLの劣化に伴う水分等の不純物の侵入を大幅に低減させることが可能となるので、液晶表示装置としての信頼性を更に向上できるという格別の効果を得ることもできる。さらには、平坦化膜として機能する有機材料からなる絶縁膜である有機絶縁膜を絶縁膜PAS2として用いる場合、無機材料からなる絶縁膜を用いることが一般的な絶縁膜PAS1よりも非常に膜厚の大きい厚い絶縁膜PAS2となる。従って、溝部DCHの底面部に透明導電膜CHLの辺縁部を形成することにより、透明導電膜CHLの辺縁部とシールド膜SHLの開口部OP4の辺縁部との間隔W2を大幅に拡大することが可能となるので、信頼性を更に向上させることができる。又は、透明導電膜CHLの辺縁部とシールド膜SHLの開口部OP4の辺縁部との間隔W2を大幅に増大できるので、面内方向の間隔W1を小さくすることも可能となり、コンタクト領域を縮小することも可能となり、信頼性を向上させつつ、額縁領域の幅を小さくする挟額縁化を達成できるという格別の効果を得ることもできる。特に、表示装置を形成する透明基板第1基板SUB1上に形成する薄膜トランジスタTFTは駆動回路等を構成するトランジスタ等よりも駆動電圧が高くなるために、走査信号線DCRに印加される走査信号の電圧も大きくなるので、共通電極と同電位に保持されるシールド膜SHLと走査信号線DCRに印加される走査信号との電圧差も大きくなり、透明導電膜CHLとシールド膜SHLとの間の電位差も大きくなり、電界WEも大きくなり劣化の進行度合いも大きいなものとなるからである。また、実施形態7の液晶表示装置では、溝部DCHの構成として、実施形態5の構成を用いたが、これに限定されることはなく、他の実施形態の溝部DCHの構成であってもよい。この場合においても、第1基板SUB1の辺縁部に一番近い側に配置されることとなる透明導電膜CHLの辺縁部における劣化は防止することが可能となるからである。なお、本実施形態1~7の表示装置では、絶縁膜PAS1,PAS2をエッチングすることにより溝部DCHを形成する構成としたが、これに限定されることはなく、例えば、絶縁膜PAS1,PAS2等の上層又は/及び下層に段差を生じさせるための薄膜層を形成し、絶縁膜PAS2の表面に凹凸部からなる段差を溝部DCHとし、該段差の底面部に透明導電膜CHLの辺縁部を配置する構成であってもよい。特に、絶縁膜PAS2に平坦化膜として機能する有機絶縁膜等を用いないで、無機材料からなる無機絶縁膜を用いる場合には、容易に絶縁膜PAS2の表面に段差を形成できる。また、実施形態1~7の液晶表示装置では、本願発明をコンタクト領域に適用する場合について説明したが、これに限定されることはない。例えば、引き回し配線を多層で形成し、透明導電膜で電気的に接続する場合等にも適用可能である。以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。"