"テクスチャ構造を有する透明電極層と、前記透明電極層上に直接又は間接的に形成され、微結晶シリコン層を含む微結晶シリコン光電変換ユニットと、を備え、前記透明電極層のテクスチャ構造の少なくとも一部の凸部を露出させた状態で凹部を埋めるシリコンを含む埋込層を有することを特徴とする光起電力装置。請求項1に記載の光起電力装置であって、前記埋込層は、n型のシリコン層であることを特徴とする光起電力装置。請求項1又は2に記載の光起電力装置であって、前記埋込層の屈折率は、前記透明電極層の屈折率より高く、前記埋込層上に形成された層より低いことを特徴とする光起電力装置。テクスチャ構造を有する透明電極層上に液体シリコンを塗布し、前記テクスチャ構造の少なくとも一部の凸部を露出させた状態で凹部を埋めるシリコンを含む埋込層を形成する第1の工程と、前記透明電極層及び前記埋込層上に微結晶シリコン層を含む微結晶シリコン光電変換ユニットを直接又は間接的に形成する第2の工程と、を備えることを特徴とする光起電力装置の製造方法。ところで、テクスチャ構造を有する透明電極層上にプラズマ化学気相成長法PECVDによって微結晶シリコン層を形成した場合、テクスチャ構造の凹部から膜厚方向に延びる欠陥が発生することがある。この欠陥は、微結晶シリコン層における発電効率を低下させる原因となると考えられている。そこで、テクスチャ構造の凹部から発生する欠陥を低減できる光起電力装置の構造及び製造方法が望まれている。本発明の1つの態様は、テクスチャ構造を有する透明電極層と、透明電極層上に直接又は間接的に形成され、微結晶シリコン層を含む微結晶シリコン光電変換ユニットと、を備え、透明電極層のテクスチャ構造の少なくとも一部の凸部を露出させた状態で凹部を埋めるシリコンを含む埋込層を有する、光起電力装置である。本発明の1つの態様は、テクスチャ構造を有する透明電極層上に液体シリコンを塗布し、テクスチャ構造の少なくとも一部の凸部を露出させた状態で凹部を埋めるシリコンを含む埋込層を形成する第1の工程と、透明電極層及び埋込層上に微結晶シリコン層を含む微結晶シリコン光電変換ユニットを直接又は間接的に形成する第2の工程と、を備える、光起電力装置の製造方法である。本発明によれば、透明電極層上に形成された微結晶シリコン層の欠陥を低減することができ、光起電力装置の発電効率を高めることができる。本発明の実施の形態における太陽電池100は、図1の断面図に示すように、基板10、透明電極層12、埋込層14、第1光電変換ユニット16、中間層18、第2光電変換ユニット20及び裏面電極層22を含んで構成される。基板10上に透明電極層12を形成する。基板10は、透光性を有する材料とする。基板10は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等とすることができる。透明電極層12は、透光性を有する透明導電膜とする。透明電極層12は、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等に錫Sn、アンチモンSb、フッ素F、アルミニウムAl等をドープした透明導電性酸化物TCOのうち少なくとも一種類又は複数種を組み合わせた膜を用いることができる。透明電極層12は、例えば、スパッタリング法、MOCVD法熱CVDにより形成する。本実施の形態では、透明電極層12の基板10と反対側の表面に凹凸テクスチャ構造を設ける。テクスチャ構造は、透明電極層12の成膜条件によって凹凸の大きさ等を調整することができる。複数の光電変換セルを直列に接続する構造とする場合、透明電極層12に第1のスリットを形成して短冊状にパターニングしてもよい。スリットは、レーザ加工により形成することができる。例えば、波長1064nmのYAGレーザを用いて透明電極層12を短冊状にパターニングすることができる。埋込層14は、透明電極層12のテクスチャ構造の凸部を露出させるように凹部の一部分に埋め込まれる層である。埋込層14は、シリコンを含む材料Si,SiO等から構成することが好適であり、特に埋込層14は、n型のシリコン層とすることが好適である。例えば、埋込層14は、液体シリコンを塗布した後、焼結することにより形成することができる。液体シリコンは、n型ドーパントを含むシクロペンタシランCPS:Si5H10等のポリシランを溶媒に溶かしたものである。焼結温度は、400°C程度とすることが好適である。また、埋込層14は、埋込層14が占める領域が透明電極層12の凹凸表面の2/3以下となるように塗布することが好適である。このような条件で塗布することによって、透明電極層12のテクスチャ構造の凸部を露出させるように埋込層14を凹部に埋め込むことができる。特に、塗布する方法を適用することによって、容易に、透明電極層12のテクスチャ構造の凸部を露出させつつ、凹部の一部分を埋め込むことができる。なお、埋込層14は、断面電子顕微鏡観察断面SEMや断面TEMや二次イオン質量分析SIMSにより存在を確認することができる。埋込層14が形成された透明電極層12上に第1光電変換ユニット16を形成する。本実施の形態では、第1光電変換ユニット16は非晶質アモルファスシリコン太陽電池a-Siユニットとする。第1光電変換ユニット16は、基板10側からp型、i型、n型の順にアモルファスシリコン膜を積層して形成する。第1光電変換ユニット16は、例えば、プラズマ化学気相成長法CVDにより形成することができる。プラズマCVD法は、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。このとき、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うことによって、p型、i型、n型のアモルファスシリコン膜を積層することができる。第1光電変換ユニット16のi層の膜厚は100nm以上500nm以下とすることが好適である。本実施の形態において、i型とは真性の半導体層であり、n型及びp型のドーパント濃度を含んでいたとしても、n型及びp型のドーパント濃度が5×1019/cm3以下の半導体層を意味する。また、p型の半導体層は、ボロンB等のp型のドーパントがドープされ、p型のドーパント濃度が5×1020/cm3以上1×1022/cm3以下であることを意味する。n型の半導体層は、燐P等のn型のドーパントがドープされ、n型のドーパント濃度が5×1020/cm3以上1×1022/cm3以下であることを意味する。第1光電変換ユニット16上に中間層18を形成する。本実施の形態では、中間層18は、酸化シリコンSiOx等の透明導電性酸化物TCOとすることが好適である。特に、マグネシウムMgやリンPがドープされた酸化シリコンSiOxを用いることが好適である。透明導電性酸化物TCOは、プラズマCVD法又はDCスパッタリング法により形成することができる。中間層18の膜厚は、50nm以上200nm以下とすることが好適である。なお、中間層18を設けない構成としてもよい。中間層18上に第2光電変換ユニット20を形成する。本実施の形態では、第2光電変換ユニット20は微結晶シリコン太陽電池μc-Siユニットとする。第2光電変換ユニット20は、基板10側からp型、i型、n型の順に微結晶シリコン膜を積層して形成する。第2光電変換ユニット20は、プラズマCVD法により形成することができる。プラズマCVD法は、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。第2光電変換ユニット20は、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うことによって形成することができる。第2光電変換ユニット20のi層の膜厚は1000nm以上5000nm以下とすることが好適である。複数の光電変換セルを直列に接続する構造とする場合、第2のスリットを形成して短冊状にパターニングする。第2のスリットは、第2光電変換ユニット20,中間層18,第1光電変換ユニット16を貫いて透明電極層12に到達するように形成する。第2のスリットは、例えば、レーザ加工により形成することができる。レーザ加工は、これに限定されるものではないが、波長約532nmYAGレーザの第2高調波を用いて行うことが好適である。第2光電変換ユニット20上に裏面電極層22を形成する。裏面電極層22は、透明導電性酸化物TCOと金属層との組み合わせとすることが好適である。透明導電性酸化物は、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等、又は、これらに不純物をドープしたものが用いられる。例えば、酸化亜鉛ZnOにアルミニウムAlを不純物としてドープしたものが用いられる。透明導電性酸化物は、例えば、スパッタリング法、MOCVD法熱CVDにより形成する。金属層は、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAl等の金属を含む金属層とする。特に、反射率及び導電率の高さから銀Agを用いることが好適である。金属層は、スパッタリング法等により形成することができる。また、金属層は、銀等の酸化を防ぐためにチタンTi等を積層した構造としてもよい。複数の光電変換セルを直列に接続する構造とする場合、裏面電極層22は、第2のスリットに埋め込まれ、第2のスリット内で裏面電極層22と透明電極層12とが電気的に接続される。さらに、裏面電極層22に第3のスリットを形成して短冊状にパターニングする。第3のスリットは、裏面電極層22、第2光電変換ユニット20、中間層18、第1光電変換ユニット16を貫いて透明電極層12に到達するように形成する。第3のスリットは、第1のスリットとの間に第2のスリットを挟む位置に形成する。第3のスリットは、レーザ加工により形成することができる。例えば、第2のスリットの位置から50μm横の位置にYAGレーザを照射して第3のスリットを形成する。さらに、レーザ加工により太陽電池100の周辺に周辺領域と発電領域とを分離する溝を形成してもよい。光起電力装置100の裏面は、封止材によって封止してもよい。エチレンビニルアセテートEVAやポリビニルブチラートPVB等の樹脂を充填層として、充填層を介して封止材により封止する。封止材は、ガラス基板やプラスチックシート等の機械的及び化学的に安定な材料とすることが好ましい。これによって、光起電力装置100の発電層への水分等の浸入を抑制することができる。本実施の形態では、透明電極層12のテクスチャ構造の凹凸において凹部が埋込層14によって埋め込まれ、埋込層14を設けない構造に比べて透明電極層12の凹部が平坦化される。これによって、透明電極層12上に形成される第1光電変換ユニット16、中間層18及び第2光電変換ユニット20は、透明電極層12のテクスチャ構造を承継して成膜される。このとき、透明電極層12のテクスチャ構造は埋込層14によって凹部が平坦化されているので、第2光電変換ユニット20の微結晶シリコン層の成膜時に凹部から生ずる欠陥が低減される。また、埋込層14がシリコン層であるので、その上に積層される微結晶シリコン層との親和性が良好となり、凹部の平坦化効果に加え、さらに欠陥の発生を抑制することができる。さらに、透明電極層12は一般的にn型であるが、埋込層14をn型とすることによって、透明電極層12と埋込層14とが同じn型となることで、微結晶シリコン層と透明電極層12との間の密着性が向上する。また、埋込層14は、透明電極層12のテクスチャ構造の凹凸の凸部を露出するように形成される。したがって、透明電極層12上に形成される第1光電変換ユニット16、中間層18及び第2光電変換ユニット20は、露出した透明電極層12の凸部の結晶性の影響を受けて、従来と同等の膜質を維持することができる。さらに、光起電力装置100への入射光の反射を低減するために、埋込層14の屈折率は、下地層である透明電極層12の屈折率より高く、第2光電変換ユニット20の屈折率より低くすることが好適である。ここで、埋込層14をシリコン層としたことで、透明電極層12のテクスチャ構造をそのまま生かした状態で、透明電極層12との屈折率差を大きくすることができる。また、図2に示すように、中間層18を下地層として、埋込層14を中間層18上に形成してもよい。このとき、埋込層14をシリコン層とした場合、p型のシリコン層とすることが好適である。ここで、埋込層14がシリコン層であるので、その上に積層される微結晶シリコン層との親和性が良好となり、凹部の平坦化効果に加え、さらに欠陥の発生を抑制することができる。さらに、中間層18は一般的にn型であるが、埋込層14をn型とすることによって、中間層18と埋込層14とが同じn型となることで、微結晶シリコン層と中間層18との間の密着性が向上する。さらに、第2光電変換ユニット20への入射光の反射を低減するために、埋込層14の屈折率は、下地層である中間層18の屈折率より高く、第2光電変換ユニット20の屈折率より低くすることが好適である。ここで、埋込層14をシリコン層としたことで、中間層18のテクスチャ構造をそのまま生かした状態で、中間層18との屈折率差を大きくすることができる。以上のように、本実施の形態における光起電力装置100及びその製造方法によれば、微結晶シリコン層における欠陥の発生を抑制でき、発電効率を向上させることができる。なお、本実施の形態ではタンデム型の光起電力装置を例に説明したが、第1光電変換ユニット16を設けず、微結晶シリコン層を含む第2光電変換ユニット20のシングル型の光起電力装置においても同様に埋込層14を適用することができる。"