"内部に空洞部10を備えた円筒状の中央包囲体11と、前記中央包囲体11の外部を取り囲むように配置された外郭体2とからなり、前記空洞部10に存在する物体および前記中央包囲体11自体を電磁波に対してほぼ不可視とする不可視包囲体であって、前記中央包囲体11は、誘電率の異なる複数種類の材料を半径方向に積層した円筒状の積層膜を中心線が共通となるように多数積層したものであり、さらに、前記中央包囲体11は、前記中央包囲体11の中心線からの距離すなわち半径に応じて前記積層膜の各層の誘電率と半径方向の厚さとを調整することにより、前記中央包囲体11各部における誘電率テンソルの各成分の実効的な値を調整されたものである不可視包囲体。請求項1に記載した不可視包囲体であって、前記誘電率テンソルの半径方向成分は、前記中央包囲体11の最内周から最外周にわたり半径に応じて順次増加する値とされ、最外周では前記外郭体2の誘電率よりも小さい所定値となるようにされており、前記誘電率テンソルの前記円周方向成分は、ほぼ一定の値となるようにされたものである不可視包囲体。請求項2に記載した不可視包囲体であって、前記積層膜は、2層からなる2重膜であり、その2層のうちの1層の誘電率を一定値としたものである不可視包囲体。請求項2に記載した不可視包囲体であって、前記積層膜は、3層からなる3重膜であり、3層の誘電率を一定値として、3層の厚さを調整するようにしたものである不可視包囲体。請求項1に記載した不可視包囲体であって、前記誘電率テンソルの半径方向成分は、前記中央包囲体11の最内周から最外周にわたり半径に応じて順次増加する値とされ、最外周では前記外郭体2の誘電率よりも小さい所定値となるようにされており、前記誘電率テンソルの前記円周方向成分は、最内周から最外周にわたり半径に応じて順次減少する値とされたものである不可視包囲体。内部に空洞部10を備えた円筒状の中央包囲体11と、前記中央包囲体11の外部を取り囲むように配置された外郭体2とからなり、前記空洞部10に存在する物体および前記中央包囲体11自体を電磁波に対してほぼ不可視とする不可視包囲体であって、前記中央包囲体11は、透磁率の異なる複数種類の材料を半径方向に積層した円筒状の積層膜を中心線が共通となるように多数積層したものであり、さらに、前記中央包囲体11は、前記中央包囲体11の中心線からの距離すなわち半径に応じて前記積層膜の各層の透磁率と半径方向の厚さとを調整することにより、前記中央包囲体11各部における透磁率テンソルの各成分の実効的な値を調整されたものである不可視包囲体。請求項6に記載した不可視包囲体であって、前記透磁率テンソルの半径方向成分は、前記中央包囲体11の最内周から最外周にわたり半径に応じて順次増加する値とされ、最外周では前記外郭体2の透磁率よりも小さい所定値となるようにされており、前記透磁率テンソルの前記円周方向成分は、ほぼ一定の値となるようにされたものである不可視包囲体。請求項7に記載した不可視包囲体であって、前記積層膜は、2層からなる2重膜であり、その2層のうちの1層の透磁率を一定値としたものである不可視包囲体。請求項7に記載した不可視包囲体であって、前記積層膜は、3層からなる3重膜であり、3層の透磁率を一定値として、3層の厚さを調整するようにしたものである不可視包囲体。請求項6に記載した不可視包囲体であって、前記透磁率テンソルの半径方向成分は、前記中央包囲体11の最内周から最外周にわたり半径に応じて順次増加する値とされ、最外周では前記外郭体2の透磁率よりも小さい所定値となるようにされており、前記透磁率テンソルの前記円周方向成分は、最内周から最外周にわたり半径に応じて順次減少する値となるようにされたものである不可視包囲体。請求項1~10のいずれか1項に記載した不可視包囲体であって、前記外郭体2は均質材料からなるものである不可視包囲体。非特許文献1に記載された不可視包囲体は、金属のスプリットリング共振器を利用した人工磁性体によって構成されている。そして、不可視特性を示す周波数は、スプリットリング共振器の共振周波数の近傍である。このため、不可視特性を示す周波数が共振周波数近傍のごく限られた範囲になってしまうという問題点があった。すなわち、不可視特性を示す周波数の帯域が非常に狭いものとなってしまう。また、金属による損失が共振周波数の近傍において大きく現れてしまい、不可視包囲体の損失も大きくなってしまうという問題点があった。不可視包囲体の損失が大きくなると、それだけ不可視特性も損なわれてしまうことになる。そこで、本発明は、共振現象を利用した媒質や複雑な構造のメタマテリアルを使用せず、通常媒質材料による簡単な構造体によって不可視包囲体を構成し、従来よりも大幅に広範囲の帯域において不可視特性を実現することのできる広帯域および低損失の不可視包囲体を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の不可視包囲体は、内部に空洞部を備えた円筒状の中央包囲体と、前記中央包囲体の外部を取り囲むように配置された外郭体とからなり、前記空洞部に存在する物体および前記中央包囲体自体を電磁波に対してほぼ不可視とする不可視包囲体であって、前記中央包囲体は、誘電率の異なる複数種類の材料を半径方向に積層した円筒状の積層膜を中心線が共通となるように多数積層したものであり、さらに、前記中央包囲体は、前記中央包囲体の中心線からの距離すなわち半径に応じて前記積層膜の各層の誘電率と半径方向の厚さとを調整することにより、前記中央包囲体各部における誘電率テンソルの各成分の実効的な値を調整されたものである。また、上記の不可視包囲体において、前記誘電率テンソルの半径方向成分は、前記中央包囲体の最内周から最外周にわたり半径に応じて順次増加する値とし、最外周では前記外郭体の誘電率よりも小さい所定値となるようにし、前記誘電率テンソルの前記円周方向成分は、ほぼ一定の値とすることにより、不可視特性を実現することができる。また、上記の不可視包囲体において、前記積層膜は、2層からなる2重膜として、その2層のうちの1層の誘電率を一定値とすることができる。また、上記の不可視包囲体において、前記積層膜は、3層からなる3重膜として、3層の誘電率を一定値とすることができる。そして、3層の厚さを調整することにより誘電率分布を実現する。また、上記の不可視包囲体において、前記誘電率テンソルの半径方向成分は、前記中央包囲体の最内周から最外周にわたり半径に応じて順次増加する値とし、最外周では前記外郭体の誘電率よりも小さい所定値となるようにし、前記誘電率テンソルの前記円周方向成分は、最内周から最外周にわたり半径に応じて順次減少する値とすることにより、不可視特性を実現することができる。また、本発明の不可視包囲体は、内部に空洞部を備えた円筒状の中央包囲体と、前記中央包囲体の外部を取り囲むように配置された外郭体とからなり、前記空洞部に存在する物体および前記中央包囲体自体を電磁波に対してほぼ不可視とする不可視包囲体であって、前記中央包囲体は、透磁率の異なる複数種類の材料を半径方向に積層した円筒状の積層膜を中心線が共通となるように多数積層したものであり、さらに、前記中央包囲体は、前記中央包囲体の中心線からの距離すなわち半径に応じて前記積層膜の各層の透磁率と半径方向の厚さとを調整することにより、前記中央包囲体各部における透磁率テンソルの各成分の実効的な値を調整されたものである。また、上記の不可視包囲体において、前記透磁率テンソルの半径方向成分は、前記中央包囲体の最内周から最外周にわたり半径に応じて順次増加する値とし、最外周では前記外郭体の透磁率よりも小さい所定値となるようにし、前記透磁率テンソルの前記円周方向成分は、ほぼ一定の値とすることにより、不可視特性を実現することができる。また、上記の不可視包囲体において、前記積層膜は、2層からなる2重膜として、その2層のうちの1層の透磁率を一定値とすることができる。また、上記の不可視包囲体において、前記積層膜は、3層からなる3重膜として、3層の透磁率を一定値とすることができる。そして、3層の厚さを調整することにより透磁率分布を実現する。また、上記の不可視包囲体において、前記透磁率テンソルの半径方向成分は、前記中央包囲体の最内周から最外周にわたり半径に応じて順次増加する値とし、最外周では前記外郭体の透磁率よりも小さい所定値となるようにし、前記透磁率テンソルの前記円周方向成分は、最内周から最外周にわたり半径に応じて順次減少する値とすることにより、不可視特性を実現することができる。また、上記の不可視包囲体において、前記外郭体は均質材料からなるものであることが好ましい。本発明は、以上のように構成されているので、以下のような効果を奏する。共振現象を利用した媒質や複雑な構造のメタマテリアルを使用せず、通常媒質材料による簡単な構造体によって不可視包囲体を構成することができる。このような不可視包囲体では、共振現象を利用していないため、従来よりも大幅に広い帯域において不可視特性を実現することができる。また、共振現象による損失もないので低損失とすることができ、広帯域および低損失の不可視包囲体を実現することができる。まず、本発明の理論的根拠について説明する。動径r、偏角θ、z軸方向の位置zによる円筒座標系r,θ,zにおいて、0≦r≦bなる領域をa≦r ́≦bなる環状の領域r ́,θ ́,z ́に変換するには、次の数1による座標変換を行えばよい。この座標変換により、誘電率テンソルおよび透磁率テンソルの各要素は以下の数2のようになる。ただし、数式の表示を簡素化するために、座標系r ́,θ ́,z ́を改めて座標系r,θ,zと置き直した。なお、添字はその座標方向の要素を示しており、各要素は比誘電率および比透磁率で表されている。上記の数2で表される媒質による環状領域は完全な不可視特性を有する。しかし、数2で表される媒質は、誘電率テンソルおよび透磁率テンソルの要素の中の半径rに依存して変化する要素の数が多いため、それらの要素の値を実現するのが難しくなる。いま、簡単のため入射波の磁界の方向はz軸方向とする。このとき、電磁波の伝搬にはμz、εrおよびεθだけが関係する。いま次の数3で表される分散性を持つ媒質を考える。数3の媒質は、数2の媒質と同じ分散特性を持つ。ただし、この数3の媒質への入射波は完全には無反射とはならず反射波を生じる。このことは、若干の反射を許せば、半径方向の誘電率テンソル成分εrのみの制御で媒質に不可視特性を持たせることが可能であることを示している。すなわち、数3の媒質は、誘電率テンソル成分εrのみを制御して、透過波の軌道を数2の媒質と同じにすることができる。図1に、環状領域の媒質としての不可視包囲体1を示す。不可視包囲体1は、内径2aと外径2bを有する円筒体であり、その中央部に空洞部10が有り、中心軸方向には無限に存在している。不可視包囲体1の中心軸をz軸とし、半径方向をr軸とすると、a≦r≦bの範囲に不可視包囲体1を構成する媒質が存在している。r<aの領域は空洞部10である。不可視包囲体1が完全な不可視特性を有していれば、r<aの空洞部10に存在する物体を完全に隠して不可視とすることができる。実例として、a:b=1:3の場合の不可視包囲体1に必要な誘電率と透磁率を数3から計算した。図2が数3から求めた誘電率と透磁率の理論値である。図2の横軸はr/aの値であり、縦軸は比誘電率および比透磁率で表している。透磁率μzと誘電率εθの値は、不可視包囲体1内部の位置によらず一定の値である。誘電率εrの値はa≦r≦bの範囲で0~約0.45に変化している。数3から、不可視包囲体1の最内周r=aではεr=0、最外周r=3aではεr=4/9となることが分かる。このように誘電率εrの値は、最内周では0、最外周では1より小さい所定値となる。なお、最外周でのεrの値は、数3においてr=bとした場合の値であり、内径と外径との比によって定まるものである。そして、図2に示すような各誘電率透磁率テンソル成分の値を設定できれば、不可視包囲体1に不可視特性を与えることができる。図2の値は数3に基づいて求めたものである。また、不可視包囲体1最内周の誘電率εrの値は、完全に0としなくても十分に小さな値とすればかなり良い不可視特性が得られることが分かっている。ここで、不可視包囲体を通常の媒質によって実現するために、図3のような構造を考える。図3は、本発明の不可視包囲体1aの構成を示す図である。図1の不可視包囲体1に相当する中央包囲体11に対し、その外側に一様な均質材料からなる外郭体2を配置している。中央包囲体11の中央部は空洞部10として形成されている。なお、外郭体2は均質材料ということであるが、通過する電磁波の波長に比べて十分に小さい構造であれば、気泡、スリット等の微細構造が均一に分布していてもよい。外郭体2として十分に大きな誘電率を持つ媒質を配置すると、中央包囲体11の内部の誘電率の分布もそれに比例した値とすることができる。すなわち、図2のような誘電率の分布は中央包囲体11の外界の誘電率に対する比であるとしてもよいので、外郭体2の誘電率を大きくすれば、それに比例して中央包囲体11の内部の誘電率も大きな値でよいことになる。外郭体2の比誘電率をεeとすれば、中央包囲体11内部の誘電率εrは、比εr/εeの値が図2のεrのような分布となればよいのである。外郭体2を配置することにより、中央包囲体11の内部の誘電率は通常の誘電体で実現することができるようになる。図1の不可視包囲体1では、数3の透磁率μzを実現するために磁性材料透磁率μ≠1を用いる必要がある。磁性材料の代わりに非磁性材料透磁率μ=1を用いると外部と不可視包囲体1との境界面での反射が増大してしまう。図3の不可視包囲体1aでは、外郭体2の誘電率を調整することにより外郭体2と中央包囲体11の境界面での反射をなくし、磁性材料を不要とすることができる。具体的には、外郭体2の比誘電率εeをεθ2とすれば整合がとれ、外郭体2と中央包囲体11の境界面での反射がなくなる。すなわち、磁性材料を使用しなくとも、不可視包囲体1aの外郭体2と中央包囲体11の境界面での反射を、磁性材料を用いた図1の不可視包囲体1と同等とすることができる。また、外郭体2を配置しない場合は、包囲体内部の誘電体として、図2に示すように比誘電率が1以下の媒質が必要となり、共振現象を利用したメタマテリアルなどが不可欠となる。本発明の不可視包囲体1aでは、外郭体2を配置することにより、共振現象を利用したメタマテリアルなどが不要となる。共振現象を利用したメタマテリアルは微細な金属パターンやその他の共振構造が必要であり、メタマテリアルの構造が複雑となり製造コストも増加してしまう。本発明では、不可視包囲体を通常の媒質からなる比較的簡単な構造によって実現することができる。次に、中央包囲体11内部の誘電率分布を実現するための構成として、図4および図5に示すような、互いに異なる誘電率を持つ複数の層の積層構造を考える。図4は2種類の誘電体による2層構造の積層膜3であり、図5は3種類の誘電体による3層構造の積層膜4である。ここで、複数の層が積層されている方向を中央包囲体11の半径r方向とし、その半径r方向と直交する方向を偏角θ方向とすれば、図4の2層構造の積層膜3におけるr方向の実効的な誘電率εrとθ方向の実効的な誘電率εθは次の式によって計算できる。d1d2/εr=d1/ε1d2/ε2d1d2εθ=d1ε1d2ε2ただし、積層膜3は、図示のように誘電率ε1,厚さd1の層と誘電率ε2,厚さd2の層が積層されたものである。これにより、誘電率ε1,ε2と厚さd1,d2を変更することにより、誘電率εθを一定値に保ちながら、誘電率εrを変更することが可能である。さらに、一方の誘電率例えば、誘電率ε1が一定値例えば、空気の誘電率であるとしても、誘電率εθを一定値に保ちながら、誘電率εrを変更することが可能である。厚さd1,d2に関しても、さらに条件が加わってもよく、例えば、積層膜3の全体の厚さが一定であるとしてもよい。なお、積層膜3の誘電率ε1,ε2を変更するには、各層を微小な気泡を含む誘電体で構成し、その気泡の密度を変更することにより各層の実効的な誘電率を変更するというような方法が考えられる。気泡の代わりに微細スリットや微小孔としてもよい。また、積層膜3の1層の誘電率は一定値として、残る1層の誘電率だけを変更するようにしてもよい。また、図5の3層構造の積層膜4におけるr方向の実効的な誘電率εrとθ方向の実効的な誘電率εθは以下の式によって計算できる。ただし、積層膜4は、図示のように誘電率ε1,厚さd1の層と誘電率ε2,厚さd2の層と誘電率ε3,厚さd3の層が積層されたものとする。d1d2d3/εr=d1/ε1d2/ε2d3/ε3d1d2d3εθ=d1ε1d2ε2d3ε3これにより、誘電率ε1~ε3と厚さd1~d3を変更することにより、誘電率εθを一定値に保ちながら、誘電率εrを変更することが可能である。3層構造の積層膜4の場合、さらに、全ての層の誘電率を変更せずに厚さd1~d3のみを変更して、誘電率εθを一定値に保ちながら、誘電率εrを変更することが可能である。厚さd1~d3に関しても、さらに条件が加わってもよく、例えば、積層膜4全体の厚さが一定であるとしてもよい。この積層膜4の場合、各層の誘電率を変更せずに、各層の厚さだけを変更することにより、比較的簡単に必要な誘電率分布を実現することができる。各層の厚さだけの変更でよいので、それにより不可視包囲体1aの製造コストを低減させることができる。また、図4および図5に示す積層膜と同様に、さらに多層の積層膜でもそれぞれの層の誘電率と厚さを変更することにより、誘電率εθを一定値に保ちながら、誘電率εrを変更することが可能である。これらの2層構造の積層膜3、3層構造の積層膜4またはさらに多層の積層膜を円筒状に形成して単位円筒とする。図6は、2層構造の積層膜3により形成した単位円筒7を示す斜視図である。単位円筒7として直径および誘電率εrの異なるものを多数作成し、これらの単位円筒7を中心線が一致するように半径方向に積層することにより、中央包囲体11を形成する。図7は、単位円筒7を積層して形成した中央包囲体11を示す斜視図である。このように中央包囲体11を構成すれば、中央包囲体11内部の誘電率として、誘電率εθを一定値に保ちながら、誘電率εrを図2に相当するように変更調整することが可能である。なお、単位円筒7を同心に多数積層する際の、単位円筒7の積層数は少なくとも10以上であることが好ましい。1つの単位円筒7の厚さを薄くして積層数を増加するほど、図2で示すような誘電率εrの分布を正確に近似することができる。単位円筒7の積層数が少なすぎると、誘電率εrの分布の近似が不十分となり、不可視包囲体の不可視特性が悪化することになる。さらに、1つの単位円筒7の厚さは、不可視特性の対象とする電磁波の波長に比べて十分に小さいことが好ましく、実用的には波長の1/10以下であることが好ましい。次に、このような不可視包囲体の不可視特性を数値シミュレーションにより確認してみた。数値シミュレーションは、有限要素法による電磁界シミュレーションを行うコンピュータソフトウェアによって計算したものである。まず、図8に不可視包囲体を使用しない場合の金属棒による電磁波平面波の散乱状態を示す。中央の白い円形部分が金属棒であり、電磁波平面波は図の右側から左方向に入射している。図示のように、後方および前方への散乱波が見られ、それらの散乱波と入射波が干渉して複雑な散乱状態を呈している。次に、図9に金属棒の周囲に不可視包囲体を配置した場合の電磁波の状態を示す。中央の白い円形部分が金属棒であり、金属棒の周囲の多層の環状部分が中央包囲体である。中央包囲体の外側は全て外郭体となっている。図示のように、不可視包囲体を配置した場合には、入射した電磁波平面波にはほとんど乱れがなく、金属棒を通過した後にまた平面波に戻っている。すなわち、この電磁波では金属棒が不可視になっていることを示している。以上に説明した不可視包囲体において、数3および図2に示すような誘電率と透磁率の分布は、入射電磁波の磁界の方向がz軸方向であるという条件があった。すなわち、以上に説明した不可視包囲体は、磁界の方向がz軸方向の入射波に適用でき、その場合に不可視特性を示すものである。ただし、入射波の電界の方向がz軸方向である場合にも、以上に説明した不可視包囲体と同様な手法により、不可視包囲体を構成することができる。入射波の電界の方向がz軸方向である場合は、電磁波の伝搬にはεz、μrおよびμθだけが関係する。また、誘電率および透磁率の分布は、数3および図2に示すような分布に対して誘電率εと透磁率μを交換した分布とすればよい。すなわち、中央包囲体内部のz軸方向の誘電率εzとθ方向の透磁率μθは一定とし、r方向の透磁率μrは内周側から外周側に増加するような分布とすればよい。さらに、図4および図5と同様の、図10および図11のような透磁率に注目した積層膜を考える。図10は透磁率の異なる2種類の磁性体材料による2層構造の積層膜5であり、図11は透磁率の異なる3種類の磁性体材料による3層構造の積層膜6である。ここで、複数の層が積層されている方向を中央包囲体11の半径r方向とし、その半径r方向と直交する方向を偏角θ方向とする。図10の積層膜5は、図示のように透磁率μ1,厚さd1の層と透磁率μ2,厚さd2の層が積層されたものである。この積層膜5におけるr方向の実効的な透磁率μrとθ方向の実効的な透磁率μθは次の式によって計算できる。d1d2/μr=d1/μ1d2/μ2d1d2μθ=d1μ1d2μ2このような積層膜5の透磁率μ1,μ2と厚さd1,d2を変更することにより、透磁率μθを一定値に保ちながら、透磁率μrを変更することが可能である。さらに、一方の透磁率例えば、透磁率μ1が一定値例えば、空気の透磁率であるとしても、透磁率μθを一定値に保ちながら、透磁率μrを変更することが可能である。厚さd1,d2に関しても、さらに条件が加わってもよく、例えば、積層膜3の全体の厚さが一定であるとしてもよい。図11の積層膜6は、透磁率μ1,厚さd1の層と、透磁率μ2,厚さd2の層と、透磁率μ3,厚さd3の層が積層されたものである。このような積層膜6の透磁率μ1,μ2,μ3と厚さd1,d2,d3を変更することにより、透磁率μθを一定値に保ちながら、透磁率μrを変更することが可能である。図11の積層膜6は、図示のように透磁率μ1,厚さd1の層と、透磁率μ2,厚さd2の層と、透磁率μ3,厚さd3の層が積層されたものである。このような3層構造の積層膜6におけるr方向の実効的な透磁率μrとθ方向の実効的な透磁率μθは以下の式によって計算できる。d1d2d3/μr=d1/μ1d2/μ2d3/μ3d1d2d3μθ=d1μ1d2μ2d3μ3積層膜6の透磁率μ1~μ3と厚さd1~d3を変更することにより、透磁率μθを一定値に保ちながら、透磁率μrを変更することが可能である。さらに、全ての層の透磁率を変更せずに厚さd1~d3のみを変更して、透磁率μθを一定値に保ちながら、透磁率μrを変更することが可能である。厚さd1~d3に関しても、さらに条件が加わってもよく、例えば、積層膜6全体の厚さが一定であるとしてもよい。この積層膜6の場合、各層の透磁率を変更せずに、各層の厚さだけを変更することにより、比較的簡単に必要な透磁率分布を実現することができる。各層の厚さだけの変更でよいので、それにより不可視包囲体1aの製造コストを低減させることができる。また、図10および図11に示す積層膜と同様に、さらに多層の積層膜でもそれぞれの層の透磁率と厚さを変更することにより、透磁率μθを一定値に保ちながら、透磁率μrを変更することが可能である。これらの2層構造の積層膜5、3層構造の積層膜6またはさらに多層の積層膜を円筒状に形成して単位円筒とする。さらに、透磁率μrを変更調整した多数の単位円筒から中央包囲体11を形成すれば、中央包囲体11内部の透磁率として、透磁率μθを一定値に保ちながら、透磁率μrを変更調整することが可能である。このような中央包囲体11を使用すれば、入射波の電界の方向がz軸方向である場合の不可視包囲体を構成することができる。次に、本発明の他の実施の形態について説明する。動径r、偏角θ、z軸方向の位置zによる円筒座標系r,θ,zにおいて、0≦r≦bなる領域をa≦r ́≦bなる環状の領域r ́,θ ́,z ́に変換するには、前述の数1による座標変換1次変換以外にも、種々の座標変換が考えられる。例えば、次の数4による座標変換2次変換が可能である。数4による座標変換により、誘電率テンソルおよび透磁率テンソルの各要素は以下の数5のようになる。ただし、数式の表示を簡素化するために、座標系r ́,θ ́,z ́を改めて座標系r,θ,zと置き直した。なお、添字はその座標方向の要素を示しており、各要素は比誘電率および比透磁率で表されている。円筒座標系r,θ,zにおいて、0≦r≦bなる領域をa≦r ́≦bなる環状の領域r ́,θ ́,z ́に変換するには、次の数6による座標変換1/2次変換も可能である。数6による座標変換により、誘電率テンソルおよび透磁率テンソルの各要素は以下の数7のようになる。ただし、数式の表示を簡素化するために、座標系r ́,θ ́,z ́を改めて座標系r,θ,zと置き直した。なお、添字はその座標方向の要素を示しており、各要素は比誘電率および比透磁率で表されている。そして、円筒座標系r,θ,zにおいて、0≦r≦bなる領域をa≦r ́≦bなる環状の領域r ́,θ ́,z ́に変換するには、次の数8による座標変換双曲線変換も可能である。数8による座標変換により、誘電率テンソルおよび透磁率テンソルの各要素は以下の数9のようになる。ただし、数式の表示を簡素化するために、座標系r ́,θ ́,z ́を改めて座標系r,θ,zと置き直した。なお、添字はその座標方向の要素を示しており、各要素は比誘電率および比透磁率で表されている。前述の数2で表される媒質による環状領域が完全な不可視特性を有するのと同様に、上記の数5、数7、数9で表される媒質による環状領域も完全な不可視特性を有する。しかし、数2、数5、数7で表される媒質は、誘電率テンソルおよび透磁率テンソルの要素の中の半径rに依存して変化する要素の数が多いため、それらの要素の値を実現するのが難しくなる。ここで注目すべきは、数9で表される媒質である。数9の媒質では、誘電率εzおよび透磁率μzが半径rの値によらず一定値になっている。数9の媒質の誘電率εr、誘電率εθおよび透磁率μzの分布をグラフにより、他の媒質と比較する。例えば、数2による媒質では、誘電率εr、誘電率εθおよび透磁率μzが図12に示すような分布となる。これに対して、数9による媒質では、誘電率εr、誘電率εθおよび透磁率μzが図13に示すような分布となる。図12および図13は、内径:外径=a:b=1:3の場合である。横軸はr/aの値であり、縦軸は比誘電率および比透磁率で表している。図13では透磁率μzが半径rの値によらず一定値になっている。すなわち、数9の媒質では、入射電磁波の磁界の方向がz軸方向である場合、誘電率εrと誘電率εθを図13に示すような分布となるように半径rに応じて調整すれば、不可視特性を実現できる。中央包囲体内部のz軸方向の透磁率μzは一定とし、θ方向の誘電率εθは内周側から外周側に減少させ、r方向の誘電率εrは内周側から外周側に増加させるような分布とすればよい。数9の媒質を実現するためには、図4、図5に示すような積層膜を利用できる。図4、図5に示す積層膜やさらに多層の積層膜を使用して、それぞれの層の誘電率と厚さを変更することにより、誘電率εθおよび誘電率εrを変更することが可能である。これら積層膜を円筒状に形成して単位円筒とし、多数の単位円筒を積層することにより中央包囲体11を構成する。このようにして、中央包囲体11内部の誘電率εθおよび誘電率εrを図13に相当するように変更調整し、不可視特性を実現することができる。数9の媒質において、入射電磁波の電界の方向がz軸方向である場合、電磁波の伝搬にはεz、μrおよびμθだけが関係する。誘電率および透磁率の分布は、図13に示すような分布に対して誘電率εと透磁率μを交換した分布とすれば不可視特性を実現することができる。すなわち、中央包囲体内部のz軸方向の誘電率εzは一定とし、θ方向の透磁率μθは内周側から外周側に減少させ、r方向の透磁率μrは内周側から外周側に増加させるような分布とすればよい。この場合、図10、図11に示すような積層膜を利用できる。以上のように、本発明の不可視包囲体では、共振現象を利用した媒質や複雑な構造のメタマテリアルを使用せず、通常媒質材料による簡単な構造体によって不可視包囲体を構成することができる。また、そのような構成による不可視特性も電磁界シミュレーションによって確認されている。本発明の不可視包囲体では、共振現象を利用していないため、従来よりも大幅に広い帯域において不可視特性を実現することができる。本発明により、広帯域および低損失の不可視包囲体を提供することができる。そして、このような不可視包囲体によって建築物などを覆うことにより電波障害を防止したり、何らかの構造物を覆うことによりその構造物による電磁波の散乱を防止することができる。なお、本発明の不可視包囲体では、外郭体を設けたことにより外界と外郭体の境界面で電磁波の反射が生じることが考えられる。その場合、外郭体の境界面に多層コーティングのような反射防止処理を施すようにしてもよい。また、液体中や固体中での不可視包囲体の実現には、その液体や固体自体を外郭体とすることもできる。"