"SOG構造体を形成する方法であって、半導体ドナーウェハの注入面にイオン注入処理を施して該半導体ドナーウェハの剥離層を生成する工程と、前記剥離層の前記注入面をガラス基板に接合する工程と、前記半導体ドナーウェハから前記剥離層を分離することによって、前記剥離層の表面のイオン注入によって損傷した層を露出する工程と、を備え、前記露出した損傷した層に酸素プラズマ処理を施すことで前記露出した損傷した層を酸化させて、前記露出した損傷した層の少なくとも一部を酸化物層に変換する工程と、前記酸化物層を剥離することにより、前記損傷した層の少なくとも一部を除去する工程と、を備えることを特徴とする方法。前記酸素プラズマ処理のパラメータが、前記露出した損傷した層の少なくとも一部を酸化させるのに十分であり、且つ、前記半導体剥離層の損傷のない下部の少なくとも一部を酸化されないままにする範囲内のパラメータ、前記露出した損傷した層を、少なくとも前記損傷した層の深さと等しいかまたはそれよりも僅かに大きい深さまで酸化させるのに十分な範囲内のパラメータ、または前記露出した損傷した層を10nm~20nmの範囲内の深さませ酸化させるよう選択されたパラメータ、の1つであることを特徴とする請求項1記載の方法。前記プラズマ処理が、1MHz以下の周波数、1MHz~1kHzの周波数、30kHz以下の周波数、1356MHzの周波数、または30kHzの周波数、の1つで発生されたプラズマ中で行われることを特徴とする請求項2記載の方法。前記プラズマ処理が、1ワット/cm2~50ワット/cm2の範囲内のパワー、0.3mTorr約0.04Pa~300mTorr約40Paの範囲内の圧力、および0.5分~50分の範囲内の時間、の少なくとも1つを用いて直流プラズマゼロ周波数中で行われることを特徴とする請求項3記載の方法。前記半導体ドナーウェハが、窒化ガリウムGaN、シリコンSi、ゲルマニウム添加シリコンSiGe、炭化ケイ素SiC、ゲルマニウムGe、ヒ化ガリウムGaAs、GaPおよびInPからなる群から得られることを特徴とする請求項1記載の方法。酸素プラズマ処理を施すことで酸化させる前記工程および剥離する前記工程の後に、前記損傷した層の一部が前記剥離層上に残り、前記損傷した層の残りの部分に酸素プラズマ処理を施すことで該損傷した層の該残りの部分を酸化させて、前記露出した損傷した層の前記の残りの部分の少なくとも一部を酸化物層に変換する工程と、前記酸化物層を剥離することにより、前記損傷した層の前記残りの部分の少なくとも一部を除去する工程と、を更に備えることを特徴とする請求項1記載の方法。前記損傷した層の前記残りの部分を酸化させる際の前記酸素プラズマ処理のパラメータが、前記損傷した層の前記残りの部分を、少なくとも該損傷した層の該残りの部分の深さと等しいかまたはそれよりも僅かに大きい深さまで酸化させるのに十分な範囲内であることを特徴とする請求項6記載の方法。SOG構造体を形成する方法において、弱化した損傷した層を有するドナー半導体構造体であって、損傷した層と該ドナー半導体構造の接合面との間の剥離層を画成するドナー半導体構造体を設け、前記ドナー半導体構造体の前記接合面を絶縁性支持基板に接合し、前記支持基板に接合された前記剥離層を、前記損傷した層に沿って、前記ドナー半導体構造体から分離することにより、前記分離された剥離層上の、それ自体の下の第1の深さまでの損傷を含む損傷した表面を露出し、前記少なくとも1つの損傷した表面に酸素プラズマ処理を施すことで前記損傷した表面を少なくとも半導体材料の第2の深さまで酸化させ、酸化した層を除去することにより、半導体層から前記損傷した層を除去する、ことを特徴とする方法。上記の理由から、半導体格子構造体に対する損傷を除去または別様で補正するための上述の技術および処理のどれも、SOG構造体の製造に関しては満足なものではない。従って、当該技術分野においては、1イオン注入の際に生じた、転写されたままの半導体層の表面の損傷部分を除去するため、および2転写されたままの半導体層の表面を平滑化即ち仕上げするために、SOI構造体、特にSOG構造体に仕上げを施すための、改良され且つ経済的な処理が必要である。本願明細書において開示される1以上の特徴は、薄膜転写法または他の層形成法を用いて得られた剥離された半導体層のイオン注入によって損傷した表面部分または層の除去を含む。損傷した層は、半導体層を支持するガラス基板を劣化または別様で損傷させないよう除去される。本願明細書において開示される1以上の実施形態によれば、SOG構造体を形成する方法は、転写されたままの半導体膜に酸素プラズマ処理を施すことで、剥離された半導体層のイオン注入によって損傷した層、領域または部分を酸化させ、次に、酸化した層を、フッ化水素酸溶液等を用いた湿式浴中で剥離することにより、転写されたままの剥離された半導体層の損傷部分を除去することを含む。本願の一実施形態によれば、SOG構造体を形成する方法は、半導体ドナーウェハの注入面にイオン注入処理を施して該半導体ドナーウェハの剥離層を生成する工程と、剥離層の注入面をガラス基板またはガラスセラミック基板に接合する工程と、半導体ドナーウェハから剥離層を分離することによって、剥離層上の、粗い、イオン注入によって損傷した表面層を露出する工程と、粗い損傷した表面層に酸素プラズマ処理を施すことで損傷した表面層を酸化させて、損傷した層を酸化物層に変換する工程と、酸化物層を剥離することにより、損傷した層を除去し、ガラス基板またはガラスセラミック基板に接合された剥離層上に平滑化された仕上がり面を残す工程とを含み得る。剥離層は、1回の酸化/剥離工程または複数回の酸化/剥離工程若しくはサイクルにおいて、実質的に所望の最終的な厚さまたは仕上がり厚さまで剥離層を薄くするのに十分な深さまで、酸化および剥離され得る。剥離層は、1回の酸化/剥離工程で、損傷した層全体を除去するのに十分な深さまで、酸化および剥離され得る。或いは、損傷した層を少しずつ除去するために、複数回の酸化/剥離工程若しくはサイクルが用いられてもよい。酸素プラズマ処理のパラメータは、少なくとも1つの劈開面に最も近い剥離層の上部を酸化させるのに十分であり且つ少なくとも1つの劈開面より遠い半導体材料の下部を酸化させない範囲内である。酸素プラズマ処理は、1MHz以下の周波数、1MHz~1kHzの周波数、または約30kHz以下の周波数で発生されたプラズマ中で行われ得る。半導体ドナーウェハは、シリコンSi、ゲルマニウム添加シリコンSiGe、炭化ケイ素SiC、ゲルマニウムGe、ヒ化ガリウムGaAs、窒化ガリウムGaN、GaPまたはInPで形成され得る。本願の他の実施形態によれば、SOG構造体を形成する方法であって、半導体ドナーウェハの注入面にイオン注入処理を施して該半導体ドナーウェハの剥離層を生成する工程と、剥離層の注入面をガラス基板に接合する工程と、半導体ドナーウェハから剥離層を分離することによって、剥離層の表面のイオン注入によって損傷した層を露出する工程とを備え、露出した損傷した層に酸素プラズマ処理を施すことで露出した損傷した層を酸化させて、露出した損傷した層の少なくとも一部を酸化物層に変換する工程と、酸化物層を剥離することにより、損傷した層の少なくとも一部を除去する工程とを備えることを特長とする方法が提供される。酸素プラズマ処理のパラメータは、露出した損傷した層の少なくとも一部を酸化させるのに十分であり、且つ、半導体剥離層の損傷のない下部の少なくとも一部を酸化されないままにする範囲内のパラメータ、露出した損傷した層を、少なくとも損傷した層の深さと等しいかまたはそれよりも僅かに大きい深さまで酸化させるのに十分な範囲内のパラメータ、または露出した損傷した層を約10nm~約20nmの範囲内の深さませ酸化させるよう選択されたパラメータの1つであり得る。プラズマ処理は、1MHz以下の周波数、1MHz~1kHzの周波数、約30kHz以下の周波数、約1356MHzの周波数、または約30kHzの周波数の1つで発生されたプラズマ中で行われ得る。プラズマ処理は、約1ワット/cm2~約50ワット/cm2の範囲内のパワー、約0.3mTorr約0.04Pa~約300mTorr約40Paの範囲内の圧力、および約0.5分~約50分の範囲内の時間の少なくとも1つを用いて直流プラズマゼロ周波数中で行われ得る。半導体ドナーウェハは、窒化ガリウムGaN、シリコンSi、ゲルマニウム添加シリコンSiGe、炭化ケイ素SiC、ゲルマニウムGe、ヒ化ガリウムGaAs、GaPおよびInPからなる群から選択される材料で形成され得る。酸素プラズマ処理を施すことで酸化させる工程および剥離する工程の後に、損傷した層の一部が剥離層上に残ってもよく、本処理は、損傷した層の残りの部分に酸素プラズマ処理を施すことで該損傷した層の残りの部分を酸化させて、露出した損傷した層の残りの部分の少なくとも一部を酸化物層に変換する工程と、酸化物層を剥離することにより、損傷した層の残りの部分の少なくとも一部を除去する工程とを更に含み得る。損傷した層の残りの部分を酸化させる際の酸素プラズマ処理のパラメータは、損傷した層の残りの部分を、少なくとも該損傷した層の該残りの部分の深さと等しいかまたはそれよりも僅かに大きい深さまで酸化させるのに十分な範囲内であり得る。本願の他の実施形態によれば、損傷した層とドナーウェハの接合面との間の剥離層を画成する弱化した損傷した層を有するドナー半導体構造体を設ける工程と、ドナー半導体構造体の接合面を絶縁性支持基板に接合する工程と、支持基板に接合された剥離層を、損傷した層に沿って、ドナー半導体構造体から分離することにより、分離された剥離層上の損傷した表面を露出する工程であって、該損傷した表面は、該損傷した表面の下の第1の深さまでの損傷を含む工程と、少なくとも1つの損傷した表面に酸素プラズマ処理を施すことで損傷した表面を少なくとも半導体材料の第2の深さまで酸化させる工程と、酸化物層を除去することにより、半導体層から損傷した層を除去する工程とを含む方法が提供される。絶縁性支持基板はガラス基板またはガラスセラミック基板である。他の態様、特徴、長所等は、添付の図面と併せて本願明細書の説明を読めば、当業者には自明である。添付の図面は更なる理解を提供するために含まれるものであり、本願明細書に組み込まれ、その一部を構成する。図面は1以上の実施形態を示しており、記載と共に、様々な実施形態の原理および作用を説明するものである。本願明細書において開示される特徴、態様および実施形態は、SiOGsilicononglass構造体およびSiOG構造体の製造に関して論じられ得るが、本開示は必ずしもSiOG構造体に限定されないことが当業者には理解されよう。実際に、本願明細書において開示される保護可能な最も広い特徴および態様は、ガラス支持基板またはガラスセラミック支持基板上に半導体材料の薄膜を転写および接合してSOGsemiconductoronglass構造体を製造するために薄膜転写または他の技術が用いられる任意のプロセスに適用可能である。しかし、プレゼンテーションを容易にするために、本願明細書の開示は、主にSiOG構造体の製造に関してなされる。本願明細書において具体的にSiOG構造体を参照するのは、開示される実施形態の説明を容易にするためであり、特許請求の範囲をSiOG基板に限定することは意図せず、そのように解釈されるべきではない。SiOG基板の製造について記載されるプロセスは、他のSOG基板や、絶縁体基板がシリコンウェハ等の別の半導体基板であるSOIsemiconductoroninsulator基板の製造にも等しく適用可能である。本願明細書において用いられるSOI、SiOGおよびSOGの略称は、SOG構造体だけでなく、単結晶シリコンオンシリコンSOI構造体を含むがそれに限定されないSOI構造体一般を指すものと見なされるべきである。図面を参照すると図面中、同一参照番号は同一要素を示す、図1には、本願明細書において開示される1以上の実施形態によるSOG構造体100が模式的に示されている。SOG構造体100は、ガラス基板102と、半導体層104とを含み得る。SOG構造体100は、例えば、有機発光ダイオードOLEDディスプレイや液晶ディスプレイLCDを含むディスプレイ用途の薄膜トランジスタTFT、集積回路、光起電力デバイス、太陽電池、熱電デバイス等の製造に関連する適切な用途を有する。層104の半導体材料は、実質的に単結晶の材料の形態であり得る。この実質的にという用語は、半導体材料は通常、本質的にまたは故意に加えられた少なくとも幾分の格子欠陥等の内部欠陥または表面欠陥を含むという事実を考慮して、層104を説明するために用いられるものである。この実質的にという用語は、特定のドーパントが、半導体材料の結晶構造を変形させ得るまたは別様で影響し得るという事実も反映している。議論の目的で、ここでは、半導体層104はシリコンで構成されるものとする。しかし、半導体材料はシリコン系半導体または他の任意のタイプの半導体例えばIII-V族、II-IV族、II-IV-V族等の半導体であってもよいことを理解されたい。一例として、SiOG構造体または基板を製造するためのドナーウェハまたは基板120として用いるために、通常の丸い300mmの最高級シリコンウェハが選択され得る。ドナーウェハは、<001>の結晶配向と8~12オーム/cmの抵抗率とを有し、Cz法で成長された、p型のボロンドープウェハであり得る。結晶起源粒子COPは膜転写処理を妨げ得る、またはトランジスタの動作を乱し得るので、COPの無いウェハが選択され得る。或いは、MEMC製の標準的な300mmサイズの、ボロン濃度が10E15cm-3~10E16cm-3である低ドープp型ウェハである、OptiaタイプPerfectSilicon商標MagicDenudedZone商標が用いられ得る。ウェハへのドーピングのタイプおよびレベルは、SiOG基板上に作られる最終的なトランジスタにおいて望ましい閾値電圧が得られるよう選択され得る。経済的なSiOGの大量生産を可能にするので、入手可能な最大ウェハサイズである300mmが選択され得る。最初の丸いウェハから、180×230mmの矩形のドナーウェハまたはドナータイルが切り出され得る。ドナータイルのエッジは、エッジの形状を整えてSEMI標準エッジ形状と同様の丸いまたは面取りされた形状を得るために、研磨ツール、レーザ、または他の公知の技術を用いて処理され得る。他の必要な加工工程例えば、角の面取りまたは丸み付け、および表面研磨等も行われ得る。そのようなドナーウェハ基板またはタイルは、本願の更なる実施形態による矩形のSOG構造体を製造するためにも用いられ得る。或いは、ドナーウェハを丸いウェハのままにして、丸い半導体膜/剥離層を正方形の若しくは丸いガラス若しくはガラスセラミック基板に転写するために用いてもよい。本願の原出願と同時に出願された同時係属のSiliconOnGlassSubstrateWithStiffeningLayerandProcessofMakingtheSameという名称の米国特許出願シリアル番号第12/827,582号明細書に記載されているように、ドナーウェハの接合面には、必要に応じて補剛膜をコーティングしてもよい。ガラス基板102は、ガラス、ガラスセラミック、酸化物ガラスまたは酸化物ガラスセラミックで構成され得る。これは必要ではないが、本願明細書に記載される実施形態は、約1,000°C未満の歪み点を示す酸化物ガラスまたはガラスセラミックを含み得る。ガラス製造技術の分野の慣行であるように、歪み点は、ガラスまたはガラスセラミックが1014.6ポワズ1013.6Pasの粘土を有する温度である。酸化物ガラスと酸化物ガラスセラミックとのどちらかといえば、ガラスの方が、製造が簡単であり、従って、より広く入手可能で、より安価であるという長所を有し得る。一例として、ガラス基板は、コーニング社CorningIncorporatedガラス組成番号1737で作られた第2世代サイズの基板、コーニング社Eagle2000商標ガラス、またはコーニング社EagleXG商標ガラス等の、アルカリ土類イオンを含有するガラスで構成され得る。これらのコーニング社のフュージョン法によって形成されたガラスは、例えば、液晶ディスプレイの製造に特に用途を有する。更に、これらのガラスの低い表面粗さこれは、ガラス上に液晶ディスプレイのバックプレーンを製造するのに必要であるも、本願明細書に記載される効果的な接合のために有利である。また、Eagleガラスは、シリコン剥離/デバイス層に悪影響を与え得る重金属や他の不純物ヒ素、アンチモン、バリウム等を含まない。ポリシリコン薄膜トランジスタを有するフラットパネルディスプレイを製造するために設計された、コーニング社登録商標のEagleガラスは、シリコンの熱膨張係数CTEと実質的に一致する注意深く調節されたCTEを有する例えば、Eagleガラスは400°Cにおいて3.18×10-6C-1のCTEを有し、シリコンは400°Cにおいて3.2538×10-6のCTEを有する。また、Eagleガラスは、666°Cという比較的高い歪み点を有し、これは、剥離をトリガーするのに必要な温度一般的に500°C前後よりも高い。これらの二つの特徴、例えば、剥離温度を耐える能力およびシリコンと一致したCTEにより、コーニング社のEagleガラスは、シリコン層の転写および接合のための基板として良好な選択肢である。ガラス基板102は、約0.1mm~約10mmの範囲内例えば、約0.5mm~約3mmの範囲内の厚さを有し得る。一般的に、ガラス基板102は、接合処理工程およびそれに続いてSiOG構造体100に対して行われる処理を通して半導体層104を支持するのに十分な厚さを有するべきである。ガラス基板102の厚さに対する理論的な上限は無いが、ガラス基板102の厚さが厚いほど、SOG構造体100の形成における処理工程の少なくとも一部を達成するのが困難になるので、支持機能に必要な厚さまたは最終的なSOG構造体100に所望される厚さを超える厚さは有利でない。ガラス基板は矩形の形状であり得、ガラスの接合面上に配列される複数のドナーウェハを保持するのに十分な大きさを有し得る。この場合には、単一の板ガラスの表面に配列された複数のドナーウェハを含む少なくとも1つのドナーウェハ-ガラスアセンブリが、膜転写用の炉/ボンダー内に配置され得る。ドナーウェハは、丸い半導体ドナーウェハであってもよく、または、矩形の半導体ドナーウェハ/タイルであってもよい。得られるSOG製品は、単一の板ガラスに複数の丸いまたは矩形のシリコン膜が接合されたものとなる。次に、図2~図7を参照すると、本発明の1以上の態様による、図1のSOG構造体100を製造するプロセスの実行中に形成され得る、構造体の中間体が模式的に示されている。まず図2を参照すると、半導体ドナーウェハ120の注入面121を、ガラス基板またはガラスセラミック基板102への接合に適した比較的平坦で均一な注入面121とするために、注入面121が研磨、洗浄等によって整えられる。接合の準備においては、ドナーウェハ120の接合面121は、まず、塵埃および汚染物質を除去するために洗浄され、活性化される。ドナーウェハの洗浄は、ドナーウェハをRCA溶液中で処理して乾燥させることによって達成され得る。活性化とは、ドナーウェハの表面に吸着したヒドロキシ基と更に吸着した水分子とを形成することであり、これは接合面にプラズマ処理を施すことによって達成され得る。議論の目的で、半導体ドナーウェハ120は実質的に単結晶のSiウェハであり得るが、上述したように、他の任意の適切な半導体導電材料が用いられてよい。支持基板として用いられる板ガラス102または他の材料の基板も、接合の準備において、塵埃および汚染物質を除去するために洗浄され、活性化される。ドナーウェハ120の接合面121へのガラス102の接合を強化するために、ガラスを洗浄し、ガラスの表面を親水性にし、ガラスの表面をヒドロキシ基で終端させる即ち、ガラスの表面を活性化するために、湿式アンモニア処理が用いられ得る。次に、板ガラスは脱イオン水中ですすがれ、乾燥され得る。ドナーウェハおよびガラスまたは他の材料の支持基板のための適切な洗浄液および活性化液の処方の仕方、並びにそれらの手順は、当業者には理解されよう。注入面121に1以上のイオン注入処理を施して、半導体ドナーウェハ120の注入面121の下に弱化した領域または層123を生じることにより、ドナーウェハ120に剥離層122が生成される。本発明の実施形態は、剥離層122を形成するどの特定の方法にも限定されないが、シリコンドナーウェハ120内に損傷/弱化したゾーンまたは層123を形成するために、水素イオン例えばHおよび/またはH2イオンが図2の矢印で示されるようにドナーウェハ120の接合面121の所望の深さまで注入され得る。弱化した層123を形成するために、ドナーウェハの接合面121へのヘリウムイオンおよび水素イオンの同時注入を用いてもよい。これにより、ドナーウェハ120の弱化した層123と接合面121との間に剥離層122が画成される。当該技術分野においてよく理解されているように、イオン注入のエネルギーおよび密度は、剥離層122の所望の厚さを達成するよう例えば約300~500nmであるが、任意の合理的な厚さが達成され得る、且つ、ドナーウェハの接合面上に存在しうる任意の更なる層例えば酸化物バリアまたはSi3N4補剛層に対応するよう調節され得る。転写膜の所望の厚さ例えば注入の深さに適した注入エネルギーは、SRIMシミュレーションツールを用いて算出できる。例えば、60keVのエネルギーで100nmのSi3N4バリア層を介してドナーウェハ120に注入されたH2イオンは、Si3N4バリア層を含む剥離層122を形成する。注入されたイオン種の性質に関わらず、剥離層122に対する注入の効果は、結晶格子内の原子をそれらの通常の位置から変位させることである。格子内の原子にイオンが当たると、原子はその位置から押し出され、一次欠陥、即ち空孔および格子間原子これはフレンケル対と称されるが生じる。注入が室温付近で行われた場合には、一次欠陥の成分が移動し、多くのタイプの二次欠陥空孔クラスタ等を生じる。空孔クラスタは900°Cを超える温度でアニールされ得るが、上述のように、注入に起因する損傷をアニールで完全に直すには、剥離層122を半導体材料の融解温度に近づく温度まで加熱しなければならず、それによって後で製造プロセスに投入されるガラス基板102が反ったり、更には溶融したりする。アニールを、例えば600°C等のより低い温度で行った場合には、剥離層122は依然として、上述の空孔クラスタや他の不純物-空孔クラスタ等の欠陥を含んだままである。これらのタイプの欠陥の大半は電気的に活性であり、半導体格子内の主要なキャリアに対するトラップとして作用する。従って、注入後の欠陥が存在すると、剥離層122中の自由キャリアの濃度が低くなる。欠陥がある半導体材料の電気的抵抗率も、欠陥がない半導体材料と比較して悪化する。注入に起因する欠陥を除去するための処理については後述する。次に図3を参照すると、剥離層122の接合面121その上にバリア層142があるは、次に、ガラス支持基板102に仮接合される。ガラスおよびドナーウェハの仮接合は、特に矩形のドナーウェハまたはタイルの場合には、まず、ガラスおよびドナーウェハを一方のエッジにおいて接触させることにより、該一方のエッジにおいて接合波を生じさせ、その接合波をドナーウェハおよび支持基板をわたって伝搬させることで、空隙の無い仮接合を確立することにより達成されてもよい。或いは、仮接合は、ガラス基板とドナータイルまたはウェハとを所望の点において合わせ、それらが接触している所望の点に圧力を加えて接合波を生じさせることによって行ってもよい。接合波は、約10~20秒のうちに接触面全体をわたって進む。従って、得られる構造体の中間体は、半導体ドナーウェハ120の剥離層122、ドナーウェハ120の残りの部分124、およびガラス支持基板102を含むスタックである。次に、電解処理本願明細書においては陽極接合処理とも呼ぶを用いて、中間体アセンブリを加熱しながら、図3においておよび-の符号で示されるように、中間体アセンブリに電圧を印加することにより、ガラス基板102を剥離層122に接合してもよい。或いは、接合は、スマートカット熱接合処理等の熱接合処理によって達成される。適切な陽極接合処理の原理は、特許文献2その全開示を本明細書に参照として組み込むに見出され得る。この処理の一部を以下に述べる。適切なスマートカット接合処理の原理は、特許文献1その全開示を本明細書に参照として組み込むに見出され得る。本願明細書において開示される一実施形態によれば、仮接合されたガラス-ドナーウェハアセンブリは、接合および膜転写/剥離用の炉/ボンダー内に配置される。剥離後にドナーウェハの残りの部分が新たに転写された剥離層上に滑って、ガラス基板102上に新たに生成されたシリコン膜122を傷付けるのを防止するために、ガラス-ドナーウェハアセンブリは、炉またはボンダー内に水平に配置され得る。ガラス-ドナーウェハアセンブリは、シリコンドナーウェハ120がガラス支持基板102の下向きの面に接するようにして、炉内に配置されてもよい。このように配置すると、剥離層122の剥離または劈開後、シリコンドナーウェハの残りの部分124は、新たに剥離および転写された剥離層122から単純に落ち去ることが可能になり得る。このようにして、ガラス上に新たに生成されたシリコン膜剥離層の傷付きが防止され得る。或いは、ガラス-ドナーウェハアセンブリを、ドナーウェハがガラス基板の上になるようにして、炉内に水平に配置してもよい。この場合には、ガラス上の新たに剥離されたシリコン膜122の傷付きを回避するために、ドナーウェハの残りの部分124をガラス基板から注意深く持ち上げなければならない。仮接合されたガラス-シリコンアセンブリが炉内に入れられたら、第1の加熱工程において、例えば、炉は100~200°Cまで加熱され、約1時間にわたってその温度に維持され得る。この第1の加熱工程により、シリコンとガラスとの接合強度が高まり、よって最終的には層転写の歩留まりが向上する。次に、第2の加熱工程において、剥離を生じさせるために、温度は、約10°C/分のゆっくりとした速度で600°Cの高温まで上昇され得る。温度の上昇速度が速過ぎると、機械的応力を生じる温度勾配となる。応力は、SiOG基板に、峡谷状の溝や板の反り等の様々な欠陥を生じ得る。温度が約300~500°Cに達すると、剥離層122は半導体ドナーウェハ120の残りの部分124から分離、即ち剥離する。その結果、半導体ドナーウェハ120の半導体材料からなる比較的薄い剥離層122がガラス基板102に接合されたSOG構造体100となる。分離は、熱応力による剥離層122の破砕によって達成され得る。或いは、またはそれに加えて、分離を容易にするために、水ジェット切断等の機械的応力、局所的な加熱、または化学的エッチングが用いられてもよい。一例として、第2の加熱工程中の温度は、ガラス基板102の歪み点±約350°Cの範囲内、より具体的には歪み点に対して約-250°C~0°Cの範囲内、および/または歪み点に対して約-100°C~-50°Cの範囲内である。そのような温度は、ガラスのタイプに応じて、約500~600°Cの範囲内であり得る。当業者であれば、本願明細書に記載されるような、また、例えば、特許文献2および特許文献1、並びに米国特許出願公開第2007/0246450号明細書および第2007/0249139号明細書に記載されているような、剥離のための炉による処理を適切に設計できる。剥離後、新たに形成されたSOG基板100およびドナーウェハまたはタイルの残りの部分は、必要に応じて、例えば、温度を約600°Cまで高めて、基板100を不活性雰囲気中で約12時間にわたって熱処理することによりアニールされ得る。このアニール工程において、注入に起因する欠陥が部分的にアニールされる。全ての欠陥をアニールすることは不可能である。欠陥の一部は600°Cを超える温度でも安定であり、一方、Eagleガラスや他のガラスは高々約600°Cまでの温度しか耐えられない。アニールされない欠陥は一般的に電気的に活性であり、SiOG構造体の電気的特性に悪影響を与える。また、このアニール工程において、シリコンドナーウェハおよび剥離層から水素が完全に除去される。このようにして得られたSiOG基板100上のSi膜は、バルクシリコンタイルそこから膜が剥離されたの電気的特性に近い電気的特性を有し得る。炉は冷却され、SiOG基板およびドナータイルの残りの部分が炉から出される。本願の一実施形態によれば、陽極接合が用いられ得る。陽極接合の場合には、第2の加熱工程において、図3の矢印並びにおよび-で示されるように電圧電位が中間体アセンブリに印加される。例えば、陽電極を半導体ドナーウェハ120と接触させて配置し、陰電極をガラス基板102と接触させて配置する。第2の加熱工程において、上昇させた接合温度でスタックに電圧電位を印加することにより、ドナーウェハ120に隣接したガラス基板102中のアルカリ、アルカリ土類イオンまたはアルカリ金属イオン修飾イオンが、半導体/ガラス界面から離れる方向に更にガラス基板102の中へと移動する。より具体的には、ガラス基板102の実質的に全ての修飾イオンを含む陽イオンが、半導体ドナーウェハ120の高い電圧電位から離れる方向に移動して、1剥離層122に隣接したガラス基板102中の低減されたまたは元のガラス136/102と比較して比較的低い陽イオン濃度の層132と、2陽イオン濃度が低減された層に隣接するガラス基板102中の高められたまたは元のガラス136/102と比較して比較的高い陽イオン濃度の層134とを形成し、3ガラス基板102の残りの部分136のイオン濃度は変わらないままになる例えば、残りの層136のイオン濃度は元のバルクガラス基板102と同じである。ガラス支持基板中の陽イオン濃度が低減された層132は、酸化物ガラスまたは酸化物ガラスセラミックから剥離層122への陽イオンの移動を防止することによってバリア機能を果たす。次に図4を参照すると、中間体アセンブリが十分な時間例えば約1時間にわたって上記の温度、圧力および電圧条件下に保持された後、電圧が除かれ、中間体アセンブリは室温まで冷却される。ドナーウェハ120の残りの部分124が剥離層122から除去され、ガラス基板102に接合された剥離層が残る。その結果、例えば、半導体材料の比較的薄い剥離層または膜122がガラス基板102に接合されたSOG構造体または基板100となる。図5に示されるように、剥離層122をドナーウェハの残りの部分124から分離した後、得られたSOG構造体100は、ガラス基板102と、そこに接合された半導体材料の剥離層122とを含む。剥離の直後の、SOI構造体の転写されたままの劈開面または剥離面125は、一般的に、図4~図6の点線125で模式的に示されるような過度の表面粗さと、過度のシリコン層の厚さとを示す。構造体の中間体の転写されたままの剥離層122は、2つの層122A、122Bを含む。粗い劈開面125に最も近い第1の粗い損傷部分または層122Aは、上述したようにイオン注入および層転写/剥離処理の結果である注入に起因する欠陥および損傷並びに分離に起因する欠陥および損傷を含み、この損傷は、転写されたままのシリコン層122の表面の下の第1の損傷深さまで延在する。損傷部分122Aの下の、第2の損傷のない部分または層122Bには、注入に起因するいかなる欠陥も実質的に無い。第1の層122A内の最も高い欠陥濃度は、転写されたままの剥離面125に最も近いと予測される。30keVのエネルギーでの1回の水素注入を用いた薄膜転写法で得られた、転写されたままのSi剥離層または膜122の損傷した層122Aの透過電子顕微鏡TEM解析からは、損傷した層122Aの厚さが約20nm~約100nmの範囲内例えば約70nmであることがわかる。水素注入エネルギーが高いほど、損傷した層122Aは厚くなり、注入エネルギーが低いほど、損傷した層122Aは薄くなる。ヘリウムイオンおよび水素イオンの同時注入技術が用いられた場合の方が、水素イオン注入のみが用いられた場合よりも、損傷した層122Aは薄くなる。水素イオンおよびヘリウムイオンの同時注入を用いて形成された損傷した層122Aの厚さは、一般的に、約10nm~約20nmの範囲内である。原子間力顕微鏡法AFMを用いて確認できるように、転写されたままの膜の表面は、一般的に、かなりの粗さ例えば、約10nmRMSの粗さを有する。表面粗さは、膜転写処理条件に応じて10nmより低くも高くもなり得るが、一般的には、SOG構造体100上に更に半導体デバイスを効果的に製造するには望ましくないほど高い。次に図6を参照すると、本願の一実施形態によれば、転写されたままの剥離層/膜122の粗い表面125は、酸素プラズマで処理される。酸素プラズマ処理により、転写されたままの層122の損傷した層122Aの表面に近い領域が酸化され、SiO2犠牲層に変換される。プラズマ酸化処理は、反応性イオンエッチングRIEタイプのプラズマエッチング構成において行うことができる。このタイプのツールでは、SOG基板はほぼ室温に留められつつ、プラズマ酸化される。この場合、SOG基板には熱に起因する応力が存在しないので、SiOG基板には有益である。必要に応じて、プラズマ酸化は、処理された基板の制御された加熱を生じることができるPECVDツールを用いて行われ得る。PECVDツールを用いれば、ガラス基板をガラス材料が耐えられる温度例えば約600°Cまで加熱しつつ、高温でプラズマ酸化を行うことができる。高温におけるプラズマ酸化では、酸化物をより速く成長させることができ、スループットを高めることができる。RF、マイクロ波、および他のタイプのプラズマ装置および処理も同様に用いられ得る。Siまたは半導体剥離層の所望の厚さを、損傷した層122A全体の除去に十分な深さまたは厚さのシリコン酸化物層に変換するのに必要な、適切なプラズマ装置および条件例えば、プラズマのパワー、処理時間、酸素流、およびチャンバ内の圧力等は、当業者であればルーチン実験によって選択できる。本願の一実施形態による仕上げ処理は、シリコン剥離層122の表面近くの領域少なくとも剥離層122の第1の損傷した層122Aと同一の広がりを持つ領域または第1の損傷した層122Aの下方の領域を酸化させることで、転写されたままの半導体剥離層122の損傷した層122A全体を酸化物犠牲層122Aに変換するのに十分な、酸素プラズマ処理プロセスを、シリコン剥離層122の転写されたままの表面125に施すことを含み得る。その後、SOG基板100をフッ化水素酸HF、または他の適切な酸若しくはエッチング液に浸漬することにより、図7に示されるように、酸化物犠牲層および以前に損傷したSi層122A全体が剥離される。このように、1回の酸素プラズマ酸化処理および酸化物層剥離サイクルにおいて、損傷した層122Aが剥離層122の表面125から効果的に除去される。その下にあるSi層122Bは、材料除去を正しい深さで例えば、Si層122Bの表面で止めるためのエッチングストップとして作用する。浴内の適切なHF濃度または他の酸若しくはエッチング液の濃度、およびエッチング時間は、当業者であれば適切に選択できる。酸化物の剥離後、SiOG基板は洗浄され、処理が完了する。処理されたSiOG基板には、シリコン膜の損傷部分は無く、転写されたシリコン膜表面の粗さは改善されている。処理されたSiOG基板のAFM解析は、RMS粗さおよび最高最低差の粗さの両方が改善されたことを示した。1回のプラズマ酸化および剥離サイクルで損傷した層122A全体の除去を達成することは、HイオンおよびHeイオンの同時注入の場合にのみ可能である。HイオンおよびHeイオンの同時注入により、約10nm~約20nmの範囲内の深さを有する損傷した層122Aが生じる。1回のプラズマ酸化工程で損傷した層122A全体が酸化されるように、プラズマ処理条件は、酸化されたSiO2層の厚さまたは深さが、転写されたままのシリコン膜の損傷した層122Aの厚さ即ち、約10nm~約20nmの厚さと等しいかまたはそれよりも僅かに大きくなるよう選択され得る。酸化されるべき正しい厚さを決定するために、例えば、透過型電子顕微鏡を用いる等の適切な技術を用いて、まず、損傷したシリコンの厚さが測定され得る。損傷した層122Aの深さ全体をSiO2犠牲層148に変換するために、SOG基板100の剥離面125は、低周波プラズマで処理され得る。本願の一実施形態によれば、酸素プラズマ処理によって、剥離面の損傷した表面を損傷した層を完全に除去するために必要な約10nm~約20nm厚の深さまで酸化および変換するには、kHzの範囲内の比較的低い周波数で酸素プラズマを発生させる。この深さの酸化を達成するには、酸素プラズマは、1MHz以下の周波数、1kHz~1MHzの周波数、約13.56MHzの周波数、または約30kHzの周波数で発生され得る。しかし、酸素プラズマ処理が行われる場所によっては、法律によって、この範囲内の周波数の一部のみしか許可されていない場合があり得る。例えば米国では、MHzの範囲内では13.56MHzのプラズマのみが合法的に使用し得るものであり、低い周波数のkHzの範囲内即ち、低周波では、幾つかの許可されている周波数の1つは30kHzである。米国では、DCプラズマ、即ちゼロ周波数プラズマも許容されている。プラズマは、約1ワット/cm2~約50ワット/cm2の範囲内のパワーを用いて、約0.3mTorr約0.04Pa~約300mTorr約40Paの圧力範囲内で、約0.5分~約50分の時間にわたって発生され得る。プラズマ発生のための安全且つ適法な周波数の選択方法は、当業者であれば理解されよう。剥離層122の転写されたままの表面125を適切な深さまで酸化/変換するための適切なプラズマ条件は、当業者であれば適切に選択できる。適切な深さは、図8~図10に示されるものと類似の較正曲線を用いて選択され得る。図8~図10は、3つの主なプラズマ処理パラメータの関数としての、シリコン膜の表面の変換された酸化物層の厚さについての較正曲線を示している。図8は、プラズマ処理時間単位:秒の関数としての、剥離されたままのシリコン膜の表面において得られる変換/酸化された層の厚さ単位:ナノメートルについての較正曲線である。図8は、シリコン膜の酸化層の厚さ単位:ナノメートルが、プラズマ処理時間と共に単調に増加することを示している。図9および図10は、それぞれ、プラズマチャンバ内における、プラズマ圧力の関数としての酸化層の厚さについての較正曲線、およびプラズマのパワーの関数としての酸化層の厚さについての較正曲線である。図8~図10の較正曲線は、30kHzプラズマ発生器を有するプラズマツールを用いて得られたものである。励起タイプの異なる様々なプラズマツール例えばDC発生器、13.56MHz発生器、またはマイクロ波発生器等についての適切な較正曲線は、当業者であれば容易に得ることができる。図11は、本願の一実施形態による処理における酸化成長キネティクスを示すグラフである。図11のグラフは、シリコンのプラズマ酸化およびその応用についての報告SemicondSciTechnol8bySTaylorJFZhangandWEccleston14261433に記載されている、プラズマ中での処理時間に対する酸化物の厚さを示すものである。図11からわかるように、プラズマ酸化によって、10nm~1マイクロメートルの酸化層厚を得ることができる。転写されたままのシリコン膜の損傷部分122Aの厚さは、一般的に、10nm~100nmの範囲内である。図11のグラフで示されるように、一般的な転写されたままのシリコン膜の損傷部分122Aを完全に酸化できるプラズマ処理条件がある。水素イオンの注入時に形成された、転写されたシリコン膜122の表面の損傷部分または層122Aの厚さは、一般的に、20nm~100nmの範囲内である。幾つかの例では、この厚さのシリコン膜の損傷部分122Aの完全な酸化を可能にするプラズマ処理条件は得られない場合がある。本願の別の実施形態によれば、損傷した層122Aの第1の部分は、第1のプラズマ酸化工程で酸化され得る。次に、第1の剥離工程で、損傷した層122Aの第1の酸化された部分が上述のように剥離され、第1のプラズマ酸化および剥離サイクルが完了する。次に、第2のプラズマ酸化工程で、損傷した層122Aの残りのまたは第2の部分が酸化され得る。次に、第2の剥離工程で、損傷した層122Aの残りのまたは第2の酸化された部分が上述のように剥離され、第2のプラズマ酸化および剥離サイクルが完了し、これによって損傷した層122Aの残りの部分が完全に除去され、図7に示されるように、平滑で損傷のない仕上がったSi層122Bが残る。なお、必要であれば、損傷した層全体を除去するために、3回以上のプラズマ酸化および剥離サイクルが用いられてもよい。しかし、必要なサイクルの回数が増加すると、本願明細書に記載される処理の、他の使用可能な層の除去および平滑化技術に対する長所が失われ始めるかもしれない。図12および図13は、本願の一実施形態による処理の前後の様々な試験サンプルの転写されたままの表面の平均表面粗さを、対照サンプルと比較して示すグラフである。サンプルS1では、転写されたままの表面を、酸素プラズマ処理を用いて、PECVD201800装置で20mTorr約2.6Paおよび650ワットで70分間酸化し、本願明細書に記載したように、酸化した層を剥離した。サンプルS2は、転写されたままの表面を処理していない対照サンプルである。サンプルS3では、転写されたままの表面を、酸素プラズマ処理を用いて、LPCVD201798装置で、20mTorr約2.6Paおよび650ワットで70分間酸化した。サンプルS4は、転写されたままの表面を処理していない対照サンプルである。図12からわかるように、本願明細書に記載した酸素プラズマ酸化および剥離処理を用いると、表面粗さが改善された。図13は、様々な試験サンプルの転写されたままの表面の最高最低差の表面粗さを示すグラフである。注入および分離による損傷の問題に対処するための従来技術と比較して、本発明の実施形態は安価に実施でき、比較的簡単で単純である。例えば、従来の研磨技術は、一般的に少なくとも1時間/平方フィート約0.09m2の研磨時間を要し、50nm以下の材料除去しか行えない。一方、本発明の1以上の実施形態の技術は、プラズマチャンバ内で数分を要した後、酸による剥離を行う。更に、従来の研磨技術と比較して、本発明の1以上の方法では、最終製品の品質がより高くなる。実際に、機械的研磨処理では、一般的に、剥離層122の厚さの均一性が劣化するが、本願明細書で開示した処理では劣化しない。この長所は、約100ナノメートル以下の非常に薄い剥離層でより顕著である。更に、シリコンの酸化は等方性の処理である。その結果、転写されたシリコン122と酸化した層122Aとの界面が、転写されたままのシリコン膜の表面と比較して遥かに平滑になり、それにより、酸化物層が剥離された際により平滑な表面が生じる。本願明細書で開示したプラズマ酸化および剥離サイクルの後では、SiOGのシリコン膜は損傷部分が無く、より平滑な仕上がり面を有する。プラズマ処理およびHF剥離は共にルーチン製造プロセスであり、当業者が容易に導入可能で、大量生産のためにスケールアップできる。また、プラズマ酸化および湿式HF剥離は、共に室温での処理とされ得るものであり、高温に耐えられないSiOG基板と共に用いるのに有益である。本願明細書においては、特定の実施形態を参照して本発明を説明したが、これらの実施形態は単に本発明の原理および応用を説明するものであることを理解されたい。従って、この説明のための実施形態には多くの変更がなされ得るものであり、添付の特許請求の範囲によって定められる本発明の精神および範囲から逸脱することなく、他の構成も考案され得ることを理解されたい。"