絶縁膜と、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプと、このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極と、を備えたプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートであって、前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分は、断面形状が前記絶縁膜の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、前記バンプは断面三角形状に形成されて前記導電電極の上面よりも広い底面を有している、ことを特徴とするプローブカード用のバンプ付きメンブレンシート。前記導電電極は、前記絶縁膜の裏面から突出する裏面側端部を有し、この裏面側端部は、前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分の底面よりも広く形成されている、ことを特徴とする請求項1記載のプローブカード用のバンプ付きメンブレンシート。請求項1又は2記載のプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートと、このバンプ付きメンブレンシートの前記導電電極と電気的に接続される端子を有する配線基板と、を備えたことを特徴とするプローブカード。前記バンプ付きメンブレンシートは前記ウェーハに対応した大きさを有している、ことを特徴とする請求項3記載のプローブカード。前記半導体チップに対応する貫通穴が複数形成されたフレーム板をさらに備え、前記バンプ付きメンブレンシートは、前記貫通穴に対応した大きさを有し、前記フレーム板の表面側の前記貫通穴周辺に支持されている、ことを特徴とする請求項3記載のプローブカード。前記貫通穴に対応した大きさに形成され、前記貫通穴又は前記貫通穴周辺に支持された弾性膜及びこの弾性膜内に相互に絶縁された状態で形成された、厚み方向に延びる複数の導電路を有する異方導電膜をさらに備え、前記導電電極と前記配線基板の前記端子とは、この導電路を介して電気的に接続される、ことを特徴とする請求項5記載のプローブカード。絶縁膜と、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプと、このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極と、を備えたプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法であって、前記絶縁膜を形成するための絶縁シートを準備する準備ステップと、準備した前記絶縁シートに、前記半導体チップの前記電極パッドに対応するように、裏面側から断面三角形のメッキ穴を形成するメッキ穴形成ステップと、形成した前記メッキ穴にメッキして、このメッキ穴に対応した形状を有し、下側が前記導電電極を構成する電極体を形成する電極体形成ステップと、前記電極体の、前記導電電極を構成する部分よりも上側が前記絶縁シートから断面三角形状に突出して露出するように、前記絶縁シートの表面側をハーフエッチングする露出ステップと、前記絶縁シートをハーフエッチングして形成した前記絶縁膜から突出する断面三角形状の前記電極体の表面にメッキして、この電極体の表面に沿った表面を有する前記バンプを形成するバンプ形成ステップと、を備えることを特徴とするプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法。前記バンプは断面三角形状に形成される、ことを特徴とする請求項7記載のプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法。前記電極体形成ステップでは、前記絶縁シートの裏面から突出し、前記絶縁シート内に位置する部分の底面よりも広い裏面側端部が設けられるように前記電極体を形成する、ことを特徴とする請求項7又は8記載のプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法。第1の従来形態に示すプローブカードの構成は、バンプの形が半球状であり、バンプの先端が鋭くないため、ウェーハの電極パッドとの接触に大きな圧力が必要であった。第2の従来形態に示すプローブカードの構成では、第1の従来形態のプローブカードと異なり、バンプの形が四角柱状や円柱状である。そこで、バンプの断面積を小さく形成して先端が細いバンプを得ることが可能ではあるが、バンプの先端のみを細くすることができないので、バンプ全体の強度を確保する観点から、バンプの先端を鋭くすることは実際上は不可能である。したがって、第2の従来形態のプローブカードでも、ウェーハの電極パッドとの接触に大きな圧力が要求されることとなる。本発明は、こういった従来の問題を解決するためになされたもので、多数のバンプを小さな圧力でウェーハの電極パッドに一括して良好に接触させることができるプローブカード、このプローブカードに用いるバンプ付きメンブレンシート及びこのバンプ付きメンブレンシートの製造方法の提供を目的とする。この目的を達成するための本発明のプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートは、絶縁膜と、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプと、このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極と、を備えたプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートであって、前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分は、断面形状が前記絶縁膜の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、前記バンプは断面三角形状に形成されて前記導電電極の上面表面よりも広い底面を有しているものである。導電電極の上面はバンプの底面と例えば一体化している。バンプは、例えば円錐状又は角錐状例えば4角錐状などの断面三角形状に形成されているので、先端は鋭く、小さな圧力でウェーハの電極パッドと電気的に良好に接触できるものである。しかも、底面側に向って漸次断面積が増えるので、全体的に十分な強度の確保が可能となる。また、導電電極は、絶縁膜の表面に向って幅が狭くなる台形状の断面形状を有しているので、導電電極は絶縁膜の表面側に向って抜け止めされる。そして、バンプは導電電極の上面よりも広い底面を有しているので、このバンプの底面の外側と絶縁膜との接触又は係合によって、導電電極は絶縁膜の裏面側に向っても抜け止めされる。導電電極の上面は、例えば絶縁膜の表面と同一の高さに位置している。プローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの導電電極は、絶縁膜の裏面から突出する裏面側端部を有し、この裏面側端部が、導電電極の絶縁膜内に位置する部分の底面裏面よりも広くなるように形成できる。裏面側端部は例えば導電電極の絶縁膜内に位置する部分の底面と一体化している。このように構成することにより、裏面側端部の外側と絶縁膜の裏面との接触又は係合により、導電電極の絶縁膜の表面側への抜け止め効果が向上する。このようなバンプ付きメンブレンシートは、導電電極と電気的に接続される端子を有する配線基板と組み合わされてプローブカードを構成する。バンプ付きメンブレンシートはウェーハに対応した大きさ、例えばウェーハと同一の又はほぼ同一の大きさを有することができる。プローブカードは、半導体チップに対応する貫通孔が複数形成されたフレーム板を備えることができ、バンプ付きメンブレンシートは、貫通孔に対応した大きさを有し、フレーム板の表面側の貫通孔周辺に支持されることができる。ここでは、貫通孔に対応した大きさに形成され、貫通孔又は貫通孔周辺に支持された弾性膜及びこの弾性膜内に相互に絶縁された状態で形成された、厚み方向に延びる複数の導電路を有する異方導電膜を設け、導電電極と配線基板の端子とを、この導電路を介して電気的に接続することができる。また、本発明のプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法は、絶縁膜と、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプと、このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極と、を備えたプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法であって、前記絶縁膜を形成するための絶縁シートを準備する準備ステップと、準備した前記絶縁シートに、前記半導体チップの前記電極パッドに対応するように、裏面側から断面三角形のメッキ穴を形成するメッキ穴形成ステップと、形成した前記メッキ穴にメッキして、このメッキ穴に対応した形状を有し、下側裏面側が前記導電電極を構成する電極体を形成する電極体形成ステップと、前記電極体の、前記導電電極を構成する部分よりも上側表面側が前記絶縁シートから断面三角形状に突出して露出するように、前記絶縁シートの表面側をハーフエッチングする露出ステップと、前記絶縁シートをハーフエッチングして形成した前記絶縁膜絶縁膜の集合体の場合があるから突出する断面三角形状の前記電極体の表面にメッキして、この電極体の表面に沿った表面を有する前記バンプを形成するバンプ形成ステップと、を備えるものである。メッキ穴は先端が鋭く、例えば尖っているバンプは、断面三角形状の電極体の表面に沿った表面を有するので、先端は鋭く、また、絶縁膜から突出する電極体の表面にメッキして形成されるので、底面は導電電極の上面よりも広くなる。バンプは例えば断面三角形状に形成される。絶縁膜から突出する断面三角形状の電極体電極体の上側はバンプの内部を構成する。また、電極体形成ステップでは、絶縁膜内に位置する部分の底面よりも広い裏面側端部が絶縁膜の裏面から突出するように電極体を形成することができる。本発明では、バンプの形が例えば断面三角形の円錐又は角錐のため、バンプの先端が鋭く、このためウェーハの電極パッドへの接触に必要な圧力が低く、従来に比べ例えば1/2以下の圧力にて安定な接触が得られる。これにより、例えば異方導電膜の長寿命化および多数ピンの接触に必要な構造を簡易にすることができる。さらに、バンプに偏った圧力が印加されても、バンプの底面底面の外周と、導電電極の傾斜面とにより絶縁膜を挟み込む構造であり、しかも、バンプ表面層は電極体の表面の上側の広い範囲と接合しているので、バンプは上下方向にも横方向にもしっかりと絶縁膜に対して固定されることとなる。したがって、バンプが抜けたり折れたりするなどして損傷することがなく、強度の問題による歩留り低下を少なくできるメリットがある。以下、本発明の第1の実施形態第1のプローブカードについて、図1乃至図14を参照して説明する。第1のプローブカードは、接点膜及び異方導電膜を有するフレーム板と、配線基板とを備えたものである。図1において、1は第1のプローブカードに用いるフレーム板であり、検査対象のウェーハ半導体ウェーハのサイズとほぼ同等の200mm乃至300mmの直径を有していて、厚さは例えば40μm乃至80μmとなっている。また、フレーム板1は、温度変化に伴う位置ずれの影響を排除できるように、ウェーハに近い熱膨張係数又は線熱膨張係数を有していて、フレーム板1の熱膨張係数又は線熱膨張係数は例えば0乃至1×10-5/°Cとなっている。そのため、フレーム板1の材質は、インバー、42アロイといった金属材料が適している。さらに、フレーム板1にはウェーハに形成された半導体チップに対応して厚み方向に貫通する複数又は多数の貫通穴3が形成されており、これらはエッチングにより形成される。ここでは、貫通穴3は、1つの半導体チップに対応するように形成されているが、数個の又は2乃至5個の半導体チップに対応するように形成されてもよい。次に図2を参照してこのフレーム板1を用いた第1のプローブカードの構造を説明する。図2はフレーム板1に形成された貫通穴3周辺の構造を示しており、貫通穴3周辺にて支持された状態で異方導電膜5と接点膜バンプ付きメンブレンシート7が配置されている。したがって、異方導電膜5と接点膜7は、貫通穴貫通孔3又は半導体チップに対応する大きさを有している。フレーム板1のそれぞれの貫通穴3に図2の構造が構成される。異方導電膜5は、弾性膜9と、この弾性膜9に設けられた導電路11とにより構成され、弾性膜9は、厚さ80μmのゴム材料により形成されていて、外周がフレーム板1の貫通穴3周辺に固定され、導電路11を保持する役割を持つ。弾性膜9の外周下端外周裏側には、外向きの支持フランジ13が一体的に形成されていて、弾性膜9は、支持フランジ13が貫通穴3の外周裏面に載って支持されるように、貫通穴3に、例えばきつく嵌め込まれている。導電路11は厚さ130μmの弾性膜中に金属粒子を多数含み、厚み方向から圧力が加わると変形して金属粒子同士の接触により上下方向に通電する機能を有する。すなわち、導電路11は、弾性膜9に、突出部分ここでは上下表面側及び裏面側の角長方形柱状の突出部分であるが、突出部分は円柱状とすることもできるが形成されるように、部分的に130μmの厚さ部分を形成することにより構成される。一方、接点膜7は、絶縁膜15と、絶縁膜15の表面に設けられたバンプ17と、絶縁膜15の膜内および絶縁膜15の裏面に設けられた導電電極19とにより構成されている。絶縁膜15は、厚さ20μmのポリイミドにて形成され、その周辺部又は周辺部裏面を接着剤21によりフレーム板1異方導電膜5の外周のフレーム板1表面に固定されている。絶縁膜15の表面にはニッケルにより底面の半径及び高さ共約20μmの円錐形のバンプ17が形成されており、このバンプ17は、ウェーハの半導体チップの電極パッドに接触する役割を持つ。さらに、絶縁膜15には、バンプ17に繋がる導電電極19が絶縁膜15の膜内および裏面に形成され、この導電電極19の下端部裏面側端部22は、異方導電膜5の導電路11と同等若しくはより広い面積にて形成されていて、導電電極19は、裏側端面が絶縁膜15の裏面側で露出し、バンプ17と異方導電膜5の導電路11とを接続する役割を有する。導電電極19の絶縁膜15内の部分24は、円錐台形状断面台形状に形成され、裏面側端部22は薄肉の長方形状に形成されている。そして、裏面側端部22は、導電電極19の絶縁膜15内の部分24の底面よりも広く形成されている。23はウェーハ及びフレーム板1に対応する大きな径を有する配線基板であり、基材となる厚さ3乃至5mmの絶縁性基板25、端子27、基材の一端に配置された外部端子29および引出線31により構成され、引出線31は、バンプ17から導電電極19、導電路11を介して端子27に伝わった信号を外部端子29から外部に引出す役割を持つ。ここでバンプ17、導電電極19、導電路11、端子27は、テストの対象となるウェーハ上の引出し端子である半導体チップの電極パッドに水平方向の位置が一致した状態に形成され、必要に応じて数千から数万が用意される。次に、図3乃至図12を用いて接点膜7の製造方法を説明する。接点膜7は、サイズが小さいので、ウェーハと同一の熱膨張係数線熱膨張係数を有する必要はなく具体的には、ウェーハよりも大きな熱膨張係数を有する、加工が容易な材料を用いて安価に形成することができる。図3において33は貼合せシートであり、この中に接点膜7を多数形成する。この場合、フレーム板1に搭載される接点膜7の必要数より多めに接点膜7を形成するが、形成ピッチを高めて狭めて形成するため、貼合せシート33全体のサイズとしてはフレーム板1より小さい、1辺が200mm程度の縮小された正方形状のものとなり、メッキ、レジストによるパターンニングを通常の装置により容易に高精度にて処理できる。図4は貼合せシート1つの接点膜7を形成する部分の断面を示しており、貼合せシート33は、絶縁膜15となる又は絶縁膜15を形成する38μm厚のポリイミドシート絶縁シート35に対し4μm厚の銅箔37を貼合せたものを用いる第1の工程、準備ステップ。接点膜7の製造の第2の工程として、銅箔37にレジスト39を貼り、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに対応した又は電極パッドと同じ位置に導電電極を形成すべく、フォトマスクを用いてレジスト39にパターンを形成する図5参照。さらに第3の工程として、貼合せシート33を銅エッチング液に浸し、レジスト39に形成したパターンをマスクとして銅箔37に丸穴40を形成する図6参照。次に第4の工程として、レジスト39を剥離し、ヒドラジンを主成分とするポリイミドエッチング液に貼合せシート33を浸し、銅箔37をマスクとし、銅箔37の丸穴40に対応してポリイミドシート35に裏面側から導電電極穴メッキ穴41を形成するメッキ穴形成ステップ、図7参照。この場合、ポリイミドの持つ異方性により、シート面に対して角度X、ここでは50°にてすり鉢状にエッチングが進行するが、ポリイミドエッチング液に長時間浸すことにより導電電極穴41の先端を鋭く、例えば尖って形成し、全体として円錐又は角錐断面三角形状になるようにする。この角度はポリイミドの結晶構造により異なる値を持つが、例えば角度Xがシート面に対して50°の場合、レジスト39に形成したパターンの丸穴直径を56μmとすれば、導電電極穴41の底部裏面開口部の直径は56μm、導電電極穴41の先端までの高さは33.3μmとなる。次に第5の工程として、図8に示すように貼合せシート33の裏面より銅のスパッタを施し、導電電極穴41に銅の薄膜43を形成する。次に第6の工程として、銅箔37にレジスト45を塗布し、フォトマスクを用いてレジスト45に導電電極のパターンを形成した上で、薄膜43をメッキ電極としてニッケルメッキを行い、ポリイミドシート35の厚さ程度もしくはレジスト45の中程に至るまで導電電極穴41にニッケルメッキを成長させ、電極体46下側が導電電極19となるを形成する電極体形成ステップ、図9参照。ここでレジスト45に形成された導電電極の形成部は、導電電極穴41の底部よりも大きい。次に第7の工程として、レジスト45を剥離し、貼合せシート33の表面側よりポリイミドシート35をエッチング液に浸し、ポリイミドシート35の厚さが20μmとなるまでハーフエッチングを行って電極体46の先端側を露出させる露出ステップ、図10参照、ただし図10等では銅の薄膜43を特に区別して表示していない。先に示したように導電電極穴41の先端までの高さを33.3μmに形成すれば、露出させた部分の高さは13.3μmとなる。ポリイミドシート35のハーフエッチングにより絶縁膜15又は絶縁膜15の集合体が形成される。次に第8の工程として、図11に示すように銅箔37を電極として電極体46の先端側の露出した部分に対しニッケルメッキを施しバンプ17を形成するバンプ形成ステップ。形成されるバンプ17は、電極体46の露出した部分の表面に対応する表面を有し、円錐形状又は断面三角形状となるが、具体的には、例えば、先端角部がR形状となっている断面三角形状、先端角部が円弧形状又は小さい円弧形状曲率半径の小さい円弧形状となっている断面三角形状又は先端角部が小さな丸みを帯びた断面三角形状となるが、先端角部の鋭さは失われない。形成されたバンプ17及び導電電極19の形状を図13、図14を用いて詳細に示すが、図13はバンプ17形成時のメッキ厚が5μmの詳細であり図11及び図12の詳細、ポリイミドシート35のハーフエッチングにより、電極体46の先端側を露出させてから、電極体46の先端側の露出部48に対して行うニッケルメッキは、露出部48の表面に対し垂直に成長していくため、先端個所以外では、露出部48の表面に沿った均一な厚みのメッキ部50を形成するが、先端個所では露出部48の先端を中心とする球状にメッキ部50を形成し、バンプ17は、バンプ先端が断面小さい円弧形状となっている断面三角形状となる。さらに図14は、バンプ17形成時のメッキ厚が10μmの詳細であり図11でメッキ厚を10μmとした場合、図13と同様に先端個所では露出部48の先端を中心とする球状にメッキ部50を形成し、バンプ17は、バンプ先端が図13より大きな円弧形状となっている断面三角形状となる。このような構成では、ポリイミドシート35ハーフエッチングにより絶縁膜15又は絶縁膜15の集合体となっているを、断面台形状の導電電極19と、メッキ部50により直径が太くなったバンプ17とにより挟み込む構造となり、バンプ17および導電電極19がポリイミドシート35又は絶縁膜15にしっかり固定される。このメッキは5μmから10μmの厚さが望ましく、メッキ厚が5μmより薄いとこの固定強度が弱くなり、メッキ厚が10μmより厚いとバンプ先端の円弧形状が大きくなるためバンプ先端の鋭さが減少してしまう。最後に銅箔37をエッチングにより除去し、図3における長方形状部分を裁断し、分割して接点膜7を形成する。図12に示すように、この中より選別した良品の接点膜7に接着剤21を塗布し、実装機を用いて異方導電膜5が形成されたフレーム板1の各貫通穴3に図2のように搭載し図2Aでは特に銅箔37を区別して表示していない、さらにフレーム板1全体を配線基板23の上又は表面側に配置することによりプローブカードを完成させる。ここでは、第1の従来形態のバンプ、短絡部および裏面電極部の形成手法に較べ、残渣の残りやすいポリイミドに加工した穴径が大きいためメッキが容易となり、歩留りよくバンプおよび導電電極を形成することができる。すなわち、レーザによりポリイミドシートに開けた小口径の穴は加工に伴って発生する残渣によりメッキの成長不良が発生しやすく、バンプに不良が発生するおそれがある。本プローブカードをプローバ装置に搭載し、位置合わせをした上でウェーハに押し付けるとウェーハの電極パッドにバンプ17が当たり、その圧力は導電電極19を通して異方導電膜5の導電路11に加わり、ウェーハの電極パッドと接触して得られた信号はバンプ17、導電電極19、導電路11、端子27及び引出線31を通して外部端子29に引き出される。次に、本発明の第2の実施形態第2のプローブカードについて、図15を参照して説明する。図15において、101はメンブレンバンプバンプ付きメンブレンシートであり、剛性リング103に張られたポリイミドシート絶縁膜105にバンプ107、導電電極109導電電極109のポリイミドシート105内の部分124及び裏面側端部122を含むが形成されており、このバンプ107がウェーハ上の引出し端子である電極パッドに接触する役割を持つ。113は異方導電膜であり、ゴム材により形成された弾性膜115に、厚み方向に圧縮されることにより厚み方向に通電する導電路117を形成することにより構成され、ウェーハの電極パッドやバンプ107などの高さバラツキを吸収し、バンプ107に均一な接触圧を与える役割を持つ。119は配線基板であり、基材となる厚さ3乃至5mmの絶縁性基板121、端子123、外部端子125およびその間を接続する引出線127により構成され、バンプ107から導電路117を介して端子123に伝わった信号を外部に引出す役割を持つ。ここでバンプ107、導電電極109、導電路117及び端子123は、テストの対象となるウェーハ上の引出し端子である電極パッドに対応した位置より具体的には、電極パッドに水平方向の位置が一致した状態に形成され、必要に応じて数千から数万が用意される。バンプ107及び導電電極109は、第1の実施形態のバンプ17及び導電電極19と同一の構成及び構造を有する。メンブレンバンプ101の製造方法は第1の実施形態における接点膜7と同様の方法により製造される。ただし、メンブレンバンプ101はウェーハに対応した大きさを有しているため、準備する貼合せシート33もウェーハに対応したサイズのメンブレンバンプ101を形成するためのものとなり、貼合せシート33のポリイミドシート絶縁シート35全体から一枚の絶縁膜105を形成することとなる。貼合せシート33は第1の実施形態における図4と同じ断面を持ち、38μm厚のポリイミドシート35に対し4μm厚の銅箔37を貼合せたものを用いる。この貼合せシート33全体での一枚のメンブレンバンプ101の製造は、第1の実施形態における第2の工程、第3の工程、第4の工程、第5の工程、第6の工程、第7の工程及び第8の工程と同様の工程を経て行われる。第8の工程が終わると最後に第1の実施形態の場合と同様に銅箔37をエッチングにより除去する。完成した一枚のバンプ付きポリイミドシート105を剛性リング103に貼り付けてメンブレンバンプ101を形成し、配線基板119の上又は表面側に異方導電膜113を配置し、上記メンブレンバンプ101を異方導電膜113の上に配置することによりプローブカードを完成させる。ウェーハの半導体チップの配列の密度が高く、第1の実施形態において接点膜7を形成するための分割が困難な場合、第2の実施形態第2のプローブカードが有効となる。