"複数の発光デバイスを製造する製造方法であって、発光素子基板に複数の発光素子を形成する素子形成段階と、それぞれの前記発光素子に、他の前記発光素子から識別する識別部を形成する識別部形成段階と、それぞれの発光素子を分離して、前記複数の発光デバイスを形成するデバイス形成段階とを備える発光デバイスの製造方法。前記識別部は、それぞれの前記発光素子を、他の発光素子から識別する外観を有する請求項1に記載の発光デバイスの製造方法。それぞれの前記発光素子は、第1の伝導型の半導体層と、第2の伝導型の半導体層と、前記第1の伝導型の半導体層および前記第2の伝導型の半導体層の間に形成された発光層と、前記第1の伝導型の半導体層に電気的に接続される第1電極部と、前記第2の伝導型の半導体層に電気的に接続される第2電極部とを有し、前記識別部形成段階において、前記第1の伝導型の半導体層、前記第2の伝導型の半導体層、前記発光層、前記第1電極部、および、前記第2電極部の少なくとも1つに前記識別部を形成する請求項2に記載の発光デバイスの製造方法。前記第1電極部は、前記第1の伝導型の半導体層上に形成された透明電極を含み、前記識別部形成段階において、前記透明電極上に、前記識別部を形成する請求項3に記載の発光デバイスの製造方法。前記第1電極部は、前記第1の伝導型の半導体層上に形成された透明電極を含み、前記識別部形成段階において、前記第1の伝導型の半導体層上に前記識別部を形成してから、前記素子形成段階において、前記第1の伝導型の半導体層上に前記透明電極を形成する請求項3に記載の発光デバイスの製造方法。前記第2電極部は、前記第1の伝導型の半導体層および前記発光層の一部が除去されたことで露出した、前記第2の伝導型の半導体層の露出領域に形成され、前記識別部形成段階において、前記露出領域に前記識別部を形成する請求項3に記載の発光デバイスの製造方法。前記第1電極部および前記第2電極部の少なくとも一方を、前記発光素子を識別する形状に形成することで、前記識別部を形成する請求項3に記載の発光デバイスの製造方法。前記第1電極部および前記第2電極部の少なくとも一方が、前記発光素子基板上の位置に応じた形状を有する前記発光素子を形成する請求項7に記載の発光デバイスの製造方法。前記第1電極部および前記第2電極部の少なくとも一方は、電極パッドと、前記電極パッドより小さい幅を有して、前記電極パッドから延伸して形成される延長電極部とを有し、前記延長電極を、前記発光素子を識別する形状に形成する請求項7または8に記載の発光デバイスの製造方法。前記第1電極部および前記第2電極部の少なくとも一方が、他の前記発光素子のものと異なる形状を有する前記複数の発光素子を形成する請求項7から9のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。前記第2電極部は、前記第1の伝導型の半導体層および前記発光層の一部が除去されたことで露出した、前記第2の伝導型の半導体層の露出領域に形成され、前記識別部形成段階において、前記第1の伝導型の半導体層および前記発光層の一部が除去されたことで露出した、前記第1の伝導型の半導体層および前記発光層の側面に前記識別部を形成する請求項3に記載の発光デバイスの製造方法。前記第1の伝導型の半導体層、前記第2の伝導型の半導体層、および、前記発光層の少なくとも一つを、前記発光素子を識別する形状に形成することで前記識別部を形成する請求項3に記載の発光デバイスの製造方法。前記第1の伝導型の半導体層、前記第2の伝導型の半導体層、および、前記発光層の積層方向において、前記第1の伝導型の半導体層、前記第2の伝導型の半導体層、および、前記発光層の少なくとも2つに渡って前記識別部を形成する請求項12に記載の発光デバイスの製造方法。前記第1の伝導型の半導体層、前記第2の伝導型の半導体層、および、前記発光層の少なくとも一つが、他の前記発光素子のものと異なる形状を有する前記複数の発光素子を形成する請求項12または13に記載の発光デバイスの製造方法。前記発光素子の光射出側の面に、前記識別部を形成する請求項1から14のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。発光デバイスであって、素子基板と、前記素子基板に設けられた発光素子と、前記発光素子に設けられ、前記発光素子を他の発光素子から識別する識別部とを備える発光デバイス。前記識別部は、それぞれの前記発光素子を、他の発光素子から識別する外観を有する請求項16に記載の発光デバイス。前記発光素子は、第1の伝導型の半導体層と、第2の伝導型の半導体層と、前記第1の伝導型の半導体層および前記第2の伝導型の半導体層の間に形成された発光層と、前記第1の伝導型の半導体層に電気的に接続される第1電極部と、前記第2の伝導型の半導体層に電気的に接続される第2電極部とを有し、前記識別部は、前記第1の伝導型の半導体層、前記第2の伝導型の半導体層、前記発光層、前記第1電極部、および、前記第2電極部の少なくとも1つに形成される請求項17に記載の発光デバイス。前記第1電極部は、前記第1の伝導型の半導体層上に形成された透明電極を含み、前記識別部は、前記透明電極上に形成される請求項18に記載の発光デバイス。前記第1電極部は、前記第1の伝導型の半導体層上に形成された透明電極を含み、前記識別部は、前記透明電極に覆われる前記第1の伝導型の半導体層上に形成される請求項18に記載の発光デバイス。前記第1電極部および前記第2電極部の少なくとも一方が、前記発光素子を他の識別する形状を有することで、前記識別部として機能する請求項18に記載の発光デバイス。前記第1電極部および前記第2電極部の少なくとも一方は、電極パッドと、前記電極パッドより小さい幅を有して、前記電極パッドから延伸して形成される延長電極部とを有し、前記延長電極が、前記発光素子を識別する形状を有することで、前記識別部として機能する請求項21に記載の発光デバイス。前記第2電極部は、前記第1の伝導型の半導体層および前記発光層の一部が除去されたことで露出した、前記第2の伝導型の半導体層の露出領域に形成され、前記識別部は、前記第1の伝導型の半導体層および前記発光層の一部が除去されたことで露出した、前記第1の伝導型の半導体層および前記発光層の側面に形成される請求項18に記載の発光デバイス。前記第1の伝導型の半導体層、前記第2の伝導型の半導体層、および、前記発光層の少なくとも一つが前記発光素子を識別する形状を有することで、前記識別部として機能する請求項18に記載の発光デバイス。前記第1の伝導型の半導体層、前記第2の伝導型の半導体層、および、前記発光層の積層方向において、前記第1の伝導型の半導体層、前記第2の伝導型の半導体層、および、前記発光層の少なくとも2つが同一の形状を有することで、前記識別部として機能する請求項24に記載の発光デバイス。複数の発光素子が形成される発光素子基板であって、それぞれの前記発光素子に、他の前記発光素子から識別する識別部を形成した発光素子基板。前記識別部は、前記発光素子を他の発光素子から識別する外観を有する請求項26に記載の発光素子基板。それぞれの前記発光素子は、第1の伝導型の半導体層と、第2の伝導型の半導体層と、前記第1の伝導型の半導体層および前記第2の伝導型の半導体層の間に形成された発光層と、前記第1の伝導型の半導体層に電気的に接続される第1電極部と、前記第2の伝導型の半導体層に電気的に接続される第2電極部とを有し、前記識別部は、前記第1の伝導型の半導体層、前記第2の伝導型の半導体層、前記発光層、前記第1電極部、および、前記第2電極部の少なくとも1つに形成される請求項27に記載の発光素子基板。それぞれの前記発光素子は、前記第1の伝導型の半導体層、前記第2の伝導型の半導体層、前記発光層、前記第1電極部、および、前記第2電極部の少なくとも1つの形状が、他の前記発光素子と異なる請求項28に記載の発光素子基板。請求項26から29のいずれか一項に記載の発光素子基板に形成された、前記複数の発光素子の品質を管理する品質管理方法であって、それぞれの前記発光素子の特性を測定する測定段階と、それぞれの前記発光素子の前記識別部に基づいて、それぞれの前記発光素子を識別して、それぞれの前記発光素子に対する前記特性の測定結果を記憶する結果記憶段階とを備える品質管理方法。前記測定段階は、前記発光素子基板を発光素子毎に分離して、パッケージされた後のそれぞれの前記発光素子の特性を測定する請求項30に記載の品質管理方法。しかし、パッケージの表面に発光素子の特性データを表示する場合、パッケージ前に測定した発光素子の特性を、発光素子に対応付けて管理することが困難である。つまり、パッケージするまでは、発光素子を識別することができないので、パッケージした発光素子が、ウェハ上におけるいずれの発光素子であったかを管理することが困難である。このため、パッケージ後の検査結果に基づいて、ウェハベースの製造工程における不具合を解析することが困難である。また、ウェハベースの検査工程における検査結果が、パッケージ後の製品品質にどのように影響を与えているのかを追跡することが困難である。上記課題を解決するために、本発明の第1の態様においては、複数の発光デバイスを製造する製造方法であって、発光素子基板に複数の発光素子を形成する素子形成段階と、それぞれの発光素子に、発光素子を他の発光素子から識別する外観を有する識別部を形成する識別部形成段階と、それぞれの発光素子を分離して、複数の発光デバイスを形成するデバイス形成段階とを備える発光デバイスの製造方法を提供する。本発明の第2の態様においては、発光デバイスであって、素子基板と、素子基板に設けられた発光素子と、発光素子に設けられ、発光素子を他の発光素子から識別する識別部とを備える発光デバイスを提供する。本発明の第3の態様においては、複数の発光素子が形成される発光素子基板であって、それぞれの発光素子に、発光素子を他の発光素子から識別する識別部を形成した発光素子基板を提供する。本発明の第4の態様においては、第2の態様の発光素子基板に形成された、複数の発光素子の品質を管理する品質管理方法であって、それぞれの発光素子の特性を測定する測定段階と、それぞれの発光素子の識別部に基づいて、それぞれの発光素子を識別して、それぞれの発光素子に対する特性の測定結果を記憶する結果記憶段階とを備える品質管理方法を提供する。なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。図1は、複数の発光デバイスを製造する製造方法のフローチャートを示す。まず、素子形成段階S210において、発光素子基板に複数の発光素子を形成する。素子形成段階S210の後、または、素子形成段階S210の途中で、それぞれの発光素子に、各発光素子を他の発光素子から識別する識別部を形成する識別部形成段階S220。識別部は、各発光素子を他の発光素子から識別する外観を有してよい。この場合、識別部は、発光素子の光射出側の面に形成されてよい。これにより、発光素子をパッケージングした後でも、識別部を認識することができる。識別部は、2次元のマークを有してよく、発光素子毎に各半導体層および電極等の形状を異ならせることで形成してもよい。なお、発光素子を識別する情報は、発光素子基板のロット番号、ロット内におけるウェハ番号、発光素子基板における発光素子の位置、製造ライン番号、および、生産時期等の少なくとも一つを含んでよい。そして、デバイス形成段階S230において、それぞれの発光素子を分離して、複数の発光デバイスを形成する。デバイス形成段階S230においては、それぞれの発光素子に対してレンズを形成すること、蛍光体を塗布すること、所定の回路および放熱構造を有するパッケージ内に配置すること等を更に行ってよい。このように、それぞれの発光素子に識別部を形成してから、発光素子基板を発光素子毎に分割することで、分割後においても各発光素子を識別することができる。図2Aは、複数の発光素子が形成された発光素子基板100の一例を示す。発光素子基板100は、サファイア基板であってよく、半導体基板であってもよい。発光素子基板100は、図2Aに示すように、複数のレチクル領域120を有する。各レチクル領域120は、1回の露光でパターンが照射される範囲に応じて定められてよい。図2Bは、所定のレチクル領域110の一例を示す。図2Bに示すように、レチクル領域110には、複数の発光素子10が形成される。各発光素子10には、発光素子基板100のロット番号、発光素子基板100のロット内における番号、発光素子基板100におけるレチクル領域110の位置、および、レチクル領域110における発光素子10の位置を示す識別部が形成される。例えば、図2Bの斜線で示す発光素子10の場合、ロット番号、発光素子基板100の番号、レチクル領域110の座標x、y=4,5、および、発光素子10の座標x、y=6,6を示す識別部が形成される。図3は、発光素子10の上面を示す。図4は、発光素子10のx-x ́断面を示す。図5は、発光素子10のy-y ́断面を示す。発光素子10は、発光素子基板11、半導体積層部12、透明電極14、第1電極部15および第2電極部16を備える。半導体積層部12は、発光素子基板11の表面に積層される。発光素子基板11は、発光素子基板100と同一であってよい。半導体積層部12は、第1の伝導型例えばn型の半導体層12a、第2の伝導型例えばp型の半導体層12bおよび発光層12cを有する。発光層12cは、半導体層12aおよび半導体層12bの間に形成され、これらの半導体層から注入される電子および正孔の結合により、光を生成する。本例の半導体層12a、発光層12cおよび半導体層12bは、この順番で、発光素子基板11の表面に積層される。また、透明電極14は、半導体層12bの表面の全体に形成される。発光素子10には、識別部17が形成される。識別部17は、ウェハーベースでの製造工程に関連した情報を示す。識別部17が示す情報は、発光素子基板100のロット番号、ロット内におけるウェハ番号、発光素子基板100における発光素子10の位置、製造ライン番号、および、生産時期等の少なくとも一つであってよい。識別部17は、当該情報に応じた外観を有することで、各発光素子10を、他の発光素子10から識別する。本例の発光素子10は、透明電極14上に識別部17を有する。識別部17は、レーザー加工等により透明電極14上に形成された文字、記号、図形等であってよい。図形は、バーコードのように、規則性または周期性を有して配列され、その配列パターンによって情報を表示する。また、発光素子10は、透明電極14上に複数の識別部17を有してよい。また、識別部17は、発光素子10の製造工程で用いられるマスクの一部を、発光素子毎に変化させることでも形成できる。発光素子10は、識別部17a、eのように、同一の外観を有する複数の識別部17を有してよい。また、発光素子10は、識別部17a、b、c、dのように、それぞれ異なる外観を有する複数の識別部17を有してもよい。識別部17は、表示する情報の種類ごとに、配置場所が予め定められる。発光素子10は、識別部17a、dのように、透明電極14の各隅の近傍に識別部17を有してよい。また、発光素子10は、識別部17aのように、透明電極14の短辺のうち、延長電極部15bが形成される短辺側に識別部17を有してよく、延長電極部15bが形成されない短辺側に識別部17を有してもよい。また、発光素子10は、識別部17eのように、平行して延伸する延長電極部15aおよび延長電極部15bの間に識別部17を有してよい。また、発光素子10は、識別部17bのように、電極パッド15aおよび延長電極部16bの間に識別部17を有してもよい。また、発光素子10は、識別部17cのように、透明電極14の長辺と、延長電極部16bの間に識別部17を有してもよい。また、発光素子10は、透明電極14において、第1の電極15および第2の電極16からの各距離がそれぞれ最大となるような位置に、識別部17を有してもよい。なお、識別部17は、肉眼で外観を判別できるものに限定されない。識別部17は、顕微鏡等の観察器具を利用して外観が判別できればよい。また、識別部17は、半導体層12bの表面に形成されてもよい。透明電極14は、半導体層12bの表面に形成した識別部17を覆うように形成されてよい。つまり、識別部17は、透明電極14で覆われる半導体層12bの表面に形成されてよい。この場合、半導体層12b上に識別部17を形成してから、半導体層12b上に透明電極14を形成する。これにより、識別部17の外観を外部から監視でき、且つ、識別部17を保護することができる。なお、透明電極14、半導体層12bおよび発光層12cは、発光素子10の外周に沿ってメサエッチングされる。これに伴い、半導体層12aの一部分も、発光素子10の外周に沿ってエッチングされてよい。これにより、発光素子10の外周にはスクライブ領域106が形成され、発光素子10の分離時に発光素子基板11を容易に切断できる。また、スクライブ領域106は、半導体層12aの表面が露出し、電極等が形成される露出領域としても機能する。なお、図3において、境界線102により、メサエッチングで形成される側面の位置を示す。また、境界線104は、発光素子10を個別に分離する場合の、発光素子10間の境界を示す。図3に示すように、発光素子10を個別に分離した後も、発光素子10には、スクライブ領域106の一部が残存する。スクライブ領域106は、発光素子10の外周に沿って、一定の幅で形成される。発光素子10の外周は矩形であってよい。スクライブ領域106の幅は、発光素子10の外周線に垂直な方向の幅を指す。ただし、発光素子10の外周における一方の短辺に沿ったスクライブ領域106の幅は、他の領域のスクライブ領域106の幅より大きくてよい。比較的に幅の広いスクライブ領域106によって露出した半導体層12aの表面には、第1電極部15の少なくとも一部が形成されてよい。第1電極部15は、半導体層12aに電気的に接続される。本例の第1電極部15は、透明電極14、半導体層12bおよび発光層12cが除去されたことで露出する半導体層12aの表面に形成される。第1電極部15は、電極パッド15aおよび延長電極部15bを有する。電極パッド15aは、外部の電極またはワイヤと電気的に接続される。電極パッド15aは、例えば円状の断面を有する。延長電極部15bは、電極パッド15aより小さい幅を有する。電極パッド15aの幅は、直径を指してよい。延長電極部15bの幅は、延長電極部15bを横切る最短の長さを指してよい。延長電極部15bは、電極パッド15aから延伸して形成される。電極パッド15aおよび延長電極部15bの少なくとも一部は、上述したように、発光素子10の一方の短辺に形成されたスクライブ領域106に形成される。また、図3および図4に示すように、透明電極14、半導体層12bおよび発光層12cには、エッチング等により形成される延伸領域112が形成されてよい。延伸領域112は、第1の電極15の一部が形成されるスクライブ領域106から、透明電極14等の中央に向かって延伸して形成される。延伸領域112において、透明電極14、半導体層12bおよび発光層12cは除去される。延伸領域112の底面は、スクライブ領域106の底面と同一の高さであってよい。本例では、第1の電極15の少なくとも一部が形成される短辺側のスクライブ領域106の中央から、透明電極14等の内側に向かって延伸する延伸領域112が形成される。延伸領域112の幅は、いずれのスクライブ領域106よりも小さくてよい。図3および図4に示すように、延伸領域112には、延長電極部15bの少なくとも一部が形成されてよい。また、延伸領域112は、電極パッド15aの外形に応じた断面を有する拡張領域114を有する。拡張領域114は、例えば円状の断面を有する。拡張領域114の幅は、延伸領域112の幅より大きくてよい。拡張領域114の幅は、例えば断面の直径を指す。また、拡張領域114の幅は、いずれのスクライブ領域106よりも大きくてよい。拡張領域114には、電極パッド15aが形成される。延伸領域112は、直線状に形成されてよい。また、延伸領域112は、透明電極14の長辺の半分よりも長く形成されてよい。つまり、延伸領域112は、透明電極14の中央を越えて延伸されてよい。また、拡張領域114は、延伸領域112の延伸方向において、延伸領域112の中央よりも透明電極14の端部寄りに設けられてよい。第2の電極16は、半導体層12bに電気的に接続される。本例の第2の電極16は、透明電極14の上に形成され、透明電極14を介して半導体層12bに電気的に接続される。第2の電極16は、電極パッド16aおよび延長電極部16bを有する。電極パッド16aは、電極パッド15aと対向する位置に設けられる。より具体的には、電極パッド16aは、透明電極14の短辺方向においては略中央に配置され、長辺方向においては、透明電極14の中央に対して電極パッド15aとは逆側に設けられる。電極パッド16aは、透明電極14のいずれの辺からも離間して配置される。延長電極部16bは、電極パッド16aより小さい幅を有する。延長電極部16bは、電極パッド16aから延伸して形成される。本例の延長電極部16bは、電極パッド16aのうち、対向する短辺に最も近い領域から、当該短辺に沿って延伸される。延長電極部16bは、電極パッド16aから、短辺方向の両側に向かって延伸してよい。また、延長電極部16bは、透明電極14の短辺に沿って延伸した後、透明電極14の長辺に沿って更に延伸する。延長電極部16bのうち、透明電極14の長辺に沿って延伸する部分は、当該長辺から所定の距離だけ離間する。延長電極部16bと当該長辺との離間距離は、延長電極部16bと透明電極14の短辺との離間距離と略等しくてよい。延長電極部16bにおいて、透明電極14の長辺と平行な部分は、電極パッド15aと対向する位置まで延伸してよい。また、延長電極部16bにおける、透明電極14の短辺に平行な部分と、長辺に平行な部分とを接続する部分は、曲線状に形成されてよい。これにより、電流が所定の領域に集中することを防ぐことができる。延長電極部16bは、電極パッド15aおよび延長電極部15bの各点から、最も近い第2の電極16の点までの距離が、予め定められた距離内となるようなパターンを有する。当該予め定められた距離は、透明電極14の短辺の半分より小さくてよい。また、当該予め定められた距離は、延長電極部16bと、透明電極14の短辺との距離の2倍程度であってよい。第1電極部15および第2電極部16との距離を、予め定められた範囲内とすることで、電流拡散の均一性を向上できる。なお、図4に示すように、延長電極部15bの高さは、発光層12cおよび半導体層12aの境界面よりも低い。つまり、スクライブ領域106および延伸領域112においては、半導体層12aの表面部分は、延長電極部15bの高さよりも深くまで除去される。これにより、延長電極部15bが、発光層12cおよび半導体層12aに接続されることを防ぐことができる。電極パッド15aの高さは、第2の電極16における電極パッド16aの高さと略同一であってよい。つまり、電極パッド15aは、透明電極14の表面に露出してよい。この場合、電極パッド15aと、発光層12c、半導体層12bおよび透明電極14との間に絶縁材料を形成することが好ましい。例えば、延伸領域112に延長電極部15bを形成した後、発光層12c、半導体層12bおよび透明電極14を貫通する拡張領域114を形成する。そして、拡張領域114の壁面に絶縁材料を形成する。このとき、他の延伸領域112の壁面にも、絶縁材料を形成してよい。その後、拡張領域114の内部に導電材料を充填する。このような構成により、発光素子10の同一面に、電極パッド15aおよび電極パッド15bを露出させることができる。また、電極パッド15aの高さは、発光層12cおよび半導体層12aの境界面より低くてもよい。また、電極パッド15aの高さは、延長電極部15bより高くてよい。この場合、電極パッド15aと、発光層12c、半導体層12bおよび透明電極14との間に絶縁材料を形成しなくともよい。なお、発光素子基板11は、半導体層12aが積層される表面108の全体に、凹凸パターンを有してよい。これにより、光抽出効率を向上させることができる。発光素子10は、第1の電極15および第2の電極16が形成される面とは逆の面から光を射出してよい。図6は、発光素子10の上面の他の例を示す。本例の発光素子10では、スクライブ領域106上に、識別部17が形成される。他の構成は、図1から図5に関連して説明した発光素子10と同一であってよい。これにより、識別部17が発光に影響を与えるのを防ぐことができる。このように、識別部17は、光または電流が通過しない領域非活性領域に形成されてよい。発光素子10は、発光素子10の外周の四辺に沿って形成されたスクライブ領域106のうち、辺ごとに異なる情報を表示する識別部17を有してよい。例えば、識別部17aはロット番号を示し、識別部17bおよび17cはウェハ内のレチクル座標を示し、識別部17dはレチクル内の発光素子10の座標を示す。また、発光素子10の外周の1つの辺に沿ったスクライブ領域106内に、異なる情報を表示する複数の識別部17を有してよい。発光素子10の外周の1つの辺に沿ったスクライブ領域106内に、複数の識別部17を形成する場合、少なくとも当該辺の両端に、識別部17を形成してよい。本例の識別部17は、同一図形図6では正方形の凹部または凸部を、周期的に有する。当該図形の数、位置、パターン等により、識別情報を表示する。図7は、発光素子10の上面の他の例を示す。本例の発光素子10では、図6に示した発光素子10と同様に、スクライブ領域106上に、識別部17が形成される。なお、図6の発光素子10においては、図形の識別情報を含む識別部17を有するが、本例の発光素子10は、文字または記号の識別情報を含む識別部17を有する。図8は、発光素子10の上面の他の例を示す。図9は、図8に示した発光素子10の斜視図である。本例の発光素子10では、透明電極14、半導体層12a、発光層12bおよび半導体層12cが、発光素子10のウェハーレベルでの製造工程に関する情報に応じた形状を有する。透明電極14および半導体積層部12において当該形状を有する部分が、識別部17として機能する。本例の発光素子10においては、透明電極14および半導体積層部12の外周部分の形状を、発光素子10を識別する形状に形成する。つまり、発光素子基板100に含まれる各発光素子10の、透明電極14、半導体層12a、半導体層12c、および、発光層12bの少なくとも一つが、他の発光素子10のものと異なる形状を有する。透明電極14および半導体積層部12の外周部分の少なくとも一部には、発光素子10の上面から見て凹凸パターンを有する識別部17が形成されてよい。例えば、透明電極14および半導体積層部12の外周部分は矩形形状を有する。そして、識別部17は、透明電極14および半導体積層部12の少なくとも一つの側面において、当該外周部分の外側に突出する凸部、または、当該外周部分の内側に突出する凹部を、識別情報に応じた個数およびパターンで有する。透明電極14および半導体積層部12の各側面には、異なる情報を表示する識別部17が形成されてよい。また、透明電極14および半導体積層部12の各側面に2つの識別部17が形成されてもよい。この場合、透明電極14および半導体積層部12の外周における各辺の両端部から、当該辺の中央に向かって、凹凸パターンが形成されてよい。また、透明電極14および半導体積層部12には、延伸領域112に応じた側面が形成される。延伸領域112の側面に、識別部17が形成されてよい。この場合、識別部17は、当該側面の内側に突出する凹部を、識別情報に応じた個数およびパターンで有する。なお、延伸領域112には、向かい合う側面が形成される。識別部17は、両方の側面に形成されてよく、片側の側面に形成されてもよい。また、両方の側面に識別部17が形成される場合、識別部17は、互いに向かい合わない位置に形成されてよい。例えば、一方の識別部17は、延伸領域112の先端から拡張領域114に向かって形成され、他方の識別部17は、拡張領域114から延伸領域112の先端に向かって形成される。図9に示すように識別部17は、半導体積層部12の積層方向において、半導体層12a、発光層12c、および、半導体層12bの少なくとも2つに渡って形成されてよい。つまり、スクライブ領域106を形成するメサエッチングにより露出した、半導体層12bおよび発光層12cの側面に、識別部17が形成される。当該識別部17は、当該メサエッチングにより形成されてよい。識別部17の各凹部および凸部は、積層方向に延伸して形成されてよい。識別部17は、透明電極14、半導体層12aおよび発光層12cに渡って形成されてよく、透明電極14、半導体層12a、発光層12cおよび半導体層12bに渡って形成されてもよい。この場合、透明電極14、半導体層12a、発光層12bおよび半導体層12cの外周部分は、同一の形状を有する。なお、識別部17は、発光素子10ごとに部分的に異なるマスクを用いた、異方性エッチングで形成されてよい。例えば、識別部17として、スクライブ領域106の境界線102の内部に突出する凹部を形成する場合、発光素子10の製造工程において、境界線102を規定するマスクパターン以外は、共通のマスクパターンを用いることができる。境界線102を規定するマスクパターンは、予め定められた周期で所定の図形の開口が形成される第1マスクと、第1マスクにおける各開口を遮蔽するか否かを選択する第2マスクとを有してよい。また、識別部17は、電子ビーム露光またはレーザー露光によって、発光素子10毎にパターン描画されてもよい。なお、識別部17の各図形等は、形状および大きさ等が異なっていてよい。また、識別部17が有する図形の間隔よりも大きい間隔で、それぞれの識別部17が配置される。図10は、発光素子10の上面の他の例を示す。本例の発光素子10では、第1の電極15および第2の電極16の少なくとも一方が、発光素子10のウェハーレベルでの製造工程に関する情報に応じた形状を有する。第1の電極15および第2の電極16において当該形状を有する部分が、識別部17として機能する。例えば電極パッド15aには、識別部17として、発光素子10の上面から見て電極パッド15aの外周部分から内側に突出する凹部が形成される。また、電極パッド16aには、識別部17として、外周部分から内側または外側に突出する凹凸部が形成される。また、スクライブ領域106に形成された延長電極部15bには、発光素子10の外側に向けて突出する凸部が形成される。また、延長電極部16bには、延長電極部16bの外側に向けて突出する凸部が形成される。延長電極部16bには、発光素子10の外側に向けて突出する凸部が形成されてよく、発光素子10の内側に向けて突出する凸部が形成されてよく、両側に向けて突出する凸部が形成されてもよい。また、延長電極部16bの外側に向けて突出する凸部と、発光素子10の外側に向けて突出する凸部が、延長電極部16bの異なる位置に形成されてもよい。また、延長電極部16bのうち、透明電極14の長辺に平行に配置された領域に、識別部17の凸部が形成されてよい。また、当該領域のうち、延長電極15bと対向する位置に、識別部17の凸部が形成されてもよい。また、電極パッド16aの両側に延伸する延長電極部16bの両方に識別部17が形成されてよく、片方だけに識別部17が形成されてもよい。なお、延伸領域112に形成された延長電極15bには、識別部17が形成されないことが好ましい。本例の発光素子10においては、第1電極部15および第2電極部16の形状を、発光素子10を識別する形状に形成する。つまり、発光素子基板100に含まれる各発光素子10の、第1電極部15および第2電極部16の少なくとも一つが、他の発光素子10のものと異なる形状を有する。なお、発光素子10ごとに部分的に異なるマスクを用いたパターン成形により、第1電極部15および第2電極部16を形成することで、識別部17を形成してよい。なお、識別部17は、延長電極部15bおよび16bだけに形成されてよい。これにより、電極パッド15aおよび16aにボンディングされるワイヤによって、識別部17が隠されてしまうことを防ぐことができる。また、延長電極部16bのパターンを露光した後に、当該パターンに重ねて、識別部17のパターンを露光してよい。この場合、識別部17のパターンとして、延長電極部16bを横切る長方形を、延長電極部16bの延伸方向に沿って配列したパターンを露光してよい。つまり、当該長方形の長辺が、延長電極部16bと直交するように、識別部17のパターンを露光してよい。これにより、識別部17のパターンの露光位置にずれが生じた場合であっても、延長電極部16bと、識別部17のパターンとが離隔してしまう可能性を低減できる。なお、本例の識別部17は、導電材料で形成される。これにより、識別部17は、電極の一部としても機能する。なお、識別部17の凹凸パターンの面積は、第1電極部15および第2電極部16の総面積の5以下であってよい。図11は、発光素子10の他の例を示す。本例の発光素子10は、半導体層12aの表面に第1の電極15が形成される。また、発光素子基板11は導電性の基板である。発光素子基板11は、第2の電極16として機能する。つまり、本例の発光素子10は、半導体層12bの裏面に電極が形成される。なお、第1の電極15は、透明電極層を介して半導体層12aに形成されてよい。電極パッド15aは、半導体層12aの中央に形成される。また、延長電極部15bは、電極パッド15aから放射状に延伸して形成される。本例の延長電極部15bは、電極パッド15aから、半導体層12aの表面の各隅に向かって延伸して形成される。本例の識別部17は、少なくともいずれかの延長電極部15bに形成される。識別部17の形状は、図10に関連して説明した延長電極部16bに形成される識別部17の形状と同様であってよい。図12Aから図12Cは、延長電極部16bに形成される識別部17のパターン例を示す。図12Aから図12Cに示すように、それぞれの発光素子10において、延長電極部16bに形成される識別部17は、同数の凸部を有してよい。なお、図12Bおよび図12Cに示すように、識別部17は、長さ延長電極部16bから突出する長さの異なる凸部を有してよい。識別部17は、第1の長さを有する第1凸部17-1と、第2の長さを有する第2凸部17-2との配列パターンにより、識別情報を表示する。第1凸部の長さは、第2凸部の長さの2倍程度であってよい。このように、識別部17の有する凸部の数を、識別情報の内容によらず一定にすることで、識別部17のパターンが、電流拡散に与える影響を低減することができる。なお、図1から図11においては、垂直型の発光素子10を例として説明したが、発光素子10は他の構造を有してもよい。なお、以上の例において識別部17は外観により識別情報を表示したが、識別部17は、識別情報に応じた電気的特性を有する識別素子であってよく、識別情報を記憶する記憶部であってもよい。例えば識別素子は、他の発光素子の識別素子とは異なる抵抗値を有する抵抗を有してよい。また記憶部は、他の発光素子の識別素子とは異なる電荷量を蓄積した容量を有してよい。当該容量に蓄積された電荷は、発光デバイスのパッケージ後、または、出荷前等の段階において、紫外線照射等により消去されてよい。これらの識別部は、スクライブ領域106に形成されてよい。図13は、発光デバイスを製造する製造方法のフローチャートの一例を示す。まず、発光構造体形成段階S212において、発光素子基板100に発光構造体を形成する。例えば半導体積層部12と同一構成の層を、発光素子基板100の全面に形成する。次に、エッチング段階S214において、発光構造体を複数の発光素子10に分割すべく、エッチングによりスクライブ領域106を形成する。このとき、図8および図9に関連して説明したように、エッチングにより露出する発光構造体の側面に、識別部17を形成してよいS222。また、エッチング段階S214の後に、図3から図7に関連して説明したように、スクライブ領域106または透明電極14上に、2次元のマーク文字、記号、図形等を有する識別部17を形成してよいS224。次に、電極形成段階S216において、第1電極部15および第2電極部16を形成する。このとき、図10から図12Cに関連して説明したように、第1電極部15および第2電極部16の少なくとも一方に、識別部17を形成してよいS226。なお、S212からS216が、図1に関連して説明した素子形成段階S210に対応する。また、電極形成段階S216の後に、図3から図7に関連して説明したように、スクライブ領域106または透明電極14上に、2次元のマーク文字、記号、図形等を有する識別部17を形成してもよいS228。次に、チップ分離段階S230において、スクライブ領域106に沿って、発光素子基板11を分割する。これにより、複数の発光デバイスを製造することができる。なお、スクライブ領域106または透明電極14上に、2次元のマーク文字、記号、図形等を有する識別部17を形成する段階は、エッチング段階S214の前に行われてもよい。なお、S222からS228の段階を複数用いて、識別部17を形成してもよい。例えば、発光構造体形成段階S212に係る製造装置等の情報を示す識別部17を、S222またはS224の段階で形成し、電極形成段階S216に係る製造装置等の情報を示す識別部17を、S226の段階で形成してもよい。なお、分離された発光素子10については、品質管理装置のプローブを第1の電極15および第2の電極16に接触させることで、チップ状態での発光素子10の電気的および光学的特性が測定される第1の測定段階。このとき、品質管理装置は、発光素子10の識別部17の外観に基づいて発光素子10を識別する。品質管理装置は、当該測定結果と、発光素子10の識別情報とを対応付けて管理する第1の結果記憶段階。当該測定結果により、発光素子10の良否判定およびランク分けが行われる。次に、発光素子10を所定のパッケージ内に配置して、発光デバイスを形成する。例えばパッケージは、発光素子10を格納するキャビティ、発光素子10の第1電極部15および第2電極部16と電気的に接続されるリードフレーム、および、蛍光材料が混在され、発光素子を封止する透明樹脂等を備える。発光素子10をパッケージした発光デバイスについても、光学的特性等が測定される第2の測定段階。このとき、品質管理装置は、発光素子10の識別部17を観察し、測定結果と、発光素子10の識別情報とを対応付けて管理する。そして、測定結果に応じた用途に、発光デバイスが分類される。このように、発光素子10に識別部17が形成されるので、チップ単位に分離した後に行われる、チップ状態またはパッケージ状態での電気的および光学的特性の測定結果を、発光素子10に対応付けて管理できる。このため、これらの測定結果と、ウェハベースでの製造工程に関連した情報ロット番号、ウェハ上での位置等との相関性を解析できる。このため、ウェハベースでの製造工程が、チップ状態またはパッケージ状態の発光デバイスの特性に与える影響を解析することができる。なお、電気的特性には、発光素子10または発光デバイスの駆動電圧、駆動電流および順方向電圧等が含まれる。また、光学的特性には、発光素子10または発光デバイスの発光強度、発光波長、温度変化に伴う波長変化、色座標および色温度等が含まれる。このような方法により、それぞれの発光デバイスの品質を管理することができる。図14Aは、発光素子基板100の一例を示す。図14Aに示されるように、発光素子基板100における各発光素子10は、xy座標で示される。本例の品質管理装置は、発光素子基板100のロット番号、ウェハ番号、および、xy座標により、それぞれの発光素子10を管理する。それぞれの発光素子10には、発光素子基板100のロット番号、ウェハ番号、および、xy座標に応じた外観の識別部17が形成される。それぞれの発光素子10をパッケージした後で、当該パッケージから射出される光の色座標を測定する。このとき、発光素子10の識別部17の外観を観察して、測定結果と発光素子10の識別情報とを対応付ける。図14Bは、発光素子基板100に対応する基板画像を示す。基板画像は、各発光素子10と対応する位置に、各発光素子10の測定結果に応じた画像を表示する。基板画像は、不良となった発光素子10に対応する位置に、他とは異なる色のマークを表示してよい。また、基板画像は、複数の発光素子基板100についての測定結果を蓄積して表示する。例えば基板画像は、発光素子10に対応する発光デバイスが不良と判定される頻度が多い位置に、より色の濃いマークを表示する。これにより、発光素子基板100において、不良となる確率が高い発光素子10の位置を解析することができる。例えば図14Bの例では、発光素子基板の上側領域および下側領域において、不良が多く発生することがわかる。このように、発光素子10をチップ状態またはパッケージ状態にした発光デバイスが不良となった場合に、不良の発光デバイスに配置された発光素子10について、ウェハベースの製造工程に関する情報を追跡できる。図14Bに示されるように、不良の発光デバイスに用いられる発光素子10の分布が、発光素子基板100の所定の位置に集中するような場合には、発光デバイスの不良が、ウェハーベースの製造工程に起因することが解析できる。なお、このような解析は、発光素子10が、照明装置等の製品に搭載された後の測定結果に対しても行うことができる。解析結果を用いて、ウェハベースの製造工程を改善することで、発光デバイス等の歩留まりを向上させることができる。図15は、照明装置700の構成例を示す。照明装置700は、複数の発光素子10、樹脂カバー710、複数の制御部720、複数の電力伝送部730、支持部740、および、実装基板750を備える。それぞれの発光素子10は、パッケージされた状態であってもよい。例えば発光素子10は、ベース基板に形成された凹部に載置され、かつ、凹部が樹脂で封止されてよい。複数の発光素子10は、実装基板750に実装される。また、実装基板750には、それぞれの発光素子10を制御する制御部720が固定されてよい。制御部720および発光素子10は、実装基板750を貫通するケーブル等の配線で接続されてよい。樹脂カバー710は、複数の発光素子10を覆うように設けられる。樹脂カバー710は、半球状を有してよい。樹脂カバー710は、中空形状であってよい。支持部740は、実装基板750を支持する。支持部740は、実装基板750の基板形状と略同一形状の開口を有してよい。実装基板750は、当該開口に固定される。電力伝送部730は、それぞれの半導体発光素子10を駆動する電源電力を、それぞれの発光素子10に伝送する。また、支持部740は、商用電源等に接続され、商用電源と、電力伝送部730とを電気的に接続する。図16は、バックライト800の構成例を示す。バックライト800は、複数の発光素子10が1次元または2次元に配列されたデバイスアレイ820と、導光板810とを備える。また、バックライト800は、導光板810の光射出面に対向する位置に設けられた、拡散シートおよびレンズシート等の光学シートを更に備えてよい。デバイスアレイ820は、導光板810の各長辺に対向して設けられてよい。それぞれの発光素子10は、導光板810の側面から、導光板810の内部に光を射出する。導光板810は、入射された光を、所定の光射出面から射出する。また、デバイスアレイ820は、導光板810の光射出面とは逆側の面に対向して設けられてよい。つまり、バックライト800は、直下型であってもよい。当該バックライトは、テレビ等の液晶モニタ、携帯電話の液晶画面等に用いることができる。なお、図1から図14Bに関連して説明した発光素子10は、更に多様な用途に用いることができる。例えば発光素子10は、自動二輪車、自動四輪車のヘッドライトの光源として使用することもできる。この場合、ヘッドライトは、1または複数の発光素子10と、発光素子10の射出光を車外に照射するレンズとを有する。また、発光素子10は、蛍光灯の光源として使用することもできる。この場合、蛍光灯は、一次元に配列された複数の発光素子10と、複数の発光素子10を格納し、発光素子10の射出光を外部に照射するチューブとを有する。また、発光素子10は、情報表示装置の画素として使用することもできる。この場合、情報表示装置は、二次元に配列された複数の発光素子10と、それぞれの発光素子10を駆動する駆動回路とを有する。複数の発光素子10には、緑色光、青色光または赤色光をそれぞれ射出する複数種類のデバイスが含まれてよい。また、発光素子10は、信号機の光源として使用することもできる。信号機は、それぞれ異なる色を射出する少なくとも2種類の発光素子10と、それぞれの発光素子10を駆動する駆動回路とを有する。信号機は、色ごとに発光素子10を複数有してよい。また、発光素子10は、電気機器の動作状態を示す表示灯の光源として使用することもできる。表示灯は、例えばテレビまたはノートパソコンの電源の状態等を示す表示灯であって、発光素子10と、発光素子10を駆動する駆動回路とを有する。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段より前に、先立って等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上まず、、次に、等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。"