アクセプタ元素を含み軟化温度が300~950°Cであるガラス粉末と、分散媒と、を含有するp型拡散層形成組成物。前記アクセプタ元素が、Bホウ素、Alアルミニウム及びGaガリウムから選択される少なくとも1種である請求項1に記載のp型拡散層形成組成物。前記アクセプタ元素を含むガラス粉末が、B2O3、Al2O3及びGa2O3から選択される少なくとも1種のアクセプタ元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2、CeO2及びMoO3から選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有する請求項1又は請求項2に記載のp型拡散層形成組成物。前記ガラス粉末の結晶化温度が1050°C以上である請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のp型拡散層形成組成物。請求項1~請求項4のいずれか1項に記載のp型拡散層形成組成物を塗布する工程と、熱拡散処理を施す工程と、を有するp型拡散層の製造方法。半導体基板上に、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載のp型拡散層形成組成物を塗布する工程と、熱拡散処理を施して、p型拡散層を形成する工程と、形成された前記p型拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。しかしながら、特開2003-223813号公報に記載のペースト組成物を用いた場合でも充分に反りを抑制することができない場合があった。本発明は、以上の従来の問題点に鑑みなされたものであり、シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつp型拡散層を形成することが可能なp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供を課題とする。前記課題を解決する手段は以下の通りである。<1>アクセプタ元素を含み軟化温度が300~950°Cであるガラス粉末と、分散媒と、を含有するp型拡散層形成組成物。<2>前記アクセプタ元素が、Bホウ素、Alアルミニウム及びGaガリウムから選択される少なくとも1種である前記<1>に記載のp型拡散層形成組成物。<3>前記アクセプタ元素を含むガラス粉末が、B2O3、Al2O3及びGa2O3から選択される少なくとも1種のアクセプタ元素含有物質、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2、CeO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有する前記<1>又は<2>に記載のp型拡散層形成組成物。<4>更に、前記ガラス粉末の結晶化温度が1050°C以上である前記<1>~<3>のいずれか1項に記載のp型拡散層形成組成物。<5>前記<1>~<4>のいずれか1項に記載のp型拡散層形成組成物を塗布する工程と、熱拡散処理を施す工程と、を有するp型拡散層の製造方法。<6>半導体基板上に、前記<1>~<4>のいずれか1項に記載のp型拡散層形成組成物を塗布する工程と、熱拡散処理を施して、p型拡散層を形成する工程と、形成された前記p型拡散層上に電極を形成する工程とを有する太陽電池素子の製造方法。本発明によれば、シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつp型拡散層を形成することが可能なp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供することが可能となる。まず、本発明のp型拡散層形成組成物について説明し、次にp型拡散層形成組成物を用いるp型拡散層及び太陽電池素子の製造方法について説明する。尚、本明細書において工程との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また、本明細書において~は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示すものとする。さらに本明細書において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。本発明のp型拡散層形成組成物は、少なくともアクセプタ元素を含むとともに軟化温度が300~950°Cであるガラス粉末以下、単にガラス粉末と称する場合があると、分散媒と、を含有し、更に塗布性などを考慮してその他の添加剤を必要に応じて含有してもよい。ここで、p型拡散層形成組成物とは、アクセプタ元素を含有し、例えば、シリコン基板に塗布した後に、熱拡散処理焼成することでこのアクセプタ元素を熱拡散させてp型拡散層を形成することが可能な材料をいう。本発明のp型拡散層形成組成物を用いることで、p型拡散層形成工程とオーミックコンタクト形成工程とを分離でき、オーミックコンタクト形成のための電極材の選択肢が広がるとともに、電極の構造の選択肢も広がる。例えば銀等の低抵抗材を電極に用いることで薄い膜厚で低抵抗が達成できる。また、電極も全面に形成する必要はなく、櫛型等の形状のように部分的に形成してもよい。以上のように電極を薄膜あるいは櫛型形状等の部分的形状にすることで、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑えながらp型拡散層を形成することが可能となる。したがって、本発明のp型拡散層形成組成物を適用すれば、従来広く採用されている方法、つまりアルミペーストを印刷し、これを焼成してn型拡散層をp型拡散層にするのと同時にオーミックコンタクトを得る方法では発生する可能性がある基板中の内部応力及び基板の反りの発生が抑制される。さらにガラス粉末中のアクセプタ成分は焼成中でも揮散しにくいため、揮散ガスの発生によって所望の領域以外にまでp型拡散層が形成されるということが抑制される。本発明に係るアクセプタ元素を含むガラス粉末について、詳細に説明する。アクセプタ元素とは、シリコン基板中にドーピングさせることによってp型拡散層を形成することが可能な元素である。アクセプタ元素としては第13族の元素が使用でき、例えばBほう素、Alアルミニウム及びGaガリウム等が挙げられる。アクセプタ元素をガラス粉末に導入するために用いるアクセプタ元素含有物質としては、B2O3、Al2O3及びGa2O3等が挙げられ、B2O3、Al2O3及びGa2O3から選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。また、アクセプタ元素を含むガラス粉末は、必要に応じて成分比率を調整することによって、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性等を制御することが可能である。更に以下に記す、ガラス成分物質を含むことが好ましい。ガラス成分物質としては、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2、MoO3、La2O3、CeO2、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、TiO2、ZrO2、GeO2、TeO2及びLu2O3等が挙げられ、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2、CeO2及びMoO3から選択される少なくとも1種を用いることが、好ましい。アクセプタ元素を含むガラス粉末の具体例としては、前記アクセプタ元素含有物質と前記ガラス成分物質の双方を含むが挙げられ、B2O3-SiO2系アクセプタ元素含有物質-ガラス成分物質の順で記載、以下同様、B2O3-ZnO系、B2O3-PbO系、B2O3-CeO2系、B2O3単独系等のアクセプタ元素含有物質としてB2O3を含む系、Al2O3-SiO2系等のアクセプタ元素含有物質としてAl2O3を含む系、Ga2O3-SiO2系等のアクセプタ元素含有物質としてGa2O3を含む系などのガラス粉末が挙げられる。また、Al2O3-B2O3系、Ga2O3-B2O3系等のように、2種類以上のアクセプタ元素含有物質を含むガラス粉末でもよい。上記では1成分ガラスあるいは2成分を含む複合ガラスを例示したが、B2O3-SiO2-Na2O系、B2O3-SiO2-CeO2系等のように、3成分以上の物質を含むガラス粉末でもよい。ガラス粉末中のガラス成分物質の含有比率は、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、結晶化温度、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には、0.1質量以上95質量以下であることが好ましく、0.5質量以上90質量以下であることがより好ましい。具体的には、B2O3-CeO2系ガラスの場合には、CeO2の含有比率は、1質量以上50質量以下であることが好ましく、3質量以上40質量以下であることがより好ましい。かかる含有比率であることで、より均一にp型拡散層を形成することができる。またガラス粉末の軟化温度は、後述する熱拡散処理時にアクセプタ元素をより効果的にシリコン基板中へ拡散させ、均一なp型拡散層を得る観点から重要である。本発明においてガラス粉末の軟化温度は300°C~950°Cであるが、350°C~900°Cであることが好ましく、370°C~850°Cであることがより好ましく、400°C~800°Cであることがさらに好ましい。ガラス粉末の軟化温度が300°C未満の場合には、高温での熱拡散処理時にガラス成分が結晶化し易くなり、熱拡散処理後のガラス成分のエッチング除去工程において、そのエッチング除去性が低下する傾向があり、また融点が低下することからアクセプタ元素が揮発し易くなって、熱拡散処理時において不要な部分にp型拡散層を形成し易くなる傾向がある。また、ガラス粉末の軟化温度が950°Cを超える場合には、熱拡散処理時にガラスが軟化し難くなり、ガラス粉末が粒状の形状を維持したままになるので、ガラス成分がシリコン基板上において微視的に均一に覆われることなくアクセプタ元素の拡散が進行することとなり、結果的にp型拡散層の形成性が不均一になる傾向があり、シート抵抗値が上昇する場合がある。なお、ガラス粉末の軟化温度は公知の示差熱分析装置DTAによって、その吸熱ピークから容易に測定することができる。また本発明において、ガラス粉末の結晶化温度は1050°C以上であることが好ましく、1100°C以上であることがより好ましく、1200°C以上であることがさらに好ましい。結晶化温度が1050°C以上であることで、熱拡散処理時におけるガラス成分の結晶化が抑制される。これにより、熱拡散処理後のガラス成分エッチング除去工程における結晶化物の残存が抑制され、ガラス成分のエッチング除去性が向上する。なお、ガラス粉末の結晶化温度は公知の示差熱分析装置DTAによって、その発熱ピークから容易に測定することができる。ガラス粉末の形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状、および鱗片状等が挙げられ、n型拡散層形成組成物とした場合の基板への塗布性や均一拡散性の点から略球状、扁平状、または板状であることが望ましい。ガラス粉末の粒径は特に制限はないが、100μm以下であることが望ましい。100μm以下の粒径を有するガラス粉末を用いた場合には、より平滑な塗膜が得られやすい。更に、ガラス粉末の粒径は50μm以下であることがより望ましい。更に、ガラス粉末の粒径は10μm以下であることがより望ましい。なお、下限は特に制限されないが、0.01μm以上であることが好ましい。ここで、ガラスの粒径は、平均粒子径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。アクセプタ元素を含むガラス粉末は、以下の手順で作製される。最初に原料を秤量し、るつぼに充填する。るつぼの材質としては白金、白金―ロジウム、イリジウム、アルミナ、石英、炭素等が挙げられるが、溶融温度、雰囲気、溶融物質との反応性等を考慮して適宜選ばれる。次に、電気炉でガラス組成に応じた温度で加熱し融液とする。このとき融液が均一となるよう攪拌することが望ましい。続いて得られた融液をグラファイト板、白金板、白金-ロジウム合金板、ジルコニア板等の上に流し出して融液をガラス化する。最後にガラスを粉砕し粉末状とする。粉砕にはジェットミル、ビーズミル、ボールミル等公知の方法が適用できる。p型拡散層形成組成物中のアクセプタ元素を含むガラス粉末の含有比率は、塗布性、アクセプタ元素の拡散性等を考慮し決定される。一般には、p型拡散層形成組成物中のガラス粉末の含有比率は、0.1質量以上95質量以下であることが好ましく、1質量以上90質量以下であることがより好ましく、1.5質量以上85質量以下であることがさらに好ましく、2質量以上80質量以下であることが特に好ましい。次に、分散媒について説明する。分散媒とは、組成物中において上記ガラス粉末を分散させる媒体である。具体的に分散媒としては、バインダーや溶剤などが採用される。バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド類、ポリビニルアミド類、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド類、ポリスルホン酸、アクリルアミドアルキルスルホン酸、セルロースエーテル類、セルロース誘導体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース、ゼラチン、澱粉及び澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム類、キサンタン、グア及びグア誘導体、スクレログルカン、トラガカントまたはデキストリン誘導体、メタアクリル酸樹脂、島津製作所製熱分析装置TGDTA、DTG60H型、測定条件:昇温速度20°C/分、空気流量100ml/分で上記B2O3-CeO2系ガラス粉末を熱分析した結果、軟化温度は600°Cであった。また、結晶化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。尚、ガラス粒子形状は、株日立ハイテクノロジーズ製TM-1000型走査型電子顕微鏡を用いて観察して判定した。ガラスの平均粒子径はベックマンコールター株製LS13320型レーザー散乱回折法粒度分布測定装置測定波長:632nmを用いて算出した。次に、調製したペーストp型拡散層形成組成物をスクリーン印刷によって、p型シリコン基板の一方の面上以下、裏面ということがあるに塗布し、150°Cのホットプレート上で5分間乾燥させた。続いて、1000°Cに設定した電気炉で10分間熱拡散処理を行い、その後ガラス層を除去するため基板を10ふっ酸に5分間浸漬し、流水洗浄を行った。その後、乾燥を行った。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は45Ω/□であり、Bホウ素が拡散し、p型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。結果を表1に示す。なお、シート抵抗は、三菱化学株製Loresta-EPMCP-T360型低抵抗率計を用いて四探針法により測定した。[実施例2]熱拡散処理時間を15分とした以外は実施例1と同様にp型拡散層形成を行った。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は35Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[実施例3]熱拡散処理の時間を30分とした以外は実施例1と同様にp型拡散層形成を行った。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は20Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[実施例4]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-ZnO系ガラスB2O3:40、ZnO:40、CeO2:10、MgO:5、CaO:5とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いてp型拡散層形成を行った。なお、ガラス粉末の軟化温度は580°Cであった。また、結晶化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は48Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[実施例5]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-SiO2系ガラスB2O3:30、SiO2:50、CeO2:10、ZnO:10とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いてp型拡散層形成を行った。なお、上記ガラス粉末の軟化温度は680°Cであった。また、結晶化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は52Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[実施例6]熱拡散処理の時間を30分とした以外は実施例5と同様にp型拡散層形成を行った。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は33Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった[実施例7]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-PbO系ガラスB2O3:30、PbO:50、ZnO:20とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いてp型拡散層形成を行った。なお、ガラス粉末の軟化温度は340°Cであった。また、結晶化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は17Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[実施例8]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-SiO2系ガラスB2O3:30、SiO2:10、PbO:40、ZnO:10、CaO:10とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いてp型拡散層形成を行った。なお、ガラス粉末の軟化温度は370°Cであった。また、結晶化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は25Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[実施例9]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-SiO2系ガラスB2O3:30、SiO2:10、PbO:30、ZnO:20、NaO:10とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いてp型拡散層形成を行った。なお、ガラス粉末の軟化温度は390°Cであった。また、結晶化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は31Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[実施例10]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-ZnO系ガラスB2O3:30、ZnO:40、CaO:20、Al2O3:10とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いてp型拡散層形成を行った。なお、ガラス粉末の軟化温度は505°Cであった。また、結晶化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は43Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[実施例11]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-SiO2系ガラスB2O3:50、SiO2:10、ZnO:30、CaO:10とし、熱拡散処理時間を20分間とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いてp型拡散層形成を行った。なお、ガラス粉末の軟化温度は690°Cであった。また、結晶化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は56Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[実施例12]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-SiO2系ガラスB2O3:22、SiO2:58、CaO:20とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いてp型拡散層形成を行った。なお、ガラス粉末の軟化温度は850°Cであった。また、結晶化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は78Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[実施例13]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-SiO2系ガラスB2O3:25、SiO2:60、CaO:15とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いてp型拡散層形成を行った。なお、ガラス粉末の軟化温度は880°Cであった。また、結晶化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は82Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[実施例14]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-SiO2系ガラスB2O3:20、SiO2:65、CaO:10、Al2O3:5とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いてp型拡散層形成を行った。なお、ガラス粉末の軟化温度は940°Cであった。また、結晶化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の表面のシート抵抗は96Ω/□であり、Bホウ素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。またシリコン基板に反りは発生していなかった。[比較例1]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-SiO2系ガラスB2O3:10、SiO2:20、PbO:40、NaO:30とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いて熱拡散処理を行った。なお、ガラス粉末の軟化温度は240°Cであった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の面にはBホウ素が拡散し、p型拡散層が形成されていた。またその表面のシート抵抗は63Ω/□であった。しかしながら、p型拡散層形成組成物が塗布されていなかった部分のシート抵抗は70Ω/□であり、不要な部分にまでp型拡散層が形成されていた。尚、シリコン基板に反りは発生していなかった。[比較例2]ガラス粉末を粒子形状が略球状で、平均粒子径が3.2μmのB2O3-SiO2系ガラスB2O3:5、SiO2:93、NaO:2とした以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いて熱拡散処理を行った。なお、ガラス粉末の軟化温度は熱分析装置の測定範囲を超えており、1100°C以上であった。p型拡散層形成組成物を塗布した側の面のシート抵抗は、大きすぎて測定不能であり、p型拡散層は実質的に形成されていないと判断された。尚、シリコン基板に反りは発生していなかった。以上から、本発明のp型拡散層形成組成物を用いることで、p型拡散層をシリコン基板の反りを発生させることなく、均一に形成可能であることが分かる。