外周部表面にディンプルが形成されたパターン状の電極を有する絶縁基板と、上記電極の中央部に接合材を介して接続された半導体素子と、この半導体素子のまわりにおける上記電極の外周部に設置され樹脂の外方への流出を阻止する流出阻止部及びこの流出阻止部の内側に配設され上記ディンプルとの対向面を上記中央部側よりも上記外周部側が狭小となるように形成された樹脂厚変化部を有する外周壁部材とを備え、上記外周壁部材の内側を封止樹脂によって上記半導体素子が覆われるように充填したことを特徴とする半導体装置。上記外周壁部材における上記封止樹脂との接触面に、複数の凹部、又は上記絶縁基板に平行な溝が設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。上記流出阻止部は、上記絶縁基板における上記電極の外周部に立設された流出防止壁からなり、上記樹脂厚変化部は、上記流出防止壁の内側に設置され上記ディンプルとの対向面が上記中央部側に間隔が広がるように傾斜されたブロック部材からなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置。上記外周壁部材は、上記流出阻止部及び上記樹脂厚変化部が一体的に形成されたものであることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置。外部との電気的接続を図る配線の一端が上記半導体素子の電極に接合され、他端が上記樹脂厚変化部に接合されていることを特徴とする請求項1から請求項4の何れかに記載の半導体装置。上記樹脂厚変化部の上端部が上記封止樹脂から露出されてなり、該上端部を外部回路との電気的接続を図る配線の接合部としたことを特徴とする請求項1から請求項5の何れかに記載の半導体装置。上記のような従来の技術では、塗布した樹脂を堰き止める物がないため、樹脂が外部に流出しないよう、半導体素子の周囲のみに樹脂を少し垂らす程度にしか樹脂を封止できない。そのため、樹脂の量が不十分であり、樹脂封止の目的である、接合材のクラック、配線の劣化抑制の効果を得られにくい。また、半導体素子の周囲のみを樹脂で封止するためには、粘度が高い樹脂を使用する必要があるが、粘度が高い樹脂を使用すると、封止時に気泡を巻き込み、チップの耐圧低下、または気泡を起点にクラックが生じるという懸念があった。本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、接合材のクラック、配線の劣化抑制の効果を十分に発揮できるだけの樹脂を封止しつつ、半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、封止樹脂が基板から剥離を起こし難い信頼性の高い半導体装置を得ることを目的としている。本発明に係る半導体装置は、外周部表面にディンプルが形成されたパターン状の電極を有する絶縁基板と、上記電極の中央部に接合材を介して接続された半導体素子と、この半導体素子のまわりにおける上記電極の外周部に設置され樹脂の外方への流出を阻止する流出阻止部及びこの流出阻止部の内側に配設され上記ディンプルとの対向面を上記中央部側よりも上記外周部側が狭小となるように形成された樹脂厚変化部を有する外周壁部材とを備え、上記外周壁部材の内側を封止樹脂によって上記半導体素子が覆われるように充填したものである。本発明においては、上記のような流出阻止部及び樹脂厚変化部を有する外周壁部材を用いて構成したので、接合材のクラック、配線の劣化抑制の効果を十分に発揮できるだけの樹脂を封止しつつ、ヒートサイクルに対して封止樹脂が基板から剥離を起こし難い信頼性の高い半導体装置を得ることができる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1による半導体装置の基本構造を模式的に示す断面図、図2は本発明の実施の形態1による半導体装置の他の基本構造を、封止樹脂を取り除いて示す上面図である。図において、半導体装置は、両面に絶縁基板1の長さよりも短い電極21、22が設けられた半導体素子基板3、電極21上にはんだなどの接合材4で接続された半導体素子5、半導体素子基板3を保持するCu板などからなるベース部材6、半導体素子基板3の上面の電極21の周辺を囲むように形成された封止樹脂7の流出阻止部としての流出防止壁8、流出防止壁8の内側に設置され電極21との対向面が中央部側よりも外周部側が狭小となるように傾斜された複数のブロック部材9、半導体素子5の電極と図示しない外部端子を導通するための配線11などを備えている。ここでは、流出防止壁8と複数のブロック部材9で外周壁部材10を構成している。なお、図1では流出防止壁8とブロック部材9がクリアランスなく隣接しているが、図2のように、流出防止壁8とブロック部材9の間にクリアランスがあっても差し支えなく、接合材4のクラック、配線11の劣化抑制の効果は同じである。図の上側の電極21における封止樹脂7との接触面には、封止樹脂7の剥離を抑制するための多数のディンプル21aが形成されている。なお、上側の電極21は、便宜上切れ目のない一様な形状で図示されているが、必要に応じて予め不要部分が適宜除去され、所要の絶縁を図るようにパターン状に形成されたものであっても良い。以下の図でも同様である。流出防止壁8はここでは樹脂製であり、半導体素子基板3と型で樹脂の一体成形により形成しても良いし、流出防止壁8をモールド型などで成形した後、半導体素子基板3に接着しても良い。ブロック部材9は、流出防止壁8の内側の電極21の外周部に配設され、ディンプル21aの上にはんだ付け、もしくは接着材何れも図示省略で実装されている。なお、実装状態においてもディンプル21aが形成された電極21の表面と、ブロック部材9のディンプル21aとの対向面との間の隙間は、接合部分を除いて封止樹脂7が進入し得る中央部側に広がるように傾斜された隙間が保持されている。この流出防止壁8で区切られた内部に封止樹脂7が注入される。なお、図2の場合、ブロック部材9相互の隙間、及びブロック部材9と流出防止壁8との間隙部にも封止樹脂7が進入する。ブロック部材9は、図1、図2の例ではAlNからなっている。該ブロック部材9のディンプル21aとの対向面における中央部側よりも外周部側が狭小となるように形成された傾斜面は樹脂厚変化部9aを構成しており、封入された封止樹脂7がブロック部材9とディンプル21aの形成面の隙間に入り込んだときに樹脂の厚さが外側で薄くなるように形成されている。なお、樹脂厚変化部9aの形状は特に限定されるものではなく、例えば直線状の傾斜面、階段状の斜面、あるいは図3に示す変形例のように凸状の突出部で形成されたものなどであっても差し支えない。要するに封止樹脂7の厚みが中央部側よりも外部側で薄くなっている部分が形成されていれば相応の効果が期待できる。上記半導体素子5は例えば大電流を制御するMOSFET、還流用のダイオードなどである。図1、2には半導体素子5は一つのみ図示されているが、一般的なパワーモジュールでは、これらが並列に実装されている。なお、下側の電極22とベース部材6とは、はんだなどの接合材12で固着されている。なお、上記半導体素子5と図示しない外部端子を接続する配線11としては例えばアルミが用いられる。また、図2では、ブロック部材9を各辺部分に1つずつ合計4つ配置したものを示したが、ブロック部材9の形状や配置数は、これに限定されるものではなく、例えばこの4つのブロック部材9が1つにつながった形状や、2つずつ繋げた形状などであっても、成形方法が異なるだけで、接合材4のクラック抑制、配線11の劣化抑制の効果は同様である。次に、図4~図6を参照して封止樹脂7と電極21の剥離防止に有効なディンプル21aについて説明する。なお、図4は図1に示されたディンプルの他の例であるかえりのあるディンプルを示す図、図5は図4に示されたディンプルを形成するための加工方法を示す図、図6は図1に示されたエッチングにより形成したディンプルを示す図である。電極21の厚みは通常0.1~0.7mm程度であり、これより厚いと使用時の温度サイクルにより電極21と絶縁基板1の界面に剥離が発生してしまう。封止樹脂7の剥離防止の効果を大きくするためのディンプル形状としては、図4に示すような封止樹脂の剥離防止のかえりAのあるディンプルが望ましい。このようなディンプルを形成するためには、例えば図5に示すように、2段階のプレス加工で板に加工することにより行なわれる。即ち、直径の細いパンチ13で凹所Bを形成した後、それよりも太いパンチ14で同一箇所を押すことによりかえりのあるディンプル21bが形成される。しかし、電極21の厚みは上記のように薄いため、プレス加工でかえりのあるディンプルを加工することは困難である。これに対し、図6に示すような半球状のディンプル21aはエッチングにより容易に形成することができる。この発明の半導体装置においては、加工が容易な図6に示すようなかえりのないディンプル21aでも差し支えない。電極21、22及びベース部材6としては通常銅が用いられるが、特に銅に限定されるものではなく、必要な放熱特性を有するものであればよい。例えばアルミや鉄を用いても良く、これらを複合した材料を用いても良い。また、CIC銅/インバー/銅などの複合材料を用いても良く、SiCAl、CuMoなどの合金を用いても良い。また、表面は通常ニッケルメッキが行なわれるが、これに限定されるものではなく、例えば金や錫メッキなどでも良く、必要な電流と電圧を半導体素子に供給できる構造であればよい。また、端子及び電極21の少なくとも一部には、プライマー処理等の密着性向上剤を設けても良い。密着性向上剤は、例えばシランカップリング剤やポリイミド、エポキシ樹脂等が用いられるが、半導体素子基板3の電極21と封止樹脂7との密着性を向上させるものであれば特に限定されるものではない。また、封止樹脂との密着性を高めるために、封止樹脂に接する各部材の表面に凹凸を設けても良く、また電極21と同様に封止樹脂に接する他の部材にプライマー処理等の密着性向上剤を設けても良い。半導体素子基板3は、例えばAl2O3、SiO2、AlN、BN、Si3N4などのセラミックの絶縁基板に銅やアルミの電極21表面及び電極22裏面を設けてあるものを指す。半導体素子基板3は、放熱性と絶縁性を備えることが必要であり、上記に限らず、セラミック粉を分散させた樹脂硬化物、あるいはセラミック板を埋め込んだ樹脂硬化物のような絶縁基板の両面に電極を設けたものでも良い。また、絶縁基板1に使用するセラミック粉は、Al2O3、SiO2、AlN、BN、Si3N4などが用いられるが、これらに限定されるものではなく、例えばダイアモンド、SiC、B2O3などを用いても良い。また、シリコーン樹脂やアクリル樹脂などの樹脂製の粉を用いても良い。粉形状は、球状を用いることが多いが、これに限定されるものではなく、破砕状、粒状、リン片状、凝集体などを用いても良い。粉体の充填量は、必要な放熱性と絶縁性が得られる量が充填されていれば良い。絶縁基板に用いる樹脂は、通常エポキシ樹脂が用いられるが、これに限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などを用いても良く、絶縁性と接着性を兼ね備えた材料であれば構わない。また、配線11としてアルミが好ましく用いられるが、図示していない端子と半導体素子5とを電気的に接続することができ、必要な電流容量を確保できる材料であれば、アルミ以外の例えば銅、金その他の金属を用いても良い事は言うまでも無い。何れの場合も断面が円形の線材が好ましく用いられるが、これに限定されるものではなく、例えば断面が方形の銅板を帯状にしたものなどを用いても良い。また、図1では、半導体素子5に1本の配線しか施されていないが、これに限定されるものではなく、半導体素子5の電流密度などにより、必要な本数を設けることができる。また、配線11の接合は、はんだ付け、超音波接合等を用いることができるが、必要な電流と電圧を半導体素子に供給できる方法構造であれば特に限定されない。さらに、配線に銅板配線を用いてもよい。銅板配線の表面は、防錆のためにニッケル鍍金を用いてもよく、防錆剤などの化学的処理を行っても良い。また、図1では、半導体素子5と図示していない外部端子に配線11を接合しているが、配線11の劣化を抑制するために、半導体素子5と配線11の線膨張率の差を低減するための緩衝材、例えば、CIC銅-インバー-銅、Cu-Mo、Cuなど図示省略が半導体素子5上に接合材を介して接合されている場合、その緩衝材に配線11が接合される。流出防止壁8には、例えばシリコーン樹脂などの樹脂材料を用いることができるが、これに限定されるものではなく、例えばエポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂なども用いる事ができる。また、上記樹脂材料に例えばAl2O3、SiO2などのセラミック粉、AlN、BN、Si3N4、ダイアモンド、SiC、及びB2O3などから選ばれた1つまたは複数の粉末を添加しても良い。さらに、例えばシリコーン樹脂やアクリル樹脂などの樹脂製の粉末を添加しても良い。粉形状としては、球状を用いることが多いが、これに限定されるものではなく、例えば破砕状、粒状、リン片状、凝集体などを用いても良い。粉体の充填量は、必要な流動性や絶縁性や接着性が得られる量であれば良い。また、封止樹脂7としては、例えばエポキシ樹脂が好ましく用いられるが、これに限定されるものではなく、所望の弾性率と耐熱性を有している樹脂であれば良い。例えば、エポキシ樹脂の他に、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、等が好適に用いられる。また、接合材4のクラック、配線11の劣化抑制の効果を得るために、封止樹脂7の高さは、この例では半導体素子5の高さ1~2mm程度以上とすることが好ましい。また、封止樹脂7の面方向の寸法は、半導体素子5とブロック部材9の内壁部との間隔が10mm程度以上となるようにすれが十分である。外周壁部材10は、この封止樹脂7の高さ、面方向の寸法が得られる大きさとすれば良い。さらに、ブロック部材9としてAlNを用いたが、材料は特にこれに限定されるものではなく、他のセラミック材料、あるいは例えば銅、アルミなどの金属材料、あるいは樹脂材料などであっても良い。また、上述したように、形状も特に限定されるものではなく、製造方法も特に限定されない。ブロック部材9を金属ブロックとする場合、押出成形は安価なため望ましいが、鍛造により成形することもできる。また、鍛造の場合、樹脂厚変化部9aの形状は、R形状に限られるが、打ち抜き加工による成形も可能で、R部は打ち抜き時に発生するだれで形成することができる。次に、上記のように構成された実施の形態1の動作について説明する。半導体素子5が高温で動作すると、半導体素子5の周囲にある封止樹脂7や半導体素子基板3が熱膨張し、半導体素子5が動作を止めると、熱収縮が起こる。即ちヒートサイクルが生じる。封止樹脂7と半導体素子5、電極21、絶縁基板1、ベース部材6、接合材4、12のような他の構成部材とは、線膨張率が異なるため、ヒートサイクルによる熱応力により封止樹脂7と他の構成部材間にはせん断応力が発生する。特に、封止樹脂7と他の構成部材間の密着部の中で、封止樹脂7と電極21の密着部が占める面積が圧倒的に大きく、封止樹脂7と電極21間でせん断応力により万一剥離が発生した場合、封止樹脂7の密着が熱応力に耐え切れなくなるため、一気に他の部材の剥離も進展し、樹脂封止の目的である、接合材4のクラック、配線11の劣化抑制の効果を得られ難くなる。剥離防止に有効なディンプル21aは、図6のようなエッチングにより加工されたかえりのない形状のものを用いているので、従来の構造では封止樹脂が剥離し易い。しかし、本実施の形態1では、電極21の外周部におけるディンプル21aの上に、ディンプル21aに接している面から基板中央部に向かってディンプル部との距離が広がる樹脂厚変化部9aを有するブロック部材9が実装されているため、樹脂の外周部はディンプル21aの上にブロック部材9が覆いかぶさり、封止樹脂7の図の上方向への抜け防止になっている。また、封止樹脂7と電極21間に発生するせん断応力は外周部が最も高いが、樹脂厚変化部9aによって外周部の樹脂厚さが薄く形成されているため、外周部の封止樹脂7と電極21間に発生するせん断応力が低減される。このため、封止樹脂7の剥離を有効に防止することができる。本発明は、本実施の形態1のみならず他の実施の形態においても、電力用半導体素子として、150°C以上で動作する半導体素子に適用すると効果が大きい。特に、炭化珪素SiC、窒化ガリウムGaN系材料またはダイアモンドといった材料で形成された、珪素Siに比べてバンドギャップが大きい、いわゆるワイドバンドギャップ半導体に適用すると効果が大きい。上記のように実施の形態1によれば、半導体素子5の周囲を十分な量の封止樹脂7で覆うことができるため、封止樹脂7のクラック、及び剥離を極力抑制しつつ、接合材4のクラックを抑制できる。また、外周壁部材10を用いたことで、粘度の低い樹脂を使用できるため、気泡の残存なく封止できる。また、エッチングによって形成されたディンプル21aであっても、外周部のディンプル21aに接している面から基板中央部に向かってディンプル部との距離が広がるように形成された樹脂厚変化部9aを有するブロック部材9がディンプル21aの形成面上に実装されているため、ブロック部材9がディンプル21a上の封止樹脂の抜け防止の役割を果たしている。また、封止樹脂7とパターン電極2間に生じるせん断応力は最外周部が最も高いが、最外周部の封止樹脂7の厚みが樹脂厚変化部9aによって低減されるので、最外周部に生じるせん断応力を低減することができ、樹脂の剥離防止効果が向上する。これら効果のため、半導体装置の耐久性や信頼性が向上する。耐久性が向上することは長期使用が可能であり、原材料の使用量の減量化、エネルギー消費の削減につながるという特徴がある。実施の形態2.図7は本発明の実施の形態2による半導体装置の基本構造を模式的に示す断面図、図8は本発明の実施の形態2による半導体装置の他の基本構造を、封止樹脂を取り除いて示す上面図である。図において、AlNからなるブロック部材9の上面にはCuなどの電極9bが設けられ、配線11Aは半導体素子5と電極9bを接続するように設けられ、配線11Bは電極9bと図示省略している外部端子を接続するように設けられている。配線11A、11Bとしてはアルミが好ましく用いられるが、特にアルミに限定されるものではない。なお、ブロック部材9がセラミックからなる場合について説明したが、半導体素子5との電気的絶縁を図ることで、ブロック部材9を例えば銅などの金属によって構成することもできる。その他の構成は実施の形態1と同様であるので説明を省略する。上記のように構成された実施の形態2においては、半導体素子5と外部を導通させるために、半導体素子5からブロック部材9の電極9bに配線11Aをつなぎ、ブロック部材9の電極9bから外部へ配線11Bをつなぐようにしたことで、配線1本の長さが短くなるため、配線の溶断を抑制させることができる。即ち、配線長が長いと電気抵抗が大きくなるため、配線自身が発熱し溶断に至る恐れがあるが、実施の形態2ではブロック部材9の電極9bを中継するようにしたので放熱が図られ、配線の溶断による不良がなくなり、信頼性が向上するという更なる効果が得られる。実施の形態3.図9は本発明の実施の形態3による半導体装置の基本構造を模式的に示す断面図、図10は図9に示されたブロック部材を示す斜視図である。図において、ブロック部材9の内側の封止樹脂7と触れる面には多数の円形状のディンプル状の凹部9cが設けられている。その他の構成は実施の形態1と同様である。なお、実施の形態2と同様にすることもできる。上記のように構成された実施の形態3においては、ブロック部材9の封止樹脂7との係合面に凹部9cが設けられていることで、実施の形態1、2に対し、封止樹脂7の抜け防止や剥離をより防止できるという更なる効果が得られる。なお、ディンプル状の凹部9cはエッチングや、プレス加工などで容易に形成できる。プレス加工の場合、樹脂抜け抑制のためのかえりをつけることは望ましい。実施の形態4.図11は本発明の実施の形態4による半導体装置の基本構造を模式的に示す断面図、図12は図11に示されたブロック部材を示す斜視図である。なお、この実施の形態4は実施の形態3の凹部9cを、かえりのついた溝9dとしたものである。なお、溝9dは、半導体素子基板3の面と平行な方向に形成され、しかも淵の部分にかえりがつけられており、ブロック部材9の一端から他端まで直線的に形成されている。その他の構成は実施の形態3と同様である。上記のように構成された実施の形態4においては、ブロック部材9の封止樹脂7との係合面にかえりの付いた平行な複数の溝9dが設けられていることで、実施の形態1、2に対し、封止樹脂7の剥離をより防止できるという更なる効果が得られる。なお、ブロック部材9をCuなどの金属で構成する場合、溝9dと一緒に、押出し成形で製作できる。ブロック部材9の側面に、かえりのついている溝9dがあることで、実施の形態1に対し、封止樹脂7の剥離を更に効果的に防止できる。実施の形態5.図13は本発明の実施の形態5による半導体装置の基本構造を模式的に示す断面図、図14は図13に示された半導体装置の封止樹脂を取り除いて示す上面図である。図において、外周壁部材10Aは、流出阻止部及び樹脂厚変化部が一体的に形成されている。その他の構成は実施の形態1と同様である。なお、外周壁部材10Aは樹脂の他、金属またはセラミックによって構成することもできる。何れの場合も、実施の形態2に係る図7のように、封止樹脂7から露出された樹脂厚変化部9aの上端部を、外部回路との電気的接続を図る配線の接合部とすることができる。また、外周壁部材10Aを銅などの金属で構成する場合、例えば鍛造で成形される。この場合、封止樹脂7が接触する内周側の側面部に凹部や溝を形成することは製造上困難であるが、エッチングにより表面状態を粗に加工することで、樹脂との密着を向上させることができる。上記のように構成された実施の形態5によれば、実施の形態1または2の効果に加えて、部品点数を低減することができるという更なる効果が得られる。なお、上記実施の形態では、ブロック部材9を電極21のディンプル21a部分に固定したが、固定箇所は特に電極21に限定されるものではない。例えば流出防止壁8に対して固定しても良い。また、配線11の中継箇所としてブロック部材9を用いる場合を例示したが、配線11の中継箇所を流出防止壁8に設け、あるいは外周壁部材10の外側の半導体素子基板3などに設けることもできる。その他、この発明の範囲内で、種々の変形や変更ができることは言うまでもない。