チャンバと、前記チャンバ内に配されており、被成膜部材が取り付けられる金属製のホルダと、前記ホルダを加熱する加熱装置と、を備え、前記加熱装置は、遠赤外線を前記ホルダに照射する遠赤外線ヒーターと、近赤外線を前記ホルダに照射する近赤外線ヒーターとを有する、スパッタリング成膜装置。請求項1に記載のスパッタリング装置を用いた薄膜の製造方法であって、被成膜部材がセットされた前記ホルダに対して、前記遠赤外線ヒーターにより遠赤外線を照射すると共に前記近赤外線ヒーターにより近赤外線を照射することにより前記ホルダを加熱し、前記ホルダに吸着したガスを除去する吸着ガス除去工程と、前記吸着ガス除去工程の後に、前記被成膜部材の上にスパッタリング法により薄膜を成膜する工程と、を備える、薄膜の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載のスパッタリング成膜装置により成膜を繰り返し行った場合、成膜された薄膜にピンホールなどの欠陥が生じやすいという問題がある。本発明は、繰り返しスパッタリング成膜を行った場合であっても、成膜される薄膜に構造欠陥が生じ難いスパッタリング成膜装置及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供することを主な目的とする。本発明に係るスパッタリング成膜装置は、チャンバと、金属製のホルダと、加熱装置とを備えている。ホルダは、チャンバ内に配されている。ホルダには、被成膜部材が取り付けられる。加熱装置は、ホルダを加熱する。加熱装置は、遠赤外線をホルダに照射する遠赤外線ヒーターと、近赤外線をホルダに照射する近赤外線ヒーターとを有する。本発明に係る薄膜の製造方法は、本発明に係るスパッタリング成膜装置を用いた薄膜の成膜方法に関する。本発明に係る薄膜の製造方法は、被成膜部材がセットされたホルダに対して、遠赤外線ヒーターにより遠赤外線を照射すると共に近赤外線ヒーターにより近赤外線を照射することによりホルダを加熱し、ホルダに吸着したガスを除去する吸着ガス除去工程と、吸着ガス除去工程の後に、被成膜部材の上にスパッタリング法により薄膜を成膜する工程とを備えている。本発明によれば、繰り返しスパッタリング成膜を行った場合であっても、成膜される薄膜に構造欠陥が生じ難いスパッタリング成膜装置及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。図1は、本実施形態に係るスパッタリング成膜装置の模式的平面図である。図1に示すように、スパッタリング成膜装置1は、成膜チャンバ10aと、予熱チャンバ10bとを有する。成膜チャンバ10aは、スパッタリング成膜を行うためのチャンバである。予熱チャンバ10bは、被成膜部材図示せずが取り付けられたホルダ本実施形態においてはカルーセル11を成膜チャンバ10aに移送する前に予め加熱するためのチャンバである。予熱チャンバ10bは、成膜チャンバ10aに隣接して設けられている。ホルダ11は、金属製である。ホルダ11は、例えば鉄やステンレスなどの金属や合金により構成することができる。予熱チャンバ10b内には、被成膜部材が取り付けられたホルダ11に遠赤外線を照射する遠赤外線ヒーター20と、近赤外線を照射する近赤外線ヒーター21とを有する加熱装置が配されている。被成膜部材が取り付けられたホルダ11は、まず、予熱チャンバ10bに配される。次に、予熱チャンバ10bを減圧しながら、予熱チャンバ10b内においてホルダ11を回転させつつ、遠赤外線ヒーター20と近赤外線ヒーター21とによりホルダ11に遠赤外線と近赤外線とを照射する。これにより、ホルダ11を加熱し、ホルダ11に吸着しているガスを除去する吸着ガス除去工程。その後、予め減圧されている成膜チャンバ10aに、被成膜部材が取り付けられたホルダ11を移送する。そして、成膜チャンバ10a内に設けられたターゲット取付部13に取り付けられたターゲット12からスパッタ粒子を飛散させ、被成膜部材の上にスパッタリング法により薄膜を形成する。以上の工程により薄膜を製造することができる。ところで、ホルダの加熱は、通常、一種類の熱源により行う。しかしながら、この場合は、成膜された薄膜にピンホールなどの構造欠陥が生じやすい。それに対して本実施形態では、遠赤外線ヒーター20と近赤外線ヒーター21とによりホルダ11に遠赤外線と近赤外線との両方を照射してホルダ11を加熱する。このようにすることにより、成膜された薄膜にピンホールなどの構造欠陥が生じることを効果的に抑制することができる。このような効果が得られる理由は定かではないが、例えば、以下のような理由によるものと考えられる。ホルダを成膜に繰り返し使用した場合、ホルダの表面の上にも薄膜が形成される。例えば、遠赤外線を照射することによりホルダを予熱した場合、遠赤外線は、金属製のホルダにより反射されるため、ホルダは加熱されずに、ホルダの表面上に成膜された薄膜のみが加熱される。この際、薄膜とホルダとの熱膨張差に起因して、薄膜がホルダから剥離してパーティクルが生じ、そのパーティクルに起因して成膜される薄膜にピンホールなどの構造欠陥が生じる場合がある。それに対して本実施形態では、金属製のホルダ11に対して、遠赤外線と近赤外線との両方を照射する。このため、ホルダ11の表面上に成膜された薄膜と共に、ホルダ11も加熱される。よって、ホルダと薄膜との熱膨張差を小さくできる。従って、薄膜がホルダから剥離してパーティクルが発生することを抑制することができる。その結果、成膜される薄膜にピンホール等の構造欠陥が生じることを抑制することができるものと考えられる。実際に、遠赤外線のみを照射してホルダを加熱した場合のピンホールの発生率は約1であったところ、遠赤外線と近赤外線との両方を照射してホルダを加熱した場合のピンホールの発生率は約0.5であった。また、遠赤外線と近赤外線との両方をホルダ11に照射することによりホルダ11の予熱に要する時間を短くすることができる。従って、薄膜の製造効率を向上することができる。