"開口を有する絶縁層と、第1電極と第2電極との間に発光層を含む機能層を有すると共に前記絶縁層の開口に設けられた発光素子とを備え、前記絶縁層は、前記機能層のうち当該絶縁層に近接する層よりも低屈折率の構成材料からなる低屈折率層を含む表示装置。前記低屈折率層と前記機能層とが接している請求項1に記載の表示装置。前記絶縁層の開口の壁面は前記第1電極の表面に対して傾斜傾斜角θしている請求項1に記載の表示装置。前記傾斜角θは鋭角であり、前記第2電極側が光取り出し方向である請求項3に記載の表示装置。前記絶縁層の前記開口では前記第1電極と前記機能層とが接している請求項1に記載の表示装置。前記絶縁層は、前記低屈折率層と共に、黒色の顔料、染料あるいは色素を含有する黒色層を含む請求項1に記載の表示装置前記絶縁層は、前記第1電極側から前記低屈折率層および前記黒色層をこの順に有する請求項6に記載の表示装置。前記開口の壁面は前記低屈折率層により覆われている請求項6に記載の表示装置。前記黒色層は、黒色の顔料、染料および色素を分散した感光性樹脂からなる請求項6に記載の表示装置。前記発光素子は、第1電極側の第1基板と第2電極側の第2基板との間に設けられ、前記第2基板は可撓性材料からなる請求項6に記載の表示装置。前記機能層は有機材料により構成されている請求項1に記載の表示装置。表示装置を備え、前記表示装置は、開口を有する絶縁層と、第1電極と第2電極との間に発光層を含む機能層を有すると共に前記絶縁層の前記開口に設けられた発光素子とを備え、前記絶縁層は、前記機能層のうち当該絶縁層に近接する層よりも低屈折率の構成材料からなる低屈折率層を含む電子機器。このような自発光型表示素子では、発光層から出射された光を、より効率良く表示面側に取り出し、消費電力を抑えることが望まれる。本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、より高い光取り出し効率を有する表示装置およびこの表示装置を備えた電子機器を提供することにある。本技術による表示装置は、開口を有する絶縁層と、第1電極と第2電極との間に発光層を含む機能層を有すると共に絶縁層の開口に設けられた発光素子とを備え、絶縁層は、機能層のうち当該絶縁層に近接する層よりも低屈折率の構成材料からなる低屈折率層を含むものである。本技術による電子機器は、上記表示装置を備えたものである。本技術の表示装置または電子機器では、絶縁層が低屈折率層を含んでいるので、発光層から出射された光は、開口の壁面低屈折率層を含む絶縁層で全反射され易くなる。本技術の表示装置および電子機器によれば、絶縁層が低屈折率層を含むようにしたので、発光層から出射された光のうち、絶縁層で全反射される光の光量を増加させることができる。よって、光取り出し効率が向上し、消費電力を抑えることが可能となる。以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態絶縁層が低屈折率層により構成された例2.第2の実施の形態絶縁層が低屈折率層と黒色層により構成された例3.変形例絶縁層が低屈折率層と黒色層により構成され、絶縁層の開口の壁面が低屈折率層により覆われた例<第1の実施の形態>[表示装置の全体構成]図1は、本技術の第1の実施の形態に係る表示装置表示装置1の要部断面構成を表したものである。この表示装置1は、複数の有機発光素子10を備えた自発光型の表示装置であり、支持基板11第1基板の上に、画素駆動回路形成層L1、有機発光素子10を含む発光素子形成層L2および対向基板18第2基板をこの順に有している。表示装置1は対向基板18側に光取り出し方向を有する、所謂トップエミッション型の表示装置であり、画素駆動回路形成層L1には、例えば映像表示用の信号線駆動回路や走査線駆動回路図示せずが含まれている。各構成要素の詳細については後述する。図2は、表示装置1の全体構成を表すものである。表示装置1は、支持基板11の上に表示領域110を有し、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。支持基板11上の表示領域110の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路120、走査線駆動回路130および電源供給線駆動回路140が設けられている。表示領域110には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機発光素子1010R,10G,10Bと、それらを駆動するための画素駆動回路150とが形成されている。有機発光素子10R,10G,10Bは、それぞれ、赤色、緑色、青色を発光する有機発光素子10を意味する。画素駆動回路150において、列方向Y方向には複数の信号線120A120A1,120A2,,120Am,および複数の電源供給線140A140A1,,140An,が配置され、行方向X方向には複数の走査線130A130A1,,130An,が配置されている。各信号線120Aと各走査線130Aとの各交差点に、有機発光素子10R,10G,10Bのいずれか一つが対応して設けられている。各信号線120Aはその両端が信号線駆動回路120に接続され、各走査線130Aはその両端が走査線駆動回路130に接続され、各電源供給線140Aはその両端が電源供給線駆動回路140に接続されている。信号線駆動回路120は、信号供給源図示せずから供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線120Aを介して選択された有機発光素子10R,10G,10Bに供給するものである。信号線120Aには、その両端から信号線駆動回路120からの信号電圧が印加される。走査線駆動回路130は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト転送するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路130は、各有機発光素子10R,10G,10Bへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線130Aに走査信号を順次供給するものである。走査線130Aには、その両端から走査線駆動回路130からの走査信号が供給される。電源供給線駆動回路140は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト転送するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路140は、信号線駆動回路120による列単位の走査と同期して、各電源供給線140Aに対し、各々の両端から、互いに異なる第1電位および第2電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタTr1の導通状態または非導通状態の選択が行われる。画素駆動回路150は、基板11と有機発光素子10との間の階層、すなわち画素駆動回路形成層L1に設けられている。図3に、画素駆動回路150の一構成例を表す。画素駆動回路150は、駆動トランジスタTr1および書込トランジスタTr2と、その間のキャパシタ保持容量Csと、有機発光素子10とを有するアクティブ型の駆動回路である。有機発光素子10は、電源供給線140Aおよび共通電源供給線GNDの間において駆動トランジスタTr1と直列に接続されている。駆動トランジスタTr1および書込トランジスタTr2は、一般的な薄膜トランジスタTFTThinFilmTransistorにより構成され、その構成は例えば逆スタガ構造いわゆるボトムゲート型でもよいしスタガ構造トップゲート型でもよく特に限定されない。書込トランジスタTr2は、例えばドレイン電極が信号線120Aと接続されており、信号線駆動回路120からの映像信号が供給されるようになっている。また、書込トランジスタTr2のゲート電極2Gは走査線130Aと接続されており、走査線駆動回路130からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書込トランジスタTr2のソース電極2Sは、駆動トランジスタTr1のゲート電極1Gと接続されている。駆動トランジスタTr1は、例えばドレイン電極1Dが電源供給線140Aと接続されており、電源供給線駆動回路140による第1電位または第2電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタTr1のソース電極1Sは、有機発光素子10と接続されている。保持容量Csは、駆動トランジスタTr1のゲート電極1G書込トランジスタTr2のソース電極2Sと、駆動トランジスタTr1のドレイン電極1Dとの間に形成されるものである。表示装置の要部構成次に、再び図1を参照して、支持基板11、画素駆動回路形成層L1、発光素子形成層L2および対向基板18などの詳細な構成について説明する。有機発光素子10R,10G,10Bは、互いに有機層15後出の構成が一部異なることを除き、他は共通の構成であるので、以下では、まとめて説明する。支持基板11は、例えば、水分水蒸気および酸素の透過を遮断可能なガラスまたはプラスチック材料などにより形成されている。トップエミッション型では対向基板18から光が取り出されるため、支持基板11は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。表示装置1をフレキシブルディスプレイとする場合には、可撓性を有する材料、例えばプラスチック材料によって支持基板11を構成することが好ましい。画素駆動回路形成層L1は、ゲート絶縁膜12と平坦化層13との積層構造を有している。画素駆動回路形成層L1には、画素駆動回路150を構成する駆動トランジスタTr1および書込トランジスタTr2が形成されており、さらに、信号線120A、走査線130Aおよび電源供給線140A図示せずも埋設されている。詳細には、支持基板11の上に、駆動トランジスタTr1および書込トランジスタTr2のゲート電極1G,2Gがそれぞれ形成され、ゲート絶縁膜12によって一括して覆われている。そのゲート絶縁膜12の上には、駆動トランジスタTr1および書込トランジスタTr2における、半導体層SC1,SC2、ソース電極1S,2Sおよびドレイン電極1D,2Dがそれぞれ形成されている。ゲート電極1G,2Gは、例えば、金属材料、無機導電性材料、有機導電性材料または炭素材料のいずれか1種類または2種類以上により形成されている。金属材料は、例えば、アルミニウムAl、銅Cu、モリブデンMo、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi、パラジウムPd、金Au、銀Ag、白金Ptまたはそれらを含む合金などである。無機導電性材料は、例えば、酸化インジウムIn2O3、酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZOまたは酸化亜鉛ZnOなどである。有機導電性材料は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTまたはポリスチレンスルホン酸PSSなどである。炭素材料は、例えば、グラファイトなどである。なお、ゲート電極1G,2Gは、上記した各種材料の層が2層以上積層されたものでもよい。ゲート絶縁膜12は、例えば、無機絶縁性材料または有機絶縁性材料のいずれか1種類または2種類以上により形成されている。無機材料は、例えば、酸化ケイ素SiOx、窒化ケイ素SiNx、酸化アルミニウムAl2O3、酸化チタンTiO2、酸化ハフニウムHfOxまたはチタン酸バリウムBaTiO3などである。有機絶縁性材料は、例えば、ポリビニルフェノールPVP、ポリイミド、ポリメタクリル酸アクリレート、感光性ポリイミド、感光性ノボラック樹脂またはポリパラキシリレンなどである。なお、ゲート絶縁膜12は、上記した各種材料の層が2層以上積層されたものでもよい。半導体層SC1,SC2は、無機半導体材料または有機半導体材料のいずれか1種類または2種類以上により形成されている。無機半導体材料は、例えばアモルファスシリコンなどである。また、有機半導体材料としては、例えばアセンまたはその誘導体などを用いることができる。アセンは、例えば、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレンまたはサーカムアントラセンなどである。表示装置1がフレキシブルディスプレイである場合、半導体層SC1,SC2を有機半導体材料により構成することが好ましい。ソース電極1S,2Sおよびドレイン電極1D,2Dは、例えば、上記したゲート電極1G,2Gと同様の材料により形成されており、半導体層SC1,SC2にオーミック接触していることが好ましい。平坦化層13は、主に画素駆動回路形成層L1の表面を平坦化するために設けられるものであり、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により形成されている。ソース電極およびドレイン電極をフッ素化ポリマー等からなるパッシベーション層で覆い、このパッシベーション層上に平坦化層13を設けるようにしてもよい。発光素子形成層L2には、有機発光素子10および絶縁層19と、それらを覆う封止層17とが設けられている。有機発光素子10は、支持基板11の側から、アノード電極としての第1電極14、発光層15C後出を含む有機層15機能層、およびカソード電極としての第2電極16が各々順に積層されたものである。有機層15および第1電極14は、絶縁層19によって有機発光素子10ごとに分離されている。一方、第2電極16は、全ての有機発光素子10に共通して設けられている。第1電極14は、有機層15具体的には、後出の正孔輸送層15Aに正孔を注入する電極であり、平坦化層13上にそれぞれ有機発光素子10R,10G,10Bごとに設けられている。第1電極14は、有機層15との対向面に反射面を有しており、発光層15Cから出射された光を表示面側第2電極16側へと反射する。このため、できるだけ第1電極14が高い反射率を備えていることが、発光効率を高めるうえで、好ましい。第1電極14は、例えば銀Ag,アルミニウムAl,モリブデンMoあるいはクロムCrなどの金属元素の単体または合金からなる。あるいは、第1電極14を上述の金属膜と透明導電膜との積層構造としてもよい。透明導電膜としては、例えば、インジウムとスズの酸化物ITO、酸化インジウム亜鉛InZnO、酸化亜鉛ZnOとアルミニウムAlとの合金などが挙げられる。有機層15は、有機材料からなり、図4に表したように、第1電極14の側から正孔注入層15A、正孔輸送層15B、発光層15C、電子輸送層15Dおよび電子注入層15Eが順に積層された構成を有する。但し、発光層以外の層は、必要に応じて設ければよい。正孔注入層15Aは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層15Bは、発光層15Cへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層15Cは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層15Dは発光層15Cへの電子輸送効率を高めるため、電子注入層15Eは電子注入効率を高めるために、それぞれ設けられている。電子注入層15Eは、例えばLiFまたはLi2O等からなる。有機層15の各層の構成材料の一部は、有機発光素子10R,10G,10Bの発光色によってそれぞれ異なっている。有機発光素子10Rの正孔注入層15Aは、例えば4,4’,4-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATA,4,4’,4-トリス2-ナフチルフェニルアミノトリフェニルアミン2-TNATA,ビス[N-ナフチル-N-フェニル]ベンジジンα-NPD,ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HTあるいはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホネートPEDOT-PSSにより構成されている。有機発光素子10Rの正孔輸送層15Bは、例えばα-NPDにより構成されている。有機発光素子10Rの発光層15Cは、例えば8-キノリノールアルミニウム錯体Alq3に2,6-ビス[4-[N-4-メトキシフェニル-N-フェニル]アミノスチリル]ナフタレン-1,5-ジカルボニトリルBSN-BCNを40体積混合したものにより構成されている。有機発光素子10Rの電子輸送層15Dは、例えばAlq3により構成されている。有機発光素子10Gの正孔注入層15Aは、例えばm-MTDATA,2-TNATA,α-NPD,P3HTあるいはPEDOT-PSSにより構成されている。有機発光素子10Gの正孔輸送層15Bは、例えばα-NPDにより構成されている。有機発光素子10Gの発光層15Cは、例えばAlq3にクマリン6Coumarin6を3体積混合したものにより構成されている。有機発光素子10Gの電子輸送層15Dは、例えばAlq3により構成されている。有機発光素子10Bの正孔注入層15Aは、例えばm-MTDATA,2-TNATA,α-NPD,P3HTあるいはPEDOT-PSSにより構成されている。有機発光素子10Bの正孔輸送層15Bは、例えばα-NPDにより構成されている。有機発光素子10Bの発光層15Cは、例えばスピロ6Φspiro6Φにより構成されている。有機発光素子10Bの電子輸送層15Dは、例えばAlq3により構成されている。第2電極16は、第1電極14と絶縁された状態で有機層15の上に、それぞれの有機EL素子10R,10G,10Bに共通して設けられている。第2電極16は、光透過性の透明材料からなり、例えば、インジウム錫酸化物ITO,酸化亜鉛ZnO,アルミナドープ酸化亜鉛AZO,ガリウムドープ酸化亜鉛GZO,インジウム亜鉛酸化物IZO,インジウムチタン酸化物ITiOまたはインジウムタングステン酸化物IWO等により構成されている。絶縁層19は開口19Mを有し、この開口19M内では第1電極14、有機層15および第2電極16が互いに接してこれらの積層構造が形成されている。即ち、有機発光素子10有機発光素子10R,10G,10Bは開口19M内に設けられ、その発光領域が開口19Mにより画定されている。絶縁層19の一部は第1電極14の表面に接しており、開口19Mの壁面側面は第1電極14の表面に対して傾斜傾斜角θしている。傾斜角θは任意であり、鋭角、直角あるいは鈍角のいずれであってもよいが、第2電極16側が光取り出し方向となる表示装置1では傾斜角θは鋭角であることが好ましい。傾斜角θが鋭角であれば第2電極16側に向かって開口19Mが広がり、光取り出し効率が向上するためである。有機層15は、この絶縁層19の開口19Mの壁面および底面に沿って設けられており、開口19Mの壁面には有機層15の最下層正孔注入層15Aが接している。開口19Mの平面形状は例えば四角状であるが、開口19Mの形状は任意であり、例えばスリット状やコの字型状等であってもよい。本実施の形態では、この絶縁層19が有機層15のうち絶縁層19に最も近接する層、即ち、正孔注入層15Aの構成材料よりも屈折率の低い材料からなる低屈折率層により構成されている。絶縁層19は少なくともその一部が低屈折率層により構成されていればよく、低屈折率層と正孔注入層15Aとが接していることが好ましい。ここでは、絶縁層19が低屈折率層のみにより構成されている。絶縁層19の構成材料の屈折率をn1、正孔注入層15Aの構成材料の屈折率をn2とするとn1<n2である。これにより、発光層15Cで発生した光は、開口19Mの壁面絶縁層19と正孔注入層15Aとの接触面または界面で全反射されて対向基板18側に射出され易くなり、光の取り出し効率が向上する。絶縁層19では、その構成材料の屈折率n1および傾斜角θを、発光層15Cで発生した光の多くが開口19Mの壁面で全反射されるように調整することが好ましい。例えば、正孔注入層15AがNPDMoO3共蒸着膜20ドープ,P3HTあるいはPEDOT/PSSからなるとき、絶縁層19はフッ素化がなされたポリイミドにより構成される。α-NPDの屈折率は1.8、P3HTの屈折率は1.95である。このとき、ポリイミドからなる絶縁層19はフッ素化によりその屈折率を制御して、屈折率1.5未満に調整しておくことが好ましい。封止層17は、平坦化層13と同様に、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により形成されている。対向基板18は、封止層17、および熱硬化型樹脂などの接着層図示せずなどと共に有機発光素子10を封止するものであり、有機層15に含まれる発光層15Cにおいて発生した光を透過する透明なガラスまたはプラスチック材料により構成されている。対向基板18は、例えばプラスチック材料等の可撓性材料により構成されていることが好ましい。このような対向基板18は、ガラス等により構成した場合と比較して割れにくく、衝撃への耐性を高めることができるためである。また、可撓性材料からなる対向基板18には、酸素や水に対するバリア性を有する、バリア膜を設けることが可能であるため、表示装置1の信頼性を向上させることもできる。表示装置の製造方法この表示装置1は、例えば次のようにして製造することができる。まず、図5Aに表したように、支持基板11上に画素駆動回路形成層L1および第1電極14を形成する。具体的には、まず、支持基板11上に例えば蒸着法によりゲート電極1G,2Gの構成材料からなる金属膜を形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングによりその金属膜をパターニングすることで、支持基板11上にゲート電極1G,2Gおよび信号線120Aを形成する。次いで、支持基板11の全面を覆うように、上記の材料を用いてスピンコート法などによりゲート絶縁膜12を形成する。続いて、ゲート絶縁膜12の上に、例えば、蒸着法およびフォトリソグラフィ法を用いて半導体層SC1,SC2、ドレイン電極1D,2Dおよびソース電極1S,2Sを順に、所定形状となるように形成する。その際、ゲート電極1Gとソース電極2Sとを接続する接続部を予めゲート絶縁膜12に形成しておく。また、ドレイン電極1D,2Dおよびソース電極1S,2Sの形成と併せて、走査線130Aおよび電源供給線140Aを各々形成する。その際、各配線と各電極とを繋ぐ必要な接続部を適宜形成しておく。そののち、スピンコート法などにより全体を平坦化層13で覆うことにより必要に応じてさらにフォトリソグラフィ処理を施すことにより、画素駆動回路形成層L1を完成させる。その際、平坦化層13における金属層1S上の所定位置に、ドライエッチングなどにより第1電極14との接続部を形成するための接続孔を形成しておく。画素駆動回路形成層L1を形成した後、上述した所定の材料よりなる第1電極14を形成する。具体的には、例えば蒸着法などによって上述の材料からなる金属膜を全面成膜したのち、その金属膜上に所定のマスクを用いて所定形状のレジストパターン図示せずを形成し、さらにそのレジストパターンをマスクとして用い、金属膜の選択的なエッチングを行う。その際、第1電極14を、平坦化層13の表面を覆うと共に上記の接続孔を充填するように形成する。第1電極14を形成したのち、図5Bに表したように、絶縁層19をパターン化して形成する。具体的には、上述の絶縁層19の構成材料をスピンコート法によって基板11平坦化層13および第1電極14上の全面に塗布する。そののち、焼成、選択的露光および現像を順次行うことにより、開口19Mを有する所定形状にパターニングすることができる。続いて、開口19Mを完全に覆うように上述した所定の材料および厚みの正孔注入層15A、正孔輸送層15B、発光層15C、電子輸送層15Dおよび電子注入層15Eを、例えば蒸着法によって順に積層することで有機層15を形成する。さらに、有機層15を挟んで第1電極14と対向するように、全面に亘り、例えば蒸着法を用いて第2電極16を形成する。これにより、有機発光素子10が形成される。有機層15および第2電極16は、膜厚制御に優れた方法、例えば蒸着法により形成することが好ましい。有機層15および第2電極16の膜厚を精確に制御することにより、第1電極14および第2電極16間での有機発光素子10の多重干渉を利用することができるため、有機発光素子10の色域が広がり、カラーフィルタの省略が可能となる。有機発光素子10を形成した後、基板11の全面に封止層17を形成する。最後に、封止層17の上に接着層を間にして例えば真空ラミネート法により対向基板18を貼り合わせ、表示装置1が完成する。表示装置の動作この表示装置1では、各々の有機発光素子10に対して走査線駆動回路130から書き込みトランジスタTr2のゲート電極2Gを介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路120から画像信号が書き込みトランジスタTr2を介して保持容量Csに保持される。すなわち、この保持容量Csに保持された信号に応じて駆動トランジスタTr1がオンオフ制御され、これにより、有機発光素子10に駆動電流が注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第2電極16、封止層17および対向基板18を透過して取り出される。表示装置の作用効果ここでは、絶縁層19の構成材料の屈折率n1を、正孔注入層15Aの構成材料の屈折率n2よりも小さくしたのでn1<n2、図6に表したように、発光層15Cで発生した光は絶縁層19の開口19Mの壁面で全反射され易くなる。つまり、発光層15Cから出射された光のうち、絶縁層19をX軸方向に透過する光の光量が減り、対向基板18側Z軸方向へ射出される光の光量が増加する。よって、光取り出し効率を向上させることができる。以上のように、本実施の形態では、絶縁層19の屈折率n1を正孔注入層15Aの屈折率n2よりも小さくなるようにしたので、光取り出し効率を向上させ、消費電力を抑えることが可能となる。以下、本実施の形態の他の実施の形態および変形例について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。<第2の実施の形態>図7は、本技術の第2の実施の形態に係る表示装置表示装置2の要部断面構成を表したものである。この表示装置2では、絶縁層29が、低屈折率層29Aおよび黒色層29Bの積層構造を有している。その点を除き、表示装置2は上記第1の実施の形態の表示装置1と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。絶縁層29は、第1電極14側から低屈折率層29Aおよび黒色層29Bをこの順に有している。この絶縁層29には、表示装置1の絶縁層19と同様に、開口29Mが設けられている。低屈折率層29Aは、上記絶縁層19と同じ構成材料屈折率n1からなる。黒色層29Bは、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料に黒色の顔料、染料および色素が分散されることで黒色を呈するもの、すなわち、可視光を吸収して反射を低減する材料によって構成されている。これにより、対向基板18側から入射する外光が黒色層29Bに吸収されるため、この外光の第1電極14での反射、即ち外光反射を抑えることができる。よって、低屈折率層29Aにより光取り出し効率を高めると共に、黒色層29Bにより表示装置2の表示画像の視認性を向上させることができる。また、位相差板や偏光板図示せずとの組み合わせにより、有機発光素子10における外光反射率をよりいっそう低減することも可能である。更に、黒色層29Bを含む絶縁層29によって画素分離がなされているので、隣り合う有機発光素子10R,10G,10Bからの異なる色の画像光同士が混ざり合うこと混色を回避することもできる。加えて、対向基板18を、支持基板11上に設けられた画素駆動回路形成層L1および発光素子形成層L2と貼り合わせる際に、特段の位置合わせ作業が不要となる。これまで、高コントラストな表示画像を得るため、対向基板側にブラックマトリクスを設ける方法が提案されていた。しかしながら、この方法では、有機発光素子を形成した支持基板と対向基板とを貼り合わせる際に精密な位置合わせが必要となる。表示装置2では、黒色層29Bにより、このような位置合わせを行うことなく、高精細高コントラストな表示画像を実現することができる。特に、対向基板18がプラスチックなどの可撓性基板により構成されている場合には、寸法安定性、平坦性および取り扱い性ハンドリング性等の点から位置合わせ作業が困難となるため、ブラックマトリクスに代えて、黒色層29Bによりコントラストを高めることが好ましい。黒色層29Bに含まれる黒色の顔料には、例えば以下のような有機顔料および無機顔料のうちの少なくとも1種が使用されている。有機顔料としては、アゾレーキ系、不溶性アゾ系、縮合アゾ系、フタロシアニン系、キナクリドン系、ジオキサジン系、イソインドリノン系、アントラキノン系、ペリノン系、チオインジコ系、ペリレン系などが挙げられる。無機顔料としては、カーボンブラック、酸化チタン、ミロリブルー、コバルト紫、マンガン紫、群青、紺青、コバルトブルー、セルリアンブルー、ビリジアンなどが挙げられる。これらの顔料は各々単独で、もしくは2種以上を混合して使用することができる。また、黒色の染料としては、例えばアニリンニトロベンゼンを縮合したアジン系化合物であるニグロシン例えばオリエント化学工業製のNUBIANBLACK登録商標シリーズやBONJETBLACK登録商標オリエント化学工業製などが挙げられる。低屈折率層29Aおよび黒色層29Bは、形成工程を簡略化すると共に所望の形状に成形可能にするために、光パターニングまたはリフローなどにより成形可能な感光性樹脂材料を用いて形成されていることが好ましい。この表示装置2は、まず、表示装置1と同様にして支持基板11上に画素駆動回路形成層L1および第1電極14を形成した後図8A、図8Bに表したように、絶縁層29を形成する。絶縁層29は、低屈折率層29Aの構成材料および黒色層29Bの構成材料をこの順に基板11第1電極14上およびゲート絶縁層13上の全面に例えば、スピンコート法により成膜した後、パターニングして形成する。このとき、例えば黒色層29Bに黒色顔料を含むポジ型のブラックレジストを用いると、これを基板11の全面に成膜した後、焼成例えば、100°Cで2分間程度、選択的露光150mJ/cm2および現像をこの順に行って、開口29Mを形成することができる。現像を行った後、150°C程度まで加熱し、保持することでブラックレジストに含まれる有機溶媒を除去する。この際、例えば真空のオーブン内で加熱を行うと、効果的に乾燥を行うことができる。このように、絶縁層29は、低屈折率層29Aおよび黒色層29Bの積層構造であっても、絶縁層19と同様の一度のリソグラフィー工程により形成することができる。絶縁層29を形成した後、表示装置1と同様にして、有機層15、第2電極16および封止層17を形成する。これにより、支持基板11上に画素駆動回路形成層L1および発光素子形成層L2が形成される。最後に、この画素駆動回路形成層L1および発光素子形成層L2が設けられた支持基板11と対向基板18を貼り合わせることで、表示装置2が完成する。このような表示装置2では、従来使用されていたブラックマトリクスが不要となるため、製造工程数を抑えて低コスト化することが可能となる。発光層15Cの構成材料が、有機発光素子10R,10G,10Bで共通する場合、有機発光素子10R,10G,10Bからは互いに同一色の光例えば、白色が出射される。このとき、それぞれの有機発光素子10R,10G,10Bに異なる色のカラーフィルタを設けることにより、各画素から異なる色の光が取り出される。表示装置2では、このようなカラーフィルタを発光素子形成層L2に設けることが可能である。具体的には、第2電極16を形成した後、第2電極16上の全面に、例えばSiNxSiOxあるいはAlOからなる保護層をスパッタリング法あるいはCVDChemicalVaporDeposition等の真空プロセスにより形成する。保護層は上記無機膜を積層させて構成するようにしてもよく、あるいは有機膜と積層させるようにしてもよい。この保護層上に各有機発光素子10R,10G,10Bに対応させてカラーフィルタを形成した後、封止層17を形成する。即ち、対向基板18へのカラーフィルタの形成が不要となるため、精密な位置合わせ作業を行うことなく、対向基板18を支持基板11に貼り合わせることができる。<変形例>図9は、上記第2の実施の形態の変形例に係る表示装置表示装置2Aの要部断面構成を表したものである。この表示装置2Aでは、絶縁層39の開口39Mの壁面が、低屈折率層39Aで覆われている。その点を除き、表示装置2Aは表示装置2と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。絶縁層39は、第1電極14側から黒色層39Bおよび低屈折率層39Aをこの順に有し、その開口39Mの壁面は、低屈折率層39Aで覆われている。これにより、表示装置2Aでは、表示装置2に比べて、光取り出し効率を向上させることができる。この表示装置2Aは、上記表示装置1,2と同様にして支持基板11上に画素駆動回路形成層L1および第1電極14を形成した後図10A、図10Bに表したように、絶縁層39を形成する。絶縁層39の形成は、まず、黒色層39Bの構成材料を基板11第1電極14上およびゲート絶縁層13上の全面に塗布した後、パターニングして黒色層39Bを形成し、次いで、この黒色層39Bを覆うように低屈折率層39Aを形成することにより行う。<モジュールおよび適用例>以下、上記実施の形態および変形例で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の表示装置1,2,2Aは、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。モジュール上記実施の形態等の表示装置は、例えば、図11に示したようなモジュールとして、後述する適用例1~5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、支持基板11の一辺に、封止層17および対向基板18から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子図示せずを形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板FPC;FlexiblePrintedCircuit220が設けられていてもよい。適用例1図12は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例2図13は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例3図14は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例4図15は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例5図16は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部ヒンジ部730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、トップエミッション型の有機発光素子を用いた表示装置について説明したが、本技術は第1電極14支持基板11側側に光取り出し方向を有するボトムエミッション型の有機表示装置にも適用可能である。また、例えば、上記実施の形態では、駆動方式がアクティブマトリクス方式の表示装置について説明したが、パッシブマトリクス方式の表示装置としてもよい。更に、上記実施の形態では、有機発光素子を用いた表示装置を例示したが、本技術は、例えば無機発光素子等の他の発光素子を用いた表示装置にも適用可能である。加えて、上記実施の形態等では、有機層15のうち、第1電極14側の最下層が正孔注入層15Aである場合を例示したが、第1電極14側の最下層、即ち、絶縁層19に接する層は、正孔注入層15A以外の層であってもよい。また更に、上記実施の形態等では、絶縁層19,29,39がテーパ形状である場合を例示したが、絶縁層19,29,39は他の形状であってもよい。加えて、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。なお、本技術は以下のような構成をとることも可能である。1開口を有する絶縁層と、第1電極と第2電極との間に発光層を含む機能層を有すると共に前記絶縁層の開口に設けられた発光素子とを備え、前記絶縁層は、前記機能層のうち当該絶縁層に近接する層よりも低屈折率の構成材料からなる低屈折率層を含む表示装置。2前記低屈折率層と前記機能層とが接している前記1に記載の表示装置。3前記絶縁層の開口の壁面は前記第1電極の表面に対して傾斜傾斜角θしている前記1または2に記載の表示装置。4前記傾斜角θは鋭角であり、前記第2電極側が光取り出し方向である前記3に記載の表示装置。5前記絶縁層の前記開口では前記第1電極と前記機能層とが接している前記1乃至4のうちいずれか1つに記載の表示装置。6前記絶縁層は、前記低屈折率層と共に、黒色の顔料、染料あるいは色素を含有する黒色層を含む前記1乃至5のうちいずれか1つに記載の表示装置7前記絶縁層は、前記第1電極側から前記低屈折率層および前記黒色層をこの順に有する前記6に記載の表示装置。8前記開口の壁面は前記低屈折率層により覆われている前記6に記載の表示装置。9前記黒色層は、黒色の顔料、染料および色素を分散した感光性樹脂からなる前記6乃至8のうちいずれか1つに記載の表示装置。10前記発光素子は、第1電極側の第1基板と第2電極側の第2基板との間に設けられ、前記第2基板は可撓性材料からなる前記1乃至9のうちいずれか1つに記載の表示装置。11前記機能層は有機材料により構成されている前記1乃至10のうちいずれか1つに記載の表示装置。12表示装置を備え、前記表示装置は、開口を有する絶縁層と、第1電極と第2電極との間に発光層を含む機能層を有すると共に前記絶縁層の前記開口に設けられた発光素子とを備え、前記絶縁層は、前記機能層のうち当該絶縁層に近接する層よりも低屈折率の構成材料からなる低屈折率層を含む電子機器。"