III族窒化物半導体からなる発光層と、粗面化されたn層と、n電極とを有するIII族窒化物半導体発光素子であって、前記n層の粗面化された面の少なくとも一部を覆う透明膜を有し、前記透明膜は、次に示す式0.28≦n×d×2/λ≦0.42もしくは0.63≦n×d×2/λ≦0.77n:透明膜の屈折率d:透明膜における傾斜面に垂直な方向の膜厚λ:発光層の発する光の波長のいずれかを満たすものであることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子であって、前記透明膜は、ITO、ICO、IZO、ZnO、TiO2、NbTiO2、TaTiO2のうちのいずれかの導電性透明膜からなることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子であって、前記透明膜は、誘電体からなる保護膜であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子であって、前記n層の粗面化された面は、成長基板上にエピタキシャル成長させた後、前記成長基板が除去されて露出された面であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。ところで、特許文献1では、上記の第1凹凸形状160aおよび第2凹凸形状160bの上に、透明導電体層180を形成してもよいとしている特許文献1の段落[0039]および図6参照。しかし、透明導電体層180により光取り出し面からの光抽出効率が低下するおそれがある。本発明は、前述した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは、光取り出し面がn層側にある発光素子であって発光効率の高いIII族窒化物半導体発光素子を提供することである。この課題の解決を目的としてなされた第1の発明に係るIII族窒化物半導体発光素子は、III族窒化物半導体からなる発光層と、粗面化されたn層と、n電極とを有するものである。また、n層の粗面化された面の少なくとも一部を覆う透明膜を有している。そして、透明膜は、次に示す式0.28≦n×d×2/λ≦0.42もしくは0.63≦n×d×2/λ≦0.77n:透明膜の屈折率d:透明膜における傾斜面に垂直な方向の膜厚λ:発光層の発する光の波長のいずれかを満たすものである。かかるIII族窒化物半導体発光素子では、光の取り出し効率が高い。粗面化されているn層からの光取り出し効率はよいからである。そして、n層の上に形成されている透明膜では、光が強め合う関係にあるため、光取り出し効率はさらに高い。第2の発明に係るIII族窒化物半導体発光素子では、透明膜は、ITO、ICO、IZO、ZnO、TiO2、NbTiO2、TaTiO2のうちのいずれかの導電性透明膜からなる。これらの材質の導電性透明膜を用いることにより、光取り出し効率をほとんど低下させることなく、発光層の面方向に電流を拡散させることができる。第3の発明に係るIII族窒化物半導体発光素子では、透明膜は、誘電体からなる保護膜である。そのため、光取り出し効率を高いものとしたまま、保護膜を形成することができる。第4の発明に係るIII族窒化物半導体発光素子では、n層の粗面化された面は、成長基板上にエピタキシャル成長させた後、成長基板が除去されて露出された面である。ここで、成長基板が除去されて露出された面は窒素面である。そのため、エッチングにより粗面化を行うことができる。本発明によれば、光取り出し面がn層側にある発光素子であって発光効率の高いIII族窒化物半導体発光素子が提供されている。以下、本発明の具体的な実施の形態について、発光素子を例に挙げて図を参照しつつ説明する。しかし、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。また、後述する発光素子の各層の積層構造および電極構造は、例示である。特に、粗面化されている箇所を、極端に描いてある。また、実施形態とは異なる積層構造であってももちろん構わない。そして、それぞれの図における各層の厚みは、概念的に示したものであり、実際の厚みを示しているわけではない。1.半導体発光素子本実施形態に係るIII族窒化物半導体発光素子について説明する。図1は、本実施形態に係る発光素子100の積層構造を示す概略構成図である。発光素子100は、III族窒化物半導体から成る半導体素子である。また、発光素子100は、成長基板をレーザーにより除去するレーザーリフトオフ法により形成されたものである。そのため、サファイア基板等の成長基板は、発光素子100には残っていない。そして、光取り出し面Zは、n層側にある。図1に示すように、発光素子100は、p電極P1と、支持基板10と、第1の導電性金属層11と、導電性接合材層20と、第2の導電性金属層21と、導電性反射膜30と、p-GaN層40と、GaN層50と、発光源であるMQW層60と、n-GaN層70と、透明膜N10と、nパッド電極N20とを、この順序で配置されるように形成されたものである。p電極P1は、Pt層、Ti層、Pt層、Ti層、Au層を、支持基板10の側からこの順序で形成したものである。支持基板10は、発光素子100の形状を保つためのものである。そして、発光素子100の変形を防止するとともに、発光素子100の機械的強度を高いものとするためのものである。そしてのその材質は、Siである。または、GaAs、Ge、その他の金属製のものであってもよい。発光素子100となった後に、発光層に電流を流す必要が生じる。そのため、支持基板10は、導電性の材質のものである必要がある。第1の導電性金属層11は、支持基板10と、導電性接合材層20との密着性を向上させるためのものである。第1の導電性金属層11の材質として、例えば、Auが挙げられる。導電性接合材層20は、発光素子100の製造過程において、形成した半導体層と支持基板10とを接合するために形成されたものである。発光素子100となった後に、発光層に電流を流す必要がある。そのため、導電性接合材層20の材質は、導電性のものである。具体的には、AuSn系の半田である。もちろん、これ以外のものであってもよい。第2の導電性金属層21は、導電性接合材層20と導電性反射膜30との密着性を向上させるための層である。そして、導電性接合材層20の半田が、半導体層に拡散するのを防止する役割も担っている。第2の導電性金属層21の材質として、例えば、Auが挙げられる。導電性反射膜30は、MQW層60により発せられた光を反射するための膜である。また、導電性反射膜30は、導電性を示すものである。発光素子100のMQW層60に十分な電流が流れるようにするためである。このため、導電性反射膜30は、光を反射する反射性と、電流の流れる導電性との両方の性質を備えるものである。導電性反射膜30の材質は、例えば、Ag、Alの他、Al又はAgを主成分として含む合金である。または、ロジウムRh、ルテニウムRu、白金Pt、パラジウムPd、もしくは、これらの金属を少なくとも1種類以上含んだ合金であっても良い。また、屈折率の異なる2つの材料の複数の層から形成される分布ブラッグ反射膜DBRであってもよい。p-GaN層40は、電子を閉じ込めるためのものである。すなわち、電子が導電性反射膜30側に拡散するのを防止するためのものである。これにより、MQW層60での発光光率を上昇させるのである。GaN層50は、ノンドープのGaNから成る層である。ただし、p-GaNから成る層としてもよい。MQW層60は、電子と正孔とが再結合することで、光を発する発光層である。そのために、MQW層60は、バンドギャップの小さい井戸層と、バンドギャップの大きい障壁層とが交互に形成された多重量子井戸構造を有している。ここで、井戸層としてInGaNを用いるとともに、障壁層としてAlGaNを用いた。また、井戸層としてGaNを用いるとともに、障壁層としてAlGaNを用いてもよい。または、障壁層としてAlInGaNを用いてもよい。もしくは、これらを自由に組み合わせて、4層以上を単位構造として、その単位構造を繰り返すこととしてもよい。また、発光層として、SQW層を用いてもよい。n-GaN層70は、nパッド電極N20に接触するコンタクト層であるとともに、MQW層60に応力が加わるのを防止するための層である。また、MQW層60のInが拡散するのを防止するための層である。そのSi濃度は1×1018/cm3以上である。ここではn-GaN層70としたが、それ以外のn層であってももちろん構わない。n-GaN層70の光取り出し面Z側は、粗面化されている。つまり、n-GaN層70には、図1に示すように凹凸面Xが形成されている。これにより、半導体層からの光取り出し効率を向上させるためである。ただし、図1では、概念的に分かりやすくするために、n-GaN層70および透明膜N10の凹凸形状を極端に大きく描いてある。透明膜N10は、もちろん、透明の材質である。MQW層60から発せられた光を効率よく取り出すためである。透明膜N10の材質は、SiO2である。SiO2により、発光素子100の表面が保護される。透明膜N10の形状および膜厚については、後に詳しく述べる。nパッド電極N20は、n-GaN層70の上に形成されている。つまり、nパッド電極N20とn-GaN層70とは導通している。nパッド電極N20は、金属製の電極である。つまり、透明ではない。図2は、発光素子100を図1の上側から見た平面図である。図2に示すように、nパッド電極N20は、発光層から発せられる光をなるべく遮らないように配置されている。つまり、nパッド電極N20は、フレーム部N21、N22、N23、N24、N25、N26と、パッド部N27、N28とを有している。フレーム部N21、N22、N23、N24は、光取り出し面を囲むように配置されている。フレーム部N25、N26は、光取り出し面を交差するように配置されている。そして、フレーム部N21とN23とがなす角部には、パッド部N27が設けられている。フレーム部N22とN24とがなす角部には、パッド部N28が設けられている。2.透明膜2-1.透明膜の形状透明膜N10は、前述したように、粗面化されたn-GaN層70の上に形成されている。そして、n-GaN層70の上面を、nパッド電極N20の箇所を除いてすべて覆っている。ただし、n-GaN層70における粗面化された凹凸面Xの少なくとも一部を覆うようにしてもよい。n-GaN層70の凹凸面Xは、六角錐形状である。凹凸面Xは、凸部X1と凹部X2とを有している。凹凸面Xは、六角錐形状の凹みが繰り返し現れた形状となっている。凹凸面Xのうち、p電極P1の側からみて最も高い箇所、すなわち最も遠い箇所が凸部X1である。凸部X1は、透明膜N10に向かって突出する凸形状の箇所である。凹凸面Xのうち、p電極P1の側からみて最も低い箇所、すなわち最も近い箇所が凹部X2である。凹部X2は、透明膜N10に対して凹んでいる形状の箇所である。凸部X1と凹部X2との間の距離は、1500nm~2500nmである。そして、図1に示すように、六角錐の凸部X1をなす2つの面の角度θは、約60°である。また、凹部X2において向かい合う面のなす角の角度は、約60°である。そして、透明膜N10の形状も、n-GaN層70の凹凸形状にならった形状となっている。つまり、透明膜N10の光取り出し面Zは、六角錐の凹凸形状である。より具体的には、六角錐形状の凹みが繰り返し形成されている。光取り出し面Zのうち、p電極P1の側からみて最も高い箇所、すなわち最も遠い箇所が凸部Z1である。凸部Z1は、発光素子100の外側に向かって突出する凸形状の箇所である。そして、光取り出し面Zのうち、p電極P1の側からみて最も低い箇所、すなわち最も近い箇所が凹部Z2である。凹部Z2は、発光素子100の外側に対して凹んでいる形状の箇所である。一方、透明膜N10の半導体層側、すなわちn-GaN層70の側の面Yは、もちろん、n-GaN層70の凹凸面Xと対応している。つまり、六角錐の凹凸形状の繰り返した形状である。より具体的には、六角錐の凹形状が繰り返し形成されている。面Yのうち、p電極P1の側からみて最も低い箇所、すなわち最も近い箇所が凸部Y1である。凸部Y1は、n-GaN層70に向かって突出する凸形状の箇所である。面Yのうち、p電極P1の側からみて最も高い箇所、すなわち最も遠い箇所が凹部Y2である。凹部Y2は、n-GaN層70に対して凹んでいる形状の箇所である。面Yの凸部Y1は、凹凸面Xの凹部X2と対面する位置に位置している。一方、面Yの凹部Y2は、凹凸面Xの凸部X1と対面する位置に位置している。そして、光取り出し面Zは、面Yの凹凸形状と対応している。すなわち、光取り出し面Zの凸部Z1は、面Yの凹部Y2の反対側裏面側の位置に位置している。光取り出し面Zの凹部Z2は、面Yの凸部Y1の反対側裏面側の位置に位置している。このように、透明膜N10では、透明膜N10をはさんで凸部Z1の反対側に凹部Y2があり、凹部Z2の反対側に凸部Y1がある。ここで、n-GaN層70の凹凸面Xと、光取り出し面Zとの関係について説明する。光取り出し面Zの凸部Z1は、図1では、凹凸面Xの凸部X1の上方に、すなわち、凹凸面Xの凸部X1をc軸方向に延長した位置に位置している。また、光取り出し面Zの凹部Z2は、図1では、凹凸面Xの凹部X2の上方に、すなわち、凹凸面Xの凹部X2をc軸方向に延長した位置に位置している。2-2.透明膜の膜厚図3は、図1の透明膜N10周辺を拡大した拡大図である。そして、図3には、透明膜N10の膜厚d1が示されている。ここで、膜厚d1とは、透明膜N10における、n-GaN層70の凹凸面Xの傾斜面に垂直な方向の厚みである。ここで、透明膜N10の膜厚dは、次に示す式0.28≦n×d×2/λ≦0.42.........1もしくは0.63≦n×d×2/λ≦0.77.........2を満たす範囲内のものを選ぶ。なお、n:透明膜の屈折率d:透明膜における傾斜面に垂直な方向の膜厚λ:発光層の発光する光の波長である。ここで、透明膜N10の膜厚とは、c軸方向の厚みではなく、図3に示すように、n-GaN層70の凹凸面Xからみた厚みである。すなわち、透明膜における、凹凸面X傾斜面に垂直な方向の膜厚である。そして、膜厚dは、凹凸面Xから光取り出し面Zまでの光路が最小となる角度で入射した場合の光路と同じである。ここで、MQW層60の発する光の波長は452.5nmであった。そして、透明膜N10の屈折率、ここではSiO2の屈折率は、1.45である。この場合、式1を満たす透明膜N10の膜厚dの範囲は、43.7nm以上65.5nm以下である。式2を満たす透明膜N10の膜厚dの範囲は、98.3nm以上120.1nm以下である。後述する実験の項で説明するように、透明膜N10の膜厚をこの範囲内とすれば、発光素子100から照射される光の出力は高い。つまり、発光層の波長を変えない場合には、透明膜N10として採用する材質の屈折率に応じて、膜厚を選択すれば、光取り出し効率の高い発光素子100を製造することができる。3.半導体発光素子の製造方法本形態における半導体素子の製造方法では、有機金属気相成長法MOCVD法により、上記の各層の結晶をエピタキシャル成長させた。以下、各工程を説明する。ここで用いたキャリアガスは、水素H2もしくは窒素N2もしくは水素と窒素との混合気体H2N2である。窒素源として、アンモニアガスNH3を用いた。Ga源として、トリメチルガリウムGaCH33:以下、TMGという。を用いた。In源として、トリメチルインジウムInCH33:以下、TMIという。を用いた。Al源として、トリメチルアルミニウムAlCH33:以下、TMAという。を用いた。n型ドーパントガスとして、シランSiH4を用いた。p型ドーパントガスとして、シクロペンタジエニルマグネシウムMgC5H52:以下、CP2Mgという。を用いた。3-1.積層工程本形態では、c面サファイア基板S1を用いた。そして、そのサファイア基板S1をMOCVD炉に入れた。次に、水素ガス中でサファイア基板S1のクリーニングを行い、サファイア基板S1の表面に付着している付着物を除去した。そして、サファイア基板S1の上に、低温バッファ層B1を形成した。次に、低温バッファ層B1の上にn-GaN層70をGaNのc軸方向に成長させた。形成した。続いて、n-GaN層70の上にMQW層60を形成した。次に、MQW層60の上にGaN層50を形成した。そして、GaN層50の上にp-GaN層40を形成した。続いて、p-GaN層40の上に導電性反射膜30を形成した。3-2.接合層形成工程次に、導電性反射膜30の上に第2の導電性金属層21と、低融点金属層26を形成した。これにより、図4に示した積層構造が得られた。一方、支持基板10にも、図5に示すような第1の導電性金属層11と、低融点金属層25を形成した。そして、図5に示すように支持基板10に形成された低融点金属層25と、サファイア基板S1側の導電性反射膜30に形成された低融点金属層26とを、向かい合わせにした。そして、低融点金属層25と、低融点金属層26とを、接合した。そして、低融点金属層25、26は、一体の導電性接合層20となった。これにより、図6に示すような積層構造が得られた。3-3.成長基板除去工程続いて、図6に示した積層構造のサファイア基板S1の接合面にレーザーを照射する。ここで照射するレーザーは、波長が248nmのKrF高出力パルスレーザーであった。また、YAGレーザー355nm、266nm、XeClレーザー308nm、ArFレーザー155nm、などのいずれを用いてもよい。365nmよりも波長の短いレーザーであれば、その他のレーザーを用いてもよい。これにより、図7に示したように、積層体からサファイア基板S1が除去された。なお、低温バッファ層B1は薄い。そのため、この成長基板除去工程により、低温バッファ層B1の少なくとも一部は、サファイア基板S1とともに除去される。3-4.粗面化工程次に、低温バッファ層B1を除去するとともに、n-GaN層70の表面を粗面化した。n-GaN層70の表面は-c面、すなわち、窒素面である。エッチングにより、n-GaN層70に凹凸面Xを形成した。具体的には、n-GaN層70の表面をTMAH溶液に浸漬した。このTMAH溶液の温度を60°Cとした。TMAH溶液で-c面のエッチングは可能である。ここで、-c面をエッチングするため、凹凸面Xは六角錐形状となる。そして、凹凸面Xは、TMAH溶液の浸漬の具合やその他の要因によるため、その六角錐形状は、やや不規則である。TMAH溶液の代わりに、水酸化カリウム水溶液KOHaqを用いてもよい。なお、図8では、粗面化後の積層体が模式的に描かれている。このように粗面化された凹凸面Xは、成長基板であるサファイア基板S1上にエピタキシャル成長させた後、サファイア基板S1を除去することにより露出された面である。3-5.透明膜形成工程次に、粗面化されたn-GaN層70の上に、透明膜N10を形成した。そのためにスパッタ装置を用いて、n-GaN層70の凹凸面Xの全面にSiO2の膜を形成した。3-6.電極形成工程続いて、支持基板10における導電性接合層20の反対側の面に、p電極P1を形成した。p電極P1として、Pt層、Ti層、Pt層、Ti層、Au層を支持基板10の側からこの順番で形成した。また、n-GaN層70の上に、nパッド電極N20を形成した。nパッド電極N20として、W層、Ti層、Au層をn-GaN層70の側からこの順番で形成した。そのnパッド電極N20の形状は、図2に示したとおりである。以上の工程を経ることにより、図1に示した発光素子100を製造した。4.実験結果ここで、本実施の形態で行った実験結果について説明する。この実験では、透明膜N10として、SiO2を用いた場合に、SiO2の膜厚を変えて光の出力Ivを測定した。表1は、SiO2から成る透明膜N10の膜厚d1として、種々の値を用いたときに、透明膜N10を形成したことによる光の出力Ivの変化量を示している。ここで、膜厚d1は、式1、2の膜厚dと同じである。表1の1番左側の欄には、透明膜N10の膜厚d1が記載されている。透明膜N10は、粗面化されたn-GaN層70の上に形成されている。そのため、凹凸面の膜厚d1は、平坦面に形成した場合の膜厚d0よりも薄い。ここで、同様の方法で平坦面に形成した場合の膜厚d0は、膜厚d1の2.3倍程度であった。表1の左側から2番目の欄には、光路差n×2×d1が記載されている。ここで、SiO2の屈折率nは1.45である。表1の左側から3番目の欄には、光路差と波長の比n×d1×2/λdが記載されている。ここでλdは、発光層の発する光の波長大気中である。表1には、透明膜N10を形成しなかった場合における光の出力Iv0と、透明膜N10を形成した場合における光の出力Iv1と、これらの比Iv1/Iv0が記載されている。ここで、透明膜N10を形成したとしても、出力があまり落ちない膜厚の条件を選ぶ。ここで、Iv比Iv1/Iv0が0.95以上となる場合を、好適な条件と判断することとした。表1に示すように、透明膜N10の膜厚d1が48nmのとき、すなわち、n×d1×2/λdが0.31のとき、Iv比が0.97であった。また、透明膜N10の膜厚d1が57nmのとき、すなわち、n×d1×2/λdが0.37のとき、Iv比が0.96であった。そして、透明膜N10の膜厚d1が109nmのとき、すなわち、n×d1×2/λdが0.72のとき、Iv比が0.96であった。上記の場合において、光が強め合うと考えられる。図9は、表1に示した実験結果を示すものである。図9の横軸は、微細加工面での膜厚d1である。図9の縦軸は、Iv比である。図9に示すように、Iv比は、膜厚d1の変化に対して、やや大きい値をとる領域と、それより小さい値をとる領域とがある。図10は、図9に示したグラフの横軸を変換したものである。図10の横軸は、n×d1×2/λdの値である。図10の縦軸は、Iv比である。ここで、前述のように、透明膜N10であるSiO2の屈折率nは1.45である。また、発光層の発光する光の波長λdは、452.5nmである。このように、透明膜N10の屈折率nおよび発光層の発する光の波長λdが一定値である。そのため、n×d1×2/λdは、膜厚d1に定数2×n/λdを掛け合わせたものにすぎない。図10に示すように、Iv比が0.95以上である範囲が好ましい。つまり、図10において、スラッシュでハッチングされている領域である。この領域は、前述の式1、2で表される範囲である。なお、n-GaN層70の屈折率をn1、大気中の屈折率をn2とすると、n2=n1×n2のときに光取り出し効率が最も高い。ここで、nは1.45であり、n1は2.6であり、n2は1である。n2は、およそ2.1であり、光取り出し効率は、よい。5.変形例5-1.透明膜本形態では、透明膜N10として、SiO2を用いた。SiO2は誘電体である。また、透明膜N10として、Si3N4や、その他にSiO2XN4YX3Y=1であってもよい。5-2.導電性透明膜さらに、透明膜N10を導電性の材質で形成するとよい。電流を半導体層の面方向図1では横方向に拡散して、発光層の発光領域にわたって効率よく電流を流すためである。この場合には、透明膜N10は導電性であるため、透明膜N10の上にnパッド電極N20を形成するとよい。n-GaN層70の凹凸面Xの可能な限り大部分を覆うことにより、MQW層60に面方向に電流が拡散するからである。このように導電性透明膜を形成する場合であっても、式1、2を満たすように、膜厚を選べばよい。材質に応じて屈折率は異なっているが、その場合でも光取り出し効率が高くなるような膜厚で透明膜N10を形成すればよい。ここで、導電性透明膜の材質として、ITOを用いることができる。または、ICO、IZO、ZnO、TiO2、NbTiO2、TaTiO2であってもよい。6.まとめ以上、詳細に説明したように、本実施形態に係る発光素子100は、レーザーリフトオフ法により成長基板を除去されたものである。そして、成長基板を除去されたn層側の半導体層が粗面化されている。そのため、半導体層からの光取り出し効率は高い。その粗面化された半導体層の上に、透明膜N10が形成されている。そしてさらに、透明膜N10では、粗面化された半導体層側に、その粗面化形状に応じた凹凸形状が形成されているとともに、光取り出し面側に、半導体層側の凹凸形状に対応する凹凸形状が形成されている。これにより、光取り出し効率の向上と、電流の面方向への拡散とを図った発光素子が実現されている。さらに、透明膜N10の膜厚は、光を強め合う光路差となるようにしている。これにより、発光性に優れた発光素子が実現されている。なお、本実施の形態は単なる例示にすぎず、本発明を何ら限定するものではない。したがって本発明は当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。積層体の積層構造については、必ずしも図に示したものに限らない。積層構造や各層の繰り返し回数等、任意に選択してよい。また、有機金属気相成長法MOCVD法に限らない。キャリアガスを用いて結晶を成長させる方法であれば、他の方法を用いてもよい。