対応して揃えられる少なくとも1つの貫通孔を夫々有する複数の電極と、前記電極間に設けられて該電極間の間隔を規定する絶縁スペーサと、を有する静電レンズであって、前記電極の夫々の両表面には電極保護膜が配置され、前記電極保護膜は、前記貫通孔の内壁と該内壁から連続的に端部まで繋がった前記貫通孔の周りの領域の前記電極の表面に存在し、前記電極と前記絶縁スペーサとの界面には存在せず、前記電極間の距離をgとし、前記電極間の電圧差をΔφとし、荷電粒子線の加速電圧の絶対値をφaccとし、荷電粒子線の軸間距離精度の許容値をsとするとき、前記貫通孔の周りの領域の前記電極保護膜の端部と前記貫通孔の中心との距離lが、MKSA単位系において、lor105lnを満たすことを特徴とする静電レンズ。前記電極がSi電極であることを特徴とする請求項1に記載の静電レンズ。前記絶縁スペーサの両面が、夫々、接合により前記電極と一体化されていることを特徴とする請求項1または2に記載の静電レンズ。前記接合により、前記絶縁スペーサの表面と前記電極の表面とが直接化学結合していることを特徴とする請求項3に記載の静電レンズ。対応して揃えられる少なくとも1つの貫通孔を夫々有する複数の電極と、前記電極間に設けられて該電極間の間隔を規定する絶縁スペーサと、を有する静電レンズであって、前記絶縁スペーサの両面が夫々前記電極と接合により一体化され、前記電極の両表面には電極保護膜が配置され、前記電極保護膜は、前記電極の貫通孔の内壁と該内壁から連続的に端部まで繋がった前記貫通孔の周りの領域の前記電極の表面に存在し、前記電極と前記絶縁スペーサとの接合界面に存在しないことを特徴とする静電レンズ。前記接合により、前記絶縁スペーサの表面と前記電極の表面とが直接化学結合していることを特徴とする請求項5に記載の静電レンズ。請求項1から6の何れか1項に記載の静電レンズにおいて、前記電極は、夫々、複数の貫通孔を有し、複数の荷電粒子線の光学特性を制御する静電レンズアレイとして構成されたことを特徴とする静電レンズアレイ。電極と絶縁スペーサにより構成された静電レンズにおいては、電子ビームの位置制御に関して、電子ビームが通過する電極の貫通孔近傍に配置される絶縁スペーサの帯電の影響により、ビームの偏向ずれが存在することがある。一方、スペーサは電極間の距離を規定するための支持部材であるため、撓み等なく電極を支持する必要がある。そのため、限られた領域内に電極間の距離を規定できるようにスペーサを配置し、同時に、ビームの偏向ずれへの影響も抑えることは、露光装置の高解像化への要求が高まるにつれ、より大きな課題となってきている。さらに、静電レンズの電極としては、特許文献1に記載の従来例のようにシリコン電極が使用されることが多いが、シリコン電極の表面が酸化した場合の酸化部位の帯電によるビーム偏向ずれがスペーサの帯電によるビーム偏向ずれと併せて懸念される。また、露光装置を高解像度で安定に使用していくために、露光装置内で静電レンズに付着したカーボンコンタミなどを酸素プラズマクリーニングする手法の導入がある。このような手法は、電極の酸化の観点から見ると、電極表面の酸化をより顕著に引き起こす要因となり、酸化部位の帯電によるビーム位置の変動の抑制をより大きな課題とするものである。ここで、電極の酸化を防止するためには、貴金属や導電性酸化物のような材料の保護膜を電極に形成することが考えられる。例えば、特許文献2に記載の従来例のように、シリコン上に金薄膜を形成する手法がある。ところが、特許文献2の従来例においては、貫通孔に近接した領域は、酸化しない構成になっているものの、ビームの偏向ずれと金薄膜の保護領域や絶縁スペーサとの関係についての記載は開示されていない。そのため、高性能の静電レンズに求められるビーム制御能力を満たすために保護膜を配置すべき領域についての指針を得ることはできない。また、静電レンズでは、複数の電極の対応貫通孔が高精度に位置合わせされ、その状態が維持されていることが、ビームを制御する上で重要である。このような高精度な位置決め状態の維持のためには、位置決めを行なった後、特許文献1に記載の従来例のように、接合により電極と絶縁スペーサを一体化して必要な強度を確保することが好ましい。特許文献2に記載の従来例では、電極の組立用溝に絶縁体を配置している旨の記載があり、こうした構成では、一体化したのちに位置決め精度を維持するために、取り扱いに細心の注意を払う必要がある。そのため、例えば、一体化後に内部のごみを洗浄によって取り除く等の作業の困難性が指摘され、取り扱いについての制約が発生する。一方、特許文献1に記載の従来例では、一体化後の強度は確保されているが、前述したようにシリコン電極の酸化の問題がある。また、電極酸化を防止するために単純にシリコン電極上に保護膜を付けた場合には、シリコンとガラススペーサの接合界面に保護膜が挟まるため、シリコンとガラス間の接合のような安定した接合が実現できないという新たな懸念が発生する。そこで、本発明の1つの目的は、電極に保護膜を配置した構成の静電レンズにおいて、帯電によるビーム偏向ずれを防止するために必要な構成を備えるものを提供することである。また、本発明の他の目的は、電極に保護膜を配置した構成の静電レンズにおいて、構成部材の高精度な位置決め状態の実現、維持が可能で、取り扱いも容易な構成を備えるものを提供することである。本発明の第1の静電レンズは、対応して揃えられる少なくとも1つの貫通孔を夫々有する複数の電極と、電極間に設けられて該電極間の間隔を規定する絶縁スペーサと、を有する。複数の電極の夫々の両表面には電極保護膜が配置され、電極保護膜は、各電極の貫通孔の内壁と該内壁から連続的に端部まで繋がった貫通孔の周りの領域の各電極の表面に存在し、他の電極と対向する各電極の表面と絶縁スペーサとの界面には存在しない。そして、複数の電極の対向する表面間の距離をg、複数の電極間の電圧差をΔφ、荷電粒子線の加速電圧の絶対値をφacc、荷電粒子線の軸間距離精度の許容値光軸と直交する方向の許容される軸ずれ量をsとするとき、次の条件が満たれる。すなわち、前記貫通孔の周りの領域の電極保護膜の端部と貫通孔の中心との距離lが、MKSA単位系において、次の式を満たす。lor105lnまた、本発明の第2の静電レンズは、対応して揃えられる少なくとも1つの貫通孔を夫々有する複数の電極と、電極間に設けられて該電極間の間隔を規定する絶縁スペーサと、を有する。絶縁スペーサは、その両面が複数の電極と夫々接合されて電極と一体化されている。複数の電極の夫々の両表面には電極保護膜が配置され、電極保護膜は、各電極の貫通孔の内壁と該内壁から連続的に端部まで繋がった貫通孔の周りの領域の電極の表面に存在し、他の電極と対向する各電極の表面と絶縁スペーサとの界面には存在しない。本発明の第1の静電レンズにおいては、保護膜の付いていない部分の電極表面が酸化することにより帯電する場合も考慮して、貫通孔の周りの領域の電極保護膜の端部と貫通孔の中心との距離をlとして、上記不等式を満たすようにした。そのため、絶縁スペーサの帯電や保護膜のない電極領域の酸化による帯電が生起した場合でも、帯電による荷電粒子線の偏向ずれ軸ずれ量を許容値以下とすることができる。よって、このような静電レンズを使用することで、より高い解像力を持つ露光装置などを提供することができる。本発明の第2の静電レンズにおいては、電極表面には電極保護膜が配置され、電極保護膜は、電極の貫通孔の内壁と貫通孔の周りの領域の電極表面に存在し、電極と絶縁スペーサとの接合界面に存在しない構成とした。そのため、安定した接合を行なうことができ、高精度な位置決め状態の実現、維持が可能で、取り扱いも容易となる。さらに、静電レンズの信頼性が向上し、製造する際の歩留り向上も可能となる本発明の静電レンズの特徴は、電極の両表面に保護膜が配置され、保護膜は、各電極の貫通孔の内壁とこれから連続的に繋がった貫通孔の周りの領域の電極表面に存在し、他の電極と対向する各電極の表面と絶縁スペーサとの界面には存在しないことである。静電レンズは、使用時露光時などに、カーボン等の汚れが構成部材電極、支持部材などの表面に付着するため、定期的にクリーニングする必要がある。クリーニングの手法としては一般的に酸素プラズマ処理等が行われるが、この際、電極の材料であるSiなどが酸化され、電極表面が帯電しやすくなったり、寸法精度が悪化する場合がある。それに対処するために、酸素プラズマ処理等への対策として電極に保護膜を設けることが行われるが、そうすると構成部材絶縁スペーサと電極の取付け精度が悪化する場合がある。他方、電極の貫通孔を設ける位置は、部材絶縁スペーサや電極の酸化部等の帯電による影響を受けない位置とする必要がある。本発明は、保護膜を電極の取付け部以外の部分を覆うように設けて、取付け精度を維持しながら、貫通孔を設ける位置を電極保護膜の端部との関係で規定することにより、貫通孔を通る荷電粒子線が部材の帯電による影響を受けないようにする。本発明の第1の静電レンズの特徴的構成の1つである、ビーム偏向ずれを低減するための絶縁スペーサ沿面に近接する電極保護膜の端部と貫通孔の中心との距離lに関するMKSA単位系における上記制約条件について説明する。絶縁スペーサや電極の非保護部が帯電すると、帯電した電荷の影響を受けて、貫通孔を通過する荷電粒子線は偏向ずれを起こすことがある。この際、帯電した電荷量が決まると、偏向ずれ量は、電極間の距離と電圧差によって決まる電場、荷電粒子線の加速電圧、貫通孔を通過する荷電粒子線と帯電した電荷の距離によって決定される。貫通孔を通過する荷電粒子線と帯電した電荷の距離については、距離が離れるほど荷電粒子線に対する帯電した電荷の影響が小さくなり、偏向ずれ量は小さくなる。そこで、電極間の距離と電圧差及び荷電粒子線の加速電圧の値が決まれば、偏向ずれを所望の値とするために、帯電面に対してどの程度に貫通孔の位置を離せばよいかが計算できる。こうした計算について、数mmから数百μm程度のギャップに高電圧を印加した場合の絶縁スペーサの沿面帯電の特性が、山本等による実験的かつ理論的な研究として、非特許文献1山本、永田、福田、原澤、宅間、石英ガラスの帯電絶縁特性、電学論A、123巻5号、2003で詳説されている。本発明者の知見によれば、上記特性に基づき、沿面帯電電荷分布を境界条件とした静電場解析及び荷電粒子線軌道解析を行うことで、絶縁スペーサ沿面や電極の非保護部からの距離lに応じてどの程度の軸ずれ量sが生じるか、数値計算することができる。こうした知見に基づいて、本発明者の検討の結果、逆に、軸間距離精度の許容値許容される軸ずれ量sが決められれば、距離lつまり、その最小値lsが上記不等式を満たすことにより本発明の第1の静電レンズの効果が得られることが見出された。以下に、本発明の実施形態を添付の図面に基づいてさらに詳細に説明する。図1は、本発明の静電レンズの一実施形態を説明するための図である。図1aは、図1bのAA’線における断面図、図1bは、静電レンズの上面図である。図1aに示すように、本実施形態の静電レンズは、第1の電極1A及び第2の電極1Bの2枚の電極を有し、2枚の電極の間には、電極間に設けられて電極間の間隔を規定する絶縁スペーサ2が存在している。第1の電極1Aと第2の電極1Bは、夫々荷電粒子を通過させるための貫通孔3を有し、両電極の対応した貫通孔3が所望の位置典型的には、光軸方向に一直線に揃った位置に来るように位置決めされている。また、両電極は、電極の対向する表面間の光軸方向の距離が所望の距離になるように設計された絶縁スペーサ2を挟んで固定されている。第1の電極1A及び第2の電極1Bの夫々の電極には、所望の電圧をかけることが可能となっていて、荷電粒子が貫通孔3を通過する際に静電レンズとして機能させることができる。電極材料は、導電体であればよいが、特に高性能の静電レンズを作製するためには、加工精度の観点からSiを使用することが好ましく、Si電極の基板としては、Si基板やSOI基板を使用できる。貫通孔3の形成には、精度良く微細な形状加工ができる方法を用いることが必要で、リソグラフィと深堀ドライエッチングの組み合わせ等を用いることができる。また、第1の電極1Aと第2の電極1Bの両表面には、夫々、電極保護膜4が配置されている。これは、貫通孔3の内壁とこれから連続的に隙間なく端部まで繋がった貫通孔の周りの領域の電極の表面に存在している。また、電極保護膜4は、第1の電極1Aと絶縁スペーサ2との界面及び第2の電極1Bと絶縁スペーサ2との界面すなわち、他の電極と対向する各電極の表面と絶縁スペーサの表面との界面には存在しない。電極表面に電極保護膜4を設けることによって、電極表面の酸化を防止し、貫通孔3を通過する荷電粒子への帯電等の影響を避けることが可能となる。電極保護膜4の材料としては、酸化しにくい白金族の金属や、酸化物に導電性がみられるモリブデンのような金属を用いることができる。また、導電性の酸化物を用いることもできる。成膜方法は、貫通孔3の内面を含めて均一な成膜が可能であれば如何なる手法でも構わないが、例としては、スパッタリングやMOCVD等の手法が挙げられる。絶縁スペーサ2は、電極間距離を所望の距離で維持するため、また、2枚の電極の対応した貫通孔3が所望の位置に来るように位置決めされた状態を維持するために、第1の電極1A及び第2の電極1Bと一体化される。絶縁スペーサ2の材料は、絶縁体であればよいが、例えば、ホウケイ酸ガラス或いは無アルカリガラスを使用できる。図1aを用いて、帯電によるビーム偏向ずれを防止するために必要な電極保護膜4と電極貫通孔3の距離と荷電粒子の軸ずれ量の関係について説明する。図1aにおいて、lsは、絶縁スペーサと接合した電極表面上の電極保護膜4の端部と電極貫通孔3の中心との距離lのうちの最も短い距離を示している。本発明においては、軸ずれ量を許容値s以下にするために、電極貫通孔の周囲の領域の電極保護膜の端部と電極貫通孔の中心との距離lは上記不等式を満たす構成としている。よって、図1aのlsも上記不等式を満たす値となっている。上記不等式に、数値例として例えば、電極間距離g=300μm、印加電圧差Δφ=37kV、加速電圧絶対値Φacc=5kV、帯電偏向ずれ許容量s=02nm、という値を設定した場合には、距離lsは31mmとなる。図1aでは、距離lsについて、他の電極と対向する電極の表面上の電極保護膜の端部に関してのみ表示しているが、他の電極と対向しない電極の表面上の電極保護膜の端部も同様である。ただし、電極と対向しない電極の表面上の電極保護膜については、この表面に絶縁スペーサとの取付け部位はないので、この表面全面に保護膜が形成されるようなことも可能である。電極1A、1Bと絶縁スペーサ2の両面の接合界面における一体化は、陽極接合、表面活性化接合、共晶接合、フュージョンボンディング、ブレージング、エポキシ接着等の接合方法から適宜選択することで行うことができる。ただし、上記帯電によるビーム偏向ずれを防止する目的を達成する上では、接合しないで両者を機械的な工具を用いて取り付けて単に固定状態にするだけでもよい。一方、静電レンズの構成部材の高精度な位置決め状態の実現、維持が可能で、取り扱いも容易な構成とするためには、電極と絶縁スペーサは接合で一体化されていることが好ましい。さらに好ましい構成は、絶縁スペーサ表面と電極表面が直接化学結合すなわち、介在する物質が無く両表面の物質が何らかの化学的な反応をして結合することしていることである。絶縁スペーサ表面と電極表面が直接化学結合している例としては、陽極接合やフュージョンボンディングによる接合がある。具体的には、陽極接合によるシリコン電極とホウケイ酸ガラス絶縁スペーサの接合、フュージョンボンディングによるシリコン電極とホウケイ酸ガラス若しくは無アルカリガラスの絶縁スペーサの接合が挙げられる。中でも、フュージョンボンディングによるシリコン電極とホウケイ酸ガラス若しくは無アルカリガラスの絶縁スペーサの接合は、アライメント後の仮接合工程を室温程度の低温で行なうことができる。この場合、部材の膨張収縮による影響を受けない温度で工程を行なうことにより、アライメントによる位置決め状態を維持したまま電極とガラスが一定の強度で仮接合される。そのため、本接合工程においては、本接合時の熱処理条件下例えば200°C前後の温度条件下で、部材の膨張収縮の影響を受けにくく、当初のアライメントによる位置決め状態を維持できる。そのため、高精度な位置決めを実現維持するために特に好ましい手法であり、1μm~05μmレベルの位置決め精度が期待できる。これらの接合においては、シリコン電極とガラスの絶縁スペーサの間に異種物質が存在することは安定な接合状態を形成する上で好ましくなく、本発明の如く、電極と絶縁スペーサの界面には保護膜が存在しない構成とすることが望まれる。特に、フュージョンボンディングの場合、基板表面をプラズマ処理により活性化することで接合を可能としているため、基板表面の制約が大きい。そのため、電極と絶縁スペーサの界面に保護膜が存在する場合、接合は極めて困難であり、電極と絶縁スペーサの界面には保護膜が存在しない構成とすることが必須である。以下、より具体的な実施例を説明する。第1の実施例図1を用いて、本発明の第1の実施例の静電レンズ及びその作製方法を説明する。図1cは、図1aの第2の電極1Bの上面図であり、第1の電極1Aの下面側の電極保護膜4も同パターンを有する。また、図1dは、絶縁スペーサ2の上面図である。本実施例の静電レンズは、2枚の電極1A、1Bと1枚の絶縁スペーサ2より構成される。電極1A、1Bには、厚さ100μmの単結晶シリコンを使用し、絶縁スペーサ2には、厚さ300μmの無アルカリガラスを使用する。電極の貫通孔3は、径100μmの貫通孔をフォトリソグラフィと深堀ドライエッチングで形成する。電極保護膜4は、両表面にPtをスパッタリングにて50nmずつ成膜し、この際、電極基板の表側、裏側夫々に対して1回ずつスパッタリングを行なうことで貫通孔3内を含めて成膜する。電極保護膜4は、貫通孔3内の部分から連続的に繋がって電極基板の表側、裏側に形成されている。所望の領域にのみPt膜を形成するためのパターニング手法としては、エッチング法、リフトオフ法のいずれも用いることができるが、本実施例では、レジストによるリフトオフ法を用いた。図1cに示す様に、電極1Bの表側において、貫通孔3に近接する領域の電極保護膜4の端部と電極貫通孔の中心との距離lの最小値であるlsは、35mmとした。電極1Bの裏側においては、貫通孔3に近接する領域の電極保護膜4の端部と電極貫通孔の中心との距離は、これより大きくなっている。この関係は、電極1Aの表側と裏側の電極保護膜4の端部では逆になっている。電極1Aの裏側の電極保護膜4のパターンは図1bに示されている。また、絶縁スペーサ2の貫通孔5は、図dに示した距離dが8mmの正方形の貫通孔をブラスト加工で形成する。上記のような手順で作製した電極1A、1Bと絶縁スペーサ2の接合は、フュージョンボンディングで行なう。フュージョンボンディングは、1基板を洗浄、2プラズマ処理を実施して表面を活性化、3基板間のアライメント、4常温にて仮接合、5200°Cアニールの本接合の順に行なう。詳細には、第1の電極1Aと絶縁スペーサ2について1~4の手順で仮接合を行なった後、第1の電極と絶縁スペーサの仮接合体と第2電極1Bについて1~5までの工程を順に実施する。上記のように、電極、絶縁スペーサを加工、接合することで、高精度に位置決めされ、取り扱いも容易な静電レンズを作製することができる。上記静電レンズの2枚の電極1A、1Bに不図示の給電手段により電圧を印加し、印加電位差Δφ37kVとし、加速電圧φacc=5kVで電子ビームを通過させた時の軸ずれ量sは、0.2nm以下の値で、想定していた許容値以下であった。第2の実施例図2を用いて本発明の第2の実施例を説明する。本実施例は、電極に複数の貫通孔を有する静電レンズアレイである。第1の実施例と同じ機能を有する部分には、同じ記号を付し、同じ効果についても説明を省略する。図2aは、図2bのAA’線における静電レンズアレイの断面図、図2bは、静電レンズアレイの上面図、図2cは、絶縁スペーサ2A、2Bの上面図である。また、図2dは、図2a及び図2bの点線で囲まれた領域Xの拡大図で、3枚の電極1A、1B、1Cとも同様の構造である。本実施例では、各電極には、5x5のアレイの貫通孔領域Xが配置され、図中Xで示された貫通孔領域は、図2dに示すように10x10のアレイの貫通孔3が配置されていて、貫通孔内とこれらの貫通孔の周りに電極保護膜4が形成されている。電極枚数や貫通孔の数はこれに限らず、必要に応じて設定することができる。図2cに示す様に、絶縁スペーサ2は、貫通孔5と材料部を、電極の変形を抑えるように井桁状の形状で配置することで、各電極間の距離を正確に規定できるようにしている。上記のような3枚の電極1A、1B、1Cと2枚の絶縁スペーサ2A、2Bを第1の実施例と同様に接合していくことで、図2aのような静電レンズアレイとする。本実施例の静電レンズアレイは、3枚の電極1A、1B、1Cと2枚の絶縁スペーサ2A、2Bより構成されている。両端2枚の電極1A、1Cを等電位とし、中間の電極1Bに高電位を印加するアインツェル型静電レンズとして用いることができる。本実施例は、静電レンズアレイの電極に複数の貫通孔3を設けているので、複数の荷電粒子線の光学特性を制御することが可能となっており、大規模なレンズアレイに好適なものである。本実施例でも、各貫通孔3や電極保護膜4について、貫通孔の周りの領域の電極保護膜4の端部と電極貫通孔の中心との距離lの最小値であるlsが上記第1の実施例の不等式を満たす様にすることができる。