"フィルムの表面上にポリシラザンを含有する塗布液を塗布して塗膜を形成し、乾燥ゾーンを通過させた後、塗膜面に真空紫外光を照射して該塗膜を改質処理するガスバリアフィルムの製造方法において、該乾燥ゾーンに不活性ガスを給気して酸素濃度10以下にすることを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法。前記乾燥ゾーンの酸素濃度が5以下であることを特徴とする請求項1に記載のガスバリアフィルムの製造方法。前記真空紫外光の照射時の酸素濃度が0.05~1であることを特徴とする請求項1または2に記載のガスバリアフィルムの製造方法。前記真空紫外光が、キセノンエキシマランプを用いたものであることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載のガスバリアフィルムの製造方法。湿式法にてポリシラザンを含む塗布液で塗膜を作製し、前記塗膜を真空紫外光を照射して改質処理して実質的にSiO2からなるセラミックス膜を形成することによりバリアフィルムを得ることができるが、このようにして得られたバリアフィルムには性能のバラツキがあった。このバラツキの要因としては、改質効率のバラツキと考えらる。これらの要因を減ずる方法として、乾燥後に塗膜上の改質阻害吸着物を減ずることが挙げられるが、そのために、乾燥後でかつ真空紫外光を照射する前の工程で表面処理を実施したり、紫外光照射の際に、真空紫外光照射とともに真空紫外光を吸収しないガスを主成分とする気体を噴射させたりすることが行われてきた。しかしながら、塗布液を塗布し乾燥する間に塗膜中に改質阻害吸着物が取り込まれるので、乾燥後上記のような処理を施しても、十分に改質阻害吸着物を減ずることができず、得られるガスバリア性の効果に限界があることが分かった。そこで、本発明の目的は、ポリシラザンを含む塗布液を塗布し、VUV光処理を施すガスバリアフィルムの製造方法において、塗膜中への改質阻害吸着物の取り込みを防止し、ガスバリア性能をさらに向上させる方法を提供することにある。上記課題は、本発明の下記の構成により達成することができた。1.フィルムの表面上にポリシラザンを含有する塗布液を塗布して塗膜を形成し、乾燥ゾーンを通過させた後、塗膜面に真空紫外光を照射して該塗膜を改質処理するガスバリアフィルムの製造方法において、該乾燥ゾーンに不活性ガスを給気して酸素濃度10以下にすることを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法。2.前記乾燥ゾーンの酸素濃度が5以下であることを特徴とする前記1に記載のガスバリアフィルムの製造方法。3.前記真空紫外光の照射時の酸素濃度が0.05~1であることを特徴とする前記1または2に記載のガスバリアフィルムの製造方法。4.前記真空紫外光が、キセノンエキシマランプを用いたものであることを特徴とする前記1~3の何れか1項に記載のガスバリアフィルムの製造方法。本発明により、ポリシラザンを含む塗布液を塗布し、10以下の酸素濃度雰囲気中で塗膜乾燥を行うことにより改質阻害吸着物の塗膜への侵入を防止することにより、ガスバリア性能に優れたガスバリアフィルムを提供することができた。ガスバリアフィルム本発明に係るガスバリアフィルムについて説明する。ガスバリアフィルムは樹脂フィルム基板、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET上の少なくとも片面に、一層以上のポリシラザン含有塗膜を形成し、改質処理を施すことによりバリア性能を発現したバリア膜を有しており、該バリア膜が、ポリシラザン含有層を塗布した後、乾燥ゾーンと真空紫外光で塗膜が改質処理される。尚、該バリア層は単層でも複数の同様な層を積層してもよく、複数の層で、更にガスバリア性を向上させることも可能である。本明細書では特に積層構成は例示していないが、本発明の効果を用いて、更に高いガスバリア性を実現するには積層構成も好ましく用いる事ができる。ポリシラザン含有層の塗布方法及び乾燥方法本発明における塗布方法としては、フィルムの表面上にポリシラザンを含有する塗布液を塗布してウエット膜塗膜を形成する方法であれば、特に限定されない。塗布方法の具体例としては、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法、スロットダイコート法、スライドコート法、カーテンコート法等が挙げられる。塗布厚は、乾燥後の厚さが好ましくは1nm~100μm程度、さらに好ましくは10nm~10μm程度、最も好ましくは10nm~1μm程度となるように設定され得る。このようにして形成されたウエット膜を乾燥して乾燥塗膜を得る方法としては、乾燥ゾーンに不活性ガスを給気することにより酸素濃度10以下の乾燥ゾーンであれば、特に限定されない。不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガスを用いることができるが、好ましくは窒素ガスである。乾燥ゾーンの酸素濃度としては、10以下が必要であるが、好ましくは5以下である。この理由としては、乾燥ゾーン内の酸素濃度が10より高いと、乾燥塗膜中に酸素が取り込まれ過ぎてしまい、その後の改質処理において、取り込まれた酸素が真空紫外光の吸収剤となることがあり、その結果、その後の塗膜の改質処理を阻害する虞があるものと思われる。5以下であれば、上記のような塗膜の改質処理を阻害する虞がほとんどなくなり好ましい。乾燥ゾーンは、不活性ガスを給排気することにより、溶媒を蒸発し、乾燥を行うが、同時に不活性ガスを加熱することが好ましく、更には基材を加熱する方法を用いても良い。ポリシラザン化合物の詳細は後述する。塗膜の改質処理真空紫外線VUV光処理本発明のガスバリア膜は、ポリシラザン含有溶液を基材上に塗布、乾燥した後、ポリシラザンを含む塗膜に真空紫外線を照射する方法で改質膜を形成する。この真空紫外線VUV光照射により、ポリシラザンの分子結合を切断し、また膜内若しくは雰囲気内に微量に存在する酸素でも効率的にオゾン若しくは活性酸素に変換する事が可能であり、塗膜のセラミックス化改質処理が促進され、また得られるセラミックス膜が一層緻密になる。VUV光照射は、塗膜形成後であればいずれの時点で実施しても有効である。本発明における真空紫外線とは、具体的には100~200nmの真空紫外線VUV光が用いられる。真空紫外線の照射は、照射される塗膜を担持している基材がダメージを受けない範囲で照射強度及び照射時間を設定する。基材としてプラスチックフィルムを用いた場合を例にとると、基材表面の強度が10~300mW/cm2になるように基材-ランプ間距離を設定し、0.1秒~10分間、好ましくは0.5秒~3分の照射を行うことができる。真空紫外線照射装置は、市販のランプ例えば、ウシオ電機製を使用することが可能である。VUV光照射はバッチ処理にも連続処理にも適合可能であり、被塗布基材の形状によって適宜選定することができる。例えば、バッチ処理の場合には、ポリシラザン塗膜を表面に有する基材例、シリコンウェハーを、真空紫外線発生源を具備した真空紫外線焼成炉で処理することができる。真空紫外線焼成炉自体は一般に知られており、例えば、ウシオ電機株製を使用することができる。また、ポリシラザン塗膜を表面に有する基材が長尺フィルム状である場合には、これを搬送させながら上記のような真空紫外線発生源を具備した乾燥ゾーンで連続的に真空紫外線を照射することにより改質処理することができる。該真空紫外光はほとんどの物質の原子間結合力より大きいため、原子の結合を光量子プロセスと呼ばれる光子のみによる作用により、直接切断することが可能である。この作用を用いる事により、加水分解を必要とせず低温でかつ効率的に改質処理が可能となる。これに必要な真空紫外光源としては、希ガスエキシマランプが好ましく用いられる。Xe,Kr,Ar,Neなどの希ガスの原子は化学的に結合して分子を作らないため、不活性ガスと呼ばれる。しかし、放電などによりエネルギーを得た希ガスの原子励起原子は他の原子と結合して分子を作ることが出来る。希ガスがキセノンの場合にはeXe→eXeXeXeXe→Xe2Xeとなり、励起されたエキシマ分子であるXe2が基底状態に遷移するときに172nmのエキシマ光を発光する。エキシマランプの特徴としては、放射が一つの波長に集中し、必要な光以外がほとんど放射されないので効率が高いことが挙げられる。また、余分な光が放射されないので、対象物の温度を低く保つことが出来る。さらには始動再始動に時間を要さないので、瞬時の点灯点滅が可能である。エキシマ発光を得るには誘電体バリア放電を用いる方法が知られている。誘電体バリア放電とは両電極間に誘電体エキシマランプの場合は透明石英を介してガス空間を配し、電極に数10kHzの高周波高電圧を印加することによりガス空間に生じる、雷に似た非常に細いmicrodischargeと呼ばれる放電で、microdischargeのストリーマが管壁誘電体に達すると誘電体表面に電荷が溜まるため、microdischargeは消滅する。このmicrodischargeが管壁全体に広がり、生成消滅を繰り返している放電である。このため肉眼でも分る光のチラツキを生じる。また、非常に温度の高いストリーマが局所的に直接管壁に達するため、管壁の劣化を早める可能性もある。効率よくエキシマ発光を得る方法としては、誘電体バリア放電以外に無電極電界放電でも可能である。容量性結合による無電極電界放電で、別名RFRadioFrequency放電とも呼ばれる。ランプと電極およびその配置は基本的には誘電体バリア放電と同じで良いが、両極間に印加される高周波は数MHzで点灯される。無電極電界放電はこのように空間的にまた時間的に一様な放電が得られるため、チラツキが無い長寿命のランプが得られる。誘電体バリア放電の場合はmicrodischargeが電極間のみで生じるため、放電空間全体で放電を行わせるには外側の電極は外表面全体を覆い、かつ外部に光を取り出すために光を透過するものでなければならない。このため細い金属線を網状にした電極が用いられる。この電極は光を遮らないように出来るだけ細い線が用いられるため、酸素雰囲気中では真空紫外光により発生するオゾンなどにより損傷しやすい。これを防ぐためにはランプの周囲、すなわち照射装置内を窒素などの不活性ガスの雰囲気にし、合成石英の窓を設けて照射光を取り出す必要が生じる。合成石英の窓は高価な消耗品であるばかりでなく、光の損失も生じる。二重円筒型ランプは外径が25mm程度であるため、ランプ軸の直下とランプ側面では照射面までの距離の差が無視できず、照度に大きな差を生じる。したがって仮にランプを密着して並べても、一様な照度分布が得られない。合成石英の窓を設けた照射装置にすれば酸素雰囲気中の距離を一様に出来、一様な照度分布が得られる。無電極電界放電を用いた場合には外部電極を網状にする必要は無い。ランプ外面の一部に外部電極を設けるだけでグロー放電は放電空間全体に広がる。外部電極には通常アルミのブロックで作られた光の反射板を兼ねた電極がランプ背面に使用される。しかし、ランプの外径は誘電体バリア放電の場合と同様に大きいため一様な照度分布にするためには合成石英が必要となる。細管エキシマランプの最大の特徴は構造がシンプルなことである。石英管の両端を閉じ、内部にエキシマ発光を行うためのガスを封入しているだけである。細管ランプの管の外径は6~12mm程度で、あまり太いと始動に高い電圧が必要になる。放電の形態は誘電体バリア放電でも無電極電界放電のいずれでも使用できる。電極の形状はランプに接する面が平面であっても良いが、ランプの曲面に合わせた形状にすればランプをしっかり固定出来るとともに、電極がランプに密着することにより放電がより安定する。またアルミで曲面を鏡面にすれば光の反射板にもなる。Xeエキシマランプは波長の短い172nmの紫外線を単一波長で放射することから発光効率に優れている。この光は、酸素の吸収係数が大きいため、微量な酸素でラジカルな酸素原子種やオゾンを高濃度で発生することができる。また、有機物の結合を解離させる波長の短い172nmの光のエネルギーは能力が高いことが知られている。この活性酸素やオゾンと紫外線放射が持つ高いエネルギーによって、短時間でポリシラザン層の改質処理を実現できる。したがって、波長185nm、254nmの発する低圧水銀ランプやプラズマ洗浄と比べて高スループットに伴うプロセス時間の短縮や設備面積の縮小、熱によるダメージを受けやすい有機材料やプラスチック基板などへの照射を可能としている。エキシマランプは光の発生効率が高いため低い電力の投入で点灯させることが可能である。また、光による温度上昇の要因となる波長の長い光は発せず、紫外線領域で単一波長でエネルギーを照射するため、照射対象物の表面温度の上昇が抑えられる特徴を持っている。このため、熱の影響を受けやすいとされるPETなどのフレシキブルフィルム材料に適している。真空紫外線の照射強度高照射強度処理と最大照射強度照射強度が高ければ、光子とポリシラザン内の化学結合が衝突する確率が増え、改質反応を短時間化することができる。また、内部まで侵入する光子の数も増加するため改質膜厚も増加及び膜質の良化高密度化が可能である。但し、照射時間を長くしすぎると平面性の劣化やバリア性フィルムの他の材料にダメージを与える場合がある。一般的には、照射強度と照射時間の積で表される積算光量で反応進行具合を考えるが、酸化シリコンの様に組成は同一でも、様々な構造形態をとること材料に於いては、照射強度の絶対値が重要になる場合もある。従って、本発明ではVUV照射工程において、少なくとも1回は100~200mW/cm2の最大照射強度を与える改質処理を行うことが好ましい。この強度以下だと急激に改質効率が劣化し、処理に時間を要する事になり、照射強度をこれより高くすると、ガスバリア性能の上昇は鈍化する一方で、基材へのダメージばかりでなく、ランプやランプユニットのその他の部材へのダメージも大きくなり、ランプ自体の劣化を早める事になってしまう。VUV光の照射時間照射時間は、任意に設定可能であるが、基材ダメージや膜欠陥生成の観点およびガスバリア性能のバラつき低減の観点から高照度工程での照射時間は0.1秒~3分間が好ましい。より好ましくは0.5秒~1分である。VUV光照射時の酸素濃度本発明におけるVUV光照射時の酸素濃度は500ppm~10000ppm0.05~1とすることが好ましい。より好ましくは、1000ppm~5000ppmである。500ppmより低いと、VUV光照射して改質するための酸素が足りないことがあり、10000ppmより高いと、酸素が多すぎるためにVUV光照射時に当該VUV光照射が塗膜まで届かない可能性があると共に、酸素過多のガスバリア膜となる虞があり、所望のガスバリア性が得られないことがある。また前記範囲より低い酸素濃度の場合、大気との置換時間が長くなるのと同時に、ロールトゥロールの様な連続生産を行う場合はウエッブ搬送によってVUV光照射庫内に巻き込む空気量酸素を含むが多くなり、多大な流量のガスを流さないと酸素濃度を調整できなくなってくる。発明者らの検討によると、ポリシラザン含有塗膜中には、塗布時に酸素及び微量の水分が混入し、更には塗膜以外の支持体にも吸着酸素や吸着水があり、照射庫内に敢えて酸素を導入しなくとも改質反応に要する酸素を供給する酸素源は十分にある事が分かった。むしろ、酸素ガスが多く数レベル含まれる雰囲気でVUV光を照射した場合、改質後のガスバリア膜が酸素過多の構造となり、ガスバリア性が劣化する。また、前述した様に172nmのVUV光が酸素により吸収され膜面に到達する172nmの光量が減少してしまい、光による処理の効率を低下することになる。すなわち、VUV光照射時には、できるだけ酸素濃度の低い状態で、VUV光が効率良く塗膜まで到達する状態で改質処理することが好ましい。VUV光照射時にこれら酸素以外のガスとしては乾燥不活性ガスとすることが好ましく、特にコストの観点から乾燥窒素ガスにすることが好ましい。酸素濃度の調整は照射庫内へ導入する酸素ガス、不活性ガスの流量を計測し、流量比を変えることで調整可能である。ポリシラザン膜本発明に係るポリシラザン膜は、基材上に少なくとも1層のポリシラザン化合物を含有する塗布液を塗布することにより形成される。本発明で用いられるポリシラザンとは、珪素-窒素結合を持つポリマーで、Si-N、Si-H、N-H等からなるSiO2、Si3N4及び両方の中間固溶体SiOxNy等のセラミック前駆体無機ポリマーである。フィルム基材を損なわないように塗布するためには、特開平8-112879号公報に記載されている、下記一般式Iで表される単位を有するポリシラザンが比較的低温でセラミック化してシリカに変性するので好ましい。ただし、式中のR1,R2,R3のそれぞれは、独立に、水素原子,アルキル基,アルケニル基,シクロアルキル基,アリール基,アルキルシリル基,アルキルアミノ基,アルコキシ基などを表す。本発明では、得られるバリア膜としての緻密性の観点からは、R1,R2,R3のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザンが特に好ましい。一方、そのSiと結合する水素部分が一部アルキル基等で置換されたオルガノポリシラザンは、メチル基等のアルキル基を有することにより下地基材との接着性が改善され、かつ硬くてもろいポリシラザンによるセラミック膜に靭性を持たせることができ、より膜厚を厚くした場合でもクラックの発生が抑えられる利点がある。用途に応じて適宜、これらパーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。パーヒドロポリシラザンは直鎖構造と6及び8員環を中心とする環構造が存在した構造と推定されている。その分子量は数平均分子量Mnで約600~2000程度ポリスチレン換算であり、液体又は固体の物質であり、分子量により異なる。これらは有機溶媒に溶解した溶液状態で市販されており、市販品をそのままポリシラザン含有塗布液として使用することができる。低温でセラミック化するポリシラザンの別の例としては、上記一般式Iで表されるポリシラザンにケイ素アルコキシドを反応させて得られるケイ素アルコキシド付加ポリシラザン特開平5-238827号公報、グリシドールを反応させて得られるグリシドール付加ポリシラザン特開平6-122852号公報、アルコールを反応させて得られるアルコール付加ポリシラザン特開平6-240208号公報、金属カルボン酸塩を反応させて得られる金属カルボン酸塩付加ポリシラザン特開平6-299118号公報、金属を含むアセチルアセトナート錯体を反応させて得られるアセチルアセトナート錯体付加ポリシラザン特開平6-306329号公報、金属微粒子を添加して得られる金属微粒子添加ポリシラザン特開平7-196986号公報等が挙げられる。ポリシラザンを含有する液体を調製する有機溶媒としては、ポリシラザンと容易に反応してしまうようなアルコール系や水分を含有するものを用いることは好ましくない。具体的には、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類が使用できる。具体的には、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン等の炭化水素、塩化メチレン、トリコロロエタン等のハロゲン炭化水素、ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等がある。これらの溶剤は、ポリシラザンの溶解度や溶剤の蒸発速度、等目的にあわせて選択し、複数の溶剤を混合しても良い。ポリシラザン含有塗布液中のポリシラザン濃度は目的とするシリカ膜厚や塗布液のポットライフによっても異なるが、0.2~35質量程度である。有機ポリシラザンは、そのSiと結合する水素部分が一部アルキル基等で置換された誘導体であってもよい。アルキル基、特にもっとも分子量の少ないメチル基を有することにより下地基材との接着性が改善され、かつ硬くてもろいシリカ膜に靭性を持たせることができ、より膜厚を厚くした場合でもクラックの発生が抑えられる。酸化珪素化合物への改質を促進するために、アミンや金属の触媒を添加することもできる。具体的には、AZエレクトロニックマテリアルズ株製アクアミカNAX120-20、NN110、NN310、NN320、NL110A、NL120A、NL150A、NP110、NP140、SP140などが挙げられる。触媒濃度触媒を添加することによって加水分解脱水縮合を促進するため、添加量によってSi-OH基の生成速度が大きく変化する。すなわち添加しすぎると過剰なSi-OH基により経時変化が大きな膜になってしまう。更に、前述したように真空紫外光照射の様な分子結合を切断するのに十分なエネルギーを与えた場合、特にアミン系触媒は分解、蒸発してしまう事がある。触媒の分解、蒸発が起こると改質膜内に不純物や空隙が含まれる事になり、バリア性は劣化してしまう。本発明では、触媒による過剰なシラノール形成、及び膜密度の低下、膜欠陥の増大を避けるため、ポリシラザンに対する触媒の添加量を2質量以下に調整することが好ましい。更には、Si-OH生成を抑制する観点で、触媒は添加しないことが、より好ましい。支持体本発明におけるガスバリア性フィルムの支持体は、後述のバリア性を有するガスバリア膜を保持することができる有機材料で形成されたものであれば、特に限定されるものではない。例えば、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC、ポリアリレート、ポリ塩化ビニルPVC、ポリエチレンPE、ポリプロピレンPP、ポリスチレンPS、ナイロンNy、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド等の各樹脂フィルム、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルム製品名Sila-DEC、チッソ株式会社製、更には前記樹脂を2層以上積層して成る樹脂フィルム等を挙げることができる。コストや入手の容易性の点では、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC等が好ましく用いられ、また光学的透明性、耐熱性、無機層、ガスバリア層との密着性の点においては、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルムが好ましく用いることができる。支持体の厚みは5~500μm程度が好ましく、更に好ましくは25~250μmである。また、本発明に係る支持体は透明であることが好ましい。支持体が透明であり、支持体上に形成する層も透明であることにより、透明なガスバリア性フィルムとすることが可能となるため、有機EL素子等の透明基板とすることも可能となるからである。また、上記に挙げた樹脂等を用いた支持体は未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。本発明に用いられる支持体は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押し出し機により溶融し、環状ダイやTダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の支持体を製造することができる。また、未延伸の支持体を一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸等の公知の方法により、支持体の流れ縦軸方向、または支持体の流れ方向と直角横軸方向に延伸することにより延伸支持体を製造することができる。この場合の延伸倍率は、支持体の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向及び横軸方向にそれぞれ2~10倍が好ましい。更には、延伸フィルムに於いて基板の寸法安定性を向上するために、延伸後の緩和処理をする事が好ましい。また、本発明に係る支持体においては、塗膜を形成する前にコロナ処理してもよい。更に、本発明に係る支持体表面には、塗膜との密着性の向上を目的としてアンカーコート剤層を形成してもよい。アンカーコート剤層本発明におけるガスバリア性フィルムはアンカーコート剤層を有してもよく、このアンカーコート剤層に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコン樹脂、及びアルキルチタネート等を1または2種以上併せて使用することができる。これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記のアンカーコート剤は、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により支持体上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することによりアンカーコーティングすることができる。上記のアンカーコート剤の塗布量としては、0.1~5g/m2乾燥状態程度が好ましい。平滑層本発明におけるガスバリア性フィルムは平滑層を有してもよい。平滑層は突起等が存在する透明樹脂フィルム支持体の粗面を平坦化し、あるいは、透明樹脂フィルム支持体に存在する突起により透明無機化合物層に生じた凹凸やピンホールを埋めて平坦化するために設けられる。このような平滑層は、基本的には感光性樹脂を硬化させて形成される。平滑層の感光性樹脂としては、例えば、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物を含有する樹脂組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた樹脂組成物等が挙げられる。また、上記のような樹脂組成物の任意の混合物を使用することも可能であり、光重合性不飽和結合を分子内に1個以上有する反応性のモノマーを含有している感光性樹脂であれば特に制限はない。平滑層の形成方法は特に制限はないが、スピンコーティング法、スプレー法、ブレードコーティング法、ディップ法等のウエットコーティング法、あるいは、蒸着法等のドライコーティング法により形成することが好ましい。平滑層の形成では、上述の感光性樹脂に、必要に応じて酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を加えることができる。また、平滑層の積層位置に関係なく、いずれの平滑層においても、成膜性向上及び膜のピンホール発生防止等のために適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。平滑層の平滑性は、JISB0601で規定される表面粗さで表現される値で、最大断面高さRtpが、10nm以上、30nm以下であることが好ましい。Rtpを10nm以上とすることにより、後述のケイ素化合物を塗布する段階で、ワイヤーバー、ワイヤレスバー等の塗布方式で、平滑層表面に塗工手段が接触しても塗布性が損なわれることがない。また、Rtpを30nm以下とすることにより、ケイ素化合物を塗布した後の凹凸を平滑化することができる。ブリードアウト防止層ブリードアウト防止層は、平滑層を有するフィルムを加熱した際に、フィルム支持体中から未反応のオリゴマー等が表面へ移行して、接触する面を汚染してしまう現象を抑制する目的で平滑層を有する基材の反対面に設けられる。ブリードアウト防止層は、この機能を有していれば基本的に平滑層と同じ構成をとっても構わない。ブリードアウト防止層に含ませることが可能な重合性不飽和基を有する不飽和有機化合物としては、分子中に2個以上の重合性不飽和基を有する多価不飽和有機化合物、あるいは分子中に1個の重合性不飽和基を有する単価不飽和有機化合物等を挙げることができる。その他の添加剤として、マット剤を含有してもよい。マット剤としては平均粒子径が0.1~5μm程度の無機粒子が好ましい。このような無機粒子としては、シリカ、アルミナ、タルク、クレイ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化ジルコニウム等の1種または2種以上を併せて使用することができる。ここで無機粒子からなるマット剤は、ハードコート剤の固形分100質量部に対して2質量部以上、好ましくは4質量部以上、より好ましくは6質量部以上、20質量部以下、好ましくは18質量部以下、より好ましくは16質量部以下の割合で混合されていることが望ましい。また、本発明における平滑層には、ハードコート剤及びマット剤の他の成分として熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電離放射線硬化性樹脂、光重合開始剤等を含有させてもよい。以上のようなブリードアウト防止層は、ハードコート剤、マット剤、及び必要に応じて他の成分を配合して、適宜必要に応じて用いる希釈溶剤によって塗布液として調製し、当該塗布液を支持体フィルム表面に従来公知の塗布方法によって塗布した後、電離放射線を照射して硬化させることにより形成することができる。なお、電離放射線を照射する方法としては、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、メタルハライドランプ等から発せられる100~400nm、好ましくは200~400nmの波長領域の紫外線を照射する、または走査型やカーテン型の電子線加速器から発せられる100nm以下の波長領域の電子線を照射することにより行うことができる。本発明におけるブリードアウト防止層の厚みとしては、1~10μm、好ましくは2~7μmであることが望ましい。1μm以上にすることによりフィルムとしての耐熱性を十分なものにし易くなり、10μm以下にすることにより平滑フィルムの光学特性のバランスを調整し易くなると共に、平滑層を透明高分子フィルムの一方の面に設けた場合におけるガスバリア性フィルムのカールを抑え易くすることができるようになる。ガスバリア性フィルムの用途本発明は、主に電子デバイス等のパッケージ、または有機EL素子や太陽電池、液晶等のプラスチック基板といったディスプレイ材料に用いられるガスバリア性フィルム及びガスバリア性フィルムを用いた各種デバイス用樹脂基材、及び各種デバイス素子に用いることができる。本発明におけるガスバリア性フィルムは、種々の封止用材料、フィルムとして用いることができる。有機光電変換素子本発明におけるガスバリア性フィルムは、例えば、有機光電変換素子に用いることができる。有機光電変換素子に用いる際に、ガスバリア性フィルムは透明であるため、このガスバリア性フィルムを支持体として用いてこの側から太陽光の受光を行うように構成できる。即ち、このガスバリア性フィルム上に、例えば、ITO等の透明導電性薄膜を透明電極として設け、有機光電変換素子用樹脂支持体を構成することができる。そして、支持体上に設けられたITO透明導電膜を陽極としてこの上に多孔質半導体層を設け、更に金属膜からなる陰極を形成して有機光電変換素子を形成し、この上に別の封止材料を同じでもよいが重ねて、前記ガスバリア性フィルム支持体と周囲を接着、素子を封じ込めることで有機光電変換素子を封止することができ、これにより外気の湿気や酸素等のガスによる素子への影響を封じることができる。有機光電変換素子用樹脂支持体は、このようにして形成されたガスバリア性フィルムのセラミック層上に、透明導電性膜を形成することによって得られる。透明導電膜の形成は、真空蒸着法やスパッタリング法等を用いることにより、またインジウム、スズ等の金属アルコキシド等を用いたゾルゲル法等塗布法によっても製造できる。透明導電膜の膜厚としては、0.1~1000nmの範囲の透明導電膜が好ましい。次いで、有機光電変換素子を構成する有機光電変換素子材料各層構成層について説明する。有機光電変換素子及び太陽電池の構成本発明に係る有機光電変換素子の好ましい態様を説明するが、これに限定されるものではない。有機光電変換素子としては特に制限がなく、陽極と陰極と、両者に挟まれた発電層p型半導体とn型半導体が混合された層、バルクヘテロジャンクション層、i層とも言うが少なくとも1層以上あり、光を照射すると電流を発生する素子であればよい。有機光電変換素子の層構成の好ましい具体例を以下に示す。i陽極/発電層/陰極ii陽極/正孔輸送層/発電層/陰極iii陽極/正孔輸送層/発電層/電子輸送層/陰極iv陽極/正孔輸送層/p型半導体層/発電層/n型半導体層/電子輸送層/陰極v陽極/正孔輸送層/第1発電層/電子輸送層/中間電極/正孔輸送層/第2発電層/電子輸送層/陰極ここで、発電層は、正孔を輸送できるp型半導体材料と電子を輸送できるn型半導体材料を含有していることが必要であり、これらは実質2層でヘテロジャンクションを形成していてもよいし、1層の内部で混合された状態となっているバルクヘテロジャンクションを形成してもよいが、バルクヘテロジャンクション構成のほうが光電変換効率が高いため、好ましい。発電層に用いられるp型半導体材料、n型半導体材料については後述する。有機EL素子同様、発電層を正孔輸送層、電子輸送層で挟み込むことで、正孔及び電子の陽極陰極への取り出し効率を高めることができるため、それらを有する構成ii、iiiの方が好ましい。また、発電層自体も正孔と電子の整流性キャリア取り出しの選択性を高めるため、ivのようにp型半導体材料とn型半導体材料単体からなる層で発電層を挟み込むような構成p-i-n構成とも言うであってもよい。また、太陽光の利用効率を高めるため、異なる波長の太陽光をそれぞれの発電層で吸収するような、タンデム構成vの構成であってもよい。実施の形態本発明に係る実施の形態を図1~図5を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図1はスロットダイコート法を用いたバリアフィルムの製造装置の一例を示す概略模式図である。図中、支持体であるフィルム1は巻き出し装置より連続的に走行され、バックアップロール7を通過する際にスロットダイ2によりポリシラザンを含有した塗布液6がフィルム上に塗膜として形成される。塗膜が形成されたフィルムはその後乾燥ゾーン8を通過する際に、塗膜に含まれる溶媒が除去される。その後真空紫外光照射装置12により真空紫外光が照射される。この図では真空紫外光照射時にフィルムを安定して搬送させるためのバックアップロール11を用いているが、このバックアップロールは無くても真空紫外光の照射は可能である。本図ではスロットダイコート法という前計量方式の塗布であるため、塗布液はポンプ4により定量送液されている。ポンプ4は塗布液を貯留しておくタンク5と配管を通じて接続されており、さらに塗布液はスロットダイに送液される前にフィルター3を通過させ塗布液中の異物を除去する事が一般的に行われている。この際フィルターは絶対濾過精度または準絶対濾過精度が0.05~50μmの濾材であり、少なくとも1回は通過させることが好ましい。乾燥ゾーン8を以下詳細に説明する。乾燥ゾーン8の支持体通過入口側、出口側ともにシール装置9が設けてある。シール装置とは乾燥ゾーンの支持体出入り口から、乾燥ゾーン内の雰囲気ガスが流出したり、乾燥ゾーン内へ大気が流入したりするのを防ぐために設けられている。シール装置は支持体表裏両面に相対して設置され、温調された不活性ガスの吹き出し口を設けている。吹き出し口は塗膜幅手方向に設け、スリットまたはパンチ板、あるいはメッシュ等から幅手に均一に不活性ガスを吹き出す。また不活性ガスの吹き出し風速を調整できるように、バルブ等で不活性ガスの流量を調整することができる。温調は不活性ガスを蒸気、冷水、電気等の熱交換器を通過させることにより行う。また不活性ガスの異物を除塵するために、フィルターを通すことも行われる。支持体に塗布された塗膜の乾燥は支持体上に塗布した直後より開始される。塗布部で蒸発した溶剤を給排気する設備が必要である。また乾燥ゾーンは断熱パネル等で囲い、塗布部と区切る支持体の進入口がある。乾燥には赤外線やマイクロ波を用いたものもあるが、一般的には加熱した不活性ガスを塗膜に均一に吹き付けることにより、塗膜から溶剤を蒸発させる手段が多く用いられる。また蒸発した溶剤を効率よく捕集し、また乾燥環境を制御するために乾燥工程はボックス状に作られる。この時乾燥ゾーンは一つでもよいが、複数のゾーンに区切ることにより各ゾーンの乾燥条件を選択的に変更することができる。塗膜に不活性ガスを吹きつけて乾燥させる場合、各ゾーンの乾燥条件としては、乾燥温度、吹きつける風速、不活性ガス吹き出し口と塗膜の距離、不活性ガスの循環量、内部の溶剤濃度などが挙げられる。乾燥ゾーンへの不活性ガスの供給は、塗膜へ吹き付けるためのノズルまたはスリット10などからの他に、塗膜への風の流れの影響を及ぼしにくい別の供給口を併用することもある。乾燥ゾーン内で支持体を裏面から支持ロールにより支えながら搬送する場合、支持ロールの進捗度は100μm以下とする事が一般的で、50μm以下とすることが好ましい。スロットダイから乾燥ゾーン内までは塗膜が未乾燥であり、表面に付着した異物は塗膜と接着してしまうことから周辺のクリーン度は高く保つ必要がある。乾燥ゾーン内のクリーン度は製造する製品の性格にもよるが、クラス1000以下、好ましくはクラス100以下とすることが好ましい。乾燥ゾーン通過後もしくは乾燥ゾーン通過中に真空紫外光照射装置12から真空紫外光を照射させる。その後巻取られる。なお、塗布部で塗布した後から乾燥ゾーンに突入する迄の間の塗膜も10以下の酸素雰囲気下にしたり、乾燥ゾーン出口からVUV光照射部までもしくはVUV光照射部も含む間の塗膜も10以下の酸素雰囲気下にすることでガスバリア性能を向上させることができる。以下実施例により本発明を詳細に説明するが本発明はこれにより限定されるものではない。<実施例>[支持体]熱可塑性樹脂支持体として、両面に易接着加工された125μm厚みのポリエステルフィルム帝人デュポンフィルム株式会社製、極低熱収PETQ83を支持体として用いた。ガスバリア性フィルムの作製[ブリードアウト防止層の形成]上記支持体の片面に、JSR株式会社製UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材OPSTARZ7535を塗布、乾燥後の膜厚が4μmになるようにスロットダイで塗布した後、エアーモード乾燥条件:80°C,3分、硬化条件:1.0J/cm2空気下,高圧水銀ランプ使用で硬化を行い、ブリードアウト防止層を形成した。[平滑層の形成]続けて上記支持体の反対面に、JSR株式会社製UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材OPSTARZ7501を塗布、乾燥後の膜厚が4μmになるようにスロットダイで塗布した後、乾燥条件:80°C,3分で乾燥後、硬化条件:1.0J/cm2空気下、高圧水銀ランプ使用で硬化を行い、平滑層を形成した。[ポリシラザン層の形成]次に、上記平滑層、ブリードアウト防止層を設けた支持体の平滑層面の上に、図1記載のガスバリアフィルムの製造装置を用いてポリシラザン層を塗布乾燥して試料1を作製した。尚、図1のガスバリアフィルムの製造装置よりバックアップロール11、真空紫外光照射装置12を除き、乾燥試料を直接巻き取りした。パーヒドロポリシラザン溶液としては、20質量ジブチルエーテル溶液AZエレクトロニックマテリアルズ株製アクアミカNN120-20を用い、この溶液をジブチルエーテルで希釈することによりパーヒドロポリシラザンPHPS濃度を5質量に調整し、塗布した直後から乾燥ゾーン出口までの時間を3分とし、スロットダイにより乾燥後膜厚170nmとなるように塗布を行い、パーヒドロポリシラザン含有層を形成した。上記試料1の作製において、乾燥条件を表1に記載のように変更した以外は同様にして試料2~13を作製した。尚、試料No.1の乾燥は、ガスバリアフィルムの製造装置内に供給する給気20として温度25°C、湿度50RHの空気を80°Cに加熱した空気を用い、試料No.2~13の乾燥は、給気20として、窒素ガス、及び酸素ガスの流量をフローメーターにより測定し、装置内に導入する給気20の酸素濃度を表1に記載の量の±0.1となるように調整し、80°Cに加熱して供給した。[VUV光の照射]上記試料をおよそ10cm角の正方形に切り出し、MDエキシマ社製のステージ可動型キセノンエキシマ照射装置MODEL:MECL-M-1-200波長172nmを用い、ランプと上記試料の照射距離を1mmとなるように試料温度が75°Cとなるように保ちながら、ステージの移動速度を10mm/secの速さで試料を往復搬送させて、合計5往復照射したのち、試料を取り出した。[VUV光照射時酸素濃度の調整]VUV光照射時の酸素濃度は、VUV光照射庫内に導入する窒素ガス、及び酸素ガスの流量をフローメーターにより測定し、庫内に導入するガスの窒素ガス/酸素ガス流量比により、試料1~6は酸素濃度1.0±0.1の範囲に入る様に調整し、試料7~10は酸素濃度が0.5±0.1の範囲に入る様に調整した。また、試料11は酸素濃度が1.5±0.1の範囲に入る様に調整し、試料12は酸素濃度が0.03±0.01の範囲に入るように調整し、試料13は酸素濃度が0.06±0.01になる様に調整した。これら試料のガスバリア性能を評価するために水蒸気透過率を評価した。[水蒸気透過率]以下の測定方法により評価した。装置蒸着装置:日本電子株製真空蒸着装置JEE-400恒温恒湿度オーブン:YamatoHumidicChamberIG47M原材料水分と反応して腐食する金属:カルシウム粒状水蒸気不透過性の金属:アルミニウムφ3~5mm、粒状水蒸気バリア性評価用セルの作製真空蒸着装置日本電子製真空蒸着装置JEE-400を用い、透明導電膜を付ける前のバリアフィルム試料の蒸着させたい部分12mm×12mmを9箇所以外をマスクし、金属カルシウムを蒸着させた。その後、真空状態のままマスクを取り去り、シート片側全面にアルミニウムをもう一つの金属蒸着源から蒸着させた。アルミニウム封止後、真空状態を解除し、速やかに乾燥窒素ガス雰囲気下で、厚さ0.2mmの石英ガラスに封止用紫外線硬化樹脂ナガセケムテックス製を介してアルミニウム封止側と対面させ、紫外線を照射することで、評価用セルを作製した。得られた両面を封止した試料を60°C、90RHの高温高湿下で保存し、特開2005-283561号公報記載の方法に基づき、金属カルシウムの腐食量からセル内に透過した水分量を計算した。5:5×10-4g/m2/day未満4:5×10-4g/m2/day以上、5×10-3g/m2/day未満3:5×10-3g/m2/day以上、5×10-2g/m2/day未満2:5×10-2g/m2/day以上、5×10-1g/m2/day未満1:5×10-1g/m2/day以上[ガスバリアフィルムの水蒸気透過率経時安定性]得られたガスバリア性フィルムを85°Cに調整した恒温恒湿槽内に7日連続で保管し、その後前述と同様の方法、評価ランクで水蒸気透過率を評価した。恒温恒湿度オーブン:YamatoHumidicChamberIG47M以上より本発明により、乾燥工程を表1記載の酸素濃度で行い、更には真空紫外光VUV照射工程を表1記載の酸素濃度において行うことにより、優れたガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを得ることができた。"