"基板が装着されたチャンバーの内部にシリコン前駆体を注入して前記基板上にシリコンを蒸着する蒸着工程,前記チャンバーの内部から未反応シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第1パージ工程,前記チャンバーの内部に第1反応ガスを供給して蒸着された前記シリコンをシリコン含有絶縁膜として形成する反応工程,及び前記チャンバーの内部から未反応の前記第1反応ガスと反応副産物とを除去する第2パージ工程を繰り返し行う絶縁膜蒸着工程と,前記チャンバーの内部にプラズマ雰囲気を供給して形成された前記シリコン含有絶縁膜を緻密にする緻密化工程とを含むサイクリック薄膜の蒸着方法。前記第1反応ガスは,O2,O3,N2及びNHを含む群から選択された一以上のガスであることを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記シリコン含有絶縁膜は,シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項2記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記緻密化工程は,Ar,He,Kr及びXeを含む群から選択された一以上の点火ガスを注入してプラズマ雰囲気を形成することを特徴とする請求項2記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記反応工程は,O2雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO2-酸素アニオン又はO酸素ラジカルを第1反応ガスとして使用することを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記緻密化工程は,前記点火ガスと共に,H2,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された一以上の第2反応ガスを更に注入することを特徴とする請求項4記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記絶縁膜蒸着工程は,前記チャンバーの内部圧力を0.05Torr~10Torrに維持しながら行われることを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記緻密化工程は,前記チャンバーの内部圧力を0.05Torr~10Torrに維持することを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記緻密化工程の前に,前記蒸着工程,前記第1パージ工程,前記反応工程及び前記第2パージ工程を3回~10回繰り返し行うことを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記絶縁膜蒸着工程及び前記緻密化工程を繰り返し行うことを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。本発明の技術的課題は,上述した従来の問題点を解決するためのものであり,優秀な膜質と段差被覆性を有する絶縁膜を蒸着する方法を提供することにある。特に,優秀な膜質と段差被覆性とを有するサイクリック薄膜の蒸着方法を提供することにある。本発明の更に他の目的は,後述する詳細な説明と添付図面から,より明確になるであろう。本発明の一実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法は,基板が装着されたチャンバーの内部にシリコン前駆体を注入して前記基板上にシリコンを蒸着する蒸着工程,前記チャンバーの内部から未反応シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第1パージ工程,前記チャンバーの内部に第1反応ガスを供給して蒸着された前記シリコンをシリコン含有絶縁膜として形成する反応工程,及び前記チャンバーの内部から未反応の第1反応ガスと反応副産物とを除去する第2パージ工程を繰り返し行う絶縁膜蒸着工程,及び前記チャンバーの内部にプラズマ雰囲気を供給して,形成された前記シリコン含有絶縁膜を緻密にする緻密化工程を含む。前記第1反応ガスは,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された一以上のガスであってもよい。前記シリコン含有絶縁膜はシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であってもよい。前記緻密化工程は,Ar,He,Kr及びXeを含む群から選択された一以上の点火ガスiginitiongasを注入してプラズマ雰囲気を形成してもよい。前記反応工程は,O2雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO2-酸素アニオン又はO酸素ラジカルを第1反応ガスとして使用してもよい。前記緻密化工程は,前記点火ガスと共にH2,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された一以上の第2反応ガスを更に注入してもよい。前記絶縁膜蒸着工程は,前記チャンバーの内部圧力を0.05Torr~10Torrに維持しながら行われてもよい。前記緻密化工程は,前記チャンバーの内部圧力を0.05Torr~10Torrに維持してもよい。前記緻密化工程の前に,前記蒸着工程,前記第1パージ工程,前記反応工程及び前記第2パージ工程を3回~10回繰り返して行ってもよい。前記絶縁膜蒸着工程及び前記緻密化工程を繰り返し行ってもよい。本発明の一実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法は,厚さが薄くても優秀な膜質と段差被覆性を有する絶縁膜,例えばシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を形成することができる。よって,高集積化された半導体素子を実現するために厚さが薄い絶縁膜を形成することができ,段差被覆性も優秀であるため微細構造を実現することができる。また,優秀な膜質を有するため,高集積化された半導体素子で要求される性能を満たすことができる。以下,本発明の技術的思想による実施例について添付図面を参照して詳細に説明する。しかし,本発明の技術的思想による実施例は様々な形で変形されることができ,本発明の範囲が以下で詳述する実施例によって限定されると解釈されてはならない。本発明の技術的思想による実施例は,当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。添付図面において,同じ符号は始終同じ要素を意味する。なお,添付図面における様々な要素と領域は概略的に示されている。よって,本発明は添付図面に示された相対的な大きさや間隔によって限定されない。図1は,本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を示すフローチャートである。図1を参照すると,半導体製造装置のチャンバーの内部に基板を装着するS100。前記チャンバーの内部に装着された基板に絶縁膜が蒸着されS200,シリコンを蒸着する工程S210,第1パージ工程S220,反応工程S230及び第2パージ工程S240が絶縁膜の蒸着と共に行われる。シリコンを蒸着するために前記チャンバーの内部にシリコン前駆体を注入し,前記基板上にシリコンが蒸着されるようにしてもよいS210。前記基板上にシリコンを蒸着した後,未反応シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第1パージ工程を行うS220。次に,前記基板上に形成されたシリコンを反応ガスと反応させ,シリコン含有絶縁膜として形成する工程を行うS230。シリコン含有絶縁膜は,例えば,シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であってもよい。シリコンをシリコン含有絶縁膜として形成するために,前記チャンバーの内部に第1反応ガスを注入してもよい。第1反応ガスは,例えば,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された一以上のガスであってもよい。シリコン含有絶縁膜がシリコン酸化膜である場合,前記第1反応ガスはO2又はO3のような酸素原子を含むガス,又はO2雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO2-酸素アニオン又はO酸素ラジカルであってもよい。シリコン含有絶縁膜がシリコン窒化膜である場合,前記第1反応ガスはN2又はNH3のような窒素原子を含むガスであってもよい。次に,チャンバーの内部で反応副産物と反応ガス又は点火ガスを除去する第2パージ工程を行ってもよいS240。シリコンを蒸着する工程S210,第1パージ工程S220,反応工程S230及び第2パージ工程S240は繰り返し行われてもよいS250。シリコンを蒸着する工程S210,第1パージ工程S220,反応工程S230及び第2パージ工程S240は,例えば,3回~10回繰り返し行われてもよい。シリコンを蒸着する工程S210,第1パージ工程S220,反応工程S230及び第2パージ工程S240を含む絶縁膜の蒸着工程S200の間,基板の温度及びチャンバー内部の圧力を一定に維持してもよい。各シリコンを蒸着する工程S210では少なくとも一のシリコン原子層が前記基板上に形成されてもよい。シリコン含有絶縁膜は,数Å~数十Åの厚さを有するように形成されてもよい。シリコン含有絶縁膜が形成された後,緻密化工程を行うS300。シリコン含有絶縁膜を緻密化するために,前記チャンバーの内部にプラズマ雰囲気を形成してもよい。また,プラズマ雰囲気と共に追加的に第2反応ガスをチャンバ-内に注入してもよい。第2反応ガスは,例えば,H2,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された一以上のガスであってもよい。所望の厚さのシリコン含有絶縁膜を得るために,必要に応じて絶縁膜蒸着工程S200及び緻密化工程S300は繰り返し行われてもよいS400。所望の厚さのシリコン含有絶縁膜が形成された場合,基板はチャンバーから取り出されるS900。図2は,本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を行うための半導体製造装置を示す概略的な断面図である。図2を参照すると,半導体製造装置10のチャンバー11内に反応ガスを導入するための導入部12が形成される。導入部12によって導入された反応ガスはシャワーヘッド13を介してチャンバー11の内部に噴射される。蒸着の対象となる基板100がチャック14の上に載置されるが,このようなチャック14はチャック支持台16によって支持される。チャック14は必要な場合,基板100に熱を加え,基板100が所定温度を有するようにしてもよい。このような装置によって蒸着が行われた後,排出部17によって排出される。また,半導体製造装置10はプラズマ雰囲気を形成するためにプラズマ発生部18を含んでもよい。図3は,本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を示す図である。図3を参照すると,シリコン前駆体の注入及びパージと第1反応ガスの注入及びパージが繰り返し行われる。シリコン前駆体を注入した後のパージと第1反応ガスを注入した後のパージが繰り返し行われた後,プラズマ雰囲気が形成される。プラズマ雰囲気が形成された状態では,必要に応じて第2反応ガスが注入されてもよい。このように,シリコン前駆体の注入及びパージと第1反応ガスの注入及びパージが繰り返し行われた後,プラズマ雰囲気が形成される工程までが1サイクルとして動作する。即ち,シリコン前駆体の注入及びパージと反応ガスの注入及びパージが繰り返し行われてシリコン含有絶縁膜を形成した後,プラズマ雰囲気を形成してシリコン含有絶縁膜を緻密化する。また,上述した工程を全て繰り返し,所望の厚さのシリコン含有絶縁膜を得ることができる。従って,サイクリック薄膜の蒸着方法は,シリコン前駆体の注入及びパージと第1反応ガスの注入及びパージが繰り返し行われ得ることはもちろん,シリコン含有絶縁膜の形成及び緻密化も同じく繰り返し行われ得る。図4a~図8では,上述した内容に基づき本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を段階的に詳細に説明する。図4a~図8に係る説明において,必要な場合,図1~図3に係る参照符号が使用される。図4a~図4cは,本発明の実施例によるシリコンを蒸着する工程を示す断面図である。図4aは,本発明の実施例によるシリコン前駆体を注入する工程を示す断面図である。図4aを参照すると,基板100が装着されたチャンバー11内にシリコン前駆体50が注入される。基板100は,例えば,シリコン又は化合物半導体ウェーハのような半導体基板を含んでもよい。又は,基板100は,ガラス,金属,セラミック,石英のような半導体とは異なる基板物質を含んでもよい。シリコン前駆体50は,例えば,BEMASbisethylmethylaminosilane,BDMASbisdimethylaminosilane,BEDAS,TEMAStetrakisethylmethylaminosilane,TDMAStetrakisidimethylaminosilane,TEDASのようなアミノ系シラン又はHCDhexachlorinedisilanのような塩化系シランであってもよい。基板100がシリコン前駆体50と反応するよう,基板100は50°C~600°Cの温度を維持してもよい。また,基板100が装着されたチャンバー11内部の圧力は0.05Torr~10Torrを維持してもよい。図4bは,本発明の実施例による基板上にシリコンを蒸着する工程を示す断面図である。図4bを参照すると,シリコン前駆体50のうち基板100と反応するものによって基板100上にはシリコン原子が蒸着されて,シリコン層112が形成されてもよい。シリコン層112は少なくとも1つのシリコン原子層で形成され得る。シリコン前駆体50は基板100と反応した後,反応副産物52を形成し得る。また,シリコン前駆体50のうち一部は基板100と反応せず,未反応状態で残っていてもよい。図4cは,本発明の実施例による第1パージ工程を行う工程を示す断面図である。図4cを参照すると,基板100上にシリコン層112を形成した後,残留した未反応状態のシリコン前駆体50及び反応副産物52をチャンバー11内部から除去するパージを行ってもよい。残留した未反応シリコン前駆体50及び反応副産物52をチャンバー11内部から除去する工程を第1パージ工程と称する。前記第1パージ工程の間,基板100は50°C~600°Cの温度を維持してもよい。また,基板100が装着されたチャンバー11内部の圧力は0.05Torr~10Torrを維持してもよい。即ち,シリコン層112を蒸着する工程及び前記第1パージ工程の間,基板100の温度及びチャンバー11内部の圧力を一定に維持してもよい。図5a~図5cは,本発明の実施例によるシリコン含有絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。図5aは,本発明の実施例による反応ガスを注入する工程を示す断面図である。図5aを参照すると,基板100が装着されたチャンバー11内に第1反応ガス60が注入される。第1反応ガス60は,例えば,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された一以上のガスであってもよい。又は,第1反応ガス60は,例えば,O2雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO2-酸素アニオン又はO酸素ラジカルであってもよい。基板100が第1反応ガス60と反応するよう,基板100は50°C~600°Cの温度を維持してもよい。また,基板100が装着されたチャンバー11内部の圧力は0.05Torr~10Torrを維持してもよい。図5bは,本発明の実施例による基板上にシリコン含有絶縁膜を蒸着する工程を示す断面図である。図5bを参照すると,第1反応ガス60のうちシリコン層112と反応したものによって,基板100上にはシリコン含有絶縁膜122aが形成され得る。第1反応ガス60は,シリコン層112と反応した後,反応副産物62を形成してもよい。また,第1反応ガス60のうち一部はシリコン層112と反応せず,未反応状態で残っていてもよい。第1反応ガス60として,例えばO2又はO3のような酸素原子を含むガス又はO2雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO2-酸素アニオン又はO酸素ラジカルを使用する場合,シリコン層112は第1反応ガス60に含まれた酸素原子と反応してシリコン酸化膜として形成され得る。又は,第1反応ガス60として,例えばN2,NH3のような窒素原子を含むガスを使用する場合,シリコン層112は第1反応ガス60に含まれた窒素原子と反応してシリコン窒化膜として形成され得る。図5cは,本発明の実施例による第2パージ工程を行う工程を示す断面図である。図5cを参照すると,基板100上にシリコン含有絶縁膜122aを形成した後,残留した未反応状態の第1反応ガス60及び反応副産物62をチャンバー11内部から除去するパージを行うことができる。残留した未反応状態の第1反応ガス60及び反応副産物62をチャンバー11内部から除去する工程を第2パージ工程と称する。前記第2パージ工程の間,基板100は50°C~600°Cの温度を維持してもよい。また,基板100が装着されたチャンバー11内部の圧力は0.05Torr~10Torrを維持してもよい。図6は,本発明の実施例による複数のシリコン含有絶縁膜の形成を示す断面図である。図6を参照すると,図4a~図5cで示した工程を繰り返し,複数のシリコン含有絶縁膜122a,122b,122cから成る絶縁膜層122を形成する。該絶縁膜層122は数Å~数十Åの厚さを有してもよい。絶縁膜層122が3個~10個のシリコン含有絶縁膜122a,122b,122cを含むように,各シリコン含有絶縁膜122a,122b又は122cを蒸着する過程を3回~10回繰り返し行ってもよい。このように絶縁膜層122を複数のシリコン含有絶縁膜122a,122b,122cで形成すると,絶縁膜層122は優秀な膜質と段差被覆性を有することができる。図7a及び図7bは,本発明の実施例による絶縁膜を緻密化する工程を示す断面図である。図7aは,本発明の実施例による絶縁膜層にプラズマ雰囲気を供給す工程を示す断面図である。図7aを参照すると,絶縁膜層122が形成された基板100上にプラズマを加える。即ち,基板100が装着されたチャンバー11の内部をプラズマ雰囲気で形成する。プラズマ雰囲気を形成するために,ICPInductivelyCoupledPlasma,CCPCapacitivelyCoupledPlasma又はMWMicrowavePlasma方式を使用してもよい。この際,プラズマ雰囲気を形成するために100W~3kWの電力が印加され得る。プラズマ雰囲気を形成するために,例えば,Ar,He,Kr及びXeを含む群から選択された一以上の点火ガスが注入されてもよい。この際,点火ガスは100sccm~3000sccmの流量で注入されてもよい。プラズマ雰囲気で絶縁膜層122を更に緻密化するために,第2反応ガス64が追加的に注入されてもよい。第2反応ガス64は,例えば,H2,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された一以上のガス又はO2雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO2-酸素アニオン又はO酸素ラジカルであってもよい。絶縁膜層122がシリコン酸化膜である場合,第2反応ガス64としては,例えばO2又はO3のような酸素原子を含むガス,O2雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO2酸素カチオン又はO酸素ラジカル,又はH2を使用してもよい。絶縁膜層122がシリコン窒化膜である場合,第2反応ガス64としては,例えばN2及びNH3のような窒素原子を含むガス又はH2を使用してもよい。図7bは,本発明の実施例による緻密化された絶縁膜層122Dを形成する工程を示す断面図である。図7a及び図7bを参照すると,プラズマ雰囲気下で絶縁膜層122は緻密化が行われ,緻密化された絶縁膜層122Dが形成される。緻密化された絶縁膜層122Dを形成するために,基板100が装着されたチャンバー11の圧力を0.05Torr~10Torrに維持してもよい。また,絶縁膜層122をプラズマ雰囲気で処理して得られた緻密化された絶縁膜層122Dは,絶縁特性などの膜質が優秀である。特に,緻密化された絶縁膜層112Dを薄く形成しても優秀な膜質を有することができる。図8は,本発明の他の実施例によるシリコン含有絶縁膜を示す断面図である。図8を参照すると,図4a~図7bで説明した工程を繰り返して複数の緻密化された絶縁膜層122D,124Dが含まれる絶縁膜120を形成することができる。図7aに示す絶縁膜層122が相対的に厚い場合,絶縁膜層122の下部にはプラズマ又は第2反応ガス64による影響が相対的に小さく及ぼされる。従って,絶縁膜120の膜質を更に向上させるために,相対的に薄い複数の緻密化された絶縁膜層122D,124Dが含まれる絶縁膜120を形成してもよい。また,絶縁膜120は2つの緻密化された絶縁膜層122D,124Dを含むものとして図示したが,3つ以上の緻密化された絶縁膜層を含んでもよい。即ち,絶縁膜120が含む緻密化された絶縁膜層の個数は,所望の絶縁膜120の厚さを考慮して決定してもよい。即ち,所望の絶縁膜120の厚さを考慮して図4a~図7bで説明した工程を繰り返す回数を決定してもよい。以上,好ましい実施例により本発明を詳細に説明したが,これとは異なる形の実施例も可能である。よって,後述する特許請求の技術的思想と範囲は好ましい実施例に限定されない。"