# William Bradford Shockley

|  |
| --- |
| **William Bradford Shockley** |
|  |
|  |
| Rođenje
 | 13. veljače 1910. London, Ujedinjeno Kraljevstvo
 |
| Smrt
 | 12. kolovoza 1989. Stanford, Kalifornija, SAD
 |
| Državljanstvo
 | SAD
 |
| Polje
 | fizika
 |
| Institucija
 | Bell Labs Shockley Semiconductor Stanford
 |
| *Alma mater* | Caltech MIT
 |
| Akademski mentor
 | John C. Slater
 |
| Poznat po
 | suizumitelj tranzistora
 |
| Istaknute nagrade
 | Nobelova nagrada za fiziku (1956.)
 |
| Religija
 | ateist
 |

**William Bradford Shockley** (London, 13. veljače 1910. - Stanford, 12. kolovoza 1989.), američki fizičar i izumitelj. U suradnji s Johnom Bardeenom i Walterom Houserom Brattainom, Shockley je izumio tranzistor, za kojeg su sva trojica nagrađena Nobelovom nagradom za fiziku 1956.

Shockleyjevi pokušaji komercijalizacije novog dizajna tranzistora 1950-ih i 1960-ih dovela su do postanka Silicijske doline u kolijevku elektroničkih inovacija. U kasnijem razdoblju života, Shockley je predavao kao profesor na Stanford Universityju i postao snažan zagovaratelj eugenike.

## Patenti

Shockleyju je odobreno preko devedeset patenata u SAD-u. Neki značajniji su:

* US patent 2502488 Arhivirano 2021-03-11 na Wayback Machine-u "*Semiconductor Amplifier*". Zahtjev podnesen 24. rujna 1948; njegov prvi odobreni patent koji je uključivao tranzistore.
* US patent 2569347 Arhivirano 2021-03-11 na Wayback Machine-u *"Circuit element utilizing semiconductive material"*. Njegov najraniji podneseni zahtjev za patentom (26. lipnja 1948.) koji je uključivao tranzistore.
* US patent 2655609 Arhivirano 2021-03-11 na Wayback Machine-u "*Bistable Circuits*". Zahtjev podnesen 22. srpnja 1952.; Korišten u računalima.
* US patent 2787564 Arhivirano 2021-03-11 na Wayback Machine-u "*Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment*". Zahtjev podnesen 28. listopada 1954.; Difuzivni proces za implantaciju nečistoća.
* US patent 3031275 Arhivirano 2021-03-11 na Wayback Machine-u "*Process for Growing Single Crystals*". Zahtjev podnesen 20. veljače 1959.; Poboljšanja procesa za dobivanje osnovnih materijala.
* US patent 3053635 Arhivirano 2021-03-11 na Wayback Machine-u "*Method of Growing Silicon Carbide Crystals*". Zahtjev podnesen 26. rujna 1960.; Istražuje ostale semikonduktore.

## Bibliografija

#### Shockleyevi predratni znanstveni članci

* An Electron Microscope for Filaments: Emission and Adsorption by Tungsten Single Crystals, R. P. Johnson and W. Shockley, Phys. Rev. 49, 436 - 440 (1936).
* Optical Absorption by the Alkali Halides, J. C. Slater and W. Shockley, Phys. Rev. 50, 705 - 719 (1936).
* Electronic Energy Bands in Sodium Chloride, William Shockley, Phys. Rev. 50, 754 - 759 (1936).
* The Empty Lattice Test of the Cellular Method in Solids, W. Shockley, Phys. Rev. 52, 866 - 872 (1937).
* On the Surface States Associated with a Periodic Potential, William Shockley, Phys. Rev. 56, 317 - 323 (1939).
* The Self-Diffusion of Copper, J. Steigman, W. Shockley and F. C. Nix, Phys. Rev. 56, 13 - 21 (1939).

#### Shockleyeve knjige

* Shockley, William – *Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics*, Krieger (1956) ISBN 0-88275-382-7.
* Shockley, William – *Mechanics* Merrill (1966).
* Shockley, William and Pearson, Roger – *Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems* Scott-Townsend (1992) ISBN 1-878465-03-1.

#### Knjige o Shockleyu

* Joel N. Shurkin; *Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age*. New York: Palgrave Macmillan (2006) ISBN 1-4039-8815-3
* Michael Riordan and Lillian Hoddeson; *Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age*. New York: Norton (1997) ISBN 0-393-31851-6 pbk.

## Izvori