Разработка и внедрение в производство эпитаксиальной технологии для изготовления высоковольтных диодов на токи до 500 а, напряжение до 5 кв и быстродействующих тиристоров.  Этап 01.2. Разработка технологии наращивания эпитаксиального слоя, используемого при создании эпитаксиально-диффузионной структуры диода, как источника диффузии ( р-слой ). Научно-технический отчет.
Date: 1971-01-01-1971-12-31