Разработка и внедрение в производство эпитаксиальной технологии для изготовления высоковольтных диодов на токи до 500 а, напряжение до 10 кв; тиристоров на токи до 500 а, напряжение до 5 кв и быстродействующих тиристоров.  Этап 07.5. Исследование возможностей создания стохастических САУ эпитаксиальным осаждением полупроводниковых пленок. Научно-технический отчет.
Date: 1971-01-01-1971-12-31