Разработка и внедрение в производство эпитаксиальной технологии для изготовления высоковольтных диодов на токи до 500 а, напряжение до 10 кв; тиристоров на токи до 500 а, напряжение до 5 кв и быстродействующих тиристоров.  Усовершенствоанием моделипроцесса эпитаксиального осаждения. Экспериментальная проверка модели скорости роста, создание алгоритма модели удельного сопротивления. Отчет.
Date: 1972-01-01-1972-12-31