Разработка и внедрение в производство эпитаксиальной технологии для изготовления высоковольтных диодов на токи до 500 а, напряжение до 10 кв; тиристоров на токи до 500 а, напряжение до 5 кв и быстродействующих тиристоров.  Этап 01. 4. Выбор Метода Оптимизации технологического режима эпитаксиального наращивания, составление алгоритмов и программ САУ эпитаксиальным наращиванием. Промежуточный отчет.
Date: 1972-01-01-1972-12-31