Program of the 42th Electronics Division Meeting of the Ceramic Society of Japan主主 催：日本セラミックス協会電子材料部会時：2022年11月10日（木）、11日（金）山場所：東京工業大学すずかけ台キャンパス大学会館(ハイブリット開催)
森分博紀（JFCC、論文）安井伸太郎（東工大）寺西貴志（岡山大、表彰）委員
講演日程表
11月10日（木）Room A（多目的ホール） (10:00〜10:10)開会挨拶1A01 (10:10〜11:10)座長：脇谷尚樹準安定(Sn₁.¸Pb¸)Se固溶体の合成：2次元-3次元構造転移の誘起と電気・熱伝導率変調〇片瀬貴義1、西村優作1、ホシンイ1、只野央将2、井手啓介1、気谷卓1、半沢幸太1、平松秀典1、川路均¹、細野秀雄¹、神谷利夫¹（¹東京工業大学、²物質・材料研究機構） 1A02非平衡(Sn, ,Pb,)S固溶体の格子間Snによる高濃度電子ドービング○フゾンシュ、平松茉莉、ホシンイ、片瀬貴義、井手啓介、平松秀典，細野秀雄、神谷利夫（東京工業大学） 1A03熱電変換応用に向けた(La 1/2K1/2 )TiO 3系セラミックスの作製と結晶構造解析○櫻庭秀悟、藤原忍、萩原学（慶応義塾大学） 1A04 β型窒化ケイ素を添加したポリカーボネートの熱伝導性と誘電性○古根村亮¹、荻谷泰斗¹、気谷卓²、川路均²、宗像文男¹ (¹東京都市大学、²東京工業大学)休憩（5分） 1A05 (11:15〜11:55)座長：片瀬貴義構造制御によるフォノン・電子操作とシリコン系熱電材料の高性能化○中村芳明（大阪大学）
昼休憩
1A06 (13:20〜14:00)座長：渡邊隆之無焼結セラミックスの研究開発とその後の展開○鈴木宗泰¹、松永航輝¹²、中嶋香奈子¹、金澤周介¹、小林吉之¹、銘苅春隆¹、森田剛³、早瀬仁則²、土屋哲男1、牛島洋史1、明渡純1、持丸正明1 （1産業技術総合研究所、2東京理科大学、3東京大学） 1A07 (14:00〜14:40)座長：溝口照康AI-ロボティクス成膜による無機薄膜合成○清水亮太（東京工業大学）休憩（10分） 1A08 (14:50〜15:50)座長：萩原学GHz-THz帯におけるアルカリシリケートガラスの誘電特性○金原一樹¹-²、浦田新吾²、安原颯¹、鶴見敬章¹、保科拓也¹（¹東京工業大学、²AGC株式会社） 1A09 (Li,Na)NbO 3系マルチピエゾ材料のモルフォトロピック相境界における特異的な局所構造変化と応力発光特性の相関○二宮翔1 、池田尚輝2 、林正膏2 3 、徐超男2 3 、西堀麻衣子1 2 (1東北大学、2九州大学、3産業技術総合研究所） 1A10 Si基板上エピタキシャル(K,Na)NbO。薄膜におけるバッファ層の影響○田中清高1、小川零1、權相暁1、譚ゴオン2、神野伊策1（1神戸大学、2大阪公立大学） (15:50〜16:20)座長：保科拓也1A11パルスレーザ堆積法を用いたマスクレスコンピナトリアル成膜による(K,Na)NbO 3薄膜の作製条件最適化手法の開発○川出航平1、吉野正人1、長崎正雅1、山田智明1-2 （1名古屋大学、2東京工業大学） 1A12 (K,Na)NbO 3系複合無鉛圧電材料の作製とハイパワー特性○廣瀬吉進、丸山広司、木村健志、北村和昭、山田嗣人、倉橋利明、笠島崇、小塚久司、山崎正人、沖村康之（日本特殊陶業株式会社）
休憩（10分）
(16:30〜17:15)座長：武田博明1A13 ZnOを複合化した(Bi 5 Na 95 )TiO 3セラミックスの脱分極温度に及ぼす分極固定効果と急冷効果○岡田海人、高木優香、永田肇（東京理科大学） 1A14水熱合成法で作製した(Bi 9,5 Na 0,5 )TiO 3セラミックスの低温焼結と電気的諸特性○原田晴司、高木優香、永田肇（東京理科大学） 1A15 (Bi,Na)TiO 3系固溶体の相図と電場誘起相転移○福島憲斗、松尾拓紀、野口祐二（熊本大学） (17:15〜17:55)座長：永田肇1A16 BiFeO 3系ナノ粒子のソルボサーマル合成と低温焼結○萩原学、新庄祐太、森雅恵、藤原忍（慶応義塾大学） 1A17 Czochralski法によるメリライト型圧電結晶の育成と評価〇武田博明、上原拓海、平野元貴、小玉翔平、柳瀬郁夫（埼玉大学）
1B01 (10:10〜11:10)座長：清水荘雄エネルギー貯蔵用BaTiO 3系強誘電体の欠陥制御○福島迅、松尾拓紀、野口祐二（熊本大学）正方晶タングステンブロンズ型K₂NdNb₂O₁ςの強誘電－反強誘電相転移に及ぼすTa置換効果○阿部穂高、安原颯、鶴見敬章、保科拓也（東京工業大学） 1B02タングステンブロンズ型酸化物Ba ｡ ¸Ca ¸Ti 2 Nb 30の結晶構造と誘電特性〇染谷竜介、単躍進、手塚慶太朗（宇都宮大学） 1B03 1B04新規Nb系酸化物誘電材料○嶋村圭介、傅杰（株式会社オハラ）昼休憩（15:00〜15:55）座長：田中優実1B08ウニ状Nb₂O₂ナノ粒子を用いた半導体ガスセンサの高感度化〇渕上輝顕¹、李春艶²、崔弼圭²、増田佳丈²、柿本健一¹（¹名古屋工業大学、²産業技術総合研究所）酸化タングステン薄膜のガス応答特性○安達裕（物質・材料研究機構） 1B09ガス選択性の高い半導体ガスセンサーの試作とこれを用いたVOCの検出〇光吉一真、川口昂彦、坂元尚紀、鈴木久男、脇谷尚樹（静岡大学） 1B10休憩（10分） (16:05〜16:50)座長：安達　祐La 3 Ni 2 O 7エビタキシャル薄膜のアニールによる構造制御1B11 ○後藤祐己¹、河村和哉¹、金子健太¹、金子智²¹、吉本護¹、松田晃史¹（¹東京工業大学、²神奈川県立産業技術総合研究所） Bi系酸化物高温超伝導体Bi₂Sr₂Ca₂Cu₃O₂単相の短時間合成のための熱分析に関する研究○青木草生、鄭雨萌、佐藤祐喜、吉門進三（同志社大学） 1B12反応性スパッタリング法による窒素含有酸化チタン薄膜の形成と評価〇小林真美子、西崎悠吾、日比野葵、一戸隆久、大野秀樹（東京工業高等専門学校） 1B13 1B14 （16:50〜17:45）座長：大澤建男深紫外レーザーアニーリングによるポリマー基板上の酸化ガリウム薄膜の固相配向結晶化○甲斐稜也¹、沼田拓実¹、金子健太¹、大賀友瑛¹、金子智²¹、吉本護¹、松田晃史¹（¹東京工業大学、 ²神奈川県立産業技術総合研究所） (111)配向非平衡岩塩型(Sn,Ca)Seエピタキシャル薄膜のドメイン境界の電気特性〇片瀬貴義、ホシンイ、チェンジンシュアイ、井手啓介、平松秀典、細野秀雄、神谷利夫（東京工業大1B15 1B16新規水溶液合成プロセスによる高効率可視光応答型BiVO 4微粒子および光電極の開発○奥中さゆり1、亀重裕由2、細貝麻里子2、大図慎吾2、佐山和弘1、徳留弘優2（1産業技術総合研究所、 ²TOTO株式会社）
2A01 (9:00〜9:35)座長：秋本順二亜原子価カチオンをドープしたLi過剰ガーネット型固体電解質Li ,,,,Sr,Zr,O 12における高イオン伝導度の発現○金子雅英¹²、二宮翔¹、菱田智子²、竹内雄基²、大谷和司²、西堀麻衣子¹ (¹東北大学、²日本特殊陶業株式会社) 2A02フラックス法を用いて育成したTa置換LLZO固体電解質単結晶の電気特性評価○西村克哉¹、川口昂彦¹、大野智也²、坂元尚紀¹、鈴木久男¹、脇谷尚樹¹（¹静岡大学、²北見工業大学） 2A03 (9:35〜10:25)座長：安原　颯LISICON系固体電解質材料の合成と導電特性○藤田陸人¹²、杉井かおり¹、永井秀明¹、片岡邦光¹、藤田英史³、田上幸治³、井手本康²、秋本順二¹ (¹産業技術総合研究所、²東京理科大、³DOWAエレクトロニクス) 2A04 TiNb,0,単結晶の育成とリチウムイオン伝導性評価○今野成人¹²，鈴木宗泰²，小玉翔平¹，柳瀬郁夫¹，武田博明¹（¹埼玉大学、²産業技術総合研究所） 2A05誘電体界面を介した高速電荷移動現象○寺西貴志、樋口拓実、豊田裕志、近藤真矢、岸本昭(岡山大学)休憩（10分） 2A06 （10:35〜11:15）座長：寺西貴志畜電池材料の界面特性に関する材料シミュレーション○中山将伸（名古屋工業大学） 2A07 (11:15〜12:30)座長：安井伸太郎積層バリスタの高速信号／高周波対応と卑金属化○古賀英一（パナソニックホールディングス株式会社） 2A08微細板状原料の異方性を利用した、配向粒子を含むZnOバリスタの作製とその特性〇東佳子¹、古賀英一² (↑パナソニックインダストリー株式会社、²パナソニックホールディングス株式会社） 2A09二酸化ケイ素を過剰に添加したZn-Bi-Mn-Co系バリスタへの酸化ホウ素の同時添加による電気特性に関する研究○鄭雨萌、下砕柊明、佐藤祐喜、吉門進三（同志社大学）
昼休憩
2A10 (13:40〜14:20)座長：大澤健男全固体電池における電気二重層効果及び電荷キャリアー蓄積の静的・動的挙動の定量評価○樋口透¹、高柳真¹，土屋敬志² (¹東京理科大学、²物資・材料研究機構) (14:25〜15:25)座長：和田智志Dy・アクセプタ共ドープBaTiO 3セラミックスの強誘電物性○桑田健太、野口祐二、松尾拓紀（熊本大学） 2A11 BaTiO 3およびSrTiO 3中のFe²+/³+遷移準位の伝導度測定による決定○鈴木一誓¹、小俣孝久¹、Leonard Gura²、Andreas Klein²（¹東北大学、²ダルムシュタット工科大学） 2A12 CuドープLiNbO 3単結晶の可視光起電力効果○佐藤智輝、松尾拓紀、野口祐二（熊本大学） 2A13 PET基板上に転写したBaTiO 3単結晶薄膜の誘電特性評価○菊地泰生、安原颯、鶴見敬章、保科拓也（東京工業大学） 2A14休憩（10分） (15:35〜16:40)座長：山田智明2A15ペロプスカイト基強誘電体と比較したHfO,やAIN基強誘電体の特徴○舟窪浩¹、清水荘雄ï.²、白石貴久ï.³、岡本一揮¹（¹東京工業大学、²物質・材料研究機構、³熊本大学） (Al,Sc)N薄膜中に含まれる不純物酸素の光電子分光評価○長谷川浩太¹²、大澤健男²、清水荘雄²、坂口熱¹²、大橋直樹¹².³（¹九州大学、²物質・材料研究機構、³東京工業大学) 2A16圧電薄膜の材料設計に向けた、古典ＭＤ原子間ポテンシャルの検討○田中邦明、酒井佑規、谷口眞司、下舞賢一、岩崎誉志紀（太陽誘電株式会社） 2A17 (16:40〜17:35)座長：舟窪浩2A18圧電単結晶の最新分極技術とその応用○山下洋八¹²²、孫億琴¹、唐木智明¹、真岩宏司³（¹富山県立大学、²ノースカロライナ州立大学、³湘南工科大学)直流、交流分極における3成分系圧電単結晶の微細構造向宇¹,孫億琴²,山下洋八¹²³,唐木智明²,眞岩宏司¹ (¹湘南工科大学、²富山県立大学、³ノースカロライナ州立大学) 2A19無鉛圧電セラミックスのパルスポーリングと電気特性○野崎拓実¹、Alexander Martin¹、小林凌太¹、中山忠親²、柿本健一¹（¹名古屋工業大学、²長岡技術科学大学） 2A20 (17:35～17:45)閉会挨拶舟窪ָּ
(9:00〜10:30)座長：野口祐二菱面体晶Pb(Zr,Ti)O,薄膜のドメイン構造制御とドメインダイナミクスが電気光学応答に及ぼす影響2B01 ○近藤真矢¹²、宇都宮達基¹、寺西貴志¹、岡本一輝²²、坂田修身¹、岸本昭¹、山田智明²（1岡山大学、 ²名古屋大学、³東京工業大学、 4高輝度光科学研究センター） 2B02 PZT薄膜の化学溶液堆積における選択的結晶成長と低温結晶化内田寛¹、山崎佑介¹、横田幸惠¹、島宏美²、舟窪浩³（¹上智大学、²防衛大学校、³東京工業大学） 2B03ガラス基板上へ低温合成した透明PZT薄膜の巨大圧電応答〇吉田和人¹、宗玄清司¹、新井貴司²、鈴木久男¹、符徳勝¹（¹静岡大学、²沼津工業高等専門学校） 2B04上部電極を形成しないでPZT膜の性能を見積る○秋山善一（株式会社リコー）昼休憩（14:25～15:25）座長：渕上輝顕2B11 PLD法による逆ペロプスカイト型窒化物Mn 3 (Ge,Mn)N薄膜の作製及び磁気特性評価○杉浦怜希、川口昂彦、坂元尚紀、脇谷尚樹（静岡大学） 2B12センダストとアルミナの複合焼結体の作製と評価に関する研究○山根佳明、大藤睦月、佐藤祐喜、吉門進三（同志社大学） 2B13 2価希土類添加Li₂CaSiO₄の合成と発光特性評価○小玉翔平、齋藤智基、柳瀬郁夫、武田博明（埼玉大学） 2B14 Zn金属薄膜から硫黄供給により作製したZnS薄膜の光学特性○北脇大靖、和迄浩一、今井崇人、山本伸一（龍谷大学）
休憩（10分）
(15:35〜16:25)座長：片瀬貴義2B15エアロゾルデポジションによるITO-Al₂O₃複合体薄膜の作製および評価○篠塚和輝、Yumeng Zheng、佐藤祐喜、吉門進三（同志社大学） 2B16アニール処理によるAD法で作製した酸化亜鉛薄膜の電気特性の影響○鳥山翔生、鄭雨萌、吉門進三、佐藤祐喜（同志社大学） 2B17スピネル構造基板上に作製したペロプスカイト構造薄膜の配向制御〇尾形篤、川口昂彦、坂元尚紀、鈴木久男、脇谷尚樹（静岡大学） 2B18 (16:25〜17:10)座長：大橋直樹STEMモアレを活用したエピタキシャル薄膜の面内・面外配向度評価○横井壮太郎、川口昂彦、脇谷尚樹、鈴木久男、坂元尚紀（静岡大学） Phase-field法によるSr過剰組成SrTiO¸薄膜の成長過程における相分離の計算機シミュレーション2B19 ○飯塚理乃、川口昂彦、坂元尚紀、鈴木久男、脇谷尚樹（静岡大学） 2B20酸化物の表面近傍における酸素空孔に関する第一原理計算○今井佑汰¹、角田直樹¹、熊谷悠²、大場史康¹（¹東京工業大学、²東北大学）