〔委員長〕益一哉(東京工業大学)事〕荒川太郎（横浜国立大学)，上野和良（芝浦工業大学) 〔幹大見俊一郎（東京工業大学） 〔幹事補佐〕本間哲哉（芝浦工業大学） 〔委員長〕伊瀬敏史(大阪大学) 〔副委員長〕竹下降晴（名古屋工業大学)事〕小倉常雄（東　芝)，藤田英明（東京工業大学) 〔幹〔幹事補佐〕金井丈雄（東芝三菱電機産業システム)，佐藤之彦（千葉大学)日時平成１８年１０月２４日(火) ９：００～１８：１０平成１８年１０月２５日（水）９：００～１２：００場　所　九州大学　西新プラザ（福岡県福岡市早良区西新２－１６－２３　福岡空港から地下鉄西新駅下車，徒歩約１０分，福岡空港からタクシーで約３５分，ＪＲ博多駅から地下鉄西新駅下車または，ＪＲ博多駅からタクシーで約２５分http://www.kyushu-u.ac.jp/somu-bu/kenkyukyoryoku-ka/nishijin/mainpage.htm
テーマ「パワーデバイス及び半導体電力変換一般」
EDD-06-47　フローティングP構造低耐圧TrenchMOSFETのシミュレーションによるSPC-06-119スイッチング特性解析秋山誠和子，川口雄介，小野昇太郎,山口好広,中川明夫(東芝セミコンダクタ-社) ………　1 EDD-06-48    20V級　低ゲートチャージ　トレンチラテラルMOS SPC-06-120松永慎一郎，澤田睦美，藤島直人（富士電機アドバンストテクノロジー）………　7 EDD-06-49    DC-DCコンバータ用30V系徴細ショットキー内蔵トレンチMOSFET SPC-06-12小野昇太郎,山口好広,松田　昇,高野彰夫,秋山誠和子，川口雄介，中川明夫（東芝セミコンダクター社）……… 11 EDD-06-50    DC-DCコンバータの高効率化設計と将来予測SPC-06-122川口雄介，中川明夫，川野友広，武井　洋，小野昇太郎（東芝セミコンダクター社）……… 15 EDD-06-51　1200V LPT-CSTBT™開発SPC-06-123愛甲光徳，中村勝光，久本好明，松村民雄，友松佳史（三菱電機）……… 21 EDD-06-52 高耐圧－逆阻止IGBT向けの新分離層形成プロセスSPC-06-124下山和男，武井　学，中澤治雄（富士電機アドバンストテクノロジー) ……… 27 EDD-06-53 パワーデバイス電気特性の機械応力依存SPC-06-125田中宏明,堀田幸司,桑野聡(トヨタ自動車)臼井正則，石子雅康（豊田中央研究所）……… 31 EDD-06-54    dI/dt制御に着目したIGBTのターンオフ解析SPC-06-126仲野逸人，小野澤勇一，大月正人（富士竜機デバイステクノロジー） ……… 37 EDD-06-55 ［招待講演］スイッチング電源の技術動向SPC-06-127二宮　保（九州大学）……… 41 EDD-06-56 フォワード・フライバック複合コンバータの効率特性SPC-06-128楠原良人（九州職業能力開発大学校）中山旭,二宮保(九州大学)中川　伸（フィデリックス）……… 47 EDD-06-57  BSITを用いた二次電池電力貯蔵のためのマルチレベル交直電力変換器の効率特性SPC-06-129伊瀬敏史，尾崎雄亮（大阪大学）……… 53 EDD-06-58 フラッシュ溶接のためのIGBTインバータ制御SPC-06-130   ーインバータフラッシュ制御とメカニカル制御の協調制御ー名倉宏紀，佐藤之彦，山村直紀，石田宗秋（三重大学）……… 59 EDD-06-59  A Study of Electric Power Smoothing for Battery of Stand-alone Natural Power System SPC-06-131   Using EDLC Yan JIA, Naoki YAMAMURA, Muneaki ISHIDA (Mie University) ……… 65 EDD-06-60　ハイブリッド自動車インバータ用パワーエレクトロニクス回路シミュレーションSPC-06-132の開発濱田公守，植田賢志，鳥居 薫（トヨタ自動車）小島　禁（豊田中央研究所）……… 71 IGBTとMOSFETのシリコン限界特性とその実現に向けた考察EDD-06-61 SPC-06-133中川明夫（東芝セミコンダクター社）……… 77 EDD-06-62  2.7mΩcm², 700V を有する4H-SiC C面IEMOSFET SPC-06-134原田信介，加藤　真，岡本光央，八尾　勉，福田憲司，荒井和雄（産業技術総合研究所）……… 83 EDD-06-63 埋込ゲート型SiC-SIT（BGSIT）の設計・試作及び電気特性評価SPC-06-135田中保宣，高塚章夫，岡本光央，荒井和雄，八尾　勉（産業技術総合研究所）矢野浩司（山梨大学） ……… 89 EDD-06-64  Heイオン照射を用いたPiNダイオードにおけるダイナミックアバランシェSPC-06-136  現象の解析三角忠司，中垣真治，西脇克彦（トヨタ自動車）山口正一，平原文雄（東芝セミコンダクター社）……… 95 EDD-06-65 面方位依存性エッチングを用いた溝型静電誘導整流ダイオードの試作SPC-06-137花井　智，矢野浩司，丸山　諒（山梨大学）………101 SRH再結合モデルの問題点とその解決策の提言EDD-06-66 SPC-06-138高田育紀（三菱電機）共催IEEE Industrial Electronics Society（IES）Japan Chapter IEEE Industry Applications Society  (IAS)  Japan Chapter IEEE Power Electronics Society（PELS） Japan Chapterパワーデバイス高性能化・高機能化技術調査専門委員会協禁
〔委員長〕益一哉(東京工業大学) 〔幹事〕荒川太郎（横浜国立大学)，上野和良（芝浦工業大学)大見俊一郎（東京工業大学） 〔幹事補佐〕本間哲哉（芝浦工業大学) 〔委員長〕伊瀬敏史(大阪大学) 〔副委員長〕竹下隆晴（名古屋工業大学) 〔幹事〕小倉常雄（東　芝），藤田英明（東京工業大学） 〔幹事補佐〕金井丈雄（東芝三菱電機産業システム)，佐藤之彦（千葉大学)日時平成１８年１０月２４日（火）９：００～１８：１０平成１８年１０月２５日（水）９：００～１２：００場　所　九州大学　西新プラザ（福岡県福岡市早良区西新２－１６－２３　福岡空港から地下鉄西新駅下車，徒歩約１０分，福岡空港からタクシーで約３５分，ＪＲ博多駅から地下鉄西新駅下車または，ＪＲ博多駅からタクシーで約２５分http://www.kyushu-u.ac.jp/somu-bu/kenkyukyoryoku-ka/nishijin/mainpage.htm
テーマ「パワーデバイス及び半導体電力変換一般」
EDD-06-67 SPC-06-139の抑制EDD-06-68 SPC-06-140高抵抗（P--）基板を使用するスマートパワー技術における寄生L-NPNTr動作魚田禁織，寺島知秀，守谷純一（三菱電機）………　1 PVSQ膜を用いたSODI構造による誘電体分離型HVICの開発秋山 肇,保田直紀,山本晃央,守谷純一,高梨　健,マジュームダール・ゴーラブ（三菱電機）………　7 EDD-06-69 耐圧100V以下の領域におけるSuper 3D MOSFETによるSiリミットの突破SPC-06-141浦上　泰,山口　仁,榊原　純（デンソー）……… 13 EDD-06-70 部分厚膜トレンチゲート構造を用いた車載用高性能・高信頼性パワーMOS SPC-06-142青木孝明，都築幸夫，荒川隆史，鈴木幹昌（デンソー）……… 19キャリア移動度変調による超接合の低オン抵抗化EDD-06-71 SPC-06-143岸本大輔,青木正明(オン・セミコンダクター・テクノロジー) ……… 25 EDD-06-72   トレンチ埋込エピタキシャル成長を用いた200V系スーパージャンクションSPC-06-144 MOSFET柴田　巧，山内庄一，山口　仁（デンソー）野上彰二，山岡智則（SUMCO）服部佳晋（豊田中央研究所） ……… 31トレンチ埋込法により作製した20mΩcm² 660V SJ-MOSFET EDD-06-73 SPC-06-145高橋孝太,栗林均,河島朋之,脇本節子，望月邦雄，中澤治雄（富士電機アドバンストテクノロジー）……… 35 15.5mΩcm²-680V Superjunction MOSFET EDD-06-74 SPC-06-146斎藤　渉，大村一郎，相田　聡，上月繁雄,泉沢　優，吉岡裕典，奥村秀樹，山口正一，小倉常雄（東芝）……… 41 IEEE Industrial Electronics Society（IES）Japan Chapter共催IEEE Industry Applications Society （IAS） Japan Chapter IEEE Power Electronics Society（PELS） Japan Chapterパワーデバイス高性能化・高機能化技術調査専門委員会協貨