目次序文close序文(i)坂田日本熟電学会会長宗慶応義塾大学名誉教授Close特別講演  close色素増感法を用いる太陽電池と光蓄電型のキャパシタの開発(x)宮坂カ桐蔭横浜大学Close一般講演Session 1酸化物I close層状コバルト酸化物Pb-Sr-Co-O単結晶の熱電特性S1-1 ○小林航a),寺崎一郎a,b) a)早稲田大学，b)JST CREST S1-2  CuRhOշの高温輸送特性(2) (4) ◎芝崎聡一郎,小林航,寺崎一郎早稲田大学(6) S1-3 Ruddlesden-Popper型(SrTiO 3 ) n (SrO)の電子状態と熱電特性◎今井　朋弘,舩島　洋紀,浜田　典昭,西尾　圭史東京理科大学(8) S1-4　ペロブスカイト型La₁-χAxCrO₃ [A=Ca,Sr]の合成と熱電特性◎川島　裕史,岩崎航太,長崎正雅,松井恒雄,有田裕二名古屋大学Close Session 2ホイスラー I  close ZrNiSnの熱伝導率に及ぼすキャリア濃度の影響S2-1 ◎牟田健,山中伸介浩明,金光 崇徳,合田 吉克,黒崎大阪大学(10) S2-2   NbドープMNiSn (M = Ti, Zr)の輸送特性(12) ◎金光　崇徳,牟田　浩明,黒崎　健,山中 伸介大阪大学S2-3  ZrNiSn系p型ハーフホイスラー化合物の熱電特性©合田　吉克,牟田　浩明,黒崎　健,山中伸介大阪大学S2-4 TiNiSn系高性能熱電材料の設計と作製(14) (16) ◎間　広文,旭　良司,松原賢東,加賀　久,水谷宇一郎(株)豊田中央研究所, （財）豊田理化学研究所Close Session 3  計算，理論 close S3-1　異方的な不純物散乱モデルによる熱電変換性能指数の異方性評価(18) ◎池田和磨,矢後理久,的場正憲慶應義塾大学(20) S3-2   Ba 8 Al x Ge46-xとBa 8 Al x Ga16-x Ge30の電子構造と熱電特性◎植村　崇а),古賀　健治а),赤井　光治а),栗巣　普揮а),山本　節夫а),松浦　満a,b) a)山口大学, b)放送大学(22) S3-3 第一原理計算によるHalf-Heusler alloy MNiSn,MCoSb(M=Ti,Zr,Hf)の熱電特性の評価と物質設計○松島洋紀a),柳瀬　章b),浜田典昭a) a)東京理科大学, b)大阪大学Close Session 4  シリサイド close S4-1カルシウムシリサイドの熱電特性◎今村　寧,牟田　浩明,黒崎　健,山中　伸介大阪大学S4-2　Sb添加Mg2Sisub>0.5Snsub>0.5における伝導機構と熱伝導率◎永井貴寛ล),磯田幸宏b),藤生博文a),今井義雄b),篠原嘉一b) a)（株）ミツバ, b)物質・材料研究機構S4-3   Mg3X₂(X=Sb, Bi)の熱電特性(24) (26) (28) ◎永井　宏之,牟田　浩明,黒崎　健,山中 伸介大阪大学Close Session 5  クラスレートI   close S5-1　クラスレート単結晶A8Ga16-xX30+x(A = Sr, Ba ;  X = Si, Ge, Sn)のキャリア制御と熱電物性研究◎末國 晃一郎, M. A. Avila,梅尾 和則,高畠 敏郎広島大学(30) S5-2　テルルを内包したGeクラスレート化合物の合成とその熱電気的特性岸本堅剛,村岡徳章,小柳風山口大学(32) S5-3タイプIIクラスレート化合物Ba 6 InXGe25-xの作製とその熱電気特性堅剛,小柳◎石原剛志,岸本(34)語山口大学Close Session 6テルライド, サルファイド[ close S6-1　組成制御によるAggTlTe5の性能向上◎黒崎(36)圭太,牟田健,後藤浩明,山中伸介大阪大学S6-2  AgTITeのホール効果測定◎後藤健,牟田　浩明,山中　伸介圭太,黒崎大阪大学S6-3 Th3P4型希土類硫化物NdGdS3の熱電特性(38) (40) ◎太田　道広a),堀口　恭b),平井　伸治b) a)産業技術総合研究所, b)室蘭工業大学Close Session 7酸化物II  close S7-1 Ruddlesden-Popper相Nb-doped SrO(SrTiO3) n (n = 1, 2)の熱電変換特性(42) ©Kyu Hyoung LEE,太田裕道,河本邦仁名古屋大学，JST CREST S7-2　高分散ナノボイド構造を導入したAIドープZnOの熱電特性○大瀧倫卓,林亮介九州大学(44) S7-3 TiO₂-xの熱伝導率および熱電特性に及ぼす不定比の影(46) ○魯云(口 ウン)  a),広橋光治a),吉田浩之b) a)千葉大学, b)千葉県産業支援技術研究所S7-4イオン注入法により作製したNiドーズ量傾斜型TiO₂薄膜の熱電特性(48)〇山本　淳禄), V. Shutthanandanb), L. Sarafb), S. Thevuthasanb), F.S.Ohuchic) a)産業技術総合研究所, b)PNNL, c)Univ. of Washington Close Session 8  ホイスラー II  close S8-1　ZT>1の可能性を秘めた高性能p型ハーフホイスラー合金： (Ti,Zr)CoSnxSb1-x (50) ◎関本　健之,黒崎　健,牟田　浩明,山中　伸介大阪大学(52) S8-2　ホイスラー型Fe2-xCoxTiAlの熱電特性◎岩瀬啓吾a),西野洋一a),宮崎秀俊b),曽田一雄b) a)名古屋工業大学, b)名古屋大学(54) S8-3  ホイスラー型Fe₂VAl₁-₂Si₂の電子構造と熱電特性（ I ) ©宮崎秀俊ª),曽田一雄ª),加藤政彦ª),八木伸也ª),西野洋一b) a)名古屋大学, b)名古屋工業大学S8-4   Synthesis and thermoelectric properties of the Yb0.15C04Sb12 bulk (56) material俊清◎耿　慧遠,越智　俊一,郭古河機械金属（株） Close Session 9  酸化物III  close S9-1  化学修飾されたCa349酸化物の熱電特性の高性能化◎五味奈津子,鄭　鉉默,金　洛熙,中津川博横浜国立大学S9-2 р型-Ca3C04O / n型-CaMnO3系п型モジュールの作製と発電特性©浦田さおりa),舟橋良次b),三原敏行b),岩崎加奈子b),鍋島直希c) a)JST, b)産業技術総合研究所, c)大阪電気通信大学S9-3   On improvement of thermoelectric properties of CaMnO3 n-type material (58) (60) (62) ○Delphine Flahauta), Toshiyuki Miharaa,b), Ryoji Funahashia,b), Kyuhyoung Leec), Hiromichi Ohtac), Kunihito Koumotoc) a)AIST, b)JST CREST, c)Nagoya University S9-4　(Co,Rh)O₂層を持つ[Bi₂Ba₂O₄]ρ(Co,Rh)O₂の熱電特性(64) ◎岡田悟志,酒井章裕,菅野　勉,四橋聡史,足立秀明Session 10 薄膜 close S10-1パルスレーザー蒸着法によるBi-Te系薄膜の作製と評価○小原春彦,山本 淳,上野和夫産業技術総合研究所学S10-2 SiGeAu系薄膜の熱伝導率の研究(66) ○岡本庸一a),福井一人a),佐伯潤一b),大槻哲也b),守本純a) a)防衛大学校, b)（株）ベテルS10-3劣化エピタキシャル成長したSiGe膜の熱電性能      ?基板の影響? ◎的場彰成ª),早平寿夫ª),佐々木公洋ª),岡本庸一b),守本純b) a)金沢大学, b)防衛大学校S10-4トポタクティック反応を用いた高品質Ca3Co4Oوエピタキシャル薄膜の作製◎杉浦健二a),太田裕道a,b),野村研二c),平野正浩c),細野秀雄c,d),河本邦仁a,b) (68) (70) (72) a)名古屋大学, b)JST CREST, c)JST ERATO-SORST, d)東京工業大学Close Session 11  クラスレートII  close (74) S11-1 Zn添加クラスレートBa 8 Zn x Ge46-xの電子構造と熱電特性©江藤　毅ª),古賀健治ª,b),赤井光治ª),栗巣普揮ª),山本節夫ª),松満a,c)浦a)山口大学, b)現 山口東京理科大学, c)放送大学(76) S11-2充填スクッテルダイトCeRu4Sb12のフォノンダイナミックス○李　哲虎a),長谷　泉a),菅原　仁b),佐藤英行c）,吉澤英樹d ) a)産業技術総合研究所, b)徳島大学, c)首都大学東京, d)東京大学S11-3ヨウ素充填スクッテルダイト化合物IxCo4Sb12の合成とその熱電気的特(78)性◎井上友議,岸本堅剛,小柳　剛山口大学Close Session 12  モジュール close S12-1パイプ型熱電モジュールの作製と特性○舟橋良次a,b),浦田さおりb),三原敏行a,b),岩崎佳奈子a),久角喜徳(80) c),毛笠 明c) a)産業技術総合研究所, b)JST, c)大阪ガス（株） S12-2熱電冷却を応用した静電微粒子水発生装置の開発(82) ○小林健太郎,秋定昭輔,平井康一,渡邉純一,吉岡浩一松下電工（株） S12-3電気泳動堆積法による酸化物熱電変換素子の作製(84) ◎堀井　滋田),岡本太一a),打越哲郎b),鈴木　達b),目　義雄b),舟橋良次c),櫻井雅之a),下山淳一a),岸尾光二a) a)東京大学, b)物質・材料研究機構, c)産業技術総合研究所Closeポスター発表ポスターセッションclose高温用ふく射受熱式熱電変換システムの開発P1浩一,徳吉　晋,上松和夫○太田稔智,藤田石川島播磨重工業(株) (86) P2 (88) (Na1-xSrx)0.7C01-yCuyO2の熱電特性◎宮崎裕司,白石憲久,坪田敏樹,横野照尚九州工業大学新規な高性能n型酸化物熱電材料の開発を目指したSn1-x-yTixSbyO2の作製P3 (90) ◎白石憲久,宮崎裕司,坪田敏樹,横野照尚九州工業大学P4熱電能測定装置の改良と測定方法(92) ○板東能生呉工業高等専門学校(94) P5 FeշSi5の分解反応におよぼすCuの効果©中嶋祥友ª),桑折　仁ª),塩田一路ª),加藤雅彦b),大杉功b),磯田幸宏c） a)工学院大学, b)サレジオ工業高等専門学校, c)物質・材料研究機構熱電材料ZnSbの作製と電子構造©香田　剛ª),三代俊介ª),古賀健治ª,b),赤井光治ª),栗巣普揮ª),山本節夫a),松浦　満a,c) (96) P6 a)山口大学, b)現 山口東京理科大学, c)放送大学P7クラスレート化合物Ba8Ga16Ge30の作製と熱電気的特性©三代俊介ª),有馬ひとみª),古賀健治ª,b),赤井光治ª),栗巣普輝ª), (98)山本節夫ª),岸本堅剛ª),小柳　剛ª),松浦　満a,c) a)山口大学, b)現 山口東京理科大学, c)放送大学P8 (100) MgշSiの作製と電子構造計算◎磯崎慎司ª),古賀健治ª,b),赤井光治ª),栗巣普揮ª),山本節夫ª),松浦　満a,c) a)山口大学, b)現 山口東京理科大学, c)放送大学(102) P9 Te充填クラスレートTe8P16Ge30のP原子配置と電子構造◎赤井光治a),岸本堅剛a),小柳　剛a),松浦　満a,b) a)山口大学, b)放送大学クラスレートの熱電特性に及ぼすゲスト元素置換の影響P10 (104) ◎沖田一樹,古賀健治,阿武宏明,松原覚衛山口東京理科大学P11 (106) Ba 8Au x GaySi46-x-yクラスレートの作製とその熱電特性◎鈴木康司,外園昌弘,古賀健治,阿武宏明,松原覚衛山口東京理科大学P12 (108)ホイスラー合金Fe 2 VAI焼結体の微細構造制御©三上祐史,松本章宏,尾崎公洋,小林慶三産業技術総合研究所サーマルプローブ法による不均質熱電材料の評価における一分解能に関 （110)する考察P13 ○山本 淳,野口照夫,李 哲虎,小原春彦,上野和夫産業技術総合研究所FeSi 2への酸化物添加による熱電性能の改善◎森川健太郎,近内浩行,溝口裕之,杉原　淳湘南工科大学(112) P14 CaMnO3の熱電半導体化とその性能P15 (114) ◎堀口賢一,手塚康雄,杉原　淳湘南工科大学P16  SPS法を用いたPb0.5Sn0.5Te焼結体の作製(116) ○日景優一朗a),佐藤允映a),関 翔一a),桝谷 信a),米田征司a),大野吉弘ə),磯田幸宏b),今井義雄b),篠原嘉一b) a)神奈川大学, b)物質・材料研究機構P17錯体重合法により合成されたSr1-xRxTiO3焼結体の熱電特性○井藤幹夫,南　政宏,勝山　茂(118)大阪大学P18 フレキシブル熱電変換素子の作製と発電評価◎岩崎康弘,佐藤直之,高瀬佑樹,井口憲一,武田雅敏長岡技術科学大学(122)希土類六ホウ化物の作製と熱電特性の評価◎佐藤和崇,高橋紀人,辻　良太,武田雅敏長岡技術科学大学P19 CoまたはMnをドープしたβ-FeSi₂単結晶の熱電特性と異方性(124) P20 ◎石田良雄ə),萱村耕治ə),武田雅敏ə),大杉　功b) a)長岡技術科学大学, b)サレジオ高専P21　第一原理計算によるデラッフォサイト化合物MAIO₂(M=Cu,AI)の熱電特　(126)性の評価○舩島洋紀a),柳瀬章b),浜田典昭a) a)東京理科大学, b)大阪大学P22    ビスマス系コバルト酸化物の磁気異方性制御と磁場配向体の熱電特性(128) ◎堀井　滋ə),熊谷俊昭a),打越哲郎b),鈴木　達b),目　義雄b),下山淳ーa),岸尾光二a) a)東京大学, b)物質・材料研究機構P23 ポリチオフェン電解重合膜の構造制御による熱電特性向上の検討(130) ©平石謙太朗a),篠原嘉一b),今井義雄b),磯田幸宏b),中西八郎a),及川英俊a) a)東北大, b)物質・材料研究機構(132) P24 Sr6C05O15-δの熱電特性に及ぼす酸素量の影響◎岩崎航太,伊藤剛,吉野正人,松井恒雄,長崎正雅,有田裕二名古屋大学Close (120)