FOREFRONT REVIEW

01

未来の社会を明るくする光と電子の機能融合デバイス開発
秩父研究室の研究テーマは「光と電子の機能融合デバイス開発」
であり、新材料の持つ機能や、それを有効活用する構造を見い出すことです。光子系（電磁場）と電子系（電子と正孔のペア：励起子）の機能を融合するため、バンドギャップエネルギーが大きく環境負荷の少ない、窒化ガリウム（ＧａＮ）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）を基盤とするワイドバン
ドギャップ半導体光デバイス・材料に関する研究を進めています。
電磁波は、波長によって様々な用途が広がります。各種物質の光励起や消毒殺菌に応用が期待される波長２００ｎｍ台の深紫外線から、色の再現性が良く品質の高い照明を実現する近紫外線や可視光線、そして光通信など多種用途を持つ近赤外線までの広い波長範囲の光源を作りたい。それらの波長に対応するバンドギャップを持つ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ等のⅢ族窒化物半導体や、日焼け止めと成多元物質科学研究所
量子光エレクトロニクス研究分野

教授

秩父重英
CHICHIBU, Shigefusa

FOREFRONT REVIEWＩｎＧａＮ青色発光ダイオードが２０１４年ノーベル物理学賞の対象となり、ますます重要視されるようになった光・電子デバイス。秩父

１９６３年、東京都生まれ。
（株）東芝総合研究所電子部品研究所に勤務の後、慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻博士課程修了。博士（工学）。東京理科大学理工学部電気工学科嘱託助手、筑波大学物理工学系助教授を経て２００７年より現職。この間、通産省工技院電子技術総合研究

研究室では、 原子サイズのレベルで平坦な単結晶薄膜を成長する所非常勤研究員、独国立ハーンマイトナー研究所訪問研究員、エピタキシャル成長法や超短パルス集束電子線を用いた時間・空研究員、理研フォトダイナミクス研究センター非常勤研究員、科間同時分解分光等を駆使し、 光と電子系の機能を融合するワイドバンドギャップ半導体光デバイス・材料の研究を行っています。

米カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料科学部常勤訪問
学技術振興機構ＥＲＡＴＯ中村不均一結晶ＰＪ評価グループリーダー兼務。応用物理学会会員。
１９９６年第１回応用物理学会
講演奨励賞、
２００８年度ＪＪＡＰ論文賞、
２００９年市村学術賞功績賞、２０１０年度文部科学大臣表彰科学技術賞（研究部門）

分が殆ど同じで安価に紫外線・青色発光ダイオードやコヒーレント光源を作れる可能性のあるＺｎＯ、ＭｇＯ等のⅡ族酸化物半導体、さらにはＴｉＯ２等の金属酸化物半導体を扱っています。これらの材料の高品位単結晶薄膜形成技術の開発に力を入れており、有機金属化学気相エピタキシー（ＭＯＶＰＥ）法、アンモニアソース分子線エピタキシー（ＮＨ３−ＭＢＥ）法、そして独自開発のヘリコン波励起プラスマスパッタエピタキシー（ＨＷＰＳＥ）法等を用います。いずれも、原子層レベルで平坦な表面・界面を持つ半導体超薄膜や、量子サイズ効果が現れるナノ構造のエピタキシャル成長が行えます。
秩父重英教授は、ＭＯＶＰＥ法を用いて１９９３年に実現され、２０１４年ノーベル物理学賞の対象となった「窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）高輝度青色発光ダイオード（ＬＥＤ）」の物性評価を行い、既存の材料では全く光らないほど欠陥密度が高くてもＩ
ｎＧａＮは明るく光るという特異なメカニズムを世界に先駆けて解明しました。この研究を通じ、メゾスコピック・ナノ構造における励起子の動きや量子効果の動的な評価を更に進んで行うことが必要と考え、微細領域の光物性を明らかにする先端的計測技術（フェムト秒パルス集束電子線励起による時間・空間同時分解分光）の開発を継続しています。

http://www.tagen.tohoku.ac.jp/labo/
chichibu/index-j.html

5

TAGEN FOREFRONTTAGEN FOREFRONT 6

FOREFRONT REVIEW

01

Ｉ
Ｉ
Ｉ族窒化物半導体、Ｉ
Ｉ族酸化物半導体のバンドギャップエ

TERM INFORMATION

ネルギーと格子定数の関係。
２０１４年ノーベル物理学賞受賞対象となった青色ＬＥＤの材料は、図中に青線の楕円で示す、青色に相当するバンドギャップエネルギーを持つ

量子サイズ効果Ｉｎ０．
ａ０．
図示した材料系が、深紫外線
１５Ｇ
８５Ｎ混晶である。

人為的に形成した、物質のドブロイ波長以下（具から赤外線まで広い応用の可能性をもつことがわかる。

体的には数ｎｍ以下など）の超薄膜や超微小体において、電子・正孔（の波動関数）が閉じ込められ、高輝度青色ＬＥＤの謎を解明「ＩｎＧａＮの研究成果」
ザ励起照明等の高出力・高効率デバイ

青色発光ダイオード（ＬＥＤ）は人類の灯りの歴史を変えた

その動きが３次元的な平面波でなく、定在波となり固有のエネルギー値をとることである。

十兆分の一秒だけ点灯するパルスレーザー光を用い窒素インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）
混晶における励起子て、千億分の一秒程度の超短時間領域での発光計局在のモデル図。発光の源となる電子ー正孔対（励起ＬＥＤによって供給できる高効率白色ＬＥＤ測を行い、結晶中の少数キャリアや励起子の緩和過子）が、非発光性欠陥につかまるよりも速く「発光性の照明により、夜を明るくすることができます。

程を調べ、新しい物性出現の可能性を切り拓いてい局在状態」にとらえられ、高効率で発光するモデルを提ます。

青色ＬＥＤで世界が変わる、といっても過量子サイズ効果がぎりぎり現れるか現れないか程度まで小さくしたナノ構造体のこと。

バンドギャップエネルギーと示しています。

半導体において、電子がとりえないエネルギー状態の、エネルギー軸での幅のこと。言い換えると、結晶にスが私たちの生活に大きな変化をもたらし言ではありません」。将来は、車のヘッドまいます。ＧａＮでも１００万個を超えると光の局在発光モデルを用いてＩｎＧａＮの高ます。

ライトを含む街中の照明が変わっていくとらなくなります。ところが、ＩｎＧａＮの場合効率発光を説明しました。

期待されています。

は１平方センチメートルあたり１億～１０億

このモデルを支持する実験として、半個あっても発光効率が大きくは低下しない導体に電子を注入してその可動距離をのです。いったいなぜ光るのか？半導体

見積もる「空間分解カソードルミネッセン研究者の興味が集まっていました」。

スマッピング測定」をＧａＮやＩｎＧａＮに対おいて結合手を組んでいる電子１個を自由に動けるようにするのに必要なエネルギー。例えばＧａＮの室温におけるバンドギャップエネルギーは３．
４４電子ボルト２０１４年、高効率白色ＬＥＤ照明の実

中村教授と長年にわたり共同研究をし現を導いた青色ＬＥＤを開発したとして、てきた秩父教授は、青色ＬＥＤ発明の意

赤﨑勇名城大学終身教授、天野浩名古義をこう語ります。「白熱灯は電気で熱を屋大学教授、中村修二米カリフォルニア発生させ、高温になったフィラメントの放大学サンタバーバラ校教授がノーベル物射光を用います。蛍光灯は電気で水銀を秩父教授は、中村教授をプロジェクト

秩父教授はこの問題に対して、十兆して行い、ＩｎＧａＮ混晶では、ＧａＮに比理学賞を受賞されました。この青色ＬＥＤ励起して紫外線を発生させ、その紫外線リーダーとして２００１年から５年間行われた分の一秒だけ点灯するパルスレーザー光べて励起子の移動できる距離が非常にの実用化により、ＬＥＤで光の三原色が揃で蛍光体を励起して光らせます。つまり「科学技術振興機構創造科学技術推進を用い、千億分の一秒程度の時間分解短いということを明らかにしました。これいました。また、黄色に光る蛍光体との両方とも間接的に発生させた光です。し事業（ＥＲＡＴＯ）
中村不均一結晶プロジェ

能で発光を計測できるシステムで励起子らの現象は、窒化アルミニウムインジウム組み合わせによる白色ＬＥＤ照明等の電かし、ＬＥＤは半導体そのものが発光するクト」の不均一結晶評価グループリーダー

発光の寿命を計測し、電子の反物質で（ＡｌＩｎＮ）や窒化アルミニウムインジウム器製品が市販化され、今後も半導体レーので、電力の使用効率がとても高いのでを務めました。そのプロジェクトにおいてある「陽電子」という粒子を使って調べたガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）等のＩｎを含む窒化物す。世界にはいまだ発秩父教授は非常に重要な役割を果たしま

結晶中の点欠陥密度との相関関係を見半導体にもあてはまるだけでなく、他の半電所や送電線がなくてした。すなわち、結晶欠陥が多く、常識出しました。そして、「インジウム（Ｉｎ）を含導体材料でも同様に機能する組み合わ電気が行き渡らない土的には光を発することが不可能な材料でむ窒化物半導体では、発光の源となる励せがあるのではないか？つまり、効果的に地がありますが、 太 陽あるＩｎＧａＮを発光層に利用しているにも起子が、非発光性の欠陥に捉えられるよ

局在状態を作ることによって、多少欠陥光発電と蓄電池と青色関わらず、青色ＬＥＤは高輝度で発光す

り先に、発光性の局在状態に捉えられるがあっても発光効率を飛躍的に向上させる。この特異な発光メカニズムを解明し、ことで高効率で発光している」というモデることができるという可能性を示すもので、まま結晶中を自由に動き回れる量子となる。この「局在励起子」という新しい現象の理解ルを提案したのです。

「原子サイズでの不均一結晶」を各種発電子ー正孔対のことを励起子と呼ぶ。励起子は、光デバイスへ積極的に応用展開することじられていたが、ＧａＮの場合は室温でも励起子発

有機金属気相エピタキシャル成長（ＭＯＶＰＥ）装置や、独自のヘリコ高輝度青色ＬＥＤの謎を解明「ＩｎＧａＮの研究成果」に寄与しました。

ン波励起プラズマスパッタエピタ「従来からのＬＥＤ材料であるガリウムキシャル成長（ＨＷＰＳＥ）
装置を用砒素（ＧａＡｓ）やガリウムリン（ＧａＰ）では、いて窒化物・酸化物半導体量子発光性の局在状態の解明さらなる展開を構造を形成します。
ＩｎＧａＮ青色発欠陥の量が１平方センチメートルあたりポイントとなったのは「発光性の局在状光ダイオードは、ＭＯＶＰＥ装置でエ１万個を超えると殆ど光を出さなくなってし態」。秩父研究室では、この局在状態のピタキシャル形成します。

オートバイが好きです。２５年以上も前に府中試験場で限定解除試験に合格した時の事は今でも思い出せます。当時は試験場でしか大型自二免許を得られなかったので、みんな何回も受験しました。
合格するとギャラリーから大拍手をもらい、控室に戻るまで何人もに、波状路の膝使いやクランクの腰の入れ方、短制動では規則以上に速度を上げてから止まることなどを話しながら歩くので、ちょっとしたヒーロー気分です。結婚して子どもができ「一人だけの身体じゃないんだから降りなさい」と言われてから国内では乗っていませんが、内緒で海外で原付に乗ったりしています。オートバイの何が好きなのかよ
く聞かれますが、「雨が降ると一緒に濡れる」「転ぶと一緒に怪我をする」
一体感だと思います。機械とわかり合えるような気がして、今でも「頼んだぞ」「よくやった」と、実験装置に話かけることもあります。

MY FAVORITE（波長に直すと約３６０ｎｍ）
であり、それより短い波長の光が入射されると電子ー正孔対が生成される。

混晶（固溶体）Ａという固体結晶と、Ｂという固体結晶が、あるモル分率でほぼ均一に混った、ＡとＢの中間的な物性を持つ結晶材料。たとえばＩｎＧａＮは、ＧａＮとＩｎＮの疑似二元混晶である。
（ＧａとＩｎとＮの混晶ではない。常に窒素が結晶の５０モル％を占める）。

エピタキシー法
薄膜成長法の一種であり、単結晶基板の上に、その表面の幾何学的な特徴を引き継いで、極めて周期性の高い単結晶薄膜を成長させる方法。

励起子
自由に動ける電子（自由電子）と、自由に動ける正孔（自由正孔）
は、おのおの負と正の電荷をもった粒子である。高純度な半導体中では、特に低温において電子と正孔がクーロン力で弱く束縛しあった高純度結晶において低温でしか観測されないと信光を呈することを、１９９６年に世界で初めて示した。
ＩｎＧａＮ青色ＬＥＤでは、励起子が局在して光っているので、局在励起子発光である。

パルスレーザー光
時間的に連続して出射されているのではなく、ほんの短い時間だけ点灯するレーザー光のこと。発生組み合わせで解明しました。すなわち、「イ

方法はいくつかあるが、秩父研究室で主に用いているのは、
モードロックチタンサファイヤレーザーとい

ンジウム原子が２個以上（数個程度）ａ軸い、基本波は波長約７９０ｎｍ程度、パルス幅は８０方向に並ぶと、インジウム−窒素−インジウフェムト秒（１フェムト秒＝千兆分の一秒）である。

ム−窒素（Ｉｎ−Ｎ−Ｉｎ−Ｎ）のジグザグチェ

空間分解カソードルミネッセンスマッピング測定

インが形成されますが、そうするとその部半導体から発光を得る際、電流を注入して光らせ分のバンドギャップが周囲よりも低くなるだる場合をエレクトロルミネッセンス、バンドギャップ以上の光子エネルギーを持つ光で励起する場合けでなく、正孔が自発的に集まって、励をフォトルミネッセンス、電子線で励起する場合を起子発光を起こしやすいのです。これがカソードルミネッセンス（陰極線ルミネッセンス）と局在状態の正体です」。２０１４年のノーベルレクチャーにおいて中村教授は、こTAGEN FOREFRONTが期待されています。

起源が何であるかを、先端評価技術のバー
１４
原付キュ 断２０ロ横バラデ

機械との一体感を楽しめる、オートバイやオープンカーが好きです

7案。
Ｉｎ−Ｎ−Ｉｎ−チェイン構造が正孔局在の正体である

メゾスコピック・ナノ構造呼ぶ。電子線は、静電レンズによって集束できるため、微小径に集束して試料に打ち込めば、その微先駆的な計測技術を開発することによって、微細領域小領域の発光情報を得ることができる。全ての場における励起子の高時間分解能動的評価を行い、発所で発光スペクトルを測定し、空間依存性を明らか光メカニズムの解析等を行っています。

にすることをマッピングと呼んでいる。

TAGEN FOREFRONT 8

FOREFRONT REVIEW

01

新たな可能性を秘めた深紫外線（ディープウルトラバイオレット）光源の研究へてカバーできる発光・受光素子材料とし線として原料を供給する方法を用い、単出す方法によって、高効率超短パルス電て応用が可能なのです。

結晶の上に単結晶薄膜をエピタキシャル子線を得ています。それをナノメートル台「特に波長２００～２８０ｎｍの、ＵＶ−Ｃとク成長させる研究を中心に進めています。

の微小領域に集束してＳＴＲＣＬ装置としラス分けされる深紫外線（ＤｅｅｐＵｌｔｒａｖ
ｉｏｌｅｔ：

また、独自開発した、世界で唯一のヘて使用しています」。

ＤＵＶ）の小型光源には、様々な新しい用途

リコン波励起プラマスパッタエピタキシー「ＣＬスペクトルを、フェムト秒～ピコ秒のがひらけています。波長が短く、ＤＮＡを破（ＨＷＰＳＥ）法を使用しています。いず時間領域で超高速時間分解することによ壊できるので、炭素菌や、水中のバクテリれも、原子層レベルで平坦な表面や界面り、深紫外線波長においても、発光スペアの高速殺菌が可能です。この技術は、を持つ半導体の超薄膜や、ナノ構造のクトルが時々刻々と変化する様子を観測

発光したり受光したりする部分（活性層・発光層、吸水道が通っていない、ないしはあっても浄エピタキシャル成長が行えます」。

することが可能となります。これにより、ワうに小さくして量子サイズ効果が現れるようにした高イドギャップ半導体量子井戸・ナノ構造に性能光デバイスのこと。例えばＩｎＧａＮ青色ＬＥＤの水ではない開発途上国の衛生面の改善

深紫外線（ＤＵＶｌｉｇｈｔ）
定義では、波長３００ｎｍ以下で遠紫外線（ＦＵＶ）手前の２００ｎｍ程度までの紫外線のこと。
２００−２８０ｎｍはＵＶ−Ｃとクラス分けされている。

量子ナノ構造発光素子・受光素子収層と呼ぶ）を、人為的に非常に薄く、または点のよ発光層は、厚さ２ー３ｎｍ（ＤＮＡの直径程度）ほどのびその材料研究に展開しています。例え飲料水・空気の浄化以外にも、高密度キャリアダイナミックスの測定のためにフェムト秒パルス集束電子線を開発

ば、窒化ガリウム（ＧａＮ）
は、Ｉ
ｎＮやＡｌＮ、光情報記録やバイオセンシング、生体・DUV 光を発する、バンドギャップの広ＢＮと混晶化させることにより、バンドギャッ

材料分析、光リソグラフィーなど、幅広い

い新しい半導体素子を開発するには、微秩父研究室の研究対象は、品質の高プエネルギーを０．
６５～６．
０４ｅＶまで変化

分野で社会を支える重要な基盤となると細領域における励起子の発光ダイナミッ

い照明を実現する可視光ＬＥＤの追求かさせることができます。このため、光通信期待されています。しかし、現存する深クス計測（刻々と変化する状態の動的観「世界にまだないもの」を求める
秩父研究室のスピリッツ

ら、波長２００ｎｍ台の深紫外線光源およ波長（近赤外線）、可視光、紫外線を全紫外線光源はサイズが非常に大きく、消測）を、深紫外線波長で行わなければな「最先端の研究分野で差別化を図ろう

費電力も大きいことから、小型・低消費りません。秩父研究室では半導体・蛍とすれば、世界にひとつだけのアイデア電力の半導体固体光源への置き換えが光体ナノ構造や量子構造においてナノや世界に一台しかない装置が必要となり求められています。この課題を解決する

メートル領域で起きる発光過程の動的観ます。どこにでもある装置では差別化がために、深紫外線ＬＥＤはもとより、レーザ測を行うために、サブマイクロメートル台できません。従って、肝心な部分は自分発振が始まるときのしきい値電流密度のの空間分解能とピコ秒台の時間分解能たちで設計し、自分たちで手作りしていま低い紫外線コヒーレント光源を開発するなを兼ね備えたスペクトロスコピーが必要にす」と熱く語る秩父教授。

どの研究が必要となります」。

なると考え、フェムト秒パルス集束電子数々の実績と、「世界にまだないもの」

秩父研究室では、紫外線発光デバイ

線励起時間・空間同時分解カソードルミを求める秩父研究室の理念に、今多くのスの発光効率向上を目的として、計算にネッセンス（ＳＴＲＣＬ）計測装置の研究・企業が注目。高度評価技術による物理コピー」と言うべきである。通常は省略されてカソーよって最適化された半導体量子井戸構開発を１９９７年から考えて行ってきました。

的解釈・知見の提供や、新たな装置開ドルミネッセンスと呼ばれる。

造を形成する研究を進めています。このSTRCL 装置では、フェムト秒～ピコ秒パ発を秩父研究室に依頼するという形で、ため、Ａｌ
ＩｎＧａＮ系窒化物・ＭｇＺｎＯ系ルス集束電子線と分光器、ストリークカメ産学連携が進められています。

酸化物半導体多層超薄膜デバイスの形

ラを組み合わせています。禁制帯幅が広「常に時代の先端を生き、社会に貢献成技術が必要になりますが、我々は有機い半導体の短パルスキャリア励起にはピコできる成果を出していきたいという考えのもモニアで置き換えた、量産に向くバルク結晶成長

金属化学気相エピタキシー（ＭＯＶＰＥ）

秒台以下のパルス電子線が必要となりまと、日々新たな研究を行っています。マテしない溶質を、高温・高圧の超臨界流体に溶解し、法という、ガスを高温で反応させる方法すが、その発生は非常に困難です。
「我々

リアルエンジニアリングで量子・光エレクト物質を輸送して結晶を再結晶させる方法である。

と、アンモニアソース分子線エピタキシー

は、フェムト秒パルスレーザーにより真空ロニクスを操り、新しいデバイス領域を開（ＮＨ３−ＭＢＥ）法という、真空中で分子中の金属を励起してパルス光電子を取り拓したいですね」。

や医療現場において寄与できます」。深紫外線は、このような菌やウィルスの殺菌、大型で低効率という課題を半導体素子で解決し、深紫外線光源の実用化へ

バンドギャップの広い半導体における局所的な発光の動的観察を可能にする、フェムト秒集束パルス電子

自分流の料理を作って、研究室のメンバーにふるまったりします
研究室イベントの時だけですが、若手スタッフや秘書さん学生の普段の労をねぎらうべく（？）
料理を作ったりしています。若い人が多いので、チキンドライカレーやシーフードリゾット、さんまうどんなどのキッチュな料理を出します。また、牛サイコロステーキや豚の丸焼きもやります。デザートには「濃厚ふわとろフレンチトースト」
を出して、嘘だか本当だか、喜んでもらいました。
気合が入ると、プチコース料理もトライします。バーニャカウダはもちろんガーリックを熱して柔らかくしてアンチョビとつぶすところからやります。仙台牛の特製ステーキもオリーブオイルとガーリックと塩でこだわって作ります。リケダン（理系の男性）は料理ができると思っています。なぜなら「実験よりも簡単だから」。しくじってもリカバリーができるので、中和滴定よりも簡単です。

TAGEN FOREFRONT

おいて、転位等の構造欠陥が非輻射再結合寿命に与える影響や、ナノ構造サイズが輻射寿命に与える影響を把握することが可能になりました」。

平面状の超薄膜であり、量子井戸という。

コヒーレント光
時間的コヒーレンスと空間的コヒーレンスを併せ持つ光のこと。前者は、光波の正弦波性が非常に高く周波数と位相が揃っているという意味で、波長の広がりが殆どない単色光であることを意味する。
後者は、その光が空間を伝搬する際に、極めて平面波や球面波に近いことを表す。いずれも、光が干渉することを意味し（可干渉性）、散乱させるとギラギラ（ザラザラ）と光が見える。
これをスペックルという。本編では、レーザー光のことをさす。

スペクトロスコピー
直訳すると分光学。物質に入射した電磁波（光）が、吸収・反射・透過・散乱されたり波長変換されたりする相互作用の様子を、波長（光子エネルギー）の関数として計測して理解する手法一般のこと。
物質が光以外の励起方法によって発光を呈する
場合も、電子系（励起子）と光子系（電磁場）の相互作用であり、例えば電子線励起発光スペクトル計測の場合は「カソードルミネッセンススぺクトロス

超臨界アモノサーマル法
アモノサーマル法は、人工水晶の製造に用いている「水熱合成法」で用いる超臨界水を超臨界アン法である。
この方法は、通常の温度・圧力では溶解

秩父研ではＧａＮ結晶を対象としており、ＧａＮのアンモニアへの溶解度を高めるためハロゲン化アンモニウム（ＮＨ４Ｘ；Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）を酸性鉱化剤として用い、超臨界圧アンモニア環境に耐えるオートクレーブで結晶育成を行っている。具体的には約線を用いた日本に唯一の時間・空間同時分解カソードルミネッセンス（ＳＴＲＣＬ）
計測の概念図と計測装置。

9TERM INFORMATION

１５０ＭＰａ程度、温度６００℃以下で、写真のようなOFF TIME高品質ＧａＮ結晶の高速成長に成功しています。

量子光エレクトロニクス研究分野（秩父研究室）

この結晶には貫には、小島一信准教授（後列右端）、山崎芳樹

通転位が殆ど無助教（後列中央）
をはじめ、多数の産学連携研究い領域があり、高員、技術者、学生、秘書等、多くのスタッフが参画

性 能 L E Dや半しており、社会に貢献する化合物半導体光エレク

導体レーザー、パトロニクス素子・材料の研究を推進しています。

ワー電子デバイ誌面スペースの都合上触れませんでしたが、三菱ス用の基 板とし

化学
（株）
（株）
、 日本製鋼所との3機関共同研究にて国内外から大て、「超臨界アモノサーマル法による高品質バル

きな期 待を集めクGaN結晶育成」の研究開発を行っています。

ています。

TAGEN FOREFRONT 10