令和５年２月１５日判決言渡

同日原本交付

平成３０年（ワ）第２８９３１号
口頭弁論終結日

裁判所書記官

特許権侵害差止等請求事件

令和４年１０月５日
判

決

5

原

告

同 訴 訟 代 理 人 弁 護 士

設

樂

隆

一

尾

関

孝

彰

寺

下

雄

介

松

本

直

樹

大

澤

恒

夫

深

沢

正

志

同訴訟復代理人弁護士

河

合

哲

志

同 訴 訟 代 理 人 弁 理 士

長 谷 川

芳

樹

柴

田

昌

聰

小

曳

満

昭

今

村

玲 英 子

10

15

同 補 佐 人 弁 理 士

20

浜松ホトニクス株式会社

被告同 訴 訟 代 理 人 弁 護 士

251

株 式 会 社 東 京 精 密

半

場

秀

筬

島

裕 斗 志

前

田

直

三

縄

隆

松

村

啓

哉

服

部

誠

中

村

閑

同訴訟復代理人弁護士

柿

本

祐

依

同 補 佐 人 弁 理 士

相

田

義

明

山

下

5

主
１

崇

文

被告は、原告に対し、１億３１１６万１３９９円及びこれに対する平成３０
年１１月１日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。

10２

原告のその余の各請求をいずれも棄却する。

３

訴訟費用は、これを２０分し、その１９を原告の負担とし、その余を被告の負担とする。

４

この判決は、第１項に限り、仮に執行することができる。
事 実 及 び 理 由

15

第１

請求等

１

請求等
⑴

被告は、別紙対象製品目録記載の各製品（以下「各対象製品」という。）を製造し、使用し、譲渡し、貸し渡し若しくは輸出し、又は、譲渡若しくは貸渡しの申出をしてはならない。

20⑵

被告は、各対象製品を廃棄せよ。

⑶

被告は、原告に対し、２４億円及びうち２１億円に対する平成３０年１１月１日から、うち３億円に対する令和２年２月１日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。

⑷
２
25

仮執行宣言
答弁

⑴

原告の各請求をいずれも棄却する。

⑵

仮執行免脱宣言

2

第２

事案の概要
本件は、原告が、被告に対し、①被告による各対象製品の製造、譲渡、輸出及び譲渡の申出は、原告の有する
特許第４５０９５７８号の特許権（以下「本件特許権」という。）を侵害する等と主張して、本件特許権による差止請求権（特許法１００条１項）に基づき、

5

各対象製品の製造、譲渡等の差止めを、廃棄等請求権（同条２項）に基づき、各対象製品の廃棄を求めるとともに、②被告による各対象製品の製造、譲渡等により、原告は本件特許権を侵害され損害を被り、又は、被告は法律上の原因なく原告の損失において利得したと主張して、㋐主位的に、不法行為による損害賠償請求権（民法７０９条）に基づ

10

き、２４億円及びうち２１億円に対する不法行為より後の日である平成３０年
１１月１日から、うち３億円に対する同令和２年２月１日から支払済みまで平成２９年法律第４４号による改正前の民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求め、㋑予備的に、不当利得返還請求権（民法７０３条）に基づき、２０億円及びうち１７億５０００万円に対する不当利得より後の日である平成

15

３０年１１月１日から、うち２億５０００万円に対する同令和２年２月１日から支払済みまで上記同様の年５分の割合による利息（民法７０４条）の支払を求める事案である。
１20

前提事実（当事者間に争いのない事実及び証拠上容易に認められる事実。証拠は文末に括弧で付記した。なお、書証は特記しない限り枝番を全て含む。以
下同じ。）
⑴

当事者
原告は、電磁波機器、通信機器、医療機器等の研究、試作、製造及び販売等を目的とする株式会社である。

25

被告は、精密機械、工作機械及び各種専用機の製造修理及び販売等を目的とする株式会社である。

3

（本項につき、弁論の全趣旨）⑵

本件特許権
原告は、以下の本件特許権を有する。（争いがない事実）

5

⑶

登録番号

特許第４５０９５７８号

出願日

平成１６年１月９日

登録日

平成２２年５月１４日

発明の名称

レーザ加工方法及びレーザ加工装置

特許請求の範囲の記載
本件特許権に係る特許（以下「本件特許」という。また、本件特許の願書10に添付した明細書及び図面を「本件明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項８、１１の記載は次のとおりである。（甲１、２）【請求項８】

第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対
象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、

15

前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレ
ンズと、前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手

20

段と、前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する
制御手段と、を備え、前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の25位置に合う状態となる初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、

4

当該位置に前記レンズを保持した状態で前記第一のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部におい5て改質領域を形成し、前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レン

10ズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する、
レーザ加工装置。
【請求項１１】前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された
後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持し15た状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成し、更に、前記制御手段は前記レンズを前記主面に向かう方向20に駆動させずに保持するように前記保持手段を制御すると共に、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御する、請求
項８～１０のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
請求項８に係る発明（以下「本件発明１」という。）及び請求項１１に係25る発明（「本件発明２」といい、本件発明１及び２を併せて「本件各発明」という。）は次のとおり分説できる（以下、符号に応じて「構成要件１Ａ」

5

などという。）。
ア

本件発明１
１Ａ

第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対
象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、

5

１Ｂ

前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレン
ズと、

１Ｃ

前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、

10１Ｄ

前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、

１Ｅ

前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、１Ｆ

前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置に前記レンズを保持するよう

15に前記保持手段を制御し、１Ｇ

当該位置に前記レンズを保持した状態で前記第一のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レ
ンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において

20

改質領域を形成し、
１Ｈ

前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された
後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整し25ながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させ6

るように前記移動手段を制御して改質領域を形成する、
１Ｉ
イ

レーザ加工装置。

本件発明２２Ａ

前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された
後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持し5た状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成し、
２Ｂ

10

更に、前記制御手段は前記レンズを前記主面に向かう方向に駆動させずに保持するように前記保持手段を制御すると共に、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御する、

２Ｃ
15

⑷

請求項８～１０のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。

事実経過
ア

ダイシングとは、半導体基板（半導体ウェハ）を切断してチップに分割することをいう。
原告は、一定の条件でレーザ光をウェハ内部に集光してウェハ内部において加工層を形成し、その後ウェハに引っ張り応力を加え、ウェハ表面に形成される集積回路に損傷を与えずに加工層を起点としてウェハを分20割することを、ステルスダイシング（Stealth Dicing）と呼んでいた。
（甲３、弁論の全趣旨）
イ

原告及び被告は、●（省略）●（甲５、６、乙１、弁論の全趣旨）
原告及び被告は、本件業務提携契約に基づき、原告が製造したＳＤエン

25

ジン（以下「原告エンジン」ということがある。）を被告に販売するなどの取引を行った。原告エンジンを用いて被告が製造、販売したＳＤ装置に

7

は 、 原 告 の 許 諾 の 下 、 原 告 の 商 号 、 「 Ｓ Ｄ Ｅ 」 、 「 Stealth Dicing
Engine inside!」との文字等が記載されている「ＳＤＥプレート」（以下「本件プレート」という。）が貼付されていた。（甲１２、弁論の全趣旨）
なお、原告は、被告のほか、株式会社ディスコ（以下「ディスコ社」という。）にも原告エンジンを販売していた。（弁論の全趣旨）

5

ウ

原告及び被告は、平成２６年１０月８日、打合せ（以下「１０月８日打合せ」という。）を行った。
被告は、平成２７年頃から、独自に開発したＳＤエンジン（ＮＳ９００、
以下「被告エンジンＢ」という。）を搭載したＳＤ装置である別紙対象

10

製品目録記載１⑵Ｂの製品（以下「対象製品１⑵Ｂ」という。）を製造し、海外の法人に販売するようになった。
その後、原告が被告に上記の製造、販売の中止を求めたことがあったが、被告はこれを中止しなかった。
一方、原告は、平成２８年９月まで被告に原告エンジンを販売してい15たところ、被告は、これを用いてＳＤ装置（型番：ＭＬ３００Ｐｌｕｓ
Ⅲ、ＭＬ３００ＰｌｕｓＶ、ＭＬ２００ＰｌｕｓⅢ及びＭＬ２００Ｐｌ
ｕｓＶ）を製造、販売していた。
本件業務提携契約は、●（省略）●に終了し、被告は、対象製品１⑵Ｂの受注を中止した。

20

被告は、平成２８年３月から平成３０年８月まで、別紙対象製品１⑵Ｂ
売上一覧記載のとおり、いずれも海外の法人である三星電子株式会社（以下「サムスン社」という。）、テキサスインスツルメント（以下「ＴＩ社」という。）、ＳＫハイニックス株式会社（以下「ＳＫハイニックス社」という。）、ＳＴＡＴＳチップＰＡＣ、シングネティクスに25

対し、合計●（省略）●台の対象製品１⑵Ｂを販売した。
（争いがない事実のほか、乙１８～２０、弁論の全趣旨）

8

エ

被告は、平成２９年１２月１４日に開催された展示会において、「ＭＬ３００ＥＸ

Ｓｅｒｉｅｓ／ＭＬ２００ＥＸ」と題し、「ＭＬ３００Ｅ

Ｘ」、「ＭＬ３００ＥＸ

ＦＨ」及び「ＭＬ３００ＥＸ

ＦＨＷＨ」について「３００ｍｍウエーハに対応したレーザーダイシングマシン。適応するアプリケーションに応じてローダ仕様を選択可能。」などと、

5「ＭＬ２００ＥＸ」について「２００ｍｍウエーハに対応したレーザー
ダイシングマシン」などと記載し、「ＭＬ２００ＥＸ」との銘板が貼付されたＳＤ装置の写真を掲載したパネルを展示した。（甲１０、弁論の
全趣旨）
オ

10

被告は、被告エンジンＢとは別にＳＤエンジン（以下「被告エンジンＡ」という。）を開発し、本件業務提携契約終了後、これを搭載したＳＤ装置
である別紙対象製品目録記載１⑴及び１⑵Ａの製品（以下、順に「対象製品１⑴」、「対象製品１⑵Ａ」といい、対象製品１⑴、１⑵Ａ及び１⑵Ｂを併せて「対象製品１」という。）の販売の申出を開始し、その後、これらを販売するようになった。（争いがない事実のほか、弁論の全趣旨）

15

被告は、平成３０年３月以降、少なくとも合計●（省略）●台の対象製品１⑴及び１⑵Ａを製造し、譲渡し、輸出し、譲渡の申出をした。
また、被告は、販売済みの対象製品１⑵Ｂについて、順次、搭載されている被告エンジンＢを被告エンジンＡに交換する改造を行った。
被告は、令和３年１２月をもって、対象製品１⑴及び１⑵Ａの製造、販20

売等を終了した。
（争いがない事実のほか、乙１２６、１３１、１３２、弁論の全趣旨）
⑸

対象製品１
ア

25

対象製品１の基本的構成
対象製品１は、レーザ加工装置であり（構成要件１Ｉ）、加工用レーザ
光を、加工対象物であるシリコンウェハの内部に集光点を合わせて主に

9

シリコンウェハの裏面すなわち主面から照射し（例えば、ＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリ又はＤＲＡＭが形成されたシリコンウェハを切断してメモリチップを切り出す加工を行う場合、シリコンウェハの表面にはメモリが形成されていることから、これとは反対側の裏面から加工用レーザ
5

光を入射させる。）、シリコンウェハ内部で加工用レーザ光の集光点を走査することにより、シリコンウェハの切断予定ライン（切断起点であるレーザ加工領域を形成するための加工用レーザ光の集光点を通過させることを予定する所望のライン）に沿って、シリコンウェハの内部にレーザ加工領域を形成する。

10

対象製品１は、筐体、ステージ（Ｘ、Ｙ、θ軸）、搬送系、ＳＤエンジン及び制御用ソフトウェアによって構成される。ＳＤエンジンは、レーザ加工エンジンユニット、Ｚ軸ステージ及びソフトウェア設計から成る。
対象製品１のレーザ加工エンジンユニットは、加工用レーザ光の光源、加工用レーザ光をシリコンウェハに向けて集光する対物レンズ（構成要15件１Ｂ）、及び、加工用レーザ光を対物レンズに導く加工用レーザ光の光学系から成るレーザ照射機構と、測距用レーザ光の光源、シリコンウ
ェハの主面で反射された測距用レーザ光を検出する位置検出素子、及び、
測距用レーザ光をシリコンウェハの主面に照射し、シリコンウェハの表面で反射された測距用レーザ光を位置検出素子の受光部に導く光学系か

20

ら成るオートフォーカス（ＡＦ）ユニットを含む。
ステージのうちＸ軸は、カッティングテーブルをＸ軸方向に移動することにより、その主面（加工用レーザ光の入射面）がＸＹ平面と平行となるようにカッティングテーブルに支持、固定されたシリコンウェハを対物レンズに対して移動（走査）させる、すなわち、シリコンウェハと対25物レンズとをシリコンウェハの主面に沿って相対的に移動させる（加工用レーザ光を照射しつつ上記走査をさせることにより、シリコンウェハ

10の内部で加工用レーザ光の集光点を走査させて、レーザ加工領域を形成
すなわちレーザ加工する。）（構成要件１Ｃ）。
レーザ加工エンジンユニットは、対物レンズ保持機構を備え、ピエゾア
クチュエータを駆動して、シリコンウェハの主面のうねり（反り）に合
わせて対物レンズの高さ（Ｚ軸上の位置）を微調整することができ、し5たがって、対物レンズをシリコンウェハの主面に対して進退自在に保持する（構成要件１Ｄ）。具体的には、Ｚ軸ステージがＺ軸方向に移動することにより、シリコンウェハのＸＹ平面上の所定の点（例えば、中心）で加工用レーザ光の集光点がシリコンウェハの内部の所定の深さに位置するように対物レンズの高さを調整（ハイト調整）する。その後、加工10に当たり、対物レンズ保持機構において、対物レンズの走査中、ＡＦユ
ニットにより測距用レーザ光の反射光に基づき対物レンズとシリコンウ
ェハの主面との距離（ないし上記の高さ調整時からの変位）を測定し、同測定値に基づきピエゾアクチュエータを制御することによって、シリコンウェハの主面と対物レンズとの間の距離を一定に維持し、これによ

15

り加工用レーザ光の集光点を上記の高さ調整をした際の所定の深さに維持する（オートフォーカス追従、以下「ＡＦ追従」という。）。
対象製品１は、制御機構を備え、ステージ及び対物レンズ保持機構の挙動をコンピュータシステムによって制御する（構成要件１Ｅ）。
以上のとおり、対象製品１は、構成要件１Ｂから１Ｅ、１Ｉを充足する。

20

なお、ここで加工対象とされているシリコンウェハの厚さは、例えば７７５μｍ程度であり、そのうねり（反り）の程度は、概ね±３μｍである。
（本項につき、争いがない事実のほか、甲１３、乙２９、弁論の全趣旨）
イ25

対象製品１⑵Ｂ
対象製品１⑵Ｂは、被告エンジンＢを搭載した製品である。
対象製品１⑵Ｂは、ＡＦ追従が難しいシリコンウェハの端部（ウェハエ11ッジ。面取り加工（ベベル加工）されシリコンウェハの端から０．５ｍ
ｍ程度丸みを帯びている場合と、面取り加工されていない場合とがある。）から所定の距離の範囲においては、ピエゾアクチュエータを制御し、ＡＦ追従を停止して対物レンズをシリコンウェハの所定の点で加工用レーザ光の集光点がシリコンウェハの内部の所定の深さに位置するよ5

うな高さに調整された位置（前記ア）に固定する（ただし、わずかな上下動を許容する。以下、ＡＦ追従を停止して対物レンズを固定することを「ＡＦ固定」という。）機能を有し、シリコンウェハの端部から所定の距離の範囲においてＡＦ固定の状態でレーザ加工を行った後に、ＡＦ固定を解除して、ＡＦ追従の状態でレーザ加工を行う。すなわち、対象

10

製品１⑵Ｂは、「シリコンウェハの所定の点で加工用レーザ光の集光点がシリコンウェハの内部の所定の深さに位置するような高さに調整された位置」に、すなわち、「初期位置に」対物レンズを「保持」する（構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ）。
また、対象製品１⑵Ｂは、ＡＦ追従の状態でのレーザ加工終了後、対物

15

レンズがシリコンウェハの端部を超えて走査終了位置に至ると、対物レンズをＡＦ追従を終了した時点又はそれより所定の距離戻った位置における高さに固定した状態で、カッティングテーブルをＸ軸方向に動かす。
（本項につき、争いがない事実のほか、乙５４、弁論の全趣旨）
20

ウ

対象製品１⑴及び１⑵Ａ
対象製品１⑴及び１⑵Ａは、被告エンジンＡを搭載した製品である。
対象製品１⑴及び１⑵Ａにおいては、シリコンウェハの形状計測結果等を基に算出した想定されるシリコンウェハの端部突入時のピエゾアクチ
ュエータの位置（以下「想定位置」という。）を規定し、これにより対25物レンズを保持する。また、対象製品１⑴及び１⑵Ａにおいては、加工対象物の検出方法として、加工対象物が面取り部分のあるシリコンウェ

12ハである場合には、座標基準（エンコーダ基準）を採用し、あらかじめ記憶させたシリコンウェハの中心の位置及び中心からの距離等を基にシリコンウェハの存在を推定し検出し、他方、加工対象物が面取り部分のないシリコンウェハである場合には、加工対象物の存在ないし位置を検5出する方法として照射した測距用レーザ光の反射光量によって加工対象物の端部などを検出する光量基準を採用し、シリコンウェハの現実の端を検出する。
そして、対物レンズの走査が開始されてからシリコンウェハの端部までの範囲においては、ピエゾアクチュエータを想定位置に固定するよう制

10御し、これにより対物レンズをＡＦ固定する。次に、シリコンウェハの端部から所定の距離の範囲においては、想定位置の値、及び、現実のシ
リコンウェハの主面の高さと現実のピエゾアクチュエータとの距離の測定値に一定の係数（０．８）を乗じた値（具体的には、計算式〔想定位
置の値＋（現実のシリコンウェハの主面の高さの値－現実のピエゾアク

15

チュエータの位置の値）×０．８〕によって求められる値）に基づく、所定の上限値の範囲内の値（以下「制御指令値」という。）により、ピエ
ゾアクチュエータを制御し、その結果、シリコンウェハの端部から所定の距離の範囲においては、対物レンズを緩やかなＡＦ追従（以下「低追従」という。）の状態で走査する（以下、対物レンズを低追従の状態で20走査する範囲を「低追従領域」という。）。低追従領域のうち、シリコ
ンウェハの端部から一定の範囲においては加工用レーザ光を照射せず（以下、レーザ加工を行わないシリコンウェハの端部から一定の範囲を「非加工領域」という。）、この非加工領域を超えた時点で、対物レン
ズを低追従の状態で走査しながら加工用レーザ光を照射してレーザ加工

25を開始する。更にその後（低追従領域を超えた時点で）、対物レンズを
低追従の状態からＡＦ追従の状態に切り替える。

13

また、対象製品１⑴及び１⑵Ａは、ＡＦ追従の状態でのレーザ加工終了
後、対物レンズがシリコンウェハの端部を超えて走査終了位置に至ると、対物レンズをピエゾアクチュエータが想定位置に固定されるよう制御した状態で保持し、カッティングテーブルをＸ軸方向に動かす。
もっとも、対象製品１⑴及び１⑵Ａは、制御機構において、グラフィカ

5

ルユーザインターフェース（ＧＵＩ）から、コンピュータのパラメータを調整してアプリケーションないしシステムを作成、調整することにより、加工対象物の存在ないし位置を検出する方法を選択したり、対物レ
ンズがシリコンウェハの外側の走査開始の待機位置（以下「走査開始待機位置」という。）にあるときから加工用レーザ光を照射するよう設定

10したりすることが可能である。
被告は、低追従についての発明について特許権（特許第６４８１８４２号、特許第６６０８５１９号）を有する。
（本項につき、争いがない事実のほか、乙６０、６１、６４、弁論の全趣
旨）

15

⑹

訴訟経過等
ア

原告は、平成２９年１１月１３日、被告に対し、原告はステルスダイシ
ングに関して日本国における１５０以上の特許権その他海外における多数の特許権から成る特許ポートフォリオを有しており、被告によるＳＤ装置等の製造、販売等は、原告の上記特許ポートフォリオを侵害するな

20

どとして、ＳＤ装置等の製造、販売等を中止するよう求めた。（甲９）イ

原告は、平成３０年９月７日、被告によるＳＤ装置等の製造、販売等に関し、本件訴えを提起したほか、原告が有する特許第３９３５１８８号の特許権及び特許第３９９０７１１号の特許権（以下、これらの特許権に係

25

る特許を順に、「１８８特許」、「７１１特許」という。）の侵害を理由とする訴え（東京地方裁判所平成３０年（ワ）第２８９２９号、以下「別14件訴訟１」という。）並びに特許第３８６７１０８号の特許権及び特許第４６０１９６５号の特許権（以下、これらの特許権に係る特許を順に、「１０８特許」、「９６５特許」という。）の侵害を理由とする訴え（同
平成３０年（ワ）第２８９３０号、以下「別件訴訟２」といい、別件訴訟
１及び２を併せて「各別件訴訟」という。）をそれぞれ提起した。

5

東京地方裁判所は、令和３年８月１０日、別件訴訟１について、原告の被告に対する１８８号特許及び７１１号特許に係る各特許権による差止請
求権及び廃棄請求権に基づく各対象製品を含む被告の製品についてその製造、譲渡等の差止請求及び廃棄請求を認める旨の判決をした。被告は同判決に対し控訴し、その後、原告は１８８号特許に係る特許権に関する訴え

10を取り下げ、令和４年９月５日、控訴を棄却する旨の判決がされた（知的財産高等裁判所令和３年（ネ）第１０１０１号）。
（本項につき、当裁判所に顕著な事実のほか、弁論の全趣旨）
ウ

被告は、令和３年６月２２日付けで、本件特許について特許無効審判を請求した（無効２０２１－８０００５０）が、審判請求は成り立たない旨

15の審決がされたことから、令和４年、同審決に対する訴えを提起した（知的財産高等裁判所令和４年（行ケ）第１００９９号）。（乙７６、１２２、弁論の全趣旨）２20

25

争点及び争点に関する当事者の主張
本件の争点は次のとおりである。
①

被告が対象製品２を製造、販売等したか。

②

対象製品１⑵Ｂが本件各発明の技術的範囲に属するか。

③

対象製品１⑴、１⑵Ａ及び２が本件各発明の技術的範囲に属するか。

④

本件特許が特許無効審判により無効にされるべきものと認められるか。
無効理由１

サポート要件違反

無効理由２

明確性要件違反15

無効理由３5

実施可能要件違反⑤

原告が被告に対し対象製品１⑵Ｂの製造等につき許諾を与えたか。

⑥

被告が各対象製品を製造等するおそれがあるか。

⑦

廃棄の必要があるか。

⑧

原告の受けた損害又は損失及び額⑨

原告に過失があるか、また、これを考慮して損害賠償額を定めるべきか。

⑴

争点①（被告が対象製品２を製造、販売等したか。）について（原告の主張）被告は、対象製品２を製造、販売等した。
（被告の主張）10

対象製品２は存在しておらず、被告がこれを販売したことはない。
⑵

争点②（対象製品１⑵Ｂが本件各発明の技術的範囲に属するか。）について（原告の主張）対象製品１⑵Ｂは、構成要件１Ａ、１Ｆ、１Ｇ及び１Ｈ並びに２Ａ及び２15

Ｂをいずれも充足し、その他本件発明１の構成要件を充足するから、構成要件２Ｃを充足し、本件各発明の技術的範囲に属する。
ア

改質領域の形成（構成要件１Ａ、１Ｇ、１Ｈ及び２Ａ）について「改質領域」は、多光子吸収によって形成されるものに限定されない。

20

本件明細書の記載は、本件各発明の最良の実施形態に関するものである。
また、本件各発明は、レーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレーザ加工装置を提供することを目的とし、レンズの保持態様等により課題を解決するものであり、レーザ
加工により形成される改質領域が多光子吸収によるものか単光子吸収に25よるものかは発明の目的や課題解決手段とは無関係である。なお、現在の科学的知見によれば、レーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせ16

て照射する（レーザ光のエネルギーを吸収させる）ことによる改質領域の形成は、多光子吸収のみならずレーザ光の波長によっては単光子吸収によってもされることがあるとされているが、当業者は、本件特許出願
当時、上記の改質領域の形成は多光子吸収によってされるものと理解していた。したがって、本件明細書には同理解に従った記載がされている

5が、単光子吸収によって改質領域が形成される場合を排除する趣旨ではなく、上記場合も本件各発明の技術的範囲に含まれる。
対象製品１⑵Ｂは、レーザ光を加工対象物であるシリコンウェハの内部に集光点を合わせて照射し、集光点を走査することによって、集光点及びその上部に「改質領域を形成」する。

10

イ

レンズの保持態様（構成要件２Ｂ）について「主面に向かう方向」及び「主面に沿って」は、主面に垂直及び水平な方向を意味するにすぎず、レンズが加工対象物の上に存在することを要し
ない。

15

ウ

切断予定ラインの一端部における改質領域の形成（構成要件１Ｇ、１Ｈ
及び２Ａ）について「切断予定ラインの一端部」は、本件明細書において何ら限定されておらず、また、課題の解決という観点からも、対物レンズを初期位置に保持する範囲はレーザ光のずれをもたらす加工対象物の形状変動全体を含20

むのが望ましく、形状変動はシリコンウェハの面取り部分に限定されない（本件各発明はシリコンウェハのみを加工対象物として想定している
わけではない。）から、加工対象物において使用者が切断を所望、予定
するラインの一方の端部と理解すべきである。
対象製品１⑵Ｂは、初期位置保持領域において対物レンズを保持した状

25

態で加工用レーザを照射し加工対象物にレーザ加工を行うから、「切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し」ている。

17

エ

制御手段（構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ及び２Ｂ）について
アプリケーション及びシステムの作成、調整は、パラメータの調整によってされるところ、パラメータ調整が販売後にされることをもって、制御手段が完成していないとはいえない。
したがって、対象製品１⑵Ｂは、「制御手段」を備える。

5（被告の主張）対象製品１⑵Ｂは、販売後、被告エンジンＢを被告エンジンＡに交換しており、現在、対象製品１⑵Ｂは存在しない。
対象製品１⑵Ｂは、構成要件１Ａ、１Ｆ、１Ｇ及び１Ｈ並びに２Ａ及び２
10

Ｂ、ひいては構成要件２Ｃを充足せず、したがって、本件各発明の技術的範囲に属しない。
ア

改質領域の形成（構成要件１Ａ、１Ｇ、１Ｈ及び２Ａ）について「改質領域」とは、本件明細書の記載によれば、多光子吸収によって形成されるものを意味する。
対象製品１⑵Ｂにおいては、多光子吸収によって加工領域が形成される15ことはないから、「改質領域」は形成されない。
イ

レンズの保持態様（構成要件２Ｂ）について「レンズを…主面に向かう方向に駆動させずに保持する…と共に…主面に沿って相対的に移動させる」は、レンズが加工対象物の上にあることを前提とする。

20

対象製品１⑵Ｂは、対物レンズがシリコンウェハ上にある間はＡＦ追従を行っており、対物レンズを保持していない。
ウ

切断予定ラインの一端部における改質領域の形成（構成要件１Ｇ、１Ｈ
及び２Ａ）について

25「切断予定ラインの一端部」とは、シリコンウェハの面取り部分を意味するところ、面取り部分は一般に加工対象ではない。すなわち、面取り

18

部分を有しないシリコンウェハは、本件各発明の課題に直面しておらず、
本件明細書にも記載はないから、本件各発明における加工対象物は面取り部分を有するシリコンウェハに限定され、かつ「切断予定ラインの一端部」とはシリコンウェハの面取り部分を意味すると理解すべきである。
また、本件明細書には、対物レンズの高さを初期位置に保持する制御を5

解除する時点については、反射光全光量基準で観測する方法しか開示されていないから、同方法により観測した時点において上記制御を解除す
るものと理解すべきであり、結局「一端部」はシリコンウェハの面取り部分を意味する。
対象製品１⑵Ｂは、シリコンウェハの端部においてＡＦ固定制御を行っ10ているが、当該部分においてレーザ加工をしておらず、シリコンウェハの面取り部分すなわち「切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し」ていない。
エ

制御手段（構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ及び２Ｂ）について
対象製品１⑵Ｂは、販売後に、客先においてアプリケーション及びシス

15

テムを作成、調整することにより、初めてＡＦ追従に係る制御手段が完成、実現する。そして、被告は、対象製品１⑵Ｂを海外の顧客にのみ販売している。すなわち、対象製品１⑵Ｂの制御手段は国内では完成しておらず、海外で初めて完成するから、対象製品１⑵Ｂは、国内に存在す
る限り、構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ及び２Ｂを充足しない。

20⑶

争点③（対象製品１⑴、１⑵Ａ、２が本件各発明の技術的範囲に属するか。）について（原告の主張）対象製品１⑴、１⑵Ａ及び２は、構成要件１Ａ、１Ｆ、１Ｇ及び１Ｈ並び

25に２Ａ及び２Ｂをいずれも充足し、その他本件発明１の構成要件を充足するから、構成要件２Ｃを充足し、本件各発明の技術的範囲に属する。

19

ア

改質領域の形成（構成要件１Ａ、１Ｇ、１Ｈ及び２Ａ）について「改質領域」は、多光子吸収によって形成されるものに限定されない（前記⑵（原告の主張）ア）。
対象製品１⑴、１⑵Ａ及び２は、レーザ光を加工対象物であるシリコン
ウェハの内部に集光点を合わせて照射し、集光点を走査することによっ

5て、集光点及びその上部に「改質領域を形成」する。
イ

対物レンズの保持態様（構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ及び２Ｂ）についてレンズを「初期位置に」「保持」するとは、結果として得られる状態を10

いうにすぎず、固定する制御をする場合に限定されない。また、「主面に向かう方向」及び「主面に沿って」は、主面に垂直及び水平な方向を意味するにすぎず、レンズが加工対象物の上に存在することを要しない。
対象製品１⑴、１⑵Ａ及び２は、対物レンズを初期位置に保持した状態で切断予定ラインの一端部においてレーザ光を照射して改質領域を形成15するものであり、「初期位置に…レンズを保持」している。また、対象
製品１⑴、１⑵Ａ及び２は、加工対象物のレーザ加工終了後、対物レン
ズをＡＦ追従が終了した時点等の高さに、「レンズを…主面に向かう方向に駆動させずに保持」するとともに、「レンズと…加工対象物とを…
主面に沿って相対的に移動させる」。すなわち、シリコンウェハの端部

20は欠けを防止するため面取りされて丸みを帯びていることから高低差が大きく、また、シリコンウェハの表面に積層部（機能素子）を構成する際に使用した材料が主面（裏面）側に回り込んで堆積するなどしてＡＦ
追従不可能な形状変更を来していることがあるため、シリコンウェハの端部においてＡＦ固定する機能なく加工を行うことは不可能であり、標25

準的なＡＦ追従開始位置はＸ軸座標５ｍｍ地点である。したがって、対象製品１⑴、１⑵及び２は、ＡＦ固定機能を有しているはずである。そ20

して、対象製品１⑴、１⑵Ａ及び２は、ＡＦ低追従制御を行う際には、所定の上限値の範囲内でピエゾアクチュエータを制御しているというのであり、対物レンズと加工対象物との主面との間隔を目標距離に維持す
る制御を行わず（したがって、「…レンズと…主面との間隔を調整しながら保持するように…保持手段を制御し」（構成要件１Ｈ）ていな

5い。）、実際にもＸ軸座標０から１０ｍｍの区間においては対物レンズの位置は変位しないよう制御されているから、同区間において初期位置に対物レンズを保持しているというべきである。
ウ
10

切断予定ラインの一端部における改質領域の形成（構成要件１Ｇ、１Ｈ
及び２Ａ）について「切断予定ラインの一端部」は、加工対象物において使用者が切断を所
望、予定するラインの一方の端部と理解すべきである（前記⑵（原告の主張）イ）。また、「切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に」とは、対物レンズの高さを初期位置に保持する制御を解除

15する時点を、「切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後」のどの時点とするかは特定していない。
対象製品１⑴、１⑵Ａ及び２は、対物レンズが走査開始待機位置にある
ときから加工用レーザを照射することができ、加工対象物の端部を始点とするあらかじめ設定された所定の距離の区間（典型的には５ｍｍ）に20

おいてＡＦ固定制御又はＡＦ低追従制御をしてレーザ加工をすることができる。具体的には、対象製品１⑴、１⑵Ａ及び２においては、加工対象物の位置の検出方法として光量基準を選択し、かつ、対物レンズが走査開始待機位置にあるときから加工用レーザ光を照射するよう設定することが可能であり、これにより、面取り部分のあるシリコンウェハにつ25

いて、光量基準によりシリコンウェハの端部として検出される実際のシ
リコンウェハの端部より内側の点まで、対物レンズを固定したまま加工

21

用レーザ光を照射することができ、すなわち、シリコンウェハの一端部においてＡＦ固定制御をしてレーザ加工をすることができ、実際、主面に近い深さ（少なくとも主面から約６５μｍの深さ）では面取り部分においても改質領域の形成が可能である。なお、面取り部分のあるシリコ
ンウェハの加工において光量基準を選択することは例えば後工程請負業

5

者の行う４分の１シリコンウェハ小片を用いた切断加工試験において実用的であり、対象製品を購入した業者が自ら加工条件を調整、設定をすることは可能である。したがって、対象製品１⑴、１⑵Ａ及び２は、「切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し」ている。
10エ

制御手段（構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ及び２Ｂ）についてパラメータ調整が追ってされることをもって、制御手段が完成していな
いとはいえない（前記⑵（原告の主張）ウ）。
したがって、対象製品１⑴、１⑵Ａ及び２は、「制御手段」を備える。

（被告の主張）対象製品１⑴及び１⑵Ａは、構成要件１Ａ、１Ｆ、１Ｇ及び１Ｈ並びに２15

Ａ及び２Ｂ、ひいては構成要件２Ｃを充足せず、したがって、本件各発明の技術的範囲に属しない。
ア

改質領域の形成（構成要件１Ａ、１Ｇ、１Ｈ及び２Ａ）について「改質領域」とは、多光子吸収によって形成されるものを意味する（前記⑵（被告の主張）ア）。

20

対象製品１⑴及び１⑵Ａにおいては、多光子吸収によって領域が形成されることはなく、すなわち改質領域は形成されない。
イ

レンズの保持態様（構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ及び２Ｂ）について25

レンズを「初期位置に」「保持」するとは、レンズを初期位置に固定することをいう。また、「レンズを…主面に向かう方向に駆動させずに保22

持する…と共に…主面に沿って相対的に移動させる」は、レンズが加工対象物にあることを前提とする。
対象製品１⑴及び１⑵Ａは、シリコンウェハ端部から所定の距離の範囲においてもＡＦ追従を停止してＡＦ固定することはなく、シリコンウェ
5

ハが存在する領域全体において対物レンズをシリコンウェハの主面に対して進退自在に保持しており、一定の領域において対物レンズを特定の「初期位置に」「保持」するということはない。対象製品１⑴及び１⑵Ａは、シリコンウェハの端（ウェハエッジ）から所定の距離の範囲においては、シリコンウェハの形状計測結果等から算定した測距用レーザ光10の集光点の高さの値と、対物レンズとシリコンウェハの主面との距離の測定値に一定の係数を乗じた値に基づいて、所定の上限値の範囲内でピエゾアクチュエータを制御しており、その結果、シリコンウェハの端部から所定の距離の範囲においてはＡＦ低追従を行う。そして、ピエゾア
クチュエータが対物レンズとシリコンウェハの主面との距離の測定値に15基づいて制御されることから明らかなように、シリコンウェハの端部から所定の距離の範囲においても、対物レンズを特定の位置に保持しておらず、ＡＦ追従によって変位させており、変位量が小さいことから直ちに固定しているということになるものではない。ＡＦ低追従制御においては、対物レンズと主面との距離が所定の距離よりも長い場合には対物20レンズを下降させ、対物レンズと主面との距離が所定の距離よりも短い
場合には対物レンズを上昇させるから、「…レンズと…主面との間隔を調整しながら保持するように…保持手段を制御し」（構成要件１Ｈ）ているものであり、対物レンズを「初期位置に」「保持」していない。なお、制御開始点付近では物理法則に従い動き出しの変位は小さくなるの25であり、制御開始点付近で対物レンズの変位量が小さくなることは技術上の制約から不可避である。また、対象製品１⑴及び１⑵Ａは、対物レ

23

ンズがシリコンウェハ上にある間はＡＦ追従を行っており、対物レンズを保持していない。
ウ

切断予定ラインの一端部における改質領域の形成（構成要件１Ｇ、１Ｈ
及び２Ａ）について

5「切断予定ラインの一端部」とは、シリコンウェハの面取り部分を意味するところ、面取り部分は一般に加工対象ではない（前記⑵（被告の主張）イ）。
対象製品１⑴及び１⑵Ａは、シリコンウェハの端部からＡＦ低追従及びＡＦ追従制御を行っており、しかも、当該部分においてレーザ加工をし10ておらず、対物「レンズを保持した状態」でシリコンウェハの面取り部分すなわち「切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し」ていない。対象製品１⑴及び１⑵Ａにおいては、座標基準により加工対象物の位置を検出するようアプリケーションを設定しており、これらによりシリコンウェハを量産加工する際、光量基準を選択して面取り部分のあ

15

るシリコンウェハを加工することはなく、被告は利用者が独断でそのような設定をしている事実も認識していない。仮に、利用者が独断でそのような設定をした場合には、そのような制御を行う製品を完成させたのは利用者であって被告ではない。仮に、光量基準を選択し、かつ、対物レンズが走査開始待機位置にあるときから加工用レーザ光を照射するよ20

う設定して、面取り部分を有するシリコンウェハを加工したとしても、主面から遠い深さのみならず主面に近い深さでも面取り部分において改質領域を形成することはできない。そもそも、対象製品１⑴及び１⑵Ａにおいては、面取り部分を有するシリコンウェハ（厚さ７７５μｍ）について主面から約６５μｍという浅い部分にレーザ加工をすることはな

25

い。なお、被告は、対象製品１⑴及び１⑵Ａにおいてアプリケーション設定を行う際には光量基準を用いているが、その際でも面取り部分を有24

しないシリコンウェハを用いて切断加工試験を行っている。
エ

制御手段（構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ及び２Ｂ）について
対象製品１⑴及び１⑵Ａの制御手段は国内では完成しておらず、海外で初めて完成するから、対象製品１⑴及び１⑵Ａは、国内に存在する限り、構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ及び２Ｂを充足しない。

5⑷

争点④（本件特許が特許無効審判により無効にされるべきものと認められるか。）について（被告の主張）本件特許には、次のとおり無効理由があり、特許無効審判により無効にさ10れるべきものである。
ア

無効理由１（サポート要件違反）
本件明細書では、改質領域の形成は多光子吸収によってされるとされている一方、本件各発明は、改質領域の形成が単光子吸収によってされる場合も含むというのであるから、本件各発明は、本件明細書の発明の15

詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
本件明細書では、加工対象物の端部にレンズを保持した状態でレーザ光を照射する構成しか開示されていない一方、本件各発明は、加工対象物の端部に改質領域を形成することを必須としておらず、加工対象物の端部にレンズを保持した状態でレーザ光を照射しないもの、すなわち、

20

加工対象物の平面視中央部分のみに切断予定ラインを設定するもの等も含む内容となっていることから、本件各発明は、本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。本件明細書によれば、本
件各発明は、加工対象物の端部の形状変動による影響を排除して改質領域を形成できるという効果を奏するものであるとされているところ、加25

工対象物の端部に改質領域を形成することを前提としなければ、本件各発明の解決すべき課題を解決できると認識できない。

25

本件明細書では「切断予定ラインの一端部」は面取り部分であるとされており、光量基準によってレンズを初期位置に保持した状態を解除すべき「一端部」の終端を検知する方法しか記載されていないから、仮に「切断予定ラインの一端部」が面取り部分よりも内側にも存在し本件各発明が任意の位置においてレンズの保持状態を解除することをも含むと5

すれば、本件各発明は、本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
イ

無効理由２（明確性要件違反）
本件明細書には本件各発明の改質領域が多光子吸収によってされる旨記載されている。本件各発明が単光子吸収によってされる場合も含むのであ10

れば、本件明細書の記載内容と矛盾するものであり、本件各発明は、明確であるとはいえない。
ウ

無効理由３（実施可能要件違反）
仮に「切断予定ラインの一端部」が面取り部分よりも内側にも存在し本件各発明が任意の位置においてレンズの保持状態を解除することをも含

15

むとすれば、本件明細書には、光量基準によってレンズを初期位置に保持した状態を解除すべき「一端部」の終端を検知する方法しか記載されておらず、光量基準によっては任意の位置を選択して検出することはできないから、本件明細書は、当業者が、本件各発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。なお、

20

座標基準は当時知られていなかった。
（原告の主張）ア

無効理由１について
改質領域が多光子吸収によって形成されるか単光子吸収によって形成25

されるかにかかわらず、本件明細書の記載により当業者が「加工対象物の端部におけるレーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレ

26

ーザ加工を行うことができるレーザ加工装置を提供する」という本件各発明の課題を解決することができると認識できることは明らかである。
本件各発明は、加工対象物の端部に改質領域を形成することを必須としておらず、加工対象物の端部にレンズを保持した状態でレーザ光を照射しないものも含む内容となっているが、加工対象物の端部の範囲内で5レーザ照射をしない（切断予定ラインを設定しない）等という使い方は非実用的であって通常想定されておらず、そのような極端な場合を前提にサポート要件を議論すべきではない。また、加工対象物の端部の範囲を超えた後でレーザ照射がされる場合であっても、本件各発明が集光点のずれを極力少なくできることは明らかであるし、それにより加工対象

10

物の端部の範囲を気にすることなくレーザ照射の開始位置を決定でき、課題を解決することが可能である。
本件各発明においては、「切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に」レンズを初期位置に保持した状態が解除されるにす
ぎず、切断予定ラインの一端部の終端は検知する必要はなく、当業者が15任意に決定し得るものである。本件各発明においては、加工対象物の位置を検知する方法は何ら限定されていない。
イ

無効理由２について
本件明細書の記載は、改質領域が多光子吸収のみによって形成されるとはしておらず、被告の主張は前提を欠く。

20

ウ

無効理由３について
本件各発明においては、「切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に」レンズを初期位置に保持した状態が解除されるにすぎず、切断予定ラインの一端部の終端は検知する必要はなく、当業者が任25

意に決定し得るものである。本件各発明においては、加工対象物の位置を検知する方法は何ら限定されていない。

27

⑸争点⑤（原告が被告に対し対象製品１⑵Ｂの製造等につき許諾を与えたか。）について（被告の主張）原告は、平成２６年１０月８日、被告に対し、●（省略）●被告が開発、5製造したＳＤエンジンを搭載したＳＤ装置すなわち対象製品１⑵Ｂを製造して販売することについて許諾を与えた（以下、被告が同日に被告が原告に対してしたと主張する上記の内容の許諾を「本件許諾」という。）。
●（省略）●原告が主張する合意内容は、およそ半導体製造装置の開発、販売過程等から遊離した経済合理性等を全く無視したものとなっており不合10理である。また、本件業務提携契約は原告エンジンを搭載したＳＤ装置に係るものであるのに対し、本件許諾は被告が製造するＳＤエンジンを搭載したＳＤ装置についてのものであって、合意の対象が異なるから、本件許諾は本
件業務提携契約の範囲外である。
仮に、本件許諾がサムスン社を顧客とするＳＤ装置１台の製造、販売等に15関するものであったとしても、その１台の製造、販売等は、試作機及び顧客が試作機を評価した上で購入に至ったＳＤ装置の製造、販売等を意味し、したがって、別紙対象製品１⑵Ｂ売上一覧記載番号１の製造、販売については許諾があった。一般に、試作機はそのままそれを販売の対象とする場合もあ
れば、サムスン社のように試作機は返却した上で試作機と同一の仕様の製品

20を販売の対象とする場合もあり、両者を区別して前者のみに許諾を与えたものであると理解することは商慣習上あり得ない。
（原告の主張）原告は、平成２６年１０月８日、被告に対し、●（省略）●その他、被告が開発、製造したＳＤエンジンを搭載したＳＤ装置すなわち対象製品１⑵Ｂ

25の製造、販売を許諾したことはなく、原告が、被告が主張する本件許諾をしたことはない。

28すなわち、被告からは●（省略）●ステルスダイシング業界においては、
試作機は１台のみ提供するのが常識であり、また、紹介のみであれば１台提供すれば十分であるから、平成２６年１０月８日にされた許諾の対象は●（省略）●別紙対象製品１⑵Ｂ売上一覧記載番号１の製造、販売については許諾していない。

5⑹

争点⑥（被告が各対象製品を製造等するおそれがあるか。）について（原告の主張）被告は、今後も、対象製品１⑴、１⑵Ａを製造等するおそれがあるのみな
らず、対象製品１⑵Ｂを現に使用している顧客から追加で発注を受けることなどにより、対象製品１⑵Ｂを製造等するおそれがある。

10（被告の主張）被告は、現在、各対象製品の製造等をしていない。被告は、被告エンジン
Ａを独自に開発した上で対象製品１⑴、１⑵Ａを製造等し、販売した対象製品１⑵Ｂのエンジンも全て被告エンジンＡに交換した上、さらに、その後、対象製品１⑴、１⑵の製造等も中止したから、将来、各対象製品を製造等す

15

る可能性はない。
⑺

争点⑦（廃棄の必要があるか。）について（原告の主張）本件特許権の侵害の予防のためには各対象製品の廃棄が必要である。
（被告の主張）20

被告は各対象製品の製造等を終了しており、廃棄することのできる各対象製品は存在しない。
⑻

争点⑧（原告の受けた損害又は損失及び額）について（原告の主張）25

ア

特許法１０２条２項の算定による損害額（主位的請求のうち選択的主張①）

29原告は、ＳＤ装置を販売していないが、ＳＤ装置を販売する業者に対し、ＳＤ装置の部品である原告エンジンを販売し、その保守管理をすることにより利益を得ているから、被告による各対象製品の販売がなければ、被告と唯一の競争関係にあるディスコ社がＳＤ装置を販売することができ、し5たがって、原告はディスコ社に対し原告エンジンを販売することができたから、原告はこれにより利益を受けることができた。
すなわち、被告とディスコ社は、海外及び国内において、ほぼ独占的にＳＤ装置を販売しているから、被告による各対象製品の製造、販売により、ディスコ社の製造に係るＳＤ装置の販売数量が減少し、その結果、原告の10

ディスコ社に対する原告エンジンの販売数量が減少し、原告エンジンの販売に係る利益、販売後に必要となるＬＤ（レーザダイオード）モジュールの交換販売に係る利益、包括許諾により付加的に受領していた実施料相当額の利益を得られなかった。また、より端的には、原告は、被告に対し原
告エンジンを販売していたところ、被告による被告エンジンＡ又はＢを搭15載した各対象製品の販売により、原告の被告に対する原告エンジンの販売数量が減少し、原告エンジンの販売に係る利益を得られなかった。
原告は被告による合計●（省略）●台の各対象製品の製造販売により損害を受け、被告は各対象製品の製造販売により利益を受けたところ、同利益の額が原告が受けた損害の額と推定される（特許法１０２条２項）。

20

各対象製品●（省略）●台の製造、販売についての損害について
各対象製品●（省略）●台の限界利益の額は●（省略）●円であり、このうちＳＤエンジンの貢献の割合は７５％であるというべきであるか
ら、原告の損害額は●（省略）●円であると推定される。原告が本件訴訟追行に要した弁護士費用のうち２億２４２５万円は被告の不法行為と25

相当因果関係のある損害として被告が負担すべきである。したがって、損害額の合計は●（省略）●となる。

30

原告は、このうち２４億円、及び、うち平成３０年１０月までの製造、販売についての損害２１億円に対する同年１１月１日から支払済みまで、
うち同月以降の製造、販売についての損害３億円について令和２年２月１日から支払済みまで年５分の割合による遅延損害金の支払を求める。
前記

5

ａ

のうち対象製品１⑵Ｂの製造、販売についての損害について

対象製品１⑵Ｂの売上額について
被告は、平成２８年３月から平成３０年８月まで、別紙対象製品１⑵Ｂ売上一覧記載のとおり、合計●（省略）●台の対象製品１⑵Ｂを製造販売した。このうちＲＭモジュールと共に販売されたものについてＲＭモジュールを除いた本体金額は、別紙対象製品１⑵Ｂ売上一覧

10

記載番号●（省略）●円とみるべきである。そうすると、●（省略）●台分の売上額は合計●（省略）●円となる。
ｂ

控除すべき経費等について
対象製品１⑵Ｂの限界利益率は、●（省略）●％であり、別紙対
象製品１⑵Ｂ売上一覧記載の●（省略）●台の限界利益の合計は●15（省略）●円である。
ｃ

推定覆滅事由について
原告は、ＳＤ装置ではなくＳＤエンジンである原告エンジンを販売しており、被告とは業態が異なるが、ＳＤエンジンがＳＤ装置の市場価値を決定づけていることからすれば、ＳＤ装置の販売利益のうちＳ

20

Ｄエンジンの貢献の割合が７５％であるというべきである。すなわち、現在、量産されているシリコンウェハの切断装置はＳＤ装置とブレード装置の２種類のみであり、ＳＤ装置は、ブレード装置にない機能を備えており、その販売価格もブレード装置の販売価格の数倍である。
このようなＳＤ装置の価値はＳＤエンジンの価値そのものによる。

25

ｄ

小括

●（省略）●円

31

以上から、原告の損害額は標記額と推定される。
●（省略）●×0.75＝●（省略）●
ｅ

弁護士費用

●（省略）●円

原告が本件訴訟追行に要した弁護士費用のうち標記額は、被告の不法行為と相当因果関係のある損害として被告が負担すべきである。

5

ｆ
イ

合計

●（省略）●円

特許法１０２条１項の算定による損害額（主位的請求のうち選択的主張②）
原告は、ＳＤ装置を販売していないが、ＳＤ装置を販売する業者に対し、

10ＳＤ装置の部品である原告エンジンを販売し、その保守管理をすることにより利益を得ているから、被告による各対象製品の販売がなければ、被告と唯一の競争関係にあるディスコ社がＳＤ装置を販売することができ、したがって、原告はディスコ社に対し原告エンジンを販売することができたから、原告はこれにより利益を受けることができた。

15

すなわち、被告とディスコ社は、海外及び国内において、ほぼ独占的にＳＤ装置を販売しており、また、ＳＤ装置に搭載するＳＤエンジンは原
告のみが販売しているから、被告による対象製品の製造販売により、ディスコ社が製造するＳＤ装置の販売数量が減少し、その結果、原告のディスコ社に対する原告エンジンの販売数量が減少するのであって、ＳＤ

20

エンジンである原告エンジンの市場とＳＤ装置である各対象製品の市場は競合する。
そして、原告は、被告による各対象製品の製造販売がなければ、原告エンジン一式（ＳＤエンジン本体、ＡＦユニット及び対物レンズ）及び定期メンテナンスに伴う交換部品（ＬＤモジュール）を販売することがで25きたから、これらの単位数量当たりの利益の額に、被告が販売した各対象製品及び交換部品の数量を乗じて得た額が原告が受けた損害の額と推32定される。
各対象製品●（省略）●台の製造、販売についての損害について
被告による各対象製品●（省略）●台の販売により原告が受けた損害の額は１６億３８５８万６２１８円であり、原告が本件訴訟追行に要し5た弁護士費用のうち２億２４２５万円は被告の不法行為と相当因果関係のある損害として被告が負担すべきである。したがって、損害額の合計
は１８億６２８３万６２１８円となる。
前記
ａ

10

のうち対象製品１⑵Ｂの製造、販売についての損害について

別紙対象製品１⑵Ｂ売上一覧記載番号●（省略）●について
被告エンジンＢに相当する原告が製造する原告エンジンは型番８００ＤＳであり、同一式の販売価格は●（省略）●円（ＳＤエンジン本体●（省略）●円、ＡＦユニット●（省略）●円、対物レンズ●（省略）●円の合計）であり、原価は●（省略）●円（ＳＤエンジン本体●（省略）●円、ＡＦユニット●（省略）●円、対物レンズ●（省略）15●円の合計）であるから、原告エンジン一式の単位数量当たりの利益の額は●（省略）●円である。被告は、標記の●（省略）●台を販売した。
また、ＬＤモジュールは●（省略）●交換する必要があり、ＳＤ装置の使用期間は●（省略）●であるから、原告は、ＳＤ装置１台当た

20

り●（省略）●台のＬＤモジュールを販売することができた。原告エンジン型番８００ＤＳに対応するＬＤモジュールは１台当たり●（省略）●円であり、原価は●（省略）●円であるから、単位数量当たりの利益の額は●（省略）●円である。
以上から、被告による標記製品の販売により、原告が受けた損害額

25

は●（省略）●円である。
●（省略）●

33

ｂ

別紙対象製品１⑵Ｂ売上一覧記載番号●（省略）●について
標記製品については、原告エンジン型番１０００ＤＳを前提に、同一式の販売価格は●（省略）●円（ＳＤエンジン本体●（省略）●円、ＡＦユニット●（省略）●円、ＡＦコントローラ●（省略）●円、Ａ
Ｆ増設ユニット●（省略）●円、治具●（省略）●円の合計）であり、5

原価は●（省略）●円（ＳＤエンジン本体●（省略）●円、ＡＦユニ
ット●（省略）●円、ＡＦコントローラ●（省略）●円、ＡＦ増設ユニット●（省略）●円、治具●（省略）●円の合計）であるから、原告エンジン一式の単位数量当たりの利益の額は●（省略）●円である。
被告は、標記の●（省略）●台を販売した。

10

また、ＬＤモジュールは●（省略）●交換する必要があり、ＳＤ装置の使用期間は●（省略）●であるから、原告は、ＳＤ装置１台当たり●（省略）●台のＬＤモジュールを販売することができた。原告エンジン型番１０００ＤＳに対応するＬＤモジュールは１台当たり●（省略）●円であり、原価は●（省略）●円であるから、単位数量当15たりの利益の額は●（省略）●円である。
以上から、被告による標記製品の販売により、原告が受けた損害額
は●（省略）●円である。
●（省略）●ｃ20

小括●（省略）●円

以上から、原告の損害額は標記額となる。

ウ
25

ｄ

弁護士費用

ｅ

合計

１億２１８７万５０００円
１０億０１５７万６５３０円

特許法１０２条３項の算定による損害額（主位的請求のうち選択的主張③）
各対象製品●（省略）●台の製造、販売についての損害について

34

各対象製品●（省略）●台の売上額は●（省略）●円であり、本件特許の実施料相当額はこの３５％であるというべきであるから、原告の損害額は●（省略）●円となる。原告が本件訴訟追行に要した弁護士費用のうち２億２４２５万円は被告の不法行為と相当因果関係のある損害として被告が負担すべきである。したがって、損害額の合計は●（省略）5●円となる。
前記ａのうち対象製品１⑵Ｂの製造、販売についての損害について

実施料相当額●（省略）●円

原告は、原告エンジン一式の製造についてはこれに関して原告が有する一連の特許の使用許諾を一切せず、原告エンジンを購入する者に10対してＳＤ装置の製造について原告の有する特許の実施許諾をして利益を得ていたから、原告が合意し得る本件特許の実施料相当額は、原告エンジン一式及びＬＤモジュールの販売についての原告の利益額とライセンス料の合計であり、ＳＤ装置の販売価格の３５％である。なお、原告が訴えを提起しているのは、一連の特許のうちの本件特許を15含む一部の特許に関してであり、訴訟が係属していない特許を考慮して実施料相当額を減額することはあり得ない。
被告は対象製品１⑵Ｂを●（省略）●台販売し、このうちＲＭモジ
ュールを除いた際の本体金額は、別紙対象製品１⑵Ｂ売上一覧記載番号●（省略）●円となる。

20

したがって、原告がこれに対し受けるべき金銭の額に相当する額は、標記額である。
●（省略）●×35％＝●（省略）●

25

エ

ｂ

弁護士費用

ｃ

合計

●（省略）●円●（省略）●円

民法７０９条における損害額（特許法１０２条の適用を主張しないもの。

35

主位的請求のうち選択的主張④）
被告とディスコ社は、海外及び国内において、ほぼ独占的にＳＤ装置を販売しており、また、ＳＤ装置に搭載するＳＤエンジンは原告のみが販売しているから、被告による対象製品の製造販売により、ディスコ社が製造するＳＤ装置の販売数量が減少し、その結果、原告のディスコ社に5対する原告エンジンの販売数量が減少するのであって、ＳＤエンジンである原告エンジンの市場とＳＤ装置である各対象製品の市場は競合し、原告は、被告による各対象製品の製造販売がなければ、原告エンジン一式（ＳＤエンジン、ＡＦユニット及び対物レンズ）及び定期メンテナン
スに伴う交換部品（ＬＤモジュール）を販売することができ、ＳＤ装置10の製造に対して関連特許の実施料（ＳＤ装置の販売価格の●（省略）●％相当額）を得られた。
各対象製品●（省略）●台の製造、販売についての損害について
原告の逸失利益は、特許法１０２条１項により算定される損害額１６
億３８５８万６２１８円（前記イ15）及び実施料相当額１億４１００万円（●（省略）●）の合計１７億７９５８万６２１８円である。原告が本件訴訟追行に要した弁護士費用のうち２億２４２５万円は被告の不法行為と相当因果関係のある損害として被告が負担すべきである。したがって、損害額の合計は２０億０３８３万６２１８円となる。
前記

20

ａ

のうち対象製品１⑵Ｂの製造、販売についての損害について

逸失利益

９億５４７０万１５３０円

原告の逸失利益は、８億７９７０万１５３０円（前記イｃ）に、関連特許の実施料相当額７５００万円を加えた標記額である。

25

オ

ｂ

弁護士費用

ｃ

合計

１億２１８７万５０００円
１０億７６５７万６５３０円

不当利得（予備的請求）36前記ウのとおり、被告は、本件特許の実施料相当額を法律上の原因なく不当に利得し、原告はこれによって損失を被った。
各対象製品●（省略）●台の製造、販売に係る損失の額は１６億３８２
９万０８００円であり（前記ウ）、このうち対象製品１⑵Ｂの製造、販売についての損失の額は９億１２８１万３２１９円（同イａ）である。

5（被告の主張）ア

特許法１０２条２項の算定による損害額について
被告による各対象製品の販売等がなければ、原告が利益を得られたとは
いえない。

10

すなわち、特許法１０２条２項が適用されるのは、同項に基づく推定を正当化できる場合、具体的には、特許権者等が少なくとも侵害品と代替性がある競合品を販売している場合に限られる。同項の推定の基礎には、侵害者が侵害品を販売して利益を得ていなければ特許権者は自己の製品を販売してこれと同額の利益を得られたはずであるという一応の経験則15であるから、同項により推定される逸失利益は、侵害品と代替性があり市場で競合する製品の売上減少による逸失利益に限定される。原告は、ＳＤエンジンである原告エンジンを製造、販売するにすぎず、ＳＤ装置の製造、販売は行っておらず、原告エンジンはＳＤ装置の代替品として用いることはできないのであるから、原告エンジンは各対象製品の代替

20

品ではなく、原告エンジンと各対象製品は市場において競合しないから、各対象製品の売上額は同項による推定の基礎とはならない。
また、被告とディスコ社のＳＤ装置の販売先は海外の者が大半であり、海外には競合となるＳＤ装置の製造販売事業者が存在するし、サムスン
社は複数の業者からＳＤ装置を購入する体制を採用しているから、被告

25によるＳＤ装置の製造販売がなければ、サムスン社がディスコ社からＳＤ装置を購入し、翻って、原告がディスコ社に対し原告エンジンを販売

37できたとはいえない。さらに、被告によるＳＤ装置の製造販売がなければ、ＴＩ社が被告のＳＤ装置の代わりにディスコ社のＳＤ装置を購入していたともいえない。
仮に、本件において特許法１０２条２項が適用されるとしても、対象製
5品１⑵Ｂの製造、販売により原告が受けた損害額は次のとおり算定される。
限界利益について被告による対象製品１⑵Ｂの販売等がなければ原告が得られた利益は、対象製品１⑵Ｂのうち被告エンジンＢについての限界利益のみであるか10

ら、これを原告が受けた損害額の算定の基礎とすべきである。具体的には、対象製品１⑵Ｂの販売価格が●（省略）●円であり、被告が原告から原告エンジンを●（省略）●円で購入していたことを参考にして、対象製品１⑵Ｂの限界利益の●（省略）●％が被告エンジンＢによるものと考えるべきである。

15

そして、別紙対象製品１⑵Ｂ売上一覧記載番号●（省略）●の限界利
益は●（省略）●円であるから、被告エンジンＢについての限界利益に相当する額は、●（省略）●円となる。
●（省略）●
推定覆滅事由について

20

次の各事情を考慮すれば、被告エンジンＢの限界利益に相当する額を算定の基礎とする場合にはその８９％、対象製品１⑵Ｂの限界利益の額を算定の基礎とする場合にはその９７％について、少なくとも特許法１０２条２項の推定が覆滅されるというべきである。
まず、対象製品１⑵ＢはＳＤ装置であるのに対し原告はＳＤエンジン

25である原告エンジンを製造販売するにすぎず、その市場は同一ではないから、仮に、対象製品１⑵Ｂの販売による限界利益全額を原告が受けた38

損害額の基礎とする場合には、その●（省略）●％について推定が覆滅される。なお、量産されているシリコンウェハの切断装置には、ＳＤ装置、ブレード装置のほか、ＵＶレーザを使用した装置も存在する。そもそも、ＳＤ装置の販売価格をブレード装置の販売価格と比較することに
5は何らの意味もない。
また、海外においては、複数の業者がＳＤ装置を製造、販売しており、半導体製造業者は複数の業者からＳＤ装置を購入する体制を採用しているから、市場において競合品が存在している。
被告は、従来からの顧客に対し、築き上げてきた良好な関係や積極的

10

な営業活動を活かして、対象製品１⑵Ｂを販売するに至ったのであり、このような被告の既存の顧客に対して、ディスコ社が原告エンジンを搭載した製品を販売できたとは限らない。
対象製品１⑵Ｂには、シリコンウェハの透過率がほどよい、亀裂を生
むための力を内部に集約しやすい、デバイスへのダメージが少ない、加15

工スピードを調整できるなど、ディスコ社の製品にはない特徴があり、このような特徴は、被告が営業活動において強調してきた結果、顧客の高い評価を受け、対象製品１⑵Ｂの販売につながった。したがって、ディスコ社が対象製品１⑵Ｂの代わりに原告エンジンを搭載した製品を販売できたとは限らない。

20

さらに、対象製品１⑵Ｂの販売等について、本件のほか、複数の特許権の侵害を理由とする各別件訴訟が係属しているところ、対象製品１⑵Ｂが本件各発明以外の技術の特徴を備えていることは、推定覆滅事情として考慮されるべきである。
小括25●（省略）●円

以上を前提にすると、１０２条２項の算定による原告が受けた損害額
は、せいぜい標記額である。

39

●（省略）●×11%≒●（省略）●
弁護士費用について
否認ないし争う。
イ5

特許法１０２条１項の算定による損害額について
被告による各対象製品の販売等がなければ、原告が原告エンジンを販売することができたとはいえない。
すなわち、特許法１０２条１項は、特許権者が特許発明の実施品を市場で独占的に販売することができる地位にあることから、侵害品の販売等がなければ、これに代替する特許発明の実施品は特許権者のみが販売す10

ることができたはずであるという理解を前提にした規定であり、したがって、同項１号にいう「特許権者…がその侵害の行為がなければ販売することができた物」とは、侵害行為がなければ販売することができたといえる程度に侵害品との代替性が認められる物でなければならない。そして、原告エンジンは各対象製品の代替品であることはできず、原告エ15

ンジンと各対象製品は市場において競合しないから、各対象製品の販売等について同項を適用することはできない。
また、被告によるＳＤ装置の製造販売がなければ、サムスン社がディスコ社からＳＤ装置を購入し、翻って、原告がディスコ社に対し原告エンジンを販売できたとはいえないし、被告によるＳＤ装置の製造販売がなけれ20

ば、ＴＩ社が被告のＳＤ装置の代わりにディスコ社のＳＤ装置を購入していたともいえない。
仮に、本件において特許法１０２条１項が適用されるとしても、対象製品１⑵Ｂの製造、販売により原告が受けた損害額は次のとおり算定されるべきである。

25

原告の利益について
原告エンジンの販売による利益は立証されているとはいえない。被告

40

は、原告から原告エンジンを●（省略）●円で購入していた。また、Ｌ
Ｄモジュールは、侵害品ではない上、交換は顧客の希望によるものであるから、その販売による利益は原告が受けた損害の算定の基礎に含める
べきではないし、その立証も不十分である。
5

原告のディスコ社に対する原告エンジンの販売台数は多く割引がされていると考えられるから、原告エンジンの販売価格は●（省略）●円であり、その原価は被告のレーザエンジンと同程度の●（省略）●円であると考えられるから、原告エンジンの限界利益は１台当たり●（省略）●円である。

10●（省略）●
実施相応数量について被告が対象製品１⑵Ｂを販売した時期に、ディスコ社が被告の販売数
量と同数のＳＤ装置を製造販売する実施の能力があったことは何ら立証されていない。

15

原告が販売することができないとする事情等
原告がディスコ社に販売した原告エンジンが本件各発明の実施品であるＳＤ装置に搭載されていない場合には、本件各発明は原告エンジンの売上げに貢献していないこと、対象製品１⑵Ｂの販売等について、本件のほか、複数の特許権の侵害を理由とする不法行為による損害賠償請求20

訴訟が２件係属しているところ、対象製品１⑵Ｂが本件各発明以外の技術に係る特徴を備えていることから、原告エンジンの販売による利益のうち８０％は、対象製品１⑵Ｂの販売等により原告が受けた損害の額とすることはできない。
また、市場の非同一性、競合品の存在、被告の営業努力、対象製品１

25⑵Ｂの性能、本件各発明以外の技術に係る特徴など、原告が販売することができないとする事情があり、その数量は、対象製品１⑵Ｂの販売数

41

量の約８９％である●（省略）●台を下らない。
小括●（省略）●円

以上を前提にすると、１０２条１項の算定による原告が受けた損害額
は、せいぜい標記額である。
●（省略）●×20%×●（省略）●－●（省略）●×20%×●（省略）5●＝●（省略）●
弁護士費用について
否認ないし争う。
ウ10

特許法１０２条３項の算定による損害額について
対象製品１⑵Ｂの製造販売により原告が受けた損害額は次のとおり算定されるべきである。
実施料相当額について●（省略）●円

原告が本件各発明の実施に対し受けるべき金銭の額に相当する額の金銭は、対象製品１⑵Ｂの販売価格の●（省略）●％である。
15

すなわち、まず、原告エンジン製造販売による原告の利益、ＬＤモジ
ュールの販売による利益は、実施料相当額の基礎とはならない。原告と被告は、本件業務提携契約において、ステルスダイシングに関して原告が有する●（省略）●件の特許権に係る各特許発明の実施料として、被告が原告に対し被告製造に係るＳＤ装置の販売価格の●（省略）●％相20

当額のロイヤリティを支払うことを合意し、その後、ロイヤリティの額
はＳＤ装置の販売価格の●（省略）●％相当額に変更された。しかも、同実施料は被告が製造するＳＤ装置に本件プレートを貼付することの対価でもあった。したがって、本件各発明の実施料に相当する額は、被告が製造するＳＤ装置の販売価格に、原告と被告が合意していた実施料率25●（省略）●％を特許権の数で除した前記割合を乗じた額を超えることはない。そうでなければ、特に、別件訴訟２の対象である９６５特許に42

係る特許発明と本件各発明はその構成要件が酷似しており、また、本件各発明は各別件訴訟の対象である１８８特許及び１０８特許に係るシリコンウェハの内部に溶融処理領域を形成して割断するという内容の各特許発明に付随するものにすぎないことから、被告は過大な損害賠償責任
5を負うことになる。
このほか、実施料に相当する額を定める上では、次のような各事情が考慮されるべきである。
ＳＤ装置の中心的特徴はレーザにより内部に切断の起点を形成するという公知技術にある上、本件各発明は、被告が特許権を有する低追従と10いう技術に代替されるものであり、かつ、対象製品１⑵Ｂにおいて実際には使用されていなかったから、その価値は極めて低い。
被告は、昭和４４年に日本で初めてダイシングマシンを、平成１１年に世界で初めてツインスピンドル方式のフルオートウェハダイシングマ
シンを開発したほか、プロービングマシンについて５０％強という世界

15

一の占有率を誇るなど、半導体製造装置を幅広く製造し、原告との共同開発を開始する以前の段階で世界におけるダイシングマシンの製造につき占有率約３０％を獲得しており、そのような中で、従来からの顧客に対し、築き上げてきた良好な関係や積極的な営業活動を活かして、ＳＤ装置を販売するに至った。また、対象製品１⑵Ｂは、シリコンウェハの20

透過率がほどよい、亀裂を生むための力を内部に集約しやすい、デバイスへのダメージが少ない、加工スピードを調整できるなど、原告エンジンより高性能な被告エンジンＢを搭載しているほか、被告がレーザダイ
シング装置に関して有する●（省略）●件の特許権の一部に係る発明が実施されている。

25

また、本件各発明は原告と被告との共同開発の中でされたものであり、本件特許は共同出願されるべきものであった。さらに、１０月８日打合43

せの際の原告の代表取締役副社長の言動は、被告をして対象製品１⑵Ｂの販売等について許諾を受けたと誤信させるものであったから、被告による対象製品１⑵Ｂの販売等は原告の過失により招来されたものである。
そうすると、１０２条３項の算定による原告が受けるべき金銭の額に相当する額は、標記額を超えることはない。

5●（省略）●
弁護士費用について
否認ないし争う。
エ民法７０９条における損害額（特許法１０２条の適用を主張しないもの）
について

10

被告によるＳＤ装置の製造販売がなければ、サムスン社がディスコ社からＳＤ装置を購入し、翻って、原告がディスコ社に対し原告エンジンを販売できたとはいえない。また、ＬＤモジュールは、侵害品ではない上、交換は顧客の希望によるものであり、被告によるＳＤ装置の製造販売がなければ、原告がＬＤモジュールを販売することができ、利益を得られたとは15いえない。さらに、ＳＤ装置の製造についての関連特許の実施料は、原告と許諾契約を締結した者から取得できるにすぎず、原告が被告によるＳＤ装置の製造販売により実施料相当額の損害を受けたとはいえない。
オ

不当利得について
否認する。

20

⑼

争点⑨（原告に過失があるか、また、これを考慮して損害賠償額を定める
べきか。）について（被告の主張）原告の代表取締役副社長は、平成２６年１０月８日、被告との間で、原告25が被告に対しＳＤエンジンの開発を了承し、被告が原告に対しロイヤリティを支払う旨の合意をしたため、被告はこの合意の存在を信じて対象製品１⑵44Ｂの製造販売を行ったのであり、このような経緯に照らせば、被告が対象製品１⑵Ｂの製造販売を行うに至ったことには原告の過失がある。したがって、原告に過失があったことを考慮して損害賠償額を定めるべきである。
（原告の主張）原告の代表取締役副社長が、平成２６年１０月８日、被告との間で、原告5が被告に対しＳＤエンジンの開発を了承したことはない。
第３

当裁判所の判断

１

本件各発明について⑴

10

本件明細書には、次のとおりの記載があり、また、別紙本件発明図面のとおりの図面がある。（甲２）【発明の詳細な説明】【技術分野】【０００１】本発明は、レーザ光を照射することで加工対象物を加工するためのレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。
【背景技術】【０００２】従来のレーザ加工技術には、加工対象物を加工す

15

るためのレーザ光を集光する集光レンズに対し、加工対象物の主面高さを測定する測定手段（接触式変位計や超音波距離計等）を所定の間隔をもって並設させたものがある（例えば、下記特許文献１…参照。）。このようなレーザ加工技術では、加工対象物の主面に沿ってレーザ光でスキャンする際に、測定手段により加工対象物の主面高さを測定し、その測定点が集20

光レンズの直下に到達したときに、その主面高さの測定値に基づいて集光
レンズと加工対象物の主面との距離が一定となるように集光レンズをその光軸方向に駆動する。
【０００３】また、主面が凸凹している加工対象物を加工する技術としては、加工準備として、加工を施す部分全ての平面度を平面度測定手段（投光器25と反射光受光器とを有する平面度測定器）によって測定した後、測定した平面度に基づいて加工対象物を加工するものがある（例えば、下記特許文45

献２参照。）。
【発明の開示】【発明が解決しようとする課題】【０００４】しかしながら、
上記特許文献１に記載のレーザ加工技術においては、次のような解決すべき課題がある。すなわち、加工対象物の外側の位置からレーザ光の照射を5開始してレーザ光と加工対象物とをその主面に沿って移動させて加工を行う場合に、測定手段は加工対象物の外側から測定を開始し、加工対象物の内側へと測定を行っていくことになる。そして、この測定によって得られた主面高さの測定値に基づいて集光レンズを駆動すると、加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合がある。

10【０００５】また、上記特許文献２に記載の技術を用いた場合には、加工対象物の主面の平面度を正確に把握できるのものの、加工準備と実際の加工とで同じ部位を２度スキャンしなければならないため、時間がかかり加工効率が低下する。
【０００６】そこで本発明では、加工対象物の端部におけるレーザ光の集光

15

点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレー
ザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】【０００７】本発明者らは上記課題を解決するために種々の検討を行った。まず、加工用の第１のレーザ光と、加工対象物の主面の変位を測定するための第２のレーザ光とを同一の軸線上で加20工対象物に向けて照射する加工方法について検討した。この検討内容について図１０（Ａ）～図１０（Ｃ）を参照しながら説明する。
【０００８】図１０（Ａ）では、ダイシングフィルム８０２に固定されているシリコンウェハ８００を、レーザユニット８０４からレーザ光を照射して加工する場合であって、加工準備段階を示している。レーザユニット８25

０４は、レーザ光をシリコンウェハ８００に向けて集光するための集光レ
ンズ８０４ａと、集光レンズ８０４ａを保持するためのレンズホルダ８０46

４ｂと、レンズホルダ８０４ｂをシリコンウェハ８００に対して進退自在に保持するピエゾアクチュエータ８０４ｃと、を含む。レーザユニット８
０４を含むレーザ加工装置にはこの他、レーザ光源といった部位があるがそれらの記載は省略する。図１０（Ａ）の状態で、加工用の第１のレーザ
5

光８０６及びシリコンウェハ８００の主面８００ｂの変位を測定するための第２のレーザ光８０８の照射を開始し、矢印Ａの方向にシリコンウェハ
８００が移動するようにシリコンウェハ８００を載置しているステージ（図示しない）を移動させる。シリコンウェハ８００に第１のレーザ光８０６で加工しようとしているのは切断予定ライン８００ａに相当する位置

10

である。
【０００９】シリコンウェハ８００が図１０（Ａ）の矢印Ａの方向に移動す
ると、図１０（Ｂ）に示すように第１のレーザ光８０６及び第２のレーザ
光８０８の光軸がシリコンウェハ８００と交差する位置になる。ピエゾア
クチュエータ８０４ｃは、第２のレーザ光８０８の反射光から検出される

15

非点収差信号が所定の値になるようにレンズホルダ８０４ｂをシリコンウ
ェハ８００に対して進退させる。従って、図１０（Ｂ）の状態からは、ピエゾアクチュエータ８０４ｃが縮んでレンズホルダ８０４ｂ及び集光レン
ズ８０４ａは上昇する。しかしながら、シリコンウェハ８００は図１０（Ａ）の矢印Ａの方向に移動し続けているので、レンズホルダ８０４ｂ及

20

び集光レンズ８０４ａが所定の位置に上昇し、切断予定ライン８００ａにおいて第１のレーザ光８０６の集光点が合うまでにはタイムラグが発生する。また、非点収差信号も大きく振られることになって第１のレーザ光８０６の集光点がずれることにもなる。
【００１０】従って、図１０（Ｃ）に示すように、切断予定ライン８００ａ25

において第１のレーザ光８０６の焦点が合って安定状態になるまでの区間
Ｂでは、切断予定ライン８００ａではない部分がレーザ加工されることに47

なる。例えば、シリコンウェハ８００の厚みが１００μｍであって、１５ｍＳの時間遅れが発生するものとすれば、加工速度が１００ｍｍ／Ｓの場合には区間Ｂの長さは理論上１．５ｍｍとなる。
【００１１】また、図１０（Ａ）～図１０（Ｃ）では理想的に平面度の高い
5シリコンウェハ８００について考えたが、例えば端部が反りあがっている
場合も考えられる。端部が反りあがっているシリコンウェハの例について
図１１（Ａ）～図１１（Ｃ）を参照しながら説明する。
【００１２】図１１（Ａ）では、ダイシングフィルム８０２に固定されているシリコンウェハ８１０を、レーザユニット８０４からレーザ光を照射し10て加工する場合であって、加工準備段階を示している。レーザユニット８０４は図１０（Ａ）～図１０（Ｃ）を参照しながら説明したものと同様である。シリコンウェハ８１０は、その端部が反りあがっている。シリコン
ウェハ８１０の切断予定ライン８１０ａは主面８１０ｂから等距離に位置するように設定されている。

15【００１３】シリコンウェハ８１０が図１１（Ａ）の矢印Ａの方向に移動す
ると、図１１（Ｂ）に示すように第１のレーザ光８０６及び第２のレーザ
光８０８の光軸がシリコンウェハ８１０と交差する位置になる。ピエゾア
クチュエータ８０４ｃは、第２のレーザ光８０８の反射光から検出される
非点収差信号が所定の値になるようにレンズホルダ８０４ｂをシリコンウ

20

ェハ８１０に対して進退させる。従って、図１１（Ｂ）の状態からは、ピエゾアクチュエータ８０４ｃが縮んでレンズホルダ８０４ｂ及び集光レン
ズ８０４ａは上昇する。しかしながら、シリコンウェハ８１０は図１１（Ａ）の矢印Ａの方向に移動し続けているので、レンズホルダ８０４ｂ及
び集光レンズ８０４ａが所定の位置に上昇し、切断予定ライン８１０ａに25

おいて第１のレーザ光８０６の集光点が合うまでにはタイムラグが発生する。また、シリコンウェハ８１０の端部が反りあがっているために、レン48ズホルダ８０４ｂ及び集光レンズ８０４ａが所定の位置まで上昇する際には、図１１（Ｂ）の点線Ｃの位置から主面８１０ｂの実際の位置に対するギャップが反映されてオーバーシュートを起こすことになる。
【００１４】従って、図１１（Ｃ）に示すように、切断予定ライン８１０ａ5

において第１のレーザ光８０６の集光点が合って安定状態になるまでの区間Ｄでは、切断予定ライン８００ａではない部分がレーザ加工されることになる。この区間Ｄの長さはオーバーシュートの分だけ図１０（Ｃ）における区間Ｂの長さよりも長くなる傾向にある。そこで本発明者らは、加工対象物の端部における処理に着目した。本発明はこれらの知見に基づいて10

なされたものである。
【００２３】本発明のレーザ加工装置は、第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、加工対象物とレンズと15を加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、レンズを主面に対して進退自在に保持する保持手段と、移動手段及び保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、制御手段は集光点が加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置にレンズを保持するように保持手段を制御し、当該位置にレンズを保持した状態で第一のレーザ光を照射しなが20

ら、制御手段は加工対象物とレンズとを主面に沿って相対的に移動させる
ように移動手段を制御して切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、制御手段はレンズを初期位置に保持した状態を解除してレンズと主面との間隔を調整しながら保持するように保持手段を制御し、レンズと加工対象物と25を主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御して改質領域を
形成する。

49

【００２４】本発明のレーザ加工装置によれば、初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ラインの一端部において改質領域を形成するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して改質領域を形成することができる。そして、切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し5た後にレンズを保持した状態を解除し、レンズの位置を調整しながら残部において改質領域を形成するので、加工対象物内部の所定の位置に改質領域を形成することができる。
【００２７】また、本発明のレーザ加工装置では、切断予定ラインの一端部
において改質領域が形成された後に、制御手段はレンズを初期位置に保持10した状態を解除してレンズと主面との間隔を調整しながら保持するように保持手段を制御し、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御して改質領域を形成し、更に、制御手段はレンズを主面に向かう方向に駆動させずに保持するように保持手段を制御すると共に、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように

15

移動手段を制御することも好ましい。改質領域を形成した後にレンズを主面に向かう方向に駆動しないように保持するので、例えば、次の切断予定
ラインの加工に移行する際に円滑な移行が可能となる。
【発明の効果】【００３１】本発明のレーザ加工方法及びレーザ加工装置によれば、加工対象物の端部におけるレーザ光の集光点のずれを極力少なく20

しつつ効率よくレーザ加工を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】【００３２】本発明の知見は、例示のみのために示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮すること
によって容易に理解することができる。引き続いて、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同25一の符号を付して、重複する説明を省略する。
【００３３】本実施形態のレーザ加工装置について図１を参照しながら説明50する。図１に示すように、レーザ加工装置１は、ステージ２（移動手段）
上に載置された平板状の加工対象物Ｓの内部に集光点Ｐを合わせて加工用
レーザ光Ｌ１（第１のレーザ光）を照射し、加工対象物Ｓの内部に多光子吸収による改質領域Ｒを形成する装置である。ステージ２は、上下方向
5及び左右方向への移動並びに回転移動が可能なものであり、このステージ
２の上方には、主にレーザヘッドユニット３、光学系本体部４及び対物レ
ンズユニット５からなるレーザ出射装置６が配置されている。また、レー
ザ加工装置１は制御装置７（制御手段）を備えており、制御装置７はステージ２及びレーザ出射装置６に対してそれぞれの挙動（ステージ２の移動、

10

レーザ出射装置６のレーザ光の出射等）を制御するための制御信号を出力する。
【００３９】また、対物レンズユニット５は、光学系本体部４の下端部に着脱自在に取り付けられている。…この対物レンズユニット５の筐体４１の下端には、ピエゾ素子を用いたアクチュエータ４３（保持手段）を介在さ15せて、軸線βに光軸が一致した状態で加工用対物レンズ４２が装着されている。…
【００４０】更に、対物レンズユニット５の筐体４１内には、加工対象物Ｓの表面Ｓ１から所定の深さに加工用レーザ光Ｌ１の集光点Ｐを位置させる
べく、測距用レーザ光Ｌ２（第２のレーザ光）を出射するレーザダイオー

20

ド４４と受光部４５とが配置されている。測距用レーザ光Ｌ２はレーザダ
イオード４４から出射され、ミラー４６、ハーフミラー４７…、…ダイク
ロイックミラー４８により反射され…、軸線β上を下方に向かって進行し、加工用対物レンズ４２を通過して加工対象物Ｓの表面Ｓ１に照射される。
なお、加工用レーザ光Ｌ１はダイクロイックミラー４８を透過する。

25【００４１】そして、加工対象物Ｓの表面Ｓ１で反射された測距用レーザ光
Ｌ２の反射光は、加工用対物レンズ４２に再入射して軸線β上を上方に向51

かって進行し、ダイクロイックミラー４８により反射され…、ハーフミラ
ー４７を通過して受光部４５内に入射し、フォトダイオードを４等分してなる４分割位置検出素子上に集光される。この４分割位置検出素子上に集光された測距用レーザ光Ｌ２の反射光の集光像パターンに基づいて、加工
5用対物レンズ４２による測距用レーザ光Ｌ２の集光点が加工対象物Ｓの表面Ｓ１に対してどの位置にあるかを検出することができる。４分割位置検出素子上に集光された測距用レーザ光Ｌ２の反射光の集光像パターンに関する情報は、制御装置７に出力される。制御装置７はこの情報に基づいて、アクチュエータ４３に加工用対物レンズ４２を保持する位置を指示する制10

御信号を出力する。
【００４２】制御装置７は物理的には、ステージ２及びレーザ出射装置６と信号の授受を行うためのインタフェイスと、ＣＰＵ（中央演算装置）と、メモリやＨＤＤといった記憶装置と、を備え、記憶装置に格納されているプログラムに基づいてＣＰＵが所定の情報処理を行い、その情報処理の結15

果を制御信号としてインタフェイスを介してステージ２及びレーザ出射装
置６に出力する。
【００４３】…制御装置７は機能的には、レーザ出射制御部７０１と、ステージ移動制御部７０２と、アクチュエータ制御部７０３と、集光点演算部
７０４と、端部判断部７０５ と、循環メモリ７０６（変位記憶手段）と、20を備える。レーザ出射制御部７０１ は、加工用レーザ光Ｌ１及び測距用
レーザ光Ｌ２の出射を制御する信号をレーザヘッドユニット３のレーザヘ
ッド１３及び対物レンズユニット５のレーザダイオード４４にそれぞれ出力する部分である。ステージ移動制御部７０２は、ステージ２の移動を制御する制御信号をステージ２に出力する部分である。アクチュエータ制御

25

部７０３はアクチュエータ４３の駆動を制御する制御信号を対物レンズユ
ニット５のアクチュエータ４３に出力する部分である。アクチュエータ制52

御部７０３は循環メモリ７０６にアクチュエータ４３の移動量を格納する部分でもある。この移動量は加工対象物Ｓの主面Ｓ１の変位に応じて変化するので、主面Ｓ１の変位を表す量として捉えることもできる。集光点演
算部７０４は対物レンズユニット５の受光部４５から出力される非点収差5信号に基づいて、加工対象物Ｓと測距用レーザ光Ｌ２の集光点との距離を算出する部分である。端部判断部７０５は受光部４５が受光する光量に基づいて、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に対応する位置にあるかどうかを判断する部分である。…
【００４４】以上のように構成されたレーザ加工装置１によるレーザ加工方

10法の概要について説明する。まず、ステージ２上に加工対象物Ｓを載置し、ステージ２を移動させて加工対象物Ｓの内部に加工用レーザ光Ｌ１の集光点Ｐを合わせる。このステージ２の初期位置は、加工対象物Ｓの厚さや屈折率、加工用対物レンズ４２の開口数等に基づいて決定される。
【００４５】続いて、レーザヘッド１３から加工用レーザ光Ｌ１を出射する

15と共に、レーザダイオード４４から測距用レーザ光Ｌ２を出射し、加工用対物レンズ４２により集光された加工用レーザ光Ｌ１及び測距用レーザ光Ｌ２が加工対象物Ｓの所望のライン（切断予定ライン）上をスキャンする
ようにステージ２を移動させる。このとき、受光部４５により測距用レー
ザ光Ｌ２の反射光が検出され、加工用レーザ光Ｌ１の集光点Ｐの位置が加20

工対象物Ｓの表面Ｓ１から常に一定の深さとなるようにアクチュエータ４
３が制御装置７によってフィードバック制御されて、加工用対物レンズ４２の位置が軸線β方向に微調整される。
【００４６】従って、例えば加工対象物Ｓの表面Ｓ１に面振れがあっても、表面Ｓ１から一定の深さの位置に多光子吸収による改質領域Ｒを形成する

25

ことができる。このように平板状の加工対象物Ｓの内部にライン状の改質
領域Ｒを形成すると、そのライン状の改質領域Ｒが起点となって割れが発53

生し、ライン状の改質領域Ｒに沿って容易且つ高精度に加工対象物Ｓを切断することができる。
【００４７】本実施形態のレーザ加工装置１を用いるレーザ加工方法についてより具体的に説明する。このレーザ加工方法の説明では、レーザ加工装5

置１の動作も併せて説明する。本実施形態のレーザ加工方法は、ウェハ状の加工対象物Ｓに対する加工用対物レンズ４２の初期位置を設定する準備
工程と、加工用レーザ光Ｌ１を照射して改質領域を形成する加工工程とに分けることができるので、準備工程及び加工工程についてそれぞれ説明する。

10【００４８】（準備工程）まず、ウェハ状の加工対象物Ｓに対する加工用対物レンズ４２の初期位置を設定する準備工程について説明する。
【００４９】図３は加工対象物Ｓの平面図である。加工対象物Ｓにはｎ本の切断予定ラインＣ１～Ｃｎが設定されており、この切断予定ラインＣ１～
Ｃｎそれぞれで順番にレーザ加工を行う。まず、最初の切断予定ラインＣ

15

１上の一点Ｑ１において加工対象物Ｓの内部の所定の位置に集光点が合うようにステージ２（図１参照）の高さを調整する。その調整した高さを初期位置として、切断予定ラインＣ１の延長上の点Ｘ１に加工用対物レンズ
４２が位置するようにステージ２を移動させる。
【００５０】より詳細に図４（Ａ）～図４（Ｃ）を参照しながら説明する。

20

図４（Ａ）～図４（Ｃ）は、図３のⅡ－Ⅱ断面を示す図である。尚、理解を容易にするために図４（Ａ）～図４（Ｃ）においては断面を示すハッチ
ングを省略する。図４（Ａ）に示すように、加工対象物Ｓはダイシングフ
ィルム２ａを介してステージ２に吸着されて固定されている。ダイシング
フィルム２ａはダイシングリング（図示しない）で固定されている。

25【００５１】図４（Ａ）に示すように、加工対象物２の切断予定ラインＣ
１上の一点Ｑ１に対応する位置に加工用対物レンズ４２が配置されるよう

54

にステージ２が移動する。加工用対物レンズ４２を保持しているアクチュ
エータ４３は最も縮んだ状態から２５μｍ伸びた状態になる。この伸び量
２５μｍは、アクチュエータ４３の最大伸び量５０μｍの半分の量として設定されている。この状態で観察用可視光の反射光のピントが合うように5

ステージ２を上下させる。尚、ステージ２の上下動による誤差が大きい場
合は、まずアクチュエータ４３を所望の位置まで動かしてその時の非点収差信号を記憶したら、いったんアクチュエータ４３を元の位置まで戻し、
ステージ２を（大雑把に）移動させて、アクチュエータ４３を先ほど記憶した非点収差信号と合う位置に微調整させると良い。

10【００５２】続いて、図４（Ｂ）に示すように、図４（Ａ）の状態からステージ２が更に所定の距離（以下、加工高さ）上昇して、加工対象物Ｓの表
面Ｓ１と加工用対物レンズ４２との距離が図４（Ａ）における距離から加工高さ分だけ近づくように設定される。ここで、可視域のピント位置とレーザ光の集光位置とが一致するものとすれば、加工用レーザ光Ｌ１は、加15

工対象物Ｓの内部であって、その表面Ｓ１から加工高さと加工対象物Ｓのレーザ波長における屈折率との積の値に相当する位置に集光されることになる。例えば、加工対象物Ｓがシリコンウェハであってその屈折率が３．
６（波長１．０６μｍ）であり、加工高さが１０μｍであれば、３．６×
１０＝３６μｍの位置に集光されることになる。図４（Ｂ）に示す状態で

20

測距用レーザ光Ｌ２の反射光から非点収差信号を得て、この非点収差信号の値を基準値とする。
【００５３】図４（Ｂ）に示す状態からそのままステージ２を移動させて、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の延長上の点Ｘ１に至った段
階で図４（Ｃ）に示すように待機状態となる。図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）

25に示す、鉛直方向における加工対象物Ｓに対する加工用対物レンズ４２の位置が初期位置となる。

55

【００５４】この準備工程におけるレーザ加工装置１の動作について…説明する。制御装置７のステージ制御部７０２がステージ２に対して加工用対物レンズ４２がＣ１上の一点Ｑ１に移動するように制御信号を出力する（ステップＳ０１）。この制御信号の出力に応じてステージ２が移動する。
5

更に制御装置７のアクチュエータ制御部７０３がアクチュエータ４３に対して２５μｍ伸びるように制御信号を出力する（ステップＳ０２）。この
制御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は２５μｍ伸びる。この状態
で可視観察光によってピントが合うようにステージ２を上下させ、その可視観察光のピントが合う位置を設定し、加工用対物レンズ４２及び加工対

10

象物Ｓは図４（Ａ）で説明した状態になる（ステップＳ０３）。
【００５５】制御装置７のステージ移動制御部７０２がステージ２に対して所定の加工高さ（例えば、１０μｍ）上昇するように制御信号を出力する（ステップＳ０４）。この制御信号の出力に応じてステージは１０μｍ
上昇し、加工用対物レンズ４２及び加工対象物Ｓは図４（Ｂ）で説明した

15状態になる。
【００５６】制御装置７のレーザ出射制御部７０１はレーザダイオード４４に対して測距用レーザ光Ｌ２を出射するように制御信号を出力する（ステップＳ０５）。この制御信号の出力に応じてレーザダイオード４４は測距用レーザ光Ｌ２を出射し、加工対象物Ｓの表面Ｓ１で反射された反射光は20

受光部４５の４分割位置検出素子が受光する。この受光に応じて出力される信号は集光点演算部７０４及び端部判断部７０５に出力される。
【００５７】集光点演算部７０４はこの状態における非点収差信号の値を基準値として保持する（ステップＳ０６）。続いて、ステージ移動制御部７０２からステージ２に対して、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの切25

断予定ラインＣ１の延長上のＸ１に対応する位置まで移動するように制御信号を出力する（ステップＳ０７）。この制御信号の出力に応じてステー

56

ジ２は移動し、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ
１の延長上のＸ１に対応する位置まで移動すると、ステージ移動制御部７０２からステージ２に対して移動を停止するように制御信号を出力する（ステップＳ０８）。
5【００５８】（加工工程）引き続いて、加工用レーザ光Ｌ１及び測距用レー
ザ光Ｌ２を照射して改質領域を形成する加工工程について説明する。
【００５９】図４（Ａ）～図４（Ｃ）と同様に図３のⅡ－Ⅱ断面を示す図６（Ａ）～図６（Ｃ）を参照しながら説明する。尚、理解を容易にするために図６（Ａ）～図６（Ｃ）においては断面を示すハッチングを省略する。

10

図６（Ａ）は図４（Ｃ）の状態から引き続いて、切断予定ラインＣ１において加工用対物レンズ４２が改質領域の形成を開始した状態を示している。
アクチュエータ４３は図４（Ｃ）で設定された伸び量で固定されている。
図４（Ｃ）から図６（Ａ）の状態に差し掛かる前に加工用レーザ光Ｌ１及び測距用レーザ光Ｌ２が照射される。加工用対物レンズ４２が図中矢印Ｅ15の方向に移動するようにステージ２が移動する。
【００６０】測距用レーザ光Ｌ２はダイシングフィルム２ａにおいては反射率が低く反射される全光量は少ないが、加工対象物Ｓにおいては反射される全光量が増大する。すなわち、受光部４５（図１参照）の４分割位置検
出素子が検出する測距用レーザ光Ｌ２の反射光の全光量が多くなるので、

20

反射光の全光量が予め定められた閾値を超えた場合に加工対象物Ｓの切断
予定ラインＣ１と加工用対物レンズ４２が交差する位置にあるものと判断できる。従って、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定められた閾値よりも大きくなった場合に、加工用対物レ
ンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして

25（図７（Ａ）に相当する状態になってものとして）、その時点でのアクチュエータ４３の伸び量の保持を解除して、所定の間隔ごと（例えば、各サ57

ンプリングポイントごと）に非点収差信号がステップＳ０６で保持した基準値となるようにアクチュエータ４３の伸び量制御を開始する。従って、加工用対物レンズ４２が図６（Ａ）中の矢印Ｅ方向に移動すると図６（Ｂ）に示す状態になる。図６（Ｂ）に示すように、区間Ｆ（一端部）において5は一定の加工高さで改質領域Ｒが形成されることになる。この区間Ｆにおいて一定の加工高さで改質領域Ｒが形成されると、その後、加工用対物レ
ンズ４２は切断予定ラインＣ１に沿って移動し、加工用レーザ光Ｌ１によって改質領域Ｒを形成する。この間、測距用レーザ光Ｌ２の反射光から得られる非点収差信号が上記基準値となるようにアクチュエータ４３が調整

10

される。
【００６１】図６（Ｂ）に示す状態から更に加工用対物レンズ４２が図６（Ａ）中矢印Ｅの方向に移動すると、図６（Ｃ）に示すように加工用対物
レンズ４２は切断予定ラインＣ１の他端に差し掛かる。加工用対物レンズ
４２が加工対象物Ｓから外れた位置に至ると、図６（Ａ）を参照しながら15説明したのとは逆の状態となり、受光部４５（図１参照）の４分割位置検
出素子が検出する測距用レーザ光Ｌ２の反射光の全光量が少なくなる。従って、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定められた閾値よりも小さくなった場合に、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして（図６（Ｃ）

20に相当する状態になってものとして）、その時点でのアクチュエータの伸び量を保持する。アクチュエータ４３の伸び量を保持したまま加工用対物
レンズ４２が図６（Ｃ）中のＸ２の位置に至るようにステージ２が移動し、次の切断予定ラインＣ２の加工に備える（移行ステップ）。
【００６２】尚、上述の説明で、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ

25

１の一端に相当する位置（図６（Ａ））に到達したこと検出するために、
受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定58められた閾値よりも大きくなったことに基づいたが、これに限られず他の基準を適用することもできる。その一例を図７（Ａ）～図７（Ｂ）を参照
しながら説明する。図７（Ａ）は、縦軸に受光部４５（図１参照）の４分
割位置検出素子が検出する全光量をとり、横軸に時間をとって、図６（Ａ）
5～図６（Ｂ）に相当する受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量の変化を記録した図である。この場合には上述の通り、予め定められた閾値Ｔ1を上回った時点で加工用対物レンズ４２が切断予定
ラインＣ１の一端に相当する位置に到達したと判断している。
【００６３】図７（Ａ）のグラフから、所定の間隔ごと（例えば、各サンプ

10

リングポイントごと）に、後の全光量の値から前の全光量の値を差し引いた差分の変化量を算出し、縦軸に変化量をとって横軸に時間をとった図を
図７（Ｂ）に示す。この場合に、正のピークが現れている部分は、全光量の変化が最も大きな点、すなわち加工対象物Ｓのエッジ中央付近に相当する部分であると考えられる。そこで、図７（Ａ）に示す全光量が閾値Ｔ１

15となった後であって、図７（Ｂ）に示す差分のピークの変化が収まった後にアクチュエータ４３の追従を開始することもできる。
【００６４】また、上述の説明で、加工用対物レンズ４２が切断予定ライン
Ｃ１の他端に相当する位置（図６（Ｃ））にあること検出するために、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定め20られた閾値よりも小さくなったことに基づいたが、これに限られず他の基準を適用することもできる。その一例を図８（Ａ）～図８（Ｂ）を参照しながら説明する。図８（Ａ）は、縦軸に受光部４５（図１参照）の４分割
位置検出素子が検出する全光量をとり、横軸に時間をとって、図６（Ｂ）～図６（Ｃ）の状態における受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素25子が検出する全光量の変化を記録した図である。この場合には上述の通り、
予め定められた閾値Ｔ２を下回った時点で加工用対物レンズ４２が切断予59

定ラインＣ１の一端に相当する位置にあると判断している。
【００６５】図８（Ａ）のグラフから、所定の間隔ごと（例えば、各サンプ
リングポイントそれぞれ）に、後の全光量の値から前の全光量の値を差し引いた差分の変化量を算出し、縦軸に変化量をとって横軸に時間をとった5

図を図８（Ｂ）に示す。この場合に、負のピークが現れている部分は、全光量の変化が最も大きな点、すなわち加工対象物Ｓのエッジ（外縁）中央付近に相当する部分であると考えられる。そこで、この部分に相当するア
クチュエータ４３の伸縮量で固定することもできる。
【００６７】この加工工程におけるレーザ加工装置１の動作について…説明10する。尚、レーザ加工装置１のステージ２及び加工用対物レンズ４２は、
図４（Ｃ）を参照しながら説明した状態にあるものとする。
【００６８】制御部７のレーザ出射制御部７０１が、レーザヘッド１３に対して加工用レーザ光Ｌ１を出射するように、レーザダイオード４４に対しては測距用レーザ光Ｌ２を出射するように、それぞれ制御信号を出力する

15（ステップＳ１１） 。この制御信号の出力に応じて加工用レーザ光Ｌ１
及び測距用レーザ光Ｌ２がそれぞれ出射される。
【００６９】制御装置７のステージ制御部７０２がステージ２に対して加工用対物レンズ４２が図６（Ａ）の矢印Ｅ方向に移動するように制御信号を出力する（ステップＳ１２）。この制御信号の出力に応じてステージ２は20

移動を開始する。
【００７０】制御装置７の端部判断部７０５は、受光部４５から出力される信号に基づいて、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったかどうかを判断する（ステップＳ１３）。端部判断部７０５は、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったと判断すると、ア25

クチュエータ制御部７０３に対してアクチュエータ４３の伸縮を開始して、非点収差信号が保持している基準値に等しくなるように、制御信号を出力60するように指示する指示信号を出力する。アクチュエータ制御部７０３はアクチュエータ４３に伸縮を開始して、非点収差信号が保持している基準
値に等しくなるための、制御信号を出力する（ステップＳ１４）。この制
御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は加工対象物Ｓの表面Ｓ１の変5

位に応じて伸縮して、測距用レーザ光Ｌ２の集光点位置が基準位置となるように加工用対物レンズ４２を保持する。従って、加工対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に応じた位置に改質領域Ｒが形成される（図６（Ｂ）参照）。
【００７１】端部判断部７０５は、受光部４５から出力される信号に基づいて、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの他端に差し掛かったかどうか10を判断する（ステップＳ１５）。端部判断部７０５は、加工用対物レンズ
４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったと判断すると、アクチュエータ
制御部７０３に対してアクチュエータ４３の伸縮を停止する制御信号を出力するように指示する指示信号を出力する。この指示信号の出力に応じて、アクチュエータ制御部７０３はアクチュエータ４３に対して伸縮を停止し15て保持状態とするための制御信号を出力する（ステップＳ１６）。この制
御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は伸縮を停止する。ステージ移
動制御部７０２は、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の延長線上の点Ｘ２に差し掛かると、ステージ２に対して移動を停止するように制御信号を出力する（ステップＳ１７）。その後、循環メモリ７０６に格納20されているアクチュエータ４３の伸縮量の内、最初の５チャネル分のメモ
リに格納されているアクチュエータ４３の伸縮量の平均値を算出し、この平均値となるようにアクチュエータ４３の伸縮量を固定する（ステップＳ
１８）。
【００７２】上述した準備工程及び加工工程は、加工対象物Ｓの全ての切断

25

予定ラインＣ１～Ｃｎそれぞれで行われ、切断予定ラインＣ１～Ｃｎそれぞれに沿って改質領域Ｒが形成される。

61

【００７３】本実施形態では、初期位置に加工用対物レンズ４２を保持して加工用レーザ光Ｌ１を照射してレーザ加工を開始するので、加工対象物Ｓの端部の形状変動の影響を極力排除することができる。
【００７４】加工用対物レンズ４２を初期位置に保持した状態で加工対象物
Ｓの端部に改質領域を形成した後に加工用対物レンズ４２を保持した状態

5を解除して、加工用対物レンズ４２と加工対象物Ｓとの距離が一定となるように調整しながら改質領域を形成するので、加工対象物Ｓの表面Ｓ１から一定の距離隔てた位置に改質領域を安定して形成できる。
【００７５】改質領域を形成した後に加工用対物レンズ４２を加工対象物Ｓの主面Ｓ１に向かう方向に駆動しないように保持するので、次の切断予定

10ラインの加工に移行する際に円滑な移行が可能となる。
【００７６】加工用対物レンズ４２を駆動しないように保持した時点から所
定時間前に記憶したアクチュエータ４３の伸縮量に基づいた位置となるよ
うに、次の切段予定ラインの準備ステップにおいて加工用対物レンズ４２の主面Ｓ１に対する位置を設定するので、次の切断予定ラインにおいても15

加工対象物Ｓの端部の形状変動による影響を極力排除できる。
【００７７】切断予定ラインに沿って改質領域を安定して形成することができるので、改質領域を形成した後にダイシングフィルム２ａの拡張等により加工対象物としてのウエハをチップ状に割断・分離する工程において、良好な切断品質で且つ大量のウエハを割断する場合でも常に安20定してウエハの割断を行うことができる。
⑵

本件明細書の記載によれば、本件各発明は次のような技術的意義を有する
ものと認められる。
本件各発明は、レーザ光を照射することで加工対象物を加工するためのレ

25

ーザ加工装置に関するものである（【０００１】）。
従来のレーザ加工技術においては、加工対象物の外側の位置からレーザ光

62

の照射を開始してレーザ光と加工対象物とをその主面に沿って移動させて加工を行う場合に、測定手段は加工対象物の外側から測定を開始し、加工対象物の内側へと測定を行っていき、この測定によって得られた主面の高さの測定値に基づいて集光レンズを駆動すると、加工対象物の端部においてレーザ
5

光の集光点がずれる場合がある（【０００２】）。すなわち、加工対象物の外側から測定を開始した場合、集光レンズは加工対象物を検出した時点で上昇するが、この間もレーザ光と加工対象物のその主面に沿った移動は継続していることから、集光レンズが所定の位置に上昇し、切断予定ラインにレー
ザ光の集光点が合うまでにはタイムラグが発生し、また、集光レンズを所定10の位置に合わせるための信号が大きく振られることによってもレーザ光の集光点がずれるため、レーザ光の焦点が切断予定ラインに合って安定状態になるまでの間は、切断予定ラインではない部分が加工されることになる（【０００８】～【００１４】）。このような問題点に対し、本件各発明は、加工対象物の端部における処理に着目し、加工対象物の端部におけるレーザ光の15

集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレーザ加工装置を提供することを目的とする（【０００６】【００１４】）。
具体的には、本件各発明は、集光点が加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置にレンズを保持するように保持手段を制御し、当該位置にレンズを保持した状態で第一のレーザ光を照射しながら、制御手段は加工

20

対象物とレンズとを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御
して切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、制御手段はレンズを初期位置に保持した状態を解除してレンズと主面との間隔を調整しながら保持するように保持手段を制御し、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動さ25せるように移動手段を制御して改質領域を形成するレーザ加工装置であり、初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ラインの一端部において改質領

63

域を形成するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して改質領域を形成することができ、切断予定ラインの一端部において改質領域を形成した後にレンズを保持した状態を解除し、レンズの位置を調整しながら残部において改質領域を形成するので、加工対象物内部の所定の位置に改質領域を形成することができる（【００２３】【００２４】）。また、さら5に、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御して改質領域を形成した後、レンズを主面に向かう方向に駆動させずに保持するように保持手段を制御すると共に、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御することにより、例えば、次の切断予定ラインの加工に移行する際に円滑な移行が可能となる

10（【００２７】）。
本件各発明により、加工対象物の端部におけるレーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるという効果があり（【００３１】）、切断予定ラインに沿って改質領域を安定して形成することができるので、改質領域を形成した後にダイシングフィルムの拡張等によ

15

り加工対象物としてのウェハをチップ状に割断、分離する工程において、良好な切断品質でかつ大量のウェハを割断する場合でも常に安定してウェハの割断を行うことができる（【００７７】）。
２
20

争点①（被告が対象製品２を製造、販売等したか。）について
被告は、平成２９年１２月１４日に開催された展示会において、「ＭＬ３００ＥＸ

Ｓｅｒｉｅｓ／ＭＬ２００ＥＸ」と題し、「ＭＬ２００ＥＸ」について「２００ｍｍウエーハに対応したレーザーダイシングマシン」などと記載するなどしたパネルを展示したことがあった（前記第２の１⑷エ）。
ここで、被告は、実際には型番中に「ＭＬ２００ＥＸ」を含む製品すなわち25

対象製品２を被告が製造、販売等したことはなく、イメージを示すために写真をデジタル加工するなどして上記パネルを作成したと主張する。上記展示会で64上記パネルの展示はあったものの、そのこと以外に、対象製品２が現実に存在し、被告がこれを製造、販売等をした事実をうかがわせる証拠はなく、被告が対象製品２を製造、販売等したことを認めるに足りない。
３
5

争点②（対象製品１⑵Ｂが本件各発明の技術的範囲に属するか。）について⑴

対象製品１⑵Ｂについてア

被告は、平成２８年３月から平成３０年８月まで、別紙対象製品１⑵Ｂ
売上一覧記載のとおり、被告エンジンＢを搭載した対象製品１⑵Ｂを製造、販売した（前記第２の１⑷ウ）。被告は、その後、これらについて被告エンジンＢを被告エンジンＡに交換する改造を行った（同オ）ため、被告エ
ンジンＢを搭載した製品（対象製品１⑵Ｂ）は存在しなくなった。

10

しかし、上記改造が行われたのは製造、販売後なのであるから、被告は、対象製品１Ｂの製造、販売を行ったといえるのであり、それらを行わなかったことになるものではない。
イ15

対象製品１⑵Ｂは、シリコンウェハの端部から所定の距離の範囲においてＡＦ固定の状態でレーザ加工を行った後に、ＡＦ固定を解除して、ＡＦ
追従の状態でレーザ加工を行う。
具体的には、加工対象物が面取り部分のあるシリコンウェハである場合には、加工対象物の位置の検出方法として座標基準を採用し、概要別紙対
象製品１動作態様記載１⑴のとおり、シリコンウェハの現実の端を検出し20た後、面取り部分（ベベル部分）を超えて所定距離進んだ時点で加工用レーザの照射を開始し、更に所定距離進んだ（シリコンウェハの中心からの距離により推定された地点に到達した）時点でＡＦ固定を解除し、ＡＦ追従を行う。
また、加工対象物が面取り部分のないシリコンウェハである場合には、

25

加工対象物の位置の検出方法として光量基準を採用し、別紙対象製品１動作態様記載１⑵のとおり、シリコンウェハの現実の端を検出した後、加工

65

用レーザ光の照射を開始し、その後、所定距離進んだ時点でＡＦ固定を解除し、ＡＦ追従を行う。
（弁論の全趣旨）ウ

被告は、対象製品１⑵Ｂの制御機構について、出荷前に、日本国内において、コンピュータのパラメータ設定により様々なアプリケーションを作5成し、各駆動機構及び対物レンズ保持機構について異なる動きをさせる検査を行い、海外の法人である各利用者（前記第２の１⑸ウ）に納品した後、各利用者の要望に応じて調整を行ったアプリケーションを適用していた。
（弁論の全趣旨）
10⑵

改質領域の形成（構成要件１Ａ、１Ｇ、１Ｈ及び２Ａ）について
ア

特許請求の範囲においては、「改質領域」は「レーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射」（構成要件１Ａ）することにより形成されるものと記載されているが、その形成が多光子吸収によりされるなど、その形成の態様について、限定する記載はない。

15

本件明細書には、レーザ光を加工対象物の内部に集光点をあわせて照射
して改質領域を形成すること（【００２３】等）が記載され、また、「発明を実施するための最良の形態」として、レーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射することにより、多光子吸収による改質領域を形成することが記載されている（【００３３】【００４６】）。も20

っとも、上記【００３３】【００４６】は実施例の記載であるところ、
本件明細書には、本件各発明の改質領域の形成が多光子吸収によりされることに限定される旨の記載やそのように限定されることを示唆する記載はない。本件各発明は、「レーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、…加工対象物の内部に改質領域を形成する」（【００２25３】等）に当たり、加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合があるという従来のレーザ加工技術における課題を、レンズの位

66

置を保持することなどにより解決し、加工対象物の端部におけるレーザ
光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレーザ加工装置を提供することを目的とするものである（前記１⑵）。本件各発明のこのような課題の解決との関係において、改質領域の形成が多光子吸収によりされることに何らかの技術的意義がある旨の5

本件明細書の記載はないし、また、これを認めるに足りる証拠はない。
これらによれば、本件各発明の「改質領域」は、レーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射することによって形成されるものであれ
ば足り、「多光子吸収」によって形成されるものに限定されるとは解さ
れない。

10

イ

対象製品１⑵Ｂは、シリコンウェハ内部で、加工用レーザ光の集光点を走査することにより、シリコンウェハの内部にレーザ加工領域を形成す
る（前記第２の１⑸ア）。これは、「レーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射」することにより形成される加工領域すなわち「改質領域」を形成するものといえる。

15⑶レンズの保持態様（構成要件２Ｂ）について
ア

特許請求の範囲においては、「…加工対象物と…レンズとを加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段」（構成要件１Ｃ）と記載されており、本件各発明の「移動手段」は、加工対象物とレンズとを加工対象物

20の主面に沿って移動させるものであることが理解できる。また、特許請
求の範囲においては、「切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、」「レンズを…初期位置に保持した状態を解除して…レンズと…主面との間隔を調整しながら保持するように…保持手段を制御し、…レンズと…加工対象物とを…主面に沿って相対的に移動させるよ25

うに…移動手段を制御して改質領域を形成し」（構成要件２Ａ）、「更に、」「…レンズを…主面に向かう方向に駆動させずに保持するように

67

…保持手段を制御すると共に、」「レンズと…加工対象物とを…主面に沿って相対的に移動させるように…移動手段を制御する」（構成要件２Ｂ）と記載されており、「…後に」、「更に、」との文言から、本件発明２において、「（レンズを初期位置に保持し、レンズと加工対象物と5を主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御した状態での）切断予定ラインの一端部における改質領域の形成」（構成要件１Ｇ）、「レンズと主面との間隔を調整しながら保持し、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御した状態での改質領域の形成」（構成要件２Ａ）、「レンズを主面に向かう方向に駆10動させずに保持した状態での、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるような移動手段の制御」（構成要件２Ｂ）という各動
作は、時間的に、そこに記載された順に実行されるものと理解できる。
ここで、構成要件２Ｂには、「レンズを主面に向かう方向に駆動させずに保持した状態での、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移15動させるような移動手段の制御」と同時に改質領域を形成することは記載されていない。
また、本件明細書には、移動手段である加工対象物が載置されたステー
ジ２が、加工工程において、加工対象物がレンズの直下にない範囲においても、加工対象物とレンズとを移動させていることが記載されている

20（【００３３】【００５９】）。また、本件明細書には、「レンズと主面との間隔を調整しながら保持し、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御した状態での改質領域の形成」（構成要件２Ａ）、「レンズを主面に向かう方向に駆動させずに保持した状態での、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動さ25せるような移動手段の制御」（構成要件２Ｂ）について、「改質領域を形成した後にレンズを主面に向かう方向に駆動しないように保持するの68

で、」「次の切断予定ラインの加工に移行する際に円滑な移行が可能となる。」（【００２７】【００７５】）、「加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓから外れた位置に至ると、…その時点でのアクチュエータの伸び量を保持する。アクチュエータ４３の伸び量を保持したまま加工用
対物レンズ４２が図６（Ｃ）中のＸ２の位置に至るようにステージ２が5

移動し、次の切断予定ラインＣ２の加工に備える（移行ステップ）。」（【００６１】）と記載されており、「レンズを主面に向かう方向に駆動させずに保持した状態での、レンズと加工対象物を主面に沿って相対的に移動させるような移動手段の制御」は、一つの切断予定ラインの加工を終えて加工対象物がレンズの直下から外れた後、次の切断予定ライ

10ンの加工に備える際の動作として記載されている。
このような特許請求の範囲及び本件明細書の記載によれば、本件発明２における「レンズを主面に向かう方向に駆動させずに保持した状態での、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるような移動手
段の制御」（構成要件２Ｂ）は、加工対象物がレンズの直下にあること

15を前提とした動作であるとは解されず、構成要件２Ｂの「主面に向かう
方向」及び「主面に沿って」は、加工対象物に対して垂直方向及び水平方向を意味するにとどまるというべきである。
イ20

対象製品１⑵Ｂは、ＡＦ追従の状態でのレーザ加工終了後、対物レンズ
がシリコンウェハの端部を超えて走査終了位置に至ると、対物レンズをＡＦ追従が終了した時点又はそれより所定の距離戻った位置における高さに固定した状態で、カッティングテーブルをＸ軸方向に動かす（前記
第２の１⑸イ）から、「レンズを…主面に向かう方向に駆動させずに保持するように…保持手段を制御すると共に、…レンズと…加工対象物と25を…主面に沿って相対的に移動させるように…移動手段を制御する」ものといえる。

69

⑷切断予定ラインの一端部における改質領域の形成（構成要件１Ｇ、１Ｈ及び２Ａ）についてア「切断予定ラインの一端部」（構成要件１Ｇ,１Ｈ及び２Ａ）について、特許請求の範囲において、その「切断予定ライン」や「切断予定ライン
5の一端部」がどのようなものであるのかを説明等する記載はない。
本件明細書には、「図１０（Ａ）の状態で、…シリコンウェハ８００に第１のレーザ光８０６で加工しようとしているのは切断予定ライン８００ａに相当する位置である。」、「切断予定ライン８００ａにおいて第１のレーザ光８０６の集光点が合うまでにはタイムラグが発生する。ま10

た、非点収差信号も大きく振られることになって第１のレーザ光８０６の集光点がずれることにもなる。」、「従って、図１０（Ｃ）に示すよ
うに、切断予定ライン８００ａにおいて第１のレーザ光８０６の焦点が合って安定状態になるまでの区間Ｂでは、切断予定ライン８００ａではない部分がレーザ加工されることになる。」との記載があり（【０００15８】～【００１０】）、また、【図１０】では、シリコンウェハの断面図においてそのシリコンウェハの中ほどの高さの部分に一直線に切断予
定ライン８００ａがあることや、その区間Ｂでは、シリコンウェハの高さ方向においてその切断予定ライン８００ａと異なる部分が加工されることが示されており、【００１２】～【００１４】【図１１】において20も同様の記載がある。これらによれば、「切断予定ライン」は、シリコ
ンウェハにおいて、加工を予定する部分であって、シリコンウェハにおいて、高さ方向において予定されている部分と異なる部分が加工されることについて切断予定ラインではない部分が加工されているとされている。そうすると、これらの本件明細書の記載によれば、「切断予定ライ

25ン」とは、加工対象物の内部の一定の加工高さすなわち予定する加工の深さにおける仮想線を意味していると理解できる。上記記載には、従来

70

技術のレーザ加工装置においては、加工対象物の端部で「切断予定ライン」にレーザ加工がされないことも説明されている。
また、本件明細書には、「受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定められた閾値よりも大きくなった場合に、
5

加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして…、その時点でのアクチュエータ４３の伸び量の保持を解除して、所定の間隔ごと（例えば、各サンプリングポイントごと）に非点収差信号がステップＳ０６で保持した基準値となるようにアクチュエ
ータ４３の伸び量制御を開始する。従って、加工用対物レンズ４２が図10６（Ａ）中の矢印Ｅ方向に移動すると図６（Ｂ）に示す状態になる。図６（Ｂ）に示すように、区間Ｆ（一端部）においては一定の加工高さで改質領域Ｒが形成されることになる。この区間Ｆにおいて一定の加工高さで改質領域Ｒが形成されると、その後、加工用対物レンズ４２は切断予定ラインＣ１に沿って移動し、加工用レーザ光Ｌ１によって改質領域

15

Ｒを形成する。この間、測距用レーザ光Ｌ２の反射光から得られる非点収差信号が上記基準値となるようにアクチュエータ４３が調整される。」（【００６０】）、「加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置（図６（Ａ））に到達したこと検出するために、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定め20られた閾値よりも大きくなったことに基づいた」（【００６２】）等と記載されている。本件各発明は、切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、制御装置はレンズを初期位置に保持した状態を解除するものであるところ（構成要件１Ｈ、２Ａ）、上記では、加工対象物の加工の開始に当たり、「区間Ｆ（一端部）」において、「一定の25加工高さで」（【００５２】）すなわち予定する加工の深さで改質領域が形成された後、「検出する全光量が予め定められた閾値よりも大きく71

なった場合に加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして」、その時点でアクチュエータの伸び量の保持、すなわち、加工対象物の特定の箇所で集光点が加工対象物の内部の所定の位置に合う状態となる初期位置にレンズを保持した状態（【００5４８】【００４９】【００５３】）が解除され、続いて切断予定ラインに沿って改質領域が形成されるとされている。したがって、ここでは、
予定する加工の深さで改質領域が形成された後に、加工用対物レンズが切断予定ラインの一端に相当する位置にあることが記載されているといえる。

10

そして、本件各発明の技術的意義は、集光点が加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ラインの一端部において改質領域を形成した後に、初期位置にレンズを保持した状態を解除してレンズと加工対象物の間隔を調整しながら改質領域を形成することにより、加工対象物の端部におけるレーザ光の集光点の15ずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行い、切断予定ラインに沿って改質領域を安定して形成することを可能にするところにある（前記１⑵）。本件明細書の前記記載によれば、本件各発明のレーザ加工装置においては、加工対象物の加工の開始に当たり、初期位置にレンズを保持した状態で加工を開始し、一定の加工高さすなわち予定する加工の20

深さで改質領域が形成され、加工対象物の端部の形状変動による影響を受けなくなった時点で、「切断予定ラインの一端部」において改質領域が形成されたものとして、初期位置にレンズを保持した状態を解除して、レンズの位置を調整しながら残部において改質領域を形成するものと理解できるところ、このように理解することは、本件各発明のレーザ加工

25装置において加工対象物の端部におけるレーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行い、切断予定ラインに沿って改質

72

領域を安定して形成することを可能にするという本件各発明の上記効果を奏するものであり、上記の本件各発明の技術的意義に合致するものといえる。
したがって、これらの特許請求の範囲及び本件明細書の記載によれば、「切断予定ライン」とは、加工対象物の内部の一定の加工高さすなわち

5

予定する加工の深さにおける仮想線であり、本件各発明の「切断予定ラインの一端部」とは、加工対象物の加工の開始に当たり、レンズを一定の位置（初期位置）に保持した状態で一定の加工高さすなわち予定する加工の深さで改質領域が形成される部分を意味すると解すべきである。
10

イ

被告は、「切断予定ラインの一端部」とは、シリコンウェハの面取り部分を意味すると主張する。
本件各発明は、従来のレーザ加工技術においては、加工対象物の外側の位置からレーザ光の照射を開始してレーザ光と加工対象物とをその主面に沿って移動させて加工を行う場合に、測定手段は加工対象物の外側か

15

ら測定を開始し、加工対象物の内側へと測定を行っていき、この測定によって得られた主面の高さの測定値に基づいて集光レンズを駆動すると、加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合があり、加工対象物の外側から測定を開始した場合、集光レンズは加工対象物を検出した時点で上昇するが、この間もレーザ光と加工対象物のその主面に沿20

った移動は継続していることから、集光レンズが所定の位置に上昇し、切断予定ラインにレーザ光の集光点が合うまでにはタイムラグが発生し、また、集光レンズを所定の位置に合わせるための信号が大きく振られることによってもレーザ光の集光点がずれるため、レーザ光の焦点が切断
予定ラインに合って安定状態になるまでの間は、切断予定ラインではな

25

い部分が加工されることになるという問題点に対し、加工対象物の端部
における処理に着目し、レンズを保持した状態で「切断予定ラインの一73

端部」において改質領域を形成した後に、レンズを保持した状態を解除
してレンズと主面との間隔を調整しながら改質領域を形成することにより、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して改質領域を形成することができるという効果を実現するものである（前記１⑵）。
そして、加工対象物であるシリコンウェハに面取り部分があるか否かに5かかわらず、加工対象物の外側から測定を開始した場合、集光レンズが加工対象物を検出した後、所定の位置に上昇し切断予定ラインにレーザ
光の集光点が合うまでにはタイムラグが発生し、また、集光レンズを所定の位置に合わせるための信号が大きく振られることによって、加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれるという問題点とこれに対10する課題が存在する。
以上によれば、本件各発明における加工対象物は面取り部分のあるシリ
コンウェハに限定されず、「切断予定ラインの一端部」がシリコンウェ
ハの面取り部分を意味するとは解されない。本件各発明では、加工対象物のシリコンウェハに面取り部分があるか否かにかかわらず、加工対象

15

物に上記アのとおりの「切断予定ラインの一端部」が存在し得るといえる。
ウ

対象製品１⑵Ｂは、加工対象物が面取り部分のあるシリコンウェハである場合には、シリコンウェハの現実の端を検出した後、面取り部分を超20えて所定距離進んだ時点で加工用レーザの照射を開始し、更に所定距離進んだ時点でＡＦ固定すなわちシリコンウェハの所定の点で加工用レー
ザの集光点がシリコンウェハの内部の所定の深さに位置するような高さに調整された初期位置に対物レンズを保持した状態を解除し、ＡＦ追従を行う（前記第２の１⑸イ、前記⑴）。このような対象製品１

25

Ｂは、

面取り部分を超えシリコンウェハの主面が概ね水平（ＸＹ平面と平行）となっている部分に到達した後に加工用レーザの照射を開始してＡＦ固74

定を解除するまでの間、レンズを一定の位置に保持した状態でシリコンウェハの内部の所定の深さに加工領域を形成する。
また、対象製品１⑵Ｂは、加工対象物が面取り部分のないシリコンウェ
ハである場合には、シリコンウェハの現実の端を検出した後、加工用レ
ーザ光の照射を開始し、その後、所定距離進んだ地点でＡＦ固定すなわ

5

ちシリコンウェハの所定の点で加工用レーザの集光点がシリコンウェハの内部の所定の深さに位置するような高さに調整された初期位置に対物レンズを保持した状態を解除し、ＡＦ追従を行う（前記第２の１⑸イ、前記⑴イ）。このような対象製品１

Ｂは、シリコンウェハの主面が概ね水平となっている端部から加工用レーザ光の照射を開始してＡＦ固定

10を解除するまでの間、レンズを一定の位置に保持した状態でシリコンウ
ェハの内部の所定の深さに加工領域を形成する。
以上のとおり、対象製品１⑵Ｂは、加工対象物の加工の開始に当たり、レンズを一定の位置に保持した状態で一定の加工高さすなわち予定する加工の深さである所定の深さで改質領域を形成するから、「切断予定ラ

15

インの一端部」すなわち加工対象物の加工の開始に当たりレンズを一定の位置に保持した状態で一定の高さすなわち予定する加工の深さで改質領域が形成される部分において改質領域を形成する。
⑸
20

制御手段（構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ及び２Ｂ）について
被告は、対象製品１⑵Ｂの制御機構について、海外の法人である各利用者に納品した後、各利用者の要望に応じて調整を行ったアプリケーションを適用していた（前記⑴ウ）。もっとも、対象製品１⑵Ｂは、出荷の時点で、制御機構のパラメータ設定により、各駆動機構及び対物レンズ保持機構について、シリコンウェハの端部から所定の範囲においてＡＦ固定の状態でレーザ

25

加工を行った後にＡＦ固定を解除してＡＦ追従の状態でレーザ加工を行うという動き（同イ）を含む異なる動きをさせることができるものであり、実際、

75

被告は、対象製品１⑵Ｂの出荷前に、日本国内において、様々なアプリケー
ションを作成して各駆動機構及び対物レンズ保持機構について異なる動きをさせる検査を行っていた（同ウ）。
したがって、被告が、対象製品１⑵Ｂについて、海外の法人に納品した後に各アプリケーションを適用するという作業を行っていたとしても、対象製

5品１⑵Ｂは、出荷前に日本国内において完成していたものと認められ、本件各発明の「制御手段」を備えるものと認められる。
⑹

小括以上によれば、対象製品１⑵Ｂは、構成要件１Ｂから１Ｅ、１Ｉを充足す
る（前記第２の１⑸ア）ほか、構成要件１Ａ、１Ｆから１Ｈ、２Ａから２Ｃ

10をいずれも充足するから、本件各発明の技術的範囲に属する。
４

争点③（対象製品１⑴及び１⑵Ａが本件各発明の技術的範囲に属するか。）
について

⑴
15

対象製品１⑴及び１⑵Ａについて
ア

対象製品１⑴及び１⑵Ａは、加工対象物が面取り部分のあるシリコンウェハである場合には、加工対象物の位置の検出方法として座標基準を採用し、また、加工対象物が面取り部分のないシリコンウェハである場合には、加工対象物の位置の検出方法として光量基準を採用して、概要別
紙対象製品１動作態様記載２⑴及び⑵のとおり、対物レンズの走査を開20始してから座標基準又は光量基準によって検出されるシリコンウェハの端部までの範囲においては、対物レンズをピエゾアクチュエータが想定位置に固定されるよう制御した状態でＡＦ固定し、その後、シリコンウ
ェハの端部から対物レンズを低追従の状態で走査し、非加工領域を超えた時点で加工用レーザ光を照射してレーザ加工を開始し、その後、低追25

従領域を超えた時点で対物レンズを低追従の状態からＡＦ追従の状態に切り替える（前記第２の⑸ウ）。

76

イ

対象製品１⑴及び１⑵Ａは、対物レンズを低追従の状態で走査する場合には、所定の上限値の範囲内で、計算式〔想定位置の値＋（現実のシリ
コンウェハの主面の高さの値－現実のピエゾアクチュエータの位置の値）
×０．８〕によって求められる制御指令値により、ピエゾアクチュエータを制御する。（前記第２の１⑸ウ、争いがない事実、弁論の全趣旨）。

5

ウ

被告は、対象製品１⑴及び１⑵Ａについて、加工対象物が面取り部分のあるシリコンウェハである場合には、加工対象物の検出方法として光量基準を採用したり対物レンズが走査開始待機位置にあるときから加工用
レーザ光を照射する設定をしたりした対象製品１⑴及び１⑵Ａを製造、販売していない。しかし、対象製品１⑴及び１⑵Ａは、ＧＵＩからパラ

10

メータを調整してアプリケーションないしシステムを作成、調整することにより、加工対象物の存在ないし位置を検出する方法を選択したり、対物レンズが走査開始待機位置にあるときから加工用レーザ光を照射するよう設定したりすることが可能である（前記第２の１⑸ウ、弁論の全
趣旨）。

15

エ

被告は、対象製品１⑴及び１⑵Ａの制御機構について、出荷前に、日本国内において、コンピュータのパラメータ設定により様々なアプリケー
ションを作成し、各駆動機構及び対物レンズ保持機構について異なる動きをさせる検査を行い、国内及び海外の法人である各利用者に納品した
後、各利用者の要望に応じて調整を行ったアプリケーションを適用して20いた。（弁論の全趣旨）⑵

改質領域の形成（構成要件１Ａ、１Ｇ、１Ｈ及び２Ａ）について
ア

本件各発明において、「改質領域」はレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射することにより形成されるものであり、「多光子吸収」によって形成されるものに限定されない（前記３⑵ア）。

25

イ

対象製品１⑴及び１⑵Ａは、シリコンウェハ内部で加工用レーザ光の集77光点を走査することによりシリコンウェハの内部にレーザ加工領域を形成する（前記第２の１⑸ア）ところ、「レーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射」することにより形成される加工領域すなわち「改質領域」を形成するものといえる。
5⑶対物レンズの保持態様（構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ及び２Ｂ）についてア

特許請求の範囲には、「…レンズを…主面に対して進退自在に保持する保持手段」（構成要件１Ｄ）が「集光点が…加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置に」「レンズを保持する」よう制御され10ること（構成要件１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、２Ａ）が記載されている。「保持」とは、「たもちつづけること。手放さずに持っていること。」をいう（乙２７）から、「集光点が…加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置に」「レンズを保持する」とは、レンズを初期位置に保ち続けることをいうものと理解できる。

15

本件明細書には、保持手段である加工用対物レンズが装着されたアクチュエータ（【００３９】【００４１】）が、加工の開始に当たっては「図４（Ｃ）で設定された伸び量で固定されている」こと（【００５９】）や、加工用対物レンズが切断予定ラインの一端に相当する位置にあるものと判断された時点で「伸び量の保持を解除」されること（【０20０６０】）が記載されており、ここでは、加工用対物レンズが装着されたアクチュエータの伸び量を固定、すなわち、加工対象物の主面に対して進退自在に保持された加工用対物レンズの（鉛直方向の）動きを固定することにより、加工対象物の特定の箇所で集光点が加工対象物の内部の所定の位置に合う状態となる鉛直方向における加工対象物に対する加25

工用対物レンズの位置すなわち初期位置にレンズが保持される（【００４８】【００４９】【００５３】）とされている。そして、本件各発明

78

の技術的意義が、集光点が加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ラインの一端部において改質領域を形成した後に、初期位置にレンズを保持した状態を解除してレンズと加工対象物の間隔を調整しながら改質領域を形成することによ5

り、加工対象物の端部におけるレーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行い、切断予定ラインに沿って改質領域を安定して形成することを可能にするところにあること（前記１⑵）も踏まえると、本件各発明のレーザ加工装置においては、加工対象物の加工の開始に当たり、「切断予定ラインの一端部」において改質領域が形成さ10れるまでの間、レンズの鉛直方向の位置が、加工対象物の特定の箇所で集光点が加工対象物の内部の所定の位置に合う状態となる初期位置に、維持されていると理解できる。
このような特許請求の範囲及び本件明細書の記載によれば、「初期位置に」「レンズを保持する」とは、加工対象物の特定の箇所で集光点が15

加工対象物の内部の所定の位置に合う状態となる鉛直方向における加工
対象物に対する加工用対物レンズの位置すなわち初期位置に、レンズを保ち続ける、すなわち、レンズを実質的に固定することを意味すると解すべきである。
対象製品１⑴、１⑵Ａは、対物レンズを低追従の状態で走査する場合

20には、所定の上限値の範囲内で、計算式〔想定位置の値＋（現実のシリ
コンウェハの主面の高さの値－現実のピエゾアクチュエータの位置の値）
×０．８〕によって求められる制御指令値により、ピエゾアクチュエー
タを制御する（前記⑴ウ）。対象製品１⑴、１⑵Ａは、現実のシリコンウェハの主面の高さの値から求められる制御指令値により、すなわち、

25

現実のシリコンウェハの主面の高さに応じて、ピエゾアクチュエータの位置を制御し、これにより対物レンズの位置を保持しているのであり、79その動きを制御する制御指令値に上限があるからといって、対物レンズ
を特定の位置に実質的に固定するよう保持しているとはいえない。
ここで、対象製品１⑴及び１⑵Ａにより、面取り部分のない（研削した）シリコンウェハを加工する場合、一般にシリコンウェハの外縁が5（概ね３μｍ程度（前記第２の１⑸ア、弁論の全趣旨））反り上がっているため、シリコンウェハの端から１０ｍｍ程度の区間では、制御指令
値は上限値で一定となり、その値は－０．２μｍであるとされている。
もっとも、この場合でも、そもそも、前記のとおり、制御指令値は現実のシリコンウェハの主面の高さに応じて前記計算式によって求められた

10

数値に基づくものである上、シリコンウェハの形状計測結果等を基に規定される想定位置の値はこれより小さく、現実のピエゾアクチュエータの位置の値は、制御指令値に一致するように制御され上昇することになる。実際、被告の行った実験によれば、想定位置の値は－１．２μｍと規定され、現実のピエゾアクチュエータの位置の値は、シリコンウェハ

15の端から１０ｍｍ程度の区間において約０．１５μｍ程度上昇しており、したがって、対物レンズの位置も上昇するよう保持される。このように、制御指令位置が一定になることは直ちに対物レンズが特定の位置に固定されることを意味しない。なお、本件各発明のレーザ加工装置や対象製品１⑴、１⑵Ａ等は、概ね±３μｍ程度のうねりのあるシリコンウェハ

20の主面に沿って対物レンズを追従させようとするごく繊細な動きをするものであるから、対物レンズの位置を約０．１５μｍ程度上昇させることをもって、対物レンズを特定の位置に実質的に固定する制御を行っていると評価されるとはいえない。（以上につき、争いがない事実のほか、
乙２４、２９、３０、弁論の全趣旨）

25

したがって、対象製品１⑴及び１⑵Ａにおいて、低追従の状態は、「初期位置に」「レンズを保持」しているとはいえない。

80もっとも、対象製品１⑴及び１⑵Ａは、加工対象物にかかわらずその検出方法として光量基準を選択し、対物レンズが走査開始待機位置にあるときから加工用レーザ光を照射する設定をすることも可能であり（前記⑴イ）、このような設定等をした上で、面取り部分のあるシリコンウ
ェハを加工する場合には、シリコンウェハの現実の端から光量基準によ5って検出されるシリコンウェハの主面が概ね水平となっている地点に到達するまでの部分すなわちシリコンウェハの面取り部分においては、対物レンズを想定位置にＡＦ固定した状態、すなわち、「初期位置に」「レンズを保持」した状態となる。
イ10

本件発明２における「レンズを主面に向かう方向に駆動させずに保持した状態での、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるような移動手段の制御」（構成要件２Ｂ）は、加工対象物がレンズの直下にあることを前提とした動作であるとは解されない（前記３⑶ア）。
対象製品１⑴及び１⑵Ａは、ＡＦ追従の状態でのレーザ加工終了後、対物レンズがシリコンウェハの端部を超えて走査終了位置に至ると、対15物レンズを想定位置に固定されるよう制御した状態で、カッティングテーブルをＸ軸方向に動かす（前記第２の１⑸ウ）から、「レンズを…主面に向かう方向に駆動させずに保持するように…保持手段を制御すると共に、…レンズと…加工対象物とを…主面に沿って相対的に移動させる
ように…移動手段を制御する」ものといえる。

20⑷

切断予定ラインの一端部における改質領域の形成（構成要件１Ｇ、１Ｈ、及び２Ａ）について
ア「切断予定ラインの一端部」とは、加工対象物の加工の開始に当たり、レンズを一定の位置に保持した状態で一定の加工高さすなわち予定する

25

加工の深さで改質領域が形成される部分を意味し、また、本件各発明における加工対象物は面取り部分のあるシリコンウェハに限定されない

81

（前記３⑷ア、イ）。
イ

対象製品１⑴及び１⑵Ａは、加工対象物が面取り部分のあるシリコン
ウェハであっても面取り部分のないシリコンウェハであっても、対物レンズの走査を開始してからシリコンウェハの端部までの範囲においては

5

ピエゾアクチュエータを想定位置に固定するよう制御して対物レンズをＡＦ固定し、その後、シリコンウェハの端部から対物レンズを低追従の状態で走査し、非加工領域を超えた時点で加工用レーザ光を照射してレーザ加工を開始し、その後、低追従領域を超えた時点で対物レンズを低追従の状態からＡＦ追従の状態に切り替える（前記第２の１⑸ウ、前記

10⑴ア）ところ、低追従の状態は初期位置にレンズを保持している状態であるとはいえない（前記⑶ア）から、レンズを一定の位置に保持した状態でシリコンウェハの内部の一定の加工高さすなわち予定する加工の深さに加工領域を形成することはない。
もっとも、対象製品１⑴及び１⑵Ａは、加工対象物いかんにかかわら15ずその検出方法として光量基準を採用し、対物レンズが走査開始待機位
置にあるときから加工用レーザ光を照射する設定をすることも可能である。対象製品１及び１Ａについて、このような設定等をした上で、面取り部分のあるシリコンウェハを加工する場合には、シリコンウェハの現実の端から光量基準によって検出されるシリコンウェハの主面が概20ね水平となっている地点に到達するまでの部分すなわちシリコンウェハの面取り部分においては、対物レンズを想定位置にＡＦ固定した状態で加工用レーザ光が照射され、主面が概ね水平となっている地点から対物レンズを低追従の状態で走査して加工用レーザ光が照射されることになる（前記⑶ア25）。

しかしながら、シリコンウェハの面取り部分は主面が水平ではないた
め、照射した加工用レーザ光は散乱してシリコンウェハの内部で適切に82集光することが困難であり、仮に集光したとしても所望の深さより浅い
位置にしか集光しない。原告及び被告が行った各実験結果によれば、切断予定ラインの深さをシリコンウェハの主面から６５μｍ等の浅い位置に設定した場合には、面取り部分の一部に加工領域が形成されることがあるものの、加工領域は所望の予定する加工の深さ（６５μｍ等）に水5

平に形成されることはなく、その深さより浅い位置において斜めに形成される。他方、切断予定ラインをシリコンウェハの主面から６５μｍ等
より深い部分に設定した場合には、面取り部分に加工領域は形成されなかった。（以上につき、甲２６、乙５０、５５、弁論の全趣旨）
これらによれば、対象製品１⑴及び１⑵Ａは、加工対象物の検出方法

10として光量基準を採用し、対物レンズが走査開始待機位置にあるときから加工用レーザ光を照射する設定をして、面取り部分のあるシリコンウ
ェハを加工したとしても、レンズを一定の位置に保持した状態でシリコ
ンウェハの内部の予定する加工の深さに加工領域を形成するものであると認めるには足りない。そうすると、対象製品１⑴及び１⑵Ａは、上記

15設定をして、面取り部分のあるシリコンウェハを加工したとしても、上記

アにいう「切断予定ラインの一端部」において改質領域を形成するものであると認めるに足りない。
前記及びから、対象製品１⑴及び１⑵Ａは、「切断予定ラインの一端部」すなわち加工対象物の加工の開始に当たりレンズを一定の位置20に保持した状態で一定の高さすなわち予定する加工の深さで改質領域が形成される部分において改質領域を形成するとは認められず、構成要件
１Ｇ,１Ｈ及び２Ａを充足しない。
⑸
25

小括
以上によれば、対象製品１⑴及び１⑵Ａは、「切断予定ラインの一端部」
において改質領域を形成するとは認められず、構成要件１Ｇ、１Ｈ及び２Ａ

83

を充足せず、ひいては構成要件２Ｃも充足しないから、本件各発明の技術的範囲に属しない。
５

争点④（本件特許が特許無効審判により無効にされるべきものと認められるか。）について5⑴

無効理由１（サポート要件違反）についてア

被告は、本件明細書では、改質領域の形成は多光子吸収によってされるとされている一方、本件各発明は、改質領域の形成が単光子吸収によってされる場合も含むことを挙げて、本件各発明は本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない旨主張する。
しかし、本件明細書の「多光子吸収」に関する記載は、一実施例を記10載したにすぎないというべきものであり（前記３⑵ア）、本件明細書の記載において、本件各発明における改質領域はレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射することによって形成されることが前提とされているといえる。本件各発明の「改質領域」が「多光子吸収」によって形成されるものに限定されないとしても、そのような本件各発明は15

本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものであると認められる。
イ

被告は、本件明細書では、加工対象物の端部にレンズを保持した状態でレーザ光を照射する構成しか開示されていない一方、本件各発明は、加工対象物の端部に改質領域を形成することを必須としていないことを挙げて、

20

本件各発明は本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない旨主張する。
特許請求の範囲には、第一のレーザ光の照射を開始する時点を限定する
記載はない。
本件明細書には、加工対象物の外側から加工対象物の主面の高さの測定25を開始した場合に、集光レンズは加工対象物を検出した時点で上昇する
が、この間もレーザ光と加工対象物のその主面に沿った移動は継続して84

いることから、集光レンズが所定の位置に上昇し、切断予定ラインにレーザ光の集光点が合うまでにはタイムラグが発生し、また、集光レンズ
を所定の位置に合わせるための信号が大きく振られることによってもレーザ光の集光点がずれるため、レーザ光の焦点が切断予定ラインに合っ
5て安定状態になるまでの間は、切断予定ラインではない部分が加工されることになる等という問題点に対し、加工対象物の端部におけるレーザ
光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレーザ加工装置を提供することが記載されている（【０００４】【０００６】【０００９】【００１０】）。ここで、加工対象物の端部

10におけるレーザ光の集光点のずれは、加工対象物の現実の端から一定の範囲において生じるものであって、加工対象物の現実の端からレーザ加工を行わない場合であっても、レーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレーザ加工装置を提供するという課題は存在し、本件明細書に、加工対象物の現実の端からレーザ

15

加工を行わない場合が排除されていることをうかがわせる記載はないか
ら、本件明細書の記載には、加工対象物の現実の端からレーザ加工を行
わない場合も含まれているといえる。
さらに、レーザ光の集光点のずれが生じる加工対象物の現実の端から一定の範囲を超えた部分においてレーザ光の照射を開始する場合であって20も、本件各発明のレーザ加工装置においては、レーザ光の集光点のずれが生じる上記の範囲においてはレンズが保持されているから、レーザ光の照射を開始する時点にかかわらず、レーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレーザ加工装置を提供するという課題を解決することができるといえる。

25

したがって、本件各発明が加工対象物の端部に改質領域を形成することを必須としていないとしても、本件明細書の記載には、加工対象物の現85

実の端からレーザ加工を行わない場合も含まれているといえることなどから、本件各発明は本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものであると認められる。
ウ
5

被告は、本件明細書では「切断予定ラインの一端部」は面取り部分であるとされており、光量基準によってレンズを初期位置に保持した状態を解除すべき「一端部」の終端を検知する方法しか記載されていないから、
仮に「切断予定ラインの一端部」が面取り部分よりも内側にも存在し本件各発明が任意の位置においてレンズの保持状態を解除することをも含
むとすれば、本件各発明は、本件明細書の発明の詳細な説明に記載した10ものであるとはいえない旨主張する。
本件各発明における「切断予定ラインの一端部」とは、加工対象物の加工の開始に当たり、アクチュエータの伸び量が固定された状態すなわちレンズを一定の位置に保持した状態で一定の加工高さすなわち予定する加工の深さで改質領域が形成される部分を意味し、加工対象物は面取り15部分のあるシリコンウェハに限定されない（前記３⑶ア）。また、本件各発明は、「切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、…レンズを…初期位置に保持した状態を解除して」（構成要件１Ｈ）とするにとどまり、「切断予定ラインの一端部」の終端を検知することを要件とするものではない。

20

また、本件明細書には、「発明を実施するための最良の形態」として、「受光部４５…の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定められた閾値よりも大きくなった場合に、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして…、その時点でのアク
チュエータ４３の伸び量の保持を解除して、…」（【００６０】）等と25

記載されており、ここでも「切断予定ラインの一端部」の終端を検知すること自体は記載されていない。

86そうすると、本件各発明が、「切断予定ラインの一端部」の終端を検知する手段以外の方法により「切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、…レンズを…初期位置に保持した状態を解除」する
場合を含み、他方、本件明細書に、「切断予定ラインの一端部」の終端を検知する手段が記載されていないとしても、上記のとおりの本件各発

5

明の内容と本件明細書の記載に照らせば、本件各発明が発明の詳細な説
明において課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものとは認められない。
⑵

無効理由２（明確性要件違反）について被告は、本件明細書には本件各発明の改質領域が多光子吸収によってされ10る旨記載されている一方、本件各発明が単光子吸収によってされる場合も含
むのであれば、本件明細書の記載内容と矛盾するものであり、明確であるとはいえない旨主張する。
しかし、本件明細書の記載によっても、本件各発明における改質領域はレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射することによって形成さ15れることが前提とされているにとどまり（前記⑴イ）、本件各発明の「改質領域」が「多光子吸収」によって形成されるものに限定されていないから、本件各発明は明確であると認められる。
⑶
20

無効理由３（実施可能要件違反）について
被告は、「切断予定ラインの一端部」が面取り部分よりも内側にも存在し
本件各発明が任意の位置においてレンズの保持状態を解除することをも含むとすれば、本件明細書には、光量基準によってレンズを初期位置に保持した状態を解除すべき「一端部」の終端を検知する方法しか記載されておらず、光量基準によっては任意の位置を選択して検出することはできないから、本25

件明細書は、当業者が、本件各発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない旨主張する。

87本件各発明における「切断予定ラインの一端部」とは、加工対象物の加工の開始に当たり、アクチュエータの伸び量が固定された状態すなわちレンズ
を一定の位置に保持した状態で一定の加工高さすなわち予定する加工の深さ
で改質領域が形成される部分を意味し、加工対象物は面取り部分のあるシリ
コンウェハに限定されない（前記３⑶ア）。また、本件各発明は、「切断予5定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、…レンズを…初期位置に保持した状態を解除して」（構成要件１Ｈ）とするにとどまり、「切断予定ラインの一端部」の終端を検知することを要件とするものではない（前記⑴ウ）。
そして、本件明細書には、「切断予定ラインの一端部」すなわちレンズを

10

一定の位置に保持した状態で一定の加工高さすなわち予定する加工の深さで改質領域が形成される部分において、改質領域が形成された後に、初期位置にレンズを保持した状態を解除する方法についての一実施例が示されており（【００６０】、前記⑴ウ）、この方法はシリコンウェハの面取り部分の有
無にかかわらず適用可能であると考えられる。

15

したがって、本件明細書の発明の詳細な説明の記載は、発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるといえる。
⑷

小括以上から、本件特許が特許無効審判により無効にされるべきものとは認め

20

られない。
６

争点⑤（原告が被告に対し対象製品１⑵Ｂの製造等につき許諾を与えたか。）
について
⑴

25

事実経過
前提事実、証拠（各項末尾に掲記のほか乙１２３、１２４。ただし、いず
れも後記認定に反する部分を除く。）及び弁論の全趣旨によれば、次の各事

88

実が認められる。
ア

原告及び被告は、●（省略）●イ

原告と被告は、原告の電子管事業本部長 であるＡ（以下「ａ」という。）、被告の代表取締役社長であるＢ（以下「ｂ」という。）において、●（省略）●

5ウ

本件業務提携契約締結後、被告は原告エンジンを用いてＳＤ装置を製造、販売したが、そのＳＤ装置には、原告エンジンを用いたことを示す「ＳＤ
Ｅプレート」である本件プレートが貼付されていた。
原告は、平成１６年、本件特許、９６５特許等に係る各発明について特許出願をした。

10エ●（省略）●（本項につき、乙１４）オ●（省略）●（本項につき、乙１５）15

カ

ディスコ社は、平成２４年頃、ＳＤ装置の販売実績を伸ばしていた。そこで、被告が、原告に対し●（省略）●（争いがない事実）

キ

原告と被告の間では、●（省略）●（本項につき、争いがない事実のほか、甲２８）ク●（省略）●（本項につき、争いがない事実のほか、甲２９、３０、乙１７、１８）20

ケ

原告の代表取締役副社長であるａ及びｃは、平成２６年１０月８日、被告を訪問し、被告の相談役ｂ、被告の代表取締役半導体社社長であるＤ（以下「ｄ」という。）と打合せ（以下「１０月８日打合せ」という。）
を行った。

25

１０月８日打合せでは、●（省略）●（本項につき、争いがない事実のほか、甲３０、乙１８、弁論の全趣旨）

89コ●（省略）●（甲３１、乙１９）サ●（省略）●（甲３３、乙６７）シ●（省略）●ス●（省略）●（本項につき、争いがない事実のほか、甲３５、３６）

5セ

原告の代表取締役であるｅは、入院したａに代わり、原告における被告との間の連絡窓口を務めることになり、●（省略）●（甲８、乙８０、８２）

ソ●（省略）●（本項につき、甲３７、乙３８、７５）

10タ●（省略）●（甲８）チ●（省略）●（本項につき、甲８）⑵15

原告による許諾の有無及びその内容について
ア

原告及び被告は、平成２６年１０月８日に１０月８日打合せを行い、その際、被告から、●（省略）●（前記ケ）。

被告は、１０月８日打合せにおいて、●（省略）●本件許諾を原告が被告に対してした旨主張する。被告が作成し原告の代表取締役副社長ａ及びｃが署名した１０月８日議事録には前記
20ケの記載がある。また、当時、被告の代表取締役半導体社社長であったｄは、ａとの間で、●（省略）●原告による許諾が、場合により相当長い期間にわたり多くのＳＤ
エンジンに適用されることになることについての記載は全くなく、上記の「●（省略）●」が被告が主張するような意味のものであるとは直ちには認められない。１０月８日打合せ時やその後の状況をみると、●

25（省略）●原告被告間で、被告が主張する内容の本件許諾を前提にして交渉がされていたことを直ちには認めるに足りず、かえって、原告は、

90

●（省略）●とするなどしていた。これらによれば、１０月８日打合せ
で、原告と被告間で、被告が主張する内容の本件許諾がされたと認めるに足りない。
また、本件業務提携契約の内容は●（省略）●。
したがって、１０月８日打合せにおいて、原告が、被告に対し、●（省5略）●被告が開発、製造したＳＤエンジンを搭載したＳＤ装置すなわち
対象製品１⑵Ｂを製造して販売することについて許諾したとは認めるに足りない。
イ

もっとも、１０月８日打合せの内容について、ｃは、原告は被告に対し、●（省略）●と認識していたと陳述し（乙１２４）、本件回答の内容（前10記⑴サ）もこれに沿う。
これらによれば、原告は、１０月８日打合せにおいて、被告に対し、●（省略）●と認められる。そして、一般に、試作機を顧客に提供して顧客の満足を得た結果、当該製品を販売するに至る場合、顧客に対し、試作機をそのまま販売することもあれば、試作機に代えて同一仕様の製品

15を販売機として販売することもあるのであり（弁論の全趣旨）、原告もそのことを踏まえて、試作機１台に関する許諾をした以上、●（省略）●の限度において、本件各発明の実施を許諾したものと認められる。な
お、このような試作機１台及びそれに対応する販売機の製造、販売の限度における本件各発明の実施の許諾は、本件業務提携契約で定められた20事項に対して、個別事情に基づく例外的な扱いを定めたものとして●（省略）●することができると解される（原告も、上記試作機１台の製造等について本件各発明の実施の許諾があったことは認めている。）。
●（省略）●（前記
25

ウ

サ、タ）。

以上から、原告は、１０月８日打合せにおいて、被告に対し、被告が主張する本件許諾をしたと認めるに足りず、被告による全ての対象製品１

91

の製造、販売について、原告の許諾があったとは認められない。もっとも、別紙対象製品１⑵Ｂ売上一覧記載番号１の対象製品１⑵Ｂの製造、販売については、原告の許諾があったと認められる。
７

争点⑥（被告が対象製品１⑵Ｂを製造等するおそれがあるか。）及び争点⑦（廃棄の必要があるか。）について

5

被告は、平成２９年９月に被告エンジンＢを搭載した対象製品１⑵Ｂの受注を停止し、その後、被告エンジンＢとは別に開発した被告エンジンＡを搭載した対象製品１⑴、１⑵Ａを製造、販売等するようになった。また、販売済みの対象製品１⑵Ｂについては、順次、搭載されている被告エンジンＢを被告エンジンＡに交換する改造を行った（なお、さらに、令和３年１２月をもって、対10

象製品１⑴、１⑵Ａの製造、販売等も終了した。）（前記第２の１⑷ウ、オ）。
これらの事実経過によると、被告が、今後、ＳＤ装置を販売するに当たり、自ら開発した被告エンジンＡではなく被告エンジンＢを製造してこれをＳＤ装置に搭載するとは考えにくく、本件で提出された各証拠及び弁論の全趣旨によっても、同様である。

15

したがって、被告が対象製品１⑵Ｂを製造等するおそれがあるとは認めるに足りず、その製造等の差止請求は認められず、したがって、廃棄の請求にも理
由がない。
８
20

争点⑧（原告の受けた損害又は損失及び額）及び争点⑨（原告に過失があるか、また、これを考慮して損害賠償額を定めるべきか。）について⑴

認定事実
前提事実、掲記の証拠及び弁論の全趣旨によれば、次の各事実が認められ
る。
ア

25

対象製品１⑵Ｂは、ＳＤ装置であるところ、筐体、ステージ（Ｘ、Ｙ、
θ軸）、搬送系、ＳＤエンジン及び制御用ソフトウェア（ＣＰＵ）等によって構成される。

92

筐体は、例えば、幅２．７１ｍ、奥行１．７１５ｍ、高さ１．８５ｍ程
度の大きさがあり、搬送系、ＳＤエンジン及び制御用ソフトウェア等を内蔵する。
ステージのうち、Ｘ軸は、シリコンウェハを真空吸着して固定したカッ
5

ティングテーブルを、ロード・アンロード位置と加工部の間で移動させ、加工時には、ＳＤエンジンの位置を固定しつつカッティングテーブルを移動することにより、シリコンウェハと対物レンズとをシリコンウェハの主面に沿って移動させる。また、Ｙ軸は、ＳＤエンジンを加工ラインに移動させる。θ軸は、カッティングテーブルを回転させ、シリコンウ

10

ェハのストリートがＸ軸と平行になるよう調整したりする。
搬送系は、加工前には、シリコンウェハを収納したカセットからロード
ポートにおいてシリコンウェハを引き出し、ロードステージ上のシリコ
ンウェハをロードアームで吸着し、観察（アラインメント）用顕微鏡による記録（外観形状の記録によるシリコンウェハの中心、方向の算出）

15を経てカッティングテーブルに搬送し、また、加工後には、処理済みのシリコンウェハをカッティングテーブルからアンロードステージに搬送し、アンロードステージ上からカセットに格納する。
ＳＤエンジンは、レーザ加工エンジンユニット、Ｚ軸ステージ及びソフ
トウェア設計によって構成される。このうちレーザ加工エンジンユニッ

20

トは、加工用レーザ光の光源、対物レンズ及び光学系を有するレーザ照
射機構、測距用レーザ光の光源、位置検出素子及び光学系からなるＡＦ
ユニット、対物レンズ保持機構を含む。
ステージやＳＤエンジン等の制御は、制御用ソフトウェアによって行われ、カッティングテーブルに載置されたシリコンウェハは、観察用顕微25

鏡による観察の結果に基づき、制御用ソフトウェアによって制御されたステージやＳＤエンジン等により加工される。

93

（本項につき、甲１３）
イ

原告は、ＳＤエンジンを製造して、これを被告、ディスコ社などの半導体製造装置の製造業者に対し販売しているが、自らＳＤ装置を製造、販売
していない。被告及びディスコ社は日本国内においてＳＤ装置を製造、販売しており、その販売先はサムスン社など専ら海外法人であった。

5

原告は、被告に対し、原告エンジンを基本的に１台●（省略）●円（消費税別）で販売していた。（前記６⑴エ）ウ

被告は、平成２８年４月から平成３０年８月まで、別紙対象製品１⑵Ｂ
売上一覧記載番号●（省略）●のとおり、いずれも海外の法人であるサム

10

スン社、ＴＩ社、ＳＫハイニックス社、ＳＴＡＴＳチップＰＡＣ、シング
ネティクス等の半導体の製造業者に対し、対象製品１⑵Ｂを合計●（省略）●台販売した。
●（省略）●ＲＭモジュールとは、ＳＤ装置を、ポリッシュグラインダというシリコンウェハの薄片化とダメージ除去を行う装置に接続するた

15めに開発された装置であり、ＲＭモジュール等をＳＤ装置に接続することにより、ＳＤ装置によるレーザ加工の工程に続いてテープ貼替え等の工程を実現することが可能となる。ＲＭモジュール等をＳＤ装置に接続した場合、ＳＤ装置でレーザ加工されたシリコンウェハは、中間ユニットを介してＲＭモジュールに搬送され、ＲＭモジュールにおいてダイシ

20

ングテープの貼付と表面保護テープの剥離が行われる。ＳＤ装置とＲＭモジュールは、それぞれモニタと制御機構を備え、個別に制御することが可能である。●（省略）●（甲７３、乙９５～９７、１２８、１２９）
被告は、ＲＭモジュール付きＳＤ装置の定価を●（省略）●円、ＲＭモ
ジュールを接続しないＳＤ装置の定価を●（省略）●円と定めており、25したがって、ＲＭモジュール付きＳＤ装置の販売価格におけるＳＤ装置
本体の割合は約●（省略）●％であった。（乙１３９）94

●（省略）●
被告は、その後、いずれも海外の法人であるサムスン社、ＴＩ社、スマートに対し合計●（省略）●台の対象製品１⑴、⑵Ａを販売し、日本法人であるＴＤＫ株式会社に対し●（省略）●台の対象製品１⑴を販売し
た。

5

エ

海外においては、ＥＯ

Ｔｅｃｈｎｉｃｓ

Ｃｏ．,Ｌｔｄ,（以下「ＥＯ社」という。）、徳力激光、長城科技、無錫先導知能設備など複数の法人がＳＤ装置を製造、販売しており、例えば、ＥＯ社は、平成２７年から平成２８年にかけて、サムスン社に対し、約５０台のＳＤ装置を販売した。（甲７３、乙６６）10

半導体製造業者は、一般的には、その優位性を確保するため、複数の業者から半導体製造装置を購入する体制を採用している。例えば、サムスン社は、当初は被告のみからレーザダイシング装置を購入していたが、平成２３年頃からは被告及びＥＯ社から、平成２５年頃から平成２８年頃まではＥＯ社及びディスコ社からＳＤ装置を購入していた。サムスン

15

社は、同年４月２０日、原告からの申入れにより、原告に対しＥＯ社から新規にＳＤ装置を購入することは控えたい旨述べ、同年頃以降は被告及びディスコ社からＳＤ装置を購入していた。（甲７５、乙９４、９５）
オ
20

原告と被告は、●（省略）●本件業務提携契約を締結した。本件業務提携契約においては、原告は被告に対し、●（省略）●ここで原告が被告に対し実施を許諾したステルスダイシングに関する各発明、ノウハウには、原告が当時ステルスダイシングに関して有していた、１８８特許、７１１特許及び１０８特許に係る特許権を含む●（省略）●件の特許権に係るもののほか、本件業務提携契約締結後に原告が取得することにな

25

る特許権に係る各発明等も含まれていた。原告は、平成１６年には、本件特許及び９６５特許について特許出願をし、その後、原告と被告は、

95

●（省略）●なお、原告は、平成２２年に本件特許権及び９６５特許に係る特許権を取得したほか、その後も、ステルスダイシングに関する特許権を取得し、平成２９年１１月には、被告に対し、被告によるＳＤ装置等の製造、販売等が、原告の特許ポートフォリオを侵害するなどと主張した。（前記６⑴イ、ウ、オ、乙７４、乙１０７～１０９）

5

原告は、遅くとも平成３１年４月までに、第三者との間で、原告が、同第三者に対し、原告エンジンを供給することを前提に、ステルスダイシ
ングに関する特許に係る各発明を実施してＳＤ装置を製造、販売することを許諾し、同第三者は原告に対し、ＳＤ装置の販売価格の●（省略）●％相当額を実施料（ロイヤリティ）として支払うことを内容とする業

10

務提携契約を締結した。同契約においては、同契約で定める条件に違反する同第三者製造に係るＳＤ装置が市場において発見された場合には、同第三者は原告に対し、ＳＤ装置の販売価格の３５％相当額か原告の逸失利益のいずれかを支払う旨の損害賠償額の定めがされていた。（甲７
４）

15

⑵

特許法１０２条２項の適用についてア

原告は、金銭請求に関する主位的請求についての選択的主張①として、特許法１０２条２項に基づく損害額を主張する。
特許法１０２条２項は、民法の原則の下では特許権侵害行為によって特20許権者が受けた損害の賠償を求めるためには、特許権者において、損害の発生及び額、これと特許権侵害行為との間の因果関係を主張立証しなければならないところ、その立証等には困難が伴い、その結果妥当な損害の填補がされないという不都合が生じ得ることに照らして、侵害者が侵害行為によって利益を受けているときは、その利益の額を特許権者の25受けた損害の額と推定することとして、特許権者の立証の困難の軽減を図った規定であり、このような同項の趣旨に照らせば、特許権者に侵害96

者による特許権侵害行為がなかったならば利益が得られたであろうという事情が存在する場合には、同項の適用が認められると解すべきである。
そして、特許法１０２条２項は、上記のとおり、特許権者の立証の困難の軽減を図って、侵害者が侵害行為によって受けた利益の額を特許権者の受けた損害の額と推定するものであり、これが推定である以上、この5推定は、侵害者による特許権侵害行為がなかった場合に、侵害者が特許権侵害行為により受けた利益やそれと同質といえる利益を特許権者が獲得し得るという関係があることを前提としているといえる。そうすると、侵害者による特許権侵害行為がなかったとしても、侵害者が特許権侵害行為により受けた利益と同質といえる利益を特許権者が獲得し得るとい10う関係が類型的にない場合には、同条適用の基礎を欠くといえる。同条適用に当たり、特許権者が販売しているのが当該特許の実施品でなくとも、侵害品と競合する製品であれば、侵害者が特許権侵害行為により受けた利益と同質といえる利益を特許権者が獲得し得るという関係があり特許権者に侵害者による特許権侵害行為がなかったならば利益が得られ15たであろうという事情が存在するといえるのに対し、そもそも侵害者が特許権侵害行為により受けた利益と同質といえる利益を特許権者が獲得し得るという関係が類型的になければ、特許権者に侵害者による特許権侵害行為がなかったとしても、上記にいう利益が得られたであろうという事情が存在するとはいえない。

20

イ

本件において、原告は、ＳＤエンジン（原告エンジン）を製造、販売しているが、ＳＤ装置を製造、販売することはしておらず、ＳＤエンジン
はＳＤ装置の一部品であって、ＳＤエンジンの需要者は半導体製造装置の製造業者であるのに対し、ＳＤ装置の需要者は半導体の製造業者であ25る（前記⑴ア～エ）。原告は、本件各発明の実施品であるＳＤ装置の製造等に使用される部品に相当するＳＤエンジンを製造、販売等するにす97

ぎず、ＳＤ装置を販売等していない。そうすると、被告による特許権侵害行為がなかった場合に、原告が、被告に代わってＳＤエンジンを搭載した装置であるＳＤ装置を販売できたわけではない。本件で被告の利益は被告がＳＤ装置を販売したことにより得た利益であり、被告による本件特許権の侵害行為がなかったとしても、原告がそのようなＳＤ装置を5

販売等することによる利益と同質の利益を得ることができたとは認められないから、被告が特許権侵害行為により受けた利益について、類型的に原告が獲得し得るという関係がない。そうすると、本件においては特許法１０２条２項の適用の基礎を欠く。
なお、原告は、被告及びディスコ社が海外及び国内においてほぼ独占的

10にＳＤ装置を販売しており、ＳＤ装置に搭載するＳＤエンジンは原告のみが販売している等と主張する（前記第２の２⑻（原告の主張）ア）。
関係各証拠によっても、同事実は認めるには足りないが、同事実があっても、原告がＳＤ装置を販売等していない以上、前記に述べた理由により、被告がＳＤ装置を販売したことによる利益に基づく特許法１０２条

15２項の推定の基礎がない。
⑶

特許法１０２条１項の適用についてア

原告は、金銭請求に関する主位的請求の選択的主張②として、特許法１０２条１項に基づく損害を主張する。

20

特許法１０２条１項は、民法７０９条に基づき販売数量減少による逸失
利益の損害賠償を求める際の損害額の算定方法について定めた規定であり、侵害行為と相当因果関係のある販売減少数量の立証責任の転換を図ることにより、より柔軟な販売減少数量の認定を目的とする規定である。
同項の文言及び趣旨に照らせば、特許権者等が「侵害行為がなければ販25売することができた物」とは、侵害行為によってその販売数量に影響を受ける特許権者の製品であれば足り、侵害品と、市場において、侵害者

98

の侵害行為がなければ販売等することができたという競合関係にある製品をいうものと解するのが相当である。
イ

本件で、被告は、侵害品である対象製品１

ＢすなわちＳＤ装置を販売したが、ＳＤエンジンを搭載してステルスダイシングを行う装置がＳＤ装置なのであるから、ＳＤ装置においてＳＤエンジンは必要なものであった

5

といえる。
特許法１０２条１項における、特許権者等が「侵害行為がなければ販売することができた物」とは、侵害行為によってその販売数量に影響を受ける特許権者の製品であれば足りるところ、特許権者である原告はＳＤエンジンである原告エンジンを販売している。そして、ＳＤ装置にはＳ

10Ｄエンジンは必要なものであったといえるのであるから、被告によるＳ
Ｄ装置の販売により原告エンジンの販売数量が影響を受ける。したがって、本件には、特許法１０２条１項を適用する基礎があるといえる。
ウ
15

特許発明を実施した特許権者の製品において、特許発明の特徴部分がその一部分にすぎない場合であっても、特許権者の販売によって得られる限界利益の全額が特許権者の逸失利益となることが事実上推定されるというべきである。もっとも、特許権者の製品のうち、特許発明の特徴を有する部分が特許権者の製品の販売による利益の全てに貢献しているとはいえないことが認められる場合には、上記の事実上の推定が一部覆滅されるとい20

うべきである。
原告エンジンは、ステルスダイシングを行う装置（ＳＤ装置）に用いられるものであり、原告が供給したＳＤエンジンを搭載したＳＤ装置に「Stealth Dicing Engine inside!」との記載のある本件プレートの貼付がされていたことなどからもうかがえるように、原告エンジンは、それを用25いることでステルスダイシングをすることができることに高い顧客吸引力があったと認められる。他方、本件各発明は、ステルスダイシングに99

付随して加工対象物の端部における加工の精度を従来技術より高めることにより加工の効率化を図るというものであり、その部分の顧客吸引力
は、ステルスダイシングを行うことができることに比べて相当に小さいと認められる。また、対象製品１⑴及び１⑵Ａには、本件各発明に代替する技術として低追従によるものが導入されており（前記第２の１⑷オ、

5

同⑸、前記４）、技術的には、ステルスダイシングを行う場合、本件各発明には代替することが可能な技術があったといえた。これらからすると、原告エンジンのうち、本件各発明の特徴を有する部分が原告エンジンの販売による利益の全てに貢献しているとはいえず、前記の事実上の推定は一部覆滅され、その程度は少なくとも８割５分であると認めるの10が相当である。
エ

本件で、原告は、第２の２⑻（原告の主張）イのとおり主張し、原告エンジン一式の販売価格が●（省略）●円又は●（省略）●円であると主張するが、原告は、原告エンジンを基本的に被告に対して１台●（省略）●
円で販売していた（前記15イ）。また、原告は、上記原告の主張を前提に原告エンジン一式の利益が●（省略）●円又は●（省略）●円であると主張する。被告は、前記

ウのとおり、別紙対象製品１⑵Ｂ売上一覧記載番号●（省略）●のとおり、本件特許権の侵害となる対象製品１⑵Ｂを合計●（省略）●台販売し、上記原告の主張によっても、その利益の合計は●（省略）●円であり、上記ウの推定覆滅をした後の額は●（省略）●円と20なる。この額は、後記で認定する１億１９１６万１３９９円よりも小さい。
オ

原告は、特許法１０２条１項の損害の算定に当たり、ＳＤ装置販売後に交換されると主張するＬＤモジュールの販売による利益も主張する。し25

かし、原告が主張するＬＤモジュールの交換は、●（省略）●年後以降というＳＤエンジンの販売から時間的に隔たった時期にされるものをい100

うものと解され、その交換が確実であるともいえず、ＬＤモジュールが原告エンジンと一体のものとして「侵害行為がなければ販売することができた物」であるということはできない。
また、特許法１０２条１項は、同項各号を含めた同項全体によって特許権者の損害額を推定するものであり、同項に加えて同条３項が適用され5るものではない。
⑷

特許法１０２条３項の算定による損害についてア

特許法１０２条３項所定の「その特許発明の実施に対し受けるべき金銭の額に相当する額」は、当該特許発明の実際の実施許諾契約における実施
料率や、それが明らかでない場合には業界における実施料の相場等も考慮10に入れつつ、当該特許発明自体の価値すなわち特許発明の技術内容や重要性、他のものによる代替可能性、当該特許発明を当該製品に用いた場合の売上げ及び利益への貢献や侵害の態様、特許権者と侵害者との競業関係や特許権者の営業方針等訴訟に現れた諸事情を総合考慮して、合理的な料率を定めるべきである。

15イ

当該特許発明に含む発明等についての実際の実施許諾契約における実施
料率についてみると、本件において、原告と被告は、原告が被告に対し原
告エンジンを販売するとともに、被告が原告がステルスダイシングに関して特許権を有するなどする各発明を実施してＳＤ装置を製造、販売するこ20との対価として、ＳＤ装置の販売価格の●（省略）●％相当額を実施料として支払うことを内容とする本件業務提携契約を締結した（前記オ）。

また、原告は、遅くとも平成３１年４月までに、第三者との間で、原告が、同第三者に対し、原告エンジンを供給することを前提に、ＳＤ装置の販売
価格の●（省略）●％相当額を実施料として支払うことを内容とする業務
25

提携契約を締結した（前同）。本件業務提携契約においては、その後、被告が原告に対して支払う実施料がＳＤ装置の販売価格の●（省略）●％相101

当額に変更されたものの、●（省略）●を原因としてされたものであって（前同）、当時の原告と被告との特段の関係から定められたものいえる。
ここで、上記各業務提携契約においては、原告が被告及び第三者に対して原告エンジンを販売し、被告及び第三者は原告エンジンを使用してＳ
5Ｄ装置を製造、販売することが前提となっていたから（前記⑴オ）、原
告は、ステルスダイシングに関する一連の特許権に係る各発明等の実施料に加えて、原告エンジンの販売による利益も獲得し得るものであった。
そうすると、上記各業務提携契約で定められた実施料率は、原告が、原
告のステルスダイシングに関する一連の特許権に係る各発明等を実施す

10

る者との間で業務提携をすることにより、原告エンジンの販売に伴う利益を獲得し得ることなど考慮して決められたものであったと認められる。
したがって、原告が特許権を侵害した者との間で特許権の侵害があったことを前提として合意する場合には、必ずしも同様の水準で実施料率が定められるとはいえず、原告エンジンの販売に伴う利益を獲得し得るこ

15とを前提としないことから、上記料率より相当に高い料率になると推認できる。
そして、原告と第三者との間の上記業務提携契約においては、同契約で定める条件に違反する同第三者が製造したＳＤ装置が市場において発見された場合には、同第三者は原告に対しＳＤ装置の販売価格の３５％相20

当額を支払うなどの定めがされている（前記オ）。この定めは、同契約の各当事者が様々な義務を負ったことを前提として当該当事者が契約に違反した場合の料率の定めであって、これが、原告エンジンを販売しない場合の実施許諾契約における実際の実施料率であると確定的に認めるには足りないが、この定めは原告エンジンを販売しない場合の実施料
25率が前記の●（省略）●％より相当に高くなることをうかがわせるもの
である。

102

なお、被告の主張中には、被告が支払う実施料には本件プレートの貼付の対価が含まれている旨の主張がある、被告が原告エンジンを用いて製造、販売したＳＤ装置には、原告エンジンを用いたことを示す本件プレートが貼付されていた（前記６⑴ウ）が、本件プレートは、原告の商号とともに「Stealth Dicing Engine inside!」と記載されたものであって、

5

原告エンジンが内蔵されているものを明らかにするものといえ、本件プ
レートの交付及びＳＤ装置への貼付の許可は、基本的には原告エンジンの販売に付随するものであると認められる。したがって、本件業務提携
契約において定められた被告が原告の有する特許発明等を実施してＳＤ
装置を製造、販売することの対価として定められた実施料において、本10

件プレートの交付及びＳＤ装置への貼付の許可の対価の部分があったとまでは認められない。
ウ

当該特許発明自体の価値すなわち特許発明の技術内容や重要性についてみると、本件各発明は、従来のレーザ加工技術においては、加工の開始

15に当たりレーザ光の焦点が切断予定ラインに合って安定状態になるまでの間切断予定ラインではない部分が加工されることになるという問題点
に対し、集光点が加工対象物の内部の所定の位置に合う状態となる初期位置にレンズを保持するように保持手段を制御し、切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、レンズを初期位置に保持した20状態を解除する等保持手段を制御すること等により、加工対象物の端部
におけるレーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるという効果があるというものである（前記１⑵）。
本件各発明は、ステルスダイシングに付随して加工対象物の端部における加工の精度を従来技術より高めることにより加工の効率化を図るとい25

うものであって、一定の条件でレーザ光をウェハ内部に集光してウェハ内部に加工層を形成し、その後ウェハに引っ張り応力を加え、ウェハ表

103

面に形成される集積回路に損傷を与えずに加工層を起点としてウェハを分割するというステルスダイシング（前記第２の１⑷ア）そのものについての技術ではない。
また、被告は、対象製品１⑴及び１⑵Ａには、本件各発明に代替する技
術として低追従によるものを導入しており（前記第２の１⑷オ、同⑸、5前記４）、本件各発明には代替可能な技術も存在するといえる。このよ
うな本件各発明の技術内容等に照らすと、本件各発明がＳＤ装置である
対象製品１⑵Ｂの売上げの増加に対して、特段の貢献をしたと認めるには足りない。
10エ

前記各業務提携契約においては、原告が有するステルスダイシングに関する一連の特許権に係る各発明等の実施が許諾されていて、同各発明には本件業務提携契約締結当時において原告が有する少なくとも●（省略）●件の特許権に係るものが含まれていた（前記⑴オ）。前記各業務提携
契約において、原告が有するステルスダイシングに関する一連の特許権15に係る各発明等の実施が一括して許諾されたといえるところ、それらの各発明等について、ステルスダイシングそのものをすることに関係する発明等があることがうかがえる一方、本件各発明は、ステルスダイシン
グに付随して加工対象物の端部における加工の精度を従来技術より高めることにより加工の効率化を図るというものであり、代替技術もあり、20原告が実施を許諾したステルスダイシングに関して有する他の特許権に係る各発明等と比較して特段の重要性を有するものであるとは認めるに足りない。
なお、被告は、本件各発明が原告と被告との間の共同開発の中でされたものであり本件特許が共同出願されるべきものであったことや、本件許25諾をした際の原告の代表取締役副社長の言動が被告をして対象製品１⑵Ｂの販売等について許諾を受けたと誤信させるものであった等という事104

情（前記第２の２⑻（被告の主張）ウ）を挙げた上で、これらについて本件各発明の実施に対し受けるべき金銭の額に相当する額を定める上で考慮すべきであると主張するが、被告が主張する上記各事実自体を認めるに足りず、被告の上記主張には理由がない。
5オ以上から、本件において、原告と業務提携関係にない者がステルスダイ
シングに関する一連の特許権に係る相当数の各発明等を実施する場合に合意することが想定される実施料率は●（省略）●％より相当に高い料率になると推認することができるが、本件各発明は、ステルスダイシングをすること自体についてのものではなく、代替技術もあり、対象製品１⑵Ｂの売上げへの貢献の程度も高いものとは認めるに足りず、原告が業務提携契10約において実施を許諾した原告が有するステルスダイシングに関する一連の特許権に係る相当数の各発明等の中では、他の発明等と比較して特段の重要性を有するものとは認めるに足りない。これらを考慮し、原告が本件各発明の実施に対し受けるべき金銭の額に相当する額は、対象製品１⑵Ｂの売上高の５％相当額であると認めるのが相当である。

15

そして、被告は、平成２８年４月から平成３０年８月まで、原告の特許権を侵害する製品として対象製品１⑵Ｂを合計●（省略）●台販売し合計●（省略）●円を売り上げた（前記⑴ウ）から、原告が本件各発明の実施に対し受けるべき金銭の額に相当する額は、その５％相当額である●（省略）●円であると認めるのが相当である。

20

カ

また、本件の内容等に照らし、原告が本件訴訟追行に費やした弁護士費
用のうち●（省略）●円は、被告の不法行為と相当因果関係がある損害として被告が負担すべきである。

キ
25以上によれば、被告による対象製品１⑵Ｂの製造、販売により、原告は、
１億３１１６万１３９９円の損害を受けたものと認められる。
【計算式】●（省略）●×5%≒●（省略）●105

●（省略）●＝131,161,399⑸

民法７０９条における損害（特許法１０２条の適用を主張しないもの）について原告は、被告による対象製品の販売行為がなければ原告が原告エンジン一5式等を販売等できたと主張して、特許法１０２条の適用を主張せずに、民法
７０９条に基づく損害を主張する。
原告は、平成１９年頃から、被告のほかディスコ社に対しても原告エンジンを販売し、被告とディスコ社は日本国内においてＳＤ装置を製造、販売していた。そして、その販売先はサムスン社など専ら海外法人であった。日本

10

国外においては、ＥＯ社、徳力激光、長城科技、無錫先導知能設備など複数の法人がＳＤ装置を製造、販売していた。また、半導体製造業者は、被告及びディスコ社のＳＤ装置の販売先であるサムスン社も含め、一般的には、その優位性を確保するため、複数の業者から半導体製造装置を購入する体制を採用しており、例えば、サムスン社は、当初は被告からのみレーザダイシン

15

グ装置を購入していたが、平成２３年頃からは被告及びＥＯ社から、平成２５年頃から平成２８年頃まではＥＯ社及びディスコ社から、同年頃以降は被告及びディスコ社からレーザダイシング装置を購入しており、ＥＯ社は、平成２７年から平成２８年にかけて、サムスン社に対し、約５０台のＳＤ装置を販売した。（以上につき、前記第２の１⑷イ、前記６⑴オ、カ、前記⑴ウ、20エ）。
これらによれば、ＳＤ装置の供給者及び需要者はいずれも日本国内の者に限られない。そうすると、本件で問題となるＳＤ装置を製造、販売する者が被告とディスコ社のみであるとはいえないのであり、被告が対象製品１⑵Ｂを製造、販売することにより、その販売数量について、ディスコ社によるＳ

25

Ｄ装置の販売数量が減少し、その結果、その数量について原告のディスコ社
に対する原告エンジンの販売数量が減少したという事実を認めるには足りな

106

い。
したがって、被告による対象製品１⑵Ｂの製造、販売により、その販売数
量について原告が原告エンジンを販売することができなくなったと認めるには足りず、被告により製造、販売された対象製品１⑵Ｂの数量について原告が原告エンジンの販売ができなくなりそれによって得られるはずであった利5益を失ったとは認められない。
⑹

過失相殺について被告は、原告の代表取締役副社長の平成２６年１０月８日の言動を理由として、被告が対象製品１

10Ｂの製造販売を行うに至ったことには、原告の過失がある旨主張する。
しかし、被告が仮に原告側の平成２６年１０月８日の言動によりその許諾があったものと考えて対象製品１⑵Ｂを製造、販売したとしても、そのことについて原告に過失があったとは認められない。すなわち、前記６⑵のとおり、原告は、平成２６年１０月８日、被告に対し、●（省略）●試作機１台

15の製造、提供及びこれに対応する販売機の製造、販売の限度で本件各発明の実施を許諾したにすぎない。原告と被告との間で、１０月８日打合せにより、原告が被告に対し、●（省略）●被告が開発、製造したＳＤエンジンを搭載したＳＤ装置すなわち対象製品１⑵Ｂを製造して販売することについて許諾し、被告が原告に対しロイヤリティを支払うという、被告が主張する内容の20

許諾が明確な文言で確認されたとはいえない。そもそも、本件業務提携契約の内容は●（省略）●ものとされており、原告と被告が、被告が主張する前
記合意内容を合意するに当たっては●（省略）●が必要であったが、そのような書面は作成されなかった。このような状況からすると、被告が仮に１０
月８日打合せの際の原告側の言動により許諾があったものと誤信して対象製

25品１⑵Ｂを製造、販売したとしても、それは上記のとおりの客観的状況を踏まえずに被告が誤信したといえるものであり、その誤信について原告に過失107

相殺の根拠となるような過失があったとは認められない。
⑺

不当利得について被告が対象製品１⑵Ｂの製造、販売により法律上の原因なく受けた本件特許の実施料相当額の利益額は、前記⑷の損害額を超えない。

⑻

5

小括
以上から、原告は、被告による対象製品１⑵Ｂの製造、販売により、１億
３１１６万１３９９円（前記⑷）の損害を受けたものというべきである。

第４結論
以上のとおり、原告の被告に対する各請求は、不法行為による損害賠償請求

10権に基づき１億３１１６万１３９９円及びこれに対する不法行為より後の日である平成３０年１１月１日から支払済みまで年５分の割合による金員の支払を求める限度で理由があるから、同限度で認容し、その余はいずれも理由がないから棄却することとし、主文第１項には仮執行宣言を付し、また、仮執行免脱宣言は相当でないのでこれを付さないこととする。

15

よって、主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第４６部

裁判長裁判官

柴

田

義

明

裁判官

佐

伯

良

子

裁判官

仲

田

憲

史

108

別紙
対

象

製

品

目

録

次の型番のレーザダイシングマシン
１⑴ＭＬ３００ＥＸシリーズ（その型番中に「ＭＬ３００ＥＸ」を含むもの）⑵

ＭＬ３００ＰｌｕｓＸシリーズ（その型番中に「ＭＬ３００ＰｌｕｓＸ」を含むもの）

２

Ａ

うち「ＮＳ９００」以外の型番のレーザエンジンを搭載するもの

Ｂ

うち「ＮＳ９００」の型番のレーザエンジンを搭載するもの

ＭＬ２００ＥＸシリーズ（その型番中に「ＭＬ２００ＥＸ」を含むもの）
以

109

上

別紙
本件発明図面
【図１】

【図３】

110

【図４】

【図６】

【図７】

【図８】

111

【図１０】

【図１１】

以

112

上

別紙●（省略）●

113

別紙
対象製品１動作態様
１

対象製品１⑵Ｂ⑴

面取り部分のあるシリコンウェハの場合⑵

面取り部分のないシリコンウェハの場合

114

２

対象製品１⑴、１⑵Ａ⑴

面取り部分のあるシリコンウェハの場合⑵

面取り部分のないシリコンウェハの場合

以115

上