外為法の安全保障貿易管理に係る省令等改正（令和６年７月８日公布、９月８日施行）

令和６年８月
経済産業省 貿易経済安全保障局
総務課
貿易管理部 安全保障貿易管理課

１ 改正概要○国際的な安全保障環境が厳しさを増す中、軍事転用の防止を目的として、重要・新興技術に関連する特定の貨物及び技術を輸出管理の対象に追加
品 目貨物等省令
貨 物

相補型金属酸化膜半導体集積回路

第６条 第１号 カ

走査型電子顕微鏡（半導体素子・集積回路の画像取得用のもの）

第６条 第１７号の４

量子計算機

第７条第６号

技 術（第１９条 第１項第２号、第５号）
第２０条 第１項
第３号、第４号（上記走査型顕微鏡関連技術）

第１９条 第３項
第７号

GAAFET 構造の集積回路等の設計・製造に必要な技術第１９条 第３項第８号

多層 GDSⅡデータを生成するプログラム○既存の輸出管理対象品目の仕様変更等
半導体製造装置（２３品目）に関する関係国の最新の輸出管理動向なども総合的に勘案し、レベルプレイン
グフィールドを確保する観点から、対象となる装置の閾値等の見直しを行う（貨物等省令第６条第１７号ヲ、レ、ラ、ヰ、オ、ヤ、マ）※令和６年７月８日（月）公布、令和６年９月８日（日）施行⚫ 省令：輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令の一部を改正する省令（令和６年経済産業省令第４４号）⚫ 通達：「輸出貿易管理令の運用について」等の一部を改正する通達（令和６年７月８日付け輸出注意事項
２０２４第１４号）

2２．重要・新興技術に関連する特定の貨物及び技術の品目追加
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２－１ 輸出令（別表第１） ７の項（１）：エレクトロニクス◼

「相補型金属酸化膜半導体集積回路」の追加「集積回路」について、「相補型金属酸化膜半導体集積回路であって、零下２６８．６５度以下の温度で作動するように設計したもの（ロに該当するものを除く。）」を追加する。
⚫貨物等省令⚫運用通達

第６条第１号カ１－１（７）（イ）（解釈の表）７の項

輸出令
【７の項】
（１）集積回路（４の項の中欄に掲げるものを除く。）

貨物等省令

運用通達

第一号
集積回路（モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路、マルチチップ集積回 「貨物等省令第６条第一号カに規定
路、膜形集積回路（シリコンオンサファイア集積回路を含む。）、光集積回路、 する相補型金属酸化膜半導体集積回
三次元集積回路及びモノリシックマイクロ波集積回路を含む。）であって、次の 路」
いずれかに該当するもの
極低温ＣＭＯＳ又はクライオＣＭＯ【イ 略】
Ｓともいう。
ロ マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、アナログデジタル変換機能を有しデジタル化されたデータを記録し、若しくは処理することができるもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドプログラマブルロジック
デバイス、カスタム集積回路（ハからチまで若しくはルからカワまでのいず
れかに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別表第１の５から１５までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。
以下この条において同じ。）、ＦＦＴプロセッサ、スタティック式のラム又は不揮発性メモリーであって、次のいずれかに該当するもの（民生用の自動車又は鉄道車両用に設計した集積回路を除く。）（一）、（二）【略】（三） 零下５５度以上１２５度以下の全てすべての温度範囲で使用することができるように設計したもの【ハ～ワ 略】
カ 相補型金属酸化膜半導体集積回路であって、零下２６８．６５度以下の温度で作動するように設計したもの（ロに該当するものを除く。）

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２－２ 輸出令（別表第１） ７の項（１６）：エレクトロニクス◼

「半導体素子／IC用の走査型電子顕微鏡」の追加「半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置若しくは試験装置又はこれらの部分品若しくは付属品」について、「半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡」を追加する。
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第６条第１７号の４１－１（７）（イ）（解釈の表）７の項

輸出令

貨物等省令第十七号の四半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡であって、次のイからトまでの全てに該当するもの（国際半導体製造装置材料協会（１６）半導体素子、が定めたＳＥＭＩ規格に準拠したウエハーの搬送・保管容器（200ミリメートル集積回路若しくは 以上のフロント・オープニング・ユニファイド・ポッド（ＦＯＵＰ）を含む。）
半導体物質の製造 用にウエハー搬入部を設計したものを除く。）
イ ステージの位置決め精度が30ナノメートル未満のもの
用の装置若しくはロ レーザー干渉計によるステージ位置計測が可能なもの
試験装置又はこれハ レーザー干渉計による長さスケール計測に基づく視野の位置校正が可能なもの
らの部分品若しく
ニ 画素数が200,000,000を超える画像の収集及び保存が可能なもの
は付属品
ホ 画像を取得する際の視野の重なりが垂直方向及び水平方向で5パーセント未満のもの
ヘ 画像を結合する際の視野の重なりが50ナノメートル未満のもの
ト 加速電圧が21キロボルトを超えるもの

運用通達

【７の項】

「貨物等省令第６条第十七号の四中の走査型電子顕微鏡」
チップの設計の複元用に設計したものを含む。

【以下 略】

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２－３（１） 輸出令（別表第１） ８の項：コンピュータ◼

「量子計算機」の追加「電子計算機若しくはその附属装置又はこれらの部分品」について、「量子計算機又はその電子組立品若しくは部分品」を追加する。
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第７条第６号
１－１（７）（イ）（解釈の表）８の項

輸出令
【８の項】
電子計算機若しくはその附属装置又はこれらの部分品（４の項の中欄に掲げるものを除く。）であつて、経済産業省令で定める仕様のもの

貨物等省令
輸出令別表第一の８の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
第一号～第五号 【略】

運用通達
次ページ

第六号 量子計算機又はその電子組立品若しくは部分品であって、次のいずれかに該当するもの
イ 量子計算機であって、次のいずれかに該当するもの（一）完全に制御され、接続され、使用可能な物理量子ビットを３４個以上１００個未満有するもので、Ｃ―ＮＯＴエラーが０．０００１以下であるもの（二）完全に制御され、接続され、使用可能な物理量子ビットを１００個以上２００個未満有するもので、Ｃ―ＮＯＴエラーが０．００１以下であるもの（三）完全に制御され、接続され、使用可能な物理量子ビットを２００個以上３５０個未満有するもので、Ｃ―ＮＯＴエラーが０．００２以下であるもの（四）完全に制御され、接続され、使用可能な物理量子ビットを３５０個以上５００個未満有するもので、Ｃ―ＮＯＴエラーが０．００３以下であるもの（五）完全に制御され、接続され、使用可能な物理量子ビットを５００個以上７００個未満有するもので、Ｃ―ＮＯＴエラーが０．００４以下であるもの（六）完全に制御され、接続され、使用可能な物理量子ビットを７００個以上１，１００個未満有するもので、Ｃ―ＮＯＴエラーが０．００５以下であるもの（七）完全に制御され、接続され、使用可能な物理量子ビットを１，１００個以上２，０００個未満有するもので、ＣＮＯＴエラーが０．００６以下であるもの（八） 完全に制御され、接続され、使用可能な物理量子ビットを２，０００個以上有するもの
ロ 物理量子ビットのアレイを含む量子ビットデバイス又は量子ビット回路であって、イに該当する貨物のために特に設計したものハ 量子制御部品又は量子測定デバイスであって、イに該当する貨物のために特に設計したもの【以下 略】

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２－３（２） 輸出令（別表第１） ８の項：コンピュータ
運用通達
貨物等省令第７条第六号中の量子計算機

運用通達

量子ビットを物理的に含むとは限らない。例えば、光量子計算機には、量子ビットとして識別可能な物理的なものが永続的に含まれるわけではない。その代わりに、光量子ビットは、計算機が動作している間に生成され、後に破棄される。
回路モデル（又はゲートベース）及び一方向（又は測定ベース）の量子計算機を含む。

断熱量子計算方式（又は量子アニーリング方式）に基づく量子計算機を除く。

貨物等省令第７条第六号中の電子組立品

６の「電子組立品」の解釈に同じ。

貨物等省令第７条第六号中の完全に制御され物理量子ビットを必要に応じて校正、初期化、ゲート操作、及び読み出しできることをいう。

貨物等省令第７条第六号中の接続され２量子ビットゲート操作が、利用可能で使用可能な任意の物理量子ビット対の間で実行できることをいう。これは、必ずしも、量子ビットの全結合を必要としない。

貨物等省令第７条第六号中の使用可能な物理量子ビットが量子ビットの動作を忠実に実行するために、システム仕様を満たす万能な量子計算処理を実行することをいう。

貨物等省令第７条第六号中の物理量子ビット

エラー訂正されない操作や測定による、量子論理の基本単位を表現するために使用される二準位系の量子系をいう。論理量子ビットは、物理量子ビットとは異なり、多数の物理量子ビットで構成されるエラー訂正された量子ビットである。

貨物等省令第７条第六号イ中の完全に制御され、接続され、使用可能な物理量子ビットを有するもの

貨物等省令第７条第六号イにおいて「～個以上」と規定される数以上の物理量子ビットに具体化された量子情報を閉じ込め、制御、測定し、処理できるものをいう。

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２－３（３） 輸出令（別表第１） ８の項：コンピュータ
運用通達

運用通達

貨物等省令第７条第六号イ中のＣ―ＮＯＴエラー

最近接の２つの物理量子ビットに制御ノット(ＣＮＯＴ)ゲート操作を実行した際の平均物理ゲートエラー率をいう。

貨物等省令第７条第六号ロ中の量
子ビットデバイス又は量子ビット
回路

半導体量子チップ、半導体量子チップアレイ、超電導量子チップ、超電導量子チップアレイ、光量子チップ、光量子チップアレイ若
しくは表面イオントラップアレイその他の量子ビット閉じ込め技術を用いたもの又はこれらの間のコヒーレントな相互接続を実現するためのものを含む。

貨物等省令第７条第六号ハ中の量
子制御部品又は量子測定デバイス

量子計算機内の量子ビットを校正、初期化、操作又は測定するために設計されたものをいう。

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２－４ 外為令 （別表） ７の項（３） ：エレクトロニクス◼

「半導体素子／IC用の走査型電子顕微鏡」の「GDSⅡデータ生成プログラム」の追加◼

「GAAFET構造の集積回路等」の設計又は製造に必要な技術の追加「集積回路の設計又は製造に係る技術」について、「GDSⅡデータ生成プログラム」及び「GAAFET構造の集積回路等の設計又は製造に必要な技術」を追加する。
⚫貨物等省令⚫役務通達

第１９条第３項 第７号、第８号
別紙１（解釈の表）７の項

外為令
【７の項】

（３）集積回路の設

貨物等省令
第１項・第２項 【略】
第３項 外為令別表の７の項（３）の経済産業省令で定める技術は、次のいずれかに該当するものとする。
第一号～第六号 【略】

計又は製造に係る技術であって、経済産業省令で定めるもの（（１）及第七号 走査型電子顕微鏡により取得した画像からＧＤＳⅡデータ又はこれと同等の標準レイアウトデータを抽出し、当該データの層間位置合わせ機能を実行し、多層のＧＤＳⅡデータ又は回路のネットリストを生成するために設計したプログラム

び４の項の中欄に掲げるものを除く。）

第八号 ゲートオールアラウンド電界効果トランジスタ（ＧＡＡＦＥＴ）の構造を有する集積回路又は半導体素子の設計又は製造に必要な技術（プログラムを除く。）であって、次のいずれにも該当しないもの
イ プロセスデザインキット（第六条第一号から第八号の四までのいずれかに該当する貨物に係る機能又は技術を実装するライブラリが含まれているものを除く。）
ロ ツールの認定又は保守に用いるもの

役務通達「貨物等省令第１９条第３項第八号に規定する技術」
プロセスレシピ（特定のプロセスステップのための一連の条件及びパラメータをいう。）を含む。
「貨物等省令第１９条第３項第八号に規定するツール」
半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置を含む。

【以下 略】

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２－５ 外為令 （別表） ８の項（１）：コンピュータ◼

「量子計算機」の技術の追加「電子計算機若しくはその附属装置又はこれらの部分品」の設計、製造又は使用に係る技術について、「量子計算機の「設計又は製造に必要な技術」や「そのプログラム又はそのプログラムの設計、製造、もしくは使用に必要な技術」を追加する。
⚫貨物等省令第２０条第１項第３号、第４号

外為令
【８の項】
（１）輸出令別表第１の８の項の中欄に掲げる貨物の設計、製造又は使用に係る技術であつ

貨物等省令
外為令別表の８の項(１)の経済産業省令で定める技術は、次のいずれかに該当するもの(セキュリティの脆弱性の開示又はサイバー攻撃の対応に係る技術(プログラムを除く。)を除く。)とする。

役務通達第一号 第７条第一号から第五号までのいずれか各号に該当するものの設計、製造又は使用に必要な技術(プログラムを除く。)
第二号 第７条第一号から第五号までのいずれか各号に該当するものを設計し、若しくは製造するために設計したプログラム又はそのプログラムの設計、製造若しくは使用に必要な技術(プログラムを除く。)て、経済産業省令で定めるもの（４の項の中欄に掲げるものを除く。）

第三号 第７条第六号ロ若しくはハに該当するものの設計又は製造に必要な技術（プログラムを除く。）
第四号 第７条第六号ロ若しくはハに該当するものを設計し、若しくは製造するために設計したプ
ログラム又はそのプログラムの設計、製造若しくは使用に必要な技術（プログラムを除く。）【第２項 略】

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３．既存の輸出管理対象品目の仕様変更等
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３－１ 輸出令（別表第１） ７の項（１６） ：エレクトロニクス◼

半導体製造装置（露光装置）の規制改定「半導体製造装置（露光装置）」について、「同一装置による重ね合わせ精度の最大値が2.4ナノメートル以下のもの」に限定する。
⚫ 貨物等省令 第６条 第１７号ヲ⚫ 運用通達１－１（７）（イ）（解釈の表）７の項

輸出令

貨物等省令

運用通達

【７の項】

第十七号

貨物等省令第６条第十七号ヲ （二）（１６）半導体素

半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（省略）若しくは試験装中の同一装置による重ね合わせ精度

子、集積回路

置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル

若しくは半導【イ～ル 略】

ウエハーの既存のパターン上に、新体物質の製造ヲ

ウエハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップアンドス

しいパターンを形成する際に、両方用の装置若しキャン方式の露光装置であって、光学方式のものであり、かつ、のうち、光源のパターンを同一の装置で形成する

くは試験装置の波長が193ナノメートル以上のもののうち、次の（一）及び（二）に該当す

場合の重ね合わせ精度をいう。

又はこれらのるものであり、かつ、ナノメートルで表した光源の波長に0.25を乗じて得た部分品若しく数値を開口数の値で除して得た数値が45以下のもの（へ（一）２に該当するは付属品ものを除く。）（一）ナノメートルで表した光源の波長に0.25を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値が45以下のもの（二）同一装置による重ね合わせ精度の最大値が2.4ナノメートル以下のもの【以下 略】

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３－２ 輸出令（別表第１） ７の項（１６） ：エレクトロニクス◼

半導体製造装置（成膜装置）の規制改定（１）「半導体製造装置（成膜装置）」について、「無電解メッキによりコバルトを成膜するように設計したもの」を追加する。
「選択性のボトムアップ成膜を用いる化学的気相成長法によりタングステンを充填するように設計したもの」と限定。数値限定を削除。
⚫ 貨物等省令⚫ 運用通達第６条 第１７号レ（一）（二）１－１（７）（イ）（解釈の表）７の項

輸出令

貨物等省令

運用通達

【７の項】

第十七号

貨物等省令第６ 条第十七号レ （一）（１６）半導体素半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（省略）若しくは試験装中の成膜するように設計したもの子、集積回路若しくは半導

置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル【イ～タ 略】

体物質の製造用の装置若し半導体ウエハーの処理を行う装置に限る。

レ 半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの

くは試験装置又はこれらの部分品若しく（一）電気メッキ又は無電解メッキによりコバルトを成膜するように設計したものは付属品（二）化学的気相成長法によりコバルトを充塡するように設計したもの又は選択性のボトムアップ成膜を用いる化学的気相成長法によりタングステンを充塡するように設計したものコバルト又はタングステンをボトムアップ成膜によって充塡する工程において充塡する金属の空隙又は継ぎ目の最大寸法が３ナノメートル以下となるように設計した化学的気相成長装置【以下 略】

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３－３ 輸出令（別表第１） ７の項（１６） ：エレクトロニクス◼

半導体製造装置（成膜装置）の規制改定（２）「半導体製造装置（成膜装置）」について、「３０度超の温度」に温度範囲を変更する。
⚫ 貨物等省令⚫ 運用通達第６条 第１７号レ（六）１－１（７）（イ）（解釈の表）７の項

輸出令

貨物等省令

運用通達

【７の項】

第十七号

貨物等省令第６条第十七号（１６）半導体素

半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（省略）若しくは試験装レ（九）中の原子層堆積装置

子、集積回路若しくは半導置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル【イ～タ 略】

体物質の製造用の装置若し用いずに充塡充填金属を形成させる
レ（一）～（五）【略】

くは試験装置（六）仕事関数金属（トランジスタの閾値電圧を制御すための材料をいう。以下又はこれらの同じ。）を原子層堆積法により成膜するように設計した装置の原子層堆積装置

部分品若しくであって、次の全てに該当するもの

は付属品

下地の導電体との界面にバリア膜をことを可能とするバリア膜を選択的に成膜することができるものを含む。

１ 次の全てに該当するもの
一２以上の金属の供給源を有するもののうち、アルミニウムの前駆体用に設計した供給源を１以上有するもの

二 45度超の温度で作動するように設計した前駆体容器を有するもの
２ 30度超の温度で作動するように設計した前駆体容器を有するもの
３ 仕事関数金属を成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの
一 炭化チタンアルミニウムを成膜するもの
二 4.0電子ボルト超の仕事関数を可能とするもの【以下 略】

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３－４ 輸出令（別表第１） ７の項（１６） ：エレクトロニクス◼

半導体製造装置（成膜装置）の規制改定（３）「半導体製造装置（成膜装置）」について、「コバルト」、「幅に対する深さの比率が５倍を超える」という条件を削除する。
原子堆積法により、配線全体を充填することを明確化。
⚫ 貨物等省令

第６条 第１７号レ（十）

輸出令

貨物等省令

【７の項】

第十七号

（１６）半導体素

半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（省略）若しくは試験装子、集積回路

運用通達

置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル若しくは半導体物質の製造【イ～タ 略】

用の装置若しレ（一）～（九）【略】

くは試験装置（十）ウエハーの基板温度を500度未満に維持しながら、配線の全体又は絶縁膜又はこれらのと絶縁膜との隙間(幅に対する深さの比率が５倍を超え、かつ、当該幅が40ナ

部分品若しくノメートル未満ものに限る。)にタングステンを原子層堆積法により又は コバは付属品

ルトを空隙が生じないように充塡するように設計したもの原子層堆積装置((二)に該当するものを除く。)【以下 略】

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３－５ 輸出令（別表第１） ７の項（１６） ：エレクトロニクス◼

半導体製造装置（成膜装置）の規制改定（４）「半導体製造装置（成膜装置）」について、縦型拡散炉の追加、パラメーターの明確化。
⚫ 貨物等省令

輸出令【７の項】（１６）半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置若し
くは試験装置又はこれらの部分品若しくは付属品

第６条 第１７号ラ（一）（二）

貨物等省令

運用通達

第十七号
半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（省略）若しくは試験装置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル【イ～ナ 略】
ラ 成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの400度超650度未満の温度で成膜する装置
又はウエハーが設置された空間とは異なる空間で発生させたラジカルにより化学反応を促進させることで成膜する装置であって、次の全てに該当するシリコン及び 炭素を含む膜を形成するように設計したもの(一）ウエハーが設置された空間とは異なる空間で発生させたラジカルにより化学反応を促進させることで成膜するものであって、シリコン及び炭素を含み、かつ、比誘電率が5.3未満の膜を、幅が70ナノメートル未満であり、当該幅に対する深さの比率が5倍を超え、かつ、パターンのピッチが100ナノメートル未満である水平方向の開口部に成膜するように設計したもの5.3未満の比誘電率のもの（二）400度超650度未満の温度で成膜するもの（シリコン及び炭素を含み、かつ、比誘電率が5.3未満の膜を、幅が70ナノメートル未満であり、当該幅に対する深さの比率が5倍を超え、かつ、パターンのピッチが100ナノメートル未満である水平方向の開口部に成膜するように設計したものに限る。）であって、次の全てに該当するもの（（一）に該当するものを除く。）
１ 垂直方向に積み重なった複数のウエハーを保持するように設計されたボートを有する
もの
２ ２以上の垂直方向に伸びるインジェクターを有するもの
３ 膜のシリコン原料及びプロペンが導入されるインジェクターと膜の窒素原料又は膜の酸素原料が導入されるインジェクターが異なるもの
水平方向の開口部の寸法が70ナノメートル未満のパターンにおいて当該寸法に対する深さの比率が５倍を超えるもの（三）パターンのピッチが100ナノメートル未満の構造のもの【以下 略】

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３－６ 輸出令（別表第１） ７の項（１６） ：エレクトロニクス◼

半導体製造装置（成膜装置）の規制改定（５）「半導体製造装置（成膜装置）」について、プラズマによる成膜、から「プラズマを用いた化学的気相成長法による成膜」に明確化する。
⚫ 貨物等省令 第６条 第１７号ヰ

輸出令

貨物等省令

【７の項】

第十七号

（１６）半導体素

半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（省略）若しくは試験装子、集積回路若しくは半導運用通達

置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル【イ～ウ 略】

体物質の製造用の装置若しヰ

厚さが100ナノメートル超であり、かつ 、応力が450メガパスカル未満の

くは試験装置カーボンハードマスクをプラズマを用いた化学的気相成長法により成膜するよ又はこれらのうに設計した装置

部分品若しくは付属品【以下 略】

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３－７ 輸出令（別表第１） ７の項（１６） ：エレクトロニクス◼

半導体製造装置（成膜装置）の規制改定（６）「半導体製造装置（成膜装置）」について、金属配線間の隙間の深さを「50ナノメートル超」から「当該幅に関する深さの比率が１倍以上」に明確化する。
⚫ 貨物等省令 第６条 第１７号オ

輸出令

貨物等省令

【７の項】

第十七号

（１６）半導体素

半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（省略）若しくは試験装子、集積回路若しくは半導運用通達

置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル【イ～ノ 略】

体物質の製造用の装置若しオ 金属配線間の隙間(幅が25ナノメートル未満であり、かつ 、当該幅に対する深くは試験装置さの比率が1倍以上深さが50ナノメートル超のものに限る。) に比誘電率が又はこれらの3.3未満の低誘電層を空隙が生じないようにプラズマを用いて成膜するように部分品若しく

設計した装置は付属品【以下 略】

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３－８ 輸出令（別表第１） ７の項（１６） ：エレクトロニクス◼

半導体製造装置（洗浄除去装置）の規制改定
洗浄除去装置であることを明確化。
⚫ 貨物等省令⚫ 運用通達第６条 第１７号ヤ、マ１－１（７）（イ）（解釈の表）７の項

輸出令

貨物等省令

運用通達

第十七号
貨物等省令第６条第十七号ヤ中の（１６）半導体素 半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（省略）若しくは試 洗浄除去装置
子、集積回路験装置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル
若 し く は 半 導 【イ～ク 略】
成膜装置を除く。
体物質の製造用 の 装 置 若 し ヤ 0.01パスカル以下の真空状態において、高分子残さ及び銅酸化膜を除去し、くは試験装置かつ、銅の成膜を可能にするように設計した洗浄除去装置
貨物等省令第６条第十七号マ中の又はこれらの複数のチャンバー又はステーション
部 分 品 若 し く マ 複数のチャンバー又はステーションを有する洗浄除去装置であって、ドライ を有する洗浄除去装置
は付属品
プロセスにより表面の酸化物を除去する前処理を行うように設計したもの又はドライプロセスにより表面の汚染物を除去するように設計したもの 次のいずれかに該当するものを（ウに該当するものを除く。）除く。
【７の項】【以下 略】

イ ・ ロ （略）ハ 成膜装置19