−総合報文−

資源が豊富な元素で構成される薄膜太陽電池材料
BaSi2 膜のスパッタ成膜
末幸召崇＊ 1
陽 一 朗＊ 2雅実＊ 2益田田

Sputter deposition of thin film solar cell material BaSi2 composed ofearth-abundant elements
Takashi SUEMASU
Yoichiro KODA
Masami MESUDA

Semiconductor BaSi 2, composed of earth-abundant elements, is an indirect bandgap semiconductor with abandgap of about 1.3 eV. This value is suitable for a single-junction solar cell. The feature of this material is its
optical absorption coefficient being as large as that of CuInSe2-based semiconductors in spite of indirect transition
semiconductor. In addition, the carrier type and carrier density of BaSi2 films can be controlled by doping with group
13 and 15 elements. We will introduce our approach to thin-film solar cells on glass substrates by radio-frequency
sputtering, utilizing the knowledge we have gained thus far from epitaxial films on Si substrates.

で構成されることでバンド間の遷移行列要素が大きい

1． 諸言ためである [4]。

半導体バリウムシリサイド（BaSi2）は、禁制帯幅

本稿筆者の一人である末益は、FeSi2 の研究をしてが約 1.3eV であること、光吸収係数が 1.5eV より高エいた折に Si 化合物半導体で禁制帯幅制御の可能性を

4−1

ネルギー側で 3 × 10 cm を超える大きな値であること、Ba も Si も資源が豊富な安全な元素であることか

Si（4）ら、薄膜太陽電池の光吸収層に相応しいといえる。

Ba（2）

Si（3）
Si（5）

Si（5）

Fig. １の結晶構造で示すように、Si 原子は四面体の頂点に位置し、Ba 原子から電子の供給をうけて 3 配位で隣接 Si 原子と共有結合を形成する。この材料の最大の特徴は、Fig.2(a)(b) に示すように光吸収係数がBa（1）c

間接遷移型半導体であるにもかかわらず極めて大きいことである。これは、禁制帯の 0.1eV 直上に複数の直接遷移があること、また、価電子帯上端が Si の p 軌

a

道で主に構成される一方、伝導帯下端が Ba の d 軌道
＊1＊2

筑波大学数理物質系・物理工学域
アドバンストマテリアル研究所 無機電子材グループ

bFig.１

BaSi2 crystal structure3TOSOH Research & Technology Review Vol.67（2023）

40200Fig.２15GaAs（Eg:1.42）
CulnSe2（Eg:0.79）

Si（Eg:1.18）

0

1 2 3 4 5 6－hω［eV］nSnS

BaSi242．実験［1］BaSi2 スパッタ−ゲットの作製

2Z

60

20BaSi2（Eg:1.25）

Cu2ZnSnS4（Eg:1.47）

Absorption［104 ／cm］

80（b）

Cu（a）

塊状バリウムとシリコンフレークを化学量論組成で秤量し、それらをアーク溶融法により溶融することで105インゴットを作製した。インゴットは不活性ガス雰囲

CulnSe2

気下で乳鉢粉砕することで粉末にし、ホットプレス法

GaAsSiを用いて焼結体を作製、さらに加工とボンディングを

00.0 0.5 1.0 1.5 2.0－hω－Eg［eV］

行って 2 インチターゲットを作製した。

(a) Absorption spectra of BaSi2 (black), Cu2ZnSnS4(red), CuInSe2(blue), GaAs (green), and Si (cyan)
calculated using HSE06 potential at (a) photon energy( ħω) and (b) ħω－Eg. (b) Spectra are compared on anenergy scale that has been shifted by Eg.
This demonstrates that BaSi2 has a larger absorption
coefficient than other conventional absorbers.
Reproduced with permission from Ref. [4].

［2］成膜方法
Fig. 3 は、2 インチの BaSi2 ターゲットを RF スパッタカソードに取り付けた写真である。BaSi2 膜には Si空孔が入りやすいことが第一原理計算から [22]、また、BaSi2 膜中の Ba および Si 原子数が化学量論比からズレると電子密度が増加することが実験から明らかに探る目的で、2001 年よりこの材料に注目した [5]。Baなっている [23]。このため、BaSi2 ターゲットをスパッと Si を独立に供給する分子線エピタキシー法によるタした際に、基板に到達する Si および Ba 原子数の薄膜成長[6,7]、13 族または 15 族元素のドーピングに割合を調べた。Ar 雰囲気下で圧力を 3Pa まで変えて、よるキャリア種およびキャリア密度の制御を実証

BaSi2 ターゲットに RF パワーを 100W 投入し、基板[8,9]し、2016 年には、p-BaSi2/n-Si ヘテロ接合型太陽電池で 10％に迫るエネルギー変換効率を達成した[10-12]上での反応を避けるため、基板を室温に保持した状態。

で堆積し、堆積膜中の Ba 原子数と Si 原子数の割合を

その後、分光感度を評価指標に用いて BaSi2 膜の光吸ラザフォード後方散乱法で調べた。その結果を Fig. 4収層としての高品位化に取り組みながら[2,3]、イオンに示す [24]。

注入法で p 型および n 型制御した BaSi2 によるヘテロ

Fig. ４(a) は、Ar 圧力に対する Ba と Si 原子の割合接合太陽電池を実証した [13,14]。BaSi2 膜で得られる光である。Ba 原子の割合は圧力の上昇にともない化学電流密度で比べると、最近の 5 年間で約 200 倍の向上量論比の 33.3％に近づくものの、Fig. ４(b) に示すよを達成している。これは、禁制帯に形成されるキャリうに 、堆積レートが減少する問題がある。このため、アの再結合中心についての理解が進んだことで、それスパッタ法の特徴である高い堆積レートを保持しなを回避すべく取り組んできたためである。試料に含まがら化学量論比を満たすには、圧力を 0.5Pa 程度に設れる欠陥種についても理解が進み、膜中に含まれる酸定し、不足する Ba を供給する必要がある。Fig. ４(a)素を考慮することで、電子スピン共鳴法およびフォトは、BaSi2 ターゲット上に Ba 片を置いて同時スパッルミネッセンス法で得られる実験結果を、欠陥の構造タすることで化学量論比を満たすことを示す。現在は、を含めて第一原理計算で説明できる段階に到達している [15,16]。このように、理論と実験の両面から BaSi2 の研究が格段に進んだ。
本 稿 で は、 ス パ ッ タ 法 に よ る ガ ラ ス 基 板 上 へ のBaSi2 膜の形成 [17,18]、さらには、光照射時に BaSi2 膜で発生したキャリアの取り出しに向けて、電子輸送層およびホール輸送層の候補材料について [19-21]、最近の研究成果を紹介する。なお、本技術は高効率薄膜太陽電池を実現することで、環境負荷低減に貢献するものである。
Fig.３4

Photograph of a 2-inch BaSi2 target.

東ソー研究・技術報告第 67 巻（2023）（a）9066.7％

6050

BaSi2 target Plus
one Ba source

BaSi2 target

4033.3％

30Ba

20
100.0

Fig.４（b）

Si

70

Deposition rate［nm/min］

Atomic ratio［％］

80

0.5

1.0

1.5
2.0
Pressure［Pa］

2.5

75
30.0

3.0

0.5

1.0

1.5
2.0
Pressure［Pa］

2.5

3.0

(a) Ba(red) and Si(black) atomic ratios as a function of P for samples prepared without an additional Basource (dotted lines) and those with one Ba source on the BaSi2 target (solid lines). The broken linesare plotted as guides showing the Ba and Si atomic ratio of the BaSi2 target.
(b) Dependence of deposition rate of films sputtered at RT when only the BaSi2 target is used. (a) and(b) are reproduced from Ref. [24].

BaSi2 と Ba ターゲットの同時スパッタ法により、高を形成した。Fig. ５(a) に示す通り、ランダム方位のい分光感度を示す高品質な BaSi2 膜の形成を実現して多結晶 BaSi2 膜が形成されたといえる。Fig. ５(b) のいる[17,18]

Raman スペクトルの Ag, Fg, Eg は、BaSi2 中の Si 四面。

体由来の Th 対称性に由来する振動モードである [26]。
これにより、確かに結晶性の BaSi2 が形成できている

3．結果および考察といえる。 Fig. ５(c) には、これらの膜の分光感度スペクトルを示す。BaSi2 膜単層ではキャリア引き出し［1］Si 基板へ堆積した BaSi2 膜の評価+

Fig. 5 は、600 ℃ に 加 熱 し た n -Si 基 板 に 形 成 し たのための電場が無いため、外部から 0.1V の電圧を印生成キャリアの取り出しに成功したといえる。Fig. ５の投入パワー (P BaSi) を 20 − 100W に変えて BaSi2 膜(c) の分光感度の値は、分子線エピタキシー法で形成

Calculation

Intensity［arb. unit］

100W
70W
50W

（c）

30W
20W
2030

Intensity［a.u.］

（b）

200

Fig.５402θ［deg］

Eg＋Fg
Fg

Eg
300

5060AgFg

400500Raman shift［cm-1］

30W
600

Photoresponsivity［AW－1］（a）

402

Ba へ の 投 入 パ ワ ー (P Ba) を 30W に 固 定 し、BaSi2 へ

123

ら短波長領域で分光感度が得られており、BaSi2 の光301加した。BaSi2 の禁制帯幅 1.3eV に相当する 950nm かのレーザを用いて測定した Raman スペクトルである [25]。

201
211

BaSi2 膜の (a) X 線回折パターン（2 θ法）と (b)532nm

0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0300

20 W
30 W

Vbias ＝ 0.1 V
P ＝ 0.5 Pa

50 W
70 W
100 W
600
900
Wavelength［nm］

1200(a) Gracing-incidence x-ray patterns of BaSi2 films prepared with PBa=30W and PBaSi=20-100W, (b)Raman spectrum of the sample at PBaSi=30W. (c) Photoresponse spectra of samples in (a) when
0.1 V was applied between top and bottom electrodes. Reproduced with permission from Ref. [25].

5TOSOH Research & Technology Review Vol.67（2023）

した BaSi2 エピタキシャル膜の結果と遜色ない値である。このため、スパッタ法で BaSi2 膜を堆積する際に、る。

基板に与えるダメージは今の段階では考慮する必要が無いといえる。

［2］BaSi2/Si ヘテロ接合型太陽電池の形成と評価
RF スパッタ法で BaSi2 膜を Si 基板に形成する場合、［3］絶縁基板上に堆積した BaSi2 膜の評価

Si 基板にスパッタダメージを導入する心配がある。こスパッタ法で形成した BaSi2 膜のキャリア密度とれを検証するため、スパッタ法で p-Si(111) 基板 ( ホー移動度を評価するため、絶縁性の Si3N4(200nm) 膜を17−3ル密度 3 × 10 cm ) に膜厚 500nm の BaSi2 膜を堆積

堆 積 し た Si 基 板 を 用 い て、BaSi2 膜 を 形 成 し た [18]。

し、n-BaSi2/p-Si ヘテロ接合型太陽電池を作製し、太Fig. ７は、600℃に加熱した Si3N4(200nm)/Si 基板に、陽電池動作が得られるか否かを調べた[27]

PBaSi=70W として、PBa を 0 − 80W と変えたときに得。

こ の 試 料 を sample B とする。スパッタ法で 形 成られた BaSi2 膜の (a)X 線回折パターン（2 θ法）と (b)する BaSi2 膜は n 型伝導を示し、電子密度は室温でRaman スペクトルである。PBa が 0W のときに Fig. ７16−3程度である。一方、同じ Si 基板を使って分(b) で 520.2cm − 1 に結晶 Si に由来する信号が見られる

子 線 エ ピ タ キ シ ー 法 で 電 子 密 度 2 × 1019cm − 3 の n+-のは、Fig. ４(a) で示したように、BaSi2 ターゲットの10 cm+BaSi2 層を形成した、n -BaSi2/p-Si ヘテロ接合太陽電スパッタのみでは Ba が不足するためである。このよう

池 (sample C) と特性を比較した。n-BaSi2/p-Si ヘテロな方法で形成した多結晶 BaSi2 膜は、Fig. ７(c) に示[28]と Si の 4.0eV

すように n 型を示し移動度は 103cm2V −1s −1 を超える [18]。に比べて小さいことを反映して、電子およびホールのこの値は、あらゆる半導体の中で、多結晶膜で得られ輸送を妨げるようにバンド不連続が存在する。このたる電子移動度として、極めて大きい値である。

界面では、BaSi2 の電子親和力が 3.2eVめ、この構造は高効率を目指すのではなく、あくまで BaSi2/Si ヘテロ界面の良し悪しを検証するための［4］ガラス基板上への BaSi2 膜の形成と評価構造である。Fig. ６(a) に示すように、両試料とも電ガラス基板上に BaSi2 光吸収層を形成する場合、電流電圧特性に整流性が明瞭に確認され、AM1.5 照射下流の取り出しのため、ガラス基板上に電極を形成し、で太陽電池動作が確認できる。スパッタ法で形成したその上に BaSi2 膜を形成する必要がある。BaSi2 膜はsample B で短絡電流密度が sample C よりも小さいの

SiO2 や ITO 等の酸化膜上に形成しようとすると、Baは、BaSi2 側の空乏層が厚いため、光生成キャリアがまたは Si が酸素と結びつき易いため BaSi2 膜の形成がヘテロ界面での障壁に阻まれて輸送されないためであ困難になる [17,29]。そこで、化学的に安定で電気抵抗率

Sample C
n-BaSi2(n～2×1019)/p-Si

105Sample B
n-BaSi2(n～1016)/p-Si

00.00.10.2
Voltage［V］

0.3p-Sin-BaSi2(n～1016cm-3) (p=3×1017cm-3)（c）
2.5
Energy［eV］

Absorptance, EQE［％］

（b）

152.0

Sample B

1.5ECEF

1.0EV0.50Sample B

ITO80

BaSi260

Si

a-Si

4020

EQE

0300

6009001200
Wavelength［nm］
n-BaSip-Si2.0

Sample CECEF1.51.0EV0.500Fig.６

1002（d）(n～2×1019cm-3) (p=3×1017cm-3)
2.5

Energy［eV］

Current density［mA cm－2］（a）

250 500 750 1000
Depth［nm］

0250 500 750 1000
Depth［nm］(a) J-V characteristics under AM1.5 illumination on sample B (n-BaSi2/p-Si) and sample C(n+-BaSi2/p-Si) . (b) EQE spectrum(black bold line) of sample B. Contributions of ITO, a-Si, BaSi2,
and p-Si absorptances are simulated using GENPRO4 software. Calculated band alignments byAFORS-HET for (c) sample B and (d) sample C. Reproduced with permission from Ref. [27].

6東ソー研究・技術報告

70 W, E
60 W, D
50 W, CFg＋Eg
Fg Eg Fg（c）

AgPBa =80 W
70 W
60 W
50 W
30 W

30 W, B

SiTO0W

0 W, A

20 30 40 50 60 200400
600
2θ［deg］
Raman shift［cm－1］

Fig.７

1500
1021
1000

1020

500

1016
1015

00204060
Ba RF-power PBa［W］

Electron density［cm－3］

Intensity［a. u.］

PBa = 80 W, F（b）Electron mobility［cm2V－1s－1］

calculated

Intensity［a. u.］（a）

第 67 巻（2023）

80(a) Gracing-incidence x-ray patterns of BaSi2 films on Si3N4/Si substrate, prepared withPBaSi= 70W and PBa=0－80W, (b)Raman spectra and (c) electron concentration and mobilityof the samples in (a). Reproduced with permission from Ref. [18].

も低い TiN 膜を電極として選んだ。Fig. ８(a)(b) に、ている [31]。このため、禁制帯幅の大きな半導体を光ガラス基板上に堆積した ITO 膜および TiN 膜上に、入射側に設置することが不可欠といえる。そこで、スパッタ法で得られた膜の Raman スペクトルおよびFig. ９に示すような BaSi2 とのヘテロ界面での伝導帯光学顕微鏡像を示す [17]。TiN 膜上では、BaSi2 中の Siバンド不連続および価電子帯バンド不連続を利用する四面体由来の T h 対称性をベースとする振動モードでホール輸送層 (HTL) および電子輸送層 (ETL) によりある Ag, Eg, Fg モードが Raman 測定で確認されるのにキャリアの分離を計画している。Fig. ９に真空準位を対し、ITO 上では酸化が進み BaSi2 の形成が確認され基準にして BaSi2 と種々の材料のバンドアライメントず、表面が荒れている。このことから TiN が BaSi2 とを示す。NiOx 等の酸化物は、酸素の組成により電子酸素の反応を防いでいるといえる。TiN を下地電極と親和力や禁制帯幅が変わるため、注意が必要である。

することで、Fig. ８(c) で示すように BaSi2 エピタキ

この図より、光照射時に BaSi2 で発生した電子は、例シャル膜に匹敵する分光感度も得られている。

えば、a-SiC/TiN の方向へ輸送されると期待できる [20]。
一方、ホールの輸送については、ホール輸送層内の欠陥準位を介した輸送になるため、どの材料が BaSi2 と［5］ガラス基板上薄膜太陽電池に向けてデバイス化に向けて残る大きな課題はデバイス内に相性が良いかは、堆積方法等にも依存すると考えらキャリア分離機構を形成することである。BaSi2 はこれ、実際に作って評価しなければ分からない。過去にれまでも BaSi2 ホモ接合太陽電池での動作に取り組ん

MoOx/n-BaSi2 において、MoOx のホール輸送層とし、BaSi2 は光吸収係数が極端に大きいため、ての可能性を検討したことがある [32]。MoO3 は、仕事欠陥の多い表面側で寄生吸収が大きいことが分かっ

関数が 6 − 7eV と大きいため、BaSi2 とヘテロ接合を（a）

On ITO/SiO2

On TiN/SiO2

Vbias = 0.5V

－1

Photoresponsivity［AW ］

（c）
1.2
（b）
Intensity［a.u.］

できたが

[30]

On ITO/SiO2

On TiN/SiO2 Fg＋Eg
Fg

200

Fig.８

Ba oxidesAgEg

AgEg

300400500
Raman shift［cm－1］

6000.9VbiasEpitaxialfilms

0.6

ITOBaSi2
SiO2a-SiTiN

0.30.0400

6008001000
Wavelength［nm］

1200(a) Optical photographs of sputter-deposited film on ITO/SiO2, and on TiN/SiO2.
(b) Raman spectra of samples in (a). (c) Photoreponse spectra of sputter-deposited
BaSi2 films and BaSi2 epitaxial films. Reproduced with permission from Ref. [17].

7TOSOH Research & Technology Review Vol.67（2023）

HTLn-BaSi2

VacuumlevelETLΔEc－hωqχ～3.2 eV ～～qχ=
6.7 eV～～qχ～3.5 eV

W～4.7 eV～～Ec

Eg ～1.3 eV
Eg ～2.0 eV

ΔEv

ΔEv ～1.0 eV

Ev

BaSi2
EcEF

TiNa-SiC

EF

Ev

Eg =
3.0 eV

Ev
MoO3

Fig.９

Schematic band structure of an HTL/BaSi2/ETL solar cell, and the band alignmentof candidate materials with respect to the vacuum level.

形成した場合、BaSi2 内に大きな内蔵電位を形成する研究者のご協力によるもので、深く感謝申し上げます。と期待されるため、この材料を中心に検討する計画で博士課程学生の派遣を介して有益なアドバイスをいある。

ただく Isabella 教授 (Delft University of Technology)、
キャリア再結合過程の理解に一緒に取り組む今井基晴

4．結言および今後の展望
BaSi2 は光吸収係数が大きく、少数キャリア拡散長も薄膜太陽電池材料としては十分長く、光吸収層とし博士 (NIMS)、Gambarelli 博士 (University of GrenobleAples) に深く感謝します。本稿の実験データは、現在および過去の共同研究者、研究室メンバーによるものです。ては申し分ない特性をもつ。光吸収層としての高品位化も達成されたため、残る課題はデバイス内に光生成キャリアの分離機構を形成することに絞られる。真空参考文献

蒸着法またはスパッタ法でこれらの酸化膜を堆積し、［ 1 ］T. Suemasu, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 07JA01 (2015).

紫外線光電子分光法により堆積した膜のイオン化エネ［ 2 ］T. Suemasu and N. Usami, J. Phys. D 50, 023001

ルギーを、また、分光エリプソメトリ―により光学吸収端を求めることで、BaSi2 とのバンドアライメントを確認しながら研究を進める計画である。BaSi2 は電子親和力が 3.2eV と小さいため、ホール輸送層との接合により、BaSi2 膜内に光生成キャリア分離のための大きな内蔵電場の形成が期待できる。今後の進展が楽しみである。

(2017).
［ 3 ］T. Suemasu and D.B. Migas, Phys. Status Solidi A219, 2100593 (2022).
［ 4 ］M. Kumar, N. Umezawa, and M. Imai, Appl. Phys.
Express 7, 071203 (2014).
［ 5 ］T. Nakamura, T. Suemasu, K. Takakura, F.
Hasegawa, A. Wakahara, and M. Imai, Appl. Phys.
Lett. 81, 1032 (2002).

5．謝辞［ 6 ］Y. Inomata, T. Nakamura, T. Suemasu, and F.
Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L478 (2004).

本 研 究 の 一 部 は、 科 学 研 究 費 補 助 金 基 盤 研 究［ 7 ］R. Takabe, K. Nakamura, M. Baba, W. Du, M.A.

A(No.18H03767, 21H04548 ) で 行 わ れ も の で す。

Khan, K. Toko, M. Sasase, K.O. Hara, N. Usami,

Raman 測定は、筑波大学マテリアル先端リサーチイ

and T. Suemasu, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 04ER04

ンフラ (ARIM) の共用装置を使っていられたものです。

(2014).

BaSi2 のような珍しい材料で高効率な薄膜太陽電池を［ 8 ］M. Kobayashi, Y. Matumoto, Y. Ichikawa, D.

目指せる段階まで研究を推進できたのは、多くの共同

Tsukada, and T. Suemasu, Appl. Phys. Express 1,8東ソー研究・技術報告

051403 (2008).
［ 9 ］M.A. Khan, K. Nakamura, W. Du, K. Toko, N.
Usami, and T. Suemasu, Appl. Phys. Lett. 104,252104 (2014).

第 67 巻（2023）

and T. Suemasu, Appl. Phys. Express 13, 085511(2020).
［26］H. Hoshida, T. Suemasu, and Y. Terai, Defects
and Diffusion Forum 386, 43 (2018).

［10］D. Tsukahara, S. Yachi, H. Takeuchi, R. Takabe,［27］T. Nemoto, S. Aonuki, R. Koitabashi, Y.

W. Du, M. Baba, Y. Li, K. Toko, N. Usami, and T.

Yamashita, M. Mesuda, K. Toko, and T. Suemasu,Suemasu, Appl. Phys. Lett. 108, 152101 (2016)

Appl. Phys. Express 14, 051010 (2021).

［11］S. Yachi, R. Takabe, K. Toko, and T. Suemasu,Appl. Phys. Lett. 109, 072103 (2016)［12］T. Deng, T. Sato, Z. Xu, R. Takabe, S. Yachi, Y.
Yamashita, K. Toko, and T. Suemasu, Appl. Phys.
Express 11, 062301 (2018).

［28］T. Suemasu, K. Morita, M. Kobayashi, M. Saida,and M. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L519 (2006).
［29］K. Morita, M. Kobayashi, and T. Suemasu, Thin
Solid Films 515, 8216 (2007).
［30］M. Kodama, Y. Yamashita, K. Toko, and T.

［13］S. Aonuki, S. Narita, K. Takayanagi, A. Iwai, Y.

Suemasu, Appl. Phys. Express 12, 041005 (2019).

Yamashita, K. Toko, and T. Suemasu, Jpn. J. Appl.

［31］Y. Yamashita, C.M.R. Tobon, R. Santbergen, M.

Phys. 62, SD1017 (2023).
［14］S. Aonuki, Y. Yamashita, G. Limodio, S. Narita,Zeman, O. Isabella, and T. Suemasu, Sol. Energy
Mater. Solar Cells 230, 111181 (2021).

K. Takayanagi, A. Iwai, K. Toko, M. Zeman, O.

［32］W. Du, R. Takabe, M. Baba, H. Takeuchi, K.O.

Isabella, and T. Suemasu, Prog. Photovoltaics. inHara, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu, Appl.

press.

Phys. Lett. 106, 122104 (2015).

［15］佐藤琢磨 筑波大学博士論文 2020 年 3 月［16］Y. Cao, J.-M. Mouesca, S. Gambarelli, and T.
Suemasu, Jpn. J. Appl. Phys. 62, SD1009 (2023).
［17］R. Koitabashi, T. Nemoto, Y. Yamashita, M.
Mesuda, K. Toko, and T. Suemasu, J. Phys. D 54,135106 (2021).
［18］R. Koitabashi, K. Kido, H. Hasebe, M. Mesuda,
K. Toko, and T. Suemasu, AIP Adv. 12, 045120(2022).
［19］Y. Yamashita, K. Takayanagi, K. Gotoh, K. Toko,N. Usami, and T. Suemasu, ACS Appl. Mater.
Inter. 14, 13828 (2022).
［20］R. Du, S. Aonuki, H. Hasebe, K. Kido, H.
Takenaka, K. Toko, and T. Suemasu, Jpn. J. Appl.
Phys. 62, SD1015 (2023).
［21］H. Takenaka, H. Hasebe, K. Kido, R. Koitabashi,
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