本論文は日本液晶学会の学会誌「液晶」に掲載された日本液晶学会賞 論文賞Ｂ部門受賞記事です。
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2018年度日本液晶学会賞 論文賞Ｂ部門 受賞記事

20 周年特別企画記事

本論文は日本液晶学会の学会誌「液晶」に掲載された論文賞受賞記事です。
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液晶の計算科学・理論
米 谷慎*

本稿では，この 20 年の私の研究開発活動を通じて，液晶の計算科学・理論の一断面を振り返る．
キーワード：シミュレーション，モデル，自己組織化

1.

は，マクロなスケールの液晶デバイスにおける液晶挙動をはじめにシミュレートするほぼ唯一の手法・道具でもある．

20 年前の 1997 年，私は今は撤退した某液晶パネルメー

この液晶研究・開発の道具としての液晶の連続体モデルカーの技術者であった．前年 1996 年には，インプレーンシミュレーションに大きな転機が訪れたのは，IPS 方式のスイッチング（IPS）方式として知られる新規な表示原理開発・製品化によると考えられる 1）．IPS 方式は，その名に基づく液晶モニタが製品化されており，その開発グルーの通り，基板面内に配置された櫛歯電極で面内横電界を発プに属していた私は，職場のある茨城県・日立市と，工場生させ，液晶層を面内方向にスイッチングする表示方式でのある千葉県・茂原市を頻繁に行き来する日々を過ごしてある 2）．上記の構造上，本質的に二次元以上のモデルが必いた．1997 年には，その後の液晶モニタ，テレビにおい要となり，例えばさまざまな櫛歯電極の配置に対し，上記て IPS 方式のライバルとなるマルチドメインバーチカルアの横電界と液晶配向の二次元分布を得るには，現実的にシライメント（MVA）方式が別のパネルメーカーから製品ミュレーションを用いる以外に選択肢はなく，その意味で化されており，1997 年はまさに液晶広視野角表示モードシミュレーションの位置付けは，それ以前の，いわゆるツの元年とでも言う年であった．

イステッド・ネマチック（TN）に代表される表示モード

あれから 20 年，液晶をとりまく環境は様々な意味で大の場合とは全く違うものとなった 3）．

きく変わり，私自身も上記液晶パネルメーカーから現職に緒言で触れた様に，1996 年の IPS 方式液晶ディスプレイ転身したが，その間ずっと液晶に係り続けてこられたのは（LCD）の製品化の後，翌年の 1997 年には，IPS-LCD の量大変に幸運と思っている．
本稿では，この 20 年の私の研究開発活動を通じて，液晶の計算科学・理論の一断面を振り返ってみたい．なお，

産も本格化し，当初の 13.3 インチに加え，14.1 インチ，15.1インチと品種も増えてきた頃である．この頃，私が取り組んでいたのは，その表示むら不良についてであった．

本稿で言う「計算科学・理論」とは，それぞれ，計算機，IPS-TFT-LCD の表示むらの理論検討

紙と鉛筆を使った仕事という即物的な意味であることをご2.1

容赦いただきたい．

当時の IPS-LCD は金属櫛歯電極を用いており，マスク

2.

液晶製品開発における計算科学・理論

露光に始まるプロセス要因で，その電極幅は，パネル面内で設計値からの変動があり，それによる中間調での表示液晶の計算科学・理論と一口に言っても，分子軌道（MO）むらが IPS 方式特有の問題となっていた．この表示むらの計算に代表される主に孤立分子を対象とした電子状態計算

程度は，上記品種によっても異なり，また特定品種ではから，分子動力学（MD）計算などによる分子集合体の凝ゲート DC によるスタティック点灯より，薄膜トランジス集状態の計算，さらに液晶の連続体モデルによるマクロなタ（TFT）によるダイナミック駆動表示で低減される場合

液晶配向場の計算，また応用上重要な光学特性などの計算，もあり，その要因解析と低減設計が求められていた．

さらに液晶パネルの駆動特性の回路シミュレーションなど

これに対し私が試みたのは，櫛歯電極幅のパラメータと多岐にわたる．この中で，連続体モデルシミュレーション

TFT を含む画素等価回路についてモデルを作成し，櫛歯電極仕上がり幅変動による TFT 駆動時の透過率変動を理論* Makoto Yoneya
国立研究開発法人産業技術総合研究所
茨城県つくば市東 1–1–1 つくば中央第 5（〒305–8565）
E-mail: makoto-yoneya@aist.go.jp
受理：2017.4.16
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的に調べることであった．ポイントとなるのは，Fig. 1 にあるように，金属櫛歯電極と TFT のソース，ドレイン電極や蓄積容量（Cst）が，同じマスク（図中 SD 層）で形成されていることから，櫛歯電極間間隔（図中 l）と TFT ソー247

Fig. 1

Pixel plan view of an IPS TFT-LCD

ス・ドレイン電極寸法などのプロセス変動が，同一マスクプロセスでカップルしていることで，それにより TFT 駆動
時にこれらの寸法変動の影響が一部相殺されるケースがある点である．
詳細は，論文 4）に譲るが，上記変動相殺が駆動方式により大きく異なること（最初の 13.3 インチ品種が最も相殺効果が低かった）や，その対策となる駆動方法の改良方法などがこのモデルによる理論解析で明らかにできた．個人
的には，紙と鉛筆だけでも，実際の LCD 開発・量産に貢Fig. 2Comparison of simulation results between IPS-mode andFFS(IPSpro)-mode LCDs. Top: LC tilt-up from the substrate,
middle: LC twist and bottom: electric potential.

献できることが実感できた仕事であった．
その後，IPS 方式は，現在の透明電極を用いた物へとすぐにセル試作が行われ，シミュレーションで予想した通発展したが，その契機となったのは，1998 年のフリンジりの大きな透過率向上効果が確認された．一方で，予想さフィールド・スイッチング（FFS）方式の発表である ．

れた駆動電圧上昇は見られず，逆に低減されていた（良いFinger on Plate 電極構成のシミュレーションけることはなかった）．FOP 電極構成では，電極エッジ部にFFS 方式は，そのオリジナルな構成では，櫛歯電極を透電界が集中し（Fig. 2），計算に使用するメッシュ間隔をこ明 ITO（Indium Thin Oxide）電極とし，その電極間間隔をの部分で細かくする必要があったが，それが不十分であっ極端に詰めて負の誘電異方性の液晶材料を組み合わせたもたために駆動電圧の予想がずれたのが原因であった．

5）方向に計算結果が外れていたので，この件ではお叱りを受

2.2ので，IPS 方式に比べ透過率が大きく改善可能であった 6）．

時を同じくして，ディスプレイ関連の最大の国際会議で上記の構成は，オリジナルな IPS 方式が金属櫛歯電極と正ある Society of Information Display において，オリジナルのの誘電異方性の液晶材料の組み合わせであるのと大きく

FFS 方式開発グループからも FOP 電極構成が発表 8）（1999異なる．当時私の周囲では，IPS 方式で単に電極を透明化

年 5 月 20 日）されたことが参加していた同僚から連絡があしただけでは透過率向上効果が僅かであることは確認済み

り，世界は狭いと実感した．

であったこともあり，FFS 方式に疑問を持つ人が少なくな

今日主流となっている FOP 電極構成は，上記の様に独立に見いだされたが，その後，FOP 電極構成 LCD の開発かった．
ある日（1999 年 4 月 24 日），茂原の小野記久雄氏より，は，IPS 方式特有の残像現象である AC 残像の問題で長ら

上記オリジナルの FFS 方式とは異なる，透明面電極の上にく中断していた 7）．AC 残像は，FOP 電極構成による透過片側一方のみの櫛歯電極が絶縁層を隔てて重畳された，い率向上効果の顕著な誘電異方性が負の液晶が特に悪く，一わゆる Finger on Plate（FOP）電極構成とするアイデアの連方で，誘電異方性が正の液晶は，透過率向上効果は小さ絡があり，連続体モデルシミュレーションでのこのアイデかったが AC 残像も弱かった 7）．多くの困難を乗り越え，アの検証を依頼された ．シミュレーションの結果は，駆FOP 電極構成と，オリジナルの IPS 方式と同じ誘電異方性動電圧が上昇するものの，透過率向上に関してはオリジナが正の液晶を組み合わせた IPSpro 方式を液晶テレビとしルな FFS 方式と同等の大きな効果があるとの結果が得られ，て 2004 年に製品化することができた．

7）

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液晶

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2017液晶テレビでは画質の点でコントラスト向上が求められることとなり，ライバルであった VA 方式に比べ IPS 方式の正面コントラストは数値の上では苦戦していたこともあり，黒表示での光漏れ（黒輝度）低減がコントラスト向上に必須の課題となった．

2.3

液晶光散乱によるコントラスト低下要因の理論検討

Fig. 3

当時，IPS 方式は水平ホモジニアス配向で黒表示をしてCross-sectional view of a transparent LCDいることから，VA 方式にはない液晶配向軸（ラビング方向）と偏光板偏光軸との合わせのファクターがあることか討してみた所，前者において液晶散乱による相対的に大きら，正面コントラストを上げにくいとの認識はあった．一な光漏れが生じることが判った 11）．この光漏れの低減策

方で，黒表示状態を顕微鏡で注意深く見ると，動的光散乱

提案としては，内海夕香氏により 12），上式に光学領域で起因と思われる明滅が見え，これと光漏れの関連を示唆すの誘電率εと屈折率 n の関係式ε =n2 と，体積とセルギャッる話もあった．

プとの関係式 V=dS，一弾性定数（Kα =K）近似を適用しそこで，水平配向セルと垂直配向セルの動的光散乱によて得られる強度指数，る明滅光強度を比較する簡単な実験をやってみた結果，液晶の教科書

9）

S=にも載っているこの現象が，光散乱による{Δn(n+n^)}2dK偏向解消を通して LCD の黒輝度に寄与しているとの確証が提案され，実際の IPS-LCD パネルの液晶材料選定の指標を深めた．LCD の光源は放射分布をもったバックライトとなっているとのことである 7）．

からの散乱光であり，Fig. 3 のようにパネルに斜め入射し個人的には，液晶動的光散乱という液晶の教科書に載った光の一部は，散乱角θで散乱し，正面に散乱光として出ている現象と，それに関する純粋に科学的な知見が製品開射することから，パネル正面光はこのような散乱光を含ん発の現場で役に立ったという点で，液晶科学の奥深さを実でいる．

感した仕事であった．IPS（IPSpro）方式は，その後 2010

カラーフィルターによる光散乱でコントラスト低下が生年に，スマートフォンやタブレット端末の高精細液晶パネじることはよく知られ，材料の改良が進められていたが，ルとして採用され 13），今日では高精細中小型モバイル機

液晶による動的光散乱はそれまで検討されたことはなかっ器に全世界で広く使われている．

た．しかし，液晶相での光散乱と黒輝度の関連は，室温で等方相となる液晶を代わりに封入した実パネルの黒輝度が大きく低減されるなどの傍証もあり，より詳細な確認と対3.

液晶科学における理論・シミュレーション
1999 年 10 月 よ り 科 学 技 術 振 興 機 構（当 時 は 事 業 団）

ERATO 横山液晶微界面プロジェクトが発足し，会社から策提案が必要であった．
配向揺らぎ起因の光散乱強度の理論式は，de Gennes ら出向（最初の 2 年，その後は週半分の部分出向）して参加，その結果のみ示すと，光散乱強度するチャンスをいただいた．そこでの私のテーマの一つ<I>は液晶材料の弾性定数 Kα と誘電異方性Δε，散乱波数ベが，ナノ構造液晶相としてのキュービック相 14）であった．

クトル q のダイレクタ n（z 方向にとる）に平行および直交

分子シミュレーションでキュービック相の複雑な三次元構する成分の絶対値 q||, q⊥などを用いて次式で表される．

造を調べる傍ら，単純なモデルでキュービック液晶材料のにより定式化され10）< I >=4E02 æç 2π ö÷ æç2Δε ö÷ VkBT÷çç ÷÷ çèèø2 λ 0 4πR ø÷ K3(i f +i f )23.1 相分離モデルによるキュービック液晶材料設計



キュービック相を発現する両親媒性分子，液晶分子，ジå q2+α (Kz α /zKα3)q^2

α=1,2分子設計ができないかと考えるようになった．

ここで，iα, fα は，入射および散乱光の偏光方向ベクトル

ブロックコポリマーの間には相分離という共通点があるこ

i,f，x,y 平面内に e2⊥q となるように定義した互いに直交すとがすでに指摘されていた．そこで，ジブロックコポリるベクトル e1, e2 を用いて iα = eα ･i および fα = eα ･i で表され，マーの相分離モデル 15）を，原子団寄与法に基づく溶解度E0, λ0 はそれぞれ入射光の電界振幅と波長で，V, R, T は，パラメータと分子容計算を仲介にして，強引に液晶分子を散乱体積，測定点までの距離および絶対温度である．上式

コポリマーに見立て当てはめてみた所，Fig. 4, 5 に示す様

で，最後の和の項が，液晶の水平（IPS）・垂直配向（VA）に，多くのキュービック相を発現する液晶分子が，このコなどの散乱ジオメトリに依存する項であり，この項の違いポリマー相分離モデルにあてはまることが判った 16,17）．に基づく液晶光散乱強度の IPS・VA の相対的な違いを検EKISHO

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Fig. 5 で，縦軸は，液晶分子をコア部と末端鎖からなる
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Fig. 5fcore versus χcore−chain plot for block LCs. Colors are used for theidentication of the phase type (blue for cubic, red for columnarand magenta for micellar cubic). Theoretical phase boundaries
for the diblock copolymer15) are traced in the background.

殊性とも思える例も見いだされている 17）が，分子構造を考えたとき，キュービック相が発現するか否かの第 0 近似の分子設計指針としては使えると思っている．残念ながら，これを指針として新規キュービック液晶材料が創成できたという話は未だないようである．

3.2

ディスコチック半導体液晶の分子シミュレーション

ディスコチック液晶は，複数の末端アルキル鎖を有し，Fig. 4

Various LC compounds that we have evaluated χcore−chain andfcore in16, 17). In each molecules, the blue colored parts wereassigned as the chain parts.

一般的に分子サイズが棒状液晶に比べて大きなことから，従来は計算負荷の観点から避けてきた．しかし，グラフィクスプロセッサユニット（GPU）による高速並列計算と，それをサポートしたシミュレーションソフトウエアの発展

コポリマーと見なした場合のχパラメータ，により，実用的に計算可能な分子のサイズは大きく広がり，以下に紹介する液晶性フタロシアニンの分子シミュレー

χcore-chain=VR(δcore -δchain)2/RTションも，今日では日常的に行える計算となっている．

で，δ, VR, T は，それぞれ，溶解度パラメータ，全分子容

この液晶性フタロシアニン材料は，Fig. 6 に示すようVcore +Vchain および融点である．また，Fig. 5 横軸は体積分に，8 本の末端アルキル鎖が一般的なペリフェラル位で率 fcore =Vcore/VR である．溶解度パラメータδ は，凝集エネはなく，ノンペリフェラル位で置換されていることが特

ルギーΔE と分子容 V を用いて，徴で，time of ﬂight（TOF）法測定により，カラムナー相

δ=(ΔE /V )1/2,と表され，これらは，Fedors による原子団寄与法(1)18）を用いると，個々の原子団 i の寄与の積算式，ΔE =åΔei, V =åviで 10−1cm2V−1s−1 オーダーのディスコチック液晶性半導体としては高い移動度を示すことが知られている 19,20）．
一方で，その高移動度の起源については，カラムナー相での X 線回折パターンが，キャリアパスであるはずのπス(2)で算出できる．

タッキングの秩序高さに対応する広角側（2θ〜26° ）の顕著なピークを示さず謎であった．
分 子 シ ミ ュ レ ー シ ョ ン を 用 い，計 算 機 の 中 で こ のその後，この相分離モデルではカラムナー相となるはず（Fig. 6 で n =6 の）分 子 系 を 単 結 晶 X 線 構 造 解 析（XRD）の領域でもキュービック相が発現するなどの，液晶系の特により既知の結晶相構造からカラムナー液晶相まで昇温す

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たカラムナー構造を詳しく見ると，通常のヘキサゴナルカ
ラムナー相では，カラム軸とコア円盤法線が平均的に一致（カラム軸とコア円盤が直交）しているのに対し，両者が 45 度を超える角度をなし，カラム軸とコア円盤が傾いた，レクタンギュラーカラムナー相と同様なカラム構造をしているために広角側のπスタッキングピークが現れにくくなっていることがわかった 21）．個々のカラムがレクタ
ンギュラーカラムナー相と同様に傾いているにも拘らず，カラムの配列がヘキサゴナルカラムナーに対応した構造関数（XRD パターン）を示す理由は，カラム毎のコア円盤傾き方向が乱雑化しているためであることもわかった．
一方で，フタロシアニンコア自身は 0.35 nm 前後の面間隔でスタックしていることから，上記ピークが見られなく
Fig. 6

Non-periph e r a l ( R =C n H 2 n + 1 ) o c t a - a l k y l s u b st i t u t edphthalocyanine.ても高移動度と矛盾しないと考えられる．ホッピング伝導によるキャリア移動度は，カラムナー液晶ではカラム軸に沿った隣接分子間のホッピングレート（MO 計算による分子自身の再配列エネルギーと，隣接分子間のトランスファー積分などから計算される）から，カイネティックモンテカルロ（KMC）計算により算出することができる．
実際にこの分子系で，MD シミュレーションで得られたカラム構造から KMC 計算で算出したホール移動度は，上述の TOF 法測定によるものと同オーダーの移動度が得られた 22）．高移動度の要因は，ノンペリフェラル位置で置換されたアルキル鎖が，カラム中隣接分子間に相互貫入する（XRD 単結晶構造では確認されており，MD 計算ではカラムナー液晶相でも貫入が見られる）ことにより，隣接分子間のπ共役面の面内重なりの相対関係が，貫入のない場合（たとえば無置換フタロシアニン結晶）に比べてより移動度の高い相対配置に変化しているためと考えられる 22）．
本例のような，MD 計算，MO 計算，KMC 計算を組み合わせた液晶相でのキャリア移動度の計算は，それをサポートするソフトウエア 23）が整備されてきていることから，今後より身近になっていくと考えられる．

3.3

溶液プロセスの分子シミュレーション

有機半導体材料を，真空蒸着ではなく，溶液プロセスにより薄膜トランジスタ（TFT）化できれば，フレキシブルなプラスチック基板上に印刷プロセスで TFT が形成でき，Fig. 7

Snapshot after a 30 ns MD run at LC temperature (438 K).
Upper: view along the crystal a-axis. Lower: view
perpendicular to the crystal a-axis.

新たな応用が期待され，脱真空による製造プロセスの省エネルギー化も可能となる．このような印刷エレクトロニクスを目指して，新規な可溶性有機半導体材料とその印刷技術の開発が盛んに進められている．

ると，Fig. 7 に示すカラムナー液晶相への自発的な相転移が見られた．

この中でも特に，有機半導体インク（有機半導体の溶媒溶液）と貧溶媒インクの二種類のインクを用いた，ダブル21）

シミュレーションで得られたカラムナー液晶相は，そのショットインクジェット印刷（DS-IJP）が，大面積単結晶構造関数が XRD で得られたものと同じヘキサゴナルカラ

薄膜形成が可能なことから注目されている 24）．DS-IJP でムナー相であったが，XRD と同じくπスタッキングに対応は，親撥処理によるパターンの上に，まず貧溶媒層がインする広角側のピークが見られなかった．MD 計算で得られクジェット印刷により形成され，その上に有機半導体溶液

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Fig. 8Results of MD run with 8BTBT8 as the OSC material. a) Initial structure and snapshots after b) 1 ns, c) 4 ns, d) 10 ns and e) 50 ns of the MDruns of the 8BTBT8 (red) and DCB (yellow) OSC solutions on the DMF (blue) subphase. The green box corresponds to the simulation box
with 2-D periodic boundary conditions.

Fig. 9Correlations between molecular long- and short-axis ratio L/S and simulated orientational order parameter <P2>avr.

が重畳印刷されて溶液薄膜を形成し，その気—液界面が単について行い，その長短軸比を横軸に，Fig. 8 右端の MD

結晶薄膜形成に重要な役割を果たしていると考えられてい計算 50 ns 後の分子長軸配向オーダーパラメータを縦軸にる．しかしながら，この DS-IJP による単結晶薄膜形成に，してまとめたものを Fig. 9 に示す．この図の様に，配向どのような有機半導体材料が向いているのかなどの知見は層の自発形成は，有機半導体分子の長短軸比と高い相関明らかになっていない．たとえば，スメクチック液晶材料があり，（スメクチック）液晶性を有する有機半導体分子としても知られる有機半導体分子 8BTBT8 では単結晶薄膜が，8BTBT8 と同様に，DS-IJP プロセスによる単結晶薄膜が得られているが，可溶性有機半導体として広く用いられ形成を可能とする材料として有望であることを示唆していている TIPS-ペンタセンでは単結晶薄膜は得られず，多結る．半那 26）らにより，スピンコート法により平滑で高品晶薄膜となることが報告されている 24）．この様な材料依質な多結晶薄膜を得るためには，液晶性有機半導体を，そ存性の原因を明らかとし，DS-IJP による単結晶薄膜形成がの液晶相温度でスピンコートすることが重要であることが可能な新材料を開発するには，分子レベルでの DS-IJP に指摘されているが，上記の結果は，室温 DS-IJP プロセスよる薄膜形成プロセスの理解が必要と考えられる．

による単結晶薄膜形成にも，有機半導体溶液のリオトロ

Fig. 8 に，DS-IJP の素過程モデルのシミュレーション
結 果 を 示 す 25）．こ の 図 の よ う に，有 機 半 導 体 材 料 と しピック液晶的な性質が重要であることを示唆しているものと考えられる．て 8BTBT8 を用いた場合，ランダム溶液状態から，分子配上記の結論は，液晶関係者にとっては，有機半導体溶液向と，気—液界面に平行な層構造が，自発的に形成されるがリオトロピック液晶的な性質を（過渡的に）示す場合に過程がシミュレーションで得られた．一方で，8BTBT8 をは，その気—液界面全面が垂直配向場として働くことによ

TIPS-ペンタセンに代えるとこのような気—液界面に平行り，有機半導体分子の垂直配向と，界面に平行な層構造がな層構造形成は見られなかった．

自発形成されると考えれば理解可能と思われる．一方，有同様のシミュレーションを種々の可溶性有機半導体材料
252

機半導体関係者にとっては必ずしもそうではないようで，液晶

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両者の異分野交流により今後新しい展開の可能性が有るように思われる．

おわりに

4.

本稿では，液晶の計算科学・理論について，個人的な係りを中心にこの 20 年を振り返った．
1997 年 が，IPS お よ び MVA 方 式 と い う 日 本 発 の 新 表
示方式による，液晶モニタ，テレビへの流れの元年であり，20 年後の現在，両方式は液晶テレビ，携帯電話などになくてはならない表示方式として，世界中で日々の生活で利用されている．一方で，上記新表示方式を開発したパネルメーカー二社は当該分野から撤退して久しく，最大手メーカーも外資傘下となった．
このように，液晶を取り巻く環境が大きく変化した 20年では有ったが，個人的には液晶科学そのものの魅力は決して失われておらず，これからも未知の新たな側面で私たちを惹きつけていくものと信じて疑いない．
液晶科学の新天地を求め，私自身も探検を続ける所存である．
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Conf., Hamamatsu, 1995, p. 707.
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チング電気光学効果，液晶，2, 303 (1998).
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5) S. H. Lee, S. L. Lee and H. Y. Kim, Proc. Asia Display, 1998, p.
371.
6) S. H. Lee, 液晶，13, 49 (2009).

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No. 320177) 小野記久雄，ディスプレー革命，広視野角 IPS 液晶の進化は止まらない 大型液晶テレビへの挑戦，光配向やネガ型液晶で進化続く，2015，http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/
20150521/419545/，（参照 2017 年 6 月）．
8) S. H. Lee, S. L. Lee, H. Y. Kim and T. Y. Eom, SID99 Digest, SanJose, 1999, p. 202.
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10) P. G. de Gennes and J. Prost, The Physics of Liquid Crystals,(Clarendon Press, Oxford, 1993) second 2nd ed., chapter 3.
11) M. Yoneya, Y. Utsumi and Y. Umeda, J. Appl. Phys., 98, 016106(2005).
12) 内海夕香，液晶，13, 119 (2009).
13) 小野記久雄，ディスプレー革命，広視野角 IPS 液晶の進化は止まらない 大型液晶テレビへの挑戦，高精細スマホで飛躍，そして進化の行く先，2015，http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20150715/428001/，（参照 2017 年 6 月）．
14) 斉藤一弥，徂徠道夫，液晶，5, 20 (2001).
15) M. W. Matsen and F. S. Bates, Macromolecules, 29, 7641 (1996).
16) M. Yoneya, K. Araya, E. Nishikawa and H. Yokoyama, J. Phys.
Chem. B, 108, 8099 (2004).
17) M. Yoneya, Chem. Rec., 11, 66 (2011).
18) R. F. Fedors, Polym. Eng. Sci., 14, 147 (1974).
19) 尾崎雅則，藤井彰彦，液晶，17, 47 (2013).
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22) M. Yoneya, A. Miyamoto, Y. Shimizu, A. Fujii and M. Ozaki, J.
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23) V. Rühle, A. Lukyanov, F. May, M. Schrader, T. Vehoff, J. Kirkpatrick, B. Baumeier and D. Andrienko, J. Chem. Theory Comput., 7,3335 (2011).
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