スパッタリング法による高機能光学薄膜作製
Using Reactive Sputtering to Obtain Thin, High-Quality Optical Films

徳弘節夫＊Tokuhiro, Setsuo

太田達男＊

中Ohta, Tatsuo

要旨
反応性スパッタリングの成膜速度向上と膜質の高品質化を達成し、光学薄膜への適用を可能にした。今回検討野智史＊

Nakano, Satoshi

２

スパッタリングによる成膜とその特長

２．１

反応性マグネトロンスパッタリングの機構を行った薄膜はTiO2とSiO2である。私たちはDCパルス電Fig.１に反応性マグネトロンスパッタリング機構の概念源を採用し、基板に対してエネルギーの高いターゲット図を示す。膜の原料となるターゲット（TG）、スパッタ粒子のみを成膜することで、光学特性の変化の少ない光リング効率を高める為の永久磁石、および基板ホルダー学薄膜の形成技術を確立した。またこの手法を用い、２を真空容器内に配置し、プロセスガスArを導入するとと種材料の同時スパッタリングにより混合膜を作製し、中もにTGに電力を投入することでプラズマを発生させる。

間屈折率膜を実現した。

プラズマ中のAr+イオンがカソードであるTGに向かって加速され、衝突のエネルギーによりTG 材料の原子が跳ねAbstract

飛ばされ基板上に付着する。このとき、真空槽内に投入

We have developed a reactive sputtering process with

したO2ガスと反応し透明な酸化膜を基板上に得る。

a bipolar pulse supply. Using this process and its high deposition rate, we obtained thin, high-quality TiO2 and SiO2
films suitable for optical applications. We found that thekinetic energy of particles deposited on a substrate is an
important factor of film quality. By selecting only high-energy particles for deposit on the substrate, we obtained an
exceptionally durable film. Applying this process to a mixed
film of two materials, we obtained a medium index film.

１

はじめに光学薄膜形成法として真空蒸着法が一般的である。近Fig.1 Reactive Sputtering Process

年は薄膜特性の高性能化の要求から、イオンやプラズマのエネルギーを利用したイオンアシスト蒸着（IAD）やイオンプレーティング（IP）法１）が光学膜に適用されるようになってきた。

２．２

スパッタリング成膜の特長

スパッタリングにて成膜した酸化膜を光学薄膜として別の代表的な薄膜形成法としてスパッタリングがあ利用するメリットは以下の通りである。

り、金属薄膜や半導体薄膜には一般的に用いられてい１） スパッタされた粒子のエネルギーが高い（15ev 真る。光学薄膜への適用は、成膜速度の遅さや膜厚の制御空蒸着の 100 倍１））ため、基板加熱など外部からの性の悪さを改善するための検討が現在盛んに行われていエネルギーを加えることなしに緻密な薄膜を形成る１）。IAD法やIP法と同等以上な膜質が得られること、することができる。

大面積基板への均一膜形成が容易なこと、2源スパッタリ

２） 緻密な薄膜は屈折率が高く、光学薄膜設計上、少なングにより混合膜が精度よく作製できる可能性があるな

い層数で所望の光学特性を得ることができる。

どのメリットがあり、新たな光学薄膜市場の開拓が期待

３） 光学特性の変化が少なく、シフトレスな光学薄膜を得ることができる。

できる。
本稿では、スパッタリングの成膜速度を向上させ、光学特性の変化が少ない薄膜形成技術を確立したのでそのこれらの特長を活かし高精度光学薄膜を実現する為、高速反応性スパッタリング技術の確立を目指した。

内容について報告する。
＊ コニカミノルタオプト㈱光学開発センター

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３を上げ成膜速度の向上を試みた。

成膜速度の向上

３．１Fig.３にパルス電圧を投入した時に観測されたTGの電成膜装置の構成圧と電流波形を示す。

今回検討を実施した成膜装置の構成をFig.２に示す。
TGの素材をチタン（Ti）とシリコン（Si）としTiO2 及びSiO2 膜の成膜を試みた。成膜速度を上げる為、同種TGを並列に配し、パルス周期の同期を取り同時スパッタさせ

３．３

高速成膜の条件設定

スパッタリングの成膜速度を上げるには以下の条件設定が必要である。
１） TGに投入する出力を増加しスパッタリング効率をる配置とした。
Ar,O 2 ガスの混合ガスを任意比率で真空槽内に投入する。TGと対向する円筒型基板ホルダーを回転させることで、全面に取り付けられた基板に均一な膜厚を成膜するようにしている。

上げる。
２） Arガス投入量を増加させ、スパッタリングに寄与するAr+イオンの数を増加する。
３） O2ガス投入量を減少させ、プラズマインピーダン
スを高くし（カソードとプラズマ間の電位差を大きくする）、Ar+イオンのTGへの衝突エネルギーを増加させる。
Fig.４２）にTG投入電力とArガス量が一定条件下で、O2ガス量を変化させた時のスパッタリングモードを示す。
酸化物モード領域では安定した酸化物が形成されるが、成膜速度は遅い。より高速に成膜させるためには投入電力を増し酸化物モード内の成膜速度の底上げを図ることが必要になる。高電力投入時に発生するアーク放電などの放電の不安定さに関しては、DCパルス電源の周波数とDuty比を調整すること、TG周辺のアノードの構造を工夫することで低減させた。

Fig.2 Layout of Sputtering Machine

Table １に今回得られた成膜速度と、一般的な真空蒸着法の成膜速度との比較を示す。成膜速度は１分間に、１３．２電源の選択ｍ当たりに成膜できる膜厚（Dynamic Rate）に換算してスパッタリングで酸化膜を作製する場合、通常はRF示した。目標とした真空蒸着と同等の速度は得られな（13.56MHz）電源を用い周期的に極性を逆転させチャーかったが、RF電源を使用した場合の成膜速度と比較するジアップを除去することが必要になる。と２倍の値が得られた。TG配置や数を工夫することで真しかし、RF電源を用いた場合スパッタリングに寄与す空蒸着に近い成膜速度の達成が可能と考えている。

る負電圧がかかる時間が50％に制限されるため成膜速度を速くする事が出来ないということが問題であった。
そこで、DC負電圧に一定周期で正電圧を印加するDCパルス電源を用い、周波数とDuty比（１周期中の正電圧のかかる時間比率）を調整することでスパッタリング効率

Fig.4 Sputtering Mode

Table 1 Comparison of Dynamic Rate (nm・m/min)Fig.3 Cathode Voltage and Current

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４

膜質の評価を実施した。Fig.７にTiO2 膜における屈折率のシフトレス成膜の実現

４．１

TG原子入射角特性を示す。入射角が50˚まではほぼ一定で単層膜の光学特性高い屈折率を示すが、それ以上の角度では急激に屈折率Fig.５−１，２にスパッタリングで作製したTiO2とSiO2膜の低下が見られる。SiO2 膜においても同様に基板と原子の屈折率を、350℃基板加熱条件下で成膜した真空蒸着膜の入射角が50˚を超えると屈折率の低下が認められた。との比較で示す。屈折率はエリプソメータにより分散

この原因として、Ar + イオンによってスパッタされたデータとして測定した。波長500nmの値で比較すると、スTG原子の持つ運動エネルギーは角度に拠らず一定だが、パッタリングで作製した膜の屈折率は、無加熱で成膜し入射角が大きいほど基板に与えるエネルギーは減少してたにもかかわらず、TiO2 膜では0.15、SiO2 膜では0.02高いしまうためと考え、このことが光学特性のシフトを引き値が得られ、空隙が少なく充填密度の高い良好な薄膜

３）起こしていると推測した。
検証する為に、50˚以上で基板に入射するTG原子をカッを形成することができた。

トするTG開口制限板を取り付け（Fig.８）成膜検討を実施した。前述と同様にTiO2とSiO2 交互層のIRカットフィルターを作製し、高温高湿（60℃, 90%, 168H）環境下に保存前後の、半値波長のズレ量を比較した。（Fig.９）半値波長のズレ量は0.5nm以下であり、TG開口制限板の導入によりシフトレスな光学膜を得ることが出来た。

Fig.5-1 Index of TiO2

Fig.6-1 Structure of Thin Film by Sputtering

Fig.5-2 Index of SiO2

４．２

多層膜形成とシフトレス性能の実現

光学薄膜への適用を検討するため、TiO2とSiO2 膜の交互積層膜である赤外線（IR）カットフィルターを作製し光学性能の評価を実施した。
積層した膜の断面を電子顕微鏡で観察した様子を

Fig.6-2 Structure of Thin Film by Evaporation

Fig.６−１，２に示す。黒く見えるTiO2 膜層が真空蒸着で作製した多層膜に比べてはっきりとしており、膜の充填密度が高いことが観察された。
しかし、多層膜を成膜した基板を高温高湿（60℃, 90%,168Ｈ）環境下に保存し、取り出し後の光学特性を測定したところ、半値波長（透過率50％）が10nm長波長側にシフトしており、期待したシフトレスの性能が得られないことが判明した。
電子顕微鏡写真では観察されないが、膜中にポーラスな成分が混入していることで光学特性のシフトを引き起こしていると考えた。
原因を調べる為に、蒸着粒子が基板に入射する角度とFig.7 Index of TiO2 vs. Incident Angle to Substrate

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Fig.10に投入出力に応じて得られた中間屈折率のグラフを示す。SiTG への投入出力を３kWに固定し、TiTG へ３から５kWで可変することにより、屈折率が1.65から1.8の範囲で任意に実現できる。また、TiTG への投入出力を５kWに固定し、SiTG へ１から３kWで可変することにより、屈折率が 2.0〜1.8 の範囲で任意に実現できる。
従来、真空蒸着法にて実現が難しかった中間屈折率膜が、スパッタリングではTGへの投入出力のコントロールのみで精度良く形成できた。
Fig.8 Alignment of Aperture Mask

Fig.9 Change of Transmittance after 60℃, 90%,
168H Storage Test

Fig.10 Index of Mixed Film７６

中間屈折率膜の形成

まとめ

DCパルス電源を採用し、成膜条件を最適化すること

真空蒸着法で光学薄膜を作製する場合は、成膜できるで、良好な光学薄膜を再現性良く成膜することが可能に材料が限られてしまう為、主に利用されるのは屈折率がなった。また、TG への投入出力をコントロールすること

1.4〜1.5 の範囲の低屈折率層と、屈折率が 2.0 以上の高屈で任意の中間屈折率層の形成が可能になった。

折率層である。多くの光学フィルターの場合、高,低屈折私たちは、今回得られた結果をもとに、設計の自由度率層の組み合わせで光学特性を満足させることができるを活かしてガラス基板への高品質光学フィルター作製をが、その中間の屈折率を示す膜を使用すれば、層数を少目指し検討を進めている。

なくしたり、光線が斜入射した場合のＳ,Ｐ偏光成分の位また、低温成膜が可能なことから、プラスチック基板相差制御、入射角特性の改良等、膜設計上有利な点が多への光学薄膜の作製が期待される。TG 素材やスパッタリい３）４）。

ングプロセスの改善により膜の応力緩和を行い、多層光真空蒸着法で混合膜による中間屈折率層を得る手段として、混合材料の蒸着、又は２源蒸着がある。前者は蒸学薄膜をプラスチック基板上に作製することを検討していく予定である。

発温度の違いから、後者はそれぞれの成膜速度を一定にコントロールすることが困難な為、一定の混合比を得られず屈折率のばらつきが生じてしまう。

謝辞

スパッタリングでTiとSiTGを同時スパッタすることで一連の検討にあたり、共同開発体制をとり支援いただ

任意の中間屈折率層を再現性良く成膜させることを試みいたコニカミノルタオプトプロダクト技術２Ｇのメンた。

バーに感謝の意を表す。

膜の屈折率を精度良く再現させるためには、個別の成膜速度を安定に保つ必要がある。TiO2 と SiO2 を個別に

●参考文献

スパッタリングする時の最適条件は異なる為に、同時ス

１）白木靖寛、吉田貞史著、 薄膜光学 、 丸善㈱、2003.

パッタリングを安定に行う為には TG 配置とガス投入場

２）T.Hata, Y.Matsuda, R.Ando and S.Horita:Jpn.J.Appl.Phys.,L33 455（1994）

所等に工夫が必要である。TG への投入出力のコントロー

３）李正中、 光学薄膜と成膜技術 、㈱アグネ技術センター、2002.

ルのみで精度良く中間屈折率層を形成することが出来

４）H.A.Macleod ,"Thin Film Optical Filters", 2nd ed ,MacGraw-Hill,

た。

98

1989.

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