株式会社アイテス 電子部品の解析・評価・分析 受託サービス■物理解析／表⾯分析／化学分析
www.ites.co.jp■製品解析／不良解析／故障解析■信頼性試験／ESD／ラッチアップ試験／特性評価

装 置 名・手 法

特 徴

応 用 例

光学顕微鏡
OM

虫メガネ（数倍）から実体顕微鏡（数10倍）
⾦属顕微鏡（〜1000倍）

各種外観観察デジタル
マイクロスコープ

色再現性に優れた200万画素×3CMOSモードによる観察撮影
深い被写界深度を持つレンズを利⽤した観察や計測
各種広範囲観察、二次元連結、三次元合成

実装部品のリード、フィレット、側壁などの観察、ウィスカ観察、マイグレーション観察

ワンショット 3D 形状測定機

精密部品から⼤きな製品まで対応（最⼤測定範囲︓300×125×70mm）
試験前後の製品の反りやうねりの比較測定
高精細CMOセンサとﾃﾚｾﾝﾄﾘｯｸﾚﾝｽﾞを採⽤、光切断法により高さ・位置を測定
使⽤前後の摩耗比較測定
光沢面に強いHDRスキャンアルゴリズムを採⽤
製品形状・寸法のロット比較、メーカー比較、CAD
電動回転ユニットで横、裏も測定可能

レーザー顕微鏡
LSM408nmレーザ光を⽤いて表面形状の観察や計測が可能

凹凸形状観察及び計測

超⾳波顕微鏡
SAM／SAT

超⾳波の反射を利⽤した試料内部の非破壊観察
観察︓反射法及び透過法に対応
⾳響レンズ
反射法︓15,25,30,50,80,100,230MHz
透過法︓15,25,30,50,80,100MHz
最⼤測定範囲︓314x314mm

ICパッケージ・基板の内部剥離の観察
樹脂・⾦属材料の剥離・クラック・ボイドの観察
ウエハ・接着材料の接着性・充填性の観察

X線による試料内部構造の透過非破壊観察

IC内部のワイヤボンドやBGAの半田接合の観察

赤外(IR)顕微鏡

赤外光によるICチップ裏面からの観察

配線や拡散層パターンの観察

走査型電子顕微鏡
SEM／FE-SEM

二次電子による表面形状観察
光学顕微鏡に比べ高倍率（数10倍〜30万倍程度）で焦点深度が深い

各種表面形状観察、微細形状の観察、ICチップ内部や部品実装部分の断面作製後の観察

電子計測機器カーブトレーサや半導体パラメータアナライザ、オシロスコープなど各種電子測定機器

パワーデバイスや受発光デバイス、ICチップ、TFT
デバイスの静特性の測定

マニュアルプローバ

ICチップのパッドや配線／ビアやLCDパネルの画素に針当て
ICチップ︓約1umの配線／ビアまで
LCDパネル︓最⼤18inchまで

ICチップの内部デバイスの素子特性測定やLCDパネルの画素の素子特性測定

エミッション顕微鏡
EMS

電圧や電流に伴う微弱発光を観察
裏面観察可能 検出器（LN2冷却InGaAs, SI-CCD）
最⼤視野︓16mm × 16mm

パワーデバイスや受発光デバイス、ICチップの電流リーク箇所の特定
PN接合リーク箇所やゲート酸化膜破壊箇所の特定

IR-OBIRCH解析法

赤外レーザ照射に伴う抵抗の温度特性異常によって⽣じる電流変化を観察（レーザ波⻑ ︓1300nm）
裏面観察可能、最⼤視野 ︓13mm × 13mm

パワーデバイスや受発光デバイス、ICチップ内部のショート箇所／リーク箇所や高抵抗箇所の特定

可視光
OBIRCH解析法

可視光レーザー照射に伴う抵抗の温度変化によって⽣じる電流変化を観察(レーザ波⻑ ︓532nm)
裏面観察可能(Siデバイスは不可)最⼤視野︓ 6.5mm× 6.5mm

SiC、GaNパワーデバイスやTFTデバイスのショート箇所／リーク箇所や高抵抗箇所の特定

電子線誘起電流法
EBIC

電子線照射による起電流を観察

パワーデバイスやIC内部素子のPN接合位置や空乏層を可視化

電子ビーム吸収電流法
EBAC

電子線照射による吸収電流を観察

配線の断線、高抵抗箇所の特定走査型マイクロ波
インピーダンス顕微鏡
sMIM

AFMプローブから⼊射したマイクロ波の反射率からインピーダンスの容量成分を２次元マップ化

パワーデバイスやＩＣ内部素子の拡散層を観察

エキシマレーザおよびUVレーザによる薄膜除去

ﾎﾟﾘｲﾐﾄﾞ膜／SiN膜の除去やAI配線のカット、
マーキング

Gaイオンビームを利⽤したエッチング
WおよびPtのデポジション

断面作製および観察
TEM観察試料作製

研磨紙や研磨剤による研磨断面作製や各種前処理

ドライエッチング装置
RIE

プラズマを利⽤した異⽅性エッチング
使⽤ガス
︓O2、CF4、CHF3

ICチップ内部のSiO2膜／SiN薄膜の除去、各種前処理

ウェットベンチ

各種の化学薬品を利⽤したエッチング

ICパッケージの開封、ICチップ内部の薄膜の除去、各種前処理イオンポリッシャ

イオンビームを⽤いてエッチングを⾏い機械ダメージのない断面を作製。
最⼤断面幅︓4mm
冷却加⼯により熱ダメージを軽減するクライオ機能が付属

各種電子部品の断面作製および観察の前処理

ワイヤーソー

硬度の異なる複合材料や微⼩な試料を少ないダメージで切断可能。
また湿式及び乾式での切断が可能

電子部品、フィルム、有機EL製品などの加⼯

斜め切削装置

多層薄膜素材などに対し浅い角度で斜め切削加⼯を⾏い露出する面積を稼ぐことにより分析が容易になる

多層薄膜素材、PETフィルムなどの切削加⼯

無機・有機物の断面及び超薄切⽚（70nm〜）の作製
低加速STEM/EDXと組み合わせることで無染色で観察・分析が可能

各種高分子材料

透過X線観察装置
X線透視観察／CT観察

レーザカッタ
集束イオンビーム装置
FIB
回転式研磨台ウルトラミクロトーム

装 置 名

特 徴

使 用 例

加熱電源
計測電源
ゲート電源
計測ch
チラー能⼒

︓最⼤600A/12V × 4台
︓最⼤1A × 4台
︓-10V〜20V × 16台
︓4ｘ4ch 合計16ch
︓-10℃〜80℃、-20℃〜200℃

温度範囲
試料カゴ使⽤液︓-40〜0℃／+60〜180℃
︓W190 x H240 x D360
︓ガルデンD03

耐荷重︓10kg

温度範囲
試料カゴ使⽤液︓-65〜0℃／+60〜150℃
︓W320 x H240 x D320
︓ガルデンD02TS

耐荷重︓10kg

温度範囲
試料カゴ使⽤液︓-65〜0℃／+60〜150℃
︓W190 x H190 x D330
︓ガルデンD02TS

耐荷重︓8kg

温度範囲
内法
棚板寸法

︓-65〜0 ℃／+60〜200℃
︓W970 x H460 x D670
︓W940 x D640

温度範囲
内法
棚板寸法

︓-65〜0 ℃／+60〜200℃
︓W650 x H460 x D670
︓W620 x D640

温度範囲
内法
棚板寸法

︓-65〜0 ℃／+60〜200℃
︓W650 x H460 x D370
︓W620 x D340

ハイパワー恒温恒湿槽
温度サイクル試験
Temperature Cycling Test

温湿範囲
内法
棚板寸法

︓-70〜+95℃,+180℃(Dry)／20〜98%RH
︓W600 x H830 x D800
︓W560 x D750

恒温恒湿槽・低温恒温恒湿槽

温湿範囲
内法
棚板寸法

︓-70〜+85℃,+100℃(Dry)／20〜98%RH
︓W1000 x H1000 x D720、D800
︓W960 x D650、D750

温湿範囲
内法
棚板寸法
温湿範囲
内法
棚板寸法

︓-70〜＋85℃,+100,+150℃(Dry)／20〜98%RH
︓W600 x H850 x D520、D600
高温高湿バイアス試験／高温高湿保存試験
︓W560 x D450、D550
高温高湿雰囲気中で使⽤／保存した場合の︓-20〜+85℃,+100,+150℃(Dry)／20〜98%RH 耐久性を評価する試験
︓W1000 x H1000 x D720、D800
︓W960 x D650、D750

温湿範囲
内法
棚板寸法

︓-20〜+85℃,+100,+150℃(Dry)／20〜98%RH
︓W600 x H850 x D720、D800
︓W560 x D650、D750

温度範囲
内法
棚板寸法

︓+60〜+200,+300℃
︓W1000 x H1000 x D1000
︓W980 x D980

温度範囲
内法
棚板寸法

︓+60〜+300℃
︓W800 x H800 x D800
︓W780 x D780

温度範囲
内法
棚板寸法

︓+60〜+300℃
︓W600 x H600 x D600
︓W580 x D580

温湿範囲
内法
棚板寸法

︓+105〜162℃／75〜100%RH︓φ545 x L550
︓W530 x D530

温湿範囲
内法
棚板寸法

︓+105〜143℃／75〜100%RH︓φ350 x L400
︓W340 x D390

パワーサイクル試験装置（過渡熱解析装置 搭載）

液槽式冷熱衝撃槽（使⽤液︓ガルデン）
熱衝撃試験（液槽）
WTS試験（Wet Thermal Shock）

冷熱衝撃槽
熱衝撃試験（気槽）
ヒートショック試験
TS試験（ Thermal Shock）

高温高湿バイアス試験
耐湿性試験、高温高湿試験
温湿度サイクル試験
低温通電試験、低温保存試験
Temperature Humidity
Storage
Temperature Humidity Bias

恒温槽
高温通電試験
高温バイアス試験
耐熱性試験
High Temperature Storage
High Temperature Bias

PCT槽
HAST
PCT、PCBT
Autoclave

In-Situ連続測定装置
In-Situ THB
In-Situ TC
EM TestJEDEC規格JESD51-14準拠
構造関数を取得しながらパワーサイクル試験を実施可能

液槽式熱衝撃試験
液体を媒体として、急激な温度変化にさらした場合の耐久性を評価する試験

熱衝撃試験
気体を媒体として、急速な温度変化にさらした場合の耐久性を評価する試験

熱衝撃温度サイクル試験
高温と低温の繰り返し温度変化にさらす場合の耐久性を評価する信頼性試験

高温保存試験／動作寿命試験
⻑期間にわたって高温で使⽤/保存した場合／
⻑時間電気的及び熱的ストレスを加えた場合の耐久性を評価する試験

高度加速寿命試験
高温高湿状態の加圧雰囲気内での使⽤/保存した場合の耐湿、気密の耐久性を評価する試験

エレクトロケミカルマイグレーション評価
︓THB/HAST 最⼤120チャネル
エレクトロマイグレーション評価
︓EM試験⽤

最⼤30チャネル

接続信頼性評価
︓TC試験⽤

最⼤90チャネル

ストレスを印加しながら絶縁抵抗値や導通抵抗値を連続的に測定

装 置 名特 徴

使 用 例

ESDテスタESD（HBM／MM）

対応規格
︓MIL、JEDEC、ESDA、AEC、IEC等
印加電圧︓0〜±4500V(HBM)
印加電圧︓0〜±2000V(MM)
最⼤ピン数︓512ピン
ダイオード特性法、DCパラメータ法による自動破壊判定

ESD（HBM／MM）試験
半導体デバイスが受ける 人体モデル／機械モデルの外部からの静電気放電に対する耐性を評価する試験

CDMシミュレータ
CDM

対応規格
︓JEDEC、JEITA、EIAJ、ESDA、AEC
印加電圧
︓0〜±4000V
最⼤ピン数︓1024ピンまで
直接チャージ法、電界誘導法の両⽅に対応

ESD（CDM）試験
半導体デバイスが受ける、デバイス帯電モデルの静電気放電に対する耐性を評価する試験

対応規格
DC電源
ラッチアップテスタ

︓JEDEC、JEITA、AEC
︓4系統 ±100V、0.5A、1系統±50V、1A、3系統
最⼤ピン数︓512ピンまで
電流パルス印加法、電圧パルス印加法、電源過電圧法、ESDパルス印加法の各試験が可能

ラッチアップ試験
半導体ICのラッチアップに対する耐性を評価する
試験

静電気放電試験機

対応規格
︓IEC61000-4-2に準拠
放電⽅式
︓接触放電、気中放電
出⼒電圧︓0.5〜30kV / 正または負放電コンデンサ ︓150pF±10％（交換可能，100pF〜500ｐ/8種類）
放電抵抗︓330Ω±5％（交換可能，100Ω〜10kΩ/11種類）
充電抵抗︓68MΩ

静電気放電試験
システムレベルでの静電気に対する耐性を評価
する試験

全光束・光度測定システム

2次元裏面⼊射型高感度マルチチャネル分光器
波⻑範囲︓210〜950nm
積分球（4インチ/可視光、3.3インチ/紫外）、光度測定アダプタ
出⼒スペクトル測定（μW/nm）、全光束（lm）、色度座標(xy)(u’v’)
光度（cd）、ピーク波⻑、半値全幅、相関色温度、演色評価数、等

光学特性評価LED素子の光学特性を測定
測定波⻑範囲として紫外域も測定可能

パワーデバイスアナライザ

パワーデバイスアナライザ 搭載ユニット
1 ︓ 最⼤ 200V / 最⼤ 1000mA × 2台
2 ︓ 最⼤ 3000V / 最⼤ 8mA
3 ︓ 最⼤ 60V / 最⼤ 1500A（パルス）
4 ︓ 最⼤ 40V / 最⼤ 1A、最⼤ 20V / 最⼤ 20A（パルス）

パワーデバイスの特性評価
複数の計測モジュールを内蔵し、パワーデバイスの静特性を測定

ミリオームメータ

測定レンジ
測定電流測定周波数︓1mΩ〜10kΩ
︓１uA〜10mA︓1ｋHz

導通抵抗測定導体の抵抗値の測定

絶縁抵抗計

最⼤電圧
測定レンジ

︓1000V
︓100pA〜100uA

絶縁抵抗測定絶縁体の絶縁性の測定

LCRメータ

測定周波数 ︓42Hz〜5MHz
測定信号レベル︓10mV〜5V rms、10uA〜100mA rms
DCバイアス測定可能 最⼤ DC±40V、±1A

電気特性測定電子部品のインピーダンス特性を測定

マルチメータ

測定項目
DC/AC電圧 ︓〜1000V、DC/AC電流︓〜1A、周波数︓〜10MHz
2端子/4端子抵抗測定︓〜1GΩ

基本的な電気的な特性の測定

耐電圧試験
AC電圧︓最⼤ 5kV、AC電流︓最⼤ 100mA
DC電圧︓最⼤ 6kV、DC電流︓最⼤ 10mA
絶縁抵抗試験 ︓最⼤電圧 1000V

電子部品などの耐電圧を評価する試験

耐電圧試験機

装 置 名

特 徴

応 用 例

集束イオンビーム
走査電子顕微鏡
FIB-SEM

Gaイオンビームを⽤いたエッチング加⼯、および電子線を走査し、検出された二次電子による加⼯面の形状観察最⼤100nAの⼤電流による高速⼤面積加⼯
冷却機構によるダメージ低減加⼯
自動でFIBとSEMを繰り返し、3D再構築が可能
EDS検出器搭載により、元素分析可能。FIB加⼯からTEM試料作製まで自動化

半導体デバイスの故障箇所に対する断面作製・観察
TEM試料作製

透過型電子顕微鏡
TEM／STEM

透過電子による形状観察
最⼤分解能︓0.10nm（格子像）
0.24nm（粒子像）

ICチップのビアやゲート酸化膜、LCDパネルのTFTなどの微⼩構造のナノレベルの観察

エネルギー分散型
X線分析装置EDX

特性X線による元素分析（エネルギー分散検出器）
空間分解能
︓約2nm
エネルギー分解能︓129eV
検出下限
︓%ｵｰﾀﾞｰ

層構造構成元素の分析、異物などの元素分析

低加速STEM
走査透過型電子顕微鏡

無染色による有機物の観察
加速電圧︓30kV
EDXによる成分分析可能

フィルム製品などをウルトラミクロトームを⽤い試料作製後STEM観察

マイクロマニピュレーター

10μｍ以下の試料表面異物の採取が可能

装 置 名特 徴

応 用 例

エネルギー分散型
X線分析装置SEM+EDX／FE-SEM+EDX

特性X線による元素分析（エネルギー分散型検出器）
空間分解能︓数⼗nm（FEタイプ）、数μm（Wタイプ）
検出下限
︓0.1〜1%
エネルギー分解能 ︓約130eV

異物などの元素分析

電子線後⽅散乱回折分析装置
FE-SEM+EBSD

TEM等による電子線回折法に比べ広視野での局所⽅位解析が可能
結晶性を持つ試料に対して微細組織の観察・評価ができる。

結晶粒の⽅位観察、結晶粒径の計測、歪み箇所の可視化等

電子線マイクロアナライザ
EPMA／WDX

特性X線による元素分析（波⻑分散型検出器）
広域でのマッピング像取得可能
空間分解能
︓数μm（Wタイプ）
検出下限︓0.01〜0.1%
エネルギー分解能 ︓約20eV

実装部品の半田接合などの⾦属間化合物の元素分析

オージェ電子分光分析装置
AES

試料の極表面元素分析
Arスパッタと組み合わせて深さ⽅向分析
面⽅向分解能︓1μm程度
検出深さ︓5nm程度
検出下限
︓0.1〜1%

ICチップの極表面の元素分析／深さ⽅向分析、ボンディングパッドの分析、異物分析、⾦属表面の変色の分析

X線光電子分光分析装置
XPS／ESCA

試料の表面元素分析／化学結合状態の分析
Arスパッタと組み合わせて深さ⽅向分析
面⽅向分解能︓300μmφ程度
検出深さ︓5nm程度
検出下限
︓0.1〜1%

試料表面の組成分析／結合状態分析、
⾦属表面の変色の分析

試料表面の微⼩凹凸形状の観察
深さ⽅向分解能 ︓0.1〜0.01nm
面⽅向分解能︓＞1nm

試料表面の微⼩形状の観察、LCDパネル配向膜の観察、ITO膜の観察

微⼩な場所や数μm程度の膜厚の硬度測定

硬度測定

誘電結合プラズマ質量分析計
ICP-MS/MS

⾦属、無機成分の定性/定量分析
ウェハー⼩⽚のVPD処理対応可能
トリプル四重極搭載で共存成分由来の干渉回避可能
検出下限
︓ 0.1ppt（元素による）ウェハー表面の超微量⾦属不純物分析
電子部品等の高純度の希⼟類元素の測定⽣体、プラスチック製品の無機⾦属元素分析
⼯業排水の水質モニター検査

イオンクロマトグラフ分析装置
IC

水溶液中のイオン性成分の定性/定量分析
陽イオン︓Li⁺、Na⁺、NH₄⁺、K⁺、Mg²⁺、Ca²⁺
イオン性微量不純物の分析、環境分析
陰イオン︓F⁻、Cl⁻、Br⁻、NO₂⁻、NO₃⁻、SO₄²⁻、PO₄³⁻、有機酸など
定量下限
︓0.1ppm程度（溶液濃度）

ガスクロマトグラフ質量分析装置
GC/MS

有機成分の定性/定量分析
分子量︓800程度まで

良品不良品間での成分比較分析
例︓液晶分子などの液状物

難溶解性物質（高分子材料、添加物）の定性分析
分解温度︓50℃〜1050℃（ダブルショット可）有機系アウトガス分析
例︓フィルム、プラスチック製品など

液体、固体からの揮発成分の定性分析
気化温度︓40〜300℃

有機系アウトガス分析
例︓フィルム、プラスチック製品など
熱分解による樹脂主成分分析

可溶性成分の定性/定量分析
測定可能分子量 ︓50-2000
検出下限︓数⼗ppb〜

各種洗剤の分析（ｱﾆｵﾝ系、ｶﾁｵﾝ系、ﾉﾆｵﾝ系）
アクリル塗料の分析（オリゴマー、重合開始剤）
高分子添加剤の分析（フタル酸系等）

有機化合物の定性分析
マイクロサンプリング技術と組み合わせて微⼩付着異物（25μm程度まで）の分析が可能

有機化合物の同定／構造解析
付着異物の分析

水分測定計

液体・固体の微量水分測定
加熱気化装置と組み合わせることにより固体の水分測定も可能

高分子材料の水分測定
顔料・染料の水分測定、各フィルムの水分測定

接触角計

各試料に対する各溶媒の接触角測定
基本は純水で測定
必要試料サイズ︓□1cm〜

フィルムの接触角の測定
剥離面の接触角の測定

無機・有機化合物の定性分析（液体・固体）
微⼩異物分析（1μm〜）
ライン・マッピング分析可能

赤外では検知できない微⼩異物分析
フィルム内部の埋没異物分析
微⼩部位におけるポリマー結晶化度の比較

有機化合物の構造解析
11319
対象︓ H、 C、 F

LCD液晶の構造解析
有機物の構造解析

熱分析（⽰差走査熱量計DSC）

物質・材料の熱特性（融解、ガラス転移、結晶化等）の測定

樹脂材料のガラス転移点、熱硬化性樹脂の硬化挙動の評価、融解温度の測定

熱分析（熱機械測定装置TMA）

有機材料に一定荷重を掛けながら温度に対する変形を計測

樹脂材料の熱膨張特性の分析

原子間⼒顕微鏡
AFM
微⼩ダイナミック硬度計

熱分解ガスクロマトグラフ質量分析装置
Py-GC/MS
ヘッドスペースガスクロマトグラフ
質量分析装置HS-GC/MS
質量分析装置MS(ESI)
顕微赤外分光分析装置
μFT-IR

顕微ラマン分光光度計
フーリエ変換核磁気共鳴装置
NMR

試料に振動を与えて、それによって発⽣する応⼒または歪みを熱分析（動的粘弾性測定装置DMA）
測定することにより試料の⼒学的な性質を測定する
お問い合せはこちらまで

株式会社アイテス

品質技術部〒520-2151 滋賀県⼤津市栗林町1番60号
TEL:077-599-5020
URL:https://www.ites.co.jp

樹脂シート、ゴム材のガラス転移点の測定
2024年 6月現在 [装置一覧]© 1993 ITES Co.,Ltd.
サービスの一部は協⼒機関で実施しています。
S45453A4