薄膜応力測定装置

FLX(フレクサス) シリーズ
応力測定のデファクトスタンダード
さらなる高速化、高集積化が求められる半導体分野において、基板および成膜材料の開発、選定、管理はこれまで以上に重要となっており、成膜プロセスではよりシビアな条件出し、品質管理が求められています。また、Si 半導体だけではなく、SiC、GaN などの新しい材料開発も活発となり、その特性を活かした化合物半導体の需要はますます旺盛となっています。

FLX シリーズはレーザーの反射光から基板の反り・応力を測定する装置です。非接触・非破壊で高速・高精度の測定が可能です。

特徴 / 活用分野
応力測定装置の専用機としては世界シェア No.1
成膜装置の品質、性能評価

基板及び膜材料の開発、特性評価

成膜を伴う幅広い分野での成膜品質管理

国内製造の安心品質、安心サービス対応

半導体、ディスプレイ製造での成膜条件出し

製品ラインナップ
モデル

FLX2320S

サンプルサイズ

FLX2320R

FLX3300T

FLX3300R

3 〜 8インチ

8 〜 12インチ

応力測定範囲*1

1 〜 4000MPa

測定再現性（1σ）*2±1.3MPa

データ

応力（MPa）、反り（um）、BOW（um）、曲率半径（um）、グラフ、3Dマッピング、他

測定用レーザー
測定温度

670nm、780nm
室温〜 500度

室温のみ

室温〜 500度

室温のみ

サンプル回転

手動

自動

手動

自動

電 源

230V

100V

230V

100V

ガ ス

CDA / N2―

CDA / N2―

標準概算寸法

W560×D460×H460

W663×D550×H492

標準概算重量

48kg

60kg

オプション

応力スタンダードウェーハ、ロケータ、3Dソフト、オフラインソフト、変圧器、低温測定（−65度）、他*1：8 インチシリコンウェーハ（725um 厚）上の 1um 厚の薄膜サンプルを測定した場合。
*2：8 インチ応力スタンダードウェーハを 10 回連続測定した場合。

解析例

仕様、外観は予告なく変更することがあります。

測定原理

反り変化

温度応力変化

応力ユニフォーミティ

3Dマッピング

成膜前と成膜後のサンプルのそれぞれにおいて、上部からレーザーを照射し、サンプル表面での反射角度からサンプルの曲率半径を算出し、成膜前と成膜後の曲率半径の差分から、膜の応力を求めます。

稲沢ものづくり開発本部 ファインメカ事業部

https://www.toho-tec.co.jp

愛知県稲沢市下津下町東5‑1〒492‑8501
Tel：0587‑24‑1210
Fax：0587‑24‑1224

Thin Film Stress Measurement SystemFLX(Flexus) Series
De-facto standard for stress measurement

With higher speeds and integration continuously desired in
the semiconductor industry, the control and management of
substrate and film quality has gained even more importanceand scrutiny. The film deposition process needs to behighly optimized to increase the yield of the devices.
New materials like SiC and GaN have been intensively
studied and are now being used for higher performancesemiconductors. The FLX Series is the non-contact/nondestructive sample deflection and film stress measurement
system using the dual laser technology.

Features / Application

Top global market share in desktop stress metrology system
Quality control of film deposition/coating equipment
Film quality management in various industries

Research and Development of the substrate and film material
Optimizing the film process in semiconductor and display manufacturing
Made in Japan with high quality and service

Product LineupModel

FLX2320S

FLX2320R

FLX3300T

3 〜 8 inch

Sample size

FLX3300R

8 〜 12 inch
1 〜 4000MPa

Measurement range *1
Measurement repeatability (1σ) *2±1.3MPa

Data

Stress (MPa), Deflection (um), BOW(um), Radius (um), Graph, 3D Mapping, etc

670nm, 780nm

Measurement lasers
Measurement temperature

RT to 500℃

Room Temp

RT to 500℃

Sample rotation
Power supply

ManualAuto

Manual

Auto

230V

100V

230V

100V

Gas

CDA / N2―

CDA / N2

Room Temp―

Standard dimension

W560×D460×H460

W663×D550×H492

Standard weight

48kg

60kg

options

Stress Standard, Locators, 3D Software, Offline Software, Transformer, Low-Temp (−65 ℃), etc.

*1：Measure 8 Si wafer (t=725um) with 1um thick film
*2：8 Standard Stress Pair wafers are measured 10 times

Analysis

Deflection change

Temp/Stress data

Specifications and dimensions are subject to change without notice.

Measurement Theory

Stress uniformity

3D Mapping

Toho Technology Corp.
https://www.toho-tec.co.jp

The laser is reflected on the surface of the sample. Samples before and after
film deposition are measured separately and the difference in the curvatureradius of the samples is used to accurately calculate the film stress.

Fine Mechatronics Division

5-1 Orizushimomachi Higashi Inazawa-city, Aichi 492-8501, Japan
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