講座
レーザーアブレーションの物理と応用

５．レ−ザ−アブレ−ション応用の現状と今後の展開
岡田龍雄，杉岡幸次１）（九州大学，１）理化学研究所）

Applications of Laser Ablation − the Sate of the Art and Future Prospects
OKADA Tatsuo and SUGIOKA Koji1)
Kyushu University, Fukuoka 812-8581, Japan1)

RIKEN, Wako 351-0198, Japan(Received 28 July 2003)

Abstract
Present status and future prospect of the application of laser ablation phenomena are reviewed, especially
focused on the application to the synthesis of functional thin films and nanostructured materials, and to thelaser micro-processing using femto-second lasers, hybrid laser processing and other novel methods.
Keywords:
Laser ablation, PLD, nano-particles, nano-structured materials, femto second laser processing,hybrid laser processing, LIPAA, direct writing, nano-processing

５．
１ はじめにレーザーなど新しいレーザーの開発と装置技術の成熟にレーザーアブレーションは固体あるいは液体（以下固伴って，既存技術の高度化あるいは新しい応用分野の開体を代表的に用いる）の表面にレーザー光を照射したと拓など，レーザーアブレーションの応用研究はますますき，プラズマの発生とともに固体表面の構成物質が爆発盛んになっている［１］．

的に放出される現象である．たとえば，Q スイッチ Nd:

Fig. 1 にレーザーアブレーションにともなう色々の物

YAG レーザーやエキシマレーザーのようなナノ秒領域理現象とその代表的な応用例についてまとめた．このうのパルス幅を持つレーザー光を，レンズで固体表面に集ちもっとも広く利用されているのは，レーザーアブレー

光照射すると，ごく一般的に観察される現象である．

ションに伴って固体より放出される粒子を利用した材料

レーザーアブレーションには，プラズマの発生，衝撃波創製と，粒子放出後に残る痕を利用した加工応用であの発生，荷電粒子や原子分子，クラスターなどさまざまる．本稿でも，これらを中心に現状と今後の展望についな粒子や光の放出など，いろいろな物理現象が伴う．こて述べる．のような現象を加工，医療，材料創製などへ応用しようという研究の端緒は，Q スイッチルビーレーザーが発明

５．
２ 材料創製への応用された，１９６０年代前半まで遡ることができる．４０年が経５．
２．
１ 薄膜作製装置

過した現在，これらの応用研究の一部はすでに実用化さ薄膜作製装置の基本構成を Fig. 2 に示す．装置は，アれている．さらに，エキシマーレーザーやフェムト秒ブレーション用レーザーと真空容器より構成される簡便

authors’ e -mail: okada@ees.kyushu-u.ac.jp, ksugioka@postman.riken.jp
１２７８J. Plasma Fusion Res. Vol.79, No.12 (2003)１２７８‐１２８６

Lecture Note

Applications of Laser Ablation−the Sate of the Art and Future Prospects

T. Okada and K. Sugioka

レーザーアブレーションによる薄膜作製の特徴として次のような点がある．!ターゲットの組成とほぼ同一の組成を持つ薄膜を作製できる．"アブレーション放出粒子には熱蒸発と異なり数 eV を超える高速粒子が存在するので，成膜条件の低温化や非平衡結晶相の創生などが期待できる．#真空容器内にはターゲットと基板が有るだけの簡便で，クリーンな装置構成である．$材料の種類を選ばずターゲットの交換だけで種々の薄膜を作製できる．%レーザー光が透過できさえすれば，雰囲気ガスの圧力や種類を自由に選択できる．&レーザーパルスに同期して成膜が行われるので，成膜条件をデジタル的にFig. 1

Application of laser ablation.

制御できる．特に，&では，組成の異なる複数のターゲットと基板上での成膜箇所をレーザーパルスに同期して選択すれば，一度の成膜過程で組成の異なる複数の薄膜を効率よく作製できる．この方法は，コンビナトリア
ムレーザーアブレーションとして知られており，材料組成の最適化や新材料の探索等の材料開発研究の有力な手法として注目されている［３］．
一方，課題としては，大面積化とターゲットから発生するマイクロメートルサイズの微粒子（ドロプレットと呼ばれる）の除去がある．前者は，ターゲット上でのレーザー照射位置と基板を相対的に動かして，均一で大面積化が図られている．これまで５インチ径程度の大面積化が報告されている．
５．
２．
２ 機能性薄膜の作製
PLD による成膜は既に１９６０年代に 報 告 さ れ て い るが，実用的に注目されたのは１９８６年の高温超伝導体薄膜の作製に成功してからである［４］．以後さまざまな薄膜作製に応用されている．特に威力を発揮するのは，YBa2
Cu3O7−x（YBCO）などの高温超伝導体薄膜や BaxSr1−x

Fig. 2TiO3 などの強誘電体薄膜などである．これらの材料はいApparatus for pulsed laser deposition.

ずれも複数の元素を含む酸化物であり，組成の維持や酸な構成となっている．真空容器内には，作製した薄膜と化状態の制御が困難な材料である．先に述べたレーザー

同一の組成を持つターゲットが設置されており，それとアブレーションの特色が発揮できる材料でもある．高温

対向する数 10 mm の位置に加熱した基板ホルダーが設

超 伝 導 体 薄 膜 に つ い て は，SQUID（Superconducting置されている．アブレーション用レーザーには，エキシ

QUantum Interference Devices）やマイクロ波デバイス

マーレーザーや Q スイッチ Nd:YAG レーザーの高調波がへの応用などの実用化研究が進んでいる．Fig. 3 に PLD

広く用いられている．ターゲットは同一箇所がアブレー法で作製した YBCO 膜を用いて試作された SQUID センションされるのを防ぐため，通常は回転等の機構が設けサの写真を示す．また，超伝導電力線材の開発も進めらてある．レーザーアブレーションによる薄膜作製は，一れている．

般には Pulsed-Laser Deposition（PLD）と呼ばれている

この他にも，Nd:YAl5O12 のようなレーザー媒質，ダイ［２］．高真空下で成膜を行う場合はレーザー蒸着あるいアモンドライク薄膜のなどのコーティング材料，SiFe２

はレーザー MBE（Molecular Beam Epitaxy）などの語もなどの新半導体材料などへの適用例が最近増加してい用いられている．

る．
１２７９

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.79, No.12 December 2003

粒子を補修して電子顕微鏡で観察すると，大きさが数nm の一次ナノ微粒子が凝集した集合体であることが分かる．ナノ微粒子の大きさは雰囲気ガスの圧力により制御できる．この場合も，ターゲットを交換するだけで，さまざまな種類のナノ微粒子を容易に生成することができる．たとえば，シリコン（Si）を圧力が数 100 Pa のヘリウムなどの希ガス雰囲気中でレーザーアブレーション
すると，大きさが 5 nm 程度の Si ナノ結晶微粒子を作製できる．バルクでは発光しない Si もナノ微粒子では発光することが知られており，実際にアブレーションで生成した Si ナノ微粒子を用いた発光素子が作製されている［７］．今後，光電子デバイスへの応用が期待される．
Fig. 3

ガス中でナノ微粒子を生成した際の問題点は，ガス中SQUID sensor prepared on YBCO thin films deposited by
PLD.
(Courtesy of Prof. K. Enpuku of Kyushu University)

や捕集時にナノ微粒子同士が凝集してしまうことである．ナノ微粒子は反応性が強く凝集した微粒子を再分離するのは容易でない．これに対して，界面活性剤を混入

５．
２．
３ ナノ構造体の創製した水中に置いたターゲットを直接アブレーションする

フラーレンがグラファイトをレーザーアブレーションと，水中に分散したナノ微粒子を作製することができしたときの生成物から発見されたことはよく知られている．Fig. 5 は，このようにして作製した，銀ナノ微粒子のる［５］．一般に，アブレーションによりターゲットから直写真である［８］．金属以外でも，同様の手法でいろいろの接放出された放出物の中には，原子や分子などに混じっ微粒子作製に応用され始めている．て，さまざまな大きさのクラスターやナノ微粒子も存在ナノワイヤー，ナノチューブといったナノ構造体もしている．しかし，その量は相対的には原子に比して少レーザーアブレーションにより作製可能である．Coなどない．の遷移金属を含有した炭素ターゲットを 1,000 度程度に一方，ガス雰囲気中でレーザーアブレーションを行う

加熱した 50 kPa 程度の Ar ガス中でアブレーションを行と，放出された原子や分子が凝縮してガス中で効率良くうと，さまざまな形態のカーボンナノチューブを作製で微粒子が生成される．Fig. 4は，この様子を可視化したもき る［９］．金 属 が 触 媒 と な っ て，い わ ゆ る 気 液 固 相ので，ブルーム内に発生するガス流に沿って微粒子が発（vapor-liquid-solid）反応により，ナノチューブが合成さ生しているのが分かる［６］．このようにして発生した微れると考えられている．同様にして，Si，GaN などの半Fig. 4

Dynamics of nanoparticle formation process in YBCO laser ablation plume.

１２８０

Lecture NoteFig. 5

Applications of Laser Ablation−the Sate of the Art and Future Prospects

Fig. 7

Silver nanoparticles synthesized by laser ablation inwater.
(Courtesy of Prof. M. Tsuji of Kyushu University)

T. Okada and K. Sugioka

Plasma packets assisted PLD.
(Courtesy of Dr. S. Komatsu of National Institute for Materials Science, Japan)

うな通常と異なる雰囲気での材料作製である．従来材料合成では利用されていない，さまざまな環境が考えられる．そのような環境としては，何もパッシブな環境である必要はない．イオンビームやプラズマ等他のプロセスと組み合わせた，複合レーザーアブレーションプロセスもその一例である．Fig. 7は，プラズマの照射とレーザーアブレーションを組み合わせた BN 薄膜作製法の例である［１３］．両者を併用したときのみ，発光機能を持つ BNを合成できており［１４］，新材料の開発手段としての展開が期待される．
一方，実用的デバイス作製への応用に関しては，一部
Fig. 6には高温超伝導デバイスのように製品化に応用されていZnO nanorods synthesized by nanoparticle assisted laser
ablation.

るものもあるが，材料作製の研究報告数の急増に見合うほどの普及には至っていない．その中で，材料合成以外導体ナノワイヤーが作製されている［１０］．一方，最近わ

では，レーザーアブレーションを利用した直接描画プロ

れわれは，アブレーションで生成したナノ微粒子を原料セスがある．一つは，あらかじめ薄膜を堆積した透明基にして，Fig. 6 に示すような ZnO ナノロッドの合成に成板（ドナー基板）を通してレーザー光を照射し，アブレー功した［１１，１２］．ZnO ナノイヤーやナノロッ ドからはションを利用して薄膜を飛散させ近接しておいた基板レーザー発振も確認されており，ナノ光電子デバイスへ（アクセプター基板）上に堆積させるものである．ドナーの展開が期待される．

基板とアクセプター基板をレーザー照射ごとに動かせ

５．
２．
４ 今後の展望ば，プリンターのようにさまざまなパターンを直接描画

レーザーアブレーションによる材料合成は，近年研究できる．材料は金属やセラミックスを問わないので，こ報告が急増している．このことは，レーザーアブレーれを用いてキャパシタや抵抗などを含む回路パターン直ション法が新材料開発や新材料による素子の試作のため接描画した例が報告されている［１５］．他の例としては，の研究手段として，広く普及しつつあることを示していレーザーアブレーションで生成したナノ微粒子を微細なる．このような材料研究への応用の観点から，レーザーガスノズルから噴射して，基板上に回路パターンを直接アブレーション法の今後の展開として次の点を挙げた描画する例も報告されている［１６］．Fig. 8 に作製例を示

い．すなわち，上で紹介した，水中アブレーションのよす．これらは，それ自体を製品生産に適用するには課題
１２８１

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.79, No.12 December 2003

い．そのためには，波長が短く，かつパルス幅も短いレーザーを用いることが望ましい．波長が短くなればなるほど材料に対する吸収係数は増加し，加工領域に効率良くエネルギーを注入できる．逆に吸収係数が小さい場
合，レーザー光は材料内部深くまで侵入し，加工されなかった領域でもエネルギーが吸収され加工部周辺に熱影響を与える．また波長が短くなれば光子エネルギーも大きくなるため，固体内の原子や分子の光解離現象を誘起でき，非熱的加工を実現することができる．一方レー#!
$κ・""ザーを照射した時の熱拡散長 ! は !!!のオーダである．したがってパルス幅が短くなると ! も短くなり，加工部周辺への熱影響も少なくなる．ここでκは材
料の熱拡散係数，"はパルス幅である．
上記のような理由で，今日微細加工を行うには紫外のナノ秒パルスレーザーであるエキシマレーザーが主に用Fig. 8

Examples of electric circuit directly written by laserinduced forward transfer of thin films. (Courtesy of Dr A.
Pique of Naval Research Lab.)

いられている．Fig. 9に，エキシマレーザーアブレーションによってポリマーの微細加工を行った例を示す［１８］．
この技術を，MEMS（Micro-electro-mechanical System）やマイクロセンサーなどの作成に応用することが期待さが多いが，レーザープロトタイピングの一種として，試れている．

作品の研究開発への応用が期待される．

５．
３．
２ 次世代アブレーション加工

５．
３ アブレーションによる材料加工料の加工に利用されている．一方製品の高性能化・高機

５．
３．
１ アブレーション加工の現状能化のためには，新機能材料や高機能材料の開発および上述のように今日レーザーアブレーションは多様な材レーザーアブレーションでは，高エネルギーの中性粒その加工技術の確立が重要となっている．これらの材料

子，ラジカル，イオンが固体材料から放出されプラズマはその高機能性が災いして一般的に加工が困難であり，を形成するが，前述のように放出された種は機能性薄膜

既存のレーザーアブレーション技術では良好な加工特性の成長や超微粒子の生成に利用される．一方，アブレーが得られない．したがってこのような難加工材料の加工ション後の固体表面にはエッチング溝が形成される．こ技術の確立が，将来へ向けての重要な課題となっていの現象は固体材料の直接加工に応用されている．

る．この問題を解決するにために，大きく分けて２つの赤外レーザーによる材料の加熱・蒸発現象も広義にアプローチがなされている．一つは新しいレーザーを用レーザーアブレーションととらえるならば，重工業分野いること，もう一つは既存のレーザーを用いプロセスのにおける大出力の炭酸ガスレーザー（波長 10.6 µm）を用工夫によってこれまでできなかった加工を実現しようといた金属（鉄鋼）板の穴明けや切断は，最も普及していするものである．

る応用の一つである．一方エレクトロニクス分野では，新しいレーザーとしては，現在フェムト秒レーザーと携帯電話用プリント基板の穴明けが大きな市場となってF2 レーザー（波長 157 nm）の利用が検討されている．金いる．その他レーザーアブレーションは，Si ウェハや IC属をレーザーで加工しようとした場合，レーザーエネル

パケージのマーキング，フォトマスクや IC 回路の修正，ギーは自由電子で吸収され熱に変換される．ナノ秒オー

ハイブリッド ICの抵抗トリミング，インクジェットプリ

ダーのパルスレーザーでは，発生した熱がパルス照射中ンターノズルの穴明け等広く利用されている［１７］．これに金属内部を伝導し比較的大きな溶融層を形成するたらのうちの多くは，赤外の Nd：YAG レーザー（波長 1.06め，加工部周辺の盛り上がりや熱歪みによる損傷が生µm）が用いられている．

じ，高品質な加工は行えない．一方フェムト秒レーザー

材料をより精密かつ微細に加工しようとした時，加工を用いると，パルス幅が電子・フォノン結合時間よりも部周辺に極力熱影響を与えないようにしなくてはならな短いため，金属内部への熱伝導による損失過程を無視で１２８２

Lecture NoteApplications of Laser Ablation−the Sate of the Art and Future Prospects

T. Okada and K. Sugioka

（a）

（b）
Fig. 10Micromachining by femtosecond laser ablation.

Fig. 10 にフェムト秒レーザーによって金属（a）［１９］およFig. 9

び石英ガラス（b）［２０］をアブレーション加工した例を示

Micromachining of polymer by excimer laser ablation.

す．
フェムト秒レーザーを用いると，アブレーション過程きる．その結果，レーザーエネルギーを格子系に効率良においてプラズマシールディングを回避できる利点もあく注入できるとともに，加工部周辺への熱影響を排除でる．すなわちレーザーアブレーションで材料の加工を行き，高品質な加工が実現できる．また強度の大きいフェう場合，アブレーションによって生成されたプラズマムト秒レーザーを用いると，ガラスなどの透明材料に対に，入射レーザー光が吸収されることが多々問題となしても束縛電子が複数の光子を同時に吸収する多光子吸る．一番の問題点は，レーザーパルスの後半部分がプラ収が起こり，アブレーションを生じさせることができズマに吸収されるため，投入エネルギーのすべてを加工る．これによって透明誘電体材料の表面加工，マイクロに利用できず，効率が悪い点である．実験的にプラズマ

マシーニング，穴開けなどの研究が行われている．多光の膨張する速度は 106 cm/s 程度と見積られ，1 ps 以下の子吸収はレーザー強度に大きく依存するため，適当な強極短パルスレーザーを用いれば，このプラズマ膨張によ度のガウスビームを用いるとビームの中心部分のみ多光る照射レーザーエネルギーの吸収による損失を回避でき子吸収を誘起でき，回折限界以下の微細加工も行える．

る．

１２８３

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.79, No.12 December 2003

もう一つの新しいレーザーは真空紫外光を発する F2レーザーである．F2 レーザーはナノ秒パルスのレーザーであるが，光子エネルギーが極めて大きい（7.9 eV）ためほとんどの材料に対して大きい吸収係数を持つ．吸収係数が大きいことは良好な加工を行う上で非常に重要な要因である．また大きい光子エネルギーを利用して，固体を構成する原子や分子の結合を光解離することができ，その結果非熱的な加工を実現できる．これらの特長を利用して，テフロン（PTFE）や石英ガラスに高品質な加工が実現されている［２１］．F2 レーザーのもう一つの利点は，その短波長性を利用して非常に高い空間解像度が得られる点である．アブレーション加工では 200〜300 nm程度の空間解像度が期待されている．
フェムト秒レーザーや F2 レーザーは高品質かつ超微細なアブレーション加工を提供するが，現状では安定
Fig. 11

Schematic illustration of concept of hybrid laser processing.

Fig. 12Mechanism of VUV-UV multi-wavelength excitation
process.

性，信頼性，フォトンコスト，光学系等に問題があり，即座に産業に利用できる状況にない．既存の紫外あるいは可視のレーザー光で難加工材料の高品質加工や超微細加工が実現できるなら，産業応用上その利点は大きい．この実現のためにはプロセス自体を工夫する必要があり，複合レーザープロセスが提案されている．複合レーザープロセスとは，既存のレーザープロセスに，別のビームプロセスや特殊ツール，媒質を組み合わせたプロセスである．例えば異なる波長あるいは異なるパルス幅のレーザー，電子ビーム，イオンビーム，プラズマなどを既存のレーザープロセスに導入することが考えられる．その概念図を Fig. 11 に示す．以下にいくつかの複合レーザープロセスを紹介する．
真空紫外−紫外多重波長励起プロセスでは，真空紫外レーザー光と紫外レーザー光が同時に試料に照射される［２２，２３］．本プロセスの加工メカニズムを Fig. 12 に示す．
まず真空紫外レーザー光の光子によって電子が価電子帯から伝導帯あるいは伝導帯の下にある欠陥準位に励起される．多くの透明材料（誘電体）において電子親和力は紫外レーザーの光子エネルギーより小さいため，同時に照射した紫外レーザー光は励起された電子に吸収され，した場合，F2 レーザーアブレーションの場合とほぼ同等励起電子をさらに真空準位上に引き上げる．その結果光の加工品質が実現されている．

解離や光イオン化が生じ，さらに十分な紫外レーザー光

レーザー生成プラズマ支援アブレーション（Laser-のエネルギーが投入されていればアブレーションへと進Induced Plasma-Assisted Ablation: LIPAA）［２４］の概略展する．このプロセスでは真空紫外レーザー光は電子の図を Fig. 13 に示す．この場合，用いるレーザーの波長が励起のみに利用されるため，照射強度が真空紫外レー加工対象材料に対して透明であることが必要である．まザーのみでアブレーション加工する場合の 1/5〜1/10 程た加工対象材料に対してレーザー光を照射する側と反対度でよい．F2 レーザーと KrF エキシマレーザーを組み合側に，固体ターゲット（主に金属）を配置してある．こ

わせた多重波長励起プロセスによって石英ガラスを加工のようにしてレーザー光を試料に照射すると，レーザー
１２８４

Lecture Note

Applications of Laser Ablation−the Sate of the Art and Future Prospects

Fig. 14
Fig. 13

Schematic illustration of scheme of LIPAA process.

T. Okada and K. Sugioka

AFM image of PET surface nano-structured by laser ablation using micro spheres made of fused silica.

５．
４ まとめ

光は試料に吸収がないため透過する．透過したレーザー
光は，試料の後方に配置された固体ターゲットに吸収さ高機能材料や新機能材料の合成や精密微細加工技術のれ，アブレーションが生じる．その結果プラズマが生成開発は，産業界からの要請も強く，今日広く研究が行わされ，このプラズマとレーザー光が相互作用することにれている．レーザーアブレーションは，放出された高エよって試料裏面がアブレーション加工される．ここで重ネルギーの原子，ラジカル，イオンを利用して多様な機要なことは，レーザー生成プラズマはあくまでアブレー能材料を合成するのに適した手法であり，かつ新物質のションを支援するだけで，これのみによってエッチング創製も期待される．またアブレーションされた領域がは生じない．すなわち実際のアブレーションはレーザーエッチングされる現象は，各種材料の微細加工に応用で光によって生じているため，加工パターンはレーザー光きる．の照射パターンに一致する．本手法によって各種ガラスポリマーのレーザーアブレーションという現象が１９８０

材料の表面微細パターン加工や高品質マーキングを行う年代初頭に報告され，その後多様な材料にアブレーショことができる［２５］．本プロセスにおいては，これまでのンが試みられてきた．１
９９０年以降は，その応用研究も実験結果からプラズマ中の電子が重要な役割を担ってい年々活発になってきている．さらに１９９０年後半にはフェることが明らかになってきた．プラズマ中の電子がアブムト秒レーザーや F2 レーザーといった新しいレーザーレーションにどのように寄与しているかは未だ不明であも利用できるようになり，研究はますます盛んになってるが，基板との電荷交換あるいは運動エネルギーの移譲いる．２１世紀に入り現在では想像もできないような高度による基板の励起の可能性が考えられる．その結果，入なレーザーや新しい手法が開発される可能性も大いにあ射レーザー光に強い吸収が生じ，アブレーションが起こり，レーザーアブレーション応用技術が今後さらに発展る．またプラズマによる基板表面の加熱の可能性もあるすることが期待される．

が，詳細は今後の研究課題である．
一方特殊ツールとして石英ガラス製の微小球（直径 5参考文献±0.25 µm）を用いると，そのマイクロレンズ効果によっ［１］ レーザーアブレーションとその応用 ，電気学会
レーザーアブレーションとその産業応用調査専門委
員会編，コロナ社（１９９９年）．
［２］D.B. Chrisey and G.K. Hubler ed., Pulsed Laser Deposition of Thin Films, Jhon Wiley & Sons, Inc. (1994).
［３］川崎雅司，牧野哲征，瀬川勇三郎，鯉沼秀臣： コン
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［４］D. Dijkkamp, T. Venkatesan, X. Wu, S.A. Shaheen, N.
Jisrawi, Y. H. Minlee, W. L. Mclean and M. Croft, Appl.て ア ブ レ ー シ ョ ン に よ る ナ ノ 加 工 が 行 え る．Fig. 14に，微小球を PET 薄膜表面近傍に規則的に配置し，KrFエキシマレーザー（248 nm）を照射することによって加工された PET 薄膜の AFM 像を示す．加工痕１つの半値
幅は約 600 nm，深さは約 200〜300 nm 程度であり，規則的な加工パターンが得られている［２６］．

１２８５

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.79, No.12 December 2003

おかだたつお岡 田 龍 雄

１９７４年 九 州 大 学 工 学 部 電 子 工 学 科 卒 業．
１９７
９年同博士課程退学後，九州大学大学院総合理工学研究科助手．最近は，レーザーアブレーションプラズマを利用した，EUV光源の開発，ナノ構造材料の作製，その作製プロセスのレーザー分光計測などを行っている．長崎で「久保田」を飲む会会
員．

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すぎおかこうじ杉 岡 幸 次
１９８
４年早稲田大学理工学部電子通信学科卒．１９８
６年同大学大学院理工学研究科電気工学専攻修士課程修了．同年理化学研究所入所．現在同研究所レーザー物理工学研究!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

Nakano and S. Samukawa, Appl. Phys. Lett. 81, 4547
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!!!!!!!!!!!!!!!

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［１４］S. Komatsu, K. Kurashima, H. Kanda, K. Okada, M. Mitomo, Y. Moriyoshi, Y. Shimuzu, M. Shiratani, T.

室専任研究員．東京理科大学および東京電機大学客員助教
授，日本女子大学非常勤講師兼務．工学博士．理研入所以来短波長，短パルスレーザを用いた物質のマイクロプロセシングの研究に従事．応用物理学会，電気学会，レーザー学会，レーザ加工学会，SPIE 会員．本文中でも紹介した LIPAA
プロセス加工機を最近丸文!と共同で製品化．早く１台売れることを願っている．

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