５．光エレクトロニクス
大阪大学

村田 博司

本分科の講演件数は 153 件で，2011 年秋季講演会（108 が期待される．さらに量子カスケードレーザー，半導体件）に比べて大幅に増加し，2011 年春および 2010 年秋 光増幅器の雑音特性解析が議論された．
受光素子関連では，光通信波長帯では，Si 上に形成講演会とほぼ同じ件数に回復した．
震災による混乱からする素子技術の進展が報告されている．Si 上に形成し脱しつつあると考えられる．
今回の講演会では，チュートリアル講演 1 件と招待講 た Ge 受光器では n 側を高濃度ドープ Si で形成すること演 2 件を実施した．京都工芸繊維大学・裏升吾先生には， により低抵抗化，高速化が得られた．また，Si 上に形光インターコネクションについてのチュートリアル講 成し得る薄膜型 InGaAs 受光器では導波路幅や光吸収層演を頂いた．横浜国立大学・國分泰雄先生には，マルチ の見直しにより 10Gbps 動作が得られた．青色あるいはコアファイバーとその伝送応用について，NTT フォト 紫外の波長帯では，Si-PIN 受光素子を上回る高感度化ニクス研究所・遊部雅生氏には，LiNbO3 光波長変換デ を目指して様々な取り組みが進められる中，今回は，バイスを用いた位相感応光増幅技術に関するご講演を Si の APD，ZnSSe の APD に関する素子技術の進展が報頂いた．いずれも現在注目を集めている分野であり，聴 告されている．CMOS プロセスを活用した Si-APD では青色光に対しても高感度特性が得られた．ZnSSe-APD衆の関心も高く好評を博した．
また，今回の講演会より，発表申込みの際に口頭発 では p 側に用いる有機薄膜形成の改善で暗電流低減が表・ポスター発表を選択する方式が導入された．
しかし， 得られた．
周知期間が十分ではなかったためか，ポスターセッショ「5.2 光記録／ストレージ」では，次世代大容量光メンにおいて参加者から多くのご質問やご意見を頂戴した．事前の説明が不十分であったために，ご迷惑をお掛 モリの有力候補であるホログラフィックメモリを中心とする 8 件の一般講演と，名古屋工業大学・浜田恵美子けしたことをこの場を借りてお詫びしたい．
本分科と密接に関連するシンポジウムとしては，物質 先生による第 13 回光・量子エレクトロニクス業績賞（宅材料研究機構・栗村直氏による「分極反転が拓く光制御 間宏賞）受賞記念講演があった．ホログラフィックメモ
フォトポの未来」と，フォトニック ICT 研究会によるシンポジ リに関する発表は全て大学からのものであり，
ウム「空間多重光ファイバ伝送と光インターコネクショ リマーを用いた記録再生のシミュレーションや実験，偏ンの最新技術動向」が開催された．第一線の研究者から 光感受性材料を用いた多重記録特性，複数チャンネルのの最新技術動向の紹介ならびに今後の展望についてご 信号を並列記録する新規な時系列信号方式等について議論を頂いた．（詳細は，それぞれのシンポジウムの報 報告がなされた．当分はこのような基本に立ち返った研告を参照されたい．）なお，シンポジウム「分極反転が 究が続くと思われる．一方，浜田先生は「CD-R の母」
拓く光制御の未来」においては，「5.3 光制御」に投稿さ と呼ばれる存在であり，「CD-R が拓いた記録型光ディれたものの中で，特に密接に関係するもの 4 件をシンポ スクの世界」と題し，受賞対象となった太陽誘電（株）での CD-R の研究開発および事業展開の経緯について，ジウムの一般講演としてご発表頂いた．
極めて示唆に富んだ講演を頂いた．
「5.1 半導体レーザー・発光／受光素子」は 33 件の「5.3 光制御」は 93 件の講演があった．最近の講演発表があった．
半導体レーザーおよび発光素子関連では，通信波長帯 会と同様に光エレ分科全体の約 6 割を占めている．
半導体，非線形関連では，講演奨励賞受賞記念講演をのレーザーとして量子ドットレーザーに関する研究が進展しており，量子ドット DFB レーザーの高温度下で 含めた口頭発表 31 件とポスター発表 8 件，計 39 件の発の室温連続発振が報告された．面発光レーザーでは，東 表があった．この発表件数は，過去 2,3 年と比較して大工大・小山二三夫先生の光・電子集積技術業績賞（林巌 幅に増加している．シリコンフォトニクス関連では，発雄賞）受賞記念講演「面発光レーザフォトニクスの進展」 光に関する発表が多かった．ウエハ直接融着による世界があり，多くの聴衆を集めた．また，面発光レーザーの 最小閾値レーザー，SOA，リング共振器と DBR ミラー
横モード制御，偏向素子への応用，チューナブル化が話 から構成される高温（60 度），高出力（>10mW）シリ題となっている．2μm 波長帯半導体レーザーとして量 コンハイブリッドレーザ等のハイブリッドレーザーに子井戸無秩序化の手法が提案され，センシング用光源の 加えて，Si 上モノリシック集積レーザーの実現を目指開発が進んでいる．トランジスタレーザ，MMI レーザ した Si 上 Ge 発光素子の可能性を示唆する発表があった．
ー，フォトニック結晶レーザーが報告され，今後の展開 Si 上光源もハイブリッド集積からモノリシック集積へ

と進化を遂げており，今後のさらなる発展を期待したい．に結合した研究が興味を集めていた．
その他，自己組織化による光導波路形成，プラズモンの有機 EL と波長フィルタへの応用，小型光アイソレータ， 本稿を纏めるにあたり御協力を頂いた，中村，下村，光双安定メモリの実現を目指した光導波路と磁性体を 片山，李，渡辺，高坂，各委員に感謝します．
組合せた発表など，興味ある発表があり，今後の発展が期待される．
ポリマー，ガラス，Si/PLC 関係では，口頭発表 18 件とポスター発表 13 件の計 31 件の発表があった．
今回もSi フォトニクス関連の発表が多く，この分野の活況が反映されている．機能デバイス系では，横浜国立大よりSi フォトニック結晶のスローライト効果を利用した低電圧（1.6Vpp）高速（10Gb/s）の光強度変調動作が報告されたほか，応力印加による制御や Ge フォトダイオード集積などに関する報告があった．また，パッシブ系では，Si 導波路への高効率な光結合が実用化への課題と認識されていることから，スポットサイズ変換器に関する報告が目立った．産総研から報告されたシリカリブ構造を用いたスポットサイズ変換器では，モード径 10μmの光ファイバーとの結合損失 0.7dB 以下が計算上は可能とのことであり，今後の特性向上が期待される．
強誘電体材料・光波長変換デバイス関係では，招待講演，関連シンポジウムでの一般講演を含めて 24 件の報告があった．招待講演では，NTT フォトニクス研究所・遊部雅生氏より，分極反転 LiNbO3 における非線形光差周波発生を利用することにより，光の位相状態に対して選択的に動作する低雑音光増幅技術についてご講演を頂いた．一般講演では，分極反転波長変換デバイスのセンサ応用の報告も関心を集めた．また，光変調デバイス関係では，光コムの報告が目立っていた．分散補償用プリイコライジングデバイスの報告もあった．
デバイス作製における完成度，集約度の高い優れた発表が多く見られ，フォトニクス技術の進歩を強く感じた．
「5.4 光ファイバー」は，20 件の発表があった．招待
講演では，空間分割多重伝送用マルチコアファイバーの研究動向をレビューして頂いた．マルチコアファイバーの研究は，ここ 2 年程の間に学会・論文等の発表件数が10 倍以上と急激に拡大し，次世代の光通信方式として非常に注目を集めている．ファイバーコアの高密度化に伴うクロストークの低減や複数のモードへの独立な結合・分離を可能とする技術と最新の大容量伝送実験について詳しい解説を頂いた．
一般講演では，主にセンシングを指向したプラスチック光ファイバー（POF）を用いた研究やシリカガラスのFBG を用いた研究が注目される．POF は材料であるポリマーを適切に選択することで，シリカガラスには無い特長を得られる面白さがあり，投稿件数が伸びている．
その他，単一ポンプ光ファイバーOPA において新しい擬似位相整合技術を適用し，平坦かつ広帯域な利得が得られることを確認した研究や，モードフィールド径の小さな Si 光導波路と SMF とを特殊レンズを用いて低損失