SE）像を実用的に観察できる装置を開発し 1965 年に製品化した 2）．シンチレータと光電子増倍管，効率良く二次電子を取り込むための加速電極から構成され，現在でも二次電子検収差補正器を搭載した STEM による原子分解能二次電子像観察出器として主に用いられる Everhart-Thornley（E-T）検出器

Atomic Resolution Secondary ElectronImaging with Aberration Corrected Scanning
Transmission Electron Microscope

1960 年代後半のシカゴ大 Crewe らによるパイオニア的な原もまた彼らの開発によるものである 3）．
走査型の電子顕微鏡を用いた原子分解能観察としては，子像観察の研究が挙げられる．Crewe らはそれまで主流であった熱電子による電子銃に代わり，光源径が 5 ～ 10 nmと 3 桁程度小さく輝度が 4 桁ほど高い CFE 電子源と，Butlerにより設計された低収差の静電レンズとの組合せによる

稲田博実，田村 圭司，鈴木 裕也，今野充，中村 邦康

Hiromi Inada, Keiji Tamura, Yuya Suzuki,Mitsuru Konno and Kuniyasu Nakamura

要旨

CFE 電子銃により，直径約 0.5 nm の電子線プローブを形成し，カーボン薄膜上の Th や U の単原子を Z コントラスト像で観察することに成功した 4）．
過 去 の 高 分 解 能 二 次 電 子 像 の 研 究 と し て， 加 速 電 圧（株）日立ハイテクノロジーズ

100 kV の VG 製走査透過型電子顕微鏡（scanning transmis-

科学・医用システム事業統括本部

sion electron microscope, STEM） を 用 い て の Cambridge の近年の収差補正技術の発展とそれに伴う高分解能化により，サブナノメートル領域の像観察，分析が多用されてきている．我々は収差補正器を搭載した電子顕微鏡の応用分野の一つとして二次電子による原子分解能像観察について研究を行った．結果，薄いカーボン薄膜上に散在したウラン微結晶と単原子からの信号を二次電子検出器で結像することができた．重いウラン原子だけでなく原子番号の小さい試料の原子カラム像も得られた．

Howie ら 5）のグループ，Arizona の Cowley，Venables ら 6,7）のグループによる，電子線エネルギー損失分光法（electronenergy loss spectroscopy, EELS）と二次電子同時スペクトル（coincidence spectroscopy）分析による二次電子の起源検証
ならびに高分解能像観察，Harada，Ino ら 8）の開発した超高真空（～ 10−8 Pa）試料室を備えた 100 kV 走査透過型電子顕微鏡による試料表面原子ステップ像観察が挙げられる．しかしながら，二次電子による原子や原子カラムの直接観察には至っていない．

キーワード：原子分解能二次電子像，単原子，収差補正，走査透過型電子顕微鏡，走査型電子顕微鏡

一方，電子顕微鏡分解能の阻害要因のひとつであった電子レンズの球面収差は，Rose，Haider らにより開発され製品化された球面収差補正器の搭載によって補正され，容易にサブナノメータの電子線プローブを得ることができるようになった．STEM 用の収差補正技術は，原子サイズでの観察や1. 緒言

EELS を用いた化学状態や元素分析などの分野に対して，飛走査型電子顕微鏡（scanning electron microscope, SEM）は躍的な解析性能の向上をもたらした．特に，電子線プローブ産業，材料研究の幅広い領域に渡って数 μm から数 nm オー

用の収差補正器は，対物レンズの球面収差を補正し，電子線ダーの物体，材料の観察・分析に用いられてきた．試料表面をサブオングストローム径にかつ高角度照射角領域の電子線の直接観察，深い焦点深度，立体的な像が得られる，試料準を収束させることにより，大きなプローブ電流を得ることが備・作製の容易さなどが SEM の特徴である．

できる．結果，高 S/N な原子分解能像を容易に得ることが従来 SEM の分解能は一般的に 1 nm 程度であると言われ可能となった．収差補正技術の発展とそれに伴う高分解能化て お り， 最 近 で は 冷 陰 極 電 界 放 出 型 電 子 銃（cold field

により，原子分解能レベルにおけるさまざまな観察手法や分emission，CFE 電子銃）を搭載した加速電圧 30 kV の in-lens

析，評価技術が実証され，電子顕微鏡における新たな可能性型対物レンズ SEM で，最高分解能 0.4 nm を達成し製品化さを導いている．

1）

れている ．

我々は米国 Brookhaven 国立研究所の Y. Zhu 研究グループ

SEM は 1930 年代中ごろから Knoll や von Ardenne によっと共に，二次電子を用いた結像における原子分解能観察の可て，一次電子ビームを試料上で走査し記録する技術として研能性について，電子線プローブ用球面収差補正器と CFE 電究が開始された．その後 Cambridge のグループが，現在の子銃を搭載した走査透過型電子顕微鏡を用いて，高分解能SEM の 原 型 と な る， 試 料 の 二 次 電 子（secondary electron,SE 像の観察，評価を行った．結果，薄いカーボン薄膜上に〒 312–0033 茨城県ひたちなか市市毛 882
TEL: 029–354–4155 FAX: 029–276–6304
2011 年 3 月 5 日受付
140

散在した結晶化したウランクラスターと孤立単原子の信号を二次電子検出器で捕らえ観察することに成功した 9）．また重いウラン原子だけでなく，原子番号の小さい試料の原子カラ
顕微鏡 Vol. 46, No. 2（2011）【著作権者：社団法人 日本顕微鏡学会】

ム像も得られた 10）．試料に対する直流バイアス電圧の印加に媒粒子について SE 像と ADF-STEM 像の同時観察を行ったより，試料から生成した二次電子の寄与の評価についても実一例である．この試料の観察結果については後述する．電子施した．

線プローブ径は約 0.1 nm，照射角（半角）α は 28 mrad に設2.

定した．この時のプローブ電流は約 100 pA である．実験で実験装置

はカーボン薄膜上のウランクラスターおよび孤立ウラン原

本研究は米国 Brookhaven 国立研究所に設置された，日立子，YBa2Cu3O7-x 単結晶薄膜，金蒸着粒子，SrTiO3，シリコ

ハイテク製 HD-2700C 走査透過型電子顕微鏡を用いて実験をン単結晶，カーボングラファイトなどを対象とし高分解能観11）．図 1 に装置の概略と構成を示す．CFE 電子銃を察を行った．また電気的に鏡体とは分離した試料ホルダに電搭載し，加速電圧は 200 kV とした．照射レンズ系と対物レ圧可変型の直流安定化電源を接続し，このバイアス電圧を変ンズ間にドイツ CEOS 社製の 6 極子 2 段型の電子線プロー化させてコントラストの変化を定量的に記録し，結像した二ブ球面収差補正器を搭載した．試料は一般的な TEM 薄膜試次電子像の信号の寄与についても評価した．

行った

料観察用の試料ホルダおよび試料に対しバイアス電圧印加可能な試料ホルダを用い，対物レンズポールピースギャップ内3.

実験結果に設置された．E-T 型の二次電子検出器は対物レンズポール

3.1

孤立ウラン単原子の二次電子像

ピースの上部に設置され，試料下方に搭載した明視野（bright

図 2 は SE 検出器および ADF-STEM 検出器にて同時撮影， 円 環 状 暗 視 野（annular dark field, ADF） の 両field, BF）

した，カーボン薄膜上に散在したウランクラスターと孤立ウSTEM 検出器による信号との同時取込みが可能な構成であ

ラン単原子の像（raw data）で，ウラン原子が結晶化しクラる．図 1 左側の 2 枚の電子顕微鏡像は，Pt と Pd からなる触スターとして存在した一部分とその近傍を観察したものである．試料は膜厚約 2 nm のカーボン薄膜上に酢酸ウラニルでタ バ コ モ ザ イ ク ウ ィ ル ス を 染 色 し た 試 料 で，1969 年 にCrewe，Wall らが STEM で単原子像観察を行った試料と同一の方法により作製したものである．像の右側には粒径6 nm 程度の結晶化したクラスターが存在し，間隔 0.34 nmの原子配列が SE 像，ADF-STEM 像共に視認できる．またADF-STEM 像において○で囲んだ部分に多数の孤立単原子が認められる．この単原子は SE 像においても白い点状のコントラストとして同様に観察できていることが分かる．なお
以前行った STEM-EELS を用いたスペクトル分析およびライン分析，2D マッピングにより，これらのクラスターや単原子がウランに起因することは確認している 11）．
観察された 50 個の孤立原子を抽出し粒径を平均化したところ，SE 像，ADF-STEM 像共に半値幅はおよそ 0.1 nm であっ

図 1 実験装置（日立ハイテク製 HD-2700）の構成と触媒微粒子の低倍率観察像の例

図2

最近の研究と技術た．この大きさは照射電子線プローブ径とほぼ等しい．興味深いことに，図中矢印で示したスポットは，ADF-STEM 像

孤立ウラン単原子とクラスターの SE/ADF-STEM 同時撮影像（raw data）

収差補正器を搭載した STEM による原子分解能二次電子像観察

141【著作権者：社団法人 日本顕微鏡学会】

上で強いコントラストであるにも関わらず，SE 像では明らス電圧 +10 V 印加することで信号強度が 80％低下，+50 V でかでない．これは恐らく，ウラン原子がカーボン薄膜の反対は 90％低下する．また信号はほとんど 20 eV 以下のエネル側に付着し，ウラン原子から発生した二次電子が脱出できなギー分布を有している．この結果から，得られた二次電子像いことによる可能性があることを示唆している．の信号の寄与は二次電子が 90％程度，高速二次電子 13）またこのような原子分解能の SE 像が観察できた理由としては，は BSE に起因した信号が 10％程度であると見積もられる．

（1）収差補正器の搭載で 0.1 nm 径の電子線プローブが大電

たとえば，SE3 と呼ばれる鏡体内電子線通路上で発生した二流で得られること，（2）照射電子線の加速電圧を 200 kV と次電子 13） は，この試料バイアス電圧印加方法でスペクトルしたことにより，試料厚さ数 nm 内における電子の拡散が小を分離することができない．また本装置の系において試料でさく抑えられたことが考えられる．

発生した BSE が E-T 検出器に直接取り込まれないことは電3.2

試料バイアス電圧印加による信号起源評価

SE 像の発生起源が一次電子と試料の相互作用により生じ子軌道計算により求められている．
3.3

さまざまな試料による二次電子原子像観察た 二 次 電 子 か， 試 料 弾 性 散 乱 に よ る 後 方 散 乱 電 子

原子カラム像における二次電子の発生と原子番号の依存性（backscattered electron, BSE）によるものかを検証するためを評価するため，さまざまな試料について観察，解析を行っに，試料に印加する直流バイアス電圧を変化させ生成されるた． 図 4 は Au，SrTiO3，C を 観 察 し た 高 分 解 能 SE 像 と二次電子を制御しながら観察して定量的な信号強度の比較をADF-STEM 像である．結果，原子番号 Z の大きい U（Z = 92）行った．Walsh は試料にバイアス電圧を印加することで低エや金（Z = 79）だけでなく原子番号 Z の小さい，C（Z = 6）

ネルギーの二次電子の試料からの離脱を抑え，二次電子信号からも原子カラム像が観察できた．図 4（a），（b）はカーボンを急激に低下させることが出来ることから，コントラストを支持膜上の金蒸着粒子像で，右上部に存在する蒸着粒子の原調節する方法を示している 12）．一般的に二次電子は 50 eV 以子カラムが SE 像にも反映していることが分かる．（c），（d）

13,14），直流バイアス電圧をは SrTiO3 をイオンミリングにより薄膜化した試料で，
（e），
（f）

0 ～ +100 V で可変させ，試料上の種々の箇所で同時撮影しはカーボングラファイトに担持した Pt 触媒粒子試料である．

下のエネルギー分布を有するためた ADF-STEM 像と SE 像で規格化した信号強度比を計測し

図 4（e）の SE 像ではグラファイトの最表面に層状構造（間た．この実験でバイアス電圧印加による静電レンズ作用は見隔 0.34 nm）が観察できた．これらの実験結果が示すように，られなかった．図 3 はチタン製グリッドに保持したカーボ二次電子像で軽元素から重元素にわたって原子カラム像が観ン薄膜（厚さ 2 nm）上のウラン粒子に対して試料バイアス察できることが明らかになった．一方 Au 粒子や SrTiO3 結晶電圧を印加して観察，計測した結果である．図はバイアス電像では，SE 像は“もやがかかった”ように見えている．こ

圧印加なし（a）と，+12.7 V 印加した場合（b）の低倍率観れは清浄表面でない試料の場合，表層のコンタミネーション察した二次電子像である．バイアス電圧印加なしの像（図 3因子によって原子カラムからの信号が低下もしくは阻害され（a））では，表層のカーボン支持膜からの信号によって，電て，コントラストが低下する効果によるものであると考えら

子線入射方向の反対側に存在するカーボングリッドおよびれる．

Ti グリッドからの信号が隠されている．さらに表面構造に原子分解能の二次電子像の応用として，例えば Si デバイ起因したコントラストが得られていることがわかる．図 3（c）

スの観察や触媒試料の表面状態観察が考えられる．Si デバに示した印加バイアス電圧と規格化信号比の関係からバイア

イスを透過型電子顕微鏡（transmission electron microscope,TEM）や STEM で観察する際には，しばしば集束イオンビーム（focused ion beam, FIB）を用いて試料の薄膜加工がなされる．ここではマイクロピラー試料ホルダを用いて，バルクの Si ウェハーを柱状に切り出し FIB にて薄膜加工した．試料を柱状に加工し観察方向に対して 90° 回転させることで，観察表面に存在するアモルファス層の厚さを直接測定することが可能である．また測長寸法の校正は観察中の Si 原子カラム像によって実施した．図 5 は清浄かつ試料ダメージに注意して最終イオンビーム加速電圧 2 kV で FIB 加工した，柱状（100 nm × 100 nm）の Si(110) 単結晶試料の SE 高分解能像である．間隔 136 pm のシリコン原子のダンベル構造がSE 高分解能像およびこの高速フーリエ変換（FFT）像にて

図 3 試料バイアス電圧印加によるコントラスト変化（試料：Ti グリッド上のカーボン薄膜）（a）試料バイアス電圧 0 V，（b）+12.7 V，（c）試料バイアス電圧と SE/ADF 規格化信号比の関係142得られた．この Si 単結晶試料の断面観察の結果，表面アモルファス層の厚さは 3.6 nm であった．なお，最近の実験結果では Si の膜厚が 1000 nm 程度であっても，Si の二次電子原子分解能が得られることが示されている 15）．
顕微鏡 Vol. 46, No. 2（2011）【著作権者：社団法人 日本顕微鏡学会】

図 4 各種試料における SE 像（上段）ADF-STEM 像（下段）の比較（a），（b）：C 膜上の Au 粒子 （c），（d）：SrTiO3 結晶 （e），（f）：カーボングラファイトと Pt 触媒

図 6 はカーボン担体上に付着した Pd/Pt コアシェル構造（コある．二次電子で観察すると，明瞭な表面構造を反映した像

ア材料 Pt，シェル材料 Pd）を持つ触媒試料 16）の低倍率像（a，が得られるので，このような境界領域に存在する粒子が選択c）と高倍率像（b，d）を示している 11）．視野（b），（d）はしやすい．EELS 分析で，意図しない背景材料起因のバック低倍率像の中心部分の矢印で示した一つの触媒粒子である．

グランドの増大を懸念する場合には，SE 像と STEM 像を併

図 6（a）の低倍率の SE 像ではカーボン担体表面の 50 nm 程用して目的粒子を探し出すことができる．図 6（b）は，触媒度の構造が立体感を伴って観察でき，かつその表面に 3 ～粒子の原子カラムが観察可能な倍率まで拡大した SE 像で，5 nm 粒径の触媒粒子が分散している様子がわかる．二次電粒子から原子カラム像が得られると同時に，担体カーボンの子の特徴であるエッジ効果によるコントラストの強調も見られる．一方，図 6（c）の ADF-STEM 像ではコントラストが原子番号依存となるためにカーボン担体の存在は殆ど認識できず，まるで触媒粒子が宙に浮いているように見える．軽元素であるカーボンのコントラストはほとんど消えてしまうた
め，試料奥方向深くに存在する触媒も，表面層の触媒も同時に観察できる．
矢印で示した粒子は，担体カーボン（図 6（b）で C と表記）と真空（図 6（b）で V と表記）の境界領域に存在する粒子でSi(110) 単結晶試料による SE 高分解能像と FFT 像（a）マイクロピラーホルダ先端部，（b）ピラー試料模式図，（c）Si の SE 原子分解能像最近の研究と技術

図 6 C 担体上の Pd/Pt コア／シェル構造触媒 SE，ADF-STEM
同時撮影の同一視野低倍率，高倍率像（a，b：SE 像，c，d：ADF-STEM 像）

収差補正器を搭載した STEM による原子分解能二次電子像観察

143【著作権者：社団法人 日本顕微鏡学会】

領域からはトポグラフィックな像が得られている．同時撮影

な試料をご提供いただき，実験結果についての有益なディスした図 6（d）の ADF-STEM 像と比較すると，触媒粒子上のカッション，像解釈について多大なるご指導，ご討論をいた

明るい箇所と暗い箇所が入れ替わっていることがわかる．

だきました．また University of Alberta の Ray Egerton 先生

エッジ効果すなわち形状を反映した SE 像と，Z コントラスには観察像の起源についてご討論いただきました．

トすなわち存在する元素を反映した ADF-STEM 像の違いを比較することは興味深い．
4.

おわりに今回，カーボン薄膜上のウラン孤立原子をはじめ種々の材料において原子分解能の SE 像が観察できることを示した．
この要因としては電子顕微鏡本体の耐振動性や電源の安定性，収差補正器搭載による電子線プローブサイズの縮小化，大プローブ電流化，高加速電圧電子線照射による試料内での電子拡散の縮小化が挙げられる．膜厚 100 nm の Al 薄膜を仮定したモンテカルロシミュレーションにて，試料内の一次電子の散乱を電子線加速電圧 20 kV と 200 kV で比較すると，試料内での電子線広がり領域の比は約 1/100 であり，200 kVでは試料内相互作用は小さいことがわかる．試料バイアス電圧印加による二次電子を抑制した信号の定量的評価の結果か
ら，像の二次電子の寄与が 90％，高速二次電子もしくはBSE の寄与が 10％程度であることが示された．しかしながら試料からの二次電子が，一次電子による直接発生による二次電子（SE1）であるか，試料内の BSE で生成された二次電子（SE2）であるかを明確に区別することはできない 17）．
二次電子エネルギー分布について，さらに深い分析が必要になるだろう．今回の実験では，過去に指摘されているように，SE 像は表面の状態を反映するため，試料表面は清浄であることが望ましいことも改めて明らかになった．高分解能二次電子像の応用例としては，半導体デバイス観察，触媒試料への適用の二つを紹介した．今後，原子分解能二次電子像のメカニズムおよびアプリケーションとしての有用性についても評価を進めていきたい．
謝辞

本研究は米国 Brookhaven National Laboratory との共同研

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