ハイサイドゲートドライバ IC

データシートSSC4S790
概要

パッケージ

SSC4S790 は、シングルタイプのハイサイドゲー
トドライバ IC です。ハイサイドのパワーMOSFETを駆動するフローティングドライブ回路を内蔵しており、ハーフブリッジコンバータやブリッジレス PFC などのハイサイドゲートドライバとして使用できます。
パッケージは、小型で薄い SOIC8 を採用しています。

SOIC8特長

主要特性● シングル入出力● 600 V 耐圧フローティングドライバ● 3.3 V ロジック信号対応● プルダウン付き CMOS シュミットトリガ入力● 出力は入力と同相● 保護機能ハイサイドドライバ UVLO 保護：自動復帰
VCC 端子過電圧保護：ラッチ
過熱保護（TSD）：ラッチ● 電源電圧 VCC：12 V～18 V● VGO 端子ソース電流（ピーク）：−300 mA● VGO 端子シンク電流（ピーク）：550 mA

原寸大ではありません。

アプリケーション● 白物家電● OA 機器● AV 機器● 産業機器● その他 SMPS

応用回路例
PFCOUT
D1R3

SSC4S790
External
PowerSupply

1 VCC

C1H-OUT

LLC
Controller

R1 C2

Q1NC 8

2 GND

VGO 73 IN

VS 64 NC

VB 5

U1R4T1
D51

VOUT (+)
C3 D2

Q2

VOUT ( )

C51

L-OUT
R2

C4C5
D52

GND

SSC4S790-DSJ Rev.1.1
サンケン電気株式会社
2021.01.21
https://www.sanken-ele.co.jp© SANKEN ELECTRIC CO., LTD. 2020

1

SSC4S790
目次概要 --------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 1パッケージ ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 1
目次 --------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 2
1. 絶対最大定格 ---------------------------------------------------------------------------------------------- 32. 電気的特性 ------------------------------------------------------------------------------------------------- 4
3. ブロックダイアグラム ---------------------------------------------------------------------------------- 5
4. 各端子機能 ------------------------------------------------------------------------------------------------- 5
5. 応用回路例 ------------------------------------------------------------------------------------------------- 6
6. 外形図 ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 7
7. 捺印仕様 ---------------------------------------------------------------------------------------------------- 88. 動作説明 ---------------------------------------------------------------------------------------------------- 9
8.1. 起動／停止動作 ------------------------------------------------------------------------------------- 98.2. 端子説明 ---------------------------------------------------------------------------------------------- 9
8.2.1. IN 端子 ------------------------------------------------------------------------------------------ 9
8.2.2. VB 端子、VS 端子 ---------------------------------------------------------------------------- 9
8.2.3. VGO 端子 ------------------------------------------------------------------------------------- 10
8.3. ハイサイドドライバ低入力電圧保護機能--------------------------------------------------- 10
8.4. VCC 端子過電圧保護機能（OVP） ---------------------------------------------------------- 10
8.5. 過熱保護機能（TSD） --------------------------------------------------------------------------- 10
注意書き ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 11

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SSC4S790
1.

絶対最大定格

電流値の極性は、IC を基準として流入（シンク）を“+”、流出（ソース）を“−”と規定します。特記がない場合の条件は、TA = 25 °C です。本 IC のサージ耐量（ヒューマンボディモデル）の保証値は 2000 V です。
ただし、5、6、7 番端子の保証値は 1000 V です。
項目記号

条件

端子定格単位VCC 端子電圧

VCC

1−2−0.3～20V

IN 端子電圧

VIN3−2−0.3～5V

ハイサイドドライバ制御電圧

VBS

5−6−0.3～20

V

VS 端子電圧VS

6−2−1～600

V

VGO 端子電圧

VGO

7−6

VS − 0.3～VB + 0.3

V

許容損失

PD—0.69W

動作周囲温度TOP—−40～85°C

保存温度

TSTG

—

−40～125°C

ジャンクション温度

TJ

—

150°C

VB−VS 間SSC4S790-DSJ Rev.1.1
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3

SSC4S7902.

電気的特性
電流値の極性は、IC を基準としてシンクが“+”、ソースが“−”と規定します。
特記がない場合の条件は、TA = 25 °C、VCC = 17 V です。
項目記号測定条件

端子Min.

Typ.

Max.

単位

起動停止動作動作開始電源電圧VCC(ON)

1−2

10.0

11.0

12.0

V

動作停止電源電圧

VCC(OFF)

1−2

7.4

8.3

9.2

V

動作時回路電流ICC(ON)

1−2—

0.52

1.1mA

非動作時回路電流

ICC(OFF)

1−2—

0.250.60mA

VCC = 9 V

入力部
ハイレベル入力しきい電圧

VIN(H)

3−2

2.0

2.4

2.8

V

ローレベル入力しきい電圧

VIN(L)

3−20.6

1.0

1.4

V

IN 端子バイアス電流

IIN(B)

3−2—

3275µA

VIN = 3.3 V

ハイサイドドライバ
ハイサイドドライバ動作開始電圧

VBUV(ON)

5−6

5.8

6.8

7.8

V

ハイサイドドライバ動作停止電圧

VBUV(OFF)

5−6

5.4

6.4

7.4

V

——300ns——300ns7−6—−300—

mA

7−6—

550—mA

出力部
ターンオン入出力遅延時間

tdLH

図 2-1 参照

ターンオフ入出力遅延時間

tdHL

図 2-1 参照

出力ソース電流（ピーク）

IGO(SRC)

出力シンク電流（ピーク）

IGO(SNK)

VB = 17 V、VGO = 0 V
VB = 17 V、VGO = 17 V

3−2
7−6
3−2
7−6

保護機能
VCC 端子 OVP しきい電圧

VCC(OVP)

1−218.1

19.0

19.7

V

熱保護動作温度

TJ(TSD)

—125

157

—°C

θJ-A

—

——

180°C/W

熱特性
ジャンクション・エア間熱抵抗

IN端子
電圧

VGO端子
電圧

50% 50%tdLH

tdHL
50% 50%

図 2-1

入出力波形

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4SSC4S790
3.

ブロックダイアグラム

3.3 V

5V

High-side Driver
5 VB

IN 3

Level Shift

7 VGO

100 kΩ
OFF
OVP
TSD

6.8 V /
6.4 V

Latch

High-side UVLO
6 VS

VCC 1
UVLO

OVP

2 GND
3.3 V

Reg

11.0 V /8.3 V

4.

19.0 V

各端子機能
端子番号

端子名

1 VCC

NC 8機能1VCC

VCC 端子過電圧保護機能付き制御部電源入力

2 GND

VGO 7

2GND

グランド

3 IN

VS 6
VB 53IN

信号入力

4 NC

4NC

非接続

5VB

UVLO 付きハイサイドゲートドライブ電源入力

6VS

ハイサイドドライバ・フローティンググランド

7VGO

ハイサイドゲートドライブ出力8NC

非接続

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5SSC4S790
5.

応用回路例
図 5-1 に、SSC4S790 をハーフブリッジコンバータに使用した場合の応用回路例を示します。

PFC
OUT
D1

R3

SSC4S790
External
Power
Supply

1 VCC

C1

H-OUT

LLC
Controller

R1 C22 GND

VGO 73 IN

VS 64 NC

Q1

NC 8

U1

VB 5

R4T1
D51

VOUT (+)
C3 D2

Q2

VOUT ( )

C51

L-OUT
R2C4C5D52

GND

図 5-1

SSC4S790 を使用したハーフブリッジコンバータ例

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6

SSC4S790
6.

外形図● SOIC8 パッケージ

備考：- 単位：mm- Pb フリー● SOIC8 ランドパターン例

1.60

5.40

1.27

0.61

単位：mm

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7

SSC4S790
7.

捺印仕様
84S790S KY MD

1

製品名
ロット番号
Y = 西暦下一桁 (0～9)
M = 月 (1～9、O、N、D)
D =日 (1～3)
1 : 1～10
2 : 11～20
3 : 21～31
管理番号

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8SSC4S790
動作説明

特記のない場合の特性数値は Typ.値を表記します。電流値の極性は、IC を基準として流入（シンク）を“+”、流出（ソース）を“−”と規定します。

起動／停止動作● VCC 端子電圧 ≥ VCC(ON) = 11.0 V● VB−VS 端子間電圧 ≥ VBUV(ON) = 6.8 V

回路電流 ICC

図 8-1 に VCC 端子周辺回路を、図 8-2 に動作波形を示します。

U1
VCC

VIN

1 VCC

NC 82 GND

VGO 73 IN

VS 64 NC

VB 5

図 8-3

VGO

VCC（OFF）

VCC端子
VCC（ON） 電圧

VCC 端子電圧と回路電流 ICC

VB VS8.2.
図 8-1

起動8.1.

以下の条件を満たすと、IN 端子入力信号に応じて、IC はスイッチング動作を開始します（8.2.1 項参照）。

停止

8.

端子説明

VCC 端子周辺回路

8.2.1. IN 端子
VCC端子
電圧
VCC(ON)VCC(OFF)
0t

VB–VS
端子電圧

IN 端子は信号入力端子で、3.3 V ロジック信号に対応しています。IN 端子電圧がハイレベル入力しきい電圧 VIN(H) = 2.4 V 以上になると、VGO 端子は“H” を 出 力 し ま す 。 ロ ー レ ベ ル 入 力 し き い 電 圧
VIN(L) = 1.0 V 以下になると、VGO 端子は“L”を出力します。IN 端子は、IC 内部で 100 kΩ の抵抗でプルダウンされています（3 項参照）。

VBUV(ON)VBUV(OFF)0t

IN
端子電圧VIN(H)0t

VGO端子電圧0t

図 8-2

8.2.2. VB 端子、VS 端子
VB 端子は、ハイサイド・フローティング電源の入力端子で、VS 端子は、ハイサイド・フローティング電源のグランド端子です。VB 端子と VS 端子間には、ハイサイドドライバ低入力電圧保護機能（VB_UVLO）が搭載されています（ 8.3 項参照）。図 8-4 にハイサイドのパワーMOSFET（Q1）を駆動するためのブートストラップ回路を示します。

動作波形

VCC 端子は IC の制御回路電源入力端子で、外部電源に接続します。VCC 端子電圧が、動作開始電源電圧 VCC(ON) = 11.0 V 以上になると、制御回路が動作を開始します。動作停止電源電圧
VCC(OFF) = 8.3 V 以下になると、VCC 端子低入力電圧保護機能（VCC_UVLO：VCC Pin Undervoltage
Lockout ） に よ り 制 御 回 路 は 動 作 を 停 止 し ま す（図 8-3 参照）。

D1R3U1
C11 VCC

NC 82 GND

VGO 73 IN

VS 64 NC

VB 5C3D2

ブートストラップ回路

図 8-4
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ブートストラップ回路
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SSC4S790
ハイサイドのパワーMOSFET がオフ、ローサイドのパワーMOSFET（Q2）がオンのとき、VS 端子
電圧はグランドとほぼ同じ電位になり、VCC 端子
は C3 を充電します。VB 端子と VS 端子間の電圧が VBUV(ON) = 6.8 V 以上になると、内部のハイサイドドライバ回路が動作を開始し、VBUV(OFF) = 6.4 V
以下になると動作を停止します（VB_UVLO）。この VB_UVLO により、C3、D2 がショートした場合の保護が可能です。ブートストラップ回路の部品の設定は以下のとおりです。
● D1
D1 は、リカバリータイムが短く、逆電流の少ない高速整流ダイオードを使用します。電源入力
電圧の上限仕様が AC265V の場合は、VRM = 600 V の高速整流ダイオードを推奨します。
● C1、C3、R3
C1 と C3 の容量、R3 の抵抗値は、外付けパワー
MOSFET のゲートチャージ電荷量 Qg と、最低発振周波数で動作しているときの VB と VS 端子間電圧のディップ量で決まります。高圧差動プローブを使用して VB 端子と VS 端子間の電圧を測定し、VBUV(ON) = 6.8 V より高くなるように調整します。C1 と C3 には、低 ESR で漏れ電流の少ないフィルムコンデンサかセラミックコンデンサを使用します。C1 の目安は 0.47 μF～1 μFです。C3 の容量は 0.047 μF 以上にしてください。
R3 は 1 Ω～10 Ω 程度です。

DSDrainGate
RARGS

図 8-5Source

パワーMOSFET 周辺回路

8.3. ハイサイドドライバ低入力電圧保護機能
VB 端子と VS 端子間には、ハイサイドドライバ
低 入 力 電 圧 保 護 機 能 （ VB_UVLO ： VB Pin
Undervoltage Lockout）が搭載されています。
VB−VS 間の電圧が VBUV(ON) = 6.8 V 以上になると、内部のハイサイドドライバ回路が動作を開始し、VBUV(OFF) = 6.4 V 以下になると動作を停止します。
この VB_UVLO により、ブートストラップ回路用コンデンサ C3 や保護ダイオード D2 がショートした場合の保護が可能です。

8.4.

VCC 端子過電圧保護機能（OVP）● D2
D2 は VS 端子の負電位対策用ダイオードです。
D2 は VB 端子と VS 端子間の電圧が、絶対最大定格の−0.3 V 以下にならないよう、順方向電圧VF の小さいショットキーダイオードを接続します。

VCC 端子と GND 端子間に、VCC 端子 OVP しき
い値 VCC(OVP) = 19.0 V 以上の電圧を印加すると、VCC 端子の過電圧保護機能（VCC_OVP：VCC Pin
Overvoltage Protection）が動作し、ラッチ状態でスイッチング動作を停止します。VCC 端子電圧をVCC(OFF) = 8.3 V 以下に低下させると、IC はラッチ状態を解除します。
VCC 端子の印加電圧は、VCC 端子の絶対最大定格 20 V 未満に設定してください。

8.2.3. VGO 端子

8.5.

VGO 端子は、外付けパワーMOSFET のゲートドライブ端子です。VGO 端子のピークソース電流は−300 mA、ピークシンク電流は 550 mA です。
ターンオフ時のゲート立下りスピードを速くするためには、図 8-5 の用にダイオード DS を接続します。RA と DS は、パワーMOSFET の損失、ゲート波形（配線パターンによるリンギングの低減など）、EMI ノイズを、実際の動作で確認し調整します。RGS は、パワーMOSFET ターンオフ時の急峻な dv/dt による誤動作防止用で、10 kΩ～100 kΩ
程度 です 。RGS は 、 パワ ー MOSFET のゲ ート とソースの近くに接続します。

IC の制御回路部の温度が、TJ(TSD) = 157 °C に達すると、過熱保護機能（TSD：Thermal Shutdown）が動作し、ラッチ状態でスイッチング動作を停止します。VCC 端子電圧を VCC(OFF) = 8.3 V 以下に低下させると、IC はラッチ状態を解除します。

過熱保護機能（TSD）

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ィングについては、納入仕様書および弊社ホームページを参照してください。
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DSGN-CJZ-16003

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