Symposium A-2
分極に由来する物性発現と新機能材料
Polarization related ferroic properties and new functional
materials

オーガナイザー :代表委員
樋口透（‌東京理科大学）

中嶋宇史（‌東京理科大学）

連絡委員

オーガナイザー

大和田謙二（‌量子科学技術研究開発機構）
武貞 正樹（‌北海道大学）
坂本渉（‌名古屋大学）
塚田 真也（‌島根大学）
永田肇（‌東京理科大学）
西松毅（‌東北大学）
中嶋 誠二（‌兵庫県立大学）
保科 拓也（‌東京工業大学）
松浦 直人（‌総合科学研究機構）
米田 安宏（‌日本原子力研究開発機構）
王瑞平（‌産業技術総合研究所）

Organizers:
Representative

Tohru HIGUCHI（‌Tokyo Univ. of Sci.）

Correspondence

Takashi NAKAJIMA（‌Tokyo Univ. of Sci.）

Organizer

Kenji OHWADA（‌QST）
Masaki TAKESADA（‌Hokkaido Univ.）
Wataru SAKAMOTO（‌Nagoya Univ.）
Shinya TSUKADA（‌Shimane Univ.）
Hajime NAGATA（‌Tokyo Univ. of Sci.）
Takeshi NISHIMATSU（‌Tohoku Univ.）
Seiji NAKASHIMA（‌Univ. Hyogo）
Takuya HOSHINA（‌Tokyo Tech.）
Masato MATSUURA（‌CROSS）
Yasuhiro YONEDA（‌JAEA/SPring-8）
Ruiping WANG（‌AIST）

12 月 19 日（月）December 19（Mon.）
横浜情報文化センター 大会議室

Yokohama Media & Communications Center Meeting Room L

午後の部
Afternoon Oral Session
座長：‌樋口 透（東京理科大学）
Chair：‌Tohru HIGUCHI（Tokyo University of Science）
13:00-13:30
Invited
A2-I19-001
強相関酸化物SrVO3における新奇金属量子井戸状態 /Novel Metallic Quantum Well States in Strongly
Correlated Oxide SrVO3小谷 厚博1）、中島 宏1）、原田 研1,2）、石井 悠衣1）、（1）大阪府立大学大学院工学研究科、2）理化学森 茂生1）
研究所）
Atsuhiro KOTANI1）, Hiroshi NAKAJIMA1）,（1）Osaka
Ken HARADA1,2）, Yui ISHII1）, Shigeo MORI1）
2）
Prefecture University, RIKEN）
13:45-14:00
A2-O19-003
ナノイオニクスデバイスの耐酸素動作：全固体構造の利点 / Oxygen-Tolerant Operation of NanoionicDevice: Advantage of All-Solid-State Structure

土屋 敬志、寺部機構）

一弥、青野正和（物質・材料研究

Takashi TSUCHIYA, Kazuya TERABE,Masakazu AONO（National Institute for MaterialsScience）
14:00-14:15
A2-O19-004
電子・イオン混合伝導性を有したPt/TiO2-δ/Ptクロスポ
イント構造を用いたパルス電圧印加に対する長期記憶・短期記憶特性 / Pulse-reacted Long-term andShort-term Memorization of Pt/TiO2-δ/Pt Crosspoint Structure with Electron-ion MixedConduction

川村 欣也1）、土屋 敬志2）、高柳 真1）、寺部 一弥2）、（1）東京理科大学大学院理学研究科応用物理学
樋口 透1）
2）
専攻、 国立研究開発法人 物質・材料研究機構）
Kinya KAWAMURA1）, Takashi TSUCHIYA2）,
Makoto TAKAYANAGI1）, Kazuya TERABE2）,（1）Department of Applied Physics,
Tohru HIGUCHI1）
Tokyo University of Science, 2）National Institute ofMaterial Science（NIMS））

午後の部
Afternoon Oral Session座長：‌大和田 謙二（量子科学技術研究開発機構）
Chair：‌Kenji OHWADA（QST）
14:15-14:45
Invited
A2-I19-005
Cd6R化合物における新規な規則-不規則相転移 /Novel Order-Disorder Transition in the Cd6RType Compounds

田村隆治（東京理科大学基礎工学部材料工学科）

Ryuji TAMURA（Department of Materials Science &Technology, Tokyo University of Science）
14:45-15:00
A2-O19-006
窒化物燃料模擬物質ZrN,（Dy,Zr）Nの局所構造解析 /Local Structure Analysis of ZrN and（Dy,Zr）N as
Surrogate Materials for Fast Reactor Nitride Fuel

米田 安宏、岡本開発機構）

芳弘、高野公秀（日本原子力研究小林 正起（KEK 物質構造科学研究所 フォトンファクトリー）

Yasuhiro YONEDA, Yoshihiro OKAMOTO,Masahide TAKANO（Japan Atomic Energy Agency）

Masaki KOBAYASHI（Photon Factory, Institute ofMaterials Structure Science, High Energy Accelerator
Research Organization（KEK）, 1-1 Oho, Tsukuba
305-0801, Japan）

15:00-15:15
A2-O19-007
中高温域におけるYSZ薄膜のバンド構造およびプロト
ン伝導性 / Band Structure and Proton Conductionof YSZ Thin Film at Intermediate TemperatureRegion

13:30-13:45
A2-O19-002
La1-x Srx MnO3における磁気バブルと磁気異方性 /Magnetic bubbles and magnetic anisotropy in
La1-x Srx MnO3

高柳 真1）、簑原 誠人2）、小林 正起2）、堀場 弘司2）、（1）東京理科大学理学部応用物
組頭 広志2）、樋口 透1）2）
理学科、 高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所 放射光科学第一研究）
Makoto TAKAYANAGI1）, Makoto MINOHARA2）,
Masaki KOBAYASHI2）, Koji HORIBA2）,
Hiroshi KUMIGASHIRA2）, Tohru HIGUCHI1）（1）Department of Applied Physics, Tokyo Universityof Science, 2）Photon Factory, KEK, Ibaraki 305-0801）
12 月 20 日（火）December 20（Tue.）
横浜情報文化センター 大会議室

Yokohama Media & Communications Center Meeting Room L

午前の部
Morning Oral Session
座長：‌米田 安宏（日本原子力研究開発機構）
Chair：‌Yasuhiro YONEDA（Japan Atomic EnergyAgency）
9:30-10:00
Invited
A2-I20-001
斜め９０°ストライプ分極ドメインの自己組織化 / Self
Assembly of Oblique 90°Stripe Polarization
domains（1）東京学芸並河 一道1）、石野 雅彦2）、大和田 謙二2）
2）
大学、 量子科学技術研究開発機構）
Kazumichi NAMIKAWA1）, Masahiko ISHINO2）,（1）Tokyo Gakugei University,
Kenji OHWADA2）2）
National Institute for Quantum and Radiological
Science and Technology）
10:00-10:15
A2-O20-002
X線回折を利用したBaTiO3正方晶相のドメイン境界の研究 / X-ray diffraction study of domainboundaries in the tetragonal BaTiO3

大和田謙二（量子科学技術研究開発機構）

Kenji OHWADA（National Institutes for Quantum andRadiological Science and Technology）
10:15-10:30
A2-O20-003
BaTi2O5における不均一性と巨視的性質 /Inhomogeneity and macroscopic properties ofBaTi2O5

塚田 真也1）、米田 安宏2）、藤井 康裕3）、秋重 幸邦1）
（1）島根大学教育学部、2）日本原子力研究開発機構、3）立命館大学理工学部）
Shinya TSUKADA1）, Yasuhiro YONEDA2）,（1）Faculty ofYasuhiro FUJII3）, Yukikuni AKISHIGE1）
2）
Education, Shimane University, Japan Atomic
Energy Agency, 3）College of Science and Engineering）

午前の部
Morning Oral Session
座長：‌中嶋 誠二（兵庫県立大学）
Chair：‌Seiji NAKASHIMA（Unversity of Hyogo）
10:30-11:00
Invited
A2-I20-004
Pb（Zr,Ti）O3ナノロッドのドメイン構造に及ぼす電荷補償の影響 / Impact of Charge Screening on
Domain Structure in Pb（Zr,Ti）O3 Nanorods

山田 智明1,2）、伊藤 大介1）、坂田 修身3,4）、
生津 資大5）、Tomas SLUKA6）、Nava SETTER6）、
舟窪 浩4）、吉野 正人1）、長崎 正雅1）（1）名古屋大学、
2）
3）
JSTさきがけ、 物質・材料研究機構、4）東京工業大学、
5）
愛知工業大学、6）スイス連邦工科大学ローザンヌ校）
Tomoaki YAMADA1,2）, Daisuke ITO1）,
Osami SAKATA3,4）, Takahiro NAMAZU5）,
Tomas SLUKA6）, Nava SETTER6）,
Hiroshi FUNAKUBO4）, Masahito YOSHINO1）,
Takanori NAGASAKI1）（1）Nagoya University,
2）
PRESTO, Japan Science and Technology Agency,
3）
National Institute for Materials Science, 4）TokyoInstitute of Technology, 5）Aichi Institute ofTechnology, 6）EPFL - Swiss Federal Institute ofTechnology）
11:00-11:15
A2-O20-005
高容量キャパシタ応用に向けた金属/誘電体複合材料の微細構造デザイン / Microstructural design ofConductor/Insulator Composite Materials forHigh-Capacitance Capacitors

上野 慎太郎、服部梨大学）

優哉、垣内博行、和田智志（山Shintaro UENO, Yuya HATTORI,
Hiroyuki KAKIUCHI, Satoshi WADA（University ofYamanashi）
11:15-11:30
A2-O20-006
超高速充放電リチウムイオン電池に向けた強誘電体人工SEI / Ferroelectric Artificial SEIs for Lithium Ion
Batteries with Ultra High-Rate Capability

吉川 祐未1）、勝治 直人1）、茶島 圭介1）、寺西 貴志1）、
林 秀考1）、岸本 昭1）、依田 孝次2）、本林 秀文2）、（1）岡山大学、2）豊島製作所）田崎 雄三2）
Yumi YOSHIKAWA1）, Naoto KATSUJI1）,
Keisuke CHAJIMA1）, Takashi TERANISHI1）,
Hidetaka HAYASHI1）, Akira KISHIMOTO1）,
Koji YODA2）, Hidefumi MOTOBYASHI2）,
Yuzo TAZAKI2）（1）Okayama University, 2）TOSHIMA
Manufacturing Co., Ltd）
11:30-11:45
A2-O20-007
幾何学的熱力学理論の誘電損失の研究への応用 /Applying a geometrical theory of thermodynamics
to a study of dielectric loss

橋爪
岡村

洋一郎、小泉 太嘉志、中嶋 宇史、総一郎（東京理科大学 応用物理学科）

Yoichiro HASHIZUME, Takashi KOIZUMI,Takashi NAKAJIMA, Soichiro OKAMURA（Department of Applied Physics, Tokyo University ofScience）

犬塚 淳、野口系研究科）

12 月 19 日（月）December 19（Mon.）
産業貿易センタービル Hall（1F）

ポスターセッション
Poster Session
座長：‌中嶋 宇史（東京理科大学）
Chair：‌Takashi NAKAJIMA（Tokyo University ofScience）
15:30-17:30
A2-P19-001
BiFeO3強誘電体薄膜におけるバルク・ドメイン壁光起電力効果の定量化 / Quantification of the Bulk andDomain-Wall Photovoltaic Effects in Ferroelectric
BiFeO3 Thin Films

祐二、宮山勝（東京Hiroki MATSUO, Yuuki KITANAKA, Yuji NOGUCHI,
Masaru MIYAYAMA（Graduate School ofEngineering, The University of Tokyo）
15:30-17:30
A2-P19-002
MnドーピングによるBiFeO3薄膜の異常光起電力効果の増強 / Enhancement of Anomalous Photovoltaic
Effect by Mn Doping to BiFeO3 Thin Films

高山 幸太、中嶋 誠二、藤沢県立大学大学院工学研究科）

浩訓、清水勝（兵庫Kota TAKAYAMA, Seiji NAKASHIMA,Hironori HUJISAWA, Masaru SHIMIZU（GraduateSchool of Engineering, University of Hyogo）
15:30-17:30
A2-P19-003
化学溶液法により調製したZnO/BiFeO3積層薄膜の光電流特性増強 / Enhancement of photocurrent
properties of ZnO/BiFeO3 layered thin films
prepared by chemical solution deposition

土森余語

勝（東京大学大学院工学

Atsushi INUZUKA, Yuji NOGUCHI,
Masaru MIYAYAMA（Guraduate School ofEngineering, University of Tokyo）

Industry & Trade Center Hall（1F）

松尾 拓紀、北中 佑樹、野口大学大学院工学系研究科）

祐二、宮山祥平、片山 丈嗣、林 幸壱朗、坂本 渉、利信
（名古屋大学 未来材料・システム研究所）

Shohei TSUCHIMORI, Takeshi KATAYAMA,
Koichiro HAYASHI, Wataru SAKAMOTO,Toshinobu YOGO（Institute of Materials and Systems
for Sustainabilty, NAGOYA University）
15:30-17:30
A2-P19-004
Nd0.6Sr0.4FeO3-δ薄膜の結晶構造と電子特性 / CrystalStructure and Electrical Properties of
Nd0.6Sr0.4FeO3-δ Thin Film

並木 航1）、土屋 敬志2）、小林 正起3）、蓑原 誠人3）、（1）東京理科大学理学研究科応組頭 広志3）、樋口 透1）
2）
用物理学専攻、 物質材料研究機構、3）高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所 放射光科学第一研究系）
Wataru NAMIKI1）, Takashi TSUCHIYA2）,
Masaki KOBAYASHI3）, Makoto MINOHARA3）,
Hiroshi KUMIGASHIRA3）, Tohru HIGUCHI1）（1）Department of Applied Physics, Tokyo Universityof Science, 2）National Institute for Materials Science,3）
Photon Factory, KEK）
15:30-17:30
A2-P19-005
マンガン置換ニオブ系強誘電体薄膜の光起電力特性評
価 / Photovoltaic Properties of Manganese-Doped
Niobium-based Ferroelectric Films

15:30-17:30
A2-P19-006
BaCe1-x（Y,Zr）xO3-d薄膜の構造と高イオン伝導性 /Structure and high ion conductivity of BaCe1-x（Y,Zr）xO3-d thin film

尾地 真典1）、本橋 宏大1）、土屋 敬志2）、小林 正起3）、（1）東京理科大学
堀場 弘司3）、組頭 広志3）、樋口 透1）
応用物理学科、2）物質材料研究機構、3）高エネルギー加速器研究機構）
Masanori OCHI1）, Kota MOTOHASHI1）,
Takashi TSUCHIYA2）, Masaki KOBAYASHI3）,
Koji HORIBA3）, Hiroshi KUMIGASHIRA3）,（1）Department of Applied Physics,Tohru HIGUCHI1）
Tokyo University of Science, 2）National Institute forMaterials Science, 3）High Energy Accelerator
Research Organization）
15:30-17:30
A2-P19-007
固体イオンキャパシタ用ガーネット型酸化物リチウム
イオン伝導体の合成と特性評価 / Fabrication andCharacterization of Li-ion Conducting GarnetType Metal Oxide for Solid State Ionic Capacitor

藤井 優宇、冨江武田 博明、鶴見究室）

和樹、佐瀬 瑠一、保科 拓也、敬章（東京工業大学 鶴見・武田研

Yuu FUJII, Kazuki TOMIE, Ryuichi SASE,
Takuya HOSHINA, Hiroaki TAKEDA,Takaaki TSURUMI（Tokyo institute of Technology
University Tsurumi / Takeda Laboratory）
15:30-17:30
A2-P19-008
酸素欠陥を有するBPY薄膜の構造と電気特性 /Structural and Electrical Properties of BaPr1x Yx O3-δ Thin Film with Oxygen Vacancies

古市 想人1）、土屋 敬志2）、簑原 誠人3）、小林 正起3）、（1）東京理科大学、
堀場 弘司3）、組頭 広志3）、樋口 透1）
2）
物質材料科学研究機構、3）高エネルギー加速器研究機
構物質構造科学研究所放射光科学第一研究系）
Shoto FURUICHI1）, Takashi TSUCHIYA2）,
Makoto MINOHARA3）, Masaki KOBAYASHI3）,
Kouji HORIBA3）, Hiroshi KUMIGASHIRA3）,（1）Tokyo University of Science,Tohru HIGUCHI1）
2）
National Institute for Materials Science, 3）PhotonFactory, KEK）
15:30-17:30
A2-P19-009
SrCe0.95Sm0.05O3薄膜の構造・電気特性 /Structural and Electrical Properties of
SrCe0.95Sm0.05O3 Thin Film

樋口 透1）、玉井 瑛1）、小林
京理科大学、2）高エネ研）

正起2）、組頭広志2）（1）東Tohru HIGUCHI1）, Akira TAMAI1）,
Masaki KOBAYASHI2）, Hiroshi KUMIGASHIRA2）（1）Tokyo Uniersity of Science, 2）KEK）

15:30-17:30
A2-P19-010有機強誘電体P（VDF-TrFE）をゲート絶縁膜に用いた
Ce添加Siのキャリア制御 / Carrier control of Ce
doped Si using organic ferroelectric, P（VDFTrFE）as gate insulator

野浪 勇人、宮田 祐輔、吉村府立大学大学院工学研究科）

武、藤村紀文（大阪Hayato NONAMI, Yusuke MIYATA,
Takeshi YOSHIMURA, Norifumi FUJIMURA（Graduate School of Engineering, University of OsakaPrefecture）
15:30-17:30
A2-P19-011
SrRuO3電極を用いたBaTiO3系薄膜キャパシタの光起電力特性 / Photovoltaic properties of BaTiO3based thin film capacitors with SrRuO3 electrodes

朽名和俊（東京大学大学院工学系研究科）

Kazutoshi KUTSUNA（University of Tokyo）
15:30-17:30
A2-P19-012
MOCVD法によって作製されたアナターゼ／ルチル
TiO2薄膜における光触媒活性の結晶相および配向依存性 / Crystal phase and orientation dependence ofphotocatalytic activities of anatase and rutile TiO2
thin films fabricated by MOCVD

海老澤 遼太郎1）、橋爪 洋一郎1）、
中嶋 宇史1）、落合 剛1,2）、岩瀬 顕秀1）、工藤 昭彦1）、（1）東京理科大学、2）神奈川科学技術アカ
岡村 総一郎1）
デミー）
Ryotaro EBISAWA1）, Yoichiro HASHIZUME1）,
Takashi NAKAJIMA1）, Tsuyoshi OCHIAI1,2）,
Akihide IWASE1）, Akihiko KUDO1）,
Soichiro OKAMURA1）（1）Tokyo University of Science,
2）
Kanagawa Academy of Science and Technology）
15:30-17:30A2-P19-013
格子歪を持つTi0.9Fe0.1O2-d薄膜の構造・電気特性 /Structural and Electrical Properties ofTi0.9Fe0.1O2-d Thin Film with Lattice Distortion

関根 正貴1）、小林 正起2）、蓑原 誠人2）、堀場 浩司2）、（1）東京理科大学、2）高エネ研）
組頭 広志2）、樋口 透2）
Masaki SEKINE1）, Masaki KOBAYASHI2）,
Makoto MONOHARA2）, Koji HORIBA2）,（1）TokyoHiroshi KUMIGASHIRA2）, Tohru HIGUCHI2）
University of Science, 2）KEK）
15:30-17:30
A2-P19-014
パターン化SrTiO3基板によるBiFeO3薄膜への帯電ドメ
インウォールの導入 / Artificial Induction of Charged
Domain Walls into BiFeO3 Thin Film usingPatterned SrTiO3 Substrate

瀬戸 翔太、中嶋 誠二、藤沢県立大学大学院工学研究科）

浩訓、清水勝（兵庫Shota SETO, Seiji NAKASHIMA,
Hironori FUJISAWA, Masaru SHIMIZU（Graduate
School of engineering, University of Hyogo）
15:30-17:30
A2-P19-015
ビスマス層状構造強誘電体（K0.5Bi0.5）Bi2Nb2O9セラ
ミックスの電気的諸特性 / Electrical Properties of
Bismuth-Layer-Structure Ferroelectric（K0.5Bi0.5）Bi2Nb2O9 Ceramics

栗田彰仁、永田肇、竹中正（東京理科大学）

Akihito KURITA, Hajime NAGATA,Tadashi TAKENAKA（Tokyo University of Science）
15:30-17:30
A2-P19-016
固相法によって作製したMnドープNaNbO3-BaTiO3圧電セラミックスの電気的特性 / Electrical propertiesof Mn-doped NaNbO3-BaTiO3 piezoelectric
ceramics prepared by solid-state reaction

籔内余語直人、村田 達郎、林 幸壱朗、坂本 渉、利信（名古屋大学未来材料・システム研究所）

Naoto YABUUCHI, Tatsuro MURATA,
Koichiro HAYASHI, Wataru SAKAMOTO,
Toshinobu YOGO（Institute of Materials and Systems
for Sustainability, Nagoya University）
15:30-17:30
A2-P19-017
Mnをドープした（Ba1-xCax）TiO3圧電セラミックスの電気的特性 / Electrical properties of Mn-doped（Ba1-xCax）TiO3 piezoelectric ceramics

則武 幸汰、林 幸壱朗、坂本 渉、余語屋大学 未来材料・システム研究所）

利信（名古Kota NORITAKE, Koichiro HAYASHI,Wataru SAKAMOTO, Toshinobu YOGO（Institute ofMaterials and systems for Sustainability, Nagoya
University）
15:30-17:30
A2-P19-018
パルス電界を用いた強誘電体薄膜のリーク電流特性 /Leakage current properties of ferroelectric thinfilms measured using pulsive electric field畠 希1）、佐々木 敏夫2）、橋爪 洋一郎1）、中嶋 宇史1）、（1）東京理科大学、2）早稲田大学）
岡村 総一郎1）
Nozomi HATA1）, Toshio SASAKI2）,
Yoichiro HASHIZUME1）, Takashi NAKAJIMA1）,（1）Tokyo Univ. of Sci., 2）Waseda
Soichiro OKAMURA1）
Univ.）
15:30-17:30
A2-P19-019
ドーピングによるBT-BMT-BF圧電セラミックスの微細構造制御 / Microstructure Control for BT-BMT-BF
Piezoelectric Ceramics by Doping

サラ ナジュワ、上野慎太郎、和田智志（山梨大学）

Sarah najwa ZAMALIK, Shintaro UENO,Satoshi WADA（University of Yamanashi）
15:30-17:30
A2-P19-020
ソルボサーマル固化法によるチタン酸バリウム/ビスマ
ス系圧電ナノコンポジットセラミックスの電気特性 /Electrical Properties of Barium Titanate/Bismuthbased Piezoelectric Nanocomposite Ceramics by
Solvothermal Solidification Method

松本健、上野慎太郎、和田智志（山梨大学）

Ken MATSUMOTO, Shintaro UENO, Satoshi WADA
（University of Yamanashi）
15:30-17:30
A2-P19-021
リンゴ酸錯体水溶液法を用いた（Na0.50K0.45Li0.05）NbO3（Ba0.85Ca0.15）（Zr0.10Ti0.90）O3固溶体の圧電特性と局所構造解析 / Piezoelectric properties andlocal structure analysis of（Na0.50K0.45Li0.05）
NbO3-（Ba0.85Ca0.15）（Zr0.10Ti0.90）O3 solid
solutions by malic acid complex solution method

高田 愛梨1）、小舟 正文1）、菊池 丈幸1）、米田 安宏2）
（1）兵庫県立大学大学院、2）日本原子力研究開発機構）
Eri TAKADA1）, Masahumi KOBUNE1）,
Takeyuki KIKUCHI1）, Yasuhiro YONEDA2）（1）University of Hyogo, 2）Japan Atomic EnergyAgency）
15:30-17:30
A2-P19-022
正方晶-六方晶2相共存粒子を用いた強磁場電気泳動法
による＜111＞配向正方晶チタン酸バリウムセラミッ
クスの圧電特性 / Piezoelectric Properties of（111）-oriented Tetragonal BaTiO3 Ceramics
Fabricated by an ElectroPhoretic Deposition in ahigh Magnetic Field with Tetragonal-Hexagonal
Biphase Particles

抜水 一輝（山梨大学大学院学専攻 応用化学コース）

医工農学総合教育部

工Kazuki NUKUMIZU（University of Yamanashi）
15:30-17:30
A2-P19-023
低温プロセスによる常誘電体/常誘電体複合セラミック
スへの歪導入とその誘電特性 / Introduction ofStrains in Paraelectrics/Paraelectrics Composite
Ceramics by Low-Temperature Process and Their
Dielectric Properties

垣内博行、上野慎太郎、和田智志（山梨大学）

Hiroyuki KAKIUCHI, Shintaro UENO, Satoshi WADA
（University of Yamanashi）
15:30-17:30
A2-P19-024
Ca2Al2SiO7結晶の材料定数とSAW特性 / Material
Constants and Surface Acoustic Wave Propertyof Ca2Al2SiO7 Single Crystals

秋本 恭平、保科 拓也、鶴見 敬章、武田京工業大学 物質理工学院 材料系）

博明（東Kyohei AKIMOTO, Takuya HOSHINA,
Takaaki TSURUMI, Hiroaki TAKEDA（Materials
Science and Engineering, School of Materials andChemical Technology, Tokyo Institute of Technology）
15:30-17:30
A2-P19-025
中性子小角散乱によるリラクサー強誘電体（1-x ）Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-x PbTiO3におけるドメイン相関の研究/ Neutron small angle scattering study of domain
correlations in the relaxor（1-x ）Pb（Mg1/3Nb2/3）O3x PbTiO3

松浦 直人1）、Tae-hwan KIM2）、Young-soo HAN2）（1）総2）
合科学研究機構、 Korea Atomic Research Institute）
Masato MATSUURA1）, Tae-hwan KIM2）,（1）Comprehensive Research
Young-soo HAN2）
Organization for Science and Society, 2）Korea Atomic
Research Institute）
15:30-17:30
A2-P19-026
スピンコート法によって作製されたナイロン11薄膜の構造と強誘電特性 / Structure and Ferroelectric
Properties of Nylon-11 Thin Film Prepared by
Spin-Coating

中嶋 宇史1,2）、二角 勇毅1）、橋爪 洋一郎1）、（1）東京理科大学理学部応用物理学科、
岡村 総一郎1）
2）
JSTさきがけ）

Takashi NAKAJIMA1,2）, Yuki FUTAKADO1）,
Yoichiro HASHIZUME1）, Soichiro OKAMURA1）（1）Department of Applied Physics, Faculty of Science,
Tokyo University of Science, 2）PRESTO, Japan
Science and Technology Agency）
15:30-17:30
A2-P19-027
交換結合FePt孤立磁性微粒子上GdFeCo層の磁化動特性 / Magnetization dynamics of exchange coupled
GdFeCo thin layer / FePt isolated particle

二川 康宏1）、植田 涼平1）、吉川 大貴1）、田中 万裕1）、（1）日本大学大学院理工学研究科、2）日本大学
塚本 新2）
理工学部）
Yasuhiro FUTAKAWA1）, Ryohei UEDA1）,
Hiroki YOSHIKAWA1）, Masahiro TANAKA1）,（1）Graduate School of Science
Arata TSUKAMOTO2）
and Technology Nihon University, 2）College of Scienceand Technology, Nihon Univ）