Symposium D-3
イオンビームを利用した革新的材料創製
Innovative Material Technologies Utilizing Ion Beams

オーガナイザー :代表委員
雨倉宏（‌物質・材料研究機構）

中尾

節男（‌産業技術総合研究所）

連絡委員

オーガナイザー

青木 学聡（‌京都大学）
馬場 恒明（‌長崎県工業技術センター）
伊藤 久義（‌量子科学技術研究開発機構）
岸本 直樹（‌物質・材料研究機構）
小林 知洋（‌理化学研究所）
永田 晋二（‌東北大学）
西川 宏之（‌芝浦工業大学）
辻博司（‌京都大学）
龍頭 啓充（‌京都大学）
Feng Chen（‌Shandong University）
Paul K Chu（‌City University of Hong Kong）
Daryush ILA（‌FSU）
Wolfgang Ensinger（‌Technical University Darmstadt）

Organizers:
Representative

Hiroshi AMEKURA（‌National Institute for Materials Science）

Correspondence

Setsuo NAKAO（‌AIST-Chubu）

Organizer

Takaaki AOKI（‌Kyoto University）
Koumei BABA（‌Industrial Technogy Center of Nagasaki）
Hisayoshi ITOH（‌National Institutes for Quantum and Radiological Scienceand Technology）

Naoki KISHIMOTO（‌National Institute for Materials Science）
Tomohiro KOBAYASHI（‌RIKEN）
Shinji NAGATA（‌Tohoku University）
Hiroyuki NISHIKAWA（‌Shibaura Institute of Technology）
Hiroshi TSUJI（‌Kyoto University）
Hiromichi RYUTO（‌Kyoto University）
Feng CHEN（‌Shandong University）
Paul K CHU（‌City University of Hong Kong）
Daryush ILA（‌FSU）
Wolfgang ENSINGER（‌Technical University Darmstadt）

12 月 20 日（火）December 20（Tue.）
産業貿易センタービル 302室

Industry & Trade Center, Room 302

10:00 〜 10:05 ‌Opening
H. Amekura（NIMS）

午前の部
Morning Oral Session
座長：‌小林 知洋（理化学研究所）
Chair：‌Tomohiro KOBAYASHI（RIKEN）
10:05-10:35
Invited
D3-I20-001
Creation of Single Photon Sources in Wide
Bandgap Semiconductors by Ion Irradiation

Takeshi OHSHIMA1）, Tomoya HONDA1,2）,
Shinobu ONODA1）, Takahiro MAKINO1）,
Yasuto HIJIKATA2）, Alex LOHRMANN3）,
James R. KLEIN3）, Brett C. JOHNSON3）,
Jeffrey C. MCCALLUM3）, Stefania CASTELLETTO4）,
Brant C. GIBSON4）, Hannes KRAUS5）,（1）National Institutes for
Vladimir DYAKONOV5）
Quantum and Radiological Science and Technology,
2）
Saitama University, 3）The University of Melbourne,
4）
RMIT University, 5）The University of Wurzburg）
10:35-11:05
Invited
D3-I20-002
Synthesis of layer-tunable and bandgap-tunablegraphene on Ni/Cu Bilayer substrate by ion
implantation

Zengfeng DI, Gang WANG, Miao ZHANG, Xi WANG
（State Key Laboratory of Functional Materials for
Informatics, Shanghai Institute of Microsystem andInformation Technology, Chinese Academy of
Sciences）
11:05-11:20
D3-O20-003
鉄ロジウム合金の磁性における50keV Arイオン照射と熱処理効果 / Effect of 50keV Ar ion irradiation andthermal treatment on magnetic properties of FeRhthin films（1）大阪府立大岩瀬 彰宏1）、石神 龍哉2）、松井 利之3）
学工学研究科マテリアル工学分野、2）若狭湾エネルギー
研究センター、3）大阪府立大学21世紀研究機構）
Akihiro IWASE1）, Ryoya ISHIGAMI2）,（1）Department of Materials
Toshiyuki MATSUI3）
Science, Osaka Prefecture University, 2）Wakasawan
Energy Research Center, 3）Research Organization forthe 21th Century, Osaka Prefecture University）
11:20-11:35
D3-O20-004
アルゴンイオン照射したグラッシーカーボン基板と白金ナノ微粒子の界面 / The Interface between Pt
Nanoparticles and the Ar+ Irradiated Glassy
Carbon Substrate

垣谷 健太1）、木全 哲也1）、八巻 徹也2）、山本 春也2）、
毛 偉1）、寺井 隆幸1）、下山 巖3）、松村 大樹3）、
田口 富嗣2）、岩瀬 彰宏4）、小林 知洋5）（1）東京大学大2）
学院工学系研究科、 量子科学技術研究開発機構 量子ビーム研究部門 高崎量子応用研究所、3）日本原子力研
究開発機構、4）大阪府立大学、5）理化学研究所）
Kenta KAKITANI1）, Tetsuya KIMATA1）,
Tetsuya YAMAKI2）, Shunya YAMAMOTO2）,
Wei MAO1）, Takayuki TERAI1）, Iwao SHIMOYAMA3）,
Daiju MATSUMURA3）, Tomitsugu TAGUCHI2）,（1）School
Akihiro IWASE4）, Tomohiro KOBAYASHI5）
2）
of Engineering, The University of Tokyo, Takasaki
Advanced Radiation Research Institute, National
Institutes for Quantum and Radiological Science andTechnology, 3）Japan Atomic Energy Agency, 4）Osaka
Prefecture University, 5）RIKEN）

11:40 〜 13:10 Discussion with invited speakers andorganizers

午後の部
Afternoon Oral Session
座長：‌岸本 直樹（物材機構）
Chair：‌Naoki KISHIMOTO（NIMS）
14:00-14:40
KeynoteD3-K20-005
負イオン注入と高分子材料表面上での成体幹細胞の接着パターニング / Negative-Ion Implantation and
Adhesion Patterning of Adult-Stem Cells on
Polymer Surfaces

辻博司（京都大学工学研究科）

Hiroshi TSUJI（Graduate School of Engineering, Kyoto
Uniersity）

福田 健吾1）、堀 史説1）、千星 聡2）、斎藤 勇一3）、（1）大阪府立大学大学院、2）東松井 利之4）、岩瀬 彰宏1）
北大学金属材料研究所関西センター、3）国立研究開発法
人量子科学技術研究開発機構、4）大阪府立大学２１世紀
科学研究機構）Kengo FUKUDA1）, Fuminobu HORI1）,
Satoshi SEMBOSHI2）, Yuichi SAITOH3）,
Toshiyuki MATSUI4）, Akihiro IWASE1）（1）Graduate
School of Osaka Prefecture University, 2）Institute forMaterials Research, Tohoku University, 3）National
Institutes for Quantum and Radiological Science andTechnology, 4）Research Organization for the 21th
Century, Osaka Prefecture University）

16:10 〜 16:40 Coffee Break

午後の部
Afternoon Oral Session

午後の部
Afternoon Oral Session

座長：‌辻 博司（京都大学）
Chair：‌Hiroshi TSUJI（Kyoto Univ.）座長：‌伊藤 久義（量子科学技術研究開発機構）
Chair：‌Hisayoshi ITOH
（QST）

14:40-15:10
Invited
D3-I20-006
Recent advances in ion beam processing of SiC
power electronic devices

16:40-17:10
Invited
D3-I20-010
Ion implantation + sub-second annealing: a route
towards hyperdoped semiconductors

Anders HALLEN1）, Roberta NIPOTI2）, Per PERSSON3）,（1）KTH Royal Institute ofMargareta LINNARSSON1）
2）
Technology, CNR-IMM of Bologna, 3）Thin Film
Physics Div., Dept. Physics, Chemistry and Biology,
Linköping Univ）
15:10-15:40
Invited
D3-I20-007
QST高崎におけるクラスターイオンビームを用いた
R&D / Research and Development in Cluster-Ion
Beams at QST/Takasaki

鳴海
斎藤
構）

一雅、千葉 敦也、山田 圭介、平野 貴美、勇一（国立研究開発法人量子科学技術研究開発機

Kazumasa NARUMI, Atsuya CHIBA,
Keisuke YAMADA, Yoshimi HIRANO,
Yuichi SAITOH（National Institutes for Quantum andRadiological Science and Technology）
15:40-15:55
D3-O20-008
C60クラスターイオン照射による埋め込まれた金属ナ
ノ粒子の集団的形状楕円化 / Shape elongation ofembedded metal nanoparticles induced by C60
cluster ion irradiation

雨倉 宏1）、鳴海 一雅2）、千葉 敦也2）、薄井 絢3）、斎藤 勇一2）、津谷 大樹1）、大久保 成彰3）、（1）物材機構、2）量子科学技術研究開発機構、
石川 法人3）3）
日本原子力研究開発機構）
Hiroshi AMEKURA1）, Kazumasa NARUMI2）,
Atsuya CHIBA2）, Aya USUI3）, Yuichi SAITOH2）,
Daiju TSUYA1）, Nariaki OKUBO3）,
Norito ISHIKAWA3）（1）National Institute for Materials
2）
Science（NIMS）, National Institutes for Quantum
and Radiological Science and Technology, 3）Japan
Atomic Energy Agency）
15:55-16:10
D3-O20-009
高エネルギー金属イオンを照射したシリカガラスの磁気・光学特性評価 / Magnetic and optical propertiesof silica glass implanted with energetic metal ions

Shengqiang ZHOU
（Helmholtz-Zentrum DresdenRossendorf）
17:10-17:25
D3-O20-011
イオン照射と熱処理によるNiTi金属間化合物の構造及び硬度変化 / Change in lattice structure andhardness of NiTi intermetallic compound induced
by energetic ion irradiation and thermal annealing

越智 雅明1）、小島 啓1）、千星 聡2）、堀 史説1）、
斎藤 勇一3）、石川 法人4）、岡本 芳浩4）、岩瀬 彰宏1）、（1）大阪府立大学、2）東北大学、3）量子科学研
金野 泰幸1）
究開発機構、4）日本原子力研究開発機構）
Masaaki OCHI1）, Hiroshi KOJIMA1）,
Satoshi SENBOSHI2）, Fuminobu HORI1）,
Yuichi SAITOH3）, Norito ISHIKAWA4）,
Yoshihiro OKAMOTO4）, Akihiro IWASE1）,（1）Osaka Prefecture University,
Yasuyuki KANENO1）
2）
Tohoku University, 3）National Institutes for Quantum
and Radiological Science and Technology, 4）Japan
Atomic Energy Agency）
17:25-17:40
D3-O20-012
B2型FeAl規則合金におけるH+照射後の水素トラップ
挙動 / Hydrogen trapping behavior in B2 ordered
Fe-Al alloys after H+ irraditation

上野 陽平1）、岩瀬 彰宏1）、徐 虬2）、大澤 一人3）、（1）大阪府立大学大学院工学研
斎藤 勇一4）、堀 史説1）
2）
究科、 京都大学原子炉実験所、3）九州大学応用力学研
究所、4）量子科学技術研究開発機構高崎量子応用研究所）
Yohei UENO1）, Akihiro IWASE1）, Xu QIU2）,
Kazuhito OHSAWA3）, Yuichi SAITOH4）,（1）Graduate school of Engineering,
Fuminobu HORI1）
Osaka Prefecture University, 2）Reactor ResearchInstitute, Kyoto University, 3）Research Institute forApplied Mechanics, Kyushu University, 4）Takasaki
Advanced Radiation Research Institute,  National
Institutes for Quantum and Radiological Science andTechnology）

12 月 21 日（水）December 21（Wed.）
産業貿易センタービル 302室

Industry & Trade Center, Room 302

11:40 〜 13:10 Discussion with invited speakers andorganizers
13:10 〜 14:00 Break

午後の部
Afternoon Oral Session
Chair：‌Stefan FLEGE（TU Darmstadt, Germany）
14:00-14:30
Invited
D3-I21-001
半導体・酸化物材料の３次元アトムプローブ分析 /Atom Probe Tomography of Semiconductor andOxide Materials

清水康雄（東北大学金属材料研究所）

Yasuo SHIMIZU（Institute for Materials Research,
Tohoku University）
14:30-14:45
D3-O21-002
画像処理によるアルゴンを用いた電界イオン顕微鏡像の鮮明化 / A Whole and Clear image processing of
Ar-Field Ion Microscope image

西村 知紗、辻
学研究科）

博司、後藤

康仁（京都大学大学院工Chikasa NISHIMURA, Hiroshi TSUJI,
Yasuhito GOTOH（Graduate school of Engineering,
Kyoto University）
14:45-15:15
Invited
D3-I21-003
X線吸収分光によるアモルファス炭素膜の評価 /Evaluation of amourphous carbon film by X-ray
absorption spectroscopy

神田

一浩（兵庫県立大学高度産業科学技術研究所）

Kazuhiro KANDA（Laboratory of Advanced Scienceand Technology for Industry, University of Hyogo）
15:15-15:30
D3-O21-004
陽子線描画によるセンサ応用のためのポリフッ化ビニ
リデンフィルム加工 / Proton Beam Writing on
PolyVinilydene DiFluoride Films for Sensor
Applications

早川 志文1）、林 秀臣2）、越川 博3）、前川 康成3）、（1）芝浦工業大学工学部電気工学科、2）芝浦
西川 宏之1,2）
工業大学SIT総合研究所、3）量子科学技術研究開発機構
高崎研）
Shimon HAYAKAWA1）, Hidetaka HAYASHI2）,
Hiroshi KOSHIKAWA3）, Yasunari MAEKAWA3）,（1）Dept. of Electrical
Hiroyuki NISHIKAWA1,2）
Engineeirng, Shibaura Institute of Technology, 2）SIT
Research Laboratories, Shibaura Institute ofTechnology, 3）National Institutes for Quantum andRadiological Science and Technology）

午後の部
Afternoon Oral Session
座長：‌西川 宏之（芝浦工業大学）
Chair：‌Hiroyuki NISHIKAWA（Shibaura Inst. of Tech.）
15:30-16:00
Invited
D3-I21-005
Use of nanoparticles as a metal source in plasma
processes

Stefan FLEGE1）, Ruriko HATADA1）,
Wolfgang ENSINGER1）, Koumei BABA2,3）,（1）Technische
Takao MORIMURA2）, Falk MUENCH1,4）
2）
Universitaet Darmstadt, Nagasaki University,
3）
Industrial Technology Center of Nagasaki,
4）
Weizmann Institute of Science）
16:00-16:15
D3-O21-006
プラズマ利用イオン注入およびスパッタ法を用いた
Ti-B-N膜の作製 / Preparation of Ti-B-N films byplasma based ion implantation with sputtering
methods

中尾 節男1）、榊原 渉2）、松岡 宏之2）、島田 益2）、
（1）産総研中部、2）DOWAサーモテック（株）、小竹 茂夫3）3）三重大学）
Setsuo NAKAO1）, Wataru SAKAKIBARA2）,
Hiroyuki MATSUOKA2）, Susumu SIMADA2）, Shigeo（1）AIST-Chubu, 2）Dowa Thermotech Co.,
KOTAKE3）
3）
Mie University）

16:15 〜 16:20 Closing‌S. Nakao（AIST-Chubu）
12 月 21 日（水）December 21（Wed.）
横浜情報文化センター

Yokohama Media & Communications Center

ポスターセッション
Poster Session
座長：‌中尾 節男（産総研）
Chair：‌Setsuo NAKAO（AIST-Chubu）
9:30-11:30
D3-P21-001
プラズマイオン注入システムと組み合わせたハイパ
ワーパルスマグネトロンスパッタによる導電性DLC膜の作製 / Preparation of Conductive DLC Films byHigh Power Pulsed Magnetron Sputtering
Combined with Plasma Based Ion Implantation
System

木村 高志1）、鎌田 光速1）、中尾 節男2）、東 欣吾3）
（1）名古屋工業大学大学院工学研究科 、2）産業技術総合研究所中部センター、3）兵庫県立大学大学院工学研究科）
Takashi KIMURA1）, Hikaru KAMATA1）,（1）Graduate School
Setsuo NAKAO2）, Kingo AZUMA3）
of Engineering, Nagoya Institute of technology,
2）
Chubu Center, National Institute of Advanced
Industrial Science and Technology, 3）Graduate Schoolof Engineering, University of Hyogo）

9:30-11:30
D3-P21-002
プラズマベース窒素イオン注入法によるDLC膜の表面
処理 / Surface Modification of DLC Films by
Plasma Based Nitrogen Ion Implantation Method

矢内 秀和1）、木村 高志1）、中尾 節男2）、東 欣吾3）
（1）名古屋工業大学大学院工学研究科、2）産業技術総合研究所 中部センター、3）兵庫県立大学大学院工学研究科）
Hidekazu YANAI1）, Takashi KIMURA1）,（1）Graduate School
Setsuo NAKAO2）, Kingo AZUMA3）
of Engineering, Nagoya Institute of Technology,
2）
Chubu Center, National Institute of Advanced
Industrial Science and Technology, 3）Graduate Schoolof Engineering, University of Hyogo）
9:30-11:30
D3-P21-003
メタンイオン注入によりグラフェンの合成 / Graphene
Synthesis by Methane ion Implantation

米山

長春、石室

賢人、崔

埈豪（東京大学）

Tyousyun YONEYAMA, Kento ISHIMURO,
Junho CHOI（The University of Tokyo）
9:30-11:30
D3-P21-004
マグネトロンスパッタによりプラスチック基板上に作製されたチタン膜のDFM分析 / Dynamic force
microscope analysis of titanium thin film formedon plastic substrate using magnetron sputtering

渡津 章、園田 勉、寺岡
業技術総合研究所）

啓（国立研究開発法人

産

Akira WATAZU, Tsutomu SONODA, Kay TERAOKA（National Institute of Advanced Industrial Science andTechnology（AIST））
9:30-11:30
D3-P21-005
スパッタリングによるアルゴン・水素混合ガス雰囲気
中でのDLC膜の形成 / Preparation of DLC Films by
Magnetron DC Sputtering in the Atmosphere of
Argon and Hydrogen Gas Mixture

園田 勉、中尾
究部門）

節男（産業技術総合研究所 構造材料研

Tsutomu SONODA, Setsuo NAKAO（Structural
Materials Reseach Institute, National Institute ofAdvanced Industrial Science and Technology）
9:30-11:30
D3-P21-006
Properties of Zn-DLC films prepared by plasma
source ion implantation

Ruriko HATADA1）, Stefan FLEGE1）,
Berthold RIMMLER1）, Wolfgang ENSINGER1）,
Takashi SAWASE2）, Tetsuro ODATSU2）,（1）Technische Universitaet
Koumei BABA2,3）
2）
Darmstadt, Nagasaki University, 3）Industrial
Technology Center of Nagasaki）
9:30-11:30
D3-P21-007
16MeV Auイオン照射と熱処理によるNi-25at%X（X=V, Nb, Ta）金属間化合物の格子構造変化と表面硬さ変化 / Lattice structure transformation andsurface hardness changes of Ni-25at%X（X=V,
Nb, Ta）intermetallic compounds by 16MeV Au
ion irradiation and subsequent annealing

小島 啓1）、越智 雅明1）、金野 泰幸1）、千星 聡2）、
岡本 芳浩3）、斎藤 勇一4）、堀 史説1）、岩瀬 彰宏1）（1）大阪府立大学、2）東北大金研、3）原子力機構、4）量子研
究機構）

Hiroshi KOJIMA1）, Masaaki OCHI1）,
Yasuyuki KANENO1）, Satoshi SEMBOSHI2）,
Yoshihiro OKAMOTO3）, Yuichi SAITOH4）,（1）Osaka
Fuminobu HORI1）, Akihiro IWASE1）
Prefecture University, 2）Institute for Materials
Research, Tohoku University, 3）Quantum Beam
Science Center, Japan Atomic Energy Agency,
4）
National Institutes for Quantum and Radiological
Science and Technology）
9:30-11:30
D3-P21-008
軟X線照射によるSi含有水素化DLC膜の膜改質 /Modification of Si containing hydrogenated DLC
films by soft x-ray irradiaton

田中 祥太郎1）、岡田 真1）、長谷川 孝行1,2）、（1）兵庫県立大学 高度産業
新部 正人1）、神田 一浩1）
2）
科学技術研究所、 合同会社シンクロトロンアナリシス
LLC）
Shotaro TANAKA1）, Makoto OKADA1）,
Takayuki HASEGAWA1,2）, Masahito NIIBE1）,（1）Laboratory of Advanced Science
Kazuhiro KANDA1）
and Technology for Industry, University of Hyogo,
2）Synchrotron Analysis L.L.C.）
9:30-11:30
D3-P21-009
フッ素化DLC薄膜表面の軟X線照射効果 / Effect of thesoft X-ray irradiation on the surface of fluorinated
DLC films

高松 大樹、岡田 真、新部 正人、神田
県立大学高度産業科学技術研究所）

一浩（兵庫Hiroki TAKAMATSU, Makoto OKADA,
Masahito NIIBE, Kazuhiro KANDA（Laboratory of
Advanced Science and Technology for Industry,
University of Hyogo）
9:30-11:30
D3-P21-010
SiC MOSFETにおける重イオン誘起電荷の収集過程 /Heavy Ion Induced Charge Collection in SiC
MOSFETs牧野 高紘1）、高野 修平2）、原田 信介3）、児島 一聡3）、（1）National Institutes for土方 泰斗2）、大島 武1）
Quantum and Radiological Science and Technology、2）
Saitama University、3）National Institute of Advanced
Industrial Science and Technology）
Takahiro MAKINO1）, Shuhei TAKANO2）,
Shinsuke HARADA3）, Kazutoshi KOJIMA3）,（1）National
Yasuto HIJIKATA2）, Takeshi OHSHIMA1）
Institutes for Quantum and Radiological Science andTechnology, 2）Saitama University, 3）National Instituteof Advanced Industrial Science and Technology）
9:30-11:30
D3-P21-011
プロトンビームライティング法による生体適合性ヒド
ロゲルの微細加工 / Microfabrication of
Biocompatible Hydrogels by Proton Beam Writing

長澤 尚胤、木村 敦、出崎 亮、山田 尚人、
江夏 昌志、佐藤 隆博、石井 保行、田口 光正（国立研究開発法人 量子科学技術研究開発機構）
Naotsugu NAGASAWA, Atsushi KIMURA,
Akira IDESAKI, Naoto YAMADA, Masashi KOKA,
Takahiro SATOH, Yasuyuki ISHII,
Mitsumasa TAGUCHI（National Institutes for
Quantum and Radiological Science and Technology（QST））

9:30-11:30
D3-P21-012
プラズマソースイオン注入法によるフッ素およびヨウ素添加DLC膜の作製とその特性 / Preparation of
Fluorine and Iodide Containing DLC Films by
Plasma Source Ion Implantation and its
Properties
1,2）

3）

3）

馬場 恒明 、畑田 留理子 、フリーゲ ステファン 、（1）長崎県工業技術セン
エンジンガー ウォルフガング3）
2）
ター、 長崎大学大学院工学研究科、3）ダムシュタット
工科大学）
Koumei BABA1,2）, Ruriko HATADA3）, Stefan FLEGE3）,（1）Industrial Technology Center
Wolfgang ENSINGER3）
2）of Nagasaki, Nagasaki University, Graduate School ofEngineering, 3）Technische Universität Darmstadt,
Department of Materials Science）
9:30-11:30
D3-P21-013
RBS/channeling法により評価したCeO2薄膜の結晶構造に及ぼす熱処理の影響 / Effect of Thermal
Annealing on the Structural Properties of CeO2
Films Investigated by RBS/channeling

山本
箱田

春也、杉本
照幸、八巻

雅樹、越川 博、田口 富嗣、徹也（量子科学技術研究開発機構）

Shunya YAMAMOTO, Masaki SUGIMOTO,
Hiroshi KOSHIKAWA, Tomisugu TAGUCHI,
Teruyuki HAKODA, Tetsuya YAMAKI（National
Institutes for Quantum and Radiological Science andTechnology）
9:30-11:30
D3-P21-014
イオン照射法によるヘテロ構造SiCナノチューブと新奇構造多層カーボンナノチューブの創製 / Synthesis ofheterostructured SiC nanotubes and newstructured multi-walled carbon nanotubes by ion
irradiation-induced changes

田口 富嗣、山本 春也、大場 弘則（量子科学技術研
究開発機構量子ビーム科学研究部門）
Tomitsugu TAGUCHI, Shunya YAMAMOTO,
Hironori OHBA（Quantum Beam Science Research
Directorate, National Institutes for Quantum andRadiological Science and Technology）
9:30-11:30
D3-P21-015
イオン飛跡グラフト重合により作製したアニオン交換膜の燃料電池性能 / Fuel Cell Performance of Anion
Exchange Membranes Prepared by Ion-Track
Grafting

八巻 徹也1）、ヌリヤンティ ヌヌン2）、吉村 公男1）、
澤田 真一1）、喜多村 茜3）、越川 博1）、寺井 隆幸2）（1）量子科学技術研究開発機構高崎量子応用研究所、2）東京大学大学院工学系研究科、3）日本原子力研究開発機構
原子力基礎工学研究センター）
Tetsuya YAMAKI1）, Nunung NURYANTHI2）,
Kimio YOSHIMURA1）, Shin-ichi SAWADA1）,
Akane KITAMURA3）, Hiroshi KOSHIKAWA1）,（1）Takasaki Advanced Radiation
Takayuki TERAI2）
Research Institute, National Institutes for Quantum
and Radiological Science and Technology, 2）Graduate
School of Engineering, The University of Tokyo,
3）
Nuclear Science and Engineering Research Center,
Japan Atomic Energy Agency）

9:30-11:30
D3-P21-016
イオン穿孔膜を用いて作製した白金ナノコーンアレイのモルフォロジー / Morphology of platinum
nanocone arrays prepared using ion-track
membranes

越川 博1）、佐藤 裕真2）、山本 春也1）、杉本 雅樹1）、（1）量子科学技術研究開発機
澤田 真一1）、八巻 徹也1,2）2）
構高崎量子応用研究所、 群馬大学理工学部）
Hiroshi KOSHIKAWA1）, Yuma SATO2）,
Shunya YAMAMOTO1）, Masaki SUGIMOTO1）,
Shin-ichi SAWADA1）, Tetsuya YAMAKI1,2）（1）Quantum
and Radiological Science and Technology, 2）School of
Science and technology, Gunma Univ.）