Symposium A-3

Chris G. VAN DE WALLE（University of California,
Santa Barbara）

先進機能性酸化物マテリアル

10:10-10:35
Invited
A3-I20-002
超ワイドギャップ半導体酸化ガリウムの光・電子機能 /Ultra-Wide Band Gap Oxide Semiconductors forElectrical and Optical Applications

Advanced Functional Oxide Materials

オーガナイザー :代表委員
山本

哲也（‌高知工科大学）

藤田 静雄（京都大学工学研究科光・電子理工学教育研究センター）市村
寺迫

正也（‌名古屋工業大学）
智昭（‌愛媛大学）

Shizuo FUJITA（Photonics and Electronics Scienceand Engineering Center, Kyoto University）

青野
金子
内山
野本
内山
遠藤
池永
有沢
遠藤

祐美（‌防衛大学校）
智（‌神奈川県産業技術センター）潔（‌鶴岡工業高等専門学校）
淳一（‌高知工科大学）
哲治（‌宮城教育大学）
和弘（‌金沢工業大学）
訓昭（‌金沢工業大学）
俊一（‌物質・材料研究機構）
民生（‌さがみはら表面技術研究所）

連絡委員

オーガナイザー

Organizers:
Representative

Tetsuya YAMAMOTO（‌Kochi University of Technology）

Correspondence

Masaya ICHIMURA（‌Nagoya Institute of Technology）
Tomoaki TERASAKO（‌Ehime University）

Organizer

Masami AONO（‌National Defense Academy）
Satoru KANEKO（‌Kanagawa Industrial Technology Cenetr）
Kiyoshi UCHIYAMA（‌National Institute of Technology, Turuoka College）
Junichi NOMOTO（‌Kochi University of Technology）
Tetsuji UCHIYAMA（‌Miyagi University of Education）
Kazuhiro ENDO（‌Kanazawa Institute of Technology）
Noriaki IKENAGA（‌Kanazawa Institute of Technology）
Shunichi ARISAWA（‌National Institute for Materials Science）
Tamio ENDO（‌Sagamihara Surface Treatment Lab.）

Granted by
公益財団法人 村田学術振興財団
The Murata Science Foundation
公益財団法人 小笠原科学技術振興財団
The Ogasawara Foundation for the Promotion of Science &Engineering
公益財団法人 加藤科学振興会
Kato Foundation for Promotion of Science
日本板硝子材料工学助成会
Nippon Sheet Glass Foundation for Materials Science andEngineering

12 月 20 日（火）December 20（Tue.）
横浜情報文化センター Hall

Yokohama Media & Communications Center Hall

午前の部
Morning Oral Session
Chair：‌Tetsuya YAMAMOTO（Kochi University ofTechnology）
9:30-10:10
KeynoteA3-K20-001
First-principles studies of complex oxides andtheir interfaces

10:35 〜 10:45 休憩

午前の部
Morning Oral Session
Chair：‌Shizuo FUJITA（Kyoto University）
10:45-11:00
A3-O20-003
エキシマレーザアニーリングによるβ-Ga2O3薄膜のバッファ層誘起室温エピタキシー / Buffer-induced
room-temperature epitaxy of β-Ga2O3 thin films
by excimer laser annealing

松田 晃史1）、塩尻 大士1）、内田 啓貴1）、中村 稀星1）、
土嶺 信男2）、金子 智1,3）、吉本 護1）（1）東京工業大学
物質理工学院・材料系、2）株式会社 豊島製作所、3）神奈川県産業技術センター）
Akifumi MATSUDA1）, Daishi SHIOJIRI1）,
Hiroki UCHIDA1）, Kisho NAKAMURA1）,
Nobuo TSUCHIMINE2）, Satoru KANEKO1,3）,
Mamoru YOSHIMOTO1）（1）Department of Materials
Science and Engineering, Tokyo Institute ofTechnology, 2）Toshima Manufacturing Co., Ltd.,
3）
Kanagawa Industrial Technology Center）
11:00-11:15
A3-O20-004
Analysis of NBITS Instability for InGaZnO4 and
InSnZnO4 TFTs using Reflection Constant
Photocurrent Method

Kousaku SHIMIZU, Yuki OHNO, Satoru TANAKA（Nihon University）
11:15-11:30
A3-O20-005
Controllable energy transfer between Tm3+ andYb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by
sputtering-assisted metalorganic chemical vapor
deposition

Hayato KAMEI, Shota TAKANO, Genya YOSHII,
Takanori KOJIMA, Yasufumi FUJIWARA（Graduate
School of Engineering, Osaka University）
11:30-11:45
A3-O20-006
溶液を基板に滴下した光化学堆積法によるAlOx薄膜の作製 / Fabrication of AlOx thin films by drop
photochemical deposition

佐藤

駿太、市村

正也（名古屋工業大学）

Shunta SATO, Masaya ICHIMURA（Nagoya Instituteof Technology）
11:45-12:00
A3-O20-007
Strain Dependent Electronic Structure andEnergy Band Alignments at Interfaces between
Stannate（ASnO3, A = Ca, Sr, Ba）and SrTiO3
Epitaxial Thin Films

John David BANIECKI1）, Takashi YAMAZAKI1）,
Dan RICINSCHI2）, Hiroyuki ASO1）,
Yoshihiko IMANAKA1）（1）Fujitsu Laboratories Ltd.,
2）
Innovator and Inventor Development Platform,
Tokyo Institute of Technology）

午後の部
Afternoon Oral Session
Chair：‌Tomoaki TERASAKO（Ehime University）
13:00-13:25
Invited
A3-I20-008
多次元検出器を用いた機能性酸化物薄膜の評価 / XRD
analysis of modern functional oxide thin films withmulti-dimensional detector

稲葉

克彦（株式会社リガク

X線研究所）

Katsuhiko INABA（Rigaku Corp, X-ray Res. Lab）
13:25-13:50
Invited
A3-I20-009
先進機能性酸化物研究への硬X線光電子分光の応用 /Application of Hard X-ray Photoelectron
Spectroscopy to Advanced Oxide Material
Research小林啓介（高知工科大学）

Keisuke KOBAYASHI（Kochi University ofTechnology）

13:50 〜 14:00 休憩

午後の部
Afternoon Oral Session
Chair：‌Chris G. VAN DE WALLE（University ofCalifornia, Santa Barbara）
14:00-14:25
Invited
A3-I20-010
複合金属酸化物表面の原子スケール物性評価:過去、現在、そして将来 / Understanding Complex Oxide
Surfaces in an Atomic Scale: Past, Present andFuture一杉太郎1,2）（1）東京工業大学、2）東北大学）

Taro HITOSUGI1,2）（1）Tokyo Institute of Technology,
Tohoku University）

2）

14:25-14:50
Invited
A3-I20-011
Ga vacancies and electrical compensation in
Ga2O3 and its alloys

Filip TUOMISTO（Aalto University）

14:50 〜 15:00 休憩

午後の部
Afternoon Oral Session
Chairs：‌Teruyasu MIZOGUCHI（University of Tokyo）‌
Masaya ICHIMURA（Nagoya Institute ofTechnology）
15:00-15:25
Invited
A3-I20-012
情報科学手法を活用した結晶界面における原子構造の高速決定と構造機能相関 / Acceleration of structure
searching and structure-property relationship ofcrystal interface using informatics approach

溝口 照康、清原 慎、小田学生産技術研究所）

尋美、菊地

駿（東京大

Teruyasu MIZOGUCHI, Shin KIYOHARA,
Hiromi ODA, Shun KIKUCHI（Institute of Industrial
Science, University of Tokyo）
15:25-15:50
Invited
A3-I20-013
Dynamics of Photocarriers of Brookite TiO2
Studied by Spectroscopic Techniques: A
Comparison with Anatase and Rutile TiO2
Photocatalysts

Junie Jhon Magdadaro VEQUIZO1）,
Hironori MATSUNAGA1）, Teruhisa OHNO2）,
Akira YAMAKATA1,3）（1）Quantum Interface
Laboratory, Toyota Technological Institute, 2）Kyushu
Institute of Technology, 3）PRESTO/JST）
15:50-16:05
A3-O20-014
Critical Role of Oxygen in Eu-Doped GaN

Yasufumi FUJIWARA1）, Wanxin ZHU1）,
Brandon MITCHELL2）（1）Osaka University, 2）WestChester University）
12 月 21 日（水）December 21（Wed.）
横浜情報文化センター Hall

Yokohama Media & Communications Center Hall

午前の部
Morning Oral Session
Chair：‌Filip TUOMISTO（Aalto Univ.）
9:30-9:55
Invited
A3-I21-001
溶液プロセスによる酸化鉄ナノワイヤー集合体 /Solution Processed Iron Oxide Nanowire Arrays:
Growth, Nanostructures, and Properties

谷口 佳奈、青野 祐美、渡邉
衛大学校機能材料工学科）

芳久、北沢

信章（防

Kana TANIGUCHI, Masami AONO,
Yoshihisa WATANABE, Nobuaki KITAZAWA（Department of Materials Science and Engineering,
National Defense Academy）
9:55-10:20
Invited
A3-I21-002
Growth of Ga-doped ZnO Nanowires and Their
Applications

Yu-feng YAO, Chi-ming WENG, Shaobo YANG,
Huang-hui LIN, Hao-tsung CHEN, Chia-ying SU,
Charng-gan TU, Chun-han LIN, Yean-woei KIANG,
C. C. YANG（National Taiwan University）
10:20-10:35
A3-O21-003
低および高酸素分圧下での熱処理によるAl添加ZnO透明導電膜の電気特性変化 / Electrical properties of Al
doped ZnO films post-annealed under controlled
O2 partial pressure

鯉田 崇（産業技術総合研究所
ター）

太陽光発電研究セン

Takashi KOIDA（Research Center for Photovoltaics,
National Institute of Advanced Industrial Science andTechnology）

10:35 〜 10:45 休憩

午前の部
Morning Oral Session
Chair：‌Nobuaki KITAZAWA（National Defense
Academy）
10:45-11:00
A3-O21-004
反応性プラズマ蒸着法によるGa添加ZnO薄膜の成長および特性に飛来粒子が与える影響 / Influences ofincident particle fluxes on the growth andproperties of Ga-doped ZnO films deposited byion-plating with dc arc discharge

北見 尚久1,2）、野本 淳一2）、酒見 俊之1）、牧野 久雄2）、
青木 康1）、山本 哲也2）（1）住友重機械工業株式会社、
2）
高知工科大学総合研究所）
Hisashi KITAMI1,2）, Junichi NOMOTO2）,
Toshiyuki SAKEMI1）, Hisaso MAKINO2）,
Yasushi AOKI1）, Tetsuya YAMAMOTO2）（1）Sumitomo
Heavy Industries, Ltd., 2）Research Institute, Kochi
University of Technology）
11:00-11:15
A3-O21-005
Structure and properties of non-polar ZnO films
grown using high-temperature H2O generated bycatalytic reaction

安井寛治（長岡技術科学大学）

Kanji YASUI（Nagaoka University of Technology）
11:15-11:30
A3-O21-006
電気化学堆積法によるFe-S/FeOOHヘテロ接合の作製/ Fabrication of Fe-S/FeOOH hetero junctions byelectrochemical deposition

武田

伸明、市村

正也（名古屋工業大学）

Junichi NOMOTO1）, Hisao MAKINO1）,
Hisashi KITAMI2）, Toshiyuki SAKEMI2）,
Masaaki KOBATA3）, Tetsuo OKANE4）,
Shinichi FUJIMORI4）, Hiroshi YAMAGAMI4,5）,
Keisuke KOBAYASHI1,4）, Tetsuya YAMAMOTO1）（1）Research Inst., Kochi Univ. Tech., 2）Sumitomo
Heavy Industries, Ltd., 3）JAEA, CLADS, Radionuclide
Behavior Analysis Gr., 4）JAEA, Mater. Sci. Res. Center,
Electron. Struct. Res. Gr., 5）Kyoto Sangyo Univ.）

午後の部
Afternoon Oral Session
Chair：‌Keisuke KOBAYASHI（Kochi University ofTechnology）
13:00-13:40
KeynoteA3-K21-009
Functional Materials: Definition, Origin and
Improvement of Functionality of Materials

Masahiro YOSHIMURA（National Cheng Kung
University）
13:40-14:05
Invited
A3-I21-010
ゼオライトの新機能： レアアースフリー蛍光体材料 /New Function of Zeolites as Rare Earth-Free
Luminescent Material

ジョハン エルニ1）、神田 康孝1）、松枝 直人2）、板垣 吉晃1）、青野 宏通1）（1）愛媛大学理工学研究科機
能材料工学コース、2）愛媛大学農学部）
Erni JOHAN1）, Yasutaka KANDA1）, Naoto MATSUE2）,
Yoshiteru ITAGAKI1）, Hiromichi AONO1）（1）Materials
Science and Engineering Graduate School of Scienceand Engineering, 2）faculty of Agriculture, Ehime
University）

Nobuaki TAKEDA, Masaya ICHIMURA（Nagoya
Institute of Technology）
11:30-11:45
A3-O21-007
機能性酸化物のレーザー転写 / Laser-Induced
Forward Transfer of Functional Oxides

奈良崎 愛子、佐藤
研究所）

正健、新納

弘之（産業技術総合

Aiko NARAZAKI, Tadatake SATO, Hiroyuki NIINO（National Institute of Advanced Industrial Science andTechnology（AIST））
11:45-12:00
A3-O21-008
透明導電 Ga 添加 ZnO 多結晶膜表面上の点欠陥や吸着物に与える酸素負イオン照射の影響 / Effects ofirradiation of electronegative oxygen ions on
point defects and adsorbed species on thesurface of transparent conductive Ga-doped ZnO
polycrystalline films

野本 淳一1）、牧野 久雄1）、北見 尚久2）、酒見 俊之2）、
小畠 雅明3）、岡根 哲夫4）、藤森 伸一4）、山上 浩志4,5）、
小林 啓介1,4）、山本 哲也1）（1）高知工科大総研、2）住友
重機械工業株式会社、3）原子力機構 廃炉国際共同研究センター 核種挙動解析Gr.、4）原子力機構 物質科学研究センター 電子構造物性研究 Gr.、5）京都産業大学）

14:05 〜 14:15 休憩

午後の部
Afternoon Oral Session
Chair：‌C.C. YANG（National Taiwan University）
14:15-14:40
Invited
A3-I21-011
Glass-ceramic fibers for photonic devices

Jianrong QIU（School of Optical Science andEngineering, Zhejiang University）
14:40-15:05
Invited
A3-I21-012
２次元酸化物ナノシートをベースとした新規電子材料 /New Electronic Materials Based on TwoDimensional Oxides

長田

実、佐々木

高義（物材機構MANA）

Minoru OSADA, Takayoshi SASAKI（MANA, NIMS）

15:05 〜 15:15 休憩

12 月 22 日（木）December 22（Thu.）
横浜情報文化センター Hall

午後の部
Afternoon Oral Session
Chair：‌Minoru OSADA（National Institute for Materials
Science）
15:15-15:30
A3-O21-013
プラズモニクス応用を目指した酸化インジウムスズ粒
子アレイの評価 / Periodic array of indium tin oxide
particle for plasmonics

鎌倉 涼介1）、村井 俊介1,2）、武石 智樹1）、藤田
田中 勝久1）（1）京都大学、2）JSTさきがけ）

晃司1）、

Ryosuke KAMAKURA1）, Shunsuke MURAI1,2）,
Tomoki TAKEISHI1）, Koji FUJITA1）,
Katsuhisa TANAKA1）（1）Kyoto University, 2）JSTPRESTO）
15:30-15:45
A3-O21-014
Chemical stability of Ba0.95La0.05SnO3 thin film inbase solution and its effect on light absorption

Zongquan GU1）, John BANIECKI2）, Hiroyuki ASO2）,
Takashi YAMAZAKI2）, Dan RICINSCHI2）,
Yoshihiko IMANAKA3）（1）Drexel University, 2）Fujitsu
Laboratory, 3）Tokyo Institute of Technology）
15:45-16:00
A3-O21-015
デカールプロセスを用いたペロブスカイト型酸化物エ
ピタキシャル薄膜のフレキシブル化 / Flexibilizationof Epitaxial Thin Films of Perovskite Type Oxide
by Using Decal Process

西川 博昭1）、與倉 三好2）、金子 智3）、遠藤 民生4）（1）近畿大学生物理工学部、2）三重大学大学院工学研究科、3）
神奈川県産業技術センター、4）岐阜大学工学部）
Hiroaki NISHIKAWA1）, Miyoshi YOKURA2）,
Satoru KANEKO3）, Tamio ENDO4）（1）Faculty ofBiology-Oriented Science and Technology, Kindai
University, 2）Graduate School of Engineering, Mie
University, 3）Kanagawa Industrial Technology Center,
4）
Faculty of Engineering, Gifu University）
16:00-16:15
A3-O21-016
プロトン伝導性ぺロブスカイト薄膜の高品位成膜 /High quality depositions of proton conductive
perovskite thin films

内山 潔1）、佐藤 智也2）、一ノ瀬 大地2）、舟窪（1）国立高専機構 鶴岡高専、2）東京工業大学）

浩2）

Kiyoshi UCHIYAMA1）, Tomoya SATO2）,
Daichi ICHINOSE2）, Hiroshi FUNAKUBO2）（1）National
Institute of Technology, Tsuruoka College, 2）Tokyo
Institute of Technology）

Yokohama Media & Communications Center Hall

午前の部
Morning Oral Session
Chair：‌Kiyoshi UCHIYAMA（National Institute ofTechnology, Tsuruoka College）
9:30-9:55
Invited
A3-I22-001
Bi系高温超伝導ウィスカーの育成と評価 / Growth andCharacterization of Bi-based High Temperature
Superconducting Whisker

田中 博美1）、山本 紗矢香1）、片岡 範行1）、松本 凌2,3）、
岸田 悟4）（1）米子工業高等専門学校、2）物質・材料研究機構、3）筑波大学、4）鳥取大学）
Hiromi TANAKA1）, Sayaka YAMAMOTO1）,
Noriyuki KATAOKA1）, Ryo MATSUMOTO2,3）,
Satoru KISHIDA4）（1）National Institute of Technology,
Yonago College, 2）National Institute for Materials
Science, 3）Tsukuba University, 4）Tottori University）
9:55-10:20
Invited
A3-I22-002
ペロブスカイト関連酸化物の誘電特性と磁気機能 /Dielectric and Magnetic Functionalities of Oxides
with Perovskite-related Structures

田中

勝久、藤田

晃司（京都大学大学院工学研究科）

Katsuhisa TANAKA, Koji FUJITA（Graduate Schoolof Engineering, Kyoto University）
10:20-10:45
Invited
A3-I22-003
AD法におけるセラミックス微粒子の常温衝撃固化現象/ Room Temperature Impact Consolidation（RTIC）
of Fine Ceramic Particles on Aerosol Deposition
Process

明渡

純（国立研究開発法人

産業技術総合研究所）

Jun AKEDO（National Institue of Advanced Industrial
Science 6 Technology）

10:45 〜 10:55 休憩

午前の部
Morning Oral Session
Chair：‌Hiromi TANAKA（National Institute ofTechnology, Yonago College）
10:55-11:10
A3-O22-004
切り紙手法を用いた磁束トランス応用のための4インチ
径シームレス高温超伝導ループ線の作製 / Preparationof 4-inch Bore HTS Seamless Loop Using Cutand-Wind Method on Coated Tape Conductor
Targeting Magnetic Flux Transformer Application

小森 和範1,2）、有沢 俊一1）、遠藤 和弘2）（1）国立研究開発法人物質・材料研究機構、2）金沢工業大学）
Kazunori KOMORI1,2）, Syun-ichi ARISAWA1）,
Kazuhiro ENDO2）（1）National Institute for Materials
Science, 2）Kanazawa Institute of Techology）
11:10-11:25
A3-O22-005
0.7BaTiO3-0.3Pr0.65Ca0.35MnO3コアシェルの物性 /Physical property of multiferroic 0.7BaTiO30.3Pr0.65Ca0.35MnO3 core shell.

柳沢 修実1）、藤本 隆士2）、北村 一浩3）（1）国立弓削
商船高等専門学校商船学科、2）国立弓削商船高等専門学
校電子機械工学科、3）愛知教育大学技術教育講座）
Osami YANAGISAWA1）, Takashi FUJIMOTO2）,
Kazuhiro KITAMURA3）（1）Maritime Technology
Department, National Institute of Technology, Yuge
College, 2）Electronic Mechanical Engineering
Department, National Institute of Technology, Yuge
College, 3）Technology Education Department, Aichi
University of Education）
11:25-11:40
A3-O22-006[（CaFeOx ）/（LaFeO3）]人工超格子の電気特性 /Electric Properties of [（CaFeOx ）/（LaFeO3）]
Artificial Superlattices

大橋 祥平1）、松山 裕貴1）、赤澤 孝徳1）、小山 智之1）、
渡部 雄太1）、王 春1）、張 琦1）、高瀬 浩一2）、
橋本 拓也2）、永田 知子1）、宋 華平1）、山本 寛1）、
岩田 展幸1）（1）日本大学理工学部、2）日本大学文理学部）
Shohei OHASHI1）, Hirotaka MATSUYAMA1）,
Takanori AKAZAWA1）, Tomoyuki KOYAMA1）,
Yuta WATABE1）, Chung WANG1）, Qi ZHANG1）,
Kouichi TAKASE2）, Takuya HASHIMOTO2）,
Tomoko NAGATA1）, Huaping SONG1）,
Hiroshi YAMAMOTO1）, Nobuyuki IWATA1）（1）Collegeof Science and Technology, Nihon University, 2）Collegeof Humanities and Sciences, Nihon University）
12 月 20 日（火）December 20（Tue.）
産業貿易センタービル Hall（1F）

INDUSTRY & TRADE CENTER Hall（1F）

ポスターセッション
Poster Session
16:00-18:00
A3-P20-001
Monolayer controlled deposition of ZnO thin films
by catalytic reaction-assisted chemical vapor
deposition

16:00-18:00
A3-P20-003
原料交互供給を用いた大気圧CVD法によるSnO2およびGa2O3ナノワイヤーの気相－液相－固相成長 / VaporLiquid-Solid Growth of SnO2 and Ga2O3
Nanowires by Atmospheric-pressure CVD Utiliing
Alternate Source Supply

寺迫 智昭1）、河野 幸輝2）、矢木 正和3）（1）愛媛大学
大学院理工学研究科、2）愛媛大学工学部、3）香川高等専
門学校）
Tomoaki TERASAKO1）, Kohki KOHNO2）,
Maakazu YAGI3）（1）Graduate School of Science andEngineering, Ehime University, 2）Faculty ofEngineering, Ehime University, 3）National Institute ofTechnology, Kagawa College）
16:00-18:00
A3-P20-004
溶液成長法によるCuOおよびCu2Oの選択成長とZnOナノロッドとのヘテロ接合作製 / Selective Growth of
CuO and Cu2O Films and Fabrication of Their
Heterojunctions with ZnO Nanorods by Chemical
Bath Deposition

寺迫 智昭1）、大西 航輝2）、岡田 英之2）、小原 翔平2）、
矢木 正和3）（1）愛媛大学大学院理工学研究科、2）愛媛大学工学部、3）香川高等専門学校）
Tomoaki TERASAKO1）, Kohki OHNISHI2）,
Hideyuki OKADA2）, Shohei OBARA2）,
Masakazu YAGI3）（1）Graduate School of Science andEngineering, Ehime University, 2）Faculty ofEngineering, Ehime University, 3）National Institute ofTechnology, Kagawa College）
16:00-18:00
A3-P20-005
機能性酸化窒化物材料ZnO-InN系（ZnInON）薄膜に関する研究 / Study on ZnO-InN（ZnInON）films as
the functional oxynitride materials

原 智彦、賈 軍軍、中村 新一、重里院大学大学院理工学研究科）

有三（青山学

Tomohiko HARA, Junjun JIA, Shinichi NAKAMURA,
Yuzo SHIGESATO（Graduate School of Science andEngineering, Aoyama Gakuin University）

Kanji YASUI（Nagaoka University of Technology）

16:00-18:00
A3-P20-006
Control of oxygen vacancy and carrier transportof highly n -type doped ZnO films

16:00-18:00
A3-P20-002
中間バンド型太陽電池応用のためのClドープZnTeOの成長 / Synthesis of Cl-doped ZnTeO for
Intermediate Band Solar Cells

Tetsuya YAMAMOTO1）, Minoru OSADA2）,
Junichi NOMOTO1）, Hisao MAKINO1）（1）ResearchInst, Kochi University of Technology, 2）MANA,
NIMS）

安井

寛治（長岡技術科学大学）

堤 修治1）、岡野 友紀1）、田中 徹1）、
斉藤 勝彦1）、郭 其新1）、西尾 光弘1）、Kin YU2）、Wladek WALUKIEWICZ3）（1）佐賀大学大学院工学系研
究科、2）香港城市大学、3）ローレンスバークレー国立研究所）
Shuji TSUTSUMI1）, Yuuki OKANO1）,
Tooru TANAKA1）, Katsuhiko SAITO1）, Qixin GUO1）,
Mitsuhiro NISHIO1）, Kin YU2）,
Wladek WALUKIEWICZ3）（1）Graduate School of
Science and Engineering, Saga Univerisity, 2）City
University of Hong Kong, 3）Lawrence Berkeley
National Laboratory）

16:00-18:00
A3-P20-007
低光学損失通信用プラズモニクス材料のためのガリウ
ム添加酸化亜鉛導電膜 / Low-optical loss
conductive Ga-doped ZnO films for plasmonics at
the telecommunication wavelength of 1.5 μ m

山本 哲也、野本
合研究所）

淳一、牧野

久雄（高知工科大学総Tetsuya YAMAMOTO, Junichi NOMOTO,
Hisao MAKINO（Research Inst, Kochi University ofTechnology）

16:00-18:00
A3-P20-008
様々な Al 量添加 ZnO 透明導電多結晶薄膜の配向秩序
及びキャリア輸送を改善するためのクリティカルレイヤー / Critical layer to improve the orientation
distribution and carrier transport of transparent
conductive Al-doped ZnO polycrystalline films
with various Al contents

野本 淳一1）、稲葉 克彦2）、小林 信太郎2）、
牧野 久雄1）、山本 哲也1）（1）高知工科大総研、2）株式会社リガク X 線研究所）

Toshiki SHIOMI1）, Yuuto HAGIHARA1）,
Satoru KISHIDA1,2）, Kentaro KINOSHITA1,2）（1）Graduate School of Engineering, University of
Tottori, 2）Tottori Integrated Frontier Research Center（TiFREC））
16:00-18:00
A3-P20-013
反応性スパッタ法を用いたニオブ、窒素ドーピングによるアナターゼTiO2薄膜の選択成長 / Selective
deposition of polycrystalline anatase TiO2 films byreactive sputtering with Nb or N dopings.

Junichi NOMOTO1）, Katsuhiko INABA2）,
Shintaro KOBAYASHI2）, Hisao MAKINO1）,
Tetsuya YAMAMOTO1）（1）Research Inst., Kochi
Univ. Tech., 2）X-Ray Res. Lab., Rigaku Corp.）

西山 碩芳1）、賈 軍軍1）、中村 新一1）、岡島 敏浩2）、
伊村 正明3）、金井 敏正3）、重里 有三1）（1）青山学院
大学理工学研究科、2）九州シンクロトロン光研究セン
ター、3）日本電気硝子株式会社）

16:00-18:00
A3-P20-009
ゲート絶縁膜にHigh-k SrZrO3を用いたInGaZnO薄膜
トランジスタの作製 / Fabrication of InGaZnO
Thin-Film Transistors using High-k SrZrO3 as
Gate Insulator

Hiroyoshi NISHIYAMA1）, Junjun JIA1）,
Shin-ichi NAKAMURA1）, Toshihiro OKAJIMA2）,
Masaaki IMURA3）, Toshimasa KANAI3）,
Yuzo SHIGESATO1）（1）Graduate School of Scienceand Engineering, Aoyama Gakuin University, 2）Kyushu
Synchrotron Light Research Center, 3）Thin Films
Division, Nippon Electric Glass Co., Ltd.,）

髙橋 崇典1）、及川 賢人2）、宮永 良子2）、宝賀 剛1）、
浦岡 行治2）、内山 潔1）（1）鶴岡工業高等専門学校、2）奈良先端科学技術大学院大学）
Takanori TAKAHASHI1）, Kento OIKAWA2）,
Ryoko MIYANAGA2）, Takeshi HOGA1）,
Yukiharu URAOKA2）, Kiyoshi UCHIYAMA1）（1）National Institute of Technology, Tsuruoka College,
2）
Nara Institute of Science and Technology）
16:00-18:00
A3-P20-010
X線回折を用いた成長初期段階のAlドープZnO薄膜の構造評価 / Structure Analysis on the Initial Stage of
Al-doped ZnO Polycrystalline Film Growth Using
X-ray Diffractometer小林 信太郎1）、稲葉 克彦2）、野本 淳一3）、
山本 哲也3）（1）株式会社リガク応用技術センター、2）株式会社リガクX線研究所、3）高知工科大学 総合研究所
マテリアルデザインセンター）
Shintaro KOBAYASHI1）, Katsuhiko INABA2）,
Junichi NOMOTO3）, Tetsuya YAMAMOTO3）（1）Application laboratories, Rigaku corp., 2）X-ray
Research Laboratory, Rigaku corp., 3）ResearchInstitute, Kochi University of Technology）
16:00-18:00
A3-P20-011
ペロブスカイトXTiO3における熱電特性へのひずみ効果/ Effects of strains on the thermoelectric
properties of crystals of type XTiO3

白井 光雲、西条 泰紹、山内
阪大学産業科学研究所）

邦彦、小口

多美夫（大

Koun SHIRAI, Hiroaki SAIJO, Kunihiko YAMAUCHI,
Tamil OGUCHI（ISIR, Osaka University）
16:00-18:00
A3-P20-012
Pt/Nb:SrTiO3ショットキー接合型メモリのリテンショ
ン特性 / Retention characteristics of Pt/Nb:SrTiO3
Schottky junction type memory

塩見 俊樹1）、萩原 祐仁1）、岸田 悟1,2）、木下 健太郎1,2）（1）鳥取大学大学院工学研究科、2）鳥取大学工学部附属先端融合研究センター）

16:00-18:00
A3-P20-014
成膜パラメータの調整あるいはSnドープを用いた反応性スパッタリングによるルチルTiO2薄膜の選択成長 /Selective deposition of polycrystalline rutile TiO2
films by reactive sputtering with controlling
deposition parameters or Sn-doping.

山本

晴香（青山学院大学大学院理工学研究科）

Haruka YAMAMOTO（Graduate School of Scienceand Engineering, Aoyama Gakuin University）
16:00-18:00
A3-P20-015
Ag and N co-doped TiO2 beads synthesized using
a microwave-assisted hydrothermal method

Wan-yu WU1）, Ying-jhai CHEN2）（1）Da-Yeh University,
MingDao University）

2）

16:00-18:00
A3-P20-016
ベルヌーイ法によるSrTiO3単結晶成長の最適化 /Some Optimization Aspects of the SrTiO3 Single
Crystal Growth by Verneuil Method

舘野 康史1,2）、バディカ ピーター 3）、有沢 俊一4）、
遠藤 和弘2）（1）フルウチ化学、2）金沢工業大学、3）国立材料物理研究所、4）国立研究開発法人 物質・材料研究機構）
Yasushi TATENO1,2）, Petre BADICA3）,
Shunichi ARISAWA4）, Kazuhiro ENDO2）（1）Furuuchi
Chemical Co., 2）Kanazawa Institute of Technology,3）
National Institute of Materials Physics, 4）National
Institute for Materials Science）
16:00-18:00
A3-P20-017
ECD法により作製されたFeOOH薄膜の硫黄アニールによるFe-S-O薄膜の作製 / Fabrication of Fe-S-O thinfilms by sulfur annealing of electrochemicallydeposited FeOOH films

牧

采佳、市村

正也（名古屋工業大学）

Sayaka MAKI, Masaya ICHIMURA（Nagoya Instituteof Technology）

16:00-18:00
A3-P20-018
Al/Graphene Oxide/Al Structural Resistive
Switching Memory with Different Oxygenated
Levels

16:00-18:00
A3-P20-024（100）Si基板直上へのHfO2系薄膜の成長 / Growth of
HfO2-based thin films directly on（100）Si
substrate高田藤村

Chun-chieh LIN, Shuo-wen TSAI, I-chen CHIU,
Shuo-kuei LEE（National Dong Hwa University）

Kenshi TAKADA, Daisuke KIRIYA,
Takeshi YOSHIMURA, Atsushi ASHIDA,
Norifumi FUJIMURA（Graduate School ofEngineering, University of Osaka Prefecture）

16:00-18:00
A3-P20-019
Cu/Graphene Oxide/Al Flexible Resistive
Switching Memory Device

Chun-chieh LIN, Shuo-wen TSAI, Shuo-kuei LEE,
I-chen CHIU（National Dong Hwa University）
16:00-18:00
A3-P20-020
ユニポーラパルスとインピーダンス制御法を用いた反応性スパッタによるn型及びp型SnOx薄膜の高速成膜 /High rate deposition of n-type and p-type SnOx
films deposited by reactive magnetron sputteringwith unipolar pulsing and impedance control
system.

数金 拓巳1）、賈 軍軍1）、中村 新一1）、
グロス ダニエル2）、重里 有三1）（1）青山学院大学大学
院理工学研究科、2）フラウンホーファ研究所）
Takumi SUGANE1）, Junjun JIA1）,
Shinichi NAKAMURA1）, Daniel GLOESS2）,
Yuzo SHIGESATO1）（1）Graduate school of Science andEngineering, Aoyama Gakuin University, 2）FraunhoferInstitut für Organische Elektronik, Elektronenstrahlund Plasmatechnik, GERMANY）
16:00-18:00
A3-P20-021
プラズマ発光制御を用いた反応性スパッタ法によるITO
透明導電膜の成膜 / Transparent conductive ITO
films deposited by reactive sputtering with plasma
emission feedback system
1）

1）

2）

1）

宮崎 裕介 、丸山 恵莉 、待永 広宣 、賈 軍軍 、
重里 有三1）（1）青山学院大学大学院 理工学研究科、2）日
東電工株式会社 基幹技術研究センター）
Yusuke MIYAZAKI1）, Eri MARUYAMA1）,Hironobu MACHINAGA2）, Junjun JIA1）,
Yuzo SHIGESATO1）（1）Graduate School of Scienceand Engineering Aoyama Gakuin University, 2）Core
Technology Research Center, Nitto Denko
Corporation）
16:00-18:00
A3-P20-022
水溶液からのAlOxの作製 / Synthesis of AlOx from
aqueous solutioin

高田

直也、安部

功二、南谷

勇樹（名古屋工業大学）

Naoya TAKADA, Koji ABE, Yuuki NANYA（Nagoya
Institute of technology）
16:00-18:00
A3-P20-023
反応性プラズマ蒸着法によるITO薄膜の成長および電気的特性を決定する飛来粒子の特徴 / Characteristics ofincident particle flux determining growth rates
and electrical properties of indium tin oxide films
deposited by ion-plating with dc arc discharge

北見 尚久、酒見
式会社）

俊之、青木

賢志、桐谷 乃輔、吉村 武、芦田 淳、
紀文（大阪府立大学大学院工学研究科）

康（住友重機械工業株

Hisashi KITAMI, Toshiyuki SAKEMI, Yasushi AOKI（Sumitomo Heavy Industries, Ltd.）

16:00-18:00
A3-P20-025
ミストCVD法によるGaN（0001）テンプレート基板上に成長した六方晶ε-Ga2O3 / Hexagonal phase-pureε-Ga2O3 films grown on GaN（0001）templates
by mist chemical vapor deposition

田原 大祐、西中 浩之、吉本学 電子システム工学専攻）

昌広（京都工芸繊維大Daisuke TAHARA, Hiroyuki NISHINAKA,
Masahiro YOSHIMOTO（Department of Electronics,
Kyoto Institute of Technology）
16:00-18:00
A3-P20-026
噴霧熱分解法による酸化物および金属粒子の調製および粉体特性 / Preparation and Characterization of
Oxide and Metal Particles by Spray Pyrolysis

小寺 喬之1）、荻原 隆2）（1）鶴岡工業高等専門学校、2）大研化学製造販売株式会社）
Takayuki KODERA1）, Takashi OGIHARA2）（1）National
Institute of Technology, Tsuruoka College, 2）Daiken
Chemical Sales & Mfg. Co., Ltd.）12 月 21 日（水）December 21（Wed.）
産業貿易センタービル Hall（1F）

INDUSTRY & TRADE CENTER Hall（1F）

ポスターセッション
Poster Session
16:00-18:00
A3-P21-001
CaFeOx / LaFeO3人工超格子の磁気特性 / Magnetic
properties of CaFeOx / LaFeO3 superlattices

小山 智之、大橋 祥平、松山 裕貴、渡部 雄太、王 春、張 琦、赤澤 孝徳、宋 華平、永田 知子、
山本 寛、岩田 展幸（日本大学理工学部）
Tomoyuki KOYAMA, Shohei OHASHI,
Hirotaka MATSUYAMA, Yuta WATABE,
Chun WANG, Qi ZHANG, Takanori AKAZAWA,
Huaping SONG, Tomoko NAGATA,
Hiroshi YAMAMOTO, Nobuyuki IWATA（College of
Science and Technology, Nihon University）
16:00-18:00
A3-P21-002
YAlO3（001）基板上におけるCo/Pt/r -Oriented
Cr2O3/Ca1-xCexMnO3積層膜の電気的磁気的測定 /Magnetic and Electric Properties of Co/Pt/r -Oriented Cr2O3/Ca1-xCexMnO3 Multilayer Grown
on YAlO3（001）Substrate

橋本 浩佑、隅田 貴士、福井 慎二郎、平戸 剛志、
柳原 康宏、王 春、赤澤 孝徳、小山 智之、Qi ZHANG、
Huaping HUAPING、
永田 知子、
山本 寛、
岩田 展幸（日本大学理工学部）
Kousuke HASHIMOTO, Takashi SUMIDA,
Shinjirou FUKUI, Tsuyoshi HIRATO,
Yasuhiro YANAGIHARA, Chun WANG,
Takanori AKAZAWA, Tomoyuki KOYAMA,
Qi ZHANG, Huaping HUAPING, Tomoko NAGATA,
Hiroshi YAMAMOTO, Nobuyuki IWATA（College of
Science & Technology, Nihon University）
16:00-18:00
A3-P21-003
Co/Pt/r 面配向Cr2O3積層膜における交換バイアス磁場の異常ホール効果測定 / Exchange Bias Field andAnomalous Hall Effect of Co/Pt/ r -Oriented Cr2O3
Multilayer

隅田 貴士、平戸 剛志、橋本 浩佑、福井 慎二郎、
柳原 康宏、永田 知子、山本 寛、岩田 展幸（日本
大学理工学部）
Takashi SUMIDA, Tsuyoshi HIRATO,
Kosuke HASHIMOTO, Shinjiro FUKUI,
Yasuhiro YANAGIHARA, Tomoko NAGATA,
Hiroshi YAMAMOTO, Nobuyuki IWATA（College of
Science & Technology, Nihon University）
16:00-18:00
A3-P21-004
Co/Pt/r 面配向 Cr2O3/Ca1-xCexMnO3/YAlO3（001）の作製 / Preparation of Co/Pt/r -oriented Cr2O3/
Ca1-xCexMnO3 multilayer grown on YAlO3（001）substrate

平戸 剛志、橋本 浩佑、隅田 貴士、福井 慎二郎、
柳原 康宏、王 春、赤澤 孝徳、小山 智之、張 琦、
宋 華平、永田 知子、山本 寛、岩田 展幸（日本大学理工学部）
Tsuyoshi HIRATO, Kosuke HASHIMOTO,
Takashi SUMIDA, Shinjiro FUKUI,
Yasuhiro YANAGIHARA, Chun WANG,
Takanori AKAZAWA, Tomoyuki KOYAMA,
Qi ZHANG, Huaping SONG, Tomoko NAGATA,
Hiroshi YAMAMOTO, Nobuyuki IWATA（College of
Science & Technology, Nihon University）
16:00-18:00
A3-P21-005
スパッタ法によるCr2O3/Fe2O3,（Cr1-xFex）2O3薄膜の作製 / Fabrication of Cr2O3/Fe2O3 and（Cr1-xFex）2O3 Films by Sputtering Method

福井 慎二郎、隅田 貴士、橋本 浩佑、平戸 剛志、
柳原 康宏、永田 知子、山本 寛、岩田 展幸（日本
大学理工学部）
Shinjiro FUKUI, Takashi SUMIDA,
Kosuke HASHIMOTO, Tsuyoshi HIRATO,
Yasuhiro YANAGIHARA, Tomoko NAGATA,
Hiroshi YAMAMOTO, Nobuyuki IWATA（College of
Science and Technology, Nihon University）
16:00-18:00
A3-P21-006
SrTiO3（001）及びLaAlO3（001）基板を用いた
CaFeO3/LaFeO3の作製 / Preparation of CaFeO3/
LaFeO3 Hetero-interface on SrTiO3（001）and
LaAlO3（001）Substrates

赤澤 孝徳、小山 智之、松山 裕貴、大橋 祥平、王 春、張 琦、渡部 雄太、宋 華平、永田 知子、
山本 寛、岩田 展幸（日本大学理工学部）

Takanori AKAZAWA, Tomoyuki KOYAMA,
Hirotaka MATSUYAMA, Shohei OHASHI,
Chun WANG, Qi ZHANG, Yuta WATABE,
Huaping SONG, Tomoko NAGATA,
Hiroshi YAMAMOTO, Nobuyuki IWATA（College of
Science & Technology, Nihon University）
16:00-18:00
A3-P21-007
パルスレーザー堆積法によるBiFeO3、BiFe1-x MnxO3及び人工超格子の電気的磁気的特性 / Magnetic andElectric Properties of BiFeO3 and BiFe1-x MnxO3
Films Related Superlattices Grown by Pulsed
Laser Deposition method

松山 裕貴1）、王 春1）、大橋 祥平1）、小山 智之1）、
赤澤 孝徳1）、張 琦1）、宋 華平1）、渡部 雄太1）、
永田 知子1）、高瀬 浩一1）、橋本 拓也2）、山本 寛1）、
岩田 展幸1）（1）日本大学理工学部、2）日本大学文理学部）
Hirotaka MATSUYAMA1）, Chun WANG1）,
Shohei OHASHI1）, Tomoyuki KOYAMA1）,
Takanori AKAZAWA1）, Qi ZHANG1）,
Huaping SONG1）, Yuta WATABE1）,
Tomoko NAGATA1）, Kouichi TAKASE1）,
Takuya HASHIMOTO2）, Hiroshi YAMAMOTO1）,
Nobuyuki IWATA1）（1）College of Science andTechnology, Nihon University, 2）College of Humanities
and Sciences, Nihon University）
16:00-18:00
A3-P21-008
NiFe2O4 Thin Films Prepared by MOD Method forMagneto-plasmonic Effect

梶田

匠、芦澤

好人、中川

活二（日本大学理工学部）

Takumi KAJITA, Yoshito ASHIZAWA,
Katsuji NAKAGAWA（College of Science andTechnology, Nihon University）
16:00-18:00
A3-P21-009
急速昇温熱処理によるナノ構造上孤立FePt微粒子形成におけるシリカ粒径分散依存性 / Silica Particle
Diameter Deviation Dependency of Isolated FePt
Grains on Nano Structure fabricated by Rapid
Thermal Annealing

牧野 哲也1）、塚本
科、2）日本大学）

新2）（1）日本大学大学院理工学研究

Tetsuya MAKINO1）, Arata TSUKAMOTO2）（1）Graduate School of Science and Technology, Nihon
Univ., 2）College of Science and Technology, Nihon
Univ.）
16:00-18:00
A3-P21-010
ペチーニ法で作製したBi過剰なBi1+x FeO3ターゲットを用いたBiFeO3の作製 / Growth of BiFeO3 Films
Using Bi Excess Bi1+x FeO3 Target Prepared by
Pechini Mehod王 春1）、張 琦1）、大橋 祥平1）、松山 裕貴1）、
小山 智之1）、赤澤 孝徳1）、宋 華平1）、渡部 雄太1）、
永田 知子1）、高瀬 浩一1）、高橋 拓也2）、山本 寛1）、
岩田 展幸1）（1）日本大学理工学部、2）日本大学文理学部）
Chun WANG1）, Qi ZHANG1）, Shohei OHASHI1）,
Hirotaka MATSUYAMA1）, Tomoyuki KOYAMA1）,
Takanori AKAZAWA1）, Huaping SONG1）,
Yuta WATABE1）, Tomoko NAGATA1）,
Kouichi TAKASE1）, Takuya TAKAHASHI2）,
Hiroshi YAMAMOTO1）, Nobuyuki IWATA1）（1）Collegeof Science and Technology, Nihon University, 2）Collegeof Humanities and Sciences, Nihon University）

16:00-18:00
A3-P21-011
電子型強誘電体YbFe2O4薄膜の結晶構造と化学当量性 /Crystal Structure and Stoichiometry of Electronic
Ferroelectric, YbFe2O4 Film永田
岩田

知子、渡部 雄太、王 春、小山
展幸（日本大学理工学部）

智之、山本

寛、

16:00-18:00
A3-P21-016
リチウムイオン電池負極への応用に向けた酸化鉄含有
カーボンナノファイバーへの炭化温度とプレス工程の影響 / Influence of carbonization temperature andpress process on iron oxide/ carbon composite
nanofibers for anode materials of lithium ion
battery

Tomoko NAGATA, Yuta WATABE, Chun WANG,
Tomoyuki KOYAMA, Hiroshi YAMAMOTO,
Nobuyuki IWATA（CST, Nihon University）
16:00-18:00
A3-P21-012
ZnO/glass上へのVO2薄膜低温成長と転移特性評価 /Low temperature growth of VO2 films on ZnO/
glass and their transition properties

佐藤 賢太1）、星野 寛明1）、
ミヤ モハメッド シュルズ2）、沖村 邦雄1）（1）東海大学大学院工学研究科、2）東海大学大学院総合理工学研究科）
Kenta SATO1）, Hiroaki HOSHINO1）,
Md. suruz MIAN2）, Kunio OKIMURA1）（1）Graduate
School of Engineering, Tokai University, 2）Graduate
School of Science and Engineering, Tokai University）
16:00-18:00
A3-P21-013
酸化チタン多孔膜を用いた3次元蓄電池の作製 /Fabrication of a three-dimensional battery usinga mesoporous titanium dioxide film

野見山 輝明、有馬 綾一、有満 智行、税所 健、
堀江 雄二（鹿児島大学大学院 理工学研究科）
Teruaki NOMIYAMA, Ryoich ARIMA,
Tomoyuki ARIMITSU, Takeru SAISHO, Yuji HORIE（Graduate School of Science and Engineering,Kagoshima Univ.）
16:00-18:00
A3-P21-014
遷移領域におけるプラズマ発光制御法を用いた反応性
スパッタ法による酸化ニオブ薄膜の成膜 / Depositionof Niobium Oxide films by reactive sputtering withthe plasma emission feedback system in thetransition region
1）

1）

1）

Keisuke TAKAHASHI1）, Jyunichiro ABE1）,
Koki KAWASE1）, Issei TAKENAKA1）,
Yuta KOBAYASHI2）, Seimei SHIRATORI1,2）（1）Graduate School of Science and Technology, Keio
University, 2）Faculty of Science and Technology, Keio
University）

2）

齋藤 真衣 、賈 軍軍 、中村 新一 、待永 広宣 、
グロス ダニエル3）、重里 有三1）（1）青山学院大学大学
院 理工学研究科、2）日東電工株式会社、3）フランホーファ研究所）Mai SAITO1）, Junjun JIA1）, Shinichi NAKAMURA1）,
Hironobu MACHINAGA2）, Daniel GLOESS3）,
Yuzo SHIGESATO1）（1）Graduate School of Scienceand Engineering, Aoyama Gakuin University, 2）Core
Technology Research Center, Nitto Denko
Corporation, 3）Fraunhofer-Institut für Organische
Elektronik, Elektronenstrahl- und Plasmatechnik（FEP））
16:00-18:00
A3-P21-015
リチウムイオン電池負極の高容量化に向けた水熱合成法によるカーボンナノファイバへの酸化スズ修飾 /Hydrothermal Synthesis of SnO2 on Carbon
Nanofiber for High-Capacity Anode Material for
Lithium-Ion Batteries

高橋 圭佑1）、阿部 純一郎1）、河瀨 滉貴1）、
竹中 一生1）、小林 勇太2）、白鳥 世明1,2）（1）慶應義塾大学大学院理工学研究科、2）慶應義塾大学理工学部）

川瀬 滉貴、阿部大学院）

純一郎、白鳥世明（慶應義塾大学

Koki KAWASE, Jyunichiro ABE, Seimei SHIRATORI（Graduate School of Science and Technology, Keio
University）
16:00-18:00
A3-P21-017
パワーエレクトロニクス応用を目指したMOCVD法によるBi系酸化 物超伝導体のc 軸及び非c 軸配向膜の作製/ Preparation of c -Axis and Non-c -Axis Oriented
Thin Films of Bi-based Oxide Superconductor by
MOCVD Targeting Power Electronics Application

河合 伸哉1）、土屋 哲男2）、有沢 俊一3）、舘野 康史4）、
露本 伊佐男1）、Petre BADICA5）、遠藤 和弘1）（1）金沢工業大学大学、2）国立研究開発法人産業技術総合研究所、3）国立研究開発法人物質・材料研究機構、4）フルウ
チ化学株式会社、5）国立材料物理研究所）
Shinya KAWAI1）, Tetsuo TSUCHIYA2）,
Syunichi ARISAWA3）, Yasufumi TATENO4）,
Isao TSUYUMOTO1）, Petre BADICA5）,
Kazuhiro ENDO1）（1）Kanazawa Institute ofTechnology, 2）National Institute of Advanced
Industrial Science and Technology, 3）National Institutefor Materials Science, 4）Furuuchi Chemical company,
5）
National Institute of Materials Physics）
16:00-18:00
A3-P21-018
大気開放型CVD法を用いた単結晶MgO上での酸化スト
ロンチウム膜のヘテロエピタキシャル成長の試み /Attempt to hetero-epitaxial growth of strontiumoxide films on single crystalline magnesia
substrate by atmospheric chemical vapor
deposition

小松 啓志、齋藤学専攻）

秀俊（長岡技術科学大学物質材料工Keiji KOMATSU, Hidetoshi SAITOH（Dept. ofMaterials Science and Technology, Nagaoka
Univeristy of Technology）
16:00-18:00
A3-P21-019
Characteristics of Manganese Dioxide
Nanostructure Synthesized by Microwaveassisted Hydrothermal Method

Wan-yu WU1）, Chia-jung TU2）, Zu-chen HAUNG3）,
Pin-hung LEE4）（1）Da-Yeh University, 2）National
Changhua University of Education, 3）National Formosa
University, 4）Mingdao University）

16:00-18:00
A3-P21-020
多孔質LaNiO3薄膜のSrZr0.8Y0.2O3-δ 上への作製とその高温湿潤雰囲気中における化学的安定性 / Fabricationof Porous LaNiO3 Thin-film on SrZr0.8Y0.2O3-δ and
Its Chemical Stability on High Temperature and
Humidified Atmosphere

熊谷 佳郎、内山
ステム工学専攻）

潔（鶴岡工業高等専門学校 生産シ

Yoshiro KUMAGAI, Kiyoshi UCHIYAMA（Department of Advanced Engineering, National
Institute of Technology, Tsuruoka Collage）

功刀 千香、近田
梨大学）

司、上野

慎太郎、和田智志（山Chika KUNUGI, Tsukasa CHIKATA, Shintaro UENO,
Satoshi WADA（University of Yamanashi）

16:00-18:00
A3-P21-021
プロトン伝導性酸化物薄膜のイットリウムドープ量依
存性評価 / Evaluation of dependence on protonconductive oxide thin films with doping amount of
Yttrium山口 雅仁1）、佐藤 智也2）、井上 貴明1）、内山（1）鶴岡工業高等専門学校、2）東京工業大学）

16:00-18:00
A3-P21-025
酸化ニオブ前駆体粒子におけるマイクロ波加熱ソルボ
サーマル合成ニオブ酸ナトリウムナノキューブの形状
依存 / Dependence of Size and Shape of Sodium
Niobate Nanocubes via Microwave-Assisted
Solvothermal Synthesis on Niobium-Oxide
Precursor Particle Size

潔1）

Masahito YAMAHUCHI1）, Tomoya SATO2）,
Takaaki INOUE1）, Kiyoshi UCHIYAMA1）（1）National
Institute of Technology, Tsuruoka College, 2）Tokyo
Institute of Technology）
16:00-18:00
A3-P21-022
Pdメッキした多孔質ステンレス基板とプロトン伝導性
酸化物薄膜電解質を用いた中温作動型SOFCの作製 /Fabrication of Intermediate-Temperature Solid
Oxide Fuel Cells using Thin Film Electrolyte ofProton-Conductive Oxide deposited on a Pdplated Porous Stainless-Steel井上 貴明1）、佐藤 智也2）、熊谷 佳郎1）、山口 雅仁1）、
内山 潔1）（1）鶴岡工業高等専門学校、2）東京工業大学）
Takaaki INOUE1）, Tomoya SATO2）,
Yoshiro KUMAGAI1）, Masahito YAMAGUCHI1）,
Kiyoshi UCHIYAMA1）（1）National Institute ofTechnology, Tsuruoka College, 2）Tokyo Institute ofTechnology）
16:00-18:00
A3-P21-023
Synthesis and Luminescence Properties of RedEmitting Pr3+-activated Y2Ti2O7

Jie CHEN, Hongbin LIANG（School of Chemistry andChemical Engineering, Sun Yat-sen University,
Guangzhou）
16:00-18:00
A3-P21-024
Co 2p 共鳴X線非弾性散乱を用いたLaCoO3のCo 3d 状態の研究 / Co 3d state of LaCoO3 studied by Co
2p resonant inelastic x-ray scattering

田口 幸広1）、柏木 謙吾1）、川又 修一1）、魚住 孝幸1）、
三村 功次郎1）、播木 敦2）、宮脇 淳3）、原田 慈久3）（1）大阪府立大学大学院工学研究科、2）チェコ科学アカデ
ミー、3）東京大学物性研究所）
Yukihiro TAGUCHI1）, Kengo KASHIWAGI1）,
Shuichi KAWAMATA1）, Takayuki UOZUMI1）,
Kojiro MIMURA1）, Atsushi HARIKI2）,
Jun MIYAWAKI3）, Yoshihisa HARADA3）（1）Graduate
School of Engineering, Osaka Prefecture University,
2）
Institute of Physics, Academy of Sciences of the
Czech Republic, 3）The Institute for Solid State Physics,
The University of Tokyo）