本記事は , 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 技術スタッフ表彰について紹介するものです .

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム 平成 29 年度技術スタッフ表彰 優秀技術賞

原子分解能 STEM-EDS マッピングによる原子カラムの可視化受賞者 東京大学 微細構造解析プラットフォーム 熊本 明仁氏に聞く
文部科学省ナノテクノロジープラット
フォーム事業は，37 の研究機関が全国の産学官の研究者に対して，1000 を超える最先端のナノテクノロジー設備の利用機会を提供し，イノベーションにつながる研究成果の創出を目指している．最先端の研究設備の有効利用は，設備の特徴を熟知して整備し，利用技術を高め，利用者に使用のノウハウを提供する技術スタッフの存在によって可能となる．このため，ナノテクノロジープラットフォー
ム（NPJ）は平成 26 年度から，特に優れた支援を行った技術スタッフを 3 つの賞（優秀技術賞，技術支援貢献賞，若手技術奨励賞）で表彰してきた．平成 29 年度

支援に用いた電子顕微鏡の前の熊本氏と記念バッジの優秀技術賞は，東京大学微細構造解析

プラットフォームの，同大学 大学院工学系研究科 総合研究機構 ナノ工学研究センター 主任研究員 熊本 明仁（くまもと あきひと）氏に贈られた [1]．受賞テーマは「原子分解能 STEM-EDS マッピングによる原子カラムの可視化」であった．そこで，東京大学浅野キャンパスを訪ね，受賞した技術の内容，支援の状況，研究成果などを伺った．

査電子顕微鏡），FIB（集束イオンビーム装置），試料作製

１．多彩な電子顕微鏡を供用する東京大学微細構造解析プラットフォーム [2]装置に大別される．東京大学において本事業で活用して東京大学微細構造解析プラットフォームは，最先端電段右の 4 台は球面収差補正装置を搭載したもので，この子顕微鏡による原子構造解析や軽元素観察，多機能・高いる TEM/STEM は 12 台あり，それぞれの各名称に表されているような特徴や用途を持っている（図 1）[3]．上中の 2 台が熊本氏の担当となっている．

性能 X 線回折装置による結晶構造解析，ナノ・二次イオン質量分析による高分解能微量元素分析を中心に各種の分析手段を提供する．学内組織上は，同大学大学院工学

２．利用した装置：環境対応型超高分解能走査透過型電子顕微鏡の開発

系研究科総合研究機構 ナノ工学研究センター・先端ナノ計測センターとして，無機材料原子構造計測／電子状態計測／微量元素計測／有機材料・バイオ材料構造計測／低炭素材料・デバイス物性構造計測の 5 つの計測部門を設置することにより，基盤技術の構築や分析技術の向上に取り組み，供用の支援を行っている．

２．１

電子顕微鏡による原子配列直接観察

電子顕微鏡は，電子線を試料に入射し，試料により透過・散乱された電子を用いて微細な構造を拡大し観察する手

本稿の STEM-EDS マッピングは無機材料原子構造計測法である．光に比べて波長は著しく短いため，光学顕微部門の設備で行われた．この部門の主要設備は，TEM/鏡の回折限界を超えた微細な構造を観察できる．電子顕STEM（透過電子顕微鏡／走査透過電子顕微鏡），SEM（走微鏡によってナノ構造が直接観察できるようになったこ

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平成 29 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（優秀技術賞）-1

図1

東京大学 微細構造解析プラットフォーム 無機材料原子構造計測部門の透過電子顕微鏡とにより，ナノテクノロジー研究・開発が大きく進展しきない．一方，STEM の高い空間分解能を維持したまま，ている．電子顕微鏡開発の歴史的経緯を概観すれば，ま電子線を照射した位置から発生する特性 X 線を図 2 にず試料を透過した電子線を用いて結像する透過電子顕微示すようなシリコンドリフト検出器（SDD，Silicon Drift鏡（TEM，Transmission Electron Microscope）が開発され，Detector）により検出・分析するエネルギー分散型 X 線

次いで電子線を走査し，各電子プローブ位置から放射され分光（EDS，Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）を併る二次電子を検出し，試料の表面構造を観察する走査型用することにより，原子カラム（原子列）ごとの元素分電子顕微鏡（SEM，Scanning Electron Microscope）が開析が可能になっている．

発された．現在，測長 SEM は LSI 製造工程内の検査機器として欠かせない計測手法となっている．さらに，電子線を走査し，試料上の各照射位置で透過・散乱された電子を検出し，像を形成する走査型透過電子顕微鏡（STEM，Scanning Transmission Electron Microscope）も開発されている（図 2）．この手法の分解能は電子プローブのサイズに依存するが，電子線を集束させる電子レンズの球面収差により，その空間分解能は長年大きく制限されていた．これに対し，20 世紀終わりに非対称磁界レンズを用いた球面収差補正装置（Aberration corrector）が開発され，原子分解能 STEM 観察が大きく進展した．その経緯や歴史については他を参照されたい [4]．現在，一般的なSTEM においては，試料を透過・散乱した電子線を環状明視野（ABF，Annular Bright Field）検出器や円環状の高角散乱暗視野（HAADF，High Angle Annular Field）検出器で検出して，像を形成する．
上述の STEM 像からは原子位置と原子番号の大小を判別することは可能であるが，元素種を識別することはで

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図2

STEM の概略図

平成 29 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（優秀技術賞）-2

２．
２

トした EDS スペクトルでは Co と Cu がはっきりと区別でSTEM-EDS による構造解析例

きる．そこで，HAADF STEM 像による原子カラム観察とSTEM-EDS による構造解析例として，熊本氏らが東京大

EDS 元素マップを重ね合わせることで，HAADF STEM 像学の丸山教授らのグループと共同で行った垂直配向（VA，に元素分布情報を付与したものが図 3 の右図である．緑

Vertically Aligned）単層カーボンナノチューブ（SWCNT，色の領域が Cu，紫色の領域が Co に対応する．同じ fcc 構

Single Wall Carbon Nano Tube）の合成に用いる Co-Cu 系造の金属微粒子においても Co と Cu は互いに固溶しない

金属触媒粒子の構造解析を紹介する [5]．Co/Cu 金属触媒

ため，Co と Cu は相分離しつつ共存している．Co が Cuを用いて石英基板にアルコールからの CVD（化学気相蒸に繋ぎ止められているため，触媒が凝集することなく，着）で SWCNT を成長させると，成長温度 800℃で直径Co 単体の触媒性能を維持していることが分かった．

1nm，650℃では 0.75nm の SWCNT が得られ，それぞれ

このように，HAADF STEM 像だけでは元素識別が困難

1.1eV，1.25eV のバンドギャップを示した．SWCNT は直な系においても，EDS と組み合わせることにより，超高径を小さくすることで，より大きなバンドギャップが得分解能で元素マッピングを行うことが可能である．

られる．このことから，VA-SWCNT の構造を制御することでシリコンに代わる太陽電池デバイスなどへの応用の可能性を切り拓くものと期待されている．一般的に，良質な結晶成長を行うために CVD での成長温度を高くする

２．３ 原子分解能電子顕微鏡による軽元素原子コラムイメージングと，SWCNT の直径も著しく増大する．しかし，Co-Cu 系

HAADF 法では，Z が大きく，電子散乱能の大きい重金属触媒粒子では，650℃から 800℃までの成長温度で元素の信号が支配的であるため，重元素と軽元素が混直径 1nm 以下を維持しており，そのメカニズムの解明の在 す る 複 合 酸 化 物 等 で は，Z の 小 さ い 炭 素（C）， 酸 素

ため STEM-EDS により触媒金属の構造解析を行った．

（O），窒素（N）などの可視化は困難なことが多い．一方，

図 3 左の HAADF STEM 像ではシリカ膜上に堆積した金STEM の明視野像は，TEM と類似するコントラストが得属微粒子の分布がわかる．電子線の高角散乱は原子番号られ，軽元素と重元素のコントラスト差は HAADF より小2Z に強く依存し，HAADF 像のコントラストは約 Z に比例さい．そこで，ABF 法による軽元素原子直接観察法が開する．Co と Cu の原子番号 Z は，27 と 29 で近いため，発された．[6][7]

HAADF 像では両者の識別は難しい．しかし，図中央の，強誘電体材料のチタン酸バリウム BaTiO3 の STEM 観察

Co，Cu の特性 X 線の強度をそのエネルギーに対してプロッを行うと，図 4（左）に示すように HAADF 法では重い元

図3

STEM-EDS マッピングによる Co-Cu 系金属触媒微粒子の構造解析結果

図4

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ABF 法による BaTiO3 中の軽元素（O）の可視化

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素である Ba と Ti が像中の輝点として観察できる．一方，高レベルの分析電子顕微鏡（HAADF STEM の保証分解

ABF 法では軽い元素である O が像中の暗点として観察で能 0.10nm）を実現している．冷陰極電界放出形電子銃

きている（図 4（右））．さらに，EDS における特性 X 線（Cold-FEG）を搭載し，最高加速電圧は 200kV である．

検出には，従来の Si(Li) 検出器よりも検出面積の大きなSDD を用いることにより , 高い検出効率を実現でき，超高感度・高効率な X 線検出・分光が可能になった．これらの技術開発は，東京大学と日本電子により共同で進められ，EDS 検出器として素子面積が 100mm2 の SDD を 2 つ搭載したモデルが東京大学微細構造解析プラットフォー
ムに設置されている（図 5）．

３．開発した技術：原子分解能分析イメー
ジングの基礎技術 [8]優秀技術賞の対象となった原子分解能分析イメージン
グの基礎技術の第一は，前節に述べた，原子分解能イメー

この装置は，照射系球面収差補正装置を標準搭載し，ジングを組み合わせた STEM-EDS マッピングによる軽元機械的・電気的安定度を極限まで高めることで，世界最素から重元素までの全元素の可視化である．これに加えて，電子線照射による試料ダメージと像質劣化の問題を避けるため，弱電流プローブによる走査を原子分解能で数千から数万回積算するマッピング法を開発し，観察対象とする物質のバリエーションを広げることができた．
STEM 法では，これまで弱電流プローブの高速スキャンを複数回行うことにより，同じ構造像として得られた信号を重ね合わせ，平均化することで分解能や，像質を上げる手法が用いられてきたが，これにヒントを得て，さらに EDS を組み合わせたものが本技術である．
軽元素構造は電子線照射によって構造変化を起こしやすい．構造変化を少なくしようとプローブ電流を下げると EDS の信号が小さくなり，ノイズに埋もれてしまう．
そこで電子プローブを 5 × 5nm2 の試料上で高速かつ連続的に走査し，X 線検出信号を画像ピクセルごとに蓄積する．電子線照射時間は 1 分以内として電子プローブが局所領域に長時間滞在することを避ける．また，ソフト
ウェア制御により 4 秒以内の間隔で試料のドリフト補正

図5

環境対応型超高分解能走査透過型電子顕微鏡

図6を行った．実験で取得したデータは 2 次元の強度分布を

BaTiO3 において積算マッピングにより S/N の良い EDS 画像取得

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図7

AlN 単結晶の原子分解能 STEM-EDS マップ表示するデータキューブとなる．これには結晶の単位格ける接合機構の解明を紹介する．パワーモジュールは自子が複数含まれるため，単位格子 4 つで分割されたデー

動車のモーター駆動，自然エネルギーの電力変換などにタキューブについて，ピクセル当たりの X 線カウントを需要と重要性が増している．この課題は，微細構造解析積算することにより高 S/N（信号対ノイズ比）のマップ

プラットフォームを利用して頂いている三菱マテリアルを形成できる．

株式会社からの依頼であった．同社は，パワーモジュー

図 6 に，BaTiO3 に対して積算マッピングした高 S/Nル用の絶縁基板として DBA（Direct Bonded Aluminum）

STEM-EDS マップの取得例を示す．図左上の，約 4000

基板を製造販売しているが，Al/AlN/Al の積層構造の DBA回スキャンして得られたスペクトルイメージ（4D データ

基板において，金属 Al と絶縁体となる AlN セラミックキューブ）について，同時取得した STEM 像の結晶周期スとの接合はこの基板の信頼性を左右するキーテクノ構造に基づいて 64 分割し（図 6 右上），それらを合算さロジーである [9][10]．図 8 は代表的なパワーモジューせることで，26 万回スキャンして得たことに相当する高ルの断面構造模式図で，Si IGBT（Insulated Gate Bipoar

感度 EDS データを生成する．この高感度 EDS データからTransistor）などのパワーデバイス（図中は Si device）が，各元素の X 線ピーク分離マップを形成することにより，DBA 基板を介して放熱板に半田付けされ，放熱板は冷却

金属元素の Ba，Ti とともに軽元素である酸素原子カラム器に接続して構成されている．

までも明瞭に可視化できた（図 6 右下）．

DBA 基板は長年にわたって使われていたが，なぜパワー

図 7 は，本手法を AlN 単結晶へ適用した例である．左デバイスの発熱があっても長期にわたって良質な積層界上に結晶構造モデルが示されているが，STEM によって得面が維持されるのか，その詳細なメカニズムは不明であっられた原子配置のイメージに，右の Al と N の EDS スペた．そこで DBA 基板中の Al/AlN 界面における原子レベクトル情報を重ねて，緑の N 格子，赤の Al 格子の原子マッ

ルの構造解析を行い，接合のメカニズム解明に挑戦する

プができる．これを重ね，左下の軽元素を含む EDS マッことになった．

プが出来上がる．

４．支援の成果：軽元素複合材料の局所構造解析への応用 [1][8]４．
１

構造解析の対象はパワーモジュール基板

軽元素 STEM-EDS マッピングの複合材料局所構造解析への応用例として，パワーモジュール用の絶縁基板におNanotechJapan Bulletin Vol. 11, No. 2, 2018

図8文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

Al/AlN/Al DBA 基板適用例

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４．２ 金属 / セラミック接合パワーモジュール基板の局所構造解析

この遷移構造が安定に存在するものかどうかを確かめる

三菱マテリアルに接合プロセスを教えてもらうと，図今度は先ほどの遷移構造が界面のほぼ全域にわたって明9 に示すように，接合部に Al と共晶（Eutectic）反応を示

瞭に観察され，この構造が安定に形成する界面構造であす添加元素（X）を導入し，Al 融点より低い温度での加熱ることがわかった．元素分析を行うまでは，意図的に添により，Al 金属と AlN セラミックスとの接合部のみを溶加した Si がこの遷移構造中に含まれていると考えていた

融して接合していた．添加元素（X）が熱拡散で Al 界面が，STEM-EDS マッピングを行うと全く予想外の結果がに侵入し，その領域の融点が下がって溶解する．その後，得られた．界面の EDS の結果からは，構成元素の Al，N，等温凝固中に添加元素は Al 中に拡散・消失し，Al/AlN

Si だけでなく Mg や O が含まれていることがわかった．

接合が形成される．接合部のみを溶解させる Transient

発見当時は，Mg は意図的に添加していないため，不純Liquid Phase（TLP）法により良質な界面の接合が実現す物である Mg がどこからやってきたのかよく分からないる．

悩ましい分析結果であった．しかし，三菱マテリアルはため，接合試料を長時間アニール処理してもらい，もう一度 TEM 試料を作り原子分解能で STEM 観察したところ，

そこで，添加物が界面構造形成の鍵を握ると考え，どこの Mg に注目し，Al 合金である A6063（日本工業規格んな元素が界面にあるかを調べた．まず，できるだけ対JIS のコード番号）と AlN の接合試験を行った．この Al象物を単純にしてモデル化しようと純粋な金属 Al と融点

合金には Mg：0.42%，Si：0.38% が含まれる．すると規を下げるための添加物 Si を用い，650℃に加熱して単結則的な遷移構造がアニール処理なしでも観察され，意図晶 AlN 基板と接合させた．Al の融点は 660℃だが，Si を的に入れた Mg が優先的に界面に偏析し遷移構造を形成

12.5% 含む Al-Si 共晶の融点は 577℃に下がる．

することが明らかとなった．

作製した接合界面観察試料は，機械研磨，アルゴンイ

Al 合金と AlN との接合界面の原子分解能 STEM 像（図オンミリング法により，原子分解能 STEM による観察・10 左の 2 つ）を比較すると，界面の金属（Me）原子カ解析用試料に加工した．界面における構造解析では，界ラムは HAADF 像から，軽元素（Le）原子カラムは ABF面を電子線に対して平行（Edge-on）になるように調整し像から判別できる．Al と N のサイトを区別できる AlN 側て接合部断面に沿った元素分布を検出した．と，原子カラムが現れていない Al 合金側との間に，原子Al/AlN 接合部を原子分解能 STEM 観察すると，金属 Alレベルで平坦な Al 合金 /AlN 界面遷移構造の存在が観察でも AlN 結晶でもない特徴的な遷移構造が見つかった．

できる．この遷移構造は図 10 右に示す 3 つの層状構造か

図9

図 10

DBA 基板の接合プロセス

Al/AlN 溶融接合界面の原子分解能 STEM（左）と界面遷移 3 層構造モデル（右）NanotechJapan Bulletin Vol. 11, No. 2, 2018

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ら形成されている．第 3 層（3rd）は HAADF と ABF の双膜から取り込まれたと考えられる．Al や N の原子カラム方で原子カラムの強度の差が小さいことから，Me 原子カは AlN 側の全面にあり，界面に Mg の原子カラムが見える．

ラムで構成されていると考えられる．しかし，Al，Mg，これに加えて O が界面に存在し，Al 側に入ったところにSi の原子番号は隣り合っているので STEM 像では見分けSi が層状に存在する．

られない．
そこで，原子分解能 STEM-EDS マッピングを行ったところ，単原子層の Mg が界面に見出された（図 11）
．一方，

４．３

金属 / セラミック接合形成のメカニズム添加されている Si は Al 合金側に分布することがわかった．

Al 合金と AlN 基板の界面には，不純物である Mg 原子

この界面偏析構造を詳しく解析するため，信号強度を高が単原子層構造を形成し，この周囲には酸素（O）原子もめ，分解能や画像の質を向上するとともに，前章で述べ層状構造を形成しており，数原子層レベルで複雑な界面た積算・平均化手法を適用した．STEM 像から得られる層状構造が自己組織的に形成されている．Al 合金と AlN界面構造像と EDS 分析を組み合わせたマッピングにより，基板の界面は金属とセラミックスの単純な接合よりも，Al，N，Mg，O，Si の原子スケールの分布が明らかになった．

本来は不純物であった Mg と O 原子の導入により，より原材料になかった O は Al や AlN の表面にできた自然酸化安定な界面接合が実現されることが明らかとなった．

図 11

Al 合金と AlN のヘテロ界面の原子分解能 STEM-EDS マッピング

図 12

Al 合金 /AlN 基板界面の相変化モデルと反応の自由エネルギー変化

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Al 合金や AlN の表面には安定なアルミニウムの自然酸化膜ができている．しかし，Mg は Al より酸化されやすいため，650℃の高温で Al 合金中の Mg は次のように反応して MgO となり，界面遷移構造が形成されると考えられる．

http://nanonet.mext.go.jp/research_support_award/
H29_Award_1.pdf[2] 東京大学 微細構造解析プラットフォーム（東京大学）：
http://nanonet.mext.go.jp/insti/u-tokyo/nc/[3] 東京大学

微細構造解析プラットフォーム共用設

3Mg ＋ 4Al2O3 → 3MgAl2O4 ＋ 2Al

備の一覧 TEM/STEM：http://lcnet.t.u-tokyo.ac.jp/MgAl2O4 ＋ 3Mg → 2Al ＋ 4MgO

keisoku2.php[4] 幾原雄一，「透過型電子顕微鏡法の最新技術動向と将酸化アルミニウム膜が単純な Al2O3 であるとすると，この接合時の界面反応は，酸化物形成の自由エネルギー変来展望（超高分解能イメージング）」，まてりあ

第56 巻，第３号，254-259 (2017)

化によって説明できる（図 12）．図の左から右に向かっ[5] Kehang Cui, Akihito Kumamoto, Rong Xiang, Huaて接合前，溶融接合前期，溶融接合後期，接合後を示An, Benjamin Wang, Taiki Inoue, Shohei Chiashi,す．接合前には，Al 合金及び AlN 表面で自然酸化膜の酸

Yuichi Ikuhara, and Shigeo Maruyama, "Synthesis

化アルミニウムが形成されている．酸化アルミニウム膜

of subnanometer-diameter vertically aligned single-は，酸素分圧の低い還元的な環境下で金属 Mg と反応し，walled carbon nanotubes with copper-anchored cobalt（MgAl2O4 を経由するか，または直接的に）より安定な

catalysts", Nanoscale, Vol. 8, Issue 3, pp. 1608-1617

MgO と金属 Al を生成し，自由エネルギーが低下する．

(2016)

この結果から，DBA 基板における Al 金属と AlN セラミッ[6] 柴田直哉，フィンドレイ スコット，幾原雄一，「環状クスとの強固な接合では，金属とセラミックスの単純な明視野 (ABF)STEM 法の理論と応用」，顕微鏡 Vol. 46,接合よりはむしろ，不純物である Mg と O 原子がより安No. 1, pp. 66-60 (2011)

定な界面遷移構造をもたらすことが明らかになった（[11][12][13][14]）．

[7] S. D. Findlay, N. Shibata, H. Sawada, E. Okunishi, Y.
Kondo, T. Yamamoto, & Y. Ikuhara, "Robust atomic
resolution imaging of light elements using scanningtransmission electron microscopy" Applied Physics
Letters, Vol. 95, 191913 (2009)

５．おわりに[8] 熊本明仁 , 柴田直哉 , 藤平哲也 , 幾原雄一，「原子分解本優秀技術賞の受賞内容は，東京大学微細構造解析プ

能分析電子顕微鏡法を用いた金属 / 窒化物ヘテロ界面

ラットフォームで開発された軽元素対応型超高分解能走の原子レベル構造解析」日本結晶学会誌 Vol. 59, pp,

査透過型電子顕微鏡を活用して行われた．受賞者の熊本

246-251 (2017)

氏は，接合のメカニズム解明というパワーモジュール基[9] 高放熱性を有する「Cu 放熱板一体型 DBA 基板」を開板製造メーカーからのニーズに応え，積算マッピングを発，三菱マテリアルプレスリリース，2015 年 1 月

利用した高品質画像取得技術を開発し，複合材料の局所

28 日：http://www.mmc.co.jp/corporate/ja/news/

構造解析から新たな材料開発につながる知見を得ること

press/2015/15-0128.htmlに成功した．このような新しい知見の取得には，新しい高度な測定・解析の手法が必要だった．

[10] DBA 基板における新規接合技術を開発，三菱マテリ
アルプレスリリース，2010 年 10 月 12 日：http://

良い結果が出ると，それが呼び水になって新しいユーザが訪ねて来る．しかし，呼び水となった高度な技術をwww.mmc.co.jp/corporate/ja/news/press/2010/101012a.pdf

必ずしも要しない案件も多いことから，研究内容を吟味[11] Mg 単原子層が金属とセラミックスの接合を強してより適切な実験手段を提案することもあるという．

くする！－原子分解能分析電子顕微鏡で初めて高い解析技術を持てば，全体を俯瞰して，より適切なコ

見えてきた異材接合の原子メカニズム－，東ンサルティング，アドバイスができる．今後も，技術支

京大学工学部プレスリリース，2016.03.11：

援者がより高い技術を開発し，その高い技術が設備利用

https://www.t.u-tokyo.ac.jp/foe/press/setnを促進することを期待したい．

ws_20160311135808110207131725.html[12] 東京大学との共同研究により金属とセラミックスの接合メカニズムを解明

参考文献[1] 技術スタッフ表彰 平成 29 年度 優秀技術賞

三菱マテリアルプレス

リリース，2016.03.11：http://www.mmc.co.jp/corporate/ja/news/info/2016/2016-0331.html
熊本[13] Akihito Kumamoto, Naoya Shibata, Kei-ichiro

明仁（微細構造解析 PF：東京大学）「原子分解能Nayuki, Tetsuya Tohei, Nobuyuki Terasaki, Yoshiyuki

STEM-EDS マッピングによる原子カラムの可視化」：

Nagatomo, Toshiyuki Nagase, Kazuhiro Akiyama,

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平成 29 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（優秀技術賞）-8

Yoshirou Kuromitsu & Yuichi Ikuhara, "Atomicgo.jp/?action=multidatabase_action_main_

structures of a liquid-phase bonded metal/nitride

filedownload&upload_id=3351&metadata_

heterointerface", Scientific Reports Vol. 6, Articleid=20&download_flag=1

number: 22936 (2016), doi: 10.1038/srep22936,
Published online: 10 March 2016

（図は全て熊本氏から提供された）[14] 微細構造解析プラットフォーム : 東京大学 平成 27 年度 成果事例「異種材料接合基板に（古寺 博）

おける界面構造解析：http://nanonet.mext.

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