本記事は , 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 技術スタッフ表彰について紹介するものです .

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム 令和元年度技術スタッフ表彰 技術支援貢献賞

微細加工技術を用いた材料開発支援受賞者 北海道大学 微細加工プラットフォーム 大西 広氏，中野 和佳子氏に聞く
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 [1] は，25 の大学・研究機関等が保有する最先端ナノテクノロジー設備を産学官の研究者で共用することにより，ナノテクノロジーおよびその応用分野のイノベーション創出に貢献することを目的としている．ナノテクノロジープラットフォーム（NPJ）は微細構造解析プラットフォーム，微細加工プラットフォーム，分子・物質合成プラットフォームの 3 つの技術領域のプラットフォーム（PF）で構成されており，上記 25 の法人はそれぞれ 1~3 の PF を所有している．各法人の PF を合計すると 37の実施機関となる．各実施機関では蓄積された知識や技術およびノウハウで利用者を支援する技術スタッフの活動が，その利用成果に大きく貢献している．
ナノテクノロジープラットフォーム事業では，毎年上記 37の実施機関の中から，特に優れた活動を行った技術スタッフを表彰している．令和元年度は技術支援貢献賞が 5 件と若手技術奨励賞が 1 件選出され [2]，その表彰式は nano tech 2020（左から）中野 和佳子氏，大西 広氏

国際ナノテクノロジー総合展の初日の 1 月 29 日午後に，同会場内のソース＆ニーズセミナー会場 B で行われた．
本稿はその中の技術支援貢献賞受賞の北海道大学 微細加工 PF の技術専門職員 大西 広（おおにし こう）氏，同技術職員 中野 和佳子（なかの わかこ）氏による「微細加工技術を用いた材料開発支援」[3] の業績を紹介する．
表彰式の翌日の 1 月 30 日に，nano tech 2020 の会場東京ビッグサイトの一室で，お二人から北海道大学の微細加工 PF における支援活動の状況や成果についてお話を伺った．

備利用者に対して技術相談・技術補助・技術代行等の業

１．北海道大学 微細加工プラットフォー
ムの特徴
北海道大学（以下北大）微細加工 PF は，同大学の創成研究機構に設置されたナノテクノロジー連携研究推進室務を行っている．

１．１

共用装置 [4] と利用状況

北大微細加工 PF は，クラス 100 とクラス 10000 のク（同大学北キャンパスエリアの創成科学研究棟内）に属しリーンルームを持ち（図 1），その中にている．なお，微細構造解析 PF も同推進室に属しており，・リソグラフィー装置類：超高精度電子線描画装置，レー両 PF を横断的に運営できるので，幅広い利用者の要望に応える支援ができる．大西氏は北大電子科学研究所 技術部 微細加工グループ 主任を務める技術専門職員，中野氏は同微細加工グループの技術職員である．両者はクリーザー直接描画装置等
・成膜装置類：原子層堆積装置，プラズマ CVD，ヘリコンスパッタ装置，パルスレーザー堆積装置等
・エッチング装置類：反応性イオンエッチング装置等

ンルーム及び共用設備の維持管理・改善・利用指導と共に，・評価装置類：FE-SEM 等

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業におなどの装置群を配置し，技術スタッフの支援により利用ける技術支援者としてナノテクノロジー連携研究推進室者の課題に対処する体制を整えている．特に，北大は，フォの松尾 保孝 教授の指揮下で，学内外からの産学の共用設

トニクスデバイスの分野では，フォトニック結晶デバイ

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令和元年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-1

図1

クリーンルームの様子

図2

ス，プラズモニックデバイス，メタマテリアルなどで研微細加工 PF の共用設備利用件数と利用料収入の変遷

究内容の高度化や研究段階の進展が推察される．

究実績があり，
北大 微細加工 PF はそれらで培われた知識，技術，ノウハウを活かし，ユーザーが要望するデバイス作製にも迅速に応えることができる．最近では，バイオ・ライフサイエンス分野にも注力しており，マイクロ流路加工や細胞培養デバイスなども作製している．

１．２
装置

北海道大学 微細加工プラットフォームの注目（１）3 台の超高精度電子線描画装置

図 2 左グラフに，微細加工 PF の共用施設利用件数のナ
ノテクノロジープラットフォーム事業開始時からの推移

北大 微細加工 PF には図 3 に示す 3 台の超高精度電を示す．平成 30 年度は地震の影響を受けて装置の稼働時子線（ビーム）描画装置を揃えて，フォトニクスデバイ間は減ったが，学外重点化の方針を立て，学内は一部自ス等の試作を支援している．超高精度電子ビーム描画装主事業として実施することで，学外からの利用件数の減

置 ELS-7000HM は加速電圧 100kV ながら低ビーム電流少は少なく抑えられている．令和元年も学外重点化は継（10pA レベル）描画が可能，超高精度電子ビーム描画装続されている．

置 ELS-F125 は加速電圧 125kV で大ビーム電流（nA レベ

この 8 年間の総支援件数は 641 件であり，そのうち学ル）高精細描画が可能，超高速スキャン電子線描画装置

外は 320 件であった．特に，本州から海で隔たる最北のELS-F130HM は加速電圧 130kV で低電流から大電流まで地で本州の大学からの利用が多いことは，北大微細加工

幅広いビーム電流値での高速スキャンによりさらなる高PF の活動が他から高く評価されていることを示している．

速化を実現しており，8 インチ基盤への描画に対応していただ，民間企業に関しては，利用がやや少ない．
「この理る．この装置には更に北大特注の曲面上（レンズ表面等）

由は，北海道には半導体関係の企業が少なく，工場はあっへの微細パターン形成機能を有している．ハイトセンサーても開発部門は本州にあることによる」と大西氏は語っを用いず，曲率データ入力により自動的にステージを上た．それでも約 15% は企業からの利用である．

下させて，曲面上にパターンを描画する機能である．そ図 2 右グラフに示す利用料収入は，利用件数の伸びよりも右肩上がりに上昇している．このことは一件あたりの実用化に当たっては大西氏らもその評価に参加し，曲面描画を実現している．の装置利用時間が長くなっていることを示している．研図3

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北大微細加工 PF の 3 台の超高精度電子線描画装置

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図4

北大 微細加工 PF の成膜関連装置群

起こる局在表面プラズモン共鳴を活用するものである．

（２）成膜関連装置

北大 電子科学研究所の研究グループは，電子線描画を用
図 4 に北大 微細加工 PF の共用成膜関連装置を示す．

いた半導体微細加工技術により金属ナノ構造体を作製し，この中で多くの企業や学外研究機関から利用されているプラズモン分光特性や光電場増強効果の検討をしている．の は 原 子 層 堆 積 装 置（ALD：Atomic Layer Deposition）

光電変換デバイスやセンサーデバイスの創製を目的としである．酸化物薄膜をモノレイヤーレベルで制御して形た研究である．その中で，従来可視光領域での研究が中成できる装置である．凹凸のある表面でも均一な厚さで心であったプラズモニックデバイスをテラヘルツ領域に緻密な膜が形成される．北大の場合，多様な材料（SiO2，拡張し，ローム株式会社との共同研究により実用化に直TiO2，Al2O3，HfO2，Nb2O5 など）の薄膜にも対応し，多結する素子開発を行った [5]．

層膜の形成も可能である．他のプラットフォームの原子数 10 ～数 100nm サイズの微細な金属構造体の加工に層堆積装置では装置内汚染の問題で使う材料を限定しておいては，一般に半導体製造で使われる紫外線露光によいるところが多く，北大なら対応してくれると他の大学るリソグラフィーを使用することは困難であり，波長のから紹介されて訪ねてくる利用者もしばしばあると大西

短い電子線描画が使われる．電子線ビーム径は数 nm 程氏は語った．多少の汚染があっても，挑戦する方を選ぶ度まで絞り込まれるので，電子線のパワーを低く制御すとのこと．

ることで，数 nm オーダーでの加工分解能が実現できる．
図 5 に電子線描画により微細な金属パターンを形成するリフトオフ方式のリソグラフィーの工程を説明する．

２．電子線描画による微細加工についての技術支援
北大 微細加工 PF の特徴の一つである電子線描画を用いた微細加工技術によるデバイス等の作製支援は，文部科学省のナノテクノロジープラットフォーム事業の前身のナノテクノロジー・ネットワーク事業での技術支援体制を引き継ぎ進化させている．その支援技術は，特にフォトニックデバイスの作製に貢献する中で磨かれてきた．
その一例を次に示す．

２．１ プラズモニックナノデバイス作製における微細構造の実現
プラズモニックデバイスは，金属微細構造と光との相互作用によって，可視光から赤外光の幅広い波長領域でNanotechJapan Bulletin Vol. 13, No. 4, 2020

図5

金属ナノ構造体製造のリソグラフィー工程の手順（出典：参考文献 [5]）文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

令和元年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-3

図 6 （a）金ナノスリットリング構造および金ナノ円周構造の電子顕微鏡写真，（b）金ナノ円周構造のパターン図，（c）金ナノスリットリング構造（破線）および金ナノ円周構造（実践）のプラズモン共鳴ス
ペクトル，（d）FDTD（Finite-difference time-domain：有限差分時間領域法）シミュレーションによる金ナノスリットリング構造（スリット幅 15nm）の光電場強度分布．（出典：参考文献 [5]）まず，スピンコートしたレジスト膜に電子線で描画しンを作るのは得意であるが，大面積のパターンの描画でた後現像して描画部分を溶解（ポジ型電子線レジスト使は，描写ドット数の増加に伴いドット間移動時間等のオー用の場合）して除去し，次に金属膜をスパッタリングし，バーヘッドタイムの増加で描画時間が著しく増大する．

最後にレジストを溶解して剥離すると，電子線描画した

大西氏，中野氏らは，設備利用者のニーズに合わせるべく，パターンの金属薄膜が残る（リフトオフ）．ここでレジス

この問題への対策を検討した．以下にその検討結果を紹

トの膜厚を薄くするとリフトオフで得られる金属薄膜パ介する．

ターンの解像度は高くなる．しかし薄すぎるとパターンプラズモニックデバイスにおいて，通常の分光高度計形成が困難になる．レジスト濃度やレジストのスピンコーの使用やセンサーデバイスによる実測のために，ある程ト回転数の最適化を行い，レジスト膜厚 150 ～ 200nm度のパターン寸法が必要である．目視・光学顕微鏡で観に決定した．基板の材質によっては金や白金の密着性が察可能で，分析装置の光照射範囲であることなどを考慮

よくないので，接着層としてあらかじめクロムを 1 ～して，目標パターンを図 7 に示すように 1mm 角の中に2nm 程度スパッタリングしたあと金などをスパッタリン200nm 程度の金ディスクを並べるものとして，描画法をグすることで，機械的に強い金属ナノ構造を造っている．

検討した．

図 6 はローム株式会社と北大の共同研究チームが図 5

図 8 に示す 3 つの方式を比較し，高速化の効果を評価で説明した微細加工技術で作製した金ナノ円周構造とリングの一部にスリットを設けた構造を作り，プラズモン共鳴特性を評価したものである．スリット幅については，15nm の他に，10nm，5nm も試みている．金ナノ円周構
造における光電場増強に関しては，88THz で 100 倍程度のプラズモン共鳴がみられ，スリットリングのスリット部では，15nm の場合 50THz で約 6,000 倍のプラズモン共鳴がみられ，5nm では 25,000 倍が見積もられた．

２．
２ 電子線における高速・大面積描画への取り組み
電子線描画は電子ビーム径で決まる微細ドットでパターンを埋めるように描いていくので，高精細のパター

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図7

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描画法検討の目標パターン

令和元年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-4図8

高速・大面積描画法改善の提案：（a）は通常の描画法，（b），（c）は高速化手法
表1

高速・大面積描画法改善の評価

した．
（a）は各円形金ディスクを塗りつぶすように描画する一般的な方法，（b）は高速化を図るために間引き照射により 1 パターン当たりの電子ビーム照射ドット数を２．３

異分野ニーズに応える技術支援（１）Al 被覆 Mg 合金薄板の引張変形メカニズムの調査 [6]減らすことでオーバーヘッドタイムを短縮する方法であり，ディスクの形は少し凸凹になる．
（c）は電子ビーム

この課題は，北大 助教 徳永 透子氏により進められたもの焦点位置を少しずらして 1 点で 200nm 径のビーム形状のである．実用金属中最も軽量な Mg（マグネシウム）合を実現し更に描画時間を短縮する方法である．

金について，熱感押出と熱間圧延とを施すことで，薄板

表 1 は，上記 3 つの方式の評価結果である．この 3 描に加工することに成功し，その薄板が超可塑性を有する画法を図 3 に示す描画装置 ELS-F125 と ELS-F130HM にことを確認した．更に，超可塑性変形メカニズムを解明より実行して同面積のディスクパターン描画の所要時間するために，結晶構造のナノレベルの変化の情報を得るを比較したものである．ビーム電流 5nA で評価したが，ことを目論んだ．その手段として，図 9（a）に示す引張F125 では装置仕様の違いにより，同条件での比較ができ試験片の側面（オレンジ色の部分）に格子模様を刻んで，なかったため，可能な限り近い条件のビーム電流 4.3nA

引張試験後の格子模様の乱れ（図 9（b））を調べ，試験で比較した．表から図 8（b）及び（c）方式の描画時間材料の変形の要因（結晶粒界のすべり，結晶格子の変形等）短縮効果が確認された．の解明を行った．この研究において，ナノレベルの微細NanotechJapan Bulletin Vol. 13, No. 4, 2020

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図 9 Al 被覆 Mg 合金薄板の引張変形構造の観察実験，（a）引張試験片，（b）試験片側面に印した格子模様の 60% 引張変形後の乱れ，（c）格子模様作成 EB リソグラフィー用レジストのスピンコート治具，（d）同リソグラフィーにおける EB 描画治具．

格子の形成を微細加工 PF が協力した．

（２）準結晶パターンを利用した超高分解能計算機ホログ

元々電子線描画（EB リソグラフィー）用の露光装置やラムの開発 [6][7]露光用レジスト塗布（スピンコート）装置は半導体デバイス製造用であって，この場合のような基板の側面（幅この課題は，北見工業大学 准教授 杉坂 純一郎氏により0.5mm）に描画するようにはなっていないが，北大 微細進められたものである．準結晶ホログラムは任意の微細加工 PF ではユーザーのこの要望を受け入れ，両装置に取像を生成できる素子であり，複雑な光学系を必要とせず，り付ける治具とこれに脱着可能なホルダーを新規に作成

光の回折限界を超える超解像の像が得られる．この素子（図 9（c）および（d））して対応した．図 9（b）は 60%の動作実証実験を行うため，素子の試作に北大の微細加引張試験後の格子模様の変化の様子の一例である．Al（ア工プラットフォームを利用した．

ルミニウム）との境界面近くや Mg 材料の中央部など，準結晶ホログラム素子は，ガラス基板上の金属薄膜にCAD 設計された位置に円形孔を開けたもので，図 10（a）

場所による違いも評価できている．
新規ホルダーを開発して行ったこの構造解析支援の手に試作した素子の FE-SEM（電界放出型走査電子顕微鏡）法は，磁性材料の解析でも採用しており，リソグラフィー像を示す．緑，赤，青，紫の円形孔の色分けは，ホログの応用分野拡大の機会となったとこれら支援を実施した

ラム設計 CAD においてそれぞれの描画フィールドに属す

大西氏，中野氏は語っている．

ることを表している．

図 10 （a）試作した準結晶ホログラム素子，（b）試作素子から得られたレーザー回析像，（c）数値計算回析像

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円形孔の加工においては，同一描画フィールドに属すなる．ここにまた TMA を流すことで，第 2 層の形成が始る円形孔の位置関係と半径に誤差がないことが要求されまる．これを繰り返すことにより，所定の厚さの薄膜をる．しかし，利用者指定の薄膜材料 Al では半径の誤差が制御して形成できることになる．

やや大きくなるので，大西氏は WSi（タングステンシリサイド）を用いることを提案し，半径の誤差約 10nm の十分な精度で加工できた．長年の経験からの勘が働いた

３．２

北大における支援成膜についてと大西氏は語った．試作素子にレーザー光を照射して生北大の微細加工 PF では，成膜材料について利用者の要じる回折パターンは図 10（ｂ）に示され，図 10（c）に望に広く応える方針であるが，現在多くの支援実績があ示す数値解析結果とほぼ一致したとのことである．

るのは，Al2O3（アルミナ），TiO2（酸化チタン），SiO2（シリカ）であり，そのソース（プリカーサ）としては次の液体ソースを気化して使っている．

３．ALD を用いた多様な構造・材料への薄膜の形成
北海道大学の微細加工 PF において，電子線描画と並・Al2O3 用はトリメチルアルミニウム（TMA）
・TiO2 用は四塩化チタン（TiCl4）
・SiO2 用は SAM.24（Silanediamine, N,N,N’,N’-tetraethyl（C8H22N2Si））

んで利用される目玉技術は，１．２節（２）で紹介した

その他に，固体ソースを気化して使う HfO2（ハフニア），ALD を用いた多様な構造・材料への薄膜形成技術である．

NiO（酸化ニッケル），Nb2O5（5 酸化ニオブ）等の成膜もALD は，基板上に金属酸化膜或いは窒化膜を形成する際可能である．に，原子の自己制御性を利用して一層ずつ堆積する技術
で，緻密で均一に制御された膜厚の薄膜を形成する．

表 2 に上記主な成膜材料について，実際の成膜データを示す．成膜温度，酸化剤等によって成膜レートや膜質（結晶性や密度）に影響が出るので，支援時には利用者の希３．
１

望条件を踏まえた調整も行っている．

ALD のメカニズム

なお，成膜時間について，アルミナの例では，1nm 厚

図 11 に ALD のメカニズムを酸化アルミニウム（Al2O3）の成膜には約 10 層の堆積が必要であり，1 層成膜の所要薄膜形成の例で示す．ガス状の前駆体（プリカーサー）

時間がおよそ 8.2 秒であるので，10nm では約 14 分となの Al(CH3)3（TMA: Trimethyl aluminum）をソースとしてる．ただし，堆積工程は予めプログラムしておき，自動流入して基板の OH と結合させる．基板の OH がすべてで行われるので，繰り返し操作に人手はかからない．３．

Al(CH3)3 と結合して基板表面が Al(CH3)2 の層で覆われる

４節で紹介する積層膜の例では，280nm の厚さであり，と，その表面には CH3 が並ぶことになり，TMA は CH3 と成膜時間は約 13 時間で一晩掛かったとのことである．

結合しないので，表面被覆は一層で止まる．ここで余っまた，成膜結果は，同じ組織内の微細構造解析 PF のた TMA と発生した CH4 を排気する（パージ）．次に酸化TEM（透過型電子顕微鏡）等で直ちに評価でき，成膜条剤として H2O のガスを流し，表面の CH3 を酸化し，Al2O3件の修正に反映することができる．の単層が完成すると同時にその表面に OH 基が並ぶ形と

図 11

ALD による酸化アルミニウム（アルミナ）薄膜形成のメカニズム

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表2３．
３

主な成膜材料についての実際の成膜データである．成膜温度 300℃で 1500 サイクル（1500 層）の成膜試験例成膜を行い膜厚分布の測定を行っている．測定位置の Cはウエハの中心である．膜厚の平均は 66.38 nm で，7 箇（１）ALD 装置の試料室の構成と成膜実験例

所のばらつきは 1.02% である．成膜時間は 70 分程度で図 12 は ALD 装置の試料室の蓋（上の写真）を開けてあった．

試料台側を上から見たもの（下の写真）である．下の写真中央の試料台に試料ウエハの鏡面が見える．試料は 6（２）様々な材料・構造への成膜の取り組みインチ径のサイズまで成膜可能である．試料ウエハ上の数字は，図中の右の表に示す成膜評価実験における膜厚

ALD による成膜では基板表面に凹凸があっても表面形測定位置である．周囲の黒い点は成膜のためのガスの噴状に忠実に均一の膜厚が実現できる．図 13 の左は断面のき出し口で，5 個の内の 3 個は 3 種類の液体ソース用，1STEM（走査型透過電子顕微鏡）像でそのことを示してい個は酸化ガス用，もう 1 個は固体ソース用に割り当てらる．この実験では写真の右に示す順に材料を変えた 5 層れている．これらガスは蓋側の対応する位置にある黒いの膜を各 10nm 膜厚で堆積した．図 13 右は，STEM 像点から蓋側に移って広がり，試料全面にガスが降り注ぐ．の EDS（エネルギー分散形 X 線分析装置）分析データで，ガスの排気口は試料台の裏側中央にある．チャンバーは材料の違いを色分けして示している．これら評価は同じ600℃まで加熱可能である．また，固体ソース加熱用ヒー建物内にある微細構造解析 PF の装置で行っている．北大

ター（200℃まで）が付随している．の ALD 装置では，このように材料の異なる多層膜形成の

図右の表は，4 インチウエハへ TiO2 を成膜した実験例

図 12支援も行うことも可能である．

ALD 装置の試料室写真（下は試料台側，上は被せる蓋），表は試料台各所での膜厚測定データ

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図 13

図 14

表面に凹凸のある Si 基板への成膜例

異種材料が存在する基板への成膜

図 15

Al2O3/TiO2 積層膜の構成

Bulletin Vol. 12, No. 3, 2019 [9] に詳細が紹介されている．

（３）これまでに試した成膜基板材料

本件において，利用者との密接なコンタクト，微細構
これまでに，シリコン基板，ITO（酸化スズドープ酸

造解析 PF との連携の下で行われた微細加工 PF の支援活化インジウム In2O3-SnO2）基板，FTO（フッ素ドープ酸動（松尾氏の下で大西氏，中野氏が実行担当）は以下の化スズ（SnO2））基板，STO（チタン酸ストロンチウムようにまとめられる．

SrTiO3）基板，TiO2（酸化チタン）基板，高分子フィルム・ALD による成膜のレシピ設定，予備成膜，技術代行の基板材料等に成膜を行っている．様々な素材への成膜・微細構造解析 PF でのエネルギー分散形 X 線分光法にが可能であるが，反応温度（100℃以上，前駆体によってより見つけられた積層膜中（TiO2 層内の界面近傍）は 300℃以上）に耐える素材である必要がある．の酸素欠損を，Al2O3 形成の酸化剤 H2O を O3 に取りなお，図 14 に示すように，異種材料が存在する基板表換えることで除去面への成膜も確認している．この例は ITO 基板の表面に・論文 [8] は酸化剤に H2O を使用しており，酸素欠損金のパターンを形成した上に，Al2O3 を成膜した．

（TiO2 層の導電性）が巨大誘電率に関わるとの判断で，
Al2O3 形成の酸化剤に H2O と O3 を併用することで誘電率＞ 500 を達成

３．４ 利用成果の例：巨大誘電率を実現する Al2O3/TiO2 積層膜

・積層膜と集電電極との間に 2nm 厚の Al2O3 層を追加

本例は，近年注目されている，Al2O3/TiO2 積層膜（図・上記によりリーク電流の心配なく成膜条件を最適化

15）における巨大誘電率発現の情報 [8] にヒントを得て，パナソニック株式会社と大阪大学の研究チームが，そのメモリーデバイスやキャパシターへの応用を意図したもすることで，リーク電流をさらに一桁改善（積層する各層の厚さ 1nm 以下）
以 上 に よ り，1.7 × 108 Ω /1mmφ， 誘 電 率 ＞ 1000（@100Hz）の高抵抗での巨大誘電率実現に成功した．のである．巨大誘電率と電子絶縁性が両立する材料の開発を目的として，Al2O3/TiO2 積層膜の技術を有する北大
微細加工 PF を利用することとなった．その成果は，平成 30 年度の秀でた利用成果として，ナノテクノロジー
プラットフォームの表彰を受けており，NanotechJapan

NanotechJapan Bulletin Vol. 13, No. 4, 2020

４．おわりに北海道大学の微細加工 PF は，フォトニクスナノデバイ

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ス分野の研究開発とともに整備された装置と培われた技

プラットフォーム，NanotechJapan, YellowPages.

術を基にユーザーの微細加工ニーズに応える支援活動をhttps://www.nanonet.go.jp/yp/pf/F/HK/行っている．電子線描画による微細加工および ALD によ[5] ⼤⻄⼤，⻨野遥⼀，坂⼝拓⽣，上野貢⽣，三澤弘明，「テる高度に品質が制御された薄膜作りの最先端を行く専門ラヘルツ帯にプラズモン共鳴周波数を有する⾦ナノス家グループと言える．その専門の能力が買われて他の大リットリング構造の光学特性」，NanotechJapan Bulletin

学と技術補完の協力の例もしばしばあるという．

Vol. sikenn 3, No. 5, 2010.

また，北海道大学では微細構造解析 PF も同じ建物の中https://www.nanonet.go.jp/ntjb_pdf/F26-11.pdfにあり，協力することで，技術レベルが深みを増している．

[6] ナノテクノロジープラットフォーム利用成果発表会（平この微細加工 PF は，特にユーザーの新しい試みには成 29 年 10 月 20 日），北海道大学利用成果事例．

前向きに対応すると大西氏，中野氏は口を揃える．例え[7] 杉坂 純一郎，三井 良一，大西 広，松尾 保孝，東 陽介

ば，ALD では装置汚染の問題で成膜材料を限定している

東 陽介，企画特集「Collabo ナノテクノロジー」 ＜第PF が多いなか，北大は各種材料の成膜を引き受けること

10 回＞ -1「準結晶パターンを利用した超高分解能計算が知れわたっていて，他の PF の紹介で依頼を受けること機ホログラム技術の実証」，NanotechJapan Bulletin Vol.

もあるという．こうしたことから，異種材料の多層積層

10, No. 1, 2017.

膜の形成も北大プラットフォームの得意技に育っている．

https://www.nanonet.go.jp/ntjb_pdf/CollaboNano-10.pdf

ユーザーの新しい要望に応えた新たな挑戦は新しい技術[8] W. Li, O. Auciello, R. N. Premnath and B. Kabius, “Giantやデータの蓄積を生み，支援技術の広がりと高度化に繋

dielectric constant dominated by Maxwell–Wagner

がる．同時に，ユーザーの新技術・製品の創出に貢献すrelaxation in Al2O3/TiO2Al2O3/TiO2 nanolaminates

ることになる．大西氏，中野氏のお話はこのことを実感

synthesized by atomic layer deposition”, Phys. Lett . 96,させるものであった．

162907 (2010).
https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.3413961[9] 辻田 卓司，森田 幸弘 西谷 幹彦，北川 雅俊，大西 広，
中野 和佳子，平井 直美，松尾 保孝，文部科学省ナノ参考文献

テクノロジープラットフォーム 平成 30 年度秀でた利[1] 文部科学省「ナノテクノロジープラットフォーム」事業
https://www.nanonet.go.jp/ntj/

用成果「巨大誘電率を実現する Al2O3/TiO2 積層膜の検討」, NanotechJapan Bulletin, Vol. 12, No. 3, 2019.

[2] 文部科学省「ナノテクノロジープラットフォーム」事業，技術スタッフ表彰

https://www.nanonet.go.jp/magazine/content/files/
mag_pdf/Exellent_pdf/MajorResults2019_3.pdf

https://www.nanonet.go.jp/ntj/award/[3]「微細加工技術を用いた材料開発支援」技術支援貢献賞
受賞

掲載図および表のうち出典記載のないものは，大西氏から提供された．

https://www.nanonet.go.jp/pages/research_support_
award/R01_Award_3.pdf（向井 久和）[4] 北海道大学 ナノテクノロジー連携研究推進室 微細加工

NanotechJapan Bulletin Vol. 13, No. 4, 2020

文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

令和元年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-10