文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム

第14回ナノテクノロジー
総合シンポジウム

2016“Next Generation Electronics Driven by Nanotechnology”

第Proceedings

4

Date: January 29th(Fri), 2016
Venue: Tokyo Big Sight, Conference Tower(Tokyo)
Sponsored byCenter for Nanotechnology Platform (National Institute for Materials
Science (NIMS) / Japan Science and Technology Agency (JST) ) by the
Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology (MEXT)
Co-sponsored by
The Institutions, participating in the Nanotechnology Platform:
Hokkaido University, Chitose Institute of Science and Technology, Tohoku University,
University of Tsukuba, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,
The University of Tokyo, Tokyo Institute of Technology, Waseda University, Shinshu University,
National Institutes of Natural Sciences Institute for Molecular Science,
Nagoya University, Nagoya Institute of Technology, Toyota Technological Institute,
Kyoto University, Japan Advanced Institute of Science and Technology,
Nara Institute of Science and Technology, Osaka University, Japan Atomic Energy Agency,
Hiroshima University, Yamaguchi University, Kagawa University, Kyushu University,
Kitakyushu Foundation for the Advancement of Industry Science and Technology

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム

第回ナノテクノロジー
総合シンポジウム

2016“Next Generation Electronics Driven by Nanotechnology”

Proceedings
Date: January 29th (Fri), 2016
Venue: Tokyo Big Sight, Conference Tower (Tokyo)
Sponsored byCenter for Nanotechnology Platform (National Institute for Materials
Science (NIMS) / Japan Science and Technology Agency (JST) ) by the
Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology (MEXT)
Co-sponsored by
The Institutions, participating in the Nanotechnology Platform:
Hokkaido University, Chitose Institute of Science and Technology, Tohoku University,
University of Tsukuba, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,
The University of Tokyo, Tokyo Institute of Technology, Waseda University, Shinshu University,
National Institutes of Natural Sciences Institute for Molecular Science,
Nagoya University, Nagoya Institute of Technology, Toyota Technological Institute,
Kyoto University, Japan Advanced Institute of Science and Technology,
Nara Institute of Science and Technology, Osaka University, Japan Atomic Energy Agency,
Hiroshima University, Yamaguchi University, Kagawa University, Kyushu University,
Kitakyushu Foundation for the Advancement of Industry Science and Technology

January 29th, 2016, Reception Hall2016年1月29日（金） 会議棟1階レセプションホール

10:00-10:10【Opening Remarks / 開会挨拶】
Prof. Kazuhito Hashimoto (President, National Institute for Materials Science, Japan)
橋本 和仁（物質・材料研究機構理事長）
Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology/ 文部科学省

10:10-10:35【Plenary Lecture / 基調講演】
Hiroyuki Sakaki (Toyota Technological Institute / National Institute for Materials Science, Japan)
榊

裕之（豊田工業大学／物質・材料研究機構）“Challenges of Next-Generation Electronics Based on Nanotechnology”「ナノテクノロジーを基とする次世代エレクトロニクスの挑戦」

10:35-12:00【Session 1】
Power Electronics / パワーエレクトロニクス
10:35 -

Leo Lorenz (&3(,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV*HUPDQ\“Power Devices : Key Technology Driver for Future Power Electronic Systems - Development Trend in Europe”

11:10 -

「将来のパワーエレクトロニクスシステムを先導するキーテクノロジー - ヨーロッパにおける開発動向」
Masahito Otsuki (Fuji Electric Co.,Ltd, Japan)
大月 正人（富士電機株式会社）“SiC Power Devices - Today and Future”

11:35 -

「SiC パワー半導体の現状と将来」
Tetsuzo Ueda (Panasonic Corporation, Japan)
上田 哲三（パナソニック株式会社）“GaN Power Devices on Si Substrates and Application to Power Conversion Systems”「Si 基板上 GaN パワーデバイスと電力変換機器への応用」

12:00 - 12:45

Lunch / 昼食

12:50-14:30【Session 2】
Activities of Nanotechnology Platform / ナノテクノロジープラットフォーム活動概要
12:45 - 13:00

Award Ceremony / 表彰式
Research Achievements and others

13:00 - 14:00

平成 27 年度の秀でた利用 6 大成果及び技術支援表彰
Research Topics of Nanotechnology Platform

14:00 - 14:45

平成 27 年度の秀でた利用 6 大成果
Poster Presentation /Activities of Nanotechnology Platform
ポスター発表／ナノテクノロジープラットフォームの実施概要及び利用成果

14:30 - 14:45

Break / 休憩

14:45-16:10【Session 3】
Nanoelectronics / ナノエレクトロニクス
14:45 -

Aaron Thean ,0(&%HOJLXP“Extending Si, Beyond-Si, to Beyond-CMOS:
Perspectives on Logic Nano-Electronics Scaling for the Next Decade and Beyond”「Si-CMOS を超えるデバイスへの挑戦

15:20 -

‒ IoT 時代への論理デバイスの構造、材料、そして新原理」
Yasuhiko Arakawa (The University of Tokyo, Japan)
荒川 泰彦（東京大学）“Prospects of Silicon Photonics for Photonic and Electronic Convergence”

15:45 -

「光電子融合に向けたシリコンフォトニクスの展望」
Masashi Sahashi (Japan Science and Technology Agency / Tohoku University, Japan)
佐橋 政司（科学技術振興機構／東北大学）“Voltage Controlled Magnetization Switching and Its Application to Memory/Storage Fields-Toward Realization of a Long Term Use IT Devices without Recharging”「磁化の電界制御とメモリ／ストレージへの応用展開- 無充電で長期間使える究極のエコ IT 機器の実現を目指して」

16:10-17:25【Session 4】
Electronics for Automated Driving / 自動運転におけるエレクトロニクス
16:10 -

Tsuguo Nobe (Intel K.K. / Nagoya University, Japan)
野辺 継男（インテル株式会社／名古屋大学）“Roles and Issues of ICT for the Development of Autonomous Vehicles”

16:35 -

「自動運転実現の鍵を握る ICT 要件」
Ryuzo Okada (Toshiba Corporation, Japan)
岡田 隆三（株式会社東芝）“Image Recognition Technology and Processor for Automated Driving”

17:00 -

「自動運転の実現に向けた画像認識技術とプロセッサ」
Yoshiki Ninomiya (Nagoya University, Japan）
二宮 芳樹（名古屋大学）“Key Technologies for Automated Vehicles - High Precision Map and Driving AI”「自動運転知能実現に必要な要素技術開発の取り組み」

17:25-17:30【Closing Remarks / 閉会挨拶】
Dr. Tetsuji Noda &KDLUSHUVRQRIWKH2UJDQL]LQJ&RPPLWWHHRI-$3$11$12'LUHFWRU&HQWHUIRU1DQRWHFKQRORJ\3ODWIRUP1DWLRQDO,QVWLWXWHIRU
Materials Science, Japan)

野田 哲二（-$3$11$12組織委員長、物質・材料研究機構ナノテクノロジープラットフォームセンター長）

Contents / 目次

Plenary Lecture / 基調講演
Challenges of Next-*eneration Electronics Based on Nanotechnology …………………………………………… 「ナノテクノロジーを基とする次世代エレクトロニクスの挑戦」
Hiroyuki Sakaki (Toyota Technological Institute / National Institute for Materials Science, Japan)
榊 裕之（豊田工業大学／物質・材料研究機構）

Session 1: Power Electronics / パワーエレクトロニクス
Power 'evices: Key Technology 'river for Future Power Electronic SystePs - 'evelopPent Trend in Europe「将来のパワーエレクトロニクスシステムを先導するキーテクノロジー- ヨーロッパにおける開発動向」
Leo Lorenz (ECPE / In¿neon Technologies, *erPany)… 

SiC Power 'evices - Today and Future ……………………………………………………………………………… 8「SiC パワー半導体の現状と将来」
Masahito Otsuki (Fuji Electric Co.,Ltd, Japan)
大月 正人（富士電機株式会社）*aN Power 'evices on Si Substrates and Application to Power Conversion SystePs ……………………………… 「Si 基板上 *aN パワーデバイスと電力変換機器への応用」
Tetsuzo Ueda (Panasonic Corporation, Japan)
上田 哲三（パナソニック株式会社）

Session 2: Activities of Nanotechnology Platform / ナノテクノロジープラットフォーム活動概要
Award CerePony / 表彰式
Research AchievePents and Others
平成 7 年度の秀でた利用  大成果及び技術支援表彰
Research Topics of Nanotechnology PlatforP
平成 7 年度の秀でた利用  大成果
Poster Presentation /Activities of Nanotechnology PlatforP
ポスター発表／ナノテクノロジープラットフォームの実施概要及び利用成果

Session 3: Nanoelectronics / ナノエレクトロニクス
Extending Si, Beyond-Si, to Beyond-CMOS:
Perspectives on Logic Nano-Electronics Scaling for the Next 'ecade and Beyond ………………………………… 3
「Si-CMOS を超えるデバイスへの挑戦 – IoT 時代への論理デバイスの構造、材料、そして新原理」
Aaron Thean (IMEC, BelgiuP)Prospects of Silicon Photonics for Photonic and Electronic Convergence …………………………………………… 3
「光電子融合に向けたシリコンフォトニクスの展望」
Yasuhiko Arakawa (The University of Tokyo, Japan)
荒川 泰彦（東京大学）
Voltage Controlled Magnetization Switching and Its Application to MePory/Storage Fields-Toward Realization of a Long TerP Use IT 'evices without Recharging …………………………………… 34「磁化の電界制御とメモリ／ストレージへの応用展開- 無充電で長期間使える究極のエコ IT 機器の実現を目指して」
Masashi Sahashi (Japan Science and Technology Agency / Tohoku University, Japan)
佐橋 政司（科学技術振興機構／東北大学）

Session 4: Electronics for Automated Driving / 自動運転におけるエレクトロニクス
Roles and Issues of ICT for the 'evelopPent of AutonoPous Vehicles「自動運転実現の鍵を握る ICT 要件」
Tsuguo Nobe (Intel K.K. / Nagoya University, Japan)
野辺 継男（インテル株式会社／名古屋大学）…………………………………………… 4

IPage Recognition Technology and Processor for AutoPated 'riving ……………………………………………… 4「自動運転の実現に向けた画像認識技術とプロセッサ」
Ryuzo Okada (Toshiba Corporation, Japan)
岡田 隆三（株式会社東芝）
Key Technologies for AutoPated Vehicles - High Precision Map and 'riving AI「自動運転知能実現に必要な要素技術開発の取り組み」
Yoshiki NinoPiya (Nagoya University, Japan）
二宮 芳樹（名古屋大学）………………………………… 44

【Plenary Lecture / 基調講演】【Plenary Lecture / 基調講演】

“Challenges of Next-Generation Electronics Based on
Nanotechnology”「ナノテクノロジーを基とする次世代エレクトロニクスの挑戦」

Hiroyuki Sakaki (Toyota Technological Institute / National Institute for Materials Science, Japan)
榊 裕之 （豊田工業大学／物質・材料研究機構）

9Challenges of Next-Generation Electronics Based on
Nanotechnology
H. SakakiToyotaTechnological Institute+LVDNDWD7HPSDNXNX1DJR\D-DSDQNational Institute for Materials Science,6HQJHQ7VXNXED,EDUDNL-DSDQ

10

Hiroyuki Sakaki< CV >+LUR\XNL 6DNDNL ZDV ERUQ LQ 1DJR\D -DSDQ RQ 2FWREHU   +H UHFHLYHG %6
GHJUHHLQHOHFWULFDOHQJLQHHULQJLQDQG06DQG3K'GHJUHHLQHOHFWURQLFHQJLQHHULQJ
LQDQGUHVSHFWLYHO\DOOIURPWKH8QLYHUVLW\RI7RN\R 87 +LV3K'ZRUNZDVRQ
³6XUIDFHTXDQWL]DWLRQDQGHOHFWURQWUDQVSRUWLQVLOLFRQ026LQYHUVLRQOD\HUV´,QKH
MRLQHG,QVWLWXWHRI,QGXVWULDO6FLHQFH ,,6 87DVDQDVVRFLDWHSURIHVVRUDQGJRWSURPRWHGLQWRLWVIXOOSURIHVVRUKHNHSWWKHSRVWWLOOKLVUHWLUHPHQWLQ)URPWRKH
served as a Vice President of Toyota Technological Institute, Nagoya, where he has been its
3UHVLGHQWVLQFH6HSWHPEHU+HVHUYHVDOVRDVDIHOORZRI1DWLRQDO,QVWLWXWHIRU0DWHULDOVScience (NIMS).
7KURXJKRXWKLVFDUHHUPDLQO\DW8QLYHUVLW\RI7RN\RKHFRQGXFWHGQDQRHOHFWURQLFVUHVHDUFKLQFOXGLQJVHPLQDOZRUNVRQTXDQWXPZLUHGRWGHYLFHVVXFKDVWKH¿UVWSURSRVDOVRI TXDQWXP ZLUH )(7V DQG TXDQWXP GRW ODVHUV HSLWD[LDO V\QWKHVLV DQG DWRPLF VFDOHFKDUDFWHUL]DWLRQ RI TXDQWXP KHWHURVWUXFWXUHV LQSODQH DQG WXQQHOLQJ WUDQVSRUWV RI WZRGLPHQVLRQDOHOHFWURQVLQTXDQWXPZHOOV 4:V DQGVXSHUODWWLFHV 6/V DQGVRRQ)URP0DUFKKHZRUNHGIRUPRQWKVDVDYLVLWLQJVFLHQWLVWZLWK'U/HR(VDNLD1REHO/DXUHDWHDW
,%0:DWVRQ5HVHDUFK&HQWHUDQGLQYHQWHGD4:LQIUDUHGGHWHFWRUDQGSHUIRUPHGWKH¿UVWLQ
SODQHHOHFWURQWUDQVSRUWVWXGLHVRQ4:VDQG6/V
)URPWRKHZDVGXDODSSRLQWHGDVDSURIHVVRUDW5HVHDUFK&HQWHUIRU$GYDQFHG
6FLHQFHDQG7HFKQRORJ\RI87+HOHG(5$723URMHFWRQ³4XDQWXP:DYH´ µ¶ DQG
-RLQW3URMHFWRQ³4XDQWXP7UDQVLWLRQV´ ¶¶ ZLWK8&6DQWD%DUEDUDERWKXQGHUWKH-67
VXSSRUW,QKHZDVDYLVLWLQJSURIHVVRUDW(FROH1RUPDOH6XSHULHXUHV3DULV+HVHUYHG
DVWKH3UHVLGHQWRI-DSDQ6RFLHW\RI$SSOLHG3K\VLFVIURPWRµ+H UHFHLYHG VXFK DZDUGV DV 3HUVRQ RI &XOWXUDO 0HULW -DSDQ$FDGHP\$ZDUG /HR(VDNL$ZDUG +HLQULFK:HONHU$ZDUG 3XUSOH 5LEERQ 0HGDO 6KLMX+RVKR  ,((( 'DYLG
6DUQRII$ZDUG)XMLZDUD3UL]HDQG+DWWRUL+RNR$ZDUG+HLVDIHOORZPHPEHURI,(((DQG
$PHULFDQ3K\VLFDO6RFLHW\DQGKRQRUDU\PHPEHURI3K\VLFDO6RFLHW\RI-DSDQDQG-DSDQSociety of Applied Physics.
11Session 1【Power Electronics / パワーエレクトロニクス】

Session 1【Power Electronics / パワーエレクトロニクス】

“Power Devices: Key Technology Driver for Future PowerElectronic Systems - Development Trend in Europe”「将来のパワーエレクトロニクスシステムを先導するキーテクノロジー- ヨーロッパにおける開発動向」

Leo Lorenz (ECPE / In¿neon Technologies, *erPany)“SiC Power Devices - Today and Future”「SiC パワー半導体の現状と将来」

Masahito Otsuki (Fuji Electric Co.,Ltd, Japan)
大月 正人（富士電機株式会社）“GaN Power Devices on Si Substrates and Application toPower Conversion Systems”「Si 基板上 GaN パワーデバイスと電力変換機器への応用」

Tetsuzo Ueda (Panasonic Corporation, Japan)
上田 哲三（パナソニック株式会社）

15

POWER DEVICES: KEY TECHNOLOGY DRIVER
FOR FUTURE POWER ELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT TREND IN EUROPE


Leo LorenzECPE,/DQGJUDEHQ6WUDVVH1XUHPEHUJ*HUPDQ\,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHVMunichAbstract
7KHPDLQFKDOOHQJHLQ3RZHU(OHFWURQLFV6\VWHPVDQG3RZHU'HYLFHGHYHORSPHQWLVGLUHFWHG
E\DVLPXOWDQHRXVLQFUHDVHLQ3RZHU'HQVLW\(I¿FLHQF\DQG5HOLDELOLW\(OHYDWHGSRZHUGHQVLW\DQGHIILFLHQF\ZLOOEHDFKLHYHGE\QHZGHYHORSPHQWVRQ6LGHYLFHVDQGFRPSRQHQWVEDVHGRQ
ZLGH%DQGJDSPDWHULDODGYDQFHGSDFNDJLQJWHFKQRORJLHVDQGIXWXUHSRZHUFLUFXLWWRSRORJLHVDVZHOODVVZLWFKLQJVWUDWHJLHV(PEHGGHGSRZHULQWHJUDWLRQRQFKLSOHYHOZLOOPHHWWKHUHTXLUHPHQWVIRUXOWUDIDVWVZLWFKLQJDQGQHZFKLSLQWHUIDFLQJWHFKQRORJLHVZLWKDPDWFKLQWKHFRHIILFLHQWRIWKHUPDOH[WHQVLRQIRUWKHLQGLYLGXDOPDWHULDOV,QWKHSUHVHQWDWLRQWKHGHYHORSPHQWWUHQGVRISRZHUVHPLFRQGXFWRUGHYLFHVDQGSRZHUHOHFWURQLFV\VWHPGHYHORSPHQWVLQ(XURSHZLOOEHVKRZQDQG
discussed in detail.

16

Leo Lorenz< CV >/(2/25(1=UHFHLYHGWKH0(QJ'HJUHHIURP8QLYRI%HUOLQ*HUPDQ\LQDQGWKH
3K'GHJUHH ¿UVWFODVV+RQV IURP8QLYHUVLW\RI0XQLFKLQ *HUPDQ\ +HLVFXUUHQWO\7HFKQRORJ\$GYLVRUIRU1HZ3RZHU6HPLFRQGXFWRU'HYLFHVDW,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV0XQLFK)URPWRKHZDV6HQLRU'LUHFWRUDW6LHPHQVUHVSRQVLEOHIRU3RZHU
6HPLFRQGXFWRU'HYLFHVLQ$XWRPRWLYH ,QGXVWULDO$SSOLFDWLRQ)URPWRKHVHUYHGDV
6HQLRU3ULQFLSOHLQ$SSOLFDWLRQDQG&RQFHSW(QJLQHHULQJIRUDOOSRZHUVHPLFRQGXFWRU7HFKQRORJLHV
LQ0XQLFK6LQJDSRUH6KDQJKDL,QWKLVILHOGKHKDVSXEOLVKHGPRUHWKDQ-RXUQDOFRQIHUHQFH
SDSHUVZLWKDKLJKFLWDWLRQUDWHDQGLVWKHRZQHURIPRUHWKDQSDWHQWV+HJDYHPRUHWKDQNH\
QRWHSUHVHQWDWLRQVDWKLJKOHYHO6XPPLWVDQG&RQIHUHQFHV%HVLGHKLVZRUNLQ,QGXVWU\KHLVD+RQRUDEOH$GMXQFW3URIHVVRUDWVHYHUDO8QLYHUVLWLHVLQ*HUPDQ\DQG:RUOGZLGH,QWKLVIXQFWLRQKHSURYLGHVFRXUVHVRQSRZHUVHPLFRQGXFWRUWHFKQRORJLHVDQGVXSHUYLVHGPRUHWKDQ3K'6WXGHQWV'U/RUHQ]LVRQHRIWKH.H\)RXQGHURI(&3( (XURSHDQ&HQWHURI3RZHU(OHFWURQLFV DQG
VLQFHWKHIRXQGDWLRQLQ3UHVLGHQWRIWKLVRUJDQL]DWLRQ+HLV)RXQGHU&RIRXQGHURIVHYHUDOFRQIHUHQFHVVXFKDV&,36 &RQIHUHQFHRQ,QWHJUDWHG3RZHU6\VWHPV 3&,0$VLD(3(HWF+H
VHUYHGDV*HQHUDO&KDLURIVHYHUDO&RQIHUHQFHVHJ&,36VLQFH(3(,636'3&,0VLQFHDQGLVLQWKH$GYLVRU\%RDUGRIDOORIWKHVH&RQIHUHQFHV'U/RUHQ]UHFHLYHGVHYHUDOWLPHVWKHEHVWSDSHU$ZDUGDW,(((&RQIHUHQFHV,QDQGKHUHFHLYHGWKH6LHPHQV,QQRYDWLRQ$ZDUGDQGIURPWKH*HUPDQ,QGXVWU\6RFLHW\WKH,QQRYDWLRQ$ZDUGLQ
%HVLGHWKHVHKHUHFHLYHGVHYHUDOKLJKOHYHO,((($ZDUGVHJ,(((,636'2XWVWDQGLQJ&RQWULEXWRU\$ZDUGLQ -DSDQ WKH,(((*HUDOG.OLPDQ,QQRYDWRU$ZDUGLQ 86$ DQGWKH
,(((:LOOLDP(1HZHOO3RZHU(OHFWURQLFV$ZDUGLQ 86$ (UQVW%OLFNOH$ZDUGLQ
*HUPDQ\+HLVDGLVWLQJXLVKHGOHFWXUHUDWVHYHUDO8QLYHUVLWLHVVLQFH+HRZQVDQ,((()HOORZVKLSVLQFHDQGLVD0HPEHURI*HUPDQ$FDGHP\RI6FLHQFHVLQFH'U/RUHQ]LVLQWKH$GYLsory Board of several Research Institutions e.g. Fraunhofer Institute, Robert Bosch Center, CORPE'HQPDUNHWFDQGD7HFKQRORJ\$GYLVRU5HYLHZHURI*RYHUQPHQWDO2UJDQL]DWLRQVDQG)XQGLQJ
3URJUDPV
17

SiC Power Devices – Today and Future
M. Otsuki(OHFWURQLF'HYLFHV%XVLQHVV*URXS)XML(OHFWULF&R/WG7VXNDPD0DWVXPRWR1DJDQR-DSDQ

Abstract,QQRYDWLRQLQHOHFWULFDQGWKHUPDOHQHUJ\WHFKQRORJ\DUHNH\WRGHYHORSSRZHUFRQYHUVLRQSURGXFWVWRPD[LPL]HHQHUJ\HIILFLHQF\OHDGLQJWRDVRFLHW\WKDWLVVDIHVHUHQHDQGDERYHDOOVXVWDLQDEOH7KHSRZHUVHPLFRQGXFWRUGHYLFHVDUHZLGHO\XVHGIRU\HDUVLQVXFKV\VWHPVDVIDVWDQG
UHOLDEOHVZLWFKLQJGHYLFHVRIORZSRZHUGLVVLSDWLRQ,*%7V ,QVXODWHG*DWH%LSRODU7UDQVLVWRU DUH
RQHRIWKHEHVWFRQWULEXWRUVLQPLGWRKLJKSRZHUFRQYHUVLRQKRZHYHU6L& 6LOLFRQ&DUELGH SRZHU
GHYLFHVDUHFKDOOHQJLQJWRWDNHRYHU,*%7DSSOLFDWLRQ¿HOG7KLVSDSHUSUHVHQWVWKHLPSDFWRIWKH
6L&SRZHUGHYLFHVDQG6L&LQVWDOOHGSRZHUFRQYHUVLRQV\VWHPV,QQRYDWLYHQHZWHFKQRORJLHVWRVTXHH]H6L&SHUIRUPDQFHRIVXSHUIDVWVZLWFKLQJDUHDOVRSUHVHQWHG
6L& SRZHU VHPLFRQGXFWRUV DUH KLJKO\ H[SHFWHG WR
KDYH RXWVWDQGLQJ SHUIRUPDQFH RI EUHDNLQJ WKH SK\VLFDOOLPLWDWLRQRIVLOLFRQEDVHGSRZHUGHYLFHV7KHGUDPDWLF
reduction in power dissipation as well as increase in power
GHQVLW\SURPLVHJUHDWFRQWULEXWLRQLQWKHQH[WJHQHUDWLRQSRZHUHOHFWURQLFVV\VWHPV
7KHK\EULGSRZHUPRGXOHVKRZQLQ)LJKDVWKHKLJKSHUIRUPDQFHFKLSVHWRIWKHODWHVWJHQHUDWLRQVLOLFRQ9
UDWHG ,*%7 DQG 6L& VFKRWWN\ EDUULHU GLRGH7KH  V
LQYHUWHUVXVLQJWKH6L&K\EULGPRGXOHVZKLFKDUHDOUHDG\DYDLOEOHLQPDUNHWDFKLHYHGDERXWUHGXFWLRQLQWRWDOSRZHUGLVVLSDWLRQ7KHJUHWHVWLPSDFWZDVWRXSJUDGHLWV
RXWSXWSRZHUWR N:ZLWK6L&K\EULGPRGXOHLQWKH
VLOLFRQ,*%7EDVHG N:PD[IUDPH
)LJXUHSUHVHQWVWKH0:RXWSXWPHJDVRODUSRZHUFRQGLWLRQLQJ VXEV\VWHP 3&6  . The All-SiC power
PRGXOHKDV6L&026(7VDQG6L&6FKRWWN\GLRGHV7KH
SRZHU PRGXOH KDYH QHZ IHDWXUH RI VXSHU ORZ LQWHUQDO
inductance and very high power density to squeeze
PD[LPXP SHUIRUPDQFH RI 6L& SRZHU FKLSVHW 7KHFRQYHUVLRQHI¿FLHQF\LVDVKLJKDV7KHIRRWSULQJ
VL]HKDVDEHHQGUDPDWLFDOO\UHGXFHGWRE\RSWLPDOO\FRPELQLQJ WKH '& ERRVWHU FLUFXLW DQG LQYHUWHU FLUFXLW
7KLV SURGXFW ZDV DZDUGHG )LUVW 3UL]H LQ WKH )<-DSDQ (OHFWULFDO 0DQXIDFWXUHV¶$VVRVLDWLRQ WHFKLQLFDO
$FKLHYHPHQW$ZDUG
References>@1(JXFKL)XMLHOHFWULF5HYLHZYROQRSS
>@11DVKLGD)XML(OHFWULF5HYLHZYROQRSS

18

Fig. 1 The SiC hybrid power module
installed 690V inverter “FRENIC-VG
Stack Series”

Fig. 2 Mega solar power conditioning
sub-system and All-SiC module.

Masahito Otsuki
Senor Manager,'HYLFH'HYHORSPHQW'HSDUWPHQW'HYHORSPHQW'LYLVLRQ(OHFWURQLF'LYLFH%XVLQHVV*URXSFuji Electric Co.,Ltd.
0DWVXPRWR1DJDQR-DSDQ< CV ><Academic Background>

%(QJ7RKRNX8QLYHUVLW\

0(QJ7RKRNX8QLYHUVLW\$FDGHPLFJXHVW6ZLVV)HGHUDO,QVWLWXWHRI7HFKQRORJ\=ULFK (7+=ULFK

'U(QJIURP<DPDQDVKL8QLYHUVLW\<Work Experience>$SULO

-RLQHG)XML(OHFWULF&R/WG1HZ*HQHUDWLRQ,*%7GHYHORSPHQW$SULO(QJLQHHULQJ0DQDJHU1HZ*HQHUDWLRQ,*%7GHYHORSPHQW-XQH

*HQHUDO0DQDJHU(XURSH5HVHDUFKDQG7HFKQLFDO&HQWHUDW)XML(OHFWULF(XURSH*PE+$SULO

6HQLRU&KLHI5HVHDUFKHU(OHFWURQLF'HYLFH/DERUDWRU\

2FWREHUWRGD\ 6HQLRU0DQDJHU'HYLFH'HYHORSPHQW'HSDUWPHQW

19

GaN POWER DEVICES ON Si SUBSTRATESAND APPLICATION TO POWER CONVERSION SYSTEMS
Tetsuzo Ueda
3DQDVRQLF&RUSRUDWLRQ$XWRPRWLYH ,QGXVWULDO6\VWHPV&RPSDQ\(QJLQHHULQJ'LYLVLRQ<DJXPR1DNDPDFKL0RULJXFKLVKL2VDND-DSDQ

Abstract
6WDWHRIWKHDUWSHUIRUPDQFHVRI*DOOLXP1LWULGH *D1 SRZHUVZLWFKLQJGHYLFHVRQ6LVXEVWUDWHVDUHUHYLHZHG$QRUPDOO\RII*D1WUDQVLVWRUQDPHGDVD*DWH,QMHFWLRQ7UDQVLVWRU *,7 VHUYHVORZRQVWDWHUHVLVWDQFHVDQGKLJKEUHDNGRZQYROWDJHVWRJHWKHUZLWKLWVUHOLDEOHRSHUDWLRQ6XSHULRUSHUIRUPDQFHVRISRZHUVZLWFKLQJV\VWHPVXVLQJ*,7VDUHGHPRQVWUDWHGIRULQYHUWHUVDQGYDULRXVFLUFXLWVIRUSRZHUVXSSOLHVLPSO\LQJWKDWWKHVHQHZGHYLFHVDUHYHU\SURPLVLQJIRUIXWXUHHQHUJ\HI¿FLHQWDSSOLFDWLRQV
I. INTRODUCTION:LGH EDQGJDS VHPLFRQGXFWRUV UHSUHVHQWHG E\*D1DQG6L& 6LOLFRQ&DUELGH KDYHEHHQH[SHFWHGWR
RYHUFRPHWKHOLPLWDWLRQRIDFKLHYDEOHSHUIRUPDQFHV
by existing Si power devices. Thus, these new
VHPLFRQGXFWRUV ZRXOG HQDEOH H[WUHPHO\ KLJK SRZHU
and/or high speed operations of power switching
V\VWHPV OHDGLQJ WR YHU\ FRPSDFW V\VWHPV )LJXUH shows how the applications of power transistors can
EH H[WHQGHG E\ QHZ ZLGH EDQGJDS VHPLFRQGXFWRUV
6LQFHWKHLQFUHDVHRIWKHEUHDNGRZQYROWDJHRI*D1
WUDQVLVWRUV LV OLPLWHG XS WR 9 E\ WKH H[LVWLQJ
HSLWD[LDOJURZWKWHFKQRORJ\RI*D1RQ6LVXEVWUDWHV
high frequency operation with relatively low output
SRZHU LV WKH WDUJHW IRU *D1 6R IDU D QHZ GHYLFH
VWUXFWXUHQDPHGDV*,7KDVDFKLHYHGDQRUPDOO\RII
Fig. 1 Potential applications of GaN and SiC
RSHUDWLRQWKDWKDGEHHQWKHPRVWVHULRXVWHFKQLFDOLVVXH
power switching transistors.
IRU*D1SRZHUGHYLFHV>@,QWKLVSDSHUUHFHQWSURJUHVVRI*D1*,7VRQ6LDQGLPSURYHGSHUIRUPDQFHVRISRZHUVZLWFKLQJV\VWHPVXVLQJWKH*,7VDUHSUHVHQWHGZKLFKGHPRQVWUDWHVWKDW*,7VDUHYHU\SURPLVLQJIRUIXWXUHSRZHUVZLWFKLQJV\VWHPV
II. GaN GATE INJECTION TRANSISTORS ON Si*D1WUDQVLVWRUVXWLOL]HWKH$O*D1*D1KHWHURVWUXFWXUHVZKHUHWZRGLPHQVLRQDOHOHFWURQJDV '(* ZLWKKLJKFDUULHUGHQVLW\DQGKLJKHOHFWURQPRELOLW\LVIRUPHG7KH*,7FRQVLVWVRISW\SHJDWHIRUPHG
RYHUWKH$O*D1*D1HQDEOLQJWKHQRUPDOO\RIIRSHUDWLRQ,QMHFWLRQRIKROHVIURPWKHSJDWHHQKDQFHVWKHIRUPDWLRQRIWKHHOHFWURQVDWWKHFKDQQHOUHVXOWLQJLQORZRQVWDWHUHVLVWDQFHDQGKLJKGUDLQFXUUHQWPDLQWDLQLQJWKHQRUPDOO\RIIRSHUDWLRQ)LJXUHVKRZVDVFKHPDWLFFURVVVHFWLRQRIWKH*,7ZLWKWKH
RSHUDWLQJSULQFLSOH7DEOHVXPPDUL]HVWKH'&FKDUDFWHULVWLFVRIZRUNLQJVDPSOHVRI*,7VRQ6L7KH
notable characteristics are the low Ron4g (RonRQVWDWHUHVLVWDQFH4gJDWHFKDUJH RIP:nC which is
RQHWKLUWHHQWKVPDOOHUWKDQWKDWRIVWDWHRIWKHDUWVXSHUMXQFWLRQ6L026LQGLFDWLQJIDUEHWWHUSRWHQWLDOIRU
WKHKLJKVSHHGVZLWFKLQJ1RWHWKDWVWDQGDUGUHOLDELOLW\WHVWVKDYHEHHQTXDOL¿HGIRUWKH*,7V

20

Table 1 Summary of DC characteristics of GaN GITs on Si.

Fig. 2 A schematic cross section of a GIT
with the operating principle.

ltems

ValuesThreshold voltage Vth

1.2 V

Rating blocking voltage BVds

600 V

Breakdown voltage BVds

1000 V

Rating drain current ld

15 A

On-state resistance Ron

65 m:

Gate charge Qg

11 nC

III. APPLICATION OF GITs TO POWER CONVERSION SYSTEMS*D1*,7VRQ6LDUHDSSOLFDEOHWRYDULRXVSRZHUFRQYHUVLRQV\VWHPVLQFOXGLQJLQYHUWHUVDQGFLUFXLWVLQSRZHUVXSSOLHVHQDEOLQJKLJKHIILFLHQFLHV>@,QRUGHUWRH[WUDFWWKHSRWHQWLDORIYHU\IDVW*D1
DVVHPEO\WHFKQLTXHLVDOVRFULWLFDO)OLSFKLSFRQ¿JXUDWLRQVXFFHVVIXOO\UHGXFHVSDUDVLWLFLQGXFWDQFHVDQG
WKXVHQDEOHVYHU\IDVWVZLWFKLQJ7KHÀLSFKLSLVDSSOLHGWRERRVWXS'&'&FRQYHUWHUZKLFKLVDEDVLF
FLUFXLWRISRZHUFRQYHUVLRQUHVXOWLQJLQHI¿FLHQF\DWN:DVVKRZQLQ)LJ7KHVHSHUIRUPDQFHVLQGLFDWHWKDW*,7VDUHYHU\SURPLVLQJIRUHQHUJ\HI¿FLHQWSRZHUFRQYHUVLRQV\VWHPVLQWKHIXWXUH

Fig. 3 Operating efficiencies at various output powers of a boost-up DC-DC converter using
GITs with flip-chip assembly.

References>@ 78HGDHWDO-SQ-$SSO3K\V  
>@ 70RULWDHWDO3URFWK,((($3(&)RUW:RUWK86$0DUFKSS
>@ 70RULWDHWDO3&,0(XURSH1XUHPEHUJ*HUPDQ\0D\

‫&ޒ‬9‫ޓ‬
Tetsuzo Ueda UHFHLYHG WKH %6 06 DQG 3K' GHJUHHV LQ HOHFWULFDOHQJLQHHULQJIURP.\RWR8QLYHUVLW\LQDQGUHVSHFWLYHO\,QKHMRLQHG0DWVXVKLWD(OHFWULF FXUUHQWO\3DQDVRQLF ZKHUHKHKDGEHHQ
HQJDJHGLQWKHGHYHORSPHQWRIFRPSRXQGVHPLFRQGXFWRUGHYLFHV)URP
WRKHKDGEHHQDYLVLWLQJVFKRODUDW6WDQIRUG8QLYHUVLW\6LQFHKH
KDVEHHQZRUNLQJRQ*D1SRZHUVZLWFKLQJWUDQVLVWRUV+HFXUUHQWO\VHUYHVWKH
GLUHFWRURI*UHHQ$XWRQRPRXV7HFKQRORJ\'HYHORSPHQW&HQWHUDW3DQDVRQLF
+LVLQWHUHVWVFRYHUWKHZLGHUDQJHRISRZHUHOHFWURQLFVIURPGHYLFHVWRV\VWHP
21

Session 2【Activities of Nanotechnology Platform / ナノテクノロジープラットフォーム活動概要】

Session 2【Activities of Nanotechnology Platform /ナノテクノロジープラットフォーム活動概要】

Award Ceremony / 表彰式
Research Achievements and Others
H27 年度の秀でた利用６大成果及び技術支援表彰
Research Topics of Nanotechnology Platform
H27 年度の秀でた利用６大成果
Poster Presentation /Activities of Nanotechnology Platform
ポスター発表／ナノテクノロジープラットフォームの実施概要及び
利用成果

25

Session 3【Nanoelectronics / ナノエレクトロニクス】

Session 3【Nanoelectronics / ナノエレクトロニクス】

“Extending Si, Beyond-Si, to Beyond-CMOS:
Perspectives on Logic Nano-Electronics Scaling for the Next
Decade and Beyond”「Si-CMOS を超えるデバイスへの挑戦‒ IoT 時代への論理デバイスの構造、材料、そして新原理」

Aaron Thean (IMEC, BelgiuP)“Prospects of Silicon Photonics for Photonic and Electronic
Convergence”「光電子融合に向けたシリコンフォトニクスの展望」

Yasuhiko Arakawa (The University of Tokyo, Japan)
荒川 泰彦（東京大学）“Voltage Controlled Magnetization Switching and Its Application
to Memory/Storage Fields-Toward Realization of a Long Term Use IT Devices without
Recharging”「磁化の電界制御とメモリ／ストレージへの応用展開- 無充電で長期間使える究極のエコ IT 機器の実現を目指して」

Masashi Sahashi (Japan Science and Technology Agency / Tohoku University, Japan)
佐橋 政司（科学技術振興機構／東北大学）

29

EXTENDING SI, BEYOND-SI, TO BEYOND-CMOS:PERSPECTIVES ON LOGIC NANO-ELECTRONICS SCALINGFOR THE NEXT DECADE AND BEYOND
A. Thean,0(&.DSHOGUHHI%/HXYHQ%HOJLXPAbstract$ QHZ LQIRUPDWLRQ VXSHUVWUXFWXUH LV HPHUJLQJ DV ZH PRYH LQWR WKH HUD RI ,QWHUQHW RI
(YHU\WKLQJ ,R( :LWKWKHRUGHUVRIPDJQLWXGHLQFUHDVHLQFRQQHFWHGGHYLFHVIXWXUHQHWZRUNVDUHH[SHFWHGWRHYROYHGLIIHUHQWO\IURPWRGD\¶VLQWHUQHW$VRXULQIRUPDWLRQLQIUDVWUXFWXUHHYROYHVWKURXJK WKH QH[W GHFDGH GDWD FHQWHUV VPDUW PRELOH GHYLFHV DQG VHQVRU QRGHV ZLOO GHPDQG D
YDULHW\RIHQHUJ\HI¿FLHQWHOHFWURQLFV\VWHPVWKDWFDQVDWLVI\DP\ULDGRISHUIRUPDQFHIRUPIDFWRU
DQGFRVWQHHGV7KXVJLYLQJULVHWRQHZDQGPRXQWLQJFKDOOHQJHVIRUSHUIRUPDQFHSRZHUFRVWDQG
GHQVLW\VFDOLQJIRUQDQRHOHFWURQLFV2QWKHRWKHUKDQGRYHUFRPLQJWKHVHQHZFKDOOHQJHVZLOOEULQJ
H[FLWLQJLQQRYDWLRQVLQSURFHVVFDSDELOLW\PDWHULDOLQWHJUDWLRQGHYLFHDUFKLWHFWXUHVDQGV\VWHPGHVLJQ,QWKLVWDONZHZLOOH[DPLQHVRPHRIWKHFXUUHQWORJLFVFDOLQJWUHQGVUHYLHZZKDWDUHWKH
SRVVLEOHSDWKVIRUZDUGIRUSURFHVVWHFKQRORJLHVIRUQPQPDQGEH\RQG$VZHWUDQVODWHSK\VLFVDQGQHZPDWHULDOVWRWHFKQRORJLHVZHZLOODOVRORRNLQWRKRZWKH\ZLOOKDYHWRFRXSOHFORVHO\WR
QHZV\VWHPVWUDWHJLHV,QWKHSURFHVVZHZLOOUHYLHZVRPHRI,0(&¶VRQJRLQJDGYDQFHG/RJLF
5 'DFWLYLWLHVDQGLQQRYDWLRQVWDUJHWLQJXSFRPLQJWHFKQRORJLHV7KLVZLOOLQFOXGHWKHSURFHVVHVIRUPXOWLJDWHGHYLFHVEH\RQG)LQ)(7VEH\RQG6LFKDQQHOGHYLFHVDSSO\LQJ,,,9*HDQGRWKHUHPHUJLQJ%H\RQG&026GHYLFHFLUFXLWDUFKLWHFWXUHVEDVHGRQ6SLQWURQLFV30

A. Thean,0(&.DSHOGUHHI%/HXYHQ%HOJLXP< CV >$DURQ7KHDQLVWKH9LFH3UHVLGHQWRI3URFHVV7HFKQRORJLHVDQGWKH'LUHFWRURIWKH/RJLF
'HYLFHV5HVHDUFKDW,0(&+HFXUUHQWO\GLUHFWVWKHUHVHDUFKDQGGHYHORSPHQWRIGHYLFH
WHFKQRORJLHVUDQJLQJIURPXOWUDVFDOHG)LQ)(7VWR,,,9*H&KDQQHOVHPHUJLQJQDQRGHYLFHDUFKLWHFWXUHVORJLFVSLQWURQLFVDQGQRYHOPDWHULDOV3ULRUWRMRLQLQJ,0(&LQKHZDVZLWK4XDOFRPP¶V&'0$WHFKQRORJLHVLQ6DQ'LHJR&DOLIRUQLD$DURQDOVRVHUYHGDV,%0¶V)URQW(QGRI/LQHGHYLFHPDQDJHUIRUWKHQPDQGQPORZSRZHUEXON&0265 'DW
,%0¶V6HPLFRQGXFWRU5HVHDUFKDQG'HYHORSPHQW&HQWHULQ1HZ<RUN3ULRUWR,%0$DURQ
ZDVDVHQLRUPHPEHURIWKHWHFKQLFDOVWDIIDW)UHHVFDOH6HPLFRQGXFWRUDQGWKHPDQDJHURIWKH
1RYHO'HYLFH*URXSLQ$XVWLQ7H[DV$DURQJUDGXDWHGIURP8QLYHUVLW\RI,OOLQRLVDW&KDPSDLJQ8UEDQD86$ZKHUHKHUHFHLYHGKLV%6F +LJKHVW+RQRUV 06FDQG3K'GHJUHHVLQ(OHFWULFDO(QJLQHHULQJ$Q,(((6HQLRU0HPEHUKHKDVSXEOLVKHGRYHUWHFKQLFDOSDSHUVDQGKROGVPRUHWKDQ86SDWHQWV

31

Prospects of Silicon Photonics for Photonic and Electronic Convergence
Yasuhiko Arakawa,QVWLWXWHIRU1DQR4XDQWXP,QIRUPDWLRQ(OHFWURQLFV7KH8QLYHUVLW\RI7RN\R
Research Center for Photonics Electronics Convergence,
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo.RPDED0HJXURNX7RN\R-DSDQ
arakawa@iis.u-tokyo.ac.jp(YROXWLRQ RI FRPSXWLQJ V\VWHPV LV LQGLVSHQVDEOH IRU UHDOL]LQJ ERWK FORXG FRPSXWLQJ DQGDXWRQRPRXVGLVWULEXWHG HGJH FRPSXWLQJV\VWHPVLQWKHIXWXUHF\EHUSK\VLFDOVRFLHW\7KH&38
&38&38PHPRU\LQWHUFKLSEDQGZLGWKVLQSHUVRQDOFRPSXWHUVDQGVHUYHUVDUHFXUUHQWO\GRXEOHG
HYHU\WZR\HDUVDQGDUHHVWLPDWHGWRUHDFKWKHWHUDVFDOHELWUDWHDURXQGWKHPLGGOHRIWKHV
,QSDUWLFXODUWKHEDQGZLGWKIRULQWHUFKLSLQWHUFRQQHFWVLQWKHIXWXUHLVUHTXLUHGWREHPXFKKLJKHU
than that for intra-chip ones. However, currently there are no solutions with electrical interconnects,
ZKLFKLVQRZZLGHO\UHFRJQL]HGHYHQE\/6,FRPPXQLW\$QRSWLFDOLQWHUFRQQHFWEDVHGRQVLOLFRQSKRWRQLFVDUHDSURPLVLQJFDQGLGDWHIRUVROYLQJWKHEDQGZLGWKERWWOHQHFNSUREOHPDPRQJ/6,
FKLSVDVSKRWRQVFDQSURYLGHZLWKZLGHEDQGZLGWKORZODWHQF\ORZSRZHUFRQVXPSWLRQDQG
ORZPXWXDOLQWHUIHUHQFH7KHFRQYHUJHQFHEHWZHHQSKRWRQLFVDQGHOHFWURQLFVLVKLJKO\H[SHFWHGWRFUHDWHLQQRYDWLYHGHYLFHVDQGV\VWHPVWRRYHUFRPHYDULRXVOLPLWDWLRQVPHQWLRQHGDERYHDQGWR
open new directions for research into novel photonics function >@.
,Q -DSDQ 3KRWRQLFV(OHFWURQLFV &RQYHUJHQFH 6\VWHP7HFKQRORJ\ 3(&67  ZDV FDUULHG
RXWIURP0DUFKIRU\HDUVDVRQHRIWKHWKLUW\SURMHFWVLQWKH),567SURJUDPZKLFKZDVVXSSRUWHGE\WKH&673IRUWKHSXUSRVHRIH[FHHGLQJWKHOLPLWDWLRQRIFXUUHQW/6,V7KHWRWDOEXGJHW
RIWKHSURMHFWZDVDERXW0LOOLRQ86:HVXFFHHGHGLQGHPRQVWUDWLQJWKHKLJKHVWEDQGZLGWKGHQVLW\RI7ESVFPLQDVLOLFRQRSWLFDOLQWHJUDWHGV\VWHP0RUHRYHUKLJKWHPSHUDWXUHRSHUDWLRQC RIWKHVLOLFRQRSWLFDOLQWHJUDWHGV\VWHPZLWKRXWDQ\DGMXVWPHQWE\LQWHJUDWLQJTXDQWXPGRWODVHUDUUD\VDVOLJKWVRXUFHVDVVKRZQLQ)LJ>@ZKLFKUHVXOWVIURPKLJKWHPSHUDWXUHVWDELOLW\RI
WKHODVHUGXHWRWKHWKUHHGLPHQVLRQDOTXDQWXPFRQ¿QHPHQWRIFDUULHVLQTXDQWXPGRWV>@%DVHG
RQWKHVHIDVFLQDWLQJUHVXOWV0(7,LQLWLDWHGDQHZELJQDWLRQDOSURMHFWQDPHG,QWHJUDWHG3KRWRQLFV(OHFWURQLFV&RQYHUJHQFH6\VWHP7HFKQRORJ\ 3(&67,, LQ6HSWHPEHUDVD\HDUSURMHFWFXUUHQWO\IXQGHGDQGPDQDJHGE\1('2ZLWKWKHWRWDOEXGJHWRIDERXW0LOOLRQ867KH
3KRWRQLFV(OHFWURQLFV7HFKQRORJ\5HVHDUFK$VVRFLDWLRQ 3(75$ LVWKHSULQFLSDOGHYHORSPHQW
organization responsible for the project. I have been the project leaders of both PECST and PECT-II
projects.
,QWKLVSUHVHQWDWLRQDIWHUEULHÀ\GHVFULELQJDERXWSURVSHFWVRIFRPSXWLQJV\VWHPLQWHJUDWHG
FKLSWHFKQRORJ\IRUIXWXUH,R7 $,±EDVHGVRFLHW\ZHGLVFXVVUHFHQWDGYDQFHVLQWKHVLOLFRQRSWLFDOLQWHJUDWHGV\VWHPVLQFOXGLQJVLOLFRQRSWLFDOLQWHUSRVHUVDQGLQQRYDWLYHGHYLFHVVXFKDVTXDQWXP
dot lasers on silicon.

32

(a)

(b)

Fig. 1: (a) Silicon optical integrated system with quantum dot laser array (b) 20 Gbps datatransmission from 25 to 125 C. The results demonstrate capability of the system withbandwidthdensity of 15Gbps/cm2 without any temperature adjustment up to 125C

Acknowledgement
7KLVZRUNZDVVXSSRUWHGLQSDUWE\),567SURJUDPDQG1('2SURMHFWReferences>@ <$UDNDZDHWDO,(((&RPPXQLFDWLRQV0DJD]LQH,(((51 >@ <8ULQR<$UDNDZDHWDO(OHFWURQLFV/HWWHUV50 >@ <$UDNDZDDQG+6DNDNL$SSOLHG3K\VLFV/HWWHUV40  ‫&ޒ‬9‫ޓ‬Yasuhiko ArakawaUHFHLYHGKLV%(0(DQG3K'GHJUHHLQ(OHFWURQLFVDQG
(OHFWULFDO(QJLQHHULQJIURPWKH8QLYHUVLW\RI7RN\RLQDQGUHVSHFWLYHO\,QKHMRLQHGWKH8QLYHUVLW\RI7RN\RDVDQDVVLVWDQWSURIHVVRUDQGEHFDPHDIXOOSURIHVVRULQ+HLVFXUUHQWO\WKHGLUHFWRURI5HVHDUFKCenter for Photonics Electronics Convergence, Institute of Industrial Science
DQG WKH GLUHFWRU RI ,QVWLWXWH IRU 1DQR 4XDQWXP ,QIRUPDWLRQ (OHFWURQLFV WKH8QLYHUVLW\ RI7RN\R +H VHUYHG DV D PHPEHU RI 6FLHQFH &RXQFLO RI -DSDQ DSURMHFWOHDGHURI),5673URJUDP  DQGWKH3UHVLGHQWRI,QWHUQDWLRQDO&RPPLVVLRQRI2SWLFV ,&2   +HKDVEHHQDZDUGHG)HOORZVRI,(((26$-6$3
DQG,(,&(+LVPDMRUUHVHDUFKILHOGVLQFOXGHSK\VLFVJURZWKDQGSKRWRQLFVDSSOLFDWLRQVRIWKH
TXDQWXPGRW,QKHKDVEHHQFRQWULEXWLQJWRYDULRXVDFWLYLWLHVRI,QWHUQDWLRQDO<HDURI/LJKW
DQG/LJKWEDVHG7HFKQRORJ\ ,</ 
3URI$UDNDZDUHFHLYHGVHYHUDOPDMRUDZDUGVLQFOXGLQJ/HR(VDNL$ZDUG  ,(((/(26:LOOLDP6WUHLIHU$ZDUG  )XMLZDUD$ZDUG  3ULPH0LQLVWHU$ZDUG  0HGDOZLWK3XUSOH5LEERQ  ,((('DYLG6DUQRII$ZDUG  & &$ZDUG  :HONHU$ZDUG  
DQG26$1LFN+RORQ\DN-U$ZDUG  

33

Voltage Controlled Magnetization Switchingand Its Application to Memory/Storage Fields-Toward realization of a long term use IT devices without rechargingM. Sahashi 1,2


&67,,P3$&73URJUDP-DSDQ6FLHQFHDQG7HFKQRORJ\$JHQF\&KL\RGDNX7RN\R-DSDQTohoku University
6HQGDL-DSDQ

Abstract
7RGD\ VPRELOH,7GHYLFHVUHTXLUHIUHTXHQWUHFKDUJLQJDQGODUJHQXPEHURIEDWWHU\FKDUJHUVDUH
SOXJJHGLQIRUDORQJWLPHDWKRPHDQGRI¿FHVZKLOHDEDWWHU\FKDUJHULWVHOIZDVWHVHOHFWULFSRZHU,QDGGLWLRQZHDUHDOVRVWUHVVHGE\WKHULVNRIWKHDFFHVVLQWHUUXSWLRQRIHPHUJHQF\LQIRUPDWLRQ
during a large-scale disaster or prolonged power outage. Marked reduction of the power
FRQVXPSWLRQRI,7GHYLFHVE\XVLQJPDJQHWLFPHPRULHVFRQWUROOHGE\YROWDJHDQGQRQYRODWLOH
VSLQWURQLFVORJLF9/6,HQDEOHVDFRPIRUWDEOHOLIHVW\OHZLWKRXWUHFKDUJLQJDQ[LHW\0RUHRYHUDVDIH
DQGVHFXUH,7VRFLHW\LVUHDOL]HGWKURXJKWKHGLVWULEXWHG,7V\VWHPVGULYHQE\KDUYHVWHGHQHUJ\ZKHUH WKH LQIRUPDWLRQ LV DFFHVVLEOH GXULQJ ODUJHVFDOH GLVDVWHUV DQG SURORQJHG SRZHU FXWRII7RGD\ VPDLQVWUHDPODUJHFDSDFLW\PHPRU\'5$0VDQGHYHQWKHQRQYRODWLOHPHPRU\05$0V
XQGHUGHYHORSPHQWUHTXLUHDODUJHFXUUHQWWRZULWHLQIRUPDWLRQZKLFKOLPLWVWKHHQHUJ\HI¿FLHQF\Exis ting Compute r

Futureaime d by ImPACT

Nonvolatile Inte grate d
Logic/Me mory Circuit
S pin Trans is tor

S RAM
DRAM

Voltage Drive n
S pin Me mory
Charge /Powe r
1/100

CPU
Ron Jans e n
S pin FET Proje ct

Voltage
TorqueMRAM

Voltage Drive n
MRAM

Mobile S S D/HDD

Mobile S S D
/HDD

Cloud
HDD

Nonvolatile

CPU

CPU

Voltage Writing
S torage

S ubje cts
which s hould
be s olve dCold CloudHDD

Yos his hige S uzuki
Voltage Torque MRAM Proje ct

Bre akthroughin down-s izing
limitation

Run more thana month
without charging

Eliminate charge rs
that are le ft plugge d in

S hinji Yuas a
S ingle-Crys talline MTJ Proje ct

S pintronics
Microcompute r/Dis tribute d IT
S ys te m

Re alize a s afe ands e cure s ocie ty
by dis tribute d
IT s ys te m

Hide o Ohno
S pintronics Microcompute r Proje ct

Voltage Writing
Magne tic S torage

Low powe r
cons umption
Data Ce nte r

Mas as hi S ahas hi
Voltage Writing Magne tic S torage Proje ct

Fig. 1 Scheme of ImPACT Sahashi Program

34

,P3$&76DKDVKL3URJUDPDLPVWRDPDUNHGGHFUHDVHLQHOHFWULFLW\FRQVXPSWLRQDQGDUHOHDVH
IURPDKXPDQVWUHVVZLWKIUHTXHQWUHFKDUJLQJE\WKHLPSXOVLQJSDUDGLJPFKDQJHWKURXJKVSLQFHQWHUHGVFLHQFHDQGWHFKQRORJ\DQGPRUHRYHUDVDIHDQGVHFXUH,7VRFLHW\LVUHDOL]HGWKURXJKWKHGLVWULEXWHG,7V\VWHPVGULYHQE\KDUYHVWHGHQHUJ\ZKHUHWKHLQIRUPDWLRQLVDFFHVVLEOHGXULQJODUJHVFDOHGLVDVWHUVDQGSURORQJHGSRZHUFXWRII6RWKHUHLVFRPSRVHGRISURMHFWVLH6SLQ)(7SURMHFW 'U5RQ-DQVHQ 9ROWDJH7RUTXH05$0SURMHFW 3URI<RVKLVKLJH6X]XNL 6LQJOH
&U\VWDOOLQH07-SURMHFW 'U6KLQML<XDVD 6SLQWURQLFVORJLF9/6,3URMHFW 3URI+LGHR2KQR DQG
9ROWDJH:ULWLQJ0DJQHWLF6WRUDJH3URMHFW 3URI0DVDVKL6DKDVKL DVVKRZQLQ¿JXUH
References>@ <6KLRWD71R]DNL<6X]XNLHWDO1DWXUH0DWHULDOV  >@ +-DUROODKL7(QGR+2KQR7+DQ\XHWDO,(((-RXUQDORQ(PHUJLQJDQG6HOHFWHG

7RSLFVLQ&LUFXLWVDQG6\VWHPV  >@ 7$VKLGD71R]DNL06DKDVKLHWDO$SSO3K\V/HWW  < CV >

1DPH0DVDVKL6$+$6+,
3URJUDP0DQDJHU&67,,P3$&73URJUDPDQG3URIHVVRU7RKRNX8QLYHUVLW\³0DVDVKL6$+$6+,´3K'KDVEHHQDSURIHVVRUDW7RKRNX8QLYHUVLW\VLQFHZLWKHOHFWURQLF
HQJLQHHULQJGHSDUWPHQW6LQFH2FWREHUKHDOVRVHUYHVDSURJUDPPDQDJHU&67,,P3$&7
3URJUDPZKLFKLVDQHZFKDOOHQJLQJ5 'SURJUDPIXQGHGE\&67,&DELQHW2I¿FH*RYHUQPHQW
RI-$3$13ULRUWRMRLQLQJ7RKRNX8QLYHUVLW\³6$+$6+,´ZDVDVHQLRUIHOORZIRU5 '&HQWHU
726+,%$&RUSRUDWLRQ+LVDFKLHYHPHQWIRU+''KHDGEURXJKWLQWKH3XUSOH5LEERQ(PSHURU
0HGDO-DSDQLQ(PSHURU$ZDUGIRU,QYHQWLRQ-DSDQLQDQG6HFUHWDU\$ZDUGRIWKH
6FLHQFHDQG7HFKQRORJ\$JHQF\-DSDQLQ35

Session 4【Electronics for Automated Driving / 自動運転におけるエレクトロニクス】

Session 4【Electronics for Automated Driving /自動運転におけるエレクトロニクス】

“Roles and Issues of ICT for the Development of Autonomous
Vehicles”「自動運転実現の鍵を握る ICT 要件」

Tsuguo Nobe (Intel K.K. / Nagoya University, Japan)
野辺 継男（インテル株式会社／名古屋大学）“Image Recognition Technology and Processor for AutomatedDriving”「自動運転の実現に向けた画像認識技術とプロセッサ」

Ryuzo Okada (Toshiba Corporation, Japan)
岡田 隆三（株式会社東芝）“Key Technologies for Automated Vehicles - High Precision Map
and Driving AI”「自動運転知能実現に必要な要素技術開発の取り組み」

Yoshiki Ninomiya (Nagoya University, Japan）
二宮 芳樹（名古屋大学）

39

Roles and issues of ICT for the development of Autonomous Vehicles
Tsuguo NobeIntel K.K.
0DUXQRXFKL&KL\RGDNX7RN\R-DSDQNagoya University)XURFKR&KLNXVDNX1DJR\D-DSDQ
Abstract$XWRQRPRXV9HKLFOHVFRQVWDQWO\SHUFHLYHWKH³ZLWKLQVLJKW´HQYLURQPHQWDOFRQGLWLRQVE\XVLQJ
WKHFRPELQDWLRQVRIVHQVRUVVXFKDVFDPHUDVPLOOLPHWHUZDYHUDGDUV/L'$5VDQGDOVRWKHUXQQLQJVWDWHRIWKHYHKLFOHE\DQDO\]LQJWKHGDWDREWDLQHGIURPYDULRXV(&8VFRQQHFWHGWKURXJK&$1
$GGLWLRQDOO\WKUHHGLPHQVLRQDOPDSORFDWHGLQWKH&ORXGZLOOVXSSRUWDXWRQRPRXVYHKLFOHVWR
prepare for risks hidden within “out-of-sight” areas. Especially, it will be inevitable in order for the
DXWRQRPRXVGULYLQJV\VWHPWRPDNHGULYHUVUHHQJDJHLQWKHGULYLQJWDVNVDIHO\IURP$XWRQRPRXVGULYLQJPRGHZLWKLQDSSURSULDWHDPRXQWRIWUDQVLWLRQWLPH
Presentation Summary
0DQ\ VHQVRUV VXFK DV 5DGDU /L'$5
DQG &DPHUD ZLOO EH DWWDFKHG WR$XWRQRPRXV9HKLFOHVLQRUGHUWRGHWHFWYDULRXVHQYLURQPHQWDOVLWXDWLRQVLQDOOZHDWKHUFRQGLWLRQVDWDQ\WLPHRIDGD\ )LJXUH 
Recognizable distance, however, of the
DERYH PHQWLRQHG YDULRXV VHQVRUV LV DURXQG
PZKLFKLVHTXLYDOHQWWRVHFRQGVZKHQDYHKLFOHLVWUDYHOLQJDWDVSHHGRINPK7KXVWKH VHQVRUEDVHG HQYLURQPHQWDO UHFRJQLWLRQ
is too “short-sighted” to cope safely withthe various driving situations, such as, withdeteriorated line qualities and/or tentative laneclosure because of road repairs or constructions)LJXUH 
In order to solve these situations, an
XQVSHFLILHGQXPEHURIYHKLFOHVKDYLQJUXQLQ
the past, would be used as a sensor network tostatistically recognize the real status of the road
FRQGLWLRQV DV WKH GLIIHUHQFHV IURP WKH JLYHQ
PDS DQG XSGDWH FKDQJHV RI WKH HQYLURQPHQW
RQ ' PDS GDWDEDVH RQ WKH &ORXG:LWK WKLVLPSOHPHQWDWLRQVXEVHTXHQWYHKLFOHVZLOOUHO\RQ VXFK D FROOHFWLYH LQWHOOLJHQFH WR PDNH WKH
SODQDKHDGDXWRQRPRXVGULYLQJ)LJXUH$WWDFKHG6HQVRUVIRU$XWRQRPRXV'ULYLQJ)LJXUH3ODQDKHDGGULYLQJLVPDQGDWH

7KLV FDVH LV GHILQHG DV /HYHO  E\ 1+76$ 1DWLRQDO +LJKZD\7UDQVSRUW 6DIHW\$GPLQLVWUDWLRQ  EXW WKH 0DS VXSSRUW IRUDXWRQRPRXVGULYLQJZRXOGDOVREHUHTXLUHGHYHQZLWK/HYHODQGDERYH40

In addition, in order to drive through in the
DXWRQRPRXVPRGHDWDQ\URDGLQDQ\FRXQWULHV
WKH GULYLQJ DOJRULWKP WKDW SHUIRUPV VDIH OHIWor right-turn or pass-through at any crossroadneeds to be developed. In order to do so, AI,
VXFKDV'HHS5HLQIRUFHPHQW/HDUQLQJZRXOG
EH LQVWUXPHQWDO WR DQDO\]H HQRUPRXV GDWD
FROOHFWHGIURPXQVSHFLILHGQXPEHURIYHKLFOHVLQPDQ\FRXQWULHV
0RUHRYHU LW LV SRVVLEOH IRU DXWRPRWLYHFRPSDQLHVRUrd party service providers, such )LJXUH6PDUW9HKLFOHVDQG1HZ6HUYLFH2SSRUWXQLWLHV
as Transportation Services, Public Services andEnergy Co., to generate or provide new business opportunities by using or offering APIs, which
UHSUHVHQWWKHFROOHFWLYHLQWHOOLJHQFHRIWKHHQYLURQPHQWDOVLWXDWLRQVDQGWKHGULYLQJVWDWXVRIWDUJHW
areas (Figure 3).
7KDQNVIRUWKHH[SRQHQWLDOJURZWKRI,QIRUPDWLRQDQG&RPPXQLFDWLRQ7HKQRORJLHVZLWKUHFHQWGHYHORSPHQWVRI1HXURVFLHQFHDQG$UWL¿FLDO,QWHOOLJHQFHLWZLOOEHVRRQUHDOL]HGWKDWYHKLFOHVZRXOG
EHGULYLQJE\WKHPVHOYHV$WWKHVDPHWLPHLQRUGHUWRFRPSOHWHWKHGHYHORSPHQWKXPDQIDFWRUVEHWZHHQWKHV\VWHPDQGKXPDQEHLQJDQGRWKHUUHODWHGWHFKQRORVLHVVXFKDVF\EHUVHFXULW\DQGSULYDF\LVVHXHVQHHGWREHWKURXJKO\LQYHVWLJDWHGIRUWKHFRQFUHWHDQGSUDJPDWLFVROXWLRQVDVVRRQDVSRVVLEOH
0\SUHVHQWDWLRQDWWKHFRQIHUHQFHGHSLFWVWKHVHWUHQGVRIWKHGHYHORSPHQWRI$XWRQRPRXV9HKLFOHVDQGUHODWHGRXWVWDQGLQJLVVXHVIURPWKHJOREDOSRLQWRIYLHZReferences,QRYHUDOOWKLVDUWLFOHUHIHUV³3UHOLPLQDU\6WDWHPHQWRI3ROLF\&RQFHUQLQJ$XWRPDWHG9HKLFOHV´
LVVXHGE\1DWLRQDO+LJKZD\7UDI¿F6DIHW\$GPLQLVWUDWLRQ‫&ޒ‬9‫ޓ‬$IWHUJUDGXDWHGIURP:DVHGD8QLYHUVLW\6FKRRORI6FLHQFHDQG7HFKQRORJ\'HSDUWPHQWZLWK$SSOLHG3K\VLFVPDMRUMRLQHG1(&LQ:KLOHDW1(&REWDLQHG0%$DW+DUYDUG%XVLQHVVSchool. At NEC, Established the global standard PC business in the US and Europe, and later also in-DSDQ,QVWDUWHG-DSDQVXEVLGLDU\RIDQRQOLQHJDPHFRPSDQ\ZKRVHWHFKQRORJ\00253*ZDVWKRXJKWDSSOLFDEOHIRU7HOHPDWLFVDQGMRLQHG1,66$1LQ0DQDJHGWKHLQWHJUDWLRQRI,&7
IRUYHKLFOHVDQGDZDUGHGWKH%HVW0RELOH,QQRYDWLRQIRU$XWRPRWLYHDQG7UDQVSRUWDW0:&
,QMRLQHG,QWHOWRSURPRWHWKHJOREDOO\VWDQGDUG9HKLFOH,R7DUFKLWHFWXUHZLWKHPSKDVLVRQ
&RQQHFWHG&DUVDQG$XWRQRPRXV'ULYLQJZLWK'HHS/HDUQLQJ6LQFHDGGHGDSRVLWLRQDV
Visiting Associate Professor at Nagoya University. Published books on Connected Vehicle and$XWRQRPRXV'ULYLQJLQ
41

IMAGE RECOGNITION TECHNOLOGY AND PROCESSORFOR AUTOMATED DRIVING
Ryuzo Okada&RUSRUDWH5 '&HQWHU
Toshiba Corporation
.RPXNDL7RVKLEDFKR6DLZDLNX.DZDVDNLVKL-DSDQ
Abstract$XWRPDWLRQRIGULYLQJVXFKDVDXWRPDWLFHPHUJHQF\EUDNLQJDQGDXWRQRPRXVGULYLQJLVRQH
RIWKHPDMRUGLUHFWLRQVRIWHFKQLFDOGHYHORSPHQWIRUUHFHQWDXWRPRELOHV6LQFHFDPHUDVDUHRIWHQ
XVHGDVVHQVRUVIRUDXWRPDWHGGULYLQJLPDJHUHFRJQLWLRQLVDQLPSRUWDQWWHFKQLTXHIRUUHFRJQL]LQJYHKLFOHVXUURXQGLQJVDQGDGULYHUWRUHDOL]HLW:HLQWURGXFHWZRFDWHJRULHVRILPDJHUHFRJQLWLRQ
DOJRULWKPVIRUVXFKSXUSRVHVZKLFKDUHSDWWHUQUHFRJQLWLRQDQGURDGVFHQHVWUXFWXUHXQGHUVWDQGLQJ
:H VKRZ WKDW RXU LPDJH UHFRJQLWLRQ SURFHVVRUV7039 DQG 3039 VHULHV FDQ H[HFXWH
WKH DOJRULWKPV LQ UHDOWLPHZLWKORZ SRZHUFRQVXPSWLRQ EDVHG RQDKHWHURJHQHRXVPXOWLFRUH
architecture.
I. INTRODUCTION
6DIHW\IXQFWLRQVIRUDXWRPRELOHVDUHGHYHORSLQJLQUHFHQW\HDUVIURPSDVVLYHVDIHW\WKDWUHGXFHVGDPDJHRIWUDI¿FDFFLGHQWVWRDFWLYHVDIHW\WKDWSUHYHQWVFROOLVLRQVEHIRUHKDQG7KHIXQFWLRQVRIDFWLYHVDIHW\LQFOXGHVDXWRPDWLRQRIGULYLQJ>@VXFKDVDXWRPDWLFHPHUJHQF\EUDNLQJWRSUHYHQWFROOLVLRQZLWKREVWDFOHVDQGSUHFHGLQJFDUVDQGODQHNHHSLQJWRDYRLGGHSDUWLQJIURPWKHGULYLQJODQH7KHWHFKQRORJ\WKDWLVXVHGIRUDFWLYHVDIHW\LVIXUWKHUDGYDQFLQJWRZDUGDXWRQRPRXVGULYLQJWKDWDXWRPDWHVPRVWRIWKHGULYLQJRSHUDWLRQV
,Q RUGHU WR UHDOL]H DXWRPDWHG GULYLQJ UHFRJQLWLRQ RI YHKLFOH VXUURXQGLQJV D GULYHU DQGSDVVHQJHUV LV RQH RI WKH LPSRUWDQW IXQFWLRQV 6LQFH FDPHUDV DUH RIWHQ XVHG DV VHQVRUV IRUUHFRJQLWLRQLQUHFHQWDXWRPRELOHVLPDJHUHFRJQLWLRQLVDNH\WHFKQLTXHIRUVXFKIXQFWLRQV)RUDXWRPDWLFHPHUJHQF\EUDNLQJ¿QGLQJREVWDFOHVLQIURQWVXFKDVFDUVDQGSHGHVWULDQVDUHQHFHVVDU\IRUGHFLVLRQDQGRSHUDWLRQRIEUDNHV)RUODQHNHHSLQJUHFRJQLWLRQRIWUDI¿FODQHLVUHTXLUHGZKRVH
position is used for deciding the angle of the steering wheel and its operation.
,PDJHUHFRJQLWLRQUHTXLUHVFRPSXWDWLRQDOO\H[SHQVLYHSURFHVVLQJHVSHFLDOO\RQDQHPEHGGHG
SURFHVVRU /6, WKDW VDWLVILFHV FRVW GHPDQGV DQG DXWRPRWLYH VSHFLILFDWLRQV VXFK DV RSHUDWLQJWHPSHUDWXUH DQG YLEUDWLRQ WROHUDQFH 0D[LPXP RSHUDWLQJ WHPSHUDWXUH VHWV DQ XSSHU OLPLW WR
WKHSRZHUFRQVXPSWLRQWKDWUHVWULFWVFRPSXWDWLRQDOUHVRXUFHRIVXFKSURFHVVRU/6,V7KXVWKH
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42

III. IMAGE RECOGNITION PROCESSOR,Q RUGHU WR DFKLHYH KLJK HIILFLHQF\ 7RVKLED¶V LPDJH UHFRJQLWLRQ /6,V 7039 >@ and3039>@ VHH)LJ VHULHVLQWURGXFHKHWHURJHQHRXVPXOWLFRUHDUFKLWHFWXUHWKDWFRQVLVWVRIRXU
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(a) Pedestrian detection(b) Static obstacle detection (Red color represents close obstacles)

Fig. 1 Results of image recognition

Fig. 2 Image processing LSI, TMPV76 series< CV >
Ryuzo Okada is Chief Research Scientist of Interactive Media Laboratory,&RUSRUDWH5 '&HQWHU7RVKLED&RUSRUDWLRQ-DSDQ
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KEY TECHNOLOGIES FOR AUTOMATED VEHICLES- High Precision Map and Driving AI Y. Ninomiya, Y. Yoshihara and E. Takeuchi
Nagoya University)XURFKR&KLNXVDNX1DJR\D-DSDQ

Abstract
7KLVDUWLFOHVXPPDUL]HVNH\WHFKQRORJLHVIRUDXWRPDWHGYHKLFOHVIRFXVLQJRQKLJKSUHFLVLRQPDSDQGGULYLQJ$,

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Fig. 1 Key issues or technologies for automated diving systems

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44

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of Innovation for Future Society, Nagoya University, Japan.
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for Future Society

45Poster Presentation / ポスター発表

Poster Presentation / ポスター発表

【文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム】≪平成 27 年度秀でた利用 6 大成果≫
6 大 -1

微細構造解析 PF：北海道大学

6 大 -2「複合金属酸化物ナノワイヤの合成と構造解析」
微細構造解析 PF：日本原子力研究開発機構「水加ヒドラジン酸化触媒の in-situ XAFS 解析」

6 大 -3

微細加工 PF：東北大学「音響光学フィルタの開発」

6 大 -4
6 大 -5

微細加工 PF：早稲田大学「マイクロ流体有機 EL の作製と電界発光特性」
分子・物質合成 PF：自然科学研究機構 分子科学研究所「指定薬物 3,4- ジクロロメチルフェニデートの合成と分析」

6 大 -6分子・物質合成 PF：名古屋大学「溶出順序を自在に反転できるキラル固定相の開発」≪平成 27 年度技術トピックス≫
トピックス -1

微細加工 PF：物質・材料研究機構

トピックス -2

微細加工 PF：京都大学

トピックス -3

微細加工 PF：産業技術総合研究所

トピックス -4分子・物質合成 PF：奈良先端科学技術大学院大学≪ナノテクノロジープラットフォームプロジェクトの全体概要≫
事業
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業概要≪ナノテクノロジープラットフォームセンター≫
センター
ナノテクノロジープラットフォームセンター事業の概要及び成果（1）、（2）≪微細構造解析プラットフォーム≫
解析 PF- 代表機関
微細構造解析 PF 概要及び利用成果概要（1）、（2）
解析 PF-1
北海道大学 実施概要及び利用成果概要
解析 PF-2
東北大学 実施概要及び利用成果概要
解析 PF-3
物質・材料研究機構 実施概要及び利用成果概要
解析 PF-4
産業技術総合研究所 実施概要及び利用成果概要
解析 PF-5
東京大学 実施概要及び利用成果概要
解析 PF-6
名古屋大学 実施概要及び利用成果概要
解析 PF-7
京都大学 実施概要及び利用成果概要
解析 PF-8
大阪大学 実施概要実施概要及び利用成果概要
解析 PF-9
日本原子力研究開発機構 実施概要実施概要及び利用成果概要
解析 PF-10
九州大学 実施概要実施概要及び利用成果概要≪微細加工プラットフォーム≫
加工 PF- 代表機関
微細加工 PF 概要及び利用成果概要（1）、（2）
加工 PF-1
北海道大学 実施概要及び利用成果概要
加工 PF-2
東北大学 実施概要及び利用成果概要
加工 PF-3
物質・材料研究機構 実施概要及び利用成果概要
加工 PF-4
産業技術総合研究所 実施概要及び利用成果概要
加工 PF-5
筑波大学 実施概要及び利用成果概要
加工 PF-6
加工 PF-7
加工 PF-8
加工 PF-9
加工 PF-10
加工 PF-11
加工 PF-12
加工 PF-13
加工 PF-14
加工 PF-15
加工 PF-16

東京大学 実施概要及び利用成果概要
早稲田大学 実施概要及び利用成果概要
東京工業大学 実施概要及び利用成果概要
名古屋大学 実施概要及び利用成果概要
豊田工業大学 実施概要及び利用成果概要
京都大学 実施概要及び利用成果概要
大阪大学 実施概要及び利用成果概要
香川大学 実施概要及び利用成果概要
広島大学 実施概要及び利用成果概要
山口大学 実施概要及び利用成果概要
北九州産業学術推進機構 実施概要及び利用成果概要≪分子・物質合成プラットフォーム≫
合成 PF- 代表機関
分子・物質合成 PF 概要及び利用成果概要（1）、（2）
合成 PF-1
千歳科学技術大学 実施概要及び利用成果概要
合成 PF-2
東北大学 実施概要及び利用成果概要
合成 PF-3
物質・材料研究機構 実施概要及び利用成果概要
合成 PF-4
信州大学 実施概要及び利用成果概要
合成 PF-5北陸先端科学技術大学院大学 実施概要及び利用成果概要
合成 PF-6
自然科学研究機構分子科学研究所 実施概要及び利用成果概要
合成 PF-7
名古屋大学 実施概要及び利用成果概要
合成 PF-8
名古屋工業大学 実施概要及び利用成果概要
合成 PF-9奈良先端科学技術大学院大学 実施概要及び利用成果概要
合成 PF-10
大阪大学 実施概要及び利用成果概要
合成 PF-11
九州大学 実施概要及び利用成果概要

ポスター会場

1

2

加工-10 加工-11

加工-12 加工-13 加工-14 加工-15 加工-16

加工-3

加工-5

加工PF代表

加工-1

加工-2

1

2

加工-4

加工-6 加工-7 加工-8 加工-9

合成-1 合成-2

合成-3 合成-4 合成-5 合成-6 合成-7

合成-8 合成-9 合成-10 合成-11

解析-6 解析-7 解析-8 解析-9 解析-10

合成PF代表

事業

受付

出入口

ナノテクPF平成27年度技術トピックス（4枚）

ナノテクPF平成27年度「秀でた利用6大成果」
（6枚）

1

2

ナノテク事業概要
ナノテクPFセンター

1

2

解析PF代表解析-1 解析-2 解析-3 解析-4 解析-5

Nanotechnology Platform / 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム

Nanotechnology Platform
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム

【文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム】
平成 27 年度 「秀でた利用 6 大成果」

Six Research Topics of Nanotechnology Platform /文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム 平成 27 年度 「秀でた利用 6 大成果」

Six Research Topics ofNanotechnology Platform【文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム】
平成 27 年度「秀でた利用 6 大成果」
6 大 -1 微細構造解析 PF：北海道大学「複合金属酸化物ナノワイヤの合成と構造解析」
ユーザー氏名：定金正洋 a、村山徹 b、Zhang Zhenxinc、上田渉 c（a 広島大学、b 首都大学東京、c 神奈川大学）
実施機関担当者：坂口紀史（北海道大学）

6 大 -2 微細構造解析 PF：日本原子力研究開発機構「水加ヒドラジン酸化触媒の in-situ XAFS 解析」
ユーザー氏名：坂本友和、岸浩史、山口進、田中裕久（ダイハツ工業株式会社）
実施機関担当者：松村大樹、田村和久、西畑保雄（日本原子力研究開発機構）

6 大 -3 微細加工 PF：東北大学「音響光学フィルタの開発」
ユーザー氏名：小林広樹 a、藤田圭一 a、堀田一 b、峯尾尚之 c（a 長野計器株式会社、b ミマキ電子部品株式会社、c
株式会社オプトハブ）
実施機関担当者：森山雅昭、鈴木裕輝夫、戸津健太郎（東北大学）

6 大 -4 微細加工 PF：早稲田大学「マイクロ流体有機 EL の作製と電界発光特性」
ユーザー氏名：安達千波矢（九州大学）
実施機関担当者：水野潤、笠原崇史、小林直史、桑江博之、庄子習一（早稲田大学）

6 大 -5 分子・物質合成 PF：自然科学研究機構 分子科学研究所「指定薬物 3,4- ジクロロメチルフェニデートの合成と分析」
ユーザー氏名：辻川健治（科学警察研究所）
実施機関担当者：井上三佳、東林修平（分子科学研究所）

6 大 -6 分子・物質合成 PF：名古屋大学「溶出順序を自在に反転できるキラル固定相の開発」
ユーザー氏名：前田勝浩、下村昂平、井改知幸、石立涼馬、加納重義（金沢大学）
実施機関担当者：八島栄次（名古屋大学）

53

Outline of Nanotechnology Platform / ナノテクノロジープラットフォーム事業概要

Outline of Nanotechnology Platform
ナノテクノロジープラットフォーム事業概要

ナノテクノロジープラットフォーム事業概要

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業崲崶崮崗崶嵕崠嵤઱ਝਹ৷峕峲峵ୖ਻ੰৠ峘ਸசਈ੔ഈ峘ଢ଼஢ਝ૟峒峇峘ણ৷峘崶崎崷崎峼થ峃峵ਃঢ়岶৸ব৓峔ਝ૟峘ુ৷৬਑峼ଡണ岣๶಍ଡୗੰෲ岤岣๶಍ਸੵ岤岣ী৕嵣੟ସ়ਛ岤峘ଢ଼஢୩ୠ 峕岴岮峐ઁ岹঳ಹ峘ଢ଼஢঻嵣ૼ୒঻峕ৌ峁岝઱ਝਹ৷ਃভ峒ৈ২峔ૼ୒੍ର峼઀୹崲崶崮崗崶嵕崠嵤崿嵑崫崰崽崑嵤嵈௓ਤ৬਑ ৸ਃঢ় ๶಍ଡୗੰෲ
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57

58

ナノテクノロジープラットフォームセンター

ナノテクノロジープラットフォームセンター

ナノテクノロジープラットフォームセンター事業（1）

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

ナノテクノロジープラットフォームセンター事業の概要および成果（）੕়ਹ৷੧৔

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60

ナノテクノロジープラットフォームセンター事業（2）

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

ナノテクノロジープラットフォームセンター事業の概要および成果（）਴ਛ‫ڲ‬ফ২峘ৰౚਹ৷੯ਯ峘௓୎

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61

微細構造解析プラットフォーム

微細構造解析プラットフォーム

解析 PF- 代表機関（1）
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

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問い合わせ：微細構造解析プラットフォーム推進室 (代表機関／物質・材料研究機構)
E-mail: acnp@nims.go.jp Phone: 029-859-2139
ホームページ: http://www.nims.go.jp/acnp64

解析 PF- 代表機関（2）
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

H26年度 微細構造解析プラットフォーム利用成果概要

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新しいナノポーラスマテリアルの創製(実施機関：北海道大学)
アノード酸化によりアルミニウム上に生成したナノファイ
バーのTEM写真（左図）とEELSスペクトル（右図）。

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電気化学還元した
Pt酸化物薄膜の微細構造解析（実施機関：東北大学）
極めて脆く薄い構造の形状を保持した樹脂包埋法及びFIB 法による高分解能TEM試料の作製

Sci. Rep., Vol. 4 (2014) p.p. 7411

アノード酸化によりアルミニウム表面上にアルミナナノ
ファイバーが生成することを見いだした。
分 析 TEM に よ る 解 析 の 結 果 、 直 径 10nm 以 下 の ア モ ル
ファス構造を持つ純アルミナファイバーであることがわかった。このような構造を持つアルミニウム表面は、超高速の超親水性を発現した。

液中、真空中、ガス雰囲気、加熱、光照射などの環境場における周波数変調（FM）方式の高分解能走査型プローブ顕微鏡（SPM）。
固液界面での水和構造などの３次元構造可視化が可能。

環境制御型周波数変調方式走査型プローブ顕微鏡(物質・材料研究機構)
試料断面観察リアルタイムSEM・STEM観察
リアルタイム3D-EDS
リアルタイム3D-EBSD
加速電圧：30kV (FIB, SEM)
マイクロサンプリング機能

高速加工観察分析装置 MI-4000L
FIB-SEM (名古屋大学)(a) STEM HAADF 150kx (b)STEM HAADF 5Mx

図(a),(b).
電気化学還元により表面活性の著しい増大が見出された最表面微細構造のSTEM法による観察・分析を行い触媒活性と原子レベルの不整合との関連が示された。

Double SDDとトランスファホルダにより反応性の高い材料の分析が可能

環境対応型超高分解能電子顕微鏡
JEM-ARM200F Cold FE(東京大学)
液体窒素冷却により100K以下の低温において試料を観察可能な透過型電子顕微鏡。
最大12個の試料を同時に導入機構へ冷却状態で装着可能であり 、特に、バイオ試料を自動で観察することが可能。

FEI製 クライオ透過型電子顕微鏡
Titan Krios(大阪大学)

問い合わせ：微細構造解析プラットフォーム推進室 (代表機関：物質・材料研究機構)
E-mail: acnp@nims.go.jp Phone: 029-859-2139
ホームページ: http://www.nims.go.jp/acnp65解析 PF-1 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム

北海道大学 微細構造解析プラットフォーム−先進ナノ構造・状態解析共用拠点−
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研究設備
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利用事例

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問い合わせ：北海道大学 ナノテクノロジー連携研究推進室
E-mail: nanoplat@cris.hokudai.ac.jp，Phone: 011-706-9340
ホームページ http://www.cris.hokudai.ac.jp/cris/nanoplat/66

解析 PF-2 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォームᮾ໭኱Ꮫ 䝘䝜䝔䜽⼥ྜᢏ⾡ᨭ᥼䝉䞁䝍䞊ᮾ໭኱Ꮫᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒࣉࣛࢵࢺࣇ࢛࣮࣒࡛ࡣᮏᏛࡢࢼࣀࢸࢡ⼥ྜᢏ⾡ᨭ᥼ࢭࣥࢱ࣮ࢆ᰾࡟㔠ᒓᮦᩱ◊✲ᡤࡀ୺య࡜
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利用事例：低加速 SEM および TEM によるソフトマターの観察
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Nanostructure and Morphology of Wood Carbon Observed by Low Voltage Electron Microscopy䜹䞊䝪䞁䝙䝳䞊䝖䝷䝹䛷䛒䜚෌⏕ྍ⬟㈨※䛷䛒䜛䝞䜲䜸䝬䝇䛿᪂䛯䛺⏘ᴗ㈨※䛸䛧䛶㨩ຊⓗ䛷䛒䜚䚸ᆅ⌫ ᬮ໬ᑐ⟇䛾୍⎔䛸䛧䛶䜒㠀ᖖ䛻ὀ┠䛥䜜䛶䛔䜎䛩䚹ᮏ◊✲䛷䛿䚸໭ぢᕤᴗ኱Ꮫ䜈䛾ᨭ᥼䛸䛧䛶ᮾ໭኱Ꮫ䛾పຍ㏿㧗ศゎ⬟㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䛺䜙䜃䛻పຍ㏿㉮ᰝ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䜢⏝䛔䛶䚸ᮌ㉁䝞䜲䜸䝬䝇Ⅳ⣲໬≀䛾⾲㠃ᙧែ䛸ཎᏊⓗᵓ㐀䜢᫂䜙䛛䛻䛧䜎䛧䛯䚹
Solar energy
CO2

FIB による試料加工

䞉Future energy resources
䞉90% of the biomass
䞉Carbon neutral

Wood Carbon
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Removing metal catalyst byusing 1M-HNO3

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0.6-1.4mm-sized
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500oC, 850oC, 900oC-1h
N2 Ňow, Catalyst: Fe, Ni, Co
Fe(OH)(CH3COO)2 was addedby aqueous impregnaƟon

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Wood Carbon including metal parƟcles

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ご利用方法：CINTS WEB システ
ム：hƩp://cints-tohoku.jp/䝩䞊䝮䝨䞊䝆ୖ䛛䜙⡆༢䛻Ⓩ㘓

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収差補正電顕の利用
Cs-HRTEM 法と波面再構築によるポテンシャルの直視
Phase contrast

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問い合わせ：国立大学法人 東北大学 産学連携推進本部 ナノテク融合技術支援センター
http://cints-tohoku.jp/ 電話：022-217-6037 メイル： cintsoﬃce@rpip.tohoku.ac.jp67

解析 PF-3 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム≀㉁䞉ᮦᩱ◊✲
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問い合わせ：物質・材料研究機構 微細構造解析プラットフォーム事務局
E-mail: nmcp@nims.go.jp Phone: 029-859-2139
ホームページ http://www.nims.go.jp/nmcp/

68解析 PF-4 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム⏘ᴗᢏ⾡⥲ྜ◊✲ᡤ AISTᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮-ඛ➃䝘䝜ィ ᪋タ(ANCF)⏘ᴗᢏ⾡⥲ྜ◊✲ᡤ 䝘䝜ィ ᪋タ䠄㻭㻺㻯㻲䠅䛷䛿䚸䛣䜜䜎䛷ぢ䛘䛺䛛䛳䛯䜒䛾䜢ぢ䛘䜛䜘䛖䛻䛩䜛ィ ᢏ⾡䜢๰㐀䛧䚸䛭䜜䜢ᛂ⏝䛧䛶ศᯒᢏ⾡䛸䛧䛶௙ୖ䛢䜛䛣䛸䜢䝭䝑䝅䝵䞁䛻䛧䛶䛔䜎䛩䚹㛤Ⓨ䛧䛯ඛ➃ィ ศᯒᢏ⾡䜢䚸ᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮➼䛻䛶බ㛤䛧䚸䝘䝜䝔䜽䛻䛚䛡䜛ㄢ㢟ゎỴ䜢ಁ㐍䛧䛶䛔䜎䛩䚹௚ᐇ᪋ᶵ㛵䛾㼀㻱㻹䛺䛹䛾ཎᏊ䝇䜿䞊䝹䛾䜲䝯䞊䝆䞁䜾䠄ᮌ䜢ぢ䜛䝘䝜ィ ศᯒ䠅䛻ᑐ䛧䛶䚸ཎᏊḞ㝗䜔≉ᐃ䛾ඖ⣲䛾ᅇ䜚䛾ཎᏊ㓄఩䛸䛔䛳䛯ᖹᆒ䛸䛧䛶ᚓ䜙䜜䜛䝘䝜᝟ሗ䜢ᥦ౪䛧䛶䛔䜎䛩䠄᳃䜢ぢ䜛䝘䝜ィ ศᯒ䠅䚹

ANCF概要㉸ఏᑟศᯒᶵჾ

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公開装置と計測対象
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0

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0
X[nm]

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利用ガイド

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問い合わせ：産業技術総合研究所 AIST微細構造解析プラットフォーム 事務局
E-mail: ancf-contact-ml@aist.go.jp，Phone: 029-851-5300
ホームページ https://unit.aist.go.jp/rima/nanotech/index.html

69解析 PF-5 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォームᮾி኱Ꮫᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮ᣐⅬ䛻䛴䛔䛶ᮏᣐⅬࡣᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒࣉࣛࢵࢺࣇ࢛࣮࣒࡜ࡋ࡚7(067(0ࠊ
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(30,000෇/᪥)¾ ிʮ‫ܖٻ‬Orthopyroxeneᑠഴゅ⢏⏺䛾ศᯒ

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(25,000෇/᪥)¾ ᮾ䝋䞊ᰴᘧ఍♫¾ ᰴᘧ఍♫᪥⏘䜰䞊䜽ᢅᣟ࿢‫ؾ‬ɦư̅ဇӧᏡƳǸȫǳȋǢǛоЈᣠ҄ཋኒ༓૰ᩓ൷ᚑ‫ۥ‬Ʒ෇ࣱᙲ‫׆‬Ʒᚐଢゐ፹⢏Ꮚ䛾ཎᏊศゎ⬟STEMീ

Cpx(parallelograms)

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Kogure et al. Earth, Planets and Space 2014, 66:84
hƩp://www.earth-planets-space.com/content/66/1/84㉸ᚤ㔞ඖ⣲ィ 䝅䝇䝔䝮㻺㼍㼚㼛㻿㻵㻹㻿㻌㻡㻜㻸¾ ⚄ᡞ኱Ꮫ

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䞉ヨᩱ✵㛫25.4mm(18,000෇/᪥)¾ ிʮ߻ಅ‫ܖٻ‬᭗Ў‫܇‬ȩȟȍȸȈမ᩿ƷನᡯᚐௌD and H scattered ion intensity ratio for (D+H)

K.Matsui, H.Yoshida,Y.Ikuhara
ScienƟĮc Reports 4:4758 doi:10.1038/srep04758(2014)ᴟ㝈⎔ቃୗ㟁☢≀ᛶィ㻼㻼㻹㻿㻙㻝㻠㻸㻴㼍㼠㼠㧗ศゎ⬟(50nm)䛷ඖ⣲䜔ྠ఩య䛾ྍど໬䛜ྍ⬟(60,000෇/᪥)

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ȝP

LLDPE

0.8

As-quenched

D-P E(Cs+ (16keV, 1.5 pA) )
0.6

LLDPE

D-PE

0.4
0.2
0.0
0

3

6

9

12

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T. Akushichi, et al., J. Appl. Phys. 117, 17B531 (2015).

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解析 PF-8 概要
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問い合わせ：大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター ナノテクノロジープラットフォーム事務室（横山佳奈）
E-mail: info-nanoplat@uhvem.osaka-u.ac.jp，Phone: 06-6879-7941
ホームページ http://www.uhvem.osaka-u.ac.jp/nanoplatform-kouzoukaiseki/index.html

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文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

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微細加工プラットフォーム

加工 PF- 代表機関（1）
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム

大学や研究機関の最先端微細加工設備＆保有技術が活用できます‫ٴ‬ಎ઼峼੅峉峔岮ଢ଼஢঻峮੫঵岶岝ਈ੔ഈ峘ਸੵ崿嵕崣崡岝௬੼ಎ઼峼ઞ峍峐崊崌崯崊峼఻ਠ৲੍ର৬਑‫ ٴ‬৸ ব    প ৾ ٔ  ଢ଼ ஢ ਃ ঢ় 岶岝  ଓ౥৓岝੆়৓峔਄峴ੌ峩峑岝  ਌ਏૼ୒୩ୠ峼崓崸嵤‫ ٴ‬崛嵤崯崋崵嵤崧岶ਈి峔੍ରਃঢ়峼ງஂ  ‫ق‬嵗嵛崡崰崫崿崝嵤崻崡‫ك‬h p://nsn.kyoto-u.ac.jp/฼⏝┦ㄯ❆ཱྀ

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加工 PF- 代表機関（2）
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加工 PF-1 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム

北海道大学 微細加工プラットフォーム㞟⣙䛥䜜䛯ඛ➃䝘䝜ຍᕤ⿦⨨⩌䛸⵳✚䛧䛯ຍᕤ䝜䜴䝝䜴䛻䜘䜛ᚤ⣽ຍᕤస〇ᨭ᥼ᅜ❧኱Ꮫἲே໭ᾏ㐨኱Ꮫ䛷䛿䚸Ꮫෆ2䜹ᡤ䛾䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮䜢㛤ᨺ䛧䛶ᖜᗈ䛔䝴䞊䝄䞊䜈䛾◊✲㛤Ⓨᨭ᥼䜢⾜䛔䜎䛩䚹ᨭ᥼⿦⨨䛸䛧䛶䛿䚸ຍ㏿㟁ᅽ130kV䛾㉸㧗㏿䝇䜻䝱䞁㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䜢ྵ䜐5
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研究設備
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利用事例⿦⨨ྡ(ᆺᘧ)㉸㧗㏿䝇䜻䝱䞁㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖ELS-F130䠅㉸㧗⢭ᗘ㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖ELS-F125䠅㉸㧗⢭ᗘ㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖ELS-7000HM䠅㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖ELS-3700䠅
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利用形態と利用料金
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問い合わせ：北海道大学創成科学研究機構 ナノテクノロジー連携研究推進室（松尾保孝）
E-mail: nanoplat@cris.hokudai.ac.jp，Phone: 011-706-9340
ホームページ http://www.cris.hokudai.ac.jp/cris/nanoplat/80

加工 PF-2 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

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問い合わせ：東北大学試作コインランドリ
問い合わせ：ナノテクノロジープラットフォーム（東北大学西澤潤一記念研究センター内）
××××室（氏名）戸津 健太郎E-mail: totsu@mems.mech.tohoku.ac.jp，Phone:
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xxx-xxx-xxx
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81

加工 PF-3 概要

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文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム

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問い合わせ：筑波大学微細加工プラットフォーム事務局
E-mail: staﬀ@u-tsukuba-nanotech.jp，Phone: 029-853-5804
ホームページ http://www.u-tsukuba-nanotech.jp

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加工 PF-6 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

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問い合わせ：ナノテクノロジープラットフォーム 東京大学超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点支援室（受付 渡邊かをる 拠点マネージャ：三田吉郎）

E-mail: nanotech@sogo.t.u-tokyo.ac.jp，Phone: 03-5841-1506
ホームページ http://nanotechnet.t.u-tokyo.ac.jp/

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加工 PF-7 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

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87

加工 PF-9 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォームᚤ⣽ຍᕤ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮 ྡྂᒇ኱Ꮫ
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問い合わせ：ナノテクノロジープラットフォーム 名古屋大学 微細加工プラットフォーム事務局（岩田 聡）
E-mail: info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp，Phone: 052-789-3639
ホームページ http://nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp/

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加工 PF-10 概要

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文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

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問い合わせ：ナノテクノロジープラットフォーム 研究支援室（安田美智枝）
E-mail: nanoplatform̲office@toyota-ti.ac.jp，Phone: 052-809-1725
ホームページ http://www.toyota-ti.ac.jp/kenkyu/nanoplatform/nanoplatform̲front̲page.html

89

加工 PF-11 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

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問い合わせ：京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点
 E-mail: kyodai-hub@saci.kyoto-u.ac.jp，Phone: 075-753-5231
ホームページ http://www.nanoplat.cpier.kyoto-u.ac.jp/

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加工 PF-13 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム

香川大学

社会連携・知的財産センター

ナノテクノロジー支援室

事業概要
様々な材料を不定形〜4インチに対応するナノマイクロ試作ラインを提供致します。
・ナノマイクロリソグラフィ装置
・ナノマイクロ成膜/エッチング装置
・ナノマイクロ材料分析/評価装置
単一装置のみの利用から、複数装置の組み合わせ利用まで、幅広くご対応致します。

微細加工設備

両面マスクアライナー

スパッタリング装置

電子線描画装置

RIE装置

マスクレス露光装置

デュアルイオンビー
ムスパッタ装置

LP-CVD装置

ICP-RIE装置

利用事例

酸化・拡散炉

ダイシング装置

真空蒸着装置

利用形態◆デバイス作製事例
平成26年度F-14-GA-002
香川高専

A

Aʼ

＜主な利用装置＞
・LP-CVD・SEM

Si3N4薄膜
膜厚：約100nm

Si基板(100)
A-Aʼ断面の模式図
Si基板にLP-CVDにてSi3N4薄膜を形成し、フォトリソグラフィーとドライエッチングによりSi3N4を部分的に加工した。その後、KOHによるSi結晶異方性エッチングを行うことで、Si3N4の薄膜が中空に保持されている構造を作製することができた。

下記5種類の利用形態があります
共同研究

利用者と支援者が共同で実施する
成果公開型研究

機器利用

利用者が自立して、自ら機器を操
作する

技術代行

支援者が利用者に代行して設備を
操作する

技術相談

利用者からの相談に専門家として応える技術コンサルタントとして
の支援

技術補助

操作方法を自ら機器を操作することができるように使用法を指導する

お問い合わせは、下記のメールアドレス or 電話
にてお受け致します。
ホームページに今までの活動実績などを掲載していますので、是非一度ご覧ください。

問い合わせ：香川大学 社会連携・知的財産センター ナノテクノロジー支援室（鈴木 勝順）
E-mail: nanoplatform@ao.kagawa-u.ac.jp，Phone: 087-887-1873
ホームページ http://www.kagawa-u.ac.jp/nanoplatform/

92

加工 PF-14 概要࠼޽‫ܖٻ‬ἜἠἙἢỶἋὉἢỶỼᗡӳᅹ‫ܖ‬ᄂᆮ৑ ࣇኬь߻ૅੲܴᗈᓥ኱Ꮫ䛿ᚤ⣽ຍ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䝁䞁䝋䞊䝅䜰䝮䛻䛚䛔䛶䚸୰䞉ᅄᅜᆅᇦ䛾୰᰾ᶵ㛵䛸䛧䛶ᒣཱྀ኱Ꮫ䚸㤶ᕝ኱Ꮫ䛸㐃ᦠ䛧䛶ᗈ⠊ᅖ䛺ຍᕤᑐ㇟≀䛾ᚤ⣽ຍᕤᨭ᥼䜢⾜䛖䛣䛸䛻䜘䜚䚸᪥ᮏ䛾䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊ᢏ⾡䛾Ⓨᒎ䛻㈨䛩䜛䛣䛸䜢┠ⓗ䛸䛧䜎䛩䚹ලయⓗ䛻䛿䚸ᗈᓥ኱Ꮫ䛾ಖ᭷䛩䜛
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加工 PF-15 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

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加工 PF-16 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

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問い合わせ：公益財団法人北九州産業学術推進機構 共同研究開発センター（安藤、上野）E-mail: nano01@hibikino.ne.jp Phone: 093-695-3600
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95分子・物質合成プラットフォーム

分子・物質合成プラットフォーム

合成 PF- 代表機関（1）
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

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問い合わせ：分子科学研究所 機器センター
E-mail: nanoplat@ims.ac.jp，Phone: 0564-55-7431
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98合成 PF- 代表機関（2）
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

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E-mail: nanoplat@ims.ac.jp，Phone: 0564-55-7431
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99

合成 PF-1 概要ᩥ㒊⛉Ꮫ┬䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮஦ᴗศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮༓ṓ⛉Ꮫᢏ⾡኱Ꮫ ศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮– ໭ᾏ㐨䝞䜲䜸䡡ᮦᩱ䜲䝜䜉䞊䝅䝵䞁 –ලయⓗ䛺ᨭ᥼ෆᐜ䛸䛧䛶䛿䚸ศᏊ䡡≀㉁ྜᡂ䛻ᚲ
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100

合成 PF-2 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォームᮾ໭኱Ꮫ ศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䝘䝜䝔䜽⼥ྜᢏ⾡ᨭ᥼䝉䞁䝍䞊஦ᴗෆᐜඛ➃タഛ䛾እ㒊ඹ⏝஦ᴗ䞉 ᭱᪂䛾ศᏊኚ᥮ᢏ⾡䜢㥑౑䛧䛯᭷ᶵ໬ྜ≀඲⯡䛾ྜᡂ䞉 ㉸ 㧗 ☢ ሙ ᰾ ☢ Ẽ ඹ 㬆 ⿦ ⨨ 䜢 ⏝ 䛔 䛯 ᅛ య 䞉 ⁐ ᾮ 䝃 䞁 䝥 䝹 䛾㻌 㻌 㻌 㻌 㻌ᴟᚤ㔞㉸㧗ឤᗘ ᐃ䞉 ICPⓎගศගศᯒ⿦⨨䛻䜘䜛ᚤ㔞ศᯒ䞉 ᭷ᶵ䜶䝺䜽䝖䝻䝙䜽䝇◊✲⏝䛾⣲Ꮚ㛤Ⓨ䛸䝕䝞䜲䝇సᡂ䚸≀ᛶホ౯ྜᡂ◊✲ᨭ᥼⿦⨨᭷ᶵ䜶䝺䜽䝖䝻䝙䜽䝇◊✲ᨭ᥼⿦⨨฼⏝஦౛䝏䜸䝣䜵䞁⣔䜸䝸䝂䝬䞊䜢⏝䛔䛯Ⓨග᭷ᶵ䝖䝷䞁䝆䝇䝍Ⓨග᭷ᶵ䝖䝷䞁䝆䝇䝍䛾άᛶᮦᩱ䛸䛧䛶᭷ᮃど䛥䜜䛶䛔䜛䝏䜸䝣䜵䞁⣔䜸䝸䝂䝬䞊䛾᪂つᮦᩱ䜢ྜᡂ䛧䚸䝖䝷䞁䝆䝇䝍≉ᛶ䛚䜘䜃Ⓨග≉ᛶ䛾 ᐃ䜢⾜䛳䛯䚹䛭䛾⤖ᯝ䚸㻮㻼㻞㼀䛚䜘䜃㻮㻼㻲㼀䜢⏝䛔䛯㟁⏺ຠᯝ䝖䝷䞁䝆䝇䝍䛷䛿䚸㼜ᆺ䚸㼚ᆺ䛾䛔䛪䜜䛷䜒ືస䛩䜛୧ᴟᛶ䛾≉ᛶ䜢♧䛧䚸ṇᏍ䛸㟁Ꮚ䛾ྠ᫬ὀධ䛻
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問い合わせ：東北大学 分子・物質合成プラットフォーム 事務局
E-mail: cintsoﬃce@rpip.tohoku.ac.jp，Phone: 022-217-6037
ホームページ http://cints-tohoku.jp/101

合成 PF-3 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム≀㉁䞉ᮦᩱ◊✲ᶵᵓ NIMSศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊⼥ྜ䝇䝔䞊䝅䝵䞁 䝋䝣䝖䝬䝔䝸䜰䝹䝷䜲䞁㻺㻵㻹㻿ศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䛿䚸䝞䜲䜸䝔䜽䝜䝻䝆䞊䛸䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䚸ᮦᩱ⛉Ꮫ䛾⼥ྜ䛻㛵䛩䜛◊✲㛤Ⓨᨭ᥼䜢㏻䛧

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問い合わせ：物質・材料研究機構 分子・物質合成プラットフォーム
E-mail: SML-oﬃce@nims.go.jp
Phone: 029-859-2399
ホームページ http://www.nims.go.jp/mmsp/

102

合成 PF-4 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォームಙᕞ኱Ꮫ䞉䜹䞊䝪䞁⛉Ꮫ◊✲ᡤ ศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮㻌 㻌 䠉᪂ወ䝘䝜䜹䞊䝪䞁ᮦᩱ䞉ྜᡂ䛸ホ౯ᣐⅬ䞊䜹䞊䝪䞁䝘䝜䝏䝳䞊䝤Ⓨ⚈䛾ᆅ䠖ಙᕞ኱Ꮫ䛷䛿䝘䝜䜹䞊䝪䞁䛾ከᵝ໬䜢┠ᣦ䛧䛶࿨ྡ䛧䛯᪂ወ䝘䝜䜹䞊䝪䞁䛾ྜᡂ䛛䜙ᵓ㐀ホ౯䞉≉ᛶホ౯䛥䜙䛻䛿䝘䝜」ྜ໬
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026-269-5230䠄ᶫᮏ䠅hashimt@shinshu-u.ac.jp䠈026-269-5670䠄஦ົ ಴⏣䠅
H.P. hƩp://www.shinshu-u.ac.jp/insƟtuƟon/icst/nano/103

合成 PF-5 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム໭㝣ඛ➃⛉Ꮫᢏ⾡኱Ꮫ㝔኱Ꮫ䞊඲Ꮫయไ䛷⤌⧊ⓗ䛻ศᏊ≀㉁ྜᡂ䜢ᨭ᥼䞊
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400MHz-NMR

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䜰䝹䝞䝑䜽䝣䜯䜲 SAM 670
SII SPI-3800N/SPA-400 (AFM)䝩䝸䝞 JY T64000 䠄䝷䝬䞁䠅
SII FIB SMI 3050

AFM

HORIBA-JY T64000

SAM 670

STEM ARM-200F

TEM H-9000⿦⨨ྡ䚸௙ᵝSQUID

FT-ICR-MS᰾☢Ẽඹ㬆⿦⨨⩌TEM H-7650

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SII FIB SMI 3050

EPMA

AC-2

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Day 0

Day 1

Day 3

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Control(c) Merge

Day 0

Day 1

Day 3

(B)

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Day 5

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Control

Day 0

Day 1

Day 3

Day 5
15

65%

Figure 3 Nano-PALDI imaging of pesƟcide. OpƟcal image of cucumber secƟons
corresponded with control (i), sprayed procymidone aŌer a harvest for 0 (ii), 1(iii), 3 (iv) and 5 (v) days. (A), MS spectra reconstructed as ion image ofprocymidone (B), merged image with opƟcal and ion image (C).

[Potoelectron yield]1/2 (a.u.)䕔 Photoemission Spectroscopy Spectrum⛎ᐦಖᣢዎ⣙䞉ໟᣓዎ⣙䜢⤖䜉䜛⮬୺஦ᴗ䜒⾜䛳䛶䛔䜎䛩䚹䛚Ẽ㍍䛻ୗグ䜎䛷䛤┦ㄯ䛟䛰䛥䛔䚹

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E = 5.09 eVE(eV)T. Okubo et al., PaciĮchem 2015 (Hawai, Dec. 18th,2015).

問い合わせ：北陸先端科学技術大学院大学 分子物質合成プラットフォーム 運営委員会
E-mail: nano-net@jaist.ac.jp Phone: 0761-51-1449
ホームページ：KWWSZZZMDLVWDFMS1DQR3ODWLQGH[KWPO

104

合成 PF-6 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム

分子科学研究所
最先端の設備から、有機・無機合成のものづくりまで幅広く支援

3次元プロファイラー 有機太陽電池・デバイス作製 有機合成、無機合成
走査型電子顕微鏡

ESR

レーザー装置ザ 装置

NMR

大型計算機、分子ｼｭﾐﾚｰｼｮﾝ

UVSOR

指定薬物3,4-ジクロロメチルフェニデートの合成と分析

利用事例

科学警察研究所

薬物鑑定に際する標準品の重要性
GC-MS
LC/MS/MS
所有物

尿・血液・毛髪検察官送致までに必要な場合→48時間以内
公訴提起までに必要な場合→最大23日間NH

3,4-dichloromethylphenicate
Chemical Formular C14H17Cl2NO2
Molecular Weight: 302.20

CO 2Me

分析挙動が標準品と一致することが必須

Cl

H26.3.6 薬物指定

Cl

Erythro体

3,4ジクロロメチルフェニテートの合成

ＮＭＲ

Threo体

ＧＣ−ＭＳ
遊離塩基

トリフルオロアセチル化体

erythro体

TIC
180
159

180

erythro体-TFA

threo体-TFA

59
89 123

218

55 67

TIC

threo体

10

11

55 67

12

13

14

15

16

17

18

保持時間、分
159
59
218

89 123

7

8

9

10

11

12

13

14

15

保持時間、分

まとめ・両ジアステレオマーは熱分解せずに検出され、また、良好にピーク分離された→ 3,4-ジクロロメチルフェニデートのGC/MSには、TFA誘導体を行うことが推奨される

・両ジアステレオマーから同一の保持時間、
質量スペクトルを有するピークが検出→GC-MS中に分解し、3,4-ジクロロフェニル
酢酸メチルを生成

薬物分析においては、遊離塩基のGC-MS分析は一般的な手法であるが、3,4-ジクロロメチルフェニデートの場合はこの手法は不適当であることが明らかとなった。メチルフェニデートの新たなアナログ（例えばメチルフェニデートのナフチルアナログなど）が、今後危険ドラッグとして 流通していく可能性がある。3,4-ジクロロメチルフェニデートの合成と分析を通じて得られた知見
は、今後のこうした薬物の鑑定に生かせるものと考えられる。
問い合わせ：分子科学研究所 機器センター （横山 利彦）
E-mail: nanoplat@ims.ac.jp，Phone:0564-55-7431
ホームページ http://nanoims.ims.ac.jp/ims/105

合成 PF-7 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム

Nagoya UniversityӸӞ‫ ܖٻދ‬Ў‫܇‬ȷཋឋӳ঺ȗȩȃȈȕǩȸȠྡྂᒇ኱Ꮫ䛂ศᏊ≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䛃஦ᴗ䛷䛿䚸䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䛻㛵䜟䜛᭱ඛ➃䛾◊✲タഛ䛸䛭䛾ά⏝䛾䝜䜴䝝䜴䜢ᥦ౪䛩䜛䛣䛸䛻䜘䜚䚸⏘Ꮫᐁ䛾ከᵝ䛺฼⏝⪅䛻䜘䜛ඹྠ฼⏝䜢ಁ㐍䛧䚸ಶ䚻䛾฼⏝⪅䛻ᑐ䛧䛶ၥ㢟ゎỴ䜈䛾᭱▷䜰䝥䝻䞊䝏䜢ᥦ౪䛩䜛䛸䛸䜒䛻䚸⏘Ꮫᐁ㐃ᦠ䜔␗ศ㔝⼥ྜ䜢᥎㐍䛩䜛䛣䛸䜢┠ⓗ䛸䛧䛶䛔䜎䛩䚹ᙜ஦ᴗ䛷䛿䚸䛜䜣䜔⏕ά⩦័⑓デ᩿䞉἞⒪䞉ண㜵䞉๰⸆䛾䛯䜑䛾ḟୡ௦䝘䝜䝞䜲䜸ศᏊ≀㉁ྜᡂ䜔๓⮫ᗋ◊✲ᨭ᥼䛻ຍ䛘䚸ᶵ⬟ᛶ䜻䝷䝹ศᏊ䚸㧗ศᏊ䝘䝜ⷧ⭷➼䛾᭷ᶵ䞉㧗ศᏊศᏊ≀㉁ྜᡂᨭ᥼䛺䛹䚸໬Ꮫࠥ⏕య䜎䛷ከᒱ䛻䜟䛯䜛ྜᡂ䞉ศᯒᶵჾ䜢ᥦ౪䛧䜎䛩䚹

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NMR䠄500MHz)௒ਪ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ

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問い合わせ：名古屋大学分子・物質合成プラットフォーム事務局
E-mail: nano-platform@apchem.nagoya-u.ac.jp, Phone: 052-789-4609
ホームページ http://nano-platform.apchem.nagoya-u.ac.jp106

合成 PF-8 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム

スマートマテリアル創成支援

名古屋工業大学䝘䝜⢏Ꮚ䚸䜹䞊䝪䞁䝘䝜䝣䜯䜲䝞䞊䚸䜾䝷䝣䜵䞁䚸⏕య㛵㐃䛾ᶵ⬟ᛶศᏊ䛾ྜᡂ䛸䚸䝯䝇䝞䜴䜰䞊ศග䚸㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䛺䛹䛾ヨᩱホ౯䜢ᐇ᪋䛧䛶䜎䛩䚹」ྜ䝘䝜⢏Ꮚ䛾Ẽ┦ྜᡂਞৼ়ਛ১॑ঋ‫ش‬५धखञ‫ঀॼؚ‬१ॖ६भৈෞ২সരउेल෷৲
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問い合わせ：名古屋工業大学 スマートマテリアル創成研究所（日原岳彦）
E-mail: hihara@nitech.ac.jp，Phone: 052-735-5298
ホームページ http://nano.web.nitech.ac.jp107

合成 PF-9 概要ዉⰋඛ➃⛉Ꮫᢏ⾡኱Ꮫ㝔኱Ꮫ ศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮᭱ඛ➃䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊◊✲᪋タ䛾ඹ⏝໬䛸㧗ᗘᢏ⾡ᨭ᥼඲ᩍဨཧຍ䛻䜘䜛༠ຊ◊✲ไᗘ䚸㧗ᗘ䛺ᑓ㛛ᢏ⾡䜢ᣢ䛴ᢏ⾡⫋ဨ䞉ᢏ⾡⿵బဨ䚸㐃ᦠ䞉ᢏ⾡ㄪᰝ䜢ᑓ㛛䛸䛩䜛㐃ᦠ䝬䝛䞊䝆䝱䞊䚸䛚䜘䜃䝸䞊䝈䝘䝤䝹䛺฼⏝ᩱ㔠䛻䜘䜚䚸᪂ᮦᩱ๰ᡂ䛸䜒䛾䛵䛟䜚䛻㈉⊩䛧䚸䜰䜹䝕䝭䜰䛰䛡䛷䛿䛺䛟䚸⏘ᴗ⏺䚸≉䛻䚸୰ᑠ䞉䝧䞁䝏䝱䞊௻ᴗ䛻䛤ά⏝䛔䛯䛰䛔䛶䛔䜎䛩䚹ᨭ᥼௳ᩘ฼⏝ᙧែ䛸฼⏝ᩱ㔠౛
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合成 PF-10 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム኱㜰኱Ꮫ 䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊タഛ౪⏝ᣐⅬ
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[1] M. J. Lee et al., Nano LeƩ. 9, 1476 (2009).

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お問い合わせ：ナノテクノロジー設備供用拠点 拠点事務室（北島）E-mail: kitajima@sanken.osaka-u.ac.jp，Phone: 06-6879-4309
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Phone： 092-802-2845
ホームページ KWWSQDQRN\XVKXXDFMS

110

Organizing Committee
Tetsuji Noda (Chair)
Hidetoshi Kotera
Hitoshi Saito
Daisuke Fujita
Toshihiko Yokoyama

National Institute for Materials Science
Kyoto University
Japan Science and Technology Agency
National Institute for Materials Science
National Institutes of Natural Sciences

Program Committee
Tetsuji Noda (Chair)
Yoshinori Katayama
Yasuo Koide
Naotoshi Nakashima
Kazuo Furuya
Yoshinobu Baba
Yasuhiro Horiike
Hiroaki Misawa
Takahisa Yamamoto

National Institute for Materials Science
Japan Atomic Energy Agency
National Institute for Materials Science
Kyushu University
National Institute for Materials Science
Nagoya University
National Institute for Materials Science
Hokkaido University
Nagoya University

Cooperating Organizations
IEEE Tokyo Section,
The Society of Polymer Science, Japan,
The Institute of Electrical Engineers of Japan,
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers,
Society of Nano Science and Technology,
Nanotechnology Business Creation Initiative,
The Materials Research Society of JapanThe Chemical Society of Japan,
The Japan Institute of Metals,
The Japanese Society of Microscopy,
The Japanese Society for Regenerative Medicine,
The Society of Materials Science, Japan,-DSDQHVH6RFLHW\IRU$UWL¿FLDO2UJDQVJapanese Society for Medical and Biological Engineering,
The Ceramic Society of Japan,
The Japan Society of Drug Delivery System,
Japanese Society for Biomaterials,
The Surface Science Society of Japan,
The Physical Society of Japan111

一禁無断掲載一Copyright (c)文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム
第 14 回ナノテクノロジー総合シンポジウム
JAPAN NANO 2016発
行 2016年（平成28年）１月
編集・発行 国立研究開発法人 物質・材料研究機構
ナノテクノロジープラットフォームセンター〒305-0047 茨城県つくば市千現 1-2-1
電話：029-859-2777

2016