大見研究室 和文 論文リスト

大見研究室 和文 論文リスト
1990 年
183(M) 大見忠弘、「極限環境からの回答－超クリーン技術でＬＳＩ製造の低温化・完全制御を目指す」、日経
マイクロデバイス 1990 年 1 月号、No.55、（日経ＢＰ社）、pp.108-114、1990 年 1 月。
184(P)

大見忠弘、新田雄久、「サブミクロンＵＬＳＩ製造プロセスにおけるＡＰＩＭＳ分析評価技術」、超ＬＳＩウル
トラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-4、
1990 年 1 月。

185-1(P) 杉山和彦、中村雅一、大倉淳伸、水口泰光、大見忠弘、「ＡＰＩＭＳの較正およびプロセス評価」、超Ｌ
ＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.29-40、1990 年 1 月。
186(P)

大見忠弘、新田雄久、「最先端技術分野における超精密洗浄技術の重要性」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．３プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-4、1990 年 1月。

187-1(P) 河上道也、八木康之、佐藤賢一、大見忠弘、「高温・高圧超純水スプレー洗浄技術」、超ＬＳＩウルトラ
クリーンテクノロジーワークショップＮｏ．３プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.5-22、1990
年 1 月。
185-2(M) 杉山和彦、中村雅一、大倉淳伸、水口泰光、大見忠弘、「ＡＰＩＭＳの較正およびプロセス評価」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.2、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.21-30、1990 年 1 月。
188(M) 大見忠弘、川辺一郎、宮下雅之、三木正博、菊山裕久、坂喜代憲、高野順、「－極限環境からの回答－組成、反応生成物、析出、ぬれ性を制御してウェット工程を最適化」、日経マイクロデバイス 1990 年
2 月号、No.56、（日経ＢＰ社）、pp.124-129、1990 年 2 月。
157-2(M) 大見忠弘、竹浪敏人、稲葉仁、「トータルクリーンシステム－スーパークリーンルームの空調除塵システム－」、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅳ－クリーンル－ム付帯設備の高度化－、（半導体基盤技術研究会）、pp.13-31、1990 年 2 月。
158-2(M) 竹浪敏人、稲葉仁、大見忠弘、「冷却水システム」、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅳ－クリーンル－ム付帯設備の高度化－、（半導体基盤技術研究会）、pp.53-69、1990 年 2 月。
159-2(M) 稲葉仁、竹浪敏人、大見忠弘、「磁場対策」、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅳ－クリーンル－ム付帯設備の高度化－、（半導体基盤技術研究会）、pp.143-151、1990 年 2 月。
160-2(M) 稲葉仁、大見忠弘、「静電気の影響」、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅳ－クリーンル－ム付帯設備の高度化－、（半導体基盤技術研究会）、pp.197-217、1990 年 2 月。
161-2(M) 菊山裕久、坂喜代憲、高野順、三木正博、大見忠弘、「化学薬品用容器」、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅳ－クリーンル－ム付帯設備の高度化－、（半導体基盤技術研究会）、pp.283-295、1990 年 2 月。
189(M) 大見忠弘、竹内南、「電力半導体デバイスの高性能化・インテリジェント化の動向」、電気学会雑誌平成２年２月号、Vol.110、No.2、（(社)電気学会）、pp.81-82、1990 年 2 月。
190(M) 大見忠弘、宮脇守、「－極限環境からの回答－ 自然酸化膜成長を抑制、室温のコンタクト形成を実現」、日経マイクロデバイス 1990 年 3 月号、No.57、（日経ＢＰ社）、pp.112-117、1990 年 3 月。
191(M) 佐藤剛士、吉武春二、宮脇守、大見忠弘、「バイポーラデバイス高性能化のためのプロセス技術」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.89 No.472、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、
論文番号 SDM89-188、pp.19-24、1990 年 3 月。

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192(M) 室田淳一、御子柴宣夫、松浦孝、植竹宏明、大見忠弘、「－極限環境からの回答－側壁の保護に吸着原子を使う異方性エッチング技術を開発」、日経マイクロデバイス 1990 年 4 月号、No、58、（日経ＢＰ社）、pp.88-94、1990 年 4 月。
193(M) 宮脇守、吉武春二、佐藤剛士、大見忠弘、「自然酸化膜の成長抑制プロセスによるデバイス特性の高性能化」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.90 No.15、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM90-3、pp.13-17、1990 年 4 月。
194(M) 川辺一郎、宮下雅之、大見忠弘、高野順、坂喜代憲、菊山裕久、三木正博、「バッファードフッ酸によるＳｉＯ２ウェットエッチングの最適化」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.90 No.15、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM90-8、pp.41-46、1990 年 4 月。
195(M) 坪内和夫、益一哉、御子柴宣夫、大見忠弘、丸井隆雄、梶川鉄夫、「多結晶薄膜の結晶粒一つ一つの結晶方位を手軽に判別」、日経マイクロデバイス 1990 年 5 月号、No、59、（日経ＢＰ社）、pp.106-111、1990 年 5 月。
196-1(P) 大見忠弘、「超ＬＳＩ製造におけるウルトラクリーン化技術と膜分離技術の役割」、第１８回膜分離技術講演会、講演要旨集、（高分子膜分離技術振興協会）pp.16-23､1990 年 5 月。
197(P)

大見忠弘、新田雄久、「新しいウェットプロセスを支える超純水技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジ
ーワークショップＮｏ．４、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.3-5、1990 年 5 月。

198-1(P) 八木康之、河上道也、今岡孝之、大見忠弘、「最新の超純水製造システム－東北大学工学部ミニスーパークリーンルーム超純水装置の性能－」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．
４、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.19-43、1990 年 5 月。
198-2(M) 八木康之、河上道也、今岡孝之、大見忠弘、「最新の超純水製造システム－東北大学工学部ミニスーパークリーンルーム超純水装置の性能－」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.2、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.9-16、1990 年 4 月。
187-2(M)河上道也、八木康之、佐藤賢一、大見忠弘、「高温・高圧超純水スプレー洗浄技術」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.2、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.16-26、1990 年 4 月。
199(M) 坪内和夫、益一哉、田中正則、樋浦洋平、大見忠弘、御子柴宣夫、丸井隆雄、林茂樹、寺本晃、梶川鉄夫、副島啓義、「走査形μｍ－ＲＨＥＥＤ顕微鏡の開発とＶＬＳＩ用多結晶薄膜のグレイン評価への応用」、島津評論 Vol.47、 No.1、 pp.23-28、 1990 年 5 月。
200(C)

加藤義之、沖田彰、下西聡 、柴田直、大見忠弘、新田雄久、「４５０℃アニールによる浅いＮ＋Ｐ接合形成とその電気的特性」、第１３回イオン工学シンポジウム、イオン源とイオンを基礎とした応用技術：
特別セミナー、（イオン工学会）、pp.171-174、 1990 年 6 月。

201(P)

大見忠弘、新田雄久、「ウルトラクリーンレジストワークショップ序文」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジ
ーワークショップＮｏ．５、プロシーディング、ウルトラクリーンレジストプロセッシング、（半導体基盤技術研究会）、1990 年 6 月

202(P)

野仲徹、小野寺政信、堀越基伸、大見忠弘、「アウトガスフリーレジストプロセス」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．５、プロシーディング、ウルトラクリーンレジストプロセッシング、（半導体基盤技術研究会）、pp.59-92、 1990 年 6 月

203-1(P) 大見忠弘、新田雄久、「半導体プロセスを革新する新しいフッ素化学」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロ
ジーシンポジウムＮｏ．１１、半導体プロセスを革新する新しいフッ素化学、（半導体基盤技術研究会）、pp.3-4、1990 年 7 月。
204(P)

三木正博、植田守彦、米沢勗、大見忠弘、「フッ化水素酸の高純度化」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノ
ロジーシンポジウムＮｏ．１１、半導体プロセスを革新する新しいフッ素化学、（半導体基盤技術研究会）、pp.27-77、1990 年 7 月。

205-1(P) 菊山裕久、坂喜代憲、高野順、三木正博、川辺一郎、宮下雅之、大見忠弘、「バッファードフッ酸」、
超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１１、半導体プロセスを革新する新しいフッ素化学、（半導体基盤技術研究会）、pp.79-107、1990 年 7 月。

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大見研究室 和文 論文リスト
206-1(P) 川辺一郎、宮下雅之、大見忠弘、菊山裕久、三木正博、「ＨＦガスを用いた新しいプロセス」、超ＬＳＩウ
ルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１１、半導体プロセスを革新する新しいフッ素化学、（半導体基盤技術研究会）、pp.109-132、1990 年 7 月。
207(P)

前野又五郎、丸橋一夫、中川佳紀、三木正博、大見忠弘、「Ｆ２を用いた金属表面のフッ化処理－ステ
ンレス鋼のフッ化処理－」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１１、半導体プロセスを革新する新しいフッ素化学、（半導体基盤技術研究会）、pp.133-178、1990 年 7 月。

208-1(P) 千葉和郎、三笠和、松下弘、前野又五郎、泉浩人、三木正博、大見忠弘、「Ｆ２を用いた金属表面のフッ化処理－アルミニウム合金のフッ化処理－」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１
１、半導体プロセスを革新する新しいフッ素化学、（半導体基盤技術研究会）、pp.179-204、1990 年 7月。
209(C)

柴田直、大見忠弘、「ウルトラクリーン化技術と薄膜形成（スパッタリング）－低エネルギイオン照射を用いた低温エピタキシャル成長技術－」、第７回薄膜スクール資料、高度化する薄膜生成技術の基礎から最先端まで、（日本学術振興会 薄膜第１３１委員会）、pp.31-50、1990 年 7 月。

210(C)

大見忠弘、柴田直、「プロセス環境と製造ライン」、サブハーフミクロンＵＬＳＩテクノロジー講習会、（(社)電子情報通信学会東京支部 シリコン材料・デバイス研究会集積回路研究専門委員会）、pp.38-45、1990 年 7 月。

211(M) 大見忠弘、柴田直、桑原英司、「コンタクトのＡｌを平坦化マイグレーション寿命も１桁以上向上」、日経
マイクロデバイス 1990 年 7 月号、No.61、（日経ＢＰ社）、pp.116-122、1990 年 7 月。
212(C)

杉山和彦、水口泰光、大見忠弘、中村雅一、「熱酸化不動態処理を施したオールメタル製超高純度ガス供給系の施工と評価」、第８回大阪酸素－半導体セミナー講演集、（大阪酸素工業㈱）、pp.5-25、1990 年 7 月。

213(C)

大見忠弘、新田雄久「－序文－半導体グレードフッ素樹脂開発を志して」、超ＬＳＩウルトラクリーンテク
ノロジーワークショップＮｏ．６、超高純度薬品デリバリーシステムとフッ素樹脂の高品質化、（半導体基盤技術研究会）、pp.3-4、1990 年 7 月。

214(C)

大見忠弘、「ウルトラクリーンテクノロジーによる極限微細化デバイスの研究開発」、ＵＰＵ ＢＯＯＫ ＩＮ
ＴＥＲ 研究論文集 '９０、（㈱ＵＰＵ）、pp.88、1990 年 7 月。

215(M) 大見忠弘、柴田直、沖田彰、新田雄久、「４５０℃の低温アニールで逆方向のリーク電流を３桁低減」、
日経マイクロデバイス 1990 年 8 月号、No.62、（日経ＢＰ社）、pp.92-96、1990 年 8 月。
176-2(B) 小谷光司、大見忠弘、「ＲＩＥ用ガス排気システム」大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅲ、（リアライズ社）、pp71-89、1990 年、8 月。
179-2(B) 杉山和彦、大見忠弘、水口泰光、中村雅一、「半導体工場用トータルガスシステムの設計概念」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅲ、（リアライズ社）、pp151-181、1990 年、8 月。
180-2(B) 加藤芳久、仲内宏、大見忠弘、「ウルトラクリーンボンベ－設置、クリーニング、ガスの充填方法－」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅲ、（リアライズ社）、pp183-196、1990 年、8 月。
181-2(B) 水口泰光、大見忠弘、杉山和彦、中村雅一、「酸化パッシベーションを施したプラスチック材料フリー、オールメタル製ガス供給システム」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅲ、（リアライズ社）、pp197-214、1990 年、8 月。
216(M) 森田瑞穂、寺本章伸、長谷川英司、河上道也、大見忠弘、「Ｓｉ表面の自然酸化膜成長機構」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.90、No.193、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論
文番号 SDM90-72、pp.21-26、1990 年 8 月。
217(M) 笠間泰彦、八木康之、今岡孝之、大見忠弘、「高性能溶存酸素除去システムをそなえた超純水製造装置」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.90、No.193、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM90-73、pp.27-31、1990 年 8 月。

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大見研究室 和文 論文リスト
218(M) 都田昌之、宍戸昌広、早見由香、菅野洋一、大見忠弘、「縦型・横型拡散炉における流体の挙動」、
電子情報通信学会技術研究報告、Vol.90、No.193、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM90-75、pp.39-44、1990 年 8 月。
219(M) 松浦孝、植竹宏明、室田淳一、福田航一、大見忠弘、御子柴宣夫、小野昭一、「窒素添加塩素ＥＣＲ
プラズマによるｎ ＋ ポリシリコンの高選択異方性エッチング」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.90、No.194、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM90-83、pp.45-50、1990 年 8 月。
220(M) 後藤陽宏、佐々木真、ハンスダーク ルーヴェ、大見忠弘、柴田直、山上敦士、岡村信行、神谷攻、「次世代プラズマ装置におけるプラズマパラメータの精密制御」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.90、No.194、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM90-85、pp.57-61、1990 年 8 月。
221(M) 小谷光司、柴田直、大見忠弘、「イオン照射プロセスによるＭＯＳデバイスのホットエレクトロン耐性劣化の機構について」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.90、No.194、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM90-86、pp.63-68、1990 年 8 月。
222-1(M) 大見忠弘、野仲徹、小野寺政信、堀越基伸、新田雄久、横田晃、「放出ガスを２桁減らすレジスト塗布・現象プロセス－クリーンなＮ２雰囲気で高温ベーキング－」、日経マイクロデバイス 1990 年 9 月号、No.63、（日経ＢＰ社）、pp.86-92、1990 年 9 月。
222-2(P) 大見忠弘、「超高集積ＵＬＳＩデバイスの問題点と将来」、日本機械学会第６８期全国大会講演会講演
論文集、Vol.A、（(社)日本機械学会）、pp.562-564、1990 年 ９月。
223(B)

河上道也、大和田亮、八木康之、大見忠弘、「超純水評価技術（ウォーターマーク）」、Surface Science
Technology 1、半導体基盤技術研究会編、超純水の科学、（リアライズ社）、pp.765-767、1990 年 9月。

224(B)

河上道也、大見忠弘、「ウェットプロセスの概要」、Surface Science Technology 1、半導体基盤技術研究会編、超純水の科学、（リアライズ社）、pp.773-774、1990 年 9 月。

225(B)

河上道也、八木康之、大見忠弘、岡崎素弘、「 ウォーターマークの生成条件」、SurfaceScience
Technology 1、半導体基盤技術研究会編、超純水の科学、（リアライズ社）、pp.802-804、1990 年 9月。

226(B)

河上道也、大和田亮、八木康之、大見忠弘、「自然酸化膜の低減」、Surface Science Technology 1、半導体基盤技術研究会編、超純水の科学、（リアライズ社）、pp.828-839、1990 年 9 月。

227(B)

八木康之、河上道也、佐藤賢一、大見忠弘、「高温高圧超純水スプレー洗浄技術」、Surface Science
Technology 1、半導体基盤技術研究会編、超純水の科学、（リアライズ社）、pp.848-864、1990 年 9月。

228(B)

大見忠弘、川辺一郎、宮下雅之、Fred Carn、「今後のウェットプロセス」、Surface Science Technology
1、半導体基盤技術研究会編、超純水の科学、（リアライズ社）、pp.865-876、1990 年 9 月。

229(M) 大見忠弘、「イオン密度とエネルギーを独立制御低損傷プラズマ平行平板型を開発－スパッタ、ＣＶＤ、エッチングなど装置が兼用可能に－」、日経マイクロデバイス 1990 年 10 月号、No.64、（日経ＢＰ社）、pp.108-114、1990 年 10 月。
230(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.7 序文」、超ＬＳＩウルトラク
リーンテクノロジーワークショップＮｏ．７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-2、1990年 10 月。

231-1(P) 中村雅一、大見忠弘、杉山和彦、水口泰光、川田幸司、大倉淳伸、「超高純度ガス供給系トータルシステム」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.3-33、1990 年 10 月。
232-1(P) 川田幸司、中村雅一、杉山和彦、水口泰光、大倉淳伸、佐々木真、桑原英司、大見忠弘、「熱酸化不動態処理」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.37-57、1990 年 10 月。
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大見研究室 和文 論文リスト
233-1(P) 内沢修、菅野洋一、大川宏、朝倉利博、大見忠弘、「オールメタルバルブ」、超ＬＳＩウルトラクリーンテ
クノロジーワークショップＮｏ．７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.89-103、1990 年 10月。
234(M) 加藤義之、沖田彰、下西聡、柴田直、大見忠弘、新田雄久、「４５０℃アニールによる浅いＮ＋接合形成とその電気的特性」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.90、No.267、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM90-112、pp.15-19、1990 年 10 月。
235(M) 大見忠弘、桑原英司、森田瑞穂、「界面を理論通りに制御できることを実証－クリーンなＮ２中の洗浄や薄い酸化膜形成で前処理－」、日経マイクロデバイス 1990 年 11 月号、No.65、（日経ＢＰ社）、pp.162-165、1990 年 11 月。
236(M) 大見忠弘、森田瑞穂、「超ＬＳＩ製造プロセスを革新するウルトラクリーンテクノロジー」、材料技術 1990
年 11 月号、VOL.8、NO.9、（材料技術研究協会）、pp.3-7、1990 年 11 月。
237(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.12 序文」、超ＬＳＩウルトラク
リーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、1990 年 11月。

238-1(P) 大見忠弘、柴田直、「高性能半導体製造ライン」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．
１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-59、1990 年 11 月。（英文）239-1(P) 桑原英司、大見忠弘、宮脇守、「自然酸化膜フリープロセス」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシン
ポジウムＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.61-80、1990 年 11 月。
240-1(P) 後藤陽宏、佐々木真、大見忠弘、「プラズマダメージ・チャンバー材料汚染をなくしたプラズマプロセス装置」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.81-111、1990 年 11 月。
241-1(P) 浦野智秋、大見忠弘、柴田直、「半導体プロセス装置用排気システム」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロ
ジーシンポジウムＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.113-128、1990 年 11 月。
242-1(P) 小野寺政信、野仲徹、堀越基伸、大見忠弘、横田晃、新田雄久、「アウトガスフリーホトレジストプロセス」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.129-148、1990 年 11 月。
243-1(P) 泊里治夫、浜田汎史、仲原善行、杉山和彦、大見忠弘、「半導体製造装置のための金属表面パッシ
ベーション－酸化パッシベーション－」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.149-173、1990 年 11 月。
244(P)

前野又五郎、中川佳紀、泉浩人、三木正博、千葉和郎、三笠和、松下弘、大見忠弘、「半導体製造装置のための金属表面パッシベーション－半導体製造装置のための金属表面フッ化処理－」、超ＬＳＩウ
ルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.175-208、1990 年 11 月。

245-1(P) 中村雅一、大見忠弘、川田幸司、大木厚志、日置晃、「超高純度ガス供給用オールメタル酸化不動態配管技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.209-241、1990 年 11 月。
246-1(P) 伊藤一男、大見忠弘、「半導体製造装置用ゲートバルブ－ウルトラクリーンテクノロジーを適用したオールメタルゲートバルブ－」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１２、プロシーディン
グ、（半導体基盤技術研究会）、pp.243-259、1990 年 11 月。
247-1(P) 林雄造、大見忠弘、「半導体製造装置用ゲートバルブ －無摺動ゲートバルブの開発－」、超ＬＳＩウル
トラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.261-283、1990 年 11 月。
248(M) 寺本章伸、牧原康二、森田瑞穂、大見忠弘、「Ｈ２Ｏ２／Ｐｔ中前処理酸化を用いた熱酸化膜形成」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.90、No.318、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、
論文番号 SDM90-130、pp.75-79、1990 年 11 月。

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大見研究室 和文 論文リスト
249(M) 森田瑞穂、寺本章伸、牧原康二、大見忠弘、中里泰章、内山敦夫、阿部孝夫、「極薄酸化膜を流れる電流のＳｉ表面粗度依存性」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.90、No.318、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM90-131、pp.81-85、1990 年 11 月。
250(C)

稲葉仁、大見忠弘、「スーパークリーンルームテクノロジー」、高砂熱学工業総合研究所報 No.4
1990、（高砂熱学工業㈱ 総合研究所）、pp.43-63、1990 年 11 月。

251(M) 稲葉仁、大見忠弘、「スーパークリーンルーム技術 ─静電気対策と空気中不純物─」、日経マイクロデバイス 1990 年 12 月号、広告企画クリーン・ルーム特集、No.66、（日経ＢＰ社）、pp.141-158、1990 年12 月。
252(C)

石原良夫、大見忠弘、柴田直、「ウルトラクリーンイオン注入技術を用いて形成したｐｎ接合の低温アニールにおける逆方向電流の低減」、日本酸素技Ｎｏ．９－１９９０－、（日本酸素㈱）、pp.50-60、1990 年12 月。

253(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.8 序文」、超ＬＳＩウルトラク
リーンテクノロジーワークショップＮｏ．８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-2、1990
年 12 月。

254(C)

大見忠弘、「ＲＣＡ洗浄の先見性と問題点」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.5-15、1990 年 12 月。

255(C)

板野充司、川辺一郎、宮下雅之、大見忠弘、Reed W. ROSENBERG、 「ＲＣＡ洗浄工程における粒子の吸着脱離」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.35-55、1990 年 12 月。

256(M) 杉山和彦、大見忠弘、中村雅一、水口泰光、鴨木三郎、溝上敏、「半導体製造用超高純度ガス供給技術」、材料技術 Vol.8、No.10、（材料技術研究協会）、pp.3(337)-7(341)、1990 年 12 月。
257-1(M) 大見忠弘、「ウルトラクリーン技術」、日本機械学会誌、第９４巻、第８６６号、（日本機械学会）、pp.70-74、1990 年 12 月。
257-2(C) 島田久幸、広瀬浩一、野仲徹、小野寺政信、大見忠弘、「Photoresist Development by Surface ActiveDeveloper」、半導体・集積回路技術第３９回シンポジウム講演論文集〔PROCEEDINGS OF THE
39TH SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY〕、（電気化学協会電子材料委員会）、pp.79-84、1990 年 12 月。
257-3(C) 小 野 寺 政 信 、 野 仲 徹 、 堀 越 基 伸 、 大 見 忠 弘 、 新 田 雄 久 、 横 田 晃 、 「 Outgas Free Photoresist
Processing」、半導体・集積回路技術第３９回シンポジウム講演論文集〔PROCEEDINGS OF THE
39TH SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY〕、（電気化学協会電子材料委員会）、pp.85-90、1990 年 12 月。
257-4(C) 桑原英司、大月正人、大見忠弘、「自然酸化膜フリープロセスによる理想的金属・半導体界面の形成(Formation of Ideal Metal/Silicon Contacts by Native-Oxide-Free Processing)」、半導体・集積回路技術 第 ３ ９ 回 シ ン ポ ジ ウ ム 講 演 論 文 集 〔 PROCEEDINGS OFTHE 39TH SYMPOSIUM ON
SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY〕、（電気化学協会電子材料委員会）、pp.103-108、1990 年 12 月。

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