大見研究室 和文 論文リスト

大見研究室 和文 論文リスト
1992 年
324(M)

柴田直、大見忠弘、「新概念のＭＯＳトランジスタ、単体でニューロン機能など実現」、日経マイクロデバイス 1992 年 1 月号、No.79、（日経ＢＰ社）、pp.101-109、1992 年 1 月。

325(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.15 序文」、超ＬＳＩウルト
ラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１５、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、1992年 1 月。

326(C)

高野順、中村雅一、寺本章伸、大見忠弘、「水素ターミネイト表面を用いたプロセスの高性能化」、
超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム Ｎｏ．１５、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.159-176、 1992 年 1 月。

327(M)

大見忠弘、「半導体製造システムの先端技術動向」、電気学会雑誌、Vol.112、No.1、（(社)電気学会）、pp.1-3、1992 年 1 月。

328(M)

大見忠弘、「科学技術立国、そのあるべき姿を求めて」、ブレークスルー、No.66、（㈱リアライズ社）、pp.9-14、1992 年 1 月。

329(C)

大見忠弘、植竹宏明、「シリコンの低温成長技術の現状と将来」、超精密加工専門委員会第１０回
研究会資料－シリコン成膜における低温化技術の最前線－、（精密工学会）、pp.1-6、1992 年 2月。

330(M)

大見忠弘、「最新の超純水製造技術とその特性」、繊維学会誌、第 48 巻第２号、（(社)繊維学会）、
pp.55-61、1992 年 2 月。

331(C)

大見忠弘、「将来の半導体製造システム」、ウルトラクリーンテクノロジー Vol.4、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-2、1992 年 2 月。

332(C)

前野又五郎、千葉和郎、大見忠弘、「Self-Cleaning 用金属表面フッ化不動態化技術」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.4、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.3-7、1992 年 2 月。

333(C)

青山真太郎、大見忠弘、「低エネルギープラズマを用いた表面クリーニング技術」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.4、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.8-14、1992 年 2 月。

334(C)

都田昌之、宍戸昌広、菅野洋一、梅田優、新田雄久、大見忠弘、「チッ素ガスによるウェハの気流搬送」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.4、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.23-29、1992 年 2月。

335(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.17 半導体用薬品精製回収技術 総論」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、1992 年 3 月。

336-1(C)

三木正博、前野又五郎、福留敏郎、宮下雅之、鶴和枝、大見忠弘、「フッ素回収技術」、超ＬＳＩウ
ルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.9-104、1992 年 3 月。

337(C)

島田久幸、下村茂樹、広瀬浩一、小野寺政信、大見忠弘、「超微細レジスト現像工程における界面活性剤添加の効果」、1992 年電子情報通信学会春季全国大会講演論文集、分冊５エレクトロニ
クス、（(社)電子情報通信学会）、SC-9-2、pp.5-319－5-320、1992 年 3 月。

338(M)

大見忠弘、柴田直、「新しいＬＳＩを切り拓くニューロンＭＯＳトランジスタ」、マイテクノミヤギ１０、（宮城県高度技術振興財団）、pp.13-14、1992 年 3 月。

339(C)

大見忠弘、柴田直、「ウルトラクリーン化技術と真空の質」、第８回加速器およびストレージリングにおける超高真空研究会講演論文集、（高エネルギー物理学研究所）、pp.303-320、1992 年 3 月。

―1―

大見研究室 和文 論文リスト
340(C)
大見忠弘、柴田直、「Ｓｉ系真空一貫プロセス」、１９９２年春季第３９回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集、（(社)応用物理学会 他）、pp.1283、1992 年 3 月。
341(C)

大見忠弘、「超清浄表面を実現する新しいウェットプロセス」、結晶加工と評価技術第１４５委員会、第５８回研究会資料、（日本学術振興会）、pp.4-13、1992 年 4 月。

342(M)

大見忠弘、「半導体プロセス用特殊材料ガスの物理・化学」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.4、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-2、1992 年 4 月。

343(M)

大見忠弘、「次世代ウルトラクリーン化技術研究について」、電子工業月報、第 34 巻、第４号、（(財)日本電子工業振興協会）、pp7-34、1992 年 4 月。

344(M)

大見忠弘、「２１世紀の半導体工場」、セミコンダクターワールド第 11 巻･第６号、（㈱プレスジャーナル）、pp.120-126、1992 年 5 月。

345(M)

大見忠弘、「半導体製造基盤技術の展望」、島津科学計測ジャーナル Vol4、No.3、（㈱島津製作所分析事業本部）、pp.1-2、1992 年 5 月。

346(C)

青山真太郎、大見忠弘、「ＡＦＭを用いた自然酸化膜の膜厚計測」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.92、No.70、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM92-11、pp.17-22、1992 年 5 月。

347(C)

今岡孝之、毛塚健彦、高野順、大見忠弘、「ウェット洗浄におけるｎ型ｐ型不純物濃度効果」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.92、No.70、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、
論文番号 SDM92-12、pp.23-28、1992 年 5 月。

348(C)

寺本章伸、牧原康二、中村亘、森田瑞穂、大見忠弘、「ラジカル処理による酸化膜質及び界面の制御」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.92、No.70、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM92-14、pp.37-40、1992 年 5 月。

290-3(B)

大見忠弘、「高性能分析評価技術の重要性」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会
編、高性能半導体プロセス用分析・評価技術、（リアライズ社）、pp.13-14、1992 年 5 月。

291-2(B)

大見忠弘、宮下雅之、寺本章伸、牧原康二、都賀智仁、「半導体表面マイクロラフネスのデバイス特性への影響」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、高性能半導体プロセス用分析・評価技術、（リアライズ社）、pp.65-84、1992 年 5 月。

292-3(B)

三木正博、米沢勗、渡辺明、村瀬玄一、川辺一郎、大見忠弘、「ＩＣＰスペクトロメトリーによる薬液中極微量不純物の評価」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、高性能半導体プロセス用分析・評価技術、（リアライズ社）、pp.197-214、1992 年 5 月。

349(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.18 序文－次世代ガス供給配管系の確立を目指して－」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、1992 年 6 月。

350(C)

渡邊剛、中村雅一、大木厚志、川田幸司、三好伸二、高橋慎治、大見忠弘、「ＳｉＨ4 の熱分解特性」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.116-136、1992 年 6 月。

351(C)

川田幸司、陳希寛、大木厚志、渡邊剛、三好伸二、高橋慎治、中村雅一、大見忠弘、「Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8 の熱分解特性」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１８、プロシーディン
グ、（半導体基盤技術研究会）、pp.141-161、1992 年 6 月。

352(C)

大木厚志、中川佳紀、川田幸司、中村雅一、渡邊剛、三好伸二、高橋慎治、大見忠弘、「各種金属表面処理技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.177-201、1992 年 6 月。

353(C)

三好伸二、大木厚志、川田幸司、中村雅一、渡邊剛、高橋慎治、大見忠弘、「腐食を伴わない溶接技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.207-221、1992 年 6 月。

354(M)

大見忠弘、「Advanced Wet Chemical Processing－超純水技術を中心として－」、ウルトラクリーンテ
クノロジーVol.4、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-2、1992 年 6 月。
―2―

大見研究室 和文 論文リスト
355(F)
柴田直、大見忠弘、「半導体製造プロセス用ウルトラクリーン真空技術」、ウルトラクリーンテクノロジ
ーVol.4、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.15-23、1992 年 6 月。
356-1(M)

三木正博、大見忠弘、「ウェットプロセスにおけるケミカルオプチマイゼーション」、ウルトラクリーン
テクノロジーVol.4、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.24-25、1992 年 6 月。

356-2(C)

大見忠弘、柴田直、「単一素子でニューロン機能を有する新しいトランジスタ」、ＳＹＮＡＰＳＥ ’９２－Symposium on Neural-networks; Alliances and Perspectives in Senri 1992－講演論文集、（千里国際情報事業財団・日本経済新聞社）、1992 年 6 月。

357(M)

大見忠弘、「映像文化の時代を迎えて」、ブレークスルー、No.73、（㈱リアライズ社）、pp.9-10、1992年 7 月。

358(M)

大見忠弘、「半導体産業における微量水分計測」、計測技術第 20 巻、第８号、（日本工業出版）、
pp46-53、1992 年 7 月。

359(C)

大見忠弘、新田雄久、「Scientific Semiconductor Manufacturing を目指して－About な技術からAccurate な技術へ」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１６、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-2、1992 年 7 月。

360(C)

大見忠弘、高野順、牧原康二、松本光市、「表面マイクロラフネスと基板結晶性の関係」、超ＬＳＩウ
ルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１６、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.37-65、1992 年 7 月。

361(C)

大見忠弘、「超高純度化の化学」、第 20 回薄膜・表面物理セミナー、（(社)応用物理学会）、pp.57-66、1992 年 7 月。

362(M)

大見忠弘、「２周波励起装置、インサイチュ・クリーニングで高性能化、低コスト化を両立」、日経マ
イクロデバイス 1992 年 7 月号、No.85、（日経ＢＰ社）、pp.69-74、1992 年 7 月。

363(M)

大見忠弘、中村雅一、「ウルトラクリーンガス供給における汚染防止対策」、ガスメディア臨時増刊・セミコンダクターアニュアル〈ガス供給編〉、（テス出版㈱）、pp.12-14、1992 年 7 月。

364(M)

大見忠弘、「０.１５μｍＬＳＩを２２万枚／月生産 ２００１年のスーパークリーンルーム－コスト効率を最大にした円形シングル・カラム工場－」、日経マイクロデバイス 1992 年 8 月号、No.86、（日経ＢＰ社）、pp.81-87、1992 年 8 月。

365(M)

三木正博、大見忠弘、「半導体薬液からのフッ素回収技術」、資源環境対策、第 28 巻、第９号、（公害対策技術同友会）、pp.25-34、1992 年 8 月。

366(C)

大見忠弘、柴田直、「高性能プロセス技術を用いた集積化パワーデバイスの動向」、電気学会 電子･情報･システム部門第２回大会講演論文集、（(社)電気学会）、pp.65-68、1992 年 8 月。

367(C)

下村茂樹、島田久幸、歐リタ、広瀬浩一、大見忠弘、「界面活性剤添加現像液を用いた高解像度レジストパターン形成」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.92、No.186、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM92-37、pp.13-18、1992 年 8 月。

368(C)

星司、竹脇利至、柴田直、大見忠弘、新田雄久、「高品質Ｃｕ配線とその信頼性評価」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.92、No.186、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論
文番号 SDM92-41、pp.37-42、1992 年 8 月。

369(C)

右田智裕、富田和朗、小谷光司、柴田直、大見忠弘、新田雄久、「スパッタリング金属汚染低減によるイオン注入層の低温アニール技術」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.92、No.186、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM92-42、pp.43-48、1992 年 8 月。

370(C)

去来川辰彦、木暮雅彦、今岡孝之、大見忠弘、「オゾン添加超純水洗浄によるシリコンウェハ表面の有機物除去」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.92、No.187、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM92-47、pp.19-24、1992 年 8 月。

371(C)

都田昌之、宍戸昌広、菅野洋一、梅田優、大見忠弘、「２１世紀半導体製造プロセスの動脈」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.92、No.187、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM92-50、pp.39-46、1992 年 8 月。
―3―

大見研究室 和文 論文リスト
372(C)
渡邊剛、三好伸二、大木厚志、川田幸司、高橋慎治、マイケル・チェン、大見忠弘、「シランガス熱分解特性の各種シリコン表面依存性」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.92、No.187、シリコ
ン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM92-53、pp.61-66、1992 年 8 月。
373(M)

大見忠弘、「半導体製造現場におけるウルトラクリーン化への提言」、ウルトラクリーンテクノロジー
Vol.4、No.4、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-3、1992 年 8 月。

374(M)

大見忠弘、「２００１年の Scientific Manufacturing Technology の展開について」、ウルトラクリーン
テクノロジーVol.4、No.4、（半導体基盤技術研究会）、pp.30-32、1992 年 8 月。

375(M)

都田昌之、梅田優、宍戸昌広、新田雄久、菅野洋一、大見忠弘、「窒素ガスによるウェハの気流搬送」、空気清浄第 30 巻･第３号、（日本空気清浄協会）、pp.3-14、1992 年 8 月。

376(M)

大見忠弘、「マスク共通化と構造簡略化を提言、0.15μｍ世代の構造コストを削減－全ＬＳＩをＭＯ
Ｓ化、ＡＳＩＣにはνＭＯＳを応用－」、日経マイクロデバイス 1992 年 9 月号、No.87、（日経ＢＰ社）、pp.82-88、1992 年 9 月。

377(M)

柴田直、大見忠弘、「ニューロントランジスタ」、CLINICAL NEUROSCIENCE、Vol.10 No.9、（中外医学社）、pp.34-36、1992 年 9 月。

378(C)

柴田直、大見忠弘、「多機能シリコンデバイス」、平成４年電気・情報関連学会連合大会講演論文集、（電気学会・電子情報通信学会・照明学会・テレビジョン学会・情報処理学会）、pp.323-331、1992 年 9 月。

379(M)

大見忠弘、「最新の超純水製造技術とその特性」、混相流第６巻･第３号、（日本混相流学会）、
pp.297-304、1992 年 9 月。

380(C)

青山真太郎、大見忠弘、「ＡＦＭによるＳｉ表面のマイクロ・ラフネス測定」、1992 年電子情報通信学会秋季大会講演論文集分冊５ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ、（(社)電子情報通信学会）、pp.5-192～5-193、1992 年9 月。

381(C)

牧原康二、高野順、松本光市、中村亘、山本和馬、大見忠弘、「(100)､(111)ウェハ表面のラフネスの挙動」、1992 年電子情報通信学会秋季大会講演論文集分冊５ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ、（(社)電子情報通信学会）、pp.5-198～5-199、1992 年 9 月。

382(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.19(シリコン結晶の高性能化Ⅲ)序文」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１９、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、1992 年 9 月。

383(C)

牧原康二、松本光市、大見忠弘、「表面マイクロラフネスとデバイス特性」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１９、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.73-91、1992年 9 月。

384(C)

大見忠弘、「二周波励起プラズマプロセス装置」、薄膜第 131 委員会第 163 回研究会資料、（日本学術振興会）、pp.1-11、1992 年 10 月。

385(M)

大見忠弘、「ニューロＭＯＳトランジスタによる人工知能」、共存のコスモロジー、（㈱ユー・ピー・ユー）、pp.126-131、1992 年 10 月。

386(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.20 序文-稼働率が高くかつまったく止まらない半導体・液晶工場を目指して-」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワーク
ショップＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.(1)-(4)、1992 年 10 月。

387(C)

高橋慎治、大木厚志、大見忠弘、「ハロゲン系ガスに対する耐腐食金属表面処理技術」、超ＬＳＩウ
ルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.3-16、1992 年 10 月。

388-1(C)高橋麗子、千葉和郎、前野又五郎、泉浩人、大見忠弘、「金属表面フッ化不動態膜の耐腐食性能」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.39-47、1992 年 10 月。

―4―

大見研究室 和文 論文リスト
389-1(C)中島宏幸、大澤守彦、大塚隆夫、中谷光良、馬場吉康、佐藤憲二、大見忠弘、「焼け及びヒュームフリーの装置溶接技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.51-66、1992 年 10 月。
390(C)

三好伸二、川田幸司、大見忠弘、「高速１周溶接による配管施工の高性能化-耐腐食性、非触媒性、ヒュームフリー-」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.69-84、1992 年 10 月。

391(C)

山下毅雄、大見忠弘、「高誘電体薄膜を用いたＤＲＡＭメモリセル構造の最適化」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.92、No.299、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番
号 SDM92-81、pp.49-55、1992 年 10 月。

392(C)

石井洋、柴田直、大見忠弘、「ニューロンＭＯＳで構成したニューラルネットワークのためのハードウ
ェア学習アルゴリズム」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.92、No.299、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM92-84、pp.73-78、1992 年 10 月。

393(P)

大見忠弘、「サブハーフミクロンＵＬＳＩに不可欠なプラズマプロセス」、プラズマ・核融合学会第９回秋季講演会予稿集、（(社)プラズマ・核融合学会）、pp.10-16、1992 年 10 月。

394(M)

大見忠弘、「大学における超ＬＳＩの研究」、応用物理、Vol.61、No.11、（(社)応用物理学会）、pp.1176、1992 年 11 月。

395(M)

大見忠弘、「シリコンテクノロジーの展望」、電子情報通信学会誌、Vol.75、No.11、（(社)電子情報通信学会）、pp.1207-1215、1992 年 11 月。

396(M)

大見忠弘、大木厚志、川田幸司、「コスト効率を高くするための配管技術、ウルトラクリーンガス技術」、日経マイクロデバイス 1992 年 11 月号、No.89、（日経ＢＰ社）、pp.121-130、1992 年 11 月。

397(W)

大見忠弘、「21 世紀の半導体 LSI 技術」、第 2 回マイクロエレクトロニクス研究会(大見研究室年次研究討論会)プロシーディング、pp.153-170、1992 年 11 月。

398(W)

植竹宏明、大見忠弘、「2 周波励起プラズマプロセス装置」、第 2 回マイクロエレクトロニクス研究会(大見研究室年次研究討論会)プロシーディング、pp.171-181、1992 年 11 月。

399(W)

山下毅雄、柴田直、大見忠弘、「ニューロン MOS を用いた連想メモリ LSI」、第 2 回マイクロエレクトロニクス研究会(大見研究室年次研究討論会)プロシーディング、pp.275-298、1992 年 11 月。

400(M)

稲葉仁、大見忠弘、森田瑞穂、中村雅一、吉田隆紀、岡田孝夫、「窒素ガスおよび減圧雰囲気中における帯電ウェハの中和」、高砂熱学工業総合研究所報、No.6、1992（高砂熱学工業㈱総合研究所）、pp.25-34、1992 年 12 月。

401(M)

大見忠弘、柴田直、「ＩＣ製造完全自動化に向けて」、空気清浄コンタミネーションコントロール、第30 巻 第 4 号 通巻第 200 号、（(社)日本空気清浄協会）、pp.48-60、1992 年 11 月。

402(P)

柴田直、大見忠弘、「半導体デバイスの極限高集積化を目指して－ニューロンＭＯＳトランジスタによる機能の超高集積化－」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.4、No.5/6、（半導体基盤技術研究会）、pp.123-136、1992 年 12 月。

403(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.21 序文-ウルトラクリーン化－完全な再現性－Low Cost Production-」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ
Ｎｏ．２１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、1992 年 12 月。

404-1(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.22 序文-静電気障害とその完全な制御を目指して-」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.(1)-(2)、1992 年 12 月。

405(P)

稲葉仁、大見忠弘、「ガス分子イオン化による帯電防止技術－紫外線照射除電技術－」、稲葉仁、大見忠弘、池戸智之、「ガス分子イオン化による帯電防止技術－軟Ｘ線照射除電技術」、超Ｌ
ＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.63-78、1992 年 12 月。

406-1(P)須藤誠司、大見忠弘、三島博之、「表面帯電電荷量計測技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジ
ーワークショップＮｏ．２２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.81-91、1992 年 12 月。
―5―

大見研究室 和文 論文リスト
407(B)
大見忠弘、去来川辰彦、木暮雅彦、今岡孝之、八木康之、「第６章 半導体、第２節 精密洗浄」、
オゾン年鑑 1993-1994 年度版、（㈱リアライズ社）、pp.172-183、1992 年 12 月。
408(B)

大見忠弘、去来川辰彦、今岡孝之、杉山勇、「第６章 半導体、第３節 超純水」、オゾン年鑑
1993-1994 年度版、（㈱リアライズ社）、pp.184-200、1992 年 12 月。

409(M)

石原良夫、池田拓也、高崎俊道、大見忠弘、福嶋良助、「電気伝導度の不純物計測への応用」、
日本酸素技報、No.11、（日本酸素㈱）、pp.39-44、1992 年 12 月。

410(M)

大見忠弘、植竹宏明、「シリコンの低温成膜技術の現状と将来」、超精密、Vol.2、（精密工学会 超精密加工専門委員会）、pp.129-135、1992 年 12 月。

―6―