大見研究室 和文 論文リスト

大見研究室 和文 論文リスト
1989 年
126-1(P) 水口泰光、大見忠弘、杉山和彦、菅野洋一、溝上敏、宮北勲、鶴羽正敏、浜田汎史、「超高純度ガス供給系用溶接技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジ
ーシンポジウム No.8、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.1-25、1989 年 1 月。
127-1(P) 内沢修、畑山忠弘、菅野洋一、大見忠弘、「半導体ガスプロセス用バルブの高性能化－オールメタルダイヤフラムバルブ－」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロ
ジーシンポジウム No.8、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、
pp.27-48、1989 年 1 月。
128-1(P) 中原文生、大見忠弘、杉山和彦、水口泰光、Henry Berger、中村雅一、三平博、佐藤清志、「高純度ガス希釈器とそのＡＰＩＭＳによる評価」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラ
クリーンテクノロジーシンポジウム No.8、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.49-78、1989 年 1 月。
129-1(P) 徳永重則、都田昌之、菅野洋一、大見忠弘、「開放系装置における大気の逆拡散」、大見、新田監
修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.8、サブミクロンＵ
ＬＳＩプロセス技術Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.79-98、1989 年 1 月。
130-1(P) 奥村毅、大見忠弘、杉山和彦、仲原善行、林茂樹、阪中隆、太田栄治、高石一英、浜田汎史、泊里治夫、佐藤文博、那須進、津田格、「金属表面不動態処理」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.8、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.99-117、1989 年 1 月。
131-1(P) 前野又五郎、丸橋一夫、中川佳紀、三木正博、大見忠弘、「金属表面フッ化不動態処理」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.8、サブミク
ロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.119-139、1989 年 1 月。
132-1(P) 森田瑞穂、大見忠弘、長谷川英司、河上道也、須磨克博、「Ｓｉ表面自然酸化膜形成過程」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.8、サブミク
ロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.169-193、1989 年 1 月。
133-1(P) 菊山裕久、三木正博、宮下雅之、川辺一郎、森田瑞穂、大見忠弘、「自然酸化膜選択除去技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.8、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.195-222、1989 年 1 月。
134-1(P) 稲葉仁、竹浪敏人、大見忠弘、山崎俊彦、「風速、気流分布及びダスト飛散の評価」、大見、新田監
修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.8、サブミクロンＵ
ＬＳＩプロセス技術Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.245-290、1989 年 1 月。
134-2(M) 大見忠弘、柴田直、「低エネルギーイオン照射を用いた低温薄膜形成技術」、機能性薄膜の形成技術の開発と応用、昭和 63 年度科学研究費補助金〈総合研究（Ａ）〉、研究成果報告書、（研究代表者名古屋大学工学部 安田幸夫）、pp.119-123、1989 年 1 月。
135(P)

桑原英司、斉藤悟、斉藤達之、小谷光司、柴田直、大見忠弘、「低エネルギイオン照射プロセスを用いたメタライゼーション技術」、電気学会研究会資料、（電子デバイス研究会）、論文番号 EDD-89-31、
pp.1-10、1989 年 2 月。

136(F)

大見忠弘、「超クリーンシステムの科学」、応用物理第 58 巻第 2 号、（(社)応用物理学会）、
pp.193-211、1989 年 2 月。

137-1(M) 大見忠弘、「超微細加工を支える環境技術－スーパークリーンルーム－」、21 世紀へのフロンティア”極限技術への挑戦”、日本機械学会編（三田出版会）pp.67-120、1989 年 2 月。
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49-2(B) 矢部江一、石川浩朗、水庭哲夫、田中和光、大見忠弘、「精密抵抗率測定」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅱ－ウエットプロセス技術－、（リアライズ社）、pp.11-21、1989 年 2 月。
51-1(B) 大見忠弘、三島博之、水庭哲夫、阿部光夫、「ウェハ表面吸着分子分析」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅱ－ウエットプロセス技術－、（リアライズ社）、pp.93-107、1989 年 2 月。
52-2(B) 安井富春、水庭哲夫、三島博之、阿部光夫、大見忠弘、「パーティクルフリー洗浄・乾燥技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅱ－ウエットプロ
セス技術－、（リアライズ社）、pp.135-163、1989 年 2 月。
137-2(C) 大見忠弘、「サブミクロンＵＬＳＩ製造技術」、第３回ＩＳＳジャパン、半導体デバイス・製造装置／材料の市場予測セミナー、テキスト、（ＳＥＭＩジャパン）、pp.KEYNOTE1-KEYNOTE5、1989 年 2 月。
138(B)

大見忠弘、御子柴宣夫、「超微細加工における環境技術」、機械の研究第 41 巻第３号、（㈱養賢堂）、
pp.25-34、1989 年 3 月。

139(C)

大見忠弘、「ppt へ挑戦する超クリーン化技術の構築」、ニューメンブレンテクノロジーシンポジウム'89、テキスト、（(社)日本能率協会）、pp.(1-1-1)-(1-1-8)、1988 年 3 月。

140(C)

杉山和彦、大見忠弘、「ガス供給系の超クリーン化と膜分離技術」、ニューメンブレンテクノロジーシン
ポジウム '89、テキスト、（(社)日本能率協会）、pp.(1-2-1)-(1-2-10)、1989 年 3 月。

141(C)

河上道也、大見忠弘、岡崎素弘、「超純水系の超クリーン化と膜分離技術」、ニューメンブレンテクノロ
ジーシンポジウム '89、テキスト、（(社)日本能率協会）、pp.(1-3-1)-(1-3-8)、1989 年 3 月。

36-2(B) 大見忠弘、室田淳一、三井泰裕、杉山和彦、川崎健弘、河野博明、大森宣典、松坂一紀、「ガス純化技術－Ｈ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２、及び、フィルタ内臓純化装置－」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究
会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅰ－ガス供給システム－、（リアライズ社）、pp.7-30、1989 年 3 月。
37-2(B) 三井泰裕、大見忠弘、室田淳一、杉山和彦、川崎健弘、河野博明、大森宣典、松坂一紀、「超高純度ガス評価技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技
術Ⅰ－ガス供給システム－、（リアライズ社）、pp.31-56、1989 年 3 月。
38-2(B) 黒宮茂、光地哲伸、大見忠弘、「ガス供給系の高純度化」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会
編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅰ－ガス供給システム－、（リアライズ社）、pp.57-86、1989 年 3 月。
39-2(B) 都田昌之、菅野洋一、大見忠弘、「配管系ガス置換特性」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会
編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅰ－ガス供給システム－、（リアライズ社）、pp.87-101、1989 年 3 月。
72-2(B) 大見忠弘、室田淳一、「クリーンボンベとガス充填技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会
編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅰ－ガス供給システム－、（リアライズ社）、pp.135-152、1989 年 3 月。
74-2(B) 阿部光夫、杉山和彦、大見忠弘、宮野安定、箭原繁雄、「パラジウム膜水素純化装置」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅰ－ガス供給システム－、（リアライズ社）、pp.189-213、1989 年 3 月。
78-2(B) 杉山和彦、中原文生、奥村毅、大見忠弘、室田淳一、「アウトガスフリー耐腐食性ステンレス表面処理技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅰ－ガス供給システム－、（リアライズ社）、pp.215-224、1989 年 3 月。
73-2(B) 菅野洋一、都田昌之、徳永重則、大見忠弘、「高速置換特性を有するガス配管系と、流体の流れに逆らう拡散について」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅰ－ガス供給システム－、（リアライズ社）、pp.153-188、1989 年 3 月。

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75-2(B) 大見忠弘、「ウルトラクリーンテクノロジーが可能にする新しいプロセス技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅲ－ＵＬＳＩプロセス技術－、（リアライズ社）、pp.13-24、 1989 年 3 月。
41-2(B) 柴田直、桑原英司、大見忠弘、斉藤達之、清田哲司、「ＤＣ－ＲＦ結合バイアススパッタ技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅲ－ＵＬＳＩプロセス技術－、（リアライズ社）、pp.27-41、1989 年 3 月。
42-2(B) 大見忠弘、菅野洋一、畑山忠弘、森川栄久、須磨克博、森田瑞穂、「薄い酸化膜生成技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におるプロセス高性能化技術Ⅲ－ＵＬＳＩプロセス技術－、（リアライズ社）、pp.43-60、1989 年 3 月。
43-2(B) 黒宮茂、吉武春二、岩淵浩志、佐藤源一、大見忠弘、「超高純度エピタキシャル成長技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅲ－ＵＬＳＩプロセス技術－、（リアライズ社）、pp.61-76、1989 年 3 月。
76-2(B) 室田淳一、中村直人、加藤学、御子柴宣夫、大見忠弘、「高選択性を有するウルトラクリーンＣＶＤ技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅲ－ＵＬ
ＳＩプロセス技術－、（リアライズ社）、pp.77-86、1989 年 3 月。
77-2(B) 森田瑞穂、光地哲伸、大見忠弘、熊谷浩洋、伊藤雅樹、「自由分子流照射型低温高速ＣＶＤ技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅲ－ＵＬＳＩプ
ロセス技術－、（リアライズ社）、pp.87-96、1989 年 3 月。
70-2(B) 大見忠弘、竹浪敏人、室田淳一、御子柴宣夫、坪内和夫、益一哉、「スーパークリーンルームの省エネルギー設計と省エネルギー運転」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅲ－ＵＬＳＩプロセス技術－、（リアライズ社）、pp.133-162、1989 年 3 月。
50-2(B) 藤崎芳男、平塚豊、大見忠弘、「省電力形クリーンドラフト」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅲ－ＵＬＳＩプロセス技術－、（リアライズ社） 、
pp.163-181、1989 年 3 月。
71-2(B) 安田正志、竹浪敏人、大見忠弘、「微振動計測と振動対策」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究
会編、ＬＳＩ製造におけるプロセス高性能化技術Ⅲ－ＵＬＳＩプロセス技術－、（リアライズ社） 、
pp.183-213、1989 年 3 月。
142(M) 大見忠弘、「ppt へ挑戦する超クリーン化技術の構築」、ＳＴＥＰ／Ｕｌｔｒａ Ｃｌｅａｎ、ＳＴＥＰ資料、（SEMICONDUCTOR EQUIPMENT & MATERIALS INTERNATIONAL, JAPAN）1989 年 4 月。
143(M) 菊山裕久、高野順、三木正博、大見忠弘、「フッ化水素酸の清浄化技術」、ＳＴＥＰ／Ｕｌｔｒａ Ｃｌｅａｎ、Ｓ
ＴＥＰ資料、（SEMICONDUCTOR EQUIPMENT & MATERIALS INTERNATIONAL, JAPAN）1989年 4 月。
144(M) 杉山和彦、大見忠弘、「ガス供給系の超クリーン化」、ＳＴＥＰ／Ｕｌｔｒａ Ｃｌｅａｎ、ＳＴＥＰ資料、（SEMICONDUCTOR EQUIPMENT & MATERIALS INTERNATIONAL, JAPAN）1989 年 4 月。
145(M) 河 上 道 也 、 大 見 忠 弘 、 「 超 純 水 系 の 超 ク リ ー ン 化 」 、 Ｓ Ｔ Ｅ Ｐ ／ Ｕ ｌ ｔ ｒ ａ Ｃ ｌ ｅ ａ ｎ 、 Ｓ Ｔ Ｅ Ｐ 資 料 、（SEMICONDUCTOR EQUIPMENT & MATERIALS INTERNATIONAL, JAPAN）1989 年 4 月。
146(M) 稲葉仁、大見忠弘、竹浪敏人、「クリーンルームの現状と将来の展望」、ＳＴＥＰ／Ｕｌｔｒａ Ｃｌｅａｎ、ＳＴＥ
Ｐ資料、（SEMICONDUCTOR EQUIPMENT & MATERIALS INTERNATIONAL, JAPAN）1989 年4 月。
147(M) 水口泰光、杉山和彦、中原文生、大見忠弘、「オールメタル製精密希釈器による半導体材料ガス供給技術」、電子情報通信学会技術研究報告（シリコン材料デバイス研究会）、論文番号 SDM89-2、pp.7-12、1989 年 4 月。
148(M) 河上道也、大見忠弘、「ウェハの超純水洗浄および乾燥工程の超クリーン化」、電子情報通信学会技術研究報告（シリコン材料・デバイス研究会）、論文番号 SDM89-4、pp.19-22、1989 年 4 月。

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149-1(M) 宮下雅之、川辺一郎、大見忠弘、菊山裕久、三木正博、「無水フッ化水素ガスによる自然酸化膜の選択除去」、電子情報通信学会技術研究報告（シリコン材料・デバイス研究会）、論文番号 SDM89-7、pp.33-38、1989 年 4 月。
149-2(M) 森田瑞穂、大見忠弘、「自然酸化膜を科学する」、ウルトラクリーンテクノロジー Vol.1、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.22-28、1989 年 4 月。
150(M) 大見忠弘、今井茂、橋本尚、「超高速ＬＳＩ用デバイス・配線構造」、電子情報通信学会論文誌、VOL.J72-C-ⅡNo.5、（(社)電子情報通信学会）、pp.542-547、1989 年 5 月。
151(M) 大見忠弘、石原良夫、柴田直、沖田彰、「高濃度イオン注入層の低温アニール技術」、電子情報通信学会論文誌、VOL.J72-C-ⅡNo.5、（(社)電子情報通信学会）、pp.571-576、1989 年 5 月。
152(C)

杉山和彦、大見忠弘、水口泰光、「サブミクロンＵＬＳＩ製造用ガス供給技術」第７回大阪酸素－半導体セミナー講演集、（大阪酸素工業㈱）、pp.63-80、1989 年 6 月。

153(C)Tadahiro Ohmi、「Future Trends in Ultra Clean Technology」、第７回大阪酸素－半導体セミナー講演集、（大阪酸素工業㈱）、pp.81-90、1989 年 6 月。

154(C)

柴田直、大見忠弘、「低エネルギイオン照射を用いた表面クリーニングと低温高品質薄膜形成技術」、
セミコン大阪技術セミナー '89 講演予稿集、（ＳＥＭＩ）、pp.63-75、1989 年 6 月。

155(C)

菊山裕久、三木正博、宮下雅之、川辺一郎、大見忠弘、「自然酸化膜の選択ドライエッチング」、セミコン大阪技術セミナー '89 講演予稿集、（ＳＥＭＩ）、pp.129-144、1989 年 6 月。

156(M) 坪内和夫、益一哉、田中正則、大見忠弘、御子柴宣夫、林茂樹、丸井隆雄、寺本晃、梶川鉄夫、副島啓義、「μ－ＲＨＥＥＤ装置の開発」、島津科学計測ジャーナル ６月号第１巻 第２号 通巻２２４号、（㈱島津製作所 計測事業本部）、pp.50-52、1989 年、6 月。
157-1(P) 大見忠弘、竹浪敏人、稲葉仁、「トータルクリーンシステム－スーパークリーンルームの空調除塵システム－」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.9 、クリーンルーム及びその付帯設備、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-32、1989 年 6 月 29 日～7 月 1 日。
158-1(P) 竹浪敏人、稲葉仁、大見忠弘、「冷却水システム」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム
No.9 、クリーンルーム及びその付帯設備、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.55-79、1989 年 6 月 29 日～7 月 1 日。
159-1(P) 稲葉仁、竹浪敏人、大見忠弘、「磁場変動対策」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム
No.9 、 ク リ ー ン ル ー ム 及 び そ の 付 帯 設 備 、 プ ロ シ ー デ ィ ン グ 、 （ 半 導 体 基 盤 技 術 研 究 会 ） 、
pp.139-164、1989 年 6 月 29 日～7 月 1 日。
160-1(P) 稲葉仁、大見忠弘、「静電気の影響」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.9 、クリーンルーム及びその付帯設備、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.207-238、1989 年 6月 29 日～7 月 1 日。
161-1(P) 菊山裕久、坂喜代憲、高野順、三木正博、大見忠弘、「化学薬品用容器」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.9 、クリーンルーム及びその付帯設備、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.307-322、1989 年 6 月 29 日～7 月 1 日。
162 (M) 森田瑞穂、長谷川英司、河上道也、大見忠弘、「Ｓｉ自然酸化膜形成の制御」、電子情報通信学会技術研究報告、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM89-39、pp.11-12、1989 年 6 月。
163(P)

桑原英司、斎藤悟、小谷光司、柴田直、大見忠弘、「ウルトラクリーン雰囲気で形成した低バイアスス
パッタＡｌ膜の性質」、ＥＣＳ日本支部第２回シンポジウム、プロシーディング、ＵＬＳＩにおけるＡｌ配線技術の関する諸問題（ＥＣＳ日本支部）、pp.61-66、1989 年 7 月。

164(M) 杉山和彦、大見忠弘、「「不動態処理」酸化膜」、ウルトラクリーンテクノロジー Vol.1、No.2（半導体基盤技術研究会）、pp.7-11、1989 年 7 月。
165(M) 三木正博、前野又五郎、丸橋一夫、中川佳紀、大見忠弘、「完全に制御された金属表面を目指して－金属表面フッ化不動態化技術－」、ウルトラクリーンテクノロジー Vol.1、No.2（半導体基盤技術研究会）、pp.12-18、1989 年 7 月。
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大見研究室 和文 論文リスト
166(M) 松浦孝、植竹宏明、室田淳一、福田航一、大見忠弘、御子柴宣夫、川島忠、山下義弘、「ＥＣＲプラズマによる完全選択異方性エッチング」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.89 No.173、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM89-74、pp7-12、1989 年 8 月。
167(M) 沖田彰、石原良夫、柴田直、大見忠弘、新田雄久、杉浦順、大和田伸郎、「ＵＨＶイオン注入装置を用いて形成したＰＮ接合の低温アニール特性」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.89 No.173、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM89-76、pp19-22、1989 年 8 月。
168(M) 森田信、橋本圭一、柴田直、大見忠弘、「低エネルギーイオン照射による 250℃のシリコンエピタキシャル成長」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.89 No.174、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM89-83、pp13-18、1989 年 8 月。
169(M) 大月正人、斎藤達之、柴田直、大見忠弘、新田雄久、「低エネルギイオン照射プロセスにより形成したＣｕ薄膜の熱安定性」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.89 No.174、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM89-84、pp19-23、1989 年 8 月。
170(M) 三木正博、大見忠弘、「超高純度フッ化水素の精製と超ＬＳＩ技術への応用」、電子情報通信学会技術 研 究 報 告 、 Vol.89 No.174 、 シ リ コ ン 材 料 デ バ イ ス 、 （ ( 社 ) 電 子 情 報 通 信 学 会 ） 、 論 文 番 号
SDM89-86、pp31-38、1989 年 8 月。
171(C)

大見忠弘、稲葉仁、「先端技術が要求する環境雰囲気制御」、日本機械学会・精密工学会東北支部
盛岡地方講演会講演概要集、（日本機械学会東北支部、精密工学会東北支部）、pp.170-171、1989年、8 月。

172(M) 大見忠弘、稲葉仁、「環境制御技術」、日経マイクロデバイス 1989 年 9 月号、No.51、（日経ＢＰ社）、pp.115-136、1989 年 9 月。
173(P)

大見忠弘、森田瑞穂、「総論：ナノメータ絶縁膜－その展望と課題－」、1989 年電子情報通信学会秋季全国大会、講演論文集、（(社)電子情報通信学会）、pp.5-183～5-184、1989 年 9 月。

174(P)

森田瑞穂、長谷川英司、大見忠弘、「ナノメータ絶縁膜のための製造プロセス環境－良い極薄絶縁膜を作るには－」、1989 年電子情報通信学会秋季全国大会、講演論文集、（(社)電子情報通信学会）、
pp.5-193～5-194、1989 年 9 月。

175-1(M) 田中信義、橋本誠二、篠原真人、須川成利、森下正和、松本繁幸、中村佳夫、大見忠弘、「３１万画素バイポーライメージセンサ（ＢＡＳＩＳ）」、電子情報通信学会技術研究報告〔集積回路〕、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 ICD89-122、pp.79-86、 1989 年 9 月。
175-2(C) 泊里治夫、寺田誠、那須進、大見忠弘、杉山和彦、仲原喜行、「半導体製造ガス供給システム用高性能クリーンパイプの開発」、神戸製鋼技報、Vol.39 No.4 （㈱神戸製鋼所）、pp.57-60、1989 年 10 月。
175-3(C) 大見忠弘、「研究開発に於ける国際協力の必然性」、半導体国際交流シンポジウム '８９報告書、半導体の国際産業協力のあり方を求めて、pp.53-59、1989 年 10 月。
176-1(P) 小谷光司、大見忠弘、「ＲＩＥ用ガス排気システム」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム
No.10 、サブミクロンＵＬＳＩ製造技術、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.Ⅰ-5-1～Ⅰ-5-24、1989 年 11 月。
177(P)

大見忠弘、「高性能ＵＬＳＩ装置（ディープサブミクロンＵＬＳＩ製造装置に関する提案）」、超ＬＳＩウルトラ
クリーンテクノロジーシンポジウム No.10 、サブミクロンＵＬＳＩ製造技術、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.Ⅲ-1-1～Ⅲ-1-26、1989 年 11 月。

178(P)

森田瑞穂、大見忠弘、長谷川英司、寺本章伸 、川尻進、「極薄ゲ－ト酸化膜形成装」、超ＬＳＩウルト
ラクリーンテクノロジーシンポジウム No.10 、サブミクロンＵＬＳＩ製造技術、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.Ⅲ-2-1～Ⅲ-2-21、1989 年 11 月。

179-1(P) 杉山和彦、大見忠弘、水口泰光、中村雅一、半導体工場用トータルガスシステムの設計概念」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.10 、サブミクロンＵＬＳＩ製造技術、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.Ⅳ-1-1～Ⅳ-1-30、1989 年 11 月。

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180-1(P) 加藤芳久、仲内宏、大見忠弘、「ウルトラクリーンボンベ－設置、クリーニング、ガスの充填方法－」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.10 、サブミクロンＵＬＳＩ製造技術、プロシーディン
グ、（半導体基盤技術研究会）、pp.Ⅳ-2-1～Ⅳ-2-18、1989 年 11 月。
181-1(P) 水口泰光、大見忠弘、杉山和彦、中村雅一、「酸化パッシベーション施したプラスチック材料フリー、オールメタル製ガス供給システム」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.10 、サブミク
ロンＵＬＳＩ製造技術、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.Ⅳ-3-1～Ⅳ-3-21 、1989 年 11月。
93-2(B) 竹浪敏人、大見忠弘、福田宗治、「省エネルギー型空調除塵システム」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅰ、（リアライズ社）、pp.13-35、1989 年 11 月。
94-2(B) 水庭哲夫、矢部江一、後藤幸雄、大見忠弘、「超純水システム」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅰ、（リアライズ社）、pp.37-51、1989 年 11 月。
95-2(B) 中原文生、杉山和彦、佐藤剛士、大見忠弘、「プロセス用ガス配管システムの設計論」、大見、新田監
修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅰ、（リアライズ社）、pp.53-77、1989
年 11 月。
96-2(B) 柄崎英夫、菅田佳寿、東川智信、大見忠弘、杉山和彦、「無発塵空圧計装システム」、大見、新田監
修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅰ、（リアライズ社）、pp.97-132、1989
年 11 月。
100-2(B) 大見忠弘、「プロセス完全自動化への方向」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅰ、（リアライズ社）、pp.157-180、1989 年 11 月。
97-2(B) 宮下雅之、川辺一郎、丸橋一夫、石田隆史、菊山裕久、前野又五郎、三木正博、室田淳一、大見忠
弘、「ウェハドライ洗浄 フッ化不働態処理」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅰ、（リアライズ社）、pp.183-212、1989 年 11 月。
98-2(B) 柴田直、大見忠弘、「低エネルギイオン照射成膜技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会
編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅰ、（リアライズ社）、pp.223-232、1989 年 11 月。
99-2(B) 今井茂、石原良夫、丁剛珠、大見忠弘、「自己整合加熱によるプロセスの低温化」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅰ、（リアライズ社）、pp.233-250、1989 年11 月。
126-2(B) 水口泰光、大見忠弘、杉山和彦、菅野洋一、溝上敏、宮北勲、鶴羽正敏、浜田汎史、「超高純度ガス供給系用溶接技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術
Ⅱ、（リアライズ社）、pp.17-30、1989 年 11 月。
127-2(B) 内沢修、畑山忠弘、菅野洋一、大見忠弘、「半導体ガスプロセス用バルブの高性能化－オールメタルダイヤフラムバルブ－」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、（リアライズ社）、pp.31-57、1989 年 11 月。
128-2(B) 中原文生、大見忠弘、杉山和彦、水口泰光、Henry Berger、中村雅一、三平博、佐藤清志、「高純度ガス希釈器とそのＡＰＩＭＳによる評価」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵ
ＬＳＩプロセス技術Ⅱ、（リアライズ社）、pp.61-81、1989 年 11 月。
129-2(B) 徳永重則、都田昌之、菅野洋一、大見忠弘、「開放系装置における大気の逆拡散」、大見、新田監
修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、（リアライズ社）、pp.83-106、1989
年 11 月。
130-2(B) 奥村毅、大見忠弘、杉山和彦、仲原善行、林茂樹、阪中隆、太田栄治、高石一英、浜田汎史、泊里治夫、佐藤文博、那須進、津田格、「金属表面不動態処理」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、（リアライズ社）、pp.109-119、1989 年 11 月。
131-2(B) 前野又五郎、丸橋一夫、中川佳紀、三木正博、大見忠弘、「金属表面フッ化不動態処理」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、（リアライズ社）、pp.121-135、1989 年 11 月。

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大見研究室 和文 論文リスト
132-2(B) 森田瑞穂、大見忠弘、長谷川英司、河上道也、須磨克博、「Ｓｉ表面自然酸化膜形成過程」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、（リアライズ社）、pp.175-195、1989 年 11 月。
133-2(B) 菊山裕久、三木正博、宮下雅之、川辺一郎、森田瑞穂、大見忠弘、「自然酸化膜選択除去技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、（リアライズ社）、pp.197-216、1989 年 11 月。
134-3(B) 稲葉仁、竹浪敏人、大見忠弘、山崎俊彦、「風速、気流分布及びダスト飛散の評価【ウェハへの帯電粒子の付着】」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、サブミクロンＵＬＳＩプロセス技術Ⅱ、（リアライズ社）、pp.251-266、1989 年 11 月。
182(C) 大見忠弘、「将来のＬＳＩ技術と超伝導」、第５回応用物理学会・高温超伝導研究会、ＯＨＰ集、（(社)応用物理学会）、pp.31-32、1989 年 12 月。

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