大見研究室 和文 論文リスト

大見研究室 和文 論文リスト
1987 年36-1(P) 大見忠弘、室田淳一、三井泰裕、杉山和彦、川崎健弘、河野博明、大森宣典、松坂一紀、「ガス純化技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム
No.4、高性能化プロセス技術、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.1-30、1987 年 1 月。
37-1(P) 三井泰裕、大見忠弘、室田淳一、杉山和彦、川崎健弘、河野博明、大森宣典、松坂一紀、「超高純度ガス評価技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシン
ポジウム No.4、高性能プロセス技術、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.33-61、1987 年 1 月。
38-1(P) 黒宮茂、光地哲伸、大見忠弘、「ガス供給系の高純度化」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会
編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.4、高性能化プロセス技術、プロシーディン
グ、（リアライズ社）、pp.65-97、1987 年 1 月。
39-1(P) 都田昌之、菅野洋一、大見忠弘、「配管系ガス置換特性」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会
編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.4、高性能化プロセス技術、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.101-129、1987 年 1 月。
40(P)大見忠弘、馬場吉康、三好肇、宮崎清彦、鈴木俊昭、八木沢茂、菅野洋一、村岡晃、「クリーンガスボンベ」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム
No.4、高性能化プロセス技術、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.133-157、1987 年 1 月。

41-1(P) 柴田直、桑原英司、大見忠弘、斉藤達之、清田哲司、「ＤＣ－ＲＦ結合バイアススパッタ技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.4、高性能化プロセス技術、プロシーディング（リアライズ社）、pp.181-202、1987 年 1 月。
42-1(P) 大見忠弘、菅野洋一、畑山忠弘、森川栄久、須磨克博、森田瑞穂、「薄い酸化膜生成技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.4、高性能化プロセス技術、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.205-229、1987 年 1 月。
43-1(P) 黒宮茂、吉武春二、岩淵浩志、佐藤源一、大見忠弘、「超高純度エピタキシャル成長技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.4、高性能化プロセス技術、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.233-251、1987 年 1 月。
44(P)大見忠弘、御子柴宣夫、「電子デバイス加工における環境制御」、’87 精密測定技術シンポジウム、（(社)日本能率協会）、1987 年 2 月。

45(P)

大見忠弘、御子柴宣夫、「究極のクリーンルーム」、最先端のスーパークリーンテクノロジーに関する講演会、（環境技術研究協会）、1987 年 2 月。

46(M)大見忠弘、御子柴宣夫、「超微細物質科学の学問的体系化を目指す」、日経エレクトロニクス 1987 年
4 月 6 日号 No.418、（日経マグロウヒル社）、pp269-271、1987 年 4 月。

47(P)

大見忠弘、御子柴宣夫、坪内和夫、室田淳一、竹浪敏人、福田宗治、下田潔、「システムとしてのクリーンルームテクノロジー」、第６回空気清浄とコンタミネーションコントロール研究大会予稿集、（(社)日本空気清浄協会）、pp.123-137、1987 年 5 月。

48(P)

大見忠弘、「ＬＳＩ製造技術における放出ガスの問題」、日本金属学会シンポジウム予稿集、pp.31-49、
1987 年 6 月。

49-1(P) 矢部江一、石川浩朗、水庭哲夫、田中和光、大見忠弘、「精密抵抗率測定」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.5、高性能化プロセス技術
Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.1-23、1987 年 7 月。
50-1(P) 藤崎芳男、平塚豊、大見忠弘、「省電力形クリーンドラフト」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.5、高性能化プロセス技術Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.145-167、1987 年 7 月。
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51-1(P) 大見忠弘、三島博之、水庭哲夫、阿部光夫、「ウェハ表面吸着分子分析」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.5、高性能化プロセス技術
Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.213-232、1987 年 7 月。
52-1(P) 安井富春、水庭哲夫、三島博之、阿部光夫、大見忠弘、「パーティクルフリー洗浄・乾燥技術」、大見、新田監修、半導体基盤技術研究会編、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.5、高性能化プロセス技術Ⅱ、プロシーディング、（リアライズ社）、pp.261-293、1987 年 7 月。
53(P)大見忠弘、「ウルトラクリーンテクノロジーとデバイス技術の将来」、'87 ミクロシンポジウム、超ＬＳＩ用レジストの現状と将来の展望、（(社)高分子学会）、pp.9-14、1987 年 7 月 27 日。

54-1(M) 大見忠弘、「ppt への挑戦－ppt の不純物濃度に挑戦する半導体用ガス配管システム」、日経マイクロデバイス 1987 年７月号、No.25、（日経マグロウヒル社）、pp98-119、1987 年 7 月。
55(M)大見忠弘、「あるべき姿を求めて」、日立評論７月号一家一言（日立評論社）、1987 年 7 月。

56(P)畑山忠弘、菅野洋一、大見忠弘、須磨克博、田中一成、森田瑞穂、「超高清浄酸化による薄い酸化膜形成」、電子情報通信学会技術研究報告（シリコン材料・デバイス研究会）、論文番号 SDM87-56、pp.3-8、1987 年 8 月。

57(P)桑原英司、大見忠弘、柴田直、斉藤達之、杉山和彦、「ＲＦ－ＤＣ結合バイアススパッタ法によるＡｌ薄膜の形成」、電子情報通信学会技術研究報告（シリコン材料・デバイス研究会）、論文番号 SDM
87-69、pp.43-48、1987 年 8 月。

58(B)大見忠弘、「半導体の技術開発の現状」、先端技術環境安全要覧、（㈱サイエンスフォーラム）、pp.31-40、1987 年 8 月。

59(M)大見忠弘、御子柴宣夫、「究極のクリーンルーム－極限微細化電子回路の実現を目指して－」、東北大学電通談話会記録、第 56 巻第 1 号、（東北大学電気通信研究所）、pp.22-32、1987 年 9 月。

60(B)大見忠弘、御子柴宣夫、「究極のクリーンルーム」、超精密加工及び計測に関する研究（Ⅲ）（(社)日本機械工業連合会）、1987 年 9 月。

61-1(M) 大見忠弘、石原良夫、森田瑞穂、「 ppt への挑戦－Ｈｅリーク・ディテクタを採用、不純物混入を ppt レベルに追い込む」、日経マイクロデバイス 1987 年 9 月号、No.27、（日経マグロウヒル社）、pp.124-132、
1987 年 9 月。
62-1(M) 大見忠弘、杉山和彦、「 ppt への挑戦－ガス供給系で最大の課題は水分除去」日経マイクロデバイス
1987 年 10 月号、No.28、（日経マグロウヒル社）、pp.100-108、1987 年 10 月。
63(P)大見忠弘、「超々ＬＳＩ開発における材料開発の重要性」、山形大学昭和 62 年度公開講座、新素材とスーパークリーンテクノロジー、（山形大学産業研究所）、1987 年 11 月。

64-1(M) 大見忠弘、杉山和彦、中原文生、奥村毅、菅野洋一、津田格、「ppt への挑戦－ガスに入る不純物削減は配管の放出ガス抑制がカギ」、日経マイクロデバイス 1987 年 11 月号、No.29、（日経マグロウヒル社）、pp.88-96、1987 年 11 月。
65(P)大見忠弘、川崎健弘、柴田直、斉藤達之、桑原英司、新田雄久、「ＲＦ－ＤＣ結合バイアススパッタによるＣｕ薄膜の形成」、電気学会研究会資料（電子材料研究会資料）、論文番号 EFM-87-24、pp.21-28、1987 年 11 月。

66(P)吉武春二、奥村毅、愛川浩功、室田淳一、大見忠弘、「ウルトラクリーンテクノロジーを用いた高品質
エピタキシャルシリコン層の形成」、電気学会研究会資料（電子材料研究会）、論文番号
EFM-87-25、pp.29-35、1987 年 11 月。

67(F)大見忠弘、御子柴宣夫、「究極のクリーンルーム」、環境技術 Vol.16、No.12、（環境技術研究協会）、pp.823-832、1987 年 12 月。

68(P)大見忠弘、柴田直、「導電性レジストを用いたＶＬＳＩプロセス」、フォトポリマー懇話会 講演会、（千葉大学工学部画像応用工学科）、1987 年 12 月。

69(P)大見忠弘、「0.1μｍデバイスの加工と物理」、極限構造電子物性第 151 委員会、（日本学術振興会）、1987 年 12 月。
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