大見研究室 和文 論文リスト

大見研究室 和文 論文リスト
1993 年
411(M)

大見忠弘、「Ｇ bit 時代に思いを馳せて」、ブレークスルー、No.79、（㈱リアライズ社）、pp.7-11、1993 年 1 月。

41 2(M)

大見忠弘、「東北大学からの提案－２００１年の半導体技術」、ブレークスルー、No.79、（㈱リアライズ社）、pp.24-33、1993 年 1 月。

413(M)

大見忠弘、「最近の超クリーン化技術の研究状況と展望」、精密工学会誌、Vol.59、No.1、（(社)精密工学会）、pp.53-58、1993 年 1 月。

414(M)

大見忠弘、川田幸司、高橋慎治、「ＡＰＩＭＳの原理と半導体製造プロセスへの応用」、セミコンダク
ターワールド、第 12 巻、第 3 号、（㈱プレスジャーナル）、pp.122-131、1993 年 2 月号。

415-1(P)

大見忠弘、「シリコンウェハ表面の洗浄と表面微細構造（マイクロラフネス）」、超精密加工専門委員
会第 15 回研究会資料、（精密工学会 超精密加工専門委員会）、pp.1-7、1993 年 2 月。

416(P)

大見忠弘、新田雄久、「固液界面相互作用の理解が加速する新しいウェットプロセスの確立を目指して」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１７、プロシーディング、（半導体基盤技
術研究会）、1993 年 2 月。

417-1(P)

去来川辰彦、木暮雅彦、二ツ木高志、大見忠弘、「シリコンウェハ表面への有機物の吸着とオゾン添加超純水による除去」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１７、プロシーディン
グ、（半導体基盤技術研究会）、pp.125-146、1993 年 2 月。

418(P)

尾形保一、木村一哉、田中富士夫、二ツ木高志、木暮雅彦、毛塚健彦、去来川辰彦、高野順、今岡孝之、大見忠弘、「ウェットケミカルプロセスに於ける過酸化水素水中のＴＯＣの影響」、超ＬＳＩウ
ルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.149-166、1993 年 2 月。

419-1(P)

大谷克秀、大見忠弘、井原清彦、「ＰＦＡ表面における金属不純物の吸着脱離」、超ＬＳＩウルトラク
リーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.187-201、1993 年 2 月。

420(P)

川辺一郎、村瀬玄一、米沢勗、前野又五郎、三木正博、大見忠弘、「ＩＣＰ－ＭＳ直接法による半導体薬品の評価」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.301-318、1993 年 2 月。

421(P)

三島博之、大見忠弘、「イオン性物質によるイソプロピルアルコールの抵抗率変化」、超ＬＳＩウルト
ラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.343-358、1993 年 2 月。

422(P)

須藤誠司、大見忠弘、三島博之、「イソプロピルアルコールによる除電機構」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.361-375、1993 年 2 月。

423(P)

大見忠弘、「－巻頭言－半導体用薬品精製回収技術」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.5、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-4、1993 年 2 月。

336-2(P)三木正博、前野又五郎、福留敏郎、宮下雅之、鶴和枝、大見忠弘、「フッ素回収技術」、ウルトラク
リーンテクノロジーVol.5、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.5-25、1993 年 2 月。

424(M)

千葉和郎、高橋麗子、前野又五郎、泉浩人、大見忠弘、「金属表面のフッ化不動態化技術の開発」、アルトピア VOL.23、NO.2、（カロス出版）、pp.9-15、1993 年 2 月。

196-2(M)

大見忠弘、「超ＬＳＩ製造におけるウルトラクリーン化技術と膜分離技術の役割」、膜分離技術『最近の進歩』、（膜分離技術振興協会）、pp.89-97、1993 年 2 月。
―1―

大見研究室 和文 論文リスト
425(M)
大見忠弘、「二周波励起プラズマプロセス装置による装置標準化の提案」、ブレークスルー、
No.80-81、（㈱リアライズ社）、pp.20-25、1993 年 3 月。
426(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.23 序文-資源材料を回収再生する Closed Manufacturing System の確立を目指して-」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジ
ーワークショップＮｏ．２３、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、1993 年 3 月。

427(P)

三木正博、前野又五郎、福留敏郎、宮下雅之、鶴和枝、大見忠弘、「フッ素系薬品回収技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２３、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.43-71、1993 年 3 月。

428(P)

大見忠弘、「－巻頭言－Scientific Semiconductor Manufacturing を目指して－About な技術から
Accurate な技術へ－」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.5、No.2、（半導体基盤技術研究会）、
pp.1-6、1993 年 3 月。

429-1(P)

大見忠弘、「新たな飛躍期を迎えるシリコン技術」、第４０回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集Ｎｏ．０、（応用物理学会、計測自動制御学会、日本結晶学会、日本真空協会、日本電子顕微鏡学会、日本物理教育学会、日本分光学会）、29p-GD-4、pp.1343、1993 年 3 月。

429-2(M)

大見忠弘、「新たな飛躍期を迎えるシリコン技術」、応電分科会の歩み－50 周年記念－、（応用物理学会 応用電子物性分科会）、pp35-36、1993 年 4 月。

430(M)

大見忠弘、「クローズド・マニュファクチュアリング－完全制御された表面を求めて－」、ブレークス
ルー、No.82、（㈱リアライズ社）、pp.26-31、1993 年 4 月。

431-1(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.18（健全な繁栄を継続するための半導体技術）序文」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１８、プロシー
ディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.(1)-(4)、1993 年 4 月。

432(P)

大谷克秀、大見忠弘、井原清彦、「フッ素樹脂成形品の表面平滑化とその効果」、超ＬＳＩウルトラク
リーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.21-45、
1993 年 4 月。

433-1(P)名取巌、市川明宏、大見忠弘、「プロセスチャンバの In-situ クリーニング技術」、超ＬＳＩウルトラク
リーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.81-95、1993 年 4 月。

434-1(P)

大見忠弘、高橋慎二、泉浩人、前野又五郎、「Cr２O３ and NiF２ Passivation Technologyof Metal
Surface」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.113-137、1993 年 4 月。

435-1(P)小西信博、柴田直、大見忠弘、「半導体製造装置用ガス排気系の設計論」、超ＬＳＩウルトラクリーン
テクノロジーシンポジウムＮｏ．１８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.141-156、
1993 年 4 月。

436(P)

柴田直、大見忠弘、「現技術の限界と新概念への期待」、第６回回路とシステム軽井沢ワークショッ
プ、（(社)電子情報通信学会）、pp.197-200、1993 年 4 月。

437(P)

小谷光司、柴田直、大見忠弘、「イオン注入によるＭＯＳデバイスのチャージアップ・ダメージ」、第５回ブレイクスルーセミナー（㈱リアライズ社）、pp.81-85、1993 年 4 月。

438(P)

安井信一、二ツ木高志、米川直道、大見忠弘、「オゾン添加超純水を用いたシリコンウェハ表面の有機物除去」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.7、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM93-1、pp.1-8、1993 年 4 月。

439(P)

須藤誠司、森永均、大見忠弘、三島博之、「イソプロピルアルコールによる除電機構」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.7、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文
番号 SDM93-3、pp.15-22、1993 年 4 月。

440(P)

中村亘、松本光市、牧原康二、山本和馬、高野順、大見忠弘、「薄い酸化膜質のＳｉウェハ面方位依存性」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.7、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM93-6、pp.37-42、1993 年 4 月。
―2―

大見研究室 和文 論文リスト
441(P)
柴田直、大見忠弘、「ニューロンＭＯＳトランジスタの拓く新しい論理ＬＳＩの世界」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.18、集積回路、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 ICD93-6、pp.39-46、1993 年 4 月。
442(M)

大見忠弘、「２００１年半導体工場の姿－Most Cost Effective な生産を求めて－」、ブレークスル
ー、No.83、（㈱リアライズ社）、pp.44-48、1993 年 5 月。

443(P)

大見忠弘、柴田直、中村佳夫、宮脇守、「２１世紀のエレクトロニクスを切り拓く新しいデバイスプロ
セスの開発」、テレビジョン学会技術報告－情報入力－、Vol.17、No.30、IPU'93-25、（(社)テレビジ
ョン学会）、pp.13-17、1993 年 5 月。

444(M)

大見忠弘、「しなやかな情報処理を実現する世界初の４端子デバイス（１）」、電子技術 Vol.35、
No.6、（日刊工業新聞社）、pp.105-109、1993 年 6 月。

445(M)

大見忠弘、「装置冷却と真空排気系技術－サポーティングテクノロジー－」、ブレークスルー、
No.84、（㈱リアライズ社）、pp.22-25、1993 年 6 月。

446(M)

大見忠弘、「クォータミクロン時代の半導体技術」、計測と制御、Vol.32、No.6、（(社)計測自動制御
学会）、pp.449-451、1993 年 6 月。

447(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.24 序文-高性能低価格半導体用ガス配管系を実現するインスペクションフリー加工技術-」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノ
ロジーワークショップＮｏ．２４、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.(1)-(4) 、1993 年
6 月。

448(P)

石川亨一、大見忠弘、「特殊ガス成分高感度計測技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワー
クショップＮｏ．２４、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.3-12、1993 年 6 月。

449(P)

石原良夫、池田拓也、羽坂智、高橋俊道、長谷川英晴、山根すみ代、福嶋良助、大見忠弘、「ＨＣ
ｌの電気伝導度計測」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２４、プロシーディン
グ、（半導体基盤技術研究会）、pp.27-36、1993 年 6 月。

450(P)

篠原努、山路道雄、池田信一、大見忠弘、「超小型継手の開発による配管施工の高性能化」、超Ｌ
ＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２４、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.39-52、1993 年 6 月。

451(P)

小山智之、三好伸二、高橋慎治、小嶋努、大見忠弘、「非腐食性・非触媒性 Ｃｒ２Ｏ３ステンレス特殊ガス配管技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２４、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.55-67、1993 年 6 月。

452(P)

三好伸二、末長徹男、川田幸司、大見忠弘、水口泰光、「金属ヒュームフリー溶接技術」、超ＬＳＩウ
ルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２４、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.71-85、1993 年 6 月。

453(P)

水口泰光、大見忠弘、「半導体用チューブ溶接器」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショ
ップＮｏ．２４、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.89-97、1993 年 6 月。

454(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.25 序文-薄い酸化膜
高性能化への道-」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．２５、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.(1)-(4)、1993 年 6 月。

455(P)

大見忠弘、「薄い酸化膜高性能化への総論」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮ
ｏ．２５、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.3-25、1993 年 6 月。

456(M)

大見忠弘、三好伸二、「超高純度ガス供給の新技術」、セミコンダクターアニュアル〈ガス供給編〉ガスメディア臨時増刊－、（テス出版㈱）、pp.14-19、1993 年 6 月。

457(M)

大見忠弘、「しなやかな情報処理を実現する世界初の４端子デバイス（２）」、電子技術、Vol.35、
No.7、（日刊工業新聞社）、pp.60-63、1993 年 7 月。

458(P)

杉山和彦、大見忠弘、中村雅一、水口泰光、三好伸二、阪中隆、大木厚志、田中剛、「メンテナン
スフリーを目指す高品質・低価格ＣＲＰ処理ガス供給技術」、第１１回大阪酸素－半導体セミナー－
講演集－２１世紀へ向けての提案－、（大阪酸素工業㈱）、pp.4-32、1993 年 7 月。
―3―

大見研究室 和文 論文リスト
459(P)
都田昌之、宍戸昌広、菅野洋一、梅田優、新田雄久、斎藤由雄、大見忠弘、「超清浄ウェハ表面を確保するＮ２トンネルウェハ搬送技術」、第１１回大阪酸素－半導体セミナー－講演集－２１世紀へ向けての提案－、（大阪酸素工業㈱）、pp.33-57、1993 年 7 月。
460-1(P)

大見忠弘、「半導体ガス供給系の高性能化が半導体製造プロセスに如何に重要か－半導体製造
プロセスの高度化がトータルコストを低減する－」、第５回超高純度ガス供給系技術懇談会－技術資料－、（㈱ウルトラクリーンテクノロジー研究所、㈱長野計器製作所）、pp.1-5、1993 年 7 月。

461-1(P)

大見忠弘、「完全耐腐食性・非触媒性ステンレス表面処理技術－プロセスパラメータの完全制御を可能にする超高純度ガス配管系－」、第５回超高純度ガス供給系技術懇談会－技術資料－、（㈱ウルトラクリーンテクノロジー研究所、㈱長野計器製作所）、pp.6-19、1993 年 7 月。

462-1(P)

大見忠弘、「腐食の困難を克服する金属ヒュームフリー超精密溶接技術－コンタミフリーかつ長寿
命のガス配管系を可能にする溶接技術－」、第５回超高純度ガス供給系技術懇談会－技術資料－、（㈱ウルトラクリーンテクノロジー研究所、㈱長野計器製作所）、pp.20-31、1993 年 7 月。

463-1(P)

大見忠弘、「Inspection-Free Installation－高性能化と標準化が配管施工技術を変える－」、第５回
超高純度ガス供給系技術懇談会－技術資料－、（㈱ウルトラクリーンテクノロジー研究所、㈱長野計器製作所）、pp.32-40、1993 年 7 月。

464-1(P)

大見忠弘、「Inspection-Free Installation（継手編）－減圧リークチェック評価を不要にする新しい継手とその施工方法－」、第５回超高純度ガス供給系技術懇談会－技術資料－、（㈱ウルトラクリーンテクノロジー研究所、㈱長野計器製作所）、pp.41-54、1993 年 7 月。

465-1(P)

大見忠弘、「完全自動化ガス供給システム」、第５回超高純度ガス供給系技術懇談会－技術資料－、（㈱ウルトラクリーンテクノロジー研究所、㈱長野計器製作所）、pp.55-62、1993 年 7 月。

466(P)

大見忠弘、「高性能マルチチャンバシステムにおける２周波励起プラズマプロセス」、第１０回薄膜スクール資料－高度化する薄膜生成技術の基礎から最先端まで－、（日本学術振興会 薄膜第１３１委員会）、pp.135-150、1993 年 7 月。

467(M)

大見忠弘、「超高純度ガス技術」、ブレークスルー、No.85、（㈱リアライズ社）、pp.30-35、1993 年 7月。

468(M)

去来川辰彦、大見忠弘、「半導体分野へのオゾン添加超純水の適用」、神鋼パンテック技報、Vol.37、No.2 通巻 129 号、（神鋼パンテック㈱技術研究所）、pp.30-35、1993 年 7 月。

469(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.19 序文－Scientific
Semiconductor Manufacturing を可能にする評価・分析技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジー
シンポジウムＮｏ．１９、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.(1)-(4)、1993 年 7 月。

470(P)

中川佳紀、泉浩人、大見忠弘、「無水ＨＦを用いた固体表面吸着水分量の測定」、超ＬＳＩウルトラク
リーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１９、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.43-51、1993 年 7 月。

471(P)

青谷征二、早川昌和、塚崎和生、大見忠弘、「ナノマスターを用いた高性能フィルターの検定」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１９、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.101-121、1993 年 7 月。

472(P)

稲葉仁、吉田隆紀、岡田孝夫、大見忠弘、「静電気力による微粒子付着と帯電防止技術」、超ＬＳＩ
ウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１９、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.155-166、1993 年 7 月。

473(P)

森永均、二ツ木高志、大見忠弘、淵田英嗣、小田正明、林主税、「１０ｎｍ程度金属超微粒子のシ
リコン表面における挙動」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１９、プロシーディ
ング、（半導体基盤技術研究会）、pp.169-178、1993 年 7 月。

474(P)

中村亘、牧原康二、森田瑞穂、大見忠弘、「ウルトラクリーン酸化で形成した極薄ゲート酸化膜のホットキャリア耐性」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.172、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM93-63、pp.51-56、1993 年 7 月。

―4―

大見研究室 和文 論文リスト
475(P)
大見和幸、二ツ木高志、牧原康二、山本和馬、大見忠弘、「ＭＯＳチャネル移動度のＳｉ／ＳｉＯ２界
面マイクロラフネス依存性」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.172、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM93-68、pp.85-89、1993 年 7 月。
476(P)

山田尚、星司、竹脇利至、柴田直、大見忠弘、新田雄久、「大電流ストレスによるジャイアント・グレ
インＣｕ配線のエレクトロマイグレーション耐性評価」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.172、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM93-69、pp.91-98、1993
年 7 月。

477(P)

大見忠弘、二ツ木高志、末長徹男、陶山誠、泉浩人、「クリーン化技術の全貌」、磁性材料研究会・電子材料表面処理技術部会合同例会資料、（(社)電気化学協会・磁性材料研究会、(社)表面技術協会・電子材料表面処理技術部会）、pp.3-34、1993 年 7 月。

478(M)

高橋麗子、千葉和郎、前野又五郎、大見忠弘、「弗化不動態処理品」、電子材料８月号、第 32 巻
第 8 号、（㈱工業調査会）、pp.22-23、1993 年 8 月。

479(P)

大見忠弘、柴田直、「インテリジェントデバイス－しなやかな知的情報処理を可能にする４端子デバ
イスエレクトロニクス」、インテリジェント材料フォーラム第７回ワークショップ講演資料、（(社)未踏科学技術協会）、pp.17-34、1993 年 8 月。

480(P)

冨田和朗、中田明良、右田智裕、柴田直、大見忠弘、新田雄久、「４５０℃超低温接合形成のためのメタル汚染低減イオン注入技術」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.191、シリコン
材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM93-73、pp.9-16、1993 年 8 月。

481(P)

米川直道、國本文智、Frederic W.Kern.r.、大見忠弘、「スピンクリーニング法によるシリコンウェハのウルトラクリーン・ウェット洗浄技術」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.191、シリコ
ン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM93-75、pp.25-32、1993 年 8 月。

482(P)

松浦孝、室田淳一、鈴江孝司、澤田康次、大見忠弘、「シリコンの自己制限型原子層エッチング」、
電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.192、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM93-79、pp.1-7、1993 年 8 月。

483(P)

鈴木浩、前田祐二、森田瑞穂、大見忠弘、「コールドサセプタを用いた高速選択タングステンＣＶＤ
プロセス」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.192、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM93-80、pp.9-15、1993 年 8 月。

484(P)

大見忠弘、「ウルトラクリーン化－完全な再現性－Low Cost Production」、ウルトラクリーンテクノロ
ジーVol.5、No.4、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-2、1993 年 8 月。

485(M)

去来川辰彦、大見忠弘、「オゾン添加超純水洗浄」、ブレークスルー、No.86-87、（㈱リアライズ社）、pp.27-29、1993 年 9 月。

486(M)

大見忠弘、「ウルトラクリーンウェハ表面の実現と超高純度薬品・超々純水技術」、ブレークスルー、
No.86-87、（㈱リアライズ社）、pp.34-38、1993 年 9 月。

487(P)

大見忠弘、「しなやかな知的情報処理を可能にする４端子デバイスエレクトロニクス」、東京工業大学精密工学研究所 新研究組織発足記念シンポジウム論文集、（東京工業大学精密工学研究所）、pp.108-111、1993 年 9 月。

488(M)

大見忠弘、「ウルトラクリーン化半導体プロセス技術」、ＴＣＩセミナーテキスト、(つくば研究支援センター)、1993 年 9 月。

489(P)

柴田直、山下毅雄、大見忠弘、「ニューロンＭＯＳウィナー・テーク・オール回路とその連想メモリへの応用」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.93、No.231、集積回路、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 ICD93-98、DSP93-59、pp.31-38、1993 年 9 月。

490(P)

中村雅一、大木厚志、大見忠弘、「ＡＰＩＭＳを用いた特殊材料ガス中の間接水分濃度測定」、第５４回応用物理学会学術講演会講演予稿集Ｎｏ．２、（(社)応用物理学会）、27a-ZD-6、pp.640、1993
年 9 月。

491(P)

末長徹男、白井泰雪、大見忠弘、「ステンレス配管の放出水分特性評価」、第５４回応用物理学会
学術講演会講演予稿集Ｎｏ．２、（(社)応用物理学会）、27a-ZD-7、pp.640、1993 年 9 月。
―5―

大見研究室 和文 論文リスト
492(M)
大見忠弘、「 超高純度薬 品・超々純 水技術」、ブレークスルー、No.88 、（㈱リアライズ 社）、
pp.34-38、1993 年 10 月
493(P)

大見忠弘、「シリコン表面極微細構造が極薄酸化膜に与える影響」、薄膜１３１委員会第１６８回研究会資料、（日本学術振興会）、pp.1-10、1993 年 10 月。

494(M)

大見忠弘、安田正志、「サブハーフミクロンＵＬＳＩ製造－重要度を増す微振動対策－」、日経マイクロデバイス 1993 年 11 月号、No.101、（日経ＢＰ社）、pp.105-112、1993 年 11 月。

495-1(M)

大見忠弘、「２００１年半導体工場の収支総決算－１」、ブレークスルー、No.89、（㈱リアライズ社）、
pp.26-31、1993 年 11 月

495-2(P)

大見忠弘、「超ＬＳＩ製造におけるウルトラクリーン技術と膜分離技術の役割」、食品膜技術懇談会
第５回秋季研究例会講演要旨、（食品膜技術懇談会）、pp.73-77、1993 年 11 月。

495-3(P)

大見忠弘、「我が国半導体産業の現状と将来の見通し」、半導体国際交流シンポジウム '９３、（(財)半導体国際交流センター）、pp.8-26、1993 年 11 月。

496(W)

大見忠弘、「総括」、第 3 回マイクロエレクトロニクス研究会(大見研究室年次研究討論会)プロシー
ディング、pp.173-192、1993 年 11 月。

497(W)

二ツ木高志、中村亘、牧原康二、大見和幸、山本和馬、藪根辰弘、大見忠弘、「水素ラジカル水
分酸化による高性能性・極薄酸化膜形成技術」、第 3 回マイクロエレクトロニクス研究会(大見研究
室年次研究討論会)プロシーディング、pp.193-198、1993 年 11 月。

498(W)

河合泰明、小西信博、渡辺仁三、大見忠弘、「450℃ゲート酸化膜形成技術」、第 3 回マイクロエレ
クトロニクス研究会(大見研究室年次研究討論会)プロシーディング、pp.199-208、1993 年 11 月。

499(W)

稲葉仁、大見忠弘、吉田隆紀、岡田孝夫、「光照射静電気除去技術 "軟 X 線照射除電と真空紫外線照射除電”」、第 3 回マイクロエレクトロニクス研究会(大見研究室年次研究討論会)プロシーデ
ィング、pp.251-268、1993 年 11 月。

500(W)

三好伸二、高橋慎治、小嶋努、末長徹男、白井泰雪、川田幸司、大見忠弘、「金属表面の Cr2O3
不動態処理及び金属ヒュームフリー溶接技術」、第 3 回マイクロエレクトロニクス研究会(大見研究
室年次研究討論会)プロシーディング、pp.269-280、1993 年 11 月。

501(P)

中村亘、牧原康二、大見忠弘、「水素ラジカル水分酸化を用いた高信頼性極薄酸化膜の形成」、
半 導 体 ・ 集 積 回 路 技 術 第 ４ ５ 回 シ ン ポ ジ ウ ム 講 演 論 文 集 〔 PROCEEDINGS OF THE 45THSYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY〕、（電気化学協会電子材料委員会）、pp.128-133、1993 年 12 月。

502(P)

河合泰明、小西信博、渡辺仁三、大見忠弘、「４５０℃ゲート酸化膜形成技術」、半導体・集積回路
技 術 第 ４ ５ 回 シ ン ポ ジ ウ ム 講 演 論 文 集 〔 PROCEEDINGS OF THE45TH SYMPOSIUM ON
SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY〕、（電気化学協会電子材料委員会）、pp.140-145、1993 年 12 月。

503(M)

稲葉仁、吉田隆紀、岡田孝夫、大見忠弘、「光照射静電気除去技術“軟Ｘ線照射除電と真空紫外線照射除電”」、電磁環境工学情報ＥＭＣ12 月号、No.68、（ミマツデータシステム）、pp.20-28、
1993 年 12 月。

460-2(B)

大見忠弘、「(第１部 第２編 超高純度ガス技術の黎明)第３章 超高純度ガスの目指すところ、半導体ガス供給系の高性能化が半導体製造プロセスにいかに重要か－半導体製造プロセスの高度化がトータルコストを低減する－」、半導体基盤技術研究会編、超高純度ガスの科学、第１分冊 コ
ンセプト編、（㈱リアライズ社）、pp.97-99、1993 年 12 月。

461-2(B)

大見忠弘、「(第１部 第２編 超高純度ガス技術の黎明)第３章 超高純度ガスの目指すところ、完
全耐腐食性・非触媒性ステンレス表面処理技術－プロセスパラメータの完全制御を可能にする超高純度ガス配管系－」、半導体基盤技術研究会編、超高純度ガスの科学、第１分冊 コンセプト編、（㈱リアライズ社）、pp.100-108、1993 年 12 月。

―6―

大見研究室 和文 論文リスト
462-2(B)
大見忠弘、「(第１部 第２編 超高純度ガス技術の黎明)第３章 超高純度ガスの目指すところ、腐食の困難を克服する金属ヒュームフリー超精密溶接技術－コンタミフリーかつ長寿命のガス配管系を可能にする溶接技術－」、半導体基盤技術研究会編、超高純度ガスの科学、第１分冊 コンセ
プト編、（㈱リアライズ社）、pp.109-117、1993 年 12 月。
463-2(B)

大見忠弘、「(第１部 第２編 超高純度ガス技術の黎明)第３章 超高純度ガスの目指すところ、
Inspection-Free Installation－高性能化と標準化が配管施工技術を変える－」、半導体基盤技術研究会編、超高純度ガスの科学、第１分冊コンセプト編、（㈱リアライズ社）、pp.118-122、1993 年 12月。

464-2(B)

大見忠弘、「(第１部 第２編 超高純度ガス技術の黎明)第３章 超高純度ガスの目指すところ、
Inspection-Free Installation（継手編）－減圧リークチェック評価を不要にする新しい継手とその施工方法－」、半導体基盤技術研究会編、超高純度ガスの科学、第１分冊 コンセプト編、（㈱リアライズ社）、pp.123-132、1993 年 12 月。

465-2(B)

大見忠弘、「(第１部 第２編 超高純度ガス技術の黎明)第３章 超高純度ガスの目指すところ、完
全自動化ガス供給システム－半導体ガス供給系の高性能化・標準化－」、半導体基盤技術研究会編、超高純度ガスの科学、第１分冊 コンセプト編、（㈱リアライズ社）、pp.133-137、1993 年 12月。

504(B)

松浦孝、大見忠弘、室田淳一、小野昭一、「(第１部 第３編 超高純度ガスとシリコン表面制御技術)第９章 高清浄ＥＣＲプラズマによる完全選択異方性エッチング技術」、半導体基盤技術研究会
編、超高純度ガスの科学、第１分冊 コンセプト編、（㈱リアライズ社）、pp.247-258、1993 年 12 月。

505(B)

杉山和彦、水口泰光、中村雅一、大木厚志、大見忠弘、三好伸二、川田幸司、「(第２部超高純度ガスを支える技術開発)第１編 ガス供給系ウルトラクリーン化のコンセプト」、半導体基盤技術研究会編、超高純度ガスの科学、第１分冊 コンセプト編、（㈱リアライズ社）、pp.261-289、1993 年 12月。

506(B)

杉山和彦、中村雅一、大木厚志、中原文生、大見忠弘、「(第２部 超高純度ガスを支える技術開発)第２編 ウルトラクリーンガス供給系の設計論」、半導体基盤技術研究会編、超高純度ガスの科
学、第１分冊 コンセプト編、（㈱リアライズ社）、pp.291-309、1993 年 12 月。

507(B)

中村雅一、大木厚志、渡邊剛、川田幸司、大見忠弘、「(第３部 超高純度ガスの科学)第２編 モノ
シラン」、半導体基盤技術研究会編、超高純度ガスの科学、第１分冊 コンセプト編、（㈱リアライズ社）、pp.341-353、1993 年 12 月。

508(M)

大見忠弘、「２００１年半導体工場の収支総決算－２（完結編）」、ブレークスルー、No.90、（㈱リアライズ社）、pp.26-30、1993 年 12 月。

509(P)

大見忠弘、「－巻頭言－高稼働率の半導体・液晶工場を目指して」、ウルトラクリーンテクノロジー
Vol.5、No.5/6、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-6、1993 年 12 月。

510(P)

高橋慎治、大木厚志、大見忠弘、「ハロゲン系ガスに対する耐腐食金属表面処理技術」、ウルトラ
クリーンテクノロジーVol.5、No.5/6、（半導体基盤技術研究会）、pp.37-42、1993 年 12 月。

389-2(P)中島宏幸、大澤守彦、大塚隆夫、中谷光良、馬場吉康、佐藤憲二、大見忠弘、「焼けおよびヒュー
ムフリーの装置溶接技術」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.5、No.5/6、（半導体基盤技術研究会）、pp.43-50、1993 年 12 月。

388-2(P)高橋麗子、千葉和郎、前野又五郎、泉浩人、大見忠弘、「金属表面フッ化不動態膜の耐腐食性能」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.5、No.5/6、（半導体基盤技術研究会）、pp.51-58、1993 年 12月。

511(P)

三好伸二、末長徹男、川田幸司、大見忠弘、水口泰光、「高速１周溶接による配管施工の高性能化」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.5、No.5/6、（半導体基盤技術研究会）、pp.59-63、1993 年 12月。

415-2(M)

大見忠弘、「シリコンウェハ表面の洗浄と表面微細構造（マイクロラフネス）」、超精密 Vol.3、（精密工学会 超精密加工専門委員会）、pp.107-114、1993 年 12 月。

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大見研究室 和文 論文リスト
512(P)
大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.20 序文」、超ＬＳＩウルト
ラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.(1)-(2)、1993 年 12 月。
513(P)

大見忠弘、「ＵＣＴ最新研究動向」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.39-54、1993 年 12 月。

514(P)

小嶋努、高橋慎治、三好伸二、大見忠弘、「ステンレス表面のＣｒ２Ｏ３不動態膜形成技術」、超ＬＳＩ
ウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.205-214、1993 年 12 月。

515(P)

堀越基伸、国本文智、塚崎和生、三好伸二、小嶋努、白井泰雪、大見忠弘、萬ケ谷康弘、伊藤久司、添田房美、「触媒効果の無いガスフィルターを目指して」超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシ
ンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.215-240、1993 年 12 月。

516(P)

三好伸二、白井泰雪、小嶋努、大見忠弘、「精密チューブ溶接技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノ
ロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.241-249、1993 年
12 月。

517(P)

Hiroyuki NAKASHIMA、Morihiko OHSAWA、Takao OHTSUKA、Mitsuyoshi NAKATANI、
Yoshiyasu BABA 、 Keni SATO 、 Tadahiro OHMI 、 「 Fume-Free Welding Technology for
Manufacturing Equipment」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディ
ング、（半導体基盤技術研究会）、pp.250-261、1993 年 12 月。

518(P)

篠原努、山路道雄、池田信一、出田英二、福田浩幸、大見忠弘、「Inspection Free Installation を目指した継手」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.272-283、1993 年 12 月。

519(P)

大木厚志、水口泰光、大見忠弘、「ＡＰＩＭＳによるガス供給系外部リーク評価技術」、超ＬＳＩウルト
ラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.284-290、1993 年 12 月。

520(P)

村上功一、菅野洋一、内澤修、清野文之、大見忠弘、「自動化システム用バルブ」、超ＬＳＩウルトラ
クリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.303-309、1993 年 12 月。

521(P)

Akihiro ICHIKAWA、Koji MAKIHARA、Kazuma YAMAMOTO and Tadahiro OHMI、「Wafer
Transportation System with Ultraclean N２ Gas Continuous Purge Function」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.310-318、
1993 年 12 月。

522(P)

陶山誠、森永均、能勢昌之、大見忠弘、「ウェットプロセスにおける金属不純物の粒子状付着挙動」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技
術研究会）、pp.331-340、1993 年 12 月。

523(P)

安井信一、米川直道、大見忠弘、「オゾン添加超純水を用いたスピンクリーニング法によるシリコン
ウェハ表面の有機物除去」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディ
ング、（半導体基盤技術研究会）、pp.341-352、1993 年 12 月。

524(P)

毛塚健彦、石井誠郎、畝本達也、板野充司、久保元伸、大見忠弘、「薬液中の粒子の挙動とウェ
ハ表面への付着制御」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディン
グ、（半導体基盤技術研究会）、pp.353-361、1993 年 12 月。

525(P)

末長徹男、川田幸司、大見忠弘、牧原康二、「ウェハキャリアーボックスからの脱ガス評価」、超ＬＳＩ
ウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.363-372、1993 年 12 月。

526-1(P)

大見忠弘、柴田直、「しなやかな情報処理を可能にする４端子デバイスエレクトロニクス」、超ＬＳＩウ
ルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.580-589、1993 年 12 月。

―8―

大見研究室 和文 論文リスト
527(P)
稲葉仁、大見忠弘、吉田隆紀、岡田孝夫、「静電気対策技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジー
シンポジウムＮｏ．２０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.610-621、1993 年 12 月。

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