大見研究室 和文 論文リスト

大見研究室 和文 論文リスト
1991 年258(C)

野仲徹、小野寺政信、堀越基伸、大見忠弘、「高品質ＵＬＳＩ製造のための脱ガスの無いレジストプロセス」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.3、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.26-37、1991 年1 月。

259-1(F)

牛越健一、山田章、杉澤政宣、宝月章彦、今岡孝之、杉山勇、去来川辰彦、大見忠弘、「ＧＯＬＤＥＰ製超々純水装置テスト報告」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.3、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.57-62、1991 年 1 月。

259-2(M)

大見忠弘、「超クリーン化推進技術が理想的な素子特性に結び付く－狙い通りのプロセス実現にメド－」、日経マイクロデバイス 1991 年 1 月号、（日経ＢＰ社）、pp.110-113、1991 年 1 月。

260(C)

青木保雄、青山真太郎、大見忠弘、「清浄化表面と金属成膜」、第２３回ＶＬＳＩ ＦＯＲＵＭ－シリコン自然酸化膜の生成機構と除去法－、（㈱プレスジャーナル 調査部）、pp.35-45、1991 年 3 月。

261(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.9 序文」、超ＬＳＩウルト
ラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．９、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.1、1991 年 3 月。

262(C)

作佐部健一、林正己、森川洋輔、杉山和久、森木一紀、森田瑞穂、大見忠弘、服部健雄、「角度分解ＸＰＳによる薄いシリコン熱酸化膜の構造解析」、第３８回応用物理学関係連合講演会講演予稿集Ｎｏ．２、（(社)応用物理学会）、29a-SY-10、pp.662、1991 年 3 月。

263(C)

寺田直純、芳賀敬、杉山和久、森木一紀、森田瑞穂、大見忠弘、藤沢正美、服部健雄、「真空紫外域におけるシリコン熱酸化膜の光吸収」、第３８回応用物理学関係連合講演会講演予稿集Ｎｏ．
２、（(社)応用物理学会）、29a-SY-11、pp.663、1991 年 3 月。

264(C)

林正巳、作佐部健一、鈴木康介、杉山和久、森木一紀、寺本章伸、牧原康二、森田瑞穂、大見忠
弘、服部健雄、「前処理過程が極薄熱酸化膜構造に及ぼす影響」、第３８回応用物理学関係連合
講演会講演予稿集Ｎｏ．２、（(社)応用物理学会）、29a-SY-12、pp.663、1991 年 3 月。

265(C)

薮本周邦、斎藤和之、森田瑞穂、大見忠弘、「洗浄シリコン表面の物性とその解析」、1991 年電子情報通信学会春季全国大会講演論文集、分冊５エレクトロニクス、（(社)電子情報通信学会）、SC-9-1、pp.5-331－5-332、1991 年 3 月。

266-1(C)

室田淳一、松浦孝、加藤学、植竹宏明、大見忠弘、小野昭一、「反応雰囲気の高清浄化による選択成長／エッチング」、1991 年電子情報通信学会春季全国大会講演論文集、分冊５エレクトロニ
クス、（(社)電子情報通信学会）、SC-9-5、pp.5-339－5-340、1991 年 3 月。

266-2(B)

大見忠弘、森田瑞穂、「薄膜形成技術－超清浄・超ドライ酸化膜形成の重要性と将来展望－」、MARUZEN Advanced Technology－材料工学編－ＵＬＳＩプロセスの基礎技術、（丸善㈱）、pp.139-169、1991 年 3 月。

267(C)

稲葉仁、阪田総一郎、九嶋哲也、吉田隆紀、岡田孝夫、相合征一郎、大見忠弘、「スピンドライヤー乾燥におけるウェハ帯電の防止」、第１０回空気清浄とコンタミネーションコントロール研究大会
予稿集、（(社)日本空気清浄協会）、pp.271-278、1991 年 4 月。

268(B)

大見忠弘、「スーパークリーンルームシステム」、応用物理 Vol.60、No.4、（(社)応用物理学会）、
pp.379-380、1991 年 4 月。

269(C)

宮下雅之、大見忠弘、「シリコン表面マイクロラフネスのウェットプロセス依存性」、ＳＥＭＩ ＳＴＥＰ／Ｍｉｃｒｏｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ’９１、（ＳＥＭＩ ＪＡＰＡＮ）、1991 年 4 月。

270(M)

大見忠弘、「研究会の新たな胎動に向けて－併せてオールメタル酸化不動態処理配管技術の誕生を祝う－」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.3、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-2、1991
年 4 月。
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大見研究室 和文 論文リスト
231-2(F)中村雅一、大見忠弘、杉山和彦、水口泰光、川田幸司、大倉淳伸、「超高純度ガス供給系トータルシステム」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.3、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.4-19、1991
年 4 月。
232-2(F)川田幸司、中村雅一、杉山和彦、水口泰光、大倉淳伸、佐々木真、桑原英司、大見忠弘、「熱酸化不動態処理」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.3、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.20-30、
1991 年 4 月。

233-2(F)

内沢修、菅野洋一、大川宏、朝倉利博、大見忠弘、「オールメタルバルブ」、ウルトラクリーンテクノ
ロジーVol.3、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.37-47、1991 年 4 月。

246-2(F)伊藤一男、大見忠弘、「ウルトラクリーンテクノロジーを適用したオールメタルゲートバルブ」、ウルト
ラクリーンテクノロジーVol.3、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.69-74、1991 年 4 月。

247-2(F)

林雄造、大見忠弘、「無摺動ゲートバルブの開発」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.3、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.75-82、1991 年 4 月。

271(M)

佐藤賢一、中村雅一、大見忠弘、「半導体製造におけるメタルフィルタの利用」、金属臨時増刊
号、先端膜技術－その基礎と応用－PartⅡ－、（㈱アグネ）、pp.104-109、1991 年 4 月。

272(C)

宮下雅之、板野充司、今岡孝之、川辺一郎、大見忠弘、「シリコン表面マイクロラフネス制御による酸化膜耐圧の向上」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.91 No.16、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM91-3、pp.13-18、1991 年 4 月。

273(C)

大倉淳伸、奥秀彦、松本光市、大見忠弘、「表面マイクロラフネスおよび界面汚染を低減する減圧ＣＶＤエピタキシャルシリコン成長技術」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.91 No.16、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM91-4、pp.19-24、1991 年 4 月。

274(C)

青木保雄、青山真太郎、植竹宏明、森塚宏平、大見忠弘、「高品質スパッタ成膜のための低エネルギーイオン照射表面クリーニング技術」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.91 No.16、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM91-5、pp.25-30、1991 年 4 月。

275(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.10」、超ＬＳＩウルトラク
リーンテクノロジーワークショップＮｏ．１０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、1991 年5 月。

276(C)

大見忠弘、「ウェハ表面洗浄と酸化膜特性」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１０、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.5-19、1991 年 5 月。

277(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.11 序文」、超ＬＳＩウル
トラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
1991 年 6 月。

278(C)

フレデリック W. カーン Jr.、板野充司、川辺一郎、宮下雅之、大見忠弘、「ウェハ表面の極微量金属吸着機構」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.23-37、1991 年 6 月。（英文）279(C)

今岡孝之、杉山勇、毛塚健彦、大見忠弘、「液体・固体界面の金属不純物偏析」、超ＬＳＩウルトラク
リーンテクノロジーワークショップＮｏ．１１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.41-80、1991 年 6 月。

280(C)

川辺一郎、菊山裕久、脇雅秀、坂喜代憲、薮根辰弘、三木正博、宮下雅之、高野順、大見忠弘、「バッファードフッ酸によるシリコン酸化のエッチング機構」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワー
クショップＮｏ．１１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.83-93、1991 年 6 月。

281(C)

佐藤賢一、フレデリック W. カーン Jr.、大見忠弘、山崎康夫、佐藤源一、加地利光、堀木泰之、「熱燐酸によるシリコン窒化膜エッチングのメカニズム」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.97-107、1991 年 6 月。

282(C)

加地利光、大見忠弘、「アドヴァンスドウェハクリーニング」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワー
クショップＮｏ．１１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.111-136、1991 年 6 月。

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大見研究室 和文 論文リスト
283(C)
大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.12 序文」、超ＬＳＩウル
トラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.1-4、1991 年 6 月。
284(C)

川田幸司、大木厚志、中村雅一、大見忠弘、「ステンレス表面に対する水分の吸着－脱離」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.7-22、1991 年 6 月。

285(C)

大木厚志、川田幸司、中村雅一、大見忠弘、「ＳｉおよびＳｉＯ２表面の水分の吸着・脱離」、超ＬＳＩウ
ルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.25-45、1991 年 6 月。

286(C)

羽坂智、山下毅雄、名取巌、大見忠弘、「特殊ガスプラズマのイオン密度とエネルギー」、超ＬＳＩウ
ルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.63-85、1991 年 6 月。

287(C)

山下毅雄、羽坂智、名取巌、大見忠弘、「特殊ガスプラズマによるダメージと汚染」、超ＬＳＩウルトラ
クリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.89-103、1991 年 6 月。

288(C)

大見忠弘、宮下雅之、三木正博、「無水ＨＦガスによるＳｉ表面クリーニング」、結晶加工と評価技術
第１４５委員会、第５５回研究会資料、主題：Ｓｉウェーハのクリーニングと自然酸化、（日本学術振興会）、pp17-23、1991 年 6 月。

289(C)

中村雅一、川田幸司、大木厚志、日置晃、平尾圭志、大見忠弘、「特殊材料ガス中の微量水分測」、第９回大阪酸素半導体セミナー－ＵＬＳＩ製造におけるＵＣＴの責務－講演集、（大阪酸素工業㈱）、pp.5-12、1991 年 6 月。

290-1(C)

大見忠弘、「高性能分析評価技術の重要性」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮ
ｏ．１３、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.3-6、1991 年 7 月。

291-1(C)

大見忠弘、宮下雅之、寺本章伸、牧原康二、都賀智仁、「半導体表面マイクロラフネスのデバイス特性への影響」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１３、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.51-70、1991 年 7 月。

292-1(C)

三木正博、米沢勗、渡辺明、村瀬玄一、川辺一郎、大見忠弘、「ＩＣＰスペクトロメトリーによる薬液中極微量不純物の評価」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１３、プロシーディ
ング、（半導体基盤技術研究会）、pp.169-183、1991 年 7 月。

293(M)

大見忠弘、「低エネルギイオン照射薄膜成長」、学術月報 Vol.44、No.7、通巻第５５９号、（日本学術振興会）、pp.714、1991 年 7 月。

294-1(F)

大見忠弘、柴田直、「ウルトラクリーン化技術」、電気学会論文誌Ａ 基礎･材料･共通部門誌、111
巻 7 号、（(社)電気学会）、pp.612-617、1991 年 7 月。

294-2(M)

大見忠弘、中村雅一、「ガス供給系クリーンテクノロジーの展望」、セミコンダクターアニュアル〈ガス供給編〉ガスメディア臨時増刊、（テス出版㈱）、pp.10-14、1991 年 7 月。

295(C)

松浦孝、室田淳一、大見忠弘、小野昭一、「高清浄ＥＣＲプラズマによる基板非加熱Ｓｉ選択エピタキシャル成長」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.91、No.205、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM91-81、pp.7-12、1991 年 8 月。

296(C)

島田久幸、広瀬浩一、下村茂樹、小野寺政信、大見忠弘、「界面活性剤添加によるフォトレジスト現像工程の最適化」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.91、No.205、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM91-83、pp.19-24、1991 年 8 月。

297(C)

今岡孝之、杉山勇、毛塚健彦、大見忠弘、「液中金属不純物のシリコン表面における偏析現象」、
電子情報通信学会技術研究報告、Vol.91、No.205、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM91-85、pp.19-24、1991 年 8 月。

―3―大見研究室 和文 論文リスト
298(C)
山下毅雄、羽坂智、名取巌、福井洋文、大見忠弘、「プラズマパラメータ抽出法によるＲＩＥダメージ及びコンタミネーションの制御」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.91、No.206、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM91-95、pp.39-44、1991 年 8 月。
203-2(B)

大見忠弘、「半導体技術を革新する新しいフッ素化学」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、フッ素化学、（リアライズ社）、pp.3-4、1991 年 8 月。

205-2(B)

菊山裕久、川辺一郎、坂喜代憲、三木正博、大見忠弘、宮下雅之、高野順、「バッファードフッ酸」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、フッ素化学、（リアライズ社）、
pp.33-61、1991 年 8 月。

206-2(B)

川辺一郎、宮下雅之、大見忠弘、菊山裕久、三木正博、「ＨＦガスによる自然酸化膜の選択除去」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、フッ素化学、（リアライズ社）、pp.65-82、1991 年 8 月。

208-2(B)

千葉和郎、三笠和、松下弘、前野又五郎、泉浩人、三木正博、大見忠弘、「Ｆ２を用いた金属表面のフッ化処理－アルミニウム合金のフッ化処理－」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、フッ素化学、（リアライズ社）、pp.113-132、1991 年 8 月。

299(M)

大見忠弘、宮下雅之、「ウェーハ表面のサブｎｍの凹凸がＭＯＳ特性を左右－平坦なほど絶縁耐圧や移動度が上がることを定量化－」、日経マイクロデバイス 1991 年 9 月号、No.75、（日経ＢＰ社）、pp.99-105、1991 年 9 月。

300(M)

大見忠弘、柴田直、「半導体産業とウルトラクリーンテクノロジー」、空気清浄 1991 第 29 巻第 3 号、（日本空気清浄協会）、pp.1-9、1991 年 9 月。

301(M)

大見忠弘、柴田直、「半導体製造のためのウルトラクリーン化技術」、精密工学会誌 第 681 号
Vol.57、No.9、（(社)精密工学会）、pp.11-15、1991 年 9 月。

302(B)

大見忠弘、森田瑞穂、「ウルトラクリーンテクノロジー」、先端真空利用技術、（日経技術図書㈱）、pp478-489、1991 年 9 月。

303(M)

桑原英司、斎藤悟、宮脇守、柴田直、大見忠弘、「ウルトラクリーン、低エネルギーバイアススパッタプロセスによるＡｌ配線形成技術」、電気化学および工業物理化学 Vol.59、No.9、（(社)電気化学協会）、pp.786-790、1991 年 9 月。

304(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.13 序文」、超ＬＳＩウル
トラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１３、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.1-4、1991 年 10 月。

305(C)

菅野洋一、内沢修、畑山忠弘、大見忠弘、「超小型科化ガス供給システム」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１３、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.47-88、1991 年 10 月。

306(M)

大見忠弘、「半導体エレクトロニクスの将来」、セラミックス、第２６巻、第１０号、（(社)日本セラミックス協会）、pp.1067-1070、1991 年 10 月。

307(C)

下西聡、加藤義之、右田智裕、柴田直、大見忠弘、新田雄久、「極浅ｎ＋ｐ接合形成のためのイオン注入装置内 金属スパッタリング汚 染 の低減」、電 子情報通信 学会技術研 究報告、Vol.91 、No.303、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM91-129、pp.49-54、1991
年 10 月。

308(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.14 序文」、超ＬＳＩウル
トラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１４、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、1991
年 10 月。

309(C)

下西聡、加藤義之、大見忠弘、「ＵＬＳＩプロセス低温化のための超高清浄イオン注入技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．１４、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.221-235、1991 年 10 月。

310(C)

大見忠弘、「Si－SiO2 界面構造のデバイス特性への効果」、Si－SiO2 界面構造に関する公開シンポジウム、（武蔵工業大学）、pp.4-21、1991 年 10 月。
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大見研究室 和文 論文リスト
290-2(C)
大見忠弘、「高性能分析評価技術の重要性」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.3、No.4、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-4、1991 年 10 月。
311-1(M)

大見忠弘、「第二ラウンドを迎えたマイクロエレクトロニクス革命」、ブレインズ ’９１・生存のための科学、（ブレインズ事務局）、pp.132-135、1991 年 10 月。

311-2(C)森田瑞穂、大見忠弘、「ＵＬＳＩ製造のためのウルトラクリーンプロセス」、EDD-91-41、SPC-91-41、
電子デバイス・半導体電力変換合同研究会資料、（(社)電気学会）、pp.27-33、1991 年 10 月。

292-2(F)三木正博、大見忠弘、「ＩＣＰスペクトロメトリーによる薬液中極微量不純物の評価」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.3、No.4、（半導体基盤技術研究会）、pp.20-26、1991 年 10 月。

238-2(B)

大見忠弘、柴田直、「Advanced Semiconductor Manufacturing Line」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、半導体製造におけるクローズドシステム、（リアライズ社）、pp.3-46、1991 年 11 月。（英文）239-2(B)桑原英司、宮脇守、大見忠弘、「自然酸化膜フリープロセス」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、半導体製造におけるクローズドシステム、（リアライズ社）、pp.49-67、1991 年11 月。

240-2(B)後藤陽宏、佐々木真、大見忠弘、「プラズマダメージ・チャンバー材料汚染をなくしたプラズマプロセス装置」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、半導体製造におけるクローズドシステム、（リアライズ社）、pp.71-94、1991 年 11 月。

241-2(B)

浦野智秋、大見忠弘、柴田直、「半導体プロセス装置用排気システム」、大見忠弘・新田雄久監
修、半導体基盤技術研究会編、半導体製造におけるクローズドシステム、（リアライズ社）、
pp.97-112、1991 年 11 月。

242-2(B)

小野寺政信、野仲徹、堀越基伸、横田晃、新田雄久、大見忠弘、「アウトガスフリーホトレジストプロセス」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、半導体製造におけるクローズドシス
テム、（リアライズ社）、pp.115-132、1991 年 11 月。

243-2(B)

泊里治夫、浜田汎史、仲原善行、杉山和彦、大見忠弘、「半導体製造装置のための金属表面パッシベーション－酸化パッシベーション－」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、半導体製造におけるクローズドシステム、（リアライズ社）、pp.135-152、1991 年 11 月。

245-2(B)

中村雅一、大見忠弘、川田幸司、大木厚志、日置晃、「高純度ガス供給用オールメタル酸化不動態配管技術」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、半導体製造におけるクローズドシステム、（リアライズ社）、pp.175-196、1991 年 11 月。

246-3(B)伊藤一男、大見忠弘、「半導体製造装置用ゲートバルブ－ウルトラクリーンテクノロジーを適用したオールメタルゲートバルブ－」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、半導体製造におけるクローズドシステム、（リアライズ社）、pp.199-207、1991 年 11 月。

247-3(B)

林雄造、大見忠弘、「半導体製造装置用ゲートバルブ－無摺動ゲートバルブの開発－」、大見忠
弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、半導体製造におけるクローズドシステム、（リアライズ社）、pp.208-219、1991 年 11 月。

312(B)

小野田亨、宍戸昌広、都田昌之、大見忠弘、菅野洋一、梅田優、「超高純度Ｎ2 によるＷａｆｅｒ気流搬送システム」、大見忠弘・新田雄久監修、半導体基盤技術研究会編、半導体製造におけるクローズドシステム、（リアライズ社）、pp.255-283、1991 年 11 月。

313(C)

大見忠弘、「Ｓｉ表面のマイクロラフネスのデバイス特性への影響」、応用電子物性分科会研究報告
No.441、（(社)応用物理学会）、pp.5-10、1991 年 11 月。

314(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.15 序文」、超ＬＳＩウル
トラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１５、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.1-5、1991 年 11 月。

315(C)

大木厚志、中村雅一、川田幸司、大見忠弘、「ＨＣｌ、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６ガス中の水分濃度測定」、超ＬＳ
ウルトラクリーンテクノロジーワークショップ Ｎｏ．１５、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.73-83、1991 年 11 月。
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大見研究室 和文 論文リスト
316(C)
大見忠弘、中村雅一、大木厚志、川田幸司、平尾圭志、渡邊剛、「ＳｉＨ４およびＳｉ２Ｈ６などの熱分解特性と残留水分および酸素の影響」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１５、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.125-156、1991 年 11 月。
317(C)

中村雅一、大木厚志、川田幸司、平尾圭志、渡邊剛、大見忠弘、「CF4 ならびに C2F6 の熱分解特性と残留水分および酸素の影響」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１５、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.159-166、1991 年 11 月。

318(M)

稲葉仁、阪田総一郎、九嶋哲哉、吉田隆紀、岡田孝夫、相合征一郎、大見忠弘、「ウェット工程における静電気対策と空気中不純物汚染の防止」、高砂熱学工業総合研究所報、（高砂熱学工業総合研究所）、pp.35-43、1991 年 11 月。

319(M)

大見忠弘、「マイクロエレクトロニクスを担う｢半導体革命｣でﾞ人工知能いよいよ本番」、２１世紀への日本・全予兆、（㈱学習研究社）、pp.260-262、1991 年 12 月。

320(C)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ No.16 序文」、超ＬＳＩウル
トラクリーンテクノロジーワークショップＮｏ．１６、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
1991 年 12 月。

321(C)

大見忠弘、「ＵＣＴ製品の生産現場への適用の必要性」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワーク
ショップＮｏ．１６、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、1991 年 12 月。

322-1(M)

大見忠弘、「シリコン結晶材料とデバイス性能」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.3、No.5、（半導体基盤技術研究会）、pp.1-2、1991 年 12 月。

322-2(M)

大見忠弘、田中信義、御手洗肇、相沢紘、中村佳夫、「増幅型新固体撮像素子の開発と実用化」、大河内賞受賞業績報告書 平成２年度〔第 37 回〕、（(財)大河内記念会）、pp.46-58、1991 年12 月。

323(W)

大見忠弘、中村雅一、大木厚志、川田幸司、平尾圭志、渡辺剛、「特殊材料ガスの熱分解特性」、
第１回マイクロエレクトロニクス研究会(大見研究室年次研究討論会)プロシーディング、
pp.175-198、1991 年 12 月。

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