大見研究室 和文 論文リスト

大見研究室 和文 論文リスト
1994 年
528(M)

大見忠弘、「金属表面のＣｒ２Ｏ３およびＮｉＦ２不動態処理」、表面技術 Vol.45、No.1、（(社)表面技術協会）、pp.26-31、1994 年 1 月。

529(M)

大見忠弘、「巻頭言 第２段階に入ったマイクロエレクトロニクス革命」、ブレークスルー、No.91、（㈱リアライズ社）、pp.8-12、1994 年 1 月。

526-2(M)

大見忠弘、柴田直、「しなやかな情報処理を可能にする４端子デバイスエレクトロニクス」、ブレークスルー、No.91、（㈱リアライズ社）、pp.21-30、1994 年 1 月。

530(P)

大見忠弘、安井信一、「超純水へのオゾンの利用」、クリーンテクノロジー、Vol.4、No.2、（日本工業出版㈱）、pp.54-61、1994 年 2 月。

404-2(P)

大見忠弘、「静電気障害とその完全な制御を目指して」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.6、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.2-5、1994 年 2 月。

531(P)

稲葉仁、大見忠弘、吉田隆紀、岡田孝夫、「ガス分子イオン化による帯電防止技術」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.6、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.16-22、1994 年 2 月。

406-2(P)須藤誠司、大見忠弘、三島博之、「表面帯電電荷量計測技術」、ウルトラクリーンテクノロジー
Vol.6、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.23-28、1994 年 2 月。

532(B)

大見忠弘、「(５章 電子波エレクトロニクス、5-2 超ＬＳＩデバイスの限界と展望)5-2-4 しなやかな知的情報処理を可能にする４端子デバイスエレクトロニクス」、難波進編、メゾスコピック現象の基礎、（オーム社）、pp.253-263、1994 年 2 月。

533(M)

大見忠弘、「パラダイムシフトの時代を迎えたマイクロエレクトロニクス」、三菱電機技報、Vol.68、No.3、（三菱電機技報社）、pp.2、1994 年 3 月。

534(M)

大見忠弘、柴田直、「インテリジェントデバイス－４端子デバイスの概念としなやかな情報処理システムへの応用」、インテリジェント材料、Vol.4、No.1、（(社)未踏科学技術協会 インテリジェント材料フォーラム）、pp.16-30、1994 年 3 月。

535(M)

大見忠弘、柴田直、「しなやかな情報処理を可能にする４端子デバイスエレクトロニクス－２１世紀への提言」、電子工業月報 第 36 巻 第 4 号(通巻 378 号)、（(社)日本電子工業振興協会）、pp.9-21、1994 年 4 月。

536(P)

大見忠弘、「半導体工場の超純水、回収水、処理水、薬液供給、精製回収および再利用技術」、
ウルトラクリーンテクノロジーVol.6、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.2-7、1994 年 4 月。

417-2(P)

去来川辰彦、木暮雅彦、大見忠弘、「シリコンウェハ表面への有機物の吸着とオゾン添加超純水による除去」、ウルトラクリーンテクノロジーVol.6、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.14-18、1994
年 4 月。

419-2(P)

大谷克秀、井原清彦、大見忠弘、「ＰＦＡ表面における金属不純物の吸着脱離」、ウルトラクリーン
テクノロジーVol.6、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.42-46、1994 年 4 月。

537(P)

三木正博、前野又五郎、福留敏郎、大見忠弘、「フッ素薬液回収技術」、ウルトラクリーンテクノロジ
ーVol.6、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.52-57、1994 年 4 月。

538(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.21 序文」、超ＬＳＩウルト
ラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.(1)-(2)、1994 年 4 月。

539(P)

大見忠弘、「ＵＣＴ最新研究動向」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.31-45、1994 年 4 月。
―1―

大見研究室 和文 論文リスト
540(P)
河合泰明、小西信博、渡辺仁三、大見忠弘、「低エネルギーイオンを用いた低温ゲート酸化膜形成技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.105-112、1994 年 4 月。
541(P)

北林徹夫、宮地淳、小原淳、粕川敦彦、大見忠弘、「半導体製造装置内でのシリコンウェハ用静電チャックの吸着メカニズム」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２１、プロシーディ
ング、（半導体基盤技術研究会）、pp.176-182、1994 年 4 月。

542(P)

T.Suenaga、N.Yonekawa and T.Ohmi「Consideration for the Sustenance of Surface Cleanlinesswhile Wafer Transportation」超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２１、プロシーディ
ング、（半導体基盤技術研究会）、pp.265-271、1994 年 4 月。

543(P)

都田昌之、宍戸昌広、山谷秀一、酒井諒一、梅田優、菅野洋一、大見忠弘、「ＴＥＯＳの熱分解特性」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.341-351、1994 年 4 月。

544(P)

川田幸司、鈴木浩、前田祐二、大見忠弘、「ＷＦ６のＳｉ、ＳｉＯ２表面上における熱分解」、超ＬＳＩウ
ルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.352-365、1994 年 4 月。

545(P)

白井泰雪、小嶋努、高橋慎治、三好伸二、楢崎勝貴、大見忠弘、「特殊材料ガス用酸化クロムステンレス配管システム」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２１、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.366-375、1994 年 4 月。

546(P)

森永均、陶山誠、能勢昌之、大見忠弘、「ウェットプロセスにおける金属不純物のＳｉ表面への付着メカニズムと付着防止技術」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.94、No.11、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM94-8、pp.47-54、1994 年 4 月。

547(P)

米川直道、安井信一、大見忠弘、「有機物汚染のないシリコンウェハ表面洗浄技術」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.94、No.11、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番
号 SDM94-9、pp.55-62、1994 年 4 月。

548(P)

柴田直、Rita Au、山下毅雄、大見忠弘、「ニューロンＭＯＳを用いた多値インテリジェントメモリ」、
電子情報通信学会技術研究報告、Vol.94、No.19、集積回路、（(社)電子情報通信学会）、論文番
号 CPSY94-14、FTS94-14、ICD94-14、pp.1-8、1994 年 4 月。

549(P)S.Verhaverbeke、R.Messoussi、二ツ木高志、大見忠弘、「The Formation of Terraces and Steps on
Si(100) Surfaces and the Change of these Surfaces during WetProcessing」、電子情報通信学会技術研究報告、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM94-10、pp.63-70、1994 年 4 月。

550(P)

大見忠弘、「フラッシュメモリ対応高信頼性極薄酸化膜形成技術」、結晶加工と評価技術第 145 委
員会第 65 回研究会資料、（日本学術振興会）、pp.36-43、1994 年 5 月。

551(M)

平山昌樹、大見忠弘、「プラズマの高精度計測」、ブレークスルー、No.95、（㈱リアライズ社）、pp.18-21、1994 年 5 月。

552(M)

大見忠弘、「科学技術立国－真価を問われるわが国の研究開発体制－」、ブレークスルー、No.96、（㈱リアライズ社）、pp.11-17、1994 年 6 月。

553(M)

森永均、大見忠弘、「ウェット洗浄最前線－極微量金属汚染・除去の化学－」、ブレークスルー、
No.96、（㈱リアライズ社）、pp.34-38、1994 年 6 月。

554(P)

丁剛洙、小西信博、柴田直、大見忠弘、「ウルトラクリーンプラズマプロセスによる高品質薄膜形成技術」、日本真空協会 1994 年 6 月研究例会“真空と膜質”予稿集、（日本真空協会）、pp.13-39、1994 年 6 月。

431-2(P)

大見忠弘、「－巻頭言－健全な繁栄を継続するための半導体技術序文」、ウルトラクリーンテクノロ
ジーVol.6、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.2-4、1994 年 6 月。

433-2(P)名取巌、市川明宏、大見忠弘、「プロセスチャンバの In-situ クリーニング技術」、ウルトラクリーン
テクノロジーVol.6、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.12-16、1994 年 6 月。
―2―

大見研究室 和文 論文リスト
434-2(P)
前野又五郎、高橋慎二、泉浩人、大見忠弘、「Ｃｒ２Ｏ３およびＮｉＦ２による金属表面処理技術」、ウ
ルトラクリーンテクノロジーVol.6、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.17-22、1994 年 6 月。
435-2(P)小西信博、柴田直、大見忠弘、「半導体製造装置用ガス排気系の設計論」、ウルトラクリーンテクノ
ロジーVol.6、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.23-29、1994 年 6 月。

555(P)

大見忠弘、「低エネルギーイオン照射・低温高品質薄膜形成技術」、第１１回薄膜スクール資料－高度化する機能性薄膜の製法と評価－、（日本学術振興会、薄膜第１３１委員会）、pp.27-41、1994 年 7 月。

556(P)

大見忠弘、「２１世紀の半導体量産技術」、第２２回薄膜・表面物理セミナー、（(社)応用物理学会）、pp.1-25、1994 年 7 月。

557(M)

中田明良、大見忠弘、「金属汚染低減イオン注入技術」、ブレークスルー、No.97、（㈱リアライズ社）、pp.20-22、1994 年 7 月。

558(P)

大見忠弘、「高品質極薄酸化膜形成技術」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.94、No.180、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM94-37、pp.21-28、1994 年 7月。

559(P)岡マウリシオ正純、中田明良、富田和朗、柴田直、大見忠弘、新田雄久、「４５０℃アニールによる低逆バイアス電流ｎ＋ｐ接合の形成」、電子情報通信学科技術研究報告書、シリコン材料・デバイ
ス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM94-50、pp.35-41、1994 年 7 月。

560(P)

竹脇利至、山田尚、柴田直、大見忠弘、新田雄久、「パルス電流ストレスによるジャイアントグレイン
銅配線の信頼性評価」、電子情報通信学会技術研究報告、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM94-56、pp.79-84、1994 年 7 月。

561(P)

鈴木浩、丁剛洙、平山昌樹、大見忠弘、「電流駆動シリサイデーションを用いたアンチフューズ技術」、電子情報通信学会技術研究報告書、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論
文番号 SDM94-68、pp.69-72、1994 年 7 月。

562(M)

柴田直、大見忠弘、「なぜクリーン表面が必要か」、ＶMＣジャーナル、No.14、（真空冶金㈱）、pp.9-14、1994 年 7 月。

563(M)

大見忠弘、「ＴＦＴ液晶の製造には超クリーン化技術の導入が不可避であると提唱」、日経マイクロデバイス 1994 年 8 月号、No.110、（日経ＢＰ社）、pp.87、1994 年 8 月。

564(M)

大見忠弘、「次世代情報処理の実現目指す大学間プロジェクトがスタート－超クリーン化技術を基にシリコンで挑戦－」、日経マイクロデバイス 1994 年 8 月号、No.110、（日経ＢＰ社）、pp.97-102、1994 年 8 月。

565(M)

大見忠弘、小嶋努、白井泰雪、「ガス供給系の高性能化・標準化と半導体工場のコスト低減」、セミコンダクターアニュアル〈ガス供給編〉ガスメディア臨時増刊－、（(有)ガスメディア社）、pp.16-28、1994 年 8 月。

566(P)

小島泉里、能勢昌之、久保和樹、薮本周邦、大見忠弘、「カーボン汚染フリー表面クリーニング及びウェハ搬送技術」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.94、No.193、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM94-71、pp.15-21、1994 年 8 月。

567(P)

泉浩人、三好伸二、大見忠弘、「極微量表面吸着水分の精密計測技術」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.94、No.193、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号
SDM94-73、pp.31-38、1994 年 8 月。

568(P)

小西信博、柴田直、大見忠弘、「高性能減圧プロセス用真空排気システムの最適設計」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.94、No.193、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、
論文番号 SDM94-74、pp.39-44、1994 年 8 月。

569(P)

鈴江孝司、松浦孝、室田淳一、澤田康次、大見忠弘、「自己制限型原子層エッチングのＳｉ面方位依存性」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.94、No.194、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM94-77、pp.7-13、1994 年 8 月。

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570(P)
渡辺仁三、河合泰明、小西信博、大見忠弘、「低エネルギ・イオンアシスト酸化による超低温ゲート酸化膜形成」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.94、No.194、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM94-82、pp.45-50、1994 年 8 月。
571(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.22 序文－計測・評価・分析技術こそ学問・技術・産業の基盤である－」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム
Ｎｏ．２２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.(1)-(2)、1994 年 8 月。

572(P)

大見忠弘、「２１世紀のキーテクノロジー“四端子デバイスマイクロエレクトロニクス”」、超ＬＳＩウルトラ
クリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.43-52、1994 年 8 月。

573(P)

大見忠弘、米川直道、安井信一、澤本勲、「電解オゾンによるオゾン添加超純水製造と半導体への利用」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.229-240、1994 年 8 月。

574(P)

平山昌樹、大見忠弘、「高周波プラズマ計測技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウ
ムＮｏ．２２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.243-251、1994 年 8 月。

575(P)

米川直道、安井信一、小島泉里、大見忠弘、「ＦＴ－ＩＲによるシリコンウェハ表面有機物測定」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.307-316、1994 年 8 月。

576(P)

薮本周邦、小峰行雄、国井泰夫、大見忠弘、小島泉里、久保和樹、「ＴＤＳによるウェハ表面有機物の分析」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２２、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.317-329、1994 年 8 月。

577(M)

大見忠弘、「超クリーンがプロセスに革新、ＴＦＴアレイ工程の半減も－同一温度でＣＶＤ実現、薄膜化も可能に－」、日経マイクロデバイス 1994 年 9 月号、No.111、（日経ＢＰ社）、pp.39-44、1994
年 9 月。

495-4(M)

大見忠弘、「超ＬＳＩ製造におけるウルトラクリーン技術と膜分離技術の役割」、ＭＲＣ Ｎｅｗｓ 食品
膜技術懇談会誌、No.13、（食品膜技術懇談会）、pp.105-110、1994 年 9 月。

578(P)

中井努、柴田直、大見忠弘、「大容量負荷高速駆動用ＣＭＯＳソースフォロワ・バッファ回路の解析」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.94、No.233、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM94-100、pp.61-67、1994 年 9 月。

579(M)

大見和幸、薮根辰弘、大見忠弘、「原子オーダ平坦度と酸化膜」、ブレークスルー、No.98-99、（㈱リアライズ社）、pp.26-30、1994 年 9 月。

580(P)

大見忠弘、「パワーデバイス高性能化を加速する低温化プロセス」、電気学会研究会資料、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会、（(社)電気学会）、論文番号 EDD-94-34 SPC-94-56、pp.43-52、1994 年 9 月。

581-1(M)

大見忠弘、「巻頭言 ＳＯＲリソグラフィに主要半導体産業の総力結集を」、ブレークスルー、No.100、（㈱リアライズ社）、pp.6-9、1994 年 10 月。

581-2(P)白井泰雪、三好伸二、小嶋努、楢崎勝貴、米華克典、大見忠弘、「超精密溶接技術」、第６回超高純度ガス供給系技術懇談会技術資料、（㈱長野計器製作所）、1994 年 10 月。

582-1(P)Osamu Uchizawa、Yohichi Kanno、Kouichi Murakami、Fumiyuki Seino、TakasiOnodera、TadahiroOhmi、「CONTROL OF VALVE OPERATING TIME FOR ACCURATE PROCESS CONTROL」、
第６回超高純度ガス供給系技術懇談会技術資料、（㈱長野計器製作所）、1994 年 10 月。

582-2(M)

大見忠弘、柴田直、「（第１章）半導体の技術開発」、半導体製造の技術開発、（日本規格協会）、
pp.1-18、1994 年 10 月。

583(M)

大見忠弘、「低エネルギーイオン注入法」、応用物理、Vol.63、No.11、（(社)応用物理学会）、
pp.1151-1152、1994 年 11 月。

584(M)

大見忠弘、「本質的な価値を生ずるところに集中投資する勇気」、Electronic Journal、第 8 号、（㈱電子ジャーナル）、pp.13、1994 年 11 月。
―4―

大見研究室 和文 論文リスト
585(M)
渡辺仁三、大見忠弘、「プラズマイオン・アシストによるゲート酸化膜の超低温形成技術」、ブレークスルー、No.101、（㈱リアライズ社）、pp.30-32、1994 年 11 月。
586(P)

大見忠弘、新田雄久、「超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム No.23 序文」、超ＬＳＩウルト
ラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２３、プロシーディング、第１分冊、（半導体基盤技術研究会）、pp.i-ii、1994 年 11 月。

587(P)

大見忠弘、「ウルトラクリーンテクノロジーが高性能半導体／液晶製造技術を更に革新する」、超Ｌ
ＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２３、プロシーディング、第１分冊、（半導体基盤技術研究会）、pp.3-14、1994 年 11 月。

588(P)

三木正博、福留敏郎、前野又五郎、大見忠弘、「ＨＦ、ＢＨＦ、Ｈ３ＰＯ４回収技術」、超ＬＳＩウルトラ
クリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２３、プロシーディング、第２分冊、（半導体基盤技術研究会）、pp.264-274、1994 年 11 月。

589-1(M)

稲葉仁、大見忠弘、吉田隆紀、岡田孝夫、「軟 X 線照射による静電気除去」、高砂熱学工業総合研究所報、No.8、（高砂熱学工業技術本部総合研究所）、pp.27-36、1994 年 11 月。

589-2(P)柴田直、大見忠弘、「センサとニュ－ロンＭＯＳの融合が拓く新しい世界」、第６回画像入力技術シンポジウム、（画像入力技術シンポジウム実行委員会）、pp.21-29、1994 年 11 月。

590(W)

大見忠弘、「総括」、第 4 回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング、pp.133-147、1993 年11 月。

591(W)

小島泉里、久保和樹、能勢昌之、大見忠弘、「カーボンフリー洗浄技術」、第 4 回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング、pp.149-156、1994 年 11 月。

592(W)

渡辺仁三、河合泰明、小西信博、関根克行、大見忠弘、「450℃ゲート酸化膜形成技術」、第 4 回
マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング、pp.157-163、1994 年 11 月。

593(W)

楢崎勝貴、三好伸二、小嶋努、白井泰雪、米華克典、大見忠弘、「特殊材料ガス用チュービングのステンレス表面処理技術」、第 4 回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング、
pp.173-180、1994 年 11 月。

594(W)

伊野和英、名取巌、市川明宏、Raymond N. Vrtis、大見忠弘、「In situ チャンバクリーニング技術」、第 4 回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング、pp.181-188、1994 年 11 月。

595(W)

平山昌樹、大見忠弘、「高周波放電プラズマの高精度計測技術」、第 4 回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング、pp.189-196、1994 年 11 月。

596(W)

鈴木浩、平山昌樹、丁剛洙、大見忠弘、「電流駆動シリサイド化反応を用いた超高速プログラマブルアンチヒューズ」、第 4 回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング、pp.205-212、1994 年11 月。

597(W)

大見忠弘、柴田直、「しなやかな情報処理を可能にする 4 端子デバイスエレクトロニクス－21 世紀への提言」、第 4 回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング、pp.213-225、1994 年 11 月。

598(P)

大見忠弘、「－巻頭言－ウルトラクリーンテクノロジーの新たな展開」、ウルトラクリーンテクノロジ
ー、（半導体基盤技術研究会）、Vol.6、No5/6、pp.3-6、1994 年 12 月。

599(P)

川田幸司、鈴木浩、前田祐二、大見忠弘、「ＷＦ６のＳｉ、ＳｉＯ２表面上における熱分解」、第１１回Ｕ
ＣＴカレッジＸＩ資料集、（半導体基盤技術研究会）、1994 年 12 月。

600(P)

白井泰雪、三好伸二、楢崎勝貴、大見忠弘、「半導体製造ドライプロセス用酸化クロムステンレス配管システム」、第１１回ＵＣＴカレッジＸＩ資料集、（半導体基盤技術研究会）、1994 年 12 月。

601(M)

柴田直、大見忠弘、「四端子デバイス・ニューロンＭＯＳＦＥＴで実現する知的情報処理電子システ
ム」、ブレークスルー、No.102、（㈱リアライズ社）、pp.22-26、1994 年 12 月。

602(M)

大見和幸、大見忠弘、「Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｎｏ．７ 還元競合酸化プロセス」、ブレークスルー、No.102、（㈱リアライズ社）、pp.31-34、1994 年 12 月。

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大見研究室 和文 論文リスト
603(M)
安井信一、大見忠弘、「最新のウエット洗浄プロセスによるシリコンウエハ表面からの有機物除去」、神鋼パンテック技報、Vol.38、No.3、（神鋼パンテック㈱技術開発本部）、pp.1-5、1994 年 12月。

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