Proceedings of the 5th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japanand the 33rd Linear Accelerator Meeting in Japan (August 6-8, 2008, Higashihiroshima, Japan)

PROPERTY OF ELECTRON BUNCH COMPRESSION AT SCSS TESTACCELERATOR- TEMPORAL BUNCH PROFILE MEASUREMENT USING RF ZERO-PHASING METHOD Kazuaki Togawa1, Hitoshi Tanaka, Toru Hara, Yuji Otake
SPring-8 Joint-Project for XFEL/RIKEN
1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo 679-5148, Japan
Abstract
The SCSS (SPring-8 Compact SASE Source) test accelerator, which can generate an intense EUV SASE light, wasconstructed to prove a new concept for compact and stable X-ray free electron lasers. Since the injector system isrequired to produce a highly compressed electron beam (compression factor~300) without breaking a low-emittance(<1π mm mrad), it is very important to investigate bunch compression performance. We have adopted an RF zerophasing method to measure the temporal bunch profiles of the electron beam. In the first experiment, the characteristicof the magnetic bunch compressor was evaluated, and the measured compression factor agreed well with a calculation.
We conclude that this method can be used for systematic study of the bunch compression.

SCSS試験加速器における電子ビームのバンチ圧縮特性- RF Zero-phasing法による時間方向バンチプロファイルの測定 -１．はじめにSPring-8サイトでは、理化学研究所と高輝度光科学研究センターによる合同チームにより、X線自由電子レーザー研究施設の建設が行われている[1]。本加速器は、CeB6熱電子銃と速度変調バンチ圧縮シス
テムによる低エミッタンス入射器、高電界C-band主加速器、真空封止アンジュレータにより構成され、相対的に低いエネルギーでコンパクトなXFELを実現することを目指している[2]。この方式を実証するため、2005年にSCSS試験加速器（エネルギー250MeV）を建設、2007年には波長50 nmから60 nmの極短紫外域でSASEレーザー出力を飽和させることに成功し、ユーザー運転を開始するに至った[3]。
SCSS試験加速器の構成と１次元シミュレータで解析したビーム特性を図１に示す。CeB6熱電子銃により発生したピーク電流1 A、パルス幅2 µsの低エ図１：SCSS試験加速器のレイアウトと１次元シミュレータで解析したビーム特性。
EG:電子銃、DF:ビームディフレクタ、PB:238MHzプレバンチャー、BS:476MHzブースター、S-APS:APS型S-band加速管、S-TWA:S-band進行波管、BC:磁気バンチ圧縮器、C-TWA:C-band進行波管、UND:真空封止アンジュレータ

1E-mail: togawa@spring8.or.jp-527-

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図２：RF Zero-phasingによる時間方向バンチプロファイルの測定原理。
ミッタンスビームから、ビームディフレクタにより1 nsの単バンチを切り出す。これを238MHzプレバ
ン チ ャーと476MHzブースターで構成されるバンチャーシステムに入射し、速度変調バンチングにより約100倍のバンチ圧縮を行う。次のS-band加速管
では、バンチング側のオフクレスト加速を行ってビームにエネルギーチャープを与え、直後の磁気バンチ圧縮器で約3倍にバンチを圧縮する。最終的に約300 Aにまで増強したビームをアンジュレータに入射し、SASEレーザーを発生する。このように、SCSS試験加速器では小さいエミッタンスを保ちつつ非常に高いバンチ圧縮を実現しなければならない
ため、圧縮特性を把握することは、加速器システムの性能を評価する上で非常に重要である。
SCSS試験加速器では、圧縮特性を評価するのに必要な時間方向バンチプロファイルの測定に、RFZero-phasing法と呼ばれる手法を用いた[4]。本稿では、最初の実験として行ったRF Zero-phasing法による磁気バンチ圧縮器の圧縮特性の評価について報告を行う。

２．RF Zero-phasing法による時間方向バンチプロファイルの測定
図２にRF Zero-phasing法の測定原理を示す。２台あるC-band加速ユニットの後半（C-band#2）のRF位相を90°ずらして、バンチ長に比例した線形のエネルギーチャープをビームに与え、その直下流のシケイン偏向電磁石の分散を利用してエネルギー分布を測定し、その分布から間接的に時間方向プロファイルを求める。エネルギー分布、即ちシケイン分散部の水平空間プロファイルは、ビームラインに挿入した金ターゲットにビームを衝突させた時に発生するOTR光をCCDカメラで検出することで測定した。
バンチの時間方向プロファイルとエネルギー分散部の水平空間プロファイルの変換式は以下のように求めることができる。C-band#2に入射するビームのエネルギーを E1 （~150 MeV）、C-band#2の加速電圧 振 幅 を V2 （ 50~100 MV 、 バ ン チ 長 に 応 じ て 調整）、C-bandの波数を kC （119.7 m-1）、シケインのディスパージョンを η （150 mm）と置く。基準粒子から測ったz座標を ∆z 、エネルギー偏差を ∆E とすると、エネルギー分散部における水平座標 ∆x は、∆E∆x = ηE1dE ⎞ ∆z⎛ dE= ⎜ 1 + 2 ⎟η
dz ⎠ E1
⎝ dz
⎛ dE
⎞ ∆z
= ⎜ 1 ± k C eV2 ⎟η⎝ dz⎠ E1と表すことができる。ここで、マイナス符号はバンチング側ゼロ位相、プラス符号はデバンチング側ゼロ 位 相 の 場 合 を 示 す 。 dE1 / dz は ビ ー ム が 持 つintrinsicエネルギーチャープであるが、以下の理由により、C-band#2のゼロ位相で与える線形のチャープ dE 2 / dz と比較して十分小さいとして無視した。
dE1 / dz の主な要素は、磁気圧縮のためにS-band加速管で与えるエネルギーチャープとC-band加速管で発 生 す る Single-bunch Wakefieldによるエネルギーチャープである。前者は負のチャープであるのに対し、後者は正のチャープであることから、これらはキャンセルする方向に働く。測定の分解能を上げるために、C-band#2のRFをオフにした状態で、シケイン入口の四極電磁石によりプロファイルモニター上に焦点を結ぶようビームを水平方向に収束するのであるが、図３に示すように、その時の水平ビームサイズがZero-phasingを行ったときのサイズより十分に小さいことから、intrinsicエネルギーチャープ及びビームサイズの影響は十分小さいと考えられる。
以上より、時間と水平座標の関係が次のように求められる。
E1∆t = ±∆xk C eV 2 cηZero-phasingの測定分解能は、CCDカメラの1 pixel間隔に相当する水平ビームサイズで決まり、時間に換算すると約3 fsである。ビームプロファイルの生データを図３の青色実線で示すが、OTR光の光量が-528-

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小さいことからノイズが目立つため、隣接10点のデータを平均化することでノイズ除去を行った（青色四角のデータ）。これにより、時間分解能は30 fsとなるが、この分解能ではバンチの微細構造を消してしまうことは無いことが図３より確認できる。て測定した。これより、ピーク電流を基準とした圧縮係数が~2.4であることが分かる。
一方、表１に示すS-band加速管のRFパラメータを式(1)に代入すると線形の圧縮係数を求めることができる。計算結果は2.2であり、実験結果と比較的良い一致を示すことから、磁気バンチ圧縮器は設計通り健全に動作していると結論できる。
1 MeV
S-APSへの入射ビームエネルギー
12 MV
S-APSの電圧振幅
S-APSの加速位相－25 deg.
38 MV
S-TWAの電圧振幅
S-TWAの加速位相－25 deg.
表１：S-band加速管のRFパラメータ。

４．まとめと今後の課題
図３：Zero-phasingによる、シケイン分散部における水平ビームプロファイルの変化。

３．磁気バンチ圧縮器の圧縮特性
まず、最終的なピーク電流を決める磁気バンチ圧縮器の圧縮特性の評価を行った。バンチ圧縮器は４台の矩形電磁石で構成され、圧縮係数は以下の式で与えられる。
1C1 =(1)
1 − R56 E ′ / E
ここで、 E 、 E ′ はそれぞれ磁気バンチ圧縮器への入射ビームのエネルギーと１次のエネルギーチャープを表すのであるが、試験加速器ではS-band加速管の電圧と位相により決定される。また、 R56 はバンチ圧縮器の幾何形状から決まる１次のモーメンタムコンパクションを表し、－20 mmである。
時間方向バンチプロファイルの測定は、マシンパラメータをEUV Laserが発振する状態にセットして行った。図４にバンチ圧縮前後のプロファイルを示す。圧縮前のプロファイルは、S-band加速管の加速位相をクレストにセットし（ E ′ = 0 ）、ビームを圧縮せずにバンチ圧縮器を透明な状態として通過させ

図４：磁気バンチ圧縮前後の時間プロファイル。

SCSS試験加速器において、RF Zero-phasing法による時間方向バンチプロファイルの測定を行い、磁気バンチ圧縮器の圧縮特性の評価を行った。実験で求めた圧縮係数は計算値と良い一致を示し、システムが設計通り動作することを確認した。また、この方法により、ピーク電流だけでなく詳細なバンチの時間構造も評価できる可能性が十分にあることが分かった。
さて、磁気バンチ圧縮器は、ビームエネルギーが十分に高い強相対論領域で動作するため、線形の枠組みで比較的容易にバンチ圧縮を評価することができる。これに対し、バンチャーシステムにおける速度変調バンチングは、圧縮原理そのものが極めて非線形性の強い現象であるため、バンチングの評価と制御が非常に難しい。しかしながら、これをうまくコントロールすることができれば、電子ビームのバンチ長を可変にできるなど幅広いビームチューニングが可能となることが期待できる。今後、RF Zerophasing法を用いて、系統的な速度変調バンチングの特性を、単純な圧縮比だけでなくピーク幅等の電流分布も併せて調べていく。

参考文献[1] T. Shintake, “X線自由電子レーザー計画の現状”, 本学会
プロシーディングス
[2] T. Shintake et al, “SPring-8 Compact SASE Source”,
Proceedings of SPIE, Optics for Fourth-Generation X-Ray
Sources, edited by R. O. Tatchyn, A. K. Freund, and T.
Matsushita (SPIE, Bellingham, WA, 2001), Vol. 4500, p.
12–23[3] H. Tanaka et al., “Operation Status of the SCSS Test
Accelerator: Continuous Saturation of SASE FEL at theWavelength Range from ~50 to 60 nm”, Proceedings ofEPAC08, Genoa, Italy, p. 1944-1946[4] D. X. Wang et al., “Measurement of femtosecond electronbunches using a RF zero-phasing method”, Phys. Rev. E
57 (1998) p. 2283-2286-529-