大見研究室 和文 論文リスト

大見研究室 和文 論文リスト
1996 年
676(M) 大見忠弘、久保和樹、「新概念に基づいたシリコン表面洗浄」、カイジョウ技報、Vol.2、No.3、（㈱カイジョー）、pp.7-18、1996 年 1 月。
677(M) 岩本敏幸、三宅利紀、大見忠弘、「極薄酸化膜の形成」、H7.11.13～14 物性研短期研究会報告、物性研だより、第 35 巻、第 5 号、（物性研）、pp.41-46、1996 年 1 月。
678(B)

大見忠弘、「序文 ガスサイエンスが拓くプロダクトイノベーション」、ガスサイエンスが拓くプロダクトイノ
ベーション、（㈱リアライズ社）、1996 年 1 月。

679(B)

大見忠弘、「序章：1.半導体製造技術の課題、2.半導体製造技術における緊急開発課題、3.超高純度ガス供給系」、ガスサイエンスが拓くプロダクトイノベーション、（㈱リアライズ社）、pp.1-36、1996 年 1月。

680(B)

大見忠弘、「第４章 ウルトラクリーンガス技術が切り拓く高性能プロセス 1.アルミニウムおよびＳｉスパッタ成膜の高品質化」、ガスサイエンスが拓くプロダクトイノベーション、（㈱リアライズ社）、pp.327-352、1996 年 1 月。

681(P)

小川勝久、柴田直、大見忠弘、高津求、横山直樹、「ニューロンＭＯＳを用いた多入力・オフセットフリー演算増幅器」、東京工業大学学内共同研究シンポジウム 生体的情報処理デバイスとシステム応用、（東京工業大学）、pp.23-29、1996 年 1 月。

682(M) 大見忠弘、「－巻頭言－Scientific Semiconductor Manufacturing 実現へ」、ウルトラクリーンテクノロジ
ー、Vol.8、No.1、（半導体基盤技術研究会）、pp.2-4、1996 年 2 月。
683(B)

小谷光司、柴田直、大見忠弘、「第３章 イオン注入工程におけるチャージング・ダメージ ２.イオン注入によるＭＯＳデバイスのチャージング・ダメージ」、半導体プロセスにおけるチャージング・ダメージ、（㈱リアライズ社）、pp.181-186、1996 年 2 月。

684(M) 大見忠弘、「〈ミニ特集 シリコンの極限清浄表面を計測する〉サブクォータミクロン時代の半導体生産技術」、計測と制御、Vol.35、No.3、（(社)計測自動制御学会）、pp.171-178、1996 年 3 月。
685(M) 米川直道、小島泉里、大見忠弘、「〈ミニ特集 シリコンの極限清浄表面を計測する〉極微量の有機物汚染を計測する」、計測と制御、Vol.35、No.3、（(社)計測自動制御学会）、pp.185-190、1996 年 3 月。
686(M) 泉浩人、白井泰雪、大見忠弘、「〈ミニ特集 シリコンの極限清浄表面を計測する〉表面吸着水分の計測」、計測と制御、Vol.35、No.3、（(社)計測自動制御学会）、pp.191-195、1996 年 3 月。
687(M) 森田瑞穂、大見忠弘、「極限集積化デバイスのしきい値支配因子自己収束プロセスの研究 －ゲート酸化膜厚測定法の高精度化の研究－」、平成７年度重点領域研究 極限集積化シリコン知能エレクト
ロニクス(269)、pp.180-183、1996 年 3 月。
688(M) 柴田直、中井務、余寧梅、誉田正宏、山下雄一郎、大見忠弘、「“連想するハードウェア”をベースとした知的電子システムの研究」、平成７年度重点領域研究 極限集積化シリコン知能エレクトロニクス(269)、pp.324 ｰ 341、1996 年 3 月。
689(M) 大見忠弘、小谷光司、今井誠、柴田直、「Flexware －しなやかで瞬時応答可能な知能集積システム－」、平成７年度重点領域研究 極限集積化シリコン知能エレクトロニクス(269)、pp.376 ｰ 390、1996 年3 月。
690(M) 大見忠弘、「ＴＰＭと半導体産業」、ＴＰＭと半導体工場、（(社)日本プラントメンテナンス協会）、
pp.16-28、1996 年 3 月。
691-1(P) 大見忠弘、「アドバンスドクォータマイクロン時代以降のシリコン結晶」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロ
ジーシンポジウムＮｏ．２７、プロシーディング[別冊]、（半導体基盤技術研究会）、pp.I-i～I-iv、1996 年3 月。
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大見研究室 和文 論文リスト
692(P) 久次米孝信、久保和樹、森田博志、大見忠弘、「オゾン・メガソニックを利用した最新ウェット洗浄技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２７、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.65-74、1996 年 3 月。
693(M) 平野有一、島田久幸、牛木健雄、大見忠弘、「タンタルゲート電極を用いたＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴの閾値制御」、電子情報通信学会技術報告、Vol.95、No.570、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM95 ｰ 267、pp.31-38、1996 年 3 月。
694(P)

白井泰雪、大見忠弘、「ステンレス配管システムの酸化クロム不働態処理」、ウルトラクリーンテクノロジ
ー 、Vol.8、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.98-101、1996 年 4 月。

695(P)

池田信一、篠原努、山路道雄、大見忠弘、「インスペクションフリーを実現する高性能継手」、ウルトラ
クリーンテクノロジー 、Vol.8、No.2、（半導体基盤技術研究会）、pp.102-106、1996 年 4 月。

696(M) 大見忠弘、「膜質向上にエピ導入は必然、課題のメタル混入をチャンバ表面処理で対策」、日経マイクロデバイス、Vol.6、No.132、（日経ＢＰ社）、pp.129-133、1996 年 6 月。
697(M) 小嶋努、白井泰雪、中村修、大見忠弘、「（超高純度ガスパネルのクリーンテクノロジー）高性能クリーン溶接技術」、クリーンテクノロジー、Vol.6、No.6、（日本工業出版）、pp.10-15、1996 年 6 月。
698(M) 都田昌之、加藤正行、久保和樹、小島泉里、大見忠弘、「（メガソニック洗浄）メガソニック励起超純水による表面清浄化」、クリーンテクノロジー、Vol.6、No.6、（日本工業出版）、pp.44-50、1996 年 6 月。
699(P)

大見忠弘、「－巻頭言－新しい表面洗浄と計測技術を求めて」、ウルトラクリーンテクノロジー、Vol.8、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.140-143、1996 年 6 月。

700(P)

森永均、大見忠弘、「半導体ウェットプロセスにおける金属汚染の吸着・脱離メカニズム」、ウルトラクリーンテクノロジー、Vol.8、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.144-155、1996 年 6 月。

701(P)

板野充司、毛塚健彦、久保元伸、大見忠弘、「ウェット洗浄での粒子の脱着」ウルトラクリーンテクノロジ
ー、Vol.8、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.156-160、1996 年 6 月。

702(P)

泉浩人、宮下雅之、山根香代、菊山裕久、大見忠弘、「ウェットプロセス制御のための薬液組成管理方法」、ウルトラクリーンテクノロジー、Vol.8、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.161-164、1996 年 6月。

703(F)

都田昌之、加藤正行、久保和樹、小島泉里、大見忠弘、「メガソニック励起超純水による表面清浄化」、ウルトラクリーンテクノロジー、Vol.8、No.3、（半導体基盤技術研究会）、pp.183-195、1996 年 6月。

704(F)

大見忠弘、「フッ化不働態処理ガス供給技術」、第１４回大阪酸素－半導体セミナー講演集、（大阪酸素工業㈱）、pp.59-75、1996 年 6 月。

705(F)

大見忠弘、「－序論－シリコンの科学」、シリコンの科学、半導体基盤技術研究会編、大見忠弘、新田雄久監修、（㈱リアライズ社）、pp.3-13、1996 年 6 月。

706(B)

久保和樹、小島泉里、大見忠弘、「第４節ウェーハの洗浄 第２項次世代デバイス対応の洗浄技術(C)オゾン添加超純水による洗浄技術」、シリコンの科学、半導体基盤技術研究会編、大見忠弘、新田雄久監修、（㈱リアライズ社）、pp.369-376、1996 年 6 月。

707(P)

白井泰雪、橋本泰司、楢崎勝貴、大見忠弘、中川佳紀、「エキシマレーザー用ガス配管システム」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.66-75、1996 年 7 月。

708(P)

大見忠弘、「ウェーハフローパスミニマムを実現する最新洗浄技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジ
ーシンポジウムＮｏ．２８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.79-96、1996 年 7 月。

709(P)

久次米孝信、川田和彦、西山泰司、菊山裕久、大見忠弘、「次世代室温ウェット洗浄技術（１）」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、
pp.97-104、1996 年 7 月。

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大見研究室 和文 論文リスト
710(P) 川田和彦、岡野勝一、久次米孝信、森田博志、新田雄久、大見忠弘、「次世代室温ウェット洗浄技術（２）」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.105 ｰ 112、1996 年 7 月。
711(P)

小島泉里、自在丸隆行、尾前俊吉、大見忠弘、「室温レジスト剥離技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテク
ノロジーシンポジウムＮｏ．２８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.113-120、1996 年 7月。

712-1(P) 大見忠弘、「次世代エキシマレーザステッパが拓くリソグラフィ技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジ
ーシンポジウムＮｏ．２８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.139-151、1996 年 7 月。
713(P)

都田昌之、加藤正行、大見忠弘、「メガソニック励起超純水の科学」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジ
ーシンポジウムＮｏ．２８、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.152-175、1996 年 7 月。

714(M) 大見忠弘、「特殊鋼に期待する」、特殊鋼、Vol.45、No.7、（大同特殊鋼㈱）、pp.7-9、1996 年 7 月。
715(P)

大見忠弘、「最新半導体製造プロセス技術と高歩留まり化への課題」、第２２６回講習会半導体デバイ
ス高歩どまり化のための先端技術に関する講習会テキスト、（(社)精密工学会）、pp.1-12、1996 年 7月。

716(P)

大見忠弘、柴田直、「シリコン表面プロセスにおける現実的なラフネス－揺らぎのない半導体プロセスで人工知能システム実現を目指す」、第２４回薄膜・表面物理セミナー、（(社)応用物理学会）、
pp.7-16、1996 年 7 月。

717(P)

大見忠弘、「集積回路設計の教育」、平成８年度大学電気工学教育研究集会分科会予稿集、（金沢大学）、pp.1-2、1996 年 7 月。

718(P)

中井努、柴田直、大見忠弘、「擬似２次元画像処理を用いたニューロンＭＯＳ動きベクトル検出回路」、１９９６年テレビジョン学会年次大会、（(社)テレビジョン学会）、pp.27-28、1996 年 7 月。

719(P)

余寧梅、柴田直、大見忠弘、「ニューロンＭＯＳ重心検出回路」、１９９６年テレビジョン学会年次大会、（(社)テレビジョン学会）、pp.29-30、1996 年 7 月

720(F)

柴田直、大見忠弘、「半導体プロセスにおける真空の役割」、ウルトラクリーンテクノロジー、Vol.8、No.4、（半導体基盤技術研究会）、pp.251-255、1996 年 8 月。

721(P)

黄景宏、柴田直、大見忠弘、「ＣＭＯＳソースフォロワのアンチミラー効果を用いた無相関ノイズ発生器」、平成８年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集、（電気関係学会東北支部）、p.312、
1996 年 8 月。

722(P)

山下雄一郎、柴田直、大見忠弘、「実時間認識システムのためのアナログＥＥＰＲＯＭ技術」、平成８年
度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集、（電気関係学会東北支部）、p.325、1996 年 8 月。

723(P)

中井努、柴田直、大見忠弘、「ニューロンＭＯＳ動きベクトル検出回路」、平成８年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集、（電気関係学会東北支部）、p.326、1996 年 8 月。

724(P)

余寧梅、柴田直、大見忠弘、「ニューロンＭＯＳを用いた実時間重心検出回路」、平成８年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集、（電気関係学会東北支部）、p.327、1996 年 8 月。

725(P)

篠原壽邦、牛木健雄、大見忠弘、「ＭＯＳＦＥＴゲート絶縁膜用Ｔａ２Ｏ５薄膜形成」、平成８年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集、（電気関係学会東北支部）、p.335、1996 年 8 月。

726(P)

金本啓、中田明良、岡マウリシオ正純、玉井幸夫、大見忠弘、「ＢＦ２＋イオン注入層の低温アニールによる低リーク極浅接合の形成」、平成８年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集、（電気関係学会東北支部）、p.336、1996 年 8 月。

727(P)

海原竜、竹脇利至、大見忠弘、新田雄久、「高エレクトロマイグレーション耐性銅合金配線技術」、平
成８年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集、（電気関係学会東北支部）、p.339、1996 年8 月。

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大見研究室 和文 論文リスト
728(P) 山内経則、中村俊二、米澤岳美、余寧梅、柴田直、瀬戸山孝男、大見忠弘、「多結晶シリコン抵抗の安定化技術」、電子情報通信学会技術報告、Vol.96、No.228、集積回路、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 ICD96-97～109、pp.37-44、1996 年 8 月。電子情報通信学会技術報告、Vol.96、No.226、シリコン材料・デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM96-77～89、pp37-44、
1996 年 8 月。
729(M) 大見忠弘、森田博志、西山泰史、「ＲＣＡ洗浄に変わる新しい洗浄技術」、クリーンテクノロジー、
Vol.6、 No.9、（日本工業出版）、pp.29-34、1996 年 9 月。
730(P)

柴田直、大見忠弘、「ニューロンＭＯＳトランジスタで実現する“しなやかな”情報処理ハードウェア－
連想するハードウェアをベースに知的電子システムを構築する－」、電子情報通信学会技術研究報
告、Vol.96、No.303、集積回路、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 ICD96-146、pp.47-56、1996 年10 月。

731(M) 大見忠弘、白井泰雪、「次世代半導体生産工場におけるガス技術」、セミコンダクターアニュアル/ガス供給編１９９６年版、臨時増刊、（(有)ガスメディア社）、pp.14-20、1996 年 10 月。
732(P)

楢崎勝貴、橋本泰司、白井泰雪、大見忠弘、「エキシマレーザステッパ用ガス供給システム」、第８回
超高純度ガス供給系技術懇談会技術資料、（㈱フジキン）pp.1-7、1996 年 11 月。

733(P)

篠原努、山路道雄、池田信一、大見忠弘、「高性能継手を用いた集積化ガスシステムの効果」、第８回
超高純度ガス供給系技術懇談会技術資料、（㈱フジキン）、pp.25-37、1996 年 11 月。

734(P)

中村修、白井泰雪、五十木幹彦、大見忠弘、「工場建設における配管施工のＣＰＵ管理と溶接技術」、第８回超高純度ガス供給系技術懇談会技術資料、（㈱フジキン）、pp.39-47、1996 年 11 月。

735(P)

大見忠弘、｢０．２５μm・３００mm ウェハー製造におけるガス供給・排気技術」、第８回超高純度ガス供給系技術懇談会技術資料、（㈱フジキン）、pp49-62、1996 年 11 月。

736(P)

大見忠弘、「２１世紀へ向けたＵＬＳＩ生産技術の課題」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.96、No.359、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM96-124、pp.43-53、1996 年11 月。

737(P)

外塚聖亭、加藤正行、都田昌之、大見忠弘、「ＲＣＡ洗浄溶液に生成する活性種の評価」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.96、No.359、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番
号 SDM96-127、pp.71-78、1996 年 11 月。

738(P)

加藤正行、落合武臣、都田昌之、大見忠弘、「ウェハ洗浄溶液のラジカル活性に対する超音波照射の影響」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.96、No.359、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM96-128、pp.79-86、1996 年 11 月。

739(P)

権浩燁、柴田直、大見忠弘、「低消費電力ニューロンＭＯＳ論理ゲート」、電子情報通信学会技術研
究報告、Vo.96、NO.360、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM96-136、pp.31-38、1996 年 11 月。

740(P)

玉井幸夫、中田明良、岡ﾏｳﾘｼｵ正純、柴田直、大見忠弘、「基板不純物濃度低減による４５０℃アニールイオン注入接合の特性改善」、電子情報通信学会技術研究報告、Vol.96、No.360、シリコン材料デバイス、（(社)電子情報通信学会）、論文番号 SDM96-141、pp.63-68、1996 年 11 月。

741(P)

白井泰雪、中村修、楢崎勝貴、大見忠弘、「ステンレス表面の酸化クロム不働態処理」、電気学会研究会資料 金属・セラミックス研究会、（(社)電気学会）、pp.61-68、1996 年 11 月。

742(P)

泉浩人、中川佳紀、矢崎洋史、菊山裕久、大見忠弘、「フッ素ガスを用いた金属表面処理」、電気学会研究会資料 金属・セラミックス研究会、（(社)電気学会）、pp.69-74、1996 年 11 月。

743(P)

大見忠弘、「高温プロセスチャンバー・高温真空排気系－異物付着 異物発生を抑制するプロセス装置－」、先端真空技術シンポジウム（山中湖シンポジウム）、((財)真空科学研究所)、1996 年 11 月。

744（W） 尾前 俊吉、自在丸 隆行、小島 泉里、大見 忠弘、「室温レジスト除去技術」、第 7 回マイクロエレク
トロニクス研究会プロシーディング、pp.5-10、1996 年 11 月。

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大見研究室 和文 論文リスト
745（W） 牛木 健雄、余 謨群、平野 有一、島田 久幸、森田 瑞穂、大見 忠弘、「ウルトラクリーン低温プロセスを用いた高信頼性タンタルゲート完全空乏化 SOI MOSFET」、第 7 回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング、pp.55-61、1996 年 11 月。
746(W) 山内 経則、中村 俊二、米沢 岳美、余 寧梅、 柴田 直、瀬戸山 孝男、大見 忠弘、「多結晶シリコンの安定化技術」、第 7 回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング、pp.65-72、1996 年 11月。
747（W） 大見 忠弘、「最新半導体プロセス技術と高歩留まり化への課題」、第 7 回マイクロエレクトロニクス研究会プロシーディング、pp.85-96、1996 年 11 月。
748-1(P) 大見忠弘、「半導体製造の今後の方向性」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２９、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.3-14、1996 年 12 月。
749(P)

西山泰史、岡野勝一、白井泰雪、大見忠弘、「最新ＣＭＰ技術」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシ
ンポジウムＮＯ．２９、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.41-48、1996 年 12 月。

750(P)

川田和彦、岡野勝一、久次米孝信、森田博志、新田雄久、大見忠弘、「高速室温ウェットクリーニングのための新型スピン洗浄機」、超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウムＮｏ．２９、プロシーディング、（半導体基盤技術研究会）、pp.76-84、1996 年 12 月。

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