ISSN 1349-6379

２０１６ 第２６回
ＲＣＪ信頼性シンポジウム発表論文集
・EOS/ESD/EMCシンポジウム
・電子デバイス・電子部品の信頼性シンポジウム

２０１６年１１月
主催
一般財団法人 日本電子部品信頼性センター
協 賛
一般社団法人 電子情報技術産業協会
一般社団法人 日本電気計測器工業会
一般社団法人 電子情報通信学会
一般社団法人 電気学会
一般財団法人 光産業技術振興協会
一般社団法人 情報通信ネットワーク産業協会
公益社団法人 日本磁気学会
IDEMA JAPAN

一般社団法人 日本電機工業会
一般財団法人 日本規格協会
一般社団法人 日本電子回路工業会
一般財団法人 日本科学技術連盟
一般社団法人 静電気学会
日本信頼性学会
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2016 26th RCJ Reliability Symposium
目次

第26回 EOS/ESD/EMCシンポジウム
開催⽇︓ ２０１６年１１⽉２９⽇（⽕） １０︓００〜１６︓４５
会 場︓ ４階コンベンションホール（Ａ会場）
セッション名︓ 「デバイス」（10:10~11:35） 26E-01（10:35~11:00） 26E-02（11:00~11:25） 26E-03（11:25~11:50） 26E-04

セッション名︓ 招待講演
（13:30~14:00）

Invited（14:00~15:00）

Invited

司会︓ 藤原 秀⼆（オン・セミコンダクター）、澤⽥ 真典（阪和電⼦⼯業(株)）「内部電源ノードを⽤いた16nmアナログIPのクロスパワードメインCDM保護設計」
成⽥ 幸輝、奥島 基嗣 （ルネサスエレクトロニクス（株）） ........................ 1「ICパッケージ内部におけるRCトリガ電源保護回路の発振」
⼩沢 忠史、植野 振⼀郎、佐々⽊ 真吾 （（株）メガチップス） .............. 11「P/N ハイブリッドゲートMOSを⽤いた超低消費電⼒ESD保護素⼦」
深作 克彦、巽孝 明、宮崎 俊彦、⼤沼 英寿（ソニーセミコンダクタソリューションズ（株））......................................... 19「CDM耐性改善に向けた先端CMOS電源クランプ設計」
牧野 康幸、前⽥ 敏、⽥中 正徳、⼤塚 容⼦、鵜澤 義仁、森下 泰之（ルネサス システムデザイン (株)） .................................................. 25

司会︓ 磯福 佐東⾄（東京電⼦交易（株））、鈴⽊ 輝夫（（株）ソシオネクスト）
ESDA 2015 EOS/ESD Symposium Best Paper「An Off-Chip ESD Protection for High-Speed Interfaces」
Dr. Guido Notermans（NXP） ....................................................... 33「Physical mechanisms degrading SOA in Power Transistors under ESDConditions」○Dr. Natarajan Mahadeva Iyer, Jian-Hsing Lee and Haojun Zhang（Global Foundries） ................................................................... 43

セッション名︓ 「デバイス＆試験」 司会︓ ⼩⼭ 明（ソニーセミコンダクターソリューションズ（株））、（15:30~15:55）（15:55~16:20）（16:20~16:45）

奥島 基嗣（ルネサスエレクトロニクス（株））
26E-05 「p バラスト800V SCR-JFET動作の詳細検討」
藤原 秀⼆（オン・セミコンダクター） .................................................. 52+

26E-06 「リレーベースESD試験装置における、寄⽣容量に影響を受けた放電波形についての考察」
澤⽥ 真典、三浦 秀明、中尾 春喜、松井 信近（阪和電⼦⼯業（株）） .............................................................. 56
26E-07 「帯電電圧に着⽬した半導体デバイスのESD管理⽅法の考察」
牧 国広1)、 廣瀬 賢司1)、 加来 太1)、若井 伸之2)、 瀬⼾屋 孝2)（1:（株）ジャパンセミコンダクター、2:（株）ストレージ＆デバイスソリューション社） .................................. 62

開催⽇︓ ２０１６年１１⽉３０⽇（⽔） １０︓００〜１６︓３０
会 場︓ ４階コンベンションホール（A会場）
招待講演

司会︓ 若井 伸之（（株）東芝ストレージ＆デバイスソリューション社）「Industry Council ESD Seminar Presented at 2016 RCJ Symposium」（10:00~11:30）
Dr. Charvaka Duvvury, IEEE Fellow .................................................... 69
セッション名︓ 「イオナイザー」 司会︓本⽥昌實 (インパルス物理研究所)（11:40~12:05） 26E-08 「移動している物体の除電をも考慮した新しいイオナイザ評価指標の提案」
杉本 俊之（⼭形⼤学⼤学院理⼯学研究科 電気電⼦⼯学専攻）.......... 86（12:05~12:30） 26E-09 「イオン搬送式イオナイザーの開発-超⾳波を⽤いた静電霧化による粗⼤荷電粒⼦の⽣成-」
鈴⽊政典、 佐藤朋且 （（株）テクノ菱和） ................................... 92
休憩（12:30~13:30）
セッション名︓「イミュニティ（1）」 司会︓⽯塚 裕康(Synaptics Japan)､徳永 英晃(パナソニック AIS社)（13:30~13:55） 26E-10 「導電性複合材料の帯電特性と放電特性に関する研究」
⼤津孝佳、○⼤⽯晋平、⽥代治⼰、藤⽥真太郎（沼津⼯業⾼等専⾨学校） ........................................................ 98（13:55~14:20） 26E-11 「光電界センサによる放電現象のタイムドメイン測定」
⼤津孝佳1、○荻島規宏1、⽥代治⼰1、尾原航平1、⼤沢隆⼆2（沼津⼯業⾼等専⾨学校１, （株）精⼯技研2） ............................. 102（14:20~14:45） 26E-12 「帯電導体板上の絶縁体の逆帯電について その2」
宮本 佳明（阪和電⼦⼯業（株）） ............................................ 106「⾼電⼒伝送中の同軸線路の同相信号を電流プローブで測定する」（14:45~15:10） 26E-13
磯福 佐東⾄（東京電⼦交易（株）） ......................................... 110
セッション名︓ 「イミュニティ（2）」
司会︓ ⼤津 孝佳 （沼津⼯業⾼等専⾨学校）「ＥＳＤ事象による装置誤動作について」（15:40~16:05） 26E-14
本⽥ 昌實（（株）インパルス物理研究所） .................................... 116（16:05~16:30） 26E-15 「放電電流プローブによる2端⼦抵抗デバイスからの放電検出」
早⽥ 裕 （プローブテック(株)） ................................................... 122

第２６回 電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム
開催⽇︓

２０１６年１１⽉２９⽇(⽕) １０︓４５〜１６︓４５

会 場︓

４階コンベンションホール（B会場）

セッション名︓ 「デバイスの発熱解析」 司会︓ ⼤⽇⽅ 浩⼆（ソニーセミコンダクターソリューションズ（株））(10:45~11:15) 26S-01 「光学プローブ反射率測定による半導体パワーデバイスの熱解析(OPTIM / OPTW)」
遠藤 幸⼀ 1，瀬⼾屋 孝 1，中村 共則 2，松本 徹 2，越川 ⼀成 2，中前 幸
治 3 （1︓（株）東芝ストレージ＆デバイスソリューション社、2︓浜松ホトニクス株式会社 システム事業部、3︓⼤阪⼤学 ⼤学院情報科学研究科） ................... 127(11:15~11:45) 26S-02 「ロックイン発熱解析(LIT)を⽤いた解析システムの確⽴」
⼭本 剣、味岡 恒夫、⾼森 圭、今井 康雄（沖エンジニアリング（株）） ... 133

機能安全セミナー︓ 「機能安全とリスクマネジメントと半導体 LSI のソフトエラーと ISO 26262 での対応」
司会︓塩野 登（ＲＣＪ）(13:30~14:30) 「機能安全とリスクマネジメント―製品に係る個⼈及び集団のリスクについて―」佐藤 吉信 （元東京海洋⼤学）...................................................... 141(14:30~15:30) 「半導体LSIのソフトエラーとISO 26262での対応」
塩野 登 （RCJ） ....................................................................... 154
休憩（15:30~15:45）
セッション名︓ 「デバイス・実装信頼性」
司会︓ ⽳⼭ 汎（RCJ）(15:45~16:15) 26S-03 「直交表を⽤いたパワーデバイス IGBT の信頼性評価」
⻫藤 貴之、鈴⽊ 啓修 （（株）村⽥製作所） ............................ 166(16:15~16:45) 26S-04 「半導体製品におけるガス腐⾷耐性と実使⽤上の問題点」
飯塚 和宏、知野 泰弘、福⼠ 俊光、 瀬⼾屋 孝（（株）東芝ストレージ＆デバイスソリューション社） ............................. 172

開催⽇︓

２０１６年１１⽉３０⽇(⽔) １０︓００〜１６︓４５

会 場︓

４階コンベンションホール（B会場）

信頼性セミナー︓ 「“次世代パワー半導体の信頼性”と“LSI信頼性”」