フォトポリマー懇話会 ニュースレター № 62

The Technical Association of Photopolymers,JapanŏŰįķĳ April 2013

フォトポリマーの未来

フォトポリマー懇話会

鴨志田
1 ．はじめに
日本経済の行き詰まりは深刻で、世界の中で日本の経済的な地位は低下している。たとえば、一人当たり
GDP の世界ランキングでは、2000年 3 位に対し、2008
年 23 位、世界 GDP に占めるシェアの推移では、1990
年 14.3%、2008 年 8.9%、IMD 国際競争力順位では 1990
年 1 位、2010 年 27 位といずれも大幅に低下している（IMF World Economic Outlook Database）。一人当たり
豊かさも低迷している。しかも、この行き詰まりは一過性のものではなく、構造的問題が存在していると考えられる。すなわち、①産業構造全体の問題、②企業のビジネスモデルの問題、③企業を取り巻くビジネス
インフラの問題である。詳述はしないが、例えばインフラについては、次のようなことが言える。アジアの国々では自国の産業活性化のため法人税負担の低減化が進む中で、我が国の法人税負担は国際的に最高位に位置している。また、物流インフラの競争力も低下しており、日本における事業コストが高いという結果になっている。
この構造的問題を克服するためには、単なる対症療法ではなく、政府と企業が持ちうるすべての叡智を結集する必要があると思われる。
2 ．フォトポリマー関連業界の課題
先に述べた産業構造の縮図といえるのが化学産業、
特にフォトポリマー関連業界であるといえる。その解決すべき課題として次のようなことがあげられ、根本的な対応が求められる。

会長

洋一

2 . 1 保全されるべき技術の漏洩
半導体やフラットパネルディスプレイの先端分野は技術革新が激しく、研究成果は特許をはじめとする
知的財産として権利化され、基本的には保護されるが、十分ではない。デバイスやパネルの生産が東南アジアを中心に国外に移行しているため、フォトレジス
ト等の材料の生産が日本国内にあっても、それがデバ
イス等の生産地に輸出されることになるため、その機密保持には困難さを伴う。すなわち、CSR（Corporate
Social Responsibility）などの観点から、製品納入に際しては、MSDS （Material Safety Data Sheet） をはじめとして、組成、製造工程等の品質管理の製造に関わるデー
タ開示を要求される。結果として国外への技術漏洩という事態に繋がりうる。また、技術者が技術指導の名目で、競合他社に機密情報を漏洩する。あるいは機密情報を持ったまま転職するといった技術者倫理に反す
る反社会的行為が日本の産業競争力低下に拍車をかけたのも歴史的事実である。先端技術の蓄積は競争型の国際社会にあって、我が国の社会的資産として必須のものであるにも拘らず、その保持は経済原理に委ねたままになっている。
2 . 2 セットメーカーの競争力の低下
従来はピラミッド構造垂直統合・自前主義モデル
で、デバイス・パネル等のセットメーカーは、擦り合
わせによる生産性向上で、同業種間で切磋琢磨し、一方、部品・部材・製造装置メーカーは強いセットメー
カーに鍛えられて、共に発展してきた。しかしながら、今日では、世界のビジネスモデルの変化に対しフォトポリマー懇話会 ニュースレター № 62て、セットメーカーは成長新興国への対応についてゆ
けず、世界市場のシェアを喪失している。一方、部品・部材・製造装置メーカーは新興国企業との果てしない生産コスト競争により疲弊し、賃金も低迷している。セットメーカーが負けると周回遅れで共倒れの恐れがある。部品・部材メーカーは今のところ持ちこた
えているが、製造装置事業分野では陰りが見え始めている分野もある。イノベーションが停滞してくるようになると苦境に陥ることは時間の問題になり、高付加価値事業分野といえども、事業を取り巻くインフラの不利が時間と共に致命的となってくる。
2 . 3 部材供給者の競合と収益力の低下
我が国の産業界においては、同じ製品市場に多くの企業が犇めく傾向がある。フォトレジスト等の機能性素材の国内メーカーが比較的元気な分野でも同様である。この結果、供給力に余剰が生じて収益率が低下したり、設備や研究開発投資が分散する結果、国全体として将来的には、研究の重複や投資において規模の面で非効率が生じたりしてくる恐れがある。
今後、製品・事業分野での規模拡大にあたっては、企業間の連携、事業部門の交換等による競争力向上、競争劣位の分野からの撤退等も含めて、「選択と集中」の質を国策的に高めていく必要がある。
2 . 4 国策レベルのリーダーシップの欠如
資源がほとんどない我が国が技術立国、イノベー
ションの積み重ねで、産業競争力を回復させていくた
めには、円安・インフレの応急処置は必要としても、さらに根本的な国策レベルでのリーダーシップが必要であると思われる。半導体分野で言えば、1970 年代の超 LSI 研時代には各企業に分担して任せることでうまく発展することができたが、現在では、EUVL の技術開発に見られるように超大型の投資が必要な場合が多いし、このリスクは個々の企業の経営判断の域を超えるレベルになっている。国策レベルできちんとした
リーダーシップを発揮すべき時になっていると思われる。
3 ． フォトレジストのイノベーションの実現速度
3 . 1 半導体分野のフォトリソグラフィ
ゴム系ネガ型フォトレジストを用いたコンタクト露光方式から始まり、g- 線、i- 線投影露光方式、KrF、ArF エキシマレーザ光源、ステッパー、スキャナー、
液浸と大きなイノベーションの積み重ねで、今日のマイクロエレクトロニクス（ME）の発展が実現されてきている。現在、次世代リソグラフィの本命として
EUVL の技術開発が精力的に続けられているが、特に光源、レジスト等において、さらに大きなイノベーションが必要であり、開発遅れが生じている。遅れる
ことによりターゲットはさらに微細化し、厳しい状況が続いている。
フォトレジスト材料開発は ArF 液浸の延長線上の化学増幅型の材料を中心に進んでいるが、ここにきてウェット現像の限界が見えているようにも思える。現像プロセスは可溶部が現像液に溶解していく過程であるから、通常は可溶部に溶剤（現像液：アルカリ水溶液）が浸透していき、分子（あるいはクラスター）同士の相互作用がなくなったところで溶解していき、溶剤が浸透しても溶解していかなかった部分がレジストパターンとして残ると考えられる。したがって、溶解するかしないか微妙な膨潤した境界層が存在し、これがエッジのデフィニッションを不明確にし、パターン
エッジラフネスの悪化を招いている。分子レジストといえどもそのサイズは nm オーダであり、2X、1Xnm
ノードへとパターンの微細化に伴って、少なく見積
もっても分子サイズの何倍かはある境界層の厚みが、パターンエッジのラフネスの許容範囲を超えてしまっているのは想像に難くない。現像液を用いるウェット
現像のプロセスはこの辺が限界なのかもしれない。
現像液を使わないドライ現像プロセスは、現状では微細部分では多層レジストのプロセスとなっており、高いハードルはない。最初のイメージングプロセスにアイデアがあるかどうかだが、これももちろん大きな
イノベーションを必要とする。ナノインプリントの技
術も現像液を使わないプロセスで有望だが、これは別の意味でハードルが高い。半導体分野の微細化の歴史の中で、常識的にはもう限界と思われる壁が何回もあったが、多くの研究者の努力で、その壁を乗り越えて、ArF 液浸マルチパターニングまで来ているのも事実である。EUVL の量産化適用の成功を期待したい。
3 . 2 デバイスの大容量化、高速化、低コスト化
2006 年 に 人 間 社 会 が 記 憶 す べ き 情 報 量 の 総 量 は180EB（エキサバイト：1 エキサバイトは 1,000PB（ペタバイト）または 100 万 TB）で記憶媒体の総容量とほぼ同じだった。それが 2011 年までの 5 年間で人間社会が記憶しておくべき情報量は 10 倍に増え、1,800EB に達するという。モバイル端末で動画を含めた画像処理が急拡大し、大容量化、高速化のニーズは衰えを見せない。したがって、これを低コストで実現するため、微細化、高密度化のニーズが依然として高い。
3 . 3 フラットパネルディスプレイ
テレビ、PC 端末等においては、大画面、高精細、応答速度に関しては、行き着くところまで来ており、低コスト化だけが残った。機能優位ではなく、ハイボリュームゾーンに入ると事業インフラにかかるコストが、直接に事業利益に影響し事業継続を不可能にす

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る。4K テレビに代表される高精細化、3D テレビのような高機能化などの流れはあると思われ、実際に技術開発が進んでいるが、主流になれるのかは疑問である。この分野では、半導体分野の微細化での要素技術のイノベーション実現のような困難さは見られない。
スマートフォン、タッチパネル端末等のモバイル端
末は、電池容量の観点から省エネルギーが一層求められ、この方向での技術、システム開発が続けられている。このようなサスティナビリティへのさらなるイノ
ベーションを効果的に実現していくことが鍵となる。
4 ． 今後の対応の方向性
今後の対応の化学産業の方向性をまとめると、①国
際展開、②高付加価値化（ビジネスモデル・企業間連携）、③サスティナビリティ（資源・エネルギー、環境・安全安心）の向上、④技術力の向上の 4 つとなる。
グローバリゼーション、イノベーションとサスティ
ナビリティが重要である。グローバリゼーションには、
単なるグローバル化ではなく、全人類約 70 億人の我が国と異なった環境に生きている人々をも意識した事
業展開をすることが必須である。資源エネルギー分野
でのサスティナビリティも重要であり、エネルギー密度が希薄で、不安定な太陽電池等の再生可能エネル
ギーを利用するためのイノベーションの実現が最大の課題となってくる。
大きな化石エネルギー消費をしている自動車燃料の安定な太陽電池等の再生可能エネルギーを利用するための部材、平準化のための蓄電デバイス、システムを構成するマイクロエレクトロニクス（ME）などを実現する代替エネルギーとしてのリチウム電池、燃料電
池、不安定な太陽電池等の再生可能エネルギーを利用するための部材、平準化のための蓄電デバイス、シス
テムを構成するマイクロエレクトロニクス（ME）などを実現することが生き残りのためには不可欠であり、いずれも大きなイノベーションが必要である。
国と企業の壁、省庁の壁、国と地方の壁を越え、グ
ローバル大競争時代に打ち勝つ戦略の構築と実施が不可欠である。これまで市場原理に委ねてきた政府の役割を転換し、投資の規模とスピード、分野等の戦略策
定に積極的に関与すべきではないだろうか。ただ、できる人材の育成・確保がまず必要である。
これまでマイクロエレクトロニクス（ME）、特にデバイス・パネル分野でのイノベーション実現に、重要な役割を果たしてきたフォトポリマー技術は、未来に向けてサスティナビリティへのさらなるイノベーショ
ンを効果的に実現する有効なリソースであり、これを活用することで、より付加価値を高めていくことができる。ここが我々フォトポリマー懇話会の活躍すべき舞台である。上述の方向性を踏まえて、当懇話会を運営していきたいと思いますので、皆様方のご協力をお願いしたい。

【研究室紹介】東京理科大学理学部・青木研究室
東京理科大学・理学部第二部化学科 講師

1 ．はじめに東京理科大学は、1881 年に 19 名の青年理学士ほか 2名が、理学の普及を目指し「東京物理学講習所」（ 2年後に「東京物理学校」に改称）を設立したことに端を発します。1949 年、学制改革により東京理科大学となり、私たちが所属する理学部（第一部（昼間部）、
第二部（夜間部））が完成しました。現在では、学部生、大学院生合わせて 2 万人を超える学生が在籍し勉学に励んでいます。当研究室は 2 年前に設立したばかりですが、配属学生総数はすでに 25 人にのぼります。
私たちが研究の共通キーワードとして掲げているのが、「高分子」、「分子集積」、そして「光」です。すな
わち、分子や官能基を所望の位置にナノレベルで配置、集積させることにより、これまでにない特異的な青木 健一

光化学反応を誘起したり反応制御を行ったりすることが当研究室の根本理念です。今回はその中から、主にフォトポリマーに関連する研究トピックスをいくつか紹介いたします。
2 ．デンドリマーの大量合成および機能化に関する研究前職時代 *、私は化学増幅型レジストの高性能化に関する研究を行っていましたが、なかなか思うような成果は得られませんでした。そんな中、突破口として注目したのが多分岐型ポリマーでした。ポリマー末端に官能基を偏在させることで高い反応活性が得られると考えたからです。まず 3 、 4 官能性のプロトタイプ
化合物を用いて試験的に研究を進め、次第に末端数を

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増やした多分岐化合物へと展開していきました。当初
は、「世代数は小さく分子量分布は大きい」という、とても「デンドリマー」と言えるようなものではありませんでした。手探りで研究を続け、ようやく「デンドリマー」と呼んでも恥ずかしくない球状高分子化合物を大量合成できるようになりました。
* 東邦大学理学部・先進フォトポリマー研究部門特任講師（2004 ～ 2010 年度）
2 - 1 ． 多段階交互付加（AMA）法によるデンドリマーの大量合成
デンドリマー型フォトポリマーを開発するにあたって、最大の課題となったのが大量生産性でした。当時

すでに、デンドリマー合成に関する学術論文は多数報告されていましたが、簡便に大量合成できる手法はほとんどありませんでした。
また市販品は驚くほど高価で、フォトポリマー原料
としては不向きでした。そんな中、昭和電工株式会社からイソシアネートモノマー・カレンズ BEI が供給されていることを知りました。 2 つのアクリル基とイソ
シアネート基を有するユニークな分岐化合物で、何とかビルディングブロックとして利用できないかと考えました。結果的には図 1 に示すような方法で、カラム
クロマトによる単離精製を一切行うことなく容易にデンドリマーの世代拡張を行えるようになりました。

図 1．多段階交互付加 （AMA） 法によるデンドリマーの大量合成
本手法は、アクリル基とメルカプト基間でのマイケ
ル付加反応、および水酸基とイソシアネート基間でのウレタン形成反応を交互に多段階で繰り返すのが特徴的です。いずれの反応も収率 100% で進行する付加反応であるため、脱離基も副生成物も一切生じません。
私たちは、この新しいタイプのデンドリマー合成法を「多段階交互付加（Alternate Multi Addition, AMA）法」と名付けました。当研究室が発足し、配属学生が熱心に合成条件の最適化を行ってくれました。その成果が実を結び、今ではワンポットで簡便に世代拡張を行う
ことが可能になりました。現在は、AMA 法により合成可能なデンドリマーの化学構造にバリエーションを持たせるなど、さまざまな可能性を検討しています。
2 - 2 ． デンドリマーの機能化
AMA 法により大量合成可能なデンドリマーは、世代拡張に伴い末端官能基に水酸基とアクリル基が交互に現れます。そのため、エステル化反応やマイケル付

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加反応により容易にデンドリマーの末端修飾が可能です。そこでつぎに、得られたポリオール／ポリアクリ
レートデンドリマーを骨格母体として利用することにより、さまざまな機能性デンドリマーの創製を試みました。
まず手がけたのが、末端にエン部位を導入したデンドリマーです。このようなポリエンデンドリマーを汎用のポリチオール誘導体、および光重合開始剤とともに塗膜処理して用いることにより、高性能なエン・チ
オール紫外線硬化材料として機能することがわかりました。デンドリマー末端にエン部位が局所濃縮されているため、光硬化速度が大幅に向上するとともに、デンドリマー構造に由来して重合収縮率も低減できることがわかりました。大量合成可能なデンドリマーを用いることにより、「迅速に光硬化し縮みにくい」という高性能な紫外線硬化材料を創製することができました。
ケイ皮酸末端を有するデンドリマーも合成しました。ケイ皮酸は、紫外光照射により光異性化反応と光二量化反応という 2 種類の光反応を起こしますが、大変興味深いことに、デンドリマーの 3 次元構造に由来
して、これらの光反応性を制御できることがわかってきました。まだ希薄溶液系での知見ではありますが、
デンドリマー末端のコンフォメーションに応じて、光異性化反応のみを進行させたり、逆に分子間光二量化反応を優先的に進行させることが可能となりました。
将来的には、薄膜中でも同様な光反応制御を試みてみたいと考えています。デンドリマーのコンフォメー
ションを自在に操り、ケイ皮酸の光反応を制御することが可能になれば、液晶配向膜をはじめとする機能性
薄膜への応用展開にも道が開けると考えています。
その他、フォトポリマー系以外にも、末端に水素結合受容能を備えたデンドリマーや種々のフォトクロ
ミック部位を有するデンドリマーなど、多彩な球状ナ
ノ集積体を得ることができており、現在、それらの特性を詳細に調べています。
3 ．光重合性ゲル化剤の高性能化
本研究テーマは、私が、独立行政法人・産業技術総合研究所にポスドクとして勤務していたとき（2002 ～2004 年度）に得られた研究成果がモチーフとなっています。幸いなことに、2010 年度から、関連研究テー
マが「物質デバイス共同研究拠点課題」に採択され、北海道大学・電子科学研究所（玉置信之教授）との共同研究という形で 6 年ぶりに復活することになりました。ポスドク時代、任期の都合で、わずか半年で惜し
くも終焉を迎えることになった本研究テーマを、こういった形で研究室発足とともに再スタートできたことは、まさに感無量でした。
本研究でまず試みたのは、光重合性を有するジアセ
チレン誘導体の化学構造をできる限りシンプルにしたゲル化剤を開発することです。試行錯誤の末、図 2 に示すようなさまざまなジアセチレンゲル化剤を合成することができました。

図 2．当研究室で合成したジアセチレンゲル化剤の化学構造

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化学構造が単純化されているため、ゲル化挙動を分子レベルで議論できるようなりました。そればかりではなく、光重合性の制御も可能となってきました。例
えば、図 2 のゲル化剤 1 では、アルキレン鎖長（n ）の偶奇性により、光重合可能かどうかが決まりますが、ゲル化剤 2 および 3 では、アルキレン鎖長の偶奇性によらず、効率の良い光重合が進行します。おそらく、ゲル化剤 2 および 3 の場合では、分子どうしが密にパッキングした一次元連鎖が形成するためだと考えています。現在は、ゲル中でジアセチレン分子の一次元配列を精密に規定することにより、より効率の良い光重合反応を誘起すること、および得られるπ共役連鎖の長さを制御することを目標に、当研究室の多くの学生たちが日々研究に取り組んでいます。
4 ．おわりに振り返ってみれば、デンドリマーに関する研究も、
ジアセチレンゲル化剤に関する研究も、本格的に取り組めた期間はまだ 5 年程度です。決して長く歴史のある研究とは言えません。市村國宏先生（東京工業大学名誉教授）、玉置信之先生（北海道大学教授）、関隆
広先生（名古屋大学教授）をはじめとする先生方、ポスドク時代、私を支えてくださった多くの産総研の研究員の方々、諸先輩方や企業の方々の多大なご支援があってこそ、これほどまで短時間で実り多い成果が得られたと考えています。そして忘れてはならないのが、まだまだ不完全な新設研究室に率先して配属志願
してくださった優秀な学生諸氏の存在です。とりわけ2 年前、何もない更地の研究室を一から立ち上げてくださった 11 人の初年度学生にはいくら感謝してもしきれません。多くの方々の協力のおかげで、当研究室もようやく軌道に乗り始めました。人脈はかけがえのないものだと改めて感じます。今後とも、みなさまのご支援、ご鞭撻をいただければ幸いです。どうぞよろしくお願いいたします。

図 3．青木研の人々

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【新商品紹介】光塩基発生剤（WPBG シリーズ）
和光純薬工業株式会社 化成品研究所

1 ．はじめに塩基を用いたエポキシやイソシアネートなどの架橋反応は、接着剤から塗膜まで幅広く応用されている。
これらは使用前に 2 液を混合する処方が一般的であるが、ポットライフが短く、使用方法に制限が生じる。
もし適切な光潜在性塩基の開発により、ポットライフ
が延長できれば、必要なときに硬化が開始できるため応用範囲は広がる。
一方、エポキシの UV 硬化は、光酸発生剤（PAG）から発生する強酸による開環重合法が既に実用化されている。上記は酸素阻害が無く、迅速で優れた手法であるが、樹脂中に残存する強酸による金属の腐食が問題となっている。
これらの問題を解決すべく、当社は、長年培った重合開始剤の合成技術を応用して、東京理科大学・理工学部の有光准教授と共同で、光塩基発生剤（PBG）の製品化に至っている。
2 ． PBG の分類
PBG は、非イオン型とイオン型に大別することができる。非イオン型 PBG は、結合様式別でカルバメー
ト、アミド、O- アシルオキシムなどに細分化される。
また光によって塩基性が増強するN- メチルニフェジ
ピンなども存在する。イオン型 PBG は、アニオンとカチオンのいずれかに感光性を有しており、金属アン
ミン錯体、α - ケトアンモニウム、ベンジルアンモニ
ウム、アミンイミド、アンモニウムボレートが知られている。
3 ． PBG の用途
PBG から発生する塩基を用いた UV 硬化の用途は、電子材料分野が大半を占めており、使用される樹脂やその目的としては、レジストにおける PAG から発生した酸のクエンチャー、エポキシやイソシアネートやシロキサンなどの架橋反応、ポリアミック酸からポリイミドへのイミド化触媒として使用するケースが多い。
4 ． 和光純薬の PBG
当社では、ユーザーの多様なニーズに対応するため、様々な吸光団とアミンの組み合わせによる潜在化を検討し、現在までに数百種類の PBG ライブラリーを構築している。

酒井 信彦

非イオン型 PBG を中心としたライブラリーでは、
最もベーシックな PBG として、o- ニトロベンジルカ
ルバメート型の WPBG-165 がある。重合性官能基のメ
タクリル基を有しており、高分子中に PBG を導入することが可能である。短波長の吸収帯を有するためレ
ジスト材料として最適である（図 1）。

アントラセン骨格を有する WPBG-018 は、365nm 付
近まで感光域を有しており、高い耐熱性と良好な溶解性を示すため、国内外問わず根強く支持されている（図 2）。

エポキシ樹脂を硬化させる場合、PBG から発生するアミンが 1 ～ 2 級アミンの場合は、エポキシ 1 分子
又は 2 分子と架橋するが、あくまで化学量論的な反応であるため、連鎖的な反応は起こらない。アントラキ
ノン骨格を有する WPBG-140 は、求核性の高いイミダ
ゾールが発生するため、加熱によって連鎖的な反応が可能となる（図 3）。

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先に紹介したようなカルバメート型 PBG の場合、塩基の発生に伴って炭酸ガスが発生するため、接着分野では気泡が問題となる。有光准教授が開発した
WPBG-027 は、光異性化でクマリン環を形成する際に塩基が発生するため、アウトガスがないことが特徴である ( 図 4)。

図2

BPA エポキシ

多官能チオール

WPBG-225

最近、有光准教授は、光照射によって安息香酸誘導体が分子内で環状エステル化することを見出している。本機構を応用した WPBG-246 は、ケトプロフェン型 PBG の欠点であった炭酸ガスの問題も解決できる（図 7）。

これまでのイオン型 PBG は、発生できる塩基の種類に限界があった。有光准教授は、ケトプロフェン
が迅速に光脱炭酸（φ313 = 0.78）することに着目し、種々のアミンと塩を形成することであらゆる種類の塩基を簡便に発生させることに成功している。これによって、従来は困難とされていたアミジン、グアニジ
ン、ホスファゼンなどの有機強塩基の光潜在化を達成している（図 5 ）。
5 ． おわりに各社から PBG の引き合いを頂き、各分野での基礎的な研究が開花しつつある。一部では工業化も達成
し、今後は研究用試薬としての販売も予定している。
これまで当社が培ってきた技術で皆様の要望に 1 つず
つ応えていき、日本の技術の発展に寄与できれば幸いである。

従来の PBG は、溶解性に乏しい粉体であることが多く、各種モノマーに直接溶解させることが困難である。当社は、ケトプロフェンの対カチオンに種々の改良を加えることで、ビスフェノール A 型（BPA）エポ
キシに直接溶解できる WPBG-225 を開発した。架橋剤に多官能チオールを併用すれば、無溶剤条件下、室温
15 ～ 20 分で UV 硬化が可能となる（右上の図 6）。

[WPBG シリーズに関するお問い合わせ ]和光純薬工業株式会社
化成品事業部 マーケティング部〒103-0023 東京都中央区日本橋本町二丁目 1 番 7 号
タケダ本町ビル
Tel : 03-3244-0305
URL : http//www.wako-chem.co.jp
e-mail : spec-chem@wako-chem.co.jp

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【第30 回国際フォトポリマーコンファレンス】
マイクロリソグラフィー、ナノテクノロジーとフォトテクノロジー 材料とプロセスの最前線

会期 6 月 25 日（火）～ 28 日（金）会場 千葉大学けやき会館（千葉大学西千葉キャンパス）主催 CPST（The Conference of Photopolymer Science andTechnology）
共催 フォトポリマー懇話会
後援 千葉大学
協賛 応用物理学会、日本化学会、 高分子学会
テーマ
A . 英語シンポジウム
A1. Next Generation Lithography （Directed Self
Assembly （DSA）） and Nanotechnology
A2. Nanobiotechnology
A3. Advanced Materials for Molecular Device andTechnology : Materials for Photoelectric Conversion
A4. 193 nm and Immersion Lithography/ Double
Patterning
A5. EB Lithography
A6. Nanoimprint Lithography
A7. EUV Lithography
A8. Chemistry for Advanced Photopolymer Science
A9. Photofunctional Materials for Electronic Devices:
Materials for Photoelectric Conversion
A10. General Scopes of Photopolymer Science andTechnology
P. Panel Symposium “Application of Directed Self
Assembly Materials”
B . 日本語シンポジウム
B1. ポリイミド及び高温耐熱樹脂－機能化と応用
B2. プラズマ光化学と高分子表面機能化
B3. 光機能性デバイス材料
B4. 一般講演（1）光物質科学の基礎（光物理過程、光化学反応など）（2） 光機能素子材料（分子メモリー、 情報記録材料、 液晶など）（3） 光・レーザー・電子線を活用する合成・重合・パターニング（4） フォトファプリケーション（光成形プロセス、リソグラフィ）（5） 装置（光源、照射装置、計測、プロセスなど）

参加費

5 月31日まで 41,000 円（Whole conference）、
35,000 円（Conference）
6 月 1 日以降 46,000 円（Whole conference）、
40,000 円 （Conference）

参加申込
http://www.ao.u-tokai.ac.jp/photopolymer/p.htm をご覧いただくか事務局（TEL : 043-290-3366）までお問い合わせ下さい。
展示会
コンファレンス期間中、展示会を併設します。
展示会出展企業を募集いたします。下記事務局にお申し込み、または問い合わせ下さい。
第30回 国際フォトポリマーコンファレンス事務局〒263-8522 千葉市稲毛区弥生町 1-33
千葉大学共生応用科学専攻 唐津 孝
TEL : 043-290-3366 FAX : 043-290-3401
E-mail : karatsu@faculty.chiba-u.jp

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フォトポリマー懇話会 ニュースレター № 62

【会告】【平成 25 年度総会のご案内】【第 198 回講演会】

下記の通り平成 25 年度フォトポリマー懇話会総会を開催します。ご出席いただきたくお願いいたします。
フォトポリマー懇話会会長 鴨志田洋一

日時： 6 月 13 日（木）会場：森戸記念館
テーマ：『光デバイスを支える周辺材料（仮題）』
参加費：会員： 1 社 2 名まで無料（要、会員証呈示）
非会員：3,000 円、学生：2,000 円（いずれも予稿集代を含む）
申込方法：
ホームページ（http://www.tapj.jp）のメールフォー
ムにて送信、又は氏名・所属・連絡先を明記の上 FAX
にて事務局（043-290-3460）まで。
定員：95 名（定員になり次第締め切ります）

日時： 4 月 18 日（木）13 時から
会場：森戸記念館 第一フォーラム
議事：
1 ．平成 24 年度事業報告承認の件
2 ．平成 24 年度収支決算ならびに年度末貸借対照表
承認の件
3 ．平成 25 年度事業計画および予算案承認の件、 他【第 197 回講演会】
日時： 4 月 18 日（木）13 時 30 分から
会場：森戸記念館
テーマ：『次世代リソグラフィ技術の展開』
プログラム：
1 ） 先端レジスト材料の動向 大阪大学 遠藤政孝氏
2 ） ナノインプリント技術の最前線（仮題）
産総研 廣島 洋氏
3 ） 自己組織化（DSA）技術（仮題）
東芝 浅川鋼児氏
参加費：会員： 1 社 2 名まで無料（要、会員証呈示）
非会員：3,000 円、学生：2,000 円（いずれも予稿集代を含む）
申込方法：
ホームページ（http://www.tapj.jp）のメールフォーム
にて送信、又は氏名・所属・連絡先を明記の上 FAX
にて事務局（043-290-3460）まで。
定員：95 名（定員になり次第締め切ります）

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