自己点検評価報告書

9.

Report of Self-Evaluation
9.1

外部資金獲得状況
Acquired External Funds(1) 科学研究補助金※金額は令和元年度分

1. 科学研究費補助金新学術領域研究 (研究領域提案型), 平成 28〜令和 2 年度,「特異構造を含む
異種接合の界面制御と電子デバイス展開」，代表者：橋詰 保，9,800 千円．
2. 科学研究費補助金新学術領域研究（研究領域提案型），令和元年〜令和 2 年度，「GaN による特異構造を利用した縦型 FET の作製と高性能化に向けた評価技術の検討」，代表者：本久順一，2,080 千円.
「知能コンピューティングを加速する自己学習
3. 科学研究費補助金基盤研究 (S)，令和元年度，
型・革新的アーキテクチャ基盤技術の創出」，(代表者：本村 真人)，分担者：池辺 将之，6,000
千円.
「半導体ナノワイヤによる Si 基板上
4. 科学研究費補助金基盤研究 (B)，平成 29〜令和元年度，
発光デバイスの研究」，代表者：本久 順一, 4,940 千円.
「使い易いマン・マシンインターフェー
5. 科学研究費補助金基盤研究 (B)，平成 30〜令和 2 年度，
スのための適応型非線形筋電検出技術の開拓」，代表者：葛西 誠也, 5,200 千円.

6. 科学研究費補助金基盤研究 (B)，平成 29〜令和元年度, 「深層畳み込みニューラルネットと
有用画像処理における共有演算能力の相互変換手法」, 代表者：池辺 将之, 3,100 千円.
「シリコン上の縦型ナノワイヤスピン
7. 科学研究費補助金基盤研究 (B)，平成 29〜令和元年度，
トランジスタのボトムアップ集積」，代表者：原 真二郎, 3,300 千円.
「自己停止酸化機構を利用した窒化物
8. 科学研究費補助金基盤研究 (B)，平成 29〜令和元年度，
半導体低損傷加工プロセスの開発とトランジスタ応用」，代表者：佐藤 威友, 3,100 千円.
「Si/III-V 異種接合によるナノワイ
9. 科学研究費補助金基盤研究 (B), 令和元年〜令和 3 年度，
ヤ縦型トンネル FET 立体集積回路技術の確立」，代表者：冨岡克広、10,790 千円.

233− 233 −

10. 科学研究費補助金挑戦的研究（萌芽）, 令和元年〜令和 3 年度，「超高速共鳴トンネルトラン
ジスタの開発」，代表者：冨岡克広，2,600 千円.
11. 科学研究費補助金挑戦的研究（萌芽），令和元〜2 年度，「専門用語の知識保全エコシステムを有する特定研究グループ向け論文・図表 DB の研究」，(代表者: 吉岡 真治), 分担者:原 真
二郎，800 千円.

(2) 共同研究※金額は令和元年度分

1. 民間との共同研究（住友電気工業），「GaN トランジスタのゲート絶縁膜構造の検討に関する研究」，代表者：橋詰 保．
2. 民間との共同研究（三菱電機），「GaN トランジスタノーマリーオフゲート構造開発」，代表者：橋詰 保．
3. 民間との共同研究（サイオクス），「GaN 系ヘテロ構造の表面・界面評価に関する研究」，代
表者：橋詰 保．
4. 民間との共同研究（富士通），「フィジカルリザバーコンピューティングに関する研究」，代表者：葛西 誠也，710 千円．
5. 民間との共同研究（サイオクス），「GaN の光電気化学エッチングに関する研究」，代表者：
佐藤 威友．

(3) 政府・民間からの助成金※金額は令和元年度分

1. NEDO P16007 高効率・高速処理を可能とする AI チップ・次世代コンピューティングの技「革新的 AI エッジコンピューティング技術の開発／ AI エッ術開発，平成 30 年〜令和 3 年，
ジデバイスの横断的なセキュリティ評価に必要な基盤技術の研究開発／電気的読出し技術」，
葛西 誠也，21,551 千円．
2. 東芝メモリ受託研究 平成 30 年度, 「有用画像処理と DCNN の相互変換技術と悪環境下への最適画像処理」, 池辺 将之, 1,080 千円．
3. 文部科学省科学技術試験研究委託事業, 平成 28〜令和 2 年度,「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 (パワーデバイス・システム領域)」（研究代表者: 加地 徹）, 研
234− 234 −

究分担者：赤澤 正道, 佐藤 威友, 10,000 千円.

4. 公益財団法人 矢崎科学技術振興記念財団：第 34 回 (2016 年度) 一般研究助成（新材料）, 平
成 28〜令和元年度, 「高品質狭ギャップ化合物半導体ナノワイヤ材料の創生と省エネルギー
電子素子応用」冨岡 克広, 2,000 千円．
5. 公益財団法人村田学術振興財団第 35 回研究助成, 平成 31 年度,「磁区制御された強磁性 CoFe
電極による半導体 InAs ナノワイヤスピントランジスタの研究」原真二郎, 1,150 千円．
6. 公益財団法人東電記念財団基礎研究助成，平成 30〜令和元年度，「新しい半導体接合による低電圧スイッチ素子の高性能化に関する研究」，冨岡克広，4,000 千円．
7. 一般財団法人テレコム先端技術研究支援センター SCAT 研究助成，平成 30〜令和 2 年度，「化合物半導体ナノワイヤによる立体縦型トランジスタ高速 CMOS 技術の確立」，冨岡克広，
800 千円．
8. 公益財団法人旭硝子財団研究助成，令和元〜3 年度，「ナノワイヤトンネル接合による相補型
ミリボルト スイッチ集積技術に関する研究」，代表者：冨岡 克広, 2,000 千円．
9. キオクシア株式会社受託研究，令和元〜2 年度，「化合物半導体ナノワイヤによる高速縦型トランジスタ CMOS 回路技術」，代表者：冨岡 克広，1,100 千円．

235− 235 −

9.2

論文リスト
List of Papers

発表論文数(1) 学会誌論文等(2) 国際会議における講演
うち招待講演(3) 研究会等における講演(4) 国内学会における講演発表2019 年 4 月〜2020 年 3 月
24 件
46 件
12 件
7件
41 件

1991 年 4 月〜2019 年 3 月
1453 件1767 件
360 件
334 件
1858 件(1) 学会誌論文等 (カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)
1.(1454) 冨岡克広:「III-V 族化合物半導体ナノワイヤトランジスタ集積技術（解説記事）」応用
物理 第 88 巻 4 号、pp. 245 – 251 (2019).
2.(1455) K. Tomioka, H. Gamo, J. Motohisa:
Vertical Tunnel FET Technologies using
III-V/Si heterojunciton, ECS Trans., Vol. 92, pp. 71–78 (2019).
3.(1456) K. Fukuda, H. Asai, J. Hattori, M. Shimizu, and T. Hashizume: A time-dependent
Verilog-A compact model for MOS capacitors with interface traps, Jpn. J. Appl.
Phys. Vol. 58, SBBD06-1–6 (2019).
4.(1457) D. Gregušová, L. Tóth, O. Pohorelec, S. Hasenöhrl, Š. Haščı́k, I. Cora, Z. Fogarassy,
R. Stoklas, A. Seifertová, M. Blaho, A. Laurenčı́ková, T. Oyobiki, B. Pécz, T.
Hashizume, and J. Kuzmı́k: InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxidesemiconductor high-electron mobility transistors with etched access region, Jpn.
J. Appl. Phys. Vol. 58, SCCD21-1–5 (2019).
5.(1458) Keisuke Uemura, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, and Taketomo Sato:
Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate
controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors, Japanese Journalof Applied Physics, Vol. 58(SC), pp. SCCD20-1–6, (2019).
6.(1459) M. Akazawa and K. Uetake:
Impact of Low-Temperature Annealing on DefectLevels Generated by Mg-Ion-Implanted GaN, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 58, pp.
SCCB10-1–6 (2019).
7.(1460) K. Sasaki, S. Okamoto, S. Tashiro, T. Asai, and S. Kasai: Formation and characterization of charge coupled structure of polyoxometalate particles and a GaAs-based
nanowire for readout of molecular charge states, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 58, pp.
SDDE13-1–6 (2019).
236− 236 −

8.(1461) Taketomo Sato, Masachika Toguchi, Yuto Komatsu, and Keisuke Uemura: LowDamage Etching for AlGaN/GaN HEMTs Using Photo-Electrochemical Reactions,
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Vol. 32, pp. 483–488 (2019).
9.(1462) Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, Hiroshi Ohta, Naomi Asai, Yoshinobu Narita,
Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Masachika Toguchi, Kazuki Miwa, andTaketomo Sato:
Photoelectrochemical Etching Technology for Gallium Nitride
Power and RF Devices, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Vol.
32, pp. 489–495 (2019).
Anisotropic Electrochemi10.(1463) Masachika Toguchi, Kazuki Miwa, Taketomo Sato:cal Etching of Porous Gallium Nitride by Sub-Bandgap Absorption Due to FranzKeldysh Effect, Journal of The Electrochemical Society, Vol. 166, pp. H510–H512(2019).
11.(1464) M. Akazawa and S. Kitajima: Control of Plasma-CVD SiO2 /InAlN Interface by
Ultrathin Atomic-Layer-Deposited Al2 O3 Interlayer, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 58,
pp. SIIB06-1–8 (2019).
12.(1465) Masachika Toguchi, Kazuki Miwa, Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, and Taketomo Sato: Electrodeless photo-assisted
electrochemical etching of GaN using a H3 PO4 -based solution containing S2 O8 2−ions, Applied Physics Express Vol. 12, 66504-1–4 (2019).
13.(1466) M. Akazawa, S. Kitajima, and Y. Kitawaki: Control of plasma-CVD SiO2 /InAlN
interface by N2 O plasma oxidation, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 58, pp. 106504-1–7(2019).
Selective-Area Growth and14.(1467) Shinjiro Hara, Matthias T. Elm, and Peter J. Klar:
Transport Properties of MnAs/InAs Heterojunction Nanowires (Invited Paper), J.
Mater. Res. Vol. 34, No. 23, pp. 3863–3876 (2019).
15.(1468) X. Zeng, D. Zhang, Y. Zhu, M. Chen, H. Chen, S. Kasai, H. Meng, and O. Goto:
Insight into in-plane isotropic transport in anthracene-based organic semiconductors,
J. Mat. Chem. C, pp.14275–14283 (2019).
16.(1469) K. Ando, K. Ueyoshi, Y. Oba, K. Hirose, R. Uematsu, T. Kudo, M. Ikebe, T. Asai,
S. Takamaeda-Yamazaki, and M. Motomura: Dither NN: hardware/algorithm codesign for accurate quantized neural networks, IEICE Transactions on Informationand Systems, Vol. E102, pp. 2341–2353 (2019).
17.(1470) K. Yamamoto, M. Ikebe, T. Asai, M. Motomura, and S. Takamaeda-Yamazaki:
FPGA-based annealing processor with time-division multiplexing, IEICE Transactions on Information and Systems, Vol. E102-D, No. 12, pp. 2295–2305 (2019).
18.(1471) T. Kaneko, K. Orimo, I. Hida, S. Takamaeda-Yamazaki, M. Ikebe, M. Motomura,and T. Asai:
A study on a low power optimization algorithm for an edge-AI
Device, Nonlinear Theory and Its Applications, Vol. E10-N, No. 4, pp. 373–389(2019).
237− 237 −

19.(1472) S. Yamada, M. Omori, H. Sakurai, Y. Osada, R. Kamimura, T. Hashizume, J.
Suda, and T. Kachi:
Reduction of plasma-induced damage in n-type GaN by
multistep-bias etching in inductively coupled plasma reactive ion etching, Appl.
Phys. Express Vol. 13, pp. 016505-1–5 (2020).
20.(1473) S. Ozaki, K. Makiyama, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Kumazaki, J. Kotani, S. Kaneki,
K. Nishiguchi, N. Nakamura, N. Hara, and T. Hashizume:
Improved DC performance and current stability of ultrathin-Al2 O3 /InAlN/GaN MOS-HEMTs with
post-metallization-annealing process, Semicond. Sci. Technol. Vol. 35, 035027-1–7(2020).
21.(1474) Patrick Uredat, Ryutaro Kodaira, Ryoma Horiguchi, Shinjiro Hara, Andreas Beyer,
Kerstin Volz, Peter J. Klar, and Matthias T. Elm: Anomalous Angle-Dependent
Magnetotransport Properties of Single InAs Nanowires, Nano Lett., Vol. 20, No.
1, pp. 618–624 (2020).
22.(1475) M. Akazawa, R. Kamoshida, S. Murai, T. Narita, M. Omori, J. Suda, and T. Kachi:
Effects of dosage increase on electrical properties of MOS diodes with Mg-ionimplanted GaN before activation annealing, Phys. Status Solidi B, Vol. 257, pp.
1900367-1–9 (2020).
23.(1476) K. Miwa, Y. Komatsu, M. Toguchi, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, O. Ichikawa,
R. Isono, T. Tanaka, and T. Sato: Self-termination of contactless photo-electrochemical (PEC) etching on aluminum gallium nitride/gallium nitride heterostructures, Applied Physics Express, Vol. 13, pp. 026508-1–4 (2020).
24.(1477) F. Horikiri, N. Fukuhara, H. Ohta, N. Asai, Y. Narita, T. Yoshida, T. Mishima, M.
Toguchi, K. Miwa, H. Ogami, and T. Sato: Thermal-assisted contactless photoelectrochemical etching for GaN, Applied Physics Express, Vol. 13, pp. 046501-1–5(2020).

(2) 国際会議における講演 (カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)
1.(1768) Y. Ou, P. Ambalathankandy, T. Shimada, T. Kamishima, and M. Ikebe: Automatic
Radiographic Quantification of Joint Space Narrowing Progression in Rheumatoid
Arthritis Using POC, 2019 IEEE 16th International Symposium on Biomedical
Imaging (ISBI 2019), Venis, Italy, April 8–11 (2019).
2.(1769) S. Hara, M. T. Elm, and P. J. Klar: Transport Properties of MnAs/InAs Heterojunction and InAs Nanowires Formed by Selective-Area Growth (Invited), 2019
Material Research Society (MRS) Spring Meeting, Phoenix, Arizona, USA, April
22–26 (2019).
238− 238 −

3.(1770) T. Sato, K. Uemura, and M. Toguchi:
Damage-less Wet Etching for Normallyoff AlGaN/GaN HEMTs using Photo-electrochemical Reactions (Invited), 2019
International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology,
Minneapolis, USA, April 29–May 2 (2019).
4.(1771) T. Hashizume: MOS interface control for GaN power transistors (Invited), Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), Nara, Japan, May 19–23 (2019).
5.(1772) R. Kamoshida, K. Uetake, S. Murai, and M. Akazawa:
Investigation of Impact
of Dosage on Electrical Properties of Mg-Ion-Implanted GaN before Activation Annealing Using MOS Structures, Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019),
Nara, Japan, May 19–23 (2019).
6.(1773) J. Motohisa, H. Kameda, M. Sasaki, K. Tomioka:
Radiative and Nonradiative
Tunneling in Nanowire Light-Emitting Diodes, Compound Semiconductor Week
2019 (CSW2019), Nara, Japan, May 19–23 (2019).
7.(1774) H. Gamo, J. Motohisa, K. Tomioka:
Demonstration of InAs nanowire verticaltransistors, Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), Nara, Japan, May
19–23 (2019).
8.(1775) K. Tomioka, A. Yoshida, H. Gamo: Heteroepitaxial growth of InGaAs/InP/InAlAs/
InP core-multishell nanowires on Si for a complementary tunnel FETs, Compound
Semiconductor Week 2019 (CSW2019), Nara, Japan, May 19–23 (2019).
9.(1776) R. Lu, K. Shimizu, X. Yin, Y. Ueba, M. Ishikawa, M. Kitamura, S. Kasai: Formation and Characterization of 2D Random Si Nano-Pattern Using Resist Collapse for
Nano-Artifact Metrics, 2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2019), Busan, Korea, July 1–3(2020).
10.(1777) F. Horikiri, N. Fukuhara, H. Ohta, N. Asai, Y. Narita, T. Yoshida, T. Mishima,
M. Toguchi, K. Miwa, and T. Sato: GaN Wet Etching Process for Power and RF
Devices (Invited), 2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applicationsof Advanced Semiconductor Devices (AWAD2019), Busan, Korea, July 1–3 (2020).
11.(1778) T. Hashizume and T. Sato: Interface control of Al2 O3 -based MOS structures foradvanced GaN transistors (Invited), The 13th International Conference on Nitride
Semiconductors (ICNS-13), Bellevue, Washington, July 7–12 (2019).
12.(1779) S. Kaneki and T. Hashizume: Stable C-V characteristics of Al2 O3 /m-plane GaN
structures at high temperatures, The 13th International Conference on Nitride
Semiconductors (ICNS-13), Bellevue, Washington, July 7–12 (2019).
13.(1780) M. Akazawa and R. Kamoshida:
Detection of Deep Level States Generated in
GaN by Mg-Ion Implantation Using Conductance Method for MOS Diodes, ),The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13), Bellevue,
Washington, July 7–12 (2019).
239− 239 −

14.(1781) X. Yin and S. Kasai: Atomic Scale Gap in Ni-Graphene Interface and Its Effecton Contact Resistance, The 21st International Conference on Electron Dynamics
in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON21), Nara, Japan,
July 14–19 (2019).
15.(1782) F. Horikiri, N. Fukuhara, H. Ohta, N. Asai, Y. Narita, T. Yoshida, T. Mishima,
M. Toguchi, K. Miwa, and T. Sato: GaN Wet Etching Process (Invited), 13th
Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Toyama, Japan, August 26–
29, (2019).
16.(1783) K. Miwa, M. Toguchi, T. Sato: Photo-electrochemical etching optimized for highdoped n-type GaN, 13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics,
Toyama, Japan, August 26–29, (2019).
17.(1784) K. Takeda, M. Toguchi, T. Sato: Characterization of processing-damage inducedon n-GaN surface utilizing electrochemical methods, 13th Topical Workshop on
Heterostructure Microelectronics, Toyama, Japan, August 26–29, (2019).
18.(1785) F. Horikiri, N. Fukuhara, H. Ohta, N. Asai, Y. Narita, T. Yoshida, T. Mishima,
GaN Wet Etching Process for Power andM. Toguchi, K. Miwa, and T. Sato:RF Devices (Invited), 2019 International Conference on Solid State Devices andMaterials, Nagoya, Japan, September 2–5 (2019).
19.(1786) K. Teramoto, R. Horiguchi, Y. Adachi, M. Akabori, and S. Hara: Thickness andAspect Ratio Dependences of Magnetic Domain Structures in Patterned CoFe Thin
Films on GaAs (001) Substrates, 2019 International Conference on Solid State
Devices and Materials, Nagoya, Japan, September 2–5 (2019).
20.(1787) R. Kamoshida, S. Murai, and M. Akazawa: Effects of Deep Level States Generated by Mg-Ion Implantation on Electrical Properties of GaN MOS Diodes before
Activation Annealing, 2019 International Conference on Solid State Devices andMaterials, Nagoya, Japan, September 2–5 (2019).
21.(1788) P. Uredat, R. Horiguchi, R. Kodaira, S. Hara, P. J. Klar, and M. T. Elm: Anomalous Angle-Dependent Magnetoresistance in InAs Nanowires, Nanowire Week 2019,
Pisa, Italy, Sep. 23–27 (2019).
22.(1789) T. Akamatsu, M. Sasaki, H. Kameda, K. Tomioka, J. Motohisa: InP/InAsP/InP
heterostructure nanowire LEDs for a single photon emitter, Nanowire Week 2019,
Pisa, Italy, Sep. 23–27 (2019).
23.(1790) Y. Katsumi, H. Gamo, J. Motohisa, K. Tomioka: First demonstration of verticalsurrounding-gate transistor using InP nanowires, Nanowire Week 2019, Pisa, Italy,
Sep. 23–27 (2019).
Selective-Area Epitaxy of III-V Nanowires on Si and24.(1791) K. Tomioka, J. Motohisa:
Their Switching Applications (Invited) , 7th International Workshop on Epitaxial
Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (Semicon
Nano 2019), Kobe, Japan, Sep. 24–27 (2019).
240− 240 −

25.(1792) T. Hashizume: Improved Al2 O3 gate technology for high-power and high-frequency
GaN transistors (Invited), International Conference on Silicon Carbide and RelatedMaterials (ICSCRM2019), Kyoto, Japan, Sep.29–Oct.4 (2019).
26.(1793) K. Tomioka, H. Gamo, J. Motohisa:
Vertical Tunnel FET Technologies Using
III-V/Si Heterojunction (Invited), The 236th ECS meeting, Atlanta, USA, Oct.
13–17 (2019).
27.(1794) M. Shimauchi, K. Miwa, M. Toguchi, T. Sato, J. Motohisa: Fabrication of GaN
Nanowires by Wet Etching Using Electrodeless Photo-Assisted Electrochemical Etching and Alkaline Solution Treatment, The 32nd International Microprocesses andNanotechnology Conference (MNC 2019), Hiroshima, Japan, Oct. 28–31 (2019).
28.(1795) H. Gamo, J. Motohisa, K.Tomioka:
InAs/InP Core-Shell Nanowire Channel for
High-Mobility Vertical Surrounding-Gate Transistorstor, The 32nd International
Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019), Hiroshima, Japan,
Oct. 28–31 (2019).
29.(1796) K. Teramoto, R. Horiguchi, Y. Adachi, M. Akabori, and S. Hara: Applied External Magnetic Field Dependence of Magnetic Domain Structures in Patterned CoFe
Thin Films on GaAs (001) Substrates, The 32nd International Microprocesses andNanotechnology Conference (MNC 2019), Hiroshima, Japan, Oct. 28–31 (2019).
30.(1797) S. Saito, K. Sasaki, and S. Kasai: Observation of Synchronized Charge Behavior
in a Polyoxometalate Nanoparticle Using a GaAs-Based Nanowire Charge Detector,
The 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC
2019), Hiroshima, Japan, Oct. 28–31 (2019).
31.(1798) Y. Komatsu, M. Toguchi, and T. Sato:
Precise control in recessed-gate etchingfor AlGaN/GaN HEMTs by utilizing photo- electrochemical reactions, The 9th
Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), Okinawa, Japan,
November 10–15 (2019).
32.(1799) F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, T. Yoshida, M. Toguchi, K. Miwa, and T.
Sato: Simple Photoelectrochemical Etching for GaN HEMT Application, The
9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), Okinawa,
Japan, November 10–15 (2019).
33.(1800) M. Toguchi, K. Miwa, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, T. Yoshida, and T. Sato:
Evaluation of Radical Production Rate from S2 O8 2− ions for GaN Etching, The
9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), Okinawa,
Japan, November 10–15 (2019).
34.(1801) M. Shimauchi, K. Miwa, M. Toguchi, T. Sato, J. Motohisa: Fabrication of GaN
nanowires by wet processes using electrodeless photo-assisted electrochemical etching and alkaline solution treatment, The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap
Semiconductors (APWS2019), Okinawa, Japan, November 10–15 (2019).

241− 241 −

35.(1802) K. Isobe and M. Akazawa: Effects of Surface Oxide Reduction Prior to Metallization on Electrical Properties of GaN-on-GaN Schottky Diodes, The 9th Asia-PacificWorkshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), Okinawa, Japan, November
10–15 (2019).
36.(1803) Shunta Murai, Ryo Kamoshida, and M. Akazawa:
Effects of Long-Term LowTemperature Annealing on Mg-Ion Implanted GaN, The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Okinawa (APWS2019), Japan, November 10–15(2019).
37.(1804) Y. Katsumi, H.Gamo, T.Akamatsu, J. Motohisa, K. Tomioka: Vertical Surroundinggate Transistor Using InP Nanowires, International School and Symposium on
Nanoscale Transport and Photonics (ISNTT 2019), Atsugi, Japan, Nov. 18–22(2019).
38.(1805) H. Gamo, T. Akamatsu, J. Motohisa, K. Tomioka:
Performance Analysis of
InAs/InP Core-shell Nanowire Vertical Surrounding-gate Transistors, International
School and Symposium on Nanoscale Transport and Photonics (ISNTT 2019), Atsugi, Japan, Nov. 18–22 (2019).
39.(1806) R. Horiguchi, K. Teramoto, Y. Adachi, M. Akabori, and S. Hara: Aspect Ratio Dependence of Magnetization Switching in CoFe Nanolayers Patterned on GaAs (001)
Substrates, 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VIII), Sendai, Japan, November 27–30 (2019).
40.(1807) P. Ambalathankandy, Y. Ou, J. Kochiyil, S. Takamaeda, M. Motomura, T. Asai,and M. Ikebe :Radiography Contrast Enhancement: Smoothed LHE Filter a
Practical Solution for Digital X-Rays with Mach Band, 2019 International Conference on Digital Image Computing: Techniques and Applications (DICTA 2019),
Perth, Australia, December 2–4 (2019).
41.(1808) Y. Komatsu, M. Toguchi, and T. Sato: Precise Control in Threshold Voltage of AlGaN/GaN HEMTs by Photoelectrochemical Etching, Materials Research Meeting
2019, Yokohama, Japan, December 10–14 (2019).
42.(1809) M. Toguchi, K. Miwa, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, T. Yoshida, and T.
Sato: Contactless Photoelectrochemical Etching of n-GaN in K2 S2 O8 solution,
Materials Research Meeting 2019, Yokohama, Japan, December 10–14 (2019).
43.(1810) F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, T. Yoshida, M. Toguchi, K. Miwa, and T.
Sato: Simple Photoelectrochemical Etching of GaN for RF Application, Materials
Research Meeting 2019, Yokohama, Japan, December 10–14 (2019).
44.(1811) S. Kasai:
Amoeba-inspired electronic computer solving optimization problem,
International Symposium for Neuromorphic Hardware Research Center, Kitakyushu,
Fukuoka, Japan, Dec. 11–12 (2019).

242− 242 −

45.(1812) Junichi Motohisa and Katsuhiro Tomioka:
InP-based Nanowires Towards Ondemand Single Photon Emitters (Invited), XXth International Workshop on Physics
of Semiconductor Devices (IWPSD 2019), Kolkata, India, December 17–20 (2019).
46.(1813) F. Horikiri, N. Fukuhara, M. Toguchi, and T. Sato:
GaN Wet Etching Process
for HEMT Devices (Invited), 12th International symposium on Advanced Plasma
Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Nagoya, Japan, March
8–11 (2020).

(3) 研究会等における講演 (カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)
1.(335) 呂任鵬，清水克真，殷翔，上羽陽介，石川幹雄，北村満，葛西誠也:「ナノ人工物メト
リクスのための２次元ランダム構造形成プロセス最適化と電気的読出しの実験的検討」
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス–電子部品・材料–電子デバイス合同研究会，
浜松 (2019).
2.(336) 佐藤 威友:「窒化物半導体の電気化学エッチングとデバイス応用（招待講演）」 日本
表面真空学会 関西支部 合同セミナー 2019, 大阪 (2019).
3.(337) 池上高広, 平田脩馬, 澤口浩太朗, 永安佑次, 金澤悠里, 池辺将之:「製造バラツキを考慮した CMOS テラヘルツイメージセンサ向けピクセル利得バラツキ補償機構」 映像
情報メディア学会研究会，札幌 (2019).
4.(338) 葛西誠也，呂任鵬，清水克真，殷翔，上羽陽介，石川幹雄，北村満，法元盛久，成瀬誠，松本勉:「ナノ人工物メトリクスを実現するランダムナノ構造形成と電気的読出技
術（招待講演）」電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会，仙台市 (2019).
5.(339) 冨岡克広:「III-V 族化合物半導体ナノワイヤチャネルの電子素子応用（招待講演）」第24 回半導体におけるスピン工学の基礎と応用 (PASPS-24)、仙台 (2019).
6.(340) 葛西誠也:「非線形電子デバイスによる生物機能の模倣と理解（招待講演）」電子情報通信学会システムナノ技術に関する特別研究専門委員会第 3 回研究会，東京 (2020).
7.(341) 葛西誠也:
Nature- and bio-inspired electronic devices making use of fluctuation
ナノ学会ナノ機能・応用部会合同研究会，北九州市 (2020).

243− 243 −

(4) 国内学会における講演発表 (カッコ内は前身の量子界面エレクトロニクス研究センターの研究を含めた通し番号)
1.(1859) 田 嶋孝一，稲田 一稀，葛西 誠也:「振動型感覚フィードバックシステムにおける皮膚振動情報の定量評価」2019 年電子情報通信学会ソサイエティ大会，豊中 (2019).
2.(1860) 大沼 柊，斉藤 健太，末藤 直樹，葛西 誠也，青野 真士:「粘菌型自律歩行ロボット行動決定のための動態時系列センシング」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌(2019).
3.(1861) 斉藤 健太，末藤 直樹，葛西 誠也，青野 真士:「アメーバ電子計算システムにおける最大カット問題のマッピングとその求解」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
4.(1862) 越智 亮太，安藤 祐次, 金木 奨太, 橋詰 保:「Al2 O3 /AlGaN/GaN 構造の界面制御とMOS-HEMT 特性」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
5.(1863) 青島 慶人, 堀田 昌宏, 金木 奨太, 須田 淳, 橋詰 保:「PMA 処理を行った Al2 O3 /GaN
MOS ダイオードにおけるガンマ線照射による フラットバンド電圧の負方向シフトの
膜厚依存性」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
6.(1864) 鈴木 洸三郎，堀口 竜麻，飯田 勝也，原 真二郎：
「外部印加磁場による Si 上 MnAs ナノディスクの磁化反転評価」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
7.(1865) 寺本 圭吾，堀口 竜麻，足立 裕介，赤堀 誠志，原 真二郎：
「GaAs (001) 基板上に形成した CoFe 薄膜パターニングの磁区観察」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
8.(1866) 北澤 佑記，堀口 竜麻，小平 竜太郎，Wipakorn Jevasuwan，深田 直樹，原 真二郎：
「VLS 法による Si ナノワイヤの成長方向のシランガス分圧依存性評価」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
9.(1867) 吉岡 真治，大久保 好章，尹 磊，原 真二郎，鈴木 晃，高山 英紀，石井 真史：「更新
可能な用語抽出機能を持つ小規模研究グループ向け論文・図表データベースの構築」
第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
10.(1868) 佐藤 威友，渡久地 政周：「III-V 族化合物半導体のウェットエッチング –窒化物半導体に関する最近の話題を中心に–（招待講演）」 第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，
札幌 (2019).
11.(1869) 武田 健太郎，渡久地 政周，佐藤 威友：「電気化学インピーダンス法を用いた n-GaN
加工表面の評価 (2)」 第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
12.(1870) 三輪 和希，渡久地 政周，佐藤 威友：「高濃度 n 型 GaN 基板に対する光電気化学 (PEC)
エッチングの調査」 第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
13.(1871) 小松 祐斗，渡久地 政周，斉藤 早紀，三好 実人，佐藤 威友：「AlGaInN/AlGaN ヘ
テロ構造の光電気化学エッチング (2)」 第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌(2019).
244− 244 −

14.(1872) 渡久地 政周，三輪 和希，堀切 文正，福原 昇，成田 好伸，吉田 丈洋，佐藤 威友：「K2 S2 O8 /H3 PO4 混合溶液を用いた n-GaN のコンタクトレスエッチング」 第 80 回
応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
15.(1873) 蒲生 浩憲，冨岡 克広：「Si 上 InGaAs/GaSb コアシェルナノワイヤ選択成長」第 80
回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
16.(1874) 蒲生 浩憲，本久 順一，冨岡 克広：「InAs/InP コアシェルナノワイヤ縦型サラウンディ
ングゲートトランジスタにおける変調ドープ構造の検討」第 80 回応用物理学会秋季
学術講演会，札幌 (2019).
17.(1875) 勝見 悠，蒲生 浩憲，本久 順一，冨岡 克広：「InP ナノワイヤサラウンディングゲー
トトランジスタのスイッチング特性評価」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
18.(1876) 赤松 知弥，佐々木 正尋，冨岡 克広，本久 順一：「InP ナノワイヤ量子ドットの熱アニー
ルによる直径微細化と発光特性」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
19.(1877) 島内 道人，三輪 和希，渡久地 政周，佐藤 威友，本久 順一：「コンタクトレス光電気
化学エッチング及びウェットエッチングによる窒化ガリウムナノワイヤの作製」第 80
回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
20.(1878) 本久 順一：「（招待講演）GaN 系ナノワイヤによる縦型 FET に向けて」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
21.(1879) 鴨志田 亮，村井 駿太，赤澤 正道：「Mg イオンを注入した GaN で構成した MOS ダイ
オードの界面準位アドミッタンスの解析」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
22.(1880) 村井 駿太，鴨志田 亮，赤澤 正道：「Mg イオン注入した GaN に対する長時間低温熱処理の効果」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
23.(1881) 磯部 一輝，赤澤 正道：「GaN ショットキー障壁ダイオードに対するフォトリソグラ
フィー現像工程の影響」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
24.(1882) 北脇 侑弥，赤澤 正道：「InAlN プラズマ酸化膜の XPS による評価」第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，札幌 (2019).
25.(1883) 勝見 悠，蒲生 浩憲，赤松 知弥，本久 順一，冨岡 克広：「InP ナノワイヤサラウン
ディングゲートトランジスタのスイッチング特性評価」The 38th Electronic Materials
Symposium (EMS 38), 橿原 (2019).
26.(1884) 蒲生 浩憲，赤松 知弥，本久 順一，冨岡 克広：「高移動度サラウンディングゲートト
ランジスタにおける InAs/InP コアシェルナノワイヤヘテロ構造の検討」The 38th
Electronic Materials Symposium (EMS 38), 橿原 (2019).
27.(1885) 島内 道人，三輪 和希，渡久地 政周，佐藤 威友，本久 順一：「コンタクトレス光電気
化学エッチングとアルカリ溶液処理による窒化ガリウムナノワイヤの作製」The 38th
Electronic Materials Symposium (EMS 38), 橿原 (2019).

245− 245 −

28.(1886) 池辺 将之:「32 × 32 画素並列 ADC 構成によるグローバルシャッタ型 CMOS テラヘ
ルツイメージセンサ（招待講演）」シンポジウム「テラヘルツ科学の最先端 VI」，東京 (2019).
29.(1887) 池辺 将之:「1 画素単位で輝度を適切に制御する高速かつグローバル・ローカル適応型
画像処理（招待講演）」光とレーザーの科学技術フェア 2019「究極を目指すイメージ
センシングセミナー」，東京 (2019).
30.(1888) 佐々木 翔太, 橋詰 保:「原子層堆積法で形成した Al2 O3 /GaN 構造の界面特性評価」，
第 55 回 応用物理学会北海道支部 第 16 回 日本光学会北海道支部 合同学術講演会，
札幌 (2020).
31.(1889) 斉藤 健太，葛西 誠也，青野 真士:「巡回セールスマン問題に対するアメーバ電子計算システムの解探索性能」第 67 回応用物理学会春季学術講演会，東京 (2020).
32.(1890) 堀口 竜麻，寺本 圭吾，足立 裕介，赤堀 誠志，原 真二郎：
「GaAs (001) 基板上に形成した CoFe ナノレイヤパターニングにおけるスイッチング磁場の膜厚依存性」第 67
回応用物理学会春季学術講演会，東京 (2020).
33.(1891) 武田 健太郎，山田 真嗣，渡久地 政周，加地 徹，佐藤 威友：「電気化学的手法を用いた ICP-RIE 加工 n-GaN 表面の評価」 第 67 回応用物理学会春季学術講演会，東京(2020).
34.(1892) 渡久地 政周，三輪 和希，堀切 文正，福原 昇，成田 好伸，市川 磨，磯野 僚多，田中 丈
士，佐藤 威友：「コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲート AlGaN/GaN
HEMT の作製」 第 67 回応用物理学会春季学術講演会，東京 (2020).
35.(1893) 堀切 文正，福原 昇，太田 博，浅井 直美，成田 好伸，吉田 丈洋，三島 友義，渡久
地 政周，三輪 和希，大神 洸貴，佐藤 威友：「GaN の光電気化学 (PEC) エッチングが有する可能性 (3) 加熱によるエッチング速度の向上」 第 67 回応用物理学会春季学
術講演会，東京 (2020).
36.(1894) 三輪 和希，大神 洸貴，渡久地 政周，堀切 文正，福原 昇，成田 好伸，吉田 丈洋，佐藤 威友：「加熱による硫酸ラジカルの生成と n-GaN 光電気化学（PEC）エッチングへの応用」 第 67 回応用物理学会春季学術講演会，東京 (2020).
37.(1895) 蒲生 浩憲，冨岡 克広:「Si 上 InAs/GaSb コアシェルナノワイヤ選択成長」第 67 回応用物理学会春季学術講演会，東京 (2020).
38.(1896) 田井 良樹，赤松 知弥，蒲生 浩憲，本久 順一，冨岡 克広:「InP(111)B 基板上の AlInAs
ナノワイヤ選択成長」第 67 回応用物理学会春季学術講演会，東京 (2020).
39.(1897) 村井 駿太，鴨志田 亮，呉 恩誠，赤澤 正道：「Mg イオン注入 GaN の電気的特性に対する低温長時間キャップアニールにおけるキャップ層材料の影響」第 67 回応用物理学会春季学術講演会，東京 (2020).
40.(1898) 北脇 侑弥，赤澤 正道：「GaN 上のシリコン熱酸化膜形成」第 67 回応用物理学会春季
学術講演会，東京 (2020).

246− 246 −

41.(1899) 大沼 柊，斉藤 健太，末藤 直樹，葛西 誠也，青野 真士:「粘菌型自律歩行ロボットの身体感覚による路面状態センシング」2020 年電子情報通信学会総合大会，東広島(2020).

9.3

特許
Patents

1. 日本国特許出願 2018-086053「構造体の製造方法および中間構造体」発明者：堀切文正，福原昇，佐藤威友，渡久地政周.
2. ヨーロッパ特許登録 2797226「信号再生装置及び信号再生方法」発明者：葛西誠也, 田所幸浩, 一木輝久 (2019.11.27 登録).
3. 米国特許登録 US Patent 10,403,498 Group III-V compound semiconductor nanowire,
field effect transistor, and switching element
発明者：冨岡克広、福井孝志 (2019.9.3 登録).
4. 米国特許登録 US Patent 10,381,489
福井孝志 (2019.9.3 登録).

Tunnel field effect transistor

発明者：冨岡克広、

5. 日本国特許登録 6600918「トンネル電界効果トランジスタ」発明者：冨岡克広、福井孝志(2019.10.18 登録).

247

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