会

The Technical Association of Photopolymers,Japan1ŏŰįĸĺ July 2017

「栄枯盛衰」 「臥薪嘗胆」 「反転攻勢」
パナソニック㈱オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社
技術本部 デバイスインキュベーション推進室 室長

笹子
2020 年東京オリンピック開催まで、ほぼ 3 年を切り、希望の祭典への期待と我が国のさらなる発展の予感が大きく膨らんでいる。筆者の属する弊社はワール
ドワイドパートナーとして東京オリンピックをサポートする一方で、その大きなビジネスチャンスとしてとらまえて果敢に新技術に裏付けられた商品、ソリュー
ションを仕込んでいる。さあ、いよいよ我が国のエレ
クトロニクス業界の「反転攻勢」の始まりである。と
威勢よく書き始めたものの、筆者の属する我が国エレクトロニクス業界の「栄枯盛衰」は、毎年連日連夜の報道の通り、リーマンショックを契機に半導体、ディスプレイの敗退から始まり、さらには経営不祥事にまでに至り、目を覆いたくなる状態の中で、去った優秀な同僚や他社の技術達の境遇を思えば悲しい限りである。かつてのエレクトロニクス業界は我が国 GDP の一翼を担い、優秀な学生が就職するのが当たり前の業態であった。最近では大学でのエレクトロニクス離れと就職不人気が散見され、大いに憂慮している。今回の巻頭言は、大それたことだが現状の我が国エレクト
ロニクス業界に従事する者の端くれとして、「臥薪嘗胆」を述べてみたい。
筆者は入社以来、微細加工すなわち半導体リソグラ
フィ技術の開発に 40 年近く従事してきた。最近では
新デバイス全般の研究開発マネージメントをしているが、リソグラフィ関係の学会は概ねレビューを継続している。思い起こせば、リソグラフィは Moore の法則
をキープする要の技術で、その微細化の衰退は半導体技術の進歩の停止となるので、半導体ロードマップの堅守のために、健全に世界中で研究開発が非常に盛ん勝であった。微細化の歴史を辿れば、短波長化の変遷
で、 G 線（436 nm）か ら I 線（365 nm）、そ し て 大 き な変革となったエキシマレーザー露光の導入で、KrF（248 nm）から ArF（193 nm）と、世界各国の先進的な光リソグラフィ技術者の大いなる寄与で半導体ロード
マップを実現してきた。さらには液浸技術や多重露光技術が導入され、現在では 10 nm 級のメモリーや CPUが実現されるに至り、ほぼ、半導体が 1947 年に発明されて以来、70 年もの間、Moore の法則が維持されてきたことは、筆舌に尽くしがたい。しかしながら、この Moore の法則の停滞が最近多く語られてきだし、3次元構造への変革が大きな潮流になってきており、リソグラフィの最後の短波長化の主役である EUV の登場が、その技術実現のハードルの高さもあるが、先送りされてきているのは、はなはだ残念である。筆者も前述の微細化実現のため、最新鋭の ArF 液浸装置を自社工場に導入し、28 nm CMOS の開発までに至った。
今では時効であるが、あの当時、密かに自社工場へのEUV 露光装置導入の計画を立てた記憶もある。残念ながら、リーマンショックとディスプレイ産業の価格競争による衰退で実現しなった。この 28 nm ノードあた
りが、我が国半導体産業の曲がり角となった。そこで、なぜ我が国の半導体とディスプレイ産業が失敗したのかの反省と、それに基づく臥薪嘗胆を続いて考察してみよう。
現在、我が国の内閣府や各省庁を中心に次世代産業戦略が提言されているが、過去の失敗や反省のベースがなく、他国の後追いの状況で目的が手段化しているのは非常に残念であると言える。もっと失敗の分析や

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当事者のヒアリングをするべきであるが、日本人の気質として難しいのであろう。Apple の創業者 Jobs が、奇しくも発言している。「技術が重要でなく、技術で何が出来るかが重要」、これがすなわち我が国エレク
トロニクス産業と所属官庁の一番反省すべきことである。半導体もディスプレイ（まとめてデバイスと表現）もロードマップ路線に基づいた開発戦略を行い、顧客の本来のニーズや世の中のトレンドを顧みず巨額投資をした結果が、我が国エレクトロニクス業界衰退の大きな原因である。デバイスロードマップそのものを否定する気はないが、産官学まとまっての護送船団手法が世の中のトレンドと乖離してしまった結果である。まさしく目的が手段化してしまった典型である。また、多数のエレクトロニクス企業は過去からの貯えとプライドを基に自前主義を貫き、垂直統合型のビジネスモデルで戦う一方、海外企業はいち早くオー
プンイノベーションを導入し、顧客ニーズを元に水平型ビジネスモデルで、いわゆる一つの強いコア技術やIP をベースに、デバイスだけでなくモジュールやソ
リューションとして提供、我が国エレクトロニクス産業を窮地に陥れた。さらに一方、特に先進的な海外のエレクトロニクス企業や IT 企業は、IoT 社会を見据えて、いわゆるデバイス企業の積極的な M&A までを戦略化し、大きな合従連衡が相次いで報道されている。
我が国エレクトロニクス産業のデバイス技術をいかに守り強固にしていくか、まさに現在、正念場なのである。
さて、エレクトロニクス業界の課題と現状の状況を記したが、このままでは、益々、学生諸君の人気が低下してしまうので、以下ではいかに、我が国エレクト
ロニクス企業が反転攻勢をしかけているかの一端を企
業秘密に関わらない程度でのご披露と、前述した微細加工技術はまだまだ、今後の業界を覆すデバイスには必要不可欠であることを記してみたい。まずは第一に戦略の再構築である。第二は我々技術者の心意気と世界を変えるイノベーションの創造である。
第一の戦略の再構築ではまず、「遠きを計るものは富み、近くを計るものは貧する」、この二宮尊徳の名言を紹介したい。さて、戦略とは何か？字の如し戦を略すると言うことであり、無駄な消耗戦なくして勝て
る分野に戦力を投入することであり、これがまさしく戦略である。また、前述の反省で述べたように、顧客
ニーズと世の中のトレンドの深読みである。最新のIoT には多種多様なデバイスが大量に必要であると多くの人が提案しているが、デバイスロードマップが破綻した今こそ、自分達で将来を見ての「仮説」作りが必要である。例えその仮説の困難さが尋常でなく難し
くとも、果敢に挑戦することが肝要である。筋から逸れる話であるが、我が国の画一的な大学入試制度では、最近、自ら立てた仮設の前に計算高く挑戦を早々

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諦めてしまう技術者が増えている風潮が目立ち、是非とも改善を期待したい（これは最近の応物などの学会
で、企業からの発表が激減している現状を見れば、皆さん納得かと）。さて、仮設を立てる上で、まずは戦場を決めなければならない。戦場は即ち顧客ニーズ即ちトレンドの先読みである。さらに言えばビジネスの土俵をどこに持っていくか、経営の根幹である。筆者の企業では、他社グローバル企業に先んじて、競争激化の IT 産業から車載産業に土俵替えし、さらに B2C
から B2B の顧客戦略も大きく替えた。先読みには世界を飛び回り、現場・現物・現人主義に基づき足で稼ぐことが一番であるが、筆者らが使用しているツールを一つだけ紹介する。米国 Gartner 社が提言したハイ
プ・サイクルは、特定の技術の成熟度、採用度、社会への適用度を示す図であり、新規期待技術の発掘や技術レベルを知るうえで有用な解析手段である。

戦略の再構築にさらに必要なもう一つは、グローバ
ルなオープンイノベーションの導入である。これにはトップマネージメントの理解は必要不可欠であり、自前主義の打破の根幹、すなわち速い R&D をなすべきものである。オープンイノベーションは二つの手法があり、まずは不足技術の調達と顧客提案のためのProof of Concept（PoC）作りの体制構築である。二つ目はガラパゴス携帯の事例のごとく永年、我が国が不得意であった世界標準化である。最新のオープンイノ
ベーションでは単一な協業から複数の研究組織や大学を巻き込んだマルチな協業で速い R&D 体制を構築しているのが流れである。
第二点目の我々技術者（特に企業）の心意気と世界を変える創造の発揮について述べてみたい。筆者の職
場での技術者の殆どが旧帝大卒で、皆一様に頭が良く秀才揃いである（他のエレクトロニクス企業も同じかと）が、前述のように立てた仮説に対しての挑戦の意
欲が、ゆとり世代が原因だとは思わないが、妙に普通主義、諦め主義が蔓延り、挑戦する気概が薄れていると感じているのは筆者だけでは無いと思われる。第 1
点目に述べた戦略を成功するベースはまさしく活力ある組織、人がベースになるのは当然である。筆者の拙3

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い会社技術者人生の基本は、｢ 会社に行くのが楽しいか？ ｣ と毎日、問いかけてきたことである。皆さんは会社に行くのが楽しくて、楽しくてしょうがない！になっていますか？筆者が技術者をやって良かったことは、いい成果を上げれば客観的な評価を受けて自らの進む道を決められることであった。文系ビジネスの分野は曖昧であるが、やりたいことを見つけてそれに情熱を傾けるという点でサイエンスはやりがいがあると確信している。
最後にイノベーションの創造について、技術者の基
本の 5 つのポイントをここで紹介する。1 つ目は楽観的であること。困難にぶつかっても簡単に滅入らない。嫌なことがあっても酒飲んで（お酒が嫌いな方は失礼）立ち直る事である。2 つ目は目利きが良いこと。たくさんあるアイデア、実験、共同者をどう選ぶかである。 3 つ目は優先順位がしっかりしている事。
最も重要なことを常に優先し、それ以外はどうでも良いと思えることが重要である。4 つ目はGive & Take。
相 手 に Give す れ ば 必 ず さ ら に 良 い も の が Take さ れる。世界に名だたる最高の技術を持つことは技術者成長の礎となる。良く論文の Reference に自分の論文ばかり引用する若い技術者が散見されるが、それは技術者としては大成しない。最後の 5 つ目は、特にフォトポリマー懇話会ニュースレターの読者の皆さんへのメッセージでもあるが、微細加工技術は永遠に不滅であること。これは半導体技術は地球上で唯一無二の生産技術手法であり、旧来のデバイス（電池、LCR やMEMS など）のもの造りへの適用や新デバイスへの新機能創造が、特にナノレベルの加工技術、例えば、ナノインプリントや自己組織化パターニング適用で可能となる。さらには IoT 時代のエッジ型人口知能実現には、まだまださらなる微細加工が必須である。これは弊職が現在、半導体を含む、すべてのデバイスをマネージングする立場からの実感である。
若い技術者には自分が夢中になる面白い仕事、素晴らしい課題を見出して打ち込んで欲しい。
以上、技術者の 5 つの基本ポイントを述べたが、最後に筆者の好きな文章を紹介する。｢The future is not
be predicted, but to be created｣；未来は予測するもの
でなく、創造すること。
皆さん、我が国エレクトロニクス企業の再興を期待して頂ければ幸いである。

【研究室紹介】メソスケール周期構造の活用
名古屋大学 大学院工学研究科

1 ）はじめに異種高分子成分を繋いで得られる複合高分子である
ブロック共重合体は、成分同士に反発力が働けば、凝集系ではメソスケールの周期を持つ規則構造を自発的に形成するため [1]-[3]、多くの高機能材料として活用が期待されている。私達は、この共重合体の構造・物性を研究対象としているが、本稿ではブロック共重合体が示す周期のうち、従来知られているものよりも大きな 100 nm 以上の周期を持つものと、逆に 10 nm 以下の小さな周期を持つものに注目する。前者の代表利用
例としてフォトニック結晶があり、後者にはナノリソ
グラフィーがある。本稿ではこれらに焦点を当て、分子設計上の工夫と化学環境の適切な選択による大周期構造と小周期構造をもつ材料の設計法に関する最近の
私達の研究例を紹介する。
2 ）大きな一次元周期を持つフォトニック結晶
異なる屈折率の物質を周期的に配列させた構造体
は、フォトニックバンドギャップと呼ばれる電磁波（光）の進入を許さない波長帯域を有しているため、

松下裕秀、 野呂篤史

フォトニック結晶として利用可能である。この概念は1987 年に Yablonovitch[4] や John[5] によって提唱されているが、フォトニック結晶は物質が示す幾何学的な繰返し周期の次元により 1、2、3 次元結晶に分類することができる。このうち最も単純な 1 次元結晶では、構成成分の厚み、屈折率に応じて特定波長の光を反射する。その概念図を図 1 に示す。2 成分（成分 1 と成分
2 ）の層状の繰返し構造に対して垂直方向から光を照射した場合、層の厚み（d 1、d 2）と屈折率（n 1、n 2）に応じて、式（1）により表される特定波長λの光を反射することが知られている [6]。
λ = 2(n 1d 1+n 2d 2 )（1）
このような層状の構造は、これまで金属などの無機物を微細加工して作製されてきたが、ブロック共重合体の自己組織化能を利用すると簡便に形成できる。ここ
で、高分子など有機物の屈折率はおよそ 1.5 であるため、λ ≈ 3(d 1+d 2) = 3D の関係から、ブロック共重合体のラメラ構造を用いて可視光（λ > 400 nm）を反射させるためには 130 nm を超える D が必要とされる。このような大きなD を実現するには、分子量 40 万以上

会が必要になり、実験的には分子量制御が困難な領域である [7]。

図 1 ． 1 次元フォトニック結晶の模式図。厚みd 1、
屈 折 率n 1 の 成 分 1 の 層 と、 厚 みd 2、 屈 折 率n 2の成分 2 の層との繰返しからなるナノ構造体
そこで、私達は不揮発性の選択溶媒を利用する手法を考案した。選択溶媒では良溶媒となる成分を溶かす
が、貧溶媒として働く高分子成分は不動態的に何も変化させないので、モルフォロジーの基本骨格を保ったまま良溶媒成分のみ大きく膨潤することになる。ここではラメラ状の相分離構造を形成するポリスチレン-b- ポリ（ 2- ビニルピリジン）（PS-P2VP）ブロック
共重合体の薄膜からフォトニック膜を得る例について述べる [8]。

図 2 ．(a)イミダゾリウムビス（トリフルオロメタンス
ルフォニル）イミダイドの化学構造式(b)PS-P2VP 膜の TEM 像(c)PS-P2VP/IL フォトニック膜の TEM 像(d)膨潤の模式図
高分子試料調製後、スピンコートによりガラスもし
くはポリイミドなどの基板上に数μm 厚の PS-P2VP（分子量は約 8 万、PS の体積分率は 0.50 でラメラ構

4造組成）薄膜を作製した。THF とクロロホルムの混合
溶媒の蒸気を用いてアニール処理を行い、その後不揮
発性イオン液体であるイミダゾリウムビス（トリフルオロメタンスルフォニル）イミダイド [9],[10] とイミ
ダゾールの混合物（モル比：3 ： 4 P2VP のみ溶解）を添加し、40℃程度で 1 ～ 2 時間加熱することでソフト
フォトニック膜を得た。
IL 添加前後の透過型電子顕微鏡（TEM）観察結果を
図 2 b, c に示している。観察像にコントラストを付けるためにヨウ素蒸気による染色処理を行っており、
P2VP 相が暗く見える。IL 添加前（図 2 b）では対称なラメラ構造が観察されていたのに対し、IL 添加後（図2c）には著しく非対称なラメラ構造になった。P2VP
相が IL によって選択的に膨潤したことが分かる。そこで、D > 100 nm の大きな周期の相分離構造の決定に有効な超小角 X 線散乱（U-SAXS）の測定を行い、IL
添加前の周期 37 nm が、IL 添加後には 137 nm と大幅に増大したことを確認した。図 2 d に膨潤の模式図を示している。この膜の反射率測定を行った結果、380 nm
付近に鋭い反射ピークが見られ、膜の外観（紫色）に対応した結果が得られている。図 2 d の各層の厚みと PS の屈折率（1.59）、IL を含有した P2VP の屈折率
（1.45）を用い、式（1）より反射光波長λを計算すると
約 400 nm となり、実験値とおおよそ一致した。ここに示したのは一例であるが、同様の手法で近紫外～近赤外の光を反射するソフトフォトニック結晶膜とできることを報告している [11]。このようなフォトニック
膜は今回用いたイオン液体だけではなく、たとえば
1- エチルイミダゾリウム ビス（トリフルオロメタン
スルフォニル）イミダイド等、他のプロトン性のイオ
ン液体からでも作製できることが分かっている。
3 ）小さな一次元周期を持つ構造
次に小さな構造構築の例を紹介する。ブロック共重合体の構造周期を小さくしてゆくと微細パターニング（構造周期 10 nm 以下）が可能になる。前項と逆で、微細周期を形成させるためには小さな重合度 N の共重合体を用いればよいが、相分離構造の形成条件はχN >10.5（χ：相互作用パラメーター）であるので [2]、大きなχを持たせなければならない。そこで本研究では炭化水素からフッ化炭素に置換した分子を利用する
方法を 2 段階で試みた [12]。可逆的付加開裂連鎖移動（RAFT）重合法により重合度の異なるフッ素含有共重合体を合成し、加水分解することで超強偏析系ブロ ッ ク 共 重 合 体 poly (2, 3, 4, 5, 6-pentafluorostyrene)-b-poly(acrylic acid)（FA）とした（図 3 a）。グラフト型
ポリマーもRAFT重合法により合成し、poly (1H, 1H,
2H, 2H-heptadecafluorodecyl acrylate)（FC10）（図 3 c）を得た。得られた試料を溶媒キャスト法により製膜し
た。

会

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さらに、グラフト型ポリマーの FC10 に対して広角
X 線散乱測定を行ったところ、整数次ピークが複数見られ、D FC10 = 3.2 nm の極めて小さなラメラ構造を形成していることが分かった。熱分析により、FC10 は室温で結晶状態をとっていることが確かめられたことか
ら、FC10 では長い側鎖部が結晶化して周期的な配列パターン誘起したと考えられる。フッ化炭素鎖は、螺旋構造を採っていることが知られているが、FC10の主鎖・側鎖の分子鎖コンフォメーションを最も単純なトラン
スジグザグであると仮定すると、その構造周期は実験値に極めて近い 3.1 nm と見積もられた。

研究室メンバーの写真

図 3 ．超強偏析系ブロック共重合体 FA の分子構造 (a)と分子が伸びた状態で作る周期構造 (b)。(c) は側鎖にフッ化炭素を持つ分子 FC10 の分子構造
TEM 観察により、合成した FA（N = 93, 41, 23）の
うち、N ≧ 41 の試料ではラメラ構造の形成を確かめた。SAXS 測定においてもN ≧ 41 の試料ではラメラ構造を裏付ける整数次ピークが複数見られた（図 4 ）。
q 1 = 2π/D （q 1：1 次の散乱ベクトル）の関係より重合度が小さくなるにつれて構造周期も小さくなり、
F10A31（N = 41）ではD = 8.9 nm と求められた。図 3 bに短い分子が強い反発力を発揮して作る周期構造の模式図を示す。

図 4 ．超強偏析系ブロック共重合体 FA の分子の長さの違いによる構造の違い

4 ）おわりに
ここでは、ブロック共重合体を用いた材料設計に関する、筆者らの研究例を紹介した。先ず、大きな分子量を持つ試料の代わりに、モルフォロジー骨格を変えることなく選択溶媒で特定相を膨潤させ、繰返し周期
100 nm 超の一次元フォトニック膜を比較的容易に作製した。また、フッ素原子を多数導入する手法で、N が小さくても大きなχ をもつ分子を合成して、10 nm よ
りもはるかに小さい約 3 nm の周期を実現した。これ
らには、これまでのソフト材料を超える高機能材料として、本稿で提案した以外にも様々な応用が期待されている。
＜参考文献＞[1] Matsuo, M.; Sagae, S.; Asai, H. Polymer 1969, 10, 79-87.
[2] Leibler, L. Macromolecules 1980, 13, 1602-1617.
[3] Bates, F. S.; Fredrickson, G. H. Annual Rev Phys Chem
1990, 41, 525-557.
[4] Yablonovitch, E. Phys. Rev. Lett. 1987, 58, 2059– 2062.
[5] John, S. Phys. Rev. Lett. 1987, 58, 2486– 2489.
[6] Edrington, A. C.; Urbas, A. M.; DeRege, P.; Chen, C. X.;
Swager, T. M.; Hadjichristidis, N.; Xenidou, M.; Fetters,
L. J.; Joannopoulos, J. D.; Fink, Y. Adv. Mater. 2001, 13,421– 425.
[7] Matsushita, Y.; Mori, K.; Saguchi, R.; Nakao, Y.; Noda, I.;
Nagasawa, M. Macromolecules 1990, 23, 4313-4316.
[8] Noro, A.; Tomita, Y.; Shinohara, Y.; Sageshima, Y.; Walish,
J. J.; Matsushita, Y.; Thomas, E. L. Macromolecules
2014, 47, 4103-4109.
[9] Noda, A.; Susan, A. B.; Kudo, K.; Mitsushima, S.;
Hayamizu, K.; Watanabe, M. J. Phys. Chem. B 2003, 107,
4024– 4033.
[10] Wilson, G. J.; Hollenkamp, A. F.; Pandolfo, A. G. Chem.
Int. 2007, 29, 16– 18.
[11] Noro, A.; Tomita, Y.; Matsushita, Y.; Thomas, E. L.
Macromolecules 2016, 49, 8971-8979.
[12] 森貴裕、 野呂篤史、 松下裕秀 高分子学会予稿集、65 [2]、 1H08 （2016）6

会【新製品・新技術紹介】
Roll to Roll ナノパターニングによるデバイス開発
旭化成株式会社 生産技術センター

1 ．緒言
現在、トリリオンセンサー社会、IoT 社会の実現に向けたプリンテッドエレクトロニクス（PE）の研究開発が注目されている。PE については多くの先行事例があるが、工業化が大きな課題である。
弊社ではこの課題を解決するため、フィルムを連続的に繰出し、印刷・賦形を行うRoll to Roll （R2R） プロ
セスに関する生産技術の探索・研究開発を行ってきた。
その成果の一つとして世界で最も高解像度の R2R パ
ターニング用円筒版の開発に成功した（図 1 ）。本円
筒版製作プロセスの特徴は、電子ビーム露光による高解像度の特性を生かしつつ、高スループットを実現したことである。本稿ではその開発の概要と現在の進捗、及び今後のデバイス開発に向けた取組みを紹介する。

図 1 開発に成功した円筒版（φ100 × 250L）
2 ． 円筒版の製造プロセス
2 － 1 製造プロセス全体
今回開発した円筒版の製造プロセスを図 2 に示す。
本プロセスは平板の微細加工プロセスを円筒版向けに応用したものである。
① 超鏡面ロール製作
研削研磨加工により、Ra < 5 nm ロール表面粗度を有したロールを製作する。
② レジスト塗工
ロール表面に電子線レジストを塗布する。
③ 電子ビーム露光
ロール全表面を露光、その後現像工程を経て、レジストパターンを得る。
④ 後工程
パターンに応じて、各種後処理を行い、ロール
表面に硬いパターンを形成する。
⑤ 検査工程

伊藤 直人

ロール表面を観察可能な Roll-SEM にて全表面を観察する。
本稿では特徴的なレジスト塗工プロセス及び電子
ビーム露光プロセスを紹介する。

図2

円筒版の製造プロセス

2 － 2 レジスト塗工プロセス
一般的な塗工プロセスにはスピンコート法が用いられ、比較的容易に薄膜かつ膜厚ムラの少ない塗工膜を実現できる。一方で、円筒版には適用することが困難である。そこで各種成膜方法のテスト評価を行い、最終的にディップ法による円筒版塗工装置を開発した。
図 3 にディップ塗工の概要を表 1 に塗工条件の一例を示す。
表 1 の条件で塗工した結果、狙いの膜厚 150 nm に
対 し て、150.1 nm ± <5% を 実 現 し た。 こ れ は ス ピ ン
コートと同等の精度である。現在は <100 nm 膜厚を実現しており、更なる薄膜化技術を開発している。
表 1 塗工条件

図3

ディップ塗工2 － 3 電子ビーム露光プロセス
電子ビーム露光プロセスも円筒版向けに新規開発をした（図 4 ）。その特徴を以下に記載する。
① 高スループット
平行電子ビームとステンシルマスクを利用した一括転写方式により、高解像度と高スループット

7

会を両立した。一般的な直描法に対して、数千倍のスループットを有する。
② 焦点深度の変動に対する高いロバスト性
円筒版の回転時に発生する振れ回りに伴う焦点深度の変動に対して、平行電子ビームを採用することで、原理的に焦点変動の影響を受けない方式とした。
このような特徴を有した電子ビーム露光装置にて、パターンに継ぎ目の無い円筒版（Seamless Roller
Mold ： SRM）を実現した。また、最高解像度 <100 nmを達成しており、更なる高解像度化に向けて開発を加速している。

図4

図7

導電性インクを使用したパターニング

電子ビーム露光装置

3 ．パターニング
3 － 1 インプリント
作成した円筒版にて UV インプリントを行った。装置 の 概 要 を 図 5 に、 イ ン プ リ ン ト し た フ ィ ル ム のSEM 像を図 6 に示す。円筒版表面のパターンをフィル
ム上に継ぎ目なくパターニングすることに成功した。

図5

2000ppi の TFT 電極パターン、右図は W5μm×P250μmのグリッドパターンを有した円筒版で印刷した結果である。また、最高解像度として、250 nm 線幅パター
ンの印刷にも成功している（図 8 ）。現在、さらなる高解像度化を実現するため、パターニングプロセスの開発にも取り組んでいる。

図8

線幅 250 nm の印刷

4 ．今後の展開
本稿で紹介した通り、R2R ナノパターニングによるデバイス作成を実現するため、高解像度円筒版及び高解像度パターニングの研究開発に取り組んできた。今後は、弊社の事業領域である材料技術やデバイス設計
技術との融合を深めることで、さらに開発を加速させるとともに、コア技術を保有する各社との協業を強化しながら、社会へ貢献可能な製品開発を進めていく所存である。

UV インプリント装置

図 6 インプリントしたフィルムの SEM 像（左：4μm Grid、右：W1μm×P5μm）
図9
3 － 2 印刷センサー等に使用される電子回路向けパターンとし て、Ag ナ ノ イ ン ク と PET フ ィ ル ム の 組 み 合 わ せにて印刷を行った。その結果を図 7 に示す。左図はロードマップ※高解像度円筒版の研究は A-STEP（科学技術振興機構）による支援を受けており、兵庫県立大学松井特任教授と岡田助教との共同研究成果です。

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会

【会告】
【第 27 回フォトポリマー講習会】【見学会・第 222 回講演会】

会期： 8 月 30 日（水）〜31 日（木）9 時 30 分～17 時
会場：森戸記念館（東京理科大学）第一フォーラム新宿区神楽坂 4-2-2
協賛：日本化学会
プログラム
I 基礎編（ 8 月 30 日）
1 ）フォトポリマーの光化学
東京理科大学 青木健一氏
2 ） フォトポリマーの材料設計
信州大学 上野 巧氏
3 ） 光酸発生剤の基礎
サンアプロ㈱ 白石篤志氏
4 ） フォトポリマーの特性評価
リソテックジャパン㈱ 関口 淳氏
Ⅱ 応用編（ 8 月 31 日）
5 ）微細加工用レジスト
兵庫県立大学 渡邊健夫氏
6 ）コーティング分野におけるモノマーとフォトポリマーの役割と設計思想
荒川化学工業㈱ 唐澤 隆氏7 ）ウエハーコート用感光性耐熱材料
日立化成デュポンマイクロシステムズ㈱大江匡之氏
8 ） 光硬化型“黒色”接着剤〜光硬化型接着剤の進化～㈱スリーボンド 大槻直也氏
9 ）トピックス
黎明期からのリソグラフィの進化：
悠久のレジスト材料開発
神奈川大学 鴨志田洋一氏
参加費：会員・協賛会員 30,000 円
非会員 40,000 円 学生 20,000 円（いずれも予稿集代を含む）
申込方法：
ホームページ (http://www.tapj.jp) のメールフォー
ムにて送信、又は氏名・所属・連絡先を明記の上FAX にて事務局（043-290-3460）まで。
定員：95 名（申込締切：8 月 16 日（水））日時： 9 月 13 日（水）13 時 30 分〜17 時
見学先：産業技術総合研究所
フレキシブルエレクトロニクス研究センター
参加資格：当会会員のみ／参加費：無料
申込方法：
ホームページ (http://www.tapj.jp) のメールフォー
ムにて送信、又は氏名・所属・連絡先を明記の上FAX にて事務局（043-290-3460）まで。
定員：20 名程度（定員になり次第締め切ります）※詳細ご案内については後日通知します。

【第 223 回フォトポリマー講演会】
日時：10 月 12 日（木）13 時 00 分～17 時 00 分
会場：森戸記念館（東京理科大学）第一フォーラム新宿区神楽坂4-2-2
テーマ：『3D プリンティングの現状と将来』
参加費：会員： 1 社 2 名まで無料（要、会員証呈示）
非会員：3,000 円、学生 2,000 円（いずれも予稿集代を含む）
申込方法：
ホームページ (http://www.tapj.jp) のメールフォー
ムにて送信、又は氏名・所属・連絡先を明記の上FAX にて事務局（043-290-3460）まで。
定員：95 名（定員になり次第締め切ります）【平成 29 年度総会報告】
日時：2017 年 4 月 20 日（木）13 時 00 分から
会場：森戸記念館（東京理科大学）第一フォーラム
出席者数：34 名（委任状 9 名含む）
議案：
1 ．平成 28 年度事業報告承認の件
2 ． 平成 28 年度収支決算ならびに年度末貸借対照表
承認の件
3 ． 平成 29 年度事業計画の件
4 ． 平成 29 年度予算承認の件
議事：
会則に基づき、会長を議長として開会。
懇話会会則第 11 条により総会は成立。
議案 1,2,3,4 について承認、議決された。

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