HL615H

赤外発光ダイオード Infrared emitting diode

独自のチップ構造による高発光出力チップを採用しました 従来品比 3倍以上の発光出力を達成

The high luminescence output chip by an original chip structure was adopted.
It is an elegance ratio conventionally. The luminescence output of 3 times or more is attained.

写真(Ta＝25℃)● 樹脂レンズ付きパッケージ 半値角 ±20°
Package with resin lensHalf angle ±20°● 小型 薄型面実装パッケージ 3.2(L) x 1.5(W) x 2.0(H) mm
Small thin SMD package
3.2(L) x 1.5(W) x 2.0(H) mm● ピーク発光波長 850nm
Peak wavelength 850nm● 実装基板の裏面からの搭載が可能
Available to be mounted on the PCB backside● 鉛フリー半田 リフロー実装対応
Pb free, Reflow soldering available

ItemSymbolRating

Unit圧

Reverse voltage

VR5Ｖ

直 流 順 電 流

Forward current

IF60mA許Power dissipation

PD100mW

逆電容損

失＊1.

パ ル ス 順 電 流

Pulse forward current

IFP

動

作

温度

Operating temp.

ＴOPR.

-20～+70 ＊2.

℃

保存

温度

Storage temp.

ＴSTG.

-30～+90℃

半 田 付 温 度

Soldering temp.

TSOL.

260℃

＊1.

0.8

A

パルス幅 100μs, パルス周期 10ms [デューティ 1%]
Pulse Width=100μs, Pulse Period=10ms [Duty=1%]＊2.

結露無きことNo dew

CCD光源 , 防犯カメラの光源 , 光電スイッチ
CCD light source , Light source for security cameras ,Optoelectronic switch(Ta＝25℃)

Item

SymbolConditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

順

電圧

Forward voltage

VF

IF = 20mA

-

1.4-

V

逆電流

Reverse current

IR

VR = 5V

-

-

10μA

ピ ー ク 発 光 波 長Peak emission wavelength

λP

IF = 20mA-

850-nmスペクトル半値角

Spectral bandwidth 50%

ΔλIF = 20mA

-

45-nm

放射

強度

Radiant intensity

Ie

IF = 20mA-

17-mW/sr

放射強度Radiant intensity

IeIF = 800mA
Pulse Width=100μs, Pulse Period=10ms-

370-mW/sr-

6.5-mW-

±20-

deg.

発半＊3

光出値

力

Optical power

Po

角Half angleΔθIF = 20mA-＊3.

弊社測定治具による。
by our tester

本資料に記載しております内容は、技術の改良、進歩等によって予告なしに変更されることがあります。ご使用の際には、仕様書をご用命の上、内容の確認をお願い致します。
The contents of this data sheet are subject to change without advance notice for the purpose of improvement. When using this product,
please refer to the latest specifications.
May.2015

HL615H

赤外発光ダイオード Infrared emitting diode■ 順方向電流 / 順方向電圧特性Forward Current / Forward Voltage■ 放射強度 / 順方向電流特性■ パルス順電流特性 / パルス順電圧

Radiant Intensity / Forward Current

Pulse Forward Current / Pulse Forward Voltage

1001010000

パルス順電流
Pulse Forward Current IFP(mA)

放射強度
Radiant Intensity Ie(mW/sr)

10.0

1.0

0.1
1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

110

順電圧
Forward Voltage VF(V)

100

1.0

Ta = 25℃
IF = 20mA+
100

10030°

-60°

60°

50
3020%

2010-90°
10090°
10005050

パルス順電流
Pulse Forward Current IFP(mA)

Ta = 25℃ , IF = 20mA

120%40%40■ 許容順電流 / 周囲温度 特性

3.560%6010000

3.080%8070

12.5

100%0°90-30°

102.0Spectral Distribution

Ta = 25℃ , tw 100μs , Duty 1%-1.5■ 発光スペクトル

1000

放射強度
Radiant Intensity Ie(mW/sr)1

パルス順電圧Pulse Forward Voltag VFP(V)

Radiation Diagram

1000

101000■ 指向性

Radiant Intensity / Pulse Forward Current

100100順電流
Forward Current IF(mA)■ 放射強度 / パルス順電流特性

101000

相対光出力
Relative intensity (%)

順電流
Forward Current IF(mA)

100.01

相対出力
Relative intensity (%)

0%700750800

850900950

1000

波長Wave length λ(nm)■ 許容損失 / 周囲温度 特性

Capacitance Forward Current / Ambient TemperaturePower dissipation / Ambient Temperature

150

許容損失
Power dissipation PD(mW)

100

順電流
Capacitance Forward Curren IF(mA)

Ta = 25℃ , tw 100μs , Duty 1%

Ta = 25℃

Ta = 25℃
1000

501005000-20020406080

周囲温度
Ambient Temperature Ta(℃)

100-20020406080

100

周囲温度
Ambient Temperature Ta(℃)

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May.2015

HL615H

赤外発光ダイオード Infrared emitting diode■ 順電圧 / 周囲温度 特性■ 相対発光出力 / 周囲温度 特性

Forward Voltage / Ambient Temperature

Relative Optical power / Ambient Temperature

IF = 20mA

2.0

IF = 20mA

10.0

相対光出力
Relative Optical power

順電圧
Forward Voltag (V)

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0-30 -20 -10 0

10 20 30 40 50 60 70 80

周囲温度
Ambient Temperature ta (℃)

1.00.1-30 -20 -10 0

10 20 30 40 50 60 70 80

周囲温度
Ambient Temperature ta(℃)

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May.2015

赤外発光ダイオード Infrared emitting diodeHL615H

ご使用上の注意 Ｃａｕｔｉｏｎ on usage■ リフロー条件 Reflow soldering.
MAX10sec
Temperature

300℃
1～4℃/sec
200℃

MAX250℃
230℃

150～180℃
MAX40sec

100℃

1～4℃/sec
60～120sec

Time

1. 上記温度プロファイル内の条件であっても、基板の反り・曲がり等によりパッケージﾞに応力が加わった場合、パッケージﾞ内部の金線断線を誘発する恐れがありますので、ご使用になられるリフロー装置に於いて十分製造条件確認後、御使用下さい。
Though reflow under the conditons of the reflow sodering profiles, it is recommended to check thoroughly the actual conditionsof the reflow machine when using, since the stresses occurred inside the package, caused by the PCB's curving or bending,may provoke the disconnection of the internal gold wires.
2. リフロー時製品上にものが重なった場合、パッケージ樹脂の変形を誘発する恐れがありますので、御注意お願い致します。
Do not pile anything on the product during soldering as it may cause the deformation of the package resin.
3. リフロー半田を2回行う場合、1回目が終了して48hr以内に2回目の処理を行って下さい。
リフロー半田は2回までとしてください。
When soldering twice, please process the second reflow within 48 hours after first reflow.
Reflow should be performed twice or less.

■ 手半田 Manual soldring

半田付けは２６０℃、３秒以内で行って下さい。
製品の変形、故障防止のため、半田付け時及び半田付け直後は製品に外力が加わらないようにご注意下さい。
Please solder by the limit once within 260℃ 3 second.
Do not subject the product to external force during soldering,or just after soldering, as it may cause deformation
or defects of the product.

■推奨ランドパターン

スクリーン印刷のメタルマスクとしては、0.2mm～0.3mm厚を推奨します。
但し、リフロー条件・半田ペースト･基板材料等により半田付け性が変動する事がありますので実使用条件にて確認のうえご使用下さい。

The thickness recommended as a metal mask of the screen printing is
0.2mm - 0.3mm. However, please check the actual use conditon beforehand,because solderability is variable depending on the actual reflow conditions,type of solder pastes, or substrate materials.

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赤外発光ダイオード Infrared emitting diode
ご使用上の注意

Ｃａｕｔｉｏｎ on usage■保管上の注意

Cautions on storage

HL615H

1. 本製品の吸湿をさけるため、開封前の保管環境としてはドライボックス保管が望ましいですが、ドライボックス保管が出来ない場合は下記条件を推奨します。
To prevent product from moisture damage, it is desirable to store in the dry box before breaking the seal,
If unable to do so, the conditions stated below are recommended.
温度 Temperature ： 10～30℃
湿度 Humidity： 60％RH or less

2. 本製品は防湿梱包をしておりますので、開封後は48hr以内でのご使用をお奨め致します。
開封後保管される場合は、ドライボックス保管、または弊社納入時の防湿袋に乾燥剤を入れ、市販のシーラー等で再密閉し保管して下さい。
This product is packed in a moisture-proof bag, after breaking the seal., it is recommended to use it within 48 hours.
When storing again, please store in a dry box or reseal the moisture-proof bag with a desiccant.
3. 防湿梱包状態で3ヶ月、もしくは防湿梱包開封後から48hr以上経過した製品は、ご使用前に下記条件にてベーキング処理を行って下さい。
Passed three months or more in a moisture-proof bag, or 48 hours or more after breaking the seal,
please bake the product under the condition stated below before use.
60℃ ：80℃ ：72hr～100hr(テーピング状態における推奨条件) (Reels)
24hr～48hr(バルク状態における推奨条件) (Balk)

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赤外発光ダイオード Infrared emitting diode
梱包仕様

Packing specification

本製品の輸送中及び保管中の吸湿をさけるため、防湿袋へ乾燥剤投入後シーラーにて密閉し包装を行います。
プラスチックリール・防湿袋には表示シールを貼り付けます。
最小梱包単位 ： 1000個/1リール
To prevent the product from moisture absorption during transportation or storage, it is sealed up in a moisture-proof bagwith a desiccant. A display seal is stuck on a plastic reel and a moisture-proof bag.
The minimum packing quantity ： 1,000pcs/reel
R1.0

D±0.8

Reel dimensions
E±0.5■リール図+2.0

B-0.0

C±0.2(単位 UNIT : mm)
記号寸法(参考値)
symbolDimensions
A
φ180.0
B
φ60.0
C
φ13.0
D
φ21.0
E
2.0
T
1.2
W
13.0

T
A±2.0

■テープ図

記号
symbol
AB
D0
D1

W±1.0

Taping dimensions

寸法 (参考値)
Dimensions
1.90
3.60
1.55
1.00

記号
symbolEFP0P1

寸法 (参考値)
Dimensions
1.75
5.50
4.008.00

記号symbol
P2t1t2W0

寸法 (参考値)
Dimensions
2.00
0.30
2.2012.00

記号symbol
W1-(単位 UNIT : mm)
寸法 (参考値)
Dimensions
9.50-

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赤外発光ダイオード Infrared emitting diode

問い合わせ先/A REFERENCEURL http://www.kodenshi.co.jp■ 営業推進センター（西日本）/SALES（WEST）■ 営業推進センター（東日本）/SALES（EAST）

TEL 0774-20-3559 FAX 0774-24-1031
TEL 03-6455-0280 FAX 03-3461-1566

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May.2015