EL342

赤外発光ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs)

EL342は、透明エポキシ樹脂でモールドされたトップビュータイプの高出力赤外発光ダイオードです。小型で指向性が広くなっています。

The EL342 is a high power IR LED mounted in a clear epoxy resin package. With lensed package, this small
device has wide beam angle.

特長 FEATURES

最大定格 MAXIMUM RATINGS
Item

小型（φ3.0mm）
Compact(φ3.0mm)● 指向性が広い
Wide beam angle●用途 APPLICATIONS

逆電圧

Reverse voltage

順電流SymbolRating

UnitVR3V

Forward current

IF50mA

パルス順電流

Pulse forwad current ＊1

IFP300mA

許 容 損 失Power dissipationPD75mW

動 作 温 度Operating temp.

Topr.

－25～＋80℃

保 存 温 度Storage temp.

Tstg.

－30～＋85℃

Tsol.

260℃

半田付温度

各種センサー
Optical sensor（Ta＝25℃）

Soldering temp.

＊2＊1. tw=100usec, T=10msec＊2. リード根元より2mm以上離れた所で5秒まで
Since 5sec at location minimum 2mm away from the package root.

電気的光学的特性 ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS（Ta＝25℃）

Item
順

電圧

SymbolForward voltage＊1Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit.

VF

IF=20mA

─1.3

1.5V

VFP

IFP=300mA tw=100usec T=10msec

パルス順電圧Pulse Forward voltage

逆電流Reverse current

IRVR=3V──

10μA

放射束

Radiant flux

ΦeIF=50mA

─

14

─mW

放度

Radiant intensity

IeIF=50mA─8

─mW/srピーク発光波長Peak wavelength

λPIF=20mA

─940

─

nm

スペクトル半値幅

Spectral bandwidth 50%△λIF=20mA

─

45

─

nm

─deg

半射値

強V

1.7

角Half angle△θ

IF=20mA

─±35

本資料に記載しております内容は、技術の改良、進歩等によって予告なしに変更されることがあります。ご使用の際には、仕様書をご用命のうえ、内容の確認をお願い致します。
The contents of this data sheet are subject to change without advance notice for the purpose of improvement. When using this product,
would you please refer to the latest specifications.

Sep.2012

EL342

赤外発光ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs)■許容パルス順電流／デューティー比 I FP /Duty■許容順電流／周囲温度 I F /Ta（mA）（A）

60101010■順電流／順電圧特性 I F /V F（mA）

Ta=25℃

120
1004030201

順電流 IF
Forward current

許容パルス順電流 IFP
Power pulse forward current

50
許容順電流 IFPower forward current

Ta=25℃
tw=100μsec

-10.1
100.1

1080
60
40200-2-250255075

100.0110 -110010 0（℃）

周囲温度 TaAmbient temperature

10 11.52.0（V）（%）

Ta=25℃

10 31.0
順電圧 VF
Forward voltage■発光スペクトル■相対発光出力／周囲温度特性 P O /Ta（mW）

0.5（%）

デューティー比 Duty

■放射束／順電流特性 Φe/I F

00.0

10 2

Ta=25℃

120

10 2100

10 1

10 0

10 1
相対出力
Relative intensity

相対発光出力 PO
Relative radiant intensity

放射束 ΦeRadiant flux

10 2

10 0806040

10 -120

10 -1110100

1000

10 -3-20（mA）

順電流 IF
Forward current

0204060

周囲温度 Ta
Ambient temperature

80

1000400500（℃）

600

700

800

900

10001100（nm）

波長 λWavelength■指向特性角度（deg.）
Angle
0－20＋20＋4040＋80－80－0＋660－100

相対出力（%）
Relative intensity＋100－10005050100

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EL342

赤外発光ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs)

外形寸法 DIMENSIONS（Unit : mm）

1 Max(4.7)

1.63.33.8
φ3.020 Min

0.50.42.54 リード根元における寸法

1122Anode Cathode

問い合わせ先/A REFERENCEURL http://www.kodenshi.co.jp■ 東京営業/TOKYO SALES■ 京都営業/KYOTO SALES■ 海外/OVERSEASTEL 03-6455-0280 FAX 03-3461-1566
TEL 0774-20-3559 FAX 0774-24-1031
TEL +81-(0)774-24-1138 FAX +81-(0)774-24-1031

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Sep.2012