EL-1K3

赤外発光ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs)

EL-1K3は、メタルキャップをパーメチックシーリングした、TO-18タイプの高出力GaAs赤外発光ダイオードです。屋外使用等厳しい条件下での信頼性が高められ、経時変化が少なく、耐久性、高信頼性の要求に答えます。

The EL-1K3 is a high-power GaAs IRED mounted in durable, hermetically sealed TO-18 metal can package,
providing years of reliable performance even under demanding conditions such as use outdoors.

最大定格 MAXIMUM RATINGS

特長 FEATURES

Item

TO-18フラットガラスキャンタイプ
TO-18 can type with glass lense● 高信頼性High reliability●用途 APPLICATIONS
光電スイッチ
Optical switches

逆電圧Reverse voltage

順電（Ta＝25℃）

SymbolRating

Unit

VR5V流

Forward current

IF100mA

許 容 損 失Power dissipation

PD170mW

パルス順電流

Pulse forward current

IFP

1A

動 作 温 度Operating temp.

保 存 温 度Storage temp.

半田付温度Soldering temp.

*1

*2

Topr.

－40～＋100 ℃

Tstg.

－55～＋125℃

Tsol.

260℃

＊1. パルス幅:ｔｗ≦100μs 周期:T=10ms
pulse width:ｔｗ≦100μs period:T=10ms＊2. リード根元より2mm離れた所で ｔ=5 s
For MAX. 5 seconds at the position of 2mm from the resin edge

電気的光学的特性 ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS（Ta＝25℃）

ItemSymbolConditions

Min.

Typ.

Max.

Unit.

1.35

1.7V─

10μA

順

電圧

Forward voltage

VFIF=100mA─

逆電流

Reverse current

IRVR=5V

─力Radiant intensity

PoIF=100mA

─7─mW

ピーク発光波長Peak emission avelength

λP

IF=100mA

─940

─

nm

スペクトル半値幅

Spectral bandwidth 50%△λIF=100mA

─50

─

nm

半Half angle△θ

IF=100mA

─

±36

─

deg

発光値

出角

本資料に記載しております内容は、技術の改良、進歩等によって予告なしに変更されることがあります。ご使用の際には、仕様書をご用命のうえ、内容の確認をお願い致します。
The contents of this data sheet are subject to change without advance notice for the purpose of improvement.

would you please refer to the latest specifications.

When using this product,Sep.2012

EL-1K3

赤外発光ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs)■許容損失／周囲温度

P D /Ta■発光出力／順電流特性

P O /IF■相対発光出力／周囲温度特性

（mW）

（mW）

P O /Ta

10Ta =25℃

発光出力 P O
Radiant intensity

許容損失 P D
Power dissipation

150100相対発光出力 P O
Relative radiant intensity

10 1200

10 0

10 －1

1500020406080100（℃）

10 －2

10 010 1

周囲温度 Ta
Ambient temperature

10 2

10 3（mA）

0.1－20020

順電流 IF
Forward currentIF/VF■順電流／順電圧特性■発光スペクトル

Ta =25℃60＋＋80

順電流 IF
Forward current

50－80＋100050900

1000

1100（nm）

000.5

1.02.050

相対出力（%）
Relative intensity

100（V）

順電圧 V F
Forward voltage

波長 λWavelength■相対発光出力／距離特性1.5－100

800

4007000－

100600－250205000＋400400100（℃）－6

相対出力
Relative intensity

0＋240

1006080

角度（ °）Angle

Ta =25℃8060■指向特性（mA）
（%）

10040

周囲温度 Ta
Ambient temperature

P O /L ※1（%）

相対発光出力 P O
Relative radiant intensity

Ta =25℃100※1相対発光出力／移動距離特性
測定方法
Ta =25℃

10IF =50mA

L

受光素子 SP-1ML1110100（mm）

移動距離 LDistance

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EL-1K3

赤外発光ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs)

外形寸法 DIMENSIONS（Unit : mm）
φ4.65±0.2
φ4.0±0.2

Clear Glass

0.44.5±0.2

Disposal Nickel

26.5±1φ0.452.54±0.25
φ5.4±0.2①②145゜
1①
Anode②
Cathode問い合わせ先/A REFERENCEURL http://www.kodenshi.co.jp■ 東京営業/TOKYO SALES■ 京都営業/KYOTO SALES■ 海外/OVERSEASTEL 03-6455-0280 FAX 03-3461-1566
TEL 0774-20-3559 FAX 0774-24-1031
TEL +81-(0)774-24-1138 FAX +81-(0)774-24-1031

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Sep.2012