日本磁気学会論文特集号
1巻2号
ONLINE

ISSN: 2432-0471

Electronic Journal URL: https://www.jstage.jst.go.jp/browse/msjtmsj/-char/ja/

CONTENTS
Magnetic Recording
強磁性絶縁体を用いた MTJ における MR 効果………………………………… 左手宏毅・伊藤博介・本多周太

Board of Directors of The Magnetics Society of Japan
President:

K. Takanashi

Vice President:

K. Nakagawa, S. Nakamura

Director, General Affairs:

Y. Miyamoto, K. Niiduma

Director, Treasurer:

K. Aoshima, K. Ishiyama

Director, Planning:

Y. Saito, S. Nakagawa

Director, Editorial:

K. Kobayashi, T. Ono

Director, Public Relations:

H. Itoh, S. Greaves

Director, International Affairs:

Y. Takemura, M. Nakano

Auditor:Y. Suzuki, R. Nakatani

88

INDEX
T. Magn. Soc. Jpn. (Special Issues)., 1, 88-92 (2017)<Paper>強磁性絶縁体を用いた MTJ における MR 効果
MR effect in MTJ with ferromagnetic insulator
左手宏毅 a)・伊藤博介 a),b)†・本多周太 a),b)a)b)

関西大学大学院理工学研究科，大阪府吹田市山手町 3-3-35 (〒564-8680)
大阪大学基礎工学研究科付属スピントロニクス学術連携研究教育センター，大阪府豊中市待兼山町 1-3 (〒560-8531)

Koki Sate a), Hiroyoshi Itoh a),b)†, and Syuta Honda a),b)

Department of Pure and Applied Physics, Kansai Univ., 3-3-35 Yamate-cho, Suita 564-8680, Japan
Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-cho,a)b)

Toyonaka 560-8531, Japan

We calculated the conductance and magnetoresistance (MR) ratio in the ferromagnetic metal/ non-magnetic
metal/ ferromagnetic insulator/ non-magnetic metal junction by using a free electron model. The spin-filter in the
ferromagnetic insulator results in the MR effect. The value of the MR ratio oscillates as the thickness of the nonmagnetic metal layer is increased. The period of the oscillation is given by the Fermi wave length of the non-magnetic
metal and therefore the oscillation is caused by the interference of the electron wave function in the non-magnetic
metal. The extremum of the MR ratio saturates as the insulator thickness is increased. This saturated value does notdepend on the material parameters of the ferromagnetic insulator if the insulator is sufficiently thick. Furthermore,
the dispersion of the MR ratio originating from the unevenness in the thickness of the non-magnetic metal layer, which
could occur during fabrication, is suppressed by using the non-magnetic metal with longer Fermi wave length.
Key words: tunnel magnetoresistance, ferromagnetic insulator, spin filter

1. はじめにた MTJ の中間層に非磁性絶縁体を用いた強磁性金属リード/非磁高記録密度の磁気記録素子の実現のために大きな磁気抵抗(MR)

いては MR が報告されている 15)．しかし，中間層に非磁性金属を比を持つ磁気抵抗素子の微細化が望まれている．大きな MR 比が得られる磁気抵抗素子の一つにアモルファス AlO や単結晶 MgOのような非磁性絶縁体を中間層に用いた磁気トンネル抵抗素子(Magnetic Tunnel Junction: MTJ)がある 1)~4)．しかし，この従来の MTJ を微細化させると，磁化の向きの熱揺らぎの効果が大きくなり，磁化の向きが変化し記録した情報を失う可能性がある．これを解決するために磁気異方性の高い素材を用いる必要がある．し性絶縁層/強磁性絶縁層/非磁性金属リードの 4 層構造の MTJ にお用いた強磁性金属リード/非磁性金属層/強磁性絶縁層/非磁性金属
リードの 4 層構造の MTJ における MR の報告はなく，MR や伝導特性は明らかにはなっていない．本研究では自由電子モデルを用いた数値計算により，強磁性金属/非磁性金属層/強磁性絶縁層/非磁性金属の 4 層 MTJ における MR 比の非磁性金属層膜厚依存性を明らかにする．

かし，高い磁気異方性をもつ素材では，スピン注入磁化反転 5)~7)を用いた情報の書込みに必要な電流つまりは消費電力が大きくなる
問題点が指摘されている．そこで，消費電力（書込み電流）が増加
しない磁気抵抗素子の開発が必要である．
前述の書込み時の消費電力が大きくなる問題を解決するために強磁性絶縁体を用いた MTJ が提案された．この MTJ ではフリー層の強磁性体に絶縁体を用いている．強磁性絶縁体内ではバンドギャップの大きさ（あるいはポテンシャル障壁の高さ）が各スピンで異なるため，絶縁層を流れる電流はスピンフィルター効果 8)~11)
によって大きく分極させられ MR が出現すると期待されている．
強磁性絶縁体にスピン偏極した電流が流れるとき，強磁性絶縁体中でジュール熱が発生する．このジュール熱によって強磁性絶縁体の飽和磁化が減少するため，少ないスピントルクでフリー層である強磁性絶縁体の磁化を反転することが可能になる 12)~14)．したがって，フリー層に強磁性金属を用いた従来の MTJ よりも書込み

2. モデルと計算方法
本研究では強磁性金属リード(FM)/非磁性金属層(NM)/強磁性絶縁層(FI)/非磁性金属リード(NML)の 4 層構造の MTJ のコンダク

タンス(G )と磁気抵抗比(MR )を計算した．計算には伝導帯のみを考慮し，H = −ħ2 / (2m)∙2 + V のハミルトニアンで表される自由電子模型を用いた．ここで，ポテンシャル(V )は各層内で一定とし，Fig. 1 に示されるようにフェルミ準位(E F)を基準として選んだ．

FM の多数スピンのポテンシャル V FM+を−5.0 eV，少数スピンのポテンシャル V FM−を−1.8 eV，NM のポテンシャル V NM を−1.8

eV と仮定した．VFM−と VNM の値が等しいのは，FM に Fe，NMに Cr を想定したときの電子状態の特徴を反映している 16)．また，

NML のポテンシャル VNML も VNM と等しいとした．FI では多数
スピンのポテンシャルを V FI+を 4.0 eV，少数スピンのポテンシャ

時の消費電力が減少すると期待される．
新たに提案された強磁性絶縁体を用いた MTJ においても応用のためには大きな MR 比を得る必要がある．強磁性絶縁体を用い

88

Transaction of the Magnetics Society of Japan (Special Issues) Vol.1, No.2, 2017

INDEX

−4

EF

VFM–
VFM+

FM

VFM–=VNM=VNML

NM

FI

LNM

LFI

~~ 0.6 Å0MR

E (eV)

4

0

0.5

VFI–
VFI+

NML

LFI
3Å
5Å
10 Å

−0.5
~ 0.7 ÅFig. 1 Potential profile of the ferromagnetic metal lead (FM)/non-magnetic metal (NM)/ ferromagnetic insulator (FI)/non-magnetic metal lead (NML) junction. VFM, VNM, VIF,
and VNMI are the potential energy at the FM, NM, FI, and
NML, respectively. The signs + and − in the subscript of VFM(VFI) indicate the majority and minority spin states in FM(FI), respectively.

0

ル VFI–を 6.0 eV とした．つまり，FI 領域において多数スピンと少数スピンの伝導電子は，それぞれ 4.0 eV と 6.0 eV のポテンシャル
障壁を感じることになる．これらのポテンシャル構造の系において時間に依存しないシュレディンガー方程式を転送行列法により

2

4

6
LNM (Å)8

10

Fig. 2 MR as a function of LNM obtained for the junction with
L FI of 3, 5, and 10 Å in the one dimensional system. The
local maximum and minimum values of MR for L FI = 10 Åare denoted by solid (●, ■) and open (○, □) symbols,
respectively.

(x 10−9)8(a) Parallel(b) Anti-parallel

解くことで，フェルミ準位における各スピンチャンネルの透過率6を計算する．FM から NM へ入射する電子に対する透過率(T )をT CA sinh 2 ( LFI )  B

G (e2/h)

スピンなどの添え字を省略して記述すると(1)となる．ここで κ は FI 内における波動関数の減衰率を表しており

2

FI のポテンシャルやスピンに依存する量，LFI は FI の膜厚，係数

A，B，C，κ は各層のポテンシャルやスピン，磁化配列，FM/NM
界面での電子の入射角 θ で決定される．
入射角 θ が 0 ≤ θ < π /2 の範囲にあるすべての電子に対する透過率を考慮した三次元モデルと，界面に対して垂直(θ = 0)に入射する
電子のみの透過率を考慮した一次元モデルからコンダクタンス Gを求める．つまり，コンダクタンス G と透過率 T の関係は三次元

モデルでは

G

e 2 2T ( ) k F2 sin 2d  ，
h 0

(2)

4

0

G+−×100
G−+G++
G−−×100
0

10
LNM (Å)20 0

10
LNM (Å)20

Fig. 3 Spin-resolved conductances as a function of LNM
obtained for the junction with LFI of 10 Å in the one
dimensional system. The conductances G + + and G − − in theparallel arrangement of the magnetizations and those G + −and G − + in the anti-parallel arrangement are shown in (a)and (b), respectively.

一次元モデルではGe2
T ( 0)hである．ここで kF は FM でのスピンに依存したフェルミ波数である．さらに，FM と FI の磁化が平行配列(P)と反平行配列(AP) 時のコンダクタンス G P，G AP を用いて，MR 値 MR を

MR ≡ (G P – G AP)/G P(4)で定義する．
この定義では MR の最大値が 1，
最小値が−∞になる．

2 流体モデルを用いれば，GP と GAP は各スピンチャンネルのコン

ダクタンスの和で GP = G+++G−−，GAP = G+−+G−+と記述できる．
ここで，Gσ σ’ の添え字 σ は FM におけるスピンの状態，σ ’はFI におけるスピンの状態を表し，それぞれ+または−の値をとる．

3. 計算結果(3)
3.1

一次元モデルを用いた 4 層 MTJ の磁気抵抗

最初に，三次元自由電子モデルよりも単純な一次元自由電子モデルを用いた強磁性金属リード(FM)/非磁性金属層(NM)/強磁性絶縁層(FI)/非磁性金属リード(NML)の 4 層 MTJ における MR を検証する．つまり(3)式を使い，θ = 0 の T からコンダクタンスを計算した．その結果，この 4 層 MTJ においても確かに MR 効果が得られることが明らかとなった．
FI の膜厚(LFI)が 3，5，10 Å の 4 層 MTJ において，MR 値の
NM 膜厚依存性を Fig. 2 に示す．MR 値は NM 膜厚に対して周期的に振動した．振動の周期は FI 膜厚に依らず 4.6 Å であった．まTransaction of the Magnetics Society of Japan (Special Issues) Vol.1, No.2, 201789

INDEX

0

0

MR

0.5

MR

0.5

−0.5

−0.5

0

0

10

20

30
LFI (Å)40

50

Fig. 4 Maximum (closed circles) and minimum (open circles)
values of MR as a function of LFI in the one dimensional
system.
た，MR 値が極大や極小となるときの NM 膜厚や，極大値・極小
値は FI 膜厚によって変化した．Fig. 2 には，FI 膜厚が 10 Å にお

~ 0.6 Å~ 0.8 Å

2

LFI
3Å
5Å
10 Å
4

6
LNM (Å)8

10

Fig. 5 MR as a function of LNM obtained for the junctions
with LFI of 3, 5, and 10 Å in the three dimensional system.
The local maximum and minimum values of MR for LFI =10 Å are denoted by solid (●, ■) and open (○, □) symbols,
respectively.

0.5

ける MR 値の極大値を●と■で，極小値を○と□で，また，NM膜厚の薄い方から 1 番目の極大値と極小値をそれぞれ丸印で，2番においては最大の MR 値は 0.31 であり，FI 膜厚が 10 Å に増加す
ると最大の MR 値は 0.4 に増加した．同様に最小の MR 値（負のMR

目以降の極大値と極小値を四角印で示す．FI 膜厚が 3 Å の MTJ0MR）も FI 膜厚が大きい程小さく，FI 膜厚が 10 Å の MTJ においては最小の MR 値は−0.66 になった．同じ FI 膜厚の MTJ にお−0.5

いて最大と最小の MR 値の絶対値が異なるのは，MR 値の定義による．
FI 膜厚が 10 Å のときの各スピンチャンネルのコンダクタンス0

を Fig. 3 に示す．磁化配列が平行・反平行いずれの場合も FM で多数スピンとなるコンダクタンス(G++，G+−)は NM 膜厚に対して4.6 Å の周期で振動した．この振動周期が NM におけるフェルミ
波長(9.2 Å)の半分であるため，この振動は NM に形成される量子井戸での電子波の量子干渉効果に起因することがわかる 16)~19)．こ

10

20

30
LFI (Å)40

50

Fig. 6 Maximum (closed circles) and minimum (open circles)
values of MR as a function of L FI in the three dimensional
system.
る．したがって，VFI がスピンに依存し，FI 膜厚が十分に大きな場

れが MR 値の振動の原因となる．また，VFM− = VNM であるため，合は，MR 値は FI の材料パラメータに依存せず，その収束値はFM/NM 界面では FM で少数スピンとなる波動関数は散乱されな各金属層の材料パラメータで決まることになる．

ず一定になる．さらに，FI で多数スピンとなる伝導チャンネルの3.2

い．したがって，コンダクタンス(G− −，G− +)は NM 膜厚に依存せコンダクタンス(G++，G− +)の方が，FI で少数スピンとなる伝導チ
ャンネルのコンダクタンス(G− −，G+ −)よりも 100 倍程度大きな値が得られた．このことから，FI においてスピンフィルター効果が得られていることがわかる．
Fig. 2 においては FI 膜厚 10 Å に対する最大・最小の MR 値
を●と○で示したが，FI 膜厚と最大・最小となる MR 値との関係

三次元モデルを用いた 4 層 MTJ の磁気抵抗

三次元自由電子モデルを用いた強磁性金属リード(FM)/非磁性金属(NM)/強磁性絶縁体(FI)/非磁性金属リード(NML)の 4 層 MTJにおいて，(2)式を用いて透過率を入射角 θ について積分することでコンダクタンスを計算し MR 値を見積もった.FI 膜厚が 3，5，10 Å の場合の MR 値の NM 膜厚依存性を Fig. 5 に示す．
MR 値は NM 膜厚に対して振動した．ここで，FI 膜厚 10を Fig. 4 に示す．ただし，各 FI 膜厚において，MR 値が最大・最Å における MR 値の極大値を●と■で，極小値を○と□で示小となる NM 膜厚は異なる．FI 膜厚の増加によって，最大・最小

す．一次元モデルとは異なり，MR 値の極大値・極小値のの MR 値の絶対値はそれぞれ単調に増加し，FI 膜厚が 10 Å 程度
でこれらの値は収束した．FI での多数スピン，少数スピンに対する波動関数の減衰係数 κ+，κ−が κ+< κ−であり，かつ FI 膜厚が大きい場合，GP  G++  D++exp(−2κ+L FI)，GAP  G− +  D−+ exp(−2κ+LFI)と近似される．ここで，D は FI 膜厚に依存しない定数である．

結果として FI の減衰係数や膜厚には依存しない MR 値が得られ

90

絶対値は，NM 膜厚が増加するにつれて減少した．したがって，MR 値の極大値・極小値のなかで NM 膜厚が最も小さい場合に対するものが最大の MR 値（FI 膜厚 10 Å に対しては●），最小の MR 値（FI 膜厚 10 Å に対しては○）となった．それらの絶対値は一次元モデルと同様に FI 膜厚が増加するにしたがって増加した．例えば最小の MR 値は，FI 膜

Transaction of the Magnetics Society of Japan (Special Issues) Vol.1, No.2, 2017

INDEX

1

0.5

LFI
5Å
10 Å
50 Å

0.4

0.2
0

4
0
−4

E (eV)

0.6

MR

T(θ)/T(0)

0.8

0

20

40
60
θ (degree)

0

VFI–
VFI+
VFM–
VFM+
FM
NM

FI

LNM

LFI

−0.5

7.1 Å

MRmin

80

0

5

VFM– = VNML ≠ VNM
EF

LFI = 10 Å

NML

MRmin × 0.9

10
LNM (Å)15

20

Fig. 7 Normalized transmission coefficient T (θ )/T (0) as afunction of θ obtained for the junction with LFI of 5, 10, and50 Å in the three dimensional system. Here, T (θ )/T (0) of
the minority spin state in the parallel arrangement isshown.

Fig. 8 MR as a function of the LNM in the junction with the
L FI of 10 Å in which the V NM is set to −0.18 eV under thethree dimensional system. Inset shows the potential profiles
for this junction. The minimum value of MR (MRmin) isdenoted by an open circle symbol.

厚が 3 Å においては−0.53，5 Å においては−0.68，10 Å において

まり，FI 膜厚の増加によって電子の伝導が一次元的になる．

は−0.73 となった．また，FI 膜厚が 3，5，10 Å の MTJ におい

結果として，三次元モデルにおいて FI 膜厚の増加にともなて MR 値の NM 膜厚に対する振動の周期はそれぞれ約 5.2，

い MR 値の収束値が一次元モデルの MR 値の結果に近づ

5.1，5.0 Å であった．さらに FI 膜厚を増加させると，この振動

く．

の周期は第 3.1 節の一次元モデルにおける MR 値の NM 膜厚に対する振動の周期である 4.6 Å に漸近した．これは自由電子模型を用いた FM/NM/FM 接合やタイトバインディ

3.3

磁気抵抗の NM ポテンシャル依存性

これまでに示した結果では，FM と NM のポテンシャルとしてング模型を用いた FM/NM/非磁性絶縁層(NI)/FM 接合におFe と Cr の電子状態の特徴を再現するようなパラメータを用いてける電気伝導特性の過去の研究結果と定性的に一致する 17),

きた．このとき，NM 膜厚に対して MR 値は大きく振動し，振動の周期は約 4.6 Å であった．しかし，本モデルでは大きな MR 値

18)

次に FI 膜厚と最大・最小の MR 値の関係を Fig. 6 にプを得られる NM 膜厚の範囲が狭い．最大の MR 値の例えば 90％

ロットする．一次元モデル同様に FI 膜厚が 10 Å 程度まで

以上の大きさの MR 値が得られる NM 膜厚の範囲は 1 Å 以下では FI 膜厚の増加とともに最大・最小の MR 値の絶対値はあった．FI 膜厚 10 Å の接合における最大・最小の MR 値の絶対急峻に増加した．その後，FI 膜厚の増加とともに最大・最値の 90％以上の MR 値が得られる NM 膜厚の範囲を Figs. 2，5

小の MR 値は緩やかに収束した．FI 膜厚が 50 Å のとき，最内に緑の横棒で，その幅を緑の数字で記述する．このように NM

大の MR 値は約 0.4，最小値は約−0.7 であり，これらの MR

膜厚に対して MR 値の変化が大きい場合，実際に素子を作成する

値は一次元モデルの結果にほぼ一致する．これらの結果か際にNM 膜厚のばらつきが生じるとMR 値も大きくばらつく可能

ら，三次元モデルにおいても FI を用いた 4 層 MTJ の MR性がある．MR 値の NM 膜厚に対する振動の周期は NM のフェル値は一次元モデルの MR 値とほぼ同様の傾向がみられるこミ波長で決まることが明らかとなったため，長いフェルミ波長をとがわかる．

持つ材料を NM に選択することで，MR 値の振動の周期を長くす

三次元モデルでの MR 値が FI 膜厚の増加にともない一ることができる．言い換えると，NM 膜厚の変化に対する MR 値

次元モデルの MR 値と同等の値に収束した理由を透過率のの変化を緩やかにすることができる．したがって，NM 膜厚のば

FI 膜厚に対する変化を用いて説明する．FM 内の電子の波

らつきによる MR 値のばらつきを抑制できると考えられる．

動関数の減衰係数 κ は



2mV FI 

2

k F sin 
2

2

(5)

三次元モデルで VNM を−0.18 eV に変更した FM/NM/FI/NML

接合において FI 膜厚が 10 Å のときの MR 値の NM 膜厚依存性を計算した結果を Fig. 8 に示す．正負で非対称な MR 値が得られで与えられる．したがって，(1)式より θ の増加とともに透た．また，絶対値が大きな負の MR 値が得られる NM 膜厚の範囲

10，50 Å の反平行磁化配列 MTJ における少数スピンの透値が得られる NM 膜厚の範囲は LNM = 3.0 Å から LNM = 10.1 Å ま

過率 T は減少する．Fig. 7 に NM 膜厚 10 Å で FI 膜厚が 5，
過率の θ 依存性を示す．θ が増加するにつれて透過率が減

少した．また，その減少は FI 膜厚が大きいほど顕著となっが広い．最小の MR 値(−0.68)の例えば 90％以上の大きさの MR

での 7.1 Å となった．FI 膜厚が 5，50，200 Å の接合においてもこの傾向は変わらず，最小の MR 値の 90％以上の大きさの MR 値

た．したがって，(2)式からわかるように，FI 膜厚が大きいが得られる NM 膜厚の範囲は約 7 Å であった．このことから，NM

ほどコンダクタンスへの T (θ = 0)の寄与が大きくなる．つにフェルミ波長が長い材料を用い，MR値が最小となるようにNM

Transaction of the Magnetics Society of Japan (Special Issues) Vol.1, No.2, 201791

INDEX

膜厚を選べば，素子作成の際の NM 膜厚のばらつきによる MR 値のばらつきを抑制することができると考えられる．
最後に，VNM がさらに大きな場合，つまり，フェルミ準位よりも VNM が大きな場合についても考察する．
この場合，中間層が非磁性金属層(NM)ではなく非磁性絶縁層(NI)となる。NI が十分に厚ければ FM/NI/FI/NML 接合のコンダ
クタンスはG  '  K   ' exp( 2 NILNI ) exp( 2 ' L FI )(6)と近似される．ここで，K は NI 膜厚には依存しない定数， NI は NI のポテンシャルに依存する減衰係数，L NI は NI

膜厚である．(4)，(6)式から FM/NI/FI/NML 接合におけるMR 値は NI 膜厚に対して振動しない．しかし，NI 膜厚のばらつきに対してコンダクタンスが指数関数的にばらつくことがわかる．
4. 結論
強磁性金属リード(FM)/非磁性金属層(NM)/強磁性絶縁層(FI)/非

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68, 174421 (2003).
2016年10月21日受理，2017年5月18日採録

磁性金属リード(NML)の4 層 MTJ におけるMR 値の NM 膜厚依存性を数値計算により検証した．計算には自由電子模型を用いた．
この 4 層 MTJ においてスピンフィルター効果によって MR効果が得られることが確認された(Figs. 2, 5)．MR 値やコンダク
タンスが NM 膜厚に対して振動した．NM 膜厚に対する最大・最小の MR 値は FI 膜厚が十分厚いと一定値に収束した(Figs. 4, 6)．（例えば，本研究で用いたパラメータでは最大の MR 値の収束値は約 0.4．）その収束値は FI のポテン
シャル障壁の高さには依存せず，金属層の材料によって決まった．
MR 値やコンダクタンスの NM 膜厚に対する振動は FMと FI に挟まれた NM に形成される量子井戸で電子波が干渉すること（量子干渉効果）によって生じた．それらの振動の周期は NM のフェルミ波長の約半分の値になった．したがって，長いフェルミ波長を持つ材料を NM に用いること
で，素子作成の際に生じる NM 膜厚のばらつきに起因するMR
値のばらつきを抑制できることを提案した(Fig. 8)．

謝辞

本研究は JSPS 科研費 JP25820135 の助成を受けたものです．
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92

Transaction of the Magnetics Society of Japan (Special Issues) Vol.1, No.2, 2017

INDEX

Editorial Committee Members・Paper Committee Members
K. Kobayashi and T. Ono (Chairperson),(T. Kato, K. Koike and T. Taniyama (Secretary)
A. Fujita
H. GotoH. Hashino
Y. Hirayama
S. Honda
Y. Kanai
S. Kasai
A. Kikitsu
H. Kikuchi
T. Kimura
K. Miura
T. Nagahama
H. Naganuma
M. Naoe
M. OhtakeY. Sasayama
T. SatoT. SatoS. Seino
K. Sekiguchi
T. Shima
Y. Shiratsuchi
M. Sonehara
T. Tanaka
K. Yamamoto
N. Adachi
N. Inaba
S. Kokado
T. Nakagawa
K. Tajima
K. Yamazaki

K. Bessho
S. Isogami
Y. Kota
H. Nakayama
M. Takezawa
S. Yoshimura

M. DoiK. KamataT. MakiT. Narita
T. Takura

T. DoiH. KatoE. Miyashita
D. Oyama
M. Tsunoda

S.InuiT. Kubota
N. Pham
M. Sekino
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M. EndoK. KatoT. Morita
T. Saito
S. Yabukami

T. Hasegawa
T. KodaS. Muroga
R. Sugita
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編 集 委 員・論 文 委 員
小林宏一郎（理事） 小 野 輝 男 （理事）加 藤 剛 志 （幹事）小 池 邦 博 （幹事）谷 山 智 康 （幹事）
乾
成里
大竹
充
葛西伸哉
金井
靖
喜々津哲
菊池弘昭
木村
崇
笹山瑛由
佐藤
拓
佐藤
岳
嶋
敏之
白土
優
清野智史
関口康爾
田中哲郎
直江正幸
永沼
博
長浜太郎
橋野早人
PHAM NAMHAI
本多周太
三浦健司
山本健一
湯浅裕美
安達信泰
古門聡士
土井正晶
森田
孝

磯上慎二
小田洋平
中川
貴
薮上
信

稲葉信幸
齊藤敏明
中山英俊
山崎慶太

遠藤将起
杉田龍二
成田正敬
山本崇史

小山大介
田倉哲也
長谷川崇
吉村
哲

加藤宏朗
竹澤昌晃
別所和宏

加藤和夫
田島克文
槙
智仁

窪田崇秀
関野正樹
平山義幸

後藤博樹
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鎌田清孝
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神田哲典
土井達也
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日本磁気学会論文特集号
Vol. 1 No. 2 (通巻第 2 号) 2017 年 9 月 1 日発行

Vol. 1 No. 2 Published Sep 1, 2017by the Magnetics Society of JapanTokyo YWCA building Rm207, 1–8–11 Kanda surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo 101–0062
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