プラズマエレクトロニクス分科会会報 No. 42
2005（平成17）年6月発行

目次
巻頭言「第６回反応性プラズマ国際会議開催準備に因む雑感」

東北大学

畠山力三

１

第3回プラズマエレクトロニクス賞
受賞者の紹介「プラズマエレクトロニクス賞を受賞して」「プラズマエレクトロニクス賞を受賞して」

名古屋大学
九州大学
慶応義塾大学

河野明廣
渡辺征夫
真壁利明

３
４
６

研究室紹介 （その３２）
防衛大学校 中野研究室
海外の研究事情 （その１７） 「スタンフォード大学滞在記」

防衛大学校
中野俊樹
スタンフォード大学 伊藤剛仁

７１１

国際会議報告15th Symp. Applications of Plasma Processes
and 3rd EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing
6th Frontiers in Low Temperature Plasma Diagnostics

慶応義塾大学
名古屋大学

真壁利明
河野明廣

１４
１５

名古屋大学
高知工科大学
東北大流体研
九州大学
名城大学
富士通（株）

河野明廣
八田章光
遠藤 明
白谷正治
平松美根男
中村守孝

１７
１９

関根誠

２４
２５
２７
２８
２９

八田章光
遠藤 明
畠山力三
畠山力三
大森達夫
八田章光
八田章光
大森達夫

３２

国内会議報告プラズマ科学シンポジウム2005/第22回プラズマプロセシング研究会
2005年春季第52回応用物理学関連講演会シンポジウム報告

2005年春季第52回応用物理学関連講演会合同セッションＤ
2005年春季第52回応用物理学関連講演会合同セッションＦ
2005年春季第52回応用物理学関連講演会合同セッションＨ．2005年春季第52回応用物理学関連講演会合同セッションＨ
分科内総合講演「MEMSデバイスと加工技術」
UConn
2005年度（平成17年度）プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿
2005年度（平成17年度）プラズマエレクトロニクス分科会幹事役割分担
2005年度（平成17年度）プラズマエレクトロニクス分科会関連の各種世話人
平成16年度後期および平成17年度前期活動報告
行事案内
2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会シンポジウム案内
ICRP-6/SPP-23 案内
第12回プラズマエレクトロニクスサマースクール
第16回プラズマエレクトロニクス講習会
第20回光源物性とその応用研究会
Light Sources Workshop
第6回将来ビジョン研究会
掲示板
第4回プラズマエレクトロニクス賞公募会告プラズマエレクトロニクス関連会議日程
プラズマエレクトロニクス分科会会員名簿変更届
編集後記

高知工科大学
東北大流体研東北大学
東北大学
三菱電機（株）高知工科大学
高知工科大学
三菱電機（株）

２０
２１
22

３４
３６
３８
３９
４０
４１

４２
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４５
４６

i

巻頭言

第６回反応性プラズマ国際会議開催準備に因む雑感
東北大学大学院工学研究科

畠山力三

本会報の行事案内覧に後掲されていますようでありましよう。次には, 自分の現在の研究課題に, プラズマプロセスに関連する諸現象を物理・に直結しないが将来の発展性・展開を意識して近化学的観点から基礎的に解明し, 複雑な反応性プ

傍の研究領域・分野の話を聞き, アイデアの醸成

ラズマを制御する手法を学術的に確立することと学問（科学技術）視野の拡大が狙いであり, いを主眼とすると共に, これを基にした最先端のプ

わゆる学際性（I nterdisciplinary）を期待するこ

ラズマ応用に関する第６回目の「反応性プラズマとでしょう. 更には, 大学院生, 助手クラス等の国際会議」が仙台市近郊の名所松島海岸で明年

国際的舞台での発表による研究意欲向上と研究（２００６年）１月２４日から２７日まで４日間

レベルの自己評価がもたらす若手人材育成, 及びに亘り開催されます. これは応用物理学会プラズ

上述の学際的交流による新領域研究課題探索にマエレクトロニクス分科会が毎年開催する「プラ帰着する孵化（I ncubation）効果が挙げられるでズマプロセシング研究会」としては第２３回目にしょう. これらはプラズマ関係の代表的国際会議

当たり, ３年程度に１回国際会議として開催するの ICPP（プラズマ理工学国際会議）, IAEA（核という主旨に沿っています（ICRP-6/SPP-23）.

融合エネルギー国際会議）, ICPIG（電離気体現

この真に日本発祥の国際会議をこれまでに計象国際会議）等と共通するものでありますが,５回先人達のご努力により成功裏に開催してき

ICRP/SPP では更に, 基礎−応用の有機的連携にています. 私は期せずして本国際会議の組織委員

有効な産学（I ndustry-academic）交流に期待が長を仰せ付かっています関係上, 一筆啓上と相成持たれます.
以 上 の The Quintet I ’s （ I nternationl,

った次第ですので, 副組織委員長の河野明廣, プ
ログラム委員長の寒川誠二の両先生を始めとすI nterdisciplinary,

I ncubation,

る組織委員会のこれまでの開催準備活動に因んI ndustry-academic, I nterchanges）は, 概略類似

での雑感を述べさせて戴きます.

の AVS（国際真空シンポジウム）, GEC（気体エ

昨今ではプラズマに関わる国際会議及び国際

レクトロニクス会議）, ISPC（プラズマ化学シン

シンポジウムが目白押しに開催されている状況

ポジウム）, APCPST（アジア太平洋プラズマ科

において, 私達の ICRP-6/SPP-23 の存在意義を

学技術国際会議）等にも共通する再確認したいと思います. 一般に私達が国際会議

ます. しかし特に ICRP/SPP においては, プラズに参加しようとする場合, 先ず何を期待するかとマプロセスの物理・化学的基礎を重視しつつ広領言えば当然ながら自分の成果発表に纏わる国際域に亘る最先端応用を対象とするという点にお的（I nternational）交流（I nterchange）が第一

いて, これらの国際（的）会議との差別化、独自

1

五文

であり

性が主張されていると言えます. 更に厳密に視たすが, 私は今年度大学における就職担当をしてお場合には, 同じく２００６年夏にオーストラリア

り, 企業訪問者に対して博士課程修了予定者の採で開催予定の APCPST との明確な差別化が今後用と待遇改善を要請しますが, 6 年前の就職担当の課題となるでしょう. と言いますのは,時と全く状況が変化しておらず, 非常に残念に思APCPST はアジア勢を中心とする国際会議であっています. 加えて, 大学院博士課程の定員増加

り, 私達の ICRP/SPP はこれまでは主に欧米勢をと充足率低下の矛盾, ポストドク何万人増員計画

重視して参りましたが, 今回からはアジア・ロシと大学等における教員定員の削減化傾向の矛盾,

ア勢にも積極的に呼びかけ真のグローバルな国

延いてはゆとり教育の末の学力低下問題等, 我が際会議としてのステータスを樹立しようとして国が世界から尊敬されるような高品位の持続しいるからであります. この背景には, 前２回にた国際競争力の確保には課題山積みの感を抱い

GEC と ESCAMPIG との合同会議を行ったことています.

により ICRP の国際的知名度が近年飛躍的に高揚

閑 話 休 題 , 以 上 述 べ ま し た よ う な

してきたことがあり, 確かに今回の海外著名研究

ICRP-6/SPP-23 国際会議内容の充実を目指した者に対する招待講演依頼に際しては旅費・滞在費

結果, 通常の国際会議に付き物のエクスカーショ

支給無しでも快諾されつつあるということで実ンの会期中実施が困難になってしまい, 会議終了

感されています.

直後に楽しんで戴くことに相成りましたことを会議内容の工夫については, できるだけ企業関

ご了解願います。２００２年ノーベル化学賞受賞

係の研究者が参加し易いように最先端応用分野

者の田中耕一氏を評した当時の学術雑誌・化学に,を特別企画セッションにおいて集中的に充実 さ

私達凡人は国際会議では半分講演を聞き, 半分

せ, 基礎分野は一般セッション全般と特別企画セ

物見遊山となりがちですが, 田中氏は予講集で聞ッ シ ョ ン の 一 部 で 網 羅 的 に 取 り 扱 い , The

きたい講演に全てチェックを入れ, 前後が空いてQuintet I’s の 中 の Interdisciplinary

いようが会場を抜け出すようなことがありませandIndustry-academic Interchanges の促進を図ろんと書かれています.

うとしています. また, 特別企画セッションの課

最後に, 来る第６回反応性プラズマ国際会議/

題選択にあたっては, 今後の反応性プラズマの研第２３回プラズマプロセシング研究会の盛会に究展開において新領域発掘に通じるような向けての, プラズマエレクトロニクス分科会会員

Incubation 性に注力しています.

の皆様の特段のご理解とご協力をお願い申し上

更に, 若手人材育成視点の Incubation 効果をげまして, 巻頭言のむすびと致します.

期待して, 大学院博士課程学生クラス全員の口頭によるショートプレゼンテーションを設けています. 米国等における Ph.D 取得者の社会, 産業
界における幅広い活躍, 中国における日本と米国の長所を融合した最近の文部科学技術政策による Ph.D 取得者の将来の活躍を想定した場合, この博士課程大学院生の育成は我が国にとって極めて重要であると思われます. 話がそれて恐縮で2

第 3 回プラズマエレクトロニクス賞

受賞者の紹介
名古屋大学

工学研究科

第 3 回プラズマエレクトロニクス賞に関して、 今回 5
件の応募をいただきました。同賞選考委員会にて、プラズマエレクトロニクス分野における研究の独創性、学術的あるいは工業的価値、およびその発展性について慎重に審議をいたしました。その結果、下記のとおり、2 編の研究論文を対象に 2 件の表彰を行うことが決定され、2005 年春季応用物理学会講演会期間中の 3 月 31 日に表彰式が行なわれました。なお第 3 回プラズマエレク
トロニクス賞選考委員会は、下記の委員をもって構成さ
れました。
委員長
藤山 寛 (長崎大学)
副委員長 河野明廣 (名古屋大学)委員
大森達夫 （三菱電機）
委員
斧 高一 (京都大学)

河野明廣

法」の考案により，従来比で35%以上高い初期効率（曲線因子）と1/2以下の光劣化率を示すショットキー型太陽電池を作製することに成功した。この成果は受賞者らの長年にわたるシランプラズマ中の微粒子成長機構の研究とナノ微粒子測定技術の開発に基礎を置いている。
これらの成果は学術的・工業的に高く評価され，プラズ
マエレクトロニクスの分野の発展に貢献するものと期待される。
受 賞 対 象 論 文 [ Ⅱ]
論文名：Prediction of a radial variation of plasma
structure and ion distributions in the wafer interface in
two-frequency capacitively coupled plasma
雑誌名：IEEE Transactions on Plasma Science Vol.32(2004) pp.90-100 (Invited review paper)
著 者 名 ： Takashi Yagisawa, Kazunobu Maeshige,
Takashi Shimada and Toshiaki Makabe
プラズマエレクトロニクス分科会が主催する研究会・国際会議等での発表
会 議 名 ： 20 th Symposium on Plasma Processing(Nagaoka, 2003）
論文名：A pulsed two-frequency capacitively coupledplasma for oxide etching
著者名：Takashi Yagisawa and Toshiaki Makabe記
受 賞 対 象 論 文 [ Ⅰ]
論文名： Cluster-suppressed plasma chemical vapor
deposition method for high qualityhydrogenated amorphous silicon films
雑誌名：Japanese Journal of Applied Physics, Vol.41(2002) pp.L168-L170 (Express Letters)
著者名：Kazunori Koga, Motohide Kai, Masaharu
Shiratani, Yukio Watanabe andNoboru Shikatani
プラズマエレクトロニクス分科会が主催する研究会・国際会議等での発表
会議名： 16th European Conference on Atomic &Molecular Physics of Ionized Gases/
5thInternational Conference on Reactive Plasmas (Grenoble,
2002)
論文名：Correlation between Si cluster amount insilane HF discharge and quality of a-Si:H films
著 者 名 ： Masaharu Shiratani, Motohide Kai, Kengo
Imabeppu, Kazunori Koga and Yukio Watanabe

受 賞 者 (受賞対象論文の著者)
八木澤卓（慶應義塾大学），前重和伸（旭硝子），島田卓（慶應義塾大学），真壁利明（慶應義塾大学）
受賞理由
受賞者らは非平衡プラズマのモデリングならびに物理機構の解明に長い実績を持ち，プラズマバルクからウエ
ハ表面までの諸過程を統合的に記述するデバイスプロ
セスデザインツールVicAddressを開発した。授賞論文ではVicAddressに基づいてシリコン酸化膜用2周波容量
結合プラズマエッチャーにおけるプラズマ構造およびウ
エハ入射イオン速度分布の径方向不均一性を定量的に予測し，その物理機構を明らかにしている。この成果
はフォーカスリングの作用や電気的ダメージの径方向分
布の本質的理を通して大面積ウエハ加工プロセスの効率向上につながるものであり，学術的・工業的に高く評価され，プラズマエレクトロニクスの分野の発展に貢献するものと期待される。

受 賞 者 ( 受 賞 対 象 論 文 の 著 者)
古閑一憲（九州大学），甲斐幹英（三洋電機），白谷正治（九州大学），渡辺征夫（九州大学），鹿谷昇（福岡
工業大学）
受賞理由
受賞者らは，水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）薄膜のプラズマCVDにおいて，膜中へのクラスタ取り込みの抑制がa-Si:H太陽電池の効率と光安定性の向上のキーポイントあることを示し，「クラスタ抑制プラズマCVD

3

プラズマエレクトロニクス賞を受賞して
渡辺征夫（九州大学名誉教授）
E-mail: watanabe@ed.kyushu-u.ac.jp
この度、第３回プラズマエレクトロニク
ス賞という栄えある賞を賜ることとなりました。今回の受賞は、 Cluster-suppressed
plasma chemical vapor deposition
method for high quality hydrogenatedamorphous silicon films という Japanese
Journal of Applied Physics に２００２年に発表した論文が対象となっていますが、これは１９８０年代後半から私の研究グループが積み重ねてきたシランガス高周波放電中の微粒子成長に関する一連の研究成果を基にしてはじめて発表できた論文であり、これら長年の研究全体を評価して頂いたものとして感謝、お礼申し上げたいと思います。また、このプラズマ中微粒子成長に関する研究は、プラズマエレクトロニクス分科会の発足とほぼ同じ時期に開始し、発展の歩みを共にして来たことから、今回の受賞はこの分科会に関わって来たものとして大変感慨深いものがあります。
私共のシランガス高周波放電中の微粒子
成長過程の研究は、１９８７年、高周波放電を周期的にオンオフ（我々は放電変調と呼んで来ました）する実験に始まります。
それまでに、分子性ガスをパルス的に放電すると興味あるプラズマ現象が現れることを Ar と H2 の混合ガスのパルス放電実験か
ら既に知っておりました。シランガス高周
波放電に興味を持ったのは、その当時、シランガスがメタンガスと共に放電に関する基礎データが比較的揃っていたことと、ア
モルファスシリコン膜作製に利用されていたという理由に因ります。実際に高周波放電変調実験を行って、放電空間に照射した
He-Ne レーザからの散乱光が、ある放電変調周波数領域で激減することを偶然見出しました。当時私としては、プロセスプラズ

マ中の微粒子発生現象の重要性を意識していなかったのですが、Applied Physics.
Letter のレフェリーから微粒子が激減したことに対して”Congratulation”と云う高い評価を頂き、初めてその大切さを認識することとなりました。また論文発表後、幾つかの企業からプロセスプラズマ中の微粒子抑制に関する問い合わせがあり、実際の生産部門においても大きな問題となっていることを実感しました。それまで報告された論文をレビューして見ると、プロセスプラ
ズマ中の微粒子に関しては、シランガス高周波放電中の微粒子の存在を指摘する定性的な研究報告がなされている程度であり、本格的に取り組む価値のあるオリジナルな研究テーマとして捉えることができました。
この研究を発展させる上で非常に幸運であったのは、指導者、研究費、研究協力者に恵まれたことです。本研究を始めて直ぐに、板谷良平先生が代表者の重点領域研究「反応性プラズマの制御」が始まり、その後、廣田栄治先生が代表者の重点領域研究「フリーラジカルの科学」が続いて、研究遂行に必要な基盤を築くための財政的支援をして頂きました。また、佐藤徳芳先生、
松田彰久先生には、プラズマ物理とアモル
ファスシリコン太陽電池の専門家の視点からの貴重な叱咤激励を頂いてきました。また、今回の受賞者には含まれておりません
が、本研究の初期において、助手として地道に粘り強く実験を行って呉れた川崎仁晴
博士（現佐世保高専助教授）、福澤剛博士（現
北九州高専助教授）の存在無くしては今回の受賞はあり得ないものでした。
本実験を進める途中において、研究を進める方向について大きな分岐点がありました。それは、最初にレーザ散乱を用いて微4

粒子サイズのその場測定を行って40nm~150nm の値を得た時点です。この頃、スタッフのマンパワーの制限から、研究としては、このサイズ領域に達するまでの成長か、このサイズ以後の成長の過程を研究するかのいずれかを選ぶ必要がありました。後者を選べば、その後微粒子プラズ
マのトピックスになったクーロン結晶を観測することになっていたと思われます。しかし、負帯電微粒子と原子・分子の負イオンとの違いや、プラズマ中の分子からの微粒子へと成長する過程に私共の興味の中心があり、また早い研究段階でサイズが数十
nm 以降の成長の過程がほぼ明らかにできたこともあって、前者のテーマを選ぶこととなりました。
本研究を進めるにあたり遭遇した問題は、10nm 程度以下の微粒子（我々は大きな微粒子と区別するためクラスタと呼んでいます）の成長を観測する方法が殆どなかったことです。このため、プラズマ中に発生するクラスタの特性を実験から学び、それ等のデータを基に試行錯誤を重ねながら新し
い測定法を開発するというプロセスを繰り返し、ようやく原子・分子オーダからｎｍ
サイズまでのクラスタ成長過程を見ることができるようになりました。これら計測法の開発に要した時間は非常に長く、本研究の進展にとって重要な位置を占めていると云えます。
これらクラスタ成長観測法の開発により、これまで良質のアモルファスシリコンを作製するとされる条件の下でも、極めて多くのクラスタがプラズマ中に存在していることが判明しました。このことから、「プラズ
マ中の微粒子はデバイスの歩留まりを低下する」という一般的に云われてきた視点とともに、「微小微粒子であるクラスタが堆積
膜の膜質そのものに影響している」という思いを強く持つようになっていました。その後、松田彰久先生のグループが、質量分析器を用いた実験から、高次シランが膜質に影響するという興味ある報告をされました。我々の実験において、高次シランはクラスタと併存することが分かっていましたので、この松田先生等の報告は、10nm 程
度以下のクラスタとアモルファスシリコンの膜質との関係を調べることの重要性を示
唆して呉れました。そこで、これまでに我々の研究グループで見出してきた種々のクラスタ成長抑制法を併用してクラスタ量を大幅に削減するリアクターを開発してアモル
ファスシリコンを成膜したところ、膜中のSiH2 結合に関わる水素含量とショットキーダイオードの曲線因子とで評価して、膜質が極めて高品質であるという結果を得る
ことができました。これが今回受賞対象となった論文の主要な点です。
他のグループの方々は様々なテーマに幅広く取り組んでおられるのに対して、我々は微粒子プラズマという一つのテーマに長く関わり、それを体系化する方向で仕事を進めて来ました。このような幅の狭い仕事を評価して頂いたことに喜びを感じています。私は今年３月で定年となり実戦部隊からは退きましたが、後に続く白谷正治助教
授をリーダとする研究グループが、今回の受賞を励みとして、光劣化が極めて少なく
高効率のアモルファスシリコン太陽電池の実現に向かって邁進して呉れるものと期待しています。
最後になりましたが、私はプラズマプロ
セスを専門とする一研究者として、目標達成までには未だ道のりを残していますが、プラズマを用いることでしかできないモノを創り出したい という願望を抱きながらこれまで仕事を進めて来ました。プラズ
マエレクトロニクス分科会のこれからを担う方々にも、プラズマはプロセスにおいて欠かすことのできない道具であるという評価を獲得するために、このことを意識しながら研究にあたって頂ければと願っています。

5

プラズマエレクトロニクス賞を受賞して真壁利明 ( 慶応義塾大学)

元来プラズマエレクトロニクスに関連した電子(イオン)の輸送現象とその理論を専門分野とする
私が、プラズマプロセスの研究の一翼を担うきっかけとなったのは、名大教授であった後藤俊夫先生から受けた、応用物理学会でのプラズマエレク
トロニクス活動への熱い勧誘がきっかけでした。
私が慶應義塾で大学院生活を送った’70 年代前
半は、今から振り返るとすべてがゆっくりと流れていました。この時期がそれまでの時代と比較して特記されるとすれば、IBM に代表される大型計算機(Main Frame)が大学の研究の現場に導入された時期であったことです。大きな部屋に設置されたカード入力方式の大型計算機が空調でうなりをあげている中、一人徹夜をしながらシミュレー
ションし、その結果に一喜一憂した当時を思い浮かべると、なんとものどかな時代でした。とは言え、電子計算機を使ったシミュレーションが研究に入ってきたことは画期的な出来事でした。トランジスターの発明された年に生を受けた私の人生
は、振り返ってみると常に計算機の発達と結びついています。高速演算と高集積メモリーの発展は
90 年代のプラズマプロセス技術の発展を抜きにし て は 語 れ ず 、 ま た 、 高 速 PC(Personal
Computer)による低温プラズマのデザインや表面プロセス予測が超微細加工やその高集積化に貢献していることも事実でしょう。
今回、DPS で成果を報告し、IEEE-PS の招待論文となった、酸化膜エッチング用の 2f-CCP のウエハーインターフェースのモデリング予測論文
がもとで第 3 回プラズマエレクトロニクス賞をいただきました。博士課程の学生、前重和伸君(現、旭硝子)、八木沢卓君、島田卓君とともに受賞できたことは、大学で研究と教育に携わる私にとって大変意義深いものでした。これが次の世代を担う
彼らにとって一層の励みになれば望外の喜びです。

6

さて、応用物理学会で、私の講演は見てきたよ
うなウソを語ると評されてきました。生涯現役で研究・教育に携わることを基本とする米国型研究室運営体制を 30 年前から敷いている慶應義塾、
電気電子情報分野の一員として、今後ともプラズ
マエレクトロニクスの発展に貢献してゆきたいと考えています。とくに、これからはじっくりと落
ちついて自ら考える環境を再度構築して、荒削ずりな高周波低温プラズマ理論とそのプラズマプロ
セスの発展に貢献することを通して、見てきたよ
うな夢を語れるように、さらに努力してゆきたいと思います。
現在、私ども慶應義塾では、21 世紀 COE プロ
グラムの下、Academic Fusion を切り口に拠点形成を進めています。この中の LSI の無線配線プロ
ジェクトでは、基礎理論の連携融合から低温非平衡プラズマとそのプロセスのデザインを再構築する研究を進めています。これらのプログラムを通して、独自スキルをもった異なる分野の若い研究者が参画し続け、新しい切り口からホットな議論が進むことを期待しています。
Academic Fusion in low temp. plasma technologies

研究室紹介（その 3 2 ）防衛大学校 電気情報学群
電気電子工学科 中野研究室
実践的プラズマ診断技術の確立を目指して
防衛大学校
プラズマエレクトロニクス分科会の会報の研究
室紹介は、いわば同業他社の見学とも言えるよう
な興味深いページであり、会報が来ると目を通す記事の一つである。今回、執筆を依頼され、いざ書いてみようとすると案外難しい。考えてみれば当然で、会報で紹介されている各研究グループでは、どこでも独自の工夫をされて面白い研究を行われているので、筆者の研究室で「これは特別」というものを書くとなると結構悩むことになる。
あらためて考えてみると、筆者の研究室で他の方々の研究室と最も異なるところは、研究室の置かれた環境、すなわち、防衛大学校という場であろう。そういう点に興味をもたれている方々の多いのではないかとも思い、防衛大学校の紹介も織り交ぜながら、筆者の研究室を紹介していきたい。

中野俊樹
本校の学生が勉学以外の事柄にかなり時間を割く必要があることを意味しており、後述するように、筆者の研究室の活動にも少なからぬ影響を与えている。
研究室の歴史と現状
筆者の研究室は電気電子工学科に所属し、放電・プラズマの教育・研究を担当している。研究室の運営は、筆者と北嶋講師の２人で行っている。
今年度は２人の研究科学生（修士）と４人の本科学生（学部）が在籍し、卒業研究を行っている。
研究室は、藪野亥石先生によって防衛大学校創設期に設立され、その後、室岡義広先生（現 芝浦

防衛大学校について
防衛大学校の正確な説明は、公式ホームページ（URL http://www.nda.ac.jp/）を見て頂くことにして、ここでは筆者の研究室の現状と関わる防衛
大学校の教育方針について簡単に述べる。言うまでもなく、本校は将来の幹部自衛官を育成することを最も重要な使命としている。言い方を変えれ
ば、組織のリーダーとなる人材を育成するということになる。この使命を果たすために、本校の教育は、幅広い教養によって与えられる広い視野と柔軟な思考力の育成（知育）、部下から尊敬され慕われる人間性の育成（徳育）、さらに、厳しい環境
で困難な任務を完遂するに必要な身体の育成（体育）をバランス良く行うように構成されている。
一般大学ではおそらく知育に重点が置かれたカリキュラムが取られていると思うが、本校では教室や実験室での講義・実験などの他に、徳育や体育を目的とした教育や訓練が、宿舎での生活など、
勉学の時間外でじっくりと行われる。このことは、

図１7

実験室の様子工業大学）に引き継がれた。室岡先生の御退官後は、筆者が引き続いて第三代目の責任者として研究室を率いている。このような歴史を風化させてしまわないようにと、実験室には初代の薮野先生、第二代の室岡先生の写真を飾ってある。特に室岡先生は、筆者にとって、研究に臨む姿勢や考え方を教えて頂いた恩師であるので、実験室で写真を時々拝見する際には室岡先生に教えて頂いたことを思い出す。このように、両先方のお写真は筆者の教育・研究者としてのあり方を見直すのに役立っている。
前述したように、研究室は筆者を含めて２名の教員と６名の学生（研究科２名＋本科４名）からなるが、この内、研究室に常駐しているのは教員と研究科学生だけである。本科学生は前節で述べたように、勉学以外にも訓練、宿舎での生活および学校行事の企画・参加など、こなさなければならないことがかなりある。その結果、一般大学の研究室のようにほぼ終日研究室に過ごして実験や輪講などに勤しむことはできず、授業時間表で決められた時間（週に午後半日２回程度）のみ研究室に顔を出す。このような事情から、特に実験系の研究室の場合、卒業研究を指導する際はその時間内で効率的に行えるように教員の方で学生をサポートする必要がある。筆者の経験から考えると、

図２

理系の学生の場合は、大学の研究室で失敗しながら時間をかけて会得した知識や経験が社会に出てから本人にとって大きな財産になるように思う。
しかし、筆者の研究室では、本科学生が上述のよ
うに贅沢に時間をかけて卒業研究を行うことはほぼ不可能である。紆余曲折しながら装置を組み上げていくような楽しみを学生に経験させることができないのは残念であるが（とはいっても学生さんには迷惑な話かもしれないが．．．）、本校の卒業
生は技術者・研究者になるのではなく指揮官になるということを考慮すれば、むしろ、限られた時間でベストを尽くし結果を出すという現在のやり方のほうが、本校の教育の目標により適合しているのだろうと納得している。
卒業研究に関する時間的な制約は研究科学生に対してもある。卒業生のキャリアプランから、本校のシステムでは、一部の留学生を除き、本科（学部）卒業後ストレートに研究科（修士課程）に進
むことはできす、必ず、部隊勤務を経てから進学することになっている。このため、最初の１年間
は授業の単位取得と研究の勘を取り戻すために費やされ、修士論文をまとめるのは実質的に次の１年間でということになる。ちょうど研究の進展の速度が上がってきたところで修士論文をまとめさせて卒業させなければいけない。博士課程へ進め

平成 17 年度の研究室のメンバー
8るほんの一部の学生を除き、多くは研究への興味が高まってきた時点で研究活動の終端を余儀なくされる。このことは、我々教員側にとっても大分もったいないと思うところであるし、また、学生にとっても卒業に際して何となく後ろ髪をひかれるところであろう。それでも、本科学生に比較す
れば、研究に専念する時間が桁違いに長く取れるので、研究科での経験は技術系の幹部自衛官になる者にとって非常に有益である。
本科、研究科学生の研究活動の時間的制約は、研究室内での実験上のノウハウの継承といった面
でも影響を及ぼしている。本科から研究科に直接進学しないため、本科学生時に会得したノウハウ
が記憶の彼方に埋没してしまい、研究科学生として研究室に戻ってきて際に再びそのノウハウを発掘するのに結構な時間を要することになる。また、研究室内で研究科学生から本科学生にノウハウを継承する際にも本科学生の研究活動の時間的制約からノウハウが十分に伝えられないことが多い。
したがって、研究活動を円滑に進行させるために教員が学生と共に装置のセットアップやデータ取得を行い、実験上のノウハウの継承が不足している部分を補っていく必要がある。
防衛大学校において研究室が置かれている状況
は、一般大学のそれとはかなり違う。一般大学の教員の方々からみると、上述の制約はかなり大きな障害として思われるかもしれない。しかし、筆者がこれまで防衛大学校で研究を行ってきた感触から言うと、筆者にとっては、これらの制約はむ
しろプラスに作用してきたように思える。上述の制約のもとでは、研究の方向性をよく考えることが重要であり、計画的な研究を行うのには向いている。また、学生とともに実験室で実際に手を動かす時間が多いことは研究の次の一手を着想する上で極めて有益である。実際に学生と一緒に実験室で「ああでもないこうでもない」と実験していて現象に対する理解が深まったことも多々ある。
着任当初は大分戸惑いもあったが、時間とともに研究室が本校で置かれている状況に慣れ、今では有意義な経験をさせてもらったと思っている。

となる基本的な機器はほぼ一揃え保有している。
プラズマ源としては、誘導結合プラズマ源、平行平板電極容量結合プラズマ源および大気圧 DC マ
イクロホローカソード放電プラズマ源を自作して揃えている。
これまでの応用物理学会での診断関係の講演を振り返ってみると、プロセスプラズマの診断は、プラズマの生成・維持機構の解明、プラズマの気相中の活性種分析といった観点から研究が行われてきた。様々な手法が様々なプラズマに適用され、特にプラズマプロセスで鍵となる重要な活性種に関しては、測定可能なものは大体測定された観がある。筆者としては、これからは新しいケミスト
リーによるプロセスプラズマの計測や実プロセス
プラズマのモニタリングといったテーマが重要になると考えている。そこで、筆者の研究室では、実践的なプラズマ診断・計測技術の確立を目指して以下のテーマに取り組んでいる。
（1 ） 大 気 圧 D C マ イ ク ロ ホ ロ ー カ ソ ー ド 放 電 プ
ラズマの電子温度・ガス温度計測
最近、大気圧非平衡プラズマやマイクロプラズ
マの応用に関する研究が盛んに行われている。応用に際しては、電子温度などのプラズマパラメー
ターを押さえておくことが重要であるが、レーザートムソン散乱法以外、よい計測法がない。レー
ザートムソン散乱では信頼性の高い測定結果が得られるものの、この計測法は誰もがすぐに始められるものではない。以上の背景から、筆者の研究室では、発光分光法によりこれらのプラズマの電子温度・ガス温度を推定する方法を研究している。
アルゴンなどの希ガスに対しては衝突・放射モデルが確立されており、これを使って電子温度を推定することが可能である。しかし、応用では様々なガスでプラズマを生成するため、このようなアプローチは事実上不可能である。そこで、筆者らは低気圧非平衡プラズマの電子温度推定法である
希ガス発光分光法（TRG-OES）を利用して電子温度の推定ができないかを検討している。これまでに He 大気圧マイクロホローカソード放電プラ
ズマに微量な Ar,Kr,Xe ガス（5 ppm）を添加して、これら希ガスの発光スペクトルから電子温度を推定し、従来、プラズマディスプレイパネル放電やマイクロプラズマでレーザートムソン散乱法で測定された電子温度と同程度の値が得られることを研究設備・テーマについて
筆者の研究室では、主に、非平衡プラズマの光学的な診断に関する研究を行っている。発光分光、
吸収分光、レーザ分光などの計測を行うのに必要9確認している。また、発光スペクトルから電子温ている。プラズマプロセスでも表面の物理・化学
度とガス温度を同時に決める新たな手順を考案し、 現象の重要性は常々指摘されていることから、表He 大気圧マイクロホローカソード放電プラズマ面に関わる研究テーマを持つことは研究室全体ので、放電条件に応じて、現実的な電子温度・ガス
ポテンシャルを向上する上でも有用であろう。こ温度が得られることを見出している。しかし、のテーマは北嶋講師が中心となって、装置のセッ
TRG-OES で仮定されているコロナ平衡状態が、トアップなど、精力的に研究環境を整えつつあり、
大気圧非平衡プラズマにおいても、発光線の上準今年度内にもファーストデータが得られるのでは位で仮定できるのかついては十分に検討できておと期待している。
らず、現在、この点を衝突・放射モデルを利用しながら考察しているところである。
おわりに従来の研究室紹介という記事からは少々外れて、（2 ） 吸 収 分 光 法 に よ る 希 ガ ス 希 釈 酸 素 プ ラ ズ マ
むしろ、大学紹介に近い記事になってしまったかの診断もしれないが、筆者の研究室の現状を、研究室を
酸素プラズマによる酸化膜形成プロセスでは、取り巻く防衛大学校という場と合わせて紹介させO2 を Kr で希釈してプラズマを生成することによて頂いた。筆者の研究室の現状を紹介する上で、って酸化速度が上昇することが見出されて以来、一般大学と防衛大学校における研究室の状況の違
そのメカニズムの解明を目的として O2/Kr プラズ
いを述べておいた方が、研究室を紹介する者としマの診断が行われている。筆者らのグループでは、 ては、やはりしっくりくる。この点、御理解頂け
北嶋講師が中心となって、O2 を各種希ガスで希釈れば幸いである。筆者の研究室は一般大学におけした際の O 原子密度や希ガス準安定原子密度をる通常の研究室と比べて小規模な研究室であるが、測定し、希ガス希釈の効果について検討を進めて研究室の面々は「小粒でもぴりりと辛い」研究をきた。その結果、酸素原子の拡散係数が希ガスの狙って日々頑張っている。今後とも、応用物理学
種類によってかなり異なるため、酸素原子密度の会などで筆者の研究室からの発表・報告について
希釈希ガス種に関する依存性は酸素分子の解離レ
御討論御助言を頂ければ幸甚である。
ートと酸素原子の拡散損失レートの両方の要因を考慮する必要があることを見出してきた。また、
最近、酸素原子の準安定状態（O 1D）を我々の測
定系では測定できることを確認するとともに、希ガスの希釈率によって酸素原子の基底状態に対す
る準安定状態の比率が変動することを明らかにし、酸化膜形成速度の上昇を議論する場合には準安定状態の酸素原子密度の変動を考慮する必要性があることを指摘した。現在は、準安定状態の酸素原
子密度の測定を他のプラズマ条件へも拡大し、さらに検討を進めようとしている最中である。
これらの他に、現在準備を進めているテーマとして、Si 量子ドット作製プロセスに関する研究がある。今後、ナノテクノロジーの進歩に伴い、量子ドットなどの微小構造の作製技術が益々重要となると予想される。実際のデバイスへ量子ドットが利用されるまでにはまだまだ時間がかかりそうであるが、その際に重要となる表面の物理・化学的なメカニズムを明らかにすることは学術的のみ
ならず応用的な立場からも意義があることと考え10

海外の研究事情（その１７）

スタンフォード大学滞在記
Mechanical Engineering Department, Thermosciences Division, Stanford University

伊藤剛仁
はじめに
日本学術振興会の海外特別研究員として、2004
年 4 月より、スタンフォード大学機械工学科に在籍する機会を頂いております。今回、海外の研究事情を執筆する機会を頂いたわけですが、正直研究事情といった事を書けるほど事情が良くわかってはおりません。したがって、まったくの私見が多くありますが、私の感じたことを書かせていただきます。
スタンフォード大学
スタンフォード大学は、サンフランシスコより
約 50km 南、サンノゼより約 25km 北に位置し、東のハーバードと並び、アメリカを代表する私立大学です。大陸横断鉄道創設者リーランド・スタ
ンフォードが、子息を失ったことをきっかけとして 1891 年に設立した大学であり、正式には、
Leland Stanford Junior University と言います。ヒューレットパッカードの創始者が在籍していたことに代表されるように、シリコンバレー発祥の地です。カリフォルニアらしい気候の下、砂岩の壁に赤煉瓦の建物が並んでおり、非常にきれいなキャンパスです。大学の方針なのか、高い建物はほとんど存在せず、春から秋にかけて、澄んだ青空
を建物に邪魔されること無く感じることができます。こちらに来るまで知らなかったのですが、カリフォルニアにも雨季があります。冬の間、天気の悪い日が続きます。傘などいらないと思っていた私には、かなり衝撃でした。スタンフォード
大学は、設立当初の膨大な土地の寄付以来、東京ドーム約 709 個分（まったくピンときません：山
手線内側の半分以上だそうです）もの広大な土地を有しており、その規模も世界最大級と言えます。
ゴルフコース、ハイキングコースなども、敷地内にあります。タイガーウッズが在籍していたことは有名です。リスは当たり前のように走り回っており、ウサギ、夜にはアライグマやスカンクも出11没します。少し離れると、鹿も出没します。マウンテンライオン（山猫？と思っていましたが、写真を見る限り雌の ライオン です）、コヨーテも出没するそうです。鷹やフクロウも見かけます。
はっきり言って、非常に整備された田舎です。そんなに整備しないで授業料安くすればいいのに・・・と思う今日この頃です。スタンフォード
一族の誰かが植えたという、ユーカリの木が（例
外的に）無造作に繁栄しておりますが、さすがにコアラは確認できておりません。治安は非常に良く、犯罪は自転車泥棒くらいです。大晦日に私もやられました。女性が夜一人で歩いている姿も普通に見かけます。その様な治安の良さも手伝い、Palo Alto を始めとする隣接地区は非常に人気の高い住居地区となっているようです。シリコンバレ
ーの景気に依存し、最近はそれほどでもないらしいのですが、物価はボストンなどに匹敵するほど高い（かった？）そうです。景気の下降が幸いし、
私は、大学そばにアパートを借りることができました。家賃そのものは東京並ですが、広さは東京の倍近くだと思われます。アメリカ人が日本に来て、住居が狭いと思うのは必然だなぁと感じたしだいです。ちなみに 4~5 年前は、車通勤の距離まで行かないと、ポスドクレベルではとてもアパー
トを探すのは難しかったようです。
便利？不便？なシステム
スタンフォードの大きさとともにこちらに来てまず驚いたのが、コンピューターのシステムです。個人情報やメールはひとつのログイン名のもと一括に管理されており、そのログイン名で、大学が契約し ているソフトをダウンロードすること等もできます。ウィルスソフト（Norton）や、メーラー（EUDORA：ただし日本語不可・・・）、
大学独自のログインシステム等のソフトウェアが提供されています。また、データベースの利用、
文献のダウンロードなども、ログインすることで、

学外（自宅）から行うことが可能です。文献のダ
ウンロードだけのために、休日などに学校に出かけていた経験（学内からしかアクセスできない形でした）がある私としては、非常に便利なシステ
ムだと思いました。非常に整備されたこのコンピューターシステムですが、上記のように良いこともあれば、やはり悪いところもあります。スタン
フォードでは、物品の購入も、システムを通して行います。エラーが出ることも多々あり、システ
ムを通しての購入に苦労させられます。フランジ
ひとつ購入するのに、正規の手段だと、3 日や 4
日も注文するためだけに待たされることがあります。仕方がないので、立替払い、もしくは大学側に支払うマージンが高いのですが、研究室のクレジットカードを用いるなどの手段をとらなくてはならないことが多々あるのが実状です。

スタンフォードの学生
スタンフォードの学生は、学期中は、宿題に追われています。彼らは非常に授業というものに重きを置いているようです。私の個人的な意見としては、勉強は自分でするものであり、叩き込まれるものではないと思うのですが、学期中は、まさに叩き込まれる感じです。授業料分きちんと学んでおり、確かに知識が得られています。独学の精神を重んずる私とは違い、彼らのうらやましいと
ころは、 授業を取った＝俺は知っている といった感覚で物事を捉えているところです。 授業＝一つのステータス と考えているようです。 使ってないと忘れるよ と言うアメリカ人の学生もいるのですが、ここでは、 プラズマについて知っている？ と聞く代わりに、 プラズマの授業取った？ と聞いているケースが多いようです。
Cappelli 研究室
授業の影響か、実験は、博士課程になるまでそれ
私のお世話になっている Cappelli 研は、マイクほど熱心に行っていないように見受けられます。
ロ溶射の研究、マイクロ放電の研究、電気推進の私の周りには、韓国、中国からの留学生が多く研究を行っており、現在のもっとも大きなプロジ見られます。私の妻は、生物学科でポスドクをしェクトは、電気推進に関するものとなっておりまているのですが、そちらは、比較的アメリカ人のす。以前は、プラズマ CVD の研究も盛んに行わ割合が多いようで、機械系はアメリカ人の興味がれていたようです。電気推進といった、プラズマ
多少低い分野になっているのかといった印象 をそのものの研究が主体となっているため、プラズ受けます。中国からの留学生とは直接接する機会
マ診断ツールは比較的良くそろっており、さらに、 を持っていないので良く分かりませんが、韓国か大型の高真空容器が存在しています。学生時代、らの学生に関していえば、彼らは良く働きます。
材料プロセスに携わっていた身としては、SEM 等
彼らは韓国においてトップクラスの成績をとっの材料分析装置へのアクセスが簡易でなく、不便ており、成績上位者は、海外（主に米国）に博士に思うこともありますが、必要と有れば、学内の課程で出て行くのが普通のようです。やはり学生機関で使用することができるようです。
の労力というものは、大学において重要なもので多くの方がコメントしていることかとは思いあり、彼らの勤勉によってまかなわれている部分
ますが、アメリカの大学では、研究室間の垣根がも多いような気がします。中国、韓国に比べ、ス
低く感じます。何かわからないことがあれば、そタンフォードに来ている日本の学生が余り多くの専門の教授に簡単にアクセスできますし、予算ないのに多少不安を覚えたのですが、貴重な学生の段階で、共同に取得しているケースも多いようの流出があまり無いといった意味では、良いのかです。実際に研究も共同で進められており、指導と考えております。その一方、日本の大学は、ス
教官が実質二人いる学生も珍しくありません。まタンフォードのように、アジアからの学生の受けた、スタンフォードでは、医学系と理工学系を結入れ先になる必要があるのではないかと考えさ
びつける専門の機関などもあり、学部間の交流も、 せられます。決して大きな差が有るとは思わない
頻繁に行われております。アメリカ人の友人が言のですが・・・。やっぱり言語等の問題が大きい
うには、 アメリカの中でも、西のほうが東よりのでしょうか？
も垣根が低い との印象だそうです。

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海外経験での収穫
こちらに来ての大きな収穫は、スタンフォード
といった一流と言われる大学も、特別では無いという認識をもてたこと、さらに、自分が日本人であるといったことを（良かれ悪かれ）再確認できたことかと思っております。しかし、こちらに来るまでは、やはりスタンフォードやハーバードは違うのだろうなぁといった感覚があり、このような事を実感できることが、若いうちに海外に出ることの一つの収穫なのかなぁと考えております。
勿論、結果も残せるように精進してはおります。
これらの心境の変化と、あわよくば研究成果が、今後の研究生活にとってプラスとなることを願っております。
おわりに最後になりますが、Cappelli 教授、Scott さんをはじめとする Cappelli 研の皆様、いつもコーヒーに付き合ってもらっている中北さん、田中君を始めとする High Temperature Gasdynamics Lab の皆様、サポートをいただいております日本学術振興会、このような貴重な機会を与えてくださいました寺嶋和夫先生ならびにプラズマエレクトロニ
クス分科会の先生方へ感謝いたします。

フーバータワー：スタンフォード卒業生で、アメリカ大統領を勤めたフーバーの名を持つ塔です。スタンフォード周辺で最も高い建物で、上部展望台からは、あたり一面見渡せます。

メモリアルチャーチ：スタンフォードの風景で最も当たり前のように見かけるリス：この他に、黒い色

良く出てくる写真（正面遠方からのものが多いです）のも含め、何種類かいるようです。見ていると和みの教会です。創設者であるリーランド・スタンフォ

ます。

ードの死を受け婦人が立てた教会です。1906 年の震スタンフォード大学ホームページ
http://www.stanford.edu/

災で、一部倒壊したそうですが、その後修復されました。

13

国際会議報告15th Symposium on Applications of Plasma Processes
3rd EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing
真壁利明 ( 慶応義塾大学)
標記の２つのシンポジウムが合同で、東ヨーロッパのスキーリゾートや避暑地として名高いタトラ
山(Low Tatry)の Podbanske で 2005 年の 1 月 15
-20 日にわたって開催された。 ヨーロッパ、特に、
東ヨーロッパには大学院生や若手の研究者を対象に、専門分野の国際動向や発展に関する講演、近隣若手による研究成果(博士論文内容)の講演とポスターを数日間に渡って行うウインター(サマー)スクールの伝統がある。我が国でも盛んに行われているスクールの原型である。
さて、昨今、ローマ帝国の再来を想わせるヨー
ロッパにおける EU(European Union)の充実と東ヨーロッパ諸国への拡張が続いている。スロバキ
アは 1993 年、チェコスロバキア共和国から分離独立して以来 10 余年を経過し、EU への加盟も実現し、質の高い初等中等(高等)教育と安い労働力に期待して、EU はもとより先進諸国から工場の進出が続いている。スロバキアは北海道の 3/5 程度の面積に５５０万人が生活する落ち着いたスラ
ブ民族の国家である。世界史で学ぶ通り、ドナウ川に沿った諸国は地政学的に西洋と東洋の接点となったところで、その精神構造や生活習慣に東洋を思わせるものも散見される。同時に、理解の仕方や発想が我々と異なる面も併せ持ち、異文化を求めての旅行先としてばかりでなく、これからの研究交流先としての東ヨーロッパも魅力ある地域であろう。
と こ ろ で 、 EU-Japan Joint Symposium on
Plasma Processing は、ICPEAC が 2003 年夏ス
トックホルムで開催された際、旗野東工大名誉教授らによって企画された衝突素過程とプラズマプ
ロセス分野の融合シンポジウムが第一回となり、その後、2004 年 2 月に東京で第二回が開催された。今回はその第三回目のジョイントシンポジウ
ムとなり、Mason 教授(The Open Univ.)が委員長14を務めた。日本側からは橘(京大)教授、寒川(東北大)教授と真壁(慶大)が招待講演を行い、Kim 博士(産業総合研究所)、Abraha 博士(名城大)が参加され講演された。110 余名が参加登録を行い午前前
半・午後後半のセッションを中心に研究成果が講演され、活発な討論が交わされた。これまでの東ヨーロッパの産業構造を反映した大気圧プラズマを中心とした研究が多数を占め、我が国研究者の研究も多数引用されていた。
現在、ヨーロッパは低温プラズマ基礎過程に限らず、十分に時間をかけ醸成されてきた研究の蓄積と人材を備えた地域となっており、我が国の先端プラズマプロセスとその技術に対する関心は相変わらず高く、今後、低温プラズマとそのプロセスの発展を担ってゆく重要なパートナーであろう。
今回、これまでに筆者が経験したどの国際会議
よりも、日本語を話す参加者が多彩であった。 先に記した我が国在住研究者の皆さんに加え、
SAPP 委 員 長 の Skalny 教 授( 群 大) と 幹 事 のHenzel 博士(佐賀大博士)が我が国に滞在経験を持ち、流暢な日本語で対応され感激した。
なお、第 4 回の EU-Japan Joint Symposium は2006 年 1 月末に予定している。

東ヨーロッパ最大の古城遺跡の前で

国際会議報告
第６回低温プラズマ診断に関するワークショップ

報告(6th Frontiers in Low Temperature Plasma Diagnostics)
名古屋大学工学研究科
標記 F-LTPD-6 が 4 月 18 日〜21 日，フランス
アルプスの山麓，Les Houches で開催された。この会議は，日米欧を巡回しながら隔年で開催されているレーザープラズマ診断のワークショップ(LAPD)のヨーロッパ専用版が欲しいということで 1995 年に企画・開催され，その後隔年開催で現 在 に 至 っ て い るも の で あ る （ 初 回 が Les
Houches, その後，ドイツ，スイス，オランダ，
イタリアと回り，フランスに戻った）。会議は参加者を比較的少数（〜70 人）に制限し，低温プラズ
マの診断に関して突っ込んだ議論をすることを目的としている。
Les Houches はアルプス最高峰モンブランの山
麓近くの村で，ここにグルノーブル大学他が管理する山の学校(Ecole de Physique)がある。学校は谷の村から数 km 登った山の斜面にあり，講演用の階段教室，ポスター展示スペース，図書館を持ち，付属施設として，周りに点在する 10 ほどのロッジを持っている。参加者はここに泊まる。その一つがレストランになっており，参加者の全ての食事（朝昼夕）を受け持っている。会議に集中できる環境である。会議期間中，４月後半としてはまれという降雪があり，真冬に戻ったようであった。
会議は，45 分の Invited General Talk 10 件，
25 分の Topical Talk 15 件，ポスター45 件という構成で，朝８時半から夜 10 時まで（ただし昼食後５時まではフリータイム）というスケジュールであった。ポスターにはスライド３枚の制限付ショートプレゼンテーションがあったが，若手参加者を中心とする発表はレベルの高いものであった。
会議全体での発表は，フランス，ドイツがおよそ20 件ずつ，オランダが 8 件であり，他，アイルラ
ンド，北アイルランド，イギリス，チェコ，ポーランド，イタリア，スペイン，ポルトガル，ロシ

15

河野 明廣

ア，ブルガリア等から発表があった。日本からは，
山梨大・桜井彪教授と筆者が General Talk を行った。表１に General Talk のタイトルと発表者を示しておく。
以下，一部の講演・ポスターについて概略を紹介する。Massines (Univ. P. Savatier)は，均一なDBD 放 電 に つ い て ， 陽 極 側 が 強 く 発 光 す る
Atmospheric pressure Townsend discharge と陰極側が強く発光する Atmospheric pressure
glow discharge を区別し，それぞれの物理，活性
種密度，表面処理応用との関連等について論じた。
Roepcke (INP Greifswald)は中赤外域半導体レーザー吸収分光による分子・ラジカルの検出につ
表１. General Talks
G1:“Diagnostics of pulsed ICP discharge and relaxation of charged
species in the afterglow”, U. Czarnertzly (Ruhr Univ. Bochum)
G2:“Time resolved LIF in photo-triggered discharge for the
diagnostics of high-pressure non-thermal plasma reactivity
in N2/O 2 mixtures containing trace of volatile organic
compounds”, S. Pasquires (LPGP, Univ. Paris XI)
G3:”Characterization of high-pressure non-thermal micro gap plasma excited by microwave”, A. Kono (Nagoya Univ.)
G4:”Experimental and numerical characterization of
atmospheric pressure Townsend and glow discharges developed
for surface treatment”, F. Massines (LGET, Univ. P. Savatier)
G5:”The delights and pitfalls of electric probe measurements
in plasmas ”, S. Ratynskaia (Max-Planck Inst. for Exptl. Phys.)
G6:”On recent progress in diagnostics of molecular plasmas using
infrared absorption spectroscopy”, J. Roepcke (INP Greifswald)
G7:”Diagnostics for breakdown studies ”, M. D. Bowden(Open Univ., UK)
G8:”Detection of particles on and near the surface in plasma by
evanescent waves or electro-opticcrystals ”, T. Sakurai (Yamanashi Univ.)
G9:”High resolution spectroscopy through planar plasma
expansion: an effective tool for the study of molecular transientsof interstellar interest”, H. Linnartz (Vrije Univ. Amsterdam)
G10:”The detection of N2(A) in gas discharges: a review ofspectroscopic methods form low to high pressure
conditions”, G. Dilece (CNR Sez. Territoriale di Bari)TiSa フェムト秒パルスを GaAs に照射して発生する広帯域テラヘルツ波を光源とする純回転ス
ペクトル(Ar/C2H2 プラズマ中のラジカル)の吸収分光の報告があった（Schauer, Winter ら，Ruhr
Univ. Bochum）。第 2 のフェムト秒パルスがディ
テクタのゲートとなり，２つのパルスの時間間隔を変えて時間領域の信号変化が記録される。これをフーリエ変換して吸収スペクトルを得ている。
LIF 系の話題としては，クエンチングの大きい
比較的高圧での TALIF 測定の絶対値較正のため，
光電離用のレーザーを同時照射してクエンチングの量を評価する方法（Kiemi, Doebele ら，Univ.
Duisburg-Essen）が印象に残った。
会議全体を通して，比較的安価な半導体レーザ
ーの普及により，CRDS のような高度な手法も含めて，レーザー分光計測が多くの研究グループでルーティン的に使われ出しているという印象を持った。
さて，近年種々の関連会議が増え，ビルドされる会議はあってもスクラップされる会議はないということから，本ワークショップも継続の是非が議論されたということである。しかし，今回の会議の内容が高レベルのものであり，議論も極めて活発であったことから，継続が妥当とされた。次回は Greifswald（ドイツ）での開催になる予定である。

いてレビューし，特に室温でパルス発振する量子カスケードレーザー（QCL）による種々の計測例を示した［波長スキャンをシングルパルス（〜100ns）内に完了するシングルパルス計測，キャ
ビティリングダウン（CRDS）計測など；QCL を用いた可搬型計測システムも製作している］。
Thornton, Hancock (Oxford Univ.)らは近赤外半導体レーザーを用い，YAG レーザーとの差周波生成により，3µm 帯で C2H ラジカルの高感度吸収分光を行った。周波数変調により高 S/N 化を図っている。
Linnartz (Vrije Univ. Amsterdam)は星間分子による吸収線の同定を目的として，スリットから超音速で吹き出す低ガス温度プラズマ中の炭素系分子に対して，可視領域の高分解レーザー吸収分光を行っている。リング色素レーザーを光源とした CRDS および周波数・プラズマ２重変調分光法を用いている。後者はレーザーを 100MHz 領域で周波数変調しつつプラズマを 10KHz 領域で変調
し，2 重ロックイン検出を行うもので，CRDS と同程度の感度が得られるという。
Sadeghi (Univ. J. Fourier)らは広帯域フェムト秒パルス光を用いて CRDS 様の高感度吸収分光を行うため，吸収部キャビティ内のパルス往復時
間をモードロックパルス間隔にロックする方法を開発し，TiSa レーザーの２倍波を用いて N2 +の検出を行った。

スクール正面から望む山と谷。画面左の３角のピークがAiguille du Midi (3800m)
16

国内 会議報告
プラズマ科学シンポジウム 2005 ／第 22 回プラズマプロセシング研究会報告
名古屋大学工学研究科
本分科会の主要行事であるプラズマプロセシン
グ研究会は，今年はプラズマ科学シンポジウム
2005 との合同会議として，2005 年 1 月 26 日〜
28 日の３日間，ウィルあいち（愛知県女性総合センター）で開催された。天体プラズマ，核融合プラズマから産業応用の低温プラズマまでプラズマの関わる科学技術分野は広く，各研究者はそれぞれ異なった学協会に属して研究活動を行っている。
これらの研究者が一堂に会し，普段とは異なる研
究分野に触れ，相互に啓発しあうことを目的としてプラズマ科学シンポジウムは企画され，その第1 回が 2001 年に京都で開催された。今回は第 2回目になる。
プラズマ科学シンポジウムの中心的な推進母体
は本分科会，プラズマ・核融合学会，日本学術振
表１

河野 明廣

興会プラズマ材料科学第 153 委員会である。今回
は，上記３団体に加え核融合科学研究所および 21
世紀 COE プログラム Plasma-Nano が会議の主催団体となり，プラズマ・核融合学会が幹事組織となって全体をとりまとめ，会議が運営された。
会議の参加者は 536 人，発表論文数は 375 件であった。口頭発表はすべて招待講演で，総合講演，
指定テーマ講演，シンポジウム，ナイトセッショ
ンで構成され，一般発表はすべてポスターであった。これらを講演タイトルやテーマ名とともに表１に示す。最近におけるプラズマの基礎と応用に関わる主要な話題が網羅されているといっていいだろう。紙数の制限もあり，以下で触れるのは，
主に低温プラズマに関わる講演のごく一部に限る。
プラズマ科学シンポジウム発足の仕掛け人の一

講演の概要

総合講演（1件）
シンポジウム（11テーマ，43講演）
・プラズマの基礎的研究−応用への提案
・リソグラフィー用EUV光源の開発
佐藤徳芳（東北大名誉）・核融合プラズマ研究から学術・産業
指定テーマ講演（6件）
応用研究へのメッセージ
・次世代デバイス開発とプラズマプロセス・マイクロ波放電プラズマの新潮流
広瀬全孝（産総研）
・プラズマ・壁相互作用の複雑な・ガンマ線バーストの研究最前線
物理・化学
河合誠之（東工大）
・負イオンの生成と応用
・燃焼プラズマの切り拓く物理・プラズマが関与する多彩な構造形成
鎌田 裕（原研）
・プラズマ材料科学研究を刺激する
・非平衡プラズマを用いた環境応用技術
炭素の面白さ水野 彰（豊橋術科大）・プラズマの新しい計測モニタリング
・最近のプラズマ応用の進展と課題
・宇宙における相対論的プラズマ
藤山 寛（長崎大）
・マイクロプラズマの新しい物理と応用
・相対論工学と超強度場科学
・宇宙環境と宇宙天気田島俊樹（原研）
ナイトセッション：プラズマが拓く21世エネルギーを考える（5講演）
・多様なエネルギー源の比較とその役割
・薄膜シリコン系太陽電池開発
・宇宙太陽発電所（コメント）・エネルギーの開発戦略とITER計画
・レーザー核融合の開発戦略（コメント）
ポスター（320件）
・プラズマの基礎・素過程(36)・プラズマの発生･制御(45)・プラズマの診断･計測(52)・プラズマ・表面相互作用(13)・プラズマのモデリング(17)・プラズマ材料プロセス(91)・電子デバイスプロセス(10)・環境・生体医療技術への応用(16)・磁気閉じ込め(21)・慣性核融合(2)・宇宙プラズマ(11)・その他(6)17

人である佐藤氏による総合講演は，基本的な学理としては確立されているプラズマも，道具として使う場合に未知の現象や解決すべき問題点が多いことを述べ，プラズマ密度分布，電子温度，イオ
ンエネルギー，バーティクルなどの制御の基本的考え方と氏らによる研究例を紹介し，高度に制御されたインテリジェントプラズマプロセスの必要性を提示した。広瀬氏の指定テーマ講演「次世代デバイス開発とプラズマプロセス」では，シリコ
ン LSI の微細化・高集積化へのニーズとロードマップが述べられ，極限的な微細化に伴い，ゲート
絶縁膜，配線層，チャンネルなどに新材料の導入が不可避であり，これらの原子スケールでの制御が必要であること，そのためのプラズマプロセスに対する課題等が提示された。水野氏の指定テー
マ講演「非平衡プラズマを用いた環境応用技術」
では大気圧非平衡プラズマによるダスト，匂い，
アレルゲン除去，ティーゼル排ガス処理，その他の多彩な応用が紹介され，応用上重要なコスト，効率を重要な観点として，プラズマと触媒の併用による高効率処理等の研究例が示された。
ナイトセッション「プラズマが拓く 21 世紀エ
ネルギーを考える」は幹事学会であるプラズマ・核融合学会の特色が出た好企画であった。岡野氏（電力中研）による種々のエネルギー源のクリティカルサーベイは示唆に富み，セッション全体の有機的な把握に役立った。分散エネルギー源としての太陽電池（松田氏・東京理科大），集中エネル
ギー源としての核融合炉（菊池氏・原研）の各講
演も全く異なる方向からプラズマの研究の重要性を提示し，興味深いものであった。
プラズマ応用の基礎を支える精密診断技術，応用時の制御に直結するモニタリング技術は重要で，不断の開発が進められており，シンポジウム「プラズマの新しい計測モニタリング」で取り上げられ，また表１に見るように多数のポスター発表があった。シンポジウムにおける中塚氏（阪大）の講演は，簡単な構成でレーザービームに対する位相共役鏡（入射波と同じ波面をもって逆走する反射波を作り出す）を実現し，トムソン散乱計測などへの応用を示したもので，強強度レーザーを用いる計測に大きなインパクトを持つものと思われる。
指定テーマ講演でも取り上げられた大気圧非平18衡プラズマの生成と応用は最近の低温プラズマ研
究のホットな話題の一つであり，シンポジウム「マイクロ波放電の新潮流」にも 2 件のこの分野の講演が含まれた。関連するトピックスとして「マイクロプラズマ」がある。シンポジウム「マイクロプラズマの新しい物理と応用」では，科研費特定領域研究として，プラズマのサイズを微小化する
ことにより，新しいパラメータ領域のプラズマを生成し，そこに新しい物理と応用を見出してゆくという方向性や（橘氏・京大），超臨界状態におけるプラズマ生成等の最新の研究例（寺嶋氏・東大）が紹介された。大気圧プラズマ，マイクロプラズ
マの分野はポスター発表件数も多く，種々の生成法やその応用に関する報告があった。大気中では液体とプラズマの混在が容易であり，これを積極的に応用する試みも目についた。
シンポジウム「プラズマ材料科学研究を刺激す
る炭素の面白さ」をはじめとして，炭素系材料のプラズマプロセスに関する報告も極めて多かった。
畠山氏（東北大）のシンポジウム講演は，プラズ
マやシース中のイオンの運動エネルギーを利用してフラーレンやナノチューブに他の原子・分子を内包させようとするもので，溶液中のイオン運動を利用して DNA をナノチューブに内包させる試
みを含め，フラーレン・ナノチューブの構造修飾にプラズマを利用するアプローチはユニークであった。炭素系以外も含め，プラズマを利用したナノ構造体の生成に関する報告は多かった。
プラズマ応用の新しい方向として，生体・医療技術分野への応用に関する報告が増えつつある。
永津氏（静大）のシンポジウム講演（マイクロ波
放電プラズマの新潮流）ではマイクロ波放電の滅菌応用が取り上げられ，低温高速滅菌，包装内部の滅菌など，プラズマ応用の魅力的なポテンシャ
ルが提示された。
さて，プラズマ科学シンポジウムの趣旨ははじめに述べたように異なる研究分野の研究者が相互に触発しあうことであった。講演は他分野の聴衆を意識したものも多く，筆者自身は天体や核融合分野の講演を楽しんだが，それぞれの参加者にとっても得るところがあったと思う。引き続き第 3
回目のシンポジウムが数年後に学振第 153 委員会を主担当組織として開催されることが合意されている。

国内会議報告2005 春季応物シンポジウム『大気圧プラズマの中身を探る−素過程、計測・診断とシミュレーション−』
報告
高知工科大／八田章光

東北大流体研／遠藤明

真空装置を必要としない大気圧プラズマの応用

オープニングトークでは、大気圧プラズマの特に期待が高まっているが、大気圧プラズマの中身

徴と問題を理解し現場のプロセスに活用していくの理解は遅れている。そこで、高気圧・大気圧でため、（１）反応機構の理解、（２）均一な放電との素過程、発光分光計測、レーザー分光計測とモ

連続安定性の確保、（３）モニタリング手法の確立、

デリング、シミュレーションによって、大気圧プが課題として挙げられた。プラズマ源、処理方法

ラズマの中身について理解を深めるための議論をやガス流の設計、電極損傷に関するモニタリング行った。

手法の開発の重要性が指摘された。大気圧プラズ
マにおける反応素過程、計測・診断については、

日時：3 月 31 日（木）13:30-17:15

空間的に不均一なプラズマによる NOx 除去反応過場所：埼玉大学（2005 春季応物会場）

程の解析、発光分光分析、レーザートムソン散乱

1. Introductory talk 大気圧プラズマの応用への期待と課題（積水化学工業・湯浅基和）
2. 大気圧プラズマにおける反応過程−バリ
ア放電による NOx 除去反応の場合−（金沢工大工・吉岡芳夫）

による電子密度と電子温度計測、エヴァネッセン
トレーザー計測による誘電体表面の分析についての講演があった。大気圧プラズマで得られるスペクトルから有用な情報を引き出す手法の開発が急

3. 大気圧プラズマの発光分光計測（東工大
原子炉研・赤塚 洋）
4. 大気圧プラズマのレーザートムソン散乱

務である。

計測（九大総理工・内野喜一郎）
5. 高気圧、大気圧プラズマの誘電体表面近傍レーザー分光計測（山梨大医工総研

デルによる大気圧・高周波放電のシミュレーショ

一方、誘電体バリア放電におけるフィラメント
状放電〜均一放電へのシミュレーション、流体モ
ン、PDP におけるプラズマ入力パラメータから可部・櫻井 彪）6. 誘電体バリア放電における均一プラズマのシミュレーション（防衛大・明石治朗）
7. 流体モデルシミュレーションによる大気圧・高周波放電プラズマの解析（名工大院・小田昭紀）視光への変換までシミュレートできるシミュレー
タの開発に関する講演があった。まとめでは、大気圧プラズマの研究において物理的に重要な課題と考えられているガス流についての議論があった。
大気圧プラズマの素過程、計測・診断、モデリ
ングについての研究はようやく始まりつつあると

8. プラズマディスプレイパネルの放電シミュレーション（NHK 放送技研・村上由紀夫）

いうのが現状である。その意味でも、今回のシンポジウムは大気圧プラズマの中身を理解するまでには至らないものの、アプローチのヒントが多く

9. まとめ（名大工・河野明廣）

示され大変有意義なものであった。

19

国内会議報告

２００５年（平成１７年）春季第５２回応用物理学関係連合講演会
合同セッションＤ「プラズマ CVD の基礎と応用」開催報告
九州大学大学院システム情報科学研究院

３月２９日に開催した合同セッション D では

白谷正治に大きな寄与ができると考えます．

２４件の報告が行われました．このセッション

最近のプラズマ CVD においては，立体ナノ構

は，放射線・プラズマエレクトロニクスの 1.4

造，及びナノ粒子やナノ空孔が分散された薄膜

プラズマ応用プロセス，薄膜・表面の 6.2 カーの作製が新しい対象となってきました．これら

ボン系薄膜，および非晶質の 14.2 プロセス技

は，複数プロセスの組み合わせを単一プロセス術で企画した合同セッションです．

で置き換える方向の研究と考えることもでき，

今回のセッションの特徴は，以下に述べるよ

高い機能性を低コストで実現出来る可能性をうに材料とプラズマ生成方式の「多様性」にあ秘めています．このような技術が実用化され量ると言えます．第一に対象材料が，a‑C:H,DLC,産に用いられるためには，複雑な構造を単一プ

ダイヤモンド，カーボンナノウォール，電界電ロセスで作製するプロセス設計の原理を明ら

子放出 BN ナノ構造，低誘電率層間絶縁膜，
SiN，

かにし，定量的なプロセス制御方式を確立してSiO2 ，a‑Si:H, a‑Ge:H,微結晶 Si，結晶ナノ Si

いく必要があります．このセッションがこのた等，多種多様であることが目立ちました．第二めに大きな寄与が出来ることを期待していまにプラズマ生成方式が，RF CCP 以外に表面波プ

す．

ラズマ，ICP,ECR,ラジカル注入プラズマ，レー

最後になりましたが，プラズマ CVD に関係すザ・プラズマ複合，マルチホロー放電プラズマ，

るプラズマや薄膜等の異分野の専門家が一堂

パルスプラズマ，大気圧プラズマ等，多岐に亘に会して議論を行う合同セッション D は，貴重っていました．プラズマ生成方式が多様化したな機会を提供しています．まだ参加されたこと

理由は，単純な RF CCP 方式にはないプロセスがない方も，一度覗いて見て下さい．何か得る領域を実現し，製膜速度の向上，材料の高品質

ところがあると思います．

化，従来にない新材料の作製を目指しているためであると思われます．このように，材料とプラズマ生成方式の多様化が進むと，結果の一般化や比較が難しくなるので，以前にも増して各講演者が結果を出来るだけ装置依存性が無い
形で提示したり，実験結果の裏付けのある簡単なモデルにまとめる努力が重要になってきています．参加者にこのような意識が浸透すると，合同セッション D がプラズマ CVD の一層の発展

20

国内会議報告第 52 回応用物理学関係連合講演会 合同セッションＦ「カーボンナノチューブの基礎と応用」報告
名城大学

平松美根男

合同セッションＦは、放射線・プラズマエレクト減少した。電子放出や電界効果トランジスタ、単電

ロニクスの「プラズマプロセスによるナノテクノロ

子トランジスタ等のカーボンナノチューブの応用ジー」、薄膜・表面の「カーボン系薄膜」および「プに関する講演件数が増え、加えて、カーボンナノウ

ローブ顕微鏡」、ビーム応用の「微小電子源」、応用

ォールやカーボンナノコイル等のカーボンナノ構

物性の「ナノエレクトロニクス」、および半導体Ｂ造体に関する報告も増えてきているなかで、依然との「探索的材料物性」とで企画された合同セッショ

してカーボンナノチューブの成長や制御には大きンで、カーボンナノチューブを中心としたカーボン

な関心が寄せられている。アークやレーザアブレー

ナノ構造体の基礎と応用に関する講演、討論が活発

ションによる製造の発表は今やほとんどなく、CVDに行われてきている。

を用いて基板上に垂直に配向したナノチューブを今回の 合同セッションＦにおける総発表件数は 119

成長させる技術が主流となった。熱 CVD では、アル件で、4 日間を通してフルに講演が行われた。さらコールを原料としたナノチューブの低温成長の試に 2 日目の午前中が、電子輸送に関連したセッショ

みや、多孔基板や突起構造を有する基板を用いたナンと電界電子放出を中心としたセッションがパラノチューブの配列制御について報告が行われた。一レルになった。昨年あたりと比較すると、若干熱が方、プラズマ CVD を中心にしたセッションにおいて冷めた感は否めないが、それでも会場は常にほぼ満

は、マイクロ波プラズマを用いた垂直配向単層ある員であった。カーボンナノチューブに関する研究も、

いは２層カーボンナノチューブ膜の高速成長が注

ナノチューブの基礎や製造方法から応用へと広が目を集めたほか、ナノチューブの成長過程のその場るとともに、カーボンナノウォールやカーボンナノ観察など、形成機構の解明のための取り組みも盛ん

コイル等のほかのカーボンナノ構造体に関する研になってきた。

究も加わり、研究者・技術者の興味も多岐にわたる

カーボンナノチューブの製造方法が確立されつつようになったと考えれば、この分野も円熟期に入っあるため、電子放出素子やデバイスへの応用に関すたといえるかもしれない。

る研究も盛んになってきている。これらの研究に関初日の午後に、筑波大学の岡田氏より「空間制御する講演件数は合同セッション全体の２割を占め、によるナノチューブ電子構造の変調」と題して分科

カーボンナノチューブを用いた電界効果トランジ

内招待講演が行われたほか、2 日目の午前には、理スタや単電子トランジスタの発表には大きな注目

研・東工大総理工の森山氏より「カーボンナノチュが集まり、活発な討論が交わされた。

ーブ人工原子の電子殻構造とスピン状態」と題して

この他、今まで様々なセッションで発表されてい講演奨励賞受賞記念講演が行われた。

たカーボンナノウォールに関する研究も徐々に認

一般講演の半数がカーボンナノチューブ製造に関知され、合同セッションＦに集まってきた。カーボするものであった。昨年と比較すると、ナノチュー

ンナノチューブに限らず、ナノカーボンの分野のさブの製造プロセスに関する講演件数の割合が若干らなる発展を大いに期待したい。

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国内会議報告第 52 回応用物理学関係連合講演会・合同セッション H「プラズマエッチングのデバイス応用とその基礎」−LSI 関連−報告
富士通（株）

2004 年春から「プラズマエッチングのデバイス応用とその基礎」と題し、大学主体の放射線・プ
ラズマエレクトロクス「プラズマ応用プロセス」と、企業主体のビーム応用「プラズマ・イオン・光プロセス」中分類の合同セッションを行い、基礎と応用の交流を図っている。
ここでは本セッション中の LSI 関連の講演について報告する。今回、本セッション中に開かれた特集「MEMS デバイスと加工技術」については、Connecticut 大・関根誠氏の報告を参照頂きたい。

中村守孝

費が起こり、その結果、レート低下によるエッチ
残やマスクの肩落ちが起こることを報告した。
SiOCH のエッチングでは、フロロカーボンに N2を添加することもよく行われている。名大は、N2添加により CF ラジカルの温度が上昇することを
N2 発光分光の数値解析から発見し、レジスト表面
荒れへの影響を議論した。
300mm 装置ではウェハ内均一性向上が課題である。日立は 65nm 用 low-k damascene 加工で、ECR装置に 2 系統のガス供給装置を搭載し、中央と周辺で CxFy と N2 のガス流量・組成を変え、テーパー
LSI 関連で 26 件の発表があったが、low-k 配線材 角のウェハ内均一性を向上させた。
料関係が 9 件と多かった。一方、昨年の緊急課題
SiOCH はプロセスダメージを受けやすい。O2 アであった LER/LWR の発表は見られなかった。
ッシングにより表面のメチル基が抜けて SiO2 化し、NEC は 65nm ノード向け k = 2.6 のポーラス 誘電率が上昇する。HF ディップで SiO2 化ダメージ
SiOCH 材料に対し、via first、4 層ハードマスクの 層を除去して観察しているが、名大*は、XPS 観察
dual damascene 工程を最適化し、0.1μmφ via の 3 で、電子線照射によりチャージアップさせた時の層配線を良好に加工した。SiO 2 ハードマスクに対 ピーク形状変化から SiOCH ダメージを解析した。
し選択比を出すために O2 を添加する。酸化によるソニーは、有機 low-k 膜のアッシングダメージに
low-k 膜ダメージとのトレードオフから、対ハード より吸湿性が増加して信頼性が低下する現象を、
マスク選択比は 3 程度と小さくマージンは少ない TDS による水の脱ガス量で解析し、CH4 プラズマが、今後は膜厚が減るので十分と見ている。
による回復を検討した。RIE 型でイオン照射を併用
名大*は、温暖化計数が小さくエッチング特性も した場合に表面に緻密なカーボン膜が形成し、吸優れるが、爆発限界が高くボンベ保管が困難な 湿が抑制される。k 値変化が今後の検討課題である。
C2 F4 に対し、CO2 レーザーとテフロンを用いたガス
MIRAI*は塗布型ポーラスシリカ low-k 膜に、発生装置を開発し、SiOCH エッチングに適用した。 TMCTS 処理とプラズマ照射を併用することによコンパクトな装置で、完成度も高い。しかし、マ り、Si-O-Si で架橋させ、機械強度をヤング率で 1.9
スフロー制御と同レベルではあるが、エッチチャ 倍、硬度で 1.8 倍向上させた。表面ラフネス、膜密ンバーの圧力変動に因ると考えられる流量不安定 度も上昇するが、k 値の上昇は 10%程度である。
性がある。今後の高精度エッチングには、ガス発
low-k 配線材料は 90nm 世代では CVD SiOCH が生部だけではなく、エッチング装置トータルでの 主流となっているが、各社で組成や膜特性はそれ
流量制御機構が必要であると報告した。
ぞれ異なっている。配線関係のセッションで見る
ソニーは、N2 /H2 による有機 low-k 膜のエッチン と、次の 65nm、45nm 世代では、塗布型 SiOCH やグにおいて、スパッタで飛散しチャンバー壁に堆 有機系材料も検討されており、各社の違いはより積した Cu やポリマーの表面で H原子の再結合や消 大きくなるものと予想される。

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SiO2 エッチングは 4 件の発表があったが、CF x て 60℃で選択比 5 が得られた。N2 添加が無いと低ラジカルと壁の相互作用（中部大*）、大気圧プラ 温では WO3 がデポするが、N2 添加により WO2 Cl2
ズマエッチでの IAMS による気相診断（名大）、in で排気される。下層の poly-Si は引き続き 60℃でvacuo ESR 測定で求めたダングリングボンド生成 HBr/O2 /Ar で問題なくエッチできた。
とプラズマからの VUV 発光の関係（東北大）、シ
前述の low-k 材料や PRAM のダメージの他に、ミュレーションによるウェハ端でのシース電界歪 デバイスダメージに関して 4 件の発表があった。
みのエッチング形状への影響の検討（慶応大）と、Si 上の SiO2 のエッチングでは、10 年以上前に、全て基礎的な内容であった。
エッチ後露出した Si 表面に、SiC 層や面欠陥によ
LSI では low-k 配線材料の他にも、種々の新規材 る高抵抗層が 形成されることが問題とされ、 Vdc
料が検討されている。high-k ゲート絶縁膜（HfO2 ）、 を 1keV 以下にすることで解決していた。富士通は
相変化型メモリ PRAM 用カルコゲナイド材料 GST 最近のデバイスでは Extension 層が極めて浅いこと（Ge2 Sb2 Te5 ）、磁気抵抗メモリ MRAM 用 Ni 薄膜な から、Vdc が 0.5kV 程度と低い場合の浅いダメージ
どの加工について報告があった。
でもイオン注入不純物の活性化抑制によりシート
high-k ゲート絶縁膜のエッチングは、膜厚が極め 抵抗上昇が起こることを見つけた。分光エリプソて薄いことからウェットエッチやスパッタエッチ、 によるダメージ層評価から見て、エッチング時にあるいは両者の併用によっても加工できるケース SiO2 が残っていても SiO2 を通して打ち込まれた Cがあり、むしろ poly-Si ゲートと同様に高い CD 制 によりダメージ層が形成される。ダメージ抑制に御が要求されるメタルゲート加工が課題になると は SiO2 除去直前からの対策が必要である。
思われる。京都大学は HfO2 high-k ゲート絶縁膜や他にプラズマからの VUV 光の on wafer モニタリ
Pt, TaN などのメタルゲート材料の加工について、 ング（東北大*）、大気圧プラズマ洗浄による液晶
Cl 系と F 系ガスを用いて検討した。Cl 系ガスでは TFT 劣化の印可周波数依存（エア・ウォーター）、
BCl3 を用いノンバイアスで圧力を最適化すると、 静電チャックダメージを解析するためのチャック
HfO2 を Si に対して 6 と高い選択比でエッチできた。 に流れる微弱電流測定（名大*）が報告された。
Pt は Al/Cl2 で HfO2 に対して 8 以上の選択比が取れ
プラズマ中のパーティクルに関しては、実用的るが、スパッタエッチなので 45 度程度のテーパー な解析が行われている。NECEL は、生産用と同等形状になるのが課題である。TaN は Al/Cl2 で加工で な平行平板プラズマ装置を用いて、マイクロアー
きた。F 系ガスでは、C4 F8 に H2 添加して、HfO2 /Si ク異常放電により生成する剥離パーティクルの挙で 5.5 の選択比が得られた。HfC が生成している。 動をレーザー散乱により観察した。通常放電中は、三星は、PRAM 用 GST を Cl2 /CF 4 /Ar で垂直加工 パーティクルはウェハを反発し、付着せずに排気した。エッチング及びその後の放置により、表面 されるが、異常放電時にはウェハに付着する。異で Sb の減少と Ge の酸化が起こり、微細化した場 常放電中には、rf パワーを停止した瞬間と同様なパ合にダメージが懸念される。詳細は述べなかった ーティクル飛跡が観察され、異常放電時にプラズ
が、エッチ／アッシングのシーケンスに工夫した。 マが瞬間的に縮小することによりパーティクルの
名大は、Ni 加工用 Ar/CO2 プラズマでの H2 添加 付着が起こるモデルが提案された。
効果を Ar+/H2 +/CO 照射により解析した。H2 ガスで芝浦工大*は、容量結合アッシング装置で高ドー+は変化が起こらず、H2 イオン照射でイールドが向 ズイオン注入レジストの剥離用に CF 4 を添加する
上する。H2 +照射により Ni 中に H が入り、Ni 結合 と、内部石英治具から多量のパーティクルが発生を弱めて Ni(CO)x 生成を促進すると推測している。 することを報告した。
東京エレクトロン*は、RLSA マイクロ波プラズ
マ装置で、DRAM のゲート配線に用いられている
プラズマエッチングにおける基礎と応用の交流
W/WN/poly-Si を SiN マスクでエッチングした。 が本合同セッションの目的であるが、実際に大学
W/WN は Cl2 /O2 でもエッチングできるが 100℃以 と企業の共同発表が多く見られた。この報告では上のステージ温度が必要である。poly-Si を同じス 発表機関を筆頭者の所属で表記したが、大学と企テージ上でエッチングするため、Cl2 /N2 /O2 を用い 業の共同研究には*を付けて示している。

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国内会議報告2005 年春季 第 52 回応用物理学関係連合講演会
合 同 セ ッ シ ョ ン H 分科内総合講演『MEMS デバイスと加工技術』報 告合同セッション H プログラム編集委員
本合同セッションも 3 回目となり，今回は最近事業的にも急速に発展してきている MEMS や光，バイオデバイスに注目し総合講演を企画しました．MEMS の加工では LSIとは観点の異なる要求が多々あり，新たな技術開発が必要です．同時に LSI でも高密度実装，
上層厚膜配線などの加工でこれらの技術が注目を集めています．その現状を俯瞰し，今後の展望を議論しようと試みました。以下にその概要を報告します．
まず，東北大学 未来科学技術共同研究センター
江刺正喜 先生から 「MEMS プロセス開発の現状と将来課題，展望」 (29p-ZE-1) の講演を頂きました．
先生は一貫して産学連携による研究開発と技術普及を推進し，MEMS ﾊﾟｰｸｺﾝｿｰｼｱﾑ(www.memspc.jp) を主宰するなど名実共に日本の MEMS の第一人者です．講演では ICと組み合わせた集積化 MEMS の現状をプロセスに重点を置き，豊富な資料で説され，優れた創意工夫と圧倒的な情報量に驚嘆した講演でした．先生は多くの情報発信をされており，応用物理73 巻９号の総合報告「シリコン MEMS の潮流」などが良い参考となると思います．
次に，京都大学 小寺秀俊 先生が「MEMS/マイクロ TAS のアプリケーション」として，血液検査用微少化学分析システム(Micro Total Analysis System)の基
本原理，MEMS 化のメリット，構成要素とその作成，システム化方法までの概要を講演くださいました．微量の血液での高速解析のために特に重要なマイクロポ
ンプ，ミキサーといった高効率要素をシミュレーションを駆使して設計，システム化により実現したダイナミッ
クな学際領域研究です．質疑では日米の開発の現状についてもコメント頂き，日本の４件のプロジェクトは高レベルの成果を出しているが，厚労省認可に時間がかかり実用化で先を越されかねず，開発競争への影響が懸念されるそうです．
さらに，(株)豊田中央研究所 島岡敬一 氏からは「犠牲層エッチングから撥水性コーティングまでのドラ
イ処理技術」の講演で，従来ウェットエッチングが使われていた犠牲層の除去および撥水化処理をドライ

24

関根

誠 (UConn * )化した成功例が紹介されました．HF に添加するアルコール流量，および圧力，温度でアンダーカット量の制御が可能となり，XeF2 を使ったパルスエッチング，
有機 Si ガスと水蒸気による単分子シリル化膜技術と共にカンチレバー作成への適用例が紹介され，ドライ化の有効性を判りやすく解説いただきました．
続く一般講演ではまず Si 基板のエッチングが 6 件報告されました．レジストマスクでのSi 深溝加工(大阪府大)では残渣をCHF3 プラズマのステップエッチングで抑制．F2 パルス変調(東北大)では SF6 に比べアン
ダーカットが低減し，低F*と F+ , F-イオンによる加工を理由としています．負イオンの効果について一層の機構解明を期待されます．アネルバからはレジストマ
スク下の界面にノッチが伸びる現象が示され，原因は帯電との推論．他に塩素プラズマでの帯電，反応生成物を考慮したシミュレーション(京大)の進展，開口率依存性(富士電機)，H*による粗面化で太陽電池の表面反射率を低減(農工大)が報告されました．
一方，EBEP(電子ビーム励起プラズマ)が光ファイバ
端面加工，SiO2 加工でユニークな特性を出しており，パルス化による更なる制御性向上が名大より報告されました．最後に大気圧プラズマによる高速エッチン
グについて名大・山川氏より続けて 2 件(１件は前回の講演奨励賞受賞記念講演)報告され、BPSG のエッ
チング(He,NF3 ,H2 O)では 14μm/分，有機膜(He,O2 )では 300℃で 0.3mm/分の高速加工が達成されました．
スリット幅内での高均一化に，発光分光と良く対応する電界シミュレーションの活用が示されました．
今後，LSI の多様化や System in Package によりMEMS と LSI が融合されていきます．それを支えるエッチング技術の将来を考えることに今回の企画が少しでも寄与すれば幸いです．当セッションを，モジュールやシステムまで見たユニット技術を基礎から製造技術まで議論できる場として一層活用いただければと思います．
(2005 年 6 月 3 日)*
Visiting Scientist, University of Connecticut
e-mail：sekine@mukis.net

2005（平成 17）年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿
氏名

幹事長

河野 明廣

副幹事長

畠山 力三

副幹事長

大森 達夫

幹事
任期
2006 年 3 月

遠藤

明

〃

押鐘

寧

〃

酒井伊都子

〃

清水 禎樹

〃

高橋 千春

〃

滝川 浩史

〃

田中 裕之

〃

中野 俊樹

〃

八田 章光

住所・電話
〒464-8603
名古屋市千種区不老町
TEL: 052-789-3315
FAX: 052-789-3315
kono@nuee.nagoya-u.ac.jp〒980-8579
仙台市青葉区荒巻字若葉
TEL: 022-795-7045
FAX: 022-263-9373
hatake@ecei.tohoku.ac.jp〒661-0001
尼崎市塚口本町 8-1-1
TEL: 06-6497-7201
FAX: 06-6497-7295
Oomori.Tatsuo@wrc.melco.co.jp〒980-8577
仙台市青葉区片平 2-1-1
TEL: 022-217-5222
FAX: 022-217-5222
endo@fmail.ifs.tohoku.ac.jp〒565-0871
吹田市山田丘 2-1
TEL: 06-6879-7294
FAX: 06-6879-7294
oshikane@prec.eng.osaka-u.ac.jp〒235-8522
横浜市磯子区新杉田町 8
TEL: 045-770-3511
FAX: 045-770-3568
itsuko.sakai@toshiba.co.jp〒305-8565
つくば市東 1-1-1 中央第５
TEL: 029-861-6333
FAX: 029-861-6355
shimizu.yoshiki@aist.go.jp〒243-0124
厚木市森の里若宮 3-1
TEL: 046-247-0795
FAX: 046-247-8431
takahasi@nanofab.ntt-at.co.jp〒441-8580
豊橋市天伯町雲雀ケ丘 1-1
TEL: 0532-44-6727
FAX: 0532-44-6727
takikawa@eee.tut.ac.jp〒390-0821
長野県松本市筑摩 4-18-1
TEL: 0263-28-5574(ext.3184)
FAX: 0263-25-8075
tanaka-hiroyuki01@fujielectric.co.jp〒239-8686
横須賀市走水 1-10-20
TEL: 046-841-3810-2225
FAX: 046-844-5903
tn@nda.ac.jp〒782-8502
高知県香美郡土佐山田町宮の口 185
TEL: 0887-57-2113
FAX: 0887-57-2120
hatta.akimitsu@kochi-tech.ac.jp

25

所属
名古屋大学
工学研究科
電子情報システム専攻
東北大学大学院
工学研究科
電子工学専攻三菱電機㈱先端技術総合研究所
SiC デバイス開発プロジェクト
東北大学
流体科学研究所
流体融合研究センター
大阪大学大学院
工学研究科
精密科学専攻㈱東芝 セミコンダクター社
プロセス技術推進センター

独立行政法人 産業技術総合研究所
界面ナノアーキテクトニクス研究センター

NTT-AT ナノファブリケーション㈱第１製造部

豊橋技術科学大学
技術開発センター（電気電子工学系）
富士電機デバイステクノロジー㈱半導体事業本部 半導体工場
プロセス開発部
防衛大学校
電気情報学群
電気電子工学科

高知工科大学
電子・光システム工学科

幹事
任期
2006 年 3 月

前田 賢治

〃

真下 公子

〃

山形 幸彦

新任幹事
任期
2007 年 3 月

小田 昭紀

〃

木下 啓藏

〃

菅原 広剛

〃

豊田 浩孝

〃

中石 雅文

〃

中川 秀夫

〃

中村 敏浩

〃

野崎 智洋

〃

林 信哉

〒185-8601
国分寺市東恋ケ窪 1-280
TEL: 042-323-1111（ext.2144）
FAX: 042-327-7708
k-mae@crl.hitachi.co.jp〒183-8508
府中市四谷 5-8-1
TEL: 042-334-0240
FAX: 042-334-2112
mashimok@mhb.anelva.jp〒816-8580
福岡県春日市春日公園 6-1
TEL: 092-583-7605
FAX: 092-571-8013
yamagata@ence.kyushu-u.ac.jp〒466-8555
名古屋市昭和区御器所町
TEL: 052-735-5369
FAX: 052-735-5369
aknr.oda@nitech.ac.jp〒305-8569
つくば市小野川 16-1
産総研つくば西 SCR 事務棟
TEL:029-849-1571, -1569(代)FAX: 029-849-1528
k-kinoshita@mirai.aist.go.jp〒060-0814
札幌市北区北 14 条西 9 丁目
TEL: 011-706-6480
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sugawara@ist.hokudai.ac.jp〒464-8603
名古屋市千種区不老町
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京都市西京区京都大学桂TEL: 075-383-2289
FAX: 075-383-2290
tosihiro@kuee.kyoto-u.ac.jp〒152-8552
目黒区大岡山 2-12-1
TEL: 03-5734-2179
FAX: 03-5734-2893
tnozaki@mech.titech.ac.jp〒840-8502
佐賀市本庄町１
TEL: 0952-28-8642
FAX: 0952-28-8651
hayashin@cc.saga-u.ac.jp

26(株)日立製作所
中央研究所
先端技術研究部

アネルバ㈱次世代技術開発本部

九州大学大学院
総合理工学研究院
融合創造理工学部門
名古屋工業大学
大学院工学研究科
しくみ領域

半導体 MIRAI プロジェクト
Low-k グループ

北海道大学
大学院情報科学研究科
情報エレクトロニクス専攻
名古屋大学
工学研究科
電子情報システム専攻
富士通㈱Etch Module, Process
Dept
松下電器産業㈱半導体社
プロセス開発センター
京都大学
大学院工学研究科
電子工学専攻東京工業大学
大学院理工学研究科
機械制御システム専攻
佐賀大学
理工学部
電気電子工学科

Development

2005 年度（平成 1７年度）分科会幹事役割分担
役割分担

留任

幹事長
副幹事長
分科会ミーティング
シンポジウム

新任

河野明廣

名大

畠山力三

東北大

大森達夫

三菱電機

酒井伊都子

東芝

畠山力三

東北大

○ 八田章光小田昭紀○ 豊田浩孝

名工大
名大

高知工科大

中川秀夫

松下電器

前田賢治

日立

中村敏浩

京大

遠藤 明

東北大

林 信哉

佐賀大

河野明廣

名大

菅原広剛

北大

反応性プラズマ国際会議

滝川浩史

豊技大

中石雅文

富士通

ICRP-6/

押鐘 寧

阪大

中川秀夫

松下電器

プラズマプロセシング研究会

田中裕之

富士電機

中村敏浩

京大

* 清水禎樹産総研* 遠藤 明

東北大
高知工科大

菅原広剛

北大

○ 大森達夫

三菱電機

木下啓藏

MIRAI

プラズマ応用技術の将来ビ

高橋千春

NTT-At中石雅文

富士通

ジョン研究会等の研究会

中野俊樹

防衛大

小田昭紀

名工大

前田賢治

日立
東北大

豊田浩孝

名大

山形幸彦

九大

木下啓藏

MIRAI

清水禎樹

産総研

野崎智洋

東工大

三菱電機

木下啓藏

MIRAI

総合講演
合同セッション

SPP-23

光源物性とその応用研究会

八田章光○ 畠山力三サマースクール○ 大森達夫
プラズマエレクトロニクス講

酒井伊都子

東芝

中石雅文

富士通

習会

田中裕之

富士電機

中川秀夫

松下電器

中野俊樹

防衛大

野崎智洋

東工大

真下公子

アネルバ

野崎智洋

東工大

○ 押鐘 寧

阪大

林 信哉

佐賀大

ホームページ

押鐘 寧

阪大

林 信哉

佐賀大

会員名簿

山形幸彦

九大

庶務

中野俊樹

防衛大

小田昭紀

名工大

会誌編集・書記会計
プラズマエレクトロニクス賞○：取りまとめ役，

河野明廣

名大

*：ICRP6/SPP23 現地実行委員
27

平成 1７年度分科会関連の各種世話人・委員
１．応用物理学会講演分科の世話人（任期：1 期２年）
1.2 プラズマ生成技術およびプラズマ源津田睦（三菱電機）1.3 反応性プラズマの診断と計測

中野俊樹（防衛大）1.4 プラズマプロセス応用

関根

誠（ｺﾈﾁｶｯﾄ大）合同セッション H 兼務
講演会企画運営委員会 オブザーバ
1.5 プラズマプロセスによるナノテクノロジー
合同セッション D 兼務

林康明（京都工繊大）

豊田

1.6 プラズマ現象一般

栃久保浩孝（名大）
文嘉（都立大）２．「応用物理」編集委員（2004.4〜2006.3）

節原裕一（阪大）

３．応用物理学会代議委員（１期２年）

寒川誠二（東北大）節原

裕一（阪大）酒井洋輔（北大）

４．GEC 組織委員（2003.10〜2005.10）28

平成 16 年度後期および平成 17 年度前期活動報告
第 41 回プラズマエレクトロニクス分科会ミーティング( 兼平成 1 6 年度第 4 回 幹 事 会)
日時：平成 17 年 3 月 31 目(木)12:00‑13:00
場所：埼玉大学理学部 C 棟 1 階 3 号室5．
「第 5 回プラズマ応用技術の将来ビジョン研究会」(中野)
平成 16 年 12 月 8 日に東洋大学で開催された．
参加者数は 51 名で盛況であった．アンケート結果から内容は好評であり，パネルディスカッショ
ンの充実を望む声も聞かれた．非会員の参加をさらに働きかけたい．

1．
「平成 16 年度の活動と収支決算」(河野，平松)
平成 16 年度の分科会活動概要，収支決算，平成 17 年度予算が報告された．平成 16 年度は北大での PSS‑21 と講習会が大変盛況であった．平成
17 年度は国際会議開催のためプラズマプロセシ
ング研究会の収入がない．ICRP‑6 の為の預金支出
200 万を実施した．PSS‑22 へ分担金 30 万を支出した．平成 17 年度は活性化支援金としてサマースクールとビジョン研究会へ合計 30 万を見込んでいる．

6．「会報 No．41 発行」(押鐘)
平成 16 年 12 月末の発行について報告がなされ，関係各位へのお礼が述べられた．会報 No．42 の担当が真下幹事である旨，報告された．
7．「会員名簿発行」(山形)
名簿記載について全会員にハガキでアンケートを行なった．アンケート返信は 468 名中 120 弱であった．印刷後に誤記が見つかり，正誤表により対応した．会報 No．41 と同時発送した．

2．「平成 17‑18 年度の幹事選挙結果」と新幹事紹介(河野)選挙結果が報告され，有効投票数 165，白票 2，
無効 1 であった．小城左臣氏(北九州高専)に 1 票投票があった．4 月からの新任幹事 9 人が紹介された
3．「第 19 回光源物性とその応用研究会」と第 20回の準備状況(須田，八田)
第 19 回を平成 16 年 10 月 4 日に北大で照明学会と共催した旨，またその収支報告が行なわれた．
第 20 回は，秋の応物学会(徳島大学)後の平成 17
年 9 月 12 日に愛媛大学主催で行なう予定．9 月
13 日には日本，韓国，中国合同の光源研究ワーク
ショップ(愛媛大学主催)も開催予定．
4．
「第 15 回プラズマエレクトロニクス講習会」(大森)
平成 16 年 10 月 14 15 日と慶応大学で開催された．PE 分科会員以外（応物会員）の参加も多く，受講者数 70 名と大盛況であった．よい会場だったので，次回会場も慶応大学を予定したい．

8．
「プラズマ科学シンポジウム 2005/第 22 回プラ
ズマプロセシング研究会」(河野)平成 17 年 1 月 26 日 28 日に名古屋ウィル愛知で開催され，大盛況であった．参加者数は 536 人，
発表論文は 375 件であった．PE 分科会からは押鐘幹事，滝川幹事が実行委員として参加した．共催
分担金として 30 万支出した．
9．
「第 6 回反応性プラズマ国際会議(ICRP‑6)」(畠山)
平成 18 年 1 月 24 27 日に松島にて，PSS‑23 と合同で開催予定．First Announcement を既に郵便とメールで送付した．各委員会の設立，活動状況が報告された．ショートプレゼンテーションを増や し て 若 手 活 性 化 に 配 慮 す る 方 向 ．4 月末にSecond Announcement を郵便とメールで送付予定．
10．
「第 3 回プラズマエレクトロニクス賞」(河野)選考経緯と結果が報告され，応募５件から２件（九州大学の古閑ほか 4 名，慶應義塾大学の八木ほか 3 名）の受賞が決定した．贈賞式は平成 17
年 3 月 31 日のシンポジウム直前に行なわれる．

29

11．「2005 年春季講演会のシンポジウム，合同セッション」と「2005 年秋季講演会のシンポジウム，
合同セッション」(八田)平成 17 年 3 月 31 日に大気圧プラズマに関するシンポジウムを行なう旨，また会場変更について報告された．合同セッションは白谷(Ｄ)，林(Ｆ)，
関根(Ｈ)の担当で会期中実施されている旨，報告された．秋季講演会での各種実施については平成
17 年 4 月末が申請の締切であり，4 月 9 日の幹事会で決定予定．シンポジウムテーマの提案要請がなされた．
12．「会報 No．42 発行準備」(真下)
会報 No．42 の発行に向けて，平成 17 年 5 月下旬原稿締切を予定し準備を進めている旨，報告された．通常の記事に加えて，PE 賞関連，平成 17
年度幹事・世話人関連の記事が掲載される予定．
執筆記事への協力要請がなされた．

平 成 17 年 度 プ ラ ズ マ エ レ ク ト ロ ニ ク ス 分 科 会
第 1 回幹事会
日時：2005 年 4 月 9 目(土)13:00‑16:30
場所：名古屋大学，IB 電子情報館，電気系会議室

1．幹事自己紹介(河野)新任を含めた参加幹事全員の自己紹介を行なった．本会報 p26 参照のこと．
2．PE 分科会運営の概要(河野)会員数の現状報告，会計状況（応物学会の収支決算，PE 分科会の 2005 年度予算）が報告された．
PE 分科会の活動，関連学会に関連する年間スケジ
ュールの確認を行なった．PE 分科会員の募集案内の改定を検討することとした．
3．幹事役割分担(河野)2005 年度の幹事役割分担(案)が示され，了承された．本年度の PE 分科会関連の各種世話人，委員を確認した．本会報 p27‑28 参照のこと．

13．
「第 12 回プラズマエレクトロニクスサマース
クール」(清水)平成 17 年 8 月 3 5 日に名古屋市民休暇村で開催予定であり，広告チラシが講演会会場で配布済
みである旨，報告された．参加費の変更について報告され，応物会員と PE 分科会員とを兼ねている参加者，また協賛学協会所属の参加者について値下げが実施される予定．研究活性化支援金 20万が交付される旨，報告された．今後のスケジュールについて説明がなされ，講師全員にテキスト原稿は依頼済みである旨，報告された．学生，社会人共に多数の参加が期待される．

4．会報 No.42(2005 年 6 月発行)について(真下)
会報発行の準備状況について報告があった．定
例記事に加えて，畠山副幹事長の巻頭言，第 3 回
PE 賞関連記事，2005 年度 PE 幹事関連の記事，などで構成予定．河野幹事長より 6th Workshop on
FrontiersinLow
Temperature
PlasmaDiagnostics 会議の会議報告の追加が提案され，了承された．研究室紹介の記事依頼は，過去の履
歴を元に活発に行なってゆく．
5．第 12 回プラズマエレクトロニクスサマースクールについて(清水)8 月 3 5 日に名古屋市民休暇村で開催予定．参加費の改訂について報告された．参加締切は 7 月
11 日．開催要項ができ次第，HP へ掲載予定．本会報 p36 参照のこと．

その他(河野)平成 17 年 6 月 28 29 日に東大で開催される第18 回プラズマ材料科学シンポジウム(日本学術振興会第 153 委員会主催)へ協賛する旨，報告され，分科会ホームページからのリンク設置が指示された．平成 17 年 3 月末で退任する幹事より挨拶があった．

6．第 6 回反応性プラズマ国際会議(ICRP‑6)について(畠山)
2006 年 1 月 24 27 日に仙台の松島で開催を予定 し ， そ の 準 備 状 況( 各種委員会発足， First30

Announcement の送付，委員会開催，会議日程，今後の予定)が報告された．アジア一円の参加を多数見込む意味で，Announcement 送付数の少ない
Taiwan へ の PR 強 化 を 行 な う ． Second
Announcement を 4 月末に郵便と電子メールの両方で送付する予定．Abstract の締切は 8 月 1 日の予定．プロシーディングス原稿締切は 11 月 1 日の予定．会議当日，JJAP 特集号の投稿を受け付ける
予定．本会報 p34‑35 参照のこと．

11．第 16 回プラズマエレクトロニクス講習会について(中野，大森)
11 月 7 日の週に開催を予定し，会場は慶応大学
日吉キャンパスを予定する旨，了承された．内容は，プラズマの基礎と応用を半々で行なう方向で詰め，広範な開催テーマを設定することとし，分光の実践的な内容も盛り込む方向で進める旨，了承された．本会報 p38 参照のこと．
12．第 6 回プラズマ応用技術の将来ビジョン研究
会について(大森，中野)
12 月 5 日の週に開催を予定し，会場は慶応大学
日吉キャンパスを予定する旨，了承された．黎明期のテーマなども含めて開催テーマを設定する
旨，了承された．本会報 p41 参照のこと．

7．2007 年およびそれ以降のプラズマプロセシン
グ研究会について(河野)ICRP‑6 は SPP‑23 と共催で行なう．次回 PSS は
日本学術振興会第 153 委員会が担当予定．ICRP‑7
や SPP‑24 の開催地，開催形態について議論した．
SPP‑24 は大阪地区での開催予定で進めることとした．

13．ホームページについて(押鐘)PE 分科会ホームページのサーバ移転作業，今後のコンテンツ更新予定について報告された．3/31の応物分科会ミーティングの議事録について確認された．会報 No.43 の発行準備作業について説明があった．

8．2005 年秋季講演会の分科会ミーティング(第42 回)について(酒井)会期中の 2 日目の昼，シンポジウム前に PE 分
科会ミーティングの開催を予定する．
9．2005 年秋季講演会のシンポジウム等について(八田)
分科内総合講演として第 3 回 PE 賞受賞者の記念講演をシンポジウムの前に予定する．渡辺先生(九大)，真壁先生(慶大)にご講演いただく予定．
シンポジウムは，「窒化物，酸化物，新材料プラ
ズマプロセスの現状と課題（仮題）」について，5
月 6 日の締切に向け，開催案をとりまとめてゆく．
本会報 p32 参照のこと．
10．第 20 回光源物性とその応用研究会報告(八田)秋の応物学会の直後，9 月 12 日に愛媛大学(担
当：神野先生)の主催，照明学会と PE 分科会との共催で開催予定．8 月 15 日予稿締切．開催要項ができ次第，HP へ掲載予定．9 月 13 日には同会場
で，日本，韓国，中国の光源関係の合同ワークシ
ョップも開催予定で，PE 分科会が協賛する旨，了承された．応物学会誌 6 月号に会合通知掲載予定．
本会報 p39‑40 参照のこと．

31

14．GEC および GEC 次期委員について(河野)GEC(Gaseous Electronics Conference)の次期委員(2005.10 )として，斧高一教授(京大)を PE分科会として推薦することとした．
15．第 4 回プラズマエレクトロニクス賞について(河野)
プラズマエレクトロニクス賞の賞規定について確認し，また，応募者の増加に努力する旨，確認した．本会報 p42 参照のこと．
16．その他(河野)8 月 19 20 日フロンティアプロセス 2005 ヘ PE
分科会が協賛する旨，了承された．
分科会会員数の増加に努力する旨確認された．

行事案内
2005 年（平成 17 年）秋季 第 66 回 応 用 物 理 学 会 学術講演会シンポジウム 案内(1.2〜1.6 プラズマエレクトロニクス)「酸化物半導体・窒化物半導体のプラズマプロセス」
八 田 章 光（高知工科大）遠藤 明（東北大流体研）

窒化物・酸化物のワイドギャップ半導体は興味

２．「低温プラズマ：そのモデリングからデザイ

深い物性を示し，電子・光デバイスとしての応用

ンツールまでの歩み」（３０分）

が期待され現在精力的に研究開発されています．

慶応大理工

真壁利明

しかしながら，これら窒化物・酸化物の物性制御や加工技術には依然課題が多く，その解決が切望
シンポジウムプログラム

されています．そこで、窒化物・酸化物を合成・加工するためのプラズマプロセスの現状を把握し，

１．イントロダクトリー・リモートプラズマによる ZnO 薄膜作製と発光デバイスへの応用（２プラズマ応用の観点から今後の研究開発課題を議０分）論するためのシンポジウムを企画いたしました．

静岡大

皆様におかれましては，ふるってご参加頂き，

天明二郎

酸化物半導体・窒化物半導体におけるプラズマプ
２．ZnO 薄膜のプラズマプロセス（３０分）

ロセスの新たな展開の探索の一環として有意義な高知工大

シンポジウムにして頂きたく何卒お願い申し上げ平尾孝ます．なお，シンポジウムに先立ち，第３回プラ３．質量選択的運動量制御・磁場中酸素プラズマ

ズマエレクトロニクス賞受賞記念講演が行われまを用いた酸化物薄膜の合成（３０分）

す．

茨城大理工

佐藤直幸

世話人：八田章光（高知工科大）遠藤＊＊＊＊＊＊休憩（１５分）＊＊＊＊＊＊明（東北大流体研）

開催予定日時：９月８日（木）４．イントロダクトリー・GaN、AlN 等の窒化物

１３：３０−１７：４０のスパッタ膜作製と膜中の内部応力評価（２
第３回プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演０分）

１．「高品質アモルファスシリコン膜作製のため

徳島大工

富永喜久雄

のクラスタ制御プラズマ CVD 法の開発」
（３
０分）
九大

５．電子ビーム励起プラズマによる窒化物薄膜合渡辺征夫

成（３０分）

32

豊田工大

原

民夫

６．スパッタ及び CVD による cBN 薄膜堆積と電気伝導特性評価（２０分）
東大工

野瀬健二

７．UHV スパッタリング法による III 族窒化物単結晶層のエピタキシャル成長（２０分）
東京電機大

篠田宏之

８．まとめ（５分）
名大工

豊田 浩孝

33

行事案内

第 6 回反応性プラズマ国際会議／第 2 3 回プラズマプロセシング研究会（6th International Conference on Reactive Plasmas / 23rd Symposium on
Plasma Processing : ICRP-6/SPP-23）開催のご案内
東北大学 畠山力三 （組織委員長）
第 6 回反応性プラズマ国際会議／第 23 回プラズ
マプロセシング研究会が，2006 年 1 月 24 日から
27 日まで日本三景の一つである宮城県松島海岸で開催されます．
反応性プラズマ国際会議は，ナノテクノロジー，
バイオテクノロジー等に関わる基盤技術としてのプラズマプロセスに関連する諸現象を，物理・化学的観点から基礎的に解明するとともに，複雑な反応性プラズマを制御する手法を学術的に確立することを目的とし，これを基にした最先端のプラズマ応用について国内外の第一線の研究者による講演，研究発表，討議を行います．
本国際会議は，これまでに 1991 年に名古屋で，1994 年に横浜で，1997 年に奈良で，1998 年にハワイで(GEC: Gaseous Electronics Conference と合同会議），2002 年にはフランスで (ESCAMPIG:
Europhysics Conference on Atomic & Molecular
Physics of Ionized Gases と合同会議) 計５回開催され，盛況を博しました．今回はその第６回目として準備が進められております．
以下，会議の概要をお知らせいたします．本分科会の主催行事として，多数の皆様のご参加をお待ちしております．

【主要題目】〔一般セッション〕
1. 反応性プラズマの発生・制御
2. 反応性プラズマの診断・計測
3. 反応性プラズマ内の輸送現象と原子・分子素
過程
4. モデリングとシミュレーション
5. パーティクル・ダストの発生と挙動
6. プラズマ・固体相互作用と表面改質等への応用
7. エッチング
8. デポジション
9. マイクロ，大気圧プラズマの応用
10. ナノテクノロジー，バイオテクノロジーへの応用
11. 反応性プラズマの新展開〔特別企画セッション〕
1. 先端デバイスへの最新プラズマ技術応用
2. MEMS プロセスの新展開
3. 大気圧／大面積プラズマ−材料プロセスへの新しいプラズマ
4. プラズマ応用の新しい展開―新しい材料の革新的プロセシング

記
日時：2006 年 1 月 24 日（火）〜27 日（金）会場：ホテル大観荘（宮城県宮城郡松島海岸）
主催：（社）応用物理学会
共催：（財）名古屋産業科学研究所【招待講演者】(プレナリー)
V. A. Godyak (Osram Sylvania)
A. Sekiya (National Inst. Advanced Industrial
Sci. Tech.)34

(招待講演)
C. Charles (Australian National Univ.)
U. Czarnetzki (Ruhr‑Univ. Bochum Inst.)
K. Becker (Steven Inst. Tech. Hoboken)
G. P. Karwasz (Universitia di Trnto）
S. J. Buckman (Australian National Univ.）
M. Kushner (Iowa State Univ.)
V. M. Donnelly (Univ. of Huston)
C.‑J. Kang (Samsung)
R. I Cabarrocas (Ecole Polytechnique)J. G. Eden (Univ. of Illinois)
K. P. Giapis (California Inst. Tech.)
P. Favia (Univ. of Bari)
K. Eriguchi (Matsushita Elec. Industrial)
M. Akizuki (Sanyo Electric)
T. Mukai (NEC)D. Economou (Univ. of Huston)
K. Baert (IMEC)
S. Farrens (EV Group)
K. Suu (ULVAC)
J. K. Lee (POSTECH)
J. A. Hopwood (Northeastern Univ.)
H. Sugai (Nagoya Univ.)
Y. Takeuchi (Mitsubishi Heavy Industry)Y. Kuo (Texas A&M)
N. J. Mason (The Open Univ.)
M. Hangyo (Osaka Univ)
E. S. Adamowicz (Eindhoven Univ. of Technol.)【登録料】
10 月 31 日まで：一般 30,000 円，学生 5,000 円
11 月 1 日以降：一般 35,000 円，学生 8,000 円
登録料には，参加費，プロシーディング，歓迎レ
セプションが含まれます．登録は，末尾記載の会
議専用 webpage でお願いします．

【宿泊】
宿泊については，会議場である「ホテル大観荘」
をお薦めします．複数人数で和室をご利用いただ
くと，割安にご利用いただけるようになっております．詳しくは，末尾記載の会議専用 webpage でご覧ください．

【締切日程等】
アブストラクト原稿
受理通知配信プロシーディングス原稿
早割引参加登録
ホテル予約
ＪＪＡＰ特集号原稿2005 年 8 月 1 日
2005 年 9 月 15 日
2005 年 10 月 31 日
2005 年 10 月 31 日
2005 年 11 月 20 日
2006 年 1 月 24 日

【問合せ先】
ICRP‑6/SPP‑23 組織委員長 畠山力三
〒980‑8579 仙台市青葉区荒巻字青葉 6‑6‑05
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
電話：022‑795‑7045 FAX：022‑263‑9375
E‑mail：ICRP6@plasma.ecei.tohoku.ac.jp
http://www.plasma.ecei.tohoku.ac.jp/ICRP6/【会議論文集等】
会議の Proceedings を発行します（会議当日，参加者に配布）．また，発表論文の一部を Japanese
Journal of Applied Physics (JJAP) の 特 集 号
Plasma Processing として 2006 年 7 月に刊行する予定です．

【参加予定国】
日本，アメリカ合衆国，カナダ，英，仏，独，伊，蘭，オーストラリア，韓国，中国，台湾，インド，
ロシア等．

35

行事案内

第 12 回プラズマエレクトロニクスサマースクール 案内
東北大学

工学研究科

既に，「応用物理」5 月号等で御案内しておりま
すが，今年も長野県木曽御岳でプラズマエレクト
ロニクスサマースクールを開催いたします。本サマースクールでは，大学院生，企業に入ってプラズマ技術が必要になった技術者，この分野に興味のある方などを対象として，プラズマエレクトロニクスの基礎に最新の話題を加味した講義を行ないます。また，分科会担当幹事のショート講演により，最新の研究トピックスを紹介します。さらに，懇親会や参加者によるポスターセッションを企画しており，プラズマエレクトロニクスの知識に加え，大学や職場を超えた仲間作りにもきっと役立つことでしょう。会員の皆様方には，ご自身の参加はもとより，周りの方々，お心当たりの方々にも参加をお奨めいただきたく，この場を借りて，再度御案内させていただきます。

畠山力三

17:30−19:00
19:00−21:00
8/4 ( 木 )07:00−08:30
09:00−09:20

入浴
懇親会

朝食
ショート講演 2：「大気圧バリア放電と濃縮技術の併用による排気ガスの高効率浄化法」（九州大：山形
幸彦)
09:20−11:00 「プラズマの素過程とモデリング」（東工大：赤塚 洋）
11:10−11:30 ショート講演 3：「気相・液相プラ
ズマプロセスによる新機能性ナノカーボン創製研究」(東北大：畠山 力三)
11:40−11:50 集合写真撮影
11:50−13:00 昼食
13:30−15:10 「プラズマ計測の基礎と応用」（名古屋大：佐々木 浩一）
15:10−15:30 ショート講演 4：「マグネトロンプ
ラズマにおける高エネルギー粒子の生成機構と計測」（名大：豊田 浩
孝）
15:40−17:20「プラズマエッチング」（三菱電機：
大森 達夫）
17:20−17:40 ショート講演 5：「プラズマを用いた LSI の配線間絶縁材料生成」（半
導体 MIRAI プロジェクト：木下啓蔵）
18:00−19:30 食事，入浴
19:30−21:30 談話会（ポスターセッション）
8/5(金 )
07:00−08:30 朝食
08:50−09:00 アナウンス
09:00−10:40 「 プ ラ ズ マ CVD の基礎と応用」（物材機構：岡田 勝行）
10:40−11:00 閉校式【開催日時】
平成 17 年 8 月 3 日（水）〜8 月 5 日（金）【開催場所】
名古屋市民御岳休暇村〒397-0201 長野県木曽郡王滝村 3159 番 25
TEL：0264-48-2111，FAX：0264-48-2874【講義内容】（講師、講義題目及びスケジュール）
8/3 ( 水 )13:30−15:00 入校受付
15:10−15:25 入校式（東北大：畠山 力三）
15:30−17:10 「プラズマ生成の原理と実際」（大阪大：節原 裕一）
17:10−17:30 ショート講演 1：「マイクロプラズ
マによるオンサイトデポジション
技術」（産総研：清水 禎樹 ）【参加費】

協賛学協会個人会員およびプラズマエレクトロニクス分科 応用物理学会
プラズマエレクトロニクス分科
会と応用物理学会の個人会員
個人会員
会の個人会員その他

一般

40,000円

43,000円

48,000円

53,000円

学生

14,000円

17,000円

22,000円

27,000円

36

企業，自社製品の PR
入社前の大学での卒業研究 等
であれば，内容は一切問いません。発表時間は 30〜40 分程度，お一人につき 1m×1m 程度のボードを用意します。

注）応用物理学会賛助会社およびプラズマエレク
トロニクス分科会賛助会社所属の方はそれぞれの個人会員扱いとさせていただきます.
【申込方法】
以下の①〜③の事項を記入の上， E-mail，FAX，郵送の何れかの方法で，後述の申込先（産総研・清水）までお申し込み下さい。申し込みを受け取り次第，参加登録の確認を通知しますので，その後に参加費を振り込んで下さい。なお，不参加となられた場合，参加費の返却は出来かねます。
① 参加者氏名（フリガナ），性別，宿泊室での喫煙又は非喫煙の別② 所属（学生の場合は学年と研究室名も），連絡先（郵便番号，住所，電話番号，FAX 番号，
E-mail アドレス）③ 会員または非会員の別，会員の場合は所属学協会と会員番号（申請中の場合は申請書のコ
ピー）
定員：６０名
参加締切：７月 11 日（月）ただし、定員になり次第、締め切ります。

【問い合せ及び申込先】〒305‑8565 茨城県つくば市東 1‑1‑1 中央第 5
産業技術総合研究所 界面ナノアーキテクトニク
ス研究センター 清水禎樹
TEL(029)861‑6333，FAX(029)861‑6355 ，E‑mail：shimizu.yoshiki@aist.go.jp【担当幹事】
校長：畠山 力三（東北大）
幹事：山形 幸彦（九州大）
豊田 浩考（名古屋大）
木下 啓蔵（半導体 MIRAI プロジェクト）
野崎 智洋（東工大）
清水 禎樹（産総研）【その他の情報】(1) 第 12 回プラズマエレクトロニクスサマースク
ール・ホームページ
http://annex.jsap.or.jp/plasma/【振込先】
三井住友銀行 本店営業部 口座（普通）3339808
社団法人応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会＊ 振込者確認の簡便性のため，振込は参加者の個人名でお願いいたします。

(2)名古屋市民御岳休暇村（宿舎）のホームページ
休暇村の施設，現地周辺の地図，行き方等の情報が得られます。
http://www.kyukamura.city.nagoya.jp/【学生会員への交通費補助について】
下記の条件を満たす場合，交通費を補助します。
＜交通費補助の条件＞
学生会員若しくは今回学生会員( 大学院生を含む)になられた方で，大学所在地が関西（京阪神を含む）以遠又は関東（神奈川、東京は除く）以遠の方を対象とします。また，大学院生についてはポ
スターセッションでの発表を必須条件とします。

(3)名古屋市民御岳休暇村までの交通案内[JR を御利用の方]☆ 新宿 ―（JR 中央本線，特急 2 時間 40 分）―
塩尻 ―（JR 中央本線，特急 30 分）― 木曽福
島駅 ―（バス，1 時間）― 休暇村☆ 名古屋 ―（JR 中央本線，特急 1 時間 20 分）― 木曽福島駅 ―（バス，1 時間）― 休暇村[自動車を御利用の方]☆ 東京 ―（中央自動車道，約 3 時間）― 塩尻
IC ―（国道 19 号線，約 1 時間）― 木曽福島（元橋）―（約 1 時間）― 休暇村☆ 名古屋 ―（中央自動車道，約 1 時間）― 中
津川 IC ―（国道 19 号線，約 1 時間 20 分）― 木
曽福島（元橋）―（約 1 時間）― 休暇村【ポスターセッションについて】
参加者間の交流が深まるよう，本サマースクール
では，例年，ポスターセッションを中心とする談話会を企画しております。参加者自身のバックグ
ランドに関連したもの，例えば・学生の場合：現在の研究テーマにまつわるもの学部での卒業研究 等
・社会人の場合：企業の仕事にまつわるもの

37

行事案内

第１６回プラズマエレクトロニクス講習会 案内「実践的プラズマプロセス構築のための基礎と応用最前線 」− ULSI か ら カ ー ボ ン 配 線 、MEMS 、 大 気 圧 プ ラ ズ マ ま で −三菱電機（株）主催： 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
日時： 2005 年 10 月 27 日（木）〜28 日（金）場所： 慶應義塾大学 日吉キャンパス〒223-8521 神奈川県横浜市港北区日吉 4-1-1
TEL: 045-563-1111 (代表)大森達夫⑥「プラズマ技術と光集積 MEMS」
佐々木 実（東北大）⑦「大気圧プラズマ技術とその応用」
水野 彰（豊橋技科大）

内容／プログラム：プラズマの基礎から応用までの幅広い講義を行います。また、最先端 ULSI デバイスの製造技術に関し、装置メーカー、デバイスメーカー、ソフトベンダーなどの技術者によるポスター発表も行い、受講者の皆様と一緒になって議論していただきます。プラズマの基礎を勉強したい学生からプラズマ技術の最新の応用に関心のある技術者や研究者を対象として、本講習会を企画いたしました。
【10 月 27 日（木） 10:00〜18:00】①「プラズマの計測・実践的発光分光」
白谷 正治（九州大）

参加費： テキスト代を含む、括弧内は学生
応物&PE 分科会個人会員： 30,000 円（ 8,000 円）
応物個人会員：33,000 円（11,000 円）
分科会のみの個人会員：
42,000 円（15,000 円）
協賛学協会個人会員：
42,000 円（15,000 円）
その他：
45,000 円（18,000 円）
なお、非会員の方でも参加申込時に PE 分科会（年
会費 3,000 円）に入会いただければ、会員扱いとさせて頂きます。
定員： 100 名（定員になり次第締切り）
申込締切： 10 月 21 日（金） （但し、余裕のある場合には期日後も受付けます）②「プラズマの生成と制御方法」
板橋 直志（日立製作所）

申込方法： 詳細はプラズマエレクトニクス分科会のホームページに後日掲載します。

③「カーボン配線技術」
粟野 祐二（富士通）

http://annex.jsap.or.jp/support/division/plasma/
問合せ先： 〒239-8686 横須賀市走水 1-10-20
防衛大学校電気情報学群電気電子工学科
中野 俊樹
TEL: 046-841-3810 内 2225、FAX: 046-844-5903

ポスターセッション【10 月 28 日（金） 10:00〜17:00】④「反応性プラズマ中の気相・表面反応」
斧 高一（京都大）

E-mail: tn@nda.ac.jp⑤「プラズマ加工技術」
藤原 伸夫（ルネサステクノロジ）

38

行事案内

第 20 回光源物性とその応用研究会
高知工科大学八田章光

講演申し込み受付中！
開 催 日：２００５（平成１７）年９月１２日（月）場

所 ：愛媛大学総合情報メディアセンター1F

参加・講演の申込・問合せおよび予稿送付先：

メディアホール（松山市）〒790-8577 愛媛県松山市文京町 3

講 演 ト ピ ッ ク ス ：放電光源とその応用に関する最愛媛大学工学部電気電子工学科

新トレンド、他

神野 雅文
Tel:089-927-9769/8577,

講 演 募 集：FAX:089-927-9790

照明用、ディスプレイ用、産業用、計測用の光源、

e-mail : kogen20@mayu.ee.ehime-u.ac.jp

マイクロプラズマ、レーザなどの研究開発及びその応用にかかわる講演を、上記予定テーマに限ら

会 場 案 内 ： 愛媛大学総合情報メディアセンター

ず広く募集（松山市文京町 3）

発 表 形 式 ：口頭発表のみ、講演時間は 35 分（質■路面電車 環状線 赤十字病院前下車

疑応答を含む）を予定

分

参 加 費 ：2,000 円（予稿集代を含みます）

JR 松山駅〜赤十字病院前：約 20 分、松山空港〜

締切 ：講演申し込み 8 月 1 日（月）徒歩約 5

JR 松山駅：バス約 20 分

予稿提出（A4 サイズ 6 ページ以内）8 月 10 日

■詳細は以下の URL をご覧ください

参加申込

当日受付可（予約申込歓迎）

http://www.dpc.ehime -u.ac.jp/Pamphlet/2005/10.pdf※プログラムは下記ホームページにて 8 月 5 日に

http://www.dpc.ehime -u.ac.jp/Center/center-info.htm

公開予定

l

http://www.mayu.ee.ehime-u.ac.jp/kougen20
追 記 ： 翌 13〜14 日、同会場で Light Sources
共Workshop が開催されます。

催：（社）照明学会 光の発生・関連システム研究専

あ わ せ て ぜ ひ ご 参 加 く だ さ い 。

門部会（http://www.mayu.ee.ehime-u.ac.jp/workshop）（社）照明学会 光放射の応用・関連計測研究専
門部会（社）応用物理学会 プラズマエレクトロニクス
分科会

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行事案内

Light Sources Workshop
高知工科大学開 催 日 ：2005 年 9 月 13 日（火）、14 日（水）所 ： 愛媛大学総合情報メディアセンター1F

場

八田章光
共

催：

（社）照明学会 光の発生・関連システム研究専

メディアホール（松山市）

門部会

講 演 ト ピ ッ ク ス ：光源とその応用（社）照明学会 光放射の応用・関連計測研究専
門部会

講 演 募 集 ： 照明用、ディスプレイ用、産業用、計（社）応用物理学会 プラズマエレクトロニクス

測用の放電光源を中心に固体光源も含め広く募

分科会

集（社）電気学会 新しい光源とモデリング・計測

発 表 形 式 ：口頭発表またはポスター発表（いずれ

調査専門委員会

も英語）

The Research Committee of Light Sources

参 加 費 ： 一般 5,000 円、学生 3,000 円（いずれもScience and Technology of the Korean Institute

Proceedings 代を含む）

of Electrical Engineers

切 ：講演申込・予稿提出（英文で A4 サイズ

締参加・講演の申込・問合せ、および予稿送付先：

6 ページ以内）7 月 31 日

〒790-8577 愛媛県松山市文京町 3

事前参加申し込み（Proceedings 予約）8 月 10

愛媛大学工学部電気電子工学科

日

神野 雅文

※当日参加可能ですが、Proceedingsが売り切れ

Tel:089-927-9769/8577

た場合は後日送付となりますことをご了承くだ

FAX:089-927-9790

さい

e-mail : kogen20@mayu.ee.ehime-u.ac.jp※プログラムは下記ホームページにて 8 月 10 日に公開予定

会 場 案 内 ：第 20 回光源物性とその応用研究会の※予稿書式・参加申込用紙は下記ホームページよ会告をご参照ください

りダウンロード
http://www.mayu.ee.ehime-u.ac.jp/workshop

Workshop の前日に同じ会場で「第 20 回光源物
性とその応用研究会」が開催されます（http://www.mayu.ee.ehime-u.ac.jp/kougen20）。
あわせてご参加ください。

40

行事案内

第 6 回プラズマ応用技術の将来ビジョン研究会 案内「 プ ラ ズ マ エ レ ク ト ロ ニ ク ス の 将 来 研 究」
三菱電機（株） 大森 達夫
プラズマ応用技術の将来ビジョン研究会（通称 ビ
ジョン研究会 ）は2000 年11 月に第 1回目を開催して以来、これまで「半導体プロセス・デバイス」「産学連携」「グローバル化」「ナノテクノロジー」をキーワードに従来の講演会、研究会での Scientificな議論ばかりでなく、プラズマ応用技術の研究戦略、
将来展望を議論する異分野交流のユニークな研究会として好評を博してきました。過去 5 回の研究会において様々な意見や提案がなされており、これらを集約して、プラズマエレクトロニクスの将来研究はどうあるべきかを総括する時期に来ていると思います。そこで、今回のビジョン研究会では、社会科学的な視点による技術の評価や電子デバイス開発の現状と将来などの講演から、プラズマエレクトロニク
スにおける戦略的な新技術開発はどうあるべきかについて議論します。さらに、今後、プラズマエレク
トロニクス分科会を背負っていく若手研究者に現状で感じている問題や今後の分科会・学会への要望を語ってもらい、講演者と聴衆が一緒になって、プラズマプラズマエレクトロニクスの将来研究のビジョンを探ることを狙いたいと思いますので、皆様の積極的なご参加をお願いいたします。

参加費
応物非会員 ５,０００円
応物会員
４,０００円分科会会員 ２,０００円
講演予定題目１．
「技術の評価から 」

ベンチャーファイナンスの立場

２．
「電子デバイス開発の現状と将来」
３．
「プラズマエレクトロニクスへの要望と期待
若手研究者からの声 」
研究会終了後、懇親会を開催します。奮って御参加下さい。
問い合わせ先中野 俊樹
防衛大学校電気情報学群電気電子工学科
E‑mail: tn@nda.ac.jp
TEL: 046‑841‑3810 内 2225、FAX: 046‑844‑5903
最新情報
URL: http://annex.jsap.or.jp/plasma/

テーマ「プラズマエレクトロニクスの将来研究」

担当幹事
大森 達夫（三菱電機）
高橋 千春（NTT ATN）
前田 賢治（日立）
木下 啓藏（MIRAI）
中石 雅文（富士通）
小田 昭紀（名工大）中野 俊樹（防衛大）開催日時
平成１７年１１月２１日の週もしくは１２月５日の週の半日（午後）
会場
東京地区

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第４回プラズマエレクトロニクス賞公募
プラズマエレクトロニクス賞の受賞候補論文募集要項
プラズマエレクトロニクス分科会では，毎年，プ
ラズマエレクトロニクスに関する学術的あるいは工業的に価値のある優秀な論文を対象とし，その著作者に「プラズマエレクトロニクス賞」を贈り表彰を行っています。
候補論文は自薦・他薦を問いません。
下記により多数の方々が応募されるようご案内いたします。

●当該論文の内容が発表されたプラズマエレクトロニクス分科会が主催する研究会，国際会議等の会
議録等の２件以内のコピー●著者全員について和文で以下を記入した書類
氏名，会員番号，勤務先（連絡先）●推薦書（自薦，他薦を問わず，論文の特徴，優れた点などを 400 字程度わかりやすく記すこと。）
表彰 2006 年春季応用物理学会期間中に行います。
受賞者には賞状および記念品を贈呈いたします。
また 2006 年秋季講演会期間中に記念講演を依頼する予定です。
書類提出期限 2005 年 12 月 12 日（月）必着
書類提出先 〒102-0073 東京都千代田区九段北1-12-3 井門九段北ビル５階
社団法人応用物理学会 プラズマエレクトロニ
クス分科会幹事長（封筒表に「プラズマエレクト
ロニクス賞応募」と朱書のこと。）
なお下記の賞規定もご参照下さい。

記
授 賞 対 象 論 文 プラズマエレクトロニクス分科会が主催する研究会，国際会議等で発表され，且つ2003 年，2004，2005 年の発行の国際的な学術刊
行物（JJAP 等）に掲載された原著論文。受賞者
は，表彰の時点においてプラズマエレクトロニク
ス分科会会員あるいは応用物理学会会員とする。
提出書類 以下の書類各１部，及びそれらの電子ファイル(PDF ファイル)一式●候補論文別刷（コピーでも可，第１ページに候補
論文と朱書すること。関連論文があれば２件以内の別刷またはコピーを添付。）

プラズマエレクトロニクス賞規定
1．この規定はプラズマエレクトロニクスに関する学術的あるいは工業的に価値のある優秀な論文を表彰の対象論文とし，その著作者にたいして社団法人応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会（以後プラズマエレクトロニクス分科会と言う）が行う表
彰について定める。
2．この表彰を「プラズマエレクトロニクス賞」という。
3．表彰の対象論文は，原則として，プラズマエレクト
ロニクス分科会が主催する研究会，国際会議等で発表され，且つ募集期間から過去３年の間に国際的な学術刊行物に掲載された原著論文とする。
4．受賞者はプラズマエレクトロニクス分科会会員ある
いは応用物理学会会員とする。
5．受賞者は公募に応じた自薦および他薦候補者から選考する。
6．すでに公に顕著な賞を受けた論文は，プラズマエレ
クトロニクス賞の対象論文としない。
7．表彰は原則として毎年２件以内とする。
8．表彰は賞状授与および記念品贈呈とする。
9．表彰は毎年応用物理学会春季講演会において行う。

10．プラズマエレクトロニクス分科会幹事会は，毎年11 月までに授賞候補者募集要項を「プラズマエレ
クトロニクス分科会会報」および応用物理学会機関誌「応用物理」誌上に公表し，広く募集する。
11．受賞者の選考はプラズマエレクトロニクス分科会
幹事長が委嘱した「プラズマエレクトロニクス賞」
選考委員会が行う。
12．受賞者が決定したときは，「プラズマエレクトロニ
クス賞」選考委員会委員長が，プラズマエレクトロニクス分科会幹事会に選考の経過および結果を報告する。
13．プラズマエレクトロニクス分科会幹事長は，選考の経過および結果を応用物理学会理事会に報告する。
14．この賞の実施に関する必要な事項の審議および決定はプラズマエレクトロニクス分科会幹事会がお行う。
15．本規定は，理事会の承認を経て改訂することができる。
付則： この規定は，
平成 14年 4月 1日より施行する。

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プラズマエレクトロニクス関連会議日程
国際会議
開催期間

名称

開催場所

2005.6.8-6.10

8th Int. Symp. Sputtering &Plasma Processes (ISSP2005)

金沢国際ホテル

http://issp2005.org/

2005.6.13-6.1
7Int. Conference on the Physics
of Dusty Plasmas (ICPDP
2005)

Orleans, France

http://www.univ-orleans.fr/conf/icpdp4/

2005.6.18-6.2
3IEEE Int. Conf. Plasma
Science (ICOPS2005)

CA,USA

2005.7.17-7.2
2

XXVII Int. Conference on
Phenomena in Ionized Gases(ICPIG-27)

Eindhoven, The
Netherlands

http://www.icpig2005.nl/icpig.htm

Abstract

会報 No.41 参照

2005.4.1

2005.8.7-8.12

17th Int. Symp. Plasma
Chemistry (ISPC17)

Toronto, Canada

http://www.ispc17.org/

Abstract

会報 No.41 参照

2004.12.21

12th International Symposiumon Laser-Aided Plasma
Diagnostics (LAPD-12)

Utah, USA2005.10.17-10.20Gaseous Electronics
Conference 2005 (GEC05)

Doubletree Hotel,
San Jose, San Jose,CA

jong.shon@lamrc.com

2005.10.24-10.28

47th Annual Meeting of the
APS Division of Plasma
Physics

Denver, Colorado,USA

http://www.aps.org/

2005.10.30-11.4

AVS 52nd Int. Symposium

Philadelphia,
Pennsylvania, USA

http://www.avs.org/

2005.11.28-11.30

27th International Symposium
on Dry Process（DPS2005）

Jeju ,Republic ofKorea （済州島，大韓民国）

http://www.plasma.coe.nagoya-u.ac.jp/
DPS2005/

2006.1.24-1.2
7

6th Int. Conference on
Reactive Plasmas and 23rd
Symposium on Plasma
Processing (ICRP-6/SPP-23)

ホテル大観荘，主催：応用物理学会

1page abstract

仙台

http://www.plasma.ecei.tohoku.ac.jp/I
CRP6/

2005.72005.9.25-9.3
0

主催・問い合わせ先

3rd Int. Workshop on
Microplasmas (IWM 2006)

Abstract2005.1.1

http://www.2005icops.org/
cauble@llnl.gov

http://tempest.das.ucdavis.edu/conf/Sn
owbird/LAPD2005.html
lalombardo@ucdavis.edu

本誌 34-35 ページ参照
2006.6

締め切等

2page papers
2005.10

INP, Greifswald,
Germany

http://www.inp -qreifswald.de/

主催・問い合わせ先

締め切等

日本学術振興会第 153 委員会

申込み終了

国内会議・会合
開催期間

名称

開催場所

2005.6.28-6.2
9プラズマ材料科学シンポジ
ウム

東京大学山上会館

http://streamer.t.u-tokyo.ac.jp/~spsm18/spsm18.html

43

2005.8.3-8.5

第 12 回プラズマエレクトロニクスサマースクール

名古屋市民休暇村

主催：PE 分科会
http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/
summer_school2005.html
本誌 36 ページ参照

2005.9.7-9.11

2005 年 秋季 第 66 回応用物理学会学術講演会

徳島大学

http://www.jsap.or.jp/

2005.9.8

第 3 回プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演会

徳島大学

主催：PE 分科会

2005 年 秋季 第 66 回応用物理学会学術講演会シンポ
ジウム

徳島大学

第 20 回光源物性とその応用
研究会

愛媛大学

Light Sources Workshop

愛媛大学

2005.9.8

2005.9.12

2005.9.13

2005.6.12

http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/
symposium.html 本誌 32 ページ参照
主催：PE 分科会
http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/
symposium.html 本誌 32 ページ参照
主催：愛媛大学

2005.8.15

本誌 39 ページ参照
主催：愛媛大学
本誌 40 ページ参照

2005.10.27-28

2005.12 初旬

プラズマエレクトロニクス
講習会

慶應義塾大学第 6 回プラズマ応用技術の将来ビジョン研究会（東京地区）

主催：PE 分科会
本誌 38 ページ参照
主催：PE 分科会
本誌 41 ページ参照

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2005.10.21

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編集後記
プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.42をお届
けいたします．

会誌の発行に当たり，多くの会員の皆様に多大な御本号では，畠山先生が組織委員長をなさっておられ協力をいただきました．心より御礼申し上げます．毎号

ます，来年1月のICRP-6/SPP-23に関連した内容の巻の企画時，さらに会員の皆様に役に立ち，興味を持っ頭言をいただきました．この国際会議が，参加者にとって読んでいただくには，と，会報担当幹事は思案しておてより実りある内容となるべく，様々なねらい，工夫が設ります．

定されていることをうかがうことができました．

分科会は，会員の皆様の御協力により成り立ってい「研究室紹介」では，防衛大学校の中野研究室におます． 会員の皆様にその御協力が少しでも多く還元さ願いいたしました．大学校の特色から来る研究環境など，れるような会誌作りをしたいと願っております． 御意見

興味深いお話をうかがうことが出来ました．「海外の研究や御要望，例えば「このような記事が読みたい」「このよう事情」では，東大の寺嶋先生の御紹介により，スタンフな情報を載せて欲しい」等がございましたら，HPあるいォード大学の伊藤様にお願いすることができ、これも教は会報担当までお気軽に御希望をお寄せ下されば幸育研究環境の違いが大変よく書かれておりました．改めいです． また，これからも変わらず，会報発行にご協力て思ったのは，研究をとりまく環境は人によって様々でいただけますよう，よろしくお願い申し上げます．

あり，その中で今も，真理の探求や課題の解決を求め（真下，押鐘，野崎，林）

日夜，開発や研究を続ける人々がいるのだということで（文責：真下）した．

プラズマエレクトロニクス分科会会報
2005 年

6 月

25 日

編集・発行：社団法人

N o . 42

発行

応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
幹事長〒102‑0073

河野

東京都千代田区九段北
井門九段北ビル

（

明廣

2005

5 階

無断転載を禁ず）

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