プラズマエレクトロニクス分科会会報 No. 62
2015 年（平成 27 年）6 月発行
岡田、赤松、島田、松本
目次
巻頭言「ライン川沿いの美しき街で見つけた宝物」
東京大学
寄稿「プラズマバイオ科学技術の発展を目指して」
名城大学
第 13 回プラズマエレクトロニクス賞
第 13 回プラズマエレクトロニクス賞について
名古屋大学
プラズマエレクトロニクス賞を受賞して
東京大学
プラズマエレクトロニクス賞を受賞してソニー（株）
研究室紹介（その 57）
金沢大学 理工研究域 環境電力工学研究室
金沢大学
研究紹介（その 11）「高電圧・プラズマの農水利用」
岩手大学
海外の研究事情（その 39）「YORKTOWN HEIGHTS 滞在記」
IBM TJ Watson Research Center
学生のためのページすぐに役立つプラズマエレクトロニクス「炭素系薄膜・構造体の合成に用いられるプラズマプロセス」
名城大学
応用物理学会講演奨励賞「応用物理学会講演奨励賞を受賞して」
東北大学
国際会議報告ISPlasma2015/IC-PLANTS2015
名古屋大学
国内会議報告2015 年 第 62 回応用物理学会春季学術講演会
第 14 回分科内招待講演報告(株)日立製作所
分科会企画シンポジウム報告
名城大学
チュートリアル講演報告
首都大学東京プラズマ制御科学研究センター2014 年度 第2 回研究会
京都工芸繊維大学
行事案内
第 9 回インキュベーションホール
大阪大学
2015 年第 76 回応用物理学会秋季学術講演会
プラズマエレクトロニクス分科会企画
首都大学東京第 10 回アジアヨーロッパプラズマ表面工学国際会議
大阪大学
第 9 回反応性プラズマ国際会議/第 68 回気体電子会議合同会議/
第 33 回プラズマプロセシング研究会
名古屋大学
第 37 回ドライプロセス国際シンポジウム
大阪大学
米国真空学会第 62 回国際シンポジウム＆展示会
大阪大学
第 26 回プラズマエレクトロニクス講習会
日立ハイテクIEEE 第 16 回ナノテクノロジー国際会議
東北大学

i

寺嶋和夫

1

伊藤昌文

4

豊田浩孝
本間啓一郎
久保井信行

6
8
10

石島達夫

13

高木浩一

18

宮副裕之

24

平松美根男

31

佐々木渉太

41

齋藤永宏

43

前田賢治
伊藤昌文
白井直機
林康明

45
46
48
49

節原裕一

50

杤久保文嘉
節原裕一

52
54

豊田浩孝
浜口智志
浜口智志
伊澤勝
寒川誠二

55
56
57
58
59

掲示板
平成 27 年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿
平成 27 年度分科会幹事役割分担
平成 27 年度分科会関連の各種世話人・委員
平成 26 年度後期および平成 27 年度前期活動報告
プラズマエレクトロニクス関連会議日程
広告掲載企業一覧
編集後記

ii

61
63
64
65
68
70
71

巻頭言

ライン川沿いの美しき街で見つけた宝物
東京大学

寺嶋和夫

IT 技術の飛躍的な発展により、世界が時空間とに私が降り立ったのは、1993 年 3 月 31 日に日付

もに加速度的に一つのものとなりつつある現代。

が変わろうとしている時刻であった。早春の深夜

国家、企業、大学、などの全ての組織の永続的なの空気はまだまだ冷たかったが、タクシーから見発展にとって、“Diversity（多様性）“、そして、える真夜中の通りには街路樹が茂り、うっすらと“Diversity（多様性）を通じた Innovation（変した灯りに浮かび上がる古い街並みはこの上なく革）“が強く切望され、それぞれの組織の存亡を賭魅力的なものであった。中世の面影が色濃く残る

けた取り組みが日夜進められている。このこの街で、私は、30 代半ばの 2 年間を過ごした。

“Diversity（多様性）“という言葉は、私にとっ毎日リュックサックを背負ってバーゼル大学のては、ヨーロッパの小国（スイス）の美しき街（バ物理研究所に通勤するかたわら、私はこの街で国ーゼル）で過ごした日々の数々の風景を想い出さ

境の町ならではの様々な風景や光景に出くわした。

せてくれる珠玉の言葉となっている。

私が最初に降り立ったバーゼル・ミュールーズ空バーゼルはスイスの北西部スイス・ドイツ・フランスの３つの国が隣接する国境の人口が僅か20 万人ほどの小さな町である。４つの公用語（ドイツ語・フランス語・イタリア語・ロマンシュ語）を操る“Diversity（多様性）の国“スイスの中ではドイツ語圏に属する地域である。毎年春に開催される世界最大の時計・宝飾品の見本市・バーゼルワールドや製薬・生命科学会社のノバルティス
やロッシュの本社のある街としても有名である。
後にノーベル生理学・医学賞を受ける当時は無名の若き研究者に過ぎなかった利根川進博士（現MIT 教授）による、“免疫系（抗体）の Diversity（多様性）の発現機構の解明”の研究は、この地にあるロッシュのバーゼル免疫学研究所で成し遂げられたことでも知られる。
パリのシャルル・ドゴール空港からの乗り継ぎ便が大幅に遅れて、バーゼル・ミュールーズ空港

写真１ バーゼル大聖堂
1

港はフランス領内に存在し、その建物は両国に分

我々、プラズマエレクトロニクス分科会は、電断されている。ヨーロッパ最大の国境駅であるバ

気・電子工学を核として、プラズマ物理を中心にーゼル SBB 駅から徒歩で約 15 分(トラムで３つした物理、基礎化学、複合化学、そして、材料化

目)の私の住むアパートからはドイツのシュバル学にわたる化学、機械工学、材料工学、プロセス・

ツヴァルト(黒い森)の眺めを楽しむことができた。 化学工学、宇宙工学などの多種の工学、また最近
毎日人々が国境を越えて通学・通勤する光景はごでは、医学、農学などの生命科学を基盤学問としく当たり前のものであった。ドイツ国境近くにあて分科会組織に取り込み、学問の多様性をはかるるチバガイギー(現在のノバルティスの前身)の建ことで順調な発展を遂げている。ここで注目すべ物の中にはパスポートコントロールが設けられてきは、本分科会では、単に、組織に新たな分野をいるという噂がまことしやかに囁かれていた。私

構成学術として取り込み各種の多様な研究課題に自身、週末になるとトラムで国境付近まで行き、取り組むに止まらず、取り込んだ学術自身にも他

徒歩でパスポートコントロールを通過して、スイの構成する学術との良い意味での緊張関係に根ざスよりも物価の安いフランスやドイツのスーパーした“切磋琢磨による向上”、“時代環境に応じたマーケットに買い物に出かけたものである。外国

継続的な変革”を促し、分科会としての永続的な語をお得な学費で学べるミグロシューレ(スーパ

発展を長期的な戦略として見据えている点である。

ーマーケットチェーンのミグロス経営の語学学

このような卓越した戦略を生み、大きく育てる、校)のドイツ語クラスには、フランス人・イタリア

本分科会の素晴らしい文化、伝統を築かれた歴代

人・インド人・韓国人・ブラジル人・クロアチア

そして現在の会員の皆様に感服の念を禁じえない。

人等々、多数の国籍の人々が通っていて、サッカ

この“時代環境に応じた継続的な変革を伴う多ーワールドカップ開催の時期の休み時間(カフェ様性”による国家や企業などの組織の永続的な発パウゼ)は、一触即発の不穏な空気に支配されて、展を語る際に、前述した利根川進博士による“免サッカーにあまり興味のない日本人の私は凍りつ

疫系（抗体）の Diversity（多様性）の発現機構いたものである。自宅アパート前の緩やかなスロの解明”の研究はたいへん示唆的なものである。

ープで運悪く転倒して骨折した肘の手術をバーゼ博士が生命の本質にかかわる本課題をクリアにさル大学病院で受けた際の執刀医はイタリア人、手れる以前は、生命体の免疫系を司る抗体の多様性

術スタッフはアメリカ人、看護師はスイス人、スの根源に関して、“生殖細胞系列説”と“体細胞変ウエーデン人、そして患者は日本人の多国籍軍？

異説”の２つの仮説が語られていた。前者の“生であり、手術室内公用語は英語であった。2 名在殖細胞系列説”は、生殖細胞から生殖細胞へと受籍する日本人の看護士さんの 1 人の話に拠ると、け継がれる遺伝子のセットの中に、もろもろの多病院内に勤めるスタッフの方々の国籍は全部で様な抗体を作るために必要となる遺伝子が全て含40 カ国以上にわたり、病院の地下には、同じ作りまれているというものである。一方、後者の“体の病院設備(核シェルター)を有しており、万がい

細胞変異説”は、一世代の間に遺伝子の突然の変

ちの時に円滑に治療ができるように、年一度は模異や遺伝子情報の再構成が起こるという説であり、擬手術が行われるということだった。アップルの抗体の膨大な多様性を可能にするためには各々の故ステーブジョブズ氏が一縷の望みをかけ放射線

個体の一生の間に急速な変化を起こすというもの

がん治療を受けた病院でも知られる。

だった。利根川博士は当時の最先端技術であった
2

分子生物学的手法で免疫学におけるこの大きな課

た良き文化、伝統に根ざした運営上の戦略、そし

題に取り組み、後者（“体細胞変異説”）の正しさて具体的な戦術をもって、小さいながらも、プラを証明された。
“遺伝子は生涯不変”という基本的

ズマ理工学、そして、エレクトロニクス、材料、な考えを否定する真に革新的な発見であった。

デバイス、ケミカル、バイオなどの各種のプロセ

より大きなスケールの組織（国家、企業など）のス分野の継続的な発展に大きな貢献をする、グロ

発展も、この小さな細胞レベルで起こっている永ーバルスケールでプレゼンスのある集団となるこ

続的な発展に必要な変異・変革と全く同じものがとを祈っている。私自身も微力ながらお役にたて必須であると再認識させられる。

れば幸いです。

バーゼルの風景はライン川を挟んで全く異なる。

魅力たっぷりな国境の街から戻って今年で丸薬品工業などの工業地区であるライン川の右岸と20 年、ライン川にかかるミットレー橋から見たミ

うって変わって、その左岸は、いわゆるスイス銀ュンスター(大聖堂)の荘厳な眺めは、今なお私の行と称せられる UBS 本店を始めとする銀行など

脳裏に鮮やかに焼き付いている。

が並ぶ金融地区となる。その中で、SBB バーゼル
駅前のひときわ目を引く一風変った建物（写真２）
が、第一次世界大戦敗戦国ドイツに対する賠償金の取り扱い機関として設立され、現在は G20 諸国を中心とする中央銀行などで構成されるバーゼル
委員会事務局が入る国際決済銀行（BIS : Bankfor International Settlements）の本部である。
人口 800 万人ほどの小国のさらに 20 万人程度の小さな小さな街に毎月主要国の中央銀行の総裁が集い、世界の経済を決めている事実に驚かされた。
駅構内にあった日本料理店にてパリッとした仕立ての良いスーツの日本人達に交じって当時の日銀総裁の故三重野康氏の姿もお見受けした。ここで決まったバーゼル規制により、結果として、貸し
渋り・貸し剥がしに伴う、我が日本国の 20 年続
く景気低迷（いわゆる日本の失われた 20 年）が始まったと言われている。
我々、プラズマエレクトロニクス分科会は、会員数およそ五百数十名程度の、応用物理学会の中では真ん中ぐらいの規模のソサイエテイーであり、さらにグローバルな視点からはたいへん小さな集
まりである。しかしながら、分科会として培われ

写真２ 国際決済銀行（ＢＩＳ）
3

寄稿

プラズマバイオ科学技術の発展を目指して
名城大学

理工学部、プラズマバイオ科学技術センター
伊藤 昌文

プラズマのバイオ応用は古くは水のオゾン殺菌

や食肉などの安全評価法の確立も重要性が増すとなどから始まり既に実用化されているものもある

考えられる。

が、近年、非平衡大気圧プラズマの技術的な進歩

以上の研究の遂行には理工学だけでなく医学、に伴い、プラズマを熱的に弱い人体などに直接又農学、薬学などの研究者との共同研究が必要不可

は間接的に作用させ、医療や農業応用に用いるこ欠である。我々は 10 年以上前からプラズマによとができることから非常に注目を集めている。

るカビの殺菌の研究をはじめたが、なかなか異分医療分野ではアメリカ、ヨーロッパなどに日本

野の研究者との共同研究体制を作ることができな

は遅れを取っていたが、プラズマ医療の新学術領かった。ようやく昨年の 2014 年 4 月に、農学部

域研究が医学関連の研究者も半数以上入る形ではと薬学部の教員の協力を得て、主に農学，薬学分

じめられ、今や世界をリードするほどの勢いとな野との融合を目指した学際的なプラズマバイオ科っている。

学技術研究センターを設立することができた。

一方、農学分野においても，殺菌・殺虫だけでこのセンターは大型プロジェクト予算を獲得すはなく，その発芽促進や成長促進に効果があるこるための主に組織作りや実績作りを目的とする名とが示され，それらの応用が期待されている。プ

城大学内の総合研究所が助成する予算で運営されラズマの農業応用に関しては、韓国でプラズマフている。最初の 3 年間だけは学内から助成があるァーミングと称して、韓国の核融合研究所が期限が、4 年目以降は学外からの予算獲得が求められなしの大型国家プロジェクトを始め、2 年ほど前る。昨年ノーベル物理学賞を受賞された赤﨑先生

から研究を加速した。その他、欧米諸国、日本で代表の窒化物半導体基盤技術研究センターもこのも各研究機関で研究が推進されている。しかしな

ようなセンターとして設立され、現在では大学をがら、国を挙げての研究として大型プロジェクト

代表する別格のセンターとなっている。将来はことしているところは少ない。

のようなセンターに発展するよう努力をしていき

これらの研究では効果の実証研究が先行し，そたいと考えている。

れらのほとんどのメカニズムが定量的には解明さプラズマバイオ科学技術研究センターの具体的れていない。特に今後の医療分野での治療応用とな構成としては、農学部教授 3 名、薬学部准教授

同様に，植物などの発芽促進や成長促進への適用

2 名、理工学部教員 4 名の 9 名が学内メンバーでにおいても，プラズマ中のどの因子の効果が高い

あり、名古屋大学、豊田工業大学、企業数社が学

か個別の効果及び相乗効果を定量的に評価し，そ外メンバーとして参画している。

れらのメカニズムを理解して制御することがさら

本研究センターでは，バイオ分野で進展が目覚に重要となるであろう。さらにこれらの技術を実ましい低温プラズマと我々が強みとする活性反応

用的なものとするためには処理した細胞や青果物

種（ラジカル）のモニタリング技術を駆使し，プ4

ラズマとバイオ試料との相互作用を明らかとする

能性に満ちた分野であると考えられるが、今はこことで学問の基礎（サイエンス）を構築すること

れを少しでも学問とする努力が大切な時期に来てを第一の目標とし，その知見を基にプラズマを農いる。

学，薬学などに応用する基盤技術（テクノロジー）

最後に繰り返しとなりますが、プラズマバイオの確立することも目的している。この目的は、本

科学技術のさらなる発展を目指して、異分野とのセンターだけでは実現が難しい大きなものである。 融合を実のあるものとし、次世代に繋いでいける
そのため、本センターでは、上記学内・学外メンよう努力していく所存ですので、プラズマエレク

バーはもちろん、国内外の研究者とも力を合わせ

トロニクス分科会の皆様のご支援・ご指導の程おて、共同研究の推進、
国際ワークショップの開催、願いいたします。

分野間融合セミナーの開催等などを通して、このセンターにご興味のある方は下記のアドレスを分野の研究を盛り上げ、上記目的を達成するためご参照いただければ幸いです。

に努力していきたいと考えている。

http://www.meijo-u.ac.jp/research/institute/plasmabio/

以上のように、プラズマバイオ分野は今後の可5

第 13 回プラズマエレクトロニクス賞

第１3 回プラズマエレクトロニクス賞について
名古屋大学

豊田

浩孝

本年度の受賞として次の優れた2件の論文を選考

受賞論文(２)：しましたので、報告いたします。

論文名：Effect of open area ratio and pattern
structure on fluctuations in criticaldimension and Si recess

受賞論文(１)：
論 文 名 ： High throughput production of
nanocomposite
plasma

SiOx

spray

powders

physical

著 者 名 ： Nobuyuki Kuboi, Tetsuya Tatsumi,

byMasanaga Fukasawa, Takashi Kinoshita, Jun

vapor

Komachi, Hisahiro Ansai, and Hiroyuki Miwa

deposition for negative electrode of

雑誌名：J. Vac. Sci. Technol. A 31, 061304 (2013)lithium ion batteries受賞者(現所属)：

著者名：Keiichiro Homma, Makoto Kambara,

久保井 信行(ソニー(株))and Toyonobu Yoshida

辰巳 哲也(ソニー(株))雑誌名：Sci. Technol. Adv. Mater. 15, 025006

深沢 正永(ソニー(株))(2014)

木下 隆(ソニー(株))受賞者(現所属)：

小町 潤(ソニー(株))本間 啓一郎(本田技研工業)

安齋 久浩(ソニー(株))神原 淳(東京大学)

受賞理由

受賞理由

著者らは、先端CMOSデバイス製造のためのSiエ著者らは、応用分野の拡大が著しいリチウムイ

ッチングプロセスにおける長年の課題である「パオン電池の電極材料のナノ構造化に取り組んだ。

ターン変換差」と「下地Siリセス」に対する「ウオリジナリティーの高い熱プラズマスプレーPVD

ェハー上のパターン密度(開口率)依存性」に関す法を用い、不均化反応を利用した複合構造ナノ粒る研究に取り組んだ。実際にパターンレイアウト

子の高速形成というプロセス性能と、高電池容量を系統的に変化させることで設定したグローバル化や充放電サイクル安定性といった電池特性の向／セミローカル／ローカルの３つの変動要因を分上を報告しており、工業的に重要な成果が得られ離可能なパターンを実測し、エッチング反応生成ている。学術的にも、熱力学的な背景からプロセ

物の挙動でパターン変換差と下地Siリセスを統一

ス素過程に基づいた成膜速度向上の議論を含め完的にモデル化した。このようなアプローチはデバ

成度の高い内容となっている。このような基礎的

イスメーカーにおける研究開発ならではの工夫さ理解から実用的な性能を実証した研究成果は他のれた手法である。さらにこれらの結果を数値シミ

材料系への波及効果が期待され、プラズマエレクュレーションによるパターン変換差と下地Siリセ

トロニクス賞を授与するに相応しい論文である。

スの予測技術にまで高めた。これらの統合的な知
見は次世代のプロセス・装置開発への応用が可能
6

で、学術的にも工業的にも非常に大きな価値があ

毎年、１２月２５日にプラズマエレクトロニクス

る。審査では、評価項目とした、独創性、発展性、賞への応募の締め切りがございます。本分野では、

インパクト、完成度、総合評価の全ての項目にお大学および企業から多数の優れたご発表がなされいて高い評価を得ており、プラズマエレクトロニていますので、皆様方の奮ってのご応募を心より

クス賞に値する。

お願い申し上げます。
本賞の応募規約については、分科会のホームペー

第 13 回プラズマエレクトロニクス賞 選考委員会

ジに記載していますので、熟読して戴きますよう木下 啓藏 (委員長・光電子融合基盤技術研究所）

お願いいたします。詳細な応募要項につきまして

関根 誠（名古屋大学）

は、会員メーリングリストによる電子メール並び

節原 裕一（大阪大学）に応物学会誌に掲載されます。

杤久保 文嘉（首都大学東京）
永津 雅章（静岡大学）
平松 美根男（名城大学）

7

プラズマエレクトロニクス賞を受賞して東京大学

本間 啓一郎神原 淳

この度は, 大変栄誉あるプラズマエレクト

ノ粒子を高速で製造することが可能であるこロニクス賞を賜りましたこと，ご支援頂きましとから電池産業が求める基本的な技術要件をた関係者の皆様，選考の諸先生方に心より感謝

満たします。更に，本手法の根幹となる高温蒸申し上げます。今回の受賞対象論文「High気の共凝縮過程での核生成並びに続く種々反

throughput production of nanocomposite SiOx

応を巧みに利用すれば，求める複合構造化も期

powders

vapor

待されます。実際，冶金級金属Si粉末を原料に

deposition for negative electrode of lithium ion

PS-PVDを行う際にCH4ガスを同時に添加する

batteries」（本間啓一郎，神原淳，吉田豊信） [1]と，数nmのカーボンコーティングが施されたに関して, その研究背景と内容の 一部を以下

20〜40nm程度のSiナノ複合粒子が連続的に形に簡単にご紹介させて頂きます。

成され，これを負極材としたリチウムイオン電

byplasmaspray

physical

小型携帯用電池として幅広く利用されてい池は原料そのものの場合と比較して飛躍的なるリチウムイオン電池は，大型移動体の蓄電シ

サイクル容量の増加が確認されました [6]。

ステムに向けて，更なる電池容量増加と充放電

そこで本論文では，SiOの種々の特徴的な熱サイクル効率向上の特性両立が求められてい特性を利用したナノ複合構造粒子の高速製造ます。負極材料に注目すれば、シリコンは現行を期待してPS-PVDを試みました。アモルファ

グラファイトに対して10倍の理想容量を有す

ス構造のSiOは1000℃程度の熱処理により不均る有力な材料ですが，充放電時のLi-Si合金化･化反応を生じて結晶Siが析出します。この特徴

脱合金化反応で400%近い体積変化を生じるたを本PS-PVDプロセスにて利用すると，SiO蒸気め，Si負極粒子が粉砕し電気伝導パスを失う結の凝縮に伴うSiOナノ粒子生成後に不均化反応

果，数サイクルで電池容量が著しく低下する課を生じさせることが可能と有り，~20nm程度の題が指摘されています。これに対して，150 nm

SiO粒子中に平均5nm程度の微結晶c-SiをSiOx

以下のナノ粒子化[2]，多孔体構造による体積で含包したコアシェル複合構造を瞬間的かつ膨張が吸収[3]，Siナノ粒子へのCコーティング

自発的に形成することが可能となりました（図[4]，Si/SiO2等コアシェル構造による粒子補強

1(a)）。更に，PS-PVD時にCH4を同時に添加し[5]など，活物質Siのナノ複合構造化が有効であた場合，1500K以上の高温ではCO生成が優勢

ることが20年近い研究成果として判明してきとなりSiOの還元が促進される高温プロセスのました。しかし，産業レベルでの生産を考えた

利点の結果，シェル部の厚みが減少して結晶Si場合，これらナノ複合化技術の多くは多段・低の体積分率が増加したコアシェル構造へと変速プロセスでありLiイオン電池の巨大市場の調されました（図1(b)）
。

要請に応える低コスト・高スループット技術に

これらナノ粒子を負極にLi金属を対局に用止揚するためには，高い技術の壁もあると言わいたハーフセルを作製して電池サイクル試験

ざるを得ない状況にもあります。

を行いました。結果を図2に示す通り，ナノ粒

ここにプラズマスプレーPVD（PS-PVD）法子に含有されるOが低減される特徴から，Li-Oに着目すると，原理的に安価な粉末を原料にナ合金化に伴う不可逆容量を低減させることが8

可能となり，従来SiO負極の課題とされていたリチウムイオン電池の高容量化とサイクル特初期効率の低さが効果的に改善される様子が性の安定性向上を両立する可能性も示されま

確認されました。更に，コアシェル構造が維持した。これは他手法には無いプラズマプロセスされていることから，原料SiOのみよりもプラのユニークな特徴であり，更なる負極材料の構ズマ処理することによりサイクル容量が増加

造化並びに電池特性向上に向けたプロセスのする効果も確認され，特に，添加CH4量がC/Si

高度化が期待されます。

モル比=0.25の場合では，50回サイクル時に1000 mAh/g 超 え る 容 量 を ク ー ロ ン 効 率 約
99.5%で安定的に維持することが可能となり
ました。

図2

種々CH4添加量のPS-PVD処理SiO粉末を用いたLiコインセルのサイクル特性[1]。
最後になりましたが，この栄誉ある賞を励みに，今後もプラズエレクトロニクスの発展に尽力する所存でおります。どうかご指導ご鞭撻の
図１

PS-PVD 処 理 を 施 し た SiO 粉 末 の程，よろしくお願い申し上げます。

HR-TEMの明視野像。(a) CH4添加無し，(b) CH4
添加有り[1]。

参考文献

今回使用したハイブリッドプラズマトーチ[1] K. Homma, M. Kambara, T. Yoshida, Sci.

を有する実験室系プラズマスプレー装置では，Technol. Adv. Mater. 15 (2014) 025006.

20µm程度のSi原料粉末から20〜40nm程度のナ[2] X.H. Liu, L. Zhong, S. Huang, S.S. Mao, T. Zhu,

ノ粒子を，少なくとも400g/h近い速度で製造しJ.Y. Huang, ACS Nano, 6 (2012) 1522.

うる事が確認されています[6]。一方，SiOの場[3] A. Magasinski, P. Dixon, B. Hetzberg, A. Kvit, J.

合，その昇華の特徴を反映して，粉体から気相Ayala, G. Yushin, Nat. Nanotechol. 9 (2010) 353.

SiO生成に要するエネルギーがSiの蒸発に要す[4] S.H. Ng, J. Wang, D. Wexler, S.Y. Chew, H.K.

るエネルギーの半分程度で済むことが期待さ

Liu, Angew. Chem. Int. Ed. 45 (2006) 6896.

れます。実際，同一プラズマスプレー条件下に[5] J.H. Kim, H.J. Sohn, H. Kim, G. Jeong, W. Choi,

お い て も ， 165µm 程 度 の SiO 原 料 粉 末 か ら

J. Power Sources, 170 (2007) 456.

~500g/h程度の高スループットで図1に示すナ[6] M. Kambara, A. Kitayama, K. Homma, T.

ノ粒子が製造可能である事が実証されました。

Hideshima, M. Kaga, K.Y. Sheem, S. Ishida, T.

以上の通り，原理的に高スループットが期待

Yoshida, J. Appl. Phys. 115 (2014) 143302.

されるプラズマスプレープロセスにおいて，ナノ粒子化とコアシェル構造化，更に還元促進による電池活物質Siの体積分率増加も同時に達成しうる事が確認されました。その結果として，
9

プラズマエレクトロニクス賞を受賞してソニー（株） 久保井 信行
辰巳 哲也、深沢 正永、木下 隆、小町 潤、安斎 久浩の一部が、本論文の内容となっております。
【はじめに】

これまで、
ゲート加工の開口率依存に関しては、

第 13 回プラズマエレクトロニクス賞を論文

エッチングされた反応生成物の再堆積量に着目し「 Effect of open area ratio and pattern

た Tuda et al.(2001)[3]や Tachi et al.(1998)[4]にstructure on fluctuations in critical dimension

よる報告がありましたが、本技術では、開口率依and Si recess」[1]に賜りましたこと、共著者共々、存 を 、 cm オ ー ダ ー の ウ ェ ハ レ ベ ル の 開 口 率

大変光栄に存じます。また、ご推薦・ご選考して(Global:RG)、mm オーダーのチップレベルの開口いただいた先生方に対しまして、心より感謝申し率(Semi-local:RS)、さらに、um オーダーのロー上げます。昨年 2013 年に、同賞を String-slab モ

カルパターンレベル(Local:L)の３つのスケール

デルというソニーオリジナルの計算アルゴリズムの異なる効果に分け、下記に述べる実測データを

およびそれを用いた SiO2/Si コンタクトホールの用いてそれらを詳細にモデル化しました(図 1)。

２次元形状・ダメージシミュレーションで賜りましたが[2]、それに続く今回の連続受賞ということ

Global RG

Semi-local RS

Local L

SiBrx emitted into plasma

SiBrx re-emitted by collision

SiBrx dependent onsolid angle

で、ソニーのプラズマエッチングシミュレーショ
ン技術の応用物理としての有用性を高く評価していただいていると認識し、今後も応用物理の発展に少しでも貢献できればと考えております。以下

図 1: 開口率依存モデルの概念図[1]に、本受賞論文の研究背景と内容について紹介させていただきます。

モデル化に際しては、開口率やローカルパター
ンの異なる複数のウェハを社内で作成(図 2)・CCP【論文内容説明】
本論文は、開口率やローカルパターン構造がプエッチング装置を用いて加工し、得られた加工変

ラズマエッチングによる加工変換差ΔCD や Si リ

換差、加工形状、Si リセス深さ、OES データをセスへの影響を予測するシミュレーション技術に

詳細に解析しました。装置、一連のプロセスを必関するものです。
トランジスタの微細化によって、要とするこのような実験は、半導体メーカーであゲートの加工変換差および Si リセスのデバイス

るソニーならではの検討評価と思っております。

特性や生産歩留まりへのインパクトは増大し、こその結果、Global に関しては、ΔCD はウェハ

れらの予測・制御は、半導体製造において、ます

開口率と正の相関を持ち、
Semi-local に関しては、ます重要となっています。その課題解決のために社内で開発したシミュレーション技術

10

(a)
Semi-local
open area

A

E

B

F

(b)

RG

L

Sim.

Exp.

Sim.

-70 nm-86 nm-45 nm-49 nm

0.40
0.8

0.6

0.72

C

G

D

H

0.79

0.86
open area ratio:(Si area / All area)

Pattern density map

1.21

図 2: 作成した実測用サンプルの例[1]

0.86

0.91

パターン周囲 10 mm 程度内(平均自由行程の数

図 3:シミュレーション結果と実測形状[1]倍)の開口率に依存することがわかりました。さらに、Local に関しては、パターンのライン/スペーの式によるイオンエネルギーの減衰効果、形状シ

スではなく、パターンの間口を見込む３次元立体

ミュレーションで得られる ER を結びつけること

角と正の相関を持つことがわかりました。以上ので、Si 基板に形成される Si リセス深さ dR を定式

結果を定式化することでΔCD は、化しました(γの項に、ER が含まれている)。

d R (t ) ~      ( RG  RS ) L  CD  SiBr  ER  ( RG  RS ) L

変換差と同様に、同じ指標で Si リセス深さを表現と い う 関 係が あ るこ とが 新 た に わか り まし た

することができることがわかりました。実測結果（SiBr は、パターンへ再堆積する反応生成物量、と比較したところ(図 4)、実測の Si リセス深さ dR

ER はエッチレート）。この式の意味するところは、 を再現できていることがわかります。
これまでは、エッチングプロセス条件の最適化で変換差の制御がなされてきましたが、それだけではなく、ウェハ、チップ、パターンレベルのレイアウト設計の最適化によっても、うまく制御できうることを示しています。そのため、この指標を用いることで、これまでよりも、より自由度を有した加工変換差の制御を実現できる可能性があると考えることができます。

dSiBrO [nm]

0

3 (a)

dR [nm]

0.72

3 (b)

2
1

2
1

この反応生成物フラックスSiBr の定式を Si エ

0

2

4

6

8

10

ッチングの表面反応モデルに組み込むことで、実(RG+Rs)L

測形状をトレースできる２次元形状シミュレーシ

図 4:(a)反応生成物量と(b)Si リセス深さ[1]ョン技術を開発することができました(図 3)。

(実線が計算結果、マークが実測値)

さらに、Eriguchi et al. (2010)[5]の Si リセスと入射イオンエネルギーの関係式、先ほどのSiBr

以上示してきたように、我々の開発したシミ ュ11レーション技術から、 ER  ( RG  RS ) L を指標

先端の MOSFET や FinFET の計算も可能な技術としたエッチングの新しい予測・制御のあり方をですので、これに、今回の新しい指標知見を導入提案することができました。

し、デバイス試作開発さらには生産応用に活用できる加工特性変動予測・制御という技術のブレイ【今後】

クスルー達成をめざし、引き続き、応用物理に貢今 後 は 、 本 技 術 が よ り 実 用 的 に 、 EES

献していければと考えております。

（Equipment Engineering System）といった、加工装置内のモニタリング・制御応用に進展して【おわりに】

い く こ と を期 待 して いま す 。 ま た、 提 案し た2014 年は、本分科会の幹事として、プラズマエ

ER  ( RG  RS ) L の指標の中で、L は、３次元

レクトロニクス講習会、懇親会で活動をさせてい空間としてのパラメータですので、３次元形状シ

ただきました。2015 年度も引き続き、よろしくおミュレーションと接続することで、より予測精度

願いいたします。

をあげていく必要があると考えています。2014
年の AVS[6]と DPS[7]では、新しい概念を導入し【謝辞】

た Voxel モデルを考案し、ソニー独自の表面反応

ソニーセミコンダクタ（株）の佐藤・伊勢田両モデル[8]と接続した３次元形状・ダメージシミュ

氏には、実測データ取得に関して、大変お世話にレ ー シ ョ ン技 術 を開 発し 、 そ の モデ ル 内容 となりました。紙面を借りて、深く感謝申し上げまMOSFET と FinFET のサイドウォール加工に関す。

するシミュレーション結果を発表しました(図5)(図 6)。

参考文献[1] N. Kuboi et al; J. Vac. Sci. Technol. A31
Main etch

0s

15 s

(2013) 061304.

Over etch
32 s

45 s

[a.u.]

62 s[2] N. Kuboi et al;

Appl. Phys. Express 5(2012) 126201.
[3] M. Tuda et al: Appl. Phys. Lett. 79 (2001)
図 5:MOSFET シミュレーション結果[6][7]2535.

(上段:ダメージ分布、下段:形状)[4] S. Tachi et al: J. Vac. Sci. Technol. A16(1998) 250[5] K. Eriguchi et al: Jpn. J. Appl. Phys. 49[a.u.](2010) 08JC02[6] N. Kuboi et al: AVS2014 PS2 ThM4.
[7] N. Kuboi et al: DPS2014 C-4.
[8] N. Kuboi et al;
図 6:FinFET シミュレーション結果[6][7](2012) 126201.

(左:形状、右:ダメージ分布)12Appl. Phys. Express 5

研究室紹介

金沢大学

理工研究域

環境電力工学研究室 上杉喜彦、田中康規
サステナブルエネルギー研究センター・エネルギー環境材料部門
1.はじめに

石島達夫

研究の可能性について、相互に話題提供や情報交

金沢大学の環境電力工学研究室は、2000 年 4換を継続的に行う中で、共同研究へと発展するテ

月に学科改組とともに改名・発足しました。現時ーマも出てきています。

点では、学部は理工研究域電子情報学類、大学院

環境電力工学研究室は、RSET のエネルギー・は自然科学研究科電子情報科学専攻に属していま

環境材料部門に属しています。本部門は、高エネ

す。環境電力工学研究室では，「ハイパワー」
・「環

ルギー密度プラズマと材料界面に形成される「重境」
・「核融合プラズマ」
・「熱プラズマ」
・「プラズ

相構造プラズマ」の制御手法の開発を目標に、プ

マ-固体相互作用」
・「非平衡」をキーワードに研究

ラズマ工学、機能性材料工学、半導体デバイス工を行っています。この技術により，
「材料」
，
「エネ

学、ナノ粒子制御プロセス工学を専門とする４つルギー」，「環境」への貢献を目指しています。

のグループから構成されています。ここで「重相環境電力工学研究室は、平成 23 年 4 月に理工構造プラズマ」とは固体・液体・気体・プラズマ研究域に附属する形で発足したサステナブルエネの四相が時間的・空間的に近接して存在する状態

ル ギ ー 研 究 セ ン タ ー （ Research center forを概念として捉えたものです[2]。極めて高い反応

Sustainable Energy and Technology ： 略 称

場である重相構造プラズマの基礎現象を解明し、RSET）の一員となりました。RSET は、1)有機エネルギー・環境・材料分野における応用を目標

薄膜太陽電池部門、2)自然エネルギー活用部門、としています。本部門は九州大学極限プラズマ研

3)炭素循環技術部門、4)エネルギー・環境材料部

究連携センターが主導する非平衡極限プラズマ全門、5)バイオマス利用部門の 5 部門から構成され、国共同連携ネットワークに参画し、国内拠点形成

専任教員 5 名、兼任教員 13 名、協力教員 22 名を目指した活動にも取り組んでいます。

の総勢 40 名の研究集団でスタートしました[1]。

本研究室の構成を述べます。教員は、上杉喜彦

なお RSET 設立に尽力された初代 RSET 運営会議

教授、
田中康規教授と石島達夫准教授の 3 名です。

議長の山崎光悦氏は、2014 年 4 月より学長に就任されています。
RSET は「地産地消対応型エネルギーに関わる
研究開発により、グリーンイノベーションの核となる研究拠点の形成」を目標としています。実現に向けて、5 つの部門がそれぞれ独自に研究活動を活発に進めるだけでなく、公開シンポジウム、
市民セミナー、アドバイザリーボード会合等々、
図 1: 卒業生も交えた集合写真

毎年多数行われる様々な交流の機会を通し、共同
13

ます。ガス温度の領域は異なりますが，熱プラズ
マを用いたナノ粒子の大量生成技術[3]，厚い金属鋼板を高速切断するアークプラズマジェット技術[4]，核融合実験炉内に生成される高温プラズマが接触する壁近傍などにおいて重相構造が現れると考えられます。極めて複雑な反応場であるがゆえに、様々な産業応用分野におけるグリーンイノベ
ーション技術の創出につながる可能性があるとも捉えることができ、学術的にも新しい領域を拓く
可能性がある可能性に魅せられるものがあると感図 2: 核融合プラズマ実験装置

じています。それぞれのテーマにおける最近の研Heliotron-DR

究について以下に述べます。

2011 年 11 月には RSET エネルギー・環境材料部
門の専任教員として石島准教授が着任し、環境電（１） 変調熱プラズマによるナノ粒子の大量高力工学研究室の一員となりました。上杉教授は

効率生成

RSET 部門長、田中教授は RSET 兼任教員として

近年、ナノ粒子の応用領域の拡大に伴い、粒子参画しています。2015 年 5 月時点で本研究室にの品質向上や高効率・低コストの製造法が重要には、研究員 1 名、博士後期課程 5 名、博士前期課

なっています。ナノ粒子を作製するプラズマプロ

程 15 名、学部 4 年生 11 名が所属しています。研セスの一つに、熱プラズマを用いる方法がありま

究室の卒業生も交えた懇親会は年に２回程度、賑す。プラズマの高温・大熱容量によって原料を完やかに行われます（図 1）。大所帯の本研究室では、全蒸発させ、急冷却してナノ粒子を得るという方

核融合プラズマ（図 2）、高気圧高熱流熱プラズマ、法です。本研究室では超高密度変調型熱プラズマ

非平衡プラズマのそれぞれに関して基礎から先端的応用まで、広い温度領域のプラズマが関与する研究分野を取り扱ってわたるため、相互の研究内容に対する理解を深めつつ切磋琢磨し合いながら研究活動を行っています。
２.最近の主な研究内容
先に述べたように、本研究室で研究対象としているプラズマは、密度・温度領域幅広いことが特徴です。特に、固相・気相・プラズマの３相が関与する反応場を用いる従来のプラズマプロセスに対して、液体を加え、固体・液体・気体・プラズ
マと４相が時間的・空間的に近接し相互に影響を

図3

及ぼし作用する重相構造のプラズマに注目してい14

によるナノ粒子の高速･大量生成技術の開発を進

現在、電力遮断に主に用いられている六フッ化硫

めています。本研究で用いる高周波誘導熱プラズ

黄は二酸化炭素の 23900 倍もの温室効果を有す

マは、無電極で熱プラズマ空間を作り出すため、るガスであり、環境問題の観点からもポリマーア

アーク放電によるプラズマのように電極物質が不ブレーションは有望です。

純物となるリスクを回避でき、クリーンなプラズ

ポリマー溶発現象を解明すべく、ポリマーアブ

マ媒体を形成します。媒体種（不活性雰囲気・酸

レーションがプラズマに与える影響を基礎実験と化雰囲気・還元雰囲気）の依存性もなく、原料生

数値解析手法から検討しています。ナイロン 66、成プロセスにおいて非常に有利です。超高密度変ポリアセタール樹脂、テフロンの比較において、調型熱プラズマは、本学が開発した独自技術です。

ポリアセタールを使用した場合に最もアーク電圧

コイル電流の振幅を変調させて熱プラズマの高温が高くなるという知見を得ました。

状態と低温状態を高速で繰り返すことにより、ナノ粒子の粒径の制御や粒度分布の制御が可能です。 （３） 内燃機関の燃焼促進のための非平衡大気
図 3 にパルス変調誘導熱プラズマの生成装置の概

圧プラズマ支援技術

観写真、変調コイル波形、生成した酸化チタンナ

非平衡プラズマは、放電で生成される活性種をノ粒子の走査型電子顕微鏡の写真を示します。コ

利用して、環境汚染物質除去、オゾン生成、表面

イル変調によりトーチ型の熱プラズマの伸長量が加工、燃焼支援、バイオ技術など多分野で応用さ変化させることが可能です。さらに原料を電力変れています。内燃機関分野では燃費の向上や高効調に同期させる技術により、生成速度・生成効率率燃焼技術が希求されています。本研究室では燃は従来の約 20 倍というナノ粒子の高効率・大量

焼場にプラズマを重畳させて燃焼反応を促進・制生産が可能となりました。

御するプラズマ支援燃焼に関する研究を行っています。高エネルギー電子と反応場のガス分子との衝突による解離や励起により、燃焼場（3000 K 以（２） ポリマー溶発を用いた大電流直流アーク
遮断技術下）において反応性化学種の密度を増加させます。

再生可能エネルギーの効率活用やスマートグリ

燃 料 ガ ス にバ リ ア放 電を 印 加 し て燃 焼 活性 種ッドに向け、直流送電の研究が活発に行われてい（CH、C、OH）を増加させ、着火を促進させるます。信頼性の高い直流送電システムには、直流
大電流の遮断技術が不可欠です。
電力用遮断器は、
異常電流から電力系統を保護するための電力回路のスイッチ素子です。事故時、大電流が発生すると、スイッチ素子を開放しても、素子の電極間に生じるアーク放電を介して電流が流れ続けます。
遮断器は、このプラズマを消す機能を備えています。本研究室では、ポリマーアブレーションによる大電流直流アーク遮断技術に取り組んでいます。
ポリマー材料をプラズマに接触させて高速溶発を

図4

誘発し、プラズマを消滅させる技術です。また、
15

技術に取り組んでいます。図 4 にプラズマによりいます。マイクロ波で液体を加熱して気泡を発生生成した燃焼場における CH 発光強度の投入電力

させ、さらにマイクロ波の電界によってプラズマ依存性を示します。実験では、放電印加により燃を生成させる技術です。多くの従来型の液中プラ

焼速度が約 1.4 倍向上することを確認しました。

ズマは、液体中に設置した電極に直流や交流の高電圧を印加して発生させます。プラズマ生成のた（４） 新規プラズマ源としてのマイクロ波励起

めに印加される高電圧は電極への高エネルギーイ

液中プラズマ生成法の開発と応用

オンの衝突をもたらします。電極ダメージ抑制の近年，このような非熱平衡プラズマを液中またはため、液体の導電率を高くし電流加熱による気泡

液表面から作用させ，溶液との化学反応を低温で生成を利用し、絶縁破壊電圧を下げる工夫がなさ促進させるプロセスへと応用することを目指した

れています。一方、マイクロ波励起のプラズマ生研究が様々な分野で行われています[5, 6]。これは， 成法は、液体中に存在する水などの極性分子の加新規のプラズマ生成法が発展してきたことに加え熱による気泡生成ができるため、液体の導電率がて，液体を用いる工業プロセスの適用分野の多様小さい超純水を原料とするプラズマ生成も容易に性とその波及効果の拡がりが期待されます。例え実現できます。マイクロ波による電磁界を放射さば、水が関与する液体－プラズマ相互作用においせるためにスロットアンテナを用いることにより、ては、強い酸化力を有する OH ラジカルの生成と扁平なプラズマを生成することができます(図 5)。

その高い反応性による相互作用を期待できます。

半導体製造プロセス工程の１つであるレジスト除

しかし、OH ラジカルは、大気中の寿命が極めて去への適用に向けた研究開発を進めています。[2]短く、ラジカル生成領域と作用領域を近接させる必要があります。こうした活性種の有効利用とい

３.おわりにう観点から、液体中でプラズマを発生させるプロ

環境電力工学研究室＆サステナブルエネルギー

セス、液中プラズマへの注目が高まっています。

研究センターのエネルギー・環境材料部門は、同

本研究室では、液中気泡内にプラズマを発生させ

じプラズマでも温度領域が全く異なる多彩な研究るマイクロ波励起液中プラズマ源の開発を進めてを共同して進めていることが特徴です。プラズマ
中では様々な原子や分子が励起状態として存在し全体として高い反応性があるように、環境電力工学研究室を中心に、個々のメンバーが内部エネル
ギーを常日頃から高くすることを志向し、全体として高い活性が維持される環境となるように日々尽力しているように感じています。この場をお借りして、環境電力工学研究室の皆さん、さらに、過去から現在にわたり研究推進に様々な形で協力して頂いている内外の共同・連携研究者の皆さん
全員に感謝の意を表します。

マイクロ波励起液中気泡内プラズマの
生成の様子

図5

16

参考文献

田中康規，石島達夫, 溶接学会論文集, 第 31

[1] 髙橋光信、他、H23 年度 RSET 研究活動報告

巻 第 3 号 (2013) pp.193-200.
[5] プラズマによる水処理・水高機能化と水界面(2011), p.1.
[2] 石島達夫、ケミカルエンジニアリング 12における反応過程調査専門委員会, 電気学会
技術報告 1224 (2011) pp.1-122.

(2013)pp. 47-53.

[6] 白藤[3] Y. Tanaka, T. Tsuke, W. Guo, Y. Uesugi, T.

立，齋藤永広，高井 治，栃久保文嘉，Ishijima, S. Watanabe, K. Nakamura, J.

安岡康一，金子俊郎，石島達夫，髙橋憲司，竹Phys. Conf. Ser. 406 (2012) 012001.

内希，白井直樹，表面科学[4] 山口義博，片田優介，伊藤pp.547-552.

毅，上杉喜彦，17

34 (2013)

研究紹介

高電圧・プラズマの農水利用
高木浩一（岩手大学）
１．はじめに

電気刺激により，発芽が早まっている様子が写真

電磁場や放電プラズマが動植物に及ぼす影響にからもわかる．図２に，シロイヌナズナ（アブラついては科学技術が発達する以前から経験的に知ナ科）種子に対するパルス放電印加による発芽率

られている．例えば 1746 年には Mainbray がモの変化を示す[15]．電極間隔を 2 mm として 5 kV

モ科の低木に電流を流し，成長の促進や，開花がで充電したケーブルで放電を生成し，空気雰囲気

早まることを報告しており，また 1748 年にはの湿潤状態で 12，28，60 分処理したときの栽培

Nellet が帯電した電極上に植物を置き，発芽や生時間と発芽率を調べている．ここで control は放育が早まることを報告している [1,2]．近年では，

電処理をしていない種子を示している．75 時間の系統的に調べた報告もなされており[3,4]，すでに結果を見ると，control に比べて放電時間 12 分の技術が確立している電気泳動や細胞融合による品

発芽率は高く，放電時間 28 分の発芽率は低くな

種改良や電気穿孔法 DNA 注入[5]，農薬の静電散っている．また，放電時間 60 分では種子が発芽

布[6-8]などに加え，植物種子の発芽や生長促進

することはなかった．このことから，植物種子に[9,10]，担子菌（きのこなど）での子実体形成促
進[11]，液肥や固定培地の雑菌不活性化[12]，長期鮮度保持[13,14] の研究が進められている．本
記事では，
高電圧・プラズマの農水系応用として，水中放電による植物の生育促進，電気刺激によるキノコの収量改善，青果物や魚介類の鮮度保持に

図１ 電気刺激の有無によるカイワレ大根の発芽の比較（左：プラズマ照射なし，右：あり）

ついて述べる．
２．プラズマ照射による発芽制御
電気刺激に対する植物の反応は，1) 電流の方向と無関係に植物固有の運動をする傾電性，2) 電流に対して一定方向に屈曲が起こる屈電性や，3) 電界や荷電粒子により発芽時期や生育速度が変わるなどがある[2]．
一例として，図１に，水を含ませた脱脂綿上のカイワレ大根（アブラナ科）種子に，数秒程度放電印加による刺激を行い，１日放置した後の発芽の様子を，
刺激なしのものと比較したものを示す．
18

図２ パルス放電処理時間を変化させた
ときの栽培時間と発芽率の関係[15]放電を適度な時間曝露すれば発芽は促進され，放に関する様々な試みがなされ，適度な電界で成長電を過度な時間曝露すれば発芽は抑制されることが促進されることなどが報告されている．白らは，がわかる．これらの効果は，グラジオラスなど，

トマトの成長点付近に，+18 kV の直流高電圧を多くの種類での報告がある[16]．メカニズムとし印加し，イオン濃度を 14×106 cm-3 とすることで，ては，雰囲気ガスを変えると効果に大きな開きが比較区の収量 49 kg に対して，139.4 kg と，285%

出ることから，放電で生じた硝酸系イオン（NO2-，の増収となることを報告している[19]．

NO3-）や活性酸素種により植物性ホルモンである

液肥や土壌などの培地にプラズマを照射するこアブシジン酸の分解や，細胞内での転写の活性化とで，イオン（O2-, NO2-, NO3-など）や化学的活誘導され，発芽が促進されると考えられる[17]．

性種（OH, O, N, O3, H2O2 など）が発生し，培地に入りこむ．これらの一部は，植物の生育を促進

３．植物の生育速度の制御

または抑制する働きがある．一例として，図３に，植物の成長促進へのパルスパワーおよび放電プ

コマツナの栽培のために循環させる水（蒸留水）

ラズマの利用は，1)植物生育場の大気環境改善，に，磁気圧縮型のパルス電源を用いて，毎日 102)土壌や液肥などの培地の環境改善，3)植物へのもしくは 20 分ほど水中プラズマを発生させ，コ

直接による活性化に分けられる．パルスパワーおマツナの生育を比較したものを示す[10] ．栽培期

よび放電プラズマの効果として，培地やハウス内

間は 28 日である．栽培は赤玉土壌で行い，肥料の病原菌や成長阻害菌の不活性化や，植物そのもは鶏糞である．図より，水中放電により，生育がのに作用して成長速度を変えるものがある．成長促進されていることがわかる．28 日間の栽培後収阻害菌や植物に作用するものも，電界や電流，高の乾燥重量を比較した結果，比較区の 0.011 g に電圧によって生じたイオン（O2-, NO2- , NO3- な

対して，10 および 20 分間のプラズマ照射で，そど）や化学的活性な粒子（OH, O, N, O3, H2O2 な

れぞれ 0.044 および 0.076 g となる．これらは比ど）などがある[2]．

較区の 3.9 および 6.6 倍の収量増加に相当する．

植物が伸びている環境に高電圧を印加すると，放電で水中に発生する硝酸イオンは，10 および植物の先端などにコロナ放電が発生し，電流が流20 分間の照射に対して 0.65 および 1.6 ppm であれる．これらは電流の大きさによって，植物の成った．

長に異なる影響を与える．一般に，10 A 以上では植物体および葉の破壊が起こる．10 nA～1 Aでは，イオンによる乾燥等の影響で，葉の障害や生育の抑制などの負の効果が表れる．10-15 A～1
nA では，成長促進や青果物の収量増加などの正の効果が表れ，10-16 A 以下では効果は表れない[1]．
日本でも，澁澤らによって 1920 年頃，トウモロ
コシ，ソバ，えんどう，小麦，ごぼう，大豆，ネギ，大根などに，21 kV の交流電圧を，植物の先端から 25cm 離して，１日４時間程度印加して，

図３ プラズマ照射時間を変えた時のコマツナの生長の変化（左から，照射なし，10 分照射，20 分照射）[10]

1～8 割程度の増収を報告している[18]．電気栽培
19

図４に，コマツナを 28 日間栽培した後の葉の生菌数も，対数値で 5.72 CFU/mL から，1.85

葉緑素の窒素濃度を，葉緑素の色素計を用いてCFU/mL と大きく減少した．これは植物の病気のSPAD（Soil and Plant Analyzer Development）

リスクを軽減することにつながる．

値として評価したものを示す．葉に含まれる窒素
量は，プラズマ照射により増加する様子が確認で４．担子菌の子実体形成；キノコ生産性向上

きる．硝酸イオンは，一般に窒素系肥料として，きのこの増産に高電圧を用いる技術開発も，古植物の根より吸収される．吸収された窒素イオン

くから研究開発が行われている．図６に，電圧印

は葉まで移動して葉緑素の働きを強め，その結果，加前後の，きのこ菌糸の変化の様子を示す．菌糸

光合成が活発になり，生育が促進されることがわに電界が加わると，菌糸の内部が負電位を持つた

かる．図５に，硝酸イオンを放電で発生する量とめクーロン力や，誘電分極等による力がかかる．

等量の濃度で水に混ぜ込み，プラズマを印加した

このため，菌糸が動き，その一部は木の繊維とのものと同様に栽培したときの成長の様子を示す．

間のせん断応力等により，断裂など損傷を受ける

プラズマにより生成される硝酸イオンと等量の硝（矢印部）．これらはキノコへの刺激として働き，酸を与えることで，成長が，プラズマ照射時とほ膜状菌糸やキノコ原基の形成などを引き起こす．

ぼ等しくなる．このことより，プラズマで生成さこのメカニズムについては，菌糸が分泌する疎水れた硝酸イオンが成長促進に寄与したことがわか

性たんぱく質（ハイドロホビン）の，ポリメラー

る．またプラズマを印加することで，水中の一般

ゼ連鎖反応（PCR）を用いた解析などで確認できる[11] ．

図６

図４ プラズマ照射時間を変えた時のコマツナの葉緑素
中の窒素含有量の変化[10]電圧印加前後の菌糸の電子顕微鏡写真[11]（左：高電圧印加なし，右：あり）

Leaf length [mm]Control: Control: Plasma (30 min.): HNO 3 (7 ppm)

100

50kV,
50 times

50

0

0

7
14
21
28
Cultivation duration [day]

図７

図５ 硝酸を添加時のコマツナの生長の時間変化[10]20電気刺激の有無によるシイタケ生育の比較（上：高電圧印加なし，下：あり）Percentage of Yield [%]

100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0

Control

50 kV (1 Tims)
100 kV (1Tims)
125 kV (1Times)
0

5

10

15

20

25

30

35

40

harvest age [day]図８図９

印加電圧条件によるシイタケ収量の変化

印加電圧条件による総収量の時間変化

キノコ菌糸が十分に成長したホダ木や菌床（おある．図より，50 kV および 100 kV の電圧を印が粉を固めたもの）にパルス電圧を印加すること加したホダ木は，電圧を印加しないものより早いで，上記のメカニズムで子実体（キノコのかさ）時期で多くの割合を収穫できていることがわかる．

形成を促進できる．図７に，シイタケのホダ木に

15 日目の収穫は，control で 50%に対して 50 kV

パルス高電圧を加え，子実体形成の違いを観察し印加では 86%となっている．その他，ナメコ，ク

た結果を示す．写真より，電気刺激を施したホダ

リタケ，タモギダケ，マンネンタケ，はたけシメ

木に，数多くのシイタケが確認できる．図８に，ジなど，いろんなキノコで効果がみられること，

ホダ木一本当たりのシイタケの収穫量の比較を示

浸水刺激など別の刺激との組み合わせで，さらにす．ホダ木は長さ 90 cm であり，ホダ木の木口面

大きな効果が得られることなども，明らかになっに釘を約 7 cm 打ち込み，一方をパルス電源の出ている[20]．

力に接続して，一方を接地した．パルス電圧の印
加条件は，電圧印加なし（図中 control と表示），

５．高電圧を用いた鮮度保持50，90，125 kV×1 回，50ｋV×50 回印加とした．

青果物や食品を長時間放置すると，腐敗細菌，

縦軸は各条件におけるホダ木一本あたりの収穫量

真菌，酵母など微生物によって，有機物が分解さを表し，４シーズン分の収量の合計である．全体

れる，腐敗が起こる．このため，青果物や食品のをみると 50 kV×50 回印加条件において最も収鮮度を長時間にわたり保つためには，腐敗菌の不穫量が多く，印加なしの条件の約 1.9 倍となる．

活性化および殺菌が必要になる．一般的な保存法

電圧印加の条件中では 125 kV で収穫量が最も少に，冷蔵・冷凍保存や，凍結乾燥（レトルト処理），

なく，電気刺激に適した電圧の大きさがあること

煮沸殺菌，薬剤殺菌，燻製・発酵処理などがある．

がわかる．

高電圧を用いた腐敗菌の不活性化や殺菌の場合，

図９に，４シーズン目の子実体収穫の時間変化

一般には，パルス高電界により，腐食菌の細胞膜を示す．０日は収穫開始日を示す．縦軸は，図８に穴をあける（電気穿孔法）などを利用する．例に示す４シーズン目の総収量を 100%として，各えば，果汁など液状食品では，数十 kＶ/cm の電日数における収量の総収量に対する割合になる．

界を，パルス幅は数十～数百s のパルス幅で，数４シーズン目の総収量は，印加なし，50, 100, 125

kHz の繰り返し周波数で印加することで，一般生

kV の条件でホダ木１本当たり 60, 111, 90, 89g で菌数は減少する[21]．これらは，加熱など他の手
21

図 10 電場の有無によるいちごの保存状態の差異

図 12 ウニの保存期間とドリップタンパク量の変化（＋：電場あり，－：なし）

法との併用で，格段に殺菌効果が高まる（ハード

またウニの細胞膜からの漏えいタンパク量を，電ル効果）．

場の有無で比較したものを図 12 に示す．漏えい

食品加工時のみではなく，一般生鮮食品の冷蔵

タンパク量は，紫外線吸収により測定した．図よ保存時でも，交流電場による鮮度保持技術が用いり，電圧を印加することで漏えいタンパク量が減られている．図 10 に，いちごの保存状態を交流少している様子がわかる．詳しいメカニズムは，電場の有無で比較した結果を示す．保存温度は，

まだ明らかにされていないが，細胞膜のタンパク

電場なしは５℃，ありは９℃である．実験では，質の二次構造の変化，LDH 酵素活性計測を通し

交流 50Hz，10kV 出力のトランスを組込んでいるて，メカニズムの解明が進められている．

市販品の保存庫（氷感庫；(株)フィールテクノロ
６．パルス電界によるポリフェノール抽出ジー）を用いた．図より，電場なしのいちごは，
５日後よりカビが発生し，写真のように 10 日後

パルス電圧は，食品加工時の果汁抽出効率の改だと，かなりカビが広がっている．交流電場あり

善や，抽出時の成分制御にも利用される[23]．一では，カビの発生は確認できない[22]．

例として，ワイン醸造過程を模擬してブドウ表皮

電場を用いた鮮度保持は動物細胞に対しても適にパルス電界をかけた場合のポリフェノール抽出用が可能である．図 11 に，ウニのチルド保存（－量の変化を図 13 に示す．印加電圧は 10, 20kV で2℃）時における電場の有無で比較したものでああり，電極間隔は 1cm，ブドウ品種は山梨県産のる[14]．電場なしでは腐食に伴い生じるドリップ

巨峰である[23]．総投入エネルギーを 5kJ 一定とが見られる．官能評価を行ったところ，平均して0.5 ポイントほど，電圧印加時のものが高くなる．

Rate of increase r [%]40
30

VC [kV]102020

J = 5000 J

10
0
200

図 11 電場の有無によるウニの保存状態の差異（保存期間：７日間，左：電場あり，右：なし）

400
600
800
Pulse width  t [ns]1000

図 13 パルス幅とブドウ表皮からのポリフェノール抽出量の増加率との関係

22

参考文献

Anthocyanoplast[1] L.E. Murr; Nature, 207 (1969), 1177.
[2] 重光司; プラズマ・核融合学会誌, 75 (1999),
659.
Grape skin

Grape skin[3] 高木浩一;電学論 A，130 (2010), 963.
[4] 岩元睦夫他；“生物・環境産業のための非熱プ(a) Control(b) 20kV (t = 220 ns)

ロセス事典”，（サイエンスフォーラム，1997）

Grape skin[5] U. Zimmerman; Biochemica et Biophysica
Acta, 64 (1982), 227.
[6] 内野敏剛；プラズマ・核融合学会誌, 75 (1999)，
678.

Grape skin(c) 20 kV (t = 610 ns)

図 14[7] 浅野和俊；静電学誌，8 (1984)，182.

(d) 20 kV (t = 1020 ns)[8] S.E. Law; J. Electrostatics, 25 (2001), 25.

印加電圧のパルス幅とブドウ表皮細胞の状態変化の様子[9] C. Eing et al; IEEE Trans. Dielectr. Electr.
Insul.16 (2009), 1322.

して，パルス幅を変化させた．パルスの繰り返し[10] K. Takaki et al; J. Phys. Conf. Series, 418

は 20 pps（pulses per second）としている．いず(2013), 012140.

れの印加電圧においても，ポリフェノールの抽出[11] K. Takaki et al; Microorganisms, 2 (2014),

量は増加しており，同じエネルギーの場合，パル58.

ス幅を増加させることで抽出量を増やせることが[12] 大嶋孝之 他；静電学誌, 30 (2006), 236.

わかる．図 14 に，各パルス幅におけるブドウ表[13] 植村邦彦；静電学誌, 31 (2007), 57.

皮の細胞内写真を示す．電圧印加で細胞内のポリ[14] T. Ito et al; J. Adv. Oxid. Technol. 17 (2014),

フェノールを含む色素が外へ流出し，その割合は249.

パルス幅の増加に対して増えていることが確認で[15] 神子沢隆志 他；電気学会パルスパワー研究会

きる．メカニズムは電気穿孔が主となる．

資料, PPT-09-31 (2009), 53.
[16] 猪原哲 他；電学論 A，133 (2013), 64.

７．おわりに[17] 林信哉, 米須章；電学誌, 132 (2012), 702.

農業・水産分野への高電圧・プラズマの利用と[18] 白希堯 他；静電学誌，8 (1984), 339.

して，植物の発芽・成長への直接刺激による制御，[19] 澁澤元治 他；植物の生長に對する電氣の影響

植物の生育を取り巻く環境制御による生育改善，に關する研究，47 (1927) 1259.
[20] K. Takaki et al.; Acta Physica Polonica A,

また得られた農産物や水産物の鮮度保持について115 (2009), 1062.

まとめた．各応用とも，多くの研究報告がなされ[21] S. Min, et al.; IEEE Trans. Plasma Sci., 35ており，また近年の半導体素子技術の進歩から，電源もコンパクトになり，適用事例も増えている．

(2007), 59.
[22] 高木浩一;ケミカルエンジニアリング， 58

データは蓄積されているが，バイオメカニズムに(2013), 897.

対するパルス電界の関わりについては，不明な点[23] 畑山仁他；農業機械学会誌, 73 (2011), 135．

が多い．今後，分野を超えた連携により，メカニ
ズムの解明が望まれる．
23

海外の研究事情

YORKTOWN HEIGHTS 滞在記
IBM TJ Watson Research Center, Research Staff Member 宮副裕之
http://researcher.watson.ibm.com/researcher/view.php?person=us-miyazoe

はじめに

当研究所内には従来の半導体材料に加え、さま筆者は 2010 年 9 月から米国 New York 州

ざまな材料に対応可能な Prototype Device の作

Yorktown

International

製 を 可 能 と す る Microelectronic Laboratory

Business Machines Corporation (IBM Co.) の(MRL) [ 3 ] と呼ばれる実験室 (含 Clean Room)Thomas J Watson Research Center にてプラズがあり、他の IBM の研究所や Albany Nanotech

マエッチングの研究開発に従事しています。本稿[4]、Business Partner と綿密に連携して次世代

では渡米後これまでの生活と研究内容を簡単に紹Device の研究・開発を行っています。

介させていただきます。

近年 CMOS の微細化によりトランジスタのオフ

Heightsに あ る

電流を抑制することがますます困難になってきて研究概要

います。HfO2 といった従来の SiO2 絶縁膜より高

当研究所は世界 6 大陸に 12 箇所ある IBM の基

い誘電率を持つ絶縁膜を導入したり、ゲート電極

礎研究所の本部であり、1945 年に Manhattan にに金属を用いたり、あるいはトランジスタを立体

あ る コ ロ ン ビ ア 大 学 内 に Watson Scientific

的に作製することによりこのオフ電流を抑制する

Computing Laboratory として設立され、1957 年

ことに成功してきました [5,6]。新規材料やには New York 市から 60km ほどに北に位置する

Geometry 、 従 来 と は ま っ た く 異 な る 発 想 のYorktown Heights に移転されました。研究内容

Device の導入に伴い、Etching Process は常に改

は物理学や半導体技術など Computer Hardware

良・改善が求められます。私が籍を置く Advancedに関するもの、Business Model や Consulting、Plasma Physics and Process Group では、EricManagement など Service 業に関する研究、

Joseph 博士を Manager として 6 名の研究者が以Programing 言語や Security、Data 管理などとい下のような研究に携わっています。

った Software に関連するもの、OS や Server、(A) 低損傷・高精度の Patterning を具現化する

Cloud Computing といった System 関連の研究と、 Atomic Layer Etching (ALE) Process [7,8]
多岐にわたっています [1]。2011 年に人気クイズ(B) Directed Self-Assembly (DSA) や Multiple

番組 ”Jeopardy!” で 2 人の歴代クイズ王 (連続優Patterning などの 7 nm、5 nm 世代に向けた最先勝記録保持者と最多賞金獲得者) に勝利し、人工

端高密度 Patterning 用 Etching Process [9]知能として多くの耳目を集める質疑応答システム(C) Phase Change Memory (PCM) や Magnetic“WATSON” も当研究所を中心として開発されま

Random Access Memory (MRAM) といった不揮

した [2]。現在、Hardware 関連分野では 4-5 名の発性メモリ用 Etching Process

日本人が、常勤研究者として当研究所に勤務して(D) Post Si 世代や Cognitive Computing を見据います。

えた Prototype Device 用 Etching Process
24

SiN pattern is also shown. (Taken from ref [10].)

本稿では、私がこれまで携わってきた、(1) DSAを用いた最先端 Plasma Etching Process の開発、および、Post Si 時代を見据えた、(2) Carbon
Nanotube を使った Gate All Around の MOSFETの作製や(3) PIEZO Materials を用いたトランジ
スタ (Piezoelectronic Transistor: PET) 開発に関して簡単に紹介します。

(1) Sub 30 nm pitch line-space patterning for
CMOS applications

Fig. 2 (a) Top down SEM image of DSA lines etchtransferred through a metal gate/high-k gate stack. (b)TEM cross-section image of the gates after SiN spaceretch. (c) Schematic of a planar gate formation
processing using DSA etched gate lines. (Taken from ref[11].)

Sublithographic patterning techniques, suchas

DSA based patterning or SIT

basedpatterning have been realized as criticalfeature definition method in logic and memory
circuits. We have demonstrated line space(2) Gate All Around (GAA) CNT Transistor

patterning for all most all the front end of line

The optimal MOSFET geometry with the

CMOS compatible materials such as Si, SiO2,

reduced dimension surrounds a cylindrical

SiN and high-k metal gate at sub-30nm pitch

channel with the gate electrode [ 13 ]. This

[10,11 ]).

More recently, we

geometry, called “Gate All- Around” (GAA)

demonstrated the capability of customization ofpotentially overcomes a lot of challenges for thetheshort channel effects such as a leakage current(Fig. 1 and Fig. 2,
patterns

using

advancedpatterncustomization method [ 12 ]. These results

atfurther establish the viability of DSA patternhindering the integration of CNT transistors ingenerationfor

digital technology are the lack of a scalable

metal–oxide–semiconductor

self-aligned gate and complementary n- andasComplementaryapotential

methodtheoffstate.

Among

thechallenges(CMOS) integrated circuit patterning beyond

p-typethe 10-nm node.

self-aligned gates scaled down to 20 nm in theidealdevices.

CNT

gate-all-aroundtransistors
geometrywithwasdemonstrated. Uniformity of the gate wrapping
the nanotube channels is confirmed, and theprocess is shown not to damage the CNTs.
Further, both n- and p-type transistors wererealized

by

using

the

appropriate

gate

dielectric— Hafnium dioxide (HfO2) yieldedn-type and Aluminum oxide (Al2O3) yielded

Fig. 1 SEM images of various etched materials using
DSA. Cross-sectional SEM image of the 40-nm-thickp-type-with quantum simulations used to25

exploretheimpactofimportantdeviceparameters on performance. These discoveries
not only provide a promising platform forfurther research into GAA CNT devices but also
demonstrate that scalable digital switches withrealistic technological potential can be achieved
with carbon nanotubes [14].
Fig. 4 PET concept. (a) The fully integrated
transductive stack consists of a piezoresistive (PR)element on top of a piezoelectric (PE) element confinedby a high Young’s modulus (HYM) yoke. The three
metal contacts (gray) are termed gate, common, andsense. The large PE/PR cross-sectional area ratio of∼25:1 serves to amplify the stress in the PR relative tothat in the PE. (b) Transduction switching principle.
Taken from [15].

研究所での生活Fig. 3 Cross-sectional schematic of the device
illustrating how the GAACNT channel is suspended
across the Si trench and contacted on either side by Pd
source/drain (the Pd gate contact on top would also bepresent on either side of the GAA in the trench but is
not shown here for greater clarity). Inset cutaway
diagram illustrates the GAA materials in greater detail,including ∼1 nm AlOxNy, 8 nm HfO2, and 5 nm TaN.
Taken from ref [14].

所内ではさまざまな国の人が働いています。ちゃんとした統計をみたわけではありませんが、生まれたときから米国籍の人は半分以下なのではないかと思います。ここでは初対面で出身国や家族構成、年齢などが話題に上がることは少ない分、
これまでのキャリアや学歴、出身研究室などはと(3) PIEZO Electric Transistor (PET)ても良く聞かれます。一方で、ほとんどが米国のOne of the post Si-CMOS devices candidates

大学院の出身者で、私のように外国 (日本) の大is a Piezo Electronic Transistor (PET). We have

学院を出た人間は少数派です。自由の国とはいい

proven the concept of PET, in which mechanical

ますが、ところどころでは日本より学歴や職籍のstress induced by the electrical field in Piezo

ヒエラルキーがはっきりしているように思います。

electricalan

新しいアイディアが出たときの動き出しは非常

insulator-metal transition on piezo resistiveに早く、その日のうちに検証実験用のウェハが実(PR) materials (Fig. 4 [ 15 ,16 ]). We used 1 µm

験室のラインに流れ出したり、当社特許部門へのthick Pb(ZrxTi1-x)O3 (PZT) layer on Pt electrodeproposal の提出が完了することも珍しくありまon the 8 inch wafer as PE layer and ~50nm

せん。今まで経験したことのないものでしたので

thick SmSe as PR for the first proof of concept.

最初はこのスピードについていくのに苦労しましThe results demonstrate the realization of aた。今でも laptop を持ち歩くのを忘れて半日実験

stress-based

principle,

室にこもっていたりするとその間にメールでのやon

り取りが交わされ、プロジェクトの方向性が変わ

representing(PE)pillartriggers

transduction
the

early

steps

a

developmental pathway to PET technology withっていることもあります。

potential to contribute to the IT industry.

勤務形態は完全 Flex 制をとっており、ミーティ
26

ングや急ぎの実験さえなければ在宅勤務も可能です。我々のような hardware 関連の研究者は実験室 に 行 っ た り 、 他 の Unit Process チ ー ム やIntegrator とのミーティングがほぼ毎日あるので、実質在宅勤務は不可能ですが、software 関連の研究者は在宅勤務をする人もいるようです。裁量労働制なので残業代はありませんが、私の印象としては皆さんよく働きます。
仕事以外の excursion としては、年に 1 回程度
は MRL で働く全 group で日帰り旅行に出かけ、
Fig. 6 Watson Summer Soccer League でのチーム写真(筆者は GK) 会社が国際的なのか、サッカーがマイナーなのか、アメリカ人はあまりいません。

Hudson 川の cruising や、写真のように hikingに出かけたりします。また、私は趣味でサッカーを続けているのですが、毎年夏になり日が長くな
ると Watson Summer Soccer League が開かれ、就職～ビザ取得～渡米～永住権取得まで

平日の夕方 6 時半ごろから週 1 回程度汗を流しま

私は 2010 年 9 月に当研究所にてポスドクとしてす。このリーグの参加者は全員 IBM 関係者 (社員採用され、2011 年 10 月から正規雇用で採用されとその家族) で、なかには 25 年以上も参加してるました。ここでは当社への就職活動から今までの人もいて、よくよく話を聞いてみるとかなり上の経緯について少し書きます。私が博士課程を卒業

レベルの Manager だったりします。また、当研したのは 2009 年の 3 月でした。当初から企業へ究所がある Westchester 郡は当社(Armonk, NY)の就職にも興味がありましたが、博士課程 3 年のや PepciCo (Purchase, NY) などの企業の本社が夏まで留学していたため、日本のいわゆる“就活”

あることもあり、各社の選抜チームによるの波にうまく乗ることはありませんでした。当社

Corporate League も活発に行われています。

のポスドクの募集をホームページ上 [17] で知り、応募したのは 2009 年の年末ごろだったと思います。既卒でしたので当時はリクナビネクストに登録したり、大学、企業を問わず世界中の研究機関のホームページをみて求人に Apply していました。
なかなか返事が来なかったので当社で働く知り合
いに相談した結果、2010 年の 4 月末ごろに当時の Etching Group の Manager から 1 時間ほどの電話面接を受け、6 月上旬に研究所での面接に招待されました。採用ポストによって多少差はある
ようですが、私の場合、面接は一日で終わりました。面接では午前中に私のこれまでの研究に関す

Fig. 5 MRL の日帰り旅行で Plasma Etching Group と(筆者は前列中央, 2012 年, NY)るプレゼンテーションを 1 時間 30 分ほど行い、午後からは自分の上司になる人、同じグループに27

なる人合わせて 10-15 人ほどと個別に 30 分ずつしては, Sekiguchi Law Office の HP [19] に日本面接でした。この個人面接では、半導体研究とプ語で説明してあるのでこれから渡米を考えている

ロセス開発の現状に関するレクチャーをうけると方は参考にしていただければと思います。

ともに、IBM が直面する技術的な課題にどう対処していくかをおもに Discussion しました。夕方、NY 近郊での生活

すべての面接が終わるとグループの皆さんとディ

私は Office のある Yorktown Heights から 20km

ナーに行き、NY での生活やプライベートの話もほど南にある White Plains 市に住み、毎日車でたくさんしました。時差ぼけもあったので、飲み20-30 分 ほ ど か け て 通 勤 し て い ま す 。 White

過ぎないように注意したことを覚えています。休Plains は近所に日立や富士フィルムの米州本社

憩もほとんどなく、これまでに経験したことがながあったり、また Manhattan まで急行で一駅 (35いほど密度の濃い一日でへとへとになりましたが、 分程度) ということもあり、日本人家族も多くい
一日が終わるころにはこの研究所でこの人たちとて、望めば日本と変わらない生活ができます。最

働きたいと強く思うようになっていました。応用

初契約のために電気会社に電話し、少し話した後

物理の本年 2 月号に村上正紀先生 (現 (学) 立命に “お前の母国語は何語だ?” と聞かれ、はからず

館 副総長，京都大学名誉教授) が当研究所で私とも日本語の通訳サービスにつながれたのは苦い思

似たような採用面接を受けたと書かれている [18]い出です。

ので、採用プロセスは伝統的に大きく変わっていまた、東京同様に NY City は世界中から様々なないようです。ちなみに村上先生が当社を退職さ文化が集ってくるところですので、毎日多くの文れたときに京都に装置を立ち上げに行ったテクニ

化的なイベントも行われています。日本の文化的シャンは今でも当研究所で働いています。
その後、イベントも例外ではなく、たとえば、Manhattan

Offer Letter (内定通知) をもらったのは 7 月のはにある Japan Society では様々な著名人の講演会

じめごろでした。

や日本映画の鑑賞会が開かれています。2012 年に

最初は 2 年契約のポスドクだったので、J-1 ビザ

開かれた根岸英一教授（2010 年ノーベル化学賞）と呼ばれる、Exchange Visitor ビザで就職し、の講演会 [20] には私も参加し、楽しそうに錯体化

2011 年に正規で雇用された際に H1-B と呼ばれる学の話をされる先生の姿に大変励まされました。

専門職ビザに変更しました。正規雇用になったこ

また、毎年 5 月にセントラルパークで開かれるとでいわゆる ”契約期間” がなくなったので会社

Japan Day では毎年日本の有名芸能人が参加し、から永住権 (Green Card) の申請をするように

今年は AKB48 が参加したそうです。いろいろなといわれました。永住権の申請にはさまざまなカ

国の料理が食べられるのも NY の特徴のひとつでテゴリがあり、優先順位が違うのですが、私は比す。特にラーメンは非常に人気で、人気店では 1

較的優先順位の高い ‘研究者’ のカテゴリで申請

時間以上待つ場合もあるようです。多くのしました。このカテゴリでは研究者としてのこれ

Diversity がある一方で物価は非常に高く、最近までの経歴・成果や 10 通近くの推薦書等を準備の為替 ($1.00 ~ ¥120) で考えると、日本と同レする必要があり、書類の準備におよそ 2 年間、最ベ ル の 生 活を し よう とす る と 生 活費 は 日本 の終的に私が準備した書類は片面印刷で厚さ 10cm

1.5~2 倍くらいではないかと思います。

ほどになりました。アメリカのビザシステムに関28

見つけたらお酒の力を借りてでも人脈を広げ、仕事の幅を広げていけたらと思っています。
謝辞
筆者は大学院時代にスイス連邦 Thun にあるス
イ ス 連 邦 材 料 研 究 所
Laboratories

for

Materials(Swiss Federal
ScienceandTechnology: EMPA) に留学させていただき、米国
は 2 カ国目の海外になります。苦労の多い大学院
時代に海外経験をさせてもらったことが今の生活
Fig. 7 Japan Society での講演 [20] 後の懇親会にて、根岸英一教授と (写真中央, 左は当社, 安藤博士).

に大きく生かされているのは間違いありません。
そのような第一歩を踏み出させてくれた東京大学の寺嶋和夫教授には感謝の言葉もありません。また、永住権の申請に当たり、申請書類作成のサポートをしていただいた多くの皆様に再度お礼申し上げます。最後に日本での仕事をやめて今の生活を支えてくれる、妻に感謝の念が絶えません。

[1] http://www.research.ibm.com/?lnk=fai-ires-usen[2] S. Baker (著), 土屋政雄 (訳); “IBM 奇跡の “ワトソン”
プロジェクト”, (早川書房, 2011 年)[3] IBM's Microelectronics Research Laboratory,
https://www.youtube.com/watch?v=VsjzZaEWTgM[4] 平山誠, 応用物理, 81, (2012), 420.
[5] 内田建, 応用物理, 83, (2015), 262.
[6] 川崎博久, 応用物理, 79, (2010), 1103.
[7] D. Metzler, R.L. Bruce, S. Engelmann, E.A. Joseph,
G.S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 32, (2014)
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[8] S.U. Engelmann, R.L. Bruce, M. Nakamura, D.
Metzler, S.G. Walton, E. A. Joseph, ECS J. Solid State
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Bruce, M. Nakamura, T. Suzuki, M. Hoinkis, Proc.
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[10] H. Tsai, H. Miyazoe, S.U. Engelmann, B. To, E.
Sikorski, J. Bucchignano, D. Kraus, C. Liu, J. Cheng,
D. Sanders, N.C.M. Fuller and M.A. Guillorn, J. Vac.
Sci. Technol. 30 (2012) 06F205.
[11] H. Tsai, H. Miyazoe, S.U. Engelmann, C. Liu, L.
Gignac, J. Bucchignano, D. Klaus, C. Breslin, E.A.
Joseph, J. Cheng, D. Sanders, M.A. Guillorn, J.
Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 12 (2013) 041305.
[12] H. Tsai, J. Pitera H. Miyazoe, Sarunya
Bangsaruntip, S.U. Engelmann, C.-C. Liu, J.Y. Cheng,
J.J. Bucchignano, D.P. Klaus, E.A. Joseph, D.P.

Fig. 8 NYC で豚骨ラーメン: 2012 年サッカー女子 W 杯決勝後 (Japan vs USA, 左は R. Martin 博士, 現 Lam
Research)

さいごにここまでだらだらと書いてきましたが、私自身
ここには書けないような失敗や苦労も経験し、その都度多くの方々に助けられてきました。また、どこの会社にも大学にもあてはまると思うのです
が、知り合いを通じて入社したり、共同研究が始まることは非常に多く、いわゆる“コネ”も案外大事なんだなと感じています。私も Customer との会議や、学会などで気になっている教授、人を29

Sanders, M.E. Colburn, and M.A. Guillorn, ACS Nano
8 (2014) 5227.
[13] C.D. Cress and S. Datta, Science, 2013 vol. 341 pp.
140-141.
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[19] 米国弁護士による米国ビザ相談室,
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Japan Society, New York, 2012.
http://www.japansociety.org/webcast/the-pursuit-of-dreams-over-50-years-dr-ei-ichi-negishi

30学生のためのページ

すぐに役立つプラズマエレクトロニクス—プラズマ CVD—

炭素系薄膜・構造体の合成に用いられるプラズマプロセス
平松

美根男 名城大学理工学部

1.はじめに口で、ダイヤモンドやカーボンナノチューブ、グプラズマ CVD（Chemical Vapor Deposition：

ラフェンなど炭素系薄膜・構造体の合成に用いら

化学気相堆積）法は、作製したい薄膜や構造体材

れるプラズマプロセスを中心に紹介する。基板温料の構成元素を含む化合物（原料ガス）を真空容

度が高くなると、膜「堆積」よりも時として「成器に供給し、プラズマを用いてこれら原料ガスを長」や「合成」が相応しく、deposition のほか、励起・解離させて薄膜の形成に有効な活性種を生

growth 、 synthesis 、 formation 、 fabrication 、成し、基板上に輸送して堆積させる手法である。

preparation 等が英語表記として用いられる。

原料分子がプラズマ中の高エネルギー電子により2. 成膜プロセスの基礎

分解される非平衡（電子系とガス系で温度が２桁程度異なる）プロセスであるため、基板を低温にプラズマ CVD 法を用いた薄膜形成には、図 1保ったまま膜堆積が可能である。シラン系ガスに示すような容量結合型（capacitively coupled（SiH4、Si2H6）、炭化水素ガス（CH4、C2H2）、

plasma: CCP）装置や誘導結合型（inductively

フロロカーボンガス（CF4、C2F6、C4F8）等を原

coupled plasma: ICP）装置がよく用いられる。

料とし、水素、酸素、窒素ガス等を混合して、様々

CCP のプラズマ密度は 1010 cm-3 と高くないが、な機能を有する薄膜を形成することができる。し大面積成膜に向いている。一方、ICP は 1012 cm-3

かしながら、プラズマ中での原料ガス分子の解離程度の高密度プラズマである。

から始まって、生成された活性種と親ガスの気相反応、基板への輸送、さらには膜成長表面での反応までを考えると大変複雑な過程である。
種々のプラズマ CVD プロセスのうち、モノシ
ラン（SiH4）/水素（H2）の混合ガスを用いた水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）膜の形成機
構は精力的に研究がなされている。作製された膜

図 1 容量結合型および誘導結合型プラズマの構造や堆積速度などの実験事実がかなりのレベ

CVD 装置の概略図

ルで説明可能となっており、この分野を牽引された松田彰久先生による解説書[1–3]に大変分かり

プラズマの生成方式等を含む装置の構造に加え、易くまとめられている。ここでは、モノシランを使用するガスの種類・圧力・流量、投入する電力・用いたプラズマ CVD を例に挙げながら成膜プロ

周波数により、プラズマ中の電子エネルギー分布

セスの基礎について概説した後、少し異なる切り関数や電子密度が決まる。図２はプラズマ CVD
31

法による膜堆積過程の流れの概略を示している。

更に高い 9.47 eV 以上のエネルギーを持った電子

一次反応過程では SiH4 や H2 等の親ガス（原料分との衝突により SiH2 ラジカルが生成される[1–3]。

子）から電子衝突解離により SiH3 ラジカルや H

また H2 分子の解離に必要なエネルギーは 4.5 eV

原子といった各種反応種が生成される。

である。電子エネルギー分布関数が異なれば、生成される反応種の組成が変わる。圧力の高いプラ
ズマ CVD 条件では、平均自由行程が短いため、一次反応で生成された化学種は二次反応を経験する。化学種の衝突相手は主に親ガスまたは希釈ガスである。定常状態での反応種の密度や空間分布
は、一次反応による生成と二次反応による消滅やプラズマ外への拡散がバランスしたところで決定される。
化学的に活性な化学種（活性種）のうち、輸送過程を経て、電極（基板）や壁などの固体表面に到達したものが堆積に寄与することができる。中性の活性種の密度は、一般的に電子衝突の盛んな

図 2 プラズマ CVD による膜堆積過程の流れ

プラズマ中で高く、周辺領域に向かって減少する。
この密度勾配による拡散過程が原動力となって、中性活性種は密度の高い生成領域から基板へと輸送されていく。反応性の低い長寿命のラジカルは拡散で基板表面に到達するが、反応性の高い短寿
命の活性種は、親ガス等との二次反応で消滅することが多いため、膜堆積への直接の影響は少ない。
ドリフトの影響を受けるイオン種は、膜堆積前駆体の主役になるには絶対密度が低い。

0

5

10

15

20
(eV)

25

成長表面に到達した膜堆積前駆体は、物理吸着30を起こし、表面拡散・凝集・マイグレーション・

図 3 電子エネルギー分布関数（マックスウェル

クラスター形成といった核発生プロセスを経て膜分布）と、主な化学種が電子衝突解離によって形成に至る。基板表面に飛来しても、反射するもSiH4 から生成されるために必要な電子のエネルのや表面拡散の後離脱するものも多く、さらにはギーの関係[2]揮発性（volatile）分子を形成してエッチングを引き起こす場合もある。飛来するイオン種は、スパ

例えば、図３のような電子エネルギー分布関数

ッタリングを起こしたり化学エッチングを支援すを仮定したとき、SiH4 分子から H 原子がとれてるほか、逆に、表面にダングリングボンドを形成

SiH3 ラジカルが生成されるためには 8.75 eV 以上することにより中性ラジカルの付着係数を高め、のエネルギーを持った電子との衝突が必要であり、 核発生に寄与する場合もある[4]。
32以下はシランプラズマ中の二次反応の例である。 る。他方、SiH2 や Si は反応性が高く、気相中でSiH3 + SiH4 → SiH4 + SiH3(1)

密度が高くなるとダスト発生の原因を作る。また

H + SiH4 → SiH3 +H2(2)

基板に達すると付着係数が高いため欠陥が多くな

SiH2 + SiH4 → Si2H6(3)って膜質を悪くする要因となり、大量に存在してSiH2 + Si2H6 → Si3H8(4)は困る化学種である。これらの事実が明らかにな

例えば SiH3 は、(1)式の反応で親分子である SiH4ったのは、吸収分光法など種々の計測手段で化学と反応して H 原子を引き抜くが、生成物は再び種の絶対密度が求められ、様々な反応が明らかに

SiH4 と SiH3 になるため、実際は気相中においてなったことに寄るところが大きい。並行して、非常に長寿命であり、プラズマ外への拡散が消滅

SiH3 ラジカルが選択的に生成されるように原料速度を決定する。一方、短寿命反応種の代表であガスの種類や流量比、圧力、励起方法の最適化をる SiH2 は、親分子である SiH4 と反応して(3)式の行い、時には高周波放電をオン—オフさせて反応性ように速いレートで消滅していく。親ガスであるの高い短寿命のラジカルのみを積極的に減少させシラン分圧が高い場合、二次反応が盛んになり、る工夫がなされたりしてきた。

短寿命ラジカルの膜成長への直接寄与率は低下す

気相反応だけなく、表面反応の制御も大変重要るが、SiH2 と親ガスとの反応で Si2H6 を生成しやである。後述するメタン等の炭化水素ガスを用いすくなる。
この Si2H6 と別の SiH2 との反応から(4)たプラズマでは、ダイヤモンド・カーボンナノチ

式のように Si3H8 を生成し、さらに Si4H10 へと太ューブ・グラフェンといった特徴的な炭素構造体っていき、ダスト（微粒子）へと成長していく。

が形成されるが、そのためには、基板加熱のほか、

また、これら高次シラン分子から電子衝突により基板にダイヤモンド傷付け処理を施す、予め鉄生成される高次の反応種（たとえば Si4H9）は膜（Fe）やコバルト（Co）等の触媒金属を基板上に成長に寄与するが、表面マイグレーションし難く、ばらまいておく、ニッケル（Ni）や銅（Cu）基板

さらに主役である SiH3 のマイグレーションを阻を用いる、など目的に合わせた表面処理（前処理）害するため、膜中のダングリングボンド密度は増が不可欠となっている。

加する（膜質は劣化する）。

3. 炭素系薄膜やナノ構造体の合成 に用いられ

他方、シラン分圧の低い条件や、あるいは高速堆積を狙って電子密度を上げていくと、親ガスのるプラズマプロセス

解離度が高くなる。このような場合では、通常は炭素繊維やグラファイト、ダイヤモンド、ダイ

親ガスとの二次反応で消滅して基板に到達する量

ヤモンド状炭素（diamond-like carbon: DLC）なは無視できるような反応性の高い SiH2 や Si のよ

どの種々の同素体が存在する炭素材料は、幅広い

うな短寿命反応種も、親ガスの解離が進んで(3)電気的・機械的・熱的・光学的性質を有している。

式の反応相手が枯渇し、消滅せずに基板にまで到これらの特性を活かして、
電子デバイスから工具、達する。これらの基板への付着係数は高く、表面

摺動材料、構造材料など期待される応用も多岐に拡散を起こさないため、ダングリングボンド密度

わたる。フラーレン、カーボンナノチューブ、カが増加する結果となる。

ーボンナノホーンやグラフェンといった炭素ナノプラズマ CVD による a-Si:H 膜の形成において構造体は、従来の炭素材料には現れない特異な性は、SiH3 ラジカルが重要な膜の前駆体となってい質を有する比較的新しい炭素材料であり、環境・33

エネルギーやバイオテクノロジーなどの新規分野

プラズマを用いて行われてきた。図４(a)は無機材を支える基盤材料として重要視されている。

研型と呼ばれる。マイクロ波矩形導波管を石英管

ダイヤモンドに代表される sp3 混成軌道からなが貫く構造をしており、大面積合成には向かない

る炭素材料、カーボンナノチューブやグラフェン

が、装置構成が比較的簡単で、プラズマに対してといった sp2 混成軌道からなるナノ炭素材料、こ基板の位置を自由に設定することができる。図４

れらの結合が混在した炭素材料（DLC やアモルフ(b)は ASTeX 型と呼ばれる。マイクロ波を TE01 モァスカーボン）など、保護膜や新規デバイスへのードから TM01 モードへ変換し、石英窓を通して応用が期待される炭素系薄膜・構造体の多くはプ

真空容器に導入するもので、真空容器自身が空洞

ラズマ CVD 法を利用して合成することができる。

共振器となり、基板上部でプラズマボールと呼ば一般的に、メタン等の炭化水素と水素の混合ガスれる球状のプラズマが形成される。これらは高密が用いられ、圧力は数 Pa から大気圧まで広範囲

度プラズマであり、H2 を効率よく分解するのに適にわたる。カーボンナノチューブ等の製造はもはしている。フランスの Gicquel らは、ASTeX 型のや堆積とは言い難く、ここで扱う CVD は、原料装置を用いて単結晶ダイヤモンド薄膜の高速合成

ガスを解離・分解して炭素の様々な構造体を合成を行っており、投入するマイクロ波電力密度に応する方法と解釈している。励起方式やガスの種

じて水素原子密度は増加し、40 µm/h というダイ類・混合比といったプラズマの外部パラメータだ

ヤモンド膜の合成速度が得られる条件では、プラけでなく、基板温度、基板処理などの表面反応にズマ中の水素原子密度は 5×1017 cm-3 で、H2 の解

よっても構造が大きく左右される。基板上に輸送

離度は実に 50%に達する[5]。

される重要なラジカルやイオンのフラックスなら
びに核発生を含む表面反応を制御することにより、様々な炭素系薄膜・構造体を合成することが可能である。これらの炭素材料を合成するうえで、プ
ラズマプロセスのエッセンスはどこにあるかという観点から整理すると、ダイヤモンド薄膜のように①製造過程において大量の水素原子を必要とす

図 4 ダイヤモンド合成に一般的に用いられるる、あるいは水素原子が重要な役割を担うもの、カ

マイクロ波プラズマ CVD 装置の概略図：(a)無ーボンナノチューブやグラフェンのように②成長

機材研型、(b) ASTeX 型

初期段階で金属触媒を必要とするもの、DLC 膜のように③200℃以下の低温成長であり、イオンが重通常、プラズマ CVD 法を用いたダイヤモンド

要な役割を担うもの、の３つのグループに大別する

薄膜の合成は、メタンやアルコールを水素で 50ことができる。

〜100 倍程度に希釈した混合ガスを用い、数 kPa〜10kPa の圧力で、2.45 GHz のマイクロ波電力

3.1 ダイヤモンド薄膜の合成には大量の水素原を数 100〜数 kW として、700〜900 ℃に加熱さ子が必要れたダイヤモンド基板や Si 基板上に行われる。

ダイヤモンド薄膜の気相合成は、おもに図４(a)Si 等の異種基板上にダイヤモンドを合成するに

および４(b)に示すような 2.45 GHz のマイクロ波

は、ダイヤモンド微粒子を用いて傷つけ処理を施
34

す、ナノダイヤモンド粒子を基板に塗布する、成状態）の密度計測などから、C2 ラジカルの寄与も膜初期段階に基板に負バイアスを印加してイオン重要視されている[6,7]。

衝撃により核発生を促進させるなど、基板の前処

M. Hiramatsu et al. / Diamond and Related Ma

理が必要である。
プラズマ中の電子衝突解離によって、メタン等の炭化水素ガスから CH3 ラジカル等の炭素前駆体が、また水素分子やメタン等から水素原子が生成され、二次反応を経て基板上に輸送される。基板表面では、炭素前駆体の堆積と、水素原子によるエッチングの競合反応が起こっているが、アモ
ルファスカーボン、グラファイト、ダイヤモンド
成分の順に水素原子によりエッチングされ易い。
成長表面へのこれらのラジカルの供給量の比によ

図 5 ナノ結晶ダイヤモンド合成中のマイク

り結晶性や構造が左右される。例えばダイヤモン

ロ波プラズマからの発光スペクトルの例

ド薄膜の成長では、大量の水素原子でアモルファ
スカーボンやグラファイト等の非ダイヤモンド成

(a)

(b)

分を除去しながら（堆積しないようにしながら）、
ダイヤモンド成分を選択的に残す反応で成り立っている。当然のことながら、成長速度は小さい（一般的には 1 µm/h 程度）。大量の水素原子が必要で

20 µm

1 µm

approxup tofurtherthe emTypvariou4a–c ctions olow CfacetedconcenphologdecreananocrapproxtrationFig.
concenCH4 c
is apptrum (
high Ctrum
featurediamo
near 1ent atpaid tcmy 1,
diamo
nanocrFiel
the typfabricaemissidiamo
CH4 cあるため、プラズマ密度の低い CCP はダイヤモ(c)ンドの合成には向かない。
メタンの割合を増加させるとダイヤモンドの結Fig. 4. SEM morphology of diamond films grown at various CH4
concentrations: (a) 2%, (b) 10%, (c) 30%.

(d)transmittance spectrum. As a result of fitting the calculated profile to the measured one, we have estimatedthe C2 radical density at v0s 0 in the a3P u state andthe rotational temperature to be 2.4= 1012 cmy 3 and1000 K, respectively, for the transmittance spectrum
shown in Fig. 2.
Fig. 3 shows the C2 radical density
as a function of
20 µm
1 µm
CH4 concentration, together with the optical emission
intensity of (0,0) bandhead of C2 Swan system. The
C2 radical density increased with increasing CH4 concentration. The C2 radical density was found to be of
the order of 1012 cmy 3 at a CH4 concentration of

晶サイズが小さくなる。5〜30%程度のメタン濃度では、結晶粒界にグラファイト層を含むナノ結
晶ダイヤモンドが成長する。メタン濃度を 20〜50%に増やした条件では、Fe や Co を堆積させた触媒基板上にカーボンナノチューブ膜を製造する

図 6 マイクロ波プラズマを用いて製造されることができる。数 kPa 以上の圧力で、メタンの割

種々の炭素構造体の SEM 像：(a)ダイヤモンド

合が比較的大きい場合には、気相中の二次反応に薄膜、(b)ナノ結晶ダイヤモンド薄膜、(c)カーボ

より C2 ラジカルも大量に生成される。このときンナノウォール、(d)カーボンナノチューブ膜

プラズマからは 517 nm 付近に C2 スワンバンドの発光（バンドスペクトル）が観測される。ナノ結

図６(a)および６(b)は、それぞれ、多結晶ダイヤ

晶ダイヤモンドやカーボンナノチューブの製造条

モンド薄膜およびナノ結晶ダイヤモンド薄膜の電件では、図５の発光スペクトルのように、C2 から

子顕微鏡像である。いずれも同一の ASTeX 型のの強い発光が観測され、更に C2 ラジカル（a3Πuマイクロ波プラズマ CVD 装置を用いて、ダイヤ
35

Fig. 5.
concent

モンド傷付け処理が施された Si 基板上に製造さイヤモンド薄膜は、表面粗さが数 nm から数 10nmれたものである。メタン濃度は、(a)では 2%、ま程度の平滑で緻密な膜であり、低摩擦・高硬度・た(b)では 10%と高くなっている。傷付け処理など

高透明性・電界電子放出特性など優れた特徴を有が施されていない Si 基板を用いた場合、高メタンしている。原料ガスのメタンの割合を増やすとダ濃度では図６(c)のようにカーボンナノウォール

イヤモンドの結晶サイズが小さくなるが、このほが形成される。カーボンナノシートやナノフレー

か、原料ガスに Ar を添加することにより数 nm

クなどとも呼ばれ、比較的欠陥の多い多層グラフ

から数 10nm の粒径のナノ結晶ダイヤモンド膜を

ェンが基板にほぼ垂直に成長している。カーボン得ることができる。耐摩擦用皮膜や光学的保護膜

ナノウォールは、マイクロ波プラズマのほか、ICPのほか、表面化学修飾を施してバイオセンサなど

や水素ラジカル支援 CCP など種々の方法を用い生体分野への応用も期待されている。

た製造が報告されている[8]。

図７は表面波プラズマと呼ばれる。マイクロ波

一方、メタン濃度を 20〜50%に増やした条件で導波管の下面にスロットアンテナと呼ばれる細いは、触媒基板上にカーボンナノチューブ膜を製造間隙が設けられており、石英などの誘電体表面にすることができる。後述するように、Co や Fe、

沿って表面波が伝播し、誘電体直下に高密度プラ

Ni 等の触媒金属のナノ粒子を基板上に予め堆積ズマが生成される。1011 –1012 cm-3 のプラズマ密させておく必要がある。図６(d)は、メタン濃度度に対し、2–3 eV と低い電子温度が特徴で、大面40%で Co 触媒を用いて製造した 2 層カーボンナ積化も可能である。産業技術総合研究所の金氏ら

ノチューブ膜の電子顕微鏡像であり、数 100 nm/s

は大面積の表面波プラズマ装置を開発し、基板温の高速で合成される。

度 300 ℃で、30 cm 四方の硼珪酸ガラス基板上に

図６(a)のような多結晶ダイヤモンド薄膜の応

一様なナノ結晶ダイヤモンドの合成に成功してい用は、保護膜やヒートシンク、窓材、電気化学用

る[10]。

電極等に限られる。5.5 eV のバンドギャップを有するダイヤモンドをパワーデバイス等に応用するには、ドーピング技術の確立はもとより、高品質単結晶ダイヤモンドの大面積合成が不可欠である。
実用化に向けて、Si 等の異種基板上へのヘテロエ
ピタキシャル成長を実現するための新規技術や、
図 7 表面波プラズマ CVD 装置

大面積ダイヤモンド単結晶基板を安価に製造する技術の開発が望まれている。ダイヤモンド薄膜のキャリヤ制御とデバイス応用の最近の研究開発の3･2 カーボンナノチューブやグラフェンの製造

現状については、産業技術総合研究所の山崎聡氏には触媒金属が必要

による解説[9]をご覧頂きたい。ダイヤモンド薄膜

アーク放電やレーザアブレーション、CVD などのデバイス応用の難しさと可能性が分かり易く紹

様々な方法を用いてカーボンナノチューブを合成

介されている。

することができる。いずれも、成長初期段階にお通常の多結晶ダイヤモンド薄膜の表面粗さが数いて、Fe や Co、Ni といった触媒金属が不可欠で

100 nm から数 µm であるのに対し、ナノ結晶ダある。アーク放電やレーザアブレーションなど、
36

物理気相成長法に分類される成長法では、Co や

ューブを基板に垂直に配向させて高密度に合成す

Ni 等の触媒金属を混ぜた黒鉛棒や電極など固体ることが容易になった。

材料を出発原料としている。空間に広がった生成

図６(d)は、(a)〜(c)と同一の ASTeX 型のマイク

物をかき集めるが、金属触媒等の不純物が含まれ

ロ波プラズマ CVD 装置を用いて、Co 触媒付きのているため、精製作業が必要となる。これに対し

Si 基板上に合成した２層カーボンナノチューブて、CVD 法では基板上に成長させるもので、予め膜の電子顕微鏡像である。メタン（40%）と水素

触媒金属を堆積させた Si や SiO2 等の基板を用い、の混合ガスを用い、基板温度 700 ℃で合成したも熱やプラズマを利用してメタンやアセチレン等のので、600 nm/s 程度の大きな成長速度が得られて炭化水素ガスを分解して、加熱された触媒金属といる[11]。ここでは、数 nm の厚さの TiN バッフの炭素の表面反応（炭素の固溶→過飽和→析出）ァ層を形成した Si 基板上に、Co を電極に用いたからカーボンナノチューブを得る。

パルスアークプラズマ法により 1 nm 程度のサイプラズマ CVD 法を用いたカーボンナノチュー

ズの Co ナノ粒子を TiN バッファ層上に直接降り

ブ合成では、初期の頃は Si や SiO2 基板上に真空積もらせている。基板加熱の過程で Co ナノ粒子

蒸着やスパッタを用いて Ni や Fe、Co の薄膜をが凝集して平均粒径が 4–5 nm 程度となり、そこ形成し、熱処理を施して（あるいは基板加熱を行から 2 層カーボンナノチューブが高密度で成長しう過程で）触媒金属をナノサイズ化したものを基ている。Co と Ti の合金を電極に用いたパルスア板として用いていた。触媒粒子のサイズや密度のークプラズマ法により、1 nm 程度の Co と Ti の制御は困難であったため、カーボンナノチューブ

ナノ粒子を Si 基板上に降り積もらせると、単層のの直径や分布（チューブとチューブの間隔）のば

カーボンナノチューブ膜を合成することができる

らつきが大きく、そもそも単層カーボンナノチュ[12]。Co に比べて Ti は Si と反応し易く、基板加ーブを得ることすら難しかった。触媒金属膜の厚熱過程で Co ナノ粒子の凝集や Si との反応を防ぐ

さを薄くするとサイズの小さな触媒金属粒子を得と考えられる。

ることができるが、Si との反応で容易にシリサイドを形成して姿を消してしまい、密度（面積当たりの触媒粒子の個数）が下がる。一方、厚い触媒
金属膜では、サイズの大きな触媒金属島となってしまう。1 つの触媒金属島から複数本のカーボン
ナノチューブが成長し、また合成されるカーボン

図 8 カーボンナノチューブの成長過程の模式

ナノチューブの直径に大きなばらつきがあった。

図（根元成長モデル）

その後、ゼオライトなどのテンプレートを用いて強制的に触媒金属のサイズを 1—2 nm に揃える方

図８の根元成長モデルに示されるように、加熱法や、触媒金属薄膜を Al 膜でサンドイッチにすされた触媒金属には炭素が固溶し易く、粒子サイる、Si 基板上に Al や Ti などのバッファ層を設け、ズが小さい場合には容易に過飽和状態となり、チレーザアブレーション等を用いて触媒金属をナノ

ューブの形で上に押し上げるように析出していく。

粒子の形で直接基板上に降り積もらせる等の方法

1—2 nm 程度のサイズの触媒金属粒子からは単層が提案され、単層や 2 層など細いカーボンナノチ

カーボンナノチューブが成長する。単層や 2 層カ
37

ーボンナノチューブはファンデルワールス力でバめに、メカニズムの解明と装置デザインが重要課

ンドルを形成し、相互に支え合って絨毯のように題である。グラフェンシートを巻く方向によって成長してカーボンナノチューブ膜となる。

定義されるカイラリティは金属/半導体特性を決

基板上の触媒微粒子をリフトオフ等の方法でパ定する。このため、単層カーボンナノチューブのターンニングすることにより、カーボンナノチュ

カイラリティ制御は重要である。最近、東北大学

ーブの選択肢長が可能である。図９はカーボンナの加藤氏らは、拡散プラズマ CVD を用いて、触ノチューブの選択成長の例である。Si 基板上に形媒の粒径によってカーボンナノチューブの成長開成した SiO2 に穴を開け、底に触媒ナノ粒子を堆

始時間が異なることを利用し、(6,5) というカイ積させた。単層カーボンナノチューブは、穴の底ラリティを持つ単層カーボンナノチューブを優先から、互いに支え合って直径 1 µm の柱として束的に成長させることに成功している[15]。

になって成長している。

フレキシブル透明導電膜への応用に向けて、
CVD 法を用いた大面積グラフェンの製造が盛んに行われている。熱 CVD の場合、Ni や Cu 基板
上への形成が報告されている。図 10 の模式図に示すように、Ni は炭素を高濃度で固溶する性質があり、1000 ℃程度に加熱された Ni 表面で分解したメタンから炭素が一旦 Ni 中に固溶し、冷却過程でグラフェンの形で析出してくる。冷却速度の

図 9 穴の底から選択的に成長した単層カーボ

最適化が重要であり、層数の制御が難しい。

ンナノチューブの柱[12]カーボンナノチューブの成長の場合、シース電界による配向等の効果[13,14]を除けば、プラズマの主たる役割は炭素源ラジカルを触媒金属に供給することである。熱 CVD と比較して低温成長が図 10 熱 CVD 法によるグラフェンの製造過程可能であるが、マイクロ波プラズマを用いることの模式図（Ni 基板）[16]は本質ではない。触媒金属ナノ粒子が適切な密度で付着している基板を用いれば、直流プラズマ、

一方、Cu 基板を用いた場合には、図 11 の模式

高周波プラズマ（CCP および ICP）
、大気圧プラ

図に示すように、Cu には炭素はほとんど固溶しズマなど、様々な励起方法・圧力下でカーボンナ

ないため、1000 ℃程度に加熱された Cu の触媒

ノチューブの合成が可能である。実用的な観点か作用でメタンが分解し、単層グラフェンが形成さらは、個々のカーボンナノチューブの結晶性、直れていく。Cu 表面がこの単層グラフェンで覆わ

径や層数・カイラリティ、チューブの間隔、配向

れたところで触媒作用が消滅し、メタンの分解が性、選択成長など、応用目的に応じて制御が望ま停止して、単層グラフェンができあがる。Ni やれる項目が数多く存在し、さらに高速合成、大面

Cu 基板上のグラフェンのままでは応用が限られ積化、低温成長など産業面からの要請に応えるた

るため、いずれの場合も、表面を樹脂でコーティ
38

ングした後、下部金属を溶かすなどしてグラフェ

フェンナノリボンの析出合成に成功している[18]。

ンを分離し、必要な基材に転写する。

これらの手法は、グラフェンを用いた次世代大規
模集積回路実現を期待させるものである。
Cu 箔を用いた場合、プラズマを利用して低温形成が可能である。しかし炭素源ラジカルの供給過多やイオン衝撃の影響により、形成されるグラ
フェンの結晶サイズが数 10 nm 以下と小さくな

図 11 熱 CVD 法によるグラフェンの製造過程

り、熱 CVD と比べて結晶性の劣る多層グラフェの模式図（Cu 基板）[17]ンに成り易い。やはりプラズマを基板から離し、イオン衝撃の影響を抑える工夫が必要であるととプラズマを用いた場合には、500〜700 ℃程度

もに、チャンバ内壁に堆積している炭素膜もグラの温度で、わずか数分という高速形成が可能であ

フェンの炭素源になるため、壁の状態にも注意をる。Ni 基板を用いた場合には、プラズマの役割は要する。産業技術総合研究所の金氏らは、大面積

Ni に固溶する炭素の供給であり、様々なプラズマ

ナノ結晶ダイヤモンド膜を低温で形成した表面波を用いてグラフェンの製造が可能である。しかし、プラズマ CVD 装置を用いて、400 ℃以下の基板

ICP 等を用いた場合、成長表面へのイオン衝撃に温度で Cu 箔上にグラフェンの高速形成（30 秒）

よって基板に垂直なナノグラフェンが核発生し、に成功している[19]。産業応用の観点からは、大カーボンナノウォールが成長し易い。従って、基気圧プラズマを用いた合成法も有望である。大気板に水平な結晶性の良いグラフェンを得るために

圧程度の圧力になれば、基板表面へのイオンの影

は、基板に正バイアスを印加して成長表面に入射響は無視できるため、直線状の一様なプラズマがするイオンのエネルギーを軽減する、リモートプ

できれば、グラフェンのロール・トゥ・ロール方

ラズマの構造を取り入れるといった工夫が必要に式を用いた量産化も実現可能と考えられる。

なる。炭素源ラジカルの入射フラックスが Ni 中に炭素が固溶する速度を越えないように、炭素源

3･3 DLC 膜の作製にはイオン衝撃が重要
炭化水素と水素の混合ガスを用いて 200℃以下の供給量（瞬間の量および積分量）を抑えることの低基板温度で成膜を行うと、sp2 と sp3 結合が混も重要である。
Si や SiO2 基板上に Ni 触媒層を形成してグラフ在する平坦なアモルファスカーボン膜が得られる。

ェンを作製する場合、炭素源供給中に Ni に固溶

組成や結合状態の違いで硬さや光透過度、電気特している炭素が飽和しないよう、Ni 層の厚さは数性が大きく異なる。sp3 成分が多く存在し、硬く100 nm 以上とされてきた。一方で、Ni 触媒層をて透明な膜は特に DLC と呼ばれるが、通常のア

50 nm 以下程度に薄くすると、固溶した炭素は裏

モルファスカーボンとの境界は明確ではない。ガ側（例えば SiO2 基板と Ni の界面に）析出する。

ラスやプラスチック表面に DLC 成膜が可能であNi 層を化学エッチングで除去すれば、転写作業をり、化学的に安定で、高硬度、高弾性、低摩擦、

省略して直接絶縁基板上にグラフェンを形成する

低摩耗、平滑性に優れているため、自動車用部品ことができる。さらに東北大学の加藤氏らは、プや機械部品、工具、ハードディスクなどの電子部

ラズマ CVD とナノバー型 Ni 触媒を用いてグラ品、医療器具のコーティングから PET ボトル内
39

壁のガスバリヤコーティングまで、炭素系薄膜の[2] 松田彰久, プラズマ・核融合学会誌, 77, (2001)

中で最も幅広く応用されており実用性が高い。

674.

DLC についてはケンブリッジ大の Robertson[3] A. Matsuda, Jpn. J. Appl. Phys., 43, (2004) 7909.

が多くの解説を記している[20]。実用的な DLC 膜[4] T. Tatsumi, et al, J. Vac. Sci. Technol. A, 17,は、プラズマ CVD 法のほか、スパッタリングや(1999) 1562.

イオンプレーティングなどの物理気相堆積法によ[5] N. Derkaoui, C. Rond, K. Hassouni, A. Gicquel, J.

り形成される。いずれの場合も、イオンが DLC

Appl. Phys., 115, (2014) 233301.

合成に大きく寄与している。プラズマ中で炭素を[6] F. J. Gordillo-Va´zquez, J. M. Albella, J. Appl.

含む正イオンを効率よく生成し、電界で加速してPhys., 94, (2003) 6085.

基板を叩くように供給することが重要と考えられ[7] M. Hiramatsu, K. Kato, C. H. Lau, J. S. Foord, M.

ている。基板に到達する正イオンと中性ラジカル

Hori, Diamond Relat. Mater., 12, (2003) 365.

との比が膜質や成長速度に影響を及ぼすため、応[8] M. Hiramatsu, M. Hori, Carbon Nanowalls:

用目的に応じてこれらの最適化が必要である。

Synthesis and Emerging Applications, Springer
Verlag, Wien, (2010).

4. おわりに[9] 山崎聡, 応用物理, 83, (2014) 912.

薄膜・構造体の製造において、プラズマ中で生[10] J. Kim, et al, Plasma Sources Sci. Technol., 19,

成される活性種の種類や量だけでなく、これらが(2010) 015003.

どのように基板に輸送されるかが膜の出来を左右[11] M. Hiramatsu, et al, Jpn. J. Appl. Phys., 44,

する。さらには成長表面の反応を理解し制御する(2005) L693.

ことが不可欠である。所望の堆積・構造を実現す[12] M. Hiramatsu, T. Deguchi, H. Nagao, M. Hori,

るためのポイントは以下の通りである。

Jpn. J. Appl. Phys., 46 (2007).L303.

①薄膜・構造体形成に重要な役割を果たす活性種[13] T. Kato, et al, Chem. Phys. Lett., 381, (2003)

の特定

422.

②重要活性種の選択的生成と基板への輸送[14] T. Kato. R. Hatakeyama, Chem. Vap. Depos., 12,③表面反応の制御(2006) 345.

プラズマ CVD に関しては、プラズマエレクト[15] T. Kato, R. Hatakeyama, ACS Nano, 4, (2010)

ロニクス分科会が主催するインキュベーションホ

7395.

ールおよびその前身のプラズマエレクトロニクス[16] Q. Yu, et al, Appl. Phys. Lett. 93, (2008) 113103.

サマースクールのテキストに分かり易く記述され[17] X. Li, et al, Science, 324, (2009) 1312.

ており、是非バックナンバーを入手していただき[18] T. Kato, R. Hatakeyama, Nature Nanotechnol., 7,

たい。

(2012) 651.
[19] J. Kim, et al, Appl. Phys. Lett., 98, (2011)

参考文献

091502.

[1] 松田彰久, プラズマ・核融合学会誌, 76, (2000)[20] J. Robertson, Materials Science Eng. R, 37,760.

(2002) 129.

40

応用物理学会講演奨励賞を受賞して東北大学 佐々木 渉太（東北大学 金子 俊郎）
この度は，第 37 回応用物理学会講演奨励賞とな問題をもたらしている現状があります．
さらに，いう大変栄誉ある賞を賜りまして，大変光栄に思高分子の中でも特に遺伝子を細胞内に導入する遺っております．また，選考に関係されました先生

伝子導入技術は，遺伝子機能解析や iPS 細胞作製

方に対しまして，深く感謝申し上げます．今回，等に欠かせない必須の技術として大変重要とされ受賞の対象となりました研究「遺伝子細胞膜透過ていますが，これまでに提案されてきました電気性に対するプラズマ照射起因電気的ストレスと酸穿孔法を代表とする従来法において，効率・細胞化ストレスの効果」（佐々木渉太，神崎展，金子俊

毒性の面で改善が必要とされています．従いまし郎）に関しまして，研究背景と内容を，普段の研て，細胞毒性がなく，水溶性高分子を細胞内に効

究生活と合わせまして，簡単にご紹介させて頂き率良く届ける技術の開発が急務となっております．

ます．

これに対して，安価な設備を用いた画期的な遺伝

近年，大気圧プラズマを医療応用に用いる「プ子導入法としてプラズマ照射の利用が 2005 年にラズマ医療」に関する研究が世界的に盛んになっ報告されていますが，その機構が不明であり，実ています．特に，大気圧プラズマを直接あるいは用化には至っておりません．そこで我々は，高効

間接的に照射した後に誘発される生細胞応答は不率・低侵襲遺伝子導入技術開発に向けて，大気圧

明な点が多く，非常に興味深い研究領域であるとプラズマ照射に誘発される高分子の細胞内導入機感じています．私は，研究室に配属されました学

構解明に取り組みました．

部 4 年から，現在の博士後期課程 1 年に至るまで，高分子の細胞内導入量を評価する上で，最も重この「プラズマ医療」に関する研究を行っていま要だったのが，「何」を導入し，「どのように」評

す．研究初期は，現在のように研究室内に細胞培価するのかという点です．最も良く用いられるの養の環境や培養技術などはなかったため，東北大は，分子量の制御された生体に毒性のない物質に学大学院医工学研究科の神崎先生と共同研究させ蛍光色素を修飾して，蛍光強度から細胞内導入量ていただく形で開始することとなりました．それを定量するものです．我々もこの手法から試みま以来，現在に至るまで，金子・加藤研究室と神崎したが，二つの大きな問題がありました．
一つは，研究室を往復する形で研究を行っております．

プラズマ照射が蛍光色素の修飾を切断してしまう

さて，本研究はプラズマ医療応用の中でも遺伝ことであり，もう一つの問題は細胞膜の外側に物子等の高分子を細胞内に導入する技術に着目して質が付着してしまうことです．このために，「細胞行われています．一般的に水溶性高分子は細胞膜

内導入量」を正確に定量することが困難でした．

透過性が低いことが知られており，水溶性が高い

この問題を解決するために，我々は導入物質を非ことが望ましい薬剤でさえも，細胞内取り込みを

膜透過性蛍光物質である YOYO-1 を用いており可能にするためにある程度の脂溶性が付加されてます．この物質は細胞内の DNA に結合して蛍光います．また，そのことが組織集中・蓄積等の様々

強度が 1000 倍以上になることから，蛍光強度が41

細胞内導入量と強く相関します．
実験は，ヘリウムを原料ガスとした 2 種類の大気圧プラズマジェット (周波数 f ⋍ 10 kHz, 電圧
Vp-p ⋍ 10 kV) を用いて行いました（図 1）．一方は細胞懸濁液を液体電極とする電極配置でのプラズマ生成を行うものです．蛍光物質 YOYO-1 をあらかじめ混合した細胞懸濁液に対して様々な条件下で照射を行い，細胞内導入効率及び細胞生存率を評価しております．
図 2 に示しますように，電界パルスのみを使用
する電気穿孔法では低い生存率であるのに対して，

図 1 : (a) 拡散型プラズマジェット，(b) 改良

プラズマ照射の場合は，生存率を高く保ちながら型プラズマジェットの概略図．

効率良く導入が可能となっていることがわかります．さらに，プラズマジェットの拡散距離（プラズマ生成領域から細胞懸濁液までの距離）を短くすることで，
効率良く導入可能になったことから，
細胞懸濁液の直上でプラズマを生成するように改良を加え，高効率化に成功しました．
このことは，
拡散中に損失する活性種・荷電粒子が導入に寄与していたことを示唆しています．
仮にプラズマ照射が誘発する細胞への電気的ス
トレス及び酸化ストレスが細胞膜に小孔が形成したとすれば，電気穿孔法のように死細胞判別試薬も同様に細胞内に導入され，死細胞と判別される
はずですが，プラズマ照射は YOYO-1 のみを効率良く導入しています．従いまして，単なる物理的・

図 2 : 導入効率・生存率におけるプラズマ照射と化学的負荷だけでなく，生物学的応答がこの輸送

エレクトロポレーション（電気穿孔法）の比較．

に関与していると考え，現在，導入機構を明らか参考文献にしようと試みています．

[1] S. Sasaki, M. Kanzaki, and T. Kaneko : Appl.

このように，細胞損傷無く，高分子薬剤を高効

Phys. Express 7 (2014) 026202.

率に導入できる装置として，大気圧プラズマ装置
が持つ潜在性に期待しております．最後になりますが，この受賞を励みに今後も一層邁進していく所存でおりますので，
今後ともご指導ご鞭撻の程，よろしくお願い申し上げます．

42

国際会議報告

7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its
Application for Nitrides and Nanomaterials / 8 th International
Conference on Plasma-Nano Technology & Science(ISPlasma2015/IC-PLANTS2015)
名古屋大学

齋藤

永宏

(1) プラズマ科学
A1 : プラズマ工学、A2 : プラズマ蒸着
A3 : プラズマ医療、A4 : プラズマ応用
A5 : 大気圧プラズマ
A6 : ソリューションプラズマ(2) 機能性半導体
B1 : 窒化物プロセス
B2 : 窒化物応用および機能性半導体
B3 : SiC・ダイヤモンド・その他(3) ナノ材料・マイクロ加工
C1 : ナノ構造・コンポジット材料
C2 : 触媒/二次電池
C3 : ソーラーセル
C4 : 環境・エネルギー材料
C5 : マイクロ・ナノ流体工学、マイクロ TAS(4) 表面機能化
D1 : ハードコート、D2 : 化学プロセス
D3 : 機能表面、D4 : バイオ表面

本文
ISPlasma は、文部科学省の支援を受け、東海広域ナノテクものづくりクラスター事業の一環として、当地域に国際競争力を有する先進プラズマナ
ノ科学研究拠点を形成するために 2009 年から毎年開催されている国際会議で、今回は 7 回目となる。一方、IC-PLANTS は、本邦唯一の産業応用
プラズマセンターである名古屋大学工学研究科附属プラズマナノ工学研究センターの主催の国際会議として 2008 年から毎年開催されており、2014
年より、この２つの国際会議を合同で開催しており、合同会議として 2 回目となる今回は、先進プ
ラズマナノ科学、およびナノ材料、窒化物半導体
研究に加え、表面機能化研究までも包括的に対象分野として 2015 年 3 月 26 日～3 月 31 日の 6 日間にわたり名古屋大学にて開催された。本会議では、プラズマ分野で長い歴史と研究実績を有する
東海地域に世界中から優れた研究者が集い、先進プラズマ科学、機能性半導体とナノ材料/マイクロ加工、表面機能化への応用について広く f 議論するとともに、最新の研究成果を発表して、分野を超えた議論を行った。
プラズマを中心として、応用分野の窒化物半導体やナノ材料分野を一つの学会で議論できること
から、プラズマを中心とする異分野交流の国際会
議として認知されつつある。会議全体の参加者数は年々増加しており、今回は 850 名を超えた。海外からも東アジア、東南アジア地域を中心に、世界 23 ヶ国 251 名が参加し、世界に認知された国際学会としての地位を確立した。また、発表件数
は、616 件にのぼり活発な議論がなされた。
本会議は 4 つのセッションに、18 のサブセッシ
ョンを設けて、各サブセッションごとに招待講
演・一般講演およびポスター発表を行った。各セッション・サブセッションは以下の通りである。

今回は、会議に先立って、本会議では初めての試みである工場見学を行った。本地域を訪問する
外国からの研究者および県内の研究者に対して、名古屋の産業および文化を理解してもらうことを目的に、トヨタ自動車株式会社を訪問した。愛知
県は、自動車産業の世界的なメッカであり、東海エリアの大学とも強い結びつきをもちながら産学連携を推進している。35 名程の海外からの参加者
が、自動車産業が有する技術を興味深く見学し、東海エリアの技術的な土壌への理解を深めていた。
会議初日午前は、名古屋大学坂田・平田ホール
にて、組織委員長の齋藤教授が開会の挨拶を述べた後、University of Houston, Vincent M. Donnelly
教授による” Plasma Etching: Current Trends andFuture Prospects“の講演、京都大学、松波弘之教
授による” State-of-the-art Power Semiconductor
43

SiC”の基調講演が行われた。
午後からは、5 つの会場に分かれて、プラズマ科学、機能性半導体、ナノ材料・マイクロ加工、
表面機能化のセッションで、招待講演と一般講演による最新の話題に対して、専門性の高い活発な議論が繰り広げられ、その後ポスター発表が行われた。ポスター発表は、それぞれのセッションの発表が一同に介して行われ、分野の融合が図られた。
二日目午前は、東京大学 堂免一成教授による”Some (oxy)nitride photocatalysts for water
splitting”の講演が行われた。引き続き、Linköping
University の Ulf Helmerson 教 授 に よ る ”HighPower Impulse Magnetron Sputtering - Physics
and Applications”の講演が行われた。また、初日
同様に 2 日目以降も、セッションごとにパラレルセッションが行われ、その後ポスター発表が行われた。
3 日目には、東京大学 荒川泰彦教授による“Progress in III-Nitride Quantum Dots”、NTT 基礎
研究所 住友浩二博士による”Nanobiodevice formimicking synaptic connections”、 University ofSurrey 、 Ravi Silva 教 授 に よ る ” Developing
Nano-Carbon Platform Technologies”が行われた。
また、午後からは、2014 年ノーベル物理学賞を受賞した天野浩教授による特別講演を実施し、”Beyond blue LED” のタイトルで御講演を頂いた。
参加者は、本年度ノーベル賞受賞により大きな脚光を浴びた天野浩教授が成し遂げた技術について熱心に耳を傾けていた。
最終日は、九州大学白谷正治教授による“Plasma
processes in 21st century”の基調講演が行われ、今後のプラズマプロセスの方向性が示された。本会議を通して、プラズマを中心とした応用先との連携が強化された。また、ナノ材料、表面機能化の研究者を中心に積極的に参加を呼びかけた結果、初めて本会議に参加する研究者も多く見られ、本会議の認知度を高めるとともに、プラズマ分野との融合も進展した。
前回に引き続き、今回もプラズマ科学、機能性
半導体、ナノ材料、表面機能化のそれぞれの分野における優秀発表賞、優秀ポスター賞を選定し、表彰式が行われた。受賞者は以下の通りである。

44

Best Presentation Award (Oral)
Plasma Science :Yasunori Tanaka, Kanazawa University, Japan
Chemical Non-Equilibrium Modelling of Induction
Thermal Plasmas with CH4/H2 Gas Injection for Carbon
Film Deposition
Functional Semiconductors
Shunta Harada, Nagoya University, Japan"Correlation Between Grown Polytypes and Activity
Ratio

DuringSolution

Growth

of

SiC

with

Multi-Component Solvent"Nanomaterials and Nano/Micro Fabrication
Nobuyuki Matsuki, Gifu University, Japan"Characterization of Nanometer-Size Void Structure ina-Si:H/c-Si Heterojunctions Based on a Correlation
Between Optical and Positron Annihilation Parameters"
Suraface Functionalization
Nasruddin, Kanazawa University, Japan"Controlling the Effect of Cold Plasma Treatment on
Mouse Skin Wound by Modifying Its Surface Using
Water"
Best Poster Presentation Award (Poster)
Plasma Science
Mardiansyah Mardis, Nagoya University, Japan"Synthesis

of Composite Nanoparticles by Laser

Ablation in Liquid CO2"
Functional Semiconductors
Atsushi Saito, ULVAC,INC., Japan"Radical Assisted Sputtering for GaN Seed Crystal of Na
Flux LPE"
Nanomaterials and Nano/Micro Fabrication
Shu Saeki, TOYOTA Central Research and Development
Laboratorys, Inc., Japan"Photocatalytic Activity and Improved Stability of
Nitrogen Doped Titanium Oxide Loaded with Cu or Fe"
Suraface Functionalization
Md. Suruz Mian, Tokai University, Japan"DependenceofOut-of-plane

Insulator-metal

Transition Characteristics of VO2 Films on Bottom
Electrode in Layered Structure Device"

次回の ISPLasma2016/IC-PLATNS2016 は、名古屋大学にて、2016 年 3 月 6 日(日)～10 日(木)に開催の予定である。

国内会議報告2015 年 第 62 回応用物理学会春季学術講演会
第 14 回分科内招待講演報告(株)日立製作所 前田 賢治
2015 年 3 月 11 日から 14 日まで東海大学湘南

き、気体に加えて液体や固体が介在するプラズマ

キャンパスで開催された第 62 回応用物理学会春技術が利用できるようになるとの事です。内径季学術講演会の第 2 日目に、プラズマエレクトロ

190μm の金属チューブ陽極とメッシュ状陰極間ニクス分科会企画の招待講演が行われました。分

の微細ガス流を用いたマイクロ放電が、
負グロー、

科内招待講演ではこれまでに数多くの著名な先生

ファラデー暗部、陽光柱といった低圧 DC グロー

方からお話をいただいてきましたが、第 14 回目放電に対応した構造を有することや、液体電極とにあたる今回は、東京工業大学の石井彰三先生をプラズマの「界面」に生じる発光の自己組織化パ

お招きし、「プラズマを学び科学・技術の最先端にターンが放電電流によって様々に変化するという挑戦する」というタイトルでご講演頂きました。

興味深い結果をご説明頂きました。これらマイク

プラズマを学ぶことは、原子・分子レベルの視ロプラズマの一連の成果が、ここ数年の大気圧プ点から、材料・物質、エレクトロニクス、機械、ラズマの生体・医療応用の急速な発展の礎となっエネルギー等の知見を総合的に得ることにほかなていることは明らかであります。講演の結びには、らず、また近年では生体や医療にまでプラズマ応

現役研究者へのエールとして、「人間としての哲学

用の裾野が広がりつつあることをまず冒頭で述べを持ちながら、プラズマの視点から挑戦する」とられました。次に「非線形」
「非定常」
「界面」
「微

いう前向きなメッセージを頂戴いたしました。

細化」のキーワードに基づき、ご自身の研究業績

最後に、ご講演いただきました石井先生及び、をご紹介頂きました。約 40 年前の学位取得時に本招待講演にお集まり頂きました方々に、深く感研究なさったθピンチプラズマや、Z ピンチプラ

謝の意を表します。

ズマに関して、当時、25000V でチャージしたコ
ンデンサを用いて 20cm、1Turn のコイルにパルス大電流を流すことでプラズマ生成を行い、手作りの高速度カメラを用いて過渡現象を観測なさったとの事です。
当時の計測機器の性能を考えると、高速な非定常状態の計測自体も、非常に先鋭的な研究であったと推察されます。
その後、先生は新たにマイクロプラズマの研究を立ち上げられました。プラズマの空間的尺度を3 桁ほど「微細化」する事で質的変化が生じる、

石井先生のご講演風景

即ち、大気圧中で安定に DC グロー放電が生成で45

国内会議報告2015 年第 62 回応用物理学会春季学術講演会「微粒子合成法とその応用最前線」報告
名城大学

伊藤昌文

春季学術講演会の 2 日目の 3 月 12 日（木）にティングの並列プロセスの可能性が示された。

分科会企画のシンポジウムが開催された。微粒子

一方、東京大学の佃達哉先生からはチラオート

は質量当たりの表面積の比が大きいことや量子効

やフォスフィンなどの配位子で保護された金クラ果などから次世代で重要となる燃料電池，二次電スターの科学的な合成法について紹介され、正二池，太陽電池などの電池材料やバイオ試料の蛍光十面体構造の Au１２を基本構造として含む金クラ

修飾用の蛍光材料を始め多くの分野での応用で重スターは配位子への電子移動によって形式的に 8要となってきた。この微粒子合成法としては化学個の価電子をもった電子的にも閉殻構造の安定な的な合成法，プラズマを用いた合成法など多種多超原子 Au13５＋（８e）と見なせ、これを基本単位

様な合成法がある。本シンポジウムでは，これらとして新しい階層性の分子群（超原子分子）が構の合成法のメリットデメリットを明らかとし，相築できることなどを紹介していただいた。

互の知見を利用することで現状の課題の解決法や静岡大学の永津雅章先生からは低圧プラズマに

今後の可能性について、普段プラズマとは無縁のより磁性微粒子をカーボンで表面コーティングす

微粒子合成を行っている先生方も講師として招きることで酸化を防止し、そこへさらにアミノ基な講演をしていただいた。

どを修飾することでウィルスを高感度で検出した

最初に九州大学の渡辺隆行先生から熱プラズマ

り、セシウムイオンなどを除去したりするためのによるナノ粒子合成はまだ要求される粒径や物性応用に使えるという結果が紹介された。

をもつ微粒子を正確かつ大量に生産するまでには次に、北陸先端大の前之園信也先生からはコロ至っていない現状やその課題を解決するために開イド化学的手法によりナノ微粒子を合成する様々

発されてきた熱プラズマの発生システムやプロセな手法を歴史的な展開も含めて詳しく紹介された。

スの数値解析的なアプローチについて紹介してい最近ではこれらの化学的な合成法で粒径のそろっただいた。

たヘテロ構造のナノ微粒子を大量合成できる手法

日清製粉グループ本社の中村圭太郎先生からはも紹介された。これの手法はプラズマ表面修飾の

その熱プラズマにより合成したナノ微粒子を光触種微粒子として使うなどの面白い新たな応用の可媒や導電性ぺ―ストなどに応用した例について紹能性を感じることができた。

介していただいた。

東京大学の寺島和夫先生からは超臨界プラズマ

さらに、九州大学の白谷正治先生からは非平衡

でないと合成できない高次ダイヤモンドイドといプラズマによる微粒子の合成・凝集・輸送制御にうダイヤモンド分子の合成法の話が紹介され。第

関する話を紹介していただき、プラズマによるナ

4 のカーボンマテリアルとしての期待を感じた。

ノ粒子の 3 次元的な輸送を用いて３D ナノプリン

北海道大学の米澤徹先生からはマイクロ波を用46

いた液中プラズマで水の還元作用で白金ナノ粒子

から聴講者に大変わかりやすい形でまとめていたを効率よく合成したり、逆に Zn や W などは金属だいた。
聴講者数は 100 名を超え、それぞれの話題に対酸化物ナノ粒子として容易に合成されたりすることなどが紹介された。

して活発に質疑がなされた。またプラズマとは異物財機構の目 義雄先生からはセラミック微粒なる分野の講演者を招くことにより、普段は分野

子と多層カーボンナノチューブやグラフェンとのが異なり、なかなか情報が入ってこない化学的な緻密なナノコンポジット材料や MAX 相と呼ばれ微粒子の合成法の話を聞くことができ、プラズマ

る炭窒化物粒子溶液を強磁場中でコロイド成形し、 による微粒子合成のメリットとデメリットや化学
焼結することで強度・靭性に酢連れた材料を合成的合成法との融合によるさらなる可能性を再認識した例などが紹介された。

できる大変有意義なシンポジウムとすることがで

この他、高知工科大学の八田章光先生のグルーきた。

プからは間欠スパッタによる Fe 微粒子の形成、最後に、今回のシンポジウムの講師、参加して首都大学東京の白井先生からは液体電極を用いた活発な議論をしていただいた方々、シンポジウム

大気圧プラズマに磁性ナノ微粒子生成に関する一のアレンジに多大なご協力いただいたプラズマエ

般の発表があった。

レクトロニクス分科会幹事の皆様に感謝の意を表最後に、東北大学の金子俊郎先生から、これらする。

シンポジウムで発表された合成法を多角的な観点

47

国内会議報告2015 年春季 第 62 回応用物理学会学術講演会
チュートリアル講演報告
首都大学東京白井

直機

応用物理学会では「チュートリアル講演」として最新のトピックに繋がる基礎的な内容の講義を実施している。2015 年応用物理学会春季学術講演
会では 3 月 11 日(水)9:00～12:10 に、東京工業大学の赤塚洋先生、産業総合技術研究所の布村正太
先生をお迎えして、[発光分光計測法によるプロセ
スプラズマの実践的計測の基礎と応用]というト

写真 1. 会場の様子

ピックで開催された。分光計測はプラズマへの擾
乱なく計測できる点、測定自体は比較的容易で強グとして大変役立つと思われ著者も期待している。

力な測定ツールである一方で、それらのデータを後半の布村先生の発表では、実際の現場でのプ正しく解釈することは難しく、プロセスプラズマ

ロセスプラズマにおける計測例が示された。冒頭から大気圧プラズマの研究まで含めて、大学・産では、実際に小型分光器を用いてネオン管や蛍光業界で誰もが聞いてみたかったトピックの１つで灯の分光計測の実演をされ、聴講者の理解も膨らあったと思われる。今回ご講演くださった赤塚先

むものであった。実際の計測結果をあげながらの生、布村先生はプラズマの分光計測においてはプ

説明は大変有意義であった。最後のまとめとして、

ロフェッショナルの先生であり著者自身も勉強に「発光分光は、勘弁・安価でプロセスのモニタリなる貴重な講演であった。

ングツールとして非常に有効であるが、発光分光

前半の赤塚先生の講演では分光と他の計測法の計測のみから、プロセス状態の多くを把握するこ

比較、分光の原理、分光器の校正、素過程、電子とは困難であり、他の手法との併用で、モニタリ

温度・密度診断、実際のプラズマ計測と基礎的なングの高度化が可能となる」という言葉は、分光ところから実践的なところまで、式を用いて丁寧計測の有効性と、それだけでは万能ではないといに説明してくださり大変勉強になった。
質疑では、うことを理解しながら利用していく必要があると当日先生が追加されたスライドでスペクトルの強いうことを改めて認識させられた。

度比から、電子密度電子温度の変化を示した図が聴講者の反応は大変好評であり学生さんたちもあったが、そういったデータをもっと提供してほ「大変勉強になった」「こういった理論の話を今後しいとった要望・議論があった。その中でドイツもチュートリアルで聞いてみたい」という感想をの Czarnetzki 先生のグループが最近そういった直接聞いており今後もチュートリアルでこういっデータで論文があったということを仰っており著た講演が聞けることを著者も楽しみにしている。

者も早速調べてみたところたしかにあり参考にな

参加者数 49 名（学生 21 名、一般 23 名、非会員 5 名）った[1]。ユーザーがすぐに計測できるデータは発参考文献

光スペクトルの強度比くらいであり、そういった[1] S. Siepa et al. J. Phys D 47 (2014) 445201

データが今後公開されてくると現象のモニタリン
48

国内会議報告

プラズマ制御科学研究センター2014 年度 第 2 回研究会
“自己組織化・微粒子プラズマと複雑システム“
京都工芸繊維大学

林 康明「プラズマ制御科学研究センター」は、京都工2014 年度第 2 回研究会は、3 月 27-28 日に

芸繊維大学のプロジェクトセンターとして 2013（http://fpp.es.kit.ac.jp/projectworkshop2014-2.

年度より発足しました。センター長（林）の他、

pdf）、「自己組織化・微粒子プラズマと複雑システ

学内外からの１２名のプロジェクト研究員と２５ム」のテーマで実施しました。プログラムは下の名の研究協力者より構成されています。大学構内

とおりです。研究会は公開としています。
２７日（金）午後
1：00～1：10 はじめに 林康明（京工繊大）
1：10～2：10「ｿﾌﾄﾏﾀｰ系における自己組織化現象のｺﾝﾋﾟｭｰﾀ･ｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ」藤原進（京工繊大）
2：30～3：50「自己組織化の数理を俯瞰する」
羽鳥尹承（核融合研 名誉教授）
4：00～5：00「長距離相関に支配される点渦系の緩和と自己組織化の運動論的理解」
八柳祐一（静大）5：20～6：20「大気中の放電による大気ｲｵﾝ生成および大気ｴｱﾛｿﾞﾙのｲｵﾝ化機構の解明」伊藤智子
（大阪大）
6：30～
懇談会
２８日（土）午前
9：30～10：00 「高周波放電ﾌﾟﾗｽﾞﾏ中に浮遊する
異径微粒子集団の運動観察」三重野哲（静大）10：00～10：30 「ﾌﾟﾗｽﾞﾏ中の微粒子流における渦形成の実験」齋藤和史（宇都宮大）
10：30～11：00 「微粒子ﾌﾟﾗｽﾞﾏにおけるﾎﾞｲﾄﾞの形成とﾌﾟﾗｽﾞﾏ計測」高橋和生（京工繊大）
11：15～12：00
総合討論の総合研究棟内に拠点となる一室を借り受け、共同研究や研究交流を進めています。また、年 2 回の定期的な研究会や臨時セミナーを開催し、講演依頼や研究発表を行って、最前線の研究や基礎となる物理に関する討論・情報交換・調査を行うための場としています。
本センターの目的は、「計測技術を駆使してプラズマの特性を解析し固有の制御方法に関する理念を確立すると共に、材料・デバイス開発やエネル
ギー応用への展開を目指して新しい制御技術や材料作製技術を創出すること、およびプラズマ制御
科学・技術を基盤とした国内および国際的共同研究を推進すること」としています。特に、微粒子
プラズマ、非中性プラズマや逆磁場ピンチプラズ
マなど自己組織化現象を顕著に発現するプラズマを中心として、広く、相転移・臨界現象、非線形
現象、複雑システムについての探究を行っています。研究会やセミナーでは、納得いくまで深く討論が行えるよう、質疑応答に十分な時間を設けています。さらに、研究員・研究協力者・
招待講演者間の親睦と共に、情報交換や議論を講演（左）および 懇談会（右）の様子行う場として一日目の夕方に懇談会を行っていま
す。

49

行事案内

第９回インキュベーションホール
大阪大学 節原裕一
プラズマエレクトロニクス研究を始めたばかり【参加費】（PE:プラエレ分科会）の初学者（学生・若手研究者・社会人技術者）を

一般 40,000 円

学生 14,000 円（応物 PE 会員）

対象として，一流の講師陣を招きプラズマエレク

一般 43,000 円 学生 17,000 円（応物会員）

トロニクスへの理解を深めて頂くための講習会・

一般 48,000 円 学生 22,000 円（協賛団体員）

インキュベーションホールを開催いたしますので一般 53,000 円 学生 27,000 円（その他）

皆様にご案内申し挙げます．

※応用物理学会賛助会社および PE 分科会賛助会

プラズマ生成・制御，プラズマ診断計測，プラ社所属の方はそれぞれの個人会員扱いとさせて頂ズマ CVD，プラズマエッチングなどの，幅広い分

きます．**遠方からの会員学生(含大学院生)に対野に関する専門講座を開講します．講述内容は，して交通費の一部を補助する予定です．***本分科

初学者が基礎学理をしっかりと理解したうえで，会会員（年会費 3,000 円）に同時入会頂くと，今当該分野における最新科学の話題にも触れられる

回から会員価格で参加出来ます．会員には，年２ように構成されており，海外経験，企業経験，産回の会報（非売品），過去２６回の研究会プロシー

学連携経験などの豊富な講師陣からは，留学・在ディングス Web 閲覧，各種スクールへの会員料金

外研究経験，企業で必要とされる資質，産学連携での参加などのメリットがあります．入会手続きのエピソードなどを適時交えた講義を頂き，受講は https://www.jsap.or.jp/より行って下さい．

生のプラズマプロセス研究への興味を喚起します． 【協賛団体（予定）】日本物理学会，電気学会，プ
また，新しい研究分野を切り拓かれてきた講師

ラズマ・核融合学会，日本化学会，電子情報通信を招き，当該分野の最新動向や指導者に必要とさ学会，高分子学会，日本セラミックス協会，放電れる資質について学ぶ機会を提供する特別講座を学会，日本真空学会，日本学術振興会プラズマ材

行いますので，学生の皆様を初め若手研究者およ

料科学第 153 委員会，静電気学会，日本金属学会，

び技術者の皆様お誘い合わせのうえ，奮ってご参

表面技術協会，日本鉄鋼協会，日本オゾン協会，

加申込をいただけますよう，
お待ちしております．

電気化学会，日本表面科学会，原子衝突学会【講義内容（暫定）】記・藤山寛先生（長崎大）特別講座『役に立つプラ【会期】2015 年(平成 27 年)9 月 1 日～9 月 3 日

ズマ技術をめざして～これまでとこれから～』・酒井道先生（滋賀県立大）プラズマ生成【会場】国立中央青少年交流の家

・中村圭二先生（中部大）プラズマ診断・計測〒412-0006 静岡県御殿場市中畑 2092-5

・布村正太先生（産総研）プラズマ CVD/PVD【交通】JR 御殿場駅より富士急行「青少年交流

・関根誠先生（名古屋大）プラズマエッチングの家」行き路線バス（富士山口 1 番のりばより）

・山本直嗣先生（九州大）プラズマの宇宙応用（約 20 分）「青少年交流の家」下車

・小川大輔先生（中部大学）理科系のための英語講座
50

【ポスターセッション】

れた参加費は，原則として返却いたしません．

参加者間の交流が深まるよう，ポスターセッショ【定員】 60 名ンを中心とする談話会を行います．なお，優秀な【申込締切】 7 月 30 日（木），振込 8 月 7 日（金）ポスター発表者には表彰を行います．発表内容は

迄

参加者自身のバックグランドに関連したもの，例【参加申し込み】下記の会合 URL に参加フォー

えば，

ムを設置しておりますので，ご覧ください．

学生の場合：現在の研究テーマにまつわるもの， 【振込先】 三井住友銀行 本店営業部(本店でも学部での卒業研究など（４年生の場合これから行可) 口座(普通)3339808 (公社)応用物理学会プラう研究など）

ズマエレクトロニクス分科会【問合せ】松井信 (Makoto Matsui)

社会人の場合：仕事まつわるもの，企業・自社製品の PR，入社前の大学での研究など〒432-8561 静岡県浜松市中区城北３－５－１であれば，内容・分量は一切問いません．幅 0.9m×静岡大学工学部 総合研究棟 R503

高さ１m 程度のボードが用意されますので，あらTEL：053-478-1064
e-mail: matsui.makoto@shizuoka.ac.jp

かじめポスターのご準備をお願いします．本ポス
ターセッションは全員の方の発表を原則とします【担当幹事】

が，発表に支障がある場合は事前参加申申込書に

校長： 節原 裕一（大阪大学）

その旨をご記入下さい．

幹事： 赤松 浩（神戸市立高専）【その他】懇親会，レクレーションを予定してい石島 達夫（金沢大学）

ます．本企画 HP に当日の詳細スケジュールを記

板垣 奈穂（九州大学）

載しておりますので参考にして下さい．

井上 泰志（千葉工業大学）【参加申込】

大島 多美子（佐世保高専）

本企画ホームページからお申し込みください．ポ

小川 大輔（中部大学）

スター内容を示すキーワードを３つ程度記入いた

上坂 裕之（名古屋大学）

だきます．参加登録の確認を通知しますので，参松井 信 （静岡大学）

加費を銀行振込願います．なお，参加費の振込で【参考】は必ず個人名と「PEIH」という 4 文字のアルフ

http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/PE_S
S_2015/

ァベットを記載してください（例：木村太郎さんの場合“キムラタロウ PEIH”など）．一旦振り込ま51

行事案内
2015 年第 76 回応用物理学会秋季学術講演会

プラズマエレクトロニクス分科会企画
首都大学東京 はじめに

杤久保文嘉

 分科会企画シンポジウム

2015 年 9 月 13〜16 日に名古屋国際会議場にて

学会 2 日目の 14 日（月）に，分科会企画シン第 76 回応用物理学会秋季学術講演会が開催されポジウム「プラズマ医療科学の最前線」を開催います。本稿では，関係するプラズマエレクトロニ

たします。今回は，新学術領域研究「プラズマ医クス分科会企画の概要とスケジュールを紹介いた

療科学の創成」（領域代表：堀 勝 先生（名大））します。なお，不確定な部分も含まれるため，詳で蓄積された知見を中心として様々な観点から講細については応用物理学会の HP 等で確認をお願

演いただきます。また，一般講演から 2 件が下記

いいたします。

のプログラムに加わる予定です。最終確定版のプ
ログラムは，後日に Web でご確認ください。
日程：9 月 14 日（月） 海外招待講演／English Session

以下の２件の海外招待講演を予定しております。 会場：未定
日程：9 月 13 日（日）を予定

プログラム（タイトルは仮題，敬称略）：□ Prof. Yi-Kang Pu （Tsinghua University, China）

1.「プラズマ医療科学の現状と課題」“Evolution of electron parameters in the afterglow of

堀 勝（名大）2.「プラズマ医療装置に求められている要素と世

low pressure capacitive discharges”□ Dr. Peter L. G. Ventzek (Tokyo Electron America,

界動向」

節原裕一
（阪大）

3.「プラズマと放射線との物理化学的作用の相Inc.)（講演題目は現時点で照会中）違」

近藤 隆（富山大）

4.「プラズマと生体との分子生物学的相互作用」
前回の講演会より，「8.0 Plasma Electronics

水野 彰（豊橋技科大）English Session」として English Session の講演

5.「プラズマによる癌治療」

募集が行われております。今回も同様に，プラズ

6.「プラズマによる生体活性化」

マエレクトロニクス全体での English Session を

吉川史隆（名大）平田孝道（東京都市大）構成し，その中に上述の海外招待講演 2 件を含め7.「プラズマ遺伝子導入」

る形で計画しております。今回は 10 月の ICRP/

8.「プラズマ止血とそのメカニズム」

金子俊郎（東北大）

GEC@Hawaii の前哨戦でもありますので，学生

池原譲
（産総研）

さんを含め，ハワイで発表予定の皆様にも広く

9.「酸化ストレスとプラズマ医療科学への期待」

English Session を利用いただければと考えてお

豊國伸哉（名大）ります。
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 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演／

イクロ波プラズマでの高調波生成の効率化(Ⅱ)

講演奨励賞授業記念講演
第 13 回プラズマエレクトロニクス賞受賞者に

 分科内招待講演

よる受賞記念講演が行われます。また，2015 年春

第 15 回目となる分科内招待講演では，豊橋技季の講演奨励賞は，
岩井亮憲氏（京都大学大学院）

術科学大学の水野彰先生，ソニーの辰巳哲也様よが受賞されました。この場を借りてお祝いを申しり講演いただきます。是非，会場まで足をお運び上げます。プログラムを確認の上で，受賞記念講頂きますよう，お願い申し上げます。

演会場まで足をお運びください。

日程：9 月 14 日（月）
（予定）
会場：未定

プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演
日程：9 月 14 日（月）（予定）水野 彰 先生（豊橋技術科学大学）

会場：未定

講演題目：
「低温プラズマを用いる PM2.5・ガス
状汚染物質対策」

受賞者（敬称略）：本間啓一郎（東京大学），神原淳（東京大学），吉田豊信（東京大学）

辰巳 哲也 様（ソニー）

選 考 の 対 象 と な っ た 業 績 ： High throughput

講演題目：「プラズマプロセスの定量的な理解と制

production of nanocomposite SiOx powders by plasma

御に向けて」

spray physical vapor deposition for negative electrode おわりにof lithium ion batteries, Sci. Technol. Adv. Mater. 15,

本案内を執筆している時点では，プログラムの025006 (2014).

詳細は未定ですが，English Session と海外招待受賞者（敬称略）：久保井信行（ソニー(株)），辰講演は初日の 9 月 13 日に，シンポジウムを始め

巳哲也（ソニー(株)），深沢正永（ソニー(株)），木とする他の分科会企画は 2 日目の 9 月 14 日に実下隆（ソニー(株)），小町潤（ソニー(株)），安斎久

施される予定です。最終プログラムを確認の上で浩（ソニー(株)），三輪浩之（ソニー(株)）会場までお越しください。

選考の対象となった業績：Effect of open area ratio

9 月 14 日の昼には，PE 分科会のインフォーマand pattern structure on fluctuations in critical

ルミーティングが，同日夕刻には，恒例の PE 分

dimension and Si recess, J. Vac. Sci. Technol. A, 31,

科会懇親会が企画されます。詳細は担当幹事から061304 (2013).

改めて案内されますので，是非，スケジュールに加えておいて下さい。

講演奨励賞受賞記念講演

その他，不明な点がございましたら，お気軽に

日程・会場：未定

お問合せください。

受賞者：岩井亮憲（京都大学大学院）
選考対象の発表：メタマテリアル効果を用いたマ

連絡先：杤久保（首都大学東京）：tochi@tmu.ac.jp

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行事案内

第 10 回アジアヨーロッパプラズマ表面工学国際会議
The 10th Asian-European International Conference on
Plasma Surface Engineering (AEPSE 2015)
大阪大学接合科学研究所
こ の 国 際 会 議 は 、 ド イ ツ の節原 裕一の当該国際会議を引き継いだトピックスに加えて、

Garmisch-Partenkirchen で隔年開催されている

第 10 回の記念すべき国際会議として新たに企画

プ ラ ズ マ 表 面 工 学 国 際 会 議 （ Plasma Surface

さ れ た Tutorial Session な ら び に TopicalEngineering : PSE）の中間年に、アジアで開催

Workshop、さらには表彰制度（K-T Rie Award、されており、1997 年にソウルで開催された初回かYoung Scientist Award、Student Award）の新設

ら、本邦での 2001 年に名古屋で開催された第 3をはじめ盛り沢山であり、当分科会からも多数の

回 AEPSE（AEPSE 2001：委員長 高井 治 先

御参加をお待ち申し上げ、
本案内を差し上げます。

生；The 6th Asian Surface Finishing Forum 6th

特に、Tutorial Session では、基礎講座に加えとの共同開催）、2007 年に長崎で開催された第 6て、"HiPIMS"さらには、"Plasma Rejuvenation

回 AEPSE（AEPSE 2007：委員長 藤山 寛 先

and Dermatology"をとりあげ、Topical Workshop

生）を経て、今回で第 10 回を迎えます。

では、"Green Technology"、 " Life Science and今回で第 10 回目の記念を迎える標記国際会議

Bio-Technology"、"Energy and Environment"、

は、2015 年 9 月 20 日〜24 日の 5 日間にわたっそして"Mobility"をテーマに、世界的に著名な研て、韓国・済州島の Ramada Plaza Jeju Hotel で究者を招聘し、将来に向けた議論を深めます。

開催されます。
会議名：The 10th Asian-European International
Conference on Plasma Surface Engineering(AEPSE 2015)
会期：2015 年 9 月 20 日〜24 日
会場： Ramada Plaza Jeju Hotel（韓国・済州島）
詳細は本会議の web サイトをご参照下さい。
http://www.aepse2015.org/index.php

当該国際会議は、Asian Joint Committee forAppliedPlasmaScienceandEngineering(AJC-APSE) が 主 催 し 、 European
Joint Committee on Plasma and Ion Surface
Engineering (EJC / PISE) な ら び に Korea
Vacuum Society (KVS)の共催で、名古屋大学の堀Important Dates
Abstract Submission Deadline: May 15, 2015
Notification of Abstract Acceptance: Jun 15,
2015
Early Bird Registration Deadline: Jul 31, 2015
Deadline for exhibition application: Aug 07,
2015
Manuscript Submission Deadline: Oct 30, 2015

勝先生が Conference Chairman を務められ、International Program Committee 委員長として九州大学の白谷正治先生、Advisory Board 委員として藤山 寛先生、General Managing Secretaryとして東京工業大学の野崎智洋先生、Executive
Co-Chairman として下名が関わっています。
当該会議の開催要領は以下の通りであり、従来

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行事案内

第９回反応性プラズマ国際会議/第６８回気体電子会議合同会議/
第 33 回プラズマプロセシング研究会
9th International Conference on Reactive Plasmas(ICRP-9)/
68th Gaseous Electronics Conference(68th GEC)/
33rd Symposium on Plasma Processing(SPP-33)
2015 年 10 月 12 日～16 日開催
名古屋大学

ICRP-9 組織委員長

豊田 浩孝

HP: http://jp.hawaiiconvention.com/

プラズマエレクトロニクス分科会では分科会国際【会議トピックス】

会議として反応性プラズマ国際会議(International
Conference on Reactive Plasmas: ICRP)を開催して(i) 反応性プラズマの発生・制御, (ii) 反応性プラズマ

おり、これまでに第１回から第８回まで日本をはの診断・計測, (iii) 反応性プラズマ内の輸送現象と原じめアメリカ、フランスにて開催してきました。

子分子素過程, (iv) モデリングとシミュレーション,

前号の分科会報でご案内しましたとおり次回の(v) パーティクル・ダストの発生と挙動, (vi) プラズ

ICRP-9 は GEC と合同にて本年１０月１２日～１

マ-固体相互作用と表面改質等への応用, (vii)エッチ

６日の日程でハワイオアフ島の Hawaii Convention

ング, (viii) デポジション, (ix) マイクロ，大気圧プラCenter にて開催されます。

ズマの応用, (x) ナノテクノロジー,バイオテクノロ
ジーへの応用, (xi) プラズマの医療応用, (xii)反応性

本会議は ICRP からは京都大学斧高一先生の基

プラズマの新展開

調講演、GEC からは GEC Foundation Talk として J.
Gay Timothy 先生による講演が行われますととも

【参加費】

に、
プラズマの基礎から応用まで世界から 50 名を【会議論文集等】発表論文の一部をJapanese Journal of

超える招待講演を予定しております。また、プラ

Applied Physics Special Issueとして刊行予定です。

ズマ医療に関するワークショップも開催されます。

Conference Fee:

今回の会議はアメリカ本土と日本の間に位置す

USD

るハワイにおける会議開催であり、アメリカをはじめ世界各国からプラズマ科学とその応用に携わる研究者が一堂に会するスすばらしい会議になると存じます。また今回は大変魅力的な開催場所と思います。ぜひとも多くの方にご参加をいただきますようお願い申し上げます。

Regular

On & before
August 31,
2015
550

On & after
August 31,
2015
700

Students / Retirees

275

350

One-Day

350

400

Accompanying Person

160

200

【ICRP-9組織委員長】豊田 浩孝 (名古屋大学)【問合せ先】 ICRP-9 事務局 中村圭二(中部大学)
E-mail: icrp9_office@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp【主催】：応用物理学会/アメリカ物理学会

会議 HP：【会期】：2015 年 10 月 12 日~16 日【会場】：Hawaii Convention Center
1801 Kalakaua Avenue, Honolulu,

http://www.plasma.engg.nagoya-u.ac.jp/icrp-9/

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37th International Symposium on Dry Process(DPS 2015)
第 37 回ドライプロセス国際シンポジウム
大阪大学

浜口智志

第 37 回ドライプロセス国際シンポジウム（以体的な運営の責任をもつ。会議のプログラム作成

下、「DPS2015」と略記）が、2015 年 11 月 5 日

は、プログラム委員会、予稿や論文の出版は出版（木）・6 日（金）の両日、兵庫県淡路島の淡路夢委員会が担当して、それぞれ、多くの関係者の協舞台国際会議場で開催される（下記）。今年で 37

力の下で本会議は運営されている。今回は、筆者回を迎える DPS は、プラズマエッチングやプラが実行委員長を担当している。

ズマＣＶＤ等、半導体の微細化プロセス技術の分

尚、会場となる淡路夢舞台国際会議場は、複合野において、世界をリードする国際会議であり、文化リゾート施設「淡路夢舞台」にある国際会議

年に 1 回、主として、国内で開催されている。例場で、同施設内にあるウエスティン淡路ホテルと年、国内外の大学や企業から、200 名程度の参加

隣接している。
「淡路夢舞台」は、敷地面積約 28 ha

者を迎えて、当該分野における最先端の研究成果の広大な庭園型のリゾート施設で、設計は、著名が発表される。近年は、半導体製造プロセス以外

な建築家安藤忠雄氏による。施設内には、「百段苑」のプロセス技術も含む、幅広いドライプロセス技とよばれる巨大な斜面の庭園や、国内第 2 の規模術に関する研究発表も、DPS の対象としている。

を誇る大きな温室植物園等、多くの娯楽設備を備

今年の DPS（DPS2015）では、上述の研究分えている。2000 年のジャパンフローラ 2000（淡野に加え、特に、近年、半導体プロセスで注目を路花博）の開催にあわせて開業されたが、もとも集めている原子層エッチング（ALE）や原子層堆と、この土地は、湾の対岸にある関西国際空港の積（ALD）、および、深堀エッチングの技術を対人工島を作るための土砂を削り出した後の荒れ地象として、“Atomic Layer Reactions” と “Highであった。淡路花博の会場となったこともあり、

Aspect Ratio Etching”という題目の特別セッシ

季節ごとに、素晴らしい花や草木を楽しむことがョン（Arranged Sessions）を計画している。

できるリゾートである。山陽新幹線からのアクセ

予定されている招待講演者は、S. Engelmann

スも良い。

(IBM), E. Kessels (Eindhoven U.), C. Lee (LamRes.), 上 田 博 一 （ 東 京 エ レ ク ト ロ ン ） ,会議の学術的な素晴らしさはもとより、
併せて、

P.

美しい淡路島を楽しむためにも、是非、多くの方々に DPS2015 にご参加頂けることを祈念している。

Ventzek (Tokyo Electron America), Y. Zhang（Applied Materials）の各氏（敬称略）である。
DPS では、例年、企業の研究者による招待講演が多い。
また、DPS の運営は、組織委員会が、会議の企画を中心となって行い、実行委員会が、会議の具
56

記
会議名：第 37 回ドライプロセスシンポジウム
日時：2015 年 10 月 5 日（木）・6 日（金）場所：淡路夢舞台国際会議場（兵庫県淡路市）
主催：公益社団法人応用物理学会
詳細情報：http://www.dry-process.org/2015/

行事案内

American Vacuum Society (AVS)
62 International Symposium & Exhibition
米国真空学会第 62 回国際シンポジウム＆展示会
nd

大阪大学

浜口智志

AVS（米国真空学会）第 62 回国際シンポジウ

者の長い名前の Focus Topic は、昨年から始まっ

ム＆展示会（以下、「AVS シンポジウム」と略記）たもので、プラズマによる医療材料プロセスを対が、2015 年 10 月 18 日（日）から 10 月 23 日（金）象 に した もの であ り 、 PSTD ば かり で なく 、までの６日間、米国カリフォルニア州サンノゼのBiointerfaces や Applied Surface Science 等のSan Jose Convention Centerにて開催される

他の分科会との関連も深い。今年の PSTD で開催（下記）。これは、AVS の主催する会議の中で最するセッションは、伝統的なテーマである大の国際会議で、例年、世界中から、1,400 件以

Advanced

上の発表、200 件以上の展示、3,000 人程度の参BEOL/Interconnect Etching; Plasma Surface

加者が集まる。AVS シンポジウムは、10 の分科

Interactions; Plasma Diagnostics, Sensors and会（Division）、2 つの Technical Group とよばれControl, Plasma Modeling; Plasma Sources のる、分科会に準ずる組織, および、その時々の話

ほか、近年発展著しい Plasma Deposition and

題に合わせて形成される 16 の Focus Topic とよPlasma Assisted ALD; Atomic Layer Etching

ばれる臨時の分科会的なグループが、それぞれ、(ALE) and Low-Damage Processes; Advanced

自ら組んだプログラムからなり、AVS の本部組織

Ionが全体の整合性を取って運営している。

Atmospheric

FEOL/Gate

Implantation

andPressure

Etching;

Advanced

PlasmaPlasma

Doping;Processing;

AVS シンポジウムは、「米国真空学会」の名のPlasma Synthesis of Novel Materials; Plasma

通り、古くは、真空の科学に関する学術会議としProcessing for 2D Materials; Plasmas forて発展してきた。しかし、近年は、「真空」を扱わ

Medicine and Biological Applications; Plasmas

ない分野も含め、物質表面の科学などを中心としin Green Technology をテーマとする。PSTD お

た、ナノテクノロジー等の多彩な科学技術の国際

よび SM の組織委員の一人として、本年も、多数会議となっている。

の参加者のあることを心より願っている。

さて、本誌「応用物理学会プラズマエレクトロ記
会議名： AVS 62st International Symposium &Exhibition
日時：2015 年 10 月 18 日（日）から 23 日（金）場所：San Jose, California, USA
主催：American Vacuum Society (AVS)
詳細情報：http://www.avs.org/Symposium

ニクス（PE）分科会」と、研究分野の重なる AVSの Division および Focus Topic として、Plasma
Science and Technology Division (PSTD) とSurface Modification of Materials by Plasma for
Medical Purposes Focus Topic (SM) がある。後
57

行事案内

第 26 回プラズマエレクトロニクス講習会～プラズマプロセスの基礎と先端分野への応用～
主催： 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会■ 第２部：プラズマ技術の最前線 13:10～17:20 ■2. 『半導体エッチング技術』（株）ソニー 辰巳 哲也 先生
3. 『プラズマ CVD 技術と ALD 応用』
東京大学 霜垣 幸浩 先生
4. 『医療・バイオ応用プラズマ技術』
名古屋大学 石川 健治 先生

協賛：日本物理学会、電気学会、プラズマ・核融合学会、日本化学会、電子情報通信学会、放電学会、日本真空学会、ドライプロセスシンポジウム（一部打診中）

日時： 2015 年 11 月 20 日(金) 9:30～19:00
場所： 東京大学 本郷（浅野）キャンパス 武田先端知ビル

終了後、懇親会（17:30～19:00）を予定しています。
（懇親会費・詳細は後日ご案内いたします）「武田ホール」
東京都文京区弥生 2-11-16
千代田線根津駅 或いは 南北線東大前駅下車

参加費： （テキスト代を含む。かっこ内は学生）
 応物・PE 分科会個人会員
 応物個人会員 ※ 分科会のみの個人会員
 協賛学協会・応物法人賛助会員
 その他

http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_16_j.html

18000 円（4000 円）
21000 円（5000 円）
22000 円（6000 円）
22000 円（6000 円）
25000 円（9000 円）※参加申込時に PE 分科会（年会費 3,000 円）に御入会頂ければ、分科会個人会員扱いとさせて頂きます。

定員： 100 名
お申込み： プラズマエレクトロニクス分科会ホームページ
よりお申し込みの上、下記指定口座へ振込み願います。
（申し込み専用 web ページは 8 月中旬開設予定）----------------------------------------------三井住友銀行 本店営業部 普通預金 ３３３９８０８(公社) 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会-----------------------------------------------

内容／プログラム： プラズマプロセスは、エレクトロニ
クス分野では半導体デバイスの開発・製造を支える基盤技術であると共に、新しい応用として医療やバイオ分野への活用が期待されています。このような背景を踏まえ、本講習会では、産業応用で必要とされる
プロセスプラズマの生成、制御、計測の基礎と、その先端応用技術について各分野にて第一線でご活躍の先生方よりご講義頂きます。今年は、応用技術として半導体デバイス製造におけるエッチング、及び成膜技術と、医療・バイオ応用にフォーカスしました。初学者から先端の研究開発者まで幅広い皆様のご参加をお待ち申し上げます。

※Web 申し込み期限は 11 月上旬の予定です。

お問合せ：
小田 康代 （応物事務局） ・・・ 申し込み手続き関連
TEL 03-5802-0863 FAX 03-5802-6250
e-mail: oda@jsap.or.jp
伊澤 勝 （日立ハイテク、担当幹事代表） ・・・ 開催内容関連
e-mail: masaru.izawa.jj@hitachi-hightech.com
担当幹事
大村 光広 （東芝）、笠嶋 悠司 （産総研）、久保井 信行（ソニー）、小林 浩之 （日立）、竹内 希（東工大）、伝宝 一樹（ＴＥＬ）、中川 雄介（三菱電機）、布村 正太（産総研）■ 第１部：プラズマプロセスの基礎 9:30～11:50 ■1. 『プロセスプラズマの基礎と計測』
中部大学 菅井 秀郎 先生

58

行事案内

IEEE 第 16 回ナノテクノロジー国際会議（2016 年 8 月 22 日（月）から４日間、仙台国際センターにて開催）

IEEE Nano 2016 組織委員長、東北大学
ナノテクノロジーに関する世界最大の国際会議
IEEE
16th
International
Conferenceon
Nanotechnology（組織委員長：寒川誠二）が日本で開催されることとなりました。2016 年 8 月 22
日より 4 日間、仙台国際センターで開催いたしま
す。地下鉄東西線が本年１２月に開通し、仙台駅から５分で行ける好立地ですので、皆様に奮って
ご投稿、ご参加頂けましたら幸いです。

寒川誠二

④開催場所
仙台国際センター(http://www.aobayama.jp/,
2015 年 4 月 1 日より仙台国際センターに「仙台国際センター展示棟」および「せんだい青葉山交流広場」が併設され、新生国際センターが開業いたしました。３月に開催された国連防災会議の面会場となりました。)

本国際会議は、IEEE Nanotechnology Council が直接主催するナノテクノロジーに関する世界最大の国際会議であり、電子材料・フォトニクス・バ
イオ・医療・代替エネルギー・環境・電子デバイ
ス・ロボティクスなどの極めて広範囲なナノテク
ノロジーおよびその関連応用分野にとりくむ学
生・教育者・研究者・科学者・技術者にとって最も重要な会議であります。2001 年にハワイ マウ
イ島で第 1 回会議が開催されて以来、北米・ヨー
ロッパ・アジア太平洋地域で順次毎年開催され、今回の会議で 16 回目となる。日本では、2005 年に名古屋（組織委員長：新井史人）で開催され、今回 11 年ぶりに仙台で開催されることとなりました。

⑤参加予定人数（合計 500 名）（海外）300 名（国内）200 名

会議の概要①会議の名称
2016 IEEE 16th
Nanotechnology⑦採択論文数
プレナリー講演3、 招待講演50、 一般講演300
International

Conference⑥本会議のテーマと構成
本会議の主テーマは杜の都仙台で開催することもあり、「持続可能な社会のためのグリーンナノテ
クノロジー」であります。サステイナブル(sustainable)な社会を構築するための環境に優しいナノテクノロジーについて議論致します。
また、本会を通して、基礎からアプリケーションへの道筋の探索や、世界におけるナノテクノロジー関係者の交流を促進いたします。会議は基調講演、招待講演、一般講演、ポスターセッション、ショー
トコースで構成する予定です。

on⑧アブストラクト投稿締め切り：2016 年 3 月 7 日②主催団体名等
主催：IEEE Nanotechnology Council
共催：東北大学、応用物理学会
協賛：日本機械学会、ナノ学会、IEEE Sendai Section、IEEE Electron Device Society Japan Chapter、科学技術振興機構(JST)③開催期間
2016 年 8 月 22 日（月）～8 月 25 日（木）59

⑨セッション構成
・Nano/bio-medicine
・Nano-bio-systems
・Nanoelectronics: Devices – SET, RTD, QD,
Molecular, Memoristors
・Nanoelectronics: Circuits and Architecture
・Nanoelectronics: Graphene, CNT, and NWs
・Green Nanotechnology-Nano-energy, Environmental
sensor, Nano-materials safety, Piezo electric andB).東京エレクトロン・特別セッション
将来のナノテクノロジーに不可欠な超最先端プロ
セスおよび装置に関して徹底的に議論します。

Thermoelectric devices
・Nanofabrication
・Nanomanipulation
・Nanomaterials: Characterization and Applications
・Nanomaterials: Nanomaterial/nanoparticles synthesis
・Nanophotonics and Plasmonics
・Nanorobotics and Nanoassembly・Nanosensors and Actuators
・NEMS and Micro-to-nano-scale Bridging
・Simulation and Modeling of Nanostructures andNanodevices
・Spintronics
・Nanomaterials and Nanostructures, Nanoassemblies
and Devices
・Nanopackaging
・2D Atomic Crystal Materials
・Applications to Micro/Nano Manipulation
・Nanomanufacturing
・Rising Starts in Nanoelectronics and Microfluidics
・Flexure-Based Micro/nano Manipulators
・Neuromorphic Cognitive System based on
Nanotechnology (Organized by IBM)・Nanomanufacturing Process and System (Organized
by TEL)⑩会議日程表
8 月22 日 準備、ショートコース
8 月23 日～25 日 プレナリー、本会議⑪企業・団体展示
会議開催期間中に、企業や各種団体の展示コーナーを大々的に設け、企業の技術営業活動や団体の活動の広報に役立てて頂こうと思っております。
（1 ブースあたり 10 万円、30 以上の企業および団体より展示を予定しています。）⑫サテライトワークショップ
詳細は未定ですが、本会議前後に、産総研・福島
再生可能エネルギー研究所及び東京エレクトロン
宮城にて、テクニカルツアーとサテライトワーク
ショップの開催を検討しています。また、期間中に東北大学主催のワークショップの企画も行う予定です。それ以外にもサテライトワークショップ
あるいはスクールなど積極的にご提案頂けました
ら幸いです。

＊今回は一般セッションに加えて、グリーンナノ
テクノロジーが目指す二つの特別セッション（アレンジセッション）を設けます。

運営組織・連絡先
組織委員長：東北大学・寒川誠二
実行委員長：東北大学・小野崇人
論文委員長：名古屋大学・新井史人
総務委員長：産総研・遠藤和彦
IEEE NANO 2016 事務局(株)インターグループ仙台支社・手塚靖
E-mail: ieeenano2016@intergroup.co.jp
Web: http://www.ieeenano2016.org/

A).IBM・特別セッション
IBMが目指すヒトの脳の動作原理を模した「ニュー
ロシナプティック・コンピュータ・チップ」を実現するために必要不可欠なナノテクノロジーを徹底的に議論します。

60

平成 27 年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿
氏

名

所 属

豊田浩孝

名古屋大学
工学研究科
電子情報システム専攻

節原裕一

大阪大学
接合科学研究所
加工システム研究部門
エネルギー変換機構学分野

副幹事長

杤久保文嘉

首都大学東京理工学研究科
電気電子工学専攻

副幹事長

伊澤 勝

（株）日立ハイテクノロジーズ
笠戸地区プロセス研究開発部

留任幹事
任期2016 年 3 月

赤松 浩

神戸市立工業高等専門学校
電気工学科

井上 泰志

千葉工業大学
工学部
機械サイエンス学科

大島 多美子佐世保工業高等専門学校
電気電子工学科

大村 光広

東芝 S&S 社半導体研究開発センター
ユニットプロセス技術開発部 ＵＰ２

岡田 健

東北大学
流体科学研究所

久保井 信行

ソニー（株）R&D プラットフォーム
STDD デバイス設計部
シミュレーション設計 2 課

小林 浩之（株）日立製作所中央研究所
ナノプロセス研究部

寺本 慶之(独) 産業技術総合研究所
環境管理技術研究部門
環境負荷制御研究グループ

伝宝 一樹

東京エレクトロン山梨（株）
技術開発センター
プラズマ要素技術グループ

松井 信

静岡大学
大学院工学研究科
機械工学専攻本村 英樹

愛媛大学
大学院理工学研究科
電子情報工学専攻

渡辺 隆行

九州大学
大学院工学研究院
化学工学部門

幹事長

副幹事長

住所・電話
〒464-8603
名古屋市千種区不老町
Tel: 052-789-4698
Fax: 052-789-3150〒567-0047
大阪府茨木市美穂ヶ丘 11 番 1 号
Tel: 06-6879-8641〒192-0397
八王子市南大沢 1-1
Tel: 042-677-2744
Fax: 042-677-2756〒744-0002
山口県下松市大字東豊井 794
Tel: 090-4535-9279〒651-2194
神戸市西区学園東町８－３
Tel: 078-795-3311 内線：235
Fax: 078-795-3235〒275-0016
習志野市津田沼２－１７－１
Tel: 047-478-4308〒857-1193
佐世保市沖新町１－１
Tel: 0956-34-8479〒512-8550
四日市市山之一色町８００（四日市工場）
Tel: 059-390-7327〒980-8577
仙台市青葉区片平 2-1-1
Tel: 022-217-5318〒243-0014
厚木市旭町 4-14-1
Tel: 050-3141-4305〒185-8601
国分寺市東恋ケ窪１－２８０
Tel: 042-323-1111 内線：2403〒305-8569
茨城県つくば市小野川 16-1
Tel: 029-861-3084
Fax: 029-861-8866〒407-0192
山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢 650
Tel: 0551-23-2327
Fax: 0551-23-4462〒432-8561
浜松市中区城北３－５－１
総合研究棟 R503
Tel: 053-478-1064
Fax: 053-478-1064〒790-8577
松山市文京町３
Tel: 089-927-8577〒819-0395
福岡市西区元岡 744
Tel: 092-802-2745
Fax: 092-802-2745

61

メールアドレス
toyoda@nuee.nagoya-u.ac.jp

setsuhara@jwri.osaka-u.ac.jp

tochi@tmu.ac.jp

masaru.izawa.jj@hitachi-hightech.com

akamatsu@kobe-kosen.ac.jp

inoue.yasushi@it-chiba.ac.jp

ohshima@sasebo.ac.jp

mitsuhiro.omura@toshiba.co.jp

okada@sammy.ifs.tohoku.ac.jp

Nobuyuki.Kuboi@jp.sony.com

hiroyuki.kobayashi.sy@hitachi.com

yoshiyuki-teramoto@aist.go.jp

kazuki.denpoh@tel.com

matsui.makoto@shizuoka.ac.jp

hmoto@mayu.ee.ehime-u.ac.jp

watanabe@chem-eng.kyushu-u.ac.jp

氏
新任幹事
任期
2017 年 3 月

名

所 属

石島 達夫

金沢大学
理工研究域電子情報学系
環境電力工学研究室

板垣 奈穂

九州大学
大学院システム情報科学研究院
情報エレクトロニクス部門

小川 大輔

中部大学
電気システム工学科

笠嶋 悠司(独) 産業技術総合研究所
九州センター
生産計測技術研究センター
プラズマ計測チーム

上坂 裕之

名古屋大学
大学院工学研究科
機械理工学専攻

島田 敏宏

北海道大学
大学院工学研究院
物質化学部門須田 善行

豊橋技術科学大学
電気・電子情報工学系

高木

岩手大学
工学部（電気情報）

浩一

竹内 希

中川

雄介

東京工業大学
大学院理工学研究科
電気電子工学専攻
三菱電機(株)
先端技術総合研究所
環境システム技術部
放電応用グループ

布村 正太（独）産業技術総合研究所
太陽光発電工学研究センター

藤野 貴康

筑波大学
システム情報系

松本 宇生

福岡大学
工学部
電気工学科

住所・電話
〒920-1192
金沢市角間町
Tel: 076-264-6336
Fax: 076-264-6336〒819-0395
福岡市西区元岡 744
Tel: 092-642-2111
Fax: 092-802-3723〒487-850
愛知県春日井市松本町１２００番地
1
Tel: 0568-51-9305〒841-0052
佐賀県鳥栖市宿町 807-1
Tel: 0942-81-4062
Fax: 0942-81-3690〒464-0814
名古屋市千種区不老町
Tel: 052-789-2787
Fax: 052-789-2787〒060-8628
札幌市北区北 13 条西 8 丁目
Tel: 011-706-6576
Fax: 011-706-6576〒441-8580
豊橋市天伯町雲雀ヶ丘 1-1
Tel: 0532-44-6726
Fax: 0532-44-6757〒020-8551
岩手県盛岡市上田 4-3-5
Tel: 019-621-6941
Fax: 019-621-6941〒152-8552
東京都目黒区大岡山 2-12-1-S3-4
Tel: 03-5734-2566〒661-8661
尼崎市塚口本町８－１－１
Tel: 06-6497-7069
Fax: 06-6497-7285〒305-8568
茨城県つくば市梅園１－１－１
Tel: 029-861-5075
Fax: 029-861-3367〒305-8573
茨城県つくば市天王台 1-1-1
Tel: 029-853-4953
Fax: 029-853-4953〒814-0180
福岡市城南区七隈 8-19-1
Tel: 092-871-6631
Fax: 092-865-6031

62

メールアドレスishijima@ec.t.kanazawa-u.ac.jp

itagaki@ed.kyushu-u.ac.jp

d_ogawa@isc.chubu.ac.jp

kasashima-yuji@aist.go.jp

kousaka@mech.nagoya-u.ac.jp

shimadat@eng.hokudai.ac.jp

suda@eee.tut.ac.jp

takaki@iwate-u.ac.jp

takeuchi@ee.titech.ac.jp

Nakagawa.Yusuke@ak.MitsubishiElectric.co.jps.nunomura@aist.go.jp

tfujino@kz.tsukuba.ac.jp

mtakao@fukuoka-u.ac.jp

平成 27 年度分科会幹事役割分担
役割分担
幹事長
副幹事長

1. 庶務・分科会ミーティング
2. 春秋講演会シンポジウム
シンポジウム・海外招待講演
分科内招待講演
チュートリアル講義
3. プラズマプロセシング研究会
H26 年度：プラズマコンファレンス
H27 年度：ICRP/GEC

4. 光源物性とその応用研究会
5. プラズマ新領域研究会

6. インキュベーションホール

7. プラズマエレクトロニクス講習会

8. 会誌編集・書記
9. ホームページ
10. 会計11. プラズマエレクトロニクス賞
12. アカデミックロードマップ（戦略企画室）13. PE 懇親会
GEC 委員（オブザーバー）

豊田 浩孝
節原 裕一
杤久保 文嘉伊澤 勝
寺本 慶之
杤久保 文嘉
渡辺隆行
井上 泰志
小林 浩之
伝宝 一樹
節原 裕一
岡田 健
松井 信
伝宝 一樹
大村 光広
大島 多美子
本村 英樹
節原 裕一
井上 泰志
渡辺 隆行
本村 英樹
節原 裕一
井上 泰志
松井 信
大島 多美子
赤松 浩
伊澤 勝
大村 光広
久保井 信行
小林 浩之
伝宝 一樹
岡田 健
赤松 浩
本村 英樹
大島 多美子豊田 浩孝
杤久保 文嘉豊田 浩孝
岡田 健
久保井 信行
豊田 浩孝

留任
名古屋大学
大阪大学
首都大学東京（株）日立ハイテクノロジーズ
産業技術総合研究所
首都大学東京九州大学
千葉工業大学（株）日立製作所
東京エレクトロン（株）
大阪大学
東北大学
静岡大学
東京エレクトロン（株）
（株）東芝
佐世保高専
愛媛大学
大阪大学
千葉工業大学
九州大学
愛媛大学
大阪大学
千葉工業大学
静岡大学
佐世保高専
神戸市立高専（株）日立ハイテクノロジーズ（株）東芝
ソニー（株）（株）日立製作所
東京エレクトロン（株）
東北大学
神戸市立高専
愛媛大学
佐世保高専
名古屋大学
首都大学東京
名古屋大学
東北大学
ソニー（株）
名古屋大学

63

新任

竹内 希
高木 浩一
布村 正太
中川 雄介
板垣 奈穂

東京工業大学
岩手大学(独)産業技術総合研究所
三菱電機(株)
九州大学

小川 大輔
石島 達夫
高木 浩一
笠嶋 悠司
須田 善行

中部大学
金沢大学
岩手大学
(独)産業技術総合研究所
豊橋技術科学大学

布村 正太
上坂 裕之
島田 敏宏
藤野 貴康

(独)産業技術総合研究所
名古屋大学
北海道大学
筑波大学

上坂 裕之
石島 達夫
板垣 奈穂
小川 大輔

名古屋大学
金沢大学
九州大学
中部大学

中川 雄介
笠嶋 悠司
竹内 希
布村 正太

三菱電機(株)(独)産業技術総合研究所
東京工業大学(独)産業技術総合研究所

島田 敏宏
松本 宇生
石島 達夫
須田 善行
豊田 浩孝

北海道大学
福岡大学
金沢大学
豊橋技術科学大学
名古屋大学

松本 宇生
藤野 貴康

福岡大学
筑波大学

平成 27 年度分科会関連の各種世話人・委員
1. 応用物理学会講演会プログラム編集委員
8.1 プラズマ生成・制御
柳生 義人 (佐世保高専)
8.2 プラズマ診断・計測
伊藤 剛仁 (大阪大)
8.3 プラズマ成膜・表面処理
太田 貴之 （名城大）
8.4 プラズマエッチング
前田 賢治 (日立中研)
8.5 プラズマナノテクノロジー
酒井 道 （滋賀県立大），8.5 プラズマナノテクノロジー（代表） 金子 俊郎 （東北大）
8.6 プラズマライフサイエンス
山田 英明 （産総研）
8.7 プラズマ現象・新応用・融合分野
小田 昭紀 （千葉工大）
2. 応用物理・編集委員

東 清一郎（広大）近藤博基（名大）3. 応用物理学会代議員

斧 高一 （京都大）
神原 淳（東大）
酒井 道 （京都大）
白谷 正治 （九州大）
豊田 浩孝 (名古屋大)
野崎 智洋 （東工大）
平松 美根男 （名城大）
眞銅 雅子（横国大）4. GEC 組織委員会委員

豊田 浩孝 （名古屋大）

5. その他：本部理事

斧 高一 （京都大）
白谷 正治 （九州大）

6. 諮問委員

寺嶋 和夫 （東京大学）

7. フェロー大森 達夫（三菱電機）
岡本 幸雄 （東洋大）
小田俊理（東工大）
斧 高一 （京都大）
河野 明廣 （名古屋大）
近藤 道雄（産総研）
寒川 誠二 （東北大）
白谷 正治 （九州大）
菅井 秀郎 （中部大）
高井 治 （名古屋大）
橘 邦英 （愛媛大）寺嶋 和夫（東大）
永津 雅章（静岡大）中山 喜萬 （大阪大）
畠山 力三 （東北大）
藤山 寬 （長崎大）
堀 勝（名大）渡辺 征夫（九州電気専門学校）

64

活動報告
第 73 回プラズマエレクトロニクス分科会ミーテ
ィング/平成 26 年度第 3 回幹事会（応用物理学会
インフォーマルミーティング内）議事録大）へ交代することが承認された。

日時：2015 年 3 月 12 日（木）12:15～13:15
場所：東海大学 湘南キャンパス 16 号館 D
（D14）
●大分類意見交換会（11:45〜12:15）
佐藤先生（室蘭工大）
が司会進行を務められた。
1.

大分類と中分類の再編について
大分類を再編する必要はないと決まった。中分類については、「8.0 English Session」および「8.2プラズマ診断・計測」について議論がなされた。
「8.0 English Session」については、投稿数を増やしてほしいと案内があった。「8.2 プラズマ診
断・計測」については、投稿数が減少していけば再編を検討することになるが、現時点では検討しないことになった。8.2 については、いくつかの意見がでた。
藤山先生（長崎大学）から、応用を研究テーマにすれば他の中分類に発表者が流れることになる。
近年は計測のみでは発表しにくくなってきているが、この中分類をなくすと応用研究のみになってしまうので残してほしいという意見があった。
白谷先生（九州大学）から、分科会として 8.2の診断・計測の対象に表面や材料という表現を付け加える等の改変を試みている姿をアピールした方がいいという意見があった。
これらの意見を受け、8.2 については投稿数を増やす姿勢をアピールし、投稿をひろく募ることになった。
2.
コードシェアセッションの実施の可能性について
コードシェアセッションの実施の可能性について案内があった。

4.
講演会参加費について
これまで講演会は大学キャンパスで開催してきたが、開催校の先生方の負担が大きく、会場代も値上がりしている。今後はスタッフを外注し、コンペティションセンターでの開催を検討するにあたり、講演会参加費を上げることについて意見が募られた。
堀先生（名古屋大学）から、次のような意見があった。コンベンションセンターの使用を検討す
るにあたり、メリット/デメリットを議論しているはずである。それを示してもらえなければ参加費の値上げを議論することができない。この点について、理事会はデータを示すべきである。
また、藤山先生（長崎大学）からは、参加費が値上がりすると、地方からの参加数が減ることが予想されるという意見があった。
理事会から、コンベンションセンターでの開催にあたり講演会参加費の値上げを提案しているが、学生参加費の値上げはしたくないと考えていると回答があった。
●平成 26 年度プラエレ分科会ミーティング
豊田幹事長が司会進行を務められた。
1.
2015 年度春季学術講演会・シンポジウ
ム、チュートリアルなどの状況について
杤久保副幹事長（首都大学東京）より、2015
年春の応物の分科内招待講演、シンポジウム、チュートリアル、English Session などの報告・案内があった。チュートリアルについては、約 50人の参加があった。
2.
2015 年度秋季学術講演会・シンポジウ
ム企画など
杤久保副幹事長（首都大学東京）より、2015
年秋季学術講演会について、分科内招待講演、海外研究者招待講演、English Session、およびシン
ポジウム・新学術領域研究「プラズマ医療科学の創成」について説明があった。シンポジウムについては、堀先生（名古屋大学）より日程と講演予定の案が説明された。

3.
プログラム編集委員と講演会企画運営委
員の交代について
8.5 プラズマナノテクノロジーのプログラム編
集員が伊藤孝紀先生（室蘭工大）から酒井道先生（滋賀県立大）へ、また講演会企画運営委員が伊藤孝紀先生（室蘭工大）から金子俊郎先生（東北3.
65

第 25 回プラズマエレクトロニクス講習会報告
前田先生（日立）より、第 25 回プラズマエレ
クトロニクス講習会〜プラズマエレクトロニクスの基礎とその応用・制御技術〜の報告があった。
2014 年 11 月 26 日に東京工業大学田町キャンパスにて開催され、65 名の参加者があった。次回は，2015 年 11 月 20 日に東京大学にて開催する予定である。

② ICRP9・GEC（2015.10.11-10.16）
豊田幹事長より、ICRP9・GEC のアナウンスがなされた。日本からは 300 人の参加を目標としている。アブストラクトは GEC と ICRP の両方に投稿することになる（〆切 6 月 19 日）。なお、
GEC は〆切の延長はいっさいしないので注意が必要である。

4.
第 29 回光源物性とその応用研究会報告明石幹事（防大）より第 29 回光源物性とその応用研究会の報告があった。
参加者は 15 名あり、発表件数は照明学会から 6 件、プラズマエレクト
ロニクス分科会から 1 件であった。分科会からもう少し参加数を増やしてほしいと要望があった。

9.
その他
辰巳様 (ソニー)により、DPS2015 の案内がなされた。

5.
会報 No. 62 について
岡田幹事（東北大）より、会報 No.62 の進捗状
況について報告があった。研究紹介について、プ
ラズマ農業に関連して岩手大学の高木先生に依頼することになった。行事案内の追加の要請があった。
Q. 執筆者にベテランの先生方が多いように見受けられる。若手の先生が執筆できるような記事を増やしてはどうか。
（堀先生・名古屋大）
A. 新項目を作成し，若手の先生が執筆できるよう検討する。

-----------------------------------------------------------------2015 年度 第１回プラズマエレクトロニクス分科会幹事会 新旧合同幹事会（書記：赤松）

日時：2015 年 4 月 4 日(土) 13：30 ~ 16：30
場所：産業技術総合研究所 臨海副都心センター
別館 11 階 第１会議室（11205～6 室）
議題：
1.
幹事紹介・挨拶（豊田幹事長）
豊田幹事長の紹介で退任幹事、留任幹事、新任幹事の挨拶が行われた。諮問委員(歴代幹事長、企業選出副幹事長)の紹介があった。

6.
2014 年度 会計報告
大島幹事（佐世保高専）より、2014 年度の会計報告があった。
Q. ICRP については，毎年 60 万円の積み立てがあったのではないか？（北野先生・大阪大）
A. 確認する。

2.
役割紹介（豊田幹事長）
各幹事の役割分担と担当職務内容・タイムテー
ブルが豊田幹事長から説明された。
3.
応用物理学会（東海大・2015.3）シンポ
ジウムなど（杤久保副幹事長）
栃久保副幹事長から 2015 年春季学術講演会(東海大学)の分科会企画の結果が報告された。

7.
2015 年度 分科会新幹事について
豊田幹事長より、2015 年度の分科会新幹事が紹介された。また、出席している新幹事から自己紹介がなされた。

4.
応用物理学会（名古屋国際会議場・
2015.9）（杤久保副幹事長）
2015 年秋季学術講演会の分科会企画の進捗状
況に関しての報告が行われた。

8.
研究会・関連会議について① SPP-32/ プ ラ ズ マ コ ン フ ァ レ ン ス 2014（2014.11.18-11.21）
豊田幹事長より、SPP-32/プラズマコンファレ
ンス 2014 の報告があった。参加者は 995 名であった。次回のプラズマコンファレンス 2017 はプ
ラズマエレクトロニクス分科会が主担を務めることになると伝達があった。

5.
プラズマ新領域研究会 （節原副幹事長）
節原副幹事長からプラズマ新領域研究会についての説明と本村幹事(愛媛大)から次回開催の「再生医療とプラズマ医療~プラズマと生体界面の反応~」について企画案が説明され承認された。
66

6.
第 9 回インキュベーションホール
（2014.8.31-9.2）（節原副幹事長）
場所の仮予約(青少年交流の家 9/1-3)を行った。
詳細は今後担当幹事間で詰めることとする。
7.
第 26 回プラズマエレクトロニクス講習会について（伊澤副幹事長）
伊澤担当幹事より第 26 回プラズマエレクトロニクス講習会開催案について説明された。
8.
関連会議
(1)
ICRP-9/GEC-68/SPP-33 の 準 備 状 況(2015.10.12-10.16) （豊田幹事長）
豊田幹事長から ICRP-9/ GEC-68/SPP-33 の準備状況について説明がなされた。プラエレ分科会の学生会員に関しては旅費サポートの予定。GECと ICRP のアブストラクトも出すことが条件。Q.
節原幹事 アブストラクトの受付開始時期は? A.
豊田幹事長 GEC と調整し 4 月中旬を予定している。オープンしたらメール配信する。
(2)
光源物性とその応用研究会について（本村 英樹幹事）
照明学会と応物の併催。前回の報告。講演 6 件(両学会で半々)。放電基礎⇔素過程も入れた。
DBD(向川先生)、準安定状態の測定と計算(千葉工大)。今年度も前回と同規模で準備中。時期は未定
だが年末の予定。
9.
会報について（岡田幹事）
岡田担当幹事から会報 62 号に関して進捗報告が行われた。
「奨励賞を受賞して」の記事化に関して進めることとなった。
「研究室紹介」記事の執筆依頼に関しては岡田幹事に一任することとなった。
締め切りは 5 月 20 日。行事案内にインキュベー
ションホール(本村幹事)、PE 講習会(伊澤幹事)、
AEPSE(節原幹事)、新領域研究会(間に合えば)、告知に第 14 回 PE 賞公募を追加
10.
その他
なし。
11.
新旧幹事による引継ぎ
各担当ごとの業務内容の確認・引き継ぎが行われた。
2015 年度 第 2 回目の幹事会は，9 月の応用物
理学会（2015 年 9 月 13 日(日) 〜 16 日(水), 名
古屋国際会議場）会期中にて実施のインフォーマ
ルミーティング内で執り行う．

（書記：松隈）67

プラズマエレクトロニクス関連会議日程
国際会議
2015. 7. 5-7. 10
22nd International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC 22)
Antwerp, Belgium
https://www.uantwerpen.be/en/conferences-and-summerschools/ispc22/
2015. 9.2-9.24
The 10th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering
第 10 回プラズマ表面工学に関するアジア－ヨーロッパ国際会議（AEPSE2015)
ラマダプラザ済州ホテル(RAMADA PLAZA JEJU HOTEL) 韓国・済州島
http://www.aepse2015.org/
2015. 10. 12-10. 16
9th International Conference on Reactive Plasmas / 68th Gaseous Electronics Conference (ICRP-9/68th GEC)
Hawaii, USA
http://www.plasma.engg.nagoya-u.ac.jp/icrp-9/
2015.11.29-12.4
2015 MRS Fall Meeting (Symposium G: Plasma Processing and Diagnostics for Life Sciences)
Boston, MA, USA
http://www.mrs.org/fall-2015-call-for-papers-g/

国内会議・会合
2015. 6.11 13:00～17:30
プラズマ材料科学第 153 委員会 第 121 回一般公開研究会「プラズマによる DLC コーティングの応用最前線」
於プラザエフ 地下２階「クラルテ」（東京都千代田区六番町 15）
http://www.plasma153.org/meetings/data/121.html
2015. 9. 1-9.3
第 9 回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール
於国立中央青少年交流の家
http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/PE_SS_2015/index.html
2015. 9. 13-9. 16
第 76 回応用物理学会秋季学術講演会
名古屋国際会議場
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/regularmeeting.html
2015. 9. 16-9. 19
日本物理学会秋季大会（主として物性）
関西大学千里山キャンパス
http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2015. 9. 17-9. 18
平成 27 年度電気学会 基礎・材料・共通部門大会
68

金沢大学
http://www.iee.jp/fms/?post_type=custom_event&p=621
2015. 9. 25-9. 28
日本物理学会秋季大会（素粒子，核物理，宇宙線，宇宙物理）
大阪市立大学杉本キャンパス
http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2016. 3. 19-3. 22
日本物理学会第 71 回年次大会
東北学院大学泉キャンパス
http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2016. 9. 13-9. 16
日本物理学会秋季大会（主として物性）
金沢大学角間キャンパス
http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2016. 9. 21-9. 24
日本物理学会秋季大会（素粒子，核物理，宇宙線，宇宙物理）宮崎大学木花キャンパス
http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2017. 3. 17-3. 20
日本物理学会第 72 回年次大会
大阪大学豊中キャンパス
http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html

69広告掲載企業一覧
契約の中からまわす場合があります。不都合がある場合にはご相談ください。

本文
プラズマエレクトロニクス分科会会報 No. 62
への広告掲載を頂いた企業は下記の通りです。幣3. 入稿

分科会会員への最新情報のご提供に厚く感謝の意

原稿は A4 版ネガ、もしくは電子ファイル（pdf）とします。これ以外の場合、かかる費用を別途請求させて頂く場合があります。

を表します。
１．株式会社 エナック

当会報への広告掲載について
応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
では、分科会会員への情報提供を旨とし、魁皇への広告出展を募集しております。広告の掲載にあたっては下記のような条件としておりますので、是非ご検討の程よろしくお願い申し上げます。
1. 契約の種類(A) 年間契約コース
1 年間にわたる掲載。通常は 6 月、12 月に発行される 2 号にわたって掲載されます。
掲載号ごとに新規原稿に差替えできます。
(B) 単号契約コース
特定の号のみの掲載。
2. 掲載位置
掲載位置は編集後記の後になります。基本五十音順の掲載になりますが、レイアウト等の都合で適宜変更になる可能性があります。何卒ご了承ください。また裏表紙への依頼がない場合には年間70

4. 広告掲載料
掲載料は下表の通りとします。なお、年間契約の場合も申し込み時点での一括請求土佐 s 手頂きます。
(A) 年間契約(B) 単号契約
コース
コース
5 万円
4 万円
半ページ
（4 万円）（3 万円）
8 万円
5 万円
1 ページ
（6 万円）（4 万円）
12 万円
8 万円
2 ページ
（見開き指定可）（9 万円）（6 万円）
12 万円
8 万円
裏表紙
（9 万円）（6 万円）
5. 問い合わせ先〒113-0034 東京都文京区湯島 2-31-2
湯島アーバンビル 7 階
公益社団法人 応用物理学会 分科会係
TEL: 03-5802-0862
FAX: 035802-6250
Email: division@jsap.or.jp
HP: http://annex.jsap.or.jp/plasma/編集後記
プラズマエレクトロニクス分科会会報 No. 62 を「学生のためのページすぐに役立つプラズマエ

お届け致します。お忙しい中、本誌にご寄稿頂き

レクトロニクス」では「炭素系薄膜・構造体の合ました皆様には心より御礼申し上げます。

成に用いられるプラズマプロセス」と題して名城本誌の「巻頭言」では、東京大学 寺嶋先生より大学 平松先生に解説を頂きました。

「ライン川沿いの美しき街で見つけた宝物」とい

また、今号から新たに“若手からの声”を会員

う題目でご寄稿頂きました。
“Diversity（多様性）”の皆様に届ける目的で、応用物理学会講演奨励賞

をキーワードに、本分科会の将来についてご提言

受賞者にご寄稿頂いております。本号では東北大を頂きました。

学 佐々木渉太様に受賞対象論文の解説をして頂「寄稿」では、名城大学 伊藤先生より「プラズきました。

マバイオ科学技術の発展を目指して」と題して昨年名城大学に設立されましたプラズマバイオ科学

原稿の執筆を快くお引き受け頂きました著者のセンターのご紹介を頂きました。

皆様、幹事長、副幹事長をはじめとする分科会会「研究室紹介」では、金沢大学 石島先生より金沢大学員の皆様、小田様にこの場をお借りしまして感謝

理工研究域 環境電力工学研究室のご紹の意を表します。今後も各種報告や行事案内を随介をして頂きました。

時募集しております。今後ともプラズマエレクト「研究紹介」では、「高電圧・プラズマの農水利

ロニクス分科会会報をどうぞよろしくお願いいた用」と題して岩手大学 高木先生よりご寄稿頂きま

します。

した。


「海外の研究事情」では IBM ワトソン研究所
宮副様より現地での生活、最近の研究についてご平成 27 年度会報編集担当：赤松、岡田、島田、松本

紹介頂きました。

（文責：東北大学 岡田健）

プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.62
2015年 6月19日 発行
編集：公益社団法人 応用物理学会
プラズマエレクトロニクス分科会
幹事長 豊田 浩孝
発行：公益社団法人 応用物理学会〒113-0034 東京都文京区湯島2-31-22
湯島アーバンビル7階（©2015 無断転載を禁ず）

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