プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.59
2013 年（平成 25 年）12 月発行
向川、市川、松隈、川崎
目

次

巻頭言
プラズマの研究は楽しいですか？

豊橋技術科学大学

水野 彰

1

ラムリサーチ（株）

野尻 一男

3

熊本大学パルスパワー科学研究所

7

名古屋大学

竹田 圭吾

10

九州大学

中野 道彦

12

東京大学

小野 亮

17

Japan-Australia Commemorative Workshop (JAWS25)

首都大学東京杤久保 文嘉

26

The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)

九州大学

白谷 正治

29

21st International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC-21)

名城大学

太田 貴之

31

The 9th Asian-European International Conference on Plasma
Surface Engineering (AEPSE 2013)

大阪大学

節原 裕一

32

35th International Symposium on Dry Process (DPS 2013)（株）日立ハイテクノロ
ジーズ

根岸 伸幸

34

2013 JSAP-MRS Joint Symposia (Symposium O)

名城大学

伊藤 昌文

37

66th Gaseous Electronics Conference (GEC)

名古屋大学

豊田 浩考

39

寄稿
若き研究者へのメッセージ

研究室紹介（その 54）
パルスパワー科学研究所の誕生

研究紹介（その 8）
分光技術を用いた AC 励起非平衡大気圧プラズマジェットの診断

海外の研究事情（その 36）
英国サウサンプトンでの研究生活

学生のためのページ・すぐに役立つプラズマエレクトロニクス

大気圧プラズマの活性種レーザ計測

国際会議報告i

American Vacuum Society 60th International Symposium& Exhibition (AVS)

大阪大学

浜口 智志

40

第 14 回プラズマエレクトロニクス新領域研究会

産業技術総合研究所

石川 善恵

41

2013 年第 74 回応用物理学会秋期学術講演会
第 11 回分科内招待講演

九州大学

古閑 一憲

43

2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会
海外研究者招待講演

京都工芸繊維大学

高橋 和生

44

2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会
プラズマエレクトロニクス分科会企画シンポジウム

東京エレクトロン（株）

松隈 正明

45

第 29 回九州・山口プラズマ研究会

大分大学

市來 龍大

46

第 24 回プラズマエレクトロニクス講習会

ソニー（株）

辰巳 哲也

49

8th International Conference on Reactive Plasmas /31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)

九州大学

白谷 正治

50

シリコンテクノロジー研究会

東京大学

一木 隆範

52

6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its
Applications for Nitrides and Nanomaterials / 7th International
Conference on Plasma-Nano Technology & Science(ISPlasma2014 / IC-PLANTS2014)

名城大学

平松 美根男53

2014 年第 61 回応用物理学会春季学術講演会
プラズマエレクトロニクス分科会企画

東京工業大学

野崎 智洋

55

5th International Conference on Plasma Medicine (ICPM-5)

大阪大学

浜口 智志

57

21th International Conference on Plasma Surface Interactions inControlled Fusion Devices (PSI2014)

金沢大学

上杉 喜彦

58

International Union of Materials Research Societies–The IUMRSInternational Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014)

名古屋大学
九州大学

石川 健治
白谷 正治

59

The 14th International Conference on Plasma Surface Engineering(PSE 2014)

大阪大学

節原 裕一

60

Plasma Conference 2014／第 32 回プラズマプロセシング研究会

名古屋大学

豊田 浩孝

62

国内会議報告

行事案内

ii

掲示板
平成 25 年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿63

平成 25 年度分科会幹事役割分担65

平成 25 年度分科会関連の各種世話人・委員66

平成 25 年度中期活動報告
平成 25 年度第 2 回幹事会議事録67

プラズマエレクトロニクス関連会議日程

69

広告掲載企業一覧

72

編集後記

73

iii

巻頭言

プラズマの研究は楽しいですか？
豊橋技術科学大学

水野彰

私がプラズマを好きになったのは、プラズマは領域を電離することで、反応性の高いラジカルが目に見える数少ない電気現象の一つだからです。

多量に生成され、低温度領域においても化学反応

学部 3 年の時、実際に自分で放電装置を組み立て、が促進されます。これにより排ガス中のダストとプラズマを見たときに大変美しいと思いました。

同時に一酸化窒素の酸化・還元による除去が可能

もちろんネオンサインなどもプラズマですが、やになります。またメタン改質などの燃料改質や、はり手作りの放電管に磁石を近づけてプラズマ

燃焼前にラジカルを生成して燃焼効率を上げる

を動かすと親しみがわきます。いまでも雷が近づことをめざすプラズマアシスト燃焼など、大気圧

くとわくわくして、窓から外を眺めます。また皆プラズマには多くの可能性があります。たぶん多既日食があると聞けば出かけ、オーロラも何度かくの現象の基礎となる物理現象そのものを利用

見に行きました。私が学生の頃は核融合がもうすしているので、いつの時代にも新しい応用が見出

ぐ可能になると言われておりましたので、その研されるのではないかと思います。

究に興味を持ち実現できたらと思っていました。

最近では医療への応用を目指すプラズマ医療

出身地の瀬戸市は昔から陶器を焼くため煙が出の研究も着目されています。ラジカルによるがんるほど景気が良いと喜ばれていましたが、健康被細胞の破壊や消毒、あるいは高温の電気メスに代害を目にし、これを解決するためにコロナ放電をわる低温プラズマジェットによる止血、ウイルス

使う電気集塵の研究を大学院で行いました。現在や菌の除去と破壊、など健康に役立つプラズマ技

PM2.5 の問題がクローズアップされていますが、術がこれから多く開発されると思います。プラズ

電気集塵はこれら微粒子の除去に有効な技術で、マを生体組織に照射する際に注目すべきことは、

日本では石炭火力などに高効率の装置が設置さ

液体との境界面での現象です。プラズマ中で発生れ、大気汚染防止に大きな役割を果たしています。

したラジカルが液体中に注入され、それらが液体

コロナ放電も大気圧プラズマの一種で、尖った電分子を経由して目的の細胞などに届き作用を及極先端が高電界となりその部分で局所的な空気ぼします。具体的にはタンパクの酸化による細胞の絶縁破壊（電離）が起きるものです。電離域外膜の損傷やＤＮＡの切断などが起きます。この作には単極性のイオン場が形成され、この中では浮用機序を明確にすることが生体への応用にも極遊する微粒子がイオンにより帯電し、電界によりめて重要です。また液体表面あるいは液体中での動きます。大気圧プラズマも古くより実用に供さプラズマ発生によるラジカル反応や衝撃波の利れていますが、未だに改善の余地があり、また新用も着目されており、これらの利用を進めるため

しい応用が拓けています。例えばイオンの移動ににもプラズマと表面との相互作用のいっそうの伴うイオン風の有効利用で、電気集塵装置は相当解明が期待されます。前後しますが、低温プラズに性能が向上します。またパルス放電などで広い

マによるガス反応の効率向上にはプラズマと触1

媒あるいは吸着表面とを組み合わせることが有

実際には人工物からの電磁ノイズが大きく、ノイ効です。このためにハニカム形状の触媒中でプラズの少ない地点でないと計測困難なので、昨年かズマを生成したいと思っておりましたが、レーザら乗鞍の旧コロナ観測所での測定も行っていまの発振に利用されていました 2 次元のスライド放す。今までノイズ対策のため電流の積分値で計測

電を 3 次元に拡張することで可能となりました。

していますが、極めて大きな地震の際には電界強触媒表面に酸化チタンや銀を配置することで酸度が急変する異常が観察されています。国土地理

化効率が大きく向上します。このような相乗効果

院観測の地磁気データも、東日本大震災の時にはが明らかになりつつありますが、さらに詳細な解異常を示しています。プラズマの研究者の中には明が待たれます。

宇宙天気の研究をしておられる方々もおられま

5 年ほど前から大気中の電界強度の連続計測をすので、地殻変動に伴う地球周辺のプラズマの変行っています。地震などの大きな地殻変動の際に化などに関してもさらに研究を進めていただけ

はプレートが剥離し、地表の電位が一時的に高くるととても嬉しいと思っています。

なるのではないかと思ったからです。2 枚のプラ

以上、思いつくままに大気圧プラズマに関してスチックフィルムをはがすとたいへん高い電圧

書かせていただきました。皆様もきっとプラズマが発生することからの類推です。地表の電位が急に関する研究を楽しまれていると思います。プラ

変すると、地表と対向してコンデンサのもう一方

ズマを楽しみつつ、ストレスの少ない生活をさせの電極を形成している電離層内を電子が移動していただけます我が国の現状にも私は深く感謝て、地表面の電圧変動に対応する電界の変化に対しております。電気集塵で燻製食品をより良く作応するはずです。その変化は地表面に置いた電界成すること、また水蒸気プラズマでクッキングが強度計でも計測できると思われます。またグロー

うまくできないか、など、これからも毎日楽しま

バルサーキットと言われますが、電離層から地面せていただきます。

にイオン電流が流れ込み、雷を介して戻っている

この楽天的な文を最後まで読んで下さった読ことが知られています。この大気イオン電流は電者に感謝申し上げますとともに、楽しまれた結果

界強度に比例しますので、それを測定できるとよを論文などでご発表いただけますことをとてもり高精度で電界の測定ができるはずです。しかし楽しみにしております。

2

寄稿

若き研究者へのメッセージ
ラムリサーチ株式会社

野尻一男とになる。この間，マイクロプロセッサの 1 チッ

１．はじめに筆者は 1975 年に日立製作所に入社し，半導体

プあたりのトランジスタ数は約 10 万倍になって事業部に配属された。その後 2000 年に半導体装いる。また，Si ウェハ径は当時 75mm であった

置メーカーであるラムリサーチ社に転職し，現在が，現在では直径 300mm のウェハが使われていに至っている。日立では半導体プロセス開発やデる。まさに隔世の感がある。

バイス・インテグレーションの仕事に携わってきドライエッチング技術は，リソグラフィ技術とたが，その中でドライエッチング技術開発に従事

ともにデバイスの微細化を牽引してきたキイテク

していた期間は 16 年間と最も長い。ラムリサー

ノロジーである。筆者が半導体業界に入った 1975

チではドライエッチングやプラズマ CVD などの年当時は，エッチングはウエットエッチングが主技術を取り纏めている。大学，大学院でも半導体流であり，ドライエッチングはバレル型の装置がの研究を行っていたので，現在に至るまで約 40

レジストのアッシング，ウェハ裏面膜除去，ボン

年の長きに渡って半導体に携わってきたことにな

ディングパッド部の絶縁膜エッチングに使われてる。本稿では，これまでの半導体の発展の流れをいた程度であった。しかしこの頃すでに，アネル

振り返り，今後半導体の高集積化がどのような方

バの細川らによる RIE の研究が進められており，向に進もうとしているのか，また，これからの日量産用の RIE ドライエッチング装置として結実

本を背負って立つ若い研究者はどのようにあるべした。この RIE 技術は第 25 回大河内賞を受賞しきか，などについて思いつくままに書き連ねてみている[1]。これによって，ドライエッチングは微たいと思う。

細加工技術としての第一歩を踏み出した。これがドライエッチングにおける最初のイノベーション

２．半導体の微細化を牽引してきたドライエッチである。

ング技術 － そのイノベーションの歴史

次なるイノベーションは枚葉式ドライエッチン

デバイスの最小加工寸法は 3 年で約 0.7 倍に縮グ装置の開発，実用化である。ウェハの大口径化小されてきており，LSI の高集積化は 2 年で 2 倍に対応するためにはバッチから枚葉への移行が必というムーアの法則にほぼ従って進んできている。 要であり，そのためには低圧で高密度のプラズマ筆者が半導体業界に入った 1975 年当時は，まだ形成技術が必要であった。これを最初に実現した

バイポーラの単体トランジスタが多く製造されてのが，日立の鈴木らによって開発された ECR プ

おり，IC は 5m プロセスである 16k ビット

ラズマエッチャーであり，筆者もその実用化に携DRAM の生産がようやく始まったところであっわった。この技術は第 36 回大河内賞を受賞してた。そして 2013 年現在，最小加工寸法が 20nm

いるが，大河内賞の中でも最高の賞である大河内

前後の LSI が量産されている。すなわち加工寸法

記念賞を受賞している[2]。

は 38 年前に比べ，実に 1/250 に微細化されたこ

ドライエッチングにはプラズマが使われるため3チャージアップダメージが問題となり，一時はプニングを 2 回繰り返し，ピッチをもとのパターン

ラズマは今後の微細加工には使えないという声さ

ピッチの 1/4 にする，クワッドパターニング技術

え聞かれた。しかしながら，1980 年代後半から（QPT：Quadruple Patterning Technology）も1990 年代前半にかけて，日本を中心にチャージア

検討されている。まさにドライエッチングがリソ

ップダメージに関する研究が精力的に行われ，そグラフィの限界を打破したというわけである。し

の全容が明らかになった[3][4]。日立の筆者らのグかしながら，DPT や QPT も万能ではない。ロジ

ループを始めとして，東芝，富士通，Panasonic

ックデバイスのようなランダムパターンには使え各社が，ダメージの計測からモデリングに至るまないからである。また工程数が多いため，製造コで研究し尽くした。まさに日本が世界をリードしストが高くなるという問題点もある。

たと言っても過言ではない。その結果多くの問題

一方，デバイスの電気的特性からも微細化の限が解決され，結局，現在に至るまでプラズマが使界が指摘されている。例えばフラッシュメモリでわれている。そしてこの後もプラズマは使われ続は，微細化により蓄積する電荷量が減り，エラー

けて行くであろう。これもドライエッチングにおの原因になる。またロジックデバイスのトランジ

けるイノベーションの一つと言えよう。

スタでは寸法ばらつきが無視できない領域になっ

微細加工技術に限らず，半導体の歴史の中ではてきている。これらの問題点を打開する技術とし

種々のイノべーションが起こり，従来半導体製造て，LSI の 3 次元化，すなわち 3D IC の研究が盛に適用するのが不可能と思われたような技術がんに行われている。一つは TSV（Through Silicon

次々と実用化され，今日の隆盛を見るに至った。

Via）[6]を用いたチップ積層技術である。ここでそしてこれからも色々な局面でイノベーションがは，Si 基板に高速で深い孔をエッチングする技術

起こり，半導体産業は発展し続けると確信していが必要である。
もう一つはデバイスの 3 次元化である。メモリ

る。

セルアレイを 3 次元に積層したフラッシュメモリ
３．半導体高集積化の今後の展望が提案されており，エッチングにも新たな技術課

それでは，今後 LSI の高集積化はどのような方題が出てくる。例えば東芝が世界で最初に発表し向に進んで行くのであろうか。現在，次世代リソ

た BiCS（Bit-Cost Scalable）フラッシュメモリ[7]グラフィ技術として有望視されている EUV リソ

では，Poly-Si と絶縁膜を交互に積層したアスペ

グラフィの実用化が大幅に遅れており，リソグラ

クト比の大きい孔を，一括してエッチングする技

フィが微細化を妨げる状況となっている。そこで術が要求される。

登場したのがダブルパターニング技術（DPT：以上述べたように，LSI の高集積化は今後 3 次

Double Patterning Technology）である[5]。これ

元化の方向に進んで行くものと考えられる。そのは異方性エッチングによるサイドウオール形成を中でドライエッチングの果たす役割は益々重要に巧みに利用し，パターンの両側に形成したサイドなってくる。半導体が｢産業の米｣と言われてからウオールをマスクとして使うことにより，ピッチ

久しいが，高度情報化社会にとって半導体はます

をもとのパターンピッチの 1/2 にする技術である。 ます必要不可欠なものになってきている。半導体
この技術は既に最先端のフラッシュメモリの量産産業はこれからも成長を続けることは明らかであで実際に使われているが，さらにはダブルパター

り，半導体の未来は明るいと言えよう。
4４．研究者としての心構え

うな心構えを持って進んで行ったら良いか，私の筆者は 2 年前にドライエッチングに関する本を

意見を述べさせていただきたいと思う。

出版した[8]。40 年に及ぶ半導体の経験から得た第一はグローバルな感覚を身に付けるというこものを若い人たちに伝えたいと思ったのが，このとである。IT が高度に発達した現代にあっては，本を執筆した動機である。ここではドライエッチ

国，地域の壁は無くなり，世界が 24 時間休み無ングの基礎から最新技術に至るまで，分かりやす

く同時に動いている。ある国の経済が破綻すれば，く一冊の本に纏めてみた。執筆にあたっては，私たちまち世界中の経済に影響を及ぼす。このよう自身の研究成果のみならず，多くの方々のデータな世界においては，①情報の一元化，②変化に素をお借りした。執筆してみて気が付いたのである

早く対応できる判断力，決断力，③多種多様なもが，多くのデータがドライプロセスシンポジウムのを受け入れる柔軟性が必要である。例えば韓国，のプロシーディングスからのデータであり，さな

台湾，中国では企業の経営層の多くは米国留学経がらドライプロセスシンポジウムの歴史を纏めた

験者であり，そこで身に着けたグローバルな感覚ようなものになっている。それは，日本におけるを経営に活かしている。それに比べて日本ではあドライエッチング技術が 1980～1990 年代に世界

まりそのようなケースは見かけない。若い人達はをリードしてきたことの証しでもある。1980 年代

もっと海外に出て，グローバルな感覚を身に着け中頃から 1990 年代中頃に至る時期は，まさに日るべきである。

本の半導体が世界でトップマーケットシェアを誇

第二はビジネスマインドを持つということであっていた時期でもある。当時のドライプロセスシる。日本は今，Ph.D.受難の時代と聞く。日本のンポジウムでは，毎年のようにエポックメイキン

企業が Ph.D.の採用にあまり積極的ではないからグな発表があり，筆者も毎回わくわくしながらシである。米国では逆で，Ph.D.は高待遇で採用さンポジウムに参加したものである。プロシーディ

れる。廊下を歩けば Ph.D.に当たるというくらいングスは米国のドライエッチング関係者の間で回Ph.D.が多い。そして日本と違うところは，Ph.D.

し読みされ，隠れたベストセラーなどと言われたが皆研究・開発の仕事をやっている訳ではなく，こともある。しかしながら，最近はエッポクメイ

マーケティングや，経営の分野に携わる人の数もキングな発表が減ってきており，また半導体メー

非常に多いということである。米国ではマーケテ

カーからの発表が極端に減少している。これは日ィングを非常に重視しており，人材的にも優秀な

本半導体のマーケットシェアが，1988 年には人を配置していて，Ph.D.の数も多い。Ph.D.は単51％あったのが，現在では 20％以下に低迷していにある学問を究めたというだけでなく，思考方法

ることと関連していると思われる。

や分析力が訓練されているが故に，ビジネスの世

半導体ばかりではない。昨今，日本のエレクト界においてもその能力が如何なく発揮されるのでロニクス産業全体が低調である。日本のエレクトある。また当然のことながら，ハイテク産業におロニクス産業を復活させ，さらに発展させて行く

いては，技術的なバックグラウンドがあることがのは若い皆さんであり，その将来はまさに皆さん

経営においても大いに役立つのである。米国のシの肩に掛かっていると言っても過言ではない。こリコンバレーでは，ベンチャー企業から大企業に

こでは，若い研究者の皆さんが，今後日本のエレ成長した会社が多いが，そのほとんどが技術者か

クトロニクス産業を発展させて行く上で，どのよ研究者が起業したものである。
5一方日本ではどうかというと，Ph.D.は企業に

度情報化社会にとって半導体はますます必要不可

入っても基礎研究をやりたがる傾向にある。日本

欠なものになってきている。半導体産業はこれかの Ph.D.も，もっと柔軟な考え方を持ち，マーケらも成長を続けることは明らかであり，半導体のティングや経営に携わる人が多く出てきても良い

未来は明るいと言えよう。しかしながら日本の半と思う。また企業の側も Ph.D.をもっと活用すべ

導体の未来が明るいかと言うと，残念ながらそのきであろう。

状況にはない。現在，半導体を始めとする日本の企業における研究開発は最終的に企業に利益をエレクトロニクス産業全体が低調である。日本のもたらすものでなくてはならない。
経営者，営業，エレクトロニクス産業を復活させ，さらに発展さマーケティング担当者だけでなく，研究者やエンせて行くのは若い皆さんであり，その将来はまさジニアも，常にそのようなビジネスマインドを持に皆さんの肩に掛かっている。皆さんの活躍に期って仕事をしていくことが，日本の企業の発展に待して筆を置きたいと思う。

とって必要である。
参考文献

また，米国では産学連携が盛んである。日本で[1] 田中利明，花沢国雄，鵜飼勝三，細川直吉 ;も産学連携をもっと推進すべきであろう。明確なニーズに基いた研究が大学においても必要である。 第 25 回大河内賞受賞研究業績概要 (1979).
こう言うと大学の先生方からはお叱りを受けるか[2] 鈴木敬三，川崎義直，掛樋豊，野尻一男，清もしれない。研究はシーズ志向であるべきだ，あ水真二;第 36 回大河内賞受賞業績報告書 (1990).

るいは学問は金銭に支配されてはならないという[3] K. Nojiri and K. Tsunokuni: J. Vac Sic.

考えも根強いと思う。しかしながら，例えば先にTechnol., B 11, 1819 (1993).

述べた半導体産業におけるイノベーションは，全[4] “半導体プロセスにおけるチャージング・ダメて強力なニーズ志向から生まれたものである。一ージ”，(リアライズ社, 1996).

つの目的に向かって，多くの人達が精力的に研究[5] K. Yahashi et al ; Proc. Symp. Dry Process,活動を行うことによりブレークスルーが生まれる。 p.279 (2008).
これが私の 40 年の企業経験から得た結論である。

[6] C. Rusu ; 55th Int. Symp. America Vacuum
Society, PS2-FrM5 (2008).
[7] H. Tanaka et al ; Tech. Dig. Symp. VLSI

５．おわりにTechnology, p.14 (2007).

半導体産業は多くのイノベーションによって発展して来た。これからも色々な局面でイノベーシ[8] 野尻一男 ; “はじめての半導体ドライエッチ

ョンが起こり，発展し続けると確信している。高ング技術”，(技術評論社，2012).

6

研究室紹介パルスパワー科学研究所（Institute of Pulsed Power Science）の誕生
熊本大学パルスパワー科学研究所
１．はじめにぞれ、４つの研究分野が設定されており（表１参

２０１３年４月、熊本大学に、「発生医学研究所」

照）、極めて多様性の高い研究組織であることがごに続く２つ目の研究所「パルスパワー科学研究所」

理解いただける。

が新たに設置されました。本研究所は、衝撃超高

表１圧、超重力、極短光パルスなどの極限環境を用い組織概要

パルスパワー基盤部門
パルスパワー発生制御「電気エネルギーを用いたパルスパワーの発生・制御・計測・応用に関する研究」
秋山秀典教授、佐久川貴志准教授
爆発プロセス
分「火薬類を用いたパルスパワーの発生・制御・野
計測・応用に関する研究」
・
外本和幸教授、松山賢一助教
内
超臨界流体プロセス容「超臨界流体プロセス・パルスパワーやレーザ
・
光生成プラズマによる超臨界流体プロセスの教高度化に関する研究」
員
佐々木満准教授
環境プロセス「ナノ秒パルスパワーを用いた環境応用に関する研究」
浪平隆男准教授
極限物性科学部門
衝撃超重力物質「衝撃圧縮を用いた超高圧物性や強い重力場を用いた新物質開発に関する研究」
分
真下茂教授、川合伸明准教授、吉朝 朗教授
野・ 極限物性物理
内 「コヒーレントフェムト秒光パルスによる反応
容
経路等の能動的制御・光エネルギーの効率利・用」
教 赤井一郎教授、藤井宗明准教授、速水真也教授
員 極限材料科学「極限材料科学に関する研究」
北原弘基助教た物質科学研究を推進してきた「衝撃・極限環境研究センター」とパルス大電流、パルス高電界、気体・超臨界流体・液体・固体中プラズマなどの高電磁エネルギー場を用いた生命科学研究（いわゆるバイオエレクトリクス）を推進してきた「バイオエレクトリクス研究センター」とが統合する形で誕生した組織であり、今後、電気・化学・機械・光などあらゆるエネルギーに由来する瞬間的な作用（パルスパワー）に基づいた分野横断的研究が積極的に展開することで、環境と調和したエ
ネルギー利用、最先端エレクトロニクス、医療技術の高度化、食の安全、農・漁業生産性向上など、豊かな人類社会を継続するための多様かつ重要な課題の解決にあたることとなります。
２．組織
パルスパワー科学研究所は、国際的な先導研究を推進する「パルスパワー基盤」及び「極限物性科学」、「バイオエレクトリクス」の３つの研究部
門と国際共同研究・共同教育の推進と国際的ネッ
トワークの連携強化にあたる「国際連携客員」部
門の計４つの部門で構成され、計２６名の教員が所属している。なお、３つの研究部門には、それ7半導体極限機能科学「次世代半導体最先端原子スケール製造科学（NaPFA）に関する研究」
久保田弘教授バイオエレクトリクス部門
基礎バイオエレクトリクス「パルスパワーのバイオへの作用の基礎科学の研究」
高野博嘉教授、斉藤寿仁教授
分
応用バイオエレクトリクス野「パルスパワーのバイオへの作用を利用した最・先端応用研究」
内
勝木 淳教授容医療バイオエレクトリクス
・「パルスパワーのバイオへの作用を使った医療
教への応用研究」
員
矢野憲一教授、甲斐広文教授、粂 昭苑教授
衝撃波バイオエレクトリクス「衝撃波のバイオへの作用の基礎科学」
S. Hamid R. Hosseini 教授

水中衝撃波によるタングステン薄板の爆発圧接
超
臨
界
流
体
プ
ロ
セ
ス
超臨界流体中放電プラズマ

環
境
プ
ロ
セ
ス

３．特徴的な研究成果

究極の非熱平衡大気圧プラズマ「ナノ秒パルス放電プラズマ」
極限物性科学部門

パルスパワー科学研究所に所属する教員はこれまでにも独創的な研究を進めており（表２参照）、
今後、これら研究成果を深化させつつ、異分野融

衝
撃
超
重
力
物
質

合していくことで、更なる研究裾野の拡大を目指
していく。
表２

代表的研究例

パルスパワー基盤部門
パ
ル
ス
パ
ワ
ー
発
生
制
御

重力誘起拡散によって実現した原子スケールの傾斜合金[J. Appl. Phys., 2001]

極
限
物
性
物
理
コヒーレント光パルスによる反応経路制御

40J パルスパワー発生装置

爆
発
プ
ロ
セ
ス

極
限
材
料
科
学

8

金属材料のサブミクロン・ナノレベルの結晶粒
微細化
衝
撃
波
バ
イ
オ

半
導
体
極
限
機
能
科
学

水中衝撃波

４．使命と目標

次世代半導体のためのナノ薄膜形成
バイオエレクトリクス部門

パルスパワー科学研究所の使命として、「パルス
パワー科学の基礎研究と新しい学理構築、及びそれを基盤とした異分野融合による国際的課題解決

基
礎
バ
イ
オ

を推進すると共に、世界で活躍する若手研究者・技術者を育成すること」が掲げられており、今後、
パルスパワー科学技術及びその関連分野における世界トップクラスの研究機関として、成長してま植物変異体誘導[IEEE TDEI, 2009]

いりますので、応用物理学会会員の皆様には、今後ともご支援、ご鞭撻を賜りますよう、何卒宜しくお願い申し上げます。

応
用
バ
イ
オ

活性酸素 誘導医療
バ
イオ
がん細胞へのｱﾎﾟﾄｰｼｽ誘導と機序解明

9

研究紹介

分光技術を用いた AC 励起非平衡大気圧プラズマジェットの診断名古屋大学大学院工学研究科

竹田 圭吾

ジェットは、商用周波数の AC 50/60 Hz 電源を用

はじめに
非平衡大気圧プラズマ技術は、大気圧下で安定いた装置であり、比較的安価な部品で構成されてなプラズマを生成できる特徴を生かし、これまでいる。プラズマ源内部の対向した電極間に、Arの表面処理、薄膜・材料合成などに加え、環境、ガスを導入し、AC 100V から昇圧された AC 数

医療・バイオなど新分野への応用研究も盛んにな

kV 程度の高電圧を印加することでプラズマを生されている。特に、医療・バイオ応用は、近年、成する。生成されたプラズマは、0.3×20mm の

国内外を問わず様々な機関で研究が実施されて方形スリットから Ar ガス流によってジェット状

おり、多くの報告が成されている。我々のグルーに噴出される構成となっている。対向電極間で生プでも、この非平衡大気圧プラズマの医療・バイ

成されるプラズマは非常に高密度であり、約 1016

オ応用に着目し、プラズマ照射によるミドリカビ

cm-3 程度のプラズマ密度を実現する能力を有しの殺菌[1]や癌細胞の選択的殺傷[2]などに成功している[3]。 我々のグループでは、この AC 励起ている。これらの興味深い処理効果は、プラズマ

非平衡大気圧プラズマ源をプラズマ医療やバイから供給されるラジカルなど活性種が大きく寄オ応用に利用している[1,2]。

与していると考えられる。これまでに我々は各種本研究では、AC 励起非平衡大気圧 Ar プラズマ分光計測技術を用いて、非平衡大気圧プラズマにジェットの生成条件を印加電圧 AC 7.5 kV、Arより生成された活性種の振る舞いを明らかにしガス流量 2 slm とした。今回プラズマジェット源てきた。しかし、これらは密閉された容器内の窒からガス流れの方向を軸に、プラズマにより生成

素やアルゴン(Ar)など不活性ガス雰囲気下でのもされた一酸化窒素(NO)、酸素(O)原子の密度計測のが主であった。バイオ・医療応用では大気雰囲を行った。それぞれの計測には、レーザ誘起蛍光

気下の開放系での対象物へのプラズマ照射が多分光法（NO）、真空紫外吸収分光法（O 原子）[4]

くなると考えられる。このような条件下では大気を用い、計測時の雰囲気環境は温度 20 oC、湿度

巻き込みがプラズマ生成に影響を与え、活性酸素

40%であった。図 1 に NO 相対密度および O 原子種(ROS)や活性窒素種 (RNS)といった様々な活

絶対密度のプラズマ源からの距離依存性を示す。

性種が生成され、処理効果に影響を与える可能性

プラズマ源から遠ざかるとともに、O 原子密度はが高い。そこで本研究では大気雰囲気下における減少し、プラズマ先端部（8 mm 付近）でその大非平衡大気圧 Ar プラズマジェットの大気巻き込

きな変化が観られ、逆に NO の相対密度は上昇、みによる活性種生成への影響を評価することをリモート領域で飽和する傾向が得られた。これら

目的に、活性種の空間密度分布およびその生成機は、プラズマ領域で巻き込まれた大気ガスの電子構の解明に向けた研究を実施している。

衝突解離により O 原子が生成され、それらが窒素研究内容

系の活性種との反応により NO が生成され、O 原子に比べ、寿命の長い NO はガス流によりガス下

本研究で用いた AC 励起非平衡大気圧プラズマ10流側へ輸送されたものと考えられる。

Plasma head

Plasma region Remote region
1.0

図1

NO density
12
O atom-3

10

13

Absolute density (x10 cm )NO density (a.u.)

0.8
0.6

8

0.4

6
4

0.2
0.0

Ar gas
flow

14

2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

0 ms

1 ms

2 ms

3 ms

4 ms

5 ms

図 2 シュリーレンシステムにより観測されたAC 励起非平衡大気圧 Ar プラズマのガス流れ

Distance (mm)雰囲気ガスの巻き込みにより生成された

最後に

O 原子、NO 密度の距離依存性

低圧条件よりも、ガス流や雰囲気ガスなどの影響

大気圧環境下の非平衡プラズマは、これまでのにより、ラジカルの振る舞いがより一層複雑とな

次に、雰囲気ガスのプラズマジェットへの巻きる。しかし、プラズマ医療をはじめとする新たな込みの影響を確認するため、シュリーレンシステ

応用分野でのプラズマ反応を理解する上で、ラジムを用いた AC 励起非平衡大気圧プラズマ源のガ

カルの挙動に関する知見は欠かすことのできな

ス流の観測を行った。図 2 にその観測結果である

いものでもある。現在、堀教授の下、新学術領域

ガス流の時間変化を示す。シュリーレンシステム

研究「プラズマ医療科学の創成」のプロジェクト

は、透明な気体、液体及び固体中の不均質状態がに参加させて頂き、この研究を進める中で改めて密度勾配として通過光を屈折させ、屈折した通過

プラズマ計測の重要性と難しさを身にしみて感

光をナイフエッジにより除去することで、わずかじている。今後も本研究のみならず、様々なプラ

な屈折率の変化（密度勾配）を、大きな明暗の差

ズマの諸現象の解明に更に取組み、日々精進してに変えて観測する装置である。

まいります。プラズマエレクトロニクス分科会の図 2 に示すガス流の時間変化では、Ar ガス流

皆様方には今後とも御指導・御鞭撻を賜りますよは層流となっていたが、1 ms 付近のプラズマ放う切にお願い申し上げます。

電直後、プラズマにより温められた Ar ガスがプ
ラズマ源のガススリットから噴出され、ジェット

参考文献

下流域に流れていく様子が確認された。このガス[1] S. Iseki, et al.; Appl. Phys. Express, Vol.4

吹き出しの様子は、8.3 ms の周期で繰り返し確認(2011), 116201.

され、60 Hz の高電圧で駆動する AC プラズマで[2] S. Iseki, et al.; Appl. Phys. Lett., Vol.100

も、プラズマ放電と加熱されたガスの放出が周期(2012), 113702.

的に起こっていることが分かる。このガス流の乱[3] M. Iwasaki, et al.; Appl. Phys. Lett. Vol.92

れが生じたとき、雰囲気ガスの巻き込みの度合い(2008), 081503.

は大きくなり、活性種の生成に大きな影響を与え[4] H. Nagai, et al., Rev. Sci. Instrum., Vol.74,ていると考えられる。

(2003) 3453.
11

海外の研究事情（その 36）

英国サウサンプトンでの研究生活
九州大学

大学院

システム情報科学研究院

中野道彦

2012 年 10 月〜12 月になりました。

はじめに2012 年 10 月 4 日から 12 月 10 日の 2 ヶ月間、
英国サウサンプトンへと短期留学を行いました。

渡航先：英国サウサンプトン

本稿では、その時の経験や感じたこと等を綴りま

渡航先は英国サウサンプトン大学です。サウサ

した。特に、実験を行うに当たって体験した苦労

ンプトンはイングランド南部に位置します。サウや日本（＝私のこれまでの経験）との違いについサンプトン大学を始め複数の大学があり、学生がて書きました。既にご存知の方には、当たり前の多い街でした。それほど都会ではなく、ほどほどことのように感じられるかもしれません。しかし、の田舎といったところです。シティと呼ばれる市

これから海外で研究を行おうと思っている方の助

役所周辺は大きなショッピングモールがあります。

けになればと思い、記す次第です。

たくさんのパブがありますので、飲むところに困ることはありませんでした。大学のすぐ隣にもパ短期留学への経緯

ブがありました。そこで酔っぱらった挙げ句グラ

今回の短期留学は、日本学術振興会「組織的なスを落として割ってしまったことはいい思い出で若手研究者等海外派遣プログラム」における九州

す。また、サウサンプトンは港町で、あのタイタ

大学システム情報科学研究院「情報とエレクトロ

ニックが出航したところでもあるようです。しかニクスの融合を目的とする若手研究者の国際化推し、それほどタイタニック全面に出している訳で進プログラム」の助成を受けてのものでした。

はなく、地味にアピールしていました。

2010 年 9 月頃に制度について照会を受けて、同渡航時期は秋から冬になる頃でした。私が住ん年 12 月頃から渡航先を探し始めました。2010 年

でいる福岡県と比べて、気温はそれほど寒くはあ

4 月に現在の職について、それまでの研究とは少りませんでした。しかし、天候の悪さには辟易しし異なる研究を始めようとしていたところでした。 ました。雨は少なかったですがほとんどの日が曇
そこで、渡航先はその研究に関連したところがいりでした。Poppy Day 以後は、クリスマスの雰囲

いと考え、全くつてが無いまま様々なところに電気になり、様々な露店やメリーゴーランドがでま子メールを送りつけました。十数件断られたとこす。食事は推して知るべしといったところですが、ろで、渡航先が決まりました。サウサンプトン大中華の take away をよく利用していました。野菜学（University of Southampton）の Prof. Hywel

は高く、肉が安いため自炊するとどうしても肉がMorgan です。短期留学の受入れの承諾を頂いた

ちになります。そのため、渡航中に 5 キロも太っのは 2011 年の 4 月でした。その後、研究院内でてしまいました．

の審査を経て 2011 年 6 月に短期留学することが決定しました。先方の都合等があり、渡航期間は
12

6 時と決められていました。朝 7 時頃に宿舎をでて、バスに乗り 8 時前に大学に着いていました。
大学内には、至る所にカフェがあり学生や教員は割引料金で購入できます。そこでコーヒーを買っておばちゃんに挨拶をするのが日課でした。
研究室には Prof. Morgan を含め 4 名のスタッフ、ポスドクが 8 名、博士課程学生が 10 名いました。修士学生は、毎週水曜日の午後に研究室に来て博士課程学生の指導のもとで実験をしていました。研究室では、毎週月曜日にラボミーティン
グ、水曜日にスタッフとの個別打ち合わせ、金曜
日に Journal club がありました。
ラボミーティングでは、事務連絡の他に２名がシティ近くにある城塞跡

研究進捗状況を学会発表のようにまとめて説明します。水曜日の個別打ち合わせでは、学生の居室にスタッフが来て個別に打ち合わせを行います。
時に実験装置を確認しながら、フレンドリーにしっかりと学生とスタッフとで議論をしています。
Journal club は論文紹介の輪講で、ポスドクと学生によって運営されています。
研究内容について
渡航先ではウイルスの誘電泳動特性を明らかにするための実験を行いました。これは，所属研究クリスマス期間に現れるメリーゴーランド

室（九州大学末廣研究室）で行っている誘電泳動

図 1 サウサンプトンで撮った写真

イ ン ピ ー ダ ン ス 計 測 法 （ dielectrophoretic
impedance measurement、DEPIM）による微生

渡航先研究室について物の検出をウイルス検出に応用するためです。誘

私は、大学から少し離れたとこに住みバスで通電泳動とは、不平等電界中に置かれた誘電体に働っていました。英国らしく二階建てバスです。大く力で、微小な領域での微小物質の操作に用いら

学では、建物によってその開館時間などが決められています。渡航先の Prof. Morgan は、誘電泳

れ て い ま す 。 Prof. Morgan の 研 究 室 は 、動に関する研究に非常に貢献度の高い研究者のひElectronics and Computer Science の Centre of

とりです。ウイルスの誘電泳動に関しても実績がHybrid Biodevices（CHB）にあります。この建あり、私はそこでノロウイルスとロタウイルスの物（Building 85）では午前 6 時〜午後 11 時が開誘電泳動特性に関する実験を行いました。図 2 は館時間で、研究室の office hour は午前 8 時〜午後

ロタウイルスの誘電泳動の一例で、蛍光染色した
13

ロタウイルスが誘電泳動によって微細電極間に捕きや仕組みについて述べます。
様々な induction がありました。まずは、建物集されています。

に出入りするための Building induction。新入生に混じって火災時の避難の方法や時間外受付の仕方の講義を受けました。次に、Lab induction。これは、研究室で実験するためのルールに関する
induction です。研究室は、居室と実験室が分けられており、実験室内では白衣とメガネを着用する必要があります。これらを受け取ったり消耗品の保管場所、ゴミ捨ての場所や方法等を教えてもらったりしました。ここまでで 10 日ほどかかってしまいました。さて、これでやっと実験に取りかかれると思っていました。
誘電泳動前
COSHH と Risk assessment sheet
実験を始める前に、その実験に関して COSHHと Risk assessment sheet を作成する必要がありました。これらの作成におよそ 3 週間かかりまし
た。COSHH（Control of Substances Hazardous
to Health、コシューという）は、有害性がある化
学物質について、その性質、有害性、リスク管理について記述した書類のことで、法律に基づいて作成が義務づけられているそうです。まず、実験に使用する試薬を全てリストアップし、それぞれ誘電泳動捕集の MSDS（material safety data sheet）を取り寄

図 2 ロタウイルスの誘電泳動せます。そこに、有害性、例えば腐食性、毒性、引火性などの記述があれば、その試薬に対して
COSHH を作成します。COSHH には，MSDS の実験を始めるまで
幸いなことに当初予定していたデータを渡航期

記述をもとにその有害性、健康リスク、暴露した

間内に取ることができました。渡航の目的は一応ときの対処法を記載し、その試薬の使用に関する

達成できましたが、実際にデータを取得するためリスクを評価します。日本では、毒物や劇物に分に実験を行うことができたのは後半の 3 週間程度類される試薬に関して MSDS を用意し、その使用でした。これは、実験を始めるまでに様々な手続を記録します。つまり、購入前にその試薬に関すきに時間がかかったからです。渡航後すぐに実験るリスク調査をすることは必須ではありません。

が出来ると考えていたので、面食らうと同時に日

渡航先では、購入前に試薬についてしっかりと調

本との違いを実感しました。ここでは、その手続査し、そのリスクを使用者および研究室内で共有
14

します。その一方で、使用に関して特に記録はつ様々なリスクを明文化します。これにより実験中けません。Risk assessment sheet は、実験の工の事故に関する責任は実験者あると示していると程についてそのリスクを評価します。工程は細か感じました。即ち、雇用者は実験前にリスクに関くチェックしなければなりません。例えば、表 1する責任を果たしていると宣言しているように思のような項目です。COSHH と Risk assessment

いました。日本では、実験に使用する装置毎に注

sheet の作成には、なんだかんだと 3 週間もかか

意事項を伝達することはありますが、実験操作にってしまいました。MSDS の取り寄せと各書類の関してそのリスクを明文化することは少ないと思チェックに時間がかかりました。

います。実験中の事故の責任は雇用者（＝教授）にある一方で、細かな実験操作に関して把握され表1

Risk assessment sheet に記載する実験手技ていないことがあるのではないでしょうか。

の例

端的に述べると、渡航先では事前にリスクを明蛍光染色ウイルスの誘電泳動の顕微鏡観察

文化し、日本ではリスクが発現した後、すなわち

1

試薬の調製

6

電源の使用

事故後に検証できるようにすることに重きが置か

2

導電率の測定7顕微鏡の使用れていると感じました。このような日英のリスク

ベンチの清掃，器具管理に関する違いを体感できただけでも、本渡航の洗浄は大変意義があるものでありました。

消毒液への浸漬

Away Day3

ウイルス溶液の希釈

8

ウイルス溶液の4

限外ろ過（遠心9

丁度私が渡航したのは新入生や新しいポスドク分離機）
5

微細電極の使用10

オートクレーブのが入ってくる時期でした。研究室では、年に一度使用

Away Day というイベントを行っていました。
Away Day では、場所を大学から離れたところ（ホテル）に変えて、一年間の研究計画についてミー

COSHH と Risk assessment sheet の取扱いか

ティングを行います。ミーティングでは，博士課

ら、日本との違いについて私なりの見解を述べま

程学生とポスドクがそれぞれに研究テーマについす。試薬に関しては、渡航先では使用者および雇て発表し、一年間の方針を一日かけて話し合いま用者が導入前にそのリスクを把握します。使用にす。場所を変更するだけで、新鮮な気持ちで打ち関して購入量、使用量、廃棄時期等の記録を取る

合わせに打ち込めます。興味深かったのは、昼食ことはありません。安全性を重視する一方で、使代を含め場所代は Prof. Morgan のポケットマネ用に関する危険性の管理は使用者に任されているーであるという点です。日本でも同じようなことと感じました。一方、日本では微生物やウイルス、をしている研究室もあるでしょうが、大変良いイ

放射性物質等の特殊なもの以外は、自由に購入でベントだと思いました．

きます。ただし、使用記録をしっかりと取る必要
おわりにがあります。安全性よりも不正な使用や事故の検証ができることに重きが置かれていると感じます。

ここまで 2012 年 10 月〜12 月に行った短期留実験に関しては、渡航先では実験中に起こりえる学について書いてきました。実験に入る前のリス
15

ク管理に苦労した点を主に述べました。これから表するとともに、不在の間いろいろと助けて頂い海外の大学で研究を行う方の参考になれば幸いでた末廣純也教授、新里賢太技術職員および研究室す。最後に、助成を頂いた日本学術振興会「組織の学生の皆さんに感謝を申し上げます。

的な若手研究者等海外派遣プログラム」に謝意を

16

学生のためのページ・すぐに役立つプラズマエレクトロニクス

大気圧プラズマの活性種レーザー計測
東京大学

小野

亮

支援燃焼でも O や OH などの活性種が燃焼を促進

1. はじめに
大気圧プラズマの応用の一つにオゾナイザがあし、エキシマランプなどの光源でも励起種の脱励る。これは空気や酸素ガスから放電でオゾン（O3）

起に伴う発光を利用している。このように、大気を生成する装置である。オゾンは殺菌や有機物の圧プラズマの応用では活性種が重要な役割を果た分解に優れており、上下水道、農業用排水、プーしており、その技術開発には活性種の計測が必須

ルなどの浄化や殺菌、食品や容器の殺菌や洗浄、となる。本稿では、大気圧プラズマの活性種をレ

医療現場での殺菌や脱臭に用いられている。オゾーザー計測する手法について述べる。

ンは、プラズマ中の O 原子が O2 分子と反応して生成される。

2. 発光分光計測

O + O2 + M → O3 + M ····················· (1)プラズマ中の化学種の計測といえば、プラズマ

M は第三体とよばれ、N2 や O2 などの主要分子での発光スペクトル計測を思い浮かべる人が多いである。O 原子は、プラズマ中で電子が O2 分子を解あろう。レーザー計測に先立ち、発光分光計測に離して生成する。

ついて述べておく。

O2 + e → O + O + e ························ (2)O 原子は図 1 のように電子衝突で励起され、励O 原子や O3 は反応性の高い化学種であり、ラジカ

起 O 原子が 777 nm 付近で発光することが知られルと呼ばれる。プラズマ中には、この他にもイオている。この O 原子の発光から、O 原子密度が得

ンや励起種など、反応性の高い様々な活性種が存られるかどうか検討してみよう。いま、放電電圧

在する。

や雰囲気ガスの酸素濃度を変えて、この O 原子の大気圧プラズマの応用では、活性種が重要な役

発光強度が 2 倍になったとしよう。このとき、O割を果たす。例えば燃焼排ガス処理では、NOx を

原子密度も 2 倍になったと言えるだろうか。答え

N 原子で還元し N2 と O2 に分解する。

はノーである。空気中プラズマにおいて、N2 密度

NO2 + N → NO + NO ····················· (3)777 nmNO + N → N2 + O ·························· (4)O + O + M → O2 + M ······················ (5)あるいは、O 原子や OH ラジカルで NO2 や HNO3に酸化し、水に溶かして回収する。

電子衝突
励起

NO + O → NO2 ····························· (6)NO2 + OH → HNO3 ························ (7)e他にも、表面処理では活性種が材料の表面を改質

基底準位

し、プラズマ医療では活性種が細胞に刺激を与えて治療効果を発揮すると言われている。プラズマ

図117

O 原子の電子衝突励起と発光

が発光していると考えられている。したがって、
この OH の発光強度は OH 密度とは無関係で、O

Emissionと H の密度に依存している。このようなケースもあることを、頭に入れておく必要がある。
以上のように、発光強度から活性種密度を求めるのはそう簡単ではない。これをより直接的に計測するのが、次節で紹介するレーザー計測である。

250

300

3. レーザー誘起蛍光法

350

大気圧プラズマの活性種をレーザー計測する手

Wavelength [nm]法はいくつかある。本稿では、その中でもよく用

図 2 スパーク放電で着火した H2–O2 炎の発

いられるレーザー誘起蛍光法（LIF: laser-induced

光スペクトル。

fluorescence）について述べる。
は常に一定にもかかわらず、放電電圧を上げるとLIF の測定原理を図 3 に示す。測定対象とする

N2 の発光が増加するのが良い反例である。O 原子

活性種（例えば OH ラジカル）のエネルギー準位の発光強度と直接リンクしているのは、基底 O 原

図を表している。準位 1 を基底準位とし、この準子ではなく励起 O 原子である。したがって、例え

位 1 の密度 N1 を測定するとしよう。適当な励起準ば基底 O 原子密度は一定のままでも、電子密度が位 2 を選び、準位 1 と 2 のエネルギー差 ΔE12 に相

2 倍になれば励起 O 原子密度は 2 倍になり、その当する周波数 hν12 のレーザーを照射すると、準位

発光も 2 倍になる。

1 は光子を吸収して準位 2 に励起される。レーザ

背景ガスの O2 濃度を変えて O 原子の発光が変ーのエネルギー密度を I とすると、励起速度は B12I

化した場合も、解釈は複雑である。励起 O 原子は、と表される。ここで B12 は吸収係数である。同時

下準位に遷移して発光する他に、周囲の分子・原に、レーザー光で強制的に 2 → 1 と脱励起させら

子と化学反応して発光せずに脱励起する場合があれる誘導放出も起きる。誘導放出速度は B21I で、る。これをクエンチングとよぶ。クエンチングは

B21 は誘導放出係数である。その他、準位 2 から化学反応なので、クエンチング速度は周囲のガス

様々な下準位 3, 4, …, m へも脱励起し、エネルギ

組成や温度に依存する。当然、背景ガスの O2 濃度

ー差に応じた波長の蛍光を放射する。これを自然にも依存する。そのため、励起 O 原子のうちクエ放射とよび、2 → i の自然放射速度は自然放射係

ンチングせずに発光する割合も O2 濃度に依存し、数 A2i で表される。準位 2 からは、化学反応によ

発光強度の分析ではこれを補正する必要がある。

り蛍光を放射せずに脱励起するクエンチング（速図 2 は、スパーク放電で着火した H2–O2 炎の発

度 kq）も発生する。ここで、準位 1, 2 の数密度 N1,

光スペクトルである。観測されている発光はすべ

N2 について、次のレート方程式が成立する。

て OH ラジカルの発光である。これは基底準位の

 dN 1 (t ) dt   B12 IN1 (t )  ( A21  B21 I ) N 2 (t ) dN 2 (t )  B IN (t )   N (t )
12
1
2
2
 dt

OH が励起されて発光したものではなく、火炎中に豊富に存在する O ラジカルと H ラジカルが反応
して励起 OH を生成し（O + H → OH*）、この OH*
18

(8)

準位 2

クエンチングkq
A23

h21
I

A24

B21I

B12I

A2m

S23
3
4
:
m

A21

準位 1
図3

光学フィルタLIF 測定原理。

ただし得られている。このようにして、蛍光強度から準位 1 の密度を求めることができる。

m

2   A2i  B21 I  k q ······················ (9)式(12)の比例係数 c は装置の密度較正をすればi 1

は準位 2 の脱励起速度である。時間 t は、レーザ求めることができるが、実際にはこの較正が極めーの照射開始からの経過時間である。LIF には一て難しい場合がある。本稿ではこの較正までは立般にパルスレーザーが使用され、パルス幅 τ は 10

ち入らず、測定の概略を述べるに留める。

ns 程度である。大気圧プラズマの LIF 計測では、
4. LIF の実際

しばしばB12 IN1  ( A21  B21 I ) N 2 ,   1 / 2

実際に何かの活性種を LIF 計測するときに、どの近似が成立する。このとき、式(8)は以下のようのような手順で準備を進めればよいか、OH の LIFに解ける。

を例にとって説明しよう。

 N1 (t )  N1 (0) exp( B12 It )················ (10)B12 I

 N 2 (t )   N 1 (t )2

4.1 遷移の調査

OH がどのようなエネルギー構造を持ち、どの図 3 で計測している 2 → 3 の蛍光強度 S23 は、次ような光学遷移が存在するかをまず調査し、測定式で与えられる。

に最適な励起および蛍光遷移を選定する。OH ラS 23  c  A23 N 2 (t )dt
0

c

A23
N1 (0)[1  exp( B12 I )]2ジカルのポテンシャル曲線を図 4 に示す。二原子········· (11)分子の典型的なポテンシャル曲線である。横軸がO と H の原子間距離、縦軸がエネルギーである。
X2Π, A2Σ などと書かれているのは電子準位で、電ここで c は比例係数である。さらに

B12 I  1子の軌道が異なるため大きなエネルギー差がある。
電子準位間のエネルギー差は一般に 1~10 eV 程度の近似が成立すれば、式(11)はS 23  cである。各電子準位にある v は振動準位である。

A23
B12 IN 1 (0) ······················ (12)2原子間の振動エネルギーを表している。エネルギとなる。測定したいのは、レーザー照射前の準位

ー差は 0.1 eV のオーダーである。各振動準位には、

1 の密度 N1(0)である。これに比例した蛍光強度がさらに回転準位（N = 1, 2, 3, …）がある。OH ラジ
19

A2

4

エネルギー

1
v=0

2

B, v’=0

cm -1 N’ F’
40390

2
6 3
1

J’
6f
5e
7e

40370

2
4 3
1

4f
3e
5e

2
2 3
1
0 1

2f
1e
3e
1e

3

X 2
40350

4

P1 P2 P3

3
2
1
v=0
9060

R1 R2 R3

Q12

N" F"
2
7 3
1

J"
7f
6e
8e

2
5 1
3

5f
6e
4e

2
3 1
3

3f
4e
2e

2
1 1
3

1f
2e
0e

原子間距離
図4

OH ラジカルのポテンシャル曲線。

9040

カルの場合、各回転準位はさらに 4 つの微細構造に分かれている。レーザーを用いて、それぞれの

9020

微細構造を個別に励起するため、この微細構造も含めたエネルギー構造を理解しておく必要がある。
一部のラジカルについては、LIFBASE[1]のよう

9000

なフリーソフトで各遷移の波長や遷移速度などの分光定数を調べることができる。OH ラジカルにX, v"=6

ついても、LIFBASE で調べることができる。その

図5

他のラジカルについては丹念に文献を調査し、図O2 分子(B3Σu−, v′ = 0)–(X3Σg−, v″ = 6)バンドの回転準位間遷移。

5 のようなエネルギー準位図や遷移確率などを得る必要がある。

各回転準位が 3 つの準位 F = 1, 2, 3 に分裂してい図 5 の O2 のエネルギー準位について、もう少しる。回転準位 N は、原子核の回転や、電子が原子

詳しく見てみよう。図 5 の上側が電子励起準位

核の周囲を運動するときの角運動量に起因するエB3Σu−の振動準位 v′ = 0、下側が電子基底準位X 3 Σ g −ネルギーである。これに電子のスピンを加えた合の振動準位 v″ = 6 である（v などの量子数には、成角運動量 J も量子化され、微細準位 F = 1, 2, 3

。O2(X 3 Σ g −,上準位に「′」、下準位に「″」をつける）

に対して

v = 6)の密度を(B3Σu−, v′ = 0) ← (X3Σg−, v″ = 6)励起J = N + 1, J = N, J = N − 1

で LIF 計測するための遷移を調べている。O2 分子の値をとる。この J の値も図 5 に記している。一の回転準位 N は、X3Σg−準位では奇数のみ、B3Σu−
準位では偶数のみをとる。電子のスピンに応じて、般に、遷移の前後で J の値の変化がΔJ = J′ − J″ = −1, 0, 1
20

3p 4So

め、空気中を透過しない。したがってプラズマ計
測に真空紫外レーザーを使うことは困難である。

745 nm

3p 4Do二光子励起 211 nm

868 nm

そこで、ちょうど 2 倍の波長をもつレーザーの光

3s 4P

子を 2 つ吸収させる二光子レーザー誘起蛍光法

207 nm（TALIF: two-photon absorption LIF）が用いられる。
図 6 の N 原子の計測では、211 nm もしくは 207 nmの光子を 2 つ吸収させて励起している。N 原子のTALIF では、
図 6 の 2 通りの手法が用いられる[3]。
したがって、ここに出てくる 4 つのエネルギー準

2p3 4So

位のみ理解していれば十分である。
図6

N 原子の TALIF 計測。
4.2 励起遷移の選択になるという規則がある。そして、それぞれの遷

OH ラジカルの基底準位(X2Π, v″ = 0)を測定する

移を P, Q, R 枝とよぶ。ただし O2 については Q 枝

場合を考えよう。レーザーの波長を考慮すると、の遷移は小さく、実質的には P 枝と R 枝だけ考慮

図 4 において(A2Σ, v′ = 0, 1, 2, 3) ← (X2Π, v″ = 0)をすればよい。また、遷移の前後で電子のスピンが励起することになる。この場合、遷移確率は v′が変化するものは遷移確率が小さいので、図 5 では

小さいほど大きいので、第一候補は v′ = 0 である。

22
スピンの値が変化しない P 枝と R 枝の遷移のみを、 このとき励起準位(A Σ, v′ = 0)はほとんど(X Π, v″= 0)にしか脱励起しないため、励起波長（すなわN′ = 6 に関して 6 つ記している。左から順に

ちレーザーと同じ波長）の蛍光を測定することにP1(7), P2(7), P3(7), R1(5), R2(5), R3(5)である。かっこの中の数字は N″を表し、1, 2, 3 はなる。レーザー光はプラズマ中の気体にレイリー

電子スピンの F の値を表している。各準位のエネ散乱され、かなり強い迷光となる（レイリー散乱

ルギー、各遷移の自然放射係数や吸収係数は文献

では波長はそのままで散乱される）。このため v′ =から得る[2]。このように、分子はエネルギー構造

0 への励起はあまり用いられない。

が複雑なため、計測に際してエネルギー構造や分

次に(A2Σ, v′ = 1) ← (X2Π, v″ = 0)の励起が候補と光定数を調べるだけでも、かなり骨の折れる作業なる。これは比較的励起確率が高く、また蛍光遷になる。

移は(A2Σ, v′ = 1) → (X2Π, v″ = 0, 1)の 2 つが強くな分子に対して、原子はエネルギー構造が簡単でるため、(A2Σ, v′ = 1) → (X2Π, v″ = 1)を測定すればある。分子は回転準位や微細構造を含めると膨大レーザー光と異なる波長で蛍光を測定できる。こな数のエネルギー準位が存在するのに対して、原の励起は、OH の LIF で最もよく利用される。

子では分光計測で考慮する準位は 10 個に満たな

次に(A2Σ, v′ = 2) ← (X2Π, v″ = 0)であるが、これい。LIF で利用できる遷移はほとんど決まっておは先の v′ = 1 より励起確率が低いため、あまり利り、それをそのまま利用することになる。N 原子

用されない。

の LIF 計測法を図 6 に示す。N, O, H などの原子は、最後に(A2Σ, v′ = 3) ← (X2Π, v″ = 0)であるが、こ基底準位からの励起に 100 nm 付近の真空紫外光

れは励起確率が低いにもかかわらず利用されるこを要する。真空紫外光は N2 や O2 に吸収されるたとがある。図 4 に A2Σ と交差する曲線 4Σ−がある21

が、(A2Σ, v′ = 3)に励起された OH はすぐに 4Σ−に遷

Sres

(a)

4 −

P2(8)

P1(8)

移する。この Σ は原子間距離が長いほどエネルギ

Q1(11)O と H に解離する。これを「前期解離」という。
この前期解離速度を P とおくと、P はクエンチン
グ係数 kq より十分大きいため、式(12)において

2  P ········································· (13)Emission Intensity

ーが低いので、即座に原子間距離が広がり最後は
O12(6)

P12(8)

Soff

Q2(11)(b)となる。一方、v′ < 3 の励起の場合は P = 0 なので2  k q ········································ (14)となる。P は定数だが、kq は周辺ガスの組成、密248.1

度、温度などに依存するため、式(13)の v′ = 3 励起
ほうがクエンチングの不確定性を抑えた測定がで

図7きる。これを前期解離 LIF という。測定感度は v′ =

248.2

248.3
248.4
248.5
Laser wavelength [nm]248.6

OH ラジカルの LIF 励起スペクトル。励起および蛍光バンドは本文参照。(a) 加湿 N2 プラ

1 励起の 1/10 程度になってしまうため、両者の長ズマ、(b) 加湿空気プラズマ[4]。

短を比較して励起遷移を決定することになる。
振動準位が決まったら、次に各振動準位のどの

4.3 励起スペクトルのチェック

回転準位を励起するかを決定する。このときのポ励起遷移が決まったら、次に励起スペクトルを

イントは 3 つある。

チェックする。図 7 に OH-LIF の励起スペクトルi) (X2Π, v″ = 0)の回転準位 i の密度を Ni とおくと、を示す。励起は(A2Σ, v′ = 3) ← (X2Π, v″ = 0)、蛍光

Ni の密度分布は次のボルツマン分布に従う。

は(A2Σ, v′ = 3) → (X2Π, v″ = 2)である。蛍光波長はNi
g i exp( E i / kT ) ·············· (15)N  g i exp(  Ei / kT )296 nm 付近にあるため、この波長域を透過するバ
ンドパスフィルタを用いて蛍光を測定している。

i

レーザーの波長を 248.1 nm から 248.6 nm までス

ただし gi は統計重率とよばれる定数で、N はキャンし、OH の励起波長に一致した時に LIF 信

N   N i ································ (16)号が観測され、スペクトルが得られている。図 7(a)iは加湿 N2 プラズマである。OH の蛍光だけが観測で表される(X2Π, v″ = 0)準位の密度である。測されている。一方、図 7(b)の加湿空気プラズマで定したいのは N、実際に測定するのは Ni なのは、OH の蛍光に加えて “+” で示した別の信号がで、プラズマのガス温度が不明な場合は、式観測されている。これは、振動励起 O2(v = 6)の LIF(15) の右辺が温度によらずほぼ一定となるよスペクトルである。たまたま OH と励起および蛍

うな準位 i を選択するのが望ましい。

光波長が一致しているため、観測されてしまってii) Ni/N がなるべく大きい準位 i を選択すると、測いる。この O2(v = 6)の信号が重畳しているため、定感度の面から望ましい。

P1(8)は測定に使えない。O2(v = 6)から分離されてiii) スペクトルが他のスペクトルと重ならない準いる P2(8)を測定に使うこととなる。このように、

位 i が望ましい。これについては後述する。

励起スペクトルから他の発光が LIF 信号に重畳していないかを確認する。
22

(a)

(1,1)

(3,2)

ILIF  IL

Fluorescence Intensity(0,0)
Q 2 (7)

(2,1)

(b)

280

図8

R 2 (6)

P 2 (8)飽和Transparency ofinterference filter

290

300
310
Wavelength [nm]

図9

320

OH-LIF 信号強度 ILIF とレーザーのエネル

ギーIL の関係[6]。

OH ラジカルの(A2Σ, v’ = 3) ← (X2Π, v” = 0)

バンド P2(8)枝を励起した時の LIF 蛍光スペクト
4.5 飽和のチェック

ル[5]。

LIF 信号強度 ILIF は、式(12)のようにレーザーのエネルギーIL に比例する。したがって測定感度を4.4 蛍光スペクトルのチェック

上げるには、レーザーは強いほどよい。しかしレ

励起スペクトルを確認したら、次に蛍光スペク
トルをチェックする。図 8 は、OH ラジカルの(A2Σ,ーザーを強くしすぎると、図 9 のように LIF 信号

v′ = 3) ← (X2Π, v″ = 0)バンド P2(8)枝を励起した時が飽和する。LIF 計測では ILIF と IL の比例関係をの蛍光スペクトルである。図 8(a)の(3, 2)は(A2Σ, v′

前提にしているため、飽和が発生すると測定精度= 3) → (X2Π, v″ = 2)の蛍光であることを表しておが落ちる。したがって、レーザーは飽和が起きなり、そこに P, Q, R の 3 つのスペクトルが観測されい範囲でエネルギーを強くするのがよい。

ている。LIF ではこれら(3, 2)の蛍光を観測したい

飽和が起きる理由を述べる。レーザーを照射しのだが、その他に(0, 0)(1, 1)(2, 1)のスペクトルも現ている間、下準位は次々にレーザーにポンピングれている。これらは、(A2Σ, v′ = 3)から(A2Σ, v′ = 0, 1,

されるため、下準位密度は式(10)のように減衰す

2)に振動遷移したあと、(X2Π, v″ = 0, 1)に遷移してる。レーザーが強いとこの減衰が顕著になり、レ放射された蛍光である。式(12)ではこの振動遷移

ーザー照射前の密度よりも低い密度を測定するこは考慮していないため、(0, 0)(1, 1)(2, 1)の蛍光は省とになる。このため、レーザーを強くすると下準いて測定する必要がある。そこで、図 8(b)のよう位が次第に枯渇し、一定以上の蛍光が得られなくなバンドパスフィルタを用いて (3, 2)の蛍光だけなる。これが飽和の理由である。実際には、枯渇測定するようにする。もし振動遷移も考慮すると、準位の近隣の回転準位からの緩和により、式(10)ほど高速には枯渇しない。この回転準位間緩和を式(12)はもっと複雑な式になる[6]。このように蛍含めた式は複雑になるが、いずれにせよ、図 9 で

光スペクトルを観測して、計測の障害になるような発光が他に混ざっていないかどうかを確認する。

線形性が保たれている範囲であれば、この下準位の枯渇は無視できる。

23

1

4.6 光化学反応のチェック
レーザー計測は、プローブなどを挿入する計測
ILIPF/IL (arb. units)と比較して非接触・非擾乱であるといわれる。しかしレーザー計測では高強度の紫外レーザーを照射することが多く、レーザーが光化学反応を誘起して測定を乱すことがある。この光化学反応がな

LIPF signal caused byozone photodissociation
IL = 100 mJ/cm

いことを確認する必要がある。特に空気中の大気

IL = 4 mJ/cm

O3

圧プラズマでは、プラズマ中の O3 が紫外レーザー

0.1
0
10

に容易に光解離される。

10

1

10

2

2

2

10

3

Postdischarge Time [s]O3 + hν → O(1D) + O2(a1Δg)

図 10 パルスストリーマ放電後の O2(v = 6)密度O3 + hν → O + O2(v) ························ (17)時間変化を LIF 計測した結果[2]。

上の反応がおよそ 90%、下の反応がおよそ 10%の割合で発生する。この光解離反応が、様々な LIF
計測において問題となる。

る。図 10 の破線は O3 密度の時間変化である。これに比例した余分な LIF 信号が重畳し、100 mJ/cm2

OH-LIF では、OH 励起用に照射した紫外レーザ
ーがプラズマ中の O3 を光解離し、その結果発生しの結果が得られている。

1

O3 の光解離は O 原子も生成するため、O の LIF

1

計測も強く乱される。詳細は省くが、文献[7]にそた O( D)が次の反応で OH を生成する。

O( D) + H2O → OH + OH ·················· (18)この光解離と OH 生成の一連の反応は数 ns で完了の例が示されている。

するため、新たに生成された OH は O3 を光解離しこのような光化学反応の有無は、レーザー強度

たのと同じレーザーパルスで LIF 計測されてしまを変えたときに、それに比例した信号が得られるう。その結果、実際よりも過剰な OH 密度が得らかどうかを確認すれば分かる。先に述べた飽和もれてしまう。

含め、レーザー強度と LIF 信号の比例をチェック

O3 の光解離は振動励起 O2(v)を生成するため、することは極めて重要である。

O2(v)の LIF でも問題が発生する。図 10 に例を示
す。パルスストリーマ放電（パルス幅 100 ns 程度）

5. まとめ後に、O2(v = 6)密度が時間変化する様子を LIF 計

大気圧プラズマ中の活性種計測について、レー測した結果である。レーザーのエネルギー密度 IL

ザー誘起蛍光法を例にとり、測定法や測定に伴う22を 100 mJ/cm と 4 mJ/cm として計測している。ま

注意点を述べた。文献に書かれた波長のレーザー

ったくおなじ計測をしているにもかかわらず、ILを照射し、文献に書かれた波長の蛍光を測定しての値によって異なる結果が得られている。これは、それらしい結果が得られても、それが本当に正し

2

IL の値が 100 mJ/cm と大きい場合、放電で発生しい結果かどうか確かめる必要がある。飽和、クエ

た O3 が光解離して O2(v = 6)が生成され、これもンチング、光化学反応など、これらの影響をきち

LIF 計測しているためである。レーザーが十分にんと理解するには、活性種の励起・蛍光のレート

弱ければこの光解離は無視できる。図 10 では、IL方程式に基づく光学過程および、プラズマ反応の2= 4 mJ/cm の結果が真の O2(v = 6)密度を表してい

正しい理解が必要である。
24

[5] R. Ono and T. Oda ; J. Phys. D, 41, (2008),

本稿では、LIF 計測についての概略を述べた。
レーザー計測についてのより詳細な内容や活性種

035204.

の測定例を知りたい方は、文献[8][9]なども参照し[6] Y. Nakagawa, R. Ono and T. Oda ; J. Appl. Phys.,て頂きたい。

110, (2011), 073304.
[7] R. Ono, K. Takezawa and T. Oda ; J. Appl. Phys.,

参考文献

106, (2009), 043302.

[1] J. Luque and D. R. Crosley, “LIFBASE, Database[8] 小野亮 ; プラズマ・核融合学会誌, 87, (2011),

and spectral simulation for diatomic molecules (v302.

1.6),” SRI International Report MP-99-009 (1999).

[9] 小野亮 ; “光学測定の基礎” in 神原信志編 ;[2] R. Ono and T. Oda ; Plasma Sources Sci. Technol.,“ 大気圧プラズマ反応工学ハンドブック ”, (NTS,

18, (2009), 035006.

2013), 第 1 編, 第 10 章.

[3] R. Ono, Y. Teramoto and T. Oda ; Jpn. J. Appl.
Phys., 48, (2009), 122302.
[4] R. Ono and T. Oda ; J. Phys. D, 35, (2002), 2133.

25

国際会議報告Japan-Australia Commemorative Workshop
25 Years of Collaboration in Gaseous Electronics and Its
Applications (JAWS25)
首都大学東京杤久保文嘉

オーストラリアの首都キャンベラにあるオース（ Macquarie Univ. ）、 Richard Morrow 先 生

トラリア国立大学のユニバーシティハウスを会場（Sydney Univ.）、Greg Boyle 氏（James Cook

として、JAWS25 という勇ましい略称のワークシ

Univ.）、Adam Edwards 氏（Australian National

ョップが 2013 年 6 月 23〜25 日に開催された。

Univ.）の 13 名、日本から真壁利明先生（慶大）、

このワークショップは、第 1 回が 1988 年にシド

浜口智志先生（阪大）、村上泉先生（核融合研）、

ニーで、第 2 回が 1990 年に御殿場で、第 3 回が白谷正治先生（九大）、寒川誠二先生（東北大）、

1994 年にイェプーンで開催され、今回はそれ以来

松尾二郎先生（京大）、田中大先生（上智大）、小の開催とのことであった。元々は、気体放電、電野亮先生（東大）、安岡康一先生（東工大）、佐藤子やイオンのスウォーム、原子分子衝突に関する

孝紀先生（室蘭工大）、酒井道先生（京大）、杤久

日豪の研究者が集まり、集中的に議論をするとと保（首都大）の 12 名、日豪両国に関係の深い Zoran

もに、研究とプライベートの両面で交流を深める

Petrovic 先生（Institute of Physics, Serbia）、オことを意図して運営されてきたと聞いている。しーストラリア国立大学に滞在されていた Dennis

たがって、参加者数を限定したワークショップで

Mueller 先生（Univ. of North Texas）、Ravi Rauある。今回は、ジェームズクック大学の Robert

先生（Louisiana State Univ.）の計 28 名である。

Robson 先生と慶大の真壁利明先生との協議の上ワークショップの前日である 6 月 22 日の夕刻で開催の運びとなった。自分達が JAWS1-3 を通に、Buckman 先生のご自宅での BBQ パーティにじて培った友好や信頼を、若い世代に引き継ぎた招かれた。日本側からは、この時点でユニバーシいという思いがお二人にはあったものと想像する。
今回の JAWS25 の参加者は、オーストラリアから Robert Robson 先生（James Cook Univ.）、
Michael Brunger 先生（Flinders Univ.）、Ron
White 先 生 （ James Cook Univ. ）、 Robert
Crompton 先生（Australian National Univ.）、John Lowke 先生（CSIRO）、Stephen Buckman
先 生 （ Australian National Univ. ）、 James
Sullivan 先生（Australian National Univ.）、Tony
Murphy 先 生 （ CSIRO ）、 Darryl Jones 先 生
Buckman 先生宅での BBQ パーティ

（ Flinders Univ. ）、 Robert Carman 先 生

26ティハウスに到着していた田中先生、浜口先生、

6 月 24 日は 2 件の Plenary Lecture からスター

杤久保の 3 名が参加させていただいた。Buckman

トした。1 件は Buckman 先生によるもので、散先生のご自宅は会場から車で 30 分ほど移動した

乱実験、特に低エネルギー域の微分散乱断面積や丘にあり、見晴らしも良く、綺麗でとても心地よ

ポジトロン散乱について講演された。もう 1 件はい家だった。ビールやワイン、ソーセージやステ

松尾先生がクラスターイオンによる表面相互作用ーキなどを御馳走になった。6 月 23 日の午前中にについて講演された。続いて、Theme Discussion

はキャンベラ市内の Excursion が行われた。

として、浜口先生が微細加工やプラズマ医療を例

ワークショップは 6 月 23 日午後 3 時から 6 月

示しながら原子・分子のデータベースの必要性に

25 日午後 4 時にかけて行われた。ワークショップ

ついて、White 先生がスウォーム理論をガス中のの冒頭、Crompton 先生と Lowke 先生が挨拶をさ

みでなく液中の粒子輸送に適用することについてれた。Crompton 先生は Sir L. G. H. Huxley 先生

講演された。昼食を挟んだ午後には 6 件の講演がの下で学位を取られ、Huxley 先生は Townsend行われた。最初に、田中先生が電子衝突実験、及先生の下で学位を取られたとのことで、まさに電び、理論との整合性について講演された。続いて、

離気体研究の直系としてこの分野をリードされた。 Jones 先生が低エネルギー電子とラジカルの衝突
Huxley 先生との共著による“The Diffusion andについて報告された。村上先生は Fe と W の発光

Drift of Electrons in Gases” (John Wiley & Sons,を用いたプラズマ診断とそのモデルの妥当性、及

1974)は有名である。現在、87 歳とのことである

び、NIFS の原子分子データベースについて講演が、まだまだお元気で、熱心に各講演に耳を傾けされた。Carman 先生は高気圧ヘリウムプラズマておられた。

からの分子発光について話された。佐藤先生は最会議のプログラムの詳細は JAWS25 のウェブ

近改良を加えた CF3I の電子衝突断面積について

ページ（http://www.jaws-25.com/）から見ること報告された。Boyle 氏はガス中と液中におけるポができる（平成 25 年 11 月 6 日の時点で確認）。

ジトロンの輸送について話された。この後、バン簡単に紹介すると、6 月 23 日は、最初に真壁先生

ケットが開かれた。バンケットでは、Robson 先が高度な人材育成はどうあるべきか、これに関す

生と真壁先生の長年の Gaseous Electronics 分野

る慶大の取り組みについて話された。続いて、への多大な貢献に対して表彰が行われた。

Robson 先生が過去の JAWS について触れられた
後、現時点でのオーストラリアでの研究動向について報告された。次に、Sullivan 先生が電子やポジトロンの散乱実験について講演された。この日の最後は、杤久保が液体電極を用いた大気圧直流
グロー放電による電気分解について報告した。この後、Old Canberra Inn というレストランへ移動
して夕食を取った。Old Canberra Inn を検索した所、この建物は 1857 年に建てられ、当時の優れた建築技法による建造物として National Trustof Australia に認定されているとのことである。

ワークショップ会場の風景
27

挟み、安岡先生より気液界面プラズマによるPFOS 分解について、Petrovic 先生より高気圧ガス中での電子とポジトロンの輸送について講演がされた。寒川先生からの中性粒子ビームによるナノスケールデバイス加工に関する講演をもって全プログラムが終了した。全体を通じて、アットホ
ームで居心地の良いワークショップであった。
冒頭にも記したように、発足時の JAWS は気体
放電、電子やイオンのスウォーム、原子分子衝突
バンケット会場など基礎過程を中心とした日豪の研究会であった。
この分野の日本人研究者は減少していることもあり、今回、日本側からはプラズマ応用の研究者が中心となった。一方、オーストラリア側は、原子分子衝突を中心に基礎の研究者が多い。また、電子−分子衝突からポジトロン−分子衝突へとターゲットがシフトしている。このような状況においては、以前の JAWS で行われたであろう、共通する
一つのテーマについて深い議論をすることは難し
く、お互いにメリットがあるよう、相補的な関係

表彰風景（プレゼンターは Crompton 先生）を築いて行くことが重要に思われる。
会議の最後に Brunger 先生の司会の下、JAWS

6 月 25 日には午前 6 件、午後 3 件の講演が行を今後どうするかについて短時間ではあるが議論われた。最初に、白谷先生がプラズマ CVD によがあり、継続する方向性で集約された。

る Si 太陽電池について講演された。白谷先生は直前の GEC のミーティングから駆けつけられており、キャンベラ一泊のみの強行軍であったと伺った。続いて、Lowke 先生が気中放電における窒素や酸素のメタステーブルの役割について講演された。酒井先生はプラズマメタマテリアルについて講演された。Murphy 先生はアークジェットのモ
デリングについて話された。小野先生はストリー
マ放電中のラジカル生成に関する LIF 計測と数値
シミュレーションの結果について報告された。
Morrow 先生は流体方程式による液中のイオン輸
集合写真

送、電気二重層形成について講演された。昼食を28

国際会議報告

APPC12
The 12th Asia Pacific Physics Conference
第 12 回アジア太平洋物理会議
http://www.jps.or.jp/APPC12/index.html
2013 年 7 月 14 日（月）～19 日（金）幕張メッセ
九州大学,APPC12 プログラム委員

白谷 正治

応用物理学会と日本物理学会を共同のホスト

C. N. Yang Award に 4 名の若手研究者が選出

として，2013 年 7 月 14 日-19 日に幕張メッセで，され，APPC12 で表彰されました．プラズマ関係

第 12 回アジア太平洋物理学会議を開催しました．

では東北大学の金子先生が受賞されました．アジ

この会議は 1983 年以来，AAPPS（Association of

アの物理学全体の中から，応物のプラズマ関係者

Asia Pacific Physical Societies）

が受賞した意義は大きいものがあります．詳細は

アジア太平洋物理学会連合が，およそ２年半に一度，下記をご覧下さい．

各国持ち回りで開催してきました．第 12 回は，http://www.jps.or.jp/APPC12/CNYANGAWARD.

ノーベル賞受賞者を含む 18 名のプレナリー講演

html

により，物理学全体の潮流を把握できるとともに，プラズマ以外の様々な領域に関する進展を一望にプラズマ関係のプレナリー講演者 3 名は下記でし出来る会議となりました．海外 27 ヶ国から 284

た．

名，全体で 1256 名の参加者がありました．招待

D1(Plasma Physics )講演 147 件,一般口頭講演 249 件，ポスター講演

D2 (Plasma Processing)735 件でした．プラズマ関係では，応用物理学会

Kong

主導で 4 セッション，物理学会主導で 4 セッショ

D4 (Astro&Space Plasma) Prof. K. Shibata,ン，また 2 学会合同で 1 セッションを企画しましJapan

Prof. Liu Chen, China
Prof. P.K. Chu, Hong

た． Proceedings は Journal of Physical Societyof Japan (JPSJ)の Supplement として発刊予定

プラズマ関係のセッション構成

です．多くの方に講演・参加していただき，応物(招待講演，一般口頭講演，ポスター講演の件数)のプラズマ分野の勢いを示すことが出来ました．

D1 Plasma Physics (10,120,100)

関係委員の皆様，参加頂いた皆様に厚く御礼を申

D2 Plasma Processing (11,75,65)

し上げます．

D3 High Intensity Laser Plasma Science

次回の APPC1 は Australia の Brisbane で(5,32,26)

2016 年 12 月に開催予定です．

D4 Astro- & Space-Plasma (7,29,19)
29

APPC12 全体のセッション構成

B3 Atomic and Molecular Physics

A1 Spintronics, Magnetism, and Topological

B4 Astrophysics, Cosmology, and Gravitation

Insulators

C1 Synchrotron Radiation

A2 Solid-state Quantum Physics and Devices

C2 Neutron Scattering

A3 Graphene and Other Carbon-based

C3 Optical Science

Materials

D1 Plasma Physics

A4 Oxides and Novel Low-dimensional andD2 Plasma Processing

Nano-structured Materials

D3 High Intensity Laser Plasma Science

A5 Low Temperature Physics

D4 Astro- & Space-Plasma

A6 Electron Correlation and Superconductivity

E Computational Physics

A7 Quantum Information and Statistical

F Physics Education

Physics

G Women in Physics

B1 Particle Physics

H Others (Physics frontiers)

B2 Nuclear Physics

30

国際会議報告

21st International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC-21)
名城大学

理工学部

本国際会議は、2013 年 8 月 5 日（月）から 9

太田貴之

講演されました。

日（金）までの 4 日間にわたり、オーストラリ

本会議で開催されたセッションは、プラズマのア・ケアンズの Cairns convention center にて開催

基礎・診断・モデリングといったプラズマ物理にされました。また、本会議の前に 8 月 1 日（木）焦点をあてたセッション、減圧から大気圧までのから 3 日（土）まで、プラズマ初心者向けのプラズマ源、プラズマ応用として薄膜材料、バイ

Summer School (Fundamentals and applications ofオ、ポリマー、環境と多岐にわたるものでした。

low pressure and high pressure plasmas)も併せて

プラズマ基礎、plasma medicine、CVD セッション

開催されています。

における発表件数がそれぞれ約 40 件と最も盛況

ISPC は International Plasma Chemistry Societyでした。その他では、大気圧プラズマ、液中プラによって組織されており、1973 年以来、2 年にズマ、再生可能エネルギー・環境、ナノ材料・微

1 回開催され、今回で 21 回目を数えました。今

粒子といったセッションの発表件数が多かった。

回の参加者数は約 300 人であり、招待講演を含最後に、今回は proceedings の冊子・DVD が配めた口頭発表の件数は約 130 件、ポスターセッ

布されず、学会期間中に WEB からダウンロード

ションの発表件数は、約 190 件でした。

するようアナウンスがあった。参加費を払って学

基調講演は 5 件あり、日本からは東北大学・畠会に来る意味がないとの声も聞かれましたが、プ山先生が”Plasma Processing Based Nanoscience andラズマ分野が恒常的に発展していくためにも，オNanocarbon Application” の題目で、フラーレンやーガナイズをきちんとする必要があることを強くカーボンナノチューブ、グラフェンなどのナノカ

感じました。
（当然の話ですが・・・）

ーボン材料の生成と、それらを用いたナノ－バイ

次回は、2015 年 7 月 5 日から 10 日にかけて、

オエレクトロニクスの創成について講演されましベ ル ギ ー ・ ア ン ト ワ ー プ の the University of

た。また、東工大の渡辺先生が”Innovative Thermal

Antwerp で開催されます。

Plasma Processing from Fundamental Research”の題

https://www.uantwerpen.be/en/conferences/ispc22/目で、多相交流アークなど熱プラズマの生成基礎と、それらを用いた環境応用について講演されました。
また、招待講演は 12 件あり、日本からは大阪市
大の白藤先生が”Three-Dimensional Integration of
Micro Solution Plasmas and Its Application toMaterial Processing in Large Volume Liquid” の題目
で、マイクロソリューションプラズマを３次元的ケアンズ国際会議場前にてに積層することで大型化を実現することについて
31

国際会議報告

第 9 回アジアヨーロッパプラズマ表面工学国際会議
The 9th Asian-European International Conference on
Plasma Surface Engineering (AEPSE 2013)
大阪大学接合科学研究所

節原 裕一

標記国際会議が 2013 年 8 月 25 日〜30 日に韓ズマイオン表面工学に関するヨーロッパ合同委員

国・済州島の Ramada Plaza Jeju Hotel で開催さ会を中心に企画運営がなされている PSE と同様れた。本会議は Garmisch-Partenkirchen(ドイツ)に、AJC-APSE を組織し、AJC-APSE 委員会がで隔年開催されているプラズマ表面工学国際会議

企画運営を行った初めての国際会議であることが（PSE）の中間年にアジアで開催されており、特徴となっている。

1997 年に初回 AEPSE '97 がソウルで開催されてこの AJC-APSE は、韓国・成均館大学の J. G.

以来、本邦での 2001 年に名古屋で開催された第 3Han 教授が委員長、下命が副委員長を務めており、

回 AEPSE（AEPSE 2001：委員長

本邦からは名大の堀高井

治 先勝 先生と九大の白谷 正治

生；The 6th Asian Surface Finishing Forum 6th

先生が委員として参加され、韓国、日本、中国、との共同開催）、2007 年に長崎で開催された第 6

台湾、タイ、マレーシア、ベトナム、オーストラ

回 AEPSE（AEPSE 2007：委員長

リア、シンガポール、イランから総勢 20 名の委

藤山

寛 先

生）を経て、今回で第 9 回を迎える。

員から組織されている。

今回発表された論文は 429 件であり、開催国でさて、今回の会議では、多岐にわたる以下のトある韓国から 234 件、日本から 72 件、中国からピックスのもと開催された。

27 件、その他の 24 カ国から 96 件の規模であっ

Scope for AEPSE2013た。また、プラズマイオン表面工学に関するヨー

1. Fundamental science and technology of

ロッパ合同委員会が共催に入っていることから、

plasma surface engineering

ヨーロッパ（特にドイツ）からの参加者も得て、

1) Fundamentals for plasma and thin films

開催されていることも特色の一つである。

- Advanced plasma discharge and simulation

従来の AEPSE では、韓国、中国、日本での持- Design, modeling and simulation of functional

ち回りで開催されてきたが、今回の AEPSE の最film materials

も重要な特徴は、AEPSE を基軸に上記の長崎で- Plasma diagnostics and plasma chemistryの第 6 回 AEPSE において組織された Asian Joint

2) Plasma sources and processes

Committee for Applied Plasma Science and-Engineering (AJC-APSE)が主催する国際会議とplasmaMagnetron

sputtering,

HiPIMS,

して開催された初回の国際会議であることである。 - PECVD, MOPECVD, Plasma ALD
それまでの AEPSE では、韓国、中国、日本の- Atmospheric and high pressure plasma

持ち回りで開催されてきたが、母体であるがプラ- Plasma diffusion and thermal plasma

32

Hybrid- Plasma in solution

surface3) Functional films, coatings and surface

6) Industrial technology and application

functionalization

また、会議の開催においては、以下の組織体制- Tribological coating: wear resistance, lowのもと開催された。

friction, etc.

Conference Chairman- Hard and super hard coatings: nano composite,

Jeon G. Han (KOR)

compounds

Conference Co-Chairmen- Corrosion and high temperature protection,

U. Helmersson (S)etc.

N. Fujiwara (JPN)-

Digitalelectronics:

TCO,

barrierand

M. K. Lei (CHN)

functional films for display, touch panel andExecutive Chairman and Co-Chairman

flexible electronics, etc.
-

Green

energyand

J. H. Boo (KOR)
environment:

PV,

Y. Setsuhara (JPN)
今回の AEPSE では、応用物理学会主催のドラ

thermoelectric, LED electrochromic, battery,catalytic, toxic gas treatment, etc.

イプロセスシンポジウム（DPS）との合同のセッ- Functional surface treatment: topography,

ションも開催し、多数の参加者のもと盛会であっgrafting, texturing

た。
次回、第 10 回目の記念を迎える AEPSE は、

4) Plasma medicine and bio technology- Functional medicine materials and medical

名古屋大学の堀

treatments by plasmaになられ、2015 年に今回と同じく韓国・済州島で- Bio functional materials, films and surface

開催することが決まっている。当該分野での当分

treatment by plasma

科会ひいては我国の存在感を示す意味でも、多数

5) Analysis and evaluation of thin films andの御参加を歓迎する。

33

勝 先生が組織委員長をお務め

国際会議報告ドライプロセスシンポジウム２０１３報告
日立ハイテクノロジーズアメリカ

根岸 伸幸

2013 年 8 月 29～30 日に韓国済州島（Ramada

Process Technology for Patterning beyond 20

Plaza Jeju Hotel）にてドライプロセスシンポジ

nm Era”をアレンジセッションとして募集するこ

ウム（DPS2013）が開催され盛況のうちに終了しとにした。その結果、昨年とほぼ同数の多数の投たので概況を報告する。

稿があり、プレナリー講演 2 件と招待講演 9 件以外では、口頭発表 21 件とポスター発表 51 件が採

ドライプロセスシンポジウムはプラズマ／ドラ
イエッチングの分野において 35 年の長い歴史を択された。

持ち、産学から最先端の研究成果が報告され、積極的な意見交換がなされる重要な学会である。今年は AEPSE2013 との並行開催という形をとり、プレナリー講演 2 件と、近年注目を集めているグ
ラフェンやカーボン材料を用いたデバイスプロセ
スに関するジョイントセッションを合同で企画、開催した。近年では、半導体に限らず多くの分野
で様々な材料が用いられるようになり、プラズマの応用範囲は大きく拡大している。中でも、菌や患部など生体へ直接プラズマを作用させるバイオ
図 1. 会場の様子

医療応用や、気液プラズマによる新機能材料創生等の研究の広がりには目を見張るものがある。本
シンポジウムでもここ数年来、大気圧プラズマを

ドライプロセスの発展に大きく貢献され本シン中心としたプラズマ新展開に関連する多くの議論

ポジウムの歴史に名を連ねてきた方々に贈られるを行ってきた。一方で、昨今の省電力モバイル用

Nishizawa Award は、元東芝の岡野氏（現イビデ

途を念頭においた半導体デバイス開発では、ドラン）が受賞された。都合により同氏の本会への参イプロセスの真価が改めて問われている状況にあ加は叶わなかったが、受賞記念講演では東芝の酒る。例えば、難エッチング材料の加工や三次元構

井氏より、会場に集まった研究者、技術者へ向け

造の微細パターニング等の高精度加工は非常に困た同氏のメッセージが代読された。御自身の体験

難で一筋縄には行かない。本年は DRAM や Flash

を踏まえ、ドライプロセス、プラズマプロセスのメモリーに代表される半導体デバイスビジネスが研究開発に挑む我々へのエールをお送り頂いた。

盛んな韓国開催ということもあり、そのような半プレナリー講演は開催期間の両日で行われ、初導体向けドライプロセスの抱える課題に焦点を当日は Sungkyunkwan 大学の Yeom 先生から原子て る べ く ”Plasma Process for Emerging

層レベルエッチングの現状とその応用についての

Non-Volatile Memory Devices” と ”Advanced

講演が、二日目は京都大学の斧先生から最新の形
34

状シミュレーションを用いたエッチング表面の形

エッチング技術の挑戦と題し、高精度 CD 制御、状進展に関する講演が行われた。また、”Plasma

高アスペクト比加工の観点から、パルスプラズマ

Based Processes for Graphene and Carbon

エッチングや原子層レベルエッチングが今後の必Materials toward Device Application”と題した

要技術になるであろうとの見解が示された。口頭AEPSE とのジョイントセッションでは、この分

発表では、表面解析に基づくパルスプラズマ選択

野をリードしている 4 名の研究者を招待講演に迎性発現機構の解明、ESR を用いたプロセスラジカ

えた。NASA の Meyyappan 氏からはカーボンナ

ル照射下における SiN 表面のその場解析、酸化膜

ノチューブやグラフェンを用いたケミセンサーやエッチングにおける ArF レジストダメージ抑制、

バイオセンサーそして e-paper などの最新応用事

ゲートラストプロセスにおけるメタルエッチ機構

例が、Sungkyunkwan 大学の Yoo 先生からはグの報告がなされた。全体として基礎的な気相、表ラフェンデバイスの基板として活用が期待されて面反応を扱った発表が多く、究極に厳しくなる加

いる h-BN 膜の高精度なエッチング方法の提案が、 工要求に対応するためには気相、表面反応の深い
産総研の佐藤氏からはグラフェン FET に向けた理解無しでは前進できないことが改めて示された。

バンドギャップ形成技術と多層グラフェン配線形

また、アレンジセッションである不揮発性メモリ

成技術について、そして最後に Sungkyunkwan

デバイス向けプラズマプロセスでは、IBM の大学の Lee 先生からは、各種グラフェン FET を

Martin 氏を招待講演に迎え、14nm ノード以降に用いた物理センシングとバイオセンシングの最新向けたパターニング、フロントエンド及びバック

状況とその高感度センシングの発現機構が報告さ

エンドプロセス、そして相変化メモリプロセス等れた。プロセスからデバイス応用までを幅広く扱

幅広く講演頂いた。口頭発表では、クラスターイ

ったこともあり、AEPSE、DPS から多くの聴衆オンによる磁性膜加工、ステッププロセスによるを集め熱い議論が繰り広げられた。

磁性膜加工等が報告された。どれも、デバイス特一方、アレンジセッションを含む 7 つのトピッ

性の観点からプロセスガスが制約されていること、

クスによるオーラルセッションとポスターセッシ

それ自体の加工が困難であることを跳ね除け、反ョンでは 5 名の研究者を招待講演に迎え、どのセ

応生成物の側壁再付着の無い垂直加工の実現に向ッションも活発な議論がなされた。

けて取り組んでいる。今後の更なる技術開発が待センシング、モニタリングセッションでは、東たれるところである。もうひとつのアレンジセッ

京エレクトロンの守屋氏から、震災により被害をションである 20nm ノード以降の先端パターニン

受けたエッチャーの復旧過程を特に異物と腐食対グ技術では、imec の Kunnen 氏より EUV、液浸策に焦点を当て、日頃からのモニタリングが如何

ArF をベースとした先端ロジックプロセスと各工に重要であるかを紹介頂いた。続く口頭発表では、

程におけるエッチング課題の紹介がなされた。こマイクロ光反射率測定を用いたプラズマ物理ダメ

れを受けて、次世代リソの一候補として注目を集

ージモニタリング、新規開発プローブを用いたプめている DSA(Directed Self Assembly)のドライ

ラズマ・壁同時計測、STI エッチングの CD 分布

現像における高選択化、LER が Wiggling に与えに与えるウエハ温度分布の影響が報告された。

る影響が報告された。微細化進展に伴い、エッチ

続くエッチング技術のセッションでは、三星電ングだけでなくクリーニングや Strip 工程での選子の Kim 氏より次世代半導体デバイスにおける択比、LER/LWR/Wiggling といった形状制御の重35

要性が益々増大していることを改めて認識するこによるハイブリッド太陽電池の特性改善が報告とが出来た。

された。更に、磁場アシストプラズマイオンプレ

言うまでも無いが、上述したような原子、分子ーティングによる c-BN 薄膜の硬度、電気特性改レベルの表面・形状制御に併せて、光、イオン、善、大気圧 ICP プラズマトーチを用いたプラズマ

ラジカルの複数の入射種に起因するプラズマダメ

ダメージの回復、大気圧プラズマジェットを用い

ージの更なる理解、デバイスに及ぼす影響解明、たアモルファスシリコンの結晶化制御等の発表がそしてそれをモニタし回復する技術の構築に対すあった。ポスター発表では新機能材料創生等を目る要請が増している。現に本年はこれらに関する的とした気液プラズマ、液中プラズマに関する数報告が数多く見られ、関心の高さが伺われた。入

多くの研究成果が発表された。いずれもプラズマ

射イオンによる FinFET に与える物理ダメージの技術の新規展開であり、今後のより幅広い産業分

定量化、プロセス条件によるダメージ回復アニー

野へのプロセスプラズマの展開が期待される。

ル条件の構築指針、プラズマダメージが冒頭でも触れたが、半導体製造のプラズマプロ

RTN(Random Telegraph Noise)に与える影響、セス分野では、微細化終焉を打破するために提案

CMOS イメージングセンサーに与える UV/VUV

されている種々の新規材料や方式に如何に対応し光の影響、また磁性膜加工のセッションで発表がテクノロジーライフサイクルを巻き戻すことが出あった磁性膜加工時の物理的ダメージが与えるデ

来るか、そして、プラズマ技術の新規展開では、バイスへの影響等がそれである。

それらの学術的理解が更に進み、如何にキャズム

また、表面反応の議論においては、Yonsei 大学を乗り越えられるようになるかが今後の課題であの Kim 先生より熱の代わりにプラズマを用いたると考える。本シンポジウムはそれらの可能性を

PEALD の原理と各種応用事例の講演が行われ、十分に感じられるものであった。今後もこれらド続けて、新規開発の反応性スパッタリング装置を

ライプロセス、プラズマプロセスに関する研究開用いた TFT 向け低温成膜、フッ酸ベーパー処理

発が加速され、発展していくことを期待したい。

36

国際会議報告2013 JSAP-MRS Joint Symposia
名城大学

理工学部

2013 JSAP-MRS Joint Symposia は今回初め(Symposium O)

伊藤昌文

ロ波や低周波のプラズマ源を紹介された。

て応用物理学会とアメリカを中心とした国際的な梶山先生は子宮がんの治療に対する成果を発表

Research Society:

され，平田先生は再生治療の成果を紹介され，プ

材料研究の学会（Material

MRS）とが共催した国際会議である。

ラズマ医療の将来性に注目が集まった。

場所は第 74 回応用物理学会周期学術講演会と午後はロシアの Gameleya Inst.の Syetlana A.

同じく同志社大学の京田辺キャンパスで 9 月 16

Ermolaeya 先生，九州大学の林先生，大阪大学の日（月）から 20（金）の日程で，23 分野の合同

浜口先生，韓国の Kuwangwoon 大学の Em Ha

シンポジウムが開催された。その中でもChoi 先生の招待講演があり，Ermolaeya 先生か

Symposium O は Plasma Processing andらは細胞膜の結合と細胞内パラサイトへの非熱プ

Diagnostics for Life Sciencesというプラズマ

ラズマ効果についての講演があり，林先生からはエレクトロニクス分科会と関係が深いシンポジウ

プラズマの農業応用に関する講演が行われ，浜口ムであり，16 日から 17 日の 2 日に亘って開催さ先生からはプラズマと水に関するシミュレーショ

れた。

ン結果が示され，Choi 先生からはプラズマにより液中に生成される OH ラジカル計測に関する講演

初日の 16 日は，前日から接近していた台風のが行われ，注目が集まった。

影響を受けて，開催が危ぶまれた。京都から京田辺の同志社大学最寄りの新田辺駅までの近鉄は通

17 日は午前中に口頭発表があり，フランスの常通り運行されていたが，早朝までの大雨で京都

Orleans 大学の Eic Robart 先生とドイツの INPの北部で洪水が起こったり，各地の河川で警戒水の Thomas von Woedike 先生の招待講演があり，位を超え，新幹線や JR の運転が一時見合わせてRobert 先生からは，内視鏡にも利用が可能なプラいたりした。このような状況にもかかわらず，初ズマ源の物理と応用例について講演があり，

日午前中の一般の口頭発表 1 件と 17 日の招待講

Woedike 先生からは，プラズマ医療用の様々なプ

演の 1 件のキャンセルのみで，ほぼ全部の発表がラズマ源に関する講演があった。
17 日の夜には，プラズマエレクトロニクス分科

予定通り行われた。
講演数としては，16 日は 7 件の招待講演と 13

会主催の懇親会が桃山御陵前駅近くの黄桜酒場に

件の一般口頭講演が，17 日は 3 件の招待講演と 6

おいて 60 名を上回る規模で開催され，国際会議

件の一般口頭発表と約 30 件のポスター発表が行の海外からの招待講演者も含めて 懇親が深めらわれた。

れた。（最後の写真を参照して下さい。）

16 日午前中のセッションでは，韓国の Pohang

応用物理学会の国際化戦略の一環として秋季学

大学の Jae Koo Lee 先生と名古屋大学の梶山先生

術講演会と同じ場所で開催された初の国際会議はと東京都市大学の平田先生の招待講演があった。

内容も充実したものであったが，初日の台風の影

Lee 先生はプラズマ医療用に開発されたマイク

響で開催も危ぶまれ，初日午前中こそ参加者が少37

なめであったが，午後からは 100 名近くの参加者にも関わらず参加していただきました発表者及びと盛会になり，記憶に残る会議となった。

聴講者の皆様に感謝し，本会議の報告とさせてい最後に，開催の準備，運営にご努力された白谷

ただきます。

前幹事長，寺嶋現幹事長及び幹事の皆様，悪天候分科会懇親会に参加した海外からの招待講演者と共に（議論に夢中で講演時の写真はなく申し訳ありません。）

38

国際会議報告66th Gaseous Electronics Conference
名古屋大学

豊田

浩孝

第 66 回 気 体 電 子 会 議 (66th Gaseousった。また、放電分野で著名な業績をあげ GEC

ElectronicsConference: GEC)が、2013 年 9 月 30 日

でも活躍をされた A. Phelps 博士が昨年 12 月に亡~10 月 4 日の日程で、アメリカニュージャージー

くなられたことから、今回の GEC では特別に金州プリンストンにて開催された．GEC はプラズマ

曜日の午後に追悼セッションが行われた。Phelps

基礎、素過程、プラズマ応用と広い範囲をカバー

博士ゆかりの多くの研究者が講演をおこない、日する歴史の長い会議である。また、本プラズマエ

本からも橘邦英先生が講演をされた。
なお、次回の GEC は North Carolina 州 Raleigh

レクトロニクス分科会とも関係が深く、分科会主
催国際会議である反応性プラズマ国際会議

で 2014 年 11 月 2 日~7 日の日程で開催される。

（International Conference on Reactive Plasmas）は最後に、再来年 2015 年の GEC はプラズマエレ

1998 年のハワイ・マウイおよび 2010 年のフラン

クトロニクス分科会の国際会議 ICRP と合同にて

ス・パリの 2 回 GEC との合同開催もおこなって2015 年 10 月 12 日~16 日の日程で、ハワイにて開いる。今回の GEC は New York から南西に位置す

催されることが決定した。GEC はプラズマの基礎

る Princeton の Westin Hotel で開催された。

から応用を見通す位置にあり、一方、ICRP はプラ

本会議は例年月曜日から金曜日までの 5 日間

ズマ基礎の他さまざまなプラズマ応用に関する講で開催され、月曜日に Workshop、火曜日から金曜

演が多いことが特長であることから、
GEC と ICRP

日の午前にかけて本会議が開催される。本年はプは相補的な関係にあるともいえる。また、この合ラズマの基礎から応用まで 5 件の Workshop が開

同会議はプラズマエレクトロニクス分科会が海外催され例年になく多くの Workshop が開催された。

の研究グループと連携を密にして開催する点でもまた、本会議のセッションとしては、プラズマの重要な意味がある。再来年の ICRP/GEC 合同会議

基礎・シースといったプラズマの物理に焦点をあにはぜひとも日本側から多数が参加されることをてたセッション、減圧から大気圧までのプラズマ期待している。

源、プラズマ計測、モデリングのほか、プラズマ応用として CVD・エッチングからプラズマバイオ
応用まで多岐にわたるセッションが用意されている。また、本会議では電離気体現象の基礎となる
素過程に関する研究も重要な位置を占めており、
電子衝突、重粒子衝突などの基礎研究の報告も行われている。
本 会 議 は 毎 年 記 念 的 な 講 演 と し て GEC
Foundation Talk が行われるが、本年はオーストラリア国立大学の Rod Boswell 教授が講演をおこな

39

国際会議報告

AVS 60th International Symposium & Exhibition
米国真空学会第 60 回国際シンポジウム＆展示会
大阪大学工学研究科

浜口智志「AVS（米国真空学会）第 60 回国際シンポジ

今回の AVS シンポジウムは、第 60 周年を迎えウム＆展示会」（以下、「AVS シンポジウム」と略たという事もあり、いろいろな記念行事が企画さ記）が、2013 年 10 月 27 日（日）から 11 月 1 日

れた。PSTD でも、記念セッションとして、プラ（金）までの６日間、米国カリフォルニア州ロン

ズマプロセスの発展の歴史を振り返り、未来をさ

グビーチの Long Beach Convention Center にぐるセッション「PSTD at AVS60: Looking Backて開催された。AVS 本部の報告によると、今年は、

and Moving Forward」が企画され、F. Dylla

約 2,300 の参加者があった。

(American Institute of Physics), M. Lieberman,

AVS シンポジウムは、10 の分科会（division）,(UC Berkeley), M. Kushner, (U. Michigan), N.

2 つの technical group とよばれる分科会に準ず

Braithwaite

る組織, および、その時々の話題に合わせて形成(Lam Research)の各氏が講演を行い、多くの聴講される focus topic とよばれる臨時の分科会的組者でにぎわった。

(Open U., UK),

R. Gottscho

織が、AVS 本部組織による調整のもとで連携して、次回の第 61 回 AVS シンポジウム年会は、２０運営している。特に、focus topic は、division や

１４年１１月９日から１１月１日にかけて、米国

technical group の枠組みでは対応できない新しメリーランド州ボルチモアで開催される。

い分野、あるいは、学際的・複合的な分野を専門的に扱うために組織されており、毎年、新しい
focus topic がうまれ、かつ、役割の終わった focus
topic は、現存する divisions や technical group、あるいは他の focus topic に吸収されるなどして、AVS 国際シンポジウムが、学会や産業界のニーズに機動的に応えられるよう、重要な役割を果たしている。
上述の AVS 分科会のうち、本誌と最も関連の深い分科会は、Plasma Science and Technology
Division (PSTD）であろう。今年の AVS シンポ
ジウムでは、PSTD は、13 の口頭発表セッションと 1 つポスターセッションを主催した。日本から
図：第 60 回 AVS シンポジウムの会場となったの招待講演者は、守屋 剛 （東京エレクトロン

ロングビーチ・コンベンション・センター。

（株））唐橋一浩（大阪大学）、Vladimir Svrcek（産総研）の各氏であった。
40

国内会議報告第 14 回プラズマエレクトロニクス新領域研究会「液中および異相界面へのレーザー照射により形成される
高エネルギー密度反応場とその応用に関する研究会」（文部科学省 科学研究費補助金 新学術領域研究「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」、
日本化学会新領域研究グループ「液相高密度エネルギーナノ反応場」との合同主催）産業技術総合研究所 ナノシステム研究部門
平成 25 年 8 月 29 日（木）の 13 時より、北海道大学工学部にて、第 14 回プラズマエレクトロニクス新領域研究会が他 2 団体との共同主催により開催された。
液中でのレーザープラズマは近年、化学法では得られないナノ粒子の新規作製プロセス技術として盛んに研究されてきている。しかし、これまでのほとんどの研究が、単純に液中のターゲットにレーザーを集光照射することでプラズマ状態を発生させて、ナノ粒子合成を行っている。最近、これとは異なり超臨界流体のような特殊な液体や、単純な液中レーザープロセスではなく異なる相の界面へレーザー光を照射することで従来にはない
新しいナノ構造を作製しようとする研究が盛んになりつつある。本研究会ではこのような最新の研究を進めている研究者にお集まりいただき表記の研究会を開催することとなった。
最初に、京都大学の藤井 翔氏から「レーザー誘起微小気泡を利用した固液界面でのナノ物質の操
作と集積」と題した講演が行われた。液相中の Au
薄膜基板上へ CW レーザーを照射すると基板の局所加熱により基板上に 1 マイクロメートル前後の微小気泡が発生する。この気泡と基板が成すく

藤井氏の講演風景

石川善恵

さび状の隙間（固体・液体・気体の三相界面）ではマランゴニ対流が発生しており、ナノ粒子を分散させた液中で基板へのレーザー照射を行うと、三相界面にリング状にナノ粒子を集積することが可能となり、様々な材料のナノ粒子のリング状およびライン状パターン集積が可能であることが示された。さらにこの局所的空間での金属イオンの還元反応により、金属粒子の集積も可能であることがわかった。この手法により溶液プロセスでナノマテリアルを所望の位置に集積することが可能となり、テンプレートを用いない新しい高機能ナノデバイス構築手法としての可能性が示された。
次に、広島大学の齋藤健一先生から「無機ナノ構造体の生成と利用：超臨界流体と液相でのレーザーアブレーション」と題した講演が行われた。
超臨界状態での高圧下ではレーザー照射によって生じた金液滴が流体に冷却されることで自由エネ
ルギーが最小となる数百ナノメートルサイズの巨大金粒子が生成する。これに対し、超臨界状態での低圧下では流体の分子が少ないためにクーロン爆発によりナノ粒子が生成し、かつネットワーク
構造を有した生成物が得られる。この特徴を利用し、数百ナノメートルの巨大粒子周辺にナノ粒子

齋藤先生の講演風景
41

八ッ橋先生の講演風景

のチェーン状ネットワークが絡みついたフラクタ
ル構造を有した金粒子を作り出すことに成功し、この独特な形状の粒子を SERS に用いることによって蛍光強度の顕著な増強が可能であることが示された。また、三原色蛍光シリコンのナノ粒子合成とその応用についても示された。
次に、大阪市立大学の八ッ橋知幸先生から「有機/水界面に発生させたレーザープラズマフィラ
メントによる炭素ナノ粒子の生成」について講演が行われた。フェムト秒レーザーをベンゼン－水の 2 相界面をもつ液体に集光照射することでカー
ボンナノ粒子が形成することを見出した。この現象は、ベンゼンだけの液体中に照射した場合と比較してカーボンナノ粒子が多く生成すること、レーザー光の照射位置によって生成量と生成場所（どちらの液相中か）が変化すること、特にベンゼン－水界面に照射した時に多く生成されること、などの結果から界面の興味ある役割が示唆された。
次に、物質材料研究機構の後藤真宏先生から「異相界面へのパルスレーザー照射による機能性ナノ材料の創製」と題して講演が行われた。レーザー
分子注入法においてギャップを液体とすることで、注入面積を小さくすることが可能となり、溶媒の極性に依存して基板上に注入する分子のサイズや状態を変えることが出来ることが示された。さらにこの手法を応用すると、高分子薄膜を塗布した
ガラス基板のガラス側からのレーザー照射により、レーザー照射した箇所から従来の一般的な手法では作製が困難な直径数十ナノメートルレベルの高分子ナノワイヤーを成長させることが出来ることが示された。またポリマーに無機ナノ粒子を混合することで、コンポジットナノワイヤーの作製も可能であり、新しい機能性高分子ナノワイヤー作
製手法として期待される。
最後に豊田中央研究所の西 哲平氏より「気－液後藤先生の講演風景

界面へのレーザー照射による高安定単分散ナノ粒子合成とメカニズム検証」と題して講演が行われた。一般的に、液中レーザーアブレーションでは液中に固定したターゲットにレーザーを集光照射するが、収量が 1 mg/h 以下と少ないことが問題となっている。そこで数十マイクロメートルの粒子を原料として分散し、レーザー光を照射することで 20 mg/h と大幅に収量が向上（Pd の場合）した。得られた粒子はサイズの揃った 1 nm 前後のナノ粒子であり、長期的な分散安定性が示された。生成物の XPS 分析により硝酸イオンと考えられる N1s ピークが検出されたことから、気相をAr に変えることで硝酸イオンや酸化物の生成が抑えられることから、気液界面での反応が関与している可能性が考えられた。
研究会終了後には、札幌駅近くの居酒屋にて懇親会が行われた。魚介類をメインとした北海道の幸が大変美味であった。
今回は 8 月末の開催とあって、多くの大学関係者にとっては学内行事等と重なる時期となってしまったのが残念だったが、「異相界面」「レーザー」、といったキーワードで先端的な研究を行っている講師の方々の貴重な講演を一挙に聞くことが出来、かつ内容の濃いディスカッションが出来たこと、
さらに社会全体が大変な酷暑の中で比較的快適な札幌の地で会を開催できたことなど、良い研究会であったのではないかと思う。
最後に、開催にあたって、プラズマエレクトロニクス新領域研究会との共同主催に快諾くださった科研費 新学術領域研究の北大・佐々木浩一先生、
日本化学会新領域研究グループの北大・越崎直人
先生に深く感謝いたします。
（本稿は日本化学会新領域研究グループ 北大・越崎直人先生との共同執筆になります。

西氏の講演風景42

国内会議報告2013 年 第 74 回応用物理学会秋期学術講演会
第 11 回分科内招待講演報告
九州大学

古閑 一憲

2013 年 9 月 16 日から 20 日まで同志社大学できないことをしたがる」「しつこさ」「仕事も一流、開催された第 74 回応用物理学会秋期学術講演会

遊びも一流」「人の話を聞く」「気配りができる」の二日目、プラズマエレクトロニクス分科会企画「指示待ちではなく自ら動く」が重要であること、による、分科内招待講演が開催されましたので報また、今いる立場、状況において、「いまが 1 番、告します。分科内招待講演ではこれまでに、多く

ここが 1 番」と考え、今いる環境でできることをの著名な先生方からお話をいただいて来ましたが、 最大限活用し楽しむことで道は拓けることをお話
今回は上智大学名誉教授の小駒益弘先生に「大気いただきました。研究者同士のつきあいについて

圧グロープラズマのはじめ」、長崎大学教授の藤山も様々ご教授いただきました。

寛先生に「プラズマ物理の産業応用」をそれぞれ

両先生ともに得られた研究結果をしつこく追い

講演していただきました。

込んでいくことの重要さを説かれたことが印象深

大気圧グロー放電の黎明期から最先端の研究をかった事として記憶に残ります。最後に、御講演されてきた小駒先生は、講演において、大気圧グ

いただきました小駒先生、藤山先生、そして本招ロープラズマの発展の歴史を繙きつつ大気圧プラ

待講演にお集まり頂きました方々に、深く感謝の

ズマの基礎から応用までを概説されました。また、意を表します。

無声放電中のイオン測定の研究についてのご苦労から、ヘリウムの放電は他のガスのように細線状にならず、均一な放電になっていることを「おかしい」と思われて心にとめておいたことが、ヘリウムによるグロー放電の応用研究につながってい
く所は、最後のまとめにおける、自分の研究に信念を持ち、得られた実験結果が奇妙なものだとしても、それを大事にして、いつか何かに生かそうという言葉とともに、研究を（信念を持って）続けることの大事さを教えていただいた様に思います。
藤山先生は、地方大学に在籍しているというお立場から、良い研究者の条件や、不十分な研究環
境の中で研究を遂行するための心構えについてご講演いただきました。その中で、良い研究者の持小駒先生（上）と藤山先生（下）の講演風景

つべき資質として、「多岐に亘る幅広い好奇心」「で
43

国内会議報告2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会
海外研究者招待講演 報告
京都工芸繊維大学

高橋和生

秋季学術講演会の２日目に分科会企画の海外研り、偶然、興味深い構造や性質のものが得られた

究者招待講演が行われました。この企画は、応用との逸話も紹介されました。試料の作製法など、物理学会本部が推進する国際化の流れを受けて行

実験については、それほど詳しくはふれられなかわれているものです。5 回目の今回は、ったものの、その話から精力的に実験に取り組まKwang-Ryeol Lee 先 生 （ Korea Institute of

れる Lee 先生の姿勢をうかがうことができました。

Science and Technology）をお招きしました。Lee

Lee 先生の講演は、DLC の多彩な性質やそれが先 生 は 、 ”Diamond-like

CarbonCoated秘める多くの可能性を再認識しながら過ごした有Nano-structured Surface”の題目でご講演下さい

意義な時間となりました。

ました。
非常に多くの業績を持つ先生が、Diamond-like
Carbon（DLC）の基礎から最新の工業的応用までを丁寧に解説されました。また、40 名あまりの聴衆との熱心な議論が行われました。
一貫して、様々な硬度と微細な構造を持つ表面を、いかにして DLC にて均一にコーティング
し平滑な表面を得るかをテーマに、多くの例が紹介されました。それぞれの例について、その形状と優れた性質（撥水性など）が詳しく示されました。中には、DLC の物質に由来する性質と微細な構造に由来するそれを組み合わせ、さらに高性能化させた（例えば、DLC と多孔質構造双方の撥水性を利用した）薄膜も含まれていました。多孔質
炭素膜として紹介されたものは、油を水に浮かべた状態でその膜を投入すると即座に油のみを吸着するというもので、環境も含めて多岐にわたる分
野より実用化が期待されると予想されます。多孔質炭素が選択的に液体を吸着する性質が、ステント等で用いられる薬剤溶出層へ応用ができる点に関心が集まりました。また、途中で、多孔質炭素
会場の様子

に関しては、誤った実験条件を設定したことによ44

国内会議報告2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会
分科会企画シンポジウム報告
東京エレクトロン株式会社

技術開発センター 松隈正明

2013 年 9 月 18 日に同志社大学で開催された応用プログラムの内容を簡単に以下に記す。兵庫県立物理学会秋季学術講演会にて分科会企画シンポジウ

大東先生よりプレナー型マグネトロンスパッタから

ム「大電力パルススパッタリングによる反応性成膜

HiPIMS までの歴史を振り返り、HiPIMS の特徴でプロセスの可能性」が開催された。前々日に台風 26

ある高電離度・反応性スパッタリングへの応用が紹号が近畿を直撃したにもかかわらず約 60 名がシン介された。成蹊大中野先生より Zone ダイアグラム

ポジウムに参加し、闊達な議論が交わされた。以下に基づいた膜質改善の方策としてプラズマポテンシにプログラムを示す。

ャルの制御が重要であることが紹介された。神戸製・ HiPIMS (High Power Impulse Magnetron

鋼所廣田氏より商用生産装置の様々なスパッタ源とSputtering)の今-スパッタ源の大電力パルス駆動

膜硬度・付き周り性に関して報告され、HPPS(High

東欣吾(兵庫県立大)Power Pulsed Sputtering)のメリットが紹介された。
名工大の木村先生からは DLC 成膜におけるイオン

・ 大電力パスルスパッタのイオン化金属粒子を用いた薄膜構造の制御

中野武雄(成蹊大理工)エネルギーの重要性とカーボンターゲットのスパッ・生産規模でのプラズマイオンプロセスの比較

タリングの難しさが紹介され、成膜位置をターゲッ

廣田悟史(神戸製鋼所)

トに近づけることで膜質が改善されたことが報告された。ナノテック平塚氏からは DLC 膜中の水素含・高出力パルスマグネトロンスパッタリングによるカーボンイオンの高密度生成

有率を 1Atomic%以下に抑えた真性カーボン膜の特木村高志(名工

性・高速成膜法・産業応用に関する発表がなされ、大工)

平均電力が閾値を超えるとターゲットからカーボン・大電力パルススパッタプロセスによるカーボン膜の産業応用が蒸発し成膜速度がジャンプアップすることが報告

平塚傑工(ナノテック)

された。名大野田氏からはマイクロ波導入方法を改・マイクロ波プラズマを用いた無磁場酸化物薄膜ス
パッタ装置の開発

野田智紀 (名大工)善し、プラズマ均一性と高エネルギー負イオンを抑・小型 HIPIMS プラズマ源の開発とミニマルファブ
への応用

制するマイクロ波プラズマを用いたスパッタ源が紹介された。産総研小木曽氏からは少量特定用途向け

小木曽久人(産総研)・HiPIMS-高密度金属プラズマが拓く未来

半導体製造フォーマット”ミニマルファブ”の開発状

池畑況について紹介された。茨城大池畑先生からは隆(茨城大理工)HiPIMS の高密度プラズマ中で励起される不安定性について紹介された。
最後に本シンポジウムにお集まり頂き、熱心にご聴講頂きました会員各位に感謝申し上げます。

(左: シンポジウムの様子)
45

国内会議報告第 29 回 九州・山口プラズマ研究会
大分大学

市來龍大

表題の研究会が平成 25 年 11 月 2 日～3 日，大リコンプラズマスラスター」では，ホールスラス

分県臼杵市のクレドホテル臼杵にて開催され，大タやイオンエンジンとは方式の異なるヘリコンプ

学や企業から 39 名が参加した．本研究会は，九ラズマスラスターの研究開発について紹介がなさ

州・山口地区のプラズマ・放電研究者のレベルアれた．プラズマ中粒子種のエネルギー分布計測やップを図ることを目的として，1985 年（昭和 60

永久磁石によるプラズマの制御にとどまらず，プ年）以降毎年開催され，今年で 29 回目を迎える．

ラズマからの各種効果がどの程度の推力を生み出九州・山口地区を活動拠点とする研究者の講演にしているのかを分離計測する画期的な手法が紹介

加え国内外から著名な研究者を招き，時勢の話題

され，スラスターの宇宙における実用化についてについてクリティカルなレベルの高い議論を行っ

活発に議論がなされた．金沢大学・上杉喜彦先生ており，今年も 5 名の招待講演者を迎えた．奇しのご講演「低温水素・炭素・窒素混合プラズマ系

くも，臼杵市で毎年開催される祭「うすき竹宵」

における炭素膜堆積と水素同位体吸蔵制御についと日を同じくしており，城下町のたたずまいを残て」では，核融合科学者というお立場からトリチす町が無数の竹ぼんぼりで飾り付けされ，趣深い

ウム保持・除去に関する研究成果が報告された．

状況の中研究会は執り行われた．

H，C，N による種々の化学反応が議論の対象であ

ここでは主に招待講演について報告を行う．名ったため，プラズマ基礎，応用，核融合の各種専

古屋大学・豊田浩孝先生のご講演「大気圧パルス

門家間での議論が白熱し，筆者はレベルの高い討

プラズマのプラズマ密度時分解計測とプラズマ挙論が醸し出すアカデミックな雰囲気に酔いしれた．

動解析」では，プラズマからの発光スペクトルの名古屋大学・堀勝先生のご講演「次世代医療を指

電界依存性や各種広がりを極めて精密に解析し，向したプラズマ生命分子科学の幕開け」では，新プローブ等で簡単に計測ができない大気圧プラズ

学術領域研究「プラズマ医療科学の創成」のプロ

マのパラメータ，さらにその時間発展を高精度にジェクトの紹介および研究の進捗状況について報計測する実用性の高い研究の詳細が報告された．

告がなされた．プラズマが細胞等にどう影響を与大変丁寧で科学的に厳密な実験の手法に，著者はえるか分子生物学レベルで調査された最新の結果感銘を受けた．東京大学・Stauss Sven 先生のご講や，医療用に開発された高密度大気圧プラズマ源

演「Fundamentals and Applications of Supercriticalの原理などが紹介され，質疑応答が過熱し昼食時

Fluid Plasmas」では，超臨界流体中の放電物理を間が半減した．

基礎的なアプローチで明確化する取り組みが紹介

さて，臼杵の名物といえば県外不出の肝付きふされた．さらに，応用としてダイヤモンドイド等

ぐである．本研究会の懇親会は臼杵の由緒ある料の合成の報告があり，バンドギャップ可変の半導亭で開催され，参加者は本格的な臼杵ふぐに舌鼓体としての役割について貴重な意見交換がなされを打った．ふぐ刺し，唐揚げ，ふぐ寿司，ふぐち

た．東北大学・高橋和貴先生のご講演「無電極ヘ

りとふぐ三昧のメニューに加え，山口の銘酒「獺
46

祭」やふぐひれ酒が振る舞われ，あっという間のる．泡盛で一杯やりながらプラズマについて熱く

2 時間半であった．次回の研究会は記念すべき 30

語りたい方は是非ご参加を．

回目であり，沖縄県で開催することが決定してい研究会の様子．

白熱する議論．

うすき竹宵．

竹ぼんぼりと参加者．

乾杯の様子．

臼杵ふぐ．
47

懇親会での歓談．

懇親会での議論．

小雨の中，臼杵石仏（駅前のレプリカ）の前で．
後列： 松本，猪原，川崎，光武，山下，渡辺，富田，古閑，大原，関根，濱本，松田，福山，板垣，篠原，林
前列： 勝木，金澤，藤山，白谷，堀，上杉，シュタウス，豊田，内野，池上，市來 （敬称略）※ 写真の一部は（株）クレブ・水河様よりご提供頂きました．御礼申し上げます．

48

国内会議報告第 24 回プラズマエレクトロニクス講習会～プラズマプロセスの基礎と応用・制御技術の最前線～

ソニー（株）

辰巳哲也

プラズマエレクトロニクス講習会は、プラズマ江利口先生からチャージング、イオン照射ダメー技術を扱う企業の若手、中堅技術者、大学の学生・

ジとそのデバイス・回路特性への影響について、研究者を対象とした、実用的な研修として例年企安田先生からはセンサーと信号解析を通じた設備

画運営されております。今年で第 24 回となるこ管理の最前線についてのご講義を頂き、教科書にの会は 2013 年 11 月 8 日に東京大学「武田ホール」

はない技術論をそれぞれ展開して頂きました。最にて開催されました。今回は設備管理技術に関す

後に一木先生からプラズマのナノバイオ応用につる学会である AEC/APC シンポジウム（前日に都いて今後の高齢化社会における問題意識と合わせ内で開催）からの協賛を頂き、基礎と合わせて最てお話を頂きました。当日の参加者は 80 名を超新技術、量産応用までを参加者が理解できるよう

え、各発表に対する議論も活発であり、基礎からなプログラムを検討致しました。

先端応用までを一日で効率的に学べる大変有意義な会となりました。

■ 第１部：プラズマプロセスの基礎 ■1. 『プラズマの基礎とＣＶＤ技術』
大阪市立大学白藤 立 先生

2. 『装置、計測とドライエッチング技術』
東京エレクトロン宮城（株） 大矢 欣伸 先生■ 第２部：プラズマ技術の最前線 ■3. 『先端プロセスとプラズマダメージ』
京都大学 江利口 浩二 先生
4. 『設備管理（EES/FDC 等）技術』
パナソニック（株） 安田 哲 先生

最後に、大変有意義なご講義を頂いた講師の皆5. 『マルチスケールシミュレーションによる半導体装置・プロセスの適正化』（株）東芝 高木 茂行 先生

様、講習会企画・運営にご尽力頂いた寺嶋幹事長

6. 『プラズマを応用したナノバイオ技術』
東京大学 一木 隆範 先生

同研究室の皆様、事務手続き全般をサポート頂い

前半のセッションでは、白藤先生より CVD を礼申し上げます。

をはじめとする担当幹事の皆様、会場での運営にご協力を頂きました東京大学の一木隆範先生及びた応物分科会担当の上村さつき様に紙面を借りお例にプラズマの気相反応及び表面反応についての◎担当幹事：
池田太郎（TEL 山梨）、市川尚志（東芝）、
前田賢治（日立）、南部英高（ルネサスエレ）、
松隈正明（TEL）、和田昇（三菱）、
辰巳哲也（ソニー）

基礎的な制御技術を、大矢先生からはプラズマ装置の制御機構とドライエッチングプロセスにおける種々の反応をご教授頂きました。また後半には
49

行事案内

ICRP-8/SPP-31
8th International Conference on Reactive Plasmas /31st Symposium on Plasma Processing
ICRP-8/SPP-31 組織委員長
九州大学

白谷正治

この度、2 万人以上の会員を擁する応用物理学に開催予定です。詳細はホームページをご覧下さ会の主催で、第 8 回反応性プラズマ国際会議/第い。

31 回 プ ラ ズ マ プ ロ セ シ ン グ 研 究 会 （ ICRP-8/

国内を始め韓国、台湾、中国、ロシア、アメSPP-31）を 2014 年 2 月 4 日(火)～7 日(金)までのリカ、ドイツ、フランス、ポルトガル、チェコ、

4 日間、福岡国際会議場において開催させていたスロベニアなど世界中から研究者が集い、最新のだきます。本学会は、3 年に 1 度開催される反応

成果を報告する予定です。

性プラズマに関する国際会議で、約 600 名の出席

これからのプラズマ科学の発展に大きく寄与で者が予定されています。

きるようなすばらしい学会にしたいと考えており皆様がよくご存じのように、プラズマは、多くますので、分科会会員をはじめ皆様方の多数のごの産業を支える科学技術です。プラズマは、大規

参加を心よりお待ち申し上げております。

模集積回路製造の 70％の工程で駆使されるととPostDeadline 投稿を 12 月 23 日まで受け付け

もに、太陽電池、白色照明、ディスプレイ、燃料ておりますので，講演を申し込んで頂ければ幸い

電池、自動車・航空機および環境など多様な産業です。

で必須のツールとして産業イノベーションを先導特集号論文を JJAP から発刊いたします。頁チ

しています。最近では医学、薬学、農学分野におャージも 1 頁当たり 7,500 円と通常料金よりもいても新しいプラズマ応用が世界的に勃興し、ラ25%割引しております。ぜひこの機会を活かしてイフイノベーションの革新的ツールとして期待さ

御投稿下さい。

れています。本国際会議では、最先端の反応性プ

懇親会は，建物が国の文化財となっている福岡

ラズマに関する基礎と応用について、国内外の第の造り酒屋を借り切って行います。日本酒等は飲一線の研究者による講演、研究発表、討議を行いみ放題となっており，美味しい料理とお酒をお楽ます。

しみ頂けます．会場の制限から先着 200 名限定とMark Kushner 教授（ミシガン大学）、堀勝教

なっております。こちらもお早めにお申し込み下さい。

授（名古屋大学）による基調講演、アレンジセッ
ション、３つのサテライトワークショップ、３つ記のチュートリアル、一般口頭講演・ポスター講演【会期】2014 年（平成 26 年）2 月 4 日～7 日など多彩な内容となっています。チュートリアル、【会場】福岡国際会議場と 2 つのサテライトワークショップは 2 月 3 日に，
１つのサテライトワークショップは 2 月 7，8 日〒812-0032

福岡市博多区石城町 2-1

http://www.marinemesse.or.jp/congress/50

【主催】応用物理学会

 Plasma Medicine and Bio-Inspired Nano Processes【参加費（プラエレ分科会会員）】

 Advanced Plasmas & Surface Diagnostics

一般 40,000 円

 Deposition Processes

学生 15,000 円（2013 年 12 月 31 日まで）

 Etching Processes

一般 50,000 円

 Simulation and Database

学生 20,000 円（2012 年 1 月 1 日以降）

【ホームページ】
http://plasma.ed.kyushu‐u.ac.jp/~icrp‐8/【トピックス】
 Advanced Plasma Processes for Green Nanotechnologies【問い合わせ先】事務局

 Functional Nanomaterials Fabrications and Nanostructure Control

e-mail: i icrp-8@plasma.ed.kyushu-u.ac.jp

 Plasma Processes for Energy and Environmental Applications

51

行事案内

シリコンテクノロジー研究会「微細加工プロセスの最前線（DPS ，AVS 特集 ）」
東京大学

一木 隆範

2014 年 2 月 14 日に東京大学において、シリコン【参加費】

テクノロジー関連の研究集会を下記の要領にて開シリコンテクノロジー分科会員 2000 円

催します。プラズマエレクトロニクスにおいて最非分科会員 4000 円も重要なテーマの１つであるデバイステクノロジ【問い合わせ先】

ー応用の最新の研究・開発動向を掴むことのできシリコンテクノロジー分科会ナノ・マイクロファ

る非常に有用な機会です。例年、秋に開催される

ブリケーション研究委員会委員長

主要なプラズマ及びドライエッチング関連の国際

ichiki@sogo.t.u-tokyo.ac.jp

一木隆範

学会である米国真空学会（AVS）、ドライプロセス
国際シンポジウム（DPS）等における報告から、【講演リスト】（敬称略）

第一線の研究者の皆様にあらためて日本語でご講■ 超微細マスク形成

演をお願いし、余裕をもった質疑時間を設けて議

東京エレクトロン本田昌伸

論を深めます。研究会後の懇親会も含めて、サロ「プラズマキュア技術と新レジスト材料によるン的な雰囲気で多くの情報を共有できる場を提供

LER/LWR 改善」

しております。お近くの方にもお声掛けいただき、是非とも奮ってご参加くださいますようお願い申

東芝

今村翼

「DSA の加工技術」

し上げます。

日立

小藤直行「LWR 発生の理論解析」■ Fin FET の加工記

京大【主催】応用物理学会シリコンテクノロジー分科会

江利口浩二

ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会「Fin 型トランジスタ加工におけるプラズマ誘起【協賛】応用物理学会プラズマエレクトロニクス

Si 基板ダメージ形成モデル」
日立

分科会

松井都

【日時】2014 年 2 月 14 日（金）13 時～「FinFET のゲート加工時の表面反応制御」【場所】東京大学浅野キャンパス工学部■ 難エッチ材の加工

9 号館大会議室

東北大（東京都文京区弥生 2-11-16、千代田線根津駅或木下啓蔵「MRAM 加工の最前線」
東京エレクトロン宮城

いは南北線東大前駅下車）
http://sogo.t.u-tokyo.ac.jp/access.html

西村栄一「難エッチング材加工技術の現状と課題」（一部、仮題につき、変更の可能性あり）
52

行事案内

6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its
Applications for Nitrides and Nanomaterials / 7th International
Conference on Plasma-Nano Technology & Science(ISPlasma2014 / IC-PLANTS2014)
名城大学

平松美根男

ISPlasma は、文部科学省の支援を受け、東海

技術、モデリングとシミュレーション、エッチン

広域ナノテクものづくりクラスター事業の一環とグプロセス、薄膜成膜プロセス、フレキシブルエ

して、当地域に国際競争力を有する先進プラズマ

レクトロニクス、バイオ／医療用プラズマ、クリ

ナノ科学研究拠点を形成するために 2009 年からーンエネルギー用プラズマ、ナノテクノロジープ

毎年開催されている国際会議で、今回は６回目と

ラズマ

なる。

◆窒化物半導体：GaN および関連材料の結晶成長、窒化物 MBE 成長、評価技術、デバイスプロセス、

一方、IC-PLANTS は、本邦唯一の産業応用プ
ラズマセンターである名古屋大学工学研究科附属光デバイス、電子デバイス

プラズマナノ工学研究センターの主催の国際会議◆ナノ材料：ナノカーボン材料、ポーラス材料、として 2008 年から毎年開催されている。

表面改質／表面機能化、コンポジット／傾斜機能2014 年より、この２つの国際会議を合同し、先材料、ナノパーティクル／ナノワイア／ナノロッ

進プラズマナノ科学、およびナノ材料、窒化物半ド、エネルギー応用向けナノ材料／ソフトナノ材

導体研究に加え、振興著しいプラズマバイオ分野

料までも包括的に対象分野として開催する。本会議
では、プラズマ分野で長い歴史と研究実績を有す＜特別講演者＞

る東海地域に世界中から優れた研究者が集い、先小長井

誠 (東京工業大学)

進プラズマ科学、窒化物半導体とナノ材料への応用について広く議論するとともに、最新の研究成＜基調講演者＞

果を発表および討議する。

堀

勝 (名古屋大学)

大橋 弘通 (産業技術総合研究所)＜日程＞ 2014 年 3 月 3 日（日）～3 月 6 日（木）W. Graham (Queen’s University Belfast, UK)
藤岡 洋 (東京大学)
大塚 信之 (パナソニック)＜場所＞ 名城大学天白キャンパス（愛知県名古屋市天白区）＜招待講演者＞＜関連分野＞

W. Choe (KAIST, KOREA)◆プラズマ科学：プラズマ源、先進プラズマ計測

Y. Cordier (CNRS-CRHEA, FRANCE)53

伊澤 勝 (日立ハイテクノロジーズ)＜参加費：メインシンポジウム＞

J. Shim (Hanyang University ERICA campus,

早期登録

事前登録

当日登録

KOREA)(~2014/1/30)(~2014/2/20)(2014/3/2)

金子 克美 (信州大学)

一般： 40,000 円

45,000 円

50,000 円

中村 孝 (ローム)

学生： 10,000 円

14,000 円

18,000 円

小野村 正明 (東芝)

※ ３月４日(火)午後のセッションのみ参加は参

X. Pi (Zhejiang University, CHINA)

加費無料

佐々木 浩一 (北海道大学)※ バンケット(３月４日)
一般： 5,000 円、学生： 2,000 円

瀬戸山 亨 (三菱化学)
J. H. Shin (KAIST, KOREA)
高尾 英邦 (香川大学)＜チュートリアル参加費＞

M. Terrones (信州大学)

・メインシンポジウム参加者
一般： 5,000 円、学生： 2,000 円

J. Y. Tsao (Sandia National Laboratories, USA)
R. Scaffaro (Palermo University, ITALY)

・チュートリアルのみ参加者
一般： 10,000 円、学生： 5,000 円

熊井 葉子 (豊田中央研究所)＜チュートリアル講演者＞＜問合せ先＞

W. Walukiewicz (Solar Energy Materials

ISPlasma2014 / IC-PLANTS2014 事務局

Research Group, USA)株式会社インターグループ

U. Czarnetzki

TEL: 052-581-3240／ FAX: 052-581-5585(Ruhr-Universitat Bochum,

名古屋支社

E-mail: isplasma@intergroup.co.jp

GERMANY)

Website: http://www.isplasma.jp

54

行事案内
2014 年第 61 回応用物理学会春季学術講演会

プラズマエレクトロニクス分科会企画
東京工業大学・はじめに

野崎智洋
受賞者（敬称略）

本稿では 2014 年春季講演会における PE 分科会• 重歳 卓志（ソニー）

企画の概要とスケジュールをまとめて紹介いたし

CHxFyプラズマエッチング時のSiO2/Si界面準ます。それぞれの企画の趣旨，過去の講演者履歴位の生成• 村木 裕（阪大院）などは，分科会のホームページあるいは本稿に掲
載の行事案内を別途ご参照ください。

HBrプラズマにおける斜め入射イオンおよび

http://annex.jsap.or.jp/plasma/

反応生成物（SiBrx）イオンによる反応

・プラズマエレクトロニクス賞受賞式／

・分科内招待講演奨励賞受賞記念講演恒例となりました分科内招待講演が以下の要領

第 12 回プラズマエレクトロニクス賞受賞式がで実施されます。第 12 回目となる今回は，東海大執り行われます。受賞候補者の推薦締切りが 2013

学の進藤先生，および京都大学の斧先生よりご講

年 12 月下旬のため，本稿にて受賞者に関する情報

演を賜ります。皆様には奮って会場まで足をお運をお知らせすることはできませんが，分科企画シび頂きますようお願い申し上げます。

ンポジウム（学会 2 日目）に先だって授賞式を行日

程：3 月 18 日（火）（予定）

います。また，2013 年秋季の講演奨励賞は，重歳

会

場：未定

卓志氏（ソニー）および村木裕氏（阪大院）の２• 進藤 春雄 先生 （東海大学）

名が受賞されました。栄誉ある賞を受賞された皆新規プラズマ源とその測定法の開発

様には，紙面を借りお祝い申し上げます。日程，• 斧

会場は未定ですが，プログラムをご確認のうえ，

高一

先生 （京都大学）

TBD

授賞式ならびに受賞記念講演会場まで足をお運びください。

・分科企画シンポジウム
学会 2 日目，分科企画シンポジウム「21 世紀グ

プラズマエレクトロニクス賞受賞式
日

程：3 月 18 日（火）会

場：分科企画シンポジウムに先だち同会場

ラフェン産業を支えるプラズマプロセスの現状と展望」を実施いたします。
企画趣旨などの詳細は，本稿に掲載されている行事案内をご参照ください。

で授賞式を行います（未定）日

程：3 月 18 日（火）（予定）

講演奨励賞受賞記念講演

会

場：未定

日程・会場：未定

プログラム：（案）（タイトルは仮題，敬称略）

55

1.

金載浩（産総研）

ンドにした切り口でプラズマ製膜プロセスの基礎

イントロダクトリートーク
2.

3.

4.

と応用についてご講義下さいます。

梅野正義（中部大学）

チュートリアル講演は事前予約制となっていま

マイクロ波プラズマCVDによるグラフェす。貴重な講演のほか，最先端科学の第一線で活ンの合成と応用

躍する講師が執筆したチュートリアル講演ならで加藤俊顕，金子俊郎（東北大学）

はの講義テキストを入手することもできます。定グラフェンナノリボンのプラズマCVD合員がございますので，お早めにご予約いただきま成と応用すようお願い申し上げます。

永瀬雅夫（徳島大学）

日

SiC上単結晶グラフェンの成長とその物性

タイトル：プラズマプロセス速度論解析の基礎と評価
5.

CVD/ALD への展開

松本泰道 （熊本大学）

講

酸化グラフェン～官能基と欠陥の機能性～
6.

8.

師：霜垣幸浩 教授（東京大学・大学院工学系研究科・マテリアル工学専攻）

斉木幸一朗（東京大学）
プラズマによるグラフェンへのドーピング

7.

時：2014 年 3 月 17 日（月）9：00～12：10

・おわりに

永津雅章（静岡大学）

本会報が発行される時点では，プログラムの詳

プラズマによるグラフェン合成と表面化学

細は未定ですが，チュートリアル講演を除くほと修飾

んどの分科会企画は学会 2 日目に実施される予定

長谷川正治（グラフェンプラットフォーム㈱（旧アです。最終プログラムにて詳細をご確認のうえ，

イトリックス㈱）・代表取締役社長）

会場までお越しください。

グラフェンプラットフォームの戦略～グラ学会 2 日目（予定）には，大分類意見交換会（第フェン産業化への現状と展望～

8 分類）および PE 分科会のインフォーマルミーテ
ィングが開催されます。また，同日夕刻には，恒・チュートリアル講演

例の PE 分科会懇親会が企画されます。詳細は担学会初日，PE 分科会の企画としては第 4 回目に当幹事より改めて案内しますので，参加希望者は相当するチュートリアル講演を実施いたします。

事前にご予約をお願い致します。

今回は，東京大学の霜垣先生より「プラズマプロ

その他，不明な点がございましたら，お気軽にセス速度論解析の基礎と CVD/ALD への展開」とお問合せください。

題して講義を頂きます。霜垣先生は様々な成膜プ
連絡先：野崎（東工大）：tnozaki@mech.titech.ac.jp

ロセス，機能材料開発，デバイス応用など幅広い分野で活躍されており，化学工学をバックグラウ

56

行事案内

5th International Conference on Plasma Medicine (ICPM-5)
第 5 回プラズマ医療国際会議
大阪大学工学研究科

浜口智志

第 5 回プラズマ医療国際会議（以下、ICPM-5

べて大幅に増えている。また、ICPM-5 では、プと略記）が、2014 年 5 月 18 日（日）から 23 日

ラズマの医療への応用に限らず、その関連分野、（金）までの６日間の予定で、奈良市の奈良県新例えば、最近注目を集めているプラズマの農業応

公会堂にて開催される（下記）。

用などの新分野もカバーして、学際的な議論を深プラズマ医療とは、いわゆるガス・プラズマ（気めるようプログラムが組まれている。

体放電）を医療や健康産業分野に活用する科学技

こうした観点から、プラズマ医療の分野ですで術をさし、低温大気圧プラズマを生体に直接照射に成果をあげている研究者・学生の方々ばかりでする治療法の開発から、プラズマによる滅菌、低なく、これから、プラズマの医学、生物学、農学

圧（いわゆる真空）プラズマによる医療材料の表への応用研究を始めたいと考えている方、また、

面プロセスまで、幅広い領域をカバーする。基礎

プラズマ医療や滅菌の分野でよく用いられる大気的な物理科学としても、大気圧非平衡プラズマと

圧プラズマや液中プラズマの基礎、および、生物

液体の相互作用など、過去のプラズマ物理学では

汚損（biofouling）防止のためや医療材料の高機あまり取り扱われなかった新しいテーマが研究対能化のためのプラズマ表面処理技術の研究を行っ

象となっており、現在、研究人口が急速に伸びてている方々にも、是非参加していただきたい国際いる研究分野である。

会議である。

プラズマ医療国際会議（ICPM）は、プラズマ

記

医療を専門とする国際会議としては、最も歴史の会 議 名 ： 5th International Conference on

古いものであると考えられるが、それでも、第一

Plasma Medicine

回の会議が開催されたのは 2007 年であり、その日時：2014 年 5 月 18 日から 23 日

後、１，２年の間隔で開催され、第 4 回（前回）

場所：奈良県新公会堂（奈良県奈良市）の会議は、オルレアン（仏）で 2012 年に開催さ

主催：International Society of Plasma Medicine

れた。第 4 回以降は、2 年を基準として、定期的

共催：文部科学省科学研究費新学術領域「プラズに開催することが決まっている。

マ医療科学の創成」

今回の ICPM-5 では、過去の会議に比べて、医協賛：大阪大学、応用物理学会プラズマエレクト

学・生物学の専門家の招待講演者数が増えており、

ロニクス分科会、日本物理学会、プラズマ核融合

プラズマ医療研究が、医学・生物学の専門家の間学会、他にも急速に浸透していることがわかる。また、こ

詳細情報：http://icpm5.plasmabio.com/

こ数年、日本、韓国、中国を中心に、アジアでこアブストラクト投稿先サイト：の分野の研究が盛んにおこなわれていることを反http://icpm5.plasmabio.com/abstract.html

映して、アジアからの招待講演者の数も過去に比問い合わせ先：icpm5@ppl.eng.osaka-u.ac.jp
57

行事案内
21th International Conference on Plasma Surface Interactions inControlled Fusion Devices
第 21 回制御核融合装置におけるプラズマ壁相互作用に関する国際会議
金沢大学

上杉 喜彦

第 21 回 PSI 国際会議(略称:PSI2014)が、2014【重要日程】

年 5 月 26 日（月）から 30 日（金）にわたり、石アブストラクト締め切り:2013 年 12 月 9 日

川県金沢市の県立音楽堂で開催されます。

アブストラクト受理連絡：2014 年 2 月 14 日
早期参加登録締め切り ：2014 年 4 月 18 日

本国際会議は、核融合炉開発研究において重要

論文投稿締め切り

な課題の一つであるプラズマ−材料表面相互作用に関する最新の研究成果を集約、討論し、今後の研究課題・目標をより明確にしていくことを目的【会議 Web ページ】としているものです。この分野はプラズマ物理とhttp://psi2014.nifs.ac.jp

材料物性物理の境界領域に当たり、応用物理学会
プラズマエレクトロニクス分科会会員の皆様にも【会議ポスター】

深く関与する分野でもあります。我が国での開催
は、2002 年の岐阜市での会議依頼のものとなります。是非、当分科会会員の皆さんのご発表／ご参加を期待しております。会議の詳細につきましては、以下に記します。
【会議トピックス】•Physics Processes at the Plasma-Material Interface•Material Erosion, Migration, Mixing, and Dust Formation•Plasma Fuelling, Particle Exhaust and Control, Tritium
Retention•Wall Conditioning and Tritium Removal Techniques•Impurity Sources, Transport and Control•Edge and Divertor Plasma Physics•Power Exhaust, Plasma Detachment, and Heat Load Control•Far SOL Transport and Plasma Wall Interaction in Main
Chamber•Plasma Edge and First Wall Diagnostics•Plasma Exhaust and Plasma Material interaction for Fusion
Reactor58：2014 年 5 月 27 日

行事案内

15th IUMRS-ICA 2014:
D-2 Frontier of Nano-Materials Based on Advanced Plasma Technologies
名古屋大学

石川健治、九州大学

プラズマプロセス技術はナノ材料の合成、バイ

白谷正治【トピックス】

オテクノロジーを牽引し、アジアでの近年の産業

 Advanced Plasma Processes for Green Nanotechnologiesの進展を下支えし、目を見張るモノがあります。

 Functional Nanomaterials Fabrications and Nanostructure Control

その継続的な発展の為には、産業を支える包括的 Plasma Processes for Energy and Environmental Applications

な科学研究ソサエティーの確立が望まれます。ま Plasma Medicine and Bio-Inspired Nano Processes

た、新たな分野への挑戦、特に大気圧非平衡プラ

 Advanced Plasmas & Surface Diagnostics

ズマは表面処理や高速材料合成にとって新しい息 Deposition Processes

吹でしょう。米国、欧州ではなくアジアでの開催

 Etching Processes

を重ねて、今回は環境未来都市として知られる福 Simulation and Database

岡にて、第 15 回国際材料研究学会連合－アジア【基調講演】

国際会議（International Union of Materials Research

Takayuki Watanabe (Kyushu University)

Societies–The IUMRS International Conference in Asia

【招待講演】

2014）において、シンポジウム「D-2: Frontier of

U. CVELBAR (Jozef Stefan Institute)Nano-Materials Based on Advanced Plasma Technologies」

Y-K. PU (Tsinghua University)が開催されます。世界中からプラズマと材料の専C-C.(Jerry) HSU (National Taiwan University)

門家が参集し、研究者や技術者に分け隔てなく議H-J. LEE (Pusan National University)

論を交わし、情報交換し、先進プラズマ技術によS.-Y. LEE (Korea Aerospace University)

るナノ材料の分野を開拓していく気概に富む会議

S. L. YAP (University of Malaya)となりますので、奮ってご参加申込をいただけま

D. BOONYAWAN (Chiang Mai University)

すよう、お待ちしております。

V. SVRCEK (AIST, Japan)
H. FURUTA (Kochi University of Technology)

記【会期】2014 年（平成 26 年）8 月 24 日～28 日

O. SAKAI (Kyoto University)【会場】福岡大学

T. HIRATA (Tokyo City University)

七隈キャンパス〒814-0180 福岡市城南区七隈八丁目 19－1

K. KOGA (Kyushu University)【交通】地下鉄七隈線「福大前」駅

H. KONDO (Nagoya University)【主催】日本 MRS【参考】http://iumrs-ica2014.org/symposia/symposia_D-2.php【参加費（プラエレ分科会会員）】
一般 55,000 円

学生 30,000 円（6 月 25 日まで）

一般 65,000 円

学生 40,000 円（6 月 25 日以降）

【投稿】12 月 5 日開始～2 月 5 日〆切
59【問い合わせ先】事務局
e-mail: iumrs-ica2014@mrs-j.org

行事案内

第 14 回プラズマ表面工学国際会議
The 14th International Conference on
Plasma Surface Engineering (PSE 2014)
大阪大学接合科学研究所

節原 裕一

当該国際会議は、モデリングやプラズマ材料相互作用ならびに薄膜工学など の基礎からプラズ
マプロセスならびにイオン技術の工業的な応用に

会議名：The 14th International Conference on

わたる幅広い分野を包含しており、２年に一度、Plasma Surface Engineering (PSE 2014)

ドイツの Garmisch-Partenkirchen で開催され、会期：2014 年 9 月 15 日〜19 日

次回で第 14 回目 を迎えます。

会場：Kongress haus, Garmisch-Partenkirchen,

前回の 2012 年の参加者は、世界から 750 名を（ドイツ）超える規模となっており、世界的にも著名な国際会場がある Garmisch-Partenkirchen は、会議となっています。

オーストリアとの国境にそびえるドイツの次回の第 14 回プラズマ表面工学国際会議は、最高峰 Zukspitze の麓に位置し、2014 年 9 月 15 日〜19 日までの 5 日間にわたり、

バイエルンの牧歌的風景と共に「たおやかドイツの Garmisch-Partenkirchen の Kongress

な時の流れ」が魅力的な街である。
詳細は本会議の web サイトをご参照下さい。

haus（国際会議場）にて開催されます。

http://www.pse-conferences.net/pse2014.html

次回の当該国際会議は、これまでと同様に、European Joint Committee on Plasma and Ion
Surface Engineering (EJC / PISE)が主催し、Important Dates

Christian Oehr, Stuttgart (GER)を Conference

Abstract submission deadline: January 31,

Chairman に 迎 え 、 当 分 科 会 か ら は 、

2014

International Scientific Committee 委員としてConfirmation of accepted abstracts: May 2014

下命、Advisory Board 委員として堀勝 先生がConference Topics

関わっています。

1. Plasma and ion surface engineering

当該会議の開催要領は以下の通りであり、会議のトピックスのみならず、オーストリアとの国境

Advanced plasma and ion source technologiesにそびえるドイツの最高峰 Zukspitze の麓に位置- Pulsed plasmas

する Garmisch-Partenkirche での「たおやかな時- HiPIMSの流れ」も魅力的であり、当分科会からも多数の- Atmospheric plasma sources

御参加をお待ち申し上げ、本案内を差し上げます。

- Ion implantation / Plasma immersion ion
implantation60

- New ion and plasma sources

3. Coatings properties and applications- Industrial device technology

Nano films

Properties of technological plasmas- Ultrathin films- Plasma diagnostics / process control- Multilayer films- Plasma modelling- Nanocomposite films- Plasma-surface interaction- Nanostructures and nanoparticles- Plasma treatment of polymers

Protective and tribological coatings- Surface cleaning / plasma etching- Tribological coatings- Ion and laser treatment- Carbon-based films

Powders and Plasmas- Corrosion-resistant coatings- Nanoparticle synthesis- Barrier coatings- Particle treatment

Electrical and magnetic coatings- Functional nanoparticles- Conductive and photocatalytic oxides

Atmospheric and in-liquid plasmas- Films for photovoltaics

2. Deposition technologies- Films with special electrical functions

Physical vapor deposition - PVD- Films with special magnetic functions- Magnetron sputtering

Optical coatings- Vacuum arc deposition

Biomedical applications- Plasma-activated evaporation

Bio-functionalization of material surfaces- Atmospheric plasma deposition- Plasma sterilization and disinfection

Plasma-enhanced chemical vapor deposition -- Plasma interaction with living tissue/cells

PECVD(plasma medicine)- Low pressure plasma CVD

4. Characterization of films and modified- Plasma polymerization

surfaces- Atmospheric pressure plasma CVD- Structure and composition

Plasma diffusion treatment-Geometrical- Plasma nitriding / carburizing

roughness)- Hybrid and duplex processes- Mechanical properties

Ion beam deposition- Internal stresses- Ion beam deposition- Optical properties- Ion beam sputtering- Electric and magnetic properties

Coating of special geometries- In-situ diagnostics of coatings- Large area deposition- Computer simulation and modelling of- Coating of inner walls and complex geometries

structure, stoichiometry and growth

Plasma electrolytic oxidation

61

characterization(thickness,

行事案内

Plasma Conference 2014／第 32 回プラズマプロセシング研究会
名古屋大学

豊田

浩孝

本分科会の主催研究会であるプラズマプロセ

沢市において初めて開催され、今回が第 2 回目とシング研究会は、
昭和 59 年に第 1 回が開催されてなります。前回第 1 回では多数の参加者があり、以来、本分科会の会員を中心とした関係研究者が懇親会も 300 人を超えるなど非常に盛会な会議で一堂に会する研究会としてほぼ毎年開催されておした。今回は日本物理学会が幹事学会となり、応りプラズマエレクトロニクス分科会における重要

用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会とプな行事のひとつであります。また、本分科会の国

ラズマ・核融合学会が協力して開催されます。講際会議である反応性プラズマ国際会議はほぼ 3 年

演申込み締切は 2014 年 8 月を予定しております。

に１回開催されており、その時はプラズマプロセ

前述のとおり本 Plasma Conference はプラズマ

シング研究会という位置づけともなります。
さて、エレクトロニクス分科会の重要な主催研究会であ第 31 回プラズマプロセシング研究会（2014 年 2るプラズマプロセシング研究会でもあり、また日

月の反応性プラズマ国際会議）の次となる第 32

本におけるプラズマ研究者が一堂に会する会でも回プラズマプロセシング研究会は、本分科会とプあることから、参加される方には新しい刺激を得

ラズマ・核融合学会および日本物理学会との共同るよい機会にもなると思います。今からスケジュで開催される Plasma Conference2014 として 2014

ールをご予定いただき、ぜひとも多くの方のお申

年 11 月 18 日（火）-21 日（金）の日程で新潟市

し込みをいただきますようお願い申し上げます。

の朱鷺メッセ(新潟コンベンションセンター)にて【開催期間】2014 年 11 月 18 日（火）-21 日（金）開 催 さ れ る こ と と な り ま し た 。 本 Plasma【開催場所】朱鷺メッセ：

Conference は、各学協会等に分散して展開されて新潟コンベンションセンター

いるプラズマ科学・プラズマ応用の研究活動を総〒950-0078 新潟市中央区万代島6 番1 号

合的に把握し、新しいプラズマ科学・プラズマ応

TEL.025-246-8400、FAX.025-246-8411

用の発展を目指すことを目的として、2011 年に金URL:http://www.jspf.or.jp/PLASMA2014/

62

2013（平成 25）年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿
氏名

所属

住所・電話
〒277-0882
柏市柏の葉5-1-5基盤系研究棟504
TEL: 04-7136-3799
FAX: 04-7136-3799

E-mail寺嶋和夫

東京大学
新領域創成科学研究科
物質系専攻

副幹事長 豊田浩孝

名古屋大学
工学研究科
電子情報システム専攻〒464-8603
名古屋市千種区不老町
TEL: 052-789-4698
FAX: 052-789-3150

toyoda@nuee.nagoya-u.ac.jp

副幹事長 辰巳哲也

ソニー（株）
Ｒ＆Ｄプラットフォーム
セミコンダクタテクノロジー開発部門
プロセス設計2部〒253-0014
厚木市旭町4-14-1
TEL: 080-9038-9580
FAX: 050-3809-1413

Tetsuya.Tatsumi@jp.sony.com副幹事長 野崎智洋

東京工業大学
大学院理工学研究科
機械物理工学専攻〒152-8550
目黒区大岡山2-12-1(I6-24)
TEL: 03-5734-2681
FAX: 03-5734-2681

tnozaki@mech.titech.ac.jp

幹事
任期
池田太郎
2014年3月

東京エレクトロン山梨株式会社
技術開発センター
MiPSグループ〒407-0192
韮崎市穂坂町三ﾂ沢650
TEL: 0551-23-2327
FAX: 0551-23-4260

taro.ikeda@tel.com

幹事長

kazuo@plasma.k.utokyo.ac.jp

〃

石川善恵

〒305-8565
産業技術総合研究所
つくば市東1-1-1 中央第5ナノシステム研究部門
TEL: 029-861-0554
フィジカルナノプロセス研究グループ
FAX: 029-861-6355

〃

市川尚志

（株）東芝
半導体研究開発センター
AU開発試作部
評価解析担当〒212-8583
川崎市幸区小向東芝町1
TEL: 044-549-2677
FAX: 044-549-2764

takashi2.ichikawa@toshiba.co
.jp

〃

北野勝久

大阪大学大学院
工学研究科
アトミックデザイン研究センター〒565-0871
大阪府吹田市山田丘2-1(A12-219)
TEL: 06-6878-6412
FAX: 06-6879-7916

kitano@ppl.eng.osaka-u.ac.jp

金 載浩

産業総合技術研究所
エネルギー技術研究部門
先進プラズマ技術グループ〒305-8568
つくば市梅園1-1-1 中央第2TEL: 029-861-4889
FAX:

jaeho.kim@aist.go.jp

〃

堤井君元

九州大学
総合理工学研究院
融合創造理工学部門〒816-8580
福岡県春日市春日公園6-1(D棟304号室)
TEL: 092-583-7097
FAX: 092-583-7097

teii@asem.kyushu-u.ac.jp

〃

杤久保文
嘉

首都大学東京理工学研究科
電気電子工学専攻〒192-0397
八王子市南大沢1-1
TEL: 042-677-2744
FAX: 042-677-2756

tochi@tmu.ac.jp

〃

前田賢治

（株）日立製作所
中央研究所
ナノプロセス研究部〒185-8601
国分寺市東恋ヶ窪 1-280
TEL: 042-323-1111 (ext. 2410)
FAX: 042-327-7708

kenji.maeda.tj@hitachi.com

〃

三重野哲

静岡大学
大学院
創造科学技術〒422-8529
静岡市駿河区大谷836
TEL: 054-238-4750
FAX: 054-238-4750

sptmien@ipc.shizuoka.ac.jp

〃

三沢達也

佐賀大学大学院
工学系研究科
電気電子工学専攻

〃

向川政治

岩手大学
工学部
電気電子・情報システム工学科

〃

吉木宏之

鶴岡工業高等専門学校
電気電子工学科〃〒840-0027
佐賀市本庄町1番地
TEL: 0952-28-8639
FAX: 0952-28-8651〒020-8554
岩手県盛岡市上田4丁目3-5
TEL: 019-621-6877
FAX: 019-621-6877〒997-8511
山形県鶴岡市井岡字沢田104
TEL: 0235-25-9146
FAX: 0235-24-1840

63

ishikawa.yoshie@aist.go.jp

misawa@ep.ee.saga-u.ac.jp

mukaigaw@iwate-u.ac.jp

yoshiki@tsuruoka-nct.ac.jp

氏名

所属

幹事
防衛大学校
任期
明石 治朗
応用科学群応用物理学科
2015年3月〃

名古屋大学大学院
石川 健治 工学研究科
プラズマナノ工学研究センター

〃

伊藤昌文

〃

日本文理大学川崎 敏之
工学部 機械電気工学科

〃

古閑一憲

九州大学大学院
システム情報科学研究院
情報エレクトロニクス部門〃

京都大学大学院
鷹尾 祥典 工学研究科
航空宇宙工学専攻

〃

高橋和生

〃

金沢大学
田中 康規 理工研究域
電子情報学系

名城大学
理工学部電気電子工学科

京都工芸繊維大学大学院
工芸科学研究科
電子システム工学部門
電子物性工学講座

住所・電話〒239-8686
横須賀市走水1-10-20
TEL: 046-841-3810
FAX: 046-844-5912

E-mailakashi@nda.ac.jp〒464-8603
愛知県名古屋市千種区不老町
TEL: 052-788-6077
FAX: 052-788-6077

ishikawa.kenji@nagoya-u.jp〒468-8502
愛知県名古屋市天白区塩釜口1-501
TEL: 052-838-2306
FAX: 052-838-2306

ito@meijo-u.ac.jp〒870-0397
大分県大分市一木1727
TEL: 097-524-2612
FAX: 097-593-2071

kawasaki@nbu.ac.jp〒819-0395
福岡市西区元岡744
TEL: 092-802-3716
FAX: 092-802-3717

koga@ed.kyushu-u.ac.jp〒615-8540
京都市西京区京都大学桂C3棟
TEL: 075-383-3788
FAX: 075-383-3788

takao.yoshinori.7a@kyotou.ac.jp〒606-8585
京都市左京区松ヶ崎御所海道町
TEL: 075-724-7418
FAX: 075-724-7400

takahash@kit.jp〒920-1192
石川県金沢市角間町
TEL: 076-234-4846
FAX: 076-234-4870

tanaka@ec.t.kanazawa-u.ac.jp

〃

西山修輔

〒060-8628
北海道大学大学院
札幌市北区北13条西8丁目
工学研究院
TEL: 011-706-6658
量子理工学部門プラズマ理工学分野
FAX: 011-706-6657

〃

松隈正明

東京エレクトロン株式会社
技術開発センター
シミュレーショングループ〒305-0841
茨城県つくば市御幸が丘17
TEL: 029-860-3632
FAX: 029-860-3607

masaaki.matsukuma@tel.com

〃

本村大成

（独）産業技術総合研究所
九州センター
生産計測技術研究センター
プラズマ計測チーム〒841-0052
佐賀県鳥栖市宿町807-1
TEL: 0942-81-4058
FAX: 0942-81-3690

t.motomura@aist.go.jp

〃

和田 昇

三菱電機(株)
先端技術総合研究所
環境システム技術部
放電応用グループ〒661-8661
尼崎市塚口本町8-1-1
TEL: 06-6497-7069
FAX: 06-6497-7285

Wada.Noboru@bx.Mitsubishi
Electric.co.jp

64

shu@eng.hokudai.ac.jp

2013（平成 25）年度分科会幹事役割分担
役割分担
幹事長
副幹事長

1. 分科会ミーティング
2. シンポジウム総合講演
合同セッション
分科内招待講演
チュートリアル講義
3. プラズマプロセシング研究会
SPP-3１

4. 光源物性とその応用研究会
5. プラズマ新領域研究会

6. インキュベーションホール

7. プラズマエレクトロニクス
講習会

8. 会誌編集・書記
9. ホームページ
10. 会員名簿
11. 庶務
12. 会計13. プラズマエレクトロニクス賞
14. アカデミックロードマップ（戦略企画室）15. PE懇親会 秋：同志社大学
16. PE懇親会 春：青山学院大学
GEC委員（オブザーバー）

寺嶋和夫
豊田浩孝
辰巳哲也
野崎智洋
三沢達也
野崎智洋
北野勝久
金載浩
市川尚志
豊田浩孝
三重野哲
堤井君元
金載浩
池田太郎

留任
東京大学
名古屋大学
（株）ソニー
東京工業大学
佐賀大学
東京工業大学
大阪大学（独）産業技術総合研究所
（株）東芝
名古屋大学
静岡大学
九州大学
（独）産業技術総合研究所
東京エレクトロン山梨

向川政治
豊田浩孝
栃久保文嘉
石川善恵
堤井君元
吉木宏之
豊田 浩孝
前田賢治
三沢達也
石川善恵
吉木宏之
辰巳哲也
池田太郎
前田賢治
市川尚志
市川尚志
向川政治
北野勝久

岩手大学
名古屋大学
首都大学東京(独)産業技術総合研究所
九州大学
鶴岡工業高等専門学校
名古屋大学（株）日立製作所
佐賀大学(独)産業技術総合研究所
鶴岡工業高等専門学校
ソニー（株）
東京エレクトロン山梨（株）日立製作所
（株）東芝
（株）東芝
岩手大学
大阪大学

三沢達也
北野勝久
寺嶋和夫
野崎智洋
寺嶋和夫
石川善恵
池田太郎
白谷正治

佐賀大学
大阪大学
東京大学
東京工業大学
東京大学(独)産業技術総合研究所
東京エレクトロン山梨
九州大学

新任

本村大成
古閑一憲
高橋和生
松隈正明
伊藤昌文
古閑一憲
和田昇
石川健治
高橋和生
川崎敏之
田中康則
明石 治朗
田中康則
鷹尾祥典
伊藤昌文

(独)産業技術総合研究所
九州大学
京都工芸繊維大学
東京エレクトロン
名城大学
九州大学
三菱電機(株)名古屋大学
京都工芸繊維大学
日本文理大学
金沢大学
防衛大学
金沢大学
京都大学
名城大学

石川健治
本村大成
鷹尾祥典
明石治朗

名古屋大学
(独)産業技術総合研究所
京都大学
防衛大学

松隈正明
和田昇

東京エレクトロン
三菱電機(株)

川崎敏之
松隈正明
西山修輔

日本文理大学
東京エレクトロン
北海道大学

本村大成
高橋和生

(独)産業技術総合研究所
京都工芸繊維大学

鷹尾祥典
西山修輔

京都大学
北海道大学

太字：取りまとめ役

65

2013（平成 25）年度分科会関連の各種世話人・委員
１．応用物理学会講演分科の世話人
8.1 プラズマ生成・制御
8.2 プラズマ診断・計測
8.3 プラズマ成膜・表面処理
8.4 プラズマエッチング
8.5 プラズマナノテクノロジー（代表）

林 信哉
山形 幸彦
野崎 智洋
林 久貴
佐藤 孝紀
金子 俊郎
小田 昭紀
山田 英明

（九州大）
（九州大）
（東工大）
（東芝）
（室蘭工大）（東北大）（千葉工大）（産総研）

２．応用物理・編集委員

野崎

智洋

（東工大）

３．応用物理学会代議員

金子 俊郎
野崎 智洋
酒井 道
平松 美根男

（東北大）
（東工大）
（京都大）
（名城大）

４．GEC 組織委員会委員

白谷 正治

（九州大）

５．その他：本部理事

平松 美根男（名城大）

６．諮問委員

白谷 正治
堀 勝
斧 高一

（九州大）
（名古屋大）（京都大）

７．フェロー

岡本 幸雄
河野 明廣
寒川 誠二
菅井 秀郎
高井 治
橘 邦英
中山 喜萬
畠山 力三
藤山 寬
堀 勝
真壁 利明
渡辺 征夫

（東洋大）
（名古屋大）（東北大）（中部大）（名古屋大）
（愛媛大）
（大阪大）
（東北大）
（長崎大）
（名古屋大）（慶應大）（九州電気専門学校）

８．名誉会員後藤（中部大）

8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野

66

俊夫

平成 25 年度中期活動報告
第 68 回プラズマエレクトロニクス分科会ミーテ

・講演会の開催方法について

ィング／平成 25 年度第 2 回幹事会議事録（応用

コンベンション施設の使用について検討している。

物理学会インフォーマルミーティング内）

これについて意見交換がなされた。
また、藤山先生（長崎大）などを中心に、全体の日時：平成 25 年 9 月 17 日（火）12:00-13:15
場所：同志社大学京田辺キャンパス

講演レベルの低下、英語セッションの割合増加の

TC3 1F-102

有無、査読の有無などについて議論があった。

（C2 会場）
以下、幹事会。寺嶋幹事長の代理として、豊田副
０．

「8.プラズマエレクトロニクス」大分類分

幹事長（名古屋大）が司会進行を務められた。

科意見交換会
佐藤先生（室蘭工大）より、下記について説明が
あった。

１．

・大分類、中分類再編について（青山学院大）について

現状の分類方法に問題がないか、見直しをすべき

野崎幹事（東工大）から、平成２６年度春季応用という意見がでている。プラズマエレクトロニク

物理学会学術講演会の進捗について説明があった。

平成２６年度春季応用物理学会学術講演会

スについては変更する必要がないと考えており、
寺嶋幹事長も同意見とのこと。

(1)シンポジウム企画

・プログラム編集委員選出・交代について

金幹事（産総研）より説明があった。予定では、2014 年度から、8.3 は野崎先生（東工大）から大「21 世紀グラフェン産業を支えるプラズマプロ

田先生（名城大）に交代予定。

セスの現状と展望」を考えている。これについて

・春秋の応物開催時期について予定されている内容の詳細説明がなされた。

３・９月は期末なので企業参加厳しいのではないか、という検討がされているとのこと。企業関係

以下、野崎幹事から、現状について説明があった。

者から、「実際厳しい」という意見や、「それ以前(2)分科内招待講演に企業側が有益な情報が得られなくなったと感じ

現状について説明がなされた。企業関係者の講演ているのでは？」といった意見が出された。

も必要と考えているとのこと。

・MRS とのジョイントシンポジウムについて(3)チュートリアル講演

今後の MRS とのジョイントシンポジウムへの意

春の予定について説明がなされた。また、秋につ見交換がなされた。参加費の振り込み方法、ジョ

いて、今後チュートリアルは実施しない方向で考

イントシンポジウムと応物がセパレートされすぎえているとのこと。他、議論等がなされた。

ている（奨励賞がないなど。たとえば中分類の一つのような形の方が参加しやすい）、スケジュール
等がわかりにくい、特集号が 4 つも出るのは多す

２．

ぎる、といった意見が出された。

豊田幹事（名古屋大）から、下記プラズマ新領域
67

プラズマ新領域研究会について

研究会について紹介があった。

５．

(1) 第 14 回 「液中および異相界面へのレーザー（No.58, 59）について照射により形成される高エネルギー密度反応場とプラズマエレクトロニクス分科会会報

プラズマエレクトロニクス分科会会報について、その応用に関する研究会」2013 年 8 月 29 日に北川崎幹事（日本文理大）から次回会報の予定につ海道大学で開催し、参加者 17 名であった。

いて説明があった。

(2) 第 15 回

市川幹事（東芝）から、58 号への各位の協力に

ダイヤモンド・グラフェン関連の予

ついて、お礼がなされた。

定で、電気学会プラズマ/パルスパワー合同研究会との共催。2013 年 11 月 22 日に名城大学にて開催予定。
(3) 第 16 回

６．

無機有機ナノ構造の作成・制御につ分科会会計について

いての内容になる予定。2013 年 12 月 13 日（金）分科会会計について、高橋幹事（京都工繊大）よに神戸にて開催予定。

り説明があった。基本、昨年の実績をベースで予算案を作成したとのこと。大きな変更等がある場
合などは連絡してほしいとのこと。

３．

第２４回プラズマエレクトロニクス講習会について
2013 年 11 月 8 日（金）に行われる第２３回プラ

７．

ズマエレクトロニクス講習会について、辰巳幹事

平成２６年度事業計画について、三沢幹事の代理（ソニー）から報告があった。今年は、「引き続きとして、本村幹事（産総研）から説明があった。

平成２６年度事業計画について参加しやすいように、二日でなく、一日にする」「AEC/APC シンポジウムとの連携」などを実施。
８．

ぜひ宣伝をお願いしたいとのこと。

第１２回プラズマエレクトロニクス賞候補

者論文募集について
第１２回プラズマエレクトロニクス賞候補者論文
４．

について、寺嶋幹事長の代理として豊田副幹事長

第７回プラズマエレクトロニクスインキュ

ベーションホールについてから説明があった。各位に積極的な応募のお願い

豊田幹事（名古屋大学）から、第７回プラズマエがなされた。

レクトロニクスインキュベーションホールについて説明があった。2013 年 9 月 25 日（水）～27
ICRP8 についてについて

日（金）に実施予定。参加予定者は 52 名。

９．

また、来年度の予定についても説明がなされた。

ICRP8 について、白谷先生（九州大）から説明がなされた。9 月 30 日が締め切り。投稿へのお願いがなされた。
（記：市川尚志（東芝））

68

プラズマエレクトロニクス関連会議日程
国際会議
2014.2.4-2.7
8th International Conference on Reactive Plasmas/31th Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)
Fukuoka, Japan
http://plasma.ed.kyushu-u.ac.jp/~icrp-8/
2014.3.2-6
6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials /7th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma 2014 / IC-PLAMTS 2014)
Nagoya, Japan
http://www.isplasma.jp/index.html
2014.4.14-17
The 41st Plasma Physics conference
London, UK
http://plasma14.iopconfs.org/home
2014.5.18-23
5th International Conference on Plasma Medicine (ICPM5)
Nara, Japan
http://icpm5.plasmabio.com/
2014.5.25-29
The 41st IEEE International Conference on Plasma Science (ICOPS) / the 20th International Conference on
High-Power Particle Beams (Beams)
Washington DC, USA
http://www.ece.unm.edu/icops-beams2014/2014.5.26-30
21st International Conference on Plasma Surface Interactions 2014 (PSI-2014)
Ishikawa, Japan
http://psi2014.nifs.ac.jp/
2014.6.16-19
26th Symposium on Plasma Physics and Technology (SPPT2014)
Prague, Czech Republic
http://www.plasmaconference.cz/
2014.6.16-20
9th International Symposium on Non-Thermal/Thermal Plasma Pollution Control Technology & Sustainable
Energy (ISNTP-9)
Dalian, China
http://www.isntp-9.org/
2014.6.23-25
International Symposium on Electrohydrodynamics 2014 (ISEHD2014)
Okinawa, Japan
http://www.isehd2014.oita-u.ac.jp/

69

2014.6.23-26
9th International Conference on Plasma Assisted Technologies (ICPAT-9)
Saint Petersburg, Russia
http://www.plasmacombustion.com/iwepac.html
2014.6.23-27
41th EPS Conference on Plasma Physics
Berlin, Germany
http://eps2014-berlin.de/
2014.7.6-11
20th International Conference on Gas Discharges and their Applications (GD2014)
Orleans, France
http://gd2014.sciencesconf.org/
2014.9.15-19
14th International Conference on Plasma Surface Engineering (PSE2014)
Garmisch-Partenkirchen, Germany
http://www.pse-conferences.net/pse2014.html
2014.9.15-19
17th International Congress on Plasma Physics (ICPP2014)
Lisbon, Portugal
http://www.ipfn.ist.utl.pt/ICPP2014/Welcome_to_ICPP_2014.html
2014.9.21-26
14th International Symposium on High Pressure Low Temperature Plasma Chemistry (HAKONE XIV)
Zinnowitz, Germany
http://www.hakone2014.org/
2014.11.18-21
PLASMA CONFERENCE 2014
Niigata, Japan
http://www.jspf.or.jp/PLASMA2014/

国内会議・会合
2014.3.5
第15回静電気学会春期講演会
東京工業大学 大岡山キャンパス
http://iesj.org/html/academic/academic_links/2014/syunki14.html
2014.3.17-20
第61回応用物理学会春季学術講演会
青山学院大学 相模原キャンパス
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/regularmeeting.html

702014.3.27-30
日本物理学会第 69 回年次大会
東海大学 湘南キャンパス
http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2014.9.17-20
第 75 回応用物理学会秋季学術講演会
北海道大学 札幌キャンパス
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/regularmeeting.html
2014.9.
日本物理学会 2014 年秋季大会
佐賀大学 本庄キャンパス (18-21) [素、宇]中部大学 春日井キャンパス (7-10) [物性]http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2015.3.21-24
日本物理学会第 70 回年次大会
早稲田大学 早稲田キャンパス
http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2015.9.
日本物理学会 2015 年秋季大会
大阪市立大学 杉本キャンパス (25-28) [素核宇]関西大学 千里里キャンパス (16-19) [物性]http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
行事の最新情報については、下記プラズマエレクトロニクス分科会のホームページをご覧下さい。
http://annex.jsap.or.jp/support/division/plasma/71広告掲載企業一覧
プラズマエレクトロニクス分科会会報 59 号へ広告掲載を頂いた企業は下記の通りです。弊分科会会
員への最新情報のご提供に厚く感謝の意を表します。
１．株式会社 エナック

当会報への広告掲載について
4. 広告掲載料
掲載料は下表の通りとします。なお、年間契約の場合も、申込時点での一括請求とさせて頂きます。

応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
では，分科会会員への情報提供を旨とし、会報への広告出展を募集しております。広告の掲載にあたっては下記のような条件としておりますので、是非ご検討の程宜しくお願い申し上げます。
1. 契約の種類(A) 年間契約コース
1 年間にわたる掲載。通常は 6 月、12 月に発行される 2 号にわたって掲載されます。掲載
号ごとに新規原稿に差替え出来ます。
(B) 単号契約コース
特定の号のみの掲載。
2. 掲載位置
掲載位置は後書きの後となります。基本五十音順の掲載となりますが、レイアウト等の都合で適宜変更になる可能性があります。何卒ご了承ください。
また裏表紙への依頼が無いときには年間契約の中から回す場合もあります。不都合がある場合はご相談ください。
3. 入稿
原稿は A4 版ネガの版下、もしくは電子ファイル（pdf）とします。これ以外の場合、かかる費用を別途請求させて頂く場合があります。

半ページ
1 ページ
2 ページ
(見開き指定可)裏表紙(A) 年間契約(B) 単号契約
コース
コース
5 万円
4 万円
（4 万円）（3 万円）
8 万円
5 万円（6 万円）（4 万円）
12 万円
8 万円（9 万円）（6 万円）
12 万円
8 万円（9 万円）（6 万円）※カッコ内は協賛企業

5. 問い合わせ先〒113-0034 東京都文京区湯島 2-31-22
湯島アーバンビル 7 階
公益社団法人 応用物理学会 分科会係
TEL：03-5802-0862
FAX：03-5802-6250
e-mail：divisions@jsap.or.jp
HP：http://annex.jsap.or.jp/plasma/

72

編集後記
プラズマエレクトロニクス（プラエレ）分科会会報No.59
が出来上がりましたので皆様にお送りいたします。お忙しい中、原稿をご執筆いただいた方々、多くのご助言をいただいた方々に心からお礼申し上げます。ありがとうございます。
今回の巻頭言は、大気圧非熱平衡プラズマの基礎・応用分野において環境からバイオまで幅広く創造的な研究を展開されている豊橋技術科学大学の水野彰教
授にお願い致しました。まずタイトルの「プラズマの研究は楽しいですか？」に先生の研究に対する考え方、さらには先生の生き方が込められていると感じました。今までの納得のいかない結果の連続、または説明が困難な現象の全てに対して、「楽しんできたのか？」とつい自問自答してしまいました。またご経験と具体例を挙げな
がら、大気圧プラズマの可能性について触れられております。特に「いつの時代にも新しい応用が見出されるのではないかと思います」の部分では、プラズマの将来を楽しく感じられたと同時に、誰よりも先にそれを見つけてやるぞとの思いを再確認させていただきました。寄稿はラムリサーチ株式会社の野尻一男様にお願い致しました。半導体分野のイノベーションによる発展と今後、さらには研究者としての心構えについてまとめられております。私が言うのも恐縮ですが、これも40年に渡って半導体研究に携われてきたからこそ書ける内容であろうと思われます。一方で日本半導体産業の今後の厳しさにも言及されております。半導体に携わる若き研究者には良い刺激になったと思われます。水野先生、野尻様、改めてお礼申し上げます。
一方、研究室紹介、研究紹介（2013年春季応用物理学会講演奨励賞受賞者）、海外の研究事情、学生のためのページは、ご活躍中の（ぎりぎり？）若手の先生方にお願いいたしました。新しい研究所の誕生、応物奨
励賞受賞研究、海外留学、レーザ計測など、これからのプラズマ分野の更なる発展を感じさせる多彩な内容となっております。我々プラエレ会報編集担当も同世代と思われるので、切磋琢磨しながら時には協力して、この分野の発展に寄与したいとの思いをさらに強めることができました。浪平先生、竹田先生、中野先生、小野先生、改めてお礼申し上げます。
国際・国内会議報告、行事案内では関連の深い方々にお願い致しました。会議の様子を報告し、情報を共有
しあうという、プラエレ分科会の結束力の強さを感じさせられました。ご執筆いただいた多くの方々に心からお礼
申し上げます。
歴史あるプラエレ分科会会報の編集作業に対しては多くの不安がありましたが、何とか完成させることができました。良い経験をさせていただきました。これも原稿執筆を快く引き受けていただきました著者の皆様、幹事長、副幹事長をはじめ分科会幹事の皆様、上村様のご協力がなければ成し遂げることはできませんでした。この場をお借りしまして感謝の意を表します。今後も各種報告や案内等の記事を随時募集しております。今までにない新しい記事の掲載もぜひご相談ください。今後もプラエレ分科会会報をどうぞよろしくお願いいたします。
ありがとうございました。
（平成25年度会報編集担当 ： 向川、市川、松隈、川崎）（文責 ： 川崎敏之・日本文理大学）

プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.59
2013年 12 月 27 日 発行
編集：公益社団法人 応用物理学会
プラズマエレクトロニクス分科会
幹事長 寺嶋 和夫
発行：公益社団法人 応用物理学会〒113-0034 東京都文京区湯島2-31-22
湯島アーバンビル7階（©2013 無断転載を禁ず）
73