プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.38
目 次
巻頭言
プラズマエレクトロニクス分科会は今研究室紹介（27）
研究室紹介（その 27）

産業技術総合研究所 松田彰久

1

中部大学

中村圭二

3

木下啓藏、堀川剛6

東北大学流体科学研究所流体融合研究センター知的ナノプロセス研究分野 寒川誠二
東洋大学 一木隆範

1015

マックスプランク研究所 清水鉄司

17

東京大学

20
21
23
25

中部大学工学部電気工学科プラズマ応用研究室
研究室紹介（28）
研究室紹介（その 28）半導体 MIRAI プロジェクト
寄稿「インテリジェント・ナノプロセス構想」「プラズマのバイオテクノロジーへの応用」
海外の研究事情（13）
海外の研究事情（その 13）「マックスプランク研究所滞在記」
国際会議報告◇ BANPIS − 2003 報告◇AVS‑ICMI報告

技術研究組合超先端電子技術開発機構◇MRS‑03 Spring Meeting, Symposium A 会議報告
◇P2ID報告
国内会議報告北陸先端大学院大学

寺嶋和夫
梁井健一
松村英樹

技術研究組合超先端電子技術開発機構 中村守孝

◇第 20回プラズマプロセシング研究会

京都大学

高橋和生

名古屋大学

菅井秀郎

27
28
30

産業技術総合研究所 近藤道雄

32

長岡技術科学大学◇第3回ダストプラズマ研究会◇名古屋大学 21 世紀 COE シンポジウム

八井浄、末松久幸◇ 2003 年春季第 50 回応用物理学関連連合講演会合同セッション D 報告
◇ 2003 年春季第 50 回応用物理学関連連合講演会合同セッション F 報告
京都工芸繊維大学◇ 2003 年春季第 50 回応用物理学関係連合講演会シンポジウム報告

林康明

東北大学 平田孝道

33
34◇ 2003 年春季第 50 回応用物理学関係連合講演会シンポジウム報告
EUVA

関根

勉

35
37
39
40
41

酒井洋輔、須田善行

46
47
48
49

誠、アネルバ塚田

平成 15 年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事住所録
平成 15 年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事役割分担
平成 15 年度プラズマエレクトロニクス分科会関連の各種世話人
平成 14 年度後期及び平成 15 年度前期活動報告
行事案内◇ SPP‑21 案内

北海道大学◇ 2003 年秋季第 64 回応用物理学会学術講演会合同セッション案内

九州大学

白谷正治

◇ 2003 年秋季第 64 回応用物理学会学術講演会シンポジウム案内

九州大学

白谷正治

東京工業大学赤塚洋◇第 10 回プラズマエレクトロニクス・サマースクール案内掲示板◇第 1 回プラズマエレクトロニクス賞受賞者紹介◇第 2 回プラズマエレクトロニクス賞公募会告◇プラズマエレクトロニクス関連会議日程◇プラズマエレクトロニクス分科会会員名簿変更届
編集後記

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52
53
54
55

≪巻頭言≫

プラズマエレクトロニクス分科会は今
産業技術総合研究所 松田彰久
プラズマエレクトロニクスが応用物理学会の 引き入れれば、プロセスのコミュニティは牛耳分科会として活動しはじめてかなりの年月が経 れるとの思いがあったのかも知れない。
過するが、現在も続いているプラズマプロセシ このようにして始まったプラズマプロセシング
ング研究会がこの分科会設立の発端となってい という融合領域研究分野は、その後、板谷良平
ることはよく知られていることである。そのプ 先生が主宰された文部省（現在の文部科学省）のラズマプロセシング研究会が開催される一年前 重点領域研究「反応性プラズマの制御」においに、いわゆるプラズマ物理の専門家（プラズマ て更なる発展を遂げ、現在のプラズマエレクト屋と自称する）が音頭を取り、当時実際にプラ ロニクス分科会へと引き継がれてきたのである。
ズマを用いたプロセスに着手していた若手（だった）研究者が大学から 2 名、国研から 1 名
当時から薄膜シリコン系材料の研究に携わっ呼ばれて、合計1５名程度の規模のインフォーマ てきた私にとって、上記の融合領域分野の創成
ルミーティングが静岡県三島において一泊二日 期から関わりをもてたことは実に幸せなことでで開催された。これを第0回プラズマプロセシン あったし、色々と勉強もさせて頂いた。もちろグ研究会と呼ぶ人がいるほど、わが国における ん、プラズマ物理の専門家に対する要求も数多
プラズマ物理の専門家とプロセス研究者とが研 くさせて頂いた。例えば、当時からプラズマの究の接点を議論する記念すべき会合となったの 電子温度の制御の重要性を強く感じていたため、である。
何度も「電子温度を制御して下さい」とお願い
この会合に出席されたプラズマ物理の専門家 をした。その都度、色々な意見を頂いたが、当てといえば、（全て当時）名古屋大学プラズマ核融 が外れたことが実に多かった。しかし、これは合科学研究所の池上英雄先生、京都大学の板谷 プラズマ物理の専門家が悪いのではなく、私が良平先生、東北大学の佐藤徳芳先生、九州大学 未熟だったからに他ならない。また、ここからの河合良信先生（現役）等々、まさにプラズマ物 がコラボレーションのスタートであるとの認識
理の大先生方である。一方、プロセス側といえ が欠如していたのかも知れない。電子温度が何ば、どのような経緯で選ばれたのかは不明であ で決まっているのかを、私が当時、自分の言葉
るが、広島大学の廣瀬全孝先生、岐阜大学の仁 （方言）で正確に理解していたら、プラズマ物理
田昌二先生、それと私の3 名であった。あとで聞 の専門家からの意見をそのままプロセスに適用
くと、「プロセスの三悪人」という想定だったそ するような愚かなことはせず、電子温度制御のうである。確かに、この3 名の属する応用物理学 考え方を受け取り、プロセスにおける特異性を会のセッションは非常にアクティブで、発表に 考慮に入れた方法を生み出せたはずだからであ対する議論も凄いものがあった。実際、柄も決 る。
して良いほうではなく、第0回会合における懇親
共同研究とか異分野間におけるコラボレー
会でのスピーチでは、「プラズマ屋なんて役に立 ションは、異分野の知識や装置をそのまま適用たないんだわ！（名古屋弁）」とか「反応性プラ することではないと言うことのよい例である。
ズマは簡単には行かないと思いますよ」とか、随 装置だけを借りに行ったり、装置を貰い受けた
分失礼な言葉が発せられたのも事実である。た り、アイデアだけを頂いたり、極端な場合、宴会
だ、プラズマ物理の分野から見れば、この3名を だけを一緒にしたりして、コラボレーションの1ような気になっている人が多いが、実際のコラ
ボレーションは異分野の知識、言い換えれば、異分野における独自の考え方を自分の言葉で理解することにより、自分の専門分野における広がりを構築することが重要なのである。
異分野間における共通課題に対する共鳴は簡単に得られ、そこに新しい分野を提案することはそれほど難しいことではない。それによって多額の研究費を得ることもできる。しかし、本来は、上記のように新しい分野が創成され、異分野の共存がなされ、新しい文化がそこに芽生えることがその分野の存在意義であるはずであり、その第一歩は、当然のことながら、異分野に対する興味と異分野研究者への畏敬の念から始まる。当然のことながら、真のコラボレーショ
ンには時間がかかるものであり、研究者間の研究を通した信頼関係こそが成功に対する必要条

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件なのである。
プラズマエレクトロニクスの分野も異分野の共存がなされ、新しい文化が定着し始めた時期
は確かにあったように思われる。しかし、最近、
何となくおかしくなりかけていると感じるのは筆者だけであろうか？プラズマの分野からプロセスの分野に対する要求はほとんどなく、逆も、もちろんない。これは、相対する分野に対する期待感の欠如が一番の原因であるように思える。
簡単に言えば、異分野間においてお互いに尊敬できる研究者が少なくなってしまっているのであろう。自分の分野ですら魅力的な研究を成し遂げられない研究者が融合分野での文化の構築に貢献できるはずなどないのだから。プラズマエレクトロニクスと言う多分野融合領域分野において、新旧交代を急ぎすぎたツケが回ってきているのかも知れない。

<< 研究室紹介 >> (その 27)

中部大学工学部電気工学科
プラズマ応用研究室
中 村 圭 二１．大学紹介
中部大学は名古屋の中心から４０〜５０分程度のところにあり、名古屋北部の郊外にある春日井市の丘陵地帯に位置しています。学生たちは毎日その丘を登り、四苦八苦しながら通っていますが、丘の上からの夜景はなかなかのものです。もともとは１９６４年に工業系の単科大学として設立され、それ以来、順次、学科および学部が増設され、２００１年
以降、５学部１７学科の総合大学の体制となり、現在に至っています。学生数は、学部・大学院あわせて８０００名ほどで、その半分以上が工学部や工学研究科の学生です。私が所属している電気工学科は、大学が設立された当初から続いている学科の一つで、工学部の中では最も大学院への進学率が高い学科です。中部地区はプラズマ関係の長い歴史的な研究背景を持っていることもあり、中部大学には放電・プ
ラズマの研究に従事されておられる先生方がかなりおられ、右も左もわからない赴任当初は（もちろん今も）、いろいろと力づけていただきました。

２．研究室のあゆみと現状
本研究室は私が１９９９年９月に赴任して発足し、それから３年が経過、はや４年目を迎えました。立
ち上げの当初は、研究室に何もなく、「一体どうなる
ことやら・・・」と思いましたが、幸い、多くの方々のご配慮やご協力をいただきながら少しずつ整備を進め、まだまだ足らないものばかりですが、ようやく研究室としての体裁をなすようになってきました。
研究の主なテーマは、ナノテクノロジー、マイクロ／ナノマシンなどの先端技術分野における基盤技術としての反応性プロセスプラズマの生成・計測・制御で、できるだけ現場で役に立つ実際的な技術開発を目指して、常に応用を意識した研究を心がけています。また中部大学に赴任直後から、畑違いですが学内における超伝導電力機器の研究プロジェクトに参加しています。プラズマとの直接的なつながりはないものの、基礎的事項については共通しているものが多く、プラズマの分野で培った知識が大変役立っています。またプラズマと超伝導での研究がお互いに刺激し合って新しくアイディアがでてくる場合も少なからずあります。

写真１

平成１４年度プラズマグループのメンバー

3

写真２

中村研と他研究室の合同コンパ（２００２年１０月）

例年、研究室には１０名前後の卒研生が配属され、 ３．最近の研究テーマ
本研究室で最近行っている研究テーマとその概要
そのうちの１〜２名程度が大学院に進学します。現
在は大学院生２名、学部生１１名、それにスタッフ について紹介させていただきます。
私１名ということで日々奮闘しております（写真 （１）プラズマ支援スパッタプロセス
超ＬＳＩデバイスでは素子の微細化がますます進１）。また研究室のアクティビティが高まるように、み、線幅が０．１μｍ以下のディープトレンチへのできるだけ学内や大学・企業などの学外の他グループとの共同研究を積極的に進める形をとりながら、 金属埋め込み配線工程が必須となっています。しかし、従来から金属薄膜の形成によく用いられている
外の空気を取り入れるように努めています。
研究室のプラズマグループのゼミは定期的に週２ スパッタプロセスでは、中性のスパッタ金属原子が回行っており、１回はプラズマの研究テーマを中心 トレンチの間口付近にのみ堆積してなどの問題があとしたゼミ、もう１回はプラズマと超伝導のグルー り、プラズマ中で金属原子をイオン化させるなどのプが一緒になって開くゼミです。前者は、その週ま 新しい方法の研究開発が盛んに行われています。本でに得られた結果をもとに次の週に行う実験内容の 研究室では、高密度プラズマ内における金属原子の整理や、これからの進め方などについて相談します。 挙動について調べ、プラズマ・金属原子間の相互作
一方、後者は中部大学・山口先生のグループとの共 用を明らかにするとともに、今後ますます微細化す
同で開いており、そのときの参加者は３０名近くに る金属配線工程に対応できる高性能なスパッタプロ
なります。そこでは幅広いディスカッションが行わ セス装置の開発を目指しています。最近は主にアルれており、プラズマグループの学生にとって、プラ ゴンプラズマに混入した銅原子の特性を中部大学・ズマ以外の研究者からの素朴でかつ鋭いツッコミは
大変いい勉強になっているようです。また人に理解してもらうためのプレゼンテーション能力の向上や、自分自身の研究テーマのより深い理解のために、後期の授業が始まる前の９月初旬に中間発表会を行っています。そして研究以外でも研究室内外の交流を図るため、コンパなどの諸行事を合同で開催しています（写真２）。

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池沢先生のご協力も得ながら調べており、(a)アルゴンの圧力を高くするにつれて銅原子のイオン化率は増加し、動作圧力を高くすれば高効率に銅イオンを生成できる、(b)銅原子のイオン化は、電子衝突よりもペニング効果のような原子間衝突の寄与が大きい、などが明らかとなりました。今後は他大学や企業などとの連携をとりながらさらに詳細なプラズマ解析を行い、実際のトレンチにおける銅の埋め込み特性との相関などについて検討を進める予定です。

（２）高性能プロセスプラズマ源
古屋大学・菅井先生のグループとの共同研究としてプラズマを用いてナノプロセスを行うためには、 進めさせていただいています。プラズマイオン注入
プラズマ源があらゆる意味で高度に制御されていな は、プラズマ中に設置した３次元基材ターゲットそければなりませんが、プロセスを繰り返す間に容器 のものに負の高電圧パルスを印加して、プラズマか内側に膜が堆積してプラズマ特性が経時変化してし ら直接イオンを注入することで一様な表面改質を行まうなどの問題があります。名大時代から容器内壁 う技術で、従来のイオンビーム法に比べて、高スルーの状態制御によって、再現性のよいプラズマ源を研 プットかつ低コストな処理が可能となります。プロ
究してきましたが、その延長線として新しくバイア セスの精密制御を行うためにはターゲット表面の状
スファラデーシールドを提案しています。これは、プ 態をリアルタイムでモニタしてフィードバックする
ラズマ生成を司る電磁結合をそのままにして静電結 ことが有効ですが、本研究では、半導体検出器によ合のみを独立制御するものであり、プラズマ密度の り測定した二次電子電流から二次電子放出係数をイ
低減を最小限に抑えつつ、強い電磁界にさらされて ンプロセスでモニタし、それをプロセスの終点検出
激しくかつ複雑なプラズマ・壁相互作用を受けてい などに応用することを提案しています。これまでにる電磁結合用誘電体窓全面に均一なイオン衝撃を加 シリコンを含めたいくつかの材料で、酸化やドーピえることを可能にします。そしてイオン衝撃エネル ングによって二次電子放出係数が変化し、注入元素
ギーを適切に選ぶことにより、誘電体窓をスパッタ の量とのよい相関を見いだしています。また二次電することなく一定の表面状態に保つことができます。 子放出係数がプラズマからの発光に強く依存するこ
これまでに Planer 型のフロン系誘導結合プラズマに とを用いて、イオン電流を保ったままターゲット電
適用し、プラズマを発生させてから短時間で安定し 流を低減し、高効率なイオン注入が可能なことを明たラジカル密度となることがわかりました。またそ らかにしています。
れはフロン系プラズマ以外に上述の金属スパッタプ
ロセスでも共通な問題となっており、幅広いプロセ （５）交流超伝導電力機器の研究
ス装置への適用を検討しています。
プラズマ以外で行っている、交流超伝導電力機器の研究についても少しご紹介します。超伝導機器を（３）プラズマ吸収プローブを用いたプラズマモニタ はじめとする低温機器では、通電用の電流リードがこのテーマは名大時代から続けているもので、名 設けられ、そこでは電流リードを介した熱の侵入が古屋大学・菅井先生のグループを中心とした共同研 しばしば問題となります。また超伝導状態では抵抗究として進めてさせていただいております。プラズ がゼロのため、通常では見られない様々な現象が起マの基本パラメータである電子密度を測定する際、 こり、特に交流の超伝導機器では、並列接続された
これまでは比較的簡便なラングミュアプローブがよ 複数の超伝導素線に流れる電流の位相や振幅が線材く用いられてきましたが、プロセスプラズマでは絶 ごとに大きく異なる偏流現象が観測されます。偏流
縁膜が堆積する場合がしばしばあり、そこでの適用 現象は超伝導線材の実効的な電流容量を低減させるは極めて困難であります。そのような問題を解決す ばかりでなく、交流通電時の実効的な損失（交流損）
るために、ガラス管などの表面を伝搬する表面波を の増大を招くことから交流超伝導システムを実用化利用したプラズマ吸収プローブを開発しています。 する上での緊急の課題となっています。そのような最近では、プローブ周辺のシース効果を利用して電 問題を解決するために、本学・山口先生のグループ
子密度の他に電子温度も同時に測定できることを示 と連携しながら、ペルチェ素子を利用した新型電流
し、ますますその利用範囲は拡大しつつあります。今 リードの開発を行っており、交流超伝導機器の高効
後はプロセス中におこる膜堆積が及ぼす影響などを 率化を目指しています。
明らかにし、あらゆるプロセスに対応できる精度の高いモニタリングツールとなるよう様々な検討を今後も、プラズマ関連の研究の詳細については、プ
行っていきます。
ラズマエレクトロニクス分科会関連の後援会や研究会などで発表していく予定ですので、ご指導、ご議（４）プラズマイオン注入
論いただければ幸いです。
このテーマも名大時代から続けており、現在も名5

<< 研究室紹介 >> (その 28)

半導体 MIRAI プロジェクト
半導体 MIRAI‑ASET木下啓藏
半導体 MIRAI‑ASRC, AIST 堀川剛

1. プロジェクト概要
半導体MIRAIプロジェクト（MIRAI‑Pj., MIRAI は、Millennium Research for Advanced Information
Technology の略）は、我が国の半導体産業の競争力
強化と持続的発展のために 2001 年にスタートしました。研究員は、半導体産業界のコンソーシアムである技術研究組合 超先端電子技術開発機構（ASET）メ
ンバーの 25 社から 70 名、独立行政法人 産業技術総合研究所・次世代半導体研究センターから 56 名が派
遣され、共同研究体を形成しています。研究開発予算は経済産業省・NEDO からの委託によるもので、期間は７年間を予定しています。プロジェクトリー
ダーは広島大学から来られた廣瀬全孝先生です。
研究場所は茨城県つくば市にある産総研スーパー
クリーンルーム産学官連携研究棟（SCR 棟：写真１）です。４階建ての建屋の中で実験装置を配置する３階フロアは完全なダウンフロー構成で、JISのクリー
ンネス規格で３あるいは５（0.1 μ m 以上の塵芥が1 m3 中に各々 1000 個あるいは 10 万個以内）の高い清

写真１

浄度を有しています（研究 CR：写真２）。同じ研究棟
で、Selete(株)による最先端半導体開発の共通基盤技術構築を目的とする「あすかプロジェクト」と、ASET による高効率・省エネの半導体製造システム開発を目的とする「HALCA プロジェクト」が活動しています。また研究棟周囲には、産総研西地区の木立が残されています。敷地内でキジやウサギを目撃した人もいますし、この間は多量のたらの芽を収穫しました。
MIRAI‑Pj.の研究ターゲットは、次世代のシリコンシステム LSI 技術の基盤となる５つのテーマ（High‑k 材料ゲートスタック技術、Low‑k 材料配線モジュー
ル技術、新構造トランジスタ技術、リソグラフィー・
マスク計測技術、回路システム技術）です。本稿ではこの中で、High‑k 材料ゲートスタック技術グループ（High‑k グループ）と Low‑k 材料配線モジュール
技術グループ（Low‑k グループ）の２つのグループについて紹介させて頂きます。

写真２ 装置導入中の研究 CR 内部。装置はプラズマ重合実験装置。

スーパークリーンルーム産学官連携研究棟

6

2. High‑k グループ

リティがようやくそろい、活発な研究が進められています。以下、個々の技術課題とその開発状況につ1960 年に Bell 研でシリコン酸化膜（SiO2）をゲー いて簡単にまとめます。
ト絶縁膜とする金属 ‑ 酸化膜 ‑ 半導体 電界効果トラ
High‑k 材料については、単に誘電率の値だけではンジスタ(MOSFET)の動作が初めて確認されて以降、 なく、シリコン、ゲート電極とのバンド不連続量、熱ゲート絶縁膜といえば高温酸化により形成された高 的・機械的安定性、界面・膜中欠陥の制御性等から品質の SiO2 という時代が現在まで続いています。ま 最適な材料を選定していくことが重要です。これら
た、このゲート SiO2 の薄膜化を通じて LSI の集積度 の基準に照らした場合、比較的有望な材料として、ハの向上が実現されてきました。現在発表されている フニア(HfO 2)、アルミナ(Al2O3)等があります。我々最先端の MOSFET では、ゲート絶縁膜の厚みは Si‑O 分 は、これらの中でも特に熱的に安定で高温でも非晶子層換算で 4‑5 層分の厚みしかないという極限的な 質状態であるハフニウムアルミネート(HfAlOx)と呼ば寸法に達しています。このような極薄の絶縁層を通 れる合金を中心に検討を進めています。
じて流れる漏れ電流は非常に大きいため、低電力仕
High‑k 膜の堆積方法としては、 Atomic Layer
様のアプリケーション、特に携帯機器等への応用と Deposition (ALD) 法と呼ばれる手法がよく知られいう観点から、漏れ電流を大幅に抑え消費電力低減 ています。これは、原料を自己分解しない 300℃程度を図ることが強く求められるようになってきました。 の低温で膜表面に吸着させて単分子飽和吸着層を形
このため、S i O 2 より誘電率の高い材料、いわゆる 成し、次に酸化剤で原料を分解させることで High‑kHigh‑k 材料をゲート絶縁膜に用いることで、ゲート 膜を形成する手法です。この ALD 法には原子層レベ容量を増加させながらも物理膜厚を逆に厚くし、結 ルで制御された膜形成が可能であるという利点はあ果としてトランジスタ特性を落とすことなく漏れ電 るのですが、低温度プロセスのために膜中に残留不流を抑制しようという試みがなされるようになって 純物が % オーダの高濃度で残るという大きな課題がいます。
あります。我々は、良質かつ低不純物の HfAlOx 膜を
この High‑k ゲート絶縁膜の開発は、40 年以上続い 堆積するために、Layer‑by‑Layer Deposition &てきた、LSI の基幹技術である MOS 技術の一大革新と Annealing (LL‑D&A)法と名付けた新規の堆積方法を言えます。その意味から、研究のための研究でない 開発しています。LL‑D&A 法は、数原子層の堆積毎に本当に使える技術を開発するためには、単に材料レ 残留物低減熱処理を施すことを特徴としており、そベルの開発を行うというのではなく、関連する材料、 の結果不純物の大幅な低減が可能になりました。デプロセス、デバイス、評価技術のそれぞれを密接に バイス適用による性能実証を進めつつ、この LL‑D&A
連携させつつ開発を行うことが非常に重要です。こ の装置の実用化を目指しています。
のような認識を前提として、我々は MIRAI プロジェ
High‑k ゲート絶縁膜の特長を十分に引き出すためクトにおける High‑k 研究の目的を、以下のように設 には、従来用いられてきた多結晶シリコンゲート電
定しています。
極が十分に金属的でないことによるゲート容量の低1) MOSFET の構造 / プロセスに整合する High‑k 材料 下を避ける必要があります。そのため、多結晶シリを選択するとともにその堆積技術を確立し、最 コンに代えて容量的なロスがない理想的な金属ゲー
終的にそのパフォーマンスをデバイス動作とし ト電極の開発を、High‑k 開発に合わせて行っていまて実証すること、す。高速動作に向けてトランジスタを低しきい値と
2) High‑k 材料を薄膜物性、界面制御、デバイス物 する必要があることや High‑k 材料との間の界面が熱性から正確に評価し、デバイス開発で使える 的に安定でかつ低欠陥であること等の要求仕様を考
データベースを構築すること。
えると、難度が高い技術と言えます。適性を有する
MIRAI High‑k グループは、東京大学教授の鳥海明 材料の選定と、ダメージの少ない堆積方法の開発をグループリーダの下、デバイスメーカ、及び装置・分 行っています。
析メーカから ASET 出向の形で 20 名、産業技術総合研
チャネル基板上への High‑k ゲート絶縁膜と金属究所から 12 名の研究者で構成されています。研究開 ゲート電極を積層した High‑k ゲートスタックには、発拠点は前項に述べられている研究 C R が中心であ ソース・ドレインの活性化熱処理等の熱負荷がかかり、SCR 棟完成後のこの一年で CR 内に High‑k 堆積の るため、High‑k ゲートスタック構造の耐熱性はデバための実験設備を含め、MOSFET 試作に必要なファシ イスへの適用性を左右する重要な課題です。熱工程

7における高誘電率ゲート絶縁膜、及びシリコン界面の構造変化に及ぼす熱処理温度や雰囲気の影響を詳細に調べ、それにより構造変化のメカニズムを明らかにするとともに、その結果を High‑k 材料や金属ゲート材料の選択や、それぞれの界面の反応抑制、低欠陥化のための界面処理手法の開発にフィードバッ
クしています。
H i g h ‑ k ゲートスタックの加工については、金属
ゲートの高精度エッチング、High‑k 材料の高選択比
エッチングが微細ゲート形成のために重要な技術となります。これらについては、高密度プラズマ源を持つドライエッチング装置、及びイオンビーム照射
実験装置等を用いて、金属ゲート /High‑k のエッチング機構の理解と、それに基づく最適エッチング種の選択、プロセス確立を目指した研究を進めています。
デバイス的な観点からの研究として、MOSFET の本
質的な性能であるキャリア移動度、しきい値制御、及びゲート絶縁膜劣化・絶縁破壊機構等について、それぞれの物理的メカニズムの解析を行っています。
最終的に、各々について物理モデルの構築を行い、特性予測を可能とすること、さらにそれらの知見を基に SiO2 に近いレベルの特性が得られるような制御技術を完成することが、High‑k MOSFET実用化のために必要と考えています。
上に述べたたくさんの開発要素を、各研究員がそれぞれのエキスパティーズに応じて受け持ち、互いの連携を図りながら、最終ゴールの日を夢見つつ、日夜議論と実験を続けています。

イスメーカーに持ち込むという形で行われていました。この場合、持ち込まれる側の半導体デバイスメー
カーにはオールマイティーな判断力が必要とされます。しかし、個々の技術領域が専門化するにつれてそのやり方には限界が見えており、Low‑k材料の世界的な実用化目標は年々後倒しになっているのが実情です。つまり、各々の境界領域の重要性が非常に高くなっているということになります。MIRAI‑Pj. のLow‑kグループは、広島大学教授の吉川公麿グループ
リーダーの下、材料（３社 10 人）・デバイス（５社８人）・半導体製造装置（６社９人）・分析評価（産総研と１大学 10 人）のように、４つの技術領域からほぼ均等な人数の研究者が机を並べ、日々討論を重ねるというユニークな産学官連携研究スタイルを実現しています。個々のフィールドでは当たり前のことでも、隣のフィールドでは斬新な着想の素になったりします。このような体制の研究コンソーシアムは世界的に見ても MIRAI‑Pj. だけです。
Low‑kグループではオリジナルのLow‑k材料の開発と、材料を正しく評価する技術の確立に力点が置かれています。材料としては、原料（プレカーサー）を
ウェハー上にスピン塗布・焼成によって薄膜を得るタイプと、気化させたモノマー原料をプラズマ重合によって薄膜形成するタイプの研究を進めています。
材料の比誘電率が k=2.5 以下になると、どちらの材
料系でも薄膜中に数nm径のメゾサイズのポア（空孔）を導入したポーラス材料にすることが不可欠です。
次々世代の LSI 材料として実用化するためには、空孔率として数 10 % の高いオーダー（k 値として 2.0程度）が求められています。シリコン酸化膜の比誘３．Low‑k グループ
電率は約 4.0、真空（つまり、何もない状態）の比誘電率は 1.0 ですから、ポーラス材料は技術的にはか
従来、アルミニウム（Al）配線とシリコン酸化膜 なり理論限界に近づいて来ていると言えます。その（SiO2）の層間絶縁膜で LSI の配線層が形成されてき ためこれら導入するポアのサイズや径のばらつきをました。LSIの集積度が上がるつれ配線断面積の低下 制御・計測する技術を確立すべく、材料の理論設計と配線長の増大による配線抵抗の増大が問題となっ にまで遡ったアプローチや、新しい薄膜計測技術のてきました。また配線間隔が狭くなり、LSI 動作時の 開発が行われています。
配線間容量成分が無視できなくなってきました。こ
上記のプラズマ重合技術研究は、300 mmウェハー用
れらの課題を解決し、LSIの低消費電力化や高速化を 量産機を改造した装置での研究が行われています。
実現すべく、銅（Cu）配線と低誘電率（Low‑k）材料 成膜技術では、300 mm 面内均一の膜厚分布、面内均を配線層に用いることが試みられています。配線抵 質な膜質（比誘電率や薄膜の機械強度）、短いプロセ
抗は Cu の採用でほぼ下限のため、Low‑k の適用が不 ス時間を実現するための高い成膜レート、周辺材料
可欠になってきています。
との高い密着性が同時に求められます。従来プラズ
従来、新材料の実用化は、材料メーカーが材料を、 マ重合技術は、プラズマについてほぼブラックボッ
半導体製造装置メーカーがプロセスと装置を、評価 クスで研究が進められてきました。しかし、これら装置メーカーが評価装置を、各々独立に半導体デバ 多くの技術的要請を同時に満足するためには、勘と8

経験だけでは限界があります。そこで、プラズマの内部パラメーター計測が重要と考え、in‑situのモニ
タリングにチャレンジしています。もちろん、高ガス圧（数 Torr）の成膜プラズマの計測には、プローブ類や光学計測、粒子計測上の課題が山積しているため、各方面との研究協力を進めて高い安定性の成膜プロセスの実現を目指しています。
またこれら自主開発の Low‑k 材料については、ドライエッチング、スパッタリング等のプロセス技術を用いて配線構造での評価が求められています。従来材料の SiO2 のドライエッチングメカニズムについては、ASET のプラズマ技術研究室や各方面の研究によって、かなり理解が進みました。SiO 2 のエッチン

9グと比較するとLow‑k材料のプロセス可能な条件（プロセスウィンドー）は、非常に狭くなっています。さらにそのようなピンポイントのプロセスを、300 mm
ウェハー上で均一に実現する必要があります。そのためここでもプラズマ中で起こっている現象をモニタリングし、理解し制御することが重要となっています。また、エッチング素過程としてのビーム実験
や、エッチャントガス・ラジカルの衝突断面積デー
タ整備等も重要と考えています。このような基礎
データを体系的に積み上げつつ技術開発を進めることにより、実用化に結びつく配線モジュールが完成すると考えます。

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12

㧔ෳ⠨ᢥ₂㧕1) Seiji Samukawa, Keisuke Sakamoto and Katsunori Ichiki
Generating High-efficiency Neutral Beams by Using Negative Ions in an Inductively Coupled Plasma Source
Journal of Vacuum Science and Technology, A25, Sep/Oct, pp1566-1573(2002).
2)Hiroto Ohtake and Seiji Samukawa
Charging- Damage- Free and Precise Dielectric Etching in Pulsed C2F4/ CF3I plasma
Journal of Vacuum Science and Technology, B20, pp.1026-1030 (2002).
3).Seiji Samukawa, Keisuke Sakamoto and Katsunori Ichiki, High-performance Neutral Beam Generation using
Inductively Coupled Plasma.
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.40, pp.L779 - L782 (2001).
4) Seiji Samukawa, Keisuke Sakamoto and Katsunori Ichiki, High-Efficiency Low Energy Neutral Beam Generation
Using Negative Ions in Pulsed Plasma
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.40, pp.L997-L999 (2001).
5)Seiji Samukawa, Yashusi Ishikawa, Shinya Kumagai and Mitsuru Okigawa
On-wafer Monitoring of Vacuum-ultraviolet Radiation Damage in High-density Plasma Processes
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.40, pp.L1346-L1348 (2001).
6)Tadashi Shimmura, Shinnosuke Soda, Mitsumasa Koyanagi, Kazuhiro Hane and Seiji Samukawa
Elecrical Conductivity of Sidewall-Deposited Fluorocarbon Polymer in SiO2 Etching Processes.
Journal of Vacuum Science and Technology, B20(6), Nov/Dec, pp2346-2350 (2002).
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  9).H.Ohta and S.Hamaguchi, Molecular Dynamics Simulation of Silicon and Silicon Dioxide Etching by Energetic
Halogen Beams, J. Vac. Sci. Tech.,A, Vol.19, 2373-2381(2001).

10). H.Ohta and S.Hamaguchi, Classical Interatomic Potential Functions for Si-O-F and Si-O-Cl systems, J. Chem.
Phys. Vol.115, 6679-6690(2001).

11). Ishikawa, Kobayashi, Okigawa, Sekine, Yamasaki, Yasuda, Isoya
In-vacuo electron-spin-resonance study on amorphous fluorinated carbon
films for understanding of surface chemical reactio‫ޠ‬ns in plasma etching,Appl. Phys. Lett. in press.

1312).Nishizawa, Yasuda,Yamasaki, Miki, Shinohara, Kamakura, Kimura, Niwano
Origin of type-C defects on the Si(100)-(2x1) surface,
Phys. Rev. B65, 161302 (2002).
13). , Das, Yasuda, and Yamasaki,
In-situ ESR study to detect the diffusion of free H and creation of
dangling bonds in hydrogentated amorphous silicon,
Phys. Rev. B63, 245204 (2001).
14). Umeda, Nishizawa, Yasuda, Isoya, Yamasaki, and Tanaka
Electron spin resonance observation ofthe Si(1119-7x7 surface and its
oxidation process,Phys. Rev. Lett., 86, 1054 (2001).
15). Das, Yasuda, and Yamasaki,
Fast diffusion of H and creation of dangling bonds in hydrogenatedamorphous silicon studied by in-situ ESR,
Phys. Rev. Lett., 85, 2324 (2000).




14

≪寄稿≫

「プ ラズ マの バイ オテ クノ ロジ ーへ の応 用 」
東洋大学工学部
1.

はじめに

一木隆範
ロジーに関わるものが中心になると考えられてい半導体製造や機能性材料合成、表面処理などのます。更に、クリントン前米大統領が 2000 年初頭

産業を中心に発展してきたプラズマプロセス技術にNational Nanotechnology Initiativeを提案しは、これらの分野で今や不可欠な基盤技術になって以降、多くの国でナノテクノロジーが重点的にており、今後も便利で優れた技術として重用され推進されるようになり、ナノテクノロジーとライていくものと期待されますが、グローバル化が進

フサイエンスの融合領域として、ナノバイオロ

む現在、科学技術や産業の進展はますます早くな

ジーやナノバイオテクノロジーと呼ばれる近未来

ると同時に、質的にも変化しており、旧来、畑違型の新たなバイオテクノロジーが次々と提案されいと思われていた知識や技術を分野の垣根を越えています。ナノバイオテクノロジーはこれまでにて融合させ、新しい時代の産業や科学技術を生みもプラズマ技術が活躍してきたナノテクノロジー

出そうという戦略がより強く打ち出されるようにとの融合分野であるため、プラズマ技術が活躍す

なってきました。ところで、21 世紀初頭にはバイる可能性は大いにあると考えられます。現在、研オテクノロジーとバイオテクノロジー産業が質・究が進められているナノバイオテクノロジーは大量ともに急速に成長し、産業・社会に大きな影響

別すると、(1)バイオチップなどの微細加工技術のを与えることが予測されています。例えば、政府

ライフサイエンス分野への応用、(2)DNAデバイスなのバイオテクノロジー戦略大綱では現在 1.3 兆円

どの生体物質のナノデバイスへの直接利用、(3)自の国内のバイオ市場規模を2010年に25兆円にする

己組織化によるナノデバイス作製などの生体の原ことが目標とされています。ここでも異分野技術

理、機能を模した応用の3 つに分けられます。これとの融合が大きな鍵を握るものと考えられており、 らをアプローチの違いで大まかに捉えると、(1)は
最近はプラズマエレクトロニクス分科会会員のトップダウン型、(2)(3)はボトムアップ型のナノテ

方々もプラズマがバイオテクノロジーの今後の発クノロジーと分けることもできます。トップダウ

展の中でどのような役割を果たしうるのかを意識

ン型の鍵を握る材料、プロセス技術は Si 微細加工する機会が多々あることかと存じます。本稿では

技術、マイクロエレクトロニクス、MEMS 技術など

バイオテクノロジーとプラズマテクノロジーとのであり、高感度分子計測を可能にするマイクロ（バ

連携の可能性について筆者の最近のバイオチップイオ）センサー、能動カテーテルなどの医用マイ研究の紹介も一部交えつつ、述べさせていただきクロ（ナノ）マシン、DNA 分析、高スループット薬

ます。

剤スクリーニング、POCT（Point of Care Testing:
迅速医療診断）などを可能にするマイクロTASな

2. バイオテクノロジーとナノテクノロジーの融合

どの具体的な応用システムが開発目標として掲げ

広い意味でのバイオ産業は農林水産業などの１られ、国内外で急速に研究開発が進んでいます。一次産業から、化学、医薬品、分析機器などの２次方、ボトムアップ型はフラーレン、CNT、ナノ微粒

産業、さらに医療サービス、検査サービス、バイ子などのセンシングマーカーやドラッグデリバ

オメデレーション（環境浄化）などの 3 次産業まで

リーシステムへの応用、高機能性薄膜、表面修飾

広範多岐に渡っていますが、平成 11 年末に日本バ技術による人工臓器・人工骨表面への生体適合性

イオ産業人会議が作成した「バイオ産業技術戦略や光触媒消毒機能の付与などが具体的な開発課題

報告書」によると、将来、大きな成長が期待されとして立てられていますが、その他多くのボトム

るバイオテクノロジーはDNA技術や細胞融合、細胞

アップ型ナノバイオテクノロジー研究は現状では培養、バイオプロセスなどのモダンバイオテクノ

まだシーズ先行的な研究段階にあり、長期的な展

15

開は必ずしも透明ではないようです。いずれにし直接的に操作し、評価することのできる新しいバても、医療・バイオはナノテクノロジーの応用分

イオ分析システムの開発研究を進めています。実野として経済・産業的にも、科学技術の人類への際の研究は、最終目標を実現するための具体的な貢献という視点からも極めて大きな期待をされて分析システムの考案とその実現のためのチップ作いることには違いありません。

製技術の開発が両輪となり進んでいます。現在、プラズマを用いたメタルマスクエッチングやディー

3. プラズマ微細加工技術のバイオ分析チップへ

プガラスエッチング、磁性材料エッチングなどのの応用研究室内で独自に開発し、蓄積してきた微細加工

ご存知のようにプラズマプロセスは、ULSI 産業

技術のノウハウと、大学付置研究所バイオナノエ

発展の中核を担う微細加工技術を支えてきました

レクトロニクス研究センターのスーパークリーン

が、半導体デバイスの微細化限界に近づきつつあ

ルーム施設内のマイクロ・ナノデバイス試作設備

る昨今、トップダウン型ナノテクノロジーの代表を駆使して、電気泳動チップを利用した細胞表面格である微細加工技術への期待はともすれば過剰電荷評価システム、画像判定型オンチップ細胞分に萎縮しているようにも感じられます。しかし、微取システム、細胞内小器官や核酸を細胞から直接細加工技術は半導体産業に限らず他分野に適切に抽出・分析するためのマイクロニードルアレイデ展開されるならば、そこで質的な革新を喚起し、新バイス、生体分子吸着磁気ビーズ操作デバイスな

しい科学技術分野と産業の創出に繋がる可能性がどの試作・開発研究を進めています。

高いと期待されます。実際、その萌芽がμ TAS（マイクロ化学分析システム）やLab‑on‑a‑chip (LOC)

4. おわりになどと呼ばれる類のバイオチップ技術として出現

筆者の研究室のバイオチップ開発研究ではプラし始めています。バイオチップ研究はいまや百花

ズマ微細加工技術が大いに活躍していますが、他繚乱といった状況で、半導体微細加工技術や MEMSにもチップ表面と生体物質の間の親密性、適合性

技術等によりガラスやプラスチックのチップ上にの改善などプラズマ技術で解決したいと思う課題

集積化したマイクロ流体デバイスを用いて DNA やに遭遇することもしばしばで、プラズマ技術の懐タンパク質、細胞、薬剤などの分析を高効率で行の深さを今更ながら実感しています。プラズマプ

う様々なシステムチップの開発が進んでいます。 ロセスはもともと非常に自由度の高い技術であり、もちろんバイオチップは、微細加工技術だけではトップダウン型はもちろんボトムアップ型テクノ

済まない総合的システム技術であり、要素技術よ

ロジーでも活躍できることから、色々な形でのバ

りむしろトータルなシステム設計（最終目標の設

イオ応用との融合のチャンスがあると考えられま定）の重要性が大きいことも事実ですが、マイクす。最後に、本年８月末の秋季応用物理学会学術

ロ・ナノ加工技術は当然ながら微小システムの物

講演会で「プラズマのバイオ応用の新展開」とい理的性能を規定する鍵であり、日本の強みである

うテーマで分科会企画のシンポジウムが予定され

微細加工技術がこの新しい分野でうまく活かされており、多岐に渡る分野の先生方の講演が予定さることが期待されます。筆者の研究室では、これれています。様々な視点からあらためてバイオ応

までの生物学の発展は新しい「分析ツール」の導用の可能性が議論される良い機会になることと期入に依るところが大きく、これからのライフサイ

待しています。

エンスにおけるブレークスルーも新しい分析ツールの発明が鍵になるという確信の下、「微細加工によるナノバイオ情報解析デバイス創製」を標榜して、バイオ分析が対象とする細胞や生体高分子と同程度のマイクロ・ナノスケールの構造体を有するマイクロ流体デバイスを中核ユニットとして用い、バイオ分析が対象とする細胞や生体分子等を16≪海外の研究事情≫（その 13）

マックスプランク研究所滞在記
Centre for Interdisciplinary Plasma Science,
Max-Planck Institut fuer extraterrestrische Physik,
85748 Garching, Germany
清水鉄司
私は 2001 年 8 月より 2004 年 7 月まで，ドイツ，ミュンヘンの郊外にあるマックスプランク
研究所にて研究を行う機会を得ました．東北大学大学院工学研究科博士課程終了後に渡独し，現在もドイツ滞在中で，現地にてこの滞在記を執筆しております．今回の滞在記におきましては，研究所の様子・雰囲気，現在行っている研究，ドイツやミュンヘンの印象などを紹介させていただきます．

ている部門です．そのほかに，データ解析分門もあり，そこでは様々なデータをどのように科学的に解析するか研究しています．私はここで，反応性プラズマ中における微粒子の成長やその振る舞いに関する研究を行っています．
私たちの研究所のある場所はミュンヘン市郊外ですので，ここでミュンヘンの紹介をしたいと思います．ミュンヘンは，人口約 130 万人でドイツ第 3 番目の都市です．ドイツの都市の中で最も人気があるといわれています．実際に，長期休暇を取る季節になりますと，ドイツ国内
からもたくさんの観光客が訪れます．また，
ミュンヘンは多くの側面を持った都市で，Alte
Pinakothek，Neue Pinakothek をはじめとする多数の美術館，Deutsches Museum を代表とする博物館，またオペラや管弦楽団を持ち芸術の香りを享受できるほか，レベルの高い大学，研究所を持つ学術都市，また BMW や SIEMENS が本拠を持つ産業都市でもあります．
また，皆さんがご存知のように，ドイツ人はビールが非常に好きな人たちで，Oktoberfestのときには，1 リットル単位のジョッキを平気で 4，5 杯飲み乾します．また，ミュンヘン郊
外には約 1000 年にもわたる歴史を持つ世界最古のビール醸造所があります．そこのビアガー
デンは食事も大変おいしく，皆さんも機会があるようでしたらぜひ訪ねてください．
ミュンヘンの街中を歩いていてすぐに気がつくのが，現在の大都市の中では珍しく高層建築が非常に少ないことです．外観は古い町並みを維持しつつ，周辺の景観と一体化させています．また，ドイツ人は緑をとても大事にしていマックスプランク研究所 (Max‑Planck
Institut)とは 1 つの研究所の名前ではなく，
マックスプランク協会 (Max‑Planck
Gesellschaft) が組織運営している研究所の総称で，研究分野は，私の行っているプラズマ物
理学を含む物理学から，化学、医学をはじめ人類の進化を扱う人類学，法律などを扱う人文科学など非常に多岐にわたっています．現在，ドイツ国内外で 80 にもわたる研究所があり，ドイツの学問に対する真摯な姿勢と力を感じさせます．
私の属しているマックスプランク研究所は，
ミュンヘンの中心から北に 15 km ほど離れたガ
ルヒン市 (Garching) にあります．ここには，全部で 4 つの研究所があり，私は，Max‑Planck
Institut fuer extraterrestrische Physik とMax‑Planck Institut fuer Plasmaphysik が2000 年 1 月から共同で立ち上げた，Centre forInterdisciplinary Plasma Science という部門で研究活動を行っております．ここの部門では，最近研究が活発に行われている微粒子プラ
ズマを中心に，宇宙プラズマ、プロセスプラズ
マなどを実験的および理論的に解明しようとし

17

て，町のいろいろなところに公園があり，とても開放的ですごしやすい雰囲気を作り出しています．中世から脈々と受け継がれてきた町並みに関する価値観と美意識を強く感じさせます．
また，観光客の訪れる場所を除けば非常に清潔で，現地の人々の環境に対する意識の高さも伺えます．これは，ごみを出すときにも感じることで，一般にミュンヘンでは生ごみ，ビン（色ごと），缶，一般ごみ，資源ごみと区別して出します．驚くべき点は，ほぼすべての人がそれを守るということで，環境保護の意識がきちんと根付いている印象を受けました．
私が日本国外での研究をしようと思ったのにはいくつか理由がありました．1 つは，日本とは環境の異なる場所にいることにより，日常生
活から研究まで様々な刺激を受け，海外はもちろんのこと日本をより理解しようと試みることです．もう 1 つは，海外の研究活動においてどのような方法で仕事を進めていくかを見ることによって，多面的なものの見方を学びたいと思ったからです．今回，恩師の佐藤先生からこの研究所を紹介されたことは非常に幸運なことでした．

ループ内でロシア人が半数近くを占めています．その他にイタリア人，アメリカ人，スペイ
ン人などバラエティーに富んでいます．もう１つのグループは低電子温度プラズマグループ
で，主にプラズマもしくはラジカル源を用い，炭素系薄膜の成長過程を研究しているグループ
です．もともと，このグループは核融合炉中のダイバータ板付近のプラズマを研究していたグループで，そこから材料プロセスの方面に発展していった形となっています．
この主に 2 つのグループで毎週 1，2 度セミナーを開催しています．ここでは，最近の成果を報告をしたり，またほかの大学，研究所，企業から人を招き講演をして頂いています．そこでは，議論もとても活発で大変参考になることが多いです．
現在，私はこちらで反応性プラズマ中の微粒子を 1 つのキーワードにし，その中で起こる微粒子の成長過程を追うことをテーマにしています．反応性プラズマ中で生成される微粒子は，膜質劣化や歩留まり低下などの原因として考えられているほか，新規材料の開発という観点か
らも注目されています．最終的な目標として
は，メタンおよび水素を用いプラズマを生成
し，ダイヤモンドの微粒子を成長させることにあります．具体的には，平行平板容量結合型高周波放電を用い，プラズマ中の微粒子が通常大きく負に帯電することを利用し，核となる微粒
子を浮上および電極中心に閉じ込め，その浮上
微粒子表面でどのように成長するかを観察しています．微粒子浮上領域のプラズマパラメータを変化させるため，プラズマ生成領域と微粒子
浮上領域をグリッドで切り離し，グリッド電位やメッシュサイズを変化させることによって実現しようと試みています．また，ダイヤモンドの成長条件の 1 つである高温環境を作るため，電極の裏側や側面電極にヒータを設置し，電極系全体を加熱できるようにしています．微粒子
浮上領域における微粒子サイズなどのその場観察は Mie 散乱を用い測定し，細かい形状や表面

次に，私の所属しているグループについて紹介します．私は 2 つのグループに属していて，
1 つは微粒子プラズマの物性を研究しているグ
ループ，もう 1 つは炭素系物質の成長過程に関して研究しているグループです．微粒子プラズ
マグループは，ポスドク，博士課程学生を含め20 人程度で構成されていて，Morfill 教授がトップとなり，世界の微粒子プラズマ研究を牽引しています．実際にここの研究所で，世界で初めて微粒子のクーロン結晶を観察しました．
それ以来，微粒子プラズマ中の結晶相転移や波動伝播，各種不安定性の観察など幅広く実験および理論の両面から研究をしています．このグ
ループの特徴は，非常に国際色豊かということです．現在，無重力環境化における微粒子プラ
ズマというのが 1 つのキーワードになっている
ため，ロシアと共同研究をしており，このグ

18

状態，物性などは電子顕微鏡およびラマン分光
を用いて測定しています．現在，様々な条件下で成長実験を試みているところです．ここ数年で微粒子プラズマに関する研究は広く認知され，主に微粒子プラズマの物性に関して宇宙ス
テーションを用いた国際的な計画が進んでいます．

な答えしかかえって来ません．
こちらの生活はとてもゆとりのあるものとなっています．朝早くから仕事を始め，ほかの外国人も同様だと思いますが，多くの人が仕事の後の時間を非常に大切にしています．仕事後の時間をどのように使うかを非常に真剣に考えているように見受けました．決して仕事とプラ
イベートの関係が逆になることはなく，多くの人がとても有意義な時間のすごし方をしています．
また、今までもたくさんの方々が書かれているように，ドイツ人をはじめとして外国人の方々は自国の歴史に誇りを持ちかつ良く知っていて，私たち日本人は日本の歴史，文化，風習などについて非常によく聞かれます．そのときに思うのが，もちろん日本の歴史について知ることは重要ですが，中学，高校程度の知識で十分で，それよりもどのように歴史上の出来事を解釈しどのような意見を持っているかがより問われているのだと思います．私も恥ずかしながらあまり知識も意見も持ち合わせていません
が，それがあるととても有意義な会話ができると思います．実際にこちらに来てから，日本の歴史について考える機会がとても増えました．

研究所内の研究の雰囲気はとても和やかで，よい意味でのんびりとしています．ここでは，社会の利益にすぐにつながらなくても，学問的にどの点が重要かということを常に問いかけている感があります．価値観がとてもしっかりしていて，実用的のものへの応用面などを考えるよりも先に，基礎的な過程を完全に把握し，きちんとした学問の土台を作ることを優先している印象を受けました．そのため，ゆっくりですが着実に学問体系が組みあがっていく様子を見ることができます．今後の日本は，科学に対してアメリカ的な合理性を重んじた研究体制を作るのか，ヨーロッパ的な研究体制を作るのか，
非常に興味深く，また考えさせられることが多くあります．もちろんどちらにも一長一短があるので，慎重に結論を出す必要があると思います．

最後にマックスプランク研究所における滞在を快く引き受け，研究活動において有意義な討論をしていただける Gregor Morfill 教授，また日常生活も含め様々な形で適切なご助言をいただける Wolfgang Jacob さんをはじめとするグループ内の方々、実験を一緒に行っている学
生の Werner Halbinger さんに心より感謝いた
します．そして，Morfill 教授と出会う機会を与えてくださったほか，現在も様々なご助言をいただける東北大学名誉教授佐藤徳芳先生に深この滞在記をドイツで生活していて印象に残ったことを述べ終えたいと思います．ドイツで生活していて，日本と大きく違う点の１つは買い物に関することだと思います．日本では，
年中無休終日営業のコンビニエンスストアが多くありますが，ドイツでは大きな駅や空港を除き店舗が平日は夜 8 時まで，土曜日は夕方 4 時までで営業を終了し，日曜日は定休日となっています．ドイツに来てすぐのころは，少し夜遅くまで研究所にいて，何も買えず家には何も食料がないということが幾度かありました．また，比較的丁寧なサービスに慣れている日本人にとっては，店員の接客態度はとても冷たく見えます．特に閉店間際では，彼らも早く帰りた
いからかこちらが何を訊ねても基本的に否定的く感謝いたします．

19≪国際会議報告≫

BANPIS − 2003
―The New World of Microplasma―
Microplasma―
東京大学
・新領域創成科学研究科 寺嶋和夫
東京大学・

BANPIS2003―The 3rd International Workshop on Gmbh)によるキャピラリーを用いたパルス放電、微粒Basic Aspects of Non‑equilibrium Plasmas 子を媒体とするマイクロ放電に関する Prof.S.Ishii
Interacting with Surfaces (BANPIS‑2003)―が、 （Tokyo.Insti.Techno.）の研究、また、Dr.Nakayama
2003 年 2 月 7,8 日、兵庫県の淡路島にある夢舞台国 (AIST)によるマイクロトライポロジープラズマの発際 会 議 場 に て 開 催 さ れ た 。 ３ 回 目 を 迎 え た こ の 見、Prof.K.Terashima(Univ.Tokyo)の超臨界流体プ
BANPIS は、本プラズマエレクトロニクス分科会が主 ラズマ、など多彩な方法・プラズマが紹介された。一催するプラズマプロセシング研究会のサテライト会 方、診断では、従来のレーザートムソン散乱法、吸議として企画／スタートされたものであり、主に、非 収分光法などのより精緻化された研究報告に加え、平衡プラズマと基板などの固体表面との相互作用に P r o f . K . ‑ W . W h a n g ( S e o l N a t i o . U n i v . ) やおける物理・化学現象を討議する国際学会として既 Prof.T.Sakurai（Yamanashi Univ.）による、電気に広く認知されている。1997 年の第１回（和歌山・ 光学結晶によるマイクロバリア放電壁電位測定など
南紀白浜）、2000年の第２回（長崎・ハウステンポス） の新しい測定手段の研究の紹介がなされた。応用研に続く、第３回目の今回は、その生成、診断、応用 究としては、材料プロセス応用(Prof.K.P.Giapisなどにおいてプラズマ―表面相互作用が極めて重要 (CALTECH)ら)、光源応用(Prof.A.Kono(Nagoya
な役割を果たす、空間的に微小なプラズマ―マイク Univ.)ら)、環境応用（Prof.H. Akiyama (Kumamoto
ロプラズマ―の科学技術に関しての記念すべき世界 Univ.)ら）、μ―TAS (Prof.Ichiki (Toyo Univ.)
ら)、など多彩な研究が、それぞれの応用に適したオ
初の国際的な会議となった。
本会議の主催は、日本学術振興会第 153 委員会（プ リジナルな発生法によるプラズマの研究と共に報告
ラズマ材料科学）と京都ナノテクノロジークラス がなされた。特に、Dr.E.A.Stoffels (Eindhoven
ター、であり、本プラズマエレクトロニクス分科会 Univ. Techno.)の、その生体治療応用を念頭に置いも共催という形でこの記念すべき会議の開催に一役 た、マイクロプラズマと生体細胞／マテリアルとのをかった。また、チェアは、長年、本分野をリード 相互作用の研究、Prof.J.G.Eden (Univ.Illinois)のし指導的な立場であられる京都大学工学研究科の橘 固体素子を凌駕する高効率マイクロプラズマ受光素子の研究、などに、 ナノ・ＩＴ・バイオ研究 への邦英教授がつとめられた。
参加者は総数 75 名、招待講演（海外８件、国内８ 本マイクロプラズマの本格的な応用展開が感じられ件）のオーラルセッションと一般講演のポスター た。
今回の国際会議の大成功を受け、BANPIS とは離れセッション（３０件）とから進められ、本分野の最先端の研究成果を限られた数の参加者で、たっぷり た形ではあるが、第２回目のマイクロプラズマに関と時間の許す限り説明、議論を尽くす、最近の国際 する国際会議の開催（2004年10月、USAのニューヨー
会議では珍しい 贅沢な スタイルをとり、その充 ク 地 区 に て ） が 、 P r o f . J . G . E d e n ,実した内容、手際良い運営に対して、多くの参加者 Prof.K.H.Schoenbach らを中心にして進められている。プラズマ科学技術の新しいフロンテイアであるから高い評価が与えられていた。
会議は、マイクロプラズマの発生、診断、そして、 マイクロプラズマ科学技術の発展に対する本国際会
応用とバランスの良い研究発表構成であった。発生 議開催の大きな歴史的な意義を証明している。
なお当日配布された各発表のアブストラクト集にでは、Prof.K.H.Schoenbach (Old Dominion Univ.)の マ イ ク ロ ホ ロ ー カ ソ ー ド プ ラ ズ マ の 研 究 、 加え、会議のプロシーデイングスのために収録されProf.J.A.Hopwood(Northeastern Univ.)のICPマ たオリジナル論文は J.Phys.D;Appl.Phys. の部分特イクロプラズマの回路設計指針、Dr.R.Lebert (AIXUV

20

集として英国の IOP より今秋出版される予定である。

AVS‑ICMI 報告
技術研究組合 超先端電子技術開発機構
環境エッチング技術研究室
梁井 健一
4th AVS International Conference on Micro‑
electronics and Interfaces は、３月３日から６日までの４日間、シリコンバレーの地、サンタクララで開催された。本会議は、半導体を初めとしたマ
イクロエレクトロニクスに関する加工、製造、ならび計測・評価技術について、基礎研究から最新のプ
ロセス技術までをテーマとし、３年前から毎年開催されており、今回で４回目となる。今回は、以下の10 のセッションテーマ
・ Advanced Device Fabrication
・ Advanced Metallization and Low‑k Di‑
electrics
・ Atomic Layer Deposition
・ Chemical Mechanical Polishing・ High‑k Dielectrics
・ Interconnect Integration
・ Contacts, Silicides, and Interfaces
・ Contamination, Stripping, and Cleaning
・ Emerging Metrology and Nanoscience・ Plasma Etching for Dielectrics, Gates,and MEMSのもと、102 件の講演（うち招待講演３２件）が行われた。プログラムは、基本的には２パラレルセッショ
ンと比較的コンパクトな構成となっており、ポス
ターセッションを含め、幅広い分野の、様々のレベルの研究者、技術者により、オープンで活発な議論がなされるよう、意図されている。
全体としては、p l e n a r y s e s s i o n のタイトル
Tunneling Through the Red Brick Wall にもある
ように、これまでの半導体技術ならびに半導体産業の発展のドライビングフォースとなってきた、微細化スケーリングに基づく高性能化および低コスト化、のさらなる進展を行う上で不可欠となる、異種材料の導入（ゲート絶縁膜材料としての High‑k Dielec‑
trics 材料、層間絶縁膜としてのLow‑k Dielectrics材料）、異種対象の評価、制御（バルクから表面、界面あるいはナノへ）、あるいは異種のシステム結合法（3DICインテーグレーション、光コネクト・配線）、な

21

どに関するが発表が多く、sub‑65nm ノード以降を見据えた新しいフェーズの技術への挑戦が大きな潮流となっている。以下、筆者に興味深く感じられた講演の中から数件、簡単に紹介したい。
Plenary session では、次々世代技術となる 45nm
ノード以降の配線技術に関する２件の invited re‑viewを興味深かった。Research Opportunities with
Conductors and Barriers in the post‑65nm Nodes(S. Rossnagel, IBM, USA)と Exploiting
Nanotechnology for Terahertz Interconnect
Applications (A. Kaloyeros, Univ. of Albany,USA)で、前者がメタル配線に関するもの、後者はそれ以外の材料、特にカーボンナノチューブを中心とした新配線材料および遺伝子 DNA の複製スキームを模した Self‑assembling 形成の探索的検討に関するものである。
Rossnagel によると、Cu における電子キャリアの平均自由行程（〜 39 nm）と配線幅が同程度となる
45nm ノード以降では、surface scattering, grainboundary scattering, surface roughness に起因した抵抗増加が顕著になり、例えば配線幅 45nm では、バルクの３倍弱程度まで抵抗率が増加し、Al より高抵抗になる可能性があるとのこと。下地界面の表面状態による抵抗変化、原子層レベル表面 Ta (0.2‑1nm)による surface scattering の変調効果などにより、表面起因の抵抗増加の抑制が検討されている。また、バリアメタル層は、少なくとも 2‑3 nm 以下の極薄膜でアスペクト比の高い via を平滑に覆う必要があるため、ALD 技術が必須となる。これらのことは、
さらに surface roughness による配線メタルの抵抗増加を考慮にいれると、via の加工表面形状、さらには表面状態までが電気抵抗などの配線特性に決定的な影響を及ぼす可能性があることを示唆している。
エッチングなどの加工技術も、将来的には、単に形状性能だけでなく、表面・界面がどのように化学状態に変性するのか、といった視点なども含め、材料技術さらには材料機能・デバイス性能と、より融合、統合した形でのアプローチによりユニットプロセス

技術を開発することが必要になっていくものと思われる。
ナノレベルの成膜制御技術として期待されている
ALD のセッションでは、 Atomic Layer Deposition
for Conformal Coatings of High Aspect Ratio
Structures (S. M. George, Univ. of Colorado,
USA)、Atomic Layer Deposition and Remote Plasma
Surface Preparation for Gate Stack Applications(A. Delabie, IMEC, Belgium)、 Plasma‑Enhanced
Atomic Layer Deposition of TiAlN (S‑W. Kang,
KAIST, Korea)、と、3 件の invited review が行われた。ALD 技術は、Self‑limited の表面化学反応を利用することにより、反応を原子層ごとにデジタルに制御し、平滑で高精度の成膜を行う技術である。
George の発表では、陽極酸化により形成された多孔質のアルミナを基板材料とし、１サイクルあたりの原料ガスの導入時間を変え、どのくらいの深さまで成膜が進むかを調べた。孔径などを変えることにより、いくつかの材料ガスケミストリーの表面化学反応が、それぞれ、Diffusion‑limited あるいは Reac‑
tion‑limited になるかを、シミュレーション結果もあわせ示したもので、基礎的なデータの蓄積として興味深かった。我々が現在進めている質量イオン
ビームによるプラズマエッチング表面反応の検討でも、フロロカーボン膜堆積初期の過渡的な過程で、照射イオン量により、エッチング、エッチストップなどが表面反応の変化が誘起され、Self‑limited 的な現象がみられている。反応種の供給、基板材料との反応、反応生成物の脱離の各素過程の律速過程の解明など進めるうえで、参考にできないかとの感想をもった。
我々の発表（ Study of selective etching of
SiO2‑to‑Si3N4 and a‑C:F film deposition with mass‑
analyzed CFx+ ion beam irradiation ）を行った、
Plasma Etching for Dielectrics, Gates, and MEMSのセッションは、ITRS のロードマップで、必ずしも、
big challengeの技術と意識されていないためもあるのか、基礎から応用まで様々な内容の発表が行われた。その中で一番多かった内容は、エッチング装置の壁の影響によるウェーハ毎のエッチングレートの変動に関するもの（４件）であった。基本的には、様々な化学種の供給あるいは吸着源として、装置壁が果たす役割を考慮しなければならないということであるが、具体的、定量的な解析になると、装置ごとにサイズ、材料、ガスケミストリー、などの違いが大きく、また、過渡的な過程に関するものであるため、

22

一般化、普遍化が難しく、現象論的な議論となっていた。
また、このセッションでは、high‑k材料に関するエッ
チングについて、 Mass Transfer for Cross‑Con‑
tamination with ZrO2 Plasma Etching (M. Y. Liao,
Stanford Univ., USA)、の発表があった。ZrO2 をプ
ラズマエッチング(BCl3+Cl2 ガス)した後のZr 残留現象について TOF‑SIMS 分析を行い、装置壁の影響を含め解析したもので、high‑k Dielectric の一つとして期待されている ZrO2 について、インテグレーショ
ン、さらには実際の製造に向けて、地味ではあるが、着実なデータの蓄積が進みつつあると感じられた。
イオンビームに関連したものとしては、 Emerging
Metrology and Nanoscience のセッションのAtomic Level Smoothing of Metal Surfaces by
Low Energy Noble Gas Ion Bombardment (J. C. S.
Kools, Veeco Instruments, USA)が、興味深かった。
Cu 表面の原子層レベルの表面凹凸を、低エネルギーの Ar イオンビーム (20‑100 eV)を照射することに
より平坦化するもの。エッチングが生じるしきい値
エネルギー以下で、斜め方向にイオンビームを照射することにより、効果的な平坦化が行えることを、実験ならびに M D のシミュレーション結果により示した。平坦度を AFM で評価するとともに、積層メタル膜の G.M.R が改善することを示していた。対象系での巨視的なマス移動がある、エッチングあるいは堆積の場合ばかりでなく、マスバランスゼロで原子的なレベルでの加工あるいは形状制御技術の可能性を示したものとして大変興味深かった。
以上、筆者の主観に偏った紹介になってしまいま
したが、発表内容の一覧についてはAVSのホームペー
ジから閲覧することができ、proceedingsはハード版(25＄)、CD‑ROM 版(50＄;2000‑2003 まで 4 回分)ともに、AVS より刊行されているので、さらに興味を持たれた方は、それらをご覧ください。

MRS‑03 Spring Meeting, Symposium A 会議報告
北陸先端大学院大学 松村 英樹

標記 MRS Symposium A「Amorphous andNanocrystalline Silicon‑Based Films ‑ 2003」
が、2003 年４月 22 日から 25 日まで San Fran‑cisco 市 Marriott ホテルにて開催された。今回は、直前のイラク戦争、SARS 感染などの影響と思われるが、日本からの直前になっての講演取り消しが多く見られた。日本以外の国には全くそのような動きがなかったので、日本の特異性が目に付いてしまった。また、同じアジアの国である韓国からの発表件数が着実に増加していることも、日本からの発表が少なくなった分だ
け、なおさら印象的であった。
Symposium A における最終的な発表論文数は177 件、そのうち口頭発表 71 件、ポスター発表
106 件であった。
この Symposium はアモルファスシリコン（a‑幾つか報告があるが、彼らは新たに a‑Si:H 膜表面の炭化処理の影響を調べている。試料表面の自然酸化膜を H F で除去した後、1 5 0 ℃の 1 ‑octadecene 液中に 90 分浸して表面炭化処理を行った。Si と SiO2 界面、多結晶 Si の粒界を CN処理すると欠陥密度を低減できるとの大阪大学、
小林らの良く知られた研究結果との関連を考えると面白い。最近、従来から知られている水素処理だけでなく酸素処理が特に多結晶Si TFTの
移動度を飛躍的に向上させる手法として農工大の鮫島らにより指摘されている。Si 表面、界面の欠陥密度低減は、TFTだけなく太陽電池でも重要なテーマで、それに炭素処理の効用も加わるとすると、この分野の研究の奥深さを感じさせる。
オランダ国ユトレヒト大学のRuud Schroppは、
Si：H）を中心とするアモルファス材料、それの Hot‑Wire CVD (Cat‑CVD)法の最近の発展の様子
微結晶化した構造体に関する物理とその応用に を、2002年9月に米国Denver市で開催された「第関する議論を行う伝統的なものであるが、この 2回Cat‑CVD (Hot‑Wire CVD)プロセス国際会議」
分野の研究者人口の減少もあり、正直言って、か での研究発表の内容をまとめて総括した。この
つてほどの活発な議論は少なくなってきた。し 中で、Cat‑CVD 法により作られた a‑Si:H 膜を用かし、その中でも、この方面の研究には着実な いた TFT は、ゲート電圧を印加し続け、ゲート・
前進も見られており、ヒントになる発表も少な ソース間に電流を流し続けた時の閾値電圧の変くなかった。
動が、従来からのプラズマ CVD 法（PECVD 法）に
以下、私が個人的に印象に残った研究発表を より作られた TFT に較べ大幅に少ないとのユト
御紹介する。
レヒト大学での結果を示し、電流を流し続ける
ドイツ国ミュンヘン工科大学の M a r t i n 必要のある有機 EL 制御用の TFT としての使用可
Stutzmann の研究室の Andrea Lehner らは、バイ 能性について言及した。また、太陽電池製作を
オセンサーを開発する過程で、Si 表面に溶液耐 行った幾つかの例を紹介し、Cat‑CVD法によると性を持たすために酸化処理をする場合と炭化処 膜堆積速度を上げても PECVD 法による a‑Si:H 膜
理をする場合、および表面を水素化する場合と を用いた場合と同等の効率が得られることを示
で表面近傍の光導電率の差異を観察し、炭化処 した。なお、Cat‑CVD 法に関する第 3 回国際会議
理を行うと表面近傍の欠陥密度を水素化処理、 は、2004 年 8 月 23 日から 27 日の間にオランダ国
酸化処理に較べ1桁低減できると報告した。結晶 ユトレヒト市で、本講演者の Schropp らを中心
Si 表面に炭化処理を行う効用に関しては、最近 に開催されることが報告された。

23

TFT に関しては、東工大の半邦らの反応性熱CVD法によるTFT製作に関する招待講演が注目を集めていた。この方法は、水素系の原料ガスとフッ素系の原料ガスが起こす減圧下での反応を利用して製膜するものであるが、製膜された後に、加熱触媒体と水素分子との接触分解反応を用いて作られた原子状水素に膜を曝することで、作られる TFT の移動度を 50 cm2/Vs 以上まで向上できるというものである。
a‑Si:H 膜の応用に関しては、このシンポジウ
ムでは従来太陽電池への応用の報告が多く、また今回も例外ではなかったが、飽和感のあるそれらの発表に較べ、バイオ応用に関する発表が何件か見られたのが、今回の特徴である。
ポルトガル国超技術研究所のJ.P. Condeらのグループは、a‑Si:H膜の光導電性を利用してDNAセンサーを作ることを提案し、その基礎的な検討を行った。DNAにある種の化学処理を行うとある特定の波長の刺激光に対して発光する性質がある。従来はマイクロカプセル・アレイにDNAを24

固定し、どの薬液にDNAが発光するのかを顕微鏡と光センサーを組み合わせて観察していたが、これをSiO2 でカバーされたa‑Si:H 光導電層に置き換えようというのである。刺激光である紫外光の影響を避けるため、表面の SiO2 層と a‑Si:H層の間に a‑SiC:H/SiNx 層を挿入して紫外光フィ
ルターとするなどの工夫は必要とされるが、ガラス基板上に堆積された最下層のa‑Si:Hの導電率変化を数 10 μ m サイズのコプラナー電極で検出するという単純な構造で、20 pmol/cm2 程度の検出感度は実現できると言う。迷光の遮蔽、a‑Si:H 検出層の膜厚調整などで今後検出感度には改善の余地があり、従来技術の検出感度1 pmol/
cm2 に今後近づいてきたら無視できない a‑Si:H
膜の新たなデバイス応用であると思われた。
この他にも、東北大学の大見らのXe,Kr混合マ
イクロ波CVDをまとめた話など、質問の多い講演もあり、従来とは少し違う方向にこのシンポジ
ウムの活性化の方向があるようにも見受けられた。

P2ID 報告
技術研究組合 超先端電子技術開発機構
環境エッチング技術研究室
中村守孝

P2ID (Int. Symposium on Plasma and Process
Induced Damage) はドライエッチングやプラズマCVDなど、プラズマを利用した半導体デバイス製造プロ
セスのデバイスへのダメージにフォーカスしてスタートした学会である。最初の数年間は電子遮蔽ダ
メージなどプラズマによるチャージングダメージが主に議論されたが、現在では、学会名に and を追加
し、プラズマ以外のプロセスによるダメージにも対象を拡げている。毎年春に開催され、今回で第 8 回になる。なお、スポンサーも AVS から IEEE に変わっている。
P2ID はモントレーやハワイなど米国内で開催されてきたが、今回、初めて米国を離れパリで 2003 年 4月 23 日〜 25 日に開催された。不況のおり、半導体プ
ロセス関係の学会では参加者の減少に悩んでおり、
P2ID も同様である。開催場所の変更によって、シリコンバレーの半導体製造装置メーカーからの参加者が大きく減ることが予想された。ホテルで開催する
場合、会議場使用料は無料に近いが、多数の部屋を仮予約で押さえる必要があり、宿泊者が少ない場合のリスクが大きい。そこで今回は、ホテルや会議場ではなく、パリ近郊の半導体メーカー Altis 社（IBMと Infinion の Joint Venture。0.18 μ m 〜 0.15 μ m
プロセスで 8 inch 1 万枚 / 月の半導体を量産中）の講義室を使うことにし、ほぼ無料に近い費用で会場を借りることができた。他にもいろいろと努力した
結果、総費用を 3 万ドル程度に抑えることができ、無事健全財政を保つことができた。
P2ID では 2 日間のシンポジウムの前に 1 日使ってTutorial を開いている。今年は、Prof. Jane P.
Chang, UCLA がプラズマプロセスの原理とプラズマ誘起ダメージについて、Dr. Philip Mason, Agere
Systemsが半導体素子の信頼性の視点からプラズマ誘起ダメージについて解説を行った。プラズマ及びプロセスのダメージは技術進歩が速く多くの要素を含
むため、講師によって講義内容が大きく異なる。毎回講師が変わるので新たな知識と考え方を知ること
ができた。

25

キーノートスピーチでは東工大・岩井教授が、半導体のダウンスケールの歴史を振り返り、具体的なダメージを含めて半導体の微細化限界について議論した。チップレベルで見て、消費電力などいろいろな問題があるが、低電圧化や high‑k/low‑k 新材料、接合技術などがあり、CADの助けもあるので半導体の限界の直接原因にはならない。しかし、これらの問題を解決するには大学の半導体試作ラインへの投資が必要と結んだ。
TIのAnand Krishnanはアンテナ面積とチャージダ
メージの関係について論じた。普通はアンテナ比（アンテナ面積÷ゲート面積）でダメージを評価するが、アンテナ面積を10倍にしてもゲート電流は10倍にはならない。plasma とゲート絶縁膜の IV 特性の交点で条件決まるが、アンテナ比の低い厚い酸化膜の方が脆弱で、特に PMOS に注意が必要である。
ラトガース大の Kin P. Cheung は極薄 SiO2 膜の初期ゲートリークへの軽いストレスの影響を議論し、ダメージ定量への使用を提案した。プラズマによるチャージダメージではゲート印可電流がプラズマ IV
カーブにそって変化するので、サージ電流は小さく、
電気ストレスに比べて穏やかなダメージである。これに軽い電気ストレスをかけると、ソフトブレーク
ダウンに変わり、ストレス前には見えないトラップが見えてくる。
同じく Kin P. Cheung は極薄酸化膜の TDDB（時間依存絶縁膜破壊）の温度依存について議論し、酸化膜中の欠陥形成に、プリカーサが中性トラップする
ものと、プリカーサにホールトラップ後に電子ト
ラップして中性トラップへ変わるものの 2 種があり、低電界と高電界でそれぞれが効き、酸化膜が厚いとホールトラップ、薄いとトラップされたホール除去が主になる。このホール捕獲と除去のレートが変わるので、極薄酸化膜の激しい温度依存が説明できる。
なお、極薄膜では電子捕獲とトンネルの競争のため、アレニウスにならない。
なお詳細は省くが、ゲート絶縁膜への窒化酸化膜の使用により問題となってきた NBTI（負バイアス温度ストレス不安定性）についても多くの報告があった。
東北大、三洋電機の沖川氏は、プラズマからの放射光による C C D 撮像素子の劣化について報告した。
CCDは紫外光によるダーク電流増大が問題で、MOSFET
よりも 5 桁敏感である。CCD 上のマイクロレンズエッチプロセスをパルスプラズマにすると CCD のダーク電流が減り、MOSFET のチャージポンピング電流（界面準位）でみて、通常の連続プラズマより 2‑3 倍少なくなる。しかしこれでも不十分で更に改良が必要。プ
ラズマ光の波長に注目してガスの影響等を調査する。
FOI の Georgy K. Vinogradov は装置メーカーの立場から、300mm φ plasma 装置のトレンドについて議論した。酸化膜エッチャーとして広く普及している capacitive coupled etcher の問題点はシースがあることと、低圧にできないこと。無理に低圧にす
るとアーキングが起こり、パーティクルやダメージ、
プロセス再現性の劣化が起こる。そこで、リングイ
ンダクターを用いて、誘導結合とホローカソード効
果を使って低圧化ができるプラズマを提案した。
酸化膜エッチャーのアーキングについては、最大手の Applied Materials の Shwming Ma も機構と解決法について報告した。ウェハ上に虫がはったような痕が残り、同時に、ゴミが増えて歩留まり下がる。特にパワーの高い SiO2 エッチで起こる。ロジックで多く、チップ周辺の広い配線に沿って起こる。ウェハ
裏面は関係ない。周辺のメタルが顔を出したときや、
また、何かの変化がプラズマにカップルしたときに起こる。マグネトロン型で起こりやすい。対策は電圧下げるか、電流パスをなくす。ウェハのエッジメ
タルを出さないことは効果的。プロセス条件では磁界を減らす。この結果、アーキングは 2000 年以降の200/300mm φ酸化膜エッチャーの選定基準になり、Best Industry hidden secret だった。対策の効果は絶大で、あるカスタマーでは 1/10,000 と他社装置より大幅に頻度が少なく、100% シェアを取った。プ
ロセス性能は二の次だった。
日立の三瀬氏は、LEDを使ったワイヤレスon wafer
プラズマセンサを提案した。ウェハ内のポテンシャ
ル差を測るために、ウェハ各所のアンテナ 2 つを LEDで結び、LED の光り方で、ポテンシャル差が分かる。
Vth 以上か以下で、発光がオンオフするので、チャー
ジ電圧も簡易的に分かる。さらに、n 個の LED を直列につないでポテンシャル差がn×Vth以上か以下かが分かる。外に取り出す線が不要なモニタ法なので、簡便であり、装置開発用（イオン電流の均一化など）の26

他に実プロセス中のモニタとしても可能性がある。
昨年、参加者に対して行ったアンケートのまとめに基づいた討論があった。主な課題は、ゲート酸化膜で、2/3 がチャージング、1/3 が非チャージング。
P2ID の論文数で比較しても 25 がチャージング、13 が非チャージングと、このバランスは同じ。非チャー
ジダメージでは汚染や化学効果が上げられる。
チャージングダメージを防ぐために、アンテナ比を抑えるが、メタルエッチでは 50 〜 500、ゲート上のコンタクトホール 300 というのが各社の基準となっている。またアナログ回路へのダメージの懸念が多いが、まだ研究報告は少ない。
「誰がダメージを解決するのか？」という設問には、今までアンテナ比の様にデバイス設計で逃げてきたが、今後は装置メーカーに期待する意見が多数を占めた。しかし、装置メーカーがそのことを認めていないのが問題である。
モニタ法についても標準化の必要性などが議論された。また根本的な問題解決には装置の小手先の対策では無理で、新しいアイデアに基づく装置が必要となっていることも指摘された。
余談になるが、Committee Dinner では、フランス流を実感させられた。夜 8 時開始のディナーのコー
ヒーが終わった時は深夜 0時を過ぎていた。0 時 40 分
発の最終電車と車を乗り継ぎ、Altis社近くのホテルに到着したのは 2 時半を過ぎていた。しかし、皆、何事もなかった様に翌朝 8 時からのセッションに参加していた。
次回の P2ID は 2004 年 5 月 17 日〜 19 日に Austin,T e x a s の M o t o r o l a 社に併設される M o t o r o l a
University を使って開催される。奮ってご参加いた
だきたい。

Committee Dinner風景（Au Pied de Cochon, Paris）

≪国内会議報告≫

第 20 回プラズマプロセシング研究会
長岡技術科学大学 極限エネルギー密度工学研究センター
八井 浄、
末松久幸
浄、末松久幸第 20 回プラズマプロセシング研究会が、2003 年
1 月 29 日（水）に新潟県長岡市のホテルニュー
オータニ長岡で開会されました。同 1 月 31 日（金）に斧 高一分科会幹事長のご挨拶で閉会するまでの３日間にわたって、世界の 11ヶ国から合計 301 名の研究者が参加し、活発な研究発表・質疑・議論が行われました。発表件数は総合・指定テーマ講演 3件、および一般講演 155 件でした。しかし、2 件の講演が、大雪による新幹線のダイヤの乱れでキャンセルとなりました。ただし、この雪の影響は東海道
新幹線によるものであり、より多い積雪に見舞われた上越新幹線には全く影響がなかったのが印象的でした。この他は予定通りに順調に推移し、現地実行委員会としては大変安堵した次第です。
総合・指定テーマ講演としては、下記の 3 件の発表が行われました。
「スパッタリング用プラズマ」
金原 粲 (金沢工業大学)「半導体プロセスにおけるプラズマとそのダメージ」
有門経敏、湯之上 隆、塙 哲郎 （(株)半導体先端テクノロジーズ）「新規カーボンナノチューブ物質の創製と電子デバ
イスへの展開」
篠原 久典（名古屋大学大学院理学研究科）

なお、次回の第 21 回プラズマプロセシング研究会は、酒井洋輔先生（北海道大学）が現地実行委員長となり、札幌で開催されます。第 20 回研究会にご参加いただきました皆さまはもちろん、新たな参加者の方も、札幌でお会いできますことを期待しております。

金沢工業大学金原

粲先生の総合講演

これらの研究は、プラズマの利用方法としてもっとも関心が高く up‑to‑date なトピックスであり、ご講演のみならず、質疑も大変ホットとなりました。
1 月 29 日の 18：30 から、会場内で懇親会が開催されました。懇親会以外でも、旧知の、あるいは研究会中に意気投合した研究者間で、ホットな討論が行われていました。研究についての討論以外にも、
新潟の日本酒についての議論も伯仲し、そのお蔭で会場外の飲食店は連日満席状態でした。本研究会はプラズマ研究の発展のみならず地域経済にも大いに貢献し、現地実行委員は、後日、地元飲食店店長から大いに感謝されたほどです。

27

懇親会風景

第３回ダストプラズマ研究会 報告京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻
高 橋 和 生2002 年 12 月 10 日、11 日に岐阜県土岐市の核融合科学研究所において、3rd Workshop on Fine
Particle Plasmas が行われた。この会議は 2001 年
1 月に京都で第 1 回目が行われ、2001 年 12 月の第 2
回目より核融合科学研究所の共同研究「（研究会）
微粒子プラズマの基礎と応用」として継続されているものである。
今回は 5 件の特別講演（50 分）、17 件の一般講演（20 分）に加え 6 件のポスター発表があり、参加者
は 40 名であった。宇宙物理、核融合、コロイド化
学、半導体プロセス、微粒子プロセスなど様々な分
野から大学及び企業の研究者が集まり、プラズマの範疇を超えた微粒子を主体とする議論が繰り広げられた。
特に、最近になって日本でも活発に行われるようになった無（微）重力環境下の微粒子プラズの実験について、佐藤 徳芳 先生（東北大）、林 康明 先生（京都工繊大）及び渡辺 征夫 先生（九州大）のグループより発表があり参加者の興味を引いた。無重力実験はロシアやドイツ、アメリカのグループによってこれまでに行われているが、無重力下での微粒子の挙動については理解されていないことが多い。日本のグループにおいては、挙動に関する基礎的な理解を得ることのみならず、無重力環境を利用した高付加価値微粒子の創製を目指した実験についても着手されており、今後の発展に大きな期待がかかる。
また、微粒子プラズマにおける魅力的な現象としてクーロン結晶の形成が挙げられる。この現象が実験で確かめられて以来ほぼ 10 年経過するが、当初は微粒子間のクーロン相互作用により形成されるとされつつもその相互作用ポテンシャルについては理解が十分ではなかった。それに対して、負帯電微粒子間に働く引力が話題となったこともあり、ここ数
年来、理論的にも実験的にも数々の解析が進められてきた。これに関連して、水溶液中のコロイド粒子
ポテンシャルについて、伊勢 典夫 先生（京都大名誉教授）より講演があった。クーロン結晶の解析では発見当時よりコロイドの系に習った試みが数々行われてきており、コロイド化学はクーロン結晶を扱う人であれば少なからず学ぶ分野である。この講演ではコロイド間ポテンシャルの形成において、溶媒
電荷（イオン）が重要な働きをすることがわかりやすく説明され、プラズマにおいても荷電粒子と微粒子との相互作用を理解することが必要であると認識できた。
近年、世界的に研究者数が増加している微粒子プ
ラズマの分野であるが、その産業的応用についての議論が国外では明確になされることはあまりない。
しかしながら国内では、その応用を見据えた様々な試みが始まっており、今回の研究会でも産業応用を目的とする微粒子（微結晶）形成に関する発表が多くなされた。発表は宇宙空間や核融合炉、半導体プ
ロセスなどプラズマに関連したものから、空気力学
的に浮遊された微粒子のレーザ加熱プロセスのようなプラズマを扱わないようなものまで多岐に渡り、応用という観点を含みつつも幅広くその物理化学過程について議論された。
最後に、微粒子プラズマの研究は多面的で、多彩な分野の研究者によってその理解が進み、可能性が見出されることが全体を通じて示され、研究会の幕が閉じられた。
特別講演(1) “For Spherical Configurations of Fine-Particle Cloudsin Plasmas Under Microgravity Condition”, N. Sato, G.
Uchida 1, and S. Iizuka2 (Tohoku Univ.: Prof. Emeritus, 1.
National Institute for Fusion Science, 2. Tohoku Univ.)(2) “Phase Selection in Containerless Rapid Solidification”,
K. Kuribayashi (Institute of Space and Astronautical Science)(3) “Synthesis of Interstellar Dusts in Laboratory”, S. Wada
(Univ. of Electro-Communications)(4) “When Does Like Like Like?”, N. Ise(Kyoto Univ.: Prof.
Emeritus)(5) “Study on Substrate Contamination by Visualization ofFine Particles in a RF PECVD Reactors”, M. Shimada andK. Okuyama(Hiroshima Univ.)

28

Univ.)(13) “Effect of Magnetic Field on the Variation ofConfiguration of Dust Chains Confined in Electrostatic
Potential”, T. Yamanouchi, K. Ryogoku, M. Shindo, O.
Ishihara, K. Hirose1, and T. Kamimura1 (Yokohama
National Univ., 1. National Institute for Fusion Science)(14) “Effective Interaction of a Charged Particle at a
Dusty Plasma Surface”, H. Nitta(Tokyo Gakugei Univ.)(15) “Plasma-Packets-Assisted Pulsed- Laser Deposition: A novel method for the synthesis of nanostructured
materials utilizing the interaction of dust and plasma”, S.
Komatsu, K. Kurashima, H. Kanda, K. Okada, M.
Mitomo, Y. Moriyoshi1, Y. Shimizu1, M. Shiratani2, T.
Nakano3, and S. Samukawa4 (National Institute forMaterials Science, Hosei Univ.1, Kyushu Univ.2, National Defense Academy3, Tohoku Univ.4)(16) “Preparation of Carbon Nano-Particles by PLD
Method and Diagnostics of Its Plume by Laser Absorption Spectroscopy”, Y. Sakai, M. A. Bratescu, Y. Suda
and D. Yamaoka (Hokkaido Univ.)(17) “Flaked Particle’s Behavior in Radio Frequency
Dipole Ring Magnet Plasma Etching Equipment”, T.
Moriya, and H. Nagaike (Tokyo Electron Ltd.)
ポスター発表一般講演(1)“Behaviors of Fine Particles in Plasmas under
Microgravity Conditions and its Analysis”, Y. Hayashi(Kyoto Institute of Technology)(2)“Simulation Studies of Dust Crystal under
Microgravity”, K. Hirose, T. Kamimura, G.Uchida, S.
Iizuka1, and N. Sato to2 (National Institute for Fusion
Science, 1. Tohoku Univ., 2. Tohoku Univ.: Prof. Emeritus)(3)“Silicon Nano-Particles Formed under One-G andMicro-Gravity Plasmas”, M. Shiratani, M. Kai, K. Koga,
and Y. Watanabe (Kyushu Univ.)(4)“Gas Phase Generation of Diamond Nanoparticles in Fluorocarbon Plasmas”, K. Takahashi, K.
Ono, and Y. Setsuhara (Kyoto Univ.)(5)“Deposition of High Quality a- Si:H Films at High
Rate by using Cluster- Suppressed Plasma CVD Method
employing VHF discharge”, K. Koga, M. Shiratani, andY. Watanabe (Kyushu Univ.)(6)“Characteristic Structure of ZnO Particle Produced by Flash Evaporation in RF Plasma”, T. Sato1, T.
Tanigaki1, H. Suzuki1 Y. Saito2, O. Kido1, Y. Kimura1, C.
Kaito1, A. Takeda3 and S. Kaneko4 (1. Ritsumeikan Univ.,
2. Kyoto Institute of Technology, 3. ISI. Ltd., 4. Hitachi
Instruments Service Co., Ltd.)(7)“Modification of Surface Structure of Graphite
Irradiated by High Flux H2 and He Plasmas, and Formation of Dust Production”, Y. Kobayashi, Y. Hagino, D.
Nishijima, N. Ohno, S. Takamura (Nagoya Univ.)(8)“Synthesis of Fluorinated Carbon Ball Using
Microwave Excited Non-Equilibrium AtmosphericPressure Plasma”, M. Nagai, M. Hori, and T. Goto
(Nagoya Univ.)(9)“Screening Length And Electric Charge of Dust
Particles”, M. S. Liman, C. Totsuji, K. Tsuruta and H.
Totsuji (Okayama Univ.)(10) “Dynamic Properties of Yukawa - Plasmas atModerate Coupling”, A. Wierling, T. Saigo, and S.
Hamaguchi (Kyoto Univ.)(11) “Dynamics of Shear Flows in Strongly-Coupled
Fine-Particle Fluids”, G. Uchida, K. Hirose, T.
Kamimura, S. Iizuka1, and Noriyoshi Sato2 (National
Institute for Fusion Science, 1. Tohoku Univ., 2. Tohoku
Univ.: Prof. Emeritus)(12) “Charge Measurements of Fine Particles Using Ion
Trap Methods”, K. Shinohara and T. Yokota (Ehime(1) “Simulation Studies of Dust Crystal under
Microgravity”, K. Hirose, T. Kamimura, G. Uchida, S.
Iizuka1, and N. Sato2 (National Institute for Fusion
Science, 1. Tohoku Univ., 2. Tohoku Univ.: Prof. Emeritus)(2) “Charging Processes of Fine Particles by UV Light
Irradiation”, A. Ando and T. Yokota (Ehime Univ.)(3) “Spatial Behavior of Dust Particles in an Inductively
Coupled Plasma with an Internal Antenna”, T. Misawa, S.
Inoue, J. Harada, Y. Ohtsu, H. Fujita (Saga Univ.)(4) “Simulation Studies on Wake Potential of Dust Grains
in a Plasma Flow”, S. Murase, H. Fujita1, and T.
Kamimura (National Institute for Fusion Science, 1. Saga
Univ.)(5) “Carbon Particle Formation due to Interaction
between H2 Plasmas and Carbon Wall”, M. Shiratani, R.
Uehara, K. Koga, and Y. Watanabe (Kyushu Univ.)(6) “Generation of Carbonic Radicals and Particulates by
the Interaction of High-Density Hydrogen Plasmas with a
Carbon Plate”, M. Aramaki, T. Maeda, K. Sasaki and K.
Kadota (Nagoya Univ.)29ʮϓϥζϚ͕୓͘φϊ৘ใσόΠεͷੈքత‫ܗ఺ڌ‬੒ʹ޲͚ͯʯ
名古屋大学２１世紀 COE シンポジウム報告
拠点リーダー

菅井秀郎（名古屋大学）

２１世紀 COE プログラム
文部科学省の「２１世紀 COE プログラム」が昨年１０月から５つの分野でスタートし、選定された各大学の研究拠点では世界最高水準の研究成果と優れた研究者やトップリーダーの育成に向けて第一歩を踏み出しました。

ス）を開発します。第２に、この技術を拠点メンバーが実績をもつ各種デバイスに応用して高機能ナノ情報デバイスを開発し、それらを集積化した情報システムへの展開をはかります。第３に、本拠点の最先端の研究開発を通して、優れた若手研究者を育成

名古屋大学におきましても、現在、７つの２１世します。

紀 COE プログラムが動き始めております。その一つが、私共、電気電子工学系の５つの専攻と２つの໊‫ݹ‬԰େֶ ̎̍ੈ‫ ل‬COE ϓϩάϥϜ

センターが提案して採択されたプログラム、「先端ઌ୺ϓϥζϚՊֶ͕୓͘φϊ৘ใσόΠε

プラズマ科学が拓くナノ情報デバイス」です。 プ
ラズマ を全面に押し出して採択された研究教育拠URL http://www.plasma.coe.nagoya-u.ac.jp/

点は、全国１００余のＣＯＥの中で唯一です。このE-Mail:secretary@plasma.coe.nagoya-u.ac.jp

ことは、プラズマの学術上・産業上の重要性を一層։࢝೥౓ ：平成１４年度‫఺ڌ‬૊৫ ：名古屋大学

高める上で、本分科会にとっても慶ばしいことであると思います。そこで、初めに私共のプラズマＣＯ
Ｅの概要を紹介した後に、３月に開催した標記シン

電気工学専攻，電子工学専攻，電子情報学専攻

ポジウムについて述べたいと思います。

量子工学専攻，情報工学専攻，他２センター

本ＣＯＥプログラムの組織等を右欄に表示します。
事業担当者１８名はプラズマ・デバイス・システム

ࣄ‫ۀ‬ਪਐ୲౰ऀ ：プラズマグループ：の３グループに分かれ、これら異分野の研究者が連菅井秀郎，後藤俊夫，河野明廣，

携しながら一つの目標、すなわち、新規ナノ情報デ堀

バイスの創成をめざすことが本拠点の目的であり、

勝，豊田浩孝，佐々木浩一，荒巻光利

デバイスグループ：

特色でもあります。プラズマグループの構成員７名

水谷照吉，澤木宣彦，綱島は全てプラズマエレクトロニクス分科会の会員であ岩田り、活発に分科会活動を行ってきています。

聡，藤巻

滋，水谷

孝

朗，丹司敬義システムグループ：２１世紀の高度情報化社会を底辺から支えるナノ毛利佳年雄，大熊 繁，高木直史，片山正昭ࣄ຿‫ہ‬ɿ

テクノロジーとして、プラズマ技術はますます重要になっています。しかし周知のように、未だに経験名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻内に頼る部分が多いことから、科学的によく制御され〒464-8603 名古屋市千種区不老町

たプラズマ技術が強く望まれています。そこで本拠

Tel/Fax: 052-789-3150

点ではまず第１に、プラズマ科学の学術基盤を強化
し、洗練されたナノプロセス技術（スマートプロセ

30 COE

国内シンポジウムの開催
このたび、５年間にわたる本プログラムが本格的に始動するにあたり、学界、産業界から有識者をお招きしてご講演・コメントをいただき、討論を交えながら本拠点のミッションを浮き彫りにするためのシンポジウムを本年３月３日に名古屋大学シンポジオンホールにて開催致しました（右欄 参照）。その第一部では「COE セ
ミナー」と題して、関連する先端的研究を諸大学の第一線の研究者から紹介をいただきました。
続いて第二部では「COE の課題」と題して、広く産業界等の有識者から関連分野のニーズや動向を紹介いただき、COE に期待される役割、課
題について具体的に述べていただきました。最後に、「薄膜デバイスのプラズマプロセスに関するアンケート」の集計結果が紹介され、会場の参加者全員による総合討論が行われました。
シンポジウムでは活発な意見交換がなされ，有益な情報提供およびご教示もいただき，意義深い催しとなりました．ご多用の時期にも関わらずご講演いただいた方々、ご出席いただいた
企業・大学関係の約１８０名の方々、さらにはアンケート調査にご協力いただい約１００名の企業の方々に、主催者一同、心から感謝申し上げます。お陰様をもちまして、私共の COE プロ
グラムの位置付けと進むべき方向を鮮明にする
ことができました。シンポジウムに寄せられました多くの貴重なコメント・ご提案等を活かしながら、拠点形成に邁進していきたいと存じます。

  平成１５年３月３日（月）9:00 - 17:10
  名古屋大学シンポジオンホール  名古屋大学電気系２１世紀 COE 委員会
  技術研究組合 超先端電子技術開発機構(ASET)  応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
I E E E E D S 日本支部, 他 COE !"#シリコンナノデバイス・プロセス技術
ーテラビット情報ナノエレクトロニクスへの展開ー

宮崎誠一（広島大学）
プラズマ CVD の新しい展開
白谷正治（九州大学）
高密度プラズマを用いたイオン化スパッタプロ
セスによる機能性薄膜形成技術の課題と展望
節原裕一（京都大学）
ナノプロセス技術による先端光情報通信デバイス

 COE $%&中野義明（東京大学）

名古屋大学電気系 21 世紀 COE のチャレンジ
拠点リーダー 菅井秀郎（名古屋大学）
電子立国復活のためのプラズマ技術戦略
堀池靖浩（東京大学）
プラズマからマーケティング、新しいビジネス展開

限られた紙面のため，シンポジウムの詳細を

田地新一（(株)日立ハイテクノロジーズ）

お伝えできませんでしたが，一部の方々にはシ国家プロジェクトに見るプラズマ技術開発とンポジウム報告書がお手元に届いているかと思

今後の課題

います．この報告書には，全ての講演スライド

デバイスメーカーからプラズマ技術に望むことのカラー印刷と音声・映像を納めた DVD が添付

加納正明（(株)東芝）

されています．残部があればお申し出の方に配中村守孝（ASET）

製造装置メーカーから プラズマ技術に望むこと
太田与洋 (代理:輿水地塩)（東京エレクトロン）

布することが可能です．

'()*

最後に，本分科会会員の皆様には，私共の拠モデレーター：関根 誠（東芝セミコンダクター社）

点形成事業に関して一層のご支援とご鞭撻をいただければ幸甚でございます。

31

2003 年春季第 50 回応用物理学関連連合講演会合同セッション報告
合同セッションＤ「プ ラズ マＣ ＶＤ の基 礎と 応用 」
合同セッションＤ「独立行政法人 産業技術総合研究所 つくばセンター
近藤 道雄

応用物理学会において放射線・プラズマエレクトロニクス、薄膜表面、非晶質の合同セッション D「プラズマ CVD の基礎と応用」が３ / ２７の午前、午後の日程で行われ、１７件の発表が行われた。内容的には非晶質と関係のあるシリコン系薄膜の製膜技術に関するものが多かったが、カーボン系薄膜の堆積過程も報告された。
また、分科内招待講演として東工大の吉本らが酸素中 PLD によるダイヤモンド薄膜およびカーボンナノ構
造の作製について報告した。レーザアブレーションはいわゆる通常のプラズマとは少し毛色が異なるが、非平衡な製膜法として魅力があり、酸化物などで目覚しい成果をあげている。本講演で紹介された手法はグラ
ファイトターゲットを酸素雰囲気中でアブレーションさせるというユニークなもので、反応性を利用するという手法は今後様々な系に応用可能と考えられる。宗宮、豊田、菅井（名大）らは、表面波励起プラズマによるシリコン膜堆積における（石英窓からの）酸素不純物を、石英窓をシリコンウェハで覆うことによって低減できることを報告した。新倉 , 近藤、松田（産総研）は安定な高密度プラズマスポットをカソード表面に均一に生成させうる新規カソード板により、低欠陥密度（1 ×１０ 16 cm‑3）の高品質微結晶シリコン膜を7.7nm/s の高速にて製膜できることを報告した。
N.Koshu, 村上、宮崎（広大）らは Inductively coupled plasma CVD による微結晶シリコン膜の高速製膜において、アンテナー基板間距離、圧力を変化させ、約１ nm/s で結晶性の高い膜が作製できることを報告した。

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2003 年春季第 50 回応用物理学関連連合講演会合同セッション報告
合同セッションＦ「
合同セッションＦ「カ ーボ ンナ ノチ ュー ブの 基礎 と応 用」
京都工芸繊維大学 林康明
ナノテクノロジーの有力な素材として期待されて た、成長機構に関する講演では、プラズマイオン照いるカーボンナノチューブの研究が活発になり、応 射効果（東北大）、エリプソメトリによるその場解析
用物理学会講演会でもいくつかの分科において取り （京都工芸繊維大）、発光分光法によるプラズマ診断
上げられ、発表件数も増加の傾向にある。そこで、 （大阪大）の発表があったが、まだまだ成長機構につカーボンナノチューブに関わる材料技術、プロセス いての解析がなされてはおらず、これからの課題で技術、デバイス技術の発表が同じ場で議論ができる あろう。一方、成長前処理プロセスと関連して、触よう、本年春季講演会より合同セッションが企画さ 媒となる鉄薄膜を真空中で加熱しながら酸化・微結れた。本セッションは、放射線・プラズマエレクト 晶化していく過程を X 線回折法により解析した発表
ロニクスの 1.5 プラズマプロセスによるナノテクノ もあった（大阪府立大）。
ロジー、薄膜・表面の6.2カーボン系薄膜、6.6プロー
グロー放電プラズマを利用しないものでは、成長ブ顕微鏡、ビーム応用の 7.7 微小電子源、応用物性の 法として熱（フィラメント）CVD 法を利用している報8.4 ナノエレクトロニクス、半導体 B の 12.1 探索的 告が多かった。CVD法は基板上に直接成長できるので材料物性の合同企画である。それぞれの分野からの デバイスへの利用が行いやすい方法であること、半発表が、会期中の４日間連続して活発になされ、会 導体プロセスからこの分野への参入者が多いことが場も連日ほぼ満員の状態であった。
理由であろう。ナノ電子デバイスを目指した発表と会期の初日は熱 CVD 法による作製と評価に関する しては、単層カーボンナノチューブの横方向架橋成発表が中心であった。２日目にはプラズマ CVD 法を 長についての報告（NTT、産総研など、東工大、大阪用いた成長、電界電子放出特性などの発表があった。 大）や、カーボンナノチューブを用いた電界効果ト
３日目は熱 CVD 法による低温成長、デバイス作製や ランジスタに関する発表が５件あった（名古屋大、
電気的特性評価などを中心とした発表であった。最 NEC など、産総研など）。
終日はカーボンナノファイバーやナノコイルの発表
基板上の鉄と ITO（の成分である In、Sn）を触媒がなされた。また、初日および２日目の午後の最初 としカーボンナノチューブをコイル状に巻きながらは分科内招待講演があり、それぞれ、名古屋大学大 成長させるカーボンナノコイルの合成方法（大阪府学院の篠原久典先生による「カーボンナノピーポッ 立大）、グラフェンシートがそのまま成長したナノトの創製、評価と応用」、三重大学工学部の畑浩一先 ウォールの形成（豊田工業大）などの発表もあった。
生による「多層カーボンナノチューブの電界放出ではじめにも述べたように会場は満員で盛況であっ観測される電子線干渉縞」についての報告があった。 た。しかし、その割には質問・コメントは特定の人々
一般講演の中でプラズマエレクトロニクスに関係 に偏りがちで、全体に時間が超過することも少なする発表は次のとおりであった。まず、プラズマ CVD かった。カーボンナノチューブの研究は企業をはじを利用したカーボンナノチューブ・カーボンファイ めとして関心度は高いものの、研究開発についてはバーの基板上配向成長技術に関する講演では、マグ 調査や情報収集などの検討段階が多いように見受け
ネトロン型高周波グロー放電法（東北大）、Pt 触媒を られた。しかし、それだけ潜在的な研究者層も厚く、用いた DC 放電法（名古屋工大）、ガスデポジッション 今後ますます盛んになることが予想される。
によるナノ結晶を用いたマイクロ波プラズマ法（筑なお、秋季応用物理学会では、業績賞の飯島澄男
波大など）、表面波プラズマを用いた方法（静岡大）、 先生によるカーボンナノチューブについての受賞記
マイクロ波大気圧非平衡プラズマによる方法（名古 念講演があり、本合同セッションの分科内招待講演屋大）、誘導結合 RF プラズマに C2F6 ガスを用いる方法 としては、産業技術総合研究所の榊原氏による「単（埼玉大）、誘導結合プラズマを利用した低温成長（大 層カーボンナノチューブの光物性と光デバイスへの阪大）、DC放電法における成長温度最適化と電界電子 応用について」の講演がなされる予定である。
放出特性（京都工芸繊維大）などの発表があった。ま33

2003 年春季第 50 回応用物理学関係連合講演会シンポジウム報告「大気圧・液中プラズマの基礎と先端技術への応用」
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 平田孝道
去る平成 15 年 3 月 27 日〜 30 日に、神奈川大学（横浜キャンパス）で開催された第 50 回応用物理学関係
連合講演会において、「大気圧・液中プラズマの基礎と先端技術への応用」シンポジウムが開催された。会
場内は立見者が出るほどの盛況であり、大気圧・液中プラズマへの関心の高さが反映されているように見受けられた。大気圧放電に関する研究は歴史が深く、雷や静電気に代表されるように、我々人類にとって身近なものである。しかし、 灯台もと暗し とはよく言ったものであり、身近なものほど見落としや新たなる発見・可能性を秘めているといえる。特に、大気圧プラズマは反応温度やガス圧力とは無関係に化学反応を引き起こせるため、従来の熱化学的手法では不可能な化学反応制御を実現できる。更に、真空容器や周辺装置を含めた設備のダウンサイジングとコストダウンができることも大きな利点であるといえる。はじめに、名大・堀先生による「大気圧・液中プラズマの魅力」と題した序論からシンポジウムが開幕した。
まず、熊本大・秋山氏による「水中大容量放電プ
ラズマの生成と環境への応用」は、身近に感じられる問題の１つである。地球規模での環境破壊は一層深刻な状況になっており、空気をはじめとする湖、川、海に至る水質までも悪化の一途を辿っている。その救世主的な研究である水中放電による殺菌及び有害物質分解等の報告がなされ、より一層の応用展開に期待したくなる内容であった。また、姫路工大の佐野氏による「水中アーク放電によるフラーレン類の合成」は、従来の大気中アーク放電法において重要であるガス対流とほぼ同等の効果を液体が代替しており、バッキーオニオン（タマネギ状フラーレン）やナノカプセルの大量形成に有効であるという画期的な報告がなされた。
講演内容は液体から気体へと変わり、名大・河野先生による「高気圧マイクロ波非平衡プラズマの連続生成と VUV 光源への応用」の講演があり、ナイフ
エッジ電極を用いたマイクロギャップとマイクロ波
励起による高密度連続グロー放電プラズマ生成並びに、VUVエキシマ光源への応用とその可能性について
詳細な結果が示された。最新のプラズマ計測技術による積極的なアプローチが、プラズマパラメーター
解明に大きな役割を果たす可能性があるという印象を得た。
次に、東大・寺島先生による「高気圧プラズマが切り拓くマテリアルフロンティア−熱プラズマ、マイクロプラズマ、超臨界流体プラズマを例にして−」では、高気圧プラズマの優位点を挙げながら、その応用についても講演がなされた。応用事例は非常に多く、高気圧プラズマの新たな可能性を再認識させられた。
興奮冷めやらぬ休憩時間の後、東京工大・岡崎先生による「大気圧非平衡プラズマの構造と物質変換

34への応用」の講演では、大気圧パルスプラズマによるメタン／水蒸気からのメタノール合成、オゾン合成、大気汚染で最も問題視されている NOX 及び SOX の除去に留まらず、炭素同素体の１つであり、各分野での応用が期待されているカーボンナノチューブの合成に亘る幅広い分野への研究展開と可能性について講演がなされた。
ここから４件の講演は、更なる大気圧プラズマの魅力を引き出すような内容であった。１件目の積水化学工業・湯浅氏らによる「大気圧プラズマによる
ＬＣＤ洗浄技術」では、半導体の微細化に伴う超精密洗浄と大面積の均一洗浄の相反する要求を網羅可能であるリモート型大気圧プラズマの有効性と課題について詳細な報告がなされた。基板表面の有機汚染物をアニーリング無しで除去できることから、有機半導体に限らず、幅広い活用が期待できる研究成果であるといえる。２件目のシャープ・西川氏らが報告した「大気圧プラズマで生成したクラスターイ
オンを用いた空気浄化技術」は、空気中に浮遊する
花粉、ハウスダスト、カビ胞子などの除去のみならず、空気感染をするインフルエンザウイルスや菌の破壊にも効果があるという画期的な成果をあげている。単に空気をフィルターや活性炭等により濾過す
るのではなく、原因の源を絶つという基本概念に忠実な方法が、プラズマを用いると実現するという典型例の１つと思われる。３件目の（有）アイエスア
イ、上智大、立命館大・竹田氏による「大気圧〜中気圧プラズマを用いたアモルファスシリカ極薄膜形
成酸化亜鉛超微粒子と紫外線遮蔽ＰＥＴボトル開発」
では、複雑な形状をしているペットボトルに紫外線遮蔽処理を施す技術の確立と更なる応用展開について詳細な報告がなされ、生産コストのみならず、安全性やリサイクル適性等を含めたエコビジネスに大いなる貢献を齎すような内容であった。４件目の大阪大・遠藤先生による「プラズマ CVM (Chemical
Vaporization Machining)におけるラジカル計測」では、大気圧下で超微細加工が可能であり、大面積かつ均一なプラズマプロセスを実現するための加工方法及び加工装置開発において重要である各種パラ
メーター制御を目的としたプラズマ計測に関する報告がなされた。反応性ラジカル種が多く存在する高気圧下でのプラズマ局所生成を積極的に活用することにより、加工分解能の向上及び処理時間の短縮が可能であることを提唱しており、有機半導体プロセ
ス等に対して有効な手段と成り得る成果である。
最後に、京大・節原先生による「まとめ（課題と展望）」があり、今後直面するであろう問題に各分野の研究者が積極的に取り組み、基礎研究によるメカニズム解明及びパラメーターの完全制御と応用展開の境界を取り除く努力をすることが、新領域開拓に光明を齎すという総括でシンポジウムが閉幕した。
以上。

2003 年春季第 50 回応用物理学関係連合講演会シンポジウム報告「地球温暖化 PFC ガス対策の進捗と展望」− CVD クリーニング RITE Pj 成果展開と産学官連携による実用化の展望 −EUVA 関根 誠、
アネルバ 塚田 勉
誠、アネルバ半導体プロセスに使用する地球温暖化ガス（PFC：
Perfluoro Compounds）の使用量削減技術の研究開発を進めたプロジェクトの内、CVDチャンバークリーニ
ングガス代替の研究は、国内では（財）地球環境産業技術研究機構（RITE）の半導体 CVD 洗浄プロジェ
クトが推進し、平成 15 年 3 月で 5 年間の研究が終了した。本シンポジウムは、RITE の研究成果を中心に、国内外技術の現状を認識しF系プラズマやFラジカル（F*）の挙動についてプラズマ物理・化学の両面から考察していただいた。また、プロジェクトが理想ガスとして予測する F2 ガスの有用性、実用可能性について議論し、今後の研究、実用化の展望を探った。なお、本シンポジウムは、3 月 27 日(木)午後に 7.6 プ
ラズマ・イオン・光プロセスと 1.4 プラズマ応用プロ
セスセッションの合同企画として開催した。
まず、RITE･別府達郎氏から 92 年のリオ・デ・ジャ
ネイロ地球サミットから 97 年の京都会議（COP3）を経て現在にいたる地球温暖化の世界的対応と半導体産業の係わる PFC への対応状況、当プロジェクトで推進した COF2 を使用した洗浄技術を初めとした成果概要が紹介された。
続いて、同じく RITE の三井有規氏からは「PFC 代
替ガスの開発」として RITE における代替ガス開発の概要が報告された。従来使用されている C 2 F 6 と代替候補ガスの C3F8、C4F8、C4F8O、NF3、COF2 あるいは F3NO、
F 2 などの比較評価および有望ガスについてエッチン
グ（洗浄）特性評価を実施した結果が示された。特に COF2 は従来ガスと同等以上の洗浄除去性能を有しながら、PFC 放出が 98% 以上削減できることが判明した。また、F 3NO はリモートプラズマ方式で特に有効であり、ピュア F2 ガスプラズマでは極めて優れた特性が得られたことが報告された。
さらに RITE･大倉誠司氏からは「PFC 代替ガスプ
ロセス実証評価」で、上記の有望ガスについ、量産レベルのプラズマ CVD 装置に適用した総合的な評価結果が紹介された。チャンバ内での in‑situ クリー
ニングでは、COF2 が速度向上、MMTCE（炭素換算温暖35化ガス排出量）で 99% 削減が確認された。同時に安全性に関しての評価を行い、検知器や除害技術の評価も進められた。リモートプラズマ方式では、NF3 は従来 PFC で同等の性能が得られるものの、多量の F2 が発生するためにガス利用効率が低く、総合的にはin‑s i t u 方式が有利であることが判明した。以上から
COF 2 は、安全性、供給系および除害性能まで総合的な評価により、今後の代替ガスとして特に有望であることが示された。
茨城大・天埜堯義氏は「サブミリ波によるプラズ
マ計測」で、プラズマ中の反応中間体（フリーラジ
カルやイオン）を直接検出できる波長領域（3 5 0 ‑600GHz）の分光法と発光分光法とを組み合わせ、代替ガスプラズマへ酸素を添加した場合の中間体を同定し、反応機構の全貌をほぼ理解したことを報告した。従来の C2F6+O2 プラズマでも反応途中の COF2 が F*の発生源であることから、強力かつ効率的な F* の発生源としてCOF2ガスは非常に有用との結論に達した。
したがって直接的に F * を生成できる F 2 の使用が望まれるが、ガスデリバリーや安全性が懸念される。
そこで、同志社大・田坂明政氏から「F2 の発生とプラズマ生成− NF3 ガスと比較して−」の講演で、HFの電気分解により F2 を生成するオンサイト型フッ素発生装置が紹介された。カーボン電極表面にアノー
ド効果で形成される絶縁性膜の抑制法の技術開発により実用的な F2 発生が可能となったことが報告された。さらに、高純度化や電解浴からの飛沫除去等の課題への取り組みが報告された。F2 と NF3 プラズマの比較が行われ、後者ではカチオンNの存在による物理的なエッチング（スパッタ）効果があるのではないかとの提言があった。
名古屋大・河野明廣氏からは、「Ｆ系ガスプラズ
マにおける負イオン生成とプラズマ特性」が報告された。ハロゲンを含むガスプラズマでは負イオンが生成され、そのプラズマ構造へ影響が現れる。レー
ザー光脱離法により、CCP、ICP プラズマにおいて、種々のガス、圧力などで負イオンの計測を行い、負イオンの生成消滅バランスから導いた理論曲線と良く一致することが示された。プラズマだけでなく、低圧高密度プラズマにおいても、負イオンの存在は意外に多く、プラズマ中の両極性拡散過程、シース形成機構が変化し、電子・イオンの空間分布やシースの構造が大きく異なることが指摘され、負性ガスを利用する洗浄技術のプラズマ生成に関しての新たな課題が示された。
一方、産総研・関屋章氏からは「持続可能社会と
PFC 代替技術の評価」の講演で、従来の GWP（地球温暖化係数）に代わり、大気中でのガス濃度安定性の評価から分解と放出のバランスを考え、長期的な視野に立つ S‑GWP（継続的温暖化係数）が提唱された。
現在、代替物の評価に使用されている従来の 100
年換算を基準とした GWP 値では、数千〜数万年とい36うという長い太気中寿命物質に対しては、放出を続けていった場合の蓄積の影響を正しく評価できない。
また、分解物も含めた評価が必要であることが提案された。これらの基準で評価することで 500 年後はどうなっているかなどの現実的な予測が可能となる。
最後にアネルバ・塚田がまとめを行い、COF 2 の早期実用化の必要性、F* を多量に供給する F2 等の利用技術開発の必要性が強調された。RITE 終了後も、持続可能な社会の構築のために半導体産業に係わる人々が、積極的にこの分野の研究開発に関与して欲しいとコメントした。
宣伝不足もあり、予想より少ない参加者であったが、講演内容と議論は非常に充実していた。活発に議論いただいた講師、聴講者に感謝いたします。

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平成 15 年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事役割分担

役割分担

新任幹事

留任幹事

幹事長

斧

副幹事長

白谷正治（九大）
関根 誠（東芝）

インフォーマルミーティング 高橋和生
シンポジウム・
総合講演・
合同セッション（京大）

高一（京大）○枝村学（日立）

岡田勝行 （物質研）○白谷正治（九大）
井上泰志 （名大）関根 誠（東芝）
小野崇人（東北大）
湯浅基和 （積水化学）
高井まどか（東大）
霜垣幸浩（東大）

プラズマプロセシング
研究会(SPP‑21)

須田善行

（北大）

斧 高一（京大）
辰巳哲也（ソニー）
輿石 公（東京 ｴ ﾚ ｸ ﾄ ﾛ ﾝ ）安井利明（豊橋技科大）末松久幸（長岡技科大）寺嶋和夫（東大）

光源物性とその応用研究会

須田善行

（北大）

○安田丈夫（東芝ﾗｲﾃｯｸ）

プラズマ応用技術の将来ビジョン研究会など
研究会○白谷正治（九大）
岡田勝行 （物質研）
関根 誠（東芝）
津田 睦 （三菱電機）
水野文二（松下電器）
寺嶋和夫（東大）

サマースクール

平松美根男（名城大）
篠原正典 （長崎大）

白谷正治（九大）−校長−
枝村 学（日立）○赤塚 洋（東工大）

プラズマエレクトロニクス
講習会

津田 睦 （三菱電機）
井上泰志 （名大）湯浅基和 （積水化学）○関根 誠（東芝）
輿石 公（東京 ｴ ﾚ ｸ ﾄ ﾛ ﾝ ）近藤道雄（産総研）
霜垣幸浩（東大）

会報編集・書記高井まどか（東大）

辰巳哲也（ソニー）○安井利明（豊橋技科大）ホームページ

高橋和生

（京大）

○赤塚

会員名簿

篠原正典

（長崎大）

○末松久幸（長岡技科大）庶務会計

洋（東工大）

白谷正治（九大）
平松美根男（名城大）

プラズマエレクトロニクス賞

斧

39

高一（京大）

平成 15 年度プラズマエレクトロニクス分科会関連の各種世話人

１．応用物理学会講演分科の世話人：（任期：1 期２年）
放射線・プラズマエレクトロニクス：進藤春雄（東海大）、 大森達夫（三菱電機）
飯塚 哲（東北大）、 中野俊樹（防衛大）白谷正治（九大）、 林 康明（京都工繊大）
放射線・プラズマエレクトロニクス全体の代表世話人:
進藤春雄（東海大） 任期：平成 14 年 4 月〜平成 16 年 3 月
２．
「応用物理」編集委員： 浜口智志（京大） 任期：平成 14 年 4 月〜平成 16 年 3 月
３．第 21 回プラズマプロセシング研究会 SPP‑21（2004 年 1 月 28 日〜 30 日，札幌）：
現地実行委員長：酒井 洋輔（北大）
４．GEC(APS Gaseous Electronics Conference) 組織委員会委員；
河野 明廣(名大）
任期：平成 13 年 10 月〜平成 15 年 9 月
５．応用物理学会代議員：（任期：1 期２年）
掘

勝 (名大)

寒川40

誠二 (東北大)

平成 14 年度後期及び平成 15 年度前期活動報告
Ⅰ．平成 14 年度第 3 回幹事会議事録に到着できなかったため、キャンセルされた。これ以外は研究会は順調に開催されつつある。1/30 午前
中で 300 名弱の参加者があり、参加者総数は 300 名以上となることが予想される。

日時：2003 年 1 月 30 日（木）12：30 〜 14：00
場所：ホテルニューオータニ長岡梅の間
議題および報告事項
1．理事会報告、次年度予算案（斧幹事長）
資料にもとづき、2002 年 12 月と 2003 年 1 月の応用物理学会理事会での報告・審議内容、および 2003
年度分科会予算 (最終案) が報告された。2003 年度
予算における 2002 年度講習会収入の寄与が大きい。
2．平成 15 〜 16 年度幹事選挙結果報告（斧幹事長）
投票の結果 9 名の候補者全員が信任された（有効
投票数 182）。

7．2003 年春季応物講演会シンポジウム・総合講演について（白谷副幹事長）
2003 年春季応物講演会のシンポジウムとして「大気圧・液中プラズマの基礎と先端技術への応用」、「地
球温暖化 PFC ガス対策の進捗と展望」の２件を開催すること、総合講演は開催しないことが報告された。
2003年春季応物講演会の一般講演件数は4077件と過去最高であり、シンポジウムも 18 件開催されることが報告された。

3．第 3 回プラズマ応用技術の将来ビジョン研究会
報告（小松幹事）
・パネルディスカッション等定着
・普段出会わない人が顔を合わす機会として有益であったとのアンケート結果。内容がプラズマ応用
から乖離してゆくことをどう考えるか？

8．2003 年春季応物講演会における合同セッションについて（白谷副幹事長）
2003 年春季応物講演会の合同セッションとして合同セッション D「プラズマ CVD の基礎と応用」講演件
数 17 件と合同セッション F「カーボンナノチューブの基礎と応用」講演件数 75 件が開催されることが報告された。合同セッションFは講演件数が多いためシ
4．第 17 回光源物性とその応用研究会報告
ンポジウムと日程が重なることは避けられないとの（代理 斧幹事長／伊達幹事） 説明がなされた。今回から合同セッションの件数は2002 年 12 月 2 日に北大で開催し、42 名の参加者 参加分科会数で割って、各分科会の講演件数に加算と 13 件の講演発表があった。今回から、本分科会会 されることとなった。
員からも資料代 (参加料込み) を徴収することにしたが、資料印刷部数に対する参加者が少なく全体で 9．応物春季秋季講演会について(白谷副幹事長)
多少赤字となった (応用物理学会プラズマエレクト [講演分科中分類のキーワード，１大分科から２大分
ロニクス分科会分担分 34,152 円)。
科への分離，講演会世話人の人選，ポスター講演]
2003 年秋季講演会より導入が検討されているプロ
グラム編集用のキーワードについて議論した。募集
要項のキーワードとプログラム編集用のキーワード
はしばらくは一致させることとなった。放射線とプ
6．第 20 回プラズマプロセシング研究会進行状況報 ラズマエレクトロニクスを独立した講演会大分科と告（末松幹事） することを議論し、プラズマエレクトロニクスとし第 20 回プラズマプロセシング研究会は、2003 年 1 ては独立する方向をさぐることとなった。先ずは，放月 29 日から開会し、1 月 31 日までの開催が予定され 射線の意向を講演会代表世話人の進藤先生から打診ている。講演申し込み締切までに、一般講演 155 件＋ することとなった。講演会世話人の交代が必要な場
総合・指定テーマ講演 3 件の申し込みがあった。この 合は、人選を次回幹事会で議論することとなった。次中で、1/30 予定されていた講演のうち 2 件が、新幹 回のポスター講演は放射線が行う予定であるとの報線のダイヤ乱れにより講演者が発表時刻までに会場 告がなされた。
5．会報 No.37 (2002.12 月発行) 報告 （辰巳幹事）
12 月に発行を無事終了。

41

10．2003 年度第 10 回 PE サマースクールについて（赤塚幹事）
日時、会場は前回報告通り（8/6 〜 8）。活性化支援
金が厳しい可能性もあり企業からの参加を是非お願いしたい。学会誌に案内を掲載。

今回の応募には、選考委員会委員が共著の論文があり、賞規定にもとづき、該委員には選考から外れていただいた。なお、選考委員会の発足時期、募集要項の掲載時期など、今回の運営の不具合を鑑み、次回 (第 2 回) 改善していく。

11．第 21 回プラズマプロセシング研究会について
15．今後のスケジュール、その他の議論（斧幹事長）（代理 斧幹事長／酒井現地実行委員長） ・今後のスケジュール、平成 15 年度幹事役割分担
2004 年 1 月 28 日(水)〜 30 日 (金) の 3 日間、北 （案）が資料として配布され紹介された。
海道大学 (札幌) で開催予定。
・ プラズマ科学シンポジウム (PSS) について、
SPP‑22 (2005 年 1 月) とジョイントで PSS‑2005 と12．協賛依頼についてして開催する案が紹介された (場所は名古屋地区)。
（代理 斧幹事長／佐々木先生，堀先生） ・分科会会員増に対する協力が要請された。
･ プラズマが拓くナノ情報デバイスの世界的拠点形 ・2004 年春の応物スクールをプラズマエレクトロニ
成に向けて [名大 21th COE シンポジウム]クス分科会が担当するかどうか、今後議論していく。
(3/3 名古屋大学、参加費無料） ・プラズマエレクトロニクス研究会を当初半年に一・ プラズマナノテクノロジー研究フォーラム [電気 回程度開催することを計画したが、最近種々の研究
学会東海支部] （3/7 名古屋大学 参加費無料）
会やワークショップなども多く、開催に関して再検
上記について本分科会としての協賛を承認（但し、分 討する。
科会内のメーリングリスト等の使用は共催まで）。
・フロンティアプロセス 2003 は、8 月 22 日，23 日に産総研内で開催を予定。
13．プラズマナノテクノロジーとその将来ビジョ・ 次期 GEC 委員をプラズマエレクトロニクス分科会
ンに関する国際ワークショップについて（斧幹事長） 会員から推薦したい。また分科会として、委員の推2002 年秋のナノテクノロジー総合支援プロジェク 薦とともに、GEC への積極的な参加をお願いしたい。
ト・研究会合の企画提案募集に対し、堀先生提案の (河野先生より)
プラズマナノテクノロジー研究会と、斧提案の将来
ビジョン研究会の 2 件を応募した。2002 年 12 月に 2 Ⅱ．第 37 回 Informal Meeting 議事録件の支援内定通知がきたが、2件を一体化して運営で 日時：2003 年 3 月 28 日（金）、12:00 〜 13:00
きないか、という打診があった。関係者で検討した 場所：神奈川大学横浜キャンパス 20 号館 1F‑103
結果、本ワークショップ開催案に至った。
日時、2004 年 2 月 4 日 (水) 〜 6 日 (金)議題および報告事項：
内容、第一部：ビジョン研究会＋α （東京）1．平成 14 年度活動報告、収支決算報告
第二部：プラズマナノテクノロジー研究会（斧幹事長／節原幹事）（飛騨高山？）
資料にもとづき、2002 年度活動報告、2002 年度決
一般講演申込み締切り 2003 年 11 月末、算報告、および 2003 年度予算についての説明がなさ
原稿締切り 12 月末
れ、特に問題なく了承された。2003 年度予算に関し審議の結果、本ワークショップ開催を承認。具体 て、2002 年度の講習会収入の寄与が大きい。
案は今後検討・議論していく。
14．第 1 回プラズマエレクトロニクス賞について（斧幹事長）
応募総数 6 件。2 月 22 日 (土) に選考委員会を京都で開催し、受賞候補者選考を予定。結果は書面にて分科会幹事会に報告し、審議・了承いただく。その後、3 月の応用物理学会理事会に報告し、3 月下旬の春季応用物理学会講演会期間中に表彰を予定。

42

2．平成 15 〜 16 年度幹事選挙結果報告、ならびに新幹事紹介（斧幹事長）
新幹事選挙の結果 9 名の候補者全員が信任されたことが報告され、新幹事全員の紹介が行われた。あ
わせて、本年 3 月退任の幹事 9 名の方々への謝辞が述べられた。

3．第 13 回プラズマエレクトロニクス講習会報告（関根副幹事長）
計測技術、プロセス構築技術をテーマとし、計測機器の展示も行なった。100 名を超える参加者があり、260 万の黒字。今年度は 10 月中旬に東洋大スカ
イホールを予定。

12．第 10 回プラズマエレクトロニクスサマースクー
ル (2003 年 8 月)について（赤塚幹事）
8/6 〜 8 開催予定。周囲の皆さんにご紹介をお願い致します。料金体系（分科会割引等）検討中。

7．第 20 回プラズマプロセシング研究会 (SPP‑20)
報告(末松幹事)
11 カ国 301 名が参加．交通機関の遅延はあった
ものの概ね順調に運営．

15．プラズマナノテクノロジーとその将来ビジョンに関する国際ワークショップ について
(斧幹事長，白谷副幹事長)
資料にもとづき、本ワークショップの趣旨と、その開催計画に至る経緯が報告され、了承された。本
ワークショップは、ナノテクノロジー総合支援プロ
ジェクトの 2003 年度の支援を受け、以下の要領で開催予定。
日時、2004 年 2 月 4 日 (水) 〜 6 日 (金)内容、第一部：ビジョン研究会（2/4, 東京）
第二部：プラズマナノテクノロジー研究会（2/5 〜 2/6, 飛騨高山）
今後、組織実行委員会を構成して、具体案を検討・議論していく。

13．2003 年秋季講演会 (福岡大学) のシンポジウ
ム，総合講演，合同セッションについて
4．第 3 回プラズマ応用技術の将来ビジョン研究会（白谷副幹事長）
報告（小松幹事）
・総合講演
概要を簡単に報告。次回については別途報告。
第一回プラズマエレクトロニクス賞の記念講演
・合同セッションについては春と同様
5．第 17 回光源物性とその応用研究会報告
・シンポジウム プラズマの新しい応用、ＳＩＰ（伊達幹事）の最新動向（案の募集 5/8 まで）
42 名が参加．若干の赤字ではあるが照明学会と折半した。
14．第 21 回プラズマプロセシング研究会 (SPP‑21)について（酒井現地実行委員長）
6．会報 No.37(2003 年 12 月発行)報告 （辰巳幹事）
北海道大学学術交流会館 2004 年１月 28 〜 30 日
無事発刊した。
会場は仮予約済。5 月に第一回現地実行委員会。

8．第１回プラズマエレクトロニクス賞報告（斧幹事長）
資料にもとづき、第1回プラズマエレクトロニクス賞の受賞対象論文、受賞者、受賞理由、および選考委員会委員について報告がなされた。あわせて今回の応募状況、選考の経緯が報告された。
授賞式は、本日この後、シンポジウムの冒頭で取り行う。
9．2003 年春季応物関連連合講演会シンポジウム合
同セッションについて（白谷副幹事長）「大気圧・液中プラズマの基礎と応用」
ＰＦＣ対策についてのシンポジウムを開催「プラズマＣＶＤの基礎と応用、カーボンナノ
チューブの基礎と応用」（こちらは 90 件も）についての合同セッション

16．平成 15 年度幹事役割分担について資料にもとづき、2003 年度の分科会幹事役割分担案について説明が行われた。次回幹事会で最終決定する予定。

17．その他
・ プラズマエレクトロニクス分科会と放射線分科
10．平成 15 年度スケジュールについて（斧幹事長） 会の分離について検討中。
（白谷副幹事長）
資料にもとづき、2003 年度の分科会スケジュー・フロンティアプロセス 2003
ル案について説明が行われた。
8/22,23 産総研にて開催。プラズマエレクトロニクス分科会に協賛を依頼。
（大森先生）
11．会報 No.38 について
（辰巳幹事）
2003 年 6 月に発行予定。協力をお願いした。

43

Ⅲ．平成 15 年度第 1 回幹事会ムする。講演時間は３０分。
・合同セッション
D 「プラズマ CVD の基礎と応用」
日時：2003 年 4 月 12 日（土），13:00 〜 17:30（春の実績 17 件）半日から一日を目標。大気圧プラズ
場所：京都テルサ
マ等、関連講演を勧誘する。
・合同セッション F 「カーボンナノチューブの基礎
議題および報告事項
1．幹事自己紹介ならびに，分科会主催＆関連年間ス と応用」（春の実績 75 件）国内最大の集まりに育った。世話人を実際にカーボンナノチューブの研究を
ケジュール (案)、幹事役割分担 (案)(斧幹事長） 行っている先生にもお願いする。
幹事自己紹介の後、資料にもとづき、2003 年度の分科会スケジュール、幹事役割分担 (幹事名簿を含 ・シンポジウム（案１）「プラズマは半導体プロセスの救世主となれむ) に関して議論、一部訂正して了承された。
るか？」
ここ数回は半導体から離れたテーマであった。九
2．分科会幹事長会議の報告（斧幹事長）
州であるので半導体関連の参加者が見込める。
ただ、資料にもとづき、3 月 29 日開催の幹事長会議での報告・審議内容が報告された。応用物理学会総会、業 コンソーシアム内での同様の報告会は多く、関係者
務分担、分科会・研究会、科研費審査委員候補者推 は食傷気味のテーマにどうしてもなりがち。
薦、代議員候補者推薦、などの内容が紹介された。な （案２）「プラズマのバイオ応用の新展開」
材料のコーティング等が多く直接生体にプラズマ
お、応用物理学会本部は昨年夏に 6 階フロアに会議室が設置され、会議室の予約・利用が可能になって を当てる研究は国内には少ない。題目としては魅力的であるが必ずしもプラズマ応用のみではなくなるいる。
かも。会報の特集とも整合がとれる。
（案３）「システムインパッケージ技術とプラズマプ
3．PE 分科会会報 No38（案）について （辰巳幹事）
4 月中に執筆依頼、5 月末に原稿回収、6 月発行予 ロセス」
プログラムは地味。限られた人しか集まらない？
定。合同セッション、シンポジウム案内等は各テー
マの責任者に執筆をお願いする。また、出来るだけ客観的な記載になるように、同じ方が続けて執筆す
ることは避ける。承認後、月末に向け執筆依頼を発信する予定。

第２案で進めることに決定した。第１案の半導体に関しては別途活性化の案を作成し、春につなげる方
向で議論を続ける。

6．2003 年秋季応物学会の 38th Informal Meeting
4．第 10 回プラズマエレクトロニクスサマースクー（枝村幹事）
ルについて（赤塚幹事） について
シンポジウムと同日に開催．名前（I.M）は変
8/6 〜 8 名古屋市民休暇村にて開催。次年度以える方向で秋までに検討する．
降は協賛学協会割引についての見直しを進める。
（案）
メンバーシップ Mtg.
IEEE Japan Council NPS‑Plasma は除外。
フレンドシップ Mtg.
また現状会員・非会員のみの参加費設定であったが、分科会総会
下記のとおり３段階の設定とする。
応物会員
協賛学協会会員
会員

一般
43000 円
48000 円
53000 円学生
17000 円
22000 円
27000 円7．第 14 回プラズマエレクトロニクス講習会について（関根幹事）
9/11、12 東洋大学スカイホールにて開催。4 月
末にプログラム決定、講師依頼を行う予定。会費については追って検討するが基本的には据え置き。

5．2003 年秋季応物学会のシンポジウム・分科内総合講演、合同セッションについて（白谷副幹事長） 8．第 18 回光源物性とその応用研究会について（安田幹事）
分科内総合講演は、第1回プラズマエレクトロニク
11
月下旬から
12
月上旬に開催。東京地区。10〜 12
ス賞受賞講演とする。シンポジウム最初にプログラ

44

件の講演を集める。照明学会と早めにコンタクトを取る。協賛については了承。
9．第 2 １回プラズマプロセシング研究会 (SPP‑21,
札幌，2004 年１月)について（須田幹事、酒井現地実行委員長）
１ /28 〜 30 北海道大学にて開催。第一回実行委
員会を 5/M に開催予定。予算大枠は前回同様である
が、会場費は今回は圧縮可能、渡航費等に回す。研
究会当日は幹事に運営関連等の役割をお願いする。
10．プラズマナノテクノロジーとその将来ビジョン
に関する国際ワークショップについて(斧幹事長、白谷副幹事長）
本ワークショップ開催 (2004 年 2 月 4 日〜 6 日) に関しては、前幹事会（長岡）にて承認済み。資料にもとづき、運営組織案 (組織委員会、実行委員会)、
および実行具体案について説明がなされ、審議の結果了承された。
組織委員会委員長：斧幹事長
副委員長：白谷副幹事長（第一部実行委員長）
堀先生（第二部実行委員長）
2/4、東工大デジタル多目的ホール（320 名）、
ビジョン研究会を拡大したテーマで議論
2/5 〜 2/6、ホテルアソシア高山（60 名）、
プラズマナノテクノロジーの詳細を議論
当日は企業からの積極的な参加も要請していく。
11．応用物理学会春季＆秋季講演会について「プラズマエレクトロニクス講演分科の現状と課題」（代理 斧幹事長・白谷副幹事長／進藤世話人）
講演分科の大分類分科である放射線・プラズマエ
レクトロニクスについて、本分科会としては、プラズマエレクトロニクス分科として独立することに異存はないことを確認。放射線関連分科との関係については、今後議論し検討・調整していく。
12．GEC、および GEC 次期委員について（河野先生）
GEC（歴史のある米国学会）の説明．内容は当分科会と同様。プラズマの基礎、衝突の分野に特化。Com‑
mittee の任期は 2 年。日本から常時１名が参加している。今後も当分科会との関連は継続したい。次期
委員は分科会から選出するべき。今後分科会として検討してゆく。
今年はサンフランシスコ、来年はアイルランドに
て開催。

45

13．ホームページについて（赤塚幹事）
昨年からの引継ぎはまだであるが、見やすい HPの作成を目指す。
14．第 2 回プラズマエレクトニクス賞について（斧幹事長）
第2回プラズマエレクトロニクス賞について、分科
会会報 (6 月)、応用物理 (9 月) に公募会告を掲載予定。第 1 回での賞選考作業の遅れを鑑み、応募書類の提出期限を 12 月 15 日に早めるとともに、応募書類全ての電子ファイル (PDF ファイル) 提出を付加する案が説明され、審議の結果了承された。
15．関連審議・検討事項（斧幹事長）
2004 年春の応物スクール B をプラズマエレクトロニクス分科会が担当するかどうかについて、今夏までに議論・検討する。
16．その他
・分科会会員増に対する協力を要請。
・フロンティアプロセス 2003 は、8 月 22 日〜 23 日 に産総研で開催予定。

  

≪行事案内≫╙ 21 ࿁ࡊ࡜࠭ࡑࡊࡠ࠮ࠪࡦࠣ⎇ⓥળ(SPP-21)ߩߏ᩺ౝ

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TEL: 011-706-6482 Fax: 011-706-6482
E-mail: spp21@mars-ei.eng.hokudai.ac.jp(⧷ᢥ㧘A42 ࡍ࡯ ࠫ)2003 ᐕ 12 ᦬ 15 ᣣ (᦬) 17:00 (ᔅ⌕)

46

２００３年秋季第６４回応用物理学会学術講演会
合同セッション案内
九州大学大学院システム情報科学研究院 白谷正治
プラズマエレクトロニクス分科会では，合同セッションＤ「プラズマＣＶＤの基礎と応用」，合同セッションＦ「カーボンナノチューブの基礎と応用」を企画いたしました．皆様には奮って御参加いただき，有意義な合同セッションにしていただきたくお願い申し上げます．なお，各合同セッションの詳細を以下に示します．
合同セッションＤ「プラズマＣＶＤの基礎と応用」
放射線・プラズマエレクトロニクスの 1.4 プラズマ応用プロセス，薄膜・表面の 6.2 薄膜Ｂ，および非晶質の 14.2 プロセス技術で企画した合同セッションです．上記の３分科では，従来からプラズマ CVD 技術の基礎と応用に関する講演，討論が活発に行われています．1.2 ではプラズマＣＶＤの気相，表面反応過程を中心にしているのに対して，6.2 ではカーボン系薄膜の作製と評価，14.2 ではシリコン系薄膜の作製と評価に力点がおかれています．プラズマ CVD 技術のさらなる発展のために，分科を越えて同一会場で有機的で相補的な討論ができるように本合同セッションを企画いたしました．
合同セッションＦ「カーボンナノチューブの基礎と応用」
放射線・プラズマエレクトロニクスの 1.5 プラズマプロセスによるナノテクノロジー，半導体Ｂの 12.1
探索的材料物性，応用物性の 8.4 ナノエレクトロニクス，薄膜・表面の 6.2 カーボン系薄膜，6.6 プロー
ブ顕微鏡とで企画した合同セッションです．上記の５分科では，従来からカーボンナノチューブ技術の基礎と応用に関する講演、討論が活発に行われています .12.1 および 8.4 ではカーボンナノチューブの物性や電子デバイス応用，6.6 ではプローブ顕微鏡短針応用，1.5 および 6.2 では材料成長技術などに力点が置かれています . 今後のこの新材料の発展のためには，材料技術，プロセス技術，デバイス技術の発表が行われる場として，応用物理学会の独自性，重要性は極めて高いものと考えます．そこでこれらが分科を超えて同一会場で議論できるように，本合同セッションを企画しました .2003 年春の講演会では，80 件に迫る講演が行われており，カーボンナノチューブに関する最先端の研究動向がつかめる場となっております．

47

２００３年秋季第６４回応用物理学会学術講演会
シンポジウム案内
九州大学大学院システム情報科学研究院 白谷正治
プラズマエレクトロニクス分科会では，シンポジウム「プラズマのバイオ応用の新展開」を企画いたしました．皆様には奮って御参加いただき，有意義なシンポジウムにしていただきたくお願い申し上げます．なお，各シンポジウムの詳細を以下に示します．本シンポジウムの企画に特に御尽力いただいた名古屋大学の井上泰志先生に感謝いたします．
「プラズマのバイオ応用の新展開」
２００３年８月３１日１４時〜１７時４０分
シンポジウムの目的
世界的にはプラズマのバイオ応用は活発に進められているが，それに比べると日本での研究はまだまだ研究人口が少ない．本シンポジウムは，この分野における研究に一人でも多くの研究者に参入していただ
く契機となるよう，世界におけるプラズマ応用バイオ研究の潮流と日本の進むべき道について議論することを目的として企画した．

講演題目

勤務先（略称）

講演者

プラズマバイオ応用が拓く技術革新の世界潮流と展望 (30分)

東洋大工

一木 隆範

グロー放電プラズマ処理チタン板は骨芽細胞の分化を促進する
(30分)

昭和大歯

柴田 陽

バイオ系材料のプラズマ加工 (30分)

岐阜薬大

葛谷 昌之

高周波熱プラズマ法による生体適合性材料の創製 (30分)

産総研

亀山 哲也

大気圧グロー放電による新しいバイオマテリアルの創製 (30分)

九工大院生命体

児玉 亮

マイクロチップを用いた化学分析 (30分)

東大院工

北森 武彦

バイオナノプロセス＝微細化への新たなアプローチ＝(30分)

松下電器

山下 一郎

まとめ (10分)

名大環境量子セ井上 泰志

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50

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1. ⺰ᢥฬ䋺 Absolute concentration andloss kinetics of hydrogen atom in methaneand hydrogen plasmas㔀⹹ฬ䋺 Journal of Applied Physics,
Vol. 90, No. 11, pp. 5497-5503 (2001).
⪺⠪ฬ䋺 Seigou Takashima, Masaru
Hori, Toshio Goto, Akihiro Kono,
Katsumi Yoneda* (Nagoya University,*Nippon Laser & Electronics LAB.)

2. ⺰ᢥฬ䋺 Investigation of NitrogenAtoms in Low-Pressure Nitrogen Plasmas
Using a Compact Electron-Beam-Excited
Plasma Source㔀⹹ฬ䋺 Japanese Journal of Applied
Physics, Vol. 41, No. 7(A), pp. 4691-46䋹5(2002).
⪺⠪ฬ䋺 Shigekazu Tada, Seigou
Takashima, Masafumi Ito*, Manabu
Hamagaki**, Masaru Hori, Toshio Goto
(Nagoya University, *Wakayama Univ.,**RIKEN.)㩷ฃ⾨⠪㩷 㩿ฃ⾨ኻ⽎⺰ᢥ䈱⪺⠪㪀㩷㜞ፉᚑ೰ (ᣣᧄ䊧䊷䉱㔚ሶ)䇮㩷 ၳ㩷 ൎ (ฬฎደᄢቇ)䇮㩷 ᓟ⮮ବᄦ (ฬฎደᄢቇ)䇮ᴡ㊁᣿ᑝ
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52

プラズマエレクトロニクス関連会議日程
国際会議
開催期間

名称

開催場所

主催・詳細問合せ先

2003年
6月22日〜27日

16th International Symposium on
Plasma Chemistry (ISPC16)

Taormina,
Italy

Email: info@ispc16.org
http://www.ispc16.org

2003年
7月15日〜20日

26th Int. Conf. on Phenomena in
Ionized Gases (XXVI ICPIG)

Greifswald,
Germany

Email:info‑icpig@physik.uni‑greifswald.de
http://www.icpig.uni‑greifswald.de/

2003年
9月15日〜19日

37th IUVSTA Workshop on Plasma
Deposition of Advanced
Materials

Kerkrade,
Netherlands

http://www.ornl.gov/fed/pdam/

2003年
1 0 月 2 1 日〜2 4 日

56th Annual Gaseous Electronics
Conference

San rancisoc,
USA

Email: hwang@dm1.arc.nasa.gov
http://gec2003.arc.nasa.gov

2003年
11月3日〜7日

50th International Symposium of
American Vacuum Society

Baltimore,
MD, USA

http://www.avs.org

2003年
1 1 月 1 3 日〜1 4 日

ドライプロセス国際シンポジウム

早稲田大学国際会議場

電気学会
TEL:03‑5821‑7120 FAX :03‑5821‑7439
E‑Mail:dps@mbh.nifty.com
http://member.nifty.ne.jp/sofiel/dps.html

2004年
2月4日〜6日

プラズマナノテクノロジーとその将来ビジョンに関する国際ワークショップ
第一部（総論と将来ビジョン）
第二部（各論）第一部(2/4)
東京工業大学大岡山ｷｬﾝﾊﾟｽ
第二部(2/5,6)
ｱｿｼｱﾎﾃﾙ高山

応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
京都大学 斧高一
E‑mail:ono@kuaero.kyoto‑u.ac.jp

2004年
5月10日〜12日

2 0 0 4 年国際溶射会議

大阪国際交流センター

高温学会、日本溶射協会
http://wwwsoc.nii.ac.jp/jtss/itsc2004/

8/22 講演･ｱﾌﾞｽﾄﾗｸﾄ
12/1 原稿

2004年
5月30日〜6月6日

24th International Symposium onSpace Technology and Science(24thISTS)(第24回宇宙技術および科学の国
際シンポジウム )宮崎県ﾌｪﾆｯｸｽ･
ｼｰｶﾞｲｱ･ﾘｿﾞｰﾄ

日本航空宇宙学会
宇宙技術および科学の国際シンポジウム事務局
TEL: 03‑3519‑4808 FAX: 03‑3519‑9998
E‑mail: inquiry@ists.or.jp
http://www.ists.or.jp/

10/10
ｱﾌﾞｽﾄﾗｸﾄ
3/20 原稿

2004年
6月29日〜7月2日

7th Asia Pacific Conference on
Plasma Science and Technology& 17th SYMPOSIUM ON PLASMASCIENCE FOR MATERIALS(7th APCPST & SPSM‑17)

福岡市国際会議場

日本学術振興会ﾌﾟﾗｽﾞﾏ材料科学第153委員会
九州大学 河合良信
FAX: 092‑571‑8894
http://apcpst.aees.kyushu‑u.ac.jp

締切

6/20 講演9/22 原稿

国内会議・会合
開催期間

名称

開催場所

主催・詳細問合せ先

2003年
8月6日〜8日

第1 0 回プラズマエレクト
ロニクス･ サマースクー
ル

名古屋市民休暇村

応用物理学会ﾌﾟﾗｽﾞﾏｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ分科会
東京工業大学 赤塚洋
TEL&FAX: 03‑5734‑3057
E‑mail:hakatsuk@nr.titech.ac.jp
http://annex.jsap.or.jp/plasma/sum‑schl‑03/

2003年
8月22日〜23日

フロンティアプロセ
ス2 0 0 3

産総研，筑波三菱電機 大森達夫
E‑mail:Oomori.Tatsuo@wrc.melco.co.jp

2003年
8月30日〜9月2日

2 0 0 3 年秋季第6 4 回応用物
理学会学術講演会

福岡大学
七隈キャンパス

応用物理学会
http://www.jsap.or.jp/

2003年
9月11日〜12日

第1 4 回プラズマエレクト
ロニクス講習会

東洋大学
スカイホール

応 用 物 理 学 会 ﾌ ﾟﾗ ｽ ﾞ ﾏ ｴ ﾚ ｸ ﾄ ﾛ ﾆ ｸ ｽ 分 科 会

2003年
12月1日〜2日

第4回ダストプラズマ研究会

核融合科学研究所
土岐

九州大学 白谷正治
E ‑ m a i l : s i r a ta n i @ e d . k y u s h u ‑ u . a c . j p

2004年
1月28日〜30日

第2 1 回プラズマプロセシ
ング研究会(SPP‑21)北海道大学学術交
流会館

応用物理学会ﾌﾟﾗｽﾞﾏｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ分科会
北海道大学 酒井洋輔
http://mars‑ei.eng.hokudai.ac.jp/ spp21/

2004年
3月28日〜31日

2 0 0 4 年春季第5 1 回応用物
理学関係連合講演会

東京工科大学

応用物理学会
http://www.jsap.or.jp/

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締切

7/4 参加

10/31 参加
12/15 論文

プラズマエレクトロニクス分科会会員名簿変更届
会

員

名

簿

変

更

届

（応用物理学会・プラズマエレクトロニクス分科会）
フリガナ（ローマ字）

氏 名
（会員番号

勤務先
（在学先）

大学名又は会社名
学部学科又は部課
住所（〒

）

TEL：
電子メール：
住所（〒

）

FAX：
）

自 宅
TEL：
電子メール：
大学
大学院

出身学校
専門分野
キーワード

FAX:
学部

学科（西暦
専攻（西暦

年卒業）
年修了）

（４つ以内）(注） 変更追加訂正の項目に○印をつけて下さい。名簿記載を希望しない項目がありましたら、下記の欄の左側の空欄に×印をご記入下さい。

勤務先
住所

勤務先
T e l・F A X

勤務先E‑mail

自宅
住所

自宅
T e l・F A X

自宅E‑mail

学歴

専門
分野

（送付先）
〒 102‑0073 東京都千代田区九段北 1‑12‑3 井門九段北ビル 5 階
社団法人 応用物理学会
TEL:03‑3238‑1043
FAX:03‑3221‑6245

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編集後記
新任幹事も決まり新たな顔ぶれにて、今年度 を押すだけになりつつあります。こうした風情のプラズマエレクトロニクス分科会がスタート （？）がなくなりつつあることを悲しみつつも、いたしました。プラズマ応用の裾野は急激に広 産業全体に対してプラズマ技術が果たしてきたがりつつあり、一部半導体のみならず、より広 役割の大きさには改めて驚かされる昨今です。
いアプリーションに対する応用が報告されるにいずれにせよ、少しでも多くの皆様がプラズ
つれ、この分野についてはまだまだ発展途上で マに対して興味を持ち、これを理解をする一助あることを実感いたします。幹事の顔ぶれも企 として、本会報が役に立つことを幹事一同望ん
業、大学、共同研究機関と多彩であり、幹事会も でおります。新しいことを始められるかたはそ
一種の異文化交流となっております。本会報に のアピールの場に、また実用上でトラブルがあ
おいてはその雰囲気を少しでもお伝えすべく、 ればその解決のための情報交換の場として、本種々の分野より寄稿を募りプログラムして参り 会報あるいは各幹事をお気軽に利用していただ
ましたがいかがでしょうか？
けると幸いです。ご意見、ご希望等随時お待ち
一方で成熟したプラズマ応用分野では装置も しております。最後にお忙しい中、原稿をお寄せ
すっかりハイテク化し、かつては窓からプラズ くださった執筆者の皆様に、心よりお礼申しあマの色を眺めながら実験をしていた研究者も、 げるとともに、皆様の益々のご発展をお祈りいいまや処理基板を入れてレシピを組んでボタン たします。
（辰巳、安井、高井）（文責：辰巳）プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.38
発 行 日：2003 年 6 月 27 日
編集・発行：社団法人 応用物理学会
プラズマエレクトロニクス分科会
幹事長 斧 高一
〒 102‑0073 東京都千代田区九段北 1‑12‑3 井門九段北ビル５階（ c 2003 無断転載を禁ず）

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