プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.60
2014 年(平成 26 年)6 月発行
赤松、川崎、斉藤、松隈
目次
幹事長退任挨拶 幹事長退任にあたって

東京大学

寺嶋 和夫

1

幹事長就任挨拶 幹事長就任にあたって

名古屋大学

豊田 浩孝

2

東北大学

畠山 力三

3

第 12 回プラズマエレクトロニクス賞について

東京大学

寺嶋 和夫

7

プラズマエレクトロニクス賞を受賞して

東北大学

加藤 俊顕

9

プラズマエレクトロニクス賞を受賞してソニー株式会社

久保井 信行

11

研究室紹介（その 55）

大阪市立大

白藤 立

14

研究紹介（その 9）

東京大学

占部 継一郎18

海外の研究事情（その 37）

University ofTexas at Dallas

Christina

寄稿
科学で魅了し未来技術を創るＰＥ分科会への期待

第 12 回プラズマエレクトロニクス賞

Estrada21

学生のためのページすぐに役立つプラズマエレクトロニクス
放電基礎過程のシミュレーション

室蘭工業大学

佐藤 孝紀

26

大阪大学

浜口 智志

35

九州大学

白谷 正治

36

名城大学

平松 美根男38

国際会議報告9th EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing
8th International Conference on Reactive Plasmas
31st Symposium on Plasma Processing(ICRP-8 / SPP-31)
6th International Symposium on Advanced Plasma
Science and its Applications for Nitrides andNanomaterials
7thInternational

ConferenceonPlasma-Nano

Technology & Science(ISPlasma2014 / IC-PLANTS2014)i

国内会議報告第 7 回 プラズマエレクトロニクスインキュベーション

佐賀大学

三沢 達也

42

第 15 回プラズマ新領域研究会

九州大学

堤井 君元

43

第 16 回プラズマ新領域研究会

鶴岡高専

吉木 宏之

44

第 17 回プラズマ新領域研究会

横浜国立大学

鷹尾 祥典

46

シリコンテクノロジー研究会

東京大学

一木 隆範

48

東京エレクトロン

松隈 正明

49

九州大学

古閑 一憲

51

大阪市立大学

白藤 立

52

金 載浩

53

ホール

2014 年第 61 回応用物理学会春季学術講演会
第 12 回分科会内招待講演
2014 年第 61 回応用物理学会春季学術講演会
第 6 回海外研究者招待講演
2014 年第 61 回応用物理学会春季学術講演会
チュートリアル講演
2014 年第 61 回応用物理学会春季学術講演会

産業技術総合研究

プラズマエレクトロニクス分科会企画シンポジウム所

第 28 回光源物性とその応用研究会報告

岩手大学

向川 政治

55

名古屋大学

石川 健治

56

大阪大学

節原 裕一

58

首都大学東京栃久保 文嘉

60

名古屋大学

石川 健治

62

名古屋大学

豊田 浩孝

64

大阪大学

浜口 智志

65

名古屋大学

豊田 浩孝

66

伊澤 勝

67

防衛大学校

中野 俊樹

68

名古屋大学

豊田 浩孝

71

行事案内
International Union of Materials Research Societies- International Conference in Asia (IUMRS-ICA2014)
14th international Conference on Plasma Surface
Engineering (PSE2014)2014 年第 75 回応用物理学会秋季学術講演会
分科会企画(分科会内招待講演・シンポジウム)
第 8 回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール
67th Gaseous Electronics Conference
AmericanVacuumSociety

61st

International

Symposium & Exhibition
PLASMA CONFERENCE 2014/第 32 回プラズマプロセシン
グ研究会

日立ハイテクノロ

第 25 回プラズマエレクトロニクス講習会

ジーズ

第 36 回ドライプロセス国際シンポジウム
第 9 回反応性プラズマ国際会議/第 68 回気体電子会議
合同会議

ii

掲示板
平成 26 年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿72

平成 26 年度分科会幹事役割分担74

平成 26 年度分科会関連の各種世話人・委員75

平成 25 年度後期および平成 26 年度前期活動報告77

第 13 回プラズマエレクトロニクス賞受賞候補論文の募集

85

プラズマエレクトロニクス関連会議日程

87

広告掲載企業一覧

89

編集後記

90

iii

幹事長退任にあたって
東京大学

寺嶋和夫

2012 年 4 月よりこの３月までの２年間に渡り、争うとの評判の高い本分科会の担当幹事の皆様の本プラズマエレクトロニクス分科会の幹事長を務

自発的な使命感、充実感に裏づけされた尽力のおめさせて戴きました。本職務を無事に全うできた

陰と、重ね重ね感謝いたします。

こと、ただただ、幹事団の豊田副幹事長、辰巳副

さて、前幹事長の堀先生、元幹事長の白谷先生

幹事長、野崎副幹事長、庶務の先生方をはじめとなどの皆さまのご尽力により、2012 年から文部科する幹事の皆さま、諮問委員の皆さま、応用物理学省の科学研究費などの公的研究資金申請におけ学会本部の上村さまなどの事務局の皆さま、そしる、申請研究分野の中の“応用物理学”分科の細てなにより、定常的に 530 名（最大時期の秋の学目の一つとして“プラズマエレクトロニクス”が会直後には 570 名余り）に達するまでに発展しま設定されました。さらにまた、“応用物理学“分科した本分科会の会員の皆さまからの暖かいバック

自身が、従来までの”理工系“の中の３つの構成

アップのお蔭であり、ここにお礼申し上げます。

分野の中の一つである”工学系”（他の２分野は、

この２年間、本分科会では、我が国が抱える３“数物系科学”、“化学”）のカテゴリーから、４分

つの大きな問題、すなわち、構造改革、グローバ

野に拡充された“理工系“の中の新たに加えられル化、少子化対策、と全く同じ本分科会の課題にた“総合系”（他の３分野は、従来の“数物系科学”、

対して、バラエテイーに富む各種の取り組みを継

“化学”、
“工学”
）へ、
所属分類が変更されました。

続的に進めて参りました。医療、バイオ分野など

以上のことは、単に科学研究費申請時の事務的なの新規かつ発展性に富む重点的な応用分野に関し学問の分類についての話にとどまらず、他の細目、ての各種のシンポジウム、新領域研究会の開催、

すなわち、“応用物性”、“結晶工学”、“薄膜・表面MRS との共同シンポジウム、応用物理学会の本

界面物性”、“光工学・光量子科学”、“応用物理学大会での外国人招待講演、英語セッションなどの

一般”
と並んで、
“プラズマエレクトロニクス”
が、開催を通じた分科会の国際化、そして、産学にお

電気電子工学、機械工学、材料工学などの各種のける本分野の次世代を担う若手の育成を目指した、 “工学”、そして、物理、化学、などとの“理学”、
プラズマエレクトロニクス講習会、インキュベーを総合した学問である“応用物理学”の中の基本

ションホールの充実化、などなど。これらの研究的な６つの大きな柱の中の一つであることが、国会、講習会の多くにおいて、参加者数が、従来の民の皆さまにも認知されたことを意味しています。

ものと比べて、数十％増になっております。また、

このようなエポックメイキングな時期に幹事長の分科会の会員の皆様のニーズを丁寧に汲み上げ、職務を務めさせて戴けたこと、たいへん嬉しく思

工夫を凝らしたそれらの内容に対して、大多数のっております。

参加者の皆様から、非常に高い評価の声を戴いて今後、豊田新幹事長の下、本分科会が、国内外おります。これらの活動もまた、活性度の非常にでのプレゼンスを益々高め、継続的な発展を遂げ高い応用物理学会の中において、さらに１、２をることを心より願い、退任の挨拶といたします。

1

幹事長就任にあたって
名古屋大学

豊田

浩孝

この4月より2年間、プラズマエレクトロニクス

まいりたいと存じます。また、プラズマエレクト分科会幹事長を務めさせていただきます名古屋大ロニクス分科会の主催研究会であるプラズマプロ

学豊田浩孝でございます。応用物理学会プラズマ

セシング研究会は２０１４年は物理学会、プラズ

エレクトロニクス分科会は前身のプラズマエレク

マ ・ 核 融 合 学 会 と 合 同 の 会 議 で あ る Plasma

トロニクス研究会の発足を含めて本年で２３年とConference2014として、さらに２０１５年は反応なります。本分科会を設立し発展させて来られた性プラズマ国際会議としてアメリカの著名な会議

諸先生方のご尽力により、本分科会は日本におけである（GEC）Gaseous Electronics Conference

るプラズマの応用に向けた研究を推進する中心的と合同で開催されます。プラズマエレクトロニク

研究グループとして確固たる地位を築いてきたとス分科会はアメリカ・ヨーロッパ・アジアの３極いっても過言ではないと思います。このたびこののうちのアジアにおける中心的存在となっており、ような分科会の幹事長の大役を仰せつかり非常に来年のICRP/GEC合同会議は分科会としても大変重緊張をしております。微力でございますが分科会要な意義がございます。分科会の国際的活動を進の会員皆様の研究活動にお役に立つことのできる

めるうえでもこの合同会議の成功に向けて尽力しよう精一杯務めさせていただきます。なにとぞよてまいりたいと存じます。

ろしくお願い申し上げます。

一方、分科会の今後を見据えた活動も重要です。

さて、分科会として重要な活動のひとつは、春分科会開設時期から続いている、プラズマエレク

および秋の応用物理学会学術講演会、分科会主催

トロニクスを学ぶ若手に向けたサマースクールで研究会であるプラズマプロセシング研究会等の研あるプラズマインキュベーションホールは、プラ究会活動です。春・秋の応用物理学会学術講演会

ズマエレクトロニクスの基礎を学ぶとともに、今においては本分科会の中心となるプラズマエレク

後のプラズマエレクトロニクス分野を担う若手のトロニクス大分類が発足した後、研究分野にもさ横のつながりを形成する場としても重要です。さらなる拡がりが進んでおります。また同時に、近らにプラズマ新領域研究会はプラズマエレクトロ

年は学会の国際化の動向が顕著になっております。 ニクスの新しい研究分野を拓くとともに本分野のプラズマエレクトロニクスではこれまで応用物理研究者のつながりを拡げることのできる研究会と学会内でも最も早く英語セッションに着手し、MRS

考えています。本分科会の柱となるこれらの活動（Materials Research Society）とのジョイントをしっかりと進めてまいりたいと思います。

シンポジウムも開催しております。講演会におい分科会としておこなうべき活動や課題は山積してより活発な議論をおこなうとともに分科会活動ております。今後とも会員の皆様のお力添えをいを国際的にすることのできるような環境づくりにただきながら、分科会活動を進めてまいりたいと向けて、会員各位のご意見・ご希望を基として、存じます。なにとぞご指導ご鞭撻のほどお願い申中分類の検討や英語セッションの活性化を進めてし上げます。

2

寄稿

科学で魅了し未来技術を創るＰＥ分科会への期待
東北大学

畠山力三

恐らく当初は造語的に捻出されたであろう用トの理論研究に遡る[1]。1960 年には 3 次元グラ語のプラズマエレクトロニクス（PE）は、PE 分

ファイトの電子構造が発見され、その後の層間複科会会員のご努力により今や学術用語的に確立さ合グラファイトの研究を経て少しづつ発刊論文数れていると言って良いであろう。昨今盛んに要請が増えていった（図 1）[2]。ナノカーボンの現代されているグリーン、ライフ、及びセキュリティ

科学技術創成の引き金となったのは、1985 年におイノベーションに根幹的に関わるエレクトロニク

ける 0 次元構造のナノ球状物質であるフラーレン

スは来る世界的（少子）超高齢化の背景下で、持の発見である。これを契機に論文数が急増し、そ続的発展かつ健康で感性豊かな社会実現の重要なの後 1991 年に 1 次元構造の単層カーボンナノチ基盤を成すということには異論はないものと思わューブが発見されてからは、当該分野への興味がれる。
エネルギー・環境技術、ICT(情報通信技術)、

さらに集中していった。それから 10 年以上経過

センサ・ロボット技術、バイオ・医療技術、農業・した 2004 年には、2 次元構造の 1 枚のグラファ

食料技術、宇宙航空技術等あらゆる分野はエレク

イトシート、すなわちグラフェンが単離され、ナトロニクスの発展に、まさにスーパーエレクトロニクスに依拠していると言えよう。そこで、真摯
一徹にプラズマを駆使してエレクトロニクス基盤の新しい、独自のあるいは他分野との融合”科学技術”を創出し、昨今頓に騒騒しい世界政治情勢及びヒッグス粒子発見を逆撫でするような国内研
究倫理問題に襟を正して、究極的には安全安心豊
かな国際社会創成に貢献しようとするのが PE 分
科会の意気込みと信じている。ここにおいて、筆者が比較的近年に携わってきた「プラズマ応用ナ
ノカーボンナノエレクトロニクス」
研究の絡みで、学術用語の”科学技術”に拘ってみたい。
フラーレン、カーボンナノチューブ、グラフェ
ン、ナノダイヤモンド等の総称であるナノカーボ
ンに関する研究の発端は、1947 年（筆者の誕生年）
におけるナノスケールカーボンの論文、すなわち今日グラフェンと呼ばれている単層のグラファイ

3ノカーボン分野における研究活動がさらに一層活

グラフェンの平面性が歪められたワープド・ナノ

発になってきている（図１、２）。また、これらのグラフェン(C80H36)として登場している（図 2）[4]。

潮流の中で、派生ナノ物質である空洞に異原子を以上のようにナノカーボンは、過半世紀に亘っ含む原子内包フラーレン、ナノチューブの先端がてヒーロー（人及び物）が次々に出現し広範な科

円錐状になっているカーボンナノホーン、垂直グ

学技術分野の研究者達の真理探求心を炊き付けてラフェンとも呼ばれるカーボンナノウォールの合

きた。まさに、科学技術の一説表現である、科学成と応用研究も盛んに展開されてきた
（図 2）
[3]。

の定義「自然や人間、社会の法則性を探求する学

この 2 次元から低次元に向かった研究動向に加え

問」
・技術の定義「人間生活に役立てる技（わざ）」て、逆にナノダイヤモンドのような 3 次元ナノカ[5]において、現在までに既に２度のノーベル賞受

ーボンの新物質開拓も最近 2013 年に報告され、賞歴も相俟って前者の”科学”としての魅力を十図 2 ：形態と歴史的観点からのナノカーボンの多様性と拡がり二分にアピールしてきたと言って良いであろう。

ごく近年に誘発されたという、新たな分野創生へ

さらに付け加えるならば、2 次元電子系のグラフの波及効果にも言及したい。

ェンがそのままではバンドギャップが存在しな

しかしながら、後者の”技術”としての視点

いことにおける相補関係にある、同じ２次元系他

論点からはどうであろうか。確かにシリコン等の物質でバンドギャップを有するカルコゲナイド

IV 族系半導体デバイス研究歴史において見られ系層状物質（MoS2、WS2、WSe2 等）[6] 研究がるように、その萌芽的発見から実用に至るまでに4

死の谷を経て 30 年近くも要している事実から、を作製し、企業研究者が多士済々同居している

そう軽軽に論じてはならないことは重々に資承PE 分科会の特長を踏まえて共同研究により実用知致している。期待を込めてエレクトロニクスにまで漕ぎ付ける努力を続ける。本ナノカーボンは限定した場合に、Si を凌ぐ極めて大きい電子移動

一例に過ぎないが、他の多くのより興味深く重要

度、光透明な導電性、化学的安定性、圧倒的に強な課題が山積する PE 分科において、このように靭で柔軟な機械特性等の多くの優れた物性が科して科学技術の精神を全うするという研究のホ学的に実証されているナノカーボンではあるが、ップ、ステップ、ジャンプに一貫して挑むことを

例えば超超高速・高集積・小型・低消費電力ナノ

自戒の筆者を含めた PE 分科会会員に期待を込め

デバイスシステム、あるいは新概念超高効率オーている。

ルカーボン低価格太陽電池システム、革新的遺伝

なお補足的ながら、科学としての醍醐味であ

子・細胞ナノエンジニアリング等における実用的る上記第一段階のプラズマによる新物質誕生・創貢献は未だ不明で、今後の挑戦的課題であると言製については、それが稀少物質でしか存在しない

えようか。当該ノーベル賞等で称賛されている科

場合には、プラズマでしかできないという意味で学の魅力のみで終わらせるのは、本当に勿体ない

実用化に向けたその大量合成法を世に提供することではないでしょうか。

という重要な道もある。実際に、原子内包フラー

さてここで、プラズマとナノカーボンの双方

レンに関しては、電荷活用のアルカリ金属内包に纏わる話題に繋げよう。ナノカーボンの中でフC60、スピン活用の窒素内包 C60 の多量合成はプララーレンとカーボンナノチューブの発見にはプズマを用いた打ち込み法でしか実現されていな

ラズマ現象が関与していた（グラフェンの変形でい。また、ナノカーボンハイブリッド新物質の発あるカーボンナノウォールにおいても）。すなわ

見・大量合成にも興味が湧く。さらに、第二段階

ち、レーザー蒸発法とアーク放電法（RF 等放電のプラズマによる機能化についても、超精密構造法）におけるプラズマ発生がそれらを誕生せしめ制御すなわちカイラリティ完全制御されたカーた。しかしながら誠に残念ながら、図 1 及び図 2

ボンナノチューブの大量合成や半導体性ナノグにおけるナノカーボンの主要なブレークスルー

ラフェンの低温超高集積化合成等のプラズマなには PE 分科会の会員的なプラズマ研究者は何のらではの挑戦的な道に期待が持たれる。
最後に、今後将来の PE 分科の拡大的進化には、関与もなく、他分野の物理学者、化学者等が新しいナノカーボンを次々と発見した。それでも必要

次の二つのタイプの研究者群の適切な相補的信なプラズマ生成・制御法を持っているあるいは開頼関係の構築が有効な手立ての一つかもしれな

発できるので、第一段階の新物質の誕生・創製にい。１つは、PE 分科内においてある種の成熟しは先陣を切ることができなくても、第二段階の次た関係と状況の下にじっくりと取り組み、虎視眈

の手、すなわちプラズマでその新物質の構造を制眈とブレークスルーを目指す「メインロード開拓

御し新材料として機能化する道がある。そこで、型」研究である。もう１つは PE 分科を軸足にしプラズマで構造制御された物質の材料物性を測ながらも異分野に果敢に突入して、そこで批判を定し、エレクトロニクス的新機能性を実証するこ浴び鍛えられて PE 分科にフィーフォバックするとを目指す。さらには第三段階として、その新機「異分野突入未熟型」研究であると思われるが。

能性に基づいた上記のような未踏ナノデバイス

末尾ながら、本寄稿執筆をお勧め戴いたことに5

心より御礼を申し述べますと共に、PE 分科会及PlasmaProcessing,び会員皆様の益々のご発展とご活躍を期待申し

3C-WS-01 (2014).

Fukuoka,

Japan,[4] K. Kawasumi et al. : Nature Chem. 5, 739

上げております。

(2013).
[5] ２１世紀の科学技術リテラシー像〜豊かに生
参考文献

きるための智〜プロジェクト技術専門部会報[1] P. R. Wallace : Phys. Rev. 71, 622 (1947).

告書, p.25 (2008).
[6] Q. H. Wang et al. : Nature Nanotech. 7, 699[2] M. Dresselhaus : Abst. 14th Int. Conf. on
the Science and Applications of Nanotubes,(2012).

Espoo, Finland, p.38 (2013).
[3] R. Hatakeyama : Proc. 8th Int. Conf. on
Reactive Plasmas and 31st Symp. on

6

第 12 回プラズマエレクトロニクス賞

第１２回プラズマエレクトロニクス賞について
東京大学

寺嶋和夫

本年度は９件の応募があり、７名の審査委員で受賞論文(2)

選考を行った。すべて学術的に価値が高く、産業

論文名：Modeling and simulation of plasma-

応用の観点においても有用性が期待される論文でinduced damage distribution duringあった。厳正な審査の結果、次の優れた２件の論

hole etching of SiO2 over Si substrate

文を選考しましたので、報告いたします。

by fluorocarbon plasma,
著者名：N. Kuboi, T. Tatsumi, S. Kobayashi,
T. Kinoshita, J. Komachi,

受賞論文(1)

M.Fukasawa, and H. Ansai

論文名：Site- and alignment-controlled growth

雑誌名：Appl. Phys. Express 5, 126201 (2012)of graphene nanoribbons from nickel

受賞者(現所属)：久保井信行(ソニー(株))nanobars,

辰巳哲也(ソニー(株))著者名：T. Kato and R. Hatakeyama

小林正治(ソニー(株))雑誌名：Nature Nanotechnol. 7, 651 (2012)

木下隆(ソニー(株))受賞者(現所属)：加藤俊顕(東北大学)

小町潤(ソニー(株))畠山力三(東北大学)

深沢正永(ソニー(株))受賞理由

安斎久浩(ソニー(株))本論文は、先進的な駆使したグラフェンナノリ
受賞理由

ボンの作製および特性の測定に関する、極めて独

本論文では、プラズマエッチングにおける加工

創性の高い研究である。本論文で述べられている

形状進展を従来の string model と slab model の

Rapid-Heating Plasma CVD では、急速昇温した組み合わせによって再現するとともに、ダメージ

プラズマ CVD により、グラフェンナノリボンを形成のモデルをインプリメントすることによって、

ソース・ドレイン電極間に位置を選択しつつ直接ダメージに関する実測データをも再現可能な定量

形成し，トランジスタを作製する、という新規か的な結果を示している。従って、本論文は、今後

つ独創的な手法がとられている。また、論文中での半導体プラズマプロセスの予測・制御技術の向は、その作製法の詳細、ならびに、グラフェンの上に大きく貢献する工業的に価値の高い研究成果

構造解析の詳細データを示すとともに、動作するであるといえる。学術的には、イオン衝撃によるトランジスタの作製に成功し、電子輸送特性の評

ダングリングボンド生成をダメージとする仮定の価結果も示されている。

妥当性の検討が必要であるが、産業応用分野にお以上のことから、本論文は、工業的にも学術的いて大きく貢献していることが高く評価される。

にも、極めて価値のある論文であり、プラズマエ

以上のことから、本論文は産業応用分野において価値のある論文であり、プラズマエレクトロニ

レクトロニクス賞に値する。
7

毎年 12 月 25 日にプラズマエレクトロニクス賞

クス賞に値する。

への応募の締め切りがございます。関連する講演
第 12 回プラズマエレクトロニクス賞 選考委員会

会にて、本分野に関しての多数の優れた発表が。

石垣 隆正 (法政大学)

企業、公的研究機関、および、大学の皆さまから

一木 隆範 (東京大学)

なされています。是非とも奮ってのご応募を心よ斧高一 (京都大学)

りお願い申し上げます。

木下 啓蔵 (東北大学)
白藤

なお、本賞の応募規約の詳細につきましては、

立 (大阪市立大学)(委員長)

本会報の掲示板、および、分科会のホームページ

永津 雅章 (静岡大学)に記載しています。熟読されたうえで、ご応募戴

八田 章光 (高知工科大学)

ければ幸いです。

8プラズマエレクトロニクス賞を受賞して東北大学 加藤 俊顕(東北大学 畠山 力三)
この度は, 第 12 回プラズマエレクトロニクス賞

ェンナノリボンの構造制御, 及び集積化合成に取りという大変栄誉ある賞を賜りまして誠にありがと組みました.

うございました. ご推薦下さいました方々及び, 選

一般に触媒金属を高温 (900～1000℃) に加熱し考委員の方々に, 心より感謝申し上げます. 今回受

炭化水素ガスを供給することで金属表面にグラフ

賞 の 対 象 と な り ま し た 論 文 「 Site- andェンが合成されることは広く知られております. そalignment-controlled

graphene

こで我々は触媒自体をナノスケール (ナノバー) 化

nanoribbons from nickel nanobars」(加藤俊顕, 畠し, その表面にグラフェンを合成することで, グラ山力三) [1] に関しまして, その研究背景と内容のフェンナノリボン合成を試みました (図 1). 一般的

一部を以下に簡単にご紹介させて頂きます.

な熱 CVD では, 構造的に不安定な触媒ナノバーを

growthof

グラフェンは炭素原子 1 層の厚みから構成されグラフェン合成に必要な高温状態まで加熱するこる究極の 2 次元シート材料として大きな注目を集とは困難で, 適正温度に到達する前にナノバー構造

めています. 特に非常に高いキャリアの移動度(～が崩壊し, ナノバー触媒からグラフェンを合成する

200,000 cm2V-1s-1) を有することからエレクトロニ

ことはできません. これに対し, 我々はプラズマにクスへの応用が期待されております. 一方で, グラより乖離した高密度炭化水素物質を高効率で触媒

フェンにはバンドギャップが存在しないため, 半導ナノバーに供給することで, 触媒ナノバーの沸点が体素子としての利用には大きな問題が残されておバルク金属に比べて上昇し, グラフェン合成が可能りました. これに対し, 近年グラフェンを１次元短な高温状態においても触媒ナノバー構造を安定に冊形状 (幅数 nm, 長さ数m) にすることでバンド急速加熱拡散プラズマCVD
リソグラフィによりNiナノバー構造を形成

ギャップが発現することが理論・実験の両方で実証され大きな注目を集めております. この物質はグラ

Ni ナノバーフェンナノリボンと呼ばれ, バンドギャップが幅のPlasma CVD

Ni

SiO2

CxHy

逆数で決定される特徴を有します. このため, グラ

Ni

フェン半導体の実用化に向けリボン幅を制御した

急速加熱

冷却

Si

合成手法の確立が急務な課題として, 世界中で活発
グラフェン
ナノリボン

な研究が展開されております. しかしながら, 数

Ni

nm 程度の構造を制御して合成し, さらに集積する技術は全く開発されていませんでした. そこで,

冷却

我々はこれまで同様のナノカーボン物質であるカ

初期のNiナノバーの配置に沿ってグラフェンナノリボンが直接合成

ーボンナノチューブの合成で培った先進マイルド
プラズマプロセス [2-6]を積極的に活用し, グラフ

Niナノバーからグラフェンナノリボンが合成(同時にNiが蒸発)

図 1 グラフェンナノリボン合成プロセス概略図.

9保持可能であることを見出しました. この結果, 触(a)

媒ナノバー表面にグラフェンが合成され, 必然的に電極

それらは触媒ナノバー以下の幅をもつ 1 次元グラ(c) グラフェン

(b)

ナノリボン

Ni ナノバーフェン構造, つまりグラフェンナノリボンとなりま

幅 23nmした (図 2). さらに, 興味深いことに条件を最適化
電極することで, グラフェンナノリボン合成と同時ある

2 m

100 nm

100 nmいはその後に, 触媒ナノバーが蒸発し, グラフェン(d)

ナノリボンが電極間を架橋する構造をとることが観測されました. 詳細な合成メカニズムは未だ解明

1 m

されていませんが, グラフェンナノリボンの下部に

-1.5
-1.0
-0.5

Y (ƒÊm)

触媒金属が残留せず, 絶縁基板上に直接合成される

700
600
500

0.0

400

0.5
1.0

形状は, 電子デバイスとして理想的な形状と言えま

800

(e)

1.5

300

1 m

0.4 ƒÊm

200
100

-6

-4

(f)

す. 実際, 電気伝導特性評価からグラフェンナノリ-2

0
X (ƒÊm)

2

4

6

Ni
グラフェンナノリボン

ボン特有の極めて高い電流オンオフ比 (> 10,000)と明確な伝導ギャップ (> 58 meV) を観測することができました. さらに, 今回我々が開発した手法

200 nmの最大の特徴は, あらかじめ金属ナノバーを基板上

Ni

基板上の任意の場所に, 任意の配向度でグラフェン

図 2 (a)(b) プラズマ CVD 前 Ni ナノバーの走査型電子顕微鏡 (SEM) 像. (c) グラフェンナノリボンのSEM 像. グラフェンナノリボン集積化合成の (d,f)
SEM 像と (e) G-バンドラマンマッピング像.

ナノリボンを合成できるという極めて高い集積化いく所存でございますので, 今後ともご指導ご鞭撻

能力にあります. これまで同様の一次元ナノ材料とのほどよろしくお願い申し上げます.

にリソグラフィ技術を用いてデザインすることで,してカーボンナノチューブが有名ですが, ナノチューブの場合は, 基板上に一本一本の場所と配向度を

参考文献

完全に制御して合成あるいは塗布する技術は現時[1] T. Kato and R. Hatakeyama, Nat. Nanotechnol.

点では開発されていません. このため, 優れた基礎

7 (2012) 651.

特性を有していながら, 実用化には至っていないの[2] T. Kato and R. Hatakeyama, J. Am. Chem. Soc.

が現状です. これに対し本手法を用いることで, カ130 (2008) 8101.

ーボンナノチューブと同等の微小スケールを持つ[3] T. Kato and R. Hatakeyama, ACS Nano 4

グラフェンナノリボンを電極間に等間隔に完全配(2010) 7395.

列配向合成させることも可能です (図 2). この様に,[4] Z. Ghorannevis, T. Kato, T. Kaneko, and R.

今回我々が開発した手法を用いることで, 個々の高Hatakeyama, J. Am. Chem. Soc. 132 (2010) 9570.

いポテンシャルを有する炭素ナノ材料の次世代高[5] T. Kato, L. Jiao, X. Wang, H. Wang, X. Li, L.

性能電子デバイスとしての実用化に大きな貢献がZhang, R. Hatakeyama, and H. Dai, Small 7

期待できます.

(2011) 574.
[6] T. Kato and R. Hatakeyama, ACS Nano 6

最後になりましたが, 今回の受賞を励みに今後(2012) 8508.

もますますプラズマ科学の発展のために尽力して10プラズマエレクトロニクス賞を受賞してソニー（株） 久保井 信行
辰巳 哲也、小林 正治、木下 隆、小町 潤、深沢 正永、安斎 久浩【はじめに】

短期間での開発が望まれる半導体デバイスにおい大変名誉ある第 12 回プラズマエレクトロニクスて非常にネックであり、実際の開発への活用の足賞を APEX 論文「Modeling and Simulation of

かせとなります。そういった現状を踏まえてソニ

Plasma-Induced Damage Distribution duringー社内で開発したシミュレーション技術が、本論

Hole Etching of SiO2 over Si Substrate by

文で述べてあります、String-Slab モデルです。

Fluorocarbon Plasma」[1]に賜りましたこと、共

名前のごとく、ポリマー層と反応層からなる加工

著者共々、誠に光栄に存じます。また、ご推薦・表面の表面反応を Slab モデルと呼ばれるオリジ

ご選考していただいた先生方に対しまして、心よナルの計算手法で解き、得られるエッチレートをり感謝申し上げます。2011 年に、チャンバ壁との用いて String 法で形状進展させます。SiO2 エッ

相互作用を考慮したプラズマシミュレーションで

チングでは、1000 eV 以上もの高エネルギーのイ

第 2 回 Si テクノロジー分科会研究奨励賞を頂きオンによるイオンアシスト反応を利用するので、ましたが[2]、それに続く今回の受賞ということで、 実際の反応層も数 nm から 10 nm ほどのある程
今後とも応用物理への更なる貢献をしなくてはと度深いものになっていると考えられます。そのたいう身の引き締まる思いでございます。以下に、め、低エネルギーでエッチングする Si ゲートのよ

本受賞論文の研究背景と内容について紹介させてうなごく表層をモデル化する手法では不十分であ

いただきます。

り、深さ方向に対しての物理・化学反応をきちんと考慮する必要があります。そこで、反応層を 0.1
nm オーダーの複数の薄い板”Slab”に分割し、そ【論文内容説明】の各々の Slab に対して、物理・化学反応を解く

本論文は、フルオロカーボンプラズマによるSiO2 エッチングの表面反応のモデル化、それを用というモデルを開発しました（図１）。

いた２次元の形状・ダメージシミュレーションに関するものです。近年、プラズマエッチングシミュレーションのトレンドは、モンテカルロ法を用いて、原子レベルのより詳細なモデル化の方向に進んでいますが、一方で、精密なゆえに、必要とする計算機の高性能化と計算時間といった計算コ
ストが大幅に増大してきています。半導体メーカ
図 1: Slab モデルの概念図[3]ーとしては、半導体製造分野でのシミュレーショ
ン活用を考えた場合、この計算コストの急騰は、
11

また、ダメージのない綺麗な結晶領域と、イオンし込んだモデル化[4]を行っているのが特徴です。

衝撃によってダメージ（ダングリングボンド）がこれにより、実際のポリマー膜厚やエッチレート、発生した領域を考え、それらの領域をマクロパラ

さらには SiO2/Si 選択比の流量依存に見られる特メータ化してイオンとラジカル作用による生成・徴的な挙動をトレースすることができるモデルに消滅のバランスを計算することで、深さ方向に分仕上がっています（図２）。

布するダメージの表現を行いました。
これにより、

また、本モデルにおけるガス輸送では、モンテ

形状進展とダメージの両方をマクロ的に同時に解カルロ法ではなく、フラックスとしての取扱いをくことを可能にしました。

行っています。この部分にも計算コストを下げる

Slab モデルの発想は、著者が東京大学で宇宙物工夫をしており、加工パターンのアスペクト比に理の修士・博士・研究員時代に専門としていた

依存した形で直接入射フラックスおよび間接入射

PDR（Photo-dissociation Region）モデルにありフラックスを表現しています。さらに、イオン散

ます。宇宙には、星形成の源となる星間ガスと呼乱に関しては、あらかじめモンテカルロ法によっばれる極低温(~10 K)のガスが存在します。それが、 て、ホール径とアスペクト比に依存させた定式化
周囲の星からの紫外線に照らされながら化学反応を行い、そこから計算されるフラックス分布の重（Photo-dissociation, Photo-ionization, ion-ion,

みを各格子点へのイオンフラックスに加味して、

neutral-ion, neutral-neutral 反応, ダスト吸着・

イオン散乱の効果を模擬しています。これによっ脱離反応）を起こして表層がイオン化内部は中性て、ホール底部のサブトレンチの再現も可能にな

ガスとしてガス組成を変化させながら、重力収縮っています（図２）。

しつつ 105~106 年かけて星が形成されていきます。
よく知られている Orion 大星雲が良い例です（半導体加工チャンバとの対比を考えてみると、空間スケールは大きく異なりますが、物理素過程は非常に良く似ており、いわば、半導体加工チャンバ
は、小宇宙とも言えます）。紫外線に照らされている領域のガス進化モデルが PDR モデルと呼ばれており、そのモデルの１つの計算手法として、ガスの深さ方向に Slab を切り、各 Slab を通過する
図 2: エッチレート、選択比、形状の比較[1]際の紫外線の減衰効果も加味しながら化学反応を解いていきます。PDR のモデル化、シミュレーシ
ョンを行っていたので、この概念をエッチングに初期のエッチフロントに格子点を配置し、その応用・拡張することで、本論文の Slab モデルを

各々の格子点に関して、上記のフラックス計算、構築しました。

およびそれを用いて Slab モデルを解くことでエ本モデルで考慮しているポリマー層および反応

ッチレートを導出し、String モデルとして、設定層での反応自体は、原子レベルの表現ではなく、した時間ステップでエッチフロントを進展させて反応のエッセンスを抽出して、それを反応確率といきます。今回は、形状進展に String モデルを採

フラックスを用いた簡便なマクロ的な表現に落と用しましたが、Slab モデルの特性上、いわゆる
12

Cell-removable 法との親和性が高いため、より精タイムにモニタリングする技術が必要です。これ

度の高い３次元の形状計算への拡張も可能です。

に加えて、プラズマ、シース、表面を連成させか

ダメージ分布計算に関しては、基板 Si にメッシつ装置実装可能なシミュレーションも必要であり、ュを配置し、Slab モデルで計算されるダメージ分

接続に必要となるモデル化も含め、大学・研究機

布をエッチフロントを起点に各格子点の持つ法線

関・装置ベンダーと連携しながら今後開発を進め方向へのメッシュに配置することで、Si 基板内でていければと考えております。シミュレーションのダメージ分布の時間発展の可視化を可能にしまの更なる高精度化にはプラズマデータベースの構した（図３）。

築も不可欠であり、これらの課題を乗り越えなが以上述べてきたようなモデルを実装した本シミ

ら技術のブレイクスルーを達成し応用物理に貢献ュレーション技術は、実際のデバイス開発活用にしていければと考えております。

より適したソルーションを生み出すものと考えています。

【おわりに】
研究員からソニーに入社して今年で９年目となりますが、プラズマエレクトロニクスは非常に奥が深いため、まだまだ勉強の日々が続いております。これからも皆様の一層のご指導、ご鞭撻のほどよろしくお願いいたします。また、今年度から2 年間、プラズマエレクトロニクス分科会の幹事

図 3：Si 基板のダメージ分布の時間依存[1]としても活動させていただきます。どうぞよろし
くお願いいたします。

【今後】
本論文では、形状進展には２次元 String モデルを用いましたが、加工パターンのウェハ開口率や参考文献

周囲のパターン配置の形状・ダメージ変動への影[1] N. Kuboi et al; Appl. Phys. Express 5 (2012)

響まで考えると[5]、やはり２次元計算では限界が126201.

あり、３次元のモデル化が必要となります。その[2] N. Kuboi et al; Jpn J Appl. Phys. 49 (2010)

場合、String モデルでは形状表現の柔軟性に限界

08JD01.

があるため、Level-set 法や Cell-removable 法と[3] N. Kuboi et al; Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011)

いったより安定した手法と Slab モデルを融合し116501.

た計算手法の開発を今後進めていく必要があると[4] T. Tatsumi et al; J. Vac Sci. Technol B18

感じています。さらに、プロセスの変動予測・制(2000) 1897.

御という意味では、エッチング中でのチャンバ壁[5] N. Kuboi et al; J. Vac. Sci Technol. A31

表面状態やエッチング反応生成物の再堆積も形状(2013) 061304.

やダメージに影響を及ぼすので、これらをリアル

13

研究室紹介大阪市立大学大学院工学研究科
材料計測工学研究室
1. はじめに

白藤 立

繊維大学の学生時代にこの教科書で勉強してお著者は，2010 年 10 月 1 日より大阪市立大学

り，今はこの教科書で講義をする立場になって（大阪市大）工学研究科に着任し，材料計測工

おります．安藤先生もこの教科書の執筆者の一学研究室にて研究活動を開始致しました．本稿

人です．

では，着任後の研究室の状況を報告させて頂き

青笹先生は早稲田大学から来られ，a-Si:H 薄ます．

膜のプラズマ CVD が黎明期であった頃に，DC

著者が薄膜の研究をしていたことから，ホッ放電に第三電極を設けた「トライオード型」成トワイヤーCVD でベンチャー企業を立ち上げ膜装置を提案され，基板へのバイアス電圧を制られた中山弘先生がおられる大学であることは御した成膜をされていました[2]．その後，プラ着任前から知っておりましたが，実は当該研究

ズマ重合膜や EL 薄膜等への研究を展開され，室の前身がどのような研究室であったのかは全

現在は大阪物療大学に所属されています．

く知らずに応募しました．

材料計測工学研究室以外のプラズマ関係の先

材料計測工学研究室は，着任後に筆者が調べ生としては，著者の着任当時，同じ所属学科（電た範囲では，平井平八郎教授，安藤慶一教授，

気工学科）に宇宙関係のプラズマを扱っておら青笹正夫教授等によって引き継がれてきた電気

れる南繁行教授がおられました（2011 年 3 月に

電子材料系の研究室です．平井先生は，電気電ご退職され，現在は特任教授）．また，大阪市大子材料の教科書の編著者としてご存じの方も多には，かつて原子力基礎研究所（1969~1989 年）

いかと思います[1]．かく言う著者も，京都工芸があり，核融合プラズマ関係の方であれば勝俣

図 1. 2013 年度材料計測工学研究室追いコン時の集合写真．

14

五男先生の「勝俣プローブ」をご存じの方もお

着任時には，プラズマ重合による有機系太陽られるかと思います[3]．

電池薄膜やエレクトロクロミック膜の成膜をされている助教の先生と M2 が 3 名，M1 が 1 名の

2. 現在の研究室体制体制でしたが，現在は大所帯になりました（図着任時の 2010 年 10 月の時点では，電子情報

1）．

系は電気工学科，情報工学科，応用物理学科の3 学科体制であり，材料計測工学研究室は電気3. 研究環境工学科に属していました．翌々年度の 2012 年 4

大阪市大に着任した後は，主として液体中の月に，電子情報系が情報工学科と電子・物理工

プラズマ「ソリューションプラズマ(SP)」に関

学科の 2 学科体制に改組され，材料計測工学研する研究を実施して来ました．着任当初は，前究室は，電子・物理工学科に属する研究室とな任の准教授の方が使っておられた一室を頂き，りました．改組に伴い，酵母非線形誘電応答等

そこが居室兼実験室となりました（図 2）．自分の研究をされている講師の先生が材料計測工学のデスクの隣が実験場所でしたので，思いつい研究室に所属することになり，現在は教員 3 人

たらまずやってみる，でした．また，学生が実の体制で活動しています．また，昨年度まで 2

験するときも，その状況を常に見ることになり年間の契約で，企業から 1 名の若手客員研究員

ましたので，狭くはありましたが研究を推進すが大気圧プラズマ関係の勉強をするために来てる上ではよい環境であったと思います．ただ，頂いておりました．産業界からこられた若手の来客の時や非公開マターを扱うときは多少問題方が研究室にいるということは，先輩がいないでしたので，昨年度，主任を仰せつかるに当た研究室の兄貴分として，その活性化に大きな寄り教授室を頂きました．

与をして頂きました．

液体が関与するプラズマについては，前々任

図 2. 実験室の様子．(a) 作業系, (b) ジェット系, (c) 概観, (d) 液プラ系, (e) FTIR

15

地の京都大学にて橘教授の下で少し着手しておっておりました新学術領域研究における「プラりましたが，前任地の名古屋大学（名大）にてズマナノ界面」，並びに，高井先生，齋藤先生か

高井治教授，齋藤永広教授の下で本格的に勉強ら頂いた「SP の大容量対応」でした．元祖 SP

させて頂き，そのときの経験がベースになっては，液体中で対向させた電極間の微小ギャップ

います．実験装置は，大面積を専有する減圧プ

でグロー状の放電をさせるものでした [4]．しかラズマ装置と比較すると，机上で実験できるほし，液体容量に対してプラズマが小さいため（図どコンパクトですので，狭い環境でも有意義な3(a)），高井・齋藤研究室の中でも「線香花火」

研究を実施することができたと思います．

と揶揄することもあり，大容量対応が課題の一

コンパクトとはいうものの，電源，オシロス

つでした．

コープ，電圧・電流プローブ，分光器，高感度

この課題をクリアするために研究室で編み出検出器等を揃えるためには，それなりにお金がされた方法が，連続多孔質誘電体に気液混合媒必要でした．幸いにも高井教授，齋藤教授の質を流してパルス電圧を印加する，という「三CREST，白谷教授の新学術領域研究，数社との次元集積化マイクロ SP（図 3(b)）」でした．名共同研究のお陰で，基本的な実験が出来る環境

前は格好良いですが，要するに「軽石プラズマ」

を整えることができました．関係各位には，心です．

より感謝致します．

この方法を編み出すきっかけとなったのは，
リサイクルショップで妻が見つけてきた軽石で

4. 研究課題

した．この軽石は柱骨内部のような構造をして着任直後の研究課題は，既に名大時代に始まおり，中に流体を流すことができました．ガラ
ス管にこの軽石を入れて Ar と水を流し，中心とガラス外壁の間にパルス電圧を印加して見事に放電した夜のことは忘れられません．
しかし，Ar を入れているのに，発光スペクト

(a)

3 cm

(b)

ルには N2 のスペクトルしか観測されませんで3 cm

した．結構な数の独立した N2 を含む空孔が製造時に含まれており，それらが放電していたのです．意図していなかった事態に「どないしよ～」と悩んでいたとき，学生の一人が，空孔連結の最大長よりも薄くしてやればトポロジカルに端から端まで連結すると考え，薄く削りました（図3(c)）．これが大成功し，導入した Ar の発光ス
ペクトルがようやく観測できるようになりまし(c)

た[5]．これができなかったら胃に穴が開く思い
で新学術の報告書を書いていたことでしょう．

図 3. (a) 元祖 SP，(b) 三次元集積化マイクロ SP，(c) 三次元集積化マイクロ SP 用の多孔質誘電体被覆電極（1/4インチのステンレスチューブ）．来客の方より「きりたんぽみたいやなぁ」の一言．
．
．

SP の反応解析では，商用ソルバーCOMSOL
を用いており，液面上のプラズマ気相反応や液16面直下の電気化学的な現象を研究しています．

期待しています．今後ともどうぞよろしくお願

また，名大で SP に携わっていたころから，いします．

歯科治療用 Er:YAG レーザで SP が生成された研究推進に携わってくれた研究室のメンバー

りしませんか，という問い合わせを頂き，そち全員に感謝するとともに，研究推進に協力してらの方も着手しています．滅菌効果があること頂いている学内外の先生方，企業の方々，そしは歯医者さんとの共同で見いだせているのですて絶妙な軽石を見つけてくれた妻に深く感謝致が，残念ながら，まだ明確なプラズマ生成は確します．

認されていません．やはり波長 3 μm の光ではプラズマの生成はどう頑張っても無理なのでし

参考文献

ょうか．しかし，こうしたチャレンジングな課[1] 平井平八郎, 犬石嘉雄, 成田賢二, 安藤慶一, 家田
正之, 浜川圭弘 編: 大学課程電気電子材料 (オーム社, 1969).

題にも興味を持って取り組んでくれた学生に感謝したいと思います．最近では，他学科である[2] K. Ando, M. Aozasa, and R. G. Pyon: Appl. Phys. Lett.
44, 413 (1984).

化学バイオの先生から連携のお誘いを頂き，遅[3] I. Katsumata and M. Okazaki: Jpn. J. Appl. Phys. 6, 123(1967).

ればせながらプラズマバイオ応用にも着手しつつあります．

[4] 齋藤永宏, 稗田純子, C. Milon, 高井治: 表面技術,
58, 810 (2007).
[5] T. Shirafuji and Y. Himeno: Jpn. J. Appl. Phys. 52,
11NE03 (2013).

5. 最後に
大阪市大に着任し，早くも 3 年が経ちました．
固体と違い，ダイナミックに変化する液体表面と接するプラズマによる材料プロセスは，産業的にも学問的にも新たな領域を拓くのでは，と

17

研究紹介

レーザー干渉計を用いた高気圧非平衡プラズマ診断
日本学術振興会特別研究員（PD）
東京大学 物質系専攻 寺嶋研究室
１．はじめに

占部 継一郎高気圧プラズマ計測の場合には，一般的に低気圧

レーザー光もしくは電磁波をプローブとする干の場合より適切なプローブ光（電磁波）の周波数

渉計は，プラズマ電子密度計測手法として，低気が大きく（波長が短く）なる[3,4]．また，電子密圧プロセスプラズマにはマイクロ波，核融合プラ度分解能も合わせて考慮すると，干渉計のプロー

ズマには遠赤外レーザーなど，様々な光源を用いブ光（電磁波）は測定対象のプラズマ源に対し，て幅広く活用されてきた[1]．本記事では，近年プ①～③の条件を満たしつつ，かつその範囲で波長

ラズマエレクトロニクス分野で研究の進展が著しができるだけ長いことが望ましい．そのため，大い高気圧非平衡プラズマ源に対し，レーザー干渉

気圧プラズマ研究では波長 10.6 μm の炭酸ガス計を用いた電子密度計測を行う際に必要となる理（CO2 ）レーザー干渉計が主に用いられてきた論的検討や実際の計測例，課題を紹介する．

[5-7]．さらに，大気雰囲気より高密度な媒質条件
下（液体や超臨界流体）での計測において式(1)２．プラズマ電子密度のレーザー干渉計測を用いるには，より波長が短い近赤外領域のレー

プラズマ中の電子密度をレーザー干渉計を用いザー光源が必要であり，筆者が所属する寺嶋研究て計測する場合，測定されるプローブ光（電磁波）室では超臨界流体プラズマを含む高気圧非平衡プのプラズマ発生による位相変化 Δθ と，プラズマ

ラズマ中の電子密度計測を目的とした近赤外半導

屈折率 Np，電子密度 ne との関係式

体レーザー干渉計の開発を進めている[8]．

Δ 



e

N  1dl  
n dl ······· (1)c
4 m c 

干渉計の位相変化検出手法にも様々な形式があ

2

p

2

0

e

り，光路はマイケルソン型かマッハ・ツェンダーeにより電子密度を比較的簡便に計算できる[1,2]．

型か，位相検波はホモダインかヘテロダインか，

式(1)を利用するには，測定対象のプラズマ源が以各々の条件に合わせて最適な手法を選択する必要

下の３条件を満たさなければならない．

がある．筆者は，これまでマッハ・ツェンダー光① 屈折率変化の空間スケールがプローブ光（電磁学系と音響光学変調器（AOM）を用いたレーザー波）の波長よりも十分大きい（WKB 近似）

ヘテロダイン干渉計を一貫して利用し，光源には② 電子プラズマ角周波数がプローブ光（電磁波）CO2 レーザーと半導体レーザーを用いてきた．

の角周波数よりも十分小さい［ωpe2 ≪ (2πf )2］

図 1 に CO2 レーザーヘテロダイン干渉計の装置③ 電子衝突周波数がプローブ光（電磁波）の角周構成を示す．この装置では，参照光とプローブ光の重ね合わせにより AOM でのレーザー周波数変波数よりも十分小さい［νm2 ≪ (2πf )2]
ここで，②と③はプローブ光（電磁波）の角周波化分のビート（40 MHz）が発生し，このビート数（2πf ）と各プラズマパラメータとの比較であ信号と AOM ドライバから得られる参照信号間のる点に留意する必要がある．
これらの条件により，位相差をロックインアンプで計測する．これによ18

赤外ディテクタ

ロックインアンプ
AOM RF ドライバ

方向性
結合器

10
600

8

400

6

-400
プラズマ源

2

0
-200

ハーフ
ミラー

4

200

0
（電子密度） ele

信号遅延

-800
-1000

図１：CO2 レーザー干渉計の装置構成 [6,7]

-1.0

-0.5

（ガス密度）

傾
き
の
変
化

-600

ZnSe
レンズ

-2

gas

0.0

0.5

-4
-6
-8
-10

1.0

1.5

2.0

-12

位相変化  (degree)

印加電圧 (V)

音響光学
変調器

ミラー

時間 (s)り，プラズマ発生によるプローブ光位相変化をロ

図２：大気圧短パルス放電計測時に近赤外半導体

ックイン測定が可能な AOM ドライバ周波数の信レーザーヘテロダイン干渉計で検出された位相変

号の位相変化として検出する，ヘテロダイン検波化と電子・ガス密度成分の分離 [8]を行っている．ロックインアンプから出力される位相差の時間変化と式(1)より，電子密度のプロー法で２種の現象による屈折率変化分を分離する必

ブレーザー光路上の線積分値を算出できる．
また，

要がある．

測定対象のプラズマの空間的構造が軸対称であれ

これまでに報告されているレーザー干渉計を用ば，測定点のスキャンで得られる電子の線密度分

いた高気圧プラズマ診断研究では，電子密度変化

布を逆アーベル変換し電子密度の２次元構造を再（高速）とガス密度変化（低速）の２現象の時定現できる[5,6] が，構造が複雑かつ不明な場合は干数の差を利用した放電開始時での信号分離が主流

渉計単独で電子密度分布を得ることは難しい．

であり[5-8]，図２に位相変化波形と分離結果の一例を示す[8]．これはメインの放電が 50 ns という

３．高気圧非平衡プラズマへの応用

短時間で終了するパルス放電の計測結果であり，レーザー干渉計を高気圧熱非平衡プラズマ計測

放電開始後 200 ns（信号遅延）で位相変化が始まに応用する場合には，前頁①～③の条件に加え，り，約 100 ns 後傾きが小さくなる．この傾きの変プラズマ内と周囲のガス密度変化 Δng に伴う屈折化が位相変化成分分離の鍵になっており，放電開率変化 ΔNg [9] に対応する必要がある．

始後 100 ns でガス密度減少は減速・終了しないた

B  Δn
ΔN g  A1  2  g ················ (2)   ng0

め[10]，ここまでの位相変化の傾き増加分が電子

ここで，A と B はガス種毎の定数，ng0 は標準状態考えられる．この電子密度発生による位相変化のガス密度である．低圧ガス媒質中のプラズマでΔθele と式(1)から，プラズマ中の電子密度 ne はは，ガス密度が小さいため，プラズマ生成の前後

5×1016 cm−3 と算出された．

発生によるプローブ光位相変化分を表しているとでガス温度が大きく変化する場合でもガス媒質そ

図２を例として議論した位相変化の電子・ガスのものの屈折率は殆ど変化しない．しかし，高気密度成分の分離はレーザー干渉計を用いた高気圧

圧プラズマでは，放電開始時のガス温度上昇によプラズマ診断における重要なポイントであり，正りガス密度が大きく減少し，媒質の屈折率が減少

確かつ簡便な分離法の確立が求められる．本研究する．この屈折率変化の向きは電子密度増加によ紹介にて説明したヘテロダイン干渉計よりも直接る屈折率変化［式(1)］と同じであり，何らかの方的な分離が可能となる手法として，現在までに２19波長干渉計[11] や位相変調 2 倍高調波干渉計[12]の結びとさせていただきます．

という屈折率の分散を利用した計測が試みられており，今後の研究開発によって干渉計の電子密度

参考文献

計測能力のさらなる向上が期待される．

[1] プラズマ・核融合学会 編; “プラズマ診断の基礎と応用” ,（コロナ社, 2006 年）[2] I. H. Hutchinson 著; “Principles of Plasma

４．おわりにDiagnostics, Second Edition” ,（Cambridge Univ.

本記事では，高気圧非平衡プラズマ中の電子密度をレーザー干渉計で計測する際に留意すべき適

Press, 2002 年）

切なプローブ光波長選択の指針や，実際の計測例[3] 日本学術振興会プラズマ材料科学第 153 委員などについて紹介した．筆者は，光源や位相変化

会 編; “大気圧プラズマ 基礎と応用” （, オーム社，の検波方式の工夫を重ねることにより，レーザー

2009 年）

干渉計の電子密度・時間・空間分解能のさらなる[4] K. H. Becker, U. Kogelschatz, K. H.

向上が可能であると考え，現在も研究開発を進め

Schoenbach, and R. J. Barker 編 ; “Non-ている．本記事の読者の皆様が，高気圧プラズマ

Equilibrium Air Plasmas at Atmospheric

電子密度計測法の選択肢の１つとしてレーザー干

Pressure” ,（IOP Publishing, 2005 年）

渉計に興味を抱き，高気圧プラズマ診断に幅広く[5] F. Leipold, R. H. Stark, A. El-Habachi, and

利用されるとともに，干渉計の性能にも発展がも

K. H. Schoenbach; J. Phys. D, 33 (2000) 2268.

たらされることを心より期待している．

[6] J.-Y. Choi, N. Takano, K. Urabe, and K.
Tachibana; Plasma Sources Sci. Technol., 18(2009) 035013.

謝辞[7] K. Urabe, O. Sakai, and K. Tachibana; J.

本記事にて紹介させて頂いた研究内容は，京都大学 橘 邦英 名誉教授（現 大阪電気通信大学），

Phys. D, 44 (2011) 115203.

同 酒井 道 准教授，東京大学 寺嶋 和夫 教授の[8] K. Urabe, H. Muneoka, S. Stauss, and K.

指導の下で，京都大学プラズマ物性工学研究室のTerashima; Appl. Phys. Express, 6 (2013)

高野 信彦 博士，崔 埈榮 博士，東京大学寺嶋研

126101.

究室の Stauss Sven 助教，宗岡 均 氏らと共に遂[9] C. W. Allen 著; “Astrophysical Quantities” ,行して参りました．位相変調 2 倍高調波干渉計に（The Athlon Press, 1973 年）

関する研究は核融合科学研究所の秋山 毅志 准教[10] F. Tholin and A. Bourdon; J. Phys. D, 46

授との共同研究によるものです．また，各研究内(2013) 365205.

容は科研費補助金（日本学術振興会，文部科学省）[11] F. Adler and E. Kindel; “Proc. XXXVI Int.

の助成を受けて行いました．京都大学在籍時よりConf. on Phenomena in Ionized Gases” ,応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会の（Greifswald，Germany，2003 年）

諸先生方や学生の皆様には大変お世話になり，議[12] K. Urabe, T. Akiyama, and K. Terashima; J.

論・交流を通じ刺激を受け，自分の成長の原動力

Phys. D, 47 (2014) accepted.

になったと感じております．関係する皆様にこの場をお借りして深く感謝申し上げるとともに，今後の変わらぬご指導ご鞭撻をお願いし，研究紹介20Plasma chemistry projects at the International Center for Advanced Materials Processing at the
University of Texas at Dallas
I.C. Estrada-Raygoza, P.L.S. Thamban, D. Ogawa, G. Padron Wells, L. J. Overzet and M. J. Goeckner,
University of Texas at Dallas
800 W Campbell Rd, Richardson, TX 75080

Introduction

In the following paper we will focus only on
the work done with Chloro-p-xylene (ClpX)
plasmas. Chloro-p-xylene is a precursor to
produce plasma Parylene C polymer films.
The first section will discuss the propertiesof plasma polymers in general and thencontrast with those of Plasma Assisted
Chemical Vapor deposited (PACVD)
Parylene C. In the second section we will
discuss the use of FTIR, OES and OES
e-beam for the characterization of ClpX
plasmas.

In recent years, the field of plasma
chemistry has emerged because of multiple
technological applications on several fields,
especially in the medical area. There areseveral applications such as surface
modification of both organic and inorganic
films and of course the production ofplasma polymers [1-7].
The International Center for Advanced
Materials Processing at the University ofTexas at Dallas has projects in several areas
which include semiconductor processing,advanced biomaterials and bio-devices, aswell as diagnostics for processing tools. The
research in our center focuses on making
use
of
both
experimental
andcomputational simulations to gain better
understanding of interactions of the gas
phase species in plasma (plasma chemistry)
and the surfaces they interact with (walls,
films). The experimental techniques that we
primarily use for plasma chemistry studies
are in situ Fourier Transform Spectroscopy(FTIR), optical emission spectroscopy (OES)
and a novel OES e-beam tool [8-15].

Plasma polymers
The deposition of plasma polymers has beenreported since the 19th century [1]. However, it
was not until the last fifty years that plasma
polymers have been studied more intensively
because of their applications as a dielectric filmin the microelectronic industry and also as a
biocompatible layer for medical devices[1-4,16-19].
Plasma polymers have some advantages overtraditional
polymers.
The
plasmapolymerization technique is able to produce
coatings that are pinhole free, conformable andstrongly adhered to a wide variety of substrates.
However, some of the disadvantages is the lossof the original functionality of the film and also
21the degradation of film properties due to thereaction of multiple radicals in the film with thesurrounding environment [1,2,4]. Figure 1
illustrates the structural differences between
conventional (a) and plasma (b) polymers.
Conventional CVD polymer are regular and witha high molecular weight while plasma polymers
present cross-linked structures as well as someloss of the original chemical functionality
groups.

applications such as selective area deposition of
the polymer.

Ion bombardmenta)

Silicon coverSampleFig. 2 Ion enhanced deposition of plasma Parylene C.
b)

Another unique property of plasma parylene C
is that molecular weight and X-Ray diffraction
can be measured. To the best of our knowledge,
no other plasma polymer has reported suchmeasurements.
The
molecular
weightmeasurements for plasma parylene C indicatedthat the average number of monomer units
being linked per chain length is between 7 and
198 units, depending of the plasma conditions.
This number is very small when compared to
CVD parylene C which corresponds to 200-400
units per chain length. Plasma polymerization
environments are more reactive due to thehigher amount of radicals that can terminate
the polymerization of the polymer. In Figure 3
we show the X-Ray diffraction pattern for two
different conditions of plasma parylene C
contrasted with those of the conventional CVD
polymer. CVD parylene C presents thecharacteristic bands for  phase (14, 20
degrees) and  phase (36 degrees) according to
the JCPDS card number 21-1832. PACVD
parylene C polymer presents different ratios of and  phase depending of the plasma
conditions used for deposition.

Fig. 1 a) Structure of conventional CVD parylene C
polymer. b) Examples of structures for high and low
power plasma polymers.

Our group decided to produce plasma parylene
C because conventional CVD parylene C
presents excellent properties as a barrier tohumidity and reactive gases. Also is ranked
among the highest biocompatible materials
according to the USP (United States
Pharmacopeia)[20-26].
Plasma parylene C is a polymer which presents
unique properties such as a degree ofcrystallinity and ion enhanced polymerization.
In Figure 2 we show a diagram of an experiment
done to evaluate the effect of ion
bombardment on film growth. As can be seen,
only the areas exposed to ion bombardment
deposited a film. This could allow technological22Plasma polymers have been extensively studied
due multiple biomedical applications, but westill are far away from understanding theorganic plasmas that produce them [1,2]. Oneof the main reasons could be that the structureof organic molecules and their decomposition
pathways are more complicated than inorganic
molecules.

Fig. 3 X-Ray diffraction for PACVD parylene C, 7.5
mtorr a)2W and b) 100 W and finally c) CVD ParyleneC.

Our group studied the chloro-p-xylene(ClpX)
discharge in order to understand the effect ofClpX plasma chemistry on film growth. We
measured with in situ FTIR the densities of thespecies in the plasma and were able to relate
the partial pressure of the monomer on theplasma with the type of film obtained. The
phase diagram is shown in Figure 4.

Fig. 5 Diagram of OES e-beam system.

P.L.S. Thamban et al. [14] at UT Dallas
developed a novel OES e-beam diagnostic toolthat can withstand heavy deposition on theelectrodes while measuring electron excitation
cross sections for dissociated products from anorganic discharge. The experimental set up is
shown in Figure 5. The e-beam system is
attached to the exhaust line of the reactor withthe ultimate goal of calculating absolutedensities of excited species in the plasma byusing the following relations:I ( )  n g K D ( )  Q  ( )f e( )4 2 d0

I ( )  [k D ( )Q ( )]n g ne ve
I ( )  C ( )n g ne ve  C ( )n g e
Where ng, KD(), Q, ,fe, C, ne, ve and e are thegas density, detector response, emission
quantum yield, energy dependent cross section
for emission, electron energy distributionfunction, proportionality constant, electron
density, electron drift velocity and electron flux,
respectively.

Fig. 4 Phase diagram relating the partial pressure ofmonomer on the plasma discharge and the type offilm obtained.

Characterization of organic plasmas

23

The OES e-beam has the possibility todetermine the cross section and/or density of
species in the reactor. Thus, by maintaining
constant energy of the electron beam whilemeasuring the electron flux on the electrodes,
we can find the relationship of signal intensitywith the concentration of excited species on theplasma. Our experiments did not allow us tomeasure absolute densities, but we could
observe a relationship between the emission
intensities and the power supplied to the main
plasma reactor (GEC) as seen in Figure 6. Notethat HCl+ shows a different behavior from theother species.

Fig. 7 Diagram of GEC reactor used for FTIR
spectroscopy studies.

Deposition systems
Another interesting system that can be used fordeposition of organic films is shown in Figure 8.
The system was developed by Ogawa et al [27].
It uses a liquid injector that allows the injectionof droplets directly into low pressure plasmas.
The plasma is formed by a capacitive coupling rf
power. We have formed films with different
monomers and research is ongoing to evaluate
the quality of such films.

Fig. 6 Optical emission intensity from the ebeam
source using a constant extractor energy of 190 V.

Another characterization tool for organic
plasmas is in situ FTIR. The system used in ourstudy is shown in Figure7. FTIR spectroscopy is anoninvasive technique that allows thequantitative detection of dissociation productsof the discharge. Our system is a single passinfrared beam that travels across the reactor
towards a Mercury-Cadmium-Telluride (MCT) IR
detector. Figure 4 ClpX densities were
measured using FTIR spectroscopy.

Fig. 8 Diagram of liquid injector apparatus. Taken
from [27].

DISCUSSION
The International Center for Advanced
Materials Processing at the University of Texas
at Dallas has many research interests. However,in this paper we focused on work that has been24done with the plasma chemistry of ClpX
monomer to produce PACVD parylene C. Ourgroup is starting to evaluate organic plasmas
using more complex reactor systems such as
monomer liquid injection. We expect plasma
polymerization to be more widely studied due
its application to produce high quality plasma
polymers for the biomedical field.

[12] E.A. Joseph, B. Zhou, S.P. Sant, L.J.
Overzet, M.J. Goeckner, J. Vac. Sci. Technol.
A 22, 689 (2004).
[13] C.T. Nelson, S.P. Sant, L.J. Overzet, M.J.
Goeckner, Plasma Sources Sci. Technol. 16,
813 (2007).
[14] P.L.S. Thamban, J. Hosch, M.J. Goeckner,
Rev. Sci. Instrum. 81, 013502 (2010).
[15] G. Padron Wells, I. C. Estrada-Raygoza,
P.L.S. Thamban, C. T. Nelson, Chin-Wook
Chung, L. J. Overzet and M. J. Goeckner,
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[27] D. Ogawa, I. Saraf, A. Sra, R. Timmons, M.
Goeckner, L. Overzet, J. Vac. Sci. Technol. A,
27, 342 (2009).

ACKNOWLEDGEMENTS
We want to acknowledge the economic supportof CONACYT-UT Dallas scholarship 303255 and
NSF Grant CBET- 0922962.
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Imperial College Press (2004).
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Jindal, M.J Goeckner, Colloids and Surfaces
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[10] E.A. Joseph, B.S. Zhou, S.P. Sant, L.J.
Overzet, M.J. Goeckner, J. Vac. Sci. Technol.
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[11] B. Zhou, E.A. Joseph, S.P. Sant, Y. Liu, A.
Radhakrishnan, L.J. Overzet, M.J. Goeckner,
J. Vac. Sci. Technol. A 23, 1657 (2005).
25

学生のためのページすぐに役立つプラズマエレクトロニクス

放電基礎過程のシミュレーション
室蘭工業大学大学院工学研究科

佐藤 孝紀

f
f
f  f 
 v
α 
 
t
r
v  t  coll

１．はじめに気体放電の産業応用において、放電の性質が作製(1)

ため、放電の性質を把握し、用途にあわせて放電 f 
ここで、は加速度、   は衝突項を表わす。
 t  coll

を適切に制御することが重要である。このため、電子輸送係数は分布関数 f (r, v)を用いて記述され放電中に存在する各粒子のふるまいを明らかにるので、(1)式を解いて f (r, v)を求めることで電子することが必要となる。

輸送係数の算出が可能となる。一様電界下の気体

気体放電を微視的に見ると、相互に衝突を繰り返中の電子輸送係数を計算するツールとして知ら

す多数の電子、中性気体分子、イオン、励起種、

れ て い る BOLSIG[4] は 、 分 布 関 数 f (r, v) を光子などで成り立っている。なかでも電子は、移Legendre 級数で表わすとともに、その第 2 項目ま動度が大きく電荷輸送の主体であるとともに、電でを考慮した”2 項近似 Boltzmann 方程式解析”を界によって加速されて高エネルギーになりやす用いたものである。比較的安定に電子輸送係数がく、気体分子と衝突することによって、放電の産得られ、また、計算時間もきわめて短い。しかし、

業応用で重要な役割を担う励起種、解離種、イオ

電子エネルギー分布の非等方性が大きくなる場

ンなどを生成する主役を演じている。したがって、合（例えば、弾性衝突よりも非弾性衝突が多くな

気体放電の性質を明らかにするうえで、電界が印る場合）においては、必ずしも正しい電子輸送係

加された気体中の電子スオーム（群）の特性（放数を得られるとは限らないことも知られている。

電基礎過程）を理解することが重要である。

ここでは、近年の放電シミュレーション技術の向電子スオームの特性は、電子輸送係数（スオーム

上・高精度化にともない、使用される電子輸送係

パラメータ）によって記述される。また、これを数にも精度が求められていることに鑑み、現段階用いて放電の予測および解析が可能となるととにおいて電子輸送係数の計算を最も正確に行う

もに、電界、気体分子数密度と並んで放電中の電ことができるモンテカルロシミュレーションに子のふるまいを決定する要素の一つである電子

ついて述べる。

される素子や機器の性質に大きな影響を及ぼす

衝突断面積の導出[1-3]も可能となる。したがって、定義に基づいて電子輸送係数を正しく算出す

２．モンテカルロ法による電子輸送解析の小史

る、あるいは測定することが重要である。

モンテカルロ法による電子輸送解析は Yarnold に

電子スオームのふるまいは、位置 r(x, y, z)および

よって 1945 年にはじめて行われた[5]。電界下に速度 v(vx, vy, vz)の 6 つの次元をもつ電子速度分布

ある完全剛体球モデルガス中を移動する電子にf (r, v)の変化を表す Boltzmann 方程式によって記

対して乱数表を用いて計算を行ない、速度分布が述される。

ドリュベスティン分布とならないことを指摘している。Itoh and Musha[6]は 1960 年に電界下の電26

子運動をデジタル計算機を用いて計算した。He

10 Torr 程度とする。なお、温度および気圧の条件

ガス中の電子の運動を 1 個の電子の運動によっては他の 2 つの方法においても同様である。陰極に代表し、その時間平均から電子ドリフト速度など

連続的に紫外線を照射して初期電子を定常的にを算出している。1962 年に Thomas and Thomas[7]供給し、ギャップ間に電子の定常流をつくる。こは、電離衝突により電子増倍を伴う場合には、電のとき外部回路に流れる電流 I(d) を電流計で測子スオーム中の全電子を追跡する必要があるこ定する。このとき、ギャップ間の電離電流 I(d) はとを示し、1977 年に Sakai et al.[8]は、電離による(2)式で表わされる。

I (d )  I 0 exp(d )電子増倍がある場合には、スオームの観測方法の(2)違いによって電子ドリフト速度の値が異なるこ

ここで、I0 は陰極に供給される初期電子電流、とを示している。その後、モンテカルロシミュレ

はタウンゼントの第一電離係数、d はギャップ長ーションを用いた電子輸送解析に関する報告がである。また、電離増倍によって生じる正イオン

多くなされているが、シミュレーションの原型はが陰極に衝突し電子を発生させる二次電離作用

Sakai et al.の報告の時点でほぼ確立されたといえも考慮すると、I(d)は(3)式で表される。ここで、る。

i は正イオンによる二次電子放出係数である。

I (d ) 

３．電子スオームの観測方法

I 0 exp(d )1   i exp(d )  1(3)

電子スオームの特徴を表す電子輸送係数は、観測すべき対象となる物理量がたとえ同じであって

3.2 パルスタウンゼント法 (Pulsed Townsend: PT)

も、スオームの観測（実験）方法によってその値

図 2 ように、平行平板ギャップに直流電圧を印加が異なることがある。特に、電子ドリフト速度は、した状態で、陰極に紫外線フラッシュを照射して電離あるいは電子付着によって電子数が非保存

孤立した電子スオームを発生させる。このとき、となる場合に、観測方法の違いによって一般に異外部回路に接続された無誘導抵抗の両端の電圧なる値となるため、電子スオームの観測方法をしをストレージ型オシロスコープで測定し、流れる

っかりと把握しておく必要がある。ここでは、電電流の時間変化を得る。このときの電離電流 I(t)子スオームの代表的な 3 種類の観測方法については次のように表わされる。

述べる。

I (t )  I 0 exp( Ri t )3.1 定常タウンゼント法 (Steady State Townsend :ここで、Ri は電離周波数、および I0 は初期電子電

SST)

流である。

(4)

図 1 のような回路において、平行平板ギャップに直流電圧を印加する。温度は室温、気圧は 0.1～

C

UV(連続)C

UV(ﾌﾗｯｼｭ)AARA
図 2 PT 実験回路

図 l SST 実験回路

27

3.3 タイムオブフライト法 (Time of Flight : TOF)

・ 電子の飛行する放電空間内の環境を自由にPT 法と同様に、平行平板ギャップの陰極に紫外設定することが可能であるので、電極等の境

線フラッシュなどを照射して初期電子を発生さ界条件の設定が容易である。

せ、それが形成する孤立した電子スオームの電子・ ボルツマン方程式を用いた解析では、一般に、数密度を、電極問の位置と時刻の両方の関数、す6 次元位相空間で定義される速度分布を、ル

なわち、n(x, t)として観測する方法である。TOF

ジャンドル展開したときの第 2 項目あるいは法には、空間における位置 (スタートとゴール)

第 3 項目などで打ち切って計算する方法、すを定めてその空間を電子スオームが移動する時

なわち、2 項近似あるいは 3 項近似が用いら間に基づいて定義されるパラメータと、2 つの時れるが、モンテカルロシミュレーションでは

刻の間に電子スオームが移動する距離に基いてそのような近似を含まない。

定義されるパラメータがある。前者はタイムオブ・ ボルツマン方程式解析では解析が困難であフライトの定義にそのまま合致するが、後者はデる非平衡領域にも容易に適用できる。

ィ ス タ ンス オ ブフ ラ イト (Distance of Flight :・ 実験では測定が困難である量、あるいは直接

DOF) と呼ぶ方が適切であるが、現状では両者を測定できない量もサンプリングにより容易

併せて TOF 法と呼ばれている。

に得ることができる。
などの長所があり、電極等の境界を含む条件下で

４．モンテカルロ法によるシミュレーションの解析も含め、電子スオームの解析では、現段階

モンテカルロ法は、現象の素過程が確率現象であで定量的に最も正確な方法である。しかし、そのるものに対して、乱数を用いてその素過程をコン

反面、本質的にシミュレーション結果に統計変動

ピュータ内で表現するとともに、サンプリングにが含まれるため、それを抑制するためには電子数

よって情報を得る方法の総称である。電界が印加を多くする必要がある。このため、計算に要するされている気体中に電子群が注入されると、個々時間が非常に長くなるという欠点も持っている。

の電子は電界からエネルギーを得て電界と逆方

ここでは、電子スオームを構成する個々の電子の向に加速されるとともに、気体分子と衝突してエ運動をコンピュータ内に再現しながら追跡を行

ネルギーを失う（気体分子にエネルギーを移行さなう方法、および電子輸送係数の物理的意義とサせる）という過程を繰り返し、電子スオーム（群）ンプリング方法について述べる。

全体としては、拡散しながら電界と逆方向にドリ
フト（移動）していく。このような電子スオーム

4.1 モンテカルロ法による電子の運動の追跡中において、個々の電子と気体分子との衝突・散電界が印加された気体中を飛行する個々の電子乱という過程は全くランダムな現象であり、確率の運動は、「飛行」、「衝突」および「散乱」とい的に取り扱うことが可能であるので、モンテカル

う３つの素過程で記述される。モンテカルロ法でロ法を適用することができる。

それをシミュレートするには以下の 5 つの計算・

モンテカルロ法を用いた電子スオームの解析で判定を行う。

は、(1) 飛行時間の決定 (衝突の判定)

・ ミクロな尺度から個々の電子を追跡してい(2) 飛行軌道の計算

るので、その運動を容易に知ることができる。
28(3) 衝突の種類の判定

(4) 衝突後の散乱方向の決定

間で電子が衝突する確率は、Pˆ (t ) とt の積で表さ(5) 衝突後のエネルギーおよび速度の決定れ、これは t = t + t までに衝突する確率 P(t + t)(1) 電子の飛行時間の決定と t = t までに衝突する確率 P(t)の差に等しいのでPˆ (t )t  Pt  t   P(t )電子が気体分子と衝突してから、次の衝突を起こすまでの時間を飛行時間または自由時間 という。

dP(t )
tdt(8)

飛行時間の決定すなわち衝突時刻の判定は、電子となる。よって、確率密度関数 Pˆ (t ) は(9)式となり、の追跡を正確に行なう上で最も重要である。

(7)式および(9)式を用いることで t = 0 ～ t で電時刻 t = 0 で運動を開始した電子が、時刻 t までに子が衝突する確率は(10)式で表わされる。

気体分子と衝突する確率を P(t)とすると、t = t +t までに衝突する確率 P(t+t)は、次のように表dP(t )Pˆ (t ) 
dt

わされる。

t

P(t  t )  P(t )  {1  P(t )} (t )t Pˆ ( )d  P(t )  P(0)(5)

0

ここで、 (t) = NqT(v)v(t)、N : 気体分子数密度
16

(9)



t

 1  exp{  (  )d}-3（=3.535×10 cm at 0 ℃ & 1 Torr）、qT( v ) : 速

(10)

0

さ v の電子に対する全衝突断面積である。(5)式のここで、(10)式は、t → ∞のとき 1 で規格化されて右辺第 2 項目は、t = t までは衝突せずに飛行し、いることがわかる。

次のt で衝突する確率を示しており

図 3 に示すように、Pˆ (t )t に比例するように [0, 1]

P(t  t )  P(t ){1  P(t )} (t ) tで一様に発生させた乱数の区間幅 dl を P(t )dt に対応させ（dl = Pˆ (t )dt ）、両辺を積分すると

(6)と書くことができる。ここで、t → 0 とすると



1  Pˆ (t )dt(11)

P(t  t )  P(t ) dP(t )となるので、(6)式を積分tdtとなる。ここで(11)式の右辺は、(10)式の右辺で表することで t = t までに電子が気体分子と衝突するされるので、

確率 P(t) は (7) 式で表すことができる。





0

t

P(t )  1  exp{  (  )d}0t

1  1  exp{  (  )d}
(7)

(12)

と書くことができ、対数をとると以下のようにな

次に、確率密度関数 Pˆ (t ) を導入すると、t ～(t + t)

る。



t

 ln(1  1 )   (  )d
0(13)

したがって、(13)式において一様乱数 ξl を発生させることによって左辺の値が決定され、この値と右辺の値が等しくなる t の値が電子の飛行時間となる。しかし、一般には()は必ずしも数式で表わされるとは限らないので、(13)式の右辺の積分を解いてを求めることは必ずしも可能ではな

図 3 確率密度関数と乱数の対応
29

い。そこで、適当な微小時間t ごとに(12)式右辺する方法について述べる。

の積分を数値的に求め、左辺の値と等しくなった

衝突直前の電子の運動エネルギーが  であり各時間をとする。その他、飛行時間を決定する方種の衝突が起こる場合を考える。このときの全衝法としては null collision 法があるが、これについ

突断面積 qT()は、
qT ()= qm()+ qex()+ qi()+ qa()ては文献[9]を参照頂きたい。

(16)と表される。ここで、(2) 電子の飛行軌道の計算

qm (ε ) : 運動量移行断面積

電子が衝突から衝突の間に電界 E(-E, 0, 0)から力qex(ε ) : 励起衝突断面積を受けて飛行するとき、その軌道は一般に放物線

qi (ε ) : 電離衝突断面積となる。衝突直後に速度 v’ (vx’, vy’, vz’)、位置 r’(x’,qa(ε ) : 電子付着衝突断面積y’, z’)の電子が秒間飛行し、次の衝突直前に速度である。また、運動量移行、励起、電離および電v (vx, vy, vz)、位置 r (x, y, z)となったとすると、速子付着衝突が起こる確率は、全衝突断面積に対す度および位置の各方向成分は以下のように表わる各衝突断面積の比で表され、これと[0, 1]間の一される。ただし e は電荷素量、m は電子の質量で様乱数2 の値を対応させることによって、衝突のある。

種類を決定する。図 4 は衝突判定の一例を示し、
v x  v x 'eEmvy  vy 'vz  vz 'eE 2
x  x' v x ' 2my  y ' v y 'z  z ' v z '

励起衝突と判定される場合である。









qm ( )
qT ( )

(14)









qex ( )qT ( )qi ( ) qa ( )qT ( ) qT ( )2
図 4 衝突の種類の判定(15)(4) 衝突後の散乱方向の決定
気体分子との衝突後の電子の散乱方向は微分断
面積によって決定できるが、微分断面積の報告は(3) 衝突の種類の判定少ない。ここでは、散乱方向が入射方向に依存し電子と気体分子との衝突は、衝突の前後で両者のない等方散乱について示す。

運動エネルギーの総和が変化しない弾性衝突と、(i) 電界方向と散乱方向がなす角電子の運動エネルギーの一部が気体分子の内部電子が衝突後に [,  + d] の方向に散乱される状態の変化(励起、電離、電子付着など)に使われ確率は、その方向の立体角の大きさに比例する。

る非弾性衝突に分類できる。それぞれの衝突の起半径 1 の球において、[,  + d] で決定される面

こり易やすさは、衝突時の電子のエネルギーによ

積を dS、球の表面積を S とすると、[,  + d]方って変化し、衝突断面積 q によって記述される。

向に散乱される確率は、

ここでは、電子と気体分子との衝突が起こったと

1
P( )d  sin  d
2

き、それがどの様な種類の衝突であるのかを判定
30

(17)

と表わされる。ここで、P()d の大きさと比例を失い、残存エネルギー'で新しい飛行を開始すするように、[0, 1] 間に一様に分布する乱数 3 のる。このとき次式が成り立つ。

' = - *微小区間を対応させ、その両辺を積分して整理す

さらに、衝突後の電子の速度 v’ およびその各方

ると(18)式が得られる。
cos = 1 – 23

向成分は次式で計算される。

(18)(ii) 散乱方向を電界と垂直面内に射影した角度

2e
mv x  v  cosv y  v  sin  cosv 

電界方向と垂直な方向に対し、電子のふるまいの対称性を考慮すると、はどの方向に対して等しい確率を有するので、 は一様乱数 4 を用いた

v z  v  sin  sin (19)式で得られる。

 = 24










（22）

電離衝突の場合には、衝突を引き起こした電子(19)（親電子 : scattered electron）と電離によって発生(5) 衝突後の電子の速度とエネルギーの決定した電子（子電子 : ejected electron）に残存エネル

速度 v (vx, vy, vz) の電子が、気体分子と衝突してギー'を乱数5 を用いて5 : ( 1 – 5 )に分配する。

とで決定される方向に散乱され、新しい速度

電子付着衝突の場合には、電子付着が起こった時

v’ (vx’, vy’, vz’) で飛行をスタートさせる。ここで点で電子が消滅するので、衝突後の追跡を行なう

は v と v’ の関係についえ述べる。

必要はない。

(i) 弾性衝突の場合
電子の速さは気体分子よりも十分に大きいので、

4.2 電子輸送係数とモンテカルロシミュレーションに

気体分子は静止していると仮定し、運動量保存則、おけるサンプリング方法

エネルギー保存則を考慮すると、衝突後の速度 v’(1) SST 実験の各方向成分は、以下のように表わされる。ここ

SST 実験では電子群の定常流を発生させて輸送係で、M は気体分子の質量である。

数を求めるが、シミュレーションにおいて定常流 (20)


を実現するのは、コンピュータの性能が高く記憶

2

ここで、v = vx + vy + vz である。また、衝突後

極を出発した電子スオームの後尾部、および、tの電子の運動エネルギー' は(21)式で求められる。

よりも後に出発した電子スオームの先頭部、の重

m
M
vx 
v cosmM
mMm
Mv y 
vy 
v sin cos
mM
mM
m
M
v z 
vz v sin sin mMmMv x 

2

 

2

2

1
2
2
2
m(v x  v y  v z )2

容量が増えた現在においても、必ずしも容易ではない。電極間のある微小領域において電子の定常流を微視的にみると、ある時刻 t に陰極を出発した孤立した電子スオームの中央部、t より前に陰ね合わせとして観測される。したがって、電極間(21)の微小領域において、そこを通過する孤立したス(ii) 非弾性衝突の場合

オームに含まれるすべての電子をサンプリング

非弾性衝突では、電子は持っていた運動エネルギ

することで、SST 実験と等価なサンプリンが可能ー から気体分子の内部状態を変化させる（励起、である。

電離など）ために必要なしきい値のエネルギー

空間中の微小領域 xi ～ xi + x（以後xi と記す）
31

に存在するスオーム中の電子の持つ物理量を とよ び (24) 式 に お い て j を Nqi (v j )v j お よ び

するとき、その平均値 <は次式で求められる。

Nqa (v j )v j と置き換えることでサンプリングされる。実効電離係数  (    ) は見かけ上の電離Ni  (x )  tj

  (xi ) 

i

j 1

j 1

式によっても求ことができる。

(23)

Ni

 t

係数であり、電子数 n のサンプリング結果から次

xi

xi

 

ここで、Ni は領域 xi 内を通過する電子の総数で

n(x)
d
ln
dx
n0

(27)

ここで n0 は初期電子数であるあり、txi はサンプリングされた１個の電子が微小領域xi 内に滞在する時間である。また、電子(2) PT 実験

が微小領域内で十分に多くサンプリングされる

PT 実験のシミュレーションでは全空間に存在す

場合には、次式でも SST 実験に即したサンプリン

る電子のもつ量(速度、エネルギーなど)の時刻 tk

グができる。

ごとの平均量を得ることができる。したがってサ  (xi ) 

N i



1
 j (xi )N i j 1

ンプリングされた量の平均値では時刻 tk の関数(24)となり、サンプリングされた量が tk に依存せず一

ここで、Ni’は領域xi 内でサンプリングされる総定になるところが平衡状態の値となる。

電子数であり通過電子数とは異なる。また、この電子の平均エネルギー  (t k ) 、電界方向の移動速度

方法では、xi 内における 1 つの電子のサンプリ

Wv (tk ) 、電離 Ri (tk ) および電子付着周波数 Ra (tk )ング回数が通常 10～20 回必要となる。

の平均値は、以下の式によりサンプリングされる。

SST サンプリングで得られる平均量 <(xi)>はここで Nk は時刻 tk における電子の総数である。

サ ン プ リ ン グ を 行 う 位 置 xi の 関 数 で あ り 、

N



1 k 1
 (t k ) m{v j (t k )}2
N k j 1 2

<(xi)>がxi に依存しなくなった部分の平均値

(28)

N

を SST パラメータの平衡値とする。



1 k
Wv (t k ) v j (t k ) cos j
N k j 1電子の平均運動エネルギー <>および電界方向の平均速度（拡散を考慮した速度）vd は、(23)あ1
Ri (t k ) Nk1
るいは(24)式において、それぞれj を mv j 2 およ
2

(29)

Nk

 Nq (v )v

j

(30)

1 k
Ra (t k ) 
Nq a (v j )v j
N k j 1

(31)

i

j

j 1
N



び v j cos j と置き換えることでサンプリングされる。電離係数および電子付着係数はそれぞれ(3) TOF 実験(25)および(26)式により求められる。

 (x i ) 

Ris (x i )vd (x i )(25) (x i ) 

Ras (x i )vd (x i )(26)

TOF 実験では、電子スオームの時空間的進展に関する輸送係数を得ることができる。ここでは、
電子スオームの重心のドリフト速度、平均到着時
間ドリフト速度および縦・横方向拡散係数につい

ここで、Ris および Ras は、それぞれ SST 実験で得て示す。

られる電離および電子付着周波数であり、(23)お(i) スオームの重心のドリフト速度
32

Wr



 t  n( x, t )dt
t ( x)  n( x, t )dt

Wr はスオームの重心の位置 x の移動速度とし0て定義され、次式で求められる。
Wr (t ) (36)d x(t )
dt

0

(32)

で表わされる。図 6(a)は各位置においてサンプリ

ここで x(t ) はスオームの重心の位置であり(33)式

ングした平均到着時間分布であり、(b)図は(a)図ので表わされる。

分布から求められた t を位置に対してプロットし










たものである。(b)図の直線の傾きの逆数から Wm x  n( x, t )dx   x  n( x, t )dx
x(t ) N (t )
 n( x, t )dxが得られる。

(33)n(x, t)は電子数密度、N(t)は時刻 t における全電子

n(x,t)xt3

数である。各時刻 tk における重心の位置 x(t k ) のx = x2 t2

サンプリングは(34)式にしたがって行なわれる。
x(t k ) 

t2

Nk



1
x j (t k )N k j 1(34)

t1

x = x1

t1

x1

x2

x3

t

(a)

図 5(a) は時間を定めて電子数密度をサンプリン(b)

グした例であり、図 5(b) は (a)図の各数密度分布

図 6 各位置における電子スオームの到着時間分

から x を求め、時刻に対してプロットしたもので

布と平均到着時間ある。(b)図の直線の傾きから Wr が得られる。
(iii) 縦方向拡散係数 DL、横方向拡散係数 DTtn(x,t)DL および DT は、スオームの実空間における縦x3x2

t = t3t = t2t = t1x1xx3方向（電界方向）および横方向（電界に垂直な向x2き）のそれぞれの方向に対する拡散を表現するパx1

ラメータである。これらは縦方向 Mx、横方向 Mr

t0

t1

(a)

t2

の位置分散（2 次モーメント）の傾きとして定義

t3

される。

(b)

図 5 各時刻における電子スオーム進展と重心のDL (t k ) 

1 d
 M x (t k )
2! dt

(37)

DT (t k ) 

1 d
 M r (t k )
2! dt

(38)

位置
(ii) 平均到着時間ドリフト速度 Wm

Mx および Mr のサンプリングは次式によって行な

Wm は(35)式のようにスオームの平均到着時間 t

われる。

から求められる。



N

Wm ( x ) 

dx



1

dt ( x )  dt ( x )  dx 


1 k
2
M x (t k ) x j (t k )  x (t k )N k j 1

(35)

N





1 k
2
2

x j (t k )  x (t k )N k j 1

ここで、
33

(39)

N



2   z j (t k )2

1 k y j (t k )M r (t k ) N k j 1

2

いて、電子と気体分子の相互作用からそのメカニズムを検討されるときの一助になれば幸いであ

(40)

る。

4.3 電子スオーム解析のモンテカルロシミュレ

参考文献ーションのフローチャート[1] M. Suzuki, T. Taniguchi, and H.Tagashira:

図 7 にモンテカルロシミュレーションのフローチ“Momentum transfer cross section of krypton deduced

ャートを示す。

from electron drift velocity data”, J. Phys. D, 22, 1848
(1989)[2] M. Kimura and Y. Nakamura: “Electron swarm
parameters in CF3I and a set of electron collision crosssections for the CF3I molecule”, J. Phys. D, 43,
145202 (2010)[3] S. Kawaguchi1, K. Satoh, and H. Itoh: “Electrontransport in CF3I and CF3I-N2 mixtures”, Eur. Phys. J.
D, 68, 100 (2014)[4] www.bolsig.laplas.univ-tlse.fr[5] G. D. Yarnold: “XXII. The energies of uniformly
accelerated particles in a gas”, Phil. Mag., 36, 185(1945)[6] T. Itoh and T. Musha: “Monte Carlo Calculationsof Motion of Electrons in Helium”, J. Phys. Soc.
Japan, 15, 1675 (1960)[7] R. W. L. Thomas, and W. R. L. Thomas: “Monte
Carlo simulation of electrical discharges in gases”, J.
Phys. B, 2, 562 (1962)[8] Y. Sakai, H. Tagashira, and S. Sakamoto: ”Thedevelopment of electron avalanches in argon at highE/N values. I. Monte Carlo simulation”, J. Phys. D, 10,1035 (1977)[9] H. R. Skullerud: ”The stochastic computer

図 7 MCS のフローチャート

simulation of ion motion in a gas subjected to a
constant electric field”, J. Phys. D, 1, 1567 (1968)

５．おわりに一様電界下における電子スオームふるまいを解析するためのモンテカルロシミュレーションについて述べてきた。様々な放電プラズマ応用にお34国際会議報告

9th EU-Japan Joint Symposium on Plasma Processing (JSPP2014)
第９回日欧プラズマプロセス共同シンポジウム
大阪大学工学研究科

浜口智志

両者の会議が合同で開催されたことは、それぞれ表記の会議（第 9 回日欧プラズマプロセス共同の参加者にとって、大変有益であった。

シンポジウム：JSPP2014）が、EU COST MP1101

さて、JSPP は、第一回が 2003 年 7 月にスト

Workshop on Atmospheric Plasma Processes

ックホルム大学で開催され、その後、東京（2004

and

on

年）、Podbanske（スロベニア、2005 年）、富士吉

Biomaterial Surfaces と併せて、去る 2014 年 1田（2006 年）、ベオグラード(セルビア、2007 年）、月 19 日（月）から 23 日（水）の 5 日間、スロベ

沖縄(2008 年）、Liblice（チェコ、2009 年）、奈良（2012

ニアの首都リュブリャナから、車で１時間ほどの年）と開催されて今日に至っている。例年参加者

距離にあるボヒンスカ・ビストリツァ（Bohinjska

数を 50-60 名程度に限り、参加者の間の議論や交Bistrica）の Bohinij Park Hotel で行われた。い

流を積極的に奨励している。今回は、COST ワー

ずれの会議の運営も、JSPP2014 の EU 側 Chair

クショップと重なったため、全体の出席者は多かの Uroš Cvelbar 教授（リュブリャナ大学）が行ったが、JSPS2014 の口頭発表 23 件、ポスターった。前半２１日までが JSPP2014、２２日から発表 14 件という比較的小規模な会議で、ホテル一日半が、COST ワークショップであった。

内ですべての食事を参加者全員で一緒に取るこ

JSPP2014 は、大気圧から低圧、非平衡から熱プともあり、科学的な議論はもとより、研究者間のラズマまでを含む幅広い低温（低電子温度）プラ

交流も大いに深まった。

Sourcesfor Functional

Coatings

ズマを対象にした会議であった。一方は、COST
ワークショップは、プラズマの医療応用をテーマに し た 会 議 で あ っ た 。 COST （ European
Cooperation in Science and Technology）とは、ヨーロッパで長年行われているヨーロッパ域内の研究者の交流助成プログラムであり、その中のMP1101 は、名称を「Biomedical Applications ofAtmospheric Pressure Plasma Technology」といい、その名の通り、プラズマ医療研究のヨーロッパ域内共同研究プロジェクトである。ダブリン・シティ大学の Miles Turner 教授が MP1101 のChair を 務め てい る。プ ラ ズマ 医療 研究 は、
JSPP2014 においても関心の高い研究分野であり、
35

図：JSPP2014 と COST workshop 合同会議の会場となった Bohinij Park Hotel。スロベニア有数のスキーリゾートだが、本会議が開催された 2013-2014 の冬は、観測始まって以来の暖冬で、会議中も、一切雪が降らず、暖かい日が続き、Proceedings 表紙にある一面の雪景色の写真がむなしい。世界的に有名なスロベニアのスキー・ブランド Elan の本社と工場は、この比較的近く。

開催報告

ICRP-8/SPP-31 開催報告
8th International Conference on Reactive Plasmas /31st Symposium on Plasma Processing
ICRP-8/SPP-31 組織委員長
九州大学

白谷正治

応用物理学会では International Conference

ション 2 件，
４つのワークショックで講演 72 件，

on Reactive Plasmas を主催してきています．こ

これら全てを合計すると 438 件の講演が行われまれまでに名古屋(1991)，横浜(1994)，奈良(1997)，

した．プラズマ医療・バイオ関連の講演が総講演

ハワイ(1997， GEC と合同会議)，フランス(2002，

数の 1/4 以上を占め，現在の研究潮流が色濃く現

ESCAMPIG と合同会議)，宮城県松島町(2006)，

れたものとなりました．また，プロセス分野で従

フランスで（2009, GEC と合同会議），計 7 回の来主流の低圧非平衡プラズマと大気圧熱平衡プラ

ICRP を成功裏に開催してきました。

ズマに加えて，大気圧非平衡プラズマ，水中放電

ICRP8 は，2014 年 2 月 3 日（月）から 7 日

プラズマ，ミスト含有プラズマ，超臨界プラズマ（金）までの日程で福岡国際会議場で開催いたし

等の多様なプラズマによるシーズとその応用展開ました．

が図られていることが目立ちました．総参加者数

皆様がよくご存じのように、プラズマは、多くは 632 名でした．国内開催にも関わらず韓国、台の産業を支える科学技術です。プラズマは、大規湾、中国、ロシア、アメリカ、ドイツ、フランス、

模集積回路製造の 70％の工程で駆使されるととポルトガル、チェコ、スロベニアなど世界 30 ヶもに、太陽電池、白色照明、ディスプレイ、燃料国から講演申し込みがあり，海外から 222 名もの電池、自動車・航空機および環境など多様な産業

参加者がありました．海外参加者の比率が高いこで必須のツールとして産業イノベーションを先導とは， ICRP8 が国際的に広く認知されているこ

しています。最近では医学、薬学、農学分野におとを示しています．各口頭講演会場，ポスター会

いても新しいプラズマ応用が世界的に勃興し、ラ場とも熱気のこもった講演と質疑が行われていま

イフイノベーションの革新的ツールとして期待さした．

れています。本国際会議では、最先端の反応性プ

堀先生（名古屋大学）のプレナリー講演では，ラズマに関する基礎と応用について、国内外の第プラズマエッチングにおける先駆的で極めてイン一線の研究者による講演、研究発表、討議を行いパクトの大きな日本の貢献を明示したのちに，広ました。これにより，この分野の一層の発展を期

範なプラズマ応用に関する展望が紹介されました．

するとともに，プラズマプロセスに係わる研究者

また，Kushner 先生(ミシガン大学) のプレナリーの国際的な連携を深めました．

講演では，直感的に分かりやすい動画や図面で，具体的には，プレナリー講演 2 件，招待講演 45

プラズマプロセスに関するシミュレーションの成件，一般講演口頭 60 件，ポスター講演 250 件，

果を示しながら，今後はこれまで以上に精緻なプに加えて，チュートリアル講演 6 件，ナイトセッ

ラズマ制御が必要となることを示されました．招36

引用頂ければ幸いです．
以上簡単にご紹介しましたように，ICRP8 は参加者数，講演数，会議の内容，収支の多角的観点から充実した内容となりました．
招待講演者を含め全ての参加者，組織委員・プ
ログラム委員・現地実行委員等の関連委員，さらには ICRP8 事務局の方々の貢献に心より感謝いたします. 特に，国際会議 3 役である実行委員長の豊田浩孝先生，プログラム委員長の金子俊郎先生，出版委員長の佐々木浩一先生には，プログラ
待講演や一般講演につきましては，紙面の関係上

ム掲載の公式行事だけで無く，海外招待講演者を紹介できません．詳細が分かる Proceedings USB

歓待する 2 次会等の非公式行事も含めて多大の御は若干残りがあります．必要な方は，白谷までご協力を頂きました．
次回の ICRP9 は， GEC と共催で 2015 年 10

連絡下さい．
バンケットは，2014 年 2 月 6 日（木）に，福月 12 日〜16 日まで米国の Hawaii Convention

岡 の 造 り 酒 屋 で あ る 博 多 百 年 蔵 (http://www.

Center で開催予定です．ICRP９の組織委員長は，

ishikura-shuzou.co.jp/)で開催されました．182

プラズマエレクトロニクス分科会幹事長の豊田浩

名もの参加者を得て大変盛況であした．上に写真

孝先生（名古屋大学）が努められます．日本からを入れておりますが勇壮な和太鼓の演奏(演奏者

300 人の参加者を得て，参加者数 800 人規模の国のうちの２名は九大准教授とその秘書)や鏡割り

際会議となることが期待されています．また，を行い，日本料理と飲み放題の日本酒に加えて，

GEC のサイトより会議場周辺のホテルを格安で海外の参加者には日本の文化も楽しんで頂けたと予約出来る予定です．多数の皆様方のご参加をお思います．博多百年蔵は少人数でも飲食できます

待ち申し上げております．また，このハワイ共催

ので，今回不参加の方も試されてはいかがでしょの成功のためにも今年の GEC に日本から多くのうか．

参加者があることが望まれます．この点も御協力

138 人以上の対象者から，ICRP Young Awardをお願い申し上げます．

の Gold medal が首都大学東京の白井直樹氏，最後になりましたが，学会は，さまざまな無償

Silver medal が，東京大学の宗岡均氏，韓国

ボランティア活動により支えられています．これSKKU の Kim Hay Bum 氏，名古屋大学の竹田圭により，会員の発表・意見交換の場が提供され，吾氏に授与されました．当然のことながら，審査

そこで育てられているわけです．委員としての活員の採点をもとに厳正な議論を行って受賞者を決動により人脈など得られることも多いものです．

定しております．

恩返しという気持ちで，委員等を打診されました

JJAP 特集号には 90 編の論文が投稿され，査読場合は，快く引き受けて積極的に貢献して頂けれが開始されております．特集号の各論文の被引用ば幸いです．
(ICRP8 組織委員長，九州大学 白谷 正治)

件数は，特集号の発刊承認や投稿料金割引と密接に関係しています．積極的にダウンロードして，
37

国際会議報告

6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its
Applications for Nitrides and Nanomaterials / 7th International
Conference on Plasma-Nano Technology & Science(ISPlasma2014 / IC-PLANTS2014)
名城大学 平松美根男
ISPlasma は、東海広域ナノテクものづくりク

一月前に本分科会主催の ICRP が開催されたこと

ラスター事業の一環として、当地域に国際競争力も影響してか、今回の参加者は 600 名程度であっを有する先進プラズマナノ科学研究拠点を形成た。海外からの参加は全体の 4 分の 1 で、台湾・するために 2009 年から毎年開催されている国際

韓国などのアジアを中心に、海外における本会議会議である。プラズマ分野で長い歴史と研究実績の知名度が徐々に高まりつつある。また発表件数を有する東海地域に国内外から優れた研究者がは全体で 327 件であり、それらの内、海外からの集い、先進プラズマ科学、窒化物半導体とナノ材

発表は、全体の 4 割強にあたる 136 件であった。

料への応用、産業界への技術移転の仕組み作りに関連する主な分野は以下の通りである。

ついて広く議論するとともに、最新の研究成果を(1) プラズマ科学：プラズマ源、先進プラズマ計

発表して分野を超えて活発に情報交換を行う場

測技術、モデリングとシミュレーション、エッとなっており、プラズマを中心とする異分野交流

チングプロセス、薄膜成膜プロセス、フレキシの国際会議として認知されつつある。

ブルエレクトロニクス、バイオ／医療用プラズ

一方、IC-PLANTS は、本邦唯一の産業応用プラ

マ、クリーンエネルギー用プラズマ、ナノテク

ズマセンターである名古屋大学工学研究科附属ノロジープラズマ

プラズマナノ工学研究センターの主催の国際会(2) 窒化物半導体：GaN および関連材料の結晶成議として 2008 年から毎年開催されており、半導長、窒化物 MBE 成長、評価技術、デバイスプロ

体プロセスからバイオ応用まで多様なプラズマ

セス、光デバイス、電子デバイス

プロセス技術と、プラズマの生成・計測・シミュ(3) ナノ材料：ナノカーボン材料、ポーラス材料、

レーションなど先進プラズマ科学に関して熱心

表面改質／表面機能化、コンポジット／傾斜機に議論が繰り広げられている。

能材料、ナノパーティクル／ナノワイア／ナノ2014 年からは、この２つの国際会議の合同シ

ロッド、エネルギー応用向けナノ材料

ンポジウムとなり、2014 年 3 月 2 日から 5 日間に(4) 産学官連携

わたり名城大学にて開催された。プラズマを中心

前回同様、本会議の前日にチュートリアルが実としてその応用分野の窒化物半導体やナノ材料施された。若手への基礎知識の供与というよりも、分野を１つの学会で議論できることから、数多く

異分野の理解を深め、分野間融合による新たな価国際会議がある中で、プラズマを中心とする異分値創造を目的としており、プラズマ科学・窒化物

野交流の国際会議として認知されつつあり、これ

半導体・ナノ材料の各々の分野で活躍する研究者

まで会議全体の参加者数は年々増加してきたが、やベテランにも有意義となるよう、基礎から最先

38

端の動向を含んだ講義が行われた。海外からの参合 政 策 科 学 研 究 科 の 山 口 教 授 に よ る "Why Has

加者・第一線で活躍する研究者も多く聴講していJapan Lost International competitiveness?

たのは特徴的であった。チュートリアル講師は以-Effects of Small Business Innovation Research

下の通りである。プラズマ科学：ルール大ボッフ

Programs

ム校・Czarnetzki 教授（ドイツ）および静岡大学・

Industries" と 題 し た 講 演 で は 、 価 値 の 創 造

永津教授、窒化物半導体：ローレンス・バークレ(Development: Deduction)と知の創造(Research:

ー国立研究所・Walukiewicz 博士（アメリカ）おAbduction) の2軸にTransilienceの第3の軸を加よび名城大学・上山教授、ナノ材料：東京大学鳥えた山口教授のブレークスルー理論が説明され、

海教授およびコーネル大学・Baker 教授（アメリイノベーターにはAbductionとTransilienceが重カ）。

要であることが、iPS細胞の研究などを例に説明

onCreating

New

Science-based

初日午前は、東京工業大学教授小長井応用物理

された。それに基づく調査結果として、ベンチャ

学 会 会 長 に よ る 特 別 講 演 "Challenges forー企業経営者のアカデミックバックグランドをDeveloping Innovative Solar Cells - Towards

日米で比較し、日本ではいわゆる文系に著しく偏Carbon Free Society"に続き、クイーンズ大学ベり、応用工学系がわずかに含まれることに対して、

ルファストの Graham 教授による基調講演"The

米国では 数学・物理・生命科学を含む基礎科学

Physics, Chemistry and Applications of Plasmas

修了者が多く起業していることがはっきりと示

Created in Liquids"、産業技術総合研究所の大された。その背景として、スモールビジネスの起

橋博士による基調講演" Possibility of Future

業、発展を促そうとする政策プログラムの運用にPower Devices toward New Generation Power

日米で大きな差があり、米国ではスモールビジネ

Electronics"、および東京大学の岡田教授によるスの起業とその利益創出を生み出すAbductionと

基 調 講 演 "High-Efficiency Quantum Dot Solar

Transilienceを推進するエコシステムができて

Cells: Progress and Challenges"が行われた。

おり、日本とは対照的な結果となっていることが午後の初めにポスター発表が組み込まれ、その指摘された。実例として、新薬の開発と売上の例

後3つの会場にわかれて、プラズマ科学、窒化物が示され、日米で差が開くばかりの現状が示され半導体およびナノ材料のそれぞれのセッション

た。次に、東京工業大学大学院イノベーションマ

で、招待講演と一般講演による最新の話題に対し

ネジメント研究科・研究科長の藤村教授から、て専門性の高い活発な議論が繰り広げられた。パ

“Necessity of Scientific Research in Private

ラレルセッション方式の発表とポスター発表はEntity”と題する講演が行われ、ナノインプリン

最終日まで行われた。

トの研究論文3322件の著者の構成を調査し、重要本会議の特徴は、分野間融合セッションである。

なイノベーションがアカデミアと企業の共同研

まず3月4日(火)午後には、イノベーション創出を究で成し遂げられている傾向があることが示さ促すためには産学連携セッションを開催し、研究れ、さらに著者の多様性の影響がはっきりとある開発拠点においてどのような環境構築、教育、産ことがわかったことが報告された。さらに、在日学連携を行うべきかを議論した。前半に4件の基ス イ ス 大 使 館 科 学 技 術 部 長 Frey 博 士 か ら

調講演、後半はその講演者を交えてパネルディス“ Innovation in Switzerland: International

カッションを行った。まず、同志社大学大学院総Collaboration and Exchange”の講演があり、ス39

イスと日本を比較しながら、スイスでのイノベー

Treatment of Cancers"と題した基調講演およびション創出について紹介された。多言語・多民族

KAIST(Korea Advanced Institute of Science andと単一言語・単一民族という正反対の特徴がある

Technology) の Shin 教 授 に よ る 招 待 講 演

ものの、国の競争力や政策の観点でスイスと日本"Cellular Property Regulation for Anti-cancerには多くの共通点もあり、多くの共同プロジェク

Treatment by Atmospheric Pressure Plasma"がトが行われ、さらに発展しようとしていることが行われ、活発な議論が交わされた。

紹 介 さ れ た 。 最 後 に 、 Nikon and Essilor

第2のトピカルセッションおよび第3のパネル

International Joint Research Centerの代表取ディスカッションは、窒化物半導体による固体照締役社長Bosmans博士より“A Unique Example of

明に関してであった。「固体照明」と題したトピ

Research Partnership Between Two Leading

カルセッションでは、東京大学の藤岡教授によるCompanies in the Optics Industry”について講基調講演がなされ、プラズマプロセスを用いた窒演された。日、仏の親会社に持つことが研究に特化物半導体発光素子を中心に様々なデバイスに化した会社のイノベーション創出にどのように関する詳細な紹介がなされた。その後、サンディ

影響してきているかが、企業文化、コミュニケー

ア国立研究所のTsao氏、上智大学の板谷教授、ション、教育、多様性などの種々の側面から興味

Hanyang大学のShim教授、そしてカリフォルニア

深く議論された。

大学サンタバーバラ校のWeisbuch教授から、固体後半のパネルディスカッションでは、上記の基

照明、蛍光体材料、そして窒化物発光ダイオード

調講演者に韓国成均館大学のHan教授を加えて、の効率と多岐にわたる招待講演がなされた。後半

パネルディスカッションを行った。山口教授が司の「固体照明の将来展望」と題したパネルディス

会進行を行い、まずHan教授よりショートプレゼ

カッションでは、名城大学の竹内准教授をモデレ

ンテーションがなされ、イノベーション創出を進ータに、LED照明 vs.レーザ照明、と焦点を絞っめるための要件と成均館大学における取組が紹て議論が進められた。まず、Tsao氏によるLED照介された。その後、日本の先端産業の停滞状況を明とレーザ照明の比較がなされ、LED照明の課題

立て直していくためにはどうしていくべきかをとレーザ照明の可能性が議論された。続いて、イノベーション創出の観点から議論し、特にグロWeisbuch教授とShim 教授による効率ドループのーバル化の状況においては人材、環境の多様性の要因と解決策が議論され、そして、東芝アメリカ構築の重要性が確認された。また、産学連携につの小野村氏、藤岡教授、板谷教授によってウエハ

いては大学教員のリエゾンなど実際の人材交流

コストと蛍光体コストに関して議論がなされた。

が日本では欠如しており改善が必要と考えられ最後に、台湾國立交通大学Lu教授から窒化物半導ることなどが議論された。

体面発光レーザが紹介され、その固体照明への可

前述の産学官連携のほか、融合セッションとし能性が議論された。前半および後半のセッションて５つのトピカルセッション（パネルディスカッを通じて、細かな点まで議論が及ばなかったもの

ションを含む）が企画された。第1のトピカルセの、固体照明およびその実現に向けたプロセス技

ッションは「プラズマバイオ・メディシン」であ術の全体像および今後の方向性が垣間見え、分野

り、名古屋大学の堀教授による "Challenge toを超えた参加者に対して極めて有益なセッショ

Plasma Medical Science towards the Fourthンになった。
40

第4のトピカルセッションは窒化物パワーデバ

ナノ材料のそれぞれの分野における Award 受賞者

イスであり、経済産業省商務情報政策局デバイスが発表された。各分野の受賞者は以下の通りであ産業戦略室長の宮崎氏からワイドバンドギャッ

る。

プ半導体パワーデバイスによる省エネ化への期

Best Presentation Award (Oral)

待の話に続いて、Panasonic大塚氏によるGaN on

・Plasma Science

Siを用いた高周波デバイスとパワーデバイスのK. Urabe, The University of Tokyo

技術の融合、日立金属の乙木氏によるGaN on GaN

・Nitride Semiconductors

ダイオードの話、米国AvogyのIsik氏からGaN on

C.-H. Lin, NTT Basic Research Laboratories

GaN縦型デバイスの話があった。乙木氏はインフ・Nanomaterials

ルエンザのため、パワーポイントによる自動講演

Y.-C. Chen, National Taiwan University ofであった。何れもGaNデバイスの最近の進捗を示

Science and Technology, Taiwan

す優れた成果が紹介されたが、特に縦型大電流デBest Presentation Award (Poster)

バイスに関する米国の進捗は素晴らしく、GaNパ

・Plasma Science

ワーデバイスに対する米国の強い取り組みが伺

K. Egashira, Nagoya University

えた。

・Nitride Semiconductors

第5のパネルディスカッションは、「Si、SiC及A. Terano, Hitachi, LTD

びGaNを用いたパワーデバイスによるエネルギー

・Nanomaterials

問題の解決」と題して議論がなされた。パネリス

H. Hayashi, Nagoya University

トはPanasonicの大塚氏、AvogyのIsik氏に加え、ロームの中村氏、及び豊田中研の加地氏である。
モデレータは福井大学の葛原教授である。それぞれのパネリストから、会社の研究開発戦略が紹介された。ロームの中村氏はSiCデバイスの実用化の現状、豊田中研の加地氏からは自動車用GaN縦型デバイスの研究の現状の紹介があった。その後、
未だ定義のはっきりしない絶縁破壊電圧の定義についてモデレータから質問があり、顧客の立場からの定義、及びリーク電流を基にした定義という二つの概念がそれぞれのパネリストから説明された。次に現状の最大の問題点について質問があり、コスト、回路における周辺素子などの紹介があった。GaN on Siの開発は進んでいるものの、
特に縦型デバイスに関しては米国での開発スピードに対して遅れており、早急の対策が必要であるとの印象を受けた。
最後に、プラズマ科学、窒化物半導体ならびに41

国内会議報告

第７回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール
佐賀大学

三沢

達也

平成 25 年 9 月 25 日から 27 日の日程で、国立

今後、本インキュベーションの受講者からプラ青少年交流の家（静岡県御殿場）において、第 7

ズマ研究を切り拓く研究者が輩出されることを期

回プラズマエレクトロニクスインキュベーション

待致します。天候にも恵まれ、富士山麓の過ごしホールを開催しました。本会はプラズマエレクト

やすい気候の中、無事に開催することが出来まし

ロニクス分野の初学者（学生・若手研究者・社会た。本企画の運営、開催にあたり、ご協力頂きま人技術者）対象として、プラズマの理解を深めてした講師の先生方、参加者を派遣頂きました各研頂くための講習会です。参加者は 65 名（内受講

究機関および企業の皆様に厚く御礼申し上げます。

者 52 名）でした。今回は、5 名の講師の先生方に

最後に、優秀ポスター賞を受賞された受講者を御講演頂き、プラズマの基礎から応用を網羅する

記載致します。おめでとうございました。

各分野のプラズマエレクトロニクス研究の最前線

優秀ポスター賞：鈴木弘朗さん（東北大学）、西について、講座を開講しました。以下は、開講し尾祐亮さん（京都大学）

た講座と講師の先生方です。
【特別講座】「低圧から高圧までのマイクロ波放電[担当幹事（敬称略）]：の応用と今後の展開」神藤 正士 先生（静岡大学

校長：豊田浩孝（名古屋大学）

名誉教授・静岡大学電子工学研究所客員教授）

幹事：明石治朗（防衛大学校）、石川健冶（名古屋【専門講座】①「プラズマ生成・制御」 杤久保 文大学）、石川善恵（産業技術総合研究所）、

嘉 先生（首都大学東京）②「プラズマ診断計測」

鷹尾祥典（京都大学）、前田賢治（㈱日立製

赤塚 洋 先生（東京工業大学）③「プラズマＣＶ作所）、本村大成（産業技術総合研究所）、

Ｄの基礎」 古閑 一憲 先生（九州大学）④「プラ吉木宏之（鶴岡工業高等専門学校）、三沢達

ズマエッチング」 江利口 浩二 先生（京都大学）

也（佐賀大学）

近年、本インキュベーションホールでは、予定
定員に近い人数の受講者の方に御参加頂いており、今回も大変活況のある会となりました。また、会期中に開催されましたウォークラリー、ポスター
セッションおよび懇親会を通じて、受講者同士に加えて講師の方々，スタッフと活発な交流が図られました。受講者から頂きましたアンケート結果
からも、概ね好評の回答をいただきました。事情により、昨年までの 7 コマから、5 コマの講義数になり、時間が余ってしまった様に思われます。

集合写真プログラム編成の検討が必要かと考えられます。

（2 日目朝は曇天に。3 日目は初秋の富士が拝めました。
）

42

国内会議報告

第１５回プラズマ新領域研究会/電気学会プラズマ研究会「ダイヤモンドおよびグラフェン関連物質のプラズマプロセシングと先進応用」
九州大学 堤井 君元
平成 25 年 11 月 22 日、名城大学名駅サテライ

15:15-15:55 吾郷 浩樹（九州大学）

ト多目的室にて、
第１５ 回プラズマ新領域研究会「CVD による高品質グラフェンの成長とその展開」「ダイヤモンドおよびグラフェン関連物質のプラ

16:10-16:50 野瀬 健二、光田 好孝 (東京大学)

ズマプロセシングと先進応用」を、電気学会プラ「炭素系薄膜材料のプラズマプロセシング」

ズマ研究会と合同で開催しました[1]。電気学会プ

16:50-17:30 加藤 喜峰、堤井 君元 (九州大学)

ラズマ研究会は、同会場にて 11 月 21～23 日の間、「ナノダイヤモンド膜のプラズマ CVD 合成と電気電子応開催されており、22 日当日は両学会と外部からの用」

参加を含め、合計４０名（国内３９名、国外１名）の参加者が得られました。

平松氏には、各種プラズマを用いたカーボンナ
ノウォールとグラフェンの合成および応用についダイヤモンドの合成には、主としてプラズマがて、ご講演頂きました。金氏には、表面波プラズ

用いられてきたのに対し、グラフェンの合成には、

マを用いたグラフェンとナノ結晶ダイヤモンドの

熱 CVD などの比較的穏やかな手法が好ましいと合成について、ご講演頂きました。渡邊氏には、考えられており、プラズマの利用は限られていま

高圧法とプラズマを用いた窒化ホウ素の合成と光

す。
また近年、
グラフェンとの性質の類似性から、物性について、ご講演頂きました。吾郷氏には、一際注目を浴びている窒化ホウ素も取り上げまし熱 CVD を用いたグラフェンの合成と電子応用にた。本研究会では、国内の第一線で活躍する６名

ついて、ご講演頂きました。野瀬氏には、各種プの方々を講師としてお招きし、これらの材料のプラズマを用いたダイヤモンド、DLC、窒化ホウ素

ラズマプロセシングと先進応用について、幅広いの合成について、ご講演頂きました。
加藤氏には、観点で議論する場を設けました。

マイクロ波プラズマを用いたナノ結晶ダイヤモン

プログラム：

ドの合成と電子応用について、ご講演頂きました。

13:00-13:40 平松 美根男 (名城大学)

本研究会では、幅広い観点で活発な議論を行う「プラズマを用いたグラフェンの CVD」

ことができ、大変有意義な研究会となりました。

13:40-14:20 金

ご多忙の中、ご講演いただいた講師の方々に、こ載浩 (産業技術総合研究所)「表面波励起プラズマ CVD によるカーボンナノ材料（ナノの場を借りて御礼申し上げます。

クリスタルダイヤモンドとグラフェン）の合成」

参考文献

14:35-15:15 渡邊 賢司、谷口 尚 (物質・材料研究機構)[1] 平松、金、渡邊、谷口、吾郷、野瀬、光田、「高圧合成法による高純度窒化ホウ素単結晶研究の現状

加藤、堤井 ; 電気学会研究会資料, PST-13-129と新しい応用展開」(2013), pp. 21-26.

43

国内会議報告第 16 回プラズマエレクトロニクス新領域研究会「無機・有機ナノ構造体の作製・制御とデバイスへの応用に関する研究会」（豊
橋技術科学大学－高専連携教育研究プロジェクト研究会「グラフェンを用いた電子デバイス開発における基礎的検討」との合同開催）
鶴岡工業高等専門学校

吉木 宏之（担当幹事）

2013 年 12 月 13 日（金）の 13 時より神戸市西区学園都市駅ビル内にある大学利用施設 UNITY（ユニティ）において、第 16 回応用物理学会・
プラズマエレクトロニクス分科会・新領域研究会が H25 豊橋技術科学大学－高専連携教育研究プ
ロジェクト研究会（代表者：須田善行）との共同
主催により開催された。
本研究会は、プラズマプロセスのみならずウエットプロセスも含めたナノ構造体の作製・制御技
術と、電子デバイスやナノ複合材料作製への応用研究に触れて、若い研究者（特に高専教員や学生）が新しい融合研究にチャレンジする動機づけとなることを期待して企画された。
当日の「講演プログラム」は次の通りである。
【敬称略】
開会の挨拶： 吉木宏之（鶴岡高専）【前半】座長 須田善行（豊橋技術科学大学）(1) プラズマを用いたⅣ族半導体ナノ粒子膜の堆積とそのデバイス応用：内田儀一郎（大阪大学）(2) 粉体をターゲットとしたプラズマプロセスによる薄膜機構の解明：川崎仁晴（佐世保高専）(3) 静電相互作用によるナノアセンブリ技術の確立と新規複合材料の創製：武藤浩行（豊橋技術科学大学）【後半】座長 市川和典（神戸市立高専）(4) 気液界面プラズマ合成ナノバイオ炭素複合物
質のデバイス応用：金子俊郎，高橋祥平，青山智成，加藤俊顕（東北大学）(5) 透過電子顕微鏡と画像処理によるナノカーボン
材料の組織・構造の解析：押田京一（長野高専）(6) 「固体-バイオ」表面を舞台とするナノ構造作製（ActiveBio 場）：山下一郎（奈良先端大学院大学）
閉会の挨拶： 吉木宏之（鶴岡高専）
最初に、大阪大学の内田儀一郎先生からマルチホロー放電プラズマ CVD 法を用いた Si ナノ粒子膜の作製と、その太陽電池への応用に関する講演が行われた。この研究は、九州大学の白谷先生のグループとの共同研究である。マルチホロー放電
44

SiH4/H2 プラズマで Si ナノ粒子を生成してガス流により下流へと輸送すると同時に、別のマルチホ
ロー放電により CH4 または N2 プラズマを生成して、基板輸送中に気相中で Si ナノ粒子の表面修飾を行い基板上にナノ粒子薄膜を堆積させるものである。窒化 Si ナノ粒子膜の光導電率の測定では2Eg（Eg：ナノ粒子の光学的バンドギャップ）に相当する 300 nm 近傍で導電率が大きく上昇しており、2 個以上のキャリア生成が可能な多重励起子生成（MEG）現象の可能性が示唆された。さらに、Si ナノ粒子膜を用いた Si/PEDOT:PSS ヘテ
ロ接合太陽電池に関しても報告があり、2.8%の光電変換効率と、入射光 430-500 nm の範囲で 80%を超える高い外部量子効率が得られている。
次に、佐世保高専の川崎仁晴先生から Ti 系粉体をターゲットとしたスパッタリング法の開発に関して講演が行われた。一般に、スパッタリング法
では固体ターゲットが用いられているが、磁性膜や多元素薄膜の作製には固体ターゲットの調製が困難な場合がある。これを克服する目的で粉体ターゲットが考案された。講演では粉体ターゲットと従来の固体ターゲットを用いた場合でのプラズ
マパラメーターの投入電力、動作ガス圧力、また粉体の粒径（1.8‐500μm）依存性の報告がなされた。電子温度は粉体、固体ターゲットでほぼ同じであるのに対して、電子密度は粉体ターゲットの方が 2～5 倍高いことが示された。また、粒径が 10μm より小さい粉体の場合は固体ターゲッ
トに比べて電子密度が 1/2 以下となり、かつ粉体が容器内に拡散していることが示された。
次に、豊橋技術科学大学の武藤浩行先生から高分子電解質（ポリアニオン、ポリカチオン）水溶液を用いて微粒子の表面電荷を制御することによる集積複合粒子の作製に関する講演が行われた。
ナノ添加粒子をマトリックス中に均一分散させて複合材料を作製したい時、機械的手法では微細構
造制御は不可能である。そこで、マトリックス粒

子、添加微粒子を高分子電解質に浸漬して、片方を正、他方を負に帯電させることで静電相互作用（静電吸着）によりマトリックス粒子表面に添加
粒子を吸着させた集積複合粒子が得られる。正・負帯電量はζ電位により制御が可能となる。直径15μm のシリカ粒子に 1μm 、4μm のシリカ粒子を複合化した結果が示された（図１）。これらの静電吸着手法はウエットプロセスで行われているが、プラズマ気相中の微粒子の帯電過程を制御することでドライプロセス中でも同様の制御が可能になると期待される。
後半は、東北大学の金子俊郎先生から液体と接触したプラズマ（気液界面プラズマ）を用いたナノカーボン物質とナノ粒子、DNA との複合ナノ構造体の作製・制御とそれらの電子デバイスへの応用に関して講演が行われた。減圧状態でも蒸発しないイオン液体に CNT を分散させてプラズマを照射することで、イオン液体の解離で生じる官能基で CNT を修飾した後、金塩化物を溶解させて CNT 表面に金ナノ粒子を選択的に合成する。
この様にして作製した CNT‐金ナノ粒子複合物
質が赤外光（1300 nm）を活用する太陽電池として有効であることが示された。また、電解質プラ
ズマを利用して DNA を内包した SWNT を創製して FET のチャネルに応用した例が示された。IDS‐VG 特性から、シトシンを内包した SWNT では
p 型、グアニンを内包した SWNT では n 型半導体の特性が得られた。また、この FET は 10K 程度の低温で量子効果を発現することが報告された。
次に、長野高専の押田京一先生から高分解能透過電子顕微鏡（HRTEM）、三次元透過電子顕微鏡（3D-TEM）と画像解析技術を組み合わせること
で顕微鏡観察を定量化する内容の講演が行われた。
この研究は、信州大学の遠藤守信先生および豊橋技術科学大学の須田善行先生のグループとの共同研究である。信州大学との研究では、多極子によるレンズ補正技術を使った Cs コレクタを 2 重に搭載した HRTEM を用いて 80kV の加速電圧で0.1 nm 程度の分解能を得ることで、カップスタッ
ク型カーボンナノチューブ（CSCNT）に担持された Pt 粒子の位置を特定している。また、豊橋
技術科学大学との研究では、3D-TEM と画像解析技術を駆使して CSCNT の担持 Pt 粒子数の空間分布を定量化した結果が示された。
最後に、奈良先端大学院大学の山下一郎先生からバイオ分子（タンパク質）と無機材料表面の相互作用を制御するナノ空間（ActiveBio 場）に於けるナノ構造作製プロセスに関する講演が行われた。
45

図１ 静電吸着で作製されたシリカ複合微粒子

ActiveBio 場（図２）を活用することでバイオ分子表面でのナノ粒子やナノ構造体の作製、それらのフローティングゲートメモリ、単電子トランジ
スタ、量子太陽電池、ReRAM 等への応用に関する事例が示された。山下先生はパナソニック㈱でバイオナノプロセスによるナノデバイス作製研究を長年主導して来られた先生で、融合研究の重要性を指摘され、さらに環境アイランド（Green
Float）等の環境・エネルギー問題にまで言及されたアグレッシブな講演であった。
研究会の参加者は、豊橋技術科学大学－高専連
携教育研究プロジェクト研究会構成員の教員、学生が多数を占めていたが、近隣の大手企業からの参加者も有り総勢 19 名であった。研究会の企画、研究ネットワーク作り、アナウンスや根回し等が不慣れだった為に参加者が少なかった点は残念であったが、当日は各講演に対して活発な質疑応答が行われ、参加者からは「興味深い話を聞けた。」、「面白い研究会であった。
」といった感想も聞くことができた。
最後に、プラズマエレクトロニクス新領域研究会との共催を快諾くださり、プログラムの編成や、会場の設営に協力頂いた豊橋技術科学大学の須田善行先生、神戸市立高専の市川和典先生、また本研究会の企画・運営に関して多くのご助言を頂いたプラズマエレクトロニクス分科会副幹事長の名
古屋大学・豊田浩孝先生に深く感謝致します。

図２ 無機材料固体‐バイオ分子が融合された ActiveBio 場

国内会議報告第 17 回プラズマエレクトロニクス新領域研究会「宇宙プラズマ推進と半導体ミニマルファブ用プラズマ源の接点」― 小型プラズマ源の新展開 ―（第 15 回プラズマ技術研究会 講演会
第 5 回ミニマル 3DIC ファブ開発研究会 講演会
第 6 回ミニマルファブ用プラズマプロセス開発 WG 会議 講演会
産総研コンソーシアム「計測・診断システム研究協議会」との共催）
横浜国立大学

鷹尾 祥典

平成 26 年 3 月 10 日（月）の 13 時より、リフ招きし、貴重な講演をいただいた。研究会当日は、

ァレンス駅東ビル（福岡市）にて、第 17 回プラ

普段はあまり同じ空間を共有することのない宇宙

ズマエレクトロニクス新領域研究会が産総研コン

プラズマ推進と半導体プラズマプロセス双方の関ソーシアムとの共催により開催された。

係者から総勢 48 名の参加者があり、小規模な研ここ数年、半導体製造における無駄を大幅に改究会ながらも活発な議論が行われた。

善するため、最小の製造単位を持つ半導体集積回

最初に、JAXA 宇宙科学研究所教授／「はやぶ路工場を作る国家プロジェクト：ミニマルファブ

さ 2」プロジェクトマネージャーの國中均先生か構想が、産総研コンソーシアム「ファブシステム

ら「小惑星探査機『はやぶさ』搭載イオンエンジ研究会」を中心に加速している。しかしながら、ン10」と題した講演が行われた。イオンエンジ

各要素技術の具体的な開発が進んでいる中で、肝ン10 は、マイクロ波放電式の無電極プラズマ生

心のプラズマプロセス開発が、装置のサイズ、電成を利用しているため、電極損耗による寿命限界

力等の制約上、少し遅れている模様である[1]。

を一掃している点に特徴がある。ホローカソード

一方、小惑星探査機「はやぶさ」に搭載されたを電極に用いる米国方式とはこの点で技術的に一イオンエンジンは、サイズ、電力ともに極めて大線を画している。講演では、開発当初は 1 万 V 以

きな制約のもと、2003 年から 2010 年に渡る期間

上のイオン生成コストだったものが、最終的にはにおいて、宇宙空間でトータル約 4 万時間の稼働

200 V 程度まで下げることに成功した経緯や、プに成功し、60 億 km にもおよぶ地球～小惑星間往

ラズマ中のマイクロ波電磁界をなるべく乱さない、

復深宇宙航海ミッションを完遂している[2]。

レーザー吸収分光法や EO プローブ等の診断技術

プラズマプロセスと宇宙プラズマ推進はいずれについて紹介があった。また、「はやぶさ 2」のミも同様なプラズマ源を利用しているが、そこにはッション概要（2014 年 12 月打上予定）の紹介も共通点と相違点が存在する。
本研究会においては、

行われ、観測対象を望遠鏡ではなく現地で観測す

それらを浮き彫りにすることで、双方の分野に発ることで、更に、サンプルを持ち帰ることで初め展をもたらすことを目的に、宇宙プラズマ推進側て分かることの科学的意義についても示された。

から 3 名、ミニマルファブ側から 2 名の講師をお次に、東京大学准教授の小泉宏之先生から46

「50-kg 衛星用小型イオンスラスタとサブコンポを上げられない制約から低電力で高効率であるこーネント開発」と題した講演が行われた。近年盛と、また、基板ダメージを抑える観点から、極力んになっている小型衛星の開発においては、ほと熱の発生を抑えるプラズマ源の重要性についてもんどが推進機を持たず軌道制御ができない状況で説明された。

ある。講演においては、先端研究開発支援プログ

最後に、産総研九州センターの本村大成氏からラムにより開発が進められている 50-kg 級超小型

「ミニマルファブ用 TSV エッチング装置の開発」

衛星「ほどよし 4 号機」（2014 年夏打上予定）にと題して講演が行われた。本講演は東北大学との搭載されるイオンスラスタを対象に、コンパクト

共同研究となっており、低ガス圧でも高密度プラに収まった推進剤ガス供給系、高電圧・マイクロズマが得られるヘリコンプラズマ源を利用したエ波等電力変換系、制御系等のシステム全般についッチング装置の開発状況について報告がなされた。

て詳しい説明がなされた。また、長寿命、軽量、

高速エッチングを行うためには、ラジカル総量の高エネルギー効率、熱特性といった宇宙機に求め増加が必要となるが、その手段として、プラズマられる性能や、各種地上試験の紹介が行われた。

の高密度化およびガス供給総量の増加を図ること

宇宙プラズマ推進側の最後として、九州大学准で 、物 理エ ッチ ング とし ては 驚異 的な 最大 5

教授の山本直嗣先生より「超小型衛星搭載用小型

m/min というエッチング速度の例が示された。

イオン／ホールスラスタ」という題目で講演が行議論の中で印象的だったのは、お互い同じプラ

われた。
「はやぶさ」の中和器をイオン源として使ズマ源を利用していても、視点の違いは大きいとうことで小型のイオンスラスタを開発した経緯かいうところであった。宇宙プラズマ推進では宇宙ら始まり、50 W 未満で 2 mA/cm2 程度の性能を持

空間が真空装置そのものであるため、運用上は真つイオンビーム源としての紹介も行われた。後半

空排気系に気を使う必要がない。一方、プロセス

では、イオンスラスタよりも推力密度、推力電力

ではガス流量コントロールは肝要なパラメータの比が大きく、現在最も注目されているホールスラ一つである。双方の視点の相違を認識することがスタに関する説明が行われた。また、イオン源とできた点では良い機会になったのではと思う。

して、薄膜コーティング・緻密化、アッシングや最後になりましたが、新領域研究会との共催にアシスト源として、一般産業用途としての応用例

ご快諾いただいた産業技術総合研究所の上杉文彦が示された。

様、そして、講演だけでなくこの共催に際して間続いて、ミニマルファブ側の講演として、長崎を取り持っていただいた長崎大学の藤山寛先生、大学教授の藤山寛先生から「高効率高密度 ECR

また、講演会場や懇親会をご準備・運営いただい系プラズマの磁束密度と磁場配位の効果」と題す

た産総研・プラズマ技術研究会事務局の猿渡新水る講演が行われた。ECR「系」と題されているよ様に深謝いたします。

うに、
共鳴的加速で得られる高い運動エネルギー、
および、共鳴的閉じ込めによる放電領域内での電参考文献

子の補足という両方の特徴をバランス良く持って[1] 藤山寛; プラズマエレクトロニクス分科会会

いる準共鳴 ECR プラズマに関する詳しい説明が報, No.58, (2013), 3.

行われ、それを達成する最適な磁場配置例が示さ[2] H. Kuninaka; Proc. 32nd Int. Electric

れた。また、ミニマルファブの背景を下に、電力

Propulsion Conf., 2011, IEPC-2011-328.
47

国内会議報告

シリコンテクノロジー研究会「微細加工プロセスの最前線（DPS ，AVS 特集 ）」東京大学 一木 隆範
去る 2014 年 2 月 14 日（金）、応用物理学会シ

【講演リスト】（敬称略）

リコンテクノロジー分科会が主催し、プラズマエ■超微細マスク形成

レクトロニクス分科会が協賛する表題の研究集

本田昌伸（東エレ宮城）「プラズマキュア技術と新レ
ジスト材料による LER/LWR 改善」
今村 翼（東芝）「自己組織化(DSA)リソグラフィ向
け PMMA 高選択ドライエッチング」
小藤直行（日立製作所）「Line-edge-roughness がWiggling に及ぼす影響」

会が東京大学工学部 9 号館大会議室にて開催されました。この研究会では、例年、秋に開催される
プラズマプロセス、ドライエッチング技術に関する主要な国際学会である米国真空学会（AVS）、
ドライプロセス国際シンポジウム（DPS）等で発■Fin FET の加工表された論文の中から、注目の論文をセレクトし、

江利口浩二（京大）「Fin 型トランジスタ加工におけるプラズマ誘起 Si 基板ダメージ形成モデル」
松井 都（日立製作所）「パルスマイクロ波プラズマを用いたゲートエッチングの表面解析」

日本語で講演いただいています。
デバイスプロセスの最新の研究開発の情報・動向をまとめて掴むことのできる絶好の機会となっており、参加者にデバイスメーカー、製造装置■難エッチ材の加工メーカーの技術者、研究者が多いことも特徴的で

木下啓藏（東北大）「スピントロ二クスデバイスのエッチングとプロセス誘起ダメージ」
西村栄一（東エレ宮城）「STTRAM 加工技術の現状と課題」

す。当日は、関東甲信地方で大雪警報が発表され、参加者が集まるか心配されましたが、30 名を超える参加者で大いに盛り上がりました。国際会議よ

夕方過ぎには、根津界隈も雪景色に変わり始め

りも少し長めの講演時間と余裕をもった質疑時ましたが、研究会終了後の懇親会まで大いに盛り間が設けられているため、講師の方々からはプラ上がりました。また来年も 2 月に、中身の濃い研スαの解説や学会では出てこないデータも示し究会を企画する予定です。多くの方々のご参加をていただき（小規模研究会の醍醐味です）、参加

お待ちしております。

者からの質疑も活発に行われました。

写真．研究会の様子（木下啓蔵氏撮影）
48

国内会議報告2014 年第 61 回応用物理学会春季学術講演会
第 12 回分科会内招待講演報告
東京エレクトロン株式会社

松隈 正明

第 61 回応用物理学会春季学術講演会の第 2 日目

で決まるカットオフ密度をもつ。このカットオフ近にあたる 3 月 18 日(火)の 10 時から分科会企画の傍で低温アフターグローの形成を期待し VHF 帯で招待講演が行われた。第 12 回目にあたる本招待

酸素アフターグロープラズマの励起を試みたところ

講演では東海大学進藤春雄先生と京都大学斧高

20mTorr の時はフラットだった電子温度分布が一先生をお招きしてご講演頂いた。

60mTorr では径方向に向かって急激に減少する事

新しいプラズマ源と診断法の研究を確認された。今後は高誘電率放電管を用いるなど

東海大学 進藤春雄先生

改良を加えた上で新しいプラズマ源としての活用が半導体プロセスへのプラズマ応用の歴史を振り返ら期待されるとのこと。浮遊型プローブによるプラズ

れ、プラズマ源として CCP→ICP、ECR、SWP、マ診断装置についてのご講演では表面波アフターグ

VHF→大面積化、ラダーMICP→大気圧 DBD の流

ロープラズマのように従来のプローブ診断法が適用

れが紹介された。こうした動向はプロセスプラズマ

できない新しいプラズマに対する診断法として検討

源として①高密度低温、②大面積化、③大気圧非平

されているとのこと。エミッシブプローブ法を拡張衡という要請に答える形で醸成され現在も続いていし、浮遊電位を測定するが、浮遊電位を測定対象とる。進藤先生が開発された 2 つのプラズマ源と新しすることから電気的に浮いている各種プロセスプラ

いプラズマ診断法についてご講演された。大規模直ズマへも適用可能。ご講演後の質疑応答でマイクロ線型マイクロ波プラズマ源について、均一なプラズ

波プラズマの魅力を尋ねられ、完全に制御すること

マ分布を達成するにはパワー吸収分布を均一するこが出来たら他のプラズマ源では実現できないバラエとが本質的であるとの考えに基づき、マイクロ波矩ティに富んだプロセスへ適用できる可能性があると

形導波管内の長波長特性を利用して長さ方向に一様ご回答されていたところに進藤先生のマイクロ波プ

な電力放射を実現することで大規模直線型プラズマ

ラズマに対する並々ならぬ情熱を感じた。

を生成する方法が紹介された。低圧の場合(200mTorr、Ar プラズマ)では長さ 2m で不均一性
4%、電子密度 7×1011cm-3、大気圧の場合(Ar プラズマ)では長さ 27.5cm の均一なプラズマ生成に成功されたとのこと。表面波アフターグローによる低温
高密度プラズマ源について。誘電体放電管表面に励起された表面波プラズマにおいて、誘電体表面とプラズマ界面の電磁波伝搬は放電管の誘電率と周波数49

プ ラ ズ マ微 細 加工 プ ロセス の モ デリ ン グと 体 系

大変興味深くご講演を拝聴した。

化：シリコンからメタル・高誘電体材料まで

京都大学 斧高一先生
斧先生は三菱電機に在籍されていた時から京都大学に移られた現在までプラズマエッチングプロセ
スを対象とした形状シミュレーションに取り組まれてこられた。本講演では主に臭素系プラズマを用いた Si エッチングプロセスの形状シミュレーションに関する研究についてご紹介された。形状シミュレータ内の計算スキームは単純化すると 1)パターン
内での粒子輸送、2)表面反応、3)形状の時間進展に末筆ながらご講演いただきました進藤先生、
斧先生、分けられる。それぞれの計算モデルは連続体モデル

そして本招待講演にお集まり頂きました方々にあらと Monte Carlo モデルに大別される。三菱電機時代

ためて深く感謝致します。

は String モデルを使われていたが京都大学に移ってからは独自の原子スケールセルモデル(Atomic
Scale Cell Model ASCeM)に基づいた 2D・3D の形状シミュレーションを開発された。これは微細化の進展とともにナノスケールの形状進展を String モ
デルで表現するのが困難になったためとのこと。
ASCeM の特徴はセルモデルとしての一セルサイズ
が非常に小さく、1 原子/1 セル程度となっている点と、入射イオンの表面反射・侵入をイオンと表面数層の原子間相互作用に 2 体ポテンシャルを適用して計算している点に有る。ASCeM を用いることで CD
ロス/ゲイン、マイクロトレンチ、形状のアスペクト
比依存性、鋭い残渣、周期的リップル構造を含む表面ラフネスを表現することが出来た。最近のご研究ではラフネスのイオンエネルギー依存性に関して実験を再現する為にバイプロダクトがプラズマで電離されたイオンが再入社される現象にに着目されているとのこと。3D の形状シミュレーションではイオ
ンの入射角・入射エネルギーに応じて、入射方向と平衡な方向の筋状ラフネスから垂直な方向の縞模様状ラフネスへの変化、ドースに応じて縞状ラフネスが動く様子が示された。小職も半導体装置メーカの中で同じようなシミュレーションに携わっており、50

国内会議報告2014 年第 61 回応用物理学会春季学術講演会
海外研究者招待講演報告
九州大学

古閑

一憲

第 61 回応用物理学会春季学術講演会において、
大会 2 日目にあたる平成 26 年 3 月 18 日(火)、プ
ラズマエレクトロニクス分科会企画の海外研究者招待講演が行われました。第１回の Alexander
Fridman 先生から数えて第 6 回目にあたる今回
は、フランス Orleans 大学の Laifa Boufendi 先生を迎えて”Dusty plasmas in applications”というタイトルで講演して頂きました。
微粒子プラズマ（又は Dusty Plasmas）は、プ
ラズマ物理だけでなく、応用物理の観点からも重要な研究対象です。例えば、半導体作製プロセス

図：講演中の Boufendi 先生。

で用いられている反応性プラズマでは、気相反応

たのは、レーザー散乱法では検出が難しいサイズ

で微粒子が発生成長して基板へ堆積し、膜質や歩が数 nm のナノ粒子の成長と、放電電圧波形の高留まりの悪化などを起こすことが知られていま

次ハーモニクスに相関があり、これをモニターすす。そのため、多くの研究者によって発生機構をることで、ナノ粒子成長を評価できる事を示され解明してこれを抑制する努力が続けられてきまた点です。特殊な計測装置のない環境においてもした。また最近では、プラズマ中で作製したナノ

簡易に計測可能な方法を開発することは、その研粒子をナノテクノロジーやライフサイエンスに究分野を広く発展させる上で重要だと思います。

応用する研究もあり、多くの研究者の興味を引い講演の後半では、プラズマで作製したナノ粒子ています。これらの研究に顕著な業績をいくつもの応用例について、シランプラズマ中で作製した

上げられている先生が講演することもあり約 80

結晶シリコンナノ粒子及びナノ粒子が分散した名の聴衆が集まり、活発な議論が行われました。

シリコン薄膜の太陽電池への応用などが紹介さ講演ではまず、主にシランガスを原料とした低れました。また、ナノ粒子を用いる際、ナノ粒子

圧反応性プラズマ中におけるナノ粒子の発生と、の組成や形状によって毒性が表れる可能性があ

成長について紹介されました。材料ガスから出発

り、健康影響を明らかにすることは重要ですが、して、ナノメートルサイズまで成長する微粒子に微粒子プラズマ研究が毒性評価で重要であるとついての成長機構を説明されました。成長機構をいう示唆に富んだお話を頂きました。

明らかにする上で、ナノ粒子の計測法が重要です

Boufendi 先生の講演は、微粒子プラズマの応用が、その計測例として電子顕微鏡やレーザー散乱が今後も発展していくことを予感させる有意義法について紹介されました。なかでも印象的だっな講演でした
51

国内会議報告2014 年第 61 回応用物理学会春季学術講演会
チュートリアル講演
大阪市立大学
応用物理学会では「チュートリアル講演」として最新のトピックスに繋がる基礎的内容の講義を実施している．青山学院大学相模原キャンパスで行われた第 61 回応用物理学会春季学術講演会では，プラズマエレクトロニクス分科会企画として講演会初日となる 2014 年 3 月 17 日（月）09:00～12:10 に，東京大学の霜垣幸浩先生をお迎えし，「プラズマプロセス速度論解析の基礎と
CVD/ALD への展開」というタイトルでご講演頂
き，60 名を超える参加者を集める盛況なチュート
リアル講演となった．学科長という超ご多忙の中にも関わらず，非常にわかりやすく解説されている資料もご準備して頂いた．
講義の前半では，「CVD/ALD 法の基礎知識と応用用途」と題して，薄膜の種類と応用，ウェットプロセスとドライプロセスの比較，PVD 法と
CVD/ALD 法の長所と短所，CVD/ALD 法の活用事
例を紹介された．
LB 膜で有名な Langmuir とその女性の弟子である Brodget の逸話なども交えて，初学者でもわかりやすいように平易に解説された．
後半では，「CVD/ALD 薄膜形成の速度論入門～
成膜速度の温度・濃度依存性～」と題して，反応速度論の基礎，CVD 成膜速度の温度依存性，反応
律速と拡散律速，CVD 成膜速度の濃度依存性，表面反応機構について講義をされた．
化学工学分野のご出身ということもあり，反応速度論については熱く語っておられた．特に，極めて多数の反応が介在するプラズマプロセスを「えいや」と大胆に一つの反応で代表させてしまう，という考え方は，個人的にも興味深く聴かせて頂いた．
ALD の講義では，ホットワイヤーALD による
Ni 薄膜の成膜に関して具体的な紹介をされた．Niの原料は選択肢があまり無く，強力な還元剤を関52

白藤 立
与させることができれば，メタロセン有機金属である Ni(C5H5)2 が安全面においても原料として有効であることが説明された．還元剤としては，NH2が有効であることが説明され，残念ながらプラズ
マではないが，ホットワイヤーによる NH3 の分解を利用されていた．良好なステップカバレッジをえるための条件は，後半で述べられた反応速度論を駆使したシミュレーションによって説明された．
そこでは，後半で紹介された「大胆に反応メカニ
ズムを簡素化」しても，きちっと実験結果を再現できることが示された．
本講義を終えられるに当たり，霜垣先生がチェアを担当され，
6 月 15 日～18 日に京都で開催される国際会議 ALD2014 の紹介がなされた．近年講演件数がうなぎ登りとのことで，多数の方が ALDに関心を持っていると言える．
「ちまちまと重ね塗りする ALD はスループットが低い」という認識
は既に過去のものであり，ロールツーロール装置に組み込まれた高スループットの ALD がこれか
らの成膜産業を牽引するのであろう，と感じさせられる講習会であった．

写真 1. ダイナミックに講義される霜垣先生と多数の参加者に恵まれた会場の様子（写真提供：大阪大学北野勝久先生）．

国内会議報告2014 年春季応用物理学会学術講演会シンポジウム「21 世紀グラフェン産業を支えるプラズマプロセスの現状と展望」
産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門

金 載浩(1) イントロダクション 金載浩（産総研）

プラズマエレクトロニクス分科会企画で、標記
シンポジウムが 3 月 18 日に青山学院大学に於い(2) マイクロ波プラズマＣＶＤによるグラフェンて開催された。近年、カーボンナノ材料の一つでの合成と応用 梅野正義（中部大）(3) グラフェンナノリボンのプラズマＣＶＤ合成あるグラフェンはその驚異的物性が明らかになり
21 世紀産業の根幹材料として注目されている。

と応用 加藤俊顕（東北大）(4) SiC 上単結晶グラフェンの成長とその物性評期待されている応用として透明電極、フレキシブ
ルなトランジスター、高周波トランジスター、ウ価

永瀬雅夫（徳島大）(5) 酸化グラフェン－官能基と欠陥の機能性－

ルトラキャパシタ、高速充電式リチウムイオン電池、水素貯蔵電池、化学・バイオセンサー等が挙松本泰道（熊本大）(6) RF プラズマによるグラフェンへの窒素ドーげられる。グラフェン産業化の実現に向けて、合成方法を始め、グラフェンに最適なプロセス技術

ピング 斉木幸一朗（東大）の開発が求められている。現在、グラフェンのプ(7) プラズマプロセスによるグラファイト被覆金

ロセス技術と関連して世界的な知的財産獲得競争

属ナノ微粒子の表面修飾 永津雅章（静岡大）が激してくなっている。ところが、開発された技(8) 液中プラズマで合成したナノグラフェンを用術は熱プロセスとウェットプロセスを元にしていいた燃料電池用電極の安定性

ることが多く、高熱、複雑な手法、不純物、長い大、一般講演）天野智貴（名プロセス時間、環境等の問題を残しており、しば(9) グラフェンプラットフォームの戦略

らくはこの分野の技術開拓時代が続くと予定されフェン産業化への現状と展望～る。このような背景で、ドライプロセス であるプ

（グラフェンプラットフォーム(株)）

～グラ

長谷川正治

ラズマプロセスの飛躍が期待されている。
そこで、
本シンポジウムでは、２１世紀グラフェン産業を始めに、金載浩氏により本シンポジウムの企画

支えるプラズマプロセス技術における現状と展望

趣旨が紹介された。

について話題を提供することを目的し、グラフェ

次に梅野正義氏によりマイクロ波プラズマンの研究を行っている第一線で活躍する研究者にCVD によるグラフェン合成技術が紹介された。炭

よる講演が行われた。

素原料としてショウノウ（カンファ；C10H16O）

本シンポジウムでは、下記に示すプログラムのを用いて成膜が良いになった、また、プラズマ

通り、イントロダクトリートークと７件の招待講

CVD 中にレーザー光照射をすることにより低温

演者に加え、一般講演投稿者の中から 1 件の講演

成長と高品質グラフェンを得た実験成果が紹介さが行われた。

れた。
53

加藤俊顕氏により、プラズマ技術とナノバー型 Niがあった。プラズマ表面修飾技術はグラフェンへの触媒を用いてグラフェンナノリボンを析出合成するの適用も期待される。

研究について講演があった。この手法を用いてグラ

次に一般講演として天野智貴氏より、液中プラ

フェンナノリボンを基板上に直接所望の配位で合ズマを用いたナノグラフェン合成について講演が成することも成功しており、さらに、高性能半導あった。

体デバイスへ応用し動作を実証している。次世代

最後に、長谷川正治氏よりグラフェンプラット

大規模集積回路実現に向け大きな期待が寄せられ

フォーム社の戦略とグラフェン産業化への現状・ていることが示された。

展望について講演があった。グラフェンは新規材

永瀬雅夫氏により、SiC 熱分解法を用いてグラ料として幅広い分野で応用が検討されており、熱フェンをエピタキシャル成長する研究が紹介されい関心を受けていると話された。グラフェン関連

た。SiC 基板を Ar 雰囲気中で 1600℃以上の高温技術の開発及び産業化において日本の遅れが指摘

で熱処理することにより単層グラフェンが得られされた。

る。また、グラフェンの測定法や応用について紹講演会場では、立ち見が出る程盛況でプラズマ介があった。

分野以外からの聴講者も多く見られ、グラフェン

松本泰道氏から酸化グラフェン（GO）の官能に対する熱い関心を感じることができた。グラフ

基と欠陥の機能性について講演があった。酸化グ

ェンの量産と応用を実現するために各種プロセス

ラフェンは安価な天然グラファイトがそのまま使の開発が求められており、今後、プラズマによる用でき、実用的な材料として世界中で活発に研究

低温ドライプロセス技術の大活躍が期待される。

されており、その重要性について話された。講演

このシンポジウムが新規プラズマプロセス技術創

では、酸化グラフェンの分析、ドーピング、燃料

成のきっかけとなって頂ければ幸いである。

電池やバッテリへの応用についても紹介があった。
酸化グラフェン関連研究について日本の遅れが指摘された。
斉木幸一朗氏により、プラズマによるグラフェ
ンへの窒素ドーピングについて講演があった。プ
ラズマ CVD 法による窒素ドープグラフェンの成長様式の研究結果、および HOPG と GO に対す
る窒素プラズマ処理による窒素ドープ位置や電子状態変化 について紹介された。
永津雅章氏により、プラズマを用いたグラファ

会場の様子

イト被覆金属ナノ微粒子の表面修飾について講演

54

国内会議報告第28回光源物性とその応用研究会報告
岩手大学 向川政治、防衛大学校 明石治朗
照明システム分科会及び公益社団法人 応用物
理学会 プラズマエレクトロニクス分科会の主催、社団法人 照明学会 光放射応用分科会、社団法人
照明学会計測・標準分科会の共催で開催された。
開催場所は神奈川工科大学ITエクステンションセ
ンター3階303室で行われ、21名が参加した。発表
件数は7件であり、無水銀ＨＩＤランプの始動性能改善のための放電メカニズム解明、BSO結晶を用いた自己組織化DBDの表面電荷測定の空間分解
能、マイクロギャップ誘電体バリア放電の自己組織化の数値計算と実験の比較、紫外線LEDを用いた照明器具の線光源化・面光源化の検討、HEMSの最近の動向、ECHONET Liteを用いたブラインド制御やサービスプラットフォームの作製など、
バラエティーに富んだ発表内容であった。
自動車用無水銀ＨＩＤランプの始動メカニズムに関する報告では、発光管と外管の間に封入する
ガス（シュラウドガス）の種類や圧力が微放電の生成を引き起こし、これによる発光管外壁の帯電が始動電圧低減に影響を及ぼしていることが報告された。マイクロギャップ放電の誘電体表面電荷測定に関する報告では、異なる厚さのBSO結晶使用時に観測される放電フィラメント像のぼやけについて報告された。また、同放電の数値計算では、
フィラメントの六角配列の生成の反応拡散方程式
による計算と、バリア容量と圧力による格子定数の制御について報告された。紫外線LEDに関する報告では、点光源であるLEDを用いた蛍光灯型照明の開発と発光強度に対する蛍光体の幾何形状の最適化について報告された。５件目以降はHEMS(Home Energy Management System)に関する報告であり、通信規格ECHONET Liteの標準化に至る経緯、家電や電力システムへの応用、大学での実践教育や、開発実例について報告された。
今回の研究会実施に当って、会場提供・準備等で多大なるご協力をいただいた神奈川工科大学創造工学部の三栖貴行先生と同研究室の学生諸氏、

神奈川工科大学HEMS認証センター長の一色正男先生に謹んで御礼申し上げたい。
第28 回光源物性とその応用研究会 プログラム
LS-13-04・PE-13-01・AR-13-08・OM-13-07：
自動車用無水銀ＨＩＤランプの始動メカニズムについて植月唯夫（津山工業高等専門学校）
志藤雅也，津田俊明，小野田幸央（株式会社小糸製作所）
LS-13-05・PE-13-02・AR-13-09・OM-13-08：
自己組織化マイクロギャップバリア放電とBSO結晶を用いた表面電荷分布測定の空間分解能
高橋諒太，藤田直樹，向川政治，高木浩一（岩手大学）
LS-13-06・PE-13-03・AR-13-10・OM-13-09：
ＤＢＤマイクロプラズマにおける自己組織化の数
値計算と六角構造の制御
向川政治，藤原一延，小田桐諒，佐藤友彦，
亀山拓也，高木浩一，藤原民也（岩手大学）
LS-13-07・PE-13-04・AR-13-11・OM-13-10：
紫外線LEDを用いた蛍光灯型照明器具の検討
安藤夏生，三栖貴行（神奈川工科大学）
LS-13-08・PE-13-05・AR-13-12・OM-13-11：
HEMSと今後の照明について
一色正男（神奈川工科大学）
LS-13-09・PE-13-06・AR-13-13・OM-13-12：
ECHONET Liteによる電動ブラインド制御
呉天，篠崎元希，樋口怜央，横山裕平，岡本健司，
一色正男，三栖貴行（神奈川工科大学）
LS-13-10・PE-13-07・AR-13-14・OM-13-13：
ECHONET Liteサービスプラットフォームの作成
岡本健司，一色正男（神奈川工科大学）

55

行事案内

15th IUMRS-ICA 2014:
D-2 Frontier of Nano-Materials Based on Advanced Plasma Technologies
名古屋大学
プラズマプロセス技術はナノ材料の合成、バイ

石川健治【トピックス】

オテクノロジーを牽引し、アジアでの近年の産業

 Advanced Plasma Processes for Green Nanotechnologiesの進展を下支えし、目を見張るモノがあります。

 Functional Nanomaterials Fabrications and Nanostructure Control

その継続的な発展の為には、産業を支える包括的 Plasma Processes for Energy and Environmental Applications

な科学研究ソサエティーの確立が望まれます。ま Plasma Medicine and Bio-Inspired Nano Processes

た、新たな分野への挑戦、特に大気圧非平衡プラ

 Advanced Plasmas & Surface Diagnostics

ズマは表面処理や高速材料合成にとって新しい息 Deposition Processes

吹でしょう。米国、欧州ではなくアジアでの開催

 Etching Processes

を重ねて、今回は環境未来都市として知られる福 Simulation and Database

岡にて、第 15 回国際材料研究学会連合－アジア【参考】

国際会議（International Union of Materials Research

http://iumrs-ica2014.org/symposia/symposia_D-2.php

Societies–The IUMRS International Conference in Asia

【問い合わせ先】事務局

2014）において、シンポジウム「D-2: Frontier of

e-mail: iumrs-ica2014@mrs-j.org

Nano-Materials Based on Advanced Plasma Technologies」【プログラム（抜粋）】

が開催されます。世界中からプラズマと材料の専

8/25

門家が参集し、研究者や技術者に分け隔てなく議10:40 (Plenary) C.N.R. RAO (International Centre for

論を交わし、情報交換し、先進プラズマ技術によMaterials Science, India)

るナノ材料の分野を開拓していく気概に富む会議

Inorganic Graphene Analogues and Related Materialsとなりますので、奮ってご参加申込をいただけま

11:20

すよう、お待ちしております。

Technol.)(Plenary) Richard C. FLAGAN (California Inst.

記

Hazy Skies – The Changing Nature of Particulate Pollution【会期】2014 年（平成 26 年）8 月 24 日～28 日

13:30 (Keynote) Jeon G. HAN (Sungkyunkwan Univ.)【会場】福岡大学 七隈キャンパス

Nano crystalline Film Synthesis in Magnetron Sputtering and〒814-0180 福岡市城南区七隈八丁目 19－1

PECVD

【交通】地下鉄七隈線「福大前」駅

16:00 (Invited) Yi-Kang PU (Tsinghua University)【主催】日本 MRSInvestigation of Oxidation of Poly-crystalline Aluminum by【参加費（プラエレ分科会会員）】

X-ray Photoelectron Spectroscopy and Electron Energy

一般 55,000 円 学生 30,000 円（6 月 25 日まで）

Loss Spectroscopy

一般 65,000 円 学生 40,000 円（6 月 25 日以降）

16:30 (Invited) Alix GICQUEL (LSPM - CNRS – Univ.)
On the relationships between plasma parameters and56diamond growthand structuring

17:00 (Invited) Hiroki KONDO (Nagoya University)

9:30

Growth mechanism and controlled synthesis of carbon

Spatiotemporal Analysis of Nanoparticle Growth innanomaterials by plasma-enhanced chemical vapor

Amplitude Modulated Reactive Plasmas for Understanding

deposition

Interactions between Plasmas and Nanomaterials

17:30 (Invited) Osamu SAKAI (Kyoto University)

10:30 (Invited) Uros CVELBAR (Jozef Stefan Institute)

Extraordinary wave media based on plasmas andPlasma synthesized nanowires and their conversions

metamaterials

11:00

8/26

Bimetallic Pt nanoparticles as catalysts for proton exchange

9:00(Invited) Daisuke NAGAO (Tohoku University)(Invited) Kazunori KOGA (Kyushu University)(Invited) SangYul LEE (Korea Aerospace Univ.)

membrane fuel cells

Synthesis of highly monodisperse composite particles in wet

8/28

processes and their self-assembly induced by external fields

9:00

9:30

Innovative Plasma Processing from Fundamental Research(Invited) Vladimir SVRCEK (AIST Tsukuba)(Keynote) Takayuki WATANABE (Kyushu Univ.)

Colloidal silicon-tin nanocrystals based on confined plasmasof Plasma Generation

applied for quantum dots and hybrid solar cells

10:30 (Plenary) Masahiro YOSHIMURA (National Cheng

10:30 (Plenary) Yasushi MATSUFUJI (Fukuoka Univ.)

Kung University)

Technology for Landfill Improvement and International

Feature and Future of Soft Processing(Green Processing)Cooperation by Fukuoka Method

for Advanced Inorganic Materials

11:10

13:30 (Invited) Cheng-che HSU (National Taiwan Univ.)(Plenary) Atsushi TERAZONO (National Institutefor Environmental Studies)

Development and Application of Microplasma Generation

E-waste Management in Japan and other Asia: Toward theDevices Fabricated on Foldable Substrates

Appropriate Management of Hazardous and Resource

14:00 (Invited) Dheerawan BOONYAWAN (Chiang Mai

Potential

University)

13:30 (Invited) Takamichi HIRATA (Tokyo City University)

Influence of Oxygen Plasma Species on Shear Bond

Cardiac Disease Treatment by Atmospheric Pressure

Strength of Heat-Cured Acrylic Resin to Denture Teeth via

Plasma Inhalation

HMDS Layer

14:30 (Invited) Masahiro YOSHIMURA (National Cheng

15:15 (Invited) Hiroshi FURUTA (Kochi Univ. Technol.)

Kung University)

Magnetron sputtering deposition of catalyst nano-particles

Formation of Functionalized Graphene Materials by

for the growth control of carbon nanotubes

Submerged Liquid Plasma [SLP]

16:30 (Invited) Hae June LEE (Pusan National Univ.)

8/27

Particle-in-Cell Simulations for the Control of Plasma

9:00(Invited) Holger KERSTEN (University of Kiel)

Uniformity for Dual Frequency Capacitively Coupled

Diagnostics of process plasmas for nanoparticle formation

Plasmas57

行事案内

第 14 回プラズマ表面工学国際会議
The 14th International Conference on
Plasma Surface Engineering (PSE 2014)
大阪大学接合科学研究所

節原 裕一

会議名：The 14th International Conference on

本国際会議は、プラズマ—材料相互作用ならびに薄膜工学の基礎から表面改質をはじめとするプラ

Plasma Surface Engineering (PSE 2014)

ズマプロセスおよびイオン技術の工業的な応用に

会期：2014 年 9 月 15 日〜19 日（9 月 14 日：チュートリアル）

わたる幅広い分野を包含しており、２年に一度、ドイツの Garmisch-Partenkirchen で開催され、次回で第 14 回目を迎えます。

会場：Kongress haus, Garmisch-Partenkirchen,（ドイツ）

参加者はこれまで増加の一途をたどっており、会場がある Garmisch-Partenkirchen は、

前回の 2012 年は世界から 750 名を超える規模で、オーストリアとの国境にそびえるドイツの世界的にも著名な国際会議となっています。

最高峰 Zukspitze の麓に位置し、次 回 の第 14 回 プラズ マ 表 面工 学 国際 会 議バイエルンの牧歌的な風景と共に（PSE2014）は、2014 年 9 月 15 日から 19 日ま「たおやかな時の流れ」が魅力的な街です。

での 5 日間にわたって、ドイツのガルミッシュ—

詳細は本会議の web サイトをご参照下さい。

パルテンキルヘン（Garmisch-Partenkirchen）

http://www.pse-conferences.net/pse2014.htmlの Kongress Haus にて開催されます。また、開催初日の前日である 9 月 14 日に、関連するチュ

Conference Topics

ートリアルが併設されています。

1. Plasma and ion surface engineering
Advanced plasma and ion source technologies

本国際会議は、これまでと同様に、European
Joint Committee on Plasma and Ion Surface- Pulsed plasmas

Engineering (EJC / PISE)が主催し、Christian- HiPIMS

Oehr, Stuttgart (GER)を Conference Chairman- Atmospheric plasma sourcesに迎え、当分科会からは、International Scientific- Ion implantation / Plasma immersion ion

Committee 委員として下名、Advisory Board 委

implantation員として堀 勝 先生が関わっています。

- New ion and plasma sources- Industrial device technology

オーストリアとの国境にそびえるドイツの最高峰 Zukspitze の麓に位置するバイエルンの街でのProperties of technological plasmas「たおやかな時の流れ」も魅力的であり、当分科- Plasma diagnostics / process control

会からも多数の御参加をお待ち申し上げ、ご案内- Plasma modelling

を差し上げます。

- Plasma-surface interaction58

- Plasma treatment of polymers- Multilayer films- Surface cleaning / plasma etching- Nanocomposite films- Ion and laser treatment- Nanostructures and nanoparticles

Powders and Plasmas

Protective and tribological coatings- Nanoparticle synthesis- Tribological coatings- Particle treatment- Carbon-based films- Functional nanoparticles- Corrosion-resistant coatings

Atmospheric and in-liquid plasmas- Barrier coatings

2. Deposition technologies

Electrical and magnetic coatings

Physical vapor deposition - PVD- Conductive and photocatalytic oxides- Magnetron sputtering- Films for photovoltaics- Vacuum arc deposition- Films with special electrical functions- Plasma-activated evaporation- Films with special magnetic functions- Atmospheric plasma deposition

Optical coatings

Plasma-enhanced chemical vapor deposition -Biomedical applications

PECVD

Bio-functionalization of material surfaces- Low pressure plasma CVD- Plasma sterilization and disinfection- Plasma polymerization- Plasma interaction with living tissue/cells- Atmospheric pressure plasma CVD(plasma medicine)

Plasma diffusion treatment

4. Characterization of films and modified- Plasma nitriding / carburizing

surfaces- Hybrid and duplex processes- Structure and composition

Ion beam deposition-Geometrical- Ion beam deposition

roughness)- Ion beam sputtering- Mechanical properties

Coating of special geometries- Internal stresses- Large area deposition- Optical properties- Coating of inner walls and complex geometries- Electric and magnetic properties

Plasma electrolytic oxidation- In-situ diagnostics of coatings

3. Coatings properties and applications- Computer simulation and modelling of

Nano films

structure, stoichiometry and growth- Ultrathin films

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characterization(thickness,

行事案内2014 年第 75 回応用物理学会秋季学術講演会

プラズマエレクトロニクス分科会企画
首都大学東京杤久保文嘉 はじめに2014 年 9 月 17〜20 日に北海道大学にて開催さ受賞者（敬称略）：久保井信行（ソニー(株)），辰れる第 75 回応用物理学会秋季学術講演会におけ巳哲也（ソニー(株)），小林正治（ソニー(株)），木る PE 分科会企画の概要とスケジュールを紹介い下隆（ソニー(株)），小町潤（ソニー(株)），深沢正たします。なお，詳細は未定の部分も含まれるた永（ソニー(株)），安斎久浩（ソニー(株)）め，応用物理学会の HP 等で確認をお願いいたし

選考の対象となった業績：Modeling and simulation

ます。

of plasma-induced damage distribution during holeetching of SiO2 over Si substrate by fluorocarbon

 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演／

plasma, Appl. Phys. Express 5, 126201 (2012).

講演奨励賞授業記念講演
第 12 回プラズマエレクトロニクス賞の 2 件の講演奨励賞受賞記念講演

受賞者による，受賞記念講演が執り行われます。

日程・会場：未定

また，2014 年春季の講演奨励賞は，
松田和久氏（東受賞者：松田 和久（株式会社東芝セミコンダクタ

芝セミコンダクタ＆ストレージ社），加賀真城氏

ー＆ストレージ社）（東京大学大学院）の２名が受賞されました。こ

選考対象の発表：LaAlSiOX のドライエッチング特の場を借りてお祝いを申し上げます。プログラム

性を確認の上で，これらの受賞記念講演会場まで是非とも足をお運びください。

受賞者：加賀 真城（東京大学大学院）
選考対象の発表：次世代 Li イオン電池用 PS-PVD

プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

Si 系ナノ複合負極材料特性の Cu 添加による変化

日程：9 月 18 日（木）（予定） 分科内招待講演

会場：未定

恒例となる分科内招待講演が以下の要領で実施
受賞者（敬称略）：加藤 俊顕（東北大学），畠山 力

されます。第 13 回目となる今回は，静岡大学教三（東北大学）授の永津先生，京都工芸繊維大学教授の林先生よ

選考の対象となった業績：Site- and alignment-

りご講演を賜ります。皆様には奮って会場まで足controlled growth of graphene nanoribbons fromをお運び頂きますよう，お願い申し上げます。

nickel nanobars, Nature Nanotechnol. 7, 651-656

日程：9 月 18 日（木）（予定）

(2012).

会場（未定）
60

8. まとめ「プラズマシミュレーションの展望」
永津 雅章 先生（静岡大学・教授）

杤久保文嘉
（首都大）

講演タイトル「プラズマ科学技術の医療・バイオ English Session／海外招待講演

応用に関する研究に携わって（仮題）」2011 年秋に山形大学で開催された第 72 回学術

林 康明 先生（京都工芸繊維大学・教授）
講演タイトル「ナノ・微粒子材料のプラズマプロ

講演会より，プラズマエレクトロニクス分科会でセスとその場観測」

は English Session と海外招待講演を企画してきた。今回は，English Session の実施方法を少し

 分科会企画シンポジウム

変えて，全ての中分類で英語での講演を募集し，学会 2 日目の 18 日（木）に，分科会企画シン

これらを取りまとめた「８．プラズマエレクトロポジウム「コンピュータによるプラズマシミュレ

ニクス English Session」のような形態で実施すーションの実際（いま，何をどこまで計算できるるとともに，この中に海外招待講演（原稿執筆時のか）」を実施いたします。大学のみならず，企業点で交渉中）を組み込む予定です．また，可能での立場からもシミュレーションの役割について語あるならば，English Session にはパラレルセッっていただきます。また，市販ソフトウェアで何ションを配置しないようなプログラム編成を依頼ができるかについても説明いただきます。なお，

しております。English Session は学会初日の 17

最終確定版のプログラムは，後日に Web でご確認日（水）に実施の予定です。是非，English Sessionください。

に来て，発表して，議論して，この Session を盛り上げてください。

日程：9 月 18 日（木）（予定）
 おわりに

会場：未定
プログラム：（案）（タイトルは仮題，敬称略）

本案内を執筆している時点では，プログラムの1. 「プラズマシミュレーションの現状と課題」

詳細は未定ですが，English Session と海外招待

杤久保文嘉
（首都大）

講演は学会初日に，シンポジウムを始めとする他

2. 「プラズマシミュレーションにおける素過程」の分科会企画のほとんどは学会 2 日目に実施され佐藤孝紀（室蘭工大）

る予定です。最終プログラムを確認の上で会場ま

3. 「分子軌道法を用いた気相反応のモデリング」

でお越しください。

林 俊雄（名大）4. 「エッチングにおける表面形状進展」

学会 2 日目（予定）には，PE 分科会のインフォーマルミーティングが開催されます。また，同

斧 高一（京大）

日夕刻には，恒例の PE 分科会懇親会が企画され

5. 「市販ソフトウェアによるプラズマシミュレーます。
詳細は担当幹事より改めて案内しますので，ション」

白藤 立（大阪市大）

参加希望者は事前にご予約をお願いいたします。

6. 「装置メーカにおけるプラズマシミュレーショ

その他，不明な点がございましたら，お気軽にンの活用」伝宝一樹（東京エレクトロン山梨）
7. 「プラズマエッチングのモデリングと半導体加工制御への応用」

お問合せください。
連絡先：杤久保（首都大学東京）：tochi@tmu.ac.jp

久保井信行（ソニー）
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行事案内

第８回インキュベーションホール
名古屋大学
プラズマエレクトロニクス研究を始めたばかり

石川健治
【参加費】
（PE:プラエレ分科会）の初学者（学生・若手研究者・社会人技術者）を

一般 40,000 円 学生 14,000 円（応物 PE 会員）

対象として，一流の講師陣を招きプラズマエレク

一般 43,000 円 学生 17,000 円（応物会員）

トロニクスへの理解を深めて頂くための講習会・

一般 48,000 円 学生 22,000 円（協賛団体員）

インキュベーションホールを開催いたしますので一般 53,000 円 学生 27,000 円（その他）

皆様にご案内申し挙げます．

※応用物理学会賛助会社およびプラズマエレクト

プラズマ生成・制御，プラズマ診断計測，プラ

ロニクス分科会賛助会社所属の方はそれぞれの個

ズマ CVD，プラズマエッチングなどの，幅広い分

人会員扱いとさせて頂きます．**遠方からの会員

野に関する専門講座を開講します．講述内容は，

学生(含大学院生)に対して交通費の一部を補助す

初学者が基礎学理をしっかりと理解したうえで，る予定です．***本分科会会員（年会費 3,000 円）

当該分野における最新科学の話題にも触れられるに同時入会頂くと，今回から会員価格で参加出来ように構成されており，海外経験，企業経験，産ます．会員には，年２回の会報（非売品），過去２

学連携経験などの豊富な講師陣からは，留学・在６回の研究会プロシーディングス Web 閲覧，各種

外研究経験，企業で必要とされる資質，産学連携スクールへの会員料金での参加などのメリットがのエピソードなどを適時交えた講義を頂き，受講あります．入会手続きは https://www.jsap.or.jp/

生のプラズマプロセス研究への興味を喚起します． より行って下さい．
また，新しい研究分野を切り拓かれてきた講師【協賛団体（予定）】日本物理学会，電気学会，プを招き，当該分野の最新動向や指導者に必要とさラズマ・核融合学会，日本化学会，電子情報通信れる資質について学ぶ機会を提供する特別講座を学会，高分子学会，日本セラミックス協会，放電行いますので，学生の皆様を初め若手研究者およ学会，日本真空学会，日本学術振興会プラズマ材

び技術者の皆様お誘い合わせのうえ，奮ってご参

料科学第 153 委員会，静電気学会，日本金属学会，

加申込をいただけますよう，
お待ちしております．

表面技術協会，日本鉄鋼協会，日本オゾン協会，
電気化学会，日本表面科学会，原子衝突学会記【講義内容（暫定）】【会期】2014 年(平成 26 年)8 月 31 日～9 月 2 日

・菅井秀郎先生（中部大学）【会場】国立中央青少年交流の家

特別講座『プラズマエレクトロニクス』〒412-0006 静岡県御殿場市中畑 2092-5

・佐藤孝紀先生（室蘭工業大学）プラズマ生成【交通】JR 御殿場駅より富士急行「青少年交流

・伊藤剛仁先生（大阪大学）プラズマ診断の家」行き路線バス（富士山口 1 番のりばより）

・平松美根男先生（名城大学）プラズマ堆積・栗原一彰先生（東芝）プラズマエッチング（約 20 分）「青少年交流の家」下車

・伊藤昌文先生（名城大学）プラズマバイオ
62

【ポスターセッション】

れた参加費は，原則として返却いたしません．

参加者間の交流が深まるよう，ポスターセッショ【定員】 60 名ンを中心とする談話会を行います．なお，優秀な【申込締切】 7 月 30 日（水），振込 8 月 8 日（金）ポスター発表者には表彰を行います．発表内容は

迄

参加者自身のバックグランドに関連したもの，例【参加申し込み】下記の会合 URL に参加フォー

えば，

ムを設置しておりますので，ご覧ください．

学生の場合：現在の研究テーマにまつわるもの， 【振込先】 三井住友銀行 本店営業部(本店でも学部での卒業研究など（４年生の場合これから行可) 口座(普通)3339808 (社)応用物理学会プラズ

う研究など）

マエレクトロニクス分科会【問合せ】本村大成 (Taisei Motomura)

社会人の場合：仕事まつわるもの，企業・自社製品の PR，入社前の大学での研究など〒841-0052 佐賀県鳥栖市宿町 807-1

であれば，内容・分量は一切問いません．幅 0.9m×(独) 産業技術総合研究所(AIST) 九州センター

高さ１m 程度のボードが用意されますので，あら生産計測技術研究センター プラズマ計測チーム

かじめポスターのご準備をお願いします．本ポス

TEL： +81-(0)942-81-4058 (ext: 292-34058)
e-mail: t.motomura@aist.go.jp

ターセッションは全員の方の発表を原則としますが，発表に支障がある場合は事前参加申申込書に【担当幹事】

その旨をご記入下さい．

校長： 節原 裕一（大阪大学）【その他】懇親会，レクレーションを予定してい幹事： 明石 治朗 （防衛大学）

ます．本企画 HP に当日の詳細スケジュールを記

赤松 浩 （神戸市立高専）載しておりますので参考にして下さい．

石川 健治 （名古屋大学）【参加申込】

井上 泰志 （千葉工業大学）

本企画ホームページからお申し込みください．ポ

大島 多美子 （佐世保高専）

スター内容を示すキーワードを３つ程度記入いた

鷹尾 祥典 （横浜国立大学）

だきます．参加登録の確認を通知しますので，参松井 信 （静岡大学）

加費を銀行振込願います．なお，参加費の振込で本村 大成 （産総研九州）

は必ず個人名と「PEIH」という 4 文字のアルフ【参考】http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/PE_S

ァベットを記載してください（例：木村太郎さんの場合“キムラタロウ PEIH”など）．一旦振り込まS_2014/63

行事案内

67th Gaseous Electronics Conference
MARIOTT CITY CENTER AND RALEIGH CONVENTION CENTER NORTH CAROLINA, USA
2014 年 11 月 3 日~11 月 7 日

名古屋大学

GEC Executive Committee Member 豊田

浩孝

第 67 回 気 体 電 子 会 議 (67th Gaseous Electronics

http://abstracts.aps.org/

Conference: GEC)が、2014 年 11 月 3 日~11 月 7 日の（Start Abstract Submission から入っていただき、

日程で、アメリカ North Carolina 州 Raleigh の Mariott

Gaseous Electronics Conference の欄を選択クリック

City Center and Raleigh Convention Center にて開催さ

してください。なお Submission ページに入れないとれます。GEC はプラズマ基礎、素過程、プラズマ応

きは、ブラウザのプライバシー設定のレベルを下げ用と広い範囲をカバーする歴史の長い会議で、またてみてください）本プラズマエレクトロニクス分科会とも関係が深く、当分科会の主催国際会議である反応性プラズマ国際

Deadlines

会議（International Conference on Reactive Plasmas）はReceipt of abstracts: June 13, 2014

1998 年のハワイ・マウイおよび 2010 年のフランス・

Nominations for GEC student award for excellence:

パリにおいて GEC との合同で開催されています。

June 2, 2014

本会議の歴史ある賞として Allis Prize 賞がありま

Requests for student travel assistance: June 2, 2014

すが、本年の Allis Prize Talk は University of California

Early registration: October 21 2014

at Berkeley の David Graves 教授による講演”Future

Hotel reservations: October 1, 2014

low temperature plasma science and technology:

会議の詳細につきましては会議 HP をご覧ください。

attacking major societal problems by building on a

http://go.ncsu.edu/gec

tradition of scientific rigor”が予定されています。また、

なお、
今回の GEC の次となる来年 2015 年の GEC

今年の GEC では５つの特別セッションが下記のよはプラズマエレクトロニクス分科会の国際会議

うに計画されています.

ICRP と合同にて 2015 年 10 月 12 日~16 日の日程で、Workshop (Monday, 3 November 2014)

ハワイにて開催されることとなっています。GEC は

Plasma Modelling Verification and Validation,

プラズマの基礎から応用を見通す位置にあり、
一方、

Plasma interactions with liquids

ICRP はプラズマ基礎の他さまざまなプラズマ応用

Plasma Enhanced Chemically Reactive Flow

に関する講演が多いことが特長であることから、Advanced RF systems for plasma control

GEC と ICRP は相補的な関係にあります。また、こその他にもいくつかの半日程度のWorkshopが計画の合同会議はプラズマエレクトロニクス分科会が海されています。

外の研究グループと連携を密にして開催する点でも講演申込み締切は、2014 年 6 月 13 日で締切延長

重要な意味があり、来年の ICRP/GEC 合同会議にむはありません。ご注意ください。また、講演申込み

けて、本年の GEC にも日本側から多数が参加されは以下からお願いします

ることを期待しています。
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American Vacuum Society (AVS)
61 International Symposium & Exhibition
米国真空学会第 61 回国際シンポジウム＆展示会
st大阪大学 浜口智志「AVS（米国真空学会）第 61 回国際シンポジ

さて、本誌「応用物理学会プラズマエレクトロニ

ウム＆展示会」（以下、「AVS シンポジウム」と略

クス（PE）分科会」と、研究分野の重なる AVS記）が、2014 年 11 月 9 日（日）から 11 月 14 日の分科会である PSTD の今年のシンポジウムで（金）までの６日間、米国メリーランド州ボルチ

は、モアの Baltimore Convention Center にて開催

この分科会の伝統的なテーマである FEOL/Gate

される（下記）。これは、AVS の主催する会議のEtching; BEOL/Interconnect Etching; Plasma

中で最大の国際会議で、例年、世界中から、1,400

Surface件以上の発表、200 件以上の展示、3,000 人程度

Plasma Modeling; Plasma Sources に加え、近の参加者が集まる。AVS シンポジウムは、10 の年発展著しい分野である Atmospheric Pressure分科会（divisions）, 2 つの technical group とよPlasmaばれる、分科会に準ずる組織, および、その時々

Nanoparticlesの話題に合わせて形成される 16 の focus topic とmaterials のセッションが設けられるが、更に、よばれる臨時の分科会的なグループが、それぞれ、PlasmaImplantation;

Plasma

自ら組んだプログラムからなり、AVS の本部組織

Assisted Atomic Layer Deposition(ALD);

が全体の整合性を取って運営している。

Atomic Layer Etching (ALE) の新しいセッショInteractions;

Processing;

Based

and
Ion

PlasmaPlasmaDiagnostics;

Synthesis

Nanostructures;of2D

AVS シンポジウムは、「真空学会」の名の通り、ンも設けられる予定である。例年 PSTD は、多く

古くは、真空の科学に関する学術会議として発展の招待講演を企画するが、本年度の PSTD は、そしてきた。しかし、近年は、真空の科学へはこだの中で、３名の日本人の招待講演者を予定していわらず、物質表面の科学などを中心とした、ナノる。PSTD の組織委員の一人として、本年も、多テクノロジー等の多彩な科学技術の国際会議とし数の参加者のあることを心より願っている。

て発展してきている。たとえば、AVS 内のプラズ
マに関する分科会である「プラズマ科学技術分科

記会（Plasma Science and Technology Division :会議名： AVS 61st International Symposium &PSTD）」においても、半導体微細加工や薄膜堆積

Exhibition

技術から発展して、表面・界面のナノスケール構

日時：2014 年 11 月 9 日（日）から 11 月 14 日

造形成および制御、それらによる細胞培養技術や場所：Baltimore, Maryland, USA

高効率エネルギーシステムなど、その応用分野は

主催：American Vacuum Society

多岐にわたっている。

詳細情報：
https://www.avs.org/Meetings-Exhibits/Information

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行事案内

Plasma Conference 2014／第 32 回プラズマプロセシング研究会
名古屋大学 豊田 浩孝

本分科会の主催研究会であるプラズマプロセ

エレクトロニクス分科会の重要な主催研究会であシング研究会は、
昭和 59 年に第 1 回が開催されてるプラズマプロセシング研究会でもあり、また日以来、本分科会の会員を中心とした関係研究者が本におけるプラズマ研究者が一堂に会する会でも一堂に会する研究会としてほぼ毎年開催されておあることから、参加される方には新しい刺激を得りプラズマエレクトロニクス分科会における重要るよい機会にもなると思います。今からスケジュな行事のひとつであります。また、本分科会の国ールをご予定いただき、ぜひとも多くの方のお申際会議である反応性プラズマ国際会議はほぼ 3 年

し込みをいただきますようお願い申し上げます。

に１回開催されており、その時はプラズマプロセ【開催期間】2014 年 11 月 18 日（火）-21 日（金）シング研究会という位置づけともなります。
さて、【開催場所】朱鷺メッセ：

第 32 回プラズマプロセシング研究会は、
本分科会

新潟コンベンションセンターとプラズマ・核融合学会および日本物理学会との〒950-0078 新潟市中央区万代島6 番1 号

共同で開催される Plasma Conference2014 としてTEL.025-246-8400、FAX.025-246-8411

2014 年 11 月 18 日（火）-21 日（金）の日程で新【一般講演締切】2014 年 8 月 1 日(金)

潟市の朱鷺メッセ(新潟コンベンションセンター)【予稿オンライン登録締切】2014 年 10 月 24 日

にて開催されます。本 Plasma Conference は、各学【事前参加登録締切】2014 年 10 月 31 日(金)協会等に分散して展開されているプラズマ科学・【若手優秀発表賞】当会議が関与する学術分野のプラズマ応用の研究活動を総合的に把握し、新し発展に貢献する優秀な一般講演論文を発表

いプラズマ科学・プラズマ応用の発展を目指すこ（口頭発表またはポスター発表）した若手・とを目的として開催されており、今回が第 2 回目

学生会員に対して、「若手優秀発表賞」を授です。今回は日本物理学会が幹事学会となり、応与いたします。受賞候補者となるには、一般用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会とプ講演野申し込みの際の申請が必要です。

ラズマ・核融合学会が協力して開催されます。
前述のとおり本 Plasma Conference はプラズマ

詳細は会議 HP をご覧ください
http://www.jspf.or.jp/PLASMA2014/

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行事案内

第 25 回プラズマエレクトロニクス講習会～プラズマプロセスの基礎とその応用・制御技術～
主催： 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会

5. 『半導体ドライエッチング技術』
名古屋大学 関根 誠 先生

協賛：日本物理学会、電気学会、プラズマ・核融合学会、日6. 『統計解析を用いた半導体プロセス制御技術』

本化学会、電子情報通信学会、放電学会、日本真空学（株）日立製作所 田中 潤一 先生

会、ドライプロセスシンポジウム（一部打診中）※

講義題目は、一部仮題です。

日時： 2014 年 11 月 26 日(水) 9:30～18:00
参加費： （テキスト代を含む。かっこ内は学生）
場所：東京工業大学 田町キャンパス 国際会議室
東京都港区芝浦 3-3-6
JR 田町駅徒歩 2 分、もしくは都営浅草線三田駅
http://www.titech.ac.jp/about/campus_maps/tamachi.html

内容／プログラム： プラズマプロセスは、エレクトロニク
ス分野では半導体デバイスやフラットパネルディスプレ

 応物・PE 分科会個人会員

18000 円（4000 円）

 応物個人会員 ※21000 円（5000 円）

 分科会のみの個人会員

22000 円（6000 円）

 協賛学協会・応物法人賛助会員

22000 円（6000 円）

 その他

25000 円（9000 円）※参加申込時に PE 分科会（年会費 3,000 円）に御入会頂ければ、分科会個人会員扱いとさせて頂きます。

イの開発・製造を支える技術であると共に、医療やエネ
ルギー・環境応用を始めとする幅広い分野でも欠くこと

定員： 99 名のできない基盤技術となりつつあります。このような背景を踏まえ、本講習会では、産業応用で必要とされるプ

お申込み： プラズマエレクトロニクス分科会ホームペー

ロセスプラズマの生成、診断・制御、モニタリング技術のジ

基本と、その先端応用技術について各分野にて第一線

http://annex.jsap.or.jp/plasma/

でご活躍の先生方よりご講義頂きます。今年は、応用技

お申し込みの上、下記指定口座へ振込み願います。

術として大気圧プラズマによる成膜および環境クリーン（申し込み専用 web ページは 8 月中旬開設予定）

化技術、半導体製造における極微細エッチングおよびそ-----------------------------------------------の制御技術にフォーカスしました。初学者から先端の研三井住友銀行 本店営業部 普通預金 ３３３９８０８

究開発者まで幅広い皆様のご参加をお待ち申し上げま(公社) 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会

す。

-----------------------------------------------

より※Web 申し込み期限は、11 月上旬の予定です。

■ 第１部：プラズマプロセスの基礎 9:30～12:30 ■1. 『プラズマプロセスの基礎と素過程』

お問合せ：

大阪大学 浜口 智志 先生

小田 康代 （応物事務局） ・・・ 申し込み手続き関連
TEL 03-5802-0863 FAX 03-5802-6250
e-mail: oda@jsap.or.jp

2. 『プラズマ計測と診断』
北海道大学 佐々木 浩一 先生

伊澤 勝 （日立ハイテク、担当幹事代表） ・・・ 開催内容関連
e-mail: izawa-masaru@sme.hitachi-hitec.com■ 第２部：プラズマ技術の最前線 13:50～18:00 ■3. 『大気圧プラズマ技術と成膜応用』
大阪大学 垣内 弘章 先生

・担当幹事
大村 光広 （東芝）、久保井 信行 （ソニー）、小林
浩之 （日立）、伝宝 一樹（ＴＥＬ）、松隈 正明（ＴＥＬ）、
和田 昇 （三菱）

4. 『プラズマを用いた環境クリーン化技術』
豊橋技科大 水野 彰 先生

67

行事案内
第 36 回ドライプロセス国際シンポジウム(略称: DPS2014)
36th International Symposium on Dry Process (DPS2014)
防衛大学校 中野 俊樹
高度情報化社会を担うマイクロエレクトロニクス技術の高度化が進むなかで，ドライプロ
セスの役割はますます大きくなってきております．ドライプロセスにおける様々な物理的・化学的現象の解明は，今後のマイクロエレクトロニクス，マイクロマシンやナノテク
ノロジー分野を中心とした電気・電子，半導体工学のみならず，医療やバイオを含めた先端技術産業の発展と新たなる応用の開拓に大きく寄与すると期待されます． 特に，半導体技術を中心とするドライプロセスの基礎および応用に関して，日本は世界のトップレベルにあり，研究者・技術者の数も多数おります．このような背景のもと，ドライプロセスの基礎から応用に携わる世界の研究者が一堂に会して，先端的成果を発表・討論し，相互の理解を深める本国際会議を開催することは，電気分野の基礎・材料の発展のみならず情報システム，マイクロエレクトロニクス，ディスプレイ，半導体デバイス，バイオテクノロ
ジー，マイクロマシン，機能性材料を基盤とする電気・電子・情報・バイオ分野およびナノテクノロジー分野における次世代のブレークスルー的技術の創製に繋がると期待されます．詳細は以下の URL をご覧ください．
URL: http://www.dry-process.org/2014【主催】応用物理学会【協賛（予定）】電子情報通信学会，電気化学会，日本表面科学会，化学工学会，日本真空学会，電気学会，日本化学会，表面技術協会，放電学会，プラズマ・核融合学会，，名古屋大学プラズマナノ工学研究センター【開催期間】
2014 年 11 月 27 日（木），28 日（金）【開催場所】
パシフィコ横浜 アネックスホール〒220-0012 神奈川県横浜市西区みなとみらい 1-1-1
TEL: 045-221-2155【トピックス・スコープ】
68

一般講演分野：
・ドライエッチング技術
・成膜（PVD/CVD/ALD）技術 ・表面反応およびプラズマ誘起ダメージ
・プラズマおよび表面のモニタリングと診断技術
・モデリングとシミュレーション・プラズマ生成技術 ・プラズマプロセスを用いた製造サイエンス・３次元デバイス，フラットパネルディスプレイ， 太陽電池へのプラズマ応用
・新デバイス材料（メモリ，パワー，ロジックデバイス）へのプラズマ応用・医療，薬理作用，マイクロメカニカル エレクトロシステム（MEMS），ナノ科学
・大気圧，液体プラズマプロセス
・新規のプラズマ応用技術
アレンジセッション：
・新世代リソグラフィーのためのドライエッチング技術
・原子層エッチング／原子層堆積技術【会議使用言語】
英語【会議関連スケジュール】
講演申込締切 2014 年 8 月 12 日
講演採択通知 2014 年 9 月中旬
事前参加申込締切 2014 年 10 月 22 日
JJAP 特集号投稿締切 2014 年 11 月 27 日
【講演申込に関して】申込みの際には所定の書式に従った A4 版２頁の英文プロシーディングスを下記の URL から投稿してください．その後の審査の結果，口頭発表，ポスター発表，不採択に分類します．採択された場合は提出された原稿がそのままプロシーディングスとして発刊されます．
詳細は HP 参照．
http://www.dry-process.org/2014【JJAP 特集号に関して】2014 年 11 月 27 日までに JJAP の Website (http://jjap.jsap.jp/special/)から投稿してください．特集号の特別編集委員会により通常の JJAP 審査手順を経て掲載を判断します．
69

【参加費】
一般： 主催協賛学会会員 30,000(35,000)円
非会員 35,000(40,000)円
学生： 8,000(10,000)円（カッコ内は，2014 年 10 月 23 日以降）
プロシーディングス代含む， 懇親会費は含まない【懇親会】
日時：2014 年 11 月 27 日 18 時 30 分～ （開始時間は若干の変更の可能性あり）
開催場所：パシフィコ横浜 展示ホール内 ハーバーラウンジ B【関連委員】[組織委員長]：藤原 伸夫（三菱電機）[実行委員長]：中野 俊樹（防衛大学校）[論文委員長]：林 久貴（東芝）[出版委員長]：関根 誠（名古屋大学）【問合せ先】DPS2014 事務局 中野 俊樹〒239-8686 神奈川県横須賀市走水 1-10-20
防衛大学校 電気情報学群 電気電子工学科
TEL/FAX : 046-841-3810 内 2225
E-Mail: dps2014@nda.ac.jp

70

行事案内

第９回反応性プラズマ国際会議/第６８回気体電子会議合同会議
ICRP-9/68th GEC
9th International Conference on Reactive Plasmas/
68th Gaseous Electronics Conference
2015 年 10 月 12 日～16 日

名古屋大学

ICRP-9 組織委員長

豊田 浩孝

プラズマエレクトロニクス分科会は毎年「プラズ（International

Symposiumon

Plasmaマプロセシング研究会」を開催しておりますが,Chemistry ： ISPC ） や 電 離 気 体 現 象 国 際 会 議

約 3 年に 1 回,プラズマエレクトロニクス分科会の（ International Conference on Phenomena in

主催する国際会議として反応性プラズマ国際会議

Ionized Gases: ICPIG）がありますが、ICRP の特(International Conference on Reactive Plasmas:

徴はプラズマの基礎を軸としつつ,その応用にも

ICRP)を開催しており、これまでに第１回から第８

視点を拡げた会議、というところにあり、アメリ

回まで名古屋（１９９１年）、横浜（１９９４年）、

カやヨーロッパの会議との共同開催を通して国際

奈良（１９９７年）、ハワイ（１９９８年）、フ的にも知られた著名な会議のひとつになっており

ランスグルノーブル（２００２年）、宮城（２０ます。

０６年）、フランスパリ（２０１０年）、福岡（２そのような中、次回の ICRP-9 は GEC と合同にて

０１４年）にて開催してきました。ICRP-8 が本年

来年２０１５年１０月にハワイにて開催される運

２月に福岡で開催されたことは皆様のご記憶に新びとなりました。来年秋開催の会議ということで、しいことと思います。

まだ早い時期ではございますが、分科会会員の皆これまでの開催履歴を見てもわかりますように様にお知らせをさせていただく次第です。詳細はICRP はしばしば海外にて合同会議として開催さ今後改めましてご案内をさせていただきますが、れておりまして、１９９８年ハワイおよび２０１

アメリカ本土と日本の間に位置するハワイにおけ０年フランスパリの ICRP は Gaseous Electronics

る会議開催であり、日本からも比較的参加していConference（GEC)と合同で、また２００２年フラ

ただきやすい開催場所と思います。ぜひとも多く

ン ス グ ル ノ ー ブ ル は European Conference onの方にご参加をいただきますようお願い申し上げ

Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases

ます。また、GEC は毎年開催される会議であり、（ESCAMPIG）と合同で開催されています。プラズ

今年は North Carolina にて開催されます。今年はマに関する会議は、放電・プラズマの基礎を中心

ICRP/GEC 合同会議の前年ということになりますとしたアメリカの会議である GEC やプラズマの基

ので、こちらにも多数の方にご出席いただきます

礎過程を中心にしたヨーロッパの会議である

よう、お願い申し上げます。

ESCAMPIG の 他 、 プ ラ ズ マ 化 学 国 際 会 議71

2014(平成 26)年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿
氏名

所属

住所・電話

メールアドレス

幹事長

豊田浩孝

名古屋大学
工学研究科
電子情報システム専攻

toyoda@nuee.nagoya-u.ac.jp

副幹事長

節原裕一

副幹事長

杤久保文嘉

大阪大学接合科学研究所
加工システム研究部門
エネルギー変換機構学分野
首都大学東京理工学研究科
電気電子工学専攻

副幹事長

伊澤

幹事
任期
2015 年 3 月

明石 治朗

防衛大学校
応用科学群応用物理学科

石川 健治

名古屋大学大学院工学研究科
附属プラズマナノ工学研究センター

伊藤昌文

名城大学理工学部
電気電子工学科

川崎 敏之

日本文理大学
工学部機械電気工学科

古閑一憲

九州大学
大学院システム情報科学研究院
情報エレクトロニクス部門

鷹尾 祥典

横浜国立大学大学院 工学研究院
システムの創生部門
京都工芸繊維大学
大学院工芸科学研究科
電子システム工学部門
電子物性工学講座
金沢大学理工研究域
電子情報学系〒464-8603
名古屋市千種区不老町
Tel: 052-789-4698
Fax: 052-789-3150〒567-0047
大阪府茨木市美穂ヶ丘 11 番 1 号
Tel: 06-6879-8641〒192-0397
八王子市南大沢 1-1
Tel: 042-677-2744
Fax: 042-677-2756〒744-0002
山口県下松市大字東豊井 794
Tel: 090-4535-9279〒239-8686
横須賀市走水 1-10-20
Tel: 046-841-3810
Fax: 046-844-5912〒464-8603
愛知県名古屋市千種区不老町
Tel/Fax: 052-788-6077〒468-8502
愛知県名古屋市天白区塩釜口 1-501
Tel/Fax: 052-838-2306〒870-0397
大分県大分市一木 1727
Tel: 097-524-2612
Fax: 097-593-2071〒819-0395
福岡市西区元岡７４４
Tel: 092-802-3716
Fax: 092-802-3717〒240-8501
横浜市保土ヶ谷区常盤台 79-5
Tel/Fax: 045-339-3889〒606-8585
京都市左京区松ヶ崎御所海道町
Tel: 075-724-7418
Fax: 075-724-7400〒920-1192
石川県金沢市角間町
Tel: 076-234-4846
Fax: 076-234-4870〒252-5298
神奈川県相模原市中央区下九沢 1120
Tel: 042-779-9925
Fax: 042-771-0329〒060-8628
札幌市北区北 13 条西 8 丁目
Tel: 011-706-6658
Fax: 011-706-6657〒305-0841
茨城県つくば市御幸が丘 17
Tel: 029-860-3632
Fax: 029-860-3607〒841-0052
佐賀県鳥栖市宿町 807-1
Tel: 0942-81-4058
Fax: 0942-81-3690〒661-8661
尼崎市塚口本町８－１－１
Tel: 06-6497-7069
Fax: 06-6497-7285〒651-2194
神戸市西区学園東町８－３
Tel: 078-795-3311 内線：235
Fax: 078-795-3235〒275-0016
習志野市津田沼２－１７－１
Tel: 047-478-4308〒857-1193
佐世保市沖新町１－１
Tel: 0956-34-8479〒512-8550
四日市市山之一色町８００（四日市工場）
Tel: 059-390-7327

勝

〃

〃

〃

〃

〃
高橋和生
〃
田中 康規
〃
南部英高

ルネサスエレクトロニクス（株）
生産本部 プロセス技術統括部
プロセス加工技術部

西山修輔

北海道大学大学院
工学研究院
量子理工学部門
プラズマ理工学分野
東京エレクトロン（株）
技術開発センター
シミュレーショングループ

〃

〃
松隈正明
〃
本村大成
〃
昇

赤松

浩

井上

泰志

千葉工業大学
工学部機械サイエンス学科

大島

多美子

佐世保工業高等専門学校
電気電子工学科大村光広

東芝 S&S 社
半導体研究開発センター
ユニットプロセス技術開発部 ＵＰ
２

〃

〃

〃

(独) 産業技術総合研究所
九州センター
生産計測技術研究センター
プラズマ計測チーム
三菱電機(株)
先端技術総合研究所
環境システム技術部
放電応用グループ神戸市立工業高等専門学校
電気工学科

和田
〃
幹事
任期
2016 年 3 月（株）日立ハイテクノロジーズ
笠戸地区プロセス研究開発部

72

setsuhara@jwri.osaka-u.ac.jp

tochi@tmu.ac.jp

izawa-masaru@sme.hitachi-hitec.com

akashi@nda.ac.jp

ishikawa@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp

ito@meijo-u.ac.jp

kawasaki@nbu.ac.jp

koga@ed.kyushu-u.ac.jp

takao.yoshinori.7a@kyoto-u.ac.jp

takahash@kit.jp

tanaka@ec.t.kanazawa-u.ac.jp

hidetaka.nambu.hx@renesas.com

shu@eng.hokudai.ac.jp

masaaki.matsukuma@tel.com

t.motomura@aist.go.jp

Wada.Noboru@bx.MitsubishiElectric.co.jp

akamatsu@kobe-kosen.ac.jp

inoue.yasushi@it-chiba.ac.jp

ohshima@sasebo.ac.jp

mitsuhiro.omura@toshiba.co.jp

幹事
任期2016 年 3 月

岡田

健

久保井

東北大学流体科学研究所

信行

〃
小林

浩之

斉藤

和美

寺本

慶之

伝宝

一樹

東京エレクトロン山梨（株）
技術開発センター
プラズマ要素技術グループ

松井

信

静岡大学
大学院工学研究科
機械工学専攻

本村

英樹

渡辺

隆行

愛媛大学
大学院理工学研究科
電子情報工学専攻
九州大学
大学院工学研究院
化学工学部門

〃

〃

〃

〃

〃

〃

〃

ソニー（株）R&D プラットフォーム
STDD デバイス設計部
シミュレーション設計 2 課（株）日立製作所中央研究所
ナノプロセス研究部
ルネサスエレクトロニクス（株）
生産本部
プロセス技術統括部
プロセス加工技術部(独) 産業技術総合研究所
環境管理技術研究部門
環境負荷制御研究グループ〒980-8577
仙台市青葉区片平 2-1-1
流体科学研究所 2 号館 510 号室
Tel: 022-217-5318〒243-0014
厚木市旭町 4-14-1
Tel: 050-3141-4305〒185-8601
国分寺市東恋ケ窪１－２８０
Tel: 042-323-1111 内線：2403〒252-5298
神奈川県相模原市中央区下九沢 1120
Tel: 042-779-9925
Fax: 042-771-0329〒305-8569
茨城県つくば市小野川 16-1
Tel: 029-861-3084
Fax: 029-861-8866〒407-0192
山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢 650
Tel: 0551-23-2327
Fax: 0551-23-4462〒432-8561
浜松市中区城北３－５－１総合研究棟 R503Tel/Fax: 053-478-1064〒790-8577
松山市文京町３
Tel: 089-927-8577〒819-0395
福岡市西区元岡 744
Tel/Fax: 092-802-2745

73

okada@sammy.ifs.tohoku.ac.jp

Nobuyuki.Kuboi@jp.sony.com

hiroyuki.kobayashi.sy@hitachi.com

kazumi.saitou.ub@renesas.com

yoshiyuki-teramoto@aist.go.jp

kazuki.denpoh@tel.com

tmmatui@ipc.shizuoka.ac.jp

hmoto@mayu.ee.ehime-u.ac.jp

watanabe@chem-eng.kyushu-u.ac.jp

2014(平成 26)年度分科会幹事役割分担
役割分担

9. ホームページ
10. 会計11. プラズマエレクトロニクス賞
12. アカデミックロードマップ（戦略企画室）13. PE 懇親会
秋：北海道大学、春：東海大(平塚)

豊田浩孝
節原裕一
杤久保文嘉
伊澤勝
寺本慶之
杤久保文嘉
渡辺隆行
井上泰志
小林浩之
伝宝一樹
節原裕一
岡田健
松井信
伝宝一樹
大村光広
斉藤和美
大島多美子
本村英樹
節原裕一
井上泰志
渡辺隆行
本村英樹
節原裕一
井上泰志
松井信
大島多美子
赤松浩
伊澤勝
大村光広
久保井信行
小林浩之
伝宝一樹
斉藤和美
赤松浩
本村英樹
大島多美子
豊田浩孝
杤久保文嘉
豊田浩孝
岡田健
久保井信行

新任
名古屋大学
大阪大学
首都大学東京（株）日立ハイテクノロジーズ
産業技術総合研究所
首都大学東京九州大学
千葉工業大学（株）日立製作所
東京エレクトロン（株）
大阪大学
東北大学
静岡大学
東京エレクトロン（株）（株）東芝
ルネサスエレクトロニクス（株）
佐世保高専
愛媛大学
大阪大学
千葉工業大学
九州大学
愛媛大学
大阪大学
千葉工業大学
静岡大学
佐世保高専
神戸市立高専（株）日立ハイテクノロジーズ（株）東芝
ソニー（株）（株）日立製作所
東京エレクトロン（株）
ルネサスエレクトロニクス（株）
神戸市立高専
愛媛大学
佐世保高専
名古屋大学
首都大学東京
名古屋大学
東北大学
ソニー（株）GEC 委員（オブザーバー）

豊田浩孝

名古屋大学

幹事長
副幹事長

1. 庶務・分科会ミーティング
2. 春秋講演会シンポジウム
シンポジウム・海外招待講演
分科内招待講演
チュートリアル講義
3. プラズマプロセシング研究会
H26 年度：プラズマコンファレンス
H27 年度：ICRP/GEC

4. 光源物性とその応用研究会
5. プラズマ新領域研究会

6. インキュベーションホール

7. プラズマエレクトロニクス講習会

8. 会誌編集・書記

74

留任

本村大成
古閑一憲
高橋和生
松隈正明
伊藤昌文

(独)産業技術総合研究所
九州大学
京都工芸繊維大学
東京エレクトロン（株）
名城大学

古閑一憲
和田昇
石川健治
高橋和生
川崎敏之
田中康則

九州大学
三菱電機(株)名古屋大学
京都工芸繊維大学
大分大学
金沢大学

明石治朗
田中康則
鷹尾祥典
伊藤昌文

防衛大学
金沢大学
京都大学
名城大学

石川健治
本村大成
鷹尾祥典
明石 治朗

名古屋大学
(独)産業技術総合研究所
京都大学
防衛大学

松隈正明
和田昇

東京エレクトロン（株）
三菱電機(株)

川崎敏之
松隈正明
西山修輔
高橋和生

日本文理大
東京エレクトロン（株）
北海道大学
京都工芸繊維大学

鷹尾祥典
西山修輔

京都大学
北海道大学

2014(平成 26)年度分科会関連の各種世話人・委員
１．応用物理学会講演会プログラム編集委員
8.1 プラズマ生成・制御
8.2 プラズマ診断・計測
8.3 プラズマ成膜・表面処理
8.4 プラズマエッチング
8.5 プラズマナノテクノロジー（代表）

柳生 義人
伊藤 剛仁
太田 貴之
前田 賢治
佐藤 孝紀
金子 俊郎
小田 昭紀
山田 英明

(佐世保高専)(大阪大)（名城大）(日立中研)（室蘭工大）（東北大）（千葉工大）（産総研）

２．応用物理・編集委員

野崎 智洋

（東工大）

３．応用物理学会代議員

斧 高一
酒井 道
白谷 正治
豊田 浩孝
野崎 智洋
平松 美根男

（京都大）
（京都大）
（九州大）
(名古屋大)（東工大）（名城大）

４．GEC 組織委員会委員

豊田 浩孝（名古屋大）

５．その他：本部理事

斧 高一
白谷 正治
平松 美根男

（京都大）
（九州大）
（名城大）

６．諮問委員

寺嶋 和夫（東京大学）

７．フェロー

岡本 幸雄
斧 高一
河野 明廣
寒川 誠二
白谷 正治
菅井 秀郎
高井 治
橘 邦英
中山 喜萬
畠山 力三
藤山 寬

（東洋大）
（京都大）
（名古屋大）
（東北大）
（九州大）
（中部大）
（名古屋大）
（愛媛大）
（大阪大）
（東北大）
（長崎大）

8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野

75

８．名誉会員

76

堀 勝
真壁 利明
渡辺 征夫

（名古屋大）（慶應大）（九州電気専門学校）

後藤 俊夫

（中部大）

平成 25 年度後期および平成 26 年度前期活動報告
第 69 回プラズマエレクトロニクス分科会

キュベーションホール

ミーティング／平成 25 年度第 3 回幹事会議

・豊田副幹事長（名大）より、2013 年 9 月

事録

25 日～27 日に静岡県御殿場市で開催されたインキュベーションホールの報告があっ日時：平成 26 年 2 月 5 日（水）
12:30～13:30

た。参加人数は 65 名であり、新規会員、新場所：福岡コンベンションセンター4 階

規分科会の会員が増加したことが報告され、（402 室）

収支決算が承認された。アンケートによると、例年かなりタイトな日程であったのが１．プラズマカンファレンス 2014

多少緩和されたことが読み取れる。次年度

・田中和夫プラズマカンファレンス 2014は 2014 年 8 月 31 日～9 月 2 日に、例年同会議議長（大阪大）より御挨拶があり、会様、御殿場にて行う予定。

議の形態、開催の経緯、会議の組織など、
４．第 24 回プラズマエレクトロニクス講習

開催趣意についての説明あった。

会
２．プラズマカンファレンス 2014

・辰巳副幹事長（ソニー）より、2013 年 11

・栗原一彰プラズマカンファレンス 2014

月 8 日に東京大学で開催されたプラズマエ

組織委員会委員（東芝）より、進捗状況報

レクトロニクス講習会の報告があった。参告があった。本会義では運営体制を学会別

加人数は 85 名であり、参加人数の増によるでなく活動することにし、窓口をプラズマ

収入の増が大きく、約 174 万円の収支差額

核融合学会が統一し、講演等に関するルーが出たことが報告された。海外からの講師

ルは主担当である物理学会のものを適用すをよんではどうかとのアンケート結果がある。シンポジウムの募集においては、企画るとのこと。

者は発表者を選ぶが、企画者自身の発表はできないとの注意があった。プラズマカン

５．第 15,16 回プラズマエレクトロニクス

ファレンスとしての賞を作り、メダルを授

新領域研究会

与する予定。会計予算案についての質問が・豊田副幹事長（名大）より、2 件の新領本議題について出され、黒字の扱いについ

域研究会の開催報告がなされた。第 15 回研て議論になったが、本件については提案が究会は、ダイヤモンドおよびグラフェン関

あれば栗原組織委員会委員にメールで提案

連物質のプラズマプロセシングと先進応用することになった。PE 分科会としては本会と題して 2013 年 11 月 22 日に、名城大学

議を第 32 回プラズマプロセシング研究会で行われた。参加人数は 40 名。この研究会として位置付ける。

は電気学会プラズマ研究会との共催で行われた。第 16 回研究会は、無機・有機ナノ構

３．第 7 回プラズマエレクトロニクスイン

造体の作製・制御とデバイスへの応用に関77する研究会と題して 2013 年 12 月 23 日に、

application の題目で講演していただく予

神戸市の「大学利用施設 UNITY（ユニテ定。日時は 2014 年 3 月 18 日 11:00～11:45 、

ィ）」で行われた。参加人数は 19 名。新領

場所は E9(E203)会場。

域研究会は担当幹事が自由に企画できることとの趣旨と、さらに多くの提案をお願い

９．2014 年春季学術講演会するとの旨が伝えられた。

ィング

分科会ミーテ・本村幹事（産総研）より、分科会ミーテ
６．ICRP-8/SPP-31

ィング準備の進捗について報告がなされた。

・白谷諮問委員（九大）より、2014 年 2 月

日時は 2014 年 3 月 18 日 11:45～13:15、場

4 日～7 日に福岡国際会議場で行われた第 8所は F2(F204)会場。
（ついでに日程確認が回反応性プラズマ国際会議/第 31 回プラズ

行われ、PE 賞受賞式は同日 13:30～13:45、

マプロセシング研究会の状況報告がなされシンポジウムは同日 13:45～18:00 で場所た。参加人数は 620 名であり、内訳は日本はどちらも F7(F307)会場。懇親会も同日。

424 名、
韓国 106 名、その他 60 名であった。

懇親会で、招待講師や奥さんがベジタリア

会計は黒字となる見込み。来年の ICRP9 は、 ンかどうかを調べた方がよいとのコメント
米国 GEC との共催によりハワイで行われ

あり。
）

る。
１０．2014 年度プラズマエレクトロニクス
７．第 17 回プラズマエレクトロニクス新領分科会新幹事について

域研究会

・豊田副幹事長（名大）より、2014 年度

・鷹尾幹事（京大）より、第 17 回新領域研

PE 分科会幹事長・幹事の選挙結果について究会の進捗状況が報告された。本研究会は、報告がなされた。豊田幹事長候補以下１３

宇宙プラズマ推進と半導体ミニマルファブ

名の新幹事候補者の信任投票の結果、全員用プラズマ源の接点と題して 2014 年 3 月が信認され、新しい幹事の正式な就任が認

10 日に、リファレンス駅東ビル３階Ｈ会議められた。これに伴い、幹事長候補は副幹室で行われる。宇宙推進とミニマルファブ

事長候補者として、節原裕一先生（阪大）、には電力の制約として共通点があり、興味杤久保文嘉先生（首都大学東京）、伊澤勝様のある方への参加を募る旨が伝えられた。

（日立ハイテク）を指名したとの報告があった。

８．2014 年春季学術講演会

海外研究者招待講演

１１．分科会会報

・高橋幹事（京都工芸繊維大）より、海外・川崎幹事（日本文理大）より、分科会会

招待者講演について、予定されている内容

報 59 号が昨年 12 月に無事発行された旨がや進捗について報告がなされた。講師はフ報告された。

ランスの Laifa Boufendi 先生で、CVD 環・松隈幹事（東京エレクトロン）より、プ

境 で の 微 粒 子 の 話 を Dusty plasma inラズマエレクトロニクス分科会会報
78

（No.60）の目次及び、編集進捗状況について報告が行われた。寄稿等の執筆者の推薦と、原稿〆切は 5 月 9 日を予定しており極力守って欲しいとのアナウンスがあった。
（記：向川政治（岩手大））

79

第 70 回プラズマエレクトロニクス分科会

旧：林 久貴 様（東芝）

ミーティング／平成 25 年度第 4 回幹事会議

新：前田 賢治（日立中研）

なお，新メンバーは 2014 年秋季講演会か

事録（応用物理学会インフォーマルミーティング内）

らプログラム編集をご担当するとのこと。

日時： 平成 26 年 3 月 18 日（水）12:00（3）コンベンションセンター利用について
2015 年春季講演会が「名古屋国際会議～13:15場所： 青山学院大学相模原キャンパス場」で開催されることが理事会で承認され

F2 F204 会場

た。夜の時間帯も利用でき，夜にポスター
セッションを開催することについて特に反●「8.プラズマエレクトロニクス」大分類

対意見はなかった。また従来の 3 日間にこ分科意見交換会

だわらず，2014 秋から 4 日間での開催も視

佐藤先生（室蘭工大）を中心に下記につ野に入れて今後検討するとのこと。

いて意見交換がなされた。
（4）コードシェアセッションについて2014 年秋季講演会より中分類のジョイ（1）大分類分科，中分類の再編についての検討

ントセッション（事前申請不要）が創設さ理事会からは，大分類が細かすぎないか，れることが報告された。

現状を上手く反映しているか，名称が技術（5）Poster award の投票について

分野を上手く網羅しているか，との意見が寄せられているとの報告がなされた。これ

幹事やフェローに採点への協力依頼がなに対して，良く考えて立ち上げたので現状された。

では変更の必要性はないとの意見が寄せられた。

●平成 25 年度プラエレ分科会ミーティング（2）プログラム編集委員選出・交代につい寺嶋幹事長が司会進行を務められた。

て（1） 第 7 回インキュベーションホール報

次のように，プログラム編集委員が選出され，交代することが承認された。

告8.1 プラズマ生成・制御
旧：林 信哉 先生

豊田副幹事長（名大）より，平成 25 年 9
月 25～27 日に開催された第 7 回インキュ（九大）

新：柳生 義人 先生 （佐世保高専）

ベーションホールについて報告があった。

8.2 プラズマ診断・計測

参加者は 56 名。第 8 回が同じ場所で平成

旧：山形 幸彦 先生 （九大）

26 年 8 月末～9 月頭に 3 日間で開催予定と

新：伊藤 剛仁 先生 （阪大院）のこと。詳細については後日お知らせする

8.3 プラズマエッチングとのこと。なお，平成 26 年度も応用物理学
80

会から 15 万円の補助が確定したとのこと。

アル講演について報告があった。参加者 70名程度で盛大に開催されたとのこと。

（2）第 24 回プラズマエレクトロニクス講習（6）会報 No. 60 について

会報告
辰巳副幹事長（ソニー）より，平成 25 年

松隈幹事（東京エレクトロン）より，プ

11 月 18 日に開催された第 24 回プラズマエ

ラエレ会報 No. 60 の進捗状況について報告

レクトロニクスについて報告があった。参があった。川崎幹事（日本文理大）より，

加者 80 名程度。平成 26 年も 11/26 に東工

会報 No. 59 発行におけるご協力に対してお大で開催予定とのこと。

礼がなされた。

（3）新領域研究会報告（7）2014 年度春季講演会シンポジウムに

豊田副幹事長（名大）より，次のようについて開催された新領域研究会について報告があ高橋幹事（京都工繊大）より，2014 秋季った。

講演会分科企画シンポジウムのプログラム

第 15 回：平成 25 年 11 月 22 日（名城大）（講演者 6 名で 7 テーマ）が提案された。

第 16 回：平成 25 年 12 月 13 日（神戸ユニ

会場からは企業による応用やソフトウェア

ティ）

作成の観点からの講演も追加してはどうか

第 17 回：平成 26 年 3 月 10 日（福岡）との意見があった。さらに検討するとのこ

なお，平成 26 年度も応用物理学会からと。

15 万円の補助が確定したとのこと。

（8）2013 年度会計報告
北野幹事（阪大）より，当分科会の 2013

（4）ICRP-8 報告

年度会計について報告があった。黒字であ白谷諮問委員（九大）より，平成 26 年 2ることが示された。一方で，今後の予算有

月 4～7 日に開催された ICRP-8/SPP-31 に効活用が必要であることも提案された。会ついて報告があった。参加者数 632 名（3場からは 2015 年開催の ICRP-9 の予算確保

チュートリアル 80 名，4 ワークショップについて依頼がなされた。

100 名含），その内，日本 424 名，韓国 106
名，その他 108 名であった。発表件数 438（9）2014 年度分科会新幹事について

件，JJAP 投稿件数 100 件程度であった。

2013 年度で幹事を退任される方々から会計の詳細は後日報告するが，黒字で終了

挨拶がなされた。また，新幹事長の豊田副したとのこと。

幹事長（名大）からも挨拶がなされた。

（5）2014 年春季講演会チュートリアル報（10）関連会議

告・向川幹事（岩手大）の代理で三沢幹事（佐北野幹事（阪大）より，平成 26 年 3 月賀大）より，平成 26 年 3 月 21 日に神奈川

17 日に開催された春季講演会チュートリ

工科大で開催される「第 28 回光源物性とそ
81

の応用研究」のプログラムについて案内がなされた。
・栗原氏（東芝）より，平成 26 年 11 月 18
～21 日に開催の Plasma2014 について案内がなされた。特にシンポジウム提案募集の締め切りが平成 26 年 5 月 9 日で，50 件程度を予定しているとのこと（Reject される可能性あり）。
・白谷諮問委員（九大）より，アジア太平
洋物理学会プラズマ物理部門の設立について説明があった。会費無料なのでぜひ入会して欲しいとのこと。日本人入会者 300 名程度を期待しているとのこと。
・豊田副幹事長（名大）より，平成 27 年
10 月 11～15 日開催予定の GEC/ICRP-9 について案内がなされた。米国 GEC 共催で
ICRP-9 がハワイで開催されるとのこと。参
加依頼がなされた。
（記：川崎敏之（日本文理大学））

82

第 71 回プラズマエレクトロニクス分科会れた。また、今後の English session のあり

ミーティング／平成 26 年度第 1 回幹事会議方について、広く議論がなされ、様々な意事録見が出された。例えば、8.1-8.6 をまとめた
上 で English session と す る 、 English

日時：平成 26 年 3 月 29 日（土）13:30～

session でのアワードの創設、ワークショッ

16:30

プのようなアレンジセッションにする、招場所：東京工業大学 田町キャンパス キャ

待講演との内容のリンクさせる、海外の参

ンパスイノベーションセンター2 階（多目加者は会員じゃなくて発表できる方向にす

的室４）べき（応物への要望）、などである。

１．幹事紹介・挨拶

５．プラズマ新領域研究会について・豊田幹事長（名大）及び、出席した各幹・今後のプラズマ新領域研究会の予定につ事より自己紹介がなされた。

いて説明があった。

２．役割紹介６．第８回インキュベーションホール

・豊田幹事長より、各担当幹事の職務内容（2014.8.31－9.2）について説明及び新年度の役割分担案が紹・節原副幹事長（大阪大）より、第８回イ

介され、了承された。

ンキュベーションホールの準備状況および収支予算案について報告があった。開催日

３．応用物理学会（青学・2014.3）シンポ

程は 2014 年 8 月 31 日-9 月 2 日、
例年同様、ジウムなどについて

御殿場にて行う予定。消費増税に伴って参・野崎副幹事長（東工大）より、2014 年春

加費を上げるべきかについて議論がなされの応物の分科内招待講演、海外招待講演、た。若手向けにやるものなので、値段は据チュートリアル、シンポジウム等の報告がえ置く方向性となった。

あった。
７．プラズマエレクトロニクス講習会につ
４．応用物理学会（北大・2014.9）シンポ

いてジウムなどについて・伊澤副幹事長（日立ハイテク）より、第・杤久保副幹事長（首都大）より、2014 年

25 回プラズマエレクトロニクス講習会の秋の応物の分科内招待講演、海外招待講演、

実施案について報告があった。開催日時はチュートリアル、シンポジウム案について2014 年 11 月 26 日（水）、場所は東工大田の説明があった。チュートリアルは春のみ

町キャンパスで行う予定。講師は今後議論の開催、海外招待講演は秋のみとする、まし、最終的な承認は幹事長が行う方向となたプログラム案はこれまでの 3 日開催からった。

パラレルセッションを２つ以下に抑えるた
めに 4 日への開催とすることなどが議論さ

８．関連会議について83下記関連会議について、報告があった。

１）講演会等を含め、国際化にどのように(1) SPP-32/プラズマコンファレンス

対応していくのか？

2014２）２０１５年秋季講演会に向けての画期（2014.11.18-11.21）
（豊田）

的な企画

(2) ICRP9・GEC

３）プラズマエレクトロニクスのプレゼン（2015.10.11-10.16）（豊田）スを挙げるための方策と努力(3) 56th APS-DPP

この場では時間の都合もあり議論をしつく（2014.10.27-10.31）（豊田）

せなかったことあり、後日豊田幹事長より(4) AAPPS-DPP（アジア太平洋物理学

メールにて幹事に意見をきく方向となった。

会プラズマ部門）について（豊田）(5) 光源物性とその応用研究会について三重野幹事（静岡大）より、プラズマ技術（向川）の一般へのアピールについて、問題提起があった。

９．会報について

１１．新旧幹事による引継ぎ

・松隈幹事（東京エレクトロン）より、プ各担当による引継ぎ作業が行われた。

ラズマエレクトロニクス分科会会報（No.60）の目次及び、編集進捗状況につい2014 年度 第 2 回目の幹事会は，9 月の応て報告が行われた。

用物理学会（於；2014.9.17-9.20 北大）会
期中にて実施のインフォーマルミーティン
グ内で執り行う予定。

１０．その他
堀諮問委員（名古屋大）からの提案で、秋の応物について以下の問題提起があり、議論を行った。

（記：市川尚志（東芝））

84

第 13 回プラズマエレクトロニクス賞受賞候補論文の募集
名古屋大学

応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科豊田 浩孝

トロニクス分科会が主催する研究会、国際会議

会では、毎年、プラズマエレクトロニクスに関す等の会議録等のコピー。2 件以内る学術的あるいは工業的に価値のある優秀な論➢ 著者全員について和文で以下を記入した書類。
氏名、会員番号、勤務先（連絡先）

文を対象とし、その著作者に「プラズマエレクト
ロニクス賞」を贈り表彰を行っています。候補論➢ 推薦書（自薦、他薦を問わず、論文の特徴、優文は自薦・他薦を問いません。下記の要領により,れた点などを400 字程度わかりやすく記すこ

奮ってご応募下さい。

と。）

http://annex.jsap.or.jp/plasma/
表彰
授賞対象論文2015 年春季応用物理学会期間中に行います。受プラズマエレクトロニクス分科会が主催する

賞者には賞状および記念品を贈呈いたします。ま

研究会、国際会議等で発表され、かつ2012、2013,

た 2015 年秋季講演会期間中に記念講演を依頼す2014 年の発行の国際的な学術刊行物（JJAP な

る予定です。

ど）に掲載された原著論文。受賞者は、表彰の時点においてプラズマエレクトロニクス分科会会

書類提出期限員あるいは応用物理学会会員とする。

2014 年12 月25 日（木）当日消印有効

提出書類

書類提出先

以下の書類各１部、および、それらの電子ファ〒113-0034東京都文京区湯島2-31-22

イル（PDF ファイル）一式

湯島アーバンビル7階
公益社団法人応用物理学会➢ 候補論文別刷（コピーでも可、第１ページに候プラズマエレクトロニクス分科会幹事長

補論文と朱書すること。関連論文があれば２件（封筒表に「プラズマエレクトロニクス賞応募」

以内の別刷またはコピーを添付。）と朱書のこと。）
なお下記の賞規定もご参照下さい。

➢ 当該論文の内容が発表されたプラズマエレク

プラズマエレクトロニクス賞規定

1.

この規定はプラズマエレクトロニクスに関する学術的あるいは工業的に価値のある優

85

2.
3.

4.

5.

秀な論文を表彰の対象論文とし、その著作者

10. プラズマエレクトロニクス分科会幹事会は、にたいして公益社団法人応用物理学会プラ

毎年11 月までに授賞候補者募集要項を「プズマエレクトロニクス分科会（以後プラズマ

ラズマエレクトロニクス分科会会報」および

エレクトロニクス分科会と言う）が行う表彰

応用物理学会機関誌「応用物理」誌上に公表について定める。

し、広く募集する。

この表彰を「プラズマエレクトロニクス賞」

11. 受賞者の選考はプラズマエレクトロニクスという。

分科会幹事長が委嘱した「プラズマエレクト

表彰の対象論文は、原則として、プラズマエ

ロニクス賞」選考委員会が行う。

レクトロニクス分科会が主催する研究会、国12. 受賞者が決定したときは、「プラズマエレク

際会議等で発表され、且つ募集期間から過去

トロニクス賞」選考委員会委員長が、プラズ３年の間に国際的な学術刊行物に掲載されマエレクトロニクス分科会幹事会に選考のた原著論文とする。

経過および結果を報告する。

受賞者はプラズマエレクトロニクス分科会

13. プラズマエレクトロニクス分科会幹事長は、

会員あるいは応用物理学会会員とする。

選考の経過および結果を応用物理学会理事

受賞者は公募に応じた自薦および他薦候補会に報告する。

者から選考する。
6.

14. この賞の実施に関する必要な事項の審議おすでに公に顕著な賞を受けた論文は、プラズ

よび決定はプラズマエレクトロニクス分科

マエレクトロニクス賞の対象論文としない。

会幹事会が行う。

7.

表彰は原則として毎年２件以内とする。

8.

表彰は賞状授与および記念品贈呈とする。

9.

表彰は毎年応用物理学会春季講演会におい15. 本規定は、理事会の承認を経て改訂することができる。
付則：この規定は、平成14年4月1日より施行する。

て行う。

86

プラズマエレクトロニクス関連会議日程
国際会議
2014.8.24-28
The 15th International Union of Materials Research Societies (IRMRS-ICA 2014)
福岡大学 七隈キャンパス
http://iumrs-ica2014.org/symposia/symposia_D-2.php
2014.9.15-19
The 14th International Conference on Plasma Surface Engineering (PSE 2014)
Kongress haus, Garmisch-Partenkirchen
http://www.pse-conferences.net/pse2014.html
2014.11.3-7
67th Gaseous Electronics Conference
MARIOTT CITY CENTER AND RALEIGH CONVENTION CENTER NORTH CAROLINA, USA
http://go.ncsu.edu/gec
2014.11.9-14
American Vacuum Society (AVS) 61st International Symposium & Exhibition
Baltimore Convention Center, MD, USA
https://www.avs.org/Meetings-Exhibits/Information
2014.11.18-21
Plasma Conference 2014 / SPP32
朱鷺メッセ:新潟コンベンションセンター
http://www.jspf.or.jp/PLASMA2014/2014.11.27-28
36th International Symposium on Dry Process (DPS2014)
パシフィコ横浜 アネックスホール
http://www.dry-process.org/2014
2015.10.12-16
9th International Conference on Reactive Plasmas / 68th Gaseous Electronics Conference(ICRP-9/68th GEC)
ハワイ

87

国内会議・会合
2014.8.31-9.2
第８回インキュベーションホール
国立中央青少年交流の家
http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/PE_SS_2014/2014.9.17-20
応用物理学会 秋季講演会
北海道大学 札幌キャンパス
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/regularmeeting.html
2014.9.
日本物理学会 秋季大会
佐賀大学(9.18-21) [素粒子、核物理、宇宙線、宇宙物理]
中部大学(9.7-10) [主として物性]
http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2014.11.26
第 25 回プラズマエレクトロニクス講習会
東京工業大学田町キャンパス
http://www.titech.ac.jp/about/campus_maps/tamachi.html

2015.3.11-14
2015 年第 62 回応用物理学会春季学術講演会
東海大学 湘南キャンパス
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/regularmeeting.html

88広告掲載企業一覧
プラズマエレクトロニクス分科会会報 60 号へ広告掲載を頂いた企業は下記の通りです。弊分科会会
員への最新情報のご提供に厚く感謝の意を表します。
１．株式会社 エナック

当会報への広告掲載について
応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
では，分科会会員への情報提供を旨とし、会報への広告出展を募集しております。広告の掲載にあたっては下記のような条件としておりますので、是非ご検討の程宜しくお願い申し上げます。
1. 契約の種類(A) 年間契約コース
1 年間にわたる掲載。通常は 6 月、12 月に発行される 2 号にわたって掲載されます。掲載
号ごとに新規原稿に差替え出来ます。
(B) 単号契約コース
特定の号のみの掲載。
2. 掲載位置
掲載位置は後書きの後となります。基本五十音順の掲載となりますが、レイアウト等の都合で適宜変更になる可能性があります。何卒ご了承ください。
また裏表紙への依頼が無いときには年間契約の中から回す場合もあります。不都合がある場合はご相談ください。
3. 入稿
原稿は A4 版ネガの版下、もしくは電子ファイル（pdf）とします。これ以外の場合、かかる費用を別途請求させて頂く場合があります。

4. 広告掲載料
掲載料は下表の通りとします。なお、年間契約の場合も、申込時点での一括請求とさせて頂きます。

半ページ
1 ページ
2 ページ
(見開き指定可)裏表紙(A) 年間契約(B) 単号契約
コース
コース
5 万円
4 万円
（4 万円）（3 万円）
8 万円
5 万円（6 万円）（4 万円）
12 万円
8 万円（9 万円）（6 万円）
12 万円
8 万円（9 万円）（6 万円）※カッコ内は協賛企業

5. 問い合わせ先〒113-0034 東京都文京区湯島 2-31-22
湯島アーバンビル 7 階
公益社団法人 応用物理学会 分科会係
TEL：03-5802-0862
FAX：03-5802-6250
e-mail：divisions@jsap.or.jp
HP：http://annex.jsap.or.jp/plasma/

89

編集後記
プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.60 を発行することが出来ました。お忙しい中原稿をご執筆いただ
いた方々にこの場を借りて改めて御礼申し上げます。
本会報は二年に一度の幹事長交代のタイミングでの発行となりましたので、通常の巻頭言に代えて退任されました寺嶋元幹事長と就任されました豊田幹事長からそれぞれご挨拶を頂きました。
寄稿は東北大学畠山先生から「科学で魅了し未来技術を創るＰＥ分科会への期待」のタイトルでナノカー
ボン分野の研究動向とご期待に関してお寄せ頂きました。本分科会の強みである学術研究機関と産業界の密接な関係を活かして少しでもイノベーションに貢献できる様に精進しなければと気を引き締め直しました。
プラズマエレクトロニクス賞を受賞された東北大学
加藤先生、ソニー久保井様からも原稿をお寄せ頂きました。本年は例年にも増して数多くのノミネート論文から選出されただけあり、大変読み応えの有るご解説
いただきました。
研究室紹介は大阪市立大学白藤先生のご研究室を紹介して頂きました。ソリューションプラズマの着火前後がスリリングに描写されており、研究活動の楽しみが伝わってきました。
研究紹介では東京大学占部様にレーザ干渉計による
大気圧非平衡プラズマ計測をご紹介頂きました。恥ずかしながら小職には経験がない分野でしたが大変解りやすくご解説頂き勉強になりました。

海外の研究事情は現IBMのEstrada様に有機高分子膜のPECVDに絡めた様々な測定手法をご紹介頂きました。
特に電子ビームによる断面積計測のご紹介が勉強になりました。編集裏話をいたしますと、当初はアルバニ
ーでの最新デバイスプロセスのご紹介を頂く予定でしたが、時間的な制約でお蔵入りとなりました。装置メーカに務める者としては大変興味深く、いつの日かそ
ちらの記事も世に出せたらと思います。
学生のためのページでは室蘭工業大学佐藤先生より
電子スオーム解析をご解説いただきました。放電の基礎課程を学ぶのに非常に良い記事をご執筆して頂きました。
前任の会報編集担当の東芝・市川様、岩手大学向川先生には編集作業から原稿の執筆まで大変お世話になりました。寺嶋前幹事長、豊田幹事長には編集作業の全般にわたってご指導・ご支援を頂きました。応用物理学会事務局分科会担当の小田様には校閲にご協力して頂きました。本会報60号が無事出版できましたのも原稿を執筆して頂いた先生がたは元より皆様のご支援が有ってのものと存じます。
ありがとうございました。
(平成26年度会報編集担当：
川崎、斉藤、赤松、松隈)(文責：松隈正明・東京エレクトロン)

プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.60
2014年 6 月 23 日 発行
編集：公益社団法人 応用物理学会
プラズマエレクトロニクス分科会
幹事長 豊田 浩孝
発行：公益社団法人 応用物理学会〒113-0034 東京都文京区湯島2-31-22
湯島アーバンビル7階（©2013 無断転載を禁ず）

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