プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.58
2013 年（平成 25 年）6 月発行
池田、市來、市川、向川、川崎、松隈
目 次
巻頭言
九州大学

白谷 正治

1

長崎大学

藤山 寛

3

第 11 回プラズマエレクトロニクス賞について

東京大学

寺嶋 和夫

5

プラズマエレクトロニクス賞を受賞して

名古屋大学

石川 健治

7

プラズマエレクトロニクス賞を受賞して

大阪大学

伊藤 智子

10

研究室紹介（その 53）

東京農工大学 篠原 俊二郎他

12

高速かつ高精度非接触、
リアルタイム基板温度計測システムの開発

名古屋大学

堤 隆嘉

19

分子動力学法を用いたハロゲン系プラズマによるSi エッチング表面反応解析

京都大学

中崎 暢也

21

海外の研究事情（その 35）

名古屋大学

上坂 裕之

23

京都大学

酒井 道

30

豊橋技術科
学大学

若原 昭浩

36

Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
6th International Conference on Plasma Nanotechnology and

金沢大学

石島 達夫

39

新時代を創造する

寄稿
ミニマルファブシステムによる半導体デバイス製造

第 11 回プラズマエレクトロニクス賞

研究紹介（その 6・7）

学生のためのページすぐに役立つプラズマエレクトロニクス
大気圧プラズマの理解へ向けて

国際会議報告5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its

Science (IC-PLANTS 2013)i

国内会議報告第 12 回プラズマエレクトロニクス新領域研究会「プラズマ先端材料プロセス」（電気学会プラズマ／パルスパワー合同研究会との共催）

首都大学東京 杤久保 文嘉

40

第 4 回プラズマ医療・健康産業シンポジウム
第 13 回プラズマエレクトロニクス新領域研究会
新学術領域研究｢プラズマ医療科学の創成｣東京拠点会議
合同開催

産業技術
総合研究所

榊田 創

42

第 30 回プラズマプロセシング研究会(SPP-30)

静岡大学

永津 雅章

44

第 27 回光源物性とその応用研究会報告

岩手大学

向川 政治

46

室蘭工業大学 佐藤 孝紀
2013 年第 60 回応用物理学会春季学術講演会
チュートリアル講演報告

株式会社東芝 市川 尚志

472013 年第 60 回応用物理学会春季学術講演会
第 10 回分科内招待講演報告

大阪大学

北野 勝久

48

2013 年第 60 回応用物理学会春季学術講演会
海外招待講演報告

産業技術
総合研究所

金 載浩

49

2013 年第 60 回応用物理学会春季学術講演会
シンポジウム報告

名古屋大学

豊田 浩孝

50

第 35 回ドライプロセス国際シンポジウム(DPS 2013)(株)日立ハイ
根岸 伸幸
テクノロジーズ51

2013 MRS-JSAP Symposium O

九州大学

白谷 正治

53

2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会
プラズマエレクトロニクス分科会企画

東京工業大学 野崎 智洋

55

2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会
分科主催シンポジウム

大阪大学

北野 勝久

58

第 7 回 プラズマエレクトロニクス
インキュベーションホール案内

佐賀大学

三沢 達也

59

Gaseous Electronics Conference 2013

九州大学

白谷 正治

61

American Vacuum Society (AVS) 60th International Symposium& Exhibition

大阪大学

浜口 智志

62

第 24 回プラズマエレクトロニクス講習会

ソニー（株）

辰巳 哲也

64

行事案内

ii

6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its

名城大学

平松 美根男65

Applications for Nitrides and Nanomaterials / 7th International Conferenceon Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2014 / IC-PLANTS2014)

掲示板
平成 25 年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿66

平成 25 年度分科会幹事役割分担68

平成 25 年度分科会関連の各種世話人・委員

69

平成 24 年度後期および平成 25 年度前期活動報告
平成 24 年度第 3 回幹事会議事録70

平成 24 年度第 4 回幹事会議事録72

平成 25 年度第 1 回幹事会議事録74

第 12 回プラズマエレクトロニクス賞受賞候補論文の募集

76

プラズマエレクトロニクス関連会議日程

78

広告掲載企業一覧

81

編集後記

82

iii

巻頭言
新時代を創造する
九州大学

白谷 正治

最近，日本の論文数の年次変化が世界の趨勢

年に国立大学が法人化されており，この影響も議とかけ離れて悪いことが話題となっている．図１

論されているようである．別に示されている各国に問題となっている結果を示す．これは，エルゼの研究者数の年次変化と比較すると，海外の研究

ビア社のスコーパスという学術文献データべ―ス

者は一人当たりの年間出版論文数を増やしているによる結果であるが，トムソン・ロイター社の学のに対して，日本では若干減少気味であることが術文献データベースでも 2000 年頃から，日本の分かる．
国立大学の校費は削減されているものの，論文数はほぼ一定で伸びが止まっている．2004

科研費等の研究費は増加しており，図１の結果は研究費に起因するものでもなさそうである．
マクロな科学技術政策の議論と有効な対策は必要ではあるが，ここでは個々の研究者レベル対応を考えてみたい．最初に，海外の研究者の論文
生産性は年々向上しているという事実を認識する必要がある．その上で，自分の論文生産性を向上するための創意工夫が求められる．一般に，多くの論文を出す研究者のほうがより良い研究成果を出すことが知られているので，論文生産性の高いほうが良い研究者と言えるかもしれない．個々の研究者では変えられない外部要因もあるとは思われるが，生産性向上には自分ができることから始めるのが良いと思う．研究開始から論文を作成するまでのプロセスには，目標設定，計画作成，実験結果の取得，結果の解析，論文作成，投稿と改訂，そして掲載がある．このうちのどこがボトル
ネックかを分析し，それを解消することにより論
文生産性も向上すると期待される．論文出版のもとになる良い研究を行うには，長所進展が基本と

図１ 世界の論文数の経年変化．

なる．分科会会員の大多数にとっては，プラズマ

内閣府総合科学技術会議の「基礎研究および人を極めて，それを多様な材料の創成に展開するの育成部会」第一回配布資料より転載が長所進展の一つの方向性であると思われる．

http://www8.cao.go.jp/cstp/tyousakai/innova

論文出版と関係が深い研究費に関しては，例

tion/jinzai/index.html

えば科学研究費補助金の申請において，従来，基1

盤 B で申請していた人は，基盤 A で採択を目指す

重要な研究分野の変遷や産学連携への社会的要求

等，より大型の研究費獲得を目指すことが望まれの高まり等の様々な変化が生じている．このようる．採択率はほぼ一定であるので，申請数に比例な時代の変化に気づくこと，この変化を上手く活して採択数も増える．特に，新しくできた分科・

かしていくことが，日本の研究者に求められてい細目であるプラズマエレクトロニクスに１件でもる．
変化をチャンスと捉えて，受動的では無く，多くの申請を行って頂きたい．そうすることが，能動的・主体的に考えて行動し，研究者としては，

自分自身および研究分野の発展に直結する．

研究者のあり方も時代とともに変化していく． 時代を変える研究成果を出していきたいものであ
特に，昨今はインターネットの普及等により，ある．時代に対応する研究者でなく，新時代を創造

らゆることが高速化されている．論文出版数の増する研究者を目指しましょう!

加は，この流れの一つと思われる．
これに限らず，2

寄稿

ミニマルファブシステムによる半導体デバイス製造―クリーンルームフリー1 分プロセスによる多品種少量生産―
長崎大学

藤山 寛

半導体の大いなる無駄のサプライチェーンをド

そこで，ユーザ重視の変種変量に応じ，必要なラスティックに改造するため，最小の製造単位を

モノを、必要な時に、必要なだけ作って，ムダを持つ半導体集積回路工場を作る国家プロジェク

徹底的に省き，「モッタイナイ」を半導体の世界に

ト：ミニマルファブ構想が，産総研コンソーシア

広げる必要最低限生産方式「ミニマル」が浮上しム「ファブシステム研究会」を中心に加速していてきたのである．換言すれば，1 個流しの生産方

る．日の丸半導体のルネッサンスである．

式であるトヨタ生産方式を、コストに加え、エネ

従来の半導体開発の目標であったムーアの法則

ルギー・資源、ユーザー利益にも拡張しょうとすは，産業の成熟期を迎えて破たんし，全世界の半る構想である．

導体出荷額は飽和し始めている．
半導体デバイスの製造において，大量生産工場

写真１ ミニマルシリーズ 10 台連結イメージ(出典：原 史朗(1))

でなんでも生産 という現行方式は，大いなる無駄のサプライチェーンとなっている．すなわち，設計検証コストが 9 割のムダ，製造装置コストの 7～8 割がソフト検証のムダ，稼働率１～５割のム
ダ，“混流生産”というムダ，そしてユーザ利用率
0.1～10%の“捨てられるムダ” が，時代遅れの製造方式となりつつある．そこで，少量多品種の半導体デバイスのニーズが，大量生産品のマーケットと同じ規模で埋もれていることに気がつかなければならない．

ご存知のように，半導体製造プロセスにおいてプラズマは，エッチング，プラズマ CVD，スパッタリング，アッシング，ドーピング等の多くのキープロセスに使われている．ミニマル対応プラズ
マプロセスの開発なくして，このプロジェクトの成功はあり得ない．ミニマルファブ対応のプラズ
マプロセス装置の要請は，大まかには以下のとお

図１ グローバルマーケットの原理とミニマル
(1)

りである．

デバイスターゲット (出典：原 史朗 )3

てもらって開発現場の実情を調査した．
その結果，

・用途：PECVD，スパッタリング，アッシング，

各要素技術の具体的な開発が進んでいる中で，肝エッチング ，イオンドーピング
・ウェハサイズ：0.5 インチ

心のプラズマプロセス開発が少し遅れている印象

・装置サイズ：約 30cm 角(50～100kg)で移動可能を持った．そこで，九州の産学官コンソーシア

144cm 高ム”AIST 計測・診断システム研究協議会”の中のプ

統一

・処理時間：全てのプロセス 30 秒～1 分

ラズマ技術研究会に 2012 年 9 月「ミニマルファブ

・均一性・均質性:±0.5%以下

用プラズマプロセス開発 WG」を発足させて具体的活動を開始した．

(0.5 %(MRAM) ~ 10%(MEMS))
・プラズマ密度：1011cm-3 以上

ミニマルファブシステムの成否を握っているの・電子温度：数 eVは，キープロセスを担当する“プラズマ”である．

・イオン温度：室温レベル

この 30 年，太陽電池，シリコン，半導体プラズマ・高エネルギーイオン照射：基板バイアス印加可プロセスを旗印にして，数多くの研究をさせても・基板・ターゲットダメージ：低らった者として，「半導体不況にあえぐ今こそ恩返しをすべき！」と責任と使命を強く感じている．

これらの要請のうち，すべてのプロセス処理時
間が 1 分以内で統一されていることは，自動車や九州のプラズマ技術研究会では，九大の白谷教

ビールの連続生産工場を見学したことがあれば，

授らとともに，年 4 回の研究会を開催，昨年 9 月

良く理解できる．例えば，どうしても 2 分かかるからはほぼ毎月のように WG を開催して，ミニマ

プロセスであれば，2 台の装置を連結することにルファブ最新情報の共有，参加企業との具体的ななる．

共同研究を模索，計画している．全国の大学からさらに，問題となることが予想されるのは，コ

半導体プロセスの著名な研究者がこの WG に参加

ンパクト化に伴う小さなハーフインチ基板へのダして討論している．ミニマルファブシステム開発

メージである．志向する高速プロセスのトレードに興味のある方は，ぜひともこの研究会に参加しオフとも言えるだろう．基板冷却による熱負荷のてお力を貸していただければ幸いである．下記に低減はもとより，イオン衝撃，紫外線ダメージ等

連絡先を記し，参加を要請する次第である．

の緩和策を同時に検討しなければならない．
問い合わせ先：産業技術総合研究所九州センター

このようなミニマルファブ用プロセスの実現に向けて，産総研「ファブシステム研究会」には各プラズマ技術研究会事務局

要素技術を担当する多くの専門企業が参加して開plasmakkk-ml@aist.go.jp

発を推進している．まさに，”寄ってたかって“何もしくは 藤山 寛(長崎大学)
plasmal@nagasaki-u.ac.jp

とかモノにしようとしているのである．注目すべきは，海外との競争力を確保するため，包括的権利確保戦略がしっかり練られていることであろう． 参考文献
筆者は，昨年，産総研九州の井上道弘コーディ(1)原 史朗;ファブシステム研究会「ミニマルファ

ネータほか諸氏からこのお話を伺い，産総研つくブ PPF」(2012)

ばやセミコンジャパン，参加企業を訪問見学させ4

第 11 回プラズマエレクトロニクス賞

第１１回プラズマエレクトロニクス賞について
東京大学

寺嶋 和夫

本年度の受賞として次の 優れた 2 件の論文をらかにした。
(1) プラズマからの紫外線によるC-F結合の切断
で dangling bond が生成する。
(2) 水素が F をスカベンジすることで表面のエッチングが抑制される。

選考しましたので、報告いたします。

受賞論文(１)：
論文名：Synergistic Formation of Radicals by

また、本手法は、これまでの無機材料系のプラ

Irradiation with both Vacuum

ズマ・表面相互作用だけではなく、生物を扱うプ

Ultraviolet and Atomic Hydrogen: a

ラズマ医療の分野におけるプラズマ・表面相互作

Real-time in situ Electron Spin

用の解明においても有効であることが、著者らにResonance Study,

よって明らかにされており、その有用性が一層顕

著者名：Kenji Ishikawa, Naoya Sumi, Akihiko

著になっている。以上のことより、本論文に PE

Kono, Hideo Horibe, Keigo Takeda,

賞を授与する。

Hiroki Kondo, Makoto Sekine, andMasaru Hori:

受賞論文(２)：
論文名：Si Recess of Polycrystalline SiliconGate Etching: Damage Enhanced by
Ion Assisted Oxygen Diffusion,
著者名：Tomoko Ito, Kazuhiro Karahashi,
Masanaga
Fukasawa,
Tetsuya
Tatsumi, and Satoshi Hamaguchi
雑誌名： Jpn. J. Appl. Phys. 50, 08KD02 (5pp)(2011).

雑誌名： J. Phys. Chem. Lett. 2, 1278-1281(2011).
受賞者(現所属)：石川 健治(名古屋大学)
鷲見直也(東邦ガス)
河野 昭彦(金沢工業大学)
堀邊 英夫(金沢工業大学)
竹田 圭吾(名古屋大学)受賞者(現所属)：伊藤 智子(大阪大学)
唐橋 一浩(大阪大学)
深沢 正永(ソニー(株))辰巳 哲也(ソニー(株))浜口 智志(大阪大学)

近藤 博基(名古屋大学)
関根 誠(名古屋大学)
堀 勝(名古屋大学)
受賞理由
プラズマプロセスにおけるプラズマ・表面相互作用(吸着、反応、損傷)のメカニズムのより深い理解には、基板表面(＜表面数原子層)のダングリ
ングボンド(未結合手)の挙動の解明が不可欠である。本論文では、フッ化炭素系表面上にプラズマが存在する系において、これまで仮想的なモデルとして提案されてきた以下のメカニズムを、著者ら独自のプラズマプロセス表面の ESR 法によるその場観察という手法により、実験的に初めて明受賞理由
本論文は、酸素を含む HBr プラズマを用いたポリシリコンゲートエッチで問題となっている
Si リセスの原因を検討するために行われたビー
ム実験に関する論文である。本現象は MOSFET
製造における重要な課題であり高エネルギー水素イオンが原因であることが広く認識されていたが、5

そのメカニズムの詳細は未だ不明であった。これに対し、筆者らは、高エネルギーイオンビーム生成装置を用いた実験により、以下のような知見を得て、H イオンによりダメージが蓄積された Si
中で酸素の拡散促進が起こるという従来の仮説が誤っていることを、実験的に明かにした。
(1) 水素イオン衝撃下において酸素ラジカルを供給した場合に酸素の拡散が促進されてシリコンの酸化が早くなる。
(2) 水素イオンによる損傷を導入した表面に酸素ラジカルを供給してもこのような促進が起こらない。
本論文は、今後のメカニズム検討を正しい方向に向けるための確固たる実験的証拠を提供したものとなっており、本論文に PE 賞を授与する。
第 11 回プラズマエレクトロニクス賞選考委員会
白藤 立（委員長、大阪市立大学）

一木 隆範 （東京大学）
斧

高一 （京都大学）

白谷 正治 （九州大学）
野崎 智洋 （東京工業大学）
毎年、１２月２５日にプラズマエレクトロニク
ス賞への応募の締め切りがございます。本分野では、大学および企業から多数の優れたご発表がなされていますので、皆様方の奮ってのご応募を心よりお願い申し上げます。
本賞の応募規約については、本会報の掲示板、
および、分科会のホームページに記載しています
ので、熟読して戴きますようお願いいたします。

6プラズマエレクトロニクス賞を受賞して
名古屋大学

石川 健治

大変名誉あるプラズマエレクトロニス賞を鷲見直也，竹堆積やエッチングに実証されてきました．一方で，その理解

田圭吾，近藤博基，関根誠，堀勝，堀邊英夫，河野昭彦（敬には，一刻々々と変わる様相を呈しており，実時間その場計称略）らと賜りましたことありがとうございます．ご推薦を測に基づいた議論の必要性が指摘されてきました．

頂いた方々や選考委員の方々には心より感謝の意を表します．また，歴代の受賞された公明な先生方のお名前リストをそのため，プラズマプロセス中の表面反応の実時間その場見るにつけ，大変身が引き締まる思いです．

計測に，筆者が取り組みはじめたのは1999年にASET [2]でフ

今回対象論文となりました“Synergistic Formation of

ルオロカーボンプラズマによる絶縁膜エッチングについて

Radicals by Irradiation with both Vacuum Ultraviolet and研究をはじめてからになります．（赤外）光計測による実時

Atomic Hydrogen: a Real-time in situ Electron Spin

間その場計測をもちいた研究を進めると同時に，反応中のダResonance Study” [1] について，その研究背景と内容にングリングボンドの観察も関根先生（当時室長）と沖川満さついて紹介させていただきます．概要としては，フルオロポ

んとはじめました．当時，既に葛谷先生（元岐阜薬科大学）

リマー（PTFE）上へのダングリングボンド形成を実時間そのらは，薬学応用にプラズマを取り扱われ，その照射によって

場電子スピン共鳴（ESR）計測したところ，真空紫外線（VUV） ポリマー上に発生するダングリングボンドのその場ESR観察と水素原子（H）の同時照射に相乗効果があることを見いだ

結果を多く報告しておられました[3]．岐阜まで 訪問してしました．釈迦に説法ではありますが，プラズマ中では多様

ESR結果のことを伺ったことを懐かしく思い出します．葛谷

な中性原子・分子，イオン，活性種が混在している状況で， 先生の方法ではアンプルに試料を封じてプラズマをつけてこの放電により生成される励起活性種（イオンやラジカル） は，消して測定するという方法で行っており，プラズマに曝に加えさらに光が材料表面に降り注いで，反応場となっていしている間の変化はわかりませんでした．

ます．ここで引き起こされる化学反応は，熱的な化学反応で加えて，気相中のラジカルにも着目が集まっています．プ

はなく，非熱平衡なプロセスであることが特徴です．非熱平

ラズマによるポリマー重合は安田先生（元RTI）にまで遡り，

衡であるがための有用性は，半導体プロセスを代表に材料のプラズマ重合の分野開拓がなされています．また，ラジカルを輸送して処理する，堀池先生（元東芝，現つくば大学）の化学ドライエッチングの手法などが，過去には今以上に注目されていたことがありました．当時の背景には，Flamm（当時Bell研）らが酸素プラズマによるポリマー除去のレビューの中や実験化学講座第３版には，気相ESRの章が設けられていて70年代のWestenbergの気相ESR [5] が取りあげられています．原理的には変哲のないものですが，プラズマ分野で実際には応用されていることは皆無な状態でしたが．筆者は，1990年代半には富士通で藤村さん（現東工大）とドライ洗浄などについて開発している時に水素原子などの気相ESR計測をおこなっていました[4]．
次第に，昨今の高密度プラズマの利用を考えるにつけ，プラズマから表面に照射される発光成分の反応への寄与に注

Copyright (c) 2011 American Chemical Society (ACS).

7

目が移っていきました．単純に光照射で引き起こされる化学

光が同時に照射される系であるので，それらの独立した，な反応はTurroの教科書[6]を例に体系的にまとめられていま

らびに相乗的な効果があることを重要視し，辰巳さん（ソニす．しかしながら，プラズマと表面の相互作用について，イー）らと PAPEと名付けられた透過窓と遮光板をもちいて，

オン・ラジカル・表面で共存下の反応が，理解されているとそれらの効果を一度に分離して検出していました[13]．

は言い難い状況のままでしょう．

新たにESRの研究を始めるにあたり，堀先生から「実時間その後，2000年には産総研の山崎先生（現つくば大学併任） で反応をみるべきである」との助言を受け，ともかく，バラのところで，プラズマプロセス後の表面を真空搬送してESR

ックでガラスの実験系をくみ上げ，実時間その場ESR解析を観察して，SiO2中とフルオロカーボン膜中のダングリングボ

立ち上げました．通常，光トラップとして試料に光をあてなンド信号の検出に取り組みました．産総研では1990年代からいことが産総研の山崎さんの手法で学んでいましたが，敢え磯谷先生（当時図書館情報大）らとパルスESRでプラズマ堆てPAPEのように，光を照射したり，照射しなかったりしたら，積されたシリコン薄膜の欠陥の解析を進め，アモルファスシ

どうなるかということを盛り込みました．

リコン堆積のその場ESR観察に成功していました [7]．しかはじめて学生としてついてくれた鷲見くんは，細かい指示しながら，プラズマエッチング中の観察となると，荷電粒子をしなくても几帳面に実験してくれました．まずは真空搬送

が計測の妨げとなるので，実時間ではなく真空搬送によって， ESRでおこなっていた3mm幅程度の小さな試料を使っていま処理により変性した表面に存在するダングリングボンドをしたが，一向に信号の感度が得られず，「信号は検出されま対象として，その観察に成功することができました[8,9]．

せん」という報告が続きましたが，信号がでないはずはない，

特に大気暴露によって信号消失していくことを目の当たり

試料のサイズを，厚くしても無駄で面積を大きくしてというにし，その場観察の必要性を実感しました．微弱な信号で簡注文に，たまたま持ち合わせていたフィルム状の試料を筒状

単に検出することはできず，ノイズレベルを下げるために忍にして測定を開始しました．本来，ESRのキャビティーの中耐強く積算しなくてはならなかったことを思い出します．

心に感度が高いので筒状にすることは不利なわけですが，気プラズマの真空紫外光照射損傷に関して言えば，1980年代

相ESRの成功からも，これはMUSTな事柄ではなく筒状の試料後半になりますが，日立の水谷さん・湯之上さんらがSiO2の方が，表面積が増え測りやすかったわけです．このコロン膜についてESRを使った研究をされていました[10]． 2000

ブスの卵的な発想で，筆者らは信号の検出に成功して，実時

年代半ばには，寒川先生（東北大学）が産総研で照射損傷の間その場での計測をはじめることができました．

ESR計測に取り組んでおられました．筆者も半導体配線の「光とラジカル」が同時照射される系では，よくよく見て

Low-k層間絶縁膜の研究に取り組んでおり，有機Low-k絶縁膜

いくと，プラズマの照射開始時にラジカル発生量が大きいこのエッチング機構，ダメージ発生の解析をESRのダングリンとに気づきました．プラズマが作用して生成する量が一定な

グボンド評価から進め，プラズマ光ダメージというテーマのらレートがいくつか，を議論すべきです．けれども，レート重要性を再認識し[11]，H2/N2混合プラズマによる有機Low-kを出せないという報告がありました．ならば，次に「ラジカエッチングの反応機構に興味をもち．水素原子の係わる反応

ルだけ」や「光だけ」についても測りはじめました．「光だに再び興味を深めていました．

け」の照射では，真空紫外の吸収分光がセラミクス管にフッ化マグネシウムの窓の取り付けをしている経緯から，鷲見く

4年前の2009年になりますが一大決心の末，富士通を辞めんは同期の加藤くんから，すぐに窓をもらってきて実験を進て特任という任期付き職で名古屋大学に移り，堀先生と関根めていたと思います．バラックの実験では，こういう面で良先生と仕事をするようになりました．当時は，赤外の振動分かったと思います．ともかく，この結果は器用に系を用意し光を使ったプラズマ－表面相互作用の解析を進める計画だ

ながら几帳面に実験してくれた学生らのおかげです．

けでしたが，産総研からESRの譲渡を受けられ，また機械系

結局，材料としてフッ素ポリマー（PTFE）に水素原子を照のCERC[12]との共同研究もはじまり，共著者の堀邊先生から射した場合に，「光とラジカルの相乗効果」によるダングリの水素原子（ラジカル）処理の話しが舞い込んだ背景から， ングボンド発生という結果を見いだせました．C-F結合は真再びESRを利用する研究をはじめました．

空紫外線（約7eV）照射でダングリングボンド発生する際，H

堀先生の研究室では，プラズマからはイオン・ラジカル・ 原子が共存するとHF形成で，その形成速度が促進を示す実験

8

結果を得られたのでした．この結果をもって，パリで開催さ分なのです．実時間その場ESRのできることは多くはありま

れた63thGEC/7th ICRP（プラエレ協賛）に投稿でき，名古屋

せん．けれども，このようなプラズマ表面化学とでもいうよに移ってから最初の国際会議出席となりました[14]．

うな新領域を模索しながら，自然現象の理解の発展に，今後実のところ，この内容はAPLに投稿しようと思いましたが， もできるだけ研究に取り組んでいきたいと思います．
“out of scope”という編集判断で掲載許可を得られません
でした．このようなことはよく経験していたので致し方なし

堀邊先生より以下を寄稿頂きました．

と，ACSの雑誌に投稿することを決断しました．まだLetter『水素ラジカルとポリマーの反応は、いわゆる気相ができたばかりだったJPCLに投稿し，無事に掲載となりまし－固相反応であり非平衡状態になり解析が難しい。また[1]．グリーンケミストリという言葉が流行りだしており，た、化学反応の中間状態を取らえるのも存在時間が短光触媒という観点が話題になっていたこともあり，掲載していためこれも難しい技術となる。

いただけたのではないかと想像しています．この現象は見方

その中で、水素ラジカルとポリマーの反応をin situ

によっては，光がボンド切断を触媒しているように見られるでESR分析し反応の途中状態を、名古屋大学と金沢工業からです．と，プラズマが触媒作用的に働くことは多く議論

大学との共同で解析できたことをうれしく思います。

されていない状況ですが，重要な点であると思います．

本技術は、水素ラジカルを用いた環境にやさしいレ

最近では，レジスト材料の主成分となっているアクリルポ

ジスト除去技術などに将来必ず貢献できると考えていリマー（PMMA）や名城大と共同で進めはじめたミドリカビのます。』

不活化を調べているところです[15]．プラズマと相互作用して生じる化学反応をESRで見る仕事は，さらに発展していき，

これまでプラズマエレクトロニクス分科会の多くの先生

今ではプラズマ医療にかかわる生体の反応の理解にまで及

方よりご指導ご鞭撻いただくことにより，研究者として育て

ぶようになり，活性酸素（ROS），酸化ストレスといった分ていただき，研究を進めることができました．今後は当分科

野にまで足を突っ込んでいこうとしています．

会のさらなる発展の一助となれるよう努力していきたいと

ESRの仕事を通して，プラズマエレクトロニクスを見つめ考えております．これからも一層のご指導，ご鞭撻のほどよ

直すと，物理や化学，生物などといった学問枠組みだけではろしくお願い申し上げます．

理解できない疑問との出会いがあり，混沌とした面白さを感じる時があります．と同時に，応用面での広がりを見るにつ参照

け，原理に遡って整然と理解する重要性を実感し，何ともプ[1] K. Ishikawa et al., J. Phys. Chem. Lett. 2, 1278 (2011).

ラズマエレクトロニクスの深みと広がりが楽しみです．

[2] 技術研究組合 趙先端電子技術開発機構 の略[3] M. Kuzuya et al., Macromole. 24, 6612 (1991).

最後に，実時間その場観察の目指すところをまとめてみま[4] J. Kikuchi et al., Dr Thesis, (Kyoto Univ., 1997).

す．プラズマと表面の相互作用で，プラズマから入射するイ[5] A. A. Westenberg, Science 164, 381 (1969).

オン，ラジカル，光の個々の粒子の反応は，分子線照射のビ[6] N. J. Turro et al. “Modern molecular photochemistry ofーム実験，表面化学などに調べられ，ラジカルが照射される

organic molecules” (Univ. Sciece Books, 2010)

反応も多くは成層圏化学といった酸素原子の関与になりま[7] S. Yamasaki et al. Appl. Phys. Lett. 70, 1137 (1997).

すが調べられており，多くの知見が蓄積されています．ポリ[8] K. Ishikawa et al., Appl. Phys. Lett. 81, 1773 (2002)

マーの光反応などではモデル化も進んでいます．しかしなが[9] K. Ishikawa et al., Appl. Phys. Lett. 86, 264104 (2005)

ら，実際のプラズマプロセス中ではどうでしょうか．と目を[10] T. Yunogami et al., Jpn. J. Appl. Phys. 28, 2172 (1989).

向けてみますと，個々の粒子の反応は線形的に足し合わされ[11] K. Ishikawa et al., J. Appl. Phys. 99, 083305 (2006).

るのではなく，相乗的な効果があり，実のところわかってい[12] 名古屋大学工学研究科複合材工学研究センター の略

るかどうか定かではありません．すなわちプラズマ中の反応[13] S. Uchida et al., J. Appl. Phys.103, 073303 (2008).

では，「光＋ラジカル」などの相乗効果が，同じような化学[14] K. Ishikawa et al., 63 GEC/7 ICRP (2010).

反応の側面として理解できるのかどうかでさえ，議論が不十[15] K. Ishikawa et al., Appl. Phys. Lett. 101, 013704 (2012).

rd

9

th

プラズマエレクトロニクス賞を受賞して大阪大学アトミックデザイン研究センター 伊藤 智子(大阪大学 唐橋一浩, 浜口智志, ソニー(株) 深沢正永, 辰巳哲也)
この度は、大変栄誉のある第 11 回プラズマエレを残します。このような欠陥の生成を“Si recess”とクトロニクス賞を論文「Si recess of Poly-Si Gate

呼びます。ゲート電極周囲の Si 表面に形成されたダ

Etching: Damage Enhanced by Ion Assisted

メージ層は、数ナノメートル程度ではありますが、

Oxygen Diffusion」（伊藤智子、唐橋一浩、深沢正

トランジスタのチャネルスケールがナノメートルの永、辰巳 哲也および浜口智志）に賜りまして、誠にスケールとなっているため、トランジスタの動作特光栄に存じます。特に、ご推薦下さいました方々お性および信頼性に影響を与える可能性があり、“Siよび選考委員の方々には、共著者を代表しまして、

recess”を低減させたエッチングプロセスの開発が心より感謝申し上げます。受賞の対象となりました

切望されているのです。

論文は、第 32 回ドライプロセスシンポジウムにて、そこで本研究では、“Si recess”低減プロセスのエ

発表致しましたものを纏めたものです。以下に研究

ッチングプロセスの開発を目的とし、その支援とし背景および内容を紹介させて頂きます。

てゲート絶縁膜下への酸素の拡散機構の解明をプラ
ズマ照射実験およびビーム照射実験の 2 種の実験をトランジスタのゲート長が、数ナノメートルのス行うことにより明らかにしました。

ケールとなっている現在、プラズマプロセスにより形成されるほんのわずかな数ナノメートルのダメー

まず、初めに行いました CCP 装置を用いたプラジ層もトランジスタの動作特性に影響を与える可能ズマ照射実験では、プラズマ照射下において酸素と性があります。ゲートエッチングプロセスにおける水素が同時に存在する場合のみ、厚いダメージ層(結ダメージとして代表的なものに、従来から Poly-Si晶位置からずれた Si 層)共に酸化膜が形成されるこのゲート電極を加工する際に“Si recess”という現象とが判明しました(図 1)。これまでに H+イオンの進が知られています[1]。ゲート電極を形成する際、Si入長が大きいことは知られており、H+イオンが Si

基板の上にゲート絶縁膜材料である 2-3 nm のゲー層の結晶構造を壊してダメージ層を形成することでト絶縁膜（SiO2）を成膜した上に、さらに、その上酸素ラジカルが拡散しやすくなると推測することがに数 100nm の poly-Si 層を成膜した後、HBr/O2 プ

できます。

ラズマによりゲート絶縁膜の上の Si 層のみエッチ

しかしその一方で、H2 プラズマ照射後に O2 プラングを行い、ゲート電極の形成を行います。その際ズマ照射を行った場合では、Si ダメージ層は形成さに、ゲート酸化膜下に新たに酸化膜が生成されます。

れるものの、ダメージ層により酸素の拡散が促進さ

一般的に、絶縁膜下に生成される酸化膜の厚さは、れていないということが明らかとなりました。これ

3-5nm 程度ですが、その後のウェットプロセスによらの結果から、酸素と水素の同時供給がなされない

り、電極周囲のゲート酸化膜が除去される際に、プと酸素の拡散促進が生じず、酸素の拡散を促すよう

ラズマ照射の際に形成されたゲート絶縁膜下の酸化な別の機構があると考えました。

膜もまた除去され、ゲート電極付近の Si 表面に欠陥

10しかしながら、今回の研究では、H+ イオンによるSi 結晶への O ラジカルの拡散を確認することができましたが、酸素の拡散について H+イオンが果たす役
割を物理的に解明することができておりません。今後、H+イオンが果たす役割を解明できるような実験
または、MD シミュレーションを用いて検討する必要と考えております。
最後になりましたが、この栄誉あるプラズマエレ

図 1 HRBS measurement results of SiO2/Si

クトロニクス賞の受賞を励みに、今後、プラズマに

substrates exposed to various plasmas. The

関する研究に邁進していく所存でおりますので，今horizontal axis is the depth measured from the

後ともご指導ご鞭撻の程、よろしくお願い申し上げ

substrate top surface [2].

ます。

先のプラズマ照射実験の結果から、酸素拡散の促
進に H+イオンが寄与している可能性があると考えられ、より H+イオンによる酸素の拡散効果を明らかにするためには、イオンフラックスおよびエネルギー等のパラメータをより制御された条件で行う必要があります。そこで、イオン・分子・ラジカル等の個々の活性種を独立に制御して試料に照射可能なマルチ(イオン・ラジカル)ビーム装置を用いて、H+イ
オンおよび O ラジカルビームの同時照射実験を行な

図 2 Atomic compositions of oxygen of the

いました。その結果、O ラジカルと H+イオンの同時

substrates obtained from HRBS for oxygen

照射条件のみ酸素の拡散を確認することができましradicalた(図 2)。この同時照射実験において、プラズマ照射

exposure,

simultaneous

exposuretothermal oxygen radicals and a 500 eV Ar+ ionとは異なり、酸素ラジカルのエネルギーは室温程度

beam, and simultaneous exposure to thermalであることから、酸素ラジカルの進入は、無視できoxygen radicals and a 500 eV H+ ion beam [2].

ると考えられます。したがって、H+イオンおよび O

参考文献

ラジカルビーム同時照射実験により H+イオンによ[1] M. Fukasawa, A. Kawashima, N. Kuboi, H.

る酸素の Si 結晶中への増速拡散を確認することがTakagi, Y. Tanaka, H. Sakayori, K. Oshima, K.

できました。

Nagahata, and T. Tatsumi, Jpn. J. Appl. Phys. 48

したがって、“Si recess”は、H+イオンアシストに(2009) 08HC01.

よる拡散現象によるものと考えられ、ゲート絶縁膜[2] T. Ito, K. Karahashi, M. Fukasawa, T. Tatsumi

下の酸素の拡散を抑えるためには HBr/O2 プラズマand S. Hamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011)

中の H+イオンをできる限りゲート絶縁膜下の Si 結

08KD02.

晶に進入させないことが重要と考えられます。そのため、H+イオンのエネルギーおよびフラックスの制御が、“Si recess”の低減につながると考えられます。

11

研究室紹介

東京農工大学 大学院工学研究院
篠原研究室

篠原 俊二郎、桑原 大介、研究室メンバー

本研究室紹介では、篠原の記述（前半 3 ページ）、

研究科で博士号を取得し、核融合科学研究所 研究及び桑原と研究室メンバーによる記述（後半 4 ペ

員から 2012 年 9 月から赴任した桑原大介助教（詳ージ）という構成となっています。

しくは後述）（北條秘書 1 名）です。段々と学生は増え、平成 25 年度は 7 名の博士前期課程大学
院生と 5 名の学部 4 年生の研究指導を賑やかに行

１. はじめにっています（図 2）。

本研究室は篠原が九州大学 大学院総合理工学
研究院から、現大学の東京農工大学 大学院総合理
工学研究院へ異動した 2010 年 10 月からスタートしました。現在、広域プラズマ科学分野で、高密度プラズマ源開発、それを用いたプラズマ中の構造形成などの非線形現象の理解と制御、及び種々の応用への展開を主眼として研究しています。
特に最近は高密度ヘリコンプラズマを用いた無電極プラズマ推進（ロケット）を中心研究として、本大学内、宇宙科学研究所、東海大学、九州大学、
ウクライナ原子核研究所、アイオワ大学をはじめ、

図 2 現研究室メンバー

多 く の 内 外 の 研 究 機 関 と 共 同 研 究 を 、 HEAT

２. 最近の主な研究内容（Helicon Electrodeless Advanced Thruster）プ（１）高密度ヘリコンプラズマ源開発とその特性

ロジェクトとして精力的に行っています（図 1：

評価
ヘリコン波 [1,2] を用いると、プラズマは容易に

研究内容は後述）。

また幅広い運転領域で高電子密度（~ 1013 cm-3）・
高電離（数 10 %）となるため、種々の展開研究が可能です。現在まで 8 台に及ぶヘリコンプラズマ
源（図 3、4 が例）を開発し、世界最大サイズ、最小サイズ、最強磁場、最小アスペクト比（軸長と直径の比）、最高の粒子生成効率（スケーリング
則も導出）をはじめ、多くの世界記録を達成しました（文献 [2-4] などを参照）。またアンテナスペ

図 1 HEAT 関連メンバーとの研究会後の会食

クトルの影響、エンドプレート効果、励起波動構
本研究室の構成を述べます。現在の教員は、篠造、定在波などの特性評価も行い、長年懸案の生

原俊二郎教授と、東京工業大学 大学院総合理工学

成機構も国際共同研究でほぼ解明できました：ヘ12

リコン波とモード変換した短波長の TG 波が重要

（２）高密度プラズマ源を用いた基礎から応用研
究 [1-5]と考えられます。またこれらの研究成果として高周波プラズマ生成・制御関連で特許も 2 件取得でヘリコンプラズマ源を用いて、磁場が印加された円筒真空容器内のエンドに設置した多重同心電

きました。

極に電圧を印加し、以下の非線形の構造形成現象

プラズマ計測開発（詳しくは学生のページ）での解析と制御研究を行いました。

は、データ収集系の整備と共に、様々の静電的、磁気的プローブ測定に加え、半導体レーザー（レi) プラズマプロセスや基礎研究に重要なホローザー誘起蛍光法によるイオン速度分布関数測ーからピークまでの密度分布制御、ii) 核融合や遠定）、1.5 m の高分解能可視分光器（波長分解能が心分離研究にも関連する周方向の高シェア流制

0.005 nm）、1 MFS（1 秒間に 100 万コマ）を超

御、iii) 基礎から核融合研究までの応用にも関連える高速度カメラなど充実させてきました。

する自励双安定遷移現象、などです。
科学研究費の特別推進研究（分担）の援助を受けて、密度勾配が重要なドリフト波乱流現象も、
高密度ヘリコンプラズマを用い、開発した 100 ch.
以上の稠密プローブによる非線形解析手法などで詳細に調べました。更に従来達成が困難であった
興味深い高ベータ研究も、高密度・低磁場の条件で始めています。
なお図 4 には、様々な高密度ヘリコンプラズマ
光を示します。

図 3

開発した高密度ヘリコンプラズマ装置例:

上から大きいサイズ順に LHPD (Large Helicon
Plasma Device：宇宙科学研究所で開発した世界

図 4 様々なヘリコンプラズマ光 (左上：LHPD

最大の装置、直径 74 cm、長さ 486 cm)、LMD

でのアルゴンガスを用いた中心部分が青い所謂ブ(Large Mirror Device：種々の基礎から応用まで

ルーモード、外部設置したスパイラルアンテナもの研究に寄与)、 HFD (High Field Device：完成

見える、左下：LHPD のアルゴンプラズマ、アン

当時世界最強磁場 1 T で、1013 cm-3 の電子密度

テナ部からの写真、右上：LMD のブルーモード

を十分超える)、SHD (Small Helicon Device：世となったアルゴンプラズマ、右下：LMD のネオ

界最小口径の 0.5 cm まで達成し更に開発中)

ンプラズマ)

13

（３）高密度ヘリコン源による無電極プラズマ推研究（九州大学）の経験と多くの方々との共同研

進研究 [2,4]

究を生かし、現在更に新領域への研究展開も試み

長年研究を続けて来た特徴ある高密度ヘリコンています。プラズマ推進研究では，故都木恭一郎

プラズマを生かして、無電極プラズマ推進研究を教授との共同研究が大きな礎となっており心から科研費の基盤研究(S)（代表）により、斬新なアイ

感謝したいと思います。

デアを出すには他分野の研究者との議論・交流がなお、長年の「広域ヘリコンプラズマ研究」で大事との観点で、内外から多くのご協力を得て鋭篠原は、H22 年度に文部科学大臣表彰科学技術賞

意進めています。

（研究部門）を戴きました。これを励みに、「プラ

即ち ECR（Electron Cyclotron Resonance）とズマ制御による地上から宇宙までの展開」をモッ

グリッド電極を用いたプラズマ推進による「はやトーとして、更に研究を推進する予定です。プラぶさ」は快挙でありましたが寿命に問題がありま

ズマエレクトロニクス分科会の皆様もはじめ、今す。それを克服すべく HEAT プロジェクトによる後も多くの研究者との議論も楽しみにしていま研究を行っています（図 5）。つまり、ヘリコン高す。

密度プラズマを用いたオール無電極（プラズマに

本研究室の詳細は下記ホームページに公開して電極が直接触れない）での推進（プラズマロケッ

います。現在、本研究室に興味のある、社会人をト）構想です。
「はやぶさ」を開発したメンバーも含む博士後期課程大学院生、ポスドク、共同研究入って戴き、回転磁場 RMF（Rotating Magnetic

者を募集していますので宜しくお願いします。

Field）、回転電場 REF（Rotating Electric Field）、

http://www.tuat.ac.jp/~sinohara/

周方向モード m = 0、ポンデロ力（Ponderomotive

http://tuatshinohara.web.fc2.com/index.html

Force + Ion Cyclotron Acceleration）の加速方法などを新規に考案し、先進研究を鋭意進めていま

参考文献

す：若い人にも夢を与えるように留意しながら、[1] 篠原俊二郎：プラズマ・核融合学会誌、78(2002) 5.（解説）

積極的に活動できるよう努力しています。

[2] 篠原俊二郎：日本物理学会誌、64 (2009) 519.
（解説：表紙写真もあり）[3] S. Shinohara and H. Mizokoshi: Rev. Sci.
Instrum. 77 (2006) 036108.
[4] S. Shinohara, T. Hada, T. Motomuta, K.
Tanaka, T. Tanikawa, K. Toki, Y. Tanaka, K.
P. Shamrai: Phys. Plasmas 16 (2009)
図 5 将来の先進的無電極ヘリコンプラズマロケ

057104. (Invited Paper)[5] T. Yamada, S.-I. Itoh, T. Maruta, N. Kasuya,

ットエンジンを搭載する宇宙船イメージ例

Y. Nagashima, S. Shinohara, K. Terasaka,
M. Yagi, S. Inagaki, Y. Kawai, A. Fujisawa,

３. 終わりに

K. Itoh: Nature Phys. 4 (2008) 725.

篠原の過去の高温プラズマ・核融合研究（東京大学）、基礎から応用までの低温・高密度プラズマ（篠原俊二郎）14

をスタンドに載せますが、LMD ではその重量・４. 桑原助教による研究内容説明
昨年 2012 年 9 月に篠原研究室助教として赴任大きさから搭載が難しいため本研究室では噴射すした桑原大介です。修士・博士課程を東京工業大

るプラズマを受け止め、その反力から変位を得る

学 大学院総合理工学研究科において修了し、2012

ターゲット法を採用することとしました。プラズ

年 3 月に博士号を取得、半年間研究員として核融マを受けるターゲットは噴射されたプラズマから合科学研究所に勤務しました。大学院時代から東の運動量を漏れなく受け止めることが求められま

京農工大学に赴任するまでは、核融合科学研究所

す。このためターゲットは多数のリング状板で作との共同研究で「マイクロ波を用いた磁場閉じ込った円筒、後端のコーン状反射板でプラズマを多め核融合プラズマの 3 次元イメージング計測器開重反射させる構造としています。
また、本研究室で並行して研究を行っている発」を行っていました。

SHD を用いた小型ヘリコンプラズマ推進機の基

主に現在従事しているのはヘリコンプラズマ電

気推進機の電磁加速評価のための計測器開発です。 礎研究にも従事しています。SHD は LMD と比較
外部からプラズマに印加する径方向磁場 B r とプ

して装置が小型なため、容易に装置を改造でき大ラズマに誘起した周方向電流 J θ によるローレン

変小回りが利きます。現在は内径 0.5 cm の石英

ツ力でプラズマを加速・噴射し推力を得るのです

管でのヘリコンプラズマ放電に成功しています。

が、この J θ の誘起法として本研究室では RMF と篠原研究室に赴任して半年が過ぎ、この分野のm = 0 コイルを用いることを提案しています。

様子がやっと理解できたところです。学生時代はこれら加速法の最適化、推力計測として従来はマイクロ波計測一本でしたので、ヘリコンプラズ

方向性プローブによるイオン流速計測を行ってい

マおよびプラズマ一般には疎い部分が多分にあるたのですが、加速部プラズマの詳細な振る舞いを若輩者です。先輩諸氏の皆様方には今後御指導御観測することが重要と考え、分光器、高速度カメ

鞭撻を賜りますようお願い申し上げます。

ラ以外に、昨年度立ち上げに成功したレーザー誘起蛍光法によるイオン流速計測の、1 次元・2 次
元拡張を計画しています。多次元計測はチャンネ
ル数の増加による装置の複雑化、コスト増がつきものですが、これまでのマイクロ波計測器開発で培った電子回路技術、機械学科学生の創造力・機械知識を持ってすれば可能であると日夜図面を引く日々です。
また、直接的な推力計測として円筒ターゲットを用いたスラストスタンド開発も並行して進めて

図 6 ターゲットスタンド校正台とターゲット

います（図 6）。スラストスタンドとは推進機を振部の概念図

り子やねじりばねの先に載せ、その変位を計測することで推力を推定する計測器で、微小な推力し５. 研究室メンバーによる研究内容説明かもたない電気推進機分野で良く用いられる計測（１）回転磁場による加速実験
修士 2 年の石井です。既述したように、プラズ法です。一般的なスラストスタンドは推進機全体

15

マに回転する磁場 RMF（図 7 上）を印加して周（２）レーザー誘起蛍光法

方向に流れる電子電流 J θ を誘起させます。ここに（LIF : Laser Induced Fluorescence）

外部から径方向の磁場 B r を印加します。J θ と B r

修士 2 年の勅使河原と申します。プラズマ中にによって軸方向のローレンツ力 F z が生じ、これレーザーを入射し、蛍光を読み取ることでプラズを利用して推進機の推力の向上を目指しています。 マ流の流速やイオン温度を計測します（図 8）。本B r は昨年度新たに研究室で製作した永久磁石（図手法はマッハプローブ等のプローブ法と異なり、7 下）によって増強され、電磁石との併用により非接触かつ高空間分解能な計測が可能です。その加速機構に適した磁場配位が生成できています。

反面、光軸調整は mm 単位の精度を求められるた

現在は、外部磁場強度や回転磁場の周波数など

め、日々苦戦しています。誰かが実験機器に誤っのパラメータを変え、回転磁場が推力を発生させてぶつかろうものなら、肩をがっくりと落としてているかどうかの評価を行っています。なかなかしまいます。でも、初めて信号が得られた時の感良いデータが得られず苦労していますが、まだま動は今でも忘れられません。本当に鳥肌ものです。

だ試せることがたくさんあるので、実験に励もう

現在、計測システムの設計・構築を終え、プラ
ズマ生成条件（プラズマ投入パワー、ガス流量等）と思っています。

を変更させた実験を行っています。今後は、プラズマ断面を計測可能な二次元ステージの開発に取り組み、加速機構の評価へ繋げる予定です。

図 7 回転磁場加速概念図（上）と製作した
図 8 LIF 装置構成と概念図

永久磁石部（下）16温度、電子密度、中性粒子密度の評価を行ってい（３）高速度カメラ計測
高速度カメラによる計測（図 9）を担当しています。波長分解能が高いため 500 m/s 程度のプラる修士 2 年の早稲田と申します。このカメラに干

ズマ流速から測定が可能です。また、分光計測は

渉フィルターを装着することで、Ar イオンからのプラズマに対して非接触で、測定対象に影響を与発光と中性粒子からの発光を分けて取り込み、プ

えないという特徴があります。

ラズマ断面の電子・中性粒子密度分布を計測する

分光器の性能を最大限生かした実験を行い回転ことを試みています。断面分布の再構成を行うた

磁場加速などの原理実証に貢献したいと思います。

めに種々の光学系、逆変換方法を試行中ですが、難しい数学式がつきもので理解するだけで大変です。また、十分な光量が得られず高速度カメラの性能を活かせず苦労しています。現在詳細な密度分布の計測のためにレンズとファイバーからなる光学系を設計中です。
Photron 社

図 10 高分解能の分光器

FASTCAM SA5（４）小ヘリコン装置

フル解像度
1024×1024

小ヘリコン装置 SHD（図 11 上）で研究をして最高撮影速度いる修士 1 年の中川です。この装置は本研究室で1,302,000 fps

主に使われている LMD と比べ小さく設計されたもので、この装置を用いて簡易・小型な電気推進機の開発やプラズマ生成部口径差によるスケール効果の検証をしています。さらに 0.3 ~ 13.56
MHz に加え 50 ~ 150 MHz の範囲で RF 周波数を励起できる広帯域高周波電源装置も使用してプラ
ズマパラメータの比較なども行っています。
電気推進ロケットエンジンの研究ではプラズマ
加速や推力計測が多いですが、小口径かつ広帯域高周波でのプラズマのパラメータ比較というのは

図 9 高速度カメラ（上）と導出した電子密度殆ど行われていません。そのため非常に研究のや分布（下：ART 法による）りがいがあるのですが、何が起こるかわからない
ため予想外の出来事が起こることもあります。

（４）分光器計測

例えば実験装置にはテフロンチューブを通して

修士 2 年の藤墳です。全長 1.5 m の高波長分解

アルゴンガスを送っているのですが、本体のプラ能（0.005 nm）の分光器（図 10）を使用するこ

ズマ生成中に、チューブ内でプラズマが生成されとによってドップラーシフト、スペクトルの半値発光を起こしてしまうという妙な現象が見られま

幅、光強度の測定を行い、プラズマ流速、イオン

した（図 11 下）。光の色はアルゴンガス特有の淡17

いピンクや青ではなく眩しい黄緑色で（図 11 下

めています。これは研究生活を送る上で非常に大の写真では青いですが）、
見ていて非常に綺麗です。 事な要素だと考えています。お尻を叩かれること詳しく調べてみたいとも思うのですが、そのままなく、自ら進んで研究を楽しめている状況というにしておくわけにもいかず応急処置としてガスフのは、研究室環境として最高ではありませんか？

ランジに銅線を巻きつけることで予防をしました。 （２）学部４年
ほかにも RF ノイズによってマスフローコント

学部 4 年の酒田と申します。私がこの研究室を

ローラの表示が狂ったり、磁場コイル用の電源が選んだ理由は 2 つあります。1 つ目は、ロケット落ちたり、また更に見覚えのない色のプラズマがエンジンをつくる！という夢のある研究テーマでできたりと、好奇心を刺激する現象から頭痛の種す。私は高校生の頃から航空宇宙関係の研究をしまで様々なハプニングがあり非常に面白い研究対たいと思っていたので、微力ながら希望の研究に象だと感じています。

携わることができてとても嬉しいです。2 つ目は、研究室の雰囲気です。ご多忙の中どんな質問でも優しく丁寧に答えてくださる篠原先生、幅広い知識をもつ桑原先生、女性が少ない中で生活面でも頼りになる北條さん、その中でも特に、先輩方が明るく楽しく真面目に研究しているところに魅力を感じました。まだ右も左もわからない状態ですが、少しでも力になれるよう精進していきます。
（３）秘書
秘書の北條と申します。昨年 10 月より、研究室の会計や事務全般を担当しています。篠原教授

図 11 小ヘリコン装置（上）と Ar プラズマの発や桑原助教、学生の皆さんがとても温かく受け入光例（下）れて下さり、大きなギャップもなく、すんなりと研究室に馴染むことができました。来客や会合時

６. 研究室生活の懇談会、研究室旅行、有志でのバーベキューな（１）修士１年

どにも参加させていただき、この時のインフォー

修士 1 年の大塚と申します。私からは、本研究

マルな会話が仕事を進める上においても役立って室の生活環境についてお話したいと思います。研

います。また、素直で協調性がある学生ばかりな

究の魅力については既述されていますが、本研究ので、日々楽しく仕事をしています。

室の魅力はそれだけではありません。非常に温か

篠原教授は、誰に対しても紳士で、学生にも丁く刺の全くない雰囲気があり、それ故研究テーマ

寧な指導をされています。
研究知識は勿論のこと、の違いに囚われず、互いに協力して研究に臨める学問に対して真摯に向き合う姿勢、準備を怠らず

環境は本研究室の魅力です。このような環境のた

計画的に物事を完成させていく姿が素晴らしいとめに、メンバーは苦と思わず朝から晩まで楽しく思います。私も教授を見習い、日々努力していき

実験し、時に激しい議論を交わしながら研究を進たいと思います。

18

研究紹介(その 6)

高速かつ高精度非接触、リアルタイム基板温度計測システムの開発～超微細加工プラズマプロセスのイノベーションに向けて～名古屋大学 堤 隆嘉
大学院工学研究科 堀・関根研究室 博士後期課程
はじめに

2年

テムは周波数領域型低コヒーレンス干渉計で構築

半導体デバイス製造においてプラズマエッチ

した。本システムは光源に低コヒーレンス光源でングやプラズマ CVD などのプラズマプロセスはある Super Luminescent Diode を用いてマイケ

欠かせない技術である｡このプロセス技術のさらルソン干渉計を基本構造としている。周波数領域なる高精度化の実現には、これらが表面化学反応型低コヒーレンス干渉計はミラー走査する必要がを使うことからもプロセス中の基板温度制御が重ないため、計測速度は大幅に改善される。しかし、要である。[1],[2]時間領域型と同様に、振動に伴う信号光と参照光

現状では、熱電対などによる基板裏面に接触させた基板温度計測が行われているが、 の偏光状態の変化が大きく計測精度に影響を与え
プロセス中の真空では熱伝導率が低下することや、 てしまうことが問題である。そこで、周波数領域
高周波印加される基板にセンサを取り付けるのは型低コヒーレンス干渉計をさらに発展させ、図 1

困難であった｡ [3]

そこで、非接触型温度センサがに示すような干渉計を構築した。本システムは、この用途に着目されており、代表的なものに赤外

光ファイバ型サーキュレータを用いることで光損

放射温度計が挙げられる。しかしながら、プラズ

失を抑え、基板裏面に干渉計ミラーの役割をさせマから放射される赤外光の存在や、半導体基板のている。干渉を生じる基板表面と裏面での反射光

放射エネルギーが小さいことなどの理由からプラの偏光状態は同一光学経路を通るため全く同じに

ズマプロセスへの適用は困難である。[4]変化することから、干渉波形には影響を及ぼさない。これにより、振動に強い基板温度計測システ

これまで、名城大学伊藤昌文教授らにより時間ムが期待できる。

領域型低コヒーレンス干渉計による基板温度計測システムの開発が行われてきた。[5]しかしながら、本システムの基板温度計測の原理を述べる。光

計測にはミラー走査時間に 1sec 程度かかること

源から出射した光波は、サンプルである半導体基や振動による精度悪化などの問題があった。さら板の裏面から入射し、表面ならびに裏面の各面でに実用レベルの基板温度計測システムの構築によって、実プロセス中の基板温度が変化する物理化
SLD

学現象を正確に理解することができることが期待

Circulator

SampleLされる｡したがって、本研究の最終目的にはプロセ
ス精度の向上に貢献する事である。
PC
研究内容

Spectrometer
図 1 基板温度計測システム

新たに開発してきた非接触型基板温度計測シス

19

反射することで干渉を生じ、周波数領域のスペク

精度での超微細加工プロセスの実現に向け、プロ

トルが検知される。この干渉スペクトルを逆フー

セス条件を自律的（リアルタイムでの自己診断・

リエ変換することで時間領域のスペクトルを得る

自己修復・自己制御）に制御することを試みていことができ、この干渉波形には基板の各界面でのる。プラズマプロセスを装置上の外部パラメータ

反射光による干渉を示しており、基板の表面と裏(圧力、パワー、ガス流量など)ではなく、プロセ

面の反射による干渉波形の位置から基板の光学的ス内部の現象・化学反応を決定する内部パラメー

厚さ（光路長）が取得できる。この光路長は半導タ(粒子の密度、種類、基板温度など) に基づいて

体基板の温度変化に伴う屈折率の変化及び熱膨張計測の上、制御する技術が必要不可欠と考えていによる光路長変化量を加味している｡したがって、る。今回、開発してきた高精度かつ高速非接触な

この光学的厚さを知ることにより温度のモニタリ

基板温度計測システムにより内部パラメータの一ングを可能としている。

つである基板温度計測に貢献できた｡今後は、さら

黒体炉中にシリコン基板（厚さ 780 μm）を設に超微細加工プロセスの実現に邁進したい。

置し、図 2 に示す基板温度と光路長の関係を調べた。実験結果から、本システムの計測精度は、厚最後にさ 780 μm のシリコン基板に対しては、計測光路

今回、第 33 回応用物理学会講演奨励賞を受賞

長の標準偏差が 7 nm であり、温度換算するとし、非常に光栄に存じます。本研究は堀勝教授の0.04○C となることがわかった。また、この標準

ご指導の下、
関根誠特任教授、
石川健治特任教授、偏差は基板の光学特性に大きく依存しており、ガ近藤博基准教授、竹田圭吾助教 (以上堀・関根研

リウムナイトライドなどに用いられているサファ究室)、伊藤昌文教授、太田貴之(名城大学 伊藤・

イア基板では 0.21○C となる。本システムは、時太田研究室)との共同研究で行われました。研究を間領域型低コヒーレンス干渉計を用いた基板温度

進めるにあたり、適切な御助言を賜りました皆様

計測システムと比較しても、計測精度は 10 倍近に、ここにあらためて深く感謝いたします。

く向上し、計測速度に関しては 103 倍もの改善がされたため、その有用性は非常に高い。

参考文献[1] T. Ohiwa, K. Horioka, T. Aricado, I.

私の所属する研究室では、ナノメートル寸法のOptical path length (µm)

Hasegawa, and H. Okano, Jpn. J. Appl. Phys.,
31, (1992), 405.
2850

[2] H. Yamamoto, H. Kuroda, M. Ito, T. Ohta, K.
Takeda, K. Ishikawa, H. Kondo, M. Sekine, and2820

M. Hori, Jpn. J. Appl. Phys., 51, (2012), 016401.
[3]K.

2790

IEEE

Transactions

on

Semiconductor Manufacturing, 11, (1998), 25.

2760
0Denpoh,

50

100

150

[4] T. Sato, J. Appl. Phys., 6, (1966), 339.

200

Temperature (○C)[5] K. Takeda, Y. Tomekawa, T. Shina, M. Ito,

図 2 Si 基板(厚さ 780 μm)の光路長とY.Okamura and N. Ishii, Jpn. J. Appl. Phys., 43,

温度の関係(2004), 7737.

20

研究紹介(その 7)

分子動力学法を用いたハロゲン系プラズマによる Si エッチング表面反応解析
京都大学大学院

中崎 暢也

た古典的分子動力学（Molecular Dynamics: MD）

はじめに法を用いた Si のプラズマエッチングシミュレー

近年、半導体集積回路デバイスの高機能化・高精度化が急速に進んでいます[1,2]。その一方で、ションについてご紹介させていただきます。

プラズマプロセスにおける半導体材料の加工寸法が 10 nm の領域になると、基板上に作製した微研究内容

細 構 造 内 の Line Edge Roughness (LER) や第一原理計算から得られた原子間力ポテンシ

Line Width Roughness (LWR) といった表面ラャル[7]を用いて各原子の運動方程式を解く古典

フネスが原子スケールで問題となります[3]。この的分子動力学法（MD 法）は、プラズマエッチン

ため、表面ラフネスの抑制に向けて、加工形状制

グの過程で起こる現象を原子スケールで再現し、御性、材料間選択性、加工一様性の高いプロセス

その表面反応の解析を行うことができます。特に、が求められると同時に、プラズマと固体表面との実験では測定が困難な低エネルギーイオン入射間のエッチング反応メカニズム（プラズマ・固体

時の反応や脱離物の挙動を解析する上で MD 法

表面相互作用）の基礎的理解が求められています。 は強力な手段です。
LER や LWR に現れるラフネスやリップル

図 1 に MD 法を用いたプラズマエッチングシミ構造の形成メカニズムの一因として挙げられる

ュレーションの概要を示します。シミュレーショ

のが、基板へ入射するイオンの入射角度の影響でンセルに Si 基板を配置し、その上部から低エネ

す。このことは様々な実験[4]やシミュレーション

ルギーの中性ラジカルを付加したのち、高エネル[5]によって示唆されており、当研究室でもシミュギーのイオンを入射させることで、プラズマエッ

レーションによりその再現に成功しております

チングを再現しています。また、イオンの入射角[6]。しかしながら、その根本的な形成メカニズム度 θi を変化させることで、構造底部から側壁への(a)

や抑制・制御法については完全に理解されていな(b)evolving: 4.0 ps
cooling: 0.2 ps

PlasmaIon : Cl+, Br+, HBr+
Radical : Cl, Br, H(100)

いのが現状です。
本研究では、半導体デバイス製造工程で一般的

θi, θnに用いられる塩素・臭素系混合プラズマ

Etchant (001)

E i, E n（Cl2/HBr/O2 プラズマ）による Si エッチングを対象とし、原子スケールでのプラズマ・固体表面

Si相互作用を実験、シミュレーションの両側面から32.58 Å検討することで、表面ラフネスやリップル構造のInitial number of
Si atoms : 1440

形成機構の解明とその抑制・制御法の確立を目指(010)

Periodic
boundary
1ML= 72 atoms

Cl
Si

Ion incidence
evolving: 0.7 ps
cooling: 0.3 ps

Addition ofneutral radicals

32.58 ÅFixedbottom layer~ Analysis ~Etch products
Surface conditions

図 1：MD 法を用いたプラズマエッチングシミュレーションの概要図

しております。今回は、その一環として進めてき21

ングによる θi 依存性とイオンアシスト反応によ入射を模擬することができます。

る θi 依存性を表しています。

これまで本研究では、Si/Cl、Si/Br、Si/HBr 系
におけるイオン入射角度 θi によるエッチングメ

図 3 に Si/Cl 系におけるエッチング時の基板内

カニズムの変化に着目し、そのイオン入射エネルの原子と結合の分布を示します。Γn/Γi = 0 に比べ、

ギー Ei と中性ラジカル‐イオンフラックス比

Γn/Γi = 100 の場合は表面反応層が薄くなると同Γn/Γi に対する依存性について考察してきました。

時に、ハロゲン化率の高い Si（SiCl2, SiCl3）が

図 2 に Si/Cl 系における Si 収量の θi 依存性の表面付近に生成され、これが収量の増加、ひいて

Ei および Γn/Γi による変化を示します。イオンビ

はエッチングメカニズムの変化と関係しているームのみのエッチング（Γn/Γi = 0）の場合、Ei がことが示唆されます。以上の結果はこれまでの実大きいときは斜入射イオンに対して収量が最大

験結果と一致しています[8,9]。

になることがわかります。一方、中性ラジカルを付加しプラズマエッチングを再現した（ Γn/Γi =おわりに100）場合は、Ei が大きい場合も θi = 0˚–60˚におこの度、本研究内容を 2012 年秋季第 73 回応用

いて収量がほとんど変化しないことがわかりま物理学会学術講演会にて発表させていただき、第す。これらの結果はそれぞれ、物理的スパッタリ

33 回（2012 年秋季）応用物理学会講演奨励賞を

Γn/Γi = 0

Si/Cl systemΓn/Γi = 100

いただきました。本発表に対し選考委員の皆様かSi etch yield (per ion)3

らご支持いただいたことを極めて光栄に思って2.5
2おります。また、本研究をご指導いただいた斧髙

1.5

一教授、江利口浩二准教授、鷹尾祥典助教にこの1場を借りて厚く御礼申し上げます。

0.5
00 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ion incident angle θi (deg)

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ion incident angle θi (deg)参考文献

図 2：Si/Cl 系における Si 収量の θi 依存性のEi および Γn/Γi による変化
Si/Cl system,
Γn/Γi = 0
Ei = 150 eV
Cl: 2.2×1015 cm-2

Γn/Γi = 100
Cl: 2.1×1015 cm-2

40

40

30

30

20

20

Depth (Å)

Depth (Å)θi = 0˚

Si
Cl

10

Si·

0

SiCl

−10

SiCl2

−20

−20

SiCl3

−30

−30

10
0

−10

0

0.1

0.2

Cl: 0.36×1015 cm-2

40

30

30

20

20

10
0

−10

0.1

0.2

10
0

−10

−20
−30

0

Cl: 1.1×1015 cm-240

Depth (Å)

Depth (Å)θi = 60˚[1] I. Ferain et al., Nature 479 (2011) 310.
[2] H. Abe, et al., Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008)
1435, and references therein.
[3] Y. Yin, et al., J. Vac. Sci. Technol. A 26 (2008)
151.
[4] D. P. Adams, et al., J. Vac. Sci. Technol. B 21
(2003) 2334.
[5] W. Guo, et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 42(2009) 194014.
[6] H. Tsuda, et al., Jpn. J. Appl. Phys. 51(2012) 08HC01.
[7] H. Ohta, et al., J. Appl .Phys. 104 (2008)
073302.
[8] S. A. Vitale, et al., J. Vac. Sci. Technol. A 19
(2001) 2197.
[9] N. Layadi, et al., J. Appl. Phys. 81 (1997)
6738.

−20
0

0.1

0.2

−30

0

0.1

0.2

bond concentration (arb. unit)

図 3：Si/Cl 系におけるエッチング時の基板内の原子と結合の分布22海外の研究事情（その 35）

アメリカ合衆国ミシガン州アナーバー滞在記
名古屋大学大学院工学研究科

機械理工学専攻上坂裕之

いた次第です。

はじめに2012 年 8 月から 12 月まで約 5 か月間、アメリ
カ の ミ シ ガ ン 大 学 ア ナ ー バ ー 校 に Visiting

今回の長期出張の背景

Researcher として長期出張しました（図１）。あ我々名古屋大学は、米国の大学と修士課程の学

えて留学とは書かずに長期出張と書きました理由

生を短中長期に渡って交換する教育プロジェクト

は、必ずしも研究を目的とした出張ではなかった（以下、JUACEP プログラム）を、2011 年 11ためです。それでも同大学の研究環境に多少なり

月より機械系が中心となって走らせています。今とも触れることはでき、また感銘を受けることも

回は 2012 年 8-9 月と 20 名弱の名古屋大の学生が多々ありましたので、今回の寄稿をさせていただ

ミシガン大学に滞在する機会があり、彼らの教育効果が順調に上がるように定期的に面談する役割と、滞在の締めとして研修成果を発表するワークショップの運営とを担う立場で渡米しました。ただしその任は 9 月末までの 2 か月間で終了します
ので、そのまま帰国してしまうのはもったいないと考え、研究を目的とするさらなる 3 か月の滞在延長を申請したところ認めていただき合計 5 か月間の滞在計画を組んで渡米しました。もちろん後半の 3 か月の滞在費用は教育プロジェクトではな
く自身の研究費からサポートしました。
日本出国までVISA については J1 Short term Scholar という六か月以内の滞在のための VISA を取得しました。Short term でない J1 VISA を取った場合は、帰国後再び J1 VISA を取得しようとした際に、ある程度の期間を置いた後にしか再申請できないようです。私はそのことを知らず通常の J1VISA（確図１ ミシガン大学アナーバー校ノースキャン

か最大 3 年の滞在許可？）で申請しようとしたの

パスの中心に建てられたシンボルであるベルタ

ですが、VISA 申請のための書類をミシガン大学

ワーを背景にたたずむの事務とやり取りする過程で、先方の事務 が23

生に聞けば、米国大学には世界中からあらゆる形での滞在希望者が殺到しますので、残念ながら面識がない場合そのような対応となるのは致し方ないようです。この時点では、滞在できる大学が自身の研究内容とは無関係に先に決まっているわけですからで、これまでの研究成果と関連した内容を遂行することにこだわりはなく、今までの研究とは全く関係のない分野の研究室で新たな知識を学ばせてもらおうと考えていました。しかし 5 月
図２ 図書館ロビーで JUACEP プログラムにの GW 頃になっても希望した研究室から色よい

より滞在中の名大生らと面談

返事がない（そもそも返事がない）ので、3 月にJUACEP プログラムの案件でミシガン大学を訪Short term Scholar という枠があることを親切に問した際に、プラズマのシミュレーションで有名

教えてくれました。

な Kushner 先生の御研究室を失礼ながらもアポ

ちなみに今回の渡米では、これほどの突貫工事なしで訪問させて頂き、それでも快く研究員の方はないだろうというスケジュールで進めたがゆえとお話しさせて頂いたことを思いだし、シミュレに色々な不都合も生じました。これから私と似たーション研究を遂行する Researcher としての滞ような形での滞在を考えられる方に私の事例を反在が可能かどうかを Kushner 先生に伺ってみま

面教師としていただけるように、私がたどった経した。その際に、シミュレーションの専門家でな

緯を少しまとめてみたいと思います。まず所属学

い私がシミュレーションに取り組むには非常に短科で、5 か月間滞在する計画についておおむね了い滞在期間であること、かつ先方の研究室で遂行解をいただいたのが、4 月の中旬でした。その時するのにふさわしい研究目的が見いだせないこと、

点で 7/10 渡米で計画していましたが、最終的にはなどから Researcher としての受け入れは NG で

8/1 渡米となってしまいました。

したが、かわりに先生が統括されるプラズマ研究の 連 携 組 織 MIPSE （ Michigan Institute for

4 月中旬

所属学科で 5 か月間の出張計画につPlasmaScienceandEngineering

いて了承。JUACEP の対象大学であhttp://mipse.umich.edu/）メンバーにメーリング

るミシガン大学もしくは UCLA からリストを使って一斉に伺って頂けると言ってくだ

私 の 研究 滞在 を受 け入 れて くれ る

さいました。その際には私のこれまでの研究がプLab を探し始める。

ラズマを使った実験研究であること、および当時、

私が Polymer に関するプロジェクトを抱えてい最初 UCLA のいくつかの研究室に滞在伺いのたことから、Plasma および Polymer というキー

メールを出しましたが、すべて返事なしでした

ワードで、実験をさせてくれる方がいないかとい（注：UCLA で滞在を受け入れてもらう場合には、 う形で伺ってもらいました。その結果、有機材料
ミシガン大学での教育プロジェクトが終了したのでの太陽電池をやられている Max Shtein 先生

ち、移動しようと考えていました。
）後で米国の先（材料工学に所属）が、何か面白いことが出来る

24

かもしれないということで、手を挙げて下さいまな派遣プロジェクトでは、研究中心で滞在先を決した。このような紆余曲折があって、とにもかくめるのでこのような苦労はないと思います。）
こうにも受け入れてくれる研究室が決まったのが 5 月いう場合には、教育プロジェクトのコーディネー

下旬でした。

タ的な先生のところに籍だけをおかせてもらって、プロジェクトタスクが終わった後の滞在延長期間

5 月下旬

7 月初旬

7 月中旬

7 月 23 日

研究者としての滞在を受け入れてくには、研究作業はしないと割り切り、他の目的れる研究室が決まったので、ここから（例：英語での授業のやり方やプロジェクト型授

先方大学事務との、VISA 申請に必要業を学ぶ機会とする）に専念しても良かったのでな書類（DS-2019 など）のやり取り

はと思います。ただしこれはいまだから思うことを始めた。

であって、当時は研究を分担遂行する人間として

VISA 申請に必要な書類（DS-2019 なしか受け入れてもらえない、ありていに言えば受ど）がすべて到着する。この後ただち

け入れ先の研究室で研究スタッフが＋になるように米国大使館の WEB で VISA 申請作

な形でしか受け入れてもらえないと思い込んでお業を開始し、VISA 申請面接の予約をり、そのため何が何でも研究目的で受け入れても入れる。この時点では 7/26 の面接枠

らえる研究室を探そうとしていました。ここではが最速であったため、そこに予約を入

執筆時間と紙面の都合で詳しくは書きませんが、れつつも緊急面接希望を行った。

受け入れ先研究室の研究テーマもしくは共同設定

DS-2019 上での滞在開始が 7/27 であしたテーマを分担遂行しているわけではな いったため、緊急面接希望が通り、7/18

Visiting Researcher の方にも出会いました。米国

頃に大阪の総領事館に行った。

大学もしくはミシガン大学は、私が思っていた以領事館に預けたパスポートと認めら上に懐が深いのかもしれません。いずれにせよ私

れた VISA が届く。直ちに飛行機の予と同じような立場の方がおられましたから、色々約を開始する。

な滞在スキームがあるかもしれないということを念頭において、関係者とざっくばらんに相談され

以上のようなスケジュールで、どうにかこうにてもよいものと思います。
（もちろん研究目的が合か名大生たちが渡米するスケジュールに合わせて致する研究室が無理なく見つかり、その遂行者と渡米することが出来ました。すべてがぎりぎりでしての滞在するのが一番であることは言うまでもしたので航空運賃は高くなってしまいましたし、ありません。
）

残念ながらどういう研究内容にするのかを具体的に渡米前に詰めることもできませんでした。受け

アナーバー市での生活入れてもらえる研究室を半年前くらいには決めてアナーバーの市街に限って言えば、この町はまおけるとすべてに余裕があろうかと思います。今さに大学を中心とする街だと思います。それゆえ

回の様に教育プロジェクトのタスクがあって、そ

いわゆる失業問題などを肌で感じる場面はなく、ちらの制約から滞在可能大学が決まるという場合

治安上の問題も全くないようでした。この点は 50には、望む研究環境を探そうとしても一筋縄ではkm ほど東に行ったデトロイトとは大違いのよういかないようです。
（学科のサバティカルや組織的です。あと TOEFL テストの問題はミシガン大学

25などどれも大変に手間のかかることでした。

で作られていると聞きました。即ちここの英語がミシガン州に在住する日本人の口コミサイト

世界（米国？）標準と言ってよいそうで、変な訛りで聞き取りにくいなどの問題はなさそうでした。 （http://www.michigankuchikomi.com/）は非常
もちろん私自身の英語力の問題で聞き取れないこに役立ちました。ミシガン大学の日本人の先生のとは四六時中でした。しかしながら、国際的な大奥様や、近辺の日本企業（主として自動車関係）

学の街であって必ずしも英語を母国語としない人の方、ミシガン大学に滞在する留学生や Visitingが多いこと、さらには郊外に日系企業が多く英語

Researcher の方々が、みな使っていました。ちょ慣れしない日本人も多いこと、土地柄として温厚

うど私がアパートに住み始めたころに、Novi といな人が多いらしいこと、などにより英語が得意で

う地区（自動車関係日系企業のご家族が多く滞在）ない自分でもなんとかやっていくことが出来たとで数家族合同のガレージセールがあり、そこでは振り返って感じています。ミシガン大学の日本人

掃除機などいろんなものを激安で手に入れさせての教授がおっしゃるには、まさに私が挙げたよう頂きました。なんでもその時期にある自動車メーな理由で、ミシガン近辺は留学する日本人には良カーの北米事業撤退があったとのことで、それゆいところだそうです。その先生は比較としてご自えの大規模なガレージセールであり、日本人とし分がかつてスタンフォード大に留学された際のこて少し複雑な気持ちながらも、心ならずもその恩とを挙げておられましたが、西海岸はでは、「英語

恵にあずかってしまいました。また以降に記すよが流暢にしゃべれないやつは鼻にもかけない」とうに、帰国にあたっての車の売却時にもこの HP

いったような冷たさを感じる場面も多々あったよを活用しました。

うです。ちなみに、郊外や近辺の都市（Novi など）車に関しては大きなミスを犯しました。最初のには日系メーカーの設計開発拠点などが多いため、 一か月間レンタカーを使ってしまったのですが保少し足を伸ばせば日本の食材などは何でも手に入険も含めて、＄1,800 ほど払いました。アメリカ

れられるように感じました。

人からは、レンタカーにひと月で＄1,800 も使う

家族 4 人でなにはともあれ生活するにあたって、 なんてクレイジーだと何度も言われました（そのその環境を整えるのには苦労しました。

意味は確かに後でわかりました）。
そこで同室の韓結局 5 カ月では、定住した（落ち着いた）という国人の先生（同じ時期に韓国の釜山大学からサバ

感覚を 1 日たりとも味わうことなく、戻ってきま

ティカルを利用して Kushner 研に滞在されていした。ロケットに例えると地球周回軌道に乗るこた先生）から、ミシガン大学の韓国人の交流サイとなく、弾道飛行してきたといったところでしょ

トで車を見つけてもらい、同大の韓国人 PD からうか？しかしながら、たとえ五カ月の滞在でも家

日産 Sentra（2003 年モデル。4 ドアセダン）を族での滞在となれば、その後 1 年あるいはもっと＄4,800 で購入しました。ちなみにこういう個人

長く滞在する人と同じだけの手間を味わうよりほ

売買時の役所手続きは日本に比べると本当に簡素かありません。車の購入、自動車保険の契約、自でした。この車を帰国時に先の口コミサイトで売動車免許取得（自分と妻）、家の契約、銀行口座開りに出したところ、私と入れ替わる様にミシガン

設、バスに慣れる、Social Security Number を家に赴任される日系自動車部品メーカーの社員の方族分とる、電気水道などを開通させる、4 歳の長が＄4,500 で買って下さいました。中古車の流通

女と 2 歳の長男のプレスクールへの入学手続き、市場が個人売買、業者仲介売買ともにかなり発達

26

しているため、結構短い期間でもレンタカーなど
使わず中古車を買う方が良いのだそうです。確かに、残り 4 か月で車の購入維持にかかった費用は、売買差額の$300、ガソリンスタンドでの点検費
二本の金属棒の間に$350、保険代$650（6 か月）を全部合わせてもプラズマ発生！

$1300 と最初の一か月のレンタル費用よりも安かったのですから、アメリカ人のいうことは正解でした。皆様もくれぐれも、アメリカで長期レンタカーしないようにお気を付け下さい。
（ちなみに有名なリースは通常 1 年からとかの契約のようです。
トヨタ系販売店のリースのチラシを見て電話しま
したが、そういう理由で断られました。
）
最 後 に 余 談 で す が 、 Ann Arbor Hands on
Museum という子供向きの施設があって、色々な科学技術を体験しながら遊べるところでした。ちなみに写真では、我が家の長女（当時三歳）がプ
ラズマを発てています。上に行くにしたがって間が開く２本の金属棒に電圧を印可すると、ちょう
ど最下部の一番狭いところで放電開始するようになっており、放電開始後は温まるのでだんだん放電パス部（プラズマ）が金属棒間を上昇していくという仕組みのものでした。わが娘は三歳で大気図３ Ann Arbor Hands on Museum のプラ

圧プラズマを発生させています（ボタンを押した

ズマ体験装置にてだけですが．
．
．．
）ので、将来はどんなプラズマを発ててくれるのか今から楽しみです。ちなみに私

思いますが、短期間の滞在でしたのでこれは仕方が初めてプラズマをたてたのは 25 歳を過ぎてかありませんね。

らでした（私は遅咲きなんです。いやすみません、
研究室

まだ咲いてもいませんでした）。この長女は、米国滞在の後半（その時点でプレスクールに 3 カ月ほ

今回はくしくも２つの研究室を垣間見ることがど通ったことになります）になると、ふと自然に出来ました。実験は Max Shtein 先生のところで英語が出てくるようなことが多くなりました。夜させてもらうことで受け入れて頂いたのですが、中に起きて枕元のペットボトルの水が欲しい時に、 同研究室に普段の机を割り当ててもらうスペース
がなく、机に関しては仲介して下さった Kushner「Pass me the water」と良い発音で言われて親が聞き取れなかったこともあります。子供が言葉

先生の学生室に空きが一つあり、そこに座らせてを覚えるのが速いことを実感しました。ただ今でもらうことになったためです。Max Shtein 先生

はもうほとんど忘れたようで、もったいないなと（図４）は有機材料を使った太陽電池を研究され27

ている方で、ポリマー材料の取り扱いや太陽電池関連の理論設計に長けておられるようであり、それらの知見を活用して、例えば着るモノがそのまま発電するようなウェアラブル太陽電池などを目指されていました。有機分子膜をつくる実験手法についてプリンストン大の Ph. D 学生時代に書かれた論文は、Web of Science 上での引用件数が400 件を超えておられ、また他にも引用が 100 件を超える論文が多数あり、率直に凄いことだなと思いました。Kushner 研の中国人留学生が言って図４いたのですが、将来グリーンカードを取る際に米ペースでディスカッションする Max Shtein

国滞在中の出版論文の引用数が 100 件を超えてい先生（右端）

自分の授業の受講生たちとオープンス

れば、米国への貢献に関する項目は間違いなくクリアだそうです。
（ちょっと都市伝説的な話かもし

Kushner 先生に限っては違う。彼ほど Gentle なれませんが．
．
．．
．
）しかし Max 先生に関しては若教授はいないよ」、とだれもが口をそろえて言ってく、いつもジョークを言っているような気さくないました。
Kushner 研でも Max Shtein 先生のところでも、先生であったことと、自身が太陽電池分野に明る
くなく研究内容の凄さを直感できないことと相ま怒って人を育てているような場面にあまりでくわって、失礼ながら上記のような無味乾燥な数値をすことはなく、基本的には先生と学生の関係はフ

見るまではそんなにすごい先生・研究だとは知りランクな感じでした。
（先生は結構厳しいことを言ませんでした。この場を借りてお詫びします。

っている場合でも、怒る側-怒られる側という雰囲

Kushner 研についてはここでの説明の必要は気になっておらず、討論という体になっている。）

ないでしょう。真空から大気圧、液中とあらゆる

またミーティングは短く、各学生はその週のハイプラズマのシミュレーションを行われていました。 ライト的な結果を印刷した紙を 1 枚手に持って説明するだけで、一人 5 分くらいで合計 1-1。5 時
プラズマに関わることならどんなことでもシミュレーションしてやろうという気風が研究室からあ間くらいで終わるのが多かったです。この二点は、ふれているように感じましたし、企業などから見

誰が米国大学に行ってもある程度感じることではればそれが非常に頼もしく、これシミュレーショ

ないでしょうか？一般的にこれらは米国の良い点

ンできませんか？と頼んだら必ずやってくれそうと認識されることかもしれませんが、日本の大学に感じられることでしょう。余談ですが、失礼なでそれらを表面的に持ち込もうとしても、文化的がらあれだけの秀逸な成果を出されているので、な背景の違い（例えば日本では先生と学生の関係

学会でお見受けする温厚なお人柄とは裏腹に、研はより上下関係的になる）もさることながら、研究室ではパワハラすれすれの接し方をされている究室の構造が圧倒的に違うのでダメだと思います。

のではなどと勝手に想像していましたが、全く違研究室の構造の違いとして具体的に思うのは、米っていました。Kushner 研の学生によれば、「も国大学では（少なくとも私がみた 2 つの研究室でちろんそういう研究室がこの大学にもあるが、は）大人として扱って良いドクターの学生が研究28

室メンバーの中心（8-9 割）であって、研究室は彼らを教育する場であるのに対し、日本では学部生や修士の学生がやはり研究室の中心であり、研究室はまだまだ大人でない彼らを教育する場であることです。これらの違いは非常に大きく、米国の研究室の運営指針や評価指針をそのまま持ってくることができない最大の要因であろうと思います。もちろん日本の研究室には日本の文化背景に則した良さがあるはずなので、表面的に米国の研図５ 実験用に簡単な DC プラズマスパッタ

究室の運営指針や評価指針をそのまま持ってくる装置を組みました．

必要もないと思いますが。
そういえば研究のことは全然述べていませんね。
具体的な目的は延べられませんが、Max Shtein

そういうことを通して論文を書くことの素晴らしさを自然と認識し、論文を書きたいという意欲がさらに湧いてくるようでした。こういう配慮は、先生と相談して、ポリマーベースの機能膜をプラズマを活用してつくろうということになりまして、
その過程で実験室にころがっているものを適当に組み合わせてスパッタ装置をつくったりもしまし日米の違いなど気にすることなく今すぐにでも真似られることかもしれません。
最後に（反省）た（図５）。当初計画では、カーボンのパーティク

今回の滞在では望んだ研究成果を得ることはでルをある程度の速度で気相合成できることが必要

きませんでしたが、Discussion の中から次につなで、ハイプレッシャーでカーボンターゲットをスがる着想をいくつか得ることが出来ました。初め

パッタすれば良いかと思って、図の DC スパッタからそのくらいのことしかできないと割り切って装置を組んで稼働させましたが、あまりうまくい

もっと文化・生活・交流を楽しむように計画してきませんでした。元々プラズマに関するものがな

いけばよかったなと後悔しています。ただ色々といのであれこれ試すこともできず（元々それがわ

うまくいかなかった滞在でしたが、その中で色々って行ったので私の責任です）、結局はそのあたりと助けていただいた皆様には感謝しております。

がネックとなって頓挫してしまいました。名大のたとえば Kushner 先生が紹介してくれなければ、研究室に戻ればマイクロ波を使ってカーボンのパ滞在計画そのものが頓挫した可能性もありますのーティクルを効率よつくることが出来ますので、で、快くお世話をしてくださった先生には大変感

最終的には名大に戻ってからの宿題ということに謝しております。それだけに、こういう素晴らしなりました。

い先生のもとで、学生室に机を置かせてもらうの最後に余談ですが（余談ばかりでしたが）、に留まらず、
きちんと研究目的を設定・共有して、

Kushner 研ではミーティングの時に、論文が採択

長期間（例えば 1 年間）シミュレーションを学ばされるごとに Kushner 教授がそのことを紹介しせていただければすばらしい経験になったのではて皆で著者を祝福するという習慣がありました。

なかろうか？などと空想しています。
（そういうこ尊敬する Kushner 教授が皆の前で祝福してくれとが可能な機会が、次に私に回ってくることを祈るのですから、学生たちにとっては感激もので、っています。
）
29

学生のためのページ・すぐに役立つプラズマエレクトロニクス

大気圧プラズマの理解へ向けて
京都大学工学研究科

酒井 道

らないだろう（第２章にて）。この種の記述は、も１．はじめにこの原稿を今読もうとしている学生の方々は、ちろん専門書の中にあるが、そこに明確には書か

恐らく大気圧プラズマの研究を実際にしておられれていないけれども恐らく重要である内容を加えるか、それとも大気圧プラズマに少し興味をもたて記したい。

れているか、それとも非常に真面目に毎回この学

次に、ガスの流れの影響についての記述を行い生の方向けの記事を読んでいる方々か、いずれかたい（第３章）。これは、特に低圧力下で生成されであろうと推測している。
そういう方たち向けに、るプラズマ空間との違いを強調することにより行

しかも紙面が限られている中で、大気圧プラズマう。目に見えないガスの流れは、大気圧プラズマ

についてどのように説明を行ったらよいかを考えを利用する場合にぜひ想像力をたくましくしながてみた。
「紙面が限られている」と申し上げたのは、ら考えて欲しい重要項目である。

大気圧プラズマについて丁寧に説明するとすれば、最後に、等価的に電気特性がどうなるかについその専門書は（日本語版だけとっても）すでにいて触れよう（第４章）。この側面での説明は、研究

くつも出版されている[1-3]のをみてもわかるよ

上での即効性としてはあまり重要ではないかもし

うに、きちんとした物理的理解は難解であり、しれないが、この内容を頭に入れておくことで重要

かもその学問的な追及も適用分野の広がりも発展な示唆が浮かんでくることがあると思う。

途上であるといわざるを得ず、要するに、少なく全体として、この記事を読んでいただいた方にとも専門書一冊を要する記述となることを意味す

は、印象的に内容が残るような記述を心掛けたいる。そして、そのような書き方は、ここでの記述と考えている。

にそぐわない。すると、いかにポイントをついて本論に入る前に、一つだけ前提となる話をしよ

専門書を読んでいない方々に要点を理解いただくう。それは、プラズマを生成する場のガス圧力がか、あるいは専門書を読んだ方に専門書には書い

大気圧であることの意味とその効果の相反性につていない（または強調されていない）が参考にないてだ。プラズマを生成すると、それは電子とイる内容をどのようにピックアップして記すか、とオンで成り立っているので、軽い電子は生成当初いうことになるはずだ。

は高エネルギー（通常は 1 eV・10000 K 以上）と前置きが長くなって恐縮であるが、上記のようなる。しかし、ガス圧力が高く、従ってガス密度な観点で、やや偏った記述になるのを覚悟の上で、も高いため、高速の電子は頻繁に中性気体粒子に専門書的と比べると記述を薄くして（例えば数式衝突する。１回の衝突では電子から中性粒子に受は使用しない）、
かつ実際に大気圧プラズマを扱う

け渡されるエネルギーはごく少ないが、それが大上で必要な知識についてまとめるように心掛けた

変頻繁に行われるので、電子のエネルギーが中性のが、以下に記す本稿である。

粒子に移行して、そのまま衝突が続くと中性粒子の温度まで上昇してしまう。

まずは、電極間距離の問題には触れなくてはな
30ように、電極間を偶存電子が加速しながら走行す

ここで一つの分岐点が来る。一つのルートは、

このようにして中性粒子を加熱するツールとして、 ることと、中性粒子との衝突時にエネルギーを失大気圧プラズマを利用しようという立場だ。このうことのバランスで決まっているスケーリング則

応用は、古くからアーク溶接などで利用されながである。電極間に電圧を印加して低圧プラズマをら、現在では熱アニーリングプロセスや環境分野

生成する場合、この pd 積を変更して（真空チャ

応用を中心として大変注目されているが、筆者のンバーの中にセットされている電極の間の距離 d

専門ではないのでここでは触れないこととするこはなかなか大きく変更しにくいので、大概は p をとをお許し願いたい。

変更して）、
できるだけプラズマが生成されやすい

一方で、分岐点から延びるもう一つのルートは、状況を作り出すことが可能だ。一方、大気圧プラ

放置しておくと温度が上がってしまう中性粒子のズマの場合、残念ながら p を変更しにくい（例え

温度上昇を抑えて、いわば触っても熱くない大気

ば、プラズマの医療応用を考えると、変更不可で

圧プラズマを利用しようという立場だ。これは、ある）ので、同様に考えると d を変更するべきだ。

例えばプラズマの医療応用を念頭に置くと大変重要な点であることがわかる。以下の説明も、この
大気圧非平衡プラズマに特化して行いたい。この場合、先に述べた電子と中性粒子の衝突（運動量が移行する弾性衝突）をいかに抑えるかが重要となる。
ここでお断りだが、第２章以下に引用する参考
文献は、筆者に関係する論文で占められていることをお詫びする（もっと適切な参考文献もあると思われるが、筆者の引用のしやすさからこのようにさせていただいたことをお許しいただきたい）。
図 1．放電ガスが水素の場合のパッシェン曲線[4]。
２．大気圧プラズマ生成と電極間距離
電極間距離といえば、プラズマ生成における重どのように d を変更するべきだろうか。pd 積を要なスケーリング則として、パッシェンの法則が一定に保つという立場に立てば、低圧プラズマのあることを思い出すだろう。そして、この章でも場合（工作機械で作りやすいレベル、すなわち数

そのことを最初に触れるが、もう一つ重要な観点

cm である）に比べて、極端に短くするべきだ。

があることを最初に断っておきたい。それは何だ

恐らく、100 ミクロン以下にするべきだろう。つ

ろうか？

まり、そのようなごく短い間隔を備える平行平板

それが何か気付くためにも、まず、改めてパッ型電極をきちんと作るのは難しい。その観点でシェンの法則について考えてみよう（図１）[4]。

我々が提案しているのが、ファブリック型電極とパッションの法則の横軸は、電極間距離(d)×ガス

いう構造であり[5-7]、原理的に電極間距離が 0～

圧力(p)である（縦軸は火花電圧・放電開始電圧でmm 間で自在な構造と言うことができる。それはある）。物理的には、教科書によく記述されているともかく、通常 1 cm を越えるような電極間距離31の設定はあまりなく、数 mm 以下が多いだろう。

プロセス全体において重要である。タバコや線香

ここで、プラズマ生成用電源の周波数 f についの煙が大気圧の空気中でどう動くか、頭の中に思て気にする方がいらっしゃるだろう。例えば、私い浮かべて欲しい。上のほうに上がりながらくね

はマイクロ波でのプラズマ生成を行っているので、 くね曲がるし、風が吹けばすぐなびく。
パッシェン則の pd 積など関係ない、とおっしゃ

比較のために、低圧プラズマの場合を考えてみるかもしれない。しかし、低圧プラズマではパッよう。もし、タバコの煙を低圧下で放出したらど

シェン則の横軸を pdf 積という形で考えるべき

うなるかというと、（やったことはないが恐らく）（つまり、周波数を高くすると圧力を下げたり電すぐにパッと広がる。この違いはどこからくるか

極間距離を短くしないといけない）という指摘がというと、圧力 p が上がると拡散係数は 1/p に従あること、大気圧マイクロ波プラズマの生成形態って小さくなることによる。低圧力下の拡散が大として電極間と同様の概念として導体間のギャッ

きな系に比べて、大気圧ではガスの粒子の拡散がプでプラズマを生成し容量結合型プラズマ生成と抑えられて動きにくく、ねっとりとした流れ（対して理解しようという指摘もあること、という点

流成分）が支配的だ、という感覚で捉えてもよいを考えて、やはり同様の考察をするのが適当であだろう。より詳細には、粒子束を構成する要素でろう。

ある、対流成分と拡散成分の割合が大きく変化する、と言える。

さて、この章の冒頭に問いの形で提示した、もう一つの重要な観点とは、電子密度と時間軸との関係である。先に述べたように、パッシェン則においては、電子と中性粒子の衝突過程が本質的である。そこで、たとえ pd 積が同じであって、そして放電開始電圧が同様であっても、d が短くなって同様のシース構造が維持される（つまり d が短くなるにつれシース厚も短くなる）ためには、電子密度が高くならざるを得ない（デバイシースの厚みが、数式としてどのように与えられているか復習しておこう）。そうすると、電子と中性粒子の間の衝突頻度が上がり、第１章で問題にした中図 2．大気圧でのプラズマ CVD 過程においてガ性粒子の温度上昇が避けられない。この解決策とス流を念頭においたときの前駆体の形成と空間輸しては、今のところは時間軸方向の制御、すなわ送の模式図。C を前駆体密度とし、材料ガスとしちプラズマ生成用の電力投入時間を短くする（例て SiH4 を仮定した。

えばマイクロ秒オーダー以下にする）ことで回避できていることを、指摘しておきたい。

これは、うまくすれば大変都合の良い性質とも言えるし、逆に問題の種となりうるやっかいな性質という側面もある。

３．大気圧プラズマにおけるガス流
ガス流（中性粒子の粒子束ベクトル）は、大気都合が良いのは、容器やチューブがなくともガ

圧プラズマにだけでなく、大気圧における種々のスを他のガスとなかなか混じり合わない状態を作32

れることだ。これは、大気圧下で低温プラズマジれたような形だ[10]。流れる電流は変位電流が支ェットを作り出すことに大変役に立った[8]。ヘリ配的である。

ウムガスをガスチューブから大気圧の大気中に噴ところが、大気圧下では、コンデンサというよ出したとして、数 cm の長さ噴き出してもかなりりはかなり抵抗と等価なものとなる。その理由は、純度の高い状態を保つことができる。結果として、この稿を通して説明してきたように、電子（このガスチューブ内でプラズマを生成すると、外に出場合は、電流の主な担い手として捉える）が高周てもそのガス流に沿ってプラズマが進展し、針状波に揺らされる効果よりは、初期の位相成分を忘に対象物に対して作用させることができる。

れてしまうほど中性粒子との衝突の効果が大きいからだ。結果として、等価的な抵抗に対して高周

また、ガス流を用いて中性粒子を入れ替えるこ

波はジュール加熱を支配的に行う。

とで、１章で取り上げた中性ガス粒子の温度の上

これは、例えば高周波電源の整合回路の修正が昇を抑える、という効果にも期待が持てる。
逆に、大気圧のガス流がやっかいになる場合は、必要となる可能性がある。幸いなことに、大気圧

例えば大気圧下でプラズマ化学気相成長（CVD）

非平衡プラズマで大きなプラズマを生成すること法を適用しようとする場合だ（図２）。プラズマ中はあまりないため、電極やケーブルの浮遊抵抗成で生成された成膜前駆体はガス流に沿って運ばれ分にその効果が隠れているのが実情だろう。しかる。
成膜がなされる基板まで粒子がやってくると、し、サイズを大きくしていくときには注意が必要

ガス流は層流状態を保って基板の表面に沿って流と考えられる。

れる。成膜前駆体も表面に沿って流れ、なかなかガス流を横切って基板に到達しない（ガス流を横切る粒子束は拡散成分である）。従って、プラズマ
CVD の反応容器の設計指針は、低圧プラズマの場
合とはかなり異なって、拡散成分を増やすような工夫が求められる[9]。
４．大気圧プラズマの等価的な電気特性
大気圧プラズマが電気的にどのように表されるか、と考えるのは、電気工学や電子工学を専攻としない学生の方によっては苦手な議論かもしれな
い。しかし、この話題は、大気圧プラズマ生成用

図 3．ガス圧力・ガス種が変化する場合のプラズの電源としてどのようなものを使うべきか、といマの複素比誘電率の電子密度（ne）依存性[11,12]。
周波数は 4 GHz とした。

う、実用上の重要な問題に直結している。
例えば、高周波電力により生成される容量結合型プラズマを考えると、プラズマ生成前は比誘電

大気圧のマイクロ波プラズマを生成するときに率が 1 のコンデンサと見なせる。プラズマが生成は、この問題はかなり大きくなる。というのは、されると、低圧下では、シースの部分にコンデン

通常の低圧下のプラズマの場合、マイクロ波帯でサ成分が集中し、それに少し並列な抵抗が挿入さはほぼ（電子にとって中性粒子に対して）無衝突

33

った新たな展開が期待できる。

のプラズマと見なせ、誘電率として見るとほぼ実部のみである。ところが、大気圧のヘリウムプラ
ズマの場合、ほぼ完全に衝突効果が支配的で、誘謝辞

電率の実部は+1 のまま変化が無く、変化するのは大気圧プラズマの研究をご一緒し、多くの叱咤

虚部のみである[11,12]。このように、大気圧の気激励をいただいてきた橘邦英先生（京都大学名誉体中でマイクロ波を投入して生成されたプラズマ教授、現・大阪電気通信大学）と白藤立先生（現・は、電気的な特性として低圧プラズマとは全く異

大阪市立大学）に深謝いたします。また、伊藤陽なると言ってよい。

介先生（現・京都大学）
・占部継一郎博士（現・日以下は、一般的な記述を離れた詳細な内容とな

本学術振興会博士研究員（東京大学））をはじめ、ることをお断りする。一見無益に見えるマイクロ一緒に研究を行った多くの学生の皆さんに感謝申

波帯での大気圧プラズマの上記の性質を、筆者らしあげます。また、折に触れて貴重なアドバイスの研究では“プラズマ・メタマテリアル”[13]とをいただいた岡崎幸子先生（上智大学名誉教授）

して利用している。すなわち、圧力を高く大気圧にも心より御礼申し上げます。

とすると、マイクロ波を減衰させることができ、逆に圧力を下げるとマイクロ波の位相変化を大き参考文献

く取ることができる。我々は、“メタマテリアル”[1] 日本学術振興会プラズマ材料化学第 153 委員と呼ばれる微小構造の集合体とこのプラズマの性会（編） ; 「大気圧プラズマー基礎と応用」（オ

質を組み合わせて、可変で動的制御が可能なメターム社、2009 年）。

マテリアルを提案した。実際にはまだまだ遠い道[2] 沖野晃俊（監修） ; 「大気圧プラズマの技術のりであるが、原理的にはまさに SF の世界のよとプロセス開発」（シーエムシー出版、2011 年）。

うに、このプラズマ・メタマテリアルにより、欲[3] 橘邦英、寺嶋和夫、白藤立、石井彰三 ;「マイしいときに自在に“透明マント”が実現できるとクロプラズマー基礎と応用」（オーム社、2009 年）。

考えている。

[4] A. von Engel ; “Ionized Gases”, (Clarendon,
Oxford, 1965).
[5] O. Sakai and K. Tachibana ; J. Phys. Conf.

４．おわりにSeries, 86 (2007), 012015.

大気圧プラズマについて、専門書的な記述を避けて、しかし実際上に重要となると思われる項目[6] O. Sakai, M. Kimura, T. Shirafuji and K.

をいくつか説明した。本稿では、以下の内容につTachibana ; Appl. Phys. Lett., 93 (2008),

いて割愛している。例えば、大気圧プラズマの診

231501.

断法、三体衝突効果の重要性、具体的なプラズマ[7] O. Sakai, T. Morita, Y. Ueda, N. Sano and K.

源のスペックの記述などであり、これらは専門書

Tachibana ; Thin Solid Films, 519 (2011), 6999.

[1-3]を参考としていただきたい。第１章でも述べ[8] K. Urabe, Y. Ito, O. Sakai and K. Tachibana ;たように、大気圧プラズマの研究・開発はまだま

Jpn. J. Appl. Phys., 49 (2010), 106001.

だ発展途上であり、さらに身近となり、あるいは[9] O. Sakai, K. Tachibana, K. Tatsugawa, K.

さらに高機能性を示すようなプラズマ源となり、Ohishi and R. Inoue ; Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.,

多くの対象に対して応用対象が広がったり、とい

31 (2006), 453.

34

[10] F. F. Chen and J. P. Chang ; “Lecture Notes[12] O. Sakai and K. Tachibana ; Plasma

on Principles of Plasma Processing”, (Plenum

Sources Sci. Technol., 21 (2012), 013001

Pub., New York, 2003).
[11] O. Sakai, T. Naito and K. Tachibana ; Phys.
Plasmas, 17 (2010), 057102.

35

国際会議報告
5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its
Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
豊橋技術科学大学
ISPlasma は、文部科学省の支援を受け、東海広域ナノテクものづくりクラスター事業の一環として、当地域に国際競争力を有する先進プ
ラズマナノ科学研究拠点を形成するために2009 年から毎年開催されている国際会議である。今回はその 5 回目として、2013 年 1 月 28
日から 5 日間にわたり名古屋大学にて開催された。プラズマ分野で長い歴史と研究実績を有す
る東海地域に国内外から優れた研究者が集い、先進プラズマ科学、窒化物半導体とナノ材料への応用、産業界への技術移転の仕組み作りについて広く議論するとともに、最新の研究成果を発表して分野を超えて活発に情報交換を行った。
プラズマを中心としてその応用分野の窒化物半導体やナノ材料分野を１つの学会で議論できることから、数多く国際会議がある中で、プラズマを中心とする異分野交流の国際会議として認知されつつある。会議全体の参加者数は年々増加しており、今回は 900 名を超えた。この参加者数はプラズマ関連の国際会議としてはかなり大きな部類に入るものと考えられる。また発表件数は全体で 562 件であり、 その内訳
は、基調講演・招待講演・チュートリアル等 43
件、一般口頭発表 43 件（含レイトニュース）、
ポスター発表 476 件であった。またそれらの内、海外からの発表は、220 件であり、アジアを中
心に、欧州に於いても本会議の知名度が徐々に高まりつつある。
関連する主な分野は以下の通りである。
(1) プラズマ科学：プラズマ源、先進プラズマ
計測技術、モデリングとシミュレーション、
エッチングプロセス、薄膜成膜プロセス、フレキシブルエレクトロニクス、バイオ／医療用プラズマ、クリーンエネルギー用プラズマ、
ナノテクノロジープラズマ(2) 窒化物半導体：GaN および関連材料の結晶
36

若原 昭浩

成長、窒化物 MBE 成長、評価技術、デバイ
スプロセス、光デバイス、電子デバイス(3) ナノ材料：ナノカーボン材料、ポーラス材
料、表面改質／表面機能化、コンポジット／
傾斜機能材料、ナノパーティクル／ナノワイ
ア／ナノロッド、エネルギー応用向けナノ材
料(4) 産学官連携
今回、昨年度に引き続き、本会議の前日をチュートリアルに充てた。異分野の理解を深め、分野間融合による新たな価値創造を目的とし、プラズマ科学・窒化物半導体・ナノ材料の各々の分野で活躍する研究者やベテランにも有意義となるよう、基礎から最先端の動向を含んだ講義が行われた。海外からの参加者・第一線で活躍する研究者が多く聴講していたのは特徴的であった。チュートリアル講演者は以下の通りである。プラズマ科学：The University of Texas
at Dallas・Overzet 教授（アメリカ）および北海道大学・佐々木教授、 窒化物半導体：
CRHEA-CNRS・Duboz 博士（フランス）および立命館大学/ソウル国立大学校・名西教授、ナ
ノ材料：University of Bari・Fracassi 教授（イタリア）および名城大学・飯島教授。
初日午前は、豊田講堂にて、初回からの組織委員長である名古屋大学・堀教授よる先進プラ
ズマナノ基盤技術に基づく東海広域知的クラス
ター創成事業の成果と展望について講演が行われた。引き続き東北大学・大野教授による特別講 演 "Spintronics makes CMOS VLSI
nonvolatile"、Sungkyunkwan 成均館大学・
Han 教 授 に よ る 基 調 講 演 "Challenge ofplasma-nano technology for next generation
frontier industry "、Texas Instruments Inc.・
Colombo 博士による基調講演 "Graphene andh-BN at the Interface " が行われた。

午後からは、3 つの会場にわかれて、プラズ
マ科学、窒化物半導体およびナノ材料のそれぞれのセッションで、招待講演と一般講演による最新の話題に対して専門性の高い活発な議論が繰り広げられた。パラレルセッション方式の発表は 4 日目まで行われ、午後の初めにポスター発表が組み込まれていた。
本会議の特徴は、分野間融合セッションである。昨年度の評価を踏まえて、分野間融合セッションとして、「カ－ボン先端材料」、「窒化物半
導体の最先端技術」、「エネルギー革命」の 3 つが企画された。このうち、「窒化物半導体の最先端技術」、「エネルギー革命」は、パネルディス
カッションに繋がる融合セッションとして設定
され、「産学官連携」と合わせて 3 つのパネル
ディスカッションが行われた。
「カーボン先端材料」では、成均館大学・Lee教授による基調講演、「窒化物半導体の最先端技術」では、ローザンヌ工科大学・Grandjean 教
授による基調講演、「エネルギー革命」では、東京工業大学・野崎教授および Illinois Inst. of
Tech.・Shaw 教授による基調講演が行われ、関連の招待講演も含めて活発な議論が交わされた。
異分野融合の目玉として行われた３つのパ
ネルディスカッションは以下の通りである。第
1 は、産学官連携に焦点をあてたもので、「名古屋からイノベーションを考える～グローバルイ
ノベーション拠点形成に向けて～」をテーマに、
東京工業大学・藤村教授、IMEC・De Boeck 氏、
同 志 社 大 学 ・ 山 口 教 授 、 Automobili
Lamborghini Laboratory at the Univ. of
Washington・Feraboli 教授による講演のあと、４氏に三菱 UFJ モルガンスタンレー証券・金澤氏、アーサー・D・リトルジャパン・川口氏、名古屋大学・堀教授をパネリストに加え、東京工業大学・藤村教授をモデレータとしてパネル
ディスカッションが行われた。一般の人にも幅広く聴講できるよう、関連する講演も含めた産学官連携セッション全体を参加費無料とするとともに、同時通訳をつけることでより深く内容を理解できるよう配慮がなされた。藤村教授により紹介されたイノベーションに至る研究の道
筋、山口教授、Feraboli 教授による大学の果た37

すべき役割が印象的であった。この他にも、行政の役割、ジャーナリストの目、
人材教育など、様々な観点からプラズマを基幹技術とした拠点のあり方について議論され、充実した討論が行われた。大学などの研究機関のほかに、企業、行政等からも多くの参加者があり、その意味で
本パネルディスカッションは大変有意義であった。
第２のパネルディスカッションは「窒化物半導体の将来展望 ～プラズマ科学、ナノテクノ
ロジーによるレボリューション～」である。異分野融合セッションの１つである「窒化物半導体 の 最 先 端 技 術 」 に お い て 、 EPFL ・Grandjean 教授、CEA Grenoble・Daudin 博士、
東京大学・藤岡教授、富士通研究所・吉川氏、
The Hong Kong Univ. of Science and Tech.・
Chen 教授による講演が行われ、続いて、窒化物半導体デバイスとプラズマプロセスとの関わりに焦点を当て、名古屋工業大学・小田教授をモデレータに、「窒化物半導体の将来展望 ～プ
ラズマ科学、ナノテクノロジーによるレボリューション～」についてパネルディスカッションが行われた。プラズマを用いたナノ構造をはじめとする窒化物半導体の成長、プラズマの状態の把握、デバイスプロセスにおけるプラズマの影響等について詳しい議論がなされた。今回のディスカッションでは、窒化物関係者にとって極めて有意義な議論であったばかりでなく、他の分野の関係者にとっても、窒化物デバイスのプロセス技術における現状と課題が明らかになり、分野を超えた融合の第一歩となった。
最終日には、「エネルギー革命」というテーマでパネルディスカッションが行われた。前半
は、東京工業大学・野崎教授、JX 日鉱日石エ
ネ ル ギ ー ・ 錦 谷 氏 、 Pandit Deendayal
Petroleum Univ. ・ Mukhopadhyay 教 授 、Illinois Inst. of Tech.・Shaw 教授による講演が
行われた。
続いて、
野崎教授をモデレータとし、パネリストとして大阪ガス・松本氏、名古屋工業 大 学 ・ 中 山 准 教 授 、 Lawrence Berkeley
National Lab.・Walukiewicz 博士の３名を迎えて討論が行われた。パネルディスカッションではモデレータの野崎教授が用意した高効率エネ

ルギー利用社会の構築に向けて、幾つかのテーマに沿って各パネリストの専門的見地からコメントを頂き、パネリスト間及び会場からの質疑応答を行った。セッションを通して活発な質疑応答・コメントが寄せられた。今回のディスカッションは、エネルギー革命を目指す高効率エ
ネルギー利用社会の構築に向けてプラズマとナノ材料の研究開発にとって極めて有意義な議論となった。
前回に引き続き、今回もプラズマ科学、窒化物半導体ならびにナノ材料のそれぞれの分野における最優秀発表賞を選定することになり、最後に表彰式が行われた。受賞者は以下の通りである。
Best Presentation Award (Oral)・Plasma Science
Hideaki Yamada*, Akiyoshi Chayahara,
Yoshiaki Mokuno, Nobuteru Tsubouchi,
and Shin-ichi Shikata*AIST, Japan・Nitride Semiconductors
Shiro Ozaki*, Toshihiro Ohki, Masahito
Kanamura, Naoya Okamoto, andToshihide Kikkawa*Fujitsu Laboratories Ltd., Japan・Nanomaterials
Bor-Jang Liaw*, You-Syuan Jhai,
Wei-Hsuan Kuo, Wen Wang, andMeng-Jiy Wang
*Nation Taiwan University of Scienceand Technology, Taiwan
Best Presentation Award (Poster)・Plasma Science
Tatsuru Shirafuji*, Kenji Takahashi,
Hideo Kambayashi, and Tetsuo Goto
*Osaka City University, Japan・Nitride Semiconductors
Yohjiro Kawai*, Yoshio Honda, Masahito
Yamaguchi, Hiroshi Amano, Hiroki
Kondo, Mineo Hiramatsu, Hiroyuki
Kano, Koji Yamakawa, Shoji Den and
Masaru Hori
*Nagoya University, Japan・Nanomaterials
Hideaki Tsukamoto*, Yoshiki Komiya,
Hisashi Sato, and Yoshimi Watanabe*Nagoya Institute of Technology, Japan
次回の ISPlasma2014 は、名城大学において2014 年 3 月 2 日（日） 〜 6 日（木）に開催の予定である。

38

国際会議報告

6th International Conference on Plasma Nanotechnology and
Science (IC-PLANTS 2013) 報告
金沢大学

サステナブルエネルギー研究センター(RSET) 石島 達夫

第６回プラズマナノ科学技術に関する国際会議（主催：名古屋大学工学研究科附属プラズマナノ
工学研究センター）が、2013 年 2 月 2 日(土)および 3 日(日)に、岐阜県にある下呂交流会館アクテ
ィブにおいて開催されました。本稿では、本国際会議の概要に関して報告させていただきます。
6 回目となる本国際会議は、国内外の著名な研究者による 8 件の招待講演に加えて、共催団体である新学術領域・プラズマナノ界面の研究テーマより選出された特別招待セッションが企画され、計 82 件の発表（うちポスター59 件）が行われました。参加者は、伊、仏、独、米、韓、中、泰、
蘭印、日の 9 カ国より合計 119 名（外国より 18
名，日本 101 名）と多くの参加者と講演者の間で活発な議論がなされました。本会議は、「プラズマ
プロセスの基礎」「プラズマ技術と MEMS」「大気圧プラズマとバイオテクノロジー」「プラズマとナノ界面相互作用」をトピックスとして取り上げました。本会議の最初に d’Agostino 教授（Bari 大学）
より低温プラズマを用いたポリマーとシリコン基板へのナノテクスチャー表面構造作成に関する特別講演を頂き、基礎的な部分から理解する機会が得られました。
プラズマの基礎・生成・制御に関し、Chabert
教授(Ecole 理工科大)から高周波重畳時のシースモデルの物理、Czarnetzki 教授（Ruhr 大）より容量結合プラズマ中のダスト操作、村上教授（核融合科学研究所）より核融合および応用プラズマ分野における原子・分子プロセスのデータベースについて、豊田教授（名古屋大）よりマイクロサイ
ズからメートルクラスのマイクロ波プラズマ生成について、Wu 教授（Chiao Tung 大）より 100 MHz
励起 Ar プラズマ、 CF4 ガスを用いた ICP、 大気
圧プラズマジェットに対して平行流体モデルの適用可能性についてご講演頂きました。

プラズマ応用分野では、本会議のトピックスの一つである MEMS に関連し Azar 教授(Utah 大)よりマイクロプラズマを用いた電界効果トランジス
タについてご講演頂きました。また、近年注目の集まっている生体応用分野では、H.W. Lee 博士(Pohang 大)より癌等の医療応用に関するプラズマ
について、Boonyawan 教授(Chang Mai 大)より生体応用に向けたプラズマ源に関してご講演頂きました。若手から白井助教（首都大）より DC 大気圧
放電で金属ナノ粒子創製について、富田助教（九州大）よりイオン液体電極を用いた大気圧放電の
トムソン散乱計測、津田君（京都大）より Cl2 プ
ラズマエッチング中のシリコン凹凸形成のシミュ
レーションと実験について講演がありました。
本会議のプログラムはホームページ（＊）にて公開していますのでご高覧頂ければ幸甚です。次回は 2014 年 3 月 2 日～6 日に、名城大学（名古屋市）にて第 6 回先進プラズマ科学と窒化物およびナノ材料への応用に関する国際シンポジウム(IS-PLASMA 2014)との合同開催が予定されています。プラエレ分科会会員の皆様の参加を心よりお待ちしております。
*http://www.plasma.engg.nagoya-u.ac.jp/IC-2013/39

国内会議報告第 12 回プラズマエレクトロニクス新領域研究会「プラズマ先端材料プロセス」（電気学会プラズマ／パルスパワー合同研究会との共催）
首都大学東京平成 24 年 12 月 11 日（火）の午後に，東京大学
本郷キャンパスにて，第 12 回プラズマエレクトロニクス新領域研究会が，電気学会プラズマ／パル
スパワー合同研究会（12 月 10-12 日，電気学会プ
ラズマ技術委員会／パルス電磁エネルギー技術委
員会主催）との共催による合同セッションとして開催された。電気学会研究会への参加者に加え，新領域研究会を目的に来られた参加者もいたため，総勢 70 名強の参加者があり，盛況であった。
また，電気学会を中心に活動されている研究者との良い交流の機会でもあった。今回の新領域研究会では「プラズマ先端材料プロセス」をテーマに，5 名の講師を招き，貴重な講演をいただいた。
最初に，東工大の野崎智洋先生から「シリコン
インクと量子ドット太陽電池の開発」と題し，インフライトプラズマ CVD によるシリコン量子ドット（Si QDs）合成とその評価に関して講演が行われた。様々な合成条件において，H2/SiCl4 比を一定に保てば，Si QDs の収率は比投入エネルギー（電力÷ガス流量[J/cm3]）に対して統一的にまとめられることが示された。このとき，比投入エネ
ルギーが 10 J/cm3 以下の領域では，比投入エネル
ギーの増加に伴って原料ガスの分解が進行して収

野崎先生の講演風景

杤久保 文嘉率が増加するが，10 J/cm3 以上では HCl の増加によって結晶核の生成と成長が阻害され，反応器壁への膜形成によって収率が減少している。
東大の斉木幸一朗先生からは「プラズマ CVD
によるグラフェンへの窒素ドーピング」と題し，
CVD 法による Cu 基板上へのグラフェンおよび窒
素ドープグラフェンの成長についての講演が行われた。熱 CVD 法では Cu 基板の触媒作用によってメタンが解離してグラフェンが形成されるのに対し，RF プラズマを用いた CVD ではプラズマ中で生成される C2 ラジカルがグラフェンの形成過程を支配するために低温成長が可能であるが，同時に生成される CH ラジカルが沿面成長を阻害するためにグレインサイズが 20 nm 程度に制限される
ことが示された。また，窒素分子をプラズマ中に添加することで窒素ドープが可能であるが，熱CVD とプラズマ CVD ではドープ位置が異なることも示された。ドープ量とドープ位置の制御が次の課題とのことである。
東大の寺嶋和夫先生からは「ガス温度制御型プ
ラズマを用いた先端材料プロセス開発－クライオ
プラズマを例として－」と題した講演が行われた。
クライオプラズマ（ガス温度が室温付近（300 K）

斉木先生の講演風景
40

寺嶋先生の講演風景

からヘリウムの液化温度である 4.2 K の領域で温度を連続的に制御しながら発生させたプラズマ）
では，環境温度を制御することでガス温度が制御できていること，高媒質密度が実現されるためにプラズマ密度等のパラメータも上昇すること，様々な特異な物性（気体の沸点や融点，超伝導転移，トンネル化学反応，超流動等）が内在する領域であること，プラズマの形態や発光色も温度領域によって特異的に変化することなどが示された。
このような特異な性質を利用したプラズマ材料プ
ロセスについても例示がなされた。
東大の山口由岐夫先生から「放電プラズマにおける自己組織化と応用」と題した講演が行われた。
最初に，パッシェン曲線に関連して，実効電離係数(α−η)/p を電子増殖速度とすると，これは電界強度のシグモイド型関数となるので変曲点が存在し，
これがパッシェン極小に一致し，パッシェン極小の左側では空間一様なプラズマとなり，パッショ
ン極小の右側では空間分化した方が効率的なためにシース発生を始めとする構造（自己組織化）が現われることが述べられた。また，電子とイオンの密度連続式を適切な境界条件下で解析的に解いた式のヤコビアンから Townsend の火花条件式が導かれることが示された。最後にシリコンナノ粒子の合成に関し，液相法よりもプラズマを用いた方がサイズ制御が容易であること，表面修飾したシリコンナノ粒子による細胞染色への応用が示された。
首都大の白井直機先生からは「液体電極を用いた大気圧グロー放電の特性と応用－発光の自己組

山口先生の講演風景

織化と金属ナノ粒子生成－」と題した講演が行われた。液体電極放電，特に液体を陽極とした場合に陽極面上に現れる放電発光の自己組織化に酸素ガスが影響することから，負イオンの関与について考察が行われた。また，硝酸銀溶液や塩化金酸溶液を用いた液体電極放電において銀ナノ粒子や金ナノ粒子が生成されることを確認し，粒子生成と制御には液体の種類や濃度，
界面活性剤の添加，放電の極性が重要であることが示された。また，硝酸銀・塩化金酸混合溶液を用いた場合，Au コア／Ag シェルのナノ粒子が生成されることも示された。
研究会終了後には，東大弥生キャンパス内のレストランアブルボアにて懇親会が行われた。洒落
た雰囲気のレストランで，ドリンク，料理ともに美味であった。
今回，研究会の参加者へのアンケートを取り忘れたことは反省点である。両学会からの参加者がどのような感想を持ったかは，今後の研究会の形態を考える上で重要であった。しかし，懇親会中にも面白い研究会であったといった感想も聞かれ，概ね，良い研究会であったのではないかと思う。
最後に，開催にあたって，プラズマエレクトロニクス新領域研究会との共催に快諾くださった電気学会プラズマ技術委員会委員長の東工大・赤塚
洋先生，パルス電磁エネルギー技術委員会委員長の東工大・堀田栄喜先生，プラズマ技術委員会側
から合同セッションを担当くださった産総研・金載浩氏，講演会場や懇親会を準備・運営くださっ
た東大・井通暁先生に深く感謝いたします。

白井先生の講演風景

41

懇親会

国内会議報告

第 4 回プラズマ医療・健康産業シンポジウム、第 13 回(公社) 応
用物理学会・プラズマエレクトロニクス分科会・新領域研究会、文部科学省・新学術領域研究｢プラズマ医療科学の創成｣東京拠点会議
合同開催
産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門 先進プラズマ技術グループ
榊田 創（担当幹事）
2012年12月21日（金）午後13時より、産業技術

捨て消費を原則とする医療活動を環境にも配慮し総合研究所・臨海副都心センターにおいて、第13た形態への変換が必要であろうと考えられる。そ回(公社) 応用物理学会・プラズマエレクトロニク

こで我々は、大学、医療機関、製造メーカー、政ス分科会・新領域研究会が開催された。
本会議は、府機関の有志が集まる場としてプラズマ医療・健第 4 回プラズマ医療・健康産業シンポジウム、及康産業フォーラムを立ち上げ、環境調和型医療のび文部科学省・新学術領域研究｢プラズマ医療科学

実現に向けた研究開発体制の構築を進めてきていの創成｣東京拠点会議との合同開催という形式にる。前回の第３回プラズマ医療・健康産業シンポて実施された [1]。主催は、プラズマ医療・健康

ジウムでは、医療機器開発の動向と医工連携の状産業フォーラム、独立行政法人産業技術総合研究

況を明確化し、今後の課題と方向性を議論した。

所、(公社) 応用物理学会・プラズマエレクトロニ

更に、検査・診断技術の現状を通して、日本が優クス分科会であり、国立大学法人大阪大学、国立位性を保持してきた技術の更なる可能性を議論し大学法人名古屋大学、(社) プラズマ・核融合学会、た。このたび開催した第４回シンポジウム、及び(社) 電気学会、及びバイオテクノロジー開発技術

新領域研究会では、日本の医療機器産業政策、国研究組合からは、それぞれ協賛を得た。参加者は

際標準化政策に関する事業紹介のほか、日本の医約100名程度であり、定員を越える結果となった。

療機器開発の動向と実用化戦略、及び米国におけ

主には企業関係者の方々が多かったが、大学、医る実用化事例を紹介いただく予定である。これら

療機関、公的機関、学生などの幅広い領域から参をたたき台に、医工連携研究開発のプラットホー

加を頂くことができた。

ムや、具体的な医療イノベーションとその戦略のあり方を議論し、プラズマ医療・健康産業フォーラムとして、関連のメッセージを社会へ発信でき

開催の趣旨（開催ポスターに掲載）は次の通り

れば幸いに思う。中でも今回は、低侵襲治療推進となっている。
「今後の医療機器産業の競争力強化には、半導に向けた技術開発への期待と、プラズマ医療の科

体等の超微細加工技術や、安価で信頼性の高い大学的な側面について、各界の専門家と今後の可能

量生産技術を、医用部材加工や診断・治療機器生性をより深く議論できればと考えている。」

産の共通基盤技術として展開するとともに、使い42

当日の講演プログラムは次の通りである。
以上の様に、医療機器開発に関する国内政策動・「開催にあたって」

向、及び日本の産業発展のために国際標準化が必

プラズマ医療・健康産業フォーラム 事務局

要である旨の講演を経済省の覚道室長、坂元室長
司会 産総研 研究チーム長 池原譲からそれぞれ頂いた。また、イノベーションは如・「経済産業省の医療機器産業政策について」

何にして起こすのかについて、実例を交えて SRI
インターナショナル日本支社の染原部長からご講

経済産業省商務情報政策局ヘルスケア産業課医療・福祉機器産業室 室長 覚道崇文

演頂いた。更には、プラズマ医療の展望に関して、

・「イノベーションを求め続けて60 年」

東京エレクトロン株式会社の有角フェロー、及び名古屋大学の堀教授からご講演を頂いた。プラズ

SRI インターナショナル日本支社・ライフサイ

マ技術などを活用した医療イノベーション、及びエンス部門 部長 染原俊朗

医療用途のプラズマ装置等に関する国際標準化活動について産総研の池原医師、榊田からそれぞれ

司会 大阪大学 教授 浜口智志

報告がなされた。会場からも多くの多様な質問が・「事業戦略と国際標準化」

なされ活発な議論が行われた。最後にプラズマエ

経済産業省産業技術環境局環境生活標準化推進室

レクトロニクス分科会の寺嶋幹事長の方より総括室長 坂元耕三

・「医療イノベーション実現のための糖鎖およびを頂き、成功裏のうちに終了をすることができた。

バイオイメージング技術の研究開発」

第 5 回プラズマ医療・健康産業シンポジウムは、
引き続き来年度も開催されることがアナウンスさ

産業技術総合研究所・糖鎖医工学研究センター

れた。

研究チーム長 池原譲

本研究会の開催にあたり、ご参加、ご協力を頂

・「医療用途のプラズマ装置に関わる国際標準化

きました方々に、この場をお借り致しまして深く活動」

御礼申し上げます。

産業技術総合研究所・エネルギー技術研究部門
研究グループ長 榊田 創

参考文献
[1] 第 4 回プラズマ医療・健康産業シンポジウム、

司会 産総研 研究グループ長 榊田創・「半導体技術者から見たプラズマの医療応用」

第13 回( 公社) 応用物理学会・プラズマエレクト

東京エレクトロン株式会社コーポレート開発部

ロニクス分科会・新領域研究会、文部科学省・新門

学術領域研究｢プラズマ医療科学の創成｣東京拠点

フェロー 有門経敏

・「プラズマ医療科学の推進」

会議 合同開催 講演集 (2012.1

名古屋大学大学院工学研究科・プラズマナノ工学研究センター長 教授 堀勝・「閉会挨拶」
東京大学大学院新領域創成科学研究科教授

寺嶋和夫（プラズマエレクトロニクス分科会幹事長）

43

国内会議報告第 30 回プラズマプロセシング研究会(SPP-30)
静岡大学

永津 雅章

去る2013年1月21日(月) ～ 1月23日(水)の3日

70名以上の参加をいただき，盛会にて無事終了す

間にわたって，第30 回プラズマプロセシング研究ることができました。開催準備にあたり，参加者

会（30th Symposium on Plasma Processing，SPP-30）の勧誘や広告の募集に多大なるご尽力を頂きましが浜松市のアクトシティ浜松・研修交流センター

たプラズマエレクトロニクス分科会幹事会の寺嶋において開催されました。浜松での開催は，ちょ幹事長初め，幹事会の関係者の皆様にこの紙面をうど15年前の平成10年1月21日～23日に，静岡大学

借りて，お礼を申し上げます。

が担当して開催したSPP-15 以来の2回目の開催と今回のシンポジウムでは，プラズマプロセスになります。本シンポジウムは，これまでプラズマ関わる基礎的研究は勿論のこと，次世代のプラズ

科学シンポジウム（PSS）や反応性プラズマに関す

マ応用分野であるナノテクノロジー分野（ナノ粒る国際会議（ICRP）等との合同会議として開催さ

子，ナノ構造物質，ナノ加工），バイオテクノロれることが多く，今回は3年前に横浜で行われた

ジー分野，環境応用分野もスコープに加え，総合

SPP-27以来の単独研究会として開催されました。

的な議論ができるように企画しました。また，次さらに30回目という節目の開催でもあったため，世代を担う大学院生等の人材育成の観点より，第実行委員会として非常に重い責任を感じつつ準備一線で活躍される著名な研究者をお招きして，「特を進めてきました。参加申込数も，申し込み締め別講演」と「指定テーマ講演」をそれぞれ2件開催

切り日までに当初見込みを下回っていましたので， しました。初日に「プラズマ技術の課題と将来展
今回も締め切り延長の対応をするなど，ハラハラ

望」と題して長崎大学の藤山 寛先生，2日目にはした思いで開催当日を迎えました。幸いにも，当「低温プラズマバイオプロセッシングの応用と影日の参加申込者数が比較的多く，結果としては，

響評価」と題して豊橋技術科学大学の水野 彰先生

総参加者数217名，講演総数158件（特別講演 2件，に御講演をいただきました。さらに，指定テーマ

指定テーマ講演 2件，一般口頭発表講演 56件，ポ講演では，「プラズマ医療科学の創成とその展望」

スター発表 98件）であり，SPP単独開催としてはと題して名古屋大学の堀 勝先生，そして最終日

まずまずの結果となりました。会議開催期間が，には，浜松地域の特徴である光・電子技術に関す

学期末の授業期間でもあり，大学によっては大学る企業からの話題提供として，「光技術による未院修士論文発表会の時期と重なるなど，大学関係

知未踏への挑戦」と題して浜松ホトニクス・中央

者や学生参加者数が心配されましたが，上記のよ研究所長の原 勉先生に御講演をいただきました。

うな200名を超える参加者数で，学生参加者数もいずれの先生方からも，今後のプラズマプロセシ

116名あり，
本研究会開催の目的の一つである若手

ングの基礎と応用に関する多くの示唆に富んだ有研究者育成の面でも役割を果たしたのではないか

意義なご講演をいただきました。特に大学院学生と考えています。また，会場に程近い浜松クラウや若手研究者・技術者に対して，研究意欲を鼓舞

ンパレスホテルで初日夜に行われた懇親会にも，するに十分な，非常にタイムリーなテーマでの印
44

アステック（株），浜松ホトニクス（株），（株）

象深いご講演を頂きました。
一般講演では，申し込み希望トピックスのバラ

ニッシン，（株）サムウエイ，耐圧硝子工業（株），

ンスを考慮して，発表セッション分野の括りを以ペガサスソフトウェア（株）の各社にご協力を頂

下の10テーマのセッションに分けて，プログラム

きました。ご支援を頂いた静岡大学，財団・企業を編成しました。

各社の皆様に改めまして厚く御礼申し上げます。

(1)プラズマの発生と制御，(2)プロセシングプラ

最後に，本シンポジウムの企画立案から広報，

ズマの診断・計測・モニタリング，(3)プラズマに講演・参加募集，プログラム作成，広告募集，さよるエッチング，(4)プラズマによる薄膜形成，(5)らには当日の運営に携わっていただいた現地実行

プラズマによる表面改質，(6)ナノテクノロジー，

委員の先生方，プラズマエレクトロニクス分科会(7)大気圧・マイクロプラズマの基礎と応用，(8)SPP担当幹事の先生方，準備期間から何かとご支援

液相及び気液界面プラズマの基礎と応用，(9)エネ

いただきました応用物理学会PE分科会事務局の上ルギー環境応用，(10)プラズマ医療・バイオ応用。

村様，ならびに静岡大学の学生アルバイト諸氏のなかでも，ライフイノベーション分野で今後の献身的なご尽力に、現地実行委員会を代表して深展開が注目される「プラズマ医療・バイオ応用」

く感謝を申し上げ，SPP-30の会議報告とさせていでの発表件数が多く，3つのセッションに分けて口ただきます。

頭発表が行われました。また，「大気圧・マイク
ロプラズマの基礎と応用」，「液相及び気液界面プラズマの基礎と応用」および「エネルギー環境応用」などのセッションにおいても，新たな学際領域の創成にチャレンジする多くの研究発表が行
われ，プラズマエレクトロニクス分野の新たな息吹とさらなる展開を予感させるレベルの高い講演内容であったと思います。
多くの参加者が，会場狭しと口頭発表会場やポスターセッション会場で，熱く質疑応答を交わす場面が見られ（右図写真），大学院生や若手研究

口頭発表講演会場での様子

者の育成の場として十分な役割を果たしたものと思います。昨今の社会情勢を反映してか，年々企
業からの参加者数の減少の感が否めませんが，今後，企業からも多くの参加者が集えるような研究
テーマ・分野の構築が是非望まれるところです。
今回のシンポジウム開催にあたり，静岡大学，（財）浜松電子工学奨励会，スズキ財団より開催
助成の支援をいただき，さらにテクニカル・アブストラクト集の企業広告として，（株）日立ハイポスターセッション会場での様子

テクノロジーズ，テルモセラ・ジャパン（株），

45

国内会議報告第27回光源物性とその応用研究会報告
岩手大学

向川 政治、室蘭工業大学

第27 回光源物性とその応用研究会は、平成 25
年3 月15 日（金）午後、社団法人 照明学会 光源・
照明システム分科会及び公益社団法人 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会の主催、社
団法人 照明学会 光放射応用分科会、
社団法人 照明学会計測・標準分科会、および千葉工業大学先端放電プラズマ研究センターの共催で開催された。
開催場所は昨年に引き続き千葉工業大学津田沼キャンパス 新1号館2階会議室であった。
発表件数は6件であり、水上コロナ放電中のラジカル計測、大気圧非平衡プラズマの診断、大規模照明の放射パワーの数値計算、MgO薄膜の放電特性、誘電体の二次電子放出係数に関する実験と数値計算など、
バラエティーに富んだ発表内容であった。
1μs方形波電圧によって生成されたN2/He大気
圧非平衡プラズマの診断に関する報告では、1ms
方形波パルスの場合に比べてN2の電子衝突励起
レートが高くガス温度が低い放電プラズマが実現されていることが報告された。
演色性向上のためのスカンジウム蒸気を混入させた器壁安定化アルゴンアークの放射パワーに関する報告では、仮想アーク温度体積モデルに基づいた数値計算を行い、電流一定の下ではAr100%の場合に比べてSc混入時に低温領域が増大することが報告された。
Ar/N2スパッタガスで作製したMgO薄膜の放電特性に関する報告では、N27%の少量添加によって(200)配向面に起因するX線回折強度が増加し、γ値が約30%増加することが報告された。
誘電体電極の二次電離係数に関する報告では、
アルミナを電極とする誘電体バリア放電において放電開始電圧が非常に低い値になる等、アルミナを用いる場合の特殊性について報告された。
DBDの二次電子放出係数に関する報告では、イオン衝突による二次電子放出が支配的な放電の数
値計算を行い、
二次電離係数γ'は実験と同様に換
算電界とともに減少することが報告された。

佐藤 孝紀

今回の研究会実施に当って、会場提供・準備等で多大なるご協力をいただいた千葉工業大学の伊藤晴雄先生、鈴木進先生と同研究室の学生諸氏、
照明学会 光源・照明システム分科会 明石治朗先生に謹んで御礼申し上げたい。

第27 回光源物性とその応用研究会 プログラム
LS-12-04・PE-12-01・AR-12-06・OM-12-04：
in-situ赤外吸収分光法を用いた水上コロナ放電中のラジカル計測佐藤 孝紀、伊東 靖弘、伊藤 秀範（室蘭工業大学）
LS-12-05・PE-12-02・AR-12-07・OM-12-05：
発光分光法による1μs方形波電圧N2/He大気圧非平衡プラズマの診断
中野 俊樹、白井 博之、北嶋 武（防衛大学校）
LS-12-06・PE-12-03・AR-12-08・OM-12-06：
スカンジウム蒸気が混入した器壁安定化アルゴン
アークの放射パワー
光安 枝里子、岩尾徹、湯本 雅恵（東京都市大学）
田代 真一、田中 学（大阪大学）
LS-12-07・PE-12-04・AR-12-09・OM-12-07：
Ar/N2スパッタガスで作製したMgO薄膜の放電特性の検討
中山 玄、三栖 貴行、村上 雅彦、後藤 みき 荒井
俊彦 （神奈川工科大）LS-12-08・PE-12-05・AR-12-10・OM-12-08：
誘電体電極の二次電離係数
鈴木 進、伊藤 晴雄（千葉工業大学）
寺西 研二、下村 直行（徳島大学）
LS-12-09・PE-12-06・AR-12-11・OM-12-09：
ArDBDの二次電子放出係数と二次電離係数との関係
吉永 智一、明石 治朗（防衛大学校）

46

国内会議報告2013 年第 60 回応用物理学会春季学術講演会
チュートリアル講演報告
株式会社東芝市川 尚志

応用物理学会では「チュートリアル講演」として、最新のトピックスに繋がる基礎的内容の講義を実施している。神奈川工科大学で行われた春の応用物理学会では、プラズマエレクトロニクス分
科会企画として講演会初日となる 2013 年 3 月 27
日に、ソニー（株）の辰巳哲也氏をお迎えし、「プ
ラズマの基礎とその微細加工技術への応用」というタイトルでご講演いただいた。
写真 1：講師の辰巳氏

内容は、微細加工の具体的な応用先となる半導体デバイスの説明から、プラズマやドライエッチ
ング現象の基礎、そして応用となる微細加工のための反応制御方法に至るまで、多岐にわたるものであった。エッチングプロセスを学び始めたばかりの若手だけでなく、日常業務でエッチング関連の仕事に関わる筆者のようなプロセス技術者にとっても興味深い最先端の内容もあり、70 人を超え

写真２：（左）司会をする大阪大学の北野

る参加者を集める大盛況のチュートリアル講演と

写真３：（右）熱心に講演に耳を傾ける聴衆なった。
講演では、写真４のような比喩表現を用いた現象説明や、聴講者を指名して練習問題を解かせるなど、聴衆を飽きさせない工夫が素晴らしく、慶應義塾大学客員教授を兼任されたご経験もある、
辰巳氏らしい幅広い経験に裏打ちされた講義であった。また、辰巳氏の「エッチング装置の自動化
により、企業の若手研究者はプラズマを「診る」、「理解する」機会が減っている」というメッセー
ジが印象的であった。
最後に、素晴らしいご講演を頂いた辰巳氏、並びに会場にお越しいただいた方々に、深く御礼申

写真４：コップの水に喩えて現象を解説。

し上げます。
47

国内会議報告2013 年第 60 回応用物理学会春季学術講演会
第 10 回分科内招待講演報告
大阪大学

北野 勝久

プラズマエレクトロニクス分科会では、2008

られ、CVD でたまたま失敗したら綺麗な酸化膜が年秋より分科会内招待講演を企画・実施しており、得られたとおっしゃっておられていたが、慧眼をこれまでに多くの著名な先生方から講演をしてい持たなければそのような業績はなしえなかったは

ただいてまいりました（詳細は分科会ホームペーずである。その後は、誘電体バリア放電などを用

ジ http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/gakk

いた環境改善に関する研究を進められ、フロンのaikikaku.html）。今回、2013 年春季第 60 回応用

分解処理の連続処理を世界で初めて行うなど、大物理学関係連合講演会にて、第 10 回分科内招待

気圧プラズマを用いた数多くの研究を、反応素過講演を開催しましたので報告させていただきます。 程から行った歴史のある貴重なお話を聞けた。
学会二日目の、３月２８日（木）１１：００～

印象に残った点として、両先生ともに単に応用

１２：００にて、河合良信先生（九州大学名誉教のトップデータを出すのではなく、基礎からきち

授）より「大面積プラズマ生成」、小田哲治先生（東んとやられたからこそ世界の最前線で研究が続け

京大学教授）より「大気圧プラズマの環境改善技られた事である。

術への応用」と題しまして、御講演を頂きました。

最後に、御講演いただきました河合先生、小田河合先生は、冒頭に「８年前に退官したのでパ

先生、そして本招待講演にお集まり頂きました
方々に、深く感謝の意を表します。

フォーマンスが出ないかもしれないと」おっしゃられておりましたが、エネルギッシュに富む御講演でした。核融合プラズマで学んだ波動伝搬などに関するプラズマ物理の知識をベースに、プラズ
マ応用の研究を始められ、Lisitano コイルを用いた ECR プラズマによる大面積均一プラズマの生成などの研究を行われた。また、シリコン薄膜太陽電池大型化のための、VHF プラズマ源を用いた

図 1 講演をされる河合先生。

大面積プラズマに生成に関するお話を聞けた。プロセスに必要なプラズマを波動伝搬等から考えて生成した上で、応用展開をされており、まさにアカデミアな研究を行っておられたのがよくわかり、
その上、理論のみならず実験技術も卓越されておられたと深く感銘を受けました。
小田先生は、40 年前も前の学生時代に III-V 族

図 2 講演をされる小田先生。

半導体のプラズマ酸化に関する研究をなさってお48

国内会議報告2013 年第 60 回応用物理学会春季学術講演会
海外研究者招待講演報告
産業技術総合研究所

金 載浩

本学会二日目の午後にプラズマエレクトロニク
ス分科会海外研究者招待講演が行われました。こ

ご多忙の中、快く講演を引き受けて下さいましの企画は、応用物理学会本部が推進する国際化をた Prof. Sankaran、講演の担当幹事の野崎智洋

受けて行われるもので、分科会として第 4 回目の氏、講演会場にお越し下さった皆様には、この場企画です。今回はプラズマナノテクノロジーにつを借りて深く御礼申し上げます。

い て 、 “Atmospheric-pressure,plasmas:A noveltool

formicroscale

nanomaterials

synthesis and study” と いう タイト ルで Prof.
Mohan

Sankaran(Case

Western

Reserve

University)からご講演を頂きました。下記に講演の内容を簡単にまとめます。
大気圧マイクロプラズマを用いてナノ粒子を合成するには二つの方法、① Gas-phase nucleation、②Plasma electrochemistry があり、前者に関して vapor precursor を Ar マイクロプラズマに供給することによるナノ粒子の連続的な合成法(Appl.

Phys. Lett. 91, 121503 (2007), Adv. Mater. 20,

講演中の Prof. Sankaran

4857 (2008))、後者に関してプラズマジェットを電極とし、プラズマ・液体相互作用によりナノ粒子を合成する電気化学法(Appl. Phys. Lett. 93,
131501 (2008))をご紹介頂きました。
また、マイクロプラズマを用いて金属ナノ粒子を合成し、それを触媒として合成した単層カーボ
ンナノチューブ(SWCNT) (J. Phys. Chem. C 112,
17920 (2008), Nat. Mater. 8, 882 (2009))と、そのSWCNT を用いて製作した FET (ACS Nano 3,
4023 (2009))についてもご紹介頂きました。最後

会場の様子に、マイクロプラズマを用いたパターニング技術についてもお話頂きました。
49

国内会議報告2013 年第 60 回応用物理学会春季学術講演会
シンポジウム「ナノ界面プラズマの科学と応用展開」報告
名古屋大学

豊田 浩孝

プラズマエレクトロニクス分科会企画として標記のシンポジウムが 3 月 28 日に神奈川工科大学において開催された。本シンポジウムは新学術領域
研究「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学
術基盤の創成」（領域代表者 九州大学 白谷正治教授）に関連したシンポジウムであり、講演会
場には多数の聴講者が集まり、質疑応答も活発であった。
最初に、領域代表者の九州大学白谷氏からプラ
ズマナノ関係の研究の 20 年の動向と本研究分野
素を生成する研究について報告があった。

の重要性についての解説をおこなうとともに、プ

また、微細加工により形成したナノ流路（拡張

ラズマ中の微粒子が固体表面としてプラズマに大きな影響を与える重要性について報告がなされた。 ナノ空間）の特異性を利用したレアアース分離について東工大 塚原氏より報告があった。ナノまた、九州大学古閑氏より振幅変調放電により、電界を用いて微粒子を制御する研究について報告~1 ミクロン以下のナノ流路においては、ナノサイがなされた。さらに、首都大学東京白井氏より、ズに特有な現象が発現し、イオン分離などが可能

ナノ界面のひとつとして液体-プラズマ界面に着になることを報告していた。通常の空間において目し、プラズマによるナノ粒子形成について報告

は発現しないような相互作用（力）がナノ空間にがあった。

おいて存在することを巧妙に利用した興味深い研

次に、ナノ界面における物理化学現象の一例と究である。最後に東京大学の寺嶋氏より、超臨界

して、日産自動車の眞塩氏より固体高分子型燃料状態において存在するナノスケールの密度揺らぎ

電池の電気化学反応における三相（気相、電解質、について着目した研究について報告があり、この触媒）界面に着目した研究について報告があり、揺らぎを活用することによる新しい材料合成につ触媒となる白金に対して電解質が被覆している割

いて報告がなされた。

合が酸素還元活性に大きく影響を与えることが示

さまざまな組み合わせの界面が我々の周りにはされた。また、自己組織的に形成されたナノ構造

存在しているが、この界面における物理化学現象を活用し光エネルギー変換材料へ応用する試みとについては未知な点が多く、逆にいえば従来のサ

して、九州大学の伊田氏より Ca2Nb3O10 や Ca2Ta3O10

イズでは考えられないような新しい現象や応用がナノシートに Rh や N をドープすることにより、励見いだされる“宝の領域”ともいえる。今後もさ起キャリアと水を効率的に反応させて、水から水らなる発展が期待される。

50

行事案内

第35回ドライプロセス国際シンポジウム(略称: DPS 2013)
35th International Symposium on Dry Process (DPS 2013)(株)日立ハイテクノロジーズ 根岸 伸幸【開催期間】

高度情報化社会を担うマイクロエレクトロニ

2013年8月29日（木）~30日（金）クス技術の高度化が進むなかで、ドライプロセス【開催場所】の役割はますます大きくなっている。ドライプロ

Ramada Plaza Jeju Hotel

セスにおける様々な物理的・化学的現象の解明は、

韓国 済州島

今後のマイクロエレクトロニクス、マイクロマシ〒690-032 韓国 済州道済州市三徒 2 洞 1255

ンやナノテクノロジー分野を中心とした電気・電TEL: +82-64-729-8220

子、半導体工学のみならず、医療やバイオを含めた先端技術産業の発展と新たなる応用の開拓に【一般セッション招待講演】
Dongchan Kim (Samsung),

大きく寄与すると期待される。

(Tentative) “Dry Etching Challenges and本ドライプロセスシンポジウム(DPS)は、ドラ
イプロセスの基礎から応用に携わる世界の研究

Opportunities for Future Semiconductor

者・技術者が一堂に会して、最新の研究成果を基Developments”
Hyungjun Kim (Yonsei Univ.),に、深い議論と多角的な意見交換をするユニークな会議であり、35年の長き亘りドライプロセス技“The Characteristics of Plasma Enhanced術および関連技術分野の発展と若手研究者の育Atomic Layer Deposition and Applications

成に貢献してきた。今回は場所を韓国に移し、

to Nanoscale Device Fabrication”

Asian-European International Conference on

Tsuyoshi Moriya (Tokyo Electron),

Plasma Surface Engineering (AEPSE:2013年8“Preventive Methods on Plasma Chamber

月25日-30日)開催に並行して同じ会場で、2013年

Corrosions by Earthquake -Based from our

8月29日と30日の2日間の日程で開催する。初日午

Valuable Experience-”
Eddy Kunnen (IMEC)

後には、グラフェン等カーボン材料のデバイス応用およびそのプロセスに関して、AEPSEとのジ“Dry Etch Challenges in EUV-based SRAM

ョイントセッションを計画している。

Patterning beyond 20 nm”

詳細は以下のURLをご覧ください。
URL:

http://www.dry-process.org/2013【トピックス・スコープ】【主催】応用物理学会

一般講演分野：【協賛】電子情報通信学会，電気化学会，韓国表・ドライエッチング技術

面工学会，韓国真空協会ほか

・プラズマプロセスを用いた製造サイエンス51

・表面反応およびプラズマ誘起ダメージ

勧めします。2013 年 8 月 29 日までに JJAP の・プラズマおよび表面のモニタリングと診断技術

Website (http://jjap.jsap.jp/special/)から投稿し・モデリングとシミュレーションてください。特集号の特別編集委員会により通常

・プラズマ生成技術の JJAP 審査手順を経て掲載を判断します。
また、・製膜（PVD/CVD/ALD）技術
・３次元デバイス、フラットパネルディスプレイ、
太陽電池へのプラズマ応用

投稿に際しては、JJAP の更なる充実（インパク
トファクター向上等）のためにも、過去に発刊された JJAP 特集号の論文を積極的に参照下さい。

・新デバイス材料（メモリ、パワー、ロジック
デバイス）へのプラズマ応用【参加費】

・医療、薬理作用、マイクロメカニカル

主催協賛学会会員 30,000(35,000)円

エレクトロシステム（MEMS）、ナノ科学
・大気圧、液体プラズマプロセス

非会員 35,000(40,000)円

・新規のプラズマ応用技術

学生 8,000(10,000)円（カッコ内は、2013 年 7 月 1 日以降）

アレンジセッション：※プロシーディングス代含む、・Advanced Process Technology for Patterning

懇親会費は含まない

beyond 20 nm Node Era
・Plasma Process for Emerging Non-Volatile【懇親会】

Memory Devices

日時：2013 年 8 月 29 日

18 時 30 分～

開催場所：Ramada Plaza Jeju Hotel, ROOM:E

ジョイントセッション：
・Plasma Based Processes for Graphene andCarbon Materials toward Device Application【関連委員】[組織委員長]：藤原 伸夫（三菱電機）【会議使用言語】[実行委員長]：豊田 浩孝（名古屋大学）

英語[論文委員長]：根岸 伸幸（日立ハイテク）[出版委員長]：酒井 道（京都大学）【会議関連スケジュール】
講演申込締切済2013 年 5 月 13 日

講演採択通知2013 年 6 月初旬

事前参加申込締切

2013 年 6 月 30 日

JJAP 特集号投稿締切

2013 年 8 月 29 日

【問合せ先】DPS 2013 事務局 豊田 浩孝〒464-8603 愛知県名古屋市千種区不老町
名古屋大学大学院工学研究科
電子情報システム専攻
TEL 052(789)4698/ FAX 052(789)3150【JJAP 特集号に関して】
DPS 2013 において発表される論文は、E-Mail: dps2013@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp

Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)の
DPS 2013 特集号に投稿することができます。研
究成果をより広く周知していただくためにも、
Full Paper として特集号に投稿されることをお

52

行事案内

2013 MRS-JSAP Symposium O
Plasma Processing and Diagnostics for Life Sciences
口頭講演(room M3)
ポスター講演同志社大学

2013 年 9 月 16 日（月）9：00-18：00
2013 年 9 月 16 日（月）9：00-12：00
2013 年 9 月 17 日（金）16：00-18：00
京田辺キャンパス（京都府京田辺市）

https://www.gakkai-web.net/gakkai/jsap/jsap_mrs/hp/index.html
東京大学大学院 新領域創成科学研究科 寺嶋 和夫
九州大学大学院 システム情報科学研究院 白谷 正治
2012 年 4 月 9 日-13 日にサンフランシスコで，織委員長: 白谷:九州大学）や 2014 年 5 月 19 日

応 用 物 理 学 会 と MRS の 共 催 シ ン ポ ジ ウ ム( 月 )-23 日 ( 金 ) に 奈 良 県 新 公 会 堂 で 開 催 す る

Plasma Processing and Diagnostics for Life

Plasma Medicine（http://icpm5.plasmabio.com/

Sciences を開催いたしました．同様の共催シンポ

組織委員長: 浜口先生:大阪大学）の盛会に繋げるジウムを 2013 年の応用物理学会秋季講演会会期

ことが出来れば幸甚です．

中に同一会場で開催予定です．ライフサイエンス

下記の頁に記載されているように，このへのプラズマ応用は，学際領域として注目を浴び

MRS-JSAP Symposium の登録料には，通常の秋ており，研究者数・論文数が急増している新しいの学術講演会の登録料も含まれていますので２重学術領域です．日本だけでなく，米国，欧州，韓払いにならないようにご注意ください．

国，中国，オーストラリア等で盛んに研究されてhttps://www.gakkai-web.net/gakkai/jsap/jsap_

おり，海外ではライフサイエンスへのプラズマ応

mrs/hp/html/Registration.html用に特化した研究センターも設立されております．
また，国内では平成 24 年度から 5 年間の予定で招待講演者は下記の通りです

名古屋大学の堀先生を領域代表者とする新学術領

1. Prof. Jae Koo Lee (Pohang University of域『プラズマ医療科学の創成』が推進されつつあ

Science and Technology, Korea), “Microwave

ります．このように，極めて早いペースで研究がand Low-Frequency Plasmas for Biomedical

進展している中で，本シンポジウムに参加いただ

Applications: Experiments and Modelings”

ければ，世界の最先端の研究潮流を一望すること

2. Dr. Hiroaki Kajiyama (Nagoya University

により，御自身の今後の研究展開に役立つ知見がGraduate

得られると期待されます．多くの方に参加してい“Perspective of strategic plasma therapy for

ただけますと幸いです．

prognostic

本シンポジウムを成功させ，2014 年 2 月 4 日

SchoolofMedicine,

improvement

Japan),

ofpatients

with(TokyoCity

ovarian cancer”(火)-7 日(金)に福岡国際会議場で開催する ICRP8

3.

Prof.

Takamichi

Hirata（http://plasma.ed.kyushu-u. ac.jp/~icrp-8/

University,

Japan),“Disease組

53

Treatments

Specializing in the Regenerative Medicine
Using Biomedical Plasma Techniques”
4.

Prof.

Svetlana

Ermolaeva(Gamaleya

Institute of Epidemiology and Microbiology,
Russia), “Effects of nonthermal plasmas on
membrane-boundparasites:andbiological<br>intracellularmechanisms

andfeasible<br>applications”
5. Prof. Nobuya Hayashi (Kyushu University,
Japan), “Antioxidative Activity of Plant andRegulation of Plant Growth Induced by Oxygen
Radicals”
6. Prof. Satoshi Hamaguchi (Osaka University,
Japan), “Generation of ROS/RNS in liquid
exposed to an atmospheric-pressure plasma”
7. Prof. Eun Choi (Kwangwoon University,
Korea), “Generation mechanism of reactive
oxygen species and its influence on the
differential death of human lung cancer cell
(H460) in the biosolutions during nonthermal
bioplasma bombardment onto the solution”
8. Dr. Eric Robert (GREMI, University of
Orléans/CNRS,France),“Physics

andapplications of the Plasma Gun: a user-friendly
tool

for

atmospheric-pressureroom-temperature plasma delivery including
endoscopic potentialities”
9. Prof. Thomas von Woedtke (Leibniz Institutefor Plasma Science and Technology, Germany),“Plasmasourcesfor<br>basicrequirements

plasmaformedicine:

physicalandbiological characterization”
10. Prof. Pietro Favia (University of Bari, Italy),“Plasma Processing of Scaffolds and Living
Cells<br>for Biomedical Applications”

54

行事案内
2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会

プラズマエレクトロニクス分科会企画
東京工業大学

野崎 智洋
このような現状を鑑みて，本稿より，分科会会員

・はじめに2011 年 11 月 2 日，
「応用物理学会講演会におけの皆様に当分科会企画の全体スケジュールをわかる改革」が講演会企画運営委員会から提案され，り易くお伝えすることを目的として，分科会企画

English Session やチュートリアル講演の導入が推をまとめて紹介いたします。企画の趣旨，過去の進されています。また，発表者には「口頭講演」

講演者履歴などは分科会のホームページ，あるい「ポスター講演」「どちらでも良い」から希望をとは本稿に掲載の行事案内を，別途ご参照ください。

り，プログラム編集委員が講演会場とポスター会

http://annex.jsap.or.jp/plasma/

場の制約に合わせてその割付けを行うことがはじ

なお，2013 年春季学術講演会より名称が変更にまりました。基準はそれぞれのプログラム編集委なりました。研究業績リストの作成や出張手続き員に一任されており，講演を申し込んだ大分類にの際お気を付け下さい。

よって，割付け方法が異なることを暗に示してい変更前）「2013 年春季応用物理学関係連合講演会」

ます。幸い，第 8 分類に関しては，講演者の希望

変更後）「2013 年応用物理学会春季学術講演会」

がほぼ 100%満たされているようです。海外学会

http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/news_との Joint Symposium など講演会企画が増えるに

aboutTitle.pdf

つれ，慢性的な講演会場の不足などの問題から，
今後ポスター発表の件数が増えることが予想され・プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演／ます。すなわち，講演奨励賞の選考対象となる口奨励賞受賞記念講演

頭発表の件数が減少する可能性があり，これを反第 11 回プラズマエレクトロニクス賞受賞者に映してか，2013 年春から Poster Award が表彰されよる，受賞記念講演が執り行われます。また，2013

ることになりました。2013 年春の講演会では，第年春季の講演奨励賞は，竹田圭吾氏（名古屋大学）

8 分類から何件の Poster Award が表彰されるでしが受賞されました。講演奨励賞は，全講演件数（口ょうか。皆様には，是非とも，注意してご覧いた

頭，ポスター，奨励賞の対象とならない全ての講

だきたいと思います。

演の総和）に対して概ね 1%の講演が受賞対象とこのように，応用物理学会講演会の運営が急速なります。栄誉ある賞を受賞された皆様には，紙に多様化しており，これに伴って分科会が企画す面を借りお祝い申し上げます。日程等は未定でごるイベントも少なからず影響を受け，一部は大きざいますが，プログラムをご確認のうえ，受賞記

く様変わりしています。展示会や一般シンポジウ

念講演会場まで足をお運びください。

ムも多数企画されており，聴きたい講演を逃すこ

プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演となく，講演会を楽しんでおられるでしょうか。

55

講演タイトル「プラズマ物理の産業応用」

日程：9 月 17 日（火）
（予定）
会場：未定

・海外招待講演受賞者（敬称略）：石川 健治（名古屋大学），河野昭彦（金沢工業大学），
堀邊 英夫（金沢工業大学），

応用物理学会では，主にアジア諸国との連携強竹田 圭吾（名古屋大学），
近藤 博基（名古屋大学），化を目的として海外招待講演を企画しています。

関根 誠（名古屋大学），堀 勝（名古屋大学）：

これを受け，PE 分科会では第 5 回目となる海外招選考対象となった業績：Synergistic Formation of
Radicals by Irradiation with both Vacuum Ultraviolet
and Atomic Hydrogen: a Real-time in situ Electron
Spin Resonance Study, J. Phys. Chem. Lett. 2,
1278-1281 (2011).

待講演を以下の要領で実施します。皆様にはご参加いただき，活発な討論をお願い致します。
日程：9 月 17 日（火）（予定）
会場（未定）
講演者：Professor Kwang-Ryeol Lee

受賞者（敬称略）：伊藤 智子（大阪大学），唐橋 一

所 属：Institute for Multidisciplinary Convergence of

浩（大阪大学），深沢 正永（ソニー(株)），辰巳 哲

Matter, Korea Institute of Science & Technology

也（ソニー(株)），浜口 智志（大阪大学）。

講演題目（仮題）：Plasma process for carbon thin

選考対象となった業績：Si Recess of Polycrystalline
Silicon Gate Etching: Damage Enhanced by Ion
Assisted Oxygen Diffusion, Jpn. J. Appl. Phys. 50,
08KD02 (5pp) (2011).

films and nanostructured polymer surface
・分科会企画シンポジウム
三日目となる 18 日（水），分科会企画シンポジ

講演奨励賞受賞記念講演

ウム「大電力パルススパッタリングによる反応性

日程・会場（未定）

成膜プロセスの可能性」を実施します。企画の趣受賞者（敬称略）：竹田 圭吾（名古屋大学）

旨，プログラムなどの詳細は，本稿に掲載されて選考対象の発表：Behaviors of activated species
generated by AC power excited non-equilibrium
atmospheric pressure Ar plasma jet in atmosphere

いる行事案内を別途ご参照ください。
日程：9 月 18 日（水）（予定）
会場（未定）

・分科内招待講演恒例となる分科内招待講演が以下の要領で実施

・2013 JSAP-MRS Joint Symposia

されます。第 11 回目となる今回は，上智大学名誉第二回目となる，応用物理学会と米国 MRS の教授の小駒先生，および長崎大学教授の藤山先生

合同シンポジウムが開催されます。PE 分科会では，よりご講演を賜ります。皆様には奮って会場まで

Symposium O「Plasma Processing and Diagnostics for

足をお運び頂きますよう，お願い申し上げます。

Life Sciences」を企画しています。招待講演者，シ

日程：9 月 17 日（火）（予定）

ンポジウムのスコープなどの詳細は，本稿に掲載

会場（未定）の行事案内をご参照ください。

小駒 益弘 先生 （上智大学・名誉教授）

日程：2013 年 9 月 16 日－20 日

講演タイトル「大気圧プラズマのはじめ」

場所：同志社大学（京田辺キャンパス）藤山 寛 先生 （長崎大学・教授）

https://www.gakkai-web.net/gakkai/jsap/jsap_mrs/hp/i56

ndex.html 又は http://www.mrs.org/jsap-2013/
・おわりに会報が発行される時点で，講演会の日程・会場は未定ですが，ほとんどの分科会企画は学会二日目に実施される予定です（分科会企画シンポジウ
ムは三日目）。最終プログラムにて詳細をご確認のうえ，会場までお越しください。
学会二日目（予定）には，大分類意見交換会およびインフォーマルミーティングが開催されます。
また，同日夕刻には，恒例の PE 分科会懇親会が企画されます。プラズマエレクトロニクス分野の第一線で活躍する研究者・技術者をはじめ，次世代を担う若手研究者・学生が一堂に会し，親睦を深める良い機会となっています。詳細は担当幹事より後日案内しますので，参加希望者は事前にご連絡をお願い致します。
その他，不明な点がございましたら，お気軽にお問合せください。
連絡先：野崎（東工大）：tnozaki@mech.titech.ac.jp

57

行事案内
2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会

プラズマエレクトロニクス分科主催シンポジウム「大電力パルススパッタリングによる反応性成膜プロセスの可能性」
大阪大学

北野 勝久

2013 年 9 月に同志社大学で開催される今秋の（招待講演を３０分、一般講演を１５分）。

応物学会におきましては、標題の様なプラズマエ
レクトロニクス分科会主催のシンポジウムを開催○東欣吾（兵庫県立大）いたします。この行事案内を執筆している段階で「HiPIMS の今 －スパッタ源の大電力パルス駆

は開催日時は未定ですので、正式な日時は応物学

動－」会から公開されます学会プログラムにてご確認い○中野武雄（成蹊大学理工）

ただけますようよろしくお願いします。

「大電力パルススパッタのイオン化金属粒子を用本 企 画で は 、 HiPIMS(High Power Impulse

いた薄膜構造の制御」

Magnetron Sputtering)に焦点を絞り、大学、企○廣田悟史（（株）神戸製鋼所）

業、研究所から集め幅広く御講演いただきます。

「生産規模でのプラズマイオンプロセスの比較」

スパッタリングプロセスは成膜では欠かすことの○木村高志（名古屋工業大学）

出来ない技術であり産業的にも幅広く用いられて「イオン化するカーボン（カーボンプラズマの生いるが、それらの多くは物理スパッタにより放出成）」された中性粒子を利用するものがほとんどであっ○平塚傑工（ナノテック(株)）た。それに対して、より質の高い成膜特性を目指「大電力パルススパッタリングプロセスによるカ

し、マグネトロンスパッタ装置でパルス的に大電ーボン膜の産業応用」

力を投入する HiPIMS という方法が着目されて○小木曽久人（産総研）いる。瞬間的に大電力を供給するためにイオン化「ミニマルファブにおけるスパッタリングプロセ

率が高く、従来よりも高品質の成膜が可能であるス」と期待されている。成膜材料としては金属のみな○池畑隆（茨城大）

らずカーボン系への応用も行われており、幅広い「HiPIMS の今、未来」

応用展開がなされている。

○（プラス） 一般講演より 2 名程度の方

この HiPIMS は 1990 年代後半より主にヨーロッパを中心として研究開発が進められたが、日本会員各位におかれましては本シンポジウムにて国内でも現在盛り上がりを見せ始めており、本企

当該研究領域に関する理解を深めて頂きますとと画を提案するに至りました。

もに、今後の研究の展開につきましてもご議論いただきたく、よろしくお願いいたします。

本原稿執筆時点で、下記の講演を予定している

58

行事案内

第 7 回 プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール案内
佐賀大学 三沢 達也
このたび、インキュベーションホールを企画致しま

理科系の英語力向上に関して多数の著書をもつ講師

したので会員の皆様に御案内申し上げます。学生の招き英語力の強化について学ぶ機会を提供します。

皆様を初め若手研究者および技術者の皆様お誘い合ポスターセッションやレクレーションでは、受講者

わせのうえ多数参加頂けますよう、会員の皆様からと講師の全員がお互いの垣根なく議論することで、お勧め下さいますようお願い申し上げます。

参加者間の人脈形成が促されます。

開催日時：【専門講座】① 「プラズマの生成・制御」
杤久保 文嘉 先生（首都大学東京）② 「プラズマ診断計測」
赤塚 洋 先生（東京工業大学）③ 「プラズマ CVD」
古閑 一憲 先生（九州大学）④ 「プラズマエッチング」
江利口 浩二 先生（京都大学）

2013 年 9 月 25 日（水）13:00 ～ 27 日（金）13:00

開催場所：
国立中央青少年交流の家〒412-0006 静岡県御殿場市中畑 2092-5

内容：【特別講座】

プラズマエレクトロニクス研究を始めたばかりの初学者（学生・若手研究者・社会人技術者）を対象と【ポスターセッション】

して、一流の講師陣を招きプラズマエレクトロニク

参加者間の交流が深まるよう、ポスターセッションを中心とする談話会を行います。参加者自身のバッ
クグランドに関連したもの、例えば、

学生の場合：現在の研究テーマにまつわるもの、学部での卒業研究など（４年生の場合これから行う研究など）

社会人の場合：仕事まつわるもの、企業・自社製品の PR，入社前の大学での研究など
であれば、内容・分量は一切問いません。幅 0.9m×
高さ１m 程度のボードが用意されますので、あらかじめポスターのご準備をお願いします。また、参加申込書にポスター内容を示すキーワードを３つ程度
ご記入下さい。キーワードを元にポスター掲示場所をアレンジ致します。本ポスターセッションは全員の方の発表を原則としますが、発表に支障がある場
合は事前参加申申込書のポスターセッションキーワ
ード欄にその旨をご記入下さい。なお、優秀なポス
ター発表者には表彰を行います。

スへの理解を深めて頂くための講習会です。
プラズマ生成・制御、プラズマ診断計測等の基礎分
野から、プラズマ CVD およびエッチングに加えて、進展著しい大気圧プラズマ等の応用分野に関する専門講座を開講し、初学者が基礎プラズマ工学の知識が一通り習得できます。この専門講座では、従来形式の単なる受身の講義ではなくディベート的要素（問答）をも加味し受講者参加型の人材育成プログ
ラムの構築を目指しています。講述内容そのものは、初学者が基礎学理をしっかりと理解したうえで、当該分野における最新科学の話題にも触れられるように構成されています。そのうえで、海外経験、企業
経験，産学連携経験などの豊富な講師陣からは、留学・在外研究経験、企業で必要とされる資質、産学連携のエピソードなどを適時交えた講義を頂き、受講生のプラズマプロセス研究への興味を喚起します。
さらに、特別講義では、新たな研究分野を切り拓いてきた一流研究“指導者”を招き、当該分野の最新【その他】懇親会，レクレーションを予定しています。本企画 HP に当日の詳細スケジュールを記載しておりますので参考にして下さい。

動向や指導者に必要とされる資質について、加えて

59

参加申込：【申込方法】＜交通費補助の条件＞在学する大学の最寄り駅から御殿場駅まで片道13,000 円以上の交通費がかかる学生会員若しくは今回学生会員（大学院を含む）になられた方を対象とします。ただし、大学院生についてはポスターセッションでの発表を必須条件とします。

本企画ホームページから参加申込書をダウンロー
ドいただき、e-mail、FAX あるいは郵送の何れかの方法で唐橋までお申し込みください。申込を受け次第，参加登録確認を通知します。その後に参加費を振り込んでください。なお、参加費の振り込みには必ず個人名と「PEIH」という 4 文字のアルファベッ
トを記載してください（例：木村さんの場合“キムラ PEIH”）。一旦振り込まれた参加費は、原則として返却いたしません。
【定員】 60 名

本企画の詳細情報：
ホームページ： http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/PE_SS_2013/index.html

担当幹事：【申込締切】
8 月 30 日（金）【振込先】 三井住友銀行 本店営業部(本店でも可)
口座(普通)3339808 (社)応用物理学会プラズマエ
レクトロニクス分科会 （入金締め切り 8 月 30 日）【問合せ・申込先】〒840-8502 佐賀県佐賀市本庄町 1 番地 佐賀大学
大学院工学系研究科電気電子工学専攻 三沢達也
TEL: 0952-28-8639，FAX: 0952-28-8651
e-mail: misawa@cc.saga-u.ac.jp

校長：
幹事：

学生会員への交通費補助：
下記の交通費補助の条件をみたした場合、補助金

豊田浩孝（名古屋大学）
吉木宏之（鶴岡高専）
前田賢治（日立製作所）
石川善恵（香川大学）
石川健治（名古屋大学）
本村大成（産業技術総合研究所）
鷹尾祥典（京都大学)
明石 治朗（防衛大学）
三沢達也（佐賀大学）

交通案内：

をインキュベーションホール終了後に振り込みます。
補助希望される方は、参加申込書に必要事項を記入のうえ、領収書のコピーを持参下さい。

東海道新幹線を利用する場合：
三島駅…［東海道線］…沼津駅…［御殿場線］…
御殿場駅(40 分)，JR 御殿場駅から御殿場駅富士山口 1 番のりば富士急行「青少年交流の家行き」路
線バス（約 20 分）
本企画 HP に詳細な交通案内を記載しておりますので参考にしてください。

参加費

43,000 円

協賛学協会の個人会員とプラズ
マエレクトロニクス分科会の個人会員
48,000 円

53,000 円

17,000 円

22,000 円

27,000 円

プラズマエレクトロニクス分科
会と応用物理学会の個人会員

応用物理学会
個人会員

一般

40,000 円

学生

14,000 円

その他*応用物理学会賛助会社およびプラズマエレクトロニクス分科会賛助会社所属の方はそれぞれの個人会員扱いとさせて頂きます．**遠方からの会員学生(含大学院生)に対して交通費の一部を補助する予定．詳細はＨＰをご覧下さい．***本分科会会員（年会費３０００円）に同時入会頂くと，今回から会員価格で参加出来ます．会員には，年２回の会報（非売品），過去２６回の研究会プロシーディングス Web 閲覧，各種スクールへの会員料金での参加などのメリットがあります．入会手続きは https://www.jsap.or.jp/jsapweb/system/do/signInSelect より行って下さい．
【協賛団体】日本物理学会，電気学会，プラズマ・核融合学会，日本化学会，電子情報通信学会， 高分子学会，日本セラミックス協会，放電学会，日本真空協会，日本学術振興会プラズマ材料科学第 153 委員会，静電気学会，日本金属学会，表面技術協会，日本鉄鋼協会，日本オゾン協会、電気化学会，日本表面科学会，
原子衝突研究協会

60

行事案内
Gaseous Electronics Conference 2013
Fukuoka International Congress Center, Fukuoka, Japan
2013 年 9 月 30 日（月）～10 月 4 日（金）http://www.aps.org/units/gec/meetings/annual/

九州大学, GEC Executive Committee Member

白谷 正治

GEC は，電子・イオン衝突などの放電基礎過程，

Exchange Project

プラズマ生成と診断に関する基礎物理，プラズマ

Date: Tuesday, October 1 (afternoon)

応用を 3 本柱とする 65 回の伝統を誇る米国物理学

Title:

会が主催する学会ですが，米国だけでなくヨーロ(1923-2012)

ッパやアジアからも多数参加しているインターナ

Date: Friday, October 4 (1:30-4 PM)

ScientificLegacyofArthurPhelps

ショナルな会議となっています GEC の国際会議としての拡がりを示すイベントとして，1997 年に一般講演の申し込みは，6 月 14 日までに米国物は第 3 回反応性プラズマ国際会議(ICRP-3)と合理 学 会 の サ イ ト the American Physical Society

同でハワイのマウイ島で，そして 2010 年 10 月

online web submission process (http://abs.aps.org/)に，フランスパリ市内で第 7 回反応性プラズマ国から投稿してください．

際会議(ICRP-7)と合同で盛況のうちに開催された

Deadlinesのは記憶に新しいところです．さて，今年 のReceipt of abstracts: June 14, 2013

GEC2013 です，2013 年 9 月 30 日〜10 月 4 日に ア

Nominations for GEC student award for excellence:

メリカニュジャージー州 のプリンストンで開催

June 14, 2013

されます．

Requests for student travel assistance: June 14, 2013

今年の GEC では５つの特別セッションが下記

Early registration: September 6, 2013のように計画されています.

Hotel reservations: September 8, 2013

http://www.aps.org/units/gec/meetings/annual/sessions.cfm

そ の 他 の 詳 細 情 報 に つ い て は website

Title: Plasma-Surface Interactions: From Fusion to(http://www.aps.org/units/gec/meetings/annual/

Semiconductor Processing

index.cfm) をご覧ください．なお，GEC Excom の

Date: Monday, September 30 (all day)日本人メンバーは伝統的に応用物理学会プラズマ

Title: Weakly-ionized non-equilibrium air plasma

エレクトロニクス分科会関係者が就任しておりま

at moderate and high pressures

す．今回は，私の退任にともなう委員の選挙も予

Date: Monday, September 30 (1:30 pm – 5 pm)

定されております．さらに，GEC2015 は ICRP9

Title: Mysteries and Challenges of Negative Ionと合同会議として 2015 年 10 月にハワイで開催予

Sources

定です．一人でも多くの日本人参加者の御講演・Date: Tuesday, October 1 (all day)

御出席をお願いする次第です

Title: 3nd GEC Workshop on Plasma Data

61

行事案内

American Vacuum Society (AVS)
60 International Symposium & Exhibition
米国真空学会第 60 回国際シンポジウム＆展示会
th

大阪大学

浜口 智志

「AVS（米国真空学会）第 60 回国際シンポジしている。たとえば、今年の年会費は、60 周年をウム＆展示会」（以下、「AVS シンポジウム」と略記念して$60 にするなど、会員のすそ野をひろげ記）が、2013 年 10 月 27 日（日）から 11 月 1 日

る活動も行われている。詳細は、AVS の HP
http://www.avs.org/（金）までの６日間、米国カリフォルニア州ロングビーチの Long Beach Convention Center にを参照されたい。

て開催される（下記）。これは、AVS の主催する

さて、上述した 10 の AVS 分科会のうち、本誌会議の中で最大の国際会議で、例年、世界中から、「応用物理学会プラズマエレクトロニクス（PE）

1,400 件以上の発表、200 件以上の展示、3,000分科会」と、研究分野の重なる分科会として、「プ

人以上の参加者が集まる。AVS シンポジウムは、

ラズマ科学技術分科会（ Plasma Science and

10 の 分科会（divisions）、2 つの technical group

Technology Division）」がある。以下では、PSTDとよばれる分科会に準ずる組織、および、その時々が、今年のシンポジウムのセッションテーマとしの話題に合わせて形成される 16 の focus topic とて挙げているものを紹介する。
まずは、PSTD が主催するセッションのテーマよばれる臨時の分科会的なグループが、それぞれ、として、次の 13 件が計画されている。

自ら組んだプログラムからなり、AVS の本部組織
が全体の整合性を取って、運営している。
AVS シンポジウムは、「真空学会」の名の通り、

1.

Advanced BEOL/Interconnect Etching

古くは、真空の科学の発表の場として発展してき2.

Advanced FEOL/Gate Etching

た。しかし、本シンポジウムは、近年、本部の方

3.

Plasma Surface Interactions(Fundamentals & Applications)

針で、真空の科学へはこだわらず、むしろ、「ナノスケール科学技術」の国際会議として発展してき4.

Plasma Diagnostics, Sensors and Controlている。たとえば、AVS 内のプラズマ科学の分野

5.

Plasma Modelingにおいても、半導体微細加工や薄膜堆積技術から

6.

Plasma Sources

発展して、表面・界面のナノスケール構造形成お7.

Low Damage Processing

よび制御、それらによる細胞培養技術や高効率エ

8.

Plasma Deposition and Plasma Enhanced
ALD

ネルギーシステムなど、その応用分野は多岐に及9.

ぶ。

FundamentalsofAtmospheric

Processing

尚、今年は、記念すべき第６０回の会議という

10. Plasma in Biological Applications

ことで、AVS 本部も、いろいろなイベントを企画

62

Plasma11. Plasmas in Green Technologies

りとは限らないが、大きな変更はないと思われる。
尚、AVS シンポジウム 60 周年の記念セッショ

12. Plasma Synthesis of Nanostructures

ンとしては、PSTD では、上記 13 番のセッショ

13. PSTD at AVS60: Looking Back and Moving

ン「PSTD at AVS60: Looking Back and Moving

Forward
更に、ポスターセッションが、上記のすべてのそForward」を企画した。これは、応物 PE 分科会

れテーマに対して、開催される。上記のセッショのテーマとも重なる「プラズマ科学」の「来し方ンに対して、日本からの３名の招待講演が計画さ行く末」を整理しようという企画であり、招待講れている。

演のみで構成されるユニークなセッションである。

一方、PSTD が、他の分科会に協力して開催され講師として、N. Braithwaite (Open U., UK), F.

るセッションとして、次のものが計画されている。

Dylla (American Institute of Physics), R.
Gottscho (Lam Research), M. Kushner, (U.

14. Growth of 2D Materials

Michigan), M. Lieberman, (UC Berkeley) の各

15. Plasma Processing, Surface Chemistry,

氏が予定されている。

Functionalization,

Bio

and

Sensor上に列挙したセッション名からもわかるように、
また、応物 PE 分科会もそうであったように、

Applications of 2D Materials
16. Spectroscopic

Ellipsometry

PSTD は、半導体産業の発展とともに発展してきforPhotovoltaics and Inorganic Thin Films

た経緯があり、現在も、多くのセッションが半導

17. Atmospheric Pressure Plasmas

体製造プロセスの研究を対象としている。半導体

18. Pulsed Plasmas in Surface Engineering

産業は、昨今、日本企業の不調が多く報道されて

19. Oxides and Dielectrics for Novel Devices

いるが、世界的には、極めて高い成長率で伸び続

and Ultra-dense Memory
20. Materials

andProcess

けている産業分野である。また、半導体関連産業
forAdvancedとは別に、新しい産業の芽を育むような、新規のInterconnects

科学技術分野の講演も多く計画されている 。
PSTD の組織委員の一人として、日本からも、例

21. Processing for Low-Power Electronics
22. Industrial

PhysicsForumon

年以上の多くの参加者があることを願っている。

Manufacturing Science III: Manufacturing
Challenges in Electronics
23. Industrial

Physics

Forum

on

記

Manufacturing Science IV: Manufacturing

会議名： AVS 60th International Symposium &Challenges in Micro/Nano-devices for Life

Exhibition

Sciences

日時：2013 年 10 月 27 日から 11 月 1 日
場所： Long Beach, CA, USA

24. Manufacturing Challenges of Directed Self

主催： American Vacuum Society

Assembly
25. Advanced CVD Methods

詳細情報：

実際に開催されるセッションは、講演応募の状況

http://www2.avs.org/symposium/AVS60/pages/i

によって設定し直されるので、必ずしも上記の通

nfo.html

63

行事案内

第 24 回プラズマエレクトロニクス講習会～プラズマプロセスの基礎と応用・制御技術の最前線～
主催： 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会（講師打診中）5. 『マルチスケールシミュレーションによる半導体装置・プロセスの改善』

協賛： AEC/APC シンポジウム、ドライプロセスシンポジウ
ム、日本物理学会、電気学会、プラズマ・核融合学会、日本化学会、電子情報通信学会、放電学会、日本真空学会 （一部打診中）

東芝 高木 茂行 先生

6. 『プラズマを応用したナノバイオ技術』
東京大学 一木 隆範 先生

日時： 2013 年 11 月 08 日(金) 9:30～18:00
場所： 東京大学 本郷（浅野）キャンパス 武田先端知ビル

参加費： （テキスト代を含む。かっこ内は学生）
 応物・PE 分科会個人会員
 応物個人会員 ※ 分科会のみの個人会員
 協賛学協会・応物法人賛助会員
 その他

東京都文京区弥生 2-11-16
千代田線根津駅 或いは 南北線東大前駅下車
http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_16_j.html

内容／プログラム： プラズマプロセスは、エレクトロニク
ス分野の先進デバイス開発の基幹技術であると共に、医療やエネルギー・環境応用を始めとする幅広い分野
でも欠くことのできない基盤技術となりつつあります。この背景を踏まえ、本講習会では開発・製造の現場で必要とされるプラズマの生成、制御、モニタリング技術の基本を、各分野にて第一線でご活躍の先生方よりご講義頂きます。また今回は半導体製造設備管理の国際学会である AEC/APC Symposium Asia 2013（※）のご協力も頂き、プラズマ技術の基礎と先端応用、さらには量産現場での制御まで実務として使えるプラズマ技術についてご紹介致します。初学者から先端の研究者まで幅広い皆様のご参加をお待ち申し上げます。

※参加申込時に PE 分科会（年会費 3,000 円）に御入会頂ければ、分科会個人会員扱いとさせて頂きます。

定員： 100 名
お申込み： プラズマエレクトロニクス分科会ホームページ
http://annex.jsap.or.jp/support/division/plasma/ よりお申し込みの上、下記指定口座へ振込み願います。
----------------------------------------------三井住友銀行 本店営業部 普通預金 ３３３９８０８(公社) 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会----------------------------------------------※Web 申し込み期限 10/25。参加費入金（11/1 まで）の確認をもって申し込み完了といたします。

※http://www.semiconportal.com/AECAPC/■ 第１部：プラズマプロセスの基礎 9:30～12:30 ■18000 円（4000 円）
21000 円（5000 円）
22000 円（6000 円）
22000 円（6000 円）
25000 円（9000 円）

お問合せ：
上村 さつき （応物事務局） ・・・ 申し込み手続き関連
TEL 03-5802-0863 FAX 03-5802-6250
e-mail: kamimura@jsap.or.jp

1. 『プラズマの基礎とＣＶＤ技術』
大阪市立大学 白藤 立 先生

2. 『装置、計測とドライエッチング技術』

辰巳 哲也 （ソニー、担当幹事代表） ・・・ 開催内容関連
e-mail: Tetsuya.Tatsumi@jp.sony.com

東京エレクトロン宮城（株） 大矢 欣伸 先生■ 第２部：プラズマ技術の最前線 13:30～18:00 ■・担当幹事池田 太郎 （ＴＥＬ山梨）、市川 尚志 （東芝）、前田 賢
治 （日立）、南部 英高（ルネサスエレ）、松隈 正明（ＴＥＬ）、和田 昇 （三菱）

3. 『先端プロセスとプラズマダメージ』
京都大学 江利口 浩二 先生

4. 『設備管理（EES/FDC 等）技術』

64

行事案内

6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its
Applications for Nitrides and Nanomaterials / 7th International
Conference on Plasma-Nano Technology & Science(ISPlasma2014 / IC-PLANTS2014)
名城大学

平松 美根男ISPlasma は、東海広域ナノテクものづくりクンも含む、より高度な研究者ネットワークの構築

ラスター事業の一環として、当地域に国際競争力を目指しており、本国際シンポジウムよる研究のを有する先進プラズマナノ科学研究拠点を形成

進展がイノベーションの源泉となり、社会生活のするために 2009 年から毎年開催されている国際維持向上と発展に資することを目的としている。

会議である。プラズマ分野で長い歴史と研究実績

７月中旬にアブストラクトのオンライン投稿
受付開始予定である。

を有する東海地域に国内外から優れた研究者が集い、先進プラズマ科学、窒化物半導体とナノ材料への応用、産業界への技術移転の仕組み作りに＜日程＞ 2014 年 3 月 2 日（日）～3 月 6 日（木）ついて広く議論するとともに、最新の研究成果を＜場所＞ 名城大学（名古屋市天白区塩釜口）

発表して分野を超えて活発に情報交換を行う場＜関連分野＞となっている。プラズマを中心とする異分野交流◆プラズマ科学：プラズマ源、先進プラズマ計測の国際会議として認知されつつあり、今年１月に技術、モデリングとシミュレーション、エッチン

名古屋大学で開催された ISPlasma2013 では、グプロセス、薄膜成膜プロセス、フレキシブルエ

900 名を越える参加があった。

レクトロニクス、バイオ／医療用プラズマ、クリーンエネルギー用プラズマ、ナノテクノロジープ

一方、IC-PLANTS は、本邦唯一の産業応用プ
ラズマセンターである名古屋大学工学研究科附ラズマ

属プラズマナノ工学研究センターの主催の国際◆窒化物半導体：GaN および関連材料の結晶成長、会議として 2008 年から毎年開催されており、半窒化物 MBE 成長、
評価技術、
デバイスプロセス、

導体プロセスからバイオ応用まで多様なプラズ

光デバイス、電子デバイス

マプロセス技術と、プラズマの生成・計測・シミ◆ナノ材料：ナノカーボン材料、ポーラス材料、ュレーションなど先進プラズマ科学に関して熱

表面改質／表面機能化、コンポジット／傾斜機能

心に議論が繰り広げられている。

材料、ナノパーティクル／ナノワイア／ナノロッ

2014 年からは、この２つの国際会議の合同シド、エネルギー応用向けナノ材料

ンポジウムとなり、先進プラズマナノ科学、およ＜問合せ先＞

びナノ材料、窒化物半導体研究に加え、振興著し

ISPlasma2014 事務局（名古屋大学大学院工学研

いプラズマバイオ分野までも包括的に対象分野

究科附属プラズマナノ工学研究センター内）

として、各分野の研究への貢献と、異分野融合に

E-mail: isplasma@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp

よる新たな価値創造、さらには産学連携セッショ

Website: http://www.isplasma.jp
652013（平成 25）年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿
氏名

所属

住所・電話
〒277-0882
柏市柏の葉5-1-5基盤系研究棟504
TEL: 04-7136-3799
FAX: 04-7136-3799

E-mail寺嶋和夫

東京大学
新領域創成科学研究科
物質系専攻

副幹事長 豊田浩孝

名古屋大学
工学研究科
電子情報システム専攻〒464-8603
名古屋市千種区不老町
TEL: 052-789-4698
FAX: 052-789-3150

toyoda@nuee.nagoya-u.ac.jp

副幹事長 辰巳哲也

ソニー（株）
Ｒ＆Ｄプラットフォーム
セミコンダクタテクノロジー開発部門
プロセス設計2部〒253-0014
厚木市旭町4-14-1
TEL: 046-202-4793
FAX: 046-202-6374

Tetsuya.Tatsumi@jp.sony.com副幹事長 野崎智洋

東京工業大学
大学院理工学研究科
機械物理工学専攻〒152-8550
目黒区大岡山2-12-1(I6-24)
TEL: 03-5734-2681
FAX: 03-5734-2681

tnozaki@mech.titech.ac.jp

幹事
任期
池田太郎
2014年3月

東京エレクトロン山梨株式会社
技術開発センター
MiPSグループ〒407-0192
韮崎市穂坂町三ﾂ沢650
TEL: 0551-23-2327
FAX: 0551-23-4260

taro.ikeda@tel.com

幹事長

kazuo@plasma.k.utokyo.ac.jp

〃

石川善恵

〒305-8565
産業技術総合研究所
つくば市東1-1-1 中央第5ナノシステム研究部門
TEL: 029-861-0554
フィジカルナノプロセス研究グループ
FAX: 029-861-6355

ishikawa.yoshie@aist.go.jp

〃

市川尚志

（株）東芝
半導体研究開発センター
AU開発試作部
評価解析担当〒235-8522
横浜市磯子区新杉田8番地
TEL: 045-776-4673
FAX: 045-776-4104

takashi2.ichikawa@toshiba.co
.jp

北野勝久

大阪大学大学院
工学研究科
アトミックデザイン研究センター〒565-0871
大阪府吹田市山田丘2-1(A12-219)
TEL: 06-6878-6412
FAX: 06-6879-7916

kitano@ppl.eng.osaka-u.ac.jp

金 載浩

産業総合技術研究所
エネルギー技術研究部門
先進プラズマ技術グループ〒305-8568
つくば市梅園1-1-1 中央第2TEL: 029-861-4889
FAX:

jaeho.kim@aist.go.jp

〃

堤井君元

九州大学
総合理工学研究院
融合創造理工学部門〒816-8580
福岡県春日市春日公園6-1(D棟304号室)
TEL: 092-583-7097
FAX: 092-583-7097

teii@asem.kyushu-u.ac.jp

〃

杤久保文
嘉

首都大学東京理工学研究科
電気電子工学専攻〒192-0397
八王子市南大沢1-1
TEL: 042-677-2744
FAX: 042-677-2756

tochi@tmu.ac.jp

〃

前田賢治

(株)日立製作所
中央研究所
ナノプロセス研究部〒185-8601
国分寺市東恋ヶ窪 1-280
TEL: 042-323-1111 (ext. 2142)
FAX: 042-327-7708

kenji.maeda.tj@hitachi.com

〃

三重野哲

静岡大学
理学部
物理学科

〒422-8529
静岡市駿河区大谷836
TEL: 054-238-4750
FAX: 054-238-4750

sptmien@ipc.shizuoka.ac.jp

〃

三沢達也

佐賀大学大学院
工学系研究科
電気電子工学専攻

〃

向川政治

岩手大学
工学部電気電子情報システム工学科〃

吉木宏之

鶴岡工業高等専門学校
電気電子工学科〃〃〒840-0027
佐賀市本庄町1番地
TEL: 0952-28-8639
FAX: 0952-28-8651〒020-8554
岩手県盛岡市上田4丁目3-5
TEL: 019-621-6877
FAX: 019-621-6877〒997-8511
山形県鶴岡市井岡字沢田104
TEL: 0235-25-9146
FAX: 0235-24-1840

66

misawa@ep.ee.saga-u.ac.jp

mukaigaw@iwate-u.ac.jp

yoshiki@tsuruoka-nct.ac.jp

氏名

所属

幹事
防衛大学校
任期
明石 治朗
応用科学群応用物理学科
2015年3月〃

名古屋大学大学院
石川 健治 工学研究科
プラズマナノ工学研究センター

〃

伊藤昌文

〃

日本文理大学川崎 敏之
工学部 機械電気工学科

〃

古閑一憲

九州大学大学院
システム情報科学研究院
情報エレクトロニクス部門〃

京都大学大学院
鷹尾 祥典 工学研究科
航空宇宙工学専攻

〃

高橋和生

〃

金沢大学
田中 康規 理工研究域
電子情報学系

名城大学
理工学部電気電子工学科

京都工芸繊維大学大学院
工芸科学研究科
電子システム工学部門
電子物性工学講座

住所・電話〒239-8686
横須賀市走水1-10-20
TEL: 046-841-3810
FAX: 046-844-5912

E-mailakashi@nda.ac.jp〒464-8603
愛知県名古屋市千種区不老町
TEL: 052-788-6077
FAX: 052-788-6077

ishikawa.kenji@nagoya-u.jp〒468-8502
愛知県名古屋市天白区塩釜口1-501
TEL: 052-838-2306
FAX: 052-838-2306

ito@meijo-u.ac.jp〒870-0397
大分県大分市一木1727
TEL: 097-524-2612
FAX: 097-593-2071

kawasaki@nbu.ac.jp〒819-0395
福岡市西区元岡744
TEL: 092-802-3716
FAX: 092-802-3717

koga@ed.kyushu-u.ac.jp〒615-8540
京都市西京区京都大学桂C3棟
TEL: 075-383-3788
FAX: 075-383-3788

takao.yoshinori.7a@kyotou.ac.jp〒606-8585
京都市左京区松ヶ崎御所海道町
TEL: 075-724-7418
FAX: 075-724-7400

takahash@kit.jp〒920-1192
石川県金沢市角間町
TEL: 076-234-4846
FAX: 076-234-4870

tanaka@ec.t.kanazawa-u.ac.jp〒252-5298
神奈川県相模原市中央区下九沢1120
TEL: 042-779-9925
FAX: 042-771-0329

hidetaka.nambu.hx@renesas.c
om

南部英高

ルネサスエレクトロニクス株式会社
生産本部プロセス技術統括部
プロセス加工技術部〃

西山修輔〒060-8628
北海道大学大学院
札幌市北区北13条西8丁目
工学研究院
TEL: 011-706-6658
量子理工学部門プラズマ理工学分野
FAX: 011-706-6657

〃

松隈正明

東京エレクトロン株式会社
技術開発センター
シミュレーショングループ〒305-0841
茨城県つくば市御幸が丘17
TEL: 029-860-3632
FAX: 029-860-3607

masaaki.matsukuma@tel.com

〃

本村大成

(独) 産業技術総合研究所
九州センター
生産計測技術研究センター
プラズマ計測チーム〒841-0052
佐賀県鳥栖市宿町807-1
TEL: 0942-81-4058
FAX: 0942-81-3690

t.motomura@aist.go.jp

〃

和田 昇

三菱電機(株)
先端技術総合研究所
環境システム技術部
放電応用グループ〒661-8661
尼崎市塚口本町8-1-1
TEL: 06-6497-7069
FAX: 06-6497-7285

Wada.Noboru@bx.Mitsubishi
Electric.co.jp〃

67

shu@eng.hokudai.ac.jp

2013（平成 25）年度分科会幹事役割分担
役割分担
幹事長
副幹事長
1. 分科会ミーティング
2. シンポジウム総合講演
合同セッション
分科内招待講演
チュートリアル講義
3. プラズマプロセシング研究会
SPP-3１

4. 光源物性とその応用研究会
5. プラズマ新領域研究会

6. インキュベーションホール

7. プラズマエレクトロニクス
講習会
8. 会誌編集・書記
9. ホームページ
10. 会員名簿
11. 庶務
12. 会計13. プラズマエレクトロニクス賞
14. アカデミックロードマップ（戦略企画室）15. PE懇親会 秋：同志社大学
16. PE懇親会 春：青山学院大学
GEC委員（オブザーバー）

寺嶋 和夫
豊田 浩孝
辰巳 哲也
野崎 智洋
三沢 達也
野崎 智洋
北野 勝久
金 載浩
市川 尚志
豊田 浩孝
三重野 哲
堤井 君元
金 載浩
池田太郎

留任
東京大学
名古屋大学
（株）ソニー
東京工業大学
佐賀大学
東京工業大学
大阪大学（独）産業技術総合研究所
（株）東芝
名古屋大学
静岡大学
九州大学
（独）産業技術総合研究所
東京エレクトロン山梨

向川 政治
豊田 浩孝
栃久保文嘉
石川 善恵
堤井 君元
吉木 宏之
豊田 浩孝
前田 賢治
三沢 達也
石川 善恵
吉木 宏之
辰巳 哲也
池田 太郎
前田 賢治
市川 尚志
市川 尚志
向川 政治
北野 勝久

岩手大学
名古屋大学
首都大学東京(独)産業技術総合研究所
九州大学
鶴岡工業高等専門学校
名古屋大学（株）日立製作所
佐賀大学(独)産業技術総合研究所
鶴岡工業高等専門学校
ソニー（株）
東京エレクトロン山梨（株）日立製作所
（株）東芝
（株）東芝
岩手大学
大阪大学

三沢 達也
北野 勝久
寺嶋 和夫
野崎 智洋
寺嶋 和夫
石川 善恵
池田 太郎
白谷正治

佐賀大学
大阪大学
東京大学
東京工業大学
東京大学(独)産業技術総合研究所
東京エレクトロン山梨
九州大学

太字：取りまとめ役

68

新任

本村大成
古閑一憲
高橋和生
松隈正明
伊藤昌文
古閑一憲
和田 昇
石川健治
高橋和生
南部英高
川崎敏之
田中康則
明石 治朗
田中康則
鷹尾祥典
伊藤昌文

(独)産業技術総合研究所
九州大学
京都工芸繊維大学
東京エレクトロン
名城大学
九州大学
三菱電機(株)名古屋大学
京都工芸繊維大学
ルネサスエレクトロニクス
日本文理大学
金沢大学
防衛大学
金沢大学
京都大学
名城大学

石川健治
本村大成
鷹尾祥典
明石 治朗

名古屋大学
(独)産業技術総合研究所
京都大学
防衛大学

南部英高
松隈正明
和田 昇

ルネサスエレクトロニクス
東京エレクトロン
三菱電機(株)

川崎敏之
松隈正明
西山修輔

日本文理大学
東京エレクトロン
北海道大学

本村大成
高橋和生

(独)産業技術総合研究所
京都工芸繊維大学

鷹尾祥典
西山修輔

京都大学
北海道大学

2013（平成 25）年度分科会関連の各種世話人・委員
１．応用物理学会講演分科の世話人
8.1 プラズマ生成・制御
8.2 プラズマ診断・計測
8.3 プラズマ成膜・表面処理
8.4 プラズマエッチング
8.5 プラズマナノテクノロジー（代表）

林 信哉
山形 幸彦
野崎 智洋
林 久貴
佐藤 孝紀
金子 俊郎
小田 昭紀
山田 英明

（九州大）
（九州大）
（東工大）
（東芝）
（室蘭工大）（東北大）（千葉工大）（産総研）

２．応用物理・編集委員

野崎 智洋

（東工大）

３．応用物理学会代議員

金子 俊郎 （東北大）
野崎 智洋 （東工大）
酒井 道
（京都大）
平松 美根男 （名城大）

４．GEC 組織委員会委員

白谷 正治

（九州大）

５．その他：本部理事

平松 美根男（名城大）

６．諮問委員

白谷 正治
堀 勝
斧 高一

（九州大）
（名古屋大）（京都大）

７．フェロー

岡本 幸雄
河野 明廣
寒川 誠二
菅井 秀郎
高井 治
橘 邦英
中山 喜萬
畠山 力三
藤山 寬
堀 勝
真壁 利明
渡辺 征夫

（東洋大）
（名古屋大）（東北大）（中部大）（名古屋大）
（愛媛大）
（大阪大）
（東北大）
（長崎大）
（名古屋大）（慶應大）（九州電気専門学校）

８．名誉会員

後藤 俊夫

（中部大）

8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野

69平成 24 年度後期および平成 25 年度前期活動報告
第 65 回プラズマエレクトロニクス分科会ミーテ

域研究会

ィング／平成 24 年度第 3 回幹事会議事録

豊田副幹事長より，3 件の新領域研究会の開催
報告がなされた．参加人数も多く，収支決算も予日時：平成 25 年 1 月 22 日（火）11:50～12:50

定通りであったことが報告された．他の研究会と場所：浜松研修交流センター 501 会議室

共催にする事例の増加について意見徴収がなされ，白谷諮問委員より参加人数を集めやすいメリットがある旨と，本研究会の趣旨は担当幹事が自由に

１．応用物理学会学術講演会シンポジウム

企画できることである旨が伝えられた．

野崎副幹事長（東工大）より，次回春季講演会
でのチュートリアル講演，分科内招待講演，海外５．分科会会報

招待講演，分科企画シンポジウムの企画の概要が説明された．分科企画シンポジウムでは一般講演

向川幹事（岩手大）より，分科会会報 57 号がは 1 件であり，幅広い話が聞けるようにプラズマ

昨年 12 月に無事発行された旨が報告された．ま

分野以外から講演者を選んだ旨が伝えられた．

た，次回 58 号担当の市川幹事（東芝，欠席）から問題提起された「会議報告の執筆者が集中する

２．第 6 回プラズマエレクトロニクスインキュベ問題」について，寺嶋幹事長より「会議責任者がーションホール

執筆者を指名する」旨が伝えられた．また候補者

豊田副幹事長（名大）より，9 月 19 日～21 日

未定であった巻頭言，寄稿，学生のためのページに御殿場市で開催されたインキュベーションホーの執筆候補者については，会報担当幹事から提案

ルの報告があった．参加者が 73 名と多く，例年することになった．
学生のためのページについて，通りの予算範囲で遂行できたことが報告され，収野崎副幹事長より「シースとは」などの軽い記事

支決算が承認された．

を入れることも教育的であるという意見が出された．研究室紹介について，野崎副幹事長より北か３．第 23 回プラズマエレクトロニクス講習会

ら南まで全国の研究室に執筆して頂きたいとの意

辰巳副幹事長（ソニー）より，11 月 14 日に東見が出された．寺嶋幹事長より，会報記事を HP

京大学で開催された講習会の報告があった．参加にアップロードする時期は幹事長指示により出版者が 66 名あり，約 75 万円の収支差額が出たこと

後 1 ヶ月後にする旨が伝えられた．

が報告された．開催日程を 1 日とし，ドライプロ
６．役割分担と各企画への提案

セスシンポジウムに近い日程で開催し，講演者に野崎副幹事長より以下の意見が出された．本会第一人者を選んだことが功を奏したのではないか

議中に答えは出ないだろうが，問題を共有して欲という分析がなされた．

しい旨が伝えられた．

白谷諮問委員（九大）より，グラフェンベース



など企業の方々が興味を持つテーマ設定をする案

幹事引き継ぎ時に情報が落ちないよう，過去の招待講演者や巻頭言執筆者のリストを HPが出された．

に掲載する．
４．第 11,12,13 回プラズマエレクトロニクス新領

70

海外招待講演を合理化するため，アジアでの

国際会議などとジョイントする．


チュートリアルは，参加者が見込める春のみに行う．
また，今後の分科内招待講演，シンポジウム，

チュートリアルの進行案が出された．
７．関連会議白 谷 諮 問 委 員 よ り ， ICRP8 の 準 備 状 況 ，
ICRP9-GEC の開催場所候補，APPC12 の案内，
JSAP-MRS の案内および二重投稿の禁止，DPPの招待講演推薦について情報提供がなされた．
８．Plasma Conference 2014
寺嶋幹事長より，表題会議の準備状況が紹介され，主催の物理学会が提案している開催時期・場
所・参加費について賛成することになった．また，「○○学会学会第○回年会」の併記は会議の継続性を保つために必要である意見が白谷諮問委員より出された．
９．その他
寺嶋幹事長より，次期新幹事の選出について報告があった．
野崎副幹事長より，応用物理学会誌の「やわらかい記事」について説明があり，記事の提案を募る旨が報告された．
（記：市來龍大（大分大））71

第 66 回プラズマエレクトロニクス分科会ミーテ差額が出たとのことだった。コメントとして学生

ィング／平成 24 年度第 4 回幹事会議事録（応用の参加が多いのは良かったが、逆に企業からの参物理学会インフォーマルミーティング内）

加が少なく、
今後どう呼び込むかが課題とのこと。
また学生アルバイトについて、ボランティア的な

日時：平成 25 年 3 月 28 日（木）12:00～13:15

側面も大きく、次回以降はアルバイト代の値上げ

場所：神奈川工科大学 K1 号館 6F 604 教室

を行った方が良いかもしれないとの意見があった。

１． 「8.プラズマエレクトロニクス」大分類分科

３．第 27 回光源物性とその応用研究会について
佐藤幹事（室蘭工大）より、2013 年 3 月 15 日

意見交換会
中村教授（中部大）を中心に大分類 8 の現状にに千葉工大津田沼キャンパスにて行われた第 27

ついて意見交換がなされた。概略は以下の通り。

回光源物性とその応用研究会について開催報告があった。講演件数は 6 件、参加人数は 13 人とのことで活発な議論がなされたとの報告がなされた。

・今回からポスターアワードが導入された。アワード候補の選定は以下のプロセスで行うとのこ

４．第 3 回チュートリアルについてと。(1) プログラム編集委員でポスターとオーラルの前分類を行う。その際レーティングも行う。

北野幹事（大阪大）より、第 60 回応用物理学

レーティングの基準は予稿の内容とインパクト性会春季学術講演会にて行われた第 3 回チュートリを重視。(2) レーティング結果を基に、分類ごと

アル講演について報告があった。定員 50 のとこに候補を 3 件決める。(3) 評価員により全セッシ

ろ 70 名弱と多くの参加が得られ、活発な議論がョンを通して 1 件ずつアワードを決定する。

行われたたとのこと。

オーラルで従来行われてきた奨励賞の今後の扱

なお、第 65 回幹事会で報告の通り、秋季大会

いについて堀教授（名大）より質問があり、奨励ではチュートリアルは実施しない予定とのこと。

賞は従来通り継続、またポスターアワードとの掛
５．第 7 回インキュベーションホールについてけ持ちも可とのことだった。

豊田幹事（名大）より、第 7 回インキュベーシ
・国際化に対応する観点から増加を試みているョンホールの準備状況について報告があった。開英語セッションについて説明があり、発表件数な

催日程は 2013 年 9 月 25 日～27 日、例年同様、

どが極端に少なくなるなどの表だった問題は今の御殿場にて行う予定。講師はまだ確定していない

ところ出ていない旨が伝えられた。

ため、提案などあれば連絡いただきたいとのこと。
また予算の一部に活性化資金を活用する旨が報告

２．
第 30 回プラズマプロセシング研究会（SPP30）された。

について
６．第 23 回プラズマエレクトロニクス講習会に三重野幹事（静岡大）より、アクトシティ浜松・研修交流センターで 2013 年 1 月 21～23 日に開ついて催された SPP30 の報告があった。
参加人数は 217

辰巳幹事（ソニー）より東大先端知ビルにて

名、講演件数は 158 件であり、約 63 万円の収支2012 年 11 月 14 日に開催された第 23 回プラズマ

72

エレクトロニクス講習会の報告があった。参加者

9/23~24 : SPSM26（九大）

は約 70 名、約 75 万円の収支差額が出たことが報

9/30~10/4 : GEC（Princeton, NJ）

告された。次回は 2013 年 11 月 8 日に同じく東大

また、2014 年 2 月 4 日～7 日の ICRP-8/SPP-31

武田先端知ビルにて実施予定。プログラムは概ね（福岡国際会議場）、ICRP9-GEC についても報告

決定しており次回幹事会で報告予定とのこと。

された。また豊田幹事より 2013 年 8 月 29 日~30
日予定の DPS、2014 年 3 月 2 日~6 日予定の
ISPLASMA についても説明があり、投稿を募る

７．プラズマ新領域研究会について旨が伝えられた。

豊田幹事より新領域研究会について報告がなされた。今年度の実施内容はまだ決定しておらず、

１２．日本学術会議 学術の大型研究計画の提案

テーマの提案を募る旨が伝えられた。

について
堀教授より日本学術会議の大型研究計画につい

８．プラズマエレクトロニクス分科会会報て説明があった。概略は以下の通り。

（No.58）について
市川幹事（東芝）より、プラズマエレクトロニ
クス分科会会報（No.58）の目次案及び、編集進・日本学術会議にて内閣府主導で行う大型研究捗状況について報告された。原稿〆切は 5/20 との計画のマスタープランのとりまとめを行っている。

こと。また市來幹事（大分大）より、会報担当に2014 年春を目処にマスタープランを提出とのこも取りまとめ役の幹事を設ける案が伝えられ、幹と。マスタープランは web 経由で(1) 教育、研究

事 4 人のうち 2 年目の幹事から 1 名任命する案が機関の長からの推薦を得た研究者から、(2) 日本

承認された。

学術会議の会員・連携会員から、(3) 学協会会長
から、の 3 ルートから提出が可能。
なお、応用物理学会では 14 のマスタープラン

９．シンポジウムなどについて
北野幹事より応用物理学会学術講演会（秋期）を作成しており、プラズマエレクトロニクスとしのシンポジウムの準備状況について説明があり、てはその 1 分野として医療を含む産業応用プラズ

テーマの提案を募る旨が伝えられた。

マを中心にまとめようとしている。なお連携会員の堀教授からコミッティを代表しての提出を検討しており、分科会としてもそれを支援する旨が承１０．分科会予算について
2012 年（1~12 月分）の分科会決算について北認された。

野幹事より報告があり、内容について承認された。
１３．その他
堀教授より科研費におけるプラズマエレクトロ

１１．関連会議について
古閑幹事（九大）より、プラズマエレクトロニ

ニクスの細目について説明があり、今後の継続発

クス分科会関連会議の紹介と進捗状況の説明がな

展のためにも活用を呼びかける旨が伝えられた。
24 年度で退任となる幹事より挨拶がされた。

された。
7/14~19 : APPC12（幕張メッセ）
9/16~20 : JSAP-MRS（同志社大）（記：池田知弘（三菱電機(株)））73

第 67 回プラズマエレクトロニクス分科会ミーテ

４．第 7 回インキュベーションホール（2013 年 9ィング／平成 25 年度第 1 回幹事会議事録

月）・豊田副幹事長（名大）より、第 7 回インキュベ

日時：平成 25 年 5 月 11 日（土）13:30～16:30

ーションホールの準備状況および収支予算案につ

場所：東京工業大学 田町キャンパス キャンパス

いて報告があった。開催日程は 2013 年 9 月 25 日

イノベーションセンター2 階（多目的室１）～27 日、例年同様、御殿場にて行う予定。内容は昨年と同様の構成とし、今後は講師候補者の内諾

０． 前回幹事会（第 66 回）議事録案

を取って行くが、まだ確定はしていないので提案

池田前幹事（三菱電機）より、前回幹事会の議事等あれば連絡いただきたいとのこと。

録案について報告が行われ、内容について了承さ
５．新領域研究会れた。

・豊田副幹事長（名大）より、プラズマ新領域研
１．幹事紹介（退任・留任・新任）究会について説明が行われた。
今年度は３回行い、・寺嶋幹事長（東大）及び、出席した各幹事より新しい芽になるようなテーマで少数ディスカッシ

自己紹介がなされた。

ョンを行う形式。
「このような研究会をやりたい」という類の提案をしてほしいとのこと。研究会開２．役割紹介催に対し財政的サポートが可能であるとのアナウ

・寺嶋幹事長（東大）より、各担当幹事の職務内ンスがあった。

容について説明及び新年度の役割分担案が紹介さ
６．プラズマカンファレンス 2014

れ、了承された。

・豊田副幹事長（名大）より、第２回プラズマカ
３．応用物理学会（神奈川大・2013 年 3 月、同ンファレンスについて説明が行われ、PE 分科会

志社大・2013 年 9 月）シンポジウムなど

選出委員名簿が示された。次回は物理学会が主担

・野崎副幹事長（東工大）より、2013 年春から

当となり 2014 年に新潟で開催される予定。PE 分

2014 年春の学会の分科内招待講演、海外招待講演、

科会としては、プラズマプロセシング研究会としチュートリアル、シンポジウムにおける企画、行て位置づけるとの報告があった。

事案内（会報）、座長、報告（会報）の各担当の案が示され、後日メール審議等で調整を行うとの報

７．分科会会報

告がなされた。現行の人数配分で分科内講演やチ・市川幹事（東芝）より、プラズマエレクトロニュートリアルを実施していくと担当者がいなくな

クス分科会会報（No.58）の目次及び、編集進捗

る恐れがあるので、分科内講演は１件に、またチ

状況について報告が行われ、5 月 20 日の原稿〆切ュートリアルは春だけにすることなどが提案されを極力守って欲しいとのアナウンスがあった。

た。今年は MRS との合同シンポジウムが併設さ・向川幹事（岩手大）より、前回幹事会での話しれるので、今秋のチュートリアルは行わないこと合いを受けて会報担当に取りまとめ役を設けたこにとすることが了承された。

と及び、取りまとめ役が果たす役割について会報担当で話し合った内容の報告があった。

74

日。場所は幕張メッセ（千葉）。全体件数は 1218
８．第 24 回プラズマエレクトロニクス講習会

件で、内 D2/Plasma Processing は 87 件。招待講（2013 年 11 月）

演者数や会議の内容についての報告があった。

・辰巳副幹事長（ソニー）より、第 24 回プラズ

・JSAP-MRS：日程は 2013 年 9 月 16 日～9 月

マエレクトロニクス講習会の実施案について報告

20 日。場所は同志社大学（京都）。招待講演者数があった。開催日時は 2013 年 11 月 8 日（金）9:30

や会議の内容についての報告があった。

～18:00、場所は東京大学本郷（浅野）キャンパス

・DPP 招待講演推薦：本推薦においては東北大学で行う予定。

の金子敏郎先生を推薦するとのことが報告された。

９．関連会議１０．その他

・白谷諮問委員（九大）より、プラズマエレクト・野崎副幹事長（東工大）より、分科会会報の行

ロニクス分科会関連会議の紹介と進捗状況の説明

事案内記事においてはプラズマエレクトロニクスがなされた。

分科会が企画する講演会等をまとめて（１件の記・ICRP8 の準備状況：日程は 2014 年 2 月 4 日～事として）紹介することが提案され、了承された。

2 月 7 日。場所は福岡コンベンションセンター（福・幹事会終了時に新旧幹事の各担当において、打岡）。招待講演者、財源、目標人数等についての報

合せ等を行う時間が設けられ、役割内容の確認や告があった。

引き継ぎ等が行われた。

・ICRP9・GEC の交渉状況：日程は 2015 年 10月 12 日～10 月 16 日。場所はハワイコンベンシ（記：向川政治（岩手大））

ョンセンター（Hawaii）。決定の経過や財源などについての報告があった。この会議では若手が運営に関するノウハウを蓄える必要があるとのこと。
・APPC12：日程は 2013 年 7 月 14 日～7 月 1975

第 12 回プラズマエレクトロニクス賞受賞候補論文の募集
東京大学
応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
では、毎年、プラズマエレクトロニクスに関する学術的あるいは工業的に価値のある優秀な論文を対象とし、その著作者に「プラズマエレクトロニ
クス賞」を贈り表彰を行っています。候補論文は自薦・他薦を問いません。下記の要領により, 奮ってご応募下さい。
http://annex.jsap.or.jp/plasma/
授賞対象論文プラズマエレクトロニクス分科会が主催する研究会、国際会議等で発表され、かつ 2011、2012,2013 年の発行の国際的な学術刊行物（JJAP など）に掲載された原著論文。受賞者は、表彰の時点においてプラズマエレクトロニクス分科会会員
あるいは応用物理学会会員とする。
提出書類
以下の書類各１部、および、それらの電子ファイル（PDF ファイル）一式
 候補論文別刷（コピーでも可、第１ページに候補論文と朱書すること。関連論文があれば２件以内の別刷またはコピーを添付。
）
 当該論文の内容が発表されたプラズマエレクト

寺嶋 和夫
ロニクス分科会が主催する研究会、国際会議等の会議録等のコピー。2 件以内
 著者全員について和文で以下を記入した書類。
氏名、会員番号、勤務先（連絡先）
 推薦書（自薦、他薦を問わず、論文の特徴、優れた点などを 400 字程度わかりやすく記すこと。
）
表彰
2014 年春季応用物理学会期間中に行います。受賞者には賞状および記念品を贈呈いたします。また 2014 年秋季講演会期間中に記念講演を依頼する予定です。
書類提出期限2013 年 12 月 25 日（水）当日消印有効
書類提出先〒113-0034 東京都文京区湯島 2-31-22
湯島アーバンビル 7 階
公益社団法人応用物理学会
プラズマエレクトロニクス分科会幹事長（封筒表に「プラズマエレクトロニクス賞応募」と朱書のこと。
）
なお下記の賞規定もご参照下さい。

プラズマエレクトロニクス賞規定
1.

2.

この規定はプラズマエレクトロニクスに関する学術的あるいは工業的に価値のある優秀な論文を表彰の対象論文とし、その著作者にたいして公益社団法人応用物理学会プラズマエ
レクトロニクス分科会（以後プラズマエレク
トロニクス分科会と言う）が行う表彰について定める。
この表彰を「プラズマエレクトロニクス賞」
という。

3.

4.
5.
76

表彰の対象論文は、原則として、プラズマエ
レクトロニクス分科会が主催する研究会、国際会議等で発表され、且つ募集期間から過去３年の間に国際的な学術刊行物に掲載された原著論文とする。
受賞者はプラズマエレクトロニクス分科会会員あるいは応用物理学会会員とする。
受賞者は公募に応じた自薦および他薦候補者から選考する。

すでに公に顕著な賞を受けた論文は、プラズ
マエレクトロニクス賞の対象論文としない。
7. 表彰は原則として毎年２件以内とする。
8. 表彰は賞状授与および記念品贈呈とする。
9. 表彰は毎年応用物理学会春季講演会において行う。
10. プラズマエレクトロニクス分科会幹事会は、
毎年 11 月までに授賞候補者募集要項を「プラズマエレクトロニクス分科会会報」および
応用物理学会機関誌「応用物理」誌上に公表
し、広く募集する。
11. 受賞者の選考はプラズマエレクトロニクス分科会幹事長が委嘱した「プラズマエレクトロニクス賞」選考委員会が行う。
12. 受賞者が決定したときは、「プラズマエレクト
ロニクス賞」選考委員会委員長が、プラズマエレクトロニクス分科会幹事会に選考の経過
および結果を報告する。
13. プラズマエレクトロニクス分科会幹事長は、選考の経過および結果を応用物理学会理事会に報告する。
14. この賞の実施に関する必要な事項の審議および決定はプラズマエレクトロニクス分科会幹事会が行う。
15. 本規定は、理事会の承認を経て改訂すること
ができる。

6.

付則：この規定は、平成 14 年 4 月 1 日より施行する。

77

プラズマエレクトロニクス関連会議日程
国際会議
2013.7.14-7.19
The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12) (ISPlasma2012)
Chiba, Japan
http://www.jps.or.jp/APPC12/index.html
2013.7.15-19
31st International Conference on the Physics of Ionised Gases (ICPIG)
Granada, Spain
http://www.icpig2013.net/
2013.8.4-8International Symposium on Plasma Chemistry (ISPC 21)
Cairns, Australia
http://www.ispc-conference.org/
2013.8.25-8.30
The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering（AEPSE2013）
Jeju, Korea
http://aepse2013.org/
2013.8.29-8.30
35th International Symposium on Dry Process (DPS 2013)
Jeju, Korea
http://www.dry-process.org/2013/index.html
2013.9.16-9.20
2013 JSAP-MRS Joint Symposia
Kyoto, Japan
https://www.gakkai-web.net/gakkai/jsap/jsap_mrs/hp/index.html
2013.9.30-10.4
The 66th Gaseous Electronics Conference (GEC)
Princeton, New Jersey, USA
http://www.aps.org/units/gec/meetings/annual/index.cfm
2013.10.27-11.1
The 60th International Symposium & Exhibition (AVS-60)
Long Beach, California, USA
http://www2.avs.org/symposium/AVS60/pages/call_abstract.html
2013.11.11-11.15
The 55th Annual Meeting of the APS Division of Plasma Physics (APS DPP)
Denver, Colorado, USA
http://www.aps.org/units/dpp/meetings/annual/
2014.2.4-2.7
8th International Conference on Reactive Plasmas/31th Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)
Fukuoka, Japan
http://plasma.ed.kyushu-u.ac.jp/~icrp-8/]

78

国内会議・会合
2013. 9. 5-7
電気学会 プラズマ研究会
長崎大学 総合研究棟２階多目的ホール
2013. 9. 16-20
応用物理学会 秋季講演会
同志社大学 京田辺キャンパス
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/regularmeeting.html
2013. 9. 23
第 26 回プラズマ材料科学シンポジウム（SPSM26）
九州大学 百年講堂
http://plasma.ed.kyushu-u.ac.jp/~spsm26/
2013. 9. 20-27
日本物理学会 2013 年秋季大会
高知大学 (9. 20-23) [素、核、宇]徳島大学 (9. 24-27) [物性]http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2013. 9. 25-27
第 7 回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール
国立中央青少年交流の家
2013. 10. 24-25
電気学会 パルスパワー・放電合同研究会
熊本大学
2013. 11. 8
第 24 回プラズマエレクトロニクス講習会
東京大学 本郷(浅野)キャンパス 武田先端知ビル
2013. 11. 21-23
電気学会 プラズマ・パルスパワー合同研究会
名城大学 名駅サテライト 多目的室
2013. 11. 21-23
プラズマ・核融合学会 第３０回年会
東京工業大学 大岡山キャンパス
http://www.jspf.or.jp/jspf_annual2013/79

2014. 3.17-20
応用物理学会 春季講演会
青山学院大学 相模原キャンパス
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/regularmeeting.html
2014. 3. 27-30
日本物理学会第 69 回年次大会
東海大学
http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2014. 9. 17-20
応用物理学会 秋期講演会
北海道大学 札幌キャンパス
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/regularmeeting.html
2014. 9.
日本物理学会 2014 年秋季大会
佐賀大学 (9. 18-21) [素、宇]中部大学 (9. 7-10) [物性]http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
2015. 9.
日本物理学会 2014 年秋季大会
大阪市立大学 (9. 25-28) [素核宇]関西大学 (9. 16-19) [物性]http://www.jps.or.jp/activities/meetings/future.html
行事の最新情報については、下記プラズマエレクトロニクス分科会のホームページをご覧下さい。
http://annex.jsap.or.jp/support/division/plasma/80

広告掲載企業一覧
プラズマエレクトロニクス分科会会報 58 号へ広告掲載を頂いた企業は下記の通りです。弊分科会会
員への最新情報のご提供に厚く感謝の意を表します。
１．株式会社 エナック

当会報への広告掲載について
4. 広告掲載料
掲載料は下表の通りとします。なお、年間契約の場合も、申込時点での一括請求とさせて頂きます。

応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
では，分科会会員への情報提供を旨とし、会報への広告出展を募集しております。広告の掲載にあたっては下記のような条件としておりますので、是非ご検討の程宜しくお願い申し上げます。
1. 契約の種類(A) 年間契約コース
1 年間にわたる掲載。通常は 6 月、12 月に発行される 2 号にわたって掲載されます。掲載
号ごとに新規原稿に差替え出来ます。
(B) 単号契約コース
特定の号のみの掲載。
2. 掲載位置
掲載位置は後書きの後となります。基本五十音順の掲載となりますが、レイアウト等の都合で適宜変更になる可能性があります。何卒ご了承ください。
また裏表紙への依頼が無いときには年間契約の中から回す場合もあります。不都合がある場合はご相談ください。
3. 入稿
原稿は A4 版ネガの版下、もしくは電子ファイル（pdf）とします。これ以外の場合、かかる費用を別途請求させて頂く場合があります。

半ページ
1 ページ
2 ページ
(見開き指定可)裏表紙(A) 年間契約(B) 単号契約
コース
コース
5 万円
4 万円
（4 万円）（3 万円）
8 万円
5 万円（6 万円）（4 万円）
12 万円
8 万円（9 万円）（6 万円）
12 万円
8 万円（9 万円）（6 万円）※カッコ内は協賛企業

5. 問い合わせ先〒113-0034 東京都文京区湯島 2-31-22
湯島アーバンビル 7 階
公益社団法人 応用物理学会 分科会係
TEL：03-5802-0862
FAX：03-5802-6250
e-mail：divisions@jsap.or.jp
HP：http://annex.jsap.or.jp/plasma/

81

編集後記
プラズマエレクトロニクス分科会会報No.58を出版することが出来ました。お忙しい中原稿をご執筆いただいた方々に改めて御礼申し上げます。
今回の巻頭言は、文科省新学術領域研究「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」の領域代表やGEC委員としてご活躍なさっている白谷先生にお願い致しました。日本の論文投稿数減少について「個々の研究者レベルで、まずできることから」という先生のご指摘は、私自身耳の痛い話で、研究成果の論文化について日々もっと意識せねばならないと改めて感じさせていただ
きました。寄稿では「ミニマルファブシステムによる半導体デバイス製造」について、藤山先生にご執筆いただきました。ミニマルファブ構想におけるプラズマプロセス開発の重要性、そしてそれに対する藤山先生の情熱が伝わってくる内容でありました。さらに、篠原先生からは研究室の高いアクティビティが伝わってくる素晴らしい研究室
紹介を、酒井先生からは会報の趣旨を踏まえた上での非常にわかりやすい大気圧プラズマの入門記
事を、上坂先生からは海外での生活から研究室の様子までありありと伝わってくる海外滞在記を頂きました。いずれも質・量共に「大作」と呼ぶにふさわしい記事でした。また、プラズマエレクト
ロニクス賞受賞されたお二人からは受賞記念原稿を、秋の応用物理学会で講演賞を受賞されたお二人からは研究紹介を執筆して頂きました。最先端の研究内容についてこれだけ多くの内容を掲載できたことは、とてもありがたいことです。

会議報告や行事案内では、「今まで執筆経験がない方にも、積極的に依頼する」という方針を取り、私も含め初執筆となった方も多くいらっしゃいました。その一方でベテランの執筆者の方にもいつも以上に内容に工夫して頂き、皆様のおかげで「型通り」でない、エネルギッシュな会議報告・
行事案内になったと感じております。
気づけば今回の会報は80ページを超え、近年の会報と比べ圧倒的にヴォリュームのあるものとなりました。私自身、学会関係で顔が広いわけではなく、その上ズボラな性格できめ細かさが要求される会報編集は全く向いていないと思っているのですが、最終的にこのような形で会報をまとめ上げることができたのも、原稿をご執筆頂いた皆様、そして執筆者依頼に際して多数の助言を頂いた寺
嶋幹事長を始とした分科会幹事の皆様のご協力があったからに他なりません。特に、任期満了済み
ながら全面的にご協力頂いた前会報担当幹事の池田様（三菱電機）、市來先生（大分大）のお二人には、この場を借りて感謝の意を述べたいと思います。最後に、研究会や国際会議などの開催・参加の際には、ぜひ本誌へのご寄稿をお願いしたいと思っております。また、研究室紹介、研究紹介、海外情報、学生のためのレクチャー記事などは、随時募集しております。今後も分科会会報を宜しくお願い致します。
(平成24, 25年度会報編集担当：
池田、市來、市川、向川、川崎、松隈)(文責：市川尚志・東芝)

プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.58
2013年 6 月 15 日 発行
編集：公益社団法人 応用物理学会
プラズマエレクトロニクス分科会
幹事長 寺嶋 和夫
発行：公益社団法人 応用物理学会〒113-0034 東京都文京区湯島2-31-22
湯島アーバンビル7階（©2013 無断転載を禁ず）

82