卞 志平 BIAN, Zhiping
bianzhiping96(at)gmail.com

居室：北キャンパス電子科学研究所 3F 03-106
TEL : 011-706-9433 / FAX : 011-706-9432
研究キーワード：全固体熱トランジスタ
0000-0002-8958-5783

略歴Internship, Department of Technology Development, Intel (Dalian Memory
Technology & Manufacturing), December 2021 – February 2022
Ph. D. candidate, Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido
University, October 2021-present
Master of Engineering, Nuclear Science and Technology, University of Science andTechnology of China, September 2018 – June 2021
Bachelor of Materials Chemistry, Dalian Polytechnic University, September 2014 –June 2018

原著論文 (10)[10] Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Ahrong Jeong, Haobo Li, Takashi Endo,
Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, Hidekazu Tanaka, Hiromichi Ohta*, “Solid-StateElectrochemical Thermal Switches with Large Thermal Conductivity Switching
Widths”, Adv.

Sci. 2401331(2024).

(June

25,

2024)

(DOI: 10.1002/advs.202401331) Open Access[9] Hao-Bo Li*, Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Kohei Shimoyama, Chengchao
Zhong, Keiji Shimoda, Azusa N. Hattori, Kunihiko Yamauchi, Ikutaro Hamada,
Hiromichi Ohta*, Hidekazu Tanaka*, “Wide-range thermal conductivity modulation
based on protonated nickelate perovskite oxides”, Appl. Phys. Lett. 124, 191901(2024). (May 8, 2024) (DOI: 10.1063/5.0201268)[8] Mitsuki Yoshimura, Qian Yang, Zhiping Bian, and Hiromichi Ohta*, “Significant
Reductioninthe

Switching

Time

of

Solid-StateElectrochemical

ThermalTransistors”, ACS Appl. Electron. Mater. 5, 4233 (2023). (July 24, 2023)(DOI: 10.1021/acsaelm.3c00512)[7] Zhiping Bian*, Qian Yang, Mitsuki Yoshimura, Hai Jun Cho, Joonhyuk Lee,
Hyoungjeen Jeen, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, and Hiromichi Ohta*, “SolidState Electrochemical Thermal Transistors with Strontium Cobaltite – Strontium
Ferrite Solid Solutions as the Active Layers”, ACS Appl. Mater. Interfaces 15,
23512-23517 (2023). (May 3, 2023) (DOI:10.1021/acsami.3c03660)[6] Qian Yang, Hai Jun Cho, Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Joonhyuk Lee,
Hyoungjeen Jeen, Jinghuang Lin, Jiake Wei, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, and Hiromichi
Ohta*, “Solid-State Electrochemical Thermal Transistors”, Adv. Funct. Mater. 33,
2214939 (2023). (February 21, 2023) (DOI: 10.1002/adfm.202214939) Open
Access[5] Mei Ying Liu, Jun Xi Yu, Xiao Li Zhu, Zhi Ping Bian, Xiang Zhou, Yu Hang Liang,
Zhen Lin Luo, Yue Wei Yin, Jiang Yu Li, and Xiang Ming Chen, “Hexagonal Lu1–xInxFeO3 Room-Temperature

Multiferroic

Thin

Films”, ACS

Appl.

Mater.

Interfaces 14, 52117–52123 (2022). (DOI: 10.1021/acsami.2c11927)[4] Mei Ying Liu, Tu Lai Sun, Ting Ting Gao, Zhi Ping Bian, Zhen Lin Luo, Xiao
Qiang Liu, and Xiang Ming Chen, “Robust room-temperature ferroelectricity andmagnetoelectric coupling effect in epitaxial CaTiO3/SmFeO3 thin films”, J. Am.
Ceram. Soc. 105, 7558-7566 (2022). (DOI: 10.1111/jace.18736)[3] Zhiping Bian, Jiangtao Zhao, Heng Cao, Yongqi Dong, and Zhenlin Luo,
“Reversible Rapid Hydrogen Doping of WO3 in Non-Acid Solution”, ACS Appl. Mater.
Interfaces 13, 13419-13424 (2021). (DOI: 10.1021/acsami.1c01165)[2] Tao Yu, Bei Deng, Liang Zhou, Pingbo Chen, Qiying Liu, Cailin Wang, Xingkun
Ning, Jingtian Zhou, Zhiping Bian, Zhenlin Luo, Chunyin Qiu, Xing-Qiang Shi, andHongtao He, “Polarity and Spin–Orbit Coupling Induced Strong Interfacial Exchange
Coupling:

An

Asymmetric

Heterostructure”, ACS

Appl.

ChargeMater.

Transfer

Interfaces 11,

inIridate–Manganite

44837-44843(2019).

(DOI: 10.1021/acsami.9b14641)[1] Z.P. Bian, D.S. Li, X. Zhao, H. Lin, “Multi-peak emissions of Pr3+-doped heavy
metal tellurite glasses for laser-driven illumination”, Radiation Physics andChemistry 151, 126-132 (2018). (DOI: 10.1016/j.radphyschem.2018.05.029)

学会発表 (17)[17] Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Ahrong Jeong, Haobo Li, Takashi Endo,
Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, Hidekazu Tanaka, Hiromichi Ohta, “Solid-StateElectrochemical Thermal Transistors with Large Thermal Conductivity Switching
Widths”, 2024 年 第 71 回 応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学 世田谷キャンパス,東京, 2024 年 3 月 22 日-25 日.
[16] Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Ahrong Jeong, Hiromichi Ohta, “[A4-O20206] Absence of High On-to-Off Thermal Conductivity Ratio in the LaxSr1−xCoOybased Thermal Transistors”, MRM2023, Kyoto, Japan, December 11-16, 2023. (oral)[15] Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Qian Yang, Hai Jun Cho, Joonhyuk Lee,
Hyoungjeen Jeen, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, Hiromichi Ohta, “Solid-StateElectrochemical Thermal Transistors with Perovskite Cobalt Oxide-based Solid
Solutions as the Active Layers”, The 2023 RIES-CEFMS (Research Institute forElectronic Science – Center for Emergent Functional Matter Science) Joint
International Symposium, Rusutsu Resort Hotel and Convention Center, Japan,

December 7-8, 2023. (Poster)[14] Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Qian Yang, Hai Jun Cho, Joonhyuk Lee,
Hyoungjeen Jeen, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, and Hiromichi Ohta, “Solid-StateElectrochemical Thermal Transistors with Perovskite Cobaltate-based Solid Solutions
as the Active Layers”, The 24th RIES-HOKUDAI International Symposium 開 [kai],
Hokkaido University, Sapporo, Japan, December 6-7, 2023.
[13] Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Qian Yang, Hai Jun Cho, Joonhyuk Lee,
Hyoungjeen Jeen, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, and Hiromichi Ohta, “Solid-stateelectrochemical thermal transistors with perovskite cobalt oxide-based solid
solutions as the active layers”, The Mini-Workshop on Functional Materials Science(Organizers’ meeting), Sapporo, Japan, December 1-2, 2023. (Poster)[12] Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Qian Yang, Hai Jun Cho, Joonhyuk Lee,
Hyoungjeen Jeen, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, and Hiromichi Ohta, “Solid-StateElectrochemical Thermal Transistors with Perovskite Cobalt Oxide-based Solid
Solutions as the Active Layers”, 29th International Workshop on Oxide Electronics(iWOE29), Busan, Korea, October 15-18, 2023. (Poster)[11] Zhiping Bian, Mitsuki Yoshimura, Ahrong Jeong, Hiromichi Ohta, “Absence ofHigh On-to-Off Thermal Conductivity Ratio in the LaxSr1−xCoOy-based Thermal
Transistors”, 第 84 回 応用物理学会秋季学術講演会「イオントロニクスにおける酸化物・カルコゲナ
イトの新機能」, 熊本城ホールほか 3 会場, 2023 年 9 月 19 日-23 日[10] Zhiping Bian, Qian Yang, Mitsuki Yoshimura, Hai Jun Cho, Joonhyuk Lee,
Hyoungjeen Jeen, Takashi Endo, Yasutaka Matsuo, and Hiromichi Ohta, “Thermal
Conductivity

Modulationof

SrCoOy–SrFeOy Solid

Solutionin

Solid-StateElectrochemical Thermal Transistors”, The 4th Workshop on Functional Materials
Science (FMS2023), Busan, South Korea, June 18-21, 2023. (poster)[9] 卞 志平，太田裕道, “全固体電気化学熱トランジスタの活性層Ⅱ: SrCoOx−SrRuOx 固溶体”, 第 70 回 応用物理学会 春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパス＋オンライン, 2023 年
3 月 15 日-18 日[8] 卞 志平，楊 倩，吉村充生，イジュンヤク，ジンヒョンジン, 林 景煌, 馮 斌, 幾原雄一, ジョヘジュン, 太田裕道, “全固体電気化学熱トランジスタの活性層Ⅰ: SrCoOx−SrFeOx 固溶体”, “全固体電気化学熱トランジスタ”, 第 70 回 応用物理学会 春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパ
ス＋オンライン, 2023 年 3 月 15 日-18 日[7] Zhiping Bian, Qian Yang, Mitsuki Yoshimura, Hai Jun Cho, Hiromichi Ohta,“Solid-stateElectrochemical

ThermalTransistors

using

SrCoOy−SrFeOy Solid

Solutions”, 7th International Conference on Advances in Functional Materials (AFM2023), Fukuoka, Japan, January 9-12, 2022 (Oral)[6] Zhiping Bian, Qian Yang, Mitsuki Yoshimura, Joonhyuk Lee, Hyoungjeen Jeen,
Jinghuang Lin, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta, “Thermal
Conductivity Modulation in SrCoOy – SrFeOy Solid Solution by Electrochemical Redox
Reaction”, The 23rd RIES-Hokudai International Symposium 拓 [Taku], Sapporo,
Japan, December 5-6, 2022.
[5] Zhiping Bian, Qian Yang, Mitsuki Yoshimura, Joonhyuk Lee, Hyoungjeen Jeen,
Jinghuang Lin, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta, “SolidState Electrochemical Thermal Transistors based on Sr(Co1−xFex)Oy (0 ≤ x ≤ 1, 2
≤ y ≤ 3) Films as Active Layers”, 薄膜材料デバイス研究会 第 19 回研究集会 in 京都, 龍谷大学響都ホール（京都府京都市）, 2022 年 11 月 17 日-18 日.
[4] Zhiping Bian, Qian Yang, Mitsuki Yoshimura, Joonhyuk Lee, Hyoungjeen Jeen,
Jinghuang Lin, Bin Feng, Yuichi Ikuhara, Hai Jun Cho, and Hiromichi Ohta, “SolidState Electrochemical Thermal Transistors based on Sr(Co1−xFex)Oy (0 ≤ x ≤ 1, 2
≤ y ≤ 3) Films as Active Layers”, 令和 4 年度日本セラミックス協会東北北海道支部研究発表会, 伝国の杜（山形県米沢市）, 2022 年 11 月 10 日-11 日.
[3] 卞 志平，楊 倩，吉村充生，ジョヘジュン, 太田裕道, “SrCoOx-SrFeOx 固溶体薄膜の電気
化学酸化・還元と熱・電子輸送特性”, 2022 年 第 83 回 応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス+オンライン, 2022 年 9 月 20 日-23 日[2] Zhiping Bian, Jiangtao Zhao, Heng Cao, Yongqi Dong, Zhenlin Luo, “Reversible
rapid protonation of WO3 films in non-acid solution”, 2022 年 第 69 回 応用物理学会
春季学術講演会, 青山学院大学 相模原キャンパス+Online, March 22-26, 2022 (Oral).
[1] Zhiping Bian, Jiangtao Zhao, Heng Cao, Yongqi Dong, Zhenlin Luo, “Reversible

Rapid Hydrogen Doping of WO3 in Non-Acid Solutions”, The 22nd RIES-HOKUDAIInternational Symposium 癒 [Yu], Online, December 6-7, 2021 (Poster).

特許 (1)[1] 太田裕道, 曲勇作, ジョンアロン, 卞 志平, 吉村充生, “熱トランジスタ”, 特願 2024-018066,
2024 年 2 月 8 日出願

報道等 (62)[1]”北大，全固体電気化学熱トランジスタを開発”, Optronics Online, 2023.2.22[2] “北大、熱伝導率を電気スイッチで切り替え 全固体熱トランジスタ開発”, 日刊工業新聞（電子版）, 2023.2.24[3] “熱伝導率を制御する全固体電気化学熱トランジスタを作製 北海道大学”, fabcross for エン
ジニア, 2023.2.24[4] “ 北大 、実 用 化可 能 な全 固 体 電気 化 学熱 トラン ジスタ の 作製 に 成功 ”, マイ ナビニ ュー ス,
2023.2.24[5] “北大、実用化可能な全固体電気化学熱トランジスタの作製に成功”, Mapion ニュース,
2023.2.24[6] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, ニュースイッチ,
2023.2.27[7] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, Yahoo!ニュース, 2023.2.27[8] “ 熱 伝 導 率 を 電 気 ス イ ッ チ で 切 り 替 え 、 北 大 が 開 発 「 全 固 体 熱 ト ラ ン ジ ス タ 」 が ス ゴい”, NEWSPICKS, 2023.2.27[9] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, goo ニュース,
2023.2.27[10] “熱伝導率を電気スイッチで切り替え、北大が開発「全固体熱トランジスタ」がスゴい”, dmenu ニュース, 2023.2.27[11] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Science Daily, 2023.2.22[12] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Nano Werk, 2023.2.22[13] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, EurekAlert!, 2023.2.22[14] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Bioengineer.org, 2023.2.22[15]“Scientists

developsolid-stateelectrochemical

thermaltransistor”, Technewsboy, 2023.2.22[16] “Scientists Develop Solid-State Electrochemical Thermal Transistor”, NEWS AZI,

2023.2.22[17] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Today
Headline, 2023.2.22[18] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, NewsBeezer, 2023.2.22[19] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, VERVE TIMES, 2023.2.22[20] “Scientists make solid-state thermal transistor”, Compound Semiconductor
Magazine, 2023.2.22[21] “Solid-State Thermal Transistor: The Future of Thermal Management
Technology”, AZO MATERIALS, 2023.2.22[22] “Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, Lab Manager, 2023.2.22[23] “Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, RealClear Science, 2023.2.22[24] “Developed Solid State Electrochemical Thermal Transistor”, Optimum Physics,
2023.2.22[25] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, One Eye News, 2023.2.22[26] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, KNOWLEDIA, 2023.2.22[27] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, AlphaGalileo, 2023.2.24[28]“Solid-StateElectrochemical

ThermalTransistor

Without

Using

Liquid”, Semiconductor Engineering, 2023.2.24[29] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Plato Data Intelligence,
2023.2.24[30] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, NEWSBREAK, 2023.2.23[31] “Scientists develop solid-state thermoelectric transistors”, News 7F, 2022.2.23[32] “Hokkaido University: Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, TargetedNews Service, 2023.2.23[33] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Newsbit,
2023.2.22[34] “Solid-State Thermal Transistor Demonstrated”, Eurasia Review, 2023.2.22[35] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Tech Xplore,
2023.2.22[36] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, asiaresearchnews, 2023.2.21[37] “Solid-state thermal transistor demonstrated”, Mirage News, 2023.2.21[38] “Scientists develop solid-state electrochemical thermal transistor”, Techstreet
Now, 2023.2.22[39] “Tranzystor termiczny, jakiego jeszcze nie było. Wykorzystuje się go częściej,niż myślisz”, Chip.pl, 2023.2.22

[40] “Transistor thermique à semi-conducteurs démontré | Alerte Eurek !”, Posts US
News, 2023.2.22[41] “Criado primeiro transstor trmico de estado slido”, Vision Art News, 2023.2.28[42] “浅析固态热晶体管开启热管理技术新时代”, 电子发烧友, 2023.2.25[43] “展示了固态热晶体管”, 0XZX, 2023.2.22[44] “首個固態電化學熱晶體管問世”, 科技日報 2023.2.22[45] “北大、実用化可能な全固体電気化学熱トランジスタの作製に成功”, Rakuten Infoseek
News, 2023.2.24[46] “北海道大学などが全固体電気化学熱トランジスタ、熱伝導率を電気制御”, 日経クロステック,
2023.3.20[47] “全固体熱トランジスタの制御幅 3.5 倍…北大、廃熱の高高度利用用提案”, 日刊工業新聞（2024.07.04）[48] “全固体熱トランジスタの制御幅 3.5 倍…北大、廃熱の高高度利用用提案”, ニュースイッチ by
日刊工業新聞 https://newswitch.jp/p/42142 (2024.07.04)[49] “全固体熱トランジスタの制御幅 3.5 倍…北大、廃熱の高高度利用用提案”, 日刊工業新聞
電子版 https://www.nikkan.co.jp/articles/view/717092 (2024.07.04)[50] “全固体熱トランジスタの制御幅 3.5 倍…北大、廃熱の高度利用提案”, Yahoo ニュー
ス https://news.yahoo.co.jp/articles/7cca9a40a9fc20f496300c2eff89edabc460dd1
1 (2024.07.05)[51] “ 北 海 道 大 学 ら 、 熱 ト ラ ン ジ ス タ の 高 性 能 化 に 成 功 ”, EE Times
Japan https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2407/05/news074.html (2024.07.
05)[52] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比 1.5 倍にした「熱トランジスタ」を開発”, マイナビニュー
ス https://news.mynavi.jp/techplus/article/20240703-2978616/ (2024.07.03)[53] “全固体 熱トランジスタ の制 御幅 3.5 倍…北 大、廃熱の高 度利用提案 ”, goo ニ ュース

https://news.goo.ne.jp/article/newswitch/business/newswitch-

42142.html (2024.07.05)[54] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比 1.5 倍にした「熱トランジスタ」を開発”, BIGLOBE ニュー
ス https://news.biglobe.ne.jp/it/0703/mnn_240703_9276501371.html (2024.07.
03)[55] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比 1.5 倍にした「熱トランジスタ」を開発”, excite ニュー
ス https://www.excite.co.jp/news/article/Cobs_2785030/image/1/ (2024.07.05)[56] “ 北 大 など、熱 伝 導 率 制 御 幅 を従 来 比 1.5 倍 にし た「 熱 トラ ン ジスタ 」 を 開 発 ”, マピ オ
ン https://www.mapion.co.jp/news/column/cobs2785030-1/(2024.07.03)

[57] “全固体熱トランジスタの制御幅 3.5 倍…北大、廃熱の高度利用提案”, dmenu ニュースhttps://topics.smt.docomo.ne.jp/article/newswitch/business/newswitch42142(2024.07.05)[58] “北大など、熱伝導率制御幅を従来比 1.5 倍にした「熱トランジスタ」を開発”, Rakuten
Infoseek News https://news.infoseek.co.jp/photo/mynavi_2785030/ (2024.07.05)[59] “ 北 大 な ど 、 高 性 能 な 全 固 体 熱 ト ラ ン ジ ス タ

廃 熱 利 用 に ”, NIKKEI Tech

Foresight https://www.nikkei.com/prime/techforesight/article/DGXZQOUC1219J0S4A710C2000000 (2024.07.17)[60] “熱の伝わりやすさを制御”, 日本経済新聞 (2024.7.30)[61] “ 熱 の 伝 わ り や す さ を 制 御 、 廃 熱 利 用 目 指 すン (2024.07.30)[62] “平和な用途に”, 日刊工業新聞 (2024.07.08)

北 大 な ど ”, 日 本 経 済 新 聞 オ ン ラ イ