J. Plasma Fusion Res. Vol.96, No.12 (2020)６
９５‐７００解説

液体金属を用いたプラズマスパッタリング
Plasma Sputtering Using Liquid Metal Target
本 村 大 成，田 原 竜 夫
MOTOMURA Taisei and TABARU Tatsuo
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 センシングシステム研究センター 生産プロセス評価研究チーム（原稿受付：２
０
２
０年９月１
８日）

スパッタリングによる薄膜作製は１５０年前に陰極物質の堆積現象を発見したことを端緒に，６０年ほど前に薄膜作製工業技術として認識され現在に至る開発歴史の長い技術である．プラズマスパッタリングは物理気相成長法の一種であり固体金属をターゲット材料として用いることが多いが，装置構造を工夫すれば液体金属をスパッタリングすることも可能である．具体的には，液体金属を保持可能なターゲットホルダ構成と，反応性スパッタリ
ング成膜中に表面被膜を形成しやすい液体金属表面の状態に依存しないイオン照射とを同時に実現する必要がある．著者らは，高密度窒素プラズマを常温で液体となる金属であるガリウムに収束照射可能な装置構成を提案し，窒化ガリウム成膜を可能にした．本稿では本装置の特徴や初期に得られた GaN 成膜実験結果について述べる．
Keywords:
plasma sputtering, thin film deposition, physical vapor deposition, liquid metal target, gallium nitride, thin film

１．成膜の分類とスパッタリング法

す．例として黒鉛粉末中でのセラミックス攪拌時に球表面

１８５２年，グロー放電最中に陰極から飛び出した粒子が周にグラファイト膜を形成するものがある［２］．

囲のガラス管壁を汚すことが観察された．この Grove の記

液相法は，液相との化学反応を利用して基材上へ膜を形

録がスパッタリングに関する最初の科学的記述とされてい成させる方法であり，めっきやゾル−ゲル法が代表的な手る［１］．その後，金属などのバルク物質を薄膜として表面法である［３，４］．ゾル−ゲル法では，金属アルコキシド溶液に堆積させることで材料の表面に機能性を付与できること

や金属酢酸塩に有機化合物を加え加水分解反応を利用するが見出され，スパッタリングは約一世紀を経た１９６０年代かことで酸化物薄膜などを形成させることができる．

ら薄膜抵抗やコンデンサなどの半導体・電気素子・電子デ

本稿で注目するスパッタリングは気相法に分類される．

バイスなどに応用され現在に至っている．このように，ス

気相法は，金属などのバルク材を分解・気化させ基材上にパッタリングは発見時にまで遡ると１５０年以上にもなる開堆積させる手法である．このバルク材から発生した蒸気が発歴史の長いプラズマプロセス技術である．

熱平衡か非熱平衡かによって，気相法は自然蒸着法と強制スパッタリング法は成膜法の一種であり，成膜法は着膜蒸着法とに分類される．自然蒸着法は材料から発生した熱環境に応じて，図１に示すように固相法，液相法，気相法

平衡蒸気を利用し，強制蒸着法はイオンを物理衝突させてに分類される［１］．

発生させた非平衡蒸気を利用する．自然蒸着法は，抵抗加固相法は，固体間の局所高接触圧下での薄膜成長法を指熱法によりバルク材を昇華・蒸発させる蒸着法が代表的であり，走査型電子顕微鏡観察用絶縁体サンプルへの導電膜
堆積や，薄膜電極形成などに多用されている．バルク材を昇華・蒸発させる加熱源の違いによって，抵抗加熱の他にも，電子ビーム加熱，レーザー加熱，高周波加熱などによる分類も可能である．また，バルク材料をセルと呼ばれる電気炉で加熱し，分子蒸気を基板に堆積させる分子線エピ
タキシー法（Molecular Beam Epitaxy，MBE）も自然蒸着法に分類される［５，６］．強制蒸発法は，スパッタリングを生じさせるイオン源の違いによって，プラズマスパッタリン
グやイオンビームスパッタリングなどに分けることができ
る［１］．

図１

成膜法の分類．

イオンの物理衝突による物理分解反応ではなく搬送されNational Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tosu, SAGA 841-0052, Japancorresponding author’s e-mail: t.motomura@aist.go.jp

６９５!2020 The Japan Society of Plasma
Science and Nuclear Fusion Research

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.96, No.12 December 2020

た原料ガスの分解や酸化・還元などの化学反応を主体とす

ける取り扱いにも注意が必要となる．

る化学気相蒸着法（Chemical Vapor Deposition，CVD）も２．
２ スパッタリング成膜時のプラズマ源の問題

気相法に分類される．有機金属材料を出発原料とする有機

スパッタリング成膜では，一般的にスパッタリングカ

金 属 気 相 成 長 法（Metal Organic Chemical Vapor Deposi-

ソードと呼ばれるターゲット金属材料表面を陰極面として

tion，MOCVD）［７］は，結晶のエピタキシャル成長に注目利用する放電電極が用いられる．このスパッタリングカ

して有機金属化学気相エピタキシー（Metal-Organic Va-

ソードへは，ターゲット材料の導電性によって直流あるい

por Phase Epitaxy，MOVPE）と呼ばれることもある．

は高周波電圧のいずれかを印加する必要がある．ターゲッ

図１に示した気相法の組み合わせ技術として，プラズマ

トが良導体の場合には，直流の負電圧がターゲット材料に中の荷電粒子を用いて化学反応を促 進 さ せ る プ ラズマ

かかるようにして，プラズマ中のイオンを金属材料表面にCVD［８］がある．また，蒸着法やスパッタリング法などで強く引き込み，ターゲット表面からスパッタリングを生じ用いる基材に負バイアスを印加しイオンを加速入射させる

させる．ターゲット表面の絶縁性が高くなるような場合にイオンプレーティング法などもある［９］．

は，高周波電圧を印加し自己バイアス電圧がかかるようにしてターゲット表面からスパッタリングを生じさせる．

本稿では，プラズマ中のイオンの物理衝突を利用して材

その結果，スパッタリングカソードでは，正電極やチャ料表面をスパッタリングする強制蒸着法に分類される成膜

ンバ内壁などからターゲット材料表面への再堆積が生じて法を単にスパッタリング成膜と呼ぶ．

材料表面に絶縁膜が形成され，成膜条件によっては放電が

２．液体金属スパッタリング成膜

不安定になる場合がある［２９］．すなわち，ターゲット材料

２．
１ 液体金属スパッタリング研究の背景

表面に絶縁膜が形成されることが懸念される場合は，高周スパッタリング成膜に用いられるターゲット金属材料に波電圧を印加する．流動性ならびに反応性の高い液体金属

は，通常は固体金属が用いられるが，室温近傍に融点を持をターゲットとして用いる場合，ターゲットあるいはそのつガリウム（Ga）を高 純 度 タ ー ゲ ッ ト 材 料 と し て利用

近傍を陰極面とするカソード構造は放電不安定性を助長す

し，窒化ガリウム（GaN）成膜を行う研究が報告されているとともに，放電条件によっては陰極面に予期せぬアーキ

る［１０‐１４］．!‐"族半導体材料である GaN は，発光ダイングが発生する場合があり，その結果スプラッシュが発生

オード用光学素子やパワーデバイス用半導体素子として用し膜質が低下することが懸念される．そのため液体金属

いられている［１５‐１７］．これらの高品質な GaN 結晶のほとターゲットを用いる場合には，ターゲット表面をプラズマ

んどが，高温と毒性キャリアガスを必要とする MOCVD

放電のための陰極面として利用しないスパッタリング機構

や MOVPE により製造されている［１８‐２０］．一方，高品質が必要である．

結晶を求めなければ，低温かつ毒性ガスの不要な環境での

２．
３ 液体金属スパッタリング装置の特徴

スパッタリング法による GaN 薄膜にも実用的用途がある

流動性の高い液体金属ターゲット材料の表面を放電電極と考えられる．実際に，窒化アルミニウムをはじめとするの陰極面として用いないスパッタリング装置を開発するに窒化物のスパッタ薄膜には，MOCVD によるものほどの品あたって，以下の２点に留意した．

質を求めないフィルタ素子や，高配向窒化膜成長時に利用

１．流動性の高い液体金属を保持するためのホルダ構造する下地膜としての利用が期待されている［２１‐２７］．近年，２．金属材料表面の状態に依らないプラズマ放電制御

スパッタリング成膜中に窒素ガスをパルス投入するパルス
スパッタ法を用いて光学素子として応用可能な高品質GaN

上記の２点を装置構造に反映するために，図２に示すよ成膜に成功した報告もあり，GaN のスパッタリング成膜技

うなイオンビームスパッタ装置と類似構造の液体金属ス術に関する今後の研究の進展が大い に 期 待 さ れ ている

パッタ装置を開発した［３０］．イオンビームスパッタ装置［２８］．

は，イオン加速電圧を制御することでターゲット表面の導スパッタリング成膜に利用される低融点材料であるガリ電性や磁性に関わらずスパッタリング成膜できるが，ター

ウム，インジウム，ビスマスの融点は，それぞれ 29.76℃，

ゲットに流入するイオン電流が一般的なスパッタリングカ

156.6℃，271.4℃ となっており，これらのターゲット金属はソードのそれよりも低いために成膜速度が低いという問題

プラズマからの熱流束により，融点付近まで温度が上昇すがある．また，イオンビーム照射領域が局所的であるがゆる可能性がある．そのため，ターゲット金属の相状態が固相状態から変化しないように温度制御してスパッタリング
成膜することが多い．しかし凝固防止策としての温度制御が不要になれば，低融点金属をはじめとしたほとんどの純金属を手軽にハンドリングすることができるようになる．
スパッタリング成膜分野では，ターゲット材料の純度が成膜品質に大きく影響を及ぼすため，金属膜や化合物膜を成膜する際には高純度の金属を用いることが推奨されている．液体金属は一般的に腐食性が高く，また大気中におい図２ （a）
イオンビームスパッタ装置と（b）
液体金属スパッタ装置の装置構造．

ては材料表面に酸化膜が生成したりするので，保存時にお６９６

Commentary

Plasma Sputtering Using Liquid Metal Target

T. Motomura and T. Tabaru

えに大面積成膜に不向きであり，大量生産には向かない．
しかし高真空状態でのスパッタリング成膜が可能であり，膜中への不純物混入が少ない成膜法としての利点も有す
る．
液体金属スパッタリング装置は，流動性の高い液体金属を保持するためにボウル型のステンレス製ターゲットホル
ダを備えている．ホルダに納めた液体金属ターゲットに印加する直流負電圧は単にイオン引き込みのために利用するだけであり，ホルダ単体でプラズマは生成されない．そのため液体金属スパッタリング装置は，ターゲット印加電圧とプラズマ照射とを個別にコントロールすることが可能である．すなわち液体金属スパッタリング装置は，金属材料
表面がいかなる状態であっても独立したプラズマ放電制御

図３が可能になっている．また液体金属スパッタリング装置
は，イオンビームスパッタ装置と異なり，プラズマ領域を反応性スパッタリング成膜の反応場としても利用できると液体金属スパッタ装置の概略図．白線は磁力線分布，コン
ター図は磁場強度分布を示す．ボウル状ホルダに設置した
液体金属下部に永久磁石を設置することで，プラズマをターゲット材料に収束照射できる構造となっている．

考えられる．
また，液体金属スパッタ装置はプラズマを外部磁場によしてステンレスを使用している．ターゲット表面に直流バり液体金属に収束照射させることができるため，ターゲッ

イアス−450 V を印加して液体 Ga表面にイオンを引き込む

ト流入電流を磁場の収束度によっても制御可能である．さことで，バイアス電圧印加時のイオン電流は 45 mA とな

らに，プラズマ放電のために投入する電力によりプラズマ

り，およそ 4 W/cm2（照射面積〜5 cm2）の電力密度がター

密度を制御可能であるほか，ターゲット流入電流をター

ゲットに投入される．この電力密度は一般的なスパッタリ

ゲット印加電圧によっても制御可能である．加えて，外部

ングカソードと同レベルである．電力密度を高めるため

磁場によるプラズマ収束効果により基板がプラズマに直接に，プラズマ生成には磁場に沿った右回り円偏波（ヘリコ曝されず，基板へのプラズマダメージが低減されることもン波）を利用し［３１‐３５］，さらに，外部磁場により，生成し特長である．これらの特長により，液体金属スパッタ装置

たプラズマをターゲットに収束照射させている．プラズマ

はイオンビームスパッタ装置と類似したターゲット流入電生成用の二回巻きアンテナを取り付けた石英ガラス管の溶流の制御が可能になるだけでなく，イオンビームスパッタ

融を防ぐため，プラズマをパルス状に照射した（0.2 秒のパ装置よりもターゲット流入電流を大きく取れるため成膜速ルスを，1.0 s 間隔で照射）．そのため，装置運転時間５時間

度を速めることが可能である．

に対し，実際の成膜時間は１時間となる．本装置構成は，

２．
４ 液体金属スパッタリング装置の概略

エッチング装置や磁性体ターゲットを用いたスパッタリン

図３に液体金属スパッタリング装置の概略を示す［３０］．

グ装置への応用も可能である［３６‐３８］．

プラズマの収束照射のために用いた収束磁場配位は，水冷成膜に用いた基板は非加熱のガラス基板（EagleXG，

磁場コイルと液体 Ga ターゲット直下に配置した永久磁石

10 mm 角，1.1 mm 厚）であり，ターゲット表面から基板まにより形成される．磁場コイル単体ではターゲット近傍ででの距離は４
５〜54 mm とした．真空容器内は 5×10−4 Pa

発散する磁場が形成されるので，液体金属ターゲット表面

以下に排気された後，窒素ガスを装置上部からマスフローまで収束する磁場配位を形成させるため，長さ 9 mm，直コントローラにより導入し 0.2 Pa の純窒素雰囲気が保たれ

径 25 mm の円柱状のネオジム磁石をターゲット下部に配る（13 sccm）．Ga の平衡蒸気圧は 1310 K で 1.0 Pa であり，置している．図３の背景の白線は磁場コイル電流 !
"#70 A

60℃ は成膜時圧力の 0.2 Pa に対して無視できるほど十分に時の磁力線を示し，平面コンター図は磁場強度（T）を示低いと考えられるため，本装置による Ga の成膜は，非熱平す．磁場コイル中心の磁場強度は 0.088 T，液体 Ga 表面の衡蒸気を用いたスパッタリング成膜に分類される［３９］．

磁 場 強 度 は お よ そ 0.43 T で あ る．プ ラ ズ マ 生 成 に は

電子密度の測定のために静電プローブを用いてイオン飽

13.56 MHz の高周波電源（定格 1 kW）を使用している．成

和電流を測定した．静電プローブは，ガラス管出口（拡散膜時の実験条件として固定 値 と し て い る !
"#70 A 時に

チャンバとの接続部，開口部の中心）に設置した．静電プ

は，プラズマバルク中で電子サイクロトロン加熱はほとん

ローブ先端は，長さ 2 mm，直径 0.2 mm のプラチナ電極でど生じていないと考えられる（13.56 MHz 時に，〜0.0048 Tある．典型的な電子温度は 4.5 eV と測定された［３７］．
プラズマに分配される正味電力 "%#(を求めるために，投で電子サイクロトロン加熱が生じる）．

入電力 "$，反射電力 "'，アンテナ電流を測定した．"$およ

液体 Gaターゲットの純度は99.99999％であり，永久磁石の冷却を目的にターゲット裏面側を水冷している．その結び "'は方向性結合器より測定し，アンテナ電流は整合器出

果ターゲットホルダ表面もスパッタ成膜時に６０℃程度に保力端子部に設置した電流プローブより測定した．ここで持され，Ga は液相状態を保っている．液体 Ga と接触する"$!"'%で あ り，電 力 の 伝 送 効 率"%#(#"&$

ターゲットホルダには，Gaによる腐食を生じにくい材料と［４０］．#&，"#&"#!%(%として求めることができる
$
&##&!
６９７

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.96, No.12 December 2020%#&)はそれぞれプラズマ抵抗とアンテナ抵抗である．%#&)

こともわかる［３７］．言い換えれば，#$"20 Aの条件ならば，はおよそ 0.25Ω であり，成膜中の #'は 0.6〜0.8 と算出され0.2 Pa においてガラス管出口で検出可能なレベルのイオン

た．すなわち，$(をほぼゼロにするように高周波整合を

飽和電流が得られるということである．0.2 Pa 環境下にお行った場合，投入電力のおよそ 0.6−0.8 倍の電力がプラズ

いてターゲット表面から基板までの距離が 45 mm の場合

マ生成に用いられる．

には，十分にスパッタ粒子が基板まで到達するという計算結果があるため，本成膜条件では基板上に被スパッタ粒子

X 線回折装置（RINT2110V，SmartLab，Rigaku）およびが到達し着膜が可能であると考えて良い［４１］．

3D 顕微レーザーラマン分光装置（Nano finder 30，Tokyo
Instruments）を用いて薄膜の結晶構造や結晶配向性など

図４に示した結果をもとに，#〜500 W の高$!70 A，$&%)を評価した．膜厚は原子間力顕微鏡（VN-8010，Keyence）

密度窒素プラズマ照射が可能な条件で GaN 成膜実験を実を用いて測定し，成膜速度 nm/min は膜厚を成膜時間で施した．非加熱ガラス基板上に得られた薄膜のラマン分光

割って算出した．堆積膜の構成成分を評価するために，走測 定 結 果 は，〜120，〜550，〜720 cm−1 の 領 域 に お い

査型電子顕微鏡（S-4300，Hitachi）およびエネルギー分散て，広帯域スペクトルを示した．この結果は GaN の ""型 X 線分析装置（EX-320S，Horiba）を用いた．

（low）
144 cm−1，"（TO）558.8 cm−1，"（high）
567.6 cm−1，!
"

２．
５ 窒化ガリウムのスパッタリング成膜

734 cm−1，"（LO）741 cm−1 の中心スペクトル位
!（
１ LO）
!

本節では液体金属スパッタリング装置を用いて良好な

置とおおよそ一致している［４２，４３］．X 線回折実験（out-of-'軸配向の GaN 薄膜を得るまでに行った実験結果について

plane）で は，GaN（１００）お よ び GaN（００２）に 対 応 す

述べる．図４に，窒素ガス１００％導入時における電子密度

る"$!31.5°および33.5°に回折ピークが生じた［４４］．後者(%の（a）磁場コイル電流 #〜500 W）および（b）$依存性（$&%)の回折ピーク位置はウルツ鉱構造の GaN の'軸の格子膨張を示す．図４（a）より，#$&%)依存性（#$!70 A）$!70 A の条

３％に対応する．次に EDX 測定を行ったところ，酸素含有件下で，〜3.3×1018 m−3 の電子密度が得られた．また図４を示すスペクトルが得られた．GaN の格子中には１５％の酸（b）より，$&%)"200 W から電子密度が $&%)に対して線形増素が可溶となっていることから［４５］，堆積膜には酸素が取加し て い る こ と が わ か る．#$!20 A お よ び $&%)!200 W

り込まれていることが示唆された．さらに "$!33.5°におの条件下では，ガラス管内壁でのプラズマ損失が大きくいて，結晶配向度の指標となるロッキングカーブ測定をターゲット表面までプラズマが効率的に輸送されていない

行ったところ，17.0°と大きな半値全幅を示した．この大きな半値全幅（低い結晶配向性）は，上述の酸素の固溶に起因するのではないかと考えられた．光学素子でなくとも概ね 5.0°を下回る半値全幅が求められることを考えると，酸素を取り込まないような成膜条件を見出す必要があると考えた．
十分なチャンバベーキングを実施し，〜2×10−4 Pa 以下の背景圧力に達してから再度成膜を実施した．その結果，
窒 素 ガ ス１００％導 入 時 に お い て，実 用 十 分 な 成 膜 速 度
13 nm/min を実現し，半値全幅 3.0°の良好な GaN（０００２）
配向膜を得た．図５（a）は，非加熱ガラス基板に６０分成膜した後の薄膜の X 線回折パターン（out-of-plane）であり，$!33.2°および 69.8°に回折ピークが生じている．比較の"ために GaN（００２），GaN（００４）の回折の参照ピーク（JADE
4.0, Materials data Inc.,PDF#02-1078）も併せて示す．また
図５（b）は同じ薄膜のin planeでのX線回折パターンとGaN（１００），GaN（１１０），GaN（１１２）の参照ピークである．図５（c）に out of plane による"$!33.2°でのロッキングカーブ測定結果を示す．図５（a）の X 線回折パターン（out-of-plane）に &軸由来の回折ピークが現れていないことに加え，図５（b）の &軸由来の回折ピークと測定ピーク位置がよく一致していることから，得られた薄膜は '軸長のみ伸長したウ
ルツ鉱構造の（００２）配向 GaN 薄膜であることが確認され

図４

窒素ガス１
０
０％導入時における電子密度ne の（a）
磁場コイル
プラズマに分配され電流 Ic 依存性（Pnet~500 W）および（b）
る正味電力 Pnet の依存性（Ic ＝ 70 A）．Reproduced fromT. Motomura and T. Tabaru, High-density convergent
plasma sputtering device for a liquid metal target using
an unheated glass plate, Review of Scientific Instruments
89, 063501 (2018); https://doi.org/10.1063/1.5025093, withthe permission of AIP Publishing.

た．
図５（a），（b）の各回折ピーク位置から &および 'の格子定数を見積もると，それぞれ 3.193，5.373Åとなった．これ
らの値は背景圧力を十分に下げる前と大差なかったことから，'軸の格子膨張３％の原因を追求するまでには至らなかった．しかしながら非加熱ガラス基板上に半値全幅 3.0°
６９８

Commentary

Plasma Sputtering Using Liquid Metal Target

T. Motomura and T. Tabaruて成膜技術に携わる研究者は，いかにすれば優れた品質の薄膜を得られるのかという点について主な関心があるようだ．本稿で紹介した装置に限らず，装置制御パラメータによってプラズマ状態がどう変化し，その結果どのような膜質が得られるのか理解を深めるために，プラズマと材料，
さらにはそれら以外の分野の研究者も関わりながら取り組
みを進める必要があるように思う．今後は，ターゲット材
料が固体の場合と液体の場合とでスパッタリング成膜結果がどのように変化するのか，基礎的な実験研究を通じてさ
らに掘り下げていきたいと考えている．

謝

辞

本研究の一部は JSPS 科研費 JP１１６７４５０５８（基盤 C）の助成を受けたものです．また成膜結果の議論を行っていただ
いた産総研 藤尾侑輝主任研究員，上原雅人主任研究員，
Anggraini Sri Ayu 研究員，平田研二研究員，秋山守人首席
研究員ならびに久留米工業高等専門学校

材料システム工学科 奥山哲也教授に感謝いたします．実験サンプルの測定にあたり，九州大学グローバルイノベーションセン
ター 吾郷浩樹教授および産総研

深町悟氏に感謝いたします．最後に，本解説執筆の機会を与えていただいた東北大学
図５ （a）
非加熱ガラス基板に６０分成膜した後の薄膜の X 線回折パターン（out-of-plane）．（b）同じ薄膜のX線回折パター
ン（in plane）．（c）
2!= 33.2°におけるロッキングカーブ測定．Reproduced from T. Motomura and T. Tabaru, High-density convergent plasma sputtering device for a liquid
metal target using an unheated glass plate, Review of Scientific Instruments 89, 063501 (2018); https://doi.org/
10.1063/1.5025093, with the permission of AIP Publishing.

高橋和貴准教授に感謝いたします．

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［３０］T. Motomura and T. Tabaru, Rev. Sci. Instrum. 89, 063501の #軸配向 GaN 薄膜が得られた事実は画期的であり，本液体金属スパッタリング装置の特長が活かされた結果であると考えている．

３．今後の展望およびまとめ
高密度プラズマを液体金属ターゲットに収束照射させることができる液体プラズマスパッタ装置について概説し，
非加熱ガラス基板上に成膜した GaN の成膜結果を紹介した．
本 装 置 は，窒 素 ガ ス１
００％導 入 時 に お い て〜3.3×1018 m−3 の電子密度を得ることができ，非加熱ガラ
ス基板上に実用十分な〜13 nm/min で #軸配向した GaN
薄膜の成膜を実現した（0.2 Pa，!
!!70 A，"#"$"500 W，
ターゲット表面から基板までの距離 45 mm）．本装置は金
属材料表面を陰極面として利用せずにターゲット流入電流を制御できるため，主に電力のみでターゲット流入電流を制御する一般的なスパッタリングカソードに比べ装置運転条件をより柔軟に選定できる．
本稿では，プラズマ理工学を背景に持つ主著者が，液体スパッタリング成膜装置開発を通して，GaN 成膜の初期結果を得るまでの一連の成果について述べた．プラズマ理工
学者としては反応性スパッタリング成膜の反応場としてのプラズマそのものの物理に興味を抱いてきた．これに対し
６９９

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むら

たい

せい

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 センシングシステム研究センター 生産プロ
セス評価研究チーム 主任研究員．博士（工学）．最近は主に反応性スパッタリング成膜とスパッ タ リ ン グ 装 置 の 研 究 開 発 に 携 わ っ て い ま す．
日々，子育てと仕事の両立に悪戦苦闘しながらも一歩ずつをモットーに薄膜を製作しております．その結果として，成膜よりも時短料理が得意になりました．

た

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お

田 原 竜 夫
産業技術総合研究所 製造技術研究部門 センサシステム技術研 究 グ ル ー プ 研 究 グ
ループ長．博士（工学）．専門は耐熱構造材
料．現在は薄膜圧電体のセンシング応用に関する研究，ならびに生産設備や製造プロセスの状態診断技術の開発に従事．

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もと

本 村 大 成!!!!!!!!!!!!!

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17, 27 (2019).
［３９］J. Musil et al., Thin Solid Films 519, 775 (2010).
［４０］T. Lafleur et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 055202 (2011).
［４１］T. Nakano and S. Baba, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 53, 038002(2014).
［４２］V. Yu Davydov et al., Phys Rev. B 58, 12899 (1998).
［４３］A. Bittar et al., Appl. Phys Lett. 78, 619 (2001).
４］Q.N. Abdullah et al., Ceram. Int. 40, 9563 (2014).
［４［４５］M. Martin et al., Prog. Solid State Chem. 37, 132 (2009).

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(2018).
［３１］R.W. Boswell, Phys. Lett. A 33, 457 (1970).
［３２］F.F. Chen, Plasma Phys. Controlled Fusion 33, 339 (1991).
［３３］M. Koike et al., Rev. Sci. Instrum. 66, 2141 (1995).
［３４］K. Yamaya et al., Appl. Phys. Lett. 72, 235 (1998).
［３５］S. Shinohara et al., Phys. Plasmas 16, 057104 (2009).
［３６］K. Takahashi et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 425201(2014).
［３７］T. Motomura et al., J. Vac. Soc. Jpn. 58, 392 (2015).
［３８］T. Motomura and T. Tabaru, e-J. Surf. Sci. Nanotechnol.

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