Datasheet

スイッチング MOSFET 内蔵
絶縁型フライバック・コンバータ IC
BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
概要

重要特性 動作電源電圧範囲
VIN 端子:SW 端子:
 過電流検出電流:
 スイッチング周波数:
 基準電圧精度:
 シャットダウン時電流:
 スイッチング動作時電流:
 動作温度範囲:

本製品は産業機器市場へ向けた、長期の供給を保証する
ランクの製品です。
これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。
本製品はフォトカプラ不要の絶縁型フライバック・コン
バータです。従来のアプリケーションにおいて安定的な出力電圧を得るために必要とされていた、フォトカプラ
やトランスの三次巻線によるフィードバック回路は一切不要となります。さらに、独自の適応型オン時間制御テ
クノロジの採用によって、外付け位相補償部品も不要となり、大幅な部品点数の削減や小型化、高い信頼性を実現する絶縁型電源アプリケーションの設計が可能です。

パッケージ
HSON8
(BD7J200HFN-LB)

特長













W (Typ) x D (Typ) x H (Max)
2.9 mm x 3.0 mm x 0.6 mm

HTSOP-J8(BD7J200EFJ-LB)

産業機器に適した長期の供給保証
フォトカプラや、トランスの三次巻線が不要
二本の外付け抵抗とトランス巻数比で出力電圧を設定
独自の適応型オン時間制御テクノロジを採用
高速負荷応答を実現し、外付け位相補償部品が不要
固定スイッチング周波数で低出力リップルを実現（通常動作時）高効率の軽負荷モード対応（PFM 動作時）
シャットダウン/イネーブル制御
120 V スイッチング MOSFET 内蔵
ソフトスタート機能
負荷補償機能各種保護機能入力低電圧保護（VIN UVLO）
過電流保護（OCP）
過電圧保護（OVP）
短絡保護（SCP）
温度保護（TSD）
天絡保護（BSP）

8 V ～ 80 V
120 V (Max)1.75 A (Typ)400 kHz (Typ)±1.5 %
0 μA (Typ)
2.8 mA (Typ)-40 °C ～ +125 °C

4.9 mm x 6.0 mm x 1.0 mm

HSON8HTSOP-J8

用途

産業機器向け絶縁電源

基本アプリケーション回路

VIN
SDX/ENSW
L_COMP
AGND

REF

FB
PGND

○製品構造：シリコンを主材料とした半導体集積回路 ○耐放射線設計はしておりません
www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/38
TSZ22111 • 14 • 001

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
端子配置図(TOP VIEW)(TOP VIEW)
AGND

1

8

VIN

7 SW

SDX/EN27SW

6 PGND

L_COMP

3

6

PGND

5

FB

AGND 18 VIN

SDX/EN 2
L_COMP 3
REF 4

5 FB

EXP-PAD

REF 4

HSON8

EXP-PADHTSOP-J8

端子説明
端子番号

端子名

機

1

AGND

アナログ系 GND 端子

2

SDX/EN

シャットダウン/イネーブル制御

3

L_COMP

負荷電流補償値設定端子

4REF

出力電圧設定端子5FB

出力電圧設定端子

6PGND

パワー系 GND 端子

7SW

スイッチング出力端子

8VIN

電源入力端子-EXP-PAD能

EXP-PAD は、AGND 端子と PGND 端子両方に接続してください

ブロック図
8

VIN

5

7

FB

SW
Current Monitor

INTERNAL
REGULATORSCP
OVP

VINTREFCOMPARATOR

Shutdown
Enable2

SDX/ENVIN UVLO

VINTREF
SOFT
START

TSD

ADAPTIVE
ON-TIMECONTROLLER

Switching
MOSFET
DRIVER

OCP
BSP
LOAD
COMPENSATION

AGND

1

4

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

REF

3

L_COMP

2/38

PGND

6

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
各ブロック動作説明
1

INTERNAL REGULATOR
内部回路用のレギュレータブロックです。
SDX/EN 端子電圧が VSDX 以下のシャットダウン状態においては、このブロックもシャットダウンします。
SDX/EN 端子電圧が VEN1 以上となるとイネーブル状態となり、ソフトスタート機能により出力電圧が緩やかに上昇します。また、SDX/EN 端子電圧が VEN2 以下になるとディセーブル状態となり、スイッチング動作を停止します。

VIN pin voltage

VEN1
VEN2

SDX/EN pin voltagetSS
Setting output voltage
Setting output voltage × 0.9

Output voltage

SwitchingON

Figure 1. Startup and Stop Timing Chart

本 IC の制御方式では、デューティが DMAX 以下の状態で動作する必要があります。起動時及び停止時には、VIN 端子
電圧 VIN が次式を満たすよう設定してください。

𝑉𝐼𝑁 >
𝑉𝐼𝑁 :
𝑁𝑃 :
𝑁𝑆 :
𝑉𝑂𝑈𝑇 :𝑉𝐹 :𝐷𝑀𝐴𝑋 :𝑁𝑃
1× (𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 ) (
− 1)
𝑁𝑆
𝐷𝑀𝐴𝑋

[V]

VIN 端子電圧
一次側トランス巻数
二次側トランス巻数
出力電圧
二次側の出力ダイオードの順方向電圧
最大デューティ

SDX/EN 端子を VIN 端子にショートさせた場合、起動時及び停止時にデューティが DMAX 以上となり、意図しない出力電圧が生じる場合があります。VIN 端子によるイネーブル制御については、応用回路例「6 イネーブル電圧、ディセーブル電圧」を参照してください。

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

3/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
各ブロック動作説明
2―

続き

VIN UVLO
入力低電圧保護ブロックです。
VIN 端子電圧が VUVLO1 以下になると検出し、SW 端子がハイインピーダンスとなりスイッチング動作を停止します。
VIN 端子電圧が VUVLO2 以上になると、ソフトスタートを経て自動復帰します。

VIN pin voltage
VUVL O2VUVL O1

0V
tSS
Setting output voltage
Setting output voltage × 0.9

Output voltage

SwitchingON

ON

Figure 2. VIN UVLO Timing Chart

3

SOFT STARTSDX/EN 端子電圧が VEN1 以上のイネーブル状態になると、コンパレータブロック内の比較電圧は、0 V から VINTREF
まで緩やかに遷移します。この動作により、出力電圧の立ち上がりにおける突入電流やオーバーシュートを防ぎます。
ソフトスタート時間は、IC 内部で tSS に固定されています。

4

COMPARATOR
基準電圧と、SW 端子電圧のフィードバック電圧である REF 端子電圧を比較します。
コンパレータによるフィードバックループを構成するため、負荷変動に対する応答性に優れています。

5

ADAPTIVE ON TIME CONTROLLER
独自の適応型オン時間制御テクノロジに対応したブロックです。
・負荷電流安定時
・負荷電流変動時
・軽負荷時：PWM 制御で動作し、オン時間は固定されます。
：オン時間制御で動作し、スイッチング周波数を変動させることで高速負荷応答を実現します。
：スイッチング周波数が低下し、高効率を実現します。

負荷電流変動時は周波数が高くなります。本 IC では、オフ時間を短くすることで一次側平均電流を上昇させ、二次側の電流を増加させます。
Output voltage

Primary coil current

SW pin voltage
Switching Frequency

Stable ope ration

High
Freque ncy

Stabilize grad ually

Figure 3. Transient Response Timing Chart

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

4/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
各ブロック動作説明

―

続き

6

DRIVER
スイッチング MOSFET を駆動するブロックです。

7

LOAD COMPENSATION
負荷電流に応じた二次側出力ダイオードの VF 特性変動による出力電圧変動を補償するブロックです。
スイッチング MOSFET に流れる電流をモニタし、L_COMP 端子の外付け抵抗とコンデンサで決定される補償量及び時定数に応じた電流を REF 端子より引き込みます。REF 端子の外付け抵抗に流れる帰還電流が減少し REF 端子電圧が低下することで、出力電圧が上昇し補正されます。

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

5/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
各ブロック動作説明
8―

続き

OCP、BSP
過電流保護及び天絡保護のブロックです。
8.1

OCP (Over Current Protection)
スイッチング MOSFET オン時、ピーク電流が ILIMIT 以上になると OCP を検出します。このとき、スイッチング
MOSFET はオフします。スイッチングサイクルごとに検出しており、オンデューティが制限されるため、出力電圧は低下します。また、誤動作防止のため、スイッチング MOSFET のオン後 tMASK1 間は OCP の検出が無効化されます。

Output voltage

ILIMIT

Primary coil current

SW pin voltage
tMASK1

NormalIC status

NormalOCP

Figure 4. OCP Timing Chart

8.2

BSP (Battery Short Protection)
SW 端子が低インピーダンスで高い電位に接続されると、スイッチング MOSFET がオンした際に電流が流れ、IC が破壊する可能性があります。破壊防止するために、BSP が内蔵されています。スイッチング MOSFET オ
ン時、SW 端子電圧が VBSP 以上になると BSP を検出します。このとき、スイッチング動作が停止します。スイッチング動作が停止してから tRESTART 後にソフトスタートを開始し、復帰します。
tSS

Setting output voltage
Setting output voltage × 0.9

Output voltage
SW pin voltage
VBSP

SwitchingON

tRES TARTON

Figure 5. BPS Timing Chart

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

6/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
各ブロック動作説明
9―

続き

SCP、OVP
短絡保護及び過電圧保護のブロックです。
9.1

SCP (Short Circuit Protection)
REF 端子は、一次側フライバック電圧から二次側出力電圧情報を得ます。スイッチング MOSFET オフ時、REF
端子電圧が VSCP 以下になると SCP を検出します。このとき、スイッチング動作が停止します。
スイッチング動作が停止してから tRESTART 後にソフトスタートを開始し、復帰します。
誤検出防止のため、スイッチング MOSFET のオフ後 tMASK2 間、また、ソフトスタート起動時より tMASK3 の間は
SCP の検出は無効化されます。
一次側フライバック電圧が正しく出力されていない場合は、二次側出力電圧が低下しても SCP は検出されません。
tSS

Setting output voltage
Setting output voltage × 0.9

Output voltage

SW pin voltage

VSCP

REF pin voltage
SwitchingON

tRES TARTON

Figure 6. SCP Timing Chart
9.2

OVP (Over Voltage Protection)
REF 端子は、一次側フライバック電圧から二次側出力電圧情報を得ます。スイッチング MOSFET オフ時、REF
端子電圧が VOVP 以上になると OVP を検出します。このとき、スイッチング動作が停止します。
スイッチング動作が停止してから tRESTART 後にソフトスタートを開始し、復帰します。
誤検出防止のため、スイッチング MOSFET のオフ後 tMASK2 間は OVP の検出は無効化されます。
一次側フライバック電圧が正しく出力されていない場合は、二次側出力電圧が上昇しても OVP は検出されません。
tSS

Setting output voltage
Setting output voltage × 0.9

Output voltage
SW pin voltage

VOVP

REF pin voltage
SwitchingON

tRES TARTON

Figure 7. OVP Timing Chart

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

7/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
絶対最大定格 (Ta = 25 °C)
項

目

記号

定

格

単位

VIN 端子電圧

VIN_MAX100V

SW 端子電圧

VSW_MAX

120

V

SDX/EN 端子電圧

VSDX/EN_MAX

100

V

FB 端子電圧

VFB_MAX

VIN + 0.3

V

REF 端子電圧

VREF_MAX

7

V

L_COMP 端子電圧

VL_COMP_MAX

7

V

最高接合部温度

Tjmax

150

°C

保存温度範囲Tstg-55 ～ +150

°C

注意 1：印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を超えた場合は、劣化または破壊に至る可能性があります。また、ショートモードもしくはオープンモードなど、破壊状態を想定できません。絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズなど物理的な安全対策を施していただけ
るようご検討お願いします。
注意 2：最高接合部温度を超えるようなご使用をされますと、チップ温度上昇により、IC 本来の性質を悪化させることにつながります。最高接合部温度を超える場合は基板サイズを大きくする、放熱用銅箔面積を大きくする、放熱板を使用するなど、最高接合部温度を超えないよう熱抵抗にご配慮ください。

熱抵抗(Note 1)項目

記号

熱抵抗(Typ)1 層基板(Note 3)4 層基板

(Note 4)

単位

HSON8
θJA

265.1

66.1

°C/W

(Note 2)

ΨJT

17

9

°C/W

θJA

206.4

45.2

°C/W

(Note 2)

ΨJT

21

13

°C/W

ジャンクション―周囲温度間熱抵抗
ジャンクション―パッケージ上面中心間熱特性パラメータHTSOP-J8
ジャンクション―周囲温度間熱抵抗
ジャンクション―パッケージ上面中心間熱特性パラメータ(Note 1) JESD51-2A(Still-Air)に準拠。
(Note 2) ジャンクションからパッケージ（モールド部分）上面中心までの熱特性パラメータ。
(Note 3) JESD51-3 に準拠した基板を使用。
(Note 4) JESD51-5,7 に準拠した基板を使用。

測定基板

基板材

基板寸法

1層

FR-4

114.3 mm x 76.2 mm x 1.57 mmt

1 層目（表面）銅箔銅箔パターン
実装ランドパターン＋電極引出し用配線

銅箔厚

測定基板

基板材

基板寸法

4層

FR-4

114.3 mm x 76.2 mm x 1.6 mmt

サーマルビアピッチ
直径
1.20 mm
Φ0.30 mm

2 層目、3 層目（内層）銅箔

4 層目（裏面）銅箔

70 μm(Note 5)

1 層目（表面）銅箔銅箔パターン
実装ランドパターン＋電極引出し用配線

銅箔厚

銅箔パターン

銅箔厚

銅箔パターン

銅箔厚70 μm

74.2 mm□（正方形）

35 μm

74.2 mm□（正方形）70 μm(Note 5) 貫通ビア。全層の銅箔と接続する。配置はランドパターンに従う。

推奨動作条件
項

目

記号

最小

標準

最大

単位

条

動作電源電圧範囲 1

VIN

8

48

80

V

VIN 端子電圧

動作電源電圧範囲 2

VSW

-

-

110

V

SW 端子電圧

動作電源電圧範囲 3

VL_COMP_MAX2

-

-

0.5

V

L_COMP 端子電圧

Topr

-40

-

+125

°C

動作温度

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

8/38

件

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
電気的特性（特に指定のない限り VIN = 48 V, VSDX/EN = 2.5 V, Ta = 25 °C）
項

目

標準

最大

単
位

記号

最小

条

件

シャットダウン時電流

IST

-

0

10

μA

VSDX/EN = 0 V

スイッチング動作時電流

ICC

-

2.8

6.0

mA

VREF = 0.85 V（PFM 動作時）

UVLO 検出電圧 1

VUVLO1

4.1

5.0

6.0

V

VIN 下降時UVLO 検出電圧 2

VUVLO2

-

5.2

-

V

VIN 上昇時

UVLO ヒステリシス電圧

VUVLO_HYS

0.1

0.2

0.3

V

電源部

シャットダウン・イネーブル制御部
シャットダウン電圧

VSDX

-

-

0.3

V

イネーブル電圧 1

VEN1

1.7

2.0

2.3

V

VSDX/EN 上昇時
VSDX/EN 下降時

イネーブル電圧 2

VEN2

-

1.8

-

V

イネーブルヒステリシス電圧

VEN_HYS

0.1

0.2

0.3

V

SDX/EN 端子流入電流

ISDX/EN

1.6

2.5

3.9

μA

SDX/EN 端子クランプ電圧

VCLPEN

-

5.3

-

V

SDX/EN 端子プルダウン抵抗 1

RSDX/EN1

-

815

-

kΩ

SDX/EN 端子プルダウン抵抗 2

RSDX/EN2

-

190

-

kΩ

VINTREF

0.768

0.780

0.792

V

IREF

-

390

-

μA

オン抵抗

RON

0.25

0.50

1.00

Ω

過電流検出電流ILIMIT

1.40

1.75

2.10

A

スイッチング周波数

fSW

-

400

-

オン時間

tON

0.75

1.00

1.25

μs

tON_MIN

260

350

440

ns

最小オフ時間tOFF_MIN

335

450

565

ns

最大オフ時間tOFF_MAX

14

20

26

μs

ソフトスタート時間

tSS

1.2

2.5

5.0

ms

最大デューティ

DMAX

-

50

-

%

最小デューティ

DMIN

-

20

-

%

短絡保護検出電圧

VSCP

-

0.50

-

V

過電圧保護検出電圧

VOVP

-

0.95

-

V

天絡保護検出電圧

VBSP

-

2.0

-

V

リスタート時間

tRESTART

-

2.0

-

ms

過電流保護マスク時間

tMASK1

-

280

-

ns

短絡/過電圧保護マスク時間

tMASK2

-

400

-

ns

起動時短絡保護マスク時間

tMASK3

-

600

-

μs

RINTCOMP

-

50

-

kΩ

K

-

0.004

-

%

基準電圧部
基準電圧
REF 端子電流スイッチング部

最小オン時間SW、PGND 端子間

kHz PWM 動作時（Duty = 40 %）PWM 動作時（Duty = 40 %）立ち上がりから VREF x 90 %まで

保護機能部

負荷補償部
L_COMP 端子内蔵抵抗
Current Monitor ブロック圧縮倍率

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

9/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
特性データ（参考データ）

10.0

Current at Switching Operation:
ICC [mA]

Current at Shutdown: IST [μA]

10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0

2.0
1.0
0.0

9.0

8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0

-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

Temperature [°C]

Figure 8. Current at Shutdown vs Temperature

Temperature [°C]

Figure 9. Current at Switching Operation vs Temperature

6.0

UVLO Detection Voltage 2:
VUVLO2 [V]UVLO Detection Voltage 1:
VUVLO1 [V]

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

5.5

5.0

4.5

4.0

-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

Temperature [°C]

Temperature [°C]

Figure 10. UVLO Detection Voltage 1 vs Temperature

Figure 11. UVLO Detection Voltage 2 vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

10/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
特性データ（参考データ）－

続き

Figure 12. UVLO Voltage Hysteresis vs Temperature

Figure 13. SDX/EN Pin Clamp Voltage vs Temperature

Figure 14. Enable Voltage 1 vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

Figure 15. Enable Voltage 2 vs Temperature

11/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
－

続き

0.40

10.0

0.35

9.0

SDX/EN Pin Inflow Current:
ISDX/EN [μA]

Enable Voltage Hysteresis:
VEN_HYS [V]特性データ（参考データ）

0.30
0.25

0.20
0.15

0.10
0.05
0.00

8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0

-40 -20 0 20 40 60 80 100120140-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

Temperature [°C]

Temperature [°C]

Figure 16. Enable Voltage Hysteresis vs Temperature

Figure 17. SDX/EN Pin Inflow Current vs Temperature

1.0
0.9

On Resistance: RON [Ω]Reference Voltage: VINTREF [V]

0.90

0.85

0.80

0.75

0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1

0.70

0.0

-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

Temperature [°C]

Temperature [°C]

Figure 18. Reference Voltage vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

Figure 19. On Resistance vs Temperature

12/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
特性データ（参考データ）

－

続き

600

Switching Frequency: fSW [kHz]Over Current Detection Current:
ILIIMIT [A]

2.50

2.00

1.50

1.00

0.50

0.00

500

400

300

200
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

Temperature [°C]

Temperature [°C]

Figure 20. Over Current Detection Current vs Temperature

Figure 21. Switching Frequency vs Temperature

600

Minimum On Time: tON_MIN [ns]

2.0
1.8

On Time: tON [μs]

1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0

550
500

450
400

350
300

250
200

-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

Temperature [°C]

Temperature [°C]

Figure 22. On Time vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

Figure 23. Minimum On Time vs Temperature

13/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
特性データ（参考データ）

－

続き

30.0

Maximum Off Time: tOFF_MAX [μs]Minimum Off Time: tOFF_MIN [ns]

600

500

400

300

25.0
20.0

15.0
10.0

200

5.0
0.0

-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

Temperature [°C]

Temperature [°C]

Figure 24. Minimum Off Time vs Temperature

Figure 25. Maximum Off Time vs Temperature

Short Protection Detection Voltage:
VSCP [V]5.00

Soft Start Time: tSS [ms]

4.50
4.00
3.50
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00

-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

0.55

0.50

0.45

0.40

-40 -20 0 20 40 60 80 100120140

Temperature [°C]

Figure 26. Soft Start Time vs Temperature

0.60

Temperature [°C]

Figure 27. Short Protection Detection Voltage vs Temperature

14/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
特性データ（参考データ）

－

続き

2.50

Battery Short Protection Detection
Voltage: VBSP [V]Over Voltage Protection Detection
Voltage: VOVP [V]

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

2.30

2.10

1.90

1.70

1.50
-40 -20 0 20 40 60 80 100120140-40 -20 0 20 40 60 80 100120140

Temperature [°C]

Temperature [°C]

Figure 29. Battery Short Protection Detection Voltage
vs Temperature

600

Short and Over Voltage Protection
Mask Time: tMASK2 [ns]Over Current Protection Mask Time:tMASK1 [ns]Figure 28. Over Voltage Protection Detection Voltage
vs Temperature

500

400

300

600

500

400

300

200

200

-40 -20 0 20 40 60 80 100120140-40 -20 0 20 40 60 80 100120140

Temperature [°C]

Temperature [°C]

Figure 30. Over Current Protection Mask Timevs Temperature

Figure 31. Short and Over Voltage Protection Mask Timevs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

15/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
特性データ（参考データ）

－

続き

5.0

900

Restart Time: tRESTART [ms]Short Protection Mask Timeat Startup: tMASK3 [μs]

1000

800
700
600
500
400
300
200

4.0

3.0

2.0

1.0

100
0

0.0
-40 -20 0 20 40 60 80 100120140-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

Temperature [°C]

Temperature [°C]

Figure 32. Short Protection Mask Time at Startup
vs Temperature

Figure 33. Restart Time vs Temperature600

Switching Frequency(IOUT = 420 mA): fSW [kHz]Secondary Output Voltage(IOUT = 420 mA): VOUT [V]

13.0

12.5

12.0

11.5

500

400

300

200

11.0

-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

Temperature [°C]

Temperature [°C]

Figure 34. Secondary Output Voltage vs Temperature(IOUT = 420 mA)

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

Figure 35. Switching Frequency vs Temperature(I OUT = 420 mA)

16/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
－

続き

100

13.0

90

12.8

80

12.6

Output Voltage [V]Efficiency [%]特性データ（参考データ）

70
60
50
40
30

12.4

12.0

with compensation

11.8
11.6

20

11.4

10

11.2

0

without compensation

12.2

11.0
0

200

400

600

800

1000

0

Load Current [mA]

200

400

600

800

1000

Load Current [mA]

Figure 36. Efficiency vs Load Current

Figure 37. Output Voltage vs Load Current

V IN: 20 V/DivV IN: 20 V/DivV SDX/EN: 2 V/DivV SDX/EN: 2 V/Div

V OUT: 2 V/Div

V OUT: 2 V/Div

V SW : 40 V/Div

V SW : 40 V/Div

Figure 38. Startup Waveform (SDX/EN Pin Control)

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

Figure 39. Shutdown Waveform (SDX/EN Pin Control)

17/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
特性データ（参考データ）－

続き

V IN: 20 V/DivV IN: 20 V/DivV SDX/EN: 2 V/DivV SDX/EN: 2 V/Div

V OUT: 2 V/Div

V OUT: 2 V/Div
V SW : 40 V/Div

V SW : 40 V/Div

Figure 40. Startup Waveform (VIN Pin Control)

Figure 41. Shutdown Waveform (VIN Pin Control)

Ma xi mum Output Power [W]20

IOUT: 500 mA/Div

V OUT: 500 mV/Div

18
16
14
12
10
8
6

4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
VIN Pi n Voltage [V]Figure 42. Load Transient Response(IOUT = 0.1 A ～ 0.83 A)

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

Figure 43. Maximum Output Power vs VIN Pin Voltage

18/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
応用回路例
1

出力電圧
内蔵スイッチング MOSFET がオフの時、SW 端子電圧が VIN 端子電圧より高くなります。この SW 端子電圧と VIN
端子電圧の差で表せられる一次側フライバック電圧より、二次側の出力電圧が計算されます。ターンオフ時の SW 端
子電圧は以下の式で計算されます。

𝑉𝑆𝑊 = 𝑉𝐼𝑁 +
𝑉𝑆𝑊 :
𝑉𝐼𝑁 :
𝑁𝑃 :
𝑁𝑆 :
𝑉𝑂𝑈𝑇 :
𝑉𝐹 :
𝐼𝑆 :
𝐸𝑆𝑅 :

𝑁𝑃
× (𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 + 𝐼𝑆 × 𝐸𝑆𝑅)𝑁𝑆

[V]

SW 端子電圧
VIN 端子電圧
一次側トランス巻数
二次側トランス巻数
出力電圧
二次側の出力ダイオードの順方向電圧
二次側トランス電流
二次側の総インピーダンス（二次側トランス巻線抵抗、基板）

一次側フライバック電圧は、FB、SW 端子間の外付け抵抗 RFB によって FB 端子流入電流 IRFB に変換されます。FB
端子電圧は IC 内部の回路により VIN 端子電圧とほぼ等しくなるため、FB 端子流入電流 IRFB は以下の式で計算されます。

𝐼𝑅𝐹𝐵 ==

𝑉𝑆𝑊 − 𝑉𝐹𝐵
𝑅𝐹𝐵
𝑁
𝑉𝐼𝑁 + 𝑁𝑃 × (𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 + 𝐼𝑆 × 𝐸𝑆𝑅) − 𝑉𝐹𝐵
𝑆

𝑅𝐹𝐵

𝑁𝑃
(𝑉
𝑁 × 𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 + 𝐼𝑆 × 𝐸𝑆𝑅)= 𝑆
𝑅𝐹𝐵
𝐼𝑅𝐹𝐵 :
𝑉𝐹𝐵 :
𝑅𝐹𝐵 :

[A]

FB 端子流入電流
FB 端子電圧
FB、SW 端子間の外付け抵抗

さらに、FB 端子流入電流 IRFB は REF 端子、AGND 端子間の外付け抵抗 RREF に流れるため、REF 端子電圧は以下の式で計算されます。

𝑉𝑅𝐸𝐹 =
𝑉𝑅𝐸𝐹 :𝑅𝑅𝐸𝐹 :𝑅𝑅𝐸𝐹 𝑁𝑃×× (𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 + 𝐼𝑆 × 𝐸𝑆𝑅)𝑅𝐹𝐵 𝑁𝑆[V]

REF 端子電圧
REF 端子、AGND 端子間の外付け抵抗

抵抗 RREF は、REF 端子電圧 = VINTREF のときに REF 端子に流れる電流が IREF となるように設定します。以下の式に
より、RREF = 2 kΩ として IC 内部回路が設計されています。

𝑅𝑅𝐸𝐹 =

𝑉𝐼𝑁𝑇𝑅𝐸𝐹𝐼𝑅𝐸𝐹

𝑉𝐼𝑁𝑇𝑅𝐸𝐹 :www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001[Ω]REF 端子電圧19/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
1

出力電圧

―

続き

REF 端子電圧は、IC 内部の基準電圧とのコンパレータに入力されます。IC の内部回路により、REF 端子電圧は基準電圧と等しくなります。したがって、出力電圧と REF 端子電圧は以下の式で計算されます。

𝑉𝑂𝑈𝑇 =𝑅𝐹𝐵 𝑁𝑆×× 𝑉𝑅𝐸𝐹 − 𝑉𝐹 − 𝐼𝑆 × 𝐸𝑆𝑅
𝑅𝑅𝐸𝐹 𝑁𝑃[V]

出力電圧は、一次側と二次側のトランス巻数比、及び RFB と RREF の抵抗比によって設定します。また、VF と ESR
は出力電圧誤差の要因となります。FB、SW 端子間の外付け抵抗 RFB は上記の関係式より、以下の式で計算されます。

𝑅𝐹𝐵 =𝑅𝑅𝐸𝐹 𝑁𝑃×× (𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 + 𝐼𝑆 × 𝐸𝑆𝑅)
𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑁𝑆

[Ω]

VF
VIN

IS

NP/NS
IRFB

RFB
FB

SW
COMPARATOR

VINTREF

ADAPTIVE
ON-TIMECONTROLLER

VL_COMP
IL_COMP
REF

RREF

VOUT

DRIVER

IP
Current
Monitor

PGND

L_COMP
CL_COMP

RL_COMP

Figure 44. Control Block Diagram

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

20/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
応用回路例
2

－

続き

トランス
2.1

巻数比
巻数比は、出力電圧、最大出力電力、デューティ、SW 端子電圧を設定するパラメータです。
フライバック・コンバータのデューティは以下の式で計算されます。

𝑁𝑃(𝑉)
𝑁𝑆 × 𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹
𝐷𝑢𝑡𝑦 =𝑁
𝑉𝐼𝑁 + 𝑁𝑃 × (𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 )
𝑆
𝑁𝑃 :
𝑁𝑆 :
𝑉𝑂𝑈𝑇 :
𝑉𝐹 :
𝑉𝐼𝑁 :

[%]

一次側トランス巻数
二次側トランス巻数
出力電圧
二次側の出力ダイオードの順方向電圧
VIN 端子電圧

フィードバック電圧は SW 端子でモニタされています。また、安定した制御のために、デューティを DMAX 以下にする必要があります。最小オン時間の制約から、最小デューティは DMIN となり、巻数比は以下の条件を満たさなければなりません。

𝐷𝑀𝐼𝑁
𝑉𝐼𝑁
𝑁𝑃
𝑉𝐼𝑁
×
<
<
1 − 𝐷𝑀𝐼𝑁 𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 𝑁𝑆 𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹
𝐷𝑀𝐼𝑁 :

最小デューティ

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

21/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
2

トランス
2.2

―

続き

一次側インダクタンス
フライバック・コンバータのフィードバックループには、右半平面ゼロ点が生じます。右半平面ゼロ点は位相を 90 °遅らせるため、右半平面ゼロ周波数 fRHP_ZERO をスイッチング周波数 fSW 以下にする必要があります。
右半平面ゼロ周波数 fRHP_ZERO は以下の式で計算されます。
2

𝑁 2( 𝑁𝑃 ) × {𝑓𝑅𝐻𝑃_𝑍𝐸𝑅𝑂 =𝑓𝑅𝐻𝑃_𝑍𝐸𝑅𝑂 :
𝑁𝑃 :
𝑁𝑆 :
𝑉𝐼𝑁 :
𝑉𝑂𝑈𝑇 :𝑉𝐹 :𝑅𝑂𝑈𝑇 :𝐿𝑝 :𝑉𝐼𝑁} × 𝑅𝑂𝑈𝑇𝑁
𝑆
𝑉𝐼𝑁 + 𝑁𝑃 × (𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 )
𝑆
𝑁𝑃
(𝑉
)
𝑁𝑆 × 𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹
2𝜋 ×
× 𝐿𝑃
𝑁𝑃
(𝑉
)
𝑉𝐼𝑁 + 𝑁 × 𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹𝑆[Hz]

右半平面ゼロ周波数
一次側トランス巻数
二次側トランス巻数
VIN 端子電圧
出力電圧
二次側の出力ダイオードの順方向電圧
負荷抵抗
一次側インダクタンス

安定性の確保のため、右半平面ゼロ周波数 fRHP_ZERO はスイッチング周波数 fSW の 1/4 より大きくなるように設定を行います。これにより、以下の条件が求められます。

𝑓𝑅𝐻𝑃_𝑍𝐸𝑅𝑂 >
𝐿𝑝 <

1
× 𝑓𝑆𝑊
4

2 × 𝐷𝑢𝑡𝑦 × 𝑉𝐼𝑁 2(𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 ) × 𝐼𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐴𝑋 × 𝜋 × 𝑓𝑆𝑊

𝑓𝑆𝑊 :𝐼𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐴𝑋 :www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001[H]

スイッチング周波数
出力電流の最大値

22/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
2.2

一次側インダクタンス ― 続き
一次側インダクタンスの下限値は入出力電力の関係から求めることが可能です。LP が小さくなると、一次側ト
ランス電流のピーク電流が大きくなります。ピーク電流値が過電流検出電流以上となると必要な出力電力がとれなくなるため、最大負荷に対しての必要な一次側インダクタンス値の下限は以下の条件式で求められます。

𝐿𝑝 >1
𝑉𝐼𝑁 2 × 𝑡𝑆 × 𝐷𝑢𝑡𝑦 2 × 𝜂
×
2 𝐼𝐿𝐼𝑀𝐼𝑇_𝑀𝐼𝑁 × 𝐷𝑢𝑡𝑦 × 𝑉𝐼𝑁 × 𝜂 − 𝑉𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐴𝑋 × 𝐼𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐴𝑋𝑡𝑆 :𝜂:𝐼𝐿𝐼𝑀𝐼𝑇_𝑀𝐼𝑁 :𝑉𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐴𝑋 :[H]

スイッチング周期効率
過電流検出電流の最小値
出力電圧の最大値

以上より、一次側インダクタンスは以下の条件を満たす必要があります。

1
𝑉𝐼𝑁 2 × 𝑡𝑆 × 𝐷𝑢𝑡𝑦 2 × 𝜂
×
2 𝐼𝐿𝐼𝑀𝐼𝑇_𝑀𝐼𝑁 × 𝐷𝑢𝑡𝑦 × 𝑉𝐼𝑁 × 𝜂 − 𝑉𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐴𝑋 × 𝐼𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐴𝑋< 𝐿𝑝 <

2 × 𝐷𝑢𝑡𝑦 × 𝑉𝐼𝑁 2(𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 ) × 𝐼𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐴𝑋 × 𝜋 × 𝑓𝑆𝑊

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

23/38

[H]

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
2

トランス
2.3

―

続き

漏れインダクタンス
トランスの漏れインダクタンスは、内蔵スイッチング MOSFET がターンオフした瞬間に、SW 端子にリンギン
グを発生させます。SW 端子電圧の絶対最大定格を超えないようにスナバ回路等を挿入してください。二次側の出力電圧の誤検出防止のため、tMASK2 以内に収束させる必要があります。
また、内蔵スイッチング MOSFET がターンオンした瞬間に、二次側出力ダイオードの定格電圧を超えないようご注意ください。
Voltage
VSW_MAX<tMASK2(Note 1)Primary Flyback Voltage
VIN

Time
(Note 1)𝑁𝑃
Primary Flyback Voltage =× (𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 + 𝐼𝑆 × 𝐸𝑆𝑅)𝑁𝑆

Figure 45. Leak Inductance

3

2.4

巻線抵抗
一次側の巻線抵抗は、電力効率を低下させます。また、二次側の巻線抵抗は電力効率に加え、出力電圧も低下させます。したがって、巻線抵抗値の小さいトランスの使用を推奨します。

2.5

飽和電流
一次側トランス電流が定格飽和電流を超えるとトランスのコアが飽和するため、エネルギーは二次側に伝搬されません。また、コアが飽和するとインダクタンス値が低下するため、一次側トランス電流が急激に増加します。一次側トランス電流は定格飽和電流を超えないように設定してください。

出力コンデンサ
安定した動作には、二次側の出力コンデンサの適切な選定が必要です。以下の条件を目安に容量を選定してください。

𝐶𝑂𝑈𝑇 = 1.6 × 10−9 ×
𝐶𝑂𝑈𝑇 :
𝐿𝑃 :
𝑁𝑃 :
𝑁𝑆 :

2
1
𝑁𝑃
× ( × 𝐷𝑢𝑡𝑦)
𝐿𝑃
𝑁𝑆

[F]

出力コンデンサの容量値
一次側インダクタンス
一次側トランス巻数
二次側トランス巻数

また、二次側の出力電圧は、tSS 以内に立ち上がる必要があります。そのため、出力コンデンサの選定には以下の条件も考慮してください。容量値が極端に大きい場合、起動時の突入電流により過電流保護が動作し、起動不良が発生する可能性があります。

𝑁𝑃
1 𝑡𝑆𝑆 × {(𝐼𝐿𝐼𝑀𝐼𝑇_𝑀𝐼𝑁 × 𝑁𝑆 ) × (1 − 𝐷𝑢𝑡𝑦) − 𝐼𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐴𝑋 }[F]
𝐶𝑂𝑈𝑇 ≤ ×
2
𝑉𝑂𝑈𝑇
𝑡𝑆𝑆 :
𝐼𝐿𝐼𝑀𝐼𝑇_𝑀𝐼𝑁 :𝐼𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐴𝑋 :𝑉𝑂𝑈𝑇 :

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

ソフトスタート時間
過電流検出電流の最小値
出力電流の最大値
出力電圧

24/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
応用回路例

―

続き

4

入力コンデンサ
入力コンデンサには、セラミック・コンデンサをご使用ください。また、入力コンデンサは VIN 端子に可能な限り近く配置してください。基板パターンやコンデンサの位置によって誤動作する可能性があります。
入力コンデンサの容量は VIN 端子のリップル電圧が VIN 端子電圧の 4 %以下になるようにしてください。負荷変動時や起動時においてもご確認ください。

5

二次側出力ダイオード
二次側出力ダイオードの順方向電圧 VF は出力電圧の誤差要因となるため、VF の小さいショットキーバリアダイオー
ドを推奨します。二次側出力ダイオードの選定においては、順方向電流が定格を超えないようにしてください。
内蔵スイッチング MOSFET がオンの時、二次側出力ダイオードに発生する逆方向電圧 VR は次式で表せます。

𝑉𝑅 = 𝑉𝐼𝑁 ×
𝑉𝑅 :
𝑉𝐼𝑁 :
𝑁𝑃 :
𝑁𝑆 :
𝑉𝑂𝑈𝑇 :𝑁𝑆+ 𝑉𝑂𝑈𝑇
𝑁𝑃[V]

二次側出力ダイオードの逆方向電圧
VIN 端子電圧
一次側トランス巻数
二次側トランス巻数
出力電圧

さらに、内蔵スイッチング MOSFET がターンオンする瞬間、二次側出力ダイオードの逆方向電圧 VR にリンギングが重なります。VR の尖頭電圧が、二次側出力ダイオードの定格を超えないように設定してください。

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

25/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
応用回路例
6

―

続き

イネーブル電圧、ディセーブル電圧
本 IC は、SDX/EN 端子電圧が VSDX 以下になるとシャットダウン状態になります。また、SDX/EN 端子電圧の立ち上り時、VEN1 以上となるとイネーブル状態となり IC が起動します。立ち下り時には VEN2 以下となるとディセーブル状
態となります。
SDX/EN 端子は、Figure 45 に示すように VIN 端子と AGND 端子間を抵抗 R1 と R2 で分割して SDX/EN 端子に接続することで、VIN 端子によるイネーブル制御を実現します。
SDX/EN 端子電圧が VCLPEN 以上になると、IC 内部のクランプ素子がオンし流入電流が生じるため、ご注意ください。

6.1

イネーブル電圧
VIN 端子電圧立ち上り時のイネーブル電圧 VIN_ENABLE は、以下の式で設定することができます。

𝑉𝐼𝑁_𝐸𝑁𝐴𝐵𝐿𝐸 = V𝐸𝑁1 ×
𝑉𝐼𝑁_𝐸𝑁𝐴𝐵𝐿𝐸 :
𝑉𝐸𝑁1:
6.2

𝑅1 × (𝑅2 + 𝑅𝑆𝐷𝑋/𝐸𝑁1 )+𝑅2 × 𝑅𝑆𝐷𝑋/𝐸𝑁1
𝑅2 × 𝑅𝑆𝐷𝑋/𝐸𝑁1[V]

VIN 端子電圧立ち上り時のイネーブル電圧
イネーブル電圧 1

ディセーブル電圧
VIN 端子電圧立ち下り時のディセーブル電圧 VIN_DISABLE は以下の式で設定することができます。

𝑉𝐼𝑁_𝐷𝐼𝑆𝐴𝐵𝐿𝐸 = V𝐸𝑁2 ×

𝑅1 × (𝑅2 + 𝑅𝑆𝐷𝑋/𝐸𝑁1 + 𝑅𝑆𝐷𝑋/𝐸𝑁2 )+𝑅2 × (𝑅𝑆𝐷𝑋/𝐸𝑁1 + 𝑅𝑆𝐷𝑋/𝐸𝑁2 )𝑅2 × (𝑅𝑆𝐷𝑋/𝐸𝑁1 + 𝑅𝑆𝐷𝑋/𝐸𝑁2 )[V]

𝑉𝐼𝑁_𝐷𝐼𝑆𝐴𝐵𝐿𝐸 : VIN 端子電圧立ち下り時のディセーブル電圧
𝑉𝐸𝑁2:
イネーブル電圧 2
本 IC の制御方式では、デューティを DMAX 以下にして動作させる必要があります。よって、VIN 端子電圧立ち
下り時のディセーブル電圧 VIN_DISABLE は以下の条件内で設定してください。

𝑉𝐼𝑁_𝐷𝐼𝑆𝐴𝐵𝐿𝐸 >
𝑁𝑃 :
𝑁𝑆 :
𝑉𝑂𝑈𝑇 :𝑉𝐹 :𝑁𝑃
× (𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹 ) [V]𝑁𝑆

一次側トランス巻数
二次側トランス巻数
出力電圧
二次側の出力ダイオードの順方向電圧

VIN
R1

SDX/ENVIN
RSDX/EX1

R2

AGND

RSDX/EX2

Figure 46. Position of Resistors Connected to SDX/EN Pin

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

26/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
応用回路例
7

―

続き

最小負荷電流本 IC は、内蔵スイッチング MOSFET ターンオフ時の一次側フライバック電圧によって、トランスで絶縁された二次側の出力電圧を安定化させます。そのため、軽負荷時であっても最小オン時間 tON_MIN と最大オフ時間 tOFF_MAX でスイッチング動作を行います。この動作により、少量のエネルギーを二次側出力に供給することになるため、その負荷電流が少ない場合は出力電圧が上昇する可能性があります。この出力電圧の上昇を防止するため、ダミー抵抗 RDUMMYなどを追加して、最小負荷電流を確保する必要があります。
必要とされる最小負荷電流 IOUT_MIN は以下の式で決定されます。
2(𝑉𝐼𝑁 × 𝑡𝑂𝑁_𝑀𝐼𝑁 )1
𝐼𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐼𝑁 = ×
2 𝐿𝑃 × 𝑉𝑂𝑈𝑇 × (𝑡𝑂𝑁_𝑀𝐼𝑁 + 𝑡𝑂𝐹𝐹_𝑀𝐴𝑋 )𝐼𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐼𝑁 :𝑉𝐼𝑁 :𝑡𝑂𝑁_𝑀𝐼𝑁 :𝐿𝑃 :𝑉𝑂𝑈𝑇 :
𝑡𝑂𝐹𝐹_𝑀𝐴𝑋 :[A]

出力電流の最小値
VIN 端子電圧
最小オン時間
一次側インダクタンス
出力電圧
最大オフ時間
VF

VIN

IS

NP/NS
IRFB

RFB
FB

VINTREF

ADAPTIVE
ON-TIMECONTROLLER

VL_COMP
IL_COMP

RREF

VOUT

SW
COMPARATORREF

RDUMMYDRIVER

IP
Current
Monitor

PGND

L_COMP
CL_COMP

RL_COMP

Figure 47. Position of RDUMMY

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

27/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
応用回路例
8

―

続き

スイッチング周波数の変曲点
本 IC は、軽負荷時、負荷電流に応じてスイッチング周波数を変動させることで高効率を実現しています。スイッチ
ング周波数が fSW から低下し始める負荷電流 IOUT_fSW は以下の式で計算されます。

1 𝑓𝑆𝑊 × (𝑉𝐼𝑁 × 𝑡𝑂𝑁_𝑀𝐼𝑁 )𝐼𝑂𝑈𝑇_ 𝑓𝑆𝑊 = ×
2
𝐿𝑃 × 𝑉𝑂𝑈𝑇
𝐼𝑂𝑈𝑇_ 𝑓𝑆𝑊 :
𝑓𝑆𝑊 :
𝑉𝐼𝑁 :
𝑡𝑂𝑁_𝑀𝐼𝑁 :𝐿𝑃 :𝑉𝑂𝑈𝑇 :

2[A]

スイッチング周波数低下開始負荷電流
スイッチング周波数
VIN 端子電圧
最小オン時間
一次側インダクタンス
出力電圧

また、最小オン時間 tON_MIN 及び最大オフ時間 tOFF_MAX でのスイッチング動作時、最小スイッチング周波数 fSW_MIN となり、以下の式で計算されます。

𝑓𝑆𝑊_𝑀𝐼𝑁 =1
𝑡𝑂𝑁_𝑀𝐼𝑁 + 𝑡𝑂𝐹𝐹_𝑀𝐴𝑋

𝑓𝑆𝑊_𝑀𝐼𝑁 :𝑡𝑂𝐹𝐹_𝑀𝐴𝑋 :[Hz]

最小スイッチング周波数
最大オフ時間Switching Frequency
fSW

fSW_MIN
IOUT_MINIOUT_fSW

IOUT

Figure 48. Switching Frequency vs IOUT

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

28/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
応用回路例
9

―

続き

負荷補償機能
ロード・レギュレーションを悪化させる要因は、VF と ESR です。これらの要因が問題となるアプリケーションにおいては、負荷補償機能を使用することで、負荷電流の変化による出力電圧の変動を小さくすることが可能です。
なお、負荷補償機能を無効にするには、L_COMP 端子を GND にショートしてください。
VF

VIN

IS

NP/NS

IRFB

VOUT

RFB
FB

SW

COMPARATOR
VINTREF

ADAPTIVE
ON-TIMECONTROLLER

DRIVERIP
VL_COMP

Current
Monitor

IL_COMPREF

RINTCOMPL_COMPRREF

CL_COMPPGND

RL_COMP

Figure 49. Block Diagram of Load CompensationtS
tON

SW pin voltage
IP_MAX

IP_MIN

Primary transformer current I P

Primary transformer current I S

Figure 50. Switching Operation or Continuous Mode

Output voltage
with load compensation

without load compensation

Gradient: RVF + ESR
Output Current
Figure 51. Image of Load Compensationwww.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

29/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
9負荷補償機能9.1―

続き

負荷補償量の決定
本機能は、一次側トランス電流 IP の平均電流に応じて出力電圧 VOUT の電圧降下を補正します。
一次側トランス電流 IP と二次側トランス電流 IS には次式の関係があるため、L_COMP 端子の外付けコンデンサ
CL_COMP と外付け抵抗 RL_COMP によって負荷補償量を調整します。CL_COMP の参考値は 0.1 μF です。

𝐼𝑃 =
𝐼𝑃 :
𝑁𝑃 :
𝑁𝑆 :
𝐼𝑆 :

𝑁𝑃
× 𝐼𝑆
𝑁𝑆

[A]

一次側トランス電流
一次側トランス巻数
二次側トランス巻数
二次側トランス電流

9.1.1 L_COMP 端子外付け抵抗 RL_COMP の決定
L_COMP 端子外付け抵抗 RL_COMP の決定には、以下の式に従って L_COMP 端子電流 IL_COMP の算出を行う必要があります。

𝐼𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 =𝐼𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 :𝑉𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 :𝑅𝐼𝑁𝑇𝐶𝑂𝑀𝑃 :𝑉𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃𝑅𝐼𝑁𝑇𝐶𝑂𝑀𝑃[A]

L_COMP 端子電流
L_COMP 端子電圧
L_COMP 端子内蔵抵抗

上記の式の VL_COMP は、Current Monitor ブロックから L_COMP 端子へ流れる K x IP の電流を、L_COMP
端子の外付け抵抗 RL_COMP によって変換した値です。内部で L_COMP 端子電流 IL_COMP となり、REF 端子の電流を補正します。
VL_COMP の動作電圧上限は内部回路で制限されるため、VL_COMP ≤ 0.5 V を満たす必要があります。
また、IL_COMP の急峻な変化は VL_COMP を不安定にする可能性があるため、L_COMP 端子の外付けコンデ
ンサ CL_COMP を接続してください。
以上により、VL_COMP は以下の条件式を満たす必要があります。

𝑉𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 = 𝐾 × 𝑅𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 × 𝐼𝑃_𝐴𝑉𝐸 ≤ 0.5= 𝐾 × 𝑅𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 ×
𝐾:
𝑅𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 :𝐼𝑃_𝐴𝑉𝐸 :𝐼𝑃_𝑀𝐼𝑁 :𝐼𝑃_𝑀𝐴𝑋 :
𝑡𝑆 :
𝑡𝑂𝑁 :

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

𝐼𝑃_𝑀𝐼𝑁 + 𝐼𝑃_𝑀𝐴𝑋 𝑡𝑂𝑁
×
≤ 0.5
2
𝑡𝑆

[V]

Current Monitor ブロック圧縮倍率
L_COMP 端子外付け抵抗
一次側トランス電流 IP の平均値
一次側トランス電流 IP の最小値
一次側トランス電流 IP の最大値
スイッチング周期
オン時間

30/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
9.1.1 L_COMP 端子外付け抵抗 RL_COMP の決定 ― 続き
負荷補償機能により、本来 RREF に流れる帰還電流から IL_COMP 減少します。その結果、これを補うために
VSW の H レベルが上昇し、低下した出力電圧 VOUT を補正します。
負荷補償機能が動作した場合の出力電圧 VOUT は、以下の式で計算されます。

𝑉𝑂𝑈𝑇 =𝑁𝑆
𝑉𝑅𝐸𝐹
×(+ 𝐼𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 ) × 𝑅𝐹𝐵 − 𝑉𝐹 − 𝐼𝑆_𝐴𝑉𝐸 × 𝐸𝑆𝑅
𝑁𝑃𝑅𝑅𝐸𝐹

𝑉𝑂𝑈𝑇 :𝑁𝑆 :𝑁𝑃 :𝑉𝑅𝐸𝐹 :𝑅𝑅𝐸𝐹 :
𝐼𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 :
𝑅𝐹𝐵 :
𝑉𝐹 :
𝐼𝑆_𝐴𝑉𝐸 :[V]

出力電圧
二次側トランス巻数
一次側トランス巻数
REF 端子電圧
REF 端子、AGND 端子間の外付け抵抗
L_COMP 端子電流
FB、SW 端子間の外付け抵抗
二次側の出力ダイオードの順方向電圧
二次側トランス電流 IS の平均値

（参考）通常動作時の出力電圧 VOUT

𝑉𝑂𝑈𝑇 =𝑁𝑆 𝑅𝐹𝐵×× 𝑉𝑅𝐸𝐹 − 𝑉𝐹 − 𝐼𝑆_𝐴𝑉𝐸 × 𝐸𝑆𝑅
𝑁𝑃 𝑅𝑅𝐸𝐹[V]

上記の式より、L_COMP 端子電流 IL_COMP によって二次側の出力ダイオードの順方向電圧 VF と ESR を除去するためには、次式の成立が必要です。

𝐼𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 ×

𝑁𝑆× 𝑅𝐹𝐵 = 𝑉𝐹 + 𝐼𝑆_𝐴𝑉𝐸 × 𝐸𝑆𝑅
𝑁𝑃[A]

次に、二次側トランス電流 IS に対する二次側の出力ダイオードの順方向電圧 VF の変化を RVF に線形近似
し、RL_COMP を求めます。

𝐾 × 𝑅𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 × 𝐼𝑃_𝐴𝑉𝐸 𝑁𝑆×× 𝑅𝐹𝐵 = 𝐼𝑆_𝐴𝑉𝐸 × 𝑅𝑉𝐹 + 𝐼𝑆_𝐴𝑉𝐸 × 𝐸𝑆𝑅
𝑅𝐼𝑁𝑇𝐶𝑂𝑀𝑃𝑁𝑃
𝐾 × 𝑅𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃
𝑁𝑆 2
1 − 𝐷𝑢𝑡𝑦
× ( ) × 𝑅𝐹𝐵 = (𝑅𝑉𝐹 + 𝐸𝑆𝑅) ×
𝑅𝐼𝑁𝑇𝐶𝑂𝑀𝑃
𝑁𝑃
𝐷𝑢𝑡𝑦
以上より、

𝑅𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 = 𝑅𝐼𝑁𝑇𝐶𝑂𝑀𝑃 ×
𝐾:
𝑅𝐿_𝐶𝑂𝑀𝑃 :𝐼𝑃_𝐴𝑉𝐸 :𝑅𝐼𝑁𝑇𝐶𝑂𝑀𝑃 :𝑅𝑉𝐹 + 𝐸𝑆𝑅𝑁𝑆 2 1 − 𝐷𝑢𝑡𝑦
×( ) ×𝐾 × 𝑅𝐹𝐵
𝑁𝑃
𝐷𝑢𝑡𝑦

[Ω]

Current Monitor ブロック圧縮倍率
L_COMP 端子外付け抵抗
一次側トランス電流 IP の平均値
L_COMP 端子内蔵抵抗

RVF、ESR、RFB は、使用部品や実装基板などの使用環境に依存します。実際の RL_COMP の設定時は、必ずご使用の負荷電流範囲にて、出力電圧 VOUT をモニタしながら調整してください。

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

31/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
入出力等価回路図

1

AGND

2

SDX/EN3

L_COMP

4

REF

Internal
Supply
VIN

REF

SDX/EN
L_COMP
AGND

AGND

5

FB

6

AGND

AGND

7

PGND

SW

VIN

8

SW
FB

VIN

PGND

AGND
AGND

AGND
PGND

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

32/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
使用上の注意1.

電源の逆接続について
電源コネクタの逆接続により LSI が破壊する恐れがあります。逆接続破壊保護用として外部に電源と LSI の電源端子間にダイオードを入れるなどの対策を施してください。

2.

電源ラインについて
基板パターンの設計においては、電源ラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。グラウンドラ
インについても、同様のパターン設計を考慮してください。また、LSI のすべての電源端子について電源－グラウン
ド端子間にコンデンサを挿入するとともに、電解コンデンサ使用の際は、低温で容量低下が起こることなど使用するコンデンサの諸特性に問題ないことを十分ご確認のうえ、定数を決定してください。

3.

グラウンド電位について
グラウンド端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また実際に過渡現象を含め、グラウンド端子以外のすべての端子がグラウンド以下の電圧にならないようにしてください。

4.

グラウンド配線パターンについて
小信号グラウンドと大電流グラウンドがある場合、大電流グラウンドパターンと小信号グラウンドパターンは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が小信号グラウンドの電圧を変化させないように、セットの基準点で1 点アースすることを推奨します。外付け部品のグラウンドの配線パターンも変動しないよう注意してください。グラウンドラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。

5. 推奨動作条件について推奨動作条件で規定される範囲で IC の機能・動作を保証します。また、特性値は電気的特性で規定される各項目の条件下においてのみ保証されます。
6.

ラッシュカレントについて
IC 内部論理回路は、電源投入時に論理不定状態で、瞬間的にラッシュカレントが流れる場合がありますので、電源カ
ップリング容量や電源、グラウンドパターン配線の幅、引き回しに注意してください。

7.

セット基板での検査について
セット基板での検査時に、インピーダンスの低い端子にコンデンサを接続する場合は、IC にストレスがかかる恐れがあるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立工程にはアースを施し、運搬や保存の際には十分ご注意ください。また、検査工程での治具への接続をする際には必ず電源を OFF にしてから接続し、電源を OFF にしてから取り外してください。

8.

端子間ショートと誤装着について
プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分注意してください。誤って取り付けた場合、IC が破壊する恐れがあります。また、出力と電源及びグラウンド間、出力間に異物が入るなどしてショートした場合についても破壊の恐れがあります。

9.

未使用の入力端子の処理について
CMOS トランジスタの入力は非常にインピーダンスが高く、入力端子をオープンにすることで論理不定の状態になります。これにより内部の論理ゲートの p チャネル、n チャネルトランジスタが導通状態となり、不要な電源電流が流れます。また 論理不定により、想定外の動作をすることがあります。よって、未使用の端子は特に仕様書上でうたわれていない限り、適切な電源、もしくはグラウンドに接続するようにしてください。

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

33/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
使用上の注意―続き

10. 各入力端子について
本 IC はモノリシック IC であり、各素子間に素子分離のための P+アイソレーションと、P 基板を有しています。
この P 層と各素子の N 層とで P-N 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。
例えば、下図のように、抵抗とトランジスタが端子と接続されている場合、○抵抗では、GND > (端子 A)の時、トランジスタ(NPN)では GND > (端子 B)の時、P-N 接合が寄生ダイオードとして動作します。
○また、トランジスタ(NPN)では、GND > (端子 B)の時、前述の寄生ダイオードと近接する他の素子の N 層によって寄生の NPN トランジスタが動作します。
IC の構造上、寄生素子は電位関係によって必然的にできます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因ともなり得ます。したがって、入出力端子に GND(P 基板)より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。アプリケーションにおいて電源端子と各端子電圧が逆になった場合、内部回路または素子を損傷する可能性があります。例えば、外付けコンデン
サに電荷がチャージされた状態で、電源端子が GND にショートされた場合などです。また、電源端子直列に逆流防止のダイオードもしくは各端子と電源端子間にバイパスのダイオードを挿入することを推奨します。
抵抗トランジスタ (NPN)
端子B

端子A

C

E

端子A
N

P+

P
N

N

P+

N

端子B

B

寄生素子

N

P+

N P

N

B
N

C
E
寄生素子

P基板

P基板
寄生素子

P+

GND

寄生素子

GND

GND

近傍する
他の素子

GND

Figure 52. モノリシック IC 構造例
11. セラミック・コンデンサの特性変動について
外付けコンデンサに、セラミック・コンデンサを使用する場合、直流バイアスによる公称容量の低下、及び温度など
による容量の変化を考慮のうえ、定数を決定してください。
12. 温度保護回路について
IC を熱破壊から防ぐための温度保護回路を内蔵しております。最高接合部温度内でご使用いただきますが、万が一最高接合部温度を超えた状態が継続すると、温度保護回路が動作し出力パワー素子が OFF します。その後チップ温度 Tj が低下すると回路は自動で復帰します。なお、温度保護回路は絶対最大定格を超えた状態での動作となりますので、温度保護回路を使用したセット設計などは、絶対に避けてください。
13. 過電流保護回路について
出力には電流能力に応じた過電流保護回路が内部に内蔵されているため、負荷ショート時には IC 破壊を防止します
が、この保護回路は突発的な事故による破壊防止に有効なもので、連続的な保護回路動作、過渡時でのご使用に対応するものではありません。

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

34/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
発注形名情報

B

D

7

J

2

0

0

x

x

x

パッケージ
HFN: HSON8
EFJ: HTSOP-J8

-

LBxx
製品ランク
LB: 産業機器用
包装、フォーミング仕様
TR: リール状エンボステーピング（HSON8）
E2: リール状エンボステーピング（HTSOP-J8）

ラインアップ
Product Name

Part Number Marking

Orderable Part Number

Package

BD7J200HFN-LB

D7J200

BD7J200HFN-LBTR

HSON8

BD7J200EFJ-LB

D7J200

BD7J200EFJ-LBE2

HTSOP-J8

標印図HTSOP-J8 (TOP VIEW)

HSON8 (TOP VIEW)

Part Number Marking

Part Number Marking

D7J

D 7 J 2 0 0

LOT Number

LOT Number

2 0 0

Pin 1 MarkPin 1 Markwww.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

35/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
外形寸法図と包装・フォーミング仕様

Package Namewww.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

HSON8

36/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
外形寸法図と包装・フォーミング仕様

Package Namewww.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001―

続き

HTSOP-J8

37/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

BD7J200HFN-LB BD7J200EFJ-LB
改訂履歴
日付

版

2019.08.20

001

変更内容
新規作成

www.rohm.co.jp© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

38/38

TSZ02201-0F1F0BZ00010-1-1
2019.08.20 Rev.001

Datasheet

ご注意
ローム製品取扱い上の注意事項
1.

極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器(Note 1)、航空宇宙機器、原子力制御装置等）（以下「特定用途」という）への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し、
ロームは一切その責任を負いません。
(Note 1) 特定用途となる医療機器分類
日本
USA
EU
CLASSⅢ
CLASSⅡb
CLASSⅢ
CLASSⅣ
CLASSⅢ中国
Ⅲ類

2.

半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、誤動作や故障が生じた場合であっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において次の例に示す
ようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。
①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。
②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。

3.

本製品は、下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。したがいまして、下記のような特殊環境での本製品のご使用に関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使用される際は、お客様におかれまして十分に性能、信頼性等をご確認ください。
①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用③潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用④静電気や電磁波の強い環境でのご使用⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合(無洗浄タイプのフラックスを使用される場合は除く。ただし、残渣については十分に確認をお願いします。)又は、はんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合⑧結露するような場所でのご使用

4.

本製品は耐放射線設計はなされておりません。

5.

本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に実装された状態での評価及び確認をお願い致します。

6.

パルス等の過渡的な負荷（短時間での大きな負荷）が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ずその評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。

7.

電力損失は周囲温度に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、必ず温度測定を行い、最高接合部温度を超えていない範囲であることをご確認ください。

8.

使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。

9.

本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いません。

実装及び基板設計上の注意事項
1.

ハロゲン系（塩素系、臭素系等）の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。

2.

はんだ付けは、表面実装製品の場合リフロー方式、挿入実装製品の場合フロー方式を原則とさせて頂きます。なお、表面実装製品をフロー方式での使用をご検討の際は別途ロームまでお問い合わせください。
その他、詳細な実装条件及び手はんだによる実装、基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書をご確認ください。

Notice-PAA-J© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

Rev.004

応用回路、外付け回路等に関する注意事項
1.

本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品のバラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。

2.

本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。したがいまして、お客様の機器の設計において、回路やその定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行ってください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。

静電気に対する注意事項
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、保管時において静電気対策を実施のうえ、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。（人体及び設備のアース、帯電物からの隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等）

保管・運搬上の注意事項
1.

本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがありますのでこのような環境及び条件での保管は避けてください。
① 潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所での保管② 推奨温度、湿度以外での保管③ 直射日光や結露する場所での保管④ 強い静電気が発生している場所での保管

2.

ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性があります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します。

3.

本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き（梱包箱に表示されている天面方向）で取り扱いください。天面方向が遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する
危険があります。

4.

防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行ったうえでご使用ください。

製品ラベルに関する注意事項
本製品に貼付されている製品ラベルに２次元バーコードが印字されていますが、２次元バーコードはロームの社内管理のみを目的としたものです。

製品廃棄上の注意事項
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。

外国為替及び外国貿易法に関する注意事項
本製品は、外国為替及び外国貿易法に定めるリスト規制貨物等に該当するおそれがありますので、輸出する場合には、ロームへお問い合わせください。

知的財産権に関する注意事項
1.

本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。

2.

ロームは、本製品とその他の外部素子、外部回路あるいは外部装置等（ソフトウェア含む）との組み合わせに起因して生じた紛争に関して、何ら義務を負うものではありません。

3.

ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ロームもしくは第三者が所有又は管理している知的財産権 その他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。 ただし、本製品を通常の用法にて使用される限りにおいて、ロームが所有又は管理する知的財産権を利用されることを妨げません。

その他の注意事項
1.

本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します。

2.

本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく、分解、改造、改変、複製等しないでください。

3.

本製品又は本資料に記載された技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用、あるいはその他軍事用途目的で使用しないでください。

4.

本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社もしくは第三者の商標又は登録商標です。

Notice-PAA-J© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

Rev.004

Datasheet
一般的な注意事項
1.

本製品をご使用になる前に、本資料をよく読み、その内容を十分に理解されるようお願い致します。本資料に記載される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いませんのでご注意願います。

2.

本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。本製品のご購入及びご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。

3.

ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても、ロームは一切その責任を負いません。

Notice – WE

© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

Rev.001