S-801 シリーズ
超小型
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遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
高精度電圧検出器© ABLIC Inc., 2000-2016

Rev.4.2_01

S-801 シリーズは、CMOS プロセスを使用して開発した、固定の遅延時間発生回路を内蔵する高精度電圧検
出 IC です。検出電圧は内部で固定され、精度は2.0 %です。また、内部に発振回路およびカウンタタイマを内蔵しているため、外付け部品なしで解除信号を遅延させることができ、その遅延時間は 3 種類あります。
出力形態は Nch オープンドレイン出力と CMOS 出力が揃っています。



特長











1.3 A typ.（VDD3.5 V 時）
2.0 %
0.95 V ~ 10.0 V
60 mV typ.
2.2 V ~ 6.0 V（0.1 V ステップ）
A シリーズ 50 ms typ.
B シリーズ 100 ms typ.
C シリーズ 200 ms typ.
遅延時間の ON/OFF 切換え機能付き（DS 端子）
出力形態
Nch オープンドレイン出力（アクティブ Low）
CMOS 出力（アクティブ Low）
鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー *1

超低消費電流高精度検出電圧
動作電圧範囲ヒステリシス特性
検出電圧
3 種類の遅延時間*1. 詳細は「 品目コードの構成」を参照してください。



用途






ノートパソコン、デジタルスチルカメラ、PDA、携帯電話等の携帯機器用電源の監視
カメラ、ビデオ機器、通信機等の定電圧電源の監視
マイコン用電源の監視および CPU のリセット

パッケージ



SOT-23-5
SNT-4A1

超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01

ブロック図
1.

Nch オープンドレイン出力品
VDD
遅延回路

*1

発振回路
カウンタ
タイマ



VREF

OUT
*1
*1

VSS
DS

*1.

寄生ダイオード
図1

2.

CMOS 出力品
VDD

*1



遅延回路

*1
*1

VSS
DS

寄生ダイオード
図2

2

OUT

発振回路
カウンタ
タイマ

VREF

*1.

*1

超小型

遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

Rev.4.2_01

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

品目コードの構成
S-801 シリーズは、検出電圧値、遅延時間、出力形態、パッケージ種別を用途により選択指定することができます。製品名における文字列が示す内容は「1. 製品名」を、パッケージ図面は「2. パッケージ」を、詳しい製品名は「3. 製品名リスト」をご参照ください。
1.

製品名

1-1.

SOT-23-5

S-801xxxx

MC - xxx

T2

x
環境コード
U： 鉛フリー（Sn 100%）、ハロゲンフリー
G： 鉛フリー（詳細は弊社営業部までお問い合わせください）
テープ仕様での IC の向き*1

製品略号 *2
パッケージ略号
出力形態
N： Nch オープンドレイン出力（アクティブ Low）
L： CMOS 出力（アクティブ Low）
遅延時間
A： 50 ms typ.
B： 100 ms typ.
C： 200 ms typ.
検出電圧値
22 ~ 60（例：検出電圧が 2.2 V の場合、22 と表されます。）

*1.
*2.

テーピング図面をご参照ください。
「3. 製品名リスト」の表 2 をご参照ください。

3

超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

1-2.

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01

SNT-4A

S-801xx x x PF - xxx TF U
環境コード
U： 鉛フリー（Sn 100%）、ハロゲンフリー
テープ仕様での IC の向き*1
*2

製品略号

パッケージ略号
出力形態
N： Nch オープンドレイン出力（アクティブ Low）
L： CMOS 出力（アクティブ Low）
遅延時間
A： 50 ms typ.
B： 100 ms typ.
C： 200 ms typ.
検出電圧値
22 ~ 60（例：検出電圧が 2.2 V の場合、22 と表されます。）

*1.
*2.

2.

テーピング図面をご参照ください。
「3. 製品名リスト」の表 2 をご参照ください。

パッケージ
パッケージ名SOT-23-5
SNT-4A

4

パッケージ図面
MP005-A-P-SD
PF004-A-P-SD

図面コード
テープ図面
リール図面
MP005-A-C-SD
MP005-A-R-SD
PF004-A-C-SD
PF004-A-R-SD

ランド図面—
PF004-A-L-SD

超小型

遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

Rev.4.2_01
3.

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

製品名リスト
3-1.

SOT-23-5
表 1（1/3）

検出電圧範囲2.2 V 2.0 %2.3 V 2.0 %2.4 V 2.0 %2.5 V 2.0 %2.6 V 2.0 %2.7 V 2.0 %2.8 V 2.0 %2.9 V 2.0 %3.0 V 2.0 %3.1 V 2.0 %3.2 V 2.0 %3.3 V 2.0 %3.4 V 2.0 %遅延時間
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.

Nch オープンドレイン出力品
S-80122ANMC-JCHT2x
S-80122BNMC-JGHT2x
S-80122CNMC-JKHT2x
S-80123ANMC-JCIT2x
S-80123BNMC-JGIT2x
S-80123CNMC-JKIT2x
S-80124ANMC-JCJT2x
S-80124BNMC-JGJT2x
S-80124CNMC-JKJT2x
S-80125ANMC-JCKT2x
S-80125BNMC-JGKT2x
S-80125CNMC-JKKT2x
S-80126ANMC-JCLT2x
S-80126BNMC-JGLT2x
S-80126CNMC-JKLT2x
S-80127ANMC-JCMT2x
S-80127BNMC-JGMT2x
S-80127CNMC-JKMT2x
S-80128ANMC-JCNT2x
S-80128BNMC-JGNT2x
S-80128CNMC-JKNT2x
S-80129ANMC-JCOT2x
S-80129BNMC-JGOT2x
S-80129CNMC-JKOT2x
S-80130ANMC-JCPT2x
S-80130BNMC-JGPT2x
S-80130CNMC-JKPT2x
S-80131ANMC-JCQT2x
S-80131BNMC-JGQT2x
S-80131CNMC-JKQT2x
S-80132ANMC-JCRT2x
S-80132BNMC-JGRT2x
S-80132CNMC-JKRT2x
S-80133ANMC-JCST2x
S-80133BNMC-JGST2x
S-80133CNMC-JKST2x
S-80134ANMC-JCTT2x
S-80134BNMC-JGTT2x
S-80134CNMC-JKTT2x

CMOS 出力品
S-80122ALMC-JAHT2x
S-80122BLMC-JEHT2x
S-80122CLMC-JIHT2x
S-80123ALMC-JAIT2x
S-80123BLMC-JEIT2x
S-80123CLMC-JIIT2x
S-80124ALMC-JAJT2x
S-80124BLMC-JEJT2x
S-80124CLMC-JIJT2x
S-80125ALMC-JAKT2x
S-80125BLMC-JEKT2x
S-80125CLMC-JIKT2x
S-80126ALMC-JALT2x
S-80126BLMC-JELT2x
S-80126CLMC-JILT2x
S-80127ALMC-JAMT2x
S-80127BLMC-JEMT2x
S-80127CLMC-JIMT2x
S-80128ALMC-JANT2x
S-80128BLMC-JENT2x
S-80128CLMC-JINT2x
S-80129ALMC-JAOT2x
S-80129BLMC-JEOT2x
S-80129CLMC-JIOT2x
S-80130ALMC-JAPT2x
S-80130BLMC-JEPT2x
S-80130CLMC-JIPT2x
S-80131ALMC-JAQT2x
S-80131BLMC-JEQT2x
S-80131CLMC-JIQT2x
S-80132ALMC-JART2x
S-80132BLMC-JERT2x
S-80132CLMC-JIRT2x
S-80133ALMC-JAST2x
S-80133BLMC-JEST2x
S-80133CLMC-JIST2x
S-80134ALMC-JATT2x
S-80134BLMC-JETT2x
S-80134CLMC-JITT2x5

超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01

表 1（2/3）
検出電圧範囲3.5 V 2.0 %3.6 V 2.0 %3.7 V 2.0 %3.8 V 2.0 %3.9 V 2.0 %4.0 V 2.0 %4.1 V 2.0 %4.2 V 2.0 %4.3 V 2.0 %4.4 V 2.0 %4.5 V 2.0 %4.6 V 2.0 %4.7 V 2.0 %4.8 V 2.0 %4.9 V 2.0 %6

遅延時間
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.

Nch オープンドレイン出力品
S-80135ANMC-JCUT2x
S-80135BNMC-JGUT2x
S-80135CNMC-JKUT2x
S-80136ANMC-JCVT2x
S-80136BNMC-JGVT2x
S-80136CNMC-JKVT2x
S-80137ANMC-JCWT2xS-80137BNMC-JGWT2x
S-80137CNMC-JKWT2x
S-80138ANMC-JCXT2x
S-80138BNMC-JGXT2x
S-80138CNMC-JKXT2x
S-80139ANMC-JCYT2x
S-80139BNMC-JGYT2x
S-80139CNMC-JKYT2x
S-80140ANMC-JCZT2x
S-80140BNMC-JGZT2x
S-80140CNMC-JKZT2x
S-80141ANMC-JC2T2x
S-80141BNMC-JG2T2x
S-80141CNMC-JK2T2x
S-80142ANMC-JC3T2x
S-80142BNMC-JG3T2x
S-80142CNMC-JK3T2x
S-80143ANMC-JC4T2x
S-80143BNMC-JG4T2x
S-80143CNMC-JK4T2x
S-80144ANMC-JC5T2x
S-80144BNMC-JG5T2x
S-80144CNMC-JK5T2x
S-80145ANMC-JC6T2x
S-80145BNMC-JG6T2x
S-80145CNMC-JK6T2x
S-80146ANMC-JC7T2x
S-80146BNMC-JG7T2x
S-80146CNMC-JK7T2x
S-80147ANMC-JC8T2x
S-80147BNMC-JG8T2x
S-80147CNMC-JK8T2x
S-80148ANMC-JC9T2x
S-80148BNMC-JG9T2x
S-80148CNMC-JK9T2x
S-80149ANMC-JDAT2x
S-80149BNMC-JHAT2x
S-80149CNMC-JLAT2x

CMOS 出力品
S-80135ALMC-JAUT2x
S-80135BLMC-JEUT2x
S-80135CLMC-JIUT2x
S-80136ALMC-JAVT2x
S-80136BLMC-JEVT2x
S-80136CLMC-JIVT2x
S-80137ALMC-JAWT2x
S-80137BLMC-JEWT2x
S-80137CLMC-JIWT2x
S-80138ALMC-JAXT2x
S-80138BLMC-JEXT2x
S-80138CLMC-JIXT2x
S-80139ALMC-JAYT2x
S-80139BLMC-JEYT2x
S-80139CLMC-JIYT2x
S-80140ALMC-JAZT2x
S-80140BLMC-JEZT2x
S-80140CLMC-JIZT2x
S-80141ALMC-JA2T2x
S-80141BLMC-JE2T2x
S-80141CLMC-JI2T2x
S-80142ALMC-JA3T2x
S-80142BLMC-JE3T2x
S-80142CLMC-JI3T2x
S-80143ALMC-JA4T2x
S-80143BLMC-JE4T2x
S-80143CLMC-JI4T2x
S-80144ALMC-JA5T2x
S-80144BLMC-JE5T2x
S-80144CLMC-JI5T2x
S-80145ALMC-JA6T2x
S-80145BLMC-JE6T2x
S-80145CLMC-JI6T2x
S-80146ALMC-JA7T2x
S-80146BLMC-JE7T2x
S-80146CLMC-JI7T2x
S-80147ALMC-JA8T2x
S-80147BLMC-JE8T2x
S-80147CLMC-JI8T2x
S-80148ALMC-JA9T2x
S-80148BLMC-JE9T2x
S-80148CLMC-JI9T2x
S-80149ALMC-JBAT2x
S-80149BLMC-JFAT2x
S-80149CLMC-JJAT2x

超小型

遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

Rev.4.2_01

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

表 1（3/3）
遅延時間
Nch オープンドレイン出力品
CMOS 出力品
50 ms typ.
S-80150ANMC-JDBT2x
S-80150ALMC-JBBT2x
100 ms typ.
S-80150BNMC-JHBT2x
S-80150BLMC-JFBT2x
200 ms typ.
S-80150CNMC-JLBT2x
S-80150CLMC-JJBT2x
50 ms typ.
S-80151ANMC-JDCT2x
S-80151ALMC-JBCT2x5.1 V 2.0 %100 ms typ.
S-80151BNMC-JHCT2x
S-80151BLMC-JFCT2x
200 ms typ.
S-80151CNMC-JLCT2x
S-80151CLMC-JJCT2x
50 ms typ.
S-80152ANMC-JDDT2x
S-80152ALMC-JBDT2x
5.2 V 2.0 %100 ms typ.
S-80152BNMC-JHDT2x
S-80152BLMC-JFDT2x
200 ms typ.
S-80152CNMC-JLDT2x
S-80152CLMC-JJDT2x
50 ms typ.
S-80153ANMC-JDET2x
S-80153ALMC-JBET2x5.3 V 2.0 %100 ms typ.
S-80153BNMC-JHET2x
S-80153BLMC-JFET2x
200 ms typ.
S-80153CNMC-JLET2x
S-80153CLMC-JJET2x
50
ms
typ.
S-80154ANMC-JDFT2x
S-80154ALMC-JBFT2x
5.4 V 2.0 %100 ms typ.
S-80154BNMC-JHFT2x
S-80154BLMC-JFFT2x
200 ms typ.
S-80154CNMC-JLFT2x
S-80154CLMC-JJFT2x
50 ms typ.
S-80155ANMC-JDGT2x
S-80155ALMC-JBGT2x5.5 V 2.0 %100 ms typ.
S-80155BNMC-JHGT2x
S-80155BLMC-JFGT2x
200 ms typ.
S-80155CNMC-JLGT2x
S-80155CLMC-JJGT2x
50 ms typ.
S-80156ANMC-JDHT2x
S-80156ALMC-JBHT2x
5.6 V 2.0 %100 ms typ.
S-80156BNMC-JHHT2x
S-80156BLMC-JFHT2x
200 ms typ.
S-80156CNMC-JLHT2x
S-80156CLMC-JJHT2x
50 ms typ.
S-80157ANMC-JDIT2x
S-80157ALMC-JBIT2x5.7 V 2.0 %100 ms typ.
S-80157BNMC-JHIT2x
S-80157BLMC-JFIT2x
200 ms typ.
S-80157CNMC-JLIT2x
S-80157CLMC-JJIT2x
50 ms typ.
S-80158ANMC-JDJT2x
S-80158ALMC-JBJT2x
5.8 V 2.0 %100 ms typ.
S-80158BNMC-JHJT2x
S-80158BLMC-JFJT2x
200 ms typ.
S-80158CNMC-JLJT2x
S-80158CLMC-JJJT2x
50 ms typ.
S-80159ANMC-JDKT2x
S-80159ALMC-JBKT2x
5.9 V 2.0 %100 ms typ.
S-80159BNMC-JHKT2x
S-80159BLMC-JFKT2x
200 ms typ.
S-80159CNMC-JLKT2x
S-80159CLMC-JJKT2x
50 ms typ.
S-80160ANMC-JDLT2x
S-80160ALMC-JBLT2x6.0 V 2.0 %100 ms typ.
S-80160BNMC-JHLT2x
S-80160BLMC-JFLT2x
200 ms typ.
S-80160CNMC-JLLT2x
S-80160CLMC-JJLT2x
備考 1. x：G または U
2. Sn 100%、ハロゲンフリー製品をご希望の場合は、環境コード = U の製品をお選びくだ
さい。
検出電圧範囲5.0 V 2.0 %7超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ
3-2.

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01

SNT-4A
表 2（1/3）

検出電圧範囲2.2 V 2.0 %2.3 V 2.0 %2.4 V 2.0 %2.5 V 2.0 %2.6 V 2.0 %2.7 V 2.0 %2.8 V 2.0 %2.9 V 2.0 %3.0 V 2.0 %3.1 V 2.0 %3.2 V 2.0 %3.3 V 2.0 %3.4 V 2.0 %3.5 V 2.0 %3.6 V 2.0 %3.7 V 2.0 %8

遅延時間
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.

Nch オープンドレイン出力品
S-80122ANPF-JCHTFU
S-80122BNPF-JGHTFU
S-80122CNPF-JKHTFU
S-80123ANPF-JCITFU
S-80123BNPF-JGITFU
S-80123CNPF-JKITFU
S-80124ANPF-JCJTFU
S-80124BNPF-JGJTFU
S-80124CNPF-JKJTFU
S-80125ANPF-JCKTFU
S-80125BNPF-JGKTFU
S-80125CNPF-JKKTFU
S-80126ANPF-JCLTFU
S-80126BNPF-JGLTFU
S-80126CNPF-JKLTFU
S-80127ANPF-JCMTFU
S-80127BNPF-JGMTFU
S-80127CNPF-JKMTFU
S-80128ANPF-JCNTFU
S-80128BNPF-JGNTFU
S-80128CNPF-JKNTFU
S-80129ANPF-JCOTFU
S-80129BNPF-JGOTFU
S-80129CNPF-JKOTFU
S-80130ANPF-JCPTFU
S-80130BNPF-JGPTFU
S-80130CNPF-JKPTFU
S-80131ANPF-JCQTFU
S-80131BNPF-JGQTFU
S-80131CNPF-JKQTFU
S-80132ANPF-JCRTFU
S-80132BNPF-JGRTFU
S-80132CNPF-JKRTFU
S-80133ANPF-JCSTFU
S-80133BNPF-JGSTFU
S-80133CNPF-JKSTFU
S-80134ANPF-JCTTFU
S-80134BNPF-JGTTFU
S-80134CNPF-JKTTFU
S-80135ANPF-JCUTFU
S-80135BNPF-JGUTFU
S-80135CNPF-JKUTFU
S-80136ANPF-JCVTFU
S-80136BNPF-JGVTFU
S-80136CNPF-JKVTFU
S-80137ANPF-JCWTFU
S-80137BNPF-JGWTFU
S-80137CNPF-JKWTFUCMOS 出力品
S-80122ALPF-JAHTFU
S-80122BLPF-JEHTFU
S-80122CLPF-JIHTFU
S-80123ALPF-JAITFU
S-80123BLPF-JEITFU
S-80123CLPF-JIITFU
S-80124ALPF-JAJTFU
S-80124BLPF-JEJTFU
S-80124CLPF-JIJTFU
S-80125ALPF-JAKTFU
S-80125BLPF-JEKTFU
S-80125CLPF-JIKTFU
S-80126ALPF-JALTFU
S-80126BLPF-JELTFU
S-80126CLPF-JILTFU
S-80127ALPF-JAMTFU
S-80127BLPF-JEMTFU
S-80127CLPF-JIMTFU
S-80128ALPF-JANTFU
S-80128BLPF-JENTFU
S-80128CLPF-JINTFU
S-80129ALPF-JAOTFU
S-80129BLPF-JEOTFU
S-80129CLPF-JIOTFU
S-80130ALPF-JAPTFU
S-80130BLPF-JEPTFU
S-80130CLPF-JIPTFU
S-80131ALPF-JAQTFU
S-80131BLPF-JEQTFU
S-80131CLPF-JIQTFU
S-80132ALPF-JARTFU
S-80132BLPF-JERTFU
S-80132CLPF-JIRTFU
S-80133ALPF-JASTFU
S-80133BLPF-JESTFU
S-80133CLPF-JISTFU
S-80134ALPF-JATTFU
S-80134BLPF-JETTFU
S-80134CLPF-JITTFU
S-80135ALPF-JAUTFU
S-80135BLPF-JEUTFU
S-80135CLPF-JIUTFU
S-80136ALPF-JAVTFU
S-80136BLPF-JEVTFU
S-80136CLPF-JIVTFU
S-80137ALPF-JAWTFU
S-80137BLPF-JEWTFU
S-80137CLPF-JIWTFU

超小型

遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

Rev.4.2_01

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

表 2（2/3）
検出電圧範囲3.8 V 2.0 %3.9 V 2.0 %4.0 V 2.0 %4.1 V 2.0 %4.2 V 2.0 %4.3 V 2.0 %4.4 V 2.0 %4.5 V 2.0 %4.6 V 2.0 %4.7 V 2.0 %4.8 V 2.0 %4.9 V 2.0 %5.0 V 2.0 %5.1 V 2.0 %5.2 V 2.0 %5.3 V 2.0 %遅延時間
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.

Nch オープンドレイン出力品
S-80138ANPF-JCXTFU
S-80138BNPF-JGXTFU
S-80138CNPF-JKXTFU
S-80139ANPF-JCYTFU
S-80139BNPF-JGYTFU
S-80139CNPF-JKYTFU
S-80140ANPF-JCZTFU
S-80140BNPF-JGZTFU
S-80140CNPF-JKZTFU
S-80141ANPF-JC2TFU
S-80141BNPF-JG2TFU
S-80141CNPF-JK2TFU
S-80142ANPF-JC3TFU
S-80142BNPF-JG3TFU
S-80142CNPF-JK3TFU
S-80143ANPF-JC4TFU
S-80143BNPF-JG4TFU
S-80143CNPF-JK4TFU
S-80144ANPF-JC5TFU
S-80144BNPF-JG5TFU
S-80144CNPF-JK5TFU
S-80145ANPF-JC6TFU
S-80145BNPF-JG6TFU
S-80145CNPF-JK6TFU
S-80146ANPF-JC7TFU
S-80146BNPF-JG7TFU
S-80146CNPF-JK7TFU
S-80147ANPF-JC8TFU
S-80147BNPF-JG8TFU
S-80147CNPF-JK8TFU
S-80148ANPF-JC9TFU
S-80148BNPF-JG9TFU
S-80148CNPF-JK9TFU
S-80149ANPF-JDATFU
S-80149BNPF-JHATFU
S-80149CNPF-JLATFU
S-80150ANPF-JDBTFU
S-80150BNPF-JHBTFU
S-80150CNPF-JLBTFU
S-80151ANPF-JDCTFU
S-80151BNPF-JHCTFU
S-80151CNPF-JLCTFU
S-80152ANPF-JDDTFU
S-80152BNPF-JHDTFU
S-80152CNPF-JLDTFU
S-80153ANPF-JDETFU
S-80153BNPF-JHETFU
S-80153CNPF-JLETFUCMOS 出力品
S-80138ALPF-JAXTFU
S-80138BLPF-JEXTFU
S-80138CLPF-JIXTFU
S-80139ALPF-JAYTFU
S-80139BLPF-JEYTFU
S-80139CLPF-JIYTFU
S-80140ALPF-JAZTFU
S-80140BLPF-JEZTFU
S-80140CLPF-JIZTFU
S-80141ALPF-JA2TFU
S-80141BLPF-JE2TFU
S-80141CLPF-JI2TFU
S-80142ALPF-JA3TFU
S-80142BLPF-JE3TFU
S-80142CLPF-JI3TFU
S-80143ALPF-JA4TFU
S-80143BLPF-JE4TFU
S-80143CLPF-JI4TFU
S-80144ALPF-JA5TFU
S-80144BLPF-JE5TFU
S-80144CLPF-JI5TFU
S-80145ALPF-JA6TFU
S-80145BLPF-JE6TFU
S-80145CLPF-JI6TFU
S-80146ALPF-JA7TFU
S-80146BLPF-JE7TFU
S-80146CLPF-JI7TFU
S-80147ALPF-JA8TFU
S-80147BLPF-JE8TFU
S-80147CLPF-JI8TFU
S-80148ALPF-JA9TFU
S-80148BLPF-JE9TFU
S-80148CLPF-JI9TFU
S-80149ALPF-JBATFU
S-80149BLPF-JFATFU
S-80149CLPF-JJATFU
S-80150ALPF-JBBTFU
S-80150BLPF-JFBTFU
S-80150CLPF-JJBTFU
S-80151ALPF-JBCTFU
S-80151BLPF-JFCTFU
S-80151CLPF-JJCTFU
S-80152ALPF-JBDTFU
S-80152BLPF-JFDTFU
S-80152CLPF-JJDTFU
S-80153ALPF-JBETFU
S-80153BLPF-JFETFU
S-80153CLPF-JJETFU

9

超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01

表 2（3/3）
検出電圧範囲5.4 V 2.0 %5.5 V 2.0 %5.6 V 2.0 %5.7 V 2.0 %5.8 V 2.0 %5.9 V 2.0 %6.0 V 2.0 %

10

遅延時間
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.
50 ms typ.
100 ms typ.
200 ms typ.

Nch オープンドレイン出力品
S-80154ANPF-JDFTFU
S-80154BNPF-JHFTFU
S-80154CNPF-JLFTFU
S-80155ANPF-JDGTFU
S-80155BNPF-JHGTFU
S-80155CNPF-JLGTFU
S-80156ANPF-JDHTFU
S-80156BNPF-JHHTFU
S-80156CNPF-JLHTFU
S-80157ANPF-JDITFU
S-80157BNPF-JHITFU
S-80157CNPF-JLITFU
S-80158ANPF-JDJTFU
S-80158BNPF-JHJTFU
S-80158CNPF-JLJTFU
S-80159ANPF-JDKTFU
S-80159BNPF-JHKTFU
S-80159CNPF-JLKTFU
S-80160ANPF-JDLTFU
S-80160BNPF-JHLTFU
S-80160CNPF-JLLTFUCMOS 出力品
S-80154ALPF-JBFTFU
S-80154BLPF-JFFTFU
S-80154CLPF-JJFTFU
S-80155ALPF-JBGTFU
S-80155BLPF-JFUTFU
S-80155CLPF-JJGTFU
S-80156ALPF-JBHTFU
S-80156BLPF-JFHTFU
S-80156CLPF-JJHTFU
S-80157ALPF-JBITFU
S-80157BLPF-JFITFU
S-80157CLPF-JJITFU
S-80158ALPF-JBJTFU
S-80158BLPF-JFJTFU
S-80158CLPF-JJJTFU
S-80159ALPF-JBKTFU
S-80159BLPF-JFKTFU
S-80159CLPF-JJKTFU
S-80160ALPF-JBLTFU
S-80160BLPF-JFLTFU
S-80160CLPF-JJLTFU

超小型

遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

Rev.4.2_01

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

ピン配置図
表3

SOT-23-5
Top view
5

1

端子番号

4

2

端子記号
*1

1

DS

2
3
4
5

VSS
NC*2
OUT
VDD

端子説明
遅延時間 ON/OFF 切換え端子
GND 端子無接続
電圧検出出力端子
電圧入力端子

3

図3
*1.
*2.

動作説明は、「 動作説明」の「2. 遅延回路」をご参照ください。
NC は電気的にオープンを示します。
そのため VDD および VSS に接続しても問題ありません。

SNT-4ATop view

表4

1

4

2

3

端子番号
1
2
3
4

端子記号
VSS
DS*1
VDD
OUT

端子説明
GND 端子遅延時間 ON/OFF 切換え端子
電圧入力端子
電圧検出出力端子

図4*1.

動作説明は、「 動作説明」の「2. 遅延回路」をご参照ください。

11

超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01

絶対最大定格表5項目
電源電圧
出力電圧 Nch オープンドレイン出力品
CMOS 出力品
出力電流許容損失 SOT-23-5

記号
VDDVSS
VOUT
IOUT
PD

SNT-4A
動作周囲温度
保存温度*1. 基板実装時[実装基板](1) 基板サイズ(2) 名称
注意

Topr
Tstg

（特記なき場合：Ta25°C）
絶対最大定格単位
12V
VSS0.3 ~ VSS12
VSS0.3 ~ VDD0.3
50mAmW
250（基板未実装時）
600*1
140（基板未実装時）
300*1°C
40 ~ 85
40 ~ 125

：114.3 mm×76.2 mm×t1.6 mm：JEDEC STANDARD51-7

絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣化などの物理的な損傷を与える可能性があります。

許容損失 (PD) [mW]

700
600
500

300
200
SNT-4A

100
0

図5

12

SOT-23-5

400

0

150
100
50
周囲温度 (Ta) [C]

パッケージ許容損失（基板実装時）

超小型

遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

Rev.4.2_01

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

 電気的特性表6
項目

記号

検出電圧*1

VDET

ヒステリシス幅
消費電流

VHYS
ISS

動作電圧

VDD

出力電流

IOUT

ILEAK

リーク電流

条件

Min.

VDET(S)0.98—
30
S-80122 ~ 26—
VDD3.5 V
S-80127 ~ 39—
VDD4.5 V
S-80140 ~ 60—
VDD6.5 V—
0.95
出力トランジスタ,
VDD1.2 V
0.75
S-80122 ~ 60
Nch, VOUT0.5 V
VDD2.4 V
3.0
S-80127 ~ 60
VDD4.8 V
CMOS 出力品のみ,
1.0
S-80122 ~ 39
出力トランジスタ,
VDD6.0 V
1.25
Pch, VDDVOUT0.5 V
S-80140 ~ 54
VDD8.4 V
1.5
S-80155 ~ 60
Nch オープンドレイン出力品のみ,—
出力トランジスタ,
Nch, VDD10.0 V, VOUT10.0 V—（特記なき場合：Ta25 C）
測定
単位
Typ.
Max.
回路
VDET(S) VDET(S)
V
1
1.02
60
100
mV
1.3
3.3
A
1.5
3.5
1.8
4.0
—
10.0
V
1.5

—

6.0

—

2.0

—

2.5

—

3.0

—

—

0.1

mA

A

  VDET
ppm/—
Ta40°C ~ 85°C
120
360
°C
Ta   VDET
遅延時間 1
VDDVDET1 V,
tD1
S-801xxAx
32.5
50
72.5
ms
DS端子Low
S-801xxBx
65
100
145
S-801xxCx
130
200
290
VDDVDET1 V, DS 端子 High
遅延時間 2
tD2
110
220
330
s
DS 端子, VDD6.0 V
入力電圧
VSH
1.0
—
—
V
DS 端子, VDD6.0 V
VSL
—
—
0.3
*1. VDET：実際の検出電圧値、 VDET(S)：設定検出電圧値（表 1 ~ 2 の検出電圧範囲の中心値）*2. 検出電圧の温度変化率 mV/°Cは下式にて算出されます。
検出電圧温度係数*2

2

1

3
4

  VDET
mV/ C*1   VDET(S) Typ. V *2    VDET ppm/ C*3  1000
TaTa   VDET

*1.
*2.
*3.

検出電圧の温度変化率
設定検出電圧値
上記の検出電圧温度係数13超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01

測定回路
1.
A

R*1
100 k

VDD
DS

VDD
DS

OUT
VSS

*1.

2.

VSS

V

CMOS 出力品の場合、R は不要です。
図6

図7

3.
R*1
100 k

VDD
DS

A

R*1
100 kVDD
DS

VCMOS 出力品の場合、R は不要です。
図8

14

4.

OUT
VSS

*1.

OUT A

OUT
VSS

*1.

V

CMOS 出力品の場合、R は不要です。
図9

超小型

遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

Rev.4.2_01

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

動作説明
1.

基本動作：CMOS 出力（アクティブ Low）の場合
1-1.

電源電圧（VDD）が解除電圧（VDET）以上では、NchトランジスタはOFF、Pchトランジスタ
はONになりVDDが出力（Highが出力）されます。このとき図10のNchトランジスタN1はOFF(RB  RC)  VDDになります。
状態で、コンパレータへの入力電圧は
RA  RB  RC

1-2.

VDDが低下しVDET以下になっても、検出電圧（VDET）以上であればVDDが出力されます。VDD
がVDET（図11のA点）以下になると出力段のNchトランジスタはON、PchトランジスタはOFFになり、VSSが出力されます。このとき図10のNchトランジスタN1はONになり、コンパレー
RB  VDDになります。
タへの入力電圧はRA  RB

1-3.

VDDがより低下し、ICの最低動作電圧以下になると出力は不定になり、出力がプルアップされている場合、出力はVDDになります。

1-4.

VDD を最低動作電圧以上に上昇させるとVSS が出力されます。また、VDD がVDET を越えても
VDET未満の場合には出力はVSSになります。

1-5.

さらにVDDを上昇させVDET（図11のB点）以上になるとNchトランジスタはOFF、Pchトラン
ジスタはONになりVDDが出力されます。この時、OUT端子は遅延回路によりtD時間だけ遅延
しVDDを出力します。
VDD

*1

RA

遅延回路



Pch

OUT
*1

RB
VREF

Nch
RC

N1
DS

VSS

*1.

寄生ダイオード
図10

動作説明図115超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01(1) (2)(3) (4) (5)VDD
解除電圧（VDET）
検出電圧（VDET）

B
ヒステリシス幅（VHYS）

A

最低動作電圧VSS

VDD
OUT端子出力
VSS

図11
2.

tD

動作説明図2

遅延回路
2-1.

遅延時間
遅延回路は電源電圧（VDD）が立上った時に、VDDの電圧が解除電圧（VDET ）になった時より遅らせて出力信号をOUT端子に出力させます。また、VDDが検出電圧（VDET）以下に下がった
時は、出力信号は遅延しません（図11参照）。
遅延時間（tD）は、内蔵クロック発生回路とカウンタで決定される固定値になっています。

2-2.

DS 端子（遅延時間 ON/OFF 切換え端子）
DS端子はLowまたはHighに必ず固定してください。
DS端子がHighの場合は、カウンタ回路の途中で出力をするため、遅延時間が短くなります（図16参照）。

3.

その他の特性
3-1.

検出電圧の温度特性
検出電圧の温度特性は動作温度範囲内において図12に示す斜線部の範囲をとります。
VDET [V]
0.792 mV/°C

2.200
0.792 mV/°C

40

図12
16

25

85

Ta [°C]

検出電圧の温度特性（S-80122xxxxの例）

超小型

遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

Rev.4.2_01

3-2.

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

解除電圧の温度特性
解除電圧の温度係数

  VDET
  VDET
は、検出電圧の温度係数を用いて次式で示されます。
TaTa  VDET
 VDET   VDET×Ta VDETTa

従って、解除電圧の温度係数は、検出電圧の温度係数と同符号の特性となります。
3-3.

ヒステリシス電圧の温度特性
ヒステリシス電圧の温度係数は

  VDET   VDETとなり、次式で示されます。

Ta
Ta

V
  VDET   VDET  VDET HYS ×TaTaTa VDET



標準回路

R*1
100 k

VDD
OUT

DS
VSS

*1.

CMOS 出力品の場合、R は不要です。
図 13

注意

上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。

17

超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01

用語の説明
1.

検出電圧（VDET）、解除電圧（VDET）
検出電圧（VDET）とは、出力がLowに切り換わる電圧を示します。この検出電圧は、同じ製品であっても多少のバラツキがあり、そのバラツキによる検出電圧の最小値（VDET ）Min.から最大値（VDET）Max.を検出電圧範囲といいます（図14参照）。
例：S-80122ANの場合、検出電圧は2.156(VDET)2.244の範囲内の一点です。
つまりVDET2.156の製品もあれば、VDET2.244の製品も存在します。
解除電圧とは、出力がHighに切り換わる電圧です。この解除電圧は同じ製品であっても多少のバラツキがあり、そのバラツキによる解除電圧の最小値（VDET）Min.から最大値（VDET）Max.を解除
電圧範囲といいます（図15参照）。
例： S-80122ANの場合、解除電圧は2.186(VDET)2.344の範囲内の一点です。
つまりVDET2.186の製品もあれば、VDET2.344の製品も存在します。
VDD

VDD
検出電圧

解除電圧
(VDET) Max.

(VDET) Max.
検出電圧範囲(VDET) Min.

解除電圧範囲(VDET) Min.

OUT

OUT

遅延時間

図14
備考

18

検出電圧

図15

解除電圧

検出電圧と解除電圧が2.186 ~ 2.244 Vで重複していますが、必ず(VDET)>(VDET)となります。

超小型遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

Rev.4.2_012.

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

ヒステリシス幅（VHYS）
ヒステリシス幅とは、検出電圧と解除電圧との電圧差（図11におけるB点の電圧A点の電圧VHYS）
を表しています。検出電圧と解除電圧との間にヒステリシス幅をもたせることにより、入力電圧にノイズ等が乗る時に生じる誤動作を防止できます。

3.

遅延時間（tD）
VDD端子への入力電圧が、解除電圧値（VDET ）を超えてから実際にOUT端子の出力が反転するま
での時間を遅延時間と言い、この値はシリーズにより内部で固定されています。
S-801xxAxシリーズ：typ. 50 ms
S-801xxBxシリーズ：typ. 100 ms
S-801xxCxシリーズ：typ. 200 ms
DS端子の入力をHighにすることにより、短い遅延時間で出力を反転させることも可能です（図16
参照）。
VDD

V

DS“H”の場合

VDET

OUT

tD1
tD2

図16
4.

貫通電流
貫通電流とは電圧検出器の検出および解除時に瞬間的に流れる電流のことです。
解除遅延時間内では、内部のロジック回路が動作していますので、20 kHz程度の周波数で貫通電流が繰り返し流れます。

19

超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

5.

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01

発振
入力側に抵抗を接続するアプリケーション（図17）では、例えばCMOS出力（アクティブLow）品の場合、出力がLowHighに切り換わる時（解除時）に流れる貫通電流により[貫通電流]  [入力抵抗]の分だけ電圧降下が生じます。入力電圧が下がり検出電圧を下回ると出力はHighLowに切り換わります。出力がLowになると、貫通電流が流れていないため電圧降下分がなくなり、出力がLowHighに切り換わりますがこの時にまた貫通電流が流れ、電圧降下が生じます。これを繰り返したのが発振です。

VDD
RA
VIN

S-801

OUT

RB
VSS

図17



20

検出電圧変更回路不良事例

注意事項


本製品は電圧解除時に内部発振回路、カウンタタイマが動作するため、遅延時間内で約 20 kHz の周波数で貫通電流が流れます。このため入力を高インピーダンスにすると、貫通電流により発振する可能性があります。入力のインピーダンスが高い場合には、VDD 端子-VSS 端子間に容量を入れて使用してください。



本 IC は静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気が IC に印加されないようにしてください。

CMOS 出力品では検出および解除時に貫通電流が流れます。このため、入力を高インピーダンスにすると、解除時の貫通電流による電圧降下によって発振することがあります。



本資料に掲載の応用回路を量産設計に用いる場合は、部品の偏差、温度特性にご注意ください。また、掲載回路に関する特許については、弊社ではその責を負いかねます。



弊社 IC を使用して製品を作る場合には、その製品での当 IC の使い方や製品の仕様また、出荷先の国などによって当 IC を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。

超小型遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

Rev.4.2_01
諸特性データ（Typicalデータ）
1.

検出電圧（VDET）温度（Ta）

S-80122AL

S-80160AL
6.4

VDET ()2.3

VDET [V]VDET [V]

2.4

2.2

6.2

VDET ()6.0

VDET ()VDET ()
5.8

2.1
40

2.

20

0

20

40

60

80

40

100

0

20

0

20

40

60

80

100

60

80

100

Ta [°C)]

S-80160AL

100

100

90

90

80

80

VHYS [mV]

VHYS [mV]

S-80122AL

70
60
50

70
60
50
40

40

30

30
40

3.

20

Ta [°C]

ヒステリシス電圧幅（VHYS）温度（Ta）

20

0

20

40

60

80

40

100

20

40

Ta [°C]Ta [°C]

消費電流（ISS）入力電圧（VDD）(a) S-80122AL(b) S-80129AL
Ta25°C

Ta25°C

3.5

3.5

3.0

ISS [A]

ISS [A]

2.0
1.5

2.5
2.0
1.5

1.0

1.0

0.5

0.5

0.0

0.0
0

2

3.3 A

3.0

2.9 A

2.5

4

6

8

10

0

2

4

VDD [V]810(d) S-80160AL
Ta25°C

5.0 A

3.5
2.5

2.5

ISS [A]

3.0

2.0
1.5

2.0
1.5

1.0

1.0

0.5

0.5

0.0

0.0
2

4

6

VDD [V]

8

10

Ta25°C

20 A

3.5

3.0

0

6

VDD [V](c) S-80130AL

ISS [A]



0

2

4

6

8

10

VDD [V]21

超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

4.

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01

消費電流（ISS）温度（Ta）(a) S-80122AL(b) S-80129AL
VDD3.5 V

5.0

4.0

ISS [A]

ISS [A]

4.0
3.0
2.0

2.0
1.0

0.0

0.0
20

0

20

40

60

80

100

40

Ta [°C](c) S-80130AL

20

0

20

40

60

80

100

Ta [°C](d) S-80160AL
VDD4.5 V

5.0

VDD6.5 V

5.0
4.0

ISS [A]

4.0

ISS [A]

3.0

1.0

40

3.0
2.0

3.0
2.0

1.0

1.0

0.0

0.0

40

20

0

20

40

60

80

VDD1 V, 1.2 V

60

40

100

Ta [°C]
5. Nchトランジスタ出力電流（IOUT）VOUT
S-80160AL
Ta25°C
70
50
4V

30

2.4 V

20

20

40

60

80

100

Ta [°C]

30

VDD4 V

4.8 V
10 V

20

8V

10

2V

10

0

6V

5.5 V

40

20

6. Pchトランジスタ出力電流（IOUT）（VDD-VOUT)
S-80122AL
Ta25°C
40
IOUT [mA]

IOUT [mA]

VDD4.5 V

5.0

0

6.5 V

0
0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

VOUT [V]VDD-VOUT [V]
7. Nchトランジスタ出力電流（IOUT ）入力電圧 8. Pchトランジスタ出力電流（IOUT ）入力電圧
（VDD）
（VDD）
S-80160AL
S-80122AL
VDS0.5 V
VDS0.5 V
525Ta 40°C

15
10
85°C

5

3
2

25°C

1

85°C

0

0
0

2

4

6

VDD [V]

22

Ta 40°C

4

25°C

IOUT [mA]

IOUT [mA]

20

8

10

0

2

4

6

VDD [V]

8

10

超小型

遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

Rev.4.2_019.

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

最低動作電圧入力電圧（VDD）

S-80122AN
Pull-up, VDD:100 k

0.6

VOUT [V]0.5Ta 40°C

0.4
0.3

25°C

0.2
85°C

0.1
0
0

0.5

1

1.5

VDD [V]10.

DS端子スレッショルド温度（Ta）

11. DS端子スレッショルド入力電圧（VDD）

S-80122AL

S-80122AL
VDD6.0 V

1Threshold [V]Threshold [V]

1
0.8
0.6
0.4
0.2
40

20

0

20

40

60

80

25°C

0.4

85°C

0.2
0

100

2

4

6

8

10

VDD [V]Ta [°C]

遅延時間1温度（Ta）

S-80122CL

S-80160CL
VDD3.2 V

300

250

遅延時間 [ms]遅延時間 [ms]

200
150
100
50
0

VDD7.0 V

300

250

13.

0.6

0

0

12.

Ta 40°C

0.8

200
150
100
50
0

40

20

0

20

40

60

80

100

Ta [°C]

40

20

0

20

40

60

80

100

Ta [°C]

遅延時間1入力電圧（VDD）

S-80122CL
Ta25°C300

遅延時間 [ms]

250
200
150
100
50
0
2

4

6

8

10

VDD [V]23

超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

14.

S-80160AL
VDD3.2 V

400
350
300
250
200
150
100
50
0

遅延時間 [s]遅延時間 [s]Rev.4.2_01

遅延時間2温度（Ta）

S-80122AL

40

15.

高精度電圧検出器

20

0

20

40

60

80

VDD7.0 V

400
350
300
250
200
150
100
50
0
40

100

20

Ta [°C]

0

20

40

60

80

100

Ta [°C]

遅延時間2入力電圧（VDD）

遅延時間 [s]S-80122AN
Ta25°C

400
350
300
250
200
150
100
50
0
2

4

6

8

10

VDD [V]

1 s

VDD

VIH
入力電圧

VDD
VIL

R*2
100 k

DS*1 S-801
OUT
シリーズ
V
VSS

tD

V

VDD90 %
出力電圧

*1.
*2.

VSS

VDD または VSS に設定。
CMOS 出力品の場合、R は不要です。

VIH10 V, VIL0.95 V

図18
注意

24

遅延時間の測定条件

図19

遅延時間の測定回路

上記接続図は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。

超小型

遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）

Rev.4.2_01

16.

高精度電圧検出器
S-801シリーズ

ダイナミック応答COUT

S-80122AL

S-80122AN
Ta25°C

0.1

tPLH（遅延時間 2）

0.01

tPHL

Ta25°C

100

応答時間 [ms]応答時間 [ms]

1

0.001

10

tPLH
（遅延時間 2）

1
0.1

tPHL

0.01
0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.00001

0.0001

COUT [F]S-80160AL

0.01

0.1

S-80160AN
Ta25°C

0.1

tPLH（遅延時間 2）

0.01
tPHL

Ta25°C

100

応答時間 [ms]1

応答時間 [ms]0.001COUT [F]tPLH（遅延時間 2）

10
1
0.1

tPHL

0.01
0.001

0.001
0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.00001

0.1

0.0001

COUT [F]

1 s

0.001

0.1

1 s

VIH

VDD

入力電圧

tPHL

*1

R
100 k

VDD
OUT
S-801
V DS シリーズ
VSS

VIL
VDD

0.01

COUT [F]

V

tPLH
VDD90 %

出力電圧

*1.

CMOS 出力品の場合、R は不要です。

VDD10 %VIH10 V, VIL0.95 V

図20
注意

応答時間の測定条件

図21

応答時間の測定回路

上記接続図は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。

25

超小型 遅延回路内蔵（遅延時間内部設定）
S-801シリーズ

高精度電圧検出器
Rev.4.2_01

応用回路例
マイコン等のリセット回路
マイクロコンピュータでは、電源電圧が動作保証電圧より低い場合、規定されていないオペレーシ
ョンを実行したり、メモリレジスタの内容が破壊されたりすることがあります。また、電源が正常電位に復帰したとき、マイコンを所定の初期状態に設定しておかないと以後異常動作をします。この様な事故を防ぐため、電源の瞬断、瞬停時にはリセットをかけなければなりません。
S-801シリーズ電圧検出器は、動作保証電圧が低く、検出電圧精度が高く、ヒステリシスを有しかつ遅延回路を内蔵しているため、図22 ~ 23に示す様にリセット回路を簡単に構成できます。
VDD1

VDD2

VDD
S801xxAL

S801xxAN

マイコン

マイコン

VSS

VSS

（ただし、Nch オープンドレイン出力品）

図22
注意

26

リセット回路例（S-801xxAL）

図23

リセット回路例（S-801xxAN）

上記接続図は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。

2.9±0.2
1.9±0.2
4

5

1

2

+0.1

0.16 -0.06

30.95±0.1
0.4±0.1

No. MP005-A-P-SD-1.3

TITLE

SOT235-A-PKG Dimensions

No.

MP005-A-P-SD-1.3

ANGLE
UNIT

mm

ABLIC Inc.

4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2)+0.1

ø1.5 -0+0.2

ø1.0 -0

2.0±0.05

0.25±0.1

4.0±0.1

1.4±0.2

3.2±0.2

3 2 1

4

5

Feed direction

No. MP005-A-C-SD-2.1

TITLE

SOT235-A-Carrier Tape

No.

MP005-A-C-SD-2.1

ANGLE
UNIT

mm

ABLIC Inc.

12.5max.

9.0±0.3

Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2

(60°)

(60°)

No. MP005-A-R-SD-1.1

TITLE

SOT235-A-Reel

No.

MP005-A-R-SD-1.1

ANGLE

QTY.

UNIT

mm

ABLIC Inc.

3,000

1.2±0.04
3

4

+0.05
0.08 -0.02

2

1

0.65
0.48±0.02

0.2±0.05

No. PF004-A-P-SD-6.0

TITLE

SNT-4A-A-PKG Dimensions

No.

PF004-A-P-SD-6.0

ANGLE
UNIT

mm

ABLIC Inc.

+0.1

ø1.5 -0

4.0±0.1

2.0±0.05

0.25±0.05+0.1

1.45±0.1

2

1

3

4

ø0.5 -0

4.0±0.1

0.65±0.05

Feed direction

No. PF004-A-C-SD-2.0

TITLE

SNT-4A-A-Carrier TapeNo.

PF004-A-C-SD-2.0

ANGLE
UNIT

mm

ABLIC Inc.

12.5max.

9.0±0.3

Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2

(60°)

(60°)

No. PF004-A-R-SD-1.0

TITLE

SNT-4A-A-Reel

No.

PF004-A-R-SD-1.0
QTY.

ANGLE
UNIT

mm

ABLIC Inc.

5,000

0.52

1.16

2

0.52

0.35

1.
2.

0.3

1

(0.25 mm min. / 0.30 mm typ.)(1.10 mm ~ 1.20 mm)
0.03 mm

1. Pay attention to the land pattern width (0.25 mm min. / 0.30 mm typ.).
2. Do not widen the land pattern to the center of the package (1.10 mm to 1.20 mm).
Caution 1. Do not do silkscreen printing and solder printing under the mold resin of the package.
2. The thickness of the solder resist on the wire pattern under the package should be 0.03 mm
or less from the land pattern surface.
3. Match the mask aperture size and aperture position with the land pattern.
4. Refer to "SNT Package User's Guide" for details.
1.
2.

(0.25 mm min. / 0.30 mm typ.)(1.10 mm ~ 1.20 mm)

No. PF004-A-L-SD-4.1

TITLE

SNT-4A-A-Land Recommendation

No.

PF004-A-L-SD-4.1

ANGLE
UNIT

mm

ABLIC Inc.

免責事項 (取り扱い上の注意)
1.

本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。

2.

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3.

本資料の記載に誤りがあり、それに起因する損害が生じた場合において、弊社はその責任を負いません。

4.

本資料に記載の範囲内の条件、特に絶対最大定格、動作電圧範囲、電気的特性等に注意して製品を使用してください。
本資料に記載の範囲外の条件での使用による故障や事故等に関する損害等について、弊社はその責任を負いません。

5.

本製品の使用にあたっては、用途および使用する地域、国に対応する法規制、および用途への適合性、安全性等を確認、試験してください。

6.

本製品を輸出する場合は、外国為替および外国貿易法、その他輸出関連法令を遵守し、関連する必要な手続きを行ってください。

7.

本製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りします。核兵器、
生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。

8.

本製品は、生命・身体に影響を与えるおそれのある機器または装置の部品および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および原子力機器等) として設計されたものではありません。上記の機器および装置には使用しないでください。ただし、弊社が車載用等の用途を事前に明示している場合を除きます。上記機器または装置の部品として本製品を使用された場合または弊社が事前明示した用途以外に本製品を使用された場合、これらにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。

9.

半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。本製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、
社会的損害等発生しないように、お客様の責任において冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。

10. 本製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対策を行ってください。
11. 本製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際は怪我等に注意してください。
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