酸化物超伝導体を用いた単層縦磁界直流模擬ケーブルの臨界電流特性に
関する研究

木内研究室
11232067
兵藤綾馬

電子情報工学科

目次
第 1 章 序論 ...................................................................................................................... 1
1.1

はじめに .............................................................................................................. 1

1.2

第一種超伝導体と第二種超伝導体........................................................................ 11.3

銅酸化物超伝導体 ................................................................................................ 2

1.4 ビスマス系超伝導体................................................................................................. 2
1.5

RE 系超伝導体 ..................................................................................................... 2

1.5.1

IBAD 法による基板の作製............................................................................ 3

1.5.2

PLD 法による超伝導層の作製 ...................................................................... 3

1.6 磁束ピンニング ...................................................................................................... 3
1.7 縦磁界効果 ............................................................................................................. 4
1.8 酸化物超伝導体の応用 ........................................................................................... 6
1.8.1 交流・直流超伝導ケーブル .............................................................................. 6
1.8.2 縦磁界効果を用いた直流超伝導電力ケーブル .................................................. 6
1.9 本研究の目的 ......................................................................................................... 8
第2章

実験 ..................................................................................................................... 92.1 試料 ....................................................................................................................... 92.2 測定及び評価方法 .................................................................................................. 9
2.2.1 短尺模擬ケーブルの作製方法 .........................................................................10
2.2.2 直流四端子法 .................................................................................................. 11
2.2.3 実験手順 .........................................................................................................12
第 3 章 実験結果及び考察 ...............................................................................................13
3.1 𝐸-𝐼特性 .................................................................................................................13
3.2 𝐼c-𝐵ext特性 ...........................................................................................................15
第 4 章 総括 ....................................................................................................................21
4.1 総括 ......................................................................................................................21
4.2 𝐼c-𝐵ext特性 ...........................................................................................................21
4.3 今後の課題 ............................................................................................................21
第 5 章 参考文献 ...............................................................................................................22i

第 1 章 序論
1.1 はじめに1908 年、オランダの物理学者 Heike Kamerlingh Onnes がヘリウムの液化に成功した。さらに、1911 年に液化したヘリウムによる極低温化における水銀の電気抵抗を調べたところ、
4.2 K 以下で電気抵抗がゼロになると発見された。この現象を超伝導現象といい、ある温度以下で超伝導現象を示す物質を超伝導体と呼ぶ。その後多くの元素、合金、化合物でその現象が起こることが確認されている。超伝導現象とは、物質の抵抗が温度の低下によりゼロになることである。しかし、その性質は、わずかな磁界や温度によって失われ常伝導状態となる。このときの磁界と温度を、臨界磁場 𝐵c 、臨界温度𝑇cと呼ぶ。1933 年にドイツの物理学者 Fritz Walther Meißner と Robert Ochsenfeld によって、超伝導体の完全反磁性が発見され(マイスナー効果)、
さらに 1957 年に John Bardeen、Leon Neil Cooper、John Robert Schriefferによって BCS 理論で超伝導現象を微視的に解明した。しかし、BCS 理論では、超伝導体の𝑇cは 30 K を超えないとされていたが、1986 年にドイツの物理学者 Johannes Georg Bednorzとスイスの物理学者 Karl Alexander Müller らによって La-Ba-Cu-O 系超伝導体が発見され、30 K を超える温度での超伝導状態発現の可能性が見出された。この発見以降、世界中で高温超電導体の研究が進められ、それから 1 年後には液体窒素の 77.3 K を超える𝑇cの物質が発見された。高い𝑇cを持つ超伝導体を高温超電導体と呼び、その中でも銅酸化物のものを銅酸化物超伝導体と呼ぶ。この超伝導体は液体ヘリウムに比べ安価な液体窒素を用いること
で超伝導状態となるため、様々な機器への応用が期待され大いに注目された。しかし、これらの高温超電導体は実用化するにあたって様々な課題が残されているため、現在も研究が進められている。

1.2 第一種超伝導体と第二種超伝導体
超伝導体は、磁界に対する反応の違いにより、第一種超伝導体と第二種超伝導体に区別される。
第一種超伝導体は、磁界の強さ𝐵が臨界磁界𝐵c 以下の場合に完全反磁性を示し、磁界の侵入を拒む。そして磁界の強さが𝐵c を超えると磁界が超伝導体内部に侵入し完全反磁性が失われ、超伝導状態が破壊される。
第二種超伝導体は、第一種超伝導体と同じようにある磁界までは完全反磁性を示す。その磁界を超えた場合、第一種超伝導体とは異なり、内部に磁界の侵入を許しつつ超伝導状態を保つ混合状態になる。さらに磁界を加えると最終的に超伝導状態は破壊される。第二種超伝導体が完全反磁性を示さなくなる転移磁界を下部臨界磁界𝐵c1 、超伝導状態が破壊される転移磁界を上部臨界磁界𝐵c2 と呼ぶ。
1

1.3 銅酸化物超伝導体
超伝導体の結晶内にCuO2面を持つものを銅酸化物超伝導体と呼ぶ。銅酸化物超伝導体の結晶構造は、超伝導層のCuO2面とブロック層が交互に積み重なった形になっているため、
CuO2面に平行な方向には電流が流れやすく、垂直な方向には電流が流れにくいという電流について異方性がある。そのため、優れた特性を得るためにはCuO2面の向きをそろえる必要がある。銅酸化物超伝導体は𝑇cが高いものが多く、液体ヘリウムに比べ安価な液体窒素を冷媒として用いることができる。その中で、特に Bi(ビスマス)系超伝導線材や RE(希土類)系超伝導線材の応用が期待されている。

1.4 ビスマス系超伝導体
銅酸化物超伝導体において、ビスマス系超電導体は、Bi、Sr、Ca、Cu、O の 5 つの元素が複雑な構成をなすセラミックである。銅酸化物超伝導体は脆いセラミックであるため、線材に加工することが容易ではない。また、CuO2面を揃えるように結晶構造の配向を行う
ことも容易ではない。しかし、Bi 系超伝導体は c 軸方向に比べ ab 面に広がった結晶を容易に得られる。CuO2面に劈開しやすいため、圧延などの機械的な加工により容易に配向が得られる。このような特徴があり、PIT 法と呼ばれる手法により結晶構造の配向がそろった状
態で、比較的可撓性があるテープ線材に加工することができる。
Bi 系超伝導体はその特徴として、比較的ピン力が弱い。そのため外部磁場の影響を受けやすい。特に高温、高磁界ではその影響は大きく、抵抗無しに流すことができる臨界電流
密度𝐽C は自己磁界中に比べ大きく低下する。
以上より、Bi 系超伝導体は銅酸化物超伝導体の中でも可撓性の高い線材に加工しやすく、臨界電流密度と臨界温度が高いという特徴がある。しかし、外部磁場の影響を受けやすい
ため超伝導体としての特性を大きく損なう欠点がある。

1.5 RE 系超伝導体
RE 系超伝導体の中で、最も研究が進められているのは Y-Ba-Cu-O(YBCO)系超伝導体である。YBCO の𝑇cは約90K で、液体窒素を冷媒として用いることができる。YBCO の Y を他の希土類元素に置き換えた物質も超伝導状態を示すことが知られている。一般に、置き換える希土類元素のイオン半径が大きいほど𝑇cは高くなる。しかし、置き換える元素のイオン半径が大きいと、超伝導層の製膜過程で別の物質が作られやすくなり、これは制御困難となる。そのため、置き換える元素は希土類元素の中で中程度のイオン半径の Gd をもちいている。

2

1.5.1 IBAD 法による基板の作製
IBAD 法は通常のイオンビームによるスパッタ蒸着法に改良を加え、アシストビームと呼ばれる第二のイオンビームを基材に照射しながら薄膜を成長させる方法である。成長途中の薄膜に対して特定方位からイオンビームを照射することにより、薄膜を構成する結晶粒の結晶軸が揃った二軸配向の中間層をテープ基材の上に成長させることができる。IBAD 基板を用いて作成された RE コート線材は高い輸送電流特性と長尺成膜を同時に実現でき、再現性にも優れているため近年研究が進められている。この方法により作製される配向中間層は結晶が傾くことなく非常に高い配向組織が得られる。また、イオンスパッタ装置を用いてターゲットをスパッタすることで結晶粒が細かくなるため、高性能線材の作製に向いている。その一方で高コストであることや、高配向を得るには長時間の製膜が必要である
ことなどの問題もある。近年では、配向性が悪くなるとされていた高速での IBAD 中間層であっても、その上に PLD 法で高速に CeO2を成膜することで高配向の中間層が作製できる手法が発見されている。

1.5.2 PLD 法による超伝導層の作製
PLD 法は、真空チャンバー内のターゲットに対し、集光されたレーザー光を断続定に照射し、固体原料を気化させて基材上に薄膜として堆積する方法である。超伝導層を作製する場合は超伝導体の塊をターゲットとして配向基板を用いることでその上に二軸配向した超伝導層を成膜できる。

1.6

磁束ピンニング

第二種超伝導体に電流を流すと、𝐵c2よりも低い磁界においても電気抵抗が発生する。この原因は、侵入した磁束線によるものである。第二種超伝導体内に磁束線が侵入した状態
で電流を流すと、磁束線はローレンツ力(𝐹L = 𝐽 × 𝐵)を受ける。磁束線がローレンツ力によって動き出すと、電流の向きと同じ方向に電界が発生するため、抵抗の発生に繋がる。
第二種超伝導体に侵入した磁束線がローレンツ力を受けて動き出す。これを反対方向の力で止めようとする機構を磁束ピンニングと呼ぶ。磁束ピンニングを起こすものをピン、ピンニングセンターと呼び、このピンには超伝導体の製造過程で生じた血管である状伝導
析出物、結晶粒界、格子欠陥などがある。ピンニング力の大きさがローレンツ力の大きさ以下である場合、磁束線は移動することができず、抵抗が発生しないため電気抵抗無しに電流を流すことができる。
第二種超伝導体内部に大きさ𝐵の磁束線が侵入した状態で、大きさ𝐽 = 𝐽c の電流密度の電流を流したとき、磁束線に働くピンニング力𝐹pとローレンツ力𝐹L はつり合い、𝐹p = 𝐽c 𝐵
3(1)となる。(1)式を変形すると、
𝐽c =

𝐹P
𝐵

(2)

となり、(2)式より𝐹pを向上させることで𝐽c の向上させることができる。

1.7

縦磁界効果

図 1.1 に示すように、超伝導体に流れる電流に対して平行に磁界を与えた場合(縦磁界)と、電流に対して垂直に磁界を与えた場合(横磁界)とは異なる以下のような現象が観測される。
1. 電流によって磁界と同方向の磁化が正となる。これを常磁性効果と呼ぶ。
2. 外部磁界(縦磁界)を増加させると交流電流による損失が減少する。
3. 縦磁界の場合は磁束線にたいして Lorentz 力が働かないため、臨界電流密度𝐽C が横磁界に比べて大きく増加する。
4. 磁束線の運動と電磁減少を結びつける Josephson の関係式(𝑬 = 𝑩 × 𝒗)は、磁束線の運動と異なると考えられるため成り立たない。
5. 電流の臨界値を超えた抵抗状態において、負の電界領域を含む表面電界構造が観測される。
これらを縦磁界効果と呼ぶ。
図 1.2 に Ti-Nb の円柱型超伝導体の臨界電流密度の磁界依存性の特性を示す。下の線が横磁界の場合で、上の線が縦磁界の状態を示す。図 1.2 より、縦磁界は横磁界と比べ臨界電流密度の増加が観測されている。

4

図 1.1：超伝導体に流れる電流に対し磁界を平行に与えた状態

図 1.2：Ti-Nb 円柱型超伝導体の𝐽c -B 特性[2]

5

1.8

酸化物超伝導体の応用

1.8.1 交流・直流超伝導ケーブル
超電導電力ケーブルには、交流電流を扱う交流超伝導電力ケーブルと直流電流を扱う直流超伝導電力ケーブルが開発されている。交流超伝導電力ケーブルは、交流の送電に扱われるため、その際の変圧が容易である。火力や原子力によって発電された交流電流を送電する場合用いることが可能だが、交流超伝導電力ケーブルにおいて超伝導体特有の交流損
失が発生する。したがって、超伝導体を用いるにも関わらず送電時の損失が生じる。一方で、直流超伝導電力ケーブルは、送電時の損失がなく、超伝導体の特徴を最大限利用することができる。しかし、現在の主流な送電方法は交流である。直流超伝導電力ケーブルを用いる場合、交流電流を直流電流に整流する必要がある。直流で発電される太陽光発電や、風力発電の送電に用いる場合は整流する必要がないため、その分のコストが不要である。

1.8.2 縦磁界効果を用いた直流超伝導電力ケーブル
超伝導電力ケーブルの輸送電流容量は、それを構成する超伝導線材の臨界電流密度特性
によって決まる。そのため、超電導電力ケーブルの輸送電流容量の改善には超伝導線材の臨界電流密度特性を改善によるものである。しかし、縦磁界下における超伝導体は横磁界下に比べ、臨界電流密度が大幅に増加することが知られている。これを利用することで超伝導線材の特性を改善することなく超電導電力ケーブルを改善することができると期待される。図 1.2 に縦磁界効果を用いた超伝導ケーブルの図を示す。

図1.2：縦磁界を用いた直流超伝導ケーブルの構造
6

ケーブルの構造において重要なことは、ケーブルの内側導体に縦磁界を与えることだ。
図 1.2 のように、内側の導体に外側のシールド導体を流れる電流によって縦磁界𝐵extが与えられるように、シールド導体をツイストする。こうすることで内側導体に縦磁界を与える
ことができる。内側導体に縦磁界を与えると、ローレンツ力𝐹L は、
𝐹L = 𝐽 × 𝐵=0(3)となり、これはフォース・フリー状態である。この状態を利用した超伝導電力ケーブルを
フォース・フリー・ケーブルという。
𝐵extはツイストしたシールド導体の超伝導線材によって内側導体に与えられると記したが、実際には内側導体を流れる電流による自己磁界の影響も考慮する必要があるので、最終的には全ての量が矛盾なく決定されなければならない。内側導体領域には厚さが 0.1 または0.2ｍｍ程度の高温超電導線材を数層から 10 層程度巻くのだが、全体での渥美が半径よりも十分に小さいので、平板近似が可能となる。線材を巻きつけるフォーマーの半径を𝑅、線材の厚さを𝑡、層数を𝑛とすると、線材の超伝導部分の厚さは𝑑 = 𝑛𝑡であり𝑑 ≪ 𝑅である。また、1 枚の線材の超伝導体の厚さを𝑠とすると、工業的臨界電流密度は(4)式で与えられる。
𝑠𝐽e = 𝐽c𝑡(4)超伝導部分を一様に𝐽𝑒 が流れているものとする。
超伝導部分を𝑦 − 𝑧平面に平行な平板とし、もっとも内側の表面を𝑥 = 𝑅、最も外側の表面を𝑥 = 𝑅 + 𝑑とする。𝑧軸からの角度を𝜃(𝑥)とすると、𝜃(𝑅) = 0である。縦磁界下では、Lorentz
力が 0 となるので、磁界𝐵は𝑥によらず一定でなくてはならない。よって、超伝導部分の磁束密度は式(5)と表すことができる。
𝐵 = (𝐵x , 𝐵y , 𝐵z )= (0, 𝐵sin(𝑥), 𝐵cos(𝑥))(5)

式(5)より、(6)式が満たされれば式(7)の電流分布となる。
𝜃(𝑥) =

𝜇0 𝐽e(𝑥 − 𝑅)𝐵

𝐽 = (0, 𝐽e sin𝜃(x), 𝐽e 𝑐𝑜𝑠𝜃(x))

(6)
(7)

最も外側の表面における磁界の角度𝜃maxは式(8)と表すことができ𝜃max =

𝜇0 𝐽c 𝑑𝐵

(8)かつ、𝑥 = 𝑅 + 𝑑における電流の自己磁界𝐵1は式(9)を満たさなければならない。
tan𝜃max =

7

𝐵1
𝐵e

(9)

この条件は単独で決めることができないため、式(7)の電流分布を用いて得られる𝐵1と矛
盾なく求める必要がある。
ここで、超伝導層の厚み𝑠を1.0µm、線材の厚さ𝑡を100µmのコート線材を想定する。その
縦磁界下および、横磁界下での 𝐽𝑐 をそれぞれ
𝐽𝑐|| = (5.0 + 6.0𝐵) × 1010 A/m2

(10)

= (5.0 − 4.0𝐵) × 1010 A/m2

(11)

𝐽𝑐⊥

であると仮定した。また、フォース・フリー・ケーブルの電流容量𝐼t と従来型のケーブルの電流用容量𝐼0 を用い、次式のケーブル効率を
𝜂=

𝐼t
𝐼0

(12)

と定義する。そして𝜃max = 60°、フォーマー半径を𝑎 = 30mmとした場合に、総数𝑛を4~10まで変えたときのケーブルの電流容量を求めた結果を表1.1に示す。これにより、フォース・
フリー・ケーブル特性のほうがすぐれていることが分かる。とくに、超伝導層が増え、𝐼t が大きくなるについれて優位性が発揮されている。このことは、縦磁界が増えることにより𝐽𝑐が増加するからである[3]。

1.9

本研究の目的以上述べた通り、通常の超伝導電力ケーブルと比べ、高い電力輸送能力を持つ縦磁界効
果を利用した超伝導直流ケーブルは実用化が重要視されている。このケーブルでは、図 1.2のような構造で、外側のシールド層の自己磁界が、内側の超電導線材に縦磁界が加わるよ
うに工夫されている。昨年は Bi-2223 ケーブルの実験を行った[4]。本研究では、縦磁界効果（𝐼c の増加）が大きい RE コート線材を用いて単層ケーブルを作製し、特性評価を行い、この縦磁界ケーブルの有効性を調べた。

8

第2章
2.1

実験

試料

本研究では、Superpower 社の市販コート線材（SCS4050）を用いた。表 2.1 に諸元を示す。図 2.1 に試料の構造を示す。20 µmの銅安定化層の上に~1.8 µmの銀保護膜を重ね、その上に50 µmの REBCO の超伝導層を作り、保護膜として2 µmの Ag を製膜し、最後に20 µmの銅安定化層で覆うことでコート線材を作製している。また、この線材の単線の評価を行った。（この測定試料を 0degree-1tape とする）。

図 2.1：Superpower-SCS4050 コート線材の構造[5]表 2.1：テープ線材の諸元
試料

幅[mm]

Superpower 社製

2.2

厚さ[mm]
4.04

0.093

𝐼c [A](77K 自己磁場)
141

測定及び評価方法

本研究では単層縦磁界模擬ケーブルを作製し、そのケーブルの特性評価を行う。ケーブ
ルに用いる超伝導線材は市販されている RE 系コート線材である。このコート線材を直径20 mmのフォーマーに 14 枚巻きつけた。巻きつけ角度は、軸に対して平行の𝜃＝0°と下記に示す自己磁界における影響を考慮した角度𝜃＝19°の 2 つである。（この模擬ケーブルの名称をそれぞれ、0degree-14tapes,19degree-14tapes とする）。
𝜃＝19°は、電流通電における垂直磁界（自己磁界）𝐵⊥と、軸方向に加える平行磁界（縦磁界）𝐵||から、アンペールの法則を用いて下記のように算出した。なお、今回の通電電流
9は𝐼 = 1650 A で、ケーブル半径は𝑟 = 10 × 10−3 m として計算を行った。
𝐵⊥＝µ0 𝐼 4𝜋 × 10−7 × 1650＝
＝0.0332𝜋𝑟
2𝜋 × 10 × 10−3
𝐵|| ＝0.04
tan𝜑 =

𝐵⊥ 0.033
＝
𝐵||
0.04

(13)

𝜑＝38
𝜃＝

𝜑
＝19
2

2.2.1 短尺模擬ケーブルの作製方法
本実験で使用する短尺模擬ケーブルの作製手順を示す。また、その作業概略を図 2.2 に示す。ここで、Superpower 社製のテープ線材を 14 枚使用する。
1. 巻きつけるためのベークライト製フォーマーを用意する。このフォーマーの半径𝑟は、
テープ線材の幅を𝑎とすると、

𝑟=14𝑎2𝜋cos𝜃

(14)

であたえられる。
2. テープ線材をフォーマーに必要な角度で 14 枚巻きつける。
3. 2 の両端に、定電流源に接続するための電極を設置する。これは半田で溶接した。
4. 3 に、電圧計に接続するための銅線を設置する。2 同様に半田で溶接した。

10

フォーマー

テープ線材
フォーマーに任意の角度でテープ線材を巻きつける

14 枚巻きつける

銅版を巻きつけ、半田で溶接する（電流源に接続する電極）

銅線を巻きつけ、半田で溶接する（電圧計に接続する端子）
図2.2：直流超伝導短尺模擬ケーブルの作製の概略

2.2.2 直流四端子法
直流四端子法は、超伝導体などの電気抵抗が小さい試料の V-I 特性を測定うるときに用いられる手法である。図2.3に概略図を示す。図2.3において、𝑅mは測定試料の抵抗、𝑅0は回路の接触抵抗、𝑅1は電圧の内部抵抗とする。回路に電流𝐼を与えたとき、𝑅mに𝐼1 [A]、𝑅1に𝐼2 [𝐴]が流れたとすると、Kirchhoff の第一法則より、
𝐼 = 𝐼1 + 𝐼2

(15)

𝑉 = 𝑅m 𝐼1 + (2𝑅0 +𝑅1 )𝐼2(16)測定される電圧𝑉は、

11𝑅m ≪ 𝑅1 とすると、𝐼1 → 1、𝐼2 → 0なので、
𝑉 = 𝑅m 𝐼1(17)となる。したがって、測定試料が電圧計の内部抵抗と比較して十分小さければ、直流四端子法により十分に精度の高い測定が可能となる。本実験における測定は、超伝導体の𝐼c 近傍のため、𝑅m ≪ 𝑅1 を満たす。

図2.3：直流四端子法の概略図

2.2.3 実験手順
2.2.1節のように作製した短尺模擬ケーブルに対し、以下の手順で実験を行った。
1. 短尺模擬ケーブルに対し、縦方向に任意の大きさの外部磁界を与えるためのパンケーキ
コイル(~1.0 T)を用意し、その内部の中心に短尺模擬ケーブルを設置する。
2.

1.全体を液体窒素で満たすことができる容器を用意し、その容器の中に 1.を設置する。

3. 定電流源と電圧計に接続し、1.全体を液体窒素で満たす。
4. パンケーキコイルによって、短尺模擬ケーブルに0~0.9 Tの間で任意の外部磁界𝐵extを与える。与える電流𝐼を PC で制御し、1 秒当たり5 Aずつ増加させる。ただし、初期電流は0 Aである。また、0.5秒置き𝐼、𝑉を PC に記録する。このとき、PC によって𝑉と電圧計に接続した端子間の距離[m]から電界𝐸[V/m]を以下の式の関係から逐次評価し、PCにより記録する。電圧端子間の距離は、𝜃＝0°、𝜃＝19°共に 36 mm である。
𝐸=

𝑉
電圧端子間の距離(18)

5. 𝐸が1.0 × 10−2 V/mに達したとき、その測定を終了する。
6. 4.、5.を異なる任意の𝐵extで繰り返し実行する。本実験では、この繰り返しを 30 回程度
行う。
12

第3章

実験結果及び考察

3.1 𝐸-𝐼特性

E[V/m]

0.00040T
14 tapes 0 degree
1tapes×14
14tapes19degree+
0.000214tapes19degree−

0

0

1000
I [A]

2000

図 3.1.1：0 T のときのそれぞれの𝐸-𝐼特性

0.00040.04T

E[V/m]

14tapes0degree
1tapes×14
14tapes19degere+
14tapes19degree−

0.0002

0

0

1000

2000

I[A]
図 3.1.2：0.04 T のときのそれぞれの𝐸-𝐼特性13

0.0004

E[V/m]

0.7T SuperPower 14 tapes
14tapes0degree
1tapes×14
14tapes19degree+
0.000214tapes19degree−

0
0

1000
I[A]

図 3.1.3：0.7 T のときのそれぞれの𝐸-𝐼特性
図 3.1.1～3.1.3 に 0 T、0.04 T、0.7 T のときの𝐸-𝐼特性を示す。この 𝐸-𝐼特性から 3.2 の𝐼c -𝐵ext特性が決まる。以下にその結果と考察を示す。

14

3.2 𝐼c -𝐵ext 特性

0degree−1tape×140degree−14tapes

Ic[A]

Ic[A]

1500

1000

0

0.5

1

Bext[T]
図 3.2.1：テープ線材 1 枚の 14 倍と 0degree14tapes の𝐼c -𝐵ext特性
図 3.2.1 にテープ線材 1 枚の 14 倍と 0degree-14tapes の𝐼𝑐 -𝐵ext特性を示す。
図 3.2.1 より、
0 T において 0degree14tapes の𝐼c がテープ線材の 14 倍（0degree1tape× 14）の𝐼c に比べて10%程高い結果が得られた。これは、図 3.2.2 に示すように、テープ線材 1 枚の端部に発生する自己磁界をケーブル状に配置することで打ち消すことができたためと考えられる。また 0degree1tape× 14は低磁界では磁界依存性が緩やかになる領域があるが、磁界を加えると、0.1 T で𝐼c は減少している。

15

0degree1tape

0degree14tapes

図 3.2.2：0degree1tape と 0degree14tapes の自己磁界𝐵self

19degree14tapes+
19degree14tapes−

Ic[A]

1500

1000

0

0.5

Bext[T]
図 3.2.3：19degree-14tapes の𝐼c -𝐵ext特性
161図 3.2.4：自己磁界と与える磁場の関係
図 3.2.3 に 19degree-14tapes の𝐼c -𝐵ext特性を示す。図 3.2.4 に電流通電したときのテープ
線材による自己磁界と与える外部磁場の関係を示す。図 3.2.4 に示すように、自己磁界𝐵selfと与える磁界𝐵extの関係から、テープ線材に縦磁界が加わるような電流の方向（上図）を正とする。
図 3.2.3 の 19degree14tapes+（赤シンボル）は、自己磁界と与える磁界の関係から、テープ線材に縦磁界が加わるように電流を流した場合（正方向）の結果である。0～0.1 T の間で臨界電流𝐼𝑐 が増加している。また 19degree14tapes-（負の方向）と比べると 0.1~0.9 T
まで𝐼𝑐 が大きくなっている。これは、図 3.2.4 のように、低磁界下では自己磁界によって全体の磁界がテープ線材に対し平行を保ち、縦磁界効果をより大きく得ることができたため、
図 3.2.3 のように𝐼c が上昇したと考えられる。また、負の方向では全体の磁界がテープ線材に対し非平行に加わるため、磁界の増加に対し𝐼c が単調に減少する。

17

14tapes0degree
14tapes19degree−
14tapes19degree+

Ic[A]

1500

1000

0

0.5

1

Bext[T]
図 3.2.5：0degree14tapes と 19degree14tapes の𝐼c -𝐵ext特性

図 3.2.6：0 T のときの𝐸-𝐼特性
18図 3.2.7：0.04 T のときの𝐸-𝐼特性

図 3.2.8：0.7 T のときの𝐸-𝐼特性
19図 3.2.9：与える磁界𝐵extと自己磁界𝐵selfとテープ線材の関係
図 3.2.5 に 0degree14tapes と 19degree14tapes の𝐼c -𝐵ext特性を示す。図 3.2.6 に 0 T のときの、図 3.2.7 に 0.04 T のときの、図 3.2.8 に 0.7 T のときの𝐸-𝐼特性を示す。図 3.2.9 に与える磁界𝐵extと自己磁界𝐵selfとテープ線材の関係を示す。
図 3.2.5 を見ると、磁界を加え、0.2 T を超えると 0degree14tapes が 19degree14tapes
より大きくなっている。また、図 3.2.6～3.2.8 を見ると、与える磁界の変化に対して、それぞれ曲線に変化は見られない。よって、テープ線材の超伝導層に何らかの欠陥が生じたわ
けではないと考える。図 3.2.9 に示すように、低磁界下では与える磁界と自己磁界により、テープ線材と磁界が平行になり縦磁界効果を得ることができたため𝐼c が増加した。しかし、与える磁界を大きくすると図 3.2.9 の右図のように、テープ線材と磁界が非平行になり𝐼c の減少につながると考えられる。また、テープ線材に流れる電流が減少すると自己磁界も減
少していくため、与える磁界を大きくすればするほどテープ線材と磁界の角度が大きくな
り、𝐼c はより減少すると考えられる。
0.04 T で 14tapes19degree+が最大値を示す。14tapes19degree+と 14tapes0degree の𝐼cを比べると、最大で約 13%大きくなっている。昨年の Bi-2223 を用いた場合[4]では、𝐼c の増加は 3%程だった。このことから、Bi-2223 テープ線材よりも縦磁界効果（𝐼c の増加）が大きい RE コート線材を用いることが有用だと言える。

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第4章

総括

4.1 総括本研究では、Superpower 社製の RE コート線材を用いて、線材に生じる自己磁界の影響を考慮した短尺模擬ケーブルを制作し、縦磁界下での特性評価を行い、このような配置が有効であるか調査した。

4.2 𝐼c -𝐵ext 特性
ケーブルの軸に対して平行なケーブル（𝜃＝0°）と自己磁界の影響を考慮したケーブル（𝜃＝19°）の 2 つで行った。𝜃＝19°のケーブルは、自己磁界と与える磁界の関係からテープ線材に縦磁界が加わる方向に電流を流した場合（正方向）、0～0.1 T の間で増加し、0.9
T まで負の方向よりも臨界電流𝐼c が大きくなった。しかし、𝜃＝0°の場合のケーブルと比較すると、自己磁界の影響を考慮していない𝜃＝0°のほうが磁界を加えていくと電流容量が大きくなった。与える磁界の変化が、テープ線材に加わる磁界に影響し、非平行な磁界を与えていた。したがって、縦磁界効果による電流容量の増加を得るためには、自己磁界の影
響をきちんと考慮することも必要であり、このような配置が有効であることが確認できた。

4.3 今後の課題
本実験では、自己磁界を考慮した単層短尺模擬ケーブルの特性評価を行った。したがって、複層のフォース・フリー・ケーブルの場合には多層からの自己磁界による縦磁界を得られないために、パンケーキコイルを用いて外部磁界を与える必要があった。また、フォース・フリー・ケーブルは多層構造で、各層の自己磁界によって縦磁界効果を得るため、より高度な計算から各層の角度を求める必要がある。今後の課題として、自己磁界を考慮した複層短尺模擬ケーブルの作製と特性評価を行い、外部磁界を与えずにこのケーブルの形状がどれほど輸送電流の増加に有効であるかを調査する必要がある。

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第 5 章 参考文献
[1] 松下照男 磁束ピンニングと電磁現象 産業図書株式会社[2] Yu. F. Bychkov, V. G. Vereshchagin, M. T. Zuev,V. R. Karasik, G. B. Kurganow and
V. A. Mal’tesv: JETP Lett. 9 (1969) 404.
[3] T.Matsushita，M.Kiuchi，E.S.Otabe，and V.S.Vyatkin Appl.Supercond.Conf.-13-02.
[4] V.S.Vyatkin, M Kiuchi, E.S. Otabe, M Ohya, and T Matsushita Supercond. Sci.
Technol. 28 (2015) 015011 (3pp)[5] Superpower.inc22

謝辞
本研究を行うにあたり、様々な助言、ご指導をして頂きました小田部荘司教授、木内勝
准教授、ビャトキン・ウラジミール博士に深く感謝申し上げます。また、公私共々御世話になりました小田部・木内研究室の皆様に心より感謝致します。ありがとうございました。

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