CMOS ICアプリケーションノート

S-8209Bシリーズの使用例

Rev.1.5_02© ABLIC Inc., 2008-2015

S-8209Bシリーズは、セルバランス機能付バッテリー保護用ICです。
このアプリケーションノートは、S-8209Bシリーズを用いたアプリケーションについて代表的な接続例を説明した参考資料です。
製品の詳細、仕様についてはデータシートにてご確認ください。
S-8209Bシリーズを使用することにより、以下のアプリケーションが構成可能です。
・ 2セル以上の多セル直列保護回路
・ セルバランス機能を備えたバッテリー保護回路

 S-8209Bシリーズを用いた多セル直列保護回路

S-8209B

S-8209B

S-8209B

1

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S-8209Bシリーズの使用例

目次

1. S-8209Bシリーズ (放電セルバランス機能なし) を用いた多セル直列保護回路 ...................................... 3
1. 1 バッテリー保護ICの接続例 ............................................................................................................................... 3
1. 2 動作説明 ........................................................................................................................................................... 4
1. 2. 1

通常状態 .................................................................................................................................................... 4

1. 2. 2充電禁止状態 ............................................................................................................................................. 5

1. 2. 3放電禁止状態 ............................................................................................................................................. 6

1. 2. 4充電セルバランス機能 .............................................................................................................................. 7

1. 2. 5遅延回路 .................................................................................................................................................... 7

1. 3 タイミングチャート ......................................................................................................................................... 8
1. 3. 1過充電検出 ................................................................................................................................................ 8

1. 3. 2過放電検出 ................................................................................................................................................ 9

1. 4 充電セルバランス検出の実測データ .............................................................................................................. 10
1. 4. 1充電電流に対してバイパス電流の比率が高い場合 .................................................................................. 10

1. 4. 2充電電流に対してバイパス電流の比率が低い場合 .................................................................................. 11

2. S-8209Bシリーズ (放電セルバランス機能あり) を用いた多セル直列保護回路 .................................... 12
2. 1 バッテリー保護ICの接続例 ............................................................................................................................. 12
2. 2 動作説明 ......................................................................................................................................................... 13
2. 3 過放電検出のタイミングチャート .................................................................................................................. 14
2. 4 過放電セルバランス検出の実測データ ........................................................................................................... 153. 応用回路例 ............................................................................................................................................... 16
4. 外付け部品一覧 ........................................................................................................................................ 17
5. 注意事項 .................................................................................................................................................. 18
6. 関連資料 .................................................................................................................................................. 182

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1.

S-8209Bシリーズの使用例

S-8209Bシリーズ (放電セルバランス機能なし) を用いた多セル直列保護回路
S-8209Bシリーズは、CTLC, CTLD端子を他のS-8209BシリーズのCO, DO端子と接続することで、複数の直列接続された電池の保護回路を構成することが可能です。

1. 1

バッテリー保護ICの接続例
図1にS-8209Bシリーズを用いた多セル直列保護回路例を示します。

CFET

DFETP
RCO4

RDO4

RDO5

RDO8
P2

P1

RCTLD0

RCTLC

CO1
VDD
CVSS RPASS
CDT
DO1
CBFET1
S-8209B(1)
CB1
BAT1
CTLC1
VSS1
CTLD1
RCB RVSS

RCTLD
RDO1

RDO7

RCTLC

RDO6

RCO2QCORDO2QDO

RCO3P

備考

各外付け部品の定数については、「4.

RCTLC0RCTLD

CO2VDD

CO3VDDCVSS RPASS
CDTDO2
CBFET2
S-8209B(2)CB2BAT2CTLC2
VSS2
CTLD2
RCB RVSS
CCDT CVSS
RPASS
CDT
DO3
CBFET3
S-8209B(3)CB3BAT3CTLC3
VSS3
CTLD3
RCB RVSS

RDO3

外付け部品一覧」を参照してください。
図1

注意 1.
2.

上記定数は予告なく変更することがあります。
上記接続例および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。

3

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S-8209Bシリーズの使用例

1. 2

動作説明

ここでは、図1に示したS-8209Bシリーズを用いた多セル直列保護回路例の動作について説明します。
1. 2. 1

通常状態

以下に、通常状態の動作を説明します。
S-8209B（1）はCTLC1, CTLD1端子がそれぞれVDD1端子電位へプルアップされているため、BAT1が過放電検出電圧（VDL）より高く、かつ過充電検出電圧（VCU）未満であれば通常状態となります。CO1, DO1端子はともにVDD1端子電位となります。
S-8209B（2）はCTLC2, CTLD2端子がそれぞれCO1, DO1端子によりVDD1端子電位へプルアップされているた
め、BAT2がVDLより高く、かつVCU未満であれば通常状態となります。CO2, DO2端子はともにVDD2端子電位となります。
S-8209B（3）はCTLC3, CTLD3端子がそれぞれCO2, DO2端子によりVDD2端子電位へプルアップされているた
め、BAT3がVDLより高く、かつVCU未満であれば通常状態となります。CO3, DO3端子はともにVDD3端子電位となります。
通常状態の各端子の状態を表1に示します。
表1CTLC端子

CTLD端子バッテリーの状態

CO端子

DO端子

CTLC1 = VDD1CTLC2 = VDD1CTLC3 = VDD2CTLD1 = VDD1CTLD2 = VDD1CTLD3 = VDD2VDL＜BAT1＜VCU
VDL＜BAT2＜VCU
VDL＜BAT3＜VCU

CO1 = VDD1
CO2 = VDD2
CO3 = VDD3

DO1 = VDD1
DO2 = VDD2
DO3 = VDD3

通常状態のS-8209B（3）はCO3, DO3端子に外付けされたトランジスタ（QCO, QDO, P1, P2）を通じて充電制御用FET（CFET）、放電制御用FET（DFET）をともにオンします。
したがって、P－P間に接続された充電器もしくは負荷による充放電が可能です。

4

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1. 2. 2

S-8209Bシリーズの使用例

充電禁止状態以下に、S-8209B（1）が過充電を検出し、S-8209B（2）,（3）が通常状態の場合を例に、充電禁止状態の動作を説明します。
S-8209B（1）はBAT1が充電によりVCU以上になると過充電状態となり、CO1端子がハイインピーダンスとなります。
S-8209B（2）のCTLC2端子は、CTLC端子シンク電流（ICTLCL）によってVSS2端子にプルダウンされています。
CO1端子がハイインピーダンスとなることで、CTLC2端子はVSS2端子電位となります。したがってCTLC2端子
電位がCTLC端子L電圧（VCTLCL）以下になったことでS-8209B（2）も過充電状態となり、CO2端子はハイインピーダンスとなります。
同様にS-8209B（3）のCTLC3端子はICTLCLによってVSS3端子にプルダウンされています。CO2端子がハイインピーダンスとなることで、CTLC3端子はVSS3端子電位となります。したがってCTLC3端子電位がVCTLCL以下になったことでS-8209B（3）も過充電状態となります。
この場合の各端子の状態を表2に示します。
表2CTLC端子

CTLD端子バッテリーの状態

CO端子

DO端子

CTLC1 = VDD1CTLC2 = VSS2
CTLC3 = VSS3

CTLD1 = VDD1
CTLD2 = VDD1CTLD3 = VDD2VCU≦BAT1VDL＜BAT2＜VCU
VDL＜BAT3＜VCU

CO1 = High-Z
CO2 = High-Z
CO3 = High-Z

DO1 = VDD1
DO2 = VDD2
DO3 = VDD3

過充電状態のS-8209B（3）は、CO3端子に外付けされたバイポーラトランジスタ（QCO）を通じてCFETをオフします。この場合、P－P間に接続された充電器による充電が禁止されます。
以上のようにして、CO端子－CTLC端子を通じて上段（S-8209B（1））から下段（S-8209B（3））へ過充電状態が通信されます。
BAT2またはBAT3がVCU以上になった場合にも、同様に充電が禁止されます。

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S-8209Bシリーズの使用例

1. 2. 3

放電禁止状態

以下に、S-8209B（1）が過放電を検出し、S-8209B（2）,（3）が通常状態の場合を例に、放電禁止状態の動作を説明します。
S-8209B（1）はBAT1が放電によりVDL以下になると過放電状態となり、DO1端子がハイインピーダンスとなります。
S-8209B（2）のCTLD2端子はCTLD端子シンク電流（ICTLDL）によってVSS2端子にプルダウンされています。
DO1端子がハイインピーダンスとなることで、CTLD2端子はVSS2端子電位となります。したがってCTLD2端子電位がCTLD端子L電圧（VCTLDL）以下になったことでS-8209B（2）も過放電状態となり、DO2端子はハイインピーダンスとなります。
同様にS-8209B（3）のCTLD3端子はICTLDLによってVSS3端子にプルダウンされています。DO2端子がハイイン
ピーダンスとなることで、CTLD3端子はVSS3端子電位となります。したがってCTLD3端子電位がVCTLDL以下になったことでS-8209B（3）も過放電状態となります。
この場合の各端子の状態を表3に示します。
表3CTLC端子

CTLD端子バッテリーの状態

CO端子

DO端子

CTLC1 = VDD1CTLC2 = VDD1CTLC3 = VDD2CTLD1 = VDD1CTLD2 = VSS2CTLD3 = VSS3

BAT1≦VDLVDL＜BAT2＜VCU
VDL＜BAT3＜VCU

CO1 = VDD1CO2 = VDD2CO3 = VDD3

DO1 = High-Z
DO2 = High-Z
DO3 = High-Z

過放電状態のS-8209B（3）は、DO3端子に外付けされたトランジスタ（QDO, P1, P2）を通じてDFETをオフします。この場合、P－P間に接続された負荷への放電が禁止されます。
以上のようにして、DO端子－CTLD端子を通じて上段（S-8209B（1））から下段（S-8209B（3））へ過放電状態が通信されます。
BAT2またはBAT3がVDL以下になった場合にも、同様に放電が禁止されます。

6

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1. 2. 4

S-8209Bシリーズの使用例

充電セルバランス機能

図1において、S-8209B（1）はBAT1が充電によりセルバランス検出電圧（VBU）以上になるとCB1端子をVDD1
端子電位とします。この動作により、セルバランス制御用FET（CBFET1）はオンとなり、BAT1に流れる充電電流はセルバランス制御用FETによりバイパスされます。
この時点でBAT2, BAT3がVBU未満の場合、BAT1の充電スピードはBAT2, BAT3の充電スピードと比較して緩やかになります。これを充電セルバランス機能と言います。どの電池がVBUに達しても、それぞれ対応するセルバ
ランス制御用FETがオンとなり、セルバランスが整えられます。
なお、放電により電池電圧がふたたびセルバランス解除電圧（VBL）以下まで下がった場合、S-8209Bシリーズはセルバランス制御用FETをオフにします。
注意

1. 2. 5

図1の保護回路の組み立て時に、電圧がVBL以上の電池が含まれていた場合は、電池接続直後にセルバランス制御用FETがオンとなる可能性があります。

遅延回路

図1のようにS-8209B（3）のCDT3端子にのみ遅延容量を接続すると、どのバッテリーが検出を行ってもほぼ一定の検出遅延時間（tDET）と解除遅延時間（tREL）を得ることができます。
（1）検出遅延時間（tDET）
BAT1が充電によりVCU以上になった場合、CDT1端子には容量が接続されていないため、数百s程度の遅延
後にCO1端子がハイインピーダンスとなり、CTLC2端子はVSS2端子電位となります。
S-8209B（2）も同様に、CTLC2端子電位がVCTLCL以下になってから数百s程度の遅延後にCO2端子がハイインピーダンスとなります。
S-8209B（3）はCDT3端子にCCDTが接続されているため、10.0 [M]（Typ.）×0.01 [F] = 0.1 [s]（Typ.）の遅延後にCO3端子がハイインピーダンスとなります。
このようにして、S-8209B（3）の遅延時間によって全体の遅延時間が決定されるため、どのバッテリーが検出を行ってもほぼ一定の検出遅延時間を得ることができます。
（2）解除遅延時間（tREL）
S-8209Bシリーズは解除遅延時間（tREL）も備えており、検出遅延時間の約10分の1となるよう設定されています。検出遅延時間と同様に、S-8209B（3）のCDT3端子にのみ遅延容量を接続すると、ほぼ一定の解除遅延時間を得ることができます。

7

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S-8209Bシリーズの使用例

1. 3

タイミングチャート

1. 3. 1

過充電検出

VCU (1)VBU (1)
VBL (1)
VCL (1)

VDD1

VDD1

CB1

CB1
VSS (1)VCU (2)
VBU (2)
VBL (2)
VCL (2)
VDD2

VDD2

CB2

CB2

VSS (2)

tDET

tDET
tREL

VCU (3)tREL

VBU (3)
VBL (3)
VCL (3)
VDD3

VDD3

CB3

CB3

VSS (3)

P
VDD1
VDD2
VDD3

CO1
CO2

CFETゲート電圧

CO3

VSS3
*1

充電器接続
負荷接続
通常状態

*1.

充電禁止状態

この期間は、CFETの寄生ダイオードを経由して放電電流が流れます。
図28

通常状態

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1. 3. 2

S-8209Bシリーズの使用例

過放電検出

VDU (1)
VDL (1)VDD1VSS (1)VDD2
VDU (2)
VDL (2)

VSS (2)

tREL

tDET

VDD3
VDU (3)
VDL (3)

VSS (3)
VDD1
VDD2

DO1

VDD3

DO2

DFETゲート電圧

DO3
VSS3
*1

充電器接続
負荷接続
放電禁止状態

通常状態

*1.

通常状態

この期間は、DFETの寄生ダイオードを経由して充電電流が流れます。
図39

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S-8209Bシリーズの使用例

1. 4

充電セルバランス検出の実測データ
S-8209BAAを使用して3セル直列リチウムイオン二次電池をセルバランスさせた実測データを示します。

1. 4. 1 充電電流に対してバイパス電流の比率が高い場合
充電器：定電流充電器（0.05 C = 145 mA）
S-8209BAA 充電セルバランス

0.05 C 定電流充電

4.2
過充電検出

電池電圧絶対値 [V]セルバランス検出

VCU

4.1

VBU
BAT3

4.0

VBL = VCL

BAT2
BAT1
3.9

3.8060120180240300

360420480時間 [min.]
充電器接続
CB1
CBFET1 オン
CB2
CBFET2 オン
CB3CBFET3 オン
CFET Gate

図4
測定条件
測定回路：図1
IC：S-8209BAA（VCU = 4.100 V, VCL = 4.000 V, VBU = 4.050 V, VBL = 4.000 V, VDL = 2.500 V, VDU = 2.700 V）
電池：3セル直列 リチウムイオン二次電池 公称容量：2.9 Ah サイズ：18650
RPASS：51 （1 W）→ バイパス電流 = 4.1 V / 51  = 80 mA

10

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1. 4. 2

S-8209Bシリーズの使用例

充電電流に対してバイパス電流の比率が低い場合

充電電流に対してバイパス電流の比率が低い場合は、セルバランスサイクルを数回繰り返すことでセルバランスを揃えることが可能です。
充電器：定電流充電器（0.1 C = 290 mA）
S-8209BAA 充電セルバランス

0.1 C 定電流充電

電池電圧絶対値 [V]

4.2
VCU

4.1
BAT3VBU
VBL = VCL

4.0
BAT2
BAT1

3.93.8060120180240300360

420480

時間 [min.]
充電器接続

図5
測定条件
測定回路：図1
IC：S-8209BAA（VCU = 4.100 V, VCL = 4.000 V, VBU = 4.050 V, VBL = 4.000 V, VDL = 2.500 V, VDU = 2.700 V）
電池：3セル直列 リチウムイオン二次電池 公称容量：2.9 Ah サイズ：18650
RPASS：51 （1 W）→ バイパス電流 = 4.1 V / 51  = 80 mA

11

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S-8209Bシリーズの使用例
2.

S-8209Bシリーズ (放電セルバランス機能あり) を用いた多セル直列保護回路
2. 1

バッテリー保護ICの接続例

バイポーラトランジスタ（QCTLD1, QCTLD2）を追加することにより、最下段（S-8209B（3））から最上段（S-8209B（1））へ過放電状態を通信する機能が追加されます。

DFET

CFET

RDO8P
RCO4

RDO5 RCTLD1RDO4QCTLD1P2

P1

RCTLD4QCTLD2

RCTLD2

RCTLC0

RCTLC
RCTLD

CO1
RCTLD0RCTLD3RDO1RDO7

RCTLC
RDO6

RCO2P備考

RDO2QDOQCO

CVSS
CBFET1

RPASS
BAT1

RCB

RVSS

CO2
VDD2
CVSS
CDT2
DO2
CBFET2
S-8209B(2)CB2CTLC2
VSS2
CTLD2
RCB RVSS

RPASS
BAT2

VDD3CO3
CCDT CVSS
CDT3
DO3CBFET3
S-8209B(3)
RPASS
CB3
BAT3CTLC3
VSS3
CTLD3
RCB RVSS

RDO3

RCO3

各外付け部品の定数については、「4.

RCTLD

VDD1
CDT1
DO1
S-8209B(1)
CB1
CTLC1
CTLD1 VSS1

外付け部品一覧」を参照してください。
図6

注意 1.
2.

12

上記定数は予告なく変更することがあります。
上記接続例および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。

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2. 2

S-8209Bシリーズの使用例

動作説明

ここでは、図 6 に示した S-8209B シリーズを用いた多セル直列保護回路例の動作について説明します。
図 6 の回路にバイポーラトランジスタ（QCTLD1, QCTLD2）を追加することにより、最下段（S-8209B（3））から最上段（S-8209B（1））へ過放電状態を通信する機能が追加されます。これにより、S-8209B（1）～（3）のどれが最初に過放電状態になっても、他のすべての S-8209B シリーズのセルバランス制御用 FET（CBFET）をオンにさせることができますので、より確実にセルバランスを整えることができます。
以下に、S-8209B（2）が過放電を検出し、S-8209B（1）,（3）が通常状態の場合を例に、放電禁止状態の動作を説明します。
1. BAT2 が放電により VDL 以下になると S-8209B（2）は過放電状態となり、DO2 端子はハイインピーダンスとなります。
2. DO2 端子－CTLD3 端子を通じて S-8209B（3）も過放電状態となります。
3. 放電セルバランス機能によって S-8209B（3）はセルバランス制御用 FET（CBFET3）をオンにします。
4. 過放電状態の S-8209B（3）は、トランジスタ（QDO, P1, P2）を通じて DFET をオフし、P－P間に接続された負荷への放電を禁止します。
5. P端子は P－P間に接続された負荷によりプルダウンされます。
6. QCTLD1, QCTLD2 はともにオフとなり、S-8209B（1）の CTLD1 端子がハイインピーダンスとなります。
7. S-8209B（1）も過放電状態となり、放電セルバランス機能によってセルバランス制御用 FET（CBFET1）はオンとなります。
以上のようにして、BAT2の電圧低下によりS-8209B（2）が最初に過放電を検出した場合でも、QCTLD1, QCTLD2を通じてS-8209B（3）からS-8209B（1）へ過放電状態が通信され、その結果S-8209B（1）～（3）のすべてが過放電状態となり、それぞれのBATがVDLより高い場合には放電セルバランス機能によりセルバランスが整えられます。
BAT1～3の電圧がVDL以下まで下がると、それぞれ対応するセルバランス制御用FETはオフになります。
また、放電禁止後にP－P間に充電器を接続した場合、QCTLD1, QCTLD2はオンとなり、CTLD1端子はVDD1端子電位へプルアップされます。したがってBAT1の電圧がVDL以下に達していなくてもS-8209B（1）のセルバランス制御FET（CBFET1）はオフとなります。
注意

図6の保護回路の組み立て時に、電圧がVBL以上または過放電解除電圧（VDU）以下の電池が含まれていない
場合、電池接続直後にセルバランス制御用FETがオンとなる可能性があります。その際にはP－P間に充電器を接続すると、セルバランス制御用FETはオフになります。

13

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S-8209Bシリーズの使用例

2. 3

過放電検出のタイミングチャート

VDD1
VDU (1)
VDL (1)CB1

CB1

VSS (1)

VDU (2)
VDL (2)VDD2VSS (2)tREL

tDETtRELVDD3VDU (3)
VDL (3)CB3

CB3VSS (3)

VDD1
DO1

DFETゲート電圧

VDD2DO2VDD3DO3

VSS3
*1

充電器接続
負荷接続
放電禁止状態

通常状態*1.

この期間は、DFETの寄生ダイオードを経由して充電電流が流れます。
図714

通常状態

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2. 4

S-8209Bシリーズの使用例

過放電セルバランス検出の実測データ

S-8209BAAを使用して3セル直列リチウムイオン二次電池をセルバランスさせた実測データを示します。
S-8209BAA 放電セルバランス
3.5
3.4

BAT23.3
電池電圧絶対値 [V]

3.2
3.1
3.0

BAT3

2.9

BAT1

2.8

VDU

2.7
2.6

VDL

2.5
2.40200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

2000

時間 [min.]
負荷接続
DFET Gate

図8

測定条件
測定回路：図6
IC：S-8209BAA（VCU = 4.100 V, VCL = 4.000 V, VBU = 4.050 V, VBL = 4.000 V, VDL = 2.500 V, VDU = 2.700 V）
電池：3セル直列 リチウムイオン二次電池 公称容量：2.9 Ah サイズ：18650
RPASS：51 （1 W）→ バイパス電流 = 2.5 V / 51  = 49 mA
負荷：100 

電池電圧の発振について① 電池電圧が過放電検出電圧（VDL）以下まで下がるとセルバランス制御用FETはオフになります。
② セルバランス制御用FETを経由した放電が停止するため電池電圧が上昇します。
③ 電池電圧が過放電解除電圧（VDU）以上まで上がるとセルバランス制御用FETはオンになります。
④ セルバランス制御用FETを経由した放電が開始するため電池電圧が下降します。
①～④を繰り返すことによりセルバランスが整えられます。

15

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S-8209Bシリーズの使用例
3.

応用回路例

下記の応用回路のように中間端子をコネクタで接続するアプリケーションでは、中間端子が外れても充放電ともに停止するので、安全性が高まります。

備考

各外付け部品の定数については、「4.

外付け部品一覧」を参照してください。
図916CMOS ICアプリケーションノート
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4.

S-8209Bシリーズの使用例

外付け部品一覧
表4に図1、図6、図9の接続例における各外付け部品を示します。
表4
記号
CBFET1～
CBFET5
CFET
DFET
CCDT
CVSS
P1
P2
QCTLD1QCTLD2
QCO
QDO
RCB
RCO1
RCO2
RCO3
RCO4
RCTLC*1
RCTLC0RCTLD*1
RCTLD0RCTLD1RCTLD2
RCTLD3
RCTLD4
RDO1
RDO2
RDO3
RDO4
RDO5
RDO6
RDO7

代表値単位部品名称

メーカー

備考－－－－

ユーザー設定－－－0.1－－－－－－
10151011111114.7
14.7
1510
1111
1－－－
F－－－－－－
M
M
k
M
M
kk
k
k
M
M
M
M
M
k
M
M
M
M
M

－－－
GRM188
2SJ210C
2SJ210C
2SA1037AK
2SC2412K
2SC2412K
2SC2412K
MCR03
MCR03
MCR03
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－－－株式会社村田製作所
ルネサスエレクトロニクス株式会社
ルネサスエレクトロニクス株式会社
ローム株式会社
ローム株式会社
ローム株式会社
ローム株式会社
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RDO8
RPASS*2
RVSS

1－470

M
－

MCR03
－
MCR03

ローム株式会社

推奨
ユーザー設定推奨－
ローム株式会社*1.

過大電圧印加時にICの破壊を防止するため、RCTLC, RCTLDは0～100 kの範囲から選択してください。

*2.

定格電力に注意してください。

注意 1.
2.
3.

上記定数は予告なく変更することがあります。
上記接続例および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。
5セル直列以上の保護回路を構成する場合、外付け部品の耐圧に注意して選定してください。

17S-8209Bシリーズの使用例
5.

CMOS ICアプリケーションノート
Rev.1.5_02

注意事項
・本資料に掲載のアプリケーション例は、弊社ICを使用した代表的な応用例を説明したものです。
ご使用の際は、十分な評価を行ってください。
・本資料に掲載の応用回路を量産設計に用いる場合には、外付け部品の偏差およびその温度特性に注意してください。また、掲載回路に関する特許については、弊社ではその責任を負いかねます。
・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様、出荷先の国などによって当ICを含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。

6.

関連資料
S-8209Bシリーズの詳細については、下記のデータシートを参照してください。
S-8209Bシリーズ

データシートこのアプリケーションノートおよびデータシートの内容は、予告なく変更することがあります。
詳細は、弊社営業部までお問い合わせください。
最新版は弊社Webサイトにて製品カテゴリと製品名をお選びいただき、PDFファイルをダウンロードしてください。
www.ablic.com

18

エイブリック株式会社Webサイト

免責事項 (取り扱い上の注意)1.

本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。

2.

本資料に記載の回路例および使用方法は参考情報であり、量産設計を保証するものではありません。本資料に記載の情報を使用したことによる、本資料に記載の製品 (以下、本製品といいます) に起因しない損害や第三者の知的財産権等の権利に対する侵害に関し、弊社はその責任を負いません。

3.

本資料の記載に誤りがあり、それに起因する損害が生じた場合において、弊社はその責任を負いません。

4.

本資料に記載の範囲内の条件、特に絶対最大定格、動作電圧範囲、電気的特性等に注意して製品を使用してください。
本資料に記載の範囲外の条件での使用による故障や事故等に関する損害等について、弊社はその責任を負いません。

5.

本製品の使用にあたっては、用途および使用する地域、国に対応する法規制、および用途への適合性、安全性等を確認、試験してください。

6.

本製品を輸出する場合は、外国為替および外国貿易法、その他輸出関連法令を遵守し、関連する必要な手続きを行ってください。

7.

本製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りします。核兵器、生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。

8.

本製品は、生命・身体に影響を与えるおそれのある機器または装置の部品および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および原子力機器等) として設計されたものではありません。上記の機器および装置には使用しないでください。ただし、弊社が車載用等の用途を事前に明示している場合を除きます。上記機器または装置の部品として本製品を使用された場合または弊社が事前明示した用途以外に本製品を使用された場合、これらにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。

9.

半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。本製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、社会的損害等発生しないように、お客様の責任において冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。

10. 本製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対策を行ってください。
11. 本製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際は怪我等に注意してください。
12. 本製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。
13. 本資料は、弊社の著作権、ノウハウに係わる内容も含まれております。本資料中の記載内容について、弊社または第三者の知的財産権、その他の権利の実施、使用を許諾または保証するものではありません。本資料の一部または全部を弊社の許可なく転載、複製し、第三者に開示することは固くお断りします。
14. 本資料の内容の詳細その他ご不明な点については、販売窓口までお問い合わせください。
15. この免責事項は、日本語を正本として示します。英語や中国語で翻訳したものがあっても、日本語の正本が優越します。
2.4-2019.07

www.ablic.com