SST-M01T

ウエハトリミング装置
Wafer Trimming Equipment

ウエハ表面をイオンビームにより平坦化・凹凸除去
Flatten the wafer surface and remove irregularities with ion beam

実験装置がございますので、装置見学・実験対応等受け付けております
We have an experimental equipment,
and we accept equipment tours
and experimental support.

【概要】

本ウエハトリミング装置はφ4インチもしくはφ6イン
チウエハに対して収束させたイオンビームを照射することで、ウエハ表面の凹凸をσ=1.0nm以下まで平坦化できるため、精密加工に貢献します。
[General outline]
This wafer trimming equipment contributes to precision machining
because it can ﬂatten the unevenness of the wafer surface to σ=1.0nm
or less by irradiating a φ4 inch or φ6 inch wafer with converged ion
beam.

【特長】

1．ロードロックタイプでトリミング室を常に真空に保てるため安定性・再現性が高い。
2．真空中にてダブルハンドでウエハの入れ替えを行うため搬送待ちによる時間ロスが最小限。
3．独自のウエハアライメント機構によりトリミング前後でウエハの割れ欠け検知が可能。
4．イオンソース用グリッドのラインナップあり。
（ハイレート用、高精度用、低コスト用など）
5．対象ウエハに合わせてハード面・ソフト面での各種カスタマイズが可能。

【用途・応用例】
5G高周波フィルター向けSAWデバイス・BAWデバイス、光通信向け光学デバイスなど（上記以外もトリミ

6．イオンソースの引取りメンテナンスサービスにより安定した装置運用の提供。
[Features]

ング実験を実施し、対応可否を検証させていただき

1. The load lock type keeps the trimming chamber in a vacuum at all times, so stability andます。）

2. Since the wafers are replaced in vacuum, there is almost no time loss due to waiting forreproducibility are high.
transportation.

[Applications]
SAW devices/BAW devices for 5G high-frequency ﬁlters, optical devices

3. Unique wafer alignment mechanism enables detection of wafer cracking and chipping before andafter trimming.

for optical communications, etc. (We are also conducting trimming

4. There is a lineup of grids for ion sources. (For high rate, for high precision, for low cost, etc.)

experiments for applications other than those mentioned above, and5. Various customizations in terms of hardware and software are possible according to the target wafer.

we will verify whether or not SST-M01T can be used.)

6. Providing stable equipment operation through ion source take-back maintenance service.

SST-M01T

ウエハトリミング装置
Wafer Trimming Equipment

ウエハ表面をイオンビームにより平坦化・凹凸除去
Flatten the wafer surface and remove irregularities with ion beam

SiO2膜の加工例（@600V） Processing example of SiO ﬁlm (@ 600V)
2Before Trimming

After Trimming

σ= 6.7σ= 0.3加 工性能Performance

到達圧力

バッファー室：5.0Pa以下 ／ トリミング室：8.0×10-4Pa以下Reaching Pressure

Buﬀer chamber: 5.0 Pa or less / Trimming chamber: 8.0 × 10-4 Pa or less

排気時間

バッファー室：40Paまで90秒 ／ トリミング室：6.7×10-3Paまで15分

Exhaust TimeBuﬀer chamber: 40 Pa 90 seconds / Trimming chamber: 6.7 x 10-3 Pa 15 minutes

排気系

バッファー室：ドライポンプ ／ トリミング室：ターボ分子ポンプ

Exhaust SystemBuﬀer chamber: Dry pump / Trimming chamber: Turbo molecular pump

スループット約10分 ／ ウエハ（φ4インチ、SiO₂膜、平均加工量100nm）

Throughput

Approximately 10 minutes / per wafer (φ4 inch, SiO₂ ﬁlm, average processing amount: 100 nm)

ご質問・詳細につきましては、営業部までお気軽にお問合せください。

対応材質

Si、SiO₂ 、LT、LNなど

お問合せ先【営業部】

Processable Material

Si, SiO₂, LT, LN, etc.

本社・相模原工場

加工精度

σ=1.0nm以下（典型値）〒252-0244 神奈川県相模原市中央区田名3062-10

Processing Accuracy

σ=1.0nm or less (typical value)※加工精度及びスループットは、ウエハの材質や膜種、加工量などにより異なります。
* Processing accuracy and throughput vary depending on the wafer material, ﬁlm type, processing amount, etc.

TEL. 042-764-0370
FAX. 042-764-0377

E-mail. sales-pamphlet@showashinku.co.jp

装置構成

https://www.showashinku.co.jp/Outline

タイプ

枚葉式

Type

single wafer processing

構成

4室（カセット室、バッファー室、アライナー室、トリミング室）

Composition

4 chambers (cassette chamber, buﬀer chamber, aligner chamber, tri㎜ing chamber)

イオンソース

昭和真空製、熱陰極電子衝撃型（カウフマン型）、Arガス

Ion Source

Made by Showashinku, Hot Cathode Electron Impact Type (Kaufman Type), Ar Gas

昭和真空

検索

Inquiry [Sales Dept.]
HQ and Sagamihara Plant
3062-10 Tana, Chuo-ku, Sagamihara-city, Kanagawa 252-0244 Japan
TEL:+81-42-764-0370

FAX：+81-42-764-0377

処理枚数

1枚/バッチ（25枚用カセットを2個搭載）

Number of Wafers to be Processed

1 wafer/batch (Equipped with two 25-wafers cassettes)対応基板

φ4インチ、φ6インチ（静電チャックを組み換えて対応）

Compatible Substrate

φ4 inch, φ6 inch (corresponding by recombining the electrostatic chuck)

必要な手続きをお取りください。

基板ステージ

静電チャック ＋ Heガス冷却This product may be applicable to export control products such as strategic raw materials

Substrate Stage

Electrostatic chuck + He gas coolingwhen you bring out the applicable products outside Japan, you should take a necessary

真空槽

トリミング室：W850㎜×D510㎜×H850㎜

Vacuum Chamber

Tri㎜ing chamber: W850㎜ x D510㎜ x H850㎜

本製品は、外国為替並びに外国貿易管理法の規定により、戦略物資等輸出規制品に該当する場合があります。従って、日本国外に該当品を持ち出す際は、日本国政府への輸出許可申請等、which are regulated by the Foreign Exchange and Foreign Trade Control Law. Accordingly
action such as application of an export permit to the Government of Japan.

設置面積

W1,120㎜×D3,870㎜×H2,300㎜

Footprint

W1,120㎜×D3,870㎜×H2,300㎜

装置重量2,700kg

Equipment Weight

2,700kg※本仕様・外観については、改良のため予告なく変更になることがあります。あらかじめご了承下さい。
* For the improvement of the product, please understand in advance that the speciﬁcations and external views are subject to change without prior notice.

Web site

製品情報ページ

真空中で特定の基板に薄膜を形成させる装置を主とした、真空蒸着装置やスパッタリング装置等の真空技術応用装置（真空装置）を製造販売しております。

https://www.showashinku.co.jp/product/21-15901-JEZ2112