4V 駆動タイプ Nch MOSFET
RHP020N06
z構造
シリコン N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ

z外形寸法図 (Unit : mm)
MPT3
SOT-891.52.54.0z特長
1) 低オン抵抗。
2) 高速スイッチングスピード。
3) SOA が広い。

0.54.5
1.6(2)(3)

1.0(1)

0.50.4
1.5

0.4

0.4
1.5

3.0

(1)Gate(2)Drainz用途

標印略記号 : LR

(3)Source

スイッチングz包装仕様及び hFE
Typez内部回路図

包装名

テーピング

記号

T100

基本発注単位（個）

1000

DRAIN

RHP020N06∗2GATE∗1SOURCE∗1 静電気保護用ダイオード∗2 内部ダイオード

z絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
直流
パルス
直流
パルス

ドレイン電流ソース電流Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP ∗1IDR
IDRP ∗1

全許容損失

PD

チャネル部温度
保存温度

Tch
Tstg

Limits60±20±2±828500
2150−55~+150

Unit
VVA
A
A
AmW
W
°C
°C

Limits25062.5

Unit
°C/W
°C/W

∗2++

∗1 Pw≦10µs, Duty cycle≦1%∗2 40 40 0.7mmセラミック基板実装時

z熱抵抗
Parameter
チャネル・外気間SymbolRth(ch-a)∗++∗ 40 40 0.7mmセラミック基板実装時

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2009.03 - Rev.A

Data Sheet

RHP020N06
z電気的特性 (Ta=25°C)
Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

ゲート漏れ電流ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧IGSS−
60−1.0−−−2.0−−−−−−−−−−−−−−
150
200
240−
14050
40
71022187
12±10−
12.5200
280
340
−
−−
−−−−−
14−
−

V(BR) DSSIDSS
VGS (th)∗

ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)順伝達アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量

Yfs ∗Ciss
Coss
Crsstd (on) ∗tr ∗td (off) ∗tf ∗Qg ∗Qgs ∗Qgd ∗Conditions

UnitµA
VµA
VmΩ
mΩ
mΩ
SpFpF
pF
nsnsns
nsnC
nCnC

VGS= ±20V, VDS=0V
ID= 1mA, VGS=0V
VDS= 60V, VGS=0V
VDS= 10V, ID= 1mA
ID= 2A, VGS= 10V
ID= 2A, VGS= 4.5V
ID= 2A, VGS= 4V
VDS= 10V, ID= 2A
VDS= 10V
VGS=0V
f=1MHzVDD 30V
ID= 1A
VGS= 10V
RL=30Ω
RG=10Ω
VDD 30V
VGS= 10V
ID= 2A

Unit
VConditions
IS= 2A, VGS=0V∗パルス

z内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta=25°C)
Parameter
順方向電圧

SymbolVSDMin.
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○Typ.
−Max.
1.22/42009.03 - Rev.A

Data Sheet

RHP020N06
z電気的特性曲線

VGS= 10V
VGS= 5.0V
VGS= 4.5V
VGS= 3.5V VGS= 4.0V
VGS= 2.8V
VGS= 2.4V

642VDS= 10V
Pulsed

VGS= 10V Ta=25°C
VGS= 5.0V Pulsed

8DRAIN CURRENT : ID[A]81010

Ta=25°C
PulsedDRAIN CURRENT : ID[A]DRAIN CURRENT : ID[A]

10VGS= 4.5V

6VGS= 4.0V

4VGS= 3.0V

21

Ta= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= - 25°C

0.10.01

VGS= 2.4V
000.20.40.60.8102680101234DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS[V]Fig.1 Typical Output Characteristics(Ⅰ)

Fig.2 Typical Output Characteristics(Ⅱ)

Fig.3 Typical Transfer Characteristics

Ta= 25°C
Pulsed
VGS= 4.0V
VGS= 4.5V
VGS= 10V

10.1

0.1

110
VGS= 10V
Pulsed

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

10.1

0.01
0.01

10STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(on)[Ω]

100.010.01

DRAIN-CURRENT : ID[A]1100.10.01
0.01

0.11010DRAIN-CURRENT : ID[A]Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)

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○0.1

110DRAIN-CURRENT : ID[A]Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅲ)

10REVERSE DRAIN CURRENT : Is [A]

FORWARD TRANSFERADMITTANCE : |Yfs| [S]Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

10.01

101VGS= 4.5V
Pulsed00.1

Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅱ)

10
VGS= 4.0V
Pulsed10

DRAIN-CURRENT : ID[A]Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅰ)

STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(on)[Ω]4DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(on)[Ω]STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(on)[Ω]

0.001

0

VDS= 10V
Pulsed1
Ta= -25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
0.01

0.1

1

10

VGS=0V
Pulsed1

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C

0.1

0.01
00.511.5

DRAIN-CURRENT : ID[A]

SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD [V]

Fig.8 Forward Transfer Admittancevs. Drain Current

Fig.9 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage

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2009.03 - Rev.A

Data Sheet

1000
Ta=25°C
Pulsed

0.50.4ID= 2.0A

0.3
0.2
0.1

9td(off)

10

ID= 1.0A

td(on)

tr10510

150.01

0.1

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS[V]100
DRAIN CURRENT : ID (A)

Ciss

Crss

Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V

10Coss87654

Ta=25°C
VDD= 30V
ID= 2.0A
RG=10ΩPulsed32100123456TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]Fig.11 Switching Characteristics

10001001DRAIN-CURRENT : ID[A]Fig.10 Static Drain-Source On-StateResistance vs. Gate Source Voltage

CAPACITANCE : C [pF]tf

1000Fig.12 Dynamic Input Characteristics

Operation in this area is limited by RDS(ON)(VGS= 10V)
100us

101ms

1

PW = 10ms
DC operation

0.1

0.01 Ta = 25°C
Single Pulse
MOUNTED ON SERAMIC BOARD

0.001

100.01NORMARIZED TRANSIENT THERMALRESISTANCE : r (t)Ta=25°C
VDD= 30V
VGS=10VRG=10ΩPulsed

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS [V]

0.6
SWITCHING TIME : t [ns]STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(ON)[Ω]RHP020N06

0.1

1100.1100110100

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]Fig.13 Typical Capacitancevs. Drain-Source Voltage

Fig.14 Maximum Safe Operating Aera

1010.1
Ta = 25°C
Single Pulse
Rth(ch-a)(t) = r(t)×Rth(ch-a)Rth(ch-a) = 62.5 °C/W
<Mounted on a SERAMIC board>

0.01

0.001
0.001

0.01

0.1

1101001000PULSE WIDTH : Pw(s)Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse W idthwww.rohm.com
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Appendix-Rev5.0