4V 駆動タイプ Nch MOSFET
RSH065N06
構造シリコン N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ

外形寸法図 (Unit : mm)
SOP8特長1) 新ライン採用により、従来品よりオン抵抗大幅低減。
2) ゲート保護ダイオード内蔵。
3) 小型面実装パッケージ (SOP8) で省スペース。
用途スイッチング

Each lead has same dimensions

包装仕様

内部回路図
包装名

Type

テーピング

記号

TB

基本発注単位（個）

2500

(8)

(7)(6)(5)(8) (7) (6) (5)

RSH065N06∗2(1) (2) (3) (4)∗1絶対最大定格 (Ta=25C)
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
ドレイン電流ソース電流（内部ダイオード）
全許容損失
チャネル部温度
保存温度

直流
パルス
直流
パルス

SymbolVDSS
VGSSID
IDP ∗1ISISP ∗1
PD ∗2TchTstg

Limits60
20±6.5±261.6262.0
150−55~+150

Unit
VVAAAAW°C°C

SymbolRth (ch-A) ∗Limits
62.5

Unit°C / W

(1)

(2)

(3)

∗1 ESD PROTECTION DIODE∗2 BODY DIODE(4)(1)ソース(2)ソース(3)ソース(4)ゲート(5)ドレイン(6)ドレイン(7)ドレイン(8)ドレイン∗製品取り扱い時の静電気保護用にゲート・ソース間に保護ダイオードを内蔵しています。使用回路にて、定格電圧を超える場合には保護回路をご使用ください。

∗1 Pw≦10μs, Duty cycle≦1%∗2 セラミック基板実装時

熱抵抗Parameter
チャネル・外気間∗ セラミック基板実装時

www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
○1/4

2009.12 - Rev.A

RSH065N06

Data Sheet電気的特性 (Ta=25C)
Parameter
ゲート漏れ電流ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧

SymbolIGSSV(BR) DSSIDSSVGS (th)

ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)順方向アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
降下時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量∗Yfs ∗
Ciss
Coss
Crss
td (on) ∗tr ∗td (off) ∗tf ∗
Qg ∗
Qgs ∗
Qgd ∗

Min.
−
60−
1.0−−−
4−−−−−−−−−
−

Typ.
−−−−
2428
31−
900
200
100
132560201124Max.
10−
12.5374448−−−−−−−−

Unit
μA
V
μA
V

S
pF
pF
pF
nsns
ns
nsnC
nC
nC

Conditions
VGS=20V, VDS=0V
ID=1mA, VGS=0V
VDS=60V, VGS=0V
VDS=10V, ID=1mA
ID=6.5A, VGS=10V
ID=6.5A, VGS=4.5V
ID=6.5A, VGS=4.0V
ID=6.5A, VDS=10V
VDS=10V
VGS=0V
f=1MHzID=3.3A, VDD 30V
VGS=10V
RL=9.1Ω
RGS=10Ω
ID=6.5A, VDD 30V
VGS=5V
RL=4.6Ω, RGS=10ΩUnit
V

Conditions
IS=1.6A, VGS=0VmΩ

16−−∗パルス

内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta=25C)
Parameter
順方向電圧

Symbol
VSD ∗

Min.
−Typ.
−Max.
1.2

∗パルス

www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
○2/4

2009.12 - Rev.A

RSH065N06

Data Sheet

10.1

0.01

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.5

4.0

10

1
0.01

0.1

1

10

1000

VGS=4.5V
Pulsed

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

100

101
0.01

0.1

110

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)DRAIN CURRENT : ID (A)DRAIN CURRENT : ID (A)Fig.1 Typical Transfer Characteristics

Fig.2 Static Drain-Source
On-State Resistancevs. Drain Current(Ι)

Fig.3 Static Drain-Source
On-State Resistancevs. Drain Current(ΙΙ)

VGS=4VPulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

1010.01

0.1

11000

ID=3.25A

500100510

Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V

Ciss

1000

Coss
100

Crss
100.01150.1110100DRAIN CURRENT : ID (A)GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)Fig.4 Static Drain-Source
On-State Resistancevs. Drain Current(ΙΙΙ)

Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage

Fig.6 Typical Capacitancevs. Drain-Source Voltage

td(off)100tr
10td(on)

0.1

11010

Ta=25°C
VDD=30V
VGS=10V
RG=10Ω
Pulsed

tf

10.01

10000

Ta=25°C
Pulsed

ID=6.5A

10Ta=25°C
VDD=30V
ID=6.5A
RG=10ΩPulsed

SOURCE CURRENT : IS (A)

100

100

CAPACITANCE : C (pF)

1000

10000

SWITCHING TIME : t (ns)3.0

VGS=10V
Pulsed

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

100

STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)

STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)

0.0010.01000

STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)

VDS=10V
Pulsed

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)DRAIN CURRENT : ID (A)10STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)

電気的特性曲線

5005101520

VGS=0V
Pulsed1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

0.1

0.01
0.0

0.5

1.0

1.5

DRAIN CURRENT : ID (A)TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)

SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)Fig.7 Switching CharacteristicsFig.8 Dynamic Input Characteristics

Fig.9 Source Current vs.
Source-Drain Voltage

www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
○3/4

2009.12 - Rev.A

RSH065N06

Data Sheet測定回路図
VGS

Pulse WidthID

VDS
RL

D.U.T.

90%

50%
10%

VGS
VDS

50%

10%

RG

10%

VDD
90%
td(on)

90%td(off)trtonFig.10 スイッチング時間測定回路

tr
toff

Fig.11 スイッチング波形

VG
VGS

ID

VDS

Qg

RL
IG (Const.)

VGS

D.U.T.
RG
VDD

Qgs

Qgd

ChargeFig.12 ゲート電荷量測定回路

www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
○Fig.13 ゲート電荷量波形

4/42009.12 - Rev.A

Notice

ご 注 意
本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。
本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必ずご請求のうえ、ご確認ください。
本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。
本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。
本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームはその責任を負うものではありません。
本資料に掲載されております製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。
本資料に掲載されております製品は、「耐放射線設計」はなされておりません。
ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、種々の要因で故障することもあり得ます。
ローム製品が 故障した際、その影 響により人 身事故、火 災 損害 等が起こらないようご使 用機 器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。
極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命を脅かしあるいは人体に危害を及ぼすおそれのある機器・装置・システム（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を意図して設計・製造されたものではありません。上記特定用途に使用された場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。上記特定用途への使用を検討される際は、事前にローム営業窓口までご相談願います。
本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品または技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。

ローム製品のご検討ありがとうございます。
より詳しい資 料やカタログなどご用 意しておりますので、お問合せください。

ROHM Customer Support System
http://www.rohm.co.jp/contact/

www.rohm.com© 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

R0079A