SEC-22C

真空蒸着装置Vacuum evaporation system

金属薄膜用蒸着装置のスタンダードモデル
Standard model of metal thin ﬁlm deposition device【概要】

φ4インチ及びφ6インチウェハに対して電極膜及び酸化膜の成膜が可能です。
リフトオフ工程にも対応可
能なよう蒸着材料の入射角が垂直になるよう構成されています。
また基板ドーム内の入射角をより安定させるため高精度ドームを採用しています。
[General Outline]
Electrode ﬁlm and oxide ﬁlm can be formed on φ4inch and φ6inch
wafers. The incident angle of the deposition material is conﬁgured to bevertical so that it can correspond to the lift-oﬀ process. Moreover, inorder to stabilize the incident angle in a substrate dome more, thehigh-precision dome is adopted.

【特長】

1．高速排気4.0×10-4Paまで20分

2．膜厚分布±1.0％以下を実現しました。
（φ4インチウェハ面内）
3．
リフトオフ用途に適した蒸着材料の垂直入射が可能です。
（入射角±5度（φ6インチ））【オプション】

4．低温蒸着プロセスによりレジストパターンへダメージレスで成膜可能です。

基板クリーニング機構搭載

5．補正板を4式搭載しており、4材料の膜厚分布調整が可能です。

・イオンソース

6．Al蒸着のハイレート化を実現しました。
（当社従来比で3倍）

・ボンバード7．Au-Sn半田などの厚膜プロセスにも対応しています。

基板冷却機構（冷却ドーム）

8．
レシピ設定管理・ロギングの取得が可能です。

プラネタリー治具（自公転基板治具）

9．防着板は最小限の交換作業でメンテナンス可能な構造を採用しています。

T/S＝700mm、900mm

10．イオンソース搭載(オプション)により、成膜前のクリーニング処理が可能となり、自然酸化膜の除去、有機物の除去、表面改質などに効果的です。
11．イオンソース搭載(オプション)により、成膜中のアシスト蒸着が可能となり、密着力の改善、応力コントロール、膜質コントロールなどに効果的です。

[Options]
Equipped with a substrate cleaning mechanism
・Ion source
・Bombard
Substrate cooling mechanism (cooling dome)
Planetary jig (rotation and revolution jig)[Features]

T/S＝700mm、900mm

1.High-speed exhaust 20 minutes to 4.0 x 10-4Pa
2.Realized ﬁlm thickness distribution of ± 1.0% or less (φ4inch wafer surface).
3.Perpendicular incidence of deposition materials suitable for lift-oﬀ applications is possible.
(Incidence angle ± 5degrees (φ 6inches))
4.Able to form a ﬁlm on resist pattern without damage by low temperature deposition process
5.Equipped with 4 types of correction plates, it is possible to adjust the ﬁlm thickness distribution of 4 materials.
6.Realized high rate of Al deposition. (3 times that of our previous model)
7.Compatible with thick ﬁlm processes such as Au-Sn solder
8.Recipe setting management and acquisition of logging are possible.

【用途・応用例】
各種電子部品の電極膜形成
リフトオフ工程に対応した電極形成
保護膜用途などの酸化膜形成

9.The mounting board has a structure that can be maintained with minimal replacement work.
10.Cleaning treatment before ﬁlm formation is possible by installing an ion source (optional)
Eﬀective for removal of natural oxide ﬁlm, removal of organic matter, surface modiﬁcation, etc.
11.Assist vapor deposition during ﬁlm formation is possible by installing an ion source (optional)
Eﬀective for improving adhesion, controlling stress, controlling ﬁlm quality, etc.

[Applications]Electrode ﬁlm formation of various electronic parts
Electrode formation corresponding to lift-oﬀ process
Oxide ﬁlm formation such as protective ﬁlm applicationSEC-22C

真空蒸着装置Vacuum evaporation system

金属薄膜用蒸着装置のスタンダードモデル
Standard model of metal thin ﬁlm deposition device

オプション(イオンソース)

オプション(T/S700mm)

Option (ion source)

Option (T/S700mm)

仕様

Speciﬁcations

到達圧力

6.7×10-5Pa以下

Ultimate Pressure

6.7 × 10-5Pa or lower

排気速度

大気圧より4.0×10-4Pa迄20分以内

Exhaust Speed

Within 20min from atmospheric pressure to 4.0 × 10-4Pa

基板加熱

MAX150℃

Substrate Heating

Maximum 150°
C, normally 100°C

蒸発源

電子銃270°偏向、電源10kW

Vapor Source

Electric gun: 270°deﬂection, Power: 10kW

膜厚分布±1%以内（バッチ内、バッチ間）

Film Thickness Distribution

Within ±1% (within batch and batch-to-batch)

常用100℃

T/S＝1,100mm （700〜1,100mm迄対応可能）
T/S = 1,100mm (Available from 700 to 1,100mm)

排気系

クライオポンプ、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ

Pumping System

Cryo pump, Dry pump, Mechanical booster pump

真空槽

W800mm×D800mm×H1,300mm、SUS304製

Vacuum Chamber

W800mm × D800mm × H1,300mm, made of SUS304

フットプリントW2,500mm×D4,300mm×H2,800mm

Footprint

W2,500mm × D4,300mm × H2,800mm

ご質問・詳細につきましては、営業部までお気軽にお問合せください。
お問合せ先【営業部】
本社・相模原工場〒252-0244 神奈川県相模原市中央区田名3062-10

TEL. 042-764-0370
FAX. 042-764-0377

E-mail. sales-pamphlet@showashinku.co.jp

https://www.showashinku.co.jp/
昭和真空

検索

Inquiry [Sales Dep.]
HQ and Sagamihara Plant
3062-10 Tana, Chuo-ku, Sagamihara-city, Kanagawa 252-0244 Japan

所要諸元

TEL:+81-42-764-0370

Required Speciﬁcations

所要電力

本

Required Electricity

Equipment proper: Φ3 200V AC, Approx. 40kVA (115A)

体：Φ3蒸発源：Φ3200V
200V

約40KVA（115A）
約25KVA（73A）

Vapor source: Φ3 200V AC, Approx. 25kVA (73A)

所要水量0.2MPa以上（差圧）、44L/min、20〜25℃

Required Water Volume0.2MPa or higher (diﬀerential pressure), 44L/min, 20 to 25°
C※冷却水入口の最大圧は0.4MPa以下、水質は市水相当

FAX：+81-42-764-0377

本製品は、外国為替並びに外国貿易管理法の規定により、戦略物資等輸出規制品に該当する場合があります。従って、日本国外に該当品を持ち出す際は、日本国政府への輸出許可申請等、必要な手続きをお取りください。
This product may be applicable to export control products such as strategic raw materials
which are regulated by the Foreign Exchange and Foreign Trade Control Law. Accordingly
when you bring out the applicable products outside Japan, you should take a necessary
action such as application of an export permit to the Government of Japan.

* Maximum pressure at the cooling water inlet: 0.4MPa or less, Water quality: equivalent to city water

所要圧空0.7MPa（設定圧0.5MPa）、接続口径Rc1/2

Required Compressed Air

0.7MPa (setting pressure: 0.5MPa), Connection diameter: Rc1/2

ガス圧力0.05MPa（設定圧0.02MPa）、接続口径SWL1/4

Gas Pressure

0.05MPa (setting pressure: 0.02MPa), Connection diameter: SWL1/4

Web site

製品情報ページ

真空中で特定の基板に薄膜を形成させる装置を主とした、真空蒸着装置やスパッタリング装置等の真空技術応用装置（真空装置）を製造販売しております。

※本仕様・外観については、改良のため予告なく変更になることがあります。あらかじめご了承下さい。
* For the improvement of the product, please understand in advance that the speciﬁcations and external views are subject to change without prior notice.

https://www.showashinku.co.jp/product/11-14601-JEZ2102