QS5U28
2.5V駆動タイプ Pch+SBD MOSFETDatasheetl外 形 図VDSS-20V

RDS(on)(Max.)245mΩ

ID±2.0A

PD

1.25W

TSMT5

l内 部 回 路 図l特 長1) TSMT5パッケージにPch MOSFETとショットキーバリアダイオードを内蔵。
2) 高速スイッチング、低オン抵抗。
3) 低電圧駆動(2.5V駆動)。
4) 低VFショットキーバリアダイオードを内蔵。

5) Pbフリー対応済み/RoHS準拠
l包 装 仕 様
包装形態
リールサイズ (mm)l用 途
ロードスイッチ、DC/DC コンバータ

Embossed
Tape
180

タイプ テープ幅 (mm)
基本発注単位(個)3000

テーピングコードTR

標印

U288l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C)<MOSFET>
Parameter

Symbol

Value

Unit

ドレイン・ソース間電圧

VDSS-20V

ゲート・ソース間電圧VGSS±12V

ドレイン電流 (直流)ID±2.0A

ドレイン電流 (パルス)ID, pulse*1±8.0

A

ソース電流 (直流)IS-1.0A

ソース電流 (パルス)IS, pulse*1-8.0

A

許容損失

PD*30.9W/素子

ジャンクション温度

Tj

150℃

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Datasheetl 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C)<SBD>
Parameter

Symbol

Value

Unit

尖頭逆方向電圧

VRM

25V

逆方向電圧

VR

20V

順方向電流

IF

1.0A

電流サージ

IFSM*23.0A

許容損失

PD*30.7

W/素子

ジャンクション温度

Tj

150℃

Symbol

Value

Unit

許容損失

PD*31.25W/トータル

保存温度

Tstg

-55 ～ +150℃<MOSFET + SBD>
Parameterl 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)<MOSFET>
ValuesParameter

SymbolConditions

Unit
Min.

Typ.

Max.

--±10μA

ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA-20--V

ドレイン遮断電流

IDSS

VDS = -20V, VGS = 0V

---1

μA

ゲートしきい値電圧

VGS(th)VDS = -10V, ID = -1mA-0.7

--2.0

V

VGS = -4.5V, ID = -2.0A-90

125-97135

VGS = -2.5V, ID = -1.0A-175245

VDS = -10V, ID = -1.0A

1.6--

ゲート漏れ電流ドレイン・ソース間
オン抵抗
伝達コンダクタンス

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IGSS

VGS = ±12V, VDS = 0V

RDS(on)*4 VGS = -4V, ID = -2.0A
gfs*4

2/10mΩ

S

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Datasheetl 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)<MOSFET>
ValuesParameter

SymbolConditions

Unit
Min.

Typ.

Max.

入力容量

Ciss

VGS = 0V

-450-

出力容量

Coss

VDS = -10V

-70-

帰還容量

Crss

f = 1MHz-52-

ターンオン遅延時間td(on)*4VDD ⋍ -15V, VGS = -4.5V

-10-

上昇時間

tr*4

ID = -1.0A-16-

ターンオフ遅延時間td(off)*4

RL = 15Ω

-32-

下降時間

tf*4

RG = 10Ω-15-

pF

nsl ゲ ー ト 電 荷 量 特 性 (Ta = 25°C)<MOSFET>
ValuesParameter
ゲート総電荷量

SymbolConditions

Qg*4

ゲート･ソース間電荷量

Qgs*4

ゲート･ドレイン間電荷量

Qgd*4

VDD ⋍ -15V, ID = -2.0A
VGS = -4.5V

Unit
Min.

Typ.

Max.

-

4.8-

-

1.0--

1.3-

nCl 内 部 ダ イ オ ー ド 特 性 (ソース･ドレイン間) (Ta = 25°C)<MOSFET>
ValuesParameter
順方向電圧

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SymbolVSD*4Conditions
VGS = 0V, IS = -1.0A

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Unit
Min.

Typ.

Max.

---1.2V

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Datasheetl 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)<SBD>
Parameter

SymbolValuesConditions

Unit

Min.

Typ.

Max.

順方向電圧

VF

IF = 1.0A--0.45

V

逆方向電流

IR

VR = 20V--200μA*1 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1%
*2 60Hz・1 cycle*3 セラミック基板実装時*4 パルス

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線<MOSFET>Fig.1 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage

Fig.2 Switching Characteristics

Fig.3 Dynamic Input Characteristics

Fig.4 Typical Transfer Characteristics

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線<MOSFET>

Fig.5 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage

Fig.6 Source Current vs. Source Drain
VoltageFig.7 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current (I)Fig.8 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current (II)www.rohm.com© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線<MOSFET>

Fig.9 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current (III)www.rohm.com© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Fig.10 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current (IV)20130609 - Rev.001

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線<SBD>

Fig.11 Forward Current vs. Forward
VoltageFig.12 Reverse Current vs. Reverse
Voltagel使 用 上 の 注 意1.

ショットキーバリアダイオードは他のダイオードと比べ、逆方向の漏れ電流が大きく接合部温度の上昇に伴いダイオードの逆方向損失が増加し、それによって更に製品の内部温度が上昇し、熱破壊（熱暴走）に至る恐れがあります。本製品は低VFを特徴としたダイオードであるため、トレードオフ関係にある逆方向漏れ電流はさらに大きくなっております。そのため、本製品をご使用の際は周囲温度及び、MOSFETの発熱と逆方向損失を十分に考慮し熱的設計及び、安全設計を行って下さい。

2.

本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがあるので、取り扱い時には必ず静電対策を講じてください。

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Datasheetl測 定 回 路 図
Fig.1-1 スイッチング時間測定回路

Fig.1-2 スイッチング波形

Fig.2-1 ゲート電荷量測定回路

Fig.2-2 ゲート電荷量波形

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Datasheetl外 形 寸 法 図

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