成果集

本成果集は，SPring-8 成果審査委員会において公開技術報告書の認定を受けております．

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兵庫県ビームライン年報・成果集

BL08B2

2012B3302

BL08B2 における空間分解 XAFS 整備現状
Recent Developments of Spatially Resolved XAFS at BL08B2
李 雷 1 ，漆原 良昌 1 ，野瀬 惣市 2 ，横山 和司 1 ，桑本 滋生 1 ，竹田 晋吾 2 ，松井 純爾 1
Lei Li1 , Yoshimasa Urushibara1 , Souici Nose2 , Kazushi Yokoyama1 , Shigeo Kuwamoto1 ,Shingo Takeda2 , Junji Matsui1
1
1

兵庫県立大学放射光ナノテクセンター，2 スプリングエイトサービス株式会社

Synchrotron Radiation Nanotechnology Laboratory, University of Hyogo, 2 SPring-8 Service Co. Ltd.
概要： 材料開発のニーズに応じて，空間分解 XAFS システムとして BL08B2 においてポリキャピラリー光学系を採用してマイクロ XAFS および CCD カメラを用いて 2D イメージング XAFS を整備した．ポリキャ
ピラリーにより X 線を 25 µm 以下のビームに集光し，数十 µm 範囲での EXAFS スペクトルが得られることが示された．また，イメージング XAFS は比較的に広い視野の構造情報を数ミクロン空間分解能で測定できることが確認した．
キーワード： ポリキャピラリー，マイクロ XAFS，イメージング XAFS

光学系および測定系の性能評価

背景と研究目的
各種蓄電池などのエネルギー分野における材料開発

ポリキャピラリー集光素子は，X-ray Optics 社の製において，空間分解 XAFS による構造解析の必要性が品を選択した．適用するエネルギーを 6 keV から 15認識されている．微小領域の構造情報を得るために，

keV の範囲として，光学系の性能評価を行った．具体

X 線集光ビームを試料上の所望の位置に照射させるこ

的な評価方法として，200 µm 径の白金ワイヤを用いとで XAFS 測定が行われる．同様に構造情報を高位たナイフエッジスキャン法によるビームサイズ測定や，置分解能で取得可能とする方法として，二次元検出器

通過率，焦点位置（ワーキングディスタンス）を確認を使用したイメージング XAFS も有効である．

した．形成した集光ビームを用い，光子エネルギー走

X 線の集光にはミラーや，ゾーンプレートや，キャ

査における光軸の安定性評価も行った．また標準試料

ピラリーなどの集光素子を用いた方法がある．最近でとして銅メッシュを使用して得られた X 線透過率のは K-B ミラーやゾーンプレートによる集光方法が主に採用されているが，BL08B2 では，偏向電磁石を光源として実用的なビーム強度も意識しつつ，集光光学系の検討を行った．ESRF の BM26A [1] を参考として，ポリキャピラリー集光素子を採用した．
イメージング XAFS の場合，比較的均一な断面強度分布を持ったブロードビームをプローブとして用いる．高位置分解能性能を有する二次元 X 線検出器
を試料後方に配して，透過 X 線の二次元強度分布を取得することで実現される．二次元 X 線検出器として，BL08B2 では CCD カメラ素子とビームモニタとを組み合わせたタイプのものを採用した．Fig. 1 に，

BL08B2 で整備した測定システム部分を示す．

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Fig. 1. 2D imaging XAFS measurement system.

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
Table 1. Characteristics of Polycapillary Focusing Optics
Useful X-ray Energy Range

6∼10 keV

Size

8 mm, 50 mm

Working Distance

5 mm

Focused Beam Size

FWMH 25 µm ≥（6 keV）
Up to 25%（6∼10 keV）

Transmission Efficiency
測定データを検討し，EXAFS データ補正の妥当性もした光学系での測定結果である．両方の光学系で測定検証した．

された結果には，大きな違いは無かった．

イメージング XAFS 測定系の評価用試料として，銅以上により，ポリキャピラリー集光素子による銅のメッシュを使用した（ピッチ 42 µm，線幅 5 µm）．ま位置分解 XAFS が可能であることを実証できた．現

た，マンガンの価数が異なる，MnO と LiMnO2 の微在は，その他の光子エネルギー領域における実証実験

粒子を混合した試料も準備した．二次元 X 線検出器

や，蛍光 XAFS や Quick XAFS への応用，化学状態のビームモニタ部分に採用した蛍光体としては，P43

マッピング測定などの実用性の検証を行っている段階（Gd2 O2 S: Tb) と YAG（Y3 Al5 O12 ）であり，それぞである．

れについて EXAFS 測定に適用し比較検討した．

イメージング XAFS は XANES 領域に限ると，蛍光体 P43 が YAG に比べて，可視光変換効率の点で有結果および考察利であり，迅速な測定が可能であることを実験によりポリキャピラリー集光素子の製品仕様を Table 1 に示す．仕様範囲の光子エネルギーを超えて，15 keV においても評価を行っている．光子エネルギー 6 keV の評価結果では，集光点における鉛直方向におけるビー
ムサイズとしては，半値幅として 20 µm であることを確認した．水平方向については，23 µm であった．
通過率も 40%以上あることを確認した．

Fig. 2 は集光光学系の性能評価の結果である．また
銅の K 吸収端近傍における光子エネルギー範囲において EXAFS 測定を行った結果も示している．
光軸の安定性とポリキャピラリー集光素子の通過率を評価した実験結果を，それぞれ Fig. 2a および Fig.

2b に示す．光軸の重心位置は，光子エネルギー走査の間，大きな位置のドリフトは生じなかった．ビームが有する半値幅と比べても，僅かなドリフト量である．
集光素子が示す通過率については，光子エネルギー範
囲において大きな変化は確認さなかった．以上の結果
より，銅の K 吸収端近傍において，実用的な位置分
解 XAFS が可能であることが確認できた．
銅箔を用いた EXAFS 測定結果および振動抽出した結果を Fig. 2c および Fig. 2d に示す．EXAFS スペ
クトルは，バックグラウンド処理を施していないものを示している．黒線が通常の XAFS 測定光学系を用いた場合であり，赤線がキャピラリー集光素子を使用確認した．蛍光体が YAG の場合，１素子あたりの感度の点では実用性が乏しいものの，20 ピクセル ×20

ピクセルの範囲を指定した binning 処理を施すことにより，EXAFS 領域におよぶ実用的な測定が可能であることを確認した．ここで，CCD 素子のピクセルサ
イズとしては，1 素子あたり 1.73 µm × 1.73 µm である．Fig. 3 は MnO と LiMnO2 混合物の測定結果である．Fig. 3a は，各酸化物単体で測定した XANESスペクトルを重ねて表示したものである．このスペク
トル上で，混合試料の場合の光子エネルギー条件を決定した．

Fig. 3b は，K 吸収端位置が示すエネルギーよりも高い 6.565 keV 条件に固定して取得した，透過 X 線
強度のイメージング像である．二次元 X 線検出器において使用した蛍光体は YAG である．
同じ検出システムを用い，別のエネルギー条件で取得した結果を Fig. 3c および 3d に示す．入射 X 線の二次元強度分布については試料を光軸上より退避させることで取得し，これを吸収度の二次元分布計算に使用した．なお吸収量が高くなる領域での統計精度を高めるために，20 ピクセル ×20 ピクセル範囲の binning
処理を施している．

Fig. 3c は，MnO の K 吸収端よりも高く，LiMnO2の K 吸収端の位置立ち上がり位置にあたる光子エネ– 22 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

Fig. 3. a) K edge XANES spectrum.of MnO andLiMnO2 , b) X-ray CCD images of the sample at
Fig. 2. a) Vertical knife-edge scans for incident Xray energy from 9 keV to 10 keV, b) Transmission
efficiency of the polycapillary as a function of Xray energy for the energy range scanned for the Cu
foil, c), d) Transmission XAFS spectra for Cu foil
recorded with and without polycapillary

X-ray energy of 6.565 keV, c) Mapping of the normalized absorption coefficient at X-ray energy 6.555
keV, d) Mapping of the normalized absorption coefficient at X-ray energy 6.560 keV– 23 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
ルギー条件に固定して撮像した透過 X 線のイメージ像である．光子エネルギーは 6.555 keV である．Fig.

3d は，MnO および LiMnO2 の両方の K 吸収端よりも高いエネルギー位置で撮像した結果である．光子エ
ネルギーは 6.560 keV である．化学状態の異なる２種類の酸化マンガンを混合した場合において，K 吸収端付近での光子エネルギー条件の僅かな違いを，コント
ラストの二次元分布の違いとして鮮明に捉えることができた．同様にして異なる光子エネルギー条件でデータを取得し，相互の差分処理を施すことで，MnO とLiMnO2 それぞれの状態分布を区別して二次元分布と今後の課題
イメージング XAFS に関する，蛍光体種類および測定条件を検討しながら，EXAFS の測定 S/N を改善していく．また，今後は，産業界ユーザーのニーズに応じて測定系の最適化を施し，性能実証を行った上で供用する予定である．
参考文献[1] G. Silversmit, B. Vekemans, S. Nikitenko, W.
Bras, V. Czhech, G. Zaray, I. Szaloki, and L.
Vincze, J. Synchrotron Rad. 16, 237-246 (2009).

して捉えることが可能であると考えられる．

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BL08B2

2013A3326

有機薄膜材料の X 線散乱構造解析

Structural Analysis of Organic Thin Films by X-ray Scattering
鈴木 拓也，岡部 崇志，小島 優子 ∗Takuya Suzuki, Takashi Okabe1, Yuko Kojima∗
三菱化学科学技術研究センター

Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center, Inc.
概要： リオトロピッククロモニック液晶を示す材料として知られる sunset yellow FCF (the disodium salt

6-hydroxy-5-[(4-sulfophenyl)azo]-2-naphthalenesulfonic acid) における，せん断誘起による分子配向および構
造形成過程の機構に着目し，塗布によるせん断後の水の蒸発に伴う分子の配向と凝集過程を，時分割 GI-WAXS
により評価した．
キーワード：

chromonic, liquid crystals, aggregation

背景と研究目的

実験

イオン基を有する分子の自発的な高次構造形成により実現されるリオトロピッククロモニック液晶 (LCLC)
は，広く研究されてはいるものの構造形成機構そのものがよく理解されていないソフトマターの分類に位置づけられる [1]．水中では，LCLC 分子は互いに面同士が向かい合い水との界面にイオン基を配置したスタック型の凝集構造（H-aggregation）を形成することが知られている．しかしながら，凝集構造の形成機
構，分子の濃度や温度，イオン強度の影響といった，

LCLC の構造形成に関する根本的なメカニズムは，未だ未解明な部分が多い．
我々は，LCLC 材料としてよく知られる sunset yel-low FCF (SSY)(the disodium salt 6-hydroxy-5-[(4sulfophenyl)azo]-2-naphthalenesulfonic acid) における，せん断誘起による分子配向および構造形成過程の機構に着目した．SSY 分子の構造をナノオーダーで定量的に評価する有力な手法が X 線散乱／回折法であり，これまでに，H-aggregation 構造やスタックした
分子間における相互作用の評価に関する研究例などが報告されている [1, 2]．本研究では，BL08B2 を用い，塗布によるせん断後の水の蒸発に伴う SSY 分子の配向と凝集過程を，時分割 GI-WAXS により評価した．

試料

sunset yellow FCF 水溶液（濃度；31 wt%）
装置

BL08B2
測定条件
・波長；1.0 Å
・カメラ長；158.7 mm・検出器；PILATUS
・入射角；0.20◦
・露光時間；2.5 秒 (インターバル；3.0 秒)
自動塗布機を用いて試料液を塗布し，塗布方向と垂直方向にＸ線を照射した．塗布直後から 1 測定時間

3.0 秒での連続測定を行った．
結果および考察

Fig. 1 に，(a) in-plane，(b) out-of-plane の 3D プ
ロファイルを示す．塗布直後は明瞭なピークが見られず，SSY 分子は比較的ランダムに分散していると推定される．時間とともに，in-plane では２つのピーク，

out-of-plane では１つのシャープなピークが現れた．
これは，水の蒸発とともに，SSY 分子の面と平行および垂直方向における凝集構造の形成が進展したことを∗ 三菱化学科学技術研究センター分析物性センター

Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center, Inc. Materials Analysis Center

示している．

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Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)

Fig. 1. 3D GI-WAXS results of (a) in-plane，(b) out-of-plane profiles.

Fig. 2. 2D GI-WAXS results of (a) in-plane，(b) out-of-plane profiles.

Fig. 2 に，(a) in-plane，(b) out-of-plane の 2D プ
ロファイルを示す．in-plane に関して，広角側のピー
クは d=3.4 Å に対応しており，SSY 分子の π 相互作
用による面同士のスタックを反映している．低角側のピークは d=12.6 Å に対応する長周期構造の形成を示

今後の課題
今回，SSY 分子のせん断誘起による配向および溶媒の蒸発に伴う構造形成過程の機構を時分割 GI-WAXSを用いて推定できた．今後は，せん断速度の影響や濃唆している．Out-of-plane に関して，最終的に d=18.7

Å に対応するピークが観測された．これは，SSY 分子のイオン基同士の静電反発による周期構造と推定される．また時間と共に広角シフトしており，水の蒸発による周期サイズが減少したと考えられる．

Fig. 3 に，色素の面同士のスタックに対応するピー
クの方位角プロファイルを示す．φ=0◦ が赤道方向である．赤道方向の強度は，塗布直後はやや高く，時間とともに増大しているのがわかる．これは，塗布直後はせん断による配向がわずかに生じており，水の蒸発に伴い配向が顕著に進展したことを示している．

Fig. 3. 2D azimuthal angle profiles evaluated fromthe face-to-face aggregation peak.

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兵庫県ビームライン年報・成果集
度・温度に着目し，LCLC の構造形成に関するメカニズムの詳細を把握することが課題と考える．

参考文献[1] H-S. Park et al., J. Phys. Chem. B 112 1630716319 (2008).
[2] J. Lydon, Liquid Crystals 38, 1663-1681 (2011).

事業への貢献
本研究で得られた成果は，LCLC 材料の薄膜中におけるせん断誘起の構造形成機構を示したことであり，新規な LCLC 材料の設計指針を提示するという意味
で事業に貢献した．

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Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)

BL24XU

2011B3247, 2012A3247, 2012B3247

4 次元 X 線 CT を用いたポリマーフォームの気泡形成挙動観察
Cell Growth Observation of Polymer Foam by 4D X-Ray CT
中野 真也
Shinya Nakano
日東電工株式会社

機能設計技術センター

Functional Design Technology Center, Nitto Denko Corporation
概要： 熱をトリガとして発泡することで気泡構造を形成するポリマーフォームにおいて，気泡が生成・成長・合一するメカニズムについてはよく知られてない．本検討では 4 次元 X 線 CT を用いて，加熱によるポリマー
フォームの気泡形成過程を動的観察した．その結果，昇温速度によって発泡開始温度や気泡径が変化することが示された．これにより，気泡の構造を任意に制御した発泡体を設計できる可能性が示唆された．
キーワード：

X 線 CT，ポリマーフォーム，加熱発泡，気泡構造制御

背景と研究目的

かった範囲での製品設計が求められており，より高度自動車に使用される部材として，水・音・振動などを防止する目的で，種々のポリマーフォーム材料が用いられている．これら材料の多くは熱をトリガとして化学的に発泡し，多孔質構造を形成する．ポリマー
フォームの構造パラメータは要求される機能に応じて設計されることが望ましいが，現状では気泡が生成・成長・合一するメカニズムは明確になっておらず，経な設計指針の獲得が望まれる．そこで本検討では，4次元 CT を利用してポリマーの加熱発泡挙動を動的に観察することにより，発泡メカニズムの解明を目指している．ここでは，昇温速度による気泡形成挙動の違いについて比較した結果を報告する．
実験

験的な指標に依存する部分が多い．今後の製品展開としては，例えば気泡の微細化など従来制御できていな

観察対象としてゴム系発泡体材料を選択し，実験では発泡前の樹脂混和物を試料に用いた．樹脂混和物

Fig. 1. Schematic illustration of the X-ray CT observation system.

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兵庫県ビームライン年報・成果集は縦 1.2 mm，横 1.7 mm であることから，発泡による膨張を考慮して 0.5 mm 角程度の大きさに試料を切り出して回転ステージに設置した．試料を透過したビームを CWO 蛍光体で可視光に変換し，リレーレンズで高速度 CMOS イメージセンサ（フォトロン

FASTCAM SA5）に導入した．このときの観察分解能は 2 µm/pixel であった．試料を設置したステージをグラファイトのカバーで覆い，外部よりハロゲンラ
ンプヒーターで加熱した．放射温度計を用いてグラ
ファイトカバーの外表面温度を測定し，フィードバッ
ク制御によりハロゲンランプヒーターの出力を制御
し，昇温速度を調節した．昇温速度は 2◦ C/min および 5◦ C/min とした．なお内部と外表面とでは温度差があることから，あらかじめ熱電対を用いて温度検量線を作成し，外表面温度からの換算値を内部温度として用いた．
試料を 0.1 rps で回転させ，放射光 X 線ビームを照射しながら所定の昇温速度となるように加熱を行った．撮影速度は 125 fps（露光時間 8 ms）であるが，今回の系では比較的低速で発泡が進行するため，昇温速度に応じて数十秒間隔ごとに CT 構成に必要な投影

Fig. 2. CT image of foam forming behavior, (a) normal stereoimage and (b) extracted cells by image

像（本条件では半回転あたり 625 枚）を取得した．得processing.

得た．さらに CT 像に対して二値化処理を行い，内部られた投影像から 3 次元再構成計算を行い，CT 像を
気泡の直径を定量的に解析した．
結果および考察

Fig. 2 に，再構成像および二値化により抽出した気泡の例を示す．これらの画像により経時すなわち昇温による気泡成長や，それに伴う合一・破裂などの動的挙動を初めて可視化することができた．また生成後間もない数 µm の微小な気泡を観察出来ることから，高い空間分解能が得られたと言える．Fig. 3 に二値化像から求めた平均気泡径の，温度上昇に伴う推移を示す．2 ◦ C/min に比べて 5 ◦ C/min では気泡が生成をFig. 3. Average cell diameter trend with rising temperature.

には発泡剤が配合されており，加熱によって分解し，発生するガスによって気泡を生成する．BL24XU のB ブランチ [1] に構築した実験系の概要を Fig. 1 に示す．放射光 X 線ビーム（10 keV）による最大視野

始める温度が高く，また気泡が大きく成長することがわかる．このように，昇温速度によって気泡の直径を制御できる可能性が示唆された．気泡は，まず発泡剤が熱分解してガスが発生し，次に周囲の樹脂が膨張することで生成・成長する．このことから，昇温速度の違いが発泡剤の分解と樹脂の膨張それぞれにどのように影響を及ぼすのかを精査することが，今後の製品設計のために重要と考えられる．

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Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
今後の課題

かったポリマーフォームの加熱発泡挙動に対して，基発泡剤や樹脂の物性を評価し，発泡挙動と比較考察していく．また異なる材料系の発泡挙動観察も併せて，発泡を精密に制御出来る理論の構築を目指す．
事業への貢献礎的かつ重要な知見を与えるものであり，今後の弊社事業に対して多大な貢献をもたらすことが期待される．
参考文献[1] 高野秀和：兵庫県ビームライン年報・成果集 1，
61-66 (2012).

本研究で得られた成果は，従来よく知られていな– 30 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

BL08B2, BL24XU

2012A3229, 2012B3229, 2012B3330

小角 X 線散乱法と逆モンテカルロ法を用いた構造発色フィルムの構造解析

Small Angle X-ray Scattering and Reverse Monte Carlo Analysis
of Colloidal Silica Arrays in Cross-Linked Polyacrylate Films
首藤 靖幸 1 ，妹尾 政宣 1 ，横山 和司 2 ，李 雷 2 ，桑本 滋生 2 ，漆原 良昌 2 ，竹田 晋吾 2 ，中前 勝彦 2 ，松井 純爾 2
Yasuyuki Shudo1 , Kazunobu Senoo1 , Kazushi Yokoyama2 , Lei Li2 , Shigeo Kuwamoto2 ,Yoshimasa Urushihara2 , Shingo Takeda2 , Katsuhiko Nakamae2 , Junji Matsui2
1

住友ベークライト株式会社, 2 兵庫県立大学放射光ナノテクセンター
1

2

Sumitomo Bakelite Co., Ltd.,

Synchrotron Radiation Nanotechnology Laboratory, University of Hyogo

概要： ナノシリカ粒子を充填した構造発色透明複合基板の構造と光学特性の関係を解明するため，複合フィルムの小角 X 線散乱 (SAXS) 測定と逆モンテカルロ法 (RMC) による三次元的な粒子分散状態の解析を検討した．RMC により得られたナノ粒子の動径分布関数を解析した結果，粒子充填量の増加に伴い粒子間の短距
離秩序が形成されていることが示唆される結果を得た．また動径分布関数の第一ピーク位置から算出した粒子
間距離は FE-SEM の観察結果と概ね一致した．
キーワード： 小角 X 線散乱，極小角 X 線散乱，Bonse-Hart USAXS，構造発色，ナノコンポジット，逆モ
ンテカルロ法背景と研究目的ニックバンドギャップ形成の要因となりうることが明

我々は架橋ポリマーネットワーク中にナノシリカ粒子を充填させることによって，高耐熱性と低線膨張率係数を両立する透明プラスチック複合フィルムを開発した [1–3]．更に，我々は特定の粒子径および粒子充填量において，色素等を含有していないにも関わらず可視光の特定波長のみを反射するような発色性フィルムを得た．この発色現象は構造発色として知られ，コロ
イド粒子の結晶配列による光の回折反射は構造発色の代表例である [4]．これまでの検討で，我々は複合フィ
ルム中のナノ粒子の分散状態の解析には SPring-8 における高輝度放射光を利用した小角 X 線散乱 (SAXS)
測定および構造因子解析が有効であることを確認した．
しかしながら 3 次元パラクリスタル理論 [5] を用いて

SAXS プロファイルの解析をおこなった結果，我々の開発した材料はコロイド結晶型の長距離秩序構造は形成していないことが示唆された．近年の研究では，

らかになり [6]，我々の材料においても光学特性の発現には幾つかの機構が複雑に絡みあっているものと考えられる．したがって光学特性発現機構を解明しその特性を制御するためには材料の三次元構造を明らかにすることが必要である．
ナノフィラー分散系における三次元的なフィラー配置の推定手法として，逆モンテカルロ法 (RMC) は有効な手法の一つである [7]．本来，RMC は無機系材料の不規則構造解析手法として開発されたが，近年では
ナノフィラー系へも適用範囲が拡大されている [8]．本
研究ではナノシリカ粒子を架橋ポリマーネットワーク
中に固定させて得た複合フィルムにおける粒子分散状
態と構造発色性の関係を解明するため，SAXS と RMCを用いた粒子の三次元分散状態の解析を検討した．
実験

コロイド粒子の短距離秩序構造やコロイド粒子自身の本検討で使用した試料は次に記載する方法で作成

Mie 散乱なども構造発色，つまり可視光領域のフォトした．まず，二官能アクリレートモノマー，イソプ– 31 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
ロパノール分散型コロイダルシリカ（平均粒子径約120 nm）および光重合開始剤を配合し，溶媒を減圧下にて除去した．その後，シート成形し積算光量約 700

mJ/cm2 の紫外光により架橋し，さらに 230◦ C で 3 時
間アニール処理することにより，膜厚約 200 µm のフィルムを得た．シリカの体積分率 η は η = 0.001–0.50とし，種々の充填量のサンプルを調整した．

SAXS 実験は兵庫県ビームライン BL08B2 の第 2 ハッチにて実施した．検出器には 2 次元検出器 PILATUSを用い，カメラ長および波長は 6.2 m, 1.5 Å と 1.6 m,

1.0 Å の 2 条件でおこなった．USAXS 実験は兵庫県
ビームライン BL24XU の A1 実験ハッチにて実施した．Bonse-Hart 光学系と 1 次元シンチレーション検出器を用い，10 keV のエネルギーの X 線を利用し測定した．

RMC シミュレーションは RMC++ (ver.1.6.1) [9]を用い, FOCUS スパコン A システム（財団法人 計算科学振興財団）にて実施した．計算条件等の詳細は以下に述べる．

Fig. 1. SAXS and USAXS profiles of composite
films containing various volume fractions η of silica particles.
として扱った．シリカ粒子の数密度 ρ は，粒子の体積
分率 η と粒子の平均体積 v から

結果および考察η = ρvSAXS および USAXS 実験より得られた連結後の一次元プロファイルを Fig. 1 に示す．いずれのサンプルについても SAXS の二次元散乱プロファイルは等方的であり，配向性や強い結晶的秩序性を有していない
ことから，Bonse-Hart USAXS の一次元プロファイ
ルとの連結には問題ないものと考えた．フィルム中に含まれるシリカ粒子の平均粒径およびその粒度分布は以前に検討した手法 [3] により η = 0.001 のサンプルの SAXS プロファイルから算出した．得られた平均
粒子半径 R0 は 60 nm，CV 値 (= σ/R0 ) は 6.3 %とほぼ単分散とみなせることがわかった．また，各充填量における構造因子 S(q) は η = 0.001 のサンプルの

SAXS プロファイルで除し規格化することによって導出した．

RMC シミュレーションは以下の順で実施した．まず，
上記手続きにより得られた構造因子について MCGR

[10] を用いてバックグラウンド，規格化定数等の補正をおこない，得られた構造因子プロファイルを RMCの入力として供した．RMC においてはナノ粒子を単位粒子として直接扱うことはできないため，系全体のスケールを 1/1000 に縮小し，シリカ粒子を擬似原子によって得た値を用いた．ここで，平均体積 v は
 ∞
4 3
v=
πR p(R)dR
30である．粒子半径 R の分布関数 p(R) は Gauss 分布を仮定し，平均粒子半径 R0 と標準偏差 σ は前述の

SAXS プロファイルに関するフィッティング結果を用いた．RMC においては粒子同士の重なりを防ぐためにカットオフ距離 rcut を設定することができ，本検討では rcut= 2R0 とした．また，系中の全粒子数は4000，初期配置は FCC 構造とした．
Fig. 2 に補正後の構造因子 S(q) と RMC による
フィッティングの結果を示す．いずれの充填量 η においても，入力に用いた S(q) をほぼ再現する三次元構
造が得られた．η = 0.33, 0.40 の高充填量では極小角領域においてフィッティングが悪くなっているが，これは系のシステムサイズの不足に由来する問題であり，粒子数を大きくすることで改善可能と考えられる．

Fig. 3 に各構造に対応する粒子間の動径分布関数
g(r) を示す．η > 0.20 においては動径分布関数に鋭い
第一ピークが現れているが，η < 0.20 では第一ピーク– 32 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

Fig. 3. Pair distribution function g(r) of silica
particles for various volume fractions η obtained
from RMC simulation.

Fig. 2. Structure factor S(q) for individual samples obtained from SAXS and USAXS experiments after refinement using MCGR and their fitting results by RMC simulation.
はブロード化しており，粒子充填量 η の増加に伴って短距離秩序構造が形成されていることがわかる．また，
いずれもカットオフ距離近傍で小さなピークが現れているが，これは実験値とのパラメータの誤差や RMCのアルゴリズムに由来するノイズと思われる．

Fig. 4 に g(r) の第一ピーク位置から求めた最近接
粒子間距離と，フィルム表面の FE-SEM 観察結果から算出した最近接粒子間の関係を示す．両者の値は概ね一致していることから，RMC シミュレーションの結果がある程度妥当なものであることが示唆される．
低充填量においては値の乖離が大きいが，これは粒子位置および粒子間距離のばらつきが大きいことによるものと考えられ，詳細な比較評価には Voronoi 領域解析などを検討する必要があると思われる．

Fig. 4. Distance between particles from RMC simulation and calculated from FE-SEM images on
sample surfaces.
ある．光学特性と構造の相関解明には，数値解析等に今後の課題

よる三次元構造の秩序性評価や FDTD 法などによる本研究では SAXS および RMC によるナノシリカ
粒子の三次元分散状態の解析を検討した．今後の課題
としてはシミュレーションの妥当性検証，高精度化および光学特性との相関解明手法の検討が挙げられる．
シミュレーションの高精度化には，形状因子と構造因子の分離方法の再検討，RMC のパラメータの十分な吟味をおこなう必要がある．また，USAXS 測定結果

電磁界シミュレーションが有効と考えられる．
今後は極小角領域の構造の追検証や実空間像の観察等も実施し，X 線構造解析と実空間構造解析，各種シ
ミュレーションを交えた構造と光学特性の相関解明をおこなっていく．
事業への貢献を十分に反映させるためには今回検討した粒子数では

本研究で得られた成果は，住友ベークライト株式会不足であり，セルサイズを数 µm 立方，粒子数を十万社における透明ナノコンポジットフィルム開発におい程度とする大規模シミュレーションを実施する必要が– 33 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)て，材料中の構造形成および制御に関する要素技術の構築に貢献があった．
参考文献[1] K. Senoo, T. Takeuchi, W. Oka, Y. Shimobe,
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– 34 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

BL24XU

2010B3200, 2011A3200, 2011B3200

Inclined-incidence Microprism-array Optical Device
for Prefocusing Hard X-ray Beams
Y. Kagoshima1 , H. Takano1 and S. Takeda2
1

Center for Novel Material Science under Multi-Extreme Conditions,
Graduate School of Material Science, University of Hyogo,
2
SPring-8 Service Co., Ltd.

Abstract： A microprism-array optical device has been developed that can roughly focus a hard Xray beam to increase the photon flux density at the sample position. As it operates in a transmission
arrangement that produces negligible beam deflection, the need for additional equipment is minimal
when it is introduced in existing facilities. The effective apex angles of the microprisms can be changed
by varying the inclination angle; this allows the focal point to be easily changed. A prototype device isfabricated from a 300-µm-thick acrylic resin plate. It consists of 20 50-µm-wide right-angle microprisms
whose apex angles gradually decrease to 22.2◦ at the outer side. The effective apex angle can be reduced
to 3.6◦ at an inclination angle of 80.5◦ . Its focusing performance was numerically evaluated by ray tracingthat accounted for absorption. The results predict a gain in the photon flux density of ∼25 for a crossed

tandem arrangement. In experiments using an X-ray energy of 10 keV, a 680 µm (V) × 660 µm (H)beam was focused to a spot size of 130 µm (V) × 380 µm (H), resulting in a photon flux density gain of∼3. The present microprism-array optical device can be used to improve beamlines for experiments that

do not require microfocusing such as X-ray absorption fine structure spectroscopy, powder diffraction,and small-angle scattering experiments.
本報告書は原著論文（Y. Kagoshima et al., J. Appl. Phys. 113, 214314 (2013).）を拡充・改編したものである．

Keywords： X-ray refraction, X-ray microprism, X-ray focusing, prefocusing, microprism array

Introduction

reflection mirrors is expensive since they require a

Grazing-incidence total-reflection mirrors arewidely used as optical prefocusing devices inmany beamlines at synchrotron radiation facilities
throughout the world to increase the photon flux
density of beams irradiated onto samples. However,
if a total-reflection mirror is added to an existing
beamline to increase the photon flux density, the reflected beam is intrinsically deflected, necessitatinga major reconstruction of the beamline. If a twomirror system is used to ensure that the reflectedbeam remains parallel to the original beam, thebeam will be offset. Furthermore, introducing total-

vacuum chamber and a precision alignment system.
Therefore, an optical device that operates in a transmission arrangement is preferable for increasing thephoton flux density of existing beamlines with as little reconstruction as possible. One solution, which
was first experimentally demonstrated by Snigirev etal. [1], is to use a compound refractive lens (CRL).
It has a relatively simple operation principle and isuseful for beam focusing. Lengeler et al. [2] andSchroer et al. [3] extended the concept by employing parabolic-shaped microlenses. Although CRLs
are effective as a nano- and microfocusing lenses,– 35 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
they are not particularly suitable as optical prefocusing devices for beamlines because they have small
apertures and non-negligible absorption (especiallyin their outer regions). Other refractive X-ray lenses
have been developed. Ohishi et al. [4] developed arefractive X-ray lens consisting of many plastic lenschips fabricated by molding as an optical prefocusing
device for beamlines for high-pressure X-ray diffraction experiments. Kohmura et al. [5] used a thinglass microcapillary filled with an adhesive or glycerol containing bubbles. Since it employs the same
operation principle as a CRL, it has a non-negligible
absorption in the outer regions. Another solution
is to use a Fresnel zone plate. Fresnel zone plates
have been used as microscope objectives with a spatial resolution of almost 10 nm (Chao et al. [6] andVila-Comamala et al. [7]). However, they are not

Fig. 1. Illustration of microprism array. (a) Onedimensional focusing by a single array and (b)particularly suitable as beamline prefocusing devices

crossed tandem arrangement for two-dimensional fo-

because they have intrinsically low diffraction effi-

cusing.

ciencies.
In this paper, we propose a simple refractive optical prefocusing device to enhance existing synchrotron radiation beamlines. It consists of an arrayof right-angle microprisms whose apex angles gradually decrease toward the outer side. Since it operates
in a transmission arrangement with negligible beam
deflection, minimal additional equipment is required
when it is introduced into existing facilities. The
present device is effective for beamlines that do not
require microfocusing such as X-ray absorption finestructure, powder diffraction and small-angle scat-be greatly reduced from that for normal incidence(see Fig. 1(a)). Furthermore, by arranging two microprism arrays in a crossed tandem arrangement,
two-dimensional focusing can be achieved (see Fig.
1(b)). An incident X-ray beam is refracted twice
when it passes through a right-angle microprism (seeFig. 2). The microprism is assumed to be inclined
at an angle of θ relative to the incident beam. The
complex refraction index, n, of the microprism material is expressed by n = 1 − δ + iβ and that of air

is assumed to be unity. The prism has dimensions oftering experiments.

w ×t×l and an apex angle of φa . The incident beam

Structure of Microprism Array and Opticalimpinges on the microprism at P with an angle of incidence θ and is refracted with an angle of refraction

Design of Prototype

θ . The beam is refracted again at the microprism
1) Operation principle

surface at Q with an angle of incidence σin and exits

The microprism array employs a very simple focus-

the microprism with an angle of refraction σout . Alling principle that is depicted in Fig. 1. Like visible

these processes obey Snell’s law:light, X-ray refraction obeys Snell’s law. However,since most materials have X-ray refraction indices ofalmost unity, an X-ray beam will be deflected very
little by prisms with conventional apex angles. By
inclining a microprism, its effective apex angle can– 36 –sin θ = (1 − δ) sin θ

(1)(1 − δ) sin σin = sin σout .

(2)兵庫県ビームライン年報・成果集

Fig. 2. Optical path of incident ray in a single rightangle microprism.

the deflection angle at Q is α (i.e., the angle between−→−→
PQ and QR). Regarding refraction at Q, P, Q, andR lie in the plane of incidence, which is denoted by
the rectangle abcd . A section of the microprism that

Fig. 3. Structure of prototype microprism array.

where r is the distance from the center of the microprism array O to the corresponding microprism
under the assumption that the microprism array ismuch smaller than f .

contains the plane of incidence is denoted by the2) Design and fabrication of prototype micro-

triangle ABC. By inclining the microprism, the ef-

prism array

fective apex angle can be reduced to φ. φ can be

To suppress absorption as much as possible, the mi-geometrically derived to be

croprism array should be minimized. The micro-

tan φa, F (θ , φa ) =tan φ =F (θ , φa )tan2 θ1+,
cos2 φaprism array was fabricated by a company that pro(3)duces custom-made optical Fresnel lenses. The microprism arrays were fabricated by sheet-press form-

where θ can be obtained from eq. (1). For normal

ing using acrylic resin sheets as the microprism ma-

incidence, θ is zero, and thus φ = φa . When usedterial. The minimum microprism size and the apex

as a prefocusing device, the absorption must also be

angle were limited by the precision of the transla-

considered. The average transmission < T > is givention stages and the sharpness of the tool bit used tobymachine the metal mold. We employed a constant
1 − exp(−µ l02 + t2 )
,< T >=µ l02 + t2

(4)

assuming that the incident beam is parallel to theoptical axis, where µ(= 4πβ/λ) is the linear absorption coefficient of the microprism material and l0 is
the effective microprism length, which is determinedby the angle of incidence θ. The focal length is assumed to be long since the microprism array is to be
used as a prefocusing device. The focal length f canbe approximated byrcos θ · F,
f∼
tan α

width microprism array for the prototype. The width
w was designed to be 50 µm and the minimum (outermost) apex angle φa was designed to be 22.2◦ basedon the present manufacturing limitations. Fig. 3
shows the designed structure of the microprism array. Table 1 lists the apex angles φa and the corresponding thicknesses t of the microprisms, which arenumbered 1 to 10 in Fig. 3.
The acrylic resin sheet was 300 µm thick. The
total width was 1 mm (= 20×50 µm), which was
designed to match the incident beam height of the(5)

Hyogo ID-BL (BL24XU) beamline (Tsusaka et al.
[8]) of SPring-8. The total length l was designed– 37 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
Table 1. Apex angles and thicknesses of prisms in
Fig. 3.
Prism
numberApex angle: φa(◦ )Thickness: t
(µm)

1
2
3

82.66
68.89
57.22

6
19
32

4
5
6
7
8
9
10

48.01
40.81
35.23
30.85
27.39
24.58
22.22

45
58
71
84
97
109
122

Fig. 4. Scanning electron micrograph of fabricatedmicroprism array.

vertical angular beam divergences, respectively. The

to be 20 mm, which is long enough for a large in-

effective size Σx,y and angular divergence Σx ,y ofthe photon beam are Σx,y = σx,y 2 + σp 2 and Σx ,y
= σx ,y 2 + σp 2 , respectively, where σp and σp areclination angle. Fig. 4 shows a scanning electron

respectively the natural size and divergence of the

micrograph of the fabricated microprism array. It

photon beam. The natural size (divergence) is thereveals that good microprism structures with com-

photon beam size (divergence) emitted from a single

paratively smooth surfaces were obtained, althoughelectron (or a zero-emittance electron beam). σp and
√σp are expressed by σp = λL/4π and σp = λ/L,

the apexes are not perfectly sharp.

where λ is the photon wavelength and L is the to-

Numerical Evaluation of Focusing Performanceby Ray Tracing

tal length of the undulator (Kim [12]). Table 2 lists
the relevant electron beam parameters of BL24XU
and the effective photon beam parameters used in

1) Ray emission of undulator radiation
We employ three Cartesian axes to describe the synchrotron radiation optics [9]. The y-axis is taken to
be normal to the plane of the electron orbit and thez-axis is taken to be tangential to the orbit. The
angles that a ray makes to the z-axis in the horizontal xz and vertical yz planes are denoted by x andy  , respectively. The x − x and y − y  spaces are
termed horizontal and vertical phase spaces. The

Hyogo ID-BL (BL24XU) employs a figure-8 undula-

ray tracing. The photon energy E was set to 10
keV (λ=0.124 nm) and the total undulator length L
was taken to be 4.48 m (26 mm×172 periods). Figs.
5(a)-(d) show spot diagrams at the source points ofthe x − y, x − y  , x − x , and y − y  , respectively. As

mentioned above, they all have Gaussian distributions with the standard deviations, Σx,y and Σx ,y ,listed in Table 2. The number of emitted rays was
100,000.

tor developed by Tanaka and Kitamura [10]. The un-2) Potential focusing ability of designed mi-

dulator radiation source has Gaussian distributions

croprism array









in the x − y, x − y , x − x , and y − y spaces. In thisThe focusing properties of the prototype microprism

study, we used a ray emission algorithm developed

array were investigated by ray tracing. The complex

by Muramatsu et al. [11].

refraction index, n, of acrylic resin (C5 H8 O2 ) was ob-

In the following, σx and σy denote the standard de-tained from the Center for X-ray Optics (Gullikson

viations of the horizontal and vertical electron beam[13]) as δ = 2.67150153×10−6 and β = 3.71373554×

dimensions, respectively. Similarly, σx and σy de-10−9 . First, only the vertical direction was assumed

note the standard deviations of the horizontal and– 38 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

Table 2. Relevant electron beam parameters for
BL24XU and effective photon beam parameters used in ray tracing.
Notation

Parameter

Unit

σx
σy
σ x
σy 

297.9
6.170
12.26

µm
µm
µrad

1.100
10

µrad
keV

1.875
5.261
297.9

µm
µrad
µm

6.449
13.34

µm
µrad

5.375

µrad

E
σp
σp
Σx
Σy
Σ x
Σy 

to be focused (see Fig. 1(a)). The optical system
of BL24XU is shown in Fig.

6.

There are twopairs of experimental hutches: A1-A2 and B2-B1

Fig. 5. Spot diagrams at the source point: (a) x − y,(b)x − y  , (c) x − x , and (d) y − y  spaces.

(Takano [14]). The microprism array was located inexperimental hutch A1 and the incident beam was
focused in hutch A2. A four-quadrant front-end slit
(height: 1 mm; width: 1 mm) was located 30 mfrom the source point and the microprism array was
located 46 m (z1 ) from the source point. The microprism array was inclined at an angle of 80.5◦ (θ1 )Fig. 6. Optical system of BL24XU of SPring-8.

relative to the incident beam; its focal length f was
12 m according to eq. 5. Therefore, the beam will
be focused at a point 16.235 m (z2 ) from the microprism array according to the thin-lens formula,
1/z1 + 1/z2 = 1/f .
A double-crystal monochromator (monochromator A) with diamond crystals was employed for experimental hutches A1 and A2. Fig. 7 shows thefocusing properties for three different values of z2 .
Figs. 7(a), (c), and (e) show the real-space (x − y)spot diagrams, while Figs. 7(b), (d), and (f) showphase-space (y − y’) spot diagrams. Figs. 7(a) and(b), Figs. 7(c) and (d), and Figs. 7(e) and (f) show
spot diagrams for z2 = 11.235 m (5 m upstream),

16.235 m (the focal point), and 21.235 m (5 m downstream), respectively. Figure 7 clearly confirms thatthe beam is focused at z2 = 16.235 m, as predictedby the thin-lens formula. The focused beam size
was ∼68 µm. In the phase-space spot diagrams,
each cluster corresponds to a refracted beam fromone microprism. Absorption was accounted for in
the ray tracing. The transmission (i.e., the ratio of
the number of transmitted rays to the number of incident rays) was 63.7%. As shown in Fig. 3, theaverage absorption increased with increasing number of the microprisms. The average transmission
for all the microprisms was calculated to be 62.1%
using eq. 4. These two values for the transmission
are in good agreement with each other.
Next, both the vertical and horizontal directions
were assumed to be focused (see Fig. 1(b)). The
distance between the two microprism arrays was set– 39 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)transmission was 63.7% in Fig. 8(b) and 39.7% in
Fig. 8(c). Here, we define the flux density in ray
tracing as the total number of rays divided by thebeam area (which is equal to the product of the vertical and horizontal FWHMs). Inserting perfectly
formed microprism arrays would increase the flux
density by factors of ∼7.3 in Fig. 8(b) and ∼25 inFig. 8(c). If the beam area is restricted to 50 µm×50µm (red in Fig. 8), the flux density will be increasedby factors of ∼7.9 (Fig. 8(b)) and ∼23 (Fig. 8(c)).
Figs. 9(a)-(d) show the spot diagrams for a focused
beam in x − y, x − y  , x − x’, and y − y  spaces,

respectively. The beam patterns are upright in bothphase space directions (Figs. 9(c) and (d)), which
confirms that the beam is focused in both directionsat z2 = 16.235 m.
Feasibility Tests of Prototype Microprism Arrays
The focusing properties of prototype microprism
arrays were experimentally evaluated. A similar optical set to that shown in Fig. 6 was used. In hutch
A1, a four-quadrant slit (height: 1 mm; width: 1mm) was placed 80 cm in front of the front microFig. 7. Spot diagrams of (a), (c), and (e) real spaceprism array. Hutches A1 and A2 were connected by(x − y) and (b), (d), and (f) vertical phase space(y−y  ) at z2 = (a) and (b) 11.235, (c) and (d) 16.235,
and (e) and (f) 21.235 m.

a 7.3-m-long vacuum path. To suppress air absorption, 4.3-m-long and 3.4-m-long vacuum paths werealigned with the optical axes in hutches A1 and A2,
respectively. The air path was 1.3 m long and 53% of

to 0.2 m and the angle at which the second microprism array was inclined, θ2 , was set to 80.5◦ . Fig.
8 shows real-space spot diagrams at z2 = 16.235 m(the focal point). Figs. 8(a), (b), and (c) respectively show real-space spot diagrams obtained withno microprism arrays, with only the vertical microprism array, and with both prism arrays. The microprism arrays reduced the beam size (defined as
the full width at half maximum, FWHM) from 0.78
mm to 67 µm in the vertical direction and from 1.23
mm to 225 µm in the horizontal direction. The total number of rays was 50,856 in Fig. 8(a), 32,388
in Fig. 8(b), and 20,169 in Fig. 8(c) and thus thethe incident x-rays were absorbed along it. An X-ray
charge-coupled device (CCD) camera installed after
the focal point was used for optical alignment. Whenmeasuring the intensity, a PIN photodiode detector
was placed immediately in front of the CCD camera. To measure the two-dimensional beam profile, a
rectangular aperture (height: 20 µm; width: 50 µm)
was installed at the focal point. While scanning therectangular aperture in two dimensions, the intensity after the aperture was measured by the PIN detector. The PIN photodiode current was converted
into photon flux. Figs. 10(a)-(d) show the measured
two-dimensional beam profiles without microprism– 40 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

Fig. 9. Spot diagrams of the focused beam in (a)x − y, (b) x − y  , (c) x − x , and (d) y − y  spaces.
size of 225 µm (X) × 67 µm (Y) (Fig. 8(c)), theexperimentally measured beam size was 1.6 (X) and
2.0 (Y) times larger. The most probable cause forthis is that the microprism array was not perfectly
Fig. 8. Real-space spot diagrams at z2 =16.235 m(focal point) (a) without, (b) with only vertical microprism array, and (c) with both vertical and horizontal microprism arrays.

fabricated. As Fig. 4 shows, the apexes are slightly
rounded especially on the outer side. In addition,
the apex angles were machined to an accuracy of 1◦ ,which may be too large. Furthermore, the different
FWHMs of the incident beam size for ray tracing

arrays, with only horizontal focusing, with only ver-(Fig. 8(a)) and the experiment (Fig. 10(a)) also re-tical focusing, and with both horizontal and verti-

duce the experimental gain. Other causes will be in-cally focusing, respectively. These figures also show

vestigated in future studies. However, since the cal-the photon flux, the transmission, the horizontal (X)culated transmissions are 63.7% and 39.7% in Figs.

and vertical (Y) FWHMs of the beam profiles, and8(b) and (c), the experimental transmissions of 56%

the corresponding photon flux density. Here, the flux

and 32% are not too different. Although the exper-

density is defined as the flux divided by the beam size

imental focusing performance is considerably worse(= π/4× vertical FWHM × horizontal FWHM).

than that predicted by the ray-tracing calculations,µm (Y) was focused to 365 µm (X) × 133 µm (Y)obtained and the potential of the microprism ar-

An incident beam with a size of 655 µm (X) × 679

a practical gain in the photon flux density has been

when both prism arrays were inserted. This increased

ray as a prefocusing device has been demonstrated.

the photon flux density by a factor of ∼3 at the fo-

By improving the fabrication techniques, the present

cal position. Since ray tracing gave a focused beam– 41 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)

Fig. 11. Time variations of peak intensity and
FWHM of vertically focused beam.

incident beam size was restricted to 1 mm (X) × 1
Fig. 10. Measured two-dimensional beam profiles obtained (a) without microprism arrays, (b) only horizontal focusing, (c) only vertical focusing, and (d)both horizontal and vertically focusing.

mm (Y) by the four-quadrant slit. Accounting forthe continuous scanning in the x-direction between±1.25 mm, gives a critical incident power density ofover 20 µW/mm2 . When the incident power density approaches the critical power density, the dose
rate can be easily reduced by increasing the scan-

microprism array can enhance existing X-ray beamlines.

ning range. We intend to investigate the details of
the resistance to radiation damage in the future.

Resistance to radiation damage is one of the mostcritical properties of X-ray optical devices. Since

Acknowledgements

the microprism array is made of acrylic resin, it will
This work was supported by KAKENHI (21604006).

have a low resistance to radiation damage. However, if the dose rate is maintained below a criticaldose rate, the present microprism array will be suit-

Referencesable for practical use. Fig. 11 shows the time variations of the peak intensity and the FWHM of a vertically focused beam (corresponding to Fig. 10(c)).
To reduce the incident dose rate, the microprism array was scanned continuously in the x-direction between x = −1.25 mm and x = +1.25 mm with ascan speed of 50 µm/s while the beam was incident
on the microprism array. After 9 h of continuous
irradiation, there was no apparent degradation ineither the peak intensity or the FWHM; thus, theacrylic resin microprism array is suitable for practical use under the conditions for hutch A1. The
incident photon energy was 10 keV (= 1.6×10−15

J) and the flux was measured to be 3.2×1010 photons/s, which gives an incident power of 51 µW. The– 42 –[1] A. Snigirev, V. Kohn, I. Snigireva, and B.
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190 (2009).

– 43 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)

BL24XU

2012A3102, 2012B3102

Mixture Formation of Erx Yb2−x Si2 O7 and Erx Yb2−x O3 on Si for
Broadening the C-band in an Optical Amplifier
Hiroo Omi1,2
1

NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation,
2
NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation

Abstract： Thin films composed of polycrystalline Erx Yb2−x O3 grains and crystalline Erx Yb2−x Si2 O7
layers were formed on a Si(111) substrate by RF - sputtering and subsequent thermal annealing in Ar gas
ambient up to 1100 ◦ C. The films were characterized by synchrotron radiation grazing incidence X-ray
diffraction and micro photoluminescence measurements. In the annealed film of 950 ◦ C it is observedthat the I15/2 − I13/2 Er3+ photoluminescent transition exhibits simultaneously maximum intensity andpeak width at room temperature. This effect satisfies the requirements for broadening the C-band of an
optical amplifier on Si.
Keywords： Grazing incidence X-ray diffraction, Erbium silicate, thin film, silicon

Introduction

In order for these materials to be used as gain me-

Erbium silicates (e.g. Er2 SiO5 and Er2 Si2 O7 ) anderbium oxide (Er2 O3 ) have great potential as optical amplifier materials in silicon photonics [1–15].
Recent research has shown optical gain in waveguide erbium - doped amplifiers [4, 5]. However, theluminescence is limited by concentration quenchingmechanisms, such as energy migration and up - con-dia for optical amplifiers, they have to fulfill the requirement of broadband luminescence at the regionof the C-band telecommunication transmission wavelengths (1530−1565 nm). Flat regions and broad
peaks in the photoluminescence spectrum are required for broadband amplification. However, it iswell known that the photoluminescence of Er3+ ionsversion between Er3+ ions. Therefore, yttrium (Y),within crystalline materials exhibits sharp, but notwhich has almost the same ionic radius as erbium

broad peaks due to the regular crystal fields [15].

(Y3+ of 0.9 Å, Er3+ of 0.89 Å) and is optically in-This implies that the single crystals of such materi-active is incorporated to increase the luminescence

als are not suitable for broadening the C-band. To

efficiency of the Er ions in the silicates and oxides

that end, one of the next steps for implementing an

by forming Erx Y2−x SiO5 and Erx Y2−x O3 [4–7]. In

optical amplifier on Si is to broaden the C-band byaddition, for further enhancement of the emission,

incorporating Er into a crystalline host material suchytterbium (Yb), with an ionic radius of 0.99 Å inas Yb, which allows better Er concentrations and re-Yb3+ , has been incorporated in silicates and oxides.

duces the non-radiative mechanisms in rare-earth ion

The incorporation of Yb effectively promotes the en-

doped crystals.
Inergy transfer from the Yb ions to Er ions, which

thisreport,reporttheErx Yb2−x O3

growthofresults in high efficiency of the Er ion luminescence

Erx Yb2−x Si2 O7

when pumped at a wavelength of 980 nm [3,12]. Sig-

mixtures on Si(111) substrates.

nificant gain has been demonstrated in Yb-Er silicate

fabricated by RF - sputtering of Er2 O3 , Yb2 O3 on

slot waveguides [4, 5].

Si and subsequent annealing in Ar atmosphere. I– 44 –

andI

crystalline

The films were兵庫県ビームライン年報・成果集

propose that this mixture formation simultaneously

performed with a Ti: sapphire laser at 980 nm withenhances and broadens the photoluminescence of thean excitation power of around 10 mW and at tem-

3+

Erions in the C-band at room temperature [16].

peratures between 4 and 300 K. The excitation laser
was focused to spot size of 2-µm diameter throughExperimental

objective lens with a numerical aperture of 0.42. The

The Erbium-Ytterbium composed products wereobtained by RF- magnetron sputtering at room temperature in oxygen atmosphere. A 10 nm thick filmof Er2 O3 was sandwiched between 80 and 20 nm

PL spectra were detected using a 0.5-m spectrometerand cooled InGaAs detector [8, 10].
Results and Discussion

thick films of Yb2 O3 on Si(111) substrates. The de-Figure 1 shows the typical X-ray powder diffrac-posited films were thereafter annealed in an anneal-tion patterns obtained from the as-grown samples

ing furnace under Ar ambient for annealing time of[Fig. 1(a)] and the samples annealed in Ar ambi-(t) = 1−3 hours at temperatures (Ta ) in the range ofence at 900, 1000, and 1100 ◦ C for t = 2 h [Figs.

900−1100 ◦ C. Prior to the photoluminescence (PL)1(b)-(d)]. The main peaks in Figs. 1(b), (c) andmeasurements, synchrotron grazing incidence X-ray(d) are assigned to (211), (222), (123), (400), (411),

diffraction (GIXD) experiments were performed to(422), (134), (440), and (611) reflections from thethe thermally annealed samples at the BL24XU in

bixbyite structure of Ln2 O3 (Ln = Yb or Er), ac-

SPring-8 using an X-ray wavelength of 1.24 Å andcording to the joint committee on powder diffraction◦

an incidence angle of 1.0 [8]. PL measurements werestandards (JCPDS) cards no. 41−1106 for Yb2 O3

Fig. 1. θ−2θ X-ray powder diffraction pattern obtained at the incidence angle of 1.0◦ from the samples (a)as-grown at room temperature and annealed at (b) 900 (c) 1000 and (d) 1100 ◦ C in an Ar ambient. The
X-ray wavelength was 0.124 nm.

– 45 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
and no. 43−1007 for Er2 O3 . From the diffraction< 1100 ◦ C. Therefore, I determined that the crys-

peaks, the lattice constant is estimated to be 10.5071

talline Erx Yb2−x O3 and Erx Yb2−x Si2 O7 coexist inÅ, which is between the lattice constant of Yb2 O3

the films annealed between Ta = 900 and 1000 ◦ C.

(10.4854 Å) and Er2 O3 (10.5672 Å). This indicates

Figures 2(a) and (b) show the PL spectra and theirthat the thermal annealing produces mixed polycrys-peak intensities obtained from samples at 4 K as atalline Erx Yb2−x O3 on Si(111), which means thatfunction of Ta . For Ta = 900 ◦ C. The PL spectrum

the Er ions of Er2 O3 are partially incorporated into

has two sharp peaks at 1535 and 1548 nm, which are

the lattice sites of Yb2 O3 and/or the Yb ions ofdue to the transition between the 4 I15/2 − 4 I13/2 lev-Yb2 O3 are incorporated into the lattice sites of Er2 O3 .

els at the lattice sites of C2 and C3i of the bixybite

The size of the polycrystalline Erx Yb2−x O3 is aroundLn2 O3 (Ln = Er or Yb) structure [9, 11, 14]. Note◦

20 nm for Ta = 900 C according to the analysis of◦

the diffraction peak width at Ta = 900 C.

however, that the spectrum is similar but not identical to that of the Er2 O3 . These results indicate that◦

The increase of Ta from 900 to 1000 C induces

the thermal annealing at 900 ◦ C causes Er3+ ions of

the appearance of additional peaks at 15.11◦ , 18.46◦ ,Er2 O3 to be partially incorporated into the two dif-◦◦

21.18 , and 26.12 , as seen in Fig. 1(c), which cor-ferent sites of Yb2 O3 , which supports the formation

responds to the (001), (-111), (200), and (130) re-of Erx Yb2−x O3 grains evident from the GIXD. Inter-

flections of Ln2 Si2 O7 (Ln = Yb or Er), according toestingly, at Ta = 950 and 1000 ◦ C, new main peaks

the JCPDS cards of Yb2 Si2 O7 (no. 25−1345) andappear at 1529 and 1530 nm, in addition to those at

Er2 Si2 O7 (no. 25−1416). This suggests the forma-

1535/1548 nm, which is coincident with the emer-tion of polycrystalline Erx Yb2−x Si2 O7 in addition

gence of Erx Yb2−x Si2 O7 evidenced by the GIXD.

◦

to polycrystalline Erx Yb2−x O3 at Ta = 1000 C.

Additionally, the PL spectrum obtained from an is-

The formation of the silicate indicates that Si dif-land on the surface of the sample annealed at Ta =fuses into the oxide film and reacts with Yb, Er,

1100 ◦ C, has a principle peak at 1529 nm, which is

and O during the thermal annealing for tempera-

in agreement with the peak of the Erx Yb2−x Si2 O7◦tures Ta > 900 C, as was reported in H. Ono etfilms on Si waveguides [4, 5]. The results indicate

al. work [17], which is expected to be confirmed inthat the emergence of the 1529/1530 nm peaks fromthe following TEM/EDS, experiments. With further

the samples annealed at Ta = 950 and 1000 ◦ C are

increase of the Ta up to 1100 ◦ C, the GIXD peaks

due to the formation of Erx Yb2−x Si2 O7 in the film.

◦

become the same as those at Ta = 900 C, indicat-

In Figure 2(c), I show typical PL spectra obtained

ing the presence of the oxide. The polycrystalline

from the samples at 300 K. It is evident that Er −sizes of Erx Yb2−x O3 are estimated to be around 20

PL becomes maximum in intensity at Ta = 950 ◦ C

nm at Ta = 1000 ◦ C and 33 nm at Ta = 1100 ◦ C.

when the PL spectra are integrated at the C-band. I

Note, however, that the optical microscope images

also plot the effective bandwidth (λeff ) of PL spectra

show the surface covered by two types of islands (theobtained at 300 K in Fig. 2(d) and those at 4 K as a◦oxide and silicate) at Ta = 1100 C but not by uniC. This is confirmed by micro-PL, even though thefunction of Ta . The effective bandwidth is defined asλeff = I(λ)dλ/Imax where I(λ) is the PL intensity

diffractions from the silicates are not seen in Fig.

tensity [18]. As can be seen in Fig. 2(b) and (d), not1(d). The absence of the diffraction from the sili-

only the intensity but also the effective bandwidthcates in Fig. 1(d) is probably due to the fact thatof the PL spectrum are maximum at 950 ◦ C with

the island formation at Ta = 1100 ◦ C reduces therespect to Ta . In the spectrum at Ta = 950 ◦ C, twototal volume of the silicates which are formed at thedifferent maxima of the main peaks 1529/1530 nm ininterface between the films and Si substrate at Ta

Erx Yb2−x Si2 O7 , and those at 1535 and 1548 nm inform layers as in the case of samples annealed at 900◦

at wavelength λ and Imax is the maximum peak in-– 46 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

Erx Yb2−x O3 are significantly overlapped, producing

Conclusion

inhomogeneous broadening at the C-band at 300 K.
The maximum λeff of the spectrum is about 36 nm at
Ta = 950 ◦ C, which nearly corresponds to the bandwidth of the C-band (35 nm = 1565−1530 nm). It is
worth noting that the bandwidth at 300 K is approximately three times larger than that at 4 K for the
sample annealed at Ta = 950 ◦ C [Fig. 2(d)]. Thiscan be attributed to the fact that more transitions
between the 4 I15/2 − 4 I13/2 levels of Er3+ ions in

Erx Yb2−x Si2 O7 and Erx Yb2−x O3 become available
as the temperature increases [9].

Mixtures of Erx Yb2−x O3 and Erx Yb2−x Si2 O7 weresynthesized on a Si(111) substrate by means of RFsputtering and subsequent thermal annealing in an
Ar ambience at temperatures between 900 ◦ C and1100 ◦ C. I found that the uniform interfacial singlecrystalline layers of Erx Yb2−x Si2 O7 beneath the layers of polycrystalline grains of Erx Yb2−x O3 , which
are formed simultaneously at Ta = 950 ◦ C, exhibit
a strong and broad PL spectrum from the Er3+ ionsin the film in the C-band at room temperature.

Fig. 2. Photoluminescence spectra from samples annealed at Ta = 900, 950, 1000, and 1100 ◦ C, obtainedat (a) 4 K and (c) 300 K with excitation wavelength at 980 nm. (b) PL intensity measured at 300 K as afunction of Ta . (d) Effective bandwidth of PL spectra measured at 4 K and 300 K as a function of Ta .

– 47 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
事業への貢献光情報通信事業に革新をもたらす通信波長帯発光材料の開発に貢献する．

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– 48 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

BL08B2

2013A3306

高立体規則性ポリブタジエン系材料の構造と特性– X 線散乱解析による一軸伸長結晶化挙動の観察 –Relationship Between Structure and Properties
on Highly Stereo-regular Polybutadiene– Observation of Uniaxial Strain-induced Crystallization
Wide Angle X-ray Scattering (WAXS) Measurement –松下忠史 1 ，今泉公夫 1 ，岩瀬勝弘 2 ，桑本滋生 3 ，漆原良昌 3 ，李 雷 3 ，櫻井伸一 4Tadashi Matsushita1 , Kimio Imaizumi1 , Katsuhiro Iwase2 , Shigeo Kuwamoto3 ,Yoshimasa Urushibara3 , Lei Li3 , and Shinichi Sakurai4
1

旭化成株式会社，2 旭化成ケミカルズ株式会社，3 兵庫県立大学放射光ナノテクセンター，4 京都工芸繊維大学

1

Asashi Kasei Corporation, 2 Asashi Kasei Chemicals Corporation, 3 Synchrotron Radiation Nanotechnology
Laboratory, University of Hyogo, 4 Kyoto Institute of Technology
概要： 天然ゴムと合成ゴムとの構造・物性の相関性を比較する目的で，立体規則性の高いポリブタジエン系
材料（未加硫）を用いて，一軸延伸変形時の構造変化を X 線散乱手法によって解析した．その結果，天然ゴムと同様に合成ポリブタジエン系材料において，一定の延伸倍率にまで伸長された試料について結晶化が確認された．さらに，延伸条件によって伸長結晶化挙動が大きく影響を受けることが明らかになった．これらの高立
体規則性ポリブタジエン系材料の伸長結晶化挙動は，天然ゴムのそれとは違った挙動を示すという興味深い結果も得られた．
キーワード： 高立体規則性ポリブタジエン，一軸伸長，伸長結晶化，X 線散乱

背景と研究目的

理化学的な解釈は現在でもなお困難であると考えられ天然ゴムは，従来から様々な分野に用いられてきた
代表的な汎用高分子材料である．近年，環境にやさしい，省資源・エネルギーに優れた素材として，天然ゴ
ム並びに合成ゴムと種々の充填材とを複合化した材料が注目されている．
天然ゴムの（合成ゴムとの比較における）種々の優れた特性は，例えば，大型車両や航空機に用いられる
タイヤ用材料は依然として天然ゴムが主体であることからもわかるように，通常の SBR などの一般的なゴム材料では凌駕できない．
一方で，学術的な観点から，合成ゴムにおける力学的な特性（ex. 変形や破壊など）は粘弾性体としての力学的なエネルギーの散逸過程に依存することが理論や実験を通じて，そのかなりの部分が明らかにされつつある．対照的に，天然ゴムについては，かかる物ている．典型的な事例としては，引張応力を外場として印加することによって，伸長方向に結晶化する現象（伸長結晶化）が報告されている [1]．
このような天然ゴムをはじめとするゴム材料の構造・物性相関性の研究においては，広角 X 線回折（WAXD）
による結晶構造解析が有力な手段として活用されてきた [2]．近年のシンクロトロン放射光に代表される高分解能解析手法の発展によって，ゴム材料におけるポリ
マーミクロ構造について，X 線散乱（WAXS ＆ SAXS）
や中性子線散乱（SANS）による解析が精力的に行われており，そうした高次構造が関連すると考えられる
天然ゴムにみられる特異的な物性発現との関係についても詳細な研究がなされている [3]．
我々は，これらの高機能性材料を開発するに際して，とくにこれらの合成ポリブタジエンや合成ポリイソプ
レンの立体規則性に着目し，高度に分子設計されたポ– 49 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
Table 1. 試料
サンプル

分子量

分子量分布

引張状況

結晶化 ∗1)

MW /MnCis 構造単位含有率(%)

MW （K）
954
970
1,070

3.67
2.71
3.74

99.3
99.6
99.4

破断（520%）

1,090
1,200

2.86
2.27

96.9
96.7

破断なし

−
−
−

2.52
2.59
1.95

98.4
98.8
88.9

破断（710%）

HPB07
HPB08

1,210
1,270
1,310

HPB09
HPB10

1,310
1,680

2.49
2.58

97
92.5

破断なし

HPB11
HPB12
HPB13
HPB14

1,710
1,790
2,050

3.00
2.21
2.76

98.6
98.9
98.5

破断なし

2,150

2.86

98.6
100

破断なし

HPB01
HPB02
HPB03
HPB04
HPB05
HPB06

NR

∗2)

破断（1,410%）
破断（650%）
破断なし
破断なし
破断（460%）
破断（610%）
破断なし
破断なし
破断なし

*1) 延伸速度：5 mm ／秒，*2) 天然ゴム

−

−
−
−


−






リマーの構造と物性との関係を解明するために，大型器：二次元半導体検出器（PILATUS）；測定時間：0.2，

放射光施設（SPring-8）をもちいた構造解析を行って

1.0，5.0 sec/回．

いる．

3) 一軸延伸配向
試料を専用の一軸延伸装置にて，延伸速度：0.1，

ポリブタジエン系材料の一軸延伸による結晶化挙動

1.0，および 5.0 mm/sec で伸長させた（最大延伸倍

立体規則性の比較的高い合成ゴム（ポリブタジエン
およびポリイソプレン）および天然ゴムを用いて，それぞれ以下の方法にて一軸方向への伸長過程を広角 X

率：1400%）．
結果および考察

線散乱法（WAXS）にて追跡した．

未架橋ハイシスポリブタジエン（HPB）の伸長試
験の結果，分子量（MW ）が 1,000,000 以下の比較的実験

低分子量試料では引張応力が極めて低く，伸長結晶化

実験は SPring-8 ビームライン：BL08B2 において実施した．

が発現し難い傾向を示した．これらの試料は，多くの場合，伸長過程でネッキングが見られる前に破断した（Table 1 参照）．それに対して，分子量（MW ）が1) 試料（Table 1 参照）
ポリブタジエン（未架橋）試料を用いた．試料をクロロフォルムまたは THF に溶解（1 wt%）させた後，常温下に静置して溶媒を除去して薄膜を調製した（膜厚：0.2∼2.0 mmt ）．

2,000,000 程度の比較的高分子量試料の場合には，明確なネッキングが発現し伸長結晶化が確認された．以上のことから，十分な大きさの絡み合い点間分子量を有する比較的高分子量の HPB では，伸長過程における分子鎖のすり抜けが抑制され，結果として十分な配2) X 線散乱測定（Fig. 1 参照）
一軸伸長過程における散乱測定（in-situ WAXS）を
実施した：
；検出
波長：0.1 nm；カメラ長：104.3 mm（WAXS）

向による伸長結晶化が誘起されるものと考えられる（Fig. 2 参照）．
伸長結晶化と高分子鎖の立体規則性との関係については，定量的な見積もりが不十分ではあるが，シス含– 50 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

Fig. 1. Uniaxial extensometer for in situ WAXS measurement.

Fig. 2. Uniaxial strain-WAXS in situ measurement with HPB13.

– 51 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
有率がほぼ 100%の試料では，比較的シス含有率の低
い，すなわち 90%前後のそれと比較して，伸長結晶化し易い傾向がある．また，伸長過程において，歪み速度が大きいほど伸長結晶化しやすく，結晶化度も向上することが分かった．さらに，歪み速度が大きいほど，応力緩和時の結晶成長速度が大きいことも明らかになった．
このことは，歪み速度が増大するにしたがって，分子鎖配向度が高くなり，融点の上昇によると考えられ
る過冷却効果によって結晶成長速度が増大するという事業への貢献今回の一連の研究成果については，当社の合成ゴム事業において，今後、省エネ、高耐久性材料の製品化へ向けての技術開発にとって，有用な知見となり得る．
さらに，「ゴムの伸長結晶化」のような特性は天然ゴ
ムや合成ゴムを問わず種々のゴム材料の物性発現に深く関与している．こうした点からも，今回のような知見が広く産業界に有効に活用されるものと期待している．

説明が可能である．

参考文献

今後の課題

[1] Y. Ikeda and S. Kohjiya, J. Soc. Rheol. Jpn. 36,
9-17 (2008).
[2] J. R. Katz, Naturwissenschaften 13, 410 (1925);
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[3] T. Karino et al., Biomacromol. 8, 693-699(2007).

今後の展開としては，立体規則性の影響をより厳密に考察する目的で，ミクロ構造（とくにヘテロ構造の分布）の影響を詳細に調べ，さらに架橋（加硫）の影
響についても，HPB の伸長結晶化挙動への影響，さらには特性との相関性についてさらに詳細に調べる．

– 52 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

BL24XU, BL08B2

2011B3248, 2011B3359

Cr を含む酸化鉱物相における Cr イオン近傍の局所微細構造の解析
Fine Structure Analysis of Cr Ions dispersed in Oxide Compounds
鈴木 賢紀 1 ，金児 晋太郎 1 ，松井 純爾 2 ，横山 和司 2 ，野瀬 惣市 2 ，
梅咲 則正 1 ，田中 敏宏 1
1Masanori Suzuki , Shintaro Kaneko1 , Junji Matsui2 , Kazushi Yokoyama2 , Souichi Nose2 ,Norimasa Umesaki1 , and Toshihiro Tanaka1
1

大阪大学大学院工学研究科，2 兵庫県立大学放射光ナノテクセンター
1

2

概要：

Graduate School of Engineering, Osaka University,
Synchrotron Radiation Nanotechnology Laboratory, University of Hyogo

Cr を含有する酸化鉱物相について，Cr イオンの存在形態を明らかにするために，X 線吸収スペクト

ルによる分析を用いて Cr イオン近傍の局所微細構造の解析を行った．MgO 相へ空気または不活性ガス雰囲気
にて Cr を固溶させ，Cr イオンの存在形態を調査した結果，固溶した大半の Cr イオンは雰囲気によらず 3 価の状態で存在することが示された．一方，空気雰囲気にて焼成した Cr 含有 Dicalcium silicate 化合物について，Cr イオンは主に 6 価の状態で存在する可能性が示唆された．
キーワード：Cr イオン，酸化鉱物相，局所微細構造，X 線吸収スペクトル

背景と研究目的存在形態を明らかにすることを目的とする．特に，上Cr を含有する鉱物相は天然にも多く存在するが，これらの鉱物相へ微量に含まれる Cr 成分の存在形態は
必ずしも明らかにされていない．これらの鉱物相からは環境に悪影響を及ぼす Cr(VI) の溶出が懸念されることから，Cr(VI) 溶出の要因を明らかにするために，鉱物相中で Cr イオンがどのような化学形態（価数，配位状態）で存在するかを明らかにする必要がある．

Cr イオンは鉱物相中で 2∼6 価の様々な価数をとる可能性があり，また Cr イオン近傍に酸素イオンを伴うことから，同一相中でも酸化状態によって複雑な配位構造を持つことが予想される．特に，Cr イオンが酸化されて 4 価以上の価数を持つ場合には複数の酸素述の観点から Cr イオンの酸化状態と母相中におけるCr 近傍局所構造の関係に着目し，空気または不活性
ガス雰囲気下での焼成によって Cr イオンを固溶させた酸化鉱物相を作製し，兵庫県ビームラインの利用によって得られる Cr−K 吸収端近傍の高分解能 XANESスペクトルならびに EXAFS スペクトルの測定結果から，Cr イオンの電子状態，ならびに Cr イオン − 酸

素イオン間の結合距離を解析し，Cr イオンの導入に
よって鉱物相における Cr イオン近傍の配位構造がどのように影響を受けているかを調査する．
実験方法

イオンを伴って大きな錯イオンを形成することから，

本研究では，鉱物相として MgO ならびに Dicalcium

このような Cr イオンが鉱物中へ固溶する場合には周silicate (Ca2 SiO4 ) に着目した．MgO 化合物は，Cr 酸

囲の構造を歪ませ，鉱物相そのものの構造安定性にも化物と Spinel（MgCr2 O4 ）複合酸化物を形成するが，影響を及ぼす可能性が考えられる．

1000◦ C 以上の高温下では MgO 単一相の状態で 7∼10

本研究では Cr 成分を微量に含む種々の酸化鉱物相

wt%の Cr 固溶度を有することが知られている [1]．まについて，Cr−K 吸収端近傍の X 線吸収スペクトルをた，Dicalcium silicate 化合物は複数の異なる結晶構

測定することによって，Cr ならびに周囲の酸素イオ造を有し，B や P など種々の異種成分を固溶するこンの配位状態を解析し，鉱物相へ固溶した Cr 成分のとが実験的に確かめられている [2–4]．ただし，これ– 53 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
ら鉱物相中へ Cr イオンが固溶した場合，Cr イオンは酸化状態によって異なる価数を取り，その近傍に多数の酸素イオンを伴うことから，結晶構造の歪みや Cr
配位状態の変化が生じる可能性が考えられる．

Cr 含有固溶体試料の作製手順を以下に示す．まず，Cr 含有 MgO 化合物の作製について，特級試薬の MgO
粉末に 5 mass%の Cr2 O3 粉末を混合し，圧粉成型した後に，空気または Ar ガス雰囲気下，1600◦ C で 12時間以上の熱処理を施すことによって，3.5 mass%のCr を固溶する MgO 試料を作製した．また，標準試料として，MgO 粉末と Cr2 O3 粉末をモル比 1:1 で混合
し，Ar ガス雰囲気，1600◦ C で 12 時間以上熱処理を施すことによって，Spinel（MgCr2 O4 ）化合物試料を作製した．これらの試料については，事前に粉末 X 線
回折による分析を行い，目的としている MgO またはMgCr2 O4 以外の結晶相が存在しないことを確認した．
また，Cr 含有 Dicalcium silcate 固溶体試料の作製については，まず特級試薬の CaCO3 粉末を空気中，950◦ C で焼成して CaO 粉末を得た後に，CaO 粉末と SiO2 粉末をモル比 2:1 で混合，圧粉して空気中，

1600◦ C にて 12 時間焼成することによって母相である Dicalcium silicate 化合物を作製した．次に，Di-calcium silicate 粉末に対して 5 mass%の Cr2 O3 粉末を混合し，空気中または Ar ガス雰囲気中，1000◦ C
で 18 時間焼成することによって，Cr 含有 Dicalcium

silicate 化合物の作製を行った．
Cr 近傍の局所微細構造の解析には兵庫県ビームラ
インにおける高分解能 XANES 分析（BL24XU）な
らびに XAFS 分析（BL08B2）装置を利用し，Cr−K

Fig. 1. X-ray diffraction patterns of Cr-bearing MgO
samples.
結果および考察

Fig. 1 および 2 には，本研究で作製した Cr 含有
MgO 固溶体ならびに Cr 含有 Dicalcium silicate 固溶
体試料に対する粉末 X 線回折の結果を示す．MgO を母相とした場合，作製した試料からは MgO に対応
するピークのみが認められ，原料に用いた Cr2 O3 や，

Spinel（MgCr2 O4 ）など複合酸化物のピークは認められなかった．この結果から，空気または Ar ガス雰囲
気のいずれの条件で焼成した試料についても，Cr 成
分は MgO 化合物へ固溶し，MgO 単一相を形成しているものと判断した．一方，Dicalcium silicate を母相とした場合，Cr 成分を固溶させる以前の状態では吸収端近傍の XANES (X-ray absorption near edge

γ−Ca2 SiO4 単一相の状態であったが，Cr2 O3 と混合

structure) および EXAFS (Extended X-ray absorp-

して空気中，1000◦ C で焼成した試料については，γtion fine structure) スペクトルを測定した．特に，相の他に準安定相である β−Ca2 SiO4 の存在が認めら

BL24XU に設置された高分解能 XANES 分析装置は，れた．ただし，原料に用いた Cr2 O3 に対応するピー

従来の XANES 分析装置よりも非常に高い分解能を有しており（E/∆E ∼24000），特定の元素に対する電子状態ならびに配位状態を厳密に評価することができる．さらに，BL08B2 に設置された XAFS 分析装置によって，Cr−K 吸収端近傍の XANES および EXAFS
領域の X 線吸収スペクトルを精度良く測定することが可能である．以上で得られた Cr 含有固溶体試料に対する X 線吸収スペクトルの測定結果を，3 価 Cr の標準試料 (Cr2 O3 , MgCr2 O4 ) および 6 価 Cr の標準試
料 (CrO3 , K2 CrO4 ) に対する結果と比較することによって，固溶した Cr イオンの電子状態，配位状態ならびに周囲の結晶構造の歪みに関する解析を行った．

クは認められなかったことから，Cr 成分は γ− または β−Ca2 SiO4 のいずれかへ固溶したものと考えられる．これに対し，Ar 雰囲気で焼成した試料に対しては，母相である γ−Ca2 SiO4 および Cr2 O3 に対応するピークが認められたことから，Cr 成分は Dicalcium

silicate 化合物へ固溶しきれずに残存したものと考えられる．
以上の結果を踏まえ，Cr 成分が固溶したと考えられる Cr 含有 MgO 試料（空気中または Ar 雰囲気で焼成），および Cr 含有 Dicalcium silicate（空気雰囲
気で焼成）について，Cr イオン近傍の局所微細構造– 54 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

Fig. 2. X-ray diffraction patterns of Cr-bearing dicalcium silicate samples.

を明らかにするために，X 線吸収スペクトル分析を行った．

Fig. 3 には Cr 含有 MgO 固溶体試料に対する Cr−K
吸収端近傍の XANES およびフーリエ変換後の EX-

AFS スペクトルの結果を示す．Fig. 3(a) の結果から，
空気または Ar ガス雰囲気で焼成した 2 種類の Cr 含有

MgO 固溶体試料に対して，分解能の高い XANES ス
ペクトルが得られ，これら固溶体試料に対する Cr の電子状態や配位状態を厳密に評価できることがわかった．しかしながら，いずれも 3 価の Cr イオンを有す
る MgCr2 O4 と同様の XANES スペクトルを示し，焼成時の雰囲気が異なる場合でも，Cr の電子状態およ
びその配位状態に顕著な違いは見られなかった．またEXAFS スペクトルの結果から，Cr 含有 MgO 試料に

Fig. 3. Cr-K edge (a) XANES, (b) FT-EXAFS spectra of Cr-bearing MgO samples.

おける Cr−O, Cr−O−Cr 間の原子間距離は MgCr2 O4化合物に対する Cr 原子近傍の原子間距離とほぼ同等された．過去の研究からも，酸化性雰囲気で作製されであり，このことから焼成時の雰囲気によらず，MgO

た MgCr2 O4 化合物から Cr6+ イオンの溶出が見出さ

相へ固溶した Cr イオンは MgCr2 O4 化合物中の Cr イ

れており [5]，以上で見出した Cr 含有 MgO 固溶体かオンとほぼ同等の局所構造を有することがわかった．

らの Cr6+ イオンの溶出挙動は過去の研究と一致する．

ただし，これらの Cr 含有 MgO 固溶体試料に対してしたがって，酸化性雰囲気で作製した Cr 含有 MgO

イオンの溶出試験を行った結果，不活性な Ar ガ

固溶体においては，XANES スペクトルでは判別でき

Cr

6+

ス雰囲気で焼成した Cr 含有 MgO 固溶体からの Cr

6+

イオン溶出量は検出限界濃度以下であるが，空気雰囲ないほど極微量の Cr6+ イオンが存在していたものと考えられる．

気で焼成した Cr 含有 MgO 固溶体からは基準値（0.05

mg/L）を僅かながら上回る Cr

6+

イオン溶出が見出

一方，Cr 含有 Dicalcium silicate 固溶体について，Fig. 4 には Cr−K 吸収端近傍の XANES およびフー– 55 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
リエ変換後の EXAFS スペクトルの結果を示す．Fig.

4(a) の結果から，空気雰囲気で焼成した Cr 含有 Dicalcium silicate 固溶体に対する XANES スペクトルには4 配位状態を有する Cr6+ イオンに対応する Pre-edge
peak [6] が顕著に見られたことから，MgO を母相とした場合とは異なり，6 価の状態を持つ Cr イオンの存在が顕著に見られた．また Fig. 4(b) に示す EXAFS
スペクトルの結果から，Cr 含有 Dicalcium silicate 固
溶体に対する Cr−O 原子間距離は 6 価 Cr の標準試料である K2 CrO4 および CrO3 の場合とほぼ同程度であることがわかった．したがって，酸化性雰囲気で焼成した場合，Dicalcium silicate 化合物中へ固溶した

Cr イオンは 6 価の状態で安定に存在する可能性が示
唆された．

Dicalcium silicate 化合物は，Ca2+ と SiO4 4− 錯イ
オンからなる複雑な結晶構造を有しており，さらに温度によってその結晶構造は変化することが知られている [7, 8]．本報においても，空気中，1000◦ C で焼成して作製した Cr 含有 Dicalcium silicate 固溶体試料はγ相およびβ相の Dicalcium silicate (Ca2 SiO4 ) により構成されていたが，γ 相または β 相のいずれに Cr イ
オンが優先的に固溶したのかは不明である．したがって，Dicalcium silicate 化合物への Cr イオン固溶性な
らびに Cr イオンの化学存在形態に対して母相の結晶構造がどのように影響を及ぼすか，について詳細に検討する必要があるといえる．
また，Dicalcium silicate 化合物への Cr イオン固溶性に及ぼす焼成雰囲気の影響も重要であり，Cr イ
オンは Cr 源として用いた Cr2 O3 中に含まれる Cr3+の状態から酸化されることによって初めて Dicalcium

Fig. 4. Cr-K edge (a) XANES, (b) FT-EXAFS spectra of Cr-bearing Dicalcium silicate sample.

silicate 化合物へ固溶するのか，あるいは Cr3+ の状態
でも Dicalcium silicate 化合物へ固溶しうるか，につび EXAFS スペクトルの結果は 3 価の Cr イオンを有いて更なる検討を行う必要がある．

する Spinel（MgCr2 O4 ）化合物に対する X 線吸収ス
ペクトルの結果とほぼ同等であり，このことから固溶まとめした大半の Cr イオンは雰囲気によらず 3 価の状態で種々の酸化鉱物相へ固溶した Cr イオンの化学存在
形態を明らかにするために，兵庫県ビームラインに設置されている XAFS 装置を用いて，Cr−K 吸収端近
傍の X 線吸収スペクトルを測定し，鉱物相中に存在する Cr イオン近傍の局所微細構造の解析を行った．
空気または不活性ガス雰囲気にて Cr を固溶させた

MgO 化合物に対して，Cr イオンの存在形態を調査した結果，Cr 含有 MgO 化合物に対する XANES およ

存在することが示された．
一方，空気雰囲気で焼成することによって作製した

Cr 含有 Dicalcium silicate 化合物について，XANESスペクトルの結果には 6 価の Cr イオンに対応する

Pre-edge peak の存在が顕著に認められた．このことから，空気雰囲気で Dicalcium silicate 化合物へ固溶した Cr イオンは主に 6 価の状態で存在する可能性が示唆された．

– 56 –

兵庫県ビームライン年報・成果集
参考文献[1] Verein Deutscher Eisenhüttenleute: Slag Atlas
2nd ed., Verlag Staleisen GmbH, Düsseldorf,(1995).
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Am. Ceram. Soc. 75, 2407-2419 (1992).

– 57 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)

2011B3353，2011B3233，2012A3253，2012B3253

BL24XU，BL08B2

マイクロ XAFS 光学系と実験装置のスタディ

Study on Micro-XAFS Optics and Apparatus
硲 和輝 1 ，尾上貴洋 1 ，横山和司 2 ，竹田晋吾 2 ，嶺重 温 3 ，高野秀和 1,2 ，津坂佳幸 1,2 ，
松井純爾 2 ，篭島 靖 1,2
Kazuki Hazama1 , Takahiro Onoue1 , Kazushi Yokoyama1 , Shingo Takeda1 , Atushi
Mineshige3 , Hidekazu Takano1,2 , Yoshiyuki Tsusaka1,2 , Junji Matsui1 , Yasushi Kagoshima1,2
兵庫県立大学1
1

大学院物質理学研究科，2 放射光ナノテクセンター，3 大学院工学研究科

Graduate School of Material Science, 2 Synchrotron Radiation Nanotechnology Laboratory,
3

Graduate School of Engineering
University of Hyogo

概要： 昨年度までに兵庫県ビームライン BL24XU において整備したマイクロ XAFS 専用光学系では，ベントシリンドリカルミラー集光素子を用いて，試料位置のビームサイズとして 2 µm 程度を実現している．このマイクロ XAFS を固体酸化物型燃料電池の電解質の構造評価に応用した．電解質の特性向上を目的として，微量な鉄の添加による材料研究が行われている．今回数百 ppm の鉄を加えた電解質を焼結作製し，これの鉄のK 吸収端近傍における XANES 測定を試みた．
キーワード：

マイクロ XAFS，蓄電池，リチウムイオン二次電池，燃料電池，構造評価

背景さらに電子状態に起因して現れる吸収スペクトルプ

各種蓄電池の研究開発では材料開発の効率化をはかる目的で，XAFS によって得られる局所構造の情報が活用されている．例えば固体燃料電池では，イオン伝
導性・イオン拡散性能の優れた特性を有するよう固体
伝導材料の設計を原子配位レベルの構造情報を基にして行うことが求められている．構造情報としては平均的な情報にとどまらず，反応電極との界面層付近，あるいは固体電解質材料中の粒子分布を捉えながらの，位置を区別した局所構造解析の手法が求められている．
兵庫県ビームラインがこれまでに提供してきた XAFS
ステーションでは，ミリメートルからサブミリメート
ルのサイズに整形したプローブ X 線が使用されていロファイルを精密に取得するために，光学系において高分解能化の改良を行った．特に酸化物である第一遷移金属の XANES スペクトルでは，酸素配位と価数状態を反映したプロファイルがプリエッジ領域に現れ，構造の歪みに対して変化を示す．この微細プロファイ
ルを精密解析するとともに微小領域においても実行可能とするために，エネルギー分解能の優れたマイクロビーム光学系の整備に着手した．

2011 年度に取り組んだ高分解能 XAFS の成果を含め，以下に報告する．

XAFS 光学系
BL24XU [1] は Fig.

た．この状況に対して高位置分解能の XAFS 測定を1 に示す構成である．また実現する目的で，高輝度アンジュレータ光源を有する

XAFS に関係する機器の配置概略図を Fig. 2 に示す．

BL24XU において XAFS 専用とする集光光学系の整

Figure-8 タイプの高輝度アンジュレータを光源と備と，XAFS 測定への応用および産業界ユーザへの利している．アンジュレータ光源は，光源スペクトルの用提供に取り組んだ．

１次光が XANES 測定に使用する光子エネルギー帯– 58 –

兵庫県ビームライン年報・成果集

Fig. 1. Layout of BL24XU.

Fig. 2. Optical system of XAFS experiment.

実験ハッチ B2 内の光学素子については大型のヘリをカバーするよう，光源パラメータ（対向磁石列間のギャップ距離）を調整して使用する．

ウムチェンバ内に収めており，強度の減衰や散乱を抑輸送部に導かれる準白色光に対して，四象限スリッ
ト（光源からの距離 約 56 m）で整形を行った後，水平分散配置であるシリコン二結晶分光器（光源からの距離約 59 m）によって分光し光子エネルギー走査を行う．ここで分光結晶は表面 (111) のシリコン単結晶
であり，これの 111 対称反射を利用している．
実験ハッチ B2 内には 2 枚のＸ線全反射ミラーを配置し，分光器からの高次光成分の抑制を図るとともに試料位置におけるビーム集光を実現している．ミラー
はいずれも表面がロジウムをコートしており，上流側に配置したミラーは平板タイプ，下流側はシリンドリ
カル形状である．下流側ミラーは湾曲機構上に搭載しており二次元集光を可能としている．

制するように工夫している．
信号検出手段としては，イオンチェンバ，Lytle 検出器，半導体検出器を備えている．XAFS 測定は透過 XAFS，蛍光 XAFS が可能であり，精密駆動である試料ステージによって蛍光 X 線マッピングも実行できる．

2012 年度は蛍光 XAFS を応用したイメージング
XAFS の整備に着手した．光子エネルギーを吸収端近傍においてステップ走査させながら，各エネルギー値において蛍光 X 線マッピングを行うイメージング
撮像的な手法である．
この測定機能については，BL08B2 において整備の透過法によるイメージング XAFS とあわせて，広視– 59 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
野かつ高位置分解能の XAFS 測定機能として提供す

よって良好なイオン電導度を示すことが知られておりる予定である．

SOFC の固体電解質材料として期待されているが [2]，マイクロビーム機能とともに，XAFS スペクトルの自己崩壊による耐久性の低さが問題となっている．あ取得においてエネルギー分解能を高める工夫を昨年度る特定の遷移金属を極微量に添加させて LSO を作製

より取り組んできた．チャネルカット形状のシリコンした場合，化学的な安定性が向上しつつ，高いイオン分光素子をオプション的に用い，シリコン二結晶分光

伝導度を保つことが確認されていた．特に安定性向上

器との間の光学的な配置で決まる狭いエネルギー分散

において効果を与える添加元素としては鉄が有望であ幅を利用する．ここで追加するチャネルカット型シリる．この機能発現の要因を原子レベルでの構造把握か

コン分光素子は，表面が (110) であり，これの 220 対

ら理解したいとするニーズがあり，マイクロビームを

称反射を利用している．シリコン二結晶分光器と合わ

応用し，鉄の XANES スペクトルの測定を試みた．

せた４回反射の配置は (+ − −+) である．XAFS 測定

2) LSO 試料の作成

での光子エネルギー走査時には，全ての分光素子を同期走査させる．2012 年度はマイクロビームのモード

添加する鉄の局所構造評価を，特に材料内部におでエネルギー分解能を高める目的で，集光ミラー光学

いて実行する目的で，XAFS 評価用とする LSO 試料

系の上流位置にチャネルカット型シリコン結晶を追加を作成した．試料組成は 0.98[La10 (Si5.8 Al0.2 )O26.9 ]-搭載し，基本性能の確認を行った．

0.02FeOγ である．固相法によって 0.0045 mol の試料

性能評価は第一遷移金属の K 吸収端に対する光子エを以下に示す手順で作成した．

ネルギー領域で行った．試料位置におけるビームサイ

目的化合物を得るための原料は，La2 O3 ，SiO2 ，ズは，集光調整の結果，鉛直方向において 1 µm，水平Al(OH)3 の３種類である．試料混合にはボールミル

方向が 2 µm ∼ 3 µm を提供可能である．ビームサイズ

を用い，300 rpm の条件で 3 時間，湿式混合させた．

は半値全幅で示している．また試料位置におけるビー

混合後作業で使用したアルコール成分を蒸散するた

ム強度はイオンチェンバのモニター強度からの換算

めに，混合後において 1 時間の乾燥処理を行った．ことして，10 ∼10の試料をアルミナるつぼに移し，1400◦ C で 10 時間を

910

photons/sec. である．これにチャ

ネルカット分光素子を加えた場合，強度は 10 ∼1089photons/sec. となった．試料位置におけるビームサイ
ズおよび光軸の安定性は，調整の結果，集光サイズに対して約 1/10 程度の変動幅に収めている．

かけてか焼処理を施した．
か焼後に乳鉢で粉砕処理を施し，さらにヘマタイト（α-Fe2 O3 ）を加えてボールミルで混合した．これをペレット状に成型したものを 1700◦ C で 20 時間本焼処理し完成とした．

固体酸化物型燃料電池へのマイクロ XAFS の応用

試料は焼結処理後に断面加工を施し，焼結体内部を2012 年度は材料応用テーマとして，固体酸化物型
燃料電池（SOFC）への応用を試みた．

評価することとした．断面形状については極力平坦となるよう注意して処理を行った．

3) マイクロ XAFS 測定

1) 実験実施の背景
固体酸化物型燃料電池は，発電効率が高く，白金な
どの金属触媒が不要であるといった利点があるエネル
ギーデバイスとして知られている．一方で高温作動を要するため材料の耐熱性が求められる．またセラミッ
クス電解質部分におけるイオン伝導率の効率化や，長寿命化のためのセラミックス材料自体の安定性の改良が開発課題としてある．
今回の評価に用いた材料は，伝導度の温度依存性が低いという特長を持った固体酸化物電解質であるラン
タンシリケート（LSO）である．LSO は組成制御に試料の評価面上において微量に存在する鉄の分布を確認し，XAFS 測定値を決定する目的でマイクロビー
ムによる蛍光 X 線マッピング測定を行った．使用したビームサイズは水平方向が 2.1 µm，鉛直方向が 0.9µm である．
入射強度のモニターにはイオンチェンバ（応用光研製 S-1329A1，検出ガス Ar10%+N2 90%），試料からの蛍光 X 線検出には 19 素子 Ge 半導体検出器を使用した．信号処理系の波高分析設定により，ランタンのLα 線と鉄の Kα 線の両方を同時計数した．

– 60 –

兵庫県ビームライン年報・成果集の光子エネルギー 7110 eV と，K 吸収端よりも高い

7140 eV の条件で同一領域のマッピング測定を行い，２つのコントラストイメージ間での差分処理を行った．
この処理によってバックグラウンドノイズ成分を極力抑制し，鉄からの蛍光 X 線強度の明瞭化を試みた．試料上の測定領域は水平方向および鉛直方向ともに 25µm である．マイクロビームに対する試料位置の走査ステップは，水平方向が 1.0 µm，鉛直方向が 0.5 µmの条件とした．積分時間の設定により，１つのマッピ
ングイメージの測定には 4 時間を要した．

Fig. 3. High temperature furnace. The synthesized
powders of eletcrolyte were calcined at 1400◦ C for
10 hours.

ランタンからの蛍光 X 線の強度分布を Fig. 5 に示す．LSO 主成分であるランタンの存在からセラミック
ス粒子の存在領域を確認することができる．また鉄の蛍光 X 線マッピングの結果から差分処理を施して得られたコントラストイメージを Fig. 6 に示す．このイメージ上において比較的濃度の高い領域を確認する
ことができた．
今回の実験では，LSO 中の鉄の XANES スペクト
ル取得の可能性を探ることを目的として，鉄濃度の低い領域（Fig. 6 の番号 1 の位置），ランタンが存在する境界領域の近傍（番号 3，4 の位置）とランタン濃度が高く鉄も比較的濃度の高い位置（番号 4 の位置）を選んだ．この４つの位置での XANES 測定結果をFig. 7 に示す．高エネルギー領域において規格化処理を行っている．
低濃度であるため統計精度は低い結果ではあるが，ホワイトライン付近のプロファイルについては測定位
置により違いがあると考えられ，鉄原子の周りの酸
素配位状態の違いを反映している可能性がある．これは，LSO 格子に置換固溶している Fe（大部分の Fe）と La2 O3 の不安定性を解消する働きを担っている Feの構造情報を示している可能性がある．

SOFC に対するマイクロ XAFS 応用について，そFig. 4. The calcined powders were pressed to pellets and high-temperature sintering process was performed. The bottom picture shows a sintered pellet
sample.

の有効性は実証できた．ランタン分布上での鉄の化学状態の違いについては今回の結果からは詳細な議論までは行うことができない．引き続き，位置を区別した
鉄の XANES スペクトルデータを収集し情報を蓄積して比較検討を行う必要がある．

鉄については濃度が低いため，計数強度が低く通常の蛍光マッピング測定では明瞭なコントラストイメー

まとめと今後の計画

ジの取得は困難であると予想した．このため，S/N 良
い 2 次元イメージを得る目的で，鉄の K 吸収端手前

マイクロ XAFS 機能の導入により，電池材料上の位置を区別した構造評価を可能とした．SOFC への応– 61 –

Status Report of Hyogo-Beamlines with Research Results, Vol. 2 (2013)
用では，マイクロビームの有効性は実証できたが，材料構造の解析を実行するためには試料作製の工夫や信号測定系の改善を要する．今回の結果を踏まえて条件を整え，評価を試みる予定である．
マイクロ XAFS の整備に関する今後の取り組みとして，イメージング XAFS 機能や化学状態マッピン
グ [3] 機能を充実させる予定である．エネルギー走査も含めた測定操作の自動化やデータ処理機能の充実を図り，実材料による有効性の実証を経て利用提供する．
位置分解能の改善については，楕円形状ミラーによる K-B ミラー配置などの工夫を，産業界ユーザから

Fig. 5.
eV）.

Fluorescence x-ray mapping of La（7140の要望に応じて検討したい．
マイクロ XAFS の有効活用には，試料間の相対比
較にとどまらず，原子レベルの構造把握まで可能とする解析環境が必要であると考えられる．この目的で

XANES 領域の吸収スペクトルプロファイルが含んでいる電子状態の情報について，実験と平行してシミュ
レーション予想するための第一原理電子状態計算の手法を活用したい．
特にエネルギー分解能を高めた光学系を併用することで，充放電プロセスに伴う結晶構造の歪み発生や局所構造における配位子場の変化に伴う吸収スペクトルの変化を，精密に捉えることが可能であると期待している．電子状態の計算予想や，計算結果を基にした吸収スペクトルのシミュレーションを組み合わせた研究

Fig. 6. Fluorescence x-ray mapping of Fe. Subtraction between two x-ray energies.

が期待できる．
高性能コンピュータを利用した計算科学の環境も整備し，マイクロ XAFS の応用と併せて実材料の評価
事例を蓄積することで産業界への利用を展開したい．
参考文献[1] Y. Tsusaka, K. Yokoyama, S. Takeda, K. Takai,
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Fig. 7. Results of microbeam XANES. Spectra atdifferent four positions.

– 62 –