Data Sheet

4V駆動タイプ Nch MOSFETRSJ550N10
 構造
シリコンNチャネルMOS型電界効果トランジスタ

外形寸法図 (Unit : mm)
LPTS

TO-263(D2PAK)

4.5

1.3

13.19.0

 特長1) 低オン抵抗
2) ハイパワーパッケージ3) 4V駆動

10.1

2.54

0.4

0.78

2.7

5.08(1)

(2)

1.2

3.0

1.0

1.24(3)

 用途スイッチング

 包装仕様内部回路図

包装名
Type記号
基本発注単位（個）RSJ550N10テーピング
TL
1000○∗1∗2(1) ゲート(2) ドレイン(3) ソース

(1)

(2)

(3)

∗1 静電気保護用ダイオード∗2 内部ダイオード

 絶対最大定格 (Ta = 25C)
Parameter

SymbolLimits

ドレイン・ソース間電圧

VDSS

100

V

ゲート・ソース間電圧

VGSS20V*355

A

ドレイン電流ソース電流(内部ダイオード)

直流

ID

Unit

パルス

IDP

*1110

A

直流

IS

*355

A

パルス

110A100

W

ISP

*1

許容損失

PD

*2

チャネル部温度
保存温度

Tch
Tstg

150
55～150

C
C

SymbolLimitsUnit

Rth (ch-c) *1.25

C / W*1 PW≦10s, Duty cycle≦1%*2 TC=25°C*3 安全動作領域内で使用してください 熱抵抗Parameter
チャネル・ケース間* TC=25°C

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RSJ550N10
 電気的特性 (Ta = 25C)
Parameter
ゲート漏れ電流Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

IGSS--10A

VGS=20V, VDS=0V

V(BR)DSS

100--

V

ID=1mA, V GS=0V

ドレイン遮断電流

IDSS--1A

VDS=100V, VGS=0V

ゲートしきい値電圧

VGS (th)

1-

2.5

V

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS (on)*-1216.8-

13.5

18.9

順伝達アドミタンスl Yfs l*

30-

-

S

VDS=10V, ID=27.5A

入力容量

Ciss-

6150-

pF

VDS=25V

出力容量

Coss-

460-

pF

VGS=0V

帰還容量

Crss-

320-

pF

f=1MHz

ターンオン遅延時間td(on) *-32-

ns

VDD 50V, I D=27.5A

上昇時間

tr *-

105-

ns

VGS=10V

ドレイン・ソース降伏電圧mVDS=10V, ID=1mA
ID=27.5A, VGS=10V
ID=27.5A, VGS=4V

ターンオフ遅延時間td(off) *-375-

ns

RL=1.82

降下時間

tf *-360-

ns

RG=10

ゲート総電荷量Qg *-143-nC

VDD 50V, I D=27.5A

ゲート・ソース間電荷量

Qgs *Qgd *-

1634-

nC
nC

VGS=10V

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

--

1.5

V

Is=55A, VGS=0V

ゲート・ドレイン間電荷量*パルス

 内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間)
Parameter
順方向電圧

SymbolVSD **パルス

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RSJ550N10l電気的特性曲線 (Ta=25C)
Fig.1 Typical Output Characteristics (Ⅰ)

Fig.2 Typical Output Characteristics (Ⅱ)

50

50
Ta=25°C
pulsed

VGS=4.5V

40

40

VGS=4.0V

VGS=3.0V

30

VGS=3.0V

VGS=2.8V
Drain Current : ID [A]Drain Current : ID [A]

VGS=10.0V
VGS=4.5V
VGS=4.0V

VGS=10.0V

VGS=2.8V
20
VGS=2.5V

1030

VGS=2.5V
20

10
Ta=25°C
pulsed

000

0.2

0.4

0.6

0.8

1028

10Fig.3 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current

Fig.4 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current
100VGS=10V
pulsedStatic Drain-Source On-State ResistanceRDS(on) [mW]

Ta=25°C
pulsed

VGS=4.0V
VGS=10V

1010.01

0.1

1101001010.011000

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C

0.1110100Drain Current : ID [A]Drain Current : ID [A]

Fig.5 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current

Fig.6 Typical Transfer Characteristics
100

100
VGS=4VpulsedVDS=10V
pulsed

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C

10Drain Currnt : ID [A]Static Drain-Source On-State ResistanceRDS(on) [mW]

6Drain-Source Voltage : VDS [V]100

Static Drain-Source On-State ResistanceRDS(on) [mW]

4Drain-Source Voltage : VDS [V]10

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C

10.1

0.01

10.01

0.001
0.1

1

101000.0

Drain Current : ID [A]www.rohm.com© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

Gate-Source Voltage : VGS [V]3/6

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RSJ550N10Fig.7 Source Current vs. Source-Drain Voltage

Fig.8 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
50100Ta=25°C
pulsedSource Current : Is [A]10

Static Drain-Source On-State ResistanceRDS(on) [mW]

VGS=0Vpulsed

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C

10.1

40
ID=27.5A
ID=50A30

20

1000.01
0.0

0.5

1.0

1.5

0

2.0

4

8

10Source-Drain Voltage : VSD [V]

Fig.9 Switching Characteristics

Fig.10 Dynamic Input Characteristics
10tf
8Gate-Source Voltage : VGS [V]td(off)

1000

100

tr

td(on)

VDD≒50V
VGS=10V
RG=10W
Ta=25°C
Pulsed10

Ta=25°C
VDD=50V
ID=27.5A
Pulsed642100.010.1

1101000 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110120130140150

Drain Current : ID [A]Total Gate Charge : Qg [nC]Fig.11 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage

Fig.12 Normalized Transient Thermal Resistance v.s. Pulse Width

10000010Normalized Transient Thermal Resistance : r（t）

Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
10000
Capacitance : C [pF]

6Gate-Source Voltage : VGS [V]10000

Switching Time : t [ns]

2Ciss
1000

Crss100

Coss10

Ta=25°C
Single Pulse
10.10.01

Mounted on epoxy board.
(25mm × 27mm × 0.8mm)
Rth(ch-a)=71.4°C/W
Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a)

0.001

0.00010.01

0.11101000.0001

1000

0.010.1

1101001000

Pulse width : Pw (s)Drain-Source Voltage : VDS [V]www.rohm.com© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

0.001

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RSJ550N10Fig.13 Maximum Safe Operating Area
1000
Operation in this area is limited by RDS(on)(VGS = 10V)

Drain Current : ID [ A ]10010PW = 300ms
PW = 1ms

1PW = 10ms
0.1

PW = 1s

Ta=25°C
Single Pulse
Mounted on epoxy board.
(25mm × 27mm × 0.8mm)

0.01
0.11

10100

1000

Drain-Source Voltage : VDS [ V ]www.rohm.com© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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RSJ550N10 測定回路図
Pulse width

VGSID

VDS

90%

50%10%

VGS
VDS

RL

50%

10%

D.U.T.
VDD

RG

10%

90%
td(on)
ton

Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit

90%td(off)

trtf
toff

Fig.1-2 Switching Waveforms
VG

VGSID

VDS
Qg

RL
IG(Const.)

VGS

D.U.T.

Qgs

Qgd

VDD

ChargeFig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit

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Fig.2-2 Gate Charge Waveform

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R1120A