SPC-2507

ロードロック式 カルーセル型スパッタ装置
Load Lock Type Carousel Model Sputtering Equipment

二種類の膜を片面ずつ成膜可能なスパッタ装置
Sputtering system capable of forming two types of ﬁlms on both sides

治具の搬送方法
Jig transfer method

Cr回転

クロム

RotationAu
金

治具回転用モーター
Motor for rotating the jig

処理室

マガジン（トレイ）9枚 or 12枚Processing
Chamber

Magazine(9 or 12 trays)

基板搬送用
モーター
Substratetransfer motor

仕込室
Loading
Chamberトレイ Φ3”用：W90mm×L200mm
Φ4”用：W120mm×L200mm
Tray Φ3”：W90mm×L200mm
Φ4”：W120mm×L200mm【特長】【オプション】

1．外形：W1,280㎜×D1,150㎜×H1,873㎜

・パワー変調機能

2．通過型SPH-2500T-Ⅱで解消できずにいた熱の問題についてスパッタ・回転方向の膜厚分布調整用中での温度上昇を抑制することにより低温成膜が可能です。
3．基板回転・反転機構において、マグネットによる非接触動力伝達方式（マグトラン）を採用。
※マグトランは㈱FECの登録商標です｡

・カソード(3源目)[Options]
・Power exchange function
・For adjusting the ﬁlm thickness distribution in the rotational direction
・Cathode (3rd source)[Features]
1. Outer dimensions: W1, 280㎜ × D 1,150㎜ × H 1, 873㎜, Lower height
2. Low temperature deposition is possible by suppressing the temperature increase during sputtering
to solve the heat problem that could not be solved with the pass-through type SPH-2500T-II.
3. Non-contact power transmission method using magnets (MagTran) is adopted for substrate【用途・応用例】
各種電子部品への電極用金属膜の形成

rotation and reversal mechanism.
* MagTran is a registered trademark of FEC Co., Ltd.

[Applications]
Formation of metal ﬁlms for electrodes on various electronic components

SPC-2507

ロードロック式 カルーセル型スパッタ装置
Load Lock Type Carousel Model Sputtering Equipment

二種類の膜を片面ずつ成膜可能なスパッタ装置
Sputtering system capable of forming two types of ﬁlms on both sides

装置構成Outline

処理方式

ロードロック式 カルーセル型

Processing Method

Load-lock type Carousel model

カルーセル型スパッタによるメリット

排気ポンプ

油回転ポンプ＋クライオポンプ

Advantages of carousel model sputtering

Exhaust Pump

Rotary pump＋Cryo pump設置寸法

W1,280㎜×D1,150㎜×H1,873㎜

Installation Dimensions

W1,280㎜×D1,150㎜×H1,873㎜

130℃以下で低温成膜が可能になること

装置重量

1,500kg

によりCrの拡散防止対策などにも有効。

Equipment Weight

1,500kg

電源容量AC200〜220V ／ 17kVA（50A）

Power Supply Capacity

AC200〜220V / 17kVA（50A）

カソード

5インチ×7インチ 2式

Cathode5inch×7inch One cathode each

基板トレイ

φ3：トレイW90㎜×L200㎜ ／ φ4：トレイW120㎜×L200㎜

Substrate Tray

Forφ3：W90㎜×L200㎜ / Forφ4：W120㎜×H200㎜

低温成膜（プラズマに晒されている時間が短いため低温成膜が可能）Low-temperature ﬁlm formation
Enables low-temperature deposition at 130°
C or lower,
which is eﬀective for measures such as preventing Cr

成膜有効範囲φ3：トレイ W75㎜ ／ φ4：トレイ W100㎜

Mask Eﬀective Range

Forφ3：Tray W75㎜ / Forφ4：Tray W100㎜

軸数

φ3用：12軸 ／ φ4用：9軸

Number of Axes

Forφ3：12-axes / Forφ4：9-axes

ウエハ枚数

φ3用：12枚 ／ φ4用：9枚

Number of Wafers

Forφ3：12 wafers / Forφ4：9 wafers

spreading. (Low temperature deposition is possible due tothe short time of exposure to plasma.)

ご質問・詳細につきましては、営業部までお気軽にお問合せください。

性能Performance

お問合せ先【営業部】

膜厚分布

トレイ内

Uniformity

Inside trays ±2% / Between trays ±2%±2% ／ トレイ間±2%〒252-0244 神奈川県相模原市中央区田名3062-10

処理バッチ数

φ3：42バッチ／日 (22時間稼働想定)

Number of Batches processed

φ4：47バッチ／日 (22時間稼働想定)

TEL. 042-764-0370※Cr:5nm(両面)、Au:250nm(両面)成膜時
上記数値はあくまでも目安となります。詳細は成膜条件によって異なります。
φ3：42 batches / day (Assuming 22-hour operation)
φ4：47 batches / day (Assuming 22-hour operation)

本社・相模原工場

FAX. 042-764-0377

E-mail. sales-pamphlet@showashinku.co.jp

https://www.showashinku.co.jp/
昭和真空検索* Cr: 5nm (both sides), Au: 250nm (both sides)
The above values are for reference only. Details may vary depending on deposition conditions.

Inquiry [Sales Dept.]
HQ and Sagamihara Plant

処理枚数

φ3：512枚／日 (22時間稼働想定)

3062-10 Tana, Chuo-ku, Sagamihara-city, Kanagawa 252-0244 Japan

Number of Wafer Processed

φ4：424枚／日 (22時間稼働想定)

TEL:+81-42-764-0370

FAX：+81-42-764-0377

上記数値はあくまでも目安となります。詳細は成膜条件によって異なります。
φ3：512wafers / day (Assuming 22-hour operation)

本製品は、外国為替並びに外国貿易管理法の規定により、戦略

φ4：424 wafers / day (Assuming 22-hour operation)物資等輸出規制品に該当する場合があります。従って、日本国

The above values are for reference only. Details may vary depending on deposition conditions.

外に該当品を持ち出す際は、日本国政府への輸出許可申請等、到達圧力

1.0×10-3Pa以下 (全室排気)This product may be applicable to export control products such as strategic raw materials

Ultimate Pressure

1.0×10-3Pa or less (All rooms exhausted)

排気時間

仕込・取出室Pumping Time

LD/ULD chamber within 2min until 1.0×10 Pa

必要な手続きをお取りください。
which are regulated by the Foreign Exchange and Foreign Trade Control Law. Accordingly
when you bring out the applicable products outside Japan, you should take a necessary

1.0×10 Paまで2分以内
1action such as application of an export permit to the Government of Japan.

1

基板加熱温度150℃以上を確認

Substrate HeatingTemperatureConﬁrmed to be above 150°
CWeb site

製品情報ページ

真空中で特定の基板に薄膜を形成させる装置を主とした、真空蒸着装置やスパッタリング装置等の真空技術応用装置（真空装置）を製造販売しております。

※本仕様・外観については、改良のため予告なく変更になることがあります。あらかじめご了承下さい。
* For the improvement of the product, please understand in advance that the speciﬁcations and external views are subject to change without prior notice.

https://www.showashinku.co.jp/product/13-15801-JEZ2112