1.5V 駆動タイプ Nch+Pch MOSFET
US6M11z構造

z外形寸法図 (Unit : mm)

シリコン N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ /シリコン P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ

TUMT60.2Max.

SOT-363Tz特長
1)TUMT6 パッケージに Nch MOSFET と Pch MOSFET を内蔵。
2) 低オン抵抗。
3) 低電圧駆動 (1.5V 駆動)。
4) ゲート保護ダイオード内蔵。
標印略記号 : M11z用途
スイッチング

z包装仕様

z内部回路図Type

包装名

テーピング記号TR

基本発注単位（個）

3000

(6)

(5)

(4)

∗1

US6M11∗2∗2z絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter

Symbolドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
ドレイン電流ソース電流（内部ダイオード）

∗1

直流
パルス
直流パルス

VDSS
VGSSID
IDP∗1ISISP ∗1

全許容損失PD ∗2チャネル部温度
保存温度

Tch
Tstg

Limits
Tr1 : N-ch
Tr2 : P-ch20−12±10±10±1.5±1.3±6±5.20.5−0.5
6−5.2
1.00.7150−55~+150

Unit
VVAAAAW / トータル
W / 素子
˚C
˚C

(1)

(2)

∗1 静電気保護用ダイオード∗2 内部ダイオード(3)(1) Tr1 (Nch)ソース(2) Tr1 (Nch)ゲート(3) Tr2 (Pch)ドレイン(4) Tr2 (Pch)ソース(5) Tr2 (Pch)ゲート(6) Tr1 (Nch)ドレイン∗1 Pw≦10µs, Duty cycle≦1%∗2 セラミック基板実装時

z熱抵抗
Parameter
チャネル・外気間SymbolRth(ch-a) ∗Limits125179Unit°C/W / トータル°C/W / 素子

∗ セラミック基板実装時

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Data Sheet<N-ch>
z電気的特性 (Ta=25°C)
Parameter

Symbol

ゲート漏れ電流ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧

IGSS
V(BR) DSSIDSS
VGS (th)∗

ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)順方向アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量

Yfs ∗CissCossCrss
td (on) ∗tr ∗td (off) ∗tf ∗Qg ∗Qgs ∗Qgd ∗

Min.
−20−
0.3−−−−
1.6−−−−−−−−−−Typ.
−−−−
130
170
220
300−
110181555203
1.80.30.3

Max.
±10−
11.0180240310600−−−−−−−−−−−Unit
µA
VµA
VmΩ
mΩ
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC

Conditions
VGS= ±10V, VDS=0V
ID= 1mA, VGS=0V
VDS= 20V, VGS=0V
VDS= 10V, ID= 1mA
ID= 1.5A, VGS= 4.5V
ID= 1.5A, VGS= 2.5V
ID= 0.8A, VGS= 1.8V
ID= 0.3A, VGS= 1.5V
VDS= 10V, ID= 1.5A
VDS= 10V
VGS=0V
f=1MHzVDD 10V
ID= 1A
VGS= 4.5V
RL 10Ω
RG=10Ω
VDD 10V, VGS= 4.5V
ID= 1.5A
RL 6.7Ω, RG= 10Ω∗パルス

z内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta=25°C)
Parameter
順方向電圧

Symbol
VSD ∗

Min.
−

Typ.
−

Max.
1.2

Unit
VConditions
IS= 1.5A, VGS=0V

Min.
−−12−−0.3−−−−1.4−−−−−−−−−−

Typ.
−−−−
190
280
400
530−
290
28
2181030
92.4
0.6
0.4

Max.
±10−−1−1.0260
390
600
1060
−
−−−−−−−−−−

UnitµAVµAVmΩmΩmΩmΩ
SpF
pFpF
nsnsnsnsnCnCnC

Conditions
VGS= ±10V, VDS=0V
ID= −1mA, VGS=0V
VDS= −12V, VGS=0V
VDS= −6V, ID= −1mA
ID= −1.3A, VGS= −4.5V
ID= −0.6A, VGS= −2.5V
ID= −0.6A, VGS= −1.8V
ID= −0.2A, VGS= −1.5V
VDS= −6V, ID= −1.3A
VDS= −6V
VGS= 0V
f=1MHzVDD −6V
ID= −0.6A
VGS= −4.5V
RL 10Ω
RG= 10Ω
VDD −6V, VGS= −4.5V
ID= −1.3A
RL 4.6Ω, RG= 10ΩUnitVConditions
IS= −1.3A, VGS=0V∗パルス<P-ch>
z電気的特性 (Ta=25°C)
Parameter

Symbol

ゲート漏れ電流ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧

IGSS
V(BR) DSSIDSS
VGS (th)∗

ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)順方向アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量

Yfs ∗Ciss
Coss
Crsstd (on) ∗tr ∗td (off) ∗tf ∗
Qg ∗
Qgs ∗
Qgd ∗

∗パルス

z内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta=25°C)
Parameter
順方向電圧

Symbol
VSD ∗

Min.
−Typ.
−Max.
−1.2

∗パルス

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Data Sheetz電気的特性曲線<N-ch>
1.5

1
VGS= 1.5V

VGS= 1.8V

VGS= 1.3V

0.5

10

Ta=25°C
Pulsed

VGS= 4.5V
VGS= 1.8V

DRAIN CURRENT : ID [A]Ta=25°C
Pulsed

VGS= 10V
VGS= 4.5V
VGS= 2.5V

DRAIN CURRENT : ID [A]DRAIN CURRENT : ID [A]

1.5

VGS= 1.5V
1

VGS= 1.3V

0.5

VDS= 10V
Pulsed1

Ta= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= - 25°C

0.1

0.01
VGS= 1.1V
VGS= 1.2V
000.4

0.6

0.80.00101241000.5

11.5

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS[V]Fig.2 Typical Output Characteristics(Ⅱ)

Fig.3 Typical Transfer Characteristics

VGS= 1.5V
VGS= 1.8V
VGS= 2.5V
VGS= 4.5V

1

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

1000

1000.1100

100.01

100.1

DRAIN-CURRENT : ID [A]

10000
STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : R DS(on)[mΩ]Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

100

10.1

10

VGS= 1.5V
PulsedResistance vs. Drain Current(Ⅲ)

100100.01

0.1

11010

VDS= 10V
Pulsed1
Ta= -25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C

0.1
0.01

0.1

1

DRAIN-CURRENT : ID [A]DRAIN-CURRENT : ID [A]DRAIN-CURRENT : ID [A]Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)

Fig.8 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅴ)

Fig.9 Forward Transfer Admittancevs. Drain Current

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10DRAIN-CURRENT : ID [A]Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

1000

1Fig.6 Static Drain-Source On-State

Resistance vs. Drain Current(Ⅱ)

VGS= 1.8V
Pulsed0.1

100100.01

102

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

1000

Fig.5 Static Drain-Source On-State

Resistance vs. Drain Current(Ⅰ)

100.01

1

VGS= 2.5V
PulsedDRAIN-CURRENT : ID [A]Fig.4 Static Drain-Source On-State

1000

10000

VGS= 4.5V
PulsedSTATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : R DS(on)[mΩ]

10000

Ta= 25°C
Pulsed100.01STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : R DS(on)[mΩ]

8Fig.1 Typical Output Characteristics(Ⅰ)

1000

10000

6FORWARD TRANSFER ADMITTANCE : |Yfs| [S]

STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : R DS(on)[mΩ]

10000

0.2

STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : R DS(on)[mΩ]010

2009.07 - Rev.AUS6M11600

1Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C

0.1

0.01

500
ID = 0.8A
400
ID = 1.5A
300
2000.5

10468

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS[V]Fig.11 Static Drain-Source On-StateResistance vs. Gate Source Voltage

1000

CAPACITANCE : C [pF]2
Ta=25°C
VDD = 10V
ID = 1.5A
RG=10ΩPulsed

1002Fig.10 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage

30.511.5tf

100

10td(on)tr

1.54td(off)

1SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD [V]5Ta=25°C
VDD = 10V
VGS=4.5V
RG=10Ω
Pulsed10000

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS [V]1000

Ta=25°C
PulsedSWITCHING TIME : t [ns]VGS=0V
PulsedSTATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(ON)[mΩ]REVERSE DRAIN CURRENT : Is [A]

10Data Sheet

100.01

0.1

110DRAIN-CURRENT : ID [A]Fig.12 Switching Characteristics

Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0VCiss100
CossCrss1020.01

0.1

110TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]Fig.13 Dynamic Input Characteristics

Fig.14 Typical Capacitancevs. Drain-Source Voltage

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2009.07 - Rev.AUS6M11

Data Sheet<P-ch>
2
VGS= -10V
VGS= -4.5V
VGS= -2.5V

1.5

VGS= -1.8V
1
VGS= -1.5V
0.5

VGS= -1.2V

00.2

0.4

0.6

0.8VGS= -1.2V
VGS= -1.0V

0.5

1

Ta= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= - 25°C

0.10.01

24680100.5

11.5

GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V]Fig.2 Typical output characteristics(Ⅱ)

Fig.3 Typical Transfer Characteristics

10000

Ta=25°C
Pulsed

VGS= -1.5V
VGS= -1.8V
VGS= -2.5V
VGS= -4.5V

0.1

1

VGS= -4.5V
Pulsed1000

100

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

100.01

10DRAIN-CURRENT : -ID [A]

0.1

110000STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : R DS(ON)[mΩ]Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

0.1

1100

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

10100.01

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

0.1

1

DRAIN-CURRENT : -ID [A]DRAIN-CURRENT : -ID [A]Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)

Fig.8 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)

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1

10DRAIN-CURRENT : -ID [A]VGS= -1.5V
Pulsed1000.1

Fig.6 Static Drain-Source On-StateResistance vs. Drain Current(Ⅲ)

1000

1000

100.01

1000

Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅱ)

VGS= -1.8V
Pulsed2VGS= -2.5V
PulsedDRAIN-CURRENT : -ID [A]Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅰ)

100

10000

100.011010FORWARD TRANSFER ADMITTANCE : |Yfs| [S]100

STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : R DS(ON)[mΩ]DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]Fig.1 Typical output characteristics(Ⅰ)

100.01STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : R DS(ON)[mΩ]

1DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]

1000

10000

VDS= -6V
Pulsed0.001
0STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : R DS(ON)[mΩ]STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : R DS(ON)[mΩ]

VGS= -1.5V

100

10000

VGS= -4.5V
VGS= -2.5V
VGS= -1.8V

1.5

10

Ta=25°C
PulsedDRAIN CURRENT : -ID [A]Ta=25°C
PulsedDRAIN CURRENT : -ID [A]DRAIN CURRENT : -ID [A]210
VDS= -6V
Pulsed1
Ta= -25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
0.01

0.1

110DRAIN-CURRENT : -ID [A]
Fig.9 Forward Transfer Admittancevs. Drain Current

2009.07 - Rev.A

VGS=0V
Pulsed1Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C

0.1

600

Ta=25°C
Pulsed500
ID = -0.6A

400

ID = -1.3A

300
200

1000
SWITCHING TIME : t [ns]

REVERSE DRAIN CURRENT : -Is [A]

10Data Sheet

STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(ON)[mΩ]

US6M11td(off)100

10100td(on)tr00.01
00.5

101.5

SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -VSD [V]246810GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V]Fig.11 Static Drain-Source On-StateResistance vs. Gate Source Voltage

Fig.10 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage

10.010.1

110DRAIN-CURRENT : -ID [A]Fig.12 Switching Characteristics

100054CAPACITANCE : C [pF]

GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS [V]Ta=25°C
VDD = -6V
VGS= -4.5V
RG=10Ω
Pulsedtf

32

Ta=25°C
VDD = -6V
ID = -1.3A
RG=10Ω
Pulsed10100Ciss

Coss
10Crss

Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V

100.5

11.5

22.53TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]Fig.13 Dynamic Input Characteristics

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○0.01

0.1

110100DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]Fig.14 Typical Capacitancevs. Drain-Source Voltage

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2009.07 - Rev.AUS6M11

Data Sheet

z測定回路
<Nch>
VGS

ID

VDS

Pulse Width

RL
VDS

50%

10%

VDD

RG

90%

50%
10%

VGS

D.U.T.

10%90%
td(on)

90%td(off)trtonFig.1-1 スイッチング時間測定回路

trtoffFig.1-2 スイッチング波形
VG

VGSID

VDS

Qg

RL

VGS

D.U.T.

IG (Const.)

Qgs

Qgd

VDD

RG

ChargeFig.2-1 ゲート電荷量測定回路

Fig.2-2 ゲート電荷量波形

<Pch>
VGS

Pulse WidthID

VDS

VGS

10%
50%

RL
D.U.T.
RG

90%
10%

VDD

VDS

10%

90%
td(on)

90%
td(off)

tr
ton

tr
toff

Fig.3-2 スイッチング波形

Fig.3-1 スイッチング時間測定回路

VG

ID

VDS

VGS

Qg

RL
IG(Const.)

50%

VGS

D.U.T.

Qgs

RG

Qgd

VDD

ChargeFig.4-2 ゲート電荷量波形

Fig.4-1 ゲート電荷量測定回路

z使用上の注意
本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがあるので、取り扱い時には必ず静電対策を講じてください。

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ローム製品が 故障した際、その影 響により人 身事故、火 災 損害 等が起こらないようご使 用機 器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。
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本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品または技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。

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