RQ1A070AP
Pch -12V -7A Power MOSFET

Datasheet
l外観図

VDSS

-12V

RDS(on) (Max.)

14mW

ID-7A

PD

1.5W

l特長

(8)
(7)
(6)
(5)

TSMT8

(1)
(2)
(3)
(4)

l内部回路図1) 低オン抵抗(1) ソース(2) ソース(3) ソース(4) ゲート

2) ゲート保護ダイオード内蔵
3) 小型面実装パッケージ(TSMT8)で省スペース
4) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠(5) ドレイン(6) ドレイン(7) ドレイン(8) ドレイン∗1 静電気保護用ダイオード∗2 内部ダイオード

l包装仕様
包装形態
l用途
ロード SWタイプ

テーピング

リールサイズ (mm)180

テープ幅 (mm)8

基本発注単位（個）3,000

テーピングコードTR

標印

SGl絶対最大定格(Ta = 25C)
Parameter

SymbolValue

Unitドレイン・ソース間電圧

VDSS-12V

ドレイン電流（直流）

ID *1

7A

ドレイン電流（パルス）ID,pulse *2

28A

ゲート・ソース間電圧

VGSS

0 ～ -8V

PD *31.5W

PD *40.55

W

ジャンクション温度

Tj

150°C

保存温度

Tstg

-55 ～ +150°C

許容損失

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Data Sheet

RQ1A070AP
l熱抵抗
Parameter

ValuesSymbol

Unit

Min.

Typ.

Max.

熱抵抗（ジャンクション・外気間）

RthJA

*3--

83.3°C/W

熱抵抗（ジャンクション・外気間）

RthJA *4--227°C/W

l電気的特性(Ta = 25°C)
Parameter

SymbolConditions

ドレイン・ソース降伏電圧V(BR)DSS

ドレイン・ソース降伏電圧
温度係数

Values

Unit

Min.

Typ.

Max.

VGS = 0V, ID = -1mA-12--V

ΔV(BR)DSS ID = -1mA
ΔTj
referenced to 25°C

-12-mV/C

ドレイン遮断電流

IDSS

VDS = -12V, VGS = 0V---10mA

ゲート漏れ電流IGSS

VGS = -8V, VDS = 0V---10mA

ゲートしきい値電圧

VGS (th)VDS = -6V, ID = -1mA-0.3--1V

ゲートしきい値電圧温度係数

ΔV(GS)thΔTj

ID = -1mA
referenced to 25°C

-2.6-mV/°C

VGS= -4.5V, ID= -7.0A-1014

VGS= -2.5V, ID= -3.5A-

1319RDS(on) *5 VGS= -1.8V, ID= -3.5A-1827

VGS= -1.5V, ID= -1.4A-2448

VGS= -10V, ID= -7A, Tj=125°C-2231

ドレイン・ソース間オン抵抗mW

ゲート抵抗

RG

f = 1MHz, open drain

-8.0-

W

伝達コンダクタンス

gfs *5

VDS = 10V, ID = -7.0A

1122-

S

*1 チャネル温度が150°Cを超えることのない放熱条件でご使用下さい。
*2 Pw  10ms, Duty cycle  1%
*3 セラミック基板実装時 (30×30×0.8mm)*4 ガラエポ基板(FR4)実装時 (20×20×0.8mm)

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RQ1A070AP
l電気的特性(Ta = 25°C)
Parameter

SymbolConditions

Values
Min.

Typ.

Max.

入力容量

Ciss

VGS = 0V-7800-

出力容量

Coss

VDS = -6V-

900-

帰還容量

Crss

f = 1MHz-850-

ターンオン遅延時間td(on) *5

VDD ⋍ -6V, VGS = -4.5V-

25-上昇時間

tr *5

ID = -3.5A

-

135-

ターンオフ遅延時間td(off) *5

RL = 1.7W

-

550-

下降時間

tf *5

RG = 10W

-260-

Unit

pF

ns

lゲート電荷量特性(Ta = 25°C)
Parameter

Symbolゲート総電荷量Qg *5

ゲート・ソース間電荷量

Qgs

*5Qgd

*5

ゲート・ドレイン間電荷量

ValuesConditions
VDD ⋍ -6V, ID = -7A
VGS = -4.5V
VDD ⋍ -6V, ID = -7A
VGS = -4.5V

Unit

Min.

Typ.

Max.

-80--12--13-nCl内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間)(Ta = 25°C)
Parameter

SymbolConditions

Values
Min.

Typ.

Max.

Unit

ソース電流（直流）IS *1

Ta = 25C---1

A

順方向電圧

VSD *5

VGS = 0V, Is = -7A---1.2

V*5 パルス

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RQ1A070AP

Fig.1 Power Dissipation Derating Curve

Fig.2 Maximum Safe Operating Area120100100

PW = 100μs

1080

Drain Current : -ID [A]Power Dissipation : PD/PD max. [%]l電気的特性曲線

6040200

PW = 1ms

10.1

Ta=25ºC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
(30mm × 30mm × 0.8mm)

050

100

1500.01

2000.1110100Drain - Source Voltage : -VDS [V]Junction Temperature : Tj [°C]

Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse WidthFig.4 Single Pulse Maximum Power dissipation

101000
Ta=25ºC
Single Pulse

Ta=25ºC
Single Pulse

1top

D=1
D=0.5
D=0.1
D=0.05D=0.01
bottom Signle

0.10.01

0.001
0.0001Rth(ch-a)=83ºC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board.
(30mm × 30mm × 0.8mm)

0.01

1

Peak Transient Power : P(W)

Normalized Transient Thermal Resistance : r(t)PW = 10ms

Operation inthis area
is limited byRDS(on)( VGS = -4.5V ) DC Operation

1010.10.00011000.01

1100

Pulse Width : PW [s]Pulse Width : PW [s]www.rohm.com© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

1004/112012.11 - Rev.C

Data SheetRQ1A070AP

Fig.5 Typical Output Characteristics(I)Fig.6 Typical Output Characteristics(II)

7766

VGS= -1.2V

5VGS= -4.5V
VGS= -2.5V
VGS= -1.8V
VGS= -1.5V

43

Drain Current : -ID [A]Drain Current : -ID [A]l電気的特性曲線

Ta= 25ºC
Pulsed2
VGS= -1.0V

1000.20.4

0.60.854

Ta= 25ºC
Pulsed32

VGS= -1.0V

1010246810

Drain - Source Voltage : -VDS [V]Drain - Source Voltage : -VDS [V]www.rohm.com© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

VGS= -1.2V
VGS= -4.5V
VGS= -2.5V
VGS= -1.8V
VGS= -1.5V5/11

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Data Sheet

RQ1A070AP

Fig.7 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature

Fig.8 Typical Transfer Characteristics

3010VGS=0V
ID= -1mA
pulsedVDS= -6V
pulsedDrain Current : -ID [A]120

100-50050

1000.010.001

150

Ta = 125ºC
Ta = 75ºC
Ta = 25ºC
Ta = -25ºC

0.10.0Junction Temperature : Tj [°C]

0.51.01.52.0Gate - Source Voltage : -VGS [V]Fig.9 Gate Threshold Voltage
vs. Junction Temperature

Fig.10 Transconductance vs. Drain Current

1100
VDS= -6V
pulsed

0.8Transconductance : gfs [S]Gate Threshold Voltage : -VGS(th) [V]Drain - Source Breakdown Voltage : -V(BR)DSS [V]l電気的特性曲線

0.60.4
VDS= -6V
ID= -1mA
pulsed0.20-500501001

Ta = 125ºC
Ta = 75ºC
Ta = 25ºC
Ta = -25ºC-25ºC

0.1

0.01
0.01

150Junction Temperature : Tj [°C]www.rohm.com© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

100.1110Drain Current : -ID [A]

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RQ1A070AP

Fig.11 Drain CurrentDerating Curve

Fig.12 Static Drain - Source On - StateResistance vs. Gate Source Voltage

1.250

10.8
0.60.40.20-250255075100125150

Static Drain - Source On-State Resistance: RDS(on) [mΩ]Drain Current Dissipation : ID / ID max.(%)

l電気的特性曲線

4020100100

Static Drain - Source On-State Resistance: RDS(on) [mΩ]

Static Drain - Source On-State Resistance: RDS(on) [mΩ]1010Drain Current : -ID [A]www.rohm.com© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

246825

VGS= -1.5V
VGS= -1.8V
VGS= -2.5V
VGS= -4.5V

10Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature

1000.1

ID= -7.0A

Gate - Source Voltage : -VGS [V]Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)10.01

ID= -1.4A

30

Junction Temperature : Tj [ºC]

Ta= 25ºC
PulsedTa= 25ºC
Pulsed201510

VGS= -4.5V
ID= -7Apulsed

50-50 -250255075

100 125 150

Junction Temperature : Tj [ºC]7/11

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Data Sheet

RQ1A070AP

Fig.15 Static Drain - Source On - StateResistance vs. Drain Current(II)Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)100100VGS = -4.5V
Pulsed10
Ta = 125ºC
Ta = 75ºC
Ta = 25ºC
Ta = -25ºC

10.1
0.01

0.1

110

Static Drain - Source On-State Resistance: RDS(on) [mΩ]

Static Drain - Source On-State Resistance: RDS(on) [mΩ]l電気的特性曲線

VGS = -2.5V
Pulsed10
Ta = 125ºC
Ta = 75ºC
Ta = 25ºC
Ta = -25ºC
10.01Drain Current : -ID [A]VGS = -1.8V
Pulsed10
Ta = 125ºC
Ta = 75ºC
Ta = 25ºC
Ta = -25ºC

110100Ta = 125ºC
Ta = 75ºC
Ta = 25ºC
Ta = -25ºC

10

VGS = -1.5V
Pulsed
10.01

0.1

110

Drain Current : -ID [A]Drain Current : -ID [A]www.rohm.com© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

10Fig.18 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(V)Static Drain - Source On-State Resistance: RDS(on) [mΩ]

Static Drain - Source On-State Resistance: RDS(on) [mΩ]

1000.11Drain Current : -ID [A]Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(IV)

10.01

0.1

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Data Sheet

RQ1A070AP

Fig.19 Typical Capacitancevs. Drain - Source Voltage

Fig.20 Switching Characteristics

10000010000
Ta = 25ºC
f=1MHz
VGS=0Vtf

Ciss

Switching Time : t [ns]Capacitance : C [pF]l電気的特性曲線

10000

Coss
1000
Crss

100

0.01

0.1

110

100

1100

VDD≒-6V
VGS= -4.5V
RG=10W
Ta = 25ºC
Pulsed10trtd(on)

0.01

0.1

110Drain Current : -ID [A]Drain - Source Voltage : -VDS [V]Fig.21 Dynamic Input Characteristics

Fig.22 Source Current
vs. Source Drain Voltage

510VGS=0Vpulsed

Ta = 25ºC
VDD= -6V
ID= -7APulsed

4Source Current : -IS [A]Gate - Source Voltage : -VGS [V]td(off)

1000

32

10020

406080

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

0.1

0.01

100Total Gate Charge : Qg [nC]www.rohm.com© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

10.00.5

1.0

1.5

2.0Source-Drain Voltage : -VSD [V]

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Data Sheet

RQ1A070AP
l測定回路図Fig.1-1 スイッチング時間測定回路

Fig.1-2 スイッチング波形

Fig.2-1 ゲート電荷量測定回路

Fig.2-2 ゲート電荷量波形

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RQ1A070AP
l外形寸法図 (Unit : mm)
Dbxe
S A

e1

l2e

Lp

HEc

LE

L1

TSMT8

Lp1

A

A1y S

l1

AS

b2
Pattern of terminal position areas[Not a recommended pattern of soldering pads]

DIM
A
A1bc
DEeHEL
L1Lp
Lp1xyDIM
b2
e1
l1l2

MILIMETERSMINMAX
0.75
0.85
0.00
0.05
0.27
0.37
0.12
0.22
2.90
3.10
2.30
2.50
0.65
2.70
2.90
0.10
0.30
0.10
0.30
0.19
0.39
0.19
0.39
0.10
0.10

INCHES
MIN
0.030
0.000
0.011
0.005
0.114
0.091

MAX
0.033
0.002
0.015
0.009
0.122
0.098
0.026

0.106
0.004
0.004
0.007
0.007
-

MILIMETERS
MIN
MAX
0.47
2.41
0.49
0.49

0.114
0.012
0.012
0.015
0.015
0.004
0.004
INCHES

MIN-

MAX
0.019
0.095

-

0.019
0.019

Dimension in mm / incheswww.rohm.com© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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R1120A