半導体・デジタル産業戦略について

令和５年７月
経済産業省 商務情報政策局

１．改定の考え方・趣旨

2

戦略改定にあたっての基本的考え方⚫ 2021年６月の半導体・デジタル産業戦略から２年が経過。この間、ロシアによるウクライナ侵攻
は、サプライチェーンの混乱を招き、経済安全保障の重要性が一層顕在化。また、世界的に、Ｄ
ＸやＧＸに向けた大規模な投資競争も過熱している。
⚫ 本戦略は、具体的プロジェクトを進めることで、現実を変えることが目的。これまでも戦略に基づき、
スピード感を持って、複数のプロジェクトを進めてきた結果、積極的な投資がイノベーションを生み、それが更なる高付加価値や人々の所得の向上に繋がりつつある。
⚫ 例えば、TSMCを誘致した熊本・九州エリアでは、関連産業の投資拡大、人材育成のための連携、
九州エリアにおける賃金の上昇傾向など、好循環の兆しが現れている。
⚫ また、DXの実現や、人手不足、GX、経済安保等の社会課題の解決には、AIをはじめデジタル技術を活用することが重要。これらのイノベーションは、大量かつ高速な情報処理を行う、半導体やソ
フトウェアをはじめとしたデジタル産業基盤が支えている。
⚫ 半導体・デジタル産業戦略に基づく取組は、デジタル関連産業の成長・発展に加え、デジタル技術を用いた新しい製品・サービスの創出、GXや経済安保の確保等の社会課題の解決、さらには「国内投資の拡大、イノベーションの加速、所得向上」といった好循環を生み出す、リーディングケース。
⚫ ただし、いずれも道半ば。中長期的に取り組むとともに、全国に横展開していくことが重要。戦略を改定し、これまでの取組の幅を更に広げるとともに、戦略の中身をより具体化することで、国内外から投資・人材を集めるなど、スピード感を持って、新たなリーディングケースを生み出していく。

3

２．半導体・デジタル産業を取り巻く状況
半導体分野の動向

4

半導体の設計・製造基盤（企業シェア）⚫ 先端ロジック半導体に関して、設計能力（ファブレス）は米国、製造能力（ファウンドリー）は台湾に集中。
⚫ メモリ半導体については、NAND・DRAMともに韓国企業が大きなシェアを占めつつも、キオクシア／ウエスタン
デジタルとマイクロンの日米連携企業も大きなシェアを持っている。
⚫ パワー半導体は、日本企業は欧州・米国と並び世界シェアの三極を占める一方、複数社でシェアを分け合う
状況。自動車などに不可欠なマイコンは、ルネサスが16％のシェア。
クアルコム(米),その他, 9.6%

17.3%
その他,

マイクロン(米),38.5%(米), 12.4%

エヌビディアメディアテック

9.5%(台), 10.3%

13.2%(米), 12.1%

ウェスタンデジタル

ファウンド
リーズ(米),

33.9%

27.1%

(米), 13.9%(米), 5.1%
キオクシア(日),Nanya(台), (台), 1.0%

サムスン

TSMC(台),50.6%(韓), 17.6%

ファウンドリー (1,014億ドル)

STマイクロ(瑞), 7.8%
その他,
オンセミ

パワー半導体(189億ドル)

1.6%
その他, 25.2%(韓), , 42.7%

SKハイニクス(韓), 28.6%

DRAMメモリ(940億ドル)

ギャラク

ソニーセミ

シーコア

コン(日),

ルネサス(日),マイクロチップ(米), 22.8%

NXP(蘭),

16.5%(米), 12.4%
インフィニオン

STマイクロ(瑞),(独), 13.6%

15.2%

12.5%

(米), 4.5%

17.1%

サムスン

マイクロン

UMC(台), 7.5%(米), 9.3%

その他,

13.5%

5.9%

オンセミ

18.9%

3.2%

その他,

(独), 25.2%

日本企業,
25.5%

NANDメモリ(684億ドル)
ウィンボンドSMIC(中),
4.9%

その他,

ビジェイ

ファブレス(1,699億ドル)
グローバル

サムスン(韓),SKハイニクス(韓),AMD(米),

インフィニオン

10.6%

ブロードコム【日本企業内訳】
三菱電機：7.7%
富士電機：6.1%
東芝：5.1%
ルネサス ：3.3%
ローム
：3.3%

(中), オムニビ
5.4%

ジョン
(米),

44.0%
サムスン
(韓), 18.5%

15.1%

イメージセンサー(188億ドル)【出典】OMDIA2022年データをもとに経産

マイコン(MCU) (222億ドル) 省作成、2021年値 全体額は米億ドル

5半導体製造装置・部素材⚫ 半導体製造に当たっては合計1000以上の工程が必要であり、その製造に当たっては極めて高い
クリーン度が必要。このような高度かつ繊細な技術力が求められる中、半導体製造装置産業では米国に続いて約3割のシェアを、主要半導体部素材では約半分と日本企業が圧倒的なシェアを有しており、半導体製造サプライチェーンにおいて不可欠な存在。
半導体製造装置 各国シェア
韓国, 2%

台湾, 1%

中国,

主要半導体部素材 各国シェア
米国, 9%

中国, 3%

EMEA, 10%9%
米国, 35%
EMEA, 22%

日本, 48%
韓国, 13%

台湾, 16%日本, 31%
注：主要半導体材部素材品目（ウエハ、レジスト、CMPスラリ、フォト
マスク、ターゲット材、ボンディングワイヤ）のシェア
出展： 「令和３年度重要技術管理体制強化事業（重要エレクトロニクス市場の実態調査及び情報収集）」（ OMDIA ）より経済産業省作成、2021年度実績

6半導体製造装置の世界市場⚫ 日本企業が大きなシェアを持つ装置がある一方、半導体製造装置市場全体で見ると、市場規模が大きい装置は米蘭が占める。
エッチング/洗浄/ウェハ平坦化装置

成膜装置

描画
装置

露光装置

コータ／
デベロッパ

ＣＶＤ

1,112

18,084

3,790

17,198LPE
3,767 809
スパッタ

ＡＭＡＴ
（35.8%）

IMS
Nano
fabrication（墺）(53.4%)

ＡＳＭ（蘭）（44.9%）

東京エレクトロン(84.1%)

Lam(37.7%)

Lam（17.2%）A
M
A
T

Screen(34.7%)A
M
A
T

東京エレクトロン（14.0%）

ニューフレアテクノロジー(26.3%)

ASM(蘭）（11.1%）

その他

KOKUSAI ELECTRIC

Vistec（独）(28.3%)（8.3%）

Screen(11.9%)(3.4%)

キヤノン(4.6%)

その他(13.5%)

その他(12.5%)※単位：億円（2021年）、括弧内は企業シェア
日系企業

米国企業

欧州企業

アルバック
（9.8%）
キヤノンアネルバ（2.8%）

ニコン(2.6%)

韓国企業

AMAT
(23.5%)

その他(0.9%)

日立ハイテク(5.7%)
その他(7.7%)

ウェハ表面
検査装置

552 2,349

KLA

Axcelis(39.6%)(31.7%)
ダイフク(52.0%)

KLA(66.0%)

東京
エレク
トロン

(24.4%)(23.2%)

荏東京原エレクトロン 製
作(22.0%)
所

搬送
装置

ウェハ外観
検査装置

(40.7%)SEMES

東京エレクトロン(25.3%)

計測・検査・制御装置

6,105 2,800 2,134 1,762 5, 467

AMAT（86.5%）

AMAT(26.8%)(8.4%)

21,038(52.6%)

AＳＭＬ（蘭）(92.8%)

日本電子

エッチング装置

枚葉式
洗浄装置

イオン
注入
装置

熱処理
CMＰ 装置

AMAT(21.0%)A
M
A
T

エビデント※(10.1%)(34.7%)
KOKUSAIELECTRIC(19.8%)

BrukerASML（蘭） (8.5%) 村田（12.8%）

機械
日立
ハイテク 48.0%)

住友 日立ハイテク(5.6%)
日本重機械
電子(17.7%)
AMAT
Lam(6.8%)
その他(5.0%)(12.6%) KC (16.2%)
その他(4.9%)
その他(13.7%)
その他
その他(10.7%)
その他(6.3%)(8.1%)(37.0%)(8.2%)(5.5%)※エビデント（オリンパス子会社）は2023年4月に米ベインキャピタルに全株式譲渡。

（出典）グローバルネット(株)「世界半導体製造装置・試験／検査装置市場年鑑２０２２」をもとに経産省作成

7

半導体部素材⚫ 半導体部素材市場は半導体市場と合わせて大きく成長する見込みであり、シリコンウエハやパッケージ基板等、日本企業が高い世界シェアを有する部素材が多数存在。世界への供給責任を果たしていく必要。

⚫ また、同時に、将来のデバイスやアプリケーションを見据え、半導体の高機能化や、チップレットをはじめとしたパッケージの多様化、その先の計算能力強化・競争力強化に資するゲームチェンジとなる将来技術の開発も行っていくべきではないか。
シリコンウエハ（億ドル）
160

信越半導体 29%
SUMCO
24％

140

パッケージ基板（億円）

20,000150

イビデン 24%
新光電気 15%

15,00016,267126120

10,000100

5,0002026（予測）ウエハ口径別ウエハ用途別（2021年実績）（2021年実績）

150mm

その他

6%

10%

200mm

71%

パッケージ基板 アプリケーション別
14000

30%
300mm

2026（予測）

16000

ロジック

23%

2021

メモリ
60%

（億円）

2021

7,728

12000

その他

10000

GPU
通信機器１０層以上

8000

デスクトップPC

6000

サーバー向けCPU

4000

その他：パワーデバイス、アナログIC等（出展）富士経済「2022年半導体材料市場の現状と将来展望」、富士キメラ総研「半導体パッケージ／モジュール基板関連市場の徹底分析 2022年版」 （注）2021年実績は金額ベース又は数量ベース

ノートPC向けCPU

2000
0
2021年実績

2026年予測

8

各国・地域の半導体に関する政策動向⚫ 各国・地域が、経済安全保障の観点から重要な生産基盤を囲い込むため、異次元の支援策等を実施。

国・地域

政策動向
•

米国
•
•

中国

•
•
•
•
•

欧州
•

•

台湾

韓国

•

「The CHIPS and Science Act of 2022」が成立。半導体関連（半導体及び関連材料・装置）のための設備投資等への補助基金（５年で390億ドル(約5.3兆円)）やR＆D基金（５年で110億ドル(約1.5兆円)）、半導体製造・装置の設備投資に対する25%の減税等が措置。(2022.8) 商務省は目標などを記したVision for Success及び、CHIPS法における半導体関連投資等補助基金（390億ドル）に関する詳細を公開。また、最先端・現世代・成熟ノードの半導体（後工程含む）について、申請受付を開始。（2023.2）また、NSTCのビジョンと戦略を発表。（2023.4）
中国向けに輸出される、①AI処理やスーパーコンピュータに利用される半導体、②先進的な半導体製造に利用される半導体製造装置等、に対する新たな半導体輸出管理措置の導入を発表（2022.10）「国家集積回路産業投資基金」を設置(’14年, ’19年)、半導体関連技術へ、計５兆円を超える大規模投資
これに加えて、地方政府で計5兆円を超える半導体産業向けの基金が存在（合計10兆円超）集積回路生産企業に10年間の法人税免除・減免などを含む支援策を設定。（2020.9）法人税免税措置の延長を決定。（2023.3）「国家車載半導体の標準システム構築のガイドライン」に関するパブリックコメントを実施。（2023.3)
2030年に向けたデジタル戦略「デジタル・コンパス2030」を発表。次世代半導体の欧州域内生産の世界シェア20%以上を目指すこととしている。（2021.3）
半導体の域内生産拡大や研究開発強化を図る「欧州半導体法案」を発表。2030年までに累計430億ユーロ（約6.2兆円）規模の官民投資を計画。①ヨーロッパイニシアチブ設置、②安定供給確保のための新
たな支援枠組設定 、③半導体市場の監視と危機対応の３本柱から構成。 (2022.2)
EU理事会と欧州議会が、欧州委員会提案の「欧州半導体法案」の暫定的な政治合意に達し、今後正式な採択を経て成立する見込み。また、②の安定供給確保のための新たな支援枠組の対象を、半導体の生産に必要な設備の製造拠点や設計拠点にも拡大。(2023.4)
台湾への投資回帰を促す補助金等の優遇策を始動。（2019.1）「台湾投資三大方案」を活用した台湾企業の投資金額は累計で2.1兆台湾元（約9.4兆円）に。（2023.5）
産業創新条例（台湾版CHIPS法）の改正案が可決。半導体関連のR&D費用に最大で25%の税額控除を適用。(2023.1)• 「半導体超強大国達成戦略」を発表。インフラ支援、規制緩和、税制支援等により、2026年までに、340兆ウォン以上（約35.7兆円以上）の投資を達成する方針。（2022.7）• 半導体関連等の設備投資に対し、大企業・中堅企業で8～15％、中小企業では16～25％に税額控除率を引上げることなどを盛り込んだ租税特例制限法改正案が可決。（2023.3）

2022年8月、バイデン米大統領がCHIPS法に署名し、同法が成立。
（出典）Bloomberg※以下の為替レートで計算
1USドル=135円
1ユーロ=145円
100ウォン=10.5円
1台湾ドル=4.4円（出展）各国政府HP・報道等

9半導体メーカーの主な動向
2021年10月、マイクロングループ全体で、次の10年間で総額1,500億ドルを開発および生産に投資する旨発表。2022年9月には150億ドルを投資し、アイダホ州の新工場で最先端メモリの生産を行うと発表。2022年10月、ニューヨーク州に最大1,000
億ドルの半導体製造工場を建設する計画を発表。【同社プレスリリース、JETRO（2022年12月）】
2021年3月、アリゾナ州に200億ドルを追加投資し、新工場2棟を建設する計画を発表。2024年の稼働予定で、「インテル20A」など最先端製品を製造する。2022年9月、オハイオ州で新たな最先端半導体製造工場の起工式を開催。初期投資は200億ドル以上。2025年の稼働を予定。【JETRO（2022年12月）】
台湾積体電路製造（TSMC）は12月6日、米国アリゾナ州フェニックス北部で3ナノメートル（nm）プロセスの半導体ウエ
ハーを製造する第2工場の建設を開始したと発表した。生産開始は2026年を予定している。併せて、2024年の生産開始を目指して現在建設中の第1工場は4ミリメートルプロセスの半導体ウエハーを製造すると発表した。【JETRO（2022年12月）】
テキサス・インスツルメンツ（TI）は26日、2022年からの約10年間で生産拠点を米国に6カ所増やすと発表した。同社全体の30～35年度の年間売上高を21年度の約183億ドル（約2兆7千億円）から倍増する計画だ。【日本経済新聞（2022年10月)】
ハネベックCEOは「特にレガシーノード（非先端品）は、ファウンドリー（製造受託企業）が積極的に生産能力を高めてこなかった」と指摘し、「インフィニオンとして過去最大の50億ユーロの投資を計画している」と述べた。独ドレスデンで2023年秋に増強に着工する予定だ。「将来の旺盛な需要と供給量のギャップの解消に貢献できるだろう」と強調した。【日本経済新聞（2023年1月）】
欧州委員会は、STマイクロエレクトロニクスとグローバルファウンドリーズのフランスにおける新しい半導体製造工場の建設と運営に対するフランスの支援策を承認した。今回の支援は合計74億ユーロに相当する投資に対して、両社への直接支援で行われる。【欧州委員会（2023年4月）】
10月5日、フランス・イタリア系半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクスは5日、イタリアのシチリア島東部カターニアに炭化ケイ素(SiC)基材工場を新設し、2026年までの5年間で7億3000万ユーロを投資すると発表した。・・・資金面はイタリア政府が2億9250万ユーロを支援する。【ロイター（2022年10月）】

半導体世界大手の台湾積体電路製造（TSMC）が、欧州初となる工場をドイツに建設する方向で最終調整に入ったことが、23日分かった。年明けに経営幹部が現地入りし、地元政府による支援内容などについて最終協議する。早ければ2024年に工場建設を始める。投資額は数十億ドルに達する見通しだ。【日本経済新聞（2022年12月）】
中芯国際集成電路製造（SMIC）は9日、2023年12月期の投資額について前期並みの高水準を維持すると発表した。
米国が半導体分野の対中規制を強化しているため、習近平（シー・ジンピン）指導部の支援を受けて高水準の投資で生産能力の拡大を急ぐ。・・今期の投資の詳細は明らかにしていないが、米国が輸出を制限している先端分野の技術ではなく、「主に成熟分野の技術を採用した生産設備の能力拡大にあてる」などとしている。【日本経済新聞（2023年２月）】
10

３．半導体・デジタル産業戦略の実施状況（半導体分野）11

我が国半導体産業復活の基本戦略⚫ IoT用半導体生産基盤の緊急強化（Step:１）⚫ 日米連携による次世代半導体技術基盤（Step:２）⚫ グローバル連携による将来技術基盤（Step:３）
引用：OMDIAのデータを基に経済産業省作成

Step 1：IoT用半導体生産基盤⇒生産ポートフォリオの緊急強化

2030年
2025年

2020年

産業機器
（スマートシティ、
スマートファクトリー 等）

産業機器

産業機器

市場規模全体：約50兆円

市場規模全体：約75兆円

Step 2：日米連携強化⇒日米連携プロジェクトで次世代半導体技術の習得・国内での確立

市場規模全体：約100兆円

Step 3：グローバル連携⇒グローバルな連携強化による光電融合技術など将来技術の実現・実装時期の前倒し

12先端半導体の製造基盤確保⚫ 先端半導体の製造基盤整備への投資判断を後押しすべく、5G促進法およびNEDO法を改正し、
令和4年3月1日に施行。同法に基づく支援のため、令和3年度補正予算で6,170億円を計上。
⚫ 2022年9月までに、先端半導体の生産施設の整備および生産を行う計画につき、経済産業大臣による認定を、３件実施。
関連事業者（※）JASM の株主構成：TSMC（過半数）、ソニーセミコンダクタ
ソリューションズ株式会社（20％未満）、株式会社デンソー（10％超）

計
画
の
概
要

認定日

2022年6月17日

2022年7月26日

2022年9月30日

最大助成額

4,760億円

約929億円

約465億円場所

熊本県菊池郡菊陽町

三重県四日市市

広島県東広島市

主要製品

ロジック半導体（22/28nmプロセス 12/16nmプロセス）

３次元フラッシュメモリ（第６世代製品）

DRAM（1β世代）

生産能力

5.5万枚/月（12インチ換算）

10.5万枚/月（12インチ換算）

4万枚/月（12インチ換算）

初回出荷

2024年12月

2023年2月

2024年3～5月

日本の顧客が中心

メモリカードやスマートフォン、タブレット端末、パソコン／サーバー向けのＳＳＤの他、
データセンター、医療や自動車等分野

自動車、医療機器、インフラ、
データセンター、５Ｇ、セキュリティ等

86億ドル規模

約2,788億円

約1,394億円

製品納入先
設備投資額
※操業に必要な
支出は除く（※）いずれも10年以上の継続生産

令和4年度補正予算では4,500億円の基金積み増しを実施

13

（参考）ＪＡＳＭによる熊本への投資による各種効果
経済波及効果試算（九州フィナンシャルグループによる試算）✓工場稼働の2024年から2年間の経済波及効果を1兆8,000億円と試算。

✓2022年から31年までの10年間の経済波及効果を4兆2,900億円と試算。
• 約80社が熊本県内に拠点施設・工場増設• 新工場の設備投資波及効果約9,300億円、操業後５年間の関連産業の生産や就業者の日常消費効果約2兆円、関連産業の工業団地開発359億円、住宅関連投資713億円など• 雇用効果：JASMの直接雇用1,700人を含めて、全体で約7,500人

賃金✓TSMCの月給は大学学部卒で28万円、修士卒で32万円、博士卒で36万円。
✓新規大卒者の平均給与は約22万5000円、大学院卒で約25万3000円。全国平均より、5万円以上高い水準。
（出典）賃金構造基本統計調査（令和３年、厚生労働省）等【参考】菊陽町におけるTSMCの建設現場（2023年4月）◆日本経済新聞（2022年10月）
TSMC子会社で、新工場を運営するJASM（熊本市）の堀田祐一
社長は「基礎工事はほぼ終わり、日本では今までにないようなスピー
ドで進んでいる」と話した。
14

先端半導体の製造拠点整備に係る経済効果
2022年夏までに５G促進法に基づいて、経済産業大臣による認定を行った２つの事業について、
EBPMプロジェクトとして、経済面から評価を行う経済効果分析を実施。具体的には、①直接評価モ
デル、②産業連関分析、③CGEモデルの三つのモデルで分析。
産業連関分析におけるGDPへの正の影響は約4.2兆円と試算。また、結果が保守的に出る傾向にあるCGEモデルにおいても、GDPへの影響額は約3.1兆円と試算。加えて、税収効果は直接的な効果のみで最大助成額と同等程度と見込まれる。
分
析
対
象

事業者

生産対象

場所

設備投資額

最大助成額

TSMC・JASM

先端ロジック

熊本県菊池郡菊陽町

86億ドル規模

4760億円キオクシア等

メモリ（NAND）

三重県四日市市

2,788億円

929.3億円（※）対象期間：事業実施期間（設備投資期間＋継続生産期間（10年間））

結
果
概
要

経済モデル

GDP影響額

雇用効果（延べ）税収効果等①直接評価モデル‐

約3.6万人

約6,000億円②産業連関分析

約4.2兆円
経済波及効果は9.2兆円

約46.3万人

約7,600億円

約3.1兆円

約12.4万人

約5,855億円
約9,793億円（社会保障負担含む）③CGEモデル※割引前の効果（※）現状の日本経済を前提とした分析であり、実際の経済波及効果は今後の市場等によって変動する点に留意。 CGEモデルについては、助成による「国内での技術革新及び将来の追加的投資等」を加味したシナリオの結果を記載。
分
析
モ
デ
ル
概
要

①直接評価モデル✓

生産投資及び継続生産による税収等への直接的なインパクトを評価。

②産業連関分析✓

産業連関表※を基に、プロジェクトによる周辺地域・産業への経済波及効果を評価。国内の経済波及効果に関する分析の大半で使われる手法。なお、ある時点の産業構造で固定されていること、供給制約が無い等には留意が必要。
※総務省より公表されている日本国内の平成27年（2015年）の産業連関表を使用✓

産業連関分析の発展形。産業連関分析では捨象されている、各経済主体の相互作用を通じた産業構造の変化や、労働市場等の供給制約を踏まえた現
実経済に近いモデルを活用した分析であり、産業連関分析と比較して結果が保守的に出る傾向があるが、長期的な分析が可能。現時点での日本経済に基づいた試算となる点等には留意が必要。

③CGEモデル（出典）令和４年度産業経済研究委託事業（先端半導体の生産施設整備施策の効果検証等に関する委託調査事業）による調査結果

15

経済安保推進法に基づく半導体サプライチェーンの強靭化⚫ 経済安全保障推進法に基づき、2022年12月に特定重要物資として半導体を指定。従来型半導体及び、半導体のサプライチェーンを構成する製造装置・部素材・原料の製造能力の強化等を図ることで、各種半導体の国内生産能力を維持・強化する。こうした内容が盛り込まれた、半導体の安定供給確保に向けた取組方針について、2023年1月に公表。
⚫ 令和４年度補正予算では、半導体のサプライチェーン強靭化支援事業として、合計3,686億円
を計上。
品目

支援内容

①従来型半導体
パワー半導体マイコン
アナログ✓国内製造能力強化に向けた大規模な設備投資等を支援。投資規模の下限は300億円（パワー半導体は2000億円）✓パワー半導体については、市場が大きく拡大すると見込まれているSiCパワー半導体を中心に、国際競争力を将来にわたり維持するために必要と考えられる相当規模の投資に対して、重要な部素材の調達に向けた取組内容についても考慮しつつ、集中的に支援を実施。

②半導体製造装置✓ 国内製造能力強化に向けた大規模な設備投資等を支援。投資規模の下限は300億円。

③半導体部素材✓ 国内製造能力強化に向けた大規模な設備投資等を支援。投資規模の下限は300億円。
✓ SiCウエハに関しては、パワー半導体産業の国際競争力の確保に資する取組内容であるかについても考慮。

④半導体原料黄リン・黄リン誘導品
ヘリウム、希ガス
蛍石・蛍石誘導品✓リサイクルの促進、国内生産の強化、備蓄、輸送体制の強化に向けた設備投資等を支援。
16

経済安保法に基づく認定供給確保計画（半導体）⚫ 経済安保法に基づき、特定重要物資として指定した半導体に関して、従来型半導体及び半導体サプライチェーンを構成する製造装置・部素材・原料の製造能力の強化等を図るため、令和４年度補正予算で3,686億円を計上。
⚫ 本年7月14日までに、従来型半導体１件、製造装置１件、部素材5件、原料４件の供給確保計画を認定済。１
1件合計で、事業総額は約5,550億円、助成額は最大約1,865億円。
事業総額

最大助成額

(億円)

（億円）

477

159

333

111

現状比約12%増強-

405

2029年7月

現状比約6%増強

533

178

SiCウエハ栃木県小山市
滋賀県彦根市
山形県東根市
千葉県市原市

基板：2027年4月
エピ：2027年5月

基板:11.7万/年

309

103

住友電工

SiCウエハ兵庫県伊丹市
富山県高岡市

基板：2027年10月
エピ：2027年10月

300

100

SUMCO

シリコンウエハ

佐賀県伊万里市
佐賀県吉野ヶ里町

結晶：2029年10月
ウエハ：2029年10月

結晶:20万枚/月相当

2,250

750

ソニーセミコンネオン（リサイクル）

長崎県諫早市
大分県大分市
山形県鶴岡市

2026年3月

2,090kℓ/年

11.2

3.7

キオクシア

ネオン（リサイクル）三重県四日市市
岩手県北上市

2027年3月

2,480m3/年

8.3

2.8

高圧ガス工業
住友商事

ヘリウム（リサイクル）
黄リン（リサイクル）ー

2025年6月

10,200㎥/年

ーーー

2031年度12,000t/年

ー

ー

分類

事業者名

品目

投資場所

供給開始

従来型
半導体

ルネサス

マイコン

茨城県ひたちなか市
山梨県甲斐市
熊本県熊本市

2025年3月

製造
装置

キヤノン

露光装置

栃木県宇都宮市
茨城県阿見町

2026年4月

イビデン

FC‐BGA基板

岐阜県大野町

2025年9月

新光電気工業FC‐BGA基板

長野県千曲市RESONAC
部素材

原料

生産能力
10,000枚／月（茨城・山梨）

29,100枚／月（熊本）i線:71台/年
KrF:55台/年

エピ:28.8万枚/年
基板:6万枚/年
エピ:12万枚/年

ウエハ:10万枚/月次世代半導体プロジェクト⚫ 次世代半導体（Beyond 2nm）の短TAT量産基盤体制の構築実現に向け、①先端設計、先端装置・素材の要素技術に係るオープンな研究開発拠点を立ち上げる。
［LSTC※］※Leading-edge Semiconductor Technology Center②将来の量産体制の立上げを見据えた量産製造拠点を立ち上げる。［Rapidus（株）］
将来の量産を見据えた拠点の立上げオープンな研究開発
プラットフォームの立上げ②量産製造拠点［Rapidus］①研究開発拠点［LSTC］

量産設計環境先端設計技術

共同研究プロジェクトの組成■海外学術研究機関・企業✓米・NSTCや白・IMECをはじめとする有志国・地域の研究機関・企業

開発事項

Rapidusパイロットライン

Rapidus
量産製造ライン事業化

量産装置・素材

先端装置・素材技術

連携■国内学術研究機関・企業✓半導体ユーザー機関✓デジタル設計関係機関✓半導体生産、製造装置・
素材関係機関 等
18

ポスト５G基金による先端半導体関連技術開発
設計・システム技術
大型チップレット
パッケージ設計技術

広帯域大容量フラッシュメモリモジュール

国際連携

前工程関連技術開発
前工程製造技術開発

露光周辺技術連携

次世代型製造装置
次々世代新材料

シリコンウェハ

先端洗浄技術次世代アニール技術

High-NA
EUVレジスト

2nmノード 短TAT
ロジック半導体製造技術

ナノインプリント
リソグラフィ技術

GAA-FET
共用パイロットライン構築

EUV露光装置

後工程関連技術開発
先端
パッケージング（統合技術）

HPC向け3DICパッケージング

基板

部材・
プロセス

微細配線・高密度実装

・・・他材料・装置メーカー

接合技術

出典：ASML webサイト

チップ

アセンブリー技術

大型チップ向け
レーザー転写

狭ピッチ直接接合

ハイブリッド接合

低温直接接合チップonウエハ 直接接合

チップ

インター
ポーザー

基板

材料

材料評価プラットフォーム
微細バンプ
微細配線
大型平坦基板

封止材
感光剤
アンテナ用樹脂19我が国の半導体関連産業の人材動向⚫ 半導体関連事業所の減少に伴い、従業員数も基本的に減少傾向。半導体製造装置製造業は増加傾向であるものの、集積回路製造業は大幅減。全体として２０年間で約３割減。
⚫ 足下では、今後の世界的な半導体市場の拡大見込みを受けて、半導体関連産業は人材不足の状態。
⚫ 例えば、主要８社で、今後１０年間で少なくとも４万人程度の半導体人材が追加で必要になると見込まれている。
半導体関連産業の従業員数推移（人）

230,861 3割減
207,449

250,000
200,000

168,002150,029
150,000
102,991
100,000
50,00060,22844,624 45,570 38,194

58,88869,58036,2080半導体素子製造業

集積回路製造業
1999年

半導体製造装置製造業
2005年

全体

2019年
【参考】
✓ 半導体素子：ダイオード、トランジスタ、サーミスタ、など✓ 集積回路：MCU、MPU、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、CMOSイメージセンサ、など✓ 半導体製造装置：レジスト処理装置、電子ビーム露光装置、ダイシング装置、など【出典】平成11年・平成17年・令和２年工業統計※令和2年調査においては、便宜上、「半導体素子（光電変換素子を除く）」と「光電変換素子」を合計して「半導体素子」としている※「全体」は、「半導体素子製造業」「集積回路製造業」「半導体製造装置製造業」の合計

電子情報技術産業協会（JEITA）の示した今後１０年間の半導体人材の必要数
北海道・東北

関東

中部

近畿

中国・四国

九州

合計

6,000人12,000人

6,000人4,000人3,000人9,000人

40,000人【出典】JEITA半導体部会の主要企業８社による見込み

20

半導体人材の育成に向けた地域の取組⚫ 各地域で設立された半導体人材育成等コンソーシアムにおいては、各地の実情や参画企業のニーズ等も踏まえながら、現時点の半導体産業に対する関心・意識調査に始まり、半導体人材の育成に向けたセミナー、実習、インターンシップ、研修会、出前事業などの取組を順次実施。
九州地域の取組（令和４年３月設立）＜（１）半導体産業の重要性・魅力発信＞⚫ コンソーシアムとしては、学生・社会人における半導体産業に対する意識や企業における採用活動の実態などに関する調査を実施。
⚫ コンソーシアム構成機関としては、小中学生向けの半導体工作教室や出前授業など、各自の取組を実施。
＜（２）半導体人材の育成に係る仕組みづくり＞⚫ コンソーシアムとしては、企業が採用時に期待する学
生のスキルや台湾における人材育成システムの在り方などに関する調査を実施。
⚫ コンソーシアム構成機関としては、高専における半導体概論等の展開、教員向けの企業研修会の開
催、半導体・デジタル研究教育機構（熊本大学）の開設、大学の設備を用いた実践的な研修の実施、学生向けの出前授業・インターンシップの実施など、各自の取組を実施。
⚫ 今後、上記プログラムの拡大に加え、（１）については半導体産業の魅力発信に向けたコンテンツ作り、（２）については、人材育成のための教育界・産業界の連携や台湾との連携の強化などを検討中。

東北地域の取組（令和４年６月設立）⚫ 半導体に関する基本的な知識等を学ぶオンデマンド講座（社会人向け）を実施。
⚫ 大学の設備を活用した実践的な人材育成プログラム（学生・社会人向け）、企業へのインターンシップ（学生向け）を実施。
⚫ 今後、上記プログラムの拡大に加え、企業訪問、PR動画作成等、半導体産業の魅力発信に向けた取組を検討中。

中国地域の取組（令和４年１０月設立）⚫ 中国地域の大学・高専等における半導体関連研究者の情報をとりまとめた「半導体関連研究者データベース」を作成、公表。
⚫ 今後、半導体関連企業の求めるスキルをリスト化したマップの作成やワークショップの実施等を検討中。

中部地域の取組（令和５年３月設立）⚫ 本年３月に設立、第1回会合を実施。
⚫ 今後、コンソーシアムに参画する企業等と調整の上、工場見学会、インターンシップ、特別講義等を検討中。
21

G7広島サミット（経産安全保障：サプライチェーン強靱化）⚫ 2023年5月に開催された広島サミットでは、G7で初めて本格的に経済安全保障について議論し、「強靭で信頼性のあるサプライチェーンに関する原則」を表明。

⚫ 半導体や蓄電池をはじめとした重要物資について、世界中のパートナーシップを通じて、強靭なサプライチェーンを強化していく旨を合意。
経済的強靭性及び経済安全保障に関するＧ７首脳声明（抜粋）（2023年5月20日）＜強靱なサプライチェーンの構築＞
新型コロナウイルスのパンデミック及びロシアによるウクライナに対する侵略戦争は、世界中の国々のサプライチェーンの脆弱性をむき出しにした。サプライチェーンの混乱は、開発途上、新興、先進
エコノミーに同じように壊滅的な打撃を与えている。我々は、透明性、多様性、安全性、持続可能性、信頼性が、Ｇ７内外の信頼できるパートナー国との間での強靱なサプライチェーンネットワークを構
築及び強化するに当たり不可欠な原則であることを認識する。 我々は、全ての国に対し、これらの「強靱で信頼性のあるサプライチェーンに関する原則」を支持することを奨励する。 我々は、グロー
バル・インフラ投資パートナーシップ（ＰＧＩＩ）の実施を通じたものを含め、より広い国際社会、
特に開発途上国の強靱性の構築を支援するとの我々の強い意志を再確認する。我々のパートナーシッ
プは、国際法を遵守し、自由で公正であり、互恵的な経済及び貿易関係を促進する。エネルギーその他の経済的依存関係を武器化する最近の事案から教訓を得て、我々はそのような行為に断固として反対する。我々は、特に重要鉱物、半導体及び蓄電池などの重要物資について、世界中のパートナー
シップを通て、強靱なサプライチェーンを強化していく。我々は、供給混乱に対処するための意思疎
通のチャネルを強化するため、また、それぞれのシナリオに基づくストレステストから得られたものを含め知見とベスト・プラクティスを共有するため、取組を強化していく。

22

グローバル半導体企業トップとの意見交換会⚫ 2023年5月18日、半導体や次世代コンピューティング分野の海外企業トップとの意見交
換会を官邸で開催し、岸田総理と西村経済産業大臣が出席。
⚫ 各社からは、AIをはじめとした最先端技術を支える半導体の重要性について説明があったともに、各社の日本での前向きな取組の意思表明があった。
＜出席企業（出席者）及び発言概要＞
TSMC（マーク・リュウ会長）✓ 顧客ニーズ、政府支援を前提に、日本での投資の拡大を検討。日本の半導体サプライチェーンと協力をしていきたい。

Intel（パット・ゲルシンガーCEO）✓ non-PFASをはじめとしたサステイナブルな半導体製造や先端パッケージングや後工程の自動化に向けて、日本の装置・素材メーカとの連携を更に拡大。

Micron（サンジェイ・メロトラCEO）✓ 政府支援を前提とした、広島におけるEUVを用いた次世代メモリの開発・量産投資を表明。

Applied Materials（プラブ・ラジャ プレジデント）✓

Rapidusへの協力や、日本の半導体および材料・素材メーカや人材開発への更なる協力を表明。

IBM（ダリオ・ギル副社長）✓ Rapidusとの協力を深め、ハード面に加え、半導体の新たなユースケース開発や人材開発にも取り組む。量子について、東大や日本企業と協力を深化。

Imec（マックス・マス―・ミルゴリ副社長）✓ 日本拠点設立に向けた計画を進めており、
Rapidusとの連携を強化していく。

Samsung（ケ・ヒュン・キュンCEO）✓ 日本での後工程の研究開発に関する投資検討を行っており、中長期的な協力関係の拡大を表明。

総
理
御
発
言

（前略）日本に対する投資に関しての前向きな姿勢を大変うれしく思っております。
本日お伺いした話も参考にさせていただきながら、政府を挙げて、対日直接投資の更なる拡大、また、半導体産業への支援に取り組んでいきたいと考えております。
こうした方針については、我が政府の基本的な方針であります、骨太の方針に盛り込んでいきたいと考えております。（後略）23

４．半導体・デジタル産業の目指すべき方向性24

４．半導体・デジタル産業の目指すべき方向性

半導体・デジタル産業による付加価値創出のエコシステム
持続的な経済成長の実現

国内投資
の拡大

イノベーション

DXの実現

３つの好循環GXの実現
所得向上

経済安保の確保

デジタル技術の活用で新たな製品・サービスの創出✓ ユーザー毎に最適化した情報処理基盤を用いたイノベーション
自動走行

自立型
ロボティクス

多機能
エッジ端末

・・・

✓ 高度な情報処理基盤を活用したイノベーション
金融システムイノベーション

バイオ
・革新素材

高度防衛
システム

・・・

✓ スタートアップ支援によるデジタル産業の担い手創出
高度な情報処理能力の提供

産業基盤の整備✓ 人材育成➢ デジタル推進人材の育成➢ 地域特性に合わせた人材育成➢ 次世代技術の開発を担う高度人材の育成✓ 産業インフラの確保➢ 工業用水、土地など➢ 産業道路、物流など

ユーザーニーズを踏まえた基盤開発

最先端／次世代情報処理基盤

事業環境整備高度情報通信インフラ
コンピューティング基盤（スパコン、AI、量子コンピュータ）

半導体

蓄電池

✓ 環境規制対応✓ ランニングコスト支援✓ 知的財産の活用促進

25

５．個別戦略（半導体分野）

26

売上高の増加目標⚫ 2030 年に、国内で半導体を生産する企業の合計売上高（半導体関連）として、15 兆円超を実現し、我が国の半導体の安定的な供給を確保する。
(% / 兆円)
20

国内で半導体を生産する企業の合計売上高（半導体関連）（兆円）

18

国内で半導体を生産する企業の合計売上高（半導体関連）のシェア（%）

15兆円

16
14
12
10
8

約5兆円

6
4
2
0
2011

2012

2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022

2023

2024

2025

2026

2027

2028

2029

（出典）実績分について、世界全体の売上はOMDIA、日本国内売上は経済産業省「工業統計調査」の品目別出荷額の値を集計。出荷額については、半導体関連（半導体素子、光電変換素子、集積回路）及び、「他に分類されない電子部品・デバイス・電子回路」のうち半導体関連品目を出荷額ベースで按分した値の合計。

2030

27

今後の半導体戦略の全体像①
ステップ１

ステップ２

ステップ３

足下の製造基盤の確保

次世代技術の確立

将来技術の研究開発

先端ロジック半導体✓ 国内製造拠点の整備・技術的進展✓ ２nm世代ロジック半導体の製造技術開発→量産の実現✓ Beyond2nm実現に向けた研究開発（LSTC)✓ Beyond2nm実現に向けた研究開発（LSTC)✓ 光電融合等ゲームチェン
ジとなる将来技術の開発

先端メモリ半導体✓ 日米連携による信頼できる
国内設計・製造拠点の整備・技術的進展✓ NAND・DRAMの高性能化✓ 革新メモリの開発✓ 混載メモリの開発

産業用
スペシャリティ半導体✓ 国内での連携・再編を通じたパワー半導体の生産基盤の強化✓ エッジデバイスの多様化・多機能化など産業需要の拡大に応じた用途別従来型半導体の安定供給体制の構築✓ SiCパワー半導体等の性能向上・低コスト化✓ GaN・Ga2O3パワー半導体の実用化に向けた開発

先端パッケージ✓ 先端パッケージ開発拠点の設立✓ チップレット技術の確立✓ 光チップレット、アナデ
ジ混載SoCの実現・実装

製造装置・部素材✓ 先端半導体等の製造に不可
欠な製造装置・部素材の安定供給体制の構築✓ Beyond 2nmに必要な次世代材料の実用化に向けた技術開発✓ 将来材料の実用化に向け
た技術開発
28

今後の半導体戦略の全体像②

人材育成✓地域の特性に合わせた地域単位での産学官連携による人材育成（人材育成コンソ等）✓次世代半導体の設計・製造を担うプロフェッショナル・グローバル人
材の育成

国際連携

✓日米関係では、日米半導体協力基本原則に基づき、共同タスクフォー
ス等の枠組みを活用し、米NSTCとLSTCを起点に連携を深め、次世代半導体の開発等に取り組む✓EU・ベルギー・オランダ・英国・韓国・台湾等の諸外国・地域と、次世代半導体のユースケース作りや研究開発の連携等に関し、相手国・地域のニーズ等に応じて進める

グリーン✓ PFAS規制への対応✓ 半導体の高集積化・アーキテクチャの最適化・次世代素材開発により、半導体の高性能化・グリーン化を実現

29

先端ロジック半導体戦略⚫ ステップ１では高度な情報処理の中枢を担う先端ロジック半導体の国内の製造基盤を確保。
⚫ ステップ２では、IoT分野のデータ処理拡大や、研究開発や安全保障の観点で今後求められる高度な計算能力を低消費電力で実現する基盤技術であり、産業競争力・経済安全保障・DX・GXの実現の鍵となる次世代ロジック半導体（Beyond2nm)技術とその製造拠点を確立する。
⚫ ステップ３では、次世代ロジック半導体技術を活用し、通信量が大幅に拡大するポスト５G時代において不可
欠な、高度な処理機能・省エネ性能を有する次世代の情報通信技術を実現。グリーン・省エネ分野で世界の主導権を握り、市場にゲームチェンジを起こす。

ステップ１
足下の製造基盤の確保

ステップ２

ステップ３

次世代技術の確立

将来技術の研究開発✓ 先端ロジック半導体の国内製造拠点の ✓ 2nm世代ロジック半導体の製造技術開発及び拠点整備【ラピダス】
整備ーIBM連携（ナノシート技術等）✓ 先端ロジック半導体の製造に不可欠な、ーimec連携（EUV露光技術等）
製造装置・部素材の国内供給体制・サ
プライチェーンの強靭化✓ Beyond 2nmの実現に向けた研究開発【LSTC】
ー最先端SoC, チップレット高密度IF設計
ーナノシートトランジスタの高性能化
ー先端パッケージ要素技術

自動運転

５G

データセンター✓ Beyond 2nmの製造に必要な次世代材料（High-NA EUV向けレジスト等）の実用化に向けた技術開発✓ Beyond 2nmの実現に向けた研究開発【LSTC】
ー最先端SoC, チップレット高密度IF設計
ーCFET関連技術開発
ーマテリアルインフォマティクス活用した材料開発
ーグリーン・クリーン製造技術
ー先端パッケージ要素技術✓ 高度な処理機能・省エネ性能を有する
光電融合（パッケージ内光配線、光コン
ピューティング等）の実用化に向けた技術開発✓ アカデミアの中核となる拠点における先端技術開発（革新的設計技術、2D材料技術等）
次世代光データセンター

30

半導体産業とユースケースの関係性⚫ 半導体産業の高性能化の歴史は新産業・ニーズの創出と連動。次世代半導体の実現に向けても、新たなユースケース開拓や、新産業を創出するスタートアップが重要。
自動運転
ユ
ー
ス
ケ
ー
ス

i-phone

液晶テレビ
ファミコン

言語AI

パーソナルコンピュータ

FinFet型
16nm

トランジスタラジオ

40nm
プレーナー型

1kbit DRAM
(Intel C1103)

チップレット

光電融合

3μm
量子技術

３次元NAND

DRAM

半
導
体
の
進
化

GAA型
2nm

180nm

NAND型
フラッシュメモリ

トランジスタ

画像
生成AI

HBM

1Mbit DRAM（東芝）

マイクロプロセッサ
4bitプロセッサ（Intel 4004）

1950

1960

1970

世界初GPU(NVIDIA)

8bitプロセッサ（Intel 8080)

1980

1990

2000

2010

2030
2020
出所：各社HP等
31

（参考）日本を次世代半導体・未来技術で世界を切り開く拠点に⚫ 2020年代後半の次世代半導体・短TAT量産拠点立ち上げに向けて引き続き研究開発プロジェクトを進めるとともに、環境負荷低減のためのグリーン製造技術等を開発。
⚫ スタートアップ・ベンチャー等の支援を通じて、次世代半導体を活用した新たなアプリケーション（ユースケース）の創出を推進し、ユーザー市場を開拓する。
⚫ プロフェッショナルグローバル人材育成に向けて、LSTCを事務局として国内外の教育機関・研究機関と連携して次世代技術を担う人材を育成。
➡ 次世代半導体の設計・製造に自律性を確保するとともに、先端的な半導体装置・素材を供給できる基盤を構築し、不可欠性を高め、世界へ貢献する。

➡ これらの取組を進め、未来の投資につなげる。
ユースケース

NSTC
日米欧
連携

ナノシート技術設計
データ

スマートファクトリー
/ロボティクス

ウェアラブル/XR

データセンター

EUV露光技術

AI
超高性能
半導体
CPU

・・・

ファブレス
スタートアップ・ベンチャー

LSTC

自動運転

32

先端メモリ半導体戦略⚫ 増大するデータを効率的に処理するためには、ロジック半導体の進化に加えて、メモリ半導体の高性能化・大容量化・低消費電力化が求められている。
⚫ ステップ１として、メインメモリ（DRAM）、ストレージ（NAND）など製造基盤を確保。
⚫ ステップ２として、DRAM、NANDの高性能化に加えて、AIの利活用に伴うCPUの処理容量とDRAM容量の乖離から、CPUに頼らない共有メモリプールが求められており、その実現には、“大容量”、“高速”、“省電力”かつ“低コスト”な革新的なメモリを開発。
⚫ ステップ３として、2nm世代以降のロジック半導体で求められる“高速”、“小型”、“省電力” の新たな混載メモリを開発。

ステップ１

ステップ２

ステップ３

足下の製造基盤の確保

次世代技術の確立

将来技術の研究開発✓ 日米連携により信頼できるメモ
リ設計・製造拠点を実現し、常に最先端のメモリを有志国・地域に供給✓ DRAM, NANDの継続的な高性能化✓ 最先端ロジック半導体に必須となる混載メモリ技✓ メモリセントリックコンピューティングに向けた革術の開発
新メモリの開発✓ アカデミアの中核となる拠点における先端技術開発（スピントロニクス技術、強誘電体技術等）■DRAM, NANDの高性能化・省電力化
メモリセル

メモリセル
CMOS
ロジック
CMOSロジック⚫ メモリセルの高密度化⚫ CMOSロジックの高性能化⚫ メモリセルとCMOSロジックの積層化■メモリセントリック対応の革新メモリ
CPUセントリック

メモリセントリック33

（参考）日米連携により、四日市・北上・広島を信頼できるメモリの設計・製造拠点に⚫ メモリは、スマートフォン、データセンターやAIなどデータ駆動型社会に必須な各種テクノロジーを支えるキーデバイス。更に、今後計算能力の高度化・拡大が求められる中で、大容量・高速・省電力を実現するため、コンピューティングアーキテクチャ自体が変わっていく中で、次世代メモリの開発・実現が必須。
⚫ 日米連携により、キオクシア/WDとマイクロンの拠点である、四日市・北上・広島を信頼できるメモリの設計・製造拠点とすることで、常に最先端のメモリを有志国・地域に供給。
コンピューティングアーキテクチャ
CPUセントリック

北上

四日市

日米連携

広島

メモリセントリック34

産業用スペシャリティ半導体
ステップ１では、刷新補助金や経済安全保障推進法に基づく支援により、マイコンやパワー、アナログ半導体等の産業
界の多種多様な産業用スペシャリティ半導体の製造拠点整備を進めるとともに、サプライチェーンを構成する製造装
置・部素材・原料についても国内製造能力を強化。
– 台湾の産業界・教育機関との交流を深化しつつ、「新生シリコンアイランド九州」が世界の産業サプライチェーンの中核を担うことを目指す。我が国の幅広い産業に、先端から多世代に渡るスペシャリティ半導体の活用を広め、抜本的なDX・スタートアップの拡大にもつなげる。
– パワー半導体：SiC等の化合物半導体を中心に、今後需要が大きく拡大する中、日本企業は複数社でシェアを分け合う。激化する国際競争を勝ち抜くため、国内での連携・再編を図り、日本全体としてパワー半導体の競争力を向上。
– アナログ半導体：エッジ領域での利活用促進を含めた産業界等における実装拡大を含め、海外勢の動向や経済安
全保障上の必要性等を踏まえた、アナログ半導体の産業基盤の強化。
⚫ ステップ2では、車の電動化が進む中で、市場が大きく拡大する SiCパワー半導体等の次世代パワー半導体の省エネ
化・グリーン化に取り組む。ステップ3では、2030年以降に再生エネルギー関連設備等で、需要が拡大するGaN・
Ga2O3パワー半導体等の実用化を進めていく。
⚫

ステップ１

ステップ２

ステップ３

足下の製造基盤の確保

次世代技術の確立

将来技術の研究開発✓ 経済安全保障推進法に基づく、従来型半導体や製造装置・部
素材・原料の安定供給体制の構築✓ SiCパワー半導体等の性能向
上・低コスト化を実現。

✓ GaN・Ga2O3パワー半導体の実用化に向けた開発

電動車

パワー半導体の市場（世界）35（参考）九州・熊本を産業用先端半導体の世界拠点に⚫ 産業界からは、ユーザーサイドの技術・ニーズの進展に応じて、先端領域においても更に高いレベルが必要となり、また、エッジデバイスの多様化・多機能化・低消費電力化等を踏まえ各用途に応じたスペシャリティ半導体の供給能力の拡大も重要であるとの声が寄せられている。
⚫ こうした産業界の幅広いニーズに答える多種多様な半導体の製造拠点を立ち上げるべく、熊本JASMをはじめ、産業基盤を強化し、「新生シリコンアイランド九州」が世界の産業サプライチェーンの中核を担うことを目指す。
その際、世界の半導体拠点である台湾の産業界・教育機関との交流深化により、相互成長を実現。

⚫ 我が国の幅広い産業に、先端から多世代に渡りスペシャリティ半導体の活用を広め、抜本的なDX・スタート
アップの拡大にもつなげる。

世界の産業サプライチェーンの中核に
ヘルスケア
自動運転/電動化

日本の産業基盤
強化・DX化台湾

新生シリコンアイランド九州

産業ロボット九州

産業界・教育機関の交流・相互成長

36（参考）日本列島をパワー半導体の世界拠点に⚫ パワー半導体は、電子機器等の電圧制御等を担う半導体。電動車などの世界的なグリーン投資の後押しで、
特に省エネ性能に優れたSiCパワー半導体を中心に、今後も需要は拡大する見込み。

⚫ 日本では、国内企業が複数社でシェアを分け合い、個社単位ではシェア1位（25％）のインフィニオン（独）に大きく劣後。
⚫ 激化する国際競争を勝ち抜くため、個社の技術的優位性を活かしつつ、国内での連携・再編を図ることで、日本全体としてパワー半導体の競争力を向上する必要がある。
今後、グローバルにおいて、日本を欧州・米国と並ぶ世界の第三極の拠点とすることを目指す 。

パワー半導体の世界シェア（2021年、189億米ドル）

パワー半導体素子製造拠点
ウエハ製造拠点
五所川原市（富士電機）
ローム(日),

松本市（富士電機）

能美市（加賀東芝）

豊田市、幸田町（デンソー）

オンセミ(米),(日), 3.3%

9.3%

ネクスペリアSTマイクロ(瑞),(蘭), 3.5%

7.8%

彦根市（レゾナック）
宮崎市（ローム）

25.2%

ルネサス

市原市（レゾナック）

合志市（三菱電機）

インフィニオン(独),3.3%

ひたちなか市（ルネサス）

伊丹市（住友電工）

その他, 23.5%

姫路市（東芝）福山市（三菱電機）【出典】各社公表資料をもとに、経産省作成

ビジェイ(米),5.1%

東芝(日),

富士電機(日),三菱電機(日),

5.1%

6.1%

7.7%

日本全体では20％以上のシェアを占めるが、個社では10%にも満たないリソースを有効活用
しながら投資の規模とスピードを確保した競争力強化の必要性【出典】OMDIA 2022年をもとに経産省作成

37

（参考）次世代グリーンパワー半導体⚫ パワー半導体の世界市場規模は拡大しており、現時点で約3兆円であるが、2030年には5兆円、2050年には10兆円市場になると言われている。
⚫ 電気機器の多くは従来のSi（シリコン）が使用されているが、次世代パワー半導体（SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム）、Ga2O3（酸化ガリウム）等） はSiよりも省エネ
性能に優れており、今後市場規模が拡大することが予想されている。
⚫ こうした、次世代パワー半導体の高性能化を通じた次世代パワー半導体の競争力を強化するとともに、Siパワー半導体同等のコスト達成による普及拡大を目指す。
⚫ 同時に次世代パワー半導体ではシェアを獲得できていないウェハ技術について、大口径化を進めるとともに、ユーザーニーズに即した超高品質化によるシェア獲得を目指す。
小容量帯

中容量帯

大容量帯

（サーバ電源等電源向け）（xEV/産業機器向け）（再エネなど電力）

高効率・小型電源向け
GaNonSiパワー半導体

電動車向けSiCパワー半導体

再エネ等電力向けSiCパワー
半導体

産業機器向けSiCパワー半導体

SiCバルクウェハ製造技術
昇華法による高品質低コスト８インチウェハ開発
溶液法による超高品質低コスト８インチウェハ開発
38

（参考）アナログ半導体⚫ 低～高電圧を対象に、電気信号を連続的に処理するアナログ半導体（電源IC、AD/DAコ
ンバータ、アンプ、センサー等）は、マイコンやメモリへのデータの入出力やディスクリートの制
御等の役割を担い、産業機器、自動車、家庭用機器、無線機器、カメラ等、多様な産業
ニーズに応える存在。
⚫ 技術的なトレンドとして、GX、DX、自動運転等、様々な社会的ニーズに対応するため、アナログ半導体には、電力損失の低減、高周波＆高速光伝送、高精細画像の取得等が求められる状況。
⚫ 経済安全保障推進法に基づき、アナログ半導体を含む従来型半導体を支援対象に位置付け。今後も、将来的な産業界のニーズに基づき、技術トレンドを適切に捉えつつ、適切に対応していく必要。
アナログ半導体の用途例
スマホ（通信部品）

自動車（AD/DA コンバータ）

センサー

39

先端パッケージ戦略⚫

ステップ１では、素材・装置メーカーが集約する先端パッケージ開発拠点を設立し、国内に点在するアカデミアなどのコンソーシ
アムを束ねて、先端集積・実装技術を創出するとともに、次世代の装置、素材を開発し、IDM/ファウンダリ等に提案。

⚫

ステップ２では、2020年代後半以降に求められる2.5D/3Dパッケージング技術、シリコンブリッジ、ハイブリッドボンディングなどを開発し、2nm世代以降で必須となるチップレット技術を確立。

⚫

ステップ３では、ゲームチェンジ技術として光チップレット、デジタルチップとアナログチップを混載するアナデジ混載SoC技術を確立。

⚫

こうした先端パッケージング技術をグリーンデータセンター、基地局、自動運転等に社会実装。

⚫

なお、レガシー領域の後工程についても、台湾・マレーシア・メキシコ・インド等で、生産能力強化等の動きあり。特定国・地域への集中は避けるべきであり、分散することが望ましい。

ステップ１

足下の製造基盤の確保✓ 先端パッケージ開発拠点を中心とした素材・装置メーカーからなる
エコシステム構築
IDM/ファウンダリ

ステップ２

ステップ３

次世代技術の確立

将来技術の研究開発■2.5Dパッケージ■3Dパッケージ

光チップレット

低損失光導波路

半導体
チップ
光コネクタ

■シリコンブリッジ

光電変換チップ

先端パッケージ
開発拠点

アナデジ混載SoC
2nm世代以降必須となるチップレット技術確立

海外研究機関素材・装置メーカー

40

（参考）国内に先端集積・実装クラスターハブ拠点を構築⚫ 半導体製造の後工程（集積・実装）分野は素材・装置共に日本メーカーが高い技術とシェアを有しており、サプライチェーン強靱化や経済安全保障上の意味でも重要。現在、世界中で開発が加速、先端パッケージ技術が必要となる転換期。
⚫ 先端パッケージング技術には、高度な素材・実装技術等の開発が必要とされており、日本に多数存在し、各工程単位で点在する素材・装置メーカーやアカデミアのコンソーシアムを上手く連携させることが重要。
⚫ 国内に多数存在するアカデミアの各種コンソーシアム等を束ねる形で、先端集積・実装に関するパイロットラ
インを構築。
⚫ オープンプラットフォームとして開発した革新材料・装置等はIDM/ファウンダリ等に提案。

先端集積・実装クラスターハブ構想
LSTC開発パッケージ構造

IDM／ファウンダリ
海外研究機関等■2.5Dパッケージ■シリコンブリッジ■3Dパッケージ

LSTC
先端パッケージ研究所
フレキシブル３Ｄ実装協働研究所

素材・装置メーカー

チップレット集積プラットフォーム

3Dヘテロ集積アライアンス(3DHI)

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製造装置・部素材戦略⚫ レジスト塗布・現像装置やダイシング装置などの製造装置、シリコンウエハやレジストなどの部素材は、世界の半導体エコシステムにおいて、我が国が引き続き優位に立っている。これらの製造装置・部素材は、先端半導体の製造に必要不可欠であり、戦略的不可欠性の観点から、経済安全保障上も重要な存在。
⚫ 他方、米中技術覇権対立を背景に、各国の製造業国内回帰・誘致に向けた圧力が強まっている中、大手の半導体製造拠点に引き寄せられて、製造装置・部素材産業についても我が国から流出する懸念がある。
⚫ このため、まずはステップ１にて、製造装置・部素材の安定供給体制を強化し、サプライチェーンの強靭化を図ることが急務。その上で、ステップ２・ステップ３で次世代半導体技術の確立および量産、更なる発展に向けて、製造装置・部素材の付加価値を更に高めることで、経済安全保障上の戦略的不可欠性を強化し、世界の半導体エコシステムにおける我が国製造装置・部素材産業の優位性を不動のものとすることを目指す。
⚫ なお、原料についても、半導体生産に必要な安定供給体制を確保していく。

ステップ１

ステップ２

ステップ３

足下の製造基盤の確保

次世代技術の確立

将来技術の研究開発✓ 先端半導体等の製造に不可欠な ✓ Beyond 2nmの製造に必要な製造装置・部素材（Siウエハ、SiC
次世代材料（High-NA EUV
ウエハ、サブストレート等）安定内向けレジスト、EUV向けペリクル
供給体制・サプライチェーンの強靭等）の実用化に向けた技術開発
化✓ 先端半導体の国内製造拠点の整備による製造装置・部素
国内誘致・流出防止

ダイシング装置

シリコンウエハ✓ 次世代材料を更に進展させた将来
材料（グリーンEUV向け光源技術等）の実用化に向けた技術開発

42

半導体とグリーン化の関係性⚫

⚫
⚫

デジタル技術の進化は、自動運転やロボティクスなどを実現し、社会生活を変革する。他方、これらは必要電力を増加させる
脱炭素化とは相反する行為でもある。これに対し、半導体は成長（性能向上）と脱炭素化（エネルギー効率の改善）を両立させる形で進化し、デジタル技術の持続的な発展を支えてきた。まさに、GXの概念を常に体現してきた技術。
主な進化方法としては「微細化」や「高密度化」、チップレット等の「高度実装」等の「高集積化」や、「システム」や「設計」等の「最適化」、「素材進化」による抜本的な機能向上等がある。これらは性能向上と同時にエネルギー効率も改善。
例えば、TSMCのロジックやキオクシアのメモリは１世代ごとにエネルギー効率を２～３割改善させてきた。また、ロームのSiCパワー半導体は、Siパワー半導体と比較して、約７割の電力損失削減を見込む。

高集積化

最適化
1/k倍

半導体のゲートの幅と長さが各々1/k⇒消費電力1/k2

実装• 高集積化により、配線等を短縮し、情報の伝送・処理速度等を向上しつつ、エネルギー効率も改善
各社HP情報等を基に経産省作成

CPU※情報処理をCPUで差配MemoryFPGA 2
NIC

メモリホール

多数配置、高積層による高密度化FPGA 3

FPGA 1

1/k倍

高密度化

メモリセントリック

CPUセントリック

微細化

情報処理
のフロー

※NIC：Network Interface
Card（ネットワーク接続部分）※FPGA：Field Programmable
Gate Array（情報処理部分）※CPU：Central Processing
Unit（指示発信部分）

引用：
ヒューレットパッカード• 設計・システム等の最適化によりエネルギー効率を改善

素材の進化
SiCウェハGaNウェハROHM HPより

日本ガイシHPより• エネルギー損失軽減に加え、冷却など含め全体効率化

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半導体人材の育成に向けた今後の方針⚫ 半導体人材の育成・確保は、例えば、①次世代の技術開発を担う人材（プロフェッショナル・グローバル人材）
や、②足下の開発・生産プロセスを支える人材（技術・技能系人材）など、産業界が求める人材像に合わせて取組を進めていく。
※下記の整理は便宜的なものであり、取組によっては対象とする人材が必ずしもプロ
フェッショナル・グローバル人材と技術・技能系人材に二分されない場合もある

半導体人材の育成に向けた取組の概要【プロフェッショナル・グローバル人材】✓ デジタル設計から、チップ及びその生産プロセスも含め、将来の半導体産業を支える高度
かつ幅広いグローバルレベルの技術的知見を有する人材• 国内外の教育・研究機関との連携に関係機関とのよる人材育成【LSTC】
連携体制の構築•

研究開発を通じた将来の技術者育成【東工大、東大、東北大】•
有志国・地域の大学との連携強化【コンソーシアム参画大学等】

大学内における半導体人材育成に向けた組織設立【熊本大】•

大学の設備を活用した実践的プログラム【東北大、九工大等】•

人材育成等コンソーシアム組成【九州、東北、中国、中部地域】•

半導体の専門カリキュラム導入【佐世保高専、熊本高専等】•

学生対象の出前授業、工場見学、セミナー等【九州、東北地域】•

教員向けの企業研修会の開催【九州地域】•

学生対象のインターンシップ【九州、東北地域】••

遊びや体験を通じた半導体産業の魅力発信【業界団体】

半導体関連研究者データベースの整備【中国地域】•（共通する領域）【技術・技能系人材】✓ 次世代の技術開発や顧客ニーズを踏まえた新たな製品開発等を行う人材✓ 半導体製造現場において全体を俯瞰しつ
つ、工程の管理・改善等を担う人材✓ 半導体製造現場において機械・装置の操作を行い、生産活動を直接支える人材

半導体産業の
魅力発信・
裾野拡大＜今後の取組方針（案）＞

人材育成に向けた環境・
カリキュラムの整備✓ 次世代の技術開発を担う人材の育成プログラムの開発・実施✓ 他地域・大学・高専への先行優良事例の横展開• 北海道、関東地域における人材育成等コンソーシアムの設立• 半導体に特化した教育カリキュラム・講義等の横展開 等✓ 国内外の複数の大学・研究機関における横断的な取組の促進• 海外の大学・研究機関との連携強化・拡大• 複数の大学・学部・学科をまたがる総合的な半導体教育プログラムの創設 等✓ 各地域コンソーシアムにおける産業界のニーズを踏まえた取組の進化・深堀り• 半導体産業の魅力発信のためのコンテンツ作成 等

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半導体人材の育成に向けた今後の方針⚫ 地域での産学官連携による半導体人材育成に関して、地域の実情に応じた取組が前提となる一方、いずれの地域でも、産業界の実ニーズに基づいた確保すべき人材のボリューム感を把握し、共通認識とすることは重要。
⚫ 特に教育機関にとって、企業の求める人材像や人数の把握は、教育カリキュラム等の検討において必要不可欠。
⚫ 九州地域において、地場企業に対する調査結果を踏まえて今後不足する人材数を提示していることを先駆的な事例として、他地域においても同様に、必要な半導体人材のボリューム感を示すことが求められる。

九州半導体人材育成等コンソーシアムの示した九州の半導体産業における人材の不足数
九州の半導体関連企業に対する聞き取り結果を踏まえて、以下の調査結果を提示✓ 九州の半導体産業における人材不足は、短期的（１～３年）にも、中長期的（４～１０
年）にも、年間1,000人程度になる見込み。

✓ 不足感が大きくなる職種は、短期的にも、中長期的にも、オペレーター、生産技術職がメイン。
短期的には研究開発職も不足感が大きい。
✓ 半導体人材に求められるスキルは、電気・電子、情報、機械、化学、材料、財務、経営など、しっかりとしたバックグラウンドを有すること。
✓ 加えて、研究開発職等のトップ人材に対しては、プログラミングやEDA・CAD・材料系の工学、実技・経験などが求められる傾向。
【出典】国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）調査委託事業【再掲・参考】電子情報技術産業協会（JEITA）の示した今後１０年間の半導体人材の必要数
北海道・東北

関東

中部

近畿

中国・四国

九州

合計

6,000人12,000人

6,000人4,000人3,000人9,000人

40,000人【出典】JEITA半導体部会の主要企業８社による見込み

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次世代半導体の設計人材育成⚫ システムメーカーが自社製品・サービスの競争力を上げるためにファブレスのエリアに参入する傾向（汎用チップから専用チップへ）。
⚫ “半導体設計”とは下図の赤枠の部分で、“設計人材”として育てるべき領域はシステムメーカーの設計への参入を促すための領域と、ファウンダリとして重要となる設計と製造を橋渡しとなる領域。
⚫ 加えて、優秀な人材を呼び込むための仕掛けが重要。
⚫ 例えば学生向けの取組として、今年度、東京大学では工学部共通プログラムとして「半導体デザ
インハッカソン」を開始。
⚫ こうした取組を通じて呼び込んだ学生の教育プログラムも整備することで、設計人材を継続的に輩出する。
■設計コンテスト（例. 東京大学）

引用：https://dee.t.u-tokyo.ac.jp/course/creative_engineering/

半導体設計分野の横断教育プログラム
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材料・物性
デバイス物理製造プロセス設計
コンピュータサイエンス 等

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