QS8J13Datasheet-12V Pch+Pch Middle Power MOSFET
l外 形 図VDSS-12VRDS(on)(Max.)22mΩ

ID±5.5A

PD

1.5W

TSMT8l特 長l内 部 回 路 図

1) 低オン抵抗2) 小型面実装パッケージで省スペース
3) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
4) ハロゲンフリー

l包 装 仕 様
包装形態
リールサイズ (mm)l用 途タイプ テープ幅 (mm)
基本発注単位(個)スイッチングテーピングコード標印

Embossed
Tape
18083000TR
J13l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通 >Parameter

SymbolValue

Unit-12V

ドレイン電流 (直流)

VDSS
ID*1

ドレイン電流 (パルス)ID,pulse*2

ゲート・ソース間電圧

VGSS±5.5±180～-81.51.25150-55 ～ +150

AAV

ドレイン・ソース間電圧

全許容損失

トータル

PD*3

素子

ジャンクション温度

Tj

保存温度Tstg

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W℃℃

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Datasheetl熱 抵 抗Parameter
熱抵抗 (ジャンクション・外気間)

ValuesSymbolトータル素子RthJA*3

Unit

Min.

Typ.

Max.

-83.3

--100-℃/W

l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通 >Parameter

Symbolドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA
ドレイン・ソース降伏電圧
温度係数

ValuesConditions

ΔV(BR)DSS I D = -1mA

Unit

Min.

Typ.

Max.

-12--V--5.0-mV/℃

ΔTj

referenced to 25℃

ドレイン遮断電流

IDSS

VDS = -12V, VGS = 0V---10μA

ゲート漏れ電流IGSS

VDS = 0V, VGS = -8V---10μA

ゲートしきい値電圧

VGS(th)VDS = -6V, ID = -1mA-0.3

--1.0

V

ゲートしきい値電圧
温度係数

ΔVGS(th)ID = -1mA-2.7-V/℃

VGS = -4.5V, ID = -5.5A

-

1522

VGS = -2.5V, ID = -2.7A

-

1928

VGS = -1.8V, ID = -2.7A-2438

VGS = -1.5V, ID = -1.1A-2958

VDS = -6V, ID = -5.5A

8.5--

ドレイン・ソース間オン抵抗

伝達コンダクタンス

ΔTj

RDS(on)*4

gfs*4

referenced to 25℃mΩS*1 チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用下さい。
*2 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1%*3 セラミック基板実装時*4 パルス

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Datasheetl 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通 >ValuesParameter

SymbolConditions

Unit
Min.

Typ.

Max.

入力容量

Ciss

VGS = 0V-6300-

出力容量

Coss

VDS = -6V-750-

帰還容量Crssf = 1MHz-750-

ターンオン遅延時間td(on)*4VDD ⋍ -6V,VGS = -4.5V-13-上昇時間

tr*4ID = -2.7A-100-

ターンオフ遅延時間td(off)*4RL = 2.2Ω

-400-下降時間

tf*4

RG = 10Ω

-200-

pF

nsl ゲ ー ト 電 荷 量 特 性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通>

ValuesParameter
ゲート総電荷量

SymbolConditions

Qg*4

ゲート･ソース間電荷量

Qgs*4

ゲート･ドレイン間電荷量

Qgd*4

VDD ⋍ -6V, ID = -5.5A
VGS = -4.5V

Unit
Min.

Typ.

Max.

-60--

10--9-nCl 内 部 ダ イ オ ー ド 特 性 (ソース･ドレイン間) (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通 >ValuesParameter
ソース電流(直流)

SymbolIS*1

ソース電流(パルス)

ISP*2

順方向電圧

VSD*4

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Conditions

Ta = 25℃
VGS = 0V, IS = -5.5A

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Unit
Min.

Typ.

Max.

---1---18---1.2

AV20140806 - Rev.001

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.1 Power Dissipation Derating Curve

Fig.2 Maximum Safe Operating Area

Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width

Fig.4 Single Pulse Maximum Powerdissipationwww.rohm.com© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.5 Typical Output Characteristics(I)Fig.6 Typical Output Characteristics(II)Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction
Temperaturewww.rohm.com© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.8 Typical Transfer Characteristics

Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature

Fig.10 Tranceconductance vs. Drain
Current

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QS8J13Datasheet

l電 気 的 特 性 曲 線

Fig.11 Drain Current Derating Curve

Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage

Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature

Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)www.rohm.com© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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QS8J13

Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)

Fig.18 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(Ⅴ)

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QS8J13

Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.19 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage

Fig.20 Switching Characteristics

Fig.21 Dynamic Input Characteristics

Fig.22 Source Current vs. Source Drain
Voltagewww.rohm.com© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl測 定 回 路 図
図 1-1 スイッチング時間測定回路

図 1-2 スイッチング波形

図 2-1 ゲート電荷量測定回路

図 2-2 ゲート電荷量波形

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Datasheetl外 形 寸 法 図

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