Datasheet

同期整流 1ch
降圧 DC/DC コンバータ
BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

概要

BD9120HFN

重要特性
 入力電圧範囲
BD9120HFN:
BD9106FVM,BD9107FVM:
BD9109FVM,BD9110NV:
 出力電圧範囲
BD9109FVM:
BD9120HFN:
BD9107FVM:
BD9106FVM,BD9110NV:
 出力電流BD9106FVM, BD9109FVM:
BD9120HFN:
BD9107FVM:
BD9110NV:
 スイッチング周波数:
 FET ON 抵抗

ロームの高効率降圧スイッチングレギュレータ(BD9106FVM, BD9107FVM, BD9109FVM, BD9110NV,
BD9120HFN)は 5V/3.3V 以下の電源ラインから 1V などの低電圧を作る電源です。独自のパルススキップ制御方式と同期整流回路にて高効率化を実現します。カレント
モード制御方式を採用しており、負荷急変における高速
過渡応答を実現しています。

特長
 カレントモード PWM 制御方式により高速過渡応答実
現 同期整流内蔵(Nch/Pch FET)、SLLMTM(Simple Light
Load Mode)により全負荷領域 高効率
 ソフトスタート機能内蔵 温度・UVLO 保護機能内蔵
 タイマーラッチ式 ショート保護機能内蔵
 シャットダウン機能内蔵

BD9110NV:
BD9106FVM,BD9107FVM:
BD9120HFN,BD9109FVM:
 スタンバイ電流:
 動作温度範囲
BD9110NV:
BD9120HFN, BD9106FVM:
BD9107FVM, BD9109FVM:

用途
DSP、マイコンや ASIC などの LSI 用電源

2.7V ～ 4.5V
4.0V ～ 5.5V
4.5V ～ 5.5V
3.30V ± 2%
1.0V ～ 1.5V
1.0V ～ 1.8V
1.0V ～ 2.5V

0.8A(Max)
1.2A(Max)
2.0A(Max)
1.0MHz(Typ)
Pch(Typ) / Nch(Typ)200mΩ / 150mΩ
350mΩ / 250mΩ
350mΩ / 250mΩ
0μA(Typ)-25°C ～ +105°C-25°C ～ +85°C-25°C ～ +85°C

パッケージ

W(Typ) x D(Typ) x H(Max)HSON82.90mm x 3.00mm x 0.60mm

MSOP8
2.90mm x 4.00mm x 0.90mm

基本アプリケーション回路

VCC

CIN

L
EN

VCC,PVCC

SW

VOUT
ITH

VOUT

CO

R2

GND,PGND
R1

RITH

CITH

SON008V5060
5.00mm x 6.00mm x 1.00mm

Figure 1. 基本アプリケーション回路○製品構造：シリコンモノリシック集積回路
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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

端子配置図(Top View)(Top View)

1

ADJ

VCC

8

1

VOUT

VCC

8

2

ITH

PVCC

7

2

ITH

PVCC

7

3

EN

SW

6

3

EN

SW

6

4

GND

PGND

5

4

GND

PGND

5

Figure 3. BD9109FVM

Figure 2. BD9106FVM, BD9107FVM(Top View)(Top View)

ADJ 1

8

EN

VCC 2

7

PVCC

ITH 3

6

SW

GND 4

5

PGND

1

ADJ

VCC

8

2

ITH

PVCC

7

3

EN

SW

6

4

GND

PGND

5

Figure 5. BD9120HFN

Figure 4. BD9110NV

端子説明[BD9106FVM, BD9107FVM, BD9109FVM]
Pin No.
端子名
1
ADJ/VOUT
2
ITH
3
EN
4
GND
5
PGND
6
SW
7
PVCC
8
VCC
[BD9110NV]
Pin No.
端子名
1
ADJ
2
VCC
3
ITH
4
GND
5
PGND
6
SW
7
PVCC
8
EN
[BD9120HFN]
Pin No.
端子名
1
ADJ
2
ITH
3
EN
4
GND
5
PGND
6
SW
7
PVCC
8
VCC
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端子機能
出力電圧検出端子 BD9106 FVM , BD9107FVM の場合 ADJ
GmAmp 出力/位相補償コンデンサ接続端子
イネーブル端子(High アクティブ)
GND 端子Nch FET ソース端子
Pch/Nch FET ドレイン出力端子
Pch FET ソース端子
VCC 電源入力端子
端子機能
出力電圧可変端子
VCC 電源入力端子
GmAmp 出力/位相補償コンデンサ接続端子
GND 端子Nch FET ソース端子
Pch/Nch FET ドレイン出力端子
Pch FET ソース端子
イネーブル端子(High アクティブ)
端子機能
出力電圧可変端子
GmAmp 出力/位相補償コンデンサ接続端子
イネーブル端子(High アクティブ)
GND 端子Nch FET ソース端子
Pch/Nch FET ドレイン出力端子
Pch FET ソース端子
VCC 電源入力端子

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

ラインアップOperatingTemperature
Range

4.0V ～ 5.5V
-25 ～ +85°C
4.5V ～ 5.5V
2.7V ～ 4.5V
-25 ～ +105°C

Outputvoltagerange

Input voltage
range

4.5V ～ 5.5V

Adjustable(1.0 ～ 2.5V)
Adjustable(1.0 ～ 1.8V)
3.30±2%Adjustable(1.0 ～ 1.5V)
Adjustable(1.0 ～ 2.5V)

OutputCurrent（Max）

UVLO
Threshold voltage
（Typ）

0.8A

3.4V

MSOP8

Reel of 3000

BD9106FVM-TR

1.2A

2.7V

MSOP8

Reel of 3000

BD9107FVM-TR

0.8A

3.8V

MSOP8

Reel of 3000

BD9109FVM-TR

0.8A

2.5V

HSON8

Reel of 3000

BD9120HFN-TR

2.0A

3.7V

SON008
V5060

Reel of 2000

BD9110NV-E2

Orderable
Part Number

Package

絶対最大定格(Ta=25°C)
項目

記号

VCC 電圧PVCC 電圧EN 電圧
SW,ITH 電圧
許容損失 1
許容損失 2
動作温度範囲
保存温度範囲最高接合部温度

VCC
PVCC
VEN
VSW ,VITH
Pd1
Pd2
Topr
Tstg
Tjmax

BD910xFVM-0.3～+7 (Note 1)-0.3～+7 (Note 1)

定格
BD9110NV-0.3～+7 (Note 1)-0.3～+7 (Note 1)

BD9120HFN-0.3～+7 (Note 1)-0.3～+7 (Note 1)-0.3～+7-0.3～+70.38 (Note 2)
0.58 (Note 3)-0.3～+7-0.3～+70.64 (Note 4)
5.29 (Note 5)-0.3～+7-0.3～+70.63 (Note 6)
1.75 (Note 7)-25～+85-55～+150+150-25～+105-55～+150+150-25～+85-55～+150
+150

単位
V
V
V
V
W
W
°C
°C
°C

(Note 1) ただし、Pd を超えないこと。
(Note 2) 単体(Note 3) 1 層基板（70mm x 70mm x 1.6mmt）実装時。
(Note 4) 単体(Note 5) 4 層基板（74.2mm x 74.2mm x 1.6mmt, 表層放熱銅箔 5505mm 2）実装時。
(Note 6) 1 層基板（70mm x 70mm x 1.6mmt(銅箔密度 0.2%) 実装時。
(Note 7) 1 層基板（70mm x 70mm x 1.6mmt(銅箔密度 65%) 実装時。
注意：印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を超えた場合は、劣化または破壊に至る可能性があります。また、ショートモードもしくはオープンモードなど、破壊状態を想定できません。絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズなど物理的な安全対策を施して頂けるようご検討お願いします。

推奨動作条件(Ta=25°C)
項目
VCC 電圧PVCC 電圧BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM

BD9110NV

BD9120HFN

最小

最大

最小

最大

最小

最大

最小

最大

最小

最大

VCC (Note 8)

4.0

5.5

4.0

5.5

4.5

5.5

4.5

5.5

2.7

4.5

V

(Note 8)

記号

単位

4.0

5.5

4.0

5.5

4.5

5.5

4.5

5.5

2.7

4.5

V

EN 電圧

VEN

0

VCC

0

VCC

0

VCC

0

VCC

0

VCC

V

SW 端子平均出力電流(Note 8)

-

0.8

-

1.2

-

0.8

-

2.0

-

0.8

A

PVCC
ISW

(Note 8) ただし、Pd を超えないこと。

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

電気的特性
BD9106FVM (Ta=25°C, VCC=5V, VEN=VCC, R1=20kΩ, R2=10kΩ 特に指定のない限り)
項目
記号
最小
標準
最大
スタンバイ時回路電流
ISTB
0
10
アクティブ時回路電流
ICC
250
400
EN Low 電圧
VENL
GND
0.8
VENH
2.0
VCC
EN High 電圧
EN 流入電流
IEN
1
10
動作周波数
fOSC
0.8
1
1.2
Pch FET ON 抵抗(Note 9)
RONP
0.35
0.60
Nch FET ON 抵抗(Note 9)
RONN
0.25
0.50
ADJ 端子電圧
VADJ
0.780
0.800
0.820
出力電圧(Note 9)
VOUT
1.200
ITH シンク電流
ITHSI
10
20
ITH ソース電流
ITHSO
10
20
VUVLOTh
3.2
3.4
3.6
UVLO スレッショルド電圧
UVLO ヒステリシス電圧
VUVLOHys
50
100
200
ソフトスタート時間
tSS
1.5
3
6
タイマーラッチ時間
tLATCH
0.5
1
2

単位
μA
μA
V
V
μA
MHz
Ω
Ω
V
V
μA
μA
V
mV
ms
ms

条件
EN=GND

単位
μA
μA
V
V
μA
MHz
Ω
Ω
V
V
μA
μA
V
mV
ms
ms

条件
EN=GND

単位
μA
μA
V
V
μA
MHz
Ω
Ω
V
μA
μA
V
V
ms
ms
V

条件
EN=GND

スタンバイ時アクティブ時VEN=5V
PVCC=5V
PVCC=5V

ADJ=H
ADJ=L
VCC=H→L(Note 9) 出荷全数検査は行っておりません。

BD9107FVM (Ta=25°C, VCC=5V, VEN=VCC, R1=20kΩ, R2=10kΩ 特に指定のない限り)
項目
記号
最小
標準
最大
ISTB
0
10
スタンバイ時回路電流アクティブ時回路電流
ICC
250
400
EN Low 電圧
VENL
GND
0.8
EN High 電圧
VENH
2.0
VCC
EN 流入電流
IEN
1
10
fOSC
0.8
1
1.2
動作周波数
Pch FET ON 抵抗(Note 9)
RONP
0.35
0.60
Nch FET ON 抵抗(Note 9)
RONN
0.25
0.50
ADJ 端子電圧
VADJ
0.780
0.800
0.820
出力電圧(Note 9)
VOUT
1.200
ITHSI
10
20
ITH シンク電流
ITH ソース電流
ITHSO
10
20
UVLO スレッショルド電圧
VUVLOTh
2.6
2.7
2.8
UVLO ヒステリシス電圧
VUVLOHys
150
300
600
ソフトスタート時間
tSS
0.5
1
2
タイマーラッチ時間
tLATCH
0.5
1
2

スタンバイ時アクティブ時VEN=5V
PVCC=5V
PVCC=5V

VOUT=H
VOUT=LVCC=H→L(Note 9) 出荷全数検査は行っておりません。

BD9109FVM (Ta=25°C, VCC=PVCC=5V, VEN= VCC unless otherwise specified.)
項目
記号
最小
標準
最大
スタンバイ時回路電流
ISTB
0
10
アクティブ時回路電流
ICC
250
400
VENL
GND
0.8
EN Low 電圧
VENH
2.0
VCC
EN High 電圧
IEN
1
10EN 流入電流
fOSC
0.8
1
1.2
動作周波数
RONP
0.35
0.60
Pch FET ON 抵抗(Note 9)
Nch FET ON 抵抗(Note 9)
RONN
0.25
0.50
出力電圧(Note 9)
VOUT
3.234
3.300
3.366
ITH シンク電流
ITHSI
10
20
ITHSO
10
20
ITH ソース電流
VUVLO1
3.6
3.8
4.0
UVLO 検出電圧
VUVLO2
3.65
3.9
4.2
UVLO 解除電圧
tSS
0.5
1
2
ソフトスタート時間
tLATCH
1
2
3
タイマーラッチ時間
出力短絡検出電圧
VSCP
2
2.7

スタンバイ時アクティブ時VEN=5V
PVCC=5V
PVCC=5V
VOUT=H
VOUT=LVCC=H→L
VCC=L→H
SCP/TSD 動作時
VOUT =H→L(Note 9) 出荷全数検査は行っておりません。

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

電気的特性 – 続く
BD9110NV (Ta=25°C, VCC=PVCC=5V, VEN=VCC, R1=10kΩ,R2=5kΩ 特に指定のない限り)
項目
記号
最小
標準
最大
単位
スタンバイ時回路電流
ISTB
0
10
μA
アクティブ時回路電流
ICC
250
350
μA
EN Low 電圧
VENL
GND
0.8
V
EN High 電圧
VENH
2.0
VCC
V
EN 流入電流
IEN
1
10
μA
動作周波数
fOSC
0.8
1
1.2
MHz
Pch FET ON 抵抗(Note 9)
RONP
200
320
mΩ
Nch FET ON 抵抗(Note 9)
RONN
150
270
mΩ
ADJ 端子電圧
VADJ
0.780
0.800
0.820
V
出力電圧(Note 9)
VOUT
1.200
V
ITH シンク電流
ITHSI
10
20
μA
ITH ソース電流
ITHSO
10
20
μA
UVLO スレッショルド電圧
VUVLOTh
3.5
3.7
3.9
V
UVLO ヒステリシス電圧
VUVLOHys
50
100
200
mV
ソフトスタート時間
tSS
2.5
5
10
ms
タイマーラッチ時間
tLATCH
0.5
1
2
ms

条件
EN=GND
スタンバイ時アクティブ時VEN=5V
PVCC=5V
PVCC=5V

VOUT=H
VOUT=LVCC=H→L(Note 9) 出荷全数検査は行っておりません。

BD9120HFN (Ta=25°C, VCC=PVCC=3.3V, VEN=VCC, R1=20kΩ, R2=10kΩ 特に指定のない限り)
項目
記号
最小
標準
最大
単位
スタンバイ時回路電流
ISTB
0
10
μA
アクティブ時回路電流
ICC
200
400
μA
EN Low 電圧
VENL
GND
0.8
V
EN High 電圧
VENH
2.0
VCC
V
EN 流入電流
IEN
1
10
μA
動作周波数
fOSC
0.8
1
1.2
MHz
Pch FET ON 抵抗(Note 9)
RONP
0.35
0.60
Ω
Nch FET ON 抵抗(Note 9)
RONN
0.25
0.50
Ω
ADJ 端子電圧
VADJ
0.780
0.800
0.820
V
出力電圧(Note 9)
VOUT
1.200
V
ITH シンク電流
ITHSI
10
20
μA
ITH ソース電流
ITHSO
10
20
μA
UVLO 検出電圧
VUVLO1
2.400
2.500
2.600
V
UVLO 解除電圧
VUVLO2
2.425
2.550
2.700
V
ソフトスタート時間
tSS
0.5
1
2
ms
タイマーラッチ時間
tLATCH123ms
出力短絡検出電圧
VSCP
VOUTx0.5 VOUTx0.7
V

条件
EN=GND
スタンバイ時アクティブ時VEN=3.3V
PVCC=3.3V
PVCC=3.3V

VOUT=H
VOUT=LVCC=H→L
VCC=L→H
SCP/TSD 動作時
VOUT =H→L(Note 9) 出荷全数検査は行っておりません)

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

ブロック図[BD9106FVM, BD9107FVM]
VCC
VREF

PVCC

VCC

Figure 6. BD9106FVM, BD9107FVM ブロック図[BD9109FVM]
VCC
VREF

PVCC

VCC

VOUT

Figure 7. BD9109FVM ブロック図

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN[BD9110NV]

VCC

PVCC

VCC

Figure 8. BD9110NV ブロック図[BD9120HFN]

VCC
PVCC

VCC

Figure 9. BD9120HFN ブロック図

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ）[VOUT=1.8V]

Output Voltage: VOUT [V][VOUT=1.8V]
Ta=25°C
IO=0A

VCC=5V
Ta=25°C
IO=0A

EN Voltage: VEN [V]Figure 10. Output Voltage vs Input Voltage

Figure 11. Output Voltage vs EN Voltage[VOUT=1.8V][VOUT=1.8V]

Output Voltage: VOUT [V]Input Voltage: VCC [V]Output Voltage: VOUT [V]Output Voltage: VOUT [V][BD9106FVM]

VCC=5V
IO=0A

VCC=5V
Ta=25°C

Output Current: IOUT [A]Temperature: Ta [°C]

Figure 12. Output Voltage vs Output Current

Figure 13. Output Voltage vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ） - 続く

[VOUT=1.8V]

Efficiency: η [%]Frequency: fOSC [MHz]VCC=5V

VCC=5V
Ta=25°C

Output Current: IOUT [mA]

Temperature: Ta [°C]

Figure 14. Efficiency vs Output Current

Figure 15. Frequency vs Temperature

PMOS

EN Voltage: VEN [V]ON-Resistance: RON [Ω]VCC=5V

NMOS

VCC=5V

Temperature: Ta [°C]

Temperature: Ta [°C]

Figure 16. ON-Resistance vs Temperature

Figure 17. EN Voltage vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ） - 続くFrequency: fOSC [MHz]Circuit Current: ICC [µA]

VCC=5V

Temperature: Ta [°C]

Input Voltage: VCC [V]Figure 18. Circuit Current vs Temperature

Figure 19. Frequency vs Input Voltage

波形データ[SLLM control[VOUT=1.8V]

VOUT=1.8V]

VCC=PVCC
=EN
SW

VOUT

] VOUT

VCC=5V
Ta=25°C

VCC=5V
Ta=25°C
IO=0A

Figure 20. Soft Start Waveform

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Figure 21. SW Waveform( IO=10mA)

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

波形データ – 続く
[PWM control

VOUT=1.8V][VOUT=1.8V]
VOUT

SW

VOUT

IOUT
VCC=5V
Ta=25°C

VCC=5V
Ta=25°C

Figure 22. SW Waveform(IO=200mA)

Figure 23. Transient Response(IO=100mA～600mA, 10μs)[VOUT=1.8V]
VOUT

VOUT

IOUT
IOUT
VCC=5V
Ta=25°C

Figure 24. Transient response(Io=600mA～100mA, 10μs)

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ）[BD9107FVM][VOUT=1.5V]

Output Voltage: VOUT [V]Output Voltage: VOUT [V][VOUT=1.5V]
Ta=25°C
IO=0A

VCC=5V
Ta=25°C
IO=0A

Input Voltage: VCC [V]

EN Voltage: VEN [V]Figure 25. Output Voltage vs Input Voltage

VCC=5V
Ta=25°C[VOUT=1.5V]

Output Voltage: VOUT [V]Output Voltage: VOUT [V][VOUT=1.5V]

Figure 26. Output Voltage vs EN Voltage

VCC=5V
IO=0A

Output Current: IOUT [A]Temperature: Ta [°C]

Figure 27. Output Voltage vs Output Current

Figure 28. Output Voltage vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ） - 続く

VCC=5V

Efficiency: η [%]Frequency: fOSC [MHz][VOUT=1.5V]

VCC=5V
Ta=25°C

Output Current: IOUT [mA]

Temperature: Ta [°C]

Figure 29. Efficiency vs Output Current

Figure 30. Frequency vs Temperature

VCC=5VEN Voltage: VEN [V]ON-Resistance: RON [Ω]

PMOS

NMOS

VCC=5V

Temperature: Ta [°C]

Temperature: Ta [°C]
Figure 32. EN Voltage vs Temperature

Figure 31. ON-Resistance vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ） - 続くFrequency: fOSC [MHz]Circuit Current: ICC [µA]

VCC=5V

Temperature: Ta [°C]

Input Voltage: VCC [V]Figure 33. Circuit Current vs Temperature

Figure 34. Frequency vs Input Voltage

波形データ[VOUT=1.5V][SLLM control

VOUT=1.5V]

VCC=PVCC
=EN
SW

VOUT

VOUT
VCC=5V
Ta=25°C
IO=0A

VCC=5V
Ta=25°C

Figure 36. SW Waveform( IO=10mA)

Figure 35. Soft Start Waveform

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

波形データ – 続く

[PWM control[VOUT=1.5V]

VOUT=1.5V]
VOUT

SW

VOUT

IOUT
VCC=5V
Ta=25°C

VCC=5V
Ta=25°C

Figure 37. SW Waveform(IO=500mA)

Figure 38. Transient Response(IO=100mA～600mA, 10μs)[VOUT=1.5V]
VOUT

IOUT
VCC=5V
Ta=25°C

Figure 39. Transient Response(IO=600mA～100mA, 10μs)

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ）[BD9109FVM]

Output Voltage: VOUT [V]Output Voltage: VOUT [V]Ta=25°C
IO=0A

VCC=5V
Ta=25°C
IO=0A

Input Voltage: VCC [V]

EN Voltage: VEN [V]Figure 40. Output Voltage vs Input Voltage

Figure 41. Output Voltage vs EN Voltage

Output Voltage: VOUT [V]Output Voltage: VOUT [V]

VCC=5V
IO=0A

VCC=5V
Ta=25°C

Temperature: Ta [°C]

Output Current: IOUT [A]Figure 43. Output Voltage vs Temperature

Figure 42. Output Voltage vs Output Current

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ） - 続く

Efficiency: η [%]Frequency: fOSC [MHz]VCC=5V

VCC=5V
Ta=25°C

Output Current: IOUT [mA]

Temperature: Ta [°C]

Figure 44. Efficiency vs Output Current

Figure 45. Frequency vs Temperature

VCC=5VPMOSNMOSEN Voltage: VEN [V]ON-Resistance: RON [Ω]VCC=5V

Temperature: Ta [°C]

Temperature: Ta [°C]

Figure 46. ON-Resistance vs Temperature

Figure 47. EN Voltage vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ） - 続くFrequency: fOSC [MHz]Circuit Current: ICC [µA]

VCC=5V

Temperature: Ta [°C]

Input Voltage: VCC [V]Figure 48. Circuit Current vs Temperature

Figure 49. Frequency vs Input Voltage

波形データ[SLLM control]

VCC=PVCC
=EN
SW

VOUT

VOUT

VCC=5V
Ta=25°C

Figure 51. SW Waveform( IO=10mA)

Figure 50. Soft Start Waveform

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

波形データ – 続く
[PWM control]

VOUT

SW

VCC=5V
Ta=25°C

VOUT

IOUT

VCC=5V
Ta=25°C

Figure 53. Transient Response(IO=100mA～600mA, 10μs)

Figure 52. SW Waveform(IO=500mA)

VOUT

IOUT
VCC=5V
Ta=25°C

Figure 54. Transient Response(IO=600mA～100mA, 10μs)

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ）[BD9110NV][VOUT=1.4V]

Output Voltage: VOUT [V]Output Voltage: VOUT [V][VOUT=1.4V]
Ta=25°C
IO=0A

VCC=5V
Ta=25°C
IO=0A

Input Voltage: VCC [V]

EN Voltage: VEN [V]Figure 55. Output Voltage vs Input Voltage

Figure 56. Output Voltage vs EN Voltage[VOUT=1.4V]

Output Voltage: VOUT [V]Output Voltage: VOUT [V][VOUT=1.4V]
VCC=5V
IV
CC=5V
O=0A

IO=0A

VCC=5V
Ta=25°C

Output Current: IOUT [A]Temperature: Ta [°C]
Figure 57. Output Voltage vs Output Current

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Figure 58. Output Voltage vs Temperature

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ） - 続く

[VOUT=1.4V]

VCC=5V

Efficiency: η [%]Frequency: fOSC [MHz]VCC=5V
Ta=25°C

Output Current: IOUT [mA]

Temperature: Ta [°C]

Figure 59. Efficiency vs Output Current

Figure 60. Frequency vs Temperature

VCC=5VEN Voltage
Voltage:: VEN [V]EN

ON-Resistance: RON [Ω]VCC=5V

PMOS
NMOS

Temperature: Ta [°C]

Temperature: Ta [°C]

Figure 61. ON-Resistance vs Temperature

Figure 62. EN Voltage vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ） - 続く

VCC=5V

Frequency: fOSC [MHz]Circuit Current: ICC [µA]

Ta=25°C

Temperature: Ta [°C]

Input Voltage: VCC [V]Figure 63. Circuit Current vs Temperature

Figure 64. Frequency vs Input Voltage

波形データ[VOUT=1.4V][SLLM control

VOUT=1.4V]

VCC=PVCC
=EN
SW

VOUT

VOUT
VCC=5V
Ta=25°C
IO=0A

VCC=5V
Ta=25°C

Figure 65. Soft Start Waveform

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Figure 66. SW Waveform( IO=10mA)

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

波形データ – 続く
[PWM control

VOUT=1.4V][VOUT=1.4V]

SW

VOUT

VOUT

IOUT

VCC=5V
Ta=25°C

Figure 67. SW Waveform( IO=500mA)

VCC=5V
Ta=25°C

Figure 68. Transient Response(IO=100mA～600mA, 10μs)[VOUT=1.4V]
VOUT

IOUT

VCC=5V
Ta=25°C

Figure 69. Transient Response(IO=600mA～100mA, 10μs)

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ）[BD9120HFN][VOUT=1.5V]

Output Voltage: VOUT [V]Output Voltage: VOUT [V][VOUT=1.5V]
Ta=25°C
IO=0A

VCC

VCC=3.3V
Ta=25°C
IO=0A

Input Voltage: VCC [V]

EN Voltage: VEN [V]Figure 70. Output Voltage vs Input Voltage

Figure 71. Output Voltage vs EN Voltage[VOUT=1.5V]
VCC=3.3V
IO=0A

Output Voltage: VOUT [V]Output Voltage: VOUT [V][VOUT=1.5V]

VCC=3.3V
Ta=25°C

Output Current: IOUT [A]Temperature: Ta [°C]

Figure 72. Output Voltage vs Output Current

Figure 73. Output Voltage vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ） - 続く

[VOUT=1.5V]

Efficiency: η [%]Frequency: fOSC [MHz]VCC=3.3V

VCC=3.3V
Ta=25°C

Output Current: IOUT [mA]

Temperature: Ta [°C]

Figure 74. Efficiency vs Output Current

Figure 75. Frequency vs Temperature

VCC=3.3V

EN Voltage: VEN [V]ON-Resistance: RON [Ω]VCC=3.3V

PMOS

NMOS

Temperature: Ta [°C]

Temperature: Ta [°C]

Figure 76. ON-Resistance vs Temperature

Figure 77. EN Voltage vs Temperaturewww.rohm.co.jp© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

特性データ（参考データ） - 続く

VCC=3.3V

Frequency: fOSC [MHz]Circuit Current: ICC [µA]

Ta=25°C

Temperature: Ta [°C]

Input Voltage: VCC [V]Figure 78. Circuit Current vs Temperature

Figure 79. Frequency vs Input Voltage

波形データ[VOUT=1.5V][SLLM control

VOUT=1.5V]

VCC=PVCC
=EN
SW

VOUT
VOUT
VCC=3.3V
VTa=25°C
CC=3.3V
IO=0A
Ta=25°C
IO=0A

Figure 81. SW Waveform( IO=10mA)

Figure 80. Soft Start Waveform

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VCC=3.3V
Ta=25°C

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

波形データ – 続く
[PWM control

VOUT=1.5V][VOUT=1.5V]
VOUT

SW

IOUT
VOUT

VCC=3.3V
Ta=25°C

Figure 82. SW Waveform( IO=200mA)

VCC=3.3V
Ta=25°C

Figure 83. Transient Response(IO=100mA～600mA, 10μs)[VOUT=1.5V]
VOUT

IOUT
VCC=3.3V
Ta=25°C

Figure 84. Transient Response(IO=600mA～100mA, 10μs)

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

アプリケーション情報
1. 動作説明BD9106FVM, BD9107FVM, BD9109FVM, BD9110NV, BD9120HFN はカレントモード PWM 制御方式により高速過渡応答を実現した、降圧型同期整流スイッチングレギュレータです。重負荷状態では Pulse Width Modulation(PWM)モードでスイッチング動作し、負荷が軽い時は効率を向上させるように Simple Light Load Mode(SLLMTM)制御を行っています。
(1)

同期整流
従来の DC/DC コンバータ IC より外付け整流素子分の消費電力を減らすことが出来、P.N 貫通防止機能によって動作時の貫通電流を抑えることにより、セットの消費電力を低減します。

カレントモード PWM 制御
電圧帰還にコイル電流を帰還するループを追加して PWM 制御信号を合成しています。
(a) PWM(Pulse Width Modulation)制御
PWM 発振周波数は 1MHz です。OSC から出力される SET 信号で Pch MOS FET がターン・オン(Nch MOS FET は
ターン・オフ)し、コイル電流 IL が増加します。電流検出比較器(Current Comp)で、電流帰還制御信号(SENSE=IL の変換電圧)が電圧帰還制御信号(FB)と一致すると RESET 信号を出力し、固定周期の残りの期間ターン・オフ(Nch MOS
FET はターン・オン)します。PWM 制御はこれを繰り返します。

(2)(b) SLLMTM (Simple Light Load Mode)制御
重負荷の PWM から軽負荷に入る、または軽負荷から重負荷に入る時に通常の PWM 制御ループで動作させたままス
イッチングパルスを OFF させるため、軽負荷⇔重負荷の切換などによる電圧ドロップや過渡応答性を劣化させることなくリニアに動作させることができます。
OSC の SET 信号と Current Comp 出力の RESET 信号で PWM 制御ループ動作はしますが、軽負荷状態になるとRESET 信号が出力し続けるシステムになっており、スイッチングを OFF させるため、スイッチングパルスが間引かれる制御となります。スイッチングを間欠動作させることによりスイッチングロスを軽減し、効率を向上させることができます。

SENSE
Current
Comp
RESET

VOUT
Level
Shift

R Q
FB

SET

Gm Amp
RITH

SIL
Driver
Logic

VOUT

SW
Load

OSC

Figure 85. カレントモード PWM 制御ブロック図

PVCC

Current
Comp

SENSE

PVCC
SENSE

Current
Comp

FB
SET

FB

GND

SET

GND

RESET

GND

RESET

GND

SW

GND

SW

IL

IL(AVE)

GND
IL
0A

VOUT

VOUT(AVE)

VOUT

VOUT(AVE)

スイッチングなし

Figure 86. PWM スイッチングタイミングチャート

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Figure 87. SLLMTM スイッチングタイミングチャート

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

2. 各ブロック動作説明(1)
ソフトスタート機能
EN 端子を High にすると、ソフトスタート機能が働き起動時の電流に制限をかけながら緩やかに出力電圧が立ち上がりますので、出力電圧のオーバーシュートや突入電流を防ぐことができます。
(2)
シャットダウン機能
EN 端子を Low にするとスタンバイモードとなり、基準電圧・内部発振器・ドライバなど全ての機能ブロックを OFF 状態とします。スタンバイ時の回路電流は 0μA(Typ)です。
(3)
UVLO 機能
BD9106FVM, BD9107FVM, BD9109FVM, BD9110NV, BD9120HFN の出力電圧を確保できる入力電圧が供給されているかを検出します。また、出力のチャタリングを防ぐために検出電圧に 50～300mV(Typ)のヒステリシス幅を設けています。
ヒステリシス幅 50～300mV

VCC

EN

VOUT

tss

tss

tss

ソフトスタート
スタンバイモード

スタンバイ
モード

動作モード

動作モード

スタンバイ
モード

UVLO

UVLO

動作モード

EN

スタンバイモード

UVLO

ソフトスタート時間(Typ)Figure 88. ソフトスタート、シャットダウン、UVLO タイミングチャート
BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM

BD9110NV

BD9120HFN

単位

3

1

1

5

1

ms

tss

(4)
タイマーラッチ式ショート保護機能
電流制限回路を内蔵しており、負荷ショート時など大電流が流れ、制限回路が一定時間(tLATCH)以上連続動作すると、出力が OFF 状態でラッチして、IC の破壊を防止します。EN を再投入するまたは、UVLO を再度解除することで出力は復
帰します。
EN

出力 OFF
ラッチ
VOUT
リミット
IL
tLATCH
スタンバイ
モード

スタンバイ
モード

動作モード

タイマーラッチ

EN

動作モード

EN

タイマーラッチ時間(Typ)tLATCH
注意：

BD9106FVM
1Figure 89. タイマーラッチ式ショート保護タイミングチャート
BD9107FVM BD9109FVM
BD9110NV
BD9120HFN
1
2
1
2

単位
ms

BD9109FVM, BD9120HFN については電流制限回路に加え、出力短絡検出回路も内蔵しており、BD9109FVM は

出力電圧が 2V(Typ),BD9120HFN は VOUTx0.5V(Typ)以下になると、出力 OFF 状態でラッチします。

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

3. お客様への提案
メリット 1：カレントモード制御方式により、高速過渡応答を実現します。
BD9109FVM(負荷応答 IO=100mA→600mA)

従来品(VOUT=3.3V 品)
VOUT

VOUT

228mV

110mV

IOUT

IOUT

負荷急変による出力電圧ドロップが 50%以上減少
Figure 90. 過渡応答比較
メリット 2：BD9106FVM, BD9107FVM, BD9109FVM, BD9110NV, BD9120HFN は全負荷領域で高効率を実現します。
(1) 軽負荷時
軽負荷時はカレントモード SLLMTM 制御を採用、これにより軽負荷時に効率を低下させる原因となるスイッチング損失(PSW )、ゲート充放電損失、出力につくコンデンサの ESR 損失(PESR)、ON 抵抗損失(PRON)を低減

軽負荷時の効率改善を実現(2) 重負荷時
BD9106FVM, BD9107FVM, BD9109FVM, BD9110NV, BD9120HFN は同期整流方式を採用。
また Power Tr に低 ON 抵抗の Power MOS FET を内蔵
100

Efficiency η[%]Pch MOS FET ON 抵抗：0.2～0.35Ω(Typ)Nch MOS FET ON 抵抗：0.15～0.25Ω(Typ)

重負荷時の効率改善を実現

SLLMTM②
50

PWM①SLLM 制御による改善②同期整流方式による改善

0
0.001

軽負荷時、重負荷時それぞれの効率を改善し、全負荷領域で高効率を実現します。
メリット 3：

①

0.01
0.1
Output current :IOUT[A]1

Figure 91. 効率特性

・小型 PKG-Power MOS FET 内蔵で MSOP8・HSON8・SON008V5060 の 3 パッケージをラインアップ
・カレントモード制御により CO=10μF セラコン
・アプリケーションの小型化
・動作周波数 1MHz により L=4.7μH (BD9110NV は Co=22μF, L=2.2μH)

実装面積を削減することができます。
VCC
15mm
CIN
CIN
DC/DC
Convertor
Controller
RITH

RITH
L

VOUT

L

10mm
CITH

Co

CO

CITH

Figure 92. アプリケーション実装例

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BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

4. スイッチング電源の効率について
効率 η は次式のように表せます。

  VOUT  IOUT 100  POUT 100 
VIN  I IN

PIN

POUT
 100
POUT  Pd

%

スイッチングレギュレータの損失の要因 Pdα は、下記のようなものがあげられ、これらを軽減することで効率を向上させることができます。
損失の要因(1) コイル、FET の ON 抵抗による損失：Pd(I2R)

 

Pd I 2 R  IOUT 2  RCOIL  RON 

RCOIL [Ω]：コイルの DC 抵抗
RON [Ω]：FET の ON 抵抗
IOUT [A]：出力電流(2) ゲート充放電損失：Pd(Gate)
Pd GATE  Cgs  f  V 2

Cgs [F]：FET のゲート容量f [Hz]：スイッチング周波数
V [V]：FET のゲート駆動電圧(3) スイッチング損失：Pd(SW)Pd SW  

VIN 2  C RSS  I OUT  f
I DRIVE

CRSS [F]：FET の逆伝達容量
IDRIVE [A]：ゲートのピーク電流(4) コンデンサの ESR 損失：Pd(ESR)

PdESR  I RMS 2  ESR
IRMS [A]：コンデンサのリップル電流
ESR [Ω]：等価直列抵抗(5) IC の動作電流損失：Pd(IC)PdIC   VIN  I CC

ICC [A]：回路電流www.rohm.co.jp© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

5. 許容損失、熱に関する検討
BD9106FVM, BD9107FVM, BD9109FVM, BD9110NV, BD9120HFN は高効率のため、ほとんどのアプリケーションで大きな
発熱などはなく、検討の必要はないと考えておりますが、低入力電圧、高出力電圧、重負荷、高温での使用時には検討する必要があります。
損失は、コイルの DC 抵抗と FET の ON 抵抗による導通損失のみ検討することとします。前途の損失にはその他にゲート
充放電損失やスイッチング損失などがありますが、上記条件においては、導通損失が最も支配的になるからです。

①1 層基板（70mm x 70mm x 1.6mmt）実装時
θja=212.8°C/W②IC 単体θja=322.6°C/W①1.75W①5.297W②1.33W

4 ②3.981W

許容損失:Pd [W]①587.4mW②387.5mW
400200

許容損失:Pd [W]

1.6

800

許容損失:Pd [mW]

6

2.0

1000

600

① 4 層基板（74.2mm x 74.2mm x 1.6mmt
表層放熱銅箔 5505mm 2)実装時 θja=23.6°C/W② 4 層基板（74.2mm x 74.2mm x 1.6mmt
表層放熱銅箔 6.28mm 2)実装時 θja=31.4°C/W③ 1 層基板（74.2mm x 74.2mm x 1.6mmt
表層放熱銅箔 0mm 2)実装時 θja=137.4°C/W④IC 単体時Θja=195.3°C/W① 1 層基板（70mm x 70mm x 1.6mmt
銅箔密度 65%)実装時 θja=71.4°C/W② 1 層基板（70mm x 70mm x 1.6mmt
銅箔密度 7%)実装時 θja=92.4°C/W③ 1 層基板（70mm x 70mm x 1.6mmt
銅箔密度 0.2%)実装時 θja=198.4°C/W

1.2

0.8
③0.63W③0.910W

0.4
0

0
0

25

50

75 85 100

125

150

2

0

25

50

75 85 100

125

150

0 ④0.640W
0
25

50

75

100 105 125150

周囲温度:Ta [°C]

周囲温度:Ta [°C]

周囲温度:Ta [°C]

Figure 93. 熱軽減特性 (MSOP8)

Figure 94. 熱軽減特性 (HSON8)

Figure 95. 熱軽減特性 (SON008V5060)

例) VCC=5V,VOUT=3.3V,RCOIL=0.15Ω,RONP=0.35Ω,RONN=0.25Ω
IOUT=0.8A, のとき
D=VOUT/VCC=3.3/5=0.66
RON=0.66x0.35+(1-0.66)x0.25=0.231+0.085=0.316[Ω]P=0.82x(0.15+0.316)≈298[mV]P  I OUT 2  RCOIL  RON 

RON  D  RONP  1  D   RONN

D：ON デューティ(=VOUT/VCC)
RCOIL：コイルの DC 抵抗
RONP：Pch MOS FET のオン抵抗
RONN：Nch MOS FET のオン抵抗
IOUT：出力電流BD9106FVM, BD9107FVM, BD9109FVM, BD9110NV, BD9120HFN は RONP>RONN であり、ON デューティが大きいほど損失が大きくなります。以上の許容損失を考慮し、充分マージンを持った熱設計を行ってください。

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BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

6. 外付け部品の選定(1) コイル(L)の選定
コイルの値は、出力リップル電流に大きく影響します。
式(1)のようにコイルが大きいほど、また、スイッチング周波数が高いほどリップル電流は下がります。

IL
ΔIL

I L 

VCC

VCC  VOUT   VOUT
L  VCC  f

A ・・・(1)

出力リップル電流の適当な設定値は、最大出力電流の 30%程度です。

IL

I L  0.3  I OUTMax

VOUT
L

L

Co

VCC  VOUT  VOUT
I L  VCC  f

A ・・・(2)H  ・・・(3)ΔIL:出力リップル電流
f:スイッチング周波数

Figure 96. 出力リップル電流

注意：コイルの定格電流値を越える電流をコイルに流しますと、コイルが磁気飽和を起こし、効率が低下します。
ピーク電流がコイルの定格電流値を超えないよう充分なマージンをもって選定してください。
例) BD9109FVM VCC=5V, VOUT=3.3V, f=1MHz, ΔIL=0.3x0.8A=0.24A のとき

L(5  3.3)  3.3
 4.675  4.7
0.24  5  1M

H 

注意：コイルでの損失を少なくし、効率をよくするため、抵抗成分(DCR,ACR)の低いコイルを選定してください。

(2)

出力コンデンサ(CO)の選定
VCC

出力側コンデンサは、出力電圧の安定領域やリップル電圧を平滑化するのに必要な等価直列抵抗を考慮して決定してください。
VOUT

L

ESR
Co

Figure 97. 出力コンデンサ

出力リップル電圧は、式(4)のように決定されます。
VOUT  I L  ESR [V ] ・・・(4)ΔIL:出力リップル電流
ESR:Co の等価直列抵抗
注意：コンデンサの定格は、出力電圧に対し充分なマージンをもって選定してください。ESR は小さい方が出力リップル電圧を小さくすることができます。

また、出力の立ち上がり時間は、ソフトスタート時間内に設定する必要があるため、
出力コンデンサの容量は式(5)の条件も考慮してください。
t  ( I LIMIT  IOUT )CO  SS・・・(5)
VOUT

tss:ソフトスタート時間
Ilimit :過電流検出、2A(Typ)例) BD9109FVM の場合、VOUT=3.3V, IOUT=0.8A, tSS=1ms のとき、1m  2  0.8
F 
CO 
 364
3.3
容量値が最適でないと起動不良などが発生する可能性もあるため、10μF～100μF 程度のセラミックコンデンサを推奨します。

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BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

入力コンデンサ(CIN)の選定

(3)
VCC

入力側コンデンサの選定におきましては、大きな過渡電圧を防止するために大きなリップル電流に充分対応できる大きさの低 ESR の入力コンデンサである
必要があります。リップル電流 IRMS は式(6)で与えられます。

CIN

VOUT
L

I RMS  IOUT 

VOUT VCC  VOUT 
VCCCoA・・・(6)<ワースト条件>IRMSMax
VCC=2 x VOUT の時、IRMS=
Figure 98. 入力コンデンサ

IOUT
2例) BD9109FVM VCC=5V, VOUT=3.3V, IOUTMax=0.8A のとき

I RMS  0.8 

3.3(5  3.3)
 0.385

ARMS また、入力コンデンサの ESR 損失を少なくし、効率をよくするために低 ESR の 10V 耐圧 10μF 程度のセラミックコン
デンサを推奨します。
(4)

位相補償回路 RITH,CITH の設定
カレントモード制御では、コイル電流が制御されているため、出力コンデンサと負荷抵抗からなる CR フィルターによるポール(位相遅れ)が低周波数領域に一つと、出力コンデンサとコンデンサの ESR によるゼロ(位相進み)が高周波領域に一つだけできます。そこで電力増幅段のポールをキャンセルするために、誤差増幅器の出力に下記のように C と R でゼロ点を追加するだけで簡単に補償できます。
fp(Min)

fp 

A
Gain
[dB]

fp(Max)f Z ESR 

0fz(ESR)IOUTMin

Phase
[deg]

1
2  RO  CO

IOUTMax

1
2  ESR CO

電力増幅段のポールについて
出力電流が減少すると、負荷抵抗 RO が増大しポールの周波数は低くなります。

0-90

fpMin 

Figure 99. オープンループゲイン特性

fpMax Afz(Amp)1
2  ROMax  CO

[ Hz] ←軽負荷時

1
2  ROMin  CO

[ Hz] ←重負荷時

電力増幅段のゼロについて
出力コンデンサを大きくすると、ポール周波数は低くなりま
すが、ゼロ周波数は変化しません。(これは容量が 2 倍になるとコンデンサの ESR は 1/2 になるからです。)

Gain
[dB]
0
0

f Z  Amp  

Phase
[deg]
-90

1
2  R ITH  C ITH

Figure 100. エラーアンプ位相補償特性

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BD9106FVM

VCC

BD9107FVM

CIN
EN
VOUT

BD9109FVM BD9110NV

VCC,PVCC

L
SW

VOUT

VOUT
ITH

BD9120HFN

ESR
GND,PGND

RO

CO

RITH
CITH

Figure 101. 外付け部品概略図
安定した帰還ループを作るためには、次のように、出力コンデンサと負荷抵抗によってできるポール fp(Min)をエラーア
ンプの CR ゼロ補正でキャンセルすることで実現されます。

fz Amp   fpMin



(5)

1
2  RITH  CITH



12  ROMax  CO

出力電圧の設定(BD9109FVM を除く)
出力電圧 VOUT は次式(7)により決定されます。
VOUT  R2 / R1  1 VADJ ・・・(7)L
6OutputSW

VADJ:ADJ 端子電圧(0.8V Typ)
R1、R2 を調節することで自由に出力電圧を設定できます。

CO

R2

1
ADJ

R1

出力電圧設定範囲は 1.0V～1.5V / BD9107FVM, BD9120HFN
1.0V～2.5V / BD9106FVM, BD9110NV
Figure 102. 出力電圧設定抵抗
また、R1 には 1kΩ～100kΩ 程度の抵抗値をご使用ください。
100kΩ 以上の大きな抵抗値を使用する場合は、
リップル電圧等をセットにて十分ご確認いただきますようお願いします。

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BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

7. 評価ボードレイアウト
BD9106FVM, BD9107FVM, BD9109FVM, BD9120HFN

1VOUT/ADJ

VCC

8

2

ITH

PVCC

7

VCC

RITH

CIN

EN

3

EN

SW

6

4

GND

PGND

5

①

L

VOUT

CITH

CO
GND

②

③

Figure 103. 基板レイアウト簡易図

BD9110NV
VCC
R2
1
2

R1

3
RITH
③
CITH

EN 8

ADJ
VCC

PVCC

ITH

SW

GND

PGND

4

EN

7

5

①

L

6

VOUT
CIN
②

Co

GND
Figure 104. 基板レイアウト簡易図①太線の部分は幅広のパターンで出来るだけ短くレイアウトしてください。
②入力のセラミックコンデンサ CIN は、IC の PVCC-PGND ピンに近い位置に、また出力コンデンサ CO は IC のPGND ピンに近い位置にレイアウトしてください。
③ITH-GND ピン間の CITH、RITH は出来るだけ配線の引き回しのないようレイアウトしてください。
注意：HSON8 (BD9120HFN), SON008V5060 (BD9110NV)の裏面(放熱 FIN)は基板で最も面積のとれる GND 電位にして実装してください。より放熱性を向上させることができます。

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BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

8. 上記アプリケーションでの推奨部品リスト[BD9106FVM]
番号
品名

値

BD9120HFN

メーカー

型番

SumidaCMD6D11B

TDK

VLF5014AT-4R7M1R1

L

コイル

4.7μH

CIN

セラミックコンデンサ

10μF

京セラ

CM316X5R106K10A

COセラミックコンデンサ

10μF

京セラ

CM316X5R106K10A

CITH

セラミックコンデンサ

RITH

抵抗

[BD9107FVM]
番号

品名

murata

GRM18series

VOUT=1.0V 時

750pF
18kΩ

ROHM

MCR10 1802

VOUT=1.2V 時

22kΩ

ROHM

MCR10 2202

VOUT=1.5V 時

22kΩ

ROHM

MCR10 2202

VOUT=1.8V 時

27kΩ

ROHM

MCR10 2702

VOUT=2.5V 時

36kΩ

ROHM

MCR10 3602

値

メーカー

型番

SumidaCMD6D11B

TDK

VLF5014AT-4R7M1R1

L

コイル

4.7μH

CIN

セラミックコンデンサ

10μF

京セラ

CM316X5R106K10A

COセラミックコンデンサ

10μF

京セラ

CM316X5R106K10A

CITH

セラミックコンデンサ

RITH

抵抗

[BD9109FVM]
番号

品名

murata

GRM18series

VOUT=1.0V 時

1000pF
4.3kΩ

ROHM

MCR10 4301

VOUT=1.2V 時

6.8kΩ

ROHM

MCR10 6801

VOUT=1.5V 時

9.1kΩ

ROHM

MCR10 9101

VOUT=1.8V 時

12kΩ

ROHM

MCR10 1202

値

メーカー

型番

SumidaCMD6D11B

TDK

VLF5014AT-4R7M1R1

L

コイル

4.7μH

CIN

セラミックコンデンサ

10μF

京セラ

CM316X5R106K10A

COセラミックコンデンサ

10μF

京セラ

CM316X5R106K10A

CITH

セラミックコンデンサ

330pF

murata

GRM18 Series

RITH

抵抗

30kΩ

ROHM

MCR10 3002

値

メーカー

型番

[BD9110NV]
番号

品名

L

コイル

2.2μH

TDK

LTF5022T-2R2N3R2

CIN

セラミックコンデンサ

10μF

京セラ

CM316X5R106M10A

CO

セラミックコンデンサ

22μF

京セラ

CM316B22K06A

CITH

セラミックコンデンサ

1000pFmurata

GRM18 Series

ROHM

MCR10 1202

VOUT=1.0V 時
VOUT=1.2V 時
RITH

抵抗

VOUT=1.5V 時

12kΩ

VOUT=1.8V 時
VOUT=2.5V 時

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV[BD9120HFN]
番号

品名

値

BD9120HFN

メーカー

型番

SumidaCMD6D11B

TDK

VLF5014AT-4R7M1R1

L

コイル

4.7μH

CIN

セラミックコンデンサ

10μF

京セラ

CM316X5R106K10A

COセラミックコンデンサ

10μF

京セラ

CM316X5R106K10A

CITH

セラミックコンデンサ

680pF

RITH

抵抗

murata

GRM18 Series

VOUT=1.0V 時

8.2kΩ

ROHM

MCR10 8201

VOUT=1.2V 時

8.2kΩ

ROHM

MCR10 8201

VOUT=1.5V 時

4.7kΩ

ROHM

MCR10 4701

注意：推奨部品リスト例は推奨すべきものと確信しておりますが、ご使用にあたってはセットでの特性確認を十分にお願いします。
また、スイッチングノイズ等の影響が大きい場合は、VCC-PVCC 間にローパスフィルタを、SW-PGND 間にショットキーダイオードを挿入するようにお願いします。その他外付け回路定数を変更してご使用になる時は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び当社 IC のバラツキ等を考慮して十分マージンを見て決定してください。

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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

入出力等価回路図[BD9106FVM, BD9107FVM, BD9109FVM]
・EN pin

PVCC

・SW pin

VCC

10kΩ

PVCC

PVCC

SW

EN

・VOUT pin (BD9109FVM)

・ADJ pin (BD9106FVM, BD9107FVM)

VCC

VCC

10kΩ

10kΩ

VOUT

ADJ

・ITH pin
VCC

VCC

ITH

[BD9110NV, BD9120HFN]
・EN pinEN

・SW pin

PVCC

PVCC

PVCC

10kΩ
SW

・ITH pin (BD9120HFN)・ITH pin (BD9110NV)

VCC

VCC

ITH

ITH

ADJ pin10kΩ
ADJ

Figure 105. I/O 入出力等価回路図
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BD9106FVM

BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN

使用上の注意1.

電源の逆接続について
電源コネクタの逆接続により LSI が破壊する恐れがあります。逆接続破壊保護用として外部に電源と LSI の電源端子間にダイオードを入れるなどの対策を施してください。

2.

電源ラインについて
基板パターンの設計においては、電源ラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。その際、デジタル系電源とアナログ系電源は、それらが同電位であっても、デジタル系電源パターンとアナログ系電源パターンは分離し、配線パターンの共通インピーダンスによるアナログ電源へのデジタル・ノイズの回り込みを抑止してください。グラウンドラインについても、同様のパターン設計を考慮してください。
また、LSI のすべての電源端子について電源－グラウンド端子間にコンデンサを挿入するとともに、電解コンデンサ
使用の際は、低温で容量ぬけが起こることなど使用するコンデンサの諸特性に問題ないことを十分ご確認のうえ、定数を決定してください。

3.

グラウンド電位について
グラウンド端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また実際に過渡現象を含め、グラウンド端子以外のすべての端子がグラウンド以下の電圧にならないようにしてください。

4.

グラウンド配線パターンについて
小信号グラウンドと大電流グラウンドがある場合、大電流グラウンドパターンと小信号グラウンドパターンは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が小信号グラウンドの電圧を変化させないように、セットの基準点で1 点アースすることを推奨します。外付け部品のグラウンドの配線パターンも変動しないよう注意してください。グラウンドラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。

5.

熱設計について
万一、許容損失を超えるようなご使用をされますと、チップ温度上昇により、IC 本来の性質を悪化させることにつながります。本仕様書の絶対最大定格に記載しています許容損失を超える場合は基板サイズを大きくする、放熱用銅箔
面積を大きくする、放熱板を使用するなどの対策をして、許容損失を超えないようにしてください。

6.

推奨動作条件について
この範囲であればほぼ期待通りの特性を得ることができる範囲です。電気特性については各項目の条件下において保証されるものです。

7.

ラッシュカレントについて
IC 内部論理回路は、電源投入時に論理不定状態で、瞬間的にラッシュカレントが流れる場合がありますので、電源カ
ップリング容量や電源、グラウンドパターン配線の幅、引き回しに注意してください。

8.

強電磁界中の動作について
強電磁界中でのご使用では、まれに誤動作する可能性がありますのでご注意ください。

9.

セット基板での検査について
セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合は、IC にストレスがかかる恐れがあるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立工程にはアースを施し、運搬や保存の際には十分ご注意ください。また、検査工程での治具への接続をする際には必ず電源を OFF にしてから接続し、電源を OFF にしてから取り外してください。

10. 端子間ショートと誤装着について
プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分注意してください。誤って取り付けた場合、IC が破壊する恐れがあります。また、出力と電源及びグラウンド間、出力間に異物が入るなどしてショートした場合についても破壊の恐れがあります。

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使用上の注意BD9107FVM

BD9109FVM BD9110NV

BD9120HFN― 続き

11. 未使用の入力端子の処理について
CMOS トランジスタの入力は非常にインピーダンスが高く、入力端子をオープンにすることで論理不定の状態になります。これにより内部の論理ゲートの p チャネル、n チャネルトランジスタが導通状態となり、不要な電源電流が流れます。また 論理不定により、想定外の動作をすることがあります。よって、未使用の端子は特に仕様書上でうたわれていない限り、適切な電源、もしくはグラウンドに接続するようにしてください。
12. 各入力端子について
本 IC はモノリシック IC であり、各素子間に素子分離のための P+アイソレーションと、P 基板を有しています。
この P 層と各素子の N 層とで P-N 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。
例えば、下図のように、抵抗とトランジスタが端子と接続されている場合、○抵抗では、GND＞(端子 A)の時、トランジスタ(NPN)では GND > (端子 B)の時、P-N 接合が寄生ダイオードとして動作します。
○また、トランジスタ(NPN)では、GND > (端子 B)の時、前述の寄生ダイオードと近接する他の素子の N 層によって寄生の NPN トランジスタが動作します。
IC の構造上、寄生素子は電位関係によって必然的にできます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因ともなり得ます。したがって、入出力端子に GND(P 基板)より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。アプリケーションにおいて電源端子と各端子電圧が逆になった場合、内部回路または素子を損傷する可能性があります。例えば、外付けコンデン
サに電荷がチャージされた状態で、電源端子が GND にショートされた場合などです。また、電源端子直列に逆流防止のダイオードもしくは各端子と電源端子間にバイパスのダイオードを挿入することを推奨します。
抵抗トランジスタ (NPN)
端子B

端子A

C

E

端子A
N

P+

P
N

N

P+

N

端子B

B

寄生素子

N

P+

N P

N

P+

C
E
寄生素子

P基板

P基板
寄生素子

B
N

GND

寄生素子

GND

GND

近傍する
他の素子

GND

Figure 106. モノリシック IC 構造例
13. 温度保護回路について
IC を熱破壊から防ぐための温度保護回路を内蔵しております。許容損失範囲内でご使用いただきますが、万が一許容損失を超えた状態が継続すると、チップ温度 Tj が上昇し温度保護回路が動作し出力パワー素子が OFF します。
その後チップ温度 Tj が低下すると回路は自動で復帰します。なお、温度保護回路は絶対最大定格を超えた状態での動作となりますので、温度保護回路を使用したセット設計などは、絶対に避けてください。

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BD9107FVM

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BD9120HFNxxx

発注形名情報

B

D

9

1

x

形名

x

x

x

パッケージ

-

包装、フォーミング仕様

NV : SON008V5060
FVM : MSOP8
HFN : HSON8

E2: リール状エンボステーピング(SON008V5060,)
TR: リール状エンボステーピング(MSOP8, HSON8)

標印図BD9106FVM
MSOP8(TOP VIEW)

BD9107FVM
MSOP8(TOP VIEW)
Part Number Marking

D 9

1

0

6

Part Number Marking

LOT Number

D 9

1

0

7

1PIN MARK

1PIN MARK

BD9109FVM
MSOP8(TOP VIEW)

BD9110NV
SON008V5060 (TOP VIEW)
Part Number Marking

Part Number Marking

D 9
0

1
9

LOT Number

BD9 110

LOT Number

LOT Number

1PIN MARK
1PIN MARK
BD9120HFN
HSON8 (TOP VIEW)
Part Number Marking

D 9 1

LOT Number

2 0

1PIN MARK

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外形寸法図と包装・フォーミング仕様

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MSOP8

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BD9107FVM

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BD9120HFN

外形寸法図と包装・フォーミング仕様 – 続く

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HSON8

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外形寸法図と包装・フォーミング仕様 – 続く

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SON008V5060

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BD9120HFN

改訂記録
Date
2012.01.17
2013.09.20
2014.10.02
2019.04.03

改訂

Revision
001
002
003
004

新規リリース
許容損失に関する項目を修正
フォーマット変更による全面改訂
発注形名情報を修正

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ご注意
ローム製品取扱い上の注意事項
1.

本製品は一般的な電子機器（AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）への使用を意図して設計・製造されております。したがいまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器(Note 1)、輸送機器、
交通機器、航空宇宙機器、原子力制御装置、燃料制御、カーアクセサリを含む車載機器、各種安全装置等）（以下「特定用途」という）への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し、ロームは一切その責任を負いません。
(Note 1) 特定用途となる医療機器分類
日本
USA
EU
CLASSⅢ
CLASSⅡb
CLASSⅢ
CLASSⅣ
CLASSⅢ中国
Ⅲ類

2.

半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や故障が生じた場合であっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。
①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。
②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。

3.

本製品は、一般的な電子機器に標準的な用途で使用されることを意図して設計・製造されており、下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。したがいまして、下記のような特殊環境での本製品のご使用に関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使用される際は、お客様におかれまして十分に性能、信頼性等をご確認ください。
①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用③潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用④静電気や電磁波の強い環境でのご使用⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合。
⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用。
⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合(無洗浄タイプのフラックスを使用される場合は除く。ただし、残渣については十分に確認をお願いします。)又は、はんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合⑧本製品が結露するような場所でのご使用。

4.

本製品は耐放射線設計はなされておりません。

5.

本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に実装された状態での評価及び確認をお願い致します。

6.

パルス等の過渡的な負荷（短時間での大きな負荷）が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ずその評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。

7.

電力損失は周囲温度に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、必ず温度測定を行い、最高接合部温度を超えていない範囲であることをご確認ください。

8.

使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。

9.

本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いません。

実装及び基板設計上の注意事項
1.

ハロゲン系（塩素系、臭素系等）の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。

2.

はんだ付けは、表面実装製品の場合リフロー方式、挿入実装製品の場合フロー方式を原則とさせて頂きます。なお、表面実装製品をフロー方式での使用をご検討の際は別途ロームまでお問い合わせください。
その他、詳細な実装条件及び手はんだによる実装、基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書をご確認ください。

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Rev.004

応用回路、外付け回路等に関する注意事項
1.

本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品のバラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。

2.

本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。したがいまして、お客様の機器の設計において、回路やその定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行ってください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。

静電気に対する注意事項
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、保管時において静電気対策を実施のうえ、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。（人体及び設備のアース、帯電物からの隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等）

保管・運搬上の注意事項
1.

本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがありますのでこのような環境及び条件での保管は避けてください。
①潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所での保管②推奨温度、湿度以外での保管③直射日光や結露する場所での保管④強い静電気が発生している場所での保管

2.

ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性があります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します。

3.

本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き（梱包箱に表示されている天面方向）で取り扱いください。天面方向が遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する
危険があります。

4.

防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行ったうえでご使用ください。

製品ラベルに関する注意事項
本製品に貼付されている製品ラベルに２次元バーコードが印字されていますが、２次元バーコードはロームの社内管理のみを目的としたものです。

製品廃棄上の注意事項
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。

外国為替及び外国貿易法に関する注意事項
本製品は外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物等に該当するおそれがありますので輸出する場合には、ロームにお問い合わせください。

知的財産権に関する注意事項
1.

本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。

2.

ロームは、本製品とその他の外部素子、外部回路あるいは外部装置等（ソフトウェア含む）との組み合わせに起因して生じた紛争に関して、何ら義務を負うものではありません。

3.

ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ロームもしくは第三者が所有又は管理している知的財産権 その他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。 ただし、本製品を通常の用法にて使用される限りにおいて、ロームが所有又は管理する知的財産権を利用されることを妨げません。

その他の注意事項
1.

本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します。

2.

本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく、分解、改造、改変、複製等しないでください。

3.

本製品又は本資料に記載された技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用、あるいはその他軍事用途目的で使用しないでください。

4.

本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社もしくは第三者の商標又は登録商標です。

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Datasheet
一般的な注意事項
1.

本製品をご使用になる前に、本資料をよく読み、その内容を十分に理解されるようお願い致します。本資料に記載される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いませんのでご注意願います。

2.

本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。本製品のご購入及びご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。

3.

ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても、ロームは一切その責任を負いません。

Notice – WE

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