Datasheet
6 V ~ 28 V、1.2 A 1ch

降圧スイッチングレギュレータ
パワーMOSFET 内蔵タイプ
BD9E151ANUX
概要

重要特性

BD9E151ANUX は高入力電圧 28 V に対応したパワー
MOSFET 内蔵ダイオード整流降圧コンバータです。ダイ
オード整流であるため、軽負荷時には自動的にパルスがスキップし高効率を維持することが可能です。また、シャットダウン時電源電流が 0 μA と小さいため、バッテリ駆動アプリケーションに使用可能です。セラミック・コ
ンデンサの使用が可能なことと、電流モード制御による高速負荷応答や簡単な外部設定位相補償システムを有していることから、広い範囲の外付け定数にて小型の電源を簡単に作成することが可能です。






入力電圧範囲：基準電圧精度 (Ta = 25 °C)：
出力最大電流：動作温度範囲：パッケージ

6 V ～ 28 V
1 V ±1.0 [%]1.2 A (Max)-40 °C ～ +85 °C

W (Typ) x D (Typ) x H (Max)
2.0 mm x 3.0 mm x 0.6 mm

VSON008X2030

特長








広い入力範囲 (VIN = 6 V ～ 28 V)
30 V / 80 mΩ パワーMOSFET 内蔵
600 kHz (Typ)高周波動作
基準電圧 (1.0 V ± 1.0 %) 回路内蔵
過電流保護 (OCP)、低入力誤動作防止 (UVLO)、
過電圧保護 (OVP)、過熱保護機能 (TSD) 内蔵
スタンバイ機能 (IIN = 0 μA)
小型 VSON008X2030 パッケージ

用途




監視カメラ
民生機器 12 V / 24 V BUS ライン
OA 機器

基本アプリケーション回路
CBSTC:BST
0.1: 0.1μF
μF

1CVINC:VIN
10: 10μF/35V
μF / 35 V
VIN

ON/OFF
control

BST

LX

L:L:15
μH
15μH

8

Cout
::
OUT
47μF/16V
47
μF / 16 V

D1
2

3

4

VIN

GND

EN

VC

SS

FB

7

6

5

CSS
: 0.047μF
CSS: 0.047μF○製品構造：シリコンを主材料とした半導体集積回路
www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 14 • 001

VOUT

C1:
10000 pF
C1: 10000pF

R1:kΩ
R1: 1212kΩ

R3: 2.7kΩ
2.7 kΩ
R3:
R2:kΩ
R2: 33kΩ

○耐放射線設計はしておりません

1/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
端子配置図(TOP VIEW)

BST

1

VIN

2

8

Lx
LX

7

GND

EXP-PAD
EN

3

6

VC

SS

4

5

FB

端子説明
端子番号

端子名

機能

1

BST

ブートストラップコンデンサ接続端子

2

VIN

電源入力端子

3

EN

EN 端子

4

SS

ソフトスタート設定端子

5

FB

フィードバック入力端子

6

VC

エラーアンプ出力端子

7

GND

接地端子

8

LX

スイッチ端子-EXP-PAD

EXP-PAD は GND に接続してください。

ブロック図
ON/OFF

EN
VIN
TSD

UVLO

Reference

REG

VREF

Current Sense
AMP

shutdown

FB
1.0 V

SS

+
+

BST
Current
Comparator

Error
AMP
Σ

+

R
S

80 mΩ

Q

VOUT

LX

Soft
Start

GND

Oscillator

VC

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

2/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
各ブロック動作説明
1.

Reference
IC 内部の基準電圧を生成するブロックです。EN 端子を High にすることにより動作します。
エラーアンプ基準電圧 1.0 V (Typ)や発振器の基準等様々なブロックに基準電圧を供給しています。

2.

REG
ゲート駆動および内部回路電源用レギュレータです。

3.

Oscillator
動作周波数が 600 kHz (Typ)固定の発振回路です。

4.

Soft Start
DC/DC コンバータの出力電圧を緩やかに上昇させることにより、起動時の突入電流を防ぐ回路です。
ソフトスタート時間は SS 端子に接続されるコンデンサと SS 端子充電電流により決定されます。

5.

Error AMP
出力信号を検出し、PWM 制御信号を出力する誤差増幅器です。
内部基準電圧は 1.0 V (Typ)に設定しています。

6.

OVP
FB 端子により出力電圧をモニタし、出力電圧が設定値の 110 %以上になると出力 FET を OFF します。
出力電圧が設定値の 105 %以下になると再び FET を ON することが可能となります。

7.

Current Comparator
電流フィードバックとエラーアンプ出力から PWM 信号を出力する電流モード用コンパレータです。

8.

OCP
FET に流れる電流をモニタし、過電流 2.2 A (Typ)を検出すると出力 FET を OFF します。
また、2 周期連続で過電流を検出すると、ラッチ停止します。この時、SS 端子電圧と VC 端子電圧もリセットされ、SS 端子電圧が 0.1 V まで到達すると自動復帰します。

9.

パワーMOSFET
30V 耐圧でオン抵抗 80 mΩ のパワーMOSFET です。
パワーMOSFET の電流定格は 1.6 A なので、インダクタのリプル電流を含め 1.6 A 以内で使用してください。

10. UVLO
低電圧誤動作防止回路です。
電源電圧の立ち上がり時及び電源電圧低下時の内部回路の誤動作を防止します。
VIN 端子電圧をモニタしており、VIN 電圧が UVLO 検出スレッショルド以下になると出力 FET を OFF し、ソフトス
タート回路をリセットします。UVLO 検出スレッショルドはヒステリシスを有しています。
11. TSD
過熱保護回路です。
最大接合部温度 (Tjmax = 150 °C) を超える熱を検知すると、出力 FET を OFF し、ソフトスタート回路をリセットします。温度が低下するとヒステリシスを持って自動復帰します。
12. EN
この端子に 2.4 V 以上の電圧を印加すると ON、オープンもしくは 0.8 V 以下の電圧を印加すると OFF とします。

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

3/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
絶対最大定格 (Ta = 25 °C)
項

目

記号

定

格

単位

電源電圧

VIN

30

V

BST – GND 間

VBST

37

V

BST – LX 間

∆VBST

7

V

EN – GND 間

VEN

30

V

LX – GND 間

VLX

30

V

FB – GND 間

VFB

7

V

VC – GND 間

VVC

7

V

SS – GND 間

VSS

7

V

パワーMOSFET 電流

IDH

1.6

A

最高接合部温度

Tjmax

150

°C

保存温度範囲Tstg-55 ～ +125

°C

注意 1：印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を超えた場合は、劣化または破壊に至る可能性があります。また、ショートモードもしくはオープンモードなど、破壊状態を想定できません。絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズなど物理的な安全対策を施していただけ
るようご検討お願いします。
注意 2：最高接合部温度を超えるようなご使用をされますと、チップ温度上昇により、IC 本来の性質を悪化させることにつながります。最高接合部温度を超える場合は基板サイズを大きくする、放熱用銅箔面積を大きくする、放熱板を使用するなど、最高接合部温度を超えないよう熱抵抗にご配慮ください。

熱抵抗 (Note 1)
項目

記号ジャンクション―周囲温度間熱抵抗
ジャンクション―パッケージ上面中心間熱特性パラメータ(Note 2)

熱抵抗 (Typ)単位

1 層基板(Note 3)

4 層基板(Note 4)

θJA

308.3

69.6

°C/W

ΨJT

43

10

°C/W

VSON008X2030(Note 1) JESD51-2A(Still-Air)に準拠。
(Note 2) ジャンクションからパッケージ（モールド部分）上面中心までの熱特性パラメータ。
(Note 3) JESD51-3 に準拠した基板を使用。
(Note 4) JESD51-5,7 に準拠した基板を使用。

測定基板

基板材

基板寸法

1層

FR-4

114.3 mm x 76.2 mm x 1.57 mmt

1 層目（表面）銅箔銅箔パターン
実装ランドパターン＋電極引出し用配線

銅箔厚

測定基板

基板材

基板寸法

4層

FR-4

114.3 mm x 76.2 mm x 1.6 mmt

サーマルビア(Note 5)
ピッチ
直径1.20 mm
Φ0.30 mm

2 層目、3 層目（内層）銅箔

4 層目（裏面）銅箔

70 μm

1 層目（表面）銅箔銅箔パターン
実装ランドパターン＋電極引出し用配線

銅箔厚

銅箔パターン

銅箔厚

銅箔パターン

銅箔厚70 μm

74.2 mm□（正方形）

35 μm

74.2 mm□（正方形）70 μm(Note 5) 貫通ビア。全層の銅箔と接続する。配置はランドパターンに従う。

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

4/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
推奨動作条件
項

目

記号

最小

標準

最大

単位

電源電圧

VIN

6

-

V

出力電圧

VOUT

(Note 6)

28
VIN x
0.7
or
VIN – 51.0-

V(Note 7)

出力電流

IOUT

-

-

1.2

A

動作温度

Topr

-40

+25

+85

°C

(Note 6) 最小パルス幅 100 ns(Typ)により制限されます。
(Note 7) BSTUVLO or Max Duty により制限されます(p.14 参照)。低いほうの値を最大値として設定してください。

電気的特性 (特に指定のない限り VIN = 12 V, VOUT = 5 V, EN = 5 V, Ta = 25 °C)
項

目

記号

最小

標準

最大

単位

条

件

スタンバイ時回路電流

IST

-

0

10

μA

VEN = 0 V

動作時回路電流

IIN

-

0.8

1.6

mA

VFB = 1.5 V

解除スレッショルド電圧

VUV

5.0

5.4

5.8

V

VIN rising

ヒステリシス幅

VUVHY

-

200

400

mV

発振周波数

fSW

540

600

660

kHz

Max Duty Cycle

DMAX

85

91

-

%

VTHFB

0.990

1.000

1.010

V

FB 端子入力電流

IFB

-1.0

0

1.0

μA

DC ゲイン

AVEA

-

600

6000

V/V

相互コンダクタンス

GEA

-

250

500

μA/V

GCS

-

10

20

A/V

ハイサイドパワーMOSFET ON 抵抗

RONH

-

80

160

mΩ

ハイサイド過電流検出電流

IOCP

1.6

2.2

-

A

ON

VENON

2.4

-

VIN

V

OFF

VENOFF

-0.3

-

0.8

V

Ta = -40 °C ～ +85 °C
VIN = 6 V ～ 28 V

IEN

6.0

7.0

15.0

μA

VEN = 5 V

ISS

1

2

4

μA

回路電流

低電圧入力誤動作防止回路

発振器

エラーアンプ
FB 端子スレッショルド電圧

VFB = 0 V
IVC = ±10 μA, VVC = 1.0 V

電流検出アンプ
相互コンダクタンス
出力部

CTL
EN 端子スレッショルド電圧
EN 端子入力電流
SOFT START
端子充電電流www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

5/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
特性データ(特に指定のない限り VIN = 12 V, VOUT = 5 V, EN = 5 V, Ta = 25 °C)

2.0

Input Circuit Current : IIN[mA]

Input Circuit Current : IIN[mA]

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0.0

1.2

0.8

0.4

0.0
6

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
Input Voltage : VIN[V]-40

Figure 1. Input Circuit Current vs Input Voltage

-15
10
35
60
Ambient Temperature : Ta[ºC]85

Figure 2. Input Circuit Current vs Ambient Temperature

640

6.0
Oscilating Frequency : fSW [kHz]UVLO Threshold : VUV,VUV-VUVHY[V]

1.6

VUV

5.6
5.2

VUV - VUVHY

4.8
4.4
4.0
-40

-15
10
35
60
Ambient Temperature : Ta[ºC]

620
610
600
590
580
570

560
550
540

85

-40

Figure 3. UVLO Threshold vs Ambient Temperaturewww.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

630

-15
10
35
60
Ambient Temperature : Ta[ºC]85

Figure 4. Oscillating Frequency vs Ambient Temperature

6/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
特性データ － 続き
(特に指定のない限り VIN = 12 V, VOUT = 5 V, EN = 5 V, Ta = 25 °C)

100

FB Threshold Voltage : VTHFB[V]1.020

Max Duty : DMAX[%]

96

92

88

84

1.010
1.005
1.000
0.995
0.990
0.985
0.980

80
-40

-15
10
35
60
Ambient Temperature : Ta[ºC]

6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
Input Voltage : VIN[V]85

Figure 6. FB Threshold Voltage vs Input Voltage

Figure 5. Max Duty vs Ambient Temperature

1.020

60

1.015

40
VC Current : IVC[μA]

FB Threshold Voltage : VTHFB[V]

1.015

1.010
1.005
1.000
0.995
0.990

20

0
-20
-40

0.985
0.980

-60
-40

-15
10
35
60
85
Ambient Temperature : Ta[ºC]0

Figure 7. FB Threshold Voltage vs Ambient Temperaturewww.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

0.4

0.8
1.2
1.6
FB Voltage : VFB[V]2

Figure 8. VC current vs FB Voltage

7/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
特性データ － 続き
(特に指定のない限り VIN = 12 V, VOUT = 5 V, EN = 5 V, Ta = 25 °C)

160

High-side FET Ron : RONH[Ω]SS Charge Current : ISS[μA]

4.0

3.2

2.4

1.6

0.8

0.0

120

100
80

60
40
20
0

-40

-15
10
35
60
Ambient Temperature : Ta[ºC]

85

-40

Figure 9. SS Charge Current vs Ambient Temperature

-15
10
35
60
Ambient Temperature : Ta[ºC]85

Figure 10. High-Side FET Ron vs Ambient Temperature

4.0

2.0
EN Threshold Voltage : VENON[V]OCP Detect Current : IOCP[A]

140

3.2

2.4

1.6

0.8

1.8
1.6
1.4
1.2
1.0

0.0
-40

-15
10
35
60
Ambient Temperature : Ta[ºC]

-40

85

85

Figure 12. EN Threshold Voltage vs Ambient Temperature

Figure 11. OCP Detect Current vs Ambient Temperaturewww.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

-15
10
35
60
Ambient Temperature : Ta[ºC]

8/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
標準アプリケーション
VIN = 12 V, VOUT = 5 V, IOUT = 1 A

1

CVINC:VIN
10: 10μF/35V
μF / 35 V
VIN

BST

LX

L:L:15
μH
15μH

8

4

VIN

GND

EN

VC

SS

FB

VOUT

OUT
Cout
::
47μF/16V
47
μF / 16 V

D1
2

3

ON/OFF
control

CBST
0.1
μF
C:BST
: 0.1μF

7

6

R1:
kΩ
R1: 1212kΩ

C1:
10000 pF
C1: 10000pF

5

R3: 2.7kΩ
2.7 kΩ
R3:

CSS: 0.047μF
CSS: 0.047
μF

R2:
kΩ
R2: 33kΩ

Figure 13. 標準アプリケーション回路 (VOUT = 5 V)
VIN < 7 V での使用が想定される場合、上図のように出力に 1 kΩ 程度のプルダウン抵抗を付けることを推奨します。

100

100

90

90

80

80
70

VIN=8 V

60
50

Efficiency[%]

Efficiency[%]70

VIN=12 V40

VIN=25 V

IOUT=100 mA

50
40

30

30

20

20

10

10

0

IOUT=1 A

60

IOUT=10 mA

0
1

10
100
1000
Output Current IOUT[mA]

10000

0

Figure 14. Efficiency vs Output Current

5

10
15
20
Input Voltage VIN[V]25

30

Figure 15. Efficiency vs Input Voltage

Iout [1 A/div]

EN [10 V/div]

Overshoot = 268 mV
LX [10 V/div]

Vout [0.1 V/div]

VOUT [2 V/div]
Undershoot = 305 mV
IOUT [0.2 A/div]

10 ms/div

Figure 16. Start-up Waveform

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

1 ms/div

Figure 17. Load Transient Characteristic

9/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
標準アプリケーション － 続き

Phase

Gain

Figure 18. Frequency Characteristic (IOUT = 1 A)

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

10/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
標準アプリケーション － 続き
アプリケーション部品表 1 (VIN = 12 V, VOUT = 5 V, IOUT = 1 A)
Symbol[Capacitor]
CVIN
CSS
C1
CBST
COUT
[Resistor]
R3
R4
R5[Diode]D[Inductor]
L

Value

Parts nameCompany

10 μF / 35 V
0.047 μF / 25 V
10000 pF / 25 V
0.1 μF / 10 V
47 μF / 16 V

GRM21BR6YA106KE43
GRM155R71E473JA88
GRM033B31E103KA12
GRM033B31A104ME84
GRM32EC81C476KE15

MURATA
MURATA
MURATA
MURATA
MURATA

2.7 kΩ
12 kΩ
3 kΩ

MCR03 series
MCR03 series
MCR03 series

ROHM
ROHM
ROHM

-

RSX201VAM-30

ROHM

15 μH

NRS6045T150

TAIYO YUDEN

アプリケーション部品表 2 (負荷電流が軽く、面積重視の場合) (VIN = 12 V, VOUT = 5 V, IOUT = 300 mA)
Symbol[Capacitor]
CVIN
CSS
C1
CBST
COUT
[Resistor]
R3
R4
R5[Diode]D[Inductor]
L

Value

Parts name

10 μF / 25 V
0.047 uF / 25 V
22000 pF / 25 V
0.1 μF / 10 V
22 μF / 10 V

GRM188R61E106MA73
GRM155R71E473JA88
GRM155R71H223JA61
GRM033B31A104ME84
GRM31CR71A226ME15

MURATA
MURATA
MURATA
MURATA
MURATA

2.2 kΩ
12 kΩ
3 kΩ

MCR006 series
MCR006 series
MCR006 series

ROHM
ROHM
ROHM

-

RSX201VAM-30

ROHM

15 μH

DEM3518C series

MURATAwww.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

11/22

Company

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
アプリケーション部品選定方法(1) インダクタ
電流定格(下記電流値 IPEAK)を満たし、DCR(直流抵抗成分)が低く、シールドタイプのものを推奨いたします。インダクタの値はインダクタリプル電流に影響し、出力リプルの原因となります。
このリプル電流は以下の式のようにコイルの L 値が大きいほど、
スイッチング周波数が高いほど小さくすることができます。
∆𝐼

𝐼𝑃𝐸𝐴𝐾 = 𝐼𝑂𝑈𝑇 + 2𝐿
∆𝐼𝐿 =𝑉𝐼𝑁−𝑉𝑂𝑈𝑇
𝐿

ΔIL

(1)

𝑉𝑂𝑈𝑇

× 𝑉𝐼𝑁 × 𝑓

1

Figure 19. インダクタ電流

(2)

𝑆𝑊

(∆IL：出力リプル電流、VIN：入力電圧、fSW：スイッチング周波数)
インダクタは、上記リプル電流を最大出力電流の 20 % ～ 50 %程度として選択ください。
(2) 出力コンデンサ
出力に使用するコンデンサは出力リプルを軽減するため、ESR の低いセラミック・コンデンサを推奨いたします。また、コンデンサの定格は DC バイアス特性を考慮にいれたうえ、最大定格が出力電圧に対して十分マージンのあるものを使用してください。
出力リプル電圧は次式より求まります。

𝑉𝑃𝑃 = ∆𝐼𝐿 × 2𝜋×𝑓

1
𝑆𝑊 ×𝐶𝑂𝑈𝑇+ ∆𝐼𝐿 × 𝑅𝐸𝑆𝑅

(3)

許容リプル電圧内に収まるよう設定を行ってください。 BD9E151ANUX では 10 μF 以上のセラミック・コンデンサを推奨しています。
VOUT(3) 出力電圧設定
Error AMP の内部基準電圧は 1.0 V です。
出力電圧は次式より求まります。

𝑉𝑂𝑈𝑇 =

𝑅1+𝑅2
𝑅2

× 𝑉𝑅𝐸𝐹FB
R2(4)(4) ブーストコンデンサ
BST 端子 - LX 端子間に、CBST = 0.047 µF ～ 0.47 μF のセラミック・コンデンサを接続してください。
BST-LX 間定格は 7 V となっているため、10 V 以上を推奨いたします。
(5) ソフトスタート機能
BD9E151ANUX にはソフトスタート時間の設定が内蔵されていません。
起動時のラッシュ電流を防ぐため、SS 端子と GND の間の
外付けコンデンサ CSS で設定する必要があります。
BD9E151ANUX は充電電流として 2 μA の内部電流源が設けられています。
ソフトスタート時間(10 % ～ 90 %)は、下式にて概算できます。
ここで ISS は 2 uA です。

𝑇𝑆𝑆 =Error AMP

R1

𝐶𝑆𝑆 ×0.8

(5)

𝐼𝑆𝑆

VREF
1.0 V

Figure 20. 電圧帰還抵抗設定方法

2uA
2 μA

ERROR AMP

SS
Css

Figure 21. ソフトスタート時間(6) キャッチダイオード
BD9E151ANUXは、LXとGNDの間に外付けのキャッチダイオードを接続する必要があります。選択するダイオードは、
アプリケーションの絶対最大定格を満たす必要があります。逆方向電圧は、LXピンの最大電圧 (VINMAX + 0.5 V) よりも高くなければなりません。ピーク電流は、IOUTMAX + ∆ILよりも大きい必要があります。

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

12/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
アプリケーション部品選定方法 － 続き(7) 入力コンデンサ
BD9E151ANUXには、入力デカップリング・コンデンサが必要になります。デカップリング・コンデンサとして、ESRの低い10 μF以上のセラミック・コンデンサを推奨いたします。DCバイアス特性、温度特性を考慮の上選定してください。また、出来る限りVIN端子に近い位置に配置して下さい。
入力リプル電圧は下式にて概算できます。

∆𝑉𝐼𝑁 = 𝑓

𝐼𝑂𝑈𝑇

𝑉

𝑆𝑊 ×𝐶𝑉𝐼𝑁

𝑉

𝑂𝑈𝑇
𝑂𝑈𝑇
× 𝑉𝐼𝑁
× (1 − 𝑉𝐼𝑁)(6)

ここで、CVINは入力コンデンサ値です。
RMSリプル電流を確認する必要があり、下式にて概算できます。
𝑉

𝑉

𝑉𝐼𝑁

𝑉𝐼𝑁

𝐼𝐶𝑉𝐼𝑁 = 𝐼𝑂𝑈𝑇 × √ 𝑂𝑈𝑇 × (1 − 𝑂𝑈𝑇 )(7)

VIN = 2 × VOUTとなる時RMSリプル電流は最大となり、その値は下式にて概算できます。
𝐼

𝐼𝐶𝑉𝐼𝑁𝑀𝐴𝑋 = 𝑂𝑈𝑇
2(8)(8) DC/DC コンバータ周波数特性の調整について
CBST

1

BST

LX

L

8

VOUT
COUT

D1

CVIN

2

VIN

3

ON/OFF
control

4

VIN

GND

EN

VC

SS

FB

7

6

5

C1

R1

C2

R3

CSS

R2

Figure 22. 位相補償素子
ループの安定性と応答性は、エラーアンプの出力である VC 端子を通して制御されます。
安定性と応答性を決定するポールとゼロの特性を VC 端子に直列に接続された位相補償コンデンサと抵抗との組み合わせ(C1,C2,R3)で調整します。
電圧帰還ループの DC ゲインは、次式により計算できます。
𝑉

𝐴𝑑𝑐 = 𝑅𝑙 × 𝐺𝐶𝑆 × 𝐴𝐸𝐴 × 𝑉 𝐹𝐵

(9)

𝑂𝑈𝑇

ここで、VFB はフィードバック電圧(Typ：1.0 V)です。AEA は誤差増幅器の電圧ゲイン(Typ：60 dB)、GCS は電流検出ア
ンプ部のトランスコンダクタンス(Typ：10 A/V)で、Rl は出力負荷抵抗値です。

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

13/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
アプリケーション部品選定方法 － 続き
BD9E151ANUX の制御ループでは、2 つのポールがあります。
1 つは、位相補償コンデンサ(C1)と誤差増幅器の出力抵抗とによって生じます。
もう 1 つは、出力コンデンサと負荷抵抗によって生じます。
これらのポールは、下記周波数に現れます。
𝐺

𝐸𝐴
𝑓𝑃1 = 2𝜋×𝐶1×𝐴

(10)

𝐸𝐴

𝑓𝑃2 = 2𝜋×𝐶

1

(11)

𝑂𝑈𝑇 ×𝑅𝑙

GEA は誤差増幅器のトランスコンダクタンス(Typ：250 μA/V)です。
この制御ループでは、1 つのゼロが持ちます。
位相補償コンデンサ C1 と位相補償抵抗 R3 によって生じるゼロが下記周波数に現れます。
1

𝑓𝑍1 = 2𝜋×𝐶1×𝑅3(12)

また、もし出力コンデンサが大きい、かつその ESR(RESR)が大きい場合は、追加のゼロ(ESR ゼロ)を持ちます。
この ESR ゼロは、出力コンデンサの ESR と容量によって生じ、下記の周波数に存在します。
1

𝑓𝑍𝐸𝑆𝑅 = 2𝜋×𝐶

(ESR ゼロ)

𝑂𝑈𝑇 ×𝑅𝐸𝑆𝑅(13)

この場合、2 つ目の位相補償コンデンサ(C2：VC-GND 間のコンデンサ)と位相補償抵抗(R3)で決定される 3 つ目のポー
ルをループゲイン上の ESR ゼロの効果を補正するために使用します。
このポールは下記の周波数に存在します。

𝑓𝑃3 =

1

(ESR ゼロを補正するポール)

2𝜋×𝐶2×𝑅3(14)

位相補償設計の目標は、必要な帯域と位相余裕を得ることです。

帰還ループのループゲインが“0”となるクロスオーバ周波数(帯域：fC)を設定します。
クロスオーバ周波数が低くなると、電源変動応答や負荷応答が悪化します。
クロスオーバ周波数が高くなると、ループの位相余裕が減少します。
位相余裕を確保するため、クロスオーバ周波数はスイッチング周波数の 1/20 以下に設定する必要があります。
位相補償定数の選定方法を下記に示します。
1.

希望するクロスオーバ周波数に対し位相補償抵抗(R3)を選択します。R3 の計算は下記の式から求めます。

𝑅3 =
2.

2𝜋×𝐶𝑂𝑈𝑇 ×𝑓𝐶
𝐺𝐸𝐴 ×𝐺𝐶𝑆

𝑉

× 𝑂𝑈𝑇

(15)

𝑉𝐹𝐵

位相補償コンデンサ(C1)を選択します。クロスオーバ周波数の 1/4 以下に位相補償のゼロを合わせることで、十分な位相余裕が得られます。 C1 の計算は下記の式から求めます。
4

𝐶1 > 2𝜋×𝑅3×𝑓

(16)

𝐶

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

14/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
アプリケーション部品選定方法 － 続き3.

2 つ目の位相補償コンデンサ(C2)が必要かどうかの検討を行います。
出力コンデンサの ESR ゼロがスイッチング周波数の半分より小さいところに存在した場合は、2 つ目の位相補償
コンデンサが必要です。つまり、下記の式が成り立つ場合です。
12𝜋×𝐶𝑂𝑈𝑇 ×𝑅𝐸𝑆𝑅

<

𝑓𝑆𝑊

(17)

2

この場合は、2 つ目の位相補償コンデンサ(C2)を追加して、3 つ目のポール(fP3)の周波数を ESR ゼロの周波数に合わせます。C2 の計算は下記の式から求めます。

𝐶2 =𝐶𝑂𝑈𝑇 ×𝑅𝐸𝑆𝑅

(18)

𝑅3

出力電圧の制限について
BD9E151ANUX はパワーMOSFET ドライバ部の誤動作を防止する目的で BST-LX 端子間の低電圧入力時誤動作防止(BSTUVLO)回路を搭載しております。このため、出力電圧は BSTUVLO 及び Max Duty Cycle (Min 85 %)により制限されま
す。
1.

5.5
V
5.5V

BSTUVLO による制限
BST-LX 端子間の電圧が 2.5 V より小さいときパワーMOSFET は強制的に OFF となり、BST-LX 端子間の電圧を確保するため
VIN から BST へ電荷が供給されます(経路 1)。BSTUVLO を解除するためには、下記の式を満たす必要があります。

𝑉𝐼𝑁 ≥ 𝑉𝑂𝑈𝑇 + 𝑉𝐹𝐵𝑂𝑂𝑇 + 𝑉𝐵𝑆𝑇𝑈𝑉_𝑅𝑆𝑇

BST

BSTUVLO(19)

VBSTUV_RST は BSTUVLO 解除電圧、VFBOOT は VIN-BST 端子間のダイオード順方向電圧です。
BSTUVLO 解除電圧、VF のばらつきを考慮すると、最大でも 5 V 以下となるため、出力電圧の最大値は VIN – 5 V となります。
2.

経路 1

VIN

LX

Figure 23. BST 充電経路

Max Duty Cycle による制限
出力電圧の最大値は、Max Duty Cycle (Min 85 %)により制限されます。パワーMOSFET の ON 抵抗、出力電流、キャッチダイオードの順方向電圧(VF)の影響も考慮する必要があります。出力電圧最大値は下記の式により概算することができます。

𝑉𝑂𝑈𝑇_𝑀𝐴𝑋 = (𝑉𝐼𝑁 − 𝑅𝑂𝑁𝐻 × 𝐼𝑂𝑈𝑇 ) × 0.85 − 𝑉𝐹 × 0.15

(20)

あらゆるキャッチダイオードの電圧やインダクタル鉄損などを考慮して、出力電圧最大値は VIN x 0.7 となります。
上記 1、2 の制限を考慮し、より低い値を出力電圧の最大値としてください。

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

15/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
基板レイアウトの注意点

TOP side
Ground Area

OUTPUT
Capacitor

VOUT

Catch
Diode

LX
VCC

SoftStart
Capacitor

Thermal VIA
Signal VIA
Figure 24. 参考基板パターン

良好な特性の電源回路を設計するためには基板レイアウトが非常に重要です。特に大電流のスイッチング、高スルーレートのスイッチングノードは漏れ磁束、寄生容量などによって電源回路の性能を低下させるスイッチングノイズの原因となります。これを低減するために VIN 端子直近に低 ESR のセラミック・コンデンサをバイパスコンデンサとして配置してください。またこのバイパスコンデンサ、キャッチダイオードのアノードのパターンによって生じるループには大電流が流れます。
そのためこの電流ループを最少になるようにパターン設計をする必要があります。
裏面のサーマルパッドは放熱性を高めるため、IC の裏面ではんだ付けのうえ、多数のサーマル VIA をうち GND 層に接続してください。スイッチングノードの LX 端子は、寄生容量、パターンのインピーダンスを最小にするため、キャッチダイオ
ード、インダクタはできるだけ LX 端子の近くに配置してください。

消費電力について以下の式は、連続導通モード動作でのデバイスの消費電力を見積もる方法を示しています。デバイスが非連続導通モードで動作している場合は、これらの式を使用しないで下さい。IC内部の各損失は以下の通りです。
1) 導通損失：𝑃𝑂𝑁 = 𝐼𝑂𝑈𝑇 2 × 𝑅𝑂𝑁𝐻 × 𝑉𝑂𝑈𝑇 ⁄ 𝑉𝐼𝑁
2) スイッチング損失：𝑃𝑆𝑊 = 0.25 × 10−9 × 𝑉𝐼𝑁 × 𝐼𝑂𝑈𝑇 × 𝑓𝑆𝑊3) ゲート･チャージ損失：𝑃𝐺 = 22.8 × 10−9 × 𝑓𝑆𝑊4) 非スイッチング動作時電流損失：𝑃𝐼𝐶 = 0.7 × 10−3 × 𝑉𝐼𝑁
ここで、IOUT = 出力電流(A)、RONH = パワーMOSFETのオン抵抗(Ω)、VOUT = 出力電圧(V)、VIN = 入力電圧(V)、fsw = スイッチング周波数(Hz)です。
IC内部損失(P)は上記損失の総和であり、以下の通りです。

𝑃 = 𝑃𝑂𝑁 + 𝑃𝑆𝑊 + 𝑃𝐺 + 𝑃𝐼𝐶
この時接合部温度(Tj)は、下記になります。θjaはパッケージの熱抵抗です。

𝑇𝑗 = 𝑇𝑎 + 𝜃𝑗𝑎 × 𝑃
上記接合部温度が最大値 Tjmax = 150 °C を超えないように十分マージンを持った熱設計を行ってください。

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

16/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
入出力等価回路図
端子番号

端子名

1

BST

端子等価回路

端子番号

端子名

端子等価回路

BST
2

VIN

7

GND

8

LX

FB

VIN
5

FB

LX
GND

GND

EN
3

VC

EN

6

VC

GND
GND

SS
4

SS

GND

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

17/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
使用上の注意1. 電源の逆接続について
電源コネクタの逆接続により LSI が破壊する恐れがあります。逆接続破壊保護用として外部に電源と LSI の電源端子間にダイオードを入れるなどの対策を施してください。
2. 電源ラインについて
基板パターンの設計においては、電源ラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。グラウンドライ
ンについても、同様のパターン設計を考慮してください。また、LSI のすべての電源端子について電源－グラウンド端子間にコンデンサを挿入するとともに、電解コンデンサ使用の際は、低温で容量低下が起こることなど使用するコンデ
ンサの諸特性に問題ないことを十分ご確認のうえ、定数を決定してください。
3. グラウンド電位について
グラウンド端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また実際に過渡現象を含め、グラウンド端子以外のすべての端子がグラウンド以下の電圧にならないようにしてください。
4. グラウンド配線パターンについて
小信号グラウンドと大電流グラウンドがある場合、大電流グラウンドパターンと小信号グラウンドパターンは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が小信号グラウンドの電圧を変化させないように、セットの基準点で 1
点アースすることを推奨します。外付け部品のグラウンドの配線パターンも変動しないよう注意してください。グラウ
ンドラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。
5. 推奨動作条件について推奨動作条件で規定される範囲で IC の機能・動作を保証します。また、特性値は電気的特性で規定される各項目の条件下においてのみ保証されます。
6. ラッシュカレントについて
IC 内部論理回路は、電源投入時に論理不定状態で、瞬間的にラッシュカレントが流れる場合がありますので、電源カ
ップリング容量や電源、グラウンドパターン配線の幅、引き回しに注意してください。
7. セット基板での検査について
セット基板での検査時に、インピーダンスの低い端子にコンデンサを接続する場合は、IC にストレスがかかる恐れがあるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立工程にはアースを施し、運搬や保存の際には十分ご注意ください。また、検査工程での治具への接続をする際には必ず電源を OFF にしてから接続し、電源をOFF にしてから取り外してください。
8. 端子間ショートと誤装着について
プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分注意してください。誤って取り付けた場合、IC が破壊する恐れがあります。また、出力と電源及びグラウンド間、出力間に異物が入るなどしてショートした場合についても破壊の恐れがあります。
9. 未使用の入力端子の処理について
CMOS トランジスタの入力は非常にインピーダンスが高く、入力端子をオープンにすることで論理不定の状態になります。これにより内部の論理ゲートの p チャネル、n チャネルトランジスタが導通状態となり、不要な電源電流が流れます。また 論理不定により、想定外の動作をすることがあります。よって、未使用の端子は特に仕様書上でうたわれていない限り、適切な電源、もしくはグラウンドに接続するようにしてください。

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

18/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
使用上の注意 － 続き
10. 各入力端子について
本 IC はモノリシック IC であり、各素子間に素子分離のための P+アイソレーションと、P 基板を有しています。
この P 層と各素子の N 層とで P-N 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。
例えば、下図のように、抵抗とトランジスタが端子と接続されている場合、○抵抗では、GND > (端子 A)の時、トランジスタ(NPN)では GND > (端子 B)の時、P-N 接合が寄生ダイオードとして動作します。
○また、トランジスタ(NPN)では、GND > (端子 B)の時、前述の寄生ダイオードと近接する他の素子の N 層によって寄生の NPN トランジスタが動作します。
IC の構造上、寄生素子は電位関係によって必然的にできます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因ともなり得ます。したがって、入出力端子に GND(P 基板)より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。アプリケーションにおいて電源端子と各端子電圧が逆になった場合、内部回路または素子を損傷する可能性があります。例えば、外付けコンデンサに電荷がチャージされた状態で、電源端子が GND にショートされた場合などです。また、電源端子直列に逆流防止のダイオードもしくは各端子と電源端子間にバイパスのダイオードを挿入することを推奨します。
抵抗トランジスタ (NPN)
端子B

端子A

C

E

端子A
N

P+

P
N

N

P+

N

端子B

B

寄生素子

N

P+

N P

N

B
N

C
E
寄生素子

P基板

P基板
寄生素子

P+

GND

寄生素子

GND

GND

近傍する
他の素子

GND

Figure 25. モノリシック IC 構造例
11. セラミック・コンデンサの特性変動について
外付けコンデンサに、セラミック・コンデンサを使用する場合、直流バイアスによる公称容量の低下、及び温度などによる容量の変化を考慮のうえ、定数を決定してください。
12. 温度保護回路について
IC を熱破壊から防ぐための温度保護回路を内蔵しております。最高接合部温度内でご使用いただきますが、万が一最高接合部温度を超えた状態が継続すると、温度保護回路が動作し出力パワー素子が OFF します。その後チップ温度
Tj が低下すると回路は自動で復帰します。なお、温度保護回路は絶対最大定格を超えた状態での動作となりますので、
温度保護回路を使用したセット設計などは、絶対に避けてください。
13. 過電流保護回路について
出力には電流能力に応じた過電流保護回路が内部に内蔵されているため、負荷ショート時には IC 破壊を防止しますが、この保護回路は突発的な事故による破壊防止に有効なもので、連続的な保護回路動作、過渡時でのご使用に対応するものではありません。

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

19/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
発注形名情報

B

D

9

E

1

5

1

A

N

U

X

TR

-

パッケージ
NUX: VSON008X2030

包装、フォーミング仕様
TR: リール状エンボステーピング

標印図VSON008X2030 (TOP VIEW)
Part Number Marking

9 E 1

LOT Number

51 A

Pin 1 Markwww.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

20/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
外形寸法図と包装・フォーミング仕様

Package Namewww.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

VSON008X2030

21/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

BD9E151ANUX
改訂履歴
日付

版

2020.03.25

001

変更内容
新規作成

www.rohm.co.jp© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 • 15 • 001

22/22

TSZ02201-0Q2Q0AJ00750-1-1
2020.03.25 Rev.001

ご注意
ローム製品取扱い上の注意事項
1.

本製品は一般的な電子機器（AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）への使用を意図して設計・製造されております。したがいまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器(Note 1)、輸送機器、
交通機器、航空宇宙機器、原子力制御装置、燃料制御、カーアクセサリを含む車載機器、各種安全装置等）（以下「特定用途」という）への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し、ロームは一切その責任を負いません。
(Note 1) 特定用途となる医療機器分類
日本
USA
EU
CLASSⅢ
CLASSⅡb
CLASSⅢ
CLASSⅣ
CLASSⅢ中国
Ⅲ類

2.

半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や故障が生じた場合であっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。
①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。
②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。

3.

本製品は、一般的な電子機器に標準的な用途で使用されることを意図して設計・製造されており、下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。したがいまして、下記のような特殊環境での本製品のご使用に関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使用される際は、お客様におかれまして十分に性能、信頼性等をご確認ください。
①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用③潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用④静電気や電磁波の強い環境でのご使用⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合。
⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用。
⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合(無洗浄タイプのフラックスを使用される場合は除く。ただし、残渣については十分に確認をお願いします。)又は、はんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合⑧本製品が結露するような場所でのご使用。

4.

本製品は耐放射線設計はなされておりません。

5.

本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に実装された状態での評価及び確認をお願い致します。

6.

パルス等の過渡的な負荷（短時間での大きな負荷）が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ずその評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。

7.

電力損失は周囲温度に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、必ず温度測定を行い、最高接合部温度を超えていない範囲であることをご確認ください。

8.

使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。

9.

本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いません。

実装及び基板設計上の注意事項
1.

ハロゲン系（塩素系、臭素系等）の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。

2.

はんだ付けは、表面実装製品の場合リフロー方式、挿入実装製品の場合フロー方式を原則とさせて頂きます。なお、表面実装製品をフロー方式での使用をご検討の際は別途ロームまでお問い合わせください。
その他、詳細な実装条件及び手はんだによる実装、基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書をご確認ください。

Notice-PGA-J© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

Rev.004

応用回路、外付け回路等に関する注意事項
1.

本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品のバラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。

2.

本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。したがいまして、お客様の機器の設計において、回路やその定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行ってください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。

静電気に対する注意事項
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、保管時において静電気対策を実施のうえ、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。（人体及び設備のアース、帯電物からの隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等）

保管・運搬上の注意事項
1.

本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがありますのでこのような環境及び条件での保管は避けてください。
①潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所での保管②推奨温度、湿度以外での保管③直射日光や結露する場所での保管④強い静電気が発生している場所での保管

2.

ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性があります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します。

3.

本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き（梱包箱に表示されている天面方向）で取り扱いください。天面方向が遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する
危険があります。

4.

防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行ったうえでご使用ください。

製品ラベルに関する注意事項
本製品に貼付されている製品ラベルに２次元バーコードが印字されていますが、２次元バーコードはロームの社内管理のみを目的としたものです。

製品廃棄上の注意事項
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。

外国為替及び外国貿易法に関する注意事項
本製品は外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物等に該当するおそれがありますので輸出する場合には、ロームにお問い合わせください。

知的財産権に関する注意事項
1.

本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。

2.

ロームは、本製品とその他の外部素子、外部回路あるいは外部装置等（ソフトウェア含む）との組み合わせに起因して生じた紛争に関して、何ら義務を負うものではありません。

3.

ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ロームもしくは第三者が所有又は管理している知的財産権 その他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。 ただし、本製品を通常の用法にて使用される限りにおいて、ロームが所有又は管理する知的財産権を利用されることを妨げません。

その他の注意事項
1.

本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します。

2.

本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく、分解、改造、改変、複製等しないでください。

3.

本製品又は本資料に記載された技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用、あるいはその他軍事用途目的で使用しないでください。

4.

本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社もしくは第三者の商標又は登録商標です。

Notice-PGA-J© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

Rev.004

Datasheet
一般的な注意事項
1.

本製品をご使用になる前に、本資料をよく読み、その内容を十分に理解されるようお願い致します。本資料に記載される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いませんのでご注意願います。

2.

本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。本製品のご購入及びご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。

3.

ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても、ロームは一切その責任を負いません。

Notice – WE

© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

Rev.001