108■ 研究紹介Belle II 電磁カロリメーター（ECL）
奈良女子大学 研究院・自然科学系・物理学領域

宮林 謙吉
miyabaya@cc.nara-wu.ac.jp
2014 年 (平成 26 年) 8 月 26 日

はじめに

1

表 1: 主な無機結晶シンる競争力という観点では，ハドロンコライ

レー号 f と s は発光時間が短い成分（fast component）と長い成分（slow component）を示す。主な実験名（Exp.）の下にカッコつきで示したのは選択された光検出器の略号
で，PD=フォト イオード，PM=光電子増倍管，APD=

ーでは困難→ τ ντ の崩壊分岐比や B → K ν ν̄ の探索のよ
うに，消失エネルギーを制限することにより信号を見出すことが基本原理になっている測定の成否を電磁カロリ
メー ーの特性が左右する。そこで本稿では Belle II 実験

アバランシェフォト

BGO
7.13
1.12

純 CsI

ー（Electromagnetic CaLorimeter，

なB

+

+

の電磁カロリメー

(∗)

4.51
1.86

PWO
8.3
0.89

2.23
480

3.57
310f

3.57
560

2.00
420f

τdecay [ns]

300

420s
6f
35s

1300

425s
10f
30s

L.O.

21

1.1f
3.6s

L3

KTeV

Belle

CMS

(PD)

(PM)

(PD)

(APD)

ρ [g/cm ]X0 [cm]RM [cm]λmax [nm]素粒子実験の電磁カロリメーター
電磁カロリメー ーは，重い物質に数十 MeV 以上のエネルギーを持つ γ や e± が入射すると，γ からの e+ e− 対Exp.

生成と e+ または e− からの制動放射により，多数の e+ ，

e− ，γ の集団＝電磁シャワーが形成されることを用いて，
γ や e± のエネルギー測定を行う。鉛や ングステンのよ
うに高密度の部材と，プラス ックシン レー ー，プ
ロポーショナルカウン ー，シリコン半導体検出器などの有感部を交互に配置し，前者により発達した電磁シャイオードである。

CsI(Tl )
4.51
1.86

3

ECL）について記す。

2

ーと大型実験での実用例。L.O.（発光量）は NaI(Tl ) を 100 とした相対値で，記Υe eBelle II0
実験では，γ ，π ，η といった中性粒子の検出がこれまでの Belle 実験同様に不可欠なのはもちろんである。また，ボトム・ ャームの物理における LHCb 実験に対す領域の高ルミノシティ + − 衝突実験である

165

0.29f
0.083s

図がある場合も有感部を細かく分割した設計が可能なサンプリング型を用いる。その典型的な例が particle flow

出すサンプリング型と，十分な密度の素材を選択して検

algorithm を活用してハドロンジェットのエネルギーを再構成する精度の確保を図るリニアコライ ー実験での電磁カロリメー ーである。この，エネルギー分解能よりも出器全体を有感部とし，シャワーのアクティビティ全体

グラニュラリティを重視した設計思想に基づくカロリメー

ワー中の粒子が後者の中で起こすエネルギー損失を読みーの既存の例としては，LEP 加速器における ALEPH

を出力信号の形成に生かす全吸収型に大別される。
サンプリング型のカロリメー ーは，一般に全吸収型√
より安価に製作でき，20%/ E (E in GeV) 程度のエネ

実験 [1] のものが挙げられる。

ルギー分解能を持つものが TRISTAN 加速器や LEP 加

ネルギー分解能を達成することが要求される場合には全速器での実験でも建設・使用されてきた。また，読み出し

吸収型のカロリメー

を細分化したい（高いグラニュラリティを持たせる）意

体 Xe を採用した MEG 実験が特異な例で，それ以外の多一方，1 GeV 以下のエネルギー領域でも数%以上のエ1ーが必要になる。検出体として液109

くの実験では，限られた体積の中でシャワーを形成する

論文 [2] に多くの記述があり，この記事で触れきれない詳ため高い密度の素材として，無機結晶シン細に関してはそちらも参照されたい。

レーーを使用している。これまでの素粒子実験における全吸収型
カロリメー ーの例では，表 1 に示すように，BGO，純3

CsI，CsI(Tl )，PWO といった無機結晶シン レー ーが量産され実用に供されてきた。

Belle/Belle II のような，Υ 領域の電子・陽電子コライ
ー実験での電磁カロリメー ーへの要求として特徴的

1970 年代終わりに SPEAR 加速器で稼働を始めた Crystal Ball 測定器は，NaI(Tl ) を採用し ャーモニウム崩壊からくる γ のエネルギースペクトラム測定に特化した実なのは，非常に広いのエネルギーは数十 MeV から数百 MeV 程度であるが，イオード（PIN-PD）の安定供給が可能になり，光電子増B 0 → π 0 π 0 のような二体崩壊の π 0 のエネルギーは 4 GeVに達する。輻射崩壊から生じる γ のエネルギーも低いと倍管と異なって磁場中で変化しない特性を生かして，結メーレーーとの組み合わせによる全吸収型カロリ

ころから高いところまで重要な過程がいくつも関与してーを荷電粒子の運動量測定用ソレノイドの内側におり，Σ0 → Λγ や Ω0c (2770) → Ω0c γ などバリオンの場合設置して，前方不感物質の量を低減したセットアップが汎で数十 MeV 程度，χc1,c2 → J/ψγ のようなクオーコニ

用のコライ ー実験測定器でも可能になった。Belle 実験の電磁カロリメー

ウムの場合は数百 MeV，B → K ∗ γ に代表される B 中

ーもその系譜に連なるもので，1.5T

間子の輻射崩壊では 4 GeV に達する。数十 MeV の γ をの磁場を発生する超伝導ソレノイドの内側に設置されている。図 1 に Belle の電磁カロリメー

イナミックレンジである。B 中間子の崩壊モードの 1/3 は π 0 → γγ を含み，典型的な γ験であったが，1980 年代になるとシリコン PIN フォト

晶シン

Belle 実験の電磁カロリメーター

検出可能にするには，そのシャワーの一部を捕らえたシー全体のビームン

軸を含む断面図（r-z 平面図）を示す。前方エンドキャッ

レーー結晶中における数 MeV 程度のエネルギー

損失を雑音から十分に分離せねばならないので，1

プ部に 1152 本，バレル部 6624 本，後方エンドキャップャ

ンネルあたりの雑音をエネルギーに換算した値（これを部に 960 本の CsI(Tl ) 結晶を使用している。なお，Belle

Equivalent Noise Energy，以下，E.N.E. と記す）は数百
keV 程度に抑える必要がある。一方，電磁カロリメー ーの較正は Bhabha 散乱や e+ e− → γγ 事象で行い，KEKB
加速器では θ に依存して最大 8 GeV（SuperKEKB 加速
器ではビームエネルギーが変更され最大 7 GeV）の e− ，

e+ または γ が入射する。結晶シン レー ーの発光量の個体差を考慮すると，光検出器および信号処理エレク
トロニクスは最大 10 GeV をレンジの上限と考えて設計すべき，ということになる。この広い イナミックレンジをカバーしながら，Belle 実験の電磁カロリメー ーはハドロン事象中の約 5 MeV/c2 の π 0 → γγ 質量分解能と，e+ e− → γγ 事象のエネルギー総和の分解能として1.7%を得た。以下にその設計を概観する。
全吸収型カロリメー ーのエネルギー分解能は，1 GeV以上の領域では，電磁シャワー中の電子・陽電子・光子の

図 1: Belle 電磁カロリメー

一部が検出体の外へ逃げる「シャワーの漏れ」の統計的ふーのビーム軸を含む断面図

らつきが主な寄与になる。シャワーの漏れの量は，主と（r-z 平面図）。バレル部内筒の半径は 1250 mm で，荷電して検出体の厚み=シン粒子の飛跡を検出するデバイスの有感領域 17◦ < θ <150◦

レーー結晶の長さを放射長（radiation length，X0 ）換算で表した量で決まる。Belleの範囲に発生した粒子が形成した電磁シャワーのすそま

では長さと断面がそれぞれ 30 cm と約 5.5×5.5 cm2 （前で検出可能となるようエンドキャップ部の CsI(Tl ) カウン

面）の CsI(Tl ) 結晶を使用しており，結晶の軸が衝突点

ーはその外側 12◦ < θ <157◦ まで配置されている。

付近を向くポインティングジオメトリを実現するためにーを建設するにあたって行われテーパー形状にしている。この長さは 16.1 X0 に対応す

た種々の開発研究の内容については，池田仁美氏の博士

る。LEP 加速器における L3 実験の BGO カロリメー ー

実験の電磁カロリメー

2

110

[3]，SPring-8 加速器の LEPS2 ビームラインに設置され長の光に対しては半導体光検出器の利点である 80%以上

た BGO-egg カロリメーター，LHC 加速器における CMSの高い量子効率を発揮する。ただし増幅率=1 であること

実験の PWO カロリメーター [4] など，厚みを 20 X0 あと，400 nm 未満の短波長の光に対しては量子効率が低

るいはそれ以上とした実験が多いのと比べると若干短い

いため，E.N.E. を十分小さくするためには，適した波長が，これまでに Belle 実験から多くの論文が出版されてで豊富に発光するシンチレーターと組み合わせる必要がきたことが示すように，B 中間子の研究に必要な性能をある。

確保した上でのぎりぎりの妥協と言えよう。CsI(Tl ) 結晶

Belle では浜松ホトニクス製の 1 × 2 cm2 の面積を持つ
S2744-08 型の PIN-PD を，一個の CsI(Tl ) 結晶に二個取り付けている。二個の信号は独立に電荷積分型プリアンプの幅（約 5.5 cm）はモリエール半径（RM ）の 1.5 倍強の値に対応し，γ が入射した結晶を中心に 5 × 5 本の領域をとれば，側方へのシャワーの漏れが実用上問題にならなで増幅した後，シェーパー初段でアナログ和をとることにいようにエネルギーを再構成することが可能である。

よりハードウエアの冗長性を確保している。この PIN-PD

数百 MeV 以下の領域におけるエネルギー分解能は，前一個あたりのデバイス容量は 80 pF で，後述する読み出

述の E.N.E. に大きく左右され，ボトム・チャームハドロ

しエレクトロニクスとの組み合わせでは，PIN-PD 二個の和をとる CsI(Tl ) カウンター一本あたり雑音レベルは電0ンの崩壊から発生する π → γγ を再構成する質量分解能に直接影響する。E.N.E. 低減には，シンチレーターの子数で約 1000 個，一方シンチレーション光の読み出しに選択，光検出器との相性，読み出しエレクトロニクスのより約 5000 個/MeV の電子・正孔対を得るので，E.N.E.

特性の三つの要素のバランスをとったソリューションを

は約 200 keV となる。二つの PIN-PD は透明アクリル製見出す必要がある。CsI(Tl ) はエネルギー損失 MeV あたのプレートに接着して一体としたものを，結晶の読み出り約 5 万光子におよぶ豊富な発光量を誇り，発光波長のし面（後面）にエポキシ樹脂系接着材（ECOBOND24）

ピークエミッション λmax が 560 nm と PIN-PD との相性を用いて接着している。これは，CsI 結晶はわずかに潮解が非常によい特性を示す。実際，CLEO(-II, -III) に始ま性があって直接 PIN-PD を接着しにくく，アクリル製プ

り，Belle と BaBar を含め，これまでに Υ 領域で実行さレートを介した方が安定に固定されるためで，アクリルれた高輝度電子・陽電子衝突実験のすべてで CsI(Tl ) のPIN-PD 読み出しが用いられてきた。唯一の弱点は，発光の減衰時間 τdecay が 1.3 µs と長いことからくるパイル
アップで，Belle II のように 1036 cm−2 s−1 に近いルミノに若干の吸湿性があることによると考えられている。したがって，接着工程を行う環境も乾燥している必要があり，

PIN-PD のアクリルプレートへの接着は，KEK 富士実験室 B4 に湿度 15%以下に保った作業室を設置して行った。
この二枚の PIN-PD に十分にシンチレーション光を集

シティの環境では後述するように対策が必要になる。
光検出器は，磁場中で動作し，受光部面積が十分大きく，

め，結晶内でシンチレーション発光が起きた場所による組み合わせるシンチレーターの発光波長で高い量子効率

読み出し光量の不均一度を抑えるため，CsI(Tl ) 結晶は厚を示し，かつ雑音を低減するためにデバイス容量が適正に

み 200 µm の白色テフロンシート（Goretex）で包む。さ小さいことが求められる。今日でこそ，磁場中で動作し，らにその上から厚み 25 µm のアルミニウム層と厚み 25

単一光子検出すら可能なハイブリッド APD（HPAD）やµm の PET 樹脂層を持つアルミナイズドマイラーでアルミニウム層が内側になるように包むことによって，静電遮蔽するとともに測定器構造体側と絶縁して読み出しエPPD（Pixel Photon Detector，浜松ホトニクスの商品名は Multi Pixel Photon Counter：MPPC）などの半導体光検出器も入手可能であるが，LHC 加速器における CMS 実
験の PWO カロリメーターを建設するために，5 × 5 mm2のリバース型 APD（浜松ホトニクス製 S8664 型）を量産

レクトロニクス側で一点アースとする。PIN-PD の信号
は，CsI 結晶に固定したアルミニウム製ケース内のプリアンプで増幅して外に取り出す。CsI カウンターの構造をする目処が立った時期が 1990 年代後半から 2000 年代初

図 2 に示す。

頭であることを顧みると，Belle の設計を固めた当時は，既述した通り，全体で 8736 本の CsI(Tl ) 結晶を使用し，磁場中で動作可能で，受光部面積・量子効率とデバイス

一本の質量が約 5 kg であるから結晶の総重量だけで約 44

容量の三つのパラメーターが必要な水準に達し，安定にトンである。これを設計位置に保持する機械的支持構造

供給されて，現実的な予算の範囲内で調達可能なデバイも実現は決して簡単なものではなかった。バレル部では薄スは事実上 PIN-PD に限られていたといえる。PIN-PD

肉アルミニウム合金の内筒と強固な SUS 製ブリッジ・補は増幅率=1 のデバイスなので，定格の電圧を印可した状

強棒・外板で作られた外側の構造を，φ 方向に 72 区画に態では，出力する信号の温度依存や印可電圧依存は非常

分ける位置の薄肉アルミニウム合金製のフィンがつなぎ，に小さく，長期にわたって安定に動作するし，適した波

たとえていえば自転車の車輪の輪芯とリムの間をスポー

3

111

Belle 実験において，CsI(Tl ) カウン ーが発する信号
イヤ
グラムを，図 3 に示す。Belle で用いられた波形整形部

Top View

Preamp Box
CsI(Tl)を処理した読み出しエレクトロニクスのブロック

Hole for screw to fix
Al plate to CsI(Tl)

Al p late
Derlin Screw
Acrylite

TeflonAl plate

Photodiodes

Scintillation light PhotodiodeTwo preamp. signal
are summed at 1st stageof Shaper-QT board.

Photodiode

ShaperTeflon & Al

(1μ s)CsI(Tl)AcryliteCsI crystal

Hole for screw to fix
preamp box to Al plate

Preamp.
(200ns)

MQT
300A(QtoT)

Cal. Trigger
Electronics

Inside Belle detector

図 2: CsI(Tl ) カウン ーの構造図。結晶の読み出し面にDAQ
Near the Belle detector

二枚の PIN-PD を接着し，プリアンプをおさめたアルミケースをとりつけている。CsI 結晶はドリルとTDC(LeCroy1877S)Side View

Electronics Hut

ップによる加工が可能で，デルリン製ヘリサートを介してネジ

図 3: Belle 電磁カロリメー

によりアルミケースを固定する。

クスのブロック図。

クがつなぐような構成にしている。当初，このフィンと（Shaper）は，時定数 1 µs と 200 ns の出力を持ち，前者
は CsI(Tl ) ごとのエネルギー測定を行う一方で，後者は内筒の接合をレーザービーム溶接したものは CsI(Tl ) カ
ウン

トリガー判断に用いる。エネルギー測定については，既述

ーを装填中に溶接部の破壊が進んでいたことが装した広 イナミックレンジをカバーするため，Belle では

填作業終了後に発見され，バレル部構造体の再製作を強

MQT300A 型 QtoT コンバー ーに 100 ns 幅のゲートパルスを与えると，信号電荷を規格パルスのリーディング
エッジとトレーリングエッジの時間差に変換して出力しいられたことは幅氏が執筆した高エネルギーニュースの記事 [5] にも言及されている通りである。全部の CsI(Tl )カウン

ーの信号処理エレクトロニ

ー，ケーブル，冷却および乾燥空気の配管を取てくるので，これを FASTBUS 規格の 1877S 型 TDC でり出し，再製作したバレル部構造体では，内筒とフィン

数値化した。MQT300A と 1877S の組み合わせでは，12の接合をフィン先端部を直角に折り曲げてビス止めに変bit の精度を持つ三つのレンジを自動切替するオートレン

更した結果，事なきを得て今日に至っている。レーザー

ジセレクション機能により 18 bit の イナミックレンジ

ビーム溶接では，溶け込み部の厚みが 0.3 mm 程度しかという要求を満たした。この Belle で用いた読み出しスない（接合部がかさばらないことが売り文句であったのキームは，SuperKEKB 加速器による高ルミノシティがもだから当然だが）こと，破断を防ぐには CsI(Tl ) カウン

たらす高レートに耐えられないのはもちろん，ビームバッ

ーを積み込んだときの荷重に対し，広い範囲にわたって

クグラウンドの増加に伴うパイルアップに弱く，Belle II

少しずつ変形して応力が分散することが必要だが，溶接では読み出しエレクトロニクスを一新する。

では固着されるため接合部の一端に応力が集中しやすく，
いったんどこかで破断が始まると，そのすぐ隣に応力集中が発生して破断が広がりやすいこと，の二点が互いに4関連して大規模な破壊に至ったと理解されている。事前

Belle II でのソリューション

にレーザービーム溶接のテストピースを作成し，引張りSuperKEKB 加速器・Belle II 測定器の設計を進める上試験機による破断荷重の測定も行われて，強度に余裕がでは，高ルミノシティの達成（とそれに必要なビーム電流

あるはずとの見積もりであったが，その時点では発注側の増加）に伴う高レートの物理事象デー をとりこぼしなの物理屋も受注側（IHI）のエンジニアも，CsI 結晶の積く記録することはもちろん，付随して増大するビームバッ

み込み荷重による変形の影響について予見するのは困難

クグラウンドへの対処が必要不可欠である。SuperKEKBであったと結論づけてよいだろう。エンドキャップ部も φ

加速器におけるビームバックグラウンドの見積もりは，

方向に 16 分割する位置に薄肉アルミニウム合金製のフィ

ビームの運動を加速器のシミュレーションコードであるンを持ち，前板との接合はレーザービーム溶接を用いた

SAD で計算し，それを GEANT4 で実装した測定器とその周辺に配置した機器のジオメトリに渡して，各測定器
コンポーネントにおけるエネルギー損失を計算する方法をとっている。

が，こちらはフィンと前板を接合するスパンが 1 m 以下
で，フィンと内筒を接合するスパンが約 3 m におよぶバレル部よりも短く，大きな問題にはならなかった。

4

112

SuperKEKB 加速器の運転中に Belle II 測定器に飛来するビームバックグラウンドの起源としては，ビームガス，シンクロトロン放射光， ウシェック効果（バン内で粒子どうしが衝突してリングを周回可能な力学的口t2MHz, 18bits digitizerGatewidth=100ns QtoT converter

ある。どんな e+ e− 加速器でも，完成後に運転開始直後(MQT300A)

は，ビームと残留ガスの散乱が問題になるが，ビーム ェ

Digitized by TDC

ンバー表面からのアウトガスが枯れるとともに減少する。

waveform fit to get energy
and timing (i.e. Digital
Signal Processing) by
FPGA

図 4: Belle と Belle II の電磁カロリメー

シンクロトロン放射光と ウシェック効果は，マスク（コーの読み出しスキームの比較。Belle では 100 ns 幅のゲートパルスをー）の最適化により，最終的に測定器に入射す

MQT300A 型 QtoT コンバー ーに与え，その信号電荷=検出エネルギーを記録した。Belle II ではサンプリング
周波数 2 MHz で 18 bit の Digitizer を用いて，波形フィットにより検出エネルギーに加え イミングの情報を得る。

るものをブロックする解が見出された。最後まで除去が困難なのは radiative Bhabha 散乱（e+ e− → e+ e− γ 散乱）で，γ の放出により e+ または e− の少なくとも一方はエネルギーが落ちているため，衝突点の後で通過する
最終収束用電磁石の磁場で曲がりすぎてビームパイプ内より短縮して 500 ns とした。波形フィットを MINUIT な

壁に当たりシャワーを作る。これが測定器に降り注ぐのどを用いて数値的に差分を求めて行ったのでは時間がかで，ビームバックグラウンドの量が加速器のルミノシティ

かりすぎて間に合わないので，Shaper が出力する信号のでスケールするという状況に対峙することになる。した

時間発展が解析的な関数で表現できることを用いて連立

がって，いかにしてビームバックグラウンドに耐えて性

一次方程式を解く問題に焼き直して，足し算とかけ算の組能を確保するかが中心的な課題となる。

み合わせで解く。そのための変数の値と論理を FPGA に最新の見積もりでは，ルミノシティが SuperKEKB 加

与えて処理させるのである。この時定数 0.5 µs の Shaper

速器の設計値である 8 × 1035 cm−2 s−1 のとき，CsI(Tl )と 2 MHz の Digitizer を装備した Shaper+DSP ボードの結晶の放射線被曝量は，前方エンドキャップのもっとも内プロト イプは Belle 実験がデー 収集を終了する少し前

側で 10 Gy/年，その他のエンドキャップ部で数 Gy/年，に後方エンドキャップ部の一部（1/8）に接続して 1 fb−1

バレル部で 0.5 Gy/年程度と予想される。これを単純にのデー を収集して試験した。その結果，検出エネルギー

CsI(Tl ) 結晶のシン レーション発光の減衰時間である 1µs の間に生じる CsI(Tl ) 結晶一本あたりのエネルギー損
失に換算すると，エンドキャップ部で数 MeV，バレル部
でも 1∼2 MeV となる。Belle での読み出し方法をそのまが 100 MeV 以上のとき時間分解能は 10 ns で，Belle の環境ではパイルアップ雑音を 2/3 から 1/2 と小さくできることを示した。また，CsI(Tl ) カウン ー出力信号パル
スのま使用し続けると，バレル部でもパイルアップによる雑イミング情報も得られるので，トリガーとングが一致しない CsI(Tl ) カウン

音がこの 1 µs 中のエネルギー損失と同程度になると予想

イミーのヒットをとりのぞく。これにより，ビームバックグラウンドに起因してされ，これは PIN-PD と読み出しエレクトロニクスのみ

物理事象中に残ってくるシャワーの数を 1/7 に減らすこで決まる E.N.E. の 5 倍から 10 倍にあたり看過できない。
そこで，Belle II の CsI(Tl ) カロリメーtSignal charge

径から外れる），Radiative Bhabha 散乱といったものがリメー

Shaper output( =0.5μs)

Shaper output
signal ( =1μs)とが可能となる見込みである。

ーでは，波トロニクスを導入する [6]。Belle での読み出しスキーム

Belle II 実験の本番用 Shaper+DSP ボードは VME 3U
規格のフォームファク ーで作り，一枚のボードに 16 ャ
ンネルを接続する。一枚のボードに接続された 16 本のCsI(Tl ) カウン ーが 4 × 4 のマトリックスを形成するよと，Belle II での読み出しスキームの比較を図 4 に示す。

形整形した出力の和をトリガー論理を形成する最小単位

形サンプリング読み出しを行い，波形フィットによってCsI(Tl ) カウン ーごとの検出エネルギーに加え信号パル
スの イミングを求めるデジ ル信号処理を行うエレク

うに接続し，この 16 本のカウン ーの時定数 200 ns で波

今日では，2 MHz のサンプリング周波数で動作する 18とする。Shaper+DSP ボード上の FPGA は，波形フィッ

bit の ADC が入手可能であり，レンジ選択のメカニズム
なしに，必要な イナミックレンジをカバーできる。

トに加えて処理済みの 16

ャンネルの信号を多重化して Collector モジュールに送る。Collector モジュールはBelle II での読み出しエレクトロニクスアップグレー
ドの要である波形フィットは，Shaper，Digitizer に加えVME クレートに一枚挿入され，当該 VME クレート中の12 枚の Shaper+DSP ボードのデー をとりまとめて，後て FPGA を搭載した Shaper+DSP ボード上で行う。この段の COPPER へ送る。全部で 52 台の VME クレートをボード上の Shaper 部時定数は，高レート対応のため Belle

5

113

Belle 測定器構造体の周辺に配置し，VME クレートごとに Collector モジュールが送り出したデー はエレクトロ
ニクスハット（測定器の脇にある読み出しエレクトロニ
クスを設置するための実験ホール内建屋）内の COPPERなど，高密度で数十 ns 程度の短い発光時間を持ち大光量と三拍子そろった高性能のシン レー ーは，どれも融点が 2000◦ C 前後で，結晶を育成するには原料を投入・溶融するのにイリジウム製るつぼが必要になる，結晶育成を収集システムの初段にあたる

酸素がある雰囲気中で行う必要が生じる場合もあり，そーに送る。この一連の読み出しエレクトの際は，るつぼの消耗も激しいなど，高コスト要因が多ロニクスのブロック イヤグラムを図 5 に示す。これまで

い。それゆえ Belle II 実験のエンドキャップ部に用いる量

で受け，それを中央デー
イベントビルScintillation light PhotodiodeTwo preamp.
Sum

Preamp.

BGO は発光時間が 300 ns と CsI(Tl ) の 1/4 程度なのでパイルアップ雑音の除去効果が限定的であろうと考えらる一方，BGO のゲルマニウムを硅素に置換した BSO 結

Shaper+DSP (16 ch)

ShaperCsI crystal

を現実的な額の予算で調達することは困難な状況である。

Outside the Belle detector

Inside the Belle detector(500 ns) Digitizer(200 ns)

2MHz,18bit

晶は発光時間が 100 ns とじゅうぶん短いものの，シン
レー

FPGA

現しやすいので長さ 20 cm に達する大型の結晶インゴッ...×12
Cal. Trigger
Electronics

ーとして機能しない茶色で不透明な異なる相が出Collector

トを育成する歩留まりの改善が難しいことが判明した。こVME crate×52

うした理由から，エンドキャップ部を置換する結晶シン
レー

COPPERーとしては，純 CsI が現実的に可能な解だという結論に至っている。
純 CsI は，表 1 に既述したように，CsI(Tl ) と比較しEvent builderて，速い発光成分の波長が 310 nm と短く，シンElectronics Hut

レーション発光量が数十分の一と少ないので，PIN-PD では

図 5: Belle II 電磁カロリメー ーの信号処理エレクトロ

E.N.E. を必要な水準まで小さくすることはまったく不可能である。したがって，適当な増幅率を持つ光検出器と組み合わせることにより E.N.E. を下げるソリューションを

ニクスのブロック図。
に，バレル部向け Shaper+DSP ボードの量産は終わり，

選択せねばならない。Photopentode は光電陰極と陽極の納品後の試験も済ませて，この原稿を書いている時点で間に三段のファインメッシュ型 イノードを配して合計 5は，順次 Belle 測定器構造体まわりに配置した VME ク

極とした電子管で，口径を 2 イン

レートに挿入し，CsI(Tl ) カウン ーに接続して宇宙線テとすれば光電子数の統計は問題にならず，1.5T の磁場中でも磁場なしの場合

ストを準備している。この CsI(Tl ) 読み出しエレクトロニの 1/3 程度の増幅率を発揮する。純 CsI 結晶にとりつけ

クスの更新は日本（KEK，奈良女大），ロシア（BINP），

た試作カウン

韓国（漢陽大）のメンバーで進めている。

ーを時定数 30 ns と非常に速い波形成形

回路で読み出しても E.N.E. は既存 CsI(Tl ) カウン ーと同程度であることを示したため，光検出器のベースライ

5

純 CsI によるアップグレードンと考えている。一方，コンパクトで一つの CsI 結晶に複数個を取り付けてハードウエアの冗長性を確保できる

Belle II 実験では、既述したように Belle 実験の電磁カ
ロリメー ーを構成する既存の CsI(Tl ) 結晶のシン レー
ション光を PIN-PD で読み出すカウン ーを用い，読み出しエレクトロニクスの改良によって高計数率環境に対を発揮するものの 310 nm の波長領域では 25%程度に下処するが，特にビームバックグラウンドのレベルが高いがってしまう，受光部面積が 1 cm2 の場合でデバイス容

前方エンドキャップの結晶シン

量が 270 pF と大きいなど，原理的な難点がいくつか存在レー

メリットを考慮して，増幅機能を持つ半導体光検出器である浜松 S8664 型をはじめとした APD も検討と試験を行っている。400∼500 nm では 80%以上の高い量子効率ーを発光時間が短い純 CsI に置き換えるオプションも検討している。

している。したがって 100 倍から 150 倍程度と既存のア

CsI よりも密度が高い，すなわち X0 と RM が短かけれ
ば，20 X0 の長さを確保して，結晶を置換した部分に入射した粒子に対しては，1 GeV 以上の高エネルギー領域でのエネルギー分解能を改善できる。そこで純 CsI 以外の結晶シン レー ーも検討したが，GSO，LSO，LYSO

プリケーション例で一般的な 50 倍値度よりも高い増幅率で用いる，短い時定数の波形成形でも信号電荷収集効率が高いプリアンプを使用する，一つの純 CsI 結晶に 4 つの APD を取り付けて使うなどの工夫をすべて講じてもPhotopentode オプションと同程度まで E.N.E. を下げる
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114のは容易でない，ということがこれまでに得られた知見

Hitomi Ikeda, Ph.D Dissertation, Nara Women’sである。なお，Belle の CsI(Tl ) では Tl のドープ量は数百 ppm から 1000 ppm 程度であるから結晶内のシャワー

University (Jan. 1999);
http://www.hepl.phys.nara-wu.ac.jp/の発達は純 CsI と変わらず，したがって純 CsI にする場

thesis/doctor/hitomi/main/

合も既存の CsI(Tl ) カウン

ーと同じ形状に仕上げれば[3] Richard L. Summer for the L3 collaboration,
Nucl. Instrum. Meth. A265 (1988) 252-257.

1 GeV 以上の高エネルギー領域では今までと同じ性能を期待できる。
前方エンドキャップに純 CsI を導入するアップグレー
ドには，昨年から Belle II に加わったカナ とイ リアのグループも興味を示し，純 CsI カウン[4] Serguei Chatrchyan et al. (CMS collaboration),
JINST 8 (2013) P09009 and cited articles.

ーを量産する[5] “Belle 測定器：20 世紀最後のコライ ー検出器”,
幅淳二, 高エネルギーニュース Vol. 30, No. 3, 170

予算はいまだ確定していないが，Photopentode や APDの性能評価や長期安定性の試験，プリアンプ，機械支持(2011).

構造の検討，消失エネルギーの制限が必要な崩壊モード
における改善の見積もり，コミッショニング時におけるバックグラウンド量のモニ[6] Edited by Z. Drezal and S. Uno, Belle II
Technical Design Report, KEK Report 2010-1,

ーの検討などを進めている状況である。

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arXiv:1011.0352.

まとめ
本稿では，Belle II 実験の電磁カロリメー ーについて述べた。陽子ビーム衝突を前方で待ち構え，単位積分ル
ミノシティ当たりに検出される b ハドロンの数が，Υ(4S)
での電子・陽電子コライ ーに比して約 2000 倍に達する

LHCb 実験との競争においては，γ ，π 0 ，η といった中性粒子の検出とともに，消失エネルギーの制限が必要な B
中間子の崩壊モードの信号抽出を可能とする性能の確保が至上命題である。CsI(Tl ) 結晶シン レー ーを PIN フォ
ト イオードで読み出す 8736 本のカウン ーに，2MHzのサンプリング周波数と 18bit のイナミックレンジを持つ波形サンプリング読み出しエレクトロニクスを組み合わせるソリューションを採用し，この原稿の執筆時点
では，宇宙線による総合試験を目指し，量産したバレル
部用エレクトロニクスモジュールの試験，実機への組み込みと接続などの作業を進めている。エンドキャップ部への純 CsI の導入は，関連コンポーネントの R&D と物理へのインパクトおよびコミッショニング時のバックグラ
ウンド量のモニーの検討などが進行中である。

参考文献[1] D. Decamp et al. (ALEPH collaboration), Nucl. Instrum. Meth. A294 (1990) 121-178, Erratum-ibid.
A303 (1991) 393.
[2] “Development of the CsI(Tl) Calorimeter for the
Measurement of CP Violation at KEK B-Factory”;
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