Datasheet

フォトカプラ不要
絶縁型フライバック・コンバータ
BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
概要
本製品は産業機器市場へ向けた、長期の供給を保証するランクの製品です。
これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。
本製品はフォトカプラ不要の絶縁型フライバック・コンバータです。トランスで絶縁された安定な出力電圧を得るために、従来のアプリケーションでは必要とされたフォトカプラや、トランスの 3 次巻線によるフィードバック回路が一切不要となることで、大幅に部品点数を削減し、小型、高信頼性の絶縁型電源アプリケーションを実現できます。
さらに、独自の適応型オン時間制御テクノロジの採用で、従来の方式では必要とされた外付け位相補償部品も不要となり、簡単に高性能の絶縁型電源アプリケーションを実現できます。

特長

重要特性

 産業機器に適した長期の供給保証
 フォトカプラや、トランスの 3 次巻線が不要
2 本の外付け抵抗とトランス巻数比で出力電圧を設定
 独自の適応型オン時間制御テクノロジを採用
高速負荷応答を実現し、外付け位相補償部品が不要
 固定スイッチング周波数で低出力リップル
 高効率の軽負荷モード対応（PFM 動作）
 シャットダウン／イネーブル制御
 Nch MOSFET 内蔵
 ソフトスタート機能
 出力負荷補償機能
 各種保護機能
入力低電圧保護（VIN UVLO）
過電流保護（OCP）
温度保護（TSD）










動作電源電圧:SW 端子動作電圧:
過電流リミット:
スイッチング周波数:
基準電圧精度:シャットダウン時回路電流:
動作時回路電流:動作接合部温度:

パッケージ
HSON8
HTSOP-J8

3V to 40V
50V(Max)
1.25A(Typ)
400kHz(Typ)±1.5%
0μA (Typ)
2mA(Typ)-40°C to +125°C

W(Typ)
D(Typ)
H(Max)
2.90mm x 3.00mm x 0.60mm
4.90mm x 6.00mm x 1.00mm

用途
 産業機器向け絶縁電源

HTSOP-J8

HSON8

基本アプリケーション回路
VOUT+

VIN
VIN
SDX/ENSW

VOUT-

BD7F100HFN-LB
FB

COMP
AGND

○製品構造：シリコンモノリシック集積回路
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REF

PGND

○耐放射線設計はしておりません

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
端子配置図(TOP VIEW)
AGND

1

8

VIN

SDX/EN

2

7

SW

COMP

3

6

PGND

REF

4

5

FB

端子説明
端子番号

記 号

機

1

AGND

アナログ系 GND

2

SDX/EN

シャットダウン／イネーブル制御

3

COMP

出力電圧の負荷電流補償設定

4REF

出力電圧設定5FB

出力電圧設定6PGND

パワー系 GND

7SW

スイッチング出力

8

VIN

電源

能

ブロック図
VIN

FB

SW

INTERNAL
REGULATOR
VREF

COMPARATOR

Shutdown

VREF

EnableSDX/ENVIN UVLO

SOFT
START

ADAPTIVE
ON-TIMECONTROLLER

Nch
MOSFET
DRIVER

TSD
OCP

LOAD
COMPENSATION

AGNDwww.rohm.co.jp© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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REF

COMP

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Current Monitor

PGND

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
各ブロック動作説明
1. INTERNAL REGULATOR
内部回路用のレギュレータブロックです。
基準電圧生成ブロック(VREF)も、このブロック内に含まれます。
SDX/EN 端子が 0.9V(Typ)以下のシャットダウン状態においては、このブロックもシャットダウンします。
2. VIN UVLO
入力低電圧保護ブロックです。
入力電源電圧 VIN が 2.5V(Typ)以下になると検出し、SW 端子が Hi-Z となり保護状態となります。
入力電源電圧 VIN が 2.65V(Typ)以上になると、ソフトスタートを経て自動復帰します。(ヒステリシス電圧:0.15V(Typ))
3. SOFT STARTSDX/EN 端子が 2.0V(Typ)以上のイネーブル状態になると、COMPARATOR ブロックの基準電圧を 0V から VREF まで緩やかに遷移させることで、出力電圧の立ち上りにおける突入電流やオーバーシュートを防ぎます。
ソフトスタート時間 tss は、IC 内部で設定された固定値 6ms(Typ)となっています。
出力電圧が設定電圧の 50%以下の状態においては、最小オフ時間は 750ns(Typ)となります。
4. COMPARATOR
基準電圧と、SW 端子電圧のフィードバック電圧である REF 端子電圧とを比較します。
コンパレータによるフィードバックループを構成するため、負荷変動に対する応答性に優れています。
5. ADAPTIVE ON-TIME CONTROLLER
独自の適応型オン時間制御テクノロジに対応したブロックです。
負荷安定時は PWM 制御のため、スイッチング周波数は 400kHz(Typ)固定となります。
負荷変動時はオン時間制御となり、スイッチング周波数を変動しながら高速負荷応答を実現します。
軽負荷時においては高効率の PFM 動作となり、スイッチング周波数を低下することで自己消費電力を抑えます。
6. DRIVER
内蔵の Nch MOSFET を駆動するブロックです。
7. LOAD COMPENSATION
負荷電流に応じた 2 次側出力ダイオードの VF 特性変動による出力電圧変動を補償するブロックです。
内蔵の Nch MOSFET に流れる電流をモニタして、COMP 端子の外付け抵抗とコンデンサで決定される補償量及び時定数に応じた電流を REF 端子より引き込みます。REF 端子の外付け抵抗に流れる帰還電流が減少し REF 端子電圧が低下することで、出力電圧が上昇し補正されます。
8. TSD
温度保護ブロックです。
IC 内部のチップ（接合部）温度 Tj が 175°C (Typ)以上に上昇すると検出し、SW 端子が Hi-Z となり保護状態となります。
Tj が 150°C (Typ)以下に低下すると、ソフトスタートを経て自動復帰します。
9. OCP
過電流保護ブロックです。
内蔵の Nch MOSFET のオン時におけるピーク電流が 1.25A(Typ)に達すると検出し、Nch MOSFET をオフします。
出力電圧が設定電圧の 50%以下になると、OCP のピーク検出電流は 0.625A(Typ)に抑制されます。
また、出力電圧が設定電圧の 50%以下の状態で OCP が動作すると、最小オフ時間は 1.5μs(Typ)となります。

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
絶対最大定格(Ta=25°C )
定
項

目

格

記号

単位
BD7F100HFN-LB(Note 1)

BD7F100EFJ-LB

VIN 入力電源電圧

VIN

45

V

SW 端子電圧

VSW

60

V

VSDX/EN

VIN

V

FB 端子電圧

VFB

VIN-0.3V to VIN+0.3V もしくは 45V の低い方V

REF 端子電圧

VREF

7

V

COMP 端子電圧

VCOMP

7

V

SDX/EN 端子電圧1.75(Note 2)3.75

(Note 3)

許容損失

Pd

W

保存周囲温度Tstg-55 to +150

°C

最大ジャンクション温度

Tjmax

150

°C

(Note 1) Pd を超えないこと。
(Note 2) 1 層ガラスエポキシ基板実装時（基板サイズ 70mm x 70mm x 1.6mnt、銅箔密度 65%、銅箔厚 35μm）Ta ≥ 25°C の場合は、14.0mW/°C で軽減。
(Note 3) 4 層ガラスエポキシ基板実装時（基板サイズ 70mm x 70mm x 1.6mnt、銅箔厚 35μm）Ta ≥ 25°C の場合は、30.0mW/°C で軽減。
注意：印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を超えた場合は、劣化または破壊に至る可能性があります。また、ショートモードもしくはオープンモードなど、破壊状態を想定できません。絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズなど物理的な安全対策を施して頂けるようご検討お願いします。

推奨動作条件
項

目

記号

規格値
最小

標準

最大

単位

VIN 入力電源電圧

VIN

3

24

40

V

SW 端子電圧

VSW

－

－

50

V

Tj

-40

－

+125

°C

ジャンクション温度(Note 4)(Note 4) ジャンクション温度が 125°C を超えると動作寿命が低減するおそれがあります。

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
電気的特性（特に指定のない限り、Ta = 25°C ，VIN= 24V，VSDX/EN = 2.5V とする。）
項

目

記号

規

格

値

最小

標準

最大

単位

条

件

Power Supply
シャットダウン時回路電流

IST

-

0

10

μA

VSDX/EN=0V

動作時回路電流

ICC

-

2

4

mA

VSDX/EN=2.5V
VREF=2V(PFM 動作時)

UVLO 検出電圧

VUVLO

2.3

2.5

2.7

V

VIN falling

VUVLO_HYS

0.1

0.15

0.2

V

シャットダウン電圧

VSDX

0.3

0.9

1.5

V

イネーブル電圧

VEN

1.9

2.0

2.1

V

イネーブルヒステリシス電圧

VEN_HYS

0.15

0.2

0.25

V

SDX/EN 端子流入電流

ISDX/EN

-

0

1

μA

VREF

0.768

0.78

0.792

V

オン抵抗

RON

-

0.5

-

Ω

過電流リミット

ILIMIT

1

1.25

1.5

A

スイッチング周波数

fSW

-

400

-

kHz

最小オン時間tON_MIN

-

350

-

ns

最小オフ時間tOFF_MIN

-

300

-

ns

最大オフ時間tOFF_MAX

-

20

-

μs

tSS

-

6

-

ms

UVLO ヒステリシス電圧
SDX/EN Control

VSDX/EN rising

VSDX/EN=2V

Reference Voltage
基準電圧
Switch Characteristics

ソフトスタート時間

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SW-PGND 端子間

PWM 動作時(Duty=40%)

0V to (VREF×90%)

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
特性データ(参考データ)

SW 端子電圧
50V(Max)による制限

8
電流リミット 1A(Min)による制限

Maximum Output Power [W]

7
6
5

4
最大出力電力は、SW 端子の電流リミット最大動作電圧によって概ね制限されます。
さらに、外付け部品（トランス、ショットキーバリアダイ
オード、スナバ回路など）の特性によっても変動します。

3
2
1
0
0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

VIN Voltage [V]Figure 1. Maximum Output Power vs VIN Voltage

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
特性データ(参考データ)

1

2.5

0.9
2

0.7

Circuit Current [mA]

Shutdown Current [μA]

0.8

0.6
0.5
0.4

SDX/EN=0V

0.3
0.2

1.5

1
REF=2VCOMP=0V
0.5

0.1
0

0
0

10

20

30

40

0

10

VIN Voltage [V]30

40

VIN Voltage [V]Figure 2. Shutdown Current vs VIN Voltage

Figure 3. Circuit Current vs VIN Voltage

40

500
450

35

400

30
Switching Frequency [KHz]

SDX/EN Input Current [μA]

20

25

20
15
10
5

350
300

250
200
150
100
50

0

0
0

5

10

15

20

25

30

35

40

20

SDX/EN Voltage [V]

30

35

40

45

Duty [%]

Figure 4. SDX/EN Input Current vs SDX/EN Voltage

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25

Figure 5. Switching Frequency vs Duty

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50

BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB

100

5.25

90

5.2

80

5.15

70

5.1

Output Voltage [V]Efficiency [%]特性データ(参考データ)

60
50
40

負荷補償ありRCOMP=43kΩ

5.05
5
4.95

30

4.9

20

4.85

10

4.8

負荷補償なし

4.75

0
0

200

400

600

800

1000

0

200

400

600

800

1000

Load Current [mA]

Load Current [mA]
Figure 6. Efficiency vs Load Current(24V 入力、5V 出力)

Figure 7. Output Voltage vs Load Current(24V 入力、5V 出力)

54.95

Output Voltage [V]

4.9
4.85
4.8

IOUT: 500mA/Div

4.75
4.7
4.65

IOUT=1A
負荷補償なし4.6

VOUT: 500mV/Div

4.55

4.5
-50

0

50

100

150

Ambient Temperature [°C]
Time: 1ms/Div
Figure 8. Output Voltage vs Ambient Temperature(24V 入力、5V 出力)

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Figure 9. 負荷応答特性(24V 入力、5V 出力、負荷補償なし、IOUT=300mA<->1A)

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
特性データ(参考データ)

VIN: 20V/Div

VIN: 20V/Div

SDX/EN: 2V/Div
SDX/EN: 2V/Div

VOUT: 2V/Div

VOUT: 2V/Div

SW: 20V/Div

SW: 20V/Div

Time: 4ms/Div

Time: 4ms/Div

Figure 10. 起動波形（SDX/EN 端子制御）(24V 入力、5V 出力、SDX/EN=0V->2.5V)

Figure 11. シャットダウン波形（SDX/EN 端子制御）(24V 入力、5V 出力、SDX/EN=2.5V->0V)

VIN: 20V/Div
VIN: 20V/Div
SDX/EN: 2V/Div
VOUT: 2V/Div

SDX/EN: 2V/Div
VOUT: 2V/Div

SW: 20V/Div
SW: 20V/Div

Time: 4ms/Div

Time: 4ms/Div

Figure 12. 起動波形（VIN 端子制御）(24V 入力、5V 出力、VIN=0V->24V、R1=1MΩ、R2=120kΩ)Figure 13. シャットダウン波形（VIN 端子制御）(24V 入力、5V 出力、VIN=24V->0V、R1=1MΩ、R2=120kΩ)

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB

100

15.5

90

15.4

80

15.3

70

15.2
Output Voltage [V]Efficiency [%]特性データ(参考データ)

60
50
40
30

負荷補償ありRCOMP=9.1kΩ

15.1
負荷補償なし

15
14.9
14.8

20

14.7

10

14.6
14.5

0
0

100

200

300

0

400

100

200

300

400

Load Current [mA]

Load Current [mA]

Figure 15. Output Voltage vs Load Current(24V 入力、±15V 出力)

Figure 14. Efficiency vs Load Current(24V 入力、±15V 出力)

15.5
15.4

Output Voltage [V]

15.3
15.2
15.1
15
14.9
IOUT=330mA(正負合計)
負荷補償なし

14.8
14.7
14.6
14.5
-50

0

50

100

150

Ambient Temperature [°C]

Figure 16. Output Voltage vs Ambient Temperature(24V 入力、±15V 出力)

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
応用回路例
基板のレイアウト、外付け部品の種類などにより特性が変化しますので実機での十分なご確認をお願い致します。
T1
3:1
VIN
VOUT+
24V
5V, 1A
D2
R
DUMMY
Z
1
VIN
7µH
1000pF 63µH
47µF 330Ω
SDX/EN
10µF

VOUT-

SW

COMP
AGND

1kΩ

D1

BD7F100HFN-LB

FB
PGND

REF

80.6kΩ

T1 : Sumida Electric CEP1311D-2405051R
Z1 : ROHM KDZ18B
D1 : ROHM 1SS400SM
D2 : ROHM RB160M-40

3.9kΩ

Figure 17. 24V 入力、5V 出力

T1
1:1:1

VIN
24V
10µF

VIN

Z1

BD7F100HFN-LB

D1

SDX/EN

AGND

D2
50µH

4700pF

COM

470Ω
50µH
D3

FB
PGND

REF

RDUMMY
4.7kΩ

50µH 10µF

SW

COMP

VOUT+
15V,165mA

RDUMMY
4.7kΩ

10µF

VOUT-15V, -165mA
T1 : Sumida Electric CEP1311D-2415052R
Z1 : ROHM KDZ18B
D1 : ROHM 1SS400SM
D2,D3 : ROHM RB160M-90

76.8kΩ

3.9kΩ

Figure 18. 24V 入力、±15V 出力

T1
1:2

VIN
5V
10µF

VIN

Z1

BD7F100HFN-LB

D1

D2

SDX/EN40µH

RDUMMY
22µF 1kΩ

1kΩ

VOUT-

SW

COMP

FB
AGND

10µH

1000pFVOUT+
5V, 200mA

REF

PGND

13.3kΩ

3.9kΩ

T1 : Sumida Electric CEP911B-0505051R
Z1 : ROHM KDZ5.6B
D1 : ROHM 1SS400SM
D2 : ROHM RB160M-40

Figure 19. 5V 入力、5V 出力
Table 1. 推奨トランス
Target Applications

Size (W×L×H)
[mm]

LP
[μH]

NP : NS

Vendor

VIN [V]

VOUT [V]IOUT [A]

CEP1311D-2405051R

13.5×20.0×12.5

63

3:1

Sumida Electric

24

5

1

CEP911B-2405051R

10.0×10.0×11.5

63

3:1

Sumida Electric

24

5

0.8

CEP1311D-2415052R

13.5×20.0×12.5

50

1:1:1

Sumida Electric

24

±15

0.165

CEP911B-0505051R

10.0×10.0×11.5

10

1:2

Sumida Electric

5

5

0.2

Part Number

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
アプリケーション情報
1. 動作概要
本製品はフォトカプラ不要の絶縁型フライバック・コンバータです。トランスで絶縁された安定な出力電圧を得るために、従来のアプリケーションでは必要とされたフォトカプラや、トランスの 3 次巻線によるフィードバック回路が一切不要となることで、大幅に部品点数を削減し、小型、高信頼性の絶縁型電源アプリケーションが実現できます。
さらに、独自の適応型オン時間制御テクノロジの採用によって、従来の方式では必要とされた外付け位相補償部品も不要となり、簡単に高性能の絶縁型電源アプリケーションが実現できます。
1 次側フライバック電圧から 2 次側の出力電圧の情報を得てフィードバックし、この情報と IC 内部の基準電圧と比較して、
オンタイミングを決定します。
適応型オン時間制御の特長は以下となります。
・負荷電流安定時は、PWM 制御で動作しスイッチング周波数は、400kHz(Typ)固定・負荷電流変動時は、オン時間制御で動作しスイッチング周波数が変動することで高速負荷応答を実現
・軽負荷時にはスイッチング周波数が低下することで高効率を実現
2．タイミングチャート(1) 起動時/停止時
SDX/EN 端子が 2.0V(Typ)以上となるとイネーブル状態となり、ソフトスタート機能により出力電圧が緩やかに起動します。
また、SDX/EN 端子が 1.8V(Typ)以下になるとディセーブル状態となり出力電圧をオフします。

VIN

SDX/EN(Note1)(Note1)

2V

1.8V

tss
VOUT×0.9

VOUT

Figure 20. 起動/停止時タイミングチャート(Note1) 本 IC の制御方式ではデューティが 50%以下で動作する必要があります。起動時/停止時には VIN が次式を満たす
状態で、SDX/EN 端子をイネーブル/ディセーブル制御してください。

V IN 

NP
 VOUT V F 
NS[V]

VIN = VIN 入力電源電圧
NP = 1 次側のトランス巻数
NS = 2 次側のトランス巻数
VOUT = 出力電圧
VF = 2 次側の出力ダイオードの順方向電圧
SDX/EN 端子を VIN 端子にショートしてご使用いただくと、起動時/停止時にデューティ 50%以上となり意図しない出力電圧が生じる場合があります。VIN 端子によるイネーブル制御については、P.16 アプリケーション情報「8.イネーブル電圧」
をご参照ください。

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB(2) 入力低電圧保護（VIN UVLO）
入力電源電圧 VIN が 2.5V(Typ)以下になると検出し、SW 端子が Hi-Z となり出力を OFF します。
入力電源電圧 VIN が 2.65V(Typ)以上になると、ソフトスタートを経て自動復帰します。(ヒステリシス電圧:0.15V(Typ))
VIN UVLOOFF

VIN UVLO
ON

VIN

2.65V

2.5V
0V

tss

VOUT

VOUT×0.9

SW

Figure 21. VIN UVLO タイミングチャート(3) 温度保護（TSD）
IC 内部のチップ（接合部）温度 Tj が 175°C (Typ)以上に上昇すると検出し、SW 端子が Hi-Z となり出力を OFF します。
Tj が 150°C (Typ)以下に低下すると、ソフトスタートを経て自動復帰します。温度保護回路は、あくまで Tjmax=150°C を超えた異常状態下での熱暴走から IC を遮断することを目的とした回路であり、セットの保護及び保障を目的としておりません。よって、この回路の機能を利用したセットの保護設計はしないでください。
TSD ONTSD OFF

Tj=175℃

Tj=150℃

Tj
tss

VOUT

VOUT×0.9

VIN

SW

Figure 22. TSD タイミングチャート(4) 過電流保護（OCP）
内蔵の Nch MOSFET のオン時におけるピーク電流が 1.25A(Typ)に達すると検出し、Nch MOSFET をオフします。
スイッチング周期ごとに検出しており、オンデューティが制限されるため、出力電圧は低下します。
VOUT
ILIMIT=1.25A

IP(1次側のトランス電流)

SW

IOUT
(出力負荷電流)

NormalOver Current

NormalFigure 23. OCP タイミングチャート

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3．出力電圧内蔵 Nch MOSFET が OFF 時において、SW 端子電圧が VIN 電圧より高くなります。この 1 次側フライバック電圧（SW 端
子電圧と VIN 電圧の差）は、2 次側の出力電圧情報を含んでいます。ターン OFF 時の SW 端子電圧は次式で表せます。

V SW V IN NP VOUT V F  I S  ESR 
NS

VIN

[V]

IS

NP/NS

VIN

VF

VOUT

IRFB
RFB

VSW = SW 端子電圧
IS = 2 次側のトランス電流
ESR = 2 次側の総インピーダンス（2 次側のトランス巻線抵抗、基板のインピーダンス等）

FB

SW

COMPARATOR

VREF

0.78V

Adaptive
On-TimeController
VCOMP

ICOMP

DriverIP
Current
Monitor

25kΩ

REF

COMP

RREF

CCOMP

PGND

RCOMP

Figure 24. 制御ブロック図
この 1 次側フライバック電圧は、抵抗 RFB によって電流 IRFB に変換されます。FB 端子電圧は VIN の差動回路により VIN
電圧とほぼ等しくなるため、IRFB は次式となります。

V V
I RFB  SW FB
RFBNP VOUT V F  I S  ESR 
NS

R FB

[A ]

IRFB =FB 端子流入電流
VFB = FB 端子電圧
RFB = FB-SW 端子間の外付け抵抗
さらに、IRFB は抵抗 RREF に流れるため、REF 端子電圧は次式となります。

V REF R REF N P VOUT V F  I S  ESR R FB N S[V]

VREF = REF 端子電圧
RREF = REF-AGND 端子間の外付け抵抗（3.9 k Ω を前提に IC 内部が設計されています）
REF 端子電圧は IC 内部の基準電圧(0.78V(Typ))との比較コンパレータに入力されます。
系全体のループゲインが高いため、REF 端子電圧は IC 内部の基準電圧と等しくなります。従って、出力電圧 VOUT と REF 端子電圧 VREF は次式の関係になります。

VOUT 

R FB N SV REF V F  I S  ESR
R REF N P

[V]

つまり、出力電圧 VOUT はトランスの 1 次側と 2 次側の巻数比、RFB と RREF の抵抗比によって設定します。
VF と ESR は出力電圧誤差の要因となります。帰還抵抗 RFB は上記 VOUT の関係式より、次式となります。

RFB 

RREF N P VOUT VF  I S  ESR 
VREF N S

[Ω]

VSW
<60V
<50V
NP
NS

V

OUT

 V F  I S  ESR

 = 1 次側フライバック電圧

VIN

Figure 25. 1 次側フライバック電圧

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4．トランス(1) 巻数比
巻数比は、出力電圧、最大出力電力、デューティ、SW 端子電圧を設定するパラメータです。
フライバック・コンバータのデューティは次式で表せます。

NP VOUT V F 
NSDuty N
V IN  P  VOUT V F 
NSSW 端子からフィードバック電圧をモニタしており、安定した制御のためにデューティを 50%以下にする必要があります。
また最小オン時間の制約から最低デューティは 20%となり、巻数比は下記の条件を満たさなければなりません。

1
V IN
N
V IN

 P 
4 VOUT V F N S VOUT V F
(2) 1 次側インダクタンス
フライバック・コンバータは、1 次側のインダクタンスと 2 次側の出力コンデンサによる 2 次の極（ポール）を持ちます。
したがって、安定動作のためには 1 次側インダクタンスの選定は重要となります。
また、1 次側インダクタンスは最大負荷にも影響を与えるため、下記の条件を満たさなければなりません。

V IN 2 T  Duty 2  η
2  Duty V IN 2
1

 LP 
VOUT V F   I OUT_MAX  π  f SW
2 I LIMIT _ MIN  Duty V IN  η VOUT _ MAX  I OUT _ MAX[H]

LP = 1 次側インダクタンス
T = スイッチング周期
η = 効率ILIMIT_MIN = 過電流リミットの最小値
IOUT_MAX = 最大出力負荷電流
fSW = スイッチング周波数(3) 漏れインダクタンス
トランスの漏れインダクタンスは、内蔵 Nch MOSFET がターンオフした瞬間に、SW 端子にリンギングを発生させます。
リンギングの尖頭電圧が SW 端子の絶対最大定格 60V を超えないようにスナバ回路等を挿入してください。さらに、スパ
イク電圧発生後は、リンギングが生じます。2 次側の出力電圧の誤検出防止のため、250ns(Typ)以内に収束させる必要があります。
また、内蔵 Nch MOSFET がターンオンした瞬間に、出力ダイオードに逆方向のスパイク電圧を発生させます。このスパイク電圧が出力ダイオードの定格電圧を超えないように十分ご注意ください。
(4) 巻線抵抗
1 次側及び 2 次側の巻線抵抗は電力効率の低下を招きます。また、2 次側の巻線抵抗は出力電圧を低下させます。
したがって、巻線抵抗の小さいトランスの使用を推奨します。
(5) 飽和電流
1 次側トランス電流は、飽和電流を超えた電流を流すとトランスのコアが飽和するため、流入した電流は 2 次側に伝搬されません。また、コアが飽和するとインダクタンス値が低下するため、トランス電流が急激に増加してしまいます。トランス電流は定格飽和電流を超えないようにしてください。
5．出力コンデンサ
安定動作のためには 2 次側の出力コンデンサの選定は重要となります。下記の条件を目安に容量を選定してください。

1 N
C OUT  1.6  10    P  Duty 
LP  N S

9

2

[F]

COUT = 出力コンデンサの容量値
また、2 次側の出力電圧はソフトスタート時間(tSS)に立ち上がる必要があるため、出力コンデンサの選定には次式の条件も考慮してください。特に容量値が極端に大きい場合、起動時の突入電流により過電流保護が動作し、起動不良が発生する可能性があります。

C OUT 1
2

t SS   I LIMIT _ MIN 



NP 
  1  Duty   I OUT _ MAX 
NS 


VOUT

[F]

tSS = ソフトスタート時間
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6. 入力コンデンサ
入力コンデンサにはセラミック・コンデンサをご使用ください。入力コンデンサは VIN 端子に可能な限り近く配置してください。基板パターンやコンデンサの位置によって誤動作する可能性がありますので P.19「基板レイアウトの注意点」をご参照の上、設計をお願いします。
入力コンデンサの容量は VIN 端子のリップル電圧が入力電源電圧の 4%以下になるようにしてください。
また、負荷変動時や起動時においてもリップル電圧が抑えられていることをご確認ください。
7. 出力ダイオード
出力ダイオードの順方向電圧 VF は出力電圧の誤差要因になりますので、VF の小さいショットキーバリアダイオードを推奨します。ダイオードの選定おいては、順方向電流が定格を超えないようにしてください。また、内蔵 Nch MOSFET がオンのときに、出力ダイオードに発生する逆方向電圧 VR は次式で表せます。

V R V IN 

NS
VOUT
NP

[V ]

さらに、内蔵 Nch MOSFET がターンオンする瞬間には逆方向電圧 VR にリンギングが重畳されます。逆方向電圧 VR の尖頭電圧が、出力ダイオードの定格を超えないようにしてください。
8．イネーブル電圧
SDX/EN 端子電圧を 0.9V(Typ)以下とすることで、本 IC をシャットダウン状態にできます。
SDX/EN 端子電圧の立ち上り時、2.0V(Typ)以上にするとイネーブル状態となり IC が起動します。
また、立ち下り時には 0.2V(Typ)のヒステリシス電圧があります。
SDX/EN 端子は Figure.26 に示すように、VIN 端子と GND 端子間を抵抗 R1 と R2 で分割して SDX/EN 端子に接続することで、VIN 端子によるイネーブル制御を実現します。VIN 端子立ち上り時のイネーブル電圧は次式で設定できます。

VVIN_ENABLE 

2.0V  R1  R2 
R2

VIN

[V]

R1

VIN 端子立ち下り時のディセーブル電圧は次式で設定できます。

1.8V  R1  R2 
VVIN_DISABL E 
R2

R2

[V]

本 IC の制御方式ではデューティが 50%以下で動作させる必要があるため、
次式を満たすディセーブル電圧に設定します。

VVIN_DISABL E NP VOUT V F 
NSVIN
SDX/EN

Figure .26 VIN 端子によるイネーブル制御[V]

SDX/EN 端子電圧が 5V 以上になると、IC 内部のクランプ素子がオンして流入電流が生じますのでご注意ください。
9．最小負荷電流
本製品は、トランスで絶縁された 2 次側の出力電圧情報を、内蔵 Nch MOSFET がターンオフした時の SW 端子電圧より得て、安定な出力電圧を実現します。従って、いかなる場合においても内蔵 Nch MOSFET がスイッチング動作をしないと、出力電圧を安定化することができません。
そのため、軽負荷時においても最小オン時間でスイッチング動作をします。それは、小量のエネルギーを 2 次側出力に供給することになるため、その負荷電流が少ない場合には出力電圧が上昇する可能性があります。そのため、出力にダミー
抵抗などを追加して、最小負荷電流を確保する必要があります。
その必要最小負荷電流 IOUT_MIN は下式で表せます。

 V 2 I OUT_MIN  7 .5  10 9   INLV P OUT 

[A ]
fsw

10．スイッチング周波数の変曲点
軽負荷時においては、負荷電流に応じてスイッチング周波数を変動させることで高効率を実現しています。スイッチング周波数が 400kHz(Typ)固定から低下し始める負荷電流 IOUT_fsw は次式で表せます。
2
1 400kHz  V IN  t ON _ MIN  
I OUT _ fsw   2 LP VOUT


400kHz(Typ)[A ]50kHz(Typ)tON_MIN = 最小オン時間

IOUT_MIN

IOUT
fswが変曲するIOUT_fsw

Figure 27. スイッチング周波数 対 負荷電流 イメージ
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11. 負荷補償について「3. 出力電圧」の VOUT の関係式からロード・レギュレーションを悪化させる要因となるのが VF と ESR であることがわかります。これらの要因が問題となるアプリケーションにおいては負荷補償機能を使用することで理想的なロード・レギュ
レーションを得ることが可能です。以下に、負荷補償メカニズムを説明します。特に出力電圧精度が要求されないアプリケーションでは COMP 端子を GND にショートすることで負荷補償機能を無効にできます。
VIN

IS

NP/NS

VIN

VF

VOUT

T

VSW

tON

RFB
FB

SW

COMPARATOR

VREF

0.78V

IP_MAX

Adaptive
On-TimeController
VCOMP

ICOMP

DriverIP
IP

IP_MIN

Current
Monitor

25kΩ

REF

COMP

RREF

CCOMP

PGND

IS

RCOMP

Figure 28. 負荷補償機能ブロック図

Figure 29. 負荷補償量のモニタ(連続モード)

1 次側トランス電流 IP の平均電流に応じて VOUT の電圧ドロップを補正します。
IP と Is は次式の関係があるため、IP から Is を想定して負荷補償量を決定し、COMP 端子の外付け CR で補償量の調整をします。Figure.28 の Current Monitor 部から K・IP の電流が COMP 端子へ注入され、COMP 端子の外付け抵抗 RCOMP によって VCOMP へ変換します。ここで、K は圧縮倍率であり 1/50k となります。
VCOMP の動作電圧上限は内部回路で制限されます。0.5V 以下になるよう RCOMP を設定してください。

IP 

NS
IS
NP

[A ]

VCOMP  K  I P  RCOMP  0.5V
ICOMP の急峻な変化はループの動作を不安定にする可能性があります。
そのため、VCOMP を安定化させるために CCOMP を用います。
CCOMP の参考値は 0.01μF から 0.1μF です。CCOMP の付加により VCOMP は次式になります。

VCOMP  K  RCOMP  I P_AVE

I K RCOMP  P_MIN

I COMP 

VCOMP
25kΩ



I P_MAX

2

t
T

 ON

V
[]

[V ]

IP_AVE = 1 次側トランス電流の平均値
RCOMP = ICOMP 調整用外付け抵抗
tON = 内蔵 Nch MOSFET のオン時間
次に RCOMP の調整で ICOMP を設定し、負荷補償量を決める方法を説明します。
負荷補償機能により、本来 RREF に流れる帰還電流が ICOMP により部分的に失われます。その結果、これを補うために VSWの H レベルが上昇し、低下した出力電圧を補正します。

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負荷補償機能が動作していないとき、VOUT は前述の通り次式となります。

VOUT 

RFB N SV REF V F  I S_AVE  ESR
RREF NP[V]

IS_AVE=2 次側トランス電流の平均値
負荷補償機能が動作し、ICOMP が発生したときの VOUT は次式になります。ICOMP により VOUT の電圧が増加します。

VOUT N S V REF
(
 I COMP )  RFB V F  I S_AVE  ESR
NP
RREF

[V]

K  RCOMP  I P _ AVE N SR FB  I S_AVE  RVF  I S_AVE  ESR
25kΩ
NP
ICOMP によって VF、ESR を除去するためには次式の成立が必要です。

I COMP 

NSRFB V F  I S_AVE  ESR
NP

次に IS に対する VF の変化を RVF によって線形近似し、上式から ICOMP を調整する RCOMP を求めます。

K  RCOMP  I P_AVE N SRFB  I S_AVE  RVF  I S_AVE  ESR
25kΩ
NP
2

K R COMP  N S  R FB  RVF  ESR
 
25kΩ
NP 

R  ESR  N P 
RCOMP  25kΩ  VFK R FB  N S 2[Ω]

RCOMP の設定理論値を示しましたが、RVF、ESR、RFB、は使用部品や実装基板といった使用環境に依存します。
したがって、実際に RCOMP の設定する際にはご使用の負荷電流範囲にて VOUT をモニタしながら調整してください。
VOUT

負荷補償あり傾き：RVF+ESR

負荷補償なしIOUT

Figure 30. 負荷補償イメージ

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基板レイアウトの注意
D2
VIN

VOUT+
CIN2

R1

CIN1
Z1

C1

D1

R3

R2

T1
COUT

CCOMP
RCOMP
RREF

1.AGND

8.VIN

2.SDX/EN

7.SW

3.COMP

6.PGND

4.REF

RDUMMYVOUTRFB

5.FB

点線で示すラインは別層での配線をイメージしています。
Figure 31. アプリケーション回路図
基板レイアウトは IC の安定動作に大きく影響します。基板レイアウトによっては、IC 本来の特性が得られない場合や正常に動作しない場合があります。
基板レイアウトの際には以下の点に注意してください。
①
②
③
④
⑤
⑥
⑦
⑧
⑨

入力のセラミック・コンデンサ CIN1、CIN2 は VIN 端子に可能な限り近く、IC と同じ面に配置してください。
太線で示すラインは幅広のパターンで可能な限り短くしてください。
RREF は REF 端子に可能な限り近い位置に配置してください。
RFB は FB 端子に可能な限り近い位置に配置してください。
トランス T1 は SW 端子に近づけて配置し、矢印(1 次側)で示す電流ループが短くなるようにしてください。
また、SW ノードのパターンは可能な限り太く、短くしてください。
出力ダイオード D2 はトランス T1 に可能な限り近く配置し、矢印(2 次側)で示す電流ループが短くなるようにしてください。
多層基板の場合、SW ノードのパターン・D2 アノードのパターン直下の内層には GND 層や VOUT-ノードパターンを置
かないでください。
RCOMP、CCOMP は負荷補償機能用となります。
負荷補償機能を使用しない場合は COMP 端子を GND にショートしてください。
裏面放熱用パッドは、基板 GND プレーンに接続してください。

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参考レイアウトパターン

R2
R1
CIN1
CIN2
CCOMP
RCOMP
RREF

Z1
D1 C1

T1

R3
RFB

D2

COUT
RDUMMYTop Layer

Middle Layer

Bottom Layer

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入出力等価回路図
2. SDX/EN

3. COMPInternal
Regulator

10kΩ
(Typ)

1MΩ
(Typ)
SDX/EN

COMP

AGND

AGND

4. REF, 5. FB

10kΩ
(Typ)

7. SW

VIN

AGND
FB

SW

5kΩ
(Typ)

500Ω
(Typ)

AGND

PGND

AGND
REF
10kΩ
(Typ)

10kΩ
(Typ)

AGND

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使用上の注意1.

電源の逆接続について
電源コネクタの逆接続により LSI が破壊する恐れがあります。逆接続破壊保護用として外部に電源と LSI の電源端子間にダイオードを入れる等の対策を施してください。

2.

電源ラインについて
基板パターンの設計においては、電源ラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。その際、デジタル系電源とアナログ系電源は、それらが同電位であっても、デジタル系電源パターンとアナログ系電源パターンは分離し、配線パターンの共通インピーダンスによるアナログ電源へのデジタル・ノイズの回り込みを抑止してください。グラウンドラインについても、同様のパターン設計を考慮してください。
また、LSI のすべての電源端子について電源－グラウンド端子間にコンデンサを挿入するとともに、電解コンデンサ
使用の際は、低温で容量ぬけが起こることなど使用するコンデンサの諸特性に問題ないことを十分ご確認のうえ、定数を決定してください。

3.

グラウンド電位について
グラウンド端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また実際に過渡現象を含め、グラウンド端子以外のすべての端子がグラウンド以下の電圧にならないようにしてください。

4.

グラウンド配線パターンについて
小信号グラウンドと大電流グラウンドがある場合、大電流グラウンドパターンと小信号グラウンドパターンは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が小信号グラウンドの電圧を変化させないように、セットの基準点で1 点アースすることを推奨します。外付け部品のグラウンドの配線パターンも変動しないよう注意してください。グラウンドラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。

5.

熱設計について
万一、許容損失を超えるようなご使用をされますと、チップ温度上昇により、IC 本来の性質を悪化させることにつながります。本仕様書の絶対最大定格に記載しています許容損失を超える場合は基板サイズを大きくする、放熱用銅箔
面積を大きくする、放熱板を使用するなどの対策をして、許容損失を超えないようにしてください。

6.

推奨動作条件について
この範囲であればほぼ期待通りの特性を得ることができる範囲です。電気特性については各項目の条件下において保証されるものです。

7.

ラッシュカレントについて
IC 内部論理回路は、電源投入時に論理不定状態で、瞬間的にラッシュカレントが流れる場合がありますので、電源カ
ップリング容量や電源、グラウンドパターン配線の幅、引き回しに注意してください。

8.

強電磁界中の動作について
強電磁界中でのご使用では、まれに誤動作する可能性がありますのでご注意ください。

9.

セット基板での検査について
セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合は、IC にストレスがかかる恐れがあるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立工程にはアースを施し、運搬や保存の際には十分ご注意ください。また、検査工程での治具への接続をする際には必ず電源を OFF にしてから接続し、電源を OFF にしてから取り外してください。

10. 端子間ショートと誤装着について
プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分注意してください。誤って取り付けた場合、IC が破壊する恐れがあります。また、出力と電源及びグラウンド間、出力間に異物が入るなどしてショートした場合についても破壊の恐れがあります。

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使用上の注意―続き

11. 未使用の入力端子の処理について
CMOS トランジスタの入力は非常にインピーダンスが高く、入力端子をオープンにすることで論理不定の状態になります。これにより内部の論理ゲートの p チャネル、n チャネルトランジスタが導通状態となり、不要な電源電流が流れます。また 論理不定により、想定外の動作をすることがあります。よって、未使用の端子は特に仕様書上でうたわれていない限り、適切な電源、もしくはグラウンドに接続するようにしてください。
12. 各入力端子について
本 IC はモノリシック IC であり、各素子間に素子分離のための P+アイソレーションと、P 基板を有しています。
この P 層と各素子の N 層とで P-N 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。
例えば、下図のように、抵抗とトランジスタが端子と接続されている場合、○抵抗では、GND＞(端子 A)の時、トランジスタ(NPN)では GND > (端子 B)の時、P-N 接合が寄生ダイオードとして動作します。
○また、トランジスタ(NPN)では、GND > (端子 B)の時、前述の寄生ダイオードと近接する他の素子の N 層によって寄生の NPN トランジスタが動作します。
IC の構造上、寄生素子は電位関係によって必然的にできます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因ともなり得ます。したがって、入出力端子に GND(P 基板)より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。アプリケーションにおいて電源端子と各端子電圧が逆になった場合、内部回路または素子を損傷する可能性があります。例えば、外付けコンデン
サに電荷がチャージされた状態で、電源端子が GND にショートされた場合などです。また、電源端子直列に逆流防止のダイオードもしくは各端子と電源端子間にバイパスのダイオードを挿入することを推奨します。
トランジスタ (NPN)

抵抗
端子B

端子A

C

E

端子A
N

P+

P
N

N

P+

N

端子B

B

寄生素子

N

P+

N P

N

P+

C
E
寄生素子

P基板

P基板
寄生素子

B
N

GND

寄生素子

GND

GND

近傍する
他の素子

GND

Figure 32. モノリシック IC 構造例
13. セラミック・コンデンサの特性変動について
外付けコンデンサに、セラミック・コンデンサを使用する場合、直流バイアスによる公称容量の低下、及び温度など
による容量の変化を考慮の上定数を決定してください。
14. 安全動作領域について本製品を使用する際には、出力トランジスタが絶対最大定格及び ASO を越えないよう設定してください。
15. 温度保護回路について
IC を熱破壊から防ぐための温度保護回路を内蔵しております。許容損失範囲内でご使用いただきますが、万が一許容損失を超えた状態が継続すると、チップ温度 Tj が上昇し温度保護回路が動作し出力パワー素子が OFF します。その後チップ温度 Tj が低下すると回路は自動で復帰します。なお、温度保護回路は絶対最大定格を超えた状態での動作となりますので、温度保護回路を使用したセット設計等は、絶対に避けてください。
16. 過電流保護回路について
出力には電流能力に応じた過電流保護回路が内部に内蔵されているため、負荷ショート時には IC 破壊を防止します
が、この保護回路は突発的な事故による破壊防止に有効なもので、連続的な保護回路動作、過渡時でのご使用に対応するものではありません。

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
発注形名情報

B

D

7

F

1

0

0

H

形名

F

N

-

パッケージ
HFN:HSON8
EFJ:HTSOP-J8

LBTR
製品ランク
LB:産業機器用
包装、フォーミング仕様
TR:リール状エンボステーピング
2500pcs (HSON8)
HR:リール状エンボステーピング
250pcs (HSON8)
E2:リール状エンボステーピング
3000pcs (HTSOP-J8)
H2:リール状エンボステーピング
250pcs (HTSOP-J8)

標印図
HSON8 (TOP VIEW)HTSOP-J8 (TOP VIEW)
Part Number Marking

D7F

Part Number Marking

D 7 F 1 0 0

LOT Number

1 0 0

LOT Number

1PIN MARK
1PIN MARK

ラインアップパッケージ
HSON8HTSOP-J8

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発注形名
BD7F100HFN-LBTR
BD7F100HFN-LBHR
BD7F100EFJ-LBE2
BD7F100EFJ-LBH2

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
外形寸法図と包装・フォーミング仕様

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HSON8

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
外形寸法図と包装・フォーミング仕様

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HTSOP-J8

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BD7F100HFN-LB BD7F100EFJ-LB
改訂履歴
Date

Revision

2015/08/17

001

2016/06/29

002

2017/04/17

003

Changes
新規作成
P.8 特性データ Figure 9. 誤記訂正
P.9 特性データ Figure 11. 誤記訂正
P.14 3.出力電圧 帰還抵抗 RFB 理論式 誤記訂正
P.15 (2)1 次側インダクタンス LP 説明文 追加
P.17 11.負荷補償 説明文の誤記訂正 Figure 27. -> Figure. 28.
P.21 入出力等価回路図 3.COMP,4.REF,5.FB 更新
P.4 FB 端子絶対最大定格の変更
P.24 小口リール追加
P.25 P.26 小口リール追加

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ご注意
ローム製品取扱い上の注意事項
1.

極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害(Note 1)の発生に関わるような機器又は装置（医療機器、航空宇宙機器、原子力制御装置等）（以下「特定用途」という）への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し、
ロームは一切その責任を負いません。
(Note 1) 特定用途となる医療機器分類
日本
USA
EU
CLASSⅢ
CLASSⅡb
CLASSⅢ
CLASSⅣ
CLASSⅢ中国
Ⅲ類

2.

半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、誤動作や故障が生じた場合であっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において次の例に示す
ようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。
①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。
②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。

3.

本製品は、下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。したがいまして、下記のような特殊環境での本製品のご使用に関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使用される際は、お客様におかれまして十分に性能、信頼性等をご確認ください。
①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用③潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用④静電気や電磁波の強い環境でのご使用⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合(無洗浄タイプのフラックスを使用された場合も、残渣の洗浄は確実に行うことをお薦め致します)、又ははんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合⑧結露するような場所でのご使用

4.

本製品は耐放射線設計はなされておりません。

5.

本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に実装された状態での評価及び確認をお願い致します。

6.

パルス等の過渡的な負荷（短時間での大きな負荷）が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ずその評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。

7.

電力損失は周囲温度に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、必ず温度測定を行い、最高接合部温度を超えていない範囲であることをご確認ください。

8.

使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。

9.

本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いません。

実装及び基板設計上の注意事項
1.

ハロゲン系（塩素系、臭素系等）の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。

2.

はんだ付けは、表面実装製品の場合リフロー方式、挿入実装製品の場合フロー方式を原則とさせて頂きます。なお、表面実装製品をフロー方式での使用をご検討の際は別途ロームまでお問い合わせください。
その他、詳細な実装条件及び手はんだによる実装、基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書をご確認ください。

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Rev.003

応用回路、外付け回路等に関する注意事項
1.

本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品のバラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。

2.

本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。したがいまして、お客様の機器の設計において、回路やその定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行ってください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。

静電気に対する注意事項
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、保管時において静電気対策を実施のうえ、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。（人体及び設備のアース、帯電物からの隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等）

保管・運搬上の注意事項
1.

本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがありますのでこのような環境及び条件での保管は避けてください。
① 潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所での保管② 推奨温度、湿度以外での保管③ 直射日光や結露する場所での保管④ 強い静電気が発生している場所での保管

2.

ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性があります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します。

3.

本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き（梱包箱に表示されている天面方向）で取り扱いください。天面方向が遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する
危険があります。

4.

防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行ったうえでご使用ください。

製品ラベルに関する注意事項
本製品に貼付されている製品ラベルに２次元バーコードが印字されていますが、２次元バーコードはロームの社内管理のみを目的としたものです。

製品廃棄上の注意事項
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。

外国為替及び外国貿易法に関する注意事項
本製品は、外国為替及び外国貿易法に定めるリスト規制貨物等に該当するおそれがありますので、輸出する場合には、ロームへお問い合わせください。

知的財産権に関する注意事項
1.

本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。

2.

ロームは、本製品とその他の外部素子、外部回路あるいは外部装置等（ソフトウェア含む）との組み合わせに起因して生じた紛争に関して、何ら義務を負うものではありません。

3.

ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ロームもしくは第三者が所有又は管理している知的財産権 その他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。 ただし、本製品を通常の用法にて使用される限りにおいて、ロームが所有又は管理する知的財産権を利用されることを妨げません。

その他の注意事項
1.

本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します。

2.

本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく、分解、改造、改変、複製等しないでください。

3.

本製品又は本資料に記載された技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用、あるいはその他軍事用途目的で使用しないでください。

4.

本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社もしくは第三者の商標又は登録商標です。

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Rev.003

Datasheet
一般的な注意事項
1.

本製品をご使用になる前に、本資料をよく読み、その内容を十分に理解されるようお願い致します。本資料に記載される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いませんのでご注意願います。

2.

本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。本製品のご購入及びご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。

3.

ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても、ロームは一切その責任を負いません。

Notice – WE

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