RHP030N03
4V 駆動タイプ Nch MOSFET

Data Sheet外形寸法図 (Unit : mm)

構造シリコン N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ

MPT3SOT-89
1.52.54.00.54.51.6特長1) 低オン抵抗。
2) 4V 駆動。
(2)(3)

1.0(1)

0.50.4用途

1.5(1)Gate

スイッチング

0.4

0.4
1.5

3.0(2)Drain(3)Source

包装仕様

標印略記号 : KZ

内部回路図

Type

包装名

テーピング

記号

T100

基本発注単位（個）1000(1) Gate
(2) Drain(3) Source

RHP030N03

絶対最大定格 (Ta=25C)
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
ドレイン電流ドレイン逆電流SymbolVDSS
VGSSID
IDP ∗1IDRIDRP ∗1

直流
パルス
直流パルス

全許容損失

PD

チャネル部温度
保存温度

Tch
Tstg

Limits30±203103105002 ∗2150−55~+150

Unit
VVAA
AAmW
W°C
°C

Limits25062.5 ∗Unit°C/W°C/W∗1 Pw≦10μs, Duty cycle≦1%∗2 40x40x0.7mm セラミック基板実装時

熱抵抗
Parameter
チャネル・外気間SymbolRth(ch-a)∗ 40x40x0.7mm セラミック基板実装時

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Data Sheet

RHP030N03
電気的特性 (Ta=25C)
Parameter

Symbol

ゲート漏れ電流ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧

IGSS
V(BR) DSSIDSSVGS (th)∗

ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)順伝達アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量

Yfs ∗CissCoss
Crss
td (on) ∗tr ∗td (off) ∗tf ∗
Qg ∗
Qgs ∗
Qgd ∗

Min.
−
30
−
1.0−
−2.0
−
−−−−−−−−−

Typ.
−
−−−
90
160
−
160
90
27
7
1115
4.5
6.5
1.0
1.5

Max.
±10−
1
2.5
120
210
−
−−−−
−
−−−−−

Unit
μA
VμA
VmΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nCConditions
VGS=±20V, VDS=0V
ID= 1mA, VGS=0V
VDS= 30V, VGS=0V
VDS= 10V, ID= 1mA
ID= 3A, VGS= 10V
ID= 3A, VGS= 4V
VDS= 10V, ID= 3A
VDS= 10V
VGS=0V
f=1MHzVDD 15V
ID= 1.5A
VGS= 10V
RL=10Ω
RG=10Ω
VDD 15V
VGS= 10V
ID= 3A∗パルス

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RHP030N03
電気的特性曲線

Coss

Crss

1010.010.1110

Ta=25°C
VDD= 15V
VGS= 10V
RG=10Ω
Pulsed100tftd (off)10td (on)
tr0.1

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)Fig.1 Typical Capacitancevs. Drain-Source Voltage

REVERSE DRAIN CURRENT : IDR (A)STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (Ω)

0.4
ID=3.0A

0.3
1.5A

0.2

0.1

01024

6810

120

0.5

11.5

22.5

33.5

DRAIN CURRENT : ID (A)GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)Fig.2 Switching Characteristics

Fig.3 Typical Transfer Characteristics

10VGS=0V
Pulsed1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

0.1

0.010.001

0.1

10100.5

Ta=125°C
75°C
25°C
−25°C

10.01

10.01

100

Ta=25°C
PulsedVDS=10V
PulsedDRAIN CURRENT : ID (A)SWITCHING TIME : t (ns)

CAPACITANCE : C (pF)

Ciss

100

101000

Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V

REVERSE DRAIN CURRENT : IDR (A)

1000

00.2

140.4

0.6

0.8

11.2

1.4

Ta=25°C
Pulsed1VGS=10V

0.1
0V

0.01

0.001

00.2

0.4

0.6

0.8

11.2

SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)

SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)Fig.5 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage (  )Fig.6 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage (  )Fig.4 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage

1VGS=4VPulsed

STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (Ω)

STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (Ω)

10.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

0.01
0.01

0.1

110

GATE THRESHOLD VOLTAGE : VGS (th) (V)GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)VGS=10V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

0.1

0.010.010.1

1102.5

VSD=10V
ID=1mAPulsed

21.5

10.50-50-250255075100125150

DRAIN CURRENT : ID (A)DRAIN CURRENT : ID (A)CHANNEL TEMPERATURE : Tch (°C)

Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistancevs. Drain Current ( ΙΙ )Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistancevs. Drain Current ( Ι )Fig.9 Gate Threshold Voltage vs.
Channel Temperaturewww.rohm.com
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万が一、本製品が故障・誤作動した場合であっても、その影響により人身事故、火災損害等が起こらない
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したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。
5) 本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームはその責任を負うものではありません。
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