Datasheet
1chip FET 内蔵タイプスイッチングレギュレータ

かんたん降圧
スイッチングレギュレータ
パワーMOSFET 内蔵タイプ
BD9G101G
重要特性

概要■ 入力電圧■ 基準電圧精度 (Ta=25°C)(Ta=-25°C～105°C)■ 出力最大電流■ 動作温度範囲■ 動作ジャンクション温度

BD9G101G は 高 入 力 電 圧 42V に 対 応 し た パ ワ ー
MOSFET 内蔵の降圧スイッチングレギュレータです。
SSOP6 の小型パッケージながら最大出力電流 0.5A を供給することが可能です。
また 1.5MHz の高周波動作により小型コイルの使用を可能とし、電流モードによる位相補償素子の内蔵化によって機器の小型化を実現しています。

特長

6V ～ 42V
±1.5%
±2.0%
0.5A(Max)-40°C ～ +105°C
150°C

パッケージ

W(Typ) x D(Typ) x H(Max)SSOP6

2.90mm x 2.80mm x 1.25mm

■
■
■
■
■
■

高耐圧で広い入力電圧範囲(VCC=6V～42V)
45V/800mΩ Power Nch-FET 内蔵
高周波動作 1.5MHz
基準電圧(0.75V±1.5%)回路内蔵
位相補償回路内蔵
過電流保護(OCP)、低入力誤動作防止(UVLO)、温度保護回路(TSD)等、保護機能搭載■ スタンバイ機能(Ist=0µA)■ 小型 パッケージ SSOP6

SSOP6

用途
■ 産業用機器■ バッテリー使用機器■ OA 機器

標準アプリケーション回路
15000pF

5V/0.5A

L1:6.8μH
BST

LX
D1

GND

VCC

C2:10μF/10V

VCC
C1:4.7μF/50V

FB

EN
ON/OFF control

680Ω

0.1μF

3.9kΩ

Figure 1. 標準アプリケーション○製品構造：シリコンを主材料とした半導体集積回路
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BD9G101G
端子配置図

BST

1

6

LX

GND

2

5

VCC

FB

3

4

EN

Figure 2. 端子配置図(TOP VIEW)

端子説明
Pin No.

Pin Name

Description

1

BST

Power Nch-FET 駆動用フローティングドライバの電源。
LX 端子間に 15000pF を付けてください。

2

GND

接地端子。

3

FB

電圧帰還端子。エラーアンプの入力端子となっておりこの端子が 0.75V になるようフィードバックされます。

4

EN

ON/OFF 端子。2.0V 以上の電圧印加で ON、OPEN または 0.8V 以下で OFFします。また 550kΩ(Typ)のプルダウン抵抗が内蔵されております。

5

VCC

電源入力端子。端子付近にバイパスコンデンサを打ち、太いパターンでイン
ピーダンスを減らしてください。

6

LX

Power Nch-FET スイッチングノード端子。付近に SBD とコイルを接続してく
ださい。

ブロック図
ON/OFF

EN
VCC
TSD

UVLO

Reference

REG

VREF

Current Sense
AMP

shutdown

FB
0.75V

+
+

Error
AMP

OCP

Σ

Current
Comparator
R Q
+
S

BST
800mΩ

LX

Soft
Start
Oscillator
1.5MHzVOUTGND

Figure 3.ブロック図

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BD9G101G
各ブロック動作説明
1.

Reference
IC 内部の基準電圧を発生させるブロックです。EN に 2.0V 以上印加することにより動作します。
エラーアンプ基準電圧 0.75V や発振器の基準等様々なブロックに基準電圧、電流を供給しています。

2.

REG
ゲート駆動電圧生成及び内部回路電源用 4.2V レギュレータです。

3.

OSC
定常時の動作周波数が 1.5MHz の矩形波を生成しております。
出力短絡時の過電流を防止するため、周波数フォールドバック機能により、FB 端子電圧に応じて周波数を変更します。

4.

Soft Start
DC/DC コンバータの出力電圧にソフトスタートをかけ、起動時の突入電流を防ぐ回路です。
ソフトスタート時間に関しましては、周波数フォールドバック機能により、周波数が FB 端子電圧により変化するため起動時アプリケーション条件により異なります。

5.

ERROR AMP
出力信号を検出し、PWM 制御信号を出力する誤差増幅器です。
内部基準電圧は 0.75V に設定されています。
また本 IC はエラーアンプ入出力間に位相補償素子を内蔵しております。

6.

Current Comparator
電流フィードバックとエラーアンプ出力から PWM 信号を出力する電流モード用コンパレータです。

7.

Nch-FET SW
DC/DC コンバータのコイル電流を切り換える 45V/800mΩ Power Nch-FET SW です。

8.

UVLO
低電圧誤動作防止回路です。
電源電圧の立上がり時、及び電源電圧低下時の内部回路の誤動作を防止します。
VCC 端子電圧をモニタしており、VCC 電圧が 5.4V 以下となると DC/DC コンバータ
出力を OFF にして、ソフトスタート回路がリセットされます。なお本スレッショルドは 200mV のヒステリシスを有しています。

9.

EN
2.0V 以上の電圧を印加すると ON、オープンもしくは 0.8V 印加以下の電圧を印加すると OFF となります。
端子には 550kΩ(Typ)のプルダウン抵抗が内蔵されています。

10. OCP
過電流保護回路です。
ハイサイド Nch-FET に流れる電流をモニタしており、スレッショルド 1.2A(Typ)以上の電流が流れた場合、パルスバイ
パルスにて Duty を狭め、入力電流を抑制します。
11. TSD
異常発熱による IC の誤動作を防止するための保護回路です。チップの異常発熱(175°C)を検知すると、DC/DC コンバ
ータ出力を OFF します。また、保護回路にはヒステリシス幅(25°C)があり、スレッショルド温度付近での変動による誤動作を防止しています。

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BD9G101G
絶対最大定格
項目

記号

定格

単位

VCC – GND 間

VCC

45

V

BST – GND 間

VBST

50

V

最大定格電流

Imax

1.0

A

BST – LX 間

∆VBST

7

V

EN – GND 間

VEN

45

V

LX – GND 間

VLX

45

V

FB – GND 間

VFB

7

V

許容損失

Pd

0.675(*1)

W

動作温度範囲Topr-40～+105°C

保存温度範囲Tstg-55～+150°C

ジャンクション温度

(*2)

Tjmax

150

°C

(*1)70×70×1.6 mmt 1 層基板実装時。1°C 上昇する度に 5.4mW 減ずる。(25°C 以上)(*2)異常発熱による IC の誤動作を防止するための保護回路です。チップの異常発熱(175°C)を検知すると、
DC/DC コンバータ出力を OFF します。また、保護回路にはヒステリシス幅(25°C)があり、スレッショルド温度付近での変動による誤動作を防止しています。

電気的特性 (特に指定のない限り Ta=25°C, VCC=24V, VOUT=5V,EN=3V )項目

記号スタンバイ時回路電流
動作時回路電流

規格値

単位

条件

最小

標準

最大

Ist

－

0

5

µA

VEN=0V

Icc

－

0.7

1.2

mA

FB=1.2V

検出スレッショルド電圧

Vuv

5.1

5.4

5.7

V

ヒステリシス幅

Vuvhy

－

200

300

mV

発振周波数

Fosc

1.3

1.5

1.7

MHz

Max Duty Cycle

Dmax

85

-

-

%

VFBN

0.739

0.750

0.761

V

Ta=25°C

VFBA
IFB
Tsoft

0.735
-100
1.2

0.750
0
4.0

0.765
100
-

V
nA
ms

Ta=-25°C ~105°C
VFB=2.0V

GCS

-

3

-

A/V

ハイサイド Nch-FET ON 抵抗

RonH

－

800

－

mΩ

Min ON Time

Tmin

－

100

－

ns

過電流検出電流

Iocp

0.85

1.2

－

A

VENON

2.0

－

VCC

V

OFF VENOFF
IEN

-0.3
2.7

－
5.5

0.8
11

V
µA

【回路電流】【低電圧入力誤動作防止回路】【発振器】【エラーアンプ】
FB 端子スレッショルド電圧
FB 端子入力電流
ソフトスタート時間【電流検出アンプ】
相互コンダクタンス
【出力部】

【CTL】
EN 端子スレッショルド電圧
EN 端子入力電流

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ON

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VEN=3VTSZ02201-0Q1Q0AJ00150-1-1
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BD9G101G
推奨動作範囲
項目

電圧範囲

記号

単位

Min

Typ

Max

VCC

6

-

42

出力電圧

VOUT

(*3)

1.0

-

VCC×0.7

V

出力電流

IOUT

-

-

500

mA

電源電圧

V
(*4)

(*3) Min ON Time Typ 100 ns により制限されます。
(*4) Max duty と RonH、BST-UVLO により制限されます。

出力電圧範囲出力電圧設定BD9G101G はハイサイド Nch-FET の駆動電圧を確保するための BST-LX 間電圧の減電保護(BST-UVLO)と Maxduty(min85%),
Min ON Time(Typ 100ns), ハイサイド Nch-FET ON 抵抗(RonH)により、使用範囲が制限されます。
1.BST-UVLO
Nch-FET のゲート電圧を確保し IC の誤動作を防止するシステムです。BST-LX 間の電位差が 1.5V を下回った場合、Nch-FET
を OFF し、BST-VCC 間の経路が ON します。これにより BST を VCC から充電し、Nch-FET の駆動電圧を確保します。
BST-LX 間電圧差が 1.8V を上回った場合この機能は解除されます。
BST-UVLO が有効に働くためには VCC>(BST-UVLO 値+Vf)+出力電圧となる VCC が必要となります。
よって最大出力電圧は VCC-3.0V により制限されます。
BST 充電電流 (定常動作時)
4.2V
BST

BST 充電電流(BST-UVLO mode)

BSTUVLO

VCC

Nch-FET OFF(BST-UVLO mode)
LX

Figure 4. BST-UVLO 等価回路図※VCC-VOUT<3V にて動作が考えられる場合には、軽負荷時 BST-UVLO 動作により出力電圧が入力電圧付近まで跳ね上がります。
減電軽負荷時の動作波形とメカニズムを示します。

①BST-UVLO検出 → Nch-FET OFF②VOUT、LXがディスチャージ⇒Error AMP出力上昇
VOUT 1V/div③BST-LX間電圧が十分確保される→BST-UVLO解除④Max Dutyサイクルにて動作開始するため出力が跳ね上がる

Figure 5. 減電軽負荷時 BST-UVLO 動作波形
VOUT=5V VCC=7V IOUT=0mA⑤BST-LX間電圧が不足

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BD9G101G
対策としては FB 端子に接続される分割抵抗のオーダーを下げ、出力-FB 端子間にフィードフォワードコンデンサを入れる必要があります。
出力分割抵抗及び出力-FB 端子間のフィードフォワードコンデンサの設定方法を以下に示します。
・出力電圧設定方法
ERROR AMP の内部基準電圧は 0.75V となっています。出力電圧は(1)式のように決定されます。

Vout
VOUT

Csp

VOUT=

R1

FB
0.75V

R2

(R1+R2)×0.75 [V] ・・・ (1)R2++

Figure 6. 電圧帰還抵抗設定方法
ただし減電軽負荷時の BST-UVLO 動作を避けるため出力抵抗の和 R1+R2 が以下の式を満たすよう設定してください。

R1  R2  VOUT 103
出力抵抗設定例： 5V 出力時
12V 出力時・・・(2)

R1=3.9kΩ R2=0.68kΩ
R1=7.5kΩ R2=0.51kΩ

・フィードフォワードコンデンサ Csp
フィードフォワードコンデンサ Csp を出力抵抗 R1 に並列接続してください。
フィードフォワードコンデンサはループ特性にポールとゼロの対を追加することにより、ループ特性を調整するため
位相マージンが改善され過渡応答速度が向上します。結果として出力変動を抑制する働きとなります。
フィードフォワードコンデンサ Csp は以下の計算式に近い値を用いてください。

Csp 
Csp 設定例： 5V 出力時
12V 出力時4.7k
 0.15
R1[uF ]・・・ (3)R1=3.9kΩ R2=0.68kΩ Csp = 0.1µF or 0.22µF
R1=7.5kΩ R2=0.51kΩ Csp = 0.1µF

上記対策により、VCC-VOUT<3V となる減電軽負荷時でも BST-UVLO 動作による出力の跳ね上がりなく使用することが可能です。

2.Max duty, Ron
Max duty(min85%)と Nch-FET の ON 抵抗により、出力電圧上限が決定されます。
最大出力電流を Imax とすると、出力電圧は Ron により Imax x 0.8Ω(Typ)
降下し、これに Max duty が加わるため、
VOUTmax = ( VCC - RonH x Imax )×0.85 の略式により制限されます。
ダイオードから電流を引いている際の Vf 降下分も考慮が必要であるため、
VOUTmax = VCC×0.7 の範囲内で使用してください。
3.Min ON TimeMin ON Time(Typ 100ns)により最小出力電圧が制限されます。
出力電圧 = 周波数(Typ 1.5MHz) x Nch-FET ON 時間 x VCC
出力電圧が上記の式以下の場合間欠動作となりリプルが大きくなります。

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BD9G101G
周波数フォールドバック機能
本 IC は出力 short 時の過電流を防止するため、周波数フォールドバック機能を搭載しております。
周波数フォールドバックは、FB 端子電圧に応じて周波数が変わる機能となっております。
FB 電圧－周波数特性図を下に示します。
1600
1400
1200

Frequency[kHz]

1000
800
600
400
200
0
0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

FB Voltage [ V ]Figure 7. FB 電圧-周波数特性
出力 short 時の FB 電圧は 0V となるため、周波数を約 150kHz まで絞ることにより入力電流を制限します。定常動作時の FB
電圧は 0.75V 付近となりますので、1.5MHz(Typ)にて動作します。

起動特性
起動時は Soft start 機能により FB 端子電圧を緩やかに上昇させ、ラッシュ電流を防止しています。起動時の FB 端子は内部クロックに同期させることで緩やかに上昇します。周波数フォールドバックにより内部クロック周波数は FB 端子電圧に依存するため、FB 電圧が上昇するにつれて、Soft start 動作速度が速くなります。
起動特性は負荷、出力コンデンサ等のアプリケーション条件により異なりますので、アプリケーションの起動波形は、推奨回
路起動波形(P11、P14)を参照のうえ、ご使用条件にてご確認ください。

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BD9G101G

2

2.0

1.8

1.8

1.6

1.6

1.4

1.4
input current [mA]

Input current [mA]

特性データ(参考データ)(特に指定のない限り, Ta=25°C, VCC=12V, VOUT=5V, EN=3V)

1.2
1

Ta=105℃

Ta=150℃

0.8
0.6

Ta=25℃

0.4

1.2
1.0

VCC=42V

VCC=24V

0.8
0.6

Ta=-50℃

VCC=12V
0.4

0.2

VCC=6V

0.2

0

0.0

6

12

18

24

30

36

42

-40

-20

0

20

40

60

80

100

Ta[℃ ]

Vcc [V]

Figure 8. 動作時回路電流-電圧特性

Figure 9. 動作時回路電流-温度特性

8.0

1.8

7.0

Vuv+

1.7

Frequency[MHz]UVLO threshold [V]

6.0

5.0

Vuv4.0
3.0

1.6
1.5
1.4

2.0

1.3
1.0

1.2

0.0
-40

-20

0

20

40

60

80

-40

100

-20

0

20

40

60

80

100

Ta[℃]

Ta [℃ ]

Figure 10. UVLO スレッショルド温度特性

Figure 11. 発振周波数温度特性

0.761

95

93
91

0.756
FB threshold [V]Max duty[%]

89
87
85
83

0.751

81

0.746
79
77

0.741

75
-40

-20

0

20

40

60

80

100

6.0

Ta[℃ ]

18.0

24.0

30.0

36.0

42.0

Input Voltage [V]Figure 12. Max Duty 温度特性

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12.0

Figure 13. FB スレッショルド 入力電圧特性

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BD9G101G

2000

0.765

1800

0.760

1600

High-Side FET Ron[mΩ]

1400

FB threshold [V]

0.755

0.750

0.745

1200
1000
800
600
400

0.740

200
0.735

-40

-20

0

20

40

60

80

0

100

-40

-20

0

20

Ta [℃ ]

2000

200

1800

180

1600

160

1400

140

1200
1000
800
600

80
60
40
20

0
40

60

100

100

200
20

80

120

400

0

60

Figure 15. ハイサイド Nch-FET ON 抵抗温度特性

Min_on_pulse[ns]OCP threshold [mA]

Figure 14. FB スレッショルド温度特性-40 -2040

Ta [℃ ]

0

80 100 120 140 160-40 -20

Ta [℃]

0

20

40

60

80

100

Ta[℃]

Figure 17. Min ON Time 温度特性

Figure 16. OCP 検出電流温度特性

2.0
1.8

EN threshold [V]1.6

VCC=6V VCC=12V

1.4

VCC=42V

1.2
1.0

0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-40

-20

0

20

40

60

80

100

Ta[℃ ]

Figure 18. EN スレッショルド電圧 温度特性

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BD9G101G
標準アプリケーション特性データ(参考データ)
1. VOUT=5V, IOUT=0.5A

15000pF

5V/0.5A

L1:6.8μH
LX

BST

D1
GND

VCC

C2:10μF/10V

VCC
C1:4.7μF/50V

FB

EN
ON/OFF control

680Ω

0.1μF

3.9kΩ

Figure 19. 標準アプリケーション回路(VOUT=5V)
使用部品 ：L1 ： TOKOTAIYO YUDEN

DEM4518C 1235AS-H-6R8M
NR4018T680M

6.8μH
6.8μH

C1 ： Murata

GRM32EB31H475KA87

4.7μF/50V

C2 ： Murata

GRM31CB11A106KA01

10μF/10V

D1 ： Rohm

RB060M-60

100
90

VCC
Vin=12V

80

VCC=8V
Vin=8V70

Efficiency η [%]60

VCC
Vin=42V
VCC=24V
Vin=24V

50
40
30
20
10

0
1

10

Output Current [mA]

100

1000

Figure 20. 電力変換効率-出力電流 VOUT=5V

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BD9G101G

EN 5V/div

EN 5V/div

LX
10V/div

LX
10V/div

VOUT
2V/div

VOUT
2V/div

IOUT 0.2A/div

IOUT 0.2A/div

Figure 21. 起動波形
VCC=8V, IOUT=0mA ,VOUT=5V

Figure 22. 起動波形
VCC=8V, IOUT=500mA, VOUT=5V

EN 5V/div

EN 5V/div

LX
10V/div

LX
10V/div

VOUT
2V/div

VOUT
2V/div

IOUT 0.2A/div

IOUT 0.2A/div

Figure 23. 起動波形
VCC=12V, IOUT=0mA, VOUT=5V

Figure 24. 起動波形
VCC=12V, IOUT=500mA ,VOUT=5V

EN 5V/div

EN 5V/div

LX
20V/div

LX
20V/div

VOUT
2V/div

VOUT
2V/div

IOUT 0.2A/div

IOUT 0.2A/div

Figure 25. 起動波形
VCC=42V, IOUT=0mA, VOUT=5V

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Figure 26. 起動波形
VCC=42V, IOUT=500mA, VOUT=5V

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BD9G101G

IOUT
100mA/div

VOUT:offset 5V
10mV/div

Overshoot Voltage:46mV

VOUT(AC)
100mV/div

Undershoot Voltage:43mV

Figure 27. 負荷応答特性
IOUT=50mA⇔200mA, VOUT=5V

Figure 28. 出力リプル波形
IOUT=20mA, VOUT=5V

VOUT:offset 5V
10mV/div

Phase

Gain

Figure 30. 周波数応答特性
IOUT=100mA, VOUT=5V

Figure 29. 出力リプル波形
IOUT=200mA, VOUT=5V

Phase

Gain

Figure 31. 周波数応答特性
IOUT=500mA, VOUT=5V

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BD9G101G
2. VOUT=12V, IOUT=0.5A

15000pF

12V/0.5A

L1:10μH
LX

BST

D1
GND

C2:10μF/25V

VCC

VCC
C1:4.7μF/50V

FB

EN
ON/OFF control

0.1μF

510Ω

7.5kΩ

Figure 32. 標準アプリケーション回路(VOUT=12V)

使用部品 ：L1 ： TOKOTAIYO YUDEN

DEM4518C 1235AS-H-100M
NR4018T100M

10μH
10μH

C1 ： Murata

GRM32EB31H475KA87

4.7μF/50V

C2 ： Murata

GRM319B31E106KA12

10μF/25V

D1 ： Rohm

RB060M-60

100
90

VCCVin=24V

80

VCC=18V
VCC=18V
Vin=18V

Efficiency η [%]70

Vin=36V
VCC=36V
VCC=42V60

Vin=42V

50
40
30
20
10
0
1

10

Output Current [mA]

100

1000

*スイッチングの間欠動作から連続動作への遷移時に効率が下がります
Figure 33. 電力変換効率-出力電流 VOUT=12V

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BD9G101G

EN 5V/div

EN 5V/div

LX
20V/div

LX
20V/div

VOUT
5V/div

VOUT
5V/div

IOUT 0.2A/div

IOUT 0.2A/div

Figure 35. 起動波形
VCC=18V, IOUT=500mA, VOUT=12V

Figure 34. 起動波形
VCC=18V, IOUT=0mA,VOUT=12V

EN 5V/div

EN 5V/div

LX
20V/div

LX
20V/div

VOUT
5V/div

VOUT
5V/div

IOUT 0.2A/div

IOUT 0.2A/div

Figure 36. 起動波形
VCC=24V, IOUT=0mA, VOUT=12V

Figure 37. 起動波形
VCC=24V, IOUT=500mA, VOUT=12V

EN 5V/div

EN 5V/div

LX
20V/div

LX
20V/div

VOUT
5V/div

VOUT
5V/div

IOUT 0.2A/div

IOUT 0.2A/div

Figure 38. 起動波形
VCC=42V, IOUT=0mA, VOUT=12V

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Figure 39. 起動波形
VCC=42V, IOUT=500mA, VOUT=12V

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BD9G101G

IOUT
100mA/div
VOUT:offset 5V
20mV/div

VOUT(AC)
100mV/div

Overshoot Voltage:78mV

Undershoot Voltage:78mV

Figure 40. 負荷応答特性
IOUT=50mA⇔200mA, VOUT=12V

Figure 41. 出力リプル波形
IOUT=50mA, VOUT=12V

Phase

Gain
VOUT:offset 12V
20mV/div

Figure 42. 出力リプル波形
IOUT=200mA, VOUT=12V

Figure 43. 周波数応答特性
IOUT=100mA, VOUT=12V

Phase

Gain

Figure 44. 周波数応答特性
IOUT=500mA, VOUT=12V

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BD9G101G
アプリケーション部品選定方法(1) インダクタ
電流定格(下記電流値 Ipeak)を満たし、DCR(直流抵抗成分)が低く、シールドタイプのものを推奨いたします。
インダクタの値はインダクタリプル電流に影響し、出力リプルの原因となります。
このリプル電流は以下の式のようにコイルの L 値が大きいほど、またスイッチング周波数が高いほど小さくすることができます。
Ipeak =IOUT + ⊿IL/2 [A]
VCC-VOUT
VOUT
∆IL=
x
L
VCC

Δ IL

(4)

Figure 45. インダクタ電流

1
x

[A]

f

(5)

(∆IL：出力リプル電流、f：スイッチング周波数)
BD9G101G では 4.7μH~15μH までの下記のコイルを推奨しています。
推奨コイル TOKO DE4518C シリーズ
TAIYO YUDEN NR4018 シリーズ
(2) 入力コンデンサ
入力リプル電圧を低減するため、VCC 端子付近に ESR の低いセラミックコンデンサを使用してください。
BD9G101G では 4.7μF 以上のセラミックコンデンサを推奨しています。仕様上電解コンデンサの使用が必要な場合には発振の恐れがあるため 1μF 程度のセラミックコンデンサを並列に使用してください。

(3) 出力コンデンサ
出力に使用するコンデンサは出力リプルを軽減するため、ESR の低いセラミックコンデンサを推奨いたします。
また、コンデンサの定格は DC バイアス特性を考慮にいれたうえ、最大定格が出力電圧に対して十分マージンのあるものを使用してください。
出力リプル電圧は次式より求まります。
Vpp = ∆IL x

1
2π x f x Co

+ ∆IL x RESR

[V] ・・・ (6)許容リプル電圧内に収まるよう設定を行ってください。
BD9G101G では 10μF 以上のセラミックコンデンサを推奨しています。

(4) 出力電圧設定
ERROR AMP の内部基準電圧は 0.75V となっています。出力電圧は(7)式のように決定されます。

Vout
VOUT
Csp

VOUT=

R1

FB
R2

0.75V

(R1+R2)R2

x 0.75[V] ・・・ (7)++Figure 46. 電圧帰還抵抗設定方法

ただし減電軽負荷時の BST-UVLO 動作を避けるため出力抵抗の和 R1+R2 が以下の式を満たすよう設定してください。

R1  R2  VOUT 10 3

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・・・(8)

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BD9G101G(5) フィードフォワードコンデンサ Csp
フィードフォワードコンデンサ Csp を出力抵抗 R1 に並列接続してください。
フィードフォワードコンデンサはループ特性にポールとゼロの対を追加することにより、ループ特性を調整するため
位相マージンが改善され過渡応答速度が向上します。結果として出力変動を抑制する働きとなります。
フィードフォワードコンデンサ Csp は以下の計算式に近い値を用いてください。

Csp 

4.7k
 0.15
R1[ F ]・・・ (9)(6) ブートストラップコンデンサ
BST 端子内部回路誤動作防止のため、BST 端子－LX 端子間に、CBS=15000pF のセラミックコンデンサを接続してください。
(7) ダイオード
耐圧、定格電流の合ったショットキーダイオードを実装してください。

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BD9G101G
基板レイアウトの注意点

VOUT
VIA
Inductor

OutputCapacitor
Catch
Diode

SGND

BST

LX

GND

VCC
Input
Capacitor

FB

EN

POWER
GND

Feed back Line

Figure 47. ランドパターン参考図
良好な特性の電源回路を設計するためには基板レイアウトが非常に重要です。特に大電流のスイッチング、高スルー
レートのスイッチングノードは漏れ磁束、寄生容量等によって電源回路の性能を低下させるスイッチングノイズの原因となります。これを低減するために VCC 端子直近に低 ESR のセラミックコンデンサをバイパスコンデンサとして配置
してください。またこのバイパスコンデンサ、キャッチダイオードのアノードのパターンによって生じるループには大電流が流れます。そのためこの電流ループを最小になるようにパターン設計をする必要があります。
BD9G101G ではこの大電流ループの高周波ノイズを避けるため Figure 47 のように GND 端子を Top 層での接続をせず
Bottom 層の共通部にてとるようにしてください。また入力のバイパスコンデンサ、キャッチダイオード、インダクタはできる限り直近に配置してください。

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BD9G101G
熱設計について
下記に 70mm x 70mm x 1.6mmt の 1 層基板にて測定したパッケージパワーの熱軽減特性を示します。Tj が 150°C を超えないよう十分マージンをとった設計をしてください。
実際の使用では実パターンでの放熱特性の差異や、他の熱源による温度上昇も考えられますので十分に検討ください。

Power Dissipation : Pd （W)

1.5

1

675mW
0.5

0
0

25

50
75
100
125
Ambient Temperature: Ta(°C)

150

Figure 48. 熱軽減特性 ( 70mm x 70mm x 1.6mmt 1 層基板)

消費電力について以下の式は、連続導通モード動作でのデバイスの消費電力を見積もる方法を示しています。デバイスが非連続導通モードで動作している場合は、これらの式を使用しないでください。IC 内部の各損失は以下の通りです。
1) 導通損失：Pcon = IOUT2 x RonH x VOUT/VCC
2) スイッチング損失：Psw = 2.5 x 10–9 x VCC x IOUT x fsw
3) ゲート･チャージ損失：Pgc = 4.88 x 10–9 x fsw
4) 非スイッチング動作時電流損失：Pq = 0.8 x 10–3 x VCC
ここで、IOUT = 出力電流(A)、RonH = ハイサイド Nch-FET のオン抵抗(Ω)、VOUT = 出力電圧(V)、VCC = 入力電圧(V)、fsw = スイッチング周波数(Hz)です。
IC 内部損失(Pd)は上記損失の総和であり、以下の通りです。
Pd = Pcon + Psw + Pgc + Pq
ジャンクション温度は、下式の通りです。
Tj = Ta + θja x Pd
ここで、Ta は周囲温度、Tj はジャンクション温度、θja はパッケージの熱抵抗です。
上記ジャンクション温度が最大値 Tj_max=150°C を超えないように十分マージンを持った熱設計を行ってください。

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BD9G101G
入出力等価回路図
Pin.
No

端子名

6

LX

2

GND

端子等価回路図

Pin.
No

端子名

4

EN

端子等価回路図

BST

1

BST

5

VCC

VCC
LX
GND

EN

GND

FB
3

FB

GND

Figure 49. 入出力等価回路図

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使用上の注意1.

電源の逆接続について
電源コネクタの逆接続により LSI が破壊する恐れがあります。逆接続破壊保護用として外部に電源と LSI の電源端子間にダイオードを入れるなどの対策を施してください。

2.

電源ラインについて
基板パターンの設計においては、電源ラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。グラウンドラ
インについても、同様のパターン設計を考慮してください。また、LSI のすべての電源端子について電源－グラウン
ド端子間にコンデンサを挿入するとともに、電解コンデンサ使用の際は、低温で容量低下が起こることなど使用するコンデンサの諸特性に問題ないことを十分ご確認のうえ、定数を決定してください。

3.

グラウンド電位について
グラウンド端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また実際に過渡現象を含め、グラウンド端子以外のすべての端子がグラウンド以下の電圧にならないようにしてください。

4.

グラウンド配線パターンについて
小信号グラウンドと大電流グラウンドがある場合、大電流グラウンドパターンと小信号グラウンドパターンは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が小信号グラウンドの電圧を変化させないように、セットの基準点で1 点アースすることを推奨します。外付け部品のグラウンドの配線パターンも変動しないよう注意してください。グラウンドラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。

5.

推奨動作条件について推奨動作条件で規定される範囲で IC の機能・動作を保証します。また、特性値は電気的特性で規定される各項目の条件下においてのみ保証されます。

6.

ラッシュカレントについて
IC 内部論理回路は、電源投入時に論理不定状態で、瞬間的にラッシュカレントが流れる場合がありますので、電源カ
ップリング容量や電源、グラウンドパターン配線の幅、引き回しに注意してください。

7.

セット基板での検査について
セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合は、IC にストレスがかかる恐れがあるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立工程にはアースを施し、運搬や保存の際には十分ご注意ください。また、検査工程での治具への接続をする際には必ず電源を OFF にしてから接続し、電源を OFF にしてから取り外してください。

8.

端子間ショートと誤装着について
プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分注意してください。誤って取り付けた場合、IC が破壊する恐れがあります。また、出力と電源及びグラウンド間、出力間に異物が入るなどしてショートした場合についても破壊の恐れがあります。

9.

未使用の入力端子の処理について
CMOS トランジスタの入力は非常にインピーダンスが高く、入力端子をオープンにすることで論理不定の状態になります。これにより内部の論理ゲートの p チャネル、n チャネルトランジスタが導通状態となり、不要な電源電流が流れます。また 論理不定により、想定外の動作をすることがあります。よって、未使用の端子は特に仕様書上でうたわれていない限り、適切な電源、もしくはグラウンドに接続するようにしてください。

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使用上の注意― 続き

10. 各入力端子について
本 IC はモノリシック IC であり、各素子間に素子分離のための P+アイソレーションと、P 基板を有しています。
この P 層と各素子の N 層とで P-N 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。
例えば、下図のように、抵抗とトランジスタが端子と接続されている場合、○抵抗では、GND > (端子 A)の時、トランジスタ(NPN)では GND > (端子 B)の時、P-N 接合が寄生ダイオー
ドとして動作します。
○また、トランジスタ(NPN)では、GND > (端子 B)の時、前述の寄生ダイオードと近接する他の素子の N 層
によって寄生の NPN トランジスタが動作します。
IC の構造上、寄生素子は電位関係によって必然的にできます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因ともなり得ます。したがって、入出力端子に GND(P 基板)より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。アプリケーションにおいて電源端子と各端子電圧が逆になった場合、内部回路または素子を損傷する可能性があります。例えば、外付けコンデン
サに電荷がチャージされた状態で、電源端子が GND にショートされた場合などです。また、電源端子直列に逆流防止のダイオードもしくは各端子と電源端子間にバイパスのダイオードを挿入することを推奨します。
抵抗トランジスタ (NPN)
端子B

端子A

C

E

端子A
N

P+

P
N

N

P+

N

端子B

B

寄生素子

N

P+

N P

N

B
N

C
E
寄生素子

P基板

P基板
寄生素子

P+

GND

寄生素子

GND

GND

近傍する
他の素子

GND

Figure 50. モノリシック IC 構造例
11. セラミック・コンデンサの特性変動について
外付けコンデンサに、セラミック・コンデンサを使用する場合、直流バイアスによる公称容量の低下、及び温度など
による容量の変化を考慮のうえ、定数を決定してください。
12. 温度保護回路について
IC を熱破壊から防ぐための温度保護回路を内蔵しております。最高接合部温度内でご使用いただきますが、万が一最高接合部温度を超えた状態が継続すると、温度保護回路が動作し出力パワー素子が OFF します。その後チップ温度 Tj が低下すると回路は自動で復帰します。なお、温度保護回路は絶対最大定格を超えた状態での動作となりますので、温度保護回路を使用したセット設計などは、絶対に避けてください。
13. 過電流保護回路について
出力には電流能力に応じた過電流保護回路が内部に内蔵されているため、負荷ショート時には IC 破壊を防止します
が、この保護回路は突発的な事故による破壊防止に有効なもので、連続的な保護回路動作、過渡時でのご使用に対応するものではありません。

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BD9G101G
発注形名セレクション

B

D

9

G

1

0

1

G

パッケージ
G: SSOP6

Part Number-TR
包装、フォーミング仕様
TR: リール状エンボステーピング

標印図

SSOP6(TOP VIEW)

B

A

Part Number Marking

Pin 1 MarkLOT Number

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外形寸法図と包装・フォーミング仕様

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SSOP6

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改訂履歴
日付

版

2012.08.21

001

2013.02.04

002

2013.03.22
2014.03.04
2015.01.13
2015.02.16
2017.06.26

003
004
005
006
007

2018.12.11

008

変更内容
新規作成
5～6 ページ：出力電圧範囲追加
1, 10, 13 ページ：標準アプリケーション回路図変更
12, 15 ページ：特性データ変更
16 ページ：入力コンデンサに関する記載追記
10, 13 ページ：アプリケーション推奨部品訂正
19 ページ：損失計算式の誤記訂正
23 ページ：発注形名セレクションフォーマット訂正
17 ページ：フィードフォワードコンデンサの計算式誤記訂正
1 ページ：用途のカーアプリケーション削除
11, 14 ページ：標準アプリケーション特性データ誤記訂正
全ページにわたり、文章の見直しを実施

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Datasheet

ご注意
ローム製品取扱い上の注意事項
1.

極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器(Note 1)、航空宇宙機器、原子力制御装置等）（以下「特定用途」という）への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し、
ロームは一切その責任を負いません。
(Note 1) 特定用途となる医療機器分類
日本
USA
EU
CLASSⅢ
CLASSⅡb
CLASSⅢ
CLASSⅣ
CLASSⅢ中国
Ⅲ類

2.

半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、誤動作や故障が生じた場合であっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において次の例に示す
ようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。
①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。
②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。

3.

本製品は、下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。したがいまして、下記のような特殊環境での本製品のご使用に関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使用される際は、お客様におかれまして十分に性能、信頼性等をご確認ください。
①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用③潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用④静電気や電磁波の強い環境でのご使用⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合(無洗浄タイプのフラックスを使用される場合は除く。ただし、残渣については十分に確認をお願いします。)又は、はんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合⑧結露するような場所でのご使用

4.

本製品は耐放射線設計はなされておりません。

5.

本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に実装された状態での評価及び確認をお願い致します。

6.

パルス等の過渡的な負荷（短時間での大きな負荷）が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ずその評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。

7.

電力損失は周囲温度に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、必ず温度測定を行い、最高接合部温度を超えていない範囲であることをご確認ください。

8.

使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。

9.

本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いません。

実装及び基板設計上の注意事項
1.

ハロゲン系（塩素系、臭素系等）の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。

2.

はんだ付けは、表面実装製品の場合リフロー方式、挿入実装製品の場合フロー方式を原則とさせて頂きます。なお、表面実装製品をフロー方式での使用をご検討の際は別途ロームまでお問い合わせください。
その他、詳細な実装条件及び手はんだによる実装、基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書をご確認ください。

Notice-PAA-J© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

Rev.004

応用回路、外付け回路等に関する注意事項
1.

本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品のバラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。

2.

本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。したがいまして、お客様の機器の設計において、回路やその定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行ってください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。

静電気に対する注意事項
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、保管時において静電気対策を実施のうえ、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。（人体及び設備のアース、帯電物からの隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等）

保管・運搬上の注意事項
1.

本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがありますのでこのような環境及び条件での保管は避けてください。
① 潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所での保管② 推奨温度、湿度以外での保管③ 直射日光や結露する場所での保管④ 強い静電気が発生している場所での保管

2.

ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性があります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します。

3.

本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き（梱包箱に表示されている天面方向）で取り扱いください。天面方向が遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する
危険があります。

4.

防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行ったうえでご使用ください。

製品ラベルに関する注意事項
本製品に貼付されている製品ラベルに２次元バーコードが印字されていますが、２次元バーコードはロームの社内管理のみを目的としたものです。

製品廃棄上の注意事項
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。

外国為替及び外国貿易法に関する注意事項
本製品は、外国為替及び外国貿易法に定めるリスト規制貨物等に該当するおそれがありますので、輸出する場合には、ロームへお問い合わせください。

知的財産権に関する注意事項
1.

本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。

2.

ロームは、本製品とその他の外部素子、外部回路あるいは外部装置等（ソフトウェア含む）との組み合わせに起因して生じた紛争に関して、何ら義務を負うものではありません。

3.

ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ロームもしくは第三者が所有又は管理している知的財産権 その他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。 ただし、本製品を通常の用法にて使用される限りにおいて、ロームが所有又は管理する知的財産権を利用されることを妨げません。

その他の注意事項
1.

本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します。

2.

本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく、分解、改造、改変、複製等しないでください。

3.

本製品又は本資料に記載された技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用、あるいはその他軍事用途目的で使用しないでください。

4.

本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社もしくは第三者の商標又は登録商標です。

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Rev.004

Datasheet
一般的な注意事項
1.

本製品をご使用になる前に、本資料をよく読み、その内容を十分に理解されるようお願い致します。本資料に記載される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いませんのでご注意願います。

2.

本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。本製品のご購入及びご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。

3.

ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても、ロームは一切その責任を負いません。

Notice – WE

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Rev.001