Datasheet

2.7V～5.5V 入力 3.0A MOSFET 内蔵
1ch 同期整流 降圧 DC/DC コンバータ
BD9B304QWZ
重要特性

概要









BD9B304QWZ は低 ON 抵抗のパワーMOSFET を内蔵した同期整流降圧型スイッチングレギュレータです。最大
3A の電流を出力することが可能です。軽負荷時に低消費動作を行う独自の固定オンタイム制御方式を採用しており、待機時電力を抑えたい機器に最適です。発振周波数が高速なため小型インダクタンスの使用が可能です。固
定オンタイム制御 DC/DC コンバータのため高速な負荷応答性能を持ちます。

入力電圧範囲：出力電圧範囲：
出力電流：
スイッチング周波数：
上側 MOSFET ON 抵抗：
下側 MOSFET ON 抵抗：
スタンバイ電流：

パッケージ
特長








2.7V ～ 5.5V
0.8V ~VIN×0.8V
3A (Max)
2MHz/1MHz (Typ)40mΩ (Typ)40mΩ (Typ)0μA (Typ)

W (Typ) x D (Typ) x H (Max)
2.00mm x 2.00mm x 0.40mm

UMMP008AZ020
1ch 同期整流降圧 DC/DC コンバータ
Deep-SLLM 対応 固定オンタイム制御
過電流保護
短絡保護
過熱遮断保護
低電圧誤動作防止
UMMP008AZ020 パッケージ(裏面放熱)

用途







DSP や FPGA、マイクロプロセッサなどの降圧電源
ラップトップ PC/タブレット PC/サーバー
液晶 TV
ストレージ機器 (HDD/SSD)
プリンタや OA 機器
分配電源、二次側電源

UMMP008AZ020

基本アプリケーション回路
BD9B304QWZ
VIN

VIN

BOOT
Enable
10µF

EN

0.1µF

0.1µF

VOUT
SW
GND

0.47µH
R2

MODE

CFB

22µF 22µF

FREQ
FB
R1

Figure 1. アプリケーション回路(MODE=L,FREQ=L)○製品構造：シリコンモノリシック集積回路
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TSZ22111・14・001○耐放射線設計はしておりません

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BD9B304QWZ
端子配置図(TOP VIEW)

VIN

1

8

GND

EN

2

7

FB

BOOT

3

6

FREQ

SW

4

5

MODE

機

能

E-PAD

Figure 2. 端子配置図

端子説明
端子番号

記

号

1

VIN

スイッチングレギュレータの供給電源端子です。
この端子はスイッチングレギュレータの出力段及び制御回路に電源を供給します。
推奨として 0.1µF と 10µF 以上のセラミックコンデンサを接続してください。

2

EN

イネーブル端子です。この端子を Low (0.8V 以下)にすると、デバイスが強制的にシャットダウンモードになります。この端子を High (2.0V 以上)にすると、デバイスがイネーブ
ルになります。この端子は終端する必要があります。

3

BOOT

ブートストラップ用端子です。この端子と SW 端子の間にブートストラップコンデンサ
0.1µF を接続します。この端子の電圧が上側 MOSFET のゲート駆動電圧になります。

SW

スイッチノードです。上側 MOS FET のソース、下側 MOS FET のドレインに接続されています。この端子と BOOT 端子間にブートストラップコンデンサ 0.1µF を接続します。
また、インダクタを直流重畳特性に注意して接続してください。
インダクタンス値は、0.47µH(FREQ=L)、1.0µH(FREQ=H)を接続してください。

MODE

スイッチング制御モード設定端子です。この端子を VIN に接続すると、デバイスは強制的に固定周波数モードで動作します。この端子をグラウンド接続にすると、Deep-SLLM 制
御が有効となり、Deep-SLLM 制御と固定周波数モードを自動的に遷移します。VIN またはグラウンドへ固定してご使用ください。動作中に変更はできません。

6

FREQ

スイッチング周波数設定用端子です。この端子をグラウンドに接続すると、2MHz 相当の固定オンタイムを生成し、スイッチング動作します。この端子を VIN に接続すると、1MHz相当の固定オンタイムを生成し、スイッチング動作します。VIN またはグラウンドへ固定
してご使用ください。動作中に変更はできません。

7

FB

エラーアンプ及びメインコンパレータの反転入力ノードです。
出力電圧設定の抵抗値は 21 ページを参照してください。

8

GND

スイッチングレギュレータ出力段・制御用回路のグラウンド端子です。

-

E-Pad

裏面放熱用パッドです。複数のビアを使用して内部の PCB グラウンドプレーンに接続することで優れた放熱特性が得られます。

4

5

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BD9B304QWZ
ブロック図

1

EN

OCP
SCP

UVLO

2

VIN

FB

3

BOOT

7
Error
AmplifierSoft Start

Main
On TimeComparator Modulation

Control
Logic
+
DRV

On Time

4

SW

VOUT

VREF
GND

8
TSD

6

FREQ

5

MODE

Figure 3. ブロック図

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BD9B304QWZ
各ブロック動作説明●

VREF
内部基準電圧を生成するブロックです。

●

UVLO
低電圧誤動作防止ブロックです。VIN が 2.45V (Typ)以下で IC をシャットダウンします。なお、本スレッショルド電圧は 100mV (Typ)のヒステリシスを持っています。

●

TSD
熱保護ブロックです。熱保護回路は IC 内部が 175°C (Typ)以上になるとシャットダウンします。また、温度が低下す
ると、25°C (Typ)のヒステリシスをもって復帰します。

●

Soft Start
起動時の電流に制限をかけながら緩やかに出力電圧が立ち上がるため、出力電圧のオーバーシュートや突入電流を防ぐことができます。内蔵ソフトスタート機能を持ち、1ms (Typ)で立ち上がります。

●

Control Logic + DRV
DC/DC ドライバブロックです。On Time ブロックからの信号を入力し、MOSFET を駆動します。

●

OCP/SCP
ソフトスタート完了後、出力電圧が設定電圧の 70% (Typ)以下になった状態で、High side FET に流れる電流が過電流
リミット値に達した場合その回数をカウントします。そして、512 回カウントされると 1ms (Typ)間動作を停止し、その後に再起動します。カウント値は出力電圧が設定電圧の 80% (Typ)以上になるか、EN、UVLO、SCP 機能による再起動時にリセットします。

●

Error Amplifier
内部基準電圧と FB 端子電圧が等しくなるように Main Comparator 入力を調整します。

●

Main Comparator
Error Amplifier 出力と FB 端子電圧を比較し FB 端子電圧が低くなると High を出力し On Time ブロックに出力電圧が制
御電圧よりも下がったことをフィードバックします。

●

On TimeOn Time を生成するブロックです。Main Comparator 出力が High になると所望の On Time を生成します。入出力電圧が変化しても、周波数変動を抑制するように On Time を調整します。

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BD9B304QWZ
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項

目

記

号

定

格

単位

電源電圧

VIN

-0.3 ～ +7

V

EN 端子電圧

VEN-0.3 ～ +7

V

MODE 端子電圧

VMODE-0.3 ～ +7

V

FREQ 端子電圧

VFREQ-0.3 ～ +7

V

BOOT-GND 間電圧

VBOOT-0.3 ～ +14

V

BOOT-SW 間電圧

ΔVBOOT-0.3 ～ +7

V

FB 端子電圧

VFB-0.3 ～ +7

V

SW 電圧

VSW

-0.3 ～ VIN + 0.3

V

出力電流

IOUT

3.5

A

最高接合部温度

Tjmax

150

°C

保存温度範囲Tstg-55 ～ +150

°C

注意 1：印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を超えた場合は、劣化または破壊に至る可能性があります。また、ショートモードもしくはオープンモードなど、破壊状態を想定できません。絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズなど物理的な安全対策を施して頂けるようご検討お願いします。
注意 2：最高接合部温度を超えるようなご使用をされますと、チップ温度上昇により、IC 本来の性質を悪化させることにつながります。最高接合部温度を超える場合は基板サイズを大きくする、放熱用銅箔面積を大きくする、放熱板を使用するなどの対策をして、最高接合部温度を超えないようにしてください。

熱抵抗(Note 1)
項目

記号

熱抵抗(Typ)1 層基板(Note 3)

4 層基板(Note 4)

単位

UMMP008AZ020
ジャンクションー周囲温度間熱抵抗

θJA

376.0

67.8

°C/W

ジャンクションーパッケージ上面中心間熱特性パラメータ(Note 2)

ΨJT

92.0

18.0

°C/W

(Note 1)JESD51-2A(Still-Air) に準拠。
(Note 2)ジャンクションからパッケージ（モールド部分）上面中心までの熱特性パラメータ。
(Note 3)JESD51-3 に準拠した基板を使用。

測定基板

基板材

基板寸法

1層

FR-4

114.3mm x 76.2mm x 1.57mmt

1 層目（表面）銅箔銅箔パターン
実装ランドパターン＋電極引出し用配線

銅箔厚
70μm

(Note 4)JESD51-5,7 に準拠した基板を使用。

測定基板

基板材

基板寸法

4層

FR-4

114.3mm x 76.2mm x 1.6mmt

サーマルビア(Note 5)
ピッチ
直径
Φ0.30mm

2 層目、3 層目（内層）銅箔

4 層目（裏面）銅箔

1 層目（表面）銅箔銅箔パターン
実装ランドパターン＋電極引出し用配線

銅箔厚

銅箔パターン

銅箔厚

銅箔パターン銅箔厚70μm

74.2mm□（正方形）35μm74.2mm□（正方形）70μm(Note 5)貫通ビア。全層の銅箔と接続する。配置はランドパターンに従う。

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推奨動作条件
項

目

記

号

最小

標準

最大

単位

電源電圧

VIN

2.7

-

5.5

V

動作温度範囲

Topr

-40

-

+85

°C

出力電流

IOUT

0

-

3

A

出力電圧設定範囲

VRANGE

0.8-

VIN×0.8V

電気的特性 (特に指定のない限り Ta=25°C, VIN = 5V, VEN = 5V, VMODE = GND)
項

目

記号

最小

標準

最大

単位

条

件

スタンバイ時回路電流

ISTB

-

0

10

µA

動作静止電流

ICC

-

40

60

µA

UVLO 検出電圧

VUVLO1

2.35

2.45

2.55

V

VEN=GND
VFREQ=VIN, IOUT=0mA
スイッチング停止時
VIN falling

UVLO 解除電圧

VUVLO2

2.425

2.55

2.7

V

VIN rising

UVLO ヒステリシス電圧

VUVLOHYS

50

100

200

mV

EN 入力 high level 電圧

VENH

2.0

-

VIN

V

EN 入力 low level 電圧

VENL

GND

-

0.8

V

EN 流入電流

IEN

-

5

10

µA

FB 端子電圧

VFB

0.792

0.8

0.808

V

FB 入力電流

IFB

-

-

1

µA

ソフトスタート時間

tSS

0.5

1.0

2.0

ms

VFRQH

VIN-0.3-

VIN

V

VIN pin 部

Enable 部

VEN=5V

基準電圧部、エラーアンプ部
VFB=0.8V

制御部
FREQ 入力 high level 電圧
FREQ 入力 low level 電圧

VFRQL

GND

-

0.3

V

MODE 入力 high level 電圧

VMODEH

VIN-0.3-

VIN

V

MODE 入力 low level 電圧

VMODEL

GND

-

0.3

V

On Time1

tONT1

96

120

144

ns

On Time2

tONT2

192

240

288

ns

High side FET ON 抵抗

RONH

-

40

80

mΩ

Low side FET ON 抵抗

RONL

-

40

80

mΩ

High side 出力リーク電流

ILH

-

0

10

µA

スイッチング停止時

Low side 出力リーク電流

ILL

-

0

10

µA

スイッチング停止時

VOUT=1.2V, VFREQ=GND
VMODE=VIN
VOUT=1.2V, VFREQ=VIN
VMODE=VIN

SW 部

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VBOOT-VSW=5V

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BD9B304QWZ
特性データ(参考データ)

60

10

55

9

50

8

45
35

ISTB[μA]

ICC[μA]7

VIN=5V40
30
25

VIN=3.3V

6
5
4

20

VIN=5V

3

15

2

10
5

1

0

0

-40

-20

0
20
40
Temperature[°C]6080VIN=3.3V-40

Figure 4. 動作静止電流 vs 温度

MODE=L

90

90

80

80
VOUT=1.0V

Efficiency[%]

Efficiency[%]

60

80

MODE=L70

70
60

VOUT=1.2V

50
40

0
20
40
Temperature[°C]

Figure 5. スタンバイ時回路電流 vs 温度

100

100

-20

MODE=H30

VOUT=1.5 V

VOUT=1.0V

60

40

20

10

10

0

0
0.01

0.1
Load Current[A]

1

0.001

10

Figure 6. 効率 vs 負荷電流
(VIN=5V, L=0.47µH, FREQ=L)

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VOUT=1.5 V

MODE=H30

VOUT=1.8 V

20

0.001

VOUT=1.2V

50

VOUT=1.8 V

0.01

0.1
Load Current[A]1

10

Figure 7. 効率 vs 負荷電流
(VIN=5V, L=1.0µH, FREQ=H)

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特性データ

－ 続き

(参考データ)

0.808

2.6

0.806
2.56

Release

VIN=5V

0.802
VFB[V]VUVLO1, VUVLO2[V]

0.804

0.8
VIN=3.3V

0.798

2.52

2.48

2.44

0.796
2.4

Detect

0.794
2.36

0.792
-40

-20

0
20
40
60
Temperature[°C]

-40

80

Figure 8. FB 端子電圧 vs 温度

-20

0
20
40
Temperature[°C]6080Figure 9. UVLO 検出電圧, UVLO 解除電圧 vs 温度

2

7

1.9
1.8

6
UP

1.6

VIN=5VIEN[μA]VEN[V]

1.7

VIN=3.3V

1.5
1.4

5

VEN=5V

4

1.3
DOWN

1.2

3

VIN=5V
VIN=3.3V

1.1
1

2
-40

-20

0
20
40
Temperature[°C]

60

80

-40

Figure 10. EN スレッショルド電圧 vs 温度

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-20

0

20
40
Temperature[°C]6080Figure 11. EN 流入電流 vs 温度

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BD9B304QWZ
特性データ

－ 続き

(参考データ)3.5

3

3

VIN=5V

2.5

2

IFREQ[μA]

VFREQ[V]2.5

VIN=5V
FREQ＝5V

VIN=3.3V

2

1.5

1.5

1

1

0.5

0.5

0

-40

-20

0
20
40
Temperature[°C]

60

-40

80

Figure 12. FREQ スレッショルド電圧 vs 温度

02040Temperature[°C]6080Figure 13. FREQ 流入電流 vs 温度

3.5

6
VIN=5V3

VIN=5V
MODE＝5V

5.5

2.5

5
VIN=3.3V

IMODE[μA]

VMODE[V]

-20

2

4.5

1.5

4

1

3.5

0.5

3
-40

-20

0
20
40
Temperature[°C]

60

-40

80

Figure 14. MODE スレッショルド電圧 vs 温度

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-20

0
20
40
Temperature[°C]6080Figure 15. MODE 流入電流 vs 温度

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BD9B304QWZ
特性データ

－ 続き

60

60

55

55

50

50

45

VIN=3.3V

RONL[mΩ]RONH[mΩ](参考データ)40
35

45

VIN=3.3V

40
35

30

30

VIN=5V25

VIN=5V

25

20

20
-40

-20

0
20
40
Temperature[°C]

60

80

-40

Figure 16. High Side FET ON 抵抗 vs 温度

-20

60

80

Figure 17. Low Side FET ON 抵抗 vs 温度

2400

1200
MODE=H

MODE=H

2000

1000

1600

800
fsw[kHz]fsw[kHz]02040
Temperature[°C]

1200

800

600

400

400
MODE=L

VIN=5V
VOUT＝1.2V
FREQ=L

200
MODE=L0

VIN=5V
VOUT＝1.2V
FREQ=H

0
0

0.5

1
1.5
2
Load Current[A]

2.5

3

0

Figure 18. スイッチング周波数 vs 負荷電流

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0.5

1
1.5
2
Load Current[A]2.5

3Figure 19. スイッチング周波数 vs 負荷電流

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BD9B304QWZ
特性データ

－ 続き

2400

1200

2300

1150

2200

1100

2100

1050
fsw[kHz]fsw[kHz](参考データ)

2000

1000
950

1900
VOUT＝1.2V
MODE=H
FREQ=LIOUT=3A

1800
1700

VOUT＝1.2V
MODE=H
FREQ=HIOUT=3A

900
850
800

1600
3

3.5

4
4.5
INPUT Voltage[V]

5

3

5.5

Figure 20. スイッチング周波数 vs 入力電圧

3.5

4
4.5
INPUT Voltage[V]5

5.5

Figure 21. スイッチング周波数 vs 入力電圧21.5tSS[ms]

VIN=3.3V

1
VIN=5V

0.5

0
-40

-20

0
20
40
Temperature[°C]6080Figure 22. ソフトスタート時間 vs 温度

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BD9B304QWZ
特性データ

－ 続き

(参考データ)VIN 5V/div

VIN 5V/div

EN 5V/div

EN 5V/div

VOUT 1V/div

VOUT 1V/div
Time 1ms/div

Time 1ms/div
SW 5V/div

SW 5V/div

Figure 23. EN 起動波形(EN=0V to 5V)(VOUT=1.2V, FREQ=H, RLOAD=0.4Ω)Figure 24. EN シャットダウン波形(EN=5V to 0V)(VOUT=1.2V, FREQ=H, RLOAD=0.4Ω)

VIN 5V/div

VIN 5V/div

EN 5V/div

EN 5V/div

VOUT 1V/div

VOUT 1V/div
Time 1ms/div

Time 1ms/div

SW 5V/div

SW 5V/div

Figure 25. VIN 起動波形(VIN = EN)(VOUT=1.2V, FREQ=H, RLOAD=0.4Ω)

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Figure 26. VIN シャットダウン波形(VIN = EN)(VOUT=1.2V, FREQ=H, RLOAD=0.4Ω)

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特性データ

－ 続き

(参考データ)VOUT 20mV/div

VOUT 20mV/div

SW 2V/div

SW 2V/div

Time 1μs/div

Figure 27. スイッチング波形(VIN=5V, VOUT=1.2V, FREQ=L, IOUT=0.2A)

Figure 28. スイッチング波形(VIN=5V, VOUT=1.2V, FREQ=L, IOUT=3A)

VOUT 20mV/div

VOUT 20mV/div

SW 2V/div

SW 2V/div

Time 1μs/div

Figure 29. スイッチング波形(VIN=5V, VOUT=1.2V, FREQ=H, IOUT=0.2A)

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Time 1μs/div

Time 1μs/div

Figure 30. スイッチング波形(VIN=5V, VOUT=1.2V, FREQ=H, IOUT=3A)

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BD9B304QWZ
特性データ

－ 続き

1

1

0.8

0.8

0.6

0.6

Output Voltage Deviation[%]

Output Voltage Deviation[%](参考データ)0.4
0.2
MODE=H0-0.2

MODE=L

-0.4
-0.6
-0.8

0.4
0.2

MODE=L

0
-0.2
-0.4

MODE=H

-0.6
-0.8

-1

-1

2.5

3

3.5
4
4.5
Input Voltage[V]

5

5.5

0

Figure 31. ラインレギュレーション(VOUT=1.2V, L=1.0μH, FREQ=H)

0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 2.4 2.7
Load Current[A]3Figure 32. ロードレギュレーション(VIN=5V, VOUT=1.2V. L=1.0μH, FREQ=H)

VOUT 100mV/div

VOUT 50mV/div

IOUT 1A/div

IOUT 1A/div

Time 1ms/div

Time 1ms/div

Figure 33. 負荷応答波形 IOUT=0.1A – 3A
(VIN=5V, VOUT=1.2V, FREQ=L, MODE=L, COUT=22µF×2)

Figure 34. 負荷応答波形 IOUT=0A - 3A
(VIN=5V, VOUT=1.2V, FREQ=L, MODE=H, COUT=22µF×2)

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BD9B304QWZ
機能説明
1. 基本動作(1) DC/DC コンバータ動作
BD9B304QWZ は固定オンタイム制御方式により高速負荷応答を実現した、降圧型同期整流スイッチングレギュレー
タです。重負荷状態では Pulse Width Modulation (PWM)モードでスイッチング動作し、負荷が軽い時は効率を向上させるように Deep-SLLM (Simple Light Load Mode)制御を行っています。

Deep-SLLM 制御

Efficiency [%]①② PWM 制御

Output Current [A]Figure 35. 効率特性 (Deep-SLLM 制御、PWM 制御)①②PWM 制御によるスイッチング波形

Deep-SLLM 制御によるスイッチングパルス間引き波形

VOUT
20mV/div

VOUT
20mV/divSW
2.0V/divSW
2.0V/div

Figure 36. Deep-SLLM 制御時 SW 波形(VIN = 5.0V, VOUT = 1.2V, IOUT = 200mA, FREQ=H)

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Figure 37. PWM 制御時 SW 波形(VIN=5.0V, VOUT=1.2V, IOUT=3A, FREQ=H)

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BD9B304QWZ(2) イネーブル制御
EN 端子に印加される電圧によって、IC のシャットダウンをコントロールできます。EN 端子電圧が 2.0V (Min)に達すると内部回路が動作し IC が起動します。EN 端子にてシャットダウン制御を行う場合は、シャットダウン区間 (ENの Low 区間)を 100µs 以上に設定してください。EN による起動は、電源電圧投入と同時、または電源電圧投入後にしてください。
VEN

EN端子

VENH
VENL
0

t

VOUT

出力設定電圧0t
ソフトスタート
1ms (Typ)

Figure 38. イネーブル制御中の ON/OFF 切換り推移(3) ソフトスタート機能
EN 端子を High にすると、ソフトスタート機能が動作し出力電圧が緩やかに立ち上がります。また、ソフトスター
ト機能により出力電圧のオーバーシュートや突入電流を防ぐことができます。出力電圧の立ち上がり時間は 1ms(Typ)です。

EN

VOUT

0.8V

0.8V×90%
FB

1ms(Typ)
Figure 39. ソフトスタートタイミングチャート

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BD9B304QWZ
2 保護機能保護回路は突発的な事故による破壊防止に有効なもので連続的な保護動作でのご使用はしないでください。
(1) 過電流保護 (OCP)／短絡保護機能 (SCP)
電流保護機能は、上側 MOS FET を流れる電流をスイッチング周期 1 サイクルごとに On / Off Duty を制限することで実現します。過電流保護動作の設計値は 5.5A (Typ)です。また、FB 端子電圧が内部基準電圧の 70%以下の電圧に達した状態で過電流保護機能が 512 サイクル動作すると、短絡保護機能 (SCP)が動作し一定時間スイッチングを停止したあと再び起動を開始します。スイッチング停止時間は、1ms (Typ)です。ただし、起動中は短絡保護機能は動作しません。
Table 1. 過電流 / 短絡保護機能
EN 端子
起動
2.0V 以上
0.8V 以下

過電流保護機能

短絡保護機能

起動中

有効

無効

起動完了

有効

有効

＊

無効

無効

1ms(Typ)

VOUT
70%

FB

上側
MOSFETゲート
下側
MOSFETゲート
OCPスレッショルド
コイル電流

IC内部
OCP信号
512サイクル

Figure 40. 短絡保護機能 (SCP) タイミングチャート

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BD9B304QWZ(2) 低電圧誤動作防止 (UVLO)
低電圧誤動作防止回路は VIN 端子電圧をモニタします。
VIN 端子電圧が 2.45V (Typ)以下の時、スタンバイ状態になります。
VIN 端子電圧が 2.55V (Typ)以上の時、起動動作になります。
VIN

UVLO
ON

UVLO
OFF
hys

0V

VOUT
ソフトスタート
FB端子

上側
MOSFETゲート

下側
MOSFETゲート

Normal operation

UVLO

Normal operation

Figure 41. UVLO タイミングチャート(3) サーマルシャットダウン機能
チップ温度が Tj=175°C (Typ)を超えると DC/DC コンバータの出力を停止します。
また、温度が低下すると、25°C (Typ)のヒステリシスをもって復帰します。熱遮断回路は、あくまでも Tjmax=150°C を超えた異常状態下での熱的暴走から IC を遮断する事を目的とした回路であり、セットの保護及び保証を目的とはしておりません。よって、この回路の機能を利用したセットの保護設計は絶対に避けてください。

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BD9B304QWZ
応用回路例

VIN

BD9B304QWZ
C1

VIN

GND

EN

FB

C2

C8

BOOT

FREQ

SW

MODE

L1

VOUT
C5

C6

C10

R2

R1

Figure 42. アプリケーション回路
Table 2. 推奨部品値 (VIN=5V, FREQ=H)
Part No.

VOUT
1.0V

1.2V

1.5V

1.8V

R1

300kΩ

150kΩ

180kΩ

120kΩ

Company

Part name

ROHM

MCR01MZPDxxxx

R2

75kΩ

75kΩ

160kΩ

150kΩ

ROHM

MCR01MZPDxxxx

C1(Note 1)

10μF

10μF

10μF

10μF

Murata

GRM21BB31A106ME18

C2(Note 2)

0.1μF

0.1μF

0.1μF

0.1μF

Murata

GRM155B11A104MA01D

C5,C6

22μF

22μF

22μF

22μF

Murata

GRM21BB30J226ME38L

C8(Note 3)

0.1μF

0.1μF

0.1μF

0.1μF

Murata

GRM155B11A104MA01D

C10

120pF

120pF

150pF

180pF

Murata

L1

1.0μH

1.0μH

1.0μH

1.0μH

TOKO

GRM15 series
FDSD0420
DFE252012C

Table 3. 推奨部品値 (VIN=5V, FREQ=L)Part No.

VOUT
1.0V

1.2V

1.5V

1.8V

R1

300kΩ

150kΩ

180kΩ

120kΩ

Company

Part name

ROHM

MCR01MZPDxxxx

R2

75kΩ

75kΩ

160kΩ

150kΩ

ROHM

MCR01MZPDxxxx

C1(Note 1)

10μF

10μF

10μF

10μF

Murata

GRM21BB31A106ME18

C2(Note 2)

0.1μF

0.1μF

0.1μF

0.1μF

Murata

GRM155B11A104MA01D

C5,C6

22μF

22μF

22μF

22μF

Murata

GRM21BB30J226ME38L

C8(Note 3)

0.1μF

0.1μF

0.1μF

0.1μF

Murata

GRM155B11A104MA01D

C10

100pF

100pF

100pF

120pF

MurataL1

0.47μH0.47μH0.47μH0.47μHTOKO

GRM15 series
FDSD0420
DFE252012C(Note 1) 入力コンデンサの容量は温度特性、DC バイアス特性等を考慮して実容量が 4.7μF を下回らないように設定してください。
(Note 2) 0.1μF の入力コンデンサは、VIN ピン、GND ピンの極力近くに配置してください。
(Note 3) ブートストラップコンデンサの容量は温度特性、DC バイアス特性等を考慮して実容量が 0.047μF を下回らないように設定してください。

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アプリケーション部品選定方法
応用回路例に示す推奨定数以外の設定をご使用の場合、弊社までお問い合わせください。
1.出力 LC フィルタ定数
DC/DC コンバータでは、負荷に連続的な電流を供給するために、出力電圧の平滑化用の LC フィルタが必要です。
BD9B304QWZ はインダクタンス値 L=0.47μH (FREQ=L), 1.0μH (FREQ=H)を使用してください。
VIN

IL
コイル飽和電流 ＞ IOUTMAX + ΔIL / 2
L

IOUT

ΔIL

VOUT

Driver

平均コイル電流

COUTt
Figure 43. インダクタに流れる電流波形

Figure 44. 出力 LC フィルタ回路

ここで VIN = 5V, VOUT = 1.2V, L= 1.0μH, スイッチング周波数 fSW= 1MHz で計算するとコイルリップル電流∆IL は次式になります。

ΔI L = VOUT × (V IN -VOUT ) ×

1= 912 mA 
VIN × f SW × L

また、使用するコイルの飽和電流は、最大出力電流にコイルリップル電流∆IL の 1 / 2 を足し合わせた電流よりも大きいものを選択してください。
出力キャパシタ COUT は、出力リップル電圧特性に影響を与えます。必要とされるリップル電圧特性を満たせるように出力キャパシタ COUT を選定してください。
出力リップル電圧は次式で表されます。

ΔV RPL = ΔI L × (R ESR +1
8 × C OUT × f SW

) V 

この時、RESR は出力キャパシタの等価直列抵抗です。
※コンデンサの定格は出力電圧に対して十分なマージンをもって選定してください。
ESR は小さい方が出力リップル電圧を小さくすることができます。
コンデンサの容量は温度特性、DC バイアス特性等を考慮して 22µF~47µF 程度のセラミックコンデンサをご使用ください。
※出力キャパシタ COUT の値を選定する際は、COUT 以外に VOUT に接続されるキャパシタ値 CLOAD に注意してください。 COUT
以外に VOUT に接続可能な最大キャパシタ値 CLOAD(Max) は下の条件式より算出してください。
起動時のコイルリップル電流最大値 ILSTART< 電流制限スレッショルド 3.7 [A] (Min)

ここで、起動時のコイルリップル電流最大値(ILSTART)は次式で表されます。
ILSTART =起動時出力最大負荷電流(IOMAX)

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+

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出力キャパシタへの充電電流(ICAP)

+

ΔIL
2

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BD9B304QWZ
また、出力キャパシタへの充電電流(ICAP)は次式で表されます。

I CAP =(C OUT + C LOAD ) × V OUT
A 
t SS

上式より、VIN= 5V, VOUT= 1.2V, L= 1.0µH, スイッチング周波数 fSW = 800kHz (Min), 出力キャパシタ COUT= 44µF, ソフトスタ
ート時間 tSS= 0.5ms (Min), ソフトスタート中の出力負荷電流 IOSS=3A 時の VOUT に接続可能な最大出力負荷容量 CLOAD (Max)を計算すると次式になります。

C LOAD (max) <(3.7 - I OSS - ΔI L /2) × t SS
- C OUT  10.2 μFV OUT

※CLOAD の値は、動作の安定性に関係があります。
実機にて十分な位相マージンを持っていることをご確認ください。
2. 出力電圧設定
フィードバック抵抗比によって出力電圧値を設定できます。
安定動作のためフィードバック抵抗 R2 は 20kΩ 以上を接続してください。
VOUT

VOUT =
R2
Error Amplifier

R1 =

FB
R1

0.8V

R1 + R2
× 0.8 V 
R1

0.8
× R2 Ω
VOUT - 0.8

0.8 V VOUT  ( VIN  0.8) V

Figure 45. フィードバック抵抗回路
3. FB コンデンサ
一般的に固定 ON Time 制御では FB 電圧にコンパレータが安定に動作するために十分なリップル電圧が必要となります。
本 IC は IC 内部で FB 電圧にリップル電圧を注入することにより、低 ESR の出力コンデンサに対応するように設計されております。適切なリップルを注入するため FB コンデンサは下記の式の範囲で設定してください。

V OUT × (1 -

V OUT
)
V IN

f SW × 7.65 × 10

3

V OUT × (1 < C FB <

V OUT
)
V IN

f SW × 3.3 × 10

3

F

VIN : 入 力 電 圧V 
VOUT :出 力 電 圧V fSW : ス イ ッ チ ン グ 周 波 数Hz 
4. ブートストラップコンデンサ
0.1µF のセラミックコンデンサを SW ピンと BOOT ピンの間に接続してください。

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PCB レイアウト設計について
降圧 DC/DC コンバータでは、パルス状の大電流が 2 つのループを流れます。1 つ目のループは、上側の FET が ON している時に流れるループで、入力キャパシタ CIN より始まり、FET、インダクタ L、出力キャパシタ COUT を通り、COUT のGND から CIN の GND へと帰ります。2 つ目のループは、下側の FET が ON している時に流れるループで、下側の FETより始まり、インダクタ L、出力キャパシタ COUT を通り COUT の GND から下側の FET の GND へと帰ります。これら 2つのループをできるだけ太く短くトレースすることで、ノイズを減らし、効率を上げることができます。特に入力キャパ
シタ、出力キャパシタは GND プレーンに接続することをお勧めします。PCB レイアウトは、その発熱・ノイズ・効率特性すべてに大きな影響を与えます。

VIN

VOUT

L

MOS FET
CIN

COUT

Figure.46 降圧コンバータの電流ループ
そのため、PCB レイアウトを設計する際には、以下に挙げる点を特に注意して設計してください。
・入力キャパシタは、IC の VIN 端子、GND 端子に可能な限り近く IC と同じ面に配置してください。
・PCB 上に使用していないエリアがある場合は、IC や周辺部品の放熱を助けるため GND ノードの銅箔プレーンを配置
してください。
・SW 等のスイッチングノードは、他ノードへの AC 結合によるノイズの影響が懸念されるため、コイルに可能な限り
太く短くトレースしてください。
・FB につながるラインは、SW のノードとは可能な限り離してください。
・出力キャパシタは入力から高調波ノイズの影響を避けるため、入力コンデンサから離して配置してください。

MODE

FREQ

FB

入力バイパス
コンデンサ(0.1μF)

GND

GND

SW

BOOT

入力バルク
コンデンサ(10μF)

EN

VIN

出力コンデンサ

出力インダクタ

VIN
VOUT
裏面放熱PADエリア
イネーブル制御
ブートコンデンサ
Signal VIA

Thermal VIA

裏面層配線

Figure 47. PCB レイアウト例

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入出力等価回路図

2. EN

3. BOOT
VIN
VINInternal
circuits

EN

BOOT

SW

4. SW

5. MODE
BOOT

VIN
Internal
circuits

MODE

SW

6. FREQ

7. FB
VIN

FREQ

Internal
circuits

10kΩ
FB

内部回路の電気的特性については 6 ページを参照してください。

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使用上の注意1.

電源の逆接続について
電源コネクタの逆接続により LSI が破壊する恐れがあります。逆接続破壊保護用として外部に電源と LSI の電源端子間にダイオードを入れるなどの対策を施してください。

2.

電源ラインについて
基板パターンの設計においては、電源ラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。その際、デジタル系電源とアナログ系電源は、それらが同電位であっても、デジタル系電源パターンとアナログ系電源パターンは分離し、配線パターンの共通インピーダンスによるアナログ電源へのデジタル・ノイズの回り込みを抑止してください。グラウンドラインについても、同様のパターン設計を考慮してください。
また、LSI のすべての電源端子について電源－グラウンド端子間にコンデンサを挿入するとともに、電解コンデンサ
使用の際は、低温で容量低下が起こることなど使用するコンデンサの諸特性に問題ないことを十分ご確認のうえ、定数を決定してください。

3.

グラウンド電位について
L 負荷駆動端子については、L 負荷の逆起電圧の影響でグラウンド以下に振れることが考えられます。L 負荷駆動端子
が逆起電圧によって負電位になる場合を除き、グラウンド端子はいかなる動作状態においても最低電位になるようにしてください。また実際に過渡現象を含め、グラウンド端子、L 負荷駆動端子以外のすべての端子がグラウンド以下の電圧にならないようにしてください。使用条件、環境及び L 負荷個々の特性によっては誤動作などの不具合が発生する可能性があります。IC の動作などに問題のないことを十分ご確認ください。

4.

グラウンド配線パターンについて
小信号グラウンドと大電流グラウンドがある場合、大電流グラウンドパターンと小信号グラウンドパターンは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が小信号グラウンドの電圧を変化させないように、セットの基準点で1 点アースすることを推奨します。外付け部品のグラウンドの配線パターンも変動しないよう注意してください。グラウンドラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。

5. 推奨動作条件について
この範囲であればほぼ期待通りの特性を得ることができる範囲です。電気特性については各項目の条件下において保証されるものです。
6.

ラッシュカレントについて
IC 内部論理回路は、電源投入時に論理不定状態で、瞬間的にラッシュカレントが流れる場合がありますので、電源カ
ップリング容量や電源、グラウンドパターン配線の幅、引き回しに注意してください。

7.

強電磁界中の動作について
強電磁界中でのご使用では、まれに誤動作する可能性がありますのでご注意ください。

8.

セット基板での検査について
セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合は、IC にストレスがかかる恐れがあるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立工程にはアースを施し、運搬や保存の際には十分ご注意ください。また、検査工程での治具への接続をする際には必ず電源を OFF にしてから接続し、電源を OFF にしてから取り外してください。

9.

端子間ショートと誤装着について
プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分注意してください。誤って取り付けた場合、IC が破壊する恐れがあります。また、出力と電源及びグラウンド間、出力間に異物が入るなどしてショートした場合についても破壊の恐れがあります。

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使用上の注意―続き

10. 未使用の入力端子の処理について
CMOS トランジスタの入力は非常にインピーダンスが高く、入力端子をオープンにすることで論理不定の状態になります。これにより内部の論理ゲートの p チャネル、n チャネルトランジスタが導通状態となり、不要な電源電流が流れます。また 論理不定により、想定外の動作をすることがあります。よって、未使用の端子は特に仕様書上でうたわれていない限り、適切な電源、もしくはグラウンドに接続するようにしてください。
11. 各入力端子について
本 IC はモノリシック IC であり、各素子間に素子分離のための P+アイソレーションと、P 基板を有しています。
この P 層と各素子の N 層とで P-N 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。
例えば、下図のように、抵抗とトランジスタが端子と接続されている場合、○抵抗では、GND＞(端子 A)の時、トランジスタ (NPN)では GND > (端子 B)の時、P-N 接合が寄生ダイオードとして動作します。
○また、トランジスタ (NPN)では、GND > (端子 B)の時、前述の寄生ダイオードと近接する他の素子の N 層
によって寄生の NPN トランジスタが動作します。
IC の構造上、寄生素子は電位関係によって必然的にできます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因ともなり得ます。したがって、入出力端子に GND (P 基板)より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。アプリケーションにおいて電源端子と各端子電圧が逆になった場合、内部回路または素子を損傷する可能性があります。例えば、外付けコンデン
サに電荷がチャージされた状態で、電源端子が GND にショートされた場合などです。また、電源端子直列に逆流防止のダイオードもしくは各端子と電源端子間にバイパスのダイオードを挿入することを推奨します。
抵抗トランジスタ (NPN)
端子B

端子A

C

E

端子A
N

P+

P
N

N

P+

N

端子B

B

寄生素子

N

P+

N P

N

P+

C
E
寄生素子

P基板

P基板
寄生素子

B
N

GND

寄生素子

GND

GND

近傍する
他の素子

GND

Figure 48. モノリシック IC 構造例
12. セラミック・コンデンサの特性変動について
外付けコンデンサに、セラミック・コンデンサを使用する場合、直流バイアスによる公称容量の低下、及び温度など
による容量の変化を考慮のうえ定数を決定してください。
13. 安全動作領域について本製品を使用する際には、出力トランジスタが絶対最大定格及び ASO を超えないよう設定してください。
14. 温度保護回路について
IC を熱破壊から防ぐための温度保護回路を内蔵しております。最高接合部温度内でご使用いただきますが、万が一最高接合部温度を超えた状態が継続すると、温度保護回路が動作し出力パワー素子が OFF します。その後チップ温度 Tj が低下すると回路は自動で復帰します。なお、温度保護回路は絶対最大定格を超えた状態での動作となりますので、温度保護回路を使用したセット設計などは、絶対に避けてください。
15. 過電流保護回路について
出力には電流能力に応じた過電流保護回路が内部に内蔵されているため、負荷ショート時には IC 破壊を防止します
が、この保護回路は突発的な事故による破壊防止に有効なもので、連続的な保護回路動作、過渡時でのご使用に対応するものではありません。
16. 外乱光の影響について
WL-CSP のようにシリコン面の一部が露出しているデバイスは、外乱光が当たると光電効果により特性に影響を与える恐れがあります。フィルタの設置や遮光など外乱光の影響を受けない設計をしてください。

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発注形名情報

B

D

9

B

3

0

品名

4

Q

W

Z

パッケージ
UMMP008AZ020-

E2
包装、フォーミング仕様
E2: リール状エンボステーピング

標印図

UMMP008AZ020 (TOP VIEW)
Part Number Marking

D9B

LOT Number

3 0 4

1PIN MARK

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外形寸法図と包装・フォーミング仕様

Package Namewww.rohm.co.jp© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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UMMP008AZ020

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改訂履歴
日付

版

2016.09.23
2017.02.07

001
002

変更内容
新規作成
表現統一化のため

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ご注意
ローム製品取扱い上の注意事項
1.

本製品は一般的な電子機器（AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）への使用を意図して設計・製造されております。したがいまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、(Note 1)
身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器、輸送機器、
交通機器、航空宇宙機器、原子力制御装置、燃料制御、カーアクセサリを含む車載機器、各種安全装置等）（以下「特定用途」という）への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し、ロームは一切その責任を負いません。
(Note 1) 特定用途となる医療機器分類
日本
USA
EU
CLASSⅢ
CLASSⅡb
CLASSⅢ
CLASSⅣ
CLASSⅢ中国
Ⅲ類

2.

半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や 故障が生じた場合であっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。
①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。
②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。

3.

本製品は、一般的な電子機器に標準的な用途で使用されることを意図して設計・製造されており、下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。したがいまして、下記のような特殊環境での本製品のご使用に関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使用される際は、お客様におかれまして十分に性能、信頼性等をご確認ください。
①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用③潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用④静電気や電磁波の強い環境でのご使用⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合。
⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用。
⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合(無洗浄タイプのフラックスを使用された場合も、残渣の洗浄は確実に行うことをお薦め致します)、又ははんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合。
⑧本製品が結露するような場所でのご使用。

4.

本製品は耐放射線設計はなされておりません。

5.

本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に実装された状態での評価及び確認をお願い致します。

6.

パルス等の過渡的な負荷（短時間での大きな負荷）が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ずその評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。

7.

電力損失は周囲温度に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、必ず温度測定を行い、最高接合部温度を超えていない範囲であることをご確認ください。

8.

使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。

9.

本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いません。

実装及び基板設計上の注意事項
1.

ハロゲン系（塩素系、臭素系等）の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。

2.

はんだ付けは、表面実装製品の場合リフロー方式、挿入実装製品の場合フロー方式を原則とさせて頂きます。なお、表面実装製品をフロー方式での使用をご検討の際は別途ロームまでお問い合わせください。
その他、詳細な実装条件及び手はんだによる実装、基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書をご確認ください。

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Rev.003

応用回路、外付け回路等に関する注意事項
1.

本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品のバラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。

2.

本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。したがいまして、お客様の機器の設計において、回路やその定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行ってください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。

静電気に対する注意事項
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、保管時において静電気対策を実施のうえ、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。（人体及び設備のアース、帯電物からの隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等）

保管・運搬上の注意事項
1.

本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがありますのでこのような環境及び条件での保管は避けてください。
①潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所での保管②推奨温度、湿度以外での保管③直射日光や結露する場所での保管④強い静電気が発生している場所での保管

2.

ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性があります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します。

3.

本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き（梱包箱に表示されている天面方向）で取り扱いください。天面方向が遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する
危険があります。

4.

防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行ったうえでご使用ください。

製品ラベルに関する注意事項
本製品に貼付されている製品ラベルに２次元バーコードが印字されていますが、２次元バーコードはロームの社内管理のみを目的としたものです。

製品廃棄上の注意事項
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。

外国為替及び外国貿易法に関する注意事項
本製品は外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物等に該当するおそれがありますので輸出する場合には、ロームにお問い合わせください。

知的財産権に関する注意事項
1.

本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。

2.

ロームは、本製品とその他の外部素子、外部回路あるいは外部装置等（ソフトウェア含む）との組み合わせに起因して生じた紛争に関して、何ら義務を負うものではありません。

3.

ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ロームもしくは第三者が所有又は管理している知的財産権 その他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。 ただし、本製品を通常の用法にて使用される限りにおいて、ロームが所有又は管理する知的財産権を利用されることを妨げません。

その他の注意事項
1.

本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します。

2.

本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく、分解、改造、改変、複製等しないでください。

3.

本製品又は本資料に記載された技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用、あるいはその他軍事用途目的で使用しないでください。

4.

本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社もしくは第三者の商標又は登録商標です。

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Rev.003

Datasheet
一般的な注意事項
1.

本製品をご使用になる前に、本資料をよく読み、その内容を十分に理解されるようお願い致します。本資料に記載される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いませんのでご注意願います。

2.

本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。本製品のご購入及びご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。

3.

ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても、ロームは一切その責任を負いません。

Notice – WE

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