Datasheet

2.7V～5.5V 入力, 2A 同期整流 1ch
降圧 DC/DC コンバータ
BD89630EFJ●概要
ロームの高効率降圧スイッチングレギュレータ
BD89630EFJ は 5.5V/3.3V 以下の電源ラインから 1Vなどの低電圧を作る電源で、同期整流回路にて高効率化を実現します。また、カレントモード制御方式を採用しており、負荷急変における高速過渡応答を実現し
ています。

●重要特性
 入力電圧範囲:
 出力電圧範囲:
 平均出力電流: スイッチング周波数:
 PMOS ON 抵抗:
 NMOS ON 抵抗:
 スタンバイ電流:
 動作温度範囲:●特長
 カレントモード PWM 制御方式により高速過渡応答実現 同期整流内蔵(Nch/Pch FET)により高効率
 ソフトスタート機能内蔵 温度・UVLO 保護機能内蔵
 タイマラッチ式 ショート保護機能内蔵
 シャットダウン機能内蔵●パッケージHTSOP-J8

2.7V～5.5V
1.0V～2.5V
2A(Max.)1MHz(Typ.)145mΩ(Typ.)80mΩ(Typ.)
5μA (Typ.)-25℃～+85℃(Typ.)(Typ.)(Max.)
4.90mm x 6.00mm x 1.00mm●用途
DSP、マイコンや ASIC などの LSI 用電源●アプリケーション回路
HTSOP-J8

VCC

L

Cin
EN

VADJ

VCC

SW

VOUT

ADJ

COMP

RFB1

GND

RCOMP

VADJ

CO
RFB2

CCOMP

Fig.1 アプリケーション回路例○製品構造：シリコンモノリシック集積回路
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TSZ22111・14・001○耐放射線設計はしておりません

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BD89630EFJ●端子配置図(TOP VIEW)
COMP

ADJ

GND

N.C

EN

SW

VCC

SW

Fig.2 端子配置図●端子説明
Pin No.

端子名

端子機能

1

COMP

GmAmp 出力端子/位相補償用端子

2

GND

GND 端子3

EN

イネーブル端子(High アクティブ,オープンアクティブ)

4

VCC

VCC 電源入力端子

5SW

Pch/Nch FET ドレイン出力端子

6SW

Pch/Nch FET ドレイン出力端子

7N.C

Non Connection

8ADJ

出力電圧可変端子●ブロック図

VCC

SW
SW

GND

Fig.3 ブロック図

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BD89630EFJ●絶対最大定格(Ta=25℃)
項目

記号

定格

単位
*1

V

VCC 電圧VCC-0.3 ～ +7

EN 電圧-0.3 ～ +7

V-0.3 ～ +7V

許容損失 1

VEN
VSW
VCOMP
Pd1

*2

0.5

W

許容損失 2Pd2

3.76*3W

動作温度範囲Topr-25 ～ +85℃

保存温度範囲Tstg-55 ～ +150℃

最高接合部温度

Tjmax

+150

℃

SW,COMP 電圧*1 ただし、Pd を超えないこと。
*2 Ta≧25℃の場合 4.0mW/℃で軽減。(IC 単体時)
*3 Ta≧25℃の場合 30.0mW/℃で軽減。(70mm×70mm×1.6mm ガラスエポキシ基板(銅箔密度 3%)実装時)●推奨動作条件(Ta=-25 ～ +85℃)
項目

記号

定格
最小

標準

最大

単位

VCC 電圧VCC

2.7 *5

5.0

5.5

V

EN 電圧

VEN

0

-

Vcc

V

*4

出力電圧設定範囲

VOUT

1.0

-

2.5

V

SW 端子平均出力電流

Isw

-

-

2.0*5

A

*4 ただし、出力電圧を 1.6V 以上に設定して使用する場合は VccMin.=Vout+2.25V とする。
*5 ただし、Pd を超えないこと。

●電気的特性(特に指定のない限り Ta=25℃ VCC=5V, EN=VCC, R1=20kΩ, R2=7.5kΩ)
規格値
項目
記号
最小
標準
スタンバイ時回路電流

ISTB

-

アクティブ時回路電流

ICC

EN Low 電圧

VENL

EN High 電圧

VENH

単位

最大

条件

5

20

µA

EN=GND

-

350

600

µA

-

GND

0.3

V

スタンバイ時

2.0

VCC

-

V

アクティブ時VEN=5V

EN 流入電流

IEN

-

1.25

10

µA

動作周波数

FOSC

0.8

1

1.2

MHz

Pch FET ON 抵抗

RONP

-

145

290

mΩ

VCC=5VNch FET ON 抵抗

RONN

-

80

160

mΩ

VCC=5V

ADJ 端子電圧

VADJ

0.788

0.800

0.812

V

COMP シンク電流

ICOSI

10

25

-

µA

VADJ=1.0V

COMP ソース電流

ICOSO

10

25

-

µA

VADJ=0.6V

UVLO 検出電圧

VUVLO1

2.400

2.500

2.600

V

VCC=5→0V

UVLO 解除電圧

VUVLO2

2.425

2.550

2.700

V

VCC=0→5V

ソフトスタート時間

TSS

0.5

1

2

ms

タイマラッチ時間

TLATCH

1

2

4

ms

出力短絡検出電圧

VSCP-

VOUT×0.5

VOUT×0.7

V

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VOUT=1.1→0V

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BD89630EFJ●特性データFig.5 EN 電圧―出力電圧

Fig.4 電源電圧―出力電圧Fig. 7 温度―出力電圧Fig.6 負荷電流―出力電圧

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BD89630EFJ

100
90

EFFICIENCY[%]80【VOUT=1.1V】
VCC=5.0V
Ta=25℃

70
60
50
40
30
20
10
0
10

100
1000
OUTPUT CURRENT:IOUT[mA]
Fig.8 効率

10000
Fig.9 温度―動作周波数

Fig.11 温度―EN スレッショルド電圧

Fig.10 温度―NMOS,PMOS-FET ON 抵抗

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Fig.12 温度―アクティブ時回路電流

Fig.13 電源電圧―動作周波数

Fig.15 SW 波形 Io=10mA

Fig.14 ソフトスタート波形

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Fig. 16
負荷応答 Io=0.5A→1.5A(10µs)

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Fig. 17
負荷応答 Io=1.5A→0.5A(10µs)

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BD89630EFJ
アプリケーションヒント

●動作説明
○同期整流
従来の DC/DC コンバータ IC より外付け整流素子分の消費電力を減らすことがき、P.N 貫通防止機能によって動作時の貫通電流を抑えることにより、セットの消費電力を低減します。
○カレントモード PWM 制御
電圧帰還にコイル電流を帰還するループを追加して PWM 制御信号を合成しています。
・PWM(Pulse Width Modulation)制御
PWM 発振周波数は 1MHz です。OSC から出力される SET 信号で Pch MOS FET がターン・オン(Nch MOS FET は
ターン・オフ)し、コイル電流 IL が増加します。電流検出比較器(Current Comp)で、電流帰還制御信号(SENSE=IL の変換電圧)が電圧帰還制御信号(FB)と一致すると RESET 信号を出力し、固定周期の残りの期間ターン・オフ(Nch MOS
FET はターン・オン)します。PWM 制御はこれを繰り返します。
SENSE
Current
Comp
RESET

VOUT
Level
Shift

R Q
FB

SET

Gm Amp.
COMPSIL
Driver
Logic

VOUT

SW
Load

OSC

Fig.18 カレントモード PWM 制御ブロック図

PVCC

Current
Comp

SENSE
FB

SET

GND

RESET

GND

SW

GND

IL

IL (AVE)

VOUT

VOUT (AVE)

Fig.19 PWM スイッチングタイミングチャート

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BD89630EFJ●各ブロック動作説明
・ソフトスタート機能
EN 端子を High にすると、ソフトスタート機能が働き起動時の電流に制限をかけながら緩やかに出力電圧が立ち上がりますので、出力電圧のオーバーシュートや突入電流を防ぐことができます。
・シャットダウン機能
EN 端子を Low にするとスタンバイモードとなり、基準電圧・内部発振器・ドライバなど全ての機能ブロックをOFF 状態とします。スタンバイ時の回路電流は 5µA(Typ.)です。
・UVLO 機能
BD89630EFJ の出力電圧を確保できる入力電圧が供給されているかを検出します。また、出力のチャタリングを防ぐために検出電圧に 50mV(typ.)のヒステリシス幅を設けています。
ヒステリシス幅 50mV

VCC

EN

VOUT

Tss

Tss

Tss

ソフトスタート
スタンバイモード

動作モード

スタンバイ
モード

スタンバイ
モード

動作モード

UVLO

UVLO

動作モード

EN

スタンバイモード

UVLO

Fig.20 ソフトスタート、シャットダウン、UVLO タイミングチャート
・タイマラッチ式ショート保護機能
出力には過電流保護回路を内蔵しており、電流制限をかけます。さらに出力短絡保護回路によって、負荷ショートモードなどを検出し保護回路が一定時間以上連続動作すると、出力が OFF 状態でラッチし IC の破壊を防止します。
EN を再投入するまたは、UVLO を再度解除することで出力が復帰します。

EN
出力 OFFラッチ
出力短絡検出電圧
VOUT
IL リミットIL

t1<TLATCH

t2=TLATCH

動作モード

出力 OFF

動作モード

出力 OFFタイマラッチEN

EN

Fig.21 タイマラッチ式ショート保護タイミングチャート

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BD89630EFJ●お客様への提案
メリット 1：カレントモード制御方式により、高速過渡応答を実現します。
従来品(負荷応答 IO=0.5A→1.5A)

BD89630EFJ(負荷応答 IO=0.5A→1.5A)

VOUT

VOUT
36mV

75mV

IOUT

IOUT

負荷急変による出力電圧ドロップが大幅に減少
Fig.22 過渡応答比較

メリット 2：BD89630EFJ は同期整流方式により高効率を実現します。

BD89630EFJ は同期整流方式を採用。また Power Tr に低 ON 抵抗の Power MOS FET を内蔵

EFFICIENCY:η[%]Pch MOS FET ON 抵抗：145mΩ(Typ.)
Nch MOS FET ON 抵抗：80mΩ(Typ.)

100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0

【VOUT=1.1V】
VCC=5.0V
Ta=25℃

10

100

1000

10000

OUTPUT CURRENT:IOUT[mA]

メリット 3：・アプリケーションの小型化

・カレントモード制御によりセラミックコンデンサ CO=10µF 使用可能・動作周波数 1MHz により L=1.5µH

実装面積を削減することができます。
VCC
15mm
CIN
CIN
DC/DC
Convertor
RCOMP

RCOMP
L

VOUT

L

10mm
CCOMP

Co

CO

CCOMP

Fig.24 アプリケーション実装例

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BD89630EFJ●スイッチング電源の効率について
効率ηは次式のように表せます。
η=

VOUT×IOUT

×100[%]=POUT

Vin×Iin×100[%]=Pin

POUT
POUT+PDα×100[%]

スイッチングレギュレータの損失の要因 PDαは、下記のようなものがあげられ、これらを軽減することで効率を向上させることができます。
損失の要因
21) コイル、FET の ON 抵抗による損失：PD(I R)
2) ゲート充放電損失：PD(Gate)3) スイッチング損失：PD(SW)4) コンデンサの ESR 損失：PD(ESR)
5) IC の動作電流損失：PD(IC)221) PD(I R)=IOUT ×(RCOIL+RON) (RCOIL[Ω]：コイルの DC 抵抗、RON[Ω]：FET の ON 抵抗、IOUT[A]：出力電流)
22) PD(Gate)=Cgs×f×V (Cgs[F]：FET のゲート容量、f[Hz]：スイッチング周波数、V[V]：FET のゲート駆動電圧)3)PD (SW)=Vin2×CRSS×IOUT×f(CRSS[F]：FET の逆伝達容量、IDRIVE[A]：ゲートのピーク電流)

IDRIVE
24) PD(ESR)=IRMS ×ESR (IRMS[A]：コンデンサのリップル電流、ESR[Ω]：等価直列抵抗)
5) PD(IC)=Vin×ICC (ICC[A]：回路電流)

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BD89630EFJ●許容損失、熱に関する検討
BD89630EFJ は高効率のため、ほとんどのアプリケーションで大きな発熱などはなく、検討の必要はないと考えておりますが、低入力電圧、高出力電圧、重負荷、高温での使用時には検討する必要があります。
損失は、FET の ON 抵抗による導通損失のみ検討することとします。前途の損失にはその他にゲート充放電損失やスイッチング損失などがありますが、上記条件においては、導通損失が最も支配的になるからです。
4⑤3.76W
測定状態：ローム基板実装、及び IC 単体
基板サイズ：70mm×70mm×1.6mmt(基板にサーマルビアあり)
・基板とパッケージ裏面露出放熱板部分とを半田にて接続許容損失 :Pd [W]3① IC 単体
θj-a=249.5℃/W②1 層基板（裏面銅箔:0mm×0mm）
θj-a=153.2℃/W③2 層基板（裏面銅箔:15mm×15mm）
θj-a=113.6℃/W④2 層基板（裏面銅箔:70mm×70mm）
θj-a=59.2℃/W⑤4 層基板（裏面銅箔:70mm×70mm）
θj-a=33.3℃/W④2.11W2③1.10W
1

P=IOUT2×RON
RON=D×RONP+(1-D)RONN
D：ON デューティ(=VOUT/VCC)
RONP：Pch MOS FET のオン抵抗
RONN：Nch MOS FET のオン抵抗
IOUT：出力電流②0.82W①0.50W

0
0

25

50

75 85

100

125

150

周囲温度:Ta [℃]

Fig.25 熱軽減特性 (HTSOP-J8)例)VCC=5V, VOUT=1.1V, RONP=0.145Ω, RONN=0.08Ω
IOUT=2A のとき、
D=VOUT/VCC=1.1/5=0.22 より
RON=0.22×0.145+(1-0.22)×0.08=0.0319+0.0624=0.0943[Ω]P=22×0.0943=0.3772[W]BD89630EFJ は RONP>RONN であり、ON デューティが大きいほど損失が大きくなります。以上の許容損失を考慮し、充分マージンをもった熱設計を行ってください。

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BD89630EFJ●外付け部品の選定
1.コイル(L)の選定

コイルの値は、出力リップル電流に大きく影響します。
式(1)のようにコイルが大きいほど、また、スイッチング周波数が高いほどリップル電流は下がります。

IL
ΔIL

VCC

(VCC-VOUT)×VOUT

ΔIL=[A]・・・(1)

L×VCC×f

出力リップル電流の適当な設定値は、最大出力電流の 20％程度です。
ΔIL=0.2×IOUTmax. [A]・・・(2)

IL
VOUT

(VCC-VOUT)×VOUT

L

L=

Co

[H]・・・(3)ΔIL×VCC×f(ΔIL:出力リップル電流、f:スイッチング周波数)
Fig.26 出力リップル電流※コイルの定格電流値を越える電流をコイルに流しますと、コイルが磁気飽和を起こし、効率が低下します。
ピーク電流がコイルの定格電流値を超えないよう充分なマージンをもって選定してください。
例) BD89630EFJ VCC=5.0V, VOUT=1.1V, f=1MHz, ΔIL=0.2×2A=0.4A のとき(5-1.1)×1.1
L=

0.4×5×1M=2.1µ → 2.2[µH]※コイルでの損失を少なくし、効率をよくするため、抵抗成分(DCR,ACR)の低いコイルを選定してください。

2.出力コンデンサ(CO)の選定
VCC

出力側コンデンサは、出力電圧の安定領域やリップル電圧を平滑化するのに必要な等価直列抵抗を考慮して決定してください。
出力リップル電圧は、式(4)のように決定されます。

VOUT
L

ΔVOUT=ΔIL×ESR [V]・・・(4)ESR(ΔIL:出力リップル電流、ESR:Co の等価直列抵抗)

Co※コンデンサの定格は、出力電圧に対し充分なマージンをもって選定してください。
ESR は小さい方が出力リップル電圧を小さくすることができます。
また、10µF～100µF 程度のセラミックコンデンサを推奨します。

Fig.27 出力コンデンサ
3.入力コンデンサ(Cin)の選定
VCC

入力側コンデンサの選定におきましては、大きな過渡電圧を防止するために大きなリップル電流に充分対応できる大きさの低 ESR の入力コンデンサである必要があります。リップル電流 IRMS は式(5)で与えられます。

Cin

VOUT
L

IRMS=IOUT×√VOUT(VCC-VOUT)
VCC

Co[A]・・・(5)<ワースト条件> IRMS(max.)
VCC=2×VOUT のとき、IRMS=
Fig.28 入力コンデンサ

IOUT
2例) BD89630EFJ VCC=5V, VOUT=1.1V, IOUTmax.= 2A のとき√1.1(5-1.1)=0.828[ARMS]
IRMS=2×5

また、入力コンデンサの ESR 損失を少なくし、効率をよくするために低 ESR の 10V 耐圧 22µF 程度のセラミック
コンデンサを推奨します。

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BD89630EFJ

4.位相補償回路 RCOMP,CCOMP の設定
カレントモード制御では、コイル電流が制御されているため、出力コンデンサと負荷抵抗からなる CR フィルタによるポール(位相遅れ)が低周波数領域に一つと、出力コンデンサとコンデンサの ESR によるゼロ(位相進み)が高周波領域に一つだけできます。そこで電力増幅段のポールをキャンセルするために、誤差増幅器の出力に下記のように C と R でゼロ点を追加するだけで簡単に補償できます。
fp(Min.)fp=

2π×RO×CO
1fz(ESR)= 2π×ESR×CO

A
fp(Max.)

Gain
[dB]

0
fz(ESR)IOUTMin.

Phase
[deg]

電力増幅段のポールについて
出力電流が減少すると、負荷抵抗 RO が増大しポールの周波数は低くなります。

IOUTMax.

0-90

Fig.29 オープンループゲイン特性A1

fp(Min.)=1[Hz]←軽負荷時
2π×ROMax.×CO

fp(Max.)=1
2π×ROMin.×CO[Hz]←重負荷時

電力増幅段のゼロについて

fz(Amp.)

出力コンデンサを大きくすると、ポール周波数は低くなります
が、ゼロ周波数は変化しません。(これは容量が 2 倍になるとコンデンサの ESR は 1/2 になるからです。)

Gain
[dB]
0

fz(Amp.)=

0
Phase
[deg]
-90

1
2π×RITH.×CITH

Fig.30 エラーアンプ位相補償特性

VCC

Cin

L
EN

VADJ

VCC

SW

VOUT
RFB

ADJ
COMP

GND

VADJ

CO

RCOMP

RFB

CCOMP

Fig.31 外付け部品概略図
安 定 し た帰 還ル ー プ を作 るた め に は、 次の よ う に、 出力 コ ン デン サと 負 荷 抵抗 によ っ て でき るポ ー ル fp(Min.) を
エラーアンプの CR ゼロ補正でキャンセルすることで実現されます。
fz (Amp.)= fp(Min.)
1
2π×RITH×CITH

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1
2π×ROMax.×CO

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BD89630EFJ
5.出力電圧の設定
出力電圧 VOUT は次式(6)により決定されます。
VOUT=(R2/R1+1)×VADJ・・・(6) VADJ:ADJ 端子電圧(0.8V Typ.)
R1、R2 を調節することで自由に出力電圧を設定できます。

5

L
Output

6

SW

Co

R2

8

出力電圧設定範囲は 1.0V～2.5V

ADJ

R1

Fig.32 出力電圧設定抵抗
また、R1 には 1kΩ～100kΩ程度の抵抗値をご使用ください。100kΩ以上の大きな抵抗値を使用する場合は、リップル電圧等をセットにて十分ご確認いただきますようお願いします。

4.7

Input Voltage : Vcc [V]

出力電圧の設定値によって入力電圧の下限値が異なります。
基本的には VCCmin = VOUT+2.25V の条件でご使用ください。
また、入力電圧下限値において使用可能な出力電流値を Fig33に示します。(インダクタの DCR が 0.05Ωの場合)
なお、このデータは特性値であり、使用範囲を保証する
ものではありません。

4.2

Vo=2.5V 設定

3.7
Vo=2.0V 設定

3.2
Vo=1.8V 設定

2.7
0

0.5
1
1.5
Outcurrent : Iout [A]2

Fig.33 各出力電圧における必要最低入力電圧

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BD89630EFJ●評価ボードレイアウト
VCC
①

Vout

L1

① 5

SW

VCC

SW

EN

N.C

GND

ADJ

COMP

6
②,④
7
R2

3

C3

2

①,③
②,④

1
R3

C2
①,③

8

①,③

4

⑥

R1

C1
⑤

Fig.34 基板レイアウト簡易図

①
②
③
④
⑤
⑥

太線の部分は幅広のパターンでできるだけ短くレイアウトしてください。
スイッチングするノイズラインに近づけないでください。
IC にできるだけ近くレイアウトしてください。
できるだけ短くしてください。
2PIN(GND PIN)と１点で接続してください。
R2 と C2 はできるだけ近くで接続してください。

※HTSOP-J8 ( BD89630EFJ)の裏面(放熱 FIN)は基板で最も面積のとれる GND 電位にして実装してください。より放熱性を向上させることができます。

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BD89630EFJTop Silkscreen Overlay

Top Layer

Middle Layer

Bottom Layer

Bottom Silkscreen Overlay
Fig.35 参考 PCB レイアウトパターン

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BD89630EFJ●上記アプリケーションでの推奨部品リスト
記号

品名

値

メーカー

L

Coil

1.5µH

TDK

CIN

Ceramic capacitor

CO

Ceramic capacitor

CCOMP

RCOMP

Ceramic capacitor

Resistance

型番
VLC6045T-1R5N

Vcc-VOUT>3V

10µF

KyoceraCM316X5R106M10A

Vcc-VOUT<3V

22µF

KyoceraCM32X5R226M10A

KyoceraCM316X5R106M10A

10uF
VOUT=1.0V 時

330pF

Murata

GRM18 Series

VOUT=1.1V 時

330pF

Murata

GRM18 Series

VOUT=1.2V 時

330pF

Murata

GRM18 Series

VOUT=1.5V 時

390pF

Murata

GRM18 Series

VOUT=1.8V 時

390pF

Murata

GRM18 Series

VOUT=2.5V 時

390pF

Murata

GRM18 Series

VOUT=1.0V 時

2kΩ

Rohm

MCR03 Series

VOUT=1.1V 時

2kΩ

Rohm

MCR03 Series

VOUT=1.2V 時

2.4kΩ

Rohm

MCR03 Series

VOUT=1.5V 時

2.4kΩ

Rohm

MCR03 Series

VOUT=1.8V 時

3.6kΩ

Rohm

MCR03 Series

VOUT=2.5V 時

5.6kΩ

Rohm

MCR03 Series※ 推奨部品リスト例は推奨すべきものと確信しておりますが、ご使用にあたってはセットでの特性確認を十分にお願いします。
また、スイッチングノイズ等の影響が大きい場合は、SW-GND 間にショットキーダイオードを挿入するようにお願いします。
その他外付け回路定数を変更してご使用になる時は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び当社 IC のバラツキ等を考慮して十分マージンを見て決定してください。

●端子等価回路図【BD89630EFJ】
・SW pin・EN pin

VCC

VCC

VCC

EN
SW

・COMP pin・ADJ pin

VCC

ADJ
COMP

Fig.36 I/O 入出力等価回路図

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BD89630EFJ●使用上の注意

1. 絶対最大定格について
本製品におきましては品質管理には十分注意を払っておりますが、印加電圧及び動作温度範囲等の絶対最大定格を越えた
場合、破壊の可能性があります。破壊した場合、ショートモードもしくはオープンモード等、特定できませんので絶対最大定格を越えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズ等、物理的な安全対策を施すようお願い致します。
2. GND 電位について
GND 端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。
3. 端子間ショートと誤装着について
プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分注意してください。誤って取り付けた場合、IC が破壊する恐れがあります。また出力間や出力と電源-GND 間に異物が入るなどしてショートした場合についても破壊の可能性があります。
4. 強電磁界中での動作について
強電磁界中のご使用では、誤動作をする可能性がありますのでご注意ください。
5. 温度保護 (サーマルシャットダウン)回路について
温度保護 (サーマルシャットダウン)回路は、あくまでも熱的暴走から IC を遮断することを目的とした回路であり、IC の保護及び保証を目的とはしておりません。よって、この回路を動作させて以降の連続使用及び動作を前提とした使用はしないでください。
6. セット基板での検査について
セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合には、IC にストレスがかかる恐れがあるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。また、静電気対策として、組み立て工程にはアースを施し、運搬や保存の際には十分にご注意ください。また、検査工程での治具への接続時には必ず電源を OFF にしてから接続し検査を行い、電源を OFF にしてから取り外してください。
7. IC 端子入力について本 IC はモノリシック IC であり、各素子間に素子分離のための P+ アイソレーションと P 基板を有しています。
この P 層と各素子の N 層とで P-N 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。
例えば Fig.37 のように抵抗とトランジスタが端子と接合されている場合、○ 抵抗では GND>(端子 A)の時、トランジスタ(NPN)では GND>(端子 B)の時、
P-N 接合が寄生ダイオードとして動作します。
○ また、トランジスタ(NPN)では、GND>(端子 B)の時、
前述の寄生ダイオードと近接する他の素子の N 層によって寄生の NPN トランジスタが動作します。
IC の構造上、寄生素子は電位関係によって必然的にできます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因ともなり得ます。したがって入力端子に GND(P 基板)より低い電圧を抑制するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないように十分注意してください。
トランジスタ(NPN)

抵抗
端子 B

端子 A

C

B

Pin B
E

端子 A
N
N

P

+

N
P

P

+

N

P+

P

P

C

+

寄生素子

P 基板
寄生素子

B

N
N

E

P 基板

GND

寄生素子

GND

寄生素子
GND

GND

近接する他の素子

Fig.37 モノリシック IC の簡易構造例
8. GND 配線パターンについて
小信号 GND と大電流 GND がある場合、大電流 GND パターンと小信号 GND パターンは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が小信号 GND の電圧を変化させないように、セットの基準点で一点アースすることを推奨します。外付け部品の GND の配線パターンも変動しないように注意してください。
9. インダクタの選定について
インダクタの選定につきましては、直列抵抗成分(DCR)が 0.1Ω以下のものを使用してください。特に、出力電圧を1.6V 以上に設定される場合、DCR の大きなインダクタを使用されますと、起動時などにインダクタの損失等により出力電圧の低下を招きます。その状態を一定時間(ソフトスタート時間+タイマラッチ時間)続けた場合、出力短絡保護回路が動作し、出力が OFF 状態でラッチします。DCR が 0.1Ω以上のインダクタをご使用になる際には動作や特性の確認を十分に行い、過渡特性も含め当社の IC のバラつき等を考慮して十分なマージンを見て決定してください。
また、いずれの場合においても電源電圧が動作条件内に立ち上がった後で EN をアクティブにし、出力電圧を起動させることを推奨します。
この文書の扱いについて
この文書の日本語版が、正式な仕様書です。この文書の翻訳版は、正式な仕様書を読むための参考として下さい。
なお、相違が生じた場合は、正式な仕様書を優先してください。
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BD89630EFJ●発注形名情報

B

D

8

9

6

3

0

E

F

J

Package
EFJ: HTSOP-J8

Part Number-

E2
Packaging and forming specification
E2: Embossed tape and reel

●外形寸法図と包装仕様

HTSOP-J8<Tape and Reel information>
+6°
4°
−4°
(2.4)

3.9±0.1

6.0±0.2

8 7 6 511.05±0.2(3.2)

0.65±0.15

4.9±0.1(MAX 5.25 include BURR)

Tape

Embossed carrier tape

Quantity

2500pcs

Directionof feedE2
The direction is the 1pin of product is at the upper left when you hold( reel on the left hand and you pull out the tape on the right hand

)

2 3 4

1PIN MARK+0.05
0.17 -0.03

1.0MAX

0.545
S

0.08±0.08

0.85±0.05

1.27

+0.05
0.42 -0.04

0.08 M

0.08 S

1pin
Reel(Unit : mm)

Direction of feed

∗ Order quantity needs to be multiple of the minimum quantity.

●標印図

HTSOP-J8(TOP VIEW)
Part Number Marking

D 8 9 6 3 0

LOT Number

1PIN MARK

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●改訂履歴
Date

Revision

28.Aug.2012001

改訂
新規リリース

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ご注意
ローム製品取扱い上の注意事項
1.

本製品は一般的な電子機器（AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）への使用を意図して設計・製造されております。従いまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険若しくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器(Note 1)、輸送機器、
交通機器、航空宇宙機器、原子力制御装置、燃料制御、カーアクセサリを含む車載機器、各種安全装置等）（以下「特定用途」という）への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し、ロームは一切その責任を負いません。
(Note 1) 特定用途となる医療機器分類
日本
USA
EU
CLASSⅢ
CLASSⅡb
CLASSⅢ
CLASSⅣ
CLASSⅢ中国
Ⅲ類

2.

半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や故障が生じた場合であっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。
①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。
②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。

3.

本製品は、一般的な電子機器に標準的な用途で使用されることを意図して設計・製造されており、下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。従いまして、下記のような特殊環境での本製品のご使用に関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使用される際は、お客様におかれまして十分に性能、信頼性等をご確認ください。
①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用③潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用④静電気や電磁波の強い環境でのご使用⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合。
⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用。
⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合(無洗浄タイプのフラックスを使用された場合も、残渣の洗浄は確実に行うことをお薦め致します)、又ははんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合。
⑧本製品が結露するような場所でのご使用。

4.

本製品は耐放射線設計はなされておりません。

5.

本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に実装された状態での評価及び確認をお願い致します。

6.

パルス等の過渡的な負荷（短時間での大きな負荷）が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ずその評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。

7.

許容損失(Pd)は周囲温度(Ta)に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、必ず温度測定を行い、ディレーティングカーブ範囲内であることをご確認ください。

8.

使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。

9.

本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いません。

実装及び基板設計上の注意事項
1.

ハロゲン系（塩素系、臭素系等）の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。

2.

はんだ付けはリフローはんだを原則とさせて頂きます。なお、フロー方法でのご使用につきましては別途ロームまで
お問い合わせください。
詳細な実装及び基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書をご確認ください。

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Rev.002

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応用回路、外付け回路等に関する注意事項
1.

本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品のバラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。

2.

本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。従いまして、お客様の機器の設計において、回路やその定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行ってください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。

静電気に対する注意事項
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、保管時において静電気対策を実施の上、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。
（人体及び設備のアース、帯電物からの隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等）

保管・運搬上の注意事項
1.

本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがありますのでこのような環境及び条件での保管は避けてください。
①潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所での保管②推奨温度、湿度以外での保管③直射日光や結露する場所での保管④強い静電気が発生している場所での保管

2.

ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性があります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認した上でご使用頂くことを推奨します。

3.

本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き（梱包箱に表示されている天面方向）で取り扱いください。天面方向が遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する
危険があります。

4.

防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行った上でご使用ください。

製品ラベルに関する注意事項
本製品に貼付されている製品ラベルに QR コードが印字されていますが、QR コードはロームの社内管理のみを目的としたものです。

製品廃棄上の注意事項
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。

外国為替及び外国貿易法に関する注意事項
本製品は外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物等に該当するおそれがありますので輸出する場合には、ロームにお問い合わせください。

知的財産権に関する注意事項
1.

本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。従いまして、
上記第三者の知的財産権侵害の責任、及び本製品の使用により発生するその他の責任に関し、ロームは一切その責任を負いません。

2.

ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ローム若しくは第三者が所有又は管理している知的財産権
その他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。

その他の注意事項
1.

本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します。

2.

本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく、分解、改造、改変、複製等しないでください。

3.

本製品又は本資料に記載された技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用、あるいはその他軍事用途目的で使用しないでください。

4.

本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社若しくは第三者の商標又は登録商標です。

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一般的な注意事項
1.

本製品をご使用になる前に、本資料をよく読み、その内容を十分に理解されるようお願い致します。本資料に記載される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切その責任を負いませんのでご注意願います。

2.

本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。本製品のご購入及びご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。

3.

ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても、ロームは一切その責任を負いません。

Notice – WE

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