IMD10A
電源スイッチ用複合デジタルトランジスタ

特長1) SMT パッケージに 500mA クラスのトランジスタを 2 個内蔵している。
2) 500mA までドライブ可能。
3)ドライブ用 DTr の VCE (sat)が低いので、消費電力が 小さい。

Datasheet外形寸法図 (Unit : mm)

(4)

(5)

(6)

(3)

(2)

(1)

パッケージ、標印及び包装仕様
Type

IMD10A

パッケージ名標印

SMT6
D10
T108
3000

包装記号
基本発注単位

SOT-457
ROHM : SMT6
EIAJ : SC-74

各端子とも同寸法

内部等価回路図
絶対最大定格 (Ta=25C)
DTr1
Parameter
電源電圧
入力電圧
コレクタ電流(4)

SymbolLimits

Unit

VCC
VIN

−50−5 ∼ +5−500VVmA

IC(5)

(6)
R2

R1
DTr1
DTr2
R1(3)

(2)

(1)DTr2
Parameter

SymbolLimits

Unit

コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流

VCBO
VCEO
VEBO
IC50505100

VVVmA

Parameter

SymbolLimitsUnit

許容損失
ジャンクション温度
保存温度範囲

Pd
Tj
Tstg

300
150−55 ∼ +150mW (Total)
°C

総合∗

°C

∗ 1素子当たり200mWを超えないこと。

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2013.11 - Rev.C

抵抗器 − 抵抗器とはDatasheet電気的特性 (Ta=25C)
DTr1
Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

VI(off)−−−UnitMHz

利得帯域幅積fT−200−0.3−−0.3−25−0.5−−

入力抵抗R170100130Ω

抵抗比率

R2 / R180100120−

入力電圧
出力電圧

VI(on)VO(on)

入力電流

II

出力電流

IO(off)−1.5−−−

直流電流増幅率GI

68−0.1−−−Conditions
VCC= −5V , IO= −100μA
VO= −0.3V , IO= −100mA
IO= −100mA , II= −5mA

V
V

VI= −2VmA

VCC= −50V , VI=0V

μA

IO= −100mA , VO= −5V−

VCE= −10V , IE=50mA , f=100MHz∗−−∗は構成トランジスタの特性です。
DTr2
Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧

BVCBO
BVCEO

エミッタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流

BVEBO
ICBO

50505VVV

0.5μA

IEBO

0.50.3μA
V

VEB=4V

直流電流増幅率

VCE(sat)hFE−−−−−−

エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ飽和電圧−−−−−−100250600

VCE=5V , IC=1mA

利得帯域幅積入力抵抗fT−−R17250
1013−Conditions
IC=50μA
IC=1mA
IE=50μA
VCB=50V
IC=10mA , IB=1mA
VCE=10V , IE= −5mA , f=100MHz

MHzkΩ

∗

−∗は構成トランジスタの特性です。

電気的特性曲線

1005020105Ta=100°C
25°C
−40°C

−100m
−50m
−20m
−10m
−5m

VO = −0.3V−50−20−10−5−2

Ta= −40°C
25°C
100°C

−1−500m−200m−2m

1−500μ −1m −2m−1m−500μ −1m−2m−5m −10m −20m−50m −100m −200m−100m−500μ −1m −2m−500m−5m −10m −20m −50m −100m −200m −500m

OUTPUT CURRENT : IO (A)OUTPUT CURRENT : IO (A)Fig.1 直流電流増幅率−出力電流特性

Fig.2 出力電圧−出力電流特性

Fig.3 入力電圧−出力電流 (ON特性)

DC CURRENT GAIN : hFE−1m−500μTa=100°C
25°C
−40°C

−50μ−20μ−10μ−5μ−2μ−1μ0

VCE=5V500−2m−200μ−100μ1k

VCC=−5V−5m20010050Ta=100°C
25°C
−40°C

201052−1−2−31100μ 200μINPUT VOLTAGE : VI(off) (V)500μ1m2m5m10m20m50m 100m

COLLECTOR CURRENT : IC (A)Fig.4 出力電流−入力電圧 (OFF特性) Fig.5 直流電流増幅率−コレクタ電流特性

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COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE (sat) (V)OUTPUT CURRENT : IO (A)−10m

OUTPUT CURRENT : Io (A)−200m

2−5m −10m −20m −50m −100m−200m −500m−100

IO/II=20/1−500m
OUTPUT VOLTAGE : VO(on) (V)DC CURRENT GAIN : GI

200−1VO = −5V

Ta=100°C
25°C
−40°C

INPUT VOLTAGE : VI(on) (V)

1k500

1lC/lB=10500m
200m
100m
50m

Ta=100°C
25°C
−40°C

20m
10m
5m
2m
1m
100μ 200μ

500μ 1m

2m

5m

10m

20m

50m 100m

COLLECTOR CURRENT : IC (A)Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧−コレクタ電流特性

2013.11 - Rev.C

Notice

ご 注 意1) 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
2) 本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用に際しては、別途最新の仕様書を必ずご請求のうえ、ご確認ください。
3) ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、半導体製品は種々の要因で故障・誤作動する可能性があります。
万が一、本製品が故障・誤作動した場合であっても、その影響により人身事故、火災損害等が起こらないようご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、バックアップ、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。
4) 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。
したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。
5) 本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームはその責任を負うものではありません。
6) 本製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など）および本資料に明示した用途への使用を意図しています。
7) 本資料に掲載されております製品は、耐放射線設計はなされておりません。
8) 本製品を下記のような特に高い信頼性が要求される機器等に使用される際には、ロームへ必ずご連絡の上、承諾を得てください。
・輸送機器（車載、船舶、鉄道など）、幹線用通信機器、交通信号機器、防災・防犯装置、安全確保のための装置、医療機器、サーバー、太陽電池、送電システム
9) 本製品を極めて高い信頼性を要求される下記のような機器等には、使用しないでください。
・航空宇宙機器、原子力制御機器、海底中継機器
10) 本資料の記載に従わないために生じたいかなる事故、損害もロームはその責任を負うものではありません。
11) 本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。
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お客様がかかる法令を順守しないことにより生じた損害に関して、ロームは一切の責任を負いません。
本製品の RoHS 適合性などの詳細につきましては、セールス･オフィスまでお問合せください。
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ローム製品のご検討ありがとうございます。
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