電源スイッチ用複合デジタルトランジスタ
IMD16Az特長
1) SMT パッケージに 500mA クラスのトランジスタを2 個内蔵している。
2) 500mA までドライブ可能。
3)ドライブ用 DTr の VCE (sat)が低いので、消費電力が小さい。

z外形寸法図 (Unit : mm)

zパッケージ、標印及び包装仕様
Type

IMD16A

パッケージ名

D16

包装記号

T108

基本発注単位

3000

z絶対最大定格 (Ta=25°C)
DTr1 (PNP)
Parameter
電源電圧

SymbolLimits

Unit

VCC

−50V

(3)

(2)

(1)

各端子とも同寸法(5)(6)
R2=22kΩV

DTr1
DTr2−500IC(4)

R1=2.2kΩ−125

出力電流(6)z内部等価回路図

VIN

入力電圧

(5)

ROHM : SMT6
EIAJ : SC-74

SMT6標印(4)mA
R1=100kΩ(3)(2)(1)

DTr2 (NPN)
Parameter
コレクタ・ベース間電圧

SymbolLimits

Unit

VCBO

50V

コレクタ・エミッタ間電圧

VCEO

50V

エミッタ・ベース間電圧

VEBO

5V

コレクタ電流

IC

100mA

総合
Parameter
許容損失

SymbolPd∗

LimitsUnit

300(TOTAL)

mW

接合部温度

Tj

150°C

保存温度範囲Tstg−55 ∼ +150°C∗

1素子当たり200mWを超えないこと。

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2009.06 - Rev.FIMD16A

Data Sheetz電気的特性 (Ta=25°C)
DTr1
Unit

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

VI(off)−−−0.3VI(on)−2−−

出力電圧

VO(on)−−−0.3V

IO/II=−50mA /−2.5mA

入力電流II−−−3mA

VI=−5V

出力電流

IO(off)−−0.5µA

VCC=−50V , VI=0V

GI

82−−−

IO=−50mA , VO=−5V

利得帯域幅積∗1fT ∗2−

直流電流増幅率−250−MHz

入力抵抗

R1

1.54

2.2

2.86kΩ

R 2 / R1

81012−

Parameter
入力電圧

抵抗比率

∗1はパルス測定。

∗V

VCC=−5V , IO=−100µA
VO=−0.3V , IO=−20mA

VCE=−10V , IE=50mA , f=100MHz−−2は構成トランジスタの特性です。

DTr2
Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

コレクタ・ベース降伏電圧

BVCBO

50−−V

IC=50µA

コレクタ・エミッタ降伏電圧

BVCEO

50−−V

IC=1mA

エミッタ・ベース降伏電圧

BVEBO

5−−V

IE=50µA

コレクタしゃ断電流

ICBO−−0.5µA

VCB=50V

エミッタしゃ断電流

IEBO−−0.5µA

VEB=4V

コレクタ・エミッタ飽和電圧

VCE(sat)−−0.3

V

IC/IB=1mA/0.1mA

直流電流増幅率

hFE

100

250

600

−

利得帯域幅積fT−250−MHz

入力抵抗

R170

100130kΩ

Parameter∗

VCE=5V , IC=1mA
VCE=10V , IE=−5mA , f=100MHz−∗は構成トランジスタの特性です。

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2009.06 - Rev.FIMD16A

Data Sheetz電気的特性曲線
DTr1 (PNP)
10m

VO=0.3VOUTPUT CURRENT : Io (A)INPUT VOLTAGE : VI(on) (V)20
Ta= −40°C

105

Ta=25°C
Ta=100°C

21500m
200m
100m
500µ 1m 2m5m 10m 20m

Ta=100°C

1m
500µTa=100°C

200µ100µ

Ta= −40°C

Ta=25°C

50µ20µ10µ200

Ta=25°C

100

Ta= −40°C

5020
1055µ2500m

11.522.531500µ1m2m5m10m20m50m 100m 200m

OUTPUT CURRENT : IO (A)INPUT VOLTAGE : VI(off) (V)OUTPUT CURRENT : IO (A)Fig.1 入力電圧−出力電流(ON特性)

Fig.2 出力電流−入力電圧(OFF特性)

Fig.3 直流電流増幅率−出力電流特性

1500m

IO/II=20/1500m
OUTPUT VOLTAGE : VO(on) (V)

VO=5V

5002m2µ1µ050m 100m 200m 500m1k

VCC=5V5m50

DC CURRENT GAIN : GI

100

Ta=100°C

200m

Ta=25°C

100m50m
Ta= −40°C

20m
10m
5m
2m
1m
500µ1m2m

5m

10m

20m

50m 100m 200m500m

OUTPUT CURRENT : IO (A)Fig.4 出力電圧−出力電流特性

1k

DC CURRENT GAIN : hFE500

VCE=5V

Ta=100°C

200
100

Ta=25°C

50

Ta= −40°C

201052110µ20µ50µ 100µ 200µ500µ 1m2m5m10m

COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V)

DTr2 (NPN)

COLLECTOR CURRENT : IC (A)Fig.5 直流電流増幅率−出力電流特性

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○1IC/IB=10/1

500m
200m
100m

Ta=100°C
Ta=25°C

50m
20m
10m

Ta= −40°C

5m
2m
1m
10µ20µ50µ 100µ 200µ500µ 1m

2m

5m

10m

COLLECTOR CURRENT : IC (A)Fig.6 出力電圧−出力電流特性

3/32009.06 - Rev.F

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