236■研究紹介

SuperKEKB 計画
高エネルギー加速器研究機構 加速器研究施設

飛 山

真 理

on behalf of KEKB 加速器グループ
makoto.tobiyama@kek.jp
2009 年 2 月 6 日

1.

ようにガウス分布をしていて，ビームサイズが σx* ，σy* であはじめにらわせるとする。それぞれのバンチ内の粒子数が N + ， N −KEKB 加速器は強力な競争相手であった SLAC の PEP-II
Belle 検出器に世界最高ルミノシティを供給し続けている。

で，一秒間に衝突する回数を f とすると，ルミノシティは，
N N f
L = + *− *4πσx σy

この KEKB 加速器を大幅に改造し，最高ルミノシティを現という形で表される。これから，ルミノシティを高くする

在の約 30 倍に増加させ，フレーバー物理を強力に推進するためにはさしあたって，SuperKEKB 計画の検討が急ピッチで進んでいる。ここで• バンチ当たりの粒子数（ N + ， N − ）を大きくする。つま加速器が 2008 年 4 月に運転を終了した後も運転を継続し，は，この SuperKEKB 加速器検討の現状を，現在進行しているハードウエアの開発研究を中心に紹介したい。
最初に衝突型加速器の性能を表す指標であるルミノシ
ティについて参考文献[1]に従って紹介し，これを劇的に向上させる方法を概説する。次に，本 SuperKEKB 計画の加速器ビームのパラメータを示し，最後に現在進んでいるハードウエア開発の例として，1）真空チェンバー開発，2）ビー
ムモニターシステムおよびフィードバック機器開発を中心

り，バンチ電流を大きくする，• 衝突頻度（ f ）を大きくする。つまり，バンチ数を増やす，あるいは高周波加速周波数を上げる，• 衝突点でのビームサイズ（ σx* ， σy* ）を絞る，という方法を思いつくが，もちろん実際はいずれもそう簡
単にはいかない。
電子陽電子衝突型加速器の場合，たとえば電子ビームは衝突点において反対方向からやってくる陽電子ビームとのに紹介する。

クーロン相互作用により運動に大きな影響を受ける。この2.

ようにビームの衝突により起こる効果のことをビーム・ビー

衝突型加速器のルミノシティ

ム相互作用と呼ぶ。この現象は非線形で，二次元あるいはある物理現象が一秒間に起こる頻度を R ，1 組の粒子対三次元で取り扱う必要があり，またビーム同士がお互いにが衝突してその物理現象を起こす反応の断面積を σ とする影響を受け合うという意味で集団的効果，つまり多粒子系と，ルミノシティ L は，として扱う必要があり，大変奥が深い。
R = Lσビーム・ビーム効果の目安として，ビーム・ビームチューという関係で表せる。現 KEKB 加速器のルミノシティはンシフト（ビーム・ビームパラメータ）という量を用いる。

34

−2 −1

1.6 × 10 cm s 辺りなので，もしも興味のある物理現象の−24

反応断面積が 1nb （ 1barn = 102陽電子と電子との衝突時に働く力は引力であり，お互いにcm ）程度だとすると，1引き寄せる（絞る）ように働く。このためビーム･ビームに秒間に約 16 回の現象が起きることになる。加速器の年間運よる力は近似的には，リング内のある一点に薄いレンズを

転時間を 2000 時間とすると，1 年間で約 1 億回の現象を起おいたように表せ，それぞれのビームの x，y 方向のビーム･こすことができることになる。もしも対象の物理現象の反ビームチューンシフトは，応断面積がもっと小さい，稀にしか起きない現象であり，

ξx ± =

さらにその現象について十分な統計量を確保したければ，
ルミノシティを大幅に上げるか，あるいは延々と何十年にもわたって実験を続ける必要がある。

ξy ± =

reN ∓βx*2πγ ±σx* (σx* + σy* )reN ∓βy*2πγ±σy* (σx* + σy* )衝突型加速器のビームはバンチと呼ばれる塊を形成してのように表される。ここで， + は陽電子を， − は電子を表おり，あるバンチと他のバンチがお互いに反対方向に進ん

し，re は電子の古典半径，β * は衝突点のベータトロン関数，

で衝突したとする。両方のバンチは水平，鉛直方向に同じ

γ はそれぞれのビームのローレンツ因子である。これから

237
見ると，あるビームのビーム･ビームチューンシフトは相手電流を増加させると，放射光パワーも比例して増加するのビームのバンチ強度に比例し，自分のビームのエネルギー

のでその分 RF システム（空洞，パワー源）を増強する必に反比例する。またルミノシティについては，

要があるし，放射光パワーを受け取る真空チェンバー側も，

2

L ∝ N +N − ∝ ξ+ξ− ≤(ξ+ + ξ− )2= ξmax4

単純に熱を処理するだけでも大変だが，それに加えてビー
ムからのより強力な高周波にも耐えられる真空部品を用意の関係から，電子と陽電子のビーム･ビームチューンシフト

しなければならない。これらは加速器の建設コストに直接が等しいとき，つまり，影響するし，将来にわたって運転コスト（電気代）も大き

N+
N
= −
γ−
γ+

く上昇させる。また，電流増加により，より低いインピーの関係（エネルギー･トランスペアレンシー）が成り立つとチフィードバックによるビームの安定化への負荷が増える

きが最大となる（あくまで近似なので実際には成り立たなことになる。フィードバックが抑えることが出来るのは重いことも多い）。では，このエネルギー･トランスペアレン

心振動だけなので，より高次のバンチ内不安定現象がおきシー状態で（しかも両リングのビームサイズも，ベータトるようだと手の打ちようがなく，不安定が起きる電流値未ロン関数も等しい状態），ルミノシティを最大にする条件を満に電流が制限され，ルミノシティが制限されてしまう。

さがすことにする。この状態では電子と陽電子のビーム･次に衝突点の鉛直方向ベータトロン関数 βy* を出来るだけ

ビームチューンシフトは等しくなり，x-y カップリングを小さく絞ることを考える（optimum coupling の条件からは βx**y

ダンス源でもビーム不安定が起きるようになるので，バン*xr = σ / σ とおくと（ σ * = εβ * ， η * = 0 を仮定），
ξy ,maxβ*εr = y* = y
ξx ,maxβxεxが満たされるときとなる。さらに，x 方向と y 方向のビーム･
ビームチューンシフトが等しくなると仮定すると，結局，
r=

*
y
*
x

β
β

=

εy

トロン関数が極小値を持ち，かつそれを最小にするため，衝突点直近に非常に強力な QD 磁石（鉛直方向に収束，水平方向に発散する磁石），その外側にある程度強力な QF 磁石（水平方向に収束）をおき， βy* を強烈に（ 数 mm まで）
絞り，βx* についてはある程度（ 数十 cm 程度）絞るよう twissεx

パラメータのマッチングをとることが可能である。この場というとき（optimum coupling という），ルミノシティが最大となる。この r を使ってルミノシティは，

L=も当然絞る必要がある）。衝突点で両ビーム両方向のベータ

eN f ξ
γ±(1 + r ) ±* y2ere
βy合，衝突点では確かに βy は小さいが，衝突点から離れるに従い急激に増大し，衝突点からの距離を とすると，
2

β≈

β*

と書ける。結局，ビーム･ビームパラメータまで考慮に入れのようになる。たとえば βy* = 7 mm とすると， 2 m 離れたるとルミノシティを高くするためには，

ところでは βy > 500 m になり，普通のセルと比べビームサ• ビーム電流（ I = eNf ）を大きくする，

イズ，COD が数倍以上になる。これは，真空容器のサイズ*y• 衝突点の鉛直方向ベータトロン関数（ β ）を小さくする，にも磁石のボア径にも影響し，逆にこの口径によりビーム• ビーム･ビームチューンシフトの限界をなるべく高くする，寿命，入射効率などにも大きな影響を及ぼす。このため，• ビームエネルギーを大きくする，出来るだけ最終収束磁石群を衝突点に近づけたいが，検出器との物理的干渉，また衝突によりエネルギーを失った粒• カップリング（ r ）を大きくする，子がこの磁石によって大きく曲げられ検出器に入ってしまという手段が必要となる。このうち，まずビームエネルギーう問題などがあり，加速器の都合だけでは決められない。

については必要とする物理現象で決まるので変えられない。

さらに，実際のビームは有限のバンチ長を持っている。

また，カップリングについては，通常の蓄積リングは y 方

ゼロ電流のバンチ長は，リングのエネルギー幅，momentum

向のエミッタンスが x 方向に比べて非常に小さいため，たcompaction factor α （運動量の違う粒子がどれだけ余計なとえばベータトロンチューンを共鳴線にのせて y 方向にエ

長さリングを回るかを表す量で，周長を C，粒子の運動量

ミッタンスを回すことなどは可能ではあるが，このまま太を P とすると，らせたのではダメで衝突点で y 方向のみならず x 方向も大幅に絞る必要があり，軌道光学上の困難がある（実際，roundbeam collision というアイディアは昔からあるが，低エネル
ギーマシン（VEPP2000）の例しかない）。そこで，残りの項目で勝負することになる。

ΔC
ΔP
=α
C
P

で表される）と高周波加速電圧で決まり，ゼロでない電流
ではさらにリング内インピーダンスの影響で伸びたり縮んだりするが，このバンチ長が衝突点の βy* より長くなると，
衝突中にバンチの頭，あるいは尻尾は βy の大きなところに238いることになるので，ルミノシティで損をする。この効果採用する。さらに crab 交差を採用することにより有限角交を hourglass（砂時計）effect と呼び，絞りすぎるとトクを差の場合に比べ，最大で 4 倍程度ルミノシティが向上する

しないどころか絞らないときよりもルミノシティを損する。

ことがシミュレーションにより示されているので，クラブ

このため，バンチ長は β 程度まで短くするか，あるいは βy

空洞付き衝突が基本である。検討においては，現行 KEKB

を絞るのはバンチ長程度までであきらめることになる。バ

リングの資産を出来るだけ再利用して，改造に要するコス

ンチ長を短くすると，ビームからくる高周波はバンチ長のト，時間を切り詰める，という厳しい条件が課せられてお逆数程度の周波数のところまで伸びているので，より高周り，たとえばアーク部の磁石は配置も含めて手を付けない

波成分が増え，真空容器でのパラシティックロスが増えるなどの条件で最適化することになる。SuperKEKB の（執（つまり，高周波加速装置の負担，電力負担が増える）と同筆時点での）パラメータを表 1 に示す。

*
y時に，バンチ長が長かったときに効かなかった高周波側の
表 1.

リングインピーダンスもビームに影響するようになり，思わぬ発熱，故障，不安定などが発生することがある。さらに，リングのインピーダンスが大きいと，せっかく短くしSuperKEKB のパラメータ

Parameter
Emittance

たバンチがバンチ電流とともに伸びて（安定化する方向）
ルミノシティ低下につながることもあり，容易ではない。

Beta at IP

衝突点で小さくベータトロン関数を絞ることによるリンεx

LER/HER
24/18

Unit
nm

εy

0.24/0.09

nm

*
x

β

200/200

mm

βy*

3/6

mm

Bunch length

σz

5/3

mm

グ光学への影響として，強力な収束力が集中することによTransverse damping time

τx

60/40

ms

り，衝突点近傍（IR）で大きな局所的な色収差が生じるこ

Betatron/synchrotron tune

νx / νy / νs.505/.5905/.025

とも問題となる。この色収差を補正しないと，ビームを安Beam Energy

E + / E−

3.5/8.0

GeV

定に蓄積できなくなるので，通常六極磁石を使い補正する

Beam current

I + / I−

9.4/4.1

Aことになるが，六極磁石の選択によってはダイナミック･Number of bunches

Nb

5018

Crossing angle

2φx

30 → 0ξx

0.182/0.138

ξy0.295/0.513

Luminosity reduction

RL

0.86

LuminosityL

5.3 × 1035

アパーチャが小さくなり，ビーム寿命が短くなったり，入射が出来なくなったりする。このため，衝突点付近に局所的に六極磁石を配置して衝突点で発生した色収差を出来るだけ近くで消す工夫をしたり，アーク部の六極磁石を入れ子にせずに −I 変換で結ぶなどの工夫がされるが，なにせ強烈な非線形の話なので，最後は加速器で実際に試してみな
いとどうなるか分からないことが多い。

Beam-beam parameter

mrad

cm−2 s−1

現在の KEKB と比べると，大まかに衝突点のベータトロン
関数で 2 倍強，ビーム･ビームパラメータで 4 倍半，ビーム

さて，このような各種工夫をして，実際にルミノシティ

電流で 4 倍弱がんばることで，ルミノシティが約 30 倍にながどうなるかについては，（1）果たしてその optics でちゃる，という計算になる。図 1 に最新のビーム･ビーム計算のんとビームが回るのか（衝突点が成立するか，十分なダイ

結果（横軸 turn 数，縦軸ルミノシティ）を示す。

ナミックアパーチャがあるのか）という点と，（2）前述のビーム･ビームパラメータがどうなるか，つまり多体系の非線形衝突現象がどうなるか，といういずれも数値シミュレー
ションを行って検討する必要がある。シミュレーションで大丈夫でも現実はダメなことは多いが，シミュレーション
でダメなものが現実で復活することは通常はない。

3.

次世代高ルミノシティマシン

3.1

SuperKEKB

ルミノシティを大幅に向上させる方法の一つは，前述の向上策を比較的素直に適応する方法である。つまり，電流をがんばって上げ，衝突点のベータトロン関数は現実的に可能な限り絞り，バンチ長も可能な限り短くする，といったものであり，本 SuperKEKB 計画は基本的にこの方法を

図1

Strong-strong シミュレーションによる SuperKEKB のルミノシティ

239
LoI 時でのパラメータ[2]と比べ，各種の検討が進んだ結

うなハードウエア屋の立場からは，なにせ仕事が楽になる

果，後退した部分（たとえば LER のバンチ長および衝突点

し，心配の種も少ないため）極めて魅力的な方式である。

*
yの β ：これは coherent synchrotron radiation のシミュレー
ションで短くはできないことが分かったため），よりよいパ

表 2.

ラメータが見つかった部分などがあり，全体的にはルミノ

Parameter
EnergyUnit
GeVSuperB
4/7

Luminosity

1036 cm−2 s−1
A

1

0.53

1.9/1.9

9.4/4.1
6/3

シティは微増，という形になっている。
この方式は基本的には正統的な力任せのルミノシティ向イタリア SuperB と SuperKEKB のパラメータの比較

Beam currents

SuperKEKB
3.5/8

上策であり，前述のようにリングのハードウエア，特に真

βy*

mm

0.22

空チェンバー，高周波加速系，モニター系（フィードバッ

*
x

β

cm

3.5 / 2.020ク系）の開発への負荷が非常に大きい。しかしながら，こ

εy

pm

7/4

240/90

れらについては（少なくともある程度のコストおよび時間

σz

mm

6/6

5.5/3

をかければ）現行の技術の延長上の解決可能なものがほとCrossing angle

mrad

48

30

んどであり，optics を含め現時点で解がないという話ではRF powerMW

20 ∼ 2580 ∼ 90

なく，現時点で不明あるいは怪しい部分でも，運転開始後の study，改善で十分に対処可能な部分も多いと考えられ，

Crab waist 方式自体はフラスカティ研究所の DAΦNE リ

実現性は極めて高いといえる。しかしながら，よりルミノ

ングを使った検証（ DAΦNE upgrade）が精力的に行われ，シティを上げる，また，改造コスト，運転コストを下げる

条件付きながらほぼ目標通りのルミノシティが達成出来てため，たとえば衝突点をより絞る，バンチ長が長くてもルいる[5]。（条件付き，という意味は，達成したルミノシティ

ミノシティやビーム寿命が下がらないように，crab 空洞と自身は KEKB リングの現状の値と比べて決して満足いく値

六極磁石を組み合わせる（traveling waist）方式などの検討，ではないからである。2 ページ前のルミノシティを決定す

衝突点の検出器配置，検出器ノイズを含めた最適化，改造

る式で見ると，ルミノシティは電流，ベータトロン関数，

開始に向けすべてのパラーメータの最適化の検討が，加速ビーム･ビームパラメータが同じ程度ならば，ビームエネル

器および物理側の密接な協力のもと現在急ピッチで進んでギー（ γ ）に比例する。 DAΦNE upgrade のルミノシティ

いる。

目標値は 5 × 1032 cm−2s−1 であり，KEKB とのエネルギー比
が約 10 倍，という点から見るとかなり低い（少なくとも

3.2

Crab waist 方式

イタリア・フラスカティ研究所の P. Raimondi が提唱した，もう一つの有力なルミノシティ向上法が crab waist 方式である[3]。これは，• 両リングのエミッタンスを現状より大幅に下げる（ほとんど ILC ダンピングリング並），• 衝突点のベータトロン関数を，これまた ILC 衝突点のよ
うに大幅に絞る，• 交差アングルを大きくとり，衝突点からちょうどよい位
相の場所においた強力な六極磁石ペアにより，鉛直方向のベータトロン関数の極小値をバンチ長に沿って進行方向にずらすことにより，長いバンチ長でも hourglass 効
果や不要なビーム･ビーム効果に邪魔されずに高いルミノシティが実現される（crab waist 法），

1 × 1033 cm−2s−1 位は出ても罰は当たらない）。つまり，いささか志（目標）が低すぎ=ビーム･ビームパラメータが低すぎ，はしないだろうか，という気がするからである。）

SuperB 加速器（および SuperKEKB 加速器）の構成では，
crab waist 用六極磁石が作り出す強力な非線形効果を −I となるように配置したとしても，衝突点近傍のもつ非線形性の影響により，うまく打ち消すことは出来ず，ダイナミッ
ク・アパーチャがきわめて狭くなってしまい，使える（ちゃんと回る）optics 自体を未だ見つけることが出来ていない。
また現技術で実現可能なハードウエア（磁石）で必要なだ
けの低ベータ衝突点が実現できるかどうか，特に（ βy もす
ごいが） βx を絞れる衝突点が実現可能か不明であり，またそれらすべてがうまくいったとしてもビーム寿命がきわめて短く，非常に強力な入射器で入射し続けなければならな
いといった（ILC 並の衝突点なので当然）問題が山積してというものである。表 2 にイタリアの SuperB のパラメー

おり，解決策の目処さえ立っていないものも多い。具体的

タの例を示す[4]。

な検討が進んでいる SuperKEKB と同じ土俵で議論できる

もしもこの方法がうまくいくなら，少なくともハードウ段階まで到達していないのでは，という印象は否めない。

エアへの負荷が大幅に減り，ハードウエアに関しての開発

最近の検討傾向では，衝突点などのパラメータをゆるめ，が不要となり（電流も低くバンチ長も長いので），かつ運転

バンチ長も短くし，蓄積電流も増加する方向の検討も始まっ

コストも SuperKEKB に比べて大幅に安いなど（筆者のよているようで，より現実的なパラメータへシフトしてゆく

240
ものと思われる。SuperKEKB でも，前述のようにもしも可能ならばより蓄積電流が少なくバンチ長が長いオプションに近づく検討も行われており，よい着地点があることを期待している。

4.

SuperKEKB に向けての開発研究

SuperKEKB の設計，検討については，現在衝突点を最重点的に進めており，今まで示したパラメータも日進月歩
で変化している（かならずしもルミノシティがよくなっていくばかりではない）。そのため，現時点で衝突点周りの紹介をここでするのはあまり意味がないと思われる。
そこで，モニタシステムについて紹介したいと思う。

図 2. 開発中のアーク部用真空チェンバー（LER 用）
チェンバー内径は 90 mm で，現行チェンバーより 4 mm ほど小さい。リング内側のスロットには分布型の NEG（非蒸発ゲッターポ
ンプ）が入り，真空度向上に大きく寄与する。

4.1 真空チェンバーに関する開発研究• 大電流，強力なビーム電磁場に耐えうる真空部品の開発

現時点でよく検討されていて，あまり変化しないと思われる真空チェンバー，および筆者のフィールドであるビーム

SuperKEKB では HER，LER とも KEKB リングより大ビームが真空チェンバー中を走行することにより，真空幅に蓄積電流が増え，バンチ長は短くなる。それに従ってチェンバー内表面にはビームからの電磁場により強力な壁

陽電子リングの光電子不安定性，電子リングのイオン不安

電流が流れる。また，真空チェンバー内に構造（段差など）定も非常に強くなるため，真空チェンバー側での十分な対があると，それにより乱されたビーム電磁場から放出され策が必須になる。また，真空容器から来るブロードバンド

た電磁場（wake field）がチェンバー内を伝搬してくる。こ

インピーダンス（大きいとバンチ伸長現象によりルミノシ

れらの電磁場は，バンチ長の逆数程度までの高周波まで（数ティが落ちる），パラシティックロス（余計に RF パワーを

十 GHz）の成分を持ち，バンチ電流の自乗に比例するパワー浪費するだけでなく，真空容器，コンポーネントの破壊にを持っているので，大電流，短バンチ長のマシンでは，まもつながる）についても，現 KEKB よりも，より厳しい管

ず真空部品がこれらの高周波に耐え，壊れないことが必須

理が必要となってくる。このため，以下の開発が進んでいとなる。また，自分が壊れないだけでなく，そこでビームる。

エネルギーを無駄に失わないように，HOM を貯めないようにすることがリング全体のインピーダンスを下げることに• アーク部の真空チェンバーは HER，LER とも
アンテチェンバー型も必要である。現状で，真空チェンバーを接続するのに必要なベローズなどの開発が KEKB リングを使って進んでおアンテチェンバーで通常のビームパイプ壁より遠方で放り，すでに実用段階にある。インピーダンス管理について射光を当てることは，極めて強力な放射光を処理するためも，並列計算環境を用いた三次元電磁界計算が精力的に進に必要（発光点からずっと遠くで壁に当てるため，放射光

められている。同時に，大きな影響があると考えられる可の鉛直広がり及び水平広がりの効果で壁での入熱の面密度

動マスクなどについては，試作品を KEKB リングにインスが下がり，なんとか従来方法での冷却が可能となる）であトールして精力的な試験が行われている。

るとともに，アンテチェンバー内に分布型ポンプを置くことで真空の圧力が平均化する利点（真空度が悪い場所が少なくなる），フランジ，ベローズなどを保護するための放射光マスクやイオンポンプなどのポンプスロットがアンテチェ
ンバー側に設置されるため，真空チェンバーのインピーダ
ンスが大幅に下がるなど多くののメリットがある。特に LERについては，放射光の直撃面からの光電子がビームまで届
きにくくなるため，電子雲不安定を抑制する大きなご利益があり，HER についても真空度が悪いところが減るため，

fast イオン不安定が起きにくくなるメリットがある。開発中の LER アーク部用アンテチェンバーの写真を図 2 に示す。

• 真空チェンバーの表面処理（LER）
陽電子リング（LER）では，放射光により発生した光電子がビームと相互作用し，バンチ結合不安定，バンチ内振動（head-tail 振動）などを引き起こす電子雲不安定性が大きな問題となる。これを抑制するためアンテチェンバーを使用すれば直撃放射光から放出される光電子を大幅に減らすことは可能だが，それでも反射光，迷光など直撃光の 1/10ほどの光はチェンバー内面にほぼ一様に当たり，そこから光電子が放出される。この電子がビームにより加速され，再びチェンバーに当たるとき，当該電子エネルギーの二次241
電子放出率 δmax が 1 より大きいと，電子数が増幅され，バ4 に電子雲吸収用ストリップライン電極の写真を，図 5 にンチ電流が大きい領域では電子雲不安定が起きてしまう。

groove 付きチェンバーの写真を示す。LER ビームを使ってこれを回避するため，真空チェンバー内表面処理を行うこ

電子数を測定した結果によると，単純に表面を TiN コートとにより，二次電子放出率を下げる研究が進んでいる。現しただけで電子数は 1 / 2 ∼ 1 / 3 になり，groove にするとさ在のところ，表面に TiN をコートすることにより，δmax < 1

らに 1 / 5 ∼ 1 / 10 になり，電極にするとそのさらに 1/10 にが達成出来る見通しが立っている。図 3 に真空チェンバー

なる，という結果が得られている。

に TiN コーティングをしている最中の放電の様子を下側

真空チェンバーについては，少なくともアーク部は改造

ビューポートから見たものを示す。この処理を行ったチェのための休止期間中にすべて交換する必要があるため，限ンバーを実際に KEKB リングにインストールし，電子数がられた期間ですべてのチェンバーを製造し，現チェンバー

1 / 2 ∼ 1 / 3 に減少することが確認されている。

を撤去し，新チェンバーを設置するという必要がある。スケジュール的にも予算的にも極めて大変で重要な部分であり，本 SuperKEKB 計画の初期性能を決定する鍵を握っているともいえる。

図 3. 真空チェンバー内面を TiN コートしている様子
中心の黒丸に見える部分がチタンカソードである。

• 偏向電磁石部で電子雲密度を下げる
特殊チェンバーの開発

図 4 電子雲吸収用ストリップライン電極
ステンレス真空チェンバー表面にセラミックスを溶射し（ 0.2 mm ），その上にタングステンの電極を溶射（ 0.1 mm ）している。

アーク部の直線部（強い磁場がない場所）では，チェン
バー外から弱いソレノイド磁場を加えることにより，今まで述べた対策を併用すれば電子雲不安定はほぼ抑制できる。
しかしながら，偏向電磁石内では，強力な偏向電磁石磁場により電子雲が支配され，磁力線に沿って上下方向に電子雲がトラップされビームと相互作用すると考えられる（たとえソレノイド磁場があっても，偏向電磁石磁場に比べて無視できる程度なので，電子雲を抑えることは出来ない）。
このため，偏向電磁石内では，さらに積極的に電子雲を減らす，あるいは出来た電子雲を吸収する，といった対策が必要となると考えられている。現在，有力な手段として 1）
偏向電磁石チェンバー内上（あるいは下）面に電極を設置
して，電場をかけることにより電子雲を吸収する，2）上（あるいは下）内面を深い溝（groove）がある構造とし，構造的に二次電子が発生しにくいものにする，という 2 案の R&D
が KEKB-LER で実際のビームを使って進められている。
また，CesrTA 加速器においても，日米科学技術協力のもと，電子雲不安定性に関する実験が進められている[6]。図

図 5 Groove チェンバー
材質はステンレスで表面に TiN コーティングがされている。このチェンバーは，日米科学技術協力事業のもと，SLAC で製作され，KEKB に設置されてビームテストが行なわれた。

242

4.2 ビームモニター・フィードバック開発

エレクトロニクス，特に DSP（Digital Signal Processor：

極限にまで最適化された加速器のデザイン性能を，現実超高速の[浮動小数点の]乗算器），FPGA（Field Program-の（ランダムなエラー源を抱える）加速器でデザイン通り，

mable Gate Array：書き換え可能な高速高密度ロジック素あるいは出来るだけデザインに近く発揮させるためには，子）の進歩が大きく，デジタル信号処理系に関しては遙か

実際のビームからの情報を元に各種のエラーソースを解析に高速に，高精度に信号処理を行うことが出来るようになっして補正する（ビームに聞く）作業の繰り返しが欠かせな

たが，高周波信号処理部に関しては，回路の性能を決めてい。そこで，ビームを測定するビームモニターに求められしまう部分でもあり，依然大変やっかいな場所であること

る性能も，自然厳しいものになる。

は変わりなく，素子の選択を含めた困難な開発が続いている。

• ビーム位置モニター電極開発

また，SuperKEKB では，軌道光学測定のため，現 KEKB

前述のように，アーク部の真空チェンバーはすべてアン

よりもより時間領域での位置信号測定（turn-by-turn 位置

テチェンバーになる。また，バンチ長も短くなり，全電流

モニター）が必要になるといわれている。特に，大電流ビーも増える。対策として，1）電極サイズを小型化することで，ムを蓄積したまま，
特定の衝突していないバンチだけを使っビームから侵入するパワー，ビームとの結合インピーダンてビーム位置情報（位置，ベータトロン位相の進み）を測

スを下げ，電極自身の trapped mode に対しても低減化の対定することが実際の大電流で衝突時の軌道光学測定，補正策をする，2）高周波応答がよいフィードスルーを採用し，のために要請されている。このため，バンチトレインの中

ビーム信号の高周波化に対応する，3）製造コスト削減およから特定のバンチ信号だけを切り出す高速信号ゲート回路

びメインテナンス性を向上するためフランジ結合型の電極（汎用と特殊測定用の超高速版の 2 種類），その信号からビーにする，という 3 点を基本に開発を進めている。電極の応ムの位置を周回毎に測定する turn-by-turn 測定回路，特定答，trapped mode，インピーダンスについても，三次元電のバンチだけをベータトロン周波数で励振する励振回路の磁界計算による検討を進めている。図 6 に KEKB 日光直線開発が進んでいる。図 7 に超高速ゲート回路により切り出部に試験的にインストールされた位置モニターチェンバー

されたボタン電極信号の例を示す。

の写真を示す。

図7
図6

日光直線部に設置されたアンテチェンバー用
ビーム位置モニター

バンチトレイン信号（上側トレース）とゲート回路により切
バンチ間隔は 2 ns である。
り出された信号（下側）• X 線を用いたビームサイズ測定モニタ開発• ビーム位置検出回路開発

KEKB リングでは放射光の可視光成分をダブルスリット

真空チェンバーがアンテチェンバーとなったため，真空干渉計で測定することで，水平，鉛直方向のビームサイズ

チェンバーの中をビームからの電磁波が導波管モードで伝をリアルタイムに正確に測定することが可能となり，ルミ

搬するカットオフ周波数が下がり， 1GHz 以下になる。こノシティチューニングに大きく寄与した。SuperKEKB でのため，KEKB で使用してきたビームの RF 二逓倍成分

も干渉計は鉛直方向エミッタンスが非常に小さくならない（ 1GHz ）を検波する位置検出回路は使用出来なくなるので，

限り依然有効であるが，これに加えて，放射光の X 線領域

新たに現在の回路技術のもと， 509 MHz を検出するビームを用いてビームサイズを直接，しかも将来的にはバンチ毎

位置検出回路の開発を行っている。KEKB 開発時と比べてに測定出来る “coded aperture mask” を使ったサイズモニ

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ター開発を日米科学協力事業のもとで進めている[6]。現在，日本側で製作した X 線マスクを CesrTA 加速器の X 線ビー
ムラインに設置して，超低エミッタンスビームの測定実験が行われている。また，読み取り系に関しては，ハワイ大学のグループと協力して開発が進められている。
• 次世代バンチフィードバックシステムの開発
現 KEKB リングでもバンチ結合不安定が予想外に強力で，横方向（水平，鉛直方向）に関しては個別バンチフィード
バックシステムなし では 非 常に少 ない ビ ーム電流しか（ < 50 mA ）蓄積できないが，SuperKEKB においては，リ

図 8.

iGp 基板の写真

この iGp を使用することで，不安定を抑制できるだけでなく，grow-damp 実験により不安定のモード特定が容易に

ングのインピーダンスがより削減できたとしても，より大でき，不安低源の探索に絶大な威力がある。図 9 に KEK-PF

電流，短バンチ長のため，横方向のみならず，進行方向に

リング進行方向フィードバックの ON/OFF 時，ストリーク

もバンチ結合ビーム不安定が発生すると推定されている。
また，バンチ間隔に関しても，2 ns 間隔が基本となるため，
現行システムより時間的にキレがよいことが必要となる。
さらに，フィードバックシステム自体がビームにもたらすノイズ成分が衝突時のビームサイズ，特に鉛直方向のビー
ムサイズに悪影響をもたらす現象が明らかになりつつある
こともあり，フィードバックシステムへの要請は KEKB よりも遙かに厳しいものがある。
このような次世代フィードバックシステムへの要請を満カメラで測定したビームの情報を示す。図の上下方向がビー
ム進行方向で，フィードバック OFF（左図）ではバンチ毎に大きく位置が前後しており，進行方向不安定が起こっていることが分かるが，フィードバック ON（右図）ではバンチ重心がきれいにそろい，不安定が抑制されていることが分かる（もっと細かく見ると，右図でもバンチ長がバン
チ毎に長くなったり，短くなっていることが分かる。これは四極振動が残っていることを示しており，通常のバンチ
フィードバックシステムではちょっとお手上げである）。

たすため，日米科学技術協力事業のもと，SLAC のフィードバックグループと共同で次世代バンチフィードバックシ
ステムの開発を進めてきた[6]。はじめに高速 FPGA を使ったバンチフィードバック用汎用デジタル信号処理回路システムの開発を行った。ここで開発された iGp は，（1）ほとんどすべてのハーモニックナンバーの加速器（最大周波数
550 MHz 以下）で使用可能で（奇数ハーモニックナンバー：，（2）一枚の基板上
たとえば CesrTA でも使用実績がある）に ADC，FPGA，DAC およびデータ蓄積用のメモリー（8図 9. KEK-PF リングビーム進行方向のストリークカメラ画像
左が進行方向フィードバック OFF，右が進行方向フィードバック
ON の場合のものである。

MB）が載った all-in-one システムで，（3）最大 16 tap FIR（finite impulse response）フィルターまで実現可能で，（4）

これに加え，現在，バンチ位置検出系の性能向上のため

周回周波数に比べてずっと遅いシンクロトロン振動に対応の共同研究を進めており，試験回路の製作，加速器を使っするため，進行方向フィードバック用のダウンサンプリンた試験が iGp の試験と並行して進められている。

グ（間引き）機能を含み，（5）フィードバック動作に影響を及ぼさずにデータ取得が可能で，またトリガーに合わせ──────────────

たフィードバック係数の瞬時入れ替えが可能（なので，ある時間までフィードバックを OFF にして，その後 ON にすSuperKEKB に向けては，ここで紹介したもの以外にもる grow-damp 実験が可能）な，汎用フィードバックフィル

数多くの極めて重要で，かつ困難な開発が続けられている。

ターである。このシステムは KEKB をはじめ，KEK-PF，

たとえば，衝突点では現在よりずっとベータトロン関数を

DA NE，LBNL-ALS で進行方向，横方向フィードバック

絞らなければならず，それに必要な特殊磁石群（超伝導電で実用運転されており，BEPC-II，CesrTA などでも導入の磁石など）の設計，開発，最適化が必要である。現在よりための試験実験が行われ，十分機能することが証明されて遙かに巨大な電流を安定に保持するためには，現在の高周いる。図 8 に iGp の基板（SLAC 版）の写真を示す。

波加速システムを大きく増強するとともに（当然巨額の費用が必要となる），加速空洞に関しても（現在とは最適点が変わってくるので）各種の構造変更が必要になると思われ，そのための検討，開発が行われている。電流増加に伴い，

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異常時にビームを 1 ターン以内に蹴り出すアボートシステ

本稿作成においては，多くの方に資料，データを提供しムの立ち上がりに必要なアボートギャップがあることによていただきました。特に，小磯晴代氏，船越義裕氏，大見る悪影響（たとえば transient beam loading）が急激に増加

和史氏，末次祐介氏，柴田恭氏，江川一美氏には本文を読するため，より速い立ち上がりのアボートシステムの開発

んでいただいて，多くの不備，大間違い，などご指摘いたも必須である。大電流ビームがアボート時に通過するアボー

だきました。感謝します。

ト窓の開発も必要である。高いルミノシティを出すのに必要なクラブ空洞に関しても，現有のものをそのまま使い続けることは困難と思われ，より大電流に対応し，かつ出来ればより大きな電場が出るものが望ましく，検討が続けられている。入射器についても，より陽電子強度を増強すること，今のままのエミッタンスでは衝突点が厳しくなる（特に陽電子）ため，ダンピングリングを設置してエミッタン
スを下げることも検討している。もっと実際的な問題として，冷却水などの施設の老朽化の問題（トリスタン時代か

参考文献[1] 大西幸喜「ルミノシティフロンティア」
OHO’04 テキスト．
[2] K. Abe, et al. “Letter of Intent for KEKBSuper B Factory,” KEK Report 2004-4.

らの施設を使い続けているため），大電流化により廃熱が増[3] P. Raimondi, 2nd SuperB Workshop, Frascati, 2006.

大するための施設増強が必要となる（これらも大変大きな[4] M. E. Biagini, “SuperB-Factory Accelerator Project

出費と時間が必要な作業である）。これらのうち，たとえばOverview,” Japan-Italy Collaboration Meeting

運転開始後年次計画で順次増設してゆくことが可能なもの“Crab Factories”, Frascati, 2008.

（たとえば高周波加速空洞の追加など）もあれば，改造休止[5] C. Milaardi, “DAFNE Achievements with Crab Waist

期間中（たとえば 3 年間とか）にやってしまわなければ後Collision Scheme,” Japan-Italy Collaboration Meetingからではできないものなどがあり，それに応じて現時点で“Crab Factories,” Frascati, 2008.

の検討のプライオリティが変わるが，いずれにしても各グループで精力的な検討が続けられている。

[6] 高エネルギー分野における日米科学技術協力事業「次世代高ルミノシティコライダーのための開発研究」
代表：生出勝宣（KEK），John Seeman（SLAC）．

5.

まとめ

SuperKEKB パラメータについて，まずどうすればルミ
ノシティを上げることができるかを定性的に紹介し，本計画で採用する方針をイタリアの SuperB 計画と比較して紹介した。計画実現に向けて現在進んでいる R&D のうち，
真空チェンバーおよび真空部品開発とモニター開発の一部のトピックスについて紹介した。
筆者はこのモニター・フィードバックシステム開発を行っているハードウエア屋で，ヒドイことに計画の全容をちゃんと把握してはおらず，また衝突型加速器の深奥なビーム
物理学についても正しく紹介する知識がまったく不足しており，必要なことを正確に紹介できたか極めて怪しいことをお詫びする（正直言って，このような紹介を行うことに関して極めて不適任であると断言できる）。また，計画実現に向けて，現時点でもパラメータが日進月歩で大きく変わっており，ここで紹介したパラメータがあっという間に黒歴史に封じられる可能性もある。しかしながら，SuperKEKB
計画全体は，（ひいき目かもしれないが）他の将来計画と比べても実現性が極めて高く（不定な要素が少ない），近い将
来スタートしても，運転開始後比較的近い時期に目標を達成出来るだろうと確信している。