（第１８回 SPring-8 産業利用報告会）

第２１回サンビーム研究発表会
口頭発表予稿集

日 時
口頭発表：2021 年 9 月 1 日（水） 13:10 ～ 15:10

ポスター発表 ：2021 年 9 月 2 日（木） 9:30 ～ 11:25
場 所
口頭発表

：神戸国際会議場 3 階 国際会議室

ポスター発表 ：神戸国際会議場 3 階 レセプションホール
※現地および WEB 発表のハイブリッド形式（予定）"サンビーム"とは？
1999 年、日本企業 13 社は共同体を結成し、（財）高輝度光科学研究センターの協力の下、2 本のビームライン（BL16XU、BL16B2）を SPring-8 に建設しました。
"サンビーム"はそれらの 2 本のビームラインの通称です。
サンビームホームページ https://sunbeam.spring8.or.jp/

9 月 1 日(水)サンビーム共同体 口頭発表一覧
13:10－13:20
13:20－13:40
13:40－14:00

SO-0(S-25)
SO-1(S-12)
SO-2(S-13)

14:00－14:10

サンビーム共同体趣旨説明

パナソニック株式会社

黒岡 和巳

タンデム型太陽電池向け pn 接合界面のバンド
オフセット解析株式会社東芝吉木 昌彦

金属カチオン含有水溶液中でカソード分極した
発錆炭素鋼のさびの構造

大阪大学/関西電力株式会社

大本 篤

－休憩－

14:10－14:30

SO-3(S-16)

硬 X 線光電子分光法による GaInN/GaN 量子井戸のピエゾ電界評価

ソニーグループ株式会社

水島 啓貴

14:30－14:50

SO-4(S-19)

イメージング XAFS・XRD によるさびの構造解析

株式会社神戸製鋼所

小澤 敬祐

14:50－15:10

SO-5(S-22)

アルミ合金の引張その場放射光単色Ｘ線ＣＴ

株式会社コベルコ科研福田 一徳

口頭で発表した成果はポスターでも発表します。（ ）内はポスター発表番号を示します。

ポスター発表 ：2021 年 9 月 2 日（木） 9:30 ～ 11:25
サンビーム共同体 ポスター発表一覧
S-01

β-Ga2O3 中の結晶欠陥の X 線トポグラフィによる評価

三菱電機(株)

中村 勇

S-02

HAXPES による AlGaN/GaN 界面の 2DEG 生成メカニズム調査

三菱電機(株)

南條 拓真

S-03

インフォマティクスを活用した放射光データの解析

富士通（株）

土井 修一

S-04

セクション・トポグラフィーを用いたパワーデバイスの３次元観察（株）日立製作所

米山 明男

S-05

X 線顕微鏡を用いたマイクロ熱散漫散乱の検討（株）日立製作所

高松 大郊

S-06

放射光を用いたリチウムイオン二次電池正極材料の熱安定性および構造選択的な化学状態観測

パナソニック（株）

山田 周吾

S-07

HAXPES によるセラミック担体 Pt 触媒の界面相互作用解析（株）日産アーク

松本 匡史

S-08

硬 X 線光電子分光を用いた窒化物半導体のバンドプロファイル評価

日亜化学工業（株）

小林 裕

S-09

DAFS 測定を用いた窒化物半導体の活性層評価(2)日亜化学工業（株）

宮野 宗彦

S-10

オージェ電子収量 XAFS による絶縁膜/GaN 界面の原子構造解析(株)豊田中央研究所

磯村 典武

S-11

放射光を用いた反射 X 線トポグラフィによる GaN 基板の評価

名古屋大学

兼近 将一

S-12(SO-1)

タンデム型太陽電池向け pn 接合界面のバンドオフセット解析

（株）東芝

吉木 昌彦

S-13(SO-2)

金属カチオン含有水溶液中でカソード分極した発錆炭素鋼のさびの構造

大阪大学/関西電力（株）

大本 篤

S-14

リチウムイオン電池の電極における二次元 XAFS 測定・解析（一財)電力中央研究所

小林 剛

S-15

2 次元検出器を用いた 3 次元逆格子マップ法の検討

ソニーグループ（株）

稲葉 雄大

S-16(SO-3)

硬 X 線光電子分光法による GaInN/GaN 量子井戸のピエゾ電界評価

ソニーグループ（株）

水島 啓貴

S-17

放射光と中性子分析を組み合わせた硫酸系水溶液の構造解析

住友電気工業(株)

斎藤 吉広

S-18

CdTe 二次元検出器を用いた金属材料の変形挙動解析 3

住友電気工業(株)徳田 一弥

S-19(SO-4)

イメージング XAFS・XRD によるさびの構造解析（株）神戸製鋼所

小澤 敬祐

S-20

XRD による亜鉛めっき／地鉄合金化反応の高温その場測定（株）神戸製鋼所

大友 亮介

S-21

X 線回折法による Ni 基単結晶耐熱合金のクリープ損傷評価

川崎重工業(株)根上 将大

S-22(SO-5)

アルミ合金の引張その場放射光単色Ｘ線ＣＴ(株)コベルコ科研

福田 一徳

S-23

HAXPES 装置 SG 活動報告

ソニーグループ（株）

新井 龍志

S-24

サンビームにおける XAFS 測定の高度化

（株）東芝

沖 充浩

S-25(S-0)

サンビーム共同体趣旨説明

パナソニック（株）

黒岡 和巳

S-12, 13, 16, 19, 22, 25 の 6 件は口頭でも発表します。
（ ）内は口頭発表番号を示します。

第 18 回 SPring-8 産業利用報告会

第 21 回サンビーム研究発表会

S-25 /SO-0

BL16XU、BL16B2

サンビーム（BL16XU・BL16B2）の現状
産業用専用ビームライン建設利用共同体 黒岡 和巳(パナソニック株式会社)
産業用専用ビームライン建設利用共同体（略称：サンビーム共同体）は、放射光分析技術の産業利用を目的として企業12 社と 1 グループで 1996 年に発足した。1998 年には、専用ビームライン BL16XU および BL16B2 の設置契約を締結し、1999 年より実際の利用を開始した。2018 年 4 月に契約更新を行って第Ⅲ期利用を開始した。
両 BL とも、参加企業の幅広いニーズに応えるため、複数の実験手法に対応しており、ビームライン建設以降も、中間評価や再契約などの節目に大型設備投資を行って、ニーズの変化に対応した技術と設備を導入してきた。2019年度以降は大型設備の導入はなく、既設装置の機能向上や老朽化装置の更新・整備を実施しており、図 1 に示す BL
装置構成となっている。

図 1 サンビーム（BL16XU および BL16B2）の装置構成
図 2 に示すように、BL16XU の測定対象としては半導体が多く、次いで電池、素材となっている。BL16B2 においても 16XU と同様の傾向であるが、加えて触媒・燃料電池も多く、年度により増減はあるが、幅広い分野で利用されている。また、図 3 に示す通り、BL16XU の分析手法としては HAXPES、X 線回折が多くを占めている。一方、BL16B2
では XAFS が大半を占めているが、2019 年度ではイメージングが増えてきている。
2019 年度以降は大型設備の投資は行わないが、これまでに導入した装置を最大限有効活用するとともに、各社のニーズ変化に応じた装置の機能向上や装置更新等をタイムリーに実施しながら、各社利用に活用されている。

図 2. 2020 年度測定対象別の利用割合（BL16XU）

研究分野： （産業利用）その他

図 3. サンビームの分析手法の推移（BL16XU）

技術分野： その他

第 18 回 SPring-8 産業利用報告会

第 21 回サンビーム研究発表会

S-12/SO-1

2019B5060, 2020A5060, 2020B5060
BL16XU

タンデム型太陽電池向け pn 接合界面のバンドオフセット解析（株）東芝

吉木 昌彦、 藤井 景子、 保西 祐弥、 山本 和重

はじめに： タンデム型太陽電池は、Si 太陽電池の上にワイドギャップ半導体を用いた太陽電池を形成したもので、それぞれが長波長、短波長の光を吸収するため、Si 太陽電池だけの場合に比べて 1.5～2 倍の発電効率が得られる。
すでに GaAs などの化合物半導体をトップセルに用いた製品が開発されているが、Si 太陽電池の数 100 倍以上と高価な点が課題である。我々が着目した亜酸化銅（Cu2O）は、低コストな反応性スパッタリング法による成膜が可能で、吸収波長も 600 nm から短波長側のため、Si 太陽電池の発電効率を大きく下げることなくタンデム型太陽電池を実現できる[1]。これまでに 26.1%の発電効率を達成しているが[2]、さらに効率を上げるには、p 型半導体である Cu2O 層と組み合わせる n 型層の材料や構造、成膜プロセスを最適化し、pn 接合界面における伝導帯のバンドオフセット⊿ECを小さくする必要がある（Fig. 1）[3]。バンドオフセットの評価には検出深さが数 10 nm と大きい HAXPES（硬 X 線光電子分光法）が有効で、デバイス構造と同じ厚さ 10 nm 程度の n 型層越しに埋もれた界面を評価できる。一方で、参照
試料にはバルクとみなせる 50 nm 以上の厚膜が必要となるが、原子層堆積法により成膜される n 型層は厚膜化が困難なため、代わりに積層試料の n 型層表面を X 線全反射条件で測定して検出深さを小さくする方法を検討した。
実験： 評価試料として、ZnxSn1-xO（ZTO）を n 型層とする ZTO(8.9 nm)/Cu2O(2 m)/ITO/ガラス基板、Cu2O 参照試料として Cu2O(2 m)/ITO/ガラス基板を用いた。HAXPES 測定は BL16XU に設置された電子分光器 SCIENTA R4000 Lens
1 10 keV を用いて、励起エネルギー8 keV、パスエネルギー 200 eV で行った。また、光電子検出角度は検出効率を高めるため 89.1 度の斜入射配置とし、ZTO の参照スペクトルを狙った X 線全反射条件では 89.6 度とした。
結果： Fig. 2 に通常条件で測定した ZTO/Cu2O と Cu2O および全反射条件で測定した ZTO/Cu2O の価電子帯スペク
トルを示す。バンドオフセットの相対値は内殻ピークの Zn2p3/2 と Cu2p3/2 ピーク間隔⊿Ecore の変化から求められるが、絶対値の算出にはそれぞれのピークから価電子帯上端 Ev までのエネルギーも必要である。しかし、Ev(Cu2O)はCu2O のスペクトルから cut-off 法で求められるものの、Ev(ZTO)については、全反射条件で測定した評価試料のスペクトルでも下地 Cu2O の価電子帯スペクトルが重なるため決定できないことが分かった。発表ではその原因についての考察、および別の方法を用いた参照スペクトルの取得について報告する。
[1] 山本和重ほか, 東芝レビュー 74(1), 30 (2019).
[2] 保西 祐弥ほか, 第 68 回応用物理学会春季学術講演会、17p-Z35-11 (2021).
[3] R. E. Brandt et al., Appl. Phys. Lett. 105, 263901 (2014).
ZTO/Cu2O@TR
ZTO/Cu2O
ZTO+Cu2O
Cu2O

EC

DEC
EgCu2O

EgZTO

DEV
EV
valence band

DEZTO
Zn2p3/2

ZTO(n)～10 nm

DECu2O
Cu2p3/2

Cu2O

EV(Cu2O)= 0.31 eV

DEcoreCu2O(p)～2 μm

Fig. 1. Band diagram of ZTO/Cu2O interface.
研究分野： 半導体・電子材料

Intensity (Normalized)

Electron Potential

conduction band

10

8

6

4

2

0

-2

Binding Energy [eV]Fig. 2. Valence spectra measured at x-ray total reflection or not.
技術分野： 光電子分光

第 18 回 SPring-8 産業利用報告会

第 21 回サンビーム研究発表会

S-13/SO-2

2020A5050, 2020A5351
BL16XU, BL16B2

金属カチオン含有水溶液中でカソード分極した発錆炭素鋼のさびの構造
大阪大学 大学院工学研究科 1、関西電力株式会社 2、株式会社京都マテリアルズ 3
大本篤 1、出口博史 2、土谷博昭 1、花木宏修 1, 3、山下正人 1, 3、藤本慎司 1
はじめに： インフラ構造物に多く用いられる鉄鋼材料は大気環境下で腐食し、さび層を形成する。大気腐食により形成するオキシ水酸化鉄は、乾湿繰り返しをともなう大気腐食プロセスの湿潤過程においてマグネタイトに還元され、マグネタイトの増加により酸素還元反応が加速される[1]ため下地鉄の溶解が促進される。それにより、鋼材の腐食が加速することから、さび層を有する鋼材のカソード反応を調査することは重要である。これまでに当研究グループは、
発錆炭素鋼を金属カチオン含有水溶液に浸漬することでさびの構造が変化し、腐食速度が低下することを報告している[2]。本研究では、発錆炭素鋼のカソード分極挙動およびさび層の構造に及ぼす金属カチオンの影響を調査した。
実験： 炭素鋼を海浜環境で 3 カ月大気暴露し、さび層を育成した。さび層を有する炭素鋼のカソード分極挙動を評価するために、定電位カソード分極を行った。電気化学測定には三電極セルを使用し、溶液に Al2(SO4)3、NiSO4、
Na2SO4、ZnSO4 水溶液(濃度はそれぞれ 0.1 M または 1.0 M)を、参照電極に Ag/AgCl 電極、対極に Pt を用いた。
N2 脱気環境下で自然電位を測定し、次に自然電位から -800 mV まで 0.5 mV/s で掃引し、さらにさび層の還元時間(tc)として 1000 s ～ 10000 s 間 -800 mV に定電位保持し、この間のカソード電流密度を測定した。還元されたさび層を有する炭素鋼上での酸素還元速度を評価するため、-800 mV での定電位分極を継続しながら、空気を導入して1000 s 間電流密度を測定した。還元前後のさび層を粉末状にした後、SPring-8 の BL16XU と BL16B2 において、
XRD 測定および XAFS 測定を行った。
結果： 定電位カソード分極では、カソード電流密度は時間経過にともない小さくなった。また、脱気状態から通気状態に切り替えた際にカソード電流密度は増加した。これは酸素還元反応によると考えられ、この増加量を酸素還元電流密度(ΔIc)とした。濃度 0.1 M の Al3+、Ni2+、Zn2+含有水溶液において、tc を変化させて得られたΔIcの最大値は5 μA/cm2以下であり、Na+含有水溶液中で得られた 20 μA/cm2 と比べ小さな値であった。また、1.0 M の場合においても Al3+、Ni2+、Zn2+含有水溶液
では Na+含有水溶液と比べて ΔIc の最大値は小さくなった。
さび層の還元前後の XRD 測定結果の一例を Fig. 1 に示す。さびの主成分は α-、γ-FeOOH およびマグネタイトであり、tc の増加にともないマグネタイトの割合が増加した。また、マグネタイトのピークに着目すると、還元前と比べて還元後ではわずかに高角度側にシフトしている。一方、EDS 測定では、さび層の内部に水溶液中のカチオンに由来すると考えられる
Zn の分布が認められた。これらのことから、生成したマグネタ
イトには Zn2+が含有されていると推測した。すなわち、これらのカチオンを含有することでマグネタイトの特性は変化し、ΔIcが低下したと考えられる。以上より、金属カチオン含有水溶液中で発錆炭素鋼をカソード分極すると、金属カチオンの影響で構造や性質が変化したマグネタイトがさび層中に形成し、酸素還元が抑制されることが示唆された。
参考文献：[1] 山下正人，藤本慎司, 第 64 回材料と環境討論会講演集, D-112 (2017).
[2] K.-T. Kim, H. Tsuchiya, K. Hanaki, M. Yamashita and S. Fujimoto, Corrosion, 76 [4], pp. 335-343 (2020).
研究分野： 環境材料

技術分野： X 線回折、X 線・軟Ｘ線吸収分光

第 18 回 SPring-8 産業利用報告会

第 21 回サンビーム研究発表会

S-16/SO-3

2019B5040, 2019B5340, 2020A5040, 2020A5340
BL16XU, BL16B2

硬 X 線光電子分光法による GaInN/GaN 量子井戸のピエゾ電界評価
ソニーグループ株式会社

水島 啓貴、新井 龍志、稲葉 雄大、蟹谷 裕也、工藤 喜弘

はじめに： GaInN/GaN 量子井戸構造を持つ発光デバイスでは、活性層GaInN の In 組成が増すほど発光波長が長くなるが、それに従って発光効率が低下するといった課題がある[1, 2]。この原因の一つには、GaN と InN の格子不整合に伴って導入される格子歪に起因したピエゾ電界による影響が挙げられる。今回我々は、GaInN/GaN 量子井戸構造のピエゾ電界を評価するため、硬 X 線光電子分光(Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy; HAXPES)とスペクトルシミュレーションを組み合わせた評価を検討した。また、X 線回折(X-ray Diffraction; XRD)による結晶構造解析を用いてGaInN 層の In 組成を見積もり、HAXPES スペクトルの解析から見積もられるピエゾ電界との相関を調査した。
実験： 試料は c 面GaN 基板上の 5 周期の Ga1−xInxN/GaN 層で構成された多重量子井戸であり、その上にキャップ
GaN 層が形成された構造である。また、試料 1、2、3 の順に、Ga1−xInxN の In 組成 x を増加させて発光色を緑から赤まで変化させた。HAXPES 測定はエネルギー7948 eV の X 線と光電子アナライザーは VG Scienta 社の R4000 を用いて、In 3d5/2 準位の測定を行った。XRD 測定はエネルギー12.4 keV の X 線と Dectris 社の 2 次元検出器 Pilatus 100Kを用いて、カメラ長が 906 mm となるようにゴニオメータの散乱角 2𝜃軸に設置し、GaN0004 反射および 11-26 反射近傍の逆格子マップの測定を行った。
結果： 図 1(a)に 3 試料の In 3d5/2 準位の HAXPES の測定結果を示す。発光波長が短く、In 組成の小さな試料 1 に比べて、In 組成の大きな試料 2, 3 のスペクトル幅は広がることが確認でき、ピエゾ電界の大きさを反映した結果であると考えられる。続いて、図 1(b)には、GaInN 層の In 組成に対してスペクトルフィッティング[3]より見積もったピエゾ電界の大きさを示す。試料 1 に対する試料 2 の変化としては、GaInN 層の In 組成が増加するにつれてピエゾ電界が増加するという傾向であるのに対し、試料 3 では試料 2 と比べてピエゾ電界が低下することがわかった。これは In 組成の増加に伴って、GaInN 層の格子歪の緩和の影響が大きくなるためであると考えられる。当日は、スペクトルシミュレーションを用いたバンドベンディング解析や結晶構造解析についても報告する。

図1 (a) Ga1-xInxN 層の In 3d5/2 準位の HAXPES スペクトル (b) In 組成に対するピエゾ電界の大きさ

参考文献[1] Y. Narukawa et al., Jpn. J. Appl. Phys. 45, L1084 (2006).
[2] Y. Narukawa et al., Phys. Stat. Sol. (a) 205, 1081 (2008).
[3] H. Mizushima et al., Appl. Phys. Lett. 118, 121603 (2021).
研究分野： 半導体・電子材料

技術分野： 光電子分光

第 18 回 SPring-8 産業利用報告会

第 21 回サンビーム研究発表会

S-19/SO-4

2019B5020，2019B5320，2020A5020，2020A5320
BL16XU, BL16B2

イメージング XAFS・XRD によるさびの構造解析（株）神戸製鋼所 小澤敬祐
（株）コベルコ科研 森 拓弥
はじめに鉄鋼材料を社会インフラに適用するにあたり，持続可能かつ安心・安全な社会実現の観点から耐食性に優れた材料
に対するニーズはますます強くなっている．鉄鋼材料の腐食は，材料の置かれる環境や材料組織，表面に生成する
さびの状態により複雑に変化することが知られており[1, 2]，これらの現象を解明し材料開発に反映させるため，放射光源を用いた腐食現象解析が実施されている[3, 4]．しかしながら，通常の放射光計測・解析では，さび層内の構造変化を二次元的にとらえることは困難であり，さびが腐食に及ぼす影響については完全に明らかになっていない．そこで本
研究では，腐食させた鉄鋼材料において，イメージング XAFS 計測及びイメージング XRD 計測を同一箇所で行い，得られたデータに対して機械学習による解析を適用することで腐食挙動について検討を行った．
実験及び解析
試験片には大気腐食環境にて暴露した炭素鋼を用いた．試験片は中心付近を切り出し，樹脂埋めの後，ミクロトー
ムを用いて約 10 m に薄片化し放射光測定に供した．イメージング XRD 測定は, SPring-8 BL16XU(サンビーム ID)にて，イメージング XAFS 測定は，
SPring-8 BL16B2(サンビーム BM)
にて行った．得られた X 線回折像
は XRD パターンに変換の上，腐食進展箇所の一部データを用いてニューラルネットワークにより学習モデルを構築の上，全データの解析を行った． イメージング XAFS 画
像はノイズ処理[5]ののち，成分数を3 として線形系都合フィッティングを行った．成分数は lab-XRD による定量解析結果から決定した．
結果及び考察XRD 及び XANES データから再構築したさび層における各さび成分の map を Fig. 1 に示す．XRD での map は各場所における存在の有無を，XANES では各場所におけるさび成分の総和を 1 とした時の比率を示す．α-FeOOH 及び
γ-FeOOH では手法による大きな分布の差は認められなかったのに対し，Fe3O4 は XANES による解析では全面に分布し，深さ方向に勾配を持つのに対し，XRD では局所のみの分布となった．すなわち，短期間の大気腐食においては，Evans model[2]における Fe3O4 は非晶質さびが主成分であり，さび表層からの酸素拡散支配で反応が進行すると推定された．
参考文献[1] R. T. Foley, Corrosion, 26, pp.58-70 (1970).
[2] U. R. Evans, C. A. J. Taylor, Corros. Sci., 12, pp.227-246 (1972).
[3] M. Yamashita, T. Shimizu, H. Konishi, J. Mizuki, H. Uchida, Corrosion Sci, 45, pp.381-394 (2003).
[4] S. Hara, M. Yamashita, T. Kamimura, M. Sato, J. Japan. Inst. Metals., 71, pp.346-353 (2007).
[5] J. Lehtinen, J. Munkberg, J. Hasselgren, S. Laine, T. Karras, M. Aittala, T. Aila, arXiv:1803.04189v3 (2018).
研究分野： 金属・構造材料

技術分野： X 線イメージング

第 18 回 SPring-8 産業利用報告会

第 21 回サンビーム研究発表会

S-22/SO-5

2021A5510
BL16B2アルミ合金の引張その場放射光単色Ｘ線ＣＴ
株式会社コベルコ科研 福田一徳、住友電気工業株式会社 後藤和宏
株式会社東芝 藤井景子、三菱電機株式会社 中村勇、電力中央研究所 野口真一
緒言
Ｘ線ＣＴに放射光を用いる場合、入射Ｘ線が高強度であることから測定時間が短くなる、また単色化したＸ線を用いる
ことで、Ｘ線ＣＴ像において、ビームハードニングアーティファクト[1]が生じることがなく、同じ材質を持つ部位のＣＴ値が等しくなるといった利点がある。前者はその場測定に、後者はＸ線ＣＴ像の解釈や解析に対し有効である。今回
我々はサンビームにおいて、Ｘ線ＣＴ用引張試験機（Deben CT500）を用いたアルミ合金の引張その場Ｘ線ＣＴ測定を実施した。
実験
試料は 6000 系および 8000 系のアルミ合金である。Ｘ線ＣＴ測定は SPring-8 BL16B2 にて行った。入射Ｘ線のエネル
ギーは 20 keV に単色化した。その場測定では、試料に印加する伸び量を変化させるが、それぞれのＸ線ＣＴ測定では、試料に与える伸び量を一定とした。試料のＸ線透過像はＸ線検出器（リガク Xsight Micron LC）により収録しており、実行ピクセルサイズは 1.3 µm である。
結果と考察
図１は、引張前と破断前の試料断面のＸ線ＣＴ像であり、後者では、試料内部に空隙が多数観測されている。図２は引張試験の結果である。図２では、引張試験より得た荷重-試料伸び曲線について、荷重を引張前のＸ線ＣＴ像より得た試料断面積で割った公称応力を黒線で、また各Ｘ線ＣＴ測定より得た試料の最小断面積で割った真応力を赤破線で示している。なお、図において丸印をつけた伸び位置でＸ線ＣＴを測定している。図１左は図２での伸びが 0 mm である時の、図１右は伸びが 0.8 mm である付近の破断直前のＸ線ＣＴ像である。各測定点でのＸ線ＣＴ像には、例えば、
図２の公称応力が最大となる伸び量を過ぎると試料がくびれるような、均一塑性変形から不均一組成変形への変化が観測された。研究発表会では、引張により試料内に生じる空隙のサイズ変化を追跡した結果なども報告したい。
引用文献[1] X 線 CT 産業・理工学でのトモグラフィー実践活用, 2019 年発行, 共立出版
謝辞
Ｘ線ＣＴ用引張試験機は株式会社フレックスサービス様よりお借りしました。ご貸与いただきありがとうございました。

応力(N/mm2)

600
500

真応力

400
300
200

公称応力

100
0
0

図１ Ｘ線ＣＴ像 （引張前：左, 破断前：右）研究分野： 金属・構造材料

0.2

0.4
0.6
伸び(mm)0.8

図２ 応力-試料伸び曲線
技術分野： X 線イメージング