2018年度活動報告
リソグラフィー専門委員会
2019.04.23
奥村 正彦
リソグラフィー専門委員会 委員長

Semiconductor Equipment Association of Japanリソグラフィ専門委員会
委員長

株式会社ニコン副委員長

ウシオ電機株式会社
キヤノン株式会社
東京エレクトロン株式会社

委員

株式会社アドバンテスト
アルバック成膜株式会社

ギガフォトン株式会社
信越石英株式会社
凸版印刷株式会社
株式会社ニューフレアテクノロジー
株式会社堀場製作所

Semiconductor Equipment Association of Japan

2

活動テーマ：リソグラフィの最新の技術動向の調査・研究
リソグラフィ専門委員会：奥村正彦

活動ゴールと活動領域
ゴール：競争力アップ
領域：半導体装置業界再興

活動期間と使用したリソース
2018年5月~2019年3月、11社のべ92時間
現金支出：講演会謝金40,000円

活動成果

今回活動内容（詳細）、達成基準
・講演会：4件開催【活動内容】
・ 学会、IRDS等からリソ技術動向の情報を収集し、報告・共有を行う。
・ 最新のリソ技術やデバイス毎の技術の講演会の開催を通じて、最新情報を会員に提供し、議論する場を設ける。
【達成基準】[40/40点]

DSA×2件 (EIDEC、堀場エステック*)NIL×2件 (東芝メモリ、キヤノン*)*SEAJの会員企業のプレゼンス向上に寄与

・国際会議/学会報告会：8件開催[30/30点](PMJ, BACUS, SPIE, EUVLシンポ, IRDS fall conf. DSAシンポ、SEMI TS, Source WS)

・報告書：資料合計14点、317ページ [30/30点]（委員会専用グループウェアに登録）・ リソ、デバイス動向講演会を年間3件、学会報告会を年間5件以上開催する。

自己評価、課題100/100点。講演会ではリソ課題解決における・リソ動向、量産見通し、課題をまとめ報告。 SEAJ会員企業のプレゼンスをアピールできた。
2年目は委員外公開版の報告書も執筆する。
Semiconductor Equipment Association of Japan

3

発表内容

• 講演会の概要• リソグラフィ技術の進捗と量産適用見通し・課題

Semiconductor Equipment Association of Japan4

講演会の概要
日付2019/02/18

2019/03/07

テーマ

DSANIL

講演タイトル講演者

所属

高分子ブロック共重合体の誘導自己組織化を利用した半導体リソグラフィ

東 司

DSA材料開発

川口 幸男様

堀場エステック(SEAJ会員)

Updates of Nano Imprint
Lithography

東木 達彦様東芝メモリ

Nanoimprint Lithography Toolfor Semiconductor
Manufacturing様酒井 啓太様

参加
人数

EIDEC

キヤノン
(SEAJ会員)

24名

40名

各リソの専門家による技術動向の概況解説＋課題解決に貢献するSEAJ会員企業

最新情報の収集の場として好評であるとともに、次世代リソにSEAJ会員企業が貢献していることをアピールできた。
Semiconductor Equipment Association of Japan

5

発表内容

• 講演会の概要• リソグラフィ技術の進捗と量産適用・課題

Semiconductor Equipment Association of Japan6

リソグラフィ技術の量産への適用と課題リソ技術

EUVL

量産適用（デバイス・時期等）

課題

・2018~19からロジックの7nmノードの一部で適用開始（Samsung,TSMC)・装置・光源の稼働率
・StochasticsによるLocal CDU
・レジスト（感度、LER)
・Actinicマスクパターン検査装置(カットパターンやVia、Metalに採用された）・DRAMには1Anm世代に適用の可能性

NIL

・2019に3D NANDへの量産適用の判断
・DRAMに関しては、2022の1Anm世代からの量産適用を想定

DSA

・現時点では、量産適用は未定(2022以降)
・他技術を置換えるのではなく、他の技術との組み合わせで、特定工程に使用されると想定。

Multiple
Patterning

・2019以降も引続き量産に使用(ロジック、DRAM、NAND)
・液浸のSAQPは~10nmhp

・Defectivity
・重ね合わせ精度・レプリカマスクの寿命
・Defectivity・ラフネス、CDU
・Pattern Placement Error
・工程数増大-Edge Placement Error-TAT/コスト

Semiconductor Equipment Association of Japan7

EUV Lithographyの進捗
透過率83%(目標90%) 寿命3000ウェハ(目標10000ウェハ）(EUVL Symposium 2018）

課題の1位はレジスト、2位は光源→マスク欠陥(EUVL Symposium 2018）

ペリクルの透過率、寿命は依然課題

欠陥発生確率と観測時間のトレードオフ
デバイス集積度に依存(SPIE Advanced Lithography 2019）(SPIE Advanced Lithography 2019）

Stochastic Effect の評価・観測の課題

ステージ高速化でNA0.55でも高スループット実現

Semiconductor Equipment Association of Japan8

Nano Imprint Lithography(NIL)の進捗
ウエハ上のパターン欠陥密度の改善

欠陥は0.13個/cm2（平均)テンプレートの寿命改善

寿命は125→340ロットに拡大

Chuck Flatness Induced Distortion(CFID)(SEAJ技術講演会 2019-03-07)

フラットネス改善により1.36→0.55nm(3σ)

2D→3D Patterningの可能性

Semiconductor Equipment Association of Japan

9

Directed Self Assembly(DSA)の進捗
物理ガイド

疎水性中性

化学ガイド

親水性中性

ブロック共重合体(BCP)の例
PS-b-PMMA

OO

物理ガイドや化学ガイドでBCPを誘導(SEAJ技術講演会 19-02-18)

精密な反応制御でDSA材料の品質を確保(SPIE Advanced Lithography 2019-10960-31）

AEI欠陥測定に切り替えてDefect低減

Semiconductor Equipment Association of Japan10

活動のまとめ• 講演会を開催、会員に対し最新情報を提供し、大変好評。
SEAJ会員企業の貢献をアピールし、引き合いのきっかけとなった– リソに関する技術をお持ちの会員企業様に、是非講演会をご利用いただきたい• リソ技術の最新情報を収集し、量産適用状況を整理した

Semiconductor Equipment Association of Japan

11

END

Semiconductor Equipment Association of Japan

12