2016.APR.
Quarterly

VOL.93

I nformation
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CS MANTECH 2016 出展のお知らせ
OPTO Taiwan 2016 出展のお知らせ
第二生産棟（仮称）の着工
S amco-Interview

インド工科大学ボンベイ校 電気工学科 教授

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Dr. V. Ramgopal RaoÀ la carte 京の銘菓・老舗5 さるや

5T echnical-Report
原子層堆積（ALD）装置の開発〜パワーデバイスアプリケーション〜

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賀茂競馬［上賀茂神社］5月5日 ／ 撮影 ⓒ 中田 昭

Information

CS MANTECH 2016
出展のお知らせ会期 2016年5月16日（月）〜 19日（木）会

場 Hyatt Regency Miami, Florida, USA

ブースNo．318

来る5月16日から19日まで、化合物半導体に関係する製造装置、材料関連メーカーや大学研究機関が一同に会する国際会議CS MANTECH 2016が米国フロリダ州マイアミのハイアットリージェンシーで開催されます。
当社は化合物半導体の材料加工装置のトップメーカーとして本会議には毎年出展しております。新製品の原子層堆積（ALD）装置を紹介し、GaNパワーデバイスやSiCパワーデバイス向けの先端加工技術を中心に展示いたします。

OPTO Taiwan 2016 出展のお知らせ
会期 2016年6月15日（水）〜 17日（金）会場 台北世界貿易中心南港展覽会

来る6月15日から17日までの3日間、アジア最大規模のオプトエレクトロ二クス分野の国際総合展示会であるPhotonics Festival in Taiwan 2016が台北世界

Taipei World Trade Center
Nangang Exhibition Hall

貿易中心南港展覽会で開催されます。

ブースNo．M110

当社は、その中のOPTO Taiwanに毎年出展しております。今回は成長著しい半導体レーザにスポットを当て、ICPエッチング装置やプラズマCVD装置を最新の技術データとともに紹介いたします。

第二生産棟（仮称）の着工
当社は、京都市伏見区の本社社屋の近接地（竹田藁屋町68番地、69番地）において第二生産棟（仮称）の建設を進めており、1月15日に地鎮祭を行いました。
第二生産棟の建設は、京都市が企業立地の促進及び京都経済の活性化を図るために創設しました『京都市企業立地促進助成制度』の対象事業に指定されております。
竣工は5月末を予定しております。

第二生産棟の地鎮祭

か も くら べ う ま

表紙写真 ● 世界遺産指定の上賀茂神社での『賀茂競馬』〈京都市登録無形民俗文化財〉 5月5日
くらべうまえ

五穀豊穣、天下泰平を願い宮中武徳殿で執り行われていた「競馬会」を、1093年（寛治7年）に当神社へ移して後、年中行事として定着とんぐうせんぎょのりじりしたという。早朝から頓宮遷御、菖蒲の根合わせの儀に始まり、午後からは騎手となる乗尻が「乗尻奉幣」の儀等を行い、左右に分かれて速さ・作法を競う。その勇壮な神事の様子は『徒然草』にも記され、昔から多くの人を楽しませてくれている。尚、拝観は自由で有料席も設けられる。
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Samco-Interview

プロフィール
1986

B.Tech. in Electronics and Instrumentation from Kakatiya University

1991

M.Tech. in Microelectronics from IIT-Bombay

1997

Dr. Ingenieur from Universitaet der Bundeswehr Munich, Germany

1997-1998 Post-doctoral Fellow at the University of California, U.S.
1998〜

P. K. Kelkar Chair Professor in the Department of Electrical Engineering

Chief Investigator for the Centre of Excellence in Nanoelectronics project at IIT Bombay
Co-Founder of NanoSniﬀ Technologies Pvt. Ltd.

Ph.D., FNAE, FNASc, FNA, FASc,
P. K. Kelkar Chair Professor
インド工科大学ボンベイ校
電気工学科 教授

Dr.
V. Ramgopal Rao

今回のSamco-Interviewは、IIT Bombay（Indian Institutes of Technology Bombay：インド工科大学ボンベイ校）電気工学科を訪ね、SAMCO MEMS Workshopでキーノートスピーカーを務めていただいたDr. V. Ramgopal RaoにMEMS（Micro Electro MechanicalSystems：微小電気機械システム）のご研究についてお話を伺いました。

▶ 現在のMEMSのご研究を始められたきっかけをお聞かせください。
インド社会はいくつもの大きな問題を抱えています。その一つに医療サービスの格差があります。都市から離れた小さな村や町には、期診断デバイスとして、あと少しで完成しつつの低コスト製造を可能にしました。当初は、あります。私たちはこの技術をヘルスケアデバ

私たちもSiを使ったMEMSを研究していましイスだけでなく、インドの問題を解決するためた。しかし、心臓診断デバイスや爆弾検知器に活かしていけないかと考えています。

を含め、インドで求められるのは、安く大量▶ NanoSniﬀについて教えてください。に作れるデバイスです。SiでMEMSを作ると高価になりすぎてしまい、多くの貧しい人々医療サービスを受診できる場がほとんどあり私たちの 研 究 室で開 発したデ バイスは、に使用してもらうことはできません。そこでコません。そこで暮らす人々は身体に異変を感

NanoSniﬀが販売しています。NanoSniﬀとはストを抑える材料として目をつけたのがポリじた場合、ニューデリーやムンバイといったIIT Bombayがインキュベートしたインドで初マーでした。

大都市に出て診察を受ける必要があります。

めてのMEMSを製 造 する会 社です。私たち

ポリマー MEMSは、Siに比べコストを抑え近年の急成長にもかかわらず、インドにはなは、心臓診断デバイスに用いたカンチレバーられることに加え、変位しやすいため感度のお深刻な貧富の差が存在し、地方に住む多くの製造技術をNanoSniﬀに譲渡しました。今、高いセンサーとして使用することができまの裕福でない人々にとって、都会に出てくるこNanoSniﬀはその技術を応用して新たなデバす。ポリマーでカンチレバーを作る際に最もとは経済的にとても勇気のいることです。

イスを作ろうとしています。例えば、携帯型の難しかったのは、圧電機能をどうやってポリインド政府はこの問題を解決するために、安爆弾検知器がその一つです。年々テロの脅マーに実装するかでした。最終的には、低温くて大量に配布できるヘルスケアデバイスを作

威 が 叫 ば れるようになり、空 港 などでの セでpoly-Siの圧電素子をポリマーに埋め込むるよう私たちに要請してきました。そこで私た

キュリティー強化は喫緊の課題になっていま方法を開発できたことが、カンチレバーの完ちは、その時既にあったIIT Bombayのナノファす。しかし、現在空港で使用している爆弾検成につながりました。この方法に関しては、ブリケーションで心臓の初期診断を行うデバイ知システムは 導 入 するの に$50,000- か か

私たちは少なくとも50の論文をJ-MEMSやスを作り始めました。心臓は過度のストレスやり、非 常 に高 価で す。NanoSniﬀのカン チレ

他のジャーナルに発表しています。現在は、緊張を感じた時、あるタンパク質を大量に生成バー技術を用いれば、爆弾検知器を$5,000-SU-8を使ってカンチレバーを製作しており、します。このタンパク質は、血圧を高くし、胸のの低コストで導入できるようになります。もしまた、安定したデバイスにするためにパリレンをコーティングする研究も行っています。

痛み、発汗、心臓を締め付けるような痛みを引

NanoSniﬀ製の安価き起こします。私たちは、血液中に流れるこのな爆弾検知器が完タンパク質を検知するために、圧電機能を持つ成すれば、インドのカンチレバーを数μmレベルで作製しました。

セキュリティー対策

教えてください。

まだ解決すべき課題はありますが、心臓の初は大きく前進すると

NanoSniﬀはIIT Bombayの既存のナノファ思います。

NanoSniffが販売するマイクロヒーター▶ NanoSniﬀの技術とはどういったものでしょうか？

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▶ NanoSniﬀの課題について

ブリケーションでプロトタイプ製品を製造しています。しかし、ナノファブリケーションは、300人以上のIIT Bombayの学生やスタッフが利用するため、NanoSniﬀの製品のみを生NanoSniﬀは、ポリマーでMEMSを 作る技産することはできません。さらに、様々な研究術を持っています。この技術がカンチレバーに装置が使用されるため、コンタミの問題もサムコ・インド薄膜技術セミナー 報告
去る2月2日、当社はインド工科大学ボンベイ校（IIT Bombay）におきまして、同大学の電気工学系教授のDr. V. Ramgopal Raoのご協力のもと、インドでは初めての薄膜技術セミナーを開催いたしました。
開会の挨拶では、当社 代表取締役会長兼社長 辻より「当社は本セミナー開催を機に、日本とインドの研究者と技術者の交流を促進し、インドのナノテクノロジーの発展に貢献するとともに、IIT Bombayを始めとするインドの研究所や企業との良好な関係を構築していきたい。」旨、表明いたしました。
今回のセミナーは、『MEMS and Nano Processes』をテーマに開催いたしました。日本からは京都大学大学院工学研究科教授の田畑修先生、インドからはIIT BombayのDr. Raoと、MEMS分野における第一線の研究者に講師を務めていただき、最先端のMEMS技術と応用展開に関する講演が行われました。
定員の150名を超える技術者や研究者のご出席のもと、活発な質疑応答が展開され、大盛況のうちに閉幕いたしました。

起きます。そのため、現状では、企業から要求長するための架け橋の役割を果たせると信じされる数千個規模のオーダーに対応することがています。

できません。そこで、私たちは、1〜2種類のデバイスを大量に作ることができるプロトタイプ▶ 最後にサムコに対して一言お願いします。

製品専用の施設を作るよう、インド政府に依頼

サ ム コ に は、MEMS / NEMS Proto Typeしました。それが、2016年にオープンする予定

Facilityに大きく貢献してもらっています。実際、のMEMS/NEMS Proto Type Facilityです。

『RIE-400iPB』は納入される装置の中で必要不▶ MEMS/NEMS Proto Type Facilityについて可欠な装置の一つです。そして、MEMS/NEMSProto Type Facilityが最高の成果を出すには、教えてください。

サムコのサポートが 必 要 になります。今 回 のそこでは、学生は装置を使うことは許されず、MEMS Workshopに限らず、今後も良好な関係専門のオペレーターだけが装置を扱います。

を継続していきたいと考えています。

そして選ばれた数種類のデバイス製作のみに使 用される施 設になります。サムコの高 速Si

お忙しいところ貴重なお時間を頂き、ディープエッチング装置『RIE-400iPB』とコン誠にありがとうございました。

パクトエッチャー『FA-1』はここに設置されます。MEMS/NEMS Proto Type Facilityは 国 の

今 回 の Samco-Interview は、2月2日 に I I T

施設ですが、使用料を支払えばどんな企業でBombayで 開 催 し たSAMCO MEMS Workshopも使用することができます。インドの人件費はの前日に開かれた懇談会の要約です。この懇談そこまで高くないため、装置の使用料もそこま会には、京都大学の田畑修先生とIIT Bombayので高くならない予定です。

Dr.Raoにご参加いただきました。お二方には、当MEMS/NEMS Proto Type Facilityは、1 千社代表取締役会長兼社長 辻とMEMSを中心に〜1万個程度の小規模生産のできる施設にな幅広いテーマについてお話しいただきました。

ります。インドのMEMSのスタートアップ企業に最初に必要なのは、100万個といった大きな規模ではなく、小規模の生産です。小規模での生産で販売がうまくいけば、その企業には十分な資金を得ることができ、次のステップに進めると思います。私はMEMS/NEMS Proto Type
Facilityは、スタートアップ企業が大企業に成左から田畑先生、辻、Dr. Rao

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À la carte

京 の 銘菓・老舗 5
京都で最も古い神社の一つ、下鴨神社（正式名称はか も み お や じ んじゃ

賀茂御祖神社）。この境内に、かつて神前に供えた御餅を140年ぶりに復活させた茶店「さるや」があります。店主である株式会社宝泉堂の代表取締役社長の古田泰久さんを訪ねました。

「賀茂祭」
下鴨神社にちなんだ葵文様のお菓子「申餅」

本物を伝えるための新製品、ひむろびら「氷室開き」「氷室開き」「さるや」では一年を通して販売されている申餅のほか、季節ごとのお菓子をいただけます。
さまざまな洋菓子が溢れる中で、次世代の子どもたちに小豆賀茂祭と申餅の美味しさを知ってもらおうと、下鴨神社は紀元前からの長い歴史を有し、今年6月1日に新しい和菓子が登場します。

ご祭神は、賀茂建角命とその娘の玉依媛命（とその名は氷菓子「氷室開き」。氷室とは、今でもに国宝）です。国家国民の安穏と世界平和を言う冷蔵庫です。その昔は、冬に降った雪を祈願する守護神であり、厄除、縁結び、安産な保存し、旧暦6月1日に「氷室開き」という神どの御利益がある神様としても知られていま事で氷室を開け、雪をお上に献上していましす。毎年5月15日に行われる葵祭（正式にはた。
「氷室開き」は、その神事で使われた桃の賀茂祭）はあまりに有名で、斎王代に代表され木の祓い串に見立てた氷菓子です。一見、小る平安貴族の装束の人々が、御所から下鴨神豆入りのアイスキャンディのようですが、口に社、上賀茂神社に向かって練り歩きます。

含むと、似て非なるもの。丹波の小豆の風味

かもたけつぬみのみことたまよりひめのみこと

かつてこの葵祭は旧暦4月の中の酉の日にが口いっぱいに広がります。スティックは、古執り行われ、前日の「申の日」には、小豆の茹でくから邪気を祓う霊力があるという『桃』の木汁で搗いた御餅を神前に供されました。酉ので作られ、これも故事に倣うものです。

日には、沿道に集まった人々にその“御下がり”「私の一番の理想は、お菓子の原形となるつお さが振る舞われ、『葵祭の申餅』と呼び親しまれものをきちっと作ることです。これからも本物たといいます。しかし時代が明治に入ると途絶を提供していきたいですね」と穏やかに語るえてしまいます。

古田さん。菓子匠以前に、氏子である思いが140年ぶりに復活させた申餅強いようです。歴史を伝えたい心が、往時の菓子を今に蘇らせ、多くの 人 々下鴨神社の近隣に店舗を構える和菓子の宝泉堂は、下鴨神社の氏子で、口伝によって伝承に共感されていされてきた事 実をもとに申 餅 づくりを 進 め、ます。

140年ぶりに復活させました。申餅は薄い赤色。
「はねず色と言い、明け方の一瞬、空一面すとされています。身体を清め、無事息災に過京都市左京区
下鴨泉川町59
下鴨神社 明橋休憩処
TEL 090-6914-4300
営業時間10：00〜16：30
年中無休ごせるようお祈りし、故事にならって復活させました」と古田さん。2011年5月15日に『さるや』がオープンし、申餅を供し始めました。この申餅はの『さるや』だけで販売されています。
「京都には連綿と続いてきた歴史て京都の歴史や伝統・文化を感じていただければ嬉しいですね」。

vol.93 / 2016. APR.

宝泉堂本店
松ヶ崎通

「宝泉堂」本店
京都市左京区
下鴨膳部町21
TEL 075-781-1051
営業時間
10：00〜17：00
定休日 日曜日・祝日

N

下鴨神社前

があります。菓子を通じ

北大路通

下鴨本通

「さるや」
洛北高校前が薄あかね色に輝き、命の生まれる瞬間を表

●
下鴨神社

さるや

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Technical-Report

原子層堆積（ALD）
装置の開発〜パワーデバイスアプリケーション〜 【サムコ（株）基盤技術研究所】■基礎データ■はじめに原子層堆積（ALD：Atomic Layer Deposition）法の基本原理は、基礎データとして、有機金属原料にTMAを、反応剤にH2Oを使

例えば酸化物や窒化物において、原料ガスが表面反応により1層用した際のアルミナ（AlOx）膜の成膜結果を紹介する。この原料と形成され、成長が止まる自己停止機能と1層形成された原料を酸反応剤で成膜したAlOx膜のALDによる成膜が可能な温度領域は、化や窒化させることを繰り返すlayer by layerの成膜である。従っ成膜温度が220℃〜 350℃であることを確認している。て、原理上ALDによる成膜が可能な温度領域が存在するが、CVD、最初に、成膜温度250℃におけるサイクル回数と膜厚の関係をスパッタ及びその他の成膜技術と比較して、「膜厚の均一性」、「原図2に示す。膜厚とサイクル回数が比例している結果が得られた。

子層オーダーの膜厚制御性」、「カバレッジ性」などに優位性があ

成膜レートは1.2Å/cycleであることから、ALD成膜が実現できておる。当社は、GaNやSiCなどのパワー半導体のゲート酸化膜形成、り、原子層オーダーでの膜厚制御が可能である。次に、成膜温度とパッシベーション膜の形成、さらにはMEMS分野までを視野に入れ絶縁破壊強度の関係を図3に示す。膜厚は全て100nmとした。成たALD装置「AL-1」を2015年12月に市場投入した。

膜温度が350℃で7.5MV/cmと高い絶縁破壊強度が得られた。反応 剤 や 反 応 方 法 を 検 討し、100℃程 度 の 低 温 領 域 を 含 めて、ここでは主として「AL-1」の装置仕様と基礎データを紹介する。

10MV/cmの絶縁破壊強度を目指したい。最後に、ホール形状（開■装置仕様

口 径：1.25μm、深さ：40μm、アスペクト比：32）へヒーター温 度

AL-1は、反 応 室 内に気 化した有 機 金 属 原 料と反 応 剤（H2O 、250℃で約100nm成膜した時の成膜結果を図4に示す。上部、底O3、Oラジカル等）を交互に供給し、ALDによるlayer by layerの成面、側面すべて103nmとカバレッジ性が良い均一な膜厚の成膜が膜を実現している。反応室内壁に密着するインナーウォールヒー実現できていることから、トレンチMOSFETやTゲートへの応用がターを用いることで、原料及び反応剤の内壁への吸着を抑制して可能であると考えられる。現在、GaN、SiCやGa2O3 などのパワーデいる。また、原料及び反応剤の供給に数十msecオーダーのパルスバイス応用を目的に大学や官庁と共同研究を行っている。主に供給が可能なALDバルブを使用しており、そのバルブを極力反応AL-1により成膜したAlOx膜及びSiO2 膜をゲート酸化膜として利用室の近くに取り付けている。これらの工夫により「原料間のパージ・したMOSFETやMOS-HFETなどのデバイス特性の確認を行ってい排気時間の短時間化」、「パーティクルの抑制」などを実現している。その中で、界面準位の低減などのデバイス特性を向上させるる。なお、GaNやSiCのパワー半導体分野で現在主流となっているゲート酸化膜形成の研究を進めている。

φ4”ウェハは3枚まで同時処理が可能で、最大φ8”ウェハまで処理■おわりにが可能である。すなわち、研究開発からセミ量産まで対応してい国内メーカーの参入が少ない状況下で当社が市場投る。表1に装置仕様の概略、図1に装置外観を示す。

入したALD装置である「AL-1」について紹介を行った。

表１ 装置仕様の概略
反応室

AlOx膜での基礎データの取得を行い、ALDの特徴であSUS304製 φ4 ×3枚、φ8 ×1枚処理可能
常用500℃

る「膜厚制御性」、「高耐圧膜」及び「カバレッジ性」が得プロセスガス供給系 標準4系列（最大6系列）られることを確認した。今後は、ユーザーのデバイス特ステージ加熱機構 ヒーター温度

TMA：Al（CH3）3 タンク付
H2O タンク付
O3（オゾナイザーを使用）
最大オゾン濃度250g/Nm3（O2 流量：200sccm時）※その他原料の追加については応相談

排気系

ドライポンプ

外形寸法

本体：900mm（W）×1300mm（D）×1355mm（H）
制御ボックス：570mm（W）×630mm（D）×1576mm（H）

膜厚（nm）

1009080706050403020100

膜厚とサイクル回数が比例（1.2Å/cycle）
0100 200 300 400 500 600 700 800

サイクル回数（cycle）

図2

絶縁破壊強度（MV/cm）

原料

8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.00.0150

AlOx 膜の膜厚制御性性の向上に貢献するとともに装置販売を進めていく。

103nm

図1

装置外観

40µm

103nm

開口径
1.25µm
103nm

200

図3250
300
成膜温度（℃）

350

400

AlOx 膜の絶縁破壊強度

vol.93
サムコ株式会社

103nm(a)成膜前図4

2016年 4月発行

〒612-8443 京都市伏見区竹田藁屋町36

TEL 075-621-7841 FAX 075-621-0936 E-mail koho@samco.co.jp

http://www.samco.co.jp/(b)成膜後

深さ
40µm

アスペクト比32

AlOx 膜のホール形状へのカバレッジ性