「様式３」課題番号 P-29

極限画像デバイス用高機能薄膜研究拠点国際プロジェクト

Institute of Technology の Prof. Shunri Oda, Keio
University の Prof. Hiroshi Fujiwara, Toyota

［１］組織
代表者：

Technological Institute の Prof. Minoru Sasaki,
中本 正幸（静岡大学大学院）
対応者：三村 秀典（静岡大学電子工学研究所）
分担者：
Prof. William I. Milne(Cambridge University, U.K)
Prof. D. Pribat(Ecole Polytechnique, France)
Prof. Yvan Bonnassieux(Ecole Polytechnique, France)
Prof. Jin Jang
(Kyung Hee University, Korea)
Prof. Kyu-Chang Park
(Kyung Hee University, Korea)
Prof. Masayoshi Esashi(Tohoku University, Japan)
文 宗鉉(静岡大学大学院）［２］研究経過
ディスプレイ, MEMS, ナノデバイス, カーボン
ナノチューブ等の研究で国際的に著名な英国
Cambridge University の Prof. William I. Milne、フランス Ecole Polytechnique の Prof. D. Pribat,
Prof. Yvan Bonnassieux, フランス CEA-LETI のT. Maindron、韓国 Kyung Hee University の Prof.
Jin Jang, Prof. Kyu-Chang Park、Prof. Yongsup
Park、Prof. Jang-Hyuk Kwon、Prof. Sung-Wook
Min、韓国 Electronics and Telecommunications
Research Institute のProf. Yoon-Ho Song を海外より 招 待 、 国 内 の 他 研 究 機 関 か ら も Tohoku
University の Prof. Masayoshi Esashi, Tokyo

Tokyo University の Prof. Takashi Yatsui, Tohoku
University の Prof. Kentaro Totsu を招請し、国際学 術 会 議 、 The7thInternational

Nanotechnology/MEMS Seminar (INMS2013)を開催した。
最先端研究開発・技術について 2013 年 12 月 2日から 3 日までに、極限画像デバイス用高機能薄膜研究に関する詳細な検討・討議と情報交換の機会を提供するため、国際学術会議を開催し、各分野で最新の研究成果の発表と質疑応答を行った。
［３］成果（３－１）研究成果
Cambridge University の Prof. William I. Milne
は「Thin Film Bulk Acoustic Resonator for UltrahighSensitivity Gravimetric Sensing」について講演を行った。RF magnetron sputtering 方法を利用して、作製した ZnO 薄膜を用い Thin Film Bulk AcousticResonator (FBAR)を開発した。FBAR は優秀な感度を持つ、物理センサーで利用が出きる。一般的な
Quartz Crystal Mass sensor (QCM)と比較して1000 倍以上の感度のため、FBAR を利用したバイオセンサーへの応用可能性について紹介した。
Ecole Polytechnique の Prof. D. Pribat は「Graphene growth on Cu and Ni thin film」について講演を行った。
Cu及びNi薄膜上のグラペンは、既存のグラペンを用いたナノ素子への応用に必須に利用された伝写プロセスが必要ではない簡単なプロセスの長所を持つ、単一層グラペントランジスターへの応用が出きる。グラペンの成長方法及びメカニ
ズム、更に、薄膜の特性評価方法について紹介した。
Organic TFTのcompact modelingとOLEDのpixel circuit designについて説明し、２層のピクセ

Retroreflector 薄膜及びレンズアレイを利用した

ル構造Organic TFTの低漏洩電流と低 閾値電圧 特

3D ディスプレイを提案した。3D スクリーンは、3D性について講演した。また、Ecole Polytechniqueimage の diverging angle を増加させ、apertureの歴史とナノデバイス、ディスプレイ、MEMSに関restriction の問題を解決することができる。3D スする研究テーマについて紹介した。

クリーンを 3D image projection system への応用

Ecole Polytechnique の Prof. Yvan Bonnassieux

可能性に対して講演をした。

は「Organic Large Area Electronics」について講演

Keio University の Prof. Hiroshi Fujiwara は、を行った。科学研究国家研究所(CNRS: Centre「Future Image of the Energy Industry after

National de la Recherche Scientifique) の一つ

Great East Japan Earthquake - For Creation ofEcole Polytechnique の LPICM(Laboratoire dethe Best Mix Energy Industry」について講演を行

Physique des Interfaces et des Couches Minces)のった。

Prof. Yvan Bonnassieux が革新的な高效率のエネルギー問題は、素晴らしい成熟社会開発で最organic devices に対して講演をした。多機能・lowも重要なアイテムの 1 つである。東日本大震災後日

band gap ポリマーの研究、導電性透明電極の研究、

本は原子力エネルギー依存から分離を目指している

flexible encapsulation の研究、レーザーダイオード、スマートグリッドのような再生可能エネルギーと省

白色 OLED 及び ポリマー太陽電池等の研究につエネルギーに取り組みます。テクノロジー、政策、いて紹介した。

産業が三位一体になって、混合物エネルギー産業創韓国 Kyung Hee University の Prof. Kyu-Chang
Park は 「 Electron beam induced thin film
crystallization technique」について講演を行った。
カーボンナノチューブを利用したデジタル電子ビーム(digital electron beam)の技術を開発した。1Hzの周波数の印加電圧で、0.02%の優秀な電流安定度を 持 つ 電 子 ビ ー ム 源 で あ る 。 更 に 、 RAP(Resist-Assisted Patterning)方法で成長した垂直配向カーボンナノチューブの作製と電子電流放出特性について講演した。
フランスCEA-LETI のProf. T. Maindron は「 Thin-film barrier technologies developed atCEA-LETI for OLED-based micro displays」について講演を行った。高バリアー特性を持つAl2O3 薄膜をALD (atomic layer deposition)方法を利用したencapsulation方法を開発、この技術を利用したマイクロディスプレーに対する講演をした。
韓国 Kyung Hee University の Prof. Jang-HyukKwon は「High Efficiency and Long Lifetime TopEmission OLEDs」について講演を行った。
高効率と長寿命の top emitting 構造の red、green、blue 有機発光ダイオード(OLED)素子を開発した。
電気的に不安定な材料の TCTA 層を除去し、4,000時間以上の life time を出ることができた。
韓国 Kyung Hee University の Prof. Sung-Wook
Min は「3D Screen for Projection Type 3D Display
System」について講演を行った。

造の研究を速めるためにエネルギーシステムの開発について講演をした。
Tokyo Institute of Technology の Prof. Shunri
Oda は、「Neo Silicon Based Nanoelectromechanical
Information Devices」について講演を行った。
Integrated NeoSilicon を利用して、transistor、photovoltaic 素 子 、 NEMS メ モ リ ー 素 子 、nano-bridge ト ラ ン ジ ス タ ー 及 び coupled
quantum dots を利用したトランジスターの開発に対する技術を紹介した。
韓国 Kyung Hee University の Prof. Yongsup
Park

は 「 Energy

Donor-Acceptor

Level

OffsetInterfaceofatthePoly(3-hexylthiophene) Based Bulk Heterojunction
Polymer Solar Cell」について講演を行った。
Tohoku University の Prof. Masayoshi Esashi
は、「Integrated MEMS by Adhesive Bonding andOpen Collaboration」について講演を行った。
Tohoku University の Prof. Kentaro Totsu は、「MEMS Hands-on-access Fabrication Facilityfor Device Prototyping and Manufacturing」について 、Jun-ich Nishizawa Memorial ResearchCenter の最尖端 MEMS 関連装置及び開発状況に対するTokyo University の Prof. Takashi Yatsui は、

「Recent Progress on Dressed Photon Science

MEMS、ナノデバイス、カーボンナノチューブ、デand Technology」について講演を行った。DPP をィスプレイ等に関する最先端の研究成果の発表と情用いて二酸化炭素の光分解及び電子 transfer の報交換を行うことが出来た。

near-field activation 等への応用について紹介した。
Toyota Technological Institute の Prof. Minoru（３－２）波及効果と発展性など

Sasaki は 、「 Advanced Thermal MEMS for

MEMS、ナノデバイス、カーボンナノチューブ、Resonant Infrared Detector Using Nonlinear

ディスプレイ等の研究で国際的に著名な研究者を結Oscillation and Wavelength Selective Emitter

集すること、更に世界各国の研究教育機関をつなぐ

Using Surface Plasmon Polariton」について講演を持続的な協力関係を確立することにより、極限画像行った。
MEM ガスセンサー素子を利用した赤外線検出器及び赤外線ソースへの応用に対して講演をした。
韓国 Electronics and Telecommunications

デバイス用高機能薄膜研究の研究交流拠点の構築に

Research Institute の Prof. Yoon-Ho Song は、

1. M. Nakamoto and J. Moon, “Extremely「Carbon Nanotube and Its Application to Field
Emission X-ray Sources」について講演を行った。
静岡大学電子工学研究所の Prof. M. Nakamoto
は「Extremely Stable and Harsh-Environment
Nano Devices」について講演を行った。
高温度大気及び様々なガス雰囲気に曝され、エミッタ性能の劣化が大きな障害となっている。また、宇宙空間などの苛酷な環境でもエミッタ性能の劣化が大きな障害となっている。高信頼性、高い電流安定性がある耐過酷環境性・低仕事関数材料を用いた転写モールド法微小電子源を開発し、均一性再現性が大きく宇宙・原子力・耐環境用真空ナノデバイスの実現を目指す。苛酷な酸素ラジカル雰囲気下で、低仕事関数材料転写モールドエミッタアレイの電子電流放出安全性について講演した。
合計17 名の講演者による国際学術会議を行った。

大きく寄与することが期待される。
［４］成果資料
Stable and Harsh-Environment NanoDevices”,ProceedingInternational
SeminarofThe

7thNanotechnology/MEMS(INMS2013),

pp.S4-6-1−

S4-6-15 (2013).
2. M. Nakamoto and J. Moon, “ExtremelyStable and Harsh-Environment Devices
byTransfer

Mold

Field

Emitter

Fabrication Method”, (Invited Talk) Proc.
of 2013 IEEE 8th Nanotechnology
Materials

andDevices(NMDC), pp.99−104 (2013).

Conference

出張報告（特別教育研究経費を使用した場合）

氏 名：Prof. William I. Milne
所 属：Cambridge University, U.K
期 間：2013/12/01～2013/12/03
用務先：静岡大学電子工学研究所
用務内容：研究打ち合わせ及び研究集会参加
主たる対応者：中本正幸
氏 名：Prof. D. Pribat
所 属：Ecole Polytechnique, France期 間：2013/12/01～2013/12/03
用務先：静岡大学電子工学研究所
用務内容：研究打ち合わせ及び研究集会参加主たる対応者：中本正幸
氏 名：Prof. Yvan Bonnassieux
所 属：Ecole Polytechnique, France期 間：2013/12/01～2013/12/03
用務先：静岡大学電子工学研究所
用務内容：研究打ち合わせ及び研究集会参加
主たる対応者：中本正幸
氏 名：Prof. Kyu-Chang Park
所 属：Kyung Hee University, Korea
期 間：2013/12/01～2013/12/03
用務先：静岡大学電子工学研究所
用務内容：研究打ち合わせ及び研究集会参加
主たる対応者：中本正幸
氏 名：Prof. Masayoshi Esashi
所 属：Tohoku University, Japan
期 間：2013/12/01～2013/12/03
用務先：静岡大学電子工学研究所
用務内容：研究打ち合わせ及び研究集会参加
主たる対応者：中本正幸