本田財団レポート

No.174

第 39 回本田賞授与式 記念講演（2018 年 11 月 19 日）「フラッシュメモリの発明に繋がった
大切な出会い」東北大学 名誉教授

舛岡富士雄 博士

代理講演：
株式会社 ホンダ・リサーチ・インスティチュート・ジャパン
プリンシパル・サイエンティスト

作井

康司 博士

舛岡 富士雄 博士
東北大学 名誉教授

■生まれ

■受賞歴

1943年5月8日
■略

歴

1966年

東北大学工学部電子工学科を卒業

1971年

東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
博士課程修了、工学博士

1971年

東京芝浦電気株式会社（現株式会社東芝）入社

1994年

株式会社東芝退職、東北大学大学院情報科学研究科教授就任

1996年

東北大学電気通信研究所教授転任

2005年

日本ユニサンティス エレクトロニクス株式会社
取締役・最高技術責任者

2007年

東北大学定年退職、同大名誉教授

2012年

セミコン コンサルティング株式会社へ社名変更、
現在に至る

1980年

社団法人発明協会全国発明表彰発明賞

1997年

IEEE, The Morris N. Liebmann Memorial Award

2000年

財団法人新技術開発財団市村産業賞本賞

2002年

International Conference on Solid State Devices andMaterials, SSDM Award

2005年

The Economist Innovation Awards

2007年

紫綬褒章

2012年

The Photographic Society of America (PSA), Progress
Medal

2013年

文化功労者

2017年

瑞宝重光章

代理講演：作井 康司 博士
株式会社ホンダ・リサーチ・インスティチュート・ジャパン■主な特許・論文・出版物（特許 189 件、論文 79 編、国際会議発表 114 編）- F. Masuoka, U.S. Patent, 4, 437, 174, Mar.13, 1984

プリンシパル・サイエンティスト
■略

歴

1981年

(国内特許出願1981)

1998年
2004年

- 2010 Computer History Museum (CHM) (殿堂入り)- 2011 Consumer Electronics of America (CEA)(殿堂入り)- Special Issue for Dr. Masuoka, IEEE Solid-state
Circuits Vol.5, No.4 (2013).
- “半導体メモリの変遷と今後の展望”, 電気学会誌,
136巻１号, p.34-37 (2016).

NAND 開発（設計、デバイス、応技）

SONY メモリシステム部

統括部長

高速フラッシュシステム開発
2007年- B. Fulford：“Unsung Hero in Japan”, Forbes Global,
June 24, p.24-26 (2002)

株式会社東芝開発部部長- F. Masuoka, et al., IEEE Tech. Digest, IEDM, 1987,
p.552-555.

IC 研究所配属

電気工学 客員研究員- F. Masuoka, et al., IEEE Tech. Digest, IEDM, 1984,
p.464-467.

総合研究所

在籍中 1991年8月～1993年2月：スタンフォード大学- F. Masuoka, U.S. Patent, 5, 245, 566, Sept. 14, 1993
(国内特許出願1987)

株式会社東芝入社

米国インテル株式会社

NAND 製品グループ科学研究員

多ビット NAND の SSD 開発に従事
2009年

東北大学

客員教授

縦型トランジスタの研究

2010年

マイクロンジャパン株式会社

シニア設計技術者

3D NAND の US Patent を54件登録
2017年～株式会社ホンダ・リサーチ・インスティチュート・ジャパン
プリンシパル・サイエンティスト、現在に至る
2018年～東京工業大学
2009年～早稲田大学

Principal Scientist
先進理工学部

非常勤講師、「集積回路」

講義担当
工学博士、IEEE Fellow、日本特許登録67件、米国特許登録144件、論文25件

このレポートは、2018 年 11 月 19 日、帝国ホテル東京において行なわれた、第 39 回本田賞授与式記念講演の要旨をまとめたものです。

ただ今、舛岡先生にご紹介を受けました作井と申します。このたびは舛岡先生、本当におめでとうございます。私のような者が舛岡先生の代理講演を授かりまして、誠に僭越ではありますが、どうぞご容赦のほどお願い申し上げます。
私は東芝時代、舛岡先生がいらっしゃった 13 年間いろいろなご指導をいただきまして、また不思議なご縁で、今はホンダグループの中で基礎研にあたる研究所、ホンダ・リサーチ・インス
ティチュート・ジャパンにおりまして、AI の研究をさせていただいております。
それでは、フラッシュメモリのお話を差し上げたいと思います。

図－1〈図－1〉まず皆さん、スマホをお持ちだと思いますが、一体これは何ギガバイトの容量を持っていますか。このような会話は、今はもう日常で普通に行われています。この何ギガバイトというのが、フラッシュメモリです。そのフラッシュメモリの中に音楽データを入れたり、動画や写真を入れたり、そういうことをしています。

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図－2〈図－2〉さて、私の話は、まずフラッシュメモリとはどういうものか、先ほど本田財団のビデオでご紹介がありましたが、改めてまたフラッシュメモリについてお話ししたいと思います。それから舛岡先生の偉業についてお話しし、最後は、われわれ弟子たち、部下たちが、舛岡先生に受けた教えについて、エピソードを交えて披露できればと思います。

■ フラッシュメモリとは
まず「フラッシュメモリとは」ということですが、2017 年 11 月 23 日に舛岡先生の番組が特集で組まれました。ここにご列席の、NHK エデュケーショナルチーフプロデューサーの佐々木さんが作られた番組です。なお、その番組のあと、NHK では「HUMAN」という 3 分間のダイ
ジェスト版を作っていますので、それをここでご披露したいと思います。
（動画上映）

図－3
参考 URL：https://www.facebook.com/NHKhuman/posts/195188218052637/

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図－4〈図－4〉皆さん、フラッシュメモリは、今 USB やスマホに使われていますが、最初の用途、最初のアプリケーションは何だったと思われますか。先ほど八郷社長が ECU のお話をされ、ここには私も含めてホンダ関係者が大勢ご列席ですが、なんと最初の用途は車載なんです。これはちょっとびっくりされるかもしれませんが、ここでちょっと歴史を紐解いてみましょう。
まず 1970 年、今から 50 年ぐらい前になりますが、アメリカでマスキー法により排ガス規制が厳しくなりました。それでエンジンをコントロールしないといけない。最初にエンジンをコントロールするメモリというのは、EPROM です。これに関しても舛岡先生はフラッシュメモリのご発明の前に、非常な貢献がございます。皆さん、このメモリの写真中央にガラス窓が付いているのがお分かりかと思いますが、ガラス窓を通して紫外線（UV）を照射します。そうすると中のプログラムが一気に消えるというのが EPROM でした。ところが自動車の周囲環境というのは、アリゾナ砂漠だったり、アラスカだったりいろいろなところで試験をしないといけない。そうするとその都度チューニングと申しますか、エンジンを制御しないといけない。それが非常に大変なワークとなったわけです。
EPROM の場合、例えばエンジンについている基盤を取り出して、それから紫外線を照射して新しいプログラムを書いて、またエンジンに取り付けるという大変な手間がかかったわけです。
フラッシュメモリは UV 照射する必要なく電気的にプログラムが書き換えられるということで、最初にフォードでそれが採用されたと聞いております。
今や自動車だけではなくて、まさにコンピュータ、家電ですね。冷蔵庫、炊飯ジャー、すべてにフラッシュメモリが混載されています。

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図－5〈図－5〉最近はさらに大容量記憶装置（エンタープライズ）、サーバーなどと申しますが、そういうものが銀行などで需要を拡大中です。左手が今までの一般的なハードディスク・ストレージです。一方、右がオールフラッシュエンタープライズです。まずスピード。IOPS というのは「インプット・アウトプット Per Second」の意味で、1 秒あたりの処理できるインプット・アウ
トプット数です。これが 30 倍向上している。これはすさまじい向上なんです。
それからサイズが、U という単位は Unit の頭文字で、1.75 インチ、すなわち 66U というのは
約 3m（293cm）あります。これが、SSD というかフラッシュを使ったものは、たったの 3U、13cm です。なんと 20 分の 1 ぐらいになっている。非常に小さなものになっている。さらに、パワーは 4500W が 1600W になっている。これは今ハードディスクのストレージとフラッシュのス
トレージの比較であって、これだけダウンサイジングすると、その建屋自体も非常に熱量的に低コスト化できるわけです。非常にフラッシュの恩恵を得ているということになります。このようなエンタープライズが大きな銀行で今、活躍中です。
Google のホームページには、フィンランド湾にあるデータステーションの写真があります。
非常に冷たい氷水「Gulf of Finland」を使って水冷しているんです。ハードディスクというのは
レコード盤のように常にモーターで回していますので、相当な発熱量があります。それを「Gulfof Finland」の冷たい水で水冷しているということです。
ですので、ここで注目したいのは、ハードディスクに比べて SSD、フラッシュはスピードが速い、ローパワー。それだけではないです。もちろんダウンサイジングもあります。すなわち、このハードディスクのデータステーションはランニングコストが非常にかかる。ランニングコスト
は初期投資のハードウェアの約 3 倍かかるということで、今 Google 等の大きなデータステーシ
ョンでは、このフラッシュメモリに非常に注目して置き換えが始まっているということです。
ではそのフラッシュメモリは一体どのぐらいのビジネスかと申し上げると、ワールドワイドで4

もう 6 兆円の規模になっています。
皆さんがお持ちのスマートフォン、それから今ご紹介した SSD。SSD というのも 2 種類あり、パソコンやタブレット PC などに入っているわけです。

図－6〈図－6〉大きな銀行で使われているようなエンタープライズで比較すると、SSD はなんと 2017 年
HDD を抜きました。すごく画期的なことですね。抜いたときの規模が 1.3 兆円だったということです。非常に世界的に売上的にも貢献しているということです。

図－7〈図－7〉さて、それでは半導体メモリって何ですか。ちょっと難しい話で、われわれはエレクトロンだとかホールを使うわけですが、ここではそれをちょっと忘れて、コップの水で考えたい。
まず左側がコップの中に水が満たされている状態、右側が空の状態。これで 1 と 0 が定義できるわけです。コンピュータの世界はバイナリ、2 進数です。だから 1 か 0。入っているか入っていないか、これだけなんです。すなわち、これをトランジスタのオン・オフに割り当てればいい
わけで、どちらにしてもロジックなのでいいのですが、例えばこの状態をオンにする、あるいはこの状態をオフにするということでスイッチングができるわけです。

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図－8〈図－8〉さて、これが半導体メモリの基本原理ですが、メモリには 2 種類あるんです。揮発性
メモリは一言で言うと、パソコンの中にも入っている DRAM などがありますが、電源を切るとデータが消えてしまうメモリを揮発性メモリと呼んでいます。一方、皆さんがお持ちの USB、スマホなど、取ったデータを電気なしで持ち歩けるのを不揮発性メモリと呼んでいます。
揮発性メモリは先ほどご説明したような、コップに水が入っているか、入っていないかですが、では不揮発性メモリは何が違うのか。これは、コップはコップですが、肉厚のコップなんです。
では肉厚のコップは、何が違うか。実は揮発性メモリのほうは上がオープンになっているものですから、せっかく入れた水がしばらくすると蒸発してしまう。なので、専門用語で言うとリフレ
ッシュという、再書き込みをしています。周期的にデータを書き直しているんです。ですので、
DRAM、あるいはスマホでバッテリーがなくなるというのも、DRAM が入っていますので、ずっと使っていると、リフレッシュをやっているということでバッテリーもなくなる。
一方で不揮発性メモリは非常に肉厚のガラスに囲まれているので、入れるのに非常なエネルギーを使います。ちょっと難しい話ですが、高エネルギー電子。いきなりここで電子が出てきて申し訳ないのですが、実はこの水というのは電子ですが、厚いガラス膜を通してコップ内に水を入れるためには、高いエネルギーが必要です。いったん入ると、なかなか出ていかない。これが不揮
発性メモリの原理です。実はもう少し科学的に申しますと、ガラスはガラスですが、SiO2 という絶縁膜でそのコップが囲まれているということになるわけです。

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図－9〈図－9〉さて、番地というものがメモリにありまして、例えば何丁目何番地のデータを持ってこい、あるいは何丁目何番地にデータを書きなさいということをやるわけですが、ではその何丁目
何番地のように示しているのが行と列です。ここには行が 8 個、列が 8 個で計 64 個のコップがあります。そうすると 64 個のコップがあると、水が入っているか、入っていないかでいろいろなパターンができるわけです。64 個のコップがあるので 64 ビットで、それを 8 バイトと呼んでいます。
バイトとは 1 文字を表現する単位で、8 ビットが 1 バイトになります。例えば半角英数字 1 字を表すのに 8 ビットが必要だということで、8 ビットを一つの単位でバイトと呼んでいます。

図－10〈図－10〉一応これが半導体メモリで、「何だ、半導体メモリって簡単ですね」ということになりますが、では今どのくらいの容量になっているか。今フラッシュメモリはどんどん容量が上がっていますので、今現在は 1 テラビットの世界に入っています。1 テラというのは 10 の 12 乗です7

が、そういう難しい話はやめておきまして、バイトで言うと 128 ギガバイトです。これのほうがちょっと親しみがありますよね。スマホで使われている方は、64 ギガバイトのスマホだとか言われていると思いますが、指数で言うと 128×109 バイトということで、それがどのくらいの情報量が入るか。
われわれが東芝に入ったころ、DRAM の開発に私も携わっていまして、そのころ 1 メガビットの DRAM を開発して、そのときに新聞が 4 ページ分入ると言っていた。でも 1 テラビットだと、とんでもない数が入ってしまうんです。400 万ページ。これは朝刊で計算すると約 300 年分。
これはあまりピンとこない。300 年分って何なのかと。もう少しデジタルに申し上げると、これはハイビジョン動画で 64 時間です。びっくりですね。指先に乗るチップで 64 時間です。大変なデー
タ量になっているというのがフラッシュメモリのご紹介で、あまり難しいお話はしませんでしたが。

■ 舛岡先生の偉業

図－11〈図－11〉さて、舛岡先生の偉業についてご紹介したいと思います。まず舛岡先生のバックグラ
ウンドですが、本田財団のビデオにもございましたが、東北大恩師の西澤潤一先生から特許の書き方の徹底指導を受けたということです。西澤先生は東北大の教授で、かつ非常に多くの特許を所有して確かな研究を進めていらっしゃる、財団法人半導体研究振興会半導体研究所長というお立場でもありました。ですので、舛岡先生に研究を指導されるだけではなく、特許の書き方も指導されたと伺っております。
西澤先生のご指導の下、舛岡先生は東京の特許事務所、あるいは場合によっては特許庁の審査官と拒絶査定が無効であるご説明に行ったと伺っています。舛岡先生は西澤先生の研究室にマスター、ドクターと 5 年いらっしゃるわけで、1971 年 4 月に東芝に入社されたときにはもう特許のベテランになられているわけです。徹底指導を 5 年間、西澤先生に受けていますので、特許トレーニングを既に終えている。その当時の東芝の現役エンジニアよりも、特許に関してはよくご存じだったと伺っています。

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図－12
〈図－12〉舛岡先生の偉業はたくさんあるのですが、ここでお話しできる限りお話ししたいと思います。まず当時の常識を理論的に破棄するわけです。これはすごいことなんです。どういうことかというと、とても非常識なんです。普通の人が理解できない、「えっ？」というようなことを提案されるわけです。すなわち、30 年先の常識を想像する。よく 25 年先が見える人をビジョナーと呼ぶそうですが、例えばスティーブ・ジョブスさんなど、あまり世界にいない方々ですが、そのようなビジョナーの 1 人ではないかなと。

図－13〈図－13〉まずされたことは、平屋から 2 階建てへ。要するに、平屋が二つあり、これを宅地面積の縮小可能のために 2 階建てにしてしまう。そうすると、結果的に土地面積が 2 分の 1 で済む。
すなわちわれわれメモリ開発者というのは、例えば 1cm 角のチップに、次の年に 2 倍の容量を入れなさい、またその翌年にはもう 2 倍の容量、すなわち 1 メガだったのを 2 メガにしなさい。
2 メガだったのを 4 メガにしなさいと。だから、いかに縮小していくかということが非常に大事
なんです。

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図－14
〈図－14〉それで舛岡先生は、まず 2 層ポリシリコン技術、先ほどのガラス窓が付いている
EPROM ですね。それから DRAM を改良された。もう少し具体的なことで申し上げると、これはポリシリコンというマテリアルが半導体に多く使われているのですが、それをゲートスタック、
2 階建て構造にした。その結果、EPROM に関しては著しく信頼性が向上した。これは舛岡先生のフラッシュのお仕事の前のお仕事です。
それから、DRAM においてはメモリセルサイズが小さくなって低コスト化が達成できた。これによって、舛岡先生の特許のおかげで Intel と東芝でフリークロスライセンスが結ばれた。これが偉業の一つです。

図－15〈図－15〉また、先ほどフラッシュメモリがどうしてできたかということで、低コストというお話もあったかと思いますが、舛岡先生は不揮発性メモリにおいてフラッシュメモリの動機というのが、まさしくコストを低下させる。これが売り上げにつながるということをお考えになられた。

10例えば紫外線消去型の EPROM は、先ほど写真でお見せしたような、非常に高価なガラス窓がセラミックパッケージに封入されています。あるいはこれはご紹介していませんが、電気的に書き換え可能な EEPROM というメモリセルがありましたが、これは 2 個のトランジスタ、非常にメモリセルのサイズとしては大きなものがあり、これも高価です。
舛岡先生はそういう機能をよく考えて、1 個のトランジスタですべてのデータを一括で消去しようと。これがフラッシュメモリということにつながったわけです。すなわち、ガラス窓付きの
EPROM は高い。2 個のトランジスタで構成される EEPROM も高い。フラッシュメモリは 1 個のトランジスタでできる、これは安い。ただ、フラッシュメモリは安いだけではなかったんです。

図－16〈図－16〉1984 年に舛岡先生が IEDM（IEEE 国際電子デバイス会議）で発表された最初のフラッシュメモリのペーパーのタイトルに「FLASH」と書いてあるんです。
私はそのとき会社に入って 4 年目でした。私の後ろのほうで、舛岡先生および数人が話されていました。ちょうどこの IEDM は 12 月にサンフランシスコ等でありますが、ちょうど投稿の時期です。何と名前を付けようかなと。1984 年の 6 月だったと思います。この論文を投稿する際に、舛岡先生は名前に悩まれた。
そのとき SRAM の主任で、有泉さんという方が「舛岡先生、フラッシュってどうでしょうか」「いいねえ」ということで、フラッシュという名前を付けたんですね。そのときに舛岡先生ご自身がおっしゃるには「これって、写真のストロボみたいにパッとデータが消えて、フラッシュ（という名前は）いいよね」ということでタイトルに「FLASH」という名前を付けたわけです。
これは私の後ろで話されていたのでよく覚えています。
そのとき東芝はトレードマーク登録、商標登録なんか考えないで、これをタイトルにあげて何もせず発表したものですから、このフラッシュというのはとてもファミリアーな名前なので、まず Intel がその数年後にフラッシュメモリ事業部を作ったのです。Intel は猛烈にこのフラッシュ
メモリを開発しました。
サンタクララに Intel の本社があり、ロバート・ノイス・ビルディングの横に Intel ミュージア

11ムがあります。そこにフラッシュメモリのブースがあります。私はそのフラッシュメモリのブースで背筋がぞっとしました。日本の会社、東芝がフラッシュメモリを発明した。それを Intel が開発をやっていると書いてあるんです。Intel ってすごいなと私は思いました。それほどアメリカというのは、すごい仕事をした人に対して正当に評価する。もちろん Intel は自信があってそれを書いている。Intel ミュージアムは小学生も中学生も行く、一般者が入れるミュージアムでそのように書いてある。これは私には非常なインパクトがありました。

図－17〈図－17〉これは舛岡先生が 2012 年にアメリカの写真協会から表彰を受けたものです。フラッシュを考えられたときに、舛岡先生がこのようなことになるということまで見通してフラッシュという名前にされたかどうかは分かりませんが、とにかく写真学会から表彰を受けて、「キヤノン
フィルムカメラ販売終了

80 年超の歴史に幕」という記事もございました。このフラッシュで銀塩写真がほとんどなくなってしまうということですね。ではフラッシュメモリって、銀塩フィル
ムからフラッシュに置き換わっただけなのかというと、そうではないんです。

図－18〈図－18〉フラッシュメモリは、HDD に変わる重要な要素技術になっています。例えばコンピ

12ュータのアーキテクチャが変わる、そういうところまできている。すなわち、ここに DRAM があり、これは揮発性メモリです。左側に HDD があります。CPU や DRAM が高速になってきま
すので、HDD とのギャップがどんどん広くなっている。これが問題だったのですが、ここを埋めるのがフラッシュメモリです。ですので、単に写真が置き換わったとかそういう話ではなくて、
新しいアーキテクチャがここで生まれつつある。

図－19〈図－19〉さて、NAND の発明についてお話を申し上げると、こちらに示しているのが NOR ですが、コップがあって、水が入っているかいないかで電流が流れるかどうか決まる。NOR はト
ランジスタ 1 個ですから、電流としては非常に大きい。
一方、舛岡先生は NOR の発明以降、NAND を発明されて、これは非常に直列接続というか縦列接続していまして、今、最高に縦列接続しているのは、128 個もメモリセルが直列につながっています。ですので、当然その読み出し電流は NOR よりも小さくなるわけです。しかし回路的な、あるいはデバイス的な工夫を得て、NOR のほうが少ビット指向型であれば、NAND に関しては多ビット指向型ということで、いろいろな工夫をして大容量データを高速に読み出したり書き込めるわけです。これが NAND です。

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図－20
〈図－20〉では、その大容量データのアクセスが可能な NAND フラッシュメモリのおかげでどうなりましたか。まずデジタルカメラが出ましたね。プリクラは今でもあるかもしれませんが、みんな高校生がデジカメを持って歩いている。今はスマホかもしれませんが。あるいは USB メ
モリ。私もきょう、プレゼンテーションがちゃんと行えるかどうか、USB メモリで自分のデータを持ってきています。それからスマートフォンですね。すなわち、NAND のおかげで新しい文化が生まれたということです。カルチャーが変わったわけです。

図－21〈図－21〉こちらは 1987 年に舛岡先生が NAND の論文発表をされたときのものです。3 年前にNOR をプレゼンされた時と同じ IEDM で発表されました。

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図－22
〈図－22〉さて、4 番目としては、舛岡先生は「Forbes」で 2002 年に特集を組まれたわけですが、その中に、将来は NAND もこのようになると、3D の NAND をここで描かれています。

図－23〈図－23〉3D の NAND って何？ということでご説明しますと、先ほど平屋が 2 階になりましたという話を申し上げましたが、NAND はメモリセルを高層ビルにしているんです。高層ビルです。
すごいです。まず平屋というか長屋といったらいいのか、NAND があります。これが従来の NANDでした。それをちょっと変えて 90°ローテート、起こして縦積みにしてしまったというのが 3Dの NAND です。

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図－24
〈図－24〉ここにご列席の東芝メモリの百冨所長から 2 枚のスライドをお借りしました。これが、東芝が 2 年前に発表した 64 階建ての 3DNAND です。これはもう実際に皆さまのスマホに入っています。毎年 2 月に ISSCC（国際固体回路会議）というのがサンフランシスコで開かれるのですが、東芝メモリは 96 層の 3DNAND を発表しました。こちらも製品化されています。すごいですね。高層ビルです。

図－25〈図－25〉どれだけ高層なのかと。これは 64 層の例ですが、例えば、われわれはピラーと呼んでいる。円柱という意味ですが、ピラーの直径は 100nm（ナノメーター）。これはまた難しい
数字ですが、1 ミクロンの 10 分の 1 です。1 ミクロンって何？というのもありますが。深さは4.5μm（ミクロン）。
これは実際に百冨さんがうまく表現されていますが、スカイツリーに例えるとどうなってるの？
スカイツリーは底面の直径が 68m、高さ 634m なので、スカイツリー5 個分の高アスペクトの穴
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を掘らないと、これが実現できない。これができているわけです。皆さんのスマホで動いているわけです。こういうのが今の現状です。

図－26〈図－26〉まとめますと、NAND Flash の特徴として、まず HDD と比べて非常に高速です。それから低消費電力です。そして軽い。小さい。耐振動、バイブレーションに強い。HDD はレコードですから、針が飛んでしまいますので。それからゴミやダスト、湿度に強い。それで今現在、研究開発で努力されている百冨さんはじめ、東芝メモリ以外もみんな切磋琢磨、研究開発していますので、低コスト化続行中ということで、どんどん市場が拡大しています。先ほど 6 兆円と申し上げましたが、それは一気にもうすぐ 10 兆円ぐらいになると考えております。

■ 部下達から見た舛岡先生

図－27〈図－27〉さて、今度はちょっとわれわれの話をさせていただきますが、舛岡先生の指導を受けた部下たち。ここに何人も舛岡先生の指導を受けたわれわれの仲間がおります。ここで、部下の視点から見た舛岡先生ということで披露させていただきますと、まず先ほど述べたように、30 年先が見えてしまうんです。私には全然見えないのですが、見えるんですね。将来を見極める非凡な眼。

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図－28
〈図－28〉そのエピソードを申し上げると、1990 年ぐらいだったと思います。東芝に入りたいという学生さんが、舛岡先生の袖机でインタビューをするわけです。舛岡先生はそのとき、「君、ジョギングをしながら音楽を聴きたいと思うか」「はい」というわけです。
その当時は、非常に重い、バルキーな大きなソニーのウォークマンがありました。あるいはそれから CD ウォークマンということで、円盤を回していますので、ジョギングしながらでは針が飛んでしまうので、とてもそんなことはできない。でも今、テニスの錦織君にしても、プレー前にアスリートがみんな耳掛けイヤホンで音楽を聴いていますね。まさにその時代になっているんですね。
さらに、舛岡先生の後ろのところに 4 メガビットのわれわれの NAND のテストチップが飾ってありまして、「これを使うとハードディスクを置き換えられるんだ」。いや、私はそれ何度も聞いていますが、学生のインタビューのたびにそうおっしゃっていて、それを聞くたびに、また舛岡先生はそんなことをおっしゃったのかと。
なぜかというと、そのときの 4 メガビットは、音楽にすると 1 曲入るか入らないかぐらい。
しかも HDD と NAND の当時の 1 ビットあたりのコストは、NAND のほうが 4 桁も 5 桁も高かったんです。それをもって置き換えるのは「えっ？」と、もう学生もびっくりするわけですね。
誰も信じないわけではないのですが、理解するのがなかなか難しかった。
でも今、先ほど述べたように Google のハードディスクのデータステーションがフラッシュメ
モリに変わります、あるいはエンタープライズは銀行で動いていて、まさにその時代に皆さんはスマホを持っていらっしゃる。もうその時代になっているわけですね。こういった将来を見極める目を持っていらっしゃる。
それから研究に関しては、舛岡先生は研究とはどういうものかというのを非常にわれわれに教えてくださいました。そして Passion を持って研究者を育てるんです。私もその恩恵を得た 1 人
で、非常に感謝しています。今ご紹介したような、こういうことが今現実になっているというこ
とです。

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図－29
〈図－29〉そういったことを本当にわれわれは聞いたわけですが、ちゃんと証拠というか、エビデンスがございます。舛岡先生の宣伝ではないですが、今でも本屋さんに行くと『躍進するフラッシュメモリ』が売っていますが、1992 年に発刊されて、その第 5 章に「フラッシュメモリの将来」という章があります。
この中でビジネスの大きさ、これは年、バイポーラ、DRAM、フラッシュメモリ、次は何？と。
次は何？というのは、縦型のトランジスタで今フラッシュメモリは 3D 化もしていますし、あるいはロジックのシステムで縦型トランジスタに変わっていくだろうということを、舛岡先生はここで予測されています。

図－30〈図－30〉そしてまたこういう図があります。これも同じ章「フラッシュメモリの将来」です。
この中で、色のついた部分が NAND が置き換わるところだと。これは実際その通りになっています。30 年前に言ったことがその通りになっている。これが非常に非凡な眼を持たれているということです。

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図－31〈図－31〉それから、舛岡先生は非常に Passion を持って研究者を育成されています。まず舛岡先生の部に、あるとき 10 名とか 12 名の学卒のフレッシュマンが入るわけです。そうするとその人たちに課題が出るわけです。世界一流の国際会議で発表することを目標にする。1 年目の新人です。だから一緒につくメンターも大変なわけですが、例えば ISSCC、IEDM、VLSI Symposium、こういう学会が一流の国際会議だと言われるわけです。これだけではないんです。実はその 12 名
は輪講というのをやります。輪講は厚さ 600 ページぐらいの英語の教科書で、毎週やるわけですが、では 50 ページ読んできなさいと。
ただ、普通の輪講というのは、例えば A さんがこの章を、B さんがこの章をと。そうすると1 週間で 50 ページ進むといっても、A さんはその数ページしか読まない。こういうスタイルはよくないと。だから 50 ページ進むと言ったら、アトランダムに 12 名に対して、あなた説明しなさいと。逐語訳は駄目。この章に何が書いてあるか、あなた説明しなさい。それをやるわけです。
非常に教育に関しては厳しい。
それと、学会発表をしても、それは駄目だと。一流の論文誌に掲載されることが目標で、そうでないと論文と言えない。ですので、われわれは学会発表させてもらって、ほっとする間もなく、
今 度 は ペ ー パ ー を 出 し な さ い と 言 わ れ る わ け で す 。「 Transactions on Electron Devices 」「Electron Device Letters」など、一流の雑誌に論文を出しなさいと。
また、ここがすごいところですが、特許や論文は自宅で土日や夜中に進めるように教育。こう言うと、舛岡先生は鬼ですよと言っているように捉えられると困るのですが、そうではなくて、会社にいるときだけ仕事をするサラリーマンではなく、プロフェッショナルな世界一流の研究者になるために鍛えられる。その恩恵を被って私も今日があるのかなと、ここに集まっている舛岡先生の弟子たちはみんなそう思っていると思います。
私も東芝にはマスターで入りました。ところがドクターを持っていない人は、論文ドクターを取らせるということです。舛岡先生がすばらしいのは、特許を書きなさいとか、論文書きなさいとか。それがパブリッシュされるとファーストページをコピーされて額縁に入れて、部屋のところに飾ってくださるんです。そうすると壁がいっぱいになって、飾るところがなくなってしまう。
それはその人のためにやっているのではなくて、そうやってみんなを刺激してモチベーションをアップするということでやられているんです。

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図－32
〈図－32〉「研究とは」。これは舛岡先生の語録のように毎日聞かされた、「研究とは新しくないといけない」。そして、「研究者はその証（あかし）を残さなくてはならない」。では、そのエビデン
ス、証とは何か。それは三つで、特許であり、論文であり、そして製品だと。そして「我々は教科書を塗り替える」、それが仕事だというように。私は、1 万回はちょっと大げさかもしれません
が、1000 回ぐらいは聞いています。

図－33〈図－33〉その中の一つの例を申し上げると、IEDM は非常に厳しい学会で採択率 30％、すなわ
ち 10 件申請しても、3 件ぐらいしかアクセプタンスにならない厳しい学会ですが、なんと舛岡先生の研究所から 6 件出して 5 件も通っている。
申請する前は徹夜を許してもらって、会社で書いているわけです。舛岡先生は 12 時ぐらいに21

終電で帰られる。われわれ論文を書いている連中は会社にいて、そうすると舛岡先生から夜中の2 時ぐらいに「おい、ちょっと前半読んでみろ」。5 行ぐらい読むと「ちょっとよくなったかもし
れないけど、それでは落ちるな。もっとがんばれ」。その日締め切りなのですが、そのような形で通させていただいたということです。

図－34〈図－34〉その結果、ここにみんなお集まりですが、私を含めて 5 人が博士号を取らせていただ
きました。また 4 名は IEEE Fellow にもならせていただきました。大学の先生になられた方も 5
名いらっしゃいます。

図－35〈図－35〉舛岡先生の「フラッシュメモリの教科書を書き換える」という言葉通り、有留さんは教科書を IEEE から出されています。これはすべて英語です。白田さんもやはり英語の本を書かれています。私も NAND のチャプターを 100 ページぐらい書きました。丹沢さんが回路の教科書を書いています。

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図－36
〈図－36〉舛岡先生のおかげで、われわれは教科書を書くことができた。これはもう 30 年以上前の写真です。こうやって厳しい研究開発の中でも、このような飲み会で楽しくさせていただきました。スナップ写真ですが、白田さんもおります。私なんかはもっとひどい。この真ん中にいるのが私ですから。30 年以上前の研究開発は、今考えるととても充実した毎日で、よく学び、よく遊べ。これですね。

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37

図－37
〈図－37〉舛岡先生、本当に本田賞の受賞おめでとうございます。舛岡先生が 30 年以上前に教えてくださったとおりのフラッシュの時代になっている。私は NAND に入ったのがちょっと遅いですが、4 メガビットを開発するとき、舛岡先生とわずかなエンジニア、10 名ぐらいしかいなかったですね。そのフラッシュメモリが今、6 兆円のビジネスになっています。そして、そのフラッシュメモリ開発を通して非常に多くの特許。われわれは舛岡先生にパテントということで教えられたので、非常に多くの US パテントを登録させていただきました。そして論文も書き、教科書も書くことができました。われわれ弟子たちは本当に舛岡先生に感謝しています。

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図－38
〈図－38〉最後になりましたが、本代理記念講演をさせていただくにあたり、舛岡先生はもちろん、舛岡先生のご友人でもいらっしゃいます東北大学名誉教授の犬竹 正明先生に、多大なるご支
援、ご指導を賜りました。この場をお借りして感謝申し上げます。
以上、私からの代理講演とさせていただきます。ご清聴ありがとうございました。

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■ このレポートは本田財団のホームページに掲載されております。
講演録を私的以外に使用される場合は、事前に当財団の許可を得てください。

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発 行 者

山 本 雅 貴