Proceedings of the 12th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
August 5-7, 2015, Tsuruga, Japan

PASJ2015 THP073

新しい J-PARC RCS 入射水平シフトバンプ電磁石用パルス電源の開発
NEW INJECTION BUMP POWER SUPPLY OF THE J-PARC RCS
高柳 智弘#, A), 植野 智晶 B), 堀野 光喜 A), 飛田 教光 A), 林 直樹 A), 金正 倫計 A), 入江 吉郎 C),
岡部 晃大 A), 谷 教夫 A), 内藤 伸吾 D), 志井 春重 D), 戸田 克則 D)#, A), Tomoaki UenoB), Koki HorinoA), Norimitsu TobitaA), Naoki HayashiA), Michikazu KinshoA),
Tomohiro Takayanagi
Yoshiro IrieC), Kota OkabeA), Norio TaniA), Shingo NaitoD), Harushige ShiD), Katsunori TodaD)
A)
J-PARC Center, Japan Atomic Energy Agency
B)
Nippon Advanced Technology Co.,Ltd.,C)
KEK, High Energy Accelerator Research Organization
D) Nichicon Kusatsu Corporation

Abstract

The new injection bump power supply for the SB (Shift Bump) magnet[1] of the beam injection sub-systems at the JPARC (Japan Proton Accelerator Research Complex)[2] 3-GeV RCS (Rapid Cycling Synchrotron)[3] has been developed
and manufactured. The power capacity of the new power supply was more than doubled along with the injection beamenergy upgrading of the LINAC (Linear Accelerator) from 181MeV to 400MeV [4]. Furthermore, the low ripple noiseon the output current was required to prevent the resonance of the RF shield loop at the ceramic duct with the excitation
magnetic field [5]. The power supply newly adopted a capacitor commutation method to form the trapezoid waveform
pattern (bump waveform), where the maximum output current and output voltage are 32 kA and 12 kV respectively. A
low noise and stable power supply was then realized that has high uniformity at the flat-top current (<±0.1%) and iscapable of producing two different flat-top currents alternately at 25Hz.

1.

2.

はじめに
[2]

新バンプ電源の開発背景[3]

J-PARC 3GeV RCS のビーム入射システムの一 2.1 RCSつである水平シフトバンプ電磁石 [1]用の新しいパル
RCS は、物質・生命科学実験施設 MLF (Materials
ス電源（新バンプ電源）を開発し製作した。新バン&Life Science Experimental Facility)[9]へのビーム供給
プ 電 源 は 、 LINAC[4] の ビ ー ム 加 速 エ ネ ル ギ ー がと、50GeV シンクロトロン加速器 MR (50GeV Main
181MeV から 400MeV へアップグレードするのに合Ring Synchrotron)[10]の入射器の 2 つの役割を担ってわせ、現在の 3 倍以上の電源容量（電流 1.6 倍、電いる。各施設が要求するビームの電流値やエミッタ
圧 2 倍で設計）が必要になる。さらに、電磁石のセンスは異なり、RCS では、横方向のペインティングラミックス真空ダクトを覆う高周波遮蔽用銅箔（RF入射 [11,12]により、各施設の要求に合うエミッタンスシールド）における、ループコイルのインダクタンのビームを生成する。また、LINAC から入射されるスと励磁場の共振 [5]によるビームロス [6] を防ぐため、 H （負水素イオン）のビームを、入射点に設置した励磁電流波形に重畳する電流リップルノイズの低減
炭素薄膜（荷電変換フォイル）を用いて陽子(H+)にが要求される。
変換して周回軌道に合流する荷電変換入射方式を採そこで、新バンプ電源の主回路方式に、これまで用する[11]、1 パルス当たり 8.3×1013 個の陽子を 20 ミの IGBT (Insulated Gated Bipolar Transistor) の半導体
リ秒で 3GeV まで加速し、25Hz の速い繰り返しによスイッチを用いたチョッパ方式 [7]から、コンデンサり 1MW の大強度陽子ビームを生成する。の充放電回路を用いた転流方式を採用することにした。コンデンサ転流方式は、台形形状のパルス波形 2.2 水平シフトバンプ電磁石（バンプ励磁波形）を形成する場合に、常時スイッ水平シフトバンプ電磁石は、RCS の入射部に 4 台チングを行うチョッパ方式と異なり、出力電流の立 配置され、バンプ励磁波形のフラットトップ部分をち上げ開始時、フラットトップの開始時及び終了時 用いて、周回閉軌道上に入射ビーム軌道（バンプ軌の 3 回のスイッチ操作で波形形成が可能であり、原 道）を形成する [11,12]。4 台の水平シフトバンプ電磁
理的にスイッチングノイズの発生を低減することが 石は、すべて同じ構造で製作し、磁場分布の誤差も可能である [8]。本論文では、転流方式を採用した新 ほぼゼロである[13]。この 4 台の電磁石を接続導体でバンプ電源の特性について述べる。
直列に接続し、1 台の電源で励磁する。これにより、___________________________________________#

tomohiro.takayanagi@j-parc.jp

負荷の合成インピーダンスは大きくなるが、4 台間には、励磁タイミングのズレに起因するバンプ軌道の閉軌道誤差 COD(Closed Orbit Distortion)は発生し- 1169 -Proceedings of the 12th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
August 5-7, 2015, Tsuruga, Japan

PASJ2015 THP073

ない。また、水平シフトバンプ電磁石は、入射ビー
ム軌道と周回ビーム軌道の変位量と、エミッタンスが 486πmm-mrad の周回ビームのフィジカルアパーチャーをカバーするセラミックス真空ダクト（内径：幅 470mm×高さ 270mm）を挿入するため、電磁石のギャップ口径は、コイル間距離で幅が 616mm、ギャップ高さが 310mm と大口径になり、大きい励磁電流と電圧が必要になる。
最初の荷電変換フォイルで陽子(H+)に変換されなかった H0 ビームを H+ビームに変換するため、2 つ目の荷電変換フォイルを配置する必要がある[14]。この 2 つ目の荷電変換フォイルの位置は、上流から 4番目に配置された水平シフトバンプ電磁石の中心になるため、この電磁石用のセラミックス真空ダクトのみ、フォイルを挿入する面と断面の四つ角に RFシールドが無い構造となる。これにより、4 台の水平シフトバンプ電磁石において、RF シールドは対称的な構造では無くなり、励磁場と RF シールドのループコイルとの間で発生した共振磁場によるビームの蹴り角がキャンセルされず、ビーム振幅が増大するなどの不安定性を引き起こす[5]。
2.3

3.

開発成果

3.1

回路方式

新バンプ電源は、回路方式にコンデンサの充放電を利用する転流方式を採用した。大容量電解コンデンサの電流経路を、半導体の IGBT スイッチのブリッジ回路の操作で切り替え、力行、環流、回生の各モードをコントロールして運用する。バンプ励磁波形は、電流出力時、フラットトップの開始と終了時の 3 回のスイッチ操作で波形を形成することが出来る。常時スイッチングを行うチョッパ方式によるパターン形成時と比較し、スイッチングの回数を限ることが出来るため、電流リップルノイズの発生を原理的に低減することが出来る。転流方式と操作モードについて、Figure 1 と 2 に概念図を示す。

新バンプ電源への要求仕様

1MW 大強度陽子ビームの出力運転の実現を目的とする RCS では、ビームロスによる機器の放射化が問題になる。ビームロスの原因は様々であるが、ビーム入射時のバンプ電磁石に起因するビームロスは、励磁波形に重畳する電流リプルノイズの低減で抑制が可能であり、励磁電源の性能改善が要求される [16]。また、入射部でのバンプ軌道の形成は、RCS周回ビームの中心軌道の対称性の崩れを引き起こし、ベータトロン関数の歪みによる共鳴振動の原因になる。さらに、周回ビームの荷電変換フォイルによる散乱を最小に抑えるため、ビーム入射終了後は、速やかにバンプ軌道を落とす（励磁電流をゼロにする）必要がある。
J-PARC は、加速器の稼働率を高くするため、機器が故障した場合には、早期の回復が望まれる。

Figure 1: Base circuit of the commutation method.

要求内容まとめ••••••バンプ軌道を高い精度でコントロールする『バンプ励磁波形の高いフラットトップ平坦度』と『ショット毎の優れた再現性』。
ビーム軌道の不安定な振幅を抑制し且つセラミックス真空ダクトの RF シールドとの共振を抑制する『励磁電流に重畳する電流リップルノイズの低減』
大口径電磁石に対応する『大電流出力』。
Figure 2: Operation mode of the bump wave formation.
.
大きい負荷インピーダンスに流す大きい励磁電流をより速い時間で立ち下げる『高電圧出力』。
3.2 新しいコンデンサペインティング入射に対応する『励磁電流値のコンデンサバンクを主回路に使用する電源を設計
最大 20％の変更を 25Hz ショット毎に可変とすする場合、必要な出力電流値と波形形状に見合うコる能力』。
故障時の修理や予備部品との交換時に要する時 ンデンサの容量を事前に定める必要がある。また、間を短縮する『メンテナンス性に優れた構造』。 大電流出力に対応するには、大容量コンデンサが多量に必要になるが、設置スペースが限られる場所では、コンデンサの選定で制限されてしまう。新バン- 1170 -Proceedings of the 12th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
August 5-7, 2015, Tsuruga, Japan

PASJ2015 THP073

プ電源は、3GeV シンクロトロン棟の地下 1 階に設 Switching device と Selection Switch は 、 共 に置するため、電源盤の大きさが制限される。そこで、 1400V/600A の IGBT 素子を使用した。
大容量且つコンパクトなコンデンサを開発した。定3.4 電源構造
格 350V×24mF、ケースサイズ Φ90×250L のアルミ電
新バンプ電源は、立上立下ユニット 12 台と FT ユ解コンデンサを新バンプ電源用に製作した（ニチコ
ニット 2 台を直列に接続した回路構成を 1 バンクとン株式会社製：LNK2V243MSEAZX）。
し、このバンクを 16 台並列に接続する構成とした。
3.3 ユニット構造
1 バンクの主回路図を Figure 5 に、構成図を Figure 6
新バンプ電源の構成は、機能別に回路を分割する に示す。1 バンク毎に、直列に接続した 12 台のユユニット方式とした。故障時には、該当ユニットを ニットの中点を接地し、立上立下ユニット 6 台と交換することで復旧が可能となるため、作業時間を FT ユニット 1 台をそれぞれ正極と負極に割り当て大幅に短縮することが出来る。また、ユニットの種 る 。 1 バ ン ク 当 た り の 定 格 は 、 電 流 ／ 電 圧 で類を少なくすることで、設計と予備品に要する負担 2kA/12kV(±6kV)になる。並列接続した 16 台を一括を軽減することも出来る。
して 1 台の電源システムとしてコントロールするこ主回路は、出力電流のピーク値とバンプ励磁波形 とで、最大 32kA/12kV(±6kV)の出力が可能となる。の立ち上がりと立ち下がりの時間を定める「立上げ3.5 波形調整立下げユニット（立上立下ユニット）」と、フラッコンデンサの充電電圧をユニット毎にコントロー
トトップの時間と平坦度を定める「フラットトップ
ルし、力行、環流、回生の各モードを切り替え操作ユニット（FT ユニット）」の 2 種類で構成した。
それぞれの基本回路図を、Figure 3 と 4 に示す。回 することで、フラットップのピーク電流値、立ち上路は、共にコンデンサ転流方式であり、同じ原理で がりとフラットップの各時間、そして、フラット動 作 す る 。 ま た 、 電 解 コ ン デ ン サ も す べ て 同 じ トップの平坦度を任意に調整することが出来る。
1 バンクに搭載した正極側(P)負極側(N)の立上立下24mF で、型式 LNK2V243MSEAZX を使用する。
ユニットの各充電電圧の設定は、同段(P/N)は同じ設定値とし、段毎に設定変更が可能である。ただし、通常の運用においては、下から 1～4 段目(P/N:1-4)はすべて同じ設定値、5 段目(P/N:5)と 6 段目(P/N:6)を独立に設定する。そして、外部からのタイミングでP/N:5 と P/N:6 を切り替えて出力することで、20%のピーク電流値を 25Hz の繰り返し運転でショット毎に変更することが可能となる（P/N:1-4 は、毎回同じ設定値で出力する）。さらに、立上立下ユニット
192 台と FT ユニット 32 台の全ユニットに対し、各コンデンサの充電電圧を 0.01%以下の分解能で設定
Figure 3: Schematic circuit diagram of the rise-fall unit.
調整する充電・回生システムと、ユニットの転流切り替えを 100ns 以下で調整する制御システムを構築し、励磁電流の安定した再現性を実現する。

Figure 4: Schematic circuit diagram of the flat-top unit.
立上立下ユニットは、1 回路 1 充電器とし、コンデンサの合成容量 CRF が 48mF（4 並列 2 直列）の転流回路を 2 直列とする。FT ユニットは、MLF 用とMR 用に、それぞれ 1 回路 1 充電器の独立した転流回路を設けている。各回路には 8 個のコンデンサを搭載し、接続配列を変更することで、48mF（4 並列2 直列）、96mF（4 並列）、144mF（6 並列）、192mF（8 並列）の合成容量 CFT に変更することが出来る。転流回路は、半導体スイッチの選択スイッチ (Selection Switch) で 切 り 替 え る 。 UVXY の4.

性能評価

4.1

ノイズの低減と高いフラットトップ平坦度

新バンプ電源は、2014 年 2 月から運用を開始した。
Figure 7 に 、 ユ ー ザ ー 利 用 運 転 で 使 用 し て い る
22.1kA の励磁電流波形を示す。この時の各ユニットの充電電圧は、P/N:1-4 と P/N:6 を 370.0V、P/N:5 を0V、FT ユニットを 140.0V で設定した。フラットップ中の電流リップルは抑制され、更には、設定電流値と出力電流値の偏差は±0.20%以下となり、高いフラットップ平坦度を実現したことを確認した(FT ユニットコンデンサの合成容量は 192mF)。また、旧バンプ電源の IGBT を用いたチョッパ方式と、新バンプ電源の転流方式における、運転中の筐体と接地の電位差を測定した比較結果を Figure 8 に示す。出力電流は、181MeV 入射時のパラメータで、13.4kAの励磁波形で比較した。電位差は、スイッチングのタイミングで発生しており、回路方式により特性の- 1171 -Proceedings of the 12th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
August 5-7, 2015, Tsuruga, JapanPASJ2015 THP073違いを確認することが出来る。チョッパ方式の電位差が高いのは、接地に流れる漏洩電流の起因となるIGBT の数が多く、スイッチングを高い合成周波数48kHz で操作しているからと考える。のタイミングチャートを Figure 9 に示す。サージ電圧は、5.3kV から 4.6kV と 0.7kV 低減した。これは、ノイズの低減だけでなく、負荷（電磁石）の印加電圧を低減するなど、回路保護にも効果的である。

Figure 7: Measurement result of the output current at thetime of the user use operation. Output current deviation inthis figure is the difference between the output current
and the setting current.

Figure 5: Schematic circuit diagram of one bank.

Figure 8: Comparison result of the potential difference
between the mainframe and the grounding.
4.3

Figure 6: Structural drawing of one bank.
4.2

出力電圧ピーク値の低減

転流回路の切り替え操作時に、高いサージ電圧が発生する。そのため、ユニット数が多い立上立下ユニットを、1、3、5、6 段目(P/N:1,3,5,6)と 2、4 段目(P/N:2,4)の 2 つのグループに分け、グループ毎に出力するタイミングをずらす。これにより、同時に切り替えるユニットの数を制限し（グループ内は同じタイミング）、高いサージ電圧の発生を抑制する。
切り替えタイミングを 5µs シフトした結果とその時

フラットトップ平坦度の調整

全 16 バンクにおける FT ユニットコンデンサの合成容量を、192mF と 48mF にした場合の出力電流を測定した波形を Figure 10 に示す。FT ユニットコンデンサの充電電圧設定値は、それぞれ 140V と 145Vであった。フラットトップの平坦度は、192mF の時は±0.20%以下、48mF の時は±0.10%以下となり、コンデンサの合成容量を小さくすることで、より高い平坦度を実現した。
バンプ励磁波形のフラットップの開始から終了までの期間において、電磁石の抵抗成分の変化で発生する電圧降下分と等しい電圧を電源から供給することで、フラットトップの平坦度を高くすることが出来る。電源から見た電磁石の抵抗成分は、フラットトップ開始時では渦電流により等価的に増大し、その後、時間の経過と共に低下する。コンデンサ充電
電圧の降下分は、容量が 192mF と 48mF の場合、以下の(1)と(2)式より、Δ4.7V と Δ18.7V になる。これより、電磁石抵抗成分の電圧変化分は、48mF の電圧降下分 Δ18.7V により近かったことになる。

- 1172 -Proceedings of the 12th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
August 5-7, 2015, Tsuruga, Japan

PASJ2015 THP073∆V =22080 A 650 ms
×= 4.7V
16バンク 192mF

(1)

∆V =

22080 A 650 ms
×= 18.7V
16バンク 48mF

(2)

励磁電流による電源装置と電磁石負荷の発熱を抑制するため、励磁波形のフラットトップ時間は最大800µs と限られている。そこで、コンデンサ容量が48mF で、フラットトップの設定時間を 800µs にした場合のフラットトップ平坦度の測定波形を Figure11 に示す。RCS 加速器のビーム入射期間である500µs のフラットップ部分は、ほぼゼロの平坦度になった。今後は、この設定波形にて運用を行う予定である。

Figure 11: Measurement result of the output current in thecase of 48mF-800µs setting.
4.4

バンプ励磁波形の任意性

バ ン プ 励 磁 波 形 の 立 ち 上 が り 時 間 を 150µs と500µs に設定し、それぞれの条件で測定した出力電流と電圧の波形を Figure 12 に示す。150µs 立ち上げ時の電流／電圧のピーク値は 1800A/12kV、500µs 立
ち上げ時は 2000A/5kV となった。フラットップは、それぞれ±0.18%以下と±0.11%以下となり、各条件にて、高い平坦度を実現した。測定時の各ユニットコンデンサの充電電圧設定値を Table 1 に示す。ただし、この波形は、模擬負荷による 1 バンクでの測定である。立ち上り時間を速くすると、電磁石に挿入したセラミックス真空ダクトの RF シールドのループコイルに生じる誘導起電力が高くなる。そして、渦電流を防止する目的で設けたループ回路を直流的に遮断するチップコンデンサが放電して破壊されてしまうため、実負荷では行っていない[17]。
Table 1: Setting Parameters of Each DC-charger
Rise-time

Figure 9: Comparison of the measurement results of theoutput voltage (up) and switching patterns (down).

4.5

Figure 10: Comparison of the flatness with differential
composite capacity.

Rise-fall unit

Flat-top unit

P/N:1-4

P/N:5

P/N:6

150us

1152.0V

0V

1152.0V

133.0V

500us

394.0V0V

303.0V

143.0V

25Hz ショット毎の出力電流値の変更

MLF/MR のペインティングエリア切り替え試験の一例として、水平シフトバンプ電磁石の励磁電流値を、ビーム軌道の変位量 93mm と 107mm に相当する 15%の変更で実施した。ショット数の割合は、MLF 用と MR 用にそれぞれ 150 ショットと 8 ショットとし、6 秒周期の遅い取り出し試験を模擬した。
ただし、実機において、水平シフトバンプ電源の電流値を変更してのペインティング入射は実施されていないため、1 バンクの模擬負荷にて測定した。
MLF 用は 1530A、MR 用は 1800A で設定し、それぞれ、立上立下げユニットの 5 段目と 6 段目を割り当てた。測定した波形を Figure 13 に、各ユニットコンデンサの充電電圧設定値を Table 2 に示す。波形は、- 1173 -Proceedings of the 12th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
August 5-7, 2015, Tsuruga, Japan

PASJ2015 THP073

電流値変更直後から 5 発分の偏差波形を重ねており、 さらに、新バンプ電源の開発成功は、コンデンサ転流方式の欠点である励磁波形の変更においても、それぞれ、±0.05%以下の高い再現性を確認した。
任意に調整できることを示した。また、故障時の作
Table 2: Setting Parameters of Each DC-charger
業時間を短縮する構造を採用し、メンテナンスにも考慮した電源となっている。これらの成果は、加速RF-unit
Flat-top unit
器用電源の主回路方式に、新しい選択の道を開いたことになる。
(MLF/MR)
P/N:1-4 P/N:5(MLF) P/N:6(MR)1133.0V

270.0V1120.0V

124.0V / 134.0V

参考文献[1] T.Takayanagi et al., “Design of the shift bump magnets for
the Beam injection of the 3-GeV RCS in J-PARC”, IEEE
Transactions on applied superconductivity, Vol.16, No.2,
June 2006, pp1366-1369.
[2] http://j-parc.jp/index.html[3] M.Kinsho, “Status of the J-PARC 3 GeV RCS”,
Proceedings of IPAC2015, THPF044.
[4] K.Hasegawa, “Commissioning of Energy Upgraded Linacof J-PARC”, Proceedings of LINAC2014, TUIOB03.
[5] Y.Shobuda et al., “Analytical Estimation of the Field
Modulation during the Injection Period of the 3 GeV RCS
in J-PARC”, to be published in the proceeding of the 2nd
International Symposium on Science at J-PARC 2014,
Tsukuba, Japan (2014).
[6] H.Hotchi, “Commissioning the 400-MeV Linac at J-PARC
Figure 12: Measurement results of the different rise-falland high injection operation of the J-PARC RCS”,
Proceedings of IPAC2014, TUXA01 (2014).
time. Setting parameters of the rise time are 150µs (left)[7] T.Takayanagi et al., “Comparison of the Pulsed Powerand 500µs (right).
Supply Systems Using the PFN Switching Capacitor
Method and the IGBT Chopping Method for the J-PARC 3GeV RCS Injection System”, IEEE Transactions on applied
superconductivity, Vol.24, No.3, June 2014, 3800905.
[8] T.Takayanagi et al., “Design and Preliminary Performanceof the New Injection Shift Bump Power Supply at the JPARC 3-GeV RCS”, IEEE Transactions on applied
superconductivity, Vol.24, No.3, June 2014, 0503504.
[9] http://j-parc.jp/MatLife/ja/index.html[10] https://j-parc.jp/Acc/ja/equipment.html[11] T.Takayanagi et al., “Design of the Injection Bump Systemof the 3-GeV RCS in J-PARC”, IEEE Transactions on
applied superconductivity, Vol.16, No.2, June 2006,
pp.1358-1361.
[12]P.K.Saha, et al., “Direct observation of the phase space
footprint of a painting injection in the Rapid Cycling
Synchrotron at the Japan Proton Accelerator ResearchComplex”, Phys. Rev. ST Accel. Beams 12, 040403(2009).
[13] T.Takayanagi et al., “Improvement of the Shift Bump
Magnet Field for a Closed Bump Orbit of the 3-GeV RCS
Figure 13: Measurement results of the current deviationin
J-PARC”,IEEETransactions
onappliedof each 5 shots (up) and the timing chart of the output issuperconductivity, Vol.18, No.2, June 2008, pp306-309.
the MLF and MR (down). Flat-top currents for different [14]I.Sakai, et al., “H- Painting Injection System for the J-PARC
3-GeV High Intensity Proton Synchrotron”, Proceedings ofsetting, 1530A (MLF) and 1800A (MR) where the P/N:5
PAC2003, pp.1512-1514.
and the P/N:6 are used respectively.
[15] T.Takayanagi et al., “Design of the shift bump magnets for
the Beam injection of the 3-GeV RCS in J-PARC”, IEEE
5. まとめTransactions on applied superconductivity, Vol.16, No.2,
June 2006, pp1366-1369.
励磁電流波形に高周波リップル電流の重畳を抑制 [16]T.Takayanagi, et al., “Upgrade Design of the Bump System
する大電流・高電圧のパルス電源の開発に成功した。
in the J-PARC 3-GeV RCS”, Proceedings of IPAC2011,
これにより、J-PARC の 3GeV シンクトロン加速器
TEPO028.
(RCS)における入射水平シフトバンプ電磁石に起因 [17]T.Takayanagi, et al., “Grounding and Induced Voltage
Issues of the Injection Bump Magnet System of the 3-GeVするビーム損失が大幅に抑制された [6]。この成果は、
RCS in J-PARC”, Proceedings of EPAC08, TUPD016.
加速器構成機器が放射化するリスクを低減すると共 [18] “J-PARC の 3GeV シンクロトロン加速器が性能を大幅に、RCS の所期性能である 1MW 相当の陽子ビームに向上”, http://j-parc.jp/ja/topics/2015/Pulse150206.htmlの加速成功に貢献した[18]。

- 1174 -