ポスト５Ｇ情報通信システム基盤強化研究開発事業
研究開発計画

令和３年３月９日
経済産業省

商務情報政策局

目次

１． 目的・概要 ..................................................................................................... 2
２． 目標 ................................................................................................................ 2
３． 研究開発内容 ................................................................................................. 2（１） 研究開発項目 ..........................................................................................................2（２） 研究開発期間 ........................................................................................................16

４． 成果最大化に向けた仕組み .......................................................................... 17（１） ユーザーのニーズ把握 .........................................................................................17（２） 研究開発期間中の製品化......................................................................................18（３） 民間企業等による市場展開を促す仕組み ............................................................18（４） 民間企業等による負担 .........................................................................................19

５． 実施者の採択 ............................................................................................... 20（１） 予算規模 ...............................................................................................................20（２） 採択方法 ...............................................................................................................21

６． 実施体制等 ................................................................................................... 22（１） 役割分担 ...............................................................................................................22（２） 研究開発の進捗把握・管理 ..................................................................................22（３） 調査・広報 ...........................................................................................................23

７． その他 .......................................................................................................... 23（１） 研究開発成果の取り扱い......................................................................................23（２） 実施期間 ...............................................................................................................23（３） 事後評価 ...............................................................................................................23（４） 研究開発計画の見直し .........................................................................................23

1

１．目的・概要
第４世代移動通信システム（４Ｇ）と比べてより高度な第５世代移動通信システム（５Ｇ）
は、現在各国で商用サービスが始まりつつあるが、更に超低遅延や多数同時接続といった機能が強化された５Ｇ（以下、「ポスト５Ｇ」）は、今後、工場や自動車といった多様な産業用途への活用が見込まれており、我が国の競争力の核となり得る技術と期待される。
本事業では、ポスト５Ｇに対応した情報通信システム（以下、「ポスト５Ｇ情報通信システム」）の中核となる技術を開発することで、我が国のポスト５Ｇ情報通信システムの開発・製造基盤強化を目指す。
具体的には、ポスト５Ｇ情報通信システムや当該システムで用いられる半導体等の関連技術を開発するとともに、ポスト５Ｇで必要となる先端的な半導体を将来的に国内で製造できる技術を確保するため、先端半導体の製造技術の開発に取り組む。

２．目標
本事業全体の目標として、以下の通り、アウトプット目標及びアウトカム目標を定める。
なお、研究開発内容に変更が生じた場合には、必要に応じて、本目標を見直す。
＜アウトプット目標＞① ポスト５Ｇ情報通信システムに活用可能な技術の開発件数：７件（２０２６年度）② 先端半導体製造技術を開発する拠点（ライン）の構築件数：１件（２０２６年度）＜アウトカム目標＞
本事業で開発した技術の実用化率（※）：５０％以上（２０２６年度末）※開発した技術が実用化に至ったテーマ数／先導研究以外の採択テーマ数

３．研究開発内容（１） 研究開発項目
以下①～③の項目について、研究開発を実施する。研究開発項目は、技術動向や市場動向等を踏まえ、必要に応じて柔軟に追加・変更する。
また、研究開発項目毎もしくは個々の開発テーマ毎に開発目標を設定し、研究開発の進捗状況管理の一環として、当該目標の達成状況を国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）が評価する。必要な場合には、開発目標の見直しを行う。
① ポスト５Ｇ情報通信システムの開発（委託）
情報通信ネットワークを構成する各要素（コアネットワーク、伝送路、基地局、モバイル
エッジコンピューティング（ＭＥＣ））について、以下の技術開発に取り組む。なお、【システム技術開発】は、対応する開発テーマの類型が「システム技術開発」であることを表す。
（a） コアネットワーク
ポスト５Ｇのコアネットワークには、多様なサービスの要求に対応しつつ、膨大な2

トラフィックを可能な限り省電力かつ低コストで効率的に処理するため、仮想化や計算リソース管理等に関する高度な技術が求められる。また、低遅延や高信頼といった要求に対応するため、将来的には、巨大な単一のデータセンタで処理を行う形から、地理的に分散した複数の計算リソースを活用し、クラウドベースでコアネットワークを実現する形へと形態が大きく変化する可能性がある。このため、多様なサービスの要求に対応する上で適切なシステム構造とすることに留意しつつ、仮想化や計算リソース管理等に関する高度な技術を備えるとともに、クラウドベースでも動作が可能な
コアネットワークのソフトウェア技術等を開発する。
具体的な開発テーマは、以下の通りとする。
（a1）クラウド型コアの高度化技術の開発【システム技術開発】＜開発対象＞

３ＧＰＰの仕様（リリース１５～１７）に準拠し、クラウド基盤上で動作する
５Ｇコアを実現するソフトウェア技術＜開発目標＞
Ｕ－ｐｌａｎｅにおける単位計算リソース当たりのユーザデータの処理性能（※）：研究開発開始時点で普及している製品（クラウド基盤上での動作を前提としていないもの）と比較して同等以上※例えば、「Ｇｂｐｓ／ＣＰＵコア」で表される処理性能。
Ｃ－ｐｌａｎｅにおける単位計算リソース当たりの制御信号の処理性能（※）：
研究開発開始時点で普及している製品（クラウド基盤上での動作を前提としていないもの）と比較して同等以上※例えば、「ＴＰＳ／ＣＰＵコア」で表される処理性能。ＴＰＳは、Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎ Ｐｅｒ Ｓｅｃｏｎｄを表す。
（a2）クラウド型ネットワーク統合管理・自動最適化技術の開発【システム技術開発】＜開発対象＞

情報通信ネットワークの機能がクラウド基盤を利用して提供されることを前提として、ＯＳＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ Ｓｕｐｐｏｒｔ Ｓｙｓｔｅｍ）及びＭＡＮＯ（Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ａｎｄ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｏｒｃｈｅｓｔ
ｒａｔｉｏｎ）に、アプリケーションの要求に応じたネットワークスライスを
無線アクセスネットワーク（ＲＡＮ：Ｒａｄｉｏ Ａｃｃｅｓｓ Ｎｅｔｗｏｒｋ）からコアまでエンドツーエンドで生成・管理する機能や、情報通信ネッ
トワークから収集した情報を基にリアルタイムで品質の監視・劣化予測等を行う機能及び当該予測等に基づきリアルタイムで計算リソースの最適配置を行う
機能等を搭載するためのソフトウェア技術※ＯＳＳは、情報通信事業者等による情報通信ネットワークの運用を支援するシス
テムを表す。
※ＭＡＮＯは、ＮＦＶ（Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｆｕｎｃｔｉｏｎｓ Ｖｉｒｔｕａｌｉ
ｚａｔｉｏｎ）において、ＮＦＶＩ（ＮＦＶ Ｉｎｆｒａｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、やＶＮＦ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）、ＯＳＳ等に指示を出しながら、ネットワークサービスやそれに必要な計算リソースの統合的な管理・制御を担うシステムを表す。
※ＮＦＶは、従来は専用装置により提供されていた情報通信ネットワークの機能を3

汎用サーバによる仮想化基盤上でソフトウェアとして実現する方式を表す。ＮＦ
ＶＩは、物理的な計算リソースを仮想化された計算リソースとして扱うための仮想化基盤を表す。ＶＮＦは、ＮＦＶＩ上で動作する仮想化された情報通信ネット
ワークの機能を表す。
＜開発目標＞

５Ｇ情報通信ネットワークの構築及び運用に関する自動化率（※）：研究開発開始時点の自動化率と比較して３０％以上向上※構築及び運用に必要な全作業量（例えば、「工数（人日）」で表される作業量）の
うち、自動化可能な作業量の割合を表す。
（b） 伝送路
ポスト５Ｇの伝送路には、データ伝送の遅延を短く保ちつつ、膨大なトラフィックの増加に対応するため、光伝送装置の大幅な性能向上が求められる。このため、伝送路上の光信号を高速で電気信号に変換（及びその逆変換）することが可能な光伝送装
置、光伝送装置内においてデジタル信号の高速処理を担うＤＳＰ（デジタル・シグナ
ル・プロセッサ）、膨大な情報を高速かつ省電力で書込み・読出し可能な不揮発性メモ
リ等に関する技術を開発する。
具体的な開発テーマは、以下の通りとする。
（b1）光伝送システムの高速化技術の開発【システム技術開発】＜開発対象＞

１波長当たり最大伝送速度１Ｔｂｐｓ以上の光伝送装置を実現する技術（当該装置を実現するためのデバイス・ソフトウェア等を含む）

伝送路運用（伝送品質、伝送リソース、消費電力 等）の自動最適化技術＜開発目標＞

光伝送装置における１ポート（１Ｔｂｐｓ以上）の消費電力性能：１２０ｍＷ／Ｇｂｐｓ以下（b2）光伝送用ＤＳＰの高速化技術の開発＜開発対象＞

デジタルコヒーレント光伝送で用いる最大伝送速度１Ｔｂｐｓ以上のＤＳＰを実現する技術＜開発目標＞

ＤＳＰの消費電力性能（Ｗ／ｂｐｓ）：研究開発開始時点で普及している製品と比較して１／５以下（b3）微細化の進展に対応した高速不揮発性メモリ技術の開発＜開発対象＞

５ｎｍ以降のロジック半導体製造プロセスに対応した不揮発性メモリアレイを実現する技術（当該メモリアレイを実現するための素子を含む）※当該メモリアレイを用いることにより実現可能な新たな光伝送技術についても、
必要に応じて、開発対象に含めることが可能。
＜開発目標＞

メモリアレイの１ビット当たり書き込み時間：１０ｎｓ以下

メモリアレイの１ビット当たり書き込みエネルギー：１ｆＪ以下

4

メモリアレイの書き換え可能回数：１０１５回以上（c） 基地局
ポスト５Ｇの基地局には、広帯域である高周波数帯の無線リソースを有効利用するため、多数の端末との同時接続を実現する高度なビーム制御が求められる。また、基地局内で膨大な信号を低遅延で処理するため、基地局内部においても高い伝送速度を確保することが求められる。加えて、遠方まで届きにくい高周波数帯の電波の利用に
より基地局の設置数が増加するため、基地局の無線ユニットやそこで用いられる高周波デバイス等の高出力化・小型化による省電力化、またソフトウェア化の進展によるコスト低減等が求められる。このため、高度なビーム制御機能を備え、省電力性能等に優れた基地局、基地局のソフトウェア化、基地局に搭載される高出力・小型の高周波デバイスや基地局内部の光配線化等に関する技術を開発する。
また、近年、基地局を構成する装置間の接続インターフェイスをオープンにすることにより、複数のベンダーの装置で基地局を構成し、調達の多様化を実現するための取組が進められているが、実際に多様なベンダーの多様な装置間での相互接続性を確保する上では、検証に必要なプロセスやツールが整備されていない等、技術的なハードルが存在している。このため、装置間の相互接続性の評価・検証等を行うための技術を開発する。
具体的な開発テーマは、以下の通りとする。
（c1）仮想化基地局制御部の高性能化技術の開発【システム技術開発】＜開発対象＞

３ＧＰＰの仕様（リリース１５～１７）に準拠し、ネットワークスライシングに対応した５Ｇ基地局制御部を汎用ハードウェア上で実現するソフトウェア技術※５Ｇ基地局制御部は、「ＣＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｕｎｉｔ）及びＤＵ（Ｄｉｓｔｒ
ｉｂｕｔｅｄ Ｕｎｉｔ）」を表す。
＜開発目標＞

５Ｇ基地局制御部に関する単位伝送速度当たりのＣＡＰＥＸ（設備投資コスト）
及びＯＰＥＸ（運用コスト）（円／ｂｐｓ）：研究開発開始時点で普及している製品（専用ハードウェアで機能を実現するもの）と比較して３０％以上削減

多数同時接続もしくは超低遅延の実現に寄与する５Ｇ基地局制御部の中核技術に関する性能：研究開発開始時点で普及している製品（専用ハードウェアで機能を実現するもの）と比較して３倍以上（※）※例えば、「５Ｇ基地局への端末の同時接続数：研究開発開始時点で普及している製品（専用ハードウェアで機能を実現するもの）と比較して３倍」といった形で設定。
（c2）基地局無線部の高性能化技術の開発【システム技術開発】＜開発対象＞

３ＧＰＰの仕様（リリース１５～１７）に準拠し、ビームフォーミング機能を備えた５Ｇ基地局無線部を実現する技術（当該装置を実現するためのデバイス・
ソフトウェア等を含む）※５Ｇ基地局無線部は、ＲＡＮの機能を低いレイヤ（Ｌｏｗｅｒ Ｌａｙｅｒ）で分割する場合には「ＲＵ（Ｒａｄｉｏ Ｕｎｉｔ）」、高いレイヤ（Ｈｉｇｈｅｒ

5Ｌａｙｅｒ）で分割する場合には「ＲＵ及びＤＵ」を表す。
＜開発目標＞

５Ｇ基地局無線部の単位システム容量当たり装置サイズ（ｍ３／（ｂｐｓ／Ｈｚ／ｋｍ２））及び消費電力（Ｗ／（ｂｐｓ／Ｈｚ／ｋｍ２））：（Ａ）研究開発開始時点で普及している製品と比較して装置サイズ１／２以下
かつ消費電力同等以下又は（Ｂ）研究開発開始時点で普及している製品と比較して装置サイズ同等以下かつ消費電力７０％以下※システム容量は、単位面積当たり・単位周波数帯域当たりの伝送速度（ｂｐｓ／Ｈｚ／ｋｍ２）を表す。

多数同時接続もしくは超低遅延の実現に寄与する５Ｇ基地局無線部の中核技術に関する性能：研究開発終了時点で想定される世界最高水準の性能（※）※例えば、「５Ｇ基地局への端末の同時接続数：Ｘ台／ｋｍ２」といった形で設定。
（c3）基地局装置間の相互接続性等の評価・検証技術の開発＜開発対象＞

Ｏ－ＲＡＮのインターフェイス仕様に準拠した装置について、異なるベンダーの装置間の相互接続性及び当該接続が情報通信ネットワーク全体に与える影響
を評価・検証するための技術（評価・検証等に必要なプロセス、ツール、ソフ
トウェア等を含む）

当該技術を開発するための評価・検証環境の設置※複数のベンダーの装置で基地局を構成する取組を、国際的に普及させる観点から、
当該評価・検証環境は、原則として海外に設置し、海外のユーザーのニーズを取り込みながら開発を実施する。
＜開発目標＞

海外における評価・検証環境の設置件数：１件以上

開発した技術を用いて相互接続性等の評価・検証を行った装置の組み合せ：
１０通り以上（c4）高周波デバイスの高出力・小型化技術の開発＜開発対象＞

高出力の基地局向け高周波ＧａＮデバイスの製造に用いる基板の結晶成長技術

当該技術を用いて製造する基地局向け高周波ＧａＮデバイス（Ｓｕｂ－６ＧＨ
ｚ帯向けデバイス及びミリ波帯（２８ＧＨｚ以上）向けデバイス）を実現する技術※当該デバイスを利用した増幅器や、基地局への当該増幅器の搭載を効率化する上で有効なモジュール化技術等についても、必要に応じて、開発対象に含めることが可能。
＜開発目標＞
Ｓｕｂ－６ＧＨｚ帯向け高周波ＧａＮデバイスの出力電力密度：２５Ｗ／ｍｍ
以上
ミリ波帯向け高周波ＧａＮデバイスの出力電力密度：１２Ｗ／ｍｍ以上（c5）高温動作可能な光接続技術の開発

6

＜開発対象＞

基地局（ＲＵ）のアレイアンテナシステム内に搭載可能なシリコンフォトニク
ス光トランシーバを実現する技術
当該トランシーバをＲＵのアレイアンテナシステム内に搭載し、アレイアンテ
ナとその制御回路等を光配線により接続するための実装技術（実装に必要なモジュール化を含む）※アレイアンテナシステムとは、アンテナアレイとその制御回路等から成るシステ
ムを表す。
＜開発目標＞
光トランシーバの消費電力性能：４ｍＷ／Ｇｂｐｓ以下
光トランシーバの最大伝送速度：１Ｔｂｐｓ／ｃｍ２以上

光トランシーバが正常動作可能な環境温度：１００℃以上（d） ＭＥＣ
ポスト５Ｇネットワークの低遅延性・多数同時接続とＩｏＴ、ＡＩ等の活用により多様な産業活動や国民生活のスマート化が期待されている。また、エッジの端末やセンサーで生み出される大量なデータの蓄積や解析の高度化、ＡＩ学習の高性能化の進展が予想されている。しかし、全てのデータをデータセンタ等のクラウドサーバーに送信し、解析、ＡＩ学習等をした場合、情報伝送に大量エネルギーとコストがかかり、ネットワーク負荷も多大になるとともに、ポスト５Ｇの特徴である低遅延性の実現が困難となる。このため、これまでのデータ集約・処理型のクラウドサーバーに加えて、基地局制御部や５Ｇコアネットワークの設置場所等、よりユーザーに近いエリアでのデータ処理を可能とするＭＥＣサーバーの普及が求められる。また、低遅延ネットワークを実現するためには、ＭＥＣ、ネットワーク構成機器、ＭＥＣと情報通信するエ
ッジデバイス自体の高性能化も求められる。これらＭＥＣサーバーやネットワーク機
器、エッジデバイスのコンピューティング性能を決定づける重要な役割を担っているのが、大規模・高性能・低消費電力な先端ロジック半導体や、広帯域化で低遅延な大容量メモリモジュールである。
そこで、ＭＥＣを用いた低遅延処理の実現に向けて、最先端のプロセスノードを適用した大規模先端ロジック半導体の設計技術を開発するとともに、大容量・広帯域なメモリシステムを開発する。
（d1）ＭＥＣ向け大規模先端ロジックチップ設計技術の開発＜開発対象＞

先端ロジック世代（3nm ノード以降※）のＡＩ処理可能なＳｏＣ設計技術、ス
ケーラブルなマルチチップシステム（２．５次元・３次元実装、チップレット
パッケージ等の SiP(System in package)モジュール）を実現するための設計技
術、システムアーキテクチャ技術、テスティング手法を含むその他の関連する設計環境の開発。
※IEEE の IRDS（International Roadmap for Devices and Systems）2020 中の「Logic industry “Node Range” labeling (nm)」における「3」以降を意味する。
＜開発目標＞：3(Tbps/mm)/(pj/bit)以上
チップレット※1 間インタフェース性能（FOM※2）

SiP モジュール間の帯域：400Gbps 以上

7
AI 処理性能（チップレット単体）：20TOPS/W 以上

AI 処理性能（SiP モジュール）：300TOPS 以上※１ SiP 内の単体チップを意味する。
※２ Figure of Merit の略。１ビットのデータ伝送に必要なエネルギー(pJ/bit)で規格化した 1mm 当たりのデータ伝送量(Tbps/mm)。FOM 値が大きいほど高効率なシステムを意味する。
（d2）ＭＥＣサーバー向け広帯域・大容量メモリモジュール設計技術の開発＜開発対象＞

ビッグデータ処理向けの低消費電力かつ広帯域、大容量なメモリモジュールの設計技術＜開発目標＞

メモリモジュールの消費電力：４０Ｗ以下
メモリモジュールの容量：２ＴＢ以上
メモリモジュールの帯域：６４ＧＢ／ｓ以上② 先端半導体製造技術の開発（助成）
情報通信システムにおいては、装置内で信号の処理を行う半導体が極めて重要な役割を担う。現在、日本国内には、ポスト５Ｇを含む情報通信システムにおいて必要となる先端的なロジック半導体等（以下、「先端半導体」）の製造能力が無く、供給安定性等の観点で脆弱な状況にある一方で、ポスト５Ｇ以降の情報通信システムにおいては、先端半導体の重要性が更に増していくと考えられる。
このため、将来的に、情報通信システムで用いられる先端半導体を国内で製造できる技術を確保するため、先端半導体の製造技術の開発に取り組む。具体的には、パイロットラ
イン（一部の製造工程から成るリサーチライン、ウェハーを国内で相互に移送することにより一繋ぎのラインとして機能するものを含む。
）の構築等を通じて、国内に無い先端半導体及びその周辺デバイスの製造技術（ロジック半導体と組み合わせて動作するメモリや光デバイス等に関する技術、ロジック半導体を含む複数の半導体の実装技術等を含む。
）
を開発する。
先端半導体は更なる微細化が進展しつつあり、2020 年において最先端のロジック半導体は 5nm ノードに達するとともに、前工程の製造・プロセス技術は今後も微細化（MoreMoore）が継続し、高性能化・低消費電力化することが想定されている。
また、後工程の More than Moore 技術においても、2 次元高密度実装や 2.5 次元・3 次
元実装の進展、パッケージ基板の大面積化により、SiP（System in Package）としての高性能化やチップ間インターコネクトの帯域幅拡大が進みつつある。
加えて、ロジック半導体が十分に機能を発揮するためには、メモリ（SRAM、DRAM等）、ストレージクラスメモリ（MRAM、PCRAM 等）、ストレージ（NAND Flash 等）、
センサー（イメージセンサー等）等の周辺デバイスとの高速なインターコネクトの確保も不可欠であり、その帯域幅拡大やこれら周辺デバイス自体の性能向上（高速化・低消費電力化）によって、SiP 全体の性能向上が期待できる。
具体的な開発テーマは、以下の通りとする。
（a） 先端半導体の前工程技術（More Moore 技術）の開発
先端半導体は更なる微細化が進展し、IEEE の IRDS2020 によると、プロセスノー
ドは 2022 年に 3nm ノード、2025 年に 2.1nm、さらにその先では 2028 年、2031 年、

82034 年にそれぞれ 1.5nm、1.0nm、0.7nm へと進むことが予想されている。そして、微細化の進展に伴い、トランジスタ構造は FinFET からナノシートを活用した三次元構造や GAA（Gate All Around）構造へと変化、チャネル材料はシリコンゲルマニウ
ム（SiGe）やゲルマニウム（Ge）、2 次元材料が多用されるようになり、配線材料も銅（Cu）からルテニウム（Ru）へ変化する等、新構造と新材料を用いたトランジス
タへと変化していく。このため、半導体製造・プロセス技術全般について新規技術開発や抜本的な性能向上が必要となる。
そこで、2nm 以降のプロセスノードの先端半導体において求められる高性能な露
光・微細加工技術、成膜技術、アニール技術、エッチング技術、洗浄技術等のうち、特に新規開発や大幅な性能向上が必要となる製造・プロセス技術等（以下の開発対象
技術全てを含める必要は無い。）を開発するとともに、パイロットラインの構築等を通じて、微細加工を施した実ウェハーによる製造装置の評価・検証を実施し、国内に無い先端性を持つロジック半導体の製造技術を確立する。
＜開発対象※１＞

露光・微細加工技術（微細な三次元構造の加工・形成技術等）

成膜技術（新材料チャネル、新材料配線、極薄膜／多層積層技術等）

配線技術（微細孔への埋め込み、裏面配線等）

アニール技術（極薄膜対応技術、低熱履歴化技術等）

エッチング技術（新材料、新構造のエッチング技術等）

洗浄技術（微粒子／メタル濃度の極低濃度化等）

革新的な高生産性プロセス技術

先端半導体と一体として機能するメモリ（キャッシュ用途等）の製造技術

その他の重要な製造・プロセス技術＜開発目標＞
次世代（2.1nm や 1.5nm ノード※２）の先端半導体製造・プロセスにおいて求められる基本性能を具備する製造・プロセス技術を開発し、評価・検証すること。
（製造装置としての検証であり、先端半導体の実工場ラインでの検証までは必須としない。
）
なお、さらに先端的な次々世代（1.0nm ノード以降※３）の先端半導体において求められる技術開発を含める場合は、要素技術開発あるいは初期的な試作機の開発まで終えること。
※１ 括弧内は開発対象の技術例。
※２ IRDS2020 中の「Logic industry “Node Range” labeling (nm)」における「2.1」及び「1.5」を意味する。
※３ IRDS2020 中の「Logic industry “Node Range” labeling (nm)」における「”1.0eq”」以降を意味する。
実施に際しては、事業成果の最大化のため、必要に応じ、本事業で構築するパイ
ロットライン等は半導体の装置・部材メーカー等にも利用してもらい、そのフィードバックを得て更なる改善を行う等、可能な範囲でオープンイノベーションを推進するとともに、ユーザー企業・機関との連携、国際連携の推進、他の政府予算事業との連携によるシナジー効果の創出、成果報告会・ワークショップの開催等も行う。
なお、開発の実施に当たっては、個々の製造技術単体の開発に留まらず、先端半導体製造工場へ高い適用性を確保するため、開発期間全体を通じて、技術の将来的なユーザーにあたるファウンドリー企業や半導体デバイスメーカー等との連携体制

9

を積極的に構築し、最新のユーザーニーズを踏まえ、必要に応じて、研究開発内容を柔軟に見直す等、成果の最大化に取り組むこととする。
（b） 先端半導体の後工程技術（More than Moore 技術）の開発
ポスト５Ｇ情報通信システムにおけるクラウド・ＭＥＣサーバー等の高性能コンピューティング、及びエッジコンピューティングでは、多様なアプリケーションに対応するために、ロジック半導体の微細化の進展による高性能化はもとより、ロジック半導体と周辺デバイス（メモリ、センサー、AI チップ、RF 等）とを単一パッケージに統合する、2 次元高密度実装や 2.5 次元・3 次元実装技術の進展が不可欠である。特に、高性能コンピューティング向け実装技術ではパッケージ基板の大面積化や 3 次
元・高密度実装向けの新規の材料、製造・プロセス技術、アセンブリー・パッケージ
ング技術等が求められ、エッジコンピューティング向け実装技術では、小型・低実装
面積での高性能化、高機能化、低消費電力化を実現可能な製造・プロセス技術が求められるとともに、合わせてこれらの実装技術を支える共通基盤技術が求められる。
そこで、先端半導体において求められる、（b1）高性能コンピューティング向け実装技術、（b2）エッジコンピューティング向け実装技術、及び（b3）実装共通基盤技術（開発にあたり以下の開発対象に記載の技術全てを含めることは必須では無い。）の開発を実施し、これにより国内に無い先端性を持つ半導体の後工程技術（More thanMoore 技術）を確立する。
（b1）高性能コンピューティング向け実装技術＜開発対象＞

先端半導体の実装に必要となるパッケージ基板の大面積化、3 次元・高密度実装向け材料技術、製造装置等の開発とこれらに対応するアセンブリー・パッケ
ージング技術、その他の関連する重要技術。
＜開発目標＞

高性能コンピューティング向けの先端半導体（5nm ノード以降※１）の実装・パッケージング工程において求められる基本性能を具備する材料、製造プロセス
技術、実装技術等を開発し、パイロットラインの構築等を通じて、評価・検証すること。開発に当たっては、先端半導体の実工場ラインへの適用を見据えて、歩留まり向上やシステムとしての性能向上等を実現すること。
※ IRDS2020 中の「Logic industry “Node Range” labeling (nm)」における「5」以降を意味する。
（b2）エッジコンピューティング向け実装技術＜開発対象＞

大きさや技術ノードが異なる複数の半導体（ロジック、AI チップ、メモリ、センサー、RF 等）を３次元積層する革新的な貼り合わせ技術、微細化が進んだ半導体間を接続する狭ピッチ接続技術、広帯域・低損失インターコネクト技術、
積層対象の半導体の高性能化、その他の関連する重要技術。
＜開発目標＞

エッジコンピューティング向けの先端半導体の３次元実装技術において求められる基本性能（小型・低背化、低消費電力、高集積、多機能等）を具備する３次元実装技術を開発し、パイロットラインの構築等を通じて、評価・検証すること。開発に当たっては、３次元実装に係る実工場ラインへの適用を見据えて、歩留まり向上やシステムとしての性能向上等を実現すること。

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（b3）実装共通基盤技術＜開発対象＞

高性能コンピューティングやエッジコンピューティング向けの先端半導体実装
技術の実装技術を支える共通的な基盤技術のうち、特に新規開発や大幅な性能向上が必要となる以下の技術。
- 実装部材（例：パッケージ基板、封止材、放熱材、研磨剤等）- 実装部材を構成する材料（例：コア材、絶縁材料・フィルム、接合材料等）- 実装部材の製造・アセンブリー技術（例：パッケージ基板製造技術等）＜開発目標＞

先端半導体実装技術（5nm ノード以降）において求められる基本性能を具備す
る基盤技術を開発し、３次元実装に係る実工場ラインへの適用を見据えて、実用性の評価・検証をすること。
（部材・材料、製造装置としての検証であり、先端半導体の実工場ラインでの検証までは必須としない。
）
実施に際しては、事業成果の最大化のため、半導体装置・部材メーカー、学術機関
等との共同開発やその他の連携を推進する等、可能な範囲でオープンイノベーションを推進するとともに、必要に応じ、本事業で構築するパイロットライン等の活用による評価・検証、ユーザー企業・機関との連携、国際連携の推進、他の政府予算事業との連携によるシナジー効果の創出、成果報告会・ワークショップの開催等も行う。
③ 先導研究（委託、助成）
研究開発項目①②に関係するものであって、ポスト５Ｇでは実用化に至らない可能性があるものの、ポスト５Ｇの後半から５Ｇの次の通信世代（以下、「ポスト５Ｇ後半以降」）
にかけて有望と考えられる技術課題について、先導的な研究開発に取り組む。研究開発項
目①に関係する技術課題は委託事業、研究開発項目②に関係する技術課題は助成事業として実施する。
本研究開発項目では、研究開発終了時点において、実用化を前提とした研究開発への移行に向けた根拠データの取得等により、技術の確立の見通しを付けることを開発目標とする。また、開発対象は、ポスト５Ｇ後半以降にかけて情報通信システムに適用され、一定の市場シェア獲得のポテンシャルを有し、我が国の国民生活や経済、産業等への波及効果が期待される技術とする。
研究開発項目①に関係する具体的な開発テーマとして想定する開発技術は、（a）～（e）
についてそれぞれ以下の通りとし、これら開発テーマ毎に記載の開発対象の全てあるいは一部について研究開発を行う。
得られた研究開発成果については、５Ｇ将来仕様となる３ＧＰＰ等の標準化団体との連携を図ることとし、評価手法の提案、データの提供、標準化活動等を積極的に行う。
（a） ネットワーク関連技術
ポスト５Ｇ後半以降のネットワークにおいては、５Ｇの１０倍あるいは１００倍の高速化・大容量化・低遅延化・多数同時接続等に加え、超低消費電力化、高信頼性、自律性、拡張性、などの新たな性能が求められるとともに、多種多様の新たなサービスの要求に応じたＱｏＳ（Ｑｕａｌｉｔｙ ｏｆ Ｓｅｒｖｉｃｅ）が求められるため、仮想化
技術やＡＩ技術の高度化等による高速、高機能、柔軟かつ信頼性の高いネットワークのリソース分配制御技術や管理、運用技術、高精度な同期技術、クラウドサーバーやＭＥ

11

Ｃサーバーの低消費電力化技術が重要となる。また、今後、量子コンピュータ等の新原理に基づく高速計算機の登場が予想され、社会基盤の通信システムについても堅牢性が高くセキュアな通信が求められる。
これらに対応すべく、本開発項目では、多種多様なサービスに対応可能なコアネット
ワークからアクセスネットワーク、ＭＥＣ、基地局、端末まで、ネットワーク全体（あるいは一部）を統合的に管理する技術や、エンドツーエンドでのデータ到達時間の超低遅延を実現する技術、安全性の担保されたオープンソースのソフトウェア基盤技術、サーバーの超低消費電力化技術の開発等を行う。さらに、今後、新原理に基づく高速計算機等でも破ることができない、堅牢性の高いセキュアな通信を実現する暗号通信技術等についても開発を行う。
開発対象

開発技術例

ネットワーク統合

様々な不確実性を伴う状況下においても高信頼のネットワークやア

管理技術（超高信頼性）

プリケーションを実現するため、クラウド、ＮＷ、ＭＥＣ、端末・エッジに至るまで、各機器のリソース情報を把握し、処理の細分化、動的な処理の移行や最適配置、タスク・リソースの最適分配等を可能とする統合管理技術の開発、ＡＩ技術の高度な利用によるＳＤＮ（Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｄｅｆｉｎｅｄ Ｎｅｔｗｏｒｋ）制御、運用自動化技
術の開発

リアルタイム制御 多種多様なリアルタイム性が求められる用途における要求を満たす技術（超低遅延性） ため、有線区間、無線区間あるいはその変換部分、インターフェイス
部分での低遅延化を通じて、超低遅延性をエンドツーエンドで実現するための技術の開発
オープンソースソ
フトウェア技術（柔軟性・低コス

アプリケーション毎のスライシング、低消費電力化、完全ＳＤＮ化、
ＭＥＣ統合などの柔軟な制御の実現とポスト５Ｇ後半におけるロー
カル５Ｇの更なる普及や次の世代に向けて、安価に構築可能なオープ

ト）

ンソースをベースとしたコアネットワークソフトウェア技術等の開発

セキュア通信技術

量子コンピュータ等の新原理の高速計算機でも破ることができない、（超安全性）

堅牢性が高くセキュアな大容量通信を実現可能な量子暗号通信に資する小型チップ技術の開発、機密度の高い情報やプライバシー情報等
を端末・エッジ、ＭＥＣ等に留めながら求められる各種計算処理（例
えばＡＩモデル学習）を可能とするデータの最適配置やエッジ処理によるセキュリティ技術の開発

クラウドサーバー

クラウドやＭＥＣサーバーにおけるビット当たりのエネルギー効率

やＭＥＣサーバーの低消費電力化技術（超低消費電力性）

を飛躍的に向上するコンピューティングアーキテクチャの開発、当該アーキテクチャを利用してＡＩ主導のオペレーションを実現する高度な知性ネットワークの開発（b） 伝送路関連技術
ポスト５Ｇ後半以降の伝送路において、５Ｇの１０倍あるいは１００倍の高速化・大容量化・低遅延化・多数同時接続等を実現するためには、必然的に更なる大容量かつ高速な伝送技術が求められる。データ容量が増加するだけでなく、産業用途向けの低遅延性もミリ秒からマイクロ秒オーダの精度が求められ、エンドツーエンドでの性能要求を担保するには伝送路における高速大容量かつ低遅延の通信の実現が重要となる。このた12

め光伝送の更なる高速化、あるいは高速無線リンクの活用などの新たな伝送技術の開発が望まれる。
これらに対応すべく、本開発項目では、フロントホールに対応した大容量かつ低消費電力な光リンク技術、ＭＥＣの情報処理性能を飛躍的に向上する光インターコネクト技
術、メトロ・長距離網向け光伝送ネットワークの広帯域化技術の開発を行う。
開発対象

開発技術例

フロントホール（ＲＵ、ＤＵ間）向け光リンク技術

大容量（１アレイ・１波長あたり１Ｔｂｐｓ級以上）・低消費電力・低コストなレーザー素子と素子のアレイ化技術の開発、並びにそのフ
ロントホール向け光ファイバ伝送性能の検証

ＭＥＣ内通信向け
光インターコネク
ト技術

ＭＥＣの情報処理性能を飛躍的に向上させるためにプロセッサが実装される電子基板に光インターコネクトを一体的に集積し、ＭＥＣに搭載される光トランシーバとプロセッサ間等の通信の光化及び大容量化（１０Ｔｂｐｓ級）を省電力で実現可能とする光電子融合型集積技術の開発

メトロ・長距離網
向け光伝送ネット
ワークの大容量化技術

既存の波長帯域用の光送受信機や波長合分波器をそのまま活用しつつ光伝送の大容量化を実現するための波長の一括変換技術や先端的な波長、空間多重技術、システム技術等により伝送容量を低消費電力、低コストで数倍に拡大するメトロ・長距離網の大容量化技術の開発

光アクセスネット
ワークの仮想化技
術

ＲＡＮの基地局装置（無線部、制御部）と仮想化対応の光伝送装置が連動してスライスを構築し、サービス利用状況の変動に追従して動的に資源連携制御する技術や、多用なサービス毎に求められる品質レベ
ル（大容量、低遅延、多数接続）を踏まえ、トラフィック状況の学習と最適な資源予測により多様なサービスの品質の維持を可能とする
動的スライス構築制御技術（c） 基地局関連技術
ポスト５Ｇ後半以降の基地局においては、さらなる高速大容量通信が加速され、ミリ波のみならずテラヘルツ波を含む高周波かつ広帯域の電波利用が検討されている。しかし、その高周波の特性による直進性や伝搬損失の大きさなどの課題が存在し、基地局においては集積回路等のデバイス・材料レベルでの革新的な技術が求められる。これと並行し、コアネットワークにおいて先行している仮想化技術は、無線アクセスネットワー
クのＣＵ、ＤＵのみならずＲＵへと拡張することが予想される。
これらに対応すべく、本開発項目では、ミリ波・テラヘルツ帯の基地局に搭載可能な
新規のアンテナ技術やビームフォーミング技術、高周波や高速大容量伝送時に低損失な新規基板材料、ＲＦ－ＩＣ等の集積回路技術、信号増幅器技術、多数同時接続時の通信
品質向上技術の開発を行う。また、ソフトウェア基地局の自動最適化技術、ＣＵ・ＤＵ・
ＲＵを含めた基地局の仮想化、柔軟化に関する研究開発も実施する。
開発対象

開発技術例

新規アンテナ技術

高周波（ミリ波・テラヘルツ帯）の高精度計測に基づく、メタマテリ
アル等新規材料を用いたミリ波・テラヘルツ帯向けのアレイアンテナ
や反射板の設計・製造技術の開発及び新規アンテナの性能検証、ビー
ムフォーミングアンテナの小型化・低消費電力化技術の開発

ミリ波・テラヘル

ミリ波・テラヘルツ帯向けシリコン集積回路の高精度設計・評価技術13ツ帯向け集積回路技術の開発と動作検証、超低ノイズの広帯域発振器、超高速送受信機、評価技術の開発新規基板材料等の高機能材料技術

ミリ波・テラヘルツ帯の情報通信機器向けの低誘電率かつ低損失な次世代電子基板材料等、高機能材料技術の開発

基地局増幅器のた

４Ｇ、５Ｇ、さらには５Ｇの次の通信世代で想定される広い周波数帯

めの広帯域化回路技術

域をカバーすることが可能な基地局信号増幅器の広帯域化技術（従来比で数十倍）の開発、及び多数同時接続時の通信品質向上技術の開発

ソフトウェア基地

基地局ソフトウェアの一部機能のＨＷアクセラレータ化に際して、各局の自動最適化技術

アクセラレータの種別や用途に最適となるようソフトウェア等を自動的に変更する技術、異種ハードウェア混合システム（ＣＰＵ、ＤＳ
Ｐ、ＦＰＧＡ、ＡＳＳＰ等）において各ＨＷ要素に最適な機能分割を実現する自動最適化技術、基地局システムの能力を可視化する技術

基地局の仮想化、柔軟化技術

仮想化ソフトウェア基地局設備についてキャリア５Ｇとローカル５
Ｇとで共用すること等により低コスト化を可能とする技術、ローカル
５Ｇにおいて単一のコアで異なるベンダーの基地局を管理・制御する技術やＲＵの広帯域化技術の開発（d） 革新的応用システム技術
ポスト５Ｇ後半以降、産業のスマート化、物流、建築、農業、健康・医療、教育、
遠隔オフィス等、様々な分野で５Ｇや５Ｇの次の通信世代の利用を広げ、有効性を実感してもらうためには、新しく独創性に富む応用システム（アプリケーション）のユースケース開拓・拡大を進めることが重要となる。産業用途を鑑みると、低遅延・多数同時接続及び複数情報の同期技術などの性能要求がさらに高まり、ポスト５Ｇや５Ｇの次の通信世代の通信システムのインフラのみならず、そのシステム上でエンドツ
ーエンド通信を行うエッジ端末や応用システムも含めて開発し性能を担保する必要がある。一方、ポスト５Ｇや５Ｇの次の通信世代をさまざまな産業に普及させるためには、教師無し学習など新たなＡＩ技術を適用した自律的なネットワークの保守・運用技術の開発により、導入の敷居を下げる必要がある。
これらに対応すべく、本開発項目では、ポスト５Ｇ後半以降の情報通信システムを活用することにより新規に創出されるユースケースを特定し、エンドツーエンドで求められるエッジ端末や応用システム等における課題を明確化し、その課題を解決する技術を開発する。
開発対象

開発技術例

デジタルツイン実現のための高精度
測位・同期制御技

無線電波の到達時間差解析や画像等の高速解析による工場内での多数の機器・モノ・人等の３次元センチメートル単位測位や各種モビリ
ティ（自動車、鉄道、ドローン等）の位置測位によりデジタルツイン術を実現する技術及びミリ秒単位での高精度なリアルタイム機器制御
技術の開発

ＭＥＣ利用によるロボットにセンサ・アクチュエータ等の機能のみを残し、それ以外のアダプティブロボ
ット群リアルタイ
ム制御技術

機能をＭＥＣへ集約し、大容量・高速通信を介してロボットの位置・状態の認識、各ロボット及びロボット群の最適化制御を行う等、無線によりロボット群をリアルタイムに遠隔制御する技術の開発

その他の革新的応用システム技術

産業のスマート化、物流、建築、農業、健康・医療、教育、娯楽、遠隔オフィス等の分野において、ポスト５Ｇ後半以降の情報通信システ

14

ムにより新規のユースケースを創出するための基盤となる革新的な応用システム技術の開発（現状技術の組み合わせや実証のみの開発は対象外。広範なシステムに応用可能な技術開発を対象とする。）（e）ＭＥＣ関連技術
ポスト５Ｇネットワークの低遅延性・多数同時接続とＩｏＴ、ＡＩ等の活用により多様な産業活動や国民生活のスマート化が期待されている。このうち、低遅延性を実現するためには、これまでのデータ集約・処理型のクラウドサーバーに加えて、基地
局制御部や５Ｇコアネットワークの設置場所等、よりユーザーに近いエリアでのデー
タ処理を可能とするＭＥＣサーバーの普及が求められる。また、低遅延ネットワークを実現するためには、ＭＥＣ、ネットワーク構成機器、ＭＥＣと情報通信するエッジ
デバイス自体の高性能化も求められる。これらの取組を進めることによりデータの伝送距離の短縮、伝送量削減による低消費電力化が期待される。
このため、本開発項目では、ポスト５Ｇ後半以降のさらなる低遅延かつ低消費電力な情報通信システムを実現するため、ＭＥＣのみならず、ネットワーク構成機器、Ｍ
ＥＣと情報通信するエッジデバイス自体の低遅延化、高性能・低消費電力化に係る技術について以下の開発を行う。
開発対象

開発技術例

ＭＥＣを構成する
半導体、周辺デバ

ＭＥＣ向け半導体、周辺デバイス等の高性能化・低遅延化に係る設計技術、ＭＥＣ・クラウドサーバー向け高速な読み出し書き込みを実現

イス等の高性能化・低遅延化する広帯域、低遅延、大容量なメモリモジュール設計技術

ＭＥＣ内通信向け

ＭＥＣの情報処理性能を飛躍的に向上させるためにプロセッサが実

光インターコネクト技術【再掲】

装される電子基板に光インターコネクトを一体的に集積し、ＭＥＣに搭載される光トランシーバとプロセッサ間等の通信の光化及び大容量化（１０Ｔｂｐｓ級）を省電力で実現可能とする光電子融合型集積技術の開発

クラウドサーバー
やＭＥＣサーバー

クラウドやＭＥＣサーバーにおけるビット当たりのエネルギー効率を飛躍的に向上するコンピューティングアーキテクチャの開発、当該の低消費電力化技術（超低消費電力性）【再掲】

アーキテクチャを利用してＡＩ主導のオペレーションを実現する高度な知性ネットワークの開発

ＭＥＣ利用による ロボットにセンサ・アクチュエータ等の機能のみを残し、それ以外のアダプティブロボ 機能をＭＥＣへ集約し、大容量・高速通信を介してロボットの位置・ット群リアルタイ 状態の認識、各ロボット及びロボット群の最適化制御を行う等、無線ム制御技術【再掲】 によりロボット群をリアルタイムに遠隔制御する技術の開発

上記(a)～(e)とともに付随する周辺技術を合わせて開発することや、上記と同等レベル以上に重要な技術の開発があれば、追加的に実施可能とする。
研究開発項目②（助成）に関係する具体的な開発テーマとして想定する開発技術は、ポス
ト５Ｇの後半以降に有望と考えられる（a）～（b）の技術のうち、特に新規開発や大幅な性能向上が必要となる技術に関する先導的な研究開発やの探索型開発に取り組む。これら開発
テーマ毎に記載の開発対象及び開発技術例の全てあるいは一部について研究開発を行う。本

15

研究開発項目では、研究開発終了時点において、実用化を前提とした研究開発への移行に向けた根拠データの取得等により、技術の確立の見通しを付けることを開発目標とする。また、開発対象はポスト５Ｇ後半以降にかけて先端半導体製造技術に適用され、一定の市場シェアを獲得するポテンシャルを有し、我が国の国民生活や経済、産業等への波及効果が期待される技術とする。
（a） 先端半導体製造技術（前工程技術）
開発対象

開発技術例

先端半導体の前工

露光・微細加工技術、成膜技術、配線技術、アニール技術、エッチン

程 技 術 （ More
Moore 技術）

グ技術、洗浄技術、革新的な高生産性プロセス技術、先端半導体と一体として機能するメモリの製造技術等のうち、先端的な次々世代（1.5nm ノード以降※）の先端半導体において求められる要素技術（例）・次世代 EUV 向け部材・材料技術
・ナノシート積層構造の形成技術、洗浄技術
・トランジスタの 3 次元積層技術
・ナノシート構造向け二次元材料
・層間・配線間の次世代絶縁材料（Low-k 材料）
・薄膜・多層構造体のアニール技術
・低熱負荷処理プロセス技術
・次世代不揮発性メモリ技術、メモリ向け新材料技術（b） 先端半導体製造技術（後工程技術）
開発対象

開発技術例

先端半導体の後工程技術（More thanMoore 技術）の開

高性能コンピューティング向け実装技術、エッジコンピューティング
向け実装技術、実装共通基盤技術等のうち、先端的な次々世代（1.5nm
ノード以降※）の先端半導体の実装において求められる要素技術

発（例）
・実装部材（パッケージ基板、封止材、放熱材、研磨剤等）
・実装部材を構成する材料（コア材、絶縁材料・フィルム、接合材料、
ボールバンプ等）
・実装部材の製造・アセンブリー技術（パッケージ基板製造技術）
・パッケージ基板の高速・微細加工装置に係る要素技術
・超微細ハンダバンプ形成技術
・三次元接合・貼り合わせ技術や評価技術
・高周波対応可能なパッケージ封止材料※IRDS2020 中の「Logic industry “Node Range” labeling (nm)」における「”1.5”」以降を意味する。
（２） 研究開発期間
研究開発項目①～③は、原則として以下の期間で実施することとし、必要な場合には、個々の研究開発の性質等に応じて、柔軟に対応するものとする。
なお、研究開発終了時点で実用化に向けた課題が残る場合であって、終了時継続評価（実16施者の希望を踏まえて評価の実施有無を判断）の結果、必要性が認められた場合には、追加
的に継続研究開発（原則３年以内。ただし、基金設置期間に限る。）を実施することとする。
継続研究開発を希望する可能性がある場合、実施者は、公募に対する提案書に、想定される
継続研究開発の内容、想定される追加的な実施者及び再委託先、想定される研究開発費を記載することとする。
① ポスト５Ｇ情報通信システムの開発（委託）研究開発開始時点から原則３年（３６か月）以内とする。
② 先端半導体製造技術の開発（助成）研究開発開始時点から原則５年（６０か月）以内とする。
③ 先導研究（委託、助成）研究開発開始時点から原則３年（３６か月）以内とする。

４．成果最大化に向けた仕組み
社会への研究開発成果の普及を強く促すため、以下の取組を実施する。これらの取組の具体的な実施方法については、事前にＮＥＤＯが経済産業省商務情報政策局（以下、
「商務情報
政策局」
）に相談した上で、商務情報政策局が決定する。
（１） ユーザーのニーズ把握
研究開発の開始時点から、研究開発成果を利用するユーザーとの意見交換を行うとともに、ユーザーによる試作品の評価（利用サービスの提供を含む。）を積極的に実施することにより、研究開発期間全体を通じて、ユーザーのニーズ（技術面、コスト面 等）を適切に把握する。
当該ニーズを踏まえ、必要に応じて、研究開発内容を柔軟に見直すことにより、研究開発の方向性を最適化する。
特に、研究開発項目①における「システム技術開発」の開発テーマについては、研究開発
成果を海外に広く展開する観点から、国外ユーザーとの意見交換や当該ユーザーによる評価

17

を重点的に実施する。
（２） 研究開発期間中の製品化
ユーザーによる試作品の評価等を通じて、研究開発期間中に製品化の見込みが得られたものについては、研究開発期間中であっても研究開発の内容から一部を切り出し、早期の製品化に取り組む。
（３） 民間企業等による市場展開を促す仕組み
研究開発項目①における「システム技術開発」の開発テーマ（但し、ステージゲート審査等により、商務情報政策局及びＮＥＤＯの判断によって研究開発期間の途中で終了した開発
テーマを除く）については、実施者に対して市場展開を強く促す観点から、以下の研究開発費返還制度を適用する。
＜研究開発費返還制度＞
実施者は、公募に対する提案時に、以下に掲げる算出方法により費用対効果指標を設定することとし、費用対効果指標の設定値（以下、「設定値」）が１．０を超える場合に限り、提案を認める。その後、２０２７年度を目途に、費用対効果指標の達成状況を評価し、費用対効果指標の実績値（以下、「実績値」）が設定値を下回る場合には、実施者
はＮＥＤＯに対して「委託費受領額×返還率」の金額を返還する。
委託費受領額は、各開発テーマにおいて実施者が受領した全委託費から、加速など予算配分の増加額及び継続研究開発において受領した委託費を差し引いた金額を表す（研究開発費返還制度において、委託費受領額は常に同じ意味で用いる）。
返還率は、以下に掲げる方法により算出する。
達成状況の評価に用いる設定値は、提案時点の設定値を原則とするが、研究開発期間中の引き上げ、もしくは、著しい経済情勢の変動、天災地変その他不可抗力（パンデミック、紛争、政変、技術潮流の著しい変化 等）、又は研究開発開始時点で予測することのできない事由であって実施者の責任によらない事情があると商務情報政策局及びＮＥ
ＤＯが認めた場合の引き下げについては、変更を認める。
なお、高い目標への挑戦を促す観点から、設定値に応じて、開発テーマの予算規模（実施者による提案１件当たりの提案時委託費（継続研究開発において想定される研究開発費は含まない）の上限）を決定するとともに、採択後に行われる開発テーマの加速など
予算配分の増加や縮小、継続研究開発の必要性を判断する終了時継続評価に反映させる。
本制度を実施する上で必要な事業情報については、必要に応じて、実施者に対して提供を求める。
【費用対効果指標（設定値及び実績値）の算出方法】（a1）クラウド型コアの高度化技術の開発：
４Ｇコア及び５Ｇコア用ソフトウェアの売上高増加額／予算額（a2）クラウド型ネットワーク統合管理・自動最適化技術の開発：
ＯＳＳ及びＭＡＮＯ用ソフトウェアの売上高増加額／予算額（b1）光伝送システムの高速化技術の開発：
１波長当たり最大伝送速度２００Ｇｂｐｓ以上の光伝送装置の売上高増加額／予算額

18

（c1）仮想化基地局制御部の高性能化技術の開発：
４Ｇ基地局及び５Ｇ基地局の売上高増加額／予算額（c2）基地局無線部の高性能化技術の開発：
同上※予算額は、設定値を算出する場合には提案時委託費、実績値を算出する場合には委託費受領額をそれぞれ表す（研究開発費返還制度において、予算額は常に同じ意味で用いる）。
※費用対効果指標は、小数点以下第２位を四捨五入して算出。
※売上高増加額は、原則として、「２０２４年度から２０２６年度における各年度の売上高のうち、最も高いもの」から「研究開発開始前年度及び前々年度における売上高の平均値」を差し引いた金額を指す。
※実施者が財務諸表等の作成において採用している会計期間が政府の会計年度（４月１日～翌年３月３１日）と異なる場合であって、前者の期末が後者の年度末よりも前である場合には、前者の会計期間における売上高を用いて費用対効果指標を算出することができる。
※上記の売上高については、製品単体の他、必要に応じ、当該製品の導入等に係るシス
テム構築費、工事費、保守費、管理費、サービス利用料等を含めることができる（但し、製品単体の売上高以外を含める場合には、製品単体の売上高とその他の売上高のそれぞれを明示することとし、必要な場合には、その他の売上高の内訳も提示することとする）。また、売上高に、実施者の子会社や関連会社の売上高を含める場合は、原則として連結決算における売上高を用いる。なお、売上高の計上方法は設定値と実績値の算出時で、同じ条件で算出する。
【返還率の算出方法】
 ４．０ ＜ 実績値： ０％
 １．０＜ 実績値 ≦ ４．０： （４０ － １０ × 実績値）％
 実績値 ≦ １．０： ５０％
なお、上記は事業開始年度が２０２０年度の場合で記載したもの。事業開始年度が２０２
１年度以降となった場合は、上記の「費用対効果指標の達成状況を評価する年度（２０２７
年度）」は「開始年度の７年後の年度」と読み替える。また、上記の売上高増加額の定義に記載されている「２０２４年度から２０２６年度」は「事業開始年度の４年後の年度～事業開始年度の６年後の年度」と読み替える。
（４） 民間企業等による負担
研究開発項目②及び研究開発項目③のうち助成事業として実施する開発テーマについては、助成率（１／２）を導入し、民間企業に対して自己負担を求める。ただし、学術機関等（国公立研究機関、国立大学法人、公立大学法人、私立大学、高等専門学校、独立行政法人及びこれらに準ずる機関。（以下、「学術機関等」））に対する共同研究費については、定額助成とすることが出来るものとする。また、当該助成事業の交付先の委託先において間接経費を計上する場合は、必要に応じ、経費の執行用途等について事前に協議し、助成事業の目的に合致したものであることの確認を受けた上で執行することとする。加えて、学術機関等への共同研究費のうち、公共性・公益性があると認められた研究開発に要する費用については、収益納付の対象から除外できることとする。収益納付の具体的な計算方法等については、原則と19

して別紙の通りとする。これを踏まえ、事前にＮＥＤＯにて計算方法案を作成し、商務情報政策局の承認を受けた後に、決定するものとする。
また、研究開発項目①及び研究開発項目③のうち委託事業として実施する開発テーマについて、研究開発計画で設定した予算規模を超える研究開発費が必要となる場合には、予算規模を超える費用（以下、「自己開発投資額」）を自己負担すること及び研究開発終了後に当該負担の実績（以下、「実負担額」）及びその内訳をＮＥＤＯに対して報告することを、実施者が採択時に誓約することを条件として、実施を認める。なお、研究開発終了時点で、実負担額が「自己開発投資額 ×（委託費受領額／提案時委託費）」を下回る場合には、実施者はＮ
ＥＤＯに対してその差額を返還する。なお、実施者が自己開発投資額を負担して実施する研究開発においても、ＮＥＤＯからの委託費により取得・導入した機械装置、設計ツール、ソフトウェア等は、使用可能とする。

５．実施者の採択
本事業における研究開発の実施者は、ＮＥＤＯが公募（必要に応じて、複数回実施）により採択する。
（１） 予算規模研究開発項目①～③における開発テーマは、以下の予算規模（実施者による提案１件当たりの提案時委託費及び助成費（ＮＥＤＯ負担額、以降も同じ定義とする）の上限。継続研究
開発において想定される研究開発費は含まない）を原則として提案を公募する。
なお、公募による実施者の採択後、必要に応じて、以下の予算規模に限らず、研究開発の進捗や成果、情勢変化を踏まえた最新の事業化見通しとこれに向けた取組状況、費用対効果等を踏まえ、各開発テーマの予算配分の増加・縮小を実施する。
① ポスト５Ｇ情報通信システムの開発（委託）提案１件当たりの提案時委託費は、原則として以下を上限とする。
なお、「システム技術開発」の開発テーマについては、研究開発費返還制度の一環として、以下の方法で設定した変動率を導入するとともに、研究開発期間が１．５年（１８か月）以下の場合を除き、研究開発開始からステージゲート審査後３か月までに計上可能な提案時委託費は、研究開発期間全体の８割を上限とする。ただし、実施者の採択後、必要に応じて、予算配分の増加を実施する場合はこの限りではない。
（a1）クラウド型コアの高度化技術の開発： ７５億円×変動率（a2）クラウド型ネットワーク統合管理・自動最適化技術の開発： ７５億円×変動率（b1）光伝送システムの高速化技術の開発： ７５億円×変動率（b2）光伝送用ＤＳＰの高速化技術の開発： １００億円（b3）微細化の進展に対応した高速不揮発性メモリ技術の開発： ２０億円
（c1）仮想化基地局制御部の高性能化技術の開発： ４０億円×変動率（c2）基地局無線部の高性能化技術の開発： ７５億円×変動率（c3）基地局装置間の相互接続性等の評価・検証技術の開発： ７５億円
（c4）高周波デバイスの高出力・小型化技術の開発： ２５億円
（c5）高温動作可能な光接続技術の開発： ５０億円
（d1）ＭＥＣ向け大規模先端ロジックチップ設計技術の開発： ５０億円

20

（d2）ＭＥＣサーバー向け広帯域・大容量メモリモジュール設計技術の開発： ５０億円
【変動率の設定方法】
 ４ ＜ 設定値
： １００％
 １ ＜ 設定値 ≦ ４： （６０ ＋ １０ × 設定値）％
 設定値 ≦ １
： ０％
② 先端半導体製造技術の開発（助成）提案１件当たりの助成費、開発期間毎の助成費は、原則として以下を上限とする。ただし、波及効果が大きく一体として研究を行う必要があるが、上記の予算規模では十分な研究開発が行えない場合であり、採択審査段階における外部有識者の審査で認められた場
合には、必要額を十分に精査した上で、上記を超える予算規模を認めるものとする。
なお、これらの上限は、実施者の採択後、研究開発の進捗や成果、情勢変化を踏まえた最新の事業化見通しとこれに向けた取組状況等に係る総合的な評価を踏まえ、研究開発の加速（予算の増額）をする場合は、この限りではない。
加えて、開発予算では、開発に当たり必要となる製造装置群（評価・測定装置等を含む）
やガス・薬液等の供給設備、排気設備等のユーティリティ設備を導入したクリーンルーム
環境を必要に応じて国内に整備することができるものとする。
（a）先端半導体の前工程技術（More Moore 技術）の開発
提案１件当たりの提案時助成費は、原則として３８０億円以下とする。
（b） 先端半導体の後工程技術（More than Moore 技術）の開発（b1）高性能コンピューティング向け実装技術
提案１件当たりの提案時助成費は、原則として２５０億円以下とする。
（b2）エッジコンピューティング向け実装技術
提案１件当たりの提案時助成費は、原則として５０億円以下とする。
（b3）実装共通基盤技術（開発対象技術全てを開発する大規模な提案の場合）
提案１件当たりの提案時助成費は、原則として５０億円以下とする。
（開発対象技術のうち１つの技術を開発する場合）
提案１件当たりの提案時助成費は、原則として１０億円以下とする。
③ 先導研究（委託、助成）提案１件当たりの提案時委託費及び助成費は、原則として３億円以下とする。
（２） 採択方法
公募要領に合致する提案を対象に、一次採択審査及び二次採択審査を行った上で、実施者を採択する（本事業を実施する上で必要となる調査等に関する実施者を採択する際には、一次採択審査を行わない。）。一次採択審査は、施策目的との合致性等の観点から、商務情報政策局が行う。一次採択審査通過者に対する二次採択審査は、技術面等の観点（技術の実用化の観点を含む）から、ＮＥＤＯもしくはＮＥＤＯが設置する採択審査委員会が行う。ＮＥＤ
Ｏは、二次採択審査の結果を商務情報政策局に対して報告し、商務情報政策局から承認を受けた後、実施者の採択を速やかに決定し、実施者に対して採択決定通知を発出する。なお、採択に当たっては必要な条件（研究開発項目③「先導研究（委託、助成）」として採択すること 等）を付して条件付き採択とする場合がある。

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採択審査は非公開であり、外部からの審査経過に関する問合せには応じないこととする。
採択審査に当たって必要な場合には、提案者に対して、商務情報政策局またはＮＥＤＯからヒアリング等を実施する。
公募の締切から採択決定までの期間は、原則として５５日以内とする。採択結果について
は、ＮＥＤＯがホームページ等を通じて公表する。

６．実施体制等（１） 役割分担
本事業では、商務情報政策局が研究開発の方針決定等、ＮＥＤＯが研究開発の進捗状況管
理等、公募により採択された実施者が研究開発の実施を担う。
商務情報政策局は、本事業を実施する上での重要な方針（研究開発計画、予算配分 等）を決定するとともに、研究開発の進捗や技術動向・市場動向等を踏まえ、必要に応じて、研究開発計画等の見直しを行う。また、事業を円滑に進める観点から、必要に応じてＮＥＤＯ
や実施者に対して指示を行う。
ＮＥＤＯは、本事業を実施するための基金の設置及び当該基金の適切な管理、公募による実施者の採択、契約締結・助成金交付を行う。また、本事業の研究開発成果の最大化に向けて、実施者による研究開発の進捗状況管理（実施者による研究開発の進捗状況の把握、実施者に対する必要な指示、各種委員会の開催を通じた評価 等）や調査等、また、当該成果の普及に向けた広報等を実施する。
研究開発の実施者は、実用化や社会実装を見据えて研究開発に取り組む。当該実施者は、企業や研究機関等（以下、「団体」）のうち、原則として日本国内に研究開発拠点を有するものを対象とし、単独又は複数で研究開発を実施する。ただし、研究開発を実施する上で、国外の団体の特別な研究開発能力や研究施設等を活用する必要がある場合には、当該団体と連携して研究開発に取り組むことができる。
なお、本事業の実施に関する詳細（公募の進め方、採択審査における審査基準、各種委員
会やステージゲート審査等を含む研究開発の進捗状況管理の方法、調査・広報の内容、研究開発費返還制度における費用対効果指標の達成状況の評価方法 等）については、ＮＥＤＯ
が商務情報政策局に相談の上、商務情報政策局が決定する。
また、ＮＥＤＯは提案者及び実施者から受領した資料や営業秘密に係る情報（事業化計画
や売上高 等）については、組織内の実施体制を適切に構築した上、機密保持のために十分な措置を講ずるものとする。
（２） 研究開発の進捗把握・管理
ＮＥＤＯは、研究開発の実施者と緊密に連携し、各開発テーマの研究開発の進捗状況を把握する。また、外部有識者等で構成する委員会を組織し、定期的（年 1 回程度）に評価を実施し、開発目標の達成見通しを常に把握するとともに、予算の必要性や実施体制の妥当性を精査する。また、各開発テーマの研究開発の進捗状況、開発目標の達成見通し、成果の事業化の見通し等について、定期的に商務情報政策局に報告し、商務情報政策局からの指示に従い、必要に応じて、開発テーマ毎の予算配分の増加や縮小、実施体制の再構築等を行う。
また、研究開発を効率的かつ効果的に実施するため、商務情報政策局からの指示に従い、各開発テーマの研究開発開始から終了までの中間時点（研究開発項目①：研究開発開始時点

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から１．５年後、研究開発項目②：研究開発開始時点から２．５年後、研究開発項目③：研究開発開始時点から１年後～１．５年後）を目途に、ステージゲート審査を実施する。当該審査を通過しなかった開発テーマについては、審査後３か月を目途に研究開発を終了する。当該審査を通過した開発テーマについても、審査結果を踏まえ、必要に応じ、研究開発の加速、縮小、実施体制の変更（例：再構築、統合 等）、実施形態の変更（研究開発項目①から③への変更 等）等を行う。なお、当該審査等の委員会での評価に当たっては、研究開発の進捗
や成果、情勢変化を踏まえた最新の事業化見通しとこれに向けた取組状況、費用対効果等に係る総合的な評価を行う。
（３） 調査・広報
ＮＥＤＯは、本事業で取り組む技術分野について、国内外の技術動向、政策動向、市場動向等について調査（本事業において委託事業として実施）を行い、研究開発成果の最大化に向けた方策を分析・検討する。また、ＮＥＤＯは、シンポジウムの開催等を通じて、本事業の研究開発成果の普及に向けた広報に取り組む。

７．その他（１） 研究開発成果の取り扱い
実施者は、研究成果の普及に努め、ＮＥＤＯは、実施者による研究成果の広範な普及の促進に努める。
本事業の成果に依る知的財産や研究開発データの取り扱いについては、経済産業省が定める「委託研究開発における知的財産マネジメントに関する運用ガイドライン」及びその別冊である「委託研究開発におけるデータマネジメントに関する運用ガイドライン」に従うことを原則する。ＮＥＤＯが委託を行って実施する開発テーマについては、開発テーマ又は開発
テーマを構成する研究項目ごとに知財委員会を委託先に設置し、知財委員会において、研究開発成果に関する論文発表及び特許等（以下、「知財権」）の出願・維持等の方針決定等のほか、必要に応じて、知財権の実施許諾に関する調整等がなされるよう、ＮＥＤＯが助言・指導を行う。
（２） 実施期間
本事業を終了する時期は未定とし、５年に１回、見直しを行う。
（３） 事後評価
事後評価は、本事業の終了後に経済産業省が行う。
（４） 研究開発計画の見直し
商務情報政策局は、研究開発の進捗や技術動向・市場動向等を踏まえ、必要に応じて、研究開発計画（研究開発項目、研究開発期間、開発目標、実施体制 等）を見直す。

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＜研究開発計画の策定・見直しの履歴＞
 ２０２０年４月１３日
策定
 ２０２０年８月６日
改定（先導研究の開発テーマの設定）
 ２０２１年１月７日
改定（先端半導体製造技術の開発テーマの設定）
 ２０２１年２月４日
改定（ポスト５Ｇ情報通信システムの開発、先端半導体製造技術の開発、先導研究の開発テーマの設定）
 ２０２１年３月９日
改定（収益納付額の計算方法の追記）
以上

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（別紙）
収益納付額の計算方法

収益納付額＝（Ａ－Ｂ）× Ｃ／Ｄ － Ｅ
Ａ：収益額（補助事業に係る製品・部品等における営業損益等（売上高ー製造原価ー販売管
理費等）の各年度の累計）
Ｂ：控除額（補助対象経費）
Ｃ：補助金確定額
Ｄ：補助事業に係る支出額（補助事業に要した経費と補助事業終了後に追加的に要した経費の合計）
Ｅ：納付額（前年度までの収益納付を行っている場合の当該納付額）（注１）相当の収益が生じた場合とは、収益［Ａ］－控除額［Ｂ］＞０となる場合をいう。
（注２）収益［Ａ］の計算にあたって、製品・サービス等に対する補助事業の寄与が一部である
場合は、公正妥当な寄与率を収益に乗じた額を用いる。例えば、寄与率には当該収益を得るために要した投資総額（当該製品・サービス等の生産・実現に寄与した産業財産権やノウハウ等を生み出すために当該時点までに要した開発等経費を含む）に当該補助事業に要した経費総額が占める割合を用いる。
（注３）販売管理費等には、必要に応じ、補助事業に係る借入金の利息等金融費用を含むことができる（当該補助金に係る分として厳格に区分経理できる場合に限る）（注４）補助事業が複数年度に渡る場合は、補助対象経費、補助金確定額、補助事業に要した経費は、各年度の累計とする。
（注５）中小企業等において、補助事業に係る製品・部品等についての区分経理が難しい場合は、
収益［Ａ］は企業全体の収益ベースに算出したみなし額を用いることも認める。

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