Proceedings of the 12th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
August 5-7, 2015, Tsuruga, Japan

PASJ2015 THP076

SuperKEKB ダンピングリング用入出射キッカー電源の開発
DEVELOPMENT OF INJECTION AND EXTRACTION KICKER POWER SUPPLY FOR
THE SUPERKEKB DAMPING RINGS
Kaoru Tenjin

天神薫#, A), 徳地明 A), 菊池光男 B), 坂本裕 B) 多和田正文 B), Akira Tokuchi A), Mitsuo Kikuchi B), Yutaka Sakamoto B) , Masafumi Tawada B)
A)
Pulsed Power Japan Laboratory Ltd. (PPJ)
B)
High Energy Accelerator Research Organization (KEK)#, A)

Abstract
KEK has worked in research, development and construction of SuperKEKB in order to upgrade KEKB. The positron
beam produced by a linear accelerator (LINAC) cannot meet dynamic aperture restrictions of SuperKEKB, because its
positron emittance is oversize. Positron emittance needs to be damped, to pass reduce of C-Band. In this upgrade plans,
we construct Damping Ring (DR), and inject the beam lowering it to 1/100 of its original emittance. DR needs the kicker
power supply systems which can inject and extract the two bunches beams (each beams located interval is 96ns ) andwhose rise and fall time does not exceed 100ns. Especially, in order to extract high-quality beam from the DR, it is vitalto pass a high-precision electric current. This paper is regarding the development of two successive semi-sinusoidal pulse
current generator which is able to performs the functions of Output Peak Current 2.1kA, Output Stability 1.0×10^-3MAX, Switching Jitter 1ns MAX and Frequency of Repetition 50Hz.

1.

2.

はじめに

高エネルギー加速器研究機構では、衝突型加速器
KEKB のアップグレード(SuperKEKB)に向けて研究開発及び建設が進められている。 線形電子加速器(LINAC)で生成・加速された陽電子ビームはエミッタンスが大きすぎ、そのままでは SuperKEKB 衝突リングに入射できない。 このアップグレード計画では、ダンピングリング(DR)を建設し、陽電子ビームのエミッタンスを 1/100 以下として入射する。 DR
では立ち上がり・立ち下がり時間 100ns 以下で、96ns 離れた２バンチのビームを同時に入出射するキッカー電源が必要である。 特に、DR から質の良いビームを出射するためには、高精度の電流を電磁石に流すことが不可欠である。 本稿は、出力ピー
ク電流 2.1kA、ピーク電流安定度 1.0×10^-3 以下、スイッチングジッター 1ns 以下、繰返運転 50Hz を実現した 96ns 間隔 2 連正弦半波パルス電流発生電源の開発に関するものである。

SuperKEKB ダンピングリング

SuperKEKB では、LINAC で生成される陽電子のエミッタンスを十分に下げておくために、LINAC 途中に、新たに周長 136m の DR を建設する。 DR から取出された陽電子ビームは再度 LINAC に戻し、4.0GeV まで加速された後 LER に入射される。
DR のパラメータを table 1 に示し、DR の建設レイ
アウトを Figure 1 に示す。
Table 1: Damping Ring Parameters
Beam Energy

1.1 GeV# of Bunches

2

Emittance(injected)

4200 um(normalized)

Emittance(extracted)

10 um(normalized)

Figure 1: SuperKEKB injector LINAC.
___________________________________________# tenjin@myppj.com- 1181 -Proceedings of the 12th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
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3.

①及び②は、シーケンサを含めた制御ラックとともに、DR の地上に設置し、同軸ケーブル(20D)を介してトンネル内の③に接続される。

ダンピングリング用キッカー電源

3.1

目標仕様

SuperKEKB にてルミノシティ向上には、衝突点に充放電システムラックは、サイラトロンタンク内おいてビームを細く絞ることが重要となる。そのた の充電トランス 2 回路の充電電圧制御を行う充電制
めに、衝突リング(SuperKEKB LER リング）のダイ 御盤 2 ユニット、及びサイラトロン 2 回路の放電ト
ナミックアパーチャ（力学口径）は狭くなってしま リガを生成するグリッドパルサーユニットより構成う。その際、DR を出た後のパルス機器（キッカー される。充電制御盤の回路構成は、出力のピーク電磁石、セプタム磁石）に磁場安定度が必要となるた 流の安定度 0.1%以内を満足させるために、Figure 3
め、DR のキッカー電源においては、高精度の安定 に示すとおり、基準電圧出力として±2ppm/℃の精度 が 必 要 で あ る 。 又 KEKB-LINAC の 共 通 周 波 度を持つ 20bitDAC と充電トランス出力に接続され10.38MHz(=96ns)間隔の 1 パルス 2 バンチのパルス電 る分圧器出力との誤差増幅により 100kHz のフルブ源が不可欠となる。Table 2 Figure 2 に DR 用キッカー リッジインバータを PWM にて帰還制御し、サイラ電源の出力電流パルス応答の要求仕様を示す。尚、 トロンに印加する充電電圧を与える。
プリパルス、テールノイズに依る周回ビームへのキックについては、bunch-by-bunch フィードバックシステムにより、ビーム振動を抑制する予定である。
Table 2: Requirement of Output Current Pulse Forms
Parameters

Requirement Specifications

Pulse Formtwo successive
semi-sinusoidal pulse

Interval of Bunches

96ns (f=10.38MHz)

Pulse Repetition Freq.

50Hz MAX

Output Peak Current

2.1kAp MIN. *1

Output Stability

0.1% MAX.

Switching Jitter

1ns MAX.

Pre-Pulse Noise

5% MAX. *2

Tail Noise

5% MAX. *2

Figure 3: High voltage charger system.
グリッドパルサーユニットの回路構成は、希少 RI
ビームキッカー電源(理化学研究所 和光)にて実績のある回路構成[1]を踏襲し、放電トリガ信号を光信号にて入線可能とする様に O/E 変換ユニットを設けた。本 O/E 変換ユニットは、出力スイッチングジッターに大きく影響を及ぼすため、遅延温度ドリフト
500ps 以内、ジッター100ps 以内のモジュールを搭載した。本キッカー電源は、コマンド充電方式を採用し、充電トリガにて充電を開始し、約 10ms 後、放電トリガにてサイラトロンを放電させている*1 kicker for Injection: 1708Ap TYP.
kicker for Extraction: 1574Ap TYP.
*2 based on tR/tF<100ns

Figure 4 にサイラトロンタンクの内部構造を示す。

Figure 2: Output Current Pulse Forms.
3.2 設計構成
Figure 6 に DR 用入出射電源のブロック図を示す。
図に示すとおり、充放電の制御を司る①充放電シス
テムラック、充電トランス及びサイラトロン各 2 回路を内蔵する②サイラトロンタンク、パルストラン
ス及び磁気スイッチ各 4 回路の組合せにて一つの負荷コイルに接続される③磁気スイッチタンクから構成される。

- 1182 -Figure 4: Internal structure of thyratron tank.

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Figure 5 にサイラトロンタンクの内部構造を示す。

Figure 5: Internal structure of magnetic SW tank.

れる絶縁オイルタンクである。冷却はタンク上蓋に取付のφ12mm 銅管シームレスラジエータの水冷に拠る。サイラトロン交換などのメンテナンス性を考慮し、タンク内の全ての構成部品は、上蓋に吊り下げる構造とした。サイラトロンのスイッチングジッターを軽減のため、ヒーター及びリザーバーの電源は直流電源を用いている。
サイラロンタンクにて 2 バンチ間隔(96ns)の時間差を持って放電された高圧を約 30m の同軸ケーブル（20D-2V）を介して、各 2 対のパルストランス及び磁気スイッチにて同一負荷にて出力する。依って磁気スイッチスイッチタンク内には、4 組のパルスト
ランス及び磁気スイッチ回路が含まれ、各々を構成するファイメットコア飽和軽減 DC バイアス印加時のブロッキングコイルを具備する。冷却方法は、サイラトロンタンクと同様に、上蓋に取付のラジエータに拠る水冷である。
サイラトロンタンク、磁気スイッチタンクともに絶縁オイルは、ジメチルシリコンオイルを使用し、油面、油温、及び冷却水流量監視機能を有する。又オイル中の水分量を監視するポートを設けてある。

サイラトロンタンクは、昇圧比約 160 の充電トラ
ンスと分圧比 1：10000 の分圧器(出力は充電制御盤の帰還信号となる)及びサイラトロン各 2 回路が含まFigure 6: Block diagram of kicker power supply for DR/SuperKEKB.

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Table 3: Results of Factory Test Run @ PPJ

3.3 工場試運転結果
工場試運転結果を以下に示す。Figure 7～9 は磁気スイッチタンク内の出力に配置されたカレントモニター出力の波形である。Figure 7 に 1 パルス 2 バンチのパルス波形を示し、Figure 8 に充電電圧精度の指標として充電電圧の繰返計測のヒストグラム値、Figure 9 にスイッチングジッターを示し、結果の取り纏めを Table 3 に示す。

Parameters

Requirement
Specifications

Resultsof Test RunIntervalof Bunches

96ns

96ns

Pulse Repetition
Freq.

50Hz MAXCan be 50Hz
Operation

Output PeakCurrent

2.1kAp MIN.

~2.1kAp
Variable

Output Stability

0.1% MAX.

0.059%

Switching Jitter

1ns MAX.

0.379ns

Pre-Pulse Noise

5% MAX.

4.7%

Tail Noise

5% MAX.

3.4%

Test Conditions
20D-2V Coaxial Cable Length:27m 2wire
Thyratron Tank~Magnetic SW Tank

4.
Figure 7: Output current pulse forms.

Figure 8: Output stability.

今後の展望

Table 3 に示すとおり、工場試運転にて目標仕様どおりの特性を確認できた。次のフェーズとして、キッカー用セラミックダクト、チタン薄膜コーティ
ングの厚さの評価などを経て、本年度(2015 年)中に、DR に設置完了する予定である。
本キッカー電源の放電素子は、サイラトロンを使用した。SuperKEKB では力学口径が小さいため、ビーム寿命が短いことが予想されている。そのため常時ビームを入射して、衝突リングを回っているビーム電流を一定に保つ必要がある。本キッカー電源も最大 50Hz で連続動作させるため、サイラトロン寿命及び 経年後の繰返し動作の安定度が懸念される。
KEK と PPJ では、サイラトロン代替の半導体スイッチ(SI サイリスタを使用)の研究開発を、既に進めている。今後 SiC 素子の採用等も考慮しつつ、サイラトロン代替の半導体スイッチの開発を加速させたいと考える。

参考文献[1] Keisuke Kise, et al., “Development of Fast Grid Pulser andRapid High-Voltage Charger for kicker System of RIKEN
Rare RI”, EAPPC 2014 5th Euro-Asian Pulsed Power
Conference Sep 8-12.2014 Kumamoto JAPAN.

Figure 9: Switching jitter.

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