Proceedings of the 11th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
August 9-11, 2014, Aomori, Japan

PASJ2014-SUP005

SuperKEKB 入射器コミッショニングの現状
PRESENT STATUS OF SUPERKEKB INJECTOR LINAC COMMISSIONING佐藤政則#, A), 明本光生 A)，荒木田是夫 A)，荒川大 A)，岩瀬広 A)，榎本收志 A)，福田茂樹 A)，古川和朗 A)，肥後寿泰 A)，本間博幸 A)，池田光男 A)，柿原和久 A)，風間慎吾 A)，片桐広明 A)，紙谷琢哉 A)，倉品美帆 A)，松下英樹 A)，松本修二 A)，松本利広 A)，道園真一郎 A)，三川勝彦 A)，三浦孝子 A)，宮原房史 A)，中島啓光 A)，
中尾克巳 A)，夏井拓也 A)，大沢哲 A)，小川雄二郎 A)，設楽哲夫 A)，白川明広 A)，諏訪田剛 A)，竹中たてるA)，田中窓香 A)，矢野喜治 A)，横山和枝 A)，吉田光宏 A)，臧磊 A)，張叡 A)，周翔宇 A)，菊池光男 A)，多和田正文 A)，三増俊弘 A)，飯田直子 A)，森隆志 A)，杉本寛 A)，小磯晴代 A)，船越義裕 A)，梶裕志 A)，森田昭夫 A)，
大西幸喜 A)，末武聖明 A), 佐藤大輔 B)
Masanori Satoh #, A), Mitsuo AkemotoA), Yoshio ArakidaA), Dai ArakawaA), Hiroshi IwaseA), Atsushi EnomotoA),
Shigeki FukudaA), Kazuro FurukawaA), Toshiyasu HigoA), Hiroyuki HonmaA), Mitsuo IkedaA), Kazuhisa KakiharaA),
Shingo KazamaA), Hiroaki KatagiriA), Takuya KamitaniA), Miho KurashinaA), Hideki MatsushitaA), Shuji MatsumotoA),Toshihiro MatsumotoA), Shinichiro MichizonoA), Katsuhiko MikawaA), Takako MiuraA), Fusashi MiyaharaA), HiromitsuNakajimaA), Katsumi NakaoA), Takuya NatsuiA), Satoshi OhsawaA), Yujiro OgawaA), Tetsuo ShidaraA), Akihiro
ShirakawaA), Tsuyoshi SuwadaA), Tateru TakenakaA), Tanaka MadokaA), Yoshiharu YanoA), Kazue YokoyamaA),
Mitsuhiro YoshidaA), Lei ZangA), Rui ZhangA), Xiangyu ZhouA), Mitsuo KikuchiA), Masafumi TawadaA), ToshihiroMimashiA), Naoko IidaA), Takashi MoriA), Hiroshi SugimotoA), Haruyo KoisoA), Yoshihiro FunakoshiA), Hiroshi KajiA),
Akio MoritaA), Yukiyoshi OhnishiA), Masaaki SuetakeA), and Daisuke SatohB)
A)
High Energy Accelerator Organization (KEK/SOKENDAI), Accelerator LaboratoryB)
Tokyo Institute of Technology (TITECH)

Abstract

The SuperKEKB project is aiming at the peak luminosity of 40 times higher than that by the KEKB project. Toward
SuperKEKB based on the nano-beam scheme, the electron/positron injector linac is now under upgrade for achieving ahigh intensity and a small emittance beam. For the low emittance and high intensity electron beam generation, we havedeveloped the new rf gun based on the noble scheme of quasi-travelling wave side-coupled rf cavity and the new laser
system. To increase the positron capture efficiency, the flux concentrator and large aperture S-band accelerating structure
have been manufactured and installed into the beam line. For the stable and fine beam control, many new devices are now
under development like the high precision BPM readout, fast rf monitor, rf deflector, and so on. The linac beamcommissioning started in the last October. The obtained maximum electron and positron bunched charges were 5.6 nC
and 0.18 nC, respectively, before summer shutdown. We report the injector linac commissioning status and future plan
together with the upgrade outline.
mm⋅mrad 以下であることが要求される。とりわけ電子ビームについては，ダンピングリングを用いずに[1-4]
現在 KEK では，KEKB 加速器 で達成した約 40 低エミッタンスビーム入射を実現する必要があるた[7-10]
を開発し，現在，倍のルミノシティーを目指し，SuperKEKB 加速器[5, め，新方式の光陰極 RF 電子銃
精力的に種々のビーム試験をおこなっている。また，6]の建設を進めている。このため，KEKB 加速器と比較して，蓄積電流値を約 2 倍にし，なおかつ衝突 陽電子ビームの収量増大を目指して，フラックスコ[11, 12]および大口径 S バンド加速管[13]点でのビームサイズを約 20 分の 1 に絞る必要があ ンセントレータ
る。SuperKEKB の電子陽電子入射器（以下，入射器） の開発・試験を進めてきた。これらと並行して，低には，大バンチ電荷量かつ低エミッタンスビームの エミッタンス陽電子ビーム実現のため，陽電子用ダ安定供給が求められている。電子（陽電子）ビーム ンピングリングの建設も進められている。この他，に要求されるバンチ電荷量は 5 nC (4 nC)であり， 安定なビーム入射を実現するために，ビーム位置モ[14]，高速 RF 制御[15]およKEKB 入射器と比較して約 5 倍のバンチ電荷量が求 ニタ用高精度データ収集系[16]められている。一方，ナノビーム方式を採用した主 びモニタシステム ，バケットセレクションを含む[17]
リングの低エミッタンス化にともない，入射器ビー 新タイミングシステム ，パルス四極電磁石，安全ムの垂直方向規格化射影 rms エミッタンスは 20 系システムの更新など，多数の技術開発をおこなっている。これらの機器開発・試験と並行して，昨年秋より，SuperKEKBへのビーム入射に備えた入射器# masanori.satoh@kek.jp

1.

はじめに___________________________________________- 932 -

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ビームコミッショニングを開始した。本稿では，入射器アップグレードの概要とあわせて，ビームコミッショニングに関する現状および今後の展望について報告する。

2.

SuperKEKB 入射器

2.1

概要

ASuperKEKB

10 nC x 2 (for LER)
5 nC x 2 (for HER)
5 nC x 1 (for PF-AR)
0.3 nC x 1 (for PF)

low emittanceRF gun1.5 GeV e-C

3.14 GeV e-

1.1 GeV e+

21e+ target

DR345e- Chicane
4.219 GeV

Figure 1: Layout of SuperKEKB injector linac.
Table 1: Main Parameters of KEKB and SuperKEKBInjector Linac
KEKBe-e+e-e+

2.3

Beam energy(GeV)

8

3.5

74

Bunch charge (nC)

11 (10*)54 (10*)Normalized verticalemittance(mm⋅mrad)

100

2100

2020

Normalized
horizontalemittance(mm⋅mrad)

100

2100

50100

Energy spread (%)

0.05

0.125

0.08

0.07

Bunch length (mm)

1.3

2.6

1.30.7陽電子生成標的は，KEKB 入射に使用していたものと同様，タングステン標的を使用する。これは，直径 3 mm，長さ 14 mm のタングステンを銅に HIP処理を用いて埋め込んだものである。電子ビームおよび陽電子ビームをパルス毎に切り替えるため，標的部の横に直径 2 mm の孔を設けている。入射用電子ビームはこの孔を通過させ，陽電子生成用 1 次電子ビームは標的に衝突させる。ビーム軌道の高速制御には，標的上流部のパルスステアリング電磁石を使用する。このような運転方式は，KEKB 運転時にすでに確立した。KEKB 運転時との大きな違いは，電子ビーム通過用の孔をビームライン中心に設けたことである。これは，低エミッタンス電子ビームが要求される SuperKEKB 入射を考慮し，横方向ウェイク場によるエミッタンス増大を極力避けるためである。
また，過度に絞られた大電荷量の 1 次電子ビームが標的に照射され，標的が破壊されることを避けるため，標的上流部にビームスポイラーを設置した。
これは，酸化アルミのスクリーンおよび純アルミの# of bunch

2Maximum beam
repetition (Hz)50

: Primary electron beam for positron production.

*電子源

KEKB へのビーム入射で使用していた熱陰極電子銃に変えて，大バンチ電荷量かつ低エミッタンスビームを生成するための光陰極 RF 電子銃を開発した。これは，疑似進行波管型空洞[7]，Yb 系レーザー[8]，および Ir5Ce 陰極[9]を用いた先駆的なシステムである。
疑似進行波管型空洞は，通常の空洞と比較して電極間距離を短くすることにより，強い収束電場を発生させることが可能である。これにより，高バンチ電荷電子ビームからの強い空間電荷力を打ち消し，生成電子ビームの低エミッタンス化が期待できる。
また，Yb 系レーザーシステムは，広い周波数帯域特性を持つため，時間方向でのパルス波形整形が可能である。Table 1 に示すとおり，SuperKEKB 入射器
では 0.1%以下のビームエネルギー広がりが要求されている。このため，縦方向のバンチ内粒子分布形状を，一般的なガウス分布ではなく，一様な矩形型分布にすることが望ましい。この様な操作は，従来のNd 系レーザーシステムでは実現が困難であった。
さらに，陰極に採用した Ir5Ce は，一般的に使用される LaB6 などに比べて高い量子効率(Qe ∼ 10-4)を持つ。また，低真空環境下においても表面状態が劣化しづらく，長寿命が期待される。これらの特性は，長期安定運転が要求される SuperKEKB 入射器に，最適な選択であるといえる。
陽電子生成用 1 次電子ビームとしては，従来と同様に 10 nC のバンチ電荷量が必要である。一方，
SuperKEKB 入射用低エミッタンス電子ビームおよびPF 入射用電子ビームには，それぞれ，5 nC および0.3 nC のバンチ電荷量が要求される。これらの電荷量をパルス毎に制御するため，異なるパワーに最適化したレーザーシステムを独立に構築し，必要電荷量に応じて打ち分ける予定である。

入射器は，100 m および 500 m の長直線部から構成される。これら 2 つの直線部は 180 度偏向ビームライン(J-ARC 部)により接続され，J 型の形状を示している。Figure 1 は，入射器のレイアウトを表している。また，Table 1 に KEKB および SuperKEKB 入射器の主要パラメータを示した。SuperKEKB へ向けた入射器アップグレードの主要開発項目として，RF電子銃，陽電子生成部，および陽電子用ダンピングリングの建設が上げられる。また，ビーム運転上の最重要課題は，大電荷ビームの低エミッタンス保存および安定供給である。
B

2.2- 933 -陽電子源

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mm⋅mrad 程度であると見積もられた。この結果は，100 種類の異なるミスアライメントの種に対する平均値であり，最大値は 100 mm⋅mrad 程度の値を示す
が，最小値は 10 mm⋅mrad 程度の値を保っている。これは，入射器終端でのエミッタンス増大が，ミスアライメントの種に強く依存することを示している。
100 種類の異なるミスアライメント姿態について，ビーム軌道を制御することにより，入射器終端部でのエミッタンス保存が可能であるかを検討した。
Figure 2 に，SAD コード[18]を用いておこなった計算機シミュレーションの結果を示す。機器のミスアライメントとしては，標準偏差 0.3 mm を仮定した。本図は，エミッタンス増大を避けるようなビーム軌道補正をおこなう前（赤）および後（青）について，2.4 低エミッタンス保存
入射器終端での規格化エミッタンスをプロットした
低エミッタンス電子ビーム生成のためには，2.2 節 ものである。また，要求されるエミッタンスを緑色で述べたとおり，新規に開発した RF 電子銃を用い の点線で示した。軌道補正には，J-ARC 部下流のスる。一方，陽電子ビームは重金属標的に電子ビーム テアリング電磁石 4 台を用い，垂直および水平方向を照射して生成する 2 次粒子であり，低エミッタン ビーム位置・角度を独立に制御した。
ス陽電子入射のためには現在建設中のダンピングリ
本シミュレーション結果より，機器のミスアライングが不可欠である。SuperKEKB の電子ビーム入射 メントが標準偏差 0.3 mm 程度であれば，適切なビーにはダンピングリングを用いないため，低エミッタ ム軌道を選ぶことにより，要求エミッタンスを満足ンス電子源とともに，高精度な機器のプレアライメ する解が存在することが示された。これは，エミッントが重要である。
タンス増大はエラー種に強く依存しており，ビーム要求されるエミッタンスに対して，機器のミスア 軌道を意図的に変えることにより，エミッタンス増ライメントがどの程度許容されるかについて，計算 大を緩和するようなエラー種に変えることが可能で機シミュレーションをおこなった。RF 電子銃から生 あることを意味している。
成されるバンチ電荷量を 5 nC，また，初期エミッタビーム軌道補正による低エミッタンス保存の可能ンスが 6 mm⋅mrad であると仮定し，加速管および四 性が確認できたとはいえ，機器のプレアライメント極電磁石がランダムにミスアライメントしている場 は依然として重要である。2011 年の東日本大震災以合を想定した。SuperKEKB では，20 mm⋅mrad 以下 降，機器の再アライメントを徐々に進めており，今の垂直方向規格化エミッタンスが要求される。この 夏期メンテナンス中にも精力的に進めている[19]。まエミッタンスを満足するためには，機器のミスアラ た，大震災によって多くの加速管架台が被災，変形イメントは標準偏差 0.1 mm 以下であることが要求さ したため，その復旧とあわせて耐震性を増強させるれる。しかしながら，全長 600 m に渡る入射器にお ための工夫を施している[20]。さらに，トンネル床面いて，0.1 mm 以下のアライメントは実現困難である。 の変動測定もおこない，多くの知見が得られつつあまた，ミスアライメントの標準偏差 0.3 mm を仮定し る[21]。特に，建屋の継ぎ目近傍において，傾斜計やた 場 合 ， 入 射 器 終 端 部 で の エ ミ ッ タ ン ス は 50 ダイヤルゲージなどを用いた測定結果から，最大 20µm 程度の日周期変動，および半月に渡るドリフト変動が見られた。さらに長期間のドリフトについても測定を継続している。
現在，ミスアライメントの実測結果を考慮した計算機シミュレーションも進めている[22]。また，長期安定な低エミッタンスビーム供給を実現するために，ビームラインが変動した場合を考慮した，動的なエミッタンス保存の方法に関する補正アルゴリズムの開発および計算機シミュレーションを進める計画である。
フォイルからなるものであり，標的上でのビームスポットサイズを意図的に広げるものである。また，スポイラー中心部においても，標的と同様に電子ビーム通過用の孔を設けている。
標的直後で陽電子を収集するために，フラックスコンセントレータ[11, 12]と呼ばれるパルスソレノイドを設置し，約 3.5 T の強磁場を生成する。また，フラックスコンセントレータ下流に位置する陽電子捕獲部には，大口径 S-band 加速管を 6 本設置した。大口径管の開口直径は S-band 加速管の 1.5 倍の 30 mmである。これらの組み合わせにより，KEKB 運転時の 4 倍に相当する陽電子ビームを主リングへの入射に供する。

2.5

Figure 2: Emittance preservation with and without beam
orbit manipulation for SuperKEKB injector linac. Thegreen colored dotted lines show the required normalizedemittance.

4 リング同時トップアップ入射

入射器は 2009 年 4 月，KEKB 電子・陽電子，および PF リングへの 3 リング同時トップ入射を実現した。これにより，KEKB および PF リングの蓄積電流値安定性は，それぞれ，0.05%および 0.01%を達成し，物理実験効率が飛躍的に向上した。一方，PF-AR リングは 1 日 2 回の定時刻入射をおこなっており，入射器パラメータの切り替え時間を含めると，約 20 分

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PASJ2014-SUP005間入射器を占有することになる。これは，ビーム輸送路を KEKB と共有していること，また，輸送路の電磁石システムが 6.5 GeV に対応していないことなどから，PF-AR を含めた同時トップアップ入射ができないことに起因する。
SuperKEKB のナノビーム方式運転においては，ビーム寿命が約 10 分程度しか見込めないため，20 分間のトップアップ入射中断でさえも運転効率を大きく減少させることになる。このような事態を避けるため，現在，PF-AR 専用のビーム輸送路を新たに建設中である。トンネル工事は既に完了し，機器のインストールおよびビームライン構築作業の準備を進めている[23]。

3.

コミッショニング

3.1

電子ビームコミッショニング

2013 年 10 月より，SuperKEKB へ向けた入射器の電子ビームコミッショニングを開始した。コミッショニングは，年末年始および 2014 年 3 月の保守期間を挟み，今年の 7 月 1 日まで続けられた。コミッショニング開始後もビームライン建設作業が継続したため，ビームコミッショニングは，主に夕方から夜間にかけておこなわれた。
空間電荷効果を緩和するため，低エネルギー部ではバンチ長を比較的長くすることが望ましい。このため，入射部にバンチ圧縮用のシケインを構築した。Figure 3 に，入射部のレイアウトを示す。シケインは，4 台の偏向電磁石から構成され，中央部にスクリーンモニタ，下流部にストリークカメラを設置し，ビームプロファイルおよびバンチ長の診断を可能とした。シケインによるバンチ圧縮を評価する

Figure 3: Layout of the new rf gun, laser hut, andchicane at the injector section.

Figure 4: Bunch length measured by the streak camera
downstream of chicane. Left and right figures show theresults without and with bunch compression,respectively.

Figure 5: Electron beam profile measured by the screen
monitor installed at the center of J-ARC. Left and rightfigures show the result without and with bunch
compression at chicane, respectively.

Figure 6: Example of quadrupole scan measurement forelectron beam emittance evaluation. Squared horizontal
beam size as the function of excitation current to thequadrupole magnet is plotted (red) together with fitted
curve (green).
ため，ストリークカメラによるバンチ長計測をおこなった。Figure 4 の左（右）図は，バンチ圧縮無し（有り）の測定結果を示している。この結果より，バンチ長が 30 ps から 10 ps 程度にまで圧縮されたことが見て取れる。また，バンチ圧縮の有無によるエネルギー広がりの変化を，J-ARC 部中央のスクリーンモニタにより観測した。Figure 5 の結果より，バンチ圧縮有りの場合，スポットサイズが小さくなっていることがわかる。これは，バンチ長を圧縮することにより，エネルギー広がりが抑制されたことを意味している。
また，入射部でのエミッタンスを評価するために，
Q スキャン法による測定をおこなった。これは，四極電磁石の磁場を変化させたときのビームプロファイル変化から，エミッタンスを算出するものである。
プロファイルの計測には入射部中央に設置したスクリーンモニタを用い，画像解析によりビームサイズを算出した。Figure 6 に，Q スキャン法による水平方向エミッタンス測定の 1 例を示す。本測定方式では，パルス毎のビーム変動が測定結果に影響するため，平均的な結果を表している。典型的な結果として，
水 平 （ 垂 直 ） 方 向 規 格 化 エ ミ ッ タ ン ス 20 (7)mm⋅mrad が得られた。
Figure 7 に，コミッショニング開始以降の電子ビームバンチ電荷量履歴を示した。電荷量計測にはBPM を用い，異なる 4 つの場所における測定結果を- 935 -Proceedings of the 11th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan
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プロットしたものである。これらは，入射器最上流 標値 5 nC)の電子ビームを観測し，入射器最下流では（黒），J-ARC 入口（赤），J-ARC 出口（黄緑）， 0.58 nC の電子ビーム輸送を達成した。また，新規におよび入射器終端部（青）の測定結果を示している。 構築した陽電子生成部を用いて，最大 0.18 nC の陽
これまでに得られた最大バンチ電荷量は，最上流部 電子ビームを観測した。
で 5.6 nC，入射器終端では 0.58 nC である。真空焼き
今秋 10 月から再開する次期コミッショニングでは，だしや機器の健全性確認を目的とした SuperKEKB 立 電荷量および安定度向上を目指した RF 電子銃用
ち上げ運転時には，1 nC 程度のバンチ電荷量が求め レーザーシステムの改善をおこなう。また，バンプられている。まずは，1 nC の電子ビームを安定して 軌道などを用いた入射器終端での低エミッタンス保入射器終端まで導くことが，最優先課題である。
存スタディーに本格的に取り組む予定である。

参考文献[1] T. Abe et al., “Achievements of KEKB”, Prog. Theor. Exp.
Phys. 2013, 03A001.
[2] M. Akemoto et al., “The KEKB injector linac”, Prog. Theor.
Exp. Phys. 2013, 03A002.
[3] A. Akiyama et al., “Accelerator control system at KEKB andthe linac”, Prog. Theor. Exp. Phys. 2013, 03A008.
[4] T. Abe et al., “Commissioning of KEKB”, Prog. Theor. Exp.
Phys. 2013, 03A010.
[5] Y. Ohnishi et al., “Accelerator design at SuperKEKB”, Prog.
Theor. Exp. Phys. 2013, 03A011.
[6] H. Koiso et al., “Construction Status of the SuperKEKBRings”, in these proceedings.
[7] T. Natsui et al., “Commissioning of High-Charge, LowEmittance, RF Gun for SuperKEKB”, in these proceedings.
[8] X. Zhou et al., “Laser system upgrade for RF gun atFigure 7: Electron beam charge history measured at theSuperKEKB”, in these proceedings.
several typical locations since October 2014.
[9] D. Satoh et al., “Research and development of hightemperature operating photocathode electron source for highbrightness electron gun”, in these proceedings.
3.2 陽電子ビームコミッショニング[10] R. Zhang et al., “Improvement of the laser system for RF2014 年 4 月に陽電子生成部のビームライン工事がGun at SuperKEKB injector”, in these proceedings.
完了し，引き続いて，陽電子ビームコミッショニン [11] L. Zang et al., “Design Optimization of Flux Concentrator
for SuperKEKB”, in Proceedings of IPAC’12, New Orleans,
グを開始した。2014 年 6 月 6 日には，新システムをUSA, May 2012, pp.1473-1475 (2012).
用いた初の陽電子ビーム観測に成功した。
[12] T. Kamitani et al., “SuperKEKB positron source construction
陽電子収量のフラックスコンセントレータ励磁電status”, in Proceedings of IPAC’14, Dresden, Germany, June流値，ブリッジコイル励磁電流値，および陽電子捕2014, pp.579-581 (2014).
獲部の電場・位相などに対する依存性を詳細に測定 [13] S. Matsumoto et al., “Large Aperture S-band Structures in
KEK Injector Linac”, in these proceedings.
した。さらに，陽電子生成標的上での 1 次電子ビー[14] R. Ichimiya et al., “Development of high position resolution
ム位置および角度の最適パラメータ探索をおこなっ
Linac BPM readout system towards the SuperKEKB”, in
た。これらのビーム調整を継続しておこなった結果，
these proceedings.
陽電子生成標的に照射する 1 次電子ビーム 0.6 nC に [15] Y. Yano et al., “RF CONTROL SYSTEM FOR SuperKEKB
INJECTOR LINAC”, in these proceedings.
対して，陽電子捕獲部では 0.18 nC の陽電子ビーム[16]
H. Katagiri et al., “RF MONITOR SYSTEM FORを観測した。また，入射器の主ビームラインからダSuperKEKB INJECTOR LINAC”, in these proceedings.
ンピングリングへの分岐点においては，0.12 nC の陽[17] H. Kaji et al., “Construction and Commissioning of Event
電子ビームを観測した。
Timing System at SuperKEKB”, in Proceedings of IPAC’14,
本コミッショニングでは，電力系・冷却水系の能Dresden, Germany, June 2014, pp.1829-1832 (2014).
力から，フラックスコンセントレータおよび DC ソ [18] Strategic Accelerator Design (SAD). (Available at:
http://acc-physics.kek.jp/SAD/. last accessed August 2014).
レノイドの励磁電流値は運転値の半分に制限されて[19] S. Ushimoto et al., “Present status of the alignment of KEK
いた。今夏の保守期間中にこれらの増強をおこなう
LINAC for SuperKEKB”, in these proceedings.
ため，秋から再開するコミッショニングにおいては， [20] K. Kakihara et al., “Supports of Accelerator Section of KEK
さらに高い磁場を用いたビーム試験を予定している。
Injector Linac”, in these proceedings.
陽電子ビームコミッショニングについては，他稿に [21] M. Tanaka et al., “Measurement of floor movement in theKEKB injector LINAC tunnel”, in these proceedings.
詳細な報告があるのでそちらを参照されたい[24]。
[22] S. Kazama et al., “EMITTANCE PRESERVATION IN
SUPERKEKB INJECTOR”, in these proceedings.
4. まとめと今後の課題[23] H. Takaki et al., “Construction project of a new beamtransport line for PF-AR”, in these proceedings.
2013 年 10 月より，SuperKEKB メインリング入射[24]
T. Kamitani et al., “Initial commissioning of SuperKEKBへ向けた，入射器ビームコミッショニングを開始しpositron source”, in these proceedings.

た。新規開発の RF 電子銃を用いて，最大 5.6 nC(目- 936 -