熱可塑性プラスチックポリマー

mr-I 7000E

mr-I 8000E

熱ナノインプリントリソグラフィー用硬化ポリマー

mr-I T85

mr-I PMMA **ガラス転移温度 Tg

硬化ポリマー

mr-NIL 6000

mr-I 9000E

mr-I 9000M

硬化前ガラス転移温度

40 °C

35 °C

35 °C

インプリント条件

インプリント温度（等温プロセス）30-50 bar、UV露光（広帯域またはi-line）

インプリント圧力

mr-I 7010E 100 nm
各種フィルム厚にすぐ使用できるソルーション mr-I 7020E 200 nm(3000 rpm) *mr-I 7030E 300 nm

mr-I 8010E 100 nm mr-I T85-0.3 300 nm 100 nm
mr-I 8020E 200 nm mr-I T85-1.0 1.0 µm 300 nm
mr-I 8030E 300 nm mr-I T85-5.0 5.0 µm 500 nm

140℃での2回目インプリント
ステップ
熱安定性向上オプション

各種フィルム厚にすぐ使用できる
ソルーション *mr-NIL 6000.1 100 nm
mr-NIL 6000.2 200 nm
mr-NIL 6000.3 300 nm

mr-I 9010E
mr-I 9020E
mr-I 9030E

賦形剤

賦形剤

ma-T 1045

ma-T 1045* 希望により各種フィルム厚提供。* * 低分子量(35kまたは75k）で提供。

* 希望により各種フィルム厚提供。

m r-I7 0 0 0 E

m r-I8 0 0 0 E

mr-I 8000E

m r-IT8 5

mr-NIL 6000

mr-I 9000E

100 nm
200 nm
300 nm

300 nm
500 nm
1.0 µmma-T 1045

mr-I 9000M

NILプロセス mr-NIL 6000
スピンコーティングおよびプリベーク
UV transparent mould
Release layer
Solid resist filmSubstrate

未硬化

ナノプリント@ Ti > T g
UV露光およびアニーリング

100nmトレンチ、ピッチ300&500nm
フィルム厚：200nm
インプリント：130℃,3 min,50bar

100nmトレンチ、ピッチ300nm、フィルム厚：200nm
インプリント：190℃,3 min,50bar

残留層厚< 10 nm

残留層厚< 10 nm

60nmトレンチ、200nmピッチ
フィルム厚：200nm
インプリント：135℃, 2min,45bar（LG Elite提供）

mr-I T85でインプリントされた吸収測定用完全デバイス（MIC、DTU、Nanotech提供）

100nmトレンチ、ピッチ300nm
フィルム厚：250nm
インプリント： 100 ℃, 30 bar

200mnドット
フィルム厚：200nm
インプリント：120 ℃, 50 bar

インプリント後200nmラインと100nmトレンチ、そして、その後のアニーリングを260 ℃に維持。

UV
硬化

mr-NIL 6000

パターン転写用 mr-I 7000E & mr-I 8000E
・非常に優れたインプリント特性- 高速ポリマーフローによる短サイクル時間- 低インプリント圧

用途
・ パターン転写プロセス用エッチマス
クNILプロセス
熱可塑性物質- 低残留層厚・ノボラックベースのフォトレジストに匹敵する高プラズマエッチ抵抗

・ 以下に対するナノパターンの生成：
大量データ保存、ナノ光デバイス、サブ波長光エレメント、光子クリスタル、マイクロディスプレイ、LED

スピンコーティングおよびベーキング
モールド高パフォーマンス抵抗

熱インプリントとUVナノインプリントの組み合わせ
短時間のインプリントサイクル時間、等温プロセス
同一温度でのインプリント、UVフラッド露光およびモールド分離
非常に低い残留層厚(<10 nm)
ノボラックベースのフォトレジストに匹敵するプラ
ズマエッチ抵抗

モールド分離 @ Ti < 硬化T g

用途・ パターン転写プロセス用エッチマスク
・ 永久構造（例：マイクロフルイディクスまたはオプティクス）
・ 単一層&複層システム

ポリマー

ナノインプリント@ T > T

実験室チップ、マイクロオプティクスおよびバイオアプリケーション用 mr-I T85
・非偏光熱可塑性物質（非常に高度な化学的安定性を持っている）
・インプリント中、低インプリント圧力の中での有利なフロー特性
・非常に優れたUV&オプティカルトランスペア
レンシー・ノボラックベースのフォトレジストに匹敵する高プラズマエッチ抵抗

mr-I PMMA
・低分子量(35k、75k）
・基本的ナノインプリント調査用

用途
・実験室チップシステム
・バイオ分野・マイクロオプティカル部品、導波路、マイクロフルイディクス用のナノパターンおよびマイクロパターンの生成

モールド分離@ T < T g

異方性塑性プラズマエッチ

異方性プラズマエッチ

NILプロセス基盤

2

mr-I 9030M
mr-I 9050M
mr-I 9100M

mr-I 9000E

パターン転写用・ 短時間のインプリントサイクル時間
・ インプリント中の熱硬化・ 非常に低い残留層厚(<10 nm)
・ ノボラックベースのフォトレジストに匹敵するプ
ラズマエッチ抵抗

mr-I 9000M

mr-I 9000E & mr-I 9000M
用途・ パターン転写プロセス用エッチ
マスク
・ 単一層&複層システム

スピンコーティング&プリベーク
Mould
Polymer
Substrate

ナノインプリント @ T > Tg& 熱硬化T⇒T

マイクロ生成&ナノ生成

・ ナノパターン&ナノパターンの同時インプリント
・ インプリントパターンの260 ℃までの高い熱安定性
・ インプリント中熱硬化・ 等温モールド分離

用途

モールド分離 @ T < T g硬化

・ マイクロ生成&ナノ生成の永久的用途（例：ナノインプリントモールド）・ 単一層&複層システム
異方性プラズマエッチ

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Materials for Nanoimprint Lithography

熱ナノインプリントリソグラフィー用熱可塑性プラスチック

3

スピンコーティング

スピンコーティング

分配、スピンコーティング

インプリント：室温プロセス、低インプリント圧(>100 mbar)、真空または低大気圧でのインプリント
UV露光：広帯域またはi-line、2、3秒の硬化時間

プロセス条件50 nm< 2< 30 nm> 2< 30 nm> 2

240 nm

100 nm
200 nm
300 nm

1.5 µm (スピンコーティング)

賦形剤

mr-T 1070

mr-T 1070

mr-T 1070

接着促進剤

mr-APS1

mr-APS1

mr-APS1

最少形状
アスペクト比50nm

各種フィルム厚にすぐ使用できるソルーション(3000 rpm) ** mr-UVCur21に関しては、希望により各種フィルム厚提供。

インプリントライン、30nm以下の解像度（AMO提供）

80nmライン、パターン深さ110nm（AMO提供）

300nmトレンチ、残留層厚< 10μm （Profactor提供）

・ 各種ナノインプリントツールとの互換性

用途

・ ウェハースケールまたはステップ&繰り返しインプリント・パターン転写プロセスのエッチマスク（乾湿エッチング）

・ 優れたインプリント特性：

・ナノパターンの生成

500nm平方が、インプリント後にSiO2に転写。CHF3プラズマ（FSU Jena提供）

UV-NILプロセス
スピンコーティングおよびソフトベーク
モールド
リリース層

Gesellschaft für chemische Materialien spezieller Photoresistsysteme mbH

ナノインプリントリソグラフィー用
マテリアル
ナノインプリントリソグラフィー用マテリアル
熱およびUVベースのナノインプリントリソグラフィー用ポリマー
・熱可塑性プラスチック
・硬化ポリマー（熱硬化性）
・UV硬化ポリマー

ナノインプリントポリマーの特徴
・優れた膜品質・各種基盤材のコーティング（例：Si、SiO2、AI）
・少なくとも50nmでの最少形状で実現可能（モールド解像度に依存）
・高度なパターン転写忠実性
・安全な溶剤〒590-0023 大阪府堺市堺区南三国ケ丘町2-2-74
日本総代理店

株式会社オーエステック

TEL : 072-221-2778
FAX : 072-221-2779
http://www.ostech.co.jp
Mail : sales@ostech.co.jp

ポリマ- データ保存基盤- ナノオプティカル装置、サブ波長オプ

室温でのインプリント

ティカルエレメント- フォトニック結晶- マイクロおよびナノフルイディクス

UV露光- マイクロ電子機器

UV光・ 高プラズマエッチ抵抗、酸素プラズマエ
ッチング後の残留なし

モールド分離室温時間© micro resist technologyGmbH | design by MANATEA mediendesign | 20 June 2008

温度

UV露光

圧力

硬化ポリマー

異方性塑性プラズマエッチ

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コーティング方法- モールドキャビティの高速注入により短サイクル時間- パターン解像度は30nm未満（mr-UVCur21、ポリマーではなく、モールドによって限定される）- 極低残留層厚(< 10 nm)- 短硬化時間、低UV量、各種UVランプ
およびフィルタシステムとの互換性

4

Materials for Nanoimprint Lithography

UV硬化ポリマー

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Materials for Nanoimprint Lithography

UVベースのナノインプリントリソグラフィー用UV硬化ポリマー