Negative photoresists

従来のパターン転写および単層リフトオフ

レジスト

m a -N 4 0 0

スペクトル感度300 - 380 n

薄膜eビーム：UVまたはUVパターン転写

m a -N 1 4 0 0
300 - 410 nm
2350 - 1900 mJ/cm

300 - 700 mJ/cm

各種フィルム厚にすぐ使用できるソルーション@ 3000 rpm

ma-N 405
ma-N 415
ma-N 420
ma-N 440
ma-N 490

ma-N 1405
ma-N 1407
ma-N 1410
ma-N 1420
ma-N 1440

熱安定性

0.5 µm
1.5 µm
2.0 µm
4.1 µm
7.5 µm現像液

0.5 µm
0.7 µm
1.0 µm
2.0 µm
4.0 µmmr-EBL 6000

mr-UVL 6000

感度120 - 250 µC/cm 2100 - 350 µC/cm 2210 - 420 mJ/cm 2-2 5 µC/cm 24 6 µC/cm 220 - 40 µC/cm 2-2400 - 550 mJ/cm

ma-N 2401
各種フィルム厚にすぐ使用できるソルーション ma-N 2403
ma-N 2405@ 3000 rpm

up to 110 °Cup to 160 °C

金属蒸着に対して110 °Cまで

金属蒸着およびスパッタリングに対して160 °Cまで

ma-D 332/S および
ma-D 331/S (NaOHベース)

ma-N 2400@ 10 keV@ 20 keV@ 50 keV
Deep UV [248 nm/ 254 nm][300 - 365 nm]
UV

2

照射線量@ 365 nm

レジスト

ma-N 2410

mr-EBL 6000.1
mr-EBL 6000.3
mr-EBL 6000.5

ma-D 525 (TMAHベース)
ma-D 332/ ma-D 331

現像液

ma-D 533/S (TMAHベース)

0.1 µm
0.3 µm
0.5 µm
1.0 µm

0.1 µm
0.3 µm
0.5 µmmr-UVL 6000.1
mr-UVL 6000.3
mr-UVL 6000.5

0.1 µm
0.3 µm
0.5 µm

mr-Dev 600 (溶液ベース)(NaOHベース)

ma-N 400

ma-N 1400

2μm厚 ma-N400のアンダーカットパターン

2μm厚 ma-N1400のアンダーカットパターン

ma-N 2400

tD = 90 s

tD = 120 s

tD = 65 s

tD = 100 s

0 μmアンダーカット

1.0 μmアンダーカット

0.6 μmアンダーカット

1.7 μmアンダーカット

300nm厚チェスパターン

mr-EBL 6000

100nm厚50 nm L/ S

100 nm厚80nmドット100nm厚80 nm L/ S

（全画像：IPMT/JenaおよびHMI Berlinにより提供）

従来のパターン転写用のma-N400およびma-N1400
物理的気相成長法（PVD）、金属スパッタリング及びリフトオフ

ma-N 2400およびmr-EBL 6000：パターン転写
これら2種類のシリーズは、主に電子ビーム・リソグラフィに使われる・調節可能パターンプロファイル：垂直からアンダーカット
・水性アルカリ現像
・高い－非常に高い熱パターン安定性・高い乾湿エッチ抵抗
・簡単除去

主な用途
・超小型電子技術およびマイクロシステム技術

・リフトオフ・リフトオフプロセス用マスク

・簡単除去

・半導体および金属用エッチマスク

・レジスト・パターンの高い熱安定性

基盤 (Si)

基盤 (SiO2 )コーティング、ソフトベーク

eビーム露光(+ PEB for
mr-EBL 6000)

・高乾湿エッチ抵抗

クロスリンクのフォトレジスト

mr-EBL 6000 高eビームセンシティビティ

現像

コーティング、ソフトベーク

・レジストパターンの非常に高い熱安定性
・高い乾湿エッチ抵抗

非露光露光

標準露光

・高解像度機能

リフトオフ・露光後ベーク

クロスリンクのフォトレジスト

・有機溶剤での現像

露光
クロスリンクのフォトレジスト

吸光係数

フォトレジスト・水性アルカリ現像

マスク

現像

現像

UVフラッド露光
Metallエッチ

PVD

波長レジストを除去

2eビーム&遠紫外線UVセンシティブ

・高解像度機能フォトレジスト
基盤 (SiO2 )
基盤 (Si)非露光

ma-N 2400

リフトオフ

RIE

レジスト除去パターン転写主に薄層ＵＶリソグラフィに使われる

主な用途

・高乾湿エッチ抵抗・マイクロ／ナノ・エレクトロニクスで使用

・レジスト・パターンの非常に高い熱安定性・半導体デバイスの製造

・高解像度機能・エッチング用マスク（例：Si、SiO2、Si3N4

・露光後ベーク・サブ100nmパターンの生成

・有機溶剤での現像

・ナノパターンでのスタンプの生成

mr-UVL 6000

www.microresist.com

これら2種類のシリーズは、主にPVDおよびリフトオフによるパターン転写に対する単一層レジストとして使われるものです。

または金属）

3Material

EpoCoreEpoClad

スペクトル感度365 nm

365 nm特徴

光学的に高度な透明なマテリアル
高度に粘性のあるマテリアル

高度に粘性のあるマテリアル）より柔軟性
ﬂのあるマテリアル、低屈折性インデックス

20 - 80 µm

20 - 140 µm

現像液

m r-D ev 6 0 0 (溶剤ベース)

熱安定性

u p to 2 3 0 °
C
<3%

収縮
EpoCore50 μm厚

EpoClad100 μm厚EpoCoreおよびEpoClad
従来のパターン転写およびポリマー導波路用・UVセンシティブなネガティブレジスト
・可視光線に対しては高い透過性

EcoClad、フラッド露光
基盤

・非常に高い熱安定性および圧力安定性
・高乾湿エッチ抵抗

EpoCore・有機溶剤での現像
EpoCoreのパターン化

主な用途

UV

・マクロシステム技術での光学的アプリケーショ・コアとしてのEpoCore／クラッド材としての
EpoClad

ラミネーション

・標準FR4基盤（10 x 10 cm ,8インチ）
・エッチマスク作成されたポリマー導波路の特徴EpoCore

EpoClad

屈折率 @ 830 nm

1 .5 8

1 .5 7

光学的損失~ 0 .2 d B /cm @ 8 5 0 n m-

高温度ガラス転移
ラミネーション後の優れた安定性© micro resist technology GmbH | design by MANATEA mediendesign | 20 June 2008

4

UV用ネガティブフォトレジスト&電子ビームリソグラフィー• ma-N 400• ma-N 1400
• ma-N 2400
• mr-EBL 6000 and mr-UVL 6000
• EpoCore and EpoClad
ネガティブフォトレジストの特徴
・各種用途に設計された各種ネガティブフォトレジストシリーズ- 従来のパターン転写- リフトオフプロセス- 永久マテリアルとして使用
・各種の粘性ですぐに利用できるソルーション〒590-0023 大阪府堺市堺区南三国ケ丘町2-2-74
日本総代理店

株式会社オーエステック

TEL : 072-221-2778
FAX : 072-221-2779
http://www.ostech.co.jp
Mail : sales@ostech.co.jp

EpoClad、フラッド露光・光導波路> 180°
CT > 185℃、圧力23 kp/cm2 およびリフローテスト 3x15s @ 230℃、TCT: 240x-40℃ to 120℃

www.microresist.com

ンに対して特にデザインされている

Gesellschaft für chemische Materialien spezieller Photoresistsysteme mbH

www.microresist.com

各種フィルム厚にすぐ使用できるソルーション

Negative photoresists for UV& electron beam lithography

Negative photoresists

低い光学的損失の標準的使用