ＧＴＥＭ Ｃｅｌｌ
Ｗｉｄｅｂａｎｄ ＆ Ｓｉｎｇｌｅ－Ｐｏｒｔ ＴＥＭ Ｃｅｌl

IEC61000-4-20 適合
Conforming to IEC61000-4-20

・・・・・・・

一般電子機器からＭＩＬスペック機器までテスト可能なスタンダードＧＴＥＭセル
現在と将来のニーズに対応する１８ＧＨｚ マイクロ波帯をカバー（オプション）
３００Ｖ/ｍ 以上のＥＭＳ試験（オプション）
パルスイミュニティテスト対応
３ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ法によるＦＣＣトレーサブルＥＭＩ評価測定
自動計測システムとの接続により高速試験対応
製品開発から品質管理まで幅広い用途に応じてカスタマイズ可能

・Standard type of GTEM Cell, enabled to test from general electronics devices to MIL specifications devices.
・Covers 18GHz micro-wave band corresponding to current and future needs.
・EMS test with more than 300V/m.
・Corresponding to immunity test of electromagnetic pulse.
・Measurement of FCC traceable EMI evaluation by 3-position method.
・Corresponding to high speed test by connecting with automatic measuring system.
・Possible to customize depending on wider application from product development to quality control.

ELENA ELECTRONICS CO., LTD.

General

GTEMの概要
エレナ電子は1991年ABB 社(Asea Brown Boveri Ltd.) とのライセンス契約によりGTEMセルを設計・製造し、多くのモデルをユーザーに届けています。その用途は、無線通信装置の性能評価はもちろん、不要輻射ノイズ測定や耐放射電磁界試験などのＥＭＣ試験やアンテナ・電界センサなどのキャリブレーションまで幅広く信頼性のある電磁環境試験装置として使われております。
GTEMセルの構造は、標準電界を発生させる装置としてNIST※で開発された同軸伝送路セル（TEMセル）の先端部を大きく拡大し、共振現象を発生させる平行部分をなくすとともに、高性能の終端装置を内蔵したものとなっています。これにより、他に類の無いDC～18GHzというワイドバンド化が実現しています。
また新しいEGTシリーズでは、シュミレーションによる理論データと実際のセルの性能を一致させる為に、他社に先駆け、新しくセルの標準性能解析方法を採用し、高性能化が図られています。
お客様の供試品にあわせ、6つの基本モデルをラインナップし、製品開発から品質保証業務まで、あらゆる用途でお使いいただけます。

Elena Electronics Co., Ltd. started design and manufacturing of GTEM cellunder the license agreement with ABB (Asea Brown Boveri Ltd.) in 1991 andhas delivered many models to users. Its application is wider and is used as
the reliable electro-magnetic environment test equipment for not only
performance evaluation of wireless communication devices, but alsomeasurement of unwanted emission noise, EMC test for radiated electromagnetic immunity, calibration for antenna and electric field sensor and etc.
Geometry of GTEM cell is formed that tip part of coaxial transmission route
cell (TEM cell) developed by NIST※ as the device to generate standard
electric field, is expanded larger by eliminating parallel part generating
resonance and high performance terminator is built-in. By that, unique wideband of DC-18GHz is realized. Also, in new EGT series, in order to coincide
logical data by simulation with performance of actual cell, standard
performance analysis method of cell is employed taking the lead in othercompanies and high performance is intended.
5 basic models are lined-up to meet customer’s EUT (Equipment UnderTest), so that use in several applications, from product development
to quality assurance, is possible.

※ NIST：米国連邦標準局※NIST：National Institute of Standards and Technology (USA)GTEMセルを用いたシステム [対象規格例]

System using GTEM cell [Example of corresponding standards]
・ＥＭＩ（Electro-Magnetic Interference） measurement[IEC61000-4-20 ] [ANSI C63.4(FCC) ] [SAE J1752/3 ]・Radiated immunity test
[IEC61000-4-20 ] [SAE J1113/24 ]・Calibration of electric field probe [IEEE Std. 1309 ]・Sensitivity measurement of wireless communication devices.
・Measurement of radiated power of wireless communication devices.
・Evaluation of shielding material.

・ＥＭＩ（不要輻射）測定 [IEC61000-4-20] [ANSI C63.4(FCC)][SAE J1752/3]
・放射イミュニティ試験 [IEC61000-4-20][SAE J1113/24]
・電界プローブの校正 [IEEE Std 1309]
・無線通信機器の感度測定
・無線通信機器の放射電力測定
・シールド材料評価＊シールド材料評価システムは、当社が考案した最新の測定方法によりマイクロ波帯までシールド材料の評価が可能です。 （ＥＬＥＮＡ－ＧＴＥＭ法）＊Evaluation system for shielding material allows up to microwave bandby up-to-dated measuring method developed by ELENA.
(ELENA-GTEM method)

システム構成例 (Example of System Configuration)
EMI Test

RX TestSignalGenerator

ReceiverController

EUT

Pre-Amplifier

EUT

SignalGenerator

FilterFilterTurn Table
Controller

SignalGenerator

AE

Turn Table
Controller
AEPower
SupplySystemController

Power
SupplySystemController

EMS Test

Shield Test
SampleSignalGenerator

InterlockRF
AmplifierDirectional
Coupler

PowerSensor
Power Meter

EUT

Monitor

SystemController

Test
Unit

Filter

Field
Monitor

AES21

Power
SupplyNetworkAnalyzer

EGT シリーズ仕様一覧 Specification of EGT Series
型名内部導体高 Available Height of Inner Conductor (mm)周波数帯域 Frequency
Range

EGT-200

EGT-250

EGT-350

EGT-500B

EGT-750

EGT-1100

2002503505007501000

不要輻射 Interference

10kHz～2GHz ※4

イミュニティ Immunity

DC～2GHz ※550Ω

インピーダンス ImpedanceLess than 1.6 (～6GHz)

ＶＳＷＲ
シールド特性 Shield CharacteristicMore than 60dB

RF Port ※1

N-Female (RF変換プラグ付) (Attached RF Converting plug)

ＲＦポート

使用可能供試品最大寸法
Usable Max. Size of EUT

精密測定供試品最大寸法
Max. Size of EUT for Precise Measurement

W

180

188

263

377565754

D180188263377565754

H

165

167233

334

500

667

W

134

167233334

500

667

D

134

167

233

334

500

667

H

6784

117

167

250

334

照明器・マスキングプレート・ケーブルガイドチューブ(内径φ25mm)
Lighting Device, Masking Plate, Cable Guide Tube(φ25mm)装備及び付属品 Equipment & Attachment

照明器・マスキングボックス・
ケーブルハウジングボックス(内径φ25mm)
Lighting Device, Masking Box,
Cable Housing Box (φ25mm)
片側2枚
2 for one side(500h /1000h)

片側1枚
1 for one side

扉 Door ※3

2245

60

300

520

620

A

1250

1650

2200

3100

4300

5200

B

620

865

1200

1850

2400

3100

C

410

900

1120

1800

2120

2600

D-350

350

540

540

300

E

240

240

320

575

790

575 / 819

F240

240

320

430600430 / 993

重量(約) Weight (Approx.)

外形寸法
Outer Dimension(寸法箇所は下記の図参照)(Characters A-F correspond to followingdrawings)※１ 高耐圧コネクタ(核磁気パルス対応など) はオプションです。
※2 ファンはオプションです。
※3 オプションで追加・変更することが可能です。
※4･5 上限周波数拡張は “Option”を参照してください。

※1
Connector withstanding high voltage is option.
※2
Fan is option.
※3
Possible to add or change by option.
※4･5 Refer to “Option” for extension of upper limit frequency.

<上面図 Top View><側面図 Side View>

EBFCDAOption
・上限周波数拡張

3GHz / 6GHz / ～18GHz (要相談)・ ICテスト用PCBマウント (4 ×4 in.)・ アクセスドア追加 (240 × 240)・ 排熱ファン
・ ラインフィルタ (AC250V 20A max., DC100V 100A max.)・ ケーブルガイドチューブ
・ ハイパワー対応 200V/m 試験 (要相談)・ インターロック用ドアセンサ (要相談)

Extension of upper limit frequency 3GHz/6GHz/～18GHz (Need consultation with ELENA)
PCB mount for IC test (4×4 inches)
Addition of access door (240×240 mm)
Cooling FanLine filter
Cable Guide tube
Corresponding to high power type
Door sensor for interlock特性データCharacteristic Data

VSWR特性3VSWR characteristic
2101000

2000

3000

4000

5000

6000

4000

5000

6000

周波数 Frequency [MHz]20.00

電界強度特性
Field strength Characteristic

10.00
0.00
-10.00-20.00
01000

2000

3000

周波数 Frequency [MHz]

セル入力電力と発生電界強度の関係（理論値）

ＧＴＥＭセル内の電磁波特性図

Relationship between cell input and generated electric fieldstrength (Theoretical value)

Electromagnetic Wave characteristic in GTEM Cell
セル内は、平面波の遠方電磁界モードである、ＴＥＭモードの垂直偏波を発生させます。

E

電界強度 Electric Field Strength

(V/m)

H

250

250
350
500
750
1100

200

150

Calculation expression of electric field strength against input power
理論式 Theoretical expression
VP×R
=√
E=hh
E : V/m 電界強度 Electric Field Strength
P:W
入力電力 Input Power
R:Ω
インピーダンス Impedance
h: m
導体高 (床面から内部導体までの高さ)
Conductor Height (Height from floor plane to inner conductor)
V:V
入力電圧 Input Voltage

50010
入力電力 Input Power100(W)1000

実際にアンプを選定する場合はケーブル等のロスを計算に入れます。
In case that amplifier is selected actually, loss of cables and others should be calculated.
(例) (Example)

E=

E : 10V/m
h: 1m
R : 50Ω
D : ロス1dBの場合0.891
ロス3dBの場合0.708※仕様及び外観は予告無く変更する場合がございますので、予めご了承下さい。
Specifications and appearance may be changed without prior notice.
●Licensed by Asea Brown Boveri Ltd. Baden, Switzerland●Made by ELENA Electronics Co., Ltd. Tokyo, Japan

ご用命はIn the Cell, vertical polarization wave ofTEM Mode, that is Far Electromagnetic
Field Mode of Plane wave, is generated

入力電力に対する電界強度値計算式

1001P

E : 電界(Electric Field)
H : 磁界(Magnetic Field)
P : エネルギー (Power)

V×D = √P×R ×D
hh

10V/m = √4W×50Ω ×0.708
1m0.891, if loss is 1dB
0.708, if loss is 3dB

ELECTRONICS CO.,LTD.

エレナ電子株式会社〒215-0033 神奈川県川崎市麻生区栗木2-7-1
TEL:044-712-8501 FAX:044-712-8502
2-7-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi Kanagawa
215-0033 Japan
E-Mail: sales@elena-e.co.jp
URL: http://www.elena-e.co.jp
2021.05