DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA /DTA115EKA / DTA115ESA

トランジスタ-100mA / -50V デジタルトランジスタ(抵抗内蔵トランジスタ)
DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA /DTA115EKA / DTA115ESA
z用途
インバータ、インターフェース、ドライバ
z特長1) バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。(等価回路図参照)
2) バイアス用の抵抗は薄膜により構成し完全にアイソレートしているため、入力を正にバイアスでき、寄生効果もほとんど生じない。
3) ON/OFF 条件の設定だけで動作するため、機器の設計が容易に行える。
4) 実装密度の向上を図ることができる。
z構造
PNP エピタキシャルプレーナ形シリコントランジスタ (抵抗内蔵)
z外形寸法図（Unit : mm）
DTA115EM

DTA115EE
0.71.61.20.32

0.55

0.20.30.80.8
1.20.4 0.4(2)0.130.5(1) IN(2) GND(3) OUT

0.8

ROHM : VMT3

ROHM : EMT30.22.01.01.10.40.70.20.8(3)1.62.82.1

標印略記号 : 194.00.1Min.

0.15

1.3(2)(1) GND(2) IN(3) OUT

各端子とも同寸法(1)0.95 0.95

ROHM : SMT3
EIAJ : SC-590.151.9

標印略記号 : 190.3Min.

1.25(1)(2)0.65 0.65(1) GND(2) IN(3) OUT

各端子とも同寸法2.0(15Min.)

3Min.

3.0

DTA115ESA

2.9DTA115EKA(3)

ROHM : UMT3EIAJ : SC-70(1) GND(2) IN(3) OUT

標印略記号 : 190.90.30.15

0.5 0.5

標印略記号 : 19DTA115EUA(1)

0.20.1Min.

0.2(1)(2)0.22

1.6(3)(3)0.45

2.50.50.45

5.0

ROHM : SPT
EIAJ : SC-72(1) (2) (3)(1) GND(2) OUT(3) IN

標印略記号 : A115ES

Rev.B

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DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA /DTA115EKA / DTA115ESA

トランジスタz包装仕様

Part No.

z内部等価回路図
パッケージ
包装名VMT3 EMT3 UMT3 SMT3SPT
テーピング テーピング テーピング テーピング テーピング

記 号
基本発注単位 (個)T2L8000TL
3000

T106
3000

T146
3000

TP
5000

−−−−−−−−−DTA115EM
DTA115EE−

DTA115EUA−−

DTA115EKA−−−

DTA115ESA

−−−

R1

IN

OUT

R2

GND (+)IN

OUT
GND (+)−−

R1=R2=100kΩ

z絶対最大定格（Ta=25°C）
SymbolLimits

Unit

VCC
VI

−50
−40~+10VV

IO
IC(Max.)−20−100150

PD

200mW

接合部温度

Tj

300
150°C

保存温度範囲Tstg−55~+150°C

Parameter
電源電圧
入力電圧
出力電流
DTA115EM / DTA115EE
許容損失

DTA115EUA / DTA115EKA
DTA115ESA

mA

z電気的特性（Ta=25°C）
Parameter
入力電圧

SymbolVI(off)

Min.

Typ.

Max.

−−−0.5VI(on)−3−−−0.1−−0.3

IO= −5mA, II= −0.25mAmAµA

VI= −5V−−

IO= −5mA, VO= −5V100130kΩ−12501.2−−MHz−

入力電流

II

出力電流

IO(off)−−直流電流増幅率
入力抵抗

GI

82−−−

R1
R2/R1fT ∗70
0.8−

VO= −0.3V, IO= −1mA

−0.15−0.5VO(on)利得帯域幅積VConditions
VCC= −5V, IO= −100µA

V

出力電圧

抵抗比率

Unit

VCC= −50V, VI=0V

VCE= −10V, IE=5mA, f=100MHz∗構成トランジスタの特性です。

Rev.B

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DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA /DTA115EKA / DTA115ESA

トランジスタz電気的特性曲線10m

VO=0.3V5m

OUTPUT CURRENT : IO (A)INPUT VOLTAGE : VI(on) (V)5020105
Ta= −40°C

Ta=25°C

21500m2m

1k

VCC=5V

VO=5V
Ta=100°C

500

DC CURRENT GAIN : GI

100

Ta=100°C

1m
500µTa=25°C

200µ100µ50µTa= −40°C

20µ10µ200

Ta=25°C

1005020
Ta= −40°C

1055µ200m

Ta=100°C

100m
100µ 200µ500µ 1m2m

5m 10m 20m

50m 100m

2500m

11.522.53

INPUT VOLTAGE : VI (off) (V)OUTPUT CURRENT : IO (A)Fig.1 入力電圧−出力電流(ON特性)

12µ1µ0Fig.2 出力電流−入力電圧(OFF特性)

110µ20µ50µ 100µ 200µ500µ 1m2m5m 10m

OUTPUT CURRENT : IO (A)Fig.3 直流電流増幅率−出力電流特性

IO/II=20/1

OUTPUT VOLTAGE : VO(on) (V)

500m
200m

Ta=100°C

Ta=25°C

100m
50m
20m

Ta= −40°C

10m
5m
2m
1m
10µ20µ50µ 100µ 200µ

500µ 1m2m5m 10m

OUTPUT CURRENT : IO (A)Fig.4 出力電圧−出力電流特性

Rev.B

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Appendix

ご注意● 本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。
● 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必ずご請求の上、ご確認下さい。
● 記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。従いまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。
● ここに記載されております製品に関する応用回路例、情報、諸データは、あくまで一例を示すものであり、これらに関します第三者の工業所有権等の知的財産権、及びその他の権利に対して、権利侵害がないことの保証を示すものではございません。従いまして（1）上記第三者の知的財産権の侵害の責任、又は、（2）これらの製品の使用により発生する責任につきましては弊社は、その責を負いかねますのでご了承ください。
● 本資料に記載されている製品の販売に関し、その製品自体の使用、販売、その他の処分以外には弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利について明示的にも黙視的にも、その実施または利用を買主に許諾するものではありません。
● 本品は、特定の機器・装置用として特別に設計された専用品とみなされるため、その機器・装置が外為法に定める規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。
● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。

本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような機器・装置（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を検討される際は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。
●輸出貿易管理令について
本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象となりますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。

Appendix1-Rev1.1