RV-3032-C7

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<RV-3032-C7>
I2C-Bus インターフェース
デジタル温度補償機能付き・
超低消費電流・温度センサ機能搭載
リアルタイムクロックモジュール<アプリケーションマニュアル>＜日本語訳版（初版)＞
原本発行元： Microcrystal AG
原本： 『RV-3032-C7 Application Manual Rev. 1.3 』 （英語）
原本発行日：2023年05月
日本語訳発行：株式会社多摩デバイス 営業技術部
初版発行日：2024年02月28日

May 2023

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Rev. 1.3

Micro Crystal

DTCXO 温度補償・センサ機能付き リアルタイムクロックモジュール

RV-3032-C7

目次
1.

概要 .................................................................................................................................................................................................................................... 7
1.1. 製品の概要............................................................................................................................................................................................................... 8
1.2. アプリケーション事例 ........................................................................................................................................................................................... 8
1.3. 型番指定方法 ......................................................................................................................................................................................................... 82.

ブロックダイアグラム............................................................................................................................................................................................. 92.1. 端子レイアウト ....................................................................................................................................................................................................... 10
2.2. 端子機能詳細 ........................................................................................................................................................................................................ 10
2.3. 機能概要 .................................................................................................................................................................................................................. 11
2.4. 保護回路ブロックダイアグラム ...................................................................................................................................................................... 123.

レジスタ構成 ............................................................................................................................................................................................................. 13
3.1. レジスタ記号の記載方法 ................................................................................................................................................................................... 13
3.2. レジスタテーブル .................................................................................................................................................................................................. 14
3.3. 時刻（1/100秒 ・秒・分・時間） 設定レジスタ.............................................................................................................................................. 17
3.4. カレンダ（曜日・日・月・年）設定レジスタ .................................................................................................................................................... 18
3.5. アラーム設定レジスタ ....................................................................................................................................................................................... 20
3.6. 繰り返しカウントダウンタイマ設定レジスタ ............................................................................................................................................... 21
3.7. ステータスレジスタ （フラグビット） ............................................................................................................................................................ 22
3.8. 温度センサ 及び EEF・EEbusy・CLKF・BSFフラグ ................................................................................................................................ 23
3.9. 設定（コントロール）レジスタ ............................................................................................................................................................................ 25
3.10. タイムスタンプ設定レジスタ ............................................................................................................................................................................. 28
3.11. クロック割り込みマスク・レジスタ ................................................................................................................................................................. 29
3.12. 外部イベント入力設定レジスタ .................................................................................................................................................................... 30
3.13. 温度アラーム閾値設定レジスタ ................................................................................................................................................................... 31
3.14. 下限温度検出時タイムスタンプ設定レジスタ ......................................................................................................................................... 32
3.15. 上限温度検出時タイムスタンプ設定レジスタ ......................................................................................................................................... 35
3.16. 外部イベント入力時タイムスタンプ設定レジスタ ..................................................................................................................................... 38
3.17. パスワード設定レジスタ .................................................................................................................................................................................... 42
3.18. EEPROMメモリ設定レジスタ ............................................................................................................................................................................ 43
3.19. ユーザ－RAM メモリ レジスタ ...................................................................................................................................................................... 44
3.20. RAMミラーレジスタを備えたEEPROMレジスタ ..................................................................................................................................... 45
3.20.1. EEPROM パワーマネジメントユニット (PMU) レジスタ................................................................................................................ 45
3.20.2. EEPROM オフセットレジスタ .................................................................................................................................................................. 46
3.20.3. EEPROM CLKOUT設定レジスタ ......................................................................................................................................................... 47
3.20.4. EEPROM リファレンス温度設定居レジスタ .................................................................................................................................... 49
3.20.5. EEPROM パスワードレジスタ ............................................................................................................................................................... 50
3.20.6. EEPROM パスワード有効化レジスタ ................................................................................................................................................ 51

3.21. ユーザーEEPROM .............................................................................................................................................................................................. 51
3.22. レジスタリセット初期値 ..................................................................................................................................................................................... 52
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4.

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各機能詳細 .............................................................................................................................................................................................................. 57
4.1. パワーオンリセット (POR) ................................................................................................................................................................................ 57
4.2. バックアップ電源自動切替え機能 .............................................................................................................................................................. 58
4.2.1. 電源切り替え機能をディセーブルにする ....................................................................................................................................... 59
4.2.2. ダイレクト電源切替え (DSM) ............................................................................................................................................................... 59
4.2.3. レベル電源切替え (LSM) ...................................................................................................................................................................... 60

4.3. チャージポンプ付きトリクルチャージ ........................................................................................................................................................... 61
4.4. プログラマブルクロック出力 ........................................................................................................................................................................... 61
4.4.1. XTALモードクロック出力の周波数の選択...................................................................................................................................... 62
4.4.2. HFモードクロック 出力の周波数の選択........................................................................................................................................... 62
4.4.3. クロック出力の周波数の変更 ............................................................................................................................................................. 63
4.4.4. 通常のクロック出力 ................................................................................................................................................................................. 63
4.4.5. 割込み信号イベント発生により開始するクロック出力 ............................................................................................................. 63
4.4.6. クロック出力開始から割り込み信号出力の間に遅延時間を発生させる（ウェイクアップ）....................................... 64
4.4.7. I2C通信が終了してからクロック出力が止まるまでの間に遅延時間を発生させる（スリープ）........................... 64
4.4.8. クロック出力の内部ロジック構成....................................................................................................................................................... 65

4.5. 時刻の設定及び読込み .................................................................................................................................................................................. 66
4.5.1. 時刻の設定 ................................................................................................................................................................................................ 67
4.5.2. 時刻の読込み ........................................................................................................................................................................................... 67

4.6. EEPROM の読み込み・書込み .................................................................................................................................................................... 68
4.6.1. パワーオンリセット (POR) リフレッシュ (全ての 『設定』 EEPROM の値 RAMへ書込み) .................................... 68
4.6.2. 自動リフレッシュ (全ての 『設定』 EEPROM の値 RAMへ書込み) ................................................................................ 68
4.6.3. アップデート (全ての 『設定』 RAM の値 EEPROMへ書込み) ......................................................................................... 68
4.6.4. リフレッシュ (全ての 『設定』 EEPROM の値 RAMへ書込み) ........................................................................................ 68
4.6.5. 1バイトのEEPROMへ書込む (EEDATA (RAM)  EEPROMへ書込み) ............................................................................ 69
4.6.6. 1バイトのEEPROMを読込む (EEPROM  EEDATA (RAM)へ書込み) ............................................................................. 69
4.6.7. EEBUSY ビットについて (EEPROM書込み中を表すビット）.................................................................................................... 70
4.6.8. EEF フラグビットについて（EEPROMへの書込みエラーを表すビット）................................................................................ 71
4.6.9. EEPROM の読み込み／書込み条件 .............................................................................................................................................. 71
4.6.10. 『設定』レジスタの使い方について .................................................................................................................................................. 72

4.7. 割り込み信号出力 ........................................................................................................................................................................................... 73
4.7.1. 割込み信号の出力について .............................................................................................................................................................. 73
4.7.2. 割込み信号出力の内部構成 ............................................................................................................................................................. 74

4.8. 繰り返しカウントダウンタイマ 割込み信号 ............................................................................................................................................ 77
4.8.1. 繰り返しカウントダウンタイマのダイアグラム.............................................................................................................................. 77
4.8.2. 繰り返しカウントダウンタイマ割込み信号の使い方 ................................................................................................................ 78
4.8.3. 1回目のカウントダウンタイマ間隔の時間誤差 ......................................................................................................................... 80

4.9. 定期更新割込み信号 ..................................................................................................................................................................................... 81
4.9.1. 定期更新割込み信号のダイアグラム ............................................................................................................................................ 81
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4.9.2. 定期更新割込み信号の使い方......................................................................................................................................................... 82

4.10. アラーム割込み信号......................................................................................................................................................................................... 83
4.10.1. アラームのダイアグラム ....................................................................................................................................................................... 83
4.10.2. アラーム割り込み信号の使い方 ....................................................................................................................................................... 84

4.11. 外部イベント入力 .......................................................................................................................................................................................... 85
4.11.1. 外部イベント入力ダイアグラム ......................................................................................................................................................... 86
4.11.2. 外部イベント割込み信号の使い方 .................................................................................................................................................. 87
4.11.3. エッジ検出 (ET = 00) ............................................................................................................................................................................. 88
4.11.4. フィルタリング（チャタリング除去）を用いたレベル検出 (ET ≠ 00) ................................................................................. 88

4.12. 下限温度検出割込..................................................................................................................................................................................... 89

4.12.1. 下限温度検出のダイアグラム ........................................................................................................................................................... 90
4.12.2. 下限温度検出割込み信号の使い方............................................................................................................................................... 91

4.13. 上限温度検出割込み信号 ........................................................................................................................................................................... 92
4.13.1. 上限温度検出のダイアグラム .......................................................................................................................................................... 93
4.13.2. 上限温度検出割込み信号の使い方 ............................................................................................................................................. 94

4.14. 自動バックアップ電源切替え割り込み信号 .......................................................................................................................................... 95
4.14.1. 自動バックアップ電源切替えのダイアグラム ............................................................................................................................. 95
4.14.2. 自動バックアップ電源切替え割込み信号の使い方 ................................................................................................................ 96

4.15. パワーオンリセット割り込み信号 .............................................................................................................................................................. 97
4.15.1. パワーオンリセットのダイアグラム ................................................................................................................................................. 97
4.15.2. パワーオンリセット割り込み信号の使い方 .................................................................................................................................. 98

4.16. 低電圧検出割り込み信号 ............................................................................................................................................................................. 99
4.16.1. 低電圧検出のダイアグラム ............................................................................................................................................................... 99
4.16.2. 低電圧検出割込み信号の使い方 ................................................................................................................................................ 100

4.17. タイムスタンプ（外部イベント入力）機能 .............................................................................................................................................. 101
4.17.1. 外部イベント入力時のタイムスタンプのスキーム .................................................................................................................. 102

4.18. 下限温度検出時のタイムスタンプ .......................................................................................................................................................... 103
4.18.1. 下限温度検出タイムスタンプ のスキーム ................................................................................................................................ 104

4.19. 上限温度検出時のタイムスタンプ ......................................................................................................................................................... 105
4.19.1. 上限温度検出タイムスタンプ のスキーム ................................................................................................................................. 106

4.20. 温度センサの基準温度の補正 ............................................................................................................................................................... 107
4.20.1. 基準温度値の決定方法 ................................................................................................................................................................... 107

4.21. 時刻同期 .......................................................................................................................................................................................................... 109
4.21.1. STOPビット の機能（ソフトウェアベースの時刻同期）.......................................................................................................... 109
4.21.2. "秒"レジスタへの書込み ................................................................................................................................................................ 111
4.21.3. ESYNビット の機能 （ハードウェアベースの時刻同期）....................................................................................................... 112

4.22. ユーザープログラマブル・パスワード ................................................................................................................................................. 114
4.22.1. 書込み禁止パスワードの設定 及び 解除.............................................................................................................................. 114
4.22.2. パスワードの変更 ............................................................................................................................................................................... 115
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4.22.3. パスワードロックのフローチャート....................................................................................................................................................116
5.

デジタル温度保証 ............................................................................................................................................................117
5.1. 内部各機能で使用する各周波数の温度補正の有無...................................................................................................................... 117
5.2. 温度補償の補正値 について....................................................................................................................................................................... 117
5.3. エージング補正 ................................................................................................................................................................................................ 118
5.3.1. オフセット値の決定方法 .................................................................................................................................................................... 118
5.3.2. CLKOUT端子出力での周波数精度確認方法 .......................................................................................................................... 119

5.4. 内部クロックのスキーム .............................................................................................................................................................................. 120
6.

I2C インターフェース ........................................................................................................................................................................................ 121
6.1. ビット送信.............................................................................................................................................................................................................. 121
6.2. スタート・コンディション ／ストップ・コンディション ............................................................................................................................. 121
6.3. データの有効性 ................................................................................................................................................................................................ 122
6.4. 接続構成 ............................................................................................................................................................................................................ 122
6.5. アクノ
アクノリッジ ........................................................................................................................................................................................................ 123
6.6. スレーブ・アドレス ........................................................................................................................................................................................... 124
6.7. レジスタへの書込み..................................................................................................................................................................................... 124
6.8. 特定のアドレスの値の読み込み ............................................................................................................................................................. 125
6.9. レジスタの書込み ............................................................................................................................................................................................ 125
6.10. 電源切り替わり時のI2C-BUS の動作 ............................................................................................................................................... 126

7.

電気的特性 .......................................................................................................................................................................................................... 127
7.1. 絶対最大定格 ................................................................................................................................................................................................. 127
7.2. 電気的特性 ....................................................................................................................................................................................................... 128
7.2.1. 温度補正信号の消費電流 .................................................................................................................................................................. 130

7.2.2. 動作電圧範囲（～+5.5V)及び温度範囲内(-40～+85℃）での消費電流の Typical値................................................. 131

7.3. 内蔵 32.768kHz 発振器 及びデジタル温度補償時計の仕様 ................................................................................................... 132
7.3.1. 時刻精度（温度補償）と発振器特性 ........................................................................................................................................... 133
7.3.2. 1Hz時刻基準信号の温度特性例 .................................................................................................................................................. 134
7.3.3. 温度センサの精度の特性例 ........................................................................................................................................................... 135

7.4. 起動時のAC特性 ............................................................................................................................................................................................ 136
7.5. 電源バックアップ切替り時及び復帰時のAC特性 ........................................................................................................................... 138
7.6. I2Cバス仕様 ..................................................................................................................................................................................................... 1398.

回路接続例 ........................................................................................................................................................................................................ 140
8.1. バックアップ電源切り替え無し／かつ外部イベント入力を使用しない場合............................................................................ 140
8.2. バックアップに一次電池を使用／かつ外部イベント入力を使用 (Active High) する場合................................................ 141
8.3. バックアップに二次電池を使用／かつ外部イベント入力を使用(Active High) する場合................................................. 142
8.4. バックアップにセラチャージTM（全固体電池）を使用／かつ外部イベント入力は不使用の場合................................... 143

8.5. バックアップ電源切り替え無し／かつ外部イベント入力を使用する場合（Wake-up & PowerOn Switch ) .............. 144
9. パッケージ .............................................................................................................................................................................................................. 145
9.1. 外形寸法図及び推奨ランドパターン...................................................................................................................................................... 145
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9.1.1. サーマルレリーフ設定の推奨 ........................................................................................................................................................ 145

9.2. マーキング 及び Pin 1 インデックス ...................................................................................................................................................... 146
10. 構成材料物質 及び 環境情報 ............................................................................................................................................................ 147

10.1. 構成部位 及び 構成物質リスト ............................................................................................................................................................... 147
10.2. 環境負荷物質／含有調査結果 ............................................................................................................................................................. 148
10.3. 製品リサイクル情報 .................................................................................................................................................................................... 149
10.4. 環境耐性 及び 最大定格 及び 電極めっき詳細 ............................................................................................................................. 150
11. リフローはんだ付け条件 ......................................................................................................................................................................... 151
12. 水晶振動子内蔵モジュールのお取り扱い上の注意 ........................................................................................................ 152
13. 梱包仕様（テーピング及び寸法リール）....................................................................................................................................... 153
14. コンプライアンス情報 ................................................................................................................................................................................. 154
15. 改訂履歴 .............................................................................................................................................................................................................. 154

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RV-3032-C7

RV-3032-C7
DTCXO 温度補償リアルタイムクロックモジュール／ I2C-Bus インターフェース
1. 概要
•
•
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32.768kHz 音叉型水晶振動子を内蔵し、かつ高周波クロックも出力可能なRTCモジュールです。
1/100秒・秒・分・時間・日・月・年及び曜日の時刻情報を提供します。
西暦2000年から2099年までのうるう年を自動補正します。
メーカ出荷時に高精度デジタル温度補償が設定されています。
非常に高精度な時刻精度を提供します。
・±2.5 ppm -40 to +85°C
・±3.0 ppm -40 to +85°C
・またレジスタ設定により高い分解能で経年変化補正を行えます。

•

多彩な割り込み信号を設定可能 (1)
o
o
o
o
o
o
o
o
o

•
•
•
•

繰り返しカウントダウンタイマ
時刻更新（毎秒または毎分）
アラーム（日・時・分）
外部イベント入力（タイムスタンプ機能と連動設定が可能）
温度上限（タイムスタンプ機能と連動設定が可能）
温度下限（タイムスタンプ機能と連動設定が可能）
バックアップ電源自動切替え
パワーオンリセット (POR)
低電圧検出 （1.2V Typ／サンプリング間隔：1秒)

ユーザーメモリ ：RAM=16バイト EEPROM=32バイト
ミラーRAMを伴ったEEPROM設定レジスタ
ユーザー設定が可能なパスワード機能（書き込み保護）
I2C インターフェース (～ 400 kHzまで)o

7ビットスレーブアドレス = 101001b (51h) ／読み込み: A3h ・ 書き込み：A2h•

周辺機器へのプログラマブルクロック出力
o XTALモード : 32.768 kHz, 1024 Hz, 64 Hz, 1 Hzo HFモード : 8.192 kHz ～ 67.109 MHz （8.192 kHz ステップ）o イネーブル・ディセーブル設定可能／周波数変更が可能
o 割り込み信号入力をトリガとした出力開始の設定が可能
o CLKOUT出力開始の遅延時間を設定可能 (MCUのウェイクアップ用途)
o CLKOUT出力停止の遅延時間を設定可能 (MCUのスリープモードコマンド用途)•

デジタル温度センサ （サンプリング間隔：1秒）
o ±3℃ ／-40～+85℃
o ±7℃ ／+85～+105℃
o 読み込み・補正設定が可能な12ビット温度センサ（設定分可能：0.0625℃／1ステップ）

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•
•
•
•
•

チャージポンプ付き （Ｖbackup > VDD ) 、及び1.75VのCeraChargeTM にも対応したトリクルチャージ機能
幅広い時刻保持動作電圧： +1.3～5.5V （温度センサ動作及びデジタル温度補償動作含む）
幅広いインターフェース動作時電圧： +1.4～5.5V
動作温度範囲： -40～+85℃ （拡張温度範囲+85～+105℃／機能制限あり）
超小型コンパクトパッケージ（3.2×1.5×0.8mm), RoHS対応／100%鉛フリー
車載規格 AEC-Q200に対応可能(1) バックアップ電源での動作時にも割込み信号の出力が可能 （外部イベント検出割込みは除いて）。

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1.1. 製品概要
RV-3032-C7 は内蔵したデジタル温度補償機能による非常に高精度なリアルタイムクロックモジュールです。温度補償調
整は メーカーにて通常動作温度範囲にて『±2.5ppm以内（＠-40～+85℃）』に設定されてします(拡張温度範囲＠+85～
105℃では±20ppm 以内）。ユーザーサイドでの設定は不要です。またエージング補正のオフセットを不揮発メモリに設定可能です。また RV-3032-C7 は水晶振動子内蔵として世界最小サイズのパッケージでかつ温度補償タイプとして消費電流が最小のリアルタイムクロックモジュールです。独自の設計により160nA Typ.の超低消費電流を実現しています。
RV-3032-C7 リアルタイムクロックモジュールは、バックアップ電源自動切替え機能、チャージポンプ付きのトリクルチャー
ジ機能、及びRTCモジュールとして全ての機能／カウントダウンタイマ、アラーム、各種の割込み信号、プログラマブルク
ロック出力（1Hz～67MHzまで） を備えています。内部のEEPROMメモリに各設定値を保持し、かつユーザーメモリも内蔵しています。マイコンとのインターフェースはI2C-bus です。内部レジスタのアドレスポインタは書込み・読み込み時には自動でインクリメントします。

1.2. アプリケーション
RV-3032-C7 はキーとなる多数の機能を超小型セラミックパッケージに納めたXTAL内蔵のRTCモジュールです。
• メーカー出荷時に温度補償設定されており毎秒温度補正動作を行うため時刻が非常に高精度• 超低消費電流• XTAL内蔵として世界最小の 3.2 x 1.5 x 0.8 mm で100%鉛フリーのパッケージ
この優れた機能・特長により様々なアプリケーションに使用することが出来ます。
•

通信機器:

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車載機器:

•
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•
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メータ機器:
屋外機器:
医療機器:
セキュリティ:民生機器:
FA機器塔:

IoT機器 / ウェアラブル機器 / ワイヤレスセンサ及びタグ / 端末機器
M2M / ナビゲーション / トラッキング / ダッシュボード/ タコメータ
カーオーディオ / AV機器システム
電力メータ / ガス温度メータ / スマートメータ / ソーラーインバータ/ メータ機器
ATM & POSシステム / 安全監視システム / 券売機
血糖値メータ / 各種ヘルスケアモニタリングシステム
防犯カメラ/セキュリティシステム / 電子ドアロック・アクセス / 各種不正防止装置 テレビ・
セットトップボックス / 白物家電 / スロットマシーン
PLC機器 / データロガ ー / FA機器 / 一般家庭用及び工場用電気製品

1.3. オーダー情報
例:

RV-3032-C7

TAQC

動作温度範囲コード
TA (Standard)-40 ～+85℃
1）1） 拡張温度範囲： +85～+105℃ （機能制限あり）

コード
QC (Quality Commertial)
QA (Quality Autmotive )May 2023

用途区分

一般産業機器用途
車載用途 (AEC-Q200)

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2. ブロック図VBACKUP
VDD
VSS

SCL

SDA

1

電源
ｺﾝﾄﾛｰﾙ

6
5

8

2

I2C-BUS
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ

XTAL発振器
温度センサ
温度補償

ｼｽﾃﾑ
制御
ﾛｼﾞｯｸ

分周器
HF 発振器CLKOUT

INT
EVI

7

3

入出力
制御

4

RAMﾚｼﾞｽﾀ
00
1/100秒
秒
分
時間
曜日
日
月
07
年
08
分 ｱﾗｰﾑ時間 ｱﾗｰﾑ
日 ｱﾗｰﾑ
ﾀｲﾏｰ値 0
ﾀｲﾏｰ値 1
ｽﾃｰﾀｽ
温度 LSBs
0F
温度 MSBs
10
制御 1
制御 2
制御 3
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ制御
ｸﾛｯｸ割込みﾏｽｸ
外部ｲﾍﾞﾝﾄ 制御
温度下限 閾値
温度上限 閾値
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ 温度下限ｶｳﾝﾄ 18
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ 温度下限 19（秒～年）
1E
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ 温度上限ｶｳﾝﾄ 1F
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ 温度上限 20（秒～年）
25
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ 外部ｲﾍﾞﾝﾄ ｶｳﾝﾄ 26
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ 外部ｲﾍﾞﾝﾄ 27（1/100秒～年）
2D

RAMﾚｼﾞｽﾀ
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
EE ｱﾄﾞﾚｽ
EE ﾃﾞｰﾀ
EE ｺﾏﾝﾄﾞ

16 ﾊﾞｲﾄﾕｰｻﾞｰRAM

39

3F
40
4F

機能設定 EEPROM（ﾐﾗｰRAMを伴う）
EEPROM 電源設定
EEPROM ｵﾌｾｯﾄ
EEPROM ｸﾛｯｸ出力1EEPROM ｸﾛｯｸ出力2EEPROM TRef. 0
EEPROM TRef. 1
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞｲﾈｰﾌﾞﾙ

C0

CA

ユーザー EEPROM

32 ﾊﾞｲﾄﾕｰｻﾞｰ EEPROM(CBh～EAh)

RESET
ﾋﾞｯﾄ

★ ミラーRAMを伴う機能設定EEPROMレジスタは直接レジスタへの書込み・読込みは出来ません。アクセスにはEEコマンドでの操作が必要です。
（機能設定後には以下の書込み操作を必ず行って下さい）＜ミラーRAMから EEPROMへ書き込む場合＞
・EEコマンドレジスタ (3Fh) に "00" を書き込んだ後に "11"と書き込む

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RV-3032-C7

DTCXO 温度補償・センサ機能付き リアルタイムクロックモジュール
2.1. 端子レイアウト
RV-3032-C7 パッケージ: (top view)

#8

#5

3032
#1

#4

#1

VBACKUP

#2

SDA

#3

INT

#4

EVI

#5

VSS

#6

VDD

#7

CLKOUT#8

SCL

2.2. PIN DESCRIPTION
記号

Pin #

VBACKUP

1

SDA

2

̅̅̅̅̅
INT

3

EVI

4

VSS
VDD

5
6

機能詳細
バックアップ電源入接続端子。
バックアップ電源自動切り替えを行わない場合は 10kΩ抵抗でGNDへプルダウン接続して下さい。
SDA端子(入出力)：オープンドレイン ; プルアップ抵抗が必要です。
バックアップ電源での動作時にはディセーブル (ハインピーダンス)になります。
割り込み信号出力; オープンドレイン ; アクティブ=Low, 外部にプルアップ抵抗が必要です。繰返しカウ
ントダウンタイマ／時刻更新／アラーム／温度低下検出／温度上昇検出／外部イベント入力／低電圧
検出／バックアップ電源自動切替／パワーオンリセットの各割り込み信号の出力に使用されます。
バックアップ電源での動作時でも割り込み信号を出力します（外部イベント入力は除く）。
外部イベント入力端子：外部イベント割り込み信号出力及びタイムスタンプ機能に使用されます。 バック
アップ電源動作時には外部イベント入力はディセーブルになります。バックアップ電源自動切り替えを行
わない場合は 10kΩ抵抗でGNDへプルダウン接続します。VBACKUP には決して接続しないで下さい。（※1）
グランド端子。
VDD電源入力端子。
クロック出力： 1. ノーマル（プッシュプル）、または 2.割り込み信号出力 を設定可能.
1. 通常のクロック出力は NCLKE ビット (EEPROM C0h) によって設定します。 NCLKE を 0 (デフォルト) に設定すると、CLKOUT ピンの矩形波出力が有効になります。
NCLKE ビットが 1 に設定されていて、かつ割り込み駆動クロック出力 (CLKF = 0) によってイネーブルされていない場合には CLKOUT ピンは Low になります。
2.

CLKOUT

7

割り込みクロック出力は割り込みイベントによって発生します。 CLKIE ビット (アドレス 11h) が 1に設定されている場合、クロック割り込みマスクレジスタ (アドレス 14h) で設定した割り込みイベントが発生すると、CLKOUT端子から矩形波出力が開始されます (MCU のウェイクアップ用)。
CLKIE に 0 を書き込むと、CLKOUT 端子からのクロック割り込み信号の新しい割り込みイベン
トが無効になります。 CLKF フラグがクリアされると、CLKOUT端子出力は Low になります。
● CLKOUT出力発生時の割り込み遅延は、ビット INTDE (アドレス 14h) で有効にできます。
( MCU のウェイクアップ用 )● I2C ストップコンディション 後の CLKOUT スイッチオフ遅延は、CLKD及びCLKDE ビット(レジスタ 14h・15h) によって選択および有効化できます。
( MCU がスリープ モードに入る場合 )。

OS ビットが 0 (EEPROM C3h) に設定されている場合、FD フィールド (EEPROM C3h) の設定に応じて、CLKOUT端子は 32.768 kHz、1024 Hz、64 Hz、または 1 Hz の矩形波を出力できます。
OS ビットが 1 (EEPROM C3h) に設定されている場合、HFD フィールド (EEPROM C2h および C3h) の設定に応じて、CLKOUT端子は 8192 Hz ～ 67.109 MHz の矩形波を 8192 Hz ステップで出力できます。
この端子を使用しない場合は、フローティングのままにして下さい。この端子はプッシュプル出力である
ため、電源電圧または GND には接続しないでください。
SCL

8

SCL端子(入力）: プルアップ抵抗が必要。バックアップ電源での動作時にはディセーブルなります。
（※1） EVI端子とVDD端子の間に ESDダイオードがあるため。

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2.3. 機能概要

RV-3032-C7は、32.768kHz水晶振動子と HF発振器を含む、高精度、超低消費電力のCMOS-ICベースのリアルタイムクロッ
クモジュールです。32.768kHz水晶発振器からの直接出力とHF発振器からの出力周波数は内蔵のデジタル温度補償回路(DTCXO) での温度補償はされていません。 工場出荷時の調整された補正値は EEPROM に保存されており、ユーザーはア
クセスできません。 またユーザーが経年変化を補正するために使用する EEPROM オフセット レジスタも備えています。
RV-3032-C7には、バックアップ電源自動切替え機能とチャージポンプ付きのトリクル充チャージ機能があります。
割り込み信号出力の INT端子は、VBACKUP電源状態でも動作します(外部イベント入力機能を除く)。CLKOUT端子のクロッ
ク出力は、I2Cインターフェイス上のコマンドを介して通常に有効にしたり、割り込み信号として使用することもできます。機能
構成レジスタは EEPROM に永続的に保存され、対応するミラーRAMにミラーリングされるため、電源が切れた後でも RTC モ
ジュールが正しく再設定されます。不注意による上書きを防止するため、時間レジスタ、制御レジスタ、構成レジスタはユー
ザーがプログラム可能なパスワードロックをかけることもできます。
RV-3032-C7 は 100 秒、秒、分、時 (24 時間モード)、曜日、日付、月、年 (うるう年補正あり) を含む標準的な時刻・ カレン
ダー機能と、繰返しカウントダウン タイマ、時刻更新、 時刻更新、アラーム、温度低下検出、温度上昇検出、外部イベント入力、電圧低下、バックアップ電源自動切り替え、パワーオンリセットの割込み信号機能があります。 すべてのレジスタは、I2C
バス (2 線式インターフェイス) 経由でアクセスできます。
標準の RTC機能に加えて、0.0625℃/ステップの分解能で ℃単位で読み取り可能な温度値と調整可能な温度基準値を備えた12 ビット温度センサ機能があります。 また、外部イベント、温度低下検出、および温度上昇検出の割り込み機能発生時ののタイムスタンプ機能もあります。 割り込みおよびタイムスタンプ機能は、VBACKUP 電源状態でも動作します (外部イベ
ント機能を除く)。 このモジュールは、16バイトのユーザーRAM と 32バイトのユーザー メモリ EEPROM も提供します。 アラー
ム機能が必要ない場合は別の RAM バイト (分アラーム、レジスタ 08h) をユーザーRAM として使用でき、繰返しカウントダウ
ンタイマ が使用されない場合は別のバイト (タイマ値 0、レジスタ 0Bh)、温度閾値の場合はさらに 2 バイトを使用できます。
必要ありません ( 閾値 TLT および THT、レジスタ 16h および 17h)。
RAMレジスタには、レジスタアドレスを選択して、読み込みまたは書き込みのアクセスが可能です。 1 回のアクセスで複数の読み取りまたは書き込みを実行でき、アドレスは各バイト後に自動的にインクリメントされます。 アドレスが自動インクリメントされると、アドレス FFh からアドレス 00h までラップアラウンドが発生します (下図を参照)。 すべてのレジスタとビットが実装されているわけではありませんが（一部未使用レジスタ・未使用ビットがあります）、すべてのレジスタはアドレス指定可能な8ビットレジスタとして設計されています。
RAMレジスタアドレスのオートインクリメント：

レジスタアドレス00h
ラップアラウンド

01h
02h
03h

オート
インクリメント

:
FDh
FEh
FFh

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2.4. デバイス保護ブロックダイアグラム

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VBACKUP

1

8

SCL

SDA

2

7

CLKOUT

INT

3

6

VDD

EVI

4

5

VSS

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3. レジスタ構成•

アドレス00h～4FhのRAMレジスタには、レジスタアドレスを選択し、読み込みまたは書き込み操作を実行することでクセスします。1回のアクセスで複数の読み込みまたは書き込みを実行でき、アドレスは各バイトの後に自動的にン
クリメントされます。

•

アドレスC0h～CAhの構成レジスタは、EEPROMに記憶され、RAMにミラーリングされます。RAMミラーの場合、1回のクセスで複数の読み込みまたは書き込みを実行でき、アドレスは各バイトの後に自動的にインクリメントされます。

•

汎用ビットとしてアドレスCBh～EAhに32バイトの不揮発性ユーザメモリEEPROMがあります。

以下の表に各レジスタの機能をまとめています。

3.1. レジスタ記号の記載方法
この表は、このマニュアル内のレジスタの機能の記載方法を示しています。
記載方法(Conv.)
R
W
R/WP
WP
*WP
Prot.

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機能
読み込み専用。このレジスタへの書き込みは効果がありません。
書き込み専用。読み込むとき0を返します。
読み込み：常に読み取り可能。書き込み：パスワードで書き込み保護できます。
書き込み専用。読み込むとき0を返します。パスワードで書き込み保護できます。
EEPWレジスタ：RAMミラーは書き込み専用です。読み込むと0を返します。
ロック解除するとEEPROMを読み込むことができます。
保護されています。このレジスタへの書き込みは無効です。

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3.2. レジスタテープル
パワーオンリセット (POR) 後、全てのレジスタは「レジスタリセット値」の項の表の値にセットされます。
レジスタ定義： RAMレジスタ ／ アドレス00h～25h：
Address
00h
01h
02h
03h
04h
05h
06h
07h
08h
09h
0Ah
0Bh
0Ch
0Dh
0Eh
0Fh
10h
11h
12h
13h
14h
15h
16h
17h
18h
19h
1Ah
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h

Function※ アドレスをクリックすると各レジスタの詳細説明ページに移動します。

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

R
100th 秒
R/WP
秒
R/WP
分
R/WP
時間
R/WP
週
R/WP
日
R/WP
月
R/WP
年
R/WP
分 ｱﾗｰﾑR/WP
時間 ｱﾗｰﾑ
R/WP
日 ｱﾗｰﾑ
R/WP
ﾀｲﾏｰ値 0
R/WP
ﾀｲﾏｰ値1
R/WP
ｽﾃｰﾀｽ（ﾌﾗｸﾞ）
R/WP
温度 LSBsR
温度 MSBs
R/WP
制御(ｺﾝﾄﾛｰﾙ) 1
R/WP
制御(ｺﾝﾄﾛｰﾙ) 2
R/WP
制御(ｺﾝﾄﾛｰﾙ) 3
R/WP
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ設定
R/WP
ｸﾛｯｸ割り込みﾏｽｸ
R/WP
外部ｲﾍﾞﾝﾄ制御
R/WP
TLow 閾値
R/WP
THigh 閾値R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow ｶｳﾝﾄR
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow 秒
R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow 分
R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow 時間Rﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow 日
R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow 月
R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow 年
R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTHigh ｶｳﾝﾄR
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 秒Rﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 分
Rﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 時間Rﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 日Rﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 月Rﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 年

80
○
○
○
○
○
○
80
AE_M
AE_H
AE_D
128
○
THF

40
20
40
20
40
20
○
20
○
○
○
20
○
○
40
20
40
20
○
20
○
20
64
32
○
○
TLF
UF
TEMP [3:0]

10
10
10
10
○
10
10
10
10
10
10
16
○
TF

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

8
8
8
8
○
8
8
8
8
8
8
8
2048
AF
EEF
TEMP [11:4]
GP0
USEL
TE
UIE
TIE
AIE
BSIE
THE
EVR
THR
TLR
CEIE
CAIE
CTIE
ET
○
TLT
THT
32
16
8
20
10
8
20
10
8
20
10
8
20
10
8
○
10
8
20
10
8
32
16
8
20
10
8
20
10
8
20
10
8
20
10
8
○
10
8
20
10
8

4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
1024
EVF
EEbusy

2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
512
PORF
CLKF

1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
256
VLF
BSF

CLKD
CLKDE

CLKIE
INTDE
EHL

EERD
EIE
TLE
EVOW
CUIE
○

GP1
THIE
THOW
CTHIE
○

STOP
TLIE
TLOW
CTLIE
ESYN

128
○
○
○
○
○
80
128
○
○
○
○
○
80

64
40
40
○
○
○
40
64
40
40
○
○
○
40

4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4

2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2

1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

TD

○ 読込みのみ。 常に 0。
－ 機能のないビット。 読み込むと0を返します。

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レジスタ定義： RAMレジスタ ／ アドレス26h～FFh：
Address

Function

26h
27h
28h
29h
2Ah
2Bh
2Ch
2Dh
2Eh ~ 38h
39h
3Ah
3Bh
3Ch
3Dh
3Eh
3Fh

※ アドレスをクリックすると各レジスタの詳細説明ページに移動します。

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI ｶｳﾝﾄ
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI 1/100秒

R
R
R
R
R
R
R
R
Prot.
W
W
W
W
R/WP
R/WP
WP

64
40
40
40
○
○
○
40

32
20
20
20
20
20
○
20

16
8
10
8
10
8
10
8
10
8
10
8
10
8
10
8
RESERVEDPW [7:0]
PW [15:8]
PW [23:16]
PW [31:24]
EEADDR
EEDATA
EECMD

40h ~ 4Fh

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI 秒
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI 分
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI 時間
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI 日
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI 月
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI 年
予備レジスタﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
EE ｱﾄﾞﾚｽ
EE ﾃﾞｰﾀ
EE ｺﾏﾝﾄﾞ
ﾕｰｻﾞｰRAM(16 ﾊﾞｲﾄ)

128
80
○
○
○
○
○
80

R/WP

16 ﾊﾞｲﾄﾕｰｻﾞｰRAM

50h ~ BFh
CBh ~ FFh

予備ﾚｼﾞｽﾀ
予備ﾚｼﾞｽﾀ

Prot.
Prot.

RESERVEDRESERVED

Bit 2

Bit 1

Bit 0

4
4
4
4
4
4
4
4

2
2
2
2
2
2
2
2

1
1
1
1
1
1
1
1

○ 読込みのみ。常に 0。

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RV-3032-C7※ アドレスをクリックすると各レジスタの詳細説明ページに移動します。

レジスタ定義 ： (ミラーRAMを伴う) 機能設定EEPROMレジスタ ／ アドレス： C0h ～ CAh:
Address
C0h
C1h
C2h
C3h
C4h
C5h
C6h
C7h
C8h
C9h
CAh

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

EEPROM 電源設定
EEPROM ｵﾌｾｯﾄ
EEPROM
ｸﾛｯｸ出力 1
EEPROM
ｸﾛｯｸ出力 2
EEPROM
温度ﾘﾌｧﾚﾝｽ 0
EEPROM
温度ﾘﾌｧﾚﾝｽ 1
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰド 1
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 有効化

R/WP
R/WP

PORIE

NCLKE
VLIE

Bit 5

R/WP
R/WP

Bit 4

Bit 3

BSM

Bit 2

Bit 1

TCR
OFFSET

Bit 0
TCM

HFD [7:0]
OS

FD

HFD [12:8]

R/WP

TREF [7:0]

R/WP

TREF [15:8]*WP

EEPW [7:0]*WP

EEPW [15:8]*WP

EEPW [23:16]*WP

EEPW [31:24]

WP

EEPWE

－
: 機能のないビット。 読み込むと0を返します。
* WP : EEPWレジスタ：RAMミラーは書き込み専用です。読み込むと0を返します。
ロック解除するとEEPROMを読み込むことができます。

レジスタ定義 ： ユーザEEPROMレジスタ ／ アドレス： CBh ～ EAh:
Address

FunctionConv.

CBh ~ EAh

ﾕｰｻﾞEEPROM(32 ﾊﾞｲﾄ)

R/WP

May 2023

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

32ﾊﾞｲﾄ 不揮発性 ﾕｰｻﾞEEPROM

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3.3. 時刻レジスタ
00h – 1/100秒 レジスタ
このレジスタは、1/100のカウントを BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 99 になります。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 )Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

00h

1/100秒
リセット値

R

80
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

SymbolValue

7:0

100th Seconds

00～99

Description
BCD フォーマットの 100 分の 1 秒のカウント値です。
STOP ビットが 1 に設定されている場合、または秒レジスタに書き込みを行った
場合、または EVI端子での外部イベント検出の場合に ESYN ビットが 1 の場合に、1/100秒レジスタの値は 00 にクリアされます (「時刻同期」を参照)。

01h – 秒 レジスタ
このレジスタは、秒数を BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 59 になります。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

01h

秒
リセット値

R/WP

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol7○

6:0

Seconds

Value
0
00～59

Description

読み込みのみ。常に0。
BCD フォーマットの秒数を保持します。
秒レジスタに書き込むと、1/100レジスタレジスタは 00 にクリアされます(ESYN ビット機能と同様)。 STOP ビットが 1 の場合、1 Hzクロックが停止するため、秒レジスタの値は停止します (時刻同期を参照)。

02h – 分 レジスタ
このレジスタは、 分を BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 59 になります。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

02h

分
リセット値

R/WP

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7
6:0

○
Minutes

000～59

May 2023

Description

読み込みのみ。常に0。
BCDフォーマットでの分の時刻情報。

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DTCXO 温度補償・センサ機能付き リアルタイムクロックモジュール
03h – 時間 レジスタ
このレジスタは、 分を BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 23 になります。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

03h

時間
リセット値

R/WP

○
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7:6
5:0

○
Hours

0
00～23

Description

読み込みのみ。常に0。
BCDフォーマットでの時間の時刻情報。

3.4. カレンダー・レジスタ
04h – 曜日 レジスタ
このレジスタは現在の曜日を保持します。 各値は、ユーザーによって割り当てられた 1 つの曜日を表します。 値の範囲は
0 ～ 6 です。 2000年～6カウント後に 0 に戻る単純な 3 ビット カウンタです。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

04h

曜日
リセット値

R/WP

○
0

○
0

○
0

○
0

○
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7:3
2:0

○
Weekday

0
0～6

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0
0
0
0
1
1
1

0
0
1
1
0
0
1

0
1
0
1
0
1
0

Weekday

Bit 7

曜日ｶｳﾝﾀ 1 – 初期値
曜日ｶｳﾝﾀ 2
曜日ｶｳﾝﾀ 3
曜日ｶｳﾝﾀ 4
曜日ｶｳﾝﾀ 5
曜日ｶｳﾝﾀ 6
曜日ｶｳﾝﾀ 7

0

Description

読み込みのみ。常に0。
曜日のカウンタ値。
Bit 6

0

Bit 5

0

Bit 4

0

05h – 日付 レジスタ
このレジスタは現在の日を BCDフォーマットにて保持します。 値の範囲は 01 ～ 31 です。
2000年～2099年までのうるう年を自動補正します。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

05h

日付
リセット値

R/WP

○
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
1

Bit

Symbol

7:6

○

5:0

Date

May 2023

Value
0
01～31

Description

読み込みのみ。 常に0。
日付のBCDフォーマットの値を保持します。
初期値＝01（01は有効な値です）

18/154

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06h – 月 レジスタ
このレジスタはBCDフォーマットでの現在の月の値を保持します。 値の範囲は 01 ～ 12 です。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

06h

月
リセット値

R/WP

○
0

○
0

○
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
1

Bit

Symbol

Value

7:5
4:0

○
Month

0
01～12

読み込みのみ。 常に0。
BCDフォーマットの現在の月の値を保持します。

Bit 7

Bit 6

Months
1月 – 初期値
2月
3月
4月
5月
6月
7月
8月
9月
10月
11月
12月

0

Description

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1

0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0

0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0

0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
0
1

1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0

0

07h – 年 レジスタ
このレジスタはBCDフォーマットでの現在の年の値を保持します。 値の範囲は 00 ～ 99 です。
2000年～2099年までのうるう年を自動補正します。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

May 2023

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

07h

年
リセット値

R/WP

80
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7:0

Year

00～99

Description

BCDフォーマットの現在の年の値を保持します。 初期値＝00 。

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3.5. アラーム・レジスタ
08h – 分アラーム
このレジスタは、分アラーム有効ビット AE_M の設定と、分のアラーム値を BCDフォーマットで保持します。
値の範囲は 00 ～ 59 です。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 )Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

08h

分アラーム
リセット値

R/WP

AE_M
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

7

AE_M

6:0

Minutes Alarm

Value

Description

分アラーム有効化ビット。 AE_H および AE_D とともにアラームを有効にします (アラーム割り込みの使用を参照)。
0
1
00～59

分アラームが有効 – 初期値
分アラームが無効
BCDフォーマットで分アラームの値を保持

09h – 時間アラーム
このレジスタは、時間アラーム有効ビット AE_H の設定と、時間のアラーム値を BCDフォーマットで保持します。
値の範囲は 00 ～ 23 です。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

09h

時間アラーム
リセット値

R/WP

AE_H
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

7

AE_H

6
5:0

○
Hours Alarm

Value

Description

時間アラーム有効化ビット。 AE_M および AE_D とともにアラームを有効にします。 (アラーム割り込みの使用を参照)
0
1
0
00～23

時間アラームが有効 － 初期値
時間アラームが無効
読み込みのみ。 常に0。
BCDフォーマットで時間アラームの値を保持

0Ah – 日付アラーム
このレジスタは、日付アラーム有効ビット AE_D の設定と、日付のアラーム値を BCDフォーマットで保持します。
値の範囲は 01 ～ 31 です。2000年～2099年までの うるう年を自動補正します。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0Ah

日付アラーム
リセット値

R/WP

AE_D
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

7

AE_D

6

○

5:0

Date Alarm

Value

Description

日付アラーム有効化ビット。 AE_M および AE_H とともにアラームを有効にします。 (アラーム割り込みの使用を参照)
0
1
0
01～31

日付アラームが有効－初期値。
日付けアラームが無効。
読み込みのみ。 常に0。
BCDフォーマットで 日付アラームの値を保持
付アラームを使用する場合は、無効な値 (00) を置き換える必要があります。有効な値 (01 ～ 31) を指定します。 (1)(1) デフォルト値 AE_D = 0 = 有効、Date = 01 (有効)、および Date Alarm = 00h (無効) であるため、初期設定の状態ではPOR 後にアラームは生成されません。

May 2023

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3.6. 繰返しカウントダウンタイマ・レジスタ
0Bh – タイマー値 0
このレジスタでは、繰返しカウンダウンタイマの 12 ビットタイマ値 (プリセット値) の下位 8 ビットを設定します。 このタイマ値
は、ゼロになると カウントダウンタイマに自動的にリロードされます。 これにより、 一定間隔の繰返しカウントダウンタイマ割
り込みが可能になります (以下の計算を参照)。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0Bh

タイマー値 0

R/WP

リセット値

128
0

64
0

32
0

16
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

SymbolValue

7:0

Timer Value 000h toFFh

Description
バイナリ形式 (下位 8 ビット) の繰返しカウントダウンタイマのタイマー値 (繰返しカウントダウンタイマの使用を参照)。 読み込むと、現在の値ではなく、プリセット
値のみが返されます。
繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能を使用しない場合は、レジスタ 0Bh を
RAMバイトとして使用できます。

0Ch – タイマー値 1
このレジスタでは、繰返しカウントダウンタイマの 12 ビット タイマ値 (プリセット値) の上位 4 ビットを設定します。 このタイ
マー値は、ゼロに達すると、カウントダウンタイマに自動的にリロードされます。 これにより、 一定間隔の繰返しカウントダウ
ンタイマ割り込みが可能になります (以下の計算を参照)。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0Ch

タイマー値 1

R/WP

リセット値

○
0

○
0

○
0

○
0

2048
0

1024
0

512
0

256
0

Value

Bit

Symbol

7:4

○

3:0

Timer Value 1

00h to Fh

Description
読み込みのみ。常に0。
バイナリ形式 (上位 4 ビット) の繰返しカウントダウンタイマのタイマー値 (繰返しカウントダウンタイマの使用を参照)。 読み込むと、現在の値ではなく、プリセット値のみが返されます。

カウントダウンタイマ時間の計算：
カウントダウン時間 ＝May 2023

タイマー値
タイマ基準周波数

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3.7. ステータス（フラグ）レジスタ
0Dh – ステータス（フラグﾞ）レジスタ
このレジスタは、さまざまな割り込みイベントの発生や内部データの問題を検出するために使用されます。
フラグレジスタ は、読み取り/クリアのみが可能です。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0Dh

ステータス (フラグ)
リセット値

R/WP

THF
0

TLF
0

UF
0

TF
0

AF
0

EVF
X

PORF
1

VLF
0

Bit

Symbol

Value
0

7

THF
1

0
6

TLF
1

5

4

UF

TF

温度低下検出フラグ (温度低下割り込み機能を参照)
イベントの検出無し

事前に 0 に設定されている場合は、設定された温度上限しきい値 TLTを下回る温度の発生を示しています。
値 1 は ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。(1)
TLF ビットに 1 を書き込むと、TLR も 0 にクリアされます。

1

事前に 0 に設定されている場合は、定期時刻更新割り込みイベントの発生を示します。 値 1 は、ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。

0繰返しカウントダウンタイマーフラグ(「周繰返しカウントダウンタイマー割り込み機能」を参照)
イベントの検出無し

AF

EVF

事前に 0 に設定されている場合は、設定された温度上限しきい値 THTを超える発生を示しています。
値 1 は ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。(1)
THR ビットに 1 を書き込むと、THF も 0 にクリアされます。

0

0

2

温度上昇検出フラグ (温度上昇割り込み機能を参照)
イベントの検出無し

定期時刻更新フラグ(「定期時刻更新割り込み機能」を参照)
イベントの検出無し

1

3

Description

事前に 0 に設定されている場合は、繰返しカウントダウン タイマー割り
込みイベントの発生を示します。 値 1 は、ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。
アラームフラグ (アラーム割り込み機能を参照)
イベントの検出無し

1

事前に 0 に設定されている場合は、アラーム割り込みイベントの発生を示します。 値 1 は、ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。
ヒント: フラグは現在時刻が設定時刻と一致する増加時にのみ設定されます (時刻が等しくなっている間に発生するのではありません)。

X
0

外部イベントフラグ (「外部イベント割り込み機能」を参照)
リセット値 X は POR 時の EVI ピンの電圧に依存しするため、初期設定でビットに 0 を書き込みクリアする必要があります。 POR 時は EHL = 0 となるため、Low
レベルは外部イベント割り込みと見なされます。
X = 1 の場合は、EVI ピンで LOW レベルが検出されました事を示します。
X = 0 の場合は、EVI ピンで LOW レベルが検出されていません。
イベントの検出無し

1

事前に 0 に設定されている場合は、外部イベントの発生を示します。 値
1 は、ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。

パワーオン リセット フラグ (パワーオン リセット割り込み機能を参照)
VDD電源状態の間にVPOR (0.9 V) を下回る状態は検出されていません。
事前に 0 に設定されている場合、VDD電源状態で VPOR (0.9 V) 以下からの
1
PORF
VDD起動(POR)が発生したことを示します。デバイス内のデータは無効になって1いるため、全てのレジスタを初期化・再設定する必要があります。 値 1 は、ユー
ザーが 0 を書き込むまで保持されます。電源投入時 (POR)、値は 1 に設定されます。このフラグを使用するには、最初に 0 を書き込む必要があります。
電圧低下フラグ (電圧低下割り込み機能を参照)
VLOW (VDD または VBACKUP) を下回る内部電圧の電圧降下は検出されません。
0
電源投入 (POR) 時に、VLF フラグは自動的に 0 にクリアされます。
事前に 0 に設定されている場合、VLOW (通常 1.2 V) を下回る電圧降下を示し
0
VLFます。 サンプリング周波数は1Hzです。 デバイス内のデータは有効ではなくなっている可能性があるため、すべてのレジスタを初期化・再設定する必要が1あります。 値 1 は、ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。
内部電圧が VLOW を下回る場合、温度補償は停止し、CLKOUT は LOW になり、I2C インターフェイスは無効になります (VDD < 1.4 V)。
(1) THF フラグと TLF フラグは、0Dh ステータスレジスタ が (0 または 1 を使用して) 書き込まれるたびに常にリセットされます。
0

May 2023

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3.8. 温度レジスタ
0Eh – 温度 下位ビット（小数部分）

このレジスタは、温度値 TEMP [11:0] の 4 つの最下位ビット (LSB) を 2 の補数形式 (小数部) で保持します。 このレジスタ
は、さまざまな割り込みイベントの発生や内部データの信頼性の問題を検出するためにも使用されます。
フラグ (EEF、CLKF、BSF) は読み取り/クリアのみ可能です。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address0Eh
BitFunctionConv.

温度 LSBs

R/WP

Bit 7

Bit 5

TEMP [3:0]0h  Xh

リセット値
Symbol

Bit 6

Value

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

EEF
0

EEbusy
10

CLKF
0

BSF
0

Description

2 の補数形式の温度値 TEMP [11:0] の小数部分。 (読み取り専用)

7:4

TEMP [3:0]

0h to
Fh

前回測定した内部温度の値を保存します。 1/16 = 0.0625℃ という高い測定分解能が可能になります。 次頁の表を参照してください (「温度リファレンスの調整」の項も参照)。
内部温度の検知自体は毎秒自動的に行われます。 POR の 1 秒後、最初の温度値 (Xh) が利用可能になります。
ヒント: レジスタ温度 MSB の整数部分 TEMP [11:4] は、TLow および THighのしきい値と自動的に比較されます (「温度しきい値レジスタ」を参照)。
EEPROM メモリ書き込みアクセス失敗フラグ (EEF フラグを参照)

3

EEF

0
1

2

前回の書き込みアクセスは成功しています。

事前に 0 に設定されている場合は、VDD が VDD:EEF (1.3 V) を下回った
ために EEPROM 書き込みアクセスが失敗したことを示します。 値 1 は、ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。
EEPROM メモリ ビジー ステータス ビット (読み取り専用)(EEBUSY ビットを参照)

0

転送は完了しています。

1

EEPROM が現在読み取りまたは書き込み要求を処理中であり、現在のコマンドが終了するまでそれ以降のコマンドを無視することを示します。
電源投入時 (POR)、自動でリフレッシュされます。 この最初のリフレッ
シュの時間は tPREFR = ～66 ミリ秒です。 リフレッシュの終了後、EEbusy は自動的に 0 にクリアされます。

EEbusy

クロック出力割り込みフラグ (「割り込み制御クロック出力」を参照)
1

CLKF

0

イベントの検出無し

事前に 0 に設定されている場合は、CLKOUT端子からの割り込み駆動ク
ロック出力の発生を示します。 値 1 は、ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。
バックアップ電源切替えフラグ (自動バックアップ電源切り替え機能を参照)
バックアップ電源切替えは検出されていません。 電源投入 (POR) 時に、こ0のフラグは自動的に 0 にクリアされます。バックアップ電源切替え機能が無効な場合 (BSM フィールド = 00 または 11)、BSF は常にロジック 0 です。
あらかじめ 0 に設定されている場合は、主電源 VDD から VBACKUP へ
1の切り替えが発生したことを示します。 RTC モジュールが VDD電源状態の間に、値 1 はビットに 0 を書き込むことでクリアできます。
1

0

May 2023

BSF

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DTCXO 温度補償・センサ機能付き リアルタイムクロックモジュール
0Fh – 温度 上位ビット（整数部分）

このレジスタは、温度値 TEMP [11:0] の 8 つの最上位ビット (MSB) を 2 の補数形式 (整数部分) で保持します。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込みは無効 ）Address
0Fh
Bit

7:0

Function

Conv.

温度 MSBs

Bit 7

Bit 6

Bit 5

R

TEMP [11:4]

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

TEMP [11:4]
00h  XXh

リセット値
Symbol

Bit 4

Value

Description

00h toFFh

2 の補数形式の温度値 TEMP [11:0] の整数部分 (読み取り専用)。
測定された内部温度の最後の値を 1℃（整数） の分解能で 2 の補数形式で保存します。 下表を参照してください (「温度基準調整」も参照)。
内部温度の検知自体は毎秒自動的に行われます。
パワーオンリセット(POR) の 1秒後から最初の温度値 (XXh) が利用可能になります。 TEMP [11:4] 値は、TLow および THigh しきい値と自動的に比較されます (「温度しきい値レジスタ」を参照)。

温度とデータの関係:
Address0Eh
0Fh

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

温度 下位ビット

R/WP
R

2
Sign

2
26

2
25

2
24

EEF
23

EEbusy
22

CLKF
21

BSF
20

温度 上位ビット

-1

-2

-3

-4

12ビット温度の例：
TEMP [11:0] の値

16進法表示0111'1111'1111
0110'1001'0000
0101'0101'0000
0100'1011'0000
0011'0010'0000
0001'1001'0000
0000'0001'0000
0000'0000'0100
0000'0000'0001
0000'0000'0000 (default)

7FF
690
550
4B0
320
190
010
004
001
000

1111'1111'1111
1111'1111'1100
1111'1111'0000
1110'0111'0000
1101'1000'0000
1000'0000'0000

FFF
FFC
FF0
E70
D80
800

符号付き 10 進数(2の補数)

温度 ℃ (*)

2047
1680
1360
1200
800
400
16
4
1
0

2047
1680
1360
1200
800
400
16
4
1
0

127.9375
105
85
75
50
25
1
0.25
0.0625
0

4095
4092
4080
3696
3456
2048

-1
-4
-16
-400
-640
-2048

-0.0625
-0.25
-1
-25
-40
-128

10進法表示(1) ℃単位の温度値 = 符号付き 10 進数 / 16 = 符号付き 10 進数 × 0.0625。
1℃未満の分解能が必要ない場合は、温度 LSB バイト (TEMP [3:0]) を読み取る必要はありません。
温度センサは、RV-3032-C7 モジュールの動作温度（ -40 ～ +105°C ）の範囲外では動作させないでください。

注: 温度 LSB および温度 MSB レジスタはブロッキング／シャドウイングを認識しません。
有効な 12 ビットの温度値を取得するには、TEMP [11:0] 値を 1 Hzチック（時刻クロック）の直後、または 1 Hzチックの
1 ミリ秒以上前までに読み取る必要があります (または TEMP [11:0] 値を 2 回読み取り比較する方法もあります）。

May 2023

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RV-3032-C7

3.9. 制御（コントロール）レジスタ
10h – 制御（コントロール）1
このレジスタは、時刻更新割り込み機能の秒または分の指定と、繰返しカウントダウンタイマの動作の選択及びタイマ周波数の設定に使用されます。 機能設定レジスタ の オートリフレッシュ機能の無効化／有効化の設定にも使用されます。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

10h

制御 (ｺﾝﾄﾛ-ﾙ) 1
リセット値

R/WP

0

0

GP0
0

USEL
0

TE
0

EERD
0

0

Bit

Symbol

Value

7:6
5

GP0

0
0 or 1

Bit 0
TD
0

Description
未実装ビット。 読み込むと 0 を返します。
汎用レジスタビット。

時刻更新割り込み選択ビット。
時刻更新割り込み機能の秒更新または分更新を指定します。
(時刻更新割り込み機能を参照)
4

3

TE

2

EERD

1:0

TD 設定値00011011May 2023

USEL

STOP ビットが 1 に設定されると、割り込み機能が停止します。秒レジスタに書き込みがあった場合、または EVI端子で外部イベントが検出された場合に ESYN ビットが 1 となっている場合、現在の時刻更新期間の長さは影響を受けます (「時間同期」の項を参照)。
0
秒時刻更新 (自動クリア時間 tRTN2 = 500 ms). – 初期値
1分の時刻更新 (自動クリア時間 tRTN2 = 15.6 ms).
繰返しカウントダウン タイマー有効化ビット。 このビットは、繰返しカウントダウン タイ
マー割り込み機能の開始／停止設定を制御します。
(「繰返しカウントダウンタイマー割り込み機能」を参照)。
0繰返しカウントダウンタイマを停止 – 初期値
繰返しカウントダウンタイマを開始 (タイマ値レジスタに設定されたプリセット値
1からカウントダウンが開始されます。).
EEPROM メモリ リフレッシュ 無効化ビット。 1 の場合、EEPROM メモリからの機能設定レジスタのオートリフレッシュが無効になります。
(「オートリフレッシュ (すべての機能設定EEPROM → RAM)」を参照)。
リフレッシュが有効になっています。 機能設定レジスタ内のすべてのデータ
は、EEPROM に保存されているデータによって 24 時間ごとに日付変更時 (午前 0 時前の最後の 1 秒の始まり) に更新されます。 このオートリフレッシュ0の時間は tAREFR = ～3.5 ミリ秒です。 リフレッシュは、RTC が VBACKUP 電源ではなく、VDD ≧ VLOW の場合にのみアクティブになります。 – 初期値
1
オートリフレッシュ は 無効（ディセーブル）。
タイマークロック周波数の選択。 繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能のカ
ウントダウンクロック周波数を設定します。 この設定により、自動リセット時間
tRTN1 も決まります。 下表を参照してください (「繰返しカウントダウン タイマ割り込み機能」も参照)。
クロックソースが秒更新 (1 Hz) または分更新 (1/60 Hz) に設定されている場
合、カウントダウンと割り込みの両方のタイミングはクロック更新のタイミングと調整されますが、最大ジッターは 30.5 μs です。
STOP ビットが 1 に設定されると、割り込み機能が停止します。 秒レジスタが書き込まれた場合、または EVI 端子で外部イベントを検出した場合に ESYN ビッ
トが 1 に設定されている場合は、現在のカウントダウン期間の長さは影響を受けます (「時間同期」の項を参照)。

TD

00 to 11

タイマー周波数
4096 Hz – Default value
64 Hz
1 Hz
1/60 Hz

カウントダウン時間
244.14 μs
15.625 ms
1s
60 s

25/154

自動ﾘｾｯﾄ(ｸﾘｱ）時間 tRTN1
122 μs
7.813 ms

STOP ﾋﾞｯﾄ

STOP ビットが 1 に設定されると、割り込み機能が停止します (「時刻同期」の項も参照)。

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11h – 制御（コントロール） 2
このレジスタは、CLKOUT端子からの割り込み制御クロック出力の有効化ビット、INT端子からのの割り込み信号出力の有効化ビット、時刻・カレンダー動作の停止/開始のステータスを制御するビット (STOPビット）があります。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

11h

制御 (ｺﾝﾄﾛ-ﾙ) 2
ﾘｾｯﾄ値

R/WP

0

CLKIE
0

UIE
0

TIE
0

AIE
0

EIE
0

GP1
0

STOP
0

Bit
7

Symbol
-

6

CLKIE

5

UIE

Value
0

1

4

TIE

0
1

3

AIE

2

EIE

1

GP1

0

STOP

Description

未実装ビット。 読み込むと 0 を返します。
割り込み制御クロック出力有効化ビット。
有効にすることで、クロック出力により外部システムをウェイクアップすることができます。
(「割り込み制御クロック出力」を参照)
割り込み制御クロック出力が無効 － 初期値01 に設定すると、クロック割り込みマスク (レジスタ 14h) およびレジスタ
EEPROM ｸﾛｯｸ出力1 、および EEPROM ｸﾛｯｸ出力 2 (C2h および C3h) でのク
1
ロック設定に従って、割り込み発生時にCLKOUT端子からクロック出力が自動で出力開始します。 この機能は、VBACKUP電源状態では無効になります。
(VDD 電源状態に戻ったときのクロック出力)。
時刻更新割り込みイネーブルビット(「時刻更新割り込み機能」を参照)
時間更新イベントが発生した場合、INT端子から割り込み信号は生成され0ず、UF フラグもセットされません。割込み信号出力時に1→0に変更されると割込み信号はクリアされます。 – 初期値
時刻更新イベントが発生すると、INT端子で割り込み信号が生成され、UF フラグがセットされます。 INT端子からの割込み信号は、tRTN2 = 500 ms (秒更新)後、またはtRTN2 = 15.6 ミリ秒 (分更新)後に自動的にクリアされます。 (1)繰返しカウントダウンタイマ割り込み有効化ビット(「繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能」を参照)
繰返しカウントダウンタイマ イベントが発生しても、INT端子から割込み信号を出力しません。 割込み信号出力時に1→0に変更されると割込み信号はク
リアされます。 – 初期値
繰返しカウントダウン タイマイベントが発生すると、INT端子から割り込み信号
出力が生成されます。 割込み信号は以下の時間で自動的にクリアされます
tRTN1 = 122 µs (TD=00) または tRTN1 = 7.813 ms (TD = 01、10、11) 後。 (1)

アラーム割り込み有効化ビット (「アラーム割り込み機能」を参照)
アラーム
イベントが発生しても割り込み信号は出力しません。割込み信号出力0
時に1→0に変更されると割込み信号はクリアされます。 – 初期値
アラーム イベントが発生すると、INT端子に割り込み信号が生成されます。
1
INT端子の信号は、AF フラグが 0 にクリアされる まで保持されます。
(自動クリアなし) (1)
外部イベント割り込み有効化ビット(「外部イベント割り込み機能」 と 「割り込みスキーム」を参照)
外部イベント入力のイベントが発生しても割り込み信号は出力しません。割込
0
み信号出力時に1→0に変更されると割込み信号はクリアされます。 – 初期値
外部イベント入力が発生すると、INT端子に割り込み信号が生成されます。 INT
1
端子の信号は、EVF フラグが 0 にクリアされる まで保持されます。
(自動クリアなし) (1)0 or 1
汎用レジスタ ・ ビット。
STOPビット。 このビットはソフトウェアベースの時間調整 (同期) に使用されます。
( 「STOPビット機能」 を参照)。
0
STOPビットの動作無し – 初期値
クロック プリスケーラーの周波数をの4096 Hz から 1 Hz を停止してリセット
し、1/100 秒レジスタは 00 にリセットされます。
現在記憶されているかもしれない 1 Hz 更新（1チック）もリセットされます。
1

・次の機能が停止します:
時刻・カレンダー、 アラーム、 クロック出力、 タイマー・クロック、 時刻更新ク
ロック、EVI入力フィルタ、温度測定、温度補償動作、THT および TLT 値との温度比較動作 ( 『時刻同期』 も参照)。
外部イベント割り込み機能はまだ動作していますが、有用なデータを提供できません。

(1) CLKOUT端子出力開始の割り込み遅延は、INTDE ビットをセットすることで有効にできます。

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12h – 制御（コントロール） 3
このレジスタは、温度検出の有効化と、INT端子の割り込みイベント出力を制御するために使用されます。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

12h

制御 (ｺﾝﾄﾛ-ﾙ) 3
Reset

R/WP

0

0

0

BSIE
0

THE
0

TLE
0

THIE
0

TLIE
0

Bit
7:5

Symbol-Value
0

Description
未実装ビット。 読み込むと 0 を返します。

バックアップ電源切替え割り込みイネーブルビット(「バックアップ電源切替え機能」 及び 「バックアップ電源切替え割り込み機能」を参照)
4

BSIE

0
1

3

THE

0
1

2

TLE

0
1

1

THIE

0
1

バックアップ電源切替えのイベントが発生しても割り込み信号は出力しません。
信号出力時に1→0に変更されると割込み信号はクリアされます。 – 初期値
外部イベント入力が発生すると、INT端子に割り込み信号が生成されます。
INT端子の信号は、BSF フラグが 0 にクリアされる まで保持されます。
(自動クリアなし) (1)
温度上昇検出有効化ビット (「温度上昇検出割り込み機能」を参照)
高温検出機能 が 無効 – 初期値
プログラム可能な温度上限しきい値による高温検出と、対応するタイムスタン
プ機能を有効にします。 TEMP [11:4] > THT になり高温検出されると、イベント
が 1 秒ごとに生成されます。
温度低下有効化ビット (「温度低下検出割り込み機能」を参照)
温度低下検出機能 が 無効 – 初期値
プログラム可能な温度上限しきい値による温度低下検出と、対応するタイム
スタンプ機能を有効にします。 TEMP [11:4] < TLT になり温度低下が検出されると、イベントが 1 秒ごとに生成されます。
温度上昇割り込み有効化ビット(「温度上昇検出割り込み機能」 及び 「割り込みスキーム」を参照)
温度上昇検出のイベントが発生しても割り込み信号は出力しません。また信号出力時に1→0に変更されると割込み信号はクリアされます。 – 初期値
温度上昇が検出されると、INT端子に割り込み信号が生成されます。 INT端子の信号は、THF フラグが 0 にクリアされるまで保持されます (自動クリアなし) 。
(1) (2)

0

TLIE

0
1

温度低下検出割り込み有効化ビット(「温度低下検出割り込み機能」 及び 「割り込みスキーム」を参照)
温度低下検出のイベントが発生しても割り込み信号は出力しません。また信号出力時に1→0に変更されると割込み信号はクリアされます。 – 初期値
温度低下が検出されると、INT端子に割り込み信号が生成されます。 INT端子の信号は、TLF フラグが 0 にクリアされるまで保持されます (自動クリアなし) 。
(1) (2)(1) CLKOUT端子出力開始の割り込み遅延は、INTDE ビットをセットすることで有効にできます。
(2) THF フラグと TLF フラグは、レジスタ 0Dh ステータスが (0 または 1 を使用して) 書き込まれるたびに常にリセットされます。

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3.10. タイムスタンプ制御レジスタ
13h – タイムスタンプ制御
このレジスタでは、タイムスタンプの値を保持します。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address
13h

May 2023

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

タイムスタンプ制御

R/WP

○

○

EVR

THR

TLR

EVOW

THOW

TLOW

リセット値

0

0

0

0

0

0

0

0

Value

Bit

Symbol

7:6

○

5

EVR

4

THR

3

TLR

2

EVOW

1

THOW

0

TLOW

Description0

読み込みのみ。常に0 。
タイムスタンプ EVI リセット ビット (「タイムスタンプ EVI 機能」を参照)
0
無効 － 初期値。
EVR ビットに 1 を書き込むと、8 つのタイムスタンプ EVI レジスタ (TS EVI カ
ウントから TS EVI 年) がすべて 00h にリセットされます。EVR は設定されたま
1
まになる場合があります。 それ以上のリセットは発生しません。
タイムスタンプ THigh リセットビット (「タイムスタンプ THIGH 機能」を参照)
0
無効 － 初期値。
THR ビットに 1 を書き込むと、7 つのタイム スタンプ THigh レジスタ (TS THigh1
カウントから TS THigh Year) がすべて 00h にリセットされ、THF フラグも 0 にク
リアされます。THR ビットは読み取られると常に 0 を返します。
タイムスタンプ TLow リセットビット (タイムスタンプ TLOW 機能を参照)
0
無効 － 初期値。
TLR ビットに 1 を書き込むと、7 つのタイム スタンプ TLow レジスタ (TS TLow
1
カウントから TS TLow 年) がすべて 00h にリセットされ、TLF フラグも 0 にクリアされます。TLR ビットは読み取られると常に 0 を返します。
タイムスタンプ EVI 上書きビット。 TS EVI レジスタの上書き機能を制御します。
(TS EVI 1/100 秒から TS EVI 年)。
TS EVI カウント レジスタは、上書きビット EVOW の設定に関係なく、常にイベントをカウントします。(「タイムスタンプ EVI 機能」を参照)
最初に発生したイベントのタイムスタンプが記録されて EVI レジスタに残ります。 – 初期値
最初のイベント検出機能を初期化または再初期化するには、EVR ビットに 1 を書き込み、すべての TS EVI レジスタをクリアする必要があります (EVI 端子 =0
HIGH の場合には、POR も同じ効果があります)。
(注記)タイムスタンプ EVI 機能では、TS EVI カウント レジスタでのみ最初または最後のイベントの検出を判断します。そのため、TS EVI カウント レジスタが255 から 0 にオーバーフローすると、次のイベントが初回の値になります 。
(「タイムスタンプ EVI 機能のスキーム」 も参照)。
最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録され、TS EVI レジスタが上書き
1されます。
タイムスタンプ THigh 上書きビット。 TS THigh レジスタの上書き機能を制御します。
(TS THigh 秒から TS THigh 年まで)。 TS THigh Count レジスタは、
上書きビット THOW の設定に関係なく、常にイベントをカウントします。
(温度上昇検出タイムスタンプ機能を参照)
最初に発生したイベントのタイムスタンプが記録され、TS THigh レジスタに残ります。 – 初期値0
最初のイベント検出機能を初期化または再初期化するには、THR ビットに 1を書き込み、すべての TS THigh レジスタをクリアする必要があります (POR
も同じ効果があります)。
最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録され、TS
THigh レジスタが1
上書きされます。
タイムスタンプ TLow 上書きビット。 TS TLow レジスタの上書き機能を制御します 。
(TS TLow 秒から TS TLow 年)。 TS TLow Count レジスタは、
上書きビット TLOW の設定に関係なく、常にイベントをカウントします。
(高温度低下検出タイムスタンプ機能を参照)
最初に発生したイベントのタイムスタンプが記録され、TS TLow レジスタに残ります。 – 初期値0
最初のイベント検出機能を初期化または再初期化するには、TLR ビットに 1 を書き込み、すべての TS TLow レジスタをクリアする必要があります (POR は同じ効果があります)。
最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録され、TS TLow レジスタが1
上書きされます。

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3.11. クロック割り込みマスク・レジスタ
14h – クロック割り込みマスク
このレジスタは、I2C ストップ・コンディション後の クロック出力・オフ遅延と、クロック出力・オン後の割り込み遅延を有効にするために使用されます。 またクロック割り込みの各割り込みイベントへの紐づけを設定します。 ビットを 1 に設定すると、対応する割り込みイベントが選択されます （ 複数の割り込みイベントを選択できます）。 電源投入後（パワーオンリセット後）は、割り込みイベントは選択無しになっています (「割り込みスキーム」および「クロック出力スキーム」を参照)。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

14h

クロック割り込み
マスク
リセット値

R/WP

CLKD

INTDE

CEIE

CAIE

CTIE

CUIE

CTHIE

CTLIE

0

0

0

0

0

0

0

0

Bit

Symbol

7

CLKD

6

INTDE

Value

1
5

CEIE

0
1

4

CAIE

0
1

3

CTIE

0
1

2

1

0

CUIE

CTHIE

CTLIE

Description

I2C ストップコンディション後のクロック出力・スイッチオフの遅延値選択ビット。
EVI 制御レジスタの CLKDE ビットが 1 に設定されている場合にのみ適用されます。
(「I2C ストップ・コンディション後の CLKOUT オフ遅延」を参照)
0
遅延時間 = Typ.値で tI2C:CLK = 1.4 ms。 – 初期値
1
遅延時間 = Typ.値で tI2C:CLK = 75ms。
クロック出力・オン後の割り込み遅延有効ビット。EEPROM PMU レジスタの NCLKE ビット
が 1 に設定されている場合 (CLKOUT が直接イネーブルされていない状態)、および
CEIE、CAIE、CTIE、CUIE、CTHIE、または CTLIE によってイネーブルされた割り込みにのみ有効です ( 「クロック出力・オン後の割り込み遅延 」を参照) 。
0
遅延時間無し － 初期値。

0
1
0
1
0
1

1/256 秒～3/512 秒 ≈ 3.9 ms ～ 5.9 ms の遅延時間 tCLK:INT を有効にします。
EVI 割り込み時のクロック出力 有効化ビット
無効 － 初期値。
有効。内部の EI信号 が選択されます (1)
アラーム割込み時のクロック出力 有効化ビット
無効 － 初期値。
有効。内部の AI信号 が選択されます (1)繰返しカウントダウンタイマ割込み時のクロック出力 有効化ビット
無効 － 初期値。
有効。内部の TI信号 が選択されます (1)TD = 00 (4096 Hz) が選択されている場合、割り込み遅延は追加されません。
時刻更新割り込み時のクロック出力 有効化ビット
無効 － 初期値。
有効。内部の UI信号 が選択されます (1)
温度上昇検出割り込み時のクロック出力 有効化ビット
無効 － 初期値。
有効。内部の THI信号 が選択されます(1)
温度低下検出割り込み時のクロック出力 有効化ビット
無効 － 初期値。
有効。内部の TLI信号 が選択されます(1)(1) CLKOUT オン後の割り込み遅延は、INTDE ビットをセットすることでアクティブにできます。

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3.12. EVI (外部イベント入力) 制御レジスタ
15h – EVI (外部イベント入力) 制御

このレジスタは、EVI端子のイベント検出を制御します。 EHL ビットに応じてハイレベルまたはローレベル (または立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジ) での検出を設定します。 さらに、ET フィールドでサンプリング時間 tSP を選択することにより、デジタルグリッチフィルタリングを EVI 信号に適用できます（チャタリング対策）。 さらに、このレジスタは、I2C ストップ・コ
ンディション後の CLKOUT オフ遅延のイネーブル ビットと外部イベント同期ビットが含まれます。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

15h

EVI 制御リセット機能

R/WP

CLKDE
0

EHL
0

0

Bit

Symbol

7

CLKDE

Value
0
1

6

EHL

0
1

5:4

ET

3:1

○

00
01
10
11
0
0

0

ESYN
1

May 2023

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

○
0

○
0

○
0

ESYN
0

ET

Description
クロック出力スイッチ・オフ I2Cストップ・コンディション後の遅延 有効化ビット
無効 - 初期値。
スイッチ・オフ遅延が有効。 遅延時間 tI2C:CLK はクロック割り込みマスクレジスタの CLKD ビットで選択できます。
外部イベント入力 High/Low レベル (立上が/立下りエッジ) 検出の選択(「外部イベント割り込み機能」を参照)
立下りエッジ (ET = 00) またはロー レベル (ET ≠ 00)を
EVI ピンの外部イベントとみなされます。 – 初期値
立上りエッジ (ET = 00) またはハイ レベル (ET ≠ 00) を
EVI ピンの外部イベントとみなされます。
イベントフィルタリング時間の設定。EVI 信号のサンプリングにより、EVI 端子入力にデジタルフィルタリングを適用します。
(「外部イベント割り込み機能」を参照)
フィルタリング無し／ エッジ検出 – 初期値。
サンプリング周期 tSP = 3.9 ms (256 Hz)。 エッジとレベルの検出。
サンプリング周期 tSP = 15.6 ms (64 Hz)。 エッジとレベルの検出。
サンプリング周期 tSP = 125 ms (8 Hz)。 エッジとレベルの検出。
読み込みのみ。 常に0。
外部イベント (EVI) 同期ビット。このビットは、ハードウェアベース
の時刻同期に使用されます (「ESYN ビット機能」を参照)。
無効 - 初期値。
EVI 端子での外部イベント検出の場合、4096 Hz～1 Hz のクロックプリスケーラ
周波数がリセットされ、1/100 秒レジスタが 00 にリセットされます。現在記憶されている 1 Hzチック の更新もリセットされます。 外部イベントが発生すると、常にタイムスタンプ EVI が最初に作成され、次に 1/100秒レジスタが 00 にクリアされます。
イベント検出後、ESYN ビットは自動的に 0 にリセットされます。1 の場合、イベントが発生する前に ESYN ビットを 0 にリセットすることで同期機能をキャンセ
ルできます。

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3.13. 温度しきい値設定レジスタ
16h – 低温しきい値の設定
このレジスタでは、ユーザーは温度 MSB レジスタの TEMP [11:4] 値と比較される温度下限しきい値 TLT を設定できます。
TLT は、TEMP [11:4] と同じ 2 の補数形式で保存されます ( 「温度レジスタ」を参照) 。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

16h

低温しきい値
リセット値

R/WP

Bit

Symbol

7:0

TLT

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

0

0

0

0

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

0

TLT
Value

Description-128 to127

TEMP [11:4] と同様の 2 の補数形式の 1℃ ステップ の温度下限しきい値。 内部温度の整数部分 TEMP [11:4] がこの値と自動で比較されます。 TEMP
[11:4] < TLT の場合、イベントが生成されます。
(「温度レジスタ」、「温度低下割り込み機能」、および「タイムスタンプ TLOW機能」を参照)。

17h – 高温しきい値の設定
このレジスタでは、ユーザーは温度 MSB レジスタの TEMP [11:4] 値と比較される温度下限しきい値 THT を設定できます。
THT は、TEMP [11:4] と同じ 2 の補数形式で保存されます (温度レジスタを参照)。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

リセット値

0

0

0

0

Bit

Symbol

Value

7:0

THT

-128 to127

17h

May 2023

FunctionConv.

高温しきい値

R/WP

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

0

THT
Description
TEMP [11:4] と同様の 2 の補数形式での 1℃ステップの温度上限しきい値。
内部温度の整数部分 TEMP [11:4] がこの値と自動で比較されます。 TEMP
[11:4] > THT の場合、イベントが生成されます。
(「温度レジスタ」、「温度上昇割り込み機能」、および「タイムスタンプ THIGH機能」を参照)。

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3.14. タイムスタンプ TLOW レジスタ7バイト の タイムスタンプ TLow レジスタ (タイムスタンプ TLow カウント、タイムスタンプTLow 秒から TS TLow 年まで) 。
(タイムスタンプ TLow 機能を参照)。

18h – タイムスタンプ TLow カウント
このレジスタは 温度低下イベント (TEMP [11:4] < TLT) の発生数が標準バイナリ形式で記録されます。
値の範囲は 0 ～ 255 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Function

18h

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow ｶｳﾝﾄ
リセット値

Bit

Symbol

7:0

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

128
0

64
0

32
0

16
0

8
0

4
0

2
0

1
0

TS TLow Count

Value

Description

0 to 255

温度低下イベントの発生数。バイナリ形式。 オーバーフローが発生した場
合、カウンタは再び 00h から始まります。
・ビット TLE = 0 で イベントのカウントは停止します。
・ビット TLE = 1で、イベントのカウントは動作します。
TS TLow Count レジスタは、上書きビット TLOW の設定に関係なく、常にイベン
トをカウントします。タイムスタンプ TLow リセットビット TLR に 1 が書き込まれると、TS TLow カウント レジスタは 00h にリセットされます(「タイムスタンプ TLOW 機能」を参照)。

19h – 秒 ・ タイムスタンプ TLow
このレジスタは、温度低下時の 『秒』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 59 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Function

19h

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow 秒
リセット値

Bit

Symbol

7

○

6:0

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Value
0

Description
読み込みのみ。 常に0。

BCDフォーマットにて秒の温度低下タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット TLE = 1)、TLOW ビットの設定に応じて、最初または最00 to 59 後に発生したイベントのタイムスタンプが記録されます。 タイムスタンプ TLow リ
セットビット TLR に 1 が書き込まれると、TS TLow Secondsレジスタは 00h にリセットされます (「タイムスタンプ TLOW 機能」を参照)。

TS TLow Seconds

1Ah – 分 ・ タイムスタンプ TLow
このレジスタは、温度低下時の 『分』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 59 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Function

1Ah

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow 分
リセット値

Bit

Symbol7○

6:0

May 2023

TS TLow Minutes

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Value
0

00 to 59

Description
読み込みのみ。 常に0。
BCDフォーマットにて分の温度低下タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット TLE = 1)、TLOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントの分のタイムスタンプが記録されます。 タイムスタンプ
TLow リセットビット TLR に 1 が書き込まれると、TS TLow Minutesレジスタは00h にリセットされます (「タイムスタンプ TLOW 機能」を参照)。

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DTCXO 温度補償・センサ機能付き リアルタイムクロックモジュール
1Bh – 時間 ・ タイムスタンプ TLow

このレジスタは、温度低下時の 『時間』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 23 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

○
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7:6

○

1Bh

5:0

Function
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow 時間

0

TS TLow Hours

00 to 23

Description
読み込みのみ。 常に0。
BCDフォーマットにて時間の温度低下タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット TLE = 1)、TLOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録されます。 タイムスタン
プ TLow リセットビット TLR に 1 が書き込まれると、TS TLow Hoursレジスタ
は 00h にリセットされます (「タイムスタンプ TLOW 機能」を参照)。

1Ch – 日 ・ タイムスタンプ TLow
このレジスタは、温度低下時の 『日』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 01 ～ 31 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Function

1Ch

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow 日
リセット値

Bit

Symbol

7:6

○

5:0

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

○
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Value
0

TS TLow Date

01 to 31

Description
読み込みのみ。 常に0。
BCDフォーマットにて日の温度低低下タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット TLE = 1)、TLOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録されます。 タイムスタンプ TLow リ
セットビット TLR に 1 が書き込まれると、TS TLow Date レジスタは 00h にリセットされます (「タイムスタンプ TLOW 機能」を参照)。
POR 後または TLR ビットによるリセット後の値 00 は、温度低温タイムスタン
プが記録されるときに有効な値 (01 ～ 31) に置き換えられます。

1Dh – 月 ・ タイムスタンプ TLow
このレジスタは、温度低下時の 『月』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 01 ～ 12 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Function

1Dh

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow 月
リセット値

Bit

Symbol

7:5

○

4:0

May 2023

TS TLow Month

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

○
0

○
0

○
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Value
0

01 to 12

Description
読み込みのみ。 常に0。
BCDフォーマットにて月の温度低下タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット TLE = 1)、TLOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録されます。 タイムスタンプ TLow リ
セットビット TLR に 1 が書き込まれると、TS TLow Date レジスタは 00h にリセットされます (「タイムスタンプ TLOW 機能」を参照)。
POR 後または TLR ビットによるリセット後の値 00 は、温度低温タイムスタン
プが記録されるときに有効な値 (01 ～ 12) に置き換えられます。

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1Eh – 年 ・ タイムスタンプ TLow

このレジスタは、温度低下時の 『年』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 00～ 99 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Function

1Eh

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow 年
リセット値

Bit

Symbol

7:0

May 2023

TS TLow Year

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

80
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Value

Description

00 to 99

BCDフォーマットにて年の温度低下タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット TLE = 1)、TLOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録されます。 タイムスタンプ TLow
リセットビット TLR に 1 が書き込まれると、TS TLow Hoursレジスタは 00h にリセットされます (「タイムスタンプ TLOW 機能」を参照)。

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3.15. タイムスタンプ THIGH レジスタ7バイト の タイムスタンプ TLow レジスタ (タイムスタンプ THigh カウント、タイムスタンプTHigh 秒から TS THigh 年まで) 。
(タイムスタンプ THigh 機能を参照)

1Fh – タイムスタンプ THigh カウント
このレジスタは 温度上昇イベント (TEMP [11:4] > THT) の発生数が標準バイナリ形式で記録されます。
値の範囲は 0 ～ 255 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

128
0

64
0

32
0

16
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

SymbolValue

7:0

TS THigh Count

0 to 255

1Fh

Function
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTHigh ｶｳﾝﾄ

Description
温度上昇イベントの発生数。バイナリ形式。 オーバーフローが発生した場
合、カウンタは再び 00h から始まります。
・ビット THE = 0 で イベントのカウントは停止します。
・ビット THE = 1で、イベントのカウントは動作します。
TS THighCount レジスタは、上書きビット THOW の設定に関係なく、常にイベン
トをカウントします。タイムスタンプ TLHigh リセットビット THR に 1 が書き込まれると、TS THigh カウント レジスタは 00h にリセットされます。
(「タイムスタンプ THIGH 機能」を参照)

20h – 秒 ・ タイムスタンプ THigh
このレジスタは、温度上昇時の 『秒』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 59 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Function

20h

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTHigh 秒
リセット値

Bit

Symbol

7

○

6:0

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Value
0

TS THigh Seconds

00 to 59

Description
読み込みのみ。常に0。
BCDフォーマットにて秒の温度上昇タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット THE = 1)、THOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録されます。 タイムスタンプ
THgih リセットビット THR に 1 が書き込まれると、TS THigh Secondsレジス
タは 00h にリセットされます (「タイムスタンプ THIGH 機能」を参照)。

21h – 分 ・ タイムスタンプ THigh
このレジスタは、温度上昇時の 『分』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 59 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7

○

21h

6:0

May 2023

Function
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTHigh 分

TS THigh Minutes

0

00 to 59

Description
読み込みのみ。常に0。
BCDフォーマットにて分の温度上昇タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット THE = 1)、THOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録されます。 タイムスタンプ THgih リ
セットビット THR に 1 が書き込まれると、TS THigh Minutesレジスタは 00h にリセットされます (「タイムスタンプ THIGH 機能」を参照)。

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22h – 時間 ・ タイムスタンプ THigh

このレジスタは、温度上昇時の 『時間』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 23 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

○
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7:6

○

22h

5:0

Function
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTHigh 時間

0

TS THigh Hours

00 to 23

Description
読み込みのみ。常に0。
BCDフォーマットにて時間の温度上昇タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット THE = 1)、THOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録されます。
タイムスタンプ THgih リセットビット THR に 1 が書き込まれると、TS THigh
Hoursレジスタは 00h にリセットされます (「タイムスタンプ THIGH 機能」を参照)。

23h – 日 ・ タイムスタンプ THigh
このレジスタは、温度上昇時の 『日』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 01 ～ 31 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Function

23h

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTHigh 日
リセット値

Bit

Symbol

7:6

○

5:0

TS THigh Date

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

○
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Value

Description0

読み込みのみ。常に0。
BCDフォーマットにて日の温度上昇タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット THE = 1)、THOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録されます。 タイムスタンプ THgih
リセットビット THR に 1 が書き込まれると、TS THigh Dateレジスタは 00h にリセットされます (「タイムスタンプ THIGH 機能」を参照)。
POR 後または THR ビットによるリセット後の値 00 は、温度低温タイムスタン
プが記録されるときに有効な値 (01 ～ 31) に置き換えられます。

01 to 3124h – 月 ・ タイムスタンプ THigh
このレジスタは、温度上昇時の 『月』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 01 ～ 12 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

○
0

○
0

○
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7:5

○

24h

4:0

May 2023

Function
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTHigh 月

TS THigh Month001 to 12

Description
Read only. Always 0.
BCDフォーマットにて月の温度上昇タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット THE = 1)、THOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録されます。 タイムスタンプ THgih
リセットビット THR に 1 が書き込まれると、TS THigh Monthレジスタは 00h にリセットされます (「タイムスタンプ THIGH 機能」を参照)。
POR 後または THR ビットによるリセット後の値 00 は、温度低温タイムスタン
プが記録されるときに有効な値 (01 ～ 12) に置き換えられます。

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25h – 年 ・ タイムスタンプ THigh
このレジスタは、温度上昇時の 『年』 のタイム スタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 99 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address
25h
Bit

7:0

May 2023

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

80
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

SymbolValue

Description

00 to 99

BCDフォーマットにて年の温度上昇タイムスタンプを保持します。 有効に設定されている場合 (ビット THE = 1)、THOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録されます。
タイムスタンプ THgih リセットビット THR に 1 が書き込まれると、TS THigh Year
レジスタは 00h にリセットされます (「タイムスタンプ THIGH 機能」を参照)。

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTHigh 年

TS THigh Year

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3.16. 外部イベントタイムスタンプ ・ レジスタ
8つの外部イベントタイムスタンプ ・ レジスタ ( 外部イベントTS・カウント、 及び 外部イベントTS 1/100秒 から 外部イベント
TS 年まで) (「外部イベントタイムスタンプ」を参照) 。

26h – 外部イベントタイムスタンプ・カウント
このレジスタは EVI 端子の外部イベント入力の発生数をバリナリフォーマットで保持します。 値の範囲は 0 ～ 255 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address
26h
Bit

7:0

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

128
0

64
0

32
0

16
0

8
0

4
0

2
0

1
X

SymbolValue

Description

0 to 255

EVI 端子入力の外部イベントの発生数。バイナリコードで記録されます。
オーバーフローが発生した場合にはカウンタは再び 00h から始まります。
TS EVI Count レジスタは、上書き EVOW ビットの設定に関係なく、常にイ
ベントをカウントします。
TS EVI Countレジスタは、タイムスタンプ EVI リセット ビット：EVR に 1 が書き込まれると 00h にリセットされます (タイム スタンプ EVI 機能を参照)。
リセット値 X は、POR 時の EVI ピンの電圧によって異なります。 POR 時
は EHL = 0 となるため、Lowレベルは外部イベント割り込みと見なされます。
X = 1 の場合、EVI ピンで LOW レベルが検出されています。
X = 0 の場合、EVI ピンで LOW レベルは未検出です。

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI ｶｳﾝﾄTS EVI Count27h – 外部イベントタイムスタンプ・ 1/100秒レジスタ
このレジスタは 『1/100 秒』 の外部イベントタイムスタンプを BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 99 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

80

40

20

10

8

4

2

1

リセット値

0

0

0

0

0

0

0

0

SymbolValue

TS EVI 100th Seconds

外部イベント タイムスタンプの『1/100 秒』の値をBCDフォーマットにて保持しま
す。EVOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイム
00 to 99 スタンプ値が保持されます。
タイムスタンプ EVI リセットビット：EVR に 1 が書き込まれると、タイムスタンプEVI
1/100 秒レジスタは 00h にリセットされます (タイムスタンプ EVI 機能を参照)。

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ EVI
27h
Bit

7:0

May 2023

1/100秒

Description

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28h – 外部イベントタイムスタンプ・ 秒レジスタ
このレジスタは 『秒』 の外部イベントタイムスタンプ値を BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 59 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7

○

28h

6:0

Function

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI：秒

0

TS EVI Seconds

00 to 59

Description
読み込みのみ。 常に0。

『秒』の外部イベントタイムスタンプ値を BCDフォーマットで保持します。
EVOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタ
ンプが保持されます。
タイムスタンプ EVI リセットビット：EVR に 1 が書き込まれると、TS EVISeconds レジスタは 00h にリセットされます (タイムスタンプ EVI 機能を参照)。

29h – 外部イベントタイムスタンプ・ 分レジスタ
このレジスタは 『分』 の外部イベントタイムスタンプ値を BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 59 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7

○

29h

6:0

Function

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI：分

0

Description
読み込みのみ。 常に0。

『分』 の外部イベントタイムスタンプ値を BCDフォーマットで保持します。 EVOW
ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが保00 to 59 持されます。
タイムスタンプ EVI リセットビット：EVR に 1 が書き込まれると、TS EVI Minutes
レジスタは 00h にリセットされます (タイムスタンプ EVI 機能を参照）。

TS EVI Minutes

2Ah – 外部イベントタイムスタンプ・ 時間レジスタ
このレジスタは 『時間』 の外部イベントタイムスタンプ値を BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 23 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

○
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7:6

○

2Ah

5:0

May 2023

Function

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI：時間

TS EVI Hours0

0 to 23

Description
読み込みのみ。 常に0。
『時間』の外部イベントタイムスタンプ値を BCDフォーマットで保持します。
EVOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタ
ンプが保持されます。
タイムスタンプ EVI リセットビット：EVR に 1 が書き込まれると、TS EVI Hours レ
ジスタは 00h にリセットされます (タイムスタンプ EVI 機能を参照)。

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DTCXO 温度補償・センサ機能付き リアルタイムクロックモジュール
2Bh – 外部イベントタイムスタンプ・ 日レジスタ
このレジスタは 『日』 の外部イベントタイムスタンプ値を BCDフォーマットで保持します。 値は 01 ～ 31 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

○
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
X

Bit

Symbol

Value

7:6

○

2Bh

Function

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI：日

0

Description

読み込みのみ。 常に0。
『日付』の外部イベント タイムスタンプの値をBCDフォーマットにて保持しま
す。EVOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタ
イムスタンプが保持されます。
タイムスタンプ EVI リセットビット：EVR に 1 が書き込まれると、TS EVI
Dateレジスタは 00h にリセットされます (タイムスタンプ EVI 機能を参照)。

5:0

TS EVI Date

01 to 31

リセット値 X は、POR 時の EVI 端子の電圧によって異なります。 POR では EHL = 0 であるため、ローレベルは外部イベント割り込みとみなされ、外部イベントのタイムスタンプが記録されます。
・X = 1 の場合、EVI ピンで LOW レベルが検出されています。
・X = 0 の場合、EVI ピンで LOW レベルは未検出です。
パワーオンリセット (POR) 後 ( EVI端子 = HIGHの場合)、または EVR ビットによるリセット後の値 00 は、外部イベント タイムスタンプが記録されると有効な値 (01 ～ 31) に置き換えられます。

2Ch – 外部イベントタイムスタンプ・ 月レジスタ
このレジスタは 『月』 の外部イベントタイムスタンプ値を BCDフォーマットで保持します。 値は 01 ～ 12 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

○
0

○
0

○
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
X

Bit

Symbol

Value

7:5

○

2Ch

4:0

Function

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI：月TS EVI Month001 to 12

Description

読み込みのみ。 常に0。
『月』の外部イベント タイムスタンプの値をBCDフォーマットにて保持しま
す。EVOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタ
イムスタンプが保持されます。
タイムスタンプ EVI リセットビット：EVR に 1 が書き込まれると、TS EVIMonthレジスタは 00h にリセットされます (タイムスタンプ EVI 機能を参照)。
リセット値 X は、POR 時の EVI 端子の電圧によって異なります。 POR では EHL = 0 であるため、ローレベルは外部イベント割り込みとみなされ、外部イベントのタイムスタンプが記録されます。
・X = 1 の場合、EVI ピンで LOW レベルが検出されています。
・X = 0 の場合、EVI ピンで LOW レベルは未検出です。
パワーオンリセット (POR) 後 ( EVI端子 = HIGHの場合)、または EVR ビットによるリセット後の値 00 は、外部イベント タイムスタンプが記録されると有効な値 (01 ～ 12) に置き換えられます。

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DTCXO 温度補償・センサ機能付き リアルタイムクロックモジュール
2Dh – 外部イベントタイムスタンプ・ 年レジスタ

このレジスタは 『年』 の外部イベントタイムスタンプ値を BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 99 です。
（ 読み込みのみ。書き込みは無効 ）Address
2Dh
Bit

7:0

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

リセット値

80
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

SymbolValue

Description

00 to 99『年』の外部イベント タイムスタンプの値をBCDフォーマットにて保持します。
EVOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイム
スタンプが保持されます。

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI：年TS EVI Year

タイムスタンプ EVI リセットビット EVR に 1 が書き込まれると、TS EVI Year
レジスタは 00h にリセットされます (タイムスタンプ EVI 機能を参照)。

May 2023

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DTCXO 温度補償・センサ機能付き リアルタイムクロックモジュール

3.17. パスワードレジスタ
電源投入後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ～66 ms が経過すると、パスワード PWレジスタは 00h にリセットされます。
パスワード機能が有効になっている場合 (EEPWE = 255)、 各レジスタ (時間、制御、ユーザー RAM、機能設定 EEPROM、およびユーザー EEPROM レジスタ) に書き込むには、正しい 32 ビットのパスワードをパスワード PWレジスタに書き込む必要があります。 32ビットのパスワード PW は、EEPW レジスタの RAMミラー内の 32 ビットと照合されます (「EEPROM パス
ワード レジスタ」 を参照)。

39h – パスワード 0
32ビットパスワードの中の 『 0～7 ビット 』。
（書込みのみ。 読み込むと 0 を返します）
Address39hFunction

Conv.

パスワード 0

W

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

PW [7:0]

リセット値

0

Bit

Symbol

7:0

PW [7:0]Value
00h to
FFh

0

0

0

0
Description

32ビットパスワードの中の 『 0～7 ビット 』。

3Ah – パスワード 1
32ビットパスワードの中の 『 8～15 ビット 』。
（書込みのみ。 読み込むと 0 を返します）
Address

Function

Conv.

3Ah

パスワード 1
リセット値

W

Bit

Symbol

7:0

PW [15:8]

Bit 7
0
Value
00h to
FFh

Bit 6
0

Bit 5
0

Bit 4

Bit 3

PW [15:8]
00
Description

32ビットパスワードの中の 『 8～15 ビット 』。

3Bh – パスワード 2
32ビットパスワードの中の 『 16～24 ビット 』。
（書込みのみ。 読み込むと 0 を返します）
Address

Function

Conv.

3Bh

パスワード 2
リセット値

W

Bit

Symbol

7:0

PW [23:16]

Bit 7
0
Value
00h to
FFh

Bit 6
0

Bit 5
0

Bit 4

Bit 3

PW [23:16]
00
Description

32ビットパスワードの中の 『 16～23 ビット 』。

3Ch – パスワード 3
32ビットパスワードの中の 『 24～31 ビット 』。
（書込みのみ。 読み込むと 0 を返します）
Address

Function

Conv.

3Ch

パスワード 3
リセット値

W

Bit

Symbol

7:0

PW [31:24]

May 2023

Bit 7
0
Value
00h to
FFh

Bit 6
0

Bit 5
0

Bit 4

Bit 3

PW [31:24]
00
Description

32ビットパスワードの中の 『 24～31 ビット 』。

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3.18. EEPROMメモリ制御（コントロール）レジスタ
・『EEPROMメモリの読み込み・書き込み』も参照下さい。

3Dh – EEアドレス
このレジスタは、1つの EEPROM メモリバイトの読み込みまたは書き込みに使用されるアドレスを保持します。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

3Dh

EEアドレス
リセット値

R/WP
1

1

0

0

Bit

SymbolValue

7:0

EEADDR00h to
FFh

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEADDR
0

Description
EEPROM メモリの 1 バイトの直接読み取りまたは書き込み用のアドレス。
（ 初期値 = C0h ）デフォルトのアドレス C0h は、機能設定EEPROM レジスタ最初部分のアドレス( EEPROM PMU ) を指します。

3Eh – EEデータ
このレジスタは、1つの EEPROM メモリバイトから読み込まれた、または書き込まれるデータを保持します。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

3Eh

EE データ
リセット値

R/WP

Bit

Symbol

7:0

EEDATAMay 2023

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEDATA0Value
00h to
FFh

0

0

0

0

Description
直接読み取りまたは EEPROM メモリ 1 バイトへの直接書き込みのデータ。
（ 初期値 = 00h ）43/154

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3Fh – EE コマンド
全ての (読み取り/書き込み可能な) 『ミラーRAMを伴う 機能設定 EEPROM レジスタ』 を更新、またはリフレッシュしたり、1つの EEPROMメモリバイトから読み取りまたは書き込みを行う場合には、このレジスタへの書き込みが必要です。
このコマンドの操作の前に、オートリフレッシュ機能を無効にし (EERD = 1)、ビジー ステータス ビット EEbusy が最後の転送が終了したことを示している必要があります (EEbusy = 0)。 EEF フラグは、EEPROM 書き込みアクセスの失敗検出に使用できます。 11h、12h、21h、または 22h 以外の他の値は入力しないでください。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

3Fh

EE コマンド
リセット値

WP

Bit

Symbol

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

0

0

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EECMD
Value

11h

12h
7:0

Bit 3

EECMD

21h

22h

0

Description
EEPROM メモリ用のコマンド (「EEPROM 読み取り/書き込み」を参照)
11h、12h、21h、または 22h 以外の他の値は入力しないで下さい。
更新 (すべての機能設定ミラーRAM  EEPROM へ)。
『11h』 の値を書き込むと、すべての『機能設定ミラーRAM 』 (アドレス C0h ～CAh) のデータが、対応する『機能設定EEPROM 』バイトに書き込まれます (保存されます)。 「機能設定レジスタの使用」の項も参照してください。
リフレッシュ (すべての機能設定EEPROM → ミラーRAM へ)。
『12h』 の値を書き込むと、すべての 『機能設定EEPROM』 からデータが読み取られ、対応する 『機能設定ミラーRAM』 (アドレス C0h ～ CAh) にコピーされます。 設定値はRAM バイトが書き込まれるとすぐにアクティブになります。
1 つの EEPROM バイトに書き込みます (EE DATA レジスタ  EEPROMへ)。
21h の値を書き込むと、EEDATA (RAM) バイトのデータが、EEADDR バイトで指定されたアドレスを持つ EEPROMバイトに書き込まれます (保存されます)。
（ 『機能設定EEPROM』 (アドレス C0h ～ CAh) 、および『ユーザー EEPROM』(アドレス CBh ～ EAh) にて ）EEPROM の 1 バイトを読み取ります (EEPROM  EEDATA レジスタ へ )。
22h の値を書き込むと、 EEADDR バイトで指定されたアドレスを持つ EEPROM
バイトからのデータが読み取られ、EEDATA (RAM) バイトにコピーされます。
（ 『機能設定EEPROM』 (アドレス C0h ～ CAh) 、および 『ユーザー EEPROM 』(アドレス CBh ～ EAh) にて ）3.19. ユーザーRAMレジスタ
40h ～ 4Fh – ユーザーRAM
汎用RAM目盛りとして 16 バイトのユーザー RAM を使用出来ます。システム ステータス バイトをメモリしておくなどのために使用できます。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

FunctionConv.

40h to 4Fh

ユーザーRAM

R/WP

May 2023

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

16 バイトユーザーRAMメモリ. – 初期値は 00h

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3.20. ミラーRAMを伴う 機能設定EEPROM レジスタ
全ての 機能設定 EEPROM レジスタ (C0h ～ CAh）は EEPROM にメモリされ、RAMレジスタ にミラーリングされます。 機
能は、ミラーRAMレジスタバイトに値が書き込まれるとすぐにアクティブになります （「機能設定レジスタの使用」を参照）。

3.20.1. EEPROM 電源切替設定レジスタ
C0h – EEPROM 電源設定 (PMU)
このレジスタでは、電源切替え機能、チャージポンプ付きトリクルチャージャの設定を行います。またNCLKE ビットも含まれています (「プログラマブル クロック出力」を参照)。 電源投入後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ～66 ms が経過すると、
EEPROM PMU レジスタ値が EEPROM から対応する RAM ミラーにコピーされます。
出荷時のデフォルト値は 00h に設定されています。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

0

NCLKE
0

C0h

EEPROM 電源切替え R/WP
出荷時の初期値

Bit

Symbol

7

-

0

6

NCLKE

0

Bit 5
0

Value

1

Bit 4

Bit 3

BSM

Bit 2

Bit 1

TCR
0

0

Bit 0
TCM

0

0

0

Description
未使用ビット。読み込むと 0 を返します。
クロック出力停止設定ビット (「プログラマブルクロック出力」の項を参照)( クロック出力のタイミング同期の有効／無効 )CLKOUT出力は有効 になっています – 出荷時の初期値。
CLKOUT端子は LOW（出力停止）／（クロック割り込み出力ビット (CLKF = 0)
によって有効化されていない場合） (「割り込み制御」も参照)

電源切替モード設定(「バックアップ電源切替え機能」、「バックアップ電源切替え割り込み機能」、
及び「チャージポンプ付きトリクル充電」の項を参照)
EEPROMへの読み取り/書き込みを行うには、BSM フィールドを 00 または 11に設定してバックアップ電源切替え機能を無効にする必要があります 。
(「EEPROM の読み込み/書き込み条件」を参照)
5:4

BSM

3:2

TCR

00

電源切替が無効。－ 出荷時の初期値。
ダイレクト 電源切替モード (DSM) に設定されます。
VDD < VBACKUP の場合に電源が切り替わります。
01(PMU は、より高い電圧 (VDD または VBACKUP) を選択します)。
レベルスイッチングモード(LSM)に設定されます。
10
VDD < VTH:LSM (2.0 V) 、かつ VBACKUP > VTH:LSM (2.0 V) の場合に電源が切り替わります。 VDD < VTH:LSM (2.0 V) の場合、PMU は DSM モードになります。
11
電源切替が無効。
トリクルチャージ機能の保護抵抗設定(チャージポンプ付きトリクルチャージ機能を参照)
00
トリクルチャージ抵抗：0.6 kΩ － 出荷時初期値 。
01
トリクルチャージ抵抗：2 kΩ
10
トリクルチャージ抵抗：7 kΩ
11トリクルチャージ抵抗：12 kΩ
トリクルチャージモード 設定 (チャージポンプ付きトリクルチャージ機能を参照)
00
トリクルチャージ が オフ – 出荷時初期値 。

TCM 1.75 V
01
1:0

TCM
10
11

•
•

ダイレクト切替モード時 (BSM = 01) は、 VDD電圧が選択されます。
レベル切替モード時(BSM = 10) は、内部レギュレータの1.75VTyp.の電圧が選択されます。(セラチャージ™ モード) (1)

TCM 3.0 V•

レベル切替モード時 (BSM = 10) は、内部チャージポンプの3.0VTyp.
の電圧が選択されます。 (1)TCM 4.5 V•

レベル切替モード時 (BSM = 10) は、内部チャージポンプの4.5VTyp.
の電圧が選択されます。 (1)(1) LSM モード (BSM = 10) では、TCM電圧レベル 1.75 V、3.0 V、及び4.5 V は、VDD > VTH:LSM (最大 2.2 V) の場合にのみ生成されます。

May 2023

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3.20.2. EEPROM オフセット レジスタC1h – EEPROM オフセット
このレジスタは、周波数の経年変化補正のための OFFSETフィールドと、パワーオンリセット割り込み及び電圧低下割り込
み出力を有効にするための PORIE ビットおよび VLIE ビットがあります。
電源投入後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ～66 ms が経過すると、EEPROM オフセット レジスタ値が EEPROM から対応する ミラーRAM にコピーされます。 出荷時の初期値は 00h に設定されています。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

C1h

EEPROM オフセット
出荷時初期値

R/WP

PORIE
0

VLIE
0

Bit

Symbol

7

Bit 5

Bit 4

0
1

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

OFFSET
0

Value

PORIE

Bit 3

0

0

0

Description
パワーオンリセット（POR) 割り込みイネーブル ビット(「パワーオンリセット割り込み機能」を参照)
パワーオンリセット(POR)が発生しても割り込み信号を出力しない、または 0 にするとINT端子からのPOR割り込み信号がクリアされます。 – 出荷時の初期値
パワーオンリセットが発生すると、INT端子から割り込み信号が生成されます。 この割り込み信号はPORFフラグが 0 にクリアされるまで保持されます。（自動クリアなし）。
電圧低下割り込み有効化ビット (「電圧低下割り込み機能」を参照)

6

0

VLIE

1

5:0

-32 to+31

OFFSET

電圧低下イベントが発生しても割り込み信号を出力しない、または 0 にするとINT端子からの電圧低下割り込み信号がクリアされます。 – 出荷時の初期値
電圧低下イベントが発生すると、INT端子から割り込み信号が生成されます。 この割り込み信号は、VLF フラグが 0 にクリアされるまで保持されます。（自動クリアなし）

周波数オフセットの設定値。 -32 ～ +31 の調整ステップの範囲を持つ 2の補数です (最大補正範囲は約 ±7.4 ppm)。 1 LSB の補正値は1/(32768*128) = 0.2384 ppm に相当します。 出荷時初期値は 0 です。
(「経年変化補正」を参照)。

OFFSET

符号なし 10 進数

011111011110:000001000000 (default)

31
30
:
1
0

符号付き 10 進数(2の補数)
31
30:
1
0111111111110:100001
100000

63
62
:
33
32

-1
-2
:
-31
-32

オフセット値 ppm(*)
7.391
7153
:
0.238
0.000
-0.238-0.477:-7.391-7.629(*) 小数点以下5桁で計算(1/(32768×128)=0.23842ppm)
CLKOUT 端子出力 を測定した周波数偏差からOFFSET 値を計算し、その値をEEPROM オフセット レジスタに書き込むことによって補正できます ( 「エージング補正」 を参照) 。

May 2023

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3.20.3. EEPROM クロック出力-1 ・ EEPROM クロック出力-2 レジスタ
レジスタ EEPROMクロック出力 1 および EEPROM クロック出力 2 は、出力周波数を設定する値 HFD [12:0]、OSビッド お
よび FD フィールドを保持します。 電源投入後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ～66 ms の経過後、EEPROM クロック出
力-1 および EEPROM クロック出力-2 の値が EEPROM から対応する ミラーRAM にコピーされます。
CLKOUT端子からプログラマブルクロックを直接出力させるには、NCLKE ビットを 0 (EEPROM C0h) に設定する場合と、割り込み機能 (CLKF = 1) によってアクティブする場合があります (「プログラマブル クロック出力」を参照)。

C2h – EEPROM クロック出力 1
このレジスタは、HFD 値の下位 8 ビットを保持します。 出荷時のデフォルト値は 00h (8192 Hz) です。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

C2h

EEPROM
クロック出力-1
出荷時初期値

R/WP

Bit

SymbolValue

7:0

HFD [7:0]

00h to
FFh

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

HFD [7:0]
0

0

0

0

0
Description

HF モードでの CLKOUT 周波数選択 (下位 8 ビット)。
次ページの表を参照してください。

C3h – EEPROM クロック出力 2
このレジスタは、発振モード選択ビット、FD 値、および HFD 値の上位 5 ビットを保持します。 出荷時のデフォルト値は 00h(XTAL 選択、32.768 kHz) です。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address

Function

C3h

EEPROM
クロック出力-2
出荷時初期値

Bit

Symbol

7

OS

6:5

FD

4:0

HFD [12:8]

FD 設定値
00
01
10
11

Conv.

Bit 7

R/WP

OS

Bit 6

Bit 5

Bit 4

FD

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

HFD [12:8]
0

0

Value
0
1
00 to 11
00000
to
11111

Bit 3

0

0

Description
発振器モードの選択 (同期オシレーター変更)
XTAL モード を選択 – 出荷時の初期値
HFモード を選択
XTAL モードでの CLKOUT 周波数の選択。 下表を参照してください。
HF モードでの CLKOUT 周波数選択 (上位 5 ビット)。
次ページの表を参照してください。

XTAL モードでの CLKOUT 周波数の選択

STOP ビット の影響

32.768 kHz – 出荷時の初期値
1024 Hz (1) (2)64 Hz (1) (2)1 Hz (1) (2)

影響なし

STOP ビット = 1 の場合、クロック出力は停止します。
CLKOUT は HIGH または LOW のままです。 (3)(1) 1024 Hz ～ 1 Hz のクロック信号は補正信号の影響を受ける可能性があります (「温度補償」 及び 「エージング補正」 を参照）。
(2) 秒レジスタへの書き込み時、または ESYN ビットを 1 と設定している際に EVI 端子での外部イベントが検出された場合は、その時の 1024 Hz ～ 1 Hz クロック信号 の現在パルス幅が 影響を受けます。
(3) 1024 Hz、64 Hz、1 Hz は STOPビットにより同期して ON/OFF します。

May 2023

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HFD (13ビット), 8.192 kHz ～ 67.109 MHz ( 8.192 kHzステップ）
HFD [12:0] 設定値

HFD (10 進数)

HFD + 10000000000000

010000000000001
0000000000010:
1100011001011:
1111111111110
1111111111111

1
2
:
6347
:
8190
8191

2
3

(1) HF モード

6348
8191
8192

CLKOUT周波数選択(HF モード）= (HFD+1)×8.192 kHz

STOP ビット の影響

8.192 kHz
– 出荷時の初期値
16.384 kHz
24.576 kHz:
52.002816 MHz:
67.100672 MHz
67.108864 MHz

影響なし (1) (2)のクロックパルス は 補償パルスの影響を受けません ( 「温度補償」 および 「エージング補正」 はありません) 。

(2) 秒レジスタへの書き込み時、または ESYN ビットを 1 と設定している際に EVI 端子にて外部イベント「が検出された場合にも、

HF モード のクロックパルス は影響を受けません。

May 2023

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3.20.4. EEPROM 温度基準値 (TReference) 設定レジスタ
EEPROM TReference 0 レジスタ および EEPROM TReference 1 レジスタ は、0Eh および 0Fh レジスタ の読み取り可能な
温度値 TEMP を校正するために使用される BCDフォーマットの16 ビットの温度リファレンス値：TREF です。 TREF は、計算できる校正ステップを設定します。各ステップでの偏差は 0.0078125℃です。 TREF値は工場出荷時に設定されています
が、ユーザーが変更することも可能です ( 「温度基準値の調整」を参照) 。

C4h – EEPROM 温度基準値 0 (TReference 0 )このレジスタは、16 ビット TREF 値の下位 8 ビットを保持します。 TREF 値は工場出荷時に設定されていますが、ユーザーが変更することも可能です。 電源投入後、 最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ～66 ms が経過すると、EEPROM のTReference 0 値が EEPROM から対応する ミラーRAMにコピーされます。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）AddressC4hFunction

Conv.

EEPROM
温度基準値 0
出荷時初期値

R/WP

Bit

Symbol

7:0

TREF [7:0]

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

TREF [7:0]
工場出荷時に設定済み
Value
00h toFFh

Description
温度基準値 (TREF 値) の下位 8 ビット

C5h – EEPROM 温度基準値 1 (TReference 1 )このレジスタは、16 ビット TREF 値の上位 8 ビットを保持します。 TREF 値は工場出荷時に設定されていますが、ユーザーが変更することも可能です。 電源投入後、 最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ～66 ms が経過すると、EEPROM のTReference 1 値が EEPROM から対応する ミラーRAMにコピーされます。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address
C5h

May 2023

Function

Conv.

EEPROM
温度基準値 1
出荷時初期値

R/WP

Bit

Symbol

7:0

TREF [15:8]

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

TREF [15:8]
工場出荷時に設定済み
Value
00h toFFh

Description
温度基準値 (TREF 値) の上位 8 ビット

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3.20.5. EEPROM パスワード レジスタ
電源投入後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ~66 ms が経過すると、32 ビット の EEPROM パスワード レジスタ 0～3
は EEPROM から対応する ミラーRAMにコピーされます。 出荷時の初期値は 00h に設定されています。

C6h – EEPROM パスワード 0* 32 ビット EEPROM パスワードのビット 0 ～ 7 。
（EEPW レジスタ (*WP) はパスワードで書き込み保護できます。 RAM ミラーは書き込み専用で、 読み出すと0を返します。
ロックが解除されている場合はEEPROM を読み取ることができます）
Address

Function

Conv.

C6h

EEPROM
パスワード 0
出荷時初期値*WP

Bit

Symbol

7:0

EEPW [7:0]

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEPW [7:0]0Value00h to
FFh

0

0

0

0
Description

32 ビット EEPROM パスワードのビット 0 ～ 7。

C7h – EEPROM パスワード 1* 32 ビット EEPROM パスワードのビット 8 ～ 15 。
（EEPW レジスタ (*WP) はパスワードで書き込み保護できます。 RAM ミラーは書き込み専用で、 読み出すと0を返します。 ロックが解除されている場合はEEPROM を読み取ることができます）
Address

Function

Conv.

C7h

EEPROM
パスワード 1
出荷時初期値*WP

Bit

Symbol

7:0

EEPW [15:8]

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEPW [15:8]
0Value
00h to
FFh

0

0

0

0
Description

32 ビット EEPROM パスワードのビット 8 ～ 15 。

C8h – EEPROM パスワード 2* 32 ビット EEPROM パスワードのビット 16 ～ 23 。
（EEPW レジスタ (*WP) はパスワードで書き込み保護できます。 RAM ミラーは書き込み専用で、 読み出すと0を返します。 ロックが解除されている場合はEEPROM を読み取ることができます）
Address

Function

Conv.

C8h

EEPROM
パスワード 2
出荷時初期値*WP

Bit

Symbol

7:0

EEPW [23:16]

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEPW [23:16]
0Value
00h to
FFh

0

0

0

0
Description

32 ビット EEPROM パスワードのビット 16 ～ 23 。

C9h – EEPROM パスワード 3* 32 ビット EEPROM パスワードのビット 24 ～ 32 。
（EEPW レジスタ (*WP) はパスワードで書き込み保護できます。 RAM ミラーは書き込み専用で、 読み出すと0を返します。 ロックが解除されている場合はEEPROM を読み取ることができます）
Address

Function

Conv.

C9h

EEPROM
パスワード 3
出荷時初期値*WP

Bit

Symbol

7:0

EEPW [31:24]

May 2023

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEPW [31:24]
0Value
00h to
FFh

0

0

0

0
Description

32 ビット EEPROM パスワードのビット 24 ～ 32 。
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Rev. 1.3

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RV-3032-C7

DTCXO 温度補償・センサ機能付き リアルタイムクロックモジュール

3.20.6. EEPROM パスワード有効化 レジスタ
電源投入後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ～66 ms が経過すると、パスワード有効化フィールド EEPWE の設定値がEEPROM から対応する ミラーRAM にコピーされます。 出荷時の初期値は 00h に設定されています。

CAh – EEPROM パスワード有効化 レジスタ
（RAM ミラーは書き込み専用で、 読み出すと0を返します）
Address

Function

Conv.

CAh

EEPROM
パスワード有効化
出荷時初期値

WP

Bit

Symbol

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEPWE
0

0

0

0

Value

0
Description

EEPROM パスワード有効化
7:0

0 to 254

EEPWE

255

パスワード機能は無効です。
255 以外の値を書き込むと、パスワード機能は無効になります。
出荷時初期値は 00h です。
パスワード機能が有効です。
値 255 を書き込む場合は、パスワード レジスタ (39h ～ 3Ch) を使用して
32 ビット パスワードを入力できます。

3.21. ユーザーEEPROM
CBh to EAh – ユーザー EEPROM
汎用ストレージ用に 32 バイトのユーザー EEPROM が備えられています。
（ 読み込み: 常に読み込み可／書き込み: パスワードロックが可能 ）Address
CBh to EAh

May 2023

Function

Conv.

ユーザーEEPROM

R/WP

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

32バイトの不揮発性ユーザーEEPROM – 出荷時初期値は00h 。

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RV-3032-C7

3.22. レジスタリセット値
リセット値（ RAMレジスタ） アドレス 00h to 25h:
Address
00h
01h
02h
03h
04h
05h
06h
07h
08h
09h
0Ah
0Bh
0Ch
0Dh
0Eh
0Fh
10h
11h
12h
13h
14h
15h
16h
17h
18h
19h
1Ah
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h

Function

Conv.

R
1/100秒
R/WP
秒
R/WP
分
R/WP
時間
R/WP
曜日
R/WP
日
R/WP
月
R/WP
年
R/WP
分 ｱﾗｰﾑR/WP
時間 ｱﾗｰﾑ
R/WP
日 ｱﾗｰﾑ
R/WP
ﾀｲﾏｰ値 0
R/WP
ﾀｲﾏｰ値 1
R/WP
ｽﾃｰﾀｽ（ﾌﾗｸﾞ）
R/WP
温度 LSBsR
温度 MSBs
R/WP
制御1（ｺﾝﾄﾛｰﾙ 1）
R/WP
制御1（ｺﾝﾄﾛｰﾙ 2）
R/WP
制御3（ｺﾝﾄﾛｰﾙ 32）
R/WP
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ制御
R/WP
ｸﾛｯｸ割り込みﾏｽｸ
外部ｲﾍﾞﾝﾄ入力制御 R/WP
TLow 下限温度閾値 R/WP
THigh 上限温度閾値 R/WP
R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow ｶｳﾝﾄR
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow 秒
R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟTLow 分
R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow 時間Rﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow 日
R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow 月
R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow 年
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh ｶｳﾝﾄ R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh
R
秒
R
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 分
Rﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 時間Rﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 日Rﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 月Rﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 年

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
10

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0

0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
00h  XXh
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0

0

0

0

0

0

0

0

0
0
0
0
0

0
0
0
0
0

0
0
0
0
0

0
0
0
0
0

0
0
0
0
0

0
0
0
0
0

0
0
0
0
0

0
0
0
0
0

0h  Xh

X = 未実装ビット、 または条件により値が決まるビット。

May 2023

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リセット値（ RAMレジスタ） アドレス 26h to FFh:
Address
26h
27h
28h
29h
2Ah
2Bh
2Ch
2Dh
2Eh to 38h
39h
3Ah
3Bh
3Ch
3Dh
3Eh
3Fh
40h to 4Fh
50h to BFh
CBh to FFh

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ EVI ｶｳﾝﾄ

R
R
R
R
R
R
R
R
Prot.
W
W
W
W
R/WP
R/WP
WP

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0

X
0
0
0
0
X
X
0

0
0
0
0
1
0
0

0
0
0
0
1
0
0

0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟEVI 1/100秒

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ EVI 秒
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ EVI 分
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ EVI 時間
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ EVI 日
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ EVI 月
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ EVI 年
予備ﾚｼﾞｽﾀﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
EE ｱﾄﾞﾚｽ
EE ﾃﾞｰﾀ
EE ｺﾏﾝﾄﾞ
ﾕｰｻﾞｰRAM(16 ﾊﾞｲﾄ )予備ﾚｼﾞｽﾀ
予備ﾚｼﾞｽﾀ

00h

R/WP

00h

Prot.
Prot.

00h
00h

X = 未実装ビット、 または条件により値が決まるビット。

May 2023

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RV-3032-C7

工場出荷初期値、ミラーRAMを伴う 機能設定 EEPROM アドレス C0h to CAh:
Address
C0h
C1h
C2h
C3h
C4h
C5h
C6h
C7h
C8h
C9h
CAh

機能

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

EEPROM電源切替
EEPROM ｵﾌｾｯﾄ
EEPROM
ｸﾛｯｸ出力-1
EEPROM
ｸﾛｯｸ出力-2
EEPROM
温度基準値 0EEPROM
温度基準値 1
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ有効化

R/WP
R/WP

0
0

0
0

0
0

0
0

0
0

0
0

0
0

0
0

R/WP

0

0

0

0

0

0

0

0

R/WP

0

0

0

0

0

0

0

0

R/WP

工場出荷時に設定済み

R/WP

工場出荷時に設定済み

*WP

0

0

0

0

0

0

0

0

*WP

0

0

0

0

0

0

0

0

*WP

0

0

0

0

0

0

0

0

*WP

0

0

0

0

0

0

0

0

WP

0

0

0

0

0

0

0

0

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

工場出荷初期値; ユーザーEEPROM, アドレス CBh to EAh:
Address

機能Conv.

CBh to EAh

ﾕｰｻﾞｰEEPROM(32 ﾊﾞｲﾄ)

R/WP

May 2023

Bit 7

Bit 6

00h

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RV-3032-C7

RV-3032-C7 の電源投入後のリセット値 (RAM) と出荷時のデフォルト値 (EEPROM) は機能別に分類されています。

・ RAM レジスタ／リセット初期値値 早見表:
時刻 (hh:mm:ss.00)
年月日 (YY-MM-DD)
曜日
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow ｶｳﾝﾄ
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow 時刻
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ TLow 年月日
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh ｶｳﾝﾄ
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 時刻
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ THigh 年月日
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ EVI ｶｳﾝﾄ

=
=
=
=
=
=
=
=
=
=

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ EVI 時刻
ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ EVI 年月日==

アラーム機能=タイマー機能
時刻更新
温度値 TEMP
温度低下検出閾値
温度上昇検出閾値
外部イベント機能
温度低下タイムスタンプ
温度上昇タイムスタンプ
外部イベントタイムスタンプ
電源切替割込み
割り込み機能EEPROMメモリリフレッシュ
EEbusy ステータスビット

=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=

STOPビットの機能
ESYNビットの機能
THF フラグ
TLF フラグUF フラグ
TF フラグAF フラグ
EVF フラグPORF フラグVLF フラグEEF フラグCLKF フラグ
BSF フラグ
クロック割り込み信号

=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=

パスワード PW
EE アドレス
EE データ
EE コマンド
ユーザーRAM=====

00:00:00.00(1/100秒= 読み込みのみ)
00-01-0100(読み込みのみ)
00:00:00(読み込みのみ) hh:mm:ss
00-00-00(読み込みのみ) YY-MM-DD
0(読み込みのみ)
00:00:00(読み込みのみ) hh:mm:ss
00-00-00(読み込みのみ) YY-MM-DD
X(読み込みのみ)(X = 1 の場合は LOWレベルを検出。 それ以外は X = 0)
00:00:00.00(読み込みのみ) hh:mm:ss:00
00-XX-XX(読み込みのみ) YY-MM-DD( XX-XX = 01-01 の場合は EVI端子で LOWレベル検出。 それ以外は XX-XX = 00-00)

May 2023

無効。 AE_D ビットは 0 で有効だが、 日アラーム値の初期値が無効な値： 00hであるため。
無効。タイマ基準周波数の初期値 = 4096 Hz。
無効。初期値は秒更新割り込みの設定。
000h  XXXh (読み込みのみ)
無効。TLow 閾値 = 0 ℃
無効。THigh 閾値 = 0 ℃
立下りエッジ検出 （ 外部イベント入力 = EVI端子 ）無効。初回のイベント発生の値を残す設定。
無効。初回のイベント発生の値を残す設定。
無効。初回のイベント発生の値を残す設定。
無効。
(有効にするには EEPROMレジスタの項を参照)
無効。 (ミラーRAMレジスタで有効化) 機能設定 EEPROM レジスタの項を参照
有効。
1  0 (tPREFR = ～66 ms の間は1、 その後は自動的に 0 にクリアされます)(読み込みのみ)無効。 (プリスケーラの停止無し)
無効。 (外部イベント入力による時刻同期無し)
0
0
0
0
0
X
( X = 1 の場合は EVI端子で LOWレベル検出, それ以外は X = 0)1
( ビットに 0 を書き込むとクリアできます )0000
無効。 いずれの割り込みにも設定なし。 クロック出力遅延：無効、
遅延時間 ： tI2C:CLK = 1.4 ms 選択, 割込み遅延無し
00000000h(書込みのみ)C0h( EEPROM PMUのアドレスを指定)00h00h(書込みのみ)00h(16 バイト)55/154

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RV-3032-C7

機能設定 EEPROM レジスタ（ミラーRAMを伴う）：出荷時初期値
バックアップ電源切替機能
パワーオンリセット割り込み
低電圧検出割込み
割込み信号
トリクルチャージ
周波数オフセット値
クロック出力
温度基準値
EEPROM パスワード EEPWEEPROM パスワード有効化

=
=
=
=
=
=
=
=
=
=

無効。
(バックアップ電源切替割込み信号は 前頁RAM の表を参照)
無効。
無効。
無効。 (EEPROMレジスタで有効化を設定します。 前頁RAM の表も参照）
無効。 トリクルチャージ抵抗 :TCR = 0.6 kΩ の設定。
0 (6 bits)
有効。 XTALモード選択、 F = 32.768 kHz 。
工場設定値 (16 bits) 。(ユーザーでの再設定が可能)
00000000h (書込みのみ) ( EEPROMはロックされていない場合は読み込み可 )(書込みのみ)無効。

User EEPROM, 出荷時初期値:
ユーザー EEPROM (32 バイト) =May 202300h56/154

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RV-3032-C7

4. 機能詳細の解説
4.1. パワーオンリセット (POR)
パワーオンリセット (POR) は起動時に実行されます (「パワーオン リセット割り込み機能」を参照)。 カウンタ レジスタを含むすべての RAM レジスタはリセット値に初期化され、ミラーRAM レジスタを備えた 『機能設定 EEPROM レジスタ』 はプリセットされた初期値に設定されます。 電源投入時に、『機能設定 EEPROM レジスタ』 の値にて、対応する ミラーRAM の値が自動的にリフシュされます。 この最初のリフレッシュの時間は tPREFR = ~66 ms です (「レジスタ リセット値の概要」を参
照)。

パワーオンリセットフラグ ：PORF が 1 となっている場合は、VDD 電源状態で VPOR 立下りエッジしきい値 (TYP 0.95 V)
以下からの VDD 起動が発生し、それによってデバイスのパワ－オンリセット（POR ）が実行されたことを示します。
PORF 値 1 は、時刻情報が正しくなくなっていることを示します。 値 1 は、ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。
PORIE ビット (EEPROM C1h) がセットされ、PORF フラグが事前にクリアされている場合、パワーオンリセットの発生時にINT端子から割り込み信号を出力させることが出来ます (「パワーオン リセット割り込み機能」を参照)。
（ヒント:） INT端子から POR 割り込みを発生させるには、実際には PORF フラグをリセットする必要はありません。
フラグは、VDD が VPOR (TYP 0.95 V) を下回ると自動的にリセットされ、起動時に VDD が VPOR 立上りエッジしきい値(TYP 1.0 V) を超えると再びセットされるためです。 いずれの場合も POR 割り込みが発生します。

May 2023

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4.2. 自動バックアップ電源切替機能
ハードウェアの定義:•
RV-3032-C7 の2つの電源入力端子
o VDD
主電源の入力端子
o VBACKUP バックアップ電源の入力端子• VTH:LSM ( 2.0 V Typ.) --- レベル切替モード時の電源切り替りのしきい電圧.
• デバウンス ロジックにより電源切替え機能が VBACKUP から VDD に戻る時の VDD のゆらぎをフィルタリン
グするデバウンス時間 tDEB を持たせます。 I2C アクセスは、デバウンス時間 tDEB 後の VDD 電源状態
• (および VDD ≥ 1.4 V の場合) で再び可能になります。
o tDEB MAX = 1 ms ： 内部電圧が常に VLOW (通常 1.2 V) を超えていた場合／VLF = 0。
o tDEB MAX = 1000 ms ： 内部電圧が VLOW (通常 1.2 V) と VPOR (最大 1.05 V) の間の場合／VLF = 1。
「電源バックアップおよびリカバリの AC 電気特性 」も参照してください。
バックアップ電源切替モード：
RV-3032-C7 には 3 つのバックアップ電源切替えモードがあります。 モードの選択は、機能設定 EEPROM のBSM フィールドにて設定できます。EEPROM 電源切替え レジスタを参照してください。
•

BSM = 00

電源切替が無効（出荷時初期値）。「バックアップ電源切替え無効」を参照。

•

BSM = 01•

BSM = 10•

BSM = 11

ダイレクト電源切替 モード(DSM)。「ダイレクト電源切替モード (DSM)」を参照。
＊ VDD < VBACKUP の場合、 VDD → VBACKUPへ電源が切り替ります。
レベル電源切替 モード(DSM)。「レベル電源切替モード (DSM)」を参照。
＊ VBACKUP > VTH:LSM ( 2.0 V typ.) かつ VDD < VTH:LSM (typical 2.0 V）の場合は、
VDD → VBACKUPへ電源が切り替ります。
* VDD < VTH:LSM ( 2.0 V typ.) の場合は 自動的にダイレクト電源切替モード (DSM) になります。
電源切替が無効。 「バックアップ電源切替え無効」を参照。

機能概要:* VDD電源からVBACKUP電源へ切り替わるときのシーケンス：•

バックアップ電源切替フラグ： BSF がセットされます。「バックアップ電源切替割り込み機能」を参照してください。
* BSIE = 1 (レジスタ 12h) としている場合は、割り込み信号がは INT端子から出力され、BSF が 0 にクリアされない限り残ります ( VDD 電源状態に戻るとクリアできます) 。
* BSIE = 0の場合は 割り込み信号は生成されません。

•••

I2C バスインターフェイスは自動的に無効になり (高インピーダンス)、リセットされます。
外部イベント入力機能は無効になっています。
CLKOUT端子出力はLOWで一定になります。

* VBACKUP の電源状態でのシーケンス：• 温度センサと温度補償動作は継続します。
• INT端子の割り込み出力は引き続き機能します。 VBACKUP動作時も割り込みを使用する場合は、INT端子を
VBACKUP へプルアップする必要があります。
• クロック割り込みマスクレジスタ (14h) で選択された以前に設定された割り込みを使用して、CLKOUT端子のクロッ
ク出力を自動的に有効にすることができます (VDD 電源状態に戻ったときのクロック出力)。
(「バックアップ電源切替割り込み機能」 を参照)••

May 2023

TLow ／THigh タイム スタンプ機能は引き続き動作します (タイムスタンプレジスタは、VDD 電源状態に戻った時に外部イベント入力機能は無効になっているため、外部イベント ( EVI ) 入力のタイム スタンプ機能は動作しません。

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4.2.1. 電源切り替え "無し" とする場合

BSM フィールド (EEPROM C0h) を 00 または 11 に設定すると電源切替え機能は無効になります 。
(BSM = 00 が出荷時の初期値です)
1. 単一電源の場合に設定します (デバイスは常に VDD 電源状態です)。 電源は VDD端子 から供給され、
VBACKUP 端子は 10 kΩ の抵抗で VSS にプルダウン接続する必要があります。 バックアップ電源切替えフラグ：
BSF は常に 0 になります。
2.

VDD がオフで VBACKUP が存在しており、デバイスがバックアップ (IBACKUP = 0 nA) から電流を引き込むことができない場合に使用されます。 VBACKUP端子 の バックアップソースは、デバイスが主電源 VDD から再び電源投入されtてバックアップ 電源切替えモードが選択されるまでは スタンバイ モード になります (「代表特性」も参照)。
そのためデバイスがメイン電源 (VDD)供給が無い状態で、最初にバックアップ電源 (VBACKUP) 端子 に電源された場合には 電源切替えは発生せず、電源切替え機能は自動的にスタンバイ モード ( IBACKUP = 0 nA) になります。

4.2.2. ダイレクト切替モード (DMS)ダイレクト切替モードにする場合は BSM = 01 (EEPROM C0h) に設定します。

••

VDD > VBACKUP の時、内部の動作電源は VDD になります。
VDD < VBACKUP の時、内部の動作電源は VBACKUP になります。

ダイレクト切替モードは、 VDD電圧 が VBACKUP電圧よりも高いことが確実な場合に使用できます。
• これは、チャージ ポンプ＝無効になっている内部トリクル充電機能を介して VBACKUP の充電式バックアップ電源(スーパーキャパシタなど) を充電する場合に当てはまります。 VBACKUP で到達する充電電圧は常に電源電圧 VDD
より低くなります。
• VBACKUP のバックアップ ソースが、供給電圧 VDD に等しいかそれに近い値の一次電池では ダイレクト切替モード
は使用しないでください。 例えば、新しい 3 V リチウム コイン型電池の電圧は最大 3.6 V のため、VDD = 3.0V ま
たは 3.3 Vでは、不要なバックアップ電源切替えが発生する可能性があります。
「動作特性表」 と 「代表特性」も参照してください。 電源切替機能が無効の状態から ダイレクト切替モード (DMS) に切り替わる際には 最大で tSWA = 2 ms 必要になりますのでご注意下さい。
『ダイレクト 切替モード』 での電圧動作：
バックアップ電源切替／バックアップ電源切替割り込みが有効／BSIE = 1 (レジスタ 12h) :VDD
VBACKUP

0V
BSF

INT

電源状態

VDD電源

VBACKUP 電源

VDD 電源I2C アクセス

通信可

通信不可

通信可

tDEB
書込み動作

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4.2.3. レベル切替モード (LSM)
レベル切替モードにする場合は BSM = 10 (EEPROM C0h) に設定します。
•••

VDD > VTH:LSM (typical 2.0 V) の時、内部の動作電源は VDD になります。
VBACKUP > VTH:LSM (typical 2.0 V) 及び VDD < VTH:LSM (typical 2.0 V)の時は, 内部の動作電源は VBACKUP になります。
VDD < VTH:LSM (typical 2.0 V)の時はモジュールは自動的に DSM モードになります。
( 「ダイレクト 切替モード (DSM)」を参照 )レベル 切替モードでは VDD がモニタリングされ、しきい値電圧 VTH:LSM = 2.0 V Typ. ( IDD:LSM = 230 nA Typ.) と比較されるた
め、消費電力はダイレクト切替モード (DSM) と比較してわずかに増加します。 「動作特性表」 と 「代表特性」 も参照してください。 電源切替え無効の状態から レベル切替モード に切り替える際には、最大で tSWA = 10 ms 必要になりますのでご注意下さい。
『レベル 切替モード』 での電圧動作：
バックアップ電源切替／バックアップ電源切替割り込みが有効／BSIE = 1 (レジスタ 12h) :VDD
例 1: VBACKUP > VDDTH:LSM

VBACKUP

VTH:LSM (2.0 V Typ.)VBACKUP

例 2: VBACKUP < VDDTH:LSM

0V
BSF

INT
電源状態

VDD 電源VBACKUP 電源

VDD 電源I C access

通信可

通信不可

通信可

2

tDEB
電源状態

VDD 電源VBACKUP 電源

VDD 電源I C アクセス

通信可

通信不可

通信可

2

tDEB
書込み動作

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4.3. チャージポンプ付きトリクルチャージ機能VBACKUP端子をサポートするデバイスには VBACKUP 端子に接続されたバッテリまたはスーパーキャパシタの充電を可能にするチャージ ポンプを備えたトリクルチャージ機能が含まれています。
•••

VDD端子に接続された電源から直接充電
内部安定化電圧 TCM = 1.75 V による充電 (TDK の CeraCharge™ 用)
内部チャージ ポンプ電圧 TCM = 3.0 V または TCM = 4.5 V のいずれかでの充電。以下の図を参照。

レジスタ EEPROM C0h では、チャージポンプ付きトリクルチャージャーを TCM フィールド (出荷時の初期値は「トリクルチャージャ＝オフ」) と、直列の電流制限抵抗を選択するための TCR フィールド (出荷時の初期値は 0.6 kΩ) を設定できます。
順方向電圧降下が 0.25 V のショットキー ダイオードが充電経路に挿入されています。 内部チャージポンプ電圧は、スーパー
キャパシタを使用する場合に効果的 です。 これにより、キャパシタを VDD よりも高い電圧にて充電できるようになります。
外付け部品は必要ありません。
トリクルチャージ電圧レベル （1.75 V、3.0 V または 4.5 V ）は レベル切替モード(LSM) (BSM = 10) が選択されていてVDD > VTH:LSM (最大 2.2 V) の場合にのみ使用可能です。
チャージポンプ付きトリクルチャージ機能：

VDD

6

ｼｮｯﾄｷｰ
ﾀﾞｲｵｰﾄﾞ

TCM

BSM
(VDD)

00
(OFF)

01

1.75 V
VREG

10

3.0 V
CP

11

4.5 V
CP

01
(DSM)

10
(LSM)

TCR
00/11
(OFF)

00
01
10
11

0.6 kΩ1

VBACKUP

2 kΩ
7 kΩ
12 kΩ

ショットキーダイオードの順方向電圧降下により TCM=01 (VDD) の電圧は 『VDD端子電圧-0.25VTyp. 』 になります。

TCM = 00 の場合、及び 電源切替え機能が無効になっている場合 (BSM = 00 または 11)、またはデバイスがVBACKUP 電源状態にある場合、トリクルチャージ機能は無効になります。

4.4. プログラマブルクロック出力
発振器選択ビット OS (EEPROM C3h) にて XTAL モードまたは HF モードを選択できます。
XTAL モード (OS ビット = 0) では、CLKOUT出力は4 つの周波数から選択できます。周波数の選択は FD フィールド(EEPROM C3h) で行います。
• 32.768 kHz; Xtal 発振器から直接出力。温度補償やオフセット補償はありません。
• 1024 Hz, 64 Hz, 1 Hz; Xtal発振器からの分周出力。常に温度補償動作の影響があり、ユーザーが設定可能な
EEPROM オフセット値 (EEPROM C1h) による経年変化補正が行われます。
HF モード (OS ビット = 1) では、8192 Hz から 67.109 MHz までの周波数を 8192 Hz ステップで CLKOUT端子から出力でき、周波数の選択は HFD フィールド (EEPROM C2h および C3h) で設定出来ます。
• 周波数は温度補償されず、オフセット補正もされません。
周波数出力は、I2C バス インターフェイス コマンド (通常動作時) を介して直接制御することも、クロックを供給して外部シス
テムをウェイクアップできるように割り込み信号として出力することもできます。
CLKOUT は、CLKOUT の機能設定とは無関係に、VBACKUP 電源状態では VSS レベル一定（クロック出力=オフ）になります。
パワーオンリセット(POR)の後、ミラーRAMを備えた 『機能設定 EEPROM』 の出荷時の初期値が変更されていない場合は
FD = 00、OS = 0 (EEPROM C3h)、NCLKE = 0 (EEPROM C0h) であるため、32.768kHz が CLKOUT端子から出力されます。
これらの パワーオンリセット(POR) 値をカスタマイズする場合は、『機能設定 EEPROM』 の値を変更することで行えます。
（「EEPROM の読み込み／書き込み」 を参照）
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4.4.1. XTALモードでのクロック出力周波数の選択

OS = 0 (EEPROM C3h) の場合、プログラム可能な XTAL発振器の矩形波出力が CLKOUT端子出力 で利用可能です。 動
作は FD フィールド (EEPROM C3h) によって設定されます。 32.768 kHz (出荷時の初期値) から 1 Hz までの周波数を生成
して、システムクロック、マイクロコントローラークロック、チャージポンプへの入力、または水晶発振器のキャリブレーションとして使用できます。
CLKOUT端子は、プッシュプル出力で、電源投入時には有効になっています (出荷時の初期値)。 CLKOUT は、割り込み機
能 (CLKIE = 0 および CLKF = 0) によって有効化されていない場合に、NCLKE ビットを 1 に設定することによって無効にできます。 無効の場合は LKOUT端子は LOW になります。
STOP ビット機能は、クロック出力の周波数によって CLKOUT 出力に影響を与える可能性があります。 STOP = 1 の場
合、1024 Hz、64 Hz、または 1 Hz のクロック出力が停止します ( 詳細は 「 ストップビットの機能 」 を参照)。
秒レジスタ に値を書き込んだ場合、または EVI 端子での外部イベント検出の場合に ESYN ビットが 1 の時には、1024 Hz～ 1 Hz のクロック パルスの現在の周期期間が影響を受けます。
XTALモードでのクロック出力周波数の選択：
FD の値
00
01
10
11

XTAL モードのクロック出力周波数の選択
32.768 kHz – 出荷時の初期値
1024 Hz (1) (2)64 Hz (1) (2)1 Hz (1) (2)

STOPビットの影響
影響なし
STOP ビット = 1 の時、クロック出力は停止。
CLKOUT端子 出力は HIGH または LOW. (3)(1) 1024 Hz ～ 1 Hz のクロック パルスは補償パルスの影響を受ける可能性があります。

( 「温度補償」 及び 「エージング補正」 を参照 )(2) 1024 Hz ～ 1 Hz のクロック パルスの現在の周期は、秒レジスタへの書き込み時、または EVI ピンでの外部イベント検出の場合に ESYN

ビットが 1 のときに影響を受けます。

4.4.2. HF (High Frequency) モード CLKOUT周波数の選択
OS = 1 (EEPROM C3h) とすると、プログラマブルの HFモードの矩形波クロックをCLKOUT 端子から出力出来ます。 動作
は HFD フィールド (EEPROM C2h および C3h) によって制御されます。 8192 Hz から 67.109 MHz までの周波数を8192 Hz
ステップで生成し、システムクロック、マイコンクロック、またはチャージ ポンプへの入力として使用できます。
CLKOUT端子は、電源投入時に有効になるプッシュプル出力です (出荷時の初期値) 。 クロック出力は、割り込み機能(CLKIE = 0 および CLKF = 0) によってイネーブル設定にされていない場合は、NCLKE ビットを 1 に設定することでディセーブルにできます。 無効の場合、CLKOUT ピンは LOW になります。
HFモード・クロック周波数の選択:
HFD [12:0] の値

HFD の10進法の値

HFD + 1の値

0000000000000

010000000000001
0000000000010:
1100011001011:
1111111111110
1111111111111

1
2
:
6347
:
8190
8191

2
3
6348
8191
8192

HFモードのクロック周波数= (HFD + 1) × 8.192 kHz
8.192 kHz
– 出荷時初期値
16.384 kHz
24.576 kHz:
52.002816 MHz:
67.100672 MHz
67.108864 MHz

STOPビットを設定した際の影響

影響なし(1) (2)(1) HF モードからのクロック パルスは補償パルスの影響を受けません (温度補償および経年変化補正はありません)。
(2) HF モードのクロック パルスの現在のパルス幅は、秒レジスタへの書き込み時、または EVI ピンでの外部イベント検出の場合にも ESYN ビット

が 1 となっている場合には影響を受けません。

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4.4.3. CLKOUT周波数の切替え
2 通りのケースについて、1つは事前に選択した周波数のオン/オフの切り替え、もう 1つは CLKOUT が有効になっているときの周波数の変更についてです。

CLKOUT のオン・オフ (FD、HFD、OS は変更なし):•

NCLKEビットで設定する場合／ タイミング同期のオン・オフ
o FD = 1024 Hz, オフ遅延時間 は 0 から最大1パルス分 (967 µs)o FD = 32768 Hz, オン遅延時間は 600 µs, オフ遅延時間は約 400 µs
o HFD の周波数ではオン遅延時間 は 2.5 ms, オフ遅延時間は 400 µs
CLKFフラグで設定する場合／ タイミング同期のオン・オフ ／ NCLKEでの設定と同じ動作になります•

CLKOUT周波数を OSビットで変更する場合 (FD と HFD は変更しない, CLKOUT出力はオン):•FD  HFDの場合：タイミング同期は変わります。約350 µs間は変更前の周波数→ 2.3 ms の間 CLKOUT端子 =Low、その後、設定後の周波数で出力します。

•

HFD  FD の場合 ：タイミング同期は変わります。約300 µs間は変更前の周波数→ 650μs の間 CLKOUT端子 =Low、その後、設定後の周波数で出力します。
ヒント: OS ビット (C3h／EEPROMレジスタ) を変更する際に、同時に周波数を変更しないでください。

FD または HFD ビットでCLKOUT 周波数を変更する場合 (OS は変更せず、CLKOUT 出力はオン):•

FD (XTALモード) の場合 … 周波数は即座に切り替わります。

•

HFD (HF モード) の場合 … 周波数は即座に切り替わります。 ただし変更直後の周波数は最初の数ミリ秒の間は安定しないため、一旦 CLKOUT出力を停止してオフの間に周波数変更を設定し、再度CLKOUTを出力させる手順が推奨されます ( 例えば, NCLKEビットを使用するなど )。

4.4.4. 通常のクロック出力
通常のクロック出力は、NCLKE ビット( C0h／EEPROMレジスタ) によって制御されます。 NCLKE を 0 (デフォルト) に設定す
ると、CLKOUT端子 からの クロック出力が有効になります。 NCLKE ビットが 1 に設定されている場合、割り込み駆動クロッ
ク出力 (CLKF = 0) によってイネーブルされていない限り、CLKOUT端子は Low（出力オフ） になります。

4.4.5. 割り込み制御クロック出力
割り込み制御クロック出力を使用する場合は、NCLKE (EEPROM C0h) を 1 に設定します (これによりクロック出力が直接出力されるのではありません)。 CLKIE ビット (11h) が 1 に設定されている場合、クロック割り込みマスク レジスタ 14h(CEIE、CAIE、CTIE、CUIE、CTHIE、または CTLIE) で選択された割り込みが発生すると、フラグ CLKF がセットされ、
CLKOUT端子のクロック出力が許可されます。 この機能により、クロックを出力することで外部システム(MCU)をウェイクアッ
プさせることができます。
CLKIE に 0 を書き込むと、CLKOUT端子からの新しいクロック出力割り込みは無効になりますが、クロック出力割り込みが出力している間は (CLKF フラグがセットされている) 、CLKIE ビットの操作ではアクティブな周波数出力は停止されません。
CLKF フラグがクリアされると、CLKOUT端子出力は LOW になります。
•

CLKOUT 出力の割り込み信号の遅延設定は、ビット INTDE (14h) で有効にできます。 MCU をウェイクアップするときに使用します。 「CLKOUT オン後の割り込み遅延」を参照してください。

•

I2C ストップコンディション後の CLKOUT端子出力の停止の遅延設定は、CLKD および CLKDE ビット (レジスタ 14h
および 15h) によって選択および有効化できます。 MCU が自身をスリープ モードにしたい場合に使用されます。
「I2C ストップコンディション後の CLKOUT オフ遅延の設定」を参照してください。
MCU が再度ウェイクアップするための有用な割り込み機能が有効（イネーブル）になっていない場合、MCU がス
リープ モードのままになってしまう可能性がありますので、注意してください。

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4.4.6. CLKOUT ON後の割り込み遅延の設定
割り込み制御クロック出力を使用する場合、CLKOUT出力オン後の割り込み遅延は INTDE ビット(14h) で有効にできます。
MCU をウェイクアップするときに使用します。
NCLKE ビット (C0h／EEPROM レジスタ) が 1 (CLKOUT が直接イネーブルされていない) に設定されている場合、および14hレジスタ にて必要なクロック出力ビット(CEIE、CAIE、CTIE、CUIE、CTHIE、または CTLIE) が有効になっている場合、すべての有効になっている割り込み機能 に適用されます。
••

INTDE = 0 の場合、遅延時間は追加されません (初期値) 。
INTDE = 1 の場合、1/256 秒～3/512 秒 ≒ 3.9 ms～5.9 ms の遅延時間 tCLK:INT が追加されます。

※ TD = 00 (4096 Hz) が選択されている場合、繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能 (CTIE = 1) では遅延を設定できないことに注意してください。 その他の設定 TD = 01、10、11 (64 Hz、1 Hz、1/60 Hz) では、遅延を適用できます。

4.4.7. I2C ストップコンディション後の CLKOUT オフ遅延
割り込み制御クロック出力を使用する場合、I2C ストップコンディション後の CLKOUT出力の スイッチオフ遅延は、CLKD お
よび CLKDE ビット (14h および 15h レジスタ ) によって選択および有効化できます。 MCU が自身をスリープ モードにしたい場合に使用されます。
注意: MCU が再びウェイクアップする有効な割り込み機能が有効になっていないと、MCU がスリープ モードのままになる可能性があります。
CLKD ビットにて次の 2 つの遅延値のいずれかを選択することが出来ます ：••CLKD = 0 の場合、 遅延時間 ：time tI2C:CLK = 1.4 ms Typ. (初期値).
CLKD = 1 の場合、 遅延時間 ：tI2C:CLK = 75 ms Typ.

I2C ストップコンディション後の CLKOUT出力オフ遅延を有効にするには、CLKDE ビットを 1 に設定します：••

CLKDE = 0 の場合、遅延時間は追加されません (初期値) 。
CLKDE = 1 の場合、遅延が有効になります。 遅延時間は CLKD ビットにて設定します。

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4.4.8. クロック出力のスキーム
クロック出力のスキーム :
CTLIE

CLKIE

0

0

1

1

TLI
(1)

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ
CLKF の読み込みｸﾛｯｸ ﾌﾗｸﾞ
CLKF
SET
ｸﾘｱ

CTHIE
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽから
CLKFのｸﾘｱ

0

THI
(1)

1

0

OR
1

0
1
CAIE

AI
(1)

0 1.4 ms

1

1 75 ms

ｸﾛｯｸ出力オフ遅延
I2C STOP後FD(2) 32.768 kHz1024 Hz
64 Hz
1 Hz

1

0

00
01
10
11

0

OS
(2) 0

HFD

0

CEIE

EI
(1)

0

1
CTIE

TI
(1)

CLKD

CLKDE

CUIE

UI
(1)

ｸﾘｱ

(2) 8.192 kHz 0
1
16.384 kHz::
67.109 MHz 8191

1
ﾀｲﾐﾝｸﾞ同期
切替り

1
ﾀｲﾐﾝｸﾞ同期
on/off
NCLKE

OR
1

0 (2)
1

AND
&

ｸﾛｯｸ出力ﾀｲﾐﾝｸﾞ同期
on/off
ﾊﾞｯｸｱｯﾌﾟ (3)
電源状態

1

(1)

割込み信号のスキームを参照下さい。

(2)

FD (C3h／EEPROMレジスタ)、HFD ( C2h・C3h／EEPROMレジスタ)、OS (C3h／EEPROMレジスタ)、および
NCLKE (C0h／EEPROMレジスタ) の出荷時の初期値。

(3)

クロック出力周波数が設定されている場合、RTC モジュールが バックアップ電源動作状態になると 、
CLKOUT端子は 自動で Low （出力停止）になります。 再び VDD 電源状態になると、CLKOUT 端子は自動で クロック周波数を出力します。

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4.5. 時刻の設定と読込み
1 Hz クロック チックから始まるデータ フローとデータの依存関係:
1 Hz tick2048 Hz秒

ロジック回路分

1/100秒

時間
うるう年
計算

日

曜日

月

年

950 ミリ秒未満の RTCレジスタへの I2C 読み取込み/書き込みのアクセス中、RV-3032-C7 の時計カウンタ (時刻およびカレンダー レジスタ 01h ～ 07h） はブロックされます （ただし 100 秒レジスタ : 00h はブロックされません) 。 この間、時計 カ
ウンターの増分 (1 Hzチック) は、一貫したデータ値を保つために保留されます。 保留時間中に発生した 1 つのカウンタ増
分 (最大 1 Hz チィック) はメモリされて、I2Cストップコンディションの後に実施されます。
＜例外＞ 保留時間中に STOP ビットに 0 から 1 が書き込まれた場合、または ESYN = 1 の外部イベントの場合、または秒レジスタに値が書き込まれた場合、現在記憶されている可能性のある 1 Hz更新（1Hzチック）がリセットされ、 4096Hz～1 Hzのプリスケーラ周波数がリセットされます。 プリスケーラをリセットすると、後続のすべての機能 (クロックとカレンダー、XTAL
モードのクロック出力、タイマークロック、時刻更新割り込み信号、温度検知、および EVI 入力フィルタ) の現在のクロック周期の長さに影響します (「時刻同期」の項を参照下さい)。
I2C 読み取り/書き込みアクセスが 950 ミリ秒 (t < 950 ms) 以内に終了すると、時間カウンタは I2C ストップコンディション後に保留が解除され、読み込みまたは書き込みアクセス中に発生した時間カウンタをインクリメントする保留中の要求が正しく実行されて、最大 1 つの 1 Hz ティックを処理できます。 (次の図を参照)。
読み取り/書き込み操作のアクセス時間:
t < 950 ms
S

スレーブアドレス

データ

データ

P
P : ストップコンディション

S : スタートコンディション

この方法では、読み込みまたは書き込みアクセスは一度に行うことが非常に重要です。つまり、秒レジスタから年レジスタまでの時刻・カレンダーの設定または読み取りを 1 回のアクセスで行う必要があります。この方法に従わない場合、時間が破損してしまう可能性があります。
＜ヒント＞1/100秒レジスタ が 時間カウンタ の変わり目の一部として読み取られた場合 ( または 1/100秒の値が 00 または 99 のいずれかである場合)、2回の読み取り値が同じ値であることが確認されるまで、全ての時間レジスタを2～3回読み取りることで、時刻の正しいことが保証されます。

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4.5.1. 時刻の設定（書き込み）
アクセス時間が 950 ミリ秒未満の RTC レジスタへの I2C 読み込み/書き込みのアクセス中、時間カウンタ (1/100 秒レジ
スタを除く ) はブロックされます。 I2C ストップ・コンディションの後、記憶された 1 Hz チックがある場合は実行されます。 秒
レジスタに書き込みを行うと、1/100秒レジスタの値は 00 にクリアされますので注意してください。
・レジスタをブロックすることのアドバンテージ：•••

I2C 書き込みアクセス中に 時刻レジスタ と カレンダー レジスタへの誤った書き込みを防止します 。
(書き込みアクセス中に時間レジスタがインクリメントされません)
書き込み後、記憶された 1 Hz チックが 1 つ処理されて時刻・カレンダーレジスタが更新されます。
読み取りは必要ありません。 書き込まれたデータは整合性があります。

I2C 書き込みアクセスが 950 ms 以上かかった場合、I2C バス インターフェイス は内部のバス タイムアウト機能によってリセットされます。 この場合、前の時間カウンタ値が維持され、保留中の 1 Hz チックが実行され、クロック カウンタの増分 (1Hz チック) は正常に動作し続けます。 通信の再開は、再度 スタート・コンディションの送信から始まります。
I2C の自動インクリメント・アドレス ポインタは、 I2C ストップ・コンディションやタイムアウト後の強制的な内部停止によってリセットはされることはありません。
・時刻を設定するには 2 つの方法があります：
1. 秒レジスタ を含む時刻レジスタを設定した場合、現在記憶されている 1 Hz の更新がリセットされ、プリスケーラ周
波数が 4096 Hz から 1 Hz にリセットされます (同期します) 。
2. 秒レジスタを使用せずに時間レジスタを設定た場合、 書き込みアクセス中に記憶された 1 Hz チックがある場合は実行されます。 古いタイミング同期は持続します。
・ント: タイムカウンターを同期するために秒レジスタに書き込む代わりに、STOP ビット機能または ESYN ビット機能を適用することが出来ます。どちらの関数も秒レジスタの値を変更することなくプリスケーラ周波数を 4096 Hz から 1 Hz にリセットします (「時刻同期」の項を参照)。

4.5.2. 時刻の読み込み
アクセス時間が 950 ミリ秒未満の RTC レジスタへの I2C 読み込み/書き込みのアクセス中、時間カウンタ (1/100 秒レジ
スタを除く) はブロックされます。 I2Cストップ・コンディションの後、記憶された 1 Hz チックがある場合は実行されます。
レジスタをブロックすることのアドバンテージ：•••

I2C 読み取りアクセス中の 時刻 およびカレンダー レジスタの誤った読み取りを防止します (読み取りアクセス中に時間レジスタがインクリメントされません)。
読み込み後、記憶された 1 Hz チックが 1 つ処理されて時刻・カレンダーレジスタが更新されます。
再度の読み取りは必要ありません。 書き込まれたデータは整合性があります。

I2C 読み込みアクセスが 950 ms 以上かかった場合、I2C バス インターフェイスは 内部バス タイムアウト機能によってリセットされます。 この場合、その後に読み取られるすべてのデータは値 FFh となり、保留中の 1 Hz チックが実現され、クロック カウンタの増分 (1 Hz チック) は正常に動作し続けます。 通信の再開は、再度 スタート・コンディション の送信から始まります。
I2C の自動インクリメント・アドレス ポインタは、 I2C ストップ・コンディション や タイムアウト後の強制的な内部停止によってリセットはされることはありません。

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4.6. EEPROM の読み込み／書き込み
EEPROM 読み取り/書き込み機能に関連しているレジスタとビットは以下です。

•
•
•
•
•

EEアドレス (3Dh) (EEPROMメモリ制御レジスタを参照 )EEデータ (3Eh) (EEPROMメモリ制御レジスタを参照 )EE コマンド (3Fh) (EEPROMメモリ制御レジスタを参照 )EEFフラグ及び EEbusyステータスビット( 温度レジスタ、0Eh – 温度 LSB を参照 )EERD ビット (制御レジスタ、10h – 制御 1 を参照)

4.6.1. POR リフレッシュ ( パワーオンリセット・リフレッシュ ) (すべての機能設定EEPROM  ミラーRAM)
パワーオン リセット (POR) 時のすべての 機能設定 EEPROMレジスタの自動読み取り:•••

電源投入時に、機能設定 EEPROM 内の値による機能設定ミラー RAM 値のリフレッシュが自動的に実行されます(「レジスタ リセット値の概要」を参照)。
この最初のリフレッシュの時間は tPREFR = ～66 ミリ秒です。
温度レジスタの EEbusy ビット (0Eh) により、リフレッシュのステータスを監視できます。

4.6.2. オート・リフレッシュ (すべての機能設定EEPROM → 機能設定ミラーRAM)
すべての 機能設定 EEPROMレジスタの自動読み取り:••••機能設定データの整合性を保つために、機能設定ミラーRAM のすべてのデータは、24 時間ごとに日付の変わり目(午前 0 時前の最後の 1 秒の始まり) に機能設定 EEPROM 内のデータによってリフレッシュされます。
このオート・リフレッシュの時間は tAREFR = ～1.4 ミリ秒です。
オート・リフレッシュは、RV-3032-C7 が VBACKUP 電源状態ではなく、EERDビット (EEPROMメモリ・リフレッシュ無効化ビット）によって無効になっていない場合にのみアクティブになります。
（ヒント） オートリフレッシュがすぐに実行されないタイミングの場合には、EEPROM アクセス前に必ずしもオートリフ
レッシュをオフ (EERD = 1) にする必要はありません。 例えば 現在の RTC 時間が 午前1 時の場合など。

4.6.3. アップデート（更新） (すべての機能設定ミラーRAM  機能設定EEPROM)
すべての 機能設定 EEPROMレジスタに書き込み： ( 「機能設定レジスタの使用」も参照 )
•
•
•
•
•

EEPROM に保存されている構成の変更を開始する前に、制御 1 レジスタの EERD 制御ビットに 1 を書き込ん
で、EEPROM からの ミラーRAMレジスタの自動リフレッシュを無効にします。
次に 新しい設定を機能設定ミラーRAM レジスタに書き込みます。そして新しい機能設定全体がミラーRAMレジスタに書き込まれた状態で、コマンド 11h をレジスタ EECMD (3Fh) に書き込むと、EEPROM へ設定値がコピーされます。
更新時間は tUPDATE = ～46 ミリ秒です。
EEPROMのアップデートが終了した後で (EEbusy = 0)、 EERD ビットに 0 を書き込むことで、 レジスタ のオート・リフッシュを再度有効にすることができます。
温度レジスタの EEF フラグ (0Eh) は、EEPROM 書き込みアクセスの失敗検出に使用できます。

4.6.4. リフレッシュ (すべての機能設定EEPROM  機能設定ミラーRAM)
すべての 機能設定 EEPROMレジスタを読み取り:• EEPROM に保存されている構成の読み取りを開始する前に、制御 1 レジスタの EERD 制御ビットに1 を書き込んで、EEPROM からの ミラーRAMレジスタの自動リフレッシュを無効にします。
• 次に 実際の構成を機能設定EEPROMレジスタから読み取ることができます。
レジスタ EECMD にコマンド 12h を書き込むと、RAM への構成のコピーが開始されます。
• このリフレッシュ時間は、tREFR = ～1.4 ミリ秒です。
• 各機能は RAM バイトが書き込まれるとすぐにアクティブになります。
• リフレッシュが終了した後に (EEbusy = 0)、EERD ビットに 0 を書き込むことで、レジスタのオート・リフレッシュを再度有効にすることができます。

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4.6.5. 特定の1つの EEPROMバイトへの書き込み (EEDATA (ミラーRAM)  EEPROM)
機能設定 EEPROM またはユーザー EEPROM レジスタの 1 つの EEPROM バイトに書き込む場合：
•
•
•
•
•

EEPROM に保存されている設定の書き込みを開始する前に、制御 1 レジスタの EERD 制御ビットに1 を書き込んで、EEPROM からの ミラーRAMレジスタの自動リフレッシュを無効にします。
EEPROM に 1 バイトを書き込むには、データを書き込む必要があるアドレスを EEADDR レジスタに入力
し、書き込むデータを EEDATA レジスタに入力してから、コマンド 21h を EECMD レジスタに書き込みむと
EEPROM への書き込みを開始します。
EEPROM の 1 バイトに書き込む時間は、tWRITE = ～4.8 ミリ秒です。
EEPROMのアップデートが終了した後で (EEbusy = 0)、EERD ビットに 0 を書き込むことで、レジスタのオート・リフレッシュを再度有効にすることができます。
温度レジスタの EEF フラグ (0Eh) は、EEPROM 書き込みアクセスの失敗検出に使用できます。

4.6.6. 特定の1つのEEPROMバイトの読み取り (EEPROM  EEDATA (ミラーRAM) )機能設定EEPROM レジスタまたはユーザー EEPROM レジスタから 1 つの EEPROM バイトを読み取ります。
••••

May 2023

EEPROM に保存されている設定の読み込みを開始する前に、制御 1 レジスタの EERD 制御ビットに1 を書き込んで、EEPROM からの ミラーRAMレジスタの自動リフレッシュを無効にします。
EEPROM から 特定の1 バイトを読み取るには、読み取るアドレスを EEADDR レジスタに入力し、コマンド 22h を EECMD レジスタに書き込み、その結果の値を EEDATA レジスタから読み取ることができます。
EEPROM の 1 バイトを読み取るのにかかる時間は、tREAD = ～1.1 ミリ秒です。
EEPROMレジスタの読み込みが終了した後で (EEbusy = 0)、EERD ビットに 0 を書き込むことで、レジスタのオート・リフレッシュを再度有効にすることができます。

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4.6.7. EE busy ビット

EEbusyステータス ビット (温度 LSB レジスタ : 0Eh／Bit :2) がセットされている場合は、EEPROM が現在読み取りまたは書き込み要求を処理中であり、現在のコマンドが終了するまでそれ以降のコマンドを無視することを示します。 電源投入時にはリフレッシュ（EEPROM→ミラーRAMへの書込み）が自動的に実行されます。 この最初のリフレッシュの時間は tPREFR =~66 ミリ秒です。 最初のリフレッシュが終わると、 EEbusy ビットは自動的に 0 にクリアされます。 EEbusy ステータス ビットがクリアされていると、EEPROM 転送が完了したことを示します。
RTC内部の EEPROM オート・リフレッシュ (EERD = 0) とインターフェイスを介した外部 からのEEPROM 読み取り/書き込
みアクセスとの衝突を防ぐために、次の手順を適用する必要があります。
•••

EERD = 1にセット
EEbusy = 0 を確認
EEPROMへ書込み•

EERD = 0 にセット

EEPROMへアクセスする前に オートリフレッシュを無効にします。
EEPROM へのアクセスは EEbusy=0 の時に行います。
書込みの場合はEEPROM レジスタに書込む毎に 例えば10 ミリ秒待ってから、EEbusy=0
かどうかを確認してデータ転送を許可します (読取りの場合は 1 ミリ秒待ちます)。
読取り/書込みアクセスの終了時にEEPROM オートリフレッシュを有効にすることをお勧めします。

EEbusy bit のフローチャート (例):
1 つの EEPROM を読み込み、または全てリフレッシュ (1)オート・リフレッシュ
を無効化

YES

EEbusyビット確認

1 つの EEPROM に書き込み、または全てを更新 (2)オート・リフレッシュ
を無効化

EERD = 1

YES

EEbusy = 1?

NO
1 つの EEPROM
を読み込み、または全てリフレッシュ

YES

1 つの EEPROMを書き込み、または全て更新

EEPROMへの読み込み／リフレッシュのアクセスが許可

待ち時間
1ms

内部EEPROM の読み込み：
1msの待ち時間

EEbusyビット確認

前回の処理が終わっていることを確認
EEbusy = 1?

YES

YES

EEPROMへの書き込み／更新のアク
セスが許可

待ち時間
10 ms

内部EEPROM の書き込み：
10msの待ち時間

EEPROMis busy?

前回の処理が終わっていることを確認
EEbusy = 1?

NO

次の
読み込み?

次の
書き込み?

NO

NO
オート・リフレッシュを有効化

EEbusy = 1?

NO

NO
YES

EEbusyビット確認

EERD = 1

オート・リフレッシュ
を有効化

EERD = 0(1) 「1バイトのEEPROMの読み取り (EEPROM  EEDATA (RAM)」および「リフレッシュ (すべての機能設定 EEPROM  機能設定
ミラーRAM)」を参照してください。

EERD = 0(2) 「1バイトのEEPROM の書き込み (EEDATA (RAM) EEPROM)」及び「更新 (すべての 機能設定ミラーRAM→機能設定EEPROM)」を参照してください。

注: 上記のEEPROM 書き込み手順全体で最小電源電圧 VDD:WRITE = 1.6 V が必要です。
（EEbusy = 0になるまで）
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4.6.8. EEF フラグビット
EEFフラグ (温度LSBレジスタ：0Eh／Bit:3) がセットされている場合は、電源電圧VDDがVDD:EEFを下回ったために
EEPROM書き込みアクセスが失敗したことを示しています。 VDD:EEF が 『 +1.5V以下 』 になっています。
EEFフラグビットの値1 はユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。
このフラグは EEPROM の読み込みのアクセスに関すしての情報は提供しないので注意してください。

4.6.9. EEPROMの読み込み/書き込み 条件
EEPROM の 読み込み／書き込み中に VDD 電源が低下した場合、デバイスは VBACKUP への切り替えが発生するまで動作し通信を続けます (DSM または LSM モードの場合)。 この時間中の動作は推奨されません。
VDD 障害が検出されたらすぐにすべての I2C 通信を停止する必要があります。
EEPROM にデータが書き込まれている間は、VDD は最小書き込み電圧 VDD:WRITE = 1.6 V 以上である必要があります。
VDD がこの電圧を下回ると、デバイスに書き込まれたデータが破損します。
( EEF フラグビット は VDD < VDD:EEF の場合にセットされます)
EEPROM に書き込むには、バックアップ 電源自動切換え回路を主電源 VDD に戻す必要があります。
（「自動バックアップ電源切替え機能」も参照してください ）May 2023

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4.6.10. 機能設定レジスタの使い方（アップデートの必要性）
アドレス C0h ～ CAh の ミラーRAMレジスタ で 機能設定 EEPROM レジスタを使用する一番良い方法は、最初にミラーRAM にてすべての機能設定を行ってから、EEPROM更新 (アップデート）のコマンドを用いて、すべての機能設定 EEPROM を更新することです。
すべての 機能設定EEPROMレジスタ を更新する:
ミラーRAMを伴う機能設定 EEPROM
EEPROM

ミラーRAM
EEPROM 電源切替
C0
EEPROM ｵﾌｾｯﾄ
EEPROM ｸﾛｯｸ出力 1
EEPROM ｸﾛｯｸ出力 2
EEPROM 温度基準値0
EEPROM 温度基準値 1
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ有効化
CA

EEPROM 電源切替
C0
EEPROM ｵﾌｾｯﾄ
EEPROM ｸﾛｯｸ出力 1
EEPROM ｸﾛｯｸ出力 2
EEPROM 温度基準値0
EEPROM 温度基準値1
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ有効化
CA

パスワードによる書き込み保護を有効／無効にする方法、および参照パスワードを変更する方法については「ユーザープログラマブルパスワード (構成レジスタ C6h ～ CAh)」セクションを参照してください。
機能設定レジスタ C0h ～ C5h:
• EEPROM 電源切替えレジスタ／C0h – EEPROM PMU• EEPROM オフセット・レジスタ／C1h – EEPROM Offset• EEPROM クロック出力-1 レジスタ／C2h – EEPROM Clkout 1• EEPROM クロック出力-2 レジスタ／C2h – EEPROM Clkout 2• EEPROM 温度基準値0 レジスタ／C4h – EEPROM TReference 0• EEPROM 温度基準値1 レジスタ／C5h – EEPROM TReference 1
機能設定の編集手順 (例：パスワードによる書き込み保護が有効な場合 (EEPWE = 255) )。
1. パスワード PW (PW = EEPW) を入力して、書き込み保護のロックを解除します。
2. EERD = 1 に設定してオート・リフレッシュを無効にします。
3. レジスタ C0h ～ C5h (RAM) の機能設定を編集します。
4. EECMD = 11h に設定して EEPROMを更新します ( 全ての機能設定ミラーRAM  EEPROM) 。
5. EERD = 0 に設定してオート・リフレッシュを有効にします。
6. 正しくないパスワード(PW) を入力し (PW ≠ EEPW) デバイスをロックします
注:） 機能設定レジスタの ミラーRAMレジスタは アクティブゾーンを定義します。
通常はあまり考えられないケースですが、もしEEPROMにのみ設定を書き込んだ場合は、設定した機能はすぐにはアクティブになりません。この場合は、リフレッシュ（PORリフレッシュ、オート・リフレッシュ、またはソフトウェアによるリフレッシュ)が発生すると設定した機能はアクティブになります。
注:） 特定のテストを実行する場合には、ミラーRAM へ設定を書き込むだけで十分です。
ミラーRAM への設定のみの場合は、リフレッシュ (POR リフレッシュ、オート・リフレッシュ、またはソフトウェアによるリフレッシュ) が発生すると設定が失われます。

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4.7. 割込み信号出力
INT端子の割り込み出力のは、9 つの異なる機能によってトリガーできます。
•
•
•
•
•
•
•
•
•

繰返しカウントダウンタイマ
時刻更新 （秒または分）アラーム機能外部イベント入力
温度低下検出温度上昇検出バックアップ電源切替え
パワーオンリセット
低電圧検出

INT端子からの割り込み信号は、VBACKUP 電源状態でも動作します ( 無効になっている外部イベント入力機能は除く )。

4.7.1. 割込み信号の出力／未出力（ ポーリング制御 ）INT端子からは 9種類の割り込み信号を出力することができます。 これらの割り込み機能の演算結果を出力します。
割り込み信号がMCUで検出された場合 (INT端子が府のパルスを生成するかローレベルになっている時）、MCUから
TF、UF、AF、TLF、THF EVF、VLF、BSF、PORF フラグを読み取り、どの割り込みイベントが発生したかを確認します。
割り込みイベントの発生時に INT端子が Low レベルに変化しないようにする（割り込み信号が出力しないようにする）には、TIE、UIE、AIE、EIE、TLIE、THIE、BSIE、PORIE、および VLIE ビットをクリアします。 PORIEビット、および VLIEビット
は EEPROMレジスタ：C1h にあります。 INT端子からの割り込みを出力せずにイベントが発生したかどうかを確認するために、ソフトウェアにて TF、UF、AF、EVF、TLF、THF、BSF、PORF、および VLF の割り込みフラグを読み取ることができます(ポーリング制御)。

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4.7.2. 割り込み信号スキーム
割り込みスキーム (1/3) :TE, TD 及び
0Bh, 0Ch ﾚｼﾞｽﾀ

ｶｳﾝﾄ
ﾀﾞｳﾝﾀｲﾏｾｯﾄ

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ:
TF 読込みﾀｲﾏ-ﾌﾗｸﾞ
TF

TD

ｸﾘｱ

TD,
INTDE, CTIE

TIE

ﾊﾟﾙｽｼﾞｪﾈﾚｰﾀ 1

tRTN1

ﾄﾘｶﾞ

0

CLKOUT ｵﾝ後

1

割り込み
遅延

ｸﾘｱ
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽから:

TI (3)

TF のｸﾘｱ

THF 及びTLF のｸﾘｱ

UIE

USEL

0

時刻更新
ｼﾞｪﾈﾚｰﾀ1

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ:
UF 読込み時刻更新ﾌﾗｸﾞ
UF
ｾｯﾄ

USEL

ｸﾘｱ

ﾊﾟﾙｽｼﾞｪﾈﾚｰﾀ 2

tRTN2

割り込み
遅延

1
ｸﾘｱ

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽから:(2)

CLKOUT ｵﾝ後

0

ﾄﾘｶﾞ

OR
1

INT
端子

UI (3)UF のｸﾘｱ

THF のｸﾘｱ及びTLF のｸﾘｱ
AE_M

現在の信号を確認
分 ｱﾗｰﾑｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ:
AF 読込み

0
=

1
AE_H

時間 ｱﾗｰﾑ

0=

1

現在の"時間"

日付 ｱﾗｰﾑ0=(1)

ｱﾗｰﾌﾗｸﾞ
AF
ｾｯﾄ

0

CLKOUT ｵﾝ後

1

割り込み
遅延

ｸﾘｱ
THF のｸﾘｱ
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽから: 及びTLF のｸﾘｱ

AE_D

INTDE, CAIE

AIE

ｱﾗｰﾑ・ｺﾝﾄﾛｰﾙ

現在の"分"

今日の"日付"INTDE, CTIEUIE

AI (3)

AF のｸﾘｱ1(1)・有効なアラーム設定がすべて一致する場合のみ。 アラーム フラグ AF が設定されるのは、時刻の増加時に一致したケースのみです。
・AE_D 0=有効 (初期値)、日付アラーム値=00h=無効 (初期値) の場合、アラーム機能は無効になります。
(AF フラグはセットされません)
・すべての AE_x = 1 の場合は一致はありませんが、アラーム イベントが 1 分ごとに発生します。

(2)

ビット TIE、UIE、AIE、AIE、THIE、THIE、BSI、PORIE (EEPROMレジスタ： C1h) 、およびVLIE (EEPROMレジスタ: C1h) が無効の場合には、INT端子はハイ インピーダンスのままになります。

(3)「クロック出力スキーム」の項を参照してください。

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割り込みスキーム (2/3) :ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ:
EVF の読込み
TS EVI
ｽｷｰﾑ

EVI端子
VBACKUP (5)
電源動作

AND
&

外部ｲﾍﾞﾝﾄ
入力機能

INTDE, CEIE

EIE

EHL, ET
外部ｲﾍﾞﾝﾄ・ﾌﾗｸﾞ
EVF
ｾｯﾄ

0

CLKOUT ｵﾝ後

1

割り込み
遅延

ｸﾘｱ
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽから: EVF のｸﾘｱ

TLT

0

<
TEMP [11:4]

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ:
TLF の読込み

TS TLow
ｽｷｰﾑ

TLE

毎秒ﾁｪｯｸ1
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽから:EI (3)

THF 及びTLF のｸﾘｱ

温度低下検出ﾌﾗｸﾞ

ｾｯﾄ

INTDE, CTLIETLIETLF (4)0

CLKOUT ｵﾝ後

1

割り込み
遅延

ｸﾘｱ

ｸﾘｱ

TLF のｸﾘｱ

OR
1

INT
端子

TLI (3)

TS TLow ﾚｼﾞｽﾀ
のｸﾘｱ

TLR

(2)

THFのｸﾘｱ

THE

毎秒ﾁｪｯｸ
THT

0>
TEMP [11:4]

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ:
THF の読込み

TS THigh
ｽｷｰﾑ

1
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽから:
THF のｸﾘｱ

温度上昇検出ﾌﾗｸﾞ

THF (4)
ｾｯﾄ
ｸﾘｱ

THR

INTDE, CTHIE

THIE
0

CLKOUT ｵﾝ後

1

割り込み
遅延

ｸﾘｱ
TS THigh ﾚｼﾞｽﾀのｸﾘｱ

THI (3)

TLF のｸﾘｱ(2)

ビット TIE、UIE、AIE、AIE、THIE、THIE、BSI、PORIE (EEPROMレジスタ： C1h) 、およびVLIE (EEPROMレジスタ: C1h) が無効の場合には、INT端子はハイ インピーダンスのままになります。

(3)「クロック出力スキーム」の項を参照してください。

(4)

THFフラグと TLF フラグは、レジスタ 0Dh ステータスが (0 または 1 にて) 書き込まれるたびに常にリセットされ
ます。

(5)

VBACKUP 電源での動作時は、外部イベント機能は無効になります。
「外部イベント入力タイムスタンプのスキーム」、「温度低下検出タイムスタンプのスキーム」、および「温度上昇検出タイムスタンプのスキーム」 の項目も参照ください。

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割り込みスキーム (3/3) :ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ:
BSFの読込み
BSIE

BSM
電源切替ﾌﾗｸﾞ
BSF
ｾｯﾄ

ﾊﾞｯｸｱｯﾌﾟ電源自動切替え機能0

1

ｸﾘｱ
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽから:
BSF のｸﾘｱ

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ:
VLF の読込み
VLIE

毎秒ﾁｪｯｸVBACKUP

VDD

PMU*

(6)

VLOW
低電圧検出
(TYP 1.2 V)(2)低電圧ﾌﾗｸﾞ
VLF
ｾｯﾄ

0
1

OR
1

INT
端子

ｸﾘｱ
PMU* -- ﾊﾟﾜ-ﾏﾈｼﾞﾒﾝﾄ
ﾕﾆｯﾄ

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽから:
VLF のｸﾘｱ

THF 及びTLF のｸﾘｱ
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ:
PORF の読込み

PORIE

POR* 検出

POR ﾌﾗｸﾞ
PORF
ｾｯﾄ

0
1

(TYP 0.9 V)

ｸﾘｱ

POR* -- ﾊﾟﾜ-ｵﾝ・ﾘｾｯﾄ
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽから:
PORF のｸﾘｱ

THF 及びTLF のｸﾘｱ(2) ビット TIE、UIE、AIE、AIE、THIE、THIE、BSI、PORIE (EEPROMレジスタ C1h) 、およびVLIE (EEPROMレジスタ: C1h) が無効の場合には、INT端子はハイ インピーダンスのままになります。
(6) 起動 (POR=パワーオンリセット) は VDD ピン経由でのみ可能です。
（ Vbackup からは起動しません ）May 2023

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4.8. 繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能
繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能は、244.14μs ～ 4095 分の範囲で設定された任意の周期で定期的に割り込みイベントを発生します。
カウントダウンタイマを開始する場合、最初のカウントダウン期間のみ僅かに値が不定になります。 最初のカウントダウンタ
イマ時間の不正確さの量は、選択したソース クロックによって異なります (「最初のタイマー時間」を参照)。 割り込みイベン
トが発生すると、INT端子がLowレベルになり、イベントが発生したことを示すTFフラグが1にセットされます。 INT端子の出力は、制御2 レジスタの TIEビットが 1 に設定されている場合にのみ有効です。 INT端子のローレベル出力信号は、自動リ
セット時間 tRTN1 の後に自動的にクリアされるか、またはTFフラグが0と書き込まれてクリアされるとキャンセルされます。
••

TD = 00 の場合： tRTN1 = 122 µs
TD = 01, 10 , 11 の場合 ：tRTN1 = 7.813 ms

ビット TIE が 1 に設定されると、内部カウントダウン タイマ割り込みパルス (TI) を使用して、CLKOUT端子のクロック出力を自動的に出力開始させることができます。 「プログラマブル クロック出力」を参照してください。

4.8.1. 繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能のダイアグラム
繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能のダイアグラム: INT端子 (TIE = 1) からの割り込み信号出力の例。

8

TIE ﾋﾞｯﾄ

TE ﾋﾞｯﾄ

9

1

INT端子

4

TF ﾌﾗｸﾞ

3

ｲﾍﾞﾝﾄ

2
1. ﾀｲﾏ時間

5t RTN16

ﾀｲﾏ時間

t RTN1t RTN1t RTN1

7

ﾀｲﾏ時間

ﾀｲﾏ時間

ﾀｲﾏ時間

書き込み動作① 繰返しカウントダウンタイマは、TE ビットに 1 を書き込むと、レジスタ 0Bh および 0Ch に設定されたタイマ値から開始します。 TD フィールドで選択されたタイマークロック周波数に基づきカウントダウンします。
② カウントダウン値が 000h に達すると、割り込みイベントが発生します。 割り込みの後、カウンタは事前に設定されたタイマ値で自動的に再ロードされ、カウントダウンを再開します。
③ 繰返しカウントダウンタイマ割り込みが発生すると、TF フラグが 1 にセットされます。
④ TIEビット が 1 のときに 繰返しカウントダウンタイマ割り込み が発生すると、INT端子出力が LOW になります。
⑤ INT端子出力は自動リセット時間 tRTN1 の間 LOW を維持し、その後自動的にハイ インピーダンスにクリアされます。
TD フィールドにて、タイマークロック周波数と自動リセット時間 tRTN1 を設定します。
tRTN1 = 122 μs (TD = 00) または tRTN1 = 7.813 ms (TD = 01、10、11)。
⑥ TFフラグはソフトウェアにより 0 にクリアされるまで 1 を保持します。
⑦ INT端子が LOW の間に、TF フラグが 0 にクリアされると 割込み信号もすぐにクリアされます。
⑧ INT端子が LOW の間に、TIE ビットが 0 にクリアされると 割込み信号もすぐにクリアされます。
⑨ TE ビットに 0 を書き込むと、繰返しカウントダウンタイマが停止し、自動リセット時間 tRTN1 の経過後にINT端子出力がクリアされます。
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4.8.2. 繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能の使い方
繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能に関連しているレジスタ、フィールド、ビット は以下です。
•
•
•
•
•
•

タイマー値 0 レジスタ (0Bh) ( 繰返しカウントダウンタイマ・レジスタを参照 )タイマー値 1 レジスタ (0Ch) ( 繰返しカウントダウンタイマ・レジスタを参照 )TF フラグ (ステータス（フラグ）レジスタ, 0Dhを参照 )TE ビット及び TD フィールド ( 制御（コントロール）1 レジスタ／10hを参照 )TIEビット (11h – 制御（コントロール） 2 レジスタ／11h を参照 )INTDE 及び CTIEビット ( クロック割り込みマスク・レジスタ／14h を参照)

「割り込み制御クロック出力」も参照してください。
繰返しカウントダウンタイマのタイマ設定を入力する前に、INT端子から不用意な割り込みを防ぐために、TIEビットとTE
ビットに "0" を書き込むことをお勧めします。 タイマ基準周波数・選択フィールド TD にて、繰返しカウントダウンタイマのカ
ウントダウン周期（基準クロック）を設定します (4つの選択肢から設定)。
STOPビットが "1" に設定されると、割り込み機能が停止します。 秒レジスタへの書き込みの際、またはESYNビットが"1"と設定している状態でEVI端子で外部イベント検出された際には、現在のカウントダウン時間の長さに影響があります(時刻同期の項を参照)。 また、繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能を使用しない場合には、タイマ値 0 レジスタ
(0Bh) を RAM バイトとして使用できます。
繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能および割り込み制御クロック出力機能を開始する手順:
1. ビット TE、TIE、TF を 0 に初期化します。この手順によりINT端子での不用意な割り込みを防ぎます。
2. タイマ基準周波数を選択し、対応する値を TD フィールドに書き込みます。
3. タイマ基準周波数に基づいてカウントダウン時間を選択し、対応するタイマ値をタイマー値 0 レジスタ(0Bh) およびタ
イマー値 1 レジスタ(0Ch) に書き込みます。下表を参照ください。
4. INT端子でハードウェア割り込みを取得する場合、または割り込み制御クロック出力機能を使用する場合は、TIE
ビットを "1" に設定します。
5. 割り込み制御クロック出力を有効にする場合は、CTIE ビットを "1" に設定します。
6. CLKOUT出力= オン後の割り込み遅延を有効にする場合は、INTDE ビットを "1" に設定します。
7. TE ビットを "0" から "1" に設定して、繰返しカウントダウンタイマを開始します。
カウントダウンは、アドレス 10h ／Bit: 0 が転送された後の SCL 信号の立ち上がりエッジで開始されます。
開始タイミングを示す次頁の図を参照してください。
カウントダウン時間 (秒):カウントダウン時間 =タイマ値
タイマ基準周波数

カウントダウン時間：
カウントダウン時間：

タイマ値(0Bh 及び 0Ch)

TD = 00 (4096 Hz)

TD = 01 (64 Hz)

TD = 10 (1 Hz)

TD = 11 (1/60 Hz) )

0
1
2
:
41
205
410
2048
:
4095 (FFFh)

244.14 μs
488.28 μs:
10.010 ms
50.049 ms
100.10 ms
500.00 ms:
0.9998 s

15.625 ms
31.25 ms:
640.63 ms
3.203 s6.406 s32.000 s:
63.984 s

1s
2s
:
41 s
205 s
410 s
2048 s:4095 s

1 min
2 min
:
41 min
205 min
410 min
2048 min:4095 minMay 2023

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標準的なカウントダウンタイマの動作：
ﾀｲﾏ値 0xx

03

ﾀｲﾏ値 1

xx

00

xx

03

xx

00

ﾀｲﾏ基準ｸﾛｯｸ
内部
ｶｳﾝﾄﾀﾞｳﾝ
ｶｳﾝﾀ

02

01

03

02

01

03

02

01

03

TEビット
TFフラグ
INT端子
ﾀｲﾏ時間
書込み動作

ﾀｲﾏ時間

最初のﾀｲﾏ時間は不確定要素があります。
次頁の "繰返しカウントダウンタイマの最初のタイマ時間" を参照下さい

この例では、次のカウントダウン期間が終了する前に、タイマーフラグ TF がソフトウェアによってクリアされると想定しています。
カウントダウンタイマの開始時のタイミングチャート：
ｱﾄﾞﾚｽ 10h

SCL端子

SDA端子

USEL

TE

EERD

TD1

TD0

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

ACK

内部ﾀｲﾏ
INT端子

ｲﾍﾞﾝﾄ
1. ﾀｲﾏ時間

SCL信号の立上りｴｯｼﾞ

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4.8.3. 繰返しカウントダウンタイマの最初のタイマ時間
TFフラグがセットされると、このモードが有効の設定になっている場合には INTの割り込み信号が生成されます。
割り込み信号の制御方法については、「割り込み信号出力」のセクションを参照してください。
繰返しカウントダウンタイマの最初のタイマ時間は不確実要素があります。この不確実性は、起動コマンドを送るインター
フェース・クロックとタイマ基準周波数は同期していないために発生します。後続のタイマ時間にはそのような誤差は発生しません。最初のタイマー時間の誤差量は、選択したタイマ基準周波数によって異なります。下表を参照ください。
タイマー値 n の最初のタイマ時間 (1) :TD 値

タイマ基準周波数

00
01
10
11

4096 Hz64 Hz
1 Hz
1/60 Hz

1回目のタイマ時間
最小値
n × 244 µs + 61 µs
n × 15.625 ms
n×1s
n × 60 s

最大値

2回目以降のタイマ時間(n + 1) × 244 µs + 61 µs(n + 1) × 15.625 ms(n + 1) × 1 s(n + 1) × 60 s

n × 244 µs
n × 15.625 ms
n×1s
n × 60 s(1) 有効な タイマ値 n は 1～4095 です。 タイマー値が 0 に設定されている場合は カウントダウン タイマは開始しません。

各カウントダウンの終了時に、タイマ機能 は 繰返しカウントダウン タイマ・ フラグ (ステータス レジスタの TFビット) をセットします。 TF フラグはコマンドによってのみクリアできます。 割り込み信号出力が有効の設定になっていると、 INT端子から割込み信号が出力されます。
タイマー値 (タイマー値 0 およびタイマー値 1) を読み込むと、現在の残りのタイマ数値ではなく、設定した値が返されます。

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4.9. 時刻更新・割り込み信号
時刻更新割り込み機能は、USELビットで1 秒または 1 分の更新時間を選択し定期的に割り込みイベントを生成します。
割り込みイベントが発生すると、INT端子がLowレベルになり、UFフラグが1にセットされてイベントが発生したことを示します。
INT端子の出力は、制御2 レジスタの UIEビットが 1 に設定されている場合にのみ有効です。 INT端子の Low レベル出力
信号は、自動クリア時間 tRTN2 経過後に自動的にクリアされるか、UFフラグが 0 にクリアされるか、UIEビットが 0 にクリアされるとクリアされます。
••

USEL = 0 (秒更新) の場合 ： tRTN2 = 500 ms
USEL = 1 (分更新) の場合 ： tRTN2 = 15.6 ms

UIEビット が 1 に設定されると、RTC内部の時刻更新割り込みパルス (UI) を使用して、CLKOUT端子 のクロック出力を自動的にイネーブルにすることができます。 「プログラマブル クロック出力」を参照してください。

4.9.1. 時刻更新割り込みのダイアグラム
時刻更新割り込み機能のダイアグラム：

7

UIEﾋﾞｯﾄ

INT 端子4

UFﾌﾗｸﾞ

2

ｲﾍﾞﾝﾄ

1

5

t RTN23

1秒または1分

8

t RTN2t RTN2t RTN2

6

1秒または1分

1秒または1分

1秒または1分

書き込み動作① 時刻更新割り込みイベントは、内部時計の値が秒または分の更新時刻と一致すると発生します。
USEL ビットは、秒周期か分周期かによって対応する自動リセット時間 tRTN2 を決定します。
（ tRTN2 = 500 ミリ秒 (秒更新) または tRTN2 = 15.6 ミリ秒 (分更新) ）② 事前に UF フラグがクリアされている場合、時刻更新割り込みが発生すると、フラグ UF が 1 にセットされます。
③ UFフラグは、ソフトウェアによって 0 にクリアされるまで 1 を保持します。
④ UIE ビットが 1 で時刻更新割り込みが発生すると、INT端子の出力は LOW になります。
⑤ INT端子出力は自動クリア時間 tRTN2 の間 LOW を維持し、その後自動的にハイインピーダンスにクリアされます。
⑥ INT端子が LOW の間に UF フラグが 0 にクリアされると、即座に割り込み信号はクリアされます。
⑦ INT端子が LOW の間に UIE ビットが 0 にクリアされると、即座に割り込み信号はクリアされます。
⑧ UIE ビットが 0 の時は、時刻更新割り込みイベントが発生しても UF フラグはセットされず、INT端子出力は Lowになりません。

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4.9.2. 時刻更新割り込み信号の使い方
時間更新割り込み、 および割り込み制御クロック出力機能に関連しているビットは以下になります。
••••

UF フラグ ( ステータス(フラグ)レジスタ, 0Dh )USEL ビット ( 制御(コントロール) 1 レジスタ, 10h )UIE ビット ( 制御(コントロール) 2 レジスタ, 11h)
INTDE 及び CUIE ビット (クロック割り込みマスクレジスタ, 14h )「割り込み制御クロック出力」 も参照してください。
設定を入力する前に、INT端子からの不用意な割り込み出力を防ぐために、UIE ビットに 0 を書き込むことをお勧めします。
STOP ビットが 1 に設定されると割り込み機能が停止します。 また秒レジスタに書き込むか、または ESYN ビットが 1 に設定されている時に EVI 端子での外部イベントが検出された場合には、現在の時刻更新期間の長さに影響があります。
(「時刻同期」の項を参照して下さい)。

時刻更新割り込み、および割り込み制御クロック出力機能を使用する手順は次のとおりです。
1. UIE ビットと UF ビットを 0 に初期化します。
2. 秒更新または分更新かを選択し、対応する値を USEL ビットに書き込みます。
3. INT端子からのハードウェア割り込みによる時刻更新割り込み機能を有効にする場合、または割り込み制御クロック出力機能を使用する場合は、UIE ビットを 1 に設定します。
4. 時刻更新割り込み発生時のクロック出力を有効にする場合は、CUIE ビットを 1 に設定します。
5. CLKOUT オン後の割り込み遅延を有効にする場合は、INTDE ビットを 1 に設定します。
6. 最初の割り込みは、次のイベント (秒または分の更新) の後に発生します。

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4.10. アラーム割り込み機能
アラーム割り込み機能は、日付、時、分の設定などのアラーム設定に対して割り込みを発生させます。割り込みイベントが発生すると、INT端子がLowレベルになり、AFフラグが1にセットされ、イベントが発生したことを示します。INT端子からの出力は、制御(コントロール) 2 レジスタの AIE ビットが 1 に設定されている場合にのみ有効です。
ビット AIE が 1 に設定されている場合、RTC内部のアラーム割り込み信号 (AI) を使用して、CLKOUT端子のクロック出力を自動的にイネーブルにすることができます。 「プログラマブル クロック出力」の項を参照してください。

4.10.1. アラーム機能のダイアグラム
アラーム割り込み機能のダイアグラム：

AIE ﾋﾞｯﾄ
5

INT 端子4

AF ﾌﾗｸﾞ

2

ｲﾍﾞﾝﾄ

1

3

6

ｱﾗｰﾑ

7

ｱﾗｰﾑ

書き込み動作① 選択されたすべてのアラーム レジスタ (AE_x ビット) がそれぞれのカウンタと一致すると、
日付、時間、または分のアラーム割り込みイベントが発生します。
② アラーム割り込みイベントが発生すると、AF フラグが 1 に設定されます。
③ AF フラグはソフトウェアによって 0 にクリアされるまで 1 を保持します。
④ AIE ビットが 1 でアラーム割り込みが発生すると、INTピンの出力は LOW になります。
⑤ INT端子の出力が LOW の時に、AIEビットが 1 から 0 に変更されると INT端子の出力は即座にクリアされます。 AFフラグが 1 の間、INT端子出力は AIE ビットによって制御できます。
⑥ INT端子の出力が LOW の時に、AF フラグが 1 から 0 にクリアされるとINT端子の出力は即座にクリアされます。
⑦ AIE ビットの値が 0 の場合は、アラーム割り込みが発生してもINT端子出力は LOW になりません。

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4.10.2. アラーム割り込み機能の使い方
アラーム割り込み、および割り込み制御クロック出力機能に関連しているビット及びレジスタは以下です。
•
•
•
•
•
•
•
•
•

分レジスタ (02h) ( 時刻レジスタ の項を参照 )時間レジスタ (03h) ( 時刻レジスタ の項を参照 )日付レジスタ (05h) ( カレンダーレジスタ の項を参照 )分アラームレジスタ 及び AE_M ビット(08h) ( アラームレジスタ の項を参照 )時間アラームレジスタ 及び AE_H ビット (09h) ( アラームレジスタ の項を参照 )日付アラームレジスタ 及び AE_D ビット (0Ah) ( アラームレジスタ の項を参照 )AFフラグ ( ステータスレジスタ, 0Dh )AIE ビット ( 制御(コントロール) 2 レジスタ, 11h )INTDE 及びCAIE ビット ( クロック割り込みマスクレジスタ, 14h )「割り込み制御クロック出力」の項も参照してください。
設定を入力する前に、INT端子からの不用意な割り込み出力を防ぐために、UIE ビットに 0 を書き込むことをお勧めします。
STOP ビットが 1 に設定されると割り込み機能が停止します。 また秒レジスタに書き込むか、または ESYN ビットが 1 に設定されていて EVI 端子での外部イベントが検出された時には、現在の時刻更新期間の長さは影響を受けます。
(「時刻同期」の項を参照)
アラーム割り込み機能を使用しない場合、アラームレジスタの1バイト (08h) を RAMバイトとして使用できます。この場合は必ず AIE ビットに 0 を書き込んでください 。 AIE ビットの値を 1 としたままアラームレジスタを RAM レジスタとして使用している場合には、意図せずINT端子が Low レベルになる可能性があります。
アラーム割り込みおよび割り込み制御クロック出力機能を使用する手順は次の通りです。
1. AIE ビットと AF ビットを 0 に初期化します。
2. 希望するアラーム設定をレジスタ 08h ～ 0Ah に書き込みます。
3 つのアラームイネーブルビット：AE_M、AE_H、AE_D にて、アラーム割り込みを有効にするレジスタを選択します。
下表を参照してください.
3. アラーム発生時のクロック出力を有効にする場合は、CAIE ビットを 1 に設定します。
4. CLKOUT端子出力の オン後の割り込み遅延を有効にする場合は、INTDE ビットを 1 に設定します。
5. INT端子でハードウェア割り込みを出力する場合、または割り込み制御クロック出力機能を使用する場合は、AIE
ビットを 1 に設定します。
アラーム割り込み：
アラームイネーブル・ビット
AE_D
AE_H
0
0
0
0
1
1
1
1

0
0
1
1
0
0
1
1

AE_M
0
1
0
1
0
1
0
1

アラームイベントの発生
分、時間、日付 が一致 (月に1回) (1) (2) – 初期値
時間、日付 が一致 (月に1回) (1) (2)分、日付 が一致 (月に1回、毎時間) (1) (2)
日付 が一致 (月に1回) (1) (2)分、時間 が一致 (1日に1回) (1)
時間 が一致 (1日に1回) (1)
分 が一致 (1時間に1回) (1)
毎分 (3)(1) AE_x ビット (x = D, H または M)

AE_x = 0 : アラームが有効
AE_x = 1 : アラームが無効(2) AE_D = 0 = 有効 (デフォルト)、日付アラーム値 = 00h = 無効 (デフォルト) の場合、アラーム機能は無効になります。

(AF フラグはセットされません)。
(3) すべての AE_x = 1 の場合は、 時刻の一致はありませんが アラーム イベントが 1 分ごとに発生します。

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4.11. 外部イベント入力割り込み
外部イベント割り込みを使用する場合は、EIEビットにてイネーブルにします。タイムスタンプ EVI 機能は、VBACKUP 電源状態の場合を除いて常に動作しています 。ET フィールドを使用すると、EVI 入力イベントをエッジ検出、またはフィルタリン
グを使用したエッジおよびレベル検出のいずれかに設定でき、EHLビットを使用してアクティブ エッジ・レベルを設定できます。VBACKUP 電源状態では、外部イベント機能は無効になります。
外部イベント入力が有効に設定されていて ( EIE=1で、事前に EVFフラグが 0 にクリアされている ) 、EVI端子の外部イベントが検出されると、時刻及びカレンダーレジスタがキャプチャされてタイムスタンプ EVIレジスタにコピーされます。 またINT
端子出力から割り込み信号が発生し、EVFフラグが 1 に設定されて、外部イベントが発生したことを示します。
ビット EIE が 1 に設定されていると、外部イベント割り込みの内部信号 (EI) を使用して、CLKOUT 端子のクロック出力を自動的にイネーブルにすることができます。 「プログラマブル クロック出力」の項を参照してください。

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4.11.1. 外部イベント入力割り込み機能のダイアグラム
外部イベント入力割り込み機能のダイアグラム ：（下例の設定） EHL = 1 （立上りエッジ／ハイレベル検出）及び ESYN = 0（時刻同期機能は無し）

9

EVR ﾋﾞｯﾄ

EIE ﾋﾞｯﾄ

1

8

INT 端子4

EVF ﾌﾗｸﾞ

3

EVI端子

2

6

ｲﾍﾞﾝﾄ

ｲﾍﾞﾝﾄ

5

7

ｲﾍﾞﾝﾄ

時刻・ｶﾚﾝﾀﾞｰ・ﾚｼﾞｽﾀ

設定値： ATS EVI ｶｳﾝﾄ・ﾚｼﾞｽﾀ00h (ﾘｾｯﾄ値)

01h

02h

03h

00h

TS EVI ﾚｼﾞｽﾀ(EVOW=1 の場合)

00h (ﾘｾｯﾄ値)

A+1

A+2

A+3

All 00h

TS EVI ﾚｼﾞｽﾀ(EVOW=0, 初期値の場合)

00h (ﾘｾｯﾄ値)

A+1

A+2

A+3

A+1

A+4

A+5

All 00h

書き込み操作① 外部イベント割り込み機能からのタイムスタンプが必要な場合は時刻・カレンダーレジスタを初期化し、EVOW(0 または 1) を選択します。 INT端子の割り込みが必要な場合は、EIEビットを1に設定します。 INT端子 をリセット
して、システムをイベントに備えて準備するためには、EVFフラグをクリアする必要があります。 EVRビットを初期化する必要はありません。 この例の、立ち上がりエッジ／ハイレベル検出の場合は EHL=1 です。
エッジ検出 (ET=00) またはフィルタリング付きエッジ & レベル検出 (ET≠ 00) を選択します。
② EVI ピンの外部イベントが検出された状態。 フィルタリングを使用する場合はデバウンス時間に注意してください(ET ≠ 00)。 値 (A+1) が TS EVI レジスタにキャプチャ／コピーされ、TS EVI カウント・レジスタの値が 1 ずつ増加します。TS EVI カウント・レジスタは、上書き設定 EVOW ビット の設定に関係なく、常にイベントをカウントします。
③ 外部イベント割り込みが発生すると、EVFフラグが1にセットされます。
④ EIE ビットが 1 のときに外部イベント割り込みが発生すると、INT端子の出力は LOW になります。
⑤ EVFフラグはソフトウェアにより0にクリアされるまで1を保持します。
⑥ EVFフラグが 0 に戻されなかったため、INT端子からの割り込みは発生しません。ただし、タイムスタンプ上書きビット
EVOW が 1 に設定されている場合、新しい値 (A+2) が TS EVI レジスタにキャプチャされます。
⑦ INT端子が Low の場合、EVI端子の入力が High レベルであっても、EVFフラグが 0 にクリアされるとすぐに割込み出力も クリアされます 。
⑧ EVF フラグが 1 の間、INT端子の出力は EIEビットによって制御できます。
⑨ EVR ビットに 1 を書き込むと、8 つのタイムスタンプ レジスタ (TS EVI カウントから TS EVI 年) がすべて 00h にリセットされます。 EVR ビットは 1 のままにすることができます。 1 を書き込むか上書きするとリセットが発生します。

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4.11.2. 外部イベント入力割り込み機能の使い方
外部イベント入力割り込み、 および割り込み制御クロック出力機能に関連しているビットは以下になります。
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•

1/100秒 レジスタ (00h) ( 時刻レジスタ の項を参照 )秒レジスタ (01h) ( 時刻レジスタ の項を参照 )分レジスタ (02h) (時刻レジスタ の項を参照)
時間レジスタ (03h) (時刻レジスタ の項を参照)
日付レジスタ (05h) (カレンダーレジスタの項を参照)
月レジスタ (06h) (カレンダーレジスタの項を参照)
年レジスタ (07h ) (カレンダーレジスタの項を参照)
TS EVI カウント レジスタ (26h) (外部イベントタイムスタンプの項を参照)
TS EVI 1/100秒 レジスタ (27h) (外部イベントタイムスタンプの項を参照)
TS EVI 秒 レジスタ (28h) (外部イベントタイムスタンプの項を参照)
TS EVI 分 レジスタ (29h) (外部イベントタイムスタンプの項を参照)
TS EVI 時間 レジスタ (2Ah) (外部イベントタイムスタンプの項を参照)
TS EVI 日付 レジスタ (2Bh) (外部イベントタイムスタンプの項を参照)
TS EVI 月 レジスタ (2Ch) (外部イベントタイムスタンプの項を参照)
TS EVI 年 レジスタ (2Dh) (外部イベントタイムスタンプの項を参照)
EVFフラグ ( ステータス(フラグﾞ)レジスタ, 0Dh )EIE ビット ( 制御(コントロール) 2 レジスタ, 11h )EVR 及び EVOW ビット (タイムスタンプ制御レジスタ, 13h )INTDE 及び CEIE ビット (クロック割り込みマスクレジスタ, 14h)
EHLビット, ETフィールド, ESYN ビット ( EVI 制御レジスタ, 15h )「割り込み制御クロック出力」の項も参照してください。
設定を入力する前に、INT端子からの不用意な割り込み出力を防ぐために、UIEビットに 0 を書き込むことをお勧めします。
す。STOPビットが1に設定されても割り込み機能は引き続き動作しますが、1Hzチックが停止し、また1/100秒レジスタが 00にリセットされるため、有用なデータを提供できません。秒レジスタに書き込むとき、または EVI ピンでの外部イベント検出の場合に ESYN ビットが 1 のとき、次のアラーム割り込みまでの時間の長さに影響があります (「時刻同期」の項を参照)。
外部イベント割り込み、EVI タイムスタンプ、および割り込み制御クロック出力機能を使用する手順は次のとおりです。
1. EIEビット を 0 に初期化します。
2. EVFフラグ を 0 にクリアします。
3. EHL ビットを 0 または 1 に設定して、EVI 端子の『立ち下がりエッジ／ロー レベル』、または『立ち上がりエッジ／ハイ レベル』 のいずれかの検出設定 を選択します。
4. エッジ検出 (ET = 00) またはフィルタリング付きレベル検出 (ET ≠ 00) を選択します。
5. 最後に発生したイベントを記録する必要がある場合には EVOW ビットを 1 に設定するとTS EVI レジスタは
イベント発生の度に上書きされます。
《ヒント》 TS EVI カウント レジスタは、上書きビット EVOW の設定に関係なく、常にイベントをカウントします。
6. EVR ビットに 1 を書き込み、すべてのタイムスタンプ EVI レジスタを 00h にリセットします。
EVR ビットはリセットする必要はありません。
7. 外部イベント発生時のクロック出力を有効にする場合は、CEIE ビットを 1 に設定します。
「クロック出力スキーム」の項も参照してください。
8. CLKOUT 出力オン後の割り込み遅延を有効にする場合は、INTDE ビットを 1 に設定します。
9. INT端子からハードウェア割り込みを出力する場合、または割り込み制御クロック出力機能を使用する場合
は、EIE ビットを 1 に設定します。

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4.11.3. エッジ検出 (ET = 00)
立ち上がりエッジ検出 と 割り込み出力の例:

EVI端子min. 30.5 µs

1

EVF ﾌﾗｸﾞ2

INT端子tD EL AY

30.5 µs～61 µs の間(ﾗﾝﾀﾞﾑ)書き込み動作

設定 : EHL = 1, ET = 00, EIE = 1.
① EVI端子にて立ち上がりエッジが検出されると、EVFフラグが 1 に設定され、INT端子出力が LOW になります。
② INT端子が LOW の時に、EVFフラグが 0 にクリアされると、EVI端子入力が Hレベルであっても、すぐに割り込み信号がクリアされます。

4.11.4. フィルタリングによるレベル検出 (ET ≠ 00)
ハイレベル検出（立ち上がりエッジとハイレベル） と 割り込み出力の例：
EVI端子

1

ｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞ

1
tSP

1
tSP

4

2
tSP

EVF ﾌﾗｸﾞ

tSP

3

INT端子
1 tSP < tDELAY < 2 tSP
書き込み動作

設定: EHL = 1, ET ≠ 00, EIE = 1.
チャタリング除去デジタルフィルタ の サンプリング期間:
ET = 01, tSP= 3.9 ms
ET = 10, tSP = 15.6 ms
ET = 11, tSP = 125.0 ms① 前回のサンプリングパルスから今回のサンプリングパルスまでの間に立上りエッジが検出。
② 前のサンプリング周期で立上りエッジが検出され、次のサンプリング周期で EVIピンの安定した High レベルが検出されると、EVF フラグが 1 に設定されて INT端子出力が LOW になります。
遅延時間 tDELAY の長さは 1tSP と 2 tSP の間です。
③ INT端子出力が LOW の時にEVFフラグが 0 にクリアされると、すぐに割り込み信号はクリアされます。
④ その後のEVI端子の安定したハイレベル期間には 割り込みはトリガされません。
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4.12. 温度低下検出 割り込み機能
制御ビット TLE および TLIE によって温度低下割り込みおよびタイムスタンプ TLow 機能は有効になります。
TEMP [11:4] 値と比較される『温度下限しきい値』 TLT は レジスタ 16h で設定します。
温度低下検出割り込み機能が有効 (TLE=1 および TLIE= 、および TLF フラグが事前に 0 にクリアされている状態) で、TEMP [11:4] < TLT が検出 (自動温度測定は 1 秒に 1 回実行されます) されると、 時刻 ・ カレンダー レジスタがキャプチャされてタイムスタンプ TLow レジスタにコピーされます。 また INT端子から割込み信号が出力され、TLF フラグが 1 に設定されることで 温度低下イベントが発生したことを示します。
THF フラグと TLF フラグは、レジスタ 0Dh ステータスが (0 または 1 を使用して) 書き込まれるたびに常にリセットされます。
TLIEビット が 1 に設定されると、温度低下イベント割り込みのRTCの内部信号 (TLI) を使用して、CLKOUT端子からのクロック出力を自動的にイネーブルにすることができます。 「プログラマブル クロック出力」の項を参照してください。

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4.12.1. 温度低下検出割り込み機能のダイアグラム
温度低下割り込み機能のダイアグラム。 温度低下検出が有効になっている例 (TLE = 1):

9

TLR ﾋﾞｯﾄ

TLIE ﾋﾞｯﾄ

18

INT 端子4

TLF ﾌﾗｸﾞ

3

TEMP [11:4] < TLT(毎秒ｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞ)

2

6

ｲﾍﾞﾝﾄ

ｲﾍﾞﾝﾄ

5

7

ｲﾍﾞﾝﾄ

時刻・ｶﾚﾝﾀﾞｰ
ﾚｼﾞｽﾀ

設定値： A

A+1

TS TLow ｶｳﾝﾄﾚｼﾞｽﾀ

00h (ﾘｾｯﾄ値)

01h

02h

03h

00h

TS TLow ﾚｼﾞｽﾀ(TLOW = 1)00h (ﾘｾｯﾄ値)

A+1

A+2

A+4

All 00h

TS TLow ﾚｼﾞｽﾀ(TLOW = 0, 初期値)

00h (ﾘｾｯﾄ値)

A+2

A+3

A+4

A+1

A+5

All 00h

書き込み動作① TLow 割り込み機能からのタイムスタンプが必要な場合は、時計とカレンダーを初期化して、TLOW (0 または 1)
を 選択します。 希望する温度下限しきい値 ( TLT ) を入力し、 INT端子 の割り込みが必要な場合は、TLIEビット
を 1 に設定します。 INT端子出力をリセットしイベント発生に備えて準備するためには、TLFフラグをクリアします。
② TLowイベントが検出されると、 値 (A+1) が TS TLow レジスタにキャプチャ／コピーされ TS TLow カウント・
レジスタの値が 1ずつ増加します。 TS TLowカウント・レジスタは、上書きビット TLOW の設定に関係なく常にイベントをカウントします。
③ TLow 割り込みが発生すると、TLF フラグが 1 に設定されます。
④ TLIE ビットが 1 で TLow 割り込みが発生すると、INT端子の出力は LOW になります。
⑤ TLF フラグはソフトウェアによって 0 にクリアされるまで 1 を保持します。
⑥ TLFフラグが 0 に戻されていない場合には、INT端子では割り込みは発生しません。ただし、タイムスタンプ・
上書きビット TLOW が 1 に設定されている場合には、新しい値 (A+2) が TS TLow レジスタにキャプチャされます。
⑦ TEMP [11:4] < TLT であっても、INT端子が Low の間に、TLF フラグが 0 にクリアされるとすぐに割り込み信号はクリアされます。
⑧ TLFフラグが 1 の間は、INTステータスは TLIEビットによって制御できます。
⑨ TLRビットに 1 を書き込むと、7つのタイムスタンプ レジスタ (TS TLow Count～TS TLow Year) がすべて 00h にリセットされます。 TLRビットに 1 を書き込むと、TLF フラグも 0 にクリアされ、INT端子出力はハイインピーダンスになります。TLRビット は読み取られると常に 0 を返します。
* THF フラグと TLF フラグは、レジスタ 0Dh ステータスが (0 または 1 を使用して) 書き込まれるたびに常にリセットされます。

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4.12.2. 温度低下検出割り込み機能の使い方
温度低下検出割り込み機能、および割り込み制御クロック出力機能 に関連するレジスタとビットは以下です。
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•

秒レジスタ (01h) ( 時刻レジスタ の項を参照 )分レジスタ (02h) (時刻レジスタ の項を参照)
時間レジスタ (03h) (時刻レジスタ の項を参照)
日付レジスタ (05h) (カレンダーレジスタの項を参照)
月レジスタ (06h) (カレンダーレジスタの項を参照)
年レジスタ (07h ) (カレンダーレジスタの項を参照)
TLow 温度閾値 レジスタ (16h) ( 温度閾値レジスタの項を参照 )TS TLow カウントレジスタ (18h) ( 温度低下タイムスタンプの項を参照 )TS TLow 秒レジスタ (19h) ( 温度低下タイムスタンプの項を参照 )TS TLow 分レジスタ (1Ah) ( 温度低下タイムスタンプの項を参照 )TS TLow 時間レジスタ (1Bh) ( 温度低下タイムスタンプの項を参照 )TS TLow 日付レジスタ (1Ch) ( 温度低下タイムスタンプの項を参照 )TS TLow 月レジスタ (1Dh) ( 温度低下タイムスタンプの項を参照 )TS TLow 年レジスタ (1Eh) ( 温度低下タイムスタンプの項を参照 )TLF フラグ ( ステータス(フラグ) レジスタ, 0Dh )TLE 及び TLIE ビット ( 制御(コントロール) 3 レジスタ, 12h )TLR 及び TLOW ビット (タイムスタンプ制御レジスタ, 13h )INTDE 及び CEIE ビット (クロック割り込みマスクレジスタ, 14h)

「割り込み制御クロック出力」の項も参照してください。
設定入力する前には、INT端子からの不用意な割り込み出力を防ぐために、TLE 及び TLIE ビットに 0 を書き込むことを推奨します。 STOP ビット値が 1 となっている間は、1 Hz チックが停止し、温度測定、温度補償動作、および TLT 値との温度比較が停止するため、温度低下割り込み機能は新しいデータを提供できません。 秒レジスタを書き込むか、または ESYN
ビットが 1 となっている時にEVI 端子にて外部イベント入力が検出された場合、時刻同期し 1/100秒レジスタは 00 にリセットされます (「時刻同期」の項を参照)。
温度低下割り込み機能を使用しない場合には、TLow しきい値レジスタ (16h) を RAM バイトとして使用できます。 この場
合は、必ず TLE、及びTLIE ビットには必ず 0 を書き込んでください (TLE、TLIE ビットの値が 1 の状態で TLow しきい値レジ
スタを RAM レジスタとして使用すると、意図せず INT端子が Low レベルになる可能性があります)。
温度低下割り込み、TLow タイムスタンプ、および割り込み制御クロック出力機能を使用する手順:
1.
2.
3.
4.

5.
6.
7.
8.
9.

TLE ビットと TLIE ビットを 0 に初期化します。
TLFフラグを 0 にクリアします。
温度下限しきい値 TLT を入力します。
最後に発生したイベントを記録する必要がある場合は、TS TLow レジスタが上書きされる設定にするため
TLOW ビットを 1 に設定します。 TS TLow カウント・レジスタは、上書きビット TLOW の設定に関係なく、常にイベント発生数をカウントします。
TLR ビットに 1 を書き込み、すべてのタイムスタンプ TLow レジスタを 00h にリセットします。 このリセットにより、TLF フラグも自動的に 0 にリセットされます。TLR ビットは読み出すと常に 0 を返します。
温度低下割り込み発生時のクロック出力を有効にする場合は、CTLIE ビットを 1 に設定します。 「クロック出力
スキーム」も参照してください。
CLKOUT 端子出力オン後の割り込み遅延を有効にする場合は、INTDE ビットを 1 に設定します。
INT端子からでハードウェア割り込みを出力する場合、または割り込み制御クロック出力機能を使用する場合
は、TLIE ビットを 1 に設定します。
TLE ビットを 0 から 1 に設定して、温度低下検出を開始します。

THF フラグと TLF フラグは、レジスタ 0Dh ステータスが (0 または 1 を使用して) 書き込まれるたびに常にリセットされます。

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4.13. 温度上昇検出 割り込み機能
温度上昇検出割り込み、およびタイムスタンプ THigh 機能は、制御ビット THE および THIE にて有効に設定します。
TEMP [11:4] 値と比較される温度上限しきい値 THT は、レジスタ 17h で設定します。
温度上昇検出割り込みが有効になっている場合 (THE = 1 および THIE = 1 で、THFフラグは事前に 0 にクリアされている状態)、TEMP [11:4] > THT が検出されると ( 温度測定は自動で 毎秒実行されます) 、時刻 及び カレンダーレジスタ がキャプチャ されて タイムスタンプ THigh レジスタにコピーされます。 また、INT端子から割込みが発行され、THFフラグが1 に設定されて、高温イベントが発生したことを示します。
THF フラグと TLF フラグは、0Dh ステータスレジスタ が (0 または 1 に) 書き込まれるたびに常にリセットされます。
THIE ビット が 1 に設定されると、温度上昇イベント割り込みの内部信号 (THI) を使用して、CLKOUT端子のクロック出力を自動的にイネーブルにすることができます。 「プログラマブル クロック出力」の項を参照してください。

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4.13.1. 温度上昇検出割り込み機能 のダイアグラム
温度上昇割り込み機能のダイアグラム。 温度上昇検出が有効になっている例 (THE = 1):

THR ﾋﾞｯﾄ

THIE ﾋﾞｯﾄ

91

8INT 端子4

THF ﾌﾗｸﾞ

3

TEMP [11:4] > THT(毎秒ｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞ)

2

6

event

event

5

7

event

時刻・ｶﾚﾝﾀﾞｰ
ﾚｼﾞｽﾀ

設定値： A

A+1

TS THigh ｶｳﾝﾄﾚｼﾞｽﾀ

00h (ﾘｾｯﾄ値)

01h

02h

03h

00h

TS THigh ﾚｼﾞｽﾀ(THOW = 1)00h (ﾘｾｯﾄ値)

A+1

A+2

A+4

All 00h

TS THigh ﾚｼﾞｽﾀ(THOW = 0, 初期値)

00h (ﾘｾｯﾄ値)

A+2

A+3

A+4

A+1

A+5

All 00h

書き込み動作① THigh 割り込み機能からのタイムスタンプが必要な場合は、時計とカレンダーを初期化して、THOW ( 0または 1)
を 選択します。 希望する温度下限しきい値 (THT) を入力し、 INT端子 の割り込みが必要な場合は、THIEビット
を 1 に設定します。 INT端子出力をリセットしてイベント発生に備えて準備するためには、TLFフラグをクリアします。
② THigh イベントが検出されると、 値 (A+1) が TS THigh レジスタにキャプチャ／コピーされ TS T High カウント・
レジスタの値が 1ずつ増加します。 TS TLowカウント・レジスタは、上書きビット THOW の設定に関係なく常にイベントをカウントします。
③ THigh 割り込みが発生すると、THF フラグが 1 に設定されます。
④ THIE ビットが 1 で T High 割り込みが発生すると、INT端子の出力は LOW になります。
⑤ THF フラグはソフトウェアによって 0 にクリアされるまで 1 を保持します。
⑥ THFフラグが 0 に戻されていない場合には、INT端子では割り込みは発生しません。ただし、タイムスタンプ・
上書きビット THOW が 1 に設定されている場合には、新しい値 (A+2) が TS TLow レジスタにキャプチャされます。
⑦ TEMP [11:4] > THT であっても、INT端子が Low の間に、THF フラグが 0 にクリアされるとすぐに割り込み信号はクリアされます。
⑧ ThFフラグが 1 の間は、INTステータスは THIEビットによって制御できます。
⑨ THRビットに 1 を書き込むと、7つのタイムスタンプ レジスタ (TS THigh Count～TS THigh Year) がすべて 00h にリセットされます。 THRビットに 1 を書き込むと、THF フラグも 0 にクリアされ、 INT端子出力はハイインピーダンスになります。 THRビット は読み取られると常に 0 を返します。
* THF フラグと TLF フラグは、レジスタ 0Dh ステータスが (0 または 1 を使用して) 書き込まれるたびに常にリセットされます。

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4.13.2. 温度上昇検出割り込み機能 の使い方
温度上昇検出割り込み機能、および割り込み制御クロック出力機能 に関連するレジスタとビットは以下です。
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•

秒レジスタ (01h) ( 時刻レジスタ の項を参照 )分レジスタ (02h) (時刻レジスタ の項を参照)
時間レジスタ (03h) (時刻レジスタ の項を参照)
日付レジスタ (05h) (カレンダーレジスタの項を参照)
月レジスタ (06h) (カレンダーレジスタの項を参照)
年レジスタ (07h ) (カレンダーレジスタの項を参照)
THigh 温度閾値 レジスタ (17h) ( 温度閾値レジスタの項を参照 )TS THigh カウントレジスタ (1Fh) ( 温度上昇タイムスタンプの項を参照 )TS THigh 秒レジスタ (20h) ( 温度上昇タイムスタンプの項を参照 )TS THigh 分レジスタ (21h) ( 温度上昇タイムスタンプの項を参照 )TS THigh 時間レジスタ (22h) ( 温度上昇タイムスタンプの項を参照 )TS THigh 日付レジスタ (23h) ( 温度上昇タイムスタンプの項を参照 )TS THigh 月レジスタ (24h) ( 温度上昇タイムスタンプの項を参照 )TS THigh 年レジスタ (25h) ( 温度上昇タイムスタンプの項を参照 )THF フラグ ( ステータス(フラグ) レジスタ, 0Dh )THE 及び THIE ビット ( 制御(コントロール) 3 レジスタ, 12h )THR 及び THOW ビット (タイムスタンプ制御レジスタ, 13h )INTDE 及び CEIE ビット (クロック割り込みマスクレジスタ, 14h )「割り込み制御クロック出力」の項も参照してください。
設定入力する前には、INT端子からの不用意な割り込み出力を防ぐために、TLE 及び TLIE ビットに 0 を書き込むことを推奨します。STOP ビット値が 1 となっている間は、1 Hz チックが停止し、温度測定、温度補償動作、および THT 値との温度比較が停止するため、温度上昇割り込み機能は新しいデータを提供できません。 秒レジスタを書き込むか、または
ESYN ビットが 1 となっている時にEVI 端子にて外部イベント入力が検出された場合、時刻同期し 1/100秒レジスタは 00 にリセットされます (「時刻同期」の項を参照)。
温度低下割り込み機能を使用しない場合には、THigh しきい値レジスタ (17h) を RAM バイトとして使用できます。 この場
合は、必ず THE、及びTHIE ビットには必ず 0 を書き込んでください (THE、THIE ビットの値が 1 の状態で THighしきい値レ
ジスタを RAM レジスタとして使用すると、意図せず INT端子が Low レベルになってしまう可能性があります)。
温度上昇割り込み、THigh タイムスタンプ、および割り込み制御クロック出力機能を使用する手順:
1. THE ビットと THIE ビットを 0 に初期化します。
2. THFフラグを 0 にクリアします。
3. 温度上限しきい値 THT を入力します。
4. 最後に発生したイベントを記録する必要がある場合は、TS THigh レジスタが上書きされる設定にするため、
THOW ビットを 1 に設定します。 TS THigh カウント・レジスタは、上書きビット THOW の設定に関係なく、常にイベント発生数をカウントします。
5. THR ビットに 1 を書き込み、すべてのタイムスタンプ THigh レジスタを 00h にリセットします。 このリセットにより、THF フラグも自動的に 0 にリセットされます。THR ビットは読み出すと常に 0 を返します。
6. 温度上昇割り込み発生時のクロック出力を有効にする場合は、CTHIE ビットを 1 に設定します。
「クロック出力スーム」 も参照してください。
7. CLKOUT 端子出力オン後の割り込み遅延を有効にする場合は、INTDE ビットを 1 に設定します。
8. INT端子からでハードウェア割り込みを出力する場合、または割り込み制御クロック出力機能を使用する場は、THIE ビットを 1 に設定します。
9. THE ビットを 0 から 1 に設定して、温度上昇検出を開始します。

THF フラグと TLF フラグは、レジスタ 0Dh ステータスが (0 または 1にて) 書き込まれるたびに常にリセットされます。
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4.14. バックアップ電源切替え割り込み機能
バックアップ電源切替え割り込み機能は、BSM フィールド (EEPROM C0h) が 01 (DSM) または 10 (LSM) に設定されている
時に、VDD 電源から VBACKUP 電源への切替えが発生すると、割り込みイベントを生成します。
バックアップ電源切替え割り込み機能が有効 (BSIE = 1 で、BSF フラグが事前に 0 にクリアされている) でバックアップ 電源
切替えが検出された場合、INT端子から割込み信号が発出され、さらにBSF フラグが 1 にセットされて、バックアップ 電源切替えが発生したことを示します。
デバウンス ロジックにより、電源切替え機能が VBACKUP から VDD に戻るときに VDD 発振（電圧の揺らぎ）をフィルタリン
グするデバウンス時間 tDEB を設けられています。 I2C 通信は、デバウンス時間 tDEB 後の VDD 電源状態 (および VDD ≥1.4 V の場合) から 再びアクセス可能になります。
••

tDEB 最大値 ① = 1 ms, 内部電圧が常に VLOW ( 通常 1.2 V) を超えていた場合。 VLF = 0。
tDEB 最大値 ② = 1000 ms, 内部電圧が VLOW ( 通常 1.2 V) と VPOR (最大 1.05 V) の間の場合。 VLF = 1。
「電源バックアップおよびリカバリの AC 電気特性 」の項も参照してください。

4.14.1. バックアップ電源切替え割り込み機能のダイアグラム
バックアップ電源切替え割り込み機能のダイアグラム：

BSIE ﾋﾞｯﾄ

18

INT 端子4

BSF ﾌﾗｸﾞ

3

VBACKUP 電源切替え

2

6

ｲﾍﾞﾝﾄ

ｲﾍﾞﾝﾄ

5

7

9

ｲﾍﾞﾝﾄ

ｲﾍﾞﾝﾄ

書き込み動作 (I2C ｱｸｾｽ は VDD動作時のみ)① INT端子の割り込み信号が必要な場合は、BSIEビットを1に設定します。 INT端子をリセットし、イベントに備えて準備するには、BSFフラグをクリアする必要があります。 電源切替え機能を有効にするには、BSM フィールド(EEPROM C0h) を 01 (DSM) または 10 (LSM) に設定します。
② VDD電源状態から VBACKUP電源状態へのバックアップ 電源切替えが発生します。
③バックアップ 電源切替えイベントが発生すると、BSF フラグが 1 に設定されます。
④ BSIEビットが1となっている時に、バックアップ電源切替え割り込みが発生すると、INT端子の出力は LOW になります。
⑤ BSFフラグはソフトウェアにより0にクリアされるまで1を保持します。
⑥ BSF フラグが 0 に戻されていない場合には、INT端子から割り込み信号は発生しません。
⑦ INT端子が LOW の場合、BSF フラグが 0 にクリアされるとすぐに割り込み信号はクリアされます。
⑧ BSFフラグが 1 の間、INT端子の出力は BSIE ビットによって制御できます。
⑨ バックアップ電源切替えイベントの発生時に BSIE ビットの値が 0 となっている場合には、INT端子からの割り込み信号は出力されません。

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4.14.2. バックアップ電源切替え割り込み機能の使い方
バックアップ電源切替え割り込み機能に関連したビット及びフィールドは以下です。
•••

BSFフラグ ( 温度レジスタ／温度 下位ビット, 0Eh )BSIE ビット ( 制御(コントロール) 3 レジスタ, 12h )BSM フィールド ( EEPROM 電源設定 (PMU)レジスタ, C0h )「EEPROM 読み取り/書き込み」の項も参照してください。
設定入力する前に、INT端子からの不用意な割り込み信号を防ぐために、BSIE ビットに 0 を書き込むことをお勧めします。

バックアップ電源切替え割り込み機能の設定手順：
1.
2.
3.
4.

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BSIEビット を 0 に初期化します。
BSFフラグ を 0 にクリアします。
バックアップ 電源切替えモード (DSM または LSM) を選択し、BSM フィールドに対応する値を書き込みます。
INT端子からハードウェア割り込みを取得したい場合は、BSIE ビットを 1 に設定します。

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4.15. パワーオン・リセット (POR) 割り込み機能

パワーオン・リセット割り込み機能は、PORIE 制御ビット (EEPROM C1h) によって設定します。 PORIE ビットは、ミラーRAM
レジスタ だけでなく EEPROMレジスタ にも事前に設定する必要があります (「EEPROM 読み取り/書き込み」 を参照)。
パワーオン・リセット割り込み機能を設定している場合は、VDD電源の状態で VPOR ( 0.95 V Typ.) より低い電圧からのVDD 起動が検出されると、PORF フラグが 1 にセットされ、パワーオン・リセットが発生したことを示します。PORIE ビットが1 に設定してある場合は、INT端子から割り込み信号が 出力されます。 デバイス内の時刻などのデータは無効になっているため、すべてのレジスタは初期化する必要があります。 PORF フラグの 値 1 は、ユーザーが 0 を書き込みクリアするまで保持されます。 「電源投入時の AC 電気特性」もご参照ください。

4.15.1. パワーオン・リセット (POR) 割り込み機能のダイアグラム
パワーオン リセット割り込み機能のダイアグラム : パワーオン・リセット割り込みと CLKOUT が有効になっている例。

VDD 電圧CLKOUT 出力

VPOR
Hi-Z

VPOR
1

Hi-Z

4

4

3

PORIE ﾋﾞｯﾄ

86

INT 端子2

PORF ﾌﾗｸﾞ
tPOR

状態

7

tPREFRtSTART

I2C ｱｸｾｽ

5

2
tPOR

tDELAYtPREFRtSTARTtDELAY

POR

通常動作

POR

通常動作

ｱｸｾｽ不可ｱｸｾｽ可

ｱｸｾｽ不可ｱｸｾｽ可書き込み動作① パワーオン リセット直後は CLKOUT は LOW に設定されます。tPOR = 6 ms Typ.の間は CLKOUT はハイ
インピーダンス (Hi-Z) です。
② VDD が VPOR を下回ると PORFフラグ がセットされます (パワーオン・リセット イベントが検出 ) 。
③ PORIE ビット (EEPROM C1h) が (EEPROM 内で) 事前に 1 に設定されている場合、RAM ミラーの PORIE
ビットは、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ~66 ms を含む標準的な起動時間 tSTART = 0.1 秒の後に 1 に設定され、INT端子の出力はLOWになります。
④ CLKOUT出力は、選択した周波数に応じて通常の遅延時間 tDELAY 後にイネーブルになります 。
(同期イネーブル) 「電源投入時のAC電気特性」 を参照ください。
⑤ PORFフラグはソフトウェアにより 0 にクリアされるまで 1 を保持します。
⑥ PORFフラグが 1 の間は、INT端子出力は PORIE ビットによって制御できます。
⑦ INT端子出力が LOW の場合、PORFフラグが 0 にクリアされるとすぐに割り込み信号はクリアされます。
注 : VDD 電圧が VPOR を下回ると、PORFは自動的に 0 にクリアされます。
⑧ ③と同様に PORIE ビット (EEPROM 21h) が (EEPROM 内で) 事前に 0 に設定されていた場合、RAM のPORIE ビットは標準的な起動時間 tSTART = 0.1 秒後に 0 に設定され、INT端子出力はHIGHのままになります。

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4.15.2. パワーオン・リセット (POR) 割り込み機能 の 使い方
パワーオン・リセット (POR) 割り込み機能に関連するレジスタ及びビットは以下です。
••

PORF フラグ ( ステータス(フラグﾞ)レジスタ, 0Dh )PORIE ビット ( EEPROM オフセットレジスタ, C1h )「EEPROM の読み取り／書き込み」の項も参照してください。

※ PORIE ビットは、ミラーRAMレジスタ ではなく EEPROM レジスタに事前に設定する必要があります。
パワーオン・リセット割り込み機能を使用する手順は次の通りです ：1. 1. 次回のパワーオン リセット イベント発生時にで INT端子からハードウェア割り込みを出力する場合は、
EEPROMで PORIE ビットを 1 に設定します。 「EEPROM の読み取り／書き込み」 に準じた手順で設定します。
2. 最初の割り込みは、次の PORイベント発生の後に信号を出力します。

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4.16. 電圧低下割り込み機能

電圧低下割り込み機能は、VLOW (通常 1.2 V) を下回る内部電源電圧の電圧降下が検出されたときに割り込みイベントを生成します。 サンプリングの周期は 1Hz（1秒）です。 内部電圧 (VDD または VBACKUP) が VLOW を下回ると、温度補償は停止し、CLKOUT 出力は LOW になり、I2C インターフェイスは無効になります (VDD < 1.4 V)。 電圧低下割り込み機能有効化 ビット VLIE は EEPROM レジスタ C1h にあります。
電圧低下割り込み機能が有効 (VLIE = 1 および VLF フラグが以前に 0 にクリアされている) になっている場合、VLOW を下回る電圧降下が検出されると、INT端子から割込み信号が出力し、VLFフラグが 1 に設定されて電圧 Low イベントが発生したことを示します。 VLF 値 1 は、デバイス内のデータがすでに有効ではない可能性があり、すべてのレジスタを再初期化する必要があることを示します。この VLF値 1 は、ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます (自動クリアはされません)。

4.16.1. 電圧低下割り込み機能のダイアグラム
電圧低下割り込み機能のダイアグラム: CLKOUT出力 が有効になっている例。

VDD 電圧

1.1 V

VPOR

ｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞ(1 Hz)VLOW (typical 1.2 V)
2

5

<1s

<1s 6

3

Hi-Z

CLKOUT 出力

1

VLIE ﾋﾞｯﾄ

7

INT 端子VLF ﾌﾗｸﾞ

8

4tSTART

I2C ｱｸｾｽ
状態

ｱｸｾｽ不可ｱｸｾｽ可

ｱｸｾｽ不可

ｱｸｾｽ可

通常動作

ﾊﾟﾜｰｵﾝﾘｾｯﾄ

書き込み動作① VLIE ビット (EEPROM C1h) が事前に (EEPROM 内で) 1 に設定されている場合、ミラーRAMの VLIE ビットは、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ~66 ms を含む起動時間 tSTART = 0.1 秒後に 1 に設定されます。
② VDD 電圧は、VLOW (通常 1.2 V) を下回り、最小計時電圧 (通常 1.1 V) を超える電圧まで低下した状態。
温度補償が停止され、I2C アクセス (VDD < 1.4 V) が無効になります。
③ 1秒未満の遅延の後、VDD ≤ VLOW が検出され、VLF フラグがセットされ、VLIE ビットが 1 の場合、INT端子の出力は LOW になります。 CLKOUTもLOWになります。
④ I2C アクセスが無効になっている間は、VLF フラグの読み出し／クリアはできません。
⑤ VDD電圧が再び VLOW (通常 1.2 V) を超えて上昇した状態。 温度補償と I2C アクセス (VDD ≥ 1.4 V) が有効になります。 VLF フラグはソフトウェアによって 0 にクリアされるまで 1 を保持します。
⑥ 1秒未満の遅延の後、VDD > VLOW になります。 CLKOUT が有効になります。
⑦ VLFフラグが1の間、INT端子出力はVLUEビットによって制御できます。
⑧ INT端子が LOW の間に、VLF フラグが 0 にクリアされるとすぐに割り込み出力が停止します。
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4.16.2. 電圧低下割り込み機能の使い方
電圧低下割り込み機能に関連するビット以下です ：••VLF フラグ ( ステータス(フラグ) レジスタ, 0Dh )VLIE ビット ( EEPROM オフセットレジスタ, C1h )「EEPROM の読み込み／書き込み」の項も参照してください。
設定を行う前に、INT端子からの不用意な割り込み信号出力を防ぐため VLIEビットに 0 を書き込むことをお勧めします。
電圧低下割り込み機能を使用する手順 :1. VLIE ビット を 0 に初期化します。
2. VLF フラグ を 0 にクリアします。
3. INT端子からハードウェア割り込みを出力する場合は、VLIE ビットを 1 に設定します。
アプリケーションノート: 電圧低下割り込み機能は、遅い電圧低下レート (例: < 0.1 V/s) のみを検出できるため、バッテリ電
圧低下または寿命 (EOL) のインジケータとして使用されます。 電圧低下割り込み信号は、INT端子より割り込み信号として出力できます。
•

起動時のパワーオンリセット時に、VLF フラグは 自動的に 0 にクリアされます。
起動時間が誤って長くなりすぎると、VPOR と VLOW の間の電圧で低電圧が誤検出される可能性があります 。
(VLF フラグがセットされます)•

内部電圧 (VDD または VBACKUP) をモニタするサンプリング周波数は 1 Hz です（毎秒サンプリング）。

•

電圧低下割り込み機能は、 速い電圧低下の検出には使用できないのでご注意ください。

急激な電圧変化の例 ( VDD電源状態 と CLKOUT出力の動作の関係 ) :•VDD電圧 が 『 VDD > VLOW 』 から 『 VDD ≤ VPOR 』 に急激に低下した場合は、内部電圧モニタリングのサンプリングは追いつかないため、電圧低下割り込み信号は発生しません ( VLF フラグがセットされません ) 。
このような電圧低下時には CLKOUT出力 はすぐにオフになります。

•

VDD電圧 が 『 VDD ≤ VPOR 』 から 『 VDD > VLOW 』 にまで急速に再び上昇した場合にも、内部電圧モニタリングのサンプリングは追いつかないため、電圧低下割り込み信号は発生しません ( VLF フラグがセットされません ) 。
このような電圧上昇時には CLKOUT出力 は 1Hzサンプリングは待たずにすぐにオンになります。

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4.17.

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外部イベント入力 (EVI) タイムスタンプ機能

外部イベント入力 (EVI) タイムスタンプ機能はVBACKUP 電源動作時以外は常に動作しています。
EVI 端子で外部イベント入力が検出されると、時刻レジスタ と カレンダーレジスタ が キャプチャされて、 外部イベント
入力タイムスタンプ・レジスタにコピーされます。
EVOW ビット＝ 0、EVR ビット＝ 1 と設定し、TS EVI レジスタが事前に 0 に初期化されている場合は、最初の1つのイベン
トのタイムスタンプがそのまま残ります。 EVOW ビットが 1 に設定されていると、最後に発生したイベントのタイムスタンプ
が、TS EVI レジスタ (TS EVI 1/100 秒から TS EVI 年) に上書きされて記録されまます。 TS EVI カウントレジスタは、上書
きビット EVOW の設定に関係なく、常にイベント発生数をカウントします。
EVR ビットに1 を書き込むと、8 つのタイムスタンプ EVIレジスタ (TS EVI カウントから TS EVI 年) がすべて 『00h』 にリセットされます。 EVRビット は 1 のままにすることができます。 1 を書き込むか上書きするとリセットされます。
＜ヒント＞ EVI 端子 = HIGH の場合、すべてのタイムスタンプ EVI レジスタも パワーオンリセット (POR) 時に 『00h』 にリセットされます。 外部イベント入力 (EVI) タイムスタンプ機能を使用する前に、EVR ビットに 1 を書き込むことを推奨します。
STOP ビットが 1 にセットされている間は、割り込み機能は引き続き動作しますが、1 Hz チック（時計を進めるクロック）が停止し、1/100秒レジスタが 00 にリセットされるため、有効なデータを提供できません。 秒レジスタに書き込むか、または
ESYN ビットが 1 に設定されている時に EVI 端子での外部イベント入力が検出された時に、時刻が同期され、1/100 秒レジスタが 00 にリセットされます ( ESYN ビット機能は最初に外部イベント入力 (EVI) タイムスタンプ機能を実行し、その後に
1/100 秒レジスタをクリアします) (時刻同期の項を参照)。
外部イベント入力 (EVI) タイムスタンプ機能の設定手順：
1. EIEビット を 0 に初期化します。
2. EVOW (0 または 1) を選択し、EVF フラグをクリアします。
3. EVR ビットに 1 を書き込むと、すべてのタイムスタンプ EVI レジスタが 00h にリセットされます。 EVR は1のま
まにしておいても影響はありません（ それ以上のリセットは発生しません）。
<ヒント> EVF フラグは EVR ビット機能によってはリセットされません。
4. 外部イベント入力割り込み機能 を初期化します。
ヒント : EIE ビットが 1 に設定されている場合、外部イベントが検出されるとINT端子から割込み信号が出力されます。
また、EVFフラグは 1 に設定されて、外部イベントが発生したことを示します。
＜注意＞
タイムスタンプ EVI 機能の場合、TS EVI カウントレジスタのみで最初または最後のイベント (EVOW) の検出を判別するため、TS EVI カウント レジスタが 255 から 0 にオーバーフローした時 （256回目、511回目など） は、常に新しい最初のイベン
トとして認識されます。 (「外部イベント入力 (EVI) タイムスタンプ機能のスキーム」 も参照下さい )May 2023

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4.17.1. 外部イベント入力 (EVI) タイムスタンプ機能のスキーム
外部イベント入力 (EVI) タイムスタンプ機能のスキーム:
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ:
EVFﾌﾗｸﾞの読み込み

EHLﾋﾞｯﾄ, ETﾋﾞｯﾄ
EVI 端子ﾊﾞｯｸｱｯﾌﾟ電源 (7)
での動作時

AND
&

外部ｲﾍﾞﾝﾄ
入力機能

EIE ﾋﾞｯﾄ

INTDE, CEIE

0

CLKOUTｵﾝ後
割込み遅延
設定

外部ｲﾍﾞﾝﾄﾌﾗｸﾞ
EVF
ｾｯﾄ

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽより:
EVFﾌﾗｸﾞのｸﾘｱ

1

OR
1

ｸﾘｱ
EI

秒ﾚｼﾞｽﾀへ
書き込み

STOP ﾋﾞｯﾄ

(5)
0
1

0
1

1
ESYN

INT

1/100秒
秒
分
時間
日
月
年

ｽﾄｯﾌﾟ（停止）

1

(4)

ｸﾘｱ

OR
1

0 autoｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ :読み込みのみｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ:
読み込み／
書き込み

1
ｷｬﾌﾟﾁｬ／ｺﾋﾟｰ

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ

TS EVI ｶｳﾝﾄ = 00h

0
1

1
EVOW

0
1

(1)

0 最初のｲﾍﾞﾝﾄ
1

(3)

EVR

(2)

AND
&

ｸﾘｱ

1

OR
1

上書き
有効

1 最後のｲﾍﾞﾝﾄ

TS EVI ｶｳﾝﾄTS EVI 1/100秒
TS EVI 秒
TS EVI 分
TS EVI 時間
TS EVI 日
TS EVI 月
TS EVI 年

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ : (6)
読み込みのみ(1)

EVOW ビットが 1 に設定されると、TS EVI レジスタ (TS EVI 100 秒から TS EVI 年) は上書きされ、 最後に発生したイベントが記録されます。 EVOW ビットが 0 に設定されると、TS EVI レジスタは最初の 1 回だけ上書きされます（最初のイベントのタイムスタンプが残ります）。最初のイベントの機能を初期化または再初期化するには、EVR
ビットに 1 を書き込むとタイムスタンプ EVI レジスタがクリアされます (EVI端子 = HIGH の設定場合、POR=パ
ワーオンリセットも同じ効果があります)。TS EVI カウント レジスタは、上書きビット： EVOW の設定に関係なく、常にイベントをカウントします。
(注記) TS EVI カウント レジスタが 255 から 0 にオーバーすると、新しい最初のイベントとして認識されます。

(2)

TS EVI カウントレジスタ = 00h の場合は、最初のイベントにタイムスタンプを付けることができます。

(3)

EVR ビットに 1 を書き込むと、8 つのタイムスタンプ レジスタ (TS EVI カウント ～ TS EVI 年) がすべて 00h にリセットされます。 EVR ビット は 1 のままにしておいても問題ありません。 再度 1 を書き込むか上書きすると再度リセットが発生します。

(4)

外部イベントが発生すると、最初にタイムスタンプ EVI が作成され、次に 1/100 秒レジスタが 00 にクリアされます。イベント検出後、ESYN ビットは自動的に 0 にリセットされます。

(5)

STOP ビットを 1 から 0 に変更した場合、または秒レジスタに書き込んだ場合、またはEVI 端子での外部イベントを検出した時に ESYN ビットが 1 の場合、秒レジスタに追加の 1Hz チックは生成されません。

(6)

TS EVI レジスタへの I2C 読み取りアクセス中は、タイムスタンプ キャプチャ機能はブロックされます。

(7)

VBACKUP 電源で動作している間は、外部イベント機能は無効になります。

「割り込みスキーム」の項の「割り込みスキーム (パート 2/3) 」も参照してください。
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4.18. 温度低下タイムスタンプ (TLOW) 機能
温度低下 タイムスタンプ TLow 機能は、制御ビット TLE によって有効に設定されます。
TEMP [11:4] < TLT ( =設定した閾値温度 ) が検出された場合 (自動温度測定は間隔は毎秒)、時刻・カレンダー レジスタがキャプチャされ、タイム スタンプ TLow レジスタにコピーされます。 TLOW ビットが 0 に設定されている場合、タイムスタンプ
TLow の各レジスタ を TLR ビットに 1 を書き込むことで事前に 0 に初期化していると、1 つの (最初の) イベントのみが記録されます。 TLOW ビットが 1 に設定されている場合は、最後に発生したイベントが記録され、TS TLow レジスタ(TSTLow 秒から TS TLow 年) はイベントの発生毎に上書きされます。TS TLow カウント レジスタは、上書きビット TLOW の設定に関係なく、常にイベントをカウントします。
TLR ビットに 1 を書き込むと、7 つのタイムスタンプ レジスタ (TS TLow カウント から TS TLow 年まで) がすべて 00hにリセットされ、TLF フラグは自動的に 0 にクリアされます。TLR ビットは読み出されると常に 0 を返します。
(ヒント ) すべてのタイムスタンプ TLow レジスタも POR (パワーオンリセット) 時に 00h にリセットされます。
タイムスタンプ TLow 機能を使用する前に、TLR ビットに 1 を書き込むことを推奨します。
STOP ビットの値が 1 の場合、時刻を進める 1 Hz チックが停止し、温度測定、温度補償、および TLT 値との温度比較が停止するため、温度低下割り込み機能は新しいデータを提供できません。 秒レジスタに値を書き込むか、またはESYN ビッ
トを 1 と設定している時に EVI 端子での外部イベントが検出された場合には、時刻が同期され、1/100秒レジスタは 00 にリセットされます (「時刻同期」を参照) 。
温度低下タイムスタンプ 機能を使用する手順 :1. TLE ビットと TLIE ビットを 0 に初期化します。
2. TLOW (0 または 1) を選択し、TLF フラグをクリアします (または次の手順で自動的に行われます)。
3. TLR ビットに 1 を書き込み、すべてのタイムスタンプ TLow レジスタを 00h にリセットします。 TLF フラグは、
TLR ビットに 1 を書き込むと自動的に 0 にクリアされます。 TLR ビット は読み込むと常に 0 を返します。
4. 温度低下割り込み機能を初期化します。
5. TLE ビットを 1 に設定して、タイムスタンプ TLow 機能を有効にします。
(ヒント) TLIE ビットが 1 に設定されている場合には、INT端子からの割り込み信号が出力されます。
TLFフラグは 1 に設定され、温度低下イベントが発生したことを示します。
(ヒント) タイムスタンプ TLow 機能の場合、すべての TS TLow レジスタが最初または最後のイベント を検出します(TLOW) 。
すべての TS TLow レジスタが 00h の場合は、最初のイベント発生時に TS TLow レジスタに時刻が キャプチャ・
コピーされます。 次頁の 「温度低下タイムスタンプ のスキーム」 も参照してください。
THF フラグと TLF フラグは、レジスタ 0Dh ステータスが (0 または 1 を使用して) 書き込まれるたびに常にリセットされます。

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4.18.1. 温度低下タイムスタンプ (TLOW) 機能のスキーム
温度低下タイムスタンプ (TLOW) 機能のスキーム:
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ：
TLFﾌﾗｸﾞ読込み
毎秒
温度ﾓﾆﾀﾘﾝｸﾞ
TLT 設定値

TLOW ﾌﾗｸﾞTLF (6)
ｾｯﾄ

0<
TEMP [11:4]

INTDE, CTLIE

TLIE

TLE

1
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽより：
TLFﾌﾗｸﾞのｸﾘｱ

0

CLKOUTｵﾝ後
割込み遅延
設定

1

OR
1

INT

ｸﾘｱ

ｸﾘｱ

TLI ﾋﾞｯﾄ

THFﾌﾗｸﾞのｸﾘｱ

STOP ｽﾄｯﾌﾟ（停止）

(4)
秒
分
時間
日
月
年

0
1

1

ｷｬﾌﾟﾁｬ／ｺﾋﾟｰ

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ:
読み込み／
書き込み

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ

全てのTS TLow ﾚｼﾞｽﾀ = 00h
0

1

1
TLOW

AND
&

(3)
0 自動
ｸﾘｱ
1

1

(1)
0 最初のｲﾍﾞﾝﾄ

1

TLR

(2)

OR
1

上書き
有効

TS TLow ｶｳﾝﾄ
TS TLow 秒
TS TLow 分
TS TLow 時間
TS TLow 日
TS TLow 月
TS TLow 年

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ: (5)
読み込みのみ1 最後のｲﾍﾞﾝﾄ(1)

TLOW ビットが 1 に設定されると、TS TLow レジスタ (TS TLow 秒から TS TLow 年) はイベント発生毎に上書きされて最後に発生したイベントが記録されます。 TLOW ビットが 0 に設定されている場合は、TS TLow レジスタは1回だけ上書きされて最初のイベントの記録が残ります。 最初のイベントの値を初期化または再初期化するには、TLR ビットに 1 を書き込み、TS TLow レジスタをクリアする必要があります (POR=パワーオンリセットでも同じ動作になります)。 TS TLow カウントレジスタは、上書きビット TLOW の設定に関係なく、常にイベントをカウントし
ます。

(2)

全ての TS TLow レジスタ が 00h の場合、最初のイベント発生時にはタイムスタンプが付きます。

(3)

TLR ビットに 1 を書き込むと、7 つのタイムスタンプ レジスタ (TS TLow カウント ～ TS TLow 年) がすべて 00h にリセットされ、TLFフラグは自動的に 0 にクリアされます。TLR ビットは読み出すと常に 0 を返します。

(4)

STOP ビットを 1 から 0 に変更した場合、または秒レジスタに値を書き込んだ場合、またはESYN ビットを1 に設定している時に EVI 端子での外部イベント検出が検出された場合、 秒レジスタに追加の 1 Hz チックは生成されま
せん。

(5)

TS TLow レジスタへが I2C 経由で読み込みアクセスされている間は、タイムスタンプ キャプチャ機能はブロックさ
れます。

(6)

THF フラグと TLF フラグは、レジスタ 0Dh ステータスが (0 または 1 を使用して) 書き込まれるたびに常にリセットされます。

「割り込みスキーム」 の項の 「割り込みスキーム (パート 2/3) 」 も参照下さい。

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4.19. 温度上昇タイムスタンプ (THIGH) 機能
温度上昇 タイムスタンプ THIGH 機能は、制御ビット THE によって有効に設定されます。
TEMP [11:4] > THT ( =設定した閾値温度 ) が検出された場合 (自動温度測定は間隔は毎秒)、時刻・カレンダー レジスタがキャプチャされ、タイム スタンプ THigh レジスタにコピーされます。 THOW ビットが 0 に設定されている場合、タイムスタン
プTHigh の各レジスタを TLR ビットに 1 を書き込み 事前に 0 に初期化されていると、1 つの (最初の) イベントのみが記録されます。 THOW ビットが 1 に設定されている場合は、最後に発生したイベントが記録され、TS THigh レジスタ(TSTHigh 秒から TS THigh 年) はイベントの発生毎に上書きされます。TS THigh カウント レジスタは、上書きビット THOW の設定に関係なく、常にイベントをカウントします。
THR ビットに 1 を書き込むと、7 つのタイムスタンプ レジスタ (TS THigh カウント から TS THigh 年まで) がすべて 00hにリセットされ、THF フラグは自動的に 0 にクリアされます。THR ビットは読み出されると常に 0 を返します。
(ヒント ) すべてのタイムスタンプ THigh レジスタも POR (パワーオンリセット) 時に 00h にリセットされます。
タイムスタンプ THIGH 機能を使用する前に、THR ビットに 1 を書き込むことを推奨します。
STOP ビットの値が 1 の場合、時刻を進める 1 Hz チックが停止し、温度測定、温度補償、および THT 値との温度比較が停止するため、温度上昇り込み機能は新しいデータを提供できません。 秒レジスタに値を書き込むか、またはESYN ビット
を 1 と設定している時に EVI 端子での外部イベントが検出された場合には、時刻が同期され、1/100秒レジスタは 00 にリセットされます (「時刻同期」を参照) 。
温度上昇タイムスタンプ機能を使用する手順 :1. THE ビットと THIE ビットを 0 に初期化します。
2. THOW (0 または 1) を選択し、THF フラグをクリアします (または次の手順で自動的に行われます)。
3. THR ビットに 1 を書き込み、すべてのタイムスタンプ THigh レジスタを 00h にリセットします。 THF フラグは、
THR ビットに 1 を書き込むと自動的に 0 にクリアされます。 THR ビット は読み込むと常に 0 を返します。
4. 温度上昇割り込み機能を初期化します。
5. THE ビットを 1 に設定して、タイムスタンプ THigh 機能を有効にします。
(ヒント) THIE ビットが 1 に設定されている場合には、INT端子からの割り込み信号が出力されます。
THFフラグは 1 に設定され、温度上昇イベントが発生したことを示します。
(ヒント) タイムスタンプ THIGH 機能の場合、すべての TS THIGH レジスタが最初または最後のイベントを検出します (THOW) 。
すべての TS THIGH レジスタが 00h の場合は、最初のイベント発生時に TS THIGH レジスタに時刻が キャプチャ・
コピーされます。 次頁の「温度低上昇タイムスタンプ のスキーム」も参照してください。
THF フラグと TLF フラグは、レジスタ 0Dh ステータスが (0 または 1 を使用して) 書き込まれるたびに常にリセットされます。

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4.19.1. 温度上昇タイムスタンプ (THIGH) 機能のスキーム
温度上昇タイムスタンプ (THIGH) 機能のスキーム:
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽへ：
THFﾌﾗｸﾞ読込み
毎秒
温度ﾓﾆﾀﾘﾝｸﾞ

THIGH ﾌﾗｸﾞTHF (6)
ｾｯﾄ

0

THT 設定値>

1

TEMP [11:4]

INTDE, CTLIE

TLIE

THE

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽより：
THFﾌﾗｸﾞのｸﾘｱ

0

CLKOUTｵﾝ後
割込み遅延
設定

1

OR
1

INT

ｸﾘｱ

ｸﾘｱ

THI ﾋﾞｯﾄ

THFﾌﾗｸﾞのｸﾘｱ

STOP ｽﾄｯﾌﾟ（停止）

(4)
秒
分
時間
日
月
年

0
1

1

ｷｬﾌﾟﾁｬ／ｺﾋﾟｰ

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ:
読み込み／
書き込み

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ

全てのTS THigh ﾚｼﾞｽﾀ = 00h
0

1

1

THOW

1

0 自動
ｸﾘｱ
1

1

(1)

0 最初のｲﾍﾞﾝﾄ

(3)

THR

(2)

AND
&

OR
1

上書き
有効

TS THigh ｶｳﾝﾄ
TS THigh 秒
TS THigh 分
TS THigh 時間
TS THigh 日
TS THigh 月
TS THigh 年

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ: (5)
読み込みのみ1 最後のｲﾍﾞﾝﾄ(1)

THOW ビットが 1 に設定されると、TS THigh レジスタ (TS THigh 秒から TS THigh 年) はイベント発生毎に上書きされて最後に発生したイベントが記録されます。 THOW ビットが 0 に設定されている場合は、TS THigh レジスタは1 回だけ上書きされて最初のイベントの記録が残ります。 最初のイベントの値を初期化または再初期化するには、THR ビットに 1 を書き込み、TS THigh レジスタをクリアする必要があります (POR=パワーオンリセットでも同じ動作になります)。 TS THigh カウントレジスタは、上書きビット THOW の設定に関係なく、常にイベントをカウントし
ます。

(2)

全ての TS THigh レジスタ が 00h の場合、最初のイベント発生時にはタイムスタンプが付きます。

THR ビットに 1 を書き込むと、7 つのタイムスタンプ レジスタ (TS THigh カウント ～ TS THigh 年) がすべて 00hにセットされ、THFフラグは自動的に 0 にクリアされます。THR ビットは読み出すと常に 0 を返します。
(4) STOP ビットを 1 から 0 に変更した場合、または秒レジスタに値を書き込んだ場合、またはESYN ビットを1 に設定している時に EVI 端子での外部イベント検出が検出された場合、 秒レジスタに追加の 1 Hz チックは生成されま
せん。
(3)

(5)

TS THigh レジスタへが I2C 経由で読み込みアクセスされている間は、タイムスタンプ キャプチャ機能はブロックさ
れます。

(6)

THF フラグと TLF フラグは、レジスタ 0Dh ステータスが (0 または 1 を使用して) 書き込まれるたびに常にリセットされます。

「割り込みスキーム」 の項の 「割り込みスキーム (パート 2/3) 」 も参照下さい。

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4.20. 温度基準値の調整

16 ビット温度基準 値 TREF を使用して、デジタル温度計の温度値 TEMP を校正できます。TREF の調整は純粋にデジタルで行われ、温度計の直線曲線を垂直方向に上下にシフトする効果のみがあります。 これは 1 点設定であり、通常はPCB はんだ付け後の温度変動補償のために室温で行われます。 TREF の変更は、RTC の温度補償には影響しません。
TREF 値には、最小調整ステップ (1 LSB) ±1/128 = ±0.0078125°C の 2 の補数が含まれます。事前設定された (工場で校正された) TREF 値は、ユーザー変更が可能です (EEPROM 温度リファレンスレジスタを参照)。 摂氏（℃）への変換とその逆の変換については、次の特別な式にて行います。

4.20.1. TEF値を決定する方法
温度基準値 TREF に関連するレジスタとフィールドは以下になります。
••••

TEMP [3:0] フィールド ( 温度レジスタ／ 0Eh – 温度下位ビット／小数部分)
TEMP [11:4] フィールド ( 温度レジスタ／ 0Fh – 温度上位ビット／整数部分)
TREF [7:0] フィールド ( EEPROM 温度基準値 (TReference) 設定レジスタ／C4h – 温度基準値 下位 8ビット)
TREF [15:8] フィールド (EEPROM 温度基準値 (TReference) 設定レジスタ／C5h – 温度基準 値 上位 8ビット)「EEPROM の読み込み/書き込み」の項も参照してください。
16 ビット TREF 値から ℃ 単位の TREF 値への変換とその逆の変換の計算式 (次頁の表も参照):

・温度基準値 (℃) = (TREF- 0.5) ℃
128

・TREF = ( 温度基準値 (℃) + 0.5℃ ) ×

128℃

新規に 16 ビット温度基準値 TREF を設定する手順 ：1. 室温で外部の温度測定デバイスを使用して正確な温度測定 Ttarget (℃) を実行し、同時にRTCの温度レジスタの12 ビット TEMP 値を読み取ります。 Ttarget (℃) の測定センサ は、RTC にできるだけ近づける必要があります。
2. 12 ビットの TEMP 値を ℃単位の TEMP 値に変換します (「温度レジスタ」を参照)。
3. 温度差 ∆T = Ttarget - TEMP (全て℃) を計算します。
4. 16 ビット TREF 値を読み込みます。
5. TREF 値を ℃ 単位に変換します (上記の式を参照)。
6. 新しい TREF = TREF + ∆T をすべて ℃ 単位で計算します。
7. 新しい TREF 値 (℃) を 16 ビットの TREF 値に変換します (上記の式を参照)。
8. 新しい TREF 値をレジスタに書き込みます。
計算例 :1. 外部温度センサでの特定値が 『26℃』 、RTCの温度レジスタTEMPの値が 『384d』 だった場合
2. TEMP値を℃に換算／ TEMP = 384/16 = 24℃
3. 温度誤差を計算／∆T = Ttarget - TEMP = 26℃ - 24℃ = +2℃
4. TREF値を読み込み／ TREF = 3059d
5. TREF値を℃に換算／TREF = (3059/128 - 0.5)℃ = 23.3984375℃
6. 新しいTREF値を℃で計算／新しいTREF(℃) = 以前のTREF + ∆T = 23.3984375℃+ 2℃ = 25.3984375℃
7. N新しいTREF値を16ビットに変換／ (新しいTREF(℃) + 0.5℃) ×128/℃ = (25.3984375℃ + 0.5℃) ×128/℃= 3315d
8. 新しいTREF値 = 3315d （レジスタに書き込む値）

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TREF値 (16ビット) の例：
TREF [15:0] 値
0001'0001'1100'0000
0001'0001'1011'1111:
0000'1100'1100'0001
0000'1100'1100'0000
0000'1100'1011'1111:
0000'0111'1100'0001
0000'0111'1100'0000

16進数
11C0
11BF
:
0CC1
0CC0
0CBF
:
07C1
07C0

10進数
4544
4543
:
3265
3264
3263
:
1985
1984

(符号付き 10 進数)
4544
4543
:
3265
3264
3263
:
1985
1984

基準温度(℃)
35
34.9921875:
25.0078125
25
24.9921875:
15.0078125
15(*) 基準温度値 (℃) = (符号付き 10 進数 / 128) - 0.5 = (符号付き 10 進数 × 0.0078125) - 0.5。
TREF 値 (2 の補数値) は室温値の校正に使用されるものであり、特別な温度オフセットを設定するためのものではありません。
したがって、例の範囲は正の範囲のみであり、+15°C ～ +35°C のみです。

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4.21. 時刻同期の機能 （タイミング同期）
RV-3032-C7 の時刻同期を行う方法は3通りあります。
① STOP ビットを使用して 1 Hzチックを完全に停止してから再始動する用して外部信号に同期する、の3通りです。

②秒レジスタに値を書き込む ③ESYN ビットを使4.21.1. STOPビットの機能
STOP ビット機能は、ソフトウェアベースでの時刻同期（RTC内部のタイミング同期）に使用されます。
STOP ビットが 1 に設定されると、 下図の 4096 Hz から 1 Hz までのクロックプリスケーラの周波数が停止、およびリセットされるため、1 Hz チックは生成されず、 現在 メモリされている可能性のある 1 Hzの更新（秒更新）もリセットされます。
また1/100 秒レジスタも 00 にリセットされます。
下図のプリスケーラの上段はリセットも停止もせず （8192 Hzより上部）、 I2C インターフェイスのSCLクロックとRTCの内部クロックは同期していないので、 リセット後（STOP ビットを 1 から 0 に設定した後）の最初の 1 Hz の時間長さ は 1 秒よりも0～244 μs 短くなります。 プリスケーラを停止してリセットすると、後続のすべての機能 (時刻・カレンダー、アラーム、クロッ
ク出力、タイマー クロック、時刻更新割り込み、EVI 入力フィルターと温度測定、温度補償、THT および TLT 値との温度比
較 ) は停止します。 外部イベント割り込み機能 は動作していますが、有効なデータは提供できません。
なお STOP ビット機能は 32.768 kHz の CLKOUT出力 には影響しません。
( 「XTALモードでのクロック出力周波数の選択」 の項も参照下さい) 。

F0

1 Hz
64 Hz
1024 Hz32.768 kHz

F1

0
1

F2
ﾘｾｯﾄ

ｸﾛｯｸ出力のｿｰｽ

2 Hz

409 6 Hz819 2 Hz32.768 kHz

XTALOSCILLATOR

16.384 kHz

STOPビットの機能のスキーム：

F13

F14

ﾘｾｯﾄ

ﾘｾｯﾄ

1 Hz ﾁｯｸ

STOPﾋﾞｯﾄ

STOP ビットが 1 にセットされている 間は、時間レジスタを設定できますが STOP ビットが解放されるまで時刻は進みません。
STOP ビット機能を使用した時刻・カレンダー値の設定手順 :1. 時刻設定中にタイマーが更新されないように、STOP ビットを 1 に設定します。
2. 設定しようとしている時刻・カレンダーの値 (年、月、日、曜日、時、分、秒) をレジスタに書き込みます。
STOP ビットを 1 に設定すると、1/100 秒レジスタは自動的に 00 にクリアされます。
3. STOP ビットを 0 に解放して、RTC内部の時刻回路をスタートさせます。
4. 最初の 1 Hz は、制御 (コントロール) 2 レジスタ（11h) への書き込み後の RV-3032-C7 からのI2C アクノリッジ信号から開始されます。

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STOP ビット 機能のタイミングチャート ：1 Hz
CLKOUT出力秒

1A

B
1秒– (0~244 µ秒)

2

STOP ﾋﾞｯﾄ

B+1

B+2

C
1秒– (0~244 µ秒)

1秒

3

2

C+1
1秒

4

書き込み動作① 外部クロック ソースに対する 1 Hz ティックの同期をモニタリングするためには、CLKOUT端子の1 Hz クロックを有効にします。1Hz出力の立上りエッジは、クロック カウンタの増分の 1 Hz チックに対応しています 。
(ただしSTOP ビットがリリースされる場合に発生する可能性のある正のエッジを除く)② STOP ビットが 1 に設定されている間、新しい時刻・カレンダーのレジスタ値を入力できます。
③ STOP ビットが 1 から 0 にリリースされた時に、 CLKOUT 端子がLowレベルだった場合は 立ち上がりエッジが即座に発生します。 リセット後の最初の 1 Hz の時間長さは、1 秒より 0～244μs 短い時間になります。
④ TOP ビットが 1 から 0 にリリースされた時に、CLKOUT 端子がHiレベルだった場合は信号は即座には変化しません。 リセット後の最初の 1 Hz 期間は、1 秒より短い 0～244μs になります。

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4.21.2. 秒レジスタへの書き込みについて

秒レジスタへの書き込みは、ソフトウェアベースの正確かつ安全な時刻タイミング の開始にも使用されます。
（ソフトウェアベースの時刻同期）。
秒レジスタに値を書き込むと、4096 Hz から 1 Hz までのクロック プリスケーラ周波数がリセットされ、現在記憶されている
1 Hz ( 1秒 ) の更新もリセットされます。 1/100秒 レジスタ の値は 00 にリセットされます。 下図のプリスケーラの8192 Hzより上段はリセットも停止もしません。 また I2C インターフェイスのSCLクロックと、RTCの内部クロックは同期していないため、リセット後（STOP ビットを 1 から 0 に設定した後）の最初の 1 Hz の時間長さ は 1 秒よりも0～244 μs 短くなります。
プリスケーラを停止してリセットすると、後続の関連するすべての機能 （時刻・カレンダー、クロック出力、タイマー クロック、
時刻更新割り込み、EVI 入力フィルター、温度測定 ) は影響を受けます。また秒レジスタへの書き込みは 32.768 kHz の
CLKOUT出力 には影響しません 。
( 「XTALモードでのクロック出力周波数の選択」 の項も参照下さい)

F2

F13

ﾘｾｯﾄ

1 Hz
64 Hz
1024 Hz32.768 kHz

ｸﾛｯｸ出力
のｿｰｽ

2 Hz

F1

409 6 HzF0819 2 HzXTALOSCILLATOR

16.384 kHz

32.768 kHz

秒レジスタが書き込まれた時のリセットされる クロック プリスケーラ のスキーム:

F14

1 Hz ﾁｯｸ

ﾘｾｯﾄ

ﾘｾｯﾄ

秒ﾚｼﾞｽﾀへの
書き込み
0

1

1

秒レジスタへの書き込み時のリセット機能を使用して時刻・カレンダーを設定する方法：
1. 設定する時刻・カレンダーの値 をレジスタ (秒、分、時、曜日、日、月、年) に書き込みます。
( I2Cタイムアウト時間＝950 ミリ秒以内で書き込みを終えます)
2. 最初の 1 Hz チック は、制御 (コントロール) 2 レジスタ（11h) への書き込み後の RV-3032-C7 からのI2C アクノリッ
ジ信号から開始されます。
秒レジスタへの書き込み時のリセット機能のタイミング :1 Hz
CLKOUT端子秒

1

A

秒ﾚｼﾞｽﾀへの
書き込み

A+1

B

B+1

1秒– (0~244 µ秒)

1秒

2

B+2

C

C+1

1秒– (0~244 µ秒)

1秒

3

書き込み動作① 外部クロック ソースに対する 1 Hz ティックの同期をモニタリングするためには、CLKOUT端子の1 Hz クロックを有効にします。1Hz出力の立上りエッジは、クロック カウンタの増分の 1 Hz チックに対応しています 。
(ただし秒レジスタに書き込む場合に発生する可能性のある正のエッジを除く)② 秒レジスタに書き込まれた時に、CLKOUT 端子がLowレベルだった場合は 立ち上がりエッジが即座に発生します。リセット後の最初の 1 Hz の時間長さは、1 秒より 0～244μs 短い時間になります。
③ 秒レジスタに書き込まれた時に、CLKOUT 端子がHiレベルだった場合は信号は即座には変化しません。
リセット後の最初の 1 Hz 期間は、1 秒より短い 0～244μs になります。

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4.21.3. ESYN ビットの 機能

外部イベント (EVI) 同期ビット ESYN は、外部イベント入力によってトリガーされる高精度の時刻同期に使用されます。
（ハードウェアベースの時刻同期）
ESYN ビットが 1 に設定されていて、EVI 端子で外部イベントが検出された場合、4096 Hz から 1 Hz までのクロック プリス
ケーラ周波数がリセットされ、現在記憶されている 1 Hz の更新もリセットされます。 1/100 秒レジスタの値も 00 にリセットされます。 プリスケーラ上段（8192Hzより上）はリセットされず、 I2C インターフェイスのSCLクロックとRTCの内部クロックは同期していないので、 リセット後（STOP ビットを 1 から 0 に設定した後）の最初の 1 Hz の時間長さ は 1 秒よりも0～244 μs
短くなります。プリスケーラーをリセットすると、後続のすべての関連する機能 (時刻・カレンダー情報、XTAL CLKOUT出力、タイマー クロック、時刻更新割り込み、温度検出、および EVI 入力フィルター) の現在のクロック周期の長さに影響します。
イベント検出後、ESYN ビットは自動的に 0 にリセットされます。
外部トリガによる時刻同期は、32.768 kHz の CLKOUT には影響しません (「XTAL CLKOUT 周波数選択」の項も参照)。

F13

ﾘｾｯﾄ

1 Hz
64 Hz
1024 Hz32.768 kHz

2 Hz

F2

409 6 HzF1

819 2 HzF0

16.384 kHz

XTALOSCILLATOR

32.768 kHz

ESYN ビット の機能のスキーム:

ﾘｾｯﾄ

EHL, ET
ｸﾛｯｸ出力のｿｰｽ

EVI 端子外部ｲﾍﾞﾝﾄ入力
機能

F14

1 Hz tick

ﾘｾｯﾄ

ESYN

0 自動ﾘｾｯﾄ1

EVI 端子での外部イベント入力に同期して時刻・カレンダー情報を設定する手順：
1. ESYN ビットを 1 に設定し、「外部イベント割り込みの使い方」の内容の通り外部イベント入力機能を初期化します。
2. INT端子の割り込み信号が外部イベント入力によってトリガーされると、目的の時刻・カレンダーの値を各レジスタ(年、月、日、曜日、時、分、秒) に書き込みます。 1/100秒レジスタは自動的に 00 にクリアされます。秒レジスタに書き込むと、時間が再び同期します （ソフトウェアベースの時刻同期） 。
3. イベント検出後、ESYN ビットは自動的に 0 にリセットされます。
「外部イベント割り込み機能」の項も参照してください。
（ヒント） ESYN ビット機能は、最初にタイムスタンプ EVI を実行し、次に 1/100秒レジスタをクリアします。
（ヒント） ESYN が 1 の場合、ESYN ビットを 0 にリセットすることで、いつでも同期機能をキャンセルできます。

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ESYN ビット機能のタイミングチャート ：1 Hz
CLKOUT出力
秒

1

A

A+1

A+2

1秒 –(0～244µs)

1秒

2

ESYNﾋﾞｯﾄ
EVI端子入力

A+3
1秒 –(0～244µs)

A+4
1秒

2
3

4

ｲﾍﾞﾝﾄ

ｲﾍﾞﾝﾄ

書き込み動作① 外部クロックソースに対する 1 Hzチックの同期をモニタリングするため、CLKOUT 端子から1Hzクロックを出力させます。1Hzクロックの立上りエッジは、時計カウンタ の増分の 1Hz チックに対応します。
(ESYN = 1で外部イベントが発生した場合に発生する可能性のある立上りエッジは除く)② 外部イベント同期機能を初期化するため、ESYNビットを1に設定します。
③ ESYN ビットが 1 のとき外部イベントが発生すると、ESYN ビットは自動的にクリアされ、同時にCLKOUT端子のLow信号 に 立上り エッジが発生します ( CLKOUT端子がLow レベルだった場合 ) 。 リセット後の最初の 1Hzの時間は、1 秒より 0 ～ 244 μs ほど短くなります。
④ ESYN ビットが 1 のときに外部イベントが発生すると 、ESYN ビットは自動的にクリアされ、CLKOUT端子のHigh 信号は変化しません ( CLKOUT端子がHigh レベルだった場合 ) 。リセット後の最初の 1Hz 期間は、1秒より 0 ～ 244 μs ほど短くなります。

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4.22. ユーザープログラマブル パスワード
電源投入直後、tPREFR = ～66 ms の起動後のリフレッシュ時間経過後に、パスワード PW レジスタ (RAM 39h ～ 3Ch) は
00h にリセットされ、またEEPWE （ EEPROM／CAh ） の値と EEPROM パスワード EEPW レジスタ （EEPROM／C6h ～ C9h）の値は EEPROM から対応する ミラーRAM にコピーされます。
このパスワード機能を有効にすると、 各機能のレジスタ （ 時刻・カレンダー/制御(コントロール)/ユーザーRAM/機能設定
EEPROM/ユーザーEEPROM、などパスワードロックが可能なレジスタ ： WPで定義 ) への書き込みを行う際には、最初に4つ（8ビットの値×4つ ＝ 32ビット ） のパスワードが必要になります。 32 ビットのパスワード PW は、EEPW レジスタの ミ
ラーRAM に格納されている 32 ビットの値と比較されます ( 「パスワード レジスタ」 「EEPROM パスワード レジスタ」および「EEPROM パスワード有効化レジスタ」を参照下さい ) 。
注意 ： 使用可能なパスワードの数は、232 ≈ 4.3 × 109 = 43 億です。

4.22.1. パスワードロックの有効化／無効化
EEPWE レジスタ ( EEPROM CAh ) に 255 を書き込んで書き込み保護機能を有効にした場合でも、EEPROM レジスタを除くすべてのレジスタを読み出すことは可能です。 EEPROM レジスタは、EEアドレス (3Dh) および EE コマンドレジスタ (3Fh)に書き込むことができないため、読み取ることはできません。 パスワードロック機能が有効になっていない場合は、対応する
すべてのレジスタの読み取りおよび書き込みが可能です。
パスワードロック機能が有効になっている場合は、RAM レジスタへの書き込みや EEPROM レジスタへの読み書きを行う
前に、まず正しい 32 ビット パスワード PW (PW = EEPW) を書き込む (ロック解除) 必要があります。
書き込みのアクセスが終了した後に、再度パスワードロックを有効にする場合は、意図的に 間違ったパスワード (PW ≠EEPW) をパスワード PW レジスタに書き込むことで、パスワードロックします。 以下の 手順と、116頁のフローチャートを参照してください。
パスワードロック を 『 有効化 』 する手順：
1. 起動後の初期状態 (POR) で WPレジスタはパスワードロックされていない場合 (EEPWE ≠ 255)。
参照パスワードは EEPW の ミラーRAM ( アドレス C6h ～ C9h) に保存されています。
2. EERD = 1 に設定してオートリフレッシュを無効にします。
3. EEPWE = 255 ( ミラーRAM アドレス/ CAh) を入力してパスワードロック機能を有効にします。
4. 正しいパスワード PW (PW = EEPW) を パスワードレジスタ ( 39h～3Ch ) に 入力して、パスワードロックを解除します ( RAMアドレス / 39h～3Ch ) 。
5. EECMD に『11h 』を書き込むことにより、EEPROM (全ての機能設定ミラーRAMレジスタ  EEPROMレジスタ)を更新します。
6. EERD = 0 に設定してオートリフレッシュを有効に戻します。
7. 意図的に間違ったパスワード PW (PW ≠ EEPW) をパスワードレジスタ ( 39h～3Ch ) に 入力して、デバイスをロックします。
8. 上記て手順にて、 各WPレジスタはパスワードロック（書込み保護）されています (EEPWE = 255)
パスワードロック を 『 無効化（解除） 』 する手順：
1. 起動後の初期状態 (POR) で WPレジスタはパスワードロックされている場合 (EEPWE = 255)
参照パスワードは EEPW の ミラーRAM ( アドレス C6h ～ C9h) に保存されています。
2. 正しいパスワード PW (PW = EEPW) をパスワードレジスタ ( 39h～3Ch ) に 入力して、 書き込み保護 (RAM ア
ドレス 39h ～ 3Ch) のロックを解除します。
3. EERD = 1 に設定してオートリフレッシュを無効にします。
4. EEPWE ≠ 255 (ミラー RAM アドレス/ CAh) を入力してパスワードロック機能を無効にします。
5. EECMD に 『11h 』 を書き込むことにより、EEPROM (全ての機能設定ミラーRAMレジスタ  EEPROMレジスタ)を更新します。
6. EERD = 0 に設定してオートリフレッシュを有効にします。
7. 上記て順にて、各WPレジスタはパスワードロックが解除されます (EEPWE ≠ 255)
(ヒント) EEPROMパスワード／EEPWレジスタ 内の 参照パスワード値は、パスワードロックされていない場合に、EEPROM 1
バイト読み取りコマンド ( EEコマンドレジスタ/3Fh に 『22h』 を書き込む ) で読み取ることができます。 この方法は、パス
ワードロック機能が有効になる前に EEPWレジスタ にどのパスワードが書き込まれているか不明である場合に便利です。
EEPW レジスタからの ミラーRAMレジスタの値は読み取ることはできません。
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4.22.2. パスワードの変更
新しいパスワードを設定するには、WPレジスタが書き込み保護されている場合には、ユーザーはまず現在の (正しい)パスワード PW (PW = EEPW) を パスワードレジスタ ( 39h ～ 3Ch ) に入力し、次に全て『1』になる値を除く新しい値を設定します。 EEPWE レジスタ ( EEPROM/ CAh ) に 『 値 ≠ 255 』 を設定してパスワードロックを解除し、新しい 参照パスワード
EEPW を EEPROMレジスタ C6h ～ C9h に書き込みます。 その後、 EEPWEレジスタ (CAh) にすべて 1 (値 = 255) を 書き込
み、パスワード機能を有効にします。 以下の 手順 と 116頁のフローチャートを参照してください。
パスワード機能が有効になっている場合にパスワードを変更する手順 (EEPWE = 255):
1.

起動後の初期状態 (POR) で WPレジスタはパスワードロックされている場合 (EEPWE = 255)
変更前の参照パスワードが EEPW の ミラーRAM ( アドレス C6h ～ C9h) に保存されています。
2. 現在の正しいパスワード PW (PW = EEPW) を入力して、パスワードロック (RAM アドレス 39h ～ 3Ch) を解除します。
3. EERD = 1 に設定してオートリフレッシュを無効にします。
4. EEPWE ≠ 255 (ミラー RAM アドレス/ CAh ) を入力してパスワードロック機能を無効にします。
5. EEPW レジスタ (ミラーRAMアドレス/ C6h ～ C9h ) に新しい参照パスワードを設定します。
6. EEPWE = 255 (ミラーRAM アドレス/ CAh ) を入力してパスワード機能を有効にします。
7. 新しい正しいパスワード PW (PW = EEPW) を入力して、パスワードロック (RAM アドレス 39h ～ 3Ch) を解除します。
8. EECMDレジスタ に 『11h』 を書き込むことにより、EEPROM を更新します 。
(全ての機能設定 RAMレジスタ  EEPROMレジスタ)
9. EERD = 0 に設定してオートリフレッシュを有効にします。
10. 間違ったパスワード PW (PW ≠ EEPW) を RAMアドレス 39h ～ 3Ch に入力してデバイスをロックします。
11. 上記の手順にて、 各WPレジスタは EEPROMパスワード EEPW に保存された新しい参照パスワードにてロック（書込み保護）されます 。

パスワード機能が無効の場合にパスワードを変更する手順 (EEPWE ≠ 255):
1. 起動後の初期状態 (POR) で WPレジスタはパスワードロックされていない場合 (EEPWE ≠ 255)。
変更前の参照パスワードが EEPW の ミラーRAM ( アドレス C6h ～ C9h) に保存されています。
2. EERD = 1 に設定してオートリフレッシュを無効にします
3. EEPW レジスタ (ミラーRAMアドレス/ C6h ～ C9h ) に新しい参照パスワードを設定します。
4. EECMDレジスタ に『11h』を書き込みEEPROM を更新します。
(全ての機能設定 RAMレジスタ  EEPROMレジスタ)
5. EERD = 0 に設定してオートリフレッシュを有効にします。
6. 上記の手順にて、 新しい参照パスワードがEEPROMパスワード EEPW に保存されます。

EEPROMパスワード EEPW = 00000000h は実際のパスワードではないことに注意してください。 これは パワーオンリセット(POR) 後のパスワード PW も 00000000h ( PW = EEPW ) であり、POR リフレッシュ ( EEPW = 255 ) 後にパスワードロック機
能が有効になっているにもかかわらず、PWレジスタのロックが解除されているためです。

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4.22.3. パスワードロックのフローチャート

以下のフローチャートは、 ユーザーパスワードによるレジスタの書き込み保護の 有効化 と 無効化 のプログラミング、
および書き込み保護が 有効 または 無効 になっている場合のユーザーパスワードと その他の 機能設定EEPROMレジスタ(C0h～C5h) の変更についての説明です。 この例では、EEPROM 更新コマンド ( EECMDレジスタ に 『11h』 を書き込む)を適用して、 すべての 『機能設定ミラーRAMレジスタ 』 (C0h～C5h) から対応する 『機能設定EEPROMレジスタ』 にデータを書き込み (保存) します。「EEPROM設定レジスタの使用方法」の項も参照してください。
ユーザープログラマブルパスワードのフローチャート：

全てのRAMの編集が可能(00h - 4Fh)

POR

(1)
EEPWE ≠ 255

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸされていない状態

EERD = 0

ｵｰﾄﾘﾌﾚｯｼｭを有効にする

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸ
なし

EECMD = 00h & 11h(RAM  EEPROM)

EEPROMﾚｼﾞｽﾀを更新

その他のEEPROM
レジスタの編集(C0h-C5h)(RAM)

EEPWE ≠ 255(RAM)

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ機能を無効にする

新しいﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ
を設定
(RAM)
その他のEEPROM
レジスタの編集(C0h-C5h)(3)

ｵｰﾄﾘﾌﾚｯｼｭを無効にする

EERD = 1

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ機能を有効にする

EEPWE = 255
(RAM)

(3)
EEPROMﾚｼﾞｽﾀを更新

EECMD = 11h(RAM  EEPROM)

ｵｰﾄﾘﾌﾚｯｼｭを有効にする

EERD = 0(RAM)

EERD = 1

正しいﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ
を入力(PW = EEPW)

ｵｰﾄﾘﾌﾚｯｼｭを無効にする

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸの解除

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸ
あり

POR

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸ(2)
EEPWE = 255

正しくないﾊﾟｽﾜｰﾄﾞを入力(PW ≠EEPW)

書込み保護ﾚｼﾞｽﾀのﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸ(1) EEPWE ≠ 255 となっている場合のパワーオンリセット直後の状態(2) EEPWE = 255 となっている場合のパワーオンリセット直後の状態(3) 事前に EEPWレジスタ (RAM) にパスワードが設定されている場合, 新しい正しいパスワードPW (PW = EEPW) を

ここで入力してパスワードロックを解除します。

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5. 温度補償 （ 高精度D-TCXO ) について
5.1. XTALモードでの周波数・内部水晶発振器の32.768 kHz ：32.768 kHz の内部水晶クロック発振器 は温度補償されていません。 上に凸の二次曲線状の周波数偏差を伴う負の温度係数により、-40℃ ～ +85℃ の標準動作温度範囲全体では、最大 -150 ppm の変化が生じる可能性があります 。 +105°
C では、周波数が -225 ppm 変化する可能性があります( -40℃～+105℃の拡張動作範囲の場合 )。 すべてのデバイスの32.768 kHz 発振器周波数は、25°C時 で ±50 ppm (百万分率) の周波数偏差内にて出荷時にテストされています。
・4096 Hz ～ 64 Hz の周波数：
これらの周波数は、-40℃～ +85℃ の標準温度範囲で ±2.5 ppm、+85℃ ～ +105℃ の拡張温度範囲で ±20 ppm の時
間精度でデジタル温度補償されます。 分周器ユニットの 16.384 kHz のクロックは、32.768 kHz のパルスを加算または減算することによって変更されます。 32.768kHzのパルスは、温度補償アルゴリズムによって計算された値に従って加算または減算されます。 デジタル補償方法 (クロック パルスの加算および減算) は、以下に示すデジタル補償された周波数のサイク
ル間ジッターに影響を与えます。
••••

4096 Hz (繰返しカウントダウンタイマ割り込み)
1024 Hz (CLKOUT出力)
100 Hz (外部イベント割り込み)
64 Hz(CLKOUT出力 及び 繰返しカウントダウンタイマ割り込み )経年変化補正は、OFFSET 値を使用して行うことができます (「経年変化補正」を参照)。

・1Hz出力 及び 時刻・カレンダー ：1Hzクロック出力は温度補償されており、デジタル粗補償とデジタル微調整の両方を使用します。 時刻精度と周波数精度
は-40℃ ～ +85℃ の標準温度範囲で 1Hz 周期ごとに ±2.5 ppm、+85℃ ～ +105℃ の拡張温度範囲で ±20 ppm です。
温度補償アルゴリズムは、約 0.1 ppm の分解能で 1Hz 周期ごとに調整します。 この精密で正確な 1Hz クロックは、
後続のすべての時刻およびカレンダー レジスタをインクリメントするために使用されます 。
( 「時間精度と温度特性」の項を参照下さい )。
経年変化の補正は、OFFSET 値を使用して行うことができます (「経年変化補正」を参照) 。

5.2. 温度補償の値
各デバイスは工場で全温度範囲にわたって温度補償の調整がなされており、個々の補償値はデジタル温度補償ユニット(DTCU) の EEPROM に保存されています。 この EEPROM にはユーザーはアクセスできません。

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5.3. 経年変化の補正
OFFSET値によりエージング調整 や 精度の調整が可能です。補正は純粋にデジタルで行われ、時間対温度の曲線を垂直方向に上下にシフトする効果のみがあります。対温度特性には影響しません。OFFSET 値には、-32 ～ +31 の調整ステッ
プの範囲の 2 の補数が含まれます。 最小補正ステップ (1LSBの分解能) は、±1／(32768 × 128) = ±0.2384 ppm です。
最大の補正範囲は 約±7.4ppm です。符号付きオフセット値 OFFSET は、測定された周波数の実際のオフセット値に対応します。 このフィールドにはユーザーがアクセスできます 。
(「EEPROM オフセット レジスタ」の項を参照下さい ) 。

5.3.1. オフセット (OFFSET) 値の決定方法
OFFSET 値を決定する手順：
1. 補正が行われないようにするために、OFFSET フィールドを 0 に設定します。
2. CLKOUT端子の出力を 『1Hz』 に設定します。
3. CLKOUT端子出力の周波数 (Fmeas) を Hz 単位で測定します。
(「CLKOUT ピンでの時間精度の測定」を参照してください ）4. 必要なオフセット値を 『ppm単位』 で計算します。
・ POffset = ( (Fmeas – 1) × 1’000’000 )5. オフセット値をOffset の ステップ数に換算します。
・Offset = POffset／(1／(32768 × 128)) = POffset／(0.2384)
6. Offset > 31 の場合は、周波数が高すぎて補正できません。
7. 0 ≤ Offset ≤ 31 の場合は、OFFSET = 『Offset』 を設定します。
8. -32 ≤ Offset ≤ -1 の場合は、OFFSET = 『Offset + 64』 を設定します。
9. Offset < -32 の場合は、周波数が低すぎて補正できません。

計算例：•

1 Hz クロックの出力にて、1.0000012 Hz が測定された場合。
オフセットは +0.0000012 Hz になりますので、+ 0.0000012 Hz / 10-6 Hz = +1.2 ppm です。
プラスのオフセット値は次のように計算されます。
+ 1.2 ppm ÷ 0.2384 ppm = +5.03、四捨五入された整数部分は『+5』です。
2 進数では『OFFSET = 000101 』になります。

•

1Hz クロックの出力にて、0.9999949 Hz が測定された場合。
オフセットは -0.0000051 Hz になりますので、- 0.0000051 Hz / 10-6 Hz = -5.1 ppm です。
負のオフセット値は次のように計算されます。
- 5.1 ppm / 0.2384 ppm = -21.39、四捨五入された整数部分は 『-21 』です。
マイナスの符号なしの値は、- 21 +64 = 『+43』になります。
2 進数では『OFFSET = 101011』 になります。

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5.3.2. CLKOUT端子出力での時間精度の測定
デジタル温度補償ユニット (DTCU) の時間精度を検証する最も簡単な方法は、CLKOUT端子出力で補償された 1Hz 周波数を測定することです。 1Hz のクロック周波数には、デジタル微調整機能を備えたデジタル温度補償クロックが含まれており、デバイスの全体的な時間精度を表します。
1. CLKOUT 端子出力で 1 Hz 周波数を選択します。
a. OS ビット(EEPROM／C3h) を 0 に設定して、XTAL モード を選択します。
b. 1 Hz を選択するには、FD フィールド (EEPROM C3h) を 11 に設定します。
c. CLKOUT端子のクロック出力を直接有効にするには、NCLKE ビットを 0 に設定します。
2. 測定機器と設定
a. 高精度ユニバーサル カウンタを使用して、CLKOUT ピンの 1 Hz の時間精度を測定します。
b. 出力信号の立ち上がりエッジでトリガーします (ゲート時間 ≥ 1 秒)。 立ち上がりエッジで測定された各 1 Hz
クロックは、デジタル温度補償ユニット (DTCU) の時間精度を表します。
CLKOUT端子での 1 Hz の時間精度 (ハイブリッド信号) :1秒

CLKOUT端子

12～500 ms① CLKOUT 出力 の立上りエッジ
時間精度を測定する場合、CLKOUT 信号の立ち上がりエッジでトリガすることが必須です。
温度補償アルゴリズムは、約 0.1 ppm の分解能で 1 Hz 周期ごとに調整します。
② CLKOUT 出力 の立下りエッジ
CLKOUT 端子からの出力信号の立ち下がりエッジは、RV-3032-C7 が約 500 ミリ秒後に信号をクリアすると生成されます。 立下りエッジは 32.768 kHz 水晶発振によって作成されるため、時間精度のテストには使用しないでください。

INT端子信号の立ち上りエッジ と 立ち下りエッジ は 32.768kHz水晶発振 の クロック信号によって生成されるため、
時刻更新割り込み機能 (1秒または 1分間隔)、 および、その他の割り込み機能は、短期間の 時間精度測定 には使用できないのでご注意ください。

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5.4. クロック動作のスキーム
CLKOUT端子出力 と割り込み信号のクロック動作のスキーム：

HF発振器

8192Hz～67.109 MHz

CLKOUT 出力

32.768 kHz

内部水晶
発振器

CLKOUT 出力

4096 Hz
ｵﾌｾｯﾄ
STOP ﾋﾞｯﾄ秒ﾚｼﾞｽﾀESYN ﾋﾞｯﾄ

温度補償
粗調整
分周器
及び
ｶｳﾝﾀ

繰返しｶｳﾝﾄﾀﾞｳﾝﾀｲﾏ割り込み

1024 Hz
100 Hz

CLKOUT出力
1/100秒ｶｳﾝﾀ

64 Hz

CLKOUT 出力
繰返しｶｳﾝﾄﾀﾞｳﾝﾀｲﾏ割り込み

時刻精度±2.5 ppm-40～+85℃(±20 ppm+85～+105℃)

温度補償
微調整

1 Hz

秒

時刻精度
±2.5 ppm-40～+85℃(±20 ppm+85～+105℃)

分

分周器
及び
ｶｳﾝﾀ

時間・日

月・年

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外部ｲﾍﾞﾝﾄ割り込み

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CLKOUT 出力
繰返しｶｳﾝﾄﾀﾞｳﾝﾀｲﾏ割り込み
時刻更新割り込み
外部ｲﾍﾞﾝﾄ割り込み
温度低下検出割り込み
温度上昇検出割り込み繰返しｶｳﾝﾄﾀﾞｳﾝﾀｲﾏ割り込み
時刻更新割り込み
外部ｲﾍﾞﾝﾄ割り込み
温度低下検出割り込み
温度上昇検出割り込み
ｱﾗｰﾑ割り込み
外部ｲﾍﾞﾝﾄ割り込み
温度低下検出割り込み
温度上昇検出割り込み
外部ｲﾍﾞﾝﾄ割り込み
温度低下検出割り込み
温度上昇検出割り込み

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6. I2C インターフェース
I2C インターフェースは ICとモジュール間の双方向の2ワイヤ通信です。RV­3028­C7の I2C通信速度は、 ファーストモー
ドの 400kHz に対応しており、 アドレスは A4h / A5h です。 I2C インターフェースは2つの信号線で構成されており, 双方
向のデータライン(SDA)とクロックライン(SCL) からなります。2つの信号線はプルアップ抵抗を介してして+電源に接続されて使用されます。データ転送はインターフェースラインが他で使われていない場合のみ行えます。

6.1. ビット送信
1つのクロックパルスにつき1つのデータを送信できます。 SDAデータラインは、SCLクロックラインがHighの間に一定である
ことで有効なデータと認識されます。 SDAデータ は SCLクロック が Lowの間のみ変更できます。
( 下図を参照)

ビット送信図：SDA
SCL
ﾃﾞｰﾀﾗｲﾝが一定：
ﾃﾞｰﾀ が有効

ﾃﾞｰﾀの
変更が
可能

6.2. スタートコンディション ・ ストップコンディション
バスが非動作のときは、SDAラインとSCLラインは両方とも HIGH のままです。 データラインが HIGH→LOWへ遷移し、クロックが HIGH の場合に、 スタートコンディション (S) として定義されます。 SDAラインがLOW →HIGHへ遷移した時にクロッ
クHIGH の状態を ストップコンディション(P) として定義されます。
(下図を参照)スタートコンディション・ストップコンディションの定義:

SDA
SCL

SDA

S

P

ｽﾀｰﾄｺﾝﾃﾞｨｼｮﾝ

ｽﾄｯﾌﾟｺﾝﾃﾞｨｼｮﾝ

SCL

最初の スタートコンディションの後、ストップコンディションの前に再度発生する スタートコンディションは 『リピート・スター
トコンディション』 と呼ばれ、通常のストップコンディションとそれに続く通常のスタートコンディションとまったく同じように機能
します。
注記 :
RV-3032-C7 RTCモジュールと通信する場合、スタートコンディションの送信から ストップ コンディションの送信までの一連の通信 は 950ms 以内に行う必要があります。
この一連の通信に 950ms 以上の時間がかかると、RV-3032-C7 のバスタイムアウト機能により、I2Cバスインターフェー
スが自動的にクリアされスタンバイモードになります。 このオートクリア動作中、およびオートクリア動作後の通信は、書き込み／読み込みともに無効になりますのでご注意ください。 通信が無効の場合、書き込み時はアクノリッジが発生せず、読み込み時には 値: FFh が読み出されます。
通信の再開は、再度 スタートコンディションの転送から始まります。
I2C自動インクリメント アドレスポインタは、 I2C ストップコンディション及び、タイムアウト後の強制的な内部停止によってもリセットされません。
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6.3. データの有効性

スタートコンディションの後、SDA は SCL が High の間は一定になります。 SDAデータは、SCL が Low の間でのみに変更
することが出来ます。 データの１ビットごとに 1つのクロックパルスがあります。 各データ転送は、スタートコンディションで開始され、ストップコンディション で終了します。 スタートコンディションと ストップコンディション の間で転送されるデータ バイト数に制限はありません (ただし転送時間は 950 ミリ秒を超えてはなりません)。 データはバイト単位で送信され、レシーバ
は 9 番目のビットで アクノリッジ 応答します。

6.4. システム構成
複数のデバイスを I2C バスに接続できるため、すべての I2C バス デバイスには、個別のアドレス指定を可能にする固定・固有のデバイス番号が組み込まれています。
I2C バスを制御するデバイスが 『マスター』 です。 マスターによって制御されるデバイスは 『スレーブ』 です。 メッセージを生成するデバイスは 『トランスミッタ』 です。 メッセージを受信するデバイスが 『レシーバ』 です。 RV-3032-C7 はスレーブ・
レシーバ または スレーブ・トランスミッタとして機能します。
I2C バス上で データが送信される際には、レシーバのデバイス・アドレスが最初に指定されます。 アドレス指定は常に、スタートコンディションの後に送信される最初のバイトで送信されます。 SCLクロックは入力信号のみ、SDAデータ は
双方向ラインです。
システム構成 :
SDA
SCL

マスタ－
トランスミッタレシーバ

May 2023

スレーブ
レシーバ

スレーブ
トランスミッタ レ
シーバ

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マスタ－
トランスミッタ

マスタ－
トランスミッタ
レシーバ

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6.5. アクノリッジ

スタートコンディションと ストップコンディションの間で、トランスミッタからレシーバに転送されるデータバイト数は無制限です ( ただし転送時間は950ミリ秒を超えてはなりません )。
8ビットの各バイトの後にはアクノリッジ が続きます。
・ アドレス指定されたスレーブ・レシーバ は、各バイトの受信後にアクノリッジを生成する必要があります。
・ また、マスター・レシーバ もまた、スレーブ・トランスミッタ からの各バイトの受信後にアクノリッジ を生成する必要があります。
・ アクノリッジを行うデバイスは、アクノリッジに対応する SCLクロックパルスの HIGH の間 SDA ラインが LOW で一定になるようにSDAラインをプルダウンする必要があります (セットアップ時間とホールド時間を考慮する必要があります)。
・ マスタ－・レシーバ はスレーブ・トランスミッタから送信されたデータの終わりにアクノリッジを返さないことでデータ転送を終了させます。 この時にスレーブ・トランスミッタはマスタ－・レシーバがストップ・コンディションを生成出来るようにSDAラインを High に保っておく必要があります。
I2C バス上のデータ転送 と アクノリッジ応答 :トランスミッタからのデータ出力
ｱｸﾉﾘｯｼﾞ無し

レシーバ
からの
データ出力

ｱｸﾉﾘｯｼﾞあり

マスタからのSCLクロック

S

1

2

ｽﾀｰﾄ・
ｺﾝﾃﾞｨｼｮﾝ

May 2023

8

9

ｱｸﾉﾘｯｼﾞに対応する
SCLｸﾛｯｸﾊﾟﾙｽ

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6.6. スレーブアドレス

I2C バス上の RV-3032-C7 の 7 ビットのスレーブ アドレスは 1010001b (51h) です。 I2C バスの スレーブアドレスバイトの全体を次の表に示します。
スレーブアドレス
Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

1

0

1

0

0

0

1

R/W
Bit 0

データ送信

1(R)
0(W)

A3h (読み込み)
A2h (書き込み)

スタートコンディションの後、 I2Cスレーブアドレス を RV-3032-C7 デバイスに送信する必要があります。 このビットは、 次の 1バイトまたは複数バイトのデータ転送の方向を決めます。 7 ビットのアドレスは MSBファーストで送信されます。 このアドレスが 1010001b (51h) の場合は RV-3032-C7 が選択され、8 番目のビットは読み取り (= 1) または書き込み (= 0) 操作を示し (結果は A3h または A2h)、RV-3032-C7 は アクノリッジ を返します。 RV-3032-C7 は他のアドレス値の場合はデー
タ送信を無視しアクノリッジ応答しません。
書き込み動作の場合は、次のデータ転送の ストップコンディションまたは スタートコンディションを送信することでデータ転送が終了します。

6.7. 書込み動作
マスタ－はスレーブ・レシーバにアドレスの指定をします。 レジスタアドレスは 8ビットで指定されます。
1バイトのデータ書き込み後はレジスタアドレスは自動的に1つインクリメントされます。
マスターから RV-3032-C7 の任意のレジスタにデータを書き込む場合 ：1) マスタ－からスタート・コンディションを生成します。
2) マスタ－からスレーブアドレスを送信します (RV­3032­C7のアドレス =A2h, R/W=0：書込み ) 。
3) RV­3032­C7 からアクノリッジを返します。
4) マスタ－から RV­3032­C7 のレジスタアドレスが送信されます。
5) RV­3032­C7 からアクノリッジを返します。
6) マスタは 4)で指定したレジスタに書き込むデータを送信します
7) RV­3032­C7 からアクノリッジを返します。
8) 6), 7) は必要に応じて繰り返します。
RV­3032­C7のレジスタアドレスは自動でインクリメントされます。
9) マスタ－がストップ・コンディションを生成します。
2

3

4

5

6

7

8

S

スレーブアドレス

0 A

レジスタアドレス

A

データ

A

データ

R/W

1

May 2023

9
A

P

RV­3032­C7からのアクノリッジ

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6.8. 任意のアドレスからのデータの読み込み
マスタから RV-3032-C7 の任意のアドレスのデータを読み込む場合 ：1) マスタからスタート・コンディションを生成します。
2) マスタからスレーブアドレスを送信します(RV­3032­C7のアドレス =A2h, R/W= 0：書込み )。
3) RV­3032­C7 からアクノリッジを返します。
4) マスタから RV­3032­C7 のレジスタアドレスが送信されます。
5) RV­3032­C7 からアクノリッジを返します。
6) マスタからリピート・スタートコンディションを送信します。
( または一旦ストップ・コンディションを送信してからスタート・コンディションを送信します）
7) マスタからスレーブアドレスを送信します(RV­3032­C7のアドレス =A2h, R/W= 1：読込み )。
8) RV­3032­C7 からアクノリッジを返します。
この時点でマスタはレシーバとなり スレーブ ( RV­3032­C7 ) がトランスミッタになります。
9) スレーブ ( RV­3032­C7 ) は ステップ：4) で指定されたアドレスのデータを送信します。
10) マスタからアクノリッジを返します。
11) ステップ 9) ,10) を 必要に応じて繰り返し行います。
RV­3032­C7 のレジスタアドレスは自動でインクリメントされます。

12) マスタ及びスレーブ はスレーブ・トランスミッタ (RV­3032­C7) から送信された最後のデータバイトに対してアクノリッジを返さないことでデータ通信を終了します。この時スレーブ・トランスミッタは, マスタがストップ・コンディションを生成できるように、SDAラインを HIGH に保っておく必要があります。
13) マスタがストップコンディションを生成してデータ通信を終了します。
2

3

S

スレーブアドレス

5

6

7

レジスターアドレス

A

S

スレーブアドレス

R/W

スタート・
コンディション

0 A

4

8
1 A

9

10

11

データ

A

データ

12 13
A

リピート・
スタートコンディション

アクノリッジ（マスタから）

アクノリッジP
ストップ・コンディション

R/W

1

アクノリッジ無し（マスタから）

6.9. 読み込み動作
マスタからレジスタアドレスの指定をせずにデータを読み込む場合 ：1) マスタからスタート・コンディションを生成します。
2) マスタからスレーブアドレスを送信します ( RV-3032­C7のアドレス : A2h, R/W=1：読込み )。
3) RV­3032­C7 からアクノリッジを返します。
この時点でマスタはレシーバとなり スレーブ ( RV­3032­C7 ) がトランスミッタになります。
4) RV­3032­C7 は前回最後にアクセスされたレジスタアドレスの次のアドレスからのデータを送信します。
5) マスタからアクノリッジを返します。
6) ステップ： 4) と 5) を 必要に応じて繰り返し行います。
RV­3032­C7 のレジスタアドレスは自動でインクリメントされます。
7) マスタ・レシーバ は スレーブ・トランスミッタ ( RV­3032­C7 ) から送信された最後のデータバイトに対して
アクノリッジを返さないことでデータ通信を終了します。 この時スレーブ・トランスミッタ ( RV­3032­C7 ) はマスタがストップ・コンディションを生成できるように, SDAラインを Hiに保っておく必要があります。
8) マスタがストップコンディションを生成してデータ通信を終了します。
2

S

レーブアドレスススレーブアドレス

スタート・
コンディション

3

4

5

6

7

8

1 A

データ

A

データ

A

P

アクノリッジ(RV-3032-C7から )May 2023

ストップ・コンディション

R/W

1

アクノリッジ（マスタから）

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アクノリッジ無し（マスタから）Rev. 1.3

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6.10. バックアップ電源切り替わり時の I2Cバス の動作
RV-3032-C7がVBACKUP電源での動作状態の間は、電力を節約するために I2Cバスインターフェイスは自動的に無効になり（ハイインピーダンス）セットされます。そのため、I2Cインターフェイス通信は、電源がVDD から VBACKUP に切り替わる
前に終了する必要があります。バス通信が正しく完了できなかった場合、I2C の読み込み/書き込みデータの整合性は保証されません。
I2C 通信が制御されない方法で終了した場合、デバイスが VBACKUP 電源状態から VDD 電源状態に戻った後、ストップ
コンディション・コンディション と、それに続いて スタート・コンディション を送信して、I2C バスインターフェースを再初期化する必要があります。
（注記）
デバウンスロジックの機能により、 バックアップ電源切替え機能で VBACKUP→VDD に戻る際に VDD発振をフィルタリング
するデバウンス時間 tDEB がありますのでご注意下さい。 I2C アクセスは、デバウンス時間 tDEB 後の VDD 電源状態 (およびVDD ≥ 1.4 V の場合) で再び可能になります。
•

tDEB MAX ： VLF = 0 の場合 ( 内部電圧が常に VLOW :1.2V Typ. 以上) = 1 ミリ秒•

tDEB MAX : VLF = 1 の場合 (内部電圧が VLOW :1.2V Typ. と VPOR : 1.05 V Max の間) = 1000 ミリ秒「電源バックアップおよびリカバリの AC 電気特性」も参照してください。

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7. 電気的特性
7.1. 絶対最大定格
下表に絶対最大定格を示します。
絶対最大最大定格 ( IEC 60134に基づく ) ：
記号

項目

VDD
VI
VO
II
IO

供給電圧
入力電圧
出力電圧
入力電流
出力電流

VESD

静電耐圧

ILU
TOPR
TSTO
TPEAK

ラッチアップ電流
動作温度範囲
保存温度範囲リフロー最大温度

条件

MIN

入力端子
出力端子

MAX

単位

-0.3
-0.3
-0.3
-10
-10

6.0
VDD +0.3
VDD +0.3
10
10
±2000
±500
±100

-40
-55

+85 (4)
+125
+265

V
V
V
mA
mA
V
V
mA
℃
℃
℃

HBM (1)
CDM (2)
Jedec (3)

JEDEC J-STD-020C

TYP(1) HBM: 人体モデル JS-001 に準拠。
(2) CDM: チャージデバイスモデル JEDEC JS-002 に準拠。
(3) ラッチアップテスト： JESD78, Class I (room temperature), level A (100 mA) に準拠(4) 制限付きで +85°C ～ +105°C の拡張動作温度範囲をサポートします。

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7.2. DC特性
条件：温度範囲= -40℃～+85℃ (特に記載の無い場合 ), VDD = 1.4～5.5V, TYP 値は+ 25℃／VDD=+3.0V にて動作特性表:
記号

項目

MIN

条件

TYP

MAX

単位

電源項目

VDD

VDD電源電圧
TOPR = -40 ～+105 ℃

VBACKUP

VBackup 電源電圧
TOPR = -40 ～ +105 ℃

VLOW

低電圧検出
(VLF flag) (3)

時刻保持モード (1)

1.3

5.5

最小時刻保持電圧 (1)

1.0

1.3

発振開始電圧 VSTARTI2C-bus 動作電圧 (100 kHz)
I2C-bus 動作電圧 (400 kHz)
時刻保持動作 (1)

1.3
1.4
2.0
1.3

5.5
5.5
5.5

最小時刻保持電圧 (2)

1.0

1.3

内部動作電圧 (VDD または VBACKUP),(1 Hz ｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞ)
VDD = 1.3 V, TA = 25 ℃
VDD = 3.0 V, TA = 25 ℃
VDD = 5.0 V, TA = 25 ℃
VDD = 1.3 V, -40 to +85 ℃
VDD = 3.0 V, -40 to +85 ℃
VDD = 5.0 V, -40 to +85 ℃

1.1

V

V

1.2

1.3

V

160
160
165

210
210
220
700
750
900

nA

IDD

VDD 電源電流／時刻保持モード
I2C-bus非動作, CLKOUT
出力オフ, 平均電流(4)VDD = 1.3 V, +85 to +105 ℃

1300

IDD:EXTVDD 電源電流／時刻保持モード
I2C-bus 非動作, CLKOUT出力
オフ, 平均電流 (4),拡張温度範囲 にて

VDD = 3.0 V, +85 to +105 ℃

1400

VDD = 5.0 V, +85 to +105 ℃

1800

VDD 電源電流／ I2C 読込み・書込み動作中, CLKOUT出力
オフ (5)
温度センサ動作時ピーク電流(IDD または IBACKUP)VDD 電源電流／ダイレクト
切替モード, I2C-bus 非動作,
CLKOUT出力オフ
VDD 電源電流／ レベル切替
モード, I2C-bus 非動作,
CLKOUT出力オフ
VBACKUP動作電流, ダイレクト
切替モード,VBACKUP動作電流, レベル
切替モード,VDD = 1.4 V, SCL = 100 kHz
VDD = 3.0 V, SCL = 400 kHz
VDD = 5.0 V, SCL = 400 kHz

2
5
7

15
40
60

µA

Typical duration: tTSP = 1.3 ms

14

60

µA

VDD = 3.0 V, TA = 25 ℃,
VBACKUP < VDD

165

260

VDD = 3.0 V, TA = 25 ℃

190

300

165

260

170

270

IDD:I2CITSP
IDD:DSM
IDD:LSMIBACKUP:DSM
IBACKUP:LSM
ΔIDD:CK32
ΔIDD:CK1024
ΔIDD:CK64

CLOCKOUT出力時
追加電流 (6)ΔIDD:CK1VBACKUP = 3.0 V, TA = 25 ℃,
VDD < VBACKUPVBACKUP = 3.0 V, TA = 25 ℃,
VDD < VTH:LSM (2.0 V)
VDD = 3.0 V, FCLKOUT = 32.768
kHz, CL = 10 pF
VDD = 3.0 V, FCLKOUT = 1024 Hz,
CL = 10 pF
VDD = 3.0 V, FCLKOUT = 64 Hz,
CL = 10 pF
VDD = 3.0 V, FCLKOUT = 1 Hz,
CL = 10 pF

1

nA

nA

µA

30
2

nA

0.03

(1) 時刻保持モードでのすべての機能が動作可能。
(2) 時刻保持は動作, RAMレジスタの値は保持、VLOW （低電圧検出）サンプリングは動作, 温度センサ及び温度補償動作は停止, CLKOUT出力はLOW(オフ）, I2C インターフェースはディセーブル (VDD < 1.4 V)。
(3) VLFﾌﾗｸﾞは内部電圧が VLOW (typical 1.2 V) を下回ったことを示します。 時刻などの情報は無効になり、再設定が必要です。
(4) 全ての入出力は 0 V またはVDDです。

(5) SCL/SDA は 2.2 kΩ プルアップ抵抗 にてVDDに接続 (外部周辺機器およびプルアップ抵抗電流を除く)。

SDA と SCL を除く、他のすべての入力 は 0 V または VDD にて。
テスト条件: 連続バースト読み取り/書き込み、『55h』 のデータパターン、各データバイト間は 25μs、各バスピンの負荷 = 20 pF 。
(6) CLKOUT が有効な場合、追加される VDD供給電流 ：ΔIDD は以下で計算できます。

ΔIDD = CL x VDD x fOUT, （計算例） ΔIDD = 10 pF x 3.0 V x 32’768 Hz = 980 nA ≈ 1 µA

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条件：温度範囲= -40℃～+85℃ (特に記載の無い場合 ), VDD = 1.4～5.5V, TYP 値は + 25℃／VDD=+3.0V にて動作特性表 （前頁からの続き）：
記号

項目

入力項目
VIH
VIL

入力 High レベル
入力 Low レベル

IILEAK

入力リーク電流

CI

入力容量

MIN

条件
VDD = 1.4 V to 5.5 V
Pins: SCL, SDA, EVI

TYP

MAX

0.8 VDD
0.2 VDD

VSS ≤ VI ≤ VDD
TA = -40 ℃ ～+105 ℃
VDD = 3.0 V, TA = 25℃
f = 1 MHz

単位

V

±0.5

µA

7

pF

出力項目
VOH:CLK

VOL:CLK

VOH:CLK
VOL:CLKtr, tf

クロック出力／Highレベル
CLKOUT ≤ 32.768 kHz,
最大負荷 = 15 pF
クロック出力／Lowレベル
CLKOUT ≤ 32.768 kHz,
最大負荷 = 15 pF
クロック出力／Highレベル
CLKOUT > 32.768 kHz～52MHz,
最大負荷 = 10 pF
クロック出力／Lowレベル
CLKOUT > 32.768 kHz～52MHz,
最大負荷 = 10 pF
CLKOUT 立上り／立下り時間
0.1 VDD ⇔ 0.9 VDD
VDD = 2.7 V ～ 5.5 V

VOL

LOW レベル出力電圧
SDA 及び INT端子IOLEAK

出力リーク電流SDA 及び INT端子

COUT

出力容量

CL

CLKOUT／負荷容量( COUT 含めず)

δCLKOUT
CLKOUT／Duty比
パワーオンリセット (POR)
VPOR

電圧降下時の閾値VDD = 1.4 V ～ < 2.7 V,
IOH = -0.1 mA
VDD ≥ 2.7 V, IOH = -1.0 mA
VDD = 1.4 V ～ < 2.7 V,
IOL = 0.1 mA
VDD ≥ 2.7 V, IOL = 1.0 mA
VDD = 2.7 V ～ 5.5 V,
IOH = -2.0 mA

0.9 VDD

0.1 VDDV
0.9 VDD

VDD = 2.7 V ～ 5.5 V,
IOL = 2.0 mA

0.1 VDDFCLKOUT ≤ 32.768 kHz,
負荷 = 15 pF
32.768 kHz < F CLKOUT ≤ 52 MHz,
負荷 = 10 pF
VDD = 1.4 V, IOL = 2.0 mA
VDD = 2.0 V, IOL = 3.0 mA
VDD = 5.0 V, IOL = 3.0 mA
VSS ≤ VO ≤ VDD
TA = -40 ℃ ～ +105 ℃
VDD = 3.0 V, TA = 25 ℃
f = 1 MHzFCLKOUT ≤ 32.768 kHz
32.768 kHz < FCLKOUT ≤ 52 MHz
VDD ≥ 2.7 V, FCLKOUT ≤ 52 MHzPORFフラグがクリア(全てのRAM データがリセット）)PROF プラグがセット (7)立下りエッジ – falling edge

電圧上昇時の閾値
VHYS:VPORVPOR detection hysteresis
チャージポンプつきトリクルチャージ機能レギュレート電圧
TCM 1.75 V(CeraCharge™ モード)
VDD > VTH:LSM (maximum 2.2 V),
TCM 3.0 V
レベル切替モード (BSM = 10)
チャージポンプ電圧
TCM 4.5 V
TCR 0.6 kΩ
TCR 2 kΩ
VDD = 5.0 V, VBACKUP = 3.0 V,
充電電流制限抵抗
内部のショットキーダイオードのTCR 7 kΩ
漏れ電流も含めて
TCR 12 kΩ
VFショットキーダイオード電圧降下
電源切り替え ( 「電源バックアップおよびリカバリの AC 電気特性」 も参照下さい )

60

100

-

-

ns
0.4
0.4
0.3

V

±0.5

µA

7

pF

15
10

pF

50 ±10

%

0.9

0.95

1.0

V

0.95

1.0
50

1.05

V
mV

1.6

1.75

1.9

2.75
4.1
0.4
1.6
5.6
9.5

3.0
4.5
0.6
1.9
6.9
11.8
0.25

3.25
4.9
0.8
2.2
8.6
13.3

V

kΩ

V

VHYS:DSM

電源切替ヒステリシス
ダイレクト切替えモード

電源切替の閾値電圧 ≥ 1.5 V,
VDD 電圧降下 = ±1 V/ms
TOPR = -40 ～ +85 ℃

50

60

130

mV

VTH:LSM

電源切替ヒステリシス
レベル切替えモード

VDD 降下電圧閾値 VTH:LSM

1.8

2.0

2.2

V

電源切替の電圧 = 3.0V,
電源切替ヒステリシス
VDD 電圧降下 = ±1 V/ms
VHYS:LSM
80
100200
レベル切替えモード
TOPR = -40 ～ +85 ℃(7) PORF が 1 にセットされている場合は、一部またはすべての RAM レジスタがリセットされています (内部電圧が 0.9 V 未満に低下)。
この場合はデータは無効です。
May 2023

129/154mV

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条件：温度範囲= -40℃～+85℃ (特に記載の無い場合 ), VDD = 1.4～5.5V, TYP 値は+ 25℃／VDD=+3.0V にて動作特性表 （前頁からの続き2）：
記号

項目

条件

EEPROM の電気的特性
読み込み時 VDD 電圧(PORリフレッシュ及びオートリ
フレッシュ)VDD:READ
読み込み時 VDD 電圧(リフレッシュ及び読み込み時) (I2C使用時)
VDD:WRITE
書き込み時 VDD 電圧
EEPROM 書き込みエラー検出
VDD:EEF(EEF flag)tPREFR
POR リフレッシュ時間 (1)tAREFR
オートリフレッシュ時間 (1)tUPDATE
更新時間 (1) ( EEPROM→RAM )tREFR
リフレッシュ時間 (1) ( RAM→EEPROM )tWRITE
tREAD

1バイトのEEPROM への書き込み (1)
1バイトのEEPROM の読込み

MIN

TYP

MAX

単位

1.3
VDD 電源動作

V
1.4
1.6
1.5

電源投入時
24時間ごと, EERD = 0
EECMD = 11h
EECMD = 12h

～66
～1.4
46
1.4

EECMD = 21h

1.2

(1)

EECMD = 22h
VDD = 3.0 V, TA = 25°C
nCYCLE
書き込みサイクル耐久性 (2)VDD = 5.5 V, TA = 85°C
tRET
TA = 55°C
データ保持時間 (2)(1) EEbusyステータスビットが 0 にリセットされるまでの時間。
(2) 間接テストによる保証。

4.8

V

ms
9

1.1
10’000
100
10

サイクル
年

7.2.1.温度補償動作と消費電流平均電流の Typical値 = IAVER (IDD or IBACKUP) :tTSP_OFF

tTSP

ITSP

IAVER
ITSP_OFF
0 nA

1 Hz ﾁｯｸ(秒生成）

温度補償動作間隔 (1 秒)

IAVER = ((ITSP_OFF × tTSP_OFF) + (ITSP × tTSP)) / 1 s
IAVER = ((ITSP_OFF × (1 s - tTSP)) + (ITSP × tTSP)) / 1 s
IAVER = ((145 nA × 998.7 ms ) + (14 µA × 1.3 ms)) / 1 s = 163 nA・温度補償動作時間 ： tTSP
・温度補償非動作時間 ： tTSP_OFF
・温度補償動作時電流 ： ITSP
・温度補償非動作時電流 ： ITSP_OFF
・温度補償動作を含めた平均電流 ： IAVER

May 2023

130/154

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7.2.2. 代表特性
ダイレクト電源切替モード (DSM) ／ レベル切替モード (LSM) ／電源切替無しの各モードでの代表特性。
条件 : I2C-bus 非動作, CLKOUT出力無し

IBACKUP電流 vs VBACKUP 電圧 ／ VDD=0V, TA=25℃(VDDがオフに切替り後)

600

600

500

500

400

400

300

LSM

電源切替

*

200

100
0

IBACKUP [nA]

IDD [nA]

IDD電流 vs VDD電圧 ／ VBACKUP = 0V, TA=25℃

2

1

4

3

5

DSM または LSM

200

100

DSM または
電源切替オフ0300

電源切替オフ
0

6

0

2

1

IDD 電流 vs TA 周囲温度 ／ VDD=3V, VBACKUP = 0V

1000

800

800

IBACKUP [nA]1000

IDD [nA]

1200

600

600
400

LSM

DSM または LSM

200

200
電源切替オフDSM または電源切替オフ
-25

0

25

50

75

100

0
-50

125

TA [°C]May 2023

6

IBACKUP電流 vs TA周囲温度 ／ VBACKUP =3V, VDD = 0 V(VDDがオフに切替り後)

1200

0
-50

5

VBACKUP [V]

VDD [V]

400

4

3

-25

0

25

50

75

100

125

TA [°C]131/154

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7.3. 内部水晶発振器特性

条件：温度範囲= -40℃～+85℃ (特に記載の無い場合 ), VDD = 1.4～5.5V, TYP 値は+ 25℃／VDD=+3.0V にて。
発振器特性表：記号
水晶発振器特性F
tSTART

項目

条件

中心周波数
発振起動時間VDD = 3.0 V

TA = 25°C
TA = -40～+105°C
TA = -40～+105°C
VDD = 1.5 V～5.5 V
TA = 25°C
VDD = 1.1 V～ 3.6 V
VDD = 3.6 V～5.5 V

VSTART

発振起動電圧Δf/V

周波数 vs 電源電圧変動

VDDR

VDD 立上りスルーレート(動作保持スルーレート)

VDDF

VDD 立下りスルーレート(動作保持スルーレート)

VDD = 5.5 V～1.1 V

δCLKOUT

CLKOUT Duty サイクル

VDD = 1.1 V～5.5 V
FCLKOUT = 32.768 kHz

内部水晶振動子の特性
ΔF/F
常温周波数偏差ΔF/FTOPR

周波数 vs 温度特性

T0
頂点温度
ΔF/F
経年変化（初年度）
デジタル温度補償水晶発振器の特性

Δt/t

Δt/t
Δt/t

MIN

補正済みの時刻精度
OFFSET = 0 (出荷時初期値)
1Hz CLKOUT出力の立上りエッジ
にて測定
1Hzオフセット調整範囲
・最小調整範囲・最大調整範囲
オフセット分解能（最小調整範囲÷2）

TA = 25°C
TOPR = -40 to +105°
C VDD = 3.0 V

TYP
32.768
0.1

MAX

単位
kHz

0.5
3

s

1

ppm/V

5
15

V/µs

1.3

V
0.5

2
50 ±10%±50

ppm-0.035ppm/°C2 (TOPR-T0)2 ±10%ppm

+25 ±5
±3

℃
ppm

±2.5
±0.22
±20
±1.73

ppm
s/day
ppm
s/day

TA = 25°C, VDD = 3.0 V
±1
±0.09

TA = -40℃ ～+85℃
TA = +85℃ ～ +105℃
TA = -40℃ ～ +105℃±0.2384+7.391/-7.629ppm

工場出荷時に調整済み-0.1192+0.1192ppm

TA = -40℃～ +85℃

±1

±3

ΔT

温度センサ精度調整値
TREF = 事前設定済み(工場出荷時調整)

ΔT

TREF値 :
最小調整範囲 (LSB)

TA = -40℃ ～ +105℃±0.0078125℃

温度センサ値 vs 電圧変動

VDD = 1.5 V ～ 5.5 V
TA = 25℃

0.1

℃/V

ΔT/V

May 2023

TA = +85℃ ～ +105℃

132/154±7℃

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7.3.1. 時刻精度と 内部水晶振動子の温度特性
25

T0 = 25°C ±5°C

0-251Hz及び時刻の精度

ΔF/F [ppm]

-50

-75
-100

ΔF/F = –0.035*(TA-T0)2 ppm ±10%

-150

-175
-200
-225

May 2023

32.768 kHz水晶振動子-125-50 -40 -30 -20 -10

内部音叉型水晶振動子の特性
0

10

20

30

40

133/154

50

60

70

80

90 100 110 TA [°C]Rev. 1.3

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7.3.2. 時刻精度 (1Hz精度） の特性例
次の曲線は、OFFSET = 0 ( 出荷時のデフォルト値 ) の特性例です。
垂直方向の微調整は、OFFSET 値を設定することによって調整できます (「エージング補正」を参照) 。
CLKOUT端子からの温度補償された 1 Hz出力 の温度特性／ TA = -40℃ ～ +85℃ ：4
3Δt/t [ppm]

2
1
0
-1
-2
-3
-4
-50

-40

-30

-20

-10

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90 TA [°C]

CLKOUT端子からの温度補償された 1 Hz出力 の温度特性／ TA = -40℃ ～ +105℃ （拡張温度範囲）：
25
20

15
Δt/t [ppm]

10
5
0
-5
-10

-15
-20
-25
-50 -40 -30 -20 -10

May 2023

0

10

20

30

40

134/154

50

60

70

80

90 100 110 TA [°C]Rev. 1.3

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7.3.3 内部温度センサの精度の特性例

以下のグラフは、事前設定された (工場で校正された) TREF 値の設定にて測定されています。 垂直方向の微調整は、新しい TREF 値を設定することによって調整できます (「温度基準の調整」の項を参照)。この測定では、RTC モジュールは VDD
電源状態にあり、I2C経由にて TEMP値 （0Eh/Bit7:4) を読み取ることができます。
工場で出荷時設定された温度センサの精度 ／ TA = -40℃ ～ +85℃ :43

ΔT [°C]

2
1
0
-1
-2
-3
-4
-50

-40

-30

-20

-10

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90 TA [°C]

工場で出荷時設定された温度センサの精度 ／ TA = -40℃ ～ +105℃ （拡張温度範囲）:
86

ΔT [°C]

4

2
0
-2

-4
-6
-8
-50 -40 -30 -20 -10

May 2023

0

10

20

30

40

135/154

50

60

70

80

90 100 110 TA [°C]Rev. 1.3

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7.4. 電源起動時のAC特性

次の図は、CLKOUT端子出力の電源投入時の AC 電気特性を示しています。 CLKOUT 端子からのクロック出力信号は、
主に NCLKE ビット (EEPROM C0h)、OS ビット、FD および HFD フィールド (EEPROM C1h) によって制御されます。
「プログラマブル クロック出力」 および 「パワーオン リセット割り込み機能」 の項も参照してください。
起動時 のAC 電気的特性 : パワーオンリセット割り込み信号と CLKOUT出力 が有効になっている例。

VDD

CLKOUT端子

VPOR

VDDR1

Hi-Z

1

4

INT端子

3

PORFﾌﾗｸﾞ

2
tPOR

状態

6

tPREFRtDELAYtSTART

I2C ｱｸｾｽ

5

ﾊﾟﾜｰｵﾝﾘｾｯﾄ (POR)
ﾃﾞｨｾｰﾌﾞﾙ

動作状態
ｲﾈｰﾌﾞﾙ

書き込み動作① パワーオン リセット後、tPOR (6 msTyp.) の間 CLKOUT端子 はハイ インピーダンス (Hi-Z) になった後にLOW にセットされます。
② VDD が VPOR を下回ると PORFフラグがセットされます (パワーオン リセット イベントが検出されました) 。
③ PORIE ビット (EEPROM／C1h) が事前に (EEPROM 内で) 1 に設定されている場合、ミラーRAM の PORIE
ビットは、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ～66 ms を含む 標準的な 起動時間 tSTART = 0.1 秒の後に 1 に設定されます。 INT端子の出力は LOW になり、割込み信号を出力します。
④ NCLKE ビット (EEPROM C0h)、OS ビット、FD および HFD フィールド (EEPROM C1h) の設定に応じて、
CLKOUT ピンは次の信号を駆動できます。
・ 32.768 kHz (出荷時のデフォルト値)、1024 Hz、64 Hz または 1 Hz、または HFD 周波数 (8.192 kHz ステップで 8.192 kHz ～ 67.109 MHz) の方形波。
・ NCLKE ビットが 1 の場合、CLKOUT 信号は LOW レベルに設定されます (CLKF = 0 の場合)。
⑤ PORF フラグはソフトウェアによって 0 にクリアされるまで 1 のままです。
⑥ INT端子出力がLOWの場合、PORF フラグが 0 にクリアされるとすぐにステータスが変化します。
（割り込み信号がクリアされます）

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条件：温度範囲= -40℃～+105℃ (特に記載の無い場合 ), VDD = 1.3～5.5V, TYP 値は+ 25℃／VDD=+3.0V にて。
電源起動時のAC特性 ：
記号
VDDR1
tPOR
tSTARTVSTARTtPREFRtDELAY項目
VDD立上りスルーレート
パワーオンリセット(POR)
パワーオンリセット時間
内部発振器起動時間( VDD = 3.0 V )

条件

MIN

TYP

10

(1)

内部発振器起動開始電圧
起動時オートリフレッシュ時間

CLKOUT有効化遅延時間(タイミング同期が有効の場合)

6
0.1

TA = 25°C
1.3
FD = 32768 Hz
FD = 1024 Hz
FD = 64 Hz
FD = 1 Hz
HFD = 1.007616 MHz(HFDの場合の例として)

66
0.95
1.28
6.65
999

MAX

単位

55

V/ms

10
0.5
3

ms
s
V
ms

ms

2.8

(1) VDD ≥ 1.4 Vの場合, ソフトウェアにより I2C アクノリッジ応答をチェックすることで、電源投入後に I2C インターフェイスがアクティブになったことを最短で確認できます。または、POR 割り込みが有効な場合には、これを使用してI2Cインターフェースが有効になったことを確認出来ます。

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7.5. 電源バックアップおよびリカバリの AC 電気特性

VLOW (1.3 V以下) を下回る内部電圧 (VDD または VBACKUP) の電圧降下が検出されない限り、RV-3032-C7 は時刻保持モードになり、正常動作します。
内部電圧が VLOW を下回った場合でも、最小時刻保持範囲 (1.05V以上) (VPOR MAX) 内にある場合には、内部時計は動作し、RAMレジスタ値は保持され、VLOW サンプリングは動作しますが、 温度検出と温度補償動作は停止し、CLKOUT端子
出力 は LOW になり、 I2C インターフェイス (VDD < 1.4 V) は無効になります。 この場合はデータはすでに有効ではない可能性があるため、すべてのレジスタを再設定する必要があります。
1. CLKOUT 機能を使用する場合は、有効な VDD 範囲 (1.3 V < VDD ≤ 5.5 V) を選択します。
「電圧低下割り込み機能のダイアグラム」も参照してください。
2. スルー レート VDDF および VDDR2 が仕様を満たしていることを確認します。
3. これらの必要な仕様がシステムで満たされているかどうかを確認します。
バックアップ電源への切替りおよび主電源復帰時の AC電気特性 ： ダイレクト切替モード (DSM) の場合

VDD

VDDF

VDDR2

VBACKUP
0V
電源切替の
有効化

電源状態
2

I C ｱｸｾｽ

tSWA

tDEB

VDD 電源VBACKUP 電源

VDD 電源

有効無効

有効書き込み動作

条件：温度範囲= -40℃～+105℃ (特に記載の無い場合 )バックアップ電源への切替りおよび主電源復帰時のAC電気特性 ：
記号
tSWA

項目
バックアップ切替え機能
起動時間

VDDF
VDDR2

VDD 電圧降下スルーレート
VDD 電圧上昇スルーレート

tDEB

VBACKUP から VDD に復帰する
場合の、VDD デバウンス ロジッ
クのデバウンス時間

条件
電源切替えモードの切替り時間(DSMモード）
電源切替えモードの切替り時間(LSMモード）
1.5 V → VDD への上昇
内部電圧が常にVLOW ( 1.2 V Typ.) 以上。
VLF = 0.
I内部電圧が VLOW (1.2 V Typ.) とVPOR (1.05 V 以下) の間の場合。
(1)
VLF = 1.

MIN

TYP

MAX

単位

2
ms
10
550
400

V/µs
V/µs

1
ms
1000

(1) VLF フラグがセットされている場合、内部電圧低下有無の確認（検出閾値 VLOW (1.2 V Typ.) ）に 1 Hz サンプリングが使用されるため、デバウンス
時間 tDEB には最大 1 秒かかることがあります。 VDD ≥ 1.4 V の場合、ソフトウェアにて I2C アクノリッジ応答をチェックすることで、I2C インターフェイス
が再びアクティブになる最短時間を確認できます。

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7.6. I2C-BUS 仕様
下図及び下表は、I2C-BUSの AC特性の説明資料です。
I2C-BUS の AC特性のパラメータの定義 :

SDA

t BUF
t LOW

t HD:DATt SU:DATSCLt HD:STAPSt RISEt FALLt HIGHt SU:STOt SU:STA

SDA

Sr

P

条件：温度範囲= -40℃～+85℃
I2C-BUS の AC特性 :
記号

項目

fSCL
tLOW
tHIGH
tRISE
tFALL
tHD:STAtSU:STAtSU:DATtHD:DATtSU:STOtBUF

SCL 入力周波数
SCL Lowレベル時間
SCL Hiレベル時間
SDA 及び SCL立上り時間
SDA 及び SCL立下り時間
スタート・コンディション保持時間
スタート・コンディション セットアップ時間
SDA セットアップ時間
SDA 保持時間
ストップ・コンディション保持時間
バスフリー時間MIN

VDD ≥ 1.4 V
MAX

0
4.7
4.0

100

MIN
0
1.3
0.6

1000
300
4.0
4.7
250
0
4.0
4.7

VDD ≥ 2.0 V
MAX
400

300
300
0.6
0.6
100
0
0.6
1.3

単位
kHz
µs
µs
ns
ns
µs
µs
ns
µs
µs
µs

S = スタートコンディション, Sr = リピート・スタートコンディション, P = ストップコンディション（注記）
RV-3032-C7 へのアクセスは、アクセス後のスタートコンディション送信からストップコンディション送信までの通信は 950ms
以内に完了する必要があります。
950msを超えた場合は、I2C バスインターフェイスはタイムアウト機能によってリセットされます。

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8. 回路接続例 （ ケース別／5つの接続例 ）8.1. バックアップ電源無し／および 外部イベント入力を使用しない 場合：・ この接続のポイント :● バックアップ電源無し ／ 割り込み出力を使用しない● 最小の消費電流 (160nA Typ.＠+3.0V／＠+25℃ )● CLKOUTの設定をメモリに保存するために EEPROMレジスタへの書込み動作をします( 3Fhアドレスに 『11』 と書き込みます )・ レジスタの設定：
0.
1.

2.

以下のレジスタの赤記載部分を変更します（黒数字はメーカー出荷初期値のまま）
0
1
0
0
0
0
0
0
C0h レジスタ
X
X
X
X
X
X
X
X
C2h レジスタOS
FD
HFD[12:8]
C3h レジスタ
X
X
X
X
X
X
X
X

NCLKE → CLKOUT出力をオフ
HFD → HFモードでの周波数選択
OS → モードの選択
FD → XTALモードの周波数選択
HFD → HFモードでの周波数選択
CLKOUT 設定 (C0h, C2h 及び C3h) をEEPROMに書き込みます ( 4.6.3.項の手順にて ）。

100 nF

2

4
VDD

VDD

RV-3032-C7
VBACKUP

1
10 k

EVI

6
10 k

3

INT

VDD

MCU

SDA

SDA

SCL

SCL

5

CLKOUT

VSS

VSS

1

バックアップ 電源切替え機能は、初期値では無効（オフ）になっています。 VBACKUP端子は使用しない場
合にはフローティング状態のままにはせず、 10 kΩ 抵抗を介して VSS に接続して下さい。

2

デバイスのなるべく近くに 100 nF のデカップリング コンデンサを接続します。

3

割り込み信号は、初期値は無効になっています。 PORIE および VLIE も 初期値は無効です。
INT端子はオープンドレインのため、使用しない場合はオープンのままでも構いません。

4

I2C ラインの SCL、SDA はオープンドレインでのため、VDD へのプルアップ抵抗が必要です。

5

周波数 32.768 kHz (1) の CLKOUT は初期値で有効になっています。CLOCKOUT出力を使用しない場合
は、無効にして消費電流を最小限に抑えます (NCLKE = 1 および CLKF = 0)。

6

外部イベント機能は、VDD 電源状態では常にアクティブになります。 EVI 入力端子を使用しない場合はフローティング状態のままにはせず、10 kΩ抵抗 を介して VSS に接続して下さい。この例 (EVI から
VSS) では、パワーオンリセット時に 『EVF フラグ』 が 設定されることに注意してください。

(1) CLKOUT端子出力は、XTALモードで32.768 kHz (出荷時のデフォルト値)／1024 Hz／64 Hz／1 Hz、または HFモードで 8192 Hz ～ 67.109 MHz の周波数を 8192 Hz ステップで選択可能です。
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8.2. 一次電池のバックアップ電源 / 外部イベント入力を使用 (アクティブ = Highの設定 )・この接続のポイント :●●●●バックアップ電源が一次電池のためトリクルチャージャーは無効にします。
レベル切替モード (LSM) に設定します。電源切り替わりの閾値電圧 は(VTH:LSM = 2.0 V)。
電源切替の設定を EEPROM に保存するために機能設定EEPROMレジスタへの書き込み動作をします。
この例ではEVI 端子への入力は、立ち上りエッジ、またはハイレベル電圧にて検出される設定です。

・レジスタの設定：
0.
1.

2.

以下のレジスタの赤記載部分を変更します（黒数字はメーカー出荷初期値のまま）
11h レジスタ
0
0
0
0
0
1
0
0
EIE → 外部イベント割り込みを有効に
EHLET
EHL → EVI端子入力『High』検出設定
15h レジスタ
0
1
X
X
0
0
0
0
ET → EVI端子入力フィルタリング設定
NCLKE
BSM → レベル切替モード(LSM)
BSM
TCR
TCM
C0h レジスタ
0
X
1
0
0
0
0
0
TCM → トリクルチャージ無効 の設定
電源切替え、及びCLKOUT 設定 (C0h) をEEPROMに書き込みます ( 4.6.3.項の手順にて ）。

VBACKUP
100 nF

6
VBACKUP1

100 nF
Primary
Battery

1
2

2

4

VDD

VDD

RV-3032-C7MCU

VBACKUP

2

3

INT

INT

SDA

SDA

SCL

SCL

EVI

VDD

5

CLKOUT

VSS

VSS

10 k

万一のはんだ付けエラー発生により電源端子間のショートが発生した場合の損傷を防ぐために、
100 ～ 1000 Ω の保護抵抗を一次電池の手前に挿入してください。
デバイスのなるべく近くに 100 nF のデカップリング コンデンサを接続します。

3

INT端子割り込み信号は、デバイスが VBACKUP電源で動作している場合にも出力させることが出来ます。
VBACKUP電源での動作時に割り込み信号を使用する場合には、INT端子の信号プルアップ抵抗をVBACKUP側に接続します。

4

I2C ラインの SCL、SDA はオープンドレインのため、VDD へのプルアップ抵抗が必要です。

5

CLKOUT は VBACKUP 電源での動作時は自動で無効になります。 VDD 電源状態で使用しない場合は
CLKOUT を無効にして消費電流を最小限に抑えます (NCLKE = 1 及び CLKF = 0)6

タンパー (改ざん) 検出の外部イベント入力信号 （EVI端子入力) の立ち上がりエッジまたはハイレベルを検出する場合の接続です。 EVI 端子入力は、VSSにも10 kΩ でプルダウン接続し、フローティング状態にならないようにします。

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8.3. 二次電池または電気二重層コンデンサを使用 / 外部イベント入力を使用（アクティブ =Low) の設定
・この接続のポイント :●●バックアップ電源として二次電池、電気二重層コンデンサ、またはMLCCを使用
電気二重層コンデンサまたはMLCCの場合はダイレクト切替モード (DSM) に設定(二次電池の場合は レベル切替モード=LSM に設定)
● バックアップ電源はトリクルチャージャーにて充電する設定● 電源切替の設定をメモリに保存するために機能設定EEPROMレジスタへの書き込み動作をします。
( 3Fhアドレスに 『11』 と書き込みます )・レジスタの設定：
0.
1.

2.

以下のレジスタの赤記載部分を変更します（黒数字はメーカー出荷初期値のまま）
0
0
0
0
0
1
0
0
11h レジスタ
EHL
ET
15h レジスタ
0
0
X
X
0
0
0
0
NCLKE
BSM
TCR
TCM
C0h レジスタ
0
X
0
1
X
X
X
X

EIE → 外部イベント割り込みを有効に
EHL → EVI端子入力『Low』検出設定
ET → EVI端子入力フィルタリング設定
BSM → ダイレクト切替モード(DSM)
TCR → トリクルチャージの設定
TCM → トリクルチャージモードの設定
電源切替え、及びCLKOUT 設定 (C0h) をEEPROMに書き込みます ( 4.6.3.項の手順にて ）。

VBACKUP
100 nF
10 k

VBACKUP

100 nF

1
電気二重層
コンデンサ
または
二次電池

2

4

VDD

VDD

RV-3032-C7MCU

VBACKUP

2

3

INT

INT

SDA

SDA

SCL

SCL

EVI

6

VDD

5

CLKOUT

VSS

VSS

1

低コストの MLCC (*) 、電気二重層コンデンサ (例: 1 ファラッド)、または二次リチウム電池(LMR)。
( 充電電圧についてはバッテリーメーカーの仕様に従ってください )二次リチウム電池を使用する場合は、実装エラーなどによる電源端子間のショートが発生した場合の損傷を防ぐために100～1000Ωの保護抵抗を挿入して下さい。

2

デバイスのなるべく近くに 100 nF のデカップリング コンデンサを接続します。

3

INT端子割り込み信号は、デバイスが VBACKUP電源で動作している場合にも出力させることが出来ます。
VBACKUP電源での動作時に割り込み信号を使用する場合には、INT端子の信号プルアップ抵抗をVBACKUP側に接続します。

4

I2C ラインの SCL、SDA はオープンドレインのため、VDD へのプルアップ抵抗が必要です。

5

CLKOUT は VBACKUP 電源での動作時は自動で無効になります。 VDD電源状態で使用しない場合はCLKOUT
を無効にして消費電流を最小限に抑えます (NCLKE = 1 及び CLKF = 0) 。

6

外部イベント入力信号 （EVI端子入力) は立ち下がりエッジまたはローレベルを検出する場合の接続です。
EVI 端子入力は、VDDにも10 kΩ でプルダウン接続し、フローティング状態にならないようにします。

(*)注記： 通常、低コストの MLCC はごく短期間 (数分) の電源バックアップに使用され、電気二重層コンデンサはより長期間 (数日から数週間) の電源バックアップに使用されます。
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8.4. セラチャージ™ 全固体電池を使用 / 外部イベント入力を使用しない 設定
・ この接続のポイント :●●●●TDK／セラチャージ™ - 再充電可能な全固体電池をバックアップ電源として使用。
レベル切替モード(LSM) (VTH:LSM = 2.0 V)、 トリクルチャージモード(TCM) を 『1.75V』 に設定。
セラチャージ™ は チャージポンプ付きのトリクルチャージ機能で一定電圧で充電。
電源切替の設定をメモリに保存するために機能設定EEPROMレジスタへの書き込み動作をします。
( 3Fhアドレスに 『11』 と書き込みます )・ レジスタの設定：
0.
1.

2.

以下のレジスタの赤記載部分を変更します（黒数字はメーカー出荷初期値のまま）
NCLKE
BSM
TCR
TCM
C0h レジスタ
0
X
1
0
1
1
0
1

BSM → レベル切替モード(LSM) 設定
TCR → 12 kΩ のチャージ抵抗を設定
TCM → 1.75 V の充電圧を設定
電源切替え、及びCLKOUT 設定 (C0h) をEEPROMに書き込みます ( 4.6.3.項の手順にて ）。

100 nF

2

4
VDD

VDD

RV-3032-C7

1
TDK s
CeraCharge

100 nF

6

MCU

3

INT

VBACKUP

2

VDD

SDA

SDA

SCL

SCL

EVI
CLKOUT

5

VSS

VSS

10 k

1

セラチャージ™ への最初の充電 (1) は、はんだ付け実装後に行われる必要があります。 極性は初回充電時に適用されます。 最大電流: < 200 μA (終了電流: < 10 μA)。 計算上の最大電流: 1.75 V / 12 kΩ = 146 µA。
設定: BSM = LSM モード、TCR = 12 kΩ、TCM = 1.75 V。

2

デバイスのなるべく 近くに 100 nF のデカップリング コンデンサを接続します。

3

割り込み信号は初期値ではディセーブルです。 PORIE ビットおよび VLIE ビット も 初期値はディセーブルです。
INT端子はオープンドレインです。使用しない場合はオープンのままでも構いません。

4

I2C ラインの SCL端子、SDA端子はオープンドレインです。VDD へのプルアップ抵抗が必要です。

5

CLKOUT は VBACKUP 電源での動作時は自動でオフになります。 VDD電源状態でCLOCK出力を使用しない場合
はCLKOUT をオフにして消費電流を最小限に抑えます (NCLKE = 1 及び CLKF = 0) 。

6

外部イベント機能は、VDD 電源状態では常にアクティブになります。 EVI 入力端子を使用しない場合はフローティ
ング状態のままにはせず、10 kΩ抵抗 を介して VSS に接続して下さい。 また、この例 (EVI をVSSにプルダウン接続) では、パワーオンリセット時に 『EVF フラグ』 が セットされることにご注意ください。

(1) CeraCharge™ は通常、電気二重層コンデンサよりも長いバックアップ時間 (数日から数週間) に使用されます。
こちらを参照下さい。 https://www.tdk-electronics.tdk.com/en/ceracharge.

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8.5. バックアップ電源無し / 外部イベント入力を使用 (ウエイクアップ及びパワースイッチ)
・この接続のポイント :●●●●バックアップ電源無し／最小の消費電流 (160 nA typ.)
外部イベント入力を有効に設定しパワースイッチにウェイクアップ信号を送る
MCUはほとんどの期間アイドルモードで RTCからパワースイッチへの割込み信号でウェイクアップする
MCU はタスクが完了するまでは供給電圧を保持し、タスク終了後は自身の供給電圧を遮断します。

・レジスタの設定：
0.
1.

以下のレジスタの赤記載部分を変更します（黒記載部はメーカー出荷初期値のまま）
0
0
0
0
0
1
0
EIE → 外部イベント割り込みを有効に
0
10h レジスタ
EHL
ET
EHL → EVI端子入力『High』検出設定
15h レジスタ
0
1
X
X
0
0
0
ET → EVI端子入力フィルタリング設定
0
パワースイッチ

VDD

2
ｱﾌﾟﾘｹｰｼｮﾝ
起動

3

ON

GND

VIN

VOUT

GND

ON

VDD

8

RV-3032-C7

HI

4

LO

10 kΩ

GPIO
INT

SDA

SDA

SCL

SCL

VBACKUP CLKOUT
VSS

VDD

電力
保持

INT

EVI

1

VOUT

ｳｴｲｸｱｯﾌﾟ

100 nF

6

VIN

5

7

ﾕｰｻﾞｰ
ｳｪｲｸｱｯﾌﾟ

MCU

VSS

10 kΩ

1

バックアップ電源切替え機能はデフォルトでは無効です。 電源切替えを使用しない場合、 VBACKUP端子
はフローティング状態のままにせず、10 kΩ抵抗を介して VSS に接続して下さい。

2 デバイスのなるべく 近くに 100 nF のデカップリング コンデンサを接続します。
3 INT端子はオープンドレイン出力のため、VDD へのプルアップ抵抗が必要です。
4 I2C ラインの SCL、SDA はオープンドレインのため、VDD へのプルアップ抵抗が必要です。
5 CLKOUT出力 を無効にして消費電流を最小限に抑えます (NCLKE = 1 及び CLKF = 0) 。
6 タンパー (改ざん) 検出の外部イベント入力信号 （EVI端子入力) の立ち上がりエッジまたはハイレベルを検出する場合の接続は、ウェイクアップ信号としても使用できます。 EVI 端子入力は、VSS にも10 kΩ でプルダウン接続し、フローティング状態にならないようにします。

7

ユーザーまたは手動のウェイクアップ、常時利用可能です。 例えば、RTCモジュール とシステムを設定するための最初のシステム電源投入用などに用いることが出来ます。

8

RTC との I2Cインターフェイス通信を完了するために、MCU は GPIO経由で電力保持して電源を維持します。
MCU はタスクの最後に GPIO = Low に設定することで自身の電源電圧を遮断します。

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9. パッケージ
9.1. 外形寸法及び推奨ランドパターン （寸法単位：m/m )RV-3032-C7 パッケージ :パッケージ寸法 (bottom view):
3,2

推奨ランドパターン ：
0,9
0,9
0,9
0,5

4

8

7

6

5

0,4
0,8

0,4

3,2

0,15

0,8 max

2,0

3

0,5

2

1,5

1

0,8

0,9

メタルリッドは VSS (pin #5)と導通があります。
寸法単位 : mm
寸法公差 : 指定なき場合は ±0.1mm
図面番号 : RV-3032-C7_Pack-drw_20200615

9.1.1. GND端子部のサーマルレリーフ設定の推奨
VSS端子を基板のGND層に接続する部分はサーマルレリーフを設定することを推奨します。

RV-C7 パッケージ :良くない例

推奨のGNDパターン

OP
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9.2. マーキング 及び Pin 1 インデックスマーク
表示 = レーザーマーキング RV-3032-C7 Package: (top view)

製造デートコード#8#5

M214A13032#1

M214A1
M
Micro Crystal

2
Year

14
Week

A1
Batch

#4
型番表示

Pin 1 インデックス

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10. 構成物質 と 環境資料情報
10.1. 構成部位 及び 構成物質リスト
IPC-1752 に基づく含有物質リスト ：構成部位 ／ RV-3032-C7:
4

5
2
1
8
3
6
7

( 概略図 )
No.
部位名称
1
2
3
4

振動子

内容
クオーツ

0.13

振動子電極

Cr, Au

0.01

ハウジング

セラミック

6.90

メタルリッドコバール
Ni めっきAu めっき5

シーリング

はんだフォーム

6電極

内部及び外部電極

接着剤

導電性接着剤

7

質量
(mg)
(%)
100%
6%
94%
100%
95%

CMOS ICMay 2023

SiO2
Cr
Au
Al2O3
Fe53Ni29Co18

2.67

0.54
0.38

4.95%
0.05%
80%
20%
80%
15%
5%
88%
12%

0.09
8

化学物質 名

シリコン
Auバンプ

0.64

部品質量

11.4

Ni
Au
Au80 / Sn20
Mo
Ni
Au 0.5 micron
Ag
Siloxanes andsilicones0%

Distillates, petroleumhydrotreated

90%
10%

Si
Au

147/154

CAS No.

Cr:
Au:
Fe:
Ni:
Co:
Ni:
Au:
Au:
Sn:
Mo:
Ni:
Au:
Ag:

14808-60-7
7440-47--3
7440-57--5
1344-28-1
7439-89-6
7440-02-0
7440-48-4
7440-02--0
7440-57-5
7440-57--5
7440-31--5
7439-98-7
7440-02--0
7440-57--5
7440-22--4

備考

メタルリッドNiメッキ
Auメッキ

モリブデン（下地）Niめっき（中間）Auめっき（表面）
ビニル末端ポリジメチ

68083-19-2 ルシロキサン

製品表面には表れSi:
Au:

64742-47-8 ない用途
7440-21--3
7440-57--5

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10.2. 環境負荷物質／含有調査結果
IPC­1752 standard に基づく環境負荷物質含有調査情報 ：RoHS

フタル酸エステル

部位名称

Pb

Cd

Hg

Cr+6

PBB

PBDE

F

CI

Br

I

BBP

DBP

DEHP

DINP

ハロゲン

No.

1

振動子

クオーツ

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

2

振動子電極

Cr, Au

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

3

ハウジング

セラミック

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

4

メタルリッドコバールリッド 及び めっき

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

5

シーリング

はんだフォーム

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

6

電極

内部及び外部電極

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

7

接着剤

導電性接着剤

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

8

CMOS IC

シリコン 及び Auバンプ

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

MDL［ppm］

検出限界

内容

2

8

50

5

50

nd ( not detected = 未検出 ) = “検出限界” (MDL) 以下

試験方法 :RoHS• Pb, Cd
• Hg
• Cr(VI)• PBB / PBDE
ハロゲン
フタル酸エステル

May 2023

参照テスト方法：
IEC 62321-5:2013
IEC 62321-4:2013 + AMD1:2017
IEC 62321-7-2:2017
IEC 62321-6:2015
試験方法は BS EN 14582:2016 に準拠
試験方法は IEC 62321-8:2017 に準拠

148/154

MDL:
MDL:
MDL:
MDL:
MDL:
MDL:

2 ppm
2 ppm
8 ppm
5 ppm
50 ppm50 ppmRev. 1.3

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10.3. 製品リサイクル情報
IPC-1752 に基づく生産リサイクル関連情報。
各構成部位の質量 は 製品質量： 11.4 mg をもとに計算された値です。
物質名

No.

Quartz Crystal
Chromium
Ceramic
Gold

1
2
3
2
4
5
6
8
5
4
6
6
4

Tin
Nickel
Molybdenum
Kovar
SilverSiloxanes andsilicones
Distillates

物質質量

部位名称
振動子
電極
ハウジング
振動子電極
メタルリッドシーリング
内部及び外部電極
CMOS IC
シーリング
メタルリッド内部及び外部電極
内部及び外部電極
メタルリッド7a7b導電性接着剤
導電性接着剤

7c

導電性接着剤

CAS No.

化学物質名

(mg)

(%)

0.13
0.0006
6.90

1.14
0.005
60.74

SiO2
Cr
Al2O3

Cr:

14808-60-7
7440-47-3
1344-28-1

0.53

4.63

Au

Au:

7440-57-5

0.11

0.95

Sn

Sn:

7440-31-5

0.19

1.67

Ni

Ni:

7440-02-0

0.3

2.68

Mo

2.53

22.33

Fe53Ni29Co18

0.079

0.7

7439-98-7
7439-89-6
7440-02-0
7440-48-4
7440-22-4

0.011

0.10

Ag
Siloxanes andsilicones

Mo:
Fe:
Ni:
Co:
Ag:

備考

ビニル末端ポリジメチ

68083-19-2 ルシロキサン

水素化精製軽質留出

0064742-47-8 油, 製品表面には表Distillates

れない用途

SiliconMay 2023

8

CMOS IC

0.58

5.07

合計製品質量

11.4

100

Si

149/154Si:

7440-21-3

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10.4. 環境耐性／ 最大定格 ／ 電極めっき詳細
パッケージ

内容

SON-8 (DFN-8)

小型リードレス (SON)

項目

規格・指令

製品質量
保存温度範囲保管湿度レベル (MSL)FIT 数/ MTBF

密閉セラミックパッケージ・メタルリッド

条件値

部品単体での保存にて
IPC/JEDEC J-STD-020D

11.4 mg-55 ～ +125 ℃
MSL1
お問合せ下さい電極メッキ仕上げ ：

モリブデン

5 µm

0.5 µm

セラミック

ニッケル
金

May 2023

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11. リフローはんだ付け条件
IPC/JEDEC J-STD-020C Pb-free規格 に 基づくはんだリフロー条件tP

TP

Critical Zone
TL to TP

Ramp-up

TL

tL

温 度

Tsmax

Tsmin
Ramp-downtsPreheat25

t 25°C to Peak

温度プロファイル
ランプアップ温度傾斜ランプダウン温度傾斜
室温からピーク温度までの時間
プリヒート
プリヒート温度下限
プリヒート温度上限
プリヒート時間
はんだ融解時間
はんだ融解温度
はんだ融解時間
ピーク温度
ピーク温度
ピーク温度時間（ピーク温度-5℃までの時間）

時 間
記号(Tsmax to TP)
Tcool
Tto-peak条件
3℃ / 秒 以下
6℃ / 秒 以下
8 分 以下

単位
℃/ 秒
℃/ 秒
分

Tsmin
Tsmax
ts

150
200
60 – 180

℃
℃
秒

TL
tL

217
60 – 150

℃
秒

Tp
tp

260
20 – 40℃秒

・リフロー実装は『温風リフロー』（または蒸気リフロー）が推奨されます。
・『赤外リフロー』はホットスポット発生によりデバイス故障の原因になる可能性があるため推奨されません。

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12. 水晶振動子を搭載した製品のお取り扱い上の注意点
内蔵されている水晶振動子は水晶結晶の二酸化珪素を母材とした薄い素板です。 パッケージ内のキャビティは水晶振動子が空気抵抗、及び湿度、異物などの影響を受けないように真空状態に密閉されています。

■ 振動及び衝撃について:
水晶デバイスに過度の衝撃や振動を与えないようご注意ください。マイクロクリスタルでは <5000g/0.3ms 以内> でのご使用を推奨します。
特に実装時における以下の特別な場合にモジュールの故障を引き起こす衝撃や振動が発生する可能性がありますのでご注意下さい。

多面付け基板の場合、部品実装後に行う基板分割の工程で、ルーターによる振動が基本波または高調波で32.768KHzに近くなることがあり、その振動によりモジュール内部の水晶素板を破損する可能性があります。
基板分割加工の際には、振動が基本波または高調波で 32.768KHz近くにならない様にルーターの速度を調整するようご注意下さい。
超音波洗浄 につきましては、このモジュールに対しては行わないようにして下さい。
超音波振動により内部の水晶素板が破損する可能性があります。

■ 過度の加熱、リワーク、高温放置：
過度にパッケージを加熱しないようご注意ください。モジュールのパッケージは 金すず合金 (80%:20%) でシーリング
されています。この金すず合金の融点は『280℃』のため、パッケージの温度が 『280℃』 以上になるとメタルシール部分が溶解して内部の真空気密がリークしてしまうため製品の故障につながります。
特にホットエアガンの設定温度が 『280℃』 以上の場合は故障しやすくなります。
リワークの場合は以下の方法を推奨します：

ホットエアガンを使用する場合は設定温度を 『270℃』 として下さい。
はんだ小手を2本使用し、小手先の温度を 『270℃』 に設定し、片側の端子をメッキ線などでブリッジさせて、全てのはんだが溶けたところを ピンセットで取り上げて下さい。
ただしリワーク時に故障は発生しやすく、かつ外観での故障は判断できないため、なるべく一度基板から取り外したものは製品に使用されないことをお勧めします。

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13. テーピング ・ リール 図面
Reel: 7” = 178 mm

Ø 13min. 12.4

max. 17

キャリアテープ

5,5 ±0,05

2 ±0,05

0,315 ±0,05
0,254 ±0,015+0,3

12 -0,1

3,43 ±0,05

4 ±0,1

1,75 ±0,1・材質: 導電性ポリカーボネイト
・テープ幅: 12 mm
・先端部及び終端部 : 300 mm 以上の空テープ

3028

3028

4 ±0,1

1,73 ±0,05

0,061

0,83 ±0,05

Cover Tape
All dimensions are in mm
RV-3028-C7_Tape-drw_20180208

引き出し方向カバーテープ・テープ : ポリオレフィン, 3M™ Universal Cover Tape (UCT)
・接着剤タイプ ： 感圧接タイプ, Synthetic Polymer Thickness: 0.061 mm
・剥がれ方 : 中央部が剥がれて, 両側面はキャリアテープに残ります。

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14. コンプライアンス情報
RV-3032-C7の標準品は “EU RoHS Directive” 及び “EU REACh Directives” に適合しています。環境資料につきまして
はマイクロクリスタルのウェブサイトでも掲載しています。
CoC_Environment_RV-Series.pdf

15. 改訂履歴 （英語原版）
Date

Revision #Revision Details

June 2020
August 2020

1.0
1.1

November 2022

1.2

May 2023

1.3

First release
Added Operating RV-3032-C7 With CeraCharge™ Backup Battery, 8.1.1.
Clarified and corrected various specifications
Adapted schemes, diagrams and application circuits
Added extended temperature range specifications, +85°C to +105°C
Adapted limit values and methods in accordance with the latest standards, 10.2.
Added new disclaimer, 15.
Corrected that EVI function is disabled in VBACKUP Power state, 1., 2.2., 2.3.
3.22., 4.2., 4.7., 4.11., 4.17., 8.1. and 8.4.
Added that EVI pin should not be tied to VBACKUP, 2.2.
Adjusted TCM 3.0 V and 4.5 V values, 3.20.1, 4.3. and 7.2.

＜免責事項／原文＞
The information contained in this document is believed to be accurate and reliable. However, Micro Crystal
assumes no responsibility for any consequences resulting from the use of such information nor for any
infringement of patents or other rights of third parties, which may result from its use. In accordance with
our policy of continuous development and improvement, Micro Crystal reserves the right tomodify specifications mentioned in this publication without prior notice and as deemed necessary.
Any use of Products for the manufacture of arms is prohibited. Customer shall impose that same obligation
upon all third-party purchasers.
Without the express written approval of Micro Crystal, Products are not authorized for use as components
in safety and life supporting systems as well as in any implantable medical devices. The unauthorized useof Products in such systems / applications / equipment is solely at the risk of the customer and suchcustomer agrees to defend and hold Micro Crystal harmless from and against any and all claims, suits,
damages, cost, and expenses resulting from any unauthorized use of Products.
No licenses to patents or other intellectual property rights of Micro Crystal are granted in connection withthe sale of Micro Crystal products, neither expressly nor implicitly. In respect of the intended use of Micro
Crystal products by customer, customer is solely responsible for observing existing patents and otherintellectual property rights of third parties and for obtaining, as the case may be, the necessary licenses.

Micro Crystal AG
Muehlestrasse 14
CH-2540 Grenchen
Switzerland
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Phone +41 32 655 82 82
sales@microcrystal.com
www.microcrystal.com

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＜免責事項／訳文＞
この文書に含まれる情報は正確で信頼できるものであると考えられます。 ただし Microcrystal 社は、そのような情報の使用から生じるいかなる結果や、その使用から生じる可能性のある第三者の特許またはその他の権利の侵害についても責任を負いません。継続的な開発と改善により、Microcrystal社は必要に応じて予告なしにこの資料に記載されている仕様を変更する場合があります。
武器の製造のために製品を使用することは禁止されています。お客様は、すべての第三者購入者にも同じ義務を課すものとします。
Microcrystal社 の書面による明示的な承認がない限り、製品は、安全システムおよび生命維持システム、および埋め込み型医療機器のコンポーネントとして使用することは許可されていません。
Micro Crystal の承認の無しにこのようなシステム / アプリケーション / 機器に製品を使用された場合のあらゆ
る請求、訴訟、損害賠償、費用のリスクについて Microcrystal 社は一切の責任を負いかねます。
明示的にも黙示的にも、Micorocrystal社製品の販売に関連して、Microcrystal 社 の特許またはその他の知的財
産権のライセンスは付与されません。お客様によるマイクロクリスタル製品の使用目的に関しまして、お客様は第三者の既存の特許およびその他の知的財産権を遵守し、ライセンス取得が必要な場合にはお客様が単独で責任を負います。

原本発行元： Microcrystal AG
原本：『RV-3032-C7 Application Manual Rev. 1.3 』 （英語）
原本発行日：2023年05月
日本語訳発行元：株式会社多摩デバイス
日本語発行日： 2024年 02月29日 初版発行
＜日本語訳版改訂・訂正履歴＞
・2024年02月28日 初版発行

株式会社多摩デバイス 営業技術部〒214-0001 川崎市多摩区菅1-4-11(TEL) 044-945-8028 (FAX)044-945-8486(URL) https://tamadevice.co.jp(E-Mail) info@tamadevice.co.jp※ 日本語版作成に当たって原本英語版から追記や変更・削除を行っている部分があります。作製作成に際しては細心の注意を払っておりますが、万一内容につきまして疑問点がございましたら、上記連絡先まで直接お問合せ頂きます様、お願い申し上げます。