复合沟道 MOSFET
ELM54614CWSA-N■概要

http://www.elm-tech.com■特点

ELM54614CWSA-N 是低输入电容、N 沟道P 沟道低工作电压、低导通电阻的大电流
MOSFET。同时内藏有 N 沟道和 P 沟·Vds=40V·Id=10.0A·Vds=-40V·Id=-10.0A

道的复合产品。

·Rds(on) = 35mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) = 35mΩ(Vgs=-10V)·Rds(on) = 45mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) = 45mΩ(Vgs=-4.5V)■绝对最大额定值项目记号漏极 - 源极电压

如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位VdsVgs栅极 - 源极电压漏极电流（定常）(Tj=150℃)-40±2010.0-10.0

Idm

6.0
20-6.0-20

Ias

8-A

Eas

3.2
2.8

2.8mJ

1.8150-55 ~ 150

1.8150-55 ~ 150℃℃

最大值单位

62.5
62.5℃/W℃/W

Ta=25℃

Id

Ta=70℃

漏极电流（脉冲）
崩溃电流

40
±20

L=0.1mH崩溃能量

Tc=25℃

容许功耗

Pd

Tc=70℃

结合部温度
保存温度范围

Tj
Tstg

VVA
AW

■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻最大结合部 - 环境热阻

记号

沟道

Rθja
Rθja

N
P

■引脚配置图

典型值■电路图

SOP-8(俯视图)18273645

引脚编号

引脚名称

123SOURCE1
GATE1SOURCE245GATE2DRAIN2678

DRAIN2DRAIN1DRAIN1·N 沟道·P 沟道

D1G1

D2G2S1S2

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复合沟道 MOSFET
ELM54614CWSA-N

http://www.elm-tech.com■电特性 (N 沟道 )项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件静态特性
漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=32V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V栅极阈值电压

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA

1.0

导通时漏极电流

Id(on) Vgs=10V, Vds≧5V

8

漏极 - 源极导通电阻

Rds(on)Vgs=10V, Id=10.0A
Vgs=4.5V, Id=6.0A

2733

正向跨导Gfs

Vds=10V, Id=8.0A

27二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流

Vsd
IsIs=1.5A, Vgs=0V0.85

动态特性输入电容Ciss输出电容Coss反馈电容开关特性总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷导通延迟时间导通上升时间关闭延迟时间关闭下降时间40V
1Ta=85℃

10μA±100nA

2.5

VA

3545mΩ
S

1.20
1.6

VA

385pF

68pF

Crss

30pF

Qg

3.3

Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id≡8.0A
Qgd
td(on)
tr

Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz

Vgs=10V, Vds=20V, Id≡8.0A

td(off) RL=2Ω, Rgen=1Ωtf5.0nC

1.0
1.2
918nCnC
ns

1122ns1072014nsns

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40V N & P Pair

Technology复合沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM54614CWSA-N

http://www.elm-tech.com■标准特性曲线(N 沟道)
TypicalCharacteristics( N-Channel)©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A July 2016www.alfa-mos.com
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40V N & P Pair
Enhancement Mode MOSFETTechnology

复合沟道 MOSFET
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Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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ELM54614CWSA-N

http://www.elm-tech.com■电特性 (P 沟道 )项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件静态特性
漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=-40V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V栅极阈值电压Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA-1.0

导通时漏极电流

Id(on) Vgs=-10V, Vds≧-5V-20

漏极 - 源极导通电阻

Rds(on)Vgs=-10V, Id=-10.0A
Vgs=-4.5V, Id=-6.0A

2836

正向跨导Gfs

Vds=-15V, Id=-5.0A

20

二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流

Vsd
IsIs=-2.0A, Vgs=0V-0.8

动态特性输入电容Ciss

输出电容Coss反馈电容开关特性总栅极电荷栅极 - 源极电荷

CrssQg栅极 - 漏极电荷导通延迟时间Qgs
Qgd
td(on)

导通上升时间tr关闭延迟时间关闭下降时间-40

V-1

Ta=85℃-20

Vgs=0V, Vds=-20V, f=1MHz

Vgs=-4.5V, Vds=-20V
Id≡-5.0A
Vgs=-4.5V, Vds=-20V
Id≡-5.0A, RL=4Ω

td(off)Rgen=1Ωtf

μA±100nA-3.0VA3545mΩ
S-1.2-1.7

VA

1100

pF

145

pF

115

pF

13.0

20.0

nC

4.5
6.5
4080

nCnC
ns

55

100

ns

30
1260
20ns
ns

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40V N & P Pair
Technology
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复合沟道 MOSFET
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TypicalCharacteristics( P-Channel)■标准特性曲线(P 沟道)©Alfa-MOS Technology Corp.
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Typical Characteristics ( P-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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40V N & P Pair
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复合沟道 MOSFET
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TypicalCharacteristics■测试电路和波形©Alfa-MOS Technology Corp.
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