2018 年度（平成 30 年度）
研究部門名

物理学研究部門

講座名

量子多体系物理学講座

教員名

中山 隆史

電子メール

nakayama 理 physics.s.chiba-u.ac.jp（１）研究論文などのリスト（印刷中を含む）
著者・発表者

発表雑誌・会合
タイトル

等

発行・巻・号頁

等

発表
年等

掲載論文の DOI（付与されている場合）

Physics of
Fermi-Level(１)

T. Nakayama,
T. Nishimoto“Unpinning” atMetal/GeECS Trans.

86

pp.291-298

2018

doi:10.1149/08607.0291ecst

ECS Trans.

86

pp.69-75

2018

doi:10.1149/08602.0069ecst

58

in press

2019

in press

Interfaces;
First-Principles
View
Structural andCharging(2)

T. Nakayama,

Stability of

S. Yamazaki,

Metal Nanodot

Y. Shiraishi

Memory in SiO2;First-Principles
Study
Metal-atom
penetration anddiffusion in(3)

S. Watanabe,
T. Nakayama

organic solids:
difference
between σ- andJpn. J. Appl.
Phys.
π- orbital
molecularsystems（２）卒業研究、大学院修士および博士論文修了指導人数
・卒業研究

5名

・大学院修士4名

・大学院博士0名

（３）教育業績（自己申告、テキストの作成など、授業の工夫など）
なし（４）国際会議出席と招待リスト
・T. Nakayama, T. Nishimoto, “Why Fermi-level Pinning is broken at some Metal/Ge Interfaces：
based on first-principles study of TiN/Ge(001)”, 9th Int. SiGe Technol. and Device Meeting& 11th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Hetero-structures, Potsdam Germany, May 27-31
2018.
・S. Cho, S. Iizuka, T. Nakayama, “Resonance-enhanced Tunneling Current through Doped
Si-p/n Junction; Theoretical Study”, 2018 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials,
Tokyo Japan, Sept.9-13 2018.
・ T. Nishimoto, T. Nakayama, “Origin of Fermi-level depinning at metal/Ge interfaces:
first-principles study”, 14th Int. Conf. Atomically Controlled Surfaces, Interfaces andNanostructures (ACSIN-14), Sendai Japan, Oct. 21-25 2018. S. Watanabe, T. Nakayama,“Metal-atom Penetration into Organic Solids: Difference between σ - and π-orbital
Molecular Systems”, ibid.
・M. Ishikawa, T. Nakayama, K. Wakita, Y. G. Shim, N. Mamedov, “Electronic and opticalproperties of 2-dimensional incommensurate Tl-based semiconductors: First-principles
study on TlInS2 ,TlGaSe2 and TlGaS2”, 34th Int. Conf. Physics of Semiconductors(ICPS2018), Montpellier France, Jul. 27-Aug. 5 2018.
・T. Nakayama, T. Nishimoto, “Physics of Fermi-Level “Unpinning” at Metal/Ge Interfaces;
First-Principles View”, Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid
State Science (AiMES 2018), Cancun Mexico, Sept.30-Oct.4 2018. T. Nakayama, S.
yamazaki, Y. Shiraishi, “Structural and Charging Stability of Metal Nanodot Memory in
SiO2; First-Principles Study”, ibid.
・Y. Tomita, K. Kawabata, T. Nakayama, “Metal-atom distribution and its effects on carriertransport in organic semiconductors”, 19th Int. Symp.Physics of Semiconductors andApplications (ISPSA 2018), Jejudo Korea, Jul.1-5 2018.
・Y. Tomita, K. Kawabata, T. Nakayama, “Metal-atom distribution and its effects on carriertransport in organic semiconductors”, UK Semiconductors 2018, Sheffield U.K, Jul.4-5
2018.

（５）新聞や雑誌等で報道された研究成果等（報道媒体，報道年月日，報道内容等）
なし

（６）国際並びに国内学会での受賞（賞名，その内容，受賞理由等）
所職

属名

理教

学授

氏名

中山隆史

賞名
第 17 回 APEX/JJAP 編集貢献
賞

年
備考
度
長期間(6 年)の学術誌 APEX/JJAP への編集委員としての貢献（７）国際共同研究（共同研究名，研究内容等）
所 職
属 名

氏名

共同研究名

研究内容
熱電物質TlInSe2,

理 教
学 授

中山隆史

年
度
TlInS2の原子･電子構造と熱電発生機

熱電物質TlInSe2,構の解明

TlInS2の理論研究

先方：Prof.N.Mamedov (Inst.Phys., Azerbaijan Nat. Sci.

29Academy)（８）地域・社会と連携した教育・研究活動，学会、国、県などへの協力，など
・千葉大学国際未来教育機関 高大接続センター高大連携支援室長(2015-2018 年度)
・佐倉高等学校 SSH 運営指導協議会委員長(2014-2018 年度)
・千葉大学・成田国際高校連絡協議会委員(2016-2018 年度)
・千葉市科学都市戦略専門委員(2018-2019 年度)
・文科省特別研究員審査委員、文科省科学研究費第一次審査委員
・日本学術振興会 国際共同研究事業 審査委員
・日本学術振興会 日中韓フォーサイト事業 書面審査員
・HPCI 共用計算機資源（京コンピュータ）利用研究課題選定委員
・物性研共同利用スーパーコンピュータ課題審査委員
・Jpn. J. Appl. Phys. 編集者, eJ. Surface Science Nanotech. 編集者 他
・応用物理学会 電子デバイス界面テクノロジー研究会, 実行プログラム委員
・「物質科学シンポジウム：半導体物理、２次元物質科学の半世紀」（東京大）, 実行プログラム委員（９）特許（発明者名，発明の名称，出願日，出願番号，整理番号等）（現時点で公表できるもののみ）なし（１０）その他
・「君も物理チャレンジを！２０１８」講習会講師：千葉市科学館、2017/5～6 月
・理学部創立５０周年記念行事企画委員会委員

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