NTT 物性科学基礎研究所の研究活動
平成 18（2006）年度
Volume 172007 年 9 月
日本電信電話株式会社
物性科学基礎研究所
NTT Basic Research Laboratories
http://www.brl.ntt.co.jp/������
発光強度

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波長（ナノメートル）
ＬＥＤ素子構造

上面から見た写真

ＬＥＤからの最短波長発光

最短波長210nm窒化アルミニウム（AlN）発光ダイオード
窒化アルミニウム（AlN）は、直接遷移型半導体中で最大のバンドギャップ6eVを有することか
ら、波長210nmで発光する最短波長発光半導体として期待される。今回、我々は、世界に先駆け、AlNのp型およびn型ドーピングを実現し、AlN発光ダイオード（LED）の動作に成功した（18ページ）。

電流電子のカウンティング （単電子電流計）
電流電子の流れを１個ずつ計数することのできるカウンティング素子を作成し、単電子電流計として機能することを示した。化合物半導体の微細加工により、二重量子ドット（図中のＬとＲ）とポイント接合電荷計を集積化し、二重量子ドットを流れる電子の位置を検出することに成功した。電荷計の電流は右図のような３値の間を飛び移る様子を示し、電子の動き（トンネル事象）を正確に検出することができる。このようなトンネル事象の個数を数えることにより究極的な電流計を実現した（34ページ）。

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半導体ヘテロ構造劈開面の走査トンネル分光

量子井戸内の量子化サブバンドの状態密度分布

ポテンシャル障壁による電子波の干渉

半導体ヘテロ構造の実空間状態密度分布解析
半導体ヘテロ構造劈開面の走査トンネル分光により、ヘテロ構造内部の状態密度分布(波動関数の二乗に対応)の実空間観測に成功した。量子井戸内の量子化したサブバンド、単一ポテンシャル障壁による電子波の干渉、二重量子井戸における波動関数の結合等が明
瞭に観測、可視化された。本手法を用いることで、一般的な電子、光デバイスについても、内部の波動関数解析が可能となる（35ページ）。

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量子ドットの埋め込まれた二次元フォトニック結晶スラブ構造

ナノ共振器構造(SEM像)とその内部光電界強度(FDTD計算)

量子ドットフォトニック結晶ナノ共振器レーザ
量子ドットを有するフォトニック結晶ナノ共振器の極低閾値レーザ発振に成功した。これまで
化合物半導体はＳｉ系材料に比べ加工精度が低く、材料特有の吸収特性が共振器の光閉じ込めを劣化させていた。今回化合物半導体の加工精度を飛躍的に向上させ、材料の吸収特性を考慮した素子構造設計を行った。これにより量子ドットの自然放出のほとんどがレーザモードへ結合するようなレーザ発振動作の高効率化が実現した（45ページ）。

サイエンスから革新的技術まで日頃より、私どもＮＴＴ物性科学基礎研究所の研究活動に多大なご支援・ご関心をお寄せ頂き
誠にありがとうございます。
物性科学基礎研究所では、(1) ネットワーク・情報処理技術における処理能力・セキュリティーの壁を越える新原理・新コンセプトの創出(2) 中長期的なイノベーションにつながる基礎技術の開拓を進め、中長期的ＮＴＴ事業への貢献のみならず、普遍的知見の獲得など学術的貢献もミッションとして研究活動を進めております。その目的を達成する上で、研究成果をタイムリーかつ継続的に提供することが重要と考え、各研究テーマを(i) スピードを重視し、内外との連携により戦略的に展開を図るべきテーマ（重点研究）(ii) 重点テーマへの発展を期待した探索的な研究（探索研究）(iii) 従来技術から脱却し、破壊的イノベーションへと発展させるべきテーマ（革新的研究）に分類、それぞれの状況に適したマネージメントを行うよう努めております。
重点研究のテーマでは、量子情報処理とナノバイオ研究を中心に進めております。前者は、量子力学の根幹である電子、あるいは光子の本質を解明し、量子暗号通信あるいは量子コンピューティングといった具体的な応用を設定、情報処理能力・セキュリティー
の壁を凌駕しようというものです。物性科学基礎研究所では、これまで量子光学、半導体
電子物性、半導体微細加工技術などの研究を進めており、半導体量子ドット、超伝導素子、冷却原子などの研究において多くの成果を上げております。それらの成果、知見をベースとして、さらに内外研究機関との連携により、量子暗号通信および量子コンピュータの可能性を検討しております。また、ナノバイオ研究では、神経科学・バイオ分子科学とナノテクノロジーの融合による新分野の創出を目指しており、分子・蛋白と人工ナノ構
造との融合は、新しいデバイスの登場を期待させます。
また探索研究としては、ナノメータスケールの微細構造において、その機械的運動と量子力学的電子状態を関連付け、機械的運動に現れる量子力学的側面について研究を進めております。また、カーボンナノチューブを所望の場所で切断するなど、ナノ構造を自在に操る技術、さらには電子のスピン状態の解明とその制御を目指したスピントロニ
クスなどの研究を推進しています。これらの探索研究については、将来の重点テーマへの弾込めとして、基礎研究を担う組織として最も重要視すべき項目と考えております。
さらに近い将来、既存の技術を駆逐するような革新的研究も進めております。例えば

ワイドギャップ半導体、単電子素子、フォトニック結晶デバイス、カーボン薄膜などの研究を推進し、既存技術にとって変わる技術の確立を目指しております。
これらの研究を行うにあたって、NTT の他研究所に加え、日本、米国、欧州、アジアの大学や研究機関と広く共同研究を行っており、多くの優れた成果を上げています。また、
物性科学基礎研究所では、当厚木Ｒ＆Ｄセンター内において国際シンポジウムを毎年開催しております。2007 年 2 月には、International Conference on Nanoelectronics,
Nanostructures and Carrier Interactions を開催し、内外から 140 名以上の方々に参加して頂きました。これらの活動を通じて、開かれた研究所としての使命を果たすとともに、本研究所での成果を広く世界に発信するよう努めております。
本冊子は 2006 年度の成果と研究活動についてご紹介しております。この小冊子をご覧頂き、研究交流促進の一助となれば幸いです。
2007 年 9 月

湯本 潤司
NTT 物性科学基礎研究所長〒243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1
電話：046 240 3300
FAX：046 270 2358

目次
ページ

物性科学基礎研究所 所員一覧 .................................................................................... 1
Ⅰ. 研究紹介◆ 各研究部の研究概要 .................................................................................................. 17◆ 機能物質科学研究部の研究紹介.................................................................................. 18♦ 最短波長 210nm 窒化アルミニウム（AlN）発光ダイオード♦ 最大発振周波数 120GHz のダイヤモンドＦＥＴ♦ 高耐圧、低オン抵抗の n 型 GaN 基板上 InGaN/GaN 縦型ダイオード♦ 六方晶 BN ヘテロエピタキシャル層からの紫外発光♦ 金・銀・銅ナノ微粒子触媒からの単層ナノチューブ成長♦ 単層カーボンナノチューブ成長における金属微粒子触媒の化学状態解析♦ 表面原子ステップに配置した触媒ナノ粒子を用いたナノワイヤの位置制御♦ 自発展開する脂質二分子膜を分子の輸送担体に用いたマイクロ流路素子♦ ベシクルナノ配列の自己形成♦ 神経回路とのインターフェイス実現に向けた導電性高分子電極の開発♦ 金ナノロッドの自己集合によるイオンセンシング♦ ナノ空間における生体分子のテラヘルツ分光◆ 量子電子物性研究部の研究紹介.................................................................................. 30♦ データ保持時間の長いゲインセル･メモリ♦ シリコンナノトランジスタにおける単一ボロンの検出♦ 高いＱを有するナノ機械共振器における電子位相の変調♦ 16nm 技術世代に向けたブロック共重合体リソグラフィ♦ 電流電子のカウンティング♦ 半導体ヘテロ構造の実空間状態密度分布解析♦ シリコン薄膜の量子伝導♦ 超伝導磁束量子ビットのデコヒーレンス♦ スピン軌道相互作用によるアハロノフ・キャッシャー効果♦ 磁性細線中に捕捉された磁壁の半導体・強磁性体ハイブリット構造を用いた検出♦ 磁束量子ビット・ナノメカニカル共振器の磁場による可変結合の提案◆ 量子光物性研究部の研究紹介 ..................................................................................... 41♦ 10 GHz クロックの量子暗号実験♦ もつれ光子対列を用いた差動位相量子鍵配送♦ 二体エンタングルメントから見た多体スピン系の量子相転移♦ (Al,Ga)As ナノワイヤ中に形成された GaAs 量子ドットの光学特性♦ 量子ドットフォトニック結晶ナノ共振器レーザ

♦ フェムト秒レーザアブレーションプルームの時空間分解軟 X 線吸収分光♦ フォトニック結晶微小光共振器の時間分解測定♦ フォトニック結晶超高 Q 結合共振器導波路♦ 超小型高 Q 共振器による光マイクロマシン

Ⅱ. 資料◆ 第 4 回アドバイザリボード ........................................................................................... 51◆ 「ナノエレクトロニクス・ナノ構造・およびキャリア相関」国際シンポジウム ................................ 52◆ 表彰受賞者一覧 ........................................................................................................ 53◆ 報道一覧 .................................................................................................................. 56◆ 報道（抜粋） ............................................................................................................... 59◆ 来訪者による講演一覧 ................................................................................................ 62◆ 学術論文掲載件数、国際会議発表件数および出願特許件数............................................ 66◆ 国際会議招待講演一覧............................................................................................... 68

表紙の写真：
超高 Q 値フォトニック結晶微小光共振器の長時間光子捕捉
光は本質的に小さなところに閉じ込めたり，止めることが難しい。フォトニック結晶微小共振器を使って微小な空間に 1 ナノ秒という長い時間光子を捕捉した。中央の写真は超高 Q 値フォトニック結晶微小光共振器の電子顕微鏡写真で，左下が共振器中に捕捉された光の電界分布である。

物性科学基礎研究所 所員一覧
2007 年 3 月 31 日現在（*は年度途中までの在籍者）

物性科学基礎研究所

所長

湯本 潤司

企画担当

企画担当主席研究員

横浜 至

総括担当主任研究員

後藤秀樹

研推担当主任研究員

村木康二

欧州研究協力担当
主幹研究員

原田裕一

NＴＴ R&D フェロー

山本喜久（スタンフォード大学、U.S.A）
髙柳英明（東京理科大学）

ＮＴＴリサーチ・プロフェッサー上田正仁（東京工業大学）
清水富士夫（JST-CREST、電気通信大学）
野村晋太郎（筑波大学）
井上 恭（大阪大学）－1－

機能物質科学研究部

薄膜材料研究Ｇ
グループリーダ

低次元構造研究Ｇ
グループリーダ

分子生体機能研究Ｇ
グループリーダ

部長

鳥光慶一

補佐

尾身博雄
味戸克裕
富田 勲

上野祐子
Rakchanok, Rungsawang*

牧本俊樹
嘉数 誠
小林康之
赤坂哲也
熊倉一英
谷保芳孝
植田研二
Tallaire, Alexandre

佐藤寿志
狩元慎一
西川 敦

小林慶裕
前田文彦
鈴木 哲

日比野浩樹
登倉明 雄

川村朋晃*
Sychukov, Ilya

鳥光慶一
江幡啓介
河西奈保子
樫村 吉晃
小林未明*

古川一暁
島田明佳
後藤東 一郎
篠崎陽一

住友弘二
中島 寛
Nyberg, Tobias*
Rundqvist, Jonas－2－量子電子物性研究部

ナノデバイス研究Ｇ
グループリーダ

ナノ加工研究Ｇ
グループリーダ

量子固体物性研究Ｇ
グループリーダ

超伝導量子物理研究Ｇ
グループリーダ

部長

山口浩司
平山祥郎*

補佐

小野行徳
唐沢 毅

藤原 聡
植松真司*
影島博之
Khalafalla, Mohammed

西口克彦

山口浩司
永瀬雅夫
林 順三
小野満恒二

山崎謙治
岡本 創

山口 徹
Mahboob, Imran

佐々木 智
太田 剛
Renard, Vincent*

鈴木恭一
熊田倫雄
Giudici, Paula

藤澤利正
蟹沢 聖
林 稔晶
高品 圭

仙場浩一
中ノ勇人
向井哲哉
齊藤志郎
角柳孝輔
Kasper, Alexander*

－3－

田中弘隆
Wang, Ying-Danスピントロニクス研究Ｇ
グループリーダ

赤崎達志
原田裕一
山口真澄

－4－

田村浩之
小林俊之

関根佳明
羽柴秀臣

量子光物性研究部

部長

都倉康弘

補佐

横尾 篤

量子光制御研究Ｇ
グループリーダ

量子光デバイス研究Ｇ
グループリーダ

フォトニックナノ構造研究Ｇ
グループリーダ

都倉康弘
清水 薫
山下 眞
森越文明
橋本大祐

井桁和浩
柴田浩行
本庄利守
Tobiska, Jens

熊谷雅美
武居弘樹
玉木 潔

中野秀俊
寒川哲臣
西川 正
舘野功太
俵 毅彦
石澤 淳
眞田治樹
Zhang, Guoquiang

鎌田英彦
小栗克弥
Cade, Nicholas*

納富雅也
川西悟基
新家昭彦
Ju, Heongkyu*

谷山秀昭
田辺孝純

－5－

倉持栄一
加藤正夫*

特別研究員山口 浩司
昭和 59 年大阪大学理学部物理学科卒業。昭和 61 年同大学院理学研究科物理学専攻博士前期課程修了。同年日本電信電話株式会社に入社。以来、分子線エピタキシによって形成した化合物半導体の表面物性を電子線回折、走査型トンネル顕微鏡などの手法により実験的に解明する研究に従事。最近
は、半導体低次元構造の弾性的、機械的性質の研究に取り組んでいる。平成５年工学博士。平成 7～8
年ロンドン大学インペリアルカレッジ客員研究員。平成 13～15 年度 NEDO 国際共同研究チーム(Nano-elasticity) 研究代表者。平成元年および平成 16 年日本応用物理学会論文賞受賞。応用物理学会、日本物理学会会員。平成 18 年より東北大学理学部客員教授。

特別研究員

藤澤 利正
昭和 61 年東京工業大学理学部応用物理学科卒業。平成 3 年同大学院総合理工学研究科物理情報工学専攻博士課程修了（工学博士）。同年日本電信電話株式会社（NTT）に入社。以来、集束イオンビ
ーム・電子ビーム露光による半導体微細構造の作製、半導体量子ドットの輸送特性、単一電子ダイナミクスの研究に従事。現在、NTT 物性科学基礎研究所量子電子物性研究部量子固体物性研究グループリーダ。平成 9～10 年デルフト工科大学（オランダ、デルフト）客員研究員。平成 15 年 6 月より、東京工業大学大学院理工学研究科客員助教授（併任）。平成 15 年 10 月サーマーティンウッド賞受賞。平成 17 年
3 月日本学術振興会賞受賞。応用物理学会、日本物理学会。

－6－

特別研究員

納富 雅也
昭和 63 年東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻修士課程修了。同年日本電信電話（株）入社、
NTT 光エレクトロニクス研究所光素子研究部勤務。平成 7 年から 8 年リンシェピング大学（スウェーデン）客員研究員。平成 11 年より NTT 物性科学基礎研究所。現在同所量子光物性研究部フォトニックナノ構造研究グループリーダ。入社以来一貫して人工ナノ構造による物質の光学物性制御およびデバイス応用の研究を行う。半導体量子細線、半導体量子箱の研究を経て、現在フォトニック結晶の研究に従事。平
成 14 年より東京工業大学連携客員講座助教授。工学博士（東京大学）。2006/2007 IEEE/LEOS
Distinguished Lecturer Award 受賞。JJAP 編集委員。日本応用物理学会、APS、IEEE/LEOS 会員。

特別研究員

嘉数 誠
昭和 60 年京都大学工学部電気工学科卒業。平成 2 年同京都大学大学院工学研究科博士 課程修了
（電気工学専攻、工学博士）。同年日本電信電話株式会社（NTT）に入社。以来、走査型トンネル顕微鏡（STM）を用いたナノ構造作製技術、窒化アルミニウム（AIN）、ダイヤモンド電子デバイスの研究に従事。
現在、NTT 物性科学基礎研究所機能物質研究部薄膜材料研究グループリーダ。平成 14～15 年ウルム
大学（ドイツ）客員研究員。平成 13 年電子材料シンポジウム(EMS)アワード受賞。東京大学、東京理科大学、立命館大学非常勤講師、窒化物半導体国際会議（ICNS-5）、ニューダイヤモンドナノカーボン国際会議(NDNC)実行委員、日本学術振興会 132 委員会企業幹事などを歴任。現在、応用物理学会、電子情報通信学会、日本表面科学会会員。日本表面科学会編集委員。パリ第 13 大学招聘教授。平成 18 年より総務省 SCOPE「ダイヤモンド高周波電力デバイスの開発とマイクロ波・ミリ波帯電力増幅器への応用」
プロジェクトリーダ。

－7－

アドバイザリボード （2006 年度）
氏名

役職
所属

Prof. Gerhard Abstreiter

Professor
Walter Schottky Institute, Germany

Prof. Boris L. Altshuler

Professor
Department of Physics
Columbia University, U.S.A.

Prof. Serge Haroche

Professor
Département de Physique
De l'Ecole Normale Supérieure, France

Prof. Mats Jonson

Professor
Department of Physics
Göteborg University, Sweden

Prof. Anthony J. Leggett

Professor
Department of Physics
University of Illinois at Urbana-Champaign, U.S.A.

Prof. Johan E. Mooij

Professor
Kavli Institute of Nanoscience Delft
Delft University of Technology, The Netherlands

Prof. John F. Ryan

Professor
Clarendon Laboratory
University of Oxford, U.K.

Prof. Klaus von Klitzing

Professor
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Germany－8－

招聘教授／客員研究員 （2006 年度）
氏名

所属
期間

束田 昭雄

東京農工大学
June 05 – March 07

遊佐 剛

科学技術振興機構(JST) さきがけ
October 05 – September 08

宮本 泰敬（交流研究員）

日本放送協会放送技術研究所
December 05 – November 06

Prof. Yong-Hang Zhang

Arizona State University, U.S.A.
January 06 – July 06

Dr. Goo-Hwan Jeong

科学技術振興機構(JST) CREST
April 06 – July 06

古川 裕介

東京大学大学院 理学系研究科
May 06 – October 06

佐藤 健

東北大学 理学部
June 06 – July 06

割澤 伸一 助教授

東京大学大学院 工学系研究科
June 06 – March 07

小野満 恒二早稲田大学 理工学術院
July 06 – September 06

Dr. Michael Stopa

Harvard University, U.S.A.
August 06 – September 06

Dr. Kasper Grove-Rasmussen

University of Copenhagen, Denmark
August 06 – December 06

Dr. Yuan-Liang Zhong

東京理科大学 理学部
September 06 – February 07

Dr. Yueh-Chin Lin

National Chiao Tung University, Taiwan R.O.C.
November 06 – February 07－9－古賀 貴亮 助教授

北海道大学大学院 情報科学研究科
November 06 – December 07

山嵜 明

明治大学
November 06 – March 08

Dr. Alexandre Kemp

科学技術振興機構(JST) CREST
December 06 – December 07

Prof. Michel Devoret

Yale University, U.S.A.
January 07 – February 07

Prof. Amnon Aharony

Ben Gurion University of the Negev, Israel
January 07 – April 07

Prof. Ora Entin-Wohlman

Ben Gurion University of the Negev, Israel
January 07 – April 07

Dr. Hongwu Liu

科学技術振興機構(JST) SORST
February 07 – January 08－10－海外研修生 （2006 年度）
氏名

所属
期間

Simon Perraud

University of Paris 6 / CNRS, France
October 04 – September 07

Rebeca Alonso"Miguel Hernández" University of Elche, Spain
January 06 – August 06

Raphael de Gail

ENS (Ecole Normale Supérieure), France
February 06 – April 06

Jean-François Morizur

ENS (Ecole Normale Supérieure), France
February 06 – July 06

François Parmentier

ENS (Ecole Normale Supérieure), France
February 06 – July 06

Benjamin Gaillard

INSA (Institut National des Sciences Appliquées deToulouse), France
February 06 – September 06

Wan-Cheng Zhang

Chinese Academy of Sciences, China
February 06 – August 06

Shih-Chieh Huang

National Chiao Tung University, Taiwan R.O.C.
March 06 – September 06

Lars Tiemann

Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Germany
March 06 – June 06

Christoph Hufnagel

University of Heidelberg, Germany
June 06 – June 07

Tiffany Yeh

Rice University, U.S.A.
June 06 – August 06－11－

Arthur Goetschy

ESPCI (Ecole Supérieur de Physique et de Chimie
Industrielles), France
July 06 – December 06

Camille Janer

ESPCI (Ecole Supérieur de Physique et de Chimie
Industrielles), France
July 06 – December 06

Samir Etaki

Delft University of Technology, The Netherlands
September 06 – December 06

Michailas Romanovas

Vilnius Gediminas Technical University, Lithuania
January 07 – August 07

Joana Durao

Porto's University, Portugal
January 07 – August 07

Ari Siitonen

University of Kuopio, Finland
January 07 – August 07

Daan Sprunken

University of Twente, The Netherlands
January 07 – August 07

Sylvain Sergent

INSA (Institut National des Sciences Appliquées deRennes), France
January 07 – August 07

Florian Domengie

INSA (Institut National des Sciences Appliquées deToulouse), France
February 07 – September 07

Guillaume Vincent

INSA (Institut National des Sciences Appliquées deToulouse), France
February 07 – September 07－12－

国内実習生 （2006 年度）
氏名所属（期間）

五十嵐 悠一東京大学大学院 (H18.4～H19.3)

伊藤 大介

東北大学大学院 (H18.6～H19.3)

伊庭野 建造慶応義塾大学 (H18.4～H19.2)

宇都宮 聖子

東京大学大学院 (H18.4～H19.3)

浦山 太一

慶応義塾大学大学院 (H18.11～H19.3)

江口 明大

九州大学大学院 (H18.9～H18.11)

枝元 真人

東京大学 (H18.6～H19.3)

遠藤 晋旦

東京理科大学大学院 (H18.4～H18.9)

大岩 顕

東京大学大学院 講師 (H18.4～H19.3)

大野 賢一

東京大学 (H18.7～Ｈ18.8)

大野 暁

慶応義塾大学大学院 (H18.4～H19.3)

小田 穣

東京大学大学院 (H18.4～H19.3)

小野 絢哉

筑波大学大学院 (H18.4～H19.3)

影井 誠一郎

東京理科大学 (H18.5～H19.3)

梶浦 亮

東京工業大学大学院 (H18.4～H19.3)

加藤 慶一

東京大学大学院 (H18.6～H19.3)

金子 嵩之

明治大学大学院 (H18.4～H19.3)

鎌田 雄仁

東北大学 (H18.5～H19.3)

姜 承求

筑波大学大学院 (H18.4～H19.3)－13－

北村 陽介東京大学大学院 (H18.4～H19.3)

楠戸 健一郎東京大学大学院 (H18.8～H19.3)

Christo Buizert

東京大学大学院 研究生 (H18.4～H19.3)

郡司 まり香

慶応義塾大学大学院 (H18.4～H18.8)

小泉 良太

東京理科大学 (H18.11～H19.3)

項 大雨

東京大学 (H18.6～H19.3)

小寺 哲夫

東京大学大学院 (H18.4～H19.3)

小林 嵩

東北大学大学院 (H18.6～H19.3)

佐々木 洋輔東京工業大学大学院 (H18.4～H19.3)

Jonathan Baugh東京大学大学院 客員研究員 (H18.10～H19.3)

新海 剛

東京工業大学大学院 (H18.4～H19.3)

相馬 章宏

東京大学大学院 (H18.4～H19.3)

曽我部 敦士湘南工科大学大学院 (H18.4～H19.3)

高橋 秀暢

豊橋技術科学大学 (H19.1～H19.2)

髙道 洋行

東北大学 (H18.5～H19.3)

竹本 直弘

豊橋技術科学大学 (H19.1～H19.2)

田澤 雅也

東京理科大学大学院 (H18.4～H19.3)

田中 良祐

東京大学 (H18.6～H19.3)

田丸 耕二郎東京大学 (H18.6～H19.3)

近森 峻

東京工業大学 (H18.4～H19.3)

鶴田 尚英

東京理科大学大学院 (H18.4～H19.3)

十時 詠吾

東京大学大学院 (H18.4～H19.3)－14－

中野 弘雅東京理科大学大学院 (H18.4～H19.3)

中村 知弘

湘南工科大学大学院 (H18.4～H19.3)

新井田 佳孝東北大学 (H18.5～H19.3)

野口 由比多大阪大学大学院 (H18.8～H18.9)

野中 啓一郎東京大学大学院 (H18.6～H19.3)

橋本 惇一

横浜国立大学大学院 (H18.4～H19.3)

橋本 卓郎

芝浦工業大学大学院 (H18.10～H19.3)

早川 純一朗東北大学 (H18.5～H19.3)

日達 研一

東京大学大学院 (H18.4～H19.3)

増山 博孝

東京理科大学 (H18.10～H19.3)

山口 貴雄

東海大学 (H18.4～H19.3)

宮本 瑞琴

湘南工科大学 (H18.4～H19.3)

森田 邦夫

東京理科大学 (H18.5～H18.9)

森竹 典子

長岡技術科学大学 (H18.10～H19.2)

藪内 真

慶応義塾大学大学院 (H18.4～H19.3)

山本 倫久

東京大学大学院 助手 (H18.4～H19.3)

渡邊 敬仁

東京工業大学大学院 (H18.8～H18.9)－15－

Ⅰ．研究紹介NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

各研究部の研究概要
機能物質科学研究部
鳥光慶一
機能物質科学研究部では、原子・分子レベルでの物質制御・配列制御に基づく新物質の創製・新機能デバイスの構築および生体機能を利用した革新的デバイスの提案を中心に、情報通信技術において大きな変革をもたらす物質科学分野における学術的貢献を目指して研究を進めています。
この目標に向かって、薄膜材料、ナノチューブ、ナノバイオを中心とする、薄膜材料研究グループ、低次元構造研究グループ、分子生体機能研究グループの 3 つの研究グループ
が、広範囲な物質材料を対象とした研究を進めています。その範囲は、超伝導を含む高性
能薄膜材料からナノチューブを中心とするナノ構造体、さらには受容体タンパク質などの生体分子に至り、独自の物質創製技術や制御技術、精密測定技術を基に最先端の研究を連携して行っています。これにより、情報流通社会における技術革新をもたらす機能物質の研究が可能となっています。
ナノバイオ分野は、物性基礎研ならびに本研究部における重点研究分野であり、英国拠点であるオックスフォード大学との共同研究を中心として、中国や他の研究組織と研究員の派遣交流をはじめとする密接な研究交流を進めています。
量子電子物性研究部
山口浩司
量子電子物性研究部（物性部）は 21 世紀の情報通信技術に大きな変革をもたらす半導体や超伝導体を用いた固体デバイスの研究を推進しています。特に将来の量子情報処理に向けた量子力学的な原理に基づくデバイス研究の着実な推進と関連する研究の促進に力を入れています。私たちは開かれた研究所を標榜し、多くの研究機関と協力して基礎研究に取り組んでいます。
物性部の５つのグループで進めている研究は、半導体や超伝導体のコヒーレント制御、半導体へテロ（ナノ）構造におけるキャリア相関、電子スピンや核スピンの操作を目指したス
ピントロニクス、単一電子の正確でダイナミックな制御、低消費電力を実現するナノデバイス、
原子トラップ/光学、化合物半導体を用いた新しいナノメカニクスなどです。これらの研究は最先端のナノリソグラフィ、精密なナノ構造作製プロセス、高品質結晶成長、第一原理計算
をはじめとした理論研究により支えられています。
量子光物性研究部
都倉康弘
量子光物性研究部（量光部）は光通信技術や光情報処理技術に大きなブレークスルーをもたらす革新的基盤技術の提案、ならびに、量子光学・光物性分野における学術的貢献を目指して研究を進めています。
量光部の３つのグループでは、光の量子状態制御および光などによる物質の量子状態
制御、極短パルス光による高速現象の解明や量子ドットなどナノ構造における半導体光物
性、二次元フォトニック結晶による超小型集積光回路などの研究が行われています。
この１年で、量子暗号の高性能化と量子もつれ光子対の生成、一万を超えるＱ値の化合
物フォトニックナノ共振器構造、および超高Ｑ値フォトニック結晶共振器での光子寿命およびパルス遅延測定などで進展がみられました。

－17－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

最短波長 210nm 窒化アルミニウム（AlN）発光ダイオード
谷保芳孝 嘉数 誠
機能物質科学研究部
窒化アルミニウム（AlN）は、直接遷移型半導体中で最大のバンドギャップ 6eV を有することから、波長 210nm で発光する最短波長発光半導体として期待される。今回、我々は、世界に先駆け、AlN の p 型および n 型ドーピングを実現し、AlN 発光ダイオード（LED）の動作に成功した[1]。
AlN は、有機金属気相成長法により SiC（0001）基板上にエピタキシャル成長した。我々は、高純度の AlN を成長するために気相中における Al と N 原料の副次的反応を抑制し、高純度化した AlN に Mg をドーピングすることで p 型伝導性[1]を、Si をドーピングすることでｎ型伝導性[2]を得ることに成功した。図 1 に作製した AlN 発光ダイオードの構造を示す。p 型
AlN 層と n 型 AlN 層の間にアンドープ AlN 発光層を挿入しているのは、p 型 AlN 層へドーピングした Mg や n 型 AlN 層へドーピングした Si が関与する深い準位の発光を抑制するためである。p 型および n 型 AlN/AlGaN 超格子は、p 型および n 型 AlN 層と電極との接触抵抗を低減するためのものである。
AlN 発光ダイオードに順方向電圧を印加したところ、図 2 に示すように、波長 210nm の遠紫外発光を観測した。これは、これまで報告されている半導体発光素子の中で最短波長の電流注入発光である。我々が CL と反射測定により同定した AlN のエキシトン遷移エネルギ
ーとの比較から、図 2 で観測された遠紫外発光は AlN のバンド端遷移に由来することを確認している。
短波長の光ほど高エネルギーであることから、AlN 発光ダイオードは、現在、深刻に社会問題化しているポリ塩化ビフェニール（PCB）やダイオキシンなどの高安定な有害物質を分解する環境保全装置の光源への応用が期待される。今後は、AlN 発光ダイオードの実用化に向けて、AlN 結晶のさらなる高品質化とドーピングの高効率化を進め、AlN 発光ダイオードの発光効率の向上に努めていく。
[1] Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature 441 (2006) 325.
[2] Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 182112.

Pad electrode

Emission Intensity (a.u.)

Semi-transparent
p-type electrodep-type AlN/AlGaN SLs

p-type AlN
n-typeelectrode

Undoped AlN
n-type AlN
n-type AlN/AlGaN SLs
AlN buffer

210 nm

RT
DC 40mA

200 210 220 230 240 250
Wavelength (nm)

SiC (0001) substrate

図１ AlN 発光ダイオードの構造

図２ AlN 発光ダイオードの発光スペクトラム－18－NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

最大発振周波数 120GHz のダイヤモンドＦＥＴ
植田研二 嘉数 誠
機能物質科学研究部
ダイヤモンドは高移動度（電子：4500、正孔：3800 cm2/Vs）、高絶縁破壊電界強度（>10MV/cm）、物質中最大の熱伝導度（22W/cmK）等の優れた物性を持つことから高周波
大出力デバイスとして期待されている。我々は現在までに、高品質ホモエピタキシャルダイ
ヤモンド単結晶薄膜を用いて FET を作製し、動作周波数 1GHz で出力電力密度 2.1W/mmを得ている[1]。この値は携帯電話等の基地局に用いられる大電力出力素子として十分な値である。しかし、ホモエピタキシャルダイヤモンドのサイズは市販の高温高圧合成基板のサイズで制約されるため、4mm 角以下であり、半導体プロセスで要求される 4 インチに比べて極めて小さい。そこで、我々は、４インチまで大面積化可能な多結晶ダイヤモンドでもグレイン
サイズがデバイスサイズと同程度なら十分に応用できると考え、グレインサイズが十分に大きな高品質多結晶ダイヤモンド上に FET を作製し、高周波測定を行った。
使用した多結晶ダイヤモンドは CVD 法により成長した自立膜である（寸法：10×10×
0.5mm）。多結晶ダイヤモンド表面を水素終端化し、表面近傍に擬二次元正孔チャンネルを形成した後、Au を蒸着し、ソースおよびドレイン電極を形成した。電子ビーム露光と自己整合技術により Al ゲート電極（LG=0.1μm）を水素終端表面に形成し、FET を作製した（図１）。
多結晶ダイヤモンド FET の最大 DC ドレイン電流値（IDS）はゲート電圧（VGS）が -3.5 V の時に 550 mA/mm となった。この値は、ホモエピタキシャルダイヤモンド単結晶 FET の最高値に匹敵する。また、相互コンダクタンス(gm)は広い VGS の範囲で～140mS/mm の値が得られた。図２に高周波特性を示す。電流利得（|h21|2）、電力利得(U)の周波数特性の測定結果
から-6dB/oct の傾きで外挿して求めた遷移周波数（fT ）および最大発振周波数（fmax ）は120GHz となり、別のバイアス条件で、fT=45GHz が得られた。これらの値はダイヤモンド FET
で最高値である[2]。
[1] M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, et al., Electron. Lett. 41 (2005) 1249.
[2] K. Ueda, M. Kasu, Y. Yamauchi, et al., IEEE Electron Device Lett. 27 (2006) 570.

図２ ＦＥＴの高周波特性

図１ 多結晶ダイヤモンドＦＥＴの断面構造－19－

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高耐圧、低オン抵抗の n 型 GaN 基板上 InGaN/GaN 縦型ダイオード
西川 敦 熊倉一英 牧本俊樹
機能物質科学研究部
窒化物半導体は大きなバンドギャップ、高い絶縁破壊電界を有することから、高温・高耐圧で動作する電子デバイスの材料として有望である。特に導電性基板を用いた縦型デバイ
ス構造を作製することにより、さらなる低損失・大電流動作が可能となり、従来の半導体では実現できない低損失で動作するパワーデバイスの実現が期待される。
これまで、窒化物半導体を用いた縦型 pn ダイオードでは p 型 GaN 層が高抵抗であったり、
ヘテロ基板上に窒化物半導体層を積層するためのバッファ層を挿入する必要があり、低抵抗デバイスの作製が困難であった。これに対して、我々は InGaN 層を p 型層として用いることで p 型層の低抵抗化を実現した。また、近年、結晶性の改善が著しい GaN 基板を用いることで、バッファ層が不要なｐ-InGaN/n-GaN 縦型ダイオードを作製し、高耐圧、低オン抵抗を実現することに成功した[1]。
試料は有機金属気相成長法により n 型 GaN 基板上に p-InGaN（膜厚 140 nm）/ｎ-GaN（膜厚 1.8 µm、3.6 µm）ダイオード構造を作製した。比較のために n 型 SiC 基板上にも同様のダイオード構造を作製した。図１に作製した pn ダイオードの逆方向電流－電圧特性を示す。GaN 基板上に GaN 層を作製することにより結晶性の改善が見られ、リーク電流が SiC 基
板上に作製したダイオードと比較して 1/10 に低減できた。耐圧は主に n-GaN 層の膜厚によって決定されるが、SiC 基板上デバイスでは GaN 層を厚膜化すると結晶表面に亀裂（クラック）が生じ、デバイス性能が劣化する問題があった。一方、GaN 基板上デバイスでは良好な結晶性を維持したまま 3.6 µm の GaN が成長可能となり、571 V という高い降伏電圧(VB)を得ることができた。高抵抗の要因となっていたバッファ層が GaN 基板上デバイスでは不要であることから、図 2 に示すようにオン抵抗(Ron)は 1.23 mΩcm２と低減できた。このように高耐圧、低オン抵抗を実現したことにより、デバイスの高出力性能を表す指数(VB2/Ron)は 265
MW/cm2 と窒化物半導体縦型デバイスとして最高値を実現した。
[1] A. Nishikawa, K. Kumakura, and T. Makimoto, Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 153509.
1000

3.6 µmon GaN0-2103.6 µmon GaN

1.8 µmon GaN

1.8 µmon SiC

電流密度 (A/cm2)

電流密度 (A/cm2)

10

-4

10

571 V @ 10 mA/cm2
-6

10

-800

1.8 µmon GaN600

1.8 µmon SiC

400
200
0

-8

10

800

-400

0

逆方向電圧 (V)

0

2

4

6

8

順方向電圧 (V)

図 1 逆方向電流-電圧特性

図 2 順方向電流-電圧特性

－20－

10

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六方晶 BN ヘテロエピタキシャル層からの紫外発光小林康之 赤坂哲也 牧本俊樹
機能物質科学研究部
六方晶 BN(h-BN)は、励起子を利用した量子情報処理および深紫外領域の光デバイス応用に向けて有望な材料である。その光学特性の解明、pn 接合や量子井戸構造からなる
光デバイス作製のためには、適切な基板上に高品質 h-BN 層を成長することが、不可欠である。過去数十年間、様々な方法で BN 薄膜が成長されている。しかしながら、これらの BN
薄膜から室温において紫外発光の報告はなかった。
近年、我々はトリエチルボロンとアンモニア(NH3)を用いた流量変調エピタキシ法(FME)
により、Ni(111)基板上に単結晶 h-BN ヘテロエピタキシャル層の成長に成功した[1]。ここでは、その h-BN ヘテロエピタキシャル層からの室温でのカソードルミネッセンス(CL)による波長 227nm のバンド端近傍(NBG)発光の観測について報告する[2]。
図 1 に NH3 流量 700sccm、NH3 供給時間 1, 2, 3 秒で FME 成長した h-BN の CL スペク
トルを示す。5.47eV(227nm)にピークを有する NBG 紫外発光と 3.85eV(322nm)にピークを有するブロードな深い準位からの発光が、NH3 供給時間 3 秒で成長した h-BN 層から明瞭に観測される。室温でのこのような支配的な NBG 発光の観測は、我々の知る限り初めてである。
NBG 発光ピーク強度は、NH3 供給時間の増加とともに単調に増加することから、より長い
NH3 供給時間での h-BN 成長が、より強い NBG 発光を得るために望ましいことが分かる。
図 2 に、c 軸格子定数と(0002)h-BN X 線ロッキングカーブ(XRC)の半値幅(FWHM)のNH3 供給時間依存性を示す。3 サンプルの全ての c 軸格子定数は、バルク h-BN の値に一致する。NH3 供給時間を 1 秒から 3 秒に増加させると、XRC の FWHM は、1.5 から 0.7°に減少する。0.7°の FWHM は、今までに報告された中で最も狭い値である。長い NH3 供給時
間での低成長速度とより大流量 NH3 供給が h-BN 層中の格子欠陥を減少させ、その結果としてより強い NBG 紫外発光に結びついたことを示している。
今回の結果は、h-BN 光デバイス実現の究極の目標に向けた第一歩である。

c-axis lattice constant (A)Intensity (arb. units)RT
NH3=3s
3s
2s
1s
3

7

1.6

6.9

1.4

6.8

1.2

6.7
6.6
6.5

3.5

4 4.5 5 5.5 6 6.5
Energy(eV)Photonenergy(eV)
図１ FME 成長 h-BN 層の室温 CL スペクトル

1

bulk
h-BN

0

1

2
3
4
NH3 supply time (s)0.85XRC FWHM (degree)[1] Y. Kobayashi, et al., J. Cryst. Growth 298 (2007) 325.
[2] Y. Kobayashi, et al., Phys. Stat. Sol. (b) 244 (2007) 1789.

0.6

図２ 格子定数と XRC FWHM の NH3 供給時間
依存性

－21－

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金・銀・銅ナノ微粒子触媒からの単層ナノチューブ成長
高木大輔 1 日比野浩樹 2
1
東京理科大学 2 機能物質科学研究部
金・銀・銅など従来カーボンナノチューブ（CNT)を生成しないと考えられていた様々な金属を触媒として、良質な単層の CNT を効率よく合成することに世界で初めて成功した[1]。
CNT は、軽量、高強度、電熱伝導性の良さといった特長から、次世代の産業基盤を担う素材として期待され、盛んに研究されている。しかし生成メカニズムには未だ不明な点が多く、合成方法も研究途上にあるが、単層 CNT の合成には鉄族をはじめとする、炭素の溶解度が高く親和性のよい金属を触媒とすることが不可欠と考えられていた。本研究成果は、これまでの常識を覆し、図１の金・銀・銅のように、バルク状態ではほとんど炭素を溶解しない金属からも CNT が生成できることを示したもので、生成メカニズムの根幹に関わる発見であるとともに、新たな触媒種による制御性の高い CNT 合成方法の確立につながると期待される。
現在、実用化に向けた CNT 合成方法としては、エタノール等の炭素化合物の気体を高温でナノサイズの金属触媒に反応させて生成させる方法が主に用いられている。この方法
で CNT を生成できる金属触媒は、これまで主に鉄属金属（鉄、コバルト、ニッケル）に限られていた。特に、炭素との親和性の低い金、銀、銅は単層 CNT を生成できない金属の代表とされ、生成機構もそのことを基準に考えられていた。今回の研究において、金、銀、銅のいずれであっても、①微粒子サイズを 1～3 nm と極めて小さくすること、②微粒子に清浄化処理を施して表面をクリーンな状態にすること(図２）、③高温でエタノールなどの炭素源ガスを供給すること、の 3 つの条件を満たすことにより、高い効率で単層 CNT を生成できることを見出した。得られた単層 CNT の品質や生成効率は従来の鉄属触媒に匹敵するか、条件によってはそれ以上となる。さらに、上記の条件を満たせば、金、銀、銅に限らず、様々な金属から単層 CNT が生成可能であることも判明している。これは、単層 CNT 生成の触媒としては鉄属元素の有する性質が必須ではないことを意味している。従来の生成機構は、鉄族金属の特性である炭素の取り込み・溶解と析出現象に基づいていたが、今回の成果は、そのような特性を必要としないモデル構築の必要性を示している。さらに、触媒種の多様化が実現されたことで、今後、寿命の長い触媒種の探索やチューブ構造を自在に制御できる合成方法の確立が期待される。また、非磁性触媒からの成長が可能となったことなどから、超伝導デバイスへの適用等、CNT の各種産業分野での用途拡大も見込ま清浄化無れる。
[1] D. Takagi, et al., Nano Lett. 6 (2006) 2642.

清浄化有金触媒から合成

銀触媒から合成

銅触媒から合成

図１ 金・銀・銅微粒子触媒から合成した単層 CNT の透過電子
顕微鏡像

－22－

図２ 金触媒での清浄化処理
効果NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

単層カーボンナノチューブ成長における金属微粒子触媒の化学状態解析
前田文彦
機能物質科学研究部
炭素原子が蜂の巣状に整列したシートを丸めたナノメートルサイズのチューブである単層
カーボンナノチューブ（CNT）は、シリコンテクノロジーの微細加工限界を超えるナノデバイスに求められる優れた物性を有する物質である。しかし、金属特性を示す CNT や直径に対応したバンドギャップの半導体特性を示す CNT が混在するため、これらを作り分けることが集積化に向けた大きな課題となっている。そこで、成長を制御して作り分けを実現する目的で成長機構の解明を進めている。ここで、CNT の成長では触媒となる金属微粒子が重要な役割を果たすため、その化学状態は成長機構を議論する上で重要な情報である。そこで、常圧に近い雰囲気が必要な気相成長による CNT 成長を超高真空が必要である光電子分光
装置内で実現して、CNT 成長後の触媒金属微粒子の化学状態を明らかにした。[1,2]
図 1 に基板への蒸着後から加熱途中を経てエタノールを用いた単層 CNT の成長後に至るまでの触媒金属として用いた Co の内殻光電子スペクトルを示した。大気に曝すことにより酸化した蒸着膜を用いる通常の成長プロセスの場合（ex situ deposition）には、加熱過程で
Co3O4 から CoO に変化した後、CNT 成長後には完全に還元されて金属状態になることが分かる[1]。また、蒸着膜形成から成長まで大気に曝さず真空一貫で CNT を成長した場合（insitu deposition）には、終始金属状態を維持していることが分かった[2]。即ち CNT 成長で最終的に安定な状態は金属の状態であり、触媒金属の炭化を必要とする成長モデルは不適
当であることを示唆している。また、通常プロセスよりも真空一貫プロセスで成長した方が高い CNT の収率が得られた。このとき、炭素の内殻光電子の解析から、図 2 に示すように真空一貫プロセスの場合に多くの炭素が分解・堆積していることが分かった。この結果は、均一な金属 Co 微粒子の高い原料ガス分解能力が収率を高めていることを示すとともに、金属微粒子に取り込まれない炭素が大量に表面に存在していたことを示している。以上のように光電子分光以外の手段ではモニターが困難な CNT 成長時における触媒の化学状態に関する情報を得ることが可能となった。今後さらに解析を進めて成長機構を解明することにより成長制御法の確立を目指す。
[1] F. Maeda, et al., Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L148.
[2] F. Maeda, et al., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 96 (2007) 30963-Q05-04.

図１ 成長前後の Co2p 光電子スペクトル

図２ 成長後の表面状態の模式図－23－

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表面原子ステップに配置した触媒ナノ粒子を用いたナノワイヤの位置制御
日比野浩樹 1 舘野功太 2
1
機能物質科学研究部 2 量子光物性研究部
半導体ナノワイヤは、次世代のナノスケール電子・光デバイスの構成要素として注目を集めている。ナノワイヤのデバイス応用を考えたとき、それらをサイズ、構造、位置を制御して作製することが不可欠である。これは、VLS(vapor-liquid-solid)機構に基づくナノワイヤ形成
では、金属ナノ粒子触媒の制御と密接に関係している。我々は既に、触媒の中でも最も一
般的な Au に関して、Si(111)表面原子ステップをテンプレートとすることにより、AuSi 合金島のサイズや位置を制御できることを示している［1］。今回、ステップに配列した AuSi 合金島を触媒として、直立 GaP ナノワイヤの一次元配列を実現したので報告する［2］。
AuSi 合金島をステップに配列するために、超高真空中で、Si(111)表面に高温(∼700°C)と低温(∼400°C)の二段階で Au を蒸着した。その際、低エネルギー電子顕微鏡で島形成をリ
アルタイム観察することにより、島のサイズや密度を制御した。その後、試料を大気中に取り出し、何の前処理なく、有機金属気相エピタキシ反応管へと導入した。我々は、Si(111)表面に直立 GaP ナノワイヤを成長する条件を探索し、(1)トリメチルガリウムと PH3 の共供給、(2)異なる温度での二段階成長、(3)低 PH3 流量の三条件が不可欠であることを明らかにした。
図 1 は、数µm にわたって直線的に自己配列した直立ナノワイヤの走査電子顕微鏡(SEM)像である。ナノワイヤの一次元配列は、原子ステップに配列した AuSi 合金島がナノワイヤ成長触媒として機能したことを示している。また、SEM 像から、ナノワイヤがほぼ一定の長さと径を持つことが分かる。図 2 は、ナノワイヤの透過原子顕微鏡(TEM)像とエネルギー分散形 X
線分光(EDS)像である。ワイヤの底部では、Si と GaP の格子がなめらかに接合され、界面を貫通する欠陥は見られない。このことは、Si エレクトロニクスと III-V 半導体フォトニクスの融合を考えた際、重要な特質である。
ナノワイヤのサイズ・位置制御に向けた我々のアプローチは、トップダウン型の微細加工技術を一切含まない、純粋にボトムアップ型の自己形成手法である。自己形成は、低コスト、大面積、高品質等の潜在的メリットを有しているが、サイズや位置の制御性等に、未だ解決すべき課題が多い。本アプローチが、自己形成に基づくナノデバイス集積法の確立に大いに貢献することが期待される。
[1] H. Hibino and Y. Watanabe, Surf. Sci. 588 (2005) L233.
[2] K. Tateno, H. Hibino, H. Gotoh, and H. Nakano, Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 033114.

図１ GaP ナノワイヤの SEM 像。表面垂直から 38°
傾いた方向から撮影。挿入図は真上から見た
SEM 像

－24－

図２ (a) GaP ナノワイヤの TEM 像。(b) ワイヤ/
基板界面領域の Si-K 線、Ga-L 線、P-K 線による EDS 像

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自発展開する脂質二分子膜を分子の輸送担体に用いたマイクロ流路素子
古川一暁
機能物質科学研究部
脂質二分子膜の自発展開は、固液界面に生じるぬれ現象で、親水表面にスポット状に付着させた脂質分子のかたまりのすそ野から、自己組織化によって脂質二分子膜が一層のみ形成し、広がっていく過程である。我々は、あらかじめパターンを作製した表面上での自発展開挙動を調べ、親水表面である SiO2 上のみに脂質二分子膜が自発展開することを見出した。この現象を利用した新規マイクロ流路素子を提案し、動作実証してきた[1]。
素子の構造と動作原理を図 1 に示す。素子は幅 10µm 長さ 400µm のマイクロ流路部の両側に井戸を有する、フォトリソグラフィによって作製されたパターンを備える（図１A）。脂質二分子膜は、パターン中の親水表面のみに自発展開する。ふたつの脂質二分子膜が流路部の中央付近で衝突すると、それらは融合してひとつの脂質二分子膜を形成する。その後は、
側方拡散が支配的となり、これによって分子が混合される（図１B）。本素子では、自発展開
する脂質二分子膜が、埋め込まれた分子を基板上の目的の場所に輸送し、混合する、輸送担体の役割を果たす。これは、例えばガスクロマトグラフィーにおけるキャリアガスと同様の役割である。
提案の素子が分子間相互作用の検出に有用であることを、色素分子間の蛍光共鳴エネ
ルギー移動反応（FRET）を用いて実証した。図 2 に示すように、ドナー分子（CC2）とアクセプタ分子（FITC）を含む脂質二分子膜を衝突させる。衝突後は、CC2 および FITC が衝突地点を中心に拡散し、左右対称に分布する。両者の発光の時間変化を測定すると、ふたつの分子が共存する領域において、ドナー蛍光の大きな消光が確認される。これはドナーの励
起状態の緩和過程として、発光と FRET とが競合するためである。大きなドナー蛍光消光は、FRET 効率が高いことを示している。本素子によって、様々な色素間の FRET 効率や、そのド
ナー－アクセプタ間距離依存性の定量的な解析が可能になる。
今後、さらに輸送対象に酵素やタンパク質を加え、生体分子の相互作用解析へ本手法を応用していく。
[1] K. Furukawa, et al., Lab Chip 6 (2006) 1001.
Photoresist
10µm

FITC →← CC2

Photomultiplier Output(arbitrary unit)

Photoresist
CC2 fluorescence

FITC
fluorescence

－25－

1

2 3

30

40

50

10

min

0
0

図１ デバイスの構造と動作。
分子を輸送する脂質には、卵黄由来の L-α-PC を用いて
いる

time
0

10

20

Position/µm

60

70

80

図２ FRET の時間発展観察。
L-α-PC 中に CC2、FITC 結合脂質分子をそれぞれ 5％添加した

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ベシクルナノ配列の自己形成
Chandra S. Ramanujan1 住友弘二 2 Maurits R. R. de Planque1 日比野浩樹 2
鳥光慶一 2 John F. Ryan1
1
オックスフォード大学 2 機能物質科学研究部
タンパク質の高密度配列を自己形成するための「ボトムアップ」技術を考案した。シリコン
基板上に自己形成する金ナノドット配列をテンプレートに用いることにより、ベシクルの配列を制御することに成功した。従来のリソグラフィ等の「トップダウン」技術を用いることなく、安価で高密度なナノ配列の実現を可能にし、プロテオミクスや創薬に向けた応用が期待される。
まず、半導体表面におけるナノ構造形成制御技術を用いてテンプレートとなる金ナノドット
配列を形成する。シリコン基板上では、10～20 nm の三次元 Au-Si 島は、表面上の原子ステップに沿って形成される[1]。リソグラフィを用いることなく、三次元島の位置やサイズの良く制御されたナノ配列の形成が可能である。一方、ベシクルを形成する脂質分子の一部をチオール化することにより、金原子への優先的な吸着を制御することも可能となる。図 1 に金表面に吸着したベシクルの AFM 像を示す。チオール基は表面の金原子と結合し、ベシクルを表面に固定する。このようにチオールでタグ付けしたベシクルを、金ナノドットを配列した表面に導入すると、そこに優先的に吸着する[2]。図 1 と同様のベシクルが、配列をなしている様子が観察されている(図 2）。ナノ配列の形成と、その後のベシクルの吸着の両方が、完全に「ボトムアップ」技術によって制御されることを示した。100 nm からミクロンスケールでの、ベシクルの自己配列が可能となった。
脂質ベシクルは、それ単体だけではなくタンパク質をはじめとする生体分子のキャリアとして、デバイス応用に向けての展開が期待されている。現状の DNA マイクロアレイ技術では、
300 µl に 105～106 のプローブによるスクリーニングが行われている。今回の技術により構成されるナノ配列では、10 µl の液滴が 109 のナノドットをカバーすることに相当し、飛躍的な感度の向上が期待される。タンパクチップ構成に向けたキー技術の一つである、ベシクルにタンパク質を取り込み再構成する技術の確立も、現在進めている。
[1] H. Hibino and Y. Watanabe, Surf. Sci. 588 (2005) L233.
[2] C. S. Ramanujan, et al., Appl. Phy. Lett. 90 (2007) 033901.

図１ 金表面に吸着したベシクルの AFM 像(液中タッピングモードで測定)とそのライン
プロファイル

図２ 金ナノドット配列への優先的吸着により構成されたベシクルのナノ配列－26－

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神経回路とのインターフェイス実現に向けた導電性高分子電極の開発
Tobias Nyberg 島田明佳 河西奈保子 鳥光慶一
機能物質科学研究部
大脳皮質由来の神経回路網とのインターフェイスとして用いるための導電性高分子電極（以下高分子電極という）を開発し、神経回路網に対する電気刺激とその応答に関する特性を調べた。
高分子電極は、Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) poly (styrenesulfonate) (PEDOT-PSS)と Ethylenedioxythiophene (EDOT)の混合物を、インジウムスズ酸化物（ITO）製の平面型電極(以下 ITO 電極という)上で電気化学的に重合させて作られる。表面積が非常に大きい導電性高分子を用いることにより、従来の平面型電極の特性を向上させることができた[1]。
神経回路網に対する情報伝達は、電気刺激を印加することにより行われる。そこでまず電気刺激を印加したときの高分子電極の電気的特性を調べた。図 1 に高分子電極および ITO
電極のボード線図を示す。低中周波領域における高分子電極のインピーダンス（○）は、ITO 電極のインピーダンス（□）と比較して顕著に小さくなった。中周波領域における高分子
電極の位相差（実線）も、ITO 電極の位相差（破線）と比較して小さくなった。また電気刺激として電圧パルスを印加したところ、出力電流の最大値は電圧パルスの大きさに比例することが分かった。
次にウィスター系ラット胎児（胎生 18 日）の大脳皮質神経細胞を電極上で分散培養し、神経回路網を形成した。培養開始後 5 日目から ITO 電極および高分子電極で自発的発火活動が観察され、神経回路網が成熟するにつれ発火頻度は上昇した。高分子電極を用いた
低電圧刺激の効果を、ITO 電極と比較することにより評価した。すると図 2 に示すように、ITO 電極を用いて神経回路網を刺激するよりも低い電圧で、神経回路網の電気的活動を励起できることが分かった。高分子電極はこのような低電圧刺激を一ヶ月にわたって神経組織に印加することが可能で、しかも数ヶ月以上培養を行うことができた。これらの結果は、この導電性高分子電極が神経回路網とインターフェイスを実現するために必要な生体との高い親和性を有していることを示している。
[1] T. Nyberg, et al., J. Neurosci, Methods. 160 (2007) 16.

図１ 高分子電極とＩＴＯ電極のボート線図

図２ 刺激電圧と励起された活動電位の数の関係－27－

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金ナノロッドの自己集合によるイオンセンシング
中島 寛 古川一暁
機能物質科学研究部
棒状の金ナノ微粒子である金ナノロッドは、局所表面プラズモン共鳴による高い吸収特性を示し、その特性は金ナノロッドのアスペクト比（ロッド長／ロッド径）や溶液中での分散・凝集状態に大きく依存する。また金ナノロッドは、生体系に対して毒性が低いため、光学特性を活かしたバイオアッセイ用ナノ材料として期待されている。
今回、長さ 40 nm、直径 10 nm の金ナノロッド表面に、陽イオンを捕捉識別するクラウンエーテル分子を化学結合させた新規ナノ複合材料を合成した。この材料は、生体内での重要な情報伝達物質であるナトリウムやカリウムなどの陽イオンを、選択的かつ高感度に検出す
るナノイオンセンサを実現可能とする。これまで、ナノロッド表面に機能性分子を修飾した複合材料はあまり知られていない。我々は、金と化学吸着性の高いチオール基を持つクラウン
エーテル分子を合成し、金ナノロッド表面に固定化することで、溶液中に均一に分散したナ
ノ複合材料を得た[1]。
図 1 に、金ナノロッド－クラウンエーテル複合体の溶液中に、ナトリウムまたはカリウムイオンを添加したときの金ナノロッドの吸収スペクトル変化を示す。15-クラウンエーテル-5 分子を表面修飾剤に用いた場合、ナトリウムイオンはクラウンエーテル１分子で捕捉されるが、よりイオン半径の大きなカリウムイオンは 2 つの分子間で挟持される（図 2）。後者では、金ナノロッドの凝集が生じ、表面プラズモン吸収特性に顕著な変化が現れる。この仕組みを利用し、陽イオンの選択的なセンシングが可能であることを示した。異なる空孔サイズのクラウンエー
テルを修飾剤に用いれば、様々なイオン半径を有する陽イオンを選択的かつ定量的に検出可能である。
金ナノロッドは、ロッドの長さを調節することで、吸収波長を紫外～近赤外領域まで幅広く制御可能なため、ターゲット分子に応じて、望みの検出波長を自在に選択できる。今後は、
金ナノロッドの表面にタンパク質や酵素などの機能性生体分子を修飾し、生体分子にとって透明で、かつ非破壊に分析できる表面プラズモン吸収帯を利用し、単一生体分子の高感度検出や生体マーカーとしての機能を追求していく。
[1] H. Nakashima, et al., Chem. Commun. (2007) 1080.
O
O

(a)

吸光度

1µL
3µL
5µL
7µL
10µL
15µL
20µL
25µL
30µL

1:1型でイオン捕捉

(b)

1µL
3µL
5µL
7µL
10µL
15µL
20µL
25µL
30µL

=

分散
Na+

Na+

凝集

Na+

K+

Na+

Na

+

Na+

K+

Na+

K+

Na+

K+

K+
K+
K+

K+

Na+

Na+

K+

Na+

Na+

Na+

K+
K+

K+

長軸方向
の吸収帯

短軸方向
の吸収帯

K+

Na+
400

2:1型のサンドイッチ
錯体形成により捕捉

O
O

SH

Na+

300

O
O

500

600

波長 [nm]

700

800

900

300

400

500

600

700

800

900

波長 [nm]

図１ (a) ナトリウムイオン、(b) カリウムイオン添加による金ナノロッドの吸収特性変化－28－

100 nm

図２ イオン識別の仕組みと金ナノロッド凝集構造

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ナノ空間における生体分子のテラヘルツ分光
味戸克裕 1 上野祐子 1,2 Rakchanok Rungsawang1 富田 勲 1,31
機能物質科学研究部
2
NTT マイクロシステムインテグレーション研究所 3 NTT フォトニクス研究所
テラヘルツ(THz)波は 0.3〜10THz 程度の周波数帯域を示し、プラスチック、紙、ゴム、木材、セラミックなど物質への透過性があり、分光法として分子間や分子内に働く弱い水素結合やVan der Waals 力などが関係する分子固有の振動情報が得られることで注目されている。室温に相当する 6THz（約 200cm-1）以下の遠赤外吸収分光を測定するのは、最近まで容易ではなかったが、THz 電磁波パルスを用いる THz 時間領域分光法(THz-TDS : Terahertz
Time-Domain Spectroscopy)の進展によって、安定で感度良く測定可能となってきた[1]。
我々は、これまでアミノ酸や糖などの生体関連分子が THz 波領域に水素結合など分子固有の振動ピークを持っていることを明らかにし、新たな定量分析法として有効であることを示してきたが[2]、分子間と分子内の振動モードの区別は困難であった。そのため、図１に示す
ように分子レベルで配向している単結晶アミノ酸の角度依存 THz-TDS 測定を行い、非経験的分子軌道計算結果との比較によって、ほとんどのピークは分子間の水素結合と考えられるが、分子内振動モードはテラヘルツ波の偏光方向（90°付近）と振動双極子モーメントの方向が一致するときのみ吸収の著しい増大が起こることが分かった[3]。
また、図 2 では異性体の有機酸を用いて結晶状態（ポリエチレンとの混合ペレット）とメソポ
ーラスシリカの細孔中への吸着状態の THz スペクトルを比較した。その結果、ナノスケールの細孔への吸着により分子間水素結合の影響が低減されたフマル酸では大きな違いがあったのに対して、分子内に水素結合を持つマレイン酸ではほとんど変化がなかった[4]。この
ように、THz 分光はナノ空間での分子内・分子間の相互作用の情報が得られることが明らかとなった。これらの相互作用はタンパク質の高次構造を形成するのに深く関わっており、今後 THz 分光が分子レベルでの生体分析の新たな分野を切り開くことが期待される。
[1] K. Ajito, R. Rungsawang, I. Tomita, and Y. Ueno, Electrochemistry 74 (2006) 506.
[2] Y. Ueno, R. Rungsawang, I. Tomita, and K. Ajito, Anal. Chem. 78 (2006) 5424.
[3] R. Rungsawang, Y. Ueno, I. Tomita, and K. Ajito, J. Phys. Chem. B, 110 (2006) 21259.
[4] Y. Ueno, R. Rungsawang, I. Tomita, and K. Ajito, Chem. Lett. 35 (2006) 1128.

COOH
HOOC
COOH
HOOC

COOH

HOOC
COOH
HOOC

O
HO
HO

O

O

O

HO

HO
O

HO

crystal
図１ L-システイン単結晶の角度依
存 THz スペクトル。(０°では c 軸に THz 波の偏光が平行)OHOin pores

図２ 結晶状態とメソポーラスシリカの細孔への吸着状態のフマル酸（上）とマレイン酸（下）の 77K で測定された THz スペクトルの比較－29－

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データ保持時間の長いゲインセル･メモリ
西口克彦 小野行徳 藤原 聡
量子電子物性研究部
キャパシタからなるメモリノード(MN)にデータを電荷として保持する DRAM(Dynamic
Random Access Memory)はメモリ素子の代表格であり、その微細化により大容量化が進められてきた。しかし、電荷を蓄積する MN 容量を小さくすると蓄積電荷信号がノイズに埋もれてしまうため、さらに MN 容量を小さくすることが困難になっている。このため、素子微細化と同時に MN 容量を確保しなければならず、複雑な MN 構造や新たな材料を利用することが求められ複雑な作製方法やコスト上昇に繋がっていた。
これを解決する素子の１つがゲインセル･メモリであり、MN の蓄積電荷信号を直近のトランジスタで増幅することで、小さな MN 容量でもメモリ動作が可能となる。これにより、素子構造の簡素化だけでなく、情報処理回路との混載化による回路性能の向上が期待できる。しかし、
MN 容量を小さくすると蓄積電荷量も減少するので、データ保持時間が短くなる(１秒以下)という問題が実用化を妨げていた。これは、MN 部に形成された pn 接合部で電子-正孔ペアが発生することが原因であった。この問題は通常の DRAM でも共通の課題であり、その対策として常にデータの再書き込み(リフレッシュ)を行っているため、消費電力の上昇のみでなくメモリ容量の利用効率を下げていた。
今回我々は、pn 接合の無い MN 構造によりデータ保持時間の長いゲインセル･メモリを実現した[1]。図 1 は素子構造を示しており、ノンドープ絶縁膜上シリコン(SOI)に形成した電荷転送用トランジスタ(FET1)と検出用トランジスタ(FET2)で構成される。これらの上部を覆う上層ゲート(UG)で FET1 のアンドープ SOI チャネルを反転させ、下層ゲート(LG)で FET1 を
OFF にすることで FET1 チャネルの先端に数十 aF 程度の MN を形成する。FET1 を ON・
OFF して電子溜め(ER)-MN 間で電子蓄積(データ‘0’)･放出(‘1’)を行い、MN と容量結合した FET2 の電流変化によって蓄積電子信号を読み出す。従来の DRAM では FET1 と MN の接合部に pn 接合を形成しているが、本素子では pn 接合をノンドープチャネルの反転層で置き換えているため、85℃で 104 秒のデータ保持特性が得られた(図 2)。
本素子により、リフレッシュ動作の頻度を数桁下げることが可能となり、それによる低消費電力化が可能となる。また、素子作製方法は SOI･LSI 作製技術をベースとしているので、情報処理回路との混載化も期待できる。
[1] K. Nishiguchi, et al., IEEE Electron Device Lett. 28 (2007) 48.

UG
LG MN
ER
FET1
Si

poly-Si
FET2

Si
SiO2

FET1

FET2

Si
100nm

図１ ゲインセル･メモリの構造図

FET2 current [nA]

‘1’
94.8

ER
85°C

MN

94.4

‘0’

94.0
93.6

100 102
Time [s]104 電子

図２ データ保持特性－30－

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シリコンナノトランジスタにおける単一ボロンの検出
小野行徳 西口克彦 藤原 聡
量子電子物性研究部
電界効果トランジスタは微細化の一途をたどり、これに伴い、トランジスタ中のドーパント数
揺らぎに起因した特性ばらつきが大きな問題となっている。一方、シリコン中の少数個のドー
パントを利用した新しい電子デバイスの可能性も検討されはじめている。このため、ドーパントがトランジスタ特性に及ぼす影響を深く理解するとともに[1-3]、単一のドーパントを検出し、その位置を特定し、さらには、電子状態を制御する技術の確立が重要となる。今回我々は、
単一ドーパント制御技術確立の第一ステップとして、トランジスタ中の単一ボロンの検出に成功した[4]。
ゲート長とゲート幅がともに４０nm で、チャネルにボロンをドープしたナノトランジスタ（ソース、ドレインも p 型）を silicon-on-insulator 基板上に作製した。作製においては、ソース、ドレインからチャネルへのドーパント拡散を防ぐために、ソース、ドレインとチャネルの間に電気的に形成可能なリードを挿入した。これにより、極低濃度のチャネルドーパントの影響を調べることが可能となった。図１は、トランジスタ中の平均ボロン数が約１個（ドーピング濃度：２×１０１６cm-3）の場合のコンダクタンス特性例である。矢印で示されている特性変調は、ドーピン
グされていないトランジスタでは観測されず、単一のボロンアクセプタに起因するものである。
実際、ゲート電圧とドレイン電圧の関数として微分コンダクタンスをプロットした結果（図２）から、この特性変調が単一正孔の捕獲放出に起因していることが証明される。
コンダクタンス変調の基板電圧（VBG）依存性は、ランダムドーピングに起因して測定する
デバイスごとに異なっている（図１）。このことは、特性変調がドーパントの界面からの距離（深さ）に強く依存していることを示唆しており、本測定手法を発展させることにより、トランジスタ
中の個々のドーパントの位置を特定する技術を確立できるものと期待される。
[1] Y. Ono, et al., Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 2588.
[2] Y. Ono, et al., Phys. Rev. B 74 (2006) 235317.
[3] J. F. Morizur, et al., Phys. Rev. Lett. 98 (2007) 166601.
[4] Y. Ono, et al., Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 102106.
0.04

10-3

Conductance (S)10Transistor B

VBG = -10 V

10-5

0.03

VBG = -8 V

10-6
-7

10

-8

10

10-9
10-10
10-11

VBG
=8V

10-12
-1.6

-1.2

VBG =
10 V
-0.8

-0.4

Gate Votage (V)0.0 -1.2 -0.8 -0.4

Drain Voltage (V)Transistor A-4Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ａ

0.02
0.01
0.00
-0.01
-0.02
-0.03
-0.04

0.0

0.4

Gate Voltage (V)

図１ 平均ボロン数が約一個のトランジスタのコンダク
タンス特性例 （測定温度：26K）－31－-0.75 -0.70 -0.65 -0.60 -0.55 -0.50

Gate Voltage (V)

図２ 微分コンダクタンスのゲート電圧－ドレイ
ン電圧依存性 （測定温度：6K）

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高いＱを有するナノ機械共振器における電子位相の変調
Imran Mahboob 山口浩司
量子電子物性研究部
ナノ電気機械システムと呼ばれる新しいカテゴリーの微細構造素子が、昨今注目を集めている。特にナノ機械共振器はエネルギー散逸が極めて低く、磁気モーメントや電荷、電子・核スピンなどの高感度検出素子としての応用が期待されている。また、電子間相互作用や電子・フォノン間相互作用など、低次元系において電子がエネルギーを散逸する基礎的過程を解明する上でも、ナノ機械共振器は重要なツールとなる。
ここでは、ナノ機械共振器を用いて量子細線における電子干渉を調べる手法に関して紹介する [1]。作製したナノ機械構造は、擬一次元電子系を有する InAs 細線を組み込んだ
AlGaSb 梁である [図 1(a)]。この梁には加振用の Au 細線も組み込んであり、横磁場中で交流電流を流すことにより梁の上下運動を引き起こす。運動により発生した誘導起電力により測定した共振特性を図 1(b)に示す。共振周波数は 10.268 MHz、Ｑ値は 12,000 である。
次に、この共振周波数付近における梁の運動を、梁の曲げによる InAs 細線の抵抗値変化（ピエゾ抵抗）により検出した。共振ピークはこの場合にも明瞭に確認されたが、共振周波数における抵抗値変化は、印加した磁場の関数として周期的に振動することが観測された[図 1(c)]。図１(d)はそのフーリエ変換であるが、明確な周期構造が確認される。一方、InAs
細線の抵抗値そのものは、コンダクタンス揺らぎと呼ばれる不規則な振動を磁場の関数として示し、電子が InAs 細線内で多くの経路を通じて複雑に干渉していることが理解される。こ
れらの結果は、梁全体にわたっての平均的な電子干渉の状態を検出する磁気抵抗測定とは異なり、ピエゾ抵抗測定では小数の干渉ループのみの影響を局所的に抽出できていることを示唆している。
[1] I. Mahboob, et al., Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 192106.

図１ (a) 作製した素子（8 µm 長・1.5 µm 幅）の電子顕微鏡写真。(b) 誘導起電力により検出した機械
的共振特性。(c) 共振周波数における InAs 細線の抵抗値変化の磁場依存性。(d) 抵抗値変化の
磁場依存性のフーリエ変換。測定温度は全て 20 mK－32－

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16nm 技術世代に向けたブロック共重合体リソグラフィ
山口 徹 山口浩司
量子電子物性研究部
ブロック共重合体リソグラフィ(BCL)は、トップダウン・ボトムアップ融合型のナノパターニン
グ手法として注目されている。本手法は、ブロック共重合体のミクロ相分離したナノドメインをリソグラフィのテンプレートとして用いることを特徴としている。既存のトップダウンリソグラフィ
はまもなく 22nm 技術世代において限界を迎え、革新的なパターニング技術の開発が求められていることから、BCL の重要性は、近年非常に高まってきている。BCL の解像性は、ブロック共重合体の分子サイズのみにより決まるため、既存のリソグラフィの解像性を超える大きな可能性を秘めているからである。最も重要な課題は、種々のミクロ相分離ドメインの精密配向制御技術を確立することである。中でも、ミクロ相分離ドメインの一つであるラメラ構造は、
そのライン形状、高いアスペクト比、パターン配置の自由度といったリソグラフィのテンプレー
トとしての多くの利点を有しており、ラメラ構造の配向制御を実現することが、将来の極微細
ナノデバイス製作につながる非常に重要なステップとなる（図 1）。しかしながら、ラメラ界面を2 方向に、すなわち基板表面に垂直に、かつトップダウンリソグラフィにより形成したガイドに対して平行に、配向させなければならないという技術的な課題があった。
我々は、レジストパターンを配向ガイドとして用いたグラフォエピタキシ技術を新たに考案
し、ラメラ構造の精密配向制御に成功した［1］。グラフォエピタキシとは、基板表面の凹凸を利用して、ブロック共重合体ミクロ相分離ドメインのエピタキシャル成長を促す手法である。
成功の鍵は、基板表面の中性化と親水性配向ガイドパターンの導入にある。これにより、基板表面および配向ガイドの側壁表面の親和性を独立に制御することが可能となり、ラメラ構
造の垂直配向および横方向配向を同時に実現することができた。図 2 に示すように、スチレ
ンとメチルメタクリレートの対称ブロック共重合体を用いて、HSQ レジストパターンからなる配向ガイド間に、3 層のラメラドメイン(ラメラ周期 La：約 32nm)を横方向に配向させることに成功した。本手法により、配向ガイドのピッチよりも、狭い周期を持つラメラ構造を形成することが可能となった。本技術は、最先端のトップダウンリソグラフィ技術の解像性を大きく凌駕する
16 nm (1/2 La)技術世代以降の極限リソグラフィ技術としての展開が期待される。
[1] T. Yamaguchi and H. Yamaguchi, J. Photopolym. Sci. Technol. 19 (2006) 385.
Block copolymer

A

Guide pitch: 110 nm

Single molecule

B

HSQ guideLa
2 x molecular size

Neutralization layer
図１ ラメラ構造の横方向配向

200 nm
図２ 配向ドメインの AFM 位相像－33－

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電流電子のカウンティング
藤澤利正
量子電子物性研究部
単電子カウンティング素子（口絵参照）は、１個１個の電子の流れを正確に測定できるため、様々な統計的手法によって“電流”を解析することができる。ここでは、非常に微弱な電流を測定できる単電子電流計としての応用と、電子間の相互作用に関する情報を得ることができる物性研究ツールとしての実験を紹介する［1］。
我々は、二重量子ドットを流れる電子を近接するポイント接合電荷計によって検出する単電子カウンティング素子を作成した（口絵参照）。ある時間（実験では 1.3 秒）に流れる正味の電子数を数えることにより、平均的な電流値を得ることができ、下図(a)のような構成によって、単電子トランジスタから流れる電流を測定し、図(b)のクーロン振動特性（電流ピークの繰返し）を観測した。得られた電流の雑音レベルは約３アトアンペア（毎秒電子２０個分に相当）と従来の高感度電流計より３～４桁低いものであり、高感度な電流測定が可能になることが実証された。
また、単電子カウンティング素子によって平均電流以外の様々な情報を得ることができる。
図(c)は連続して順方向に流れる電子の時間間隔のヒストグラムを示したもので、ゼロ間隔で立て続けに電子が流れる頻度が少ないアンチバンチング特性を示す。これは、電子間のクーロン相互作用に起因する単一電子トンネルの特徴を顕著に表すものである。また、図(d)は一定時間間隔に流れる電子数のヒストグラムを示しており、高次の雑音特性を明らかにすることに成功した。これらの統計的な手法により、電流に現れる相関を明らかにできると期待される。
[1] T. Fujisawa, et al., Science 312 (2006) 1634.

図 単電子計数実験。(a) 単電子電流計（量子ドット L と R およびポイント接合 PC より構成される）と単電子トランジスタとの接続例。(b) 測定された単一電子トンネル電流。(c) 単電子電流に現れる計数
統計（アンチバンチング相関）。(d) 単位時間に流れる電子数（電流）のヒストグラム（２次の雑音 S と３次の雑音 C が計測される）－34－

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半導体ヘテロ構造の実空間状態密度分布解析
鈴木恭一 1 蟹澤 聖 1 Simon Perraud1,2 Camille Janer1,3 高品 圭 1 藤澤利正 1
平山祥郎 1,41量子電子物性研究部 2CNRS 3ESPCI 4 東北大学
高度の微細化、集積化に伴い、半導体デバイスでは、内部の量子力学的効果がデバイ
ス全体の特性を支配するようになってきている。デバイスの正確な動作の実現や極微細領域の局所的な物性探索のためにも、ナノスケールの波動関数解析が望まれる。走査トンネ
ル顕微鏡を用いた走査トンネル分光(STS)は、波動関数解析の有力な手法の一つで、試料－探針電圧に対するトンネル電流特性を調べることで、局所状態密度(波動関数の二乗に対応)をエネルギーの関数として知ることができ、さらに、探針を走査することで、状態密度の空間分布が得られる。
我々は、半導体ヘテロ構造劈開面についてSTS測定を行うことで（図1）、量子井戸に形成された量子化サブバンド(図2)[1]、単一ポテンシャル障壁による電子波の干渉(図3)[2]、二重量子井戸における波動関数結合（図3）[3]の観測に成功した。本手法は、ヘテロ構造一般に適用可能で、実際のデバイスにおける波動関数の実空間解析への応用が期待される。
[1] K. Suzuki, et al., Phys. Rev. Lett. 98 (2007) 136802.
[2] K. Suzuki, et al., Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 2618.
[3] K. Suzuki, et al., J. Cryst. Growth 301-302 (2007) 97.
Scanning

<110>

InAs

1.0

GaSb

0.8

ϕ2

Energy (eV)GaSb InAs GaSb

0.6
0.4
0.2

5
4
3
2

0.0

1

Low

0
5
10
15
20
Position perpendicular to heterointerface (nm)

図２ InAs/GaSb 量子井戸のエネルギーに対する状態密度分布(DOS)。量子化した各エネルギ
ーサブバンドに対応する DOS の定在波が明瞭に観測される

－35－

ΦR
ΦI
GaSb

InAs

Energy (eV)High

0.12000.11630.11250.10880.10500.10130.09750
0.09375
0.09000
0.086250.08250
0.07875
0.07500
0.07125
0.06750
0.063750.06000
0.05625
0.052500.04875
0.04500
0.04125
0.03750
0.03375
0.03000
0.02625
0.02250
0.01875
0.01500
0.01125
0.007500
0.003750
0

DOS
High

DOS

0.8

0.6
0.4
0.2
0.0

GaSb Barrier

GaSb

GaSb
InAs
GaSb

図１ 清浄表面を得るために、試料は超高真空中(<2x10-10 T orr)で劈開され、低温(4.8 K)走査トンネル顕微鏡へ搬送される

InAs

0.40000.39650.39300.38950.38600.38250.37900.37550.37200.36850.36500.36150.35800.35450.35100.34750.34400.34050.33700.33350.33000.32650.32300.31950.31600.31250.30900.30550.30200.29850.29500.29150.28800.28450.28100.27750.27400.27050.26700.26350.26000.25650.25300.24950.24600.24250.23900.23550.23200.22850.22500.22150.21800.21450.21100.20750.20400.20050.19700.19350.19000.18650.18300.17950.17600.17250.16900.16550.16200.15850.15500.15150.14800.14450.14100.13750.13400.13050.12700.12350.12000.11650.11300.10950.10600.10250.09900
0.09550
0.09200
0.08850
0.08500
0.08150
0.07800
0.07450
0.07100
0.06750
0.06400
0.06050
0.05700
0.05350
0.05000

Low

0
10
20
30
Position from heterointerface (nm)

図３ InAs/GaSb 単一ヘテロ界面付近の状態密度分布(DOS)。GaSb 障壁へ入射する電子波と反射される電子波の干渉パターンが定在波として観測される

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

シリコン薄膜の量子伝導
高品 圭 小野行徳 藤原 聡 平山祥郎* 藤澤利正
量子電子物性研究部
現在、集積回路に幅広く用いられている MOSFET はシリコン(100)面上に形成された二次元電子系をベースにしている。（100）面の場合、伝導電子のエネルギーバンド分散において伝導体の底として電子が占有することができる等価な「谷」が２つ存在し、電子はどちらかの谷に等しい確率で存在する。強磁場と超低温を組み合わせた特殊な環境では２つの谷の間にエネルギー的な分離が生ずることが知られているが、そのエネルギーは通常１meV 程
度と小さい。
我々は、SOI（Silicon on insulator）基板の一種である SIMOX(Separation by implanted
oxygen)基板上に作成された薄膜 Si-MOSFET において、非常に大きな（10 倍以上）谷分離が起きることを見出した。さらに、結果的に生じるサブバンド構造がコンダクタンスにどのような影響を及ぼすかについて調べることによって、この谷分離が磁場を加えなくても明瞭に観測されることを示した （図）[1,2]。これらの結果は、シリコン薄膜構造では二次元電子系の面
内運動、スピンの自由度に加えて、第三の自由度「谷自由度」の利用が可能であることを示している。
[1] K. Takashina, A. Fujiwara, S. Horiguchi, Y. Takahashi, and Y. Hirayama, Phys. Rev. B
69 (2004) 161304(R).
[2] K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, and Y. Hirayama, Phys. Rev. Lett.
96 (2006) 236801.
*

現所属：東北大学

図 （左）：SOI MOSFET のソースドレインコンダクタンス GSD をフロントゲート電圧 VFG の関数として示す。新しいサブバンドの出現により、散乱が増大し抵抗が大きくなる現象が明確に見られる。この実験では空間的なサブバンド(A)と谷分離によるサブバンド(B)の影響が両方現われる。図（右）: GSD の二回微分のグレースケー
ルプロット。谷と空間的サブバンドがどのようにバックゲート電圧 VBG に依存するかが分かる。A：空間的な閉
じ込めサブバンド、B:谷分離によるサブバンド、C:コンダクタンスの立ち上がりによる構造。□は空間的サブバンド端が占有され始めるゲート電圧の計算値を表す－36－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

超伝導磁束量子ビットのデコヒーレンス
角柳孝輔 齊藤志郎 中ノ勇人 仙場浩一
量子電子物性研究部
量子ビットで量子演算を行うためにはコヒーレンスが保たれた状態で一連の量子ゲート操作を行う必要がある。しかしながら、量子ビットは環境との相互作用があるためにそのコヒーレンスが時間とともに失われるデコヒーレンスが生じる。このデコヒーレンスの起源を明らかにすることは量子ビットのコヒーレンス時間を延ばす上でも重要な課題となっている。
超伝導磁束量子ビット（図１）は数的拡張性に優れる固体素子量子ビットの中でも有望な量子ビットの一つである。我々はこの超伝導磁束量子ビットのデコヒーレンスについて調べる
ために位相緩和時間（ T2 ）とエネルギー緩和時間（ T1 ）の磁場依存性を測定した [1]。緩和は環境との相互作用に伴うエネルギーの揺らぎによって引き起こされるため、その磁場依存性の測定からどのような磁場揺らぎがデコヒーレンスへ寄与しているかを知ることができる。
図２は縮退点（ ∆Φ qb = 0 ）付近で測定した T1 および T2 を磁束量子（ Φ 0 ）単位の磁場で表示したものである。 T2 の値は縮退点に近づくにつれて長くなり縮退点で 250 ns に達した。
一方、 T1 は縮退点近傍でほぼ一様（ T1 ~140 ns）である。一般に T2 には純粋位相緩和（ ΓΦ ）の他に T1 の寄与があり 1 T2 = ΓΦ + 1 (2T1 ) の関係がある。得られた T1 、 T2 の値から縮退点でのコヒーレンス時間は主にエネルギー緩和によって抑えられていることが分かった。また純粋位相緩和の磁場依存性は 1 / f 型の周波数分布を持つ磁場揺らぎによって説明できることが分かった。
これらのことから今後エネルギー緩和を引き起こす高周波揺らぎを抑え込むことによって超伝導磁束量子ビットのコヒーレンス時間の改善が期待されるので今後行っていく予定である。
[1] K. Kakuyanagi, et al., Phys. Rev. Lett. 98 (2007) 047004.
300.0nSQUID

Readout
line

TT11
TT22

250.0n200.0nTT22(s), TT11(s)
(s)

3µm

Flux
qubit

150.0n100.0nBias line

Microwave line
50.0n
0.0

-4

-4.0x10-4-2.0x100.0∆Φqb (Φ0)

図２ T1 、T2 の磁場依存性

図１ 超伝導磁束量子ビットの試料写真

－37－

-4

2.0x10-4

4.0x10NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

スピン軌道相互作用によるアハロノフ・キャッシャー効果
Tobias Bergsten1,2 小林俊之 1,2 関根佳明 1,2 新田淳作 1,2,31量子電子物性研究部 2CREST-JST 3 東北大学
電子回路における電子のスピンを制御するスピントロニクスは、Datta らによって提案されたスピンＦＥＴ[1]のような新機能デバイスを実現することができると期待されている。スピンは、電子の自転運動に例えられるように磁気的な性質を有するため、一般的にスピンを操作す
るには磁場が用いられる。一方で、スピンはスピン軌道相互作用による有効磁場を用いても操作することができる。これまでの研究から、半導体へテロ構造におけるスピン軌道相互作
用はゲート電圧により制御可能であることが示されている[2]。そこで本研究では、ゲート電圧によりスピンの歳差運動を制御することで、電子波の位相を変化させる新しい干渉実験を行った［3］。これは、磁気モーメントを有する粒子の電場による干渉である、アハロノフ・キャッシャー（AC）効果である。
本研究で用いたデバイスは、ゲート電圧によりスピン軌道相互作用を 3 peVm 以上変化させることができる InAlAs/InGaAs/InP 量子井戸をリング配列構造に加工して作製した（図１）。
ゲート電極は膜厚 50 nm の SiO2 ゲート絶縁膜とともにリング配列上に形成した。
リング構造を右回りと左回りに伝播する電子波の位相差は、磁場（AB 効果、AAS 効果）および電場（AC 効果）により制御することができ、抵抗値の振動として観測される（図２）。電子
はスピンが１/２のフェルミ粒子であるため、スピンが 1 回転（２π）際差運動することで電子波の位相はπだけ変化する。そのためゲート電圧による抵抗値振動の周期は、リングを互いに逆方向に伝播した部分波が元の位置に戻ってきたときにスピンの回転角差が４π変化することに対応する。今回の干渉実験では、ゲート電圧によりスピン回転角差を１２π以上にわたって精密に制御可能であることを示した。
このようなスピン軌道相互作用によるスピン制御はスピンＦＥＴの要素技術であり、また将来的にはスピン量子ビットの制御手法として量子情報技術への応用も期待される。
[1] S. Datta and B. Das, Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 665.
[2] J. Nitta, T. Akazaki, H. Takayanagi, and T. Enoki, Phys. Rev. Lett. 76 (1997) 1335.
[3] T. Bergsten, T. Kobayashi, Y. Sekine, and J. Nitta, Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 196803.

図１ InAlAs/InGaAs/InP 量子井戸を加工して作製したリング配列構造

図２ ＡＣ効果（縦方向）およびＡＡＳ効果（横方向）による抵抗振動－38－

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磁性細線中に捕捉された磁壁の半導体・強磁性体ハイブリット構造を用いた検出関根佳明 1 赤崎達志 1 新田淳作 2,31
量子電子物性研究部 2 東北大学大学院工学研究科 3CREST-JST
磁性細線中に捕捉された磁壁を半導体・磁性体ハイブリット構造の局所ホール効果を用いた素子により検出した。局所ホール効果は磁性体からの漏れ磁場を検出し、磁壁内部構造を調べられるため、head-to-head か tail-to-tail の磁壁かを区別することができた[1]。
磁性体が磁壁の運動を利用した論理回路や記憶素子が提案されるなど、磁壁の位置を検出し、その構造を調べることは重要である。本研究の半導体・磁性体ハイブリット構造を用いた局所ホール効果による磁壁の観測手法は、磁性体の形状に依存しない、温度変化が容易、信号が mV 程度と大きいなどの利点がある。試料には二次元電子ガスとして InGaAs、
磁性細線として NiFe を用いた。図１(a)に試料の電子顕微鏡写真、(b)に模式断面図、(c)、(d)に tail-to-tail、head-to-head の磁壁がくびれに補足された試料の模式平面図を示す。
NiFe 細線の片端を直角、他端を先細、真ん中にくびれを、そしてそれぞれの直下にホール素子を作製した。磁場は二次元電子ガスに平行かつ細線方向に印加した。磁壁はそのエ
ネルギーを最低にするよう直角の端で生成されるため、磁場の印加方向により、
head-to-head か tail-to-tail の磁壁を生成できる。生成された磁壁は先細の他端に向かって移動するが、くびれで捕捉される。磁壁生成や捕捉により、磁性細線からの漏れ磁場は変化するので、直下のホール素子により検出できる。図 2 に三つのホール素子のホール抵抗の磁場依存性を示す。ここで、ρyx1、2、3 は直角、くびれ、先細のホール抵抗である。磁場 Bを増加させると、22 mT でρyx1 が、26 mT でρyx2 が急激に変化する。そして 22 と 26 mT の間で、ρyx2 が鋭い山を示す。これらρyx1、2、3 の変化は、それぞれ磁場の生成、補足、消滅に対応している。磁場を減少させると同様のことが起こるが、ρyx2 は鋭い谷を示し、tail-to-tailか head-to-head の磁壁かを区別することができた。この結果は、本素子構造を用いた磁壁の観測手法が、磁壁の運動特性を調べる有効な手法であることを示しており、磁壁デバイスの作製につながる成果である。
[1] Y. Sekine, et al., AIP Conference Proceedings 893 (2007) 1291.
(a)
Taper

Ｂ

Rightangle

Notch

(c)

(b)
Stray
Field

NiFe
InGaAs(d)

図１ (a) 試料電子顕微鏡像。(b) 試料断面図。
(c) tail-to-tail 磁壁、(d) head-to-head 磁壁の試料平
面図

－39－

図２ ホール抵抗の磁場依存性。磁場方向によりくびれ(ρyx2)に補足される磁壁構造が異なるNTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

磁束量子ビット・ナノメカニカル共振器の磁場による可変結合の提案
Y. D. Wang 岡本 創 山口浩司 仙場浩一
量子電子物性研究部
超伝導永久電流量子ビットとしても知られる磁束量子ビットは、複数個（通常は３個）のジョ
セフソン接合を周上に配したマイクロメータ寸法の超伝導ループである。この磁束量子ビット
は、量子情報処理を実現するための最も有望な候補の一つと考えられている。マイクロエレ
クトロメカニカル系（MEMS）よりも小さいナノエレクトロメカニカル系（NEMS）は、分子レベルでの微小変位や非常に小さな力の計測を可能にする技術を提供すると期待されている。一方、十分に高い振動数のナノメカニカル共振器（NAMR）は、低温では量子化された調和振動子として振舞う。この NAMR と相互作用する磁束量子ビット系は、双方の寸法やエネルギ
ースケールが同程度であることや散逸の効果を十分小さく設計できることなど、固体素子系における全く新しいタイプの共振器量子電気力学を実現できる可能性があることから注目されていた。この考え方に立てば、将来 NAMR は複数個の磁束量子ビット操作の量子データバスの役割をも担える可能性もあると考えられている。NAMR と磁束量子ビットの相互作用のメカニズムを応用すれば、磁束量子ビットを NAMR の量子状態の生成や検出に使うことも可能となる。実験的には、磁束量子ビットのコヒーレンス特性は、急速に進歩しているにも係わらず、これまでに提案されてきたのは、NAMR とジョセフソン電荷量子ビットの系に関するもののみであった。
このような状況で、我々は、NAMR の機械的振動モードと超伝導（ジョセフソン/位相滑り）
磁束量子ビットを流れる永久電流との能動的な可変結合機構を提案した[1]。図１に示すように、提案した機構を用いれば、相互作用は外部から印加された古典的磁場によって、その場で制御することが可能となる。我々が行った数値的評価から、この系は、強結合極限をも実現可能な固体素子系における新たな共振器量子電気力学系となることが判明した。提案
した機構を用いて、新たな系での量子光学実験を実証することや、量子情報処理へ向けた
量子ビットのコヒーレント操作が可能となる。さらに、この相互作用機構は超伝導ジョセフソン
接合系が二準位系でなく、より一般に多準位量子系である場合にも適用可能である。
[1] F. Xue, Y. D. Wang, C. P. Sun, H. Okamoto, H. Yamaguchi, and K. Semba, New J.
Phys. 9 (2007) 35.

図１ ナノメカニカル共振器（NAMR：灰色の帯状部分）は３個のジョセフソン接合（×印）とともに、磁束量子ビットのループを形成する。このループを流れる永久電流と y 方向に印加された外部磁
場 B0 の働きで、NAMR 部分にはロレンツ力 F0 が働く。このようにして、NAMR の z 方向の振動と磁束量子ビットを流れる永久電流の間に外部磁場で調節可能な結合が生じる

F0

B0

－40－

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10 GHz クロックの量子暗号実験
武居弘樹 1 Eleni Diamanti2 Carsten Langrock2 Martin M. Fejer2 山本喜久 2
1
量子光物性研究部 2 スタンフォード大学
量子暗号システムの実用化のためには、鍵生成率の高速化が不可欠である。今回、周期
分極反転ニオブ酸リチウム(PPLN)導波路中の周波数上方変換に基づく単一光子検出器(Up-conversion detector : UCD) [1]の低ジッタ化を行い、該検出器を用いて 10 GHz のクロック周波数における超高速量子暗号実験を行った[2]。
量子暗号プロトコルとして、差動位相シフト量子鍵配送プロトコル[3]を用いた。強制モード
同期ファイバレーザから出力された中心波長 1551 nm、繰返し周波数 10 GHz, 半値幅 10
ps のパルス列の各パルスの位相を 0 または でランダムに変調した後、光減衰器によりパルス当たりの平均光子数を 0.2 に設定し、伝送用光ファイバに入力する。ファイバから出力されたパルス列は PLC マッハツェンダ干渉計に入力される。干渉計の 2 出力ポートから出力された光子は、それぞれ UCD に入力される。UCD においては、信号光子は波長 1319 nm のポ
ンプ光と合波され、PPLN 導波路に入力される。導波路中の和周波発生過程により、信号光
子は波長 700 nm 近辺の光子に波長変換される。光フィルタ系により残余ポンプ光などの雑音を抑圧した後、波長変換後の光子を低ジッタ Si APD により受信する。本検出器により、高い時間分解能で高速繰返しの光子パルス列を受信することが可能となる。
図 1 に幅 3 ps のパルスを入力した場合の UCD の検出信号ヒストグラムを示す。検出信号
ジッタは、非常に小さな半値幅(約 30 ps)を持つ一方で、大きなテイルを持つことが観測された。UCD の量子効率を 0.3%、暗計数率を 750 cps (2 個の和)、タイムウィンドウ幅を 10 ps に設定し、10, 25, 75, 100 km のファイバを用いてシフト鍵生成実験を行った。100 km におけるシフト鍵生成率は 3.7 kbit/s であった。各ファイバ長における誤り率を図 2 の■で示す。ジッタのテイル特性のため、誤り率は 10%程度に制限された。一方、伝送距離を変化させても誤り率の変動は非常に小さい。これは、光源の短パルス化と、タイムウィンドウの狭幅化により、スロット当たりの信号と暗計数の比が向上したためである。暗計数に起因する誤り率の予測値(図 2●)は、100 km の伝送後も 1%未満に抑圧されている。 よって、UCD ジッタのテイ
ル特性の改善により、誤り特性の飛躍的改善が今後期待できる。
[1] C. Langrock, et al., Opt. Lett. 30 (2005) 1725.
[2] H. Takesue, et al., Opt. Express 14 (2006) 9522.
[3] K. Inoue, E. Waks, and Y. Yamamoto, Phys. Rev. Lett. 89 (2002) 037902.

図１ 検出信号のヒストグラム

図２ ファイバ伝送距離と誤り率－41－

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もつれ光子対列を用いた差動位相量子鍵配送
本庄利守１ 武居弘樹１ 井上 恭 2
１
量子光物性研究部 2 大阪大学／NTT リサーチプロフェッサー
量子力学の原理に基づいて絶対安全な通信を提供する量子鍵配送の研究が盛んに行われている。我々は、コヒーレントな光パルス列の位相差にビット情報を載せる方式である差動位相シフト量子鍵配送(DPS-QKD)の研究を勢力的に進めてきた。今回、次のステップとして、高度な量子鍵配送方式であるもつれ光子対を用いた量子鍵配送の研究に着手した[1]。
図１に実験構成を示す。波長 1551nm、繰返し 1GHz の光パルス列をポンプ光として分散
シフトファイバに入れ、時間位置もつれ光パルス列を発生させた[2]。ラマン散乱によるノイズ
光子の発生を抑えるために、分散シフトファイバは液体窒素で冷却している。シグナルとアイ
ドラを分波した後、それぞれをアリスとボブに送付した。アリス側とボブ側では、それぞれ各パルスをランダムに 0 もしくはπ/2 で位相変調した後、PLC Mach-Zehnder 干渉計を通過させた。双方の干渉計の位相差の和が 0 となるように調整すると、アリス、ボブの光子検出イベントの間には、次のような相関関係が現れる。
ψf =1{(ei (θ a +θb ) + 1) A1 B1 − (ei (θ a +θb ) + 1) A2 B2 − i(ei (θ a +θ b ) − 1) A1 B2 − i(ei (θ a +θ b ) − 1) A2 B1 }2 2

θ a と θb はアリスとボブの施した位相変調、 wn はアリス(A)、ボブ(B)が検出器 1 もしくは 2 で光子を検出する状態を表す。上述の相関関係を用いて、光子伝送後、古典チャネルを介してアリスとボブが光子を検出した時刻、施した位相変調を公開することにより、暗号鍵を生成する。
上述のセットアップを用いてシフト鍵の生成を行い、QBER 8.6%、シフト鍵生成レート
0.3bps を得た[3]。本成果は、本量子鍵配送方式の実現性を示すとともに、もつれ光子対を用いた量子通信の実現に向けた重要な第一歩を示す。
[1] K. Inoue, Phys. Rev. A 71 (2005) 032301.
[2] H. Takesue and K. Inoue, Opt. Express 13 (2005) 7832.
[3] T. Honjo, H. Takesue, and K. Inoue, Opt. Lett. 32 (2007) 1165.

1GHz

Laser Intensity
diode modulator

Alice

Erbium doped Filters
fiber amplifier

Liquid nitrogen
Dispersion-shifted fiber(500m)

Mach-Zehnder Arrayedinterferometer waveguidegrating

A1

Fiber
Bragg
gratingPhase
modulator

Phase
modulator

A2{0,π/2}

Avalanche
photo diode{0,π/2}

Band pass filter

図１ セットアップ－42－

Avalanche

Mach-Zehnder photo diodeinterferometer
Bob
B1
B2

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二体エンタングルメントから見た多体スピン系の量子相転移
清水 薫 川口 晃＊
量子光物性研究部
相互作用する多数のスピンを一次元状に配列した系の量子力学的な振る舞いは、旧来より物性物理の基本模型として、また最近では一方向量子計算スキームの土台として大きな興味を持たれている。とりわけスピン間相互作用 J や外部磁場ｈ等のパラメータの強弱がスピンを支配する不確定性原理と相俟って系の静的状態や応答特性をどのように変化させるのか、その物理的な機構を見通しの良い形で理解することは重要である。
今回我々は、近年の量子情報研究の知見である量子エンタングルメント（もつれあい）の定量化の方法を一次元量子スピン系の解析に導入することにより、系自体は多数個のスピンから構成されているにもかわらず、系の量子状態は隣接するスピンについての四通りの異なるスピン相関の寄与の大小と、それらの間の位相差という少数個のパラメータによって、系
統的かつ定量的に把握できることを見出した。 具体的には、一次元の反強磁性イジング模型 H =J ΣS zi S zi+1+h x ΣS Zi を取り上げ、Sz についての無秩序相（横磁場 hx →大での常磁性相）
から秩序相（相互作用 J→大での反強磁性相）への量子相転移に伴う量子エンタングルメン
トの振る舞いを調べ†、その相転移点近傍における臨界的な挙動から、前述の四通りのスピ
ン相関とその位相が、相転移を誘起し系を特徴づけるスピン量子揺らぎの定量的な記述に外ならないことを明らかにした[1]。これは以前には一般的な形では計算できなかった物理量である。
本研究の手法を一般化することにより、一見複雑に見える一次元や二次元のスピン系の量子力学的な挙動の本質を量子エンタングルメントという新たな視点から理解し、その操作や制御に役立てることができる。
[1] K. Shimizu and A.Kawaguchi, Phys. Lett. A 355 (2006) 176.
＊

現所属：Toyota Macs. Co. Ltd.

†

二スピンに還元した密度行列ρを古典相関部分Λρs と量子相関部分(1−Λ)ρe とに分解する（図１）。その際重み(1−Λ)が最小化されるようにρe の四つの Bell 状態への分解方法（図２）を数値的に探索する。エンタングルメントの指標としてはコンカレンス C(ρ)を採用。

図１ コンカレンス C(ρ)の磁場ｈ
依存性（ｈ＝0.5:相転移点）

図２ 四つの Bell 状態（スピン相関）への分解－43－

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(Al,Ga)As ナノワイヤ中に形成された GaAs 量子ドットの光学特性
眞田治樹 後藤秀樹 舘野功太 寒川哲臣 中野秀俊
量子光物性研究部
半導体ナノワイヤ構造はナノスケールのフォトニクス・エレクトロニクスデバイスへの応用上、魅力的な構造として注目されている。VLS (Vapor-Liquid-Solid) 法はナノワイヤを形成する手法の一つであり、幅広い半導体材料に対して用いることができる。最近では、 VLS 法を用いると、単純な一次元構造の作製だけでなく、従来のヘテロ構造技術を導入することによりバンド構造エンジニアリングの面でも柔軟性を発揮することが分かってきている。今回我々は、 VLS 法と通常の MOVPE 法を組み合わせた手法により GaAs/(Al,Ga)As ヘテロ構造を含むナノワイヤを作製し、量子ドット特有の励起子・励起子分子発光の観測に成功した[1]。
試料は、始めに VLS 法によるナノワイヤの成長中に GaAs/(Al,Ga)As ヘテロ接合を導入し、その後、表面再結合の影響を抑制するために、通常の MOVPE 法により (Al,Ga)As キャップ層でナノワイヤ全体を覆った[2]。図１は GaAs/(Al,Ga)As 系の代わりに GaAs/AlAs 系を用いた同様の構造の断面 SEM 像を示す。ナノワイヤの中に複数の量子ドット状の構造が形成されている様子が分かる。
図２は、フォトルミネッセンス（PL）スペクトルの励起光強度(Pexc)依存性を示す。Pexc < 100
W/cm2 の領域において、A, B で示されるピークの積分強度がそれぞれ Pexc および Pexc 2 に対して線形的に増加することから、励起子、励起子分子の発光を示しているものと考えられる。
さらに Pexc の増加に伴う励起子分子発光（ピークＢ）のレッドシフトや線幅増大については、
VLS 法で作製した InAs/GaAs 系や Ga(As,P)/GaP 系の量子ドットの報告と類似しており、同手法による量子ドットに特有の性質であると考えられる。その他にも PL の強い偏光依存性も観測しており、形成されたナノ構造が大きな非対称性を有していることが予想される。これらのメカニズムを解明するためには、今後量子ドットの形状に関するさらなる考察が必要であるが、今回用いた方法が、GaAs/(Al,Ga)As 系のナノ構造の位置や光学特性を制御する有用な方法であることが明らかになった。
[1] H. Sanada, H. Gotoh, K. Tateno, and H. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 2578.
[2] K. Tateno, H. Gotoh, and Y. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 1808.
B

PL Intensity (a.u.)

875

A

420
210
105
52.5
25.0
12.5
6.25
2
3.25 W/cm
1.66

1.67

1.68

Energy (eV)
図１ GaAs/AlAs 系を用いたナノワイヤ中の量子ドット構造の断面 SEM 像

図２ 温度 4 K における PL スペクトルの励起光強
度依存性

－44－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

量子ドットフォトニック結晶ナノ共振器レーザ
俵 毅彦 1 鎌田英彦 1 Yong-Hang Zhang２ 田辺孝純 1 寒川哲臣 1
1
量子光物性研究部 ２アリゾナ州立大学
フォトニック結晶（ＰｈＣ）ナノ共振器は非常に高い共振Ｑ値と波長サイズ程度の小さなモード体積を有する。これは共振器内部の発光媒質の自然放出確率を飛躍的に増大させ、高効率かつ低消費パワーの光源を実現させる。このとき発光媒質に半導体量子ドット（ＱＤ）を用いることでキャリアのフォノン散乱や表面再結合を抑制でき、一層の高効率化につながる。このようなＱＤ－ＰｈＣナノ共振器を用いたレーザは光集積回路の内部微小光源としての応用が期待されている。
ＱＤ－ＰｈＣナノ共振器には主にＧａＡｓを中心とするＩＩＩ－Ｖ族半導体へテロ構造が用いられている。しかしながら多くの場合において共振Ｑ値は数千程度で、ナノ共振器の効果を得るには不十分であった。この原因として、組成の異なる複数の層を均一にエッチングしなけ
ればならず、高いＱ値を得るための加工精度が十分ではなかったこと、また半導体面内方
向へ光が共振する際ヘテロ構造各層での光吸収が大きな損失となることが考えられる。
今回我々は電子線描画レジストをドライエッチングマスクとして用い、ヘテロ各層との高選
択比エッチング条件を見出すことで高い加工精度を実現した[1]。さらに量子ドット発光のヘテロ各層での再吸収効果を最小限に抑制する構造を提案し、10,000 を超える共振Ｑ値を達成した（図1）[2]。このような高Ｑ値ナノ共振器における発光積分強度の励起光強度依存性
およびその発光再結合寿命測定から、自然放出のレーザモードへの結合係数（β）が 0.9 程
度の非常に高い効率でレーザ発振していることが観測された（図 2）[3]。
本研究成果は高効率微小光源の実現に向けた構造設計・作製指針を与える重要なものであると考える。
[1] T. Tawara, et al., Jpn. J. Appl. Phys. Phys. 45 (2006) L917.
[2] T. Tawara, et al., IPRM2007, Matsue, Japan, May 2007.
[3] T. Tawara, et al., CLEO/QELS2007, Baltimore, USA, May 2007.

図１ 共振モードからの量子ドット発光

図２ レーザ発振特性－45－NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

フェムト秒レーザアブレーションプルームの時空間分解軟 X 線吸収分光
小栗克弥 岡野泰彬 西川 正 中野秀俊
量子光物性研究部

Wavelength [nm]近年のレーザ励起Ｘ線源やシンクロトロン放射光源における超短パルスＸ線発生技術の進展に伴い、これらの光源を応用した時間分解 X 線計測技術が注目されている。この技術
により、これまでの X 線分光では計測不可能であった非平衡系の結晶構造、原子間距離や配位状態、電子状態等の超高速ダイナミクスの計測が可能となり、従来の X 線科学と超高速光物理が融合した「超高速 X 線科学」分野の発展が期待されている[1]。我々は、これまでに開発した時間分解軟 X 線吸収分光法を拡張し[2]、時間変化と空間変化を同時に計測可
能な時間空間分解軟 X 線吸収分光システムの開発を行った[3]。本計測法を、新たなレーザプロセス手法として注目されているフェムト秒レーザアブレーション過程に適用し、本計測法がアブレーションプルームのような固相から気相までの相転移や結合の解離などを伴い
時間空間共に複雑に変化する系の計測に有効であることを実証した[4]。
本システムの特徴は、フェムト秒レーザプラズマ軟 X 線のピコ秒領域の短パルス性と、
Kirkpatrick-Baez 型軟 X 線顕微鏡の高空間分解能性を組み合わせることにより、時間・空間
分解能、軟 X 線光量等の特性を向上させた点にある。軟 X 線結像光学系と透過型回折格子により、一次元空間情報とスペクトル情報が同時に取得可能である(図 1)。図 2 は、尖頭強度約 1.5×1014 W/cm2 のフェムト秒レーザパルスを Al テープに照射して発生させた Al アブ
レーションプルームの軟 X 線吸光度画像の時間発展を示している。Al プルームによる特徴
的な吸収が遅延時間とともにターゲット表面から遠方に広がり、吸収の大きさも時間とともに増加することが分かる。プルームの LII,III 吸収端に着目すると、固体 Al の場合と比べて短波長側にシフトしている他、明瞭な時間・空間依存性が見られた。このような吸収端のシフトは、
プルームを構成する主な粒子のチタンサファイアレーザー
システム
違いに起因し、短波長側にシフト可変遅延光路するほど多価のイオンに対応する
ビームスプリッターと考えられる。以上のように、本計測法はアブレーションプルームの初期過程計測に有効であることがアブレーション
レーザー 軟X線パルス プルーム
X線顕微鏡実証できた。
マイクロチャンネル
プラズマ
プレート[1] Bressler and Chergui, Chem.
集光鏡
透過型回折格子アルミニウムCCDカメラタンタルテープ
テープ
Rev. 104 (2004) 1781.
[2] Oguri, et al., Appl. Phys. Lett.
図１ 時空間分解軟 X 線吸収分光システム像
87 (2005) 011503.
30+100 ps+ 1 ns-500 ps+ 500 ps
+5 ns
[3] Okano, et al., Rev. Sci.
25
Instrum. 77 (2006) 046105.
202.0[4] Okano, et al., Appl. Phys.
1.5
15
Lett. 89 (2006) 221502.
1.0

10

0.5

5

0.0

0

50

0

50

0

50

0

50

0

50

Position [µm]図 2 Al プルームの時間分解軟 X 線吸光度画像－46－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

フォトニック結晶微小光共振器の時間分解測定
田辺孝純 倉持栄一 新家昭彦 谷山秀昭 納富雅也
量子光物性研究部

Input WG(a)(b)
Transmittance (a.u.)(c)

Output WG

1.3 pmPower (a.u.)

高 Q 値フォトニック結晶微小光共振器は小さな入力光パワーで高い光子密度を実現することができるため、低エネルギーで動作する光スイッチ等への応用が期待されている[1]。線欠陥幅を局所的に変化させた構造を持つ図 1(a)の電子顕微鏡写真に示す幅変化型微小光共振器を用いると、極めて高い Q 値が得られることが分かっている[2]。点線で囲んでいる部分で線欠陥の幅にわずかに変化させており、その箇所にモードギャップ共振器が形成され光が局在化される。実際に共振器と共鳴する波長の光を入力導波路から入射させ、スラブ上面より光学顕微鏡にて像を観測すると図１(b)のように共振器部分に光が局在化していることが確認された。図 1(c)に示すのが波長可変光源を用いて測定した透過スペクトルであり、極めて狭い 1.3 pm の共鳴幅が得られた。この共鳴幅は Q 値 120 万に対応する。スペクト
ル幅測定の精度を向上させるために、抑圧搬送波単側波帯発生器を用いてレーザの周波数を高精度に制御して透過スペクトルを測定した場合でも Q 値 120 万を確認できた[3]。
一方、高 Q 値共振器の光子寿命は長いため直接時間領域で Q 値計測を行うことが可能である。加えて、時間分解測定は共振器の動的な特性を調べるのに極めて有用な手法である。そこで我々は、リング・ダウン手法および時間相関単一光子計測法を組み合わせ、フォトニック結晶共振器の光蓄積特性を直接時間領域で評価した[4]。矩形波の光を共振器に入力して光を蓄積し、0 ｎs で入力光を突然切る。すると共振器に蓄積していた光が指数関数的に出力導波路側に漏れ出す。その漏れを時間分解計測し傾きを求めることで、光子寿命1.01 ns を得た[図２(a)]。時間分解法による Q 値測定の再現性および精度を確認し[5]、光子寿命がスペクトル領域測定から得た Q 値 120 万と一致することを確認した。
また同様の共振器を用いてパルスの応答を測定したところ、パルス幅 1.9 ns の入力に対して 1.45 ns の遅延が得られることが確認された[図２(b)]。この値は誘電体中のスローライトとしては世界最小の群速度 5.8 km/s に対応し、光物質相互作用の増強や微小な光遅延回路研究への展開が期待できる結果である。
[1] T. Tanabe, et al., Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 031115.
[2] E. Kuramochi, et al., Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 041112.
[3] T. Tanabe, et al., Electron. Lett. 43 (2007) 187.
τ = 1.01 ns[4] T. Tanabe, et al., Nat. Photonics 1 (2007) 49.
(a)[5] T. Tanabe, et al., Opt. Express 15 (2007) 7816.
0

1

2

3

(b)
signalref.

-3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 71555.471555.48

Wavelength (nm)

図１ (a) フォトニック結晶微小光共振器の電子顕微鏡像(b) 光学顕微鏡像 (c) 透過スペクトル－47－

Time (ns)
図２ (a) リングダウン計測結果(b) 光パルスの遅延実験

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

フォトニック結晶超高Ｑ 結合共振器導波路
倉持栄一 田辺孝純 谷山秀昭 納富雅也
量子光物性研究部
結合共振器光導波路(Coupled Resonator Optical Waveguide : CROW)はスローライト光
媒体の有力候補として注目されている[1]。極めて遅い群速度(vg)と低導波路伝搬損失とを両立するためには光共振器の光閉込能力の指標であるＱ値が極力高いことが望ましい。最
近我々は、Ｓｉフォトニック結晶(PC)プラットフォーム上でそのような CROW を極めて小さなフットプリント(共振器一個当たりおよそ 3μm)にて実現できることを明らかにした。
図１(a)は電子線リソグラフィにより作製した PC-CROW の一例(共振器数:N=3)である。線
欠陥幅変化型共振器[2]の採用により超高Ｑ化（単一共振器で 1.2×106 ）を達成した[3]。
CROW の透過スペクトルには鋭い共鳴ピークが明瞭に現れた(図１(b))。共鳴モードの分散関係は理論から予測される Cosine 関数と良く符合し、共振器間隔 LCC が格子定数 420nm の
7 倍の場合、驚くべきことに N=5～60 までほぼ同一の帯域幅（極めて小さい結合係数: κ ～7×10-4）でフィッティングできた(図２)。そもそも PC-CROW として６０個もの結合共振器を光が透過すること自体が初めての実現であり、超高Ｑ共振器採用の効果と言える。PC-CROWの分散は LCC により制御可能で（図３）、今回実現された最小のκ (3.3×10-4)は真空中の光速度のおよそ 5×10-3 倍という極めて遅い導波路 vg に対応する。
今回の結果は、フォトニック結晶ベースの CROW のスローライト光媒体への応用への可能性に希望を持てることを示したものである。
[1] A. Yariv, et al., Opt. Lett. 24 (1999) 711.
[2] E. Kuramochi, et al., Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 041112.
[3] T. Tanabe, et al., Opt. Express. 15 (2007) 7826.
(a)

192.8

192.5

(b)
-40
-60

Ref.
N=15

-80

1560

1561

1562

192.6

192.0

κ = 6.5x10-4
LCC=5a
LCC=7aN=15 (κ =7.3x10-4)

1563

Wavelength (nm)

図１ (a) PC-CROW の電子顕微鏡
像(N=3, LCC =9a)。白枠内は共振器作成のためシフトした穴(構造は文献 3 参照)(b) PC-CROW の光透過スペクト
ル(N =15, LCC =7a)Frequency (THz)

Frequency (THz)

Transmission (dB, a.u.)κ = 3.3x10-4

192.4
0.0

N=60 (κ =6.7x10-4)0.5
k (π/L)1.0

図２ PC-CROW の 分 散関係の比較(LCC =7a は共通、N=15 と 60 とを比
較

－48－

191.5
0.0

LCC=9aκ = 1.6x10-3
0.2

0.4

0.6

k (π/L)0.8

1.0

図３ PC-CROW の分散関係の LCC による変化。N=10において比較

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

超小型高 Q 共振器による光マイクロマシン
納富雅也 谷山秀昭
量子光物性研究部
近年、フォトニック結晶を用いることによって、超小型でかつ非常に高い Q 値を併せ持つ
光共振器が実現している[1]。このような光共振器では様々な光物質相互作用が増強されることが予想されているが、今回我々はある特殊な形状をしたフォトニック結晶超小型高 Q 共振器を用いることによって、光学エネルギーを非常に高効率に力学エネルギーに断熱的に変換できることを理論的に見出した[2]。この結果、非常に微弱な光によって物体を動かすことが可能になり、光による超高効率なマイクロマシン実現の可能性が示唆されている。
試料構造（図１）は我々が近年研究している超高 Q フォトニック結晶共振器構造[1]を中央で分割して二層に分けた構造となっている。この共振器の特徴は、層間距離を変えると共振
器 Q 値が高い値に保たれたまま共振周波数が非常に大きく変化する点にある。この性質のために、系が断熱条件を満たしているとすると（このとき電磁場エネルギーは共振周波数に比例）、共振器に蓄えられた光は巨大な輻射力（エネルギーの空間微分で与えられる）を発生する（１ｐJ 当たり約 1µN）。さらにこの共振器が長い光子寿命を持つため、この輻射力は大きな力学的仕事をすることになる。共振器中の光パルスが持つ光エネルギーが光子寿命内にどれだけ力学エネルギーに変換するかを求めると、図２のような結果になった。一般にこのような光→力学エネルギー変換は（相対論的速度を持った光子ロケットのような例を除いて）光子が質量を持たないために非常に小さい（１兆分の１程度）。しかし、この共振器ではエネルギー変換効率は最大１０％程度にも達しうることが分かる。このような超高効率のエネ
ルギー変換は、超小型超高 Q 光共振器特有の現象である。
実はここで用いている光→力学エネルギー変換では、光エネルギーの減少分だけ光の周波数が低くなっている。つまりこの過程を逆に用いると、力学運動により光の波長変換が可能となる。計算によれば中心波長の 20%以上という非常に大きな波長変換が可能であることが分かった。昨年、我々は超小型共振器の共振周波数を光子寿命内に動的に変化させることによって、断熱的に波長変換が可能であることを見出したが[3]、ここで用いている過程は実は同じ物理機構に基づいている。つまり非常に高効率な光マイクロマシンは、非常に高効率なオプトメカニカル波長変換素子として働くのである。
[1] E. Kuramochi, et al., Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 041112.
[2] M. Notomi, et al., Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 023903. 07
Q=5x10[3] M. Notomi, et al., Phys. Rev. A73 (2006) 051803(R). -2

Log[ ∆U/U]-4

6

Q=3x10-6-85

Q=2x10

-10
-19

12

>10

reference-21-23

図１ 二層構造フォトニック結晶共振器

0.01

0.1

1

U (pJ)

10100

図２ 光力学エネルギー変換効率

－49－

Ⅱ．資料

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

第 4 回アドバイザリボード
2007 年 2 月 6 日から 8 日の 3 日間、物性科学基礎研究所のアドバイザリボード会議を開催しました。この会議は、研究成果ならびに研究計画を客観的に評価して研究マネージメン
トに反映させるために設置されました。最初の会議は 2001 年に開催され、その後 1 年半ごとに開催され、今回は第 4 回目です。今回の会議では、1 名の新しいメンバをお迎えしました。
3 日間の会議で、研究成果ならびに研究マネージメントに関し、貴重な提案と助言をいただ
きました。研究レベルは、以前と同様に世界的にハイレベルで、これを今後も維持し、成果をタイムリーに世界に向けて発信することが重要であるとのコメントをいただきました。また、人的リ
ソース・研究予算の安定的な確保や、内外の研究協力の強化など、いくつかの改善点をご指摘いただきました。いただいた提言を、今後の研究所運営に積極的に活用していきます。
今回のボードでは、研究所の若手研究者ならびに NTT 幹部とボードメンバとの意見交換の場を設けました。ボードメンバは、若手研究者の研究に対する意欲を直接感じることができ、また若手研究者は、著名な先生の研究に対する取り組み方を知ることができたとして好評を博しました。NTT 幹部との意見交換会では、内外の研究状況を鑑みた研究所運営について議論するよい機会となりました。次回の開催は、1 年半後を予定しております。

Board members
Prof. Abstreiter
Prof. Altshuler
Prof. Haroche
Prof. Jonson
Prof. Leggett
Prof. Mooij
Prof. Ryan
Prof. von Klitzing

Affiliation
Research field
Walter Shottky
低次元半導体物理
Columbia Univ.
凝縮系物理
Ecole Normale
量子光学
Chalmers UT
物性理論
Univ. Illinois
低温物性理論
Delft UT
超伝導量子物理
Univ. Oxford
ナノバイオ
Max-Planck-Inst. 半導体量子電子物性－51－NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

「ナノエレクトロニクス・ナノ構造・およびキャリア相関」国際シンポジウム
2007 年 2 月 21 日から 23 日までの 3 日間、NTT 厚木研究開発センター講堂において、「ナノエレクトロニクス・ナノ構造・およびキャリア相関」国際シンポジウムが、NTT 物性科学基礎研究所と科学技術振興機構（JST）戦略的創造研究推進事業発展研究（SORST）の共催で開催されました。
非常に微細な「ナノスケール」の構造と、その中での電子の微視的な振る舞いは、これまでナノテクノロジの発展とともに重要な研究対象となってきました。特に昨今では電子および
核スピン、磁性、機械的・弾性的性質などの新しい自由度が加わり、構造の持つ機能性が増え、研究対象は大きく拡大しています。さらに、量子計算や量子暗号など、量子情報処理分野の研究が進展し、ナノ構造とそのエレクトロニクスは、それらを実現できる舞台として極めて重要な役割を担っています。本シンポジウムは、これらの分野の研究をより推進するた
めに NTT 物性科学基礎研究所の山口浩司（量子電子物性研究部長）と藤澤利正（量子固体物性研究グループリーダ）および東北大学の平山祥郎教授らが議長を務め、ナノエレクト
ロニクス・ナノ構造・キャリア相関の３つをキーワードに開催されたもので、同分野をリードする NTT 物性科学基礎研究所を中心に国内外の著名な研究者が一堂に会し、最新の研究成果について活発な意見交換を行うことを目的として開催されました。
21 日 は 、 湯 本 潤 司 ・ NTT 物 性 科 学 基 礎 研 究 所 長 の 開 会 挨 拶 の あ と 、 Prof. E.
Yablonovitch (California 大 Los Angeles 校)の半導体スピンに基づいた量子情報処理に関する基調講演により会議は始まりました。この日はスピンのコヒーレント制御と量子情報処理、
二次元電子系と金属絶縁転移、量子ドットにおける電子輸送に関して 17 件の口頭講演があり、さらに 20 件のポスター発表が行われました。22 日は、ナノワイヤー・ナノチューブ、新しい
ヘテロ構造、スピントロニクスとスピン材料に関する 15 件の口頭講演と 20 件のポスター発表
が、さらに 23 日には走査プローブ顕微鏡、電子相関と電子干渉、シリコンナノエレクトロニク
ス、スピン現象に関する 15 件の口頭講演が行われました。
参加者は 145 名を数え、非常に幅広い分野から多くの著名な研究者が参加し、ナノ構造
およびそのエレクトロニクスとキャリア相関に関する質の高い講演、発表、および活発な議論が行われました。

－52－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

社外表彰受賞者一覧

文部科学大臣表彰
若手科学者賞

藤原 聡

半導体分野におけるナノ構造の物性制御とデバイス応用の研究

2006.04.18

35th Annual
International
Symposium on
Multiple-Valued Logic(ISMVL-2005)
Outstanding Paper
Award

出川 勝彦
青木 孝文
樋口 龍雄
猪川 洋
高橋 庸夫

A Two-Bit-per-CellContent-Addressable Memory
Using Single-Electron Transistors

2006.05.19

レーザー学会第 26 回
年次大会
優秀論文賞

田辺 孝純

シリコンフォトニック結晶共振器を用いた 5GHz 光パルス列変調

2006.05.31

尾身 博雄

Strain and Thermal Stability ofThin Silicon Overlayers on andbetween SiO2

2006.06.02

IEED/LEOS
Distinguished Lecturer 納富 雅也
AwardAll-Optical Control of Photonic
Crystals

2006.07.01

European Materials
Research Society(E-MRS) 2006 Spring
Meeting
Best Poster
Presentation－53－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

社外表彰受賞者一覧

応用物理学会
JJAP 論文賞

堀口 誠二
藤原 聡
猪川 洋
高橋 庸夫

Analysis of Back-Gate Voltage
Dependence of Threshold
Voltage of Thin
Silicon-on-Insulator
Metal-Oxide-Semiconductor
Field-Effect Transistor and Its
Application to Si Single-ElectronTransistor

2006.08.29

応用物理学会
講演奨励賞

田辺 孝純

超高 Q 値フォトニック結晶微小共振器の実時間光子寿命測定

2007.03.27－54－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

社内表彰受賞者一覧

先端技術総合研究所
所長表彰
研究開発賞

村木 康二
熊田 倫雄

「半導体ナノ構造を用いた核スピン
精密制御技術」

先端技術総合研究所
所長表彰
報道特別賞

谷保 芳孝
嘉数 誠
牧本 俊樹

「世界最短波長 210nm の遠赤外発
2007.2.15
光ダイオードの動作に成功(AlN)」

物性科学基礎研究
所長表彰
業績賞

谷保 芳孝
嘉数 誠
牧本 俊樹

「窒化アルミニウムの高純度化およびドーピング制御技術、発光素子作製技術の確立」

2007.3.22

物性科学基礎研究
所長表彰
業績賞

西口 克彦
小野 行徳
藤原 聡
猪川 洋

「シリコン単電子輸送・検出素子の室温動作技術の確立」

2007.3.22

藤澤 利正"Bidirectional counting of single
electrons" Science Vol. 312, 1634
(2006).

2007.3.22

物性科学基礎研究
所長表彰
論文賞

西川 敦
熊倉 一英

"High critical electric field of
AlGaN p-i-n vertical conducting
diodes on n-SiC substrate" Appl.
Phys. Lett. Vol. 88, 173508(2006).

2007.3.22

物性科学基礎研究
所長表彰
論文賞

武居 弘樹
本庄 利守

"Differential phase shift quantum
key distribution experiment over
105km fibre" New J. Phys. Vol. 7,
232 (2005).

2007.3.22

物性科学基礎研究
所長表彰
特別賞

原田 裕一

「英国における新しい共同研究スキ2007.3.22
ーム立ち上げへの貢献」

物性科学基礎研究
所長表彰
論文賞

－55－

2007.2.15

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

報道一覧
発表月日

新聞名
見出し

Ⅰ. 機能物質科学研究部
5 月 18 日

読売新聞
最短波長のＬＥＤ NTT 研究所開発 DVD 大容量化など期待

5 月 18 日

日本経済新聞紫外線 LED 世界最短波長を開発 NTT、ダイオキシン分解

5 月 18 日

毎日新聞
最短波長のＬＥＤ開発 ＮＴＴ 大容量の記憶装置に

5 月 18 日

東京新聞
最短波長のＬＥＤ開発 NTT 研究チーム ダイオキシンの分解の光に

5 月 18 日

日経産業新聞最短波長の紫外ＬＥＤ ＮＴＴ、有害物質分解に応用

5 月 18 日

日刊工業業新聞
NTT 210 ナノメートル最短の遠紫外光発光 窒化アルミＬＥＤ試作

5 月 23 日

朝日新聞
世界最短波長のＬＥＤ開発成功 NTT の研究所

11 月 27 日

化学工業日報東京理科大-NTT、触媒で鉄族以外を適用、単層 CNT 合成に成功

11 月 29 日

日刊自動車新聞
東京理科大本間教授ら、鉄族金属以外でのカーボンナノチューブを世界で初めて合成12 月 8 日

科学新聞
カーボンナノチューブ合成 世界初 金・銀・銅を触媒に 東京理科大12 月 12 日

日経産業新聞単層ナノチューブ合成 金・銀・銅触媒で成功 東京理科大と NTT－56－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

Ⅱ. 量子電子物性研究部
6 月 16 日

朝日新聞
電子 1 個の動きも計測 感度数万倍「究極の電流計」 NTT など実験成功
省電力の機器 開発に期待

6 月 16 日

日本経済新聞電子 1 個の流れ測定 NTT など 超高感度の電流計

6 月 16 日

日刊工業業新聞
NTT・東工大・JST 電子 1 個の動き捉える ナノ・量子分野応用に期待

6 月 23 日

科学新聞
電子 1 個 1 個の動き捕らえる ＮＴＴ 単電子の電流計実現

6 月 28 日

日刊工業業新聞
NTT 立体基板にレジスト均一塗布

7 月 14 日

日刊工業新聞東大と NTT 固体中の電子結晶形成 結合量子細線 電流の向きで確認

7 月 14 日

日経産業新聞「ウィグナー結晶」確認 東大などの研究チーム 極低温で電子実験

7 月 25 日

朝日新聞「電子の結晶」を固体中初確認か 東大・NTT 研究所など実験

1 月 15 日

日経産業新聞「量子ビット」安定計測 ＮＴＴなど－57－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

Ⅲ. 量子光物性研究部

6月 2日

日経産業新聞ミクロサイズの光スイッチ開発 NTT

12 月 23 日

日本経済新聞光を減速 5 万分の 1 秒速 5800 メートルにNTT、シリコン結晶を利用 光メモリーに道

12 月 24 日

毎日新聞
光の速さ 5 万分の 1 に抑制 NTT が成功 情報処理速度アップに光

12 月 25 日

日経産業新聞光の速度 5 万分の 1 に NTT 光メモリーなどに応用

12 月 25 日

日刊工業新聞1 ナノ秒間 光閉じ込め NTT 新共振器構造を開発

1 月 12 日

科学新聞
光を 1 ナノ秒蓄積 NTT が世界初 ５万分の１に光を減速
最高性能フォトニック結晶共振器で実現

1 月 16 日

朝日新聞
光、1 ナノ秒間蓄積 ＮＴＴと京大、それぞれ成功

1 月 23 日

東京新聞
ネイチャー専門誌 初めて日本で編集

2月 6日

東京新聞
盗聴もうできない？ 夢の通信「量子暗号」

3月 1日

日刊工業新聞
テクノ学び隊 光コンピュータに“光明”－58－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

報道（抜粋）（2006 年度）

Ⅰ. 機能物質科学研究部

日本経済新聞日経産業新聞日経産業新聞2006 年 12 月 12 日

日刊工業新聞2006 年 5 月 18 日

2006 年 5 月 18 日

2006 年 5 月 18 日

朝日新聞2006 年 5 月 23 日

－59－NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

Ⅱ. 量子電子物性研究部

朝日新聞2006 年 7 月 25 日
朝日新聞

日経産業新聞日刊工業新聞2006 年 7 月 14 日

2006 年 6 月 28 日

日経産業新聞日経産業新聞2006 年 6 月 16 日

2006 年 6 月 16 日

－60－

2006 年 1 月 15 日

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

Ⅲ. 量子光物性研究部

朝日新聞

日本経済新聞日刊工業新聞2006 年 6 月 2 日

2006 年 12 月 25 日

毎日新聞

2006 年 12 月 24 日

－61－

2006 年 1 月 16 日

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

来訪者による講演一覧 （2006 年度）
Ⅰ. 機能物質科学関連

講演日

講演者

講演者所属
｢講演タイトル｣5 月 29 日

Dr. Michael Jetter

5 月 29 日

Mr. Sarad Bahadur Thapa

6月 6日

Dr. Eric Mueller

7月 7日

Dr. Goo-Hwan Jeong

9月 7日

Prof. Wolfgang Stolz

9 月 15 日

Prof. Erhard Kohn

10 月 6 日

加藤 俊顕 氏10 月 6 日

岡田 健 氏10 月 26 日

Prof. Etienne Bustarret

2月 1日

Dr. Taisuke Ohta

University of Stuttgart, Germany「Quantum dots for single photon applications」
University of Ulm, Germany「Structural and spectroscopic properties of AlN
layers grown by MOVPE」
Coherent Inc.
「Continuous-Wave THz Transceivers & CW
Coherent High-Dynamic-Range THz Imaging」
CREST 本間プロジェクト「カーボンナノチューブの直径制御成長と機能化」
Philipps-University, Germany「Novel dilute nitride III/V-semiconductor laser
system for the integration to Si-microelectronics」
University of Ulm, Germany「Diamond electronics will it be able to competewith III-Nitrides?」東北大学「プラズマ CVD 法による単層カーボンナノチュ
ーブの孤立垂直配向形成とそのプラズマ効果」
東北大学「DNA を用いた単層カーボンナノチューブの機能化」
CNRS-LEPES, France「Superconducting B-doped diamond and relatedmaterials: recent progress」
E. O. Lawrence Berkeley National Laboratory,
U.S.A.
「Controlling the Electronic Structure ofGraphene Layers」－62－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

Ⅱ. 量子電子物性関連

講演日

講演者

講演者所属
｢講演タイトル｣5 月 16 日

室 清文 教授

7 月 12 日

宇佐見 康二 博士

8月 1日

Dr. Sebastian Hofferberth

8 月 11 日

Dr. Jens Hefort

8 月 29 日

大塚 朋廣 氏9月 5日

江藤 幹雄 教授

9 月 11 日

Dr. Kasper
Grove-Rasmussen

9 月 12 日

Prof. Klaus Ploog

9 月 14 日

田仲 由喜夫 准教授

10 月 20 日

井原 章之 氏10 月 26 日

Dr. Romain Danneau

11 月 6 日

Prof. Alec Maassen vanden Brink
Prof. Yasser Omar

千葉大学
「高感度・高分解能分光計測による極低温・強磁場における半導体ナノ構造のスピン凝縮相、
スピンダイナミクスの研究」
東京工業大学「On "Quantumness" of Collective Spin
Excitation」
University of Heidelberg「Radio-frequency dressed state potentials forneutral atoms」
Paul Drude Institute, Germany「Expitaxial Heusler alloys on GaAs substrates」
東京大学「量子ドット複合系における二端子伝導度からの位相情報」
慶応義塾大学「半導体量子ポイントコンタクトを用いたスピン注
入の方法」
Niels Bohr Institute, Denmark「Electronic transport in Carbon Nanotubes withnormal and superconducting leads」
Paul Drude Institute, Germany「Ferromagnetic Semiconductors for Spin
Injection」
名古屋大学「奇周波数クーパーペアと超伝導接合」
東京大学「T 型量子細線に形成された 1 次元電子ガスの発光および励起スペクトル」
University of New South Wales, Australia「Spin related phenomena in ballistic holequantum wires」
理化学研究所「Four-qubit superconducting quantum circuit」
Technical University of Lisbon, Portugal「Generation of Entanglement in Quantum Wire

1 月 22 日－63－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

1 月 29 日

Prof. Michel H. Devoret

1 月 30 日

Prof. Michel H. Devoret

1 月 31 日

Prof. Michel H. Devoret

2月 1日

Prof. Michel H. Devoret

2月 9日

Prof. Hans Mooij

2 月 16 日

Dr. Fei Xue

3 月 15 日

Prof. Lev B. Ioffe

3 月 15 日

Dr. Lara Faoro

and Application to Single-ElectronTransmittivity」
Yale University, U.S.A.
「Quantum-mechanical electrical circuits」
Yale University, U.S.A.
「Measurement of Dynamical Casimir Effect」
Yale University, U.S.A.
「Quantum Voting」
Yale University, U.S.A.
「QND fraction of JBA readout」
Delft University of Technology, Netherlands「Quantum Information Processing Using
Superconducting Circuit」
理化学研究所「Liquid-State NMR Based Quantum Computing& Cavity Quantum Electrodynamics in
Solid-State System」
The State University of New Jersey, U.S.A.
「Microscopic origin of low frequency noises in
Josephson qubits」
The State University of New Jersey, U.S.A.
「The challenge of error correction in quantum
computation」

Ⅲ. 量子光物性関連

講演日

講演者

講演者所属
｢講演タイトル｣4 月 11 日

市村 厚一 氏7月 3日

Prof. See Leang Chin

8 月 21 日

Dr. Michael Stopa

10 月 23 日

Dr. Sergei Studenikin

東芝 研究開発センター｢固体での EIT とその量子情報処理への応用｣
Laval University, Canada「Some new applications using femtosecond laser
filamentation in air」
Harvard University, U.S.A.
「Magnetic field control of exchange and noise
immunity in double quantum dots」
National Research Council of Canada, Canada「Role of magnetoplasmons in microwave
induced resistance oscillations andzero-resistance states」－64－NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

11 月 27 日

Prof. Norbert Lutkenhaus

12 月 4 日

Prof. Daniel Gottesman

12 月 6 日

Dr. Sae Woo Nam

12 月 22 日

Dr. Hiroaki Terashima

1月 9日

Prof. Shun-Lien Chuang

3月 2日

Prof. Ora Entin-Wohlman

3 月 13 日

Prof. Robert M. Westervelt

University of Waterloo, Canada「Security key rates, upper bounds and limitationsin quantum key distribution」
Perimeter Institute for Theoretical Physics,
Canada「The threshold for fault-tolerant quantum
computation」
National Institute of Standards and Technology,
U.S.A.
「Superconducting detectors for quantum
information applications」
東京工業大学「Relativistic Effects on the
Einstein-Podolsky-Rosen Correlation」
University of Illinois, U.S.A.
「Slow Light in Quantum Dots and Quantum
Wells」Ben Gurion University, Israel「The magnetic structure of lanthanum titanate」
Harvard University, U.S.A.
「Imaging Electrons in Nanoscale Devices」－65－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

学術論文掲載件数、国際会議発表件数および出願特許件数（2006 年)
2006 年に国内外の月術論文誌(英文)に掲載された学術論文の件数は、物性科学基礎
研究所全体で 169 件、国際会議の発表件数は 254 件です。また出願特許数は 52 件になります。以下に分野別の件数を示します。
学術論文掲載件数（２００６．１－２００６．１２）
機能物質科学

量子電子物性

量子光物性
0

10

20

30

40

50

60

70

80

120

140

25

30

掲載件数（件）

国際会議発表件数（２００６．１－２００６．１２）
機能物質科学

量子電子物性

量子光物性
0

20

40

60

80

100

発表件数（件）

特許出願件数（２００６．１－２００６．１２）
機能物質科学
量子電子物性
量子光物性
0

5

10

15

20

出願件数（件）
国内

－66－

国外

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

学術論文の主な掲載先と掲載件数は以下の通りです。
一般科学雑誌
雑誌名
ScienceNature(IF2006)*(30.927)(29.273)

件数
3
1

学術論文誌
(IF2006)*
雑誌名
Applied Physics Letter
4.127
Japanese Journal of Applied Physics
1.096
Physical Review B
3.185
Physica E
0.946
Physical Review Letters
7.489
Journal of Applied Physics
2.498
Optics Express
3.764
Physical Review A
2.997
Chemical Physics Letters
2.438
Diamond and Related Materials
1.988
Physica B
0.796
IEEE Electron Device Letters
2.825
Physica C
0.948
Nano Letters
9.847
Reports on Progress in Physics
8.893*IF2006: インパクトファクター 2006 （出展, Journal Citation Reports, 2006）

件数
21
18
11
10
9
9
7
7
4
4
4
3
3
1
1

研究所全体では、一論文当たりの平均インパクトファクターは 3.26 です。
国際会議の主な発表先と発表件数は以下の通りです。
国際会議名

件数

28th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS28)
2006 International Conference on Soliid State Devices and Materials (SSDM2006)
International Symposium on Mesoscopic Superconductivity and Spintronics 2006 (MS+S2006)
Conference on Lasers and Electro-Optics Quantum Electronics and Laser Science Conference/ Quantum
Electronics and Laser Science Conference (CLEO/QELS)
7th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT06)
Frontiers in Nanoscale Science and Technology (FNST2006)
14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006)
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2006)
International Conference on Nanoscience and Technology (ICN+T2006)
12th Conference on Laser Optics (LO2006)
2006 Materials Research Society Fall Meeting (MRS 2006 Fall)
IEEE Lasers and Electro-Optics Society 19th Annual Meeting (LEOS2006)
1st Canada－Japan SRO-COAST Symposium on Ultrafast Intense Laser Science
19th International Symposium on Superconductivity (ISS2006)
VIth Recontre de Vietnam, Nanophysics: from Fundamentals to Applications
International Symposium on Ultrafast Intense Laser Science (ISUILS5)International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2006)
International Conference on Raman Spectroscopy (ICORS2006)
American Chemical Society, 232nd National Meeting and Exposition (ACS)2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices-Science & Technology(IWDTF2006)
2006 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2006)

21
21
19

－67－

9
8
8
7
7
6
6
5
5
4
4
3
3
3
3
3
3
3

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

国際会議招待講演一覧 (2006)
I. 機能物質科学関連(1)

H. Omi, "Step Pattern Formation during Molecular Beam Epitaxy", Symposium on
Surface Physics 2006, Shizukuishi, Japan (Jan. 2006).

(2)

H. Hibino and M. Uwaha, "Instability of Steps During Ga Deposition on Si(111) ",Symposium on Surface Physics 2006, Shizukuishi, Japan (Jan. 2006).

(3)

H. Miyashita, I. Fujimoto, K. Hamada, K. Mikoshiba, and K. Torimitsu, "A High-Speed
AFM Observation of Inositol 1,4,5-Trisphosphate Receptor Reconstituted into a Lipid
Bilayer. ", VIII. Annual Linz Winter Workshop, Linz, Austria (Feb. 2006).

(4)

K. Ajito, "Laser-trapping Raman Spectroscopy of Neurotransmitters in Single Nerve
Terminals", The 6th France-Japan Workshop on Nanomaterials, Sapporo, Japan (Mar.
2006).

(5)

M. Kasu, "Diamond RF Power Transistors: Present Status and Prospects", Materials
Congress 2006, London, U.K. (Apr. 2006).

(6)

Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, "Formation Mechanism of Threading
Dislocations in AlN during MOVPE Growth", 13th International Conference on Metal
Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIII), Miyazaki, Japan (May 2006).

(7)

K. Torimitsu, "NanoBioscience –Analysis of Neural Functions with Bio-Molecules–",
7th International Conference "Materials in Clinical Applications" of the Forum on New
Materials, Sicily, Italy (Jun. 2006).

(8)

K. Ajito, R. Rungsawang, I. Tomita, and Y. Ueno, "Near-Infrared Raman and Terahertz
Spectroscopy and Biological Molecule Imaging", 20th International Conference on
Raman Spectroscopy (ICORS), Yokohama, Japan (Sep. 2006).

(9)

M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, A. Tallaire, and T. Makimoto "Diamond-Based RF
Power Transistors: Fundamentals and Applications", The 17th European Conference on
Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide(Diamond 2006), Estoril, Portugal (Sep. 2006).

(10) K. Torimitsu, "Neurons and Receptor Proteins for Nano-Bio Interface", The
Nano-Bio-Cogno Convergence Seminar 2006: Valorization in Medicine and Healthcare(SOC-45), Leuven, Belgium (Sep. 2006).
－68－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)(11) H. Omi, "Step Instabilities on Vicinal Si(111) during Molecular Beam Epitaxy", 1st
non-virtual meeting "Instabilities at Surfaces", Burgas, Bulgaria (Sep.-Oct. 2006).
(12) Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, "AlN deep-UV LEDs with a Wavelength of
210 nm", 6th Akasaki Research Center Symposium, Nagoya, Japan (Oct. 2006).
(13) K. Torimitsu, "Role of Magnesium in Neural Process", 11th International Magnesium
Symposium, Ise-Shima, Japan (Oct. 2006).
(14) M. Kasu, K. Ueda, A. Tallaire, Y. Yamauchi, and T. Makimoto, "Diamond Transistors
for RF Power Applications", Kobe University Frontier Technology Forum –Nano- andPhotonics-Technology in Innovation–, Kobe, Japan (Nov. 2006).

II. 量子電子物性関連(1)

T. Mukai, "Quantum Computation with Atoms: Practical Schemes and Problems",
Post-COE Workshop on Cold Atoms: Fermion and Optical Lattice, Kyoto, Japan (Feb.
2006).

(2)

H. Takayanagi, S. Sasaki, S. Kang, S. Miyashita, T. Maruyama, H. Tamura, T. Akazaki,
and Y. Hirayama, "Manipulation and Control of Spins in III-V Semiconductors by Gated
Structures", 2006 RCIQE International Seminar, Sapporo, Japan (Feb. 2006).

(3)

Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Takahashi, and H. Inokawa, "Single-ElectronTransfer in Silicon: Towards Single-Dopant Electronics", 3rd International Workshop on
Ubiquitous Knowledge Network Environment, Sapporo, Japan (Feb.-Mar. 2006).

(4)

K. Semba, "Coherent Control of a Flux-Qubit Coupled to a Quantum LC-Resonator",
UNI Erlangen Winter Seminar on Superconductivity, Finkenberg, Austria (Mar. 2006).

(5)

T. Fujisawa, "Counting Statistics of Single-Electron Transport through a Double
Quantum Dot", Capri Spring School on Transport in Nanostructures, Capri, Italy (Apr.
2006).

(6)

Y. Ono, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Inokawa, S. Horiguchi, and Y. Takahashi,"Impurity Conduction and its Control in SOI MOSFETs; Towards Silicon Single-Dopant
Electronics", 2006 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2006), Honolulu,
Hawaii, U.S.A. (Jun. 2006).

(7)

T. Fujisawa, "Counting Statistics of Single Electron Transport through a Double
Quantum Dot", IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference－69－NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

(IEEE-NMDC2006), Daejeon, Korea (Jun. 2006).
(8)

Y. Hirayama, "Single-Electron Manipulation and Detection in a Quantum Dot System",International Conference for Quantum Structure Science (ICQS-2006), Beijing, China(Jun. 2006).

(9)

K. Semba, J. Johansson, S. Saito, T. Meno, H. Tanaka, H. Nakano, M. Ueda, and H.
Takayanagi, "Vacuum Rabi Oscillations Observed in a Flux Qubit LC-Oscillator System",
Macroscopic Quantum Coherence and Computing (MQC2), Napoli, Italy (Jun. 2006).

(10) M. Uematsu, "Oxygen Self-Diffusion in Silicon Dioxide: Effect of the Si/SiO2
Interface", 2nd International Conference on Diffusion in Solid and Liquids (DSL2006),
Aveiro, Portugal (Jul. 2006).
(11) G. Yusa, K. Muraki, N. Kumada, K. Takashina, K. Hashimoto, and Y. Hirayama,"Nuclear Spin Control by a Point Contact", 28th International Conference on Physics of
Semiconductors (ICPS28), Vienna, Austria (Jul. 2006).
(12) K. Suzuki, K. Kanisawa, S. Perraud, M. Ueki, K. Takashina, and Y. Hirayama,"Observation of Subband Standing Waves in Superlattices by Low-Temperature Scanning
Tunneling Spectroscopy", 28th International Conference on Physics of Semiconductors(ICPS28), Vienna, Austria (Jul. 2006).
(13) H. Takayanagi, S. Saito, J. Johansson, H. Tanaka, H. Nakano, M. Ueda, and K. Semba,"Flux Qubit Coupled to an LC-Resonator", Materials and Mechanisms ofSuperconductivity High Temperature Superconductors VIII (M2S-HTSC-VIII), Dresden,
Germany (Jul. 2006).
(14) K. Muraki, "Interaction of Electron and Nuclear Spins in Quantum Wells", 17th
International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (HMF-17),
Wuerzburg, Germany (Jul.-Aug. 2006).
(15) Y. Hirayama, "High Precision Control of Nuclear Spins in Semiconductor
Nanostructures", 13rd International Conference on Superlattice, Nanostructures andNanodevices (ICSNN-2006), Istanbul, Turkey (Jul.-Aug. 2006).
(16) T. Fujisawa, "Counting Statistics of Single Electron Transport through a Double
Quantum Dot", VIth Recontre de Vietnam, Nanophysics: from Fundamentals to
Applications, Hanoi, Vietnam (Aug. 2006).
(17) Y. Hirayama, S. Sasaki, and T. Fujisawa, "Non-Local Charge and Spin Interactions in
Semiconductor Quantum Dot Systems", International Workshop "Tera- and－70－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

Nano-Devices: Physics and Modeling", Aizu-Wakamatsu, Japan (Aug. 2006).
(18) G. Yusa, K. Muraki, N. Kumada, K. Takashina, K. Hashimoto, and Y. Hirayama,"Controlled Multiple Quantum Coherences of Nuclear Spins", 4th International
Conference on Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors(PASPS-IV), Sendai, Japan (Aug. 2006).
(19) K. Semba, J. Johansson, S. Saito, T. Meno, H. Tanaka, H. Nakano, M. Ueda, and H.
Takayanagi, "Vaccum Rabi Oscillations Observed in a Flux Qubit LC-Oscillator System",
VIth Recontre de Vietnam, Nanophysics: from Fundamentals to Applications, Hanoi,
Vietnam (Aug. 2006).
(20) H. Nakano, "Some theoretical aspects in Superconducting Flux-qubit systems", VIthRecontre de Vietnam, Nanophysics: from Fundamentals to Applications, Hanoi, Vietnam(Aug. 2006).
(21) H. Takayanagi, T. Akazaki, S. Yanagi, and H. Munekata, "Transport Properties of
Ferromagnetic Semiconductors with Superconducting Electrodes", International
Workshop on Mesoscopic Superconductivity and Magnetism (MesoSuperMag 2006),
Chicago, U.S.A. (Aug.-Sep. 2006).
(22) K. Muraki, "Spin/Charge Fluctuations in Quantum Hall Bilayers -Nuclear Spin
Relaxation and Coulomb Drag", Interactions, Excitations and Broken Symmetries in
Quantum Hall Systems (QHSyst-06), Dresden, Germany (Oct. 2006).
(23) K. Semba, "Josephson Junction Qubits", 2006 US-Japan Workshop on Quantum
Information Science, Hawaii, U.S.A. (Oct. 2006).
(24) K. Semba, "Superconducting Flux Qubit Coupled to an LC-Oscillator", 19thInternational Symposium on Superconductivity (ISS2006), Nagoya, Japan (Oct.-Nov.
2006).
(25) H. Takayanagi, Y.-L. Zhong, and T. Akazaki, "Noise and Conductance Fluctuation due
to Andreev Reflection", 19th International Symposium on Superconductivity (ISS2006),
Nagoya, Japan (Oct.-Nov. 2006).

III. 量子光物性関連(1)

Y. Tokura, "Coherent Single Electron Spin Control in a Slanting Zeeman Field", A
workshop on Imaging at the Nanoscale, Quantum Information Processing, Nanophotonics,
Nanoelectronics: Frontiers in Nanoscale Science and Technology (FNST), San Francisco,
U.S.A. (Jan. 2006).

－71－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

(2)

Y. Tokura, "Electron Spin Manipulation in Quantum Dot Systems", International
Workshop on Electron Spin Resonance and Related Phenomena in Low Dimensional
Structures, Sanremo, Italy (Mar. 2006).

(3)

Y. Tokura, "Interaction and Interference Effect in the Electron Current through Laterally
Coupled Quantum Dots", International Seminar and Workshop on Non-equilibrium
Dynamics in Interacting Systems, Dresden, Germany (Apr. 2006).

(4)

Y. Tokura, "Coherent Transport through Coupled Quantum Dots", MTI & CNM
International Argonne Fall Workshop on Nanophysics VI, Nanoscale Superconductivity
and Magnetism, Argonne, France (Nov. 2006).

(5)

M. Notomi, "Photonic Crystal Waveguides and Resonators", ePIXnet Winter School,
Pontresina, Switzerland (Mar. 2006).

(6)

M. Notomi, "Light Control by Photonic Crystals", ePIXnet Winter School, Pontresina,
Switzerland (Mar. 2006).

(7)

M. Notomi, E. Kuramochi, T. Tanabe, A. Shinya, and H. Taniyama, "All-OpticalControl of Photonic Crystal Nanocavities", 2006 Optical Society of America Integrated
Photonics Research and Applications Topical Meeting/ Nanophotonics Topical Meeting(OSA IPRA/NANO), Uncasville, U.S.A. (Apr. 2006).

(8)

M. Notomi, T. Tanabe, E. Kuramochi, A. Shinya, H. Taniyama, and S. Mitsugi,"Dynamic Control of Light by Photonic-Crystal Resonator-Waveguide-Coupled System",
Conference on Lasers and Electro-Optics/ Quantum Electronics and Laser Science
Conference (CLEO/QELS’06), Long Beach, U.S.A (May, 2006).

(9)

H. Nakano, K. Oguri, Y. Okano, and T. Nishikawa, "Picosecond Time-Resolved XAFS
Measurements Using Femtosecond Laser-Produced Plasma X-Rays as a Probe," XIIInternational Conference on Laser Optics (LO’06), St. Petersburg, Russia (Jun. 2006).

(10) M. Notomi, E. Kuramochi, T. Tanabe, A. Shinya, and H. Taniyama, "All-OpticalControl of Photonic Crystal Nanocavities", Journée Nationale Cristaux Photoniques,
Marcoussis, France (Jun. 2006).
(11) H. Nakano, K. Oguri, Y. Okano, and T. Nishikawa, "Time-Resolved XAFS
Measurements Using Femtosecond Laser-Produced Plasma X-Rays", 1st Canada-Japan
SRO-COAST Symposium on Ultrafast Intense Laser Science, Tokyo, Japan (Jul. 2006).
(12) M. Notomi, E. Kuramochi, T. Tanabe, A. Shinya, and H. Taniyama, "All-Optical－72－

NTT 物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 17 (2007 年 9 月)

Control of Photonic Crystal Nanocavities", 11th OptoElectronics and Communications
Conference (OECC2006), Kaohsiung, Taiwan R.O.C. (Jul. 2006).
(13) M. Notomi, E. Kuramochi, T. Tanabe, A. Shinya, and H. Taniyama, "All-OpticalControl Of Ultrasmall High-Q Photonic Crystal Nanocavities", Asia-Pacific OpticalCommunications Conference 2006 (APOC2006), Gwangju, Korea (Sep. 2006).
(14) S. Kawanishi, "High-Speed Optical Transmission Technology Using All-Optical Signal
Processing", Asia-Pacific Optical Communications Conference 2006 (APOC2006),
Gwangju, Korea (Sep. 2006).
(15) M. Notomi, E. Kuramochi, T. Tanabe, A. Shinya, and H. Taniyama, "All-Optical
Switching and Dynamic Control of Light by Photonic Crystal Nanocavities", 2006
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), Yokohama,Japan (Sep. 2006).
(16) K. Yamada, T. Tsuchizawa, T. Watanabe, H. Fukuda, H. Shinojima, T. Tanabe, and S.-I.
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Waveguides", The 19th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society,(LEOS2006), Montreal, Canada (Oct.-Nov. 2006).
(17) H. Nakano, K. Oguri, Y. Okano, and T. Nishikawa, "Femtosecond Laser-Induced
Melting and Ablation Processes Observed by Picosecond-Time-Resolved XAFS Using
Femtosecond Laser-Produced Plasma Soft X-Ray Pulses", 5th International Symposium
on Ultrafast Intense Laser Science (ISUILS5), Lijiang, China (Nov. 2006).
(18) K. Oguri, Y. Okano, T. Nishikawa, and H. Nakano, "Ejection of Liquid Aluminum
Nanoparticles
inFemtosecond-Laser-Ablation
Plume
Observedby
Spatiotemporally-Resolved XAFS", 5th International Symposium on Ultrafast Intense
Laser Science (ISUILS5), Lijiang, China (Nov. 2006).
(19) M. Notomi, "All-Optical Control of Photonic Crystals", Photonic Crystal Meeting ofIEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEOS) Scottish Chapter, St. Andrews, U.K.
(Nov. 2006).
(20) A. Yokoo and H. Namatsu, "Nanoelectrode Lithography", 2006 Materials ResearchSociety Fall Meeting (MRS 2006 Fall), Boston, U.S.A. (Nov.-Dec. 2006).
(21) M. Notomi, "All-Optical Control of Light in Photonic Crystals", 2006 Symposium of
the IEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEOS) Benelux Chapter, Eindhoven, The
Netherlands (Dec. 2006).

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“NTT 物性科学基礎研究所の研究活動”編集委員会
尾身 博雄

影島 博之

谷山 秀昭

赤坂 哲也

林 稔晶

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