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研究開発向けソリューション

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イントロダクション
半導体、MEMSおよびナノテクノロジーアプリケーション向けウェーハプロセスソリューションの分野において、EVGはテクノロジーとマーケットのリーダーとして技術開発パートナーおよびお客様のアイデアを実現するためのサポートをいたします。
マイクロ・ナノ製造技術におけるEVGの発明の歴史は独創性に富んでいます。私たちは徹底した共同研究開発を通じて、新しい技術を探求し、マイクロ・ナノレベルの次世代アプリケーション向けの製造技術を誰よりも最初に世に送り出すというビジョンを掲げ、実践し続けてきました。EVGは毎年平均して10以上の欧州共同研究開発プロジェクトに参加し、幾つかの共同開発プログラムでも世界中のR&D機関と協力して開発を行っています。

EV Groupは40年以上にわたって多くの研究期間と連携を重ね、業界における様々な知見を得てきました。EVGの研究開発用装置は卓越した技術と柔軟性を最大限に活かし、大学、研究機関、そして技術開発パートナーによる複数の研究プロジェクトやアプリケーション開発の発展に寄与しています。

さらに、これらの研究開発向け装置はEVGの生産用プラットフォームへのシームレスな統合が可能であり、研究開発から小ロット生産、そして量産までのあらゆる生産規模に対応します。

EVGの研究開発向け装置と量産向け装置は、ソフトウェアとレシピの互換性があるため、研究用のプロセスを量産環境にも簡単に移行することができます。

研究開発またはパイロットライン向けに複数用途で使用可能な装置

ウェーハ接合
陽極接合
接着剤接合
金属接合
熱圧着接合

レジストプロセス
スピン塗布
スプレー塗布
水溶性もしくは溶剤ベースの薬液による現像

ホットエンボス
（HE）
スピン塗布層へのHE
樹脂基板へのHE
光学アライメントによるHE
メカニカルアライメントによるHE

EVG®520

EVG®101

UVナノインプリント
SmartNIL®
マイクロコンタクトプリント
ハードUV-NIL
ソフトUV-NIL

マスクアライメント
光リソグラフィ1stプリント上面および下面アライメント
SU8を使ったマスター作成

EVG®620x

ボンドアライメント
上面および下面アライメント

レジストプロセス
EVG®101■■

全自動スピン塗布 / スプレー塗布 / 現像（手動ウェーハ搬送）■■シリンジ・ディスペンスシステムによるレジスト使用量の最小化（高粘度レジストを含む）

量産用装置と同じ設計のプロセスモジュールを使用することによる、研究開発から生産への容易なプロセス移管

異方性エッチピット内のスプレーコ
ーテイングされたレジスト層
提供：TU-Delft DIMES

最小フットプリントで高レベルの安全性を維持

リソグラフィ
EVG®620 NT / EVG®6200 NT

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上面アライメント精度： ± 0.5 µm / 3σ（R&Dの場合、± 0.1 µm）まで
下面アライメント精度： ± 1.0 µm / 3σまで
基板サイズ：小片から150 mm まで（EVG®6200の場合、200 mmまで）

90°の側壁角度を持つ80 µm厚のSU-8レジスト構造
DALSA Corporation 社提供

光学式ボンドアライメント
薄ウェーハまたは反りのあるウェーハ搬送

R&D装置または量産用装置として手動 / 自動の切り替えが可能

ナノインプリント・リソグラフィ（NIL) およびホットエンボス（HE）
EVG®620 NT / EVG®720 / ホットエンボスおよび離型用ツールセットを備えた
EVG®500 シリーズ■

ナノインプリント・リソグラフィ技術を用いて、さまざまな種類の構造や形状、サイズを簡単に複製 - 複雑で高価な光学系を使わずに、ナノスケールの構造を作製可能■■■

独自のSmartNIL® 技術を含むEVG®620 NTで一般的なインプリントにすべて対応

およそ10nm厚に最適化された残留層とL/Sグレーチング
提供：EVG

先端プロセス開発や商業化前の試作に適したSmartNIL® 技術専用装置EVG®720

EVG®500シリーズによるマイクロ・ナノ構造を同時複製。バルクの樹脂材料やガラスへのインプリントも可能。
スピン塗布された熱可塑性樹脂に最適。

接合
研究開発向け接合装置 EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS
ウェーハ接合

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陽極接合
接着剤接合
共晶接合
液相拡散接合
熱圧着接合

特長

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最大基板サイズ200 mm
最大荷重100 kN

4.4 µm パッドのハイブリッド接合によるデイジーチェーン©STMicroelectronics
社から許可を得て掲載

最高温度550°C
到達真空度1x10-6 mbar
その他オプション：陽極接合、UVキュア、650°C加熱用ヒーター* S. Lhostis et al., “Reliable 300 mm Wafer Level Hybrid Bonding for 3D Stacked CMOS Image Sensors”, 2016 IEEE 66th Electronic Components and Technology Conference

プロセスサービス
EVG装置によるウェーハプロセスサービス；下記の特殊プロセスを含む

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プラズマ活性化直接接合

ComBond® - シリコンと化合物半導体の導電性接合
高真空下でのアライメント接合
仮接合と熱剥離、機械剥離、またはレーザー剥離
ハイブリッド接合
接着剤接合
ダイ・トゥ・ウェーハ（D2W）一括接合

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永久接合
リソグラフィ
大型基板上へのUV-NIL
レンズモールディング

SmartNIL®用マスタースタンプやワーキングスタンプの作製

レジストプロセス利点
複数の機能 / 複数の目的に対応した装置
EVG®610, EVG®620 NT,EVG®6200 NT■■■

リソグラフィ
ナノインプリンティング

EVG®510, EVG®520

EVG®101

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接合
ホットエンボス

スピン塗布
スプレー塗布ボンドアライメント

複数のプロセス能力
ナノインプリント・リソグラフィ(NIL)

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接合

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SmartNIL®

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ハードUV-NIL
ソフトUV-NIL
マイクロコンタクトプリン
ティング
レンズモールディング

塗布

金属接合（液相拡散、共晶、 ■■
熱圧着）

スピン塗布

ガラスフリット接合■

段差構造へのコンフォーマ
ル塗布■

高段差構造に対する厚膜レジストの均一塗布■

接合用接着剤塗布

陽極接合
接着剤接合
仮接合

OmniSpray®

プロセスサービス■■■

多彩な産業機器とプロセスへのアクセス
お客様の要求仕様に合わせた評価プログラム■■

サンプルプロセスでの高い成功実績

EVGのサービスプロバイダーへのアクセス

少量バッチでのプロセス

研究開発協力■アプリケーションや各種マーケットでの専門知識■

技術的なコンセプトやソリューションに合った装置やツールのカスタマイズ■■■

産業界との協業ネットワーク■

プロセスおよび装置の技術認証

技術相談と概念検証
商業化へのプロセス検証

ソフトウェアとサポート
ユーザーフレンドリーな Windows ベースの GUIで、画面の指示に従うだけの直感的な操作で各プロセスステップを進めることができます。 多言語サポート、個別のユーザーアカウント設定、統合されたエラーログ / パフォーマンスレポートやリカバリ機能により、あらゆる操作がシンプルに行えます。
EVGの全ての装置は安全なリモートアクセスが行え、電話やメールでのリアルタイムリモート診断や、トラブルシューティングサービスを行っています。EVGはヨーロッパ（本社）、アジア（日本）、北米（米EVG Process
Expertise国）にクリーンルームを所有しており、各国の経験豊富なエンジニアが、いつでもサポートできるよう万全の体制を整えています。
...etc.

ウェーハ＆テンプレート
製作
基板洗浄

レジスト
塗布
（スピン/スプレー）

アライメント
検証

SOI接合

マスクレス
露光

RIE,DRIE
ナノインプリント
リソグラフィ

レジスト
現像ウェーハ
ダイシング
基板薄化
CMP

ウェーハ
接合
計測

レジスト
リフト・オフ
金属膜形成

ボンド
アライメント

電解めっき
ウェット
エッチング

近接露光
リソグラフィ

プラズマ
活性化

EVGのプロセス

CVD,LPCVD,PVD,...

仮接合、剥離ストレス
リリーフ・エッチング

チップto
ウェーハ
接合

酸化ウェーハバンプ形成＆再配線

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新技術で未来を創る
新しい技術を探求し、その技術をマイクロ・ナノ製造技術の次世代アプリケーションへ、誰よりも先に世に送り出す企業である私たちは、お客様の新製品開発のアイデアを具現化します。
ナノテクノロジーをさまざまなアプリケーションに適用
ナノインプリント、ホットエンボス、マイクロコンタクトプリント及び樹脂接合といったEVGのプロセス技術は、100 µmから10 nmサイズのデバイス構造の製造を可能にします。
アプリケーション領域として、バイオ・メディカルデバイス、各種センサー、MEMS、そしてフォトニック構造があります。

20 µm

5 µm

多結晶シリコン（mc-Si）のハニカムテクスチャ提供：Fraunhofer ISE「あらゆるモノとモノを」接合

LED の光取り用フォトニック結晶

12.5 nm ドット

EVG® ComBond®

EVG ComBond プラットフォームはいくつかの革新的な技術を組み合わせることで、優れた接合強度と導電性を有する異種材料接合界面の形成を室温で実現します。
この斬新な技術である酸化膜フリーの接合は、シリコンフォトニクスや高真空MEMSパッケージング、化合物半導体、そして高移動度トランジスタや高性能・低消費電力ロジックおよび高周波（RF）デバイスなどの「CMOSを超えた」アプリケーション向け先端加工基板で特にその優位性を発揮します。汚染や酸化膜の無い接合を室温で行うためには表面処理が非常に重要となりますが、この工程をEVG ComBondでは自在に行うことができます。
SiC

5 nm

III-V / Si接合によって作成された33.3％の発電効率を誇る多接点接合太陽電池
提供：Fraunhofer ISE/A. Wekkeli

SiC

SiC - SiC 接合界面

Ge5 nmSi

Ge - Si 接合界面

高段差への塗布

EVGは、3D実装やウェーハレベルパッケージングといったアプリケーションに不可欠なプロセスである高段差構造向けのスプレー塗布技術と装置を開発しました。
この技術は、例えばTSVのような高アスペクト比構造へのコンフォーマル塗布、ダイシングストリート内側へのコンフォーマル塗布やMEMSキャビティへの塗布などに非常に有効です。

100 nm

EVG®620 NTの高焦点深度露光により、深さ150 µmキャビティ内に形成されたパターン
提供：EVG

20 µm

20 µm

深さ100 µm、開口部350 x 350 µmのキャビティへの塗布

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