注目講演
注⽬講演とは︖︖
各分科に投稿された講演の中から，プログラム編集委員が「おもしろい講演なので、他の分科の参加者にもぜひ聞いていただきたい︕」とおすすめする講演です。プログラムにも、講演タイトルの前に「注⽬講演」という冠がついています。
※講演番号の読み⽅︓10a-Z05-1は10⽇，aは午前，Z05会場の1番⽬の講演を意味します．9p-Z28-9は9⽇，pは午後，Z28会場の9番⽬の講演を意味します．
中分類分科名FS.1 フォーカストセッ
ション「AIエレクトロニクス」

講演番号会場
講演⽇時

Z28
9p-Z28-9

講演タイトル講演者

所属

注⽬講演推薦理由

九⼯⼤⽣命体⼯, 九⼯⼤ニューロモ
多様な材料を利⽤したランダムネットワーク物理リザバーの⽐較
⽥中 啓⽂
ルフィックAIハードウェア研究センター
リザバー計算は、ソフトウェアで実装され様々な応⽤が試みられているが、ハードウェアでソフトウェア同様の複雑なネットワークを表現することは容易ではない。ナノ材料によるネットワークの形成は、新たなアプローチとして期待されている。本講演では、カーボンナノチューブ、ナノ粒⼦、ナノワイヤの３つのナノ材料系でそれぞれランダムネットワークを形成し、そのリザバーとしての有効性を検証した。今後の応⽤が期待される。

9/9(⽔)
15:45 16:00
Z17
GeSbTe基板上での微⼩液滴の光駆動操作
⾼松 有花
慶⼤院理⼯
3.1 光学基礎・光学
9/9(⽔) 昨年度秋の応⽤物理学会にて講演奨励賞（ポスター発表）の受賞内容に続く発表であり，昨年度春の講演会が中⽌であったため，注⽬講演に推薦する．
9p-Z17-16
新領域
18:00 18:15
Z19
超精密機械加⼯による⾼Q値単結晶微⼩光共振器の作製
藤井 瞬
慶⼤理⼯
3.6 超⾼速・⾼強度9/10(⽊) 超精密切削加⼯のみを⽤いて微⼩光学素⼦を製作し，トップダウンの⼿法で作製した単結晶微⼩光共振器として世界最⾼の光学性能（Q値1.4億）を達成
10p-Z19-2
レーザー
13:15 - している．研究成果の⼀部はOpticaに掲載されている．
13:30
Z05磁気円⼆⾊性分光による傾斜格⼦歪希⼟類鉄ガーネットの磁気構造解析
⼭原 弘靖
東⼤院⼯9/10(⽊) 筆者らは、フェリ磁性希⼟類鉄ガーネットのヘテロエピタキシャル薄膜がﬂexoelectricityによる残留電気分極を⽰すことを報告してきた。本講演では電荷移動遷
6.4 薄膜新材料
10a-Z05-1
08:30 - 移磁気円⼆⾊性と内殻励起X線磁気円⼆⾊性の⽐較結果を報告する。エピタキシャル歪み層と緩和バルク層の中間に存在する傾斜歪み層が残留磁化と残留電気分極の共存に寄与することを⽰し、注⽬すべき薄膜新材料といえる。
08:45
クライオプラズマにより⽣成した天⽂関連⾚⾊物質がもたらす、外太陽系氷天体に⾒られる⾊分布への東⼤院新領域, 学振特別研究員
Z05
榊原 教貴
説明可能性
DC
8.5 プラズマ現象・新11p-Z05-2 9/11(⾦) 極低温環境で⽣成可能されるクライオプラズマを氷表⾯に照射し、外太陽系に存在する氷天体と類似した⾚⾊を呈することを発⾒した。この⾚⾊は温度依存性が応⽤・融合分野
13:45 - あり、昇温により－150℃を超えると徐々に薄くなり消えてしまう。この成果は外太陽系の氷天体に⾒られる⾊分布に対する新たな説明と太陽系の形成メカニズムの解明に貢献する可能性をもつ注⽬の講演である。
14:00
⾼温曲げアニールを⽤いたRE BCOコート線材の⾯内ドメイン制御の試み ~⾯内ひずみ印加による室温
Z27
岡⽥ 達典
東北⼤⾦研
11.2 薄膜，厚膜，下での酸素原⼦再配置の可能性~
テープ作製プロセスおよ 9a-Z27-13 9/9(⽔) 超伝導リニアや超マグなどに⽤いられる超伝導線材に印加される様々な歪みは超伝導特性に影響を与える。また、RE系線材では⾯内結晶ドメインに対する歪み
び結晶成⻑
11:45 - 依存性が異なるため、⼀軸ひずみ依存性の理解も重要である。本講演では、室温で⾯内結晶ドメインが経時変化するという、酸素の拡散係数の観点からは理解しがたい傾向を得ている。この経時変化は物理現象や品質管理の観点から興味深い結果である。
12:00
Z12フラグメント分⼦軌道法を⽤いたSARS-CoV-2スパイクタンパク質の相互作⽤解析
秋澤 和輝
⽴教⼤理
12.6 ナノバイオテクノロ
9/10(⽊) 新型コロナウイルス感染症の有効な治療薬を開発するためには、標的タンパク質と薬剤候補分⼦の相互作⽤の理解が重要である。理研R-CCS「富岳」などの計
10a-Z12-10
ジー
11:00 - 算機を活⽤し、フラグメント分⼦軌道(FMO)や分⼦動⼒学(MD)の組み合わせによる解析を⾏うことで、薬剤候補分⼦の相互作⽤メカニズムを明らかにした。学術的・社会的に⼤きな意義を有することから、注⽬講演に推薦する。
11:15
Z10
電⼦線照射による「液体Si→固体Si」の⾮加熱変換
森 雅弘
北陸先端⼤
13.4 Si系プロセス・Si
9/10(⽊) 液体Siの⾮加熱での固体Si変換に関する発表である。
系薄膜・MEMS・装置 10p-Z10-10
15:15 - 液体Si (Cyclopentasilane(CPS))へ電⼦線照射することで不純物の少ない⾮晶質の固体Siの堆積物が形成され、この堆積物のサイズは電⼦線の照射条件技術で制御可能で100 nm以下のSiパターンも形成できたと報告している。
15:30
Electron and lattice cooling in thermionic emission heterostructures with tilted
LIMMS/CNRS-IIS, Univ. ofZ10
Marc BescondbarriersTokyo
13.6 ナノ構造・量⼦
8p-Z10-1 9/8(⽕) ⾮対称半導体量⼦井⼾へテロ構造を⽤いた、熱電⼦放出と共鳴トンネル効果による電⼦冷却を理論と実験の双⽅から実証している。電⼦温度は室温から約50
現象・ナノ量⼦デバイス
13:00 - K減少しており，シミュレーション結果ともよく⼀致している。さらなる改善が期待できる構造の提案もあり，新しいメカニズムのナノスケール冷却システムとして期待できる。以上から，注⽬講演に推薦する。
13:15
Z04
AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける局所圧電格⼦変形の放射光ナノビームX線回折オペランド計測
嶋⽥ 章宏
阪⼤院基礎⼯13.7 化合物及びパ9/10(⽊) ナノビームX線解析により、AlGaN/GaN HEMTの動作下での局所的な格⼦歪み（逆圧電効果）を精密に評価し、格⼦⾯間隔がゲート電圧やドレイン電圧のワー電⼦デバイス・プロ 10p-Z04-10
15:30 - 印加条件に依存することを明らかにした。先駆的な研究で、GaN系電⼦デバイスの劣化機構の解明に寄与する可能性があり、注⽬講演に値する。
セス技術
15:45
Z04
フォトニック結晶を利⽤した中⾚外⾯発光型量⼦カスケードレーザ試作と評価-2
橋本 玲
東芝⽣産技術センター
13.8 光物性・発光デ9/9(⽔) ⾚外域の⼩型光源として⽤いられている量⼦カスケードレーザは量産性やモード制御性に優れる⾯発光型の実現が望まれているが、発光は TM 偏光しているため
9a-Z04-5
バイス
09:30 - ⼀般的な VCSEL 構造適⽤での⾯発光化が困難である。本研究では、⾯⽅向への指向性向上を⽬的としてフォトニック結晶を導⼊したデバイス構造を提案・試作及び動作実証を⾏ったものであり、注⽬講演に値する。
09:45
Z02
サファイア基板上AlGaN材料UVBレーザダイオードの構造検討佐藤 恒輔
旭化成, 名城⼤15.4 III-V族窒化物
9/9(⽔) 光のエネルギーが4eVを超える深紫外領域における半導体レーザは絶縁性が⾼く実現が困難であると考えられていた。しかし、昨年度になりUV-C・UV-B領域の9a-Z02-5
結晶10:30 - AlGaN系半導体レーザが相次いで実現しブレークスルーが達成された。本報告は安価なサファイア基板上に作製されたUV-B半導体レーザの最新の状況に関するものであり、⼤変興味深く注⽬に値する。
10:45
Gekko Patria
Passivation of Si-TiO2 Interface Using Controlled SiOx Layer by Zone HeatingTokyo Tech.
Budiutama
Recrystallization for Perovskite/Silicon Tandem Solar Cell
16.3 シリコン系太陽電
11p-Z23-16 9/11(⾦) シリコン太陽電池分野において⾼効率化技術開発に対する要求は強い。本発表では、最近注⽬されているペロブスカイト／シリコンタンデム太陽電池において重要池
17:00 - なシリコン／ペロブスカイト界⾯制御技術として、シリコン界⾯パッシベーション並びにペロブスカイト太陽電池のETLとして有望なSiO2膜をZHRにて形成し、詳細な電気的および構造評価を⾏った。
17:15
Z23Z29原⼦層WTe2における電⼦状態の観測と層数依存性

⽥中 佑磨

東⼤⼯

11a-Z29-1 9/11(⾦) WTe2は2次元トポロジカル物質として注⽬されているが、層数や配向を制御した⼤⾯積合成法は確⽴しておらず、詳しい電⼦状態の観測はなされていない。本
08:30 - 研究では、微⼩なWTe2剥離結晶⽚とグラフェン等との積層構造を形成することで帯電防⽌と清浄表⾯保持を実現し、顕微⼿法によってWTe2の電⼦状態の層08:45
数依存性の観察に成功した。
Z09
ハイスループット材料合成・計測・統計解析による磁気相転移における臨界指数の導出
⼩嗣 真⼈
東理⼤
23.1 合同セッションN
9/10(⽊) この発表では、ハイスループット実験法を使ってFe-Co-Cr三元系磁性薄膜を作製し、それを磁気円⼆⾊顕微鏡（MCD）で観察することで磁気相転移を迅速に
10a-Z09-2「インフォマティクス応⽤」
09:15 - ⾒つける臨界指数をインフォマテックスを使って報告している。この結果は従来のこの系の結果と⼀致しており、今後、データ科学と実験を融合して新磁性材料を迅速に⾒つけ出す⽅法として注⽬される。
09:30
Z21
プラズマが作⽤した触媒表⾯のin situ ラマン計測
齋藤 敦史
東京⼯業⼤学, AGC株式会社
8.3, 9.2,13.6のコード
9/9(⽔) プラズマ―触媒共存系では、プラズマで発⽣した材料分⼦が⾼エネルギー状態になることで特異な触媒反応が期待できる。本講演では、プラズマが作⽤した触媒表
9a-Z21-7
シェアセッション
10:15 - ⾯の素過程を知る重要知⾒を得るものであり、他の触媒反応系への応⽤展開も期待できる。
10:30
Z16CMOSイメージセンサを例にした技術の社会実装
平⼭ 照峰
ソニー（株）
NT3 【⼀般公開】応⽤物理技
術の社会実装の加速を⽬指し9/11(⾦) 裏⾯照射型CMOSイメージセンサー開発を牽引された平⼭照峰さんご⾃⾝による貴重なご講演。
11p-Z16-4て（２）~集積回路技術を例
14:25 題に~
14:50
17.3 層状物質

今回の注⽬講演は17件。プログラム編集委員がおすすめする講演です。