山梨大学工学部電気電子工学科 令和６年度3年次編入学試験説明資料
電気電子工学科
3年次編入学生の選抜試験では、提出された成績証明書の内容ならびに本学で実施しました試験の結果を総合して判定し、合格者を決定しました。
1. 筆記試験電磁気学，電気回路，電子回路（アナログ）を出題しました。解答時間は120分です。
試験問題は別紙のとおりです。
2. 口頭試問
電気電子工学の基礎的事項、志望動機、適正、一般常識などに関して質問しました。個
人面接で、試験時間は10分です。

令和６年度

３ 年次

山梨大学工学部編 入 学 筆 記 試（一般選抜）

験問題（表紙）電気電子工学科

注意事項
１．封筒は，試験開始の合図があるまで開けてはいけません．
２．試験科目は３科目です．
電磁気学：問題用紙 No. 1
電気回路：問題用紙 No. 2電子回路（アナログ）：問題用紙 No. 3
３．封筒内には以下の用紙が含まれます．試験が開始したら全ての用紙が含まれることを確認し，用紙に不足がある場合や印刷に不鮮明な箇所がある場
合には，静かに手を挙げ試験監督に申し出ること．
問題用紙３枚（電磁気学１枚，電気回路１枚，電子回路１枚）
解答用紙
６枚（電磁気学２枚，電気回路２枚，電子回路２枚）
計算用紙
２枚
４．全ての解答用紙に，受験番号を記入すること．
５．科目ごとに専用の解答用紙２枚以内を使用すること．表面に書ききれない
場合は，裏面を使用すること．解答には導出過程も記述すること．
６．問題用紙，解答用紙，計算用紙をすべて提出すること．
７．机の上に置けるものは，鉛筆，シャープペンシル，消しゴム，定規，時計，受験票です．時計は，時計機能のみを持つものだけ使用できます．携帯電話，スマートフォン，タブレット端末等の電子機器は，試験中一切使用できません．

令和６年度３ 年

次 編 入

山梨大学工学部

学

筆記

試

験問題
No. 1 of 3

学科
1.

電気電子工学科

試

験 科 目

電磁気学

真空中において，図 1 に示すように原点 O を中心とし，xy 平面に置かれた半径𝑎 [m]の薄い円板に面密度𝜎 [C/m ]で電荷が一様に分布している．真空の誘電率は𝜀 [F/m]，電位は無限遠を基準とする．以下の問いに答えよ．ただし，導出過程は詳細に記述する
こと．

z(1) 半径𝑟 [m]と半径𝑟 + 𝑑𝑟 [m] (𝑑𝑟は微小な幅とする)からなる円板上の円環に含まれる電荷𝑑𝑄 [C]を求めよ．またその円環に含まれる電荷が点 P (0, 0, 𝑧 [m])につくる電位𝑑𝜑 [V]も求めよ．

P (0, 0, z)y(2) 円板全体に含まれる電荷により生じる
点 P での電位𝜑 [V]，および電界の𝑥，𝑦，𝑧成分𝐸 ，𝐸 ，𝐸 [V/m]を求めよ．

drr aO(3) (2)の結果を用いて，xy 平面に無限大の広がりを持つ平面上に電荷が面密度𝜎 [C/m ]で一様に分布しているときの点 P における電界の強さ𝐸 [V/m]を求めよ．
2.

図 2 に示すように，yz 平面に平行かつ原点 O を中心とする円電流 1 と点A(2𝑏 [m],0, 0)を中心とする円電流 2 がある．円電流 1，2 の半径はそれぞれ𝑎 [m]，𝑎 [m]，電流の大きさは𝐼 [A]，𝐼 [A]とし，電流の向きは図 2 に示す．
以下の問いに答えよ．ただし，導出過程は詳細に記述すること．

x

図1zI1

I2a1O

ya2x

B (b, 0, 0)
A (2b, 0, 0)円電流1円電流2

図2(1) 半径𝑎 [m]，電流𝐼 [A]の円電流により生じる，円電流の中心軸上で円中心から𝑥 [m]離れた位置での磁界の強さ𝐻 [A/m]はビオ・サバールの法則により以下となる．
𝐼𝑎𝐻=2(𝑎 + 𝑥 )この式より，円電流 1，2 により生じる点 B(𝑏, 0, 0)での磁界の強さ𝐻[A/m]を求めよ．

(2) 𝑎 = 𝑎 = 0.1 m，𝑏 = 0.3 m，𝐼 = 0.3 Aとし，𝐼 を0 Aから0.6 Aまで変化させたときの[A/m]と𝐼 [A]の関係をグラフに図示せよ．ただし，(0.1) は点 B での磁界の強さ𝐻0.03とする．また，点 B での磁界の向きと𝐼 の関係についても記述せよ．必要ならば図を用いてもよい．

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学筆記

試

験問題
No. 2 of 3学

科

電気電子工学科

試

験 科 目

電気回路

1. ある回路における 2 箇所の電圧𝑣 [V]，𝑣 [V]をオシロスコープで観測した結果，画面に図 1 に示す波形が観測された．以下の問いに答えよ．ただし，画面表示では，縦軸が電圧軸，横軸が時間軸を示し，div は 1 目盛り，CH はチャネルを意味する．
(1) 縦軸は1 V/divであった．𝑣 と𝑣 の実効値𝑉 [V]，𝑉 [V] の値を求めよ．ただし，√2は 1.41とし，導出過程も示すこと．また，答えは有効数字 2 桁で示すこと．
(2) 横軸は2 ms/divであった．𝑣 の周期𝑇 [ms]と周波数𝑓 [kHz]の値を求めよ．
(3) 𝑣 と𝑣 の時間差は∆𝑡 = 1 msであった．これより，𝑣 と𝑣 の位相差𝜃 [°]の値を求めよ．
また，どちらの波形の方が位相が進んでいるかを答えよ．

t
CH1: 𝑣
CH2: 𝑣

図12. 図 2 に示す𝑅 [Ω]，𝑅 [Ω]，𝑅 [Ω] の抵抗，𝐸 [V]，𝐸 [V]の直流電圧源からなる回路について，以下の問いに答えよ．それぞれ，導出過程も示すこと．
(1) a-b 間に流れる電流𝐼 [A]を𝑅 ，𝑅 ，𝑅 ，𝐸 ，𝐸 を用いて表せ．
(2) 𝐸 = 4 V，𝐸 = 2 V，𝑅 = 20 Ω，𝑅 = 10 Ω，𝑅 = 50 Ωとするとき，電流𝐼 [A]，𝐼 [A]，𝐼 [A]の値を求めよ．

I1R1I2R2aI3E1R3R1E2R2b
図23. 図 3 に示す𝑅 [Ω]，𝑅 [Ω]の抵抗，𝐶 [F]のコンデンサ，𝐿 [H]のインダクタ，交流電圧源からなる回路について，以下の問いに答えよ．ただし，交流電圧源の電圧を𝐸̇ [V]，角周波数を𝜔 [rad/s]とする．複素数は直交座標形式で示せ．それぞれ，導出過程も示すこと．
(1) a-b 間のインピーダンス𝑍̇ [Ω] およびアドミタンス𝑌̇ [S]を求めよ．
(2) c-d 間のインピーダンス𝑍̇ [Ω] およびアドミタンス𝑌̇ [S]を求めよ．
(3) 𝑅 = 20 Ω，𝑅 = 10 Ω，𝐶 = 100 μF，𝐿 = 20 mHとするとき，この回路の合成アドミタンス𝑌̇ [S]の値を求めよ．ただし，𝜔 = 500 rad/sとする．
(4) (3) のとき，電流𝐼 ̇ [A]，𝐼 ̇ [A]，𝐼 ̇ [A]の値を求めよ．ただし，𝐸̇ = 100 Vとする．
IaI

c

I

12R

RLC

1E2

b

図3d令和６年度

３ 年

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山梨大学工学部

学

筆記

試

験問

題
No. 3 of 3学

科

電気電子工学科試

験 科 目

電子回路（アナログ）

4. 図 1 と図 2 に示すバイポーラトランジスタを用いた回路について，以下の問いに答えよ．
バイポーラトランジスタの交流（小信号）等価回路を図 3 に示す．𝑣 と𝑣 は交流の入力と出力信号である．ただし，交流において，𝐶 ，𝐶 ，𝐶 のインピーダンスは十分に低いものとする．
(1) 図 1 の回路の交流等価回路を図 3 の等価回路を使って描け．
(2) 図 1 の回路の入力インピーダンス 𝑍 = 𝑣 /𝑖 を𝑟 ，𝑟 ，𝛽で表せ．
(3) 図 1 の回路の電圧利得 𝐴 = 𝑣 /𝑣 を求めよ．
(4) 図 2 の回路の交流等価回路を図 3 の等価回路を使って描け．
(5) 図 2 の回路の電圧利得 𝐴 = 𝑣 /𝑣 を求めよ．
(6) 図 1 と図 2の回路のうち，交流小信号の増幅に適した回路を選び，その理由を述べよ．

図1

図2

図3

5. 図 4 と図 5 に示す演算増幅器を用いた回路について，以下の問いに答えよ．ただし，演算増幅器は理想的なものとする．
(1) 図 4 の出力電圧 𝑣 と入力電圧 𝑣 ，𝑣 の関係を表す式を求めよ．
(2) 図 5 の出力電圧 𝑣 と電圧𝑣 ，𝑣 の関係を表す式を求めよ．
(3) 図 5 の出力電圧 𝑣 と入力電圧 𝑣 ，𝑣 の関係を表す式を求めよ．
(4) 図 5 の回路の抵抗 𝑅 を回路から取り外したとき，出力電圧 𝑣 と入力電圧𝑣 ，𝑣 の関係を表す式を求めよ．
(5) 図 5 の回路が図 4 の回路に比べて差動増幅回路として優れている点をひとつ述べよ．

図4

図5