東京エレクトロン IR Day
2021年1月20日

CORP IR / January 20, 20211

将来予想等に関する記述
 将来見通しについて
本資料に記述されている当社の事業計画、将来予測などは、当社が作成時点で入手可能な情報に基づいて判断したものであり、経済情勢、半導体/FPD市況、販売競争の激化、急速な技術革新への当社の対応力、安全・品質管理、知的財産権に関するリスク、新型コロナウイルスの影響など、さまざまな外部要因・内部要因の変化により、実際の業績、成果はこれら見通しと大きく異なる結果となる可能性があります。
 数字の処理について記載された金額は単位未満を切り捨て処理、比率は1円単位の金額で計算した結果を四捨五入処理しているため、内訳の計が合計と一致しない場合があります。
 為替リスクについて
当社の主力製品である半導体製造装置およびFPD製造装置の輸出売上は、原則円建てでおこなわれます。
一部にドル建ての決済もありますが、受注時に個別に先物為替予約を付し、為替変動リスクをヘッジしています。したがって、収益への為替レート変動による影響は極めて軽微です。
FPD：フラットパネルディスプレイ

CORP IR / January 20, 2021

2

プログラム1.

ご挨拶

15:30 - 15:35

2.

プレゼンテーション

15:35 - 16:35

–––––

3.

中長期的な企業価値向上を目指して最先端デバイスの洗浄プロセスにおける超臨界乾燥技術
エッチング装置向け新プラットフォーム
最新の枚葉成膜プロセスと将来に向けた開発
デジタルトランスフォーメーション（DX）の取り組み

質疑応答

CORP IR / January 20, 2021

16:35 - 17:15

3

中長期的な企業価値向上を目指して
2021年1月20日
河合 利樹
代表取締役社長・CEO

CORP IR / January 20, 2021

4

はじめに世界に蔓延したCOVID-19,各地で起きた自然災害被害にあわれた方々と関係者の皆さまに心からお見舞い申し上げます

CORP IR / January 20, 2021

5

着実に前進した1年

当社のビジネスは着実に前進
当社の原動力をグローバルに再確認
TEL Valuesを従業員と共有・大切に誇り・チャレンジ・オーナーシップ・
チームワーク・自覚
CORP IR / January 20, 2021

6

ビッグデータ時代の到来
世界データ通信量
CAGR 26%(2017-2022)
Source: CISCO VNI 2018

Data centric

Computer centric
1970

1980

1990

Mobile centric
2000

2010

2020

2030

データ・セントリックで一段上の成長フェーズ
モノからコトへ未来に向けたBig Yearsの到来
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7

コロナ禍でおきる社会変革
テレワーク
オンライン教育オンライン診療動画配信サービス
オンラインゲーム
AI活用による創薬

IoT AR/VR/MR AI
5G/6G CLOUD

データ社会への移行が加速

世界はICT（情報通信技術）を強力に実装し、強くしなやかな社会を構築していく
CORP IR / January 20, 2021

8

WFE*市場$ Billion80

2021年:
ハイパースケールデータセンター、5Gスマートフォン向けを中心に最先端半導体の投資が牽引

60

40Memory: 在庫解消により投資回復
Logic/Foundry: 安定的かつ高水準の投資継続

2002015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022

当社予測

昨年、過去最高のWFE
2021年以降も Big Years が続く
CORP IR / January 20, 2021

* WFE：半導体製造装置前工程（Wafer fab equipment）。ウェーハレベルパッケージング用の装置を含んでいます。

9

Big Yearsに向けた新たな価値創出の取り組み
東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（TTS）
新生産棟が稼動開始
岩手 2020年7月

山梨 2020年8月

将来の需要増にいち早く備え、生産体制を拡充
CORP IR / January 20, 2021

10

Big Yearsに向けた新たな価値創出の取り組み
札幌 TEL デジタル
デザイン スクエア
2020年11月 開設

宮城技術革新センター

2021年9月 竣工予定

多様化する究極の微細化技術ニーズに対応
CORP IR / January 20, 2021

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Big Yearsに向けた新たな価値創出の取り組み
FY’20から3年間で4,000億円の研究開発投資
1,139838

1,202

1,350971

FY'17 FY'18 FY'19 FY'20 FY'21 FY'22 FY'23

中期計画の達成と未来に向けた成長ポテンシャルを最大限取り込むため、積極的な開発投資を継続
CORP IR / January 20, 202112

地球環境への取り組み
当社事業活動による貢献

SDGs

半導体の低消費電力化

当社製品における取り組み

省エネ、高稼動率、省エネ、高稼動率、高歩留まり装置
高歩留まり装置
東京エレクトロンはSDGsを支援しています

私たちの技術でICTの発展と環境負荷低減の両立に貢献
CORP IR / January 20, 2021

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2030年に向けた中期環境目標
CO2排出量 削減目標
事業所

製品30%削減

ウェーハ1枚当たり（2018年比）
注記：当社のバリューチェーンにおけるCO2排出量は、出荷済み装置の使用時が全体の約87%を占める

長期目標（2050年）

70%

削減

総排出量（2018年比）

各事業所のエネルギー使用量を毎年1%削減（原単位、年次目標、前年度比）

再生可能エネルギーの使用比率を100%に

東京エレクトロンは環境マネジメントのリーディングカンパニーとして、地球環境の保全に取り組みます。
事業所や製品の環境負荷低減を積極的に推進するとともに、エレクトロニクス製品の低消費電力化に寄与する革新的な製造技術を提供することで、夢のある社会の発展に貢献します。

環境課題に積極的に取り組み、サステナブルな社会の発展に貢献する
CORP IR / January 20, 202114

半導体･FPD製造装置メーカーとして基本理念

最先端の技術と確かなサービスで、夢のある社会の発展に貢献します

ICTESGDXDXCORP IR / January 20, 2021

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最先端デバイスの洗浄プロセスにおける超臨界乾燥技術
2021年1月20日
秋山 啓一
執行役員、CTSPS BUGMCORP IR / January 20, 2021

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超臨界乾燥技術を導入した新製品のリリース

CELLESTATM SCD
SCD: Supercritical dry（超臨界乾燥）
https://www.tel.co.jp/news/topics/2020/20201208_001.html
CORP IR / January 20, 2021

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半導体製造における洗浄工程
エッチング後の洗浄 ： エッチング工程の例

コンタクトエッチング

一般的な洗浄工程•

薬液での洗浄•リンス•乾燥CORP IR / January 20, 2021

スリットエッチング

枚葉洗浄装置内の状況

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先端デバイスが抱える洗浄工程における技術課題
薬液

リンス

パターン倒壊乾燥

 DRAM

多層配線– 素子分離エッチング後の洗浄 キャパシタ– キャパシタ電極形成後の埋め込み
モールドのウェットエッチング ゲート

ウェットエッチング

コンタクト

ビットライン

素子分離

 ロジック– Fin エッチング後の洗浄– Nanowire/Nanosheet 形成後の洗浄
FinFET

Nanowire

Nanosheet

デバイス構造の微細化・高アスペクト比化により、乾燥技術の難度が増加
CORP IR / January 20, 2021

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パターン倒壊のメカニズムと解決方法
表面張力*

大小乾燥前

乾燥後*表面張力：液体や固体が、表面をできるだけ小さくしようとする性質

高アスペクト比化の進展により、薬液の置換による表面張力の低減や表面改質による倒壊抑制のアプローチが限界を迎えている
CORP IR / January 20, 2021

20

次世代の乾燥技術
 次世代乾燥技術として超臨界乾燥および固化乾燥がある 超臨界乾燥が課題解決に最も効果的であり、量産対応した装置
CELLESTATM SCDをリリース
 超臨界乾燥は、キャパシタ電極のような複雑な構造やPCRAMメモリセルのような脆い膜に対しても幅広く適用されることを期待
適用範囲

残渣物

酸化 / 材質ロス

超臨界乾燥

複雑な構造や高アスペクト比の形状に対応

少ないなし

固化乾燥

積層構造や壊れやすい構造には対応不可

多いあり

CORP IR / January 20, 2021

21

超臨界乾燥技術

圧力– 温度、圧力が臨界点より高い状態– 液体と気体の中間の特性をもつ– 表面張力がゼロ

𝑃𝐶 超臨界とは 半導体製造プロセスに導入するための課題– これまで適用されていない圧力領域での安定稼動– ナノレベルでのパーティクルの制御

温度𝑇𝐶

理論的に表面張力がゼロであるため、パターン倒壊に効果的最先端の半導体製造プロセス向けにナノレベルでのパーティクル制御が必要
CORP IR / January 20, 202122

超臨界乾燥技術
Air

超臨界乾燥の様子

CO2超臨界状態

アルコール

乾燥

従来の乾燥

TELの超臨界乾燥

Top View

Side View

超臨界乾燥技術によりパターン倒壊を抑制
CORP IR / January 20, 2021

23

乾燥技術のロードマップ
2005

2D NAND
STI*1/AA*2

2010

2015

2020

2025

2030

IPA*3

DRAM
STI/Capacitor*1 STI: Shallow trench isolation*2 AA: Active area
*3 IPA: Isopropyl alcohol*4 RG: Replacement gate
CORP IR / January 20, 2021

Supercritical

IPA

Logic
Fin/GAA

IPA

Supercritical

3D NAND
RG*4

IPA

Supercritical

24

まとめ
 洗浄工程の技術課題であるパターン
倒壊に対して、超臨界乾燥技術を提案
 最先端デバイスの洗浄工程におけるさまざまな技術課題に対し、半導体メーカーのパートナーとして、新しい技術とソリューションを継続して提供

CORP IR / January 20, 2021

CELLESTATM Pro SPM

CELLESTATM -i

EXPEDIUSTM -i

NS300Z25

エッチング装置向け新プラットフォーム
2021年1月20日
和久井 勇
執行役員、ES BUGMCORP IR / January 20, 2021

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事業機会と基本戦略
 3D NAND・パターニングに牽引され、エッチング装置市場は継続的に高水準の投資が見込まれる
 当社の強みを生かせるHARC・パターニング・配線工程に注力
シェアおよび収益性の向上を目指す 今後のさらなる市場拡大に向けて積極的な投資を継続

CORP IR / January 20, 202127

メモリ向けエッチングの課題
DRAM

配線

Aspect ratio = 50-70:1

3D NAND
2ndtier

コンタクト

キャパシタ

素子分離

2段積み

1sttier

ビットライン
埋め込みゲート
階段（ステアケース）
ワードライン分離（スリット）

ゲート

チャネル

コンタクト

直径100nm

多層化、高アスペクト比化に伴い、加工性能と生産性の両立が求められる
CORP IR / January 20, 202128

ロジック向けエッチングの課題
GAA

Carrier wafer

多層配線

FinFET

Nanowire FET

Nanosheet FET
Backside PDN*1

コンタクト

ラップアラウンド
コンタクト

ゲート
Fin

素子分離

自己整合コンタクト

SAQP*2

マルチカラー
パターニング

多様化するエッチング工程に対して、フレキシブルな装置レイアウトが求められる
CORP IR / January 20, 2021

*1 PDN: Power delivery network*2 SAQP: Self-aligned quadruple patterning

29

東京エレクトロンのエッチング装置の歴史
4, 5, 6 inch

300 mm

200 mmTEL1980’s
Etch Product1990’s2000’s2010’s

1990s

TEL Etch 480

UNITY™

Telius™

Tactras™

TEL’s first single wafer
dry etch tool

TEL’s first original
vacuum multi-chamber
toolWorld’s first parallelchamber toolWorld’s first addition of X axis
movement to robot arm
Realized 6 chambers in one system

TE5000TEL’s first original
dry etch tool
CORP IR / January 20, 2021

TE8500

UNITY™ II
TEL’s first platform withmulti-chambers

Tactras™ BXRealized 8 chambers
in one system
30

Episode™ UL の特徴

ニーズに合わせて、フレキシブルなレイアウトが可能
省スペース・スマート化により、生産性を向上
CORP IR / January 20, 2021

31

Episode™ UL：レイアウト4、6、10、12チャンバーの4種類から選択可能

CORP IR / January 20, 2021

Fabスペースや適用工程に応じてフレキシブルにレイアウト可能

32

Episode™ UL：スペースチャンバー当たりのフットプリントを大幅に削減
CORP IR / January 20, 2021

33

Episode™ UL：スマート・ツール

自動パーツ交換機能や多数のセンサー、高速制御システムを搭載
TEL独自のスマートツールを使用したビックデータ解析により、自律プロセス制御が可能
CORP IR / January 20, 2021

34

Episode™ UL 動画

CORP IR / January 20, 2021

35

まとめ フレキシブルなレイアウト：– 4チャンバーから12チャンバーまでフレキシブルに搭載数を選択可能

 スペース：– チャンバー当たりのフットプリントを大幅に削減

 スマートツール：– 自動パーツ交換機能や多数のセンサー、高速制御システムを搭載
TEL独自のスマートツールを使用したビックデータ解析により、自律プロセス制御が可能

CORP IR / January 20, 2021

36

最新の枚葉成膜プロセスと将来に向けた開発
2021年1月20日
石田 博之
執行役員、TFF BUGMCORP IR / January 20, 202137

成膜装置 製品ラインアップ
Furnace
TELINDY PLUS™

Semi-batch ALD
NT333™

Single Wafer Deposition
Triase+™

MRAM MTJ Formation
EXIM™

Oxidation / CVD / ALD / PVD
バッチ*1
Process: Oxidation/CVD/ALD
Reaction: Thermal/Plasma
Material: SiO2/Si3N4/High-k*2/Metal
Feature: 100 to 150 wafers/batch

セミバッチ
Process: ALD
Reaction: Thermal/Plasma
Material: SiO2/Si3N4/High-kFeature: 5 to 6 wafers/batch

枚葉Process: CVD
Reaction: Thermal/Plasma
Material: Metal/High-k/Ferroelectric
Feature: Superior step coverage

Process: PVD
Reaction: Thermal/Plasma
Material: Magnetic material/Metal
Feature: Multi-film stacking*1 納入済み装置（300mm）10,000台以上
CORP IR / January 20, 2021

*2 High-k：高誘電率38

Triase+™ EX-II™ Advance：超高アスペクト比 TiN膜成膜
 特徴DRAM

下部電極– 最先端のASFD*プロセスによるTiN膜成膜– 大流量のガス供給により、最先端メモリに適した高いステップカバレッジ性能（段差被覆性）を実現– 薄膜の連続性（膜厚 < 10Å）
– 膜厚の高均一性（1σ < 1%）– 幅広い温度帯に対応（400～600℃）– 高速での圧力制御による高生産性

3D NAND

ワードラインバリア膜

 アプリケーション– DRAM キャパシタ電極– 3D NAND ワードラインバリア膜– その他、表面積の大きい構造
CORP IR / January 20, 2021

* ASFD: Advanced sequential flow deposition
ナノスケールで低温かつ緻密な膜を成膜できる手法

39

Triase+™ EX-II HK：高品質High-k絶縁膜
 特徴

DRAM

High-k絶縁膜– HfOプロセス向け@～400℃、超低炭素（~1E19 atoms/cm3）– 液体Hfプリカーサに対応したDLI*1気化器により、大流量で理想的なASFDプロセスを実現– 独自のガス注入により、均一性はウェーハ内 1σ < 1%
– 高速APCおよび100A配管により性能向上された排気系により、ウェットPM*2サイクルを長期化
3D NAND

ブロックhigh-k～コア酸化膜成膜

 アプリケーション– DRAM 周辺回路（high-kメタルゲート）– 3D NAND ブロック high-k絶縁膜

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*1 DLI：Direct Liquid Injection*2 PM：Preventative Maintenance40Triase+™ EX-II™ HK：高品質High-k絶縁膜
均一性
Hf conc. (%)

カバレッジ

HfSiO

HfO

73100

リーク電流
1.0x100
1.0x10-2
1.0x10-4

Map

1.0x10-6
1.0x10-8

Ave. thick (Å)

46.9

33.0

Range (%)

0.78

0.85

1σ (%)

0.16

0.19

Ave. - IL

32.0

19.9

ホールのアスペクト比 55:1

TEL MOSキャパシタ構造において、HfSiO膜2nmのリーク電流はAIO膜 3nmと比べて小さい

高アスペクト比の構造に対応した高誘電率の薄膜形成が可能
CORP IR / January 20, 2021

41

Triase+™ EX-II™ MS：マルチソース供給による薄膜の組成制御
開発段階
FeRAM

 特徴– マルチソース供給に対応した新しいデザイン– 薄膜の組成比の制御が可能

FeFET

 アプリケーション– 不揮発性メモリ向け強誘電体ゲートFET– ストレージクラスメモリへの適用– ニューロモーフィックデバイスへの適用（シナプス荷重を記憶）

ニューロモーフィック
人工シナプス

シナプス荷重を記憶
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42

Triase+™ EX-II™ MS：マルチソース供給による薄膜の組成制御
開発段階
強誘電特性
HfO2 (linear)

HfZrO (ferroelectric)

ZrO2 (antiferroelectric)

マルチソース供給によって薄膜の組成が制御可能となり、さまざまな機能膜が形成できる

電圧サイクル下の反強誘電性ZrO膜のTEM観察。
電圧サイクル（0V4V0V）に沿う電界領域（壁）の移動によって結晶粒が成長・収縮している。

TEL Technology Center, Americaにて実証
出所：Lombardo et al., VLSI 2020

CORP IR / January 20, 2021

43

新たな事業機会：さらなる微細化に向けた選択成膜
選択成膜

 特徴– メタル/絶縁膜表面の選択的な成膜– 高度な選択性を実現する優れた表面前処理技術– ロジック配線、完全自己整合型ビア– リソグラフィーのアライメントマージンを拡大するためのすべてのパターニング

ビアホール

メタル配線

メタル絶縁膜 アプリケーション

従来の配線（選択成膜なし）
メタル配線

選択的に成長した薄膜

完全自己整合型ビア（選択成膜あり）

TEM画像
選択的に成長した絶縁膜
メタル

メタル
絶縁膜

EDXによる元素マッピング
選択的に成長した絶縁膜
メタル

メタル
絶縁膜

＠TEL internal structure
出所：S. Azumo, 32nd symposium, SCEJ
CORP IR / January 20, 2021

44まとめ 超高アスペクト比 TiN膜成膜– DRAM キャパシタの微細化を推進– 3D NAND ワードライン性能の向上

 高品質High-k絶縁膜– DRAM 周辺回路（high-kメタルゲート）への新規採用– 3D NAND コントロールゲート性能の向上

 マルチソース供給– 薄膜の組成制御を実現

 選択成膜– パターニングにおけるアライメントマージンの拡大
Triase+™
CORP IR / January 20, 2021

45

デジタルトランスフォーメーション（DX）の取り組み
2021年1月20日
横森 憲敬
Corporate Innovation本部

CORP IR / January 20, 2021

副本部長

46

TEL DX ビジョン 産業界全体に波及するDXの流れは半導体製造業界においても例外とはならず、さらなる微細化、積層化要求に対する解の1ピースとして重要な位置づけ

AI Chip

Autonomous

Cloud Service

AR/VRTEL DX Vision
全社員がデジタル技術を“てこ”にして付加価値向上や効率化等の企業価値創造活動を持続的に推進するグローバルカンパニー
A global company where all employees drive enterprise value creation sustainably throughactivities such as value addition and efficiency improvements by leveraging digital technology

CORP IR / January 20, 2021

47

DXによる顧客の価値創造への貢献
歩留まり
R&D

Ramp up

データ利活用機会

量産C

B
A
時間

対策例

A R&D TATの短縮

正確なシミュレーションによる迅速なPOR提案

B Ramp upの短縮

機差低減, 自動調整機能

C 生産性/歩留まり向上

モニター、解析機能による予知保全、故障検知とプロセス調整機能

開発から量産までのさまざまな場面において顧客の価値創造に貢献
CORP IR / January 20, 2021

48

DXによる資本効率の向上
データ利活用機会

対策例

Product Life Cycle
企画

設計

試作量産サポート

改造

A 収益率向上

顧客の価値創造に貢献する
高付加価値製品を提供

B 市場投入の加速

開発環境の効率化による開発期間短縮

C 製品コスト低減

シミュレーションを生かした試作数の低減

D 生涯価値の延長

適切な保守・改造提案

利益A
DB
データ利活用C
コスト

時間

商品企画から保守までのさまざまな場面において資本効率を向上CORP IR / January 20, 2021

49

DX活動のステップ
デジタルイネーブラー

高いコンピューティング性能
クラウドインフラ
AIテクノロジー
IoT、xR

付加価値創造・資本効率向上

3. コントロール

取り巻く環境

データ共有とサプライチェーン内のコラボレーションの進展
人間を支えるAIとロボットへの高い期待

1. モニタリング

実世界へのフィードバック

目的の達成


高次元の課題（High valueproblem）の解決

見える化

4. 自律
自律学習と判断

High value problem
-

品質
費用
スピード
生産性
エネルギー消費2. 分析と予測

デジタル化されたデータで分析と予測

デジタルトランスフォーメーションで高次元の課題を解決
CORP IR / January 20, 2021

50

DXプロジェクト全体イメージ
DXインフラストラクチャーを用いて企業価値創造に寄与するアプリケーションを開発
Product Life Cycle
企画
アプリ
ケーション

設計

試作量産サポート

改造利益

A 収益率向上D 生涯価値の延長

B 市場投入の加速
データ利活用時間

コスト C 製品コスト低減
スキル・文化・データ利活用プラットフォームのDXインフラストラクチャー構築
DXインフラストラクチャー

スキル向上

意識・文化の醸成

環境構築(ガバナンス・データ基盤)

DXインフラストラクチャーを活用して、企業価値を創造するアプリケーションを開発する
CORP IR / January 20, 2021

51

DXエンジニア育成計画

データサイエンス

データ
エンジニアリング

データサイエンス

情報処理、人工知能、統計学などの情報科学系の知識を理解して、扱うことができる力

データ
エンジニアリング

データサイエンスをTELの企業価値創造に意味のある形にし、目的に応じて実装、運用できるようにする力

ビジネス企画

課題とその背景を整理して、解決策を導き、ビジネスにつなげる力（稼ぐ力）

ビジネス企画

データサイエンスをTELのビジネスに生かすそのための人材を計画的に育成していく
CORP IR / January 20, 2021

52

TELeMetrics™：顧客Fabとのリモート接続
Customer Site
CustomerserverTEL
TELeMetrics™

Data from tool

RS Outbound ServerCustomer

TELeMetrics™
RS Inbound Server

Feedback by email, phone
call or conference call

Factory
server

TEL experts

工数売りからコト売りへのトランスフォーメーション
CORP IR / January 20, 2021

53

ARを使った遠隔サポート
顧客のクリーンルーム

当社サポートセンター

スマートグラス
使用

AR: 「拡張現実」 スマートグラス越しで見ると、 眼前に映像などの情報が出現し、現実世界に情報を付加してくれる技術

ビッグデータ時代の最新技術を利用し、サービスの効率化を推進
CORP IR / January 20, 2021

54

AIによる材料探索
プロセス条件と材料の共同最適化の方法
マテリアルズインフォマティクス
学術論文

材料データベース+

データサイエンス+

実験+

金属酸化物をドライエッチングするための材料を探索
CORP IR / January 20, 202155

予測値と実験値の比較
250

エッチングレート（nm/min）

エッチングレート（nm/min）

120
100
80
6040200

NF3 BCl3 ClF3 C2F6 BCl3 ClF3 C2F6 NF3Cl2 Cl2 O2 Cl2O2

実験結果あり候補

predicted values
200
experimental values
150
10050
0-50

BCl3Cl2O2NF3Cl2C2F6O2

従来 マテリアルズインフォマティクス
により特定されたガス

機械学習を用いて、従来よりエッチングレートの高いガスを特定
CORP IR / January 20, 2021

56

AIによるプロセスの最適化
プラズマ原子層堆積法（PE-ALD）の膜応力調整

Growth rate (Å/cycle)

2.00

プロセス：
PE-ALD SiO2成膜
ターゲット： 膜応力 → -100MPa〜0MPa の間にする

Target stress(-100MPa)

1.50

 エンジニアによる従来の方法– 目標の膜ストレスを達成できなかった

1.00– 実験データを取得し、AIに学習させた
0.50

EngineerEngineer
ML
Machine Learning
0.00-600-400-200

 機械学習による最適化0– 目標のストレス値を達成

Stress (MPa)

機械学習によるプロセス最適化の実現性を実証
CORP IR / January 20, 2021

57

装置の自律化により顧客価値へ貢献
Control (制御)

Monitoring (見える化)

Autonomous

自律化

Incoming Information

Prediction (予知)物理モデル・化学モデル・機械学習

Tool & Process Data Library

Process Simulation

装置自ら必要な知識を蓄積し自動学習
環境および状態を把握し正常な状態を保持する
CORP IR / January 20, 2021

58

TEL デジタル デザイン スクエア
State-of-the-art office

TEL DX Vision
全社員がデジタル技術を“てこ”にして付加価値向上や効率化等の企業価値創造活動を持続的に推進する
グローバルカンパニー

開発アクティビティ
Equipment
software

DigitaltransformationAI
application

コラボレーション

カジュアルミーティング

Grand Open
November 24, 2020
Proudly celebrating 30 years
in Sapporo, Hokkaido, Japan大阪

インテンシブワーク

札幌

東京

DX活動の本拠地として、TEL デジタル デザイン スクエアをオープン
CORP IR / January 20, 202159

デジタルデザインスクエア動画

CORP IR / January 20, 2021

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