第 8回応用物理学会 業績賞受賞者紹介
応用物理学会 第 8回業績賞委員会 委員長 榊裕之

応用物理学会の業績賞の選考も，今回で第 8回を迎えている．今年度は，公募の案
内を機関誌「応用物理」第 76巻の 6，7，8月号およびホームページに掲載し，候補者の推薦をお願いした．8月 24日に締め切ったところ，「研究業績」に基づく候補として 3件，「教育業績」に基づく候補として 1件の推薦があった．各候補者の研究業
績，教育業績について，業績賞委員会で詳しく調査と吟味を行い，第 1次および第 2次の審査を慎重に進めることにより，2件を業績賞の受賞候補者として選出した．この受賞者案は，12月 19日の理事会で審議され，最終承認された．この結果，濱川圭弘氏および廣瀬全孝氏（50音順）の両氏に，第 8回応用物理学会業績賞（研究業績）が授与されることとなった．
なお，授賞式は，2008年春季学術講演会（日本大学理工学部船橋キャンパス）の初日，3月 27日の夕刻，評議員会の直後に行われる．また，両氏の受賞記念講演も春季学術講演会の会期中に行われる．

第 8回応用物理学会業績賞（研究業績）
件名：アモルファスシリコン系太陽電池の先駆的研究
濱川圭弘氏は，アモルファスシリコン（a‑Si）太陽電池の黎明期である 1970年代後半から 1990年代にわたって，受賞者：濱川圭弘

変換効率を向上させるために一連の先駆的研究を行い，卓さらに同氏は，p 形，n 形の a‑Si，μc‑Si と結晶 Si とのヘテロ接合太陽電池や，アモルファス Si 太陽電池と結晶 Si 太陽電池とのタンデム構造も提案している．

越した成果を達成してきた．中でも，同氏によるアモル濱川氏によるこれらの基礎研究の成果は，関連企業に活ファス太陽電池へのヘテロ接合の導入，アモルファス多接用され，高効率化，大面積化や生産性向上などのための技合太陽電池，アモルファス Si と結晶 Si とのタンデム構造の提案は，特筆すべきものである．

術開発や生産技術の進展を促した．その結果，a‑SiC/a‑Si 太陽電池，a‑Si/a‑SiGe 系 2重および 3重タンデム太a‑Si 太陽電池の開発当初，接合は a‑Si のみからなるp‑i‑n 構造となっていたが，同氏は変換効率の制限因子が陽電池や，a‑Si/μc‑Si タンデム構造薄膜太陽電池などの商品化が実現している．現在，a‑SiC/a‑Si ヘテロ接合は，p 形 a‑Si の光吸収にあるとの判断から，p 層に炭素を加えたアモルファス SiC（a‑SiC）や微結晶 SiC（μc‑SiC）

実用化されているほとんどすべての a‑Si 太陽電池に採用を用いることを提案した．その後，これらのワイドギャッム薄膜太陽電池は，次世代薄膜太陽電池の第一候補と目さプ材料の製膜技術や pn 制御技術を開発し，p 形 a‑SiC とれており，太陽光発電産業としても開花しつつあるが，そμc‑SiC 層の優れた窓効果を示す素子を実現し，その有効性を実証している．これらは，アモルファス Si 太陽電池の根幹は，同氏の先駆的基礎研究により築かれたものであされている．また，低コスト・高効率 a‑Si/μc‑Si タンデる．にヘテロ接合を導入した先駆的研究であり，これを契機に同氏は，このように独創的な着想を礎にして，一連の革アモルファス系ヘテロ接合素子の研究分野が大きく発展し新的なアモルファス Si 太陽電池の研究開発を推進し，世た．

界を先導してきた．これらの素子構造や概念は，発表当

アモルファス Si 太陽電池の変換効率は 10％前後である

時，誰も思いつくことのない斬新なものであったが，そのが，濱川氏は，変換効率を飛躍的に向上させるための新技後の技術の発展により多くが実現されてきており，濱川氏術として，a‑Si p‑i‑n 接合を二つ以上積層したアモルファの業績は，太陽光発電領域の発展に多大なる貢献をなしてス Si タンデム（多接合）太陽電池を世界に先駆けて提案いる．

した．この提案が端緒となり，a‑SiGe などのアモルファ
ス Si 系合金に関する基礎ならびに応用研究が精力的に行同氏の卓越した業績は，応用物理学会業績賞（研究業績）にまことにふさわしいものである．

われることとなった．

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応用物理 第 77巻 第２号（2008)

濱 川 圭 弘
1932年
1958年
1958年
1976年
1991年

氏 略歴

京都府生まれ大阪大学大学院工学研究科博士課程中途退学
大阪大学工学部電気工学教室 助手
大阪大学基礎工学部電気工学科 教授
通産省産業技術審議会 新エネルギー技術開発部会
太陽エネルギー分科会長

1992年
1995年
1996年
1998年
2000年
2003年

大阪大学極限物質研究センター センター長
科学技術会議専門委員
立命館大学理工学部 教授，大阪大学名誉教授
立命館大学 副学長，学校法人立命館 副総長
立命館大学総合情報センター長
立命館大学総長顧問・教授

主たる表彰と受賞年，科学技術庁長官賞（1994），IEEE William CherryAward
World RenewableEnergyCongress,Best Scientist Award（1992）（1994），紫綬褒章（1995），太陽光発電世界会議国際大賞（2003）

第 8回応用物理学会業績賞（研究業績）
件名：アモルファス半導体超格子とシリコン集積化技術に関する基礎的・先導的研究

受賞者：廣瀬全孝

廣瀬全孝氏は，1960年代後半から半導体工学の研究にネルギー分布，捕獲断面積を定量的に調べるとともに，極取り組み，とりわけシリコン系半導体の物性，プロセス，薄ゲート絶縁膜のトンネルリーク電流を系統的に評価・解集積化に関する先導的研究を行い，シリコンテクノロジー析し，解析的な近似式で表すことが可能であることを示しの発展に大きな寄与をした．

た．さらに，シリコン表面の増速 酸 化 過 程 や 水 素 終 端

同氏は，1984年に，原子が不規則に配列した 2種類の(111)表面の layer‑by‑layer 酸化機構，界面の化学結合状アモルファス半導体超薄膜を交互に積層させて超格子構造態や界面ひずみ，極薄ゲート絶縁膜の劣化機構などに関を形成し，極薄井戸層でのキャリア閉じ込めを裏づける光し，基礎的・物理的な観点からの研究を推進し，極薄ゲー学的・電気的特性を初めて観測した．また，二重障壁トン

ト絶縁膜と MOS 界面の制御に向けた先駆的研究を行っ

ネル構造を作製し，アモルファス半導体超薄膜における電た．

子状態の量子化を実証し，アモルファス半導体超格子とい同氏は，広島大学にシリコン LSI 試作ラインを持ったう研究分野を開拓した．さらに，光励起や磁場印加を用い集積化システム研究センター（現ナノデバイス・システム

たアモルファスシリコン膜の低温成長や低温ドーピングの研究センター）を 1986年に発足させ，1992年には当時の研究を進めた．モノシランを用いた微結晶シリコン膜のプ

世界最小寸法であるゲート長 70nm のトランジスタの試ラズマ成長においては，高水素希釈が有効であることを明作に成功し，その後も，極薄ゲート絶縁膜を有する極微細らかにするとともに，結晶化度の関数として電気的・光学トランジスタの研究開発を進めるなど，集積化素子に関す的特性がどのように変化するかを明らかにした．これらのる世界有数の研究拠点としての実績を積み上げた．

成果は，その後のアモルファス半導体の研究に大きな影響を与えている．

廣瀬氏は，半導体工学分野における先導的研究と人材育成の両面において，優れたリーダーシップを発揮して，抜廣瀬氏は，その後シリコン MOS トランジスタとその集きん出た成果を達成し，半導体技術の発展の学術基盤を確積化に関する一連の先導的研究を行った．特に，MOS 素立するうえで大きく貢献した．このように，同氏の卓越し子の極微細化の要となった膜厚 1〜4nm の極薄シリコンた業績は，応用物理学会業績賞（研究業績）にまことにふ

酸化膜とその界面にいち早く注目し，界面準位の密度とエさわしいものである．

廣 瀬 全 孝
1939年
1963年
1963年
1970年
1970年
1975年
1976年

氏

略歴

岐阜県生まれ名古屋大学工学部電子工学科卒業
富士電機製造㈱入社（翌年退社）
名古屋大学大学院工学研究科博士課程修了（電子工学専攻）
広島大学工学部講師
広島大学工学部助教授
マックスプランク研究所（シュトゥットガルト）客

1982年
1986年
1996年
2001年
2001年
2006年

員研究員
広島大学工学部教授
広島大学集積化システム研究センター長
広島大学ナノデバイス・システム研究センター長
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター長
半導体 MIRAI プロジェクト プロジェクトリーダー
同 プ ロ ジェク ト Chief Science & Technology
Oﬃcer

主たる表彰と受賞年
第 1回日本 IBM 科学賞（1987），第 57回中国文化賞（2000），電子情報通信学会フェロー（2002），応用物理学会論文賞（2003），応用物理学会フェロー（2007）［第８回業績賞委員会］
委員長
副委員長
委 員

榊 裕之
石原 宏
田島道夫
本間芳和
辻 伸二
岩崎 裕
真壁利明

応用物理学会業績賞（豊田工大）（東工大）（JAXA 宇宙研）
（東理大）
（日立）
（阪大）
（慶応大）

上田 修
財満鎭明
大津元一
藤田静雄
筒井哲夫
大野英男
岸田俊二

（金沢工大）
（名大）
(東大)
（京大）
（九大）
（東北大）
（NEC 特許技術情報セ）

幹事

小長井誠 （東工大）
高田 進 （埼玉大）
一村信吾 （産総研）松尾由賀利（理研）
岩瀬暢男 （事務局）

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