第 12回応用物理学会 業績賞受賞者紹介
応用物理学会

第 12回業績賞委員会

委員長

石原宏

応用物理学会の業績賞の選考も，今回で第 12回を迎えている．今年度は，公募の案内を会誌「応用物理」第 80巻の 6，7，8月号およびホームページに掲載し，候補者の推薦をお願いした．8月 19日に締め切ったところ，「研究業績」に基づく候補として 5件の推薦があった．各候補者の研究業績について，業績賞委員会で詳しく調査と評価を行い，第 1次および第 2次の審査を慎重に進めることにより，2件を研究業
績賞の受賞候補者として選出した．これらの受賞候補者は，11月 11日の理事会で審議され，最終承認された．この結果，大野英男氏，西永頌氏に第 12回応用物理学会業績賞（研究業績）が授与されることとなった．
なお，授賞式は，2012年春季学術講演会（早稲田大学）の初日，3月 15日の夕刻，諮問委員会の直後に行われる．また，受賞記念講演も春季学術講演会の会期中に行われる．

第 12回応用物理学会業績賞（研究業績）件名：半導体スピントロニクスにおける先駆的研究

受賞者：大野英男

大野英男氏は世界に先駆けてⅢ‑Ⅴ族化合物半導体を母ピン発光素子，強磁性半導体電流誘起磁壁移動素子などの体とする磁性半導体の結晶成長に成功し，強磁性の起源に新たなスピントロニクス機能素子も世界に先駆けて提案・関するモデルの構築，電界による磁性の制御，強磁性半導実証している．

体を用いた新たな機能素子の提案と実証など独創的で先駆

一方，半導体素子と金属スピントロニクス素子とを融合的な研究を行い，多くの研究者を引きつけて半導体スピンした新デバイスの研究領域においても，大野氏は先駆的なトロニクスという新たな研究分野を切り拓いた．

研究を進めている．すなわち，産総研に続き，独立に開発

大野氏は 1989年に宗片比呂夫氏（東工大）らと共同で，した CoFeB／M gO 系のトンネル磁気抵抗（TMR）素子

Ⅲ‑Ⅴ族化合物半導体 InAs に磁性元素 Mn を固溶度以上において，その組成やアニール条件を最適化することによに添加した磁性半導体 InM nAs の結晶 成 長 に 成 功 し，り室温で 604％，低温で 1144％と世界最高の値を実証し1992年に InMnAs が強磁性を示すことを明らかにした．て い る．ま た，同 じ く CoFeB／MgO 系 TMR 素 子 に お

また，1996年には強磁性半導体 GaMnAs の結晶成長にもいて界面磁気異方性を用いて垂直磁化状態を実現するとと成功し，さらに 2000年にはポーランドの Dietl 氏らと共同で強磁性半導体の強磁性の起源に関するモデルを構築しもに，そのスピン注入磁化反転にも成功し，MRAM の高集積化手法の一つとして注目されている．

た．このモデルは強磁性半導体の様々な物性の理解に貢献

以上のように，大野氏は磁性半導体に関する独創的で先すると共に，強磁性半導体材料設計の指針を与え，それ以駆的な研究により世界の研究者に学術的に大きなインパク後の新たな強磁性半導体材料開発をも牽引して来た．

トを与えると共に，電子のスピンを制御・活用する種々のこのような強磁性半導体に関する基礎研究に加え，大野新デバイスを考案・実証することにより，半導体を中心と氏は強磁性半導体を利用した新原理素子の提案と原理実証するスピントロニクスの研究分野を切り拓いてきた．さらにも取り組んで多くの成果を生み出し，応用研究をリードに，これらの学術的貢献に加えて，スピントロニクス素子してきた．2000年には強磁性半導体を用いた電界効果素の産業応用にも積極的に取り組んでおり，応用物理学会業子を作製し，半導体中のキャリア濃度を電界で変化させる績賞（研究業績）としてまことに相応しいものである．

ことにより，強磁性／常磁性間の磁気相転移を電気的に制御することに成功した．また，強磁性状態での磁気異方性も電界により制御できることを示し，外部磁界印加やスピン偏極電流注入よりも低消費電力で磁化反転できる可能性を示した．さらに，スピン共鳴トンネル・ダイオード，ス
応用物理学会業績賞

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大 野 英 男

氏 略歴

1954年 東京都生まれ
1995年〜 東北大学電気通信研究所教授
1982年 東京大学大学院工学系研究科博士課程修了
2004年〜 東北大学電気通信研究所附属ナノ･スピン実験施設
1982年 北海道大学工学部講師
長（2010年まで）
1983年 北海道大学工学部助教授
2010年〜 東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化シ
1994年 東北大学工学部教授
ステムセンター長
主たる表彰と受賞年
日本 IBM 科学賞（1998），TheIUPAP Magnetism Prize（2003），InstituteofPhysics フェロー（2004），日本学士院賞（2005），
東北大学総長特別賞（2005），2005 Agilent Technologies Europhysics Prize（2005），中国科学院半導体研究所名誉教授号（2006），応用物理学会フェロー（2007），東北大学ディスティングイッシュトプロフェッサー（2008），IEEE Magnetics SocietyDistinguished，Thomson Reuters Citation Laureate（2011）
Lecturer for 2009（2008）

第 12回応用物理学会業績賞（研究業績）
件名：半導体エピタキシャル結晶成長に関する先駆的研究

受賞者：西永頌西永頌氏は，結晶成長機構に関する深い理解に基づき，は原子ステップが集合して巨大ステップが形成されるが，半導体結晶がエピタキシャル成長する表面において繰り広この巨大ステップは不純物ドーピングの不均一性などを引げられる微視的過程を解明し，その応用として高品質な半き起こすことが知られていた．同氏は，原子ステップが集導体薄膜を成長するための基盤技術を確立することに貢献合する過程が液相内の体積拡散と成長表面形状が連動してした．

引き起こす形態不安定性にあることを明らかにし，その理高品質の結晶成長技術が，現在の半導体産業を支える最論的モデルを構築した．これらの知見は，当時の半導体レも重要な基盤技術のひとつであることは周知の事実であるーザー開発のための LPE によるエピタキシャル層の高品が，西永氏は「新しい結晶成長技術の開拓は，成長の微視質化に寄与した．さらに，この巨大ステップの形成を排除的プロセスを理解することにより初めて可能となる」といする手法として，1988年にマイクロチャネルエピタキシう理念のもと，成長表面における原子の振る舞いに関するー（MCE）の概念に到達した．MCE は，基板表面に異種材料による非晶質薄膜を堆積し，そこに形成した微細な基礎的研究を精力的に進めた．1980年代後半，分子線エピタキシャル成長（M BE）における反射高速電子線回折（RHEED）を用いた成長のその場観察手法が大きく発達窓（マイクロチャネル）から選択的に結晶成長を行うことし，成長中の表面構造に関する多くの情報が得られるようになった．同氏は，RHEED によるその場観察手法と，手法である．その後，MCE は巨大ステップの排除のみならず，格子不整合の大きなヘテロエピタキシーにおいて，それまでに培った結晶成長の基礎過程に関する知見をもとミスフィット転位の密度を大幅に低減するのに極めて有効に，成長表面における吸着原子の拡散，核形成，ステップであることが実証された．この選択成長を用いた転位除去の振る舞いといった最も重要な基本過程に対する実験と理の概念は，その後窒化物半導体の結晶成長技術に広く導入論との詳細な比を行い，MBE における表面の成長過程を精密にモデル化することに成功した．この成果は招待講され，今日では窒化物半導体基板の作製方法として，産業演や基調講演として多数の国際会議で報告され，その後の以上のように，西永氏は結晶成長の微視的プロセスを原結晶成長の研究に大きな影響を与えた．

により，基板が有する欠陥情報を排除して結晶成長を行う的に広く活用されている．
子レベルにさかのぼって解明し，その応用技術としての道一方，やはり重要な結晶成長技術として用いられてきた筋を与えることに大きく貢献した．学術研究と産業応用と液相エピタキシャル成長（LPE）に関しても，西永氏はその重要な素過程を明らかにし，さらに，その知見を元にを橋渡しする応用物理学の分野における卓越した業績であ

新しい結晶成長技術を確立することに成功した．LPE でしいものである．

西 永り，応用物理学会業績賞（研究業績）としてまことに相応

頌 氏 略歴1939年 栃木県生まれ
1983年 東京大学工学部教授
1962年 名古屋大学工学部電子工学科卒
1995年 結晶成長国際機構（IOCG）会長
1967年 名古屋大学大学院工学研究科博士課程単位取得退学
2000年 名城大学理工学部教授，東京大学名誉教授
工学博士
2002年 国立大学法人豊橋技術科学大学学長
1970年 名古屋大学工学部助教授
2008年 ドイツ・ライプニッツ結晶成長研究所客員研究員
1977年 豊橋技術科学大学教授
2009年 中国・南京大学招聘教授
1981年 ソ連科学アカデミー結晶学研究所客員研究員
2011年 ロシア科学アカデミー結晶学研究所客員研究員
主たる表彰と受賞年
日本結晶成長学会論文賞（1988），伴記念学術奨励賞（1992），山崎貞一賞（2002），結晶成長国際機構（IOCG）Laudise 賞（2004），日本結晶成長学会貢献賞（2004），日本結晶成長学会名誉会員（2006），応用物理学会フェロー（2007），日本結晶成長学会業績賞（2007），応用物理学会功労会員（2009）154

応用物理 第 81巻 第２号（2012)