応用物理」
創刊 75周年記念 特集記事
◆ オーラルヒストリー

青色発光ダイオードを求めて赤﨑勇

聞き手（インタビュアー）>担当編集委員>榊裕之 東京大学生産技術研究所 教授

佐川みすず (株）日立製作所中央研究所

澤木

宣彦 名古屋大学大学院工学研究科 教授

三宅 秀人 三重大学大学院工学研究科 助教授

竹田

美和 名古屋大学大学院工学研究科 教授

赤

﨑

1929年
1952年
1959年
1964年
1981年
1992年
2004年

勇 （工学博士）
鹿児島県生まれ
京都大学理学部卒業
神戸工業（後に富士通に合併）入社
名古屋大学工学部電子工学科助手．講師，助教授を経て松下電器産業（株）入社
東京研究所基礎第四研究室長，半導体部長などを経て名古屋大学工学部電子工学科教授
名古屋大学名誉教授 名城大学理工学部教授
名古屋大学特別教授

主な表彰と受賞年
紫綬褒章（1997），Laudise Prize（結晶成長学国際機構）（1998），
2000年度朝日賞，文化功労者顕彰（2004）．

このインタビューは，DVD「青色発光ダイオード開発物語

すが．

赤﨑勇〜その人と仕事〜」（JST）を見ながら行われた．青赤﨑：中学 2年生の終わりごろから学徒動員になったの

色の文字は，その DVD の内容に基づく．

で，中学校で授業を受けたのは実質 3年足らずです．

青色発光ダイオードのランプ．普通，直径は 4mm ほど．

榊：学徒動員では，どんな工場へ行ったのですか．

この中で光っているチップは，0.3mm の正方形．この小さ

赤﨑：最初は市内の工場など．3年生になると鹿屋の海軍なチップが光る．20世紀中は実現不可能と考えられていた航空隊で飛行機の掩体壕作り．そして 4年から佐世保の海その高性能青色発光ダイオードの研究にかけてきた日本人

軍工 廠へ行きました．海軍工廠では，各学校から一人ずつの研究者がいる．赤﨑勇博士．名古屋大学教授を退官した

選ぶ「甲板学徒」に指名されました．それが大変な役なん

後，今は名城大学教授．

です．
物入れから岩波の文庫本などが見つかったりすると，

青色発光ダイオード開発のもつ意味について，名古屋大

連帯責任で甲板学徒が下士官からビンタをくらうんです．

学の竹田美和教授は次のように語る．
「これらの研究開発の1945年 6月，陸軍航空士官学校を受けろという命令で，大部分が日本人の研究者および企業でなされたということ

鹿児島に帰りました．その夜大空襲をうけ，鹿児島市はほであります．基礎研究から開発・商品化の大部分が日本のとんど焼け野原になりました．幸い生き延びたのですが，研究者・開発者・企業によってなされました．これは世界

そのあと無差別銃撃をうけ死にそうな目にあいました．焼

に誇るべき偉大な成果でありますし，科学技術史におけるけ野原ですから，人が一人歩いていても飛行機から見える

大きな足跡を残すものと考えております」のでしょう．こちらからもパイロットの顔が見えましたか

1． 学徒動員から終戦へ
榊：まず中学や高校のころのことをおうかがいしたいので(インタビュー実施日：2006年 12月 1日）
名城大学理工学部教授

89 2

ら．
榊：すごく濃密な時代を生きられましたね．
赤﨑：大変な時代でした．わずか 50cm ぐらいのところに弾を受けたことがあります．
澤木：後に，「一人荒野を行く」とおっしゃっているのは，
応用物理 第 76巻 第８号（2007)

その体験と重なっているのですね．

電子の侵入長に比べて厚く作ります．陰極線発光はその不

赤﨑：状況はまったく違いますが，そうかもしれません．

透明な蛍光体層に吸収されロスします．これをなんとかし

今まで，このことは話したことはありませんが．あのときようと．そこで蛍光体材料の ZnS の小さな単結 晶 を，の情景は脳裏に焼き付いて離れません．1回目は市電の線

フェースプレート内面に薄く敷きつめられないかとブラウ路に沿って歩いていたとき．飛行機が向こうから来るのがン管技術課長の巽武一さんと真面目に話し合ったことがあ見えましたが，身の隠し場所がありません．2回目は疎開先ります．当時はまったくの夢物語ですが，これはずっと私に行く途中．近づく爆音に一瞬，路肩に身を伏せました．

の潜在意識にあったようです．

砂ぼこりがパッと立ちました．

澤木：そのころから，光る単結晶に注目されたのですね．

2． 七高から京都大学へ

赤﨑：蛍光体は多結晶の粉末で，再現性がよくなかった．
今は環境がよく整備されていてあまり問題はないと思いま

竹田：終戦の翌年に，旧制七高へ進学されたのですね．

すが，当時は，温度・湿度のコントロールが十分ではあり

赤﨑：入ってみたら，同級生はみんな年上ばかり．外地のませんから．私はそのころから，光るもの，そして単結晶

旧制高等学校，専門学校や大学予科，それに陸軍士官学校をやりたいとずっと思っていました．
それが後のⅢ‑Ⅴ族化や海軍兵学校から編入した人がたくさんいて，4年から入合物半導体の単結晶の研究につながったと思います．

学したのはクラスに 2〜3人でしたか．
七高は焼けていたので，県北部の出水市にあった航空隊跡に疎開して，そこで

4． 1回目の名古屋大学時代〜結晶・物性・デバイス

開校したのが 1946年 11月末．翌年には学校復興資金集め

赤﨑氏は名古屋大学で初めて結晶成長の研究に着手すのための演劇活動などで休講があり，七高も正味 2年余りる．
当時，Ge が半導体研究で最も注目を浴びた材料だった．

でしょうか．ですから中学・高校で大事な基礎を学ぶ時間が少なかったですね．

赤﨑氏は，これを自力で作るため，GeO を輸入し，水素還元して Ge インゴットを作り，ゾーン精製や，ゾーンレベリ

榊：京都大学の理学部，しかも化学科を選ばれたのは，どングにより所望の単結晶を作った．その単結晶をスライス

ういう理由ですか．

して基板とし，その上に気相から Ge を一層ずつ積み重ね

赤﨑：物理か化学か考えていたとき，京大理学部（主としる，いわゆるエピタキシャル成長法によって Ge の単結晶て化学専攻）に進学していた七高の先輩に熱心に勧められ薄膜を成長させた．この研究を通して半導体研究に対するたことです．西堀栄三郎さんのこと，いろいろな創意工夫

赤﨑流の方針を確立した．結晶―高品質の単結晶を自分のの話など，研究室の雰囲気も興味がありました．もう一つ

手で作ること．物性―その結晶の物性が，成長法や条件では，中学や七高の化学の先生が親しみやすい方でした．

どう違うかを自分で調べること．デバイス―その高品質結

3． 神戸工業時代〜ルミネッセンスとの出合い
竹田：京都大学をご卒業後，神戸工業（現・富士通）でブ晶のデバイス応用を極めること．この三つを不可分・総合的に研究することが，半導体研究の要であるという基本方針であった．

ラウン管の研究を始められたのは何年ですか．
赤﨑：1954年です．研究というより開発とか生産技術的な

竹田：1959年に，神戸工業の三羽ガラスの一人と言われたことですが．後に蛍光表示管を発明し伊勢電子工業を起こ

有住徹弥先生とともに，名古屋大学へ移られましたね．

した中村正さんとコンビを組みました．
中村さんが電子銃，

赤﨑：どうして有住部長は私に声を掛けられたのかわかり

私は蛍光面を担当しました．そこでルミネッセンスと縁がません．1958年晩秋の突然の話で，お断りしましたが，有できたのです．蛍光面はピンホールがないようにするため，住さんは，いささか強引でした．しかし結果的にはこの名
古屋大学時代が私の研究の原点になりました．それまでの不勉強を取り戻すのと一人で実験室を立ち上げるため日曜
日もほとんど休みませんでした．この間 Ge の単結晶薄膜
成長にも取り組みました．東京大学の原留さんが，やられたのも同じころではなかったでしょうか．これはたぶん日
本で初めてだと思いますが，よくわかりません．
榊：気相成長法が初めてなのですね．
赤﨑：はい，そうです．
澤木：エピタキシャル成長法は一般的だったのですか．
赤﨑：いいえ，少しそのあたりを．私は構造敏感な半導体の研究には素性のわからない結晶は使わない．結晶は自分で作らないと駄目だと思い，コンゴから GeO を輸入しました．きれいな白い粉です．それを還元する炉をはじめ，

左より竹田，榊の各氏

青色発光ダイオードを求めて（赤﨑）ゾーン精製装置，ゾーンレベリング装置，種々の加工・処
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理機，排気装置等々の配線や立ち上げまで神港精機の人にした．

手伝ってもらいながら半年がかりで全部やりました．しか6． 松下電器時代〜発光デバイスの展開．
G aN では一人荒野を行く

し実際に還元やゾーン精製などはどうやったらいいか，誰も教えてくれる人がいません．ベル研から出されていた『Transistor Technology』が唯一の先生でした．
一方，p 型基板にヒ素を拡散させて作る p‑n 接合の n 層

松下電器東京研究所の赤﨑研究室がまず取り組んだのははアクセプターで補償されています．このように補償され

GaAs の高品質単結晶を作り，その物性を調べることだった．Ge から始まった半導体の研究は 1960年代，その主役ていない，しかも望みの不純物分布をもつ接合や薄膜結晶

を Si へと譲っていた．その一方で，発光デバイスやマイクを作る方法はないかと．
ゾーンレベリングのとき，
パラフィ

ロ波デバイスの材料として GaP，GaAs などの化合物が注ンを燃やして石英ボートにスーチングしていたので，熱分目され始めていた．赤﨑氏と原氏の高品質 GaAs の研究

解や不均等化反応で生成する原子を積んで薄い結晶ができは，モスクワの半導体物理国際会議で発表された．

ないだろうかと考えました．

さらに赤﨑氏は，当時としては世界一明るく光る青色発

澤木：エピタキシャル成長法を独自に開発されたのです

光ダイオードを作った．そのときの苦労を，室員だった大ね．

木芳正氏は次のように語る．

赤﨑：私がこの実験をしようと考えたのは 1960年．
ほかの「赤﨑先生ご自身で，当時（1973年）やっと世の中に認知

仕事は決してスローダウンしないという条件でやっと有住され始めてきた分子線エピタキシー（MBE）法で，GaN の先生の OK をもらい，61年に表面は平坦ではありませんが単結晶を作ることを，まず一人でお始めになった．その後

Ge の単結晶膜を作ることができました．そのころ，大阪大学の菅田栄治先生から「IBM で同じようなことをやってい1975年通産省プロジェクトが始まるとき，MBE のほかにましたよ」とお聞きして，びっくりしました．後日その論（HVPE）法を使って GaN の結晶を作ることを，一方で私が担当して始めました．最初の 1回だけはどういうわけか，

文のコピーを入手しましたが，IBM ジャーナルを見るのは初めてでした．1961年暮にショートノートを書き，62年か実際にある程度結晶ができることのわかっている気相成長

そこそこきれいな結晶ができたんです．しかし 2度目，3度

ら院生になられた西永頌さんと一緒に本格的に始めまし目以降，同じことがまったく再現できません．やがて基板

た．

を再使用したときに限って，比 的よい結晶ができる場合

5． 松下電器東京研究所へがあることに気がつきました．成長しなかったサファイア
基板の表面をよく眺めてみると，実は表面に少しだけ GaN

榊：松下の東京研究所ができたのは 1960年ですね．

の小さな結晶がついています．それを 種 にして，そこ

赤﨑：松下幸之助さんが「将来の技術革新に対処するため，から GaN のきれいな結晶が成長するのではないか，といエレクトロニクスの基礎研究をより積極的に推進する」東

う結論に達しました．そこで今度は意図的に，最初に表面京研究所を設立しました．初代所長は，社内の生え抜きのに種になるような小さな結晶を付けて，結晶を成長させる

人．その後，1962年に東北大学から小池勇二郎教授を 2代ことを始めたわけです」

目の所長に迎え，川崎市生田のキャンパスへ移ったのが1963年．私が小池先生からお誘いを受けたのは，1962年

榊：松下電器での研究は，ガン・ダイオードや LED をターだったと思います．

ゲットとしていたのですか．

竹田：企業での研究に興味があったのですか．

赤﨑：そうです．ただガン・ダイオードは，物理的に大変

赤﨑：もともと私は名大に残るような器ではない，いずれ

面白いのですが，デバイスとしては 光りもの

はよそへという気持ちはありました．たまたま，まだ小池

味がありました．今でも鮮明に覚えていますが入社前に小先生が東北大におられたときだったと思いますが，先生が池さんに会ったとき，突然，「赤﨑君，何をやる 」と聞か委員長を務めておられた研究会で，エピタキシャル成長のれ，「Ⅲ‑Ⅴ族化合物半導体をやります」と即答したら，「よ話をしたのが縁で，旧知の有住先生に相談されたのが始まし，それで行け」と．それでテーマが決まりました．最初

りのようです．名大での仕事が佳境に入っていたのと，名に取り上げたのは GaAs，2年あとに AlN なども始めまし

大の事情もあって 1年経っても行かなかったのですが．私

た．

により興

の心を動かしたのは，原徹さんです．彼は私の研究室に配1968年モスクワの国際会議に出席し，その帰りにイギリ属が決まっていて新実験室の準備をしていました．室長がスのボルドックの SERL 研究所で高圧引き上げ（LEC）装着任しないと落着かないのは当然で，とうとう名古屋まで

置の試作機を見て，これで GaP の引き上げをやることにし来ました．これには参りました．もう行かざるを得ないと．

ました．高温の高圧容器の万一の爆発に備えて，厚いコン

澤木：当時の東京研究所の雰囲気はいかがでしたか．

クリート壁でかこい，はじめは ITV による遠隔操作で B

赤﨑：所長はじめ研究室長はすべて松下の外から大学の助教授・教授クラスの人を集めたシンプルな組織で，少し前O 液中の種付けをしていましたが，うまくいかず，とうとう有賀弘三君や橋本雅文君が厚いサファイアの二重窓を通にできた物性研などとも交流があり，割に自由な雰囲気でして直接観ながら種付けに成功しました．種付けができて89 4

応用物理 第 76巻 第８号（2007)

も引き上げがうまくいくとは限りませんが…．こうして日

べてはるかに作りやすい構造です．外部効率は〜0.1％で，本初の LEC 法による GaP バルク単結晶を作り，それを基

もちろん後の LED には比べものになりませんが，視認性板にして GaP の気相および液相エピタキシャル成長やもよく，会社では量産試作し，後年米国・松下技術展で注GaInP の気相エピタキシャル成長をやりました．
澤木：GaN を始められたのはいつごろですか．

目をあびました．クラックや歩留まりなどの問題で市販さ赤﨑：AlN を始めたのが 1966年，GaN は 1973年です．同であまりがっかりはしませんでした．

じころから GaN とともに，松下時代の最後までやってい竹田：そのフリップチップの成果を，1981年に日本で初めたのは，液相エピタキシャル成長による GaInAsP／GaAsて開かれた化合物半導体の国際会議で発表されたのですの赤色レーザーです．1979年 10月赤色レーザーを発振さね．

せました．イリノイ大より少し遅れましたが日本では一番

赤﨑：1978年のデータをいろんな事情で 1981年に発表し早かった．当時発光素子は，赤や黄緑は光っていましたが，ました．
ずいぶん関心を引くだろうと思っていたのですが，

青色は夢でした．LED は青を狙う．レーザーは赤外しかないので可視光を狙う．
どちらもできていないデバイスです．

まったく反応がなかった．そのころ GaN には誰一人見向

竹田：松下では先生の思いどおりに研究を進めることがで人なんだな」と思いました．

きたのですか．

れなかったのですが，私が目指す p‑n 接合ではなかったの

きもしなくなっていたんですね．私はつくづく，「ああ，一
ところで，1977〜78年ごろ蛍光顕微鏡で結晶を眺めてい赤﨑：当初は，私の方針どおりにやれました．しかし 7〜8

ると，ごくまれにですが，とてもきれいな微小な結晶が含年経ったころから，状況が変ってきました．研究所は本社まれているのに気づきました．なんとかしてウエハー全体から独立した組織でしたが資金は 100％本社からもらってをこの微結晶のようによくすれば表面はピカピカになるだ

いました．しかし，研究で使う分は，自分で稼ぎなさいとろう．
残留不純物も少なくなっているであろうその結晶に，いう方針に変わりました．東京研究所は，1971年に松下技アクセプターをドープすればきっと p 型も実現できると研という名称に変わりましたが，室員にとって，なるべく確信しました．問題はこのきれいな部分をいかにウエハー

仕事しやすい環境を作ろうとすると，上の要求と相容れな全体に広げるか．

い．そのはざまに立っていたことは確かです．GaN を始めたのはそのころです．

これは結晶成長の問題だ．こうして 1978年，この研究の原点である 結晶成長 にもう一度立ち返ることにしまし

この研究を本格的に行うため，また外部資金獲得のため，た．これは GaN 研究の一つの分かれ目だったと思います．

MBE 法では初めて単結晶を作り，1974年「GaN による青色発光素子開発に関する研究」で通産省の中核プロジェク

ところで半導体単結晶の品質は成長法や条件によって大きトに応募しました．

く変わります．GaN の成長法として，M BE，HVPE，それに M OVPE の特徴を，それまでの経験に基づいてさまざま

そして開発した初のフリップチップ構造の GaN M IS 青

な角度から比 検討した結果，1979年に「MOVPE 法が最色 LED がちょっとしたヒットになり ま し た．こ れ は サ

適だ」と結論しました．この判断がよかったのはその後のファイア基板につけたパターン状 SiO 膜上に選択成長すGaN の発展の経過をみるとわかります．しかし，GaN の研究を続けることはかなり難しくなっていました．

る n GaN 柱をカソードとするもので，通常の M IS 型に比実はそのころお話をいただいていた名古屋大学にお世話になって，自分の思ったとおり GaN の研究を続けよう．そう決心しました．あのとき，もし名古屋大学からお呼びが掛からず帰ってこなかったら，この研究はそのままになっていたかもしれません．
竹田：窒化物半導体の研究をずっと続けてこられたのは，赤﨑先生だけですね．ぽつん，ぽつんと，早い時期にやっている人はいたのですが．
榊：窒化物半導体の研究で，論文数が上がり始める前，1970から 80年まではほとんどが赤﨑グループの発表ですか．
竹田：いいえ，最初に発表した論文の継続版があるので，ほかのグループもゼロにはならないのです．
赤﨑：ルミネッセンスや屈折率を測るなどの研究はありました．日本でも東京大学の青木昌治先生のグループやほかの会社でもやっていて交流がありました．院生の松本俊さん，佐野雅敏さんや蟹江壽さんたちが，結晶成長や物性の仕事を随分されていました．しかし世界中どこでもよい結左より佐川，澤木の各氏

青色発光ダイオードを求めて（赤﨑）

晶を作るのは難しかった．
89 5

榊：私は大学院在籍中の 1972〜73年ごろ，青木研の佐野さんたちと話をした記憶があります．GaN をクロライド法で成長させると窒素の空孔が多く残るなど，苦労したと聞いています．

7． 2回目の名古屋大学時代〜ブレークスルー

ところ，Mg の関与する青色発光の強度が著しく増大するとともに結晶が p 型伝導に変わることを発見した．電子線照射により Mg をとりまく電子状態が変化し光学的にも電気的にも活性化されたのである．この GaN における p型伝導の発見 は，GaN 青色発光素子開発の第 2のブレー
クスルーとなった．直ちに，赤﨑氏らは 初の GaN p‑n 接

赤﨑氏は，名古屋大学着任前から本格的クリーンルーム

合ダイオード を実現し，この成果がその後の全世界でのの設計を手がけていた．1981年教授となって名大に戻ると窒化物半導体研究の爆発的拡大を招くこととなった．とこ

部品を集めて作った M OVPE 装置で早速，実験に取りかろで，
ここで新たな問題があらわになった．それは低温バッ

かった．その装置の改良型である MOVPE 1号機の立ち上

ファ層技術により残留ドナーが激減するため結晶が高抵抗げを行ったのは小出康夫氏（当時，博士課程 1年）と天野化することである．そこで，赤﨑氏らは，同年，低温バッ

浩氏（当時，修士課程 2年）であった．小出氏は当時の様
子を次のように語る．
「まだ MOVPE 法が，それほどポピュ

ファ層技術を用いて結晶を高品質に保ちながら，Si をドープすることにより n 型の伝導度を広範囲にわたって制御

ラーではなかったころですから，装置は手作りです．部品することにも成功した．この n 型伝導度の制御 は p 型伝の一つひとつをリストアップして，配管の部品一つから，導の実現とともに実用上不可欠の技術である．これらに反応管，石英管のフランジなども設計して，業者に発注しよって窒化物半導体の電子・光デバイス応用の基礎が確立

ました」．

された．

こうして試行錯誤をくり返し，効率よく成長できるようになったが，求める鏡面結晶は得られなかった．赤﨑氏は

榊：大学ですぐに研究室を立ち上げるのは難しいことです「これは GaN とサファイア基板とで格子定数その他の性

ね．それをどのように乗り越えられたのですか．

質が大きく異なるためだ．したがって基板とエピ層の間に，

赤﨑：丸勢進工学部長をはじめ電気系教室のすべての先生

単結晶のようにガッシリした構造ではない，軟らかくて薄が支持してくださいましたが，最も大きかったのがパート

い層をバッファ層として挿入することで解決できるのではナーである澤木先生のご協力です．

ないか」と考えた．バッファ層材料としてはなるべく GaN

榊：赤﨑先生の代表的なお仕事として，AlN 低温バッファ

やサファイアによく似た物性を有する材料が望ましく，層の導入による GaN 結晶品質の飛躍的な向上と電子線照ZnO, AlN, GaN や SiC などが頭に浮かんだが，すべてを同時にはやれないので，1966年から馴染みのあった AlN射による p 型伝導の初の実現がありますね．これが窒化物をまず試みることにした．こうして，赤﨑氏らは GaN 単結人が知るところです．ところで先生の使われた MOVPE 装

晶の成長直前に，AlN の薄い層を AlN 単結晶の成長温度

置について気になったことがあります．1号機のときからより低い温度で堆積する新技術を開発し，結晶欠陥や残留基板が斜めに置かれていて，そこに原料ガスを高速に吹き

不純物の格段に少ない高品質結晶の成長に成功した．

付けていますね．この構造では，基板に並行な方向と垂直

最初の実験成功は，1985年のこと．赤﨑氏は天野氏の実系半導体素子発展のブレークスルーとなったことは多くのな方向の流れが合流した形になりますね．

験結果を見て，結晶学的特性，光学的特性，電気的特性を赤﨑：そうです．

徹底的に調べるように指示した．その結果を見た赤﨑氏は

榊：斜めにした基板に吹き付ける方法は，最初からやってこう語る．
「すべての重要な特性が，同時に，どれ一つ欠けいたのですか．

ることなく，従来のものに比べて飛躍的に向上している．

赤﨑：いいえ，最初は基板を水平にして低速で原料を供給

これで未到とされていた GaN が，半導体としての機能をしていましたが，原料の利用効率があまりにも悪く，その初めて発現できる．松下時代から長年求めつづけ，また信

うえ AlGaN 系の成長制御がうまくいかなくて，斜めにしじてきた，表も中もきれいな GaN を遂に実現できて，本当た基板に高速で吹き付ける手法にしたのです．

にうれしかった」

榊：そうだとすると，低温バッファ層を用いた成長法上のこれが，高光度青色発光ダイオードの開発にとって，決工夫の前に，斜めにした基板に原料ガスを吹き付けた工夫

定的なブレークスルーとなった．赤﨑氏らは直ちに次の課をしたことも強調されるべきですね．一つの問題点がそこ題である p 型伝導の実現に向けて実験を開始した．まず高で解決したわけですから．

品質 GaN への Zn ドーピングをくり返し行ったがどうし榊：基板を水平な状態から初期に斜めにして，問題を解決ても p 型は得られなかった．1987年，この結晶に電子線をしたことは，どこかに発表したのですか．

照射すると Zn の関与する青色発光の強度が著しく増大す赤﨑：1985年 3月の応用物理学会や，アプライド・フィ

る現象を見いだした．一方 1988年，Mg のほうが Zn より

ジックス・レターズの 86年 2月号に発表しました．原料を活性化しやすいことに気づき，1989年 bis-CP M g を輸入

反応部の直前で混合し，高速で基板に吹き付けるという窒し M g ドープに成功した．そして Zn ドープ高品質 GaN の

化物系 MOVPE 法の原型はこの M OVPE 1号機にありま場合と同様，
Mg ドープ高品質 GaN に電子線照射を行った

す．最初，吹き出し口が 2本だったり 3本だったりしたの

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応用物理 第 76巻 第８号（2007)

ですが，1本にして高速に吹き付け，同時に基板を斜めにしたのです．

9． 研究生活を振り返って

榊：ツーフロー法と，傾けた基板に吹き付ける方法とは，

澤木：まだ窒化物半導体の研究がそれほど進んでいなかっ別ものと考えられてきたようですが，技術の発展の相互関た時期に，赤﨑先生はライフワークにしようといわれまし

係を淡々と語ることも大事ですね．斜め方向から原料ガス

た．窒化物半導体のほとんどのことはやられたと思いますを高速にぶつける，これもブレークスルーの一つだったのが，やり残されたことはありますか．

ですね．高温になった基板のために対流でガス流が上昇す

赤﨑：350nm より短い波長，520nm より長い波長では満るのをどのように抑制したのか．その工夫にも触れたほう足できるものはまだできていません．1989年に p‑n 接合がが，発展の経緯がよくわかるのではないでしょうか．

できたとき，私は A 3の紙に将来構想として四つの図を書

赤﨑：貴重なご指摘，ありがとうございます．

きました．
「高効率紫外発光・受光デバイスの実現」「高温・

榊：その MOVPE の 1号機で GaN の結晶成長に初めて苛酷な環境で動作可能なデバイスの実現」「超高速・高出力成功したとき，すぐに徹底的に物性を調べるように指示さ

電子デバイスの実現」．
そして従来の半導体では原理的に実れたのですか．

現不可能な新しい領域「フロンティア・エレクトロニクス」

赤﨑：私は以前から半導体の単結晶は 文質彬々 でなけ

を窒化物半導体で開拓すると．現在は，「GaN 系エレクトロ

ればならないと考えていました．中（実質）がよいものはニクス」と呼んでいます．これをすべて実現するには，や表（外観）もきれいなはず．表をきれいにするには，中がるべきことがまだたくさん残されています．

よくなくてはいけない．外観，内容ともによく整っている，

澤木：先生の場合には，応用が常に頭にあって基礎研究をという意味でいっています．
ある日，
天野君が低温バッファ

進めるというやり方でしょうか．

層を介して成長させた表面がピカピカの結晶を興奮して

赤﨑：そうですね．光デバイスを志向していることが多い

持ってきました．私は松下のころから未到の GaN もなんですね．しかし途中で何か問題があると一旦基礎に立ち返とかしてにしたいと思っていましたので，表るということもありました．マジック・クリスタルと言わ面がきれいでも，中も本当によいことを確かめるまでは，

文質彬々れた GaAs は，レーザーやガン・ダイオードなどを考えて心底から安心できなかったんです．少なくとも X 線回折の半値幅，電気的性質，何よりもルミネッセンスを測るよういたのですが，
GaAsP などの結晶成長や物性の研究に興味が移りました．一方窒化物半導体については， p‑n 接合ににと，その場で指示した記憶があります．中もきちんと調よる青色発光 という夢を追い続けてきました．

べてから発表しようと思ったのです．

私はたびたび職場を変わり，雑多なことをやってきまし8． 産学連携

た．窒化物半導体の前は，GaAs 系Ⅲ‑Ⅴ族化合物半導体，
その前は Ge をやり，さらにその前は蛍光体やシンチレー

1987年，当時の新技術開発事業団（現・科学技術振興機

ターをかじりました．それぞれデバイスが頭にありました

構）の事業として，豊田合成と名古屋大学との産学官連携が，あとで考えると，結晶成長に軸足を置いた材料の仕事による青色発光ダイオード研究開発プロジェクトが始まだったのかなと思います．

る．これは 1985年出願の AlN 低温バッファ層を用いた結

榊：先生が所属された組織は，それぞれどのような長所・晶成長法などに関する特許が基となっている．このプロ短所をもっていましたか．

ジェクトを遂行しながら，赤﨑氏らは p‑n 接合ダイオード

赤﨑：神戸工業で私がいたのは明石の大久保製作所です

実現のための研究を進めた．

が，大げさにいえば野武士の集まりです．
自分に合ったテーマに当たった人はよかった．しかし経営がまずかったらし

榊：最初は産学連携の話を断ったそうですね．

く企業としては仕事がやりにくかったのかもしれません．

赤﨑：産学連携に消極的だったわけではありません．結晶

1回目の名古屋大学時代が私の研究の原点．そこで初めは飛躍的によくなっていたのですが，まだ p 型伝導は実現て目覚めました．野田稲吉先生，上田良二先生，榊米一郎

していませんし，やりたいことが次々にあってお断りしま先生，山本賢三先生，早川幸男先生などの大先達をよくおした．しかし豊田合成さんと事業団の方の熱意にほだされ

訪ねし，ご専門分野はもとより，ものの見方などを学びまてお受けすることになりました．

した．この 5年間は，成果をあげたというよりも，これか

プロジェクトが始まると豊田合成の人たちに結晶成長にら何が来てもやって行けそうだという自信めいたものがつついて指導し，ゼミなどを通して半導体の勉強もしてもらいたことが大事だと思います．松下の研究所で，なんとか

い ま し た．一 方，私 た ち は 1号 機 で の 経 験 を 生 か し て先任室長に伍して，自分なりに研究方針を最後まで貫き通MOVPE 2号機を作製し，p 型伝導につながるドーピング
やその先の実験をしました．M OVPE 1号機は豊田合成のせたのは，この名大時代に培われたものに負うところが大人の訓練用や，1986年から始めていた GaInN の研究などに使いました．

きかったと思います．
名大電気系教室の会議室には初代総長の渋澤元治先生が名大の座右銘とされた「以和為貴」が掲げてあります．これが私の名大や電気系教室に対する印象を端的に表してい青色発光ダイオードを求めて（赤﨑）89 7

ます．退官講義の題は 結晶・光・半導体との 40年 としましたが，名城大学でも引き続きこの仕事ができることを有り難く思います．
振り返って，私は良師益友に恵まれたと思っています．日ごろ「若くても年長でも先生です」といっているのは澤木先生，竹田先生や西永先生のことです．1959年名大に移るまで道草を食った私が遅ればせながら研究者として独り立ちできたのは，若き日の西永先生との切磋琢磨の賜物です．窒化物半導体についてなにがしかやれたのは，私一人の力によるものではなく，私と一緒にこの仕事にのめ
り込んでくれた松下時代の仲間や天野浩教授をはじめ，名大，名城大の多くの共同研究者，学生諸君の奮闘のお蔭です．また，小，中，高校，大学時代，さらに神戸工業時代

後列左より三宅，澤木，榊，竹田，佐川の各氏，前中央は赤﨑氏

を含め今日まで，専門，所属や年齢を問わず内外の多くのよき友人に恵まれたことを幸せに思います．最後に，材料研究は奥深く，一人でも多くの若い人が仲間入りされることを願っています．

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応用物理 第 76巻 第８号（2007)