注⽬講演Ⅰ
注⽬講演とは︖︖
各分科に投稿された講演の中から，プログラム編集委員が「おもしろい講演なので、他の分科の参加者にもぜひ聞いていただきたい︕」とおすすめする講演です。プログラムにも、講演タイトルの前に「注⽬講演」という冠がついています。
※講演番号の読み⽅︓16p-F204-1は16⽇，pは午後，F204会場の1番⽬の講演を意味します．
中分類分科名講演タイトル

講演番号

新規⾻接合インプラントの剛性評価
1.5 計測技術・計測標準

16a-423-11

講演者

所属

園畑 素樹

佐賀⼤整形

注⽬講演推薦理由
本件は、認可済みの医療器具を、その施術向上を⽬指して、微加⼯を施し、無治験での認可を⽬指すものである。この挑戦的な取り組みを、⽇本でも整形外科分野で著名な、佐賀⼤学整形のグループが取り組んでいる。本公演では、医療機器開発の現場、また実験的取り組み、計測へのニーズも含めて、解説頂く点、注⽬に値する。
[第17回応⽤物理学会業績賞(研究業績)受賞記念講演]

3.13 半導体光デバイ
ス,3.15 シリコンフォトニクスのコードシェア

波動関数制御光デバイスの基礎研究と開発研究
16ｐ-F204-1

浜松ホトニクス

⼤学から企業に移られた後も、波動関数を制御した光量⼦論にもとづくデバイスの基礎開発研究を⼀貫して⾏われ、量⼦カスケードレーても注⽬するべき講演です。
[3. 光・フォトニクス 分科内招待講演]

グ正道

ザをはじめとした様々な業績を上げてこられました。先駆的な半導体光デバイスの理論検討からデバイス応⽤まで成し遂げられた点でとセッション

3.7 レーザープロセシン

⼭⻄

マルチレーザー加⼯ヘッドを⽤いたレーザーコーティング法の開発
14a-512-7

佐藤 雄⼆

阪⼤接合研

レーザーコーティングは、レーザー照射により製品・部品の表⾯で原料粉末を溶融・⽪膜化して耐摩耗性や耐腐⾷性等の機能を向上させる。講演者らは新たな加⼯ヘッドを開発することで、熱ダメージ発⽣の問題を解決し、微細かつ低⼊熱なレーザーコーティングを可能にした。これまで困難であった純銅のコーティングを可能にした点からも注⽬すべき講演である。
テラヘルツ偏光計測による⿊⾊ゴム材料の内部歪みイメージング

3.9 テラヘルツ全般

15a-211-8

森脇 淳仁

慶⼤理⼯

可視光域で透過性のない⿊⾊ゴムが、透過性のあるテラへルツ域において添加物であるカーボンブラックに起因する複屈折性をもち、その⼤きさが⿊⾊ゴムの延伸によるカーボンブラックの配向度に依存することから、テラヘルツ偏光イメージング測定を⾏い、シミュレーション解析結果と対照させることで、⿊⾊ゴムの内部歪みを初めて⾮接触で評価できることを実証した。
カプセル型波⻑スケール⾦属共振器レーザの試作と室温パルス発振

3.13 半導体光デバイス

16a-422-3

肖イ

東京⼤学

超⾼密度光集積回路やオンチップ光インターコネクト⽤に波⻑スケールの微⼩レーザが望まれている．今回，半導体を⾦属で覆った⾦極共振器レーザを製作し，幅1μm，⻑さ1.6μmのデバイスのパルス光ポンピングによる室温レーザ動作を達成している．また，⻑⽅形型と楕円形に近いカプセル型の⽐較から，後者の⾦属損失の減少による特性向上を確認している．
室温原⼦層堆積法を⽤いて形成したアルミナ膜による⾦属表⾯の耐腐⾷コート

⿅⼜ 健作

⼭形⼤院

⾦属や有機物への酸化物コーティングは材料の耐環境性向上に重要な技術であるが、スパッタ法など従来技術にあっては処理中の温度上昇による材料のダメージは不可避で、なおかつ複雑な表⾯形状の部品へのコーティングの際には膜の不均質が原因の腐⾷孔⽣成など多く
6.4 薄膜新材料

15a-P5-1の技術的課題があった。演者らは独⾃に開発した加湿アルゴンプラズマを⽤いた室温原⼦層堆積法によりステンレス板上に⾼密度かつ均質なアルミナ薄膜を被覆することで強⼒な耐酸腐⾷性を付与させることに成功した。本研究は耐薬品、ガスバリアコートが困難であったソフトマテリアルへの保護膜形成などへの発展の可能性をも⽰唆する極めて優れたかつユニークなものである。
半導体リソグラフィ⽤LPP-EUV光源の開発

7. ビーム応⽤⼤分類
コードシェアセッション

15p-318-10

クス

況について報告される。

14p-P1-9

エンス

滋賀県⽴⼤む結果と原因の因果関係を理解し制御することは容易ではない。本研究は、プラズマプロセスにおける複雑な因果関係をネットワーク構造分析により評価する新たな解析⼿法の提案であり、複雑系科学・情報科学との学際領域研究と⾔える。

16a-313-7

⽯川 健治

名古屋⼤学

プラズマ照射で活性化させた溶液（PAM)による癌細胞の選択的殺傷効果は、新たな癌治療法となり得るインパクトの⾼い現象である。講演では、マルチプレックスアンチストークスラマン散乱による⾼感度測定により反応のダイナミックな挙動解明を試みている。PAM処理による細胞内の反応機序発現の詳細理解への、重要な⾜掛かりとなり得る、興味深い講演である。
⾚外線カメラを⽤いた熱拡散率の測定とインピーダンススペクトロスコピー法による熱電変換モジュールの評価

9.4 熱電変換

⽔井 康公

プロセスプラズマ雰囲気には、励起状態やラジカル等、多種多様な活性種が存在する。そのため化学反応系も複雑となり、プロセスに潜マルチプレックスCARSによるプラズマと細胞の相互作⽤の観察
8.6 プラズマライフサイ

ギガフォトン

半導体製造現場への導⼊に向けて⼤きく前進している。世界２⼤EUV光源開発メーカーであるギガフォトン社よりEUV光源開発の最新状

シランプラズマの化学反応系におけるネットワーク構造分析
8 プラズマエレクトロニ

⻄村 祐⼀

半導体リソグラフィー光源として期待されるEUV光源は、出⼒の低さが⻑年の課題であったが、ついに200Wを超える出⼒が達成され、15p-E206-5

⼤塚 美緒⼦

埼⽟⼤学⼤学院

本講演では、発表者らが独⾃に考案したインピーダンススペクトロスコピー法を⽤いて熱電変換モジュールを評価した結果を報告している。発表者らは、モジュールの熱拡散率を⾚外線カメラで測定することに成功し、さらにインピーダンス測定から、モジュールに与える温度差が1Hz以上の周波数で変動するだけでモジュールの無次元性能指数zTがほぼ0になることを⽰した。
電気化学エッチングによる⿊リンのバンドギャップ制御

佐藤 洋平

東⼤院総合

ポストグラフェン物質として近年注⽬されている⿊燐は、その膜厚を制御することで直接遷移のバンドギャップが0.2 eVから2 eVまで変化する。今回の報告では、通常酸化されやすい⿊燐を、電気化学的エッチング⼿法を⽤いて膜厚を制御しそのバンドギャップが実際に変9.5 新機能材料・新物性

15p-514-9化すること、および電解液をゲート絶縁体とした実際のデバイスがトランジスター的特性を⽰すことが報告されている。本研究は、扱いにくい⿊燐の膜厚を制御して、その物性までを調整できた点で意義深い。今後、ポストグラフェンとして、さらに、注⽬が集まると期待される。

注⽬講演Ⅱ
中分類分科名講演タイトル

講演番号

絶縁層にダイヤモンド薄膜を利⽤した電極導⼊型DACの開発
11.1 基礎物性

15p-317-13

講演者

所属

松本 凌

物材機構, 筑波⼤学

注⽬講演推薦理由
⾼圧下で電気抵抗を測定するには微⼩な試料に電極をとりつける必要があり、この種の実験は⾮常に困難を極める。本講演は、ダイヤモンドアンビルセル（DAC）を使った測定に⾦属ダイヤモンド薄膜を利⽤することで実験を簡便にする⼿法について報告がある。物性測定ツールとしての汎⽤性が⼀気に⾼まる可能性があり注⽬される。
(113)B GaAs基板上の副格⼦交換によるGaAs/AlAs多層膜結合共振器

15.3 III-V族エピタキ
シャル結晶・エピタキ

17a-B5-4

シーの基礎盧 翔孟

徳島⼤院理⼯結合共振器の差周波によるテラヘルツ発⽣を⽬指し、GaAs(113)B基板上にGaAs/AlAs多層膜反射鏡からなる共振器とGe副格⼦交換層を介して(113)A⾯上の共振器を集積することに成功した。これにより2次の⾮線形感受率を上下の共振器で反転させることが可能となった。良好な結晶性と2波⻑の共振スペクトルを確認し、波⻑差は2.8 THzであった。
逆ピラミッド型 III 族窒化物半導体量⼦ドットの検討

15.4 III-V族窒化物結晶

16p-503-13

HOLMES Mark

東⼤⽣研

Ⅲ族窒化物半導体量⼦ドットには，正孔の基底状態と第⼀励起状態のエネルギ間隔が⼩さくフォノン起因ディフェージングの問題がある．本研究では，従来の六⾓錐台形状に代え逆六⾓錐台形状における量⼦準位を理論的に検討し，内蔵分極により正孔が六⾓錐頂点部へシフトするため，エネルギ間隔が増⼤し，フォノン起因ディフェージングの減少が期待できる事が分かった．
a-Si:H太陽電池の局在準位評価（1）〜（3）16.3 シリコン系太陽電池

松井 卓⽮

産総研

アモルファスシリコン（a-Si:H）太陽電池変換効率の世界記録を有するグループから、講演者ら独⾃⼿法であるトライオード型プラズマ

17a-211-3~5 援⽤化学的気相堆積法により作製したa-Si:H膜の局在準位評価や、製膜温度依存性、更には、セル特性への影響など、物性評価とデバイス特性の相関が詳細に報告される。
グラフェンゲートトランジスタによる⾼感度ガスセンシング

17.2 グラフェン

15a-B6-11

佐藤 信太郎富⼠通研

グラフェンは表⾯効果の影響を強く受けるため、ガスセンサーへの応⽤が期待されている。これまではガス吸着に伴ってグラフェン⾃⾝の抵抗値が変化することを利⽤していたが、感度は⼗分ではなかった。本講演は、グラフェンをゲート電極として⽤い、仕事関数変化に伴うゲート変調効果によるセンサー動作を実現したもので、⼤幅な感度向上を実現している。
局所的なフォノン分布を考慮した擬Self-consistent モンテカルロ法によるナノスケール
GaN-HEMTの⾼周波特性解析

22.1 合同セッションM「フォノンエンジニアリ

15a-F206-6

伊藤 直⼈

慶⼤理⼯本グループが提案した電⼦輸送とフォノン輸送をセルフコンシステントにシミュレーションできる新しいモンテカルロ・デバイス・シング」

ミュレーション法を⽤い、パワーエレクトロニクス分野で将来の⾼周波デバイスとして最も期待されているGaN HEMTの⾼周波特性を解22.1 合同セッションM

世界で初めて固体における集熱を実現した。フォノンの弾道的輸送特性を利⽤することで、本来拡散する固体中の熱流に指向性を与えら析したもの。局所発熱現象が⾼周波特性に及ぼす影響などについて議論している。

「フォノンエンジニアリ

Heat guiding and focusing using phononic nanostructures
15p-F206-2ング」がもたらす結晶成⻑プロ
セスの⾰新

15p-MH-4

IIS, Univ. of Tokyoれることを実証し、シリコンフォノニックナノ構造を⽤いて室温で実現した。

SiC溶液成⻑における最適条件⾼速探索⼿法の提案

S25 インフォマティクス

Roman Anufriev

⾓岡 洋介名⼤院⼯結晶成⻑は複雑なプロセスであり、⾼品質結晶成⻑のための成⻑条件の最適化には、莫⼤な時間を要する。本研究では、SiC溶液成⻑法を例として、シミュレーション結果をデータとして、ニューラルネットワークモデルの機械学習を適⽤することで、溶液の流れや過飽和度の空間分布を「瞬時に」予測できる予測器を構築している。

講演者名の表記(例)〇(M1)応物〇がついているのが講演者

太郎、応⽤ ⼀郎、湯島 花⼦、本郷 次郎
この部分は在籍学年を意味します。
B 学⼠課程あるいはそれに準ずる課程在籍者
M1 博⼠前期課程1年在籍者 M2 博⼠前期課程2年在籍者
D博⼠後期課程在籍者
P
ポスドク(M1)→(M1C)、(D)→(DC)、(P)→(PC)と表⽰されている場合求職中であることを意味します。
講演者が求職中であることを明⽰できるよう、キャリアエクスプローラーマークがございます。
詳しくは以下URLをご覧ください。
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/CEmark.html