注⽬講演Ⅰ
注⽬講演とは︖︖
各分科に投稿された講演の中から，プログラム編集委員が「おもしろい講演なので、他の分科の参加者にもぜひ聞いていただきたい︕」とおすすめする講演です。プログラムにも、講演タイトルの前に「注⽬講演」という冠がついています。

※講演番号の読み⽅︓7p-A411-16は7⽇，aは午前，A411会場の16番⽬の講演を意味します．5p-C14-3は5⽇，pは午後，C14会場の3番⽬の講演を意味します．
中分類分科名

講演番号

講演タイトル

⽇時【1.応⽤物理学⼀般分科内招待講演】
1.5 計測技術・計測標準

7p-A411-16

9/7(⽊)
17:00~17:30

講演者

所属

堀内 伸

産総研接着ラボ

注⽬講演推薦理由
電⼦顕微鏡による異種接合界⾯の解析と接着メカニズムの解析

2014年、BMWが発表した炭素繊維強化プラスチックCFRPの⼤衆⾞は、⾞の軽量化を加速化させ、その接合技術としての接着に多くの期待が寄せられている。その「ダメージ耐性」・「信頼性」確保に最も重要な異種接合界⾯・接着メカニズムの解析について、電⼦顕微鏡を⽤いて物理的に、またXPS・分光等を⽤いて化学的に解析している点、注⽬に値する。
Yb:YAG Thin Diskモード同期レーザー共振器中での⾼次⾼調波発⽣

3.5 レーザー装置・材料

5p-C14-3

9/5(⽕)神⽥ 夏輝

理研, 東⼤光量⼦

モードロックレーザー共振器内での⾼次⾼調波発⽣を世界で初めて実現した、特筆すべき成果である。講演者らは、⾼強度モー14:15~14:30 ドロックレーザーの開発から⾼次⾼調波の観測まで、多くの課題を解決しMHz級の⾼繰り返し安定動作を実現している。本成果は、当該分野のみならず、物性研究などの幅広い分野にも重要な意義があるため、注⽬講演として推薦する。
【3.光・フォトニクス分科内招待講演】

3.7 レーザープロセシング

7p-S45-1

9/7(⽊)
13:15~13:45

吉川 洋史

フェムト秒レーザーアブレーションによる有機結晶の成⻑制御

埼⽟⼤院理⼯レーザーを⽤いて溶液中の結晶化を時空間制御するアプローチが注⽬を集めている中、講演者は、レーザーアブレーションによる結晶の破壊に基づいた独創的な結晶成⻑制御法に関する研究を展開してきた。特異な結晶成⻑様式の発⽣や、有機低分⼦やタンパク質の単結晶や⼤型結晶が作製されており，結晶成⻑制御応⽤の観点からも注⽬される。
全⽅位⾮破壊検査に向けたフレキシブルテラヘルツスキャナーの開発

3.9 テラヘルツ全般

8p-A405-10

9/8(⾦)

鈴⽊ ⼤地

東⼯⼤ 未来研, 学振DC

測定対象の形状を問わずフレキシブルに湾曲し、全⽅位測定ができる⾼感度かつ⾼解像度のテラへルツスキャナーを開発した。

16:00~16:15 これは、構造の最適化によってノイズの影響を軽減した、⾼感度なカーボンナノチューブのテラへルツ波アレイ検出器を使ったもので、種々の形状をもつ医療器具や錠剤の検査に威⼒を発揮することが期待される。
Direct Modulation Bandwidth Enhancement Method based on Active-Multimode3.13 半導体光デバイス

6p-C14-159/6(⽔)
17:30~17:45

Interferometer Laser Diode Utilizing Multiple Photon Photon Resonanceホン ビンゾウ

九⼤アクティブMMIレーザにおいて34 GHzの⾼速直接変調を実証した．３つの共振器⻑を有するアクティブMMIにおける複数の光⼦間共鳴（PPR）を利⽤することにより変調速度の⾼速化を実現しており，半導体レーザの直接変調で100 Gbpsを超える⾼速通信も可能とする優れた成果であることから，注⽬講演に推薦する．
Si上半導体薄膜DRレーザの⾼効率・⾼速変調特性[コードシェアセッション]
3.13 半導体光デバイス,

7a-A504-10

3.15シリコンフォトニクス

9/7(⽊)

東⼯⼤⼯

11:30~11:45 ラッド層の不純物濃度を低減すると同時に電極-活性領域間距離を短縮することで，緩和振動周波数等の特性が⼤きく向上することを実証した注⽬すべき講演である．
強誘電体PLZTの結晶化メカニズム

6.1 強誘電体薄膜

中村 なぎさSi上に貼り付けた薄膜分布反射型（DR）レーザの⾼効率化，⾼速動作化を実現している．従来のDRレーザに⽐べてサイドク

8p-A504-8

9/8(⾦)

野村 健⼆

富⼠通研

強誘電体メモリ（FRAM）は、実⽤化されている次世代不揮発性メモリであり、近年はIoT市場向けの利⽤拡⼤が期待されてい15:30~15:45 る。発表者はPLZT膜の結晶化アニール時の雰囲気を不活性なアルゴンと酸素の混合状態にすると、製造時の歩留まりが向上する事を⾒出しており、酸化物薄膜のデバイス応⽤に関わる研究者・技術者にとって極めて有益な情報であり、強く推薦する。
低消費電⼒応⽤に向けた強誘電体HfO2薄膜不揮発性SRAMの動作実証[コードシェアセッション]
6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,

7p-A204-14

9/7(⽊)

東⼤⽣研

16:45~17:00 バイスとして強誘電体不揮発性SRAMに注⽬、その設計、試作、実証を進めた。サイズ効果の制約がなくCMOS互換性にも優れた強誘電体HfO2を不揮発性SRAM回路に実装しその基本動作実証に成功、インパクトの⼤きい論⽂である。

13.5 デバイス／集積化技術

LaOエピタキシャル薄膜の超伝導6.3 酸化物エレクトロニクス

⼩林 正治

IoT時代には超低消費電⼒エッジデバイスが不可⽋である。本講演は、低消費電⼒化に有効なノーマリーオフ技術を実現するデ

7p-A202-99/7(⽊)

神永 健⼀

東⼤院理, 東北⼤院理

岩塩構造LaOは⾼温超伝導体に代表される層状構造に内包される絶縁性ブロック層として存在してきた。⼀⽅、LaOの単相は、15:30~15:45 バルク多結晶体試料が合成されて以降、報告例がなく詳細な物性はわかっていない。講演者らは⾼品質なLaO単結晶薄膜の合成に成功し、最⾼4.5Kの転移温度を⽰す超伝導性の発現に成功した。本成果は極めて重要な成果であり、注⽬講演に推薦する。
窒素ブーストによる⼤気圧熱プラズマジェットの超ハイパワー化

8.1 プラズマ⽣成・制御

7p-A413-99/7(⽊)
18:15~18:30

花房 宏明

広島⼤院先端研

本講演は、⼤気圧熱プラズマジェット(TPJ)を⽤いて更なる⾼速⾼温熱処理領域の開拓を試みる意欲的な研究である。プラズマ励起ガスのArに窒素を添加することでTPJをブーストさせ、⼤幅な熱伝達効率の向上によりパワー密度125 kW/cm 2を達成している。Arと窒素の同時プラズマによりTPJ の⾼出⼒化を実現したことは、学際的および実⽤的観点から⾮常に興味深く、注⽬に値する。
DBD･触媒ハイブリッドCH4/CO2改質の炭素析出挙動

8.7 プラズマ現象・新応⽤・融合分
野

8p-A402-3

9/8(⾦)
13:45~14:00

野崎 智洋

東⼯⼤

エネルギー有効利⽤のために誘電体バリア放電（DBD）･触媒ハイブリッド反応場でCH4/CO2を低温で⽔素などに改質する研究である。これまで問題であった炭素の析出挙動を種々の条件で調査した結果、DBDを重畳させることで炭素析出が抑制される興味深い結果が得られた。プラズマと多孔体触媒の相互作⽤およびプラズマが誘起するシナジー効果について議論される注⽬講演である。
灰⾊ヒ素単結晶における超巨⼤磁気抵抗

9.5 新機能材料・新物性

5p-A502-11

9/5(⽕)

中野 拓也

東⼯⼤フロンティア研

この研究は、ヒ素単体の単結晶を作成し、その物性を評価したものである。単体物質でかつ磁性体でもないにもかかわらず、こ

16:30~16:45 の物質は、低温（２K）において通常概念を⼤きく凌駕する３３万％もの超巨⼤磁気抵抗を⽰し、室温においても３３％の⼤きな磁気抵抗をもつ。今回の講演では、この劇的な現象の起源について実験と第⼀原理計算から考察されており⼤変興味深い。

注⽬講演Ⅱ
中分類分科名

講演番号

講演タイトル

⽇時

1kピクセル SSPD イメージングアレイの作製
11.4 アナログ応⽤および関連技術

7a-S43-6

9/7(⽊)

講演者

所属

藪野 正裕

情通機構

注⽬講演推薦理由
本講演は、超伝導ナノワイヤ単⼀光⼦検出器（SSPD）の⼤規模アレイ化に関する⾶躍的な研究進展を⽰す講演であるため、注

10:15~10:30 ⽬講演へ推薦する。これまで最⼤で64ピクセルだったSSPDアレイを、⼀挙に1024ピクセルへと拡張した素⼦設計及び作製に成功しており、当⽇は各ピクセルにおける超伝導性の均⼀性等について詳細に報告される予定である。
LSI配線におけるZn添加によるCu /SiO2間の相互拡散バリア性の評価

13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

6a-C21-9

9/6(⽔)

5p-A301-19

東北⼤⼯

11:15~11:30 例が少なく新しい。４００℃までの拡散バリア性を報告。
透明コンタクト層とレンズを⽤いたAlGaN深紫外LEDのWPE9.6％動作

15.4 III-V族窒化物結晶

城⼾ 光⼀

亜鉛（Zn）がCu /SiO2界⾯に拡散して薄いバリア膜を形成する技術で、従来Mnで同様のプロセスが実⽤化されているが、研究9/5(⽕)

平⼭ 秀樹

理研

殺菌、浄化、⽪膚治療等、幅広い応⽤分野への普及が期待される深紫外LEDの効率は未だ低く、その⼤きな原因は、電極を取り18:30~18:45 付けるp型コンタクト層が深紫外線に対し透明ではなく光を吸収してしまうためである。今回、p型AlGaN透明コンタクト層と⾼反射Rh電極を導⼊し、さらにレンズをチップに接合することで、同帯域で世界最⾼の電⼒変換効率を実現した。
【16.⾮晶質・微結晶分科内招待講演】
X線異常散乱によるアモルファス相変化材料の局所及び中距離構造の研究

16.1 基礎物性・評価・プロセス・
デバイス

8a-C24-12

9/8(⾦)

細川 伸也

熊本⼤院先端

本講演では，Ｘ線異常散乱実験から，代表的な相変化材料であるアモルファスGe2Sb2Te5の部分構造情報が報告される。従来の12:00~12:30 測定系に新たな改良を加えて得た結果に対して，逆モンテカルロ法で得たモデルとのフィットから，短距離構造，中距離構造を含んだ３次元原⼦配列情報が⽰される予定である。実験技術の向上とあわせて，相変化現象のその場観察が⾏える可能性を秘めている。
【16.⾮晶質・微結晶分科内招待講演】

16.3 シリコン系太陽電池

6p-A204-19/6(⽔)
13:00~13:30

⾼効率ヘテロ接合結晶シリコン太陽電池

⼭本 憲治

カネカ

⾼品質アモルファスシリコンの開発や電極抵抗低減などの要素技術の開発を⾏い、ヘテロ接合結晶シリコン太陽電池として世界最⾼効率となるセル変換効率として２６．６％を実現した。本発表ではさらに、エネルギー損失機構の解析結果を踏まえ、将来の⾼効率化についての展望についても報告される。
時間的･空間的隔たり産み出すミスト流を⽤いた新反応制御技術の開発2合同セッションＫ 「ワイドギャッ
プ酸化物半導体材料・デバイス」

7a-C17-2

9/7(⽊)
9:15~9:30

ジー︓薄膜とナノ複合体の表⾯と界

5p-A405-1⾯

9/5(⽕)
13:45~14:15

⾼知⼯⼤ シス⼯,⾼知⼯⼤ 総研

ミストCVD法において，ミスト液滴の時間的・空間的な隔たりを利⽤することにより，多元系機能膜の成膜速度や組成⽐を制御できることが発⾒された。この第3世代のミストCVD法の威⼒について，組成制御などその詳細な報告がなされる。
Topological Quasiparticles: Magnetic Skyrmions[シンポジウム]材料ナノテクノロ

川原村 敏幸Axel Hoffmann

Argonne Natl. Lab.

トポロジーによりProtectされた準粒⼦である磁気スキルミオンは低消費電⼒の磁気メモリへの応⽤が期待されている。
Hoﬀmann⽒は磁性体ナノ細線デバイスへの不均質spin-Hall電流印加という簡便な⼿法にて室温での磁気スキルミオン⽣成に成功し、その詳細な挙動を明らかにしている。本講演はスキルミオンの基礎物理にとどまらず、素⼦設計など応⽤展開にあたっての有益な情報をも提供するものである。
ナノスケールReRAM/CBRAMデバイスのIn-situ TEM解析[シンポジウム]新デバイス・材料開発のためのナノスケール３次元分析（Ｉ）

6p-C19-1

9/6(⽔)

⾼橋 庸夫

北⼤院情報

半導体デバイスの微細化によるLSIの⾼性能化、および、新たな機能デバイスを追加することが可能となっている。最近注⽬さ

13:45~14:15 れている、抵抗変化メモリ（ReRAM）や相転移メモリ（PCM）を例にとり、TEMの中でデバイスを動作させる（in-situ -TEM）
評価例を紹介する。故障に向かっての変化過程が明確に観察でき、デバイスの寿命評価などにきわめて効果的である。

講演者名の表記(例)〇(M1)応物〇がついているのが講演者

太郎、応⽤ ⼀郎、湯島 花⼦、本郷 次郎
この部分は在籍学年を意味します。
B 学⼠課程あるいはそれに準ずる課程在籍者
M1 博⼠前期課程1年在籍者 M2 博⼠前期課程2年在籍者
D
博⼠後期課程在籍者
P
ポスドク(M1)→(M1C)、(D)→(DC)、(P)→(PC)と表⽰されている場合求職中であることを意味します。
講演者が求職中であることを明⽰できるよう、キャリアエクスプローラーマークがございます。
詳しくは以下URLをご覧ください。
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/CEmark.html