February 2014

MEMS および水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較

目次
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はじめに ................................................................................................................................................. 1
EMI に対する電磁場感受率の試験 .......................................................................................................... 2
実験結果 ................................................................................................................................................. 7
EMI 感度低下のための発振器の設計 ...................................................................................................... 8結論 ........................................................................................................................................................ 9
参考資料 ................................................................................................................................................. 9

1 はじめに電源、電線、雷、コンピュータ装置および電子部品はすべて、電子部品の性能に影響を及ぼす恐れのある電磁妨害（EMI）の潜在源です。EMI は、単一システムの電気経路を経由してあるコンポーネントから他のコンポーネントに伝わったり、放送波を通じて送信されたりする可能性があります。無線周波数（RF）を経由して通信する必要のあるデバイスは、他の装置を妨害する可能性のある電磁信号を故意に発しますが、電磁信号を発するように設計されていないデバイスであっても、意図せずに EMI ノイズの要因となる場合があります。FCC 規制は、計算装置や電子レンジ等の特定クラスのデバイスからの許容放射量を制限していますが、これは、民生品からの EMI によって電子部品が障害を受けないことを保証するものではありません。ほとんど全ての電子デバイスや電子部品は EMI を生じえるので、タイミングデバイスをはじめとする電子部品への障害を避けるため、回路設計の一部として EMI 発生を考慮することが重要です。
外部 EMI 発生源のが存在すると、発振器の位相ノイズおよび位相ジッタが著しく増加する場合があります。基板レベルでのシールディングやフィルタリングによって発振器に到達する EMI を低減させることはできますが、この方法が常に成功するとは限りません。様々な発振器の電磁場感受率（EMS）を評価することによって、EMS の一因となる要因を特定することができ、どのようにすれば適切な発振器の設計がクロック性能への EMI の悪影響を最小限にできるかを理解することができます。

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1SiT-AN10031 Rev 1.1 J 1.1

EMS Comparison:
MEMS and Quartz-based Oscillators

2 EMI に対する電磁場感受率の試験放射された EM ノイズは、発振器の位相ノイズ性能に悪影響を及ぼすため[1][2]、試験方法は、各被試験デバイス（DUT）を放射 EMI の固定電力に晒し、予め相関が取られたオフセット周波数における増分位相ノイズのスプリアス電力を測定しました。図 1 は、26MHz の水晶発信器について、80MHz の搬送波によるEMI ノイズ有無による位相ノイズをプロットしたものです。
発振器の出力周波数に対し、オフセット量 2MHz における位相ノイズスプリアスは、下記のエイリアス
周波数の公式を用いて求めることが出来ます。
Falias = Femi – N*Fc …………………………….. 式 1
Femi ＝注入 EMI ノイズの周波数 。FC＝発振器の公称クロック周波数。N は 1 以上の正の整数。

Baseline Phase Noise
Plot with No EMIInjection

EM Noise Frequency: 80 MHz
Aliased Phase Noise Spur Frequency: 2.01 MHz
EM induced Power Spur: -60 dBc/Hz

Figure 1: Phase noise of a 26 MHz quartz oscillator without and with EMI noise injection

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SiTime は、いくつかの水晶と MEMS ベース発振器について、電磁界互換標準 IEC 61000-4.3 に従い、EMS試験を行うために公認試験所を利用しました。表 1 に示すように、シングルエンド型および差動型発振器の両方の試験を行いました。IECO6100-4.3 標準[3]では、誘導電磁場は DUT において 3V/m の誘起で、搬送周波数掃引は 80MHz～1GHz の範囲で 1%刻みと定めています。本試験は、図 2 に示す配置構成の無響室で行いました。図 3 に示すように、被試験デバイスは、垂直偏波アンテナの軸と一直線になるように配置されています。

Figure 2: Setup for EMS Testing

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Figure 3: Photo showing the antenna and testing table inside the anechoic chamber

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Figure 4: Noise spur test results for noise generated for 3V/m EM field at 80 and 80.8 MHz
in an anechoic chamber for a quartz device
位相ノイズ分析器は、各被試験デバイスの位相ジッタと位相ノイズを取り込みます。図 4 に示すように、電磁界が誘起される環境下では、電磁妨害によりエイリアスが生じた周波数において位相ノイズプロッ
トがより明白なスプリアスノイズまたは位相スプリアスを示します。図 4 に示す水晶発振器に対して約−50dBc/Hz の高振幅位相ノイズスプリアスは、誘導 EMI ノイズの周波数に相当するエイリアス位相ノイズスプリアス周波数に集中しています。これらのスプリアスは、EMI ノイズの周波数の変化に応じてシフトし、周波数スキャンの全範囲において平均電力への相加効果があります。二次ノイズスプリアスは振幅がかなり低く、すべての位相ノイズに対してそれほど強い効果がありません。

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各デバイスの EMS を簡潔に数値化するため、式 2 を用いて 80MHz～1GHz のノイズスプリアスの平均電力「P」を計算します。本式では、Sp は各電磁ノイズ周波数に対する EMI 誘導性スプリアスの大きさを示し、N はスキャン上の周波数を示しています。
式22 つの異なる搬送周波数を用い、様々な市販の水晶発振器と MEMS ベースの発振器の動作に関して EMS試験を行いました（表 1 参照）。

Table 1. Oscillator devices under test; Single-ended parts (shaded blue) operate at 26 MHz anddifferential parts (shaded green) operate at 156.25 MHz

Label

Manufacturer

Part number

Technology

Output

SiTimeSiTime

SiT8208AC-22-33E-26.000000

MEMS

LVCMOS

Quartz1

TXC

7Q-26.000MBG-T

TCXO

Clipped sine

Quartz2

KyoceraKT3225R26000ZAW28TMA

TCXO

Clipped sine

Quartz3

NDK

NT3225SA-26.000000MHZ-G8

TCXO

Clipped sine

SiTimeSiTime

SiT9120AC-1D2-33E156.250000

MEMS

LVPECL

Quartz4

Epson

EG-2102CA156.2500M-PHPAL3SAWLVPECL

Quartz5

TXC

BB-156.250MBE-T

3rd overtone

LVPECL

Quartz6

ConnerWinfieldP123-156.25M

3rd overtone

LVPECL

Quartz7

AVX Kyocera

KC7050T156.250P30E00

SAW

LVPECL

SiLabs590AB-BDG

3rd overtone +PLLLVPECL

Discera

ASFLMPLP-156.25MHZ-LR-T

MEMS

LVPECL

Quartz8
MEMS2

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3 実験結果図 5 に示すように、SiTime の差動 MEMS 発振器は競合する差動 MEMS および水晶ベース発振器と比べ、放射電解における電磁波耐性で最大 35 dB（54 倍に相当）優れていることを平均ノイズスプリアスに関するデータが示しています。図 6 に示すように、SiTime のシングルエンド型発振器は他社製の水晶ベース発振器よりも放射電解における電磁波耐性で最大 12dB（または 4 倍）優れています。これは、Sitimeの MEMS 発振器の一次ノイズスプリアスの幅が水晶発振器のものよりも低いためです。したがって、平均スプリアス電力（式 2 にしたがって 2 乗和の平方根として計算したもの）はかなり低くなります。

Figure 5: Susceptibility of differential oscillators to radiated electromagnetic field, 80 MHz-1 GHz

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Figure 6: Susceptibility of single-ended oscillators to radiated electromagnetic field, 80 MHz-1 GHz

4 EMI 感度低下のための発振器の設計
結果は、プラスチック実装と比較して金属筐体に封止された水晶発振器の方が EMI から当該発振器を保護するのに優れているという予想と一致しません。SiTime の MEMS 発振器はプラスチック実装ですが、EMI 誘導ノイズスプリアスがより低いことを示しています。実装以外の何かによって MEMS ベース発振器と水晶ベース発振器の違いを説明しなければなりません。その答えは、EMI に敏感になり得る振動子または付随する発振器回路にある可能性があります。
水晶は圧電物質であり、機械的振動に反応して電荷を蓄積します。したがって、動作周波数は、クロッ
ク信号の信頼性に悪影響を及ぼす不要な EMI 等の入力電気信号の影響を受ける恐れがあります。SiTimeのシリコン MEMS 振動子は、静電励起による機械的振動を示すため、必然的に入力 EMI に対して感受性が低くなります。SiTime のシリコン MEMS 振動子は、外部ノイズを排除する高い Q 値によって精密に同調されています。

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VDD

VDD

Oscillator Die
MEMS
Resonator

Bias
Generator

Voltage Regulators

Sustaining
CircuitFractional-N
PLL

VDD
CLK

Temperature
To
DigitalDividers,
Drivers

Temperature
Compensation
OE / ST

Special Features

OTP
MemoryI/O

GND
Figure 7: SiTime MEMS oscillator architecture
SiTime の MEMS 発振器に付随する駆動回路は、高レベルの EMI をはじめとする電気的ノイズの多い状況で性能を発揮するように最適化されたアナログ回路です（図 7 参照）。当該発振器の設計には、本質的にいかなる結合コモンモードノイズも排除する差動回路が含まれています。他の水晶および MEMS 発振器の設計はノイズを抑制するアナログ回路ではなくパッケージにより遮蔽効果に頼っているため、EMI に弱くなっています。

5 結論
SiTime の MEMS 発振器は、特にジッタを誘発する外部 EMI 源に対して耐性があります。これは、競合他社の発振器が著しい信号劣化を引き起こすような高周波 EMI ノイズについても該当します。公認第三者試験所で行った SiTime の委託試験の結果およびその他の EMI[1][2]に関する研究が示すように、圧電水晶デバイスは EMI に対する感受率がより高いです。したがって、大きな電磁波源が存在し得る潜在的にノイズの多い予測不能な環境において信頼性の高い動作を確保するには、SiTime の発振器が最適な選択です。

6 参考資料[1] “Electromagnetic Interference and Start-up Dynamics in High Frequency Crystal Oscillator Circuits”,
Ulrich L. Rohde, Ajay K. Poddar, Frequency Control Symposium (FCS), 2010 IEEE International.
[2] "Test Method Standard, Microcircuits" MIL-STD-883H, U.S. Defense Logistics Agency, 2010.
[3] “EMI-Induced Failures in Crystal Oscillators”, J.-Jacques Laurin, S. G. Zaky,
K. G. Balmain, IEEE Trans. on Electromagnetic Compatibility, Vol. 33, No. 4, pp. 334-342, Nov. 1991.

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9SiT-AN10031Rev 1.1 J 1.1

EMS Comparison:
MEMS and Quartz-based Oscillators[4] "NEBS Requirements: Physical Protection", GR-63, Telcordia, 2012.
[5] “IEC 61000-4-3 ed3.2: Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-3: Testing and measurement
techniques - Radiated, radio-frequency, electromagnetic field immunity test”, IEC, March 2010.

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