第 12 回

ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
令和 2 年 7 月 30～31 日
オンライン講演会

July 30, 2020 (Thursday)
Opening（13:00-13:10）
寒川義裕（九州大学）
Session I（13:10-17:50）
基調講演（13:10-14:10）
Th-PL1 化合物半導体研究：回想と展望
松本功
名古屋大学 未来材料・システム研究所 （2020 年 8 月 1 日より）,（2020 年 6 月 30 日まで）

大陽日酸 株式会社
チュートリアル講演（14:10-15:00）
Th-T1

高品質 AlGaN 結晶の作製とデバイス応用
岩谷素顕 1，佐藤恒輔 1,2，竹内 哲也 1，上山 智 1，赤﨑 勇 1,3，三宅秀人 41 名城大学

理工学部，2 旭化成 株式会社，3 名古屋大学 赤﨑記念研究センター，

4 三重大学

大学院地域イノベーション研究科
休憩（15:00-15:15）

招待講演（15:15-16:45）
Th-I1

低温成長 Bi 系 III-V 族半導体の結晶性とデバイス応用
富永依里子
広島大学 大学院先進理工系科学研究科

Th-I2

希釈窒素・ビスマスナノワイヤの分子線エピタキシャル成長
石川史太郎
愛媛大学 大学院理工学研究科

Th-I3

窒化物半導体成長におけるステップバンチング機構の制御と応用
市川修平 1, 船戸充 2, 川上養一 2, 藤原康文 1
1 大阪大学

大学院工学研究科, 2 京都大学 大学院工学研究科
休憩（16:45-17:00）

チュートリアル講演（17:00-17:50）
Th-T2

ホモエピタキシャル成長によるワイドギャップ半導体デバイス開拓中村孝夫
東京大学 生産技術研究所-1-

July 31, 2020 (Friday)
Session II（9:30-16:00）
チュートリアル講演（9:30-10:20）
Fr-T1

窒化ガリウム中転位観察の進展
田中敦之1,2，川崎晟也3，渡邉浩崇1，原田俊太1，花田賢志4，出来真斗5，新田州吾1，本田善央1，宇治原徹1，天野浩1,2,5,61

名古屋大学 未来材料・システム研究所，2物質材料研究機構，3名古屋大学 大学院工学研究科，

4

あいちシンクロトロン光センター，5名古屋大学 VBL，6名古屋大学 赤崎記念研究センター
休憩（10:20-10:30）

一般講演ショートプレゼンテーション（10:30-12:00）
Fr-P1

c 面エピタキシャルAl0.82In0.18N/GaN構造の空間分解カソードルミネッセンス
李リヤン1，嶋紘平1，山中瑞樹2，小島一信1，江川孝志2，竹内哲也3，三好実人2，秩父重英1,4

Fr-P2

1東北大学

多元物質科学研究所，2名古屋工業大学 電気・機械工学科，

3名城大学

理工学研究科，4名古屋大学 未来材料・システム研究所

スパッタAlN上にMOVPE成長させたAlN薄膜のカソードルミネッセンス評価
粕谷拓生1，嶋紘平1，正直花奈子2，上杉謙次郎3，小島一信1，上殿明良5，三宅秀人2,4，秩父重英1

Fr-P3

1東北大学

多元物質科学研究所，2三重大学 大学院工学研究科，

3三重大学

地域創生戦略企画室，4三重大学 地域イノベーション学研究科，

5筑波大学

大学院数理物質科学研究科

透過型電子顕微鏡を用いたDERI法成長InNの極微構造評価
中村亮佑，後藤直樹，尾松弘雄，毛利真一郎，荒木努
立命館大学 大学院理工学研究科

Fr-P4

リモートエピタキシーによるグラフェン上へのInN結晶成長
松島健太，毛利真一郎，荒木努
立命館大学 大学院理工学研究科

Fr-P5

アルコールCVD法による 窒化物半導体上へのグラフェンの結晶成長
薮田翔平，毛利真一郎，荒木努
立命館大学 大学院理工学研究科

Fr-P6

r面サファイア上にCVD法で成長したグラフェンのシート抵抗測定
鈴木拓輝1，佐藤希一1，藤井高志1,2，毛利真一郎1，荒木努1，岩本敏志2，佐藤幸徳2，
上田悠貴3，成塚重弥31

立命館大学 大学院理工，2日邦プレシジョン株式会社，3名城大学 理工学研究科-2-Fr-P7

組成傾斜p型AlGaNクラッド層を用いたAlGaN 系UV-B LDの内部ロス評価
大森智也1，石塚彩花1，田中隼也1，佐藤恒輔1,2，山田和輝1，荻野雄矢1，手良村昌平1，
岩山章1,4，岩谷素顕1，竹内哲也1，上山智1，赤﨑勇1,3，三宅秀人4
名城大学 理工学研究科材料機能工学専攻，2旭化成，3名古屋大学 赤崎記念研究センター，1

三重大学 大学院地域イノベーション学研究科

4Fr-P8

Al組成傾斜p型AlGaNクラッド層の電気的特性のAl組成及びMg濃度依存性
山田和輝1，佐藤恒輔1,2，安江信次1，田中隼也1，手良村昌平1，荻野雄矢1，大森智也1，
石塚彩花1，岩山章1,4，岩谷素顕1，竹内哲也1，上山智1，赤﨑勇1,3，三宅秀人4，寒川義裕5，
K. Sakowski1
名城大学 理工学研究科材料機能工学専攻，2旭化成，3名古屋大学 赤崎記念研究センター，

1

4三重大学

大学院地域イノベーション学研究科，5九州大学 応用力学研究所，

6Institute of High Pressure Physics, PAS

Fr-P9

ITOを用いた窒化物半導体量子殻LED長波長発光デバイスの作製伊藤和真1，Weifang Lu1，曽根直樹1，宮本義也1，奥田廉士1，上山智1，竹内哲也1，岩谷素顕1，
赤﨑勇1,2
1名城大学

Fr-P10

理工学研究科材料機能工学専攻，2名古屋大学 赤崎記念研究センター

ナノパターンAlNおよびAl0.55Ga0.45N上に成膜した中間組成AlGaNの成長
手良村昌平1，下川萌葉1，山田和輝1，田中隼也1，荻野雄矢1，大森智也1，石塚彩花1，
岩山章1,3，岩谷素顕1，竹内哲也1，上山智1，赤﨑勇1,2，正直花奈子3，三宅秀人3,4

Fr-P11

1名城大学

理工学研究科材料機能工学専攻，2名古屋大学 赤崎記念研究センター，

3三重大学

大学院工学研究科，4三重大学 大学院地域イノベーション学研究科

MgOを用いたMgドープGaNのHVPE成長における気相反応の熱力学的解析
木村友哉1，大西一生1，天野裕己1，藤元直樹2，洗平昌晃2，新田州吾2，本田善央2，天野浩2,3,4，寒川義裕2,5，白石賢二1,2
1名古屋大学

大学院工学研究科，2名古屋大学 未来材料・システム研究所,

3名古屋大学

赤﨑記念研究センター，4名古屋大学 ベンチャービジネスラボラトリー，

5九州大学Fr-P12

応用力学研究所

低転位密度AlNテンプレート上SiドープAlGaNの電気的・光学的特性評価
森隆一1，上杉謙次郎2，正直花奈子1，窪谷茂幸2，白土達也1，三宅秀人1,3

Fr-P131三重大学

大学院工学研究科，2三重大学 地域創生戦略企画室,

3三重大学

大学院地域イノベーション学研究科

ナノパターン加工したスパッタ・アニール法AlNテンプレート上のMOVPE成長AlN膜の結晶性評価
伊庭由季乃1，正直 花奈子1，窪谷茂幸2，上杉謙次郎2，肖世玉3，三宅 秀人1,3
1三重大学

大学院工学研究科，2三重大学 地域創生戦略企画室，

3三重大学

大学院地域イノベーション学研究科-3-

Fr-P14高温アニールに伴うSiC基板上スパッタAlNの結晶性と歪み変化
杉浦雅紀1，上杉謙次郎2，三宅秀人3
三重大学 大学院工学研究科，2三重大学 地域創生戦略企画室,1

三重大学 大学院工学系研究科電気電子工学専攻

3Fr-P15

微傾斜m(101̅0)面GaN-MOVPEにおける酸素混入のモデリング
用正大地1，新宅史哉1，稲富悠也1，寒川義裕1,2,3，岩田潤一4，押山淳3，白石賢二3，田中敦之3，天野浩3
九州大学 大学院工学府，2九州大学 応用力学研究所，

1

名古屋大学 未来材料・システム研究所，4アドバンスソフト株式会社

3Fr-P16

円偏光レーザー誘起周期構造によるナノドット構造形成
松浦英徳，宮川鈴衣奈，江龍修
名古屋工業大学 大学院

Fr-P17レーザーのパルス間隔を変えたナノ周期構造の形成
大貝哲将，宮川鈴衣奈，江龍修
名古屋工業大学 大学院

Fr-P18

パルススパッタ堆積法によるAlN/AlGaNヘテロ構造の作製と評価
前田亮太，上野耕平，小林篤，藤岡洋
東京大学 生産技術研究所

Fr-P19多光子励起フォトルミネッセンス測定における 集光スポットサイズを考慮した
GaN結晶中の貫通転位の判別
塚越真悠子，谷川智之，上向井正裕，片山竜二
大阪大学 大学院工学研究科

Fr-P20

Structural Analysis of Na-flux GaN by Nanobeam X-ray Diffraction
Z. D. Wu1, K. Shida1, T. Hamachi1, Y. Hayashi1, T. Tohei1, M. Imanishi2, Y. Mori2,K. Sumitani3, Y. Imai3, S. Kimura3, and A. Sakai1
1 Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 2Graduate School of Engineering,Osaka University, 3Japan Synchrotron Radiation Research InstituteFr-P21

GaCl3-O2-N2系を用いたβ-酸化ガリウム成長
江間研太郎1，小川直紀1，佐々木公平2，倉又朗人2，村上尚1
1東京農工大学

Fr-P22

大学院工学研究科，2 (株)ノベルクリスタルテクノロジー

金属Cdを用いた気相成長法によるGaAs基板上CdTe成長の基板面方位依存性
林洋美，立華岬，村上尚，纐纈明伯
東京農工大学 大学院工学研究科-4-Fr-P23

低温成長GaAs1-xBixにおけるBi原子の表面偏析の解析
藤野翔太朗1，堀田行紘1，高垣佑斗1，富永依里子1,2
広島大学 大学院先端物質科学研究科，2広島大学 大学院先進理工系科学研究科

1Fr-P24

多元系化合物半導体ヘテロ構造の結晶成長
西永慈郎
産業技術総合研究所 省エネルギー研究部門
昼食（12:00-13:00）

一般講演ポスターセッション（13:00-14:20）
休憩（14:20-14:30）
招待講演（14:30-16:00）
Fr-I1

Na フラックスポイントシード法による低転位・大口径 GaN 結晶成長
今西正幸 1，村上航介 1，宇佐美茂佳 1，吉村政志 1,2，森勇介 11 大阪大学大学院工学系研究科，2 大阪大学レーザー科学研究所

Fr-I2

低転位密度 AlN テンプレートを用いた深紫外 LED の開発
上杉謙次郎 1，Ding Wang 2，正直花奈子 3，窪谷茂幸 1，三宅秀人 2,31

三重大学 地域創生戦略企画室，2 三重大学 大学院地域イノベーション学研究科，3 三重大学Fr-I3

大学院工学研究科

次世代深紫外光源に向けた透明導電膜と UV−C LD
久志本真希
名古屋大学 大学院工学系研究科
Closing（16:00-16:30）
藤岡洋（東京大学）-5-