第 10回応用物理学会 業績賞受賞者紹介
応用物理学会

第 10回業績賞委員会

委員長

尾浦憲治郎

応用物理学会の業績賞の選考も，今回で第 10回を迎えている．今年度は，公募の案内を会誌「応用物理」第 78巻の 6，7，8月号およびホームページに掲載し，候補者の推薦をお願いした．8月 21日に締め切ったところ，「研究業績」に基づく候補として 7件，「教育業績」に基づく候補として 1件の推薦があった．各候補者の研究業
績，教育業績について，業績賞委員会で詳しく調査と評価を行い，第 1次および第 2次の審査を慎重に進めることにより，2件を研究業績賞の受賞候補者，1件を教育業
績賞の受賞候補者として選出した．これらの受賞候補者は，11月 18日の理事会で審議され，最終承認された．この結果，北澤宏一氏および武田英次氏(50音順)の両氏に第 10回応用物理学会業績賞（研究業績），また小舘香椎子氏に第 10回応用物理学会業績賞（教育業績）が授与されることとなった．
なお，授賞式は，2010年春季学術講演会（東海大学）の初日，3月17日の夕刻，評議員会の直後に行われる．
また，受賞記念講演も春季学術講演会の会期中に行われる．

第 10回応用物理学会業績賞 (研究業績)
件名：銅酸化物高温超伝導体の電磁物性の先駆的研究

受賞者：北澤宏一

北澤宏一氏は，Bednorz と M uller による銅酸化物における超伝導の可能性の報告の直後の 1987年に，マイスナ

巨大超伝導揺らぎの存在のもとで，いかに臨界電流密度をー効果によって銅酸化物の超伝導性を実証すると共に，高らぎと二次元性の間に普遍的に成立する経験則を，不可逆温超伝導体が層状 K NiF 構造の (La, Ba) CuO である

磁場と異方性との相図として定式化した．さらに，超伝導ことを明らかにした．また，新物質開発にいち早く着手

揺らぎを支配する二次元性の陽イオン組成や酸素不定性にし，Ba を Sr に置き換えた (La, Sr) CuO がより高い超対する依存性を詳細な実験によって明らかにした．さら伝導転移温度 T を有することを発見し，絶縁性酸化物へに，陽イオン組成や酸素不定性を通して，揺らぎの効果をのドーピング効果による金属転移を基本とする超伝導性の材料科学的に制御する方法を提唱した．これらの知見と指発現という，新超伝導物質探索の基本的概念を提示した．

針は実用レベルの銅酸化物超伝導線材の開発の学術的基盤

この概念は，銅酸化物高温超伝導体の物質群としての豊かを与えたものであり，極めて重要である．

増加させるかの考察に取り組み，銅酸化物超伝導体の熱揺さの開拓につながり，より高い T を有する Y 系，Bi 系，また，1991年には，自主開発の低温走査型トンネル顕Hg 系超伝導体の発見につながった．
北澤氏は，物質探索と並行して銅酸化物超伝導体の電気微鏡を用いて，銅酸化物超伝導体に対する原子分解能トン的・磁気的性質，いわゆる電磁物性の研究を先導的に推進

銅酸化物超伝導体のような電子相関系では，実空間での電し，低キャリア密度や二次元性といった高温超伝導体の物子状態の把握が極めて重要であることを最初に示唆するも理の基本となる特徴を明らかにした．北澤氏はこれらの一のとなった．その後，ナノスケールでの実空間の物理の理連の先駆的かつ卓越した研究業績により，銅酸化物超伝導解が，高温超伝導機構解明にとって本質的との認識が広ま体が高い T および超伝導機構の両面において，従来の枠り，高温超伝導体の研究の中でも最も活発な分野の一つとを大きく超えた新しい超伝導体であることを明らかにしなっている．

た．

ネルスペクトロスコピーを初めて実現した．この結果は，以上のように，北澤氏の銅酸化物高温超伝導体の電磁物

銅酸化物超伝導体の発見当初，臨界電流密度が極めて小性に関する研究業績は，学術的な独創性，先駆性，研究のさいことが実用化の大きな問題とされていた．北澤氏はこ波及効果の観点において極めて大きく，さらに，産業界での問題に当初より取り組み，1989年には，銅酸化物超伝の実用化の学術的基盤構築への貢献にも多大なものがあ

導体の層状構造に伴う電子の二次元性により，超伝導の揺り，応用物理学会業績賞 (研究業績) として，まことにふらぎが大きくなることに，本質的な起源があることを指摘さわしいものである．

し，「巨大超伝導熱揺らぎ」の概念を提唱した．さらに，

156

応用物理 第 79巻 第２号（2010)

北 澤 宏 一

氏 略歴

1943年 長野県生まれ
1987年 東京大学工学部教授
1968年 東京大学理学部化学科卒
1999年 東京大学大学院新領域創成科学研究科教授
1972年 マサチューセッツ工科大学博士課程修了
2002年 科学技術振興事業団専務理事
1973年 東京大学工学部助手
2007年 独立行政法人科学技術振興機構理事長
1982年 東京大学工学部助教授
主たる表彰と受賞年
応用物理学会賞(1988)，日本セラミックス学会セラミックス大賞(1988)，日本 IBM 科学賞(1988)，アメリカセラミックス学会フルラス賞(1989)，日本応用磁気学会論文賞(1996)，超伝導科学技術賞(2000)，粉体粉末冶金協会論文賞(2001)，紫綬褒章(2002)，
応用物理学会フェロー(2008)

第 10回応用物理学会業績賞 (研究業績)
件名：集積化シリ
コン微細 MOSFET の高電界効果に関する先駆的研究と産業技術への応用研究

受賞者：武田英次

武田英次氏は，1980年頃からシリコン M OSFET の微細化において当時もっとも重要な問題になりつつあったシことにも大きく貢献してきた．

リコン界面で生成されたホットキャリアによる FET 信頼性劣化の物理的理解の解明に注力し，現象の解明，信頼性

M OSFET の内部電界の制御を不純物プロファイル以外の方法で制御することにも挑戦し，微細化で顕在化する短チ予測技術の提案，さらにはその抑止技術をシリコン集積回ャネル効果を劇的に抑止する三次元 MOSFET の先駆的路技術へ応用するという事に関して，先駆的な基礎研究と研究を開始し，多くの提案が同氏のグループから提案されその先導的応用研究を推進した．

るに至っている．これは次世代デバイス候補として現在世同氏はシリコン MOSFET チャネル内の高電界部分に生成されたホットキャリアによる FET 特性の経時劣化

さらに，武田氏は上記の先駆的研究にとどまらず微細界中の研究機関で精力的に研究が行われているデバイス構造の基本になっている．

を，ホットキャリアの衝突電離によって発生した基板電流

武田氏は上記の一連の先駆的研究を基本にして，今日のの評価に基づいて統一的に記述するモデル式を 1981年にシリコン LSI 技術の発展，特にサブミクロンサイズ以降提唱した．これはホットキャリア劣化による MOSFETの CMOS 技術開発に大きく貢献した．その研究成果は現寿命の予測手法として現在でも世界中で広く使われてい在の極微細シリコン MOSFET の研究開発にも引き継がる．本研究成果はモデル式の提案にとどまらずシリコン内れている．さらにそれが半導体中の高電界効果という半導部で起きていることの物理的理解に基づいているがゆえ体物理に強く結びついたものであるがゆえに，半導体デバに，信頼性劣化抑止技術の開発に大きく貢献した．実際，イス物理の発展に対しても大きく貢献してきた．これらの不純物プロファイルを通したシリコン内部の電界分布制御研究成果は，応用物理学会はもとより広く世界的にも学という観点から，同氏によりドレインエンジニアリング，会・産業界で高く評価されている．以上のように，同氏の基板エンジニアリングという概念が提唱されるに至り，卓越した業績が応用物理学へ果たした役割は極めて大き

MOSFET 特性の経時劣化を抑止する重要なデバイス構造が数多く提案された．さらに本モデルは半導体中におけるく，応用物理学会業績賞（研究業績）としてまことにふさわしいものである．

ホットエレクトロンとホットホールの生成過程あるいはゲート絶縁膜中への注入過程に関する物理的理解を含んでおり，結果としてホットキャリア現象のみならずシリコン内部の電界分布，電流分布の精密解析の重要性を認識させる
武 田 英 次
1949年
1975年
1975年
1983年
1987年
1993年
1999年

氏 略歴

大分県生まれ東京大学大学院工学系研究科物理工学修士課程修了
日立製作所 入社
英国ケンブリッジ大学客員研究員として留学
東京大学から工学博士授与
日立製作所 中央研究所 ULSI 研究センタ センタ長
日立製作所中央研究所所長

2001年 上海交通大学顧問教授
2002年 日立製作所半導体グループ CTO
2003年 日立製作所情報・通信グループ COO 兼エンタープラ
イズサーバ事業部長
2005年 日立超 LSI システムズ 取締役社長
2007年 日立製作所執行役常務，研究開発本部長
2009年 日立総合計画研究所研究顧問

主たる表彰と受賞年
IEEE (米国電気電子学会) Cledo Brunetti Award (1994)，関東地方発明表彰 山梨県知事賞 (1995)，IEEE Fellow (1995)
第 33回 市村産業賞 貢献賞 (2001)，電子情報通信学会フェロー (2002)，応用物理学会フェロー (2007)

応用物理学会業績賞

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件名：理系女性研究者育成と男女共同参画・人材育成の推進

受賞者：小舘香椎子

小舘香椎子氏は，日本社会における「理工系＝男性」とさらに，同氏は本学会女性初の理事，副会長として，教なりがちなイメージを払拭し，女性研究者・技術者の具体育公益事業委員会，男女共同参画委員会を中心に人材育成的イメージを与えるロールモデルを実践し公に紹介，またロードマップを作成するなど，今後の学生・若手研究者の中高校における理工系の女性教員の採用を推進し，女性若育成ならびに学会の社会貢献活動の幅を広げることに大き年層に対する情報提供を通して理解と関心を高める啓蒙活く貢献している．ロードマップに示された女子大に工学部

動は特筆に価する業績である．

を作る構想など，潜在的理工系人材の育成を通して高度研

同氏は日本女子大理学部教授として，博士 4名，修士究者・技術者の質と量を確保することが日本の将来にとっ31名の理系女性研究者を育成するに留まらず，女性の若て国際競争力を維持する道であるとの主張と行動は，今後手研究者育成に関する大型プロジェクトを牽引して大きなますます大きく支持されると思われる．

成果を挙げている．この活動は，現在国内各所で進められ最近では，第 20期日本学術会議の「未来社会と応用物ている男女共同参画関係のプロジェクトの見本となるもの

理」分科会委員長・科学者委員会男女共同参画分科会副委でその貢献度はきわめて大きい．

員長として提言作成にも尽力している．さらに今後の男女また，同氏は他学会に先駆けて本学会内に男女共同参画委員会を組織し，さらに他学会にも働きかけて男女共同参共同参画社会実現に向けた活動の牽引者としての活躍が大いに期待される．

画学協会連絡会を結成した．その初代委員長として実施し以上のように，「理系女性研究者育成と男女共同参画・た「21世紀の多様化する科学技術研究者の理想像」の大人材育成の推進」に対する同氏の業績は卓越したものであ規模アンケートは，その後の内閣府や文部科学省の政策立り，まさに応用物理学会業績賞（教育業績）としてまこと案に大きな影響を与えている．に相応しいものである．

小 舘 香椎子氏 略歴1941年 東京都生まれ
1963年 日本女子大学家政学部家政理学科一部（物理化学専攻）卒業
1963年 日本女子大学附属高等学校教諭
1966年 東京大学工学部電子工学科助手
1982年 日本女子大学一般教育課程自然科学系列助教授
1988年 日本女子大学一般教育課程自然科学系列教授
1990年 日本女子大学家政学部教授
1992年 日本女子大学理学部数物科学科教授（〜2009年）

1996年 日本女子大学大学院理学研究科教授（〜2009年）
2001年 日本女子大学大学院理学研究科委員長・同大学評議員（〜2004年）
2005年 日本学術会議会員
2006年 日本女子大学女性研究者マルチキャリアパス支援モ
デル プロジェクトリーダー
2009年 日本女子大学名誉教授・マルチキャリアパス担当学長
特別補佐 科学技術振興機構男女共同参画主監

主たる表彰と受賞年
日本 e‑Learning 大賞文部科学大臣賞（2007），科学技術への顕著な貢献（ナイスステップな研究者）（2008），文部科学大臣表彰
科学技術賞（2009），応用物理学会フェロー（2009）［第 10回業績賞委員会］
委員長
副委員長
委 員

158尾浦憲治郎（阪大）
白木靖寛 （都市大）大木裕史 （ニコン）
大島忠平 （早大）
小田俊理 （東工大）
工藤一浩 （千葉大）

黒田和男
源間信弘
鳥海 明
中山喜萬
名西 之
庭野道夫

（東大）
（東芝）
（東大）
（阪大）
（立命館大）
（東北大）

幹事

藤井俊夫
藤山 寛
緑川克美
山本眞史
芳野久士

（富士通研）
（長崎大）
（理研）
（北大）
（事務局）

応用物理 第 79巻 第２号（2010)