TRIAC(Through Hole / Isolated)

TMG2D60F(Sensitive Gate)

Triac TMG2D60F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
3.2±0.3

TO-220F
10.5±0.3

4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, MicroWave Ovens, Hair Dryers, other control applications● Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other controlapplications●3

9.7±0.3

16.0±0.3

1φ3.2±0.2

2.6±0.2

Features21.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

0.60±0.15
1.1±0.2

1 T1
2 T2
3 Gate0.6±0.15

IT(RMS)=2A● High Surge Current● Lead-Free Package

Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn●1232.54±0.25

5.08±0.5

Identifying Code：T2D6F■Maximum Ratings
SymbolVDRM
IT（RMS）
ITSM
I2t
PGM
PG（AV）IGM
VGM
VISO
TjTstgUnit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State CurrentSurge On-State Current
I2t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass

Reference

Tc＝105℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive

A.C. 1minuteRatings
600
218/20
1.67
1.5
0.1
17
1500−40〜＋125−40〜＋150
2Unit
VA
A
A2SW
W
A
V
V℃℃g

■Electrical Characteristics
SymbolItem

Reference

IDRM
VTM＋I GT1−
I GT1＋I GT3−I GT3＋V GT1−V GT1＋V GT3−V GT3
VGD

Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
12Gate Trigger Current
3412Gate Trigger Voltage
34Non-Trigger Gate Voltage

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃
IT＝3A, Inst. measurement〔dv/dt〕c

Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation

Tj＝125℃，〔di/dt〕
c＝−1A/ms，VD＝2／3VDRM

IH
Holding Current
Rth（j-c）
Thermal ResistanceRth（j-a）     1（  ）＋VD＝6V，RL＝10Ω

Tj＝125℃，VD＝1／2VDRMRatings
Min. Typ. Max.
11.6551051.5
1.5
2.0
1.5
0.2

2−＋mA

VVmA
7.550

 3（ III ）

mAV

V/μs

3

Junction to caseJunction to ambient 2（  ）Unit 4（ III ）−℃/WTMG2D60F

On-State Characteristics（MAX）

Gate Characteristics

１００１０25℃
1＋GT１
1−GT１
1−GT３

IGM（1A）

PG（AV）（0.1W）

１Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１２５℃

PGM（1.5W）

１０１Nofo t
RrN ecew om
D m
es enig dn

25℃
1＋GT３

On-State Current（A）

Gate Voltage（V）

VGM（7V）

VGD（0.2V）

０．
１１０.１
０

１００００.５

１２２.５

３On-State Voltage（V）

RMS On-State Current vsMaximum Power Dissipation

RMS On-State vs
Allowable Case Temperature

２.５π０θ＝180゜θ＝150゜θ

2πθ

θ＝120゜

３６０゜

θ＝90゜

２ θ：Conduction Angle

θ＝60゜

３.５４

θ＝30゜

１２０

θ＝30゜
θ＝60゜

１１０

１０００.５

１

θ＝90゜

θ

３６０゜

θ
：Conduction Angle

０.５1Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

２０１５60HZ

１０50HZ

５１０１０0

１００Rth（j−a）

１０Rth（j−c）

１０.０１０.１

１

IGT −Tj（Typical）

１０００

VGT −Tj（Typical）

I＋GT３（ #＋ ）５０７５Junction Temp. Tj（℃）

１００１２５VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

I＋GT１（ !＋ ）I−GT１（!−）
I−GT3（#−）

２５１００

１０００

１０００１０Time（Sec.）

１０００

−２５２

Transient Thermal ImpedanceTime（Cycles）

１０−５０１.５

RMS On-State Current（A）

Transient Thermal Impedance（℃/W）

RMS On-State Current（A）

０１

θ＝120゜
θ＝150゜θ＝180゜2πθ１０００２１.５π０１０５０.５

４.５１２５１１５１.５Surge On-State Current（A）

１.５Gate Current（mA）

Allowable Case Temperature（℃）

Power Dissipation（W）

３１００

１０

V＋GT1（!＋）
V−GT1（!−）
V＋GT3（#＋）
V−GT3（#−）

１００１０−５０−２５０２５５０

７５１００

Junction Temp. Tj（℃）

１２５Allowable Ambient Temperature（℃）

TMG2D60FRMS On-State vs
Allowable Ambient Temperature

１２５π０θ2π

θ

１００

３６０゜θ
：Conduction Angle

Conduction Angle 180゜

７５５０Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn

２５０００．
２ ０．
４ ０．
６ ０．
８１

１．
２ １．
４ １．
６ １．
８

RMS On-State Current（A）

２