特集

5本柱のビジネス強化を基軸にしたNTTアドバンステクノロジの中期事業計画の取り組み

6 グローバルビジネス

NTT-AT ならではの先進的な半導体関連プロダクツと光 L1 スイッチ製品の展開を強化・加速
NTT アドバンステクノロジ ( 以下、NTT-AT) の中期事業計画の５本柱の１つとして、先進プロダクツのビジネス拡大に注力するグローバル事業本部。本稿では、長年にわたり地道な取り組みを継続することで花開き始めた２つの半導体製造向け先進プロダクツ (EUVミラーと GaN エピタキシャルウェハ ) と、光配線ロボットと NTT-AT の誇る光 L １スイッチを紹介する。

は、半導体関連装置の部品として急20 年超の継続的技術革新を経て主役の座に躍り出た「EUV ミラー」

激に伸びています。EUV ミラーの製造には、ガラスの反射面にＡレベ9半導体デバイスの小型化・大容量ルの薄い膜を何層にも積層する高度化・省電力化・高速化に大きく関係な成膜技術が必要で、反射面のどこするのが、チップの微細加工技術だ。

でも高い反射率が得られるように膜微細化に伴い、電子回路を焼き付け厚を制御します。私どもの最大の強（露光）てパターンを形成するためみは、お客様の製品開発の初期段階に用いる光の波長は、短くなってきから参画し、用途に応じて設計からた。さらなる微細加工を可能にする成膜・検査まで、ワンストップで対として 1980 年代半ばに提唱され、応する点です。20 年超の継続的な世界中で研究され続けてきたのが、取り組みによる技術力の高さが、こ波長 13.5nm の EUV( 極端紫外 ) 光の体制を支えています。また営業は、アジア地域をターゲットに、営業ルーを用いた次世代露光技術だ。しかし、EUV に 詳 し い 者 が 担 当 し て お り、ト・拠点の開拓に注力するとしている。

技術やコストの壁を乗り越えられずきめ細かなお客様対応が迅速に行えに、主流は波長193nmの光であった。

るという点も特長です」と強調する。

飯 田 氏 は、「NTT-AT は 1996 年

NTT-AT では、国内および海外向に EUV ミラーの販売を開始して以け EUV 関連ビジネス（ミラーの販売

NTT-AT は 1990 年 代 後 半 以 降、降、お客様の要求に親身に対応しつとその再生）の拡大に注力している。

基板上に半導体の多層膜を堆積する

つ、地道に継続して技術力を高めてすでに、一部の半導体関連装置メーエピタキシャル成長技術に取り組んきました。そして、世界的な EUVカー向けには実績があるが、本格的できた。ここ 10 年くらいは、次世

光 の 採 用 の 流 れ に 乗 り、 つ い になグローバル展開はこれからだ。 今代パワーデバイスの材料として期待2017 年に半導体関連装置向けの部

後は、関連装置で圧倒的な世界シェ

さ れ て い る GaN（ 窒 化 ガ リ ウ ム ）品として採用されました」と語る。

アを持つヨーロッパおよびアメリカ、まの研究開発に取り組んできている。

また飛田氏は、「EUV ミラーの需要た半導体製造拠点が多く置かれる東GaN エピタキシャルウェハ（以下、NTT アドバンステクノロジ株式会社
グローバル事業本部
アドバンスマテリアル BU［左］BU 長飯田 慎一氏［右］EUV 技術センタ長 飛田 達也氏

GaN パワーデバイスの製造レシ
ピの設計力を強みに事業を拡大

エピウェハ）を用いたパワーデバイス
は、現在広く利用されているシリコン（Si）を用いた半導体の限界を超えた高出力・高耐熱・高周波・低損失半導体製造におけるEUVミラーの使用例の 動 作 が 可 能 で、 最 近 では５G やEUVミラーの外観

図１ 「EUV（極端紫外）ミラーの概要

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IoT の分野でニーズが高まっている。
小平氏は、「NTT-AT ではエピウェ

ビジネスコミュニケーション

2019 Vol.56 No.10

高速・均一な膜成長が可能なほか、高速昇温が可能という特徴を持つ。
また、製造レシピは、GPT 社向けに最適化された高品質の GaN パワーデバイス用のエピウェハを製造するた
写真１めに設計・開発された。この製造レ

高品質な「GaN エピウェハ」

シピを活用することで、 表面欠陥密ハ成長 装 置と、お客 様の要 求 仕 様度の低い GaN 膜上に作製された素を満たす 多 層 膜を堆 積 するための子は、 高 耐 圧・高 均 一で高い素 子レシピ と呼ばれる成長プログラム歩留まりが期待できる。

NTT アドバンステクノロジ株式会社
グローバル事業本部［左］プロダクトインキュベーションセンタ
センタ長 小平 徹氏をセットで販売することも可能です。

NTT-AT では、GPT 社における追最大の強みは、製造レシピを設計す加装置の導入を継続的にサポートする技術力と均一・高品質なエピタキるとともに、今後より高品質な製造のつなぎ替えで実現する L1 スイッチシャル 成 長 が 可 能な装 置との 組 みレシピの提供を進めていく方針だ。

だ。 全ての配線をあらかじめ ROME合わせで高い素子歩留まりが実現で小平氏は「将来的には GaN パワーにつないでおけば、あらゆる機器間のきる点、 社 内でサンプル用 素 子 試デバイス用のエピウェハ製造のオフ接続構成を自由自在に設定できる。

作を行い、特性データ例をお見せでショア拠点としての活用も視野に入きる点です」と強調する。

れています」と述べている。

本年１月には、台湾の GPT（GaN光 NW の物理レイヤの方路制御を光配線ロボットと光スイッチでカバーPower Technology）社が次世代パワーデバイスの実現に向け、NTT-AT［右］光プロダクツ BU

BU 長

中村 二朗氏ま た NTT-AT な ら で は の 光 NW装置として、NW が「いつでもつながっている」ことを実現するため、高速に経路を切替え、速やかな障害復旧が可能な「光スイッチユニット」のエピタキシャル成長技術の採用を

NTT-AT で は、 米 Wave2Waveを提供している。本装置は、光パワー決定し、エピウェハ成長装置とパワーSolution 社製の光配線ロボット「ROMEの低下を検知し、光の経路を物理的デバイス用製造レシピを導入すること（R o b o t i c O p t i c a l M a n a g e m e n tに切替えるセレクタであり、高速にを発表した。今回 NTT-AT が販売しEngine）」 シリーズを販売している。

経路を切替えて速やかな障害復旧をたエピウェハ製造装置は、量産型のこれはネットワーク（NW）開発ラボお可能にしている。

GaN on Si 用 MOCVD（ 有 機 金 属

よびデータセンターにおける機器間の光配線ロボット「ROME」 シリー

化学気相成長）装置で、GaN 膜の配線切替をロボットによる光ケーブルズと光スイッチユニットを組み合わせ

ルーラル（張出し局）

0.001

大都市／
データセンター

地方都市

大規模化と高密度化

光スイッチ
0.01

0.1
大規模化と高密度化

1

ROME
mini

（今秋販売予定）

図2

10100

ROME
500

ROME
MAX

1000
回線数(Iines)

プロビジョニング／ラボ10000

光配線ロボット「ROME」と光スイッチの利用シーン

ビジネスコミュニケーション（Innovative Optical and Wireless2019 Vol.56 No.10

る商材として、データセンターや通信ビルへの適用性を検討していきた

光配線ロボット

1IOWN

トニクスネットワーク技術につながスピードアップ

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中 村 氏 は、「NTT のNetwork） 構想を支えるオールフォ

冗長切替による信頼性確保

切替速度(sec)

ることにより適用領域を拡張できる。

いと考えています。今後は NTT-ATの光接続技術を活用し、さらなる高機能化に貢献したいと思います」と抱負を述べている。

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