プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.36
目

次
藤山 寛
斧 高一

1
3

近藤道雄

5

後藤俊夫

8

廣田榮治

「プラズマエレクトロニクス研究会」の生い立ち
東洋大学
岡本幸雄
後藤俊夫先生応用物理学会会長就任祝賀会での挨拶 産業技術総合研究所 松田彰久

10
11
13

海外の研究事情（その 11）
ケンブリッジ大学留学記

神谷利夫

14

栗原一彰

20

幹事長退任挨拶
幹事長新任挨拶
研究室紹介（その 25）
産業技術総合研究所

長崎大学
京都大学
薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ

後藤俊夫先生応用物理学会会長就任記念特集
応用物理学会会長に就任して ‑ 分科会への期待 ‑名古屋大学
後藤俊夫教授の応用物理学会会長就任を祝って‑ 後藤研との共同研究の思い出 ‑総合研究大学院大学

東京工業大学

国際会議報告◇ 4th International workshop on fluorocarbon plasmas 報告

22
23
24

平成 14 年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事役割分担
平成 14 年度プラズマエレクトロニクス分科会関連の各種世話人
平成 14 年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事住所録
2002 年春季第 49 回応用物理学関係連合講演会・合同セッションＤ報告
2002 年春季第 49 回応用物理学会関連連合講演会シンポジウム報告

小松正二郎

寒川誠二、関根

平成 13 年度後期及び前期活動報告
行事案内◇ ICRP‑5/ESCAMPIG‑16 合同会議案内◇ 2002 年秋季第 63 回応用物理学会学術講演会合同セッション案内◇ 2002 年秋季第 63 回応用物理学会学術講演会シンポジウム案内◇第 9 回プラズマエレクトロニクス・サマースクール案内◇第 3 回プラズマ応用技術の将来ビジョン研究会案内◇第 13 回プラズマエレクトロニクス講習会案内

誠

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28
29

◇フロンティアプロセス 2002 案内

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プラズマエレクトロニクス関連会議日程

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掲示板◇「プラズマエレクトロニクス賞」について◇第１回プラズマエレクトロニクス賞公募会告◇プラズマエレクトロニクス分科会会員名簿変更届
編集後記

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≪幹事長退任挨拶≫

幹 事 長 退 任 挨 拶
長崎大学

藤山

寛

であることに変わりが無い。プラズマでなくて先ずはお礼を申し上げたい。浅学非才の私がプラズマエレクトロニクス分科会の幹事長とは後も無く先も無い、誰が見ても堂々たる主役たりうる応用が、やはり未だに見つかっていないう大役を勤められたのは、ひとえに堀、寒川両副幹事長をはじめ幹事の皆様そして事務局伊丹女史の献身的努力があったからである、と。
さらに申し上げたい。この 2 年間で少しでも分科会の改革（応用物理 5 月号の分科会だより）ができたと言われるならば、それは言葉巧みに人を乗せるのが上手な方々にうまく担がれたからである、と。
くしくも 20 世紀最後と 21 世紀最初の年に幹事長を仰せつかり、半導体不況の逆風のなか、分科会としては 元気の出る何かをやらんば 、と張り切って船出したことを覚えている。ようやく今頃になって不況も底を見せ、これからは追い風が吹くものと期待される状況になってきた。が、しかし、私の身の回りでは「独法化」、「Top30」、「○○評価」、「JABEE」、「IT 不況」、「学
力低下」、「理科離れ」、「産官学連携」、「教育改
革」、「再編、再生」、「Faculty Development

いように思う。政府は産業クラスター計画によって、例えば九州は「半導体」と「環境・リサイクル」のように、地域ごとに産業の重点分
野を決め、費用の重点配分で活性化を促す施策
を取っている。しかしながら、それはあくまでも「半導体」産業や「バイオ」産業などであって「プラズマ」産業ではない。大学でプラズマに関わっている我々は、学生たちに何と教えるべきか。これまでどおり『プラズマは宇宙、エネルギー、半導体・IT、ナノテク、環境、バイオなどほとんどすべての産業分野に無くてはならない存在であるのだよ』とでも、目を瞑って言っておくか。。。（情けなかー）
さて、少しは明るい話をしましょう。ワール
ドカップ需要からか、大画面のプラズマディス
プレイパネル（PDP）が、生産が追いつかない
くらいに売れている。国内 4 社も増産に次ぐ増産である。70 年代の初めからスタートした PDP(FD)」などの言葉が四六時中飛び交い、果ては「今、大学が危ない」、「大学は死んでいた」な
どと脅されて結局「○○疲れ」と「○○倒れ」の望まざる消費拡大の 2 年間であったように思う。小泉政府は構造改革を掲げて船出し、できたかできなかったかは別としてともかく支持率の研究だが、3 0 年経ってようやく花が咲いたと言える。やはり 30 年かかるのか、とため息をつく前に、これは先見の明がある先達によっていち早く産官学連携が進められた成果である，と関係者の努力に心から敬意を表したい。
しかしながら、棲み分けされていたはずの液晶を下げ、ほとんど日本全国を改革の嵐が吹きまくった 2 年間であったと思う。本当にお疲れさん！
と、2 年間を回顧してみて、さてこれからは、と考えると、プラズマエレクトロニクス分科会にもやはりいまだに暗雲が立ち込めているようディスプレィパネル（LCD）の大面積化が予想以上に進み、これから 40 インチクラスで両者が正面から競合するだろう。ほっと一息つく間もないのが研究者・技術者の仕事であるか、との思いが尽きない。
（やっぱり暗くなりました、
すみません。）な気がしている。就任挨拶にも書かせていただ
いたことだが、相変わらずプラズマは作製ツー

この際だから暗くなりついでにさらに言葉を繋げると、昨今の大学では電子工学科の入学

ルとしての役割から脱却できていないし、脇役-1-

希望者が減少している。エレクトロニクスは最るか、である。例えば、技術者の知的財産の成

先端技術の華が咲く技術立国日本の浮沈を握る産業であるが、半導体に代表されるように景気果に対しそれにふさわしい報酬で報いる、優秀な学生を契約金付の高給で企業に迎える、やるの浮き沈みが激しいところが、いまどきの若者に敬遠される原因と分析されている。いまや使気の無い大学教官はきっぱりお引き取り願う、小中学校に理系の先生を増やす、教授の FD を義命感や責任感という言葉は彼らの辞書に無く、 務付ける（当然ながら先ずは教育学部教授からケータイなど苦労して作るより使うだけの気楽 始める）などなど。
で楽しい人生を選んで恥じない（親もそれを願っている？）。責任の取り方を教える真のエ

人は誰でも自分に甘く他人に厳しくなりがちである。「自己評価」などその典型であること

リート教育を放棄した戦後日本の学校教育の失敗であることは明白である（家庭教育もひどいは、皆さんがよくご存知のことだと思う。結局
は「評価者」の資質と英断が改革をもっとも進ですが）。米百俵の教えのごとく教育立国への道を断固取らなければ、ますますダメで情けなめるであろうことは論を待たない。これは評価者の評価、評価者を評価する人の評価、、、と続

い日本になってしまう。ただ、昨年 6 月に名古屋で開催した第 7 回科学と生活のフェスティバ

いていくことになるが。。。。
ともかくも 2 年間の任期を終え随分と出張がル（なんと 18,000 人を越える参加者を得た！） 減り暇になった。暇になったと言った途端わん
での、子供たちの興味津々たる目の輝きだけが さと仕事が殺到してきてまた忙しくなってし救いである。中学、高校、そして大学と続く高等教育、そして理科教育を担う先生方（ほとん

まった。京都、名古屋そして地元長崎での幹事
会での楽しい思い出が残っているうちに、早くど文系である）の教育がもっと大胆に改革されるべきであろう。
（またもや「改革」か、これま

幕を引こう。さぁ、研究室（実験室）に帰ろう！
学生と話そう！地道にデータを取ろう！

でもずーっとやってきた（つもり）なのに）
プラズマのそしてエレクトロニクスの将来を終わりに、斧新幹事長のもとプラズマエレク
トロニクス分科会・幹事会が、更なる発展をさ憂えても、物事は解決しない。我々が今何をすれることを祈ります。

-2-≪幹事長新任挨拶≫

幹事長就任にあたって―プラズマエレクトロニクス研究と分科会の役割―
京都大学工学研究科
斧 高一
この平成 14 年 4 月から 2 年間、プラズマエレ

マ研究は、主として実用技術開発に向けての知的資産の充実という役割を担って発展したとい

クトロニクス分科会の幹事長を務めさせていただくことになり、責任の重さを痛感していまえるでしょう。一方、後者では、産業界のニーす。分科会会員の皆様、副幹事長・幹事の皆様、 ズに対応して、それまで蓄積されていたプラズ
多大なるご指導、ご鞭撻、ご協力、ならびにご マ研究の資産をベースに、まず企業で薄膜材料支援をいただきますよう、何卒よろしくお願い 形成・加工などのプラズマプロセス技術開発が進められて実用技術として生産現場に投入され、その後のプラズマ研究は、産業界のニーズ

申し上げます。

と密接に連携してコンカレントに発展し、実用技術の高度化や先進実用技術開発に大いに貢献

さて、“ プラズマエレクトロニクス ” が対象とする内容は、分科会が主催するプラズマプロセ
シング研究会の講演分類や、応用物理学会講演してきたと思います。

会でのプラズマエレクトロニクス分科の中分類などが端的に表しています。ちなみに後者の分

プラズマエレクトロニクス分科会は、このよ
うな産業界のプラズマ応用技術に対する強い類では、現在、プラズマ生成技術およびプラズ
マ源、反応性プラズマの診断と計測、プラズマ

ニーズとともに大きく成長し、半導体 (LSI、液晶、太陽電池) やプラズマディスプレーなどの応用プロセス、プラズマプロセスによるナノテ
クノロジー、プラズマ現象一般、の 5 つのキー

電子デバイスの分野から、最近では、環境やバ
イオの分野にもその活動範囲を広げています。

ワードが挙げられています。このような内容
は、時代とともに変化するものですが、一言でプラズマプロセスを中心としたプラズマ応用技
術は、今日、産業界に不可欠な基盤技術の一つ

いいますと、” プラズマ応用とそれにかかわる
物理的・化学的基礎 ” であり、” 産業界のプラズであり、今後一層の発展が求めらている、といって過言ではないでしょう。

マ応用技術に対する強いニーズ ” と密接に関連していることが特徴といえるでしょう。

ただ最近、分科会会員の方々から、” 半導体プロセスでのプラズマの地位が下がってきたのではないか ”、” プラズマはツールで主役になれな

プラズマの分野における基礎と応用は、これまで特に区別する必要もないくらい表裏一体の形で進展してきたと思います。プラズマが科学

いのではないか ”、というようなプラズマエレ
クトロニクス研究の将来を危惧する声を耳にす技術の分野に登場してきたのは 2 0 世紀初頭ですが、プラズマに関して大がかりな研究開発投ることもあります。本当にそうでしょうか。例
えば半導体プロセスの分野では、全体的に見ま資がなされたのは、2 0 世紀後半の 3 つのプロジェクトでしょう。年代順に、宇宙開発、核融

すとプラズマプロセスの占める割合がさらに増大しつつあるように感じられます。これまで半合エネルギー開発、そして半導体デバイス開発です。前者 2 つでは、いわゆるビッグサイエン

導体プラズマプロセスといえばエッチングが大きなウエートを占めていました。超微細加工、スとして公的資金が投ぜられましたが、プラズ-3-新材料加工を含め、その重要性は今日でも変わクールなどの企画・実施はもちろんですが、さりありませんが、最近は、薄膜形成や表面処理にも大きな関心が集まっています。バックエン

らに新しい研究会も立ち上げたいと考えています。この研究会では、プラズマエレクトロニク

ドプロセスにおける低誘電率層間絶縁膜形成、 ス以外の分科会や他学会・研究組織との交流をフロントエンドプロセスにおけるゲート絶縁膜 軸として、トピックス的な研究テーマに関しての直接窒化、などです。また液晶ディスプレー
の分野でも、大面積基板の処理においてプラズ

集中的な議論を行う中で、分科会活動の今後を考えていきたいと思います。藤山前幹事長およマプロセスに依存するところは大きく、プラズ
マ技術の発展に大いに期待しています、というび前幹事会の皆様のご尽力で設立の運びとなりましたプラズマエレクトロニクス賞も今年度か

声をよく耳にします。さらに工業材料部品の表
面改質や新規材料開発の分野でもプラズマプロ

らスタートします。いずれにいたしましても、これらの企画は、分科会会員の皆様に対する

セスのウエートは増大しており、自動車のバンパーの塗装など思いもよらぬところにもプラズ

種々の情報提供や収集、および教育や議論の場を提供するものであり、分科会会員の皆様の研マが試されていると聞き及びます。一方、従来の大きなプラズマ機器を MEMS (マイクロエレク

究活動のネットワークづくりを支援するものと考えます。企画の目指しますところは、①産業

トロメカニカルシステム) 技術により微小化したプラズマデバイスも注目されてきました。マ

界との連携を軸にしての先進的プラズマプロセ
ス技術の研究の推進、②プラズマプロセス技術

イクロエレクトロニクスと M E M S の混載デバイ
スともいえるワンチップ光源、リアクター、スの LSI 以外の分野での研究の推進、③プラズマの新しい応用分野の創成と展開、です。

ラスター、などです。
プラズマエレクトロニクス分科会を中心としこのような状況の下、プラズマプロセスを中心としたプラズマ応用にかかわるこれまでの活た研究ネットワークの中から、新しい発想や交流・連携が生まれ発展して、新しい学術的・実発な分科会活動を今後も維持してさらに発展させるとともに、新しい活動の場を探索し、プラ用的成果や、研究開発プロジェクトなどが次々と生まれ、日本の科学技術の発展、産業の発展、

ズマエレクトロニクス研究の次の発展のステージを見出していくことが、この２年間の分科会

新産業の創出などに寄与できるよう努力していく所存ですので、分科会会員の皆様、何卒よろの役割かと考えます。そのため幹事会では、従来の講習会、研究会、講演会、シンポジウム、ス

しくご協力いただきますようお願い申し上げます。

-4-≪研究室紹介≫（その 25）

独立行政法人 産業技術総合研究所
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ
Research Initiative for Thin Film Silicon Solar Cells.

近藤道雄

１． 研究室の概要

やポストドク人件費などを研究者の裁量でかなり特殊法人､国立研究機関､大学と次々に改革の波が押し寄せる中､我々の旧所属であった電子技術総自由にやりくりできるようになったことでしょうか｡また､予算や給与も外部評価などの結果が反映されることになり､いい意味の刺激が増えたことも合研究所も２００１年より独立行政法人の一員と変わった点といえるでしょう｡

して新たなスタートを切ったところです。我々の研究グループも新しい環境の中で、経済産業省お現在、研究室のメンバーは研究所の常勤スタッフが３名､非常勤研究スタッフが４名､企業との共よび新エネルギー産業技術開発機構（NEDO）のサ

同研究に基づく派遣スタッフが５名、学生が４名

ポートを受け､新たなプロジェクトを始めることになりました｡ 多くの方の関心は新しい組織で何がと、計１6名のスタッフで構成されています｡今は、たまたまいませんが、外国からのポストドク研究

どう変わったのかということだろうと思いますの員が滞在していることも多いので､ 研究室のミーで、我々の最近の研究活動を含めて紹介させていただきます｡

ティングは基本的に英語で行われています(日常会
話は日本語ですが )。これは不自由な面もあります

それまでいくつかの国立研究所に分かれていたが､よい練習にもなっており、ラボメンバーの国際

旧工業技術院に属する研究所は再編成されて、５４の研究ユニットに分かれました｡研究ユニットに会議での発表などを見ていると、効果が現れているように思われます｡

は研究センター、研究ラボ､研究部門､研究系にわ昨年度からデバイス作製に重点をおくために新

かれています。組織図はホームページで見ることができますので､そちらをご覧いただくとして､わしい研究棟にクリーンルームを設置し､その新しい環境下で研究を行っています｡写真はクリーンルー

れわれは薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボとムの中の様子です｡クラスとしては 10000 程度とあして位置付けられています。電総研時代にはラボ制というものが導入され、いわゆる研究室というまり高くないですが､デバイスの歩留まりや装置の寿命を考えるとやはり埃は大敵といえるので、やシステムが解体されたわけですが､そのときに設立

はりあるにこしたことはないでしょう｡ クリーンされた集中研究ラボの一つとしてわれわれの薄膜
シリコン系太陽電池スーパーラボがあり、それを前身として今のラボがあることになります｡

写真が入る予定

ラボとセンターは時限を決めて特定のテーマに特化して集中研究するグループで、経済的には多少恵まれますが､その分厳しい（？）ミッションが課せられ、ラボなどは毎年存続をかけた外部評価を受けることになります｡ラボの時限は３年で､その間に研究センターとして発展させるかどうかを査定されることになります｡
新しい組織の中で最も大きく変わったところは、予算の使い道の自由度が増え､予算の範囲内で旅費

写真 クリーンルームの中の様子-5-

ルームの広さはおよそ 400 平米あり、それを 7 台のす｡また、半導体デバイスと比べてけた違いな生産

循環清浄機でクリーン化しています｡そのなかにプ量になるため､リサイクルや、災害時の環境負荷まで考慮する必要があります｡そう考えると､薄膜シ

ラズマ CVD 装置が単膜製膜用が 5 台、太陽電池用のマルチチャンバーシステムが3台、電極作成用ス

リコンが最も安心して使える材料ということにな

パッタリングマシンが2台、その他測定器やデバイス化のためのフォトリソグラフのシステムがあり､中はさながら研究室というよりは工場に近いかもしれません｡

り、研究開発においても現在最も重点的に推進されています｡以下に主な研究テーマを列挙します｡（１）水素化アモルファスシリコン光劣化抑制
光劣化はその発見からもう四半世紀にわたって研究されているのですが､まだ十分解決されていな

すべての装置でシランやジボラン､ホスフィンなどの特殊高圧ガスを使うので安全面では特に気をいということが、アモルファスシリコン太陽電池

配っています｡当然ですが、漏洩や装置異常を検知の実用化への障害になっています｡もともとアモル
するとインターロックによってガスが遮断され、ファスシリコンは太陽電池材料としては結晶シリ居室にいても異常がわかるような集中警報システ
コンより優れた資質があるので、逆にいうとこのムを備えています｡昨今の時流の中ではますます安
光劣化さえ解決すればアモルファスシリコン太陽
全に対する規制は厳しくなっており、大学や研究電池が急速に普及すると考えられています｡光劣化
所がこのような特殊高圧ガスを使った研究を続けの問題は、特に量産化に必要な高速堆積時によりていくことが経済的に困難になってきています｡元
深刻な問題となってきます｡ 非常にゆっくりと、
シカゴ大学の Fritzsche 先生の回想録に研究室で初0.1nm/s以下の速度で堆積したものでは変換効率のめて水素化アモルファスシリコンをシランガスで劣化は初期が 10~12% で劣化率が 15% 程度ですが､プラズマCVDを用いて作製した時の逸話がありま
10 倍以上の高速製膜時には劣化率が 50% 近くまですので､それを引用します｡内容が内容ですので敢悪化してしまいます｡これを、プラズマ中の電子温
えて日本語には訳さないことにしますが､まさに隔度制御と水素希釈によって高次シラン発生を抑制
世の感があります｡旧きよき時代といってはいけな
すると、劣化率を改善することができ､ 製膜速度
いのかもしれませんが、おおらかな時代であった
2nm/s 時に劣化率 12%、劣化後変換効率 8.2% といことは事実でしょう｡
う成果を得ることができました｡これは高速製膜条“ The rotary pump sounded like a machinegun until
件下としては世界最高の値です。シランプラズマ
we discovered that a SiH4 explosion occurred with eachのような反応性プラズマ、特に堆積を伴うケース
rotation of the pump. There were much to learn ! “
ではプラズマ計測が困難なために、プラズマやそ次に研究内容について具体的に紹介することにの中での化学反応への理解が遅れており、まだましましょう｡
だ宝の山が埋もれているように思われます｡これは主としてラボ長の松田彰久が担当しています。大のサッカーファンでお昼休みにはよくサッカーで

２． 研究活動
我々の研究グループは名前からも明らかなように、水素化アモルファスシリコンおよび微結晶シ

汗を流しています｡このラボにもサッカーが好きな人が多いのはその影響があるといえるでしょう｡この号が出る頃にはワールドカップの結果も出ていリコンなどの薄膜シリコンを用いた太陽電池の材
料およびデバイスに関する基礎および応用研究を行っています｡新エネルギー導入大綱に謳われていると思われますが､ はたして結果はどうだったでしょうか？

る 2010 年の太陽電池の総導入量 482 万キロワットを達成するには現在主流の単結晶およびバルク多 （２）微結晶シリコンの高速製膜とデバイス応用
結晶シリコンだけでは到底間に合わないので、低アモルファスシリコンの光劣化の副産物ともい
コストで大量生産可能な薄膜太陽電池の導入が必 えるのが、アモルファスシリコンと同様の低温プ要不可欠です｡特に電力用として用いるにはその材料の量だけでも相当なものになるので自然界に豊ロセスで作製される微結晶シリコンです｡微結晶シ富に存在する元素を使った材料が好ましいわけで製されるようになったので実は水素化アモルファ

リコンの歴史は1980年ごろからプラズマCVDで作-6-

スシリコンと 5 年程度しか違わないのですが､長年の初期成長過程、微結晶シリコンの核形成過程をデバイスとして日の目を見ませんでした。

調べ､核形成のときに水素とシリコンの複合体が関それが最近、光劣化が無いということと､効率的にもアモルファスシリコン太陽電池を凌駕するよ係していること､またそのときに膜内応力と核密度に良い相関があることなどを明らかにしてきまし

うになってきたことでにわかに注目されるようにた｡今後この知見を生かして､核形成を促進し､核密なってきました｡微結晶シリコンでは光吸収が間接ギャップのせいで低いために高速製膜で厚膜を堆度を自在に制御できるような技術を開発していく予定です｡これは藤原裕之が担当しています｡藤原積することが求められます｡しかし、もともと 600

は分光エリプソメトリーで第一人者のペンシルバ〜 1000℃近い温度でないと結晶化しないシリコンを時には100度前後という低温で作製するには熱平

ニア州立大の Collins 教授のもとで勉強した経歴があり､ いまや日本のこの分野の第一人者といえま衡に十分達するようゆっくりと時間をかけて堆積す｡この秋のプラズマエレクトロニクス講習会でもしなければならないのだという通説が信じられており、実用化に求められている２〜５ nm/s などと講師としてご協力いただくことになっています｡大変、実直で几帳面な性格で､こういう研究にうっていう速度は到底不可能だろうと考える人が多かっ

つけと筆者は思っています。最近は小さい子供のたと思います｡かく言う筆者自身が数年前は 5nm/s
はさすがに無理だろうと考えていたのです｡

ため寝不足に悩まされているようです｡

しかし、必要に迫られると、苦し紛れの知恵は湧いてくるもので､高製膜圧力で高電力を投入するという、下手すると製膜室の中が粉で埋もれてしま（４）アモルファスシリコン劣化機構の解明
光劣化を制御するには光劣化の機構を明らかにすることが必要なことは当然のことといえますが､
アモルファスという曖昧な構造にさまざまな情報が隠された結果､四半世紀たっても今だ機構は理解うかもしれないような無謀な条件下で高品質な微結晶シリコン膜が 5nm/s を越える製膜速度で堆積できることを見出してから､一気に問題は解決の方されていません｡しかし、着実な努力は続けるべきであると考えられます｡我々のグループでも､さまざまな試料を作製できるという強みを生かし､重水

向に向かっているといえます｡ 最近では粉発生す
ら、このような条件下でも抑止することができるようになっており ､（１）での成果とあわせて素化アモルファスシリコンやさまざまな水素量を有する試料を多数作製して､欠陥生成過程を評価しています｡やはり欠陥生成には膜中SiH2が関与して

PVSEC12 という太陽電池の国際会議で論文賞をいただく栄誉に恵まれました｡これもまた、プラズマにはまだまだ宝の山が埋もれているという一つのいるらしいこと､生成された欠陥はさまざまな分布を持ちたとえば光伝導を効果的に低下させるものとあまり効果が強くない欠陥があり、それぞれ熱

動かぬ証拠と考えますがいかがでしょうか？
太陽電池では 1nm/s 程度の製膜速度まで 9% 以上の変換効率が維持できることが明らかになってき回復過程にも差があることなどが明らかになってきています｡これを担当していた Pauls Stradins は
現在NREL（USA）に移っており､大学院生の清水諭ており､この面でもここ数年の進歩は著しいといえます｡これらのテーマは主として近藤が担当しています｡最近は忙しくて釣りにいけないことが悩みの君が引き続き研究しています｡

種です｡

以上ざっとですが、我々のグループの研究内容を紹介してきました｡最近の研究成果については応（３）薄膜シリコン膜堆積過程のその場観察

用物理学会誌の総合報告に近日中に詳しく解説さこのような薄膜堆積過程では製膜機構の理解を深めることが必要です｡そのために分光エリプソメ

れていますのでそちらをご覧いただければ幸いです｡太陽電池というデバイスはその必要性はわかる

トリーと赤外反射吸収分光を製膜中に同時にそのものの経済的になかなかペイしないという難しさ

場観察するという世界にも類の無い装置を作製して､膜成長過程の研究を行っています｡こういう仕があり､特に薄膜シリコンではまだ量産化に踏み切れないでいる企業も多くあります｡ここ数年の研究事は地道な面もありますが、非常に重要な知見を成果がその死命を制するという思いで取り組んで与えてくれます｡これまでにアモルファスシリコン

いきたいと考えています｡-7-≪後藤俊夫先生応用物理学会会長就任記念特集≫

応用物理学会会長に就任して―分科会への期待―
名古屋大学大学院

工学研究科

後藤俊夫

リードする学会として重要な役割を果たしていくと思います。

この度は、私の応用物理学会会長就任を記念して、プラズマエレクトロニクス分科会会報の特集

上述した目標を達成していくためには、本会がを組んでいただき、ありがとうございます。私の活動出身母体であるプラズマエレクトロニクス分科

組織としてどのような発展段階にあるかを明確にし、その認識のうえに立って今後の発展の方向を会の皆様方からこのような形でお祝いをしていた

打ち出していくことが必要です。そのような視点

だき、心から感謝しています。
日本の理工系学会を代表する学会の一つである

で見ると、本会は、組織的にも内容的にも、高度成
長期から低成長期を通り、ある種の熟成期に入っ

応用物理学会の会長に選出されて大変光栄に感ずてきたと考えられます。従って、今後は単なる事業るとともに、責任の重さを痛感しています。これから、応用物理学会の発展のために全力を尽くして規模や組織の拡大だけを目指すべきではなく、事業内容の充実や組織の強化を図っていかなくては

いきたいと思いますので、プラズマエレクトロニ

なりません。即ち、量的発展から質的発展に重点をクス分科会の会員の方々にも、是非ご支援・ご協力賜りますようお願い申し上げます。
本挨拶では、最初に応用物理学会会長としての移すべきであると考えています。
また、応用物理学会は日本の理工系分野を代表

所信を述べ、次に応用物理学会の発展を支える分科会への期待を述べさせていただきます。

する学会の一つに成長し、社会に対する貢献および責任が求められるようになってきました。本会も、今後は、社会的貢献を重要な活動として取り入れていかなくてはなりません。さらに、学会として、技術者倫理の問題に対応していくことも求め

１．応用物理学会の運営について（基本的な考え方）られています。

応用物理学会は、過去数十年間、日本の高度経済成長に伴う科学技術および産業（特に半導体産業） （取り組むべき主要な課題）
現在のような先行きが不透明な厳しい状況のなの発展とともに急速な成長を遂げ、２０世紀後半、
日本の産業および先端技術分野に対して大きな貢 かで、学会の次の発展を目指すためには、中・長期献を果たしてきました。
しかし、２１世紀を迎え、環境悪化や資源・エネ

的な将来計画を策定し、それに従って学会の運営
および事業の展開を図っていくことが必要です。

ルギーの枯渇等が深刻となり、また日本において研究分野に関して言えば、科学技術や産業界がは、経済や産業の発展が陰りを見せて、半導体分野も大きな曲がり角に来ています。本会も、このよう大きく変化するなかで、本会も主要分野である半導体に加えて、新しい分野を開拓あるいは導入しな厳しい状況のなかで、次の新しい発展の方向をていくことを真剣に考えなくてはなりません。組

見いだしていかなければなりません。また今後は、 織面では、若年者人口や産業の空洞化による会員
先端性だけでなく、環境や自然と調和した科学技 数の減少、それに伴う財政的問題への対応も考え術の開拓が望まれています。しかし、このような難 ていく必要があります。
しい状況にあるからこそ、今まで柔軟な考え方と組織運営によって発展してきた本会が社会の発展

いずれも難しい課題ではありますが、組織・経理・事業面を中心に、本会の５年〜１０年程度の中に貢献すべき分野が多くあると思います。２１世期的な像を検討し、計画を策定していきたいと考紀もまた、本会は日本および世界の科学技術をえています。

-8-

それとともに、以前から本会の最も重要な事業

発展にともなって、プラズマを用いた薄膜材料プであった、機関誌、講演会、支部・分科会の一層のロセス分野が急速に広まる様相を示していました。

発展と、近年本会の事業として取り入れられた英文論文誌出版事業（ＪＪＡＰ）および教育・公益事

我々の研究会は、このプラズマプロセスを中心的な柱として掲げ、プラズマの基礎から応用までを業（ＪＡＢＥＥ等）の確立を図りたいと思います。 包含する会として活動を開始しました。発足時のその他に、国際交流活動、男女共同参画活動、産学官連携等を推進していくつもりです。

最も大きな活動は、応用物理学講演会内のプラズ
マエレクトロニクス中分科の確立、プラズマプロ

上述したように、応用物理学会は既にいくつも

セシング研究会及び光源物性研究会の開催でした。

の大きな事業を推進しており、今後もそれに多く このプラズマプロセスを中核とする視点は、半導の人と経費を注入していかなくてはなりません。 体分野を中心とする技術の発展の方向を的確に見従って、新規事業については、本会の中期的将来像

定めたもので、その後、研究会は年と共に急速に発を策定するなかで、本会の発展に不可欠な、必然性のあるものだけを厳選して取り入れていくように展し、平成２年にはプラズマエレクトロニクス分
科会に昇格しました。その時点で、会員は４００名

したいと思います。

を越え、活動もプラズマプロセシング研究会から

応用物理学会の更なる発展を図るためには、事業面だけでなく、組織運営面の強化にも力を注い

光源物性研究会、反応性プラズマ国際会議、講習会等にまで広がって、応用物理学会内でも最も活発でいかなくてはなりません。そのため、次期会員

な分科会の一つとなりました。また、その成果を基サービスシステムの導入、事務局体制の確立・強化、運営体制の強化等を図っていきたいと考えてにして重点領域研究費の確保にも成功しました。
それらの活動を通して本分科会は発展を続け、現います。

在に至っています。

２．分科会への期待

応用物理学会内でプラズマプロセス分野が大発展するなかで、その基礎を支えるプラズマエレク

応用物理学会には、現在、１０分科会と１０研究

トロニクス分科会が果たしてきた役割、貢献は極会が設置され、それぞれの分野で活発な活動を行っています。

めて大きいと思います。もし、本分科会の活動がな
ければ、プラズマプロセスの基礎分野を他学会に分科会・研究会は、本会として必要な分野の研究

頼らざるを得ないことになり、学会として十分な者を組織化し、講演会のシンポジウムの企画、国際会議の開催、国内研究会や講習会の開催等の活動活動をすることは難しかったのではないかと考えています。

を展開してきました。これらの活動は、本会内の関このような本分科会の現在までの発展は、大変係する研究分野の活性化や会員の増加につながり、 喜ばしいことですが、皆さんも感じておられるよ学会全体の発展に極めて大きく貢献してきました。 うに、今後のことを考えると決して楽観は許され
また、研究費の確保にもこの分科会グループが大ません。応用物理学分野におけるプラズマの必要きな役割を果たす場合が多くあると思います。このように、分科会・研究会は、応用物理学会にとっ性は変わりませんが、プラズマプロセス分野の大きな発展が難しくなりつつある現在、本分科会とて極めて重要な組織であり、学会を取り巻く状況

して新たなプラズマ応用分野を取り入れていくこが厳しいなかで、分科会・研究会への期待は一層高
まっています。

とも真剣に検討すべき時に来ています。
今後は次の本分科会を担う若い研究者が是非新

ここで、話を私の出身母体であるプラズマエレ

しい方向を打ち出し、プラズマエレクトロニクス

クトロニクス分科会に絞って、今までの動きと今後の方向について述べさせていただきます。

分科会を今まで以上に発展させていってくださる
ように祈念しています。

本分科会は、関係する研究者の方々の協力を得て、昭和６０年にプラズマエレクトロニクス研究会として発足しました。当時、ＬＳＩや機能材料の-9-後藤俊夫教授の応用物理学会会長就任を祝って後藤研との共同研究の思い出
総合研究大学院大学
1980 年代の半ばを過ぎた頃であったと記憶している。応用物理学会プラズマプロセス研究会（？）が慶応大学の日吉キャンパスで開かれた。今にして思えば、恐らく真壁先生が会場をお世話されたのであろう。この研究会に、化学の分野から２〜３の人が招聘された。私は、われわれが分子科学研究所で行ってきたフリーラ
ジカルの高分解能分光について概略を紹介した。帰属できたばかりのシリルラジカルの赤外スペクトルを含めることができたのは幸運であった。この仕事は、山田千樫君（現：電気通信大学）が大変苦労してやっと成功したものである。当時、シリルラジカルについてはきわめ

廣田榮治

れ、プラズマ診断の活動は名古屋大学で続けられた。
以上の学術交流がきっかけとなって、後藤さんにプラズマプロセスの分野に紹介していただ
いた。板谷班の一員に加えていただいたばかり
でなく、応用物理学会、プラズマエレクトロニ
クス分科会の会員になり、また日本学術振興会
プラズマ材料科学第 153 委員会のメンバーに加えていただいた。応用の世界との接点に乏しかった私には貴重な体験である。板谷班に続く重点研究の計画をたてるよう働きかけてくださったのも後藤さんである。これは直ぐには実現しなかったが、後藤さんを始め多くの方々のて限られた情報しかなく、ab initio 計算も、 後押しがあって「フリーラジカルの科学」とい後から見ると、我々を迷わす以外のなにもので う班を主催することができた。平成 5 年度からもなかった。途中で何度か挫折しそうになった 8 年度のことである。分子科学からプラズマプ
が、このスペクトルの意味を慮り、山田君に頑張りとおしてもらった。しかしその甲斐があった。上記研究会に出席しておられた後藤さんの目に止まったのである。早速、赤外半導体レーザー分光法をシラン放電プラズマ診断へ応用す
る試みについて提案があった。もちろん私どもに異論のあるはずはない。幸い名古屋大学と分子科学研究所の間はそれほど遠い距離ではない。板橋君など元気の良い、意欲に充ちた大学
院学生諸君が分子研に日参してくれ、共同研究が活発に開始された。幸運は続く。同じ頃、板ロセスの広い分野の掛け橋として、いくぶんでもお役に立てたかと思っている。後藤さんは次第に ボス としての能力を発揮されるようになり、学会活動では、いくつかの国際会議を主催された。これには私も参加させていただき、1〜 2 度特別講演もさせてもらった。Wisconsin
大学の Chun C. Lin が、プラズマの学会に顔を出してきた Hirota は昔マイクロ波分光をやっていた Hirota と同一人物かと聞いてきたのはこの頃である。後藤さんは学内でも学部長、研究科長、評議員等の要職に就かれ、管理谷教授を代表とする重点研究がスタートした。 面でも活動の範囲を広げられた。私は後藤さん
後藤研との共同研究は、私の予想をはるかに越 とは違って管理的な能力のないものであるが、えて巧く進行した。重点研究板谷班の主な成果 図らずも総研大の責任者を務めることになり、の一つとなったし、各方面から高い評価をいた
だいた。偏に、後藤さん、後藤研の学生諸君、それに山田千樫君の努力、そして研鑚の賜物である。この共同研究は、私が分子科学研究所を去る平成２年前後まで続いた。その間、赤外半導

残念ながら後藤さんと一緒に研究活動する機会が少なくなっていった。今回、応用物理学会の会長に就任され、再び学会でお会いできるチャンスが増えることと期待している。後藤さんのますますのご活躍、ご発展を祈っている。

体レーザー分光装置が新たに後藤研に設置さ-10-

「プラズマエレクトロニクス研究会」の生い立ち
東洋大学

岡 本 幸 雄「プラズマエレクトロニクス」という名称がで、ついで放電物理の基礎(前者の 1/2)、核融

この世に登場して早 18 年になります。したがって、創設当時の記憶は薄れてきましたが、幸い合の基礎とイオン源関係(またその 1/2)で、今日のプラズマプロセシングに関するものは 1 〜

昨年の暮れに、小大学工学部の研究棟などが新築されそこに移った際に、当時の会議資料やメ2 件に過ぎませんでした。
このため、上記調査専門委員会委員の後藤さモなどが見付かり、さらに執筆の依頼もありましたので、これらをベースに、創設に深く携んが世話人となって、委員会のバックアップを得ながら、分科会を発展させるための検討会がわった一人として、本研究会の生い立ちを辿って見たいと思います。

1984 年 4 月 21 日に、当時の分科会の世話人であった堤井信力教授の武蔵工大で開かれました

本研究会の分野の研究開発状況は、本研究会が発足する４年前に(1980 年)すでに、電気学会(出席者: 堤井(武蔵工大)、後藤(名大)、橘(京都工繊大)、加藤(早稲田大)、桜井(山梨大)、飯に土手敏彦先生(理化学研究所のちに埼玉大学)
を委員長として設置した調査専門委員会(幹事:

島(訓練大)、小野(武蔵工大)、岡本(日立))。そして、分科会のこれまでの 15 年間の講演発表件

岡本幸雄(日立中研)、寺島喜昭(東芝)、真壁利明(慶応大)、副幹事:大内幹夫(東京電機大)、委数とその内容や分科会の歴代の世話人などが報告された後、今後の進め方について話し合いま員:後藤俊夫(名大)、籏野嘉彦(東工大)、小林春洋(日電アネルバ)、福田国弥(京大)、西辻昭した。その結果、①分科会の名称を変更すること(:例えば:プラズマ物性とその応用)、② In‑(北大)、菅野卓雄(東大)、広瀬全孝(広大)、阿部東彦(三菱)、橘邦英(京都工繊大)、松尾誠太

formal Meeting「プラズマ物性とその応用」談話会を設け、春秋の学会時に今後の方向・計画

郎(NTT)、鈴木泰雄(日新電機)、荒井俊彦(明治大)、松田彰久(電総研)、加藤勇(早稲田大)、田などについて話し合うこと、③ 1985 年(S60 年)の春の学会で「プラズマ物性とその応用」に関

頭博昭(北大)ほか)において、「弱電離プラズマ
物性と応用機器」(期間:2 年間)、1982 年から 3するシンポジウムを開催すること、④当面の世話人を堤井、後藤の両氏とすることなどが決ま年間は「プラズマプロセシングにおけるプラズ
マ物性」、1985 年から 3 年間は「RF 励起およびり、次回に具体化することとなりました。
第２回の会議は同年の７月 10 日にあり、①分

混合気体中非平衡プラズマの物性」をメインテーマとして活発に議論しながら( 報告会: 6

科名は小生の提案した「プラズマエレクトロニ
クス」とすること(その他の案として、真壁さん

回 / 年) まとめられ( 電気学会技術報告書 ( I I部)第 152 号、215 号、291 号)、さらに研究会の気体エレクトロニクスや加藤さんのプラズマ
電子工学など) 、②上記シンポジウムの原案となども盛大に開催されていました。
ところが、本研究会の前身である「放電・プ

して、「プラズマ物性とその応用」をテーマに、Introductory Talk: 土手、プラズマ基礎過程:

ラズマ・核融合」分科会の 18 年前における 7 年間の春秋の講演会の発表件数は、平均でおのお籏野、プラズマ合成・重合:橘または加藤、エッ
チング:阿部、気体レーザ用プラズマ:後藤、照の 11.3 と 10.9 で、割り当てられた半日の時間 明および励起用光源プラズマ: 河本( 東芝) 、ま帯を充足するのに事欠く状況でした。しかも、 とめ: 板谷( 京大) とすること、③談話会の委員
講演の内容は主に気体レーザの基礎関係が中心 を、会長:土手、幹事: 堤井、後藤、委員: 籏-11-

野、真壁、荒井、飯島、大内、鈴木、横沢(NHK)、 プラズマ物性(堤井)、薄膜材料形成用プラズマ岡本)とすること、④ Informal Meeting の開催を学会本部に申請すること、⑤名簿を作成するの物性(橘)、VLSI プロセスにおけるプラズマ物
性(阿部)、光源用プラズマの物性(河本)、応用

ことなどが決まりました。
そして、1984 年 10 月 14 日、岡山大学教養部の立場からの要請(広瀬)、プラズマエレクトロニクスの課題と展望(後藤)、座長:加藤(前半)で開催された応用物理学会において、約 25 名の参加者を得て、Informal Meeting「プラズマと岡本(後半)として開催することなどが報告され、「プラズマエレクトロニクス研究会」はいよエレクトロニクス談話会」が開催され、① 1985
年 1 月 1 日付けでプラズマエレクトロニクス談

いよスタートすることとなりました。
その後は、半導体産業の隆盛とともにプラズ

話会を応用物理学会の正規の「プラズマエレク
トロニクス研究会」として発足させること、②

マプロセシングの重要性は益々増大し、発表件
数もプラズマプロセシングにおけるプラズマ物

講演会の分科名を 1985 年の秋季講演会から「放電・プラズマ・核融合」から「プラズマエレク

性関係を中心に 100 件を超えるまでに順調に大きく成長し、今や応用物理学会の中の一大勢力

トロニクス」に改称すること、③研究会の役員 分野となっていることはご存知の通りです。
今後も発展・維持して行くためには、学問とは、代表幹事:堤井、幹事:後藤、委員:橘、加藤、
松田、大内、荒井とし、任期は原則として２年で１年ごとに半数を改選すること、④分科会のしての精密化と体系化とともに、より一層の内容の充実と( 最近は内容の低下が目に付きま

世話人候補は、今後「プラズマエレクトロニク
ス研究会」で選び、任期は２期(４年)以内とす

す)、新しい idea と応用が求められ、世の中に役立つことが不可欠でしょう。

最後に、「プラズマエレクトロニクス研究会」
ること、⑤ 1985 年春季講演会シンポジウムは、「プラズマ物性とその応用−プラズマエレクト 創設に深く携わった一人として、益々の発展を
ロニクスの発展をめざして−」をテーマに、In‑
troductory Talk(土手)、弱電離プラズマ中の祈念致しております。
なお、各人の所属は当時のものを、また、敬原子分子過程(籏野)、気体レーザのための放電

称は省略させていただきました。

-12-

後藤俊夫先生応用物理学会会長就任祝賀会での挨拶
産業技術総合研究所

松田彰久

理学会の会長に就任され、応用物理学の会期中

生は色々な分野に顔をつっこみ一つのことを極めようとしないと言うようなことをおっしゃっの３月２８日にプラズマエレクトロニクス分科会の主催で祝賀会が執り行われた。多忙のためた。確かに研究コーディネータのような役割がお好きな面はある。その一方、私にとっては「こ名古屋大学の後藤俊夫先生が、この度応用物

当の後藤先生到着の大幅な遅れが予想されてい の先生は実に凝り性だな」と感じる一面も見せたため、幹事の気遣いによる先行乾杯のあと、 て頂いたことがあるので、その話をさせていた
まだ到着されないため立食パーティも開始され だいた。
「先生はカラオケなんかでも、この人の唄がようとしたその時、後藤先生到着となり、会長就任の挨拶に続き、板谷先生の二度目の乾杯のあと、立食形式での懇親会となった。宴もたけ

良いとなったらとことん極める所があり、例えば細川たかしの唄となったら、だれも知らないなわとなった頃、突然（本当に突然）幹事の一 唄まで練習して自分の持ち唄にしてしまうほど・・・・・、人である名古屋大学の堀先生から「何か喋れ」 の凝り性の一面も見受けられます」と、「とにかく、応用物理学会会長というのは結構と指名された。
廣田先生、岡本先生、そして私。この中で岡 色々なことができる立場なので、是非新しい試
本先生は「この機会に喋りたい」という御本人からのリクエストだったそうで、長々と電気学会のプラズマ調査専門委員会での話しとか、プ
ラズマエレクトロニクス分科会設立のいきさつ
であるとか、を話された。私は、何を喋ろうかと思っていたが、岡本先生のスピーチを聴いていると、何となく「これは後藤先生の退官記念パーティみたいだな」と思ったので、私の話のイントロはこの話題にした。
さらに、後藤先生の挨拶中にも「えっ」と思ったことがあったので、これを私の話の主題とした。後藤先生の挨拶の中に、具体的にどのようみをやっていただきたい」と言うのが私のスピーチだったと記憶している。・・・・・の部
分は、その時「これはお祝の席だから言わないでおこう」と思い、省略した部分である。この部分については想像していただきたいが、「みんなの知らない唄を自分だけ気持ち良さそうに歌うのって結構聴いている方にとっては苦痛なんですよね」なんて言うのは正解ではない。私は、後藤先生が非常に周囲に気を遣い、どうしたら皆さんを楽しませることができるかを常に考えておられることも、知っているからである。

な言い回しをされたかは定かでないが、後藤先-13-≪海外の研究事情≫（その 11）

ケンブリッジ大学留学記
The Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge(Madingley Road, Cambridge CB3 0HE, UK)
東京工業大学応用セラミックス研究所

神谷利夫

科学技術振興事業団戦略基礎研究(CREST)プロ

事・研究室の後片付けをきちんと(? 異論のある方ジェクトのため、2000 年 4 月 1 日から 2002 年 2 月もいると思いますが)すませて、旅発つことができました。出発の前日に応用物理学会の座長をし、そ

25 日まで、英国ケンブリッジ大学キャベンディッ
シュ研究所マイクロエレクトロニクス研究セン
ター(MRC)において、「ナノ結晶シリコン単電子デバイス」に関する研究を行う機会に恵まれました。本稿では、留学を考えている方に興味がありそうなエピソードを交え、英国における教育、研究状況について紹介させていただきたいと思います。本文に入る前に、留学に関してご理解頂き、お世話にの夜、徹夜で壮行会をしてもらったのも、今から思えば、楽しい思い出です。おかげで英国についてから時差ぼけに悩まされずにすみました。
2. 英 国 入 国
そんなこんなで、予定通りに4/1に英国へ発ちました。VISA を取る代わりに、留学と英国での滞在なった方々に、感謝申し上げたいと思います。

費を証明・保証するため、滞在先のボスである
Ahmed教授からの招聘状、東工大の在職証明書と銀

1. 留学の経緯
最近の日本の大学では、特に助手の人数が少な

行の預金残高証明書を持っていきました。VISA な

くなっていることもあり、留学する機会が得られない若い研究者も多くいます。かくいう私も、いろしの入国審査が厳しいということは聞いていたのですが、実際に、入管で質問攻めにあいました。滞在期間や目的を聞かれるのは当たり前としても、いろな先生に、「神谷のように視野の狭いやつは、 何の協同研究をするのか、はたまた、なぜ日本と協早いところ海外に行ってこい」と言われ続けなが 同研究をしなければならないのか、といったことら、助手になってから 10 年近くの歳月を費やして まで聞かれる始末です。もっとも、正確に答えてしまいました。そんな中、2000 年 3 月に、当時のボスである清水勇教授が退官し、研究室がなくなりました。周囲に理解してくださる先生方が多くいらっしゃったことが幸いして、留学できることになりました。
このような事情もあり、また、生来の無計画さも手伝って、あわただしい留学となりました。1 月末に留学をすることに決めたのですが、それから、清水研最後の学生の論文発表、プロジェクトの報告、研究室の片づけと一緒に、留学の準備を始めました。ただ、留学準備で時間がかかるのは在留許可をとることですが、英国内で給料をもらわず、学術目的であれば、VISA をとらなくても 1 年間の滞在が認められます。また、留学先の Ahmed 教授とは、以前から仕事上の付き合いがあり、大学関係の書類の準備も順調に進みました。おかげで、日本での仕も、入管職員が細かいことを理解できるはずはな
いので、こういうときは、堂々とした態度できっぱりと答えるのが一番ですね。矢継ぎ早に質問されたので、短い時間のようにも感じましたが、おそら
く 15 分程度はやりとりをしていたのではないかと思います。それでも無事に一年間の滞在許可のス
タンプをパスポートに押してもらうことができました。
1 年が過ぎて、結局、もう 1 年滞在を延長することになりました。このときも、延長を決めたのが 2月の中旬で、VISA取得は絶対に間に合いません。ただ、東工大の手続きのために、3 月には一旦帰国していましたし、英国滞在規則にも、同じ手を続けて使ってはいけないとは書いてありませんでしたので、また VISA無しで入国することにしました。2度目の入国審査では、前年の滞在許可スタンプが見-14-

つからないようにと祈っていたのですが、案ずるは基本的にいずれかのコレッジに所属します。たより・・・でした。この時の審査官がこの制度を知だし、現在では、特に大学院生や研究員では、私もらず、他の係員に聞いたりしていて、結局、たいした質問もなく通ってしまいました。

含めてコレッジに所属していない人もかなりいます。個々のコレッジは独立採算で、私企業的な側面の方が強いと思います。設立の形態も多様で、国王

3. ケンブリッジ市、大学、コレッジ
ケンブリッジ市は、ロンドンのKings Cross駅かや貴族によって創立されたコレッジもあれば、市民が中心になって創立したコレッジもあります。

ら北へ、電車で約 1 時間のところにあります。英国

施設、寮費や雰囲気も大きく異なるそうです。学生で一番古い大学はオックスフォードで、1167 年に創立されたといわれています。ところが、1209 年

は入学時にコレッジを選んで、試験を受けて入寮資格を得ます。Trinity や King’s College などは予算に市民暴動が起こり、学生が避難してきたことかも豊富で、人気があるそうですが、一方で、古いコら、大学町としてのケンブリッジの歴史が始まりました。このような経緯で、1226 年に最初の学長

レッジほど伝統を重んじたり、食事も伝統的なBritish (つまり、まずい)であったりするそうで、が選出され、1233 年が創立の年とされています。 新しいコレッジを好む学生も多いようです。
1318 年にやっと、ローマ教皇から総合大学としてコレッジでは、学生は、フェローと呼ばれる教職正式に認められることになりますが、実質的には、 員と生活をともにし、大学から帰ったあとも、su‑
それ以前からヨーロッパから総合大学として認め

pervision と呼ばれる、1 対 1 の授業が行われます。

られていたようです。
大学といっても、
ケンブリッジ市内にまとまった

コレッジ内にはチャペルやパブ、ダイニングホー
ルもあり、生活に必要な機能が一通り用意されて区域があるわけではありません。オックスフォー

います。ちなみに、一年間に必要な費用は、大学にド大学(ケンブリッジとあわせてオックスブリッジと呼ばれる)と同様、各学部の建物や、コレッジと支払う学費が約￡10,000、寮費が￡6,000程度だそうです。5/24 現在、￡1¥180 ですから、約 290呼ばれる学生の寄宿舎が市内に分散しており、全万円になります。寮費と朝食、ディナーなどが含まてを総称してケンブリッジ大学と呼ばれています。 れていることを考えれば、実際にはそれほど高く
キャベンディッシュ研究所は、1871 年に、当時学 もないのかもしれませんし、米国の私大と比べれ長であった Devonshire 公の出資により、Maxwell,

ば、随分安く感じられるかもしれません。また、奨

Rutherford, Thomsonといった著名な科学者が教授として指揮をとって設立されました。もともとは学金制度も潤沢で、特に英連邦関係では、かなりの学生が援助を受けています。

ケンブリッジ市街中心にありました（O l d

また、
お客が来た時に泊められるゲストルームもCavendish）が、1974年に現在の West Cambridge に移ってきました。

用意されています。ちなみに、Ahmed 教授がマスターを勤める Corpus Christi のゲストルームは

ケンブリッジ大学のコレッジは、1 2 8 4 年の 「伝統的」な部屋だそうですが、新しいコレッジでPeterhouse College の創立に始まり、現在、31 校を数えます。その中には、70年かけて建設され、聖ある Fitzwilliam では、結構きれいにまとめられた、雰囲気のいい部屋でした。ゲストハウスに泊ま歌隊で世界的に有名な大聖堂を持つKing’s College、 るのには、所属するフェローか学生に予約を取っ
Sir Isac Newton など著名な科学者を輩出した Trin‑
ity Collegeなど、聞いたことのある名前も並んでてもらう必要がありますが、コレッジによっては、長期休みに学生が強制的に追い出され、一般の旅

います。MRC で一緒に仕事をした、Dr. Y.‑T. Tan

行者も一泊￡12‑￡25で泊まることができます。私が所属していたFitzwilliamは、もっとも新しいコ は日本から知人が来た時に、ロンドン大学のコレッジの一つですが、それでも1966年設立であり、 レッジを取りましたが、これは非常に古い建物で、前身は 1869 年に創られています。

一生に一度だけの貴重な経験にすることにしまし大学とコレッジの関係は非常に理解しにくく、
お互いに独立した組織ですが、大学に所属する学生

た。

-15-

4. 伝統と形式の街
英国らしいシステムだと思いますが、ケンブリッ

ステムについて紹介させていただこうと思います。

ジ大学の長(Chancellor)は、HRH Prince Philip(フィリップ皇太子殿下)です。Chancellor は特別ンターですが、同じ建物の中に日立ケンブリッジ
研究所(HCL)があり、お互いに非常に緊密な共同研

MRC は、1989 年に設立された、比較的新しい研究セ

な行事に出席するだけですので、実質的な長は、 究体制を作っています。英国では研究所などを創Vice‑ChancellorであるSir Alec Broer 教授です。 る際、政府が半額出費して、残りは責任者が工面す
ケンブリッジ大学の卒業式（Congregation）は古式 るというシステムがあるそうです。そのため、ゆかしい伝統にのっとって行われ、最初の注意以Ahmed 教授が MRC を設立する時に、海外に研究拠点

外は、ラテン語で進められていきます。卒業生一人
一人の手を取り、卒業の辞(ラテン語。当然、内容を探していた日立製作所とパートナーを組んだとのことです。

はわからない)を与えるのも、ものものしいガウン

このような体制を作ることによって、MRCにとっと帽子と杖をまとった Vice‑Chancellor の役目です。かつては、学生は講義などではガウンを着なけては研究資金だけではなく、企業からニーズに関する情報も入ってきます。また、奨学金によって学ればいけなかったそうですが、現在では、ガウン姿

生も援助を受けています。HCL からみれば、MRC かを見ることができるのはフォーマルディナーや卒業式などの特別な行事だけになりました。

らの学術的なサポートが得られるだけでなく、装置や人的なリソースを共用できるメリットがあり

フォーマルディナーでは、
フェローと特別な招待ます。

客だけが座る、学生よりも一段高いところにあつらえられた High‑Table が用意されているのが一般

また、今日のエレクトロニクスでは、基礎研究から応用への移転が早く、それらの境界があいまい的です。フォーマルディナーに参加するには、所属になってきています。このような状況で、大学、企学生の招待が必要ですが、各学生が招待できるのは 2 人に限られています。私は、T a n 君に業双方で技術、情報やシーズを共有できることは、研究方針を決定する際の大きなメリットになるで

Fitzwilliam Collegeのクリスマスディナーに招待しょう。

されましたが、最初のディナーで High‑Table に座
このようなシステムは現在でも、日本国内ではるという栄誉にあずかることができました。また、 作りにくいと思いますが、かといって、英国の大学
彼のCongregationにも参加することもできました。 が革新的なわけではなさそうです。実際、MRC/HCL
このような、ケンブリッジらしい経験は、めったにできないと思いますが、数多い留学の出来事の中設立の際も、一部からは非難があったそうです。ただ、このような変則的なことを実現できるだけのでも、最も興味深いものでした。

柔軟さを持っているということは大事なことだと形式主義といえば、英国の教授の地位は非常に高 思います。
く、会うのも一苦労です。指導学生が会うのにも、秘書に予約を取ってもらう必要があります。さら 6 . 英 国 っ て ・ ・ ・に、いまだに、正式な文書は手紙で出す習慣があります。最近のナノテクブームのおかげで、私の留学

日本がバブル景気に沸いていた頃までは、英国が「英国病」から立ち直ることはできないとまで言中にも、日本から大臣などが訪問してきましたが、 われたこともあります。実際、現在も製造業らしい
Vice‑Chancellor 程の大物を連れ出そうとすれば、 英国企業は復活していません。英国では、いまだにAhmed教授ですら、手紙で予約を取らないといけな 蛍光灯が普及しておらず、大部分は bulb とよばれいそうです。余談ですが、このように英国では手紙る白熱電球です。これも品質が悪く、物によってはが社交上、重要な役割を持っており、そのために優秀な郵便システムができたとのことです。

2週間くらいで切れることもありますし、電球が切れるときにはブレーカーまで落としてくれます。
Bulb をはずそうとしたらガラス球が割れた、なん

5 . Embedded Laboratory: MRC と HCL
本節では、Embedded Laboratoryという独特のシ

てことも珍しくありません。他の英国産品についても推して知るべし、ですが、マンガン電池 2 本で-16-

￡3 以上するなど、消耗材もかなり高価です。そのクトで働いており、彼がデバイス作製や測定につため、日本から来る留学生には、荷物の隙間にボー

いて、丁寧に教えてくれました。彼は 2001 年 10 月

ルペン、歯ブラシ、ポケットティッシュやカッター
ナイフ(いまだに英国で探すのは大変です)を詰めに PhD を取り卒業しましたが、材料面の評価、解釈などで、私が助けになれたこともありましたし、私てくるようにとアドバイスしていました。

自身、英国でPhDシステムに関与することができた

しかしながら、ロンドン シティの活況に見られるように、金融による産業創出に成功しました。まことは、貴重な経験になりました。

た、
ケンブリッジやオックスフォードはIncubation
Center 地区としても機能しており、大学発技術の移転や、大学教官のスピンアウトによる新産業創8 . P h D 学生事情
イギリスの大学院制度については、前号で神野先生が報告していますので、繰り返しませんが、最生が積極的に支援されています。日本でも、TLO の短では、日本の修士と同程度の年齢でPhDを取得す設立など、大学の技術移転に力を入れるようになりましたが、まだ始まったばかりで、かなり遅れをることができます。そのため、「英国でさっさとPhDを取り、仕事に厳しく給料のいいアメリカでPost‑

とっています。

Doc として鍛え、日本で permanent のポジションを

7. 材料屋がデバイス研究を選んだわけ
私はもともと、無機強誘電性材料の研究をして見つけるのが理想的」と言う人もいます。
もっとも、PhD取得の必要条件は指導教官が決めるようで、大学や研究室によってずいぶん違うよ

いましたが、1996 年に清水勇先生の記研究室に移り、シリコン薄膜の研究をはじめました。特に、シうです。MRC では、一流学術誌に論文を 2‑3 本載せることが最低ラインになっており、3 年で PhD を取

リコン薄膜の構造を制御することを主眼においてる学生はほとんどなく、だいたい4年かかっていま

薄膜作製技術を開発してきました。1999年からは、 す。ところが、大学・学科によっては、論文がなく東工大の小田俊理教授によって、シリコン材料の ても卒業できることもあるようです。そうではな
ナノ構造を制御し、デバイス開発をするCRESTプロ

い場合でも、Post‑Doc や(客員)研究員とチームをジェクトが始まりました。そこで、東工大グループ
がナノ構造をもつシリコン材料を供給し、MRC/HCL

組むこともあり、自力で研究成果を出さずにPhDを取る学生もいるようです。この辺、英国人には米国がデバイス作製と評価を行う、相補的な国際共同

人よりも、むしろ日本人に近い気質があり、wet な

研究体制を作りました。
ところが、前述のような状況で、私自身が留学す

考え方をするようです。大学人事も情実や縁故で決まることも多いようで、この面でも日本的かもることになりました。この際、MRC 以外にも候補はしれません。

あったのですが、ただ単に新しいことをはじめてみたいという希望もあり、また、私達独自の方法でPhD を取るのに 3 年以上かかるのは、留学生が多いことも一因ではないかと思います。アメリカで作った材料を自分自身でデバイスまで作って評価も同様だそうですが、MRC でも、母国人の PhD 学生

できる機会はめったにないという理由で、MRCに留学することに決めました。

がほとんどいません。英国で学生に一番人気がある進路は、オックスブリッジを出て、シティで金融

私が留学した時には、材料の専門家は私一人で業に就職することだそうで、この辺はバブル期のした。清水教授の下で太陽電池の研究はしていたので、伝統的な半導体デバイスの知識はありまし日本人学生の意識と変わりません。そんなわけで、PhD 学生の大半はインド、パキスタン、中国など、たが、単電子デバイスについては、何も知りません

旧大英帝国に関係した国からの学生です。
(旧)英連でした。その上、周りの人と専門が違いますので、 邦国民のための奨学金制度もあり、彼らが留学し最初は英語と専門用語の両方の問題で苦労しまし やすい状況も背景にあるようです。
た。一方で、CREST プロジェクトが材料研究に重点

PhD 審査では、指導教官が OK をだしたら、まず、をおいていたため、材料屋が貢献する機会も多くできました。前述の Y.‑T.Tan 君が CREST プロジェ

論文を提出します。日本とは違い、論文の最大単語数が決まっており、最初に、内容がオリジナルであ-17-

り、他の人がやった仕事はその都度明記してあるいるわけではなく、学科ごとに 1‑5* のランクとしこと、そして、論文が指定された単語数に収まってて発表されます(http://www.rae.ac.uk/)。RAE のいることを宣誓するページがあります。審査員は2人しかおらず、大学内から一人、外部から一人と決目的には、「評価にしたがって、選択的に予算配分をするため」と明記されています。実際、RAE の結

められており、VIVAと呼ばれる口頭試問を行って、 果によって、予算、ポスト配分が大きく変わり、い学位授与の可否を決定します。前述のTan君の場合
は、CRESTプロジェクトの仕事をしていたこともあい評価を得た大学ではパーティを開く一方、悪い評価が出れば、教官のくびが飛んだり、学部がなくり、日本から小田教授を外部審査員として呼んでなったりすることもめずらしくないようです。上きました。VIVA では、論文の内容についての質問とそれに対する defense を見るのはもちろんです

記 URL には、前回(1996 年)と比較して、高い評価を得た学科、教官の割合が増えていることが示さが、基本的な知識も重要視するらしく、Maxwell 方

れており、RAEのポジティブな面が強調されていま

程式について説明してくださいという質問もあるそうです。時間も特に定まってなく、30 分から数す。
ご存知かと思いますが、ケンブリッジ大学は、

時間の開きがあるようで、審査員の裁量が大きい

オックスフォード大学とならぶ、英国随一の大学ようです。

です。Nobel 賞受賞者も歴代 75 人を数えるまでになりました。昨年の RAE では、51 学科中、48 学科

9 . RAE (Research Assessment Exercise)
昨年、RAE がありました。これは、英国内全大学について4‑5年毎に行われる外部評価で、教官の最が 5、30 学科が最高の 5* をとりました。1996 年に

近の教育・研究に関する業績に基づいて、部局ごとブリッジではRAEのおめでとうパーティを開かないは、44 学科が 5、27 学科が 5* でしたので、さらに評価が上がっています。MRC のポスドクに、「ケンにランク付けするものです。全ての教官・業績が対 のか」と聞きましたが、あっさりと「あたりまえの象になるわけではなく、たとえば論文については、 ことだからパーティなんてやらないよ」と返され
一人 5 本程度の代表的な論文だけを申告するそうてしまいました。小憎たらしい答えですが、それだです。つまり、論文をたくさん出すことよりも、毎年一本程度でも、評価の高い論文を出版する方がけ自信と誇りを持っているのでしょう。でも、実際にケンブリッジ大学で働いてみると、なぜ評価が評価されるシステムになっています。また、優れた

これだけ高いのか、不思議に思うこともあるので業績をあげた教官だけを選択して評価対象にすることができますが、何パーセントの教官が評価対すけど。

象とされたかも、結果として公表されます。
また、教育に対する評価の比重も高くなっています。3 節にも書きましたが、supervision をはじめ

1 0 . おわりに:英国式研究のすすめ
おわりに:
MRC/HCL では、超微細加工、極低温・高磁場環境での評価は、すべて自前で行う設備を持っていまとして、ケンブリッジ大学のシステムでは、教官とす。これはかなり良い環境の例で、他の研究室を見学生が 1 対 1、あるいはそれに近い少人数で教育する機会が多く、教育を非常に大事にしています。一

てみると、日本の、例えば東工大の方が設備的に恵まれていると思います。

方で、このようなシステムは、教官の負担も大き

ところが、MRC でも、自前でできないことをしよ

く、特にコレッジのフェローになると、大学の就業時間が終わったあとも、フォーマルディナーに出うとすると、かなり大変です。前述のように、英国人には日本人に似た気質が多く見受けられ、大学たり、supervisionなどの学生への教育義務があっ内の組織が縦割りになっています。そのため、学内たりして、研究に費やす時間がほとんどなくなってしまいます。日本の大学学部でも似た状況はあで共同研究者を探すよりも、EU 内で試料作製や評価をしてくれる組織を探すこともあります。EU でりますが、それよりも厳しいのではないでしょう

組織するプロジェクト研究では、‘‘EU 域内 ” にあるか。
評価結果は、順位付けをすることを目的として設備を積極的に共同利用することが前提であるら
しく、国家間の仕切りを気にしないという事情も-18-

あるようです。このようにして外部に委託した結果が出るまでに数ヶ月から1年以上かかります。自前で装置を組み立てるときも、2‑3年かけてじっく
りと作り上げていきます。こんなことで、特に期限が限られている客員研究員にはフラストレーショ
ンがたまります。
このようなことを書くと、ケンブリッジ大学に対して持っていたイメージとずいぶん違うと思われた読者の方もいるかと思います。しかしながら、英国が科学分野で先導的な役割を果たしてこられたのは、このような ” 悪い研究環境 ” と無関係ではないと思います。日本にいると、多くの装置を自由に使える反面、実験・解析をルーチンで繰り返すことに追われ、じっくりと考える余裕をなくしがちです。
私の場合、英国にいるにもかかわらず、日本式のやりかたで実験をしていました。ところが、2ヶ月ほど電子線描画装置が使えなくなり、強制的に実験ができなくなりました。仕方がないので、単電子

ケンブリッジ周辺の名所。中央写真は、Granchesterという村にある tea garden ‘‘The Orchard’’。Bertrand
Russell, Stephen Hawking, Alan Turing など著名人が好んでお茶を飲んだ場所。右上は、J. Watson らがDNAの二重螺旋構造を思いついたといわれる、The
Eagle Pub。Old Cavendish から出たすぐの通りにあり、昔は、Cavendishの学者が集まってAleを飲みながら議論をしていたそうです。左下は T r i n i t yCollege。右に写っているのは、Newton の林檎の木の末裔といわれています。

デバイスのシミュレーションプログラムを作り始めましたが、おかげで、自分の理解がいかにいいかげんであったか、思い知らされました。さらに、この「強制的暇期間」のおかげで、次の研究テーマを考える余裕がもてました。
日本に戻ってきてから、再び、研究分野をシリコンから無機材料に変えましたが、この時期の仕事や考えていたことが役に立っていると思うことが、しばしばあります。いろいろな意味で、良い経験になった 2 年間でした。
卒業式 ‘‘Congreation”。ガウンやマフラーによって、学位、コレッジ、学歴がわかるそうです。左下はDr.
Y.-T. Tan と、Mphil( 修士 ) 卒業の Miss. Cecil。

図 1 MRC のメンバー。前列中央が Ahmed 教授。後
列左端が著者。

-19-≪国際会議報告≫

4th International workshop on fluorocarbon plasmas 報告(株)東芝

研究開発センター LSI 基盤技術ラボラトリー
栗原 一彰

掲記国際会議が 2 0 0 2 年３月１８日から２１日までフランスのグルノーブルから車で３０分ほど離れた Col de Porte 村にあるスキー場のロッジで開催された。本会議はフランス Ecole
Polytechnique の Booth 氏が主催して２年に１ウンヒルスキーなどは楽しめず、雪山トレッキ
ングやアルペンスキーを楽しむ事となった。
発表件数はヨーロッパから１１件、アメリカ
から９件、日本から４件であった。スケジュー
ル順に主な発表内容に関して報告する。Hudson
氏（Lam Research）からの報告では酸化膜エッ度開催され、今回が４回目となる。参加者は３７名でヨーロッパからの参加者が最も多いが、 チング条件の総合的な検討に関する報告があっアメリカや日本からの参加もあった。会議名が たが内容的には５ , ６年ほど昔にタイムスリッ
示すようにフロロカーボン関連の研究に関して
少人数で集中的な議論をする形式をとっているために通常の学会とは一味違う会議である。基
調講演が１時間、ショート講演が３０分と議論の時間が十分とられ、発表途中での質問も行わ

プした気分になった。結論は滞在時間の制御が非常に重要であること。ICP タイプのプラズマ
は酸化膜エッチングには不向きであることを断言していた。研究内容というよりも装置メーカーがここまで認識して装置開発を行うようになっていると言う事実が大切なようだ。中村氏れる。どちらかというと非公式的な会議ということもあるが参加費は無料で会場もスキーロッ （ASET）はプラズマビーム実験による有機 Low‑
ジであり費用は非常に安い。それにもかかわら k 膜エッチングにおけるエッチイールドのイオ
ず昼食と夕食はフルコースでワインも飲み放題となっている。一日のスケジュールは朝食後９時から会議が始まりコーヒーブレイクを挟んで
１２時３０分まで行う。それから１４時まで昼
食をとりその後１７時まではエクスカーション
タイムである。１７時から１９時３０分まで会議を行い夕食となる。夕食に引き続き各テーブ
ルにてディスカッションや世間話が遅くまで続くこととなる。何と言ってもゆったりとした昼
食に続けて３時間のエクスカーションタイムが設定されて食べて飲んで遊んで議論してと非常に充実したスケジュールである。この時期はス
キーシーズンとしてはほぼ終わりであるが、例
年はスキーを楽しむ事ができるそうである。しかしながら今年は世界的な暖冬傾向もあり例年に無く暖かく雪の量がとても少なく、２日目には雨すら降ってしまう状況であった。従ってダンエネルギー依存性などに関して報告した。
Graves 氏（UCB）からは Ar/F/Si 系と CFx/Si
系における M D シミュレーションの結果を報告した。反応層における F の挙動はカーボンの有無で異なり、無い状況では Si 表面上のモホロ
ジーが変る程度で F は表面側に存在するが、カーボンが有る状況では Si 表面上に SiCF 層が形成されその層を通してエッチングが進行するとしていた。栗原氏（ASET, 東芝）は質量分離型イオンビーム装置とプラズマビーム照射装置の 2 種類のビーム実験装置による酸化膜エッチング機構に関するエッチイールドや脱離物計測に関して報告を行なった。Morgan 氏(Kinema
Research)からはフロロカーボンガスの解離断面積などを ab initio 計算によって導出し、実験結果との比較が行なわれた。この手の情報は多くの人が必要としているにもかかわらず実験-20-

的に求めることも本報告のように計算によって求めることもなかなか行なわれていない。非常に基礎的な情報であるだけに誰がやるのかと言うことになると研究者にとってもなかなか難しい問題である。Hanley 氏(イリノイ大)はフロロ
カーボンプラズマ中に存在する高分子イオンの影響を調べていた。C 3 F 6 ガスを電子ビームによりイオン化することで C 2 F 4 + , C 3 F 5 + 等のイオン種を生成し、Si やポリマーへ照射することによる堆積膜の形成に関して報告していた。Abada
氏、Booth 氏（Ecole Polytechnique）からはLIF による CF や CF 2 ラジカル密度の測定時でのそれらの温度の影響に関する報告。最近、誘導

写真１、ロッジ前にて。エクスカーションでは後ろに見える山へのトレッキングが行なわれた。

結合プラズマでは中性ガスの温度が高いとの報告があるので温度による補正を行なったところ
TCP タイプのリアクターで CF 4 プラズマの場合は大きな誤差は生じないと報告した。佐々木氏( 名大) からはヘリコンプラズマ装置における
CFx ラジカルの空間分布測定から壁に堆積する
フロロカーボン膜のプリカーサは高次ラジカルと報告があった。Moisan 氏(モントリオール大)からは大気圧表面波プラズマによる PFC ガスの除害に関する報告があった。マイクロ波表面波
プラズマは高密度でガス温度が高くなるために分解率が高く再生成が抑えられるので除害効率があがる。耐腐食性マルチチューブ形式の装置が実用的で実際にメーカーで検討中との事。堀氏(名大)からは UHF プラズマ装置における C 4F 6
等の代替ガスによるエッチング特性に関する報

写真２、和やかに会話の進むバンケットの様子。

告。各種ラジカル計測から高選択エッチングのための堆積膜には CF 2 や高次ラジカルではなくC 2 の影響が大きいとしていた。
どちらかと言うと Booth 氏の個人的なネットワークの下に開催されている本会議であるが集まる研究内容に関しては興味深いものが多く、合宿という雰囲気の中での議論も味わい深いものがあった。しかしながら、現実的な世の中の流れを鑑みると本会議名に表されているフロロ
カーボンプラズマと言うものを考えた時に次回の開催にはテーマ選定の再考が必要と思われ
た。

-21-

平成14年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事役割分担
役割分担

留任幹事

新任幹事

幹事長

斧 高一（京大）

副幹事長

白谷正治（九大）
関根 誠（東芝）

インフォーマルミーティング○伊藤昌文（和歌山大）

枝村 学（日立）

シンポジウム・総合講演・
合同セッション

小松正二郎（物質・材料研究機）
伊達広行（北大）
藤原伸夫(三菱電機)
栗原一彰（東芝）○白谷正治（九大）
関根 誠（東芝）
小野崇人（東北大）
霜垣幸浩（東大）

プラズマプロセシング研究会（ICRP‑5/ESCAMPIG/SPP‑19）

佐々木浩一（名大）白谷正治（九大）
関根 誠（東芝）

プラズマプロセシング研究会（SPP‑20）

大津康徳（佐賀大）斧 高一（京大）
辰巳哲也（ソニー）
輿石 公（東京エレク）
安井利明（豊橋技科大）末松久幸（長岡技科大）寺嶋和夫（東大）

光源物性とその応用研究会○伊達広行（北大）

安田丈夫（東芝ライテック）

プラズマ応用技術の将来ビジョン研究会など研究会○小松正二郎（物質・材料研究機構）
水谷直樹(アルバック)

白谷正治（九大）
関根 誠（東芝）
水野文二（松下電器）
寺嶋和夫（東大）

サマースクール○佐々木浩一（名大）水谷直樹(アルバック)

白谷正治（九大）―校長―
枝村 学（日立）
赤塚 洋（東工大）

プラズマエレクトロニクス
講習会

節原裕一（京大）
栗原一彰（東芝）
藤原伸夫(三菱電機)○関根 誠（東芝）
輿石 公（東京エレクトロン）
近藤道雄（産総研）
霜垣幸浩（東大）

会報編集・書記○伊藤昌文（和歌山大）
節原裕一（京大）

辰巳哲也（ソニー）
安井利明（豊橋技科大）ホームページ○小松正二郎（物質・材料研究機）

赤塚 洋（東工大）

会員名簿○大津康徳（佐賀大）末松久幸（長岡技科大）

庶 務
会 計

白谷正治（九大）
節原裕一（京大）

プラズマエレクトロニクス賞

斧 高一（京大）-22-

平成14年度プラズマエレクトロニクス分科会関連の各種世話人
１．応用物理学会講演分科の世話人（1 期２年，任期：平成 14 年 4 月〜平成 16 年 3 月）
放射線・プラズマエレクトロニクス：進藤春雄（東海大）、大森達夫（三菱電機）
飯塚 哲（東北大）、中野俊樹（防衛大）白谷正治（九大）
放射線・プラズマエレクトロニクス全体の代表世話人（任期：平成 14 年 4 月〜平成 16 年 3 月）
進藤春雄（東海大）
２．
「応用物理」編集委員： 浜口智志（京大）（任期：平成 14 年 4 月〜平成 16 年 3 月）
３．第 5 回反応性プラズマ国際会議 ICRP‑5/ESCAMPIG‑16/ 第 19 回プラズマプロセシング研究会 SPP‑19（2002 年 7 月 15 日〜 18 日，グルノーブル）：
組織委員長：菅井秀郎(名大) 副組織委員長：藤山 寛(長崎大)
総務担当：豊田浩孝(名大)４．第 20 回プラズマプロセシング研究会 SPP‑20（2003 年 1 月 29 日〜 31 日，長岡技科大）：現地実行委員長：八井 浄（長岡技科大）５．GEC(APS Gaseous Electronics Conference) 組織委員会委員（任期：平成 13 年 10 月〜平成 15 年 9 月）
河野 明廣(名大)-23-平成14年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事住所録
氏 名

住所・電話

所 属

幹事長

斧 高一

〒606‑8501 京都市左京区吉田本町
TEL: 075‑753‑5793／0774‑38‑3966
FAX: 075‑753‑5980／0774‑31‑8811
ono@kuaero.kyoto‑u.ac.jp

京都大学大学院
工学研究科
航空宇宙工学専攻

副幹事長

白谷 正治

〒812‑8581 福岡市東区箱崎6‑10‑1
TEL: 092‑642‑3950FAX: 092‑642‑3973
siratani@ed.kyushu‑u.ac.jp

九州大学大学院
システム情報科学研究院
電子デバイス工学部門

副幹事長

関根 誠

〒235‑8522 横浜市磯子区新杉田町８
TEL: 045‑770‑3522FAX: 045‑770‑3568
makoto.sekine@toshiba.co.jp（株）東芝 セミコンダクター社
プロセス技術推進センター半導体
プロセス開発第五部

幹事
任 期
平成15年3月伊藤 昌文〒640‑8510 和歌山市栄谷930番地
TEL: 073‑457‑8154FAX: 073‑457‑8154
ito@sys.wakayama‑u.ac.jp

和歌山大学
システム工学部〃

大津 康徳〒840‑8502 佐賀市本庄町１
TEL: 0952‑28‑8646FAX: 0952‑28‑8638
ohtsu@ep.ee.saga‑u.ac.jp

佐賀大学
理工学部
電気電子工学科〃

栗原 一彰〒235‑8522 横浜市磯子区新杉田町８
TEL: 045‑770‑3689FAX: 045‑770‑3578
kurihara@amc.toshiba.co.jp（株）東芝
研究開発センター
LSI基盤技術ラボラトリー〃

小松 正二郎〒 304‑0522 つくば市並木１‑１
TEL: 0298 (51) 3354 内線2503
FAX: 0298 (52) 7449
KOMATSU.Shojiro@nims.go.jp

文部科学省 独立行政法人
物質・材料研究機構
物質研究所〃

佐々木 浩一〒464‑8603 名古屋市千種区不老町
TEL: 052‑789‑3137 FAX: 052‑788‑6603
sasaki@nuee.nagoya‑u.ac.jp

名古屋大学大学院
工学研究科
電子工学専攻〃節原 裕一〒606‑8501 京都市左京区吉田本町
TEL: 075‑753‑5983／0774‑38‑3968
FAX: 075‑753‑5980／0774‑31‑8811
setsuhara@kuaero.kyoto‑u.ac.jp

京都大学大学院
工学研研究科航空宇宙工学専攻〃

伊達 広行〒060‑0812 札幌市北区北12条西5丁目
TEL: 011‑706‑3423FAX: 011‑706‑4916
date@cme.hokudai.ac.jp

北海道大学
医療技術短期大学部
診療放射線技術学科

〃

藤原 伸夫

〒664‑8641 兵庫県伊丹市瑞原4‑1
TEL: 0727‑80‑3933FAX: 0727‑80‑2675
nfujiwar@lsi.melco.co.jp

三菱電機(株)ULSI技術開発センター

〃

水谷 直樹

〒253−8543 茅ヶ崎市萩園2500
TEL: 0467‑89‑2050Fax: 0467‑57‑0898
naoki̲mizutani@ulvac.com（株）アルバック技術開発部

-24-

新任幹事
任 期
平成16年3月

赤塚 洋〒152‑8550 目黒区大岡山2‑12‑1
TEL: 03‑5734‑3057FAX: 03‑5734‑3057
hakatsuk@nr.titech.ac.jp

東京工業大学
原子炉工学研究所
エネルギー工学部門〃

枝村 学〒300‑0013 土浦市神立町502
TEL: 0298‑32‑4111内線6612
FAX: 0298‑32‑2804
edamura@gm.merl.hitachi.co.jp（株）日立製作所
機械研究所第6部〃

小野 崇人〒980‑8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉01
TEL: 022‑217‑6937FAX: 022‑217‑
6935tono@cc.mech.tohoku.ac.jp

東北大学 大学院
工学研究科
機械電子工学専攻〃

輿石 公〒407‑8511 山梨県韮崎市藤井町北下条2381‑1
TEL: 0551‑23‑2408FAX: 0551‑23‑2413
akira.koshiishi@tel.co.jp

東京エレクトロンＡＴ（株）
エッチングシステムＢ．Ｕ．
ＥＳ開発部

〃

近藤 道雄

〒305‑8568 茨城県つくば市梅園1‑1‑1
中央第二事業所FAX: 0298‑61‑5425
michio.kondo@aist.go.jp

独立行政法人
産業技術総合研究所
つくばセンター 中央第2薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ

〃

霜垣 幸浩

〒113‑8656 東京都文京区本郷7‑3‑1
TEL: 03‑5841‑7132FAX: 03‑5841‑6947
shimo@dpe.mm.t.u‑tokyo.ac.jp

東京大学 大学院
工学系研究科マテリアル工学専攻

〃

末松 久幸

〒940‑2188 長岡市上富岡町1603‑1
TEL: 0258‑47‑9894FAX: 0258‑47‑9890
suematsu@nagaokaut.ac.jp

長岡技術科学大学
極限エネルギー密度工学研究センター〃

辰巳 哲也〒243‑0014 神奈川県 厚木市 旭町 4‑14‑1
TEL: 046‑230‑5889FAX: 046‑230‑5400
Tetsuya.Tatsumi@jp.sony.com

ソニー（株）
セミコンダクタネットワークカンパニー
LSIテクノロジー開発部門
CMOSテクノロジー開発部

〃

寺嶋 和夫

〒113‑8656 東京都文京区本郷7‑3‑1
TEL: 03‑5841‑7101FAX: 03‑5841‑7103
kazuo@terra.mm.t.u‑tokyo.ac.jp

東京大学 大学院
新領域創成科学研究科
物質系専攻

〃

水野 文二

〒104‑0031 東京都中央区京橋2丁目13番10号
TEL: 03‑5159‑6838FAX: 03‑5159‑
6839mizunob@m3.kcn.ne.jp

松下電器産業（株）
PSUF推進室〃安井 利明〒441‑8580 豊橋市天伯町雲雀ヶ丘1‑1
TEL: 0532‑44‑6703FAX: 0532‑44‑6690
yasui@tutpse.tut.ac.jp

豊橋技術科学大学
生産システム工学系

〃

安田 丈夫

〒237‑8510 神奈川県横須賀市船越町1‑201‑1
TEL: 0468‑62‑2074FAX: 0468‑61‑2427
takeo.yasuda@tlt.co.jp

東芝ライテック（株）
技術統括部研究所
研究開発担当-25-

2002 年春季
第 49 回応用物理学関係連合講演会・合同セッションＤ報告「プラズマＣＶＤの基礎と応用」
物質・材料研究機構

物質研究所

小松正二郎

例年よりも開花の早い、桜の美しい東海大学

ズマプロセスの反応工学的解析」では、CCP型PECVD

湘南校舎にて、応物学会初日の３月２７日（水）、合による実験におけるQMS測定と、完全混合槽を仮定

同セッションＤ「プラズマＣＶＤの基礎と応用」が開催された。予定通り午前に７件、午後に９件の発した速度論的シミュレーションとの比較を行っている。東北大学庭野研、発表者篠原正典氏による表があり、午前の座長を物質・材料研究機構の小松 「水素希釈の炭化水素プラズマ中でのSi表面反応のが、午後の座長を旭硝子の府川真氏が担当した。材 赤外分光観察」は、多重内部反射型赤外分光法によ料別による分類では、カーボン系が６件、シリコン るその場観察であった。京大橘研、発表者槌野晶夫
系が８件、ゲルマニウムが１件、シリコン：ゲルマ

氏による「C5F8/C6F6混合ガスを用いた低誘電率薄膜

ニウムが１件であった。
劈頭の二件は応用に関するもので、東京電機のプラズマＣＶＤ」では、成膜後のアニールのもた
らす揮発成分の脱ガスによる多孔質化を利用する

大学、アイシン・コスモス研究所、国立循環器病セことにより誘電率の制御を試みた成果であった。

ンター研究所、発表者大越康晴氏による「高周波プラズマＣＶＤ法による半球状構造物へのＤＬＣの早大加藤研、発表者小山慎一氏による「二重管式同軸線路型MPCVD装置によるa‑Si:H/Si3N4 多層膜成膜」では、３次元成膜において、蒸着側電極構造の作成（V）」では、a‑Si:H 層および Si3N4 膜の膜厚とＰＬ発光特性を調べている。九大渡辺研、発表者を改良することにより、ＤＬＣ薄膜均一性が従来の平行平板型電極を用いたＣＶＤよりも向上した
ことが示された。電極周辺部での電界分布の影響などに関する質問があった。栗田製作所、姫路工
大、発表者西村芳実氏による「ＲＦ・高電圧パルス

古閑一憲氏による「クラスタ抑制PECVD法により作成した a‑Si:H 薄膜の膜質とクラスタ量の相関」では、フォトカウンティングレーザー散乱（PCLLS）法によるクラスタ測定とFT‑IRによる膜質の定量化に

重畳 PBIID 法による厚膜 DLC の作成」も、プラズマより、九大の新PECVD手法によってプラズマ中のク成膜における均一成膜を目指した発表であった。 ラスタの極限的な抑制が可能になったことを示し
これらの発表により、立体物への均一性膜はDLC実 た。引き続き古閑氏による「シランプラズマ中のク用化の乗り越えるべき重要課題の一つであることの認識を新たにした。
九州大学、名古屋大学後藤研、発表者堤井君元

ラスタ量と電子エネルギー分布への放電周波数の*影響」では、Si (288.2nm)発光強度とクラスタ密度比の時間変化測定から高周波数側（60M Ｈ z）の方氏による「低圧ダイヤモンド堆積におけるイオン/が良好な膜質が期待できるとしている。産総研松メチルラジカル比」では、ICP 中の CH3 ラジカルと、 田グループ、発表者宮原弘臣氏による「キセノン添
正イオンフラックスを定量的に測定し、数eV 程度 加によるシランプラズマ中電子温度の制御」では、*のイオンエネルギー衝撃下での堆積過程における 高速成膜条件下での光劣化の解消を目的とし、Si表面反応を検討している。京都大学橘研、日本ゼオ
ン、発表者和田卓久氏による「有機 EL パッシベー*(288nm)/Si (413nm)発光強度比を電子温度の指標として、Xe 添加量の増加による電子温度の低下を観ション膜としての a‑C:F のプラズマＣＶＤ」では、 測した。富士電機総合研究所、産総研、発表者反田C5F8 を出発物質として ICP により c‑Si 上及び段差 真之氏による「微結晶シリコン膜の高速成膜（３）」形状をもつ表面に薄膜形成を行っている。東大霜 では、SiH4/H2 からの容量結合型ＶＨＦプラズマＣ
垣研、横国大、発表者時光拓海氏による「C4F8 プラ

ＶＤにおいて、基板直上にセットした金属メッ-26-

シュ上に出現する輝点と膜質の相互関係を詳しく得ている。引き続き、同グループ、発表者相良正雄

解析している。名大菅井研、発表者大石晃宏氏によ氏による「全反射赤外吸収分光法による微結晶シ

る「高圧力表面波励起 H2/SiH4 プラズマを用いた微結晶膜の高速堆積」では、１Torr の高圧力下でSWP

リコンゲルマニウム薄膜成長過程のその場観察」
では、in‑situ FT‑IR‑ATR による結果、GeH 結合のＣＶＤにおいて、85nm/s の高速成膜を達成してい取り込みレートの低下が微結晶化の指標になるこる。埼玉大白井研、日本高周波、発表者大川原豪氏による「重水素希釈 SiH4 高密度マイクロ波プラズとを示した。
今回のセッションでは、プラズマＣＶＤの応マによる微結晶 Si 膜の作成」では、SiD(413,4nm)/用、気相反応基礎、表面反応基礎の各分野におけるSiH(414nm)のプラズマ発光強度比、FTIR 及び SIMSによる膜中の D/H 比等を評価し、さらに、ラマン散

持続的な研究主題の手堅い発表が目立った反面、目を見張るような新しい成果には巡り合えなかっ乱による結晶化度、XRD 等による I(220)/I(111)配たようである。質疑応答では、参加者たちへの挑発

向性等の総合的な相関を調べている。その結果、 含みの質問・コメントあり、発表者の論理への歯に（２２０）優先配向の向上には気相中での交換反応 衣着せぬ批判あり、座長が発表内容にのめり込むの促進と適度なイオン衝撃が有効であるとしていあまり発表者より先に質問に答えるハプニングある。広島大宮崎研、発表者高橋寛氏による「AFM による微結晶ゲルマニウム(μ c‑Ge:H)膜の局所電気りで、応物期間中の春の天候のようにいささかの波乱含みでもあったが、参加者一同の熱のある質

伝導評価」では、電導性 AFM カンチレバーを用いる

疑応答ができたため、学ぶことの多い有意義なことにより結晶粒構造に対応した二次元電流像をセッションを持つことができたと思っている。

-27-

2002 年春季第 49 回応用物理学会関連連合講演会シンポジウム報告「プラズマプロセス・装置はどこまで制御できるか？」東北大学

寒川誠二、東芝セミコン社

競争の激化した半導体ビジネスで日本が製造拠点として生き残るためには、開発からビジネス展
開までをタイミングよく行う製造システム技術の構築が急務である．すなわち、高性能低コストだけではなく、デバイス設計へのフィードバックから
短期開発を実現し、続く工場展開では迅速な量産開始と高歩留り化、多品種への瞬時対応を可能とする制御された技術である．プラズマプロセス技術においては核となるプラズマ源、チャンバだけ

関根誠

解とモデル化が重要となる．そのような考え方に基ずいて low‑k 加工のモデルを示した .
東北大･須川成利氏は「SOC 時代の小規模超短期
間半導体生産方式」の講演で、日本半導体の復権を目指すコンソーシアム群と、柔軟小規模ラインに向け低温完全枚葉･多工程対応装置を開発する東北大の位置付けが示した．さらに、Radial Line Slot
Antennaによる超低電子温度プラズマ装置での窒化技術の驚異的な特性と可能性が論じられた．

でなく、周辺技術を含む総合的なシステム技術力が問われ、系統的な要素技術開発が必要となる．そ慶応大･真壁利明氏からは「装置･プロセス･デバ

まず、東芝･大岩徳久氏から「プラズマプロセス･

ミュレーションで設計し、実験検証した．さらに、装置からプラズマ、プロセス特性をデバイス構造

イス統合 TCAD の開発」が報告された．パルス駆動
こで、100nm 以降の要素技術の課題を明らかにし、 の二周波 C C P で負イオンをウェハへ引き込む、
チャージングダメージフリープラズマを提案．シ
今後の技術開発について議論した．

装置開発の課題」が報告された．今後は加工寸法(CD)制御と高いマスク選択比の達成が必須．解として、塗布型C膜を使う積層マスク技術が紹介された．また、装置では、経時変化に対するフィード
バック機構の必要性が強調された．
続いて、アネルバ･塚田勉氏からは「プロセス技
術の課題と技術展望」として、二周波容量結合型(CCP)装置の開発を例に、CD 制御、均一性及び再現性の追求が報告された．高周波(RF)、ガス供給･排気、ウェハ温度について、チャンバの構造、構成部
材の徹底的な見直しにより、高い加工特性を再現性良く達成することが可能となった．
東京エレクトロン･大内明氏からは「プロセス･装置のモニターとフィードバック制御」で、全自動無人工場を目指した、自己管理･ 補正機能を持つエッチング装置開発が議論され、RF 高調波と発光
分光データを多変量解析し標準データ空間からのズレで異常検知する技術が紹介された．
ソニー･辰巳哲也氏が「Low‑k 世代のドライエッ
チング技術」で現状システムの限界と律速する制
御パラメータを考察した．low‑k では組成･構造が極端に多様化し、一方で選択比等のマージンが狭まる．現象の理解に基く定量的制御、そのためのフラックス計測、反応素過程(反応確率、脱離種)の理まで含めてモデリングする夢のシステム設計技術が実現されつつあることが報告された．
最後に、東北大･寒川誠二氏から「プラズマプロ
セスにおける今後の装置開発戦略」が提言された．
プラズマ技術のインテリジェント化をキーワードに、プロセスのデジタル化、センシング技術確立とシミュレーションとの融合、それを駆使した実時
間モデリングとフィードバックが重要となる．また、エッチングを支配する活性種を直接モニター
するオンウェハーモニタリングシステムを使用したリアルタイムプロセスデザインの手法が提案された．
以上のように、開発現場では実験計画法や統計的解析法で効率化を図る風土が、一方大学では実用的なシミュレーションやモニター技術が育ちつつある．これらの技術を量産現場まで短期間に導入していくためには産官学の強力な連携が必要であり、コンソーシアムが極めて重要な役割を果たすべきである。Sub‑0.1μｍ時代には経験則だけでなくサイエンスに基づいた技術革新が必要になってきているからである。最後に、活発に議論いただ
いた講師、多くの聴講者に感謝します．

-28-

平成 13 年度後期及び平成 14 年度前期活動報告
Ⅰ . 第 35 回 Informal Meeting 議事録

４．第 2 回プラズマ応用技術の将来ビジョン研究

日時

平成 14 年 3 月 28 日（木）12：00 〜 13：00

場所

東海大学湘南校舎 6 号館 2F6A‑201

会（浜口幹事）
第 2 回プラズマ応用技術の将来ビジョン研
究会が、『半導体デバイス技術の将来展望と産学連携のあり方 ‑ 研究開発のターゲット設定と効率化の課題 ‑』と題して、2001 年 12 月 14

議題および報告事項
１．2001 年度収支決算報告（藤山幹事長）
別紙資料（2001 年度決算、2002 年度予算）

日午後１時より東洋大学白山キャンパス・ス
カイホールで行われ、今回から参加費を有料としたことが報告された。

に基づいて分科会会計の報告がなされ、特に問題なく了承された。この中で、特に講習会会
計が黒字になったことに対し、講習会担当幹

今回から参加料有料。講師・パネラーを除く参加者は 47 名で昨年を大幅に下回った。研究会後の参加者に対するアンケートでは、大事に謝辞が述べられた。また、平成 14 年度に予定されている ICRP‑5 （SPP‑19）/ESCAMPIG
合同会議補助のために積み立てている国際会

多数が会議の内容に関して大変肯定的であった。来年度より参加者を増やすには、もっと事前の宣伝が必要であると報告された。

議引当金（200 万円）のうち、70 万円を会議補助に使用し、残金の130万円は分科会会計に繰り入れる見込みであることも合わせて報告さ

５．第 16 回光源物性とその応用研究会の報告（後藤幹事）
研究会の内容については、当分科会会報

れた。
２．平成14‑15年度幹事選挙結果報告ならびに新幹事長、新副幹事長、幹事のご紹介（藤山幹事長）

No. ３５ (p.44) に掲載されているとおりであるとの報告がなされた。会報に掲載されていな

平成 14‑15 年度幹事選挙の結果、幹事会推薦の幹事長ならびに幹事候補者全員の当選がい収支に関する説明がなされ、赤字の総額の半分に相当する9,460円を当分科会が負担したことが報告され、了承された。

報告された。新幹事長の斧高一教授（京都大）の紹介と挨拶があり、さらに斧新幹事長より次期副幹事長として白谷正治氏（九大）と関根

６．会報 No.35(2002.1 発行)報告（伊藤幹事）
印刷業者をカクマル印刷に戻したことと締
め切り期限遅れの原稿が 2 件あっため予定よ

誠氏（東芝）を選任したことの報告、新副幹
事長、新幹事全員の紹介が行われた。
３．第 12 回プラズマエレクトロニクス講習会報告

り 2 〜 3 日発行が遅れたが、1 月末に無事発行されたことが報告された。会報は、全 61 ページ、写真加工 14 枚 部数 550 部、190,000 円（河内幹事）
プラズマエレクトロニクス分科会会報
No.35に掲載の報告記事に基づき、標記講習会の報告がなされた。懸案であった関西地区と関東地区同時同一内容での開催についに踏み切ったことが、述べられた。そのかいがあっで見積り、発注され、実際は写真 10 枚となり見積りより若干安くなったことが報告された。
７．2002 年度春季応物関連連合講演会シンポジウ
ムについて（寒川副幹事長）
インフォーマルミーティング終了後、14 号
館 YQ の部屋で「プラズマプロセス・装置はどて、不況が深刻化する中で、両会場合わせて52名の参加者が得られ、今回の新しい試みが功を奏したことが述べられた。一方、講師の方々にはこれまでの1会場制に比べ、ずっと重い負担をかけてしまうことになったことが指摘された。

こまで制御できるか？」というタイトルのシンポジウムが開催されると報告された。
８．2 0 0 2 年度春季応物関連連合講演会合同セッ-29-

ションについて（白谷幹事）
2002年度春季応物関連連合講演会合同セッションについてプラズマエレクトロニクス、

明され、37 名の申込があることが 報告され薄膜、非晶質の合同セッションを継続して設た。ICRP 側からの参加者数は 100 名程度となけることが報告された。
９．会報 No.36(2002.6 発行予定)(案)（伊藤幹事）

る見通しである。寄附金の応募が 芳しくない
ため、各位への寄附金集めへの協力依頼が次号（No.36）の概略案が示され、次回の幹事会に内容を議論することとなり、発行スケ
ジュールとしては 6 月上旬発行のため下記のあった。
１３．平成 14 年度幹事役割分担(案)（斧新幹事長）
役割分担は次回の幹事会で提案了承を得る

ようにすることが了承された。

と報告された。次回幹事会は4月下旬京都で行

4 月末
執筆依頼
5 月 24 日 原稿締め切り
5 月 29 日

なわれる予定。
１４．その他

最終チェック・フロンティアプロセス2002（大森フロンティ

6 月 1 日 印刷業者への入稿
6 月上旬 発行予定

アプロセス組織委員長）
7/26、27 日に開催を予定しているフロン

１０．第 9 回プラズマエレクトロニクスサマース

ティアプロセス 2002 の紹介とプラズマプロ

クール(案)について（佐々木幹事）
2002年度開催予定のサマースクール案につセス分科会への協賛依頼があり、協賛は了承された。

いて報告された。7/31‑8/2 に名古屋市民御岳
休暇村において開催予定。詳細は会報 No.36、応用物理学会誌４月号、および、h t t p : / /・民間企業・財団等からの研究助成について（板谷先生）

annex.jsap.or.jp/plasma/sum‑schl‑01/ に掲

板谷先生より、民間企業・財団等からの研載。
１１．2002 年秋季講演会(新潟大学)のシンポジウ

究助成（共同研究）に関する情報提供を戴いた。分科会としての今後の対応については、

ム、総合講演、合同セッション(案)について

後日に具体案を御提示戴いた段階で、別途検（白谷幹事）
2002 年秋季講演会(新潟大学)の合同セッ

討することとした。

ションについてプラズマエレクトロニクス、Ⅱ . 平成 14 年度第 1 回幹事会

薄膜、非晶質の合同セッションを継続して設けることが報告された。

場所：京都テルサ
日時：2002 年 4 月 20 日（土），13:30‑17:00

シンポジウムに関しては、「プラズマを用いたナノ構造の作製と制御」「微重力下でのプラズマ研究の動向」の案がでていることが紹介された。
総合講演は企画していないことが報告された。
１２．ICRP‑5/ESCAMPIG‑16/SPP‑19 (2002.

議題：
１．幹事自己紹介ならびに，分科会主催＆関連年

7/15‑

18、 グルノーブル)（第 19 回（2002 年）プラズ
マプロセシング研究会）について（豊田 ICRP‑
5 組織委員（菅井 ICRP‑5 組織委員長代理））
ESCAMPIG/ICRPの概要および今後の日程について説明があった。なお、会議開催期間は 7
月 14 日から 18 日であるが、実際には 15 日より開催となる予定である旨、報告がされ た。
また、学生への参加費補助について、状況が説-30-間スケジュール（案）、幹事役割分担（案），などの確認について（斧幹事長）
まず、各幹事の自己紹介が行なわれ，次い
で、斧幹事長から提出された資料をもとに、幹事住所録（案）、年間スケジュール（案）、幹事
役割分担（案）に関する確認と審議が行われた。
・幹事住所録に関しては、住所録が、分科会会
報および分科会ホームページ上で公開になることを前提に、各幹事がもう一度公開情報を吟味し、本幹事会後改めて作成し、メールで掲載内容ならびに各項目の掲載可否について

５．秋季応物学会の合同セッションについて（白承認を得ることとなった。

谷副幹事長）

・年間スケジュールに関しては，提案どおり承認された。なお、期中の新しい研究会な合同セッションについてプラズマエレクト
ロニクス、薄膜、非晶質の合同セッションを継どの企画に関しては，その都度審議していくこととなった。
・幹事役割分担に関して、講習会の担当幹事

続して設けることが報告された。
６．秋季応物学会の 36 th Informal Meetingについて（伊藤幹事）として霜垣幸浩幹事にも加わって戴くこと

従来どおり、秋季応物学会2日目の9月25日

を追記して、承認された。
２．分科会幹事長会議 (3/27 開催) の報告（斧幹（水）12:00 〜 13:00 の開催予定で申しこむことが提案され、了承された。

事長）

７．プラズマエレクトロニクス講習会（案）につい

資料にもとづき、平成１４年度第１回分科会幹事長会議（3/27開催）の内容に関して、以て（関根副幹事長、節原幹事）
昨年度のプラズマエレクトロニクス講習会

下の報告が行われた。

では関東地区と関西地区における同時開催を(a)プラズマエレクトロニクス分科会のプラ
ズマエレクトロニクス賞のような分科会毎実施したが、今年度は 11 月を目処に関東地区のみでの開催とすることとした。また、参加費の論文賞や業績賞の制定を、各分科会が考については昨年度と同額とすることとした。

えている。
(b)応物スクールを適当な年度毎に、各分科講習会のテーマと共に講師な らびにプログラ
ム等の詳細については、担当幹事に一任する会も担当する。

こととした。

(c)平成１５年度科研費審査委員推薦依頼が学会本部からあった。

８．第 17 回光源物性とその応用研究会（案）について（伊達幹事）

なお、科研費審査委員推薦に関しては，秘密

本年の照明学会・光の発生・関連システム

保持の観点から、幹事長だけが対応することを確認した。

研究専門部会委員会案として、同委員会側の担当者が東芝ライテックの本田久司氏である

３．第 9 回プラズマエレクトロニクスサマース

こと、実施時期の委員会案が１２月であるこ

クールについて（佐々木幹事）
2002 年 7 月 31 日〜 8 月 2 日に名古屋市民御とが紹介された。本田氏が現在出張中であることから、具体的な打ち合わせはまだなされ岳休暇村において開催予定のプラズマエレクていないが、今後、早めに研究会開催場所と日

トロニクスサマースクールに関して，講師陣，プログラム，予算，および今後の準備スケ時を定め、テーマ設定等に関し、分科会側の提案を積極的に行なっていく予定である旨が述

ジュール等に関して報告があった。協議事項べられた。

として，スクールの参加者に保険をかける必要があるかどうかに関して議論され，他の分

９．第５回反応性プラズマ国際会議（I C R P ‑ 5 /ESCAMPIG/SPP‑19, France, July 2002）につ科会の実施状況および応用物理学会本部の意

いて（豊田 ICRP‑5 組織委員（菅井 ICRP‑5 組織

見を参考にして検討を続けることになった。
４．秋季応物学会のシンポジウム・分科内総合講委員長代理））
ESCAMPIG/ICRP の概要および今後の日程に演について（白谷副幹事長）

ついて説明があった。一般講 演の申込は確認

シンポジウムに関しては、「プラズマを用いたナノ構造の作製と制御」を取り上げるこした分のみで 96 件にのぼる。また、全体として 300 件を超える講演申込 があった。今後、5とを決めた。分科内総合講演については今回

月14日までに講演受理通知をおこなう。また、は企画しないが、合同セッションに次回以降設けることを検討することになった。

学生への参加費補助 の募集要項および募集結果の説明があり、申込者37名全員を内定した。

-31-

なお、援助金 は 5 万円である。アブストラク

研究室紹介は東京エレクトロンまたは東芝とト集への SPP 会議名の記載および応用物理学

産総研の近藤先生にお願いすることが了承さ会のブック ナンバーの記載などについては、
現在 ESCAMPIG 側と交渉中である。寄附金の応れた。スケジュールは春の IM で了承されたと
おり 5 月 2 4 日原稿締め切りで進めることと募が芳しくないため、各位への寄附金集めへなった。

の協力依頼があった。
１０．第 20 回プラズマプロセシング研究会 (SPP‑

１３．ホームページの改善について（小松幹事）（１）運営方針、（２）デザイン変更、（３）更20, 長岡，2003 年１月)について

新データのアップロード手続き、（４）内容の（末松幹事（八井現地実行委員長代理））
平成 15 年 1/29‑31 および 1/15‑17 の期間で、検討・新規トピックス、（５）新サーバーへの一本化、（６）リンクの方針、の 6 項目に関し『ホテルニューオータニ長岡』を会場として 2て、報告があった。また、幹事名簿の web 上で部屋の予約が可能であることが報告された。
これに対し、日程に関しては、1/29‑31 で実施の公開に関して、個人情報（電話番号、メール
アドレスなど）の不特定多数への公開になるすることを決めた。また、参加費については、ため、各幹事の希望をふまえた公開法を検討

従来のプラズマプロセシング研究会における実績を参考に、SPP‑18 に比べて 2,000 円引きする（節原幹事が名簿管理）ことが了承された。

上げることを決定した。

１４．研究活性化支援金への申し込みについて（斧１１．応用物理学会春季＆秋季講演会「プラズマエ
レクトロニクス講演分科の現状」について（進幹事長）
締め切りは、１、５、９月末日の年３回。
（そ藤代表世話役）

れぞれ、２、６、１０月の経理委員会で審査後、プラズマエレクトロニクス講演分科の現状について下記 4 点の報告がなされた。

理事会にて決定される。）
・今年度については、プラズマエレクトロニ（１） ２００２年３月の講演会での発表件数

クス分科会から、サマースクール、ビジョ

は１６８件であり、件数では史上最高となった。

ン研究会は、例年通り申し込む予定であり、その他の新企画に関しても適宜対応す（２） 分科中分類名を従来の２分類から５分ることが承認された。

類に改訂して初めての講演会となったが、上記の通り講演件数も増えており、一応の成功をみた。

・なお、昨年度の活性化支援金 (予算額 500万円) の消費率は 50% 程度。
１５．第3回プラズマ応用技術の将来ビジョン研究（３） 内容的にはナノテクノロジー関連やプラズマ応用プロセスについての講演が会（案）について（小松幹事）
日時：2002 年 11 月 14 日（木）または、15 日増えており、今後注視すべき動向であ（金）、場所：東洋大学スカイホー（一木先生にる。
（４） 次回講演会（新潟大）、次次回講演会

予約お願い）司会：浜口智志氏（京都大学）、題
目：「グローバル化時代の技術経営戦略」、対（神奈川大）でのシンポジウム等申し

象：企業中堅研究者・管理職７割＋大学・国研

込み〆切日を添付資料として配布した。

３割、予定講演者：北陸先端大先端科学技術研
究調査センター 赤坂洋一氏他という内容で進１２．PE 分科会会報 No36 （案）について（伊藤めることが提案され、了承された。

幹事）
PE 分科会会報の案が示され、新旧幹事長の１６．プラズマエレクトニクス賞について（斧幹事長）

挨拶をはじめ、後藤俊夫応用物理学会会長就・平成１４年度第１回の応用物理学会理事会

任記念特集を組むことが了承された。海外の研究事情は東工大の神谷先生が推薦された。

(3/26 開催) において、プラズマエレクトロニクス賞の制定に関して審議され、承認され-32-た。 なお理事会の席上、「規定 4. の受賞者する。毎年１月下旬までに受賞者を選考すが分科会あるいは応用物理学会会員の資格を必要とするのはいつの時点であるか」についる。表彰は毎年応用物理学会春季講演会で行う。となっているが、３月末の応用物理学会
春季講演会で表彰し分科内招待講演などを企て質問を受け，分科会で検討することになっ画しようとすると、１１月下旬の講演企画申た。
・上記案件，「受賞者が会員資格を有する時期」

し込みまでに受賞者を決める必要がある。このようなスケジュールの不都合に関しても、に関して審議を行った結果、応用物理学会論文賞の規定に順ずることを決議した。従って， 規定 4，受賞者はプラズマエレクトロニクス分科会会員あるいは応用物理学会会員

１年間の選考過程を一度進める中で洗い出し、後日改めて審議する。
１７．分科会活性化に向けて（会員増，収入増，新研究会，ほか）とする。、の解釈は以下のようになる。
受賞者は、受賞の時点において原則とし次回以降の懸案事項として、継続して検討することとした。

てプラズマエレクトロニクス分科会会員ある
いは応用物理学会会員であるものとする。
なお、規定の修正加筆については、１年間

１８．その他の選考過程を一度進めてみてから改めて審議する。
・規定では、毎年１１月までに受賞候補者募集
要項を「分科会会報」、および応用物理学会
機関誌「応用物理」誌上に公表し、広く公募-33-

・フロンティアプロセス 2002 （白谷副幹事長）
分科会協賛のフロンティアプロセス 2002の内容が紹介された。
・第 2 回幹事会案
白谷副幹事長から第 2 回幹事会（案）について、資料が配付された。

≪行事案内≫ICRP/ESCAMPIG 合同会議案内
いよいよ 7 月開催
ICRP‑5 事務局

豊田浩孝（名古屋大学）

本分科会の主催行事であり毎年開催されております「プラズマプロセシング研究会」(Symposium on Plasma
Processing：SPP)は約3年毎に反応性プラズマ国際会議として開催されております。
そして本年第19回プラズマプロセシング研究会は「第5回反応性プラズマ国際会議」（5th International Conference on Reac‑
tive Plasmas:ICRP‑5）として、さらに「電離気体の原子分子物理ヨーロッパ会議（16th Europhysics Con‑
ference on Atomic and Molecular Physics ofIonized Gases:ESCAMPIG‑16）」との合同会議としてフランス、
グルノーブル市で開催されます。
すでに皆様のお手元には First Announcement,
Second Announcementが電子メール等で届いていると思いますが、概要は以下のとおりです。
・ 開催日程 2002 年 7 月 14 日（日）〜 7 月 18 日（木）・ 開催場所：ワールドトレードセンター
・ 締切等：参加登録最終締切
6 月 14 日
Final Announcement
6 月 20 日
・ ホームページ：

http://www‑lsp.ujf‑grenoble.fr/
vie̲scientifique/conf̲congres/escampig̲icrp/index.htm
日本側参加者向けの和文情報の web site
http://www.nuee.nagoya‑u.ac.jp/
institute/
ESCAMPIG‑ICRP/index.html
・ 電子メール：
escampig̲icrp@spectro.ujf‑grenoble.fr
和文メールによる問合せ
icrp‑escampig@nuee.nagoya‑u.ac.jp
招待講演
前回の分科会報では招待講演の案をご案内いたしましたが、その後いくつかの変更を経て招待講演者が確定しましたので、以下に記載します（敬称略）。なお、招待講演論文は Plasma
Sources Science and Technology の特集号として出版されます。

General Lecures＜ ICRP 側＞‑ 佐竹 秀樹(東芝)"Formation of gate dielectrics SiON by plasma
nitridation"‑ 江刺 正喜(東北大)"Bulk micromachining for MEMS"‑ 近藤 道雄(産総研)"Recent development in high-rate growth technique of
device grade microcrystalline silicon thin film"＜ ESCAMPIG 側＞- J. Bretagne (Orsay University, France)"Fundamental aspects in non-reactive and reactive
magnetron discharges"- E. Illenberger (Berlin University, Germany)"Fundamental processes in reactive plasmas"- J. Hopwood (Northeastern University, USA)"A microfabricated inductively coupled plasma source
and its applications"- J. Lawler (Wisconsin University, USA)
"Advanced X-ray and optical diagnostics of highpressure plasmas"- J. Roepcke (Greifswald University, Germany)"Recent progress in diagnostics of molecular plasmas
using infrared tuneable diode laser spectroscopy"- L. Tsendin (St. Petersburg State University, Russia)"Electron kinetics in glows"- D. Vender (Dublin University, Ireland)"EPIC simulations"
Topical Lectures
ICRP 側‑ 浜口 智志(京都大)"Molecular dynamics simulation of Si and SiO2
etching"‑ 一木 隆範(東洋大)"Challenges in plasma technologies for microchemical/biochemical analysis systems"‑ 飯塚 哲(東北大)"High-quality diamond formation by electron
temperature control"‑ 川原 潤(NEC)"High thermal stability, low-k organic polymer film,
tailored by plasma-enhanced polymerization method
for ULSI application"-34-

‑ 高木 茂行(東芝)

それ以外から2名が次のように選出されました。

"Predictable topography simulation of RIE combinedwith a plasma simulation, sheath model, andchemical reaction model"‑ 津田 睦(三菱)"Profile evolution and nanometer-scale linewidth control during etching of polysilicon gates in high-density plasmas"＜ ESCAMPIG 側＞- J. Glosik (Prague University, Czech Republic)"The recombination of H3+ ions with electrons:
dependence on partial pressure of H2"- V. Guerra (Lisbon University, Portugal)"Electron and metastable kinetics in the nitrogen
afterglow"- S. Longo (Bari University, Italy)"Particle kinetic modeling of rarefied gases andplasmas"- G. Malovic (Belgrade University, Yugoslavia)"Measurements and analysis of excitation coefficientsand secondary electron yields in Townsend dark
discharges"- S. Matejcik (Bratislava University, Slovakia)"Gas temperature effects in dissociative electron
attachment to the molecules studied in a crossed
beam experiment"- J-M. Pouvesle (Orleans University, France)"Discharge based sources of XUV-X radiation"＜ ICRP 側＞
Hayashi (Kyoto), Kono (Nagoya), Hori (Nagoya), Nozaki(Tokyo), Takizawa (Nagoya), Terebessy (Hamamatsu)＜ ESCAMPIG 側＞
Boufnichel (Orleans), Burakov (Minsk), Callegari(Toulouse), Kadetov (Bochum), Mazouffre (Eindhoven),
Musa (Bucharest), Prioul (Orleans-Grenoble), Vankan(Eindhoven),＜その他＞
Hershkowitz (Madison), Hemandez (Mexico)

学生への参加費補助
すでにホームページおよび電子メールでのご案内を差し上げておりますが、今回会議はヨーロッパでの開催であることからICRP側では学生やポスドクの方の会
議参加を援助するための参加費補助を実施いたしました。審査の結果、37 名の方に対して 5 万円ずつの援助を行うこととなりました。

会議参加グループツアー
本会議参加のための皆様のフランスへの渡航のお手伝いとして、JTB 名古屋支店にお願いして本会議参加
グループツアーを企画いたしました。
成田、
名古屋、
関
空、福岡の各出発地からグルノーブルまでの往復チ
ワークショップ
合わせて10コース
次の2テーマについてワークショップを開催します。 ケットを割安にご提供するもので、を用意いたしました。4 月末日で申込を締め切りまし・ プラズマモニタリングの最近の進展たところ 60 名近くの方にご利用申込をいただきまし・ 高圧力非平衡プラズマとその応用た。なお、本ツアーにお申込いただいた方には 6 月末までに代金をお支払いいただき、7月になりますとJTB
アブストラクト論文投稿状況
本会議への一般講演アブストラクト締切は4月5日 より最終案内がお手元に届くことになっております。
でした。
詳細の集計は現在現地実行委員会で行っておりますが、日本側からは招待講演を含めて90件以上の Final Announcement
Final Announcement は 6 月 20 日に送付予定です。
講演があるものと推定しております。また、全体では350件を超える講演申込があったとの情報を得ており 本 Announcement では、会議プログラムの他、リヨン
空港‑グルノーブル間のシャトルバス時刻表、パリ‑グます。5月下旬に論文受理通知がなされております。
ルノーブル間のTGVの時刻表など会議参加に関する詳細情報が掲載されることになっております。
Hot Topics の選出
First Announcement でお知らせのように、一般投稿論文の中から１６件が口頭発表論文(15分)に選ばれました。その選出は、I S R P 側の組織委員 1 3 名とESCAMPIG 側の組織委員 12 名により、投票で行われました。
最終的に、ICRP 側から 6 名、EASCAMPIG 側から 8 名、-35-

2002 年秋季第 63 回応用物理学会学術講演会合同セッション案内「プラズマＣＶＤの基礎と応用」
物質・材料研究機構

物質研究所

2002 年秋季応用物理学会（新潟大学、9 ／ 24 〜
9 ／ 27）においても、春に引き続き、合同セッション「プラズマＣＶＤの基礎と応用」を開催いたします。
放
射線・プラズマエレクトロニクスの1．
４プラズマ応用
プロセス、薄膜・表面の 6．2 カーボン系薄膜、及び非晶質の 14．3プロセス技術の合同企画であります。
上記3分科では、従来からプラズマCVD技術の基
礎と応用に関連する講演、討論が活発に行われています。1．４ではプラズマＣＶＤの気相、表面反応過程を中心としているのに対して、
6．
２ではカーボン系薄膜の作成と評価、14．３ではシリコン系薄膜の作成と評価に力点が置かれています。プラズマCVD技術の更なる発展・成熟と学問的深まりを目的として、分科を越えて同一会場で有機的かつ相補的な討論ができるよう、

小松正二郎

本合同セッションは企画・運営されてきました。低圧
プラズマＣＶＤを中心として、その基礎と応用に関する講演を広く募集いたします。
カーボン、シリコンを問わず、ナノ物質・ナノ構
造の開発・制御もプラズマCVDの新規応用分野として脚光を浴び始めております。
あらたにこの分野に参入された方にはプラズマCVDの手堅い継続的な研究が参考になるでしょうし、
新しい応用を探す方にも微妙に専攻分野の異なる研究者達の交流・応酬から絶妙なヒントが得られるかもしれません。
ベテランから新人まで毎回さまざまな視点が交錯する質疑応答は学際的分野であるプラズマＣＶＤ研究になくてはならない雰囲
気を醸し出しております。皆さまの積極的なご参加、
ディスカッションを楽しみにしております。

2002 年秋季第 63 回応用物理学会学術講演会シンポジウム案内（1.5 プラズマプロセスによるナノテクノロジー）「プラズマを用いたナノ構造作製と制御」
三菱電機株式会社
ナノテクノロジーは情報通信やバイオテクノロ
ジー、医学など、２１世紀における科学技術の多くの分野において基盤になる技術として注目されています。
プラズマプロセス技術はナノテクノロジーの実現に最も重要かつ不可欠な技術の一つとして期待されています。そこで今回、プラズマを用いた新規ナノ構
造・新規ナノ物質創成とその応用について集中して議論し、新規ナノ構造・新規ナノ物質創成に関するプラ
ズマプロセシングの現状と課題を明らかにしていくた
めに本シンポジウムを企画しました。
皆様には奮ってご参加頂き、
ディスカッションを通して今後の技術開発の方向を探る有意義なシンポジウムにして頂きたくお願い申し上げます。

藤原伸夫

2.プラズマを用いた微細構造作製のバイオ応用（30分）
東洋大工 一木隆範
3.レーザーアブレーションを用いた単一粒径Siナノ粒子の創製とデバイス応用（30分）松下電産 吉
田岳人
4.プラズマを用いたSi新ナノ構造形成と応用（30分）
九大院シス情 白谷正治
休

憩 15:20 〜 15:35

5.マイクロ波プラズマによるカーボンナノオニオン
作製と構造変化（30 分）
電通大 和田節子
6.プラズマを用いたカーボンベース新規ナノ構造の創成（30 分）東北大院工 畠山力三
世話人：白谷正治（九大院シス情）7.プラズマ速度場制御レーザーアブレーション法によるＢＮ系ナノ物質 — 成長過程と評価（30 分）
プログラム
物質・材料研究機構 小松正二郎
９月２５日(水) 13：30 〜 17：15
8.
まとめ・・・ナノ物質−プラズマ・プロセシング
1. はじめに・・・プラズマナノテクノロジー（20 分）の課題と挑戦（10 分）
名大院工 堀勝
物質・材料研究機構 小松正二郎-36-

第９回プラズマエレクトロニクス・サマースクール案内
名古屋大学大学院 工学研究科
佐々木 浩一既に、「応用物理」4 月号等で御案内しておりま
すが、今年も長野県木曽御岳でプラズマエレクト
ロニクスサマースクールを開催いたします。本サマースクールでは、大学院生、企業に入ってプラズ
マ技術が必要になった技術者、この分野に興味のある方などを対象として、プラズマエレクトロニ
クスの基礎に最新の話題を加味した講義を行ない8/1 (木)
07:00 − 08:30

朝食

09:00 − 11:00 「プラズマ生成の原理と実際」（静大：神藤正士）
11:10 − 11:30

ショート講演 2（アルバック：水谷直樹）
11:40 − 11:50 集合写真撮影ます。また、分科会担当幹事のショート講演によ 11:50 − 12:40 昼食
り、最新の研究トピックスを紹介します。さらに、 12:50 − 14:50 「プラズマ計測の基礎と実際」
懇親会や参加者によるポスターセッションを企画（京大：橘邦英）しており、プラズマエレクトロニクスの知識に加え、大学や職場を超えた仲間作りにもきっと役立ちます。このように、プラズマ応用、プラズマプロ
セッシングに関する入門的セミナーとしては他に無い有益な内容であると自負しております。会員の皆様方には、ご自身の参加はもとより、周りの方々、お心当たりの方々にも参加をお奨めいただ
きたく、この場を借りて、再度御案内させていただ
きます。

15:00 − 15:20 ショート講演 3（東工大：赤塚洋）
15:30−17:30 「プラズマエッチングの基礎と最新動向」（日立：板橋直志）
17:40 − 18:00

ショート講演 4（日立：枝村学）

18:00 − 19:30 食事、入浴
19:30 − 21:30 談話会（ポスターセッション）
8/1(水)
07:00 − 08:30 朝食
08:50 − 09:00 アナウンス
09:00 − 09:20 ショート講演 5（九大：白谷正治）

開催日時

09:30 − 11:30 「プラズマ CVD の基礎と最新動向」（物材機構：小松正二郎）

平成 14 年 7 月 31 日（水）〜 8 月 2 日（金）11:30 − 11:40 閉校式
開催場所
参加費

名古屋市民御岳休暇村〒 3 9 7 ‑ 0 2 0 1 長野県木曽郡王滝村 3 1 5 9 番 2 5
TEL：0264‑48‑2111、FAX：0264‑48‑2874

一般
応用物理学会及び43,000円
協賛学協会会員

講義内容（担当講師）、及びスケジュール
7/31 (水)13:30 − 15:00

非会員

入校受付

15:10 − 15:25 入校式（九大：白谷正治）
15:30−17:30 「電離気体の基礎過程とプラズマモ
デリング」（北大：伊達広行）

48,000円

学生（大学院
生を含む）
17,000円
22,000円

参加費には、宿泊費、食費、テキスト代、懇親会費、消費税等、全てが含まれます。なお、後述のように、遠方から参加の学生会員（含大学院生）には交通費

17:40−18:00 ショート講演1（名大：佐々木浩一） の補助をいたします。
18:10 − 19:00 入浴
19:00 − 21:00 懇親会

-37-

申込方法

・社会人の場合：企業の仕事にまつわるもの

以下の①〜③の事項を記入の上、E‑mail、FAX、郵送の何れかの方法で、後述の申込先（名大：佐々木）

企業、自社製品の PR

入社前の大学での卒業研究などまでお申し込み下さい。申し込みを受け取り次第、 であれば、内容・分量は一切問いません。一人につ参加登録の確認を通知しますので、その後に参加 き 30 〜 40 分程度、1m × 1m 程度のボードを用意し費を振り込んで下さい。なお、不参加となられた場 ます。
合、参加費の返却は出来かねます。
① 参加者氏名（フリガナ）、性別、宿泊室での喫煙又は非喫煙の別② 所属（学生の場合は学年と研究室名も）、連絡先（郵便番号、住所、電話番号、FAX 番号、E‑
mail アドレス）

問い合せ及び申込先
佐々木浩一（名古屋大学・工学研究科・電子工学専攻）〒 464‑8603 名古屋市 千種区 不老町
TEL：052‑789‑3137、FAX：052‑788‑6603
E‑mail：sasaki@nuee.nagoya‑u.ac.jp③ 会員または非会員の別、会員の場合は所属学協会と会員番号（申請中の場合は申請書のコ
ピー）

担当幹事
校長：
幹事：

定員：６０名
参加締切：６月２２日（土）白谷 正治 （九大）
佐々木 浩一 （名大）水谷 直樹 （アルバック）
赤塚 洋 （東工大）
枝村 学 （日立）

振込先
三井住友銀行 九段営業部 口座（普通）3339808
社団法人応用物理学会プラズマエレクトロニクス分
科会＊ 振込者確認の簡便性のため、振込は参加者の個

その他の情報(1)第９回プラズマエレクトロニクスサマースクー
ル・ホームページ
http://annex.jsap.or.jp/plasma/sum‑schl‑01/

人名でお願いいたします。
(2)名古屋市民御岳休暇村（宿舎）のホームページ
休暇村の施設、現地周辺の地図、行き方等の情報が学生会員への交通費補助について
下記の条件を満たす場合、交通費を補助します。
＜交通費補助の条件＞
学生会員若しくは今回学生会員(大学院生を含む)得られます。
http://www.kyukamura.city.nagoya.jp/(3)名古屋市民御岳休暇村までの交通案内になられた方で、大学所在地が関西（京阪神を含[JR を御利用の方]
む）以遠又は関東（神奈川、東京は除く）以遠の方 ☆ 新宿 ‑（JR 中央本線、特急 2 時間 40 分）‑ 塩尻 ‑を対象とします。また、大学院生についてはポス （JR 中央本線、特急 30 分）‑ 木曽福島駅 ‑（バス、1
ターセッションでの発表を必須条件とします。
時間）‑ 休暇村
ポスターセッションについて☆ 名古屋 ‑（JR 中央本線、特急 1 時間 20 分）‑ 木
曽福島駅 ‑（バス、1 時間）‑ 休暇村

参加者間の交流が深まるよう、本サマースクール[自動車を御利用の方]

では、例年、非常に好評であるポスターセッションを中心とする談話会を企画しております。参加者☆ 東京 ‑（中央自動車道、約 3 時間）‑ 塩尻 IC‑（国道 19 号線、約 1 時間）‑ 木曽福島（元橋）‑（約 1

自身のバックグランドに関連したもの、例えば時間）‑ 休暇村

・学生の場合：現在の研究テーマにまつわるもの学部での卒業研究 など☆ 名古屋 ‑（中央自動車道、約1時間）‑中津川 IC‑（国道 19 号線、約 1 時間 20 分）‑ 木曽福島（元橋）‑（約 1 時間）‑ 休暇村-38-

第3回プラズマ応用技術の将来ビジョン研究会案内
物質・材料研究機構 物質研究所 小松正二郎
九州大学 白谷正治
アルバック 水谷直樹
東芝
関根誠
東大
寺嶋和夫
松下電器 水野文二
主催
趣旨：
主催：応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
２１世紀になり、日本の技術的・経済的な優位
協賛：応用物理学会シリコンテクノロジー分科会（予定）が後退し続けております。
新しい技術・新しい起
日時：2002 年 11 月 20 日（水）１：００〜６：００
日時
業への夢はあっても、それが安らかに生まれ、健会場
会場：東洋大学白山キャンパススカイホール
やかに育つ環境が現在の日本にあるのかどうか、（２号館最上階）
いぶかしがる声も少なくありません。
例えば中村（東京都文京区白山 5‑28‑20：東洋大学代表 03‑3945‑
修二氏のような野性味に富んだ個性が魅力を放っ
7224:都営三田線 白山駅下車、または営団地下鉄南北線ているのも、
何事につけても集合的な在り方が優先され、強烈な個性や闘争心は排除され勝ちで本駒込駅下車）あった戦後日本社会全般への苦い反省があるから研究会参加費：ではないでしょうか。
プラズマエレクトロニクス分科会会員・シリコンテク
一方、有限な地球環境のなかで、社会が無限にノロジー分科会会員3,000円：上記分科会以外の応用
経済成長することは不可能であり、経済の長引く
物理学会会員 4,000 円：非会員 5,000 円（ただし、停滞を賦活し得ない現在の日本（海外から見るとプラズマエレクトロニクス分科会に入会される場合
奇妙でもある明るい不況下の日本）はむしろ、先3,000 円）
端的な課題に真っ先に直面しているのかもしれま
せん。
その意味でも、この困難な状況の中で、
我々
参加申込、
問合せ先
参加申込、問合せ先
問合せ先：参加申込締切 11 月 13 日（空きが独自の解を暗中模索することには２１世紀的ながあれば当日も可）。ただし、定員になり次第締め切り。
意味があるのではないでしょうか？
小松正二郎 Emial:Komatsu.Shojiro@nims.go.jp「脱専門莫迦を目指し、広い視野と経験を持つ一
白谷正治
Email:siratani@ed.kyushu‑u.ac.jp
流の講師陣をお招きして科学・技術と社会の現在
懇親会費
懇親会費：（懇親会に参加される方のみ） 5,000 円と未来を縦横に語り尽くし、
あわよくば技術の近主題： 「グローバル化時代への遷移状態としての現主題：
未来の手ごたえをこの手に」、を標榜する「プラズ
マ応用技術の将来ビジョン研究会」も、おかげさ
在；新技術の胎動と起業」
まで第三回を迎えることになりました。
今回は、
直
講演
：司会 京都大学・浜口智志
講演：
接的なプラズマプロセスとの関わりは薄いかもし（１） 東北大学 未来科学技術共同研究センター
れませんが、普段専門の枠のなかでしか物事を見江刺正喜
ざるを得ない我々の日常に、またとない新鮮な視「MEMS が拓く２１世紀技術（仮）」座をもたらすことにより、
上記の意図を実現すべ（２） 北陸先端大先端科学技術研究調査センター
く企画したものであります。
赤坂洋一「グローバル化とはアメリカン・スタンダードの押し付けに過ぎない」という批判にも説得力はあ「シリコンバレーのグローバル企業に学ぶ（仮）」るものの、現実にその大波をかぶっている以上、
何（３） スタンフォード大学日本センター理事長
らかの対処が必要なのは明らかであります。
我々
今井賢一の手に今どのような技術が花開こうとしており、「情報社会にもとめられる新しいハード技術：グ
かつ、
競争相手でもあるグローバル企業は如何にローバル競争を勝ち抜く研究開発戦略（仮）」して現在の成功を勝ち取ったのか、さらに、今後
パネルディスカッション
パネルディスカッション：司会 一橋大学・藤村修三
１０年の技術経営戦略はどうあるべきなのか、
豪
華講師陣の講演と、参加者すべてに開かれたフ「グローバル化時代への遷移状態？ 新技術は新
リーパネルディスカッションを通じて、明らかに起業を励起しうるか？（仮）」する無二の機会をご用意いたしました。
皆さまの講演者以外にゲストパネリストを数名予定。
ご参加を心からお待ち申し上げております。
懇親会
懇親会：6:30‑8:30 (会場：スカイホール)会費 5000 円-39-第13回プラズマエレクトロニクス講習会案内
実践的プラズマプロセス評価・構築手法(株)東芝

セミコンダクター社

関根誠

今年度の講習会では、「実 践的 プラズ マプ ロセ ス 【プログラム】
評価・構築手法」と題して、これらの分野で世界最評価
・構築手法」
１１月１１日（月）前線で活躍しておられる研究者の方々を講師に迎え、企業の初・中堅研究開発者、大学のプラズマプロセス 第一部 : プラズマシステム計測
関連研究室に在籍する院生レベルの学生諸君から、
新 1. プローブ計測法の実際と解析手法 (10:30‑11:50)
たな計測手法にチャレンジしようとしているベテラン
講師：中村 圭二（中部大学）の研究者にわたる幅広い研究者層を対象に、
計測装置
の選択、
数多くのノウハウを要する計測方法やデータ 2. 発光分光計測技術の実際と解析手法 (13:00‑14:20）
解析法について、
特に実践的手法の解説に主眼を置い
講師：佐々木 浩一 （名古屋大学）て実施致します。さらに、これらの計測データを利用
3. 吸収分光計測技術の実際と解析手法 (14:30‑15:50)
したプロセスの構築手法に関しても具体的に解説する
講師：堀 勝 （名古屋大学）
予定です。また、同時に関連計測機器・装置メーカー
による実物やパネルの展示と使用方法などのデモを通 4. インピーダンス計測とプラズマ特性解析へのじて、これらの手法を研究開発へ迅速に導入する手掛
応用 (16:00‑17:20)
かりとなる具体的な情報を提供出来るようにプログラ
ムを編成いたしました。基礎知識の修得にあわせ、研講師：川田 博昭 （大阪府立大学）
究開発の現場において即戦力となる技術の導入が可能
懇親会（18:00 〜）になる絶好の機会であると自負いたしておりますので、奮って御参加いただけますよう御案内申し上げます。
１１月１２日（火）【日 程】2002 年 11 月 11 日（月）〜 12 日（火）第二部 : 表面計測とプロセス構築、機器展示・デモ5. 実践的エリプソメトリー計測・解析技術 (9:30‑10:50)【会 場】
東京大学農学部 弥生講堂・一条ホール〒 113 − 8657 東京都文京区弥生 1 − 1 − 1
最寄駅:営団地下鉄 南北線 東大前駅
アクセス等の情報：

http://www.a.u-tokyo.ac.jp/campus/il-map.html【主 催】
応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会

http://annex.jsap.or.jp/support/division/plasma/

講師：藤原

裕之 （産業技術総合研究所）

6. 実践的ＸＰＳ計測と解析技術 (11:00‑12:20)
講師：村岡 浩一 （東芝 RDC）
7. 計測機器展示・デモ、パネル説明 (12:30‑14:30)
8. エッチングプロセス構築手法 (14:40‑16:00)
講師：交渉中9. CVD プロセス構築手法 (16:10‑17:30)
講師：霜垣 幸浩 （東京大学）【協 賛】（依頼予定）
日本物理学会、電気学会、プラズマ・核融合学会、
日 本 化 学 会 、 電 子 情 報 通 信 学 会 、 高 分 子 学 会 、 【懇親会】
日 本 真 空 協 会 、 電 気 化 学 会 、 化 学 工 学 会 、 11 月 11 日（月）18:00 〜
応 用 物 理 学 会 シ リ コ ン テ ク ノ ロ ジ ー 分 科 会 懇親会参加費（4,000 円程度）は当日徴収致します。

-40-

【参加費】（テキスト代含む）
一 般

学 生

応用物理学会＆ﾌﾟﾗｽﾞﾏｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ分科会会員

30,000 円

8,000 円

応用物理学会会員

33,000 円

11,000 円

分科会のみの会員

42,000 円

15,000 円

協賛学協会等会員

42,000 円

15,000 円

その他

45,000 円

18,000 円※懇親会［11 月 11 日（月）18:00 〜］の参加費（4,000 円程度）は当日徴収致します。
【参加申込方法】
参加申込用の専用ファイル（PDFフォーマット）に返却はいたしかねますので、代理の方のご出席をお願い致します。

必要事項をご記入のうえ、下記の参加申込担当者宛に、なるべく電子メールの添付ファイルとしてお送りください。
参加申込用の専用ファイル（PDFフォーマット）
は、
プラズマエレクトロニクス分科会ホームページ（http://annex.jsap.or.jp/support/division/plasma/）の「第13回プラズマエレクトロニクス講習会」にご用意致しますので、そこからダウンロードして下さい。専用
ファイル（PDFフォーマット）への必要事項のご記入には、Adobe Acrobat をご利用下さい。
上記の方法（PDFファイルへの記入、電子メールによる添付ファイル送信）が困難である場合は、専用の申し込み用紙（あるいは上記の専用ファイルをプリント出力したもの）に必要事項をご記入のうえ、FAXにて下記の参加申込担当者宛に申込書をお送り下さい。
原則として、事前の請求書の発行はいたしません。
参加費につきましては、
参加申込の前後に下記の振込
先にお支払い下さい。
また、領収書は会場にてお渡し致します。
尚、不参加になった場合におきましても、参加費の【申込締切】 2 0 0 2 年 1 0 月 1 8 日( 金 )【募集定員】 200 名（先着順）【参加費振込先】
三井住友銀行 九段営業部
普通預金 口座番号 3339808（社）応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会【参加申込・問い合わせ先】

-41-

担当：栗原

一彰

(株)東芝 研究開発センター
LSI基盤技術ラボラトリー
TEL：045‑770‑3689 FAX：045‑770‑3578
e‑mail：kurihara@amc.toshiba.co.jp

フロンティアプロセス 2002 案内
組織委員会委員長

大森達夫（三菱電機応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会および応用光イオンプロセスにおいて活動しております大学、企業の会員が中心になりまして、大学と企業の中堅・若手研究者/ 技術者が一同に集まって、プラズマ
CVD、
プラズマエッチングに代表されるデバイス材料と加工プロセスの最新動向や次世代デバイス・プロセスについてデバイス動向をふまえて議論し、今後のプロセス研究の展開方向を考えていくことを目的としたフロンテイアプロセス という研究会を行っております。この会の特徴は、従来の学会等では発表時間の制
限等があり、
お互いに理解しあって次の展開まで議論するまでなかなかできない、もどかしさを解消するた
めに、質問自由・デイスカッション中心で、お互いに納得するまで議論するアレンジセッションを原則として、各分野の第一線で活躍されている研究者を招待して合宿形式で議論するところです。また、議論を盛り上げるために、事前に講演内容のメモや講演で用いる
OHP を参加者に配布するところです。今年度は、場所を京都に移して第5回目として下記のように計画しておりますので、ご案内申し上げます。

先端技術総合研究所）

申し込み手続き：e‑mailまたはFAXまたははがきにて、
参加者氏名、住所、勤務先、TEL、FAX、e‑mail を明記
して下記までお申し込みください。
問い合わせ先：〒 661‑8661 尼崎市塚口本町 8‑1‑1
三菱電機 先端技術総合研究所 大森 達夫
Tel: 06‑6497‑7095 Fax: 06‑6497‑7295、
E‑mail: Oomori.Tatsuo@wrc.melco.co.jp
企画主旨:
マイクロエレクトロニクス技術の高度化が進むなかで、プラズマプロセスへの期待や要求は益々高まってきております。しかしながら、Cu配線のようにデバイスの動向が大きく変化する昨今、それにともなってプ
ラズマロセスへの要求の変化も激しくなってまいりました。そこで、プラズマ物理化学にベースを置きながらも、プラズマプロセスの最新動向を議論する場が必要になってきたと考えられます。
本ワークショップは、
そのような時代の流れに対応することを目的に企画されたものであり、プラズマ
CVDとプラズマエッチングに代表されるデバイス材料と加工プロセスの最新動向について、
企業と大学の中堅・若手研究者/技術者により議論できる場を提供するものです。これからの時代を担う中堅・若手を中心に、時代の流れに対応したデバイスオリエンテッドな
プラズマプロセスの研究を真剣に議論できる研究会を目指しております。

[フロンティアプロセス 2002 詳細]
主催：プラズマプロセスパナシアの会
協賛：応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
日時：2002 年 7 月 26 日（金）13 時〜 27 日（土）12 時頃
場所：関西セミナーハウス（京都市左京区一乗寺竹ノ内町23、
電話075-711-2115） 運営形態:
交通手段等の詳細は
基本的にアレンジセッションとし、各分野から第一
http://www.academy-kansai.com/top.htmを参照願います 線で活躍されている研究者を招待し今後の研究動向について合宿形式で議論する。プラズマ、デバイス、材
招待講演者 / トッピクス：
料、プロセス（プラズマプロセス以外も含む）等広範(1) 量子コンピュータ；NEC 中村 和夫 先生
囲から人を集めて最新動向を議論したい。
毎回、
スコー(2) バイオチップテクノロジー
プをはっきりさせ、議論が集中できるようにする。他；東洋大
一木 隆範 先生の学会とは一味違うコンファレンスにしていきたい。
(3) ＧＭＲヘッドのサブミクロンプロセス技術；東芝
大沢 裕一 先生 フロンテイア プロセス組織委員会メンバー
Chairman:大森達夫 三菱電機（株）(4) 次世代発光素子：有機LEDの最先端とデバイス物理
Vice‑chairman:寒川誠二 東北大学、；千歳科学技術大学 安達千波矢 先生
Secretary:門村新吾 ソニー（株）、中川秀夫 松下電器工業（株）
参加費：約 25000円程度（参加費、宿泊費、食事代、懇親会費込み）
定員：５０名（申し込み順に受け付けます）
申込締切：6 月 25 日（火）頃

Members:堀勝 名古屋大学、三重野哲 静岡大学、白谷正治 九州
大学、中野俊樹 防衛大学校、羽根一博 東北大学、浜口智志 京
都大学、宮崎 誠一 広島大学、大岩徳久 東芝（株）、渡嘉敷健
日本電気（株）、中村守孝 ASET、池上尚克 沖電気工業（株）、
周藤祥司 三洋電機（株）、森下 敏 シャープ（株）
Local Arrangements:浜口智志 京都大学

-42-プラズマエレクトロニクス関連会議日程
国内会議・会合
開催期間

名称

開催場所

主催・詳細問合せ先締め切り

2002年 7月 31日 〜
8月 2日

第 9回 プ ラ ズ マ エ
レクトロニクス・サマースクール

名古屋市民御岳休暇村（長野県木曽郡大滝村）
TEL0264‑48‑2111
FAX0264‑48‑2874

応用物理学会プラズマエレク
トロニクス分科会
名古屋大学工学研究科
佐々木浩一
TEL052‑789‑3137
Email:sasaki@nuee.nagoya‑u.
ac.jp（株）アルバック水谷直樹
TEL0467‑89‑2050

6/22
参加申し込み定 員 60名
詳細は分科会報（本号）と
応 用 物 理 4月 号 に 掲 載
ホームページ：
http://annex.jsap.or.jp/plasma/sum‑schl‑01/

2002年 7月 26日 〜
27日

フロンティプロセ
ス 2002

関西セミナーハウス（京都）三菱電機（株）先端技術総合研究所
大森達夫
TEL 06‑6497‑7095
FAX 06‑6497‑7288
E‑mail： Oomori.Tatsuo@wrc.
melco.co.jp

6/25
参加申し込み定 員 50名
詳細は分科会報（本号）に掲載

2002年 9月 24日 〜
27日

2002年 秋 季 第 63回
応用物理学会学術講演会

新潟大学（新潟、新潟市）

応用物理学会他
TEL03‑3238‑1044
FAX03‑3221‑6245

予稿
6/30 17:00
6/25正 午 必 着

東京大学農学部 弥生講堂・一条ホール

栗原一彰(株 )東 芝研究開発センター
LSI基 盤 技 術 ラ ボ ラ ト リ ー
TEL： 045‑770‑3689
FAX： 045‑770‑3578
e‑mail： kurihara@amc.
toshiba.co.jp

10/18
参加申し込み
定員200名

東洋大学白山キャンパス
スカイホール

物質・材料研究機構
物質研
究所 小松 正二郎
TEL: 0298 (51) 3354 内 線 2503
FAX: 0298 (52) 7449
Komatsu.Shojiro@nims.go.jp
白谷正治
siratani@ed.kyushu‑u.ac.jp

11/13締 め 切 り （ 予 定 ） 。
定員になり次第締め切り。

2002年 11月 11日 〜
12日

プラズマエレクト
ロニクス講習会

2002年 11月 20日

第 3回 プ ラ ズ マ 応
用技術の将来ビジ
ョン研究会

電子投稿
紙面投稿

国際会議
開 催 期 間名 称

2002年 7/1〜
7/4

J o in t I n t e r n a t io n a l P la s m a
S y m p o s iu m o f 6 t h A P C P S T( A s ia P a c ific C o n fe r e n c eo n P la s m a S c ie n c e a n d
T e c h n o lo g y ) , 1 5 t h S P S M ,O S 2 0 0 2 a n d 1 1 th K A P R A

開 催 場 所

主 催 ・ 詳 細 問 合 せ 先Jeju, Korea

2002年 7/14〜
7/18

第 5回 反 応 性 プ ラ ズ マ
国 際 会 議 お よ び 第 16回
電 離 気 体 の 原 子 分 子 物
理 ヨ ー ロ ッ パ 会 議 の 合
同 会 議

ワ ー ル ド ト レ
ー ド セ ン タ ー（ フ ラ ン ス 、グ ル ノ ー ブル ）応 用 物 理 学 会 、
ヨ ー ロ ッ パ 物 理 学 会
名 古 屋 大 学 工 学 研 究 科
豊 田
TEL052‑789‑4698
FAX052‑789‑3150
Email:
toyota@nuee.nagoya‑u.ac.jp

2002年 8/29〜
8/30

1 s t A s ia n S y m p o s iu m o n
I o n a n d P la s m a S u r fa c e
F in is h in g ( A S I P 2 0 0 2 )HUIS TENBOSCH, 長 崎

長 崎 県 工 業 技 術 セ ン タ ー ／馬 場 恒 明TEL: +81‑957‑52‑1133
FAX: +81‑957‑52‑1136
baba@tc.nagasaki.go.jp
http://www.d7.dion.ne.jp/
babak/ASIP2002.htm

2002年 9/9〜
9/13

8 t h I n t e r n a t io n a l C o n fe r e n c eo n P la s m a S u r fa c e
E n g in e e r in g ( P S E 2 0 0 2 )Garmisch‑Par‑
tenkirchen,
Germany

2002年 10/10〜
10/11

第 24回 ド ラ イ プ ロ セ ス
国 際 会 議東 京 大 学 弥 生
講 堂

電 気 学 会
電 子 ・ 情 報 ・ シ ス テ ム
部 門 、 （ 応 用 物 理 学 会 共 催 ）
事 務 局
土 信 田
TEL03‑5821‑7120,
FAX03‑5821‑7439
Email:QYZ05607@nifty.ne.jp

6/20
講 演 申 し 込 み
9/10
原 稿
詳 細 は 応 用 物 理 71巻 5号 p.629

2002年 10/15〜
10/18

5 5 t h G a s e o u s E le c t r o n ic s
C o n fe r e n c e

Millennium
Hotel ミ ネ ソ
タ 州 ミ ネ ア ポ
リ ス (USA)

http://www.me.umn.edu/gec/

6/21 17:00(EST)
ア ブ ス ト ラ ク ト
8/21
レ ジ ス ト レ ー シ ョ ン

2002年 11/4〜
11/8

4 9 t h A m e r ic a n V a c c u m
S o c ie t y I n t e r n a t io n a l
S y m p o s iu m

コ ロ ラ ド 州 デン バ ー (USA)

http://www.avs.org/call/2002/default.html

5/6 ア ブ ス ト ラ ク ト（ Email,Web)

2003年 6/22〜
6/27

1 6 t h I n t e r n a t io n a l
S y m p o s iu m o n P la s m a
C h e m is t r y

TAORMINA,
Italy

http://www.ispc16.org

2002,6/31 事 前 登 録
2002,11/30
ア ブ ス ト ラ ク
ト ,登 録2003,6/30
フ ル ペ ー パ ー-43-

第 ６ 回 APCPST/第 15回 SPSM
国 内 委 員 長 ）金 沢 大 学 ／ 作 田 忠 裕
http://www.apcpst.org/

Conference Co‑Chairman
名 古 屋 大 学 ／ 高 井治
http://www.apcpst.org/

締 め 切 り5/15 ア ブ ス ト ラ ク ト

4/5 ア ブ ス ト ラ ク ト
5/31 参 加 登 録 (割 引 )6/14 参 加 登 録

6/30 ア ブ ス ト ラ ク ト

7/15 事 前 参 加 登 録

≪掲示板≫「プラズマエレクトロニクス賞」について
名古屋大学

堀

勝、長崎大学藤山寛

プラズマエレクトロニクス分科会は、プラズ
マエレクトロニクスに関する研究の推進および

このような研究活動の中で、高密度プラズマ
生成、プラズマ計測、薄膜・エッチング、表面技術の向上をはかることを目的として、1990 年に設立が正式に認められました。設立から本年処理等において、多くの優れた成果が生み出され、工業的にも学術的にも大きな貢献がなされまでに 13 年の歳月が経ちます。この間に、会員数は 471 名（A 会員:36 名、B 会員 435 名、平成てきました。
今回、このような分科会の優れた活動成果を

14 年 3 月末時点）となり、毎年春と秋に開催される応用物理学会講演会での発表件数は 140 件

鑑み、プラズマエレクトロニクスに関する賞を設定しようという声が幹事会にて提案されまし以上になっています。
また、分科会として正式承認される前、即ちた。幹事会にて、賞の性格や規約について議論がなされ、その骨子が決まり、応用物理学会事研究会としての活動時に「プラズマプロセシン
グ研究会（S P P : S y m p o s i u m o n P l a s m a

業審議会で 3 回ほどの議論がなされた後、3 月の理事会にて「プラズマエレクトロニクス賞」

Processing）」が発足しました。SPP は、毎年 1回開催されますが、最先端のプラズマの基礎おの設定が正式に承認されました。
賞の性格や規定については、本誌の第 1 回プ

よび応用に関する研究発表の場として多くの参加者が集まり、プラズマエレクトロニクスの発

ラズマエレクトロニクス賞公募会告を参照して頂きますようお願い致します。個人やそのグ展に貢献しています。SPP は今回で 19 回を数えます。また、SPP は、2 〜 3 年に 1 回、国際会議

ループでの研究成果の結晶である論文が賞として評価されることは、研究者・技術者の大きな（ICRP：International Conference on Reac‑
tive Plasma）として開催されます。1998 年に励みとなり、この賞がますますのプラズマエレ
クトロニクスの発展や人材の育成につながっては、第４回 ICRP が 50 年の歴史を有する米国の国際会議（GEC）と共同してハワイで開催されまいくことが期待されます。多くの方々が積極的に応募されるようお願い致します。

した。本年度は、第５回 ICRP（菅井秀郎組織委
員長）がヨーロッパを中心として開催されてき最後に、賞の設定に関して多くの方々のご指導、ご協力を賜りました。心からお礼申し上げた歴史ある国際会議（ESCAMPIG）と共同してグ
ルノーブルで開催されます（詳細は本誌国際会ます。

議案内参照）。

-44-

第１回プラズマエレクトロニクス賞公募会告プラズマエレクトロニクス賞の受賞候補者募集要項
プラズマエレクトロニクス分科会では、今年度(2002年度) より、
プラズマエレクトロニクスに関する学術的あるいは工業的に価値のある優秀な論文を表彰の対象とし、その著作者に対し、プラズマエレクトロニク
ス賞を贈ることにいたしました。第1回プラズマエレ
クトロニクス賞の候補者を、下記のごとく募集いたしますので、自薦、他薦を問わず、多数の方々の積極的な応募を期待いたします。
記
受賞対象者 プラズマエレクトロニクス分科会が主催する研究会、国際会議等で発表され、且つ2000
年、2001年、2002年発行の国際的な学術刊行物に掲載された原著論文の著者。ただし、受賞者
は、表彰の時点においてプラズマエレクトロニ
クス分科会会員あるいは応用物理学会会員とする。
提出書類 ●候補論文別刷 2 部 (コピーでも可、第 1
ページに候補論文と朱書きすること。関連論文があれば別刷またはコピー各2部を添付。
)●該論文の内容が発表されたプラズマエレクトロニク
ス分科会が主催する研究会、国際会議等の会議録等のコピー 2 部●著者全員について和文で下記を記入した書類2部
氏名、会員番号、勤務先 (連絡先)●推薦書 1部 (自薦、他薦を問わず、論文の特徴、優れた点などを400字程度でわかりやすく記すこと。
)
表彰 2003 年応用物理学会春季講演会期間中に行います。
受賞者には賞状および記念品を贈呈いたします。また2003年秋季講演会期間中に記念講演を依頼する予定です。
書類提出期限 2002 年 12 月 31 日 (火)(当日消印有効)
提出先 〒102-0073 東京都千代田区九段北 1-12-3
井門九段北ビル5階
社団法人 応用物理学会
プラズマエレクトロニクス分科会 幹事長(封筒表に、 プラズマエレクトロニクス賞応募 と朱書きのこと。
)
なお下記の規定をご覧下さい。

プラズマエレクトロニクス賞規定
1. この規定はプラズマエレクトロニクスに関する学術的あるいは工業的に価値のある優秀な論文を表彰の対象論文とし、その著作者にたいして社団法人
応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会（以後プラズマエレクトロニクス分科会と言う）が行う表彰について定める。
2. この表彰を「プラズマエレクトロニクス賞」という。
3. 表彰の対象論文は、原則として、
プラズマエレクト
ロニクス分科会が主催する研究会、国際会議等で発表され、且つ募集期間から過去3年の間に国際的な学術刊行物に掲載された原著論文とする。
4. 受賞者はプラズマエレクトロニクス分科会会員あるいは応用物理学会会員とする。
5. 受賞者は公募に応じた自薦および他薦の候補者から選考する。
6. すでに公に顕著な賞を受けた論文は、プラズマエ
レクトロニクス賞の対象論文としない。
7. 表彰は原則として毎年2件以内とする。
8. 表彰は賞状授与および記念品贈呈とする。
9. 表彰は毎年応用物理学会春季講演会において行う。

10. プラズマエレクトロニクス分科会幹事会は、毎年１１月までに受賞候補者募集要項を「プラズマエ
レクトロニクス分科会会報」および応用物理学会
機関誌「応用物理」誌上に公表し、広く募集する。
11. 受賞者の選考はプラズマエレクトロニクス分科会
幹事長が委嘱した「プラズマエレクトロニクス賞」
選考委員会が行う。
12. 受賞者が決定したときは、「プラズマエレクトロニ
クス賞」
選考委員会委員長が、プラズマエレクトロ
ニクス分科会幹事会に選考の経過および結果を報告する。
13. プラズマエレクトロニクス分科会幹事長は、選考の経過および結果を応用物理学会理事会に報告する。
14. この賞の実施に関する必要な事項の審議および決定はプラズマエレクトロニクス分科会幹事会が行う。
15. 本規定は、理事会の承認を経て改訂することができる。
付 則
この規定は、平成 14 年 4 月 1 日より施行する。

-45-

プラズマエレクトロニクス分科会会員名簿変更届

会

員

名

簿

変

更

届

（応用物理学会・プラズマエレクトロニクス分科会）
フリガナ（ローマ字）

氏 名
（会員番号

勤務先
（在学先）

大学名又は会社名
学部学科又は部課
住所（〒

）

TEL：
電子メール：
住所（〒

）

FAX：
）

自 宅
TEL：
電子メール：
大学
大学院

出身学校

専門分野
キーワード

FAX:
学部

学科（西暦
専攻（西暦

年卒業）
年修了）

（４つ以内）(注） 変更追加訂正の項目に○印をつけて下さい。名簿記載を希望しない項目がありましたら、
下記の欄の左側の空欄に×印をご記入下さい。
勤 務 先
住 所

勤 務 先
Tel・ FAX

勤 務 先
E‑mail

自 宅
住 所

自 宅
Tel・ FAX

自 宅
E‑mail

学 歴

専 門
分 野

（送付先）
〒 102‑0073 東京都千代田区九段北 1‑12‑3

井門九段北ビル 5 階

社団法人

応用物理学会TEL:03‑3238‑1043
FAX:03‑3221‑6245

-46-

編集後記
年度も新しくなり、幹事長も藤山先生から斧先
生に引き継がれました。幹事も半数が入れ替えとなり、新しい幹事会の体制がスタートしました。藤山先生におかれましては 2 年間プラズマエレクト
ロニクス分科会を盛り立てていただきありがとうございました。また、斧先生に置かれましては、これから難しい情勢の中、藤山先生同様に会を盛り立てていただき、私ども幹事もプラズマエレクト
ロニクス分科会の発展に尽力したいと考えております。
今回の会報では巻頭で、旧幹事長退任、幹事長新任のご挨拶をお願いしました。研究室紹介には新
しく独立法人化し、研究室も移転され新たにスタートされた産業技術総合研究所薄膜シリコン系
太陽電池開発研究ラボの近藤先生にお願いしました。
海外の研究事情では、プラズマとは少し分野は異なりますが、東工大の神谷先生にケンブリッジ
でのシングルエレクトロンデバイスに関する研究について紹介をしていただきました。
また、当分科会の発足当初から発展に尽力されてみえました先生方の一人であります名古屋大学の後藤俊夫先生が応用物理学会の会長に今年度からご就任されました。このご就任を記念して本号
では特集を組み、後藤先生に応用物理学会会長としての所信と応用物理学会の発展を支える分科会への期待について寄稿していただきました。また、先生の会長就任祝賀会を春の応物の時に行ない、その折に祝辞等をお願いしました先生方にも、寄稿をお願いしました。廣田先生には、重点領域研究
をはじめとする後藤先生との共同研究について、
岡本先生には興味深い当分科会の発足当初の話しを、松田先生には、祝賀会での話しを後藤先生の普段お目にかかれない側面から紹介していただきました。
先生方のお話しにもありますように、この難しい情勢を打開するためには、分科会発足当初と同様に、新しい方向を打ち出し分科会のさらなる発展を目指すことの重要さを感しました。皆さんはいかがお感じになられるでしょうか？是非ご一読ください。
先に述べましたように、本年度から斧幹事長のもと新体制で幹事会が始動しました。皆様のご支援・ご協力の程よろしくお願い申し上げます。
（節原、伊藤、安井、辰巳）（文責：伊藤）プラズマエレクトロニクス分科会会報
発

行

No.36

日：2002 年 6 月 10 日

応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
幹事長 斧 高一

編集・発行：社団法人〒 102‑0073

東京都千代田区九段北1‑12‑3

井門九段北ビル５階（ c 2002 無断転載を禁ず）-47-