「結晶加工と評価技術１４５委員会」活動状況報告⑴

設置年月：昭和52年10月⑵

委員長名（所属職名）：田島道夫（JAXA宇宙科学研究所・名誉教授，明治大学・特任教授）（期間：平成19年10月～現在に至る）⑶

委 員 数：74名（学界委員38名，産業界委員23名，顧問10名，オブザーバー3名）

学駿河台キャンパス）講演 6 件，懇親会

１．委員会趣旨・目的
現代社会の発展を支えているシリコンデバイス

第 151 回研究会 「結晶スライシング技術の現状とは，高速化と高集積化が極度に進んだ現在，従来技新技術」（2016．12．14，明治大学駿河台キャン術の延長では解決できない多くの困難な問題が顕在パス）講演 5 件，懇親会化してきており，さらなるウエハー技術の高品位化国際シンポジウムが望まれている．本委員会は，結晶加工と評価を切「The 7th International Symposium on Science andり口に，シリコンと化合物半導体の研究コミュニテ

Technology of Silicon Materials」（2016.11.21-25，

ィ間に横断的に情報交流の場を与え，単独では取りKona, Hawaii, USA）

組めない研究課題を産・学・官協同で推進し，さらには新技術を創出することにより，半導体産業の活３． 活動の成果性化・技術力向上に寄与することを目的としている．

本委員会は平成 25 年度には，定例の研究会を 4回，国際シンポジウムを 1 回開催した．以下にその成果概要を記す．

２．活動概要・実績

１．第 148 回研究会「化合物半導体中の点欠陥の性・概要：研究会4回，幹事会4回，委員総会2回，国質と挙動，および信頼性への影響－ナイトライド系

際シンポジウム1回

材料および発光デバイスを中心として－」を明治大研究会

学駿河台キャンパスにて，5 月 25 日に開催した．

第 148 回研究会「化合物半導体中の点欠陥の性質

本研究会では，近年，社会的重要性や，産業界の注と挙動，および信頼性への影響－ナイトライド系

目が益々高まっている窒化物系化合物半導体のレー材料および発光デバイスを中心として－」（2016．

ザーやパワー半導体用結晶中の欠陥について議論を

5．25，明治大学駿河台キャンパス）講演 6 件，懇行い，図１に示すような陽電子消滅による点欠陥の親会

解析や，転位等がデバイスに及ぼす影響について議第 149 回研究会「高効率結晶シリコン太陽電池へ論した．のアプローチ：結晶成長から高性能セルまで 」（2016．7．19，明治大学駿河台キャンパス）講演
6 件，懇親会
第 150 回研究会「バルクライフタイム測定を中心とする欠陥・評価関係」（2016．10．21，明治大－1－

太陽電池やパワーデバイスの特性を左右するキャリアのライフタイムに関しての各種測定法が紹介された．図３には，鉄の濃度限界が 2x109cm-3 であることが紹介されている．さらには，CMOS イメージセンサーの中の金属不純物量などについて，昨今のシリコン技術の目覚ましい発展に関して活発な議論が行われた．

図１

GaN の陽電子消滅Ｓパラメータと寿命との関係

２．第 149 回研究会「高効率結晶シリコン太陽電池へのアプローチ：結晶成長から高性能セルまで」を
明治大学駿河台キャンパスにて，7 月 19 日に開催
した．本研究会では，シリコン系太陽電池の各種成図３

鉄の測定結果の例

長法やヘテロ接合太陽電池の開発状況について議論が行われた．特に，図２示すように多結晶成長のメ４．151 回研究会「結晶スライシング技術の現状とカニズムをファセット成長過程のその場観察により新技術」を明治大学で 12 月に開催した．本研究会

明らかにしたリ，ヘテロ接合太陽電池の基礎と応用

では，半導体結晶のインゴットからウエハへのスラに関する発表があり，今後の研究開発の方向性につイシング技術のさらなる能率・精度向上とダメーいて議論し，有意義な研究会となった．

ジ・カーフロス低減を目指し，ワイヤーソーによる延性モードスライシング技術，化学エッチングを用いたスライシング技術，レーザーによるスライシング技術（図４），ワイヤ放電を用いたマルチスライシング技術，およびイオン注入剥離法によるスライシング技術などに関する 5 件の報告がなされた．各技術の基本原理から具体的な加工条件そして評価方法まで，参加者間で幅広く有意義な議論が行われ，

図２ デンドライト結晶の観察結果

結晶加工に関する理解が深まった．

３．第 150 回研究会「バルクライフタイム測定を中心とする欠陥・評価関係」を明治大学駿河台キャンパスにて，10 月 21 日に開催した．本研究会では，－2－図４ レーザーによるスライシング技術

５．The 7th International Symposium on Science andTechnology of Silicon Materials（2016.11.21-25）を，2016 年 11 月 21 日から 25 日までの 5 日間，Kona,
Hawaii, USA(http://hawaii2016.kir.jp/program.html) において開催した．本会議の主題は，シリコン結晶材料関係の結晶成長から加工・評価まである．会議日
程は下記に示した．

午

前

午

11 月 21

後Registration

日(月）

夜
Get

togetherparty

11 月 22

Opening

日(火）

markPlenary

Re-Oral Session ,Poster Session

Oral Session

AfterTalk,

Oral Session
11 月 23

Oral Session

日(水）
11 月 24

Plenary Talk,日(木）Oral Session

sion

日(金）

Oral Session5

and Technology of Silicon Materials の会議の様子

talkPoster

11 月 25

図５ The 7th International Symposium on Science

dinnerSes-

４．今後の活動方針
定例となっている研究会に関しては，2017 年度

Closing Remark

は 6 月に第 152 回研究会「SiC パワーデバイス－社会実装へ向けた現状と課題－」を開催した．さらに，7 月には「最先端ゲッタリング技術の研究開発動向」，8 月には「X 線を用いた先端計測技術－3－-

ウェーハ評価からナノスケールイメージングまで-」，らの研究会，国際シンポジウムを適宜開催すること10 月には「IoT による結晶・薄膜と加工技術の可能により，産学官の有機的な情報交換の場を提供する．

性」，そしてさらに「先端計測と太陽電池研究」，等

さらには，社会の本委員会への期待に応えるべく研をテーマとして企画し,わが国の半導体産業の更な究会のテーマ選定に関して企業等にアンケートを実る発展を目指して，環境とエネルギーをキーワード施して，タイムリーな研究会のテーマ設定を行う．

として，結晶育成，ウエーハ加工，欠陥評価などのこれらの活動を通じて太陽電池産業をはじめ，我が分野で中立的な立場から産業界に寄与していく．ま国の半導体電子産業のさらなる活性化・技術力向上

た，第８回シリコン材料の科学と技術フォーラに貢献することが期待される．

ムを 2018 年 11 月 18 日（日）－22 日（水）に岡山大学にて末岡浩治実行委員長のもと開催
し，第 10 回結晶シリコン太陽電池の科学と技術国際ワークショップ(URL： http://www.numse.nagoyau.ac.jp/photonics/CSSC10/main.html)を 2018 年 4 月 8日（日）－11 日（水）に東北大学金属材料研究所
にて，宇佐美徳隆実行委員長のもと開催する．これ－4－