プラズマエレクトロニクス分科会会報 No. 80
2024 年（令和 6 年）6 月発行
佐々木、天野、田中、財前
目次
幹事長交代の挨拶
幹事長退任にあたって

大阪公立大学白藤 立

1

幹事長就任にあたって

九州大学

古閑 一憲

4

名古屋大学

堀 勝

5

室蘭工業大学

髙橋 一弘
川口 悟

6

名城大学

竹田 圭吾

11

大阪公立大学

白藤 立

17

高容量 Li イオン電池のための 2 元スパッタリングを用いた Ge/C 複合負極の開発

名城大学

大前 知輝
内田 儀一郎18

交流電圧を印加した金属板上に形成されるイオン
シースの時間分解レーザー誘起蛍光計測

京都大学

占部 継一郎
高橋 良輔

21

中部大学

小川 大輔

23

名古屋大学

田中 宏昌

25

第 41 回プラズマプロセシング研究会(SPP41)

東京工業大学赤塚 洋

26

第 71 回応用物理学会春季学術講演会
チュートリアル講演開催報告

ウェスタンデジタル

平松 亮

27

寄稿
応用物理学会業績賞をいただいて～40 年を経て見つけたもの～研究室紹介
室蘭工業大学 大学院工学研究科
気体エレクトロニクス研究室
学生のためのページ
発光・吸収分光法によるプラズマ内活性粒子の診断技術
第 22 回プラズマエレクトロニクス賞
第 22 回「プラズマエレクトロニクス賞」について
応用物理学会講演奨励賞

国際会議報告第 44 回ドライプロセス国際シンポジウム
44th International Symposium on Dry Process(DPS2023)
16th International Symposium on Advanced Plasma
Science and its Applications for Nitrides andNanomaterials / 17th International Conference on
Plasma-Nano Technology & Science / 13rd Asia-PacificSymposium on the Basics and Applications of Plasma
Technology (ISPlasma2024 / IC-PLANTS2024 /APSPT-13)
国内会議報告i

第 71 回応用物理学会春季学術講演会
プラズマエレクトロニクス分科会 シンポジウム
T13「プラズマが拓くナノ粒子・量子ドットの新展開」
第 71 回応用物理学会春季学術講演会
分科内招待講演 キオクシア(株) 宮島秀史
「高積層３次元フラッシュメモリにおけるプロセス開発とその対策」
第 71 回応用物理学会春季学術講演会
分科内招待講演 九州大学 小菅佑輔
「核融合プラズマ研究の最新の動向」
第 42 回プラズマ新領域研究会「気液界面および液体中の放電現象」

九州大学

鎌滝 晋礼

28

産業総合研究所

辻 享志30

産業総合研究所

辻 享志

31

金沢工業大学大澤 直樹

32

第 43 回プラズマ新領域研究会「ナノ粒子・微粒子の分散技術」

名古屋大学

鈴木 陽香

33

2024 年 第 85 回応用物理学会秋季学術講演会
プラズマエレクトロニクス分科会企画

名城大学
名古屋大学

伊藤 昌文
石川 健治

35

第 45 回ドライプロセス国際シンポジウム
45th International Symposium on Dry Process(DPS2024)

キオクシア
室蘭工業大学
東京エレクトロン宮城
名古屋大学
北海道大学

大村 光広
佐藤 孝紀
本田 昌伸
石川 健治
富田 健太郎

38

九州大学

古閑 一憲

42

行事案内

第 18 回インキュベーションホール

40

掲示板
第 23 回プラズマエレクトロニクス賞受賞候補論
文の募集
2024 年度(令和 6 年度)
プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿432024 年度(令和 6 年度)分科会幹事役割分担452024 年度(令和 6 年度)
分科会関連の各種世話人・委員

46

活動報告

47

プラズマエレクトロニクス関連会議日程

48

当会報への広告掲載について

49

編集後記

50

ii

幹事長退任の挨拶

幹事長退任にあたって
大阪公立大学白藤 立

2022 年 4 月から 2024 年 3 月までの 2 年間，プれました[2]．ご多用中にも関わらず，ワーキング

ラズマエレクトロニクス（以下 PE）分科会幹事長にご協力いただき，貴重な意見を賜った方々に心を担当させていただきました．副幹事長の伊藤昌より感謝申し上げます．なお，これはまだスター

文先生（名城大学），上坂裕之先生（岐阜大学），トラインに立たせてもらった段階ですので，今後深沢正永様（当時ソニーセミコンダクターソリュの分科会各位の研究により，グランドビジョンがーションズ，現在産総研（つくば）先端半導体研徐々に実現されていくことを祈念いたします．

究センター），庶務幹事の竹内希先生（東京工業大学），竹中弘祐先生（大阪大学），宗岡均先生（東●アカデミックロードマップ改訂京大学），
そして分科会行事を活発に進めていただ

PE 分科会の 30 周年記念事業の一つとして，前いた幹事各位には，後手後手の白藤を強力にサポ

幹事長の節原裕一先生（大阪大学）から引継ぎまートしていただき，心より感謝申し上げます．ました．白谷先生のイニシアチブのもと，ワーキン

た，応用物理学会の分科会担当の小田様には，突グに参画いただいた多数の方々のおかげで，おお然の共催案件などにご対応賜り，心より感謝申し

よその形は出来上がったのですが（2023 年度末の上げます．本稿にて，私の分科会での 2 年間の活インフォーマルミーティン資料），私の力不足にて，動を振り返り，反省点などを述べたいと思います．

英語版や挿入図表の著作権問題の解決などが未完
成となりました．誠に申し訳ありません．先述の●日本学術会議「未来の学術振興構想」の策定に「未来の学術振興構想」とも関連するものですの向けた「学術の中長期研究戦略」への応募で，早く完成させて，本会報の 12 月号とホームペ

これは，かつてのマスタープラン[1]に代わる新ージで公表するべく頑張ります．

たな取り組みとして，2022 年 6 月 30 日に公募されたものです．今後 30 年頃までを見通した「グラ●出版物のアーカイブ化

ンドビジョン」の提示と，そのバックキャストにPE 分科会 30 周年記念事業の一つとして，PE基づく研究戦略を示すものです．
堀勝教授
（代表）

講習会や PE インキュベーションホール（以下 IH）（名古屋大学），白谷正治教授（九州大学），石川のテキストのアーカイブ化が実施されました．前

健治先生（名古屋大学）の強力なイニシアチブの

幹事長の節原裕一先生と石川先生のご尽力により，もと，PE 会員の多くの方々に参集いただいたワ

ほぼ完了に域に達しています．課題であった著者

ーキンググループにて申請書を作成し，2022 年の著作権についても，応用物理学会への譲渡をお12 月 16 日に申請しました．ご協力頂いた方々の願いすることとなりました[3]．ただ，著者以外がご尽力のおかげで，2023 年 9 月 26 日に「No.118

著作権を有する図表を含むテキストの扱いが微妙

グランドビジョン⑭ 低温プラズマの学術とイノですので，もう少しお時間をいただければと存じ

ベーション推進のための研究戦略」として公表さます．
1

●コロナ禍の終息と分科会行事「有給財産保有制限について」でした．公益財団

2022 年度はコロナ禍が終息に向かっており，嬉法人なのに余剰金が多すぎるので有効活用しなさ

しいことではあったのですが，行事を企画する段いという指示です．PE 分科会では，PE 講習会な階での実施形態（対面か遠隔か）の意思決定がか

どの黒字事業の収益を PE-IH などの若手育成になり難しかった時期でした．そのような時期でし活用する方針でしたが，コロナ禍の遠隔化で支出たが，分科会の重要行事であるプラズマプロセシが減少したのが原因の一つです．これに対する対

ング研究会（SPP）の国際版である反応性プラズ

応として，以下を実施しました．

マ国際会議（ICRP）が，chair の杤久保文嘉先生①これまで無予算実施だったプラズマ新領域研究（東京都立大学）と現地実行委員長＆GEC 委員の会への予算配分による活性化．

金子俊郎先生（東北大学）をはじめとする運営委②ISPC-25 に併催の 2023 The IPCS Summer

員 の 方 々 の ご 尽 力 に よ り ， 対 面 の ICRP-11 /School （2023 年 5 月 20 日～21 日，京都ガーデ

GEC2022 / SPP-40 / SPSM35 合同会議として仙ンパレス）への共催および｢支援金｣補助による若台国際センターで開催され，大成功を収められま

手育成．実行委員長の渡辺隆行先生（九州大学）

した．

には，PE 会員用の特別参加枠を設けてもらうな

その次の SPP は，学振 153 委員会のプラズマ

どご協力を賜りました．

材料科学シンポジウム（SPSM，2017 年 SPP-34③ICPIG2023（2023 年 7 月 9～14 日）への共催

より合同）がなくなったことにより 7 年ぶりの単と PE 会員学生の渡航補助．2019 年の ICRP-10

独開催となりましたが，実行委員長の赤塚洋先生

北海道大学での ICRP-10 / XXXVI ICPIG の黒字（東京工業大学）をはじめとする運営委員の方々分相当を chair の佐々木浩一先生（北海道大学）のご尽力により，2024 年 1 月 23～25 日に SPP-のご意向でこの目的に支出しました．ICPIG との41 として成功裏に開催されました．

共催，審査などにて白谷先生ならびに研究室秘書

対面を重視する PE-IH については，2022 年度

様に大変お世話になりました．この場を借りて厚はやむを得ず遠隔実施となりましたが，2023 年度

く御礼申し上げます．

からは対面実施に戻りました．
小職の不手際にて，④国際会議等への共催のガイドライン策定．上記開催地近隣の人が担当幹事になっておらず，ご不の活動をするにあたり，「支援金を出して共催する

便をおかけしましたことをお詫び申し上げます．

際のガイドラインを分科会として策定すべし」とこうしたこともあり，次年度以降は，開催地を固いうご指摘をいただき，幹事各位と議論して「PE定しないことになりました．

分科会の活性化につながること」を骨子として策PE 講習会についても 2022 年度は遠隔実施で定しました．

したが，2023 年度は参加者アンケートの結果から

以下は，計画のみで不実施項目です．

初めてのハイブリッドが試行され，過去最高の参⑤プラズマを魅せる．アカデミックロードマップ

加者を達成されました．担当された深沢様をはじなどの分科会共通の資料に載せる科学イラストをめとする関係各位に心より感謝申し上げます．

有償で専門業者に描いてもらい，会員で共有する[4]．

●有給財産保有制限への対応⑥ホームページのリニューアル．未執行となり申着任直後の理事会で各分科会に指示されたのがし訳ありません．
2

●DPS との共催の開始

謝申し上げます．

PE 技術の中で「それなくしてできません」という社会実装に至っているドライエッチングを中心私が担当した 2 年間を振り返りましたが，未実とするドライプロセスシンポジウムとの共催が施と未達成が多く，PE 行事にご尽力いただいた

DPS2023（2023 年 11 月 21～22 日，ウィンク愛

方々と比べて，つくづく私の至らなさが目に余る知）から開始しました．DPS 組織委員長であったことを痛感しました．本当に申し訳ありません．

松井都様（日立製作所），事務局の田畑睦様をはじ

未完成・未達成の事項については，退任後も力をめとする DPS 組織委員会の方々には大変お世話

尽くし，早期に達成するようにいたします．

になりました．深く御礼申し上げます．過去のプ

2024 年度からは，新幹事長の古閑一憲先生（九ロシーディングスの著作権の帰属先などの課題が州大学）のもとで，新たな PE 分科会の活動が推残っていますが，双方が Win-Win となる関係が進されることになりますが，私を反面教師として構築されることを祈っています．

見ていただき，分科会をさらに有意義で活性度の高い分科会にしていただければ幸いであります．

●ICRP の継続的・組織的計画
ICRP は GEC, ICPIG, ESCAMPIG といった海

参考文献[1] 「マスタープラン 2020」

外の関連国際会議と合同開催を行ってきました．
その際，特に GEC 側との折衝に立たされた方か

https://www.scj.go.jp/ja/info/kohyo/

ら，「ICRP も GEC ぐらいに組織的に計画しなけ

kohyo-24-t286-1.html

ればならない」というご指摘をいただきました．

第 24 期マスタープラン 2020 では，No. 23

この度，共催が開始した DPS も過去履歴の管理「最先端プラズマ科学グローバルイノベー

や次回・次々回に関する計画がしっかりと議論さション拠点の形成」（代表：堀勝，名古屋大学

れていました．こうしたご指摘を受けて，2023 年

低温プラズマ科学研究センター）が採択され度から ICRP を組織的に計画する委員会を立ち上ている．今回の申請は，この後を引き継ぐもげなければならなかったのですが，白藤の努力不のと位置づけられる．
[2] 「未来の学術振興構想」の策定に向けた「学足で委員会発足にまで至りませんでしたことをお詫び申し上げます．

術の中長期研究戦略」の公募
https://www.scj.go.jp/ja/member/iinkai/kenkyukeikaku/25koubo.html●応物本部からの各種推薦依頼[3] 「著作権委譲に関するお願い」

毎年，応物本部より，次期応物役員，業績賞，
フェローなどの推薦依頼が来ます．その際には，

https://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files

過去５年ぐらいの幹事長やそのときの応物副会長/copyright_2022.pdf[4] 辻野貴志：「魅力的な科学イラストを描くコの辰巳哲也様（ソニーセミコンダクターソリュー

ツ」，応用物理 92，243 (2023).

ションズ）に大変お世話になりました．心より感3

幹事長就任の挨拶

幹事長就任にあたって
九州大学

古閑

一憲

このたび 2024 年 4 月から２年間、プラズマエ

ギーなど新しい価値観との共存が求められている

レクトロニクス分科会の幹事長を拝命いたしましようです。その中で単なる技術開発に留まらないた。オンラインに残る分科会誌を紐解きますと、

新しい価値観に基づいた学理構築が分科会にも求

過去 30 年間において、以下の先生方が歴任されめられているように思います。

ております。

プラズマエレクトロニクス分科会では、半導体

1994、1995 年度 慶応大

真壁利明先生デバイスプロセスに関連する研究を筆頭に、プラ

1996、1997 年度 大阪大

三宅正司先生

ズマバイオ、プラズマ触媒、プラズマナノテクノ

1998、1999 年度 名大菅井秀郎先生

ロジーなど、従来分野の発展維持とともに新しい

2000、2001 年度 長崎大

藤山寛先生

分野を創出する役割を担っています。講習会やイ

2002、2003 年度 京大

斧高一先生

ンキュベーションホール、プラズマプロセシング

2004、2005 年度 名大河野明廣先生研究会、新領域研究会、International Conference

2006、2007 年度 東北大

畠山力三先生on Reactive Plasmas の企画運営の他に、応用物

2008、2009 年度 九大

白谷正治先生理学会におけるシンポジウム企画などの従来サー

2010、2011 年度 名大堀勝先生

ビスを踏襲しつつ新しい状況に合わせた会員サー

2012、2013 年度 東大寺嶋和夫先生ビスを実施したいと思います。

2014、2015 年度 名大豊田浩孝先生半導体デバイスプロセス分野では、Rapidus 株

2016、2017 年度 首都大東京 杤久保文嘉先生

式会社の設立や TSMC の工場建設など、国内での2018、2019 年度 名城大平松美根男先生

半導体分野の動きに柔軟に対応し、新しい学術シ

2020、2021 年度 阪大

節原裕一先生ーズの母体として、若手研究者のプラズマプロセ

2022、2023 年度 大阪公立大 白藤立先生

スの学理を涵養する場として貢献したいと思いま

上記した著名な先生方の中に名を連ねる光栄と、 す。加えて、ドライプロセスシンポジウムとの連
果たして連なってもよいのか甚だ不安になる非才携を強化してゆきます。加えてプラズマエレクトの身ながら、分科会の皆様からの期待に応えるこ

ロニクス分科会 30 周年事業の一貫として始まっとができるよう、副幹事長、庶務、その他分科会

たロードマップの改訂が着々と進み新しいプラズ

幹事と共に努力してまいります。

マエレクトロニクスの姿が描かれていくものと考

ここ近年のプラズマ科学周辺の状況を見てみまえます。描かれたロードマップを現実にするため

すに、デジタルトランスフォーメーションとグリには、皆様のご協力・ご参画あってのものと思いーントランスフォーメーションが示すように、現ます。

況からの転換・変換が必要とされているように思皆様と共に、あらゆる状況を楽しむことをモッいます。それも、単に性能の良いものを生み出す

トーに 2 年間を過ごしたいと思います。以上どうといった発展の方向性のみならず、環境やエネル

ぞよろしくお願いいたします。
4

寄稿

応用物理学会業績賞をいただいて～40 年を経て見つけたもの～
名古屋大学

低温プラズマ科学研究センター

堀勝

2024 年 3 月 22 日に応用物理学会業績賞を受賞発現する非平衡の表界面層における物理化学反応する栄誉に浴し、身に余る光栄です。業績賞の歴のダイナミクスとその表界面で形成された層が、史の中で、プラズマという名称が刻まれた業績理

絶えず、次の反応（エッチング、薄膜成長、細胞由での受賞は、初めてです。したがって、私に授内シグナル伝達など）を決定するとともに、反応与された業績賞は、本分野の発展に尽くされた多が終端するとレガシーとして残ります。これまくの諸先輩の努力を礎としての受賞と思います。

で、これらの層は、改質層、混合層、凝縮層、境また、活動や研究を共にしていただいた皆様方に界層、ダメージ層などのバラバラの名称で定義さ心より感謝いたします。

れてきましたが、この層を科学として体系化する

この度、応用物理学会から受賞に対する随筆のことが、低温プラズマ科学に残された領域である依頼を受けました。受賞に際して思うことは、学と洞察しました。そこで、これらの層を呼称する

会誌 7 月号（7 月 10 日発行）に掲載される予定

のにふさわしい名称としてメタレイヤー（Meta-

ですので、ご高覧願います。私の受賞理由は、

layer）という造語が瞬時に浮かびました。メタと「ラジカル制御プラズマプロセスの先駆的研究」

は、「あとに」という意味の古代ギリシャ語の接であり、約 40 年間にわたって、プラズマ中の活頭辞。転じて「超越した」、「高次の」という意味性種であるラジカルを基軸にして、低温プラズマであるとともに、「変化」を意味する接頭辞であ

科学とその応用の研究を推進してきた活動を評価ると定義されています。まさにプラズマプロセスしていただいたものです。また、受賞日に、プラの本質を握っている科学領域に相応しい名称であズマエレクトロニクス分科会招待講演として、受ると実感し、受賞講演では、メタレイヤーを基軸

賞講演をさせていただきました。多くの方々に出にして、多様なプラズマ現象をまとめました。実席していただき、心からお礼申し上げます。3 月に興味深いことに、プラズマと溶液あるいは生体になって、受賞講演で、私の 40 年間にわたる研との相互反応についても、時定数と反応長は異な究を紹介すべく、スライドを作成していました。

りますが、固体と同様に、メタレイヤーによっ

ラジカル制御プラズマプロセスの研究についてて、統一的に現象を特定し、体系化できることでは、一昨年に、“Radical-controlled Plasmaす。受賞が契機となって、40 年を経て、プラズ

Processes” Reviews of Modern Plasma Physics, 6, 1-

マプロセス科学の核心を掴み、残された研究者と117 (2022) に長い論文を執筆しました。これを基しての時間とエネルギーをメタレイヤーの特定とにして、プラズマプロセスの歴史について思考を体系化と制御に傾けたいと決意しました。

繰り返している内に、思いがけず、プラズマプロ

今後も、学会などを通して、皆様方とともにメ

セスの本質に気が付きました。プラズマと物質

タレイヤーについて議論できることを楽しみにし（気体、液体、固体、生体など）との相互作用で

ています。
5

研究室紹介室蘭工業大学

大学院工学研究科
室蘭工業大学

気体エレクトロニクス研究室

髙橋一弘，川口悟

1. はじめに

2. 研究室の取り組み

室蘭工業大学は，創造工学科とシステム理化学

当研究室では，気体放電プラズマの環境応用に科からなる理工学部を有する国立の工科系単科大着目した研究として，放電プラズマの水処理応用学です。当研究室は，理工学部創造工学科を構成[1]や環境汚染物質の分解・無害化[2]，未利用エネ

する 4 コース（建築土木工学コース，機械ロボッ

ルギー源の有効活用[3]などを実施してきました。

ト工学コース，航空宇宙工学コース，電気電子工

近年では，放電プラズマが誘起する現象の解明や学コース）の内，電気電子工学コースにて活動し放電基礎過程に関する取り組みが主となります。

ており，教育・研究 1 号館 F 棟の 3 階に学生や教ここでは，プラズマと液体の相互作用の解明，電員の居室が，1 階に実験室を設けています。本年

子－分子相互作用データベース（電子輸送係数お度の研究室メンバー【写真 1】は，佐藤孝紀理事・

よ び 電 子 衝突 断 面積 セッ ト ） の 整備 ， およ び

副学長，川口悟助教，髙橋と大学院生 4 名（M1/M2

Physics-informed neural networks (PINNs) の応用にが各 2 名）および学部生 2 名で構成されています。

ついて紹介したいと思います。

また，研究室の卒業生・修了生は電力業界をはじ
2.1 プラズマ－液体相互作用の解明めとして，電機・重電業界，半導体業界などで幅広く活躍しています。
なお，
本稿につきましては，放電を水面上で発生させることで OH をはじめ

学 内 の 海 外 派 遣 事 業 に て The University ofとする RONS（Reactive Oxygen/Nitogen Species, 活Strathclyde (Glasgow, Scotland) に訪問中の髙橋が性酸素種/窒素種）を生成させ，それらを殺菌や植主に執筆しております。

物の発育促進，医療などに利用する研究が行われており，有用な種を選択的かつ効率的に生成させ

写真 1 研究室集合写真（2024/5/14 撮影，髙橋：スクリーン内，川口：右から 2 人目）
6

ることが望まれています。気相中のプラズマにつAr+ + H2O (aq) → Ar + H2O+ (aq) ·········· (1)いては，雰囲気ガスをコントロールすることで生

H2O+ (aq) → H+ (aq) + OH (aq) ············· (2)成される種をある程度制御可能になりつつありま

なお，接地電極付近では，水の電気分解反応が生すが，それらの溶解を経て，水中で化学反応を伴じることで，pH 増加（OH-生成）領域が局所的にいながら拡散していく種を自在に制御できるまで形成されることも観察されました。同様に負極性には至っておりません。特に，水中の化学反応でパルス放電を照射すると，水面側から pH 増加領

は，濃度や pH，温度など，さまざまなパラメータ

域が，接地電極付近では pH 減少領域が形成されが関わってきます。当研究室では，活性種の生成ます。さらに，どちらの極性においても，放電照制御を目指し，プラズマと液体の相互作用につい射後の溶液を撹拌すると溶液全体の pH が中性にて調査しており，これまでに Ar 雰囲気下で水上戻ることから，生成される H+と OH-が等量である

パルス放電を照射したときの水中の pH 変化機序

こともわかりました。このような pH 変化機序をと H2O2 濃度の極性効果[4]，水温の時空間分解測図 2 にまとめて示しています。

定[5]および流動形成について明らかにしてきま

また，
ご存知の通り，
水への放電照射によって，OH を生成することができます。ここで，正極性した【図１】。
水の pH は酸や塩基の解離平衡に基づくイオン

放電では(2)式の反応による生成もあり，効果的にと分子の比率を決める重要なパラメータの一つでOH を生成できると考えられます。水中の OH をす。そのため，局所的でも pH の変化があると，定量することは困難ですので，OH の反応による

RONS の生成量（濃度）が大きく左右されると考生成が主である H2O2 の濃度を測定すると，正極えられます。そこで我々は，パルス放電を pH 指性 パ ル ス 放電 照 射時 に負 極 性 よ りも 高 い結 果

示薬に照射することで水中の pH 変化を可視化し（我々の実験では 3 倍程度）が得られ，(2)式によました。正極性のパルス放電を連続的に照射するって生成される OH がすべて H2O2 になるものとと，pH 減少（H+生成）領域が水面側から形成されして，放電電流から求めた積算電荷量とファラデます。これは，(1)式のプラズマ中で生成される正ーの第二法則より H2O2 生成量を算出すると，実イオン（ここでは Ar+）による電荷交換反応，およ験結果の差分と良い一致を示しました。
そのため，びその反応によって生成される H2O+の自己解離

水面付近に OH/H2O2 を積極的に生成したい場合（(2)式）が生じることによるものと考えられます。 には正極性放電を用いるのが望ましいといえます。
H.V. Electrodeambient gas(air, Ar, etc.)

fragments, by-products & ions
H, N, O, OH, NO, H2O2,
O3, N2+, Ar+. etc.
interfacedissolution
H+ H2O2
visualisation
convection
O
OH

N2 Ar
H2O O2 etc.

collision
plasma echargetransfer

evaporation

Ar +g + H2Oaq → Arg + H2O+aq
H2O+aq → H+aq + OHaq

liquid (water)

3

ONOOH
HNO2

OH-

densitypH

図 1 水上放電プラズマ生成に伴う気相/液相の種と反応（佐藤孝紀先生提供）
7

図 3 正極性パルス放電照射時の液中の流動(a) 正極性放電照射時ると考えられ，今後より一層の検討を行う予定です。さらに，これらの実験と併せて，水中に生成される活性種の生成シミュレーションも進めており，酸解離平衡と反応速度論に基づく 0 次元モデルで H2O2 や NO3-などの RONS の生成レートの予測[6]を行っております。今後は，実験結果を元に，モデルの詳細化や次元の拡張を行う予定です。
(b) 負極性放電照射時
2.2 電子－分子相互作用データベース（電子輸送

図 2 放電照射に伴う pH 変化機序

係数および電子衝突断面積セット）の整備

水温もまた，解離平衡定数や反応速度定数に関近年の環境意識の更なる高まりにより，プラズ

わり，pH と同じく重要なパラメータの一つといえマ応用技術における地球環境への負荷軽減の必要ます。我々は，感温液晶カプセルとシート光を用性が求められ，半導体製造におけるプロセス開発

いて，正極性パルス放電を水に照射したときの水の最適化や SF6 代替ガスの利用ならびに探索な

温を位置分解測定し，放電進展部の先端付近から

どの取り組みが進んでいます。これらのプラズマ温度が上昇することを観測するとともに，H+生成

応用技術の効率向上や評価においては，時間とコ領域と比較することで放電に伴う水温上昇領域がストの面からもプラズマシミュレーション（電子H+生成領域と一致することを明らかにしました。

輸送解析）が活用されています。その際，電子やまた，液中の流動については，シュリーレン法にイオンの輸送係数が不可欠であり，使用する係数

よ る 密 度 分布 の 可視 化 や 粒 子 画 像流 速 計測 法の値が計算結果に直結するため，正確な係数を使(Particle Image Velocimetry: PIV) を用いた時空間用することが必要です。特に，プラズマ中では，分解測定により可視化【図 3】を行っており，放電子と気体分子との衝突反応がイオンや化学種を電の極性や液体の性質（pH 指示薬の種類や界面活生成する起点となるため，正確な電子輸送係数が性剤の有無）によって水中の流速および流動形成

求められ，電子スオーム実験による測定が進めらに違いが生じることがわかっています。
これには，れてきました。ただし，すべてのガス，すべての極性によるストリーマ進展機構の差異，活性種生

換算電界について測定するのは現実的ではないた成（および界面活性剤の濃度）による表面張力のめ，実測値が報告されていないものについては，変化に起因するマランゴニ対流などが関わってい電子衝突断面積を用いた電子輸送解析による導出8が用いられます。そのため，放電プラズマ応用にできるため（自動微分），計算領域の離散化が不要

おいて利用されるさまざまな気体材料に関して，となります。すなわち，メッシュフリーで微分方

詳細かつ正確な電子衝突断面積を整備することも

程式を満たす関数が得られ，高次元の計算空間の求められています。

考慮が必要なシミュレーションにおいて，PINNs

当研究室では，これまでに電子スオーム法によは有効な方法になると考えています。また，PINNs

り，さまざまなガスの正確かつ詳細な電子衝突断を用いると，支配方程式をデータから発見でき，面積セットの整備を進めてきました。また，最近測定データから有益な情報を得るための新たな方はフルオロカーボン類，ハイドロフルオロカーボ

法として着目しています。当研究室では，プラズ

ン類などをターゲットとし，二重シャッタードリ

マ シ ミ ュ レー シ ョン や電 子 輸 送 係数 測 定へ の

フトチューブ装置を用いた電子到着時間分布の測

PINNs の応用について検討しています。

定による実効電離係数，平均到着時間ドリフト速① ボルツマン方程式の直接数値計算

度および縦方向拡散係数の導出，および定常タウ

ボルツマン方程式は，プラズマ中の電子速度分

ンゼント実験による電離係数と付着係数の測定に

布 関 数 (Electron Velocity Distribution Function:

取りかかっており，実測データの整備も進めておEVDF) を求める上で，最も基礎的な方程式ですが，ります。

7 次元の非線形偏微分方程式であるため，解くことが必ずしも容易であるとは限りません。PINNs

2.3 Physics-informed neural networks の応用【川口】 によって，この方程式に対するメッシュフリーな微分方程式の新たな数値計算法として，近年，解法を提案できれば，正確なプラズマシミュレー

Physics-informed neural networks (PINNs) が注目をションに寄与できると考えており，検討を行って集めています[7]。PINNs では，ニューラルネット

います。これまでに，時間（周期）的に定常な解ワーク (Neural Network: NN) を用いて，微分方程に絞り，DC 電界下[8]，DC 電界×DC 磁界下[9]お式の解となる関数を表現します。NN の学習におよび AC 電界下[10]における EVDF を PINNs によいて，物理現象の支配方程式を利用する点が，通って正確に得る方法を提案しました【図 4】。現在

常の教師あり学習と異なります。NN によって関

では，
時間依存，
空間依存の EVDF 計算への PINNs

数を表現すると，関数の偏導関数を解析的に計算の応用を進めています。

Artificial Neural Network(ANN)

Sampling
sampling point

...

input

Converge?

...

END

False

PDE residual

f
...

True

Automatic
differentiation

update weights
and biases of
the ANN

Loss function

図 4 PINNs によるボルツマン方程式の解法
9

θ: weights
andbiases of
the ANN

空港」から特急列車や高速バスで 60 ~ 90 分と（道民視点では）アクセス良好となっており，市内には地球岬や夜景などの観光スポット，室蘭やきとn(t, z) (arb. unit)

り，カレーラーメンなどのグルメがございます。
また，登別温泉や洞爺湖にも 1 時間弱でアクセスできます。本学へは，JR 東室蘭駅からバスで 20分程のアクセス[13]となりますので，仕事や観光などで近場に来られましたら，お気軽にお立ち寄り頂ければ幸いです。
参考文献[1] 生駒 他：電気学会論文誌 A, Vol.129, No.4,

図 5 電子数密度の測定値（太線）と NN によって表現された関数（コンター図）(2009), pp.237-244[2] K. Satoh et al.; Trans. Mat. Res. Soc. Jpn., Vol.37,② 電子輸送係数測定への応用

No.2, (2012), pp.151-155

当研究室および Z. Donko 先生らのグループ[11]では，直流電界を形成した drift tube 中の電子数密[3] S. Hosoi et al/; Electron. Commun. Jpn., Vol.101,

度の相対値を測定しています。電界方向を-z 方向

No.5, (2018), pp.58-64とすると，電子数密度 n(t, z) の時空間進展は，次[4] S. Wakisaka et al.; IEEE Trans. Plasma Sci. Vol.47,の電子数連続の式に従います。

No.2, (2019), pp.1083-1088


2− DL 2 + − Ri + Wr
z
z
 t

[5] K. Tsuda et al.; IEEE Trans. Plasma Sci. Vol.49, n(t , z ) = 0 ······· (3)No.5, (2021), pp.1739-1744

ここで，Ri は実効電離衝突周波数，Wr は重心の位[6] K. Takahashi et al.: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.58, No.2,

置のドリフト速度，DL は縦方向拡散係数です。NN(2019), 026001

によって，(3)式および n(t, z) の測定値を満たす関[7] M. Raissi et al.; J. Compt. Phys. Vol.378, (2019),

数を表現【図 5】するとともに，(3)式の Ri , Wr, DL

pp.686-707を調整可能なパラメータとして扱い，n(t, z) の測定[8] S. Kawaguchi et al.; Plasma Sources Sci. Technol.

値の時空間進展が(3)式を満たすように各係数をVol.29, No.2, (2020), 025021

調整することで，一連の電子輸送係数を決定する[9] S. Kawaguchi and T. Murakami; Jpn. J. Appl. Phys.

新たな方法を提案しました[12]。この方法によっ

Vol.61, No.8, (2022), 086002て，Ar ガスの電子輸送係数を広範囲の換算電界に[10] S. Kawaguchi et al.; Proc. 44th Int. Symp. Dry

わたって決定しております。今後，他の気体の電Proc. (2023), pp.103-104

子輸送係数測定においても，この方法を活用して[11] I. Korolov et al.; J. Phys. D: Appl. Phys. Vol.49,

電子輸送係数を決定したいと考えております。

No.41, (2016), 415203[12] S. Kawaguchi et al.; J. Phys. D: Appl. Phys. Vol.56,
No.24, (2023), 244003

3. おわりに[13] https://muroran-it.ac.jp/guidance/about/access/

本学のある室蘭市は，北海道の玄関口「新千歳10学生のためのページ

発光・吸収分光法によるプラズマ内活性粒子の診断技術
名城大学理工学部
1. はじめに竹田圭吾

くから知られる非平衡プラズマ内の活性原子やラ非平衡プラズマは、電子衝突にともなう原料ガ

ジカルの診断手法の一つである。この手法は希ガ

ス分子の解離により比較的低温下で化学的に活性ス混合プラズマ、もしくはプラズマの放電条件がな原子やラジカルを生成することができる。それ変化しない程度に希ガス(一般的にはアルゴン

ら粒子の表面反応は、半導体デバイスや機械・電(Ar))を数％微量添加し観測される測定対象粒子

気部品の製造、新材料の合成など広く利用されて(原子やラジカル)と希ガス原子の発光強度比から、

おり、近年では医療や農水産業など新たな分野へ

測定対象粒子の密度計測を可能とする。プラズマの応用も期待されている。この非平衡プラズマをから放出される発光の分析を基本とする手法であ用いた各種技術を改善し、新しいプロセス技術をり、プラズマに擾乱を与えない非侵襲性に優れる。

継続的に開発していくには、使用するプラズマ装また、診断の実施には図１に示すように、プラズ

置およびプロセスの特性(反応メカニズム)を理解

マ装置に計測したい光波長域を透過する光学窓をし、モデル化することが重要である。これらモデ備える必要があるものの、分析システムにはプラ

ル構築はプラズマ物理学、流体力学、表面反応物

ズマから放出される発光を集光する光学素子とス

理・化学などに基づき、実験を通じた分析(プラズ

ペクトル分解を行う分光機器、そして得られたデマ診断)により得られる物理的および化学的デー

ータの表示・集積・解析を行う PC のみで実施可

タの集積を必要とする。また、構築したモデルが能であり、機器・システムが低コストで実現でき実験的にプラズマやプロセスの診断により検証さる利点がある。このように比較的簡易的な装置構れることも重要であり、プロセスの再現性はプラ成で実現可能な Actinometry 法についてはこれま

ズマ診断により得られる粒子パラメータの制御にでに多くの研究結果が報告されている[3-30]。

大きく依存する[1]。そのためプラズマ内の粒子挙様 々 な 原 子・ ラ ジカ ル種 、 放 電 条件 に 対す る動を診断する技術は極めて重要であるといえる。

Actinometry 法の応用[3-23]からはじまり、測定

プラズマにより生成される原子やラジカルの診断、 される原子・ラジカル種の相対密度変化の結果を
特に分光的手法を用いた技術には、発光分光法を通じた、それら粒子の反応や挙動に関する研究へベースとした Actinometry 法をはじめ、各種光源

広く応用されている[4,24-29]。エッチングプラズ

を利用した吸収分光法、およびレーザー診断技術

マ内の フッ素(F)原子[18]の分析や、酸素(O) [4-が開発されてきた[2]。本稿ではこれらのうち発光

11,24-28] および窒素(N)原子 [12-16]などの報告

分光法、吸収分光法のうち比較的簡便な計測技術が多数ある。これらの原子に対する Actinometryについて、
簡単な原理や注意点について紹介する。

法の適用性の検証は文献[30]にいくつか紹介されているので参照頂きたい。

2. 発光分光法を用いた粒子計測

Actinometry 法を使用する際の注意点としては、発光分光法をベースとした Actinometry 法は古実験的に特定の条件下での選択された原子・ラジ
11カル種すべての電子衝突励起断面積、準位間の寿反応による消失を考慮している。また同様に、プ命など、励起および脱励起率に関する発光状態のラズマ内に添加もしくは混合された希ガス(ここ知識が必要であるとともに、測定されるプラズマ

では Ar と表示)の発光強度は以下となる。

内のプラズマ内の電子エネルギー分布関数

𝐴𝑟 𝐴𝑟
𝐼𝐴𝑟 ∝ [𝐴𝑟𝑛 ]ℎ𝜈𝑛𝑚
𝐴𝑛𝑚 =(Electron energy distribution function: EEDF)

1
𝐴𝑟
𝐴𝐴𝑟
𝑛𝑚 +𝑘𝑞,𝑀 [𝑀]が既知であるか、状態を表すモデルを高い信頼性

上記の(1)および(2)のより、発光強度の比 IX/IAr

をもって推定することが求められる点にある。一部の原子では、Actinometry 法で必要となる電子

は希ガス原子と測定粒子の密度比で表せる。

衝撃励起断面積のデータが依然として不足してお

[𝑋]

𝐼𝑋
𝐼𝐴𝑟

り、それらの定量的な測定に使用されない大きな理由となっている。しかし、これらの原子の定性

𝑘 𝑋 [𝑀](3)∝ 𝐶 ([𝐴𝑟] + 𝑘𝑑𝑒
𝑋 [𝐴𝑟]) ,𝑒𝐴𝑟𝐴𝐴𝑟
𝑛𝑚 +𝑘𝑞,𝑀 [𝑀]

的な分析に関する研究は積極的に行われている 。
データの表示・
収集・解析

窓 集光系

(2)

𝐴𝑟 𝐴𝑟
(𝑘𝑒𝐴𝑟 [𝐴𝑟]𝑛𝑒 )ℎ𝜈𝑛𝑚
𝐴𝑛𝑚 .

ここで、𝐶 = ∑

𝑋 𝑋
ℎ𝜈𝑖𝑗
𝐴𝑖𝑗

𝑘𝑒𝑋

𝑋
𝑋
𝐴𝑟 𝐴𝑟
𝐴𝑟
𝑘 𝐴𝑖𝑘 +𝑘𝑞,𝑀 [𝑀] ℎ𝜈𝑛𝑚 𝐴𝑛𝑚 𝑘𝑒.

また、上記の電子衝突反応における反応定数 kPCは以下のようになる。

プラズマ
分光器

検出器

∞

2𝑒

𝑡ℎ

𝑚𝑒

𝑘𝑒 = ∫𝐸 𝜎𝑒 (𝜀)𝑓(𝜀)𝜀√
光学窓

導波路

分光装置

検出装置

•BK7
•石英
•MgF2
•CaF2
など

•空気中
•真空中
•光ファイバー
•ミラー
•レンズ

•分光器
回折格子
プリズム
干渉計
•フィルター•写真乾板•フォトダイオード•光電子増倍管•イメージインテンシ ファイアー付
マルチチャネル検出器（ICCD）

𝑑𝜀 ,

(4)

∞

ここで、∫0 𝑓(𝜀)√𝜀𝑑𝜀 = 1 .
(4)式において、𝜎𝑒 (𝜀)は、電子エネルギー𝜀における電子衝突反応の断面積であり、𝐸𝑡ℎ はその閾値

図１ 発光分光システムの基本構成

エネルギー、e と me は電子の電荷量および質量で以下に簡単に Actinometry 法の原理を示す。まある。𝑓(𝜀)は電子エネルギー確率関数である。

ず定常状態のプラズマ中の粒子Ｘの i→j 準位間のActinometry 法で正しい診断結果が得るには、遷移に伴う発光強度は、i 準位に存在する粒子Ｘ

計測対象となるプラズマが基底状態のみからの遷の密度[𝑋𝑖 ]のレート方程式から以下と求められる。 移を考えるコロナモデルが成立することが前提で
𝑋
𝐼𝑋 ∝ [𝑋𝑖 ]ℎ𝜈𝑖𝑗𝑋 𝐴𝑖𝑗ℎ𝜈𝑋 𝐴𝑋

𝑖𝑗 𝑖𝑗
𝑋
𝑋= ∑ 𝐴𝑋 +𝑘
𝑋 [𝑀] (𝑘𝑒 [𝑋]𝑛𝑒 + 𝑘𝑑𝑒 [𝑀]𝑛𝑒 ) .
𝑘𝑖𝑘

あり、これより準安定状態からの励起や、上記の(2)と(3)式に含まれる解離性励起((3)式の右辺第二(1)項)が無視できる状態であることが条件となる。ま𝑞,𝑀

ここで、h はプランク定数、𝜈は振動数、Ａはアイ

た、(3)式の比例定数となる𝐶が放電条件の変化にンシュタインＡ係数、k は反応定数、𝑛𝑒 は電子密対して不変であることも重要であり、これにはプ

度、[X]および[M]は基底状態の粒子 X および原料

ラズマ内の EEDF が放電条件の変化に対して全ガス分子 M の密度を表す。右辺括弧内の第一項はく変化しないことや、添加する希ガス原子と測定

電子衝突による基底状態からの励起項(反応定数粒子の各励起断面積𝜎𝑒 (𝜀)のエネルギー依存性が𝑘𝑒 )であり、第二項は電子衝突による原料ガス M

同じであることが求められる。そのため、より正からの直接的な生成(反応定数𝑘𝑑𝑒 )を示す。また、確な測定を行うためには、プラズマ内の EEDF の右辺の分母は、i 準位から j 準位を含む他準位への推定(測定)や励起断面積のエネルギー依存性など

遷移、原料ガス分子との衝突によるクエンチング

発光過程(状態)を十分理解すべきである。また、励12起断面積のエネルギー依存性が似た発光線の選択いる。また、上記レーザー光源を利用したキャビや、電子衝突励起の励起閾値エネルギーが粒子間ティリングダウン吸収分光法を用いて、準安定窒で近いことも重要である。更には、プラズマ内部

素分子や OH ラジカル[34]、SiH3 ラジカル[35,36]のガス分子の温度についても、放電条件で変化しなどの分子状ラジカルの測定の報告例もある。一ないか、別途測定されることも、少しでも良い測方、波長 200nm 以下の波長帯は真空紫外領域と定のためには重要視するべきである。

呼ばれ、酸素分子など大気ガスにより光が吸収されるため、光が伝搬する経路を真空排気や真空紫

3. 吸収分光法を用いた粒子計測

外光を吸収しないガスに置換するなど工夫が必要

吸収分光法では、活性粒子が存在するプラズマとなるため、取り扱いは非常に面倒である。しか内に光を入射し、透過した光強度の相対的変化かし、この真空紫外領域には、H、N、O 原子など、

ら活性粒子の絶対密度を求める。測定プラズマの

プラズマプロセスにおいて重要とされる原子の基放電状態に影響しない程度の比較的低強度の入射底から第一励起準位への遷移線が存在するため、光でも透過光さえ検出できれば、基本的に測定は可能であるため、非侵襲な手法として有用である。
この吸収分光法では、レーザー光源を用いた手法

これらの定量的な測定を目的とした研究に利用される。しかし、この波長領域におけるレーザー発
振にはガス状物質を非線形媒質とする高調波やから、プラズマ光源から放出される原子線などを和・差周波発生技術が必要となるため光源装置が用いた手法、比較的広帯域な発光スペクトル光を極めて大規模なものとなり、様々なプラズマプロ

放出するランプや LED を光源とした手法など、使用する波長域や光源の種類により特徴付けられ、光源や光学系の取り扱いや注意する点も異なる。
吸収分光を用いたプラズマ中の粒子計測は古く、プロセスプラズマの診断という点において、中赤セス装置への適用は非常に困難である。そこで、微小なマイクロプラズマを光源とする共鳴発光線を利用した真空紫外吸収分光法が提案され、実用的なシステムとしてプラズマプロセス中の原子の計測実現されており、これまでに H[37]、N[38]、外領域 (2.5～15 µm)付近に遷移線を有する分子O[11]、C[39]、F 原子[40]の定量測定が成されて状ラジカルに対して、赤外半導体レーザー吸収分いる。しかし、インコヒーレントなプラズマ光源

光法を適用し、SiH3[31]、CH3[32]、 CFx(x=1～による共鳴遷移線を用いた手法は、光源から放出

3)[33]ラジカルの定量測定がなされた。本手法がされる光スペクトル形状の同定や計測対象側の原開発された当時は、冷媒を用いて半導体レーザー

子の温度状態を仮定する必要があるなど、注意す

素子を極低温度に冷却する必要があったが、近年べき点がいくつかある。そこで、ここでは原子のでは室温近くで連続発振が可能な量子カスケード計測のためのプラズマを光源に用いた真空紫外吸レーザーが使用でき、比較的簡便なシステムとし収分光法について紹介する。

て市販化もなされている。近赤外から紫外領域(波プラズマ内の原子発光線を光源として用いる

長＞200nm 付近)においては、パラメトリック発場合、原子はある温度で運動しているため、その振器レーザーや色素レーザーなど広範囲で発振波

発光線はある周波数拡がりを含んだスペクトル形

長を走査できる光源が使用でき、さらに半導体レーザーも一般的に利用されるようになったことで、上記の波長域に遷移線を有する、希ガス原子や金状となる。この発光スペクトルの周波数広がりは原子の吸収スペクトルの形状に比べてほぼ同程度となるため無視することはできず、光吸収率𝛼は属原子をはじめとする各粒子の計測に応用されて
13

ランベルト・ベールの法則に従いつつ、それぞれと、光源のプラズマ内での L線の発生過程には、のスペクトル形状を考慮した次式で表される。

(i) 励 起 水 素 原 子 に よ る 脱 励 起 発 光 ( H + e →𝐼

α=1− 0 =1−
𝐼𝑇∫ 𝑓1 (𝑣)𝑒𝑥𝑝[−𝑘0 𝑓𝑎 (𝑣)𝐿]𝑑𝑣∫ 𝑓1 (𝑣)𝑑𝑣

H * + e → H + e + hν) 、(ii) 水素分子の解離発光(H2 + e →(5)

H2 * + e → H* + H + e → H + H + e + hν ) の二 つが 考え られ

ここで、𝐼0 は入射光強度、𝐼𝑇 は透過光強度を示し、る。(i)は、粒子間衝突により十分にエネルギー緩

𝑓1 (𝑣)は光源の発光スペクトル形状を表す関数で和された比較的低温の水素原子(基底状態)が電子あり、𝑓𝑎 (𝑣)はプラズマ内に存在する原子の遷移線衝突により励起され、その脱励起よる発光過程での吸収スペクトル形状を表す関数を表す。
そして、ある。そのためスペクトル形状は比較的低温のド

𝑘0 は吸収スペクトルの中心周波数における吸収ップラー広がりとなるが、(ii)の解離発光の場合、係数である。光吸収遷移線の上準位からの誘導放励起原子 H*は解離余剰エネルギーをもとに高速出は無視できる場合、(5)式の𝑘𝑜 𝑓𝑎 (𝑣)を周波数領に運動しており、脱励起時に放出される発光スペ

域で積分することで、光吸収遷移線の下準位に存

クトルのドップラー拡がりが大きくなる。そのた在する吸収体の密度 𝑁が次式から求まる[41]。

め光源から放出される発光スペクトルの形状は、

𝑁=

8𝜋𝑣0 2 𝑔𝑢 1
𝑐2

∫ 𝑘0 𝑓𝑎 (𝑣)𝑑𝑣
𝑔 𝐴

二つの温度で決定されるドップラー広がりの重ね(6)

合わせとなるため、その同定は困難となる。

𝑙

ここで、𝑣0 は発光・吸収スペクトルの中心周波数、

プラズマ光源に求める二つ目の特徴は、高解離

𝑐は光速、𝑔𝑢 、𝑔𝑙 は遷移線の上下準位の統計重率、率プラズマであることが必要である点である。プ𝐴はアインシュタイン A 係数を示す。しかし、測ラズマ光源では計測対象となる原子か成る分子性定された吸収率𝛼から(5)式を用いてより正確に原ガスを放電ガスとし、プラズマ内の解離反応で生子の密度𝑁を求めるためには、𝑓1 (𝑣)、𝑓𝑎 (𝑣)の各ス成した原子の発光を利用する。このとき、導入しペクトル形状を表す関数を同定する必要がある。

た分子の解離度が低い場合、その分子自体の励起・両関数が同定できれば、(5)式より吸収係数𝑘0が求脱励起による分子発光が原子の発光スペクトルにまり、(6)式から密度𝑁が求まる。計測対象が低圧重なるため、光源から放出されるの発光スペクト

プラズマ内の粒子(原子やラジカル)であれば、そルの形状の同定は容易ではない。そのため光源にの吸収スペクトル形状𝑓𝑎 (𝑣)は粒子温度で決まる

用いるプラズマには導入ガス分子の高解離度を達

ドップラー拡がりを表すガウス関数と推測できる。 成する高密度なプラズマが望ましい。
光源の発光スペクトル形状𝑓1 (𝑣)は、使用するプラ

また、プラズマ光源の場合、光源プラズマ内でズマ光源の放電条件によりドップラー拡がり以外発生した原子線が光源から放たれる前に同プラズの要因を含む場合もあり、正確な吸収分光計測を

マ内に存在する他の基底準位の原子により吸収さ行うためには、発光スペクトルの形状を正しく推れる自己吸収現象が生じることに注意すべきであ

定・把握することが求められる。

る。この自己吸収現象は、プラズマ光源から出射

発光スペクトルの形状をより正しく同定するう

される発光スペクトルの形状に歪みを与え、単純

えで、プラズマ光源には二つの特徴を有することな関数として𝑓1 (𝑣)を同定することは困難となる。

が重要である。まず一つ目は、高速移動する励起

そのためプラズマ光源を用いた吸収分光計測では、原子の脱励起発光を含まないことである。水素原

光源内の自己吸収現象を無視できる程度に低減す

子の Lyman (L, 波長 121.6 nm)線を例とする

ることが求められる。この自己吸収の影響の確認
14

やその低減に関しては、文献[39]を参照頂きたい。

を示す。そのため吸収分光を実施する場合、計測

我々のグループでは、
上記の二つの特徴を有し、対象のプラズマ装置に擾乱を与えない程度で吸収

さらに自己吸収現象の影響も無視できる、大気圧長を調整し、誤差を小さくする必要がある。
80

下の高密度プラズマを利用したマイクロ放電ホロ

測定プラズマ内の水素原子密度
N=1×1012 cm-3

カ ソ ー ド 光 源 (Micro-discharge hollow cathode
光吸収率 (%)

60

lamp: MHCL)[37]を吸収分光計測に使用している[42]。大気圧放電のように高圧力下におけるプラズマを光源とする場合、発光スペクトルの形状

40400 K (L/ D=1.0)
400 K (L/ D=1.5)
400 K (L/ D=2.0)
600 K (L/ D=1.0)
600 K (L/ D=1.5)
600 K (L/ D=2.0)20

は単純なドップラー拡がり(D)だけでなく、圧力(ローレンツ)拡がり(L)の影響が大きくなり、発00.00

光スペクトルの形状はガウス型およびローレンツ

0.05

0.10

0.15

0.20

吸収長 (m)型の各広がりを考慮したみフォークト関数で与え

図 2 吸収分光における吸収長に対する光吸収られる[41]。この MHCL 光源から放出される H率の理論計算値（測定プラズマ内原子温度およ

原子の発光スペクトル(L線)については、真空紫び光源の発光スペクトル形状の依存性）

外レーザーを用いた真空紫外レーザー吸収分光法

4. まとめにより同定がなされており、室温程度の水素原子温度のドップラー拡がりとその 1.5 倍（L/D 比）のローレンツ拡がりで構成されるフォークト型で本稿では分光技術を用いたプラズマ内の活性粒
子計測のうち、発光・吸収分光法の一部について説明した。
それらはレーザーを用いた手法に比べ、ある[43]。ここでは、この MHCL 光源を用いた吸比較的簡便な手法であるが、各診断法で知り得る

収分光を例に光源の発光スペクトルや測定対象プ

プラズマパラメータは断片的であり、使用するプ

ラズマ内の原子温度が、計測結果にどのような影

ラズマを完全に特徴付けることは難しく、研究の響を与えるかを紹介する。図 2 は、MHCL 光源か

目的に応じて、さまざまな診断法を使用する必要ら放出された光が測定対象プラズマ内を伝搬するがある。そのため複数の手法を組みわせた、使い距離(吸収長)に対して計測される光吸収率を理論

やすさと十分な精度を併せもつプラズマモニタリ

計算のもとに求めたグラフとなっている。

ング技術の構築が今後も重要な研究課題といえる。

この計算では、測定対象プラズマ内の水素原子密度を 1×1012 cm-3 で固定し、その温度を 400、状を表すフォークト関数のL/D 比を 1, 1.5, 2.0

参考文献[1] 堀勝, 後藤俊夫; 応用物理, 68 (1999) 1252.
[2] M. Hori, T. Goto; Appl. Sur. Sci., 253 (2007)のそれぞれに設定し実施した。得られた計算結果6657.

である図 1 から分かるように吸収長の増大に伴っ[3] M. V. Malyshev, V. M. Donnelly; J. Vac. Sci.

て吸収率が大きくなるものの、各温度・発光スペ

Technol. A 15 (1997) 550.

クトル形状の条件下における吸収率の差も大きく[4] D. Pagnon, et al.; J. Phys. D: Appl. Phys. 28

なることが分かる。このことは、光源内の発光ス(1995) 1856.

ペクトル形状や測定粒子の温度の推定の見誤りに[5] J.-P. Booth, et al.; J. Appl. Phys., 69 (1991) 618.

よる影響は、低い吸収率の条件下では小さいこと[6] J. Conway, et al.; Plasma Sources Sci. Technol.,

600 K、MHCL 内の H 原子の発光スペクトル形

15

22 (2013) 045004.

[25] G. Cartry, et al.; Plasma Sources Sci.

[7] A. E. Walkup, K. L. Saenger and G. S. Selwyn;

Technol., 15 (2006) 479.

J. Chem. Phys. 84 (1986) 2668.

[26] A. Bousquet, et al.; Plasma Sources Sci.

[8] H. M. Katsch, et al.; J. Appl. Phys. 88 (2000)

Technol., 16 (2007) 597.

6232.

[27] B. Gordiets, et al.; J. Phys. D: Appl. Phys., 29[9] A. Ershov, J. Borysow; Plasma Sources Sci.

(1996) 1021.

Technol., 16 (2007) 798.

[28] J. Kristof, et al.; Vacuum, 86 (2012) 614.

[10] A. Granier, et al.; J. Appl. Phys., 75 (1994)[29] D. V. Lopaev, et al.; J. Phys. D: Appl. Phys.,104.

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50 (2017) 075202.
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053303.

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13 (2004) 251.
16

第 22 回プラズマエレクトロニクス賞

第 22 回「プラズマエレクトロニクス賞」について
大阪公立大学2024 年 1 月 9 日を締切りとして受賞候補諭文

白藤 立
り、応用物理学会プラズマエレクトロニクス賞

を募集し、後述するプラマズエレクトロニクス賞を授与するに相応しい論文である．

選考委員会を発足して選考を行い、7 件の応募の受賞論文(2)

中から 2 件を選出しました。

論文: Single‑step fabrication of fibrous Si/Sn
composite

一次選考では、用物理学会論文賞の選考に倣っnanowire

anodesby

た項目による評価シートを全ての論文に対して

high‑pressure He plasma sputtering for

作成しました。一次選考の集計結果と各論文に対

high‑capacity Li‑ion batteries

する委員のコメントを無記名で開示した上で、二

著者: Giichiro Uchida, Kodai Masumoto, Mikito

次選考で改めて慎重に検討を行い、全員一致で以Sakakibara, Yumiko Ikebe, Shinjiro Ono,

下の 2 件を第 22 回プラズマエレクトロニクス賞

Kazunori Koga, Takahiro Kozawaの論文として選出しました。

雑誌名: Sci. Rep. 13, 14280 (2023)

受賞論文(1)

受賞者: 内田儀一郎、益本幸泰、榊原幹人、池邉

論文: Modeling and simulation of coverage and由美子（名城大学）、小野晋次郎、古閑一憲

film properties in deposition process onlarge-scalepatternusing（九州大学）、小澤隆弘（大阪大学）

statistical

受賞理由:
本論文では，中低融点金属 Sn を含有した Si

ensemble method: Nobuyuki Kuboi, Hiroyasu Matsugai,

ターゲットを用い中圧領域 0.3 Torr の He プラ

Tetsuya Tatsumi, Shoji Kobayashi, Yoshiya

ズマを用いたスパッタリングで、１次元 Si ナ

Hagimoto, and Hayato Iwamoto

ノワイヤー膜を単一ステップで作製できる方

雑誌名:. Jpn. J. Appl. Phys. 62, Sl1006 (2023)

法を開発し、負極に用いることで Li イオン電受賞者: 久保井信行、松谷弘康、辰巳哲也、小林

池の高容量化を実証している．本手法は、学術

著者

正治、萩本賢哉、岩元勇人

的・産業的にプラズマ材料合成法の発展に寄与(ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))しうるものであり，応用物理学会プラズマエレ

受賞理由:

クトロニクス賞を授与するに相応しい論文で本論文では，プラズマエッチングのモデル化のある．

知見を応用して堆積プロセスをモデル化し、大規模パターン上の被覆率と膜特性の双方を予

第 22 回プラズエレマ クトロニクス賞選考委員会

測する方法を初めて開発した。本手法は、今後

伊藤昌文（委員長・名城大学）、石川健治（名古の PVD/ALD/ASALD へのモデルの広い応用性屋大学），伊藤剛仁（東京大学），小川大輔（中部を有し、産業的に有用で今後のプラズマ材料加大学），木下啓藏（アイオーコア）上坂裕之（岐工プロセス設計の発展に寄与しうるものであ阜大学），布村正太（産業技術総合研究所）
17

応用物理学会講演奨励賞

高容量 Li イオン電池のための
高圧 2 元スパッタリングを用いた Ge/C 複合負極の開発
名城大学

大前 知輝、内田 儀一郎

1. はじめに能となる。ナノ粒子は比表面積が大きいため、表

この度は第 55 回(2023 秋季)応用物理学会講演

面から反応する Li との合金化の過程で比較的均奨励賞をプラズマエレクトロニクス分野で賜り、一に膨張する。そのため物理的ストレスを軽減さ光栄に存じます。講演の運営と選考に関わりまし

せ、材料の粉砕を抑制する効果が期待できる。本

た先生方にこの場を借りて厚く御礼申し上げま

研究は低温プラズマを用いたボトムアッププロ

す。本稿では受賞対象となりました高圧 2 元スパ

セ スにより 有機バ インダ ーフリー のナノ 構造

ッタリングを用いた Ge/C 複合負極の堆積と高容C/Ge/C 多層負極を作製し、Li イオン電池の高容

量 Li イオン電池の実証に関してご紹介させて頂量かつ安定駆動を実証した[3]。

きます。

3. 実験方法

2. 研究背景

図 1 に本研究で使用した実験装置の概要図およ

現在のリチウムイオン電池(LIB)では、数百回び右下に実際のプラズマ生成写真を示す。RF マと繰り返される充放電サイクルで安定性に優れ

グネトロン 2 元スパッタリング装置を用いて、Geたグラファイト(C)を負極材料として使用してい薄膜および C/Ge/C 多層膜を基板加熱することなるが、その理論的な Li 貯蔵容量は 372 mAh/g に

く Cu 基板上に成膜した。スパッタリングターゲ

制限されている。電気自動車の航続距離の増大を

ットは左側を多結晶 Ge、右側をグラファイト(C)

目的とした LIB の更なる高性能化に向け、シリコとした。ターゲットと基板中心との間の距離はそン(Si)やゲルマニウム(Ge)などの高容量負極材料

れぞれ 40 mm、30 mm で固定した。放電プラズ

が 注 目 さ れ て い る 。 こ れ ら は そ れ ぞ れ 4,200

マ は 両 方 の ス パ ッ タ リ ン グ カ ソ ー ド に 11.8

mAh/g、1,624 mAh/g の理論 Li 貯蔵容量を持っW/cm2、13.56 MHz の RF 電力を供給することでているが、充電時に Li と合金化すると体積が約生成し、ガス圧力は通常のスパッタリングで用い400 %にも膨張し、負極材料の粉砕や Cu 集電体

る圧力より 2 桁程高い 500 mTorr、Ar ガス流量からの剥離が起こり、急速に容量は低下する。そは 100 sccm とした。作製した Ge 薄膜およびこで我々は、Si よりも高い Li イオン拡散性と電C/Ge/C 多層膜はコインサイズの LIB フラットセ

子導電性を持ち、高容量な Ge 材料に着目した

ルに負極として組込み、Li 箔を対極としたハーフ[1,2]。本研究の新規性は高圧力下での低温プラズ

セル構造とした。電池の性能は、充放電試験装置

マスパッタリングプロセスを開発し、Ge 材料とを用いて室温下ですべての充放電サイクルにつC 材料を組み合わせた新規ナノ構造複合負極膜をいて分析した。充電時の電流量は 1-2 サイクルで考案した点にある。高圧力下でのスパッタリング

32 mA/g(0.02-C)、3-90 サイクルで 160 mA/g(0.1-では、材料をナノ粒子化して堆積させることが可C)とした。
18

High frequency
power supply(a)High frequency
power supply
Left
CathodeRight
Cathode1 incha-Ge
270 cm-1

1 inch

200

zGe

zc

Ge target
C targetCu disc substrate
Substrate holder
or Si wafer
Rotating substrate holder

250
300
Raman Shift [cm-1]

Ge

C

(b)

a-Ge

C

Raman Intensity [arb.unit.]

RF magnetron
cathode head

Ar gasRaman Intensity [arb.unit.]

RF magnetron
cathode head

G band1591 cm-1

D band1342 cm-1

1200

350

1400
1600
Raman Shift [cm-1]1800

図 3 (a) Ge 薄膜 (b) C 膜のラマンスペクトル[3]4-2. 電池性能評価

10 mm

図１ 実験装置図 (写真：成膜の様子)[3]

図 4(a)に作製した a-Ge 薄膜のみを負極とした

4. 実験結果

Li イオン電池の充放電サイクル特性を示す。初期

4-1. 膜物性評価

サイクルは、放電容量 864 mAh/g と比較的高い

図 2(a)(b)に Ge 薄膜および C 薄膜表面 SEM 像値が得られたが、90 サイクル後には放電容量がを示す。高圧力下で成膜することにより、Ge 薄膜

304 mAh/g まで低下し、容量維持率は 50 %(4-90の平均粒径は 20 nm となり、充電時の体積膨張

サイクル)と大きく劣化した。この容量劣化を抑止に効果的なナノ粒子膜を単一ステップで作製でするため、Ge 薄膜の上下に C 薄膜を導入した。

きた。この膜の多孔度は 19 %と高くナノポーラ

図 4(b)に作製した C/a-Ge/C 多層膜を負極とする

ス膜となった。C 薄膜も平均粒径 13 nm の凹凸

Li イオン電池の充放電サイクル特性を示す。初期が表面に観測され、ナノ構造を示した。

サイクルは放電容量 976 mAh/g と、Ge 薄膜を負

(a)

Ge

(b)

極とする電池と比べて向上した。さらに 90 サイ

C

クル後の放電容量は 910 mAh/g と高い値を維持し、3 サイクルから 90 サイクルの間で容量の低下は見られなかった。このように今回考案した(a) Ge 薄膜 (b) C 薄膜表面 SEM 像[3]

低劣化の両特性を備えた負極を実現した。

ルファス構造(a-Ge)と同定された。一般にアモルファス構造は Li イオンが結晶面に依存すること

80
60

1500
1000
Ge

1000
500

Cu 基板

500
0

(b)

のリチウム化(充電反応)に有利である。C 薄膜の

0

20

0

20

Specific capacity [mAh/g]

40
60
Cycle number
40
60
Cycle number

1(G-band)付近に二つのピークが観測され、導電

80

3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5

1

1st cycle

02000 4000 6000 8000
Specific capacity [mAh/g]

2nd cycle
5th cycle
10th
cycle
90th cycle

0.5

0

0

500
1000
1500
Specific capacity [mAh/g]

2000

C/a-Ge/C多層負極
100
80

C

1500

Ge

C

ChargeDischarge

60

Cu 基板

1000

40
500

20

0

材として広く利用されているカーボンブラック

40
20

1.5

80

2000

スペクトルでは 1342 cm-1(D-band)と 1591 cm-

60
40

20
0

0

なく Ge ナノ粒子に等方的に拡散できるため、Ge

ChargeDischarge
ChargeDischarge

2
Voltage [V]cm-1 にブロードなピークが観測されたため、アモ

100
80

2
Voltage [V]ペクトルを示す。Ge 薄膜のスペクトルでは約 270

100

2000
1500

Voltage [V][mAh/g]capacity
Specific[mAh/g]capacity
Specific(a)2000a-Ge負極[%] [%]
efficiency
Coulombic
efficiency
Coulombic

図 3(a)(b)に Ge 薄膜および C 薄膜のラマンス

1.5
Voltage [V]

図2

C/a-Ge/C のサンドイッチ構造により、高容量かつ200 nmCoulombic efficiency [%]200 nm

1

20

40
60
Cycle number

80

1st cycle

0

0.5

2000
4000
6000
Specific capacity [mAh/g]
2nd cycle
5ththcycle
10th cycle

90 cycle

0
0

3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5

0

1000
2000
3000
Specific capacity [mAh/g]と類似したアモルファス構造のスペクトルが得

図 4(a) a-Ge 薄膜負極電池 (b) C/a-Ge/C 多層膜られた。

負極電池のサイクル特性および容量電圧特性[3]195. 考察成を繰り返す。このプロセスによって、Ge 表面の5-1. 下部 C 薄膜層の効果

SEI 領域の厚さが増加し界面抵抗が増大する。ま図 5 に充放電サイクル前に電気化学交流インピ

た、SEI 形成では充電と関係なく、Li を消費する

ーダンス法(EIS)によって得られた a-Ge 負極、

ため不可逆容量も増加する。これらが一因となり、C/a-Ge/C 多層膜負極電池のナイキストプロット

a-Ge 負極電池では急速に容量が低下したものとを示す。EIS では高周波領域では半円、低周波領考えられる。一方、
C 薄膜は体積膨張しないため、域では直線が得られ、高周波領域の半円径は主にその上に形成される SEI 層は極めて安定である。

膜の電子抵抗値に対応する。開発した C/a-Ge/C

a-Ge 活物質材料の表面を C 薄膜層でキャッピン

多層膜負極電池の電子抵抗は a-Ge 薄膜負極の電グすることで、Ge 層の機械的破壊を抑止すると子抵抗よりも大幅に低くなった。下部に挿入した

もに、化学的に安定な SEI 層の形成を実現していC 薄膜層により、Cu 集電体と a-Ge 活物質との密る。これらの効果により C/a-Ge/C 構造で高い容着性が強化され、集電体から a-Ge 材料への電子量維持率が実現したものと考えている。

の移動度が向上したと考えられる。電子抵抗値がa-Ge薄膜負極低いほど、実際の電池の放電容量も高くなった。

Li+

電解液

Li+

C/a-Ge/C多層負極
抵抗値増加

下記の式(1)に示すように充電反応には電子の供

Li+

SEI

成分: LixGeOy, Li2Oなど

Ge薄膜抗化が電池の高容量化の一因と考えられる。
Ge + xLi+ + xe- → LixGe

電解液
SEI
C層

SEI

給が必要不可欠であり、下側の C 膜層による低抵

Li+

Ge薄膜

(1)

30000
a-Ge (OCV: 2.9 V)
C/a-Ge/C (OCV: 1.7 V)

クラック

Cu集電体

C層
Cu集電体

不安定なSEIが成長

安定なSEIが形成

図 6 上部 C 薄膜層の効果イメージ
6. まとめ-Z''[]20000

本研究では、高圧力下での低温プラズマスパッ

4000

タリングプロセスにて有機バインダーフリーの-Z''[]

10000

6000

ナノ構造 C/a-Ge/C 多層膜負極を作製した。この

2000

負極を用いた Li イオン電池は、Ge 薄膜のみより

0
0

2000

4000

6000

Z'[]

0
0

10000

20000
Z'[]

もはるかに優れた安定性を示し、90 サイクル後で30000

図 5 作製した負極のナイキストプロット[3]も容量が劣化することなく 910 mAh/g の高い放5-2. 上部 C 薄膜層の効果

電容量を維持した。次世代高容量 LIB の高いサイ実験では a-Ge 材料の上面に C 薄膜を配置する

クル安定性の実現するために、C/Ge/C サンドイと容量維持率が著しく向上した。
この結果は、C/a-ッチ構造が有効であることを実証した。

Ge/C 多 層 負 極 内 に 形 成 さ れ る 安 定 し た

参考文献

SEI(Solid Electrolyte Interface)層に起因するも[1] J. Hayashi et al., Jpn. J. Appl. Phys., 61のと考えられる。図 6 にそのイメージ図を示す。

(2021) SA1002.

SEI は充電時に LIB の負極と電解液の界面に形[2] G. Uchida et al., Sci. Rep., 12 (2022) 1742.

成される皮膜であり、Ge 活物質上での SEI 層は、[3] T. Omae et al., Appl. Phys. Express, 17

充放電サイクル中の体積変化により破壊と再形(2024) 026001.
20

応用物理学会講演奨励賞

交流電圧を印加した金属板上に形成されるイオンシースの時間分解レーザー誘起蛍光計測
京都大学 占部 継一郎(受賞者： 京都大学 高橋 良輔)
はじめに

時間分解レーザー誘起蛍光計測

この度は，著者所属研究室に 2024 年 3 月まで

本研究で構築した時間分解 LIF 計測システムを所属していた高橋 良輔さんに対し，第 55 回 応

図 1 に示す．LIF 対象粒子は準安定励起アルゴン

用物理学会講演奨励賞という大変名誉ある賞を授イオン（Ar+m）であり，半導体レーザーから発振与していただき，応用物理学会，特にプラズマエ

した波長 668.6 nm（3d4F7/2 → 4p4D5/2）の励起レー

レクトロニクス分科会関係者の皆様に心より御礼

ザー光を EOM（Electro-optic modulator）で強度変申し上げます．本稿では，受賞対象となった表題調（20 MHz）
した．
波長 442.6 nm（4p4D5/2 → 4s4P3/2）の研究内容について，これまでに得られた成果をの光帯域フィルタを通過した蛍光信号は，PMT

中心に説明させて頂きます．

（Photomultiplier tube）により検出した．RF フィ
ルタ及び PSD（Phase sensitive detector）でノイズを研究背景・目的

低減し，交流バイアス電圧と同期したオシロスコ

エッチングや薄膜堆積などのプラズマ材料プロ

ープで平均化して蛍光強度の時間変化を取得する．

セスでは，基板（基材）に交流バイアス電圧を印

PSD 出力帯域は 2 MHz であり，kHz オーダーの加し，材料へ照射するイオンのエネルギーを制御

信号強度変化に対して十分な時間分解能を有するする．近年では，正弦波以外の電圧波形印加によアナログ信号検出系を構築した．

り，イオンエネルギー分布の形状を制御し，プロ
セス性能を向上させる試みが活発化している[1]．
この電圧波形を活用したイオンエネルギー高精度制御の実用化には，バイアス電圧 1 周期中に発生するイオン速度分布変化を捉える計測技術の確立が重要である．そこで，本研究ではレーザー誘起蛍光（Laser-induced fluorescence spectroscopy: LIF）法を用いた時間分解イオン速度計測に取り組んでいる．正弦波バイアス電圧印加時の報告例がある
パルス（色素）レーザーを用いた時間分解 LIF 計
図 1．時間分解 LIF 計測システムの概略図 [3]測[2]では，電圧波形を任意に変化させた場合に測定タイミング設定が困難になると考え，連続光を発振する半導体レーザーを用いた時間分解 LIF 計

本研究では ECR（Electron cyclotron resonance）
プラズマ（Ar ガス 0.05 Pa）中に設置した金属板測システムを構築することにした．
21

近傍に形成されるイオンシース領域を測定対象とれ，さらにその遅れ時間はバイアス１周期の中でした．金属板に周波数 10 kHz の正弦波及び三角

変化することが分かった．この結果を基にして，波，矩形波の交流バイアス電圧を印加し，金属板

イオンシースのポテンシャル構造変化を記述する

から 1 mm 離れた位置から放出される蛍光の強度

物理モデルの考察を行っている．[5]変化を取得した．複数波長の計測結果をまとめてプロットし，バイアス電圧波形と同期したイオン

おわりに

速度分布の時間変化を解析した．

連続光を発振する半導体レーザーを用いた時間

20

流バイアス電圧を印加した金属板近傍のイオン速−10度分布，そしてその速度を決定する要因であるイ

−40
8.0

オンシース構造の研究を進めている．本稿では，
その計測システムの概要と，プラズマ材料プロセ

Highスにおいて重要性が高まっている正弦波以外のバ
LIF intensity

Ion velocity toward
Bias voltage (V)the bias plate (km/s)

分解レーザー誘起蛍光計測システムを構築し，交

6.0

4.0

2.0

イアス電圧波形印加時の計測結果について紹介した．その他にも，電子シース形成やプラズマ電位変化に関する研究 [6] を進めており，プラズマエ
レクトロニクス分野の発展に資する研究成果を得

Low
0

20

40 60 80
Time (µs)

られるよう，著者を中心にこれからも取り組む予

100

定である．

図 2．10 kHz 三角波を金属板に印加した場合に得られるイオン速度分布の時間変化 [3,4]

参考文献[1] T. Faraz, Y. G. P. Verstappen, M. A. Verheijen, N. J.

図 2 に金属板に印加した三角波の波形，及びイ

Chittock, J. E. Lopez, E. Heijdra, W. J. H. van Gennip,

オン速度分布の時間変化を示す．印加電圧の低下

W. M. M. Kessels, and A. J. M Mackus; J. Appl. Phys.,に伴いイオンが金属板方向に加速され，速度が最128 (2020) 213301.

大になるタイミングが三角波の頂点と一致した．

[2] B. Jacobs, W. Gekelman, P. Pribyl, and M. Barnes;

以上をはじめとした各種印加電圧波形に対する計Phys. Rev. Lett., 105 (2010) 075001.

測結果から，本研究で構築した時間分解 LIF シス[3] 高橋, 鬼頭, 江利口, 占部; 第 84 回応用物理学

テムは kHz オーダーの交流バイアス電圧印加によ会秋季学術講演会, 23p-A301-4（熊本, 2023）．

るイオン挙動変化を適切に捉えていると結論づけ[4] R. Takahashi, S. Kito, K. Eriguchi, and K. Urabe;た．[4]Rev. Sci. Instrum., (2024) in press.

これらの基礎実験データを基にして，高周波数[5] 高橋, 鬼頭, 江利口, 占部; 第 71 回応用物理学（100~400 kHz）の交流バイアス電圧を印加して時会春季学術講演会, 22a-12G-6（東京, 2024）．
［講演

間分解 LIF 計測実験を行い，イオン速度分布の時奨励賞受賞記念講演］

間変化を得た．LIF 計測結果をバイアス電圧波形[6] 野田, 高橋, 江利口, 占部; 第 71 回応用物理学と比較すると，イオン速度変化が電圧波形から遅会春季学術講演会, 22a-12G-7（東京, 2024）．
22

国際会議報告44th International Symposium on Dry Process (DPS2023)
第 44 回ドライプロセスシンポジウム国際会議
中部大学 小川大輔（DPS2023 実行委員長）
む特別講演が 8 件、一般口頭発表講演が 21 件、はじめに

ポスター発表が 68 件であった。

本会議は毎年秋に開催されており、国内外のプ
ラズマプロセスなどのドライプロセスに関連する

本会議の目玉である招待講演者は、高アスペク

分野を調査・研究されている方が一同に会する国ト比加工について Mark J. Kushner 氏（ミシガン際会議である。会議の回数は今回で 44 回目を数大）、Jaeho Min 氏（サムソン電子）の２名、原子え、毎年この会議が国内からだけではなく、多く

層エッチングについて、浜口智志氏（大阪大）、人の国際的な注目を集めている。近年は 250 から

口知能の利用について Richard A. Gottscho 氏（ラ300 名程度の参加者が見込まれており、この会議

ムリサーチ）、Jun Haeng Lee 氏（サムソン電子）の特徴としては、大学などの研究機関からの参加の２名、そして近年の半導体事情で折井靖光氏（ラ者だけではなく、半導体関連の企業から多くの参ピダス）にご講演いただき、いずれの講演におい加者があるということである。

て大変盛況であった。また、今回の会議でも質の今回の会議は、愛知県名古屋市中村区にあるウ

高い一般口頭発表講演やポスター講演が多数あり、

インクあいち（愛知県産業労働センター）で、2023

こちらも招待講演者による講演など同様に会議を年 11 月 21 日（火）・22 日（水）の２日間にわた盛り上げた。

って開催された。この会場は JR 名古屋駅や名鉄
名古屋駅から徒歩５分程度の場所に位置し、国内外に問わず、利便性が絶好のロケーションであった。今回の参加者は最終的に 333 名となり、５階小ホール 1 をメイン会場として、通例通り１セッションのみのプログラム構成で会議が進行した。
さらに、今回は当初の参加予想人数を大幅に上回る盛況となったため、メイン会場のすぐ横に予め
図1用意してあったサテライト会場さえも活用しなが

DPS 2023 の会場の様子

ら開催した。本記事ではこの会議の開催模様について報告する。

DPS における受賞について
今 回 開 催 さ れ た 会 議 の １ 日 目 で は 、 DPS
Nishizawa Award に、プラズマプロセス中での光発表の概要
今回の会議では合計 97 件の発表件数があった。

学計測による物理・化学反応の業績などを讃えてJean-Paul

そのうち、受賞者による講演や招待講演などを含
23

Booth

氏

（

CNRS/EcolePolytechnique）、電子サイクロトロン共鳴のプラ

年は現地・オンラインのハイブリッド開催）。まズマ装置の開発への多大なる貢献などを讃えて藤た、COVID-19 パンデミック前は恒例であった懇

原伸夫氏（三菱電機）の２名の受賞が発表された。

親会の開催も４年ぶりに再開させることができた。

また、DPS Achievement Award に、これまでの久々の DPS フル開催に加えて、かつてのような誘電体の物性調査や応用への貢献などを讃えて大現地での熱心な成果報告やそれに対する議論の賑

木義路 氏（早稲田大）の受賞が発表された。さらわいを目の当たりにすることができ、現地実行委に Best Presentation Award と DPS Paper

員長として、この上ない喜びとやりがいを感じるAward に久保井信行 氏（ソニーセミコンダクタ

ことができた。これも本会議の組織委員、国際諮

ーソリューションズ）らの２つの受賞が発表され

問委員、プログラム委員、現地実行委員、さらにた 。 最 後 に DPS 2022 Award for the Young

関係者の方の多大なるご協力と多岐にわたるサポ

Researcher に、濱野誉 氏（京都大）と市川景太ートによるものであり、簡単ながらここで謝意を氏（名古屋大）の２名の受賞が発表された。

申し上げたい。
次回 DPS は、近年話題のラピダス社の千歳工

DPS における初めての企画場がある北海道千歳市の千歳市民文化センターで今回の DPS では、受付横に半導体企業に関心

2024 年 11 月 14 日（木）・15 日（金）の２日間にのある若手を対象した DPS Carrier Board を設わたって開催される。今回の DPS2023 以上の盛置し、就職マッチング企画を開催した。この企画

況を期待して、本会議報告を閉じることとする。

は、会議として半導体企業における若手人材を確保するためのサポートを目的とするだけではなく、大学などの研究機関から発表する学生や若手研究者のために会議への参加意欲を高めることを目的として、本会議で初めて開催するに至った（図 2）。
この企画では会議に参加する方であれば、誰でもA4 サイズ程度の求人票を掲載できることとし、その結果、今回は主に半導体企業から合計 12 団体
による掲示があった。今後は大学などの研究機関からの求人の掲載など別な角度で企画を盛り上げるような掲示を募るなど、より一層ドライプロセスに関する分野の研究や企業活動の活性化の助け

図 2

今回の会議で初めて実施された DPSになることを期待している。

Carrier Assistant Board における主に企業による求人票の掲示の様子

最後に
本会議は 2019 年の COVID-19 パンデミック以
来初めての現地オンリーでの開催となった（2020年は中止、2021 年はオンライン開催のみ、202224

国際会議報告16th International Symposium on Advanced Plasma Science andits Applications for Nitrides and Nanomaterials, 17th
International Conference on Plasma-Nano Technology &Science 13th Asia-Pacific International Symposium on the
Basics and Applications of Plasma Technology(ISPlasma2024 / IC-PLANTS2024 / APSPT-13)
名古屋大学

田中宏昌

本会議は 2024 年 3 月 3 日（日）～3 月 7 日（木）2 日目には、開会式が行われ、名古屋大学笠原に名古屋大学で開催された。会場は新しく築かれ次郎先生のプレナリー講演、University o Bari

たばかりの EI 創発館と IB 館大講義室で、EI 創

Aldo Moro の Pietro Favia 先生の ISPlasma Prize

発館では初の国際会議開催となった。300 人以上

受賞講演、Jozef Stefan Institute の Uros Cvelbar

収容可能な IB 館大講義室でチュートリアル、プ先生のキーノート講演などが行われた。

レナリーなどのセッションを行い、EI 創発館 2 階

3 日目には、Drecel University の Vandanaの３つの講義室、FUJI ホールでプラズマ、窒化Miller 先生によるキーノート講演、The Hong

物、ナノ、バイオの４つのパラレルセッションをKong University of Science and Technology の行い、約 400 人（日本約 200 人、台湾約 100 人）

Kevin Chen 先生によるキーノート講演などが行が参加した。

われ、南部生協食堂でバンケットを開催した。

今 回 は 、 国 際 会 議 ISPlasma2024 / IC-

4 日 目 に は 、 Applied Materials Taiwan の

PLANTS2024 と国際会議 APSPT-13 を合同で開Samuel Chiu 先 生 、 National Tsing Hua

催 す る こ と に な り 、 ISPlasma2024 / IC-

University の Jenq-Gong Duh 先生によるトピカ

PLANTS2024 の組織委員長を名古屋大学梅原徳

ル セ ッ シ ョ ン で の ご 講 演 が 行 わ れ 、 Ruhr

次先生、APSPT-13 の組織委員長を名古屋大学小University Bochum の uwe Czarnetzki 先生、東島寛樹先生、プログラム委員長を金沢大学田中康

京大学寺嶋和夫先生による Hall of Frame Award

規先生、実行委員長を著者が仰せつかった。

Ceremony 受賞講演が行われ、今回から新設され1 日目には、各分野のチュートリアルセッショ

た Masaru Hori Prize Award Ceremony（初代受ンが設けられ、CEA-Grenoble の Bruno Daudin

賞者：東北大学加藤俊顕先生）が行われた。

先生、
National University of Singapore の Daniel

5 日目には閉会式が行われ、The Best Oral /Chua 先生、Princeton University の David B.

Poster Presentation Award の受賞者が発表されGraves 先生にご講演をいただいた。夕方よりた。

Welcome Reception を北部生協食堂にて開催した。

25

国内会議報告第 41 回プラズマプロセシング研究会(SPP-41)
東京工業大学赤塚 洋

応物 PE 分科会主催の第 41 回プラズマプロセ

育や人材育成の取組みが紹介されました。その後

シング研究会(SPP-41)を、
令和６年 1 月 23 日（火）ポスターセッションに引き続いて懇親会が開催さ〜25 日(木)に東京工業大学

大岡山キャンパスでれ（参加 35 名）、意見交換がなされました。2 日

開催しました。これまでの数回、国内の単独開催

目午前には「プラズマ材料科学賞 2023 授賞式」となる場合には日本学術振興会 153 委員会主催のおよび受賞記念講演を実施、最終日 3 日目クロー

プラズマ材料科学シンポジウム(SPSM)との共催

ジングで SPP 講演奨励賞が発表され（赤塚勇大さとしましたが、153 委員会のリニューアルを受け、ん（名古屋大学）「On-Off および High-Low 変調

SPSM とは切り離し SPP の単独運営としました。

VHF プラズマにおけるキャピラリープレート底

コロナ禍が一段落したのでフル対面形式とし、立部の電荷蓄積挙動比較」、石健太さん（東京工業大

食形式の懇親会も復活させました。
本開催に対し、

学）「誘導結合窒素プラズマ中の励起状態数密度とプラズマ・核融合学会、静電気学会、日本表面真電子温度の関係性に関する議論」）、PE 分科会幹空学会、電気学会、日本物理学会、表面技術協会

事長 白藤立先生のお言葉にて閉幕しました。

から協賛を頂きました。

事務的なコメントですが、インボイス制度への参加人数は 115 名、内訳は一般 66 名、学生 33

対応のため、現地委員会は領収書を発行し難くな

名、招待 14 名、リモート招待 2 名でした。講演りました。そこで WEB サイト管理運営に併せて件数は 64 件、内訳はプレナリー１件、プラズマ材

会計関係も田中昭文堂印刷に委託し、現地委員会

料科学賞 2023 受賞記念講演１件、招待講演 5 件は現金にタッチしない方式を採用し、上手く運営（うち１件は 2022 年プラズマ材料科学賞受賞記

できました。関係企業への広告出稿依頼が功を奏

念講演）、シンポジウム講演 10 件、一般講演 47 件

し、合計 11 社の企業様から広告を頂戴でき、十分（口頭 23 件、ポスター24 件）でした。

な黒字をもって終了することもできました。

SPP41 プログラム委員会委員長 岐阜大学 上

一方、講演件数の少なさ・縮小規模感が問題で

坂裕之先生からのオープニングで開始し、初日午した。
今回、講演件数や参加者数がかなり少なく、

後には、特別企画シンポジウムとして、「半導体プ

3 日間シングルトラックとして開催しました。リラズマ⼈材育成の緊急性と⼤学への要望（全 10 講モートを排したことが一因であったかもしれませ演）」を開催いたしました。最先端の半導体デバイん。今後も SPSM とは離れた運営となりますし、ス製造には、プラズマエッチングやデポジション

昨今関連会議が多数存在することもあり、単独開技術はもちろん、技術を担う即戦力・若手の技術

催時の SPP のあり方などは、ぜひとも、皆様にて、者育成も喫緊の課題で、この分野の意識共有のたご議論下さい。本報告の最後に、プログラム委員

め企画されました。キオクシア様からの基調講演

会および現地実行委員会の先生方の献身的なご協に続き、経済産業省、文部科学省、国内外の産業力に、心より感謝申し上げます。ありがとうござ

界から提言をいただき、大学における社会人再教

いました。
26

国内会議報告2024 年第 71 回応用物理学会春季学術講演会
チュートリアル講演開催報告
ウェスタンデジタル
2024 年 3 月 22 日の春季応用物理学会におい平松 亮ってきたことから改めて当時の知見を振り返る事て、「プラズマプロセスにおけるチャージングダメ

は今後のプロセス開発に重要である。

ージ～発生メカニズムから対策まで～」と題した

2. チャージングダメージの評価方法および発生

チュートリアル講義がナノテクリサーチ野尻一男

メカニズムと低減法

先生により行われた。今年は現地のみでの開催でプラズマ処理におけるチャージング量の計測

参加申込者は 54 名であった。今回は実用に近い手法として、NMOS デバイスでの C-V 測定を用題名であった事から、学生のみならず、多くの企いたΔVFB 計測、アンテナ MOS を用いたゲート

業の方にご参加頂いた。

酸化膜の絶縁破壊率のアンテナ比依存性測定、電本講義では、初めに半導体の微細化や装置開発

圧ランピング法による MOS キャパシタの電流電の歴史、チャージングダメージ研究の流れおよび

圧特性変化計測での素子劣化評価が用いられる。

ドライエッチングの基礎について説明頂いた。そまず、これらの評価手法を用いた各種エッチングの後、チャージングダメージの評価手法、発生メ装置(マグネトロン RIE, 平行平板型プラズマエ

カニズム、チャージングダメージ抑制の手法、不ッチャー、ECR プラズマエッチャー、TCP プラ

良発生事例について講義頂き、最後に若い研究者

ズマエッチャー)および各種アッシング装置(バレへのメッセージを述べて頂いた。

ル型アッシャー、同軸バレル型アッシャー、ダウ

1. イントロダクション

ンフロー型アッシャー)におけるチャージングダ

ドライエッチング装置は最初アッシング装置がメージについて説明して頂き、その後プラズマ処

半導体製造に導入され、その後平行平板型プラズ

理におけるゲート酸化膜破壊のメカニズムとして、

マエッチャーや、サイクロトロン型や TCP 型な電荷のチャージングにおけるゲート酸化膜破壊やどの高密度プラズマエッチャーが登場した。装置

電子シェーディングダメージモデルの詳細、そのの基本構造はこの頃にほぼ完成し、その後解離状対策としてパルス化およびウェハ温度の低温化、態の制御や ESC の温度制御、パルス化、原子層エ

アンテナ比軽減などの絶縁破壊率の低減方法につッチングなどの技術が発展した。1985 年から

いて説明頂いた。

2000 年頃にかけて微細化に伴うチャージングダ

今回のチャージングダメージに関する講義内容

メージが大きな問題となり、当時最先端を走っては 20~30 年前と少し過去に研究された話題であいた日本の企業を中心として精力的に研究が行わりながらも今でも起こりうる問題であり、学生のれてきた。チャージングダメージの発生メカニズ

みならず若いエンジニアにもとても有益なものとムはこの時期にほぼ解明されたが、未だに微細化なった。今後の半導体開発においても設計やプロに伴うチャージングダメージが問題となっており、 セス開発で今回の知見が活かされて、よりより製
また、当時一線で活躍していた研究員が少なくな品開発につながっていくことが期待される。
27

国内会議報告2024 年 第 71 回応用物理学会春季学術講演会
プラズマエレクトロニクス分科会主催シンポジウム
T13 「プラズマが拓くナノ粒子・量子ドットの新展開」
九州大学

鎌滝晋礼, 高知工科大学 八田章光, 名城大学 伊藤昌文

プラズマによるナノ粒子・量子ドットに関する目されている中、橘先生の研究グループは、植物研究は古くからあり、ダストプラズマ物理分野かの種子(フェヌグリーク種子など)を用いて、加熱らはじまり、現在は、熱プラズマや低圧プラズマ処理または、マイクロ波水素プラズマ処理によっなどを用いた材料合成等への応用が大きく進展して、均一でグラファイト性の高い高品質な CQDています。その中で、2024 年 3 月 23 日に行われが生成さえることが説明された。プラズマ処理のた本シンポジウムでは、ナノ粒子・量子ドットの方が、合成時間が大幅に短縮されるというメリッ研究に関して、基礎から種々の応用まで俯瞰できトがあることが示された。

る内容のシンポジウムになるよう、第一線で活躍

次は、企業からの講演で、株式会社日清製粉グされている学術界および産業界からの研究者をおループ本社の中村圭太郎様から「熱プラズマ法に呼びし、今後の材料開発の方向性について、包括

よるナノ粒子合成とその応用に向けて」というタ的な理解とヒントが得られる機会を目指しました。 イトルで、熱プラズマにおけるナノ粒子合成とそ
最初のセッションは、産総研の布村正太先生よの産業応用の開発研究について講演して頂いた。

り「プラズマ反応場とナノ粒子生成：成長制御とナノ粒子合成だけでなく、合成後の乾式の遠心分応用展開」というタイトルで講演して頂いた。プ級法を用いたサブミクロン領域での高精度分級技

ラズマ反応場におけるナノ粒子研究の大要につい術開発も重要であることが述べられた。

てわかりやすく説明することから始まり、量子ド

後半のセッションとして、ナノ粒子合成の数値

ット太陽電池や発光デバイス用途のシリコンナノ

シミュレーションの講演で、東北大学の茂田正哉

粒子、low-k 絶縁膜用途の絶縁体粒子、触媒用途

先生が「数値解析的研究を拓く：合金ナノ粒子雲の金属系粒子、リチウムイオン電池用途の合金系のエアロゾル的集団生長を表現する数理モデル

粒子などの応用研究についても言及された。
また、と計算アルゴリズム」について講演して頂いた。

合成過程でのプラズマの役割についての解説及び、 熱プラズマによって金属-金属系や金属-非金属系
プラズマ中のナノ粒子の帯電現状について実験結の合金ナノ粒子を高速大量創製するプロセスを対果とともに説明された。

象とし，特にそれらのナノ粒子がプラズマ下流に

次に、横浜市立大の橘勝先生が「加熱やプラズ

おいて雲を形成しながら集団的に生長する過程をマ処理による天然物からのカーボン量子ドット

エアロゾル動力学に基づいて数学的に記述し，数の合成とその応用」というタイトルで講演を行っ

値計算を行うためのアルゴリズムも併せて構築すた。環境調和性や資源有効活用の観点から、天然

ることで、数値解析的な研究法を開拓する壮大な物からの カーボン量子ドット(CQD)の合成が注

取り組みについて 、非常にわかりやすく説明いた28

Si/SiOx ナノ粒子/ナノワイヤ大量生成とその LIB

だいた。
次に、リチウムイオンバッテリー(LiB)デバイス

負極電池特性」及び北嶋武先生(防衛大)が「プラズへの応用として、大阪大学の神原淳先生が「ナノモニックプラズマプロセスによるシリコンのラジ粒子構造制御と LiB デバイスへの実装」というタ

カル窒化での波長作用」というタイトルで講演さイトルで講演を行った。安価粉体原料から高スルれた。

ープットで Si ナノ粒子を生成することができる

口頭セッションに引き続き、招待講演の先生方にプラズマスプレー技術及びナノ粒子生成後の除酸

再度登壇頂き、八田章光先生(高知工科大)を司会化処理を組み合わせることで、ナノ粒子のサイズとしてパネルディスカッションが開催された(図を小さくしたまま、酸化度を抑えたナノ粒子形成1)。パネラーに大学の研究者と企業の技術者が混が可能となり、これらの粒子を用いた LiB 用電極

在する中、ナノ粒子・量子ドット研究において、は、初期効率低下を抑えつつ，安定したサイクル

社会実装・実用化する上で大事なことは何か、こ特性が得られることが示された。

れからのナノ粒子において重要なことは何かなど、

さらに、ナノ粒子を活用した産業応用として、

積極的な意見交換がなされた。

東芝インフラシステムズ（株）の今井隆浩様が「ナプラズマエレクトロニクス分科会として、プラズ

ノ粒子の応用 ー電気絶縁材料の高性能化ー」とマ中のナノ粒子の研究は歴史が長く、1980 年代かいうタイトルで講演を行った。電気絶縁性能の向らダストプラズマとして研究が行われている。し上したナノ粒子とポリマーを複合化したポリマー

かし、応用物理学会内におけるシンポジウムのテ

ナノコンポジット絶縁材料の研究開発について、ーマとしては、取り上げることがあまりなかった

そして、直流高電圧押出ケーブルやマグネットワ

ことから、今回このように開催できたことを大変イヤーへの実用化などについて説明された。

有り難くことであると感じている。本シンポジウ

招待講演の最後に、クーロン結晶研究から国際ムをきっかけとして、ナノ粒子・量子ドットに関

宇宙ステーション(ISS)における微粒子研究にもする研究者の裾野が広がり、プラズマが拓くナノ携わられている京都工芸繊維大学の高橋和生先

粒子・量子ドットの更なる新展開に多いに期待し生が「微粒子プラズマの物理とその応用 −クーロ

たい。

ン結晶から微粒子間相互作用、微小重力科学まで」 謝辞 ご多忙の中、ご講演を頂いた講師の方々、最という内容で講演を行った。微粒子プラズマにお後まで会場ならびにオンラインで聴講頂いた参加

ける微粒子の帯電と微粒子の空間的に分布するこ者の方々に、感謝を申し上げます。また、準備のとにより電離への影響など、荷電粒子集団の物理段階からご助言を頂いた辻 享志様(産総研)、上坂についても詳しく説明いただいた。また、菌など

裕之先生(岐阜大学) 及びプラズマエレクトロニ

も微粒子同様にプラズマ中に浮遊させ帯電できる

クス分科会幹事の先生方に感謝申し上げます。

ことも示された。
このナノ粒子・量子ドットのシンポジウムの一般公演として、田中康規先生(金沢大学)が「SiO 原
料間歇導入＋タンデム変調誘導熱プラズマによるパネルディスカッションの様子
29

国内会議報告2024 年 第 71 回応用物理学会春季学術講演会
分科内招待講演 キオクシア(株) 宮島秀史
「高積層３次元フラッシュメモリにおけるプロセス開発とその対策」
産業技術総合研究所

辻享志2024 年 3 月 23 日にプラズマエレクトロニクス

る技術である。300mm のウエハに 100 nm の孔分科会分科内招待講演のセッション前半に、キオを 2 兆個の孔を開け、その孔に 2-3 nm の膜の多クシア技術統括責任者（CTO）の宮島秀史先生に

層構造で埋め込む。5 um, 10 um といった深い孔ご登壇いただき「高積層３次元フラッシュメモリ

穴をまっすぐにあけるために、エッチングガスににおけるプロセス開発とその対策」と題したご講

CF 系ではなく HF 系の使用し、また低温でのエ演をいただいた。講演会場には多くの聴講者が集ッチングを行うことで深い領域でもエッチングレ

い、活発な質疑応答や講演終了後の質問のためのートを低下させない技術開発が行われている。最長い列が印象的であった。

先端のフラッシュメモリ作製がどれだけ難しいか
私のような専門外の聴衆にもイメージできるよう

講演の前半ではフラッシュメモリ開発の歴史をにわかりやすく解説頂いた。

ご紹介され、2 次元フラッシュメモリがリソグラ

最後に、今キオクシアはサステナビリティを一番

フィの進歩とデバイス構造の変化で小型化を達成重要視していると述べられた。ストレージ自体のしてきたこと、2007 年頃よりメモリ構造を 3 次

容量あたりのエネルギー使用量は下がっているも元化し、その後積層数を増やす縦スケーリング、のの、半導体工場では大量のエネルギー、ガス、横を圧縮する横スケーリング、セル容量を増やす

水を消費しており、例えば TSMC の電気使用量はロジカルスケーリングにより、年率 30％の記憶容

台湾の 1/6 を占めるといわれるような状況である。

量の増加、15%のコストダウンという世の中の厳

地球温暖化に対してどう取り組むか、どう地球をしい要請にこたえ続けてきたことを述べられた。

守っていくかが我々の命題である。質疑応答では続いて最新の第８世代がどのように作られてい具体的な消費電力量が多いプロセスとしてエッチ

る の か ご 紹介 が あっ た。 重 要 技 術の 一 つは 、ングとチラーによる冷却を上げられ、エッチング

CMOS とセルアレイの表面同士を接合する CBA

での消費量の低減やサーマルマネージメントの重構造（CMOS directly bonded to array）である。

要性を語られた。

これにより CMOS とセルアレイを別々に作ることができ、配線に W ではなく電気抵抗の低い Cu

謝辞 ご講演をいただいた宮島先生に御礼申し上が使える、配線を短くできるといった様々なメリげます。また、開催にあたり、準備いただいたプットが生まれた。また、高密度化を支えているの

ラズマエレクトロニクス分科会幹事各位に感謝申は極めて高度化された孔を開ける技術と孔を埋めし上げます。
30

国内会議報告2024 年 第 71 回応用物理学会春季学術講演会
分科内招待講演 九州大学 小菅佑輔
「核融合プラズマ研究の最新の動向」
産業技術総合研究所

辻享志2024 年 3 月 23 日にプラズマエレクトロニクス

いトカマクが作れるようになってきた背景もあり、分科会分科内招待講演のセッション後半に、九州

最近では核融合ベンチャーが台頭し始め、核融合

大学応用力学研究所の小菅佑輔先生にご登壇いた研究を支える資金の割合も公的なものから民間へ

だいた。ご講演では「核融合プラズマ研究の最新と移り変わり始めている。誰が収益化するかを争の動向」と題し、最近テレビなどのマスメディア

うか、核融合研究の潮流が協調から競争へと変化

でも報道されるようになった核融合研究に関してした。日本でも核融合産業協議会が設立され、50多くの聴衆の前でご講演をいただいた。

社を超える企業が参加している。

ご講演では、①核融合研究の潮流、②台頭する

今後の展望のパートでは、中嶋貞雄著”超伝スタートアップと新しい研究体制、③プラズマ・導”[1]を引用し、半導体研究や超伝導研究で見ら

核融合研究の今後の展望と大きく３つの内容をおれた、技術開発の結果のみが強調されバラ色の未話された。まず、核融合の原理や方法などにも触来像が描かれる傾向が核融合研究でもみられておれつつ、60-70 年代から現在までの核融合炉の発り、基礎研究が軽視されがちな風潮に対し警鐘を

展を、核融合炉の性能を計る指標となる核融合三鳴らされた。プラズマの理解やプラズマ閉じ込め

重積（「中心イオン温度」「閉じ込め時間」「中心イ

制御といった基礎を軸足とした研究を進めるのがオン密度」の積）やエネルギー増倍率 Q を使って大事ではないかと述べられた。小菅先生の最近の紹介された。現在は Q=20-30 の実証を目指した国研究成果として、“適度”の乱流が核融合反応の際際核融合実験炉イータがフランスに建設中で、に副生するヘリウム灰などの”燃えカス”を除去し2025 年にファーストプラズマ、2035 年に本格運

核融合反応を継続させる重要な役割を担う可能性

用開始という予定で進められている。日本でもに言及され、プラズマの閉じ込めとの両立を図る

JT60-SA の建設が終わり、2023 年 10 月 23 日にための研究の重要性を語られた。

はファーストプラズマの発生が成功、12 月 1 日には運転開始記念式典でのプラズマ電流 1MA のダ

謝辞 大変明解で興味深いご講演をいただいた小イバータプラズマの実演がなされた。

菅先生に御礼申し上げます。また、開催にあたりイータや JT60-SA が進んでいる一方、従来の準備いただいたプラズマエレクトロニクス分科会

プロジェクトは 2 兆円規模と大きくなり、各国の幹事各位に感謝申し上げます。

協力やコンセンサスを取る必要があり、スピード
感を上げる必要性が言及され始めた。高温超電導

参考文献

磁石のブレークスルーにより約 2 m サイズの小さ[1] 中嶋貞雄; “超伝導”, (岩波書店, 1988)

31

国内会議報告第 42 回プラズマ新領域研究会『気液界面および液体中の放電現象』
金沢工業大学大澤直樹

第 42 回プラズマ新領域研究会は，3 月 19 日

目で，直流コロナ放電を用いて液中の酢酸を分解（火）13:30~16:30，オンラインにて開催された。

し，そのメカニズムを BTB 溶液の pH 変化から

参加者は，
講演者 4 名と聴講者 25 名
（企業：6 名，推定する方法を講演いただいた。金沢工業大学の大学・研究機関：6 名，学生：13 名）であった。

宮城克徳先生からは，「環境対応型変圧器油の最新

近年，気液界面ならびに液体中の放電現象に関動向」という題目で，GX（グリーントランスフォ

する応用研究が環境保全，医療，農業などの分野

ーメーション）に不可欠な環境対応型変圧器油ので幅広く行われており，放電・プラズマによって最新動向について，特に生分解性電気絶縁油（エ生成される活性種の計測技術の開発や活性種の生ステル系絶縁油）の種類，特徴，絶縁破壊特性を成・輸送現象の解明などが盛んに研究されている。

中心に講演いただいた。また，九州工業大学の小また，液体誘電体中の電気伝導特性や絶縁破壊現

迫雅裕先生からは，「液体誘電体中の部分放電およ象に関する研究が電力・エネルギー分野で行われび絶縁破壊現象の解明に向けて」という題目で，ており，環境負荷の小さい液体誘電体を採用した

ガス分析による電力用変圧器の絶縁診断法，液体

電力用変圧器の開発が盛んに研究されている。前誘電体の部分放電や全路破壊特性，パワーデバイ

者の研究領域では，放電・プラズマを安定して発スに使用される高耐熱の封止材の電気絶縁，量子生させる技術が求められ，後者の研究領域では，

化学計算による絶縁破壊現象の理論的解明などの放電・プラズマを発生させない技術が求められる。

研究を講演いただいた。総合討論では，各講演でこの研究会では，相反する機能が求められる 2 つ紹介された先進的な評価手法について，適用先拡の研究領域の交流により，多面的な視点から，「気大の可能性が議論された。

液界面および液体中の放電現象」について，今後講演いただいた先生方，ご協力いただいたプラの展開を考えることを目的とした。

ズマエレクトロニクス分科会の皆様，活発な議論

上坂副幹事長の開催挨拶に続いて，西日本工業を頂いた参加者の皆様に御礼申し上げます。

大学の川崎敏之先生から「気液界面プラズマによる液中活性種輸送のメカニズム解明と制御」という題目で，ゲル状にした KI-デンプン水溶液やPIV 法を用いて，大気圧プラズマジェットによって生成される活性酸素種が液体を介してターゲッ
トに輸送されるメカニズムの解明とその制御方法の結果を講演いただいた。また，大阪工業大学の見市知昭先生からは，「直流コロナ放電照射による液中の酢酸分解と pH 変化のメカニズム」いう題
32

国内会議報告第 43 回 プラズマ新領域研究会「ナノ粒子・微粒子の分散技術」
名古屋大学

鈴木 陽香

第 43 回プラズマ新領域研究会「ナノ粒子・微粒を修飾した上でリガンドを付けて比較実験を行う

子の分散技術」は 2024 年 3 月 29 日（金）に Zoom

ことにより，実際にはナノ粒子の材質やサイズにによるオンライン形式で開催され，32 名の参加登依存して，最適なリガンド（炭素鎖の長さや構造）録（幹事 2 名，講演者 4 名，聴講者 26 名（大学・が存在することを明らかにした研究成果について

国研 17 名，企業 9 名））があった．

ご紹介いただいた．

ナノ粒子はその特性から，医薬品，触媒，光学

続いて，井上 健一 先生（名古屋大学）から，材料，電子デバイスなどの分野において，多岐に『液中プラズマを用いた六方晶窒化ホウ素粒子のわたる応用が期待されている．しかしながら，ナ

表面改質』という題目でご講演いただいた．ESR

ノ粒子は凝集しやすい傾向があり，その特性を発計測を用いて，プラズマ照射により，ホウ素にダ揮するためには溶媒中で均一に分散させることがングリングボンドが発生すること，また，液中へ重要となる．分散方法として，分散剤の選択や，のヒドロキノン添加により BN 粒子表面へ堆積さ

機械的な分散法の利用，温度や pH の調整，適切せた a-C:H にもダングリングボンドが形成されるな攪拌などが挙げられるが，近年ではプラズマをこと，これによって極性溶媒への分散性の改善が用いたナノ粒子合成や粒子分散に関する報告もなあることをご紹介いただいた．また，極性溶媒へされている．本研究会ではナノ粒子の分散と凝集の分散評価の場合にはゼータ電位測定が有効であの制御，及び計測方法に関する最新の研究動向にることをご紹介いただいた．

ついて，4 名の講演者にご紹介いただき，展望に小川 大輔 先生（中部大学）からは『多層カーついて議論を行った．

ボンナノチューブを含む有機複合材のための分散

始めに，
プラズマエレクトロニクス分科会 副幹技術』という題目でご講演いただいた．MWCNT

事長の上坂裕之先生（岐阜大学）から開催の挨拶

表面に N2/O2 または N2/CO2 プラズマを照射したをいただき，幹事の鈴木（名古屋大学）から本会の趣旨説明を行った．
最初の講演では，岡田 洋平 先生（東京農工大学）から『ナノ粒子の分散凝集制御―塩を油に溶かすためには？―』という題目で，ナノ粒子の定義から，DLVO 理論が適用できない有機溶媒において，ナノ粒子を分散させる際のリガンド（分散材）についてご講演いただいた．リガンドは炭素鎖が長いほど分散に効果的であると考えられてい研究会の様子たが，TiO2 粒子に対して結合力が強いホスホン酸
33

際，粒子の表面分析（蛍光発光法，Raman 分光，ルトラファインバブルを例として，計測対象物をXPS）およびプラズマの気相計測（アクチノメト

乱すことなく 1 frame/sec の速度でリアルタイム

リー法）によって，MWCNT 表面へのイソシアネ

観測が可能であることをご紹介いただいた．このート基修飾と，N，O のラジカル密度との関係性，

計測システムは他のナノ粒子の計測への応用も可

ウレタン材料への分散性の改善についてご紹介い能であり，ナノ構造の変化の過程や，表面への作

ただいた．また，ウレタン合成の際に MWCNT 混

用のその場観察が期待できる．

合の方法と機能性改善の違いについてご紹介いた

予定時間を超過することとなったため，研究会

だいた．

の最後には各講演を振り返り，簡単なまとめをお岡田 孝夫 先生（（株）生体分子計測研究所）かこなった．本研究会では，プラズマ分野外からもらは『ナノ粒子動画計測システム（NP-NEX）』

講演者をお招きして研究会を実施したが，いずれという題目で，高速 AFM を応用したナノ粒子のの講演でも聴講者との活発なご議論をいただき，

動的評価システムについてご講演いただいた．ウ

大変有益な会となった．

34

行事案内
2024 年 第 85 回応用物理学会秋季学術講演会

プラズマエレクトロニクス分科会企画
名城大学 伊藤 昌文
名古屋大学 石川 健治
pattern using statistical ensemble method”, Jpn. J.

■ はじめに2024 年 9 月 16 日（月）〜20 日（金）に朱鷺メッAppl. Phys. 62, Sl1006 (2023).

セほか 2 会場（新潟県新潟市）とオンラインのハイブリッドで第 85 回応用物理学会秋季学術講演会が２件目の受賞者（敬称略）：

開催されます。本稿では、プラズマエレクトロニク

内田儀一郎 1*、益本幸泰 1、榊原幹人 1、池邉由美子

ス分科会企画の概要とスケジュールを紹介いたしま

1、小野晋次郎 2、古閑一憲 2、小澤隆弘 3（1 名城大す。脱稿時点で未定の部分も含まれるため、詳細に学、2 九州大学、3 大阪大学）（*ご講演予定者）

つきましては応用物理学会の HP でご確認をお願い

選考の対象となった業績：致します。

“Single‑step fabrication of fibrous Si/Sn composite
nanowire anodes by high ‑ pressure He plasma■（第２日）プラズマエレクトロニクス賞受賞記

sputtering for high‑capacity Li‑ion batteries”, Sci.

念講演

Rep. 13, 14280 (2023).

第 22 回プラズマエレクトロニクス賞受賞者による受賞記念講演が行われます。この場を借りてお祝■（第２日）分科内招待講演
今回の PE 分科会企画の分科内招待講演を 1 件企い申し上げます。プログラムを御確認の上、受賞記
念講演会場まで是非とも足をお運び下さい。

画いたしました。プラズマのシミュレーションの発[ 関連サイト] プラズマエレクトロニクス賞：

展に大きな寄与をされてきました大阪大学の浜口https://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/pe_aw

智志 先生をお招きして「オングストロームノード世

ard2.html

代における半導体製造プラズマプロセスの物理」と□ プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

題して半導体プロセス分野での最新の研究や今後の日程：9 月 17 日（火）午前（予定）

挑戦的課題などについて次世代研究者に向けて話していただく予定です。

1 件目の受賞者（敬称略）：
久保井信行*、松谷弘康、辰巳哲也、小林正治、萩本

日程：9 月 17 日（火）午前

賢哉、岩元勇人（ソニーセミコンダクタソリューシ

会場：未定

ョンズ（株））（*ご講演予定者）

ご講演者：浜口 智志 先生（大阪大学）

選考の対象となった業績：

講演題目：「オングストロームノード世代における半“Modeling and simulation of coverage and film

導体製造プラズマプロセスの物理」

properties in deposition process on large-scale35◼ （第２日）分科会企画シンポジウム(Technical)◼ （第４日）大分類合同企画シンポジウム

学会2日目の17日（火）に、分科会企画シンポジ(Technical)

ウム「次世代半導体・新デバイス製造に向けたプラ学会4日目の19日（木）に、PE分科会と大分類１

ズマ直接接合技術」を開催いたします。

「応用物理一般・学際領域」との合同企画シンポジ

二つの基板の表面をプラズマ照射による表面活性

ウム「地球の限界？プラネタリバウンダリにおける化し、それらを低温・低圧下で直接接合する技術がプラズマとエネルギーシステムによる危機回避」を実現しています。将来、次世代半導体製造や新デバ開催いたします。

イス創生のため、異種材料基板をプラズマ照射によ

地球は、複雑な物質循環システムを絶秒なバランる表面活性化により低温・低圧下で直接接合する技スで運用し生存環境を維持しています。人類の活動術が強く求められています。その実現には、プラズ

は、物質循環のバランスを崩し、環境変動に影響を

マ照射時の材料表面状態を原子レベルで把握し、ま与えています。特にCO2排出や窒素循環の破綻が顕た精密にコントロールする必要があります。

著であり、これを改善する様々な革新的技術が検討

本シンポジウムでは、プラズマを用いた基板接合されています。

技術の全体像を俯瞰しつつ、今後解決すべき課題を

本シンポジウムでは、CO２排出や窒素循環に着目議論し明確にすることを目的と第一線で活躍する研し、これらの改善に資する応用物理学分野の技術を究者から最新動向を紹介していただき、現状および紹介し、課題解決に向けた応用物理学分野研究の進

将来展望を議論します。是非とも奮ってご参加くだ

むべき道について議論します。是非とも奮ってご参さい。

加ください。

日程：9 月 17 日（火）13:30～17:55（予定）

日程：9 月 19 日（木）13:00～17:00（予定）

会場：未定

会場：未定

講演者（順不同）：

講演者（順不同）：

１．高橋 健司 (産総研)「プラズマ表面活性化による

１．濵田 耕佑（国際農研）「窒素循環のアセスメントに

基板接合技術の動向」

資する窒素フットプリント」

２．須賀 唯知（東大）「表面活性化接合のメカニズム」

２．田中 学（九州大）「空気プラズマを用いた CO2 排出

３．秦 誠一 (名大)「大口径基板接合に向けた高速原のない窒素肥料生成」

子ビーム源」

３． 野崎 智洋 (東工大)「大プラズマ触媒を用いた CO2

４．竹中 弘祐 (阪大)「大気圧プラズマジェットによ変換」

る異種基板の直接接合」

４．河野智謙（北九大）「海産性光合成生物を利用した

５．梁 剣波 (大阪公立大)「パワーデバイスの接合技

アクアポニクスと物質循環」

術」

５．平良東紀（琉球大）「フード・トランスフォーメー

６．高桑 聖仁 (東大)「フレキシブルエレクトロニク

ション(FoodX)に関する話題提供」

スのための柔軟実装技術」

６．柳川勝紀（北九大）「地下圏微生物による炭素循環

７．日暮 栄治 (東北大）「表面活性化接合のフォトニとエネルギーとしての利用」

クスデバイスへの展開」

７．羽賀史浩（琉球大）「サステイナブル陸上養殖に関する最新動向」36

■（第３日以降予定）海外招待講演

English Session を予定しています。留学生の方に限ら現地開催で開催を予定しておりますが、講演者の都ず、日本人学生の方も是非とも奮って参加頂ければと合でオンライン講演となる場合があります。時間枠

思います。

は現在検討中です。皆様奮ってご参加下さい。
■ おわりに[ご講演者 1] Prof. Eun Ha Choi
Kwangwoon University, Korea[講演題目] Nonthermal atmospheric pressure plasma NO(nitric oxide) water and its application tobiomedicine,
agriculture
andenvironmentals

上記案内いたしました行事の他に 9 月 17 日（火）の昼には、大分類意見交換会、PE 分科会のインフォーマルミーティング、同日夕刻には恒例となっておりました PE 分科会懇親会も企画される予定です。
詳細は担当幹事から改めて案内があると思いますの[ご講演者 2] Prof. Magdaleno Vasquez,
University of the Philippines, Philippines[講演題目] Utilizing Custom-built Plasma Sources for
Natural Materials Processing

で、是非、スケジュールに加えておいて下さい。他
分類とのよい交流の機会だと思いますので、奮ってご発表いただければ幸いです。不明な点がございま
したら、お気軽にお問合せください。

■ English Session
今回もプラズマエレクトロニクス分野を横断するトピッ

連絡先：伊藤 昌文（名城大学）
ito@meijo-u.ac.jp

ク スで 「Plasma Electronics English Session 」と 題した

37

行事案内

第 45 回ドライプロセス国際シンポジウム
45th International Symposium on Dry Process (DPS2024)
キオクシア(株)室蘭工業大学
東京エレクトロン宮城(株)大村 光広（プログラム委員長）
佐藤 孝紀（実行委員長）
本田 昌伸（組織委員長）

本年のドライプロセス国際シンポジウム

面から常に新しい切り口の報告がなされています。

（DPS2024）は、2024 年 11 月 14 日（木）から加えて、大気圧プラズマ技術や表面改質へのプラ

15 日（金）にかけて、北海道の千歳市民文化セン

ズマ応用、バイオや医療、環境保全分野への応用

ターにて開催されます。最寄りの JR 千歳駅は新など、急速に発展するドライプロセスにかかわる

千歳空港から 10 分以内、札幌駅も快速電車で 30

すべての分野につきまして、幅広く投稿を募集し分程度とアクセス良好です。後に述べます様に、ております。

著名な方々の講演も多数予定しております。つき本 年 も 注 目 テ ー マ と し て ３ つ の Arranged

ましては、皆様の最新の研究成果を是非ご投稿頂

Session を設定しました。１つ目はデバイスの 3

きたく、お願い申し上げます。会議後には JJAP

次 元 化 に 向 け た 「 Understanding the

特集号の発刊も予定しております。

mechanisms

for

futurehigh-aspect-ratio

etching technology」、２つ目は原子層プロセスに

ドライプロセスシンポジウムはプラズマエッチ
ング、CVD など半導体製造プロセスと非常に深い

対 応 し た 「 Atomic

layer

processes

関わりを持っていますが、ドライ(気相)に関連し(ALE/ALD/ASD) for ultimate control of surface

た物理現象は全て議論の対象と言える程、非常に

reaction」、３つ目は世界的な関心を集めるロジッ

オープンな国際学会です。参加者は例年 300 人をク デ バ イ ス の発 展 に 着目 し た 「Breakthrough超えており、また産学官のバランスが取れている

process technology for advanced logic device

ことも特徴の一つと言えるでしょう。

fabrication」です。各セッションにおきまして、

最近のトピックスとしては、先端ロジックデバ

当該分野で著しい成果を挙げられている研究者をイスやメモリデバイスの 3 次元化に沿った、高ア

お招きし、ご講演頂く予定です。また今回は千歳

スペクト比対応プロセスの報告が多くなされてい開催に因んでラピダス(株)の小池社長にもご登壇ます。昨年は、低温下で新しいガスケミストリを頂き、基調講演として、2nm ロジックデバイス製

用いた高速ドライエッチング技術について多くの造に向けたチャレンジについてお話し頂きます。

報告があり、議論が白熱しました。等方性の化学

本シンポジウムは、ドライプロセス分野の世界的なエッチングも大きな注目を集めていますし、最先端の研究に触れる機会であるとともに、業界、ALE、ALD などの原子層プロセス、プロセスのモ世代を越えたネットワークが形成できる場でもあデリングや AI の活用、新規プラズマ計測手法にります。関連した研究内容の多い PE 分科会会員

ついても多数の報告がありました。プラズマダメの皆様の、積極的な論文投稿とご参加を心よりおージ制御に関しては実験、シミュレーションの両待ちしております。
38

【会期】

【投稿受付】

2024 年 11 月 14 日（木）‐15 日（金）開始: 2024 年 5 月 8 日（水）締切: 2024 年 7 月 15 日（月）【会場】
千歳市民文化センター 北ガス文化ホール【参加申し込み】
早期参加登録締切日：2024 年 9 月 30 日（月）【テーマ】

参加登録締切日：2024 年 10 月 25 日(金)ドライプロセスおよびその関連技術【トピックス】＊当日の受付も可能です。早期参加登録の場合、ホームページをご参照ください

参加費の割引があります。また、協賛学会会員につきましても割引があります。

【西澤アワード記念講演】(西澤アワードはドライプロセスの進展に多大【会議ホームページ・連絡先】

な貢献を頂いた研究者に贈られる賞です)

http://www.dry-process.org/2024/

・Steven M. George

事務局: dps2024[at]officepolaris.co.jp

University of Colorado Boulder※最新の情報は上記ホームページをご覧ください

・Tetsuya Tatsumi
Sony Semiconductor Solutions Corporation

Call for Papers – DPS 2024

【基調講演・アレンジセッション】

45th International Symposium on Dry Process

Keynote speaker

November 14(Thu) - 15(Fri), 2024
Chitose Cultural Center, Hokkaido, Japan

Atsuyoshi Koike (Rapidus Corporation)

Paper Submission Deadline: July 15, 2024
Author instructions and information about DPS can be found at:
http://www.dry-process.org/2024/

AS1. Understanding the mechanisms for(DPS2024 homepage is currently under construction.)

The 45th International Symposium on Dry Process(DPS2024) will be held at Chitose Cultural Center, Hokkaido,
Japan from November 14 to 15, 2024. The Symposium covers
all aspects of the rapidly evolving fields of dry processes,
including but not limited to plasma etching and deposition
processes, diagnostics and modeling of plasmas andsurfaces, and surface modifications by plasmas, for theapplications in, e.g., microelectronics, power devices,sensors, environmental protection, biological systems, andmedicine. The DPS has provided valuable forums for indepth discussion among professionals and students working
in this exciting field for more than four decades.

future high-aspect-ratio etching technology◆招待講演者
Julian Schulze (Ruhr University Bochum)
Kukhan Yoon (Samsung Electronics Co., Ltd.)
AS2. Atomic layer processes (ALE/ALD/ASD)
for ultimate control of surface reaction◆招待講演者
Christophe Vallee (University at Albany)

Theme:

Dry processes and related technologies from fundamentals to applications

Topics:1. Etching Technologies
2. Manufacturing Technologies (AEC, APC, EES, FDC)
3. Surface Reaction and Damage
4. Plasma Diagnostics and Monitoring Systems
5. Computational Approaches (Modeling, Simulation, Machine Learning, AI,
Informatics, DX) for Dry Process
6. Plasma Generation (Equipment/Source)
7. Deposition Technologies (CVD / PVD)
8. Atomic Layer Processes (ALD/ALE)
9. Dry process for Green Transformation:GX (Energy saving technology,
Alternative gas, 3D-IC/Packaging)
10. Plasma Processes for New Material Devices (MRAM, Power, Organic, III-V, 2D)
11. Plasma Processes for Biological and Medical application, MEMS
12. Atmospheric Pressure Plasma and Liquid Plasma
13. New Dry Process Concepts

For further general information, please contact: e-mail: dps2024@officepolaris.co.jp

Organizing Committee Chair: Masanobu Honda (TOKYO ELECTRON MIYAGI LTD.)
Executive Committee Chair: Kohki Satoh (Muroran Institute of Technology)
Program Committee Chair: Mitsuhiro Omura (KIOXIA Corp.)
Publication Committee Chair: Keigo Takeda (Meijo University)

AS3. Breakthrough process technology foradvanced logic device fabrication

URL: http://www.dry-process.org/2024/（DPS2024 homepage is currently under construction.)◆招待講演者
Ilgyo Koo (imec)

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行事案内

第 18 回インキュベーションホール
名古屋大学 石川 健治
北海道大学 富田 健太郎
応用物理学会プラズマエレクトロニクス（PE）【交通】JR 中央線 新宿駅乗り換え，小田急線 参宮橋駅下車 徒歩約 7 分

分科会が主催するサマースクール（名称：インキュベーションホール）を本年度も開講いたします．
この行事は，プラズマの応用や研究を始めたばか【参加費】（宿泊費，食費，テキスト代，懇親会費りの方（学生・若手研究者・社会人技術者）を対等を含む．消費税込み．）（予定）

象としており，一流の講師陣を招き，プラズマエ[1] PE 分科会正会員
一般 40,000 円 大学院生・学生 14,000 円

レクトロニクスへの理解を深めて頂くための短[2] 応物学会会員（ただし PE 分科会に所属なし）

期集中型の講習会です．

一般 43,000 円 大学院生・学生 17,000 円

このインキュベーションホールでは，プラズマ[3] 協賛学協会会員および PE 分科会準会員

生成・制御，大気圧プラズマ応用，プラズマエッ

一般 50,000 円 大学院生・学生 22,000 円

チングなどの，幅広い分野に関する専門講座を開[4] その他講します．講述内容は，初学者が基礎学理をしっ
かりと理解したうえで，当該分野における最新科

一般 60,000 円 大学院生・学生 27,000 円

学の話題にも触れられるように構成されており，＊１ 応物学会賛助会員および PE 分科会賛助会

海外経験，産学連携経験などの豊富な講師陣から員所属の方はそれぞれの個人会員扱いとします．

は，留学・在外研究経験，産学連携のエピソード＊２ 応物学会企業若手会員は大学院生・学生となどを適時交えた講義を頂き，受講生のプラズマ同じ扱いとします

プロセス研究への興味を喚起します．

＊３ 本分科会会員（年会費 3,000 円）に同時入会

また，新しい研究分野を切り拓かれてきた講師

頂くと，会員価格で参加できます．さらに会員にを招き，当該分野の最新動向や指導者に必要とさは，年２回の会報，PE 分科会主催の講習会へのれる資質について学ぶ機会を提供する特別講座

会員料金での参加など会員だけの特典がありまを行いますので，学生の皆様を初め若手研究者おす．応物学会及び PE 分科会への入会手続きにつよび技術者の皆様お誘い合わせのうえ，奮ってごいては，応物学会公式ウェブサイト

参加申込をいただけますようお待ちしておりま（https://www.jsap.or.jp/）より行って下さい．

す．
記【協賛学協会（予定）】プラズマ・核融合学会，電【会期】2024 年 9 月 4 日（水）～ 9 月 6 日（金）気学会，日本表面真空学会，静電気学会，表面技【会場】国立オリンピック記念青少年総合センター

術協会，IEEE-NPS05〒151-0052 東京都渋谷区代々木神園町 3-140

【講義内容（暫定）】【参加申込】 本企画ホームページにある参加フ・ 大野 哲靖 先生（名古屋大）

ォームからお申込みおよび参加費振り込みをお特別講義

願いいたします．ポスター内容を示すキーワード

・ 高橋 克幸 先生（岩手大）

を３つ程度記入いただきます．一旦支払われた参プラズマ生成・制御

加費は，原則として返金いたしません．

・ 大矢 欣伸 先生(東京エレクトロン宮城（株）)
プラズマエッチング【定員】 60 名（予定）・ 栗田 弘史 先生（豊橋技術科学大）【参加申込方法】下記のウェブページに参加フォ

プラズマバイオ応用ームを設置しておりますので，ご覧ください．

・ 市来 龍大 先生（大分大）【参加申込締切】7 月 5 日(金)大気圧プラズマ応用【参加費支払期間】参加申込後~ 8 月 19 日(月)・ 田中 宏昌 先生（名古屋大）
英語講座【問合せ先】富田 健太郎〒060-8628 札幌市北区北１３条西８丁目【ポスターセッション】

北海道大学

参加者間の交流が深まるよう，ポスターセッショ部門

ンを中心とする談話会を行います．なお，優秀なTEL：011-706-5594

ポスター発表者には表彰を行います．発表内容は

e-mail: tomita.kentaro@eng.hokudai.ac.jp

参加者自身のバックグラウンドに関連したもの

大学院工学研究院

応用量子科学【担当幹事】(プラズマに関係しないものも歓迎します)，例え

校長： 石川 健治（名古屋大）

ば，• 学生の場合：現在の研究テーマにまつわるもの，幹事： 大下 辰郎（東京エレクトロン宮城（株））
大島 多美子（長崎大）

学部での卒業研究など（４年生の場合これから

川崎 仁晴（佐世保高専）

行う研究など）田中 文章（石川高専）• 社会人の場合：仕事にまつわるもの，企業・自清水 鉄司 （産総研）社製品の PR，入社前の大学での研究など

富田 健太郎（北海道大）

であれば，内容・分量は一切問いません．幅 0.9

村上 朝之（成蹊大）

m×高さ 1 m 程度のボードが用意されますので，
あらかじめポスターのご準備をお願いします．本

【ウェブページ】

ポスターセッションは全員の方の発表を原則とhttp://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/PE_SS_

しますが，発表に支障がある場合は事前参加登録

2024

時にその旨をご記入下さい．
【その他】懇親会，レクレーションを予定しています．本企画 HP に当日の詳細スケジュールを記載しておりますので参考にして下さい．

41

第 23 回プラズマエレクトロニクス賞受賞候補論文の募集
九州大学 古閑一憲
応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科⚫

当該論文の内容が発表されたプラズマエレクトロニクス分科

会では、毎年、プラズマエレクトロニクスに関す会が主催する研究会、国際会議等の会議録（Program book やる学術的あるいは工業的に価値のある優秀な論文

Abstract 集、Proceedings 等の会議に関する記載箇所[会議名、を対象とし、その著者に「プラズマエレクトロニ

日付、場所等]ならびに当該発表が記されたプログラムの箇所）

クス賞」を贈り表彰を行っています。候補論文はのコピー、２件以内。

自薦・他薦を問いません。下記の要領により奮っ⚫

てご応募下さい。

著者全員について和文で以下を記入した書類。氏名、会員番
号、勤務先（連絡先）⚫

授賞対象論文推薦書（自薦、他薦を問わず、論文の特徴、優れた点などを400 字程度でわかりやすく記述）

プラズマエレクトロニクス分科会が主催する研究会、国際会議などで発表され、かつ 2022 年、表彰

2023 年、2024 年に発行の国際的な学術刊行物

2025 年春季応用物理学関係連合講演会期間中（JJAP など）に掲載された原著論文。受賞者は、に行います。受賞者には賞状および記念品を贈呈

表彰の時点においてプラズマエレクトロニクス分

いたします。また 2025 年秋季応用物理学会学術科会会員あるいは応用物理学会会員とする。

講演会期間中に記念講演を依頼する予定です。

プラズマエレクトロニクス賞はプラズマエレ
クトロニクス分野の優秀な論文の著者に授与され書類提出期限2024 年 12 月 13 日（金）当日消印有効る論文賞ですが、プラズマエレクトロニクス分科会が強く関与する会議等（直接に主催する会議、応物学会学術講演会の大分類 8. プラズマエレク

書類提出先

トロニクス等）での発表や議論を通じて生み出さ〒819-0395 福岡市西区元岡744

れた優れた論文を表彰したいという考えに基づき、九州大学システム情報科学研究院

賞規定に「プラズマエレクトロニクス分科会が主

古閑 一憲

催する研究会、国際会議などで発表され」という（プラズマエレクトロニクス分科会幹事長）

要件が付与されています。

※ 封筒表に「プラズマエレクトロニクス賞応募書類在中」と朱書のこと

提出書類

なお、プラズマエレクトロニクス賞規定他、詳以下の書類各１部、およびそれらの電子ファイ

細な情報については、プラズマエレクトロニクス

ル(PDF ファイル)一式⚫

分科会のホームページ
http://annex.jsap.or.jp/plasma/

候補論文別刷（原著論文 1 件、コピーでも可、第１ページにをご覧ください。

候補論文と朱書する。関連論文があれば２件以内の別刷またはコピーを添付）422024 年度(令和 6 年度)プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿
氏名
幹事長

副幹事長

所属

住所・電話

メールアドレス

古閑 一憲

九州大学
システム情報科学研究院〒819-0395
福岡県福岡市西区元岡744
TEL: 092-802-3734

koga@ed.kyushu-u.ac.jp

石川 健治

名古屋大学
低温プラズマ科学研究センター（工学研究科 電子工学専攻）〒464-8601
愛知県名古屋市千種区不老町
NIC４階
TEL: 052-788-6077

ishikawa@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp

副幹事長

竹内 希

東京工業大学工学院 電気電子系〒152-8552
東京都目黒区大岡山2-12-1-S3-4
TEL: 03-5734-2566

takeuchi@ee.e.titech.ac.jp

副幹事長

松井 都

株式会社日立製作所
計測イノベーションセンタ
ナノプロセス研究部〒185-8601
東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280
TEL: 080-8709-9778

miyako.matsui.sh@hitachi.com

幹事
任期2025 年 3 月

天野 智貴

パナソニックホールディングス株式会社
マニュファクチャリングイノベーション
本部〒571-8502
大阪府門真市松葉町2番7号
TEL: 080-9940-7737

ito@ppl.eng.osaka-u.ac.jp

amano.tomoki@jp.panasonic.c
om

〃

伊藤 智子

大阪大学
工学研究科 マテリアル生産科学専攻
生産科学コース 浜口研究室〒565-0871
大阪府吹田市山田丘 2-1
アトミックデザイン研究センター
TEL: 06-6879-7917

〃

川崎 仁晴

佐世保工業高等専門学校
電気電子工学科〒857-1193
長崎県佐世保市沖新町 1-1
TEL: 0956-34-8468

h-kawasa@sasebo.ac.jp

〃

佐々木

東北大学
大学院工学研究科 電子工学専攻
金子・加藤研究室〒980-8579
宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉
6-6-05
TEL: 022-795-7046

s.sasaki@tohoku.ac.jp

〃

塩田 有波

三菱電機株式会社
先端技術総合研究所
環境システム技術部 放電応用グループ〒661-8661
兵庫県尼崎市塚口本町8-1-1
TEL: 06-6497-3545〒305-8568
茨城県つくば市梅園 1-1-1
中央第 2

渉太

〃

清水 鉄司

産業技術総合研究所
電子光基礎技術研究部門
先進プラズマプロセスグループ

〃

全 俊豪

青山学院大学
理工学部 電気電子工学科

〃

田中 宏昌

名古屋大学
低温プラズマ科学研究センター

〃

〃

〃

〃

〒252-5258
神奈川県相模原市中央区
淵野辺5-10-1
TEL: 042-759-6253〒465-8603
愛知県名古屋市千種区不老町
ES 館 425 号室
TEL: 052-788-6230

谷出 敦

株式会社 SCREEN ホールディングス
イノベーション推進室
推進 2 課〒520-2323
滋賀県野洲市三上 2426-1
TEL: 080-2509-4207

富田 健太郎北海道大学
大学院工学研究院 応用量子理工学部門〒060-8628
北海道札幌市北区 13 条西 8 丁目
北海道大学工学部 A 棟 4 階 4-28 室TEL: 011-706-5594

平松 亮

ウェスタンデジタル合同会社〒512-8550
三重県四日市市山之一色町 800 番地
TEL: 059-330-1402

宗岡 均

東京大学
新領域創成科学研究科 物質系専攻
寺嶋・伊藤研究室〒277-8561
千葉県柏市柏の葉5-1-5-504
基盤棟5階5A1
TEL: 070-1557-6046

43

Shiota.Arufa@dp.MitsubishiE
lectric.co.jp

tetsuji.shimizu@aist.go.jp

zen@ee.aoyama.ac.jp

htanaka@plasma.engg.nagoyau.ac.jp

tanide@screen.co.jp

tomita.kentaro@eng.hokudai.
ac.jpryo.hiramatsu@wdc.com

muneoka@plasma.k.utokyo.ac.jp

幹事
任期2026年3月

岩井 貴弘〃

内田 儀一郎

名城大学
理工学部 電気電子工学科〒468-8502
名古屋市天白区塩釜口1丁目501
TEL: 052-838-2579

uchidagi@meijo-u.ac.jp

〃

呉 準席

大阪公立大学
大学院工学研究科 電子物理系専攻〒599-8531
大阪府堺市中区学園町 1-1
TEL: 072-274-6191

jsoh@omu.ac.jp

〃

大下 辰郎

東京エレクトロン宮城株式会社
アドバンストテクノロジーソリューショ
ン開発本部〒981-3629
宮城県黒川郡大和町テクノヒルズ 1
番
TEL: 022-346-3083

tatsuro.ohshita@tel.com〃

大島 多美子

長崎大学
大学院工学研究科 電気・情報科学部門〒852-8521
長崎市文教町 1-14
TEL: 095-819-2538

ohshima@nagasaki-u.ac.jp

〃

片岡 淳司

キオクシア株式会社
先端技術研究所
コアテクノロジー研究開発センター〒221-0022
神奈川県横浜市神奈川区守屋町
3丁目13-1 4F
TEL: 045-394-7260

junji.kataoka@kioxia.com

〃

田中 文章

石川工業高等専門学校
電気工学科〒929-0392
石川県河北郡津幡町北中条タ 1
TEL: 072-274-6191

f_tanaka@ishikawa-nct.ac.jp

〃

田中 学

九州大学
工学研究院 化学工学部門〒819-0395
福岡県福岡市西区元岡744
TEL: 092-802-2755

〃

堤 隆嘉

〒185-8601
東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280
TEL: 042-323-1111

株式会社日立製作所〒464-8603
愛知県名古屋市千種区不老町
IB 電子情報館北棟 223 号室
TEL: 052-788-6230〒739-8527
広島県東広島市鏡山 1 丁目 4-1
工学部 A4 棟 222
TEL：082-424-7719

名古屋大学
低温プラズマ科学研究センター

〃

長澤 寛規

広島大学
大学院先進理工系科学研究科

〃

新田 魁洲

国立研究開発法人
産業技術総合研究所
先進パワーエレクトロニクス研究センター〒563-8577
大阪府池田市緑丘 1-8-31
TEL: 050-3522-7130

〃

村上 朝之

成蹊大学
理工学部 理工学科〒180-8633
東京都武蔵野市吉祥寺北町 3-3-1

ソニーセミコンダクタソリューションズ
株式会社
第 2 研究部門〒243-0014
神奈川県厚木市旭町4-14-1
TEL: 050-3141-4363

〃

財前 義史

44

takahiro.iwai.qw@hitachi.commtanaka@chem-eng.kyushuu.ac.jp
tsutsumi@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp

nagasawa@hiroshima-u.ac.jp

kaishu.nitta@aist.go.jp

tomomurakami@st.seikei.ac.jp

Yoshifumi.Zaizen@sony.com

2024 年度(令和 6 年度)分科会幹事役割分担
役割分担

留任

新任

幹事長

古閑 一憲

九州大学

副幹事長

石川 健治

名古屋大学

松井 都

日立製作所

竹内 希

東京工業大学

堤 隆嘉

名古屋大学

石川 健治

名古屋大学

シンポジウム・海外招待講演

松井 都

日立製作所

分科内招待講演竹内 希

東京工業大学1. 庶務・分科会ミーティング

宗岡

均

東京大学

2. 春秋講演会シンポジウム

チュートリアル講義

谷出

敦

SCREEN ホールディングス

長澤 寛規

広島大学

平松

亮

ウェスタンデジタル

新田 魁洲

産業技術総合研究所

田中

宏昌

名古屋大学

呉 準席

大阪公立大学竹内 希

東京工業大学

3. プラズマプロセシング研究会

全

俊豪

松井 都

日立製作所

青山学院大学呉 準席

大阪公立大学

田中

宏昌

名古屋大学

田中

学

九州大学

谷出

敦

SCREEN ホールディングス

村上 朝之

成蹊大学

伊藤

智子

大阪大学

内田 儀一郎

名城大学

竹内 希

東京工業大学清水鉄司

産業技術総合研究所

長澤 寛規

広島大学

伊藤

智子

大阪大学

田中 文章

石川工業高等専門学校

富田

健太郎

北海道大学

田中

九州大学

4. 光源物性とその応用研究会
5. プラズマ新領域研究会

6. インキュベーションホール

石川 健治

名古屋大学

清水

鉄司

産業技術総合研究所

田中 文章

石川工業高等専門学校

川崎仁晴

佐世保工業高等専門学校

大下 辰郎

東京エレクトロン宮城

富田

健太郎

北海道大学

大島 多美子

長崎大学

村上 朝之

成蹊大学

松井 都

日立製作所

東北大学

新田 魁洲

産業技術総合研究所

7. プラズマエレクトロニクス講習会
佐々木

8. 会誌編集・書記

学

渉太

天野

智貴

ﾊﾟﾅｿﾆｯｸﾎｰﾙﾃﾞｨﾝｸﾞｽ

片岡 淳司

キオクシア

平松

亮

ウェスタンデジタル

財前 義史

ｿﾆｰｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ

塩田

有波

三菱電機

大下 辰郎

東京エレクトロン宮城

谷出

敦

SCREEN ホールディングス

岩井 貴弘

日立製作所
九州大学

佐々木

東北大学

田中

天野

智貴

渉太

ﾊﾟﾅｿﾆｯｸﾎｰﾙﾃﾞｨﾝｸﾞｽ

財前 義史

ｿﾆｰｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ

9. ホームページ

宗岡

均

東京大学

堤 隆嘉

名古屋大学

10. 会計川崎仁晴

佐世保工業高等専門学校

大島 多美子

長崎大学

11. プラズマエレクトロニクス賞

古閑 一憲

九州大学

12. アカデミックロードマップ

古閑 一憲

九州大学

石川 健治

名古屋大学

松井 都

日立製作所

（戦略企画室）13. PE 懇親会

(白谷

正治)

九州大学

（白藤

塩田

有波

三菱電機

岩井 貴弘

日立製作所

青山学院大学内田 儀一郎

名城大学

全
ICRP 委員（オブザーバー）

学

俊豪

杤久保
金子

文嘉
俊郎

東京都立大学
東北大学

45

立）

大阪公立大

2024 年度（令和 6 年度）分科会関連の各種世話人・委員
１．応用物理学会講演会プログラム編集委員
8

大分類代表

林

信哉

（九州大学）

8.1

プラズマ生成・診断

竹田圭吾（名城大学）

8.2

プラズマ成膜・エッチング荻野明久（静岡大学)

篠田和典（日立ハイテク）

8.3

プラズマナノテクノロジー

小川大輔（中部大学）

8.4

プラズマライフサイエンス

栗田弘史（豊橋技術科学⼤学）

橋爪

博司（名古屋⼤学）8.5

プラズマ現象・新応用・融合分野

呉準席（大阪公立大学）

8.6

Plasma Electronics English Session

小野亮（東京大学）

北﨑訓（福岡工業大学）

8.7

プラズマエレクトロニクス分科内招待講演石川健治（名古屋大学）8.8

PE 賞受賞記念講演

石川健治（名古屋大学）木下啓藏（副会長）（アイオーコア）伊藤昌文（名城大学）

伊藤貴司（岐阜大学）

栗原一彰（キオクシア）２．応用物理学会理事

３．フェロー
応用物理学会フェロー名簿
https://www.jsap.or.jp/jsap-fellow/fellow-members
をご参照下さい。
このほか、応用物理学会の代議員、本部委員会などにおきましても、多くの分科会会員の方にご活躍頂いておりますが、誤った掲載でご迷惑をおかけしてしまうリスクを考慮して、掲載を取りやめております。

46

活動報告
プラズマエレクトロニクス分科会幹事会は 2024 年 3 月 23 日に，東京都市大学世田谷キャンパス及びTeams を用いたハイブリッド形式においてインフォーマルミーティングとして開催された．
1. 秋季講演会における分科会の企画

5. 第 22 回 PE 賞選考について

伊藤副幹事長（名城大）から説明がなされた．

選考結果は後日メール配信予定．

・分科内招待講演
浜口先生（大阪大学），Prof. James Walsh（英国，

6. 2023 年度会計報告

ヨーク大学），Prof. Magdaleno Vasquez（フィリ白藤幹事長（大阪公大）から，会計報告がなされピン，フィリピン大学）が提案され，承認された．

た．収支についてはほぼ例年通りであるが，今年・シンポジウム

度は ICPIG 国際会議の学生渡航費支援，および「プラズマ直接接合技術」および講演候補者の提IPCS プラズマスクール開催支援が計上された．

案がされ，承認された．
次々回以降は「プラズマロードマップ」で検討予

7. 2024 年度分科会幹事について定．また，中分類 1.4 との合同シンポジウムとし

白藤幹事長（大阪公大）から，2 年目幹事の退任てエネルギー・環境・プラズマ農業の開催を PEに伴う改選の報告があった．4 月の新旧合同幹事

分科会シンポジウムとは別日で検討．

会において役割分担案を提示予定．なお，新規に選任された幹事が 1 名減の可能性があるが，補充

2. プラズマ新領域研究会開催報告

する場合は改めて選挙が必要となるため，追加は上坂副幹事長（岐阜大）から，第 41 回（会報 No.79

行わない方針．

に開催報告を掲載済み），第 42 回（3 月 19 日開
催済，会報 No.80 で報告掲載予定），及び第 43 回

8. 会報について（3 月 29 日開催予定）の報告があった．

天野幹事（パナソニック）から会報 No.80 の目次案について説明があった．

3. PE 講習会報告
深沢副幹事長（産総研），
天野幹事（パナソニック）

9. プラズマ科学ロードマップについてから，PE 講習会の開催報告があった．ハイブリッ

白藤幹事長（大阪公大）からロードマップおよびド開催で 95 名の参加者があった．アンケート結

説明文案が提示された．

果はおおむね好評であり，次年度もハイブリッド
10. その他開催の要望が高いが，今後については審議予定．

応用物理学会理事について，平松先生（名城大学）
4. SPP-41 開催報告が退任され，2024 年度から栗原様（キオクシア）

上坂副幹事長（岐阜大），赤塚幹事（東工大）からが就任する旨，報告があった．

SPP-41 の開催報告があった．講演奨励賞 2 件の白藤幹事長（大阪公大）から幹事長退任の挨拶が授賞が報告された． 講演件数が減少しており，関あった．

連会議も多くあることから，開催方法や時期など
は分科会内での審議が必要である意見があった．

記：鈴木（名大）47

プラズマエレクトロニクス関連会議日程
新型コロナウイルスの影響で、開催日程および開催形態が不確定なものがあります。詳細は各会議の web
ページをご参照ください。

【 国際会議 】
2024.8.12 - 16
5th International Conference on Data-Driven Plasma Science (ICDDPS-5)
Univeristy of California, Berkeley, CA, USA
https://na.eventscloud.com/website/63026/
2024.9.8 - 13
10th International Conference on Plasma Medicine (ICPM10), together with 9th International Workshop on Plasma for
Cancer Treatment (IWPCT)LifeClass Hotels & Spa Portorož, Slovenia
2024. 9.30 – 10.4
77th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC)
Double Tree by Hilton San Diego Mission Valley, San Diego, CA, USA
https://www.apsgec.org/gec2024/
2024. 11.14 - 1545th International symposium on dry process (DPS)
Chitose, Hokkaido, Japan
http://www.dry-process.org/2024/index.html【 国内会議・会合 】
2024. 9.16 – 20
第 85 回 応用物理学会 秋季学術講演会
朱鷺メッセほか 2 会場，新潟県新潟市
https://www.jsap.or.jp/jsap-meeting/future2025. 3.14 – 17
第 72 回 応用物理学会 春季学術講演会
東京理科大学 野田キャンパス，千葉県野田市
https://www.jsap.or.jp/jsap-meeting/future2025. 9.7 – 10
第 86 回 応用物理学会 春季学術講演会
場所未定，愛知県名古屋市
https://www.jsap.or.jp/jsap-meeting/future2026. 9.8 – 11
第 72 回 応用物理学会 春季学術講演会
北海道大学 札幌キャンパス，北海道札幌市
https://www.jsap.or.jp/jsap-meeting/future48

当会報への広告掲載について
応用物理学会 プラズマエレクトロニス分科会では、分科会会員への情報提供を旨とし、会報への広告出展を募集しております。広告の掲載にあたっては下記のような条件としておりますので、是非ご検
討の程よろしくお願い申し上げます。
1. 契約の種類

4. 広告掲載料(A) 年間契約コース

掲載料は下表の通りとします。なお、年間契約

1 年間にわたる掲載。通常は 6 月、12 月の場合も申し込み時点で一括請求とさせて頂きに発行される 2 号にわたって掲載されまます。

す。掲載号ごとに新規原稿に差替えできます。
(B) 単号契約コース

半ページ

特定の号のみの掲載。
1 ページ
2. 掲載位置(A) 年間契約(B) 単号契約

コース

コース

5 万円

4 万円

（4 万円）（3 万円）

8 万円

5 万円（6 万円）（4 万円）

掲載位置は編集後記の後になります。基本五十

2 ページ

12 万円

8 万円

音順の掲載になりますが、レイアウト等の都合で(見開き指定可)（9 万円）（6 万円）

適宜変更になる可能性があります。何卒ご了承く

裏表紙

12 万円

8 万円

（9 万円）（6 万円）

ださい。また裏表紙への依頼がない場合には年間契約の中からまわす場合があります。不都合があ※カッコ内は賛助会員企業

る場合にはご相談ください。
5. 問い合わせ先
3. 入稿〒113-0031 東京都文区根津 1-21-5

原稿は A4 版ネガ、もしくは電子ファイル（pdf）

応物会館 2 階とします。これ以外の場合、かかる費用を別途請

公益社団法人 応用物理学会

求させて頂く場合があります。

TEL: 03-3828-7723
FAX: 03-3823-1810
Email: divisions@jsap.or.jp
HP: http://annex.jsap.or.jp/plasma/

49

編集後記
この度、プラズマエレクトロニクス分科会会報

とっても理解しやすい内容になっていると感じま

No.80 を発行することが出来ました。ご多忙の中、した。

原稿をご執筆いただいた方々、多くのご助言をい第 22 回プラズマエレクトロニクス賞についてただいた方々にこの場を借りて心から御礼申し上

受賞論文が選考委員会の先生方より発表があり、げます。

2 件の発表がございました。

本号は幹事長交代のタイミングでの発行となり

応用物理学会講演奨励賞を受賞された名城大学ましたので、通常の巻頭言に代えて退任されましの大前智輝様と京都大学の占部継一郎先生に受賞た大阪公立大学の白藤立前幹事長と就任されまし

対象の研究を分かりやすくご解説いただきました。

た九州大学の古閑一憲幹事長からそれぞれご挨拶

国内外の会議報告を各実行委員より頂いており頂きました。

ます。多くの会議がコロナ前のような以前の形をまた、名古屋大学の堀勝先生からは，「応用物理

取り戻してきているのではないかと思います。

学会業績賞をいただいて～40 年を経て見つけた

今後予定されている応用物理学会秋季学術講演

もの～」と題したご寄稿で、プラズマと物質との会、DPS2024、インキュベーションホール、第 23

相互作用から端を発する科学領域とその体系化に回プラズマエレクトロニクス賞についてもご案内

ついて、ご提起いただきました。

いただきました。案内記事をご一読いただき、奮研究室紹介のコーナーにおきましては、室蘭工ってご参加くださいますようお願い申し上げます。

業大学の高橋先生及び川口先生に研究室の様子を最後に、本号の原稿執筆を快く引き受けてくだご紹介いただきました。近年、資源循環型社会のさいました著者の皆様、幹事長、副幹事長を始め構築が社会課題となっている中で、水処理や汚染とする分科会会員の皆様および応用物理学会事務物質の分解、未利用エネルギー活用といった環境局分科会担当の白石様にこの場を借りて、改めて応用から取り組まれた放電プラズマの現象解明や感謝を申し上げます。尚、分科会会報では、各種放電基礎課程について分かりやすくご解説いただ

報告や行事案内を随時募集しております。今後とき、大変興味深く拝読しました。

もプラズマエレクトロニクス分科会会報をどうぞ

学生のためのページでは、名城大学の竹田圭吾

宜しくお願いいたします。皆様のお手元に届く頃

先生より発光・吸収分光法によるプラズマ内活性には、梅雨冷えの肌寒い日もございますが、くれ粒子の診断技術についてご解説頂きました。プラ

ぐれもご自愛ください。

ズマプロセスをモデル化していく中で、実際に分記：天野（パナソニックホールディングス）（令和 6 年度会報編集担当：

光計測を行う際に注意すべき点や計算手法について非常に分かりやすくご解説頂き、初学者の方に佐々木、天野、田中、財前）

50

プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.80
2024年 6月15日 発行
編集：公益社団法人応用物理学会
プラズマエレクトロニクス分科会
幹事長 古閑 一憲
発行：公益社団法人応用物理学会〒113-0031 東京都文京区根津一丁目 21 番 5 号
応物会館（©2024 無断転載を禁ず）

51