プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.52
2010 年（平成 22 年）7 月発行
伊藤、松浦、南、原島目

次

幹事長退任挨拶

幹事長退任のご挨拶

九州大学

白谷

正治

幹事長就任挨拶

幹事長就任にあたって

名古屋大学

堀

勝

２

愛媛大学

橘

邦英

３

長崎大学

藤山

寛

京都工芸繊維大学

比村治彦

第８回プラズマエレクトロニクス賞
選考結果の報告

九州大学

白谷

正治

７

プラズマエレクロトニクス賞を受賞して

東北大学

寒川

誠二

８

研究室紹介(その４７)

静岡大学

清水

一男

１０

海外の研究事情（その２８）

テキサス大学ダラス校

小川

大輔

１６

大阪大学

節原

裕一

１９

3rd International Conference on Plasma Nanotechnology and
Science (IC-PLANTS 2010)

名古屋大学

石川

健治

３５

2nd International Symposium on Advanced Plasma Scienece andits Application for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma2010)

中部大学

中村

圭二

３６

International Workshop on Plasmas with Liquids 2010
（IWPL2010）

愛媛大学

橘

邦英

３８

首都大学東京栃久保 文嘉

３９

名古屋大学

白藤

４１

大阪大学
北海道大学

伊藤 剛仁
佐々木 浩一

４２

浜口

４３

１

寄稿
板谷良平先生を偲んでトピックス
解説「一家に 1 枚 未来をつくるプラズマ」

５

学生のためのページ すぐに役立つプラズマエレクトロニクス
プラズマの生成と制御
国際会議報告国内会議報告2010 年春季 第５７回応用物理学関係連合講演会
シンポジウムプラズマとナノ界面の相互作用～プロセス揺らぎの制御を目指して～
第４回分科内招待講演

立「プラズマサイエンスに基づくものづくりを語る」
第５回プラズマ新領域研究会（第１回プラズマ支援燃焼研究会）

第４回 光・プラズマプロセスのバイオ応用ワークショップ（BAPP-4) 大阪大学i智志

第２７回プラズマプロセシング研究会(SPP-27)

防衛大学校

中野

俊樹

４４

東北大学

金子 俊郎

４６

豊田工業大学佐々木実

４７

北海道職業能力
開発大学校
東京大学

吉野

正樹

４８

神原

淳

５０

7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-7) /63rd Gaseous Electronics Conference (GEC) /28th Symposium on Plasma Processing (SPP-28)

名古屋大学

豊田

浩孝

５１

32nd International Symposium on Dry Process (DPS 2010)

名古屋大学

宮崎

誠一

５３

行事案内
2010 年秋季

第７１回応用物理学会学術講演会

シンポジウム 反応性プラズマの制御による先進プロセッシング－板谷良平先生追悼シンポジウム－
第５回分科内招待講演「プラズマが拓く新概念応用の可能性」
第４回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール
第２１回プラズマエレクトロニクス講習会

掲示板
平成２２年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿

５５

平成２２年度分科会幹事役割分担

５７

平成２２年度分科会関連の各種世話人・委員

５８

平成２１年度後期および平成２２年度前期活動報告

５９

第９回プラズマエレクロトニクス賞公募

６５

プラズマエレクトロニクス関連会議日程

６６

編集後記

６８

ii

幹事長退任にあたって
九州大学

白谷正治
ル化のために世界でトップの人のみが生き残る世の中に急速に変化しています．この意味からも，
大学・会社・社会から求められる研究者を目指して下さい．今後も，時代を先取りして革新的で発展性のある重要な研究が次々と分科会の中から現れ，常に世界を先導し続けて行きたいものです．
そのためには，現存する重要課題や未解決の課題に関する研究だけでなく，萌芽的な研究に挑戦していく必要があるでしょう．萌芽期の研究を，大きな研究の流れにするには，個々の研究者の信念と将来展望に基づく粘り強い努力が重要だと信じています．是非，信念をもって研究を推進して下さい．
分科会としては，国際化が進む中で海外の研究者の会員数を増やす施策も必要だと考えます．このためには，英語記事を会報に常設する等，海外会員向けのサービスを実施する必要があります．
学会の法人形態が変更となり，応用物理学会の執行部・事務局は多くの負担を強いられています．
学会運営の透明性を高めるのも重要かもしれませんが，学会の最重要使命である学術を発展させる
ことを最優先することが，世界との競争に勝つためにも重要でしょう．この意味で，分科会が運営する各種の研究集会等では，参加者数と会計も重要ではありますが，良い学術的成果が得られることを中心に据えることが必要です．
最後になりますが，白藤副幹事長，藤原副幹事
長，幹事の方々，SPP27 実行委員長の中野先生，
学会事務局（特にプラズマエレクトロニクス分科会担当の伊丹様）には大変お世話になりました．
篤く御礼を申し上げます．２年間，分科会会員の皆様方にも様々な御協力をいただき本当にお世話になりました．堀新幹事長を初めとする幹事の方々には分科会がますます発展するように上手な舵取りをお願いして筆を置かせて頂きます．

プラズマエレクトロニクス分科会は，次々と若い世代が活躍するとともに，従来からの会員も頑張っており，応用物理学会の中でも特に活気のある分科会の一つです．この勢いをさらに伸ばすためには，若い方々が続々と入会し分科会の運営等に積極的に関わっていくことが先ず重要です．優
秀な人材の有無が全てを決めると言って過言ではありません．
産業界の研究者の寄与が大きいことも，当分科会の特長です．従来から柱であったエレクトロニ
クスだけではなく，広範な産業界の研究者に分科会に参加していただくことは，産業界のニーズを把握するとともに，産業界にシーズを提供する観点からも，分科会のさらなる発展には必要不可欠です．グローバル化が進み世界でトップの企業のみが生き残れる時代には，研究開発のスピードが企業の浮沈を左右する大きな要因となります．この観点から，大学人も従来とは異なる次元のスピードで研究開発を行う気概・創意工夫・努力が求められます．これに応えて，初めて産業界から必要とされる分科会といえます．多くの会員が，基礎となる科学と工学を発展させるとともに，ニーズを意識して研究を行うことも必要でしょう．
分科会の関係する研究の中心は，放電プラズマの基礎，LSI 用プラズマプロセスの基礎と応用，
さらには太陽電池，環境，バイオ関連の研究へと変遷してきました．大気圧プラズマ・水中プラズ
マ等も含めて，プラズマだけで研究が成立する時代ではありません．新しい材料，新しい化学等を取り込んだ研究展開が必須です．自分の研究の新しい○○が何であるかを自問するのも良いと思います．分科会の研究者には，例えばプラズマ診断と新規酸化物半導体のような，異なる軸での２枚看板が必要であり，この両者に独自性が求められています．大学の人事公募に海外から複数の応募があるのも日常的になりつつあります．グローバ

1

幹事長就任にあたって
名古屋大学～大学教授の教育～
堀勝

めて大きい。
最近、３０代で企業から大学教授になる例も見受けられるが、大学教授の教育はどうなっているのであろうか？一旦就任すれば、定年まで落ちることのないポジションで、自己研鑽のみで成長できるはずもなく、多くの学生を抱えている教授の質とモラルの劣化は、社会に大きな弊害を与えている。
自己の経験を振り返ってみると、学会を通して、多様な分野の方々とめぐり合い、時には諸先輩から厳しい薫陶を受け、また多くの方々とのフレンドシップかつ競争的な関係が自己の研鑽と成長につながった。特に、応用物理学会講演会や研究会
における「厳しい質疑応答」、「次回の講演会までに科せられる宿題」、「学会後の激論」、「親身なアドバイス」などを通し、世代を超えた関係から、
叡智とモラルを植え付けていただいた。さらに、大型プロジェクトの立案などを通して、互いの知恵を共有しながらも切磋琢磨しながら成長する場
を学会からいただいてきた。
「最近の学会はどうであろうか？」真剣勝負の場である講演会や研究会の質は、十分とは言えないよう思われる。新しい成果や知見が発表され、緊張感みなぎる環境で質疑応用が行われ、自助努力による浄化作用によって、発表の質を高めていくようなシステムの充実が必要であろう。
今こそ、学会の本分に回帰し、講演会や研究会の質的向上を実現したい。次世代の若者に教育を行うプロとしての大学教授の教育の場として分科会の機能を活性化することこそ、資源の無い我国が永続的に繁栄していくための唯一の方策のように思える。分科会の幹事長として、基本に立ち戻り、世界最高レベルの頭脳集団として分科会の機能の充実を図りながら、グローバルかつ戦略的なプラズマ組織の立ち上げに取り組みたい。

低コスト諸国の追い上げによって、モノつくりを先導してきた日本の産業の凋落が毎日のように
日本経済新聞で報道されている。プラズマは、モノつくりのツールの最先端科学技術として過去３０年に亘って産業を支えてきた。産業応用のプラズマの進展がなければ、携帯電話も太陽電池も世の中には存在しないことは明白である。プラズマエレクトロニクス分科会は、プラズマの中味の理解を深化することによって、プラズマ科学技術を発展させようという目的で設立された。産官学から約４５０名の会員が所属し、教育、研究から技術開発、製造に至るまで、日本の産業応用プラズ
マの根幹を成す頭脳集団を形成している。このようなコミュニティは、世界中を見渡しても類を見ない。逆に言えば、このコミュニティの活動を「如何に人類の永続的な進展に役に立つものにすることができるか」が分科会の大きな使命であると考えている。したがって、日本が直面している世界的な激動を目の前にして、幹事長として分科会の舵を取ることに大きな責任を感じている。
学会は、これまで会員サービスのための奉仕として継続的な運営がなされてきた。今では、日本の危機的な状況を鑑みて、分科会をさらに戦略的に活用することも必要ではないかと考えている。
分科会が主催する「反応性プラズマ/電離気体国際会議」が史上初の欧米アジア合同会議として８３０件以上の講演が集まり、１０月４日~８日にパリで開催されることは、本分野の重要性と分科
会の力の大きさを示している。一方で、これまで最先端応用技術を牽引してきた大手電機メーカーの衰退に伴い、我国のプラズマ科学技術のポテン
シャルに陰りが見受けられる。
分科会が、次世代の日本の先端科学技術と産業の発展に貢献するためには、学会の使命の一つである「教育」に重点を置くことが重要な意味を有している。特に、科学技術と人材育成の根幹を支えている大学における「教授」の役割と使命は極2

寄稿

板谷良平先生を偲んで
愛媛大学理工学研究科
故 板谷良平先生（京都大学名誉教授）

橘

邦英

名大の後藤先生や、
早大の加藤先生、慶大の真壁先生、

1930 年 兵庫県にて出生
1953 年 京都大学工学部電気工学科(旧制)卒業
1953 年 日本電気㈱入社
1955 年 京都大学助手
1968 年 京都大学教授
1993 年 新居浜高専校長
2010 年 逝去

日立の岡本さん（現在東洋大）達と一緒に、応用物理学会の放電プラズマ分科をプラズマエレクトロニクス
分科に改組し、さらに研究会から分科会を設立するに至った。その頃には、プラズマ科学と材料科学の学際領域が注目されるようになり、1983 年にはプラズマの研究者と材料の研究者が、互いに膝をつき合わせて新
しい連携の方向を探るための下相談をする機会が設け（1998 年 Hawaii での ICRP-4/SPP-16 の折に撮影）

プラズマエレクトロニクス分科会の会員であり、永られた。それが、あの伝説的な第ゼロ回プラズマプロ

年にわたって本分科会の活動に指導的役割を果たして

セシング研究会であり、板谷先生はプラズマの専門家

こられた板谷良平先生が、
本年3月7日に永眠された。

として参加されていた。プラズマ側の代表者であった

応用物理学会の学術講演会やプラズマプロセス研究会

名大プラズマ研の池上先生からは、「要するに、プラズ

において、いつも前列の席から後進の研究成果に耳をマはただ分子を壊すだけの道具ですか？」といった厳傾け、鋭く本質的な質問や適切なアドバイスを通して、しい質問がなされたりしたが、板谷先生はプラズマと若手の成長を暖かく見守って下さっていた先生のお姿

基板間のシースを通しての粒子の輸送過程に注目され、が懐かしく目に浮かぶ。

新しい方向を見据えておられたように思う。

私は、残念ながら先生の研究室出身という意味でのその翌年から、プラズマプロセシング研究会が毎年

弟子ではないが、初めてお会いしたのは京都大学の修開催されるようになり、そのうちに文科省の重点領域

士 1 年生の折に、放電プラズマ関連の講義を受講した研究にプロジェクト研究として申請しようという動き

ときに遡る。1969 年のことで、先生が 38 歳の若さでが、後藤先生を中心にして高まり、理研の土手敏彦先

教授に昇進されて２年目の頃であった。先生は教壇の生を代表に数回チャレンジしたがうまく事が運ばなか上を精力的に動き回って、時には高い所に飛びつくよった。そこで、新しい代表者として板谷先生に白羽のうに板書しながら熱心に講義をされていた。内容はあ矢を立ててお願いをし、先生の主導の下に課題名も「反まり覚えていないが、僅かに思い出すのはダブルプロ

応性プラズマの制御」という簡潔でインパクトの強いーブの話しで、RCA の Johnson と Malter が Phys. Rev.

ものに変えて２回目の申請で採択されるに至った。
先生はその申請書の作成に多大の心血を注がれたが、に発表した論文の解説を夢中になってして下さった。
その後は、私が他の大学に奉職したことや研究の内その折々に、「京都大学の板谷です」という切り出しで容が多少違っていたこともあって、1980 年代の初め頃

よく電話を頂戴した。それは決まって夕刻であり、こまではお目にかかることもなかった。しかし、やがてれから来てほしいというものであった。30 分程で行け

プラズマが半導体プロセスに応用されるようになり、る距離であったので、軽く請け負って出かけるまでは3

よかったのだが、先生がパソコンに直接入力していか関わられ、プラズマプロセスにおける排ガス処理装置

れる文章や内容に、机の脇に立って色々と口を挟んでの開発や、リハビリテーションを工学的に考えるためいると、
夜の 12 時になっても終わらないことが常であの介護工学研究会の創設に注力され、更には照明学会った。それも懐かしい思い出であるが、後年にまさかの会長も努められた。その余暇には、ご自身のヨット

自分が先生の研究室を継いで、その部屋でその椅子にで瀬戸内海でのクルージングを楽しんでおられた。
ところで、私には今もって板谷先生の真似をできな座ることになるとは、全く思いも及ばなかった。
その頃、先生がよく口にしておられたのは、「あるがいことが幾つかある。まず、その一つはカラオケであままのプラズマ」ではなく、「意のままに制御されたプる。何度となく先生行きつけの「サントロペ」というラズマ」を実現するという目標であった。科研費のヒ

祇園のピアノラウンジへ連れて行って頂き、先生のアリングでは、Hg-Ne 混合ガスを封入したランプがパ朗々とした美声を聞かせて頂いたが、私自身はとても

ルス変調波形によって可変色にできることを、電子温

ピアノの伴奏で歌えるまでには至らなかった。他の一度制御の具体例として実演し、強い印象を与えること

つは、何事においても常に前向きに思考される姿勢でができたと得意がっておられた。しかし一方では、よある。ご承知のように、先生は晩年には脳溢血の後遺

く「プラズマは犬か猫か？」という質問をされ、見掛症で半身が不自由になられたが、ご自身の治療やリハ

けは従順を装っても一筋縄ではいかないプラズマの本

ビリで次々と新しいアイデアを提案され、医者とも共質を楽しんでおられた。ともかく、その重点領域研究

同研究の相談までされたりしていた。まさに臨終の床が発足したことによって、先生の元に多くの若手研究でも、その姿勢は変わらなかった。逆境において「な者が集まり、熱気に溢れた雰囲気の中で、「反応性プラってしまったことを悩むより、その状況を受け入れてズマ」の組織的で本格的な研究がスタートした。今で改善の努力をする方がよい」という考え方は、言うはは、その多くのメンバーが古参になったり引退したり易しく実行は難しいものであるが、それを生涯貫き通する年頃になってしまったが、その頃の僅かの科研費された強く若々しい意志には感服するしかない。
先生のご冥福を心よりお祈りしながら筆を置く。

は、研究室の立ち上げや新しい装置の導入において誠に有難く有用なものであった。
それを契機として、比較的うまい具
合に、重点領域研究「フリーラジカルの科学」や特定領域研究「マイクロプ
ラズマ」などが次々と採択され、先生にはそれらのプロジェクトの評価委員として、辛口のコメントや懇切なるご指導をして頂くことができた。
京大で定年を迎える１年前の 1993
年に新居浜高専の校長として着任され、５年間に渡って高校生から大学生の年齢に相当する若者の教育や学校運営に携わられた。また、その間には新居浜市や愛媛県での地域活性化の事業にも九州・山口プラズマ研究会(2000 年)での板谷先生を囲む集合写真

4トピックス

解説「一家に 1 枚 未来をつくるプラズマ」
長崎大学

藤山

寛、京都工芸繊維大学

比村治彦

本誌に同封された「一家に１枚 未来をつくるプラズマ」（以下、「マップ」という。）をご覧になってください。そのマップは毎年 4 月中旬の科学技術週間に合わせて文部科学省が発行しているサイエン
スマップシリーズの第 6 弾で、全国の小中学校・高校に 2 部ずつ計約 8 万部、また、科学館や博物館などの科学教育施設を通じて約 15 万部が一般の方に無償で配布されました。マップの制作にあたったのはプラズマ科学連合プラズママップ制作委員
会のメンバー9 名と、イラストレーター、そして荒川印刷（名古屋市）のデザイナーです。ここではマップ、マップ制作に至った経緯、マップの構成とデザイン他について説明いたします。

分散して展開されているプラズマの研究活動を総合的に把握して、プラズマニューフロンティアを探し出し，そこへと挑戦していく気運がプラズマ研究者の間で高まりつつあります。この火花に火を灯して小さな炎とし、さらなる燃料を補給して大きな火とす るた めに、各 学協会の 連携 の 下で 来年秋 にPlasma Conference を金沢で開催する計画が進められております。この活動を活発化させるためには各学協会の連携を深めることが非常に重要です。
つまり、本マップの制作はオール・プラズマコミュニティによって初めて手掛けるにふさわしいタイムリ
ーなキックオフ企画でもあったわけです。そして、このキックオフは見事に成功しました。

［サイエンスマップとは］サイエンスマップ「一家に 1 枚シリーズ」の始まり
は 2005 年に化学分野が制作した周期表です。それ以降、文科省は毎年企画の募集を行っています。
そして応募の中から一つの企画を採択して、サイ
エンスマップの制作を認めています。周期表（2005）以降，これまでヒトゲノムマップ（2006）、宇宙図 2007（2007）、光マップ（2008）、天体望遠鏡
400 年（2009）の 4 種類が刊行されています。全サ
イエンスマップの PDF 版が文科省の科学技術週間
ページ（次頁の URL を参照）にアップロードされています。誰でも自由にダウンロードできます。マップを使って講義や講演資料をご作成される際にはそちらをご利用なさって下さい。

［マップ制作で意識した点］
第一に、前述の通り、サイエンスマップは児童や生徒、そして一般の方々を対象としています。過去のマップは周期表を除いて玄人好みに仕上げられており、これが問題点になっていることを文科省から聞かされておりました。制作委員会では、マップの形態を「一家に 1 枚シリーズ」の 6 つの基本コン
セプトへと戻すよう努めました。
第二に、我々プラズマ研究者にとって最も嬉しい
ことは、マップを見た小中高生がプラズマ科学分野に入ってきてくれて、セッションを盛り上げてくれることです。しかしながらそれは早くても 5 年後です。
そこで、マップでは現代社会においてすでに存在しているプラズマだけでなく、未来社会の身の回りで活躍するであろうプラズマ新テクノロジーを入れることで、次の世代を支える小中高生がプラズマを身近に感じ、プラズマによる新しい応用と発展に対して強い期待感を持つように努めました。
第三に、マップではプラズマ科学技術の世界を広くそして大きく見せられるように、お寄せ頂いた
写真の中から幾つかを選定させて頂き、そこにイラストを補足追加する手順で制作を進めました。その［各学協会の連携によるマップの制作］
プラズマ科学分野でマップを制作するきっかけとなったのは、日本原子力研究開発機構の松田慎三郎先生（当時のプラズマ・核融合学会会長）が過去のサイエンスマップシリーズをご覧になられたことによります。この一方で、折しもいま、各学協会に

5

明はそちらに委ねています。また、このウェブを用いた更なる勉強を促すように、マップの右下に「ウェブで調べてみよう」と噴き出しを用いて書き入れています。コラム部分では、(1) プラズマとは何か、(2) なぜ宇宙(太陽系)はほとんどプラズマなのか(3) なぜプラズマは役に立つのか、という私たち専門家が一般の人から頻繁に受ける質問に対して、分かりやすくかつ短い言葉で答えています。

ために、せっかくお寄せ頂いたにも拘らず、多くの写真をボツにせざるを得ませんでした。この場をお借りしまして、深くお詫び申し上げます。
［マップの構成］
マップでは、プラズマがプラズマテレビや蛍光灯など私たちの日常生活の空間スケール（空間長）にとどまらず、ナノサイズから宇宙のスケールまで、
すなわち微小粒子の生成・太陽電池薄膜の生成・半導体デバイスの製造などいわゆるナノテクノロジーといわれる微細加工技術に不可欠なツールとして用いられる一方で、地球磁気圏や太陽のような
非常に長いスケールで生じる自然現象でもプラズマが本質的な役割を果たしていることを表現しています。
このようなプラズマの多階層性と、プラズマが常に産業技術の進歩と共にあり、私たちがプラズマから恩恵を受け続けている歴史的経緯を同時に示すために、遠近法により描かれた町のイラストをバックに置きながら、過去から未来へと繋がる時間軸をマップ左下から右上へと走る 3 本の矢印で表現しています。そして、この矢印に乗せる形で、太古のヒトの火（火もプラズマです）の利用から始まり、2010
年現在すでに実用化されている技術や約 10 年後の社会で実現が期待される新しいプラズマテクノロ
ジーの中から代表的なものを示すとともに、矢印の最後に 21 世紀半ば頃の実用化を目指した核融合
エネルギー開発を配置しています。
各項目の説明文については 30 字程度の簡潔明瞭なものにしています。このマップにはウェブからリンクが張られる予定ですので、細かい専門的な説［マップのデザイン］
マップには多くの視覚的な工夫を施してあります。
第一に、遠くからマップを見る人達の目を引きつけるために、プラズマのカラフルな発光特性を利用してポスターをビジュアルに仕上げています。第二に、それぞれのプラズマ技術に対して分かりやすいキャッチコピーを大きな字で付けることで、一般の人々が身近な物や事象と関連付けて見ることができます。第三に、例えばプラズマという字体に子どもたちの間で人気のアニメで使われているプラズマ
アイテムをそっと入れたり、3 本の矢印を伸び上がるように描いたりすることで若者が多用している絵
文字の「グッド」を意図するなど、少し遊び心を持ってポスターを見ることができるように雰囲気を柔らかくしています。これにより、子どもたちの理科に対する取っ付きにくさを、見た目から少しでも軽減するよ
うに試みています。
最後に、文部科学省関係者の方々、本マップの作成に直接的・間接的に携わってくださった全ての方々、そして画像を提供して頂いた方々に厚く御礼申し上げます。

「一家に１枚 未来をつくるプラズマ」の制作は、下記の方々及び各機関のご協力により行われました。
製作・著作：文部科学省 （科学技術週間 http://stw.mext.go.jp/）
企画・編集：プラズマ科学連合、㈱荒川印刷
制作・監修：プラズマ科学連合「プラズママップ」制作委員会
藤山 寛、比村治彦、北野勝久、春日井 敦、村上 泉、豊田浩孝、安藤 晃、
水野 彰、北澤由美子
イ ラ ス ト：斎京昭慈
協

力：プラズマ・核融合学会、応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会、日本物理学会領域 2、電気学会プラズマ技術研究会・パルスパワー研究会・放電研究会、静電気学会

6

第 8 回プラズマエレクトロニクス賞

選考結果の報告
九州大学 白谷正治
受賞対象論文

受賞理由

論 文 名 ： On-wafer monitoring of charge
accumulation and sidewall conductivity inhigh-aspect-ratio contact holes during SiO2
etching process
雑 誌 名 ： Journal of Vacuum Science andTechnology, Vol. B25, No. 6, (2007) pp.
1808-1813.
著者名 ： B. Jinnai, T. Orita, M. Konishi, J.
Hashimoto, Y. Ichihashi, A. Nishitani, S.
Kadomura,, H. Ohtake, S. Samukawa

受賞論文において，受賞者らは長年に渡って取り組んできた半導体集積回路の高精度加工技術に貢献する画期的内容を報告している．
具体的には，
プラズマプロセスでの高アスペクトの微細パターンで発生するチャージング現象を，実際の基板上でリアルタイムにその場測定するオンウエハ・モ
ニタリング技術を開発し，定量的に実測することに成功している．１）微細加工技術の進展，２）デバイスの歩留まり向上に大きく寄与する成果であり，プラズマエレクトロニクス分野の発展に貢献するところが大きいと期待される．

受賞者

プラズマエレクトロニクス賞選考委員会委員長
畠山力三（東北大学）
副委員長 白谷正治 （九州大学）
委員 河野明廣 (名古屋大学)
委員 白藤 立 （京都大学）
委員 藤原 伸夫 (ルネサス テクノロジ)

陣内佛霖（東北大学）
折田敏幸（OKI セミコンダクタ宮城）
橋本潤（東京エレクトロン技術研究所）
市橋由成（三洋電機）
大竹浩人（東北大学）
寒川誠二（東北大学）

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プラズマエレクトロニクス賞を受賞して東北大学流体科学研究所 寒川誠二
が重要である。

1989年に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）
プラズマおよび高周波酸素プラズマアッシャー

私どもが２０００年に提案して開発してきたの損傷に関する論文を投稿して以来、私は２０

オンウエハーモニタリングシステムは実際のシ年に渡って主にプラズマプロセスにおける損傷

リコン基板上での電荷蓄積量および紫外線照射を追及してきた。その間、プラズマからの電荷量のその場観察が可能であることと、１０年に蓄積および紫外線照射による損傷を明らかにし、渡るデータベースの蓄積によりそのセンサーデそのモニタリング技術および抑制手法の開発をータに基づいてエッチング形状やデバイスでの行ってきており、プラズマエレクトロニクスお損傷量の予測が可能な解析ソフトを搭載したシよび半導体デバイス分野の発展に多少なりとも

ステムであるところに大きな特徴がある。その貢献できたのではないかと自負している。本受結果、従来ブラックボックスであったプラズマ

賞は、プラズマ照射損傷のメカニズムとそのモ状態と実際のデバイス表面で起きている損傷をニタリング手法に関する論文に対してであるが、時間分解で直接結びつけることに成功した。こ私が過去２０年に渡って行ってきた「超低損傷のオンウエハーモニタリング技術を用いること

プラズマプロセスへの挑戦」に関しても少なかで、実際の半導体量産工場やプラズマ装置メー

らず評価を頂いたと思っている。

カーにおいてもデバイスを実際に作製しなくとプラズマプロセスにおける照射損傷には、電も損傷レベルが定量的に分かり、条件の最適化

荷蓄積による損傷と紫外線照射による損傷があの有効な指針となる。特に今後32nmレベル以降る。電荷蓄積による損傷はプラズマから基板表のデバイスにおいては紫外線による欠陥生成が面に電荷が蓄積して絶縁破壊や入射イオンの軌

デバイス特性を大きく劣化させることが予測さ

道を劣化させるという問題が発生する。紫外線れ、世界で初めて基板に入射する紫外線による照射による損傷はプラズマから基板表面に高エ損傷を予測できるセンサーシステムとして極め

ネルギーの紫外線が入射することで絶縁膜中にて重要である。

電子・正孔対や欠陥を発生させることによりデ

更に、並行して私どもは超低損傷プロセスをバイス電気特性やエッチング特性を劣化させる実現できる手法としてパルス時間変調プラズマ損傷である。これらの問題はデバイスが微細化プロセスの効果や中性粒子ビームプロセスを提されればされるほど、アスペクト比が大きくな

案し、実用化してきた。パルス時間変調プラズ

ればなるほど激しくなるので、今後ナノスケー

マは１９９２年に提案し、低圧高密度プラズマ

ルのデバイスを製造するためには、これらダメでありながらオフ時間中に負イオンを効率よくージの高精度なモニタリングと抑制手法の開発

生成し、電荷蓄積による損傷を抑制できる手法

8

として注目を浴びた。その後、最近まで解析を照射による欠陥生成のその場リアルタイムモニ

継続し、紫外線照射による損傷も軽減できる手

タリングはまさにシリコン基板表面で起きてい法であることも明らかにした。最近になって装る現象を明らかにするために大きく貢献できる置メーカーで実用化されて半導体デバイス製造

ものと期待している。

などで重要な加工技術として広く用いられていプラズマプロセスの半導体ナノデバイス応用る。一方、更なる超低損傷プロセスとして中性において最大の課題の一つはデバイスへの損傷

粒子ビームを２０００年に提案した。この手法である。そのため、超低損傷プラズマプロセス

はパルス時間変調プラズマを更に発展させたもへの挑戦はプラズマエレクトロニクスの更なるので、パルス時間変調プラズマで生成した負イ

発展に必要不可欠であると確信する。そして、オンを主に用いて中性粒子ビームを高効率に生

今後はナノデバイスにおけるブレークスルーは成する手法である。電荷蓄積や紫外線照射によ超低損傷プラズマプロセスにより成し遂げられる損傷をほぼ完全に抑制できる手法のため、こることを具体的に示して行きたいという決意をれからの超先端ナノデバイスにおいて極めて重研究室発足１０周年の区切りに新たにしている

要な技術となっている。これらの抑制手法の効

ところである。

果を定量的に明らかにし、革新的ナノデバイス

現在まで、プラズマエレクトロニクス分科会のために原子層レベルでの損傷制御が実現できの多数の先生方にご指導、ご支援をいただきなる超高精度加工、成膜、表面改質を提案してきがら育てられ、これらの研究を進めてきた。こている。

の分科会からプラズマエレクトロニクス賞を受

プラズマプラズマプロセスの本質はプラズマ賞したことは大変大きな喜びである。今後もこと表面との相互作用である。過去、プラズマエの受賞に恥じない研究活動を継続し、結果としレクトロニクス分野の研究者たちによりプラズて日本および世界に貢献できたらと思っている

マ生成制御や気相診断技術の研究が活発に進め

ところである。最後に、本受賞テーマであるオ

られて技術がデータベースとして蓄積されてきンウエハーモニタリング技術に関して、半導体た。この気相状態と表面との相互作用を結び付

デバイス製造メーカー１１社によるコンソーシ

けることはまさにデバイス応用の研究開発であアム・㈱半導体理工学研究センター(STARC)に多り、従来は個別デバイスの企業研究者・エンジ

大なるご支援を頂き、また、その STARC プロジ

ニアが中心になり進められてきた。しかし、個ェクトで一緒にオンウエハーモニタリングの研別デバイスに関わるために、必ずしも技術とし究を精力的に推進していただいた、ソニー㈱・て蓄積されてきたとは言えない。そのため、経門村新吾氏、三洋電機㈱・市橋 由成氏、沖セミ

験的なアプローチが多かったのも事実である。

コンダクター宮崎㈱・折田 敏幸氏、東京エレク

しかし、デバイスがナノレベルになってきた今

トロン技術研究所（株）・橋本 潤氏、野沢俊久

日、基板表面で起きている諸現象の原子層レベ氏、東北大学・陣内佛霖氏、大竹浩人氏に心よルでの解析と制御技術の開発が極めて重要であり感謝いたします。

る。そのために表面への電荷蓄積状態や紫外線

9研究室紹介(その４７)

静岡大学 イノベーション共同研究センター
マイクロプラズマ応用研究室 清水 一男
１．静岡大学とイノベーション共同研究センター
この度、プラズマエレクトロニクス分科会幹事長である堀先生より研究室紹介の機会を頂き、大変に感謝しております。H15年末に静岡大学に赴任して以来、六年ほど経ちまして、曲がりなりにも研究室らしい運営体制が出来てきましたので、当研究室の紹介をさせて頂きます。

図１ イノベーション共同研究センター
まず私の所属するイノベーション共同研究センターという組織から説明したいと思います。国立大学が法人化する中で、各大学はより一層、自律的な運営を求められることとなりました。大学10の使命としても従来の「教育」、「研究」に加えて「社会連携」という第三の柱が課せられてきています。静岡大学では法人化以前より地域共同研
究センター、ベンチャー・ビジネス・ラボラトリーという産学官連携を推進する組織を擁しておりました。法人化とほぼ同時期にこれらを集積し、新たに「イノベーション共同研究センター」として改組し、外部資金（競争的資金、共同研究費など）の獲得、大学発ベンチャーの推進を使命の一つとしております。
私は静岡大学に赴任する以前は、国家公務員
特別職として勤務しておりました。それ以前も国立大学（東京大学・工学系研究科、新領域創成科
学研究科 静電気学会長の小田教授の研究室）に勤務していたので、静岡大学に赴任後、初めて国家公務員の立場でなくなったことになります。そしてそれは教員として私個人の立場というだけでな
く、国立大学、さらには公立大学、私立大学まで含め各々の大学に所属する教員の立場もだんだんと「社会連携」を意識したものにシフトしつつある事を感じます。
前振りが長くなりましたが、こうした背景、イノベーション共同研究センターという組織から静岡大学に赴任後の研究テーマは事業化、実用化を徹底的に意識したテーマに絞ろうと決めました。
これはプラズマという幅広い分野の中で自分が、その専門家として行いうる部分、静岡大学の中での組織的位置付けという事からです。
現実的には赴任当時、全く装置類（および研究費）が無い中で立ち上げねばならなかった為になるべく低予算で行えるような小型の装置かつ低価格で使えるプラズマ発生源を創ろうと言う意識が強かったためです。翌年度（H16年）の科研費・若手研究（A）が採択されてからは徐々に分析装置類も充実してきましたが、これらの研究費補助金
はスタートアップ時には本当に助かりました。

しかしながら昨今の事業仕分けの議論でしばしば耳にするような大学での研究テーマが「事業向きであるとか、経済的に成り立つとか、成果が見られないものは価値が無い」ような風潮、そこに私は強い違和感を覚えています。次に紹介する
マイクロプラズマ応用の研究テーマはどれも事業化、実用化を目指せるものなのですが、やはり基礎部分、プラズマ分野の研究で言えば、計測やプ
ロセス診断、シミュレーションなどでしょうか。
こうした部分はきちんと抑えておかないとプラズ
マ分野の研究のみならず、大学としての足腰が弱くなってしまう、という危機感が有ります。平成20年よりポストドクターとしてDr. B. Mariusを
本研究室に迎えてからは、こうした分野を進めていくよう意識しています。
浜松という土地は私の故郷でもあるのですが、赴任する以前の静岡大学は地域における優秀な国立大学という漠然としたイメージが有るだけでしたが、実際に赴任してからプラズマの研究が盛ん、と言う印象を持ちました。工学部のある浜松キャ
ンパスでは現在、名誉教授（兼特任教授）である
神藤先生、創造科学技術大学院長である永津教授、荻野准教授がおられます。静岡キャンパスでは理
学部では基礎～応用分野にまたがったプラズマを研究されている先生方もおられます。特に永津教授は大学院長として極めてご多忙な状況にも関わらず、プラズマとナノ・バイオ領域を融合させた
静岡大学内での大型プロジェクトの一つである「「True Nano」を実現する21世紀先端プラズマ
科学技術研究基盤創出事業」を昨年度までの3年間リーダーシップを取られ推進して頂きました。私もその末席に加えて頂きながら、本研究室のテーマとして進めてこられた部分があり、また卒業研
究、修士課程の発表などでは副主査としても本研究室の学生にご指導を頂いており大変に感謝しております。今後、特に大型プロジェクトを推進していくには単独の研究室だけでは厳しく、こうした研究室同士の連携や異分野の研究室との連携、さらには企業、他大学との連携が必要になっている事を痛切に感じます。その様な風潮の中でも本研究室は、独自の視点での研究をしていく事で、様々なプロジェクトに関わっていけるようなテーマ設定をしており、研究内容の詳細は第3節以降に11

紹介致します。
２．研究室の構成と活動
現在、本研究室に所属するメンバーとして卒研学生２名、大学院修士課程M１が２名、M2が１名です。前述のポスドク研究員１名と非常勤の事
務職員１名と私を加えた８名となります。本研究室に所属する学生は工学部・電気電子工学科、大学院・工学系研究科・電気電子工学専攻から配属されます。後に述べるように研究室のテーマはバイオ系、化学系の研究室にあるような分析装置類
や試薬類を使用することがしばしばあります。そのため分析装置などになじんでもらうまで、少し時間がかかることもありますが、優秀な学生が多いため、また人数が少ないせいかコミュニケーシ
ョンもよく取れるため、あっという間に覚えてしまい、私の方が驚かされる事が多いくらいです。

図２ H22年度 研究室メンバー写真
本研究室ではメンバー全員が出席する研究室の打ち合わせは毎週1回行っています。ポスドク研
究員がいるため、学生が提出する資料は最低限、題目、グラフなどについては英語での表記が必須です。論文や雑誌の輪講については、それぞれの学生のテーマにあった解説論文や雑誌を私から個別に渡して読んでもらっています。学生からするとプレッシャーになるかもしれませんが、学生の人数が少ないためゆえ学部学生も含めて個々の学生へ目が届くのも本研究室の特徴と考えています。
さらに本研究室では一人ひとりに単独のテーマを設定し、尚且つ、卒研学生であってもプラズマに関連した学会での発表を行います。大体、年に１０回程度は参加していると思いますので、ほぼ毎月、何らかの会議に参加していることになります。応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会の会員の皆様は、プラズマ・核融合学会や電気学会の会員でもある方が比較的、多いとは存じま
すが、本研究室では特に室内環境への適用技術の研究開発をしており、室内環境学会、空気清浄協会といったところでも報告をしてきています。
また私の所属するイノベーション共同研究センターの推進する使命として大学のシーズを知的財産権に、研究成果を大学発ベンチャーに移行、そして事業化させるというものがあります。
研究成果が実用化に向かって推進する反面、論文などで成果を発表するタイミングに気を使うな
ど難しい面も有ります。これは静岡大学だけではなく、全国の多くの大学が産学官連携組織（例えば地域共同研究センター、ベンチャー・ビジネス・
ラボラトリーあるいはTLO、インキュベーション
施設など）を有しつつあるのですが、このやり方が日本の風土に合うには今しばらくの時間がかかる、というのが実態、かつ取り組んでいる私自身の率直な印象です。
静岡大学全体では大学発ベンチャーが２３社あるのですが、企業の経営まで携わっていくことになると、本当に近年の大学教員の先生方は「研究」、「教育」以外の仕事が負荷としてのしかかってきており、大変だと思われます。
しかしながら、こうした事業化に向けた実用化研究や試作などは企業様とのやり取りもあるため、学生には刺激になるようです。私もそれを研究室の特徴の一つとして、所属する研究室の学生達に良い意味で刺激を与えられれば幸いと考えています。
３．研究内容現在の研究内容は大気圧下におけるプラズマ生成を出来る限り低い電圧で実現すべく極短ギャッ
プにおける誘電体バリア放電を用いた、いわゆる“マイクロプラズマ”の生成とその応用研究を主に行っておりますので、次に詳細を紹介致します。

図３ 大気圧マイクロプラズマの生成(2 kV)
3.1 大気圧マイクロプラズマを用いた室内空気の臭い処理
近年、シックハウス症候群などに代表される室
内空気質（IAQ: Indoor Air Quality）の向上が意識されてきています。代表的な化学物質としてホルムアルデヒドなどが上げられますが、部屋の気密性が上がることで、問題となってきています。
大気圧プラズマを扱う先生方の研究室では窒素酸化物などの有害物質を比較的、濃度の高い領域（数ppm～数百ppm程度）を10 kV～程度の電圧で処理する場合が多いと感じています。

図４ 室内空気処理実験の様子
我々の研究室では電極構造を最適化することで、大気圧下におけるプラズマ生成を1kV以下で実現しました。対象とするホルムアルデヒドなどの濃度は0.1ppm(=100ppb)位です。さらに室内空気浄化のためにオゾンが発生しない条件も見出しつつ

12

思うところもあるのですが、大学として生き残りをかけていくのに、地方大学では既に研究費の確保など問題が出てきており、基礎研究だけでは食べていけなくなりつつあります。このことは本分野における若手研究者の確保、そして日本全体の科学技術の総合力という点からも、研究者の視点だけでなく、産業界、政府からもより具体的な議論が必要と考えています。

あります。この条件下で室内空気では有害成分となるホルムアルデヒドを除去出来るように成りました。
プラズマ関係の学会では大気中でのプラズマ処理でオゾン生成はごく当たり前の現象として受け止められますが、室内空気浄化、室内環境の学会
では建築系の先生方、呼吸器系の先生方など、多方面の分野の先生方が出席されているためわずか0.1ppmのオゾン生成でも「高すぎる濃度」として指摘されたこともあります。
また本成果を学会などで報告した当時は、マイクロプラズマという概念もまだそれ程、知られていなかったため、プラズマ生成を疑われたりしたこともありましたが、学会では報告仕切れない詳細を説明することでご理解を頂いたこともありました。
これらの笑い話とも苦労話ともいえる話は新たな領域を開拓していく楽しみとも考えています。
3.2 大気圧マイクロプラズマを用いた室内空気の除菌
昨年は新型インフルエンザの蔓延が大変な問題となりました。幸い日本では死亡した人数も200人弱、入院された方も2万人弱と、当初、想定されたより少なくなりました。これは水際での対策やマスク、ワクチンなどの総合的な対策が奏功したものと考えられますが、空気質への関心は高まっています。本年度も空気清浄機の販売台数の増加はかなり見込まれています。
イオン発生機能を有した空気清浄機は各家電メーカーなどから販売されていますが、電気的には
いわゆる微弱なコロナ放電形式が主流となっています。これは先にも述べたオゾン生成を抑制するためと考えられます。オゾンが生成されにくい条件下で微弱なコロナ放電により生成されるイオンなどの荷電粒子を発生させ除菌するメカニズムですが、プラズマを専門とする立場からは性能的にやや物足りないのが現状です。
本研究室では性能的にはもちろんですが、コスト（電極、電源など）まで含め、産業界への適用可能な技術として昇華させる事を目指しています。
この研究スタンスについては分科会会員の皆様から様々なご意見があろうかと思います。私なりに

13

図５ マイクロプラズマによる除菌実験例
3.3 大気圧マイクロプラズマを用いた表面改質
処理の研究

図６ マイクロプラズマによる表面改質
表面改質技術も低圧から常圧までプラズマの応用分野として研究がなされてきました。より使い易いという意味では大気圧下でのプロセスが良い3.6 低電圧での水処理
本研究室では環境対策技術として大気圧マイク
ロプラズマの研究を進めておりますが、大気中での環境問題の他に水浄化についても研究開発しています。

のですが、それを従来の大気圧プロセスから駆動
電圧を約1/10に下げた大気圧マイクロプラズマでの研究開発を行っています。
駆動電圧が低いため、本技術の実用化には有利な点が多いのですが、特に昨今の液晶パネルなど
では前処理する部分にあるドライバICのESD（静電気障害）問題が多数、報告されてきています。
こうした点についても、マイクロプラズマのリモート利用技術と言う事で従来の表面改質処理に比べて、有利な点をご報告して参りました。
3.5 大気圧マイクロプラズマプロセスの診断

図８ 色素分解実験結果例

図７ マイクロプラズマの発光分析の様子
大気圧マイクロプラズマは駆動電圧が低いのですが、放電ギャップ長が、その名の通りマイクロ
メータオーダですので、実質的な電界強度はむしろ高くなります。これらによってプラズマ中の活性種生成に寄与する高エネルギー電子を効率良く生成する事を目的として研究開発を進めています。
その際、ワンショットのパルス電圧のトリガ信号
を、分光高度計へのトリガとして同期した測定を行っています。本項目に関連して本研究室では立ち上がり速度が速く、かつパルス幅の短いパルス
電源も研究開発と報告をしてきています。パワー
デバイスも1k V以下であれば、かなり高速立ち上
り時間を持つMOS-FETがあるため、パルス電源の開発もマイクロプラズマゆえの駆動電圧の低さに助けられているとも言えます（東大時代30 kV～
1MVクラスのパルス電源を研究した経験から）。

14発想としては液相中のプラズマ生成であっても、やはり駆動電圧をなるべく低くという点にあります。対象として液相中の色素の分解（図８参照）
や大腸菌の処理を報告してきました。こうしたプ
ラズマを用いた環境対策技術の研究は電気電子工学系学部出身の学生にとっては、特に分析装置に慣れるまでやや抵抗があるかもしれませんが、研究室内で菌類の培養、評価を行う事も出来、見学に来られる方からは化学系の研究室のようですね、と言われる事もあります。私自身も最先端の研究になればなるほど、異分野間の融合が重要になると考えており、学生には広い研究領域での経験を通して研究の楽しさやチャレンジする事（時に失敗すること）を学んでいって欲しいと考えています。
４．最後に静岡大学に赴任して６年目となりました。赴任当初に揃えられた装置と言うとわずかにオシロスコ
ープ１台、パソコン１台、レーザプリンタ１台のみでしたが、自分なりの研究テーマで思う存分にやれる、という嬉しさが、勝っていたと思います。
今後も静電気分野への応用、プラズマを用いた医療支援など研究を進めたいテーマ（や各方面からの依頼）は山ほどあるのですが、研究室の規模からテーマの取捨選択が非常に重要で、テーマの“事業仕分け”を行っているのが現状です。
静岡大学の産学官連携組織という立場上、マイクロプラズマの応用研究を主にテーマとして扱っている研究室の私が述べるのは僭越ではあります
が、ぜひプラズマ分科会会員の皆様（特に大学に所属の会員の先生方）には私では成し得無い基礎的分野、例えば大気圧プラズマの基礎的プロセスの解明、プラズマによるナノ材料デバイス開発などを強く期待して、本稿の終わりに代えさせて頂きたいと思います。

15

海外の研究事情（その２８）

米大学院留学とそこでの研究事情
テキサス大学ダラス校

プラズマ科学応用研究室所属

はじめに
今回海外の研究事情について書かせて頂き、本当に感謝しております。外国で活動している日本
人の一研究者の端くれとして、常に母国のために何か恩返しができないものかと思っていたので、この記事を推薦して頂いた名古屋大学の堀勝先生をはじめ、関係者方々に厚くお礼申し上げます。
僕のような学生はあまり例がないということなので、参考になるかはわかりませんが、「変わった奴がいるもんだ」程度でこの記事を読んで頂けると大変うれしく思います。
何はともあれ、まずは自己紹介から。僕は現在テキサス大学ダラス校で博士課程に在籍している大学院生で、学生が１０人程度のプラズマ科学応
用 研 究 室 （ Plasma Science and Application
Laboratory）に所属しております（写真参照）。オーバーゼット先生（Dr. L. Overzet）とゲクナー先生（Dr. M. Goeckner）の指導のもと、低気圧プラ
ズマ中へ液粒噴射について研究しています（より詳しい研究内容は後述しています）。もともと日本
で学部を卒業し、北海道の室蘭工業大学（以下、室工大）の佐藤孝紀先生のもとプラズマの研究を始めました。研究を進めるにつれ、英語の重要性を知り、何とかそれを克服しようとして米国留学を決意しました。今回はその留学までの過程、日米研究の違い、研究内容について書きたいと思い
ます。

小川 大輔

写真： 研究室にいるポスドクと学生。2009 年８月、ハンニャン大学（韓国）チャング・チンウォ
ック先生のお別れ会にて撮影。一番右端にいるのが僕です。

もありません。そして、コネというコネもなかったので、全てが手探りでした。そんな中でも大学在学中には札幌市中央区で開かれたフルブライトの留学説明会に何度か出席したり、大学３年の春
休みに米西海岸をバックパック１つで旅行するな
どして、少しずつ留学を実現しようとしました。
そして、大学４年のときに、室工大の大学院に進むべきか、北米のどこかの大学院に進むべきか悩んでいたときに、佐藤先生の師匠である田頭博昭
学長（当時）が「若い人はどんどん海外に行けば良い」と仰っていたと聞き、とうとう留学を決意
してしまいました。ただ、先述した通り、僕には
お金も語学もコネもなかったので、半年ほど浪人をしまして、まずはカナダのトロントに語学留学をして、言語を学びながら、向こうの大学の様子を探りにいきました。当時、両親が長く自営業のパン屋をやっており、資金的に非常に苦労したものですが、留学を決意した後、親戚の伯母の家に久保田の万寿の一升瓶を買っていき、お金を貸し

米国留学までの過程
僕の知る限りでは、日本のプラズマ研究者が米大学院にあまりいなく、僕の留学経験が特異だと思いますので、まずは海外留学の実現に至るまでについて書きたいと思います。もともと大学に入学する前から留学したいと考えていたのですが、１にも２にもお金と語学がとても不安でした。僕の家族が特別に裕福ではないですし、帰国子女で16

てもらってようやく実現しました。１年間の語学留学の後、少しずつ TOEFL（Test of English as a
Foreign Language；北米で留学を志す人に課せられる言語適正試験）の点数が取れるようになり、
2004
年の秋からテキサス大学ダラス校電気工学科の修士課程に入学することができ、それからさらに１年後、授業に日々苦しまされながらも、現在の研究室に所属することができました。
実際のところ、
もう少し早く要領よく簡単に留学が実現できたかも知れませんが、いろいろと情報が不足している
中、
よく無鉄砲にやったなぁというのが印象です。
ただ、研究もそうですが、あらゆる大きな問題にどうやって少しずつ解決していくかということを、留学を通じて学び、実現したのだと思います。
日米の研究環境の違い
米国での研究環境は、言葉や習慣こそは違いますが、基本的には同じだと思います。しかし、その中であえて違いを見つけるとすれば、第一に、研究スタイルが大きく学生各自にまかされていることです（もちろん一緒に研究する教授の先生や研究室によって違うとは思いますが、
、
、
）
。研究さ
え進められれば、大学に来ても良いですし、来な
くても良いのです。その分、結果にはシビアで、
もしそれが出ない場合は自分の首を大きく絞めることになります。ただ、いつも結果が出るとは限らないので、もし何も示せないのであれば、その課程をしっかりと論理的に説明できることが重要になります。
僕の場合、日本にいたときと比べて、かえって研究を真面目にやるようになってしまいました（笑）。そして、学生側での裁量が大きく、自分でどんどんやっていけるし、自分でいろいろと考えなければなりません。実際、僕が今使用している実験器具は教授の先生のアドバイスをもらいながら、設計から、材料の購入、作成までしました。今では当たり前になってしまいましたが、そのスタイルに慣れるまで時間がかかりました。
第二の違いは、研究をしている大学院生ほぼ全員がリサーチ・アシスタント（RA）かティーチング・
アシスタント（TA）になり、授業料と奨学金をもらいながら研究することになることです。このことにより義務と責任を持たされ、より研究に対する真剣度が増します。学生だからという甘えは日17

本にいたときよりずっとなくなりました。そしてこの資金は研究費から出るため、それを獲得する
ためにより多くの論文、新しい研究企画を出すことが学生であっても求められるのです。
以上のことが日米の顕著な違いと考えられます
が、結果的には、日本でできるなら米国でも十分にやっていけると思います。どちらが良い悪いということはなく、研究に集中でき、どのような形でも自然科学に貢献できるのであれば、それで良
いと思います。
研究内容
先述した通り、僕はプラズマ中へ液体噴射について、基礎から研究しております。もともとは、
テキサス大学の別の分校であるアーリントン校のティモンズ先生（Dr. R. Timmons）と共同研究で、液体プリカーサーを用いた高比誘電率の有機薄膜生成の研究でした。
今ではその研究から派生して、
低気圧（1Torr以下）プラズマ中の液体を解明する
研究に重点を置いています。液体をプラズマ中に直接噴射することにより、プリカーサーは気体に限定されなくなり、より多くの物質が選択できるという点で、幅広いプラズマプロセッシングが将来期待できます。この研究の背景として、軌道運3
動制限理論1,2 や粒子性プラズマ（ダストプラズマ
4）があり、我々はこのプラズマを霧状プラズマ（misty plasma）と呼んでいます。この研究の特徴
として、まず、液体を真空中に噴射すると、その表面張力とその大きさ（直径約 50μm）により粒状になります。そして、液体は固体と比べて非常に大きい蒸気圧を持ち、且つ分子間力が弱いので、未確認ではありますが、リアクター内でそれらが絶えず形や大きさを変えることが予想されます。
プラズマを生成することにより、液粒を荷電した
り、蒸発を促進したり、運動方向を転換したりすることができる可能性があります。もし噴射される液体の運動エネルギーを電気エネルギーにより打ち消すことができれば、液体を電極上での浮遊もでき、粒子などを意図的にプラズマプロセッシ
ングできたりするのではないかと考えています。
現在まで、液体を真空中に安定して噴射する方
法とその特性の研究、軌道運動制限理論を用いたプラズマ中にある液粒の状態予測、液粒噴射による薄膜の生成とその分析の研究、液粒噴射によるプラズマの推移の研究をしてきました。蒸発によるリアクター内が常に変化するという野心的かつ複雑な研究ながらも、先駆者であるという自負とともに、やりがいをもって研究しています。もしここに書かれてある研究内容に興味がありました
ら、ぜひ僕の過去論文5,6 をご覧ください。
終わりにしばらく日本語で長い文章を書いていなかった
ので、うまくかけているかどうか不安であります
が、もしこれから留学を考えている学生がいて、これを読んでその気になったら、とてもうれしく思います。それというのも、最近の日本人は経済的優位性からより内向的になっていると思うからです。
「日本ほど良いところがない」と考えるのは結構だと思いますが、その様して世界中に散らばっている多様なものの考え方を見落としてしまうのは非常にもったいないと思います。こちらにいる中国やインドからの学生はとても真剣で、ハングリー精神からか、嫌なほど積極的に学ぼうとする人もいます。もし、これから将来を背負っていく我々がグローバルに生きていきたいのであれば、何が当たり前で何が特異か（Global Standard）を真摯に学ぶ必要があると思います。僕はそう心に留めながら、日々精進しております。

1 J.G. Laframboise, and L.W. Parker, Phys. Fluids 16, 629-636(1973).
2 雨宮宏, 和田元, 豊田浩孝, 中村圭二, 安藤晃, 上原和也, 小山
孝一郎, 酒井道, 橘邦英, J. Plasma Fusion Res. 81, 482-525(2005)

Dusty Plasmas: Physics, Chemistry and Technological
Impacts in Plasma Processing, edited by A. Bouchoule (Wiley,3

New York, 1999)
4 ウィキペディア フリー百科事典, http://ja.wikipedia.org/wiki/
ダストプラズマ, ［2010 年 7 月 12 日アクセス。
］
5 D. Ogawa, I. Saraf, A. Sra, R. Timmons, M. Goeckner, and L.
Overzet, J. Vac. Sci. Technol. A 27, 342-351 (2009)
6 D. Ogawa, C.W. Chung, M. Goeckner, and L. Overzet,
Plasma Sources Sci. Technol. 19, 034013 (2010)18

学生のためのページ
すぐに役立つプラズマエレクトロニクス

プラズマの生成と制御
大阪大学接合科学研究所
１．はじめにプラズマを利用した技術は、光源（放電ランプ、
気体レーザー、プラズマテレビ）、粒子ビームなどにおける放電応用から、産業部材の表面処理、半導体デバイスならびにディスプレーそして太陽電池などの製造、さらには核融合開発や宇宙開発にわたる幅広い分野で研究が展開され、科学技術のフロンティアを支える基幹技術として発展してきた[1]。これらの中で、特にプラズマを用いた表面改質、薄膜形成あるいは微細加工などを行う、いわゆるプラズマプロセスは、材料の機能化や新素材の創製、多様な表面加工を高精度でかつ効率良く行える実用的なプロセス技術として、この２０
数年で飛躍的に発展し、今日のエレクトロニクス、
MEMS、薄膜工学などの分野に不可欠な技術の一つになっている[1-4]。
一方、こうしたプラズマ応用技術は、プラズマに関する基礎研究に支えられて発展してきたことは勿論であるが、そのアウトプットとしての応用分野における研究開発の進展や産業化のニーズと密接に関連しながら展開してきたといっても過言ではない。
エレクトロニクス関連の製造分野では、生産性の向上と低コスト化を実現するため、処理基板サ
イズは大型化の一途をたどっており、大面積の基板の全面にわたって均一かつ高品質のプロセスを実現するためのプラズマ生成・制御技術が求められている。
シリコン半導体プロセスでは、現状の直径300mm から数年後には 450mm の大面積にわたって、nm オーダーの加工精度を、均一かつ再現性良く行うための、超微細加工プロセスが求められている。さらに、液晶ディスプレーをはじめとする平面ディスプレーの製造分野では、マザーガラ
ス基板のサイズが一辺３メートルに及ぶ第１０世

節原裕一

代に移行しつつあり、メートルサイズ以上の大面積かつ均一なプロセスを実現するためのプラズマ生成・制御技術が求められている。
また、近年の進展が著しいナノテクノロジーに関連する分野では、上述のように半導体プロセス
では既に nm オーダーの加工精度が要求される領域へ踏み出していることに加え、さらにカーボン
ナノチューブやフラーレンに代表されるナノ材料の創製や構造制御といったボトムアップ型のプロセスとしても、プラズマを用いたプロセス技術が広く用いられ、量産型ナノテクノロジーとして今後も大いに進展していくことが期待される。
さらに、高密度の活性種を容易に生成可能であることに加えて、真空を用いない連続プロセスへの期待から、大気圧あるいはそれ以上の高い圧力領域での放電が、近年大いに注目されている。例
えば、熱プラズマは、構造材の溶接や廃棄物処理における熱源として従来から利用されてきたが、最近では電子材料の超高速堆積をはじめとする先端分野での応用展開がはかられている。一方、岡崎らが 80 年代の終わりから 90 年代初頭に示した
大気圧グロー放電の生成に関する先駆的な研究[5,6]は、高気圧非平衡プラズマ技術の端緒となっており、機能性薄膜の合成やエレクトロニクス分
野などの先端加工分野への応用が期待され活発な研究が展開されている。
一方、従来のプラズマ技術では、大面積にわたって均一なプロセスを行うことが追求されてきた。
近年、その発想を転換して、「必要な場所に必要な大きさのプラズマを生成」し、ミクロなスポット
領域の反応場を利用してプロセスを行うマイクロプラズマに関する研究も活発に行われており、バイオチップの開発やナノ構造物質の局所形成などへの応用としても展開がはかられようとしている。
これらの応用分野に加えて、各種の廃棄物処理

19

原子、分子のイオン化）、さらには放射線（放射性同位体から放射されるα線、β線、γ線、あるいは X 線による原子、分子のイオン化）などの方法がある。これらの中で、放電によるプラズマ生成
は最も制御性に優れていることから、先述のように、これまで多岐にわたる応用技術が拓かれ、今後も活発な研究が展開していくことが期待される。
このため、本稿では、気体放電によるプラズマ生成を扱うこととする。
気体はもともと電気を通さない絶縁性の媒質であるが、気体に電界を印加することによって絶縁が破壊され、気体中に電流が流れる現象を「放電」（discharge）と呼んでいる。気体に電界を印加することによって電流が流れるのは、もともと気体中に存在するごくわずかな初期電子が、印加された電界で加速され、気体中に存在する原子、分子との衝突電離を繰り返すことにより絶縁が破壊されるためである。ここで、「放電」という用語は、貯えられた電荷（charge）を放出する過程（充電とは逆の過程）のことをいう。気体放電では、印加された電界によって気相中で加速された電子の衝突電離のために、気体が導電性を持つようになって（絶縁破壊）、絶縁物である気体に電界を印加する際に両極に貯えられた電荷が電流として放出される過程（放電）ということになる[9]。このことから、媒質に印加した電界を利用して電気的に電離気体を生成する方法は、上述のような静電場のほかに、後で紹介する誘導電場などを利用した生成法も含めて広く放電と呼ばれ、生成する電離
気体を放電プラズマという。
そこでまず、最も簡単な例として、直流の静電場によるプラズマの生成過程について考えてみよ
２．プラズマ生成の原理う。図 1 に示すような平行平板に電圧を印加する
２．１ 気体の放電（絶縁破壊）と、電極間の静電場によって電子が加速される。
「電離気体」と広く定義されるプラズマは、原
気体分子の電離エネルギー（eVi）を超える運動エ子、分子の電離によって生じる荷電粒子（イオン、電子）と中性粒子から構成される準中性気体であ
ネルギー（e > eVi）まで電子が加速されて、気体
り、恒星の内部や星間に存在する宇宙プラズマか分子に衝突すると、
ら、核融合、宇宙推進機、さらにはプロセス応用
X + e- → X+ + e- + e(1)にわたるさまざまな分野で研究が進められている。 のように、ある確率で気体分子の電離（電子衝突
プラズマを生成する方法には、気体放電（気体の電離）がおこる。その際、気体分子を電離して正絶縁破壊）を用いた方法の他にも、燃焼（燃焼にイオンを生成することにより、電子の数は衝突前よる気体の熱電離）、
衝撃波（衝撃波による熱電離）、 よりも余分に１個増える。電離により増加した電光（強力なレーザー光、真空紫外光の照射による子は、再び電場で加速されて衝突電離を繰り返すや大気ならびに水質の浄化といった環境分野でも幅広く用いられており、さらには生化学分野や医療分野において繰り広げられているバイオナノテ
クノロジーにおいてもプラズマ技術を応用したバイオチップの開発をはじめ研究が進展している。
上述のように、プラズマを利用した応用分野は多岐にわたっており、それぞれの分野に適したプ
ラズマ生成・制御技術が開発されているが、目的に合わせた最適化ならびに制御を行うためには、プラズマを単なるブラックボックスとするアプロ
ーチではプラズマの特長を有効に活用することは困難であり、プラズマ生成に関する基本的な理解が極めて重要である。特に、プラズマを利用して未踏の応用技術を開発するためには、応用分野での知見に加えて、プラズマの生成と制御に関する
基本的な理解を基礎とすることがいっそう不可欠であるといえる。
本講では、こうした新領域の開拓を志す研究者
や技術者の一助となることを念頭において、放電の基礎過程から各種プラズマ源の生成法と制御法の実際について解説する。特に、先進的ものづくりの「道具」としてのプロセシングプラズマは、「道具」であるが故に、同じ原料を用いた場合であっても、プロセスの結果を左右する極めて重要なバウンダリーコンディションとなっていることに鑑み、「高が道具、然れど道具」の立場から、生成・制御技術の重要性について解説する。
さらに、ここで詳述できなかった内容については、既に多くの優れた参考書[1,2,4,7-9]が出版されているので、参照いただきたい。

20

ことにより、電極に到達するまで増倍を続ける。
一般に、１個の初期電子が単位長さを進む間にα回の電離を生じる場合、n 個の電子が微小距離 dx
進む際の電子の増加 dn は、
dn = αn dx(2)で与えられる微分方程式に従う。初期状態での電子の数を n0 個とすれば、電離増倍される距離（上記のような例では電極間距離）d だけ進んだ時点
で、電子の個数 n は、
n = n0 exp (αd)(3)
となる。ここで、αは衝突電離係数（またはタウ
ンゼントの第１係数）と呼ばれ、このような電子の増倍作用をα 作用という。
この衝突電離係数αは、E/p（E は電場、p は気体圧力）の関数として、
α/ p = A exp[ - B / (E/p) ](4)と表され、A と B は気体の種類に依存する定数で、実験的に与えられる。
このようにして増倍した電子とイオンは、お互いに正負の電荷を平均として打ち消し合うように拡散し、電気的に中性な状態の電離気体すなわち
プラズマ状態となる。電子衝突電離を繰り返すことにより発生するプラズマは、気相でのイオンと電子の再結合に加えて、拡散により容器壁へ到達することにより正負電荷の再結合がおこり、消滅（損失）する。このため、放電プラズマの密度 npは、一般に、電離による単位時間あたりの電子イ
オン対の生成レート G と、再結合による単位時間あたりの電子イオン対の損失レート L を用いて、速度方程式（保存式）

dnp / dt = G - L(5)
に従い、G = L の状態で定常に維持される（G < Lの状態では、放電を定常に維持することはできない）。
ところで、上記の例で示した直流放電では、どの程度の電圧（電場）を印加することにより、放電に至るのであろうか。図１のような間隔 d の電極間に直流の電圧を印加し、電極間の電圧を上げていくと、ある値 Vs に達すると電極間が導通（電流が上昇）し、ある値の電流での持続的な放電が維持される。この電圧 Vs は、放電を開始する電圧
で、気圧が高いと火花となり音を発するので、火花電圧と呼ばれている。
（低圧では火花を生じたり音も出ないが、火花電圧という名称が広く用いられている。[7]）この気体放電のようすは、衝突電離係数αと陰極での２次電子放出係数（γ係数）に依存し、上述のタウンゼントの理論式を用いる
ことによって、「放電開始電圧（火花電圧）Vs は
気体の圧力 p と電極間距離 d の積
（pd）
に依存し、
極小値をもつ」という法則、すなわち
Vs= B pd / ln[ A pd / ln (1+1/γ)](6)に従うことが知られており、パッシェンの法則と呼ばれている。一例として図 2 に示すように、放電開始電圧は最小値をもつ。式(6)を pd で微分して極小値を求めると、
pd = 2.72 ln(1+1/γ ) / A(7)において、最小値(8)
Vs = B pdをもつことがわかる。この式は、直流を印加した
際に持続的な放電開始に必要な電圧の目安を与え、最小値付近の pd（１Torr・cm 程度）を利用すると放電がしやすくなる。通常の実験装置では、電極間隔 d は 1〜100cm 程度であることから、数 100
Ｖ程度の印加電圧を用いる場合には、p はおおよそ 0.01〜数 Torr 程度の圧力で放電を容易に生じる
ことは経験的にも良く知られている。
式(6)の法則は、平均自由行程の間に荷電粒子が電界から得られる加速エネルギーが E/p に比例し、E/p により電離作用が起こるということに基づいていることから、
パッシェンの法則は pd に対して相似律が成立することを示す一例にもなっている[7]。
このことは、上記のような通常の実験装置の例

21

に加えて、プラズマディスプレーパネルに用いられているマイクロ放電プラズマでも、pd〜１付近となる圧力で放電が起こりやすくなることが観測されている。しかしながら、式(6)で示したパッシ
ェンの法則は、あくまで直流の静電場を印加した
際の放電開始電圧に関する法則であり、高周波電場を印加する場合は、特にイオンが追従して動けなくなる周波数よりも高い周波数領域では、特に放電開始電圧が極小になる領域が、pd〜１付近よりも低い領域まで延びる傾向にあること[7]にも注意する必要がある。
２．２ プラズマの生成と維持
プラズマの生成は、上述のように気体中での電離に依っている。すなわち、放電を維持するためには、プラズマ中での電場による電子の加速が必要であり、電源から供給される電気的なエネルギー（放電励起電力）を如何にしてプラズマに注入（結合方式）するかによって、プラズマの生成法を分類することができる。さらに、電子加速を通じてプラズマに吸収されたエネルギーは荷電粒子の生成レートに効くが、電離の維持の点では、気相や壁での損失過程も重要であり、電子の捕捉や閉じ込めによる損失の低減をはかるためのさまざ
まな工夫も必要である。
気体放電によるプラズマ生成の模式図を図 3 に示す。ここで、この図は電源系から供給される電気的なエネルギーがプラズマに吸収されて、プラズマが生成、維持される過程の相互関係を図示す
ることを念頭に置いていることを、はじめにお断りしておく。その意味では、複数のプラズマ生成において特徴的な素過程を重ねて描いたものであると想定していただいた方がよいかもしれない。
この図では、放電の開始と維持に不可欠な電場による電子加速領域（外部回路を通じて形成される）を出発点として、プラズマ生成の上流に位置づけ、プラズマへのエネルギー吸収過程により生成される電子、イオンならびに中性ラジカルが、気相での衝突過程（電離、励起、解離）、輸送過程、エネ
ルギー緩和過程を経て、一部は電子加速領域で再び加熱を受け、一部は再結合過程により損失する
様子を示している。
気体放電によるプラズマ生成では、以下の過程
を経て、電源系から供給される電気的なエネルギ
ーがプラズマに吸収され、放電が維持される。
（ａ−１）電源系から外部回路へ電気的なエネル
ギーが供給される過程。
（ａ−２）外部回路を通じてプラズマ中で電場を発生する過程。
（ａ−３）電場による電子加速とプラズマへのエ
ネルギー吸収過程（電子衝突過程、無衝突加熱過程）
これらの内、（ａ−１）は主にプラズマ源の均一性や外部からの制御性、再現性において重要な項目である。特に、メートルサイズ以上のプラズマ源など、大面積のプラズマ源における技術的な課
題として捉えることができる。さらに、（ａ−２）
では、プラズマの集団運動が重要な役割を担っており、プラズマを励起する電源の周波数や結合方式（電極、アンテナ形状、静磁場の有無など）と共に、生成されるプラズマの状態により、プラズ
マ中での電場の強度分布や波動の励起・伝搬に関する特性が依存する。多くのプラズマ源は、この加速電場の励起方式により大別される。 そして、
（ａ−３）の過程では、励起電力から電子系に正味のエネルギーが吸収される。
電子は、以下の過程を経て、生成から消滅にいたる。
プラズマ中の電子は、（ｅ−１）加速領域で正味のエネルギーを吸収し、プラズマ生成における電離過程、すなわち（ｅ−２）電子衝突電離過程（ｅ−３）中性粒子（ラジカル）の衝突過程

22［ペニング電離、熱電離等］
による気相での電子増倍に加えて、（ｅ−４）陰極（あるいは器壁）での２次電子放出過程（ｅ−５）高温に熱せられた陰極からの熱電子放出過程など、気相での電子生成とは別の過程でも供給され、（ｅ−６）輸送過程、（ｅ−７）エネルギー緩和過程を経て、
電子密度分布ならびに電子エネルギ
ー分布、電位分布を形成し、（ｅ−８）一部の電子は、再び電子加速領域で電場による加速を受け、一方で、器壁に流入する電子は、（ｅ−９）シースを形成して、プラズマの電位を決定し、（ｅ−10）気相あるいはプラズマ容器壁での再結合過程により消滅（損失）する。
また、イオンは以下の過程を経て、生成から消滅にいたる。
イオンは、プラズマ生成における電離過程、すな

わち（ｉ−１）電子衝突電離過程 ならびに（ｉ−２）中性粒子（ラジカル）の衝突過程［ペニング電離、熱電離等］
により気相で生成し、（ｉ−３）荷電粒子の輸送過程とエネルギー緩和過程を経て、
イオン密度分布、電位分布を形成し、（ｉ−４）気相あるいはプラズマ容器壁での再結合過程により消滅（損失）する。
さらに、中性ラジカル（中性粒子）は、（ｎ−１）電子による非弾性衝突過程（電子衝突
励起・解離）により生成し、（ｎ−２）拡散過程を経て、器壁に到達し、（ｎ−３）器壁への衝突による脱励起を経て、器壁に吸着あるいは気相に戻る。
これらの過程はいずれも完全には独立ではなく、
電子密度分布、電子エネルギー分布、気相中での粒子の平均自由工程に大いに依存している。このため、プロセスの目的に合わせてプラズマを制御

23

する立場では、電子へのエネルギー注入を如何に行うか（電子加速とエネルギー吸収過程：加速電場の形成方法、放電周波数など）、励起源をどのように配置するか、電子の捕捉あるいは閉じ込めを如何に効率よく行うか、電極あるいは器壁の温度を如何に制御するか、動作圧力領域を如何に設定するか、混合するガス種を如何に選択するか、といった観点から制御することが肝要である。
ここでは、上述のプラズマ生成と維持に関する
素過程について、各々の特徴あるいは問題点とともに関連する制御法について、以下に紹介する。
【電源系から外部回路へ電気的なエネルギーが供給される過程】
高周波電力あるいはマイクロ波電力を供給する
場合は、プラズマ源のサイズが励起電力の波長に対して無視できない程度まで大きくなると、励起
電力の波としての性質により不均一な分布となることを考慮することが求められる。
【外部回路を通じてプラズマ中で電場を発生する過程】
１）静電場
平行平板電極などに直流電圧や交流電圧あるいは高周波電圧を印加することにより発生する静電場は、低圧での直流グロー放電、高圧力における誘電体バリア放電や大気圧グロー放電、さらには
容量結合型高周波放電に用いられている。この形式で発生する静電場は、電極前面に形成されるシースに印加される電圧によって発生する。

に侵入する。強度が 1/e（e は自然対数の底）に減衰する長さで定義される表皮深さδは、圧力が低くプラズマの密度が高い場合、すなわちωp >>ω（ωp ：電子プラズマ角周波数、ω：高周波の角周波数）を満たすとき、 δ= c /ωp で与えられる。
（c：光速）この表皮深さの値は、1011 cm-3 程度のプラズマ密度では 17 mm 程度となり、誘導電
場はアンテナ近傍の領域に集中していることになる（近接場）。一例として、プラズマ中（密度：1011
cm-3）に設置した直線状のアンテナ導体（内部アンテナ）に、周波数 13.56 MHz の高周波電流を流すことによって、アンテナの近傍に発生する誘導
電場の分布を図 4 に示す。アンテナの周辺に発生する誘導電場は、式(9)のベクトル関係に従って、高周波磁場に高周波電流に沿った方向に発生することが分かる。

２）誘導電場プラズマ源の周囲あるいは内部に誘電体を介して配置したアンテナ導体に高周波電流を流すことにより高周波磁場 B が発生する。この高周波の周波数で振動する磁場の時間変化は、ファラデーの電磁誘導の法則rot E = - ∂B / ∂t
(9)により、電場 E を誘導する。このようにして発生する電場 E を誘導電場と呼び、発生するプラズマを誘導結合型プラズマと呼ぶ。高周波電磁場は、プラズマの導電体としての性質に起因する表皮効
果のため、指数関数的に減衰しながらプラズマ中

３）波動電場
無磁場のプラズマ中に入射した電磁波は、その周波数が電子プラズマ周波数より低いと伝搬できなくなる（カットオフ）。一方、プラズマに静磁場を印加すると、電子は磁力線の方向に対し右回りの円運動（サイクロトロン運動）をし、電子のサイクロトロン運動の向き（右回り）に回転する右回り円偏波（電磁波）は、プラズマ中を伝播することが可能となる。サイクロトロン周波数よりも十分低い周波数領域の波動はヘリコン波、サイク
ロトロン周波数と同程度の周波数領域では電子サ
イクロトロン波と呼ばれる。上述の誘導電場では、

24

常グロー放電領域）、
電圧降下ならびに電流密度はともに増加して、陰極の加熱が顕著となり、熱電子放出がはじまる。さらに電流が増加すると、電極が十分に加熱されて熱電子が放出される。この
熱電子放出が放電電流を上回るほど陰極が加熱されると、陰極降下がほとんどなくなり、気体分子・原子の温度は電子と同程度となり（熱プラズマ）、
高温の気体分子同士の熱運動による衝突荷より生じる熱電離が支配的となり、アーク放電へと移行する。
さらに、上記と同様に直流の静電場で生成するコロナ放電では、圧力が高い雰囲気で、接地した平板電極に対向して針状の電極に正電圧を加えることにより、微弱で不安定な放電を生じる。電圧の上昇とともに放電形態が変化するが、最終的に火花放電の状態に至る。コロナ放電では、大気圧において、非平衡プラズマを生成可能であるという特徴がある。
一方、大気圧で非平衡プラズマを生成するためには、この放電電流の集中化を防止することが必要であり、そのための方策として、１）誘電体バ
リアーによる陰極での電流集中防止、２）パルス
電源による放電の非定常化、３）キャリアガスの選択（He ガス）、４）高速気流の導入による冷却や５）電極形状の工夫による均一化等により、従来よりも安定な非平衡プラズマが生成され、各種の産業においても利用されるようになってきている。

表皮効果のために電場が侵入できる領域がアンテナ近傍（図の例では容器壁近傍）に限られるのに対し、このようにして磁化プラズマ中に励起される波動（電磁波）は、図 5 に示すように、プラズ
マ内部に波動電場を形成し、この波の電場でプラズマ中の電子が加速され、効率よく高密度のプラズマを生成することが可能である。また、電子サ
イクロトロン共鳴を満たす条件では、共鳴的に電子が加速され、低圧でも高密度のプラズマを生成することが可能である。
また、無磁場でも高密度プラズマの表面に電磁波（例えばマイクロ波）を照射すると、表皮効果のために電磁波はプラズマ内部へ侵入することはできないが、プラズマの表面に沿って伝搬することができ、これを表面波と呼ぶ。表面波によるプ
ラズマ中での波動電場の強度は、上述の誘導電場と同様に、プラズマの表皮深さδで指数関数的に減衰する。

２）高周波電場[4]容量結合型高周波放電では、電極に高周波電圧を印加して発生するシース（高周波シース）で電子を加速することにより電離を起こしている。この放電形態では、電子加速により高周波電力を吸収する機構として、以下の３つが考えられている；ａ）
プラズマ領域でのジュール加熱（α放電）、ｂ）電極からの２次電子放出（γ放電）、ｃ）シース振動による統計的加熱（フェルミ加速）。
また、誘導結合型高周波放電では誘導電場により電子が加速され、プラズマ中での電子衝突に伴うジュール加熱により、高周波電力が吸収される。
一方、低圧力になると衝突が減ってプラズマの抵抗が減少するため、ジュール加熱による電力吸収【プラズマ中での電子加速とエネルギー吸収過程】
外部回路を通じてプラズマ中に発生する電場を用いて、電子を電離エネルギー以上の運動エネル
ギーまで加速して気体と衝突させることにより、電離を生じる。
１）直流の静電場
グロー放電では、γ作用により供給された電子が、陰極降下（約 200〜300V）のシース電界で加速され、α作用で増殖することにより放電が維持される。
さらに電流密度が上昇することにより（異25

：AB + e → AB* + e
さらに高い運動エネルギーをもつ電子は、原子あるいは分子との衝突により、束縛電子が上準位の電子軌道に遷移し、励起状態となる。
・解離：AB + e → A + B + e
・電離：X + e → X+ + 2e
：X* + e → X+ + 2e
：AB + e → AB+ + 2 e
・解離イオン化：AB + e → A+ + B + 2 e
励起状態より大きい運動エネルギーまで加速された電子との衝突により、外郭の電子を剥ぎ取る
ことにより電離が起こる。しかし、準安定状態の原子を電離するには、電離電圧と準安定状態の準位のエネルギー差に相当する電子エネルギーがあれば、電離を生じることができる。このため、２段階以上の励起過程を経ることにより、低エネル
ギーの電子でも電離が起こりうる。こうした多段階の衝突過程での電離を、累積電離という。

は減少する。しかし、この低圧力領域では、異常表皮効果と呼ばれる無衝突での加熱機構があることがわかっている。この異常表皮効果では、電子が誘導電場による加速領域を通過する時間が高周波の周期よりも短い（高い運動エネルギーをもつ）
とき、入射する個々の電子に対する加速と減速がランダムとなり、統計平均をすると電子が正味のエネルギーを吸収することが可能となる。
３）波動電場
プラズマ中に励起された波動から電子へのエネ
ルギー吸収機構（波動の側からみると波の減衰機構）には、次の２つがある；ａ）衝突減衰、ｂ）
無衝突減衰。ａ）の衝突減衰は、プラズマ中で電子が中性粒子ならびに荷電粒子との衝突により、
高周波電場により加速された電子の運動量変化を通じて、高周波電場から電子がエネルギーを吸収する機構（ジュール加熱）である。また、ｂ）の無衝突減衰機構として、ランダウ減衰やサイクロ
トロン減衰がある。これらの無衝突減衰機構は、
高周波波動の位相速度が電子の速度に近い時に、波動のポテンシャルに乗って電子が加速を受ける現象である。波の位相速度より少し遅い粒子は加速され、少し速い粒子は減速されるが、電子のエ
ネルギー分布関数はエネルギーが高い電子（減速される粒子）の方が少ないことから、電子は波によって正味の加速を受けることになる。また、サイクロトロン減衰では、サイクロトロン周期運動が加わるため、電子の座標系で見た偏波の旋回周期がサイクロトロン周波数に近くなると、電子は加速され続けることになる。

【ペニング電離】：X* + Y → X + Y+ + e
準安定状態にある原子 X が、その準安定準位よりわずかに低い電離エネルギーをもつ原子 Y と衝突することにより、原子 X の内部エネルギーを原子 Y に与えることより、
原子 X は基底準位に戻り、
原子 Y が電離する。この原子衝突過程による電離を、ペニング電離と呼んでいる。原子 X のみを用いて放電した場合に比べて、X に Y をわずか添加（0.1〜1.0％）するだけで、放電電圧はかなり低下
することが知られている。

【電子衝突過程】
１）弾性衝突気相中に存在する原子あるいは分子の励起エネ
ルギーの閾値よりも低いエネルギーを持つ電子は、弾性衝突（衝突前後で運動エネルギーと運動量が保存）をする。1 回の衝突で交換される運動エネ
ルギーはわずかであるが、衝突の回数は極めて多く、電子のエネルギー損失過程としてエネルギー
分布に影響を与える。
２）非弾性衝突・励起：X + e → X* + e

26

【熱電離】
数千度以上になる高温で高い圧力の気体中では、熱運動による気体分子同士の衝突により電離が可能となる。このように高温で高圧力の気体中での中性粒子衝突による電離を熱電離と呼ぶ。アーク放電が生成、維持される機構は、この熱電離により説明され、サハの式を用いることにより電離度を評価することが可能である。
【両極性拡散】イオンに比べて３桁以上も軽い電子は、イオンよりも速く拡散して器壁に到達し、器壁はプラズマに対して負の電位を持つ。このとき、プラズマ

中に取り残されたイオンのため、プラズマ中には正の空間電荷が発生する（荷電分離）。これらの正負の電荷がつくる電場は、イオンの器壁への拡散を促進する方向、すなわち電子の器壁への拡散を抑制する方向に生じる。この荷電分離に起因する両極性電場が電子とイオンに作用することにより、定常状態（プラズマの電気的中性が保たれた状態）
では、電子とイオンの器壁への消失レートは等しくなる。これを両極性拡散という。
【再結合過程】再結合過程では、電離過程とは逆に、プラズマ中に存在する正負の荷電粒子が結合して消滅する過程であることから、放電プラズマの維持について議論する上で重要な過程である。
・三体再結合 ：X+ + 2e → X + e
・イオン再結合：X+ + Y- → X* + Y
・放射再結合 ：X+ + e- → X + hν
これらの再結合過程は、気相で起こる体積再結合に加えて、器壁のような絶縁物の表面で起こる表面再結合に分類される。体積再結合は、気体の圧力が高く拡散しにくい（平均自由行程が短い）場
合に、生じやすくなる。また、表面再結合については、低圧力の放電における荷電粒子の損失の大きな要因となる。また、一般に、表面再結合と体積再結合を比較すると、表面再結合の方がはるかに大きい事が分かっている。
【プラズマ損失の低減】
プラズマ中で発生した荷電粒子（電子とイオン）
は、両極性拡散により器壁に拡散し、シースを介して器壁へ入射して再結合して消滅する。このよ
うに器壁や電極で荷電粒子が消滅する表面再結合
は、放電プラズマの主要な損失過程である。したがって、電離を効率よく行うためには、電子を放電空間に閉じ込めて、器壁や電極への拡散による損失を低減することが重要である。荷電粒子の閉じ込めを改善するには、次のような方法がある[9]。
ａ）電場による閉じ込め
電子が負の電荷をもつことから、負電位の電極で囲むことにより、電子損失を低減することが可能となる。実例として、ホロー陰極や PIG 放電における電極配置が挙げられる。

27ｂ）磁場による閉じ込め
静磁場を印加することによって、電子に磁力線を軸とする旋回運動（サイクロトロン運動）をさせ、磁力線に沿った方向に束縛して運動させる。
こうした静磁場の印加によって、電子は磁力線に垂直な方向への運動が制限され、閉じ込めが改善される。さらに、静磁場に垂直な方向に静電場を同時に形成すると、E x B ドリフトにより電子の閉じ込めを改善することが可能である。後者のE x B ドリフトを用いた方法は、マグネトロンス
パッタ放電（図 6）やホール推進機（図 7）での閉
じ込め改善手法として実現されており、数 mTorr程度の気体圧力のもとでも高い密度のプラズマが得られている。さらに、前者の例として、アンバ
ランストマグネトロンがある。通常のマグネトロ
ンスパッタ放電では、ターゲット前面に印加される静磁場はターゲットを囲む領域で閉じているが、アンバランストマグネトロンでは、対向に基板が設けられている放電空間の方向へ、ターゲットの周辺部からの磁力線が延びるように磁場を形成することにより、ターゲットから基板付近にかけての領域に高密度のプラズマが生成される。また、壁へのプラズマ損失を低減する方法として、壁に永久磁石を装着して、ドリフト軌道とミラー効果
によって電子の閉じ込めが有効に働くようにしている例もある[9]。

ガラス基板上での絶縁膜（酸化シリコン膜，窒化
シリコン膜：100〜200 nm 程度）ならびに半導体層の製膜に加え，製膜室のクリーニング行程を含めた１タクトを数分で処理することが必要であり，［４］および［５］の項目も考慮すると，低い気体圧力のもとで高密度のプラズマが得られる放電形式が望ましいといえる。そこで，各種の放電形式の中で製膜やエッチング等の半導体プロセスに広く用いられているものについて，各々の特徴を概観してみよう。
まず，容量結合型プラズマ（Capacitively coupledplasma; CCP）[1-4, 12-14]は，プロセス室と同等のサイズを有する２枚の平行平板電極を対向して配置し，電極間に高周波電力を印加することにより生じる静電界を利用してプラズマを生成する方式である。典型的な条件では，数 mTorr から数 Torrの気体圧力，1〜5cm 程度の電極間距離で，高周波電力（数 MHz〜数 10MHz）を印加することにより，プラズマを生成する。得られるプラズマ密度は 1010cm-3 程度とあまり高くないが，基板サイズ
が 30cm 程度のプロセスでは均一性の良いプラズ
マを生成することが可能であることから，半導体
ウェハプロセスなどで最もよく用いられている。
励起周波数の点では，数 10MHz〜100MHz にわたる高い周波数を用いる場合の方が，プラズマ密度の向上と低電子温度化に有効であることが分かっている。
また，高周波電力を用いた放電形式である誘導結合型プラズマ（Inductively coupled plasma; ICP）
[1-4, 15-17]では，プラズマ源の周囲に誘電体を介して配置したアンテナ導体に高周波電流を流すことにより高周波磁界が発生し，この磁界の時間変化がファラデーの電磁誘導によって誘起する誘導
電界を利用してプラズマが生成する。典型的な条件（気体圧力：数 mTorr〜数 100mTorr）では，高周波電力（数 MHz〜数 10MHz）を印加することにより，容量結合型プラズマよりも高密度（1011〜1012 cm-3 程度）のプラズマが得られる。半導体
ウェハプロセスでは，スパイラル状のアンテナ導体がよく用いられ，プロセス領域の全面をカバーするように配置されている。
さらに，マイクロ波領域での放電形式の一つである表面波励起プラズマ[1, 18-20] は，誘電体を介

３．大面積プラズマの生成と制御 [10]３．１ プラズマ源に求められる性能
平面ディスプレーの製造分野では、生産性の向上と低コスト化を実現するため、処理基板サイズ
は大型化の一途をたどっており[11]、次世代のプ
ロセス（第１０世代以降のマザー基板処理）
では、３メートルを超える大面積の基板の全面にわたって、均一かつ高品質のプロセスを実現するための、
大面積プラズマの生成、制御技術が求められている。
大型基板プロセスに適したプラズマ源には、以下の性能が求められる。
［１］大面積（あるいは長尺）にわたる良好な均一性と分布制御性［２］高スループット（高速製膜，高速エッチン
グ処理）：高密度プラズマ生成［３］プラズマダメージを抑制して高品質なプロセスを実現するためのプラズマ電位低減と活性種の制御性［４］歩留まりに大きく影響するダスト発生の抑制［５］原料ガスの利用効率向上
これらの基本性能の中で，［２］および［３］の項目については，プラズマ生成に用いられる放電
形式あるいは放電を励起する高周波（あるいはマイクロ波）電力のプラズマへの供給方法と，励起周波数に大いに依存しており[4]，所望のプロセスへの適合性を勘案して放電形式と励起周波数が選択される。また，［２］のスループットの点では，

28

して導入したマイクロ波により，誘電体とプラズ
マとの境界領域（プラズマの表面）を伝わる波動（表面波）を励起して，その波動電界を利用してプラズマを生成する方式である。気体圧力が10mTorr〜数 Torr 程度の典型的な条件で，1011 〜
1012 cm-3 程度の高密度のプラズマが得られ，特に電子温度ならびにプラズマ電位がともに低いプラズマ源であることが特長として挙げられる。
上述のようにプラズマ生成の方式によって，得られるプラズマの特性が異なるため，フラットパ
ネルディスプレイの製造工程で所望とされる膜質やプロセスの要件に応じて放電形式ならびに励起
周波数[21]が選択されてきた。この点では，大面積プロセスに向けた多くのプラズマ源開発では，
半導体ウェハプロセス（100〜300mm 程度の基板サイズ）を通じて蓄積されてきた放電形式および励起周波数に対する知見と装置技術を基本に，電極やアンテナ等のサイズを大型化してプラズマ源の”スケールアップ”をはかるという観点から開発が進められてきたといっても過言ではない。その際、特に問題となるのは大面積プロセスに求められる最も基本的な性能、すなわち上述の項目［１］大面積・均一性と分布制御性である。
３．２ プラズマ源のスケールアップに伴う問題点
そこで、電極やアンテナ等の励起電力系のサイズのみを大きくすることにより、プラズマ源のサイズをメートルサイズ以上までスケールアップする際に生じる問題について考えてみよう。
各種のプロセスに適した高密度プラズマ源では、高周波あるいはマイクロ波帯の電磁波（10MHz〜
数 GHz）がプラズマ生成の励起源として用いられている。ここで、周波数が 10MHz〜数 GHz の電磁波は、自由空間波長は 0.1ｍ〜10ｍのオーダーであるが、プラズマ生成系における電力伝送路（容量結合での高周波電極、誘導結合でのアンテナ導体、マイクロ波導波路）での実際の伝播波長は、プラズマ生成系に用いられている誘電体やプラズマとの結合のために、自由空間波長よりも短くなる。
（周波数 10MHz 程度の電磁波の場合でも、後述のように、実際の伝播波長は自由空間波長の半分程度となる。
）また、表面波を利用したプラズマ生成では、表面波共鳴の付近での波長はさらに極29端に短くなる。
すなわち、プラズマ源のサイズをメートルサイズ以上までスケールアップする際に直面する状況
は、プラズマ生成系における電力伝送路の特性長が伝播波長に対して無視できない領域に入ることを意味している。このため、励起電力が電力伝送
路上を波動として伝搬する状態が無視できなくな
り、電力伝送路上での定在波形成のために、励起
電力分布、電圧分布あるいは電流分布の不均一性が顕在化するという問題を生じることになる。
こういった状況を高周波誘導結合プラズマを例に、もう少し詳しくみてみよう。誘導結合プラズ
マ生成系の模式図を図 8 に示す。励起電力源から供給される高周波電力は、インピーダンス整合回路を介して、プラズマ生成系に設けられたアンテナ導体（誘導結合）に給電され、アンテナ導体を流れる高周波電流によってアンテナ周囲に高周波磁界を生じ、この磁界の時間変化が誘起する誘導
電界（ファラデーの電磁誘導の法則）により気相中の電子が加速され、中性粒子やイオンとの衝突を経て高周波放電が生成される。このため、上述のように、アンテナ導体上を伝播する高周波電力の波長がアンテナ長に対して無視できない程度の長さになると、アンテナ導体は集中定数の回路素子ではなく、分布定数回路として振る舞う。
ここで、集中定数回路（lumped constant circuit）とは、一般に波長に比べて回路素子の物理的大きさが十分に小さい場合において、インダクタ、キャパシタ、抵抗を独立した回路素子として取り扱うことができる回路である。一方、伝搬する信号の波長に比べて回路素子の物理的大きさが無視できない程度の大きさになる場合には、伝送線路の回路定数を集中定数で表すことができなくなるために分布定数として表し、電圧および電流の振る
舞いを時間と位置の関数として取り扱わなくてはならなくなる。このように分布定数として表される回路を分布定数回路（distributed constant circuit）という。
高周波誘導結合プラズマ生成系における高周波伝播の等価回路の一例として、Lieberman 等によるモデル[22]を図 9 に示す。アンテナを伝播する
高周波は、アンテナ導体自体のインダクタンス（単位長さあたり L11）
、対地容量（単位長さあたり C）のほか、プラズマへの誘導結合のために、自由空
間よりも短い波長となる。ここで、L22 は放電の電流路に伴う単位長さあたりのインダクタンス、L12と L21 はプラズマ中での誘導電界による電子加速に伴う L11 と L22 の間の単位長さあたりの相互インダクタンス（L12 = L21）
、Le は加速された電子の慣性に伴う単位長さあたりのインダクタンス、そして Rp は加速された電子からプラズマへの電力吸収を単位長さあたりの抵抗として表している。
（より厳密には、線路自体の電力損失を表す抵抗とともに、プラズマへの容量結合も考慮する必要がある。
）
これらの回路パラメータからプラズマとの結合部における単位長さあたりのインピーダンス Zs
は、プラズマとの結合部における高周波電圧および高周波電流を Vrf および Irf、高周波電力の角周波数をωとして、ω 2 L212
Z s = Vrf / Irf = j ωL11 +≡ Rs + jωL s
Rp + j ω (L22 + Le )典型的な例として、プラズマ密度 1011 cm-3、電子温度 3 eV のプラズマが、周波数 13.56 MHz の高周波電力を用いて生成されている場合を考える。
周波数 13.56 MHz の高周波の自由空間での伝播波
長は 22 ｍであるが、アンテナ導体を伝播する高周波の波長は 13 m 程度であることが上記のモデルで見積もられ[22]、自由空間における値の半分程度となることがわかる。さらに、アンテナ導体の終端は、通常の誘導結合プラズマ生成では電源のアースに接続（ZL = 0）されており、高周波が伝播するアンテナ導体の特性インピーダンス Z0
は有限の値をもっているため、終端では反射波が生じる。このため、アンテナ導体の長さが伝播波
長の 1/4 程度以上となると、波動としての性質である定在波（進行波と反射波により形成）の影響が顕在化する。
したがって、アンテナ導体の特性長が自由空間
波長の 1/10 程度以上となる領域（周波数 13.56MHz
では 2ｍ程度以上）では、定在波の影響が顕著となり、アンテナ導体の長さ方向における高周波電流分布は不均一となってしまう。結局のところ、プラズマ源のサイズをメートルサイズ以上までスケールアップする際には、この定在波のために、プラズマを生成する誘導電界強度はアンテナ導体の長さ方向に不均一な分布を生じることになり、プラズマへの電力吸収分布さらにはプラズマ密度の不均一性を生じる根本的な原因となっている。
この定在波の影響によりプラズマ生成が不均一となる問題は、メートルサイズのプラズマ源だけでなく直径 30cm 程度のプラズマ源でも、導体に沿った長さが 2.5m 程度のスパイラル状のアンテナを用いる場合は、定在波形成のために誘導結合アンテナ上で高周波電流が不均一となり、結果的にプラズマ密度分布ならびにプロセスの面内分布が不均一になることが報告されている[23-25]。
上記の例で述べた定在波形成による問題は、容(10)と表され、L12、L22、Le ならびに Rp はプラズマの特性（誘導結合の形式、プラズマ密度、電子温度）に依存している。さらに、対地容量 C を加味する
ことにより、アンテナ系の線路上を伝搬する高周波の特性インピーダンス Z0 および伝搬定数γは、

Rs + jω Ls
j ωC

Z0 =

γ = jω C(Rs + jω Ls ) ≡ α + j β

(11)

(12)

と表され[22]、線路を伝搬する高周波の波長λは、

λ=

2π

β

(13)

と求められる。

30

量結合プラズマにおいても報告されており、放電
励起周波数の増加あるいはプラズマ源の大口径化に伴って、高周波電極の特性長が伝播波長の 1/4程度以上となる領域では、電極上の高周波電圧の分布が定在波の影響により不均一となり、良好なプロセス均一性を確保することが困難になってきている[14]。
３．３ 大面積プラズマ源の開発動向
高周波プラズマにおける定在波形成の問題自体は、周波数の低い励起電力を使用することによりプラズマ分布の均一性を改善することが可能であると考えられる。しかしながら、低周波数化することによってプラズマ密度が顕著に低下してしまうことに加えて[23]、電子温度も高くなることから[26]、前節の冒頭に述べた［２］スループッ
トならびに［３］プラズマダメージにおいて新たな問題を生じることになる。このため、容量結合
プラズマ生成ならびに誘導結合プラズマ生成では、
概ね 10 MHz 以上の高周波電力が採用されている。
まず、
容量結合を用いたプラズマ生成方式では、
上述のように、得られるプラズマ密度は 1010 cm-3程度とあまり高くないが、基板サイズが 30 cm 程度のプロセスでは均一性の良いプラズマを生成することが可能であることから、半導体ウェハプロ
セスなどで最もよく用いられている。励起周波数の点では、数 10 MHz と高い周波数を用いる場合の方が、プラズマ密度の向上と低電子温度化に有効であることが分かっており、放電励起周波数を高くすることが求められている。このため、容量結合型高周波放電における大面積プラズマ生成では、高周波電極上での定在波形成が特に問題であり、高周波電極への高周波電力の給電点を複数設けることにより、異なる分布を有する定在波を形成して、それらを重ね合わせることにより均一性を改善する技術が試みられている[14]。しかしながら、これらは何れも高周波電極上での定在波形成を前提にしている（定在波の形成を根本的に解消することは念頭においていない）ため、重ね合
わせによる不均一性の改善に効果はあるものの、周波数の増加に伴って電極上での電圧分布ならびにプロセス面内分布の不均一性が顕著となる問題も報告されている[14]。

31

さらに、誘導結合を用いたプラズマ生成では、
高周波電源に並列に接続された複数のスパイラル
アンテナの終端に、容量性負荷あるいは誘導性負荷（コイル）を接続することにより不均一性の改善が試みられている。アンテナ導体の終端に容量性負荷を接続した場合は、不均一な分布形状をア
ンテナ導体上で移動させる効果を示すものの、不均一性自体の低減には至っていない[25]。一方、
誘導性負荷を接続した場合は、アンテナ導体に沿った方向の不均一性は改善されるものの、並列接続されている複数のアンテナ導体に流れる高周波
電流を如何にして揃えるかが課題として残っている[27]。
さらに、マイクロ波領域での放電形式の一つである表面波励起プラズマは、誘電体を介して導入したマイクロ波により、誘電体とプラズマとの境界領域（プラズマの表面）を伝わる波動（表面波）
を励起して、その波動電界を利用してプラズマを生成する方式である。
気体圧力が 10mTorr〜数 Torr程度の典型的な条件で、1011 〜1012 cm-3 程度の高密度のプラズマが得られ、特に電子温度ならびにプラズマ電位がともに低いプラズマ源であることが特長として挙げられる。
３．４

内部アンテナ型誘導結合放電を用いた
大面積プラズマ
これまでに開発されてきた技術では、励起電力の分布制御を行う手段として、多点供給による波の重ね合わせ、並列分岐、終端での負荷接続といった受動回路を用いた手法が採用されており、プロセス中に高周波電力の分布を能動的に制御することは困難であった。このため、筆者等は従来の発想とは異なるプラズマ源の開発を行っており、
本稿ではその一端を紹介する。
まず、プラズマ源の大面積化に関わる定在波の問題は、放電を励起するアンテナ導体のサイズに起因していることから、［ａ］アンテナ導体自体の小型化、すなわち高周波の伝搬波長よりも十分に短い代表長を有するアンテナ導体を用いることが重要であり、
図 10 に模式的に示すアンテナを用いている。また、プラズマへの電力吸収効率を高めるため、内部アンテナ方式を採用している。
次いで、大面積にわたる均一性は、［ｂ］低インダクタンスの小型アンテナ導体をプラズマ源の所
望の箇所に配置するマルチアンテナ方式を採用す
ることにより確保される[17]。さらに、複数のアンテナ導体への高周波電力の給電においては、［ｃ］個々のアンテナに個別の高周波増幅器を直結したモジュール構成（図 11）にして、［ｄ］複数のモジュールを独立かつプラズマ源全体にわたって統合的に制御する方式を採用することにより、プラズマ源全体での励起電力の分布を能動的に制御することが可能である。
本方式のプラズマ源が従来のプラズマ源と決定的に異なる点は、定在波による不均一性の問題が根本的に解決される点にある。さらに、プラズマ
源全体にわたる励起状態の分布（高周波電流、高周波電圧、高周波電力）を能動的に制御することが可能であり、プラズマ生成分布の制御性を格段に高めることができる。これらの制御性を従来技術で実現することは、極めて困難であるといえる。

32

ここでは、メートルサイズ大面積プラズマ源の特性と数値シミュレーションを援用したプラズマ源の設計例について紹介する。
まず、内壁のサイズが 780 mm x 910 mm の長方形の真空チャンバーの側壁に、
図 10 の低インダク
タンス内部アンテナを 10 セット配置し、各辺の２個ないし３個のアンテナを並列接続して組み合わ
せ、マッチングボックスを介して計４台の高周波電源（周波数：13.56 MHz、最大出力：5 kW）に接続している。シングルプローブを導入してプラ
ズマパラメータを計測し、チャンバー中心部（アンテナから下流側 100mm、軸上の位置）でのプラ
ズマパラメータを計測した。ターボ分子ポンプにてチャンバー内を 1x10-4 Pa まで排気した後、ガス導入口より Ar を放電ガスとして導入し（1.1 Pa）、
高周波電力を投入することによりチャンバー内に
Ar プラズマを生成した。
Ar プラズマ密度の高周波電力に対する依存性を図 12 に示す。高周波電力を 4 kW 程度投入することにより、5x1011cm-3 を超える高密度プラズマを生成可能であることを示している。
さらに、この低インダクタンス内部アンテナを用いたプラズマ生成では、アンテナの両端に発生する高周波電圧を格段に低減することが可能であるため、アンテナに発生する高周波電圧に伴う静電結合（シースを通じた高周波電位揺動）を効果的に抑制することが可能である。このため、プラズマの電位揺動に伴う対地への過剰な電子損失がの角形容器でのプラズマ密度分布を示しており、第 11 世代の基板（3.0 m x 3.3 m）における面内均一性が±4.9％以内の均一性を確保することが可能であることを示している。

抑制され、図 13 に示すように、シース端でのイオ
ンエネルギーを 5 eV 未満に低減した『低ダメージ
プラズマ』を生成することが可能である。また、
浮遊電位ならびにプラズマ電位を計測した結果、ガラス等の絶縁物を基板とした場合の正味の入射
イオンエネルギーを極めて低い値に抑制することが可能であることも明らかになっている。すなわ
ち、アンテナ系の低インダクタンス化により、アンテナ自体に発生する高周波電圧が効果的に低減され、高出力の高周波電力を供給する条件においても、プラズマの低電位化を図ることが可能であることを示している。
特に、従来方式の容量結合型プラズマ源では、スループットの向上に求められるプラズマの高密度化をはかるため放電電力を増大すると、プラズ
マの電位揺動も増大し、高エネルギーのイオンを生じてプラズマダメージが避けられないパラドックスに直面していたが、誘導結合アンテナを小型化した本方式のプラズマ生成では、高品質プロセスに不可欠なプラズマの低電位化（低ダメージ化）
を、下流の低密度領域ではなく、高密度領域で同時に達成することが可能な数少ない方式であるといえる。
最後に、一辺の長さが３メートルの大面積基板に対応した次世代のプロセスを念頭に設計したプ
ラズマ源の事例を図 14 に示す。
一辺が 4 メートル

４．おわりに
本稿では、気体放電の基礎からプラズマの生成と維持に関わる素過程と制御法について触れ、大面積プラズマ生成について述べた。プラズマ応用
技術は、さまざまな応用分野での研究開発の進展や産業化のニーズと密接に関連しながら展開してきたが、プラズマの生成・制御技術はその基本である。今後ますますの発展を期したい。

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34

国際会議報告

3rd International Conference on Plasma Nanotechnology and
Science (IC-PLANTS 2010) 報告
名古屋大学

プラズマナノ工学研究センター(PLANT)

本国際会議は「プラズマナノテクノロジー」，「大気圧プラズマとバイオテクノロジー」をトピックスとして，
2010 年 3 月 11 日(木)から 12 日
（金）
までの 2 日間にわたり，106 件の発表（うち招待13 件），160 名（韓国 17 名，他海外 20 名，日本
113 名）の参加者が集まり盛会となりましたので報告いたします．
大気圧プラズマをもちいて医療やバイオテクノ
ロジーへの応用が盛んに研究されており，その中でも Fridman 教授（Drexel 大）からプラズマ医学，
Graham 教授（Queen’s 大）から生理活性な電解液
中プラズマ，馬場教授（名大）からバイオ医療ナノデバイスについて講演をいただきました，バイ
オ材料を電極としたプラズマ放電による殺菌・滅菌への応用，手術中の血液凝固などが紹介されました．今後，プラズマ応用がますます期待される分野であり．学際融合領域にわたり有益な議論と情報交換がなされました．
ナノ材料の合成・加工に，プラズマの活用はますます重要な先端技術となっており，安武教授（阪大）から大気圧プラズマ・シリコン製膜，Cvelbar
教授（Jozef stefan 研究所）から金属酸化物ナノワ
イヤのプラズマ生成，Ostrikov 教授（CSIRO）からナノ構造形成，Lee 教授（成均館大）からナノ
カーボン材料のプラズマ修飾，Boo 教授（成均館大）から酸化亜鉛(ZnO)の製膜，天野教授（名大）石川健治

から窒化ガリウム（GaN）の製膜について講演いただきました．プラズマでは活性な化学種が生成され，材料表面で化学反応が進行し，ナノスケー
ルでの形態や選択的な表面修飾などが実現され，ますます重要性が増しています．他にも Joubert
博士（CEA-LETI）から次世代半導体のプラズマエッチング，Chabert 教授（Ecole 理工科大）から
塩素プラズマのモデリング，Boswell 教授（ACT）
からフォーカスイオンビーム（FIB）源について講演いただきました．ややもすれば複雑と使うだけになってしまうプラズマプロセスでありますが，工学的な立場からその理解を推進するには世界の研究者との協力は欠かせなく，この得られた知見を元にした制御方法の確立は欠かせません．今後
ますます，プラズマの応用範囲の広がりを模索しつつ，プロセスプラズマ研究の総力を上げた取り組みが期待されます．
本会議の様子はホームページ(*)も参考にしてください．次回は，2011 年 3 月 10 日(木)～12 日(土)高山市民会館（岐阜県）の開催を予定していますので，プラエレ分科会会員の皆様の参加を心よりお待ちしております．
*http://www.plasma.engg.nagoya-u.ac.jp/IC-2010/highlight.html

35

国際会議報告

2nd International Symposium on Advanced Plasma Scienece
and its Application for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma2010)
中部大学

中村

第２回先進プラズマ科学と窒素化合物とナノ材料への応用に関する国際シンポジウム（ISPlasma2010、主催：科学技術交流財団）が、名城大学の天白キャンパス（愛知県名古屋市）にて２０１０年３月７日と３月１０日にわたり、開催された。本会議は、２００９年３月に名古屋大学で開かれた第１回に引き続いての開催で、比較的新しい国際会議である。また本会議は、文部科学省第Ⅱ期知的クラスター創成事業の広域プログ
ラム「先進プラズマナノ科学研究拠点形成プログ
ラム」の一環として主催され、国際連携による研究開発の促進やその高度化とともに、国際連携を促進させて関連する研究者や技術者の人的ネットワークを拡充させることを目指している。
今回の参加者数は累積で６１８名となり、当初の目標であった３００名を大きく上回った。
主な参加者としては、学生を含む大学関係者のほかに、企業関係者や行政関係者も多数含まれ、産学官に携わる人々の参加があった。また海外からの参加者は、歴史的に浅い会議にもかかわらず１００名を超え、１１１名に達している。
発表件数は３０７件で、その内訳は、基調講
演：２７件、招待講演：１１件、一般口頭発表：
２９件、ポスター発表：２４０件であった。このうち、海外からの発表は９７件で、特に韓国
や台湾といったアジアからの発表が６４件であり、まずはアジア地区を中心としたプラズマ
分野の国際会議としての土台を築いているといえる。発表を分野別に見ると、知的クラスタ創成事業で進められているプラズマ分野、窒化物半導体分野、ナノ材料分野の３分野に分類されており、全ての口頭発表とポスター発表を含めた場合、プラズマ分野に関する発表は全体の36

圭二

３２％程度であり、最も多かったのはナノ材料
分野の５０％程度であった。
会議はまず S. Iijima 氏（Meijo Univ.）による「 Structure Characterization of Nano-Carbon
Materials on the Atomic Resolution Basis」と題した特別講演が行われ、ナノ科学研究における基礎を与える分析技術の最近の進展を、ナノチューブやグラフェンなどの代表的なナノカーボ
ン材料を中心に紹介された。また知的クラスタ創成事業で進められているプラズマ分野、窒化物半導体分野、ナノ材料分野の各リーダーから知的クラスター講演が行われ、プラズマ分野からは、本会議組織委員長の M. Hori 氏（Nagoya
Univ.）が、プラズマナノプロセスの現状と進展が述べられ、ラジカルモニタと組合せた先進プ
ラズマによるナノ製造システム等について報告された。
プラズマ分野の講演は、先進プラズマ計測、
シミュレーション、エッチング、ＣＶＤ、太陽電池の各セッションから構成され、７件の基調講演が行われた。U. Czarnezki 氏（Ruhr Univ.）
は、遮光性シリンダを用いたプラズマ発光の観測から、プラズマ分布のモニタリングについて報告した。M. J. Kushner 氏（Univ. Michigan）は平行平板型高周波プラズマにおける分布定数
効果をシミュレーションを用いて解析し、その効果を緩和するための方策として分割電極などの提案をした。M. Goeckner 氏（Univ. Tex）は、
プラズマ・壁相互作用におけるエネルギー保存について議論し、温度効果を考慮した表面相互作用も取り入れたモデリングについて述べていた。J. P. Chang 氏（UCLA）は、幅広い電子デバイスに用いられている酸化膜の合成やパターニングに、ラジカル促進 ALD やイオンアシ

ス ト エ ッ チ ン グ の 応 用 例 が 示 さ れ た 。 R.
d’Agostino 氏（Univ. Bari）は、ナノ構造を有するフッ化ポリマーをプラズマプロセスにより形成し、表面構造やその撥水特性などとの関連を示した。U. Kortshagen 氏（Univ. Minnesota）
は、合成部と機能化部の２つのプラズマを有した装置を用いて太陽電池用シリコンナノ結晶の合成に関して報告がなされた。T. Takamoto 氏（Sharp Corp.）はマルチ接合技術を用いること
により、Ⅲ－Ⅴ族材料を用いた太陽電池を開発し、35.8 %という超高効率が可能であることを示した。
それらの講演とともに、本会議では２つの大きなトピックスがあった。一つは窒化物半導体に向けた先進プラズマの応用であり、もう一つは産学官連携と技術移転である。
前者については、窒化物をベースにしたスイッチング素子の大容量化に対する要求が高まり、それを実現するためのデバイス構造を得るために、プラズマエッチングが不可欠になりつつあるが、プラズマダメージの問題から十分にデバイス性能を引き出せていないことから、プ
ラズマ科学の知見を、そのような問題の解決に活用し、窒化物半導体デバイスの高性能化につなげる試みである。そのような観点での議論はこれまでほとんど行われたことはなく、非常に画期的なものと言える。議論の結果、ダメージの問題を解決するためには、窒化物プロセス用
プラズマの解析とそれに基づいた科学的なアプローチが有効との結論が得られた。そのようなアプローチは、シリコンデバイスにおけるプ
ラズマプロセスの解析が進んだ１９９０年代と共通するものが有り、その意味で今後の展開が期待される。後者についても、日米欧における主だった研究機関や企業からのパネリスト
が、産官学連携に関しての日本と外国との進め方の違いなどについて議論を交わした。その中で特にドイツについては技術移転の仕組みが出来上がっており、数多くの実績をつんでいる
ことが大変印象的であった。
全体として、本会議では、従来のようなプラズ
マ分野の学術的な観点からの議論の場であると同時に、プラズマプロセスの新規分野の開拓と、産学官連携・技術移転といった新しい観点を取り入れた新しいタイプの国際会議といえ、今後、ますますの発展が期待される。なお次回は２０１１年３月に名古屋工業大学（愛知県名古屋市）にて開催される予定である。

37

国際会議報告International Workshop on Plasmas with Liquids 2010 報告
愛媛大学理工学研究科
本年 3 月 22 日～24 日に IWPL 2010 (International
Workshop on Plasmas with Liquids) が松山市において開催された。近年、環境やバイオ技術との関連
で、液体中や液体表面での放電プラズマ生成の方
法やその応用について多くの関心が寄せられており、ISPC やその他の大きな国際会議でも、液体プ
ラズマ関係のセッションが設けられるようになってきている。しかし、今回のワークショップは、
液体関連プラズマでの単独の国際会議として世界で初めてのものとなった。また、「道後のお湯につかりながら、液中プラズマについてホットな議論をしよう」というキャッチコピーをそのまま実践できるように、場所も奥道後温泉ホテルをほぼ貸切の状態で使用させてもらい、３食を共にしながら和やかな雰囲気で会議が進行した。
幸いに愛媛大学から学長裁量経費による支援が受けられたこともあり、当該分野における海外の主要な研究者を招待することができた。実際には、
B. Locke (Florida State University)
P. Lukes (Academy of Science, Czech Republic)
C. Leys (Gehnt University)
P. Bruggeman (Eindhoven University of Technology)
J.-S. Chang (McMaster University)
J. F. Kolb (Old Dominion University)のように豪華な顔ぶれが集まり、その他にも中国、韓国、インドネシアなど、日本を含めて 9 ヶ国から約 90 名の参加者を得て、招待講演を含めた 54
件の論文発表がなされ、盛況裏に会議を終了することができた。日本からの講演者も、畠山（東北大）、高井（名古屋大）、秋山（熊本大）、山部（佐賀大）、野村（愛媛大）の各氏をはじめ、最先端でこの分野をリードしている研究者が参集した。
会議の冒頭では、液体プラズマで先駆的な業績を上げて来られた群馬大の佐藤正之名誉教授によって、「パルス放電による液中／液体介在プラズマの基礎と実際」と題した基調講演がなされ、研究橘

邦英

招待講演での発表の様子の歴史と現状が報告された。Locke 教授によるもう一つの基調講演では、水中や水滴が介在するプ
ラズマ中での OH 等のラジカル生成やその反応機構、安定種として OH から生成される H2O2 の収率やそれを向上させるための方策が紹介された。
引き続いて、プラズマ生成、反応メカニズム、プラズマ診断、応用技術の各セッションで招待講演や一般の口頭発表がなされた、また、ショート
プレゼンテーション付のポスター発表（24 件）がなされ、優秀な４件にポスター賞が授与された。
なお、本国際会議のプロシーディングスは下記の URL で閲覧できる。
http://plasma.eng.ehime-u.ac.jp/IWPL_2010

ポスターセッションでの議論の様子

38

国内会議報告2010 年春季

第 57 回応用物理学関係連合講演会

シンポジウムプラズマとナノ界面の相互作用～プロセス揺らぎの制御を目指して～
首都大学東京プラズマエレクトロニクス分科会に関連深い研究プロジェクトとして，板谷良平先生の重点領域
研究「反応性プラズマの制御」，橘邦英先生の特定領域研究「プラズマを用いたミクロ反応場の創成とその応用」に続き，平成 21 年度より 5 年間の研究期間で，九州大学の白谷正治先生を代表とする
新学術領域研究「プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」がスタートした。
プラズマプロセスは，本質的には，プラズマと界面の相互作用であるが，界面がナノサイズに縮小することにより，①サイズ効果の発生，②揺らぎが顕著となる，③界面寸法が相互作用長と同等以下となる，④界面が反応場に構造を与える，といった特徴が顕在化する。このプラズマとナノ界面相互作用に内在する法則・原理・機構を解明して新しい学術基盤を体系化し，更にその基盤に基づいて，揺らぎの抑制による超高精度トップダウ
ンプロセス，揺らぎの増幅による高度に制御された自己組織化ボトムアッププロセスの実現がこの領域の目指すものである（右図を参照）。この共通の目的の下に，「ナノ界面プラズマを作る」，「ナノ
界面プラズマを見る」，「ナノ界面プラズマを使う」の３班に分かれて研究を開始している。本シンポジウムは，この新学術領域研究を基盤として提案されたものであり，各担当者の取り組みを紹介するとともに，新しいプラズマプロセスのあり方をについて討議した。
はじめに，領域代表を務める九州大学の白谷正治先生が，ご自身のナノ粒子に関する研究を事例として交えながら，上述のような領域が目指すものについて紹介された。
東京大学の寺嶋和夫先生は，ナノ界面プラズマを“創る”立場から，密度揺らぎを積極的に利用

報告

杤久保文嘉

http://plasma.ed.kyushu-u.ac.jp/~plasmanano-pj/より転載。佐々木浩一先生は 2010 年 5 月 1 日付で北海道大学へ移動された。

した不均質媒質である超臨界流体プラズマについて解説された。即ち，超臨界流体中でプラズマが発生した環境下でもクラスタリング構造や密度揺らぎが存在することを示し，また，密度揺らぎを利用して超臨界流体ならではの物質合成ができていることが報告された。更に，揺らぎ抑制の観点

39

からクライオプラズマが紹介され，このとき，冷却によってプラズマの自己組織化が起こることも示された。
名城大学の伊藤昌文先生は，プラズマを用いた滅菌や殺菌に取り組んでいる。プラズマのパラメータ（電子密度，電子温度，ラジカル密度，UV光等）が生体の構造変化や生体機能にどのような影響を及ぼすかを解明することを目的としている。
今回の講演では，真空紫外吸収分光法によるオゾン濃度の定量化，オゾン濃度に依存したミドリカ
ビ菌等の滅菌特性などが示された。今後は，リア
ルタイムレーザ蛍光顕微鏡観察，リアルタイム光
断層計測などが予定されており，その場で見ることによる生体細胞表面とプラズマの相互作用の飛躍的な理解の進行を期待させる。
小生は，液体とプラズマの界面現象を切り口として，ナノ界面プラズマを理論的に見ることを念頭に，現時点での取り組みについて報告した。具
体的な対象として，液体陰極上の直流グロー放電に着目し，液面上の大気圧プラズマのシミュレー
ション，液中の電解反応のシミュレーションについて報告した。実験で得られる形状のプラズマがシミュレーションでも再現できること，大気圧ではあるが数 eV のエネルギーを有するイオンが陰極（液体）に衝突する可能性のあること，液中での電気二重層形成などについて報告した。分子レ
ベルでの気液界面現象の解明が次の課題である。
京都大学の斧高一先生は，ドライエッチングを通じてナノ界面を使うことに加え，ナノ界面を制御するためには見ることの重要性を述べられた。
特に，数 nm 以下の現象解明にはシミュレーショ
ンによる支援が必須であることを説かれた。原子レベルの大きさの空間メッシュの導入により，
Atomic-scale cellular model (ASCeM)で加工形
状進展を満足に再現できることが示された。また，
ナノレベルの表面形状では，フラックスではなく，個々の粒子レベルで議論が必要であり，分子動力学法による形状シミュレーションの結果も示されている。これらの結果を踏まえた揺らぎ制御へも期待が抱かれる。
名古屋大学の白藤立先生は，多相ミクロ不均質プラズマとして，液中にマイクロバブルが分散した環境下での液中放電の特性，ソリューションプ

40

ラズマによる CNT の表面修飾について紹介した。
その後に，このシンポジウムの各講演者が発表した事項のエッセンス，
共通点等をまとめた。
また，各人の“揺らぎ”に対する認識の違いから，“揺らぎ”を整理する必要性を述べられた。
新学術領域研究も２年目を迎え，公募研究より
21 名の強力なメンバーが加わった。5 月 15 日，
16 日の両日に熱海で第１回全体会議が行われ，各グループが志向する研究内容の報告が行われた。
応用物理学会から離れたバックグランドの人も参加されており，共同研究への発展など，今後の融合が強く期待される。

国内会議報告
２０１０年春季 第５７回応用物理学関係連合講演会

第４回分科内招待講演「プラズマサイエンスに基づくものづくりを語る」報告名古屋大学 白藤 立
プラズマエレクトロニクス分科会では，応用物理学会
にて分科内招待講演を企画・実施してきた（趣旨については会報No.49 を参照）
。２０１０年春季第５７回応用物
理学関係連合講演会にて，第４回の分科内招待講演を開催したので報告する。
第４回は，３月１９日（金）１３：００～１４：００
にて，副題として「プラズマサイエンスに基づくものづくりを語る」という副題を冠し，佐藤徳芳先生（東北大学名誉教授）より「各種プラズマ応用に必要なプラズマ制御」，松田彰久先生（大阪大学特任教授）より「薄膜シリコン系材料におけるプラズマプロセスの理解と制御」
について，それぞれ御講演を頂いた。
佐藤先生は，プラズマの基礎的な実験研究において多くの業績を上げてこられた．そこで得られた知見を基にして，プラズマ応用に必要なプラズマ制御法として，本講演の冒頭にも触れられた『インテリジェントプラズマプロセス』の重要性を指摘してこられた．統計的なプラ
ズマ中の荷電粒子群を自在に操ることは容易ではないが，放電媒質を巧みに多相化することで，荷電粒子にとっての複合有効媒質を形成し，実効的な EEDF を自在に操る，という観点は大変興味深く拝聴した。
松田先生は，電総研に在籍されていたころからアモル
ファスシリコンを用いた太陽電池に関して研究され，現図 2. 講演をされる佐藤先生（左）と松田先生（右）．

在，世界的に最も受け入られているアモルファスシリコ
ン薄膜のプラズマ成膜モデルを提唱された．本講演では，堆積速度の温度依存性という，恐らくだれでもデータを取れるであろう実験情報から，根本原理に基づく鋭い考察によって，a-Si:H の成膜前駆体である SiH3 が表面を泳動していなければならないこと，また，SiH3 が二段階反応過程であることを見出された際の経緯について触れられた。
印象に残った点は，両先生が共通に言及された『自分の専門外の人とのコラボ』である．松田先生がマイクロホロー電極にて放電させたときに，ホロー部の放電が安定しないことに対して，佐藤先生が「プラズマどうしを会話させてあげないと．
．
．
」と言われ，Cathode with
Connected Hollows という電極構造ができたそうである．
本講演の聴講者間でも，こうした実のあるコラボが実ることを祈念する。
最後に，ご講演頂きました佐藤先生，松田先生，そして，
本企画を実施するにあたりまして幹事会にて議論頂きました分科会幹事の皆様，本招待講演にお集まり頂きました方々に，深く感謝の意を表します。
参考文献[1] N. Sato: Basic approaches to plasma production
and control, in Advanced Plasma Technology, Eds. R.
d’Agostino et al (Wiley VCH, 2008) pp. 1-15.
[2] A. Matsuda: Thin-Film Silicon－Growth Process andSolar Cell Application－, Jpn. J. Appl. Phys. 43,
7909-7920 (2004).

図 1. 第４回分科内招待講演会場の様子．

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国内会議報告

第 5 回プラズマ新領域研究会（第 1 回プラズマ支援燃焼研究会）
大阪大学

伊藤剛仁,

北海道大学

第 5 回プラズマ新領域研究会は，第 1 回プラズ
マ支援燃焼研究会として，プラズマ・核融合学会の専門委員会「プラズマ科学と燃焼科学の融合」との合同主催という形で、2010 年 3 月 15 日に大阪大学レーザーエネルギー学研究センターにおいて開催された。
プラズマ支援燃焼技術の発展には，
燃焼技術とプラズマ応用，両分野の緊密な連携が不可欠であり，異分野との交流を開催目的の一つに上げる「プラズマ新領域研究会」による活性化を願ったものである。
プラズマ支援燃焼は，米国およびヨーロッパでは新しい融合分野として活発な研究が行われている。今回の研究会では，プラズマ支援燃焼に関する大型予算を獲得し，先駆的研究を推進している
米国プリンストン大学の Yiguang Ju 氏を招待し，特別講演をお願いした。Ju 氏の特別講演に続いて，我が国においてプラズマ支援燃焼に関連する研究を行っている 10 名の研究者に招待講演をお願いした。発表されたテーマは，レーザー生成プラズ
マの燃焼着火への応用（阪大・林 潤氏，分子研・平等拓範氏），燃焼炎・熱プラズマハイブリッドシ
ステムによるガラス製造プロセス（東工大・渡辺隆行氏），選択酸化反応による燃料改質プロセス（東工大・野崎智洋氏），高速流中での着火・燃焼促進への熱プラズマの応用（東北大・滝田謙一氏），
バーナー火炎への静電場およびマイクロ波電場印
加の効果（金沢大・上杉喜彦氏，名大（現：北大）
・
佐々木浩一氏），大気圧マイクロ波プラズマによる自動車エンジンの燃焼改善（イマジニアリング・
池田裕二氏），プラズマによる着火促進現象に関する化学反応論的考察（福井大・安東弘光氏），および，スパーク放電による燃料濃度計測技術（岡山大・河原伸幸氏）である。Ju 氏から紹介された米国での研究に比べ，我が国におけるプラズマ支援
燃焼の研究は初期的段階にあるとの印象を受けたが，今後この分野の成長を期待させる熱の入った講演と活発な討論が行われた。

42

佐々木浩一

今回の研究会では，この種の単発の研究会としては異例ともいえる 87 名の参加が得られた。また，参加者の半数近くが企業からの参加であった。自動車および船舶などの内燃機関関係の大手企業のほとんどすべてから参加者が得られており，プラズマ支援燃焼という新しい融合分野に対する産業界からの強い期待感がひしひしと伝わってきた。
ただひとつ残念なのは，プラズマ分野からの参加
者が全参加者の 1/4 未満と少数派であったことである。プラズマエレクトロニクス分科会の皆様の興味とは若干異なる応用分野とは思うが，研究内
容に共通する部分は多く，本研究会の開催を一つのきっかけとし，本分野への興味を抱いて頂けることを願う。
最後に，プラズマ・核融合学会「プラズマ科学と燃焼科学の融合」専門委員会の金沢大学 上杉喜彦先生および，本研究会の開催にご協力いただ
いた全ての方に，心より謝意を表する。

特別講演を頂いた Ju 先生

会場の様子：活発な議論が行われた

国内会議報告「第四回

光・プラズマプロセスのバイオ応用ワークショップ（BAPP-4)」 報告

大阪大学工学研究科

原子分子イオン制御理工学センター

浜口智志

13:10-13:40 間 久直（大阪大学）「中赤外波長可変レーザーを用いた新規内視鏡下診断・治療」
13:40-14:10 藤田克昌（大阪大学）「ラマン散乱を用いたバイオイメージング」
14:10-14:40 木内正人（産総研）「文化財保存のためのニオイ分装置の開発」
15:00-15:30 安田八郎（豊橋技術科学大学）「大気圧低温プラズマによるバクテリオファージの不活化とそのメカニズム」
15:30-16:00 今出真司（島根大学）「The Effect of Plasma Treatment on Bone」
16:00-16:30 平田孝道（東京都市大学）「プラズマ医療用マイクロスポット大気圧プラズマの生成」
16:30-16:50 北野勝久（大阪大学）「プラズマ誘起フリーラジカルのバイオ応用」
16:50-17:20 討論会
18:00-20:00 懇親会（「」内は講演タイトル。講師敬称略。）
ここにありますように、研究会の最後にまとまった質疑応答の時間を計画しましたが、実際には、各講演の後の質疑応答の時間に活発な議論が行われて予定の時間を大幅に超過し、最後の討論会の時間はあ
まり取れませんでした。また、研究会後の懇親会は、毎年重要な情報交換の機会になっています。
各講演要旨等の詳細は、本研究会のＨＰ
http://www.camt.eng.osaka-u.ac.jp/bapp/に掲載していますので、是非ご覧ください。
プラズマのバイオ応用の中でも、特に、プラズマの医療応用に関する研究は、ここ数年、世界的な広がりで積極的に進められています。本研究会が、日本におけるこうした分野の発展に貢献することを期待しています。

本年（２０１０年）１月２６日（火曜）午後、大阪大学吹田キャンパス・レーザーエネルギー学研究センター
研究棟 4 階大ホールにおいて、「第四回 光・プラズ
マ プ ロ セ ス の バ イ オ 応用 ワ ー ク シ ョ ッ プ （ The 4thWorkshopon
BiologicalApplicationsofPlasma/Photon Processing：BAPP-4）」が開催されました。主催は、大阪大学工学研究科原子分子イオン制
御理工学センター（CAMT)、共催は、筑波大学学際物質科学研究センター(TIMS)および東京理科大学
総合研究機構ポリスケールテクノロジー研究センター(PTRC)、また、会議の財政的支援は、後援の「アトミックテクノロジー創出事業」（文部科学省）および大阪
大学レーザーエネルギー学研究センターから得ています。更に、今回は、応用物理学会プラズマエレクト
ロニクス分科会およびプラズマ・核融合学会専門委
員会「プラズマ-バイオ融合科学の新展開」の協賛も頂きました。研究会には、講演者をふくめて 49 名の出席者がありました。
この研究会は、原則として各年度に１回開催しており、今回で４回目の開催となります。第一回会議は、２
００７年３月、第２回会議は２００７年９月、第三回会議
は、２００９年１月に、いずれも、大阪大学吹田キャンパスで開催されました。本研究会は、光やプラズマを用いたプロセスを生物学や医学分野へ応用する研究を行っている人たちや、そのような分野の研究に興味を持つ人たちの交流を深めることをその第一の目的としています。研究会の聴衆は、主催者側を含め、プラズマの専門家が多いため、逆に、講演は、プラズマの専門家ではなく、主に、光やプラズマの生物・医学分野への応用に関係の深い、プラズマ以外の分野を専門とする方々に依頼しています。このため、この会議では、異なる専門を持つ研究者の間で活発な議論が行われています。
開会式後の今回のプログラムは以下の通りです。

43

国内会議報告第 27 回プラズマプロセシング研究会(SPP-27)
防衛大学校

中野俊樹
本研究会においても熱心な質疑応答がなされた。
休憩に引き続き、特別講演「CIGS 太陽電池の現状と将来展望」が産業技術総合研究所の仁木 栄
先生によって行われた。太陽電池は、シリコン系のものが良く知られているが、銅、インジウム、
ガリウムおよびセレンをベースとする化合物による CIGS 太陽電池は、変換効率で遥かにシリコン系のものを凌ぎ、クリーンな電気エネルギー生成
源として将来有望であることが述べられた。また、
CIGS 作製プロセス技術の向上に関するプラズマ技術への期待などについて興味深い講演がなされた。
午後は初日と同様にポスターセッションで始まり、発表者と参加者の間で熱心な討論がなされた
後、指定テーマ講演「集積モニタリングによる低圧コンボナトリアルプラズマプロセス」が名古屋大学の堀 勝先生よって行われた。材料創成の分野で有効な手法として知られるコンビナトリアル
プロセスをプラズマプロセシングに適用し、従来、非常に手間と時間のかかったプラズマプロセス条
件の最適化を簡便な装置で短時間に行えることが述べられた。この講演の後、一般講演のプラズマによるエッチングおよびプラズマ光応用のセッシ

第 27 回プラズマプロセシング研究会が平成 22
年 2 月 1 日（月）〜2 月 3 日（水）の間、横浜市開講記念会館で開催した。以下、その概要について報告する。
１．研究会開催の様子
研究会の初日はプラズマエレクトロニクス分科会幹事長の白谷正治先生（九州大）のオープニン
グスピーチによって研究会が開会された。
その後、二つの会場に分かれてナノテクノロジー１と大気圧・マイクロプラズマの基礎と応用１のセッションが行われ、一般の講演者の研究成果が発表された。休憩の後、指定テーマ講演「超臨界流体プラ
ズマによる分子変換」が熊本大学の後藤元彦先生
によって行われた。超臨界流体プラズマの現象やその応用について興味深い実験結果が示された。
午後はポスターセッションが最初に行われ、発表者と参加者によって熱心な議論が繰り広げられた。その熱気がまだ残る中、引き続いて特別講演「プラズマが拓くナノカーボン・バイオ融合科学」
が東北大学の畠山力三先生によって行われた。カ
ーボンナノチューブ内への DNA の挿入など画期的な研究成果について発表され、ナノカーボン材
料のバイオ分野での応用に果たすプラズマ技術の役割の大きさについて詳細かつ興味深い講演がなされた。休憩の後、プラズマの診断・計測とモデ
リング１およびプラズマの発生・制御の一般講演のセッションが行われ、初日のプログラムを終了した。これらのセッション後、ホテルモントレ横浜で懇親会が開催された。霙まじりの荒天であったが約 60 名の参加者が集い、非常に盛会な懇親会となった。
研究会二日目は、一般講演の薄膜形成・表面改質１および環境応用・バイオテクノロジーの二つのセッションから研究会が始まった。特に環境応用・バイオテクノロジーは近年プラズマの分野で非常に研究が活発に行われているテーマであり、研究会会場の様子

44ョンが行われ、二日目のプログラムを終了した。
研究会三日目は、一般講演のプラズマの診断・計測とモデリング２とナノテクノロジー２のセッ
ションによって始まった。これらの二つのテーマ
は、プラズマエレクトロニクスの分野で精力的に研究が行われているため、講演者数が多く、本研究会では複数のセッションに跨がることになった。
三日目のプログラムでは二つの指定テーマ講演
が昼食を挟んで行われた。
午前中の休憩後、まず、東芝の松永範昭先生から「デュアルダマシン配線
プロセスにおける UV 光誘起プラズマダメージ」という題目でご講演があった。近年の ULSI デバ
イス内の重要な配線プロセスであるデュアルダマ
シンプロセス中にデバイスに生ずるダメージについて興味深い結果が示された。昼食時間の後には
東京工業大学の堀田栄喜先生から「放電プラズマによる EUV 光源」という題目でご講演があった。
極端紫外（EUV）領域の波長の短い光の発生法の確立は、半導体デバイス製造の際のリソグラフィ
ー技術の発展に非常に重要である。その発生法の一つとして放電プラズマによる EUV 光発生を取り上げられ、この分野の研究の現状と将来展望について興味深いご講演をいただいた。
午後の後半は、本研究会の最後の一般講演のセッションである薄膜形成・表面改質２と大気圧・マイクロプラズマの基礎と応用２が行われた。これらのテーマもプラズマエレクトロニクスの主要な研究テーマ群の中に含まれており、本研究会でも多数の講演申込があった。このために複数のセッションが設けられることとなった。これらのセッションの後に、本研究会のクロージングスピー
チが現地実行委員長からあり、会議の参加者数などについて報告された。また、次回の第 28 回プラ
ズマプロセシング研究会の開催についてプラズマエレクトロニクス分科会幹事長の白谷先生よりア
ナウンスがあり、次回の研究会は 2010 年 10 月 4
日から８日までフランス パリの MAISON DE
LA CHIMIE において、7th International Conference
on Reactive Plasmas および 63rd Gaseous Electronics
Conference と合同に行われることが発表された。
本研究会の参加者に上記の合同会議への参加が呼びかけられた後、本研究会が閉会された。

45

２．研究会開催の総括
本研究会の参加者数は合計 252 名であった。研
究会への参加申込の受付開始の当初は申込者数の伸びが非常に低調であり、参加者数が 200 名に達せず、赤字開催になるのではないかとの危惧が現
地実行委員会内に大きく広がった。しかし、プラ
ズマエレクトロニクス分科会関係者への参加勧誘の依頼などが功を奏して、最終的には、参加者が200 名を大幅に越える結果となった。講演件数は、
招待講演 6 件、一般口頭講演 58 件および一般ポス
ター講演 100 件の合計 164 件に達した。上記の参加者と講演を得たことによって非常に盛会な研究会を行うことができ、プラズマプロセシングに関して活発にかつ密度の濃い研究討論を行うことができた。学生参加者数も 111 名あり、本研究会開
催の目的の一つである若手研究者・技術者の育成の面でも大きな成果があったといえる。
本研究会では招待講演数を従来の 2〜4 件を 6件に増やしたことで、プログラム作成上の困難が増した面では問題はあったものの、研究会での議論や意見交換を盛んにする上では非常に有効であった。特に CIGS 太陽電池やナノカーボン科学などの現在注目を浴びている分野の招待講演を企画することができたため、環境やバイオといった研究への展開を促進させる上で効果があったと考えている。
会場面では、横浜市開講記念会館という歴史のある立派な会場で研究会を開催できたおかげで、参加者がゆったりとした雰囲気の中で十分議論を尽くすことができたのみならず、横浜の歴史や街の雰囲気にも十分触れることができていた。このため、参加者の記憶に残る研究会を開催できたと考えている。
最後に、本研究会をご後援いただきました横浜
市経済観光局、本研究会開催にご助成いただきま
した財団法人 中部電力基礎技術研究所ならびに財団法人 スズキ財団、本研究会への参加者の増加にご協力いただきましたプラズマエレクトロニク
ス分科会関係者の皆様および本研究会の企画・運営に多大のご尽力をいただきました現地実行委員会の皆様に深く感謝申し上げます。

行事案内2010 年秋季

第 71 回応用物理学会学術講演会

シンポジウム

反応性プラズマの制御による先進プロセッシング－板谷良平先生追悼シンポジウム－
東北大学
反応性プラズマを利用したプラズマプロセッシ
ングは，薄膜電子デバイスの製造，半導体集積回路の超微細加工，ナノテクノロジーやバイオテク
ノロジー等に関わる新素材の創製，環境科学等における基盤技術として，極めて広範な応用を有しています．歴史的に見ますと，1988 年に文部省科研費・重点領域研究「反応性プラズマの制御」が板谷良平先生を領域代表として発足し，1991 年には日本発祥の国際会議「反応性プラズマ国際会議」
が名古屋で開催され，これまで数を重ねて本年 10月には，第７回の会議が GEC との合同会議としてパリで開催されることになっています．
このように，反応性プラズマの基礎的・応用的研究は極めて活発化してきていますが，一方で，反応性プラズマは様々な化学的活性種を多量に含む極めて複雑な系であり，現在においてもなお未解明な課題が数多く存在しているのが現状です．
そのような観点から，反応性プラズマに関連する諸現象を物理的・化学的観点から基礎的に解明し，複雑な反応性プラズマを制御する先進プロセッシ
ングの手法を学術的に確立することは，いまなお重要な課題であるといえます．
本シンポジウムでは，この「反応性プラズマ」の礎を築かれた故板谷良平先生を偲び，板谷先生のご意志を継いで反応性プラズマ研究を専門としている研究者の皆様から，反応性プラズマ制御による先進プロセッシングの現状と将来展望についてご発表いただき，今後の反応性プラズマプロセ
ッシングに要求される姿を見極めることを目的としております．
皆様方におかれましては，奮ってご参加いただき，反応性プラズマ技術の応用展開の今後のあり

46

金子 俊郎
方を議論し，プラズマ応用分野のさらなる活性化をはかる場としていただきたく，お願い申し上げます．
なお，本シンポジウムに先立ち第 8 回プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演（13:15~13:45）が行われます．
日時 2010 年 9 月 14 日（火）14:00～18:00（予定）プログラム：
14：00 反応性プラズマ研究の黎明・発展と板谷良平先生（基調講演）
橘 邦英（愛媛大）14：45 先進プラズマプロセスに求められるプラ
ズマ源の開発藤山 寛（長崎大）
15：15 反応性プラズマの制御による先端太陽電
池用シリコン薄膜形成白谷 正治（九州大）
15：45 休憩
16：00 活性種の表面反応制御による高精度プラ
ズマエッチング技術
伊澤 勝（日立ハイテク）
16：30 プラズマナノテクノロジー
八田 章光（高知工科大）17：00 高密度プラズマ源とプロセス設備の開発
奥村 智洋（パナソニック）
17：30 反応性プラズマ化学の医薬学領域への応用
葛谷 昌之（松山大）

行事案内
2010 年秋季 第 71 回応用物理学会学術講演会

第５回分科内招待講演「プラズマが拓く新概念応用の可能性」
豊田工業大学2008 年度の秋季応用物理学会より，プラズマエレクトロニクス分科会にて，分科内招待講演を企画・実施してまいりました．趣旨を，先回からの案内と繰り返しではありますが，以下に記します．第一は，今を支える重要な研究成果をその黎明期に残した先生方に，その研究の着想に至った
経緯や，黎明期故に遭遇する困難等について語って頂くことにより，若手の方々に Pioneering
Work を生み出すスピリットを感じて頂くことです．第二は，その Pioneering Work の重要性を認識して頂くこと，また，それを通じて，関連分野の日本発の Pioneering Work に関する論文がきちんと引用される環境を整えていこうとするものです．また，第三として，こうした先生方の多く
は，プラズマ分野において従来に無かった独自の方向性を打ち出すことによって，現在ホットなト
ピックとなっている分野を最初に牽引した方でもありますので，新分野創成時の生々しいエピソー
ドをご提供頂くことも趣旨の一つとなっています．
第 1 回はプラズマ診断の後藤俊夫先生（中部大），大気圧プラズマの岡崎幸子先生（上智大名誉），
第 2 回はプラズマモデリング・シミュレーションの真壁利明先生（慶応大），プラズマ材料科学の吉田豊信先生（東大），第 3 回は，マイクロプラズ
マの橘邦英先生（現愛媛大，当時京大），ダスティ
プラズマの渡辺征夫先生（現九電専，当時九大），
第 4 回は，プラズマサイエンスの佐藤徳芳先生（東北大名誉），
薄膜シリコンプラズマプロセスの松田彰久先生（阪大）にご講演を頂きました．
第 5 回目の今回は，「プラズマが拓く新概念応用の可能性」というコンセプトで企画しました．
福政修先生には，核融合を目指すために高エネル
ギー大電流が求められる中性粒子ビーム入射
NBI（Neutral Beam Injection）装置および素過

47

佐々木実
程解明からの水素負イオン高効率生成と負イオン
引き出しなどについて，秋山秀典先生には，パルスパワーにより生成される極限環境に曝した生体（バイオ技術，環境，医療，食品，農業などに関連）反応を調査・制御するバイオエレクトリクス
について，ご講演を頂くことになりました．
両先生とも，プラズマ分野において，従来に無かった独自の方向性を打ち出し，新分野を創設し，牽引されてこられました．
皆様方におかれましては是非ご参集下さります
ようお願い申し上げます．

日時：
９月１５日（第一希望）
９月１６日（第二希望）
13：00 ～ 14：00
プログラム（敬称略）：
13：00 「NBI 用負イオン源開発を目指したプ
ラズマの生成と制御」
福政修（宇部高専）
13：30 「バイオエレクトリクス」
秋山秀典（熊本大）

行事案内

第４回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール 案内（北海道職能大学校吉野正樹）

第４回プラズマエレクトロニクス インキュベーションホール
～ プラズマの生成から応用まで ～日時：2010 年 9 月 21 日(火)15：00～9 月 23 日(木)12：30
場所：国立中央青少年交流の家（〒412-0006 静岡県御殿場市中畑 2092-5）
http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/PE_SS_2010/
このたび，第 4 回プラズマエレクトロニクスイ
ンキュベーションホールを企画いたしましたのでご案内申し上げます．学生の皆様を初め若手研究者および技術者の皆様お誘い合わせのうえ多数ご参加頂けますよう，会員の皆様からもお勧め下さいますようお願い申し上げます.
内容：
プラズマエレクトロニクス分野の研究を始めたばかりの初学者（学生・若手研究者・社会人技術者）を対象として，一流の講師陣を招きプラズマエレクトロニクスへの理解を深めて頂くための入門講座を開催します．
専門講座では４つの講座を開講します．従来形式の単なる受身の講義ではなく，ディベート的要
素（問答）をも加味した受講者参加型の人材育成プログラムの構築を目指しています．
講述内容は，
初学者が基礎学理をしっかりと理解したうえで，
当該分野における先端分野の話題にも触れられる
ように構成されています．
そのうえで，
海外経験，
企業経験，産学連携経験などの豊富な講師陣からは，留学・在外研究経験，企業で必要とされる資質，産学連携のエピソードなどを適時交えた講義を頂き，受講者のプラズマエレクトロニクスへの興味を喚起します．
加えてさらに，英語講座，特別講座，ポスター
セッション，レクレーションを行います．英語講座では，理科系の英語力向上に関して多くの著書をもつ講師を，また特別講座では，一流の研究指導者を招き，プラズマエレクトロニクス分野の動向と将来展望，指導者に必要とされる資質，英語力の強化について学ぶ機会を提供します．ポスタ
ーセッションやレクレーションでは，受講者と講師の全員がお互いに垣根なく議論・交流することで，参加者間の人脈形成が促されます．
【専門講座】 (各 1 時間 20 分)
1) 「プラズマ生成の基礎」
神藤正士 先生 （静岡大学特任教授）
2) 「プラズマ計測・診断の基礎」
中野俊樹 先生 （防衛大学校）
3) 「プラズマ CVD の基礎～大気圧プラズマによる薄膜形成～」
垣内弘章 先生 （大阪大学）
4) 「プラズマエッチングの基礎と応用」
大矢欣伸 先生 （東京エレクトロン AT）【英語講座】 （1 時間 20 分）「理科系のための英語力強化法」
志村史夫 先生 （静岡理工科大学）【特別講座】 （１時間）「微粒子プラズマの魅力～発展の経緯と展望～」
渡辺征夫 先生 （九州大学名誉教授）【ポスターセッション】 （2 時間）
参加者間の交流が深まるよう、ポスターセッションを中心とする談話会を行います。参加者自身のバッ
クグランドに関連したもの，例えば，¾ 学生の場合：現在の研究テーマにまつわるもの，学部での卒業研究など（４年生の場合これから48

行う研究など）¾ 社会人の場合：仕事にまつわるもの，企業・自社製品のＰＲ，入学前の大学での研究など
であれば，内容・分量は一切問いません．あらかじめポスターのご準備をお願いします．また，参加申込書にポスター内容を示すキーワードを３つ程度ご記入下さい．キーワードを元にポスター掲示場所をアレンジ致します．本ポスターセッションは全員の方の発表を原則としますが，発表に支障がある場合は参加申込書のポスターセッションキーワード欄にその旨をご記入下さい．なお，優秀なポスター発表者には表彰を行います．
【その他】 懇親会，レクレーションを予定しています．
本企画 HP に当日の詳細スケジュールを記載
しておりますので参考にして下さい．
参加申込：【申込方法】
インキュベーションホールウェブサイト
(http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/PE_SS_2010/)
から参加申込書をダウンロード頂き，e-mail，FAX あ
るいは郵送の何れかの方法で伊藤までお申し込み下さい．申し込みを受け次第，参加登録確認を通知します．その後に参加費（下表参照）を振り込んで下さい．なお，参加費の振り込みには必ず個人名と「PEIH」という 4 文字のアルファベットを記載して下さい（例：木村さんの場合“キムラ PEIH”）．一旦振り込まれた参加費は，原則として返却致しません．
【定員】 80 名【申込締切】 8 月 25 日（水）【振込先】 三井住友銀行 本店営業部(本店でも可)
口座(普通)3339808 (社)応用物理学会プラズマエレ
クトロニクス分科会 （入金締切 8 月 31 日(火) ）【問合せ・申込先】〒565-0871 大阪府吹田市山田丘 2-1
大阪大学工学研究科
伊藤 剛仁
TEL： (06)6879-7817
FAX： (06)6879-7916
E-mail： tsuyohito@wakate.frc.eng.osaka-u.ac.jp
学生会員への交通費補助：
下記の交通費補助の条件を満たした場合，補助金をインキュベーションホール終了後に振り込みます。補助を希望される方は，参加申込書に必要事項を記入のうえ、
領収証のコピーを持参下さい．
＜交通費補助の条件＞在学する大学の最寄り駅から御殿場駅まで片道13,000 円以上の交通費がかかる学生会員若しくは今回学生会員(大学院生を含む)になられた方を対象とします．ただし，大学院生についてはポス
ターセッションでの発表を必須条件とします．
担当幹事：
校長：
幹事：

寺嶋和夫（東京大学）
石島達夫(名古屋大学)， 伊藤剛仁(大阪大学)
久保田智広（東京大学）， 小杉直貴(パナソニック)
神野雅文（愛媛大学）， 林 信哉（佐賀大学）
光木文秋(熊本大学)， 三宅賢稔（日立）
吉野正樹(北海道職能大)

交通案内：
東海道新幹線を利用する場合：
三島駅…[東海道線]…沼津駅…[御殿場線]…御殿場駅(40 分)，JR 御殿場駅から御殿場駅富士山口 1 番のりば 富士急行「青少年交流の家行き」
路線バス(約 20 分)
本企画 HP に詳細な交通案内を記載しております
ので参考にして下さい．

参加費
応用物理学会の個人会員でかつプラズマエレクトロニクス
分科会の個人会員

応用物理学会
個人会員

協賛学協会個人会員およびプラズマエレクトロニクス分
科会の個人会員

その他

一般

40,000 円

43,000 円

48,000 円

53,000 円

学生

14,000 円

17,000 円

22,000 円

27,000 円*応用物理学会賛助会社およびプラズマエレクトロニクス分科会賛助会社所属の方はそれぞれの個人会員扱いとさせて頂きます．**遠方からの会員学生(含大学院生)に対して交通費の一部を補助する予定．詳細はＨＰをご覧下さい．***本分科会会員（年会費３０００円）に同時入会頂くと，今回から会員価格で参加出来ます．会員には，年２回の会報（非売品），過去２６回の研究会プロシーディングス Web 閲覧，各種スクールへの会員料金での参加などのメリッ
トがあります．入会手続きは https://www.jsap.or.jp/jsapweb/system/do/signInSelect より行って下さい．

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行事案内

第 21 回プラズマエレクトロニクス講習会「プラズマプロセスの基礎から応用最前線」
実践的プラズマ制御技術～先進デバイスから環境基盤技術を中心に～

主催：応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
日時：2010 年10 月28 日(木)～29 日(金)場所：慶応義塾大学（日吉キャンパス）来往舎2F 大会議室
〒223-8521 神奈川県横浜市港北区日吉4-1-1
TEL： 045-566-1101 (日吉研究支援ｾﾝﾀｰ)
会場へのアクセスおよびキャンパスマップ：
http://www.keio.ac.jp/ja/access/hiyoshi.html

７．気体・液体プラズマによるクリーン化技術
栃久保 文嘉 （首都大学東京）
８．「WOWを用いた三次元積層技術―エッチングに優しい三次元量産技術の世界―」
大場 隆之 (東京大学)
参加費：テキスト代を含む。括弧内は学生。
● 応物・PE 分科会個人会員 30,000 円（8,000 円）● 応物個人会員

33,000 円（11,000 円）
42,000 円（15,000 円）● 協賛学協会・応物法人賛助会員
42,000 円（15,000 円）● その他
45,000 円（18,000 円）
なお、非会員の方でも参加申込時にPE 分科会（年会費3,000 円）に入会頂ければ、会員扱いとさせて頂きます。
● 分科会のみの個人会員

内容／プログラム：プラズマプロセスは、エレクトロニクス分野の先
進デバイス開発の基幹技術であると共に、医療生体応用やエネルギー・環境応用を始めとする幅広い分野でも欠くことのできない基盤技術となりつつあります。この背景を踏まえ、本講習会では、研究開発・製造現場で必要とされるプラズマ
制御、モニタリング技術の基本とその科学的基礎、並びに様々な分野へのプラズマ技術の応用最前線に関して、各分野にて第一線でご活躍の先生方をお招きし、講義を行います。特に、プラズマを利用し て い る 或いは 利用 を 検討し て い る 方々 が 、中身(プラズマ)を知った上で装置を制御できる「実践的なプラズマ制御」を念頭に置いて、一般に経験的に理解されている事柄も科学的に分かり易く伝えられる講義となるよう企画しました。

定員：100 名（定員になり次第締切り）
申込締切：10 月15 日（金）（但し、余裕のある場
合には期日後も受付けます）
申込方法：
詳細はプラズマエレクトロニクス分科会ホームページに後日掲載します。
http://annex.jsap.or.jp/support/division/plasma/

１0 月28 日（木） 10：00～18：00
１．プラズマの生成・制御
菅井 秀郎 （中部大学）
２．プラズマシミュレーション
田中 正明（ペガサスソフトウェア）
３．プラズマ計測：光学的計測佐々木 浩一 （北海道大学）
４．プラズマ計測：電気的計測豊田 浩孝 （名古屋大学）
ポスターセッション･懇談会

参加費振込先：三井住友銀行 本店営業部 普通預金
口座番号 ３３３９８０８(社) 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会（参加費振込期限：10 月20 日(水)）１0 月29 日（金） 10：00～16：40
５．プラズマプロセス表面過程とデバイスダメージ
江利口 浩二 （京都大学）
６．大気圧プラズマCVDによる高速成膜
垣内 弘章 （大阪大学）

担当幹事：
小杉直貴（パナソニック）、原島啓一（ルネサスエレクトロニクス）、仲村恵右（三菱電機）、木下啓藏（NEC）、中西敏雄（TEL-AT）、三宅賢稔（日立）、南正樹（ソニー）、栗原一
彰（東芝）、清水一男（静岡大学）、神原淳（東京大学）

問合せ先：〒113-8656 東京都文京区本郷7-3-1
東京大学大学院 工学系研究科マテリアル工学専攻 神原淳
TEL/FAX: 03-5841-7099
e-mail: JSAP-PE-lecture@plasma.t.u-tokyo.ac.jp

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行事案内

7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-7) /63rd Gaseous Electronics Conference (GEC) /28th Symposium on Plasma Processing (SPP-28)
名古屋大学

豊田

プラズマエレクトロニクス分科会は毎年「プラズマプロセシング研究会」を開催しておりますが、約3年に1回、プラズマエレクトロニクス分科会の主催する国際会議として反応性プラズマ国際会議(ICRP)を開催しており、これまでに名古屋(1991年)，横浜（1994年），奈良（1997年），ハワイ(1998年），フランス(2002年），宮城(2006年)と、計6回の国際会議を成功裏に開催してまいりました。
特に第4回、第5回のICRPはそれぞれアメリカのGEC、ヨーロッパのESCAMPIGとの合同会議として開催されていることから、ICRPはアメリカ、ヨーロッパ
においてもよく知られた国際的に著名な会議のひとつとなっております。さて、次回のICRPは再びGECと合同で主催されることとなりました。また、開催地は、欧州のグループとも連携をとり、フランス パリで開催されることとなっています。このように今回の会議はアジア、アメリカ、ヨーロッパの世界各国から研究者が集まる国際会議となります。本会議はプラズマエレクトロニクス分科会の主催する重要な国際会議となっております。
講演募集は6月11日に締め切られ、今回は800件を越える講演数となりました。この数字は前回のICRP/GEC合同会議をはるかに上回るとともに、GECとしても空前の講演数となりました。このような状況から、急遽会場を手配し、3パラレルセッショ
ンから4パラレルセッションにて口頭講演をおこなうことになっております。まさに、プラズマプ
ロセス分野の世界中の研究者が一同に会する大会議になると存じます。皆様奮ってご参加いただきますようご案内申し上げます。
【会期】2010年(平成22年) 10月4日(月)～8日(金)【会場】フランス、パリ市 Maison de La Chimie
会場はパリ市中心部、セーヌ川の南にあります51

浩孝

化学会館Maison de La Chimieにおいておこなわれます。近くにはエッフェル塔などもあり、地下鉄などの交通の便も非常によいところです。
http://www.maisondelachimie.com/【主催】応用物理学会/アメリカ物理学会【招待講演者】
・Allis Prize
M. Kushner, University of Michigan, USA
・ICRP Plenary Speakers
R. Hatakeyama, Tohoku University, Japan・Modeling and Simulation
A. Fruchtman, Holon Inst. Technol., Israel
・Particles and Dust
H. Kobayashi, Hitachi Ltd., Japan・Microplasmas and Atmospheric Pressure
PlasmasD. O'Connell, Queen's University Belfast, UK
F. Iza, Loughborough University, UK
・Plasma Thrusters
S. Mazouffre, ICARE, France
・Plasma Production and Control
R. Bravenec, Tokyo Electron America, USA・Diagnostics
G. Hebner, Sandia National Lab, USA
H. Y. Chang, KAIST, Korea
J. Boffard, University of Wisconsin, USA・Etching
K. Ono, Kyoto University, Japan
H. Hayashi, Toshiba Corporation, Japan
O. Joubert, LTM, France
・Deposition
K. Yasutake, Osaka University, Japan・Plasma Interaction and Surface Modification
R. D. Mundo, University of Bari, Italy
H. P. Brinkmann, Ruhr Uni., Bochum, Germany
・Nanotechnology and Bio
R. M. Sankaran, Case Western Reserve, USA
U. Cvelbar, Jozef Stefan Institute, Slovenia

J. K. Lee, Pohang Univ. Sci. Technol., Korea
・Capacitively Coupled Plasmas
Z. Donko, Res. Inst. Solid State Phys. Opt.,
Hungary
Y. Yamazawa, Tokyo Electron AT Ltd., Japan・Plasma Chemistry
V. Donnelly, University of Houston, USA・Inductively Coupled Plasmas
E. Kawamura, Uni.California at Berkeley, USA・Lighting
G. Kroesen, Tech. Univ. Eindhoven, Netherlands
・Plasma Assisted Combustion
S. Starikovskaya, LPP, Ecole Polytech., France
・Electron-molecule collisions
A. Viggiano, Air Force Research Laboratory, USA
M. Allan, University of Fribourg, Switzerland
K. Nixon, Manchester University, UK
D. Fursa, Curtin University, Perth,Australia
J. Gorfinkiel, Open University, UK・Electron-ion recombination
A. Müller, University of Giessen, Germany
・Heavy Particles
A. Laforge, Missouri S&T, USA
A. Cassimi, CIMAP/CIRIL, Caen, France
J. Colgan, LANL, USA・Positrons
Z. Petrovic, Institute of Physics Belgrade, Serbia【懇親会】(10月7日(木))10 月 7 日の夜には、セーヌ川をボートで下りながらの懇親会が開催されます。今回の懇親会はボートに乗っての開催となりますので、席数に限りがあります。また、8 月 15 日以降の申込は受け付
けされませんので、お早めにお申込ください。
【参加登録費等】
事前参加登録申込は 8 月 15 日までとなっております。お早目のお申込をいただきますよう御願いいたします。
8 月 15 日
以前

8 月 16 日以降

参加登録(一般)

350 €

440 €

参加登録(学生,退職者)

180 €

220 €

ワークショップ

30 €

50 €

懇親会

60 €

申込不可

【ICRP-7組織委員長】堀 勝 (名古屋大学)【問合せ先】 ICRP-7 事務局 豊田浩孝
E-mail: icrp7@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp
会議 HP:
http://www.plasma.engg.nagoya-u.ac.jp/icrp-7/【ワークショップ等】(10 月 4 日(月))・High-frequency gas breakdown workshop
・Plasma data exchange project【イブニングセッション】(10 月 5 日(火))History and Future of Plasma Processing
and of Collision Physics
ICRP 側からの提案により、プラズマプロセシン
グ分野の歴史と未来を語るイブニングセッションが開催されます。奮ってご参加ください。
・ Michael Lieberman (Plasma Physics forprocessing)・ Eldon Ferguson (Collision physics)
・ Jeon G. Han (Large scale processing)・ Masaharu Shiratani (Plasma processing roadmap)
【会議論文集等】
会議のプロシーディングスを発行いたします。また、本会議の特集号として、Japanese Journal ofApplied Physics Special Issueを刊行する予定です。論文は通常のＪＪＡＰ査読システムを用い、10月末まで受付を致します。

会場となる Maison de La Chimie 外観

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行事案内

32nd International Symposium on Dry Process (DPS 2010)
第 32 回ドライプロセス国際シンポジウム案内
名古屋大学
ドライプロセスはマイクロエレクトロ二クス、
マイクロマシンやナノテクノロジー分野を牽引する基幹技術であり、電気・電子、半導体工学を主軸とする先端技術産業の更なる発展への貢献と、環境やバイオ・医療等の新たなる応用分野への展開が大きく期待されています。
ドライプロセスシンポジウム(DPS)は、ドライプロセスの基礎から応用に携わる世界の研究者・技術者が一堂に会して、最新の研究成果を基に、深い議論と多角的な意見交換をするユニークな会議であり、31年の長き亘り、
ドライプロセス技術および関連技
術分野の発展と若手研究者の育成に貢献してきました。
この度は、新しい技術的ブレークスルーを生み出すことを強く意図して、この分野のホットな話題を取り上げて、その第一線で活躍されておられる
国内外の研究者に招待講演をして頂きます。また、従来と同様、オリジナルで新規な成果に基づいた
一般発表とポスター発表を広く募集して開催することを計画しています。さらに、国内外の研究者間の交流をより一層深めるためのバンケットでは、
この分野の発展に大きく貢献した研究者に与えられる西澤賞の受賞者の表彰と共に、前回シンポジ
ウムで、優れた発表を行った研究者の表彰を行います。 また、JJAP 特集号の出版も企画していま す 。 詳 細 は 次 の URL を ご 覧 く だ さ い 。
http://www.plasma.engg.nagoya-u.ac.jp/dps2010
主催：応用物理学会
協賛：電子情報通信学会，電気化学会，
Electrochemical Society 日本支部，韓国表面工学会，韓国真空協会，先端プラズマ表面技術センター（韓国 成均館大学）

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宮崎誠一

日時：平成22 年11 月11 日（木）－11 月12 日（金）場所：東京工業大学 デジタル多目的ホール
http://www.titech.ac.jp/about/campus/index.html
招待講演者（敬称略）および講演タイトル（一部仮題）• 垣内 弘章 (大阪大学) “High Rate Depositionof Si Thin Film by application of
Atmospheric-Pressure Plasma CVD”
• 近 藤 道 雄 ( 産 総 研 ) “Research for
Photovoltaics: cost reduction of solar
energy through comprehensive researches
from materials to large scale PV systems”• 大場 隆之 (東京大学) “3D integration for the
Wafer-on-a-Wafer (WOW) application byusing stacking of thinning wafers”• Won-Jong Yoo (Sungkyunkwan University)“Plasma etching technology to enhancesolar cell efficiency”• Gregory Friedman (Drexel University)“Advanced applications of atmosphericpressure plasmas in medicine forsterilization, decontamination and direct
treatments of biological tissues”• Luc Stafford (University of Houston) “Auger
electron spectroscopy study of the chemical
reactions on a plasma reactor wall”• 佐々木 雄一朗 (ユー・ジェー・ティー・ラボ)“Conformal doping for FinFETs by using aself-regulatory plasma doping process”

主要テーマ：① 「プラズマ、ビーム誘起表面反応」② 「プラズマ診断、モニタリング技術」③ 「プラズマ、イオン照射損傷評価」④ 「プラズマプロセスモデリングとシミュレーション」⑤ 「プラズマプロセッシングと装置技術」⑥ 「ドライエッチング技術」⑦ 「ＣＶＤ／ＰＶＤ／ＡＬＤ技術」⑧ 「大気圧プラズマ、液相プラズマ応用」⑨ 「各種プロセスプラズマー電子・光デバイ
ス、有機デバイス、MEMS、生化学・薬化
学、ナノテクノロジー・環境技術」⑩ 「ドライプロセス技術の新概念」⑪ 「ウエットプロセスと反応制御技術」
講演申込締切： 2010 年 7 月 12 日(月)
講演申込方法： 所定の書式に従った pdf ファイル
（アブストラクト A4 判 2 ページ）を次の URL
から投稿ください。論文委員会の審査結果は、９月上旬に通知します。
http://www.plasma.engg.nagoya-u.ac.jp/dps2010/s
ubmission/guide.html
JJAP 特集号： 11/11(木)までに JJAP の Website(http://jjap.ipap.jp/)から投稿してください。特集号の編集委員会により通常の JJAP 審査手順を経て、掲載を判断します。
早期参加申込締切：2010 年 10 月 10 日(日)参加費：事前登録（10 月 10 日 以前）：関係学会
会員 30,000 円，
非会員 35,000 円，
学生 8,000 円
10 月 10 日 以降～当日：関係学会会員 35,000 円，
非会員 40,000 円，学生 10,000 円
連絡先：名古屋大学大学院 工学研究科 プラズマナノ工学研究センター
TEL/FAX: (052) 788-6077
E-mail: dps2010@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp

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2010（平成22）年度プラズマエレクトロニクス分科会幹事名簿
氏名
幹事長

副幹事長

堀 勝

寺嶋和夫

所属
名古屋大学
工学研究科
電子情報システム専攻
東京大学
新領域創成科学研究科
物質系専攻
マテリアル・機能設計学講座
NEC
グリーンイノベーション研究所

副幹事長

副幹事長

木下啓藏

金子俊郎

幹事
任期
2011年3月 石島達夫

〃

伊藤剛仁

〃

神原 淳

〃

小杉直貴

東北大学
大学院工学研究科
電子工学専攻名古屋大学
工学研究科
プラズマナノ工学研究センター
大阪大学
工学研究科
フロンティア研究センター
グローバル若手研究者フロンティア
研究拠点
東京大学
大学院工学系研究科
マテリアル工学専攻
プラズマ材料工学研究室
パナソニック株式会社
AVCネットワークス社映像ディスプレイ
デバイス（事）映像ディスプレイデバイス（事）PDPデバイスビジネスユニット
豊田工業大学
工学部

〃

佐々木 実

〃

京都工芸繊維大学
工芸科学研究科
三瓶明希夫 プラズマ基礎工学専攻

〃

〃

〃

仲村恵右

原島啓一

光木文秋

三菱電機株式会社
先端技術総合研究所
薄膜デバイスプロジェクトグループ
薄膜Siプロセス開発G
ルネサスエレクトロニクス株式会社
プロセス技術統括部
プロセス加工技術部
ドライエッチ技術グループ
熊本大学
自然科学研究科
情報電気電子工学専攻
北海道職業能力開発大学校
電子情報技術科

〃

吉野正樹

住所・電話
〒464-8603
愛知県名古屋市千種区不老町C3-1(631)TEL: 052-789-4420
FAX: 092-802-3734
hori@nuee.nagoya-u.ac.jp〒 277-8561
千葉県柏市柏の葉5-1-5
TEL: 04-7136-3797
FAX: 04-7139-3799
kazuo@plasma.k.u-tokyo.ac.jp〒 252-5928
神奈川県相模原市中央区下九沢1120
TEL: 042-779-6309
FAX: 042-779-6187
k-kinoshita@ct.jp.nec.com〒980-8579
宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-05
TEL: 022-795-7046
FAX: 022-263-9375
kaneko@ecei.tohoku.ac.jp〒 464-8603
愛知県名古屋市千種区不老町C3-1(631)TEL: 052-789-2726
FAX: 052-789-3152
ishijima@nuee.nagoya-u.ac.jp〒 565-0871
大阪府吹田市山田丘2-1
TEL: 06-6879-7817
FAX: 06-6879-7916
tsuyohito@wakate.frc.eng.osaka-u.ac.jp〒113-8656
東京都文京区本郷7-3-1
TEL: 03-5841-7099
FAX: 03-5841-7099
mkambara@plasma.t.u-tokyo.ac.jp〒674-8555
兵庫県明石市大久保町西脇64
富士通明石工場内
株式会社次世代ＰＤＰ開発センター
tel/fax: 078-936-1228/1229
E-mail: kosugi.n@jp.panasonic.com〒468-8511
愛知県名古屋市天白区久方2-12-1
tel: 052-809-1840
fax: 052-809-1721
mnr-sasaki@toyota-ti.ac.jp〒 606-8585
京都市左京区松ヶ崎御所海道町
TEL:075-724-7411
FAX:075-724-7411
sanpei@kit.ac.jp〒661-8661
兵庫県尼崎市塚口本町8-1-1
TEL: 06-6497-7525
FAX: 06-6497-7285
Nakamura.Keisuke@ap.MitsubishiElectric.co.jp〒 252-5928
神奈川県相模原市中央区下九沢1120
TEL: 042-779-9925
FAX: 042-771-0329
keiichi.harashima.ur@renesas.com〒860-8555
熊本市黒髪2-39-1
TEL:096-342-3572
FAX:096-342-3572
mitsugi@cs.kumamoto-u.ac.jp〒047-0292
北海道小樽市銭函3-190
TEL: 0134-62-5294
FAX: 0134-62-2154
yoshino@hokkaido-pc.ac.jp

55

E-mailhori@nuee.nagoya-u.ac.jp

kazuo@plasma.k.utokyo.ac.jp

k-kinoshita@ct.jp.nec.com

kaneko@ecei.tohoku.ac.jp

ishijima@nuee.nagoyau.ac.jp

tsuyohito@wakate.frc.eng.os
aka-u.ac.jp

mkambara@plasma.t.utokyo.ac.jp

kosugi.n@jp.panasonic.com

mnr-sasaki@toyota-ti.ac.jp

sanpei@kit.ac.jp

Nakamura.Keisuke@ap.Mitsu
bishiElectric.co.jp

keiichi.harashima.ur@renesa
s.com

mitsugi@cs.kumamotou.ac.jp

yoshino@hokkaido-pc.ac.jp

氏名
幹事
任期
内田儀一郎
2012年3月

所属
九州大学
大学院システム情報科学研究院

東京大学
生産技術研究所 BEANS研究所
〃

〃

〃

久保田智広

栗原一彰

東芝
研究開発センター
LSI基盤技術ラボラトリー

佐藤岳彦

東北大学
流体科学研究所
電磁知能流体研究分野
静岡大学
イノベーション共同研究センター

〃

清水一男
愛媛大学
工学部 電気電子工学科〃

神野雅文
東京エレクトロンAT株式会社

〃

〃

〃

中西敏雄

林 信哉

佐賀大学
工学研究科
電気電子工学専攻

松浦寛人

大阪府立大学
工学研究科
機械工学分野

〃

南 正樹

〃

三宅賢稔

ソニー（株）
コンスーマープロダクツ＆デバイスグループ
半導体事業本部
セミコンダクタテクノロジー開発部門（株）日立製作所
中央研究所
ナノプロセス研究部
慶応義塾大学
大学院 理工学研究科〃

八木澤卓（独）産業技術総合研究所
ダイヤモンド研究ラボ

〃

山田英明

住所・電話
819-0395
福岡県福岡市西区元岡744
Tel: 092-802-3717
Fax: 092-802-3717
uchida@ed.kyushu-u.ac.jp153-8505
東京都目黒区駒場4-6-1 As405
Tel: 03-5452-6545
Fax: 03-5452-6544
tkubota@iis.u-tokyo.ac.jp〒235-8522
神奈川県横浜市磯子区新杉田町8
TEL: 045-776-5942
FAX: 045-776-4113
kazuaki.kurihara@toshiba.co.jp
980-0812
宮城県仙台市青葉区片平２－１－１
Tel: 022-217-5261
Fax: 022-217-5261
sato@ifs.tohoku.ac.jp432-8561
静岡県浜松市中区城北3-5-1
Tel: 053-478-1443
Fax: 053-478-1443
shimizu@cjr.shizuoka.ac.jp790-8577
愛媛県松山市文京町３Tel: 089-927-9769
Fax: 089-927-9769
mjin@mayu.ee.ehime-u.ac.jp〒660-0891
兵庫県尼崎市扶桑町1-8
TEL: 06-6487-4778
FAX: 06-6487-2897
toshio.nakanishi@tel.com
840-8502
佐賀県佐賀市本庄町１
Tel: 0952-28-8642
Fax: 0952-28-8651
hayashin@cc.saga-u.ac.jp599-8531
大阪府堺市中区学園町１－１
Tel: 072-254-9226
Fax: 072-254-9904
matsu@me.osakafu-u.ac.jp
243-0014
神奈川県厚木市旭町4-14-1
TEL: 046-202-2965
FAX: 046-202-6374
Masaki.Minami@jp.sony.com
158-8601
東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280
TEL: 042-323-1111
FAX: 042-327-7708
masatoshi.miyake.rv@hitachi.com〒223-8522
神奈川県横浜市港北区日吉 3-14-1
TEL: 045-563-1141
yagisawa@mkbe.elec.keio.ac.jp563-8577
大阪府池田市緑丘１丁目８番３１号
Tel: 072-751-9531
Fax: 072-751-9631
yamada-diamond@aist.go.jp

56

E-mailuchida@ed.kyushu-u.ac.jp

tkubota@iis.u-tokyo.ac.jp

kazuaki.kurihara@toshiba.co.
jp

sato@ifs.tohoku.ac.jp

shimizu@cjr.shizuoka.ac.jp

mjin@mayu.ee.ehime-u.ac.jp

toshio.nakanishi@tel.com

hayashin@cc.saga-u.ac.jp

matsu@me.osakafu-u.ac.jp

Masaki.Minami@jp.sony.com

masatoshi.miyake.rv@hitachi.comyagisawa@mkbe.elec.keio.ac.
jpyamada-diamond@aist.go.jp

2010（平成 22）年度分科会幹事役割分担
堀 勝
寺嶋和夫
副幹事長
木下啓藏
金子俊郎
1. 分科会ミーティング
林 信哉
金子俊郎
佐藤岳彦
2 .シ ンポジ ウム総合講演合同セッション
山田英明
栗原一彰
寺嶋和夫
3. プ ラズマプロセシング
久保田智広
研究会
清水一男
SPP-28 & ICRP-7
山田英明
中西敏雄

新任
名古屋大学
東京大学
NEC
東北大学
佐賀大学
東北大学
東北大学
（独）産業技術総合研究所
東芝
東京大学
東京大学
静岡大学
（独）産業技術総合研究所
東京エレクトロンAT

4. 光源物性とその応用研究会

愛媛大学

役割分担
幹事長

5. プ ラズマ新領域研究会

6. インキュベーションホール

7. プ ラズマエレクトロニクス講習会

8. 会誌編集・書記
9. ホームページ
10. 庶務
11. 会計12. プラズマエレクトロニクス賞
13.アカデミックロードマップ（戦略企画室）14.PE懇親会 秋：長崎大学
15.PE懇親会 春：神奈川工科大学（厚GEC委員 (オブザーバー）

神野雅文
佐藤岳彦
八木澤卓
内田儀一郎
松浦寛人
堀 勝
寺嶋和夫
三宅賢稔
林 信哉
神野雅文
久保田智広
木下啓藏
中西敏雄
三宅賢稔
南 正樹
栗原一彰
清水一男
南 正樹
松浦寛人
八木澤卓
久保田智広
内田儀一郎
堀 勝
金子俊郎
堀 勝

東北大学
慶応義塾大学
九州大学
大阪府立大学名古屋大学
東京大学（株）日立製作所
佐賀大学
愛媛大学
東京大学
NEC
東京エレクトロンAT（株）日立製作所
ソニー（株）
東芝
静岡大学
ソニー（株）
大阪府立大学
慶応義塾大学
東京大学
九州大学
名古屋大学
東北大学
名古屋大学

林 信哉
南 正樹
藤山 寛

佐賀大学
ソニー（株）
長崎大学

太字：取りま とめ役

57

留任

石島達夫
佐々木 実
三瓶明希夫
小杉直貴
神原淳
原島啓一
佐々木 実
三瓶明希夫
仲村恵右
石島達夫

名古屋大学
豊田工業大学京都工芸繊維大学
パナソニック
東京大学
ルネサス エレクトロニクス

豊田工業大学京都工芸繊維大学
三菱電機
名古屋大学

吉野正樹
伊藤剛仁
仲村恵右
神原 淳

北海道職業能力 開発大学校

吉野正樹
伊藤剛仁
光木文秋
小杉直貴
石島達夫
小杉直貴
原島啓一
仲村恵右
神原 淳

北海道職業能力 開発大学校

伊藤剛仁
原島啓一
光木文秋
伊藤剛仁
石島達夫

大阪大学
三菱電機
東京大学

大阪大学
熊本大学
パナソニック名古屋大学
パナソニックルネサス エレクトロニクス

三菱電機
東京大学

大阪大学
ルネサス エレクトロニクス

熊本大学
大阪大学
名古屋大学

神野雅文

愛媛大 (オブ ザーバー）

小杉直貴

パナソニック2010（平成22）年度分科会関連の各種世話人・委員
１．応用物理学会講演分科の世話人
8.1 プラズマ生成・制御

林 信哉
中村圭二
8.2 プラズマ診断・計測
山形幸彦
8.3 プラズマ成膜・表面処理
一木隆範
8.4 プラズマエッチング
林 久貴
8.5 プラズマナノテクノロジー
佐藤孝紀
8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野 明石治朗

（佐賀大）
（中部大）
（九大）
（東京大）
（東芝）
（室蘭工大）（防衛大）

２．応用物理」編集委員

栗原一彰

（東芝）

３．応用物理学会代議員

豊田浩孝
金子俊郎
林 信哉

（名古屋大学）（東北大学）（佐賀大学）

４．GEC組織委員会委員

藤山 寛

（長崎大）

５．その他：本部理事

堀 勝
斧 高一

（名古屋大）
（京都大）

６．評議員

河野明廣
白谷正治
中山喜萬
畠山力三
藤山寛
真壁利明
宮崎誠一

（名古屋大）
（九州大）
（大阪大）
（東北大）
（長崎大）
（慶應大）
（名古屋大）

７．フェロー

岡本幸雄
寒川誠二
菅井秀郎
高井 治
橘 邦英
中山喜萬
藤山 寛
真壁利明
渡辺征夫

（東洋大）
（東北大）
（中部大）
（名古屋大）
（愛媛大）
（大阪大）
（長崎大）
（慶応大）
（九州電気専門学校）

８．名誉会員後藤俊夫（中部大学）

58

平成 21 年度後期および平成 22 年度前期活動報告
春の応物期間中、3 月 18 日にアカデミックロード
マップのシンポジウムがある。応用物理学会誌 8月号前後に、アカデミックロードマップの特集号が計画されている。

第５４回プラズマエレクトロニクス分科会ミーティング／
平成２１年度第４回幹事会議事録
日時：平成２２年２月１日（月）１２：3０－１
３：3０
場所：横浜市開港記念会館 2F-7
１．平成 22-23 年度幹事選挙結果報告、他諸報告について
白谷幹事長（九大）から平成 22-23 年度幹事選
挙に関して、全員信任との結果報告があった。次期幹事長は堀先生（名大）。現在まで副幹事長 2名の体制（大学から 1 名、企業から 1 名）であったが、大学側副幹事長 2 名とし、合計 3 名の体制とできるよう規約を改定する意向であることの報告がされた。
２．PE インキュベーションホールの準備状況について
石島幹事（名大）から準備状況に関して報告があった。開催時期は応用物理学会直後、2010 年 9月 21 日～23 日、開催場所は昨年同様「国立中央青少年交流の家」であり施設予約済みである点、施設に関する設備、アクセス情報、講義内容・講師先生に関する検討状況、準備スケジュール案、
収支案についての報告がなされた。
講義案に関し、白谷幹事長より、大気圧プラズマに関するものを含めてほしいとの意見があったとの報告があった。
３．SPP の状況について
中野先生（防衛大）から SPP 開催初日、昼時点
での現状報告があり、前回よりも多数の参加者が見込めそうな点等が報告された。
４．アカデミックロードマップについて
白谷幹事長（九大）から報告があった。現存のアカデミックロードマップの改訂、歴史マップの作成、人材育成や異分野融合に関するロードマッ
プの主に 3 点が進められていることが報告された。

59

５．SPP アーカイブス公開について
白谷幹事長（九大）より報告があった。橘先生（愛媛大）、石島幹事（名大）、荻野幹事（静大）のご尽力でアーカイブスができたことの報告。分
科会会員に送付済みのパスワードにてアクセス可能（分科会会員でないと見られない形となっている）。
一年に一度程度のパスワード更新が更新頻度として適当ではないかとの議論や、公開方法改善の必要性に関する議論が行われた。
尚、SPP の予稿集を CD-ROM 化したが、CD-ROM を付属していないパソコンの使用者から、USB メモリーでの配布希望があったことが報告された。今後の対応策として、事務局に USB
メモリを若干数備えておき、希望者にはその場でコピー頂く方法が白谷幹事長より提案された。
６．春の応用物理学会での PE 懇親会について
深沢幹事（ソニー）が懇親会幹事を行う点が再確認され、通常、シンポジウムの日に合わせて行
うものの、今年は応用物理学会の懇親会と重なるために不可能である点が白谷幹事長より通知。3
月 18 日、本厚木近辺で開催予定となった。
７．春の応用物理学会での PE 幹事会について
石島幹事（名大）より、3 月 17 日、12 時～13時、東海大学 6 号館２F 6A-203 号室にて、参加
者 50 名程度の予定で計画されている旨が報告された。
８．その他（白谷幹事長より）A)秋の応用物理学会でのシンポジウムについて
基本的に堀次期幹事長の元、次年度の幹事会で計画されるべき点が確認された。白谷幹事長、白藤副幹事長をはじめ、今年度退任幹事は情報提供という形で協力する。秋の応用物理学会は、プラズマ関連の先生が要職を占めることもあり、しっ
かりと取り組むようにとの確認がなされた。

00
場所：東海大学６号館２階 6A-203

B)秋の応用物理学会でのスクールについて
プラズマエレクトロニクスが中心となって、スクールを開催する予定であり、中村先生（中部大）
を中心に計画されている点が報告された。
また、春の応物から、スクールは展示会場と同じ場所で行うことになったことも併せて報告された。

１． 退任幹事紹介
白谷幹事長（九大）から退任幹事が紹介され、各幹事の退任挨拶があった。
２． 平成 22-23 年度，幹事選挙結果報告，新幹事紹介
新任幹事の自己紹介があった。新幹事長として
堀先生（名大）、また、副幹事長は 3 名となり、寺嶋先生（東大）、金子先生（東北大）、木下様（NEC)が就任される事が報告された。

C)ICRP について
次回 ICRP はパリで開催であり、奮ってご参加くださいとの連絡。

３． 平成 21 年度活動報告，収支決算報告
白谷幹事長(九大)より分科会の活動報告の紹介があった。また、荻野幹事（静岡大）より収支決算報告がなされ、2009 年度収支差額は-98 万であり、前年度との違いとして SPP26 が PSS2009 と共催のため収入なし、SPP27 と ICRP7 の共催会
合分担金支出 160 万円、及び SPP アブストラク
トデジタルアーカイブ化による支出 60 万円があった事が報告された。2010 年度予算案としては新領域研究会、インキュベーションホールの活性化
支援金を見込んでおり、申請をお願いしたいとのコメントがあった。また白谷幹事長（九大）より、SPP27 の収入が予想より伸びており、次回のICRP 共催に目処がついたとのコメントがあった。

D）2011 年のプラズマカンファレンスについて
2011 年、金沢でプラズマカンファレンスが開催され、SPP はそれに合流する形となる。事務局は、
プラズマ・核融合学会が引き受けてくれるとのこと。PE 分科会としての負担金は無い方向で進めたい。藤山先生（長崎大）が取りまとめ。
E)プラズママップについて
文部科学省の小中学生向けに配っている科学マップに関して報告があった。今年は、藤山先生（長崎大）が中心となって「プラズママップ」を作成中。進行状況に関する報告がなされた。配布は恐らく今年度末から来年にかけてされる予定。
F)応用物理学会の賞について
プラズマは、分野的に苦しい状況ではあるが、推薦がないと取れないので、自薦他薦問わず、是非推薦頂くようにとのこと。希望があれば、幹事長からの推薦という形もとれるとのこと。

４． 第 24 回光源物性とその応用研究会報告
吉野幹事（北職大）より第 24 回光源物性とその応用研究会が 11 月 13 日に実施された事が報告された。
５． 第 20 回プラズマエレクトロニクス講習会報
告北嶋幹事（防衛大）より第 20 回プラズマエレ
クトロニクス講習会報告がなされた。収入は 220万円、支出は 56 万円であり、厳しい状況の中では黒字を確保する事ができ、また、アンケート結果についてはおおむね良好な意見が得られたとの報告があった。

第 55 回プラズマエレクトロニクス分科会ミーテ
ィング/平成 21 年度第 5 回幹事会議事録
日時：平成 22 年 3 月 17 日（水）12：00～13：60

６． 会報 No.51（2009 年 12 月発行）報告
伊藤幹事（阪大)より会報 No.51 は年内に発行、分科会員に送付された事が報告された。

厳しいので申請を上手くお願いしたい事とのコメントがあった。
１２．2010 年秋季講演会のシンポジウム，合同セッションについて
白藤副幹事長（名大）より、2010 年秋季応物（長崎）のシンポジウム、分科内招待講演の検討状況の報告があった。シンポジウム案として、堀先生（名大）より板谷先生追悼シンポジウムとして開催し、反応性プラズマの制御による先進プロセシ
ング としてはどうかとの案が出された。討議の結果、本案をベースとして講演者等、内容をさらに検討する事とした。また、分科内招待講演の依頼候補者案が出された。シンポジウム、招待講演
ともに 5/10 締め切りのため 4 月中に人選を行いた
く、提案をお願いしたいとのコメントがあった。

７． 第 27 回プラズマプロセシング研究会報告
中野先生(防衛大）より第 27 回プラズマプロセ
シング研究会報告がなされた。分科会からの参加呼びかけ、現地実行委員会による開催経費を縮小した事が功を奏し、195 万の黒字を確保出来た事が報告された。
８． 第８回プラズマエレクトロニクス賞報告
白谷幹事長（九大）より、第８回プラズマエレ
クトロニクス賞に東北大学 寒川先生グループの論文を選考した事が報告された。今回は応募件数が 3 件と非常に少なかったので、今後ぜひ多数の応募、推薦をお願いしたいとのコメントがあった。

１３．GEC2010/ICRP-7 について
堀先生（名大）より ICRP-7/GEC-63/SPP28 の紹介があった。
10 月４日-8 日にパリで開催される。
3 月 22 日に開催がアナウンスされ、abstract は 6
月締め切り予定。ぜひ参加をお願いしたいとのコメントがあった。

９． 2010 年春季応物関連連合講演会 シンポジ
ウム，合同セッション
白藤副幹事長（名大）より 2010 年春季応物分
科内招待講演、シンポジウムの報告があった。分
科内招待講演は｢プラズマサイエンスに基づくものづくりを語る｣と題し、佐藤先生（東北大）、松田先生（阪大）に講演を頂く事、及び PE 分科会
企画シンポジウムでは新学術領域について「プラズマとナノ界面の相互作用～プロセス揺らぎの制御を目指して～」と題し開催する事が報告された。

１４．分科会規約改定
白谷幹事長（九大）より分科会規約改定についての報告があった。副幹事長に負担がかかりすぎる事、及び分科会をリードする人材の育成のため、副幹事長の人数を 2 ないし 3 名と改定した事が報告された。

１０． 会報 No.52（2010 年 6 月発行）について
原島幹事（NEC エレクトロニクス）より会報
No.52 の準備状況について報告があった。

１５．アカデミックロードマップ
白谷幹事長（九大）よりアカデミックロードマップの紹介があった。今回春季応物シンポジウム
で報告予定であり、内容として前回ロードマップの改定及び新たに歴史マップが加えられている事が紹介された。

１１．第４回プラズマエレクトロニクスインキュ
ベーションホールについて（吉野）吉野幹事（北職大）より第４回プラズマエレク
トロニクスインキュベーションホールの準備状況について報告があった。日程は 9 月 21 日-9 月 23日までの 3 日間、場所は前回と同じ御殿場、国立
中央青少年交流の家で実施する予定。各講座の講師については依頼、打診中。担当幹事は昨年からの留任幹事及び新任幹事で構成する事が報告された。白谷幹事長（九大）より活性化支援金査定が１６．その他
A)退任幹事挨拶、新任幹事自己紹介が行われた。
B)深沢幹事（ソニー）より懇親会案内があった。
C)プラズママップ紹介
藤山先生（長崎大学）よりプラズママップの紹61

介があった。科学技術週間のポスター教材第 6 弾
でプラズマが採用され、プラズママップを作成した。今後文部科学省から小中学校に配布される。
また、プラズマ関連の研究者にも配布を検討しており、1 万部程度が無償で確保される予定。希望者は連絡を頂きたいとのコメントがあった。

・プラズマプロセシング研究会： 年一回の SPP
開催に関する運営。3 年程に一度は ICRP との合同開催。また、3 年程に一度、プラズマ核融合学会、日本物理学会との合同のプラズマカンファレ
ンスといった形となる(次回は 2011 年 11 月に金沢で開催予定)。
オブザーバーである藤山先生(長崎大)よりプラ
ズマカンファレンスに関する捕捉説明があり、
5~6 月に運営会議を予定、金沢大学の上杉先生が現地実行委員長である点、プラズマ核融合学会の年会と同期する予定である点などが説明された。
・光源物性とその応用研究会： プラズマ応用の重要な分野である光源に関する研究会の開催
・プラズマ新領域研究会： 年 4 回ほど開催する
ミニワークショップの開催。より特定の研究領域、より地域に密着した形での会合。会員数の増加、会員へのフィードバックといった役割も持つ。研
究活性化支援金への応募。
・インキュベーションホール(IH)： 学生を主な対象とした夏の学校。研究活性化支援金への応募。
・プラズマエレクトロニクス講習会：企業の方を主な対象とした講習会。
・会誌編集・書記： 年 2 回の分科会会誌編集、
ミーティング等の書記。
・ホームページ： ホームページの管理。
・会員名簿： 応用物理学会の意向により今後の発行は無くなり、新任担当幹事は無。
・庶務： 幹事長、副幹事長が対応できない際の窓口。
・会計： 分科会の資金管理。
・プラズマエレクトロニクス賞： 賞の応募締め
切りは例年年末。最近は応募数が減少気味であり、応募数を増やしたい。
・アカデミックロードマップ(戦略企画室)： 昨
年までのアカデミックロードマップ作成で培った知識を元に、今年からは戦略企画室として運営。
外部資金取得に向けたグループ戦略、学会・国際会議などの整理、科研費の枠組み等、戦略的に取り組んでいくことを検討。
藤山先生からのコメントも加わり、応用物理学
会プラズマエレクトロニクス分科会として、「プラ
ズマ応用」の様な科研費の枠を新設する要望を提出する事で幹事会の合意が得られた。

第５６回プラズマエレクトロニクス分科会ミーテ
ィング／平成２２年度第１回幹事会議事録
日時：平成２２年４月２４日（土）１３：００－
１７：３０
場所：名古屋大学 IB 電子情報館電機系会議室
１．幹事紹介堀幹事長（名大）の挨拶の後、出席幹事一人一人からの挨拶が行われた。
堀幹事長より、今年度より副幹事長が合計 3 名となる旨が説明された。また、プラズマエレクト
ロニクス分科会は、プラズマエレクトロニクスにおいて会員 450 名以上を抱える海外的に見ても大きな集団であり、日本の産業応用のプラズマをリードしていく集団である点が再確認された。
２．幹事役割分担
担当幹事の確認と合わせ、各役割の内容について堀幹事長より説明が行われた。役割概略ならびに合わせて報告された関連事項は以下の通り。
・幹事長： 全ての責任を持つ。その他対外的な窓口としての役割。
・副幹事長： 幹事長の補佐
・分科会ミーティング： 分科会ミーティングの設定等。PE 分科会の総会に当たるインフォーマ
ルミーティングの開催時間、今年から 60 分から90 分への延長を検討。
・シンポジウム総合講演合同セッション： 秋、春の応用物理学会時に開催。現在まで毎回開催している。今年度秋のシンポジウム案提出締切は 5
月 10 日。

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ロジーといった題目を予定。
各種議論がなされ、「本シンポジウムを通じてグ
リーンプラズマといった言葉のイメージ作成・定
義化につながれば良い」、「プラズマとの関連が明確にされている必要がある」、「基礎は扱わずに応用研究を中心に構成するべき」、「水の処理や大気環境の処理も加えるべき」等の意見が出された。
プラズマがグリーンに重要といった点をアピールしたいとの旨も堀幹事長より述べられた。
講演候補者が多数挙げられ、詳細は後ほど決定
していくことに。アイデア、意見があれば、電子メールにて金子幹事(東北大)、藤山先生(長崎大)まで連絡とのこと。中村先生(中部大学)も企画に携わっている。

・PE 懇親会： 秋、春の応用物理学会に合わせて開催される懇親会。
・オブザーバー： GEC 役員に入っている先生に
オブザーバーとして入って頂いている。真壁先生から約 20 年続いている GEC 役員。現在は藤山先生。役員選出の際、組織をもって選出していかな
いといけない事の確認。
３．引き継ぎのプロセスについて
堀幹事長より、各役割で前任者と連絡を取り引
き継ぎをすることの要請が出された。
４．秋季応用物理学会学術講演会内シンポジウム
案について
堀幹事長より秋季応用物理学会学術講演会内シンポジウム案に関して説明がなされた。応物への提出締め切りは 5 月 10 日。取りまとめは金子幹事(東北大)。
「反応性プラズマの制御による先進プ
ロセッシング―板谷良平名誉教授追悼シンポジウ
ム―」といった題目で、4 時間行う予定。
板谷先生のご遺志をついで基礎がしっかり議論
できる発表といった観点、また、企業からの発表も取り入れるといった観点等の元、議論の上 7 件の講演候補者を仮決定した。

７．秋季応用物理学会学術講演会内国際シンポジ
ウムについて藤山先生(長崎大)より、九州支部、長崎大学共催の国際シンポジウムについて説明がなされた。
九州半導体イノベーション協会の協力を得て海外からの招待講演者を招く旨、アジアからの参加を増やしたい旨等をご説明いただいた。
言語は英語。
基本的に PE 分科会としての役割分担は無。
８．秋季応用物理学会学術講演会内シンポジウム（ナイトセッション or イブニングセッション）について同じく藤山先生よりご説明いただいた。九州支部、PE 分科会共催。仮題目は「Solar Island
Kyushu の戦略」
。PE 分科会としては、講演者の推薦に協力。
様々な因子があるが、可能であれば、
アルコールも含めた革新的なナイトセッションとしたいとのこと。5 月 10 日が応物への提出締め切
り。意見があれば藤山先生までメールにて連絡する。

５．秋季応用物理学会学術講演会内セッション内
招待講演
秋季応用物理学会学術講演会内セッション内招待講演者について議論がなされた。講演内容の関連性等も考慮の上、2 名の候補者を決定した。
６．秋季応用物理学会学術講演会内特別シンポジ
ウム企画案について
堀幹事長より、秋季応用物理学会学術講演会期
間中に開催される特別シンポジウム案について説明がなされた。特別シンポジウムは、一日単位で開催される大型のシンポジウム。応物・講演企画
員会で、プラズマ関連、レーザー50 周年関連といった 2 件の特別シンポジウム開催が決定されているとの報告。
5 月 10 日が、特別シンポジウム案提案書（タイトル、予定人数等）の提出締め切り。金子幹事(東北大)が責任者。題目は、グリーンプラズマテクノ

９．PE 分科会会報第 52 号(6 月号)案
原島幹事（ルネサス）より準備状況が報告された。執筆者が固まる傾向があったため、できるだ
け多くの方にご執筆頂けるよう、議論を通じ、各執筆者の選定がされた。プラズママップに関する記事も含める。会報表紙は、専門のデザイナーに依頼し作成したものである点、再確認された。表63

問わないが、分科会への入会を勧誘する点が堀幹事長より補足説明された。

紙を効果的な情報媒体が取り込めないか、今後、慎重に議論していく内容としたい旨堀幹事長よりコメントがあった。

１４．賞について堀幹事長より JJAP 論文賞をプラズマ分野から出したいとの旨が伝えられた。戦略企画室の取り組みの一つとしたいとのこと。

１０．プラズママップについて
藤山先生(長崎大)よりプラズママップの作成経緯についてご報告を頂いた。約２２－２３万部印刷されたとのこと。問合せに応じ、送付いただけるとのこと。

１５．インターナショナルトレーニングプログラ
ムについて
堀幹事長より、博士進学意思の強い修士学生、博士学生、助教、講師を、2 ヶ月間海外のパート
ナー校へ派遣するインターナショナルトレーニン
グプログラムの説明があった。名大でトレーニン
グ期間の後、パートナー校へ派遣。英会話教育も受けることができる。金銭的な面は名古屋大学が受け持つものの、名大の学生でなくても参加できるため、多くの参加者を募集。派遣先の先生を博
士論文の副査にできればなお良いとのこと。

１１．インキュベーションホールについて
吉野幹事(北職大)よりインキュベーションホールの準備状況に関して報告がなされた。開催時期
は 9 月 21 日から 23 日である点、場所が昨年同様
静岡県の国民青少年交流の家である点などが報告された。講師案が最終決定された。定員数は昨年より若干増やし 60 から 80 名とした。
「行事案内」
において、交通費補助や、参加費の区分に関する不明瞭な点が指摘され、訂正する事になった。副
題については、基本的に例年通りとするが、より良い案があれば、インキュベーションホール担当者の決定に沿う形で合意がなされた。

１６．教科書について
プラズマ研究者が現場で役立つノウハウや知識を網羅した、画期的な教科書の計画が 8 年前からある点が堀幹事長より報告された。

１２．GEC／ICRP について
堀幹事長よりパリで開催される GEC/ICRP について説明があった。GEC のアブスト投稿が必須であり、投稿後には番号が発行される。この投稿
番号を用い、ICRP のプロシーディングス(2 ページ、GEC アブストと同じ締め切り日）にも、必ず投稿し、研究成果をより詳細に、広く世界に宣伝して欲しいとの要請があった。

１７．その他、堀幹事長より報告
・レーザー50 周年の企画案要請の可能性がある。
・MRS2012 と応物がアメリカで合同開催する会
議の話があり、
企画案の要請がある可能性がある。
・プラズマ関連の新学術領域（白谷先生代表、ナノプラズマ界面）が発足した事の報告

１３．新領域研究会について
神原幹事（東大）より、第 6 回プラズマ新領域研究会案について報告があった。環境関係の研究
会を 9 月頃に検討しているとのこと。応物のシンポジウムと内容が重なる可能性がある点、第二回
プラズマ医療研究会等その他の内容の可能性、開催時期等について意見交換がなされた。最終的には神原幹事に一任。
合わせて、新領域研究会の研究活性化支援金の申し込みは、伊藤幹事(阪大)が責任を持って準備する事が確認された。研究会出席者の参加資格は64

第９回プラズマエレクトロニクス賞受賞候補論文の募集
応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会では，毎年，プラズマエレクトロニクスに関する学術的あるいは工業的に価値のある優秀な論文を対象とし，その著作者に「プラズマエレクトロニクス賞」を贈り表彰を行っています。候補論文は自薦・他薦を問いません。下記の要領により, 奮ってご応募下さい。

●当該論文の内容が発表されたプラズマエレクトロニクス分科会が主催する研究会，国際会議等の会議録等のコピー。2 件以内●著者全員について和文で以下を記入した書類。
氏名，会員番号，勤務先（連絡先）●推薦書（自薦，他薦を問わず，論文の特徴，優れた点などを400 字程度わかりやすく記すこと。）
表彰 2011年春季応用物理学会期間中に行います。
受賞者には賞状および記念品を贈呈いたします。
また2011 年秋季講演会期間中に記念講演を依頼する予定です。
書類提出期限 決定後ホームページに掲載します(http://annex.jsap.or.jp/plasma/)
書類提出先 〒102-0073 東京都千代田区九段北1-12-3 井門九段北ビル５階
社団法人応用物理学会 プラズマエレクトロニク
ス分科会幹事長（封筒表に「プラズマエレクトロニクス賞応募」と朱書のこと。）
なお下記の賞規定もご参照下さい。

記
授賞対象論文 プラズマエレクトロニクス分科会が主催する研究会，国際会議等で発表され，且つ2008，2009，2010 年の発行の国際的な学術刊行物（JJAP 等）に掲載された原著論文。受賞者は，表彰の時点においてプラズマエレクトロニクス分科会会員あるいは応用物理学会会員とする。
提出書類 以下の書類各１部，及びそれらの電子ファイル(PDF ファイル)一式●候補論文別刷（コピーでも可，第１ページに候補
論文と朱書すること。
関連論文があれば２件以内の別刷またはコピーを添付。）

プラズマエレクトロニクス賞規定
1．
この規定はプラズマエレクトロニクスに関する学術的あるいは工業的に価値のある優秀な論文を表彰の対象論文とし，その著作者にたいして社団法人応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会（以後プ
ラズマエレクトロニクス分科会と言う）が行う表彰について定める。
2．
この表彰を「プラズマエレクトロニクス賞」という。
3．表彰の対象論文は，原則として，プラズマエレクト
ロニクス分科会が主催する研究会，国際会議等で発表され，且つ募集期間から過去３年の間に国際的な学術刊行物に掲載された原著論文とする。
4．
受賞者はプラズマエレクトロニクス分科会会員ある
いは応用物理学会会員とする。
5．
受賞者は公募に応じた自薦および他薦候補者から選考する。
6．すでに公に顕著な賞を受けた論文は，プラズマエレ
クトロニクス賞の対象論文としない。
7．表彰は原則として毎年２件以内とする。
8．表彰は賞状授与および記念品贈呈とする。
9．表彰は毎年応用物理学会春季講演会において行う。

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10．プラズマエレクトロニクス分科会幹事会は，毎年11 月までに授賞候補者募集要項を「プラズマエレク
トロニクス分科会会報」および応用物理学会機関誌「応用物理」誌上に公表し，広く募集する。
11．受賞者の選考はプラズマエレクトロニクス分科会
幹事長が委嘱した「プラズマエレクトロニクス賞」
選考委員会が行う。
12．受賞者が決定したときは，「プラズマエレクトロニクス賞」選考委員会委員長が，プラズマエレクト
ロニクス分科会幹事会に選考の経過および結果を報告する。
13．プラズマエレクトロニクス分科会幹事長は，選考の経過および結果を応用物理学会理事会に報告する。
14．この賞の実施に関する必要な事項の審議および決定はプラズマエレクトロニクス分科会幹事会がお行う。
15．本規定は，理事会の承認を経て改訂することができる。
付則： この規定は，
平成 14 年 4 月 1 日より施行する。

プラズマエレクトロニクス関連会議日程
国際会議
2010.8.8-13
15th International Congress on Plasma Physics (ICPP 2010)
Santiago de Chile
http://www.icpp-lawpp-2010.cl/
2010.8.22-26
240th American Chemical Society, National Meeting and Exposition
Boston, USA
http://www.plasma.nu/acs.html
2010.9.13-17
Twelfth International Conference on Plasma Surface Engineering(PSE2010)
Garmisch-Partenkirchen, Germany
http://www.pse2010.net/
2010.10.4-8
7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP-7) / 63rd Gaseous Electronics Conference (GEC) /28th Symposium on Plasma Processing (SPP-28)
フランス、パリ市 Maison de La Chimie
http://www.plasma.engg.nagoya-u.ac.jp/icrp-7/
http://www.gec.org/
2010.10.17-22
AVS 57th International Symposium and Exhibition
Albuquerque, New Mexico, USA
http://www.avs.org/
2010.11.8-12
52nd Anual Meeting of the Division of Plasma Physics of the American Physical Society
Chicago, Illinois, USA
http://apsdpp.org/
2010.11.11-12
The 32nd International Symposium on Dry Process(DPS2010)
東京工業大学大岡山キャンパス
http://www.plasma.engg.nagoya-u.ac.jp/dps2010/2011.3.6-9
3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma2011)
http://www.isplasma.jp/

国内会議・会合
2010.9.14-17
2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会
長崎大学 文教キャンパス
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/index.html
2010.9.21-23
第４回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール

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国立中央青少年交流の家（静岡県御殿場市）
http://annex.jsap.or.jp/plasma/PE_files/PE_SS_2010/index.html
2010.9.23-9.26
日本物理学会 2010 年秋季大会[物性]大阪府立大学 中百舌鳥キャンパス
http://wwwsoc.nii.ac.jp/jps/jps/bbs/meeting.html
2010.10.28-29
第21回プラズマエレクトロニクス講習会
慶應義塾大学 日吉キャンパス 来往舎（神奈川県横浜市）
2010.11.4-11.6
真空・表面科学合同講演会
大阪大学コンベンションセンター
http://www.sssj.org/Kouen-Taikai/30kai.pdf
2010.11.30-12.3
第 27 回プラズマ・核融合学会年会
北海道大学学術交流会館
http://www.jspf.or.jp/jspf_annual10/
2011.3.24-3.27
応用物理学会平成 23 年春季講演会
神奈川工科大学
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/regularmeeting.html

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編集後記
平成22年度4月より，プラズマエレクトロニクス との事で、近年“理科離れ”が言われている中、多分科会幹事長が白谷正治教授（九州大学）から堀勝 くの人が興味を持って将来この世界に飛び込んで教授（名古屋大学）へと引き継がれ，新しいスター くれる事を期待したいと思います。
すぐに役立つプラズマエレクトロニクスは第５トを切りました。ここにプラズマエレクトロニクス
分科会会報No.52をお届けいたします。お忙しい中、 回目としてプラズマの生成と制御について節原先生にご寄稿いただきました。様々な分野に発展して本誌にご寄稿いただきました皆様に心よりお礼申し上げます。また、通常6月発行のところ、会員の いるプラズマの基礎について、わかりやすく解説されており、我々にとっても基本を再確認する上で有皆様へのお届けが遅れてしまったことお詫び申し
益な解説を頂きました。ご多忙な中ご執筆頂き、感上げます。
残念な事に、本年3月に板谷良平先生が逝去され 謝申し上げます。
また、研究の紹介、会議報告、行事案内を多くのました。先生は本分科会の初期より大変ご尽力頂いた方であります。今回、橘先生より「板谷先生を偲 方々にご執筆頂きました。大変お忙しい中、大変貴んで」と題した寄稿をいただきました。板谷先生の 重な報告をしていただき感謝申し上げます。
最後に、研究会や国際会議などを開催する際には、研究成果のみならずプラズマに対する思い、その人柄にも触れられており、大変感銘を受けました。ま ぜひ本誌に案内記事をご寄稿いただきますようおた、秋季応用物理学会では板谷先生が礎を築かれた 願いします。また、会議報告、研究室紹介、海外情「反応性プラズマ」をテーマにした追悼シンポジウ 報などの記事も随時募集しております。より多くのムが開催されます。会員の皆様方におかれましても 皆様に本分科会の活動を知っていただくとともに，皆様の研究の一助となるように分科会幹事一同、創ぜひ参加していただきたいと思います。
今回、「一家に一枚 未来を作るプラズマ」を同 意工夫してまいります。皆様のご協力も賜りますよ
封しております。科学技術週間のサイエンスマップ う、重ねてお願い申し上げます。
シリーズの第６段として発行されたもので、作成にご尽力された藤山先生、比村先生にその解説をご寄 (平成22年度会報編集担当：伊藤、松浦、南、原島)(文責：原島)稿いただいています。全国の小中高校に配布される

プラズマエレクトロニクス分科会会報 No.52
2010年 7 月 31 日 発行
編集：社団法人 応用物理学会
プラズマエレクトロニクス分科会
幹事長 堀 勝発行：社団法人 応用物理学会〒102-0073 東京都千代田区九段北 1-12-3
井門九段北ビル 5 階（©2010 無断転載を禁ず）

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