660クターである．また，接着だけでなく接着した材料を剥離する場合も多い．

エレクトロニクス実装とは

本稿では，図１に示す，1．半導体パッケージング，
エレクトロニクス実装とは，元々は，半導体などの電2．プリント配線板，において用いられる接着剤や，接着子部品をプリント配線板にはんだ付けすることを，指しが重要なケースについて解説する．なお，粘着は広義のていたが，現在では，電子部品の多様化や電子製品の高接着の範疇であり，粘着テープが広範囲に使用されてい機能化に伴い，図１に示すように，半導体シリコンウエるので，これらも含めて紹介する．

ハの状態からパッケージングし，プリント配線板への他の電子部品とともに搭載する技術全体を指すようになっ接着（接着剤）とはた．
エレクトロニクス実装では，電子部品のプリント配線本稿で扱う接着とは，板への接続がはんだ付けで行われており，また，半導体「化学的もしくは物理的な力またはその両者によって二のパッケージングでは，ワイヤボンディングのように金つの面が結合した状態」

属間接合が重要な接続技術として利用されている．これ

で，一般的には，少なくとも一つの面は，高分子材料です．

らの接合技術は，マイクロ接合として，溶接の分野ではまた，接着剤とは重要な技術分野である．

「同種または異種の物体をはりあわせるために使用され接着技術は，接合技術とは異なった特徴を有しておる物質．接着剤には粘着剤も含まれるが，粘着剤が一時り，エレクトロニクス実装の世界でも広く使われてい的接着に用いられるのに対して，接着剤は永久的な接着る．そして，いわゆる接着剤として使用されているだけに使用するという意味で区別される．」

でなく，封止材やレジスト材料なども接着が重要なファである．

図134

溶接接合教室−基礎を学ぶ−

エレクトロニクス実装の概念

田畑：エレクトロニクス実装における接着

661

図2

半導体パッケージの例

プ）を能動面を貼り付ける．この粘着テープを通して，半導体パッケージバックグラインド装置に真空吸着される．このバックグ
ラインドテープは，研削中は，ウエハを保持するのに必

半導体チップは，取扱を容易にするため，外部からの要な接着力は当然として，研削終了後は，容易に剥離す

ストレスに対する保護，接続の標準化などのために，通る必要があるため，紫外線による硬化反応で接着力が低

常はエポキシ系の封止樹脂でパッケージングされてい下する特殊な粘着剤を持ったテープが使用されることがる．半導体パッケージの例を図２に示す1)．

一般的である2)．

図２で接着剤として示されているのはダイボンド剤だ

剥離後に粘着剤が，ウエハ表面に残留し，ワイヤボンけであるが，半導体パッケージの信頼性などには，封止ディングやフリップチップボンディングなどに悪影響を樹脂と半導体チップ，リードフレームた基板との接着性与えることが多いので，極力粘着剤の残留汚染は無いよが重大な影響を与えている．また，これから説明するように設計されている．

うに２種類の粘着テープが重要な工程材料として使用されている．
3.1

半導体パッケージングにおける接着バックグラインドテープは，工程材料として使用される重要なテープであり，最近は，半導体ウエハを極限まで薄く研削するため，バックグラインドテープの特性が半導体製造工程は，前工程と後工程に分けられてい重要になっている．薄く研削されたウエハは，その強度る．前工程は，ウエハ状態での加工工程である．前工程が極端に低下するため，一時的な補強剤としての機能もで半導体の基本的な性能は定まる．後工程とは，前工程併せて持つようになっている．バックグラインド工程で出来た半導体を個々の素子に分離し，パッケージに封で，所定の厚さまで研削されたシリコンウエハは，ダイ止し，取扱いを容易にする工程で，本稿で扱うパッケーシング工程に移り，個々の半導体に切り分けられる．

ジング工程の事である．なお，今回は，通常前工程に含まれているバックグラインド工程も含めて解説する．

3.3

ダイシング工程

一枚のウエハ上に形成された半導体を個々の素子半導体は，通常その厚さが 700μm 以上で，その直径（Chip）に切り分けられる．バックグラインドテープをが 150 mm〜300 mm のシリコンウエハ上に数多くの半導剥離したシリコンウエハは，ダイシングテープをその裏体素子を作り，それを，１個ずつに分割しパッケージン面に貼り付け，ダイヤモンドカッターやレーザーカッタグする方法で製造されている．

ーで切断される．切断された Chip は，ダイシングテー

このシリコンウエハは，おおむねは以下の工程でパップに接着したままである．Chip をダイシングテープからケージングされる．

剥離を容易にするために，テープを少し，引き延ばした

バックグラインド→ダイシング→ダイボンディング→ワり，紫外線などで接着力を低下させる．バックグライン

イヤボンディング→モールド→トリム＆フォーミング→

ドテープと異なるのは，Chip を剥離するために引き延ばマーキング→検査→包装されることが多いので，基材フィルムが伸びやすい素材

3.2

バックグラインド工程になっている．

厚さが，700μm 以上の半導体ウエハを，400μm〜ダイシングテープの接着力が不足すると，切断された50μm の厚さまで研削する工程である．つまり，半分以Chip が，ダイシングテープから剥がれて飛び出す現象が下の厚さにまで，極端なケースでは，1/10 以下の厚さま起こる（チッピング）．チッピングを起こした半導体 Chipで研削される．研削は，ウエハの背面から行われるが，は，使うことが出来ない．また，ダイシングソーでの切この時，トランジスタや回路の書き込まれた能動面の保断には純水洗浄が伴うため，耐水性も必要である．ま

護を目的として，粘着テープ（バックグラインドテー

た，あまり強すぎても，Chip をテープから剥離するのが溶接学会誌 第 79 巻（2010）第 7 号

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難しくなる．適切な接着性が必要であるが，Chip サイズ

ただし，パワー半導体などでは，導電性接着剤ではなやウエハ裏面の状態，ダイシング条件によっても最適なく，はんだ接合が用いられている．

接着性が異なるので，テープメーカーの差が出てくると次に，少し，毛色の変わったダイボンド用接着剤を紹介する．

ころである．
また，ダイシング後の Chip は，直ぐに Chip トレーに3.5

異方導電性接着フィルム収納されたり，次のダイボンディング工程に移されるこ

異方導電性接着フィルムとは，図３に示すように，接ともあるが，テープに貼り付けたまま保管され，ダイボ着部の垂直方向にだけ導電性を示し，水平方向には非導ンディング工程までかなりの時間を放置されることもあ電であることから，異方導電性接着フィルムと呼ばれてる．放置による接着力の変化（通常は上昇する）を低くいる．液状の接着剤も開発されているが，大半はフィルすることも重要である．

ム状の導電性接着フィルムである．

3.4

液晶ディスプレイのドライバー IC をフレキシブルプリ

ダイボンディング工程

ダイシング工程で切り分けられた半導体 Chip は，図ント基板に接続する COF（Chip on Frexible）において，２で示したように，金属（銅系または Fe-Ni 合金）のリもっぱらこの異方導電性接着フィルムが使われている．

ードフレームや基板に接着される．ここで，初めて接着

現在のところ，異方導電性接着フィルムの用途は，液晶ドライバー IC の実装がほとんどであると共に，液晶ド剤が登場する．
ダイボンディング用の接着剤は，エポキシ樹脂にフレーク状の Ag 粉を配合した，導電性の銀ペーストが使用

ライバー IC の実装はほとんど異方導電性接着フィルムによっている．

される．導電性接着剤を使用する理由は，半導体の一部3.6の品種に裏面から導通を取る必要があったり，アースをこれは，ダイシングテープの粘着剤面にダイボンディ

ダイアタッチフィルム（DAF）ング用の接着剤を貼り付けたダイアタッチフィルム取り安定化するなどの理由による．
かっては，ダイボンディングは，Au-Si の共晶接合や（DAF）が，半導体 Chip を積層したパッケージで使用はんだ接合で行っていたが，Chip サイズが大きくなった

されている．この場合の，ダイボンディング用接着剤はこと，リードフレームが銅系主体になったことなどによ

非導電接着剤である．図４にその概念を示したように，り Chip と基板なのの線膨張係数のミスマッチによる内ダイシングと同時に Chip の裏面に接着剤が付いてお部応力が無視できなくなったこと，接続温度を低くできり，そのままサブストレートの基板や他の Chip に接着ることなどから，導電性接着剤の使用が標準になった．

する（ボンディング）ことが出来る．これを繰り返すことによって多段の積層が出来る．半導体 Chip の回路が作られた面に接着するために，非導電である必要がある4)．
携帯電話やコンパクトデジカメなどで大量に使用されているフラッシュメモリの積層パッケージは，このダイアタッチフィルムを使って製造されている．
3.7

アンダーフィル樹脂

先に説明した，ダイボンディングフィルムやダイアタッチフィルムは，ワイヤボンディングによる接続方法の場合に使用されている．
一方，高速で動作する半導体では，金属バンプを用いたフリップチップボンディングが使用されている．フリップチップボンディングとワイヤボンディングの比較を
図５に示す．
フリップチップボンディングでは，Chip の線膨張係数
図3

異方導電性接着フィルム（ACF）

図436

溶接接合教室−基礎を学ぶ−が 3 ppm/℃ に 対 し て サ ブ ス ト レ ー ト の 線 膨 張 係 数 がダイアタッチフィルム（DAF）の概念

田畑：エレクトロニクス実装における接着

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図6

図5

シランカップリング剤

フリップチップボンディングとワイヤボンディング

17 ppm/℃ と大きく異なり，バンプ部に熱応力が発生し，ボンディング部の接続信頼性が低下することがあり，一種の接着剤であるアンダーフィル材を Chip とサブストレートの間に充填して，Chip とサブストレート強固に接着させ応力の発生を防いである．ワイヤボンディングの場合は，ダイボンド剤によって Chip とサブストレートの線膨張係数のミスマッチにより発生する熱応力を緩和

図7

シランカップリング剤量と接着力している．
3.8

封止樹脂（モールドレジン）

サブストレートの基板やリードフレームに搭載された
半導体 Chip は，封止樹脂で，樹脂封止される．封止樹
脂は，エポキシ樹脂をベースにシリカフィラーを 90wt%程度充填した樹脂である．シリカフィラーを大量に充填しているのは，低吸湿と低線膨張を目的としたもので，線膨張係数は 50 ppm/℃ 程度であったのが，10 ppm/℃ 近辺まで低下し，Chip の線膨張係数に近づいている．
半導体 Chip と封止樹脂の界面が剥離すると，信頼性に悪影響を与えるので，封止樹脂において接着性は重要なファクターである．エポキシ樹脂は接着剤として使用
図8

されているが，エポキシ樹脂単独ではこの場合接着性が封止材の成形ショット数と離型力の関係不十分であり，通常はシランカップリング剤を添加して接着力を高めている．シランカップリング剤は，図６に

表１

半導体後工程と接着関係材料

示すようにひとつの分子中に，シリコン表面のシラノール基と反応する官能基とエポキシ樹脂と反応する官能基を持った有機シリコーン系の材料である．
図７は，シランカップリング剤の量と封止樹脂の接着力の関係を示す．
シランカップリング剤の添加量の増加に従って接着力が上昇していることを示している1)．
また，封止樹脂は金型を用いた低圧トランスファー成形でパッケージを成形するため，成形後に金型から離型する必要があり，内部離型剤が含まれている．接着とは反対の離型であるが，あまり離型力が強いとせっかく成形されたパッケージが破壊されたり，パッケージの内部れている一方，離型力も必要と矛盾する要求がなされてで，Chip と封止樹脂界面が剥離し信頼性に悪影響を与えいる．実際の製品では，これらの要求特性のバランスをることもある．

うまく取ることが要求されている．封止材メーカー各社

図８は，封止材の離型力が成形ショットによってどのの腕のふるいどころである．

ように変化するかを示したものであるが，離型剤が適切3.9に選ばれていないと，樹脂Ａのように，次第に離型力がこのようにして封止された半導体は，不要な部分を除大きくなり，離型が困難になってくる5)．
このように，封止材には接着力を高くする事が要求さパッケージの包装

去したり端子を形成した後検査し，半導体の種類などをマーキングした後包装される．
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図9

ビルドアップ多層配線板

大型のパッケージは，トレーに整列して梱包されるが，小型のパッケージは，そのままで実装機にセットできるように，紙ベースの粘着テープに整列状態で貼り付けられる．
ここでも，粘着テープが使用されている．
半導体パッケージングにおける接着関係材料をまとめ
図10ると，表１のようになる．

有機材料と銅箔との接着

目的に応じて，様々なタイプの材料が使われているのが解るであろう．

プリント配線基板における接着
ここからは，半導体や電子部品を搭載するプリント配線板における接着について解説しよう．
プリント配線板には，構造から片面プリント配線板，両面配線板，多層配線板，ビルドアップ多層配線板，フレキシブル配線板などに分類される．また，その材料によってもいくつかのタイプに分類されている．
携帯電話などの高密度実装が求められる機器に使用されているビルドアップ多層配線板の断面の模式図を図９に示す．コア層を中心に対称に作られていることが解る．
プリント配線板において，接着における重要な課題は，

図111）配線材料の銅箔と有機材料の接着

銅箔の接着力評価法

2）製造工程のエッチング工程でのエッチングレジストと銅箔との接着である．
いか，この２ケースについて紹介する．
4.1

銅箔と有機材料の接着

金属銅は，接着しにくい材料である．そのため，図10に示すように銅箔表面に微細な凹凸を作り，その凹部に硬化前の流動性のある樹脂が浸入しその後硬化するアンカー効果により接着性を確保している．
長い間，この方法によってきたが，近年，信号の高周波化や配線の微細化が，このような凹凸を許せなくなってきた．
例えば，高周波信号は，導体の表面のみを伝送し，凹凸があると実質の伝送距離が長くなってしまう．また，配線の微細化が進み，数 10μm の微細配線になると，配図12

銅箔厚さと剥離強度の関係

線精度において凹凸の影響を無視出来なくなってきた．
そこで，プロファイルが 1μm 程度のロープロファイル

曲げ強度も測定値に入ってくるので，図12に示すように銅箔が登場し，樹脂の改良，銅箔の表面処理などと組み銅箔厚さの影響が現れる．銅箔厚さに比例して剥離力が合わして，実用上問題ないレベルの接着力が確保される低下していることが解る．このように，接着力の測定値ようになり，一部量産もされている6)．なお，銅箔の接着には，真の接着力だけでなく，材料の影響などが出てく

力評価は，図11のように 90°剥離で行われるため，銅箔のる．測定方法や条件などを考慮して判断すべきである．

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溶接接合教室−基礎を学ぶ−

田畑：エレクトロニクス実装における接着665

図134.2

パターンエッチング

レジスト材料プリント配線板の回路パターンの作成は，通常銅箔をのパッケージングとプリント配線板を取り上げ説明してきた．

化学エッチングして，配線パターン部分を残す方法が使エレクトロニクス実装においては，はんだ付けを代表われている．その様子を模式的に図13に示す．この時にとする金属間接合は広く利用されている接合技術であ使われるレジスト材料をエッチングレジストと呼び，接る．これに対して，接着技術もいろいろなケースで，利着性も重要である．レジストが銅箔から剥がれたり，浮用されている．特に，接着剤や粘着剤としての接着だけき上がっていると，必要な部分までエッチングされてしでなく，多くの材料において接着が重要なファクターにまい，断線など不良の原因となる．

なっている事が，理解していただけたと思っている．

また，めっきで配線を形成したり端子などの接続部にエレクトロニクス実装に関係する技術分野は，非常に金めっきをする場合などに使われるレジストは，めっき広く，ここで紹介した以外にも接着が関係しているケーレジストと呼ばれている．このめっきレジストが剥離しスは沢山ある．また，ここで，紹介したケースも，詳していると，今度はショート（短絡）不良の原因となる．

く解説すればそれぞれが一冊の本になるくらいである．

さらに，プリント配線板の表面には，図９に示したよ
うに，ソルダーレジストと呼ばれるレジスト材料がコーティングされている．これは，最後の工程で端子部にはんだをめっきする時に，他の部分にはんだが付かないようにするレジストとして使われているためにソルダーレジストと呼ばれているが，プリント配線板の銅パターンなどの保護の機能も兼ねている．当然のことながら，接着性は重要な因子である．

最後に

参考文献
1) 田畑：第15回 実装技術研究会 資料（主催 横浜国立大学・実装技術研究チーム，エレクトロニクス実装学会・先進実装技術研究会，(2005) 9.13.
2) 赤沢，橋本：日東技報 Vol.38, No.1, pp.49−50.
3) 塚越，日立化成テクニカルレポート 2003年７月，7．
4) 谷川，Technical Program of SEMICON Japan 2002 予稿集 (2002) 219.
5) 古澤，エポキシ樹脂技術協会 第28回公開技術講座 講演
要旨 (2004) 85.
6) 小川，日立化成テクニカルレポート 2006年１月，15−18.

エレクトロニクス実装における接着について，半導体

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