本記事は , 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 技術スタッフ表彰について紹介するものです .

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム 令和 3 年度技術スタッフ表彰 技術支援貢献賞

原子層堆積装置による研究支援

受賞者 産業技術総合研究所 ナノプロセシング施設 山崎 将嗣氏に聞く
文部科学省の委託事業であるナノテクノロジープラットフォーム事業（NPJ）は，2012 年 7 月に発足し，最先端のナノテクノロジー施設・装置を有する全国 25 法人，37 の大学・研究機関が，その保有する最先端設備，並びに高度な技術支援を全国の産官学の幅広い研究者・技術者に対して提供してきた．技術領域としては，「分子・物質合成」「微細加工」「微細構造解析」の 3 プラットフォームが設置されており，数々の成果を生み出してきた．
毎年多くの施設・装置利用があるが，それらの有効活用には，設備の整備から装置使用におけるノウハウ提供などの技

山崎 将嗣氏

術支援が不可欠である．そのため，本事業では，実施機関において実際に支援に携わっている方々の貢献に対して，平成 26 年度より，技術スタッフを対象とした表彰を実施してきた．
本事業もいよいよ令和 3 年に最終年度を迎えることになり，令和 4 年 1 月 26 日に東京ビッグサイトで開催された第 21 回国際ナノテクノロジー総合展・技術会議（nano tech 2022）の併催会議（nano week 2022）において7 件の技術スタッフ表彰が行われ，「原子層堆積装置による研究支援」に対して技術支援貢献賞が産業技術総合研
究所 ナノプロセシング施設の山崎 将嗣（やまざき まさし）氏に贈られた [1]．
今回 Web 取材によりその技術の内容，支援の状況等のお話を伺った．

子欠陥や特定の元素の回りの原子配位といった平均とし

１．産業技術総合研究所におけるナノテクノロジープラットフォーム事業，及びナノプロセシング施設，活動の状況
１．１ 産業技術総合研究所におけるナノテクノロジープラットフォーム事業
産 業 技 術 総 合 研 究 所（AIST：National Institute ofAdvanced Industrial Science and Technology）は，「微細構造解析」及び，「微細加工」の二つのプラットフォームて得られるナノ情報を提供している [2]．
「微細加工 PF」では，異分野融合と人材育成を推進する場として，多種多様な超微細加工，実装，デバイス試作，材料分析，計測・評価を可能とする各種先端機器を備 え た ナ ノ プ ロ セ シ ン グ 施 設（NPF：Nano ProcessingFacility）を産官学研究者に公開している．

１．２
状況

ナノプロセシング施設（NPF）及びその活動（PF）に参画しており，「微細構造解析 PF」では AIST オ

AIST-NPF は，ナノテクノロジーの基盤研究の加速とそリジナルの装置を中心とした 7 つの計測分析装置群を公の応用開発を追求するための共用研究開発施設として，開している．これらの公開装置では，他実施機関の TEM

2001 年より運用を開始し，2004 年に現在の場所に移といった原子スケールのイメージング（木を見るナノ計転した．施設の整備，設置装置の大幅な拡充を行い，産測分析）に対して「森を見るナノ計測分析」として，原総研内外の研究者がバリアフリーで利用できる産官学共NanotechJapan Bulletin Vol. 15, No. 1, 2022

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令和 3 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-1

用ナノプロセシング施設としては国内最大規模の施設とNPJ における AIST の微細加工プラットフォームはこのなっている [3]．産総研の研究者や産総研の受託プロジェ

AIST-NPF におかれている．NPF は，「微細加工」のプラックトの支援を行うのみならず，民間企業に微細加工のアトフォームの中では最大の施設，スタッフを擁しており，ウトソーシング先としての新たなオプションを提供し，その特徴を活かした事業を推進している．

ベンチャー企業のアイデア実証支援，ナノテクノロジー

事業内容は，ナノエレクトロニクス，ナノマテリアル，に関わる人材育成のためのスクールの開催等を実施してN&MEMS，フォトニクス，バイオ，環境エネルギー等のいる．

異分野融合推進の場として，超微細加工，実装，計測・評価，
表1

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NPF の利用可能な登録装置

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令和 3 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-2

表2NPF，ALD の支援報告書件数推移

デバイス試作を可能とする一連の先端機器を産官学研究板等の対象物上に，原子層レベルで膜厚を制御して，平者に公開し，専門家による①技術相談，②装置利用，③坦で緻密な薄膜を形成する装置である．原子層堆積装置

技術指導・代行，④成果創出支援サービスを提供するとを用いて生成した薄膜は，近年電子デバイス作製分野のともに，若手研究者や高度技術者の育成を行っている．

他に，医療や一般産業でも使用されるなど，その応用範NPF には，任意サイズから 3 ～ 8 インチ基板までの囲が広がってきている．

各種材料の微細加工を行う装置群が整備されており，高ALD は複数の気相の原料（プリカーサ）を交互に基板度な支援技術者によって装置利用トレーニングをはじめ表面に暴露させることで成膜する薄膜形成方法である．とする手厚いサービスを提供し，特に，充実した人材育

ここでプリカーサとは，化学分野でよく使われる言葉で成カリキュラムがあることがその研究開発支援の特徴とあり，前駆体とも呼ばれ，ある化学物質について，そのなっている．さらに，ウエハサイズのスケールアップと物質が生成する前の段階の物質のことである．

集積実証を可能とする研究支援サービスもある [4]．

薄 膜 成 長 に よ く 使 わ れ る 化 学 気 相 成 長 法（CVD：加工，計測から分析，評価までの 81 台の装置が登録さ

Chemical Vapor Deposition）では，薄膜の成分を含む複れており，加工に留まらず，分析等も迅速にすることを数のプリカーサを同時に入れ，化学反応を誘起して薄膜目指している．利用可能な装置を表 1 に示す [5]．

成長をする．これに対して，ALD は異なる種類のプリカー

これ等の装置の管理・運営は，常時 9 名前後の技術職

サが同時に反応室に入ることはなく，それぞれ独立のス員によってなされており，装置別に専任で担当している．

テップとして導入され，排出される点が大きな特徴であ山崎氏はその一人で，文部科学省ナノテクノロジープ

る．各ステップにおいてプリカーサは基板表面に到達し，ラットフォーム平成 27 年度技術スタッフ表彰では「設反応可能なサイトが表面になくなった時点で反応は終了計から試作まで」と題してフォトリソ，成膜等から観察する．したがって，プリカーサ供給と反応ガス供給の繰までプロセス全般に関わる研究支援業務で若手技術奨励

り返しサイクル数を制御することで，原子層レベルでの賞を受賞している [6]．しかし今回の受賞はその延長では膜厚制御が可能となる．

なく，新規導入された原子層堆積（ALD：Atomic LayerDeposition）装置による支援に関するもので，導入当初から，専任の技術職員として，装置の立ち上げ，並びに，運営・管理に携われている．

図 1 に示す ALD による Al2O3 の成膜例をとって具体的に説明する．
最初に①原料（プリカーサ）の TMA（トリメチルアルミニウム：Al(CH3)3）が供給（ドーズ）される．基板上に

表 2 に 2014 年度から 2020 年度までの NPF 全体，及び，ALD 装置の支援報告書件数推移を示す．

はもともと自然酸化膜などの結合のための「手」があり，ここでは基板表面の OH 基と反応して，表面に O-Al(CH3)2NPF 施設全体としての支援報告書件数は 1 年あたり，を形成する．表面上に結合できる OH 基がなくなった時点ほぼ 150~160 件の間で推移している．一方 ALD 関連ので，反応は自己停止し，未反応の TMA は反応室を浮遊す

支援報告書の件数は増加傾向にあり，NPF 施設全体に対ることになる．そこで，②未反応の TMA や浮遊残留物をする ALD 装置の支援報告書件数の比率も 2020 年度にはAr ガスで飛ばす（パージ）と，基板表面上に O-Al(CH3)215% を占めるまでになっている．企業からの依頼が多いが一層付いた単分子膜が形成された状態になる．次の③ことが，産総研の特徴であるが，ALD 装置による支援業

酸化反応のステップでは，O2 プラズマを照射して表面の務は企業からの依頼が 50% を超えている．

Al-CH3 結合を酸化し，Al-O 結合を作り，最表面に OH 基を残して自己停止する．再び，④ Ar ガスにより酸素ガス，その他の残留浮遊物のパージを行い，一層目の成膜を終

２．
１

２．受賞対象となった原子層堆積装置とその技術支援

える．

原子層堆積装置の原理の膜厚制御が可能となることである．一方，成膜時間が行なう．この成膜法の最大のメリットは原子層レベルで長い等のディメリットもある．

原子層堆積装置とは，原子層堆積法（ALD）により，基NanotechJapan Bulletin Vol. 15, No. 1, 2022

このサイクルを繰り返すことにより，多層の膜成長を表 3 に ALD のメリット，ディメリットをまとめて示す．

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令和 3 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-3

図1
表3

原子堆積法（ALD）の原理

原子層堆積装置のメリット，ディメリット

２．２ AIST の原子層堆積装置を用いた技術支援とその利用目的
AIST の NPF には 2 台の ALD 装置がある．1 号機のオックスフォード・インストゥルメンツ（株）製の [FlexAL]と 2 号機のサムコ（株）製の [AD-100LP] である．
いずれもプラズマ（プラズマガスと反応する）方式とサーマル（熱で化学反応を進める）方式が可能な ALD 装置であり，プラズマ放電は誘導結合（Inductively CoupledPlasma：ICP）方式を採用している．
今回の受賞は主として ALD1 号機 FlexAL を用いたものであり，その装置の外観を図 2 に，その仕様を表 4 に示
す．8 インチ Φ のウエハに対応可能で，また単層膜から多層膜の各層の膜厚等を非接触・非破壊で測定できるエリプソメータが付いており，in-situ での膜厚測定が出来る．図 2 の黒い角柱状のものがエリプソメータである．

図2

一般的にプラズマ方式は反応性が高いため，低温でもAIST NPF の ALD 装置不純物の少ない膜を成膜しやすい．一方サーマル方式は
H2O ガスを用いる場合が多いが，低温では反応が進行し作・分析を行い，その結果を報告する）である．FlexAL難く，カーボンや水分子などの不純物が残り易く，改善のレシピが多様かつ真空に関する知識と応用力が必要で，のためには反応温度を上げる必要がある．

その完全習得には数カ月を要し，装置を使いこなすこと

ALD 装置では，支援の形態は全て技術代行（技術相談で明確にされた問題点や課題に対し，ユーザに代わり試NanotechJapan Bulletin Vol. 15, No. 1, 2022が難しいためである．
依頼元（ユーザ）の利用目的は主に以下の 3 パターン文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

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表4

ALD1 号機③プリカーサメーカからの依頼

FlexAL 仕様

・開発中の材料の成膜特性評価．

３．成膜技術と支援事例の紹介
依頼者の利用目的は様々であり，その依頼に応えるために，各種材料，各種成膜条件の検討を行い，成膜技術のデータベース化を進めている．

３．
１ 多数のプリカーサ導入による多種多様な成膜例に分類される．
① ALD 装置を保有していないユーザからの依頼
・装置の購入を検討するユーザが，自分達の狙いがど

21 年度までは，使用材料は有機プリカーサのみに絞っれだけ実現出来るかの確認．本施設を利用後，装置ており，既存のプリカーサの利用者が 95% 程度，新規プを導入したユーザもある．

リカーサの持ち込み件数は 5% 程度である．

・ALD 膜そのものの，膜質，特性を試作して確認したい．

成膜条件は，プリカーサドーズ，Ar ガスパージ，反応

例えば，High- ｋ材である Hf/Zr/Nb などの酸化物ガスドーズ，Ar ガスパージの，各ステップの時間を検討の ALD 膜を成膜し，その特性を評価．

することが基本である．

・ユーザが興味を持つ膜構造が出来るか否か等の評価

プ リ カ ー サ は ALD 成 膜 に と っ て 必 須 の 原 料 で あ り，
ALD 導入当初は 8 種類のプリカーサであったが，現在保確認．

有するプリカーサは表 5 に示す 15 種で，元素としては周② ALD 装置を保有しているユーザからの依頼・保有装置に不足する機能を AIST の ALD で確認する．

期律表第 3 周期の Al，Si，第 4 周期の Ti，Zn，Ga，第 5

サーマル方式はあるが，低温プラズマ方式を有して周期の Y，Zr，Nb，Ru，Nb，第 6 周期の Hf，Ta の計 12

いない，N2 ガスは使えるが，H2，NH3 ガスは使え種である．

ない等，装置，材料に不足する機能を，FlexAL で成例 え ば，SiO2，SiN 膜 用 の プ リ カ ー サ と し て は，膜して機能確認するため．窒化物の形成には，N2 だ

3DMAS（トリス（ジメチルアミノ）シラン：[(CH3)2N]3SiH）

けでは難しく，NH3 も必要なため，窒化物成膜の依頼は多い．

及 び，BDEAS（ ビ ス（ ジ エ チ ル ア ミ ノ ） シ ラ ン：
[SiH2[N(CH2CH3)2]2）の 2 種を有しているが，プリカーサ・新規材料の使用前，当設備で試作し，安全性等も含によって，出来る膜質や対応可能な成膜温度帯が異なるめた材料の問題点抽出や，成膜の条件出しをするたことから，多くのプリカーサを有していることは，成膜め．企業からの複雑な複合膜での要求もあり．の幅がそれだけ広がることになる．

・持っていないプリカーサの試用，また成膜のための最適プリカーサの相談が多い．
表5

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新規材料の場合にはその安全性，除害剤の対応の可否，装置へのダメージ有無の検討から始めるため，材料デー保有するプリカーサ

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令和 3 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-5

図3

プリカーサ TEMAZr 導入時の成膜条件の検討タの収集が必要であり，プリカーサの導入試験だけでも，すると，プリカーサ投入時間が 1.5 秒であれば，膜厚が数日以上かかるケースが多い．また，膜がつかない，レー一定化して来ること，また 200 サイクルで，プリカーサトが遅い等の問題もあり，成膜条件出しは手探りで，多投入時間を 1.5 秒に固定して，O2 プラズマのパージ時間くの時間が必要となる．

を変化させると，2 秒のパージ時間では膜厚が 30nm と新規プリカーサ TEMAZr を導入し，O2 プラズマを用い厚くなり，パージ時間を延ばすと，膜厚が減少し，ほぼ 8て High-k 材料の一種である ZrO2 膜を成膜した際の，成秒で，一定となる．これはパージが不足すると，CVD 的膜条件決めの一例を図 3 に示す．

な反応が進むためで，原材料を十分パージすることの重プリカーサの投入時間の検討では，プリカーサ投入時要性を示している．

間，Ar による O2 プラズマパージ時間をそれぞれ変化させ山崎氏はプリカーサごとに，プリカーサの設定温度，て，ALD 成長が進む条件を見つけ出す必要がある．ここ

配管の設定温度，導入時間，パージ時間，成膜温度等のでは 200 サイクル，O2 プラズマパージ時間を 8 秒に固定

条件検討を行ない，最適な成膜を可能とする成膜条件を

図4

図5NanotechJapan Bulletin Vol. 15, No. 1, 2022

NPF での成膜例

ALD-Al2O3 上に ALD-TiO2 積層

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決定し，依頼者への迅速な対応が出来るように努めていは反応室に直接入り，プラズマ用ガスは上部から，放電る．

部のコイルを巻かれた ICP チューブを通過してプラズマ

こうした ALD 成膜条件のデータを揃えることにより，化し，反応室に入り，不要となったガスは反応室下部かNPF では現在，一成分だけの成膜だけではなく，図 4 にらポンプで排出される．また放電部と反応部の間にはゲー示すような多層膜や複合膜の成膜が可能となり，企業かトバルブが設定されている．ALD の場合は装置全体に膜らの複合膜成膜の要望も多くなっている．

が付くが，TiN や Ru などの導電性材料が ICP 放電部に付多層成膜の例として，ALD で Al2O3 ゲート絶縁膜（10nm）上に，TiO2 酸化物チャンネル（20nm）を積層した TiO2

着すると，放電パワーの供給が弱くなり，放電が起らなくなる現象がある．

酸化物トランジスタを試作した例を図 5 に示す．Al2O3，

そのため，プリカーサを入れる直前にゲートバルブをSiO2 は殆ど結晶化しないが，TiO2 は 200℃で Si 上では結閉め，プラズマ用ガスを流す直前に開けるサイクルを繰晶化する．この TiO2 の酸化物トランジスタは，TiO2 が結り返すことで，プラズマ室の導電材付着汚染を回避して晶化すると素子としての動作を示す．

いた．しかしながら，サイクルごとのバルブ開閉による振動で，可動部からのパーティクルの落下がおこり，き３．
２れいな膜が得られなかった．特に TiN の成膜では厚膜の導電性薄膜の成膜方法の検討要求が多いため，これが大きく影響した．そこで対策を

図 6 に ALD 装置の模式図を示す．プリカーサ（原料ガス）装置メーカと相談し，ゲートバルブを解放したままでも，放電室に成膜されないレシピを協力して作成し，放電上部から反応室側に大量のガスを流し，反応ガスの放電部側への逆流を防ぐレシピに変更して，パーティクルの発生を大幅に削減することに成功した．現在の FlexAL 後継
機種はゲートバルブの無い構造になっている．

３．３

ALD 成膜法のカバレッジ評価

ALD の特徴としては，プリカーサが基材表面に 1 層ついてから，反応ガス材を流すため，気相のプリカーサの回り込みが可能であれば，深いトレンチや，複雑な構造を有していても，ガスさえ流れて基板に到達すればカバレッジ（被覆）の良い膜を形成することが可能である．
ここでは庇形状の構造に，SiO2，TiO2 の ALD 成膜を行い，良好なカバレッジを実現した写真を図 7 に示す．
SiO2，TiO2 いずれも庇の外側，内側にも均一に成膜さ図6れており，その内側の膜厚も外側とほとんど変わっておALD 装置の模式図

図7

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庇形状への SiO2，TiO2 成膜文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

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らず，絶縁破壊の起りにくい信頼性の高い膜になっている．いずれの成膜温度も 120℃であるが，1 サイクル当３．４

InGaAs ナノシートゲート電極作製

たりの成長速度は SiO2 が 0.10nm/cycle，TiO2 が 0.04nm/

本案件は東京工業大学 宮本研究室からの依頼である．

cycle であり，SiO2 の成膜速度が TiO2 に比べて速い．こ新たな材料を MOS トランジスタに導入することを目指し

うした ALD における成長速度の差の要因としては，プリて，InGaAs をチャネルにした MOSFET の研究に取り組ん

カーサの分子サイズ，反応表面への吸着率，酸化や窒化でいる．の反応性等が関与していると考えられる．

東工大にて InGaAs の 10nm ナノシートチャネル層（複また，成膜する形状等によってはプラズマとサーマル数のブリッジ状で，浮いた構造をしている）までの構造の両方式の特徴を考慮する必要がある．プラズマ方式にを半導体プロセスで作製し，さらに東工大所有の ALD でよる反応は低温でも，良質な膜形成が可能であるが，そInGaAs チャネルを high-K の酸化物で被覆し [7]，その上の問題点は寿命と低圧力である．即ち，基材までの到達に NPF の ALD で TiN をコートすることを依頼された．

距離が長くなると，その間にプラズマが失活する可能性

東工大では当初，high-k 材の上には Mo を斜めスパッが増大し，膜成長が起らなくなる．これに対して，例えタリングにより付けることを試みたが，十分な被覆が出ば，反応ガスとして水蒸気を流し，加熱して酸化反応を来ず，性能が出ないということで，持ち込まれたものでさせるサーマル方式は，低温では水分等が残存し良質なある．

膜が得られないが，その水蒸気ガスの寿命はプラズマガ

TiN 成膜では成膜温度が高いほど，電気抵抗の低い良質スより長く，その到達距離が長い利点がある．したがっの成膜が可能であるが，III ｰ V 属化合物半導体では，高温て，被覆をする構造等によって方式を選択する必要があ

による性能低下や装置汚染の問題がしばしば発生するこり，データベースの蓄積を進めている．とから，依頼者側とデバイス構造などを検討し，成膜を

図8

図9

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ALD による TiN 膜の成長条件評価

Mo と TiN ゲート電極断面比較

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GaCp ＊ は Ga に 5 個の C 原子が結合し，その 5 個の C試みた．
Ti の プ リ カ ー サ と し て は TDMATi：（Tetrakis原子それぞれに，CH3 が 1 個ずつ付いた構造をしている．

(dimethylamino)titanium：テトラキスジメチルアミノチ

新規プリカーサのため，成膜条件の検討に時間を要す

タニウム），分子式 ((CH3)2N)4Ti を用い，窒化反応にはること，汚染への対応，他の支援依頼との調整等を考慮

H2/N2 プラズマを用いた．図 8 に成膜温度と膜厚，比抵して，成膜テストの支援を開始した．

抗の関係を示す．膜厚は in-situ エリプソメータを用いて窒化用反応ガスとして，N2，H2，NH3 の組合せ，流量測定している．サイクル数が同じでも，温度が上がるほや圧力を変えながら成長を試みた．当初は GaCp* の成膜ど膜厚が高くなり，比抵抗は下がっている．

レートが想定より低く，1/10 程度の成膜レートしか出な

図 9 に Mo と TiN のゲート電極断面比較を示す．Moかった．これを改善するために GaCp* の分解と窒化を 2の斜め蒸着では InGaAs ナノシートの下部まで，Mo が回段階で行う成膜を試みた．その結果，GaCp ＊パルス，パーり込めていないが ALD で成膜した TiN は High-k 材の周ジ，NH3/H2 プラズマパルス，パージ，N2 プラズマパルりを完全に被覆していることが分かる．結果として，依ス，パージを 1 サイクルとする，いわゆる ABC タイプの頼者側の満足するデバイス性能を実現することが出来た．

成膜によって，反応速度が上がり，GaN 薄膜を得た．そ

東工大からのこの関係の依頼は，その後も継続的に続いの TEM 断面画像を図 10 に示す．ている．

３．
５４．これからに向けて新規プリカーサの ALD 成膜

本件は（株）高純度化学研究所よりの依頼案件で，開NPF ではナノテク分野において，ALD の出番はさらに発中の GaN 用の新規プリカーサを用いた成膜実験の支援増大すると考えており，2022 年度からは表 6 に示す 2業務である．GaN の ALD 成膜では，プリカーサとして台の ALD 装置が新規に導入され，計 4 台の ALD 装置がTMG（トリメチルガリウム：(CH3)3Ga）が一般的であるが，稼働することになっている．

不純物残留（カーボン）の可能性もあり，危険物第 3 類

山崎氏はその全装置を新たに加わったスタッフ 1 名とにも分類されている．そのため不純物のより少なく，安の 2 名体制で，管理運営することになる．3 号機では，全性に優るプリカーサとして，GaCp ＊（ペンタメチルシin-situ の XPS を入れることにより成分分析を真空を破らクロペンタジエニルガリウム：GaC5(CH3)5）を開発し，そずに行うことができる仕様となっている．また重水，D2の成膜性を評価したいとの依頼であった．

ガス，ND3 ガスの使用が可能で他の分析と合わせることにより反応機構の解明などを行うことができるようになっている．4 号機では，今まで使えなかった，室温で配管を詰まらせる可能性が高い固体材料，装置の運用に配慮が必要となる塩素系材料など，リスクがある材料の使用も検討に入れた成膜を考えており，プリカーサメーカ等の積極的な活用を期待している．またメーカからも既にその利用に対して大きな期待がかけられているとのことである．
最近では ALD の用途が広がり，プラスチックフィルム上への低温での成膜等の希望もあるとのことで，ALD 成膜のデータ集積と，そのために必要な分析技術にも注力しながら，低温成長など，この技術の可能性をさらに追求したいとのことである．

図 10

＊

GaCp を用いて成膜した GaN 薄膜の TEM 断面画像
表6

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2022 年度より利用開始の ALD 装置

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[2] 森を見るナノ計測装置（産業技術総合研究所），
https://www.nanonet.go.jp/ntj/insti/aist/nc/

５．終わりに[3] 産総研：産官学共用ナノプロセシング施設が完成

文部科学省ナノテクノロジープラットフォームも本年－内外に開かれた極微細加工と計測評価のための度で終了するが，2021 年度に発足した文部科学省 マテ

共用施設－，https://www.aist.go.jp/aist_j/news/

リアル先端リサーチインフラ（ARIM Japan：Advanced
Research Infrastructure for Material and Nanotechnology

pr20040715.html[4] ナノプロセシング施設（NPF）（産業技術総合研究所），in Japan）が，2022 年度から本格的に始動することになっhttps://www.nanonet.go.jp/ntj/insti/aist/nf/ており，産総研も参加する．山崎氏はナノプロセス全般[5] 装置の紹介， https://ssl.open-innovation.jp/npf/の経験に，今回の ALD という新しい技術を立ち上げた経

device/験を加えて，新しい事業でも大きな力を発揮されること[6]「技術スタッフ表彰」平成 27 年度若手技術奨励賞と思う．負荷も増大すると思うが，それを補う予算的，「設計から試作まで」，https://www.nanonet.go.jp/

人的補強も並行して為され，この分野のますますの隆盛

magazine/feature/outstanding-staff/4.html

を願ってやまない．

[7] ALD で絶縁膜を形成した MOSFET について ～ III-V 族系を中心として～，https://www.tia-kyoyo.jp/npf/
seminar/2021-1/profile/doc/TITECH.pdf

参考文献[1] ナノテクノロジープラットフォーム令和 3 年度秀でた利用成果と技術スタッフ表彰者が決表及び図 1 ～ 8 は全て山崎氏より提供された．図 9，10はそれぞれ東京工業大学，（株）高純度化学研究所より山崎氏に提供されたものである．

定！！，https://www.nanonet.go.jp/ntj/topics_gov/?mode=article&article_no=5858

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（金久 修）

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