分科別日程表暫定版※この日程表は暫定版ですので、日程、会場が変更になる場合がございます。ご了承ください。

大分類分科名
中分類分科名1 応用物理学一般

2015年9月13日(日)午前午後

2015年9月14日(月)午前午後

2015年9月15日(火)午前午後名古屋国際会議場
2015年9月16日(水)
午前
午後

2K
PA2
10:30 ~ 12:15 16:00 ~ 18:00
PA1
09:30 ~ 11:30
PA3
2K
16:00 ~ 18:00 09:00 ~ 12:15
PA2
2K
09:30 ~ 11:30 13:45 ~ 17:45

1.1 応用物理一般・学際領域
1.2 教育1.3 新技術・複合新領域
1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境

2K
13:45 ~ 16:30

1.5 計測技術・計測標準
1.6 超音波PB3
16:00 ~ 18:00
2K
PB4
09:00 ~ 12:15 16:00 ~ 18:00

2 放射線2W
09:00 ~ 12:45

2.1 放射線物理一般・検出器基礎PA7
18:30 ~ 20:30

2.2 検出器開発

2W
13:45 ~ 20:00

2W
13:45 ~ 16:15
2W
09:00 ~ 12:30

2.3 放射線応用・発生装置・新技術

3 光・フォトニクス
3.1 光学基礎・光学新領域
3.2 材料・機器光学
3.3 情報フォトニクス・画像工学
3.4 生体・医用光学
3.5 レーザー装置・材料
CS1 3.5 レーザー装置・材料,3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション
3.6 超高速・高強度レーザー

3.7 レーザープロセシング

3.8 光計測技術・機器
3.9 テラヘルツ全般
3.10 光量子物理・技術
3.11 フォトニック構造・現象CS2 3.11 フォトニック構造・現象,13.7 超薄膜・量子ナノ構造のコードシェアセッション

3.12 ナノ領域光科学･近接場光学

3.13 半導体光デバイス
3.14 光制御デバイス・光ファイバー
CS1 3.5 レーザー装置・材料,3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション
3.15 シリコンフォトニクス

2E
PA1
13:45 ~ 18:15
13:30 ~ 15:30
2A
PA2
09:00 ~ 11:45 16:00 ~ 18:00
PA3
2E
2E
16:00 ~ 18:00 10:00 ~ 12:00 13:30 ~ 15:15
PB1
2N
09:30 ~ 11:30 13:45 ~ 18:00
2D
2D
2D
PA2
09:00 ~ 12:00 13:45 ~ 16:15 09:00 ~ 12:00 13:30 ~ 15:30
2G
13:45 ~ 17:15
2G
2G
2G
PA3
09:45 ~ 12:15 13:45 ~ 17:45 09:30 ~ 12:15 13:30 ~ 15:30
2F
2F
2F
13:45 ~ 18:15 09:30 ~ 12:00 13:45 ~ 18:00
PA1218:30 ~ 20:30
PA31E
1E
1E
09:30 ~ 11:30 13:30 ~ 16:30 09:00 ~ 12:00 13:00 ~ 17:00
2S
PA7
2J
2J
09:00 ~ 12:15 16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15 13:45 ~ 17:00
4D
PA1
09:00 ~ 12:30
09:30 ~ 11:30
PA4
2A
2A
09:30 ~ 11:30
09:00 ~ 12:15 13:45 ~ 17:00
2C
13:45 ~ 20:00
2G
2G
2G
2G
09:15 ~ 12:15 13:45 ~ 18:00 09:15 ~ 12:15 13:45 ~ 16:45
PA5
18:30 ~ 20:30
PA8
1E
2E
2E
16:00 ~ 18:00 09:00 ~ 11:30
10:00 ~ 12:15 13:45 ~ 16:30
PB2
2F
2F
09:30 ~ 11:30
09:00 ~ 11:45
09:00 ~ 12:15
2G
13:45 ~ 17:15
2S
2S
2NPA4
10:00 ~ 12:15 13:45 ~ 18:00 09:15 ~ 12:15 13:30 ~ 15:30

4 JSAP-OSA Joint Symposia 2015
2C
2C
2C
09:00 ~ 12:30 13:45 ~ 17:45 09:00 ~ 12:15

4.1 Plasmonics

2C
2C
09:15 ~ 12:15 13:45 ~ 17:00

4.2 Bio- and Medical Photonics
4.3 Optical Micro-sensing, Manipulation, and Fabrications
4.4 Opto-electronics

PB3
09:30 ~ 11:30

4.5 Information Photonics
4.6 Nanocarbon and 2D materials photonics
4.7 Terahertz Photonics

2C
13:45 ~ 18:00
2D
13:45 ~ 19:45
2F
13:45 ~ 19:45
2D
2D
09:30 ~ 12:15 15:00 ~ 17:45
2E
2E
09:00 ~ 12:45 15:00 ~ 18:45

6 薄膜・表面
6.1 強誘電体薄膜
6.2 カーボン系薄膜

6.3 酸化物エレクトロニクス

6.4 薄膜新材料
6.5 表面物理・真空
6.6 プローブ顕微鏡
CS3 6.6 プローブ顕微鏡, 12.2 評価・基礎物性のコードシェアセッション

PA1
2L
2L
2L
09:30 ~ 11:30
09:00 ~ 12:15 13:45 ~ 17:15 09:00 ~ 12:00
4F
PA94F
4F
09:00 ~ 12:00 16:00 ~ 18:00 09:00 ~ 11:45 13:15 ~ 20:00
2H
2H
2H
2H
2H
13:45 ~ 19:00 09:00 ~ 12:00 13:45 ~ 17:45 09:30 ~ 12:00
09:00 ~ 12:15
PA13
18:30 ~ 20:30
2Q
2Q
PA10
2J
09:00 ~ 12:15 13:15 ~ 20:30
16:00 ~ 18:00 09:00 ~ 11:45
4E
PA14
13:15 ~ 18:45
18:30 ~ 20:30
PA112U
2U
16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15 13:30 ~ 17:00
2N
09:30 ~ 11:45

※この日程表は暫定版ですので、日程、会場が変更になる場合がございます。ご了承ください。

大分類分科名
中分類分科名7 ビーム応用2015年9月13日(日)午前午後

2015年9月14日(月)午前午後

2015年9月15日(火)午前午後名古屋国際会議場
2015年9月16日(水)
午前
午後

PB8
4E
4E
18:30 ~ 20:30 10:00 ~ 11:45
09:00 ~ 11:00
PB9
4E
18:30 ~ 20:3013:15 ~ 19:30
4E
11:15 ~ 16:45

7.1 X線技術
7.2 電子ビーム応用
7.3 微細パターン・微細構造形成技術

4E
09:30 ~ 11:15

7.4 量子ビーム界面構造計測
7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術

4E
11:00 ~ 11:45

PB10
18:30 ~ 20:30
4E
12:30 ~ 18:15
PB11
18:30 ~ 20:30

7.6 イオンビーム一般

8 プラズマエレクトロニクス
1F
14:30 ~ 18:45

8.0 Plasma Electronics English Session

PB2
18:30 ~ 20:30
2V
13:00 ~ 19:00

8.1 プラズマ生成・制御

2V
09:00 ~ 11:30

8.2 プラズマ診断・計測
8.3 プラズマ成膜・表面処理2Q
09:00 ~ 12:15

8.4 プラズマエッチング

PB2
18:30 ~ 20:30

2Q
2Q
11:15 ~ 12:15 13:45 ~ 17:002Q
09:00 ~ 11:15
2V
2V
09:00 ~ 12:15 13:45 ~ 17:00

8.5 プラズマナノテクノロジー
8.6 プラズマライフサイエンス

2Q
13:45 ~ 18:15

8.7 プラズマ現象・新応用・融合分野
8.8 プラズマエレクトロニクス分科内招待講演
8.9 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

1F
1F
13:00 ~ 14:30 10:30 ~ 11:30
1F
09:30 ~ 10:30

PB2
18:30 ~ 20:30

9 応用物性2L
PA2
14:00 ~ 17:00 09:30 ~ 11:30
2Q
2Q
PB1
09:00 ~ 12:30 14:00 ~ 18:15 09:30 ~ 11:30

9.1 誘電材料・誘電体
9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

PA1
4A
13:30 ~ 15:30 09:15 ~ 11:45

9.3 ナノエレクトロニクス

2T
2T
09:00 ~ 12:15 14:00 ~ 16:15

9.4 熱電変換
CS4 9.4 熱電変換,16.2 エナジーハーベスティングのコードシェアセッション

2R
2R
09:00 ~ 12:00 13:45 ~ 16:45

9.5 新機能材料・新物性

PA6
13:30 ~ 15:30
PA5
13:30 ~ 15:30

10 スピントロニクス・マグネティクス
10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

2J
PA1
09:00 ~ 12:00 13:30 ~ 15:30
2J
16:00 ~ 17:45

10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術
10.3 GMR・TMR・磁気記録技術
10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

PA1
13:30 ~ 15:30

2J
3A
15:00 ~ 18:45 09:00 ~ 11:45
2J
2J
09:00 ~ 12:15 13:45 ~ 14:45
3A
3A
09:00 ~ 11:45 13:45 ~ 17:00
4B
13:45 ~ 15:45

10.5 磁場応用11 超伝導
4A
4A
09:45 ~ 12:00 13:00 ~ 17:45

11.1 基礎物性11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長11.3 臨界電流，超伝導パワー応用
11.4 アナログ応用および関連技術
11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

4A
13:15 ~ 17:45
PA3
4D
09:30 ~ 11:30 13:00 ~ 16:30
4A
4A
12:45 ~ 20:00 09:00 ~ 12:00
4B
4B
10:00 ~ 11:30 13:00 ~ 14:45

12 有機分子・バイオエレクトロニクス
12.1 作製・構造制御
12.2 評価・基礎物性CS3 6.6 プローブ顕微鏡, 12.2 評価・基礎物性のコードシェアセッション
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
12.4 有機EL・トランジスタ

12.5 有機太陽電池

12.6 ナノバイオテクノロジー

12.7 医用工学・バイオチップ

1E
1EPB2
09:00 ~ 11:30 13:00 ~ 18:00 09:30 ~ 11:30
PB5
2N
2N
16:00 ~ 18:00
14:00 ~ 18:30 09:30 ~ 11:30
2N
09:30 ~ 11:45
4F
PB82A
2A
09:00 ~ 11:45 18:30 ~ 20:30 09:00 ~ 12:15 14:00 ~ 18:30
1G
PA4
1G
1G
1G
1G
09:00 ~ 11:45 16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 11:45 13:15 ~ 19:00 09:00 ~ 11:45 13:15 ~ 17:00
2V
1G
1F
1F
15:00 ~ 18:00 09:00 ~ 11:15
09:30 ~ 12:30 13:30 ~ 17:15
PB9
18:30 ~ 20:30
PB4
2A
2A
16:00 ~ 18:00
09:00 ~ 12:00 13:45 ~ 19:45
2B
2B
2B
2B
09:00 ~ 12:15 13:45 ~ 15:15
09:00 ~ 12:15 13:45 ~ 18:00
PB5
16:00 ~ 18:00

※この日程表は暫定版ですので、日程、会場が変更になる場合がございます。ご了承ください。

大分類分科名
中分類分科名13 半導体2015年9月13日(日)午前午後

2015年9月14日(月)午前
午後

13.2 探索的材料物性・基礎物性13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術
13.5 デバイス／集積化技術
13.6 Semiconductor English Session
13.7 ナノ構造・量子現象
CS2 3.11 フォトニック構造・現象,13.7 超薄膜・量子ナノ構造のコードシェアセッション
13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
13.9 光物性・発光デバイス
13.10 化合物太陽電池

名古屋国際会議場
2015年9月16日(水)
午前
午後

PA42D
2D
16:00 ~ 18:00 10:15 ~ 12:15 13:15 ~ 17:00
PB32R
2R
09:30 ~ 11:30 13:30 ~ 19:15 09:00 ~ 12:00

13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

13.3 絶縁膜技術

2015年9月15日(火)
午前
午後

4C
PA5
4C
09:00 ~ 12:15 16:00 ~ 18:00 09:00 ~ 11:45
1C
1C
1C
1C
PB4
09:00 ~ 11:45 13:15 ~ 17:15 09:00 ~ 11:45 13:15 ~ 17:30 09:30 ~ 11:30
PB4
1C
1C
1C
09:30 ~ 11:30
10:00 ~ 11:45 13:15 ~ 18:00 09:00 ~ 12:00
PB5
2D
09:30 ~ 11:30
09:00 ~ 10:00
4D
PB1
09:00 ~ 11:45 13:30 ~ 15:30
2C
13:45 ~ 20:00
PB2
4C
4C
4C
4C
13:30 ~ 15:30 09:00 ~ 12:30 14:00 ~ 17:45 09:00 ~ 12:00 13:30 ~ 15:45
PA6
2B
2B
2B
2B
16:00 ~ 18:00 09:30 ~ 12:15 13:45 ~ 16:30
10:00 ~ 12:15 13:45 ~ 16:00
2M
2M
2M
PB1
09:00 ~ 12:15 13:30 ~ 19:15 09:00 ~ 12:15 13:30 ~ 15:30

15 結晶工学PB5
2K
09:30 ~ 11:30 13:45 ~ 18:15

15.1 バルク結晶成長

1A
PB1
09:00 ~ 11:00 13:30 ~ 15:30
PB2
2W
2W
13:30 ~ 15:30 09:15 ~ 12:15 13:45 ~ 16:30
1D
1D
1D
CE
1D
1D
1D
08:45 ~ 11:45 13:15 ~ 20:15 08:45 ~ 11:45 13:00 ~ 14:15 08:45 ~ 11:45
08:45 ~ 12:00 13:15 ~ 17:00
PB1218:30 ~ 20:30
2W2W
PB6
09:30 ~ 11:45 13:15 ~ 17:30 09:30 ~ 11:30
PB6
1A
1A
1A
16:00 ~ 18:00 09:00 ~ 12:00 13:30 ~ 17:30 09:00 ~ 12:00
PB3
2W
13:30 ~ 15:30
16:45 ~ 18:15
1EPB7
13:15 ~ 18:00
16:00 ~ 18:00

15.2 II-VI族結晶および多元系結晶
15.3 III-V族エピタキシャル結晶

15.4 III-V族窒化物結晶

15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
15.6 IV族系化合物（SiC）
15.7 エピタキシーの基礎
15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

16 非晶質・微結晶
2R
13:45 ~ 18:00
PB7PA609:30 ~ 11:30 13:30 ~ 15:30
2S2S
2S
13:45 ~ 17:30 09:00 ~ 12:00 13:30 ~ 17:15

16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス
CS4 9.4 熱電変換,16.2 エナジーハーベスティングのコードシェアセッション
16.3 シリコン系太陽電池

17 ナノカーボン
2T
2T
09:00 ~ 12:15 13:45 ~ 17:30
2U
09:00 ~ 12:15
2U
16:45 ~ 18:00
2T
17:30 ~ 19:00

17.1 成長技術

17.2 構造制御・プロセス

2U
13:45 ~ 16:00

17.3 新機能探索・基礎物性評価
17.4 デバイス応用

2U
PA2
14:00 ~ 16:45 09:30 ~ 11:30
PA2
2T
09:30 ~ 11:30 13:00 ~ 14:45

2T
13:45 ~ 18:30 PA2
09:30 ~ 11:30
2U
2T
2U
13:45 ~ 16:45 09:00 ~ 12:15 13:45 ~ 14:00

21 合同セッションＫ
21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

PB6
1B
16:00 ~ 18:00 09:00 ~ 12:00

1B
1B
1B
09:00 ~ 11:45 13:15 ~ 18:00 09:00 ~ 12:15

コードシェアセッション
CS1 3.5 レーザー装置・材料,3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション

2G
13:45 ~ 17:15
2C13:45 ~ 20:00

CS2 3.11 フォトニック構造・現象,13.7 超薄膜・量子ナノ構造のコードシェアセッション

2N
09:30 ~ 11:45

CS3 6.6 プローブ顕微鏡, 12.2 評価・基礎物性のコードシェアセッション
CS4 9.4 熱電変換,16.2 エナジーハーベスティングのコードシェアセッション

PA613:30 ~ 15:30

※この日程表は暫定版ですので、日程、会場が変更になる場合がございます。ご了承ください。

大分類分科名中分類分科名
シンポジウム2015年9月13日(日)午前午後

2015年9月14日(月)午前午後

2015年9月15日(火)午前
午後CE
13:15 ~ 18:00

SP1 人工光合成：材料・物性・デバイスとシステムからのアプローチ

CE

SP2 ノーベル賞受賞者からの未来へのメッセージ

CE

SP3 「第６次産業革命」～人と技術の融合による未来産業と社会～

1G
13:15 ~ 16:45
4C
13:15 ~ 17:00
4F
13:15 ~ 17:45
1A
13:15 ~ 18:15
1B
13:15 ~ 17:45
2M
13:15 ~ 18:30

S.13 有機エレクトロニクスの萌芽的研究
S.14 Ge-CMOSはどこまで進んでいるのか
S.18 液体シリコンの科学と最新動向
S.19 機能性原子薄膜化合物材料の応用展開
S.21 界面ナノ電子化学 「進化する半導体ウェットプロセス ～シリコンから化合物まで～」
S.22 原子・電子構造制御による次世代デバイス開発に向けた基礎研究と新展開―多元系化合物ベースの次期太陽電池・新規熱電物質・電子相関物質―

2L
13:45 ~ 15:45
2V
13:45 ~ 16:30
1D
13:00 ~ 17:00
1A
1A
09:00 ~ 11:45 13:30 ~ 17:00
4F
13:30 ~ 17:45
1F
13:30 ~ 18:00
PB7
3A
3A
16:00 ~ 18:00 09:00 ~ 11:45 13:15 ~ 18:30
1G
1G
11:15 ~ 12:45 14:00 ~ 18:15
4C
13:30 ~ 16:45
CE
14:15 ~ 17:45
1B
13:15 ~ 18:00

S.1 企業・地域等が連携したサイエンスコミュニケーション
S.2 化学分析技術と放射線
S.3 フォトニクス分科会発足記念シンポジウム「フォトニクスの夢」
S.5 International Symposium on Thin Film Technologies for Flexible Devices
S.6 誘電体・強誘電体材料およびデバイスの新展開を求めて
S.9 プラズマ医療科学の最前線
S.11 English session: Asian Joint Symposium on Nanobiotechnology
S.12 有機無機ペロブスカイト太陽電池の現状と今後の展望
S.15 越境する絶縁膜／半導体界面技術 ～ Si から Non-Si へ ～S.16 窒化物半導体を用いた新機能半導体レーザの創出とその応用－レーザ発振から20年目を迎えて－
S.20 酸化物半導体の評価技術

2M
14:00 ~ 18:30
2H
13:45 ~ 17:00
2J
13:45 ~ 18:30
3A
13:15 ~ 17:15
1D
13:15 ~ 17:45

S.4 量子情報へ向けたシリコンテクノロジーからの挑戦
S.7 機能性材料・デバイス解析の最近の動向
S.8 機能性酸化物の原子・ナノスケール機能開拓最前線
S.10 新規スピントロニクス現象と応用の可能性
S.17 窒化物半導体特異構造の科学 ～表面・界面の制御と物理～2015年度国際フェロー特別講演
3A
13:30 ~ 16:15

2015年度国際フェロー特別講演

チュートリアル
はじめての光学ー光の基礎からプラズモニクスまでー
知的テラヘルツ計測
超伝導エレクトロニクス－基礎と応用－
応物参加者のための元特許庁審査官による特許入門～特許審査のポイント～名古屋国際会議場
2015年9月16日(水)
午前
午後

2H
09:00 ~ 12:10
2M
09:00 ~ 12:10
2U
09:00 ~ 12:10
1B
09:00 ~ 12:10