本記事は , 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 技術スタッフ表彰について紹介するものです .

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム 令和 3 年度技術スタッフ表彰 優秀技術賞

マルチマテリアルのためのプロセスインテグレーション受賞者 京都大学ナノテクノロジーハブ拠点 岸村 眞治氏に聞く
文部科学省のナノテクノロジープラット
フ ォ ー ム 事 業（NPJ） は 平 成 24 年（2012 年 ）度に 10 年間プロジェクトとして開始され，本年度はその最終年度となる．NPJ は，微細加工プラットフォーム（PF），微細構造解析 PF，分子・物質合成 PF の 3 技術領域の先端設備の利用機会を産官学の研究者に提供するもので，全国の大学・公的研究所等の 25 機関が参画して，37 のPF が共用設備を揃えている [1]．各 PF とも技術スタッフによる利用者支援が設備利用成果向上，利用者の専門の広がりの拡大，装置利用効率の向上など，NPJ の成果に大きく貢献している．
NPJ では平成 26 年以降，毎年秀でた支援活動を行った技術スタッフを表彰しており，次の 3 種岸村氏が指差す奥に i 線ステッパー類の賞の授与が行われる．
・優秀技術賞 : 類まれな秀でた技術を有していると認められる者
・技術支援貢献賞 : 技術支援において多大な貢献をしたと認められる者
・若手技術奨励賞 : 35 歳以下で，優れた技術支援をしたと認められる者
令和 3 年度の優秀技術賞に京都大学の微細加工 PF の岸村 眞治氏がテーマ名「マルチマテリアルのためのプロセスインテグレーション」で選ばれた．表彰式は，令和 4 年（2022 年）1 月 26 日に国際ナノテクノロジー総合展・技術会議 nano tech 2022 の会場（東京ビッグサイト）の会議室で行われた [2]．新型コロナウイルス感染症対策として，会場参加とオンライン参加を可能とするハイブリッド型表彰式であった．
京都大学ナノテクノロジーハブ拠点に於ける岸村氏の秀でた技術に基づく支援活動状況を伺うため，オンライン会議による取材を行った．本稿は京都大学ナノテクノロジーハブ拠点の特徴とそこでの岸村氏の豊富な経験に裏付けられた創造的活動について紹介する．

た．文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

１．
１

１．京都大学微細加工プラットフォームの概要（NPJ）において，京都大学は，微細構造解析プラットフォー

京都大学ナノテクノロジーハブ拠点について点が対応している [3]．

ム（PF）と微細加工プラットフォーム（PF）に参画し，その内の微細加工 PF は京都大学ナノテクノロジーハブ拠
京大ナノハブの特徴は，微細な半導体集積回路に加え京都大学ナノテクノロジーハブ拠点の組織化は平成 14て特に MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）に力年（2002 年）の文部科学省のプロジェクト「ナノテクノを入れており，電子デバイスからバイオ関連デバイスまロジー総合支援プロジェクト（平成 14 年～ 18 年）」にで加工できる設備・ノウハウを提供していること，無機始まっている．学内の各研究組織に分散しているナノテから高分子までの各種材料を扱い，加工・構造化・デバ

クノロジー関連の実験装置類を一か所に集めて皆で共用イス化・モジュール化の工程をアンダーワンル－フ型ですることで研究効率を高めることを意図して，「京都大学対応できるプロセスインテグレーション環境を提供できナノテクノロジーハブ拠点」，通称「京大ナノハブ」を作っることが挙げられる．

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図 2 の左側に示すリソグラフィー装置群，エッチング・加工・成膜装置群，分析・評価装置群が格納されている．
クラス 100 のクリーンルームは露光によりパターニングする際用いるレジスト材料が部屋の灯りで感光しないように黄色の照明を用いるイエロールームとしている．
そこには，i 線ステッパーを始めとし，電子ビーム描画装置やレーザー直接描画装置，高速マスクレス露光装置，両面マスクアライナーなど多様な応用領域に対応する露光装置群を揃えている．エッチング・加工・成膜および分析・評価でも同様に各種応用に対応する装置を揃えており，合計 100 台を超える装置（NPJ 用に登録しているもの 88 台）[4] が，多彩な材料，構造の加工に対応して
図1

京大ナノハブのクリーンルーム棟

いる．なお，平成 27 年（2015 年）1 月には加工評価室の一部にイエロールームを設け，大面積超高速電子線描

京大ナノハブは，4 棟に亘って構築されており，図 1画装置を導入している．に示す建物は，その一つで，次に説明するクリーンルー

現在，京大ナノハブの技術スタッフは 13 名で，これらムが入っている建物であるが，学内でも最も古い建物の装置群を分担して対応しており，利用者の支援を行ってひとつでレンガ造りの建物を改造している．

いるが，複数の工程をインテグレートするプロセスについての利用者の要望にも応えている．

１．
２

京大ナノハブの設備，装置群と支援体制

１．３

微細加工プラットフォームとしての運用実績

京大ナノハブでは，図 2 の右側写真に示すように，クリーン度がクラス 100，クラス 1,000 のクリーンルーム，NPJ は 10 年間プロジェクトで，本年度が最終年度となおよびクラス 100,000 の加工評価室に別けられており，る．昨年度までの 9 年間の施設利用課題数（成果非公開

図2

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装置群とクリーン環境

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令和 3 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（優秀技術賞）-2

を含む）の推移を図 3 に示す．利用者は大企業，京大が多いが，啓蒙活動の効果もあり，中小企業も増加の傾向にある．特に京大ナノハブでは，近年バイオ系分野への支援力強化の取り組みを行っており，平成 29 年（2017年）にはバイオ技術推進チームという WG をスタートしている．これについては岸村氏の仕事のところで紹介する．従来の工学・理学の分野から，医学・薬学・バイオや農業にいたるまでの広い分野が対象になる．そうした活動が利用者の範囲を広げ，利用者数の増加に繋がっている．なお，令和 2 年（2020 年）度は，新型コロナウイルス感染症流行の影響で利用課題数が減少している．

図3

図 4 は令和元年度における機関別利用料の割合を示し

共用設備利用課題数（成果非公開を含む）ている．おおよそ企業が 7 割，大学が 3 割となっている．
図 5 は，最近の 3 年間の利用形式として代行の件数の増加の様子を示している．平成 30 年では，利用者が自ら装置を使用する，或いは技術スタッフの補助を受けながら使用する場合が多かったが，令和元年度，令和 2 年度では，作業はすべて技術スタッフに任せる代行が急増した．
バイオ関係等微細加工技術に不慣れな分野の利用者が増えたことを示している．令和 2 年度においては，コロナウイルス対策で，利用者が装置利用に立ち会えず，代行利用になる場合が増えている．

図4

２．岸村氏の業績概要
２．
１

令和元年度機関別利用料の割合

半導体製造企業勤務で蓄積された豊富な経験

岸村氏は京大ナノハブの仕事に携わる前に，次のような経験を積んでいる．
・三菱電機株式会社において，13 年の間，半導体微細加工における材料開発やプロセス開発に関する研究に従事
・この間に，平成 9 年（1997 年）に始まった通商産業省の技術研究組合超先端電子技術開発機構 ASET に出向，次世代リソグラフィー（ArF リソグラフィー）技術開発に従事．企業を跨る交流・技術融合を経験
・続いてパナソニック株式会社において 15 年間，次世代
図5リソグラフィーや CMOS イメージセンサーの開発に従技術代行の延べ件数事し，当時では画期的な有機半導体による CMOS センサーの工場導入まで推進

学会発表 32 件（国際学会 20 件含），国内特許 121 件・・この間に，フォトレジスト材料およびプロセスに関するUS 特許 62 件取得等の活動を行った．

研究で学位を取得
・平成 16 年（2004 年）から 2 年間 IMEC（Interuniversity
Microelectronics Centre：ベルギーに本部を置く国際研

２．２

京大ナノハブにおける業務究機関）に駐在し，海外研究者や技術者との交流を通岸村氏は，平成 28 年（2016 年）7 月に京大ナノハブ

して最先端の液浸リソグラフィーによる微細加工技術に招聘され，特定研究員として，支援業務を開始した．の実用化に貢献

岸村氏が担当している主な装置は，リソグラフィーでは以上のように，半導体材料・プロセスを中心に研究かステッパー（ステップ＆リピートしながらウエハ全面をら開発・実用化までを経験し，この間に原著論文 18 件，描画する縮小投影露光装置），エッチングでは深掘りド

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ライエッチング装置，成膜ではプラズマ CVD（Chemical3）京都大学 医学研究科 医学研究支援センター：同センVapor Deposition）装置，評価では AFM（原子間力顕微

ターでは 60 台以上の共通利用機器を持ち，受託解析鏡）であるが，プロセス全体を理解しているので，利用や機器利用講習会を行っているので，そこと一緒に者の技術相談に乗り，アドバイス，プロセスフローの提案，なって，セミナーやシンポジウムなどアウトリーチ活そして利用者の作業時の支援を必要に応じて行っている．

動を行った．

微細加工技術の利用が幅広い分野の研究者・技術者に広がるなかで，知識の少ない利用者に対しては基礎からこのような，他機関との連携の他に，ナノハブ拠点独の指導に取り組んでいるが，装置の使用を技術スタッフ自の活動として，「マイクロ流路作製実習コース」や機器が代行する利用形態も図 5 に示すように増えており，拠メーカーと共催で「バイオ AFM」のセミナー・ワークショッ

点内のスタッフを指導しながら技術代行の体制構築にもプなども定期的に開催している．

貢献してきた．この体制は，新型コロナウイルス感染症拡大による技術代行の増大にも効果を発揮し，令和 2，3年度の利用料収入の減少を小幅にすること，利用者の高３．岸村氏の技術支援の実施例

い満足度にも貢献している．また，この体制は次に説明するバイオ系分野への支援強化によるプラットフォーム

ここでは，数ある岸村氏の技術支援の中から，微細加工の先端を駆使するプロセス技術の例，それとは逆のサ利用者増大にも効果を発揮すると思われる．
近年のデータ駆動型研究開発の実現への取り組みに呼イズの大きい厚膜レジストプロセスの開発，そしてバイ応して，加工プロセスのデーターベース化にも取り組ん

オ系分野との融合を実現するマイクロ流体デバイスの作でおり，微細加工プラットフォームで収集するプロセス製例を紹介する．京大ナノハブの特徴である利用者の多データーベースにも 48 件のデータを提供している．高分

様なニーズに寄り添った創造的支援活動を見ることがで子材料の専門家でもあり，今後，マテリアル先端リサーきる．

チインフラ事業 [5] のもとでのデータ構造化に対しても貢献が期待される．

３．１

２．
３ 技術融合の啓蒙活動～バイオ系分野への支援力強化の取り組み～（1）京大ナノハブ利用目的と試作品の要求精度

DOE（回折光学素子）・偏光素子の作製

本実施例における利用者は，ソニーグローバルマニュ

京大ナノハブでは少し前からバイオ系分野の利用拡大

ファクチャリング＆オペレーションズ株式会社である．の動きがある中，岸村氏は平成 29 年（2017 年）8 月に

光の回折現象を活用する DOE（回折光学素子）は，小型・バイオ技術推進チームを結成し，リーダーとなって活動軽量化が容易で，バイオ，医療，印刷，材料加工，非接触推進する WG をスタートさせた．近隣のバイオ系機関と検査，光学計測など様々な分野での利用が期待されてい連携して，次のような知識・技術の交流・融合を図る活る．今回の微細加工プラットフォーム利用の目的は，光動を行ってきた．の波長程度の微細構造が要求される DOE 素子の作製に当たって，現在の加工精度の実力を把握することであった．

1）京都市の産業技術総合研究所の京都バイオ計測セン

作製する DOE 素子構造は，石英基板に，深さ方向に段ター：同センター利用者のニーズを理解することを差を有する構造で，段数 3 段，一段当たりの深さ 670nm

目的とし，具体的活動としては，技術交流として，である．また，同時に作製した偏向素子では 350nm のラISFET（イオン選択性電界効果トランジスタ）の共同イン＆スペースが求められた．

作成・評価を行った．研究会開催では「バイオナノミ
クス基盤技術」研究会を設立し，ナノ加工の応用によ（2）プロセス設計と使用装置の設定

るバイオ分野の分析・解析技術のブレークスルーと新規シーズの創出を目指している．また，産官学から講3 段の段差のある構造体を作るので，3 回のリソグラ師を招いて講演会を開催している．これらは，微細加フィーを繰り返すことになる．即ち 3 回の露光によるレ工側にとってはバイオの勉強をし，バイオ側にとってジストのパターニングとエッチングを行う．その際，段は微細加工のことを知る機会となっている．

毎のパターンの位置合わせ精度は数 10nm 以下が要求さ

2）京都大学 高等研究院 iCeMS（物質 - 細胞統合システム

れる．この条件を満たす露光装置として図 6 の写真に示拠点）解析センター：同センターにバイオ系の分析計

す i 線ステッパーを用いた．i 線は，超高圧水銀灯から得測装置を京大ナノハブから移設・集結し，互いに補完られる波長 365nm の光で，それより短波長はエキシマし合い，細胞培養から観察・測定の効率化を可能としレーザーとなってしまう．なお，この装置では，一般的た．

な波長で決まる解像度の限界を超える超解像露光技術 [6]NanotechJapan Bulletin Vol. 15, No. 1, 2022

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図6i 線ステッパー装置の構成と解像度向上の仕組み [6][7]図7試作した（a）DOE 基板と（b）偏光素子サファイア基板として変形照明技術が採用されており，350nm のライン[7] を取り入れた．
以上の手法により試作した結果を図 7 に示す．DOE，＆スペースを可能とすることが想定された．
変形照明技術は，図 6 に示すステッパーの構成図で一番上の光源とコンデンサーレンズの間に輪帯照明あるい偏光素子共に目標の精度を持って実現することが確認された．

は四重極照明のアパーチャ（水色表示）を挿入したもので，限定した光を角度を持って照射することで，焦点でのぼけが減り，焦点深度が深くなることを利用している．

３．２

PMMA 製マイクロ流体デバイスの作製（1）利用の目的（3）i 線ステッパーの性能を活かして目標達成
この支援例の利用者は自治医科大学の岩渕 久美子氏で共用装置の i 線ステッパーは超解像露光技術を取り入ある．動物細胞は発生段階・恒常性維持において生体内れていなかったので，岸村氏はこれを導入すると同時に，を移動し組織構築・再生及び免疫反応に寄与しているこ

図 6 左下に示すように，ステッパーの高性能に合わせたとが知られている．その移動の分子機序は未だ明らかで高解像度レジスト TDUR-AR80 をレジストメーカから取りない．そこで各種細胞の経皮内及び組織内移動を模した寄せ，従来使用していたレジストを取り換えた．更に基ミクロンレベルの内径のグリッド構造を持つ流路デバイ板上に塗布したレジストに，露光の前にアルカリ水溶液スが必要となり，京大ナノハブを利用することになった．

処理をすると解像度が向上するというレジストプロセス

この際，デバイスの材料を硬くて経済的なプラスチック

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図8

PMMA 製マイクロ流体デバイスの作製フローにすることが希望された．

薄層を形成したもので，その厚さを指定して購入できる．
この Si 薄層をモールドに使用すれば，Si のエッチングは（2）熱インプリントと樹脂接合による作製プロセスの提SiO2 の表面で自動的に止まるので，このモールドで整形案と実施した樹脂の表面が平坦かつ均一に揃うことになる．最後にインプリントで押し込んだモールドを剥がしやすくす

利 用 者 の 要 望 に 対 応 し て， デ バ イ ス の 材 料 と し てる離型剤処理を行う．

PMMA（Polymethylmethacrylate： ポ リ メ タ ク リ ル 酸 メ

図 8 の中央に熱インプリントの工程を示す．インプリチル樹脂）を取り上げることとし，この樹脂に圧縮してント装置の写真の下のグラフに加温（オレンジ色）と加パターンを刻む熱インプリント法 [8] を提案した．モール圧（青色）の時間スケジュールを示している．グラフ中ドの材料として Si（シリコン）を選び，樹脂の接合には，の Tg は樹脂のガラス転移温度で，熱インプリントは，樹接着剤は使わず，表面親水化で対応するプロセスを組ん

脂温度 140℃以上，モールドに加える圧力 1MPa ～数だ．図 8 にその作製フローを示す [9]．

MPa で行った．上記時間スケジュールは，破断欠陥等のこの試作で形成するデバイス構造は，図 8 の右下部分

不具合を避けるトライアルを繰り返し，決定した．に光学顕微鏡像を示すように，二つの Culture 部（培養槽：

図 8 の右端は，PMMA の樹脂どうしを張り合わせてデ

深さ 50µm，幅 300µm）と，その溝に挟まれた Barrier 部（ババイスを形成する工程である．接合は，張り合わせる両リヤ部：直径 40µm，高さ 8µm の柱が隙間 8µm で並ぶ）で構成される．二つの Culture 部の溝には，それぞれ左右表面をオゾンあるいは酸素プラズマに晒して，OH 基が並に溶液を出し入れする流路が形成される．

が出来て残った酸素が両表面を接続する役割を果たすこ

図 8 の左端の Si のモールド形成は，半導体プロセス

ぶ親水化を行い，張り合わせた時に両方の OH 基から水とで行われる．

でよく使われるフォトリソグラフィとドライエッチングで行う．ここで，重要なのは，モールドの 50µm および（3）試作デバイスでの動作確認

8µm のエッチングの深さがそれぞれ均一に揃うことである．これが揃わないと，後の熱インプリントで平坦な面

図 9 左は完成した試作マイクロ流体デバイスの写真で，を得ることができず，さらに樹脂接合プロセスが不完全

図 8 で説明した二つの Culture 部はデバイスの中央にあっになる．そこで，モールド素材として Si ウエハの代わりて，そこからそれぞれの溶液の入出路が，X 字状に伸びに SOI（Si on Insulator）ウエハを使うこととした．Si 基ている．図右は，デバイスの動作確認実験の様子を示す板の表面に形成した酸化絶縁膜（SiO2）表面に Si 結晶のもので，細胞が Barrier 部を通って Culture 部へ流れていNanotechJapan Bulletin Vol. 15, No. 1, 2022

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図9

完成したマイクロ流体デバイス（左）と Barrier 部の細胞遊走を確認（右）る様子が確認された．

左は同じ面を三次元顕微鏡で撮ったもので，窪みがアレイ状に並んでいる．図 10 の右写真は，このモールドを用３．
３いて作ったマイクロレンズアレイで赤色のレーザポイン

厚膜レジストプロセスの開発

ターを照射したもので，動作が確認された．

ここでは 2 種類の厚膜レジストプロセスの開発例を紹介する．グレイスケール露光用レジスト材料と，モールド用レジストプロセスである．
３．３．
１３．３．２

高膜厚モールド用レジストプロセス～厚膜 2 層（400µm）モールド作製～

グレイスケール露光用厚膜レジスト（1）利用者の目的

半導体デバイスは微細化の追求で進化を続けてきて，リこの利用者（山口大学大学院医学研究科 清木 誠氏）は，ソグラフィー用のレジスト材料も薄層で高解像度が求め生体内の組織または臓器に極めて似ている 3 次元培養シられ，その膜厚は 1µm 以下の領域である．一方，MEMSやバイオ分野で必要となる厚膜領域のレジスト開発は進ステムであるオルガノイド長期培養用マイクロ流体デバ

んでいない．20µm ～ 50µm ではメッキ用樹脂材料を使うこともあるが，リソグラフィー用レジスト材料としてドの作製に京大ナノハブを利用した．デバイスの製法と十分な特性が得られない．まして，50µm ～ 100µm でクのような硬い材料ではなく，マイクロ流体デバイスにはそれも使えない．このような状況のなか，ある利用者からマクロレンズアレイを作りたいという要望があった．

よく使われる PDMS（polydimethylsiloxane：シリコーン

これにはグレイスケール露光 [10] と 100µm 級の厚膜レ簡単で経済的手法を考えており，課題はモールドの作製ジストが必要である．グレイスケール露光装置は京大ナノハブにあるが，このクラスのレジスト材料は世の中にであった．

無い．元々高分子材料が専門であった岸村氏はこのクラ（2）モールド作製の手法 [9]イスを実現することを目標に，その製作に必要なモールしては，デバイスの材料は３．２節で紹介したプラスチッの一種）を用い，モールドに流し込み硬化させるというスの厚膜レジストを新規開発することを目論み，共同開発に応ずるレジストメーカを探し，ナガセケムテックス

図 11 の上の図はデバイスの Pillar 部の構成であり，こ株式会社の協力を得ることとなった．何種類かの材料をの構造の手前と向う側に高さ 400µm の大きな培養槽が形作ってもらった結果得られた材料で，図 10 に示すマイクロレンズアレイ用モールドが得られた．図 10 の左の二成される．このデバイス用のモールドは，200µm 厚のレジスト厚膜を 2 層重ねて形成する．一層目で Pillar 部とつの写真は，右が顕微鏡写真で白い点は凹面の底であり，培養槽，2 層目で培養槽に当たる部分を形成する露光をマ

図 10

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厚膜レジスト開発によるグレイスケール露光応用

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図 12

図 11 （a）試作マイクロ流体デバイスの Pillar 部の構造，（b）それを作るモールドの上面図

試作モールド搭載ウエハと試作モールドの拡大写真

スクアライナーで行い，一括現像する手法である．図 11での業務に携わり，欧州の IMEC や国内では経済産業省のの下の図は，モールドの Pillar 部と培養槽の部分を上から技術研究組合 ASET 等のコンソシアムに参加するなど，経見た構成図である．

験と実績がある岸村氏は，京大ナノハブにおいても，その持てる力を存分に発揮されている．文部科学省ナノテ
クノロジープラットフォーム事業最終年度の技術スタッ（3）課題：厚膜レジストの実現

フ表彰における優秀技術賞の価値を高める活動と云えよ
ここでの課題はまず，このような厚膜レジストの調達う．

であった．国内を探してもなく，海外を探してスイスの京大ナノハブの今後の活動について，これまで蓄積し業者が製造していることが分かり，利用者に調達してもた微細加工技術を基盤として「マルチマテリアル化技術・らった．この商品はエポキシ樹脂 SU-8 で，化学増幅型ネ次世代高分子マテリアル」領域におけるマテリアルデー

ガ型フォトレジストで膜厚 50 ～ 400µm 対応である．たタ収集・構造化・利活用のハブ機関として展開していく [5]だ，材料は入手しても 200µm の厚さのレジスト材料の使い方が分からないので，ウエハ表面への塗布から始まっとのことで，プロセス全般の広い知識と経験を持ち，高て，プリベーク，露光，PEB（Post Exposure Bake），現期待される．

分子マテリアルの専門家でもある岸村氏の益々の活躍が像など各工程の条件出しを行い，更に，プロセスを通して発生する問題を追及解決して，厚膜 2 層モールドを完成させた．
図 12 の上の図は 4 インチ Si ウエハ上にマイクロ流体

参考文献

デバイス用モールドを多数並べて作製している様子と、[1] ナノテクノロジープラットフォームセンター，「文部そのモールド一個を抜き出した写真を脇に示す．図 12 の科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業」ナ

下の写真はそのモールドの培養槽に挟まれた Pillar 部の拡ノテクジャパン（Website），https://www.nanonet.

大写真（図 11 の（b）に相当）である．設計通りのモーgo.jp[2] ナノテクノロジープラットフォームセンター，「ナノルドの完成が確認された．

テクノロジープラットフォーム令和 3 年度秀でた利用成果と技術スタッフ表彰者が決定！！」, ナノテ（4）後書きクジャパン（Website），https://www.nanonet.go.jp/
利用者は，このモールドを用いて PDMS 製流体デバイ

ntj/topics_gov/?mode=article&article_no=5858

スを作製し，オルガノイド培養実験を進めており，三次[3] 京都大学，「ナノテクノロジーハブ拠点」（Website），元臓器の重力応答機構を実証する宇宙実験も予定されてhttp://www.nanoplat.cpier.kyoto-u.ac.jp/[4] ナノテクノロジープラットフォームセンター，「京都いるとのことである．

大学 ナノテクノロジーハブ拠点」，ナノテクジャパン（Website），Yellow Page，https://www.nanonet.
go.jp/yp/pf/F/KT/

４．おわりに[5]「マテリアル先端リサーチインフラ（ARIM）」

産業界において長年半導体の研究から開発，実用化まNanotechJapan Bulletin Vol. 15, No. 1, 2022

（Website），https://www.nanonet.go.jp/arim/

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令和 3 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（優秀技術賞）-8

[6] Takashi Ito, Shinji Okazaki, “Pushing the limits of[9]「高分子マテリアルの微細加工技術」(YouTube)，lithography”, Nature, Vol. 406, 1027 (2000)

https://www.youtube.com/watch?v=yryWiKSf-q0[7] Sachio Ogawa, Shigeo Uoya, Hiroshi Kimura, Hitoshi[10] 庄子征希，上瀧英郎，森山雅昭，戸津健太郎，「レーNagata, “Latitude Enhancement Novel Single

ザ直接描画を用いたグレイスケールリソグラフィにLithography”, Journal of Photopolymer Science &おける厚膜レジストの評価」電気学会論文誌 E，Vol.

Technology, Vol. 2, 375 (1989)

140, No. 5 (2020)[8] Yoshihiko Hirai, Takashi Yoshikawa, Nobuyuki Takagi,Satoshi Yoshida, Kazuhiro Yamamoto, “Mechanical

図は全て岸村氏から提供された

Properties of Poly-methyl methacrylate (PMMA) for
Nano Imprint Lithography”, Journal of Photopolymer（向井 久和）Science and Technology, Vol. 16, 615 (2003)

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