第15回ナノテクノロジー
総合シンポジウム

2017

Proceedings

February 17th, 2017, Reception Hall2017年2月17日（金） 会議棟1階レセプションホール

10:00-10:05【Opening Remarks / 開会挨拶】
Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology/ 文部科学省

10:05-10:35【Plenary Lecture / 基調講演】
Kazuhito Hashimoto (Council for Science, Technology and Innovation / National Institute for Materials Science, Japan)
橋本 和仁（総合科学技術・イノベーション会議／物質・材料研究機構）“Toward Super Smart Society (Society 5.0)”「超スマート社会（Society 5.0）に向けて」

10:35-11:25【Session 1】
IoT / Materials Informatics / IoT システム構築・マテリアルズインフォマティクス
10:35 -

Shinji Nishimura (Hitachi, Ltd. Japan)
西村 信治（株式会社日立製作所）“Social Innovation created by IoT”

11:00 -

「IoT が拓く社会イノベーション」
Fumiyasu Oba / Hidenori Hiramatsu (Tokyo Institute of Technology, Japan)
大場 史康／平松 秀典（東京工業大学）“Discovery of Novel Nitride Semiconductors: Predictions via in silico Screening andExperimental Verification”「新しい窒化物半導体の発見 - in silico スクリーニングによる予測と実験による実証」

11:25-12:20【Session 2】
Nano Diagnostics & Nano Therapy / ナノ診断とナノ治療
11:25 -

Yoshinobu Baba (Nagoya University, Japan)
馬場 嘉信（名古屋大学）“Nanobiodevices for Society 5.0”

11:50 -

「ナノバイオデバイスが拓く超スマート社会」
Hisataka Kobayashi (National Institutes of Health U.S.A.)“Near Infrared Photoimmunotherapy (NIR-PIT) for Cancer; Crashing Cancer Cells in the Body by
Exposing Harmless Near Infrared Light”「人体に無害な光（近赤外線）を照射して癌細胞を壊す新がん治療法；近赤外光線免疫療法」

12:20 - 13:20

Lunch / 昼食

13:20-15:25【Session 3】
Activities of Nanotechnology Platform / ナノテクノロジープラットフォーム活動概要
13:20 - 13:35

Award Ceremony / 表彰式
Research Achievements and others

13:35 - 14:35

平成 28 年度の秀でた利用成果及び技術支援表彰
Research Topics of Nanotechnology Platform

14:35 - 15:25

平成 28 年度の秀でた利用成果
Poster Presentation on Activities of Nanotechnology Platform
ポスター発表：ナノテクノロジープラットフォームの実施概要

15:05 - 15:25

Break and Poster Presentation / 休憩・ポスター発表

15:25-16:15【Session 4】
Human Sensing / ヒューマンセンシング
15:25 -

Isao Shimoyama (The University of Tokyo, Japan)
下山 勲（東京大学）“Sensor Technology for Monitoring What We Need”

15:50 -

「人やあらゆるものからの情報を収集するセンサー技術」
Makoto Takamiya (The University of Tokyo, Japan)
高宮 真（東京大学）“Future Directions of Wearable Organic Devices Closely Attached on Skin”「有機エレクトロニクスを核とした皮膚密着型ウエアラブルデバイスの新展開」

16:15-17:05【Session 5】
Safe & Secure Society / 安全・安心な社会
16:15 -

Takahiro Sawaguchi (National Institute for Materials Science, Japan)
澤口 孝宏（物質・材料研究機構）“A Novel Long-lived Seismic Damping Alloy for Safe and Secure Social Infrastructures”

16:40 -

「社会インフラの安全・安心のための新しい長寿命制振ダンパー合金」
Tsuneo Komatsuzaki (SECOM CO., LTD. Japan)
小松崎 常夫（セコム株式会社）“Services Innovation for Social System Industry”「安全・安心で豊かな社会のためのサービスイノベーション」

17:05-17:10【Closing Remarks / 閉会挨拶】
Dr. Tetsuji Noda (Chairperson of the Organizing Committee of JAPAN NANO 2017 / Director, Center for Nanotechnology Platform, National Institute forMaterials Science, Japan)

野田 哲二（JAPAN NANO 2017 組織委員長、物質・材料研究機構ナノテクノロジープラットフォームセンター長）

【Plenary Lecture / 基調講演】【Plenary Lecture / 基調講演】

“Toward Super Smart Society (Society 5.0)”「超スマート社会（Society 5.0）に向けて」

Kazuhito Hashimoto (Council for Science, Technology and Innovation /National Institute for Materials Science, Japann)橋本 和仁（総合科学技術・イノベーション会議 / 物質・材料研究機構）

9Toward Super Smart Society (Society 5.0)
Kazuhito HashimotoCouncil for Science, Technology and Innovation /National Institute for Materials Science, Japan10

Kazuhito Hashimoto
President, National Institute for Materials Science< CV >
Education
1978: B. Science, Chemistry. The University of Tokyo
1980: M. Science, Chemistry. The University of Tokyo
1985: Doc. Science, Chemistry. The University of Tokyo
Career History
1980 ‑ 1984: Technical Associate, Institute for Molecular Science
1984 ‑ 1989: Research Associate, Institute for Molecular Science
1989 ‑ 1991: Assistant Professor, Department of Applied Chemistry, The University ofTokyo
1991 ‑ 1997: Associate Professor, Department of Applied Chemistry, The University ofTokyo
1997 ‑ 2007: Professor, Research Center for Advanced Science and Technology, The
University of Tokyo
2004 ‑ 2007: Director, Research Center for Advanced Science and Technology, The
University of Tokyo
2007 ‑ 2016: Professor, Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo
2015 ‑ Present: Professor of Policy Alternative Research Institute, The University of Tokyo
2016 ‑ Present: President, National Institute for Materials Science
Present Public Appointments
0HPEHU6FLHQFH&RXQFLORI-DSDQ
([HFXWLYH0HPEHU&RXQFLOIRU6FLHQFH7HFKQRORJ\DQG,QQRYDWLRQ &DELQHW2I¿FHRI-DSDQ

11

Session 1【IoT / Materials Informatics / IoT システム構築・マテリアルズインフォマティクス】

Session 1【IoT / Materials Informatics /IoT システム構築・
マテリアルズインフォマティクス】

“Social Innovation created by IoT”
「IoT が拓く社会イノベーション」

Shinji Nishimura (Hitachi, Ltd. Japan)
西村 信治（株式会社日立製作所）“Discovery of Novel Nitride Semiconductors: Predictions via
in silico Screening and Experimental Verification”「新しい窒化物半導体の発見 - in silico スクリーニングによる予測と実験による実証」

Fumiyasu Oba / Hidenori Hiramatsu (Tokyo Institute of Technology, Japan)
大場 史康 / 平松 秀典（東京工業大学）

15

Social Innovation created by IoT
S. Nishimura
Hitachi Ltd., Center for Technology Innovation,+LJDVKL.RLJDNXER.RNXEXQML7RN\R-DSDQ

Abstract
IoT (Internet of Things), which refers to the connection of various devices through a
QHWZRUNLVH[SHFWHGWREHDQRYHOHFRQRPLFYDOXHLQUHVROYLQJVRFLDOSUREOHPVVXFKDVUHGXFLQJ
competitiveness in industry, the aging of social infrastructure, and the lack of energy resources.
In order to use IoT for innovation successfully, it is important to improve the following
technologies: (i) sensing technology to understand the events in real space quantitatively,
LL DUWL¿FLDOLQWHOOLJHQFHWRH[WUDFWDQGDQDO\]HFKDUDFWHULVWLFGDWDIURPWKHPHDVXUHPHQWUHVXOWV
DQG LLL DFWXDWRUWHFKQRORJ\WRFRQWUROHYHQWVLQUHDOVSDFHRQWKHEDVLVRIWKHDQDO\VLVUHVXOWVData processing systems that support IoT have advanced from conventional centralized
SURFHVVLQJ RQ D FORXG V\VWHP WR GLVWULEXWHG SURFHVVLQJ XVLQJ HGJH DQG IRJ FRPSXWLQJ RQ D
measuring site. As a result, systems can operate with more diverse and larger amounts of data.
6HQVRUVDQGPHDVXULQJLQVWUXPHQWVWKDWFROOHFWVHQVLQJGDWDFDQEHIXUWKHUGLYHUVL¿HGE\XVLQJQHZ
QDQRWHFKQRORJ\,QSDUWLFXODUZHEHOLHYHWKDWQDQRWHFKQRORJLHVWKDWVXSSRUWVHQVRUVDQGDFWXDWRUVDVLQWHUIDFHVEHWZHHQUHDOVSDFHDQGF\EHUVSDFHDUHLPSRUWDQW,QWKLVSUHVHQWDWLRQZHZLOOLQWURGXFHVROXWLRQVWKDWXVH,R7WRUHVROYHVRFLDOSUREOHPVVXFKas smart operations in manufacturing, efficient material development, and monitoring social
infrastructures. Furthermore, we will report on our nanotechnology developments, such as our short
TAT (Turn Around Time) development system for IoT devices, integrated circuit learning systems
and nano-imaging for materials.

16Dr. Shinji Nishimura
General Manager
Center for Technology Innovation – Electronics
Hitachi, Ltd. Research & Development Group‫&ޒ‬9‫ޓ‬
Education
Master of Electronic Engineering, March, 1991
University of Tokyo, JapanWork Experience+HMRLQHGWKH&HQWUDO5HVHDUFK/DERUDWRU\+LWDFKL/WGLQ+HZRUNHGRQRSWLFDOGHYLFH
network interface, network equipment, parallel processing system and sensing system for IoT. He is
DVHQLRUPHPEHURI,(((&RPPXQLFDWLRQ6RFLHW\DQG,(,&(+LVUHVHDUFKLQWHUHVWVDUHWHFKQRORgies in electronics for communication, computer systems and IoT. Ph.D for Engineering.

17

DISCOVERY OF NOVEL NITRIDE SEMICONDUCTORS:PREDICTIONS VIA IN SILICO SCREENING AND
EXPERIMENTAL VERIFICATION
F. Oba1,2,3 and H. Hiramatsu1,2
1/DERUDWRU\IRU0DWHULDOVDQG6WUXFWXUHV,QVWLWXWHRI,QQRYDWLYH5HVHDUFKTokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan
2
Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology,
4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan
3&HQWHUIRU0DWHULDOV5HVHDUFKE\,QIRUPDWLRQ,QWHJUDWLRQ
1DWLRQDO,QVWLWXWHIRU0DWHULDOV6FLHQFH6HQJHQ7VXNXED-DSDQ

Abstract
1LWULGHVHPLFRQGXFWRUVDUHDWWUDFWLYHDVWKH\FDQEHHQYLURQPHQWDOO\EHQLJQDQGSRVVHVVIDYRUDEOH
electronic properties; however, those currently commercialized are mostly limited to GaN and its
alloys. In this talk, we report the in silico screening of ternary zinc nitride semiconductors using stateof-the-art first-principles calculations. This approach identifies as-yet-unreported CaZn2N2 that has
DEXQGDQWFRPSRQHQWVVPDOOFDUULHUHIIHFWLYHPDVVHVDQGDGLUHFWEDQGJDSVXLWHGIRUOLJKWHPLVVLRQDQGKDUYHVWLQJ7KLVQRYHOSKDVHLVUHDOL]HGE\KLJKSUHVVXUHV\QWKHVLVDQGWKHSUHGLFWHGEDQG
HGJHUHGSKRWROXPLQHVFHQFHLVH[SHULPHQWDOO\YHUL¿HG7KHSUHVHQWVWXG\GHPRQVWUDWHVDFFHOHUDWHG
materials discovery via cutting-edge in silicoVFUHHQLQJIROORZHGE\WDUJHWHGH[SHULPHQWV
I. INTRODUCTION
The search for novel semiconductors is increasingly important as the applications of
VHPLFRQGXFWRUVEHFRPHPRUHSUHYDOHQW$PRQJWKHFRPSRXQGVHPLFRQGXFWRUVQLWULGHVDUHDWWUDFWLYH
GXHWRWKHDEXQGDQWDQGHQYLURQPHQWDOO\EHQLJQQLWURJHQFRQVWLWXHQW&XUUHQWO\FRPPHUFLDOL]HGQLWULGHVHPLFRQGXFWRUVDUHKRZHYHUPRVWO\OLPLWHGWR*D1DQGLWVEDVHGDOOR\V7KLVVLWXDWLRQVWLPXODWHVQRWRQO\H[SHULPHQWDOEXWDOVRFRPSXWDWLRQDORUin silicoH[SORUDWLRQRIQRYHOQLWULGHVIn this talk, we report the discovery of a novel nitride semiconductor CaZn2N2E\WKHVWDWHRIWKHDUW
in silico screening and high-pressure synthesis [1].
II. METHODS
The screening was performed using first-principles calculations from various aspects, as
VFKHPDWLFDOO\VKRZQLQ)LJWKHHOHFWURQLFVWUXFWXUHG\QDPLFVWDELOLW\DJDLQVWODWWLFHYLEUDWLRQDQG
WKHUPRG\QDPLFVWDELOLW\DJDLQVWFRPSHWLQJSKDVHVLQWKHSKDVHGLDJUDP)XUWKHUPRUHWKHHQHUJHWLFVRIUHOHYDQWQDWLYHSRLQWGHIHFWVDQGGRSDQWVZDVDVVHVVHGWRLGHQWLI\WKHGRSDELOLW\LQWRp-type, n-type,
RUERWKIRUSURPLVLQJFRPSRXQGV7KHSURMHFWRUDXJPHQWHGZDYHPHWKRG>@DVLPSOHPHQWHGLQWKH
9$63FRGH>@ZDVXVHGLQFRQMXQFWLRQZLWKVHPLORFDODQGK\EULGIXQFWLRQDOV7KH¿QLWHVL]HHIIHFWVof charged defect supercells were corrected using the scheme reported in Ref. 4. The high-pressure
synthesis of CaZn2N2 was made at 1200 °C and 5.0 GPa for 1 hour.
III. RESULTS AND DISCUSSION
The in silicoVFUHHQLQJLGHQWL¿HGDV\HWXQUHSRUWHGQLWULGHVWKDWDUHWKHUPRG\QDPLFDOO\VWDEOH
RUVOLJKWO\PHWDVWDEOHDQGKDYHIDYRUDEOHHOHFWURQLFSURSHUWLHV>@$PRQJWKHPWKHPRVWSURPLVLQJ
system is CaZn2N2WKDWLVFRPSRVHGRIDEXQGDQWHOHPHQWVRQO\DQGKDVDGLUHFWW\SHEDQGVWUXFWXUH
with a gap of 1.8 eV and carrier effective masses smaller than GaN. The native defect and dopant
FDOFXODWLRQVLQGLFDWHWKDWWKLVFRPSRXQGLVGRSDEOHLQWRERWK p- and n-types. We therefore chose
CaZn2N2DVDWDUJHWRIH[SHULPHQW8VLQJKLJKSUHVVXUHV\QWKHVLVWKLVQRYHOSKDVHLVREWDLQHGZLWKD
SUHGLFWHGWULJRQDOFU\VWDOVWUXFWXUH7KHH[SHULPHQWDOEDQGJDSRIH9LVFORVHWRWKHWKHRUHWLFDOO\18

SUHGLFWHG YDOXH 0RUHRYHU EDQGHGJH UHG SKRWROXPLQHVFHQFH LV REVHUYHG DV VKRZQ LQ )LJ 
LQGLFDWLQJLWVGLUHFWW\SHEDQGVWUXFWXUH7KHVHUHVXOWVGHPRQVWUDWHDFFHOHUDWHGPDWHULDOVGLVFRYHU\YLD
cutting-edge in silicoVFUHHQLQJIROORZHGE\WDUJHWHGH[SHULPHQWVFig. 1

Theoretical identification of as-yet-unreported CaZn2N2 via in silico screening and theexperimental verification of band-edge red photoluminescence from a polycrystalline
CaZn2N2 specimen obtained by high-pressure synthesis.

Acknowledgments
7KLVZRUNZDVSHUIRUPHGLQFROODERUDWLRQZLWK<+LQXPDDQG,7DQDNDDW.\RWR8QLYHUVLW\DQG7+DWDNH\DPD<.XPDJDL/$%XUWRQ+6DWR<0XUDED6,LPXUDDQG++RVRQRDW
7RN\R,QVWLWXWHRI7HFKQRORJ\XQGHUWKHVXSSRUWE\WKH0(;7(OHPHQWV6WUDWHJ\,QLWLDWLYHWR)RUP
&RUH5HVHDUFK&HQWHU6FLHQWL¿F5HVHDUFKRQ,QQRYDWLYH$UHDVIURP-636DQG6XSSRUW3URJUDP
IRU6WDUWLQJ8S,QQRYDWLRQ+XE0,,IURP-67-DSDQReferences>@ <+LQXPD7+DWDNH\DPD<.XPDJDL/$%XUWRQ+6DWR<0XUDED6,LPXUD++LUDPDWVX,
7DQDND++RVRQRDQG)2ED1DW&RPPXQ  
[2] P. E. Blöchl, Phys. Rev. B 50 (1994), 17953.
>@ *.UHVVHDQG-)XUWKPOOHU3K\V5HY%  *.UHVVHDQG'-RXEHUW3K\V5HY%(1999), 1758.
>@ <.XPDJDLDQG)2ED3K\V5HY%  

‫&ޒ‬9‫ޓ‬Fumiyasu Oba is a Professor at Tokyo Institute of Technology andan Invited Researcher at National Institute for Materials Science.
His research interest includes computational design and discoveryof electronic and energy materials.

Hidenori Hiramatsu is an Associate Professor at Tokyo Instituteof Technology. His research interest includes electronic/optical/
PDJQHWLFSURSHUWLHVRIIXQFWLRQDOPDWHULDOVHSLWD[LDOJURZWKDQG
GHYLFHIDEULFDWLRQ19

Session 2【Nano Diagnostics & Nano Therapy/ ナノ診断とナノ治療】

Session 2【Nano Diagnostics & Nano Therapy/
ナノ診断とナノ治療】

“Nanobiodevices for Society 5.0”
「ナノバイオデバイスが拓く超スマート社会」

Yoshinobu Baba (Nagoya University, Japan)
馬場 嘉信（名古屋大学）“Near Infrared Photoimmunotherapy (NIR-PIT) for Cancer;
Crashing Cancer Cells in the Body by Exposing Harmless
Near Infrared Light”「人体に無害な光（近赤外線）を照射して癌細胞を壊す新がん治療法；近赤外光線免疫療法」

Hisataka Kobayashi (National Institutes of Health, U.S.A.)

23

NANOBIODEVICES FOR SOCIETY 5.0
Yoshinobu Baba
Department of Applied Chemistry, School of Engineering, ImPACT Research Center for Advanced
1DQRELRGHYLFHV'HSDUWPHQWRI$GYDQFHG0HGLFDO6FLHQFH6FKRRORI0HGLFLQH
Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan

1DQRELRGHYLFHLVDSLHFHRIFRQWULYDQFHHTXLSPHQWPDFKLQHRUFRPSRQHQWZKLFKLVFUHDWHG
E\WKHRYHUODSSLQJPXOWLGLVFLSOLQDU\DFWLYLWLHVDVVRFLDWHGZLWKQDQRWHFKQRORJ\DQGELRWHFKQRORJ\,QWKLVOHFWXUH,ZLOOGHVFULEHWKHGHYHORSPHQWRIQDQRELRGHYLFHVIRUVRFLHW\>@LQFOXGLQJ
immuno-wall devices for healthcare and point-of-care testing, nanopillar-nanopore devices for
VLQJOH'1$DQGPLFUR51$VHTXHQFLQJQDQRZLUHGHYLFHVIRUH[RVRPHDQDO\VLV$,SRZHUG,R7
nanosensors, and quantum switching in vivo imaging of iPS cells. Immuno-wall devices realized
WKHIDVWDQGORZLQYDVLYH³IURPEORRGWRDQDO\VLV´W\SHELRPDUNHUGHWHFWLRQRIFDQFHUZLWKI0
detection sensitivity within 2 min. Additionally, nanopillar devices give us ultrafast electophoretic
VHSDUDWLRQRI'1$DQGPLFUR51$ZLWKLQVDQGQDQRSLOODUQDQRSRUHLQWHJUDWHGQDQRELRGHYLFH
HQDEOHVXVXOWDUDIDVWVLQJOHPROHFXODU'1$VHTXHQFLQJ1DQRZLUHGHYLFHVFRXSOHGZLWKVXSHUUHVROXWLRQRSWLFDOPLFURVFRS\DUHH[WUHPHO\XVHIXOWRDQDO\]HH[RVRPHVIURPFDQFHUFHOOVDQG
H[RVRPDO PLFUR51$ DQDO\VLV  1DQRZLUHQDQRSRUH GHYLFHV FRPELQHG ZLWK PDFKLQH OHDUQLQJWHFKQLTXHHQDEOHXVWRGHYHORSPRELOHVHQVRUVIRU30EDFWHULDDQGYLUXVLQWKHHQYLURQPHQW
4XDQWXPGRWVDUHDSSOLHGWRGHYHORSTXDQWXPELRGHYLFHVIRUVLQJOHFDQFHUFHOOGLDJQRVLVVLQJOH
molecular epigenetic analysis, quantum switching in vivo imaging for iPS cell (induced pluripotent
VWHPFHOOV EDVHGUHJHQHUDWLYHPHGLFLQHDQGWKHUDQRVWLFGHYLFHVIRUFDQFHUGLDJQRVLVWKHUDS\References>@ 1.DML<%DEDHWDOChem. Soc. Rev., 39, 948 (2010).
>@ '2QRVKLPD+<XNDZD<%DEDAdvanced Drug Delivery Reviews, 95, 2-14(2015).
>@ 65DKRQJ7<DVXL1.DML<%DEDLab on a Chip,16, 1126-1138 (2016).
>@ 1.DML<%DEDHWDO1DQRSLOODUV1DQRZLUHVDQG1DQREDOOVIRU'1$DQG3URWHLQ$QDO\VLV1DQRÀXLGLFVQG
Edition, J. Edel, et al. (Ed.), RSC, 2017, Chap. 3>@ 07DEXFKL<%DEDHWDONature Biotech., 22, 337 (2004).
>@ 5%DNDORYD<%DEDHWDONature Biotech., 22, 1360 (2004).
>@ 0)6HUDJ<%DEDHWDOACS Nano., 5, 493, (2011).
>@ 7<DVXL<%DEDHWDOACS Nano, 5, 7775 (2011).
>@ 0)6HUDJ<%DEDHWDOACS Nano, 5, 9264 (2011).
>@0)6HUDJ<%DEDHWDONano Lett., 12, 6145 (2012).
>@ 7<DVXL<%DEDHWDOACS Nano, 7, 3029 (2013).
>@.+LUDQR<%DEDHWDONano Lett., 13, 1877 (2013).
>@65DKRQJ<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS   >@65DKRQJ<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS   >@7<DVXL<%DEDHWDONano Lett., 15, 3445 (2015).
>@7.DPH\DPD<%DEDHWDONanoscale, 8, 5435 (2016).
>@6)XNXVKLPD<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS   >@7<DPDPRWR<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS   >@7<DVXL<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS   >@<2JLKDUD<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS LQSUHVV  

24

Yoshinobu Baba
Professor, Department of Applied Chemistry, School of Engineering'LUHFWRU,P3$&75HVHDUFK&HQWHUIRU$GYDQFHG1DQRELRGHYLFHVProfessor, Department of Advanced Medical Science, School of Medicine
Nagoya University
Research Advisor, Health Research Institute,
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)‫&ޒ‬9‫ޓ‬
Biography'U<RVKLQREX%DEDLV3URIHVVRURI'HSDUWPHQWRI$SSOLHG&KHPLVWU\6FKRRORI(QJLQHHULQJDQGD'LUHFWRURI,P3$&75HVHDUFK&HQWHUIRU$GYDQFHG1DQRELRGHYLFHV1DJR\D8QLYHUVLW\+H
is an Associate Editor of Anal. ChemRI$&6DQGVHUYLQJWRRYHUVFLHQWL¿FMRXUQDOVDVDQHGLWRULDODGYLVRU\ERDUGPHPEHU+HKDVEHHQDGPLWWHGDVD)HOORZRIWKH5R\DO6RFLHW\RI&KHPLVWU\DQGUHFHLYHGRYHUDZDUGVIRUKLVFRQWULEXWLRQVLQQDQRELRWHFKQRORJ\0(5&.$ZDUGLQ
The CSJ (Chemical Society of Japan) award for creative work in 2008, The Japan Society for AnaO\WLFDO&KHPLVWU\$ZDUGLQDQG7KH&RPPHQGDWLRQIRU6FLHQFHDQG7HFKQRORJ\E\WKH0LQLVWHURI(GXFDWLRQ&XOWXUH6SRUWV6FLHQFHDQG7HFKQRORJ\LQ'U%DED¶VUHVHDUFKVWXGLHVDUH
GLUHFWHGDWWKHGHYHORSPHQWRIQDQRELRGHYLFHVIRURPLFVV\VWHPVELRORJ\PHGLFDOGLDJQRVLVWLVVXHHQJLQHHULQJDQGPROHFXODULPDJLQJ+HLVWKHDXWKRURUFRDXWKRURISXEOLFDWLRQVLQFOXGLQJUHVHDUFKSDSHUVSURFHHGLQJVUHYLHZVDQGERRNVDQGLVDOVRDQLQYHQWRURIRYHUSDWHQWV+HKDV
GHOLYHUHGPRUHWKDQSOHQDU\DQGLQYLWHGOHFWXUHVDWFRQIHUHQFHV+LVZRUNKDVEHHQFLWHGRQRFFDVLRQVE\QHZVSDSHUVDQGWHOHYLVLRQRecent Publication:
1)
2)

馬場嘉信、ナノバイオデバイス創製と未来医療への展開、化学と工業 , 2015, 3, 274-276
安井隆雄、湯川博、加地範匡、馬場嘉信、ナノワイヤ 3 次元構造による DNA 解析技術の開発、バイオチップの基礎と応用，CMC, 2015, 37-44.
3) 馬場嘉信、谷口正輝、川合知二、次世代 DNA シークエンサーの開発、CSJ カレントレビュー 23，化学同人，
2016, 125-131.
4) 湯川博、馬場嘉信、移植幹細胞 in vivo 蛍光イメージングが再生医療創薬に果たす役割、DDS, 2016, 31, 135-145.
5) 馬場嘉信、DDS とナノテクノロジーがもたらす超スマート社会、DDS, 2017, in press.
6) 小野島大介、笠間敏博、馬場嘉信、ラブオンチップの最前線，CSJ カレントレビュー 24，化学同人、2017  1.DML<%DEDHWDOChem. Soc. Rev., 39, 948 (2010).
  '2QRVKLPD+<XNDZD<%DEDAdvanced Drug Delivery Reviews, 95, 2-14(2015).
  65DKRQJ7<DVXL1.DML<%DEDLab on a Chip,16, 1126-1138 (2016).
  1.DML<%DEDHWDO1DQRSLOODUV1DQRZLUHVDQG1DQREDOOVIRU'1$DQG3URWHLQ$QDO\VLV1DQRÀXLGLFVQG(GLWLRQ, J.
Edel, et al. (Ed.), RSC, 2017, Chap. 3
  07DEXFKL<%DEDHWDONature Biotech., 22, 337 (2004).
  5%DNDORYD<%DEDHWDONature Biotech., 22, 1360 (2004).
  0)6HUDJ<%DEDHWDOACS Nano., 5, 493, (2011).
  7<DVXL<%DEDHWDOACS Nano, 5, 7775 (2011).
  0)6HUDJ<%DEDHWDOACS Nano, 5, 9264 (2011).
  0)6HUDJ<%DEDHWDONano Lett., 12, 6145 (2012).
  7<DVXL<%DEDHWDOACS Nano, 7, 3029 (2013).
  .+LUDQR<%DEDHWDONano Lett., 13, 1877 (2013).
  65DKRQJ<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS     65DKRQJ<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS     7<DVXL<%DEDHWDONano Lett., 15, 3445 (2015).
  6)XNXVKLPD<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS     7<DPDPRWR<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS     7<DVXL<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS     <2JLKDUD<%DEDHWDOSci. Rep 1DWXUH3XE*URXS LQSUHVV  

25

NEAR INFRARED PHOTOIMMUNOTHERAPY (NIR-PIT)FOR CANCER; CRASHING CANCER CELLS IN THE BODY
BY EXPOSING HARMLESS NEAR INFRARED LIGHT
H. Kobayashi
Molecular Imaging Program, National Cancer Institute/ NIH
10 Center Dr. Bethesda, MD 20892, USA

Abstract
Near infrared (NIR) photoimmunotherapy (PIT) is a newly developed, molecularly-targeted
FDQFHUSKRWRWKHUDS\EDVHGRQFRQMXJDWLQJDQHDULQIUDUHGVLOLFDSKWKDORF\DQLQHG\H,5G\H';
,5 WRDPRQRFORQDODQWLERG\ 0$E WKHUHE\WDUJHWLQJVSHFL¿FFHOOVXUIDFHPROHFXOHV>@$
ILUVWLQKXPDQ3KDVHFOLQLFDOWULDORI1,53,7ZLWKWKHFHWX[LPDE,5 50 WDUJHWLQJ
(*)5LQSDWLHQWVZLWKLQRSHUDEOHKHDGDQGQHFNFDQFHUZDVDSSURYHGE\WKH86)'$LQ$SULO
2015, and is now in transition to a Phase 2 trial (https://clinicaltrials.gov/ct2/show/NCT02422979).
:KHQH[SRVHGWR1,5OLJKWWKHFRQMXJDWHUDSLGO\LQGXFHVDKLJKO\VHOHFWLYHQHFURWLFLPPXQRJHQLF
FHOOGHDWK ,&' RQO\LQDQWLJHQSRVLWLYH0$E,5ERXQGFDQFHUFHOOV,PPXQRJHQLFFHOOGHDWKRFFXUVDVHDUO\DVPLQXWHDIWHUH[SRVXUHWR1,5OLJKWDQGUHVXOWVLQLUUHYHUVLEOHPRUSKRORJLF
FKDQJHV RQ WDUJHWH[SUHVVLQJ FHOOV LQFOXGLQJ FHOOXODU VZHOOLQJ EOHE IRUPDWLRQ DQG UXSWXUH RI
YHVLFOHVGXHWRPHPEUDQHGDPDJH0HDQZKLOHLPPHGLDWHO\DGMDFHQWUHFHSWRUQHJDWLYHFHOOVDUH
WRWDOO\XQKDUPHG'\QDPLF'REVHUYDWLRQRIWXPRUFHOOVXQGHUJRLQJ1,53,7DORQJZLWKQRYHOOLYHFHOOPLFURVFRSLHVVKRZHGUDSLGO\VZHOOLQJLQWUHDWHGFHOOVLPPHGLDWHO\DIWHUOLJKWH[SRVXUH
VXJJHVWLQJUDSLGZDWHULQÀX[LQWRFHOOV&HOOELRORJLFDODQDO\VLVVKRZHGWKDW,&'LQGXFHGE\1,5
3,7UDSLGO\PDWXUDWHLPPDWXUHGHQGULWLFFHOOVDGMDFHQWWRG\LQJFDQFHUFHOOVLQLWLDWLQJDKRVWDQWL
cancer immune response [2]. Additionally, NIR-PIT can enhance nano-drug delivery into the treated
WXPRUEHGXSWRIROGFRPSDUHGZLWKXQWUHDWHGWXPRUVDSKHQRPHQRQWKDWZHKDYHWHUPHGWKH
³VXSHUHQKDQFHGSHUPHDELOLW\DQGUHWHQWLRQ´ 6835 HIIHFW>@)XUWKHUPRUH1,73,7WDUJHWLQJ
immuno-suppressor cells, such as Treg, in a local tumor, can enhance tumor cell-selective systemic
KRVWLPPXQLW\OHDGLQJWRVLJQL¿FDQWUHVSRQVHVLQGLVWDQWPHWDVWDWLFWXPRUV>@,QFRQFOXVLRQGXH
WRLWKLJKO\WDUJHWHGFDQFHUFHOOVHOHFWLYHF\WRWR[LFLW\1,53,7FDUULHVIHZVLGHHIIHFWVDQGKHDOLQJ
is rapid. NIR-PIT induces ICD on cancer cells that initiates host immunity. Moreover, NIR-PIT can
ORFDOO\GHSOHWH7UHJVDQGRWKHULPPXQHVXSSUHVVRUFHOOVLQ¿OWUDWLQJLQWXPRUEHGVWKXVDFWLYDWLQJ
systemic anti-cancer cellular immunity without potential autoimmune adverse effects.
References[1] M. Mitsunaga, et al., Nature medicine 17 (2011) pp. 1685-1691.
[2] M. Ogawa, et al., Oncotarget  RQ:HE
[3] K. Sano, et al., ACS nano 7 (2013) pp. 717-724.
[4] K. Sato, et al., Science translational medicine 8 (2016) pp. 352ra110.

26

Hisataka Kobayashi, MD, PhD,
Senior Investigator, Molecular Imaging Program,
National Cancer Institute/NIH‫&ޒ‬9‫ޓ‬(Carrier)
1987 – 1988
1988 – 1991
1991 – 1995
1995
1995 – 1998
1999 – 2001±
2005 – Present
2015 – Present

Radiology Junior Resident, Kyoto University School of Medicine, Kyoto, Japan
Radiology Senior Resident, Kyoto National Hospital, Kyoto, Japan
Post-graduate Student, Kyoto University Graduate School of Medicine, Kyoto, Japan
Staff clinician, Kyoto University Hospital, Kyoto, Japan
Post-doctal Fellow, Nuclear Medicine Department, NIH Clinical Center,
Assistant Professor, Diagnostic Imageology Kyoto University, Kyoto, Japan
6HQLRU)HOORZ )7( 0HWDEROLVP%UDQFK1DWLRQDO&DQFHU,QVWLWXWH1,+
Chief scientist, Molecular Imaging Program, National Cancer Institute, NIH
Tenured Senior Investigator, Molecular Imaging Program, NCI/NIH(Awards)
2016, 2015, 2013, 2004,
Federal Technology Transfer Award &&5)/(;$ZDUG
2015 Elliot Lasser Award, from CMR2015
2014 NIH Director Award (Merit Award) &HUWL¿FDWHRI0HULW5DGLRORJLFDO6RFLHW\RI1RUWK$PHULFD 6FLHQWL¿F$GYDQFHVLQWKH&&5 6HOHFWHGEHVWDEVWUDFWLQ$$&5 )HOORZDZDUGRIUHVHDUFKH[FHOOHQFHLQ1,+2000 The 38th Award of Japanese Society of Nuclear Medicine 7KH³$ODYL0DQGHOO´DZDUGIURPWKH6RFLHW\RI1XFOHDU0HGLFLQH

27

Session 3【Activities of Nanotechnology Platform / ナノテクノロジープラットフォーム活動概要】

Session 3【Activities of Nanotechnology Platform /ナノテクノロジープラットフォーム活動概要】

Award Ceremony / 表彰式
Research Achievements and others
H28 年度の秀でた利用成果及び技術支援表彰
Research Topics of Nanotechnology Platform
H28 年度の秀でた利用成果
Poster Presentation on Activities of Nanotechnology Platform
ポスター発表：ナノテクノロジープラットフォームの実施概要

31

Session 4【Human Sensing/ ヒューマンセンシング】

Session 4【Human Sensing/ ヒューマンセンシング】

“Sensor Technology for Monitoring What We Need”「人やあらゆるものからの情報を収集するセンサー技術」

Isao Shimoyama (The University of Tokyo, Japan)
下山 勲（東京大学）“Future Directions of Wearable Organic Devices Closely Attachedon Skin”「有機エレクトロニクスを核とした皮膚密着型ウエアラブルデバイスの新展開」

Makoto Takamiya (The University of Tokyo, Japan)
高宮 真（東京大学）

35

Sensor Technology for Monitoring What We Need
Isao Shimoyama
The University of Tokyo, Japan
7-3-1 Hongo, Bunnkyo-ku, Tokyo, 113-8656, Japan

Abstract-DSDQKDVH[SHULHQFHGDJHGVRFLHW\ZLWKDORZELUWKUDWH7KHELUWKUDWHGHFUHDVHVWKHOLIHWLPH
H[WHQGVDQGWKHIDPLO\VWUXFWXUHFKDQJHVODUJHO\0LQLVWU\RI+HDOWK/DERXUDQG:HOIDUHUHSRUWHGLQRQWKHDEULGJHGOLIHWDEOHZKHUHWKHPHGLDQVRIPDOHDQGIHPDOHOLIHGXUDWLRQVDUH
years old, respectively. The statistical data means the long life is usual from now on. To keep quality
RIOLIHDQGLPSURYHWKHKHDOWK\OLIHH[SHFWDQF\VFLHQFHDQGWHFKQRORJ\DVZHOODVVRFLDOUHIRUPDQG
XQGHUVWDQGLQJFDQFRQWULEXWHWRWKHVROXWLRQZLWKOHVVLQWHUIHULQJ
6PDUWZHDUDEOHULQJVDQGZULVWEDQGVEHFRPHDYDLODEOHWRPRQLWRUKHDUWEHDWVDQGSK\VLFDO
activities. The devices transmit the data through a smartphone to a computer. The data in the
FRPSXWHULVXVHGIRUKHDOWKFDUHE\DVSHFLDOLVWVHQGLQJFRPPHQWVWRWKHXVHUV7KHNH\WHFKQRORJLHV
XVHGLQZHDUDEOHDFWLYLW\WUDFNHUVDUHEDVHGRQFRQYHQWLRQDOVHQVRUVZLWKORZSRZHUFRQVXPSWLRQDQGZLUHOHVVFRPPXQLFDWLRQDQGVRRQ7KHVHQVRUVGHWHUPLQHZKDWYLWDOVLJQFDQEHREWDLQHG$WWKH
present, the sensors inside the trackers are accelerometer for physical activity measurement, pressure
VHQVRUIRUKHLJKWPHDVXUHPHQWDQGOLJKWHPLWWHUDQGSKRWRGHWHFWRUIRUKHDUWEHDWPHDVXUHPHQW0RUHVRSKLVWLFDWHGVHQVRUVDUHQHFHVVDU\WRGHWHFWPRUHYLWDOVLJQVVXFKDVEORRGYHORFLW\EORRGSUHVVXUHEORRGJOXFRVHDQGVRRQFor this purpose, we have investigated MEMS strain sensors using piezo-resistive effect. The
VWUDLQVHQVRUVEDVHGRQWKHHIIHFWKDYHJDXJHIDFWRURIVRWKDWOHVVWKDQSSPVWUDLQFDQEH
GHWHFWHGZKHQZHXVHDQDPSOL¿HUZLWKJDLQRI7KHSLH]RUHVLVWLYHHIIHFWLVVL]HLQGHSHQGHQWEHFDXVHWKHHIIHFWLVFDXVHGE\ODWWLFHVWUDLQVRWKDWWKHVHQVRUVWUXFWXUHFDQEHPDGHVPDOOHQRXJK
to measure tiny forces. This feature is distinctive compared to capacitive type sensors. The piezoUHVLVWLYHVWUDLQJDXJHLVDSSOLFDEOHWRDIRUFHVHQVRUDSUHVVXUHVHQVRUDQGDQDFRXVWLFVHQVRU2XU
VHQVRUVWUXFWXUHLVEDVHGRQD6LFDQWLOHYHUQPWKLFNVKRZQLQ)LJRUDGRXEOHVXSSRUWHG6L
EHDPRQZKLFKDSLH]RUHVLVWRULVIRUPHGWKLQO\:HIDEULFDWHWKHVWUXFWXUHRXWRIDQ62, 6LOLFRQRQ,QVXODWRU ZDIHUZLWK0(06IDEULFDWLRQ'HIRUPDWLRQDWWKHWLSRIDFDQWLOHYHUJHQHUDWHVWKH
PD[LPXPWHQVLOHVWUDLQRQWKHWRSVXUIDFHDQGWKHPD[LPXPFRPSUHVVLYHVWUDLQRQWKHERWWRPVXUIDFH
DWWKH¿[HGHQGZKHUHWKHSLH]RUHVLVWRULVIRUPHG%\DWWDFKLQJWKHFKLSRQVNLQZHPHDVXUHGEORRGYHORFLW\LQ)LJDQGKRSHWRPHDVXUHEORRGSUHVVXUHDQGJOXFRVHDQGVRRQ
0RQLWRULQJWHFKQRORJ\RIDSHUVRQFDQEHXWLOL]HGLQKHDOWKPRQLWRULQJWHFKQRORJ\RIVRFLDOLQIUDVWUXFWXUH%HFDXVHWKHLQIUDVWUXFWXUHLVDJLQJDQGWKHQXPEHURIH[SHUWVRQLQVSHFWLRQGHFUHDVHV
infrastructure monitoring is crucial issue to keep the infrastructure healthy. "System Development
3URMHFWIRU0DLQWHQDQFH0DQDJHPHQWDQG5HQHZDORI,QIUDVWUXFWXUHE\1('2 1HZ(QHUJ\DQG
Industrial Technology Development Organization) adopted our proposal on "Road Infra Monitoring
6\VWHPZKLFKHPSOR\VGLVSODFHPHQWVWUDLQYLEUDWLRQVHQVRUVDQGVRRQZLWKVRODUFHOOVDQGZLUHOHVVFRPPXQLFDWLRQWREHFRPSRQHQWVRIZLUHOHVVQHWZRUN

36

Fig. 1 Piezo-resistive strain gauge formed at the
fixed end of cantilever [1].

Fig. 2 Pulse wave travelling through arteries can bemonitored by the piezo-resistive acoustic sensor[2].

[1] M. Gel, I. Shimoyama, JMME, vol.14, no.3, pp.423-428, 2004.
[2] T. Kaneko, N. Minh-Dung, P. Quang-Khang, Y. Takei, T. Takahata, K. Matsumoto, I. Shimoyama, Proc.
MEMS2015, pp.670-673, 2015

Isao Shimoyama
Professor'LUHFWRURI,QIRUPDWLRQDQG5RERW7HFKQRORJ\ ,57 5HVHDUFK,QLWLDWLYH
Department of Mechano-Informatics,
Graduate School of Information Science and Technology
University of Tokyo,VDR6KLPR\DPDZDVERUQLQ-DSDQLQ+HUHFHLYHGWKH%(0(DQG'URI(QJLQHHULQJ
degrees in mechanical engineering from The University of Tokyo in 1977, 1979, and 1982,
UHVSHFWLYHO\+HKDVMRLQHG7KH8QLYHUVLW\RI7RN\RVLQFH+HZDV'HDQRI*UDGXDWH6FKRRO
of Information Science and Technology from April 2007 to March 2010. He is presently Director
RI,QIRUPDWLRQDQG5RERW7HFKQRORJ\ ,57 5HVHDUFK,QLWLDWLYHDQG3URIHVVRURI*UDGXDWH6FKRRO
of Information Science and Technology. He is also a Senior Technical Advisor of Touchence Inc,ZKLFKLVDVWDUWXSFRPSDQ\EDVHGRQWKHUHVHDUFKRI8QLYHUVLW\RI7RN\R+LVFXUUHQWUHVHDUFKLQWHUHVWLVLQXVHIXO,57URERWVDQGVHQVRUVDQGVHQVRUV\VWHPVEDVHGRQ0(06 0LFUR(OHFWUR
Mechanical Systems).

37

Future Directions of Wearable Organic Devices Closely Attachedon Skin
Makoto Takamiya
University of Tokyo, Tokyo, Japan.RPDED0HJXURNX7RN\R-DSDQ
Abstract,QWKHZHDUDEOHKHDOWKFDUHGHYLFHVERWKWKHHQHUJ\DXWRQRP\IRUWKHPDLQWHQDQFHIUHHRSHUDWLRQ
DQGWKHPHFKDQLFDOÀH[LELOLW\IRUWKHZHDULQJXQFRQVFLRXVQHVVDUHUHTXLUHG7KHRUJDQLFHOHFWURQLFVHQDEOHVÀH[LEOHODUJHDUHDDQGGLVWULEXWHGVHQVRUDQGRUDFWXDWRUDUUD\DQGLVVXLWDEOHIRUWKHZHDULQJ
unconscious devices. In this presentation, new applications using the organic electronics including a
PWKLFNQHVVVXUIDFHHOHFWURP\RJUDPPHDVXUHPHQWVKHHWIRUSURVWKHWLFKDQGFRQWURO>@DÀH[LEOH
SUHVVXUHVHQVRUVKHHWIRUEHGVRUHSUHYHQWLRQ>@DQGDIHYHUDODUPDUPEDQGLQWHJUDWLQJIXOO\ÀH[LEOH
solar cells [3] are shown.
I. Introduction
Key requirements for a large area sensor array using organic transistors [1,4] or amorphous silicon7)7V>@DUHWKHUHGXFWLRQRIWKHQXPEHURIZLULQJIRUVHQVRURXWSXWVDQGWKHDYRLGDQFHRIWKHVLJQDO
integrity degradation due to the long wiring. Therefore, local processing of the sensor outputs at the
IURQWHQG>@LVYHU\LPSRUWDQW,QWKLVSUHVHQWDWLRQWKHZRUOG¶V¿UVWDUWL¿FLDOQHXURQVXVLQJRUJDQLF
)(7VLVSURSRVHGIRUWKHORFDOSURFHVVLQJ$ÀH[LEOHEHGVRUHSUHYHQWLRQVKHHW )%36 LQWHJUDWLQJîDUWL¿FLDOQHXURQVXVLQJRUJDQLF&026FLUFXLWVZLWKÀRDWLQJJDWH3)(7VLVGHYHORSHG
II. Flexible Bedsore Prevention Sheet)LJVKRZVDSKRWRRIWKHGHYHORSHG)%36%HGVRUHVDUHLQMXULHVWRVNLQDQGXQGHUO\LQJWLVVXHUHVXOWLQJIURPSURORQJHGSUHVVXUHRQWKHVNLQ1RQXQLIRUPSUHVVXUHGLVWULEXWLRQDQGORFDOKLJKSUHVVXUHGXHWRWKHZULQNOHVRIFORWKHVRUEHGVKHHWLQFUHDVHWKHUDWHRIEHGVRUHWKHUHIRUHHDUO\
GHWHFWLRQRIWKHSUHVVXUHQRQXQLIRUPLW\LVKHOSIXO)%36LVSODFHGXQGHUWKHEHGVKHHWDQGPHDVXUHVWKHSUHVVXUHGLVWULEXWLRQ,Q)%36WKUHHVKHHWVLQFOXGLQJDIOH[LEOH3&%IRUZLULQJDSUHVVXUH
VHQVLWLYHUXEEHUIRUWKHVHQVRU>@DQGRUJDQLFFLUFXLWVLQWHJUDWLQJîDUWL¿FLDOQHXURQVDUHVWDFNHG
The organic semiconductors for p-type and n-type transistors are DNTT and PDI-8CN2, respectively.
The gate length is 50 μm.

Patient

Wrinkles on clothes
cause bedsores.
FBPS under
bed sheet

Flexible PCB
for wiring
Pressure sensitive
rubber for sensor

50 mm

Organic circuits including
2x2 artificial neurons
50 mm

Fig. 1 Flexible bedsore prevention sheet (FBPS).

38

Acknowledgment
7KLVZRUNZDVSDUWO\VXSSRUWHGE\-67(5$72

References[1] H. Fuketa, K. Yoshioka, Y. Shinozuka, K. Ishida, T. Yokota, N. Matsuhisa, Y. Inoue, M. Sekino, T. Sekitani, M. TakaPL\D76RPH\DDQG76DNXUDL³P7KLFNQHVV8OWUD)OH[LEOHDQG+LJK(OHFWURGH'HQVLW\6XUIDFH(OHFWURP\RJUDP
0HDVXUHPHQW6KHHW:LWK92UJDQLF7UDQVLVWRUVIRU3URVWKHWLF+DQG&RQWURO´,(((7UDQVDFWLRQVRQ%LRPHGLFDO&LUcuits and Systems, Vol. 8, No. 6, pp. 824 - 833, Dec. 2014.
[2] A.K.M. M. Islam, M. Hamamatsu, T. Yokota, S. Lee, W. Yukita, M. Takamiya, T. Someya, and T. Sakurai, “ProgramPDEOH1HXURQ$UUD\%DVHGRQD7UDQVLVWRU0XOWLSOLHU8VLQJ2UJDQLF)ORDWLQJ*DWHIRU,QWHOOLJHQW6HQVRUV´,(((-RXUQDORQ(PHUJLQJDQG6HOHFWHG7RSLFVLQ&LUFXLWVDQG6\VWHPVWREHSXEOLVKHG
[3] H. Fuketa, M. Hamamatsu, T. Yokota, W. Yukita, T. Someya, T. Sekitani, M. Takamiya, T. Someya, and T. Sakurai,³(QHUJ\$XWRQRPRXV)HYHU$ODUP$UPEDQG,QWHJUDWLQJ)XOO\)OH[LEOH6RODU&HOOV3LH]RHOHFWULF6SHDNHU7HPSHUDWXUH
'HWHFWRUDQG92UJDQLF&RPSOHPHQWDU\)(7&LUFXLWV´,(((,QWHUQDWLRQDO6ROLG6WDWH&LUFXLWV&RQIHUHQFH ,66&& SS)HE
[4] T. Sekitani, T. Yokota, U. Zschieschang, H. Klauk, S. Bauer, K. Takeuchi, M. Takamiya, T. Sakurai, and T. Someya,³2UJDQLF1RQYRODWLOH0HPRU\7UDQVLVWRUVIRU)OH[LEOH6HQVRU$UUD\V´6FLHQFH9ROSS'HF
[5] W. Rieutort-Louis, T. Moy, Z. Wang, S. Wagner, J. C. Sturm, and N. Verma, “A Large-Area Image Sensing and DetecWLRQ6\VWHP%DVHGRQ(PEHGGHG7KLQ)LOP&ODVVL¿HUV´,(((-6ROLG6WDWH&LUFXLWV9RO1RSS-DQ
2016.

‫&ޒ‬9‫ޓ‬
Makoto Takamiya received the B.S., M.S., and Ph.D. degrees in electronicengineering from the University of Tokyo, Japan, in 1995, 1997, and 2000,
UHVSHFWLYHO\,QKHMRLQHG1(&&RUSRUDWLRQ-DSDQZKHUHKHZDVHQJDJHGLQWKHFLUFXLWGHVLJQRIKLJKVSHHGGLJLWDO/6, V,QKHMRLQHG
University of Tokyo, Japan, where he is an associate professor of VLSI
Design and Education Center. From 2013 to 2014, he stayed at Universityof California, Berkeley as a visiting scholar. His research interests include
the design of low-power RF circuits, ultra low-voltage logic circuits, lowYROWDJHSRZHUPDQDJHPHQWFLUFXLWVDQGODUJHDUHDDQGÀH[LEOHHOHFWURQLFVZLWK RUJDQLF WUDQVLVWRUV +H LV D PHPEHU RI WKH WHFKQLFDO SURJUDP
committee of IEEE International Solid-State Circuits Conference and IEEE
Symposium on VLSI Circuits. He received 2009 and 2010 IEEE Paul
5DSSDSRUW$ZDUGVDQGWKHEHVWSDSHUDZDUGLQ,(((:LUHOHVV3RZHU
Transfer Conference.

39

Session 5【Safe & Secure Society/ 安全・安心な社会】

Session 5【Safe & Secure Society/ 安全・安心な社会】

“A Novel Long-lived Seismic Damping Alloy for Safe and Secure
Social Infrastructures”「社会インフラの安全・安心のための新しい長寿命制振ダンパー合金」

Takahiro Sawaguchi (National Institute for Materials Science, Japan)
澤口 孝宏（物質・材料研究機構）“Services Innovation for Social System Industry”「安全・安心で豊かな社会のためのサービスイノベーション」

Tsuneo Komatsuzaki (SECOM CO., LTD. Japan)
小松崎 常夫（セコム株式会社）43

A NOVEL LONG-LIVED SEISMIC DAMPING ALLOY FOR
SAFE AND SECURE SOCIAL INFRASTRUCTURES
Takahiro Sawaguchi
National Institutes for Materials Science,
1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki305-0003, Japan
Abstract
0HWDOIDWLJXHLVDVHULRXVSUREOHPLQDJLQJPHWDOOLFDQGVWHHOFRPSRQHQWVLQFRQVWUXFWLRQVDQG
PDFKLQHV,WSURFHHGVWKURXJKDFFXPXODWLRQRILUUHYHUVLEOHDWRPLFUHDUUDQJHPHQWXQGHUUHSHDWHG
loading. Based on a ferrous shape memory alloy, a new fatigue-resistant alloy with 10-times longer
OLIHZDVGHYHORSHG7KHIRUPHUH[KLELWVDUHYHUVLEOHDWRPLFPRYHPHQWRQORDGLQJDQGVXEVHTXHQWKHDWLQJZKLOHWKHODWWHUGRHVRQORDGLQJDQGVXEVHTXHQWFRXQWHUGLUHFWLRQDOORDGLQJ7KHQHZIDWLJXHUHVLVWDQWDOOR\KDVEHHQXVHGDVVHLVPLFGDPSHUVLQDVWRU\VN\VFUDSHU
I. NANO SCIENCE AND STRUCTURAL MATERIALS'HYHORSPHQWRIQDQRVFLHQFHDQGWHFKQRORJ\KDVHQDEOHGXVQRWRQO\WRIDEULFDWHDORWRIQRYHOQDQRPDWHULDOVEXWDOVRWRLQYHVWLJDWHWKHRULJLQRISK\VLFDOSURSHUWLHVRIYDULRXVPDWHULDOVEDVHG
on understanding of nano scale mechanisms. Sophisticated microstructural analyses with advanced
microscopes, large scale facilities of synchrotron or neutron radiation, computer aided dataprocessing system, and simulations, etc. have revealed atomic/electronic structures underlying thephysical phenomena even in classical materials.
II. FE-HIGH MN SEISMIC DAMPING ALLOYS)HKLJK 0Q DXVWHQLWLF VWHHOV KDYH EHHQ D FODVV RI DFWXDO VWHHOV IRU PRUH WKDQ D FHQWXU\ VLQFH
5+DGILHOGLQYHQWHGZHDUUHVLVWDQW)H0Q&VWHHOVLQ¶V,QVSLWHRIWKHORQJKLVWRU\WKH
)HKLJK 0Q DXVWHQLWLF VWHHOV DUH VWLOO RI VFLHQWLILF LQWHUHVW EHFDXVH RI D ZLGH YDULHW\ RI WKHLU
functional and mechanical properties, such as shape memory, damping, non-magnetism, invar/
elinvar characteristics, strength, ductility, toughness, wear resistance, which are associated with thecharacteristic multiple plastic deformation modes and peculiar physical natures of the alloys.
:HGLVFRYHUHGWKDWDUHYHUVLEOHDWRPLFPRYHPHQWXQGHUF\FOLFORDGLQJHQKDQFHGORZF\FOHIDWLJXH
OLIHRID)H0Q6LEDVHGDOOR\WKDWLVDNLQGRIWKH)HKLJK0QDXVWHQLWLFVWHHOVDQGSURSRVHGLQWRXVHWKH)H0Q6LEDVHGDOOR\VDVDGDPSLQJVRXUFHLQDUFKLWHFWXUDOVHLVPLFGDPSHUV>@
Steel dampers are designed to have lower strengths thanFROXPQVDQGEHDPVE\UHGXFLQJWKHLU\LHOGVWUHVVDQGRUFURVVVHFWLRQDODUHDWRDEVRUEVHLVPLFHQHUJ\ZLWKWKHLU
elasto-plastic deformation hysteresis. The superior fatigue
UHVLVWDQFHRIWKH)H0Q6LEDVHGDOOR\VFDQLQFUHDVHWKH
GXUDELOLW\RIWKHVHLVPLFGDPSHUVDJDLQVWDFFXPXODWHG
damage from earthquakes. Recently, we developed a new
Fe-15Mn-10Cr-8Ni-4Si (wt%) alloy with 10-times longer
low-cycle fatigue life than the conventional seismic
damping steels, and installed it in a 40-story skyscraper
as fatigue-resistant seismic dampers [2].
Fig. 1 Fe-15Mn-4Si-10Cr-8Ni alloy
seismic damper [1].

44III. DESIGNING ATOMIC MOVEMENT UNDER DEFORMATIONThe chemical composition of the alloy was optimized to increase the low-cycle fatigue life,
LQYHVWLJDWLQJWKHUHODWLRQVKLSEHWZHHQWKHPLFURVWUXFWXUHVGHYHORSHGLQYDULRXV)H0Q6LEDVHG
alloys under cyclic deformation and the low-cycle fatigue properties. There are three necessary
FRQGLWLRQVWRHQKDQFHWKHORZF\FOHIDWLJXHOLYHV>@)LUVWO\WKHUPRG\QDPLFVWDELOLW\VKRXOGEHEDODQFHGEHWZHHQDIDFHFHQWHUHGFXELFDQGDKH[DJRQDOFORVHSDFNHGVWUXFWXUHV%RWKDUHWKH
PRVWFORVHO\SDFNHGVWUXFWXUHVDQGWKHWUDQVLWLRQEHWZHHQWKHWZRSKDVHVRFFXUVZLWKUHYHUVLEOHDWRPLFUHDUUDQJHPHQWRQFRPPRQFORVHSDFNHGSODQHV6HFRQGO\WRUHDOL]HWKHUHYHUVLEOHDWRPLF
UHDUUDQJHPHQWGXULQJWKHWZRZD\SKDVHWUDQVIRUPDWLRQWKHIRUPDWLRQRIWKHERG\FHQWHUHGFXELF
VWUXFWXUHVKRXOGEHVXSSUHVVHG)LQDOO\DGGLWLRQRIDVPDOODPRXQWRI6LDSSHDUHGWREHHIIHFWLYH
IRUIXUWKHULPSURYHPHQWLQWKHUHYHUVLELOLW\RIWKHDWRPLFPRYHPHQW
These designing criteria of the fatigue-resistant
DOOR\VDUHEDVHGRQWKHFRQFHSWWKDWWKHUHYHUVLEOH
atomic movement can suppress the accumulationof the lattice defects under repeated deformationand decelerate the metal fatigue. Intensive
PLFURVWUXFWXUDOREVHUYDWLRQVFODUL¿HGWKDWYDULRXV
plastic deformation modes of Fe-high Mn steels,
LHȖĺİPDUWHQVLWLFWUDQVIRUPDWLRQGHIRUPDWLRQWZLQQLQJ H[WHQGHG ȖGLVORFDWLRQ JOLGH DQGİGLVORFDWLRQJOLGHFRPPRQO\H[KLELWDEDFNDQG
forth movement on an identical crystallographic
SODQH7KHIDFWVXJJHVWVWKDWH[WUDRUGLQDU\ORZ
F\FOHIDWLJXHOLYHVDUHDYDLODEOHLQDVXI¿FLHQWO\wide range of alloy compositions.
:H EHOLHYH WKDW WKH GHVLJQLQJ FRQFHSW EDVHG Fig. 2 Schematic diagrams of the reversible groupon such atomic deformation mechanisms is motion of the dislocations in (a, c, e) tension and
DSSOLFDEOHWRWKHRWKHUDXVWHQLWLFVWHHOVDQGDOOR\V (b, d, f) compression. (a, b) deformation-induced
Ȗ-martensitic transformation, (c, d) mechanicalundergoing the FCC to HCP transformation. It Ȗ-twining, (e, f) extended dislocation gliding. The
FDQ FRQWULEXWH QRW RQO\ WR LQFUHDVH WKH VDIHW\ dashed and solid lines represent {111} planes of the
DQGVHFXULW\RIVRFLDOLQIUDVWUXFWXUHEXWDOVRWR Ȗ-crystal and stacking faults, respectively. [3]provide a new tool for designing structural steels
and alloys.
References>@76DZDJXFKL36DKX7.LNXFKL.2JDZD6.DMLZDUD$.XVKLEH0+LJDVKLQR72JDZD6FULSWD
Mater, 54 (2006) 1885.
>@76DZDJXFKL70DUX\DPD+2WVXND$.XVKLEH<,QRXH.7VX]DNL0DWHU7UDQV  
>@76DZDJXFKL,1LNXOLQ.2JDZD.6HNLGR67DNDPRUL70DUX\DPD<&KLED$.XVKLEH<,QRXH.
Tsuzaki, Scripta Mater, 99 (2015) 49.

<CV>
Takahiro Sawaguchi, Dr.-Eng.
*URXS/HDGHURI9LEUDWLRQ&RQWURO0DWHULDOV*URXS1DWLRQDO,QVWLWXWHIRU
Materials Science.
Sawaguchi received PhD from Tohoku University in 1999. He was
DZDUGHGE\&RPPHQGDWLRQIRU6FLHQFHDQG7HFKQRORJ\E\WKH0LQLVWHURI
Education, Culture, Sports, Science and Technology (2015) etc.

45

Services Innovation for Social System Industry
T. Komatsuzaki,QWHOOLJHQW6\VWHPV/DERUDWRU\6(&20&2/7'6KLPRUHQMDNX0LWDND7RN\R-$3$1

Since foundation in 1962 as the first private security firm in Japan, SECOM has strived to
FUHDWH³6RFLDO6\VWHP,QGXVWU\´ZKLFKLVWREXLOGVDIHVHFXUHFRQYHQLHQWDQGFRPIRUWDEOHVRFLHW\through fusion of seven services, physical security, disaster prevention, medical services, insurance,
geographical information, ICT, and housing development.
6(&20¶VHQHUJ\VRXUFHLV³202,´IRUVRFLHW\³202,´LVDZLOOWRDFWIRUSHRSOHDQGWKHLUKDSSLQHVV7R UHDOL]H ³202,´ XQGHU WKH FRQFHSW RI ³6RFLDO'HVLJQ´ +XPDQ 2UJDQL]DWLRQ
6FKHPHVDQG,QQRYDWLYH5 'FDSDELOLW\DUHHVVHQWLDOUHVRXUFHV
,WLV6(&20¶VPRVWLPSRUWDQWPLVVLRQWRFRQWULEXWHIRUVXVWDLQLQJDIÀXHQWDQGVHFXUHVRFLHW\
XQGHUGUDVWLFFKDQJHVRISRSXODWLRQQDPHO\WRWDOQXPEHUGHFUHDVHVXSHUDJLQJDQGGHFOLQLQJELUWKUDWH:HSXWSULQFLSOHVIRURXUPLVVLRQ2QHLV³$PSOLI\LQJ+XPDQ3RZHU $+3 ´ZKHUHZH
VXFFHHGHGWRDPSOLI\KXPDQSRZHUE\WLPHVLQVHFXULW\VHUYLFHV7KHRWKHURQHLVUHDOL]LQJ
³)XQGDPHQWDO2SHUDWLRQ3URFHVVHV )23 ´IRUDOOVHUYLFHV)23FRQVLVWRIVWHSV )LQGLQJ³VPDOOFKDQJH´DFFXUDWHO\ 8QGHUVWDQGLQJWKH³PHDQLQJRIWKHFKDQJH´DQG UHVSRQGLQJHIIHFWLYHO\EDVHGRQWKHPHDQLQJRIFKDQJH)RUWKHLQQRYDWLRQLQ)23ZHEHOLHYH6(&20VKRXOGXWLOL]HHYHU\FXWWLQJHGJHWHFKQRORJ\6RPHRIWKHPKDYHDOUHDG\EHHQDSSOLHGWRRXUYDULRXVVHUYLFHV%XWIRUWKHIXWXUHZHPXVWDFFHOHUDWHLQQRYDWLRQIRURXUVHUYLFHVE\QHZFROODERUDWLRQZLWKYDULRXV¿HOGVWKDWZHKDYHQRWKDGHQRXJKUHODWLRQVKLSV7KHPRVWLPSRUWDQWRQHLV1DQRWHFKQRORJ\
1DQRWHFKQRORJ\ KDV D KLJK SRVVLELOLW\ RI JUHDW WHFKQRORJLFDO LQQRYDWLRQ 7KH IUXLWV RI
nanotechnology, such as new materials, new physical properties, miniaturization and energy-saving
RIYDULRXVGHYLFHVFDQEHWKHWHFKQRORJLFDOEDVLVRI,R7%LJGDWD$,DQGKLJKO\UHOLDEOHLQIRUPDWLRQ
systems, which greatly accelerates FOP innovation. Also, sensing the movement of people and
WKLQJVLQVHUYLFHSURFHVVHVIRUH[DPSOHE\ZHDUDEOHVHQVRUVFDQDPSOLI\KXPDQSRZHUWUXO\QRWRQO\LQVHFXULW\VHUYLFHVEXWDOVRLQPHGLFDOKHDOWKFDUHDQGGLVDVWHUSUHYHQWLRQ
2QWKHRWKHUKDQGWKHVHWHFKQRORJLHVFDQDOVRPDNHDKXJHQHJDWLYHLPSDFWZKHQXVHGE\ZURQJ SHRSOH LQ D ZURQJ ZD\$OVR LW ZLOO EH SRVVLEOH WKDW WKHWHFKQRORJLHV PLJKW FDXVH EDGLQIOXHQFHVLQWKHGLVWDQWIXWXUHHYHQLIZHWKLQNLW¶VJRRGDWWKHSUHVHQWWLPH7RILQGQHJDWLYH
DVSHFWV LQ ORQJWHUP DQG H[WHQVLYH YLVLRQ DQG WDNH PHDVXUHV DJDLQVW WKHP ZH KDYH WR KDYH DYLHZSRLQWRI³6RFLDO'HVLJQ´

46

7KHPRUHWKHVRFLHW\JURZVFRPSOLFDWHGWKHPRUHGLI¿FXOWLWEHFRPHVWRXQGHUVWDQGWKHZKROH
DVSHFWV,WLVLPSRVVLEOHQRZIRUH[SHUWVLQSDUWLFXODU¿HOGVDORQHWRGHYHORSLQQRYDWLYHWHFKQRORJ\WKDWKDVDELJLQÀXHQFHRQWKHHQWLUHVRFLHW\7KHUHIRUHWUXH³2SHQ,QQRYDWLRQ´LVHVVHQWLDOWKH
FROODERUDWLRQRIYDULRXVH[SHUWVDQGFRPSDQLHVZKRVKDUHV³202,´XQGHUWKHFRQFHSWRI³6RFLDO'HVLJQ´6(&20DVDUHOLDEOHPHPEHURIWKHFROODERUDWLRQZLOOFKDOOHQJHZLWKDOOHIIRUWVIRU
DIÀXHQWIXWXUH‫&ޒ‬9‫ޓ‬
Tsuneo Komatsuzaki received his B.A. in Science and Engineering from
:DVHGD 8QLYHUVLW\7RN\R -DSDQ LQ $IWHU MRLQLQJ 6(&20 DV D
corporate staff of founder, he has held diverse positions such as a local generalmanager, a director of technical and marketing sections. In addition, he has
EHHQLQFKDUJHRISODQQLQJDQGSURPRWLQJQHZEXVLQHVVHVVXFKDVPHGLFDO
services, disaster prevention and geography information. He was appointed as
DQ([HFXWLYH2I¿FHULQDQGLVFXUUHQWO\D0DQDJLQJ([HFXWLYH2I¿FHU
DQGD'LUHFWRURI,QWHOOLJHQW6\VWHPV/DERUDWRU\47

Poster Presentation / ポスター発表

Poster Presentation / ポスター発表

第 15 回 ナノテクノロジー総合シンポジウム

ポスター発表プログラム【文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム】≪ H28 年度「秀でた利用成果」≫
微細構造解析 PF：東京大学「黒色酸化チタンのナノ微粒子化に関する研究 −熱エネルギーを保持する蓄熱セラミックスの開発−」
微細構造解析 PF：名古屋大学「超高効率水素製造光触媒を実現した新奇薄膜構造の発見とその構造解析」
微細加工 PF：京都大学「創薬スクリーニングを目的としたマイクロ流体デバイス」
分子・物質合成 PF：自然科学研究機構 分子科学研究所「神経変性疾患の発症に関わるタンパク質ミスフォールディング」
分子・物質合成 PF：名古屋大学「高温でも使える、光で剥がせる液晶接着材料の開発」≪平成 28 年度技術トピックス≫≪ナノテクノロジープラットフォームプロジェクトの全体概要≫
事業
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業概要≪ナノテクノロジープラットフォームセンター≫
センター
ナノテクノロジープラットフォームセンター事業概要（1）、（2）≪微細構造解析プラットフォーム≫
実施概要（1）、（2）子力研究開発機構 実施概要
子科学技術研究開発機構 実施概要

≪微細加工プラットフォーム≫
微細加工 PF 実施概要（1）、（2）≪分子・物質合成プラットフォーム≫
子・物質合成 PF 実施概要

子科学研究所 実施概要

文部科学省蓄電池基盤プラットフォーム
蓄電池
蓄電池基盤プラットフォーム実施概要（1）、（2）50

Outline of Nanotechnology Platform / ナノテクノロジープラットフォーム事業概要

Outline of Nanotechnology Platform
ナノテクノロジープラットフォーム事業概要

ナノテクノロジープラットフォームセンター事業概要

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業崲崶崮崗崶嵕崠嵤઱ਝਹ৷峕峲峵ୖ਻ੰৠ峘ਸச๶಍ଡୗੰෲ
崿嵑崫崰崽崑嵤嵈崰崽崑 嵈ਈ੔ഈ峘ଢ଼஢ਝ૟峒峇峘ણ৷峘崶崎崷崎峼થ峃峵ਃঢ়岶৸ব৓峔ਝ૟峘ુ৷৬਑峼ଡണ岣๶಍ଡୗੰෲ岤岣๶಍ਸੵ岤岣ী৕嵣੟ସ়ਛ岤峘ଢ଼஢୩ୠ 峕岴岮峐ઁ岹঳ಹ峘ଢ଼஢঻嵣ૼ୒঻峕ৌ峁岝઱ਝਹ৷ਃভ峒ৈ২峔ૼ୒੍ର峼઀୹ਃঢ়য౫嵣ব੠৴௚௓ਤ0JU

৴௚
৴௚௓
৴௚௓ਤ
௚௓ਤ
௓ 0JU
௓ਤ
0JU
JU
৴௚௓ਤ0JU⋉৸ব峘৉ୠ峕岴岻峵⋉৸৸ 峘৉ୠ
৸ব峘
৸ব峘
৉ୠ峕
ୠ峕岴岻
岴岻
ৗૠ嵎嵤崞峘৫ิ峒ਓ৾઻嵆崫崩嵛崘 ⋊଄ুয౫୘ਛ嵣ব੠৴௚

崣嵛崧嵤
崣嵛
嵛崧
⋇ হ঵৸৬峘৹ତ嵣௓ਤ⋈ ੕়৓嵎嵤崞ษઠ๶಍ਸੵ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈ী৕੟ସ়ਛ
崿嵑崫崰崽崑嵤嵈ਃঢ়ী৙੆়0JUਃঢ়ঢ়⋉੫঵ಉ峘ୖ਻ੰৠ
⋉੫঵ಉ峘
঵ಉ
঵ಉ峘ୖ
ಉ峘ୖ਻
ୖ਻
ୖ਻ੰৠ
‫ق‬ӊҴӁӢྴল‫ك‬峒ਓ঵൉ল崲崶崮崗崶嵕崠嵤崿嵑崫崰崽崑嵤嵈௓ਤ৬਑ ৸ਃঢ় ๶಍ଡୗੰෲ
崿嵑崫崰崽崑嵤嵈਌ਏଢ଼஢ਝ૟

嵆嵓崩崻嵤嵈தৈಓਗ਼৕ႀ๶ྰ岝ઽ୷ଓਫীෲਗ਼৕ႀ๶ྰ岝౐ਉ৕ীෲਗ਼৕ႀ๶ྰ岝഻ਗ਼৕崿嵕嵤崾嵆崌崗嵕崊崲嵑崌崞嵤ಎ઼岝ೄ੪ಞৌૢ஑தৈীੰચ௒ਪ්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ岝ખૢఐ৾௒ਪ්ૌਗ਼৕ႀ๶ྰ岝ா଩ആৈীੰચ්ૌਗ਼৕ႀ๶ྰ岝தৈಓਗ਼৕ႀ๶ྰ岝
63ULQJଣೝ୾౺崻嵤嵈嵑崌嵛岝ਗ਼৕ী୾஑தৈಓਗ਼৕ႀ๶ྰ

๶಍ਸੵ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈਌ਏଢ଼஢ਝ૟

ਗ਼৕崻嵤嵈່୾ಎ઼岝崡崮崫崹嵤岝
5,(‫ق‬5HDFWLYH,RQ(WFKLQJ‫ك‬ಎ઼岝崡崹崫崧ಎ઼岝&9'ಎ઼岝ઽ൶崌崒嵛崻嵤嵈ಎ઼岝嵔嵤崞嵤ਸੵಎ઼岝Ⴭ્ਙੑ೾嵣ীෲಎ઼岝஄૾ੑ೾ಎ઼‫؜‬਀એੑ೾ಎ઼‫ق‬6(0ಉ‫ك‬ী৕嵣੟ସ়ਛ
崿嵑崫崰崽崑嵤嵈਌ਏଢ଼஢ਝ૟

ற჌ਞુ๥ಎ઼岝୾ীෲಎ઼岝ସ୤ীෲ嵣峇峘౎౫મ௬੼岝崸崌崒৷୾৾ႀ๶ྰ岝崸崌崒௬੼岝ઌ૬ਛჍಎ઼峮ුჍ崲崶৹ଲਸੵ岝৲৾౫મ়ਛ嵣ಞ৕੿ਛ岝崸崌崒৹ଲ岝්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ‫ق‬7(0‫ك‬岝਀એীෲ‫ق‬௒ਪਗ਼৕ႀ๶ྰ 6(0 (';(30$岝ਗ਼৕ী୾‫;ق‬36836$(6‫كك‬岝;଍৚ീಎ઼岝௒ਪ஑崰嵛崵嵓ႀ๶ྰ 670 ਉ৕৑ৡႀ๶ྰ $)0 崣嵛崧嵤ਃঢ়
੟ସ嵣౫મଢ଼஢ਃଡ
ఐ৾ૼ୒ஷ௪ਃଡ

ਖ岮়峹峅‫؟‬崲崶崮崗崶嵕崠嵤崿嵑崫崰崽崑嵤嵈崣嵛崧嵤 ઈ੾‫؟‬੟ସ嵣౫મଢ଼஢ਃଡ岝ఐ৾ૼ୒ஷ௪ਃଡ (PDLO17-BLQIR#QDQRQHWJRMS3KRQH
嵃嵤嵈嵂嵤崠 KWWSQDQRQHWPH[WJRMS

61

ナノテクノロジープラットフォームセンター

ナノテクノロジープラットフォームセンター

ナノテクノロジープラットフォームセンター事業（1）

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

ナノテクノロジープラットフォームセンター事業の概要および成果（）੕়ਹ৷੧৔

㻌㻌㻌㻌崣嵛崧嵤ਃঢ়峘૽સ

1DQRWHFK-DSDQ:(%崝崌崰 KWWSQDQRQHWPH[WJRMS崣嵛崧嵤ਃঢ়峙岝⋇হ঵৸৬峘৹ତ嵣௓ਤ岝⋈੕়৓峔ษઠ嵣ઐ૴യਤ岝⋉ਓ৾઻৴௚嵣ী৙੆়岝⋊য౫୘ਛ嵣ব੠৴௚ಉ峘ৰ઱峕峲峴岝૚崿嵑崫崰崽崑嵤嵈峒峘થਃ৓৴௚峼௕峴岝崲崶崮崗崶嵕崠嵤崿嵑崫崰崽崑嵤嵈峘੕়৓峔௓ਤ峼ষ岰岞๶಍ਸੵ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈๶಍ଡୗੰෲ
崿嵑崫崰崽崑嵤嵈崣嵛崧嵤ਃঢ়ਓ৾઻৴௚௓ਤ嵆崵嵤崠嵋嵤ী৕੟ସ়ਛ
崿嵑崫崰崽崑嵤嵈岧ਨਲ੊嵣ਨূਨ૿ਊ岨  ূ഻ஂ
岧વূਨ嵣ঢ়ূൖਦ௭૿ਊ岨   ໜ৉ ೗੊岧ূਲ嵣ਨಮ૿ਊ岨  ૈ৛௹
岧ঢ়ਧ嵣஛ব૿ਊ岨  ୺ਆ ೣ੬崛嵛崮嵛崬 হ঵峘岾੧৔ ਹ৷্১ ુ৷ਝ૟ ૞઺ਃঢ় ਛટহ୻ 崳嵍嵤崡 崌嵁嵛崰
:HE嵆崔崠嵛ਹ৷ুದ岧রব嵣ృପ૿ਊ岨   ਧ嵞৙ ৆๒ਓ৾઻৴௚௓ਤ嵆崵嵤崠嵋嵤‫ق‬৸ব‫ڱ‬岵ਚ‫ك‬ -67峘崵崫崰嵗嵤崗峼ણ৷岝੫঵岝প৾岝ਁਝ૥峼௰ਖ峁岝ৗૠ嵎嵤崞峼৫ิ岝ਓ઻৾৴௚峼௓ਤ
:HE嵆崔崠嵛峑ਛટ峼ງஂ ૥ষ৓ਹ৷੧੯峼੦峕૚崿嵑崫崰崽崑嵤嵈‫ط‬ৰ઱ਃঢ়峒峘৴௚㻌㻌ଢ଼஢ਝ૟峘૥ষ৓ਹ৷

㻌㻌崲崶崮崗崶嵕崠嵤崿嵑崫崰崽崑嵤嵈 ৗૠਹ৷঻峔峓峕峙岝হ৐峕-67ਓ৾઻৴௚௓ਤ嵆崵嵤崠嵋嵤岶ਹ৷্১岝ਃஓ峘৭උ峔峓岾ৼ୥峕ૢ峂峨峃岞 ਹ৷峁峉੥ટ ਛટ 峙ਁ৫岶ਉಋ峑峃岶岝્ಅলൢ峔峓峘৶૓峕峲峴岝ফங২భ਋岶૭ચ峑峃岞

ৗૠਹ৷峘
ఁপ

ଢ଼஢ਝ૟峘૥ষ৓ਹ৷

嵣੫঵ਹ৷঻

ਹ৷ਛટ峘ಌ峔峵஥࿊嵣଄ুଢ଼஢঻

଄ুଢ଼஢঻੍ର

ৗૠ嵎嵤崞嵤৅໧

ਓ঵৲
ঽয়峁峉
ଢ଼஢঻

੍ର৔ઍ
఼උୖ਻峕ৌ峁岝崲崶崮崗崶嵕崠嵤崿嵑崫崰崽崑嵤嵈峕ఃஈ岿島峐岮峵ુ৷ਝ૟峘૥ষ৓ਹ৷峕ൣ岮૑ਏ峒峔峵৽ા‫ق‬ਹ৷મ岝൒ાಉ‫ك‬峕峎岮峐੍ର岞ਹ৷஄ଙ
技術ૼ୒৓峔ਖ਻峕峎岮峐岝૚ਃঢ়峘૿ਊ岶岾ৼ୥峕ૢ峂峨峃岞
相談ૢ൳嵣఼උ੯ਯৰౚ

機器 ਹ৷঻岾ঽମ峑ਃஓ峼ඝ੿峁岝ৰୡ峼ষ岮峨峃岞
利用技術ૼ୒੍ର঻峘੐଑嵣ଓஃ峘峬峒岝ਃஓ峼ઞ৷峁峨峃岞
補助
技術
代行

ਹ৷঻峘ൂ౅峕੦峏岮峐岝ૼ୒峘ৰ઱峼৻ষ峁峨峃岞

共同研究ৰ઱ਃঢ়峒峘়ਔ峕੦峏岮峐岝ુ৊峑ଢ଼஢峼ষ岮峨峃岞‫ٱ‬਴ਛফ২म‫ؚ‬াৣഽਰఋभ൳ૐৰౚ‫َٱ ؛‬଄ুُमୃਰৣ‫؛‬‫ٱ‬਴ਛফ২मྫ৒க‫؛‬ਖ岮়峹峅‫؟‬崲崶崮崗崶嵕崠嵤崿嵑崫崰崽崑嵤嵈崣嵛崧嵤 ઈ੾‫؟‬੟ସ嵣౫મଢ଼஢ਃଡ岝ఐ৾ૼ୒ஷ௪ਃଡ (PDLO17-BLQIR#QDQRQHWJRMS3KRQH
嵃嵤嵈嵂嵤崠 KWWSQDQRQHWPH[WJRMS

64

ナノテクノロジープラットフォームセンター事業（2）

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

ナノテクノロジープラットフォームセンター事業の概要および成果（）㻌㻌ਛટ൤఺嵣ઐ૴യਤ

਴ਛফ২峘ৰౚ崲崶崮崗੕়崟嵛嵅崠崎嵈QDQRWHFKனંভ

ਹ৷஄ଙશ੕੯ਯ‫؟‬੯ਹ৷঻ਚരશ

崲崶崮崗崶嵕崠嵤੕়崟嵛嵅崠崎嵈ফা঩‫ق‬স‫ك‬ভৃ‫ূ؟‬਎崻崫崘崝崌崰‫ق‬ভ৮༠‫ك)ڭ‬

㻌㻌

য౫୘ਛ

ব੠ઐ૴崿嵕崘嵑嵈৾েଢ଼ఊ崿嵕崘嵑嵈崿嵑崫崰崽崑嵤嵈峘઱ਝ峼ਹ৷峁峉ଢ଼ఊ峕岝৸ব峘প৾ে嵣প৾੹ে嵣ৈ௧ে岶ಒ೬峩峼ਹ৷峁峐૞ਸপ৾੹ে峼岝৪ব11&,峑峘ಒ਋ଢ଼ఊ峕ୣാଢ଼ఊ਋৑‫ع؟‬া峘৺嵞া৑ৰ઱਋৑‫؟‬া峕ਁ൳峁岝ਠ৉ଢ଼ఊ峙‫ع‬ারഽ峘‫ع‬঩৑+ফ২‫؟‬঩ম‫ ڀ‬11,1੡       াଜ峕岝ଢ଼ఊ૞ਸ঻岶঳৊峕ভ峁峐峘ਛટ৅਀ভ峼৫ಈ
 11,1‫ڀ‬঩ম 1,06 ੡૞ਸযਯ‫؟‬+ফ২‫؟‬঩ম‫ ڀ‬11,1੡ +ফ২‫؟‬੡ 11,1‫ڀ‬঩ম 1,06 ੡ +ফ২‫؟‬੡+ফ২‫؟‬঩ম‫ ڀ‬11,1੡ 11,1‫ڀ‬঩ম 1,06 ੡ +ফ২‫؟‬੡+ফ২‫؟‬঩ম‫ ڀ‬11,1੡ +ফ২‫؟‬੡  11,1‫ڀ‬঩ম 1,06 ੡+ফ২‫؟‬੡ +ফ২‫؟‬঩ম‫ ڀ‬11&,੡
 11&,‫ڀ‬঩ম 1,06 ੡

1DWLRQDO1DQRWHFKQRORJ\,QIUDVWUXFWXUH1HWZRUN

ૼ୒崡崧崫崽ઐ૴崿嵕崘嵑嵈

1DWLRQDO1DQRWHFKQRORJ\&RRUGLQDWHG,QIUDVWUXFWXUHૼ୒崡崧崫崽岶岝౮峔峵ৰ઱ਃঢ়峑峘ଢ଼ఊ峕૞ਸଢ଼ఊ਋৑‫ع؟‬঩৑+ফ২‫؟‬੡ +ফ২‫؟‬੡ +ফ২‫؟‬੡ +ফ২‫؟‬੡ +‫؟‬੡ٛ崿嵕崘嵑嵈୻ٜ岣),%峕峲峵૥મ੿ଲ峒7(0峕峲峵௴௄嵣ীෲ岤岣ৎ৑ীੰী୾岤岣઄଑৬崯崸崌崡峘ਗ਼ா岝সര嵣઄଑৬峘崒嵤嵈ਙਗ਼ா஄ਛ岤
岣0(06ૼ୒峼৷岮峉嵆崌崗嵕૴ଡ଼峘੿ଲ岤岣ৗྜྷ崲崶崓嵤嵄嵛峘়ਛ峒௬੼岤岣崲崶崸崌崒崯崸崌崡峕峲峵ী৕嵣಍ཝੑ೾峘੦ຊ岤       峥岵੗ਯૼ୒崡崧崫崽峘਀༟ૼ୒崡崧崫崽峘ર島峉ૼ୒੍ର岝হ঵峢峘๾൴峼਀༟+ফ২岣ૼ୒੍ରೖ岤‫؟‬஌৛ ෎ೣ੽‫ূق‬ਨপ৾‫ك‬+ফ২岣રೢૼ୒ೖ嵣ૼ୒੍ର๾൴ೖ岤‫؟‬நఈ ஶ঳୙੽‫ق‬੟ସ嵣౫મଢ଼஢ਃଡ‫ك‬+ফ২岣ૼ୒੍ର๾൴ೖ岤‫؟‬ଯઢ ৆ఘ੽‫ق‬਎੃প৾‫ك‬+ফ২岣଄ুૼ୒တཫೖ岤‫؟‬৛૊ లᄶ੽‫ق‬ਓ঵ૼ୒੕়ଢ଼஢ਚ‫ك‬+ফ২岣଄ুૼ୒တཫೖ岤‫؟‬ઢি ࿮৕੽‫ق‬ఱଐ੔ഈఐ৾ૼ୒প৾੹প৾‫ك‬ਖ岮়峹峅‫؟‬崲崶崮崗崶嵕崠嵤崿嵑崫崰崽崑嵤嵈崣嵛崧嵤 ઈ੾‫؟‬੟ସ嵣౫મଢ଼஢ਃଡ岝ఐ৾ૼ୒ஷ௪ਃଡ (PDLO17-BLQIR#QDQRQHWJRMS3KRQH
嵃嵤嵈嵂嵤崠 KWWSQDQRQHWPH[WJRMS

65

微細構造解析プラットフォーム

微細構造解析プラットフォーム

解析 PF- 代表機関（1）
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム

世界トップ水準の最先端計測を提供
最先端計測技術と高度専門技術スタッフ・研究者のノウハウにより最適なサンプル準備から計測・解析まで対応します
全国11機関がTEMを中心とした最先端計測機器ネットワークを構築
解析技術の共用によりオープンイノベーションを目指します

ᡂᯝබ㛤
฼⏝௳ᩘ
฼⏝ᙧែู ฼⏝௳ᩘ
 
㻌㻌
኱Ꮫ
බⓗ
䛭䛾 ྜィ ᢏ⾡ ᢏ⾡ ᢏ⾡ ᶵჾ ඹྠ◊✲௚┦ㄯ ௦⾜ ⿵ຓ ฼⏝ ◊✲㻌 㻌 Ꮫእ
ᶵ㛵฼⏝⪅ᡤᒓู௻ᴗྜィ኱௻ ୰ᑠ 䛭䛾ᴗ ௻ᴗ ௚

㻥㻢㻤㻌 㻞㻟㻟㻌 㻡㻜㻌㻡㻌㻢㻝㻣㻌 㻠㻜㻜㻌 㻢㻟㻌㻜㻌㻥㻢㻤㻌 㻝㻡㻌

ྜィ

බⓗ
䛭䛾
Ꮫ ◊✲
௚
㻌㻌
እ ᶵ㛵

኱௻ ୰ᑠ 䛭䛾㻌 㻌 ⛣⾜ᩘᴗ ௻ᴗ ௚

㻞㻡㻤㻌 㻝㻞㻡㻌 㻠㻞㻜㻌 㻝㻡㻜㻌 㻞㻠㻡㻌Ꮫ఍➼䛻䛚䛡䜛ཱྀ㢌䞉䝫䝇䝍䞊Ⓨ⾲ Ꮫ఍ㄅ䞉㞧ㄅ➼䛻䛚䛡䜛ㄽᩥᥖ㍕ᡂᯝ㠀බ㛤฼⏝⪅ᡤᒓู ฼⏝௳ᩘ
 
௻ᴗ
኱Ꮫ

≉チฟ㢪➼

㻝㻡㻌

㻡㻟㻌

㻠㻌

㻝㻌

㻝㻣㻣㻌 㻝㻞㻌

䝥䝺䝇Ⓨ⾲䞉ゎㄝグ஦➼

㻣㻌

㻟

ཷ㈹➼

ᅜෆ

ᾏእ

ィ

࿴ㄅ

ὒㄅ

ィ

ᅜෆ

ᾏእ

ィ

ᅜෆ

ᾏእ

ィ

ᅜෆ

ᾏእ

ィ

㻤㻠㻝㻌

㻠㻤㻝㻌

㻝㻟㻞㻞㻌

㻠㻜㻌

㻠㻝㻜㻌

㻠㻡㻜㻌

㻟㻝㻌

㻝㻥㻌

㻡㻜㻌

㻝㻞㻥㻌

㻞㻢㻌

㻝㻡㻡㻌

㻣㻢㻌

㻝㻣㻌

㻥㻟

ナノ電子デバイスの微細構造と電磁気特性の相関（北海道大学）
M. Arita et al., Scientific Reports, 5 (2015) 17103

(a)

(c)

10 nm

(b)

10 nm

ReRAM䛾ືసཎ⌮᳨ド䛾䛯䜑䛻㼕㼚㻙㼟㼕㼠㼡 TEMほᐹ⏝䛾ᐇ⏝ReRAM䛸ྠ➼䛾100nm௨ୗ䛾䝕䝞䜲䝇
䜢FIB⿦⨨䜢⏝䛔䛶ຠ⋡Ⰻ䛟స〇䛷䛝䛯䚹

⢏Ꮚ䜢⛣ື䛥䛫䜛๓ᚋ䛾ᦶ᧿ಙྕ䛾ኚ໬䜢グ㘓䛧䛶䝘䝜⢏Ꮚ䛾๤㞳ຊ䠄᥋╔ຊ䠅䜢ィ㻵㼚㻙㼟㼕㼠㼡 TEMほᐹ䛻䜘䛳䛶
ReRAM䛾⤯⦕ᒙ୰䛾䝘䝜䝣䜱䝷䝯䞁䝖ᙧᡂ䜔䝇䜲䝑䝏䞁䜾ືస䛻䛚䛡䜛䝘䝜䝣䜱䝷䝯䞁䝖ኚ໬䛾ヲ⣽䜢ㄪ䜉䜛䛣䛸䛜䛷䛝䛯䚹

Fig. 1(a) ReRAM device of Pt/Cu/WOx/TiN fabricated using FIB(b) EDX mapping of the device(c) I-V curve of SET-pristine stage (upper) and thecorrelated TEM images showing the formation of nano-filament at each bias step (lower)」ྜ䝡䞊䝮ຍᕤほᐹ⿦⨨

㧗ศゎ⬟3ḟඖᵓ㐀ホ౯⿦⨨཰ᕪ⿵ṇᆺ฼⏝ᩱ䠄෇䠋᫬㛫䠅

微粒子（30nmクラス）のシリコン基板への剥離力（接着力）評価 （産業技術総合研究所）

ᶵჾ฼⏝ᅗ䠍㻌 㻭㻲㻹᥈㔪䜢฼⏝䛧䛯⢏Ꮚ䛾๤㞳ຊ䠄Ỉᖹ᪉ྥ䛾ຊ䠅䛾⢭ᐦ ᐃ༙ᑟయస〇䝥䝻䝉䝇ᚋ䛾ྜ⌮ⓗ䛺Ὑίᕤ⛬䜢ᐇ⌧䛩䜛䛯䜑䚸䝘䝜䝃䜲䝈䛾⢏Ꮚ䛾๤㞳ຊ䚸䝟䝍䞊䞁䛾ಽቯ䛥䛫䜛ຊ➼䜢ィ 䛩䜛䝅䝇䝔䝮䜢ᵓ⠏䛧䚸䝟䝍䞊䞁䜢ಽ䛥䛪䛻ᚤ⢏Ꮚ䜢㝖ཤ䛩䜛Ὑίᕤ⛬䛜ᵓ⠏ྍ⬟䛷䛒䜛䛸䛾▱ぢ䜢ᚓ䛯䚹㻌㻌᫬㛫฼⏝༢౯⾲䠄෇䠋᫬㛫䠅 ͤ

ᶵჾ
฼⏝

ᢏ⾡௦⾜
ᢏ⾡⿵ຓ

䝸䜰䝹⾲㠃䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾⩌䠍(RSPM) 䠄JSPM5400௚䚸ᨵ㐀䠅

12,80017,800䝸䜰䝹⾲㠃䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾⩌䠎䠄RSPM䠅
䠄SII䚸RIBM௚䚸ᨵ㐀䚸௜ᖏ⿦⨨䠅

16,50021,500ͤᶆ‽ⓗ䛺 ᐃ䛜ྍ⬟䛺ሙྜ䛿䛂䠍ヨᩱ䜎䛯䛿䠍ᅇ䛾 ᐃ༢౯⾲䛃䜒䛤䛦䛔䜎䛩䚹

ᶵჾ฼⏝䠄኱Ꮫ䞉බⓗᶵ㛵)䠄୍⯡䠅཰ᕪ⿵ṇᆺTEM䡡STEM

7,500

せၥ䛔ྜ䜟䛫

」ྜ䝡䞊䝮ຍᕤほᐹ⿦⨨ FIB-SEM

2,300

4,600

ᅗ䠎 䝸䜰䝹⾲㠃䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾⿦⨨

問い合わせ：微細構造解析プラットフォーム推進室 (代表機関：物質・材料研究機構)
E-mail: acnp@nims.go.jp Phone: 029-859-2139
ホームページ: http://www.nims.go.jp/acnp/68解析 PF- 代表機関（2）
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム

世界トップ水準の最先端計測を提供
溶融接合金属セラミックス基板界面における原子分解能構造解析（東京大学）

高性能および高機能性を有する新規界面活性剤が形成する会合体のナノ構造に関する研究（京都大学）

A. Kumamoto, et al., Sci. Rep. 6, 22936 (2016).

50 nm

䠄ᕥ䠅500 mmol dm-3䛾C12EO8䛾䜽䝷䜲䜸TEMീ䛾FFT䝟䝍䞊䞁
Alྜ㔠/AlN⏺㠃䛾ཎᏊศゎ⬟STEM-EDS䝬䝑䝥䛸ᵓ㐀䝰䝕䝹䠄ྑ䠅29.9 mmol dm-3䛾3C12lin-3-Q䛾䜽䝷䜲䜸TEMീ

䝟䝽䞊䝰䝆䝳䞊䝹⏝⤯⦕ᅇ㊰ᇶᯈ䛻䛚䛡䜛⁐⼥᥋ྜᢏ⾡䛻䛚䛔䛶䚸䜰䝹䝭䝙䜴䝮ྜ㔠䛸❅໬䜰䝹䝭䝙䜴䝮䛾᥋ྜ⏺㠃䛷༢ཎᏊᒙ䛾䝬䜾䝛䝅䜴䝮䛜೫ᯒ䛥䜜䛶䛔䜛䛣䛸䛜☜ㄆ䛥䜜䚸⏺㠃᥋ྜ䜢ᙉ໬䛷䛝䜛䛣䛸䛜᫂䜙䛛䛸䛺䛳䛯䚹䠎✀䛾⏺㠃άᛶ๣䠄CnEOx, CnEOxPOy䠅䛾Ỉ⁐ᾮ୰䛾䝘䝜ᵓ㐀䜢䜽䝷䜲䜸㼀㻱㻹䛷ほᐹ䛧䚸ศᏊᵓ㐀䛸㞟ྜయ䛾䝘䝜ᵓ㐀䛾㛵ಀ䜢᫂䜙䛛䛻䛧䛯䚹฼⏝ᩱ䠄෇䠋᪥䠅ᶵჾ฼⏝50,000෇䠋᪥ᢏ⾡⿵ຓ

100,000෇䠋᪥ᢏ⾡௦⾜250,000෇䠋᪥ᴟపᢏ⾡⿵ຓ䞉ᢏ⾡௦⾜༢౯ 䠄෇䠋᫬㛫䠅ᴟప⎔ቃᑐᛂᆺ㉸㧗ศゎ⬟㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻌㻌

１次元凹凸周期曲面構造エキゾチック
ナノカーボンの高分解能STEM観察（大阪大学）
Single domain structureof C60 polymer crystal

FFT pattern from single
domain structure㧗ศゎ⬟㏱㐣㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾

TEM

௻ᴗ
6,230

加工に伴う電磁鋼板の歪み分布測定（量子科学技術研究開発機構）

Electron diffraction frommulti domain structurez-ϳϬϬʅ^d 㻔ᅽ⦰㻕㻌ϳϬϬʅ^d 㻔ᘬᙇ㻕㻌DC኱Ꮫ䞉බⓗ◊✲ᶵ㛵
3,115

y
0.5mm

A
B

䠵᪉ྥṍ䜏ศᕸ
1D direction

0110

1010

(b)

z

-ϳϬϬʅ^d 㻔ᅽ⦰㻕㻌ϳϬϬʅ^d 㻔ᘬᙇ㻕㻌

D

y

C

0110

0000

(a)

1D direction

1D direction

0000

2110

A
B

0.5mm

2110

1010

㼆᪉ྥṍ䜏ศᕸ
{111}

fcc(0001)

Strained hcp

᭱㏆᥋ཎᏊ㛫㊥㞳䜽䝷䜲䜸㼀㻱㻹䛻䜘䜛㻯㻢㻜䝫䝸䝬䞊⤖ᬗ䛾㧗ศゎ⬟ീ䛸䛭䛾㻲㻲㼀䝟䝍䞊䞁䛚䜘䜃ไ㝈ど㔝㟁Ꮚᅇᢡ䚹ୗᅗ䛿㟁Ꮚᅇᢡ䛛䜙ゎᯒ䛧䛯䝫䝸䝬䞊⤖ᬗ䛾༢఩᱁Ꮚ䛸ᵓ㐀䝰䝕䝹䜢♧䛩ᶍᘧᅗ䚹

C60ศᏊ⤖ᬗ䜢㟁Ꮚ↷ᑕ䛧䛶⏕ᡂ䛧䛯C60
䝫䝸䝬䞊⤖ᬗ䛜䚸㻝ḟඖ䛾C60 ศᏊ䛛䜙䛺䜛࿘ᮇᵓ㐀䜢᭷䛧䚸༢఩᱁Ꮚ䛿ṍ䜣䛰hcpᵓ㐀䜢ᇶᮏ䛸䛩䜛䛣䛸䛜ほᐹ䛥䜜䛯䚹

Titan Krios㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ᶵჾ฼⏝䞉ᢏ⾡⿵ຓ䞉ᢏ⾡௦⾜ ฼⏝ᩱ䠄෇䠅௻ᴗ኱Ꮫ䞉බⓗ◊✲ᶵ㛵
30,00010,0001௳/᪥1,000,000
300,000
1௳/ᖺᨺᑕගX⥺䜢⏝䛔䛯ゅᗘศᩓἲ䛻䜘䛳䛶ṧ␃ṍ䜏ศᕸ䜢ホ౯䛧䛯䚹

(c)

(d)

㛗ᡭ䠄y㍈䠅᪉ྥ䛾ศᕸᅗ䠄ᕥᅗ(a) y᪉ྥṧ␃ṍ䜏ศᕸ䚸(b)ᅇᢡX⥺
䝥䝻䝣䜯䜲䝹䛾್༙ᖜศᕸ䠅䛛䜙䚸䝎䝺㠃䛾➃㒊䛻䛶ᘬᙇṍ䜏䚸䝞䝸㠃䛾➃㒊䛷ᅽ⦰ṍ䜏䚸ෆ㒊䛷ᘬᙇṍ䜏䛜☜ㄆ䛥䜜䛯䚹୍᪉䚸ᯈཌ᪉ྥ䛾ṧ␃ṍ䜏ศᕸ䠄ᕥᅗ(c)z᪉ྥṧ␃ṍ䜏ศᕸ䚸(d)ᅇᢡX⥺䝥䝻䝣䜯䜲䝹䛾್༙ᖜศᕸ䠅䛷䛿䚸ษ᩿㒊㏆ഐ䛾䝎䝺ഃୖ㠃䛷ᅽ⦰ṍ䜏䛜☜ㄆ䛥䜜䛯䚹

฼⏝ᩱ㔠㻩ྲྀᢅᡭᩘᩱ㻝㻜㻘㻣㻜㻜෇㻛௳㻗᪋タ䛾㐠㌿䛻ಀ䜟䜛⤒㈝㻗㏣ຍ⤒㈝➇தⓗ㈨㔠฼⏝䛾ሙྜ䚸⏦ㄳ๓䛻せᡴྜ䛫䚹ᡂᯝ㠀බ㛤䛸◊✲㛤Ⓨ௨እ䛾฼⏝䛾ሙྜ䚸㻶㻭㻿㻾㻵䜈䛾䝡䞊䝮౑⏝ᩱᨭᡶศ䜢௦⾜ᚩ཰䠄㻟㻝㻞㻘㻜㻜㻜෇㻛䝅䝣䝖䠅䚹㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌኱ᆺ㼄⥺ᅇᢡィ฼⏝ᩱ 䠄෇䠅༊ศ᪋タ䛾㐠㌿䛻㛵䜛⤒㈝ྲྀ䜚ᢅ䛔ᡭᩘᩱ

◊✲㛤Ⓨᡂᯝබ㛤䠄䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮ㄢ㢟䠅୍⯡ㄢ㢟 ➇தⓗ㈨㔠฼⏝
9,580

22,70010,70010,700◊✲㛤Ⓨ௨እ
ᡂᯝ㠀බ㛤୍⯡ㄢ㢟
68,110䠄ᇶᮏᩱ㔠䠅
10,700ၟᴗ฼⏝➼
115,440
10,700ഛ⪃

1䝅䝣䝖䠄䠔᫬㛫䠅ᙜ䛯䜚
1ㄢ㢟ᙜ䛯䜚

問い合わせ：微細構造解析プラットフォーム推進室 (代表機関：物質・材料研究機構)
E-mail: acnp@nims.go.jp Phone: 029-859-2139
ホームページ: http://www.nims.go.jp/acnp/69解析 PF-1 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム

北海道大学 微細構造解析プラットフォーム−先進ナノ構造・状態解析共用拠点−
ᅜ❧኱Ꮫἲே໭ᾏ㐨኱Ꮫ䛷䛿䚸䠄1䠅⾲㠃ᵓ㐀䠈䠄2䠅ෆ㒊ᵓ㐀䞉3Dᵓ㐀䚸䠄3䠅㟁Ꮚ≧ែศᯒ䛾ほⅬ䛛䜙䝘䝜䡚䝬䜲䜽䝻䝯䞊䝖䝹䜸䞊䝎䞊䛻䜟䛯䜛ᮦᩱ䞉䝕䝞䜲䝇䛾ศᯒ䞉ホ౯䛻㛵䛩䜛◊✲ᨭ᥼䜢⾜䛔䜎䛩䚹᭱᪂䛾X⥺ග㟁Ꮚศග⿦⨨䠈䜸䞊䝆䜵㟁Ꮚศග⿦⨨䠈㟁Ꮚ䝥䝻䞊䝤䝬䜲䜽䝻䜰䝘䝷䜲䝄䞊䛸䛔䛳䛯⾲㠃ศᯒ⿦⨨䛻䜘䜛⾲㠃ᵓ㐀ゎᯒᨭ᥼䚸2ྎ䛾㧗䜶䝛䝹䜼䞊䜲䜸䞁ຍ㏿ჾ䜢ᣢ䛴ୡ⏺䛻၏୍䛾㉸㧗ᅽ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䜢ྵ䜑䛯ከ✀ከᵝ䛺㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾⩌䛸SEM-FIB䛺䛹䛾ヨᩱຍᕤ⿦⨨䛾⤌䜏ྜ䜟䛫䛻䜘䜛ෆ㒊ᵓ㐀䞉3ḟඖᵓ㐀ゎᯒᨭ᥼䠈⎔ቃ䝉䝹䝩䝹䝎䞊䜢⏝䛔䛯䛭䛾ሙほᐹTEM䜔㉸㧗┿✵䞉ᴟప 䞉ᙉ☢ሙSPM䜢⏝䛔䛯⎔ቃไᚚୗ䛷䛾ศᯒᨭ᥼䚸㉸㧗㏿᫬㛫ศゎග㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䜔㧗㏿䝇䝨䜽䝖䝹䜲䝯䞊䝆䞁䜾ᑐᛂ䝺䞊䝄䞊ඹ↔Ⅼ㢧ᚤ㙾䛺䛹䜢⏝䛔䛯㟁Ꮚ≧ែ䜔䝘䝜ᮦᩱ䛾䝸䜰䝹䝍䜲䝮ືែ䛾ゎᯒ䛜ྍ⬟䛺䝅䝇䝔䝮䜢ᥦ౪䛧䚸᪂ᶵ⬟䝘䝜≀㉁๰ฟ䜔᪂つ䝕䝞䜲䝇๰〇䜈䛾◊✲䚸ᢏ⾡䚸〇ရ㛤Ⓨ䛾ᨭ᥼䜢⾜䛔䜎䛩䚹䞉ྛ✀䝘䝜ィ タഛ⩌䛸ィ ᢏ⾡䜢ᛂ⏝䛧䛯ከ✀ከᵝ䛺ゎᯒᢏ⾡䛾ᥦ౪䞉↓ᶵᮦᩱ䛛䜙⏕యᮦᩱ䛻䛔䛯䜛ከᵝ䛺䝬䝔䝸䜰䝹䛾䝘䝜ᵓ㐀䞉≧ែゎᯒ䞉ᮦᩱ䛾⾲㠃䞉⾲ᒙ䛛䜙ෆ㒊䛻⮳䜛୍㈏䛧䛯ໟᣓⓗ䛺ඛ㐍ᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ䞉䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䜢ά⏝䛧䛯ᮦᩱ◊✲ศ㔝䛻䛚䛡䜛Ꮫၥⓗㄢ㢟䜢ゎỴ䞉⏘ᴗ⏺䛾◊✲⪅䛜᭷䛩䜛ᢏ⾡ⓗㄢ㢟䜢ゎỴ䛧䚸䜲䝜䝧䞊䝅䝵䞁䜢ຍ㏿䞉▱䛾㞟⣙䛻䜘䜛⏘Ꮫᐁ㐃ᦠ䛻䜘䜛␗ศ㔝⼥ྜ䛸᭱ඛ➃ィ ேᮦ䛾⫱ᡂ

研究設備
䞉䜲䜸䞁↷ᑕྍ⬟䛺㉸㧗ᅽ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾⩌ィ ࣭ゎᯒᢏ⾡䞉ཎᏊ䝺䝧䝹䛾✵㛫ศゎ⬟䜢᭷䛩䜛཰ᕪ⿵ṇ㉮ᰝ䞉㏱㐣㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾⩌⾲㠃䞉ཬ䜃ෆ㒊ᵓ㐀䛾ศᯒ㢧ᚤ㙾⩌䞉䝃䞁䝥䝹స〇䛩䜛䛯䜑䛾ຍᕤ⿦⨨⩌䞉ᴟప 䚸㧗┿✵䚸ᙉ☢ሙSTM䛻䜘䜛≉Ṧ⎔ቃୗ䛾ศᯒ⿦⨨ྡ(ᆺᘧ)㉮ᰝᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠏㻰⎔ቃ䝬䝔䝸䜰䝹ศᯒ䝅䝇䝔䝮䠄㻿㻱㻹䠅䠄㻲㻱㻙㻱㻼㻹㻭䠖㻶㼄㻭㻙㻤㻡㻟㻜㻲䠈㻲㻵㻮㻙㻿㻱㻹䠖㻶㻵㻮㻙㻠㻢㻜㻜㻲㻛㻴㻷㻰䠅㟁⏺ᨺᑕᆺ㉮ᰝᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻌㻔㻶㻿㻹㻙㻢㻡㻜㻜㻲㻭㻕䞉XPS,AES,᫬㛫ศゎPEEM䛻䜘䜛㟁Ꮚ≧ែゎᯒ䝬䝹䝏䝡䞊䝮㉸㧗ᅽ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䝇䝢䞁㻿㻱㻹
㉮ᰝᆺ䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾㉸㧗┿✵䞉ᴟప 䞉㧗☢ሙ㻿㻼㻹䠄㻶㻭㻲㻹㻠㻡㻜㻜㻸㼀䠅䠄㻿㻼㻹䠅㉸㧗┿✵㻿㼀㻹䞉䝇䝢䞁೫ᴟ㻿㼀㻹⿦⨨㉸㧗ᅽ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄㻴㼂㻱㻹䠅䝬䝹䝏䝡䞊䝮㉸㧗ᅽ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻌㻔㻶㻱㻹㻙㻭㻾㻹㻙㻝㻟㻜㻜㻕㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄㼀㻱㻹䠅཰ᕪ⿵ṇ㉮ᰝ䞉㏱㐣㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻌㻔㻶㻱㻹㻙㻭㻾㻹㻙㻞㻜㻜㻲㻕䠄䜸䝭䜽䝻䞁 㻿㼀㻹㻛㻭㻲㻹㻘㻌㼂㼀㻙㻿㼀㻹䠅FIB-SEM㼀㼕㼠㼍㼚㻌㻳㻟㻌㻢㻜㻙㻟㻜㻜㻌㟁⏺ᨺᑕ㉮ᰝ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䜸䞊䝆䜵㟁Ꮚศග⿦⨨䠄1䠅⾲㠃ᵓ㐀䠄2䠅ෆ㒊ᵓ㐀䞉3Dᵓ㐀཰ᕪ⿵ṇ㉮ᰝ䞉㏱㐣㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻌㻔㼀㼕㼠㼍㼚㻌㻟㻳㻌㻢㻜㻙㻟㻜㻜㻕䠄3䠅㟁Ꮚ≧ែศᯒ௨ୖ䛾ほⅬ䛛䜙䝘䝜䡚䝬䜲䜽䝻䝯䞊䝖䝹䜸䞊䝎䞊䛻䜟䛯䜛ᮦᩱ䞉䝕䝞䜲䝇䛾ศᯒ䞉ホ౯䛻㛵䛩䜛◊✲ᨭ᥼㟁⏺ᨺᑕᆺศᯒ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻌㻔㻶㻱㻹㻙㻞㻜㻝㻜㻲㻕⎔ቃ䝉䝹ᑐᛂ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䝅䝇䝔䝮㻌㻔㻶㻱㻹㻙㻞㻜㻝㻜㻕᪂ᶵ⬟䝘䝜≀㉁๰ฟ䜔᪂つ䝕䝞䜲䝇๰〇䜈㟁Ꮚ䝥䝻䞊䝤䝬䜲䜽䝻䜰䝘䝷䜲䝄⎔ቃ䝉䝹ᑐᛂ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䝅䝇䝔䝮㉮ᰝ䞉㏱㐣㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄㻿㼀㻱㻹䠅㉸ⷧ⭷ホ౯⿦⨨㻔㻴㼕㼠㼍㼏㼔㼕㻌㻴㻰㻙㻞㻜㻜㻜㻕㞟᮰䜲䜸䞁䝡䞊䝮ຍᕤ⿦⨨䠄㻲㻵㻮䠅㉸ⷧ⭷ホ౯⿦⨨㻔㻴㼕㼠㼍㼏㼔㼕㻌㻲㻮㻙㻞㻝㻜㻜䠅
ヨᩱస〇⿦⨨⩌䠄㟁ゎ◊☻䚸䜲䜸䞁◊☻䠅ඹ↔Ⅼ㢧ᚤ㙾䠄㻯㻸㻿㻹㻕䝇䝨䜽䝖䝹䜲䝯䞊䝆䞁䜾ᑐᛂ㧗㏿䝺䞊䝄䞊ඹ↔Ⅼ㢧ᚤ㙾㻔㻺㼕㼗㼛㼚㻌㻭㻝㻕ග㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄㻼㻱㻱㻹䠅᫬㛫ศゎග㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䝅䝇䝔䝮䜸䞊䝆䜵㟁Ꮚศග⿦⨨䠄㻶㻭㻹㻼㻙㻥㻡㻜㻜㻲䠅⾲㠃ศᯒ㧗☢ሙᑐᛂ㉸㧗┿✵㉮ᰝᆺ䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾᫬㛫ศゎග㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䝅䝇䝔䝮཰ᕪ⿵ṇ㏱㐣㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㼄⥺ග㟁Ꮚศග⿦⨨䠄㻶㻼㻿㻙㻥㻞㻜㻜䠅X⥺ග㟁Ꮚศග⿦⨨利用事例

利用形態と利用料金㉸ⷧ⭷ホ౯⿦⨨ STEM HD-2000
ᚤ⣽ᵓ㐀ホ౯䛻᭱㐺䛺㉮ᰝ䞉㏱㐣㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾⿦⨨䡚ⷧ⭷ᡂ⭷䚸⾲㠃Ύί໬䚸⤌ᡂศᯒ䚸STM䞉䝇䝢䞁೫ᴟSTMほᐹ䡚䡚䝝䞊䝗䛛䜙䝋䝣䝖䝬䝔䝸䜰䝹䜎䛷䡚ᘺፗỉ‫ٳ‬ᚇểಒᙲ (ଐᇌἡỶἘἁ STEM HD-2000))⿦⨨ᮏయ䠄STEM HD-2000䠅

㉸㧗┿✵STM䞉䝇䝢䞁೫ᴟSTM⿦⨨ VT-STM
⾲㠃ཎᏊᵓ㐀ゎᯒ䞉⾲㠃䝇䝢䞁ᵓ㐀ィᘺፗỉ‫ٳ‬ᚇểˁಮ (Omicron VT-STM)

ほᐹ⏝䛸䛧䛶᫂䞉ᬯど㔝㏱㐣㟁Ꮚ᳨ฟჾ䛸஧ḟ㟁Ꮚ᳨ฟჾ䚸ศᯒ⏝䛸䛧䛶䜶䝛䝹䜼䞊ศᩓᆺ≉ᛶX⥺᳨ฟჾ䜢ഛ䛘䚸ཎᏊ䝺䝧䝹䛾ᚤ⣽ᵓ㐀ほᐹ䛸䚸䝃䝤䝘䝜䝯䞊䝖䝹㡿ᇦ䛾㍍ඖ⣲ศᕸほᐹ䛜ྍ⬟䛺⿦⨨ⷧ⭷ᡂ⭷⿦⨨䚸⾲㠃Ύί໬⿦⨨䚸⤌ᡂศᯒ⿦⨨䛺䛹䜢ഛ䛘䛶䛔䜛 ᗘྍኚ㻿㼀㻹ほᐹ䛜ྍ⬟䛺⾲㠃ཎᏊᵓ㐀ゎᯒ⿦⨨䠊䛥䜙䛻䚸䝇䝢䞁᳨ฟྍ⬟䛺᥈㔪స〇ᶵᵓ䜢ഛ䛘䚸⾲㠃䝇䝢䞁ᵓ㐀ほᐹ䜒ྍ⬟䞉ຍ㏿㟁ᅽ䠖㻌㻞㻜㻜䡇㼂䞉᱁Ꮚศゎ⬟䠖㻌㻜㻚㻞㻠㼚㼙䞉ಸ⋡䠖 䡔㻌㻝㻜㻜ࠥ㻡㻘㻜㻜㻜㻘㻜㻜㻜䞉ศᯒᶵ⬟䠖㻱㻰㻿䚸㻱㻱㻸㻿䞉㻿㻱㻹ほᐹീ
䞉㻿㼀㻱㻹ほᐹീ䞉᫂ど㔝ീᬯど㔝ീ䠄㼆䝁䞁䝖䝷䝇䝖䠅䞉㔠ᒓᡂ⭷⿦⨨䠖㻌㻲㼑㻘㻌㻯㼛㻘㻌㻯㼞㻘㻌㻭㼡㻌 㻌䞉⾲㠃Ύί໬⿦⨨䠖㻌㻭㼞㻗 䝇䝟䝑䝍⿦⨨䞉⾲㠃ᵓ㐀ゎᯒ⿦⨨䠖㻌㻾㻴㻱㻱㻰䚸㻸㻱㻱㻰㻌 㻌䞉⤌ᡂศᯒ⿦⨨䠖㻌㼄㻼㻿䞉ヨᩱຍ⇕䠖 ࠥ㻥㻡㻜䉝䞉㻿㼀㻹ほᐹ䠖㻌㻞㻜㻌㻷ࠥᐊ(a)⿦⨨ᮏయ䠄JXA-8530F䠅

ᶵჾ฼⏝฼⏝⪅⮬䜙䛜ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛䜒䛾䛷䛒䜚䚸ᨭ᥼⪅䛿◊✲䛾ෆᐜ䛻䝍䝑䝏䛧䛺䛔䠈⊂❧ᛶ䛾㧗䛔
ᙧែ䛷䛩䚹

ᢏ⾡⿵ຓ

⿦⨨⟶⌮⪅䞉ᨭ᥼⪅䛜⿵ຓ䜢䛧䛺䛜䜙฼⏝⪅䛜⿦⨨䜢᧯స䛩䜛ᨭ᥼ᢏ⾡௦⾜⿦⨨⟶⌮⪅䞉ᨭ᥼⪅䛜⿦⨨䛾᧯స䞉ゎᯒ䜢௦⾜ඹྠ◊✲ᨭ᥼஦ᴗཧ⏬ᩍဨ䛸฼⏝⪅䛻䜘䜛ᡂᯝබ㛤ᆺ
ඹྠ◊✲

ᢏ⾡┦ㄯ

ᢏ⾡ⓗ䛺ၥ㢟ゎỴ䛺䛹䛻䛴䛔䛶䠈ྛᶵ㛵䛾┦ㄯ䝇䝍䝑䝣䛜䠈䛥䜎䛦䜎䛺┦ㄯ䛻ᑐᛂ䛔䛯䛧䜎䛩䚹⿦⨨ᮏయ䠄 VT-STM 䠅
(a)

(b)

(b)

฼⏝ᩱ㔠
㝵ᒙᵓ㐀䛾㔠䝘䝜⢏Ꮚ䛾⮬ᕫ㞟ྜయᵓ㐀ゎᯒ㻔㼍㻕㻌㻿㻱㻹ീ䠄⾲㠃䠅㻔㼎㻕㻌㻴㻭㻭㻰㻲㻙㻿㼀㻱㻹ീ䠄ෆ㒊䠅ᡂ⭷䛧䛯᭷ᶵ䝷䝆䜹䝹ศᏊ㼀㼀㼀㻭⭷䛾㻿㼀㻹ほᐹ
㻔㼍㻕㻌ᗈᇦീ㻌 㻔㼎㻕㻌ᣑ኱ീ䛾୍౛
150 nm

150 nmᮏᏛつ⛬䛾ᶵჾ฼⏝ᩱ㔠䜢⿦⨨䛾౑⏝᫬㛫䛻ᛂ䛨䛶ㄢ㔠
10 nm

2 nm

⿦⨨฼⏝ᙧែ䚸ᢏ⾡┦ㄯ䚸฼⏝ᩱ㔠䛺䛹䚸ୗグ䛻䛚ၥ䛔ྜ䜟䛫ୗ䛥䛔䚹

問い合わせ：北海道大学 ナノテクノロジー連携研究推進室
E-mail: nanoplat@cris.hokudai.ac.jp，Phone: 011-706-9340
ホームページ http://www.cris.hokudai.ac.jp/cris/nanoplat/70

解析 PF-2 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォームᮾ໭኱Ꮫ 䝘䝜䝔䜽⼥ྜᢏ⾡ᨭ᥼䝉䞁䝍䞊žȊȎௌЈᲩǯȩǹǿȸဃ঺ƴǑǔᘙ᩿ᄒ҄ſᲢ#67Უ
Dᮾ໭኱Ꮫ኱Ꮫ㝔ᕤᏛ◊✲⛉㸪Eᮾ໭኱Ꮫ㔠ᒓᮦᩱ◊✲ᡤ䛆┠㻌 㻌 ⓗ䛇ຓ੤ृ३কইॺಉप৷ःैोॊள඀౫મभ਀એໂ৲૪৶भ
੦ຊଢ଼஢दँॉ‫ؚ‬Fe-Al-‫়ۋ‬সभ਀એᄚ৲૪৶पेॉ‫ۋ‬૮๣ਸ়সपૻसপऌऎ਀એໂ২ऋ঱ಊखञ‫؛‬ৈীੰTEMपेॉ‫ؚ‬਀એᄚ৲੟ෲল଱৿॑৹ਪघॊऒधऋমୖ਻भ৯৓दँॊ.

ᘓᒣᜤᐶD ᐑᮏ࿃㑻E䛆ᡂ㻌 㻌 ᯝ䛇
Fig. 1प823Kद57.6ksᄚ৲खञFe-Al-V়সभ਀એໂ২॑V෯২पৌखथऽधीॊ‫؛‬Fe-2Al়সदमᄚ৲૪৶खथुໂ
২঱ಊमऺध॒नৄैोऩःभपৌखथ‫ؚ‬Fe-1.9Al-0.1V়সदम਀એໂ২ऋপऌऎ঱ಊख‫ؚ‬0.5V๣ਸ౫दऺऻਈপக
प୸घॊ‫؝‬Fe-2Al়সदम‫؜‬ᄚ৲੟ऋেਛखऩःऋ‫ؚ‬V॑ओऎ૘୤๣ਸघॊऒधद‫؜‬Fig. 2पંघഝ૾भॼঀᄚ৲੟ऋ
ෲলघॊ‫؛‬V๣ਸ୤ऋ଩ःৃ়पम(V, Al) Nᄚ৲੟‫ق‬B1஑ଡୗ‫ؚك‬Fe-2V়সदमV-Nॡছ५ॱ‫ش‬ऋ஄ਛऔोॊ‫؛‬ओऎ๶୤भV๣ਸपेॉ‫ؚ‬Vᄚ৲੟ෲলपAlᄚ৲੟भෲলऋාକ
औोथপऌऩ਀એໂ৲ऋਠोॊऒधऋ৥ैऊधऩढञ‫؛‬

Fig. 1 Surface hardness of Fe-Al-V alloys nitrided at
823K as a function ofFe-1.5Al-0.5V
V content.
Fe-1.9Al-0.1V

Fe-2V䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇౫મ਀એदभਠ଴दँॉFIB૥મ॑੿ଲख‫ؚ‬๶಍ऩᄚ৲੟
ෲল੟भৈীੰચ௴௄॑ষअহऋअऽऎলਟञ‫؛‬ৰ৷౫મदभളහऩ਀એᄚ৲૪৶भ਑౪प਋ୄखञः‫                    ؛‬㸦ᨭ᥼ᐇ᪋⪅㸸᪩ᆏ♸୍㑻ඤ⋢⿱⨾Ꮚ௒㔝㇏ᙪ 㸧

Fig.2 Al-V nitride/cluster formed in (a)Fe-1.9Al-0.1V, (b)Fe-1.5Al0.5V, (c)Fe-2V alloys nitrided at 823K for 57.6ks.

žദ૾୒FeCoᕓᐏƷኽ୒ನᡯƱᄬൢီ૾ࣱſᲢ#67Უ
⛅⏣኱Ꮫ኱Ꮫ㝔ᕤᏛ㈨※Ꮫ◊✲⛉䛆┠㻌 㻌 ⓗ䛇ৗૠऩె୲჌લ‫ؚ‬தৈഡ২჌ਞ੶ஈᄘ৬षभૢ৷ऋ਋ୄ
दऌॊFeCoුჍभ੦ຊଢ଼஢दँॊ‫ ؛‬FeCoपਫ্ኾऋ଑ো
औोॊহपेॉ‫ؚ‬পऌऩ঳ກ჌ਞ౮্ਙऋා଑औोॊ૭ચ
ਙऋँॊ‫ق؛‬ਸ਼1ਉ৶ੑ઴पेॊ੥ટ‫ك‬ৈীੰTEMपेॉ
FeCoුჍभਫ্ኾಉ॑ಖનप৹ਪघॊऒधऋমୖ਻भ৯৓
दँॊ.

▼ᑿಇ஧

䛆ᡂ㻌 㻌 ᯝ䛇

੿ଲखञFeCoුჍ(FeCo(3nm)/Rh(20nm)/MgO(001)) पउःथ‫ؚ‬ংॵই॓ಽRhधFeCoಽभੀએम਴ෟद‫ؚ‬ग़আॱय़३
কঝჍऋ஄ਛऔोथःॊ‫(؛‬Fig. 1(a)) ਗ਼৕৚ീঃॱ‫ش‬থ(Fig.
1(b))पFeCoಽऊैभൠः५এॵॺऊैFeCoऋਫ্ኾ॑થख
थःॊহऋનੳऔोກૻ৺1.1ऋ੭ैोञ‫؛‬ऽञbcc (or bct)
FeCo (001)[110] // Rh(001)[100]// MgO(001)[100]भત৕ঢ়બ
ऋਛয়खथःॊ‫؛‬჌ਞ౮্ਙम৺2nmभჍௐदਈপக
1.6x107 erg/cm3॑ંखञ‫(؛‬Fig. 2) ऒभ੥ટम৒୤৓पਸ਼1ਉ৶ੑ઴भ੥ટधऺऻ঳ಱख‫ؚ‬ਫ্အኾ॑થघॊFe100-xCoxमপऌऩ჌ਞ౮্ਙ॑થघॊऒधऋ৥ैऊपऩढञ‫؛‬

Fig. 1 (a) HAAD-STEM and (b) SAD images for the FeCo/Rh layer in the
FeCo(3nm)/Rh (20 nm) film prepared on MgO substrate.
(a)䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇
ৈীੰચTEM௴௄धਗ਼৕৚ീपेॉ‫ؚ‬ாුჍभಖનऩ௬
੼॑ষअহऋলਟ‫ؚ‬჌ਞ્ਙभ৒୤௬੼पᇽऋढञ‫؛‬ংঝॡ৲அी০৏भॹংॖ५षभૢ৷प਋ୄखञः‫؛‬㸦ᨭ᥼ᐇ᪋⪅㸸᪩ᆏᾈ஧ඤ⋢⿱⨾Ꮚ௒㔝㇏ᙪ㸧

Fig.2 Dependence of (a) Ku1 and (b) c/a ratio as function of FeCo film
thickness.

問い合わせ：ナノテクノロジープラットフォーム 東北大学ナノテク融合技術支援センター（今野豊彦）
E-mail: tjkonno@imr.tohoku.ac.jp Phone: 022-215-2124
ホームページ http://cints-tohoku.jp/71

解析 PF-3 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム≀㉁䞉ᮦᩱ◊✲
ᩱ ✲ᶵ
ᩱ◊✲
ᶵᵓ
ᵓ 㻺㻵
㻺㻵㻹㻿
㻵㻹
㻹㻿ᚤ⣽
㻿ᚤ
ᚤ⣽ᵓ
ᵓ㐀ゎᯒ
㐀ゎᯒ
ᯒ䝥
䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮
䝷䝑䝖
䝷䝑
䝖䝣
䝣
䝮
㻙᭱ඛ➃䝘䝜䝬䝔䝸䜰䝹ィ ඹ⏝ᣐⅬⅬ㻙㻳㼍㻭㼟㻮㼕ȊȎȯǤȤƷЎௌЎௌDឡ፾኱㝔⌮ᕤE≀ᮦᶵᵓF᪥ᮏ㟁ᏊG3DXO'UXGH,QVWLWXW䛆┠ⓗ䛇▼ᕝྐኴ㑻D㉥ᯇⰋᙪD㸪Ώ㎶೺ኴ㑻D 㸪ୖᮡᩥᙪE㸪ᮅẚዉಇ㍜F㸪
8ZH-DKQG㸪ୗᮧဴD༙ᑟయࢼࣀ࣡࢖ࣖࡣࠊ⮬ᕫᙧᡂྍ⬟࡞୍ḟඖ㔞Ꮚᵓ㐀࡜ࡋ࡚ḟୡ௦ࡢගࠊ㟁Ẽࢹࣂ࢖ࢫᛂ⏝ࡀᮇᚅࡉࢀ࡚
࠸ࡿࠋ௦⾲ⓗ࡞໬ྜ≀༙ᑟయ࡛࠶ࡿ*D$Vࡣࠊᚑ᮶㧗㏿ࢺࣛࣥࢪࢫࢱࡸ㉥እⓎග⣲Ꮚࠊ࣮ࣞࢨ࣮࡜ࡋ࡚ᛂ⏝ࡉࢀ࡚ࡁࡓࠋ*D$V࡬%Lࢆᑟධࡍࡿ࡜ࠊ≉ᚩⓗ࡞ࣂࣥࢻࢠࣕࢵࣉࡢῶᑡ࡟ࡼࡾࠊᚑ᮶฿㐩୙ྍ⬟࡛࠶ࡗࡓ῝㉥እ㡿ᇦᛂ⏝ࡀྍ⬟࡜࡞ࡿࡇ࡜ࡀᮇᚅࡉࢀࡿࠋᮏ◊✲࡛ࡣࠊ6Lᇶᯈୖ࡟ศᏊ⥺࢚ࣆࢱ࢟ࢩࣕࣝ⤖ᬗᡂ㛗ࡋࡓ
*D$V%Lࢼࣀ࣡࢖ࣖࡢᵓ㐀࠾ࡼࡧ⤌ᡂࢆ᫂ࡽ࠿࡟ࡍࡿࠋ

䛆ᡂᯝ䛇ࢧࣥࣉࣝࡣ6L  ᇶᯈୖ࡟0%(ἲࢆ⏝࠸࡚స〇ࡋ
ࡓࠋ*D$Vᡂ㛗᫬ࡢ*D⮬ᕫゐ፹స⏝ࢆ⏝࠸࡚ࢼࣀ࣡࢖
ࣖࢥ࢔ࢆᙧᡂࡋࠊࡑࡢᚋ*D$V*D$V%L*D$Vࡢ㡰࡛ᡂ㛗ࡀ⾜ࢃࢀࡿࡼ࠺ศᏊ⥺ࢆ౪⤥ࡍࡿࡇ࡜࡛ࢥ࢔㸫࣐ࣝࢳࢩ࢙ࣝᵓ㐀ࢆᙧᡂࡋࡓࠋ
ᅗࡣᡂ㛗ᚋࡢࢼࣀ࣡࢖ࣖ⤖ᬗࡢ㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ほ ᐹ 7(0 ࡟ ࡼ ࡿ ᫂ ど 㔝 ീ ࡜ ࠊ ⎔ ≧ ᬯ ど 㔝 ㉮ ᰝ
7(0 $')67(0 ീ࡜࢚ࢿࣝࢠ࣮ศᩓᆺ;⥺ ('6 ゎᯒ࡟ࡼࡗ࡚ᚓࡽࢀࡓ%Lඖ⣲ศᕸ࡛࠶ࡿࠋࡇࡢ⤖ᯝ࠿ࡽ≉ᚩⓗ࡞⾲㠃ᵓ㐀ࡢ஘ࢀ࡜ࠊ᫂░࡞%Lࢆྵࡴࢥ࢔࣐ࣝ
ࢳࢩ࢙ࣝᵓ㐀 ㉥▮༳㒊ศ ࡢᙧᡂࢆ☜ㄆࡋࡓࠋᅗࡣࠊྠࡌࢼࣀ࣡࢖ࣖ⤖ᬗࡢ7(0᫂ど㔝ീ࡜ྛ㒊఩ࡢᅇᢡࣃࢱ࣮࡛ࣥ࠶ࡿࠋࡇࡢ⤖ᯝ࠿ࡽ㸪ࢼࣀ࣡࢖ࣖࡣᡂ㛗ึᮇࡣ୺࡟㛝ள㖄㖔ᆺᵓ㐀࡛⤖ᬗᡂ㛗ࡀ⾜ࢃࢀࠊ࣡࢖ࣖඛ➃࡟⾜ࡃ࡟ࡋࡓࡀࡗ࡚཮ᬗᆺࡢḞ㝗ࢆከࡃྵࡴභ᪉ᬗᆺᵓ㐀⤖ᬗ࡜ࡢΰྜࡀ㐍ࡴࡇ࡜ࡀࢃ࠿ࡗࡓࠋࡲࡓࡇࡢ⤖ᯝ࠿ࡽࠊࢥ࢔࣮ࢩ࢙ࣝᵓ㐀ෆ㒊ࢥ࢔*D$Vࡢ⤖ᬗᵓ㐀࠾ࡼࡧḞ㝗ࡀࢩ࢙ࣝᒙ࡛ࡶఏ
ᦙࠊಖᣢࡉࢀࡿࡇ࡜ࡀ⪃࠼ࡽࢀࡓࠋ

ᅗ1. TEM᫂ど㔝ീ࡜ᅄゅࡢ㡿ᇦ࠿ࡽࡢADF STEMീ࡜EDS࣐ࢵࣆࣥࢢࡢ⤖ᯝࡇࢀࡽࡢ⤖ᯝࡣࠊ࢝ࢯ࣮ࢻ࣑ࣝࢿࢵࢭࣥࢫ ᐃࡢ⤖ᯝࡶేࡏ࡚1DQR /HWWHUV࡟ᥖ㍕ࠋᖺ᫓ᏘᏛ⾡
ㅮ₇఍3RVWHU $ZDUGࢆཷ㈹ࠋ

>@ ) ,VKLNDZD HW DO 1DQR /HWWHUV 
 

ᅗ2. ᫂ど㔝TEMീ࡜෇࡛♧ࡉࢀࡓ㡿ᇦ࠿ࡽࡢ㟁Ꮚᅇᢡᅗᙧ㸬ῧ࠼ᏐࡢZ࡜Wࡣࡑࢀࡒࢀ㛝ள㖄㖔ᆺᵓ㐀࡜භ᪉ᬗᆺᵓ㐀ࢆ♧ࡍ䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇㧗ឤᗘࡢ'XDO6''('6ࢆ⏝࠸࡚ᚤ㔞࡞%Lࡢ⃰ᗘศᕸࢆྲྀᚓࡍࡿࡇ࡜ࡀ࡛ࡁࡓࠋࡲࡓྛ㒊ศ࠿ࡽࡢ'LIIUDFWLRQSDWWHUQ࠿ࡽᚑ᮶ࡼࡾ⪃࠼ࡽࢀ࡚࠸ࡓࢼࣀࣟࢵࢻࡢᵓ㐀ኚ໬ࢆỴᐃࡍࡿࡇ࡜ࡀ࡛ࡁࡓࠋࡇࢀࡽࡢ
⤖ᯝࡀ1DQR OHWWHUVᥖ㍕ࡸ3RVWHUDZDUGࡢཷ㈹࡟୍ຓ࡜࡞ࡗࡓࡇ࡜ࡣᐇ᪋ᶵ㛵࡜ࡋ࡚ࡶ㠀ᖖ࡟࠺ࢀࡋ࠸ࠋ    㸦ᨭ᥼ᐇ᪋⪅㸸ୖᮡ ᩥᙪ㸧
問い合わせ：ナノテクノロジープラットフォーム 微細構造解析プラットフォーム事務局
E-mail: nmcp@nims.go.jp Phone: 029-859-2310
ホームページ http://www.nims.go.jp/nmcp/72

解析 PF-4 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム⏘ᴗᢏ⾡⥲ྜ◊✲ᡤ AISTᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮-ඛ➃䝘䝜ィ ᪋タ(ANCF)ȞǤǯȭඬༀ‫ݧ‬ɦƴƓƚǔήᚑ‫ۥ‬ϋƷᩓ‫܇‬ᆆѣᡮࡇƷᚘยୖᬛ኱Ꮫ⌮ᕤᏛ㒊≀㉁⏕࿨⌮ᕤᏛ⛉ᇼ㉺ ᬛ䛆┠ⓗ䛇஧㓟໬ࢳࢱࣥࢆ⏝࠸ࡓගゐ፹཯ᛂࡣࠊ⎔ቃởᰁ≀㉁ࡢศゎ㝖ཤࡢほⅬ࠿ࡽ┒ࢇ࡟◊✲ࡉࢀ࡚ࡁࡓࠋගゐ፹཯ᛂ࡟ࡼࡿ኱㠃✚࡞Ỉί໬ࢩࢫࢸ࣒ࡣ᭷ᮃ࡞ᛂ⏝ᢏ⾡࡛࠶ࡿࡀࠊ཯ᛂ㏿ᗘࡢほⅬ࡛ᐇ⏝ᛶࡀప࠸࡜ࡉࢀ࡚ࡁ
ࡓࠋࡇࡢⅬࢆゎỴࡍࡿ᪉ἲ࡜ࡋ࡚ࠊ⣸እග࡜࣐࢖ࢡࣟἼࡢྠ᫬↷ᑕ࡟ࡼࡗ࡚ࠊ஧㓟໬ࢳࢱࣥࡢගゐ፹άᛶࢆྥୖࡉࡏࠊฎ⌮㏿ᗘࢆಁ㐍ࡍࡿ᪉ἲࢆᥦ᱌ࡋ࡚ࡁࡓࠋࡋ࠿ࡋࠊ㛗ᖺ࣐࢖ࢡࣟἼࡀගゐ፹཯ᛂ࡟୚࠼ࡿຠᯝࡣ
ᮍゎ࡛᫂࠶ࡗࡓࠋᮏ◊✲࡛ࡣࠊගゐ፹཯ᛂ࡟ᑐࡍࡿ࣐࢖ࢡࣟἼࡢຠᯝࢆࠊ஧㓟໬ࢳࢱࣥࡢ㓟⣲Ḟᦆ㔞࡟㛵ಀࡋ࡚࠸ࡿ࡜⪃࠼ࠊ㐣Ώศග ᐃ࠿ࡽ᳨ウࡋࠊ࢟ࣕࣜ࢔ࢲ࢖ࢼ࣑ࢡࢫࡢほⅬ࠿ࡽ⪃ᐹࡋࡓࠋ䛆ᡂᯝ䛇᪂つ㛤Ⓨࡋࡓ༙ᑟయᘧ࣐࢖ࢡࣟἼ↷ᑕ⿦⨨ࢆ㐣Ώ྾཰ศග⿦⨨࡬タ⨨ࡋࠊ࣐࢖ࢡࣟἼ↷ᑕୗ࡛ࡑࡢሙ ᐃࢆ⾜ࡗࡓ㸦ᅗ㸧ࠋ㓟⣲Ḟᦆࢆᑟධࡋࡓ஧㓟໬ࢳࢱࣥ⢊ᮎࡢᠱ⃮Ỉ⁐ᾮࡢ㐣Ώᣑᩓ཯ᑕಙྕࡢ᫬㛫ኚ໬ࢆᅗ
࡟♧ࡍࠋ࣐࢖ࢡࣟἼ㠀↷ᑕ࡜↷ᑕୗ࡛ඹ࡟ࠊ㏿࠸ῶ⾶ᡂศ㸦᫬ᐃᩘ㹼QV㸧࡜㐜࠸ῶ⾶ᡂศ ᫬ᐃᩘ㸸
QV㹼PV ࡀほ ࡉࢀ࡚࠾ࡾࠊࡑࢀࡒࢀࠊὸ࠸ࢺࣛࢵࣉ‽఩ ࡶࡋࡃࡣఏᑟᖏ ࡟࠶ࡿ㟁Ꮚࠊࡲࡓࡣ῝࠸ࢺࣛࢵࣉ‽఩࡟࠶ࡿ㟁Ꮚ࡜౯㟁ᏊᖏࡢṇᏍ࡜ࡢ෌⤖ྜ࡟ࡼࡿᡂศ࡟ᖐᒓ࡛ࡁࡿࠋ≉࡟࣐࢖ࢡࣟἼ↷ᑕୗ࡛ࡣࠊ㠀↷ᑕୗ࡟ẚ࡭࡚㐜࠸ῶ⾶ᡂศࡢ᫬ᐃᩘࡀ㢧ⴭ࡟ቑຍࡋ࡚࠸ࡿ㸦 QVЍPV㸧ࠋࡇࡢ⤖ᯝࡣࠊ᭷ᶵ≀㉁㸦ࢪࢡࣟࣟࣇ࢙ࣀ࢟ࢩ㓑㓟㝖ⲡ๣㸧ࡢศゎᐇ㦂ࡢ⤖ᯝ࡜Ⰻࡃ୍⮴ࡋࡓࠋ࣐࢖ࢡࣟἼ࡟ࡼࡿ㠀⇕ⓗ࡞ຠᯝ࡟ࡼࡗ
࡚ࠊ஧㓟໬ࢳࢱࣥࡢ㟁Ꮚ≧ែ࡟ኚ໬㸦ࢺࣛࢵࣉ‽఩࢚ࢿࣝࢠ࣮ࡢኚ໬➼ ࡀ⏕ࡌࠊගゐ፹άᛶࡀቑ኱ࡋࡓࡶࡢ
࡜ゎ㔘࡛ࡁࡿࠋᮏ◊✲࡟ࡼࡾࠊ஧㓟໬ࢳࢱࣥࡢ࢟ࣕࣜ࢔ࢲ࢖ࢼ࣑ࢡࢫ࡟ᑐࡍࡿ࣐࢖ࢡࣟἼ↷ᑕຠᯝࡀ᫂ࡽ࠿
࡜࡞ࡾࠊගゐ፹άᛶࡢቑ኱࡟ྥࡅࡓ㔜せ࡞▱ぢࡀᚓࡽࢀࡓࠋ

ᅗ1ᐃ⿦⨨ࡢእほᅗ 㓟⣲Ḟᦆࢆᑟධࡋࡓ஧㓟໬ࢳࢱࣥ⢊ᮎࡢᠱ⃮Ỉ⁐ᾮࡢ࢟ࣕࣜ࢔ࢲ࢖ࢼ࣑ࢡࢫࡢ࣐࢖ࢡࣟἼ↷ᑕຠᯝ䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇⏦ㄳ⪅ഃ࡛᪂つ㛤Ⓨࡋࡓ༙ᑟయᘧ࣐࢖ࢡࣟἼ↷ᑕ⿦⨨ࢆ㐣Ώ྾཰ศග⿦⨨࡟ᑟධࡋࠊࡇࢀ࡟ᑐᛂࡋ࡚ศග
⿦⨨ഃ࡟ࡶᨵⰋࢆຍ࠼࡚ࠊᨭ᥼ࢆᐇ᪋ࡋࡓࠋ⏦ㄳ⪅࡜ࡢ⥥ᐦ࡞ࡸࡾྲྀࡾࡢୗࠊ⊂⮬㛤Ⓨ⿦⨨࡛࠶ࡿࡇ࡜ࢆ⏕࠿ࡋ࡚ࠊࣇࣞ࢟ࢩࣈࣝ࡞⿦⨨ᨵⰋࢆ⾜࠸ࠊ≉Ṧ⎔ቃୗ࡛ࡢ ᐃ࡟ᡂຌࡋࡓᡂᯝ஦౛࡛࠶ࡿࠋ                 㸦ᨭ᥼ᐇ᪋⪅㸸ᯇ㷂ᘯᖾ 㸧問い合わせ：産業技術総合研究所 先端ナノ計測施設（ANCF ）事務局
E-mail: ancf-contact-ml@aist.go.jp.，Phone: 029-861-5300
ホームページ https://unit.aist.go.jp/rima/nanotech/index.html

73解析 PF-5 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォームᮾி኱Ꮫ ᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮஦౛䠖 ီᆔ஬૰੗ӳؕெƴƓƚǔမ᩿ನᡯᚐௌ

䛆┠ⓗ䛇 $O࡜$O1ࡢᙉᅛ࡞᥋ྜࢆᐇ⌧ࡋ࡚࠸ࡿ࢔࣑ࣝᅇ㊰௜ࡁࢭ࣑ࣛࢵࢡ⤯⦕ᇶᯈ࡟࠾࠸࡚ࠊ᪂ወ࡞᥋ྜᢏ⾡ࡢ๰
ฟ࡟㈨ࡍࡿ᥋ྜࡢ࣓࢝ࢽࢬ࣒ࢆཎᏊ࡛ࣞ࣋ࣝࡢ⏺㠃ᵓ㐀ࡢ┤᥋ほᐹ࡟ࡼࡗ࡚ゎ᫂ࡍࡿࠋ䛆ᡂᯝ䛇 67(0ἲ࡜㉸㧗ឤᗘ;⥺ศᯒἲࢆ⏝࠸࡚$Oྜ㔠࡜$O1ᇶᯈࡢ⏺㠃ࡢ⤌ᡂศᕸゎᯒࢆ⾜ࡗࡓ࡜ࡇࢁࠊ$Oྜ㔠୰ࡢ0JཎᏊࡀ⏺㠃࡟೫ᯒࡋࠊ༢ཎᏊᒙᵓ㐀ࢆᙧᡂࡋ࡚࠸ࡿࡇ࡜
ࡀࢃ࠿ࡗࡓࠋࡲࡓࠊࡇࡢ࿘ᅖ࡛ࡣ㓟⣲ 2 ཎᏊࡶᒙ≧ᵓ㐀ࢆᙧᡂࡋ࡚࠾ࡾࠊᩘཎᏊᒙ࡛ࣞ࣋ࣝ」㞧࡞⏺㠃ᒙ≧ᵓ㐀ࡀ⮬ᕫ⤌⧊ⓗ࡟ᙧᡂࡉࢀࡿࡇ࡜࡟ࡼࡾࠊᴟ䜑䛶ᙉᅛ䛺᥋ྜ䜢ᐇ⌧࡛ࡁࡿࡇ࡜ࡀ᫂ࡽ࠿࡜࡞ࡗࡓࠋ

Dᮾி኱Ꮫ㸪E୕⳻࣐ࢸࣜ࢔ࣝᰴᘧ఍♫⇃ᮏ᫂ோD㸪ᰘ⏣┤ဢD㸪ྡ㞷᱇୍㑻D㸪⸨ᖹဴஓD㸪ᑎᓮఙᖾE㸪㛗཭⩏ᖾE㸪㛗℩ᩄஅE㸪⛅ᒣ࿴⿱E㸪㯮ග⚈㑻E㸪ᗄཎ㞝୍D䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇ཎᏊࢫࢣ࣮ࣝ㹖⥺࣐ࢵࣆࣥࢢἲࢆ㛤Ⓨ࣭㥑౑ࡋ࡞ࡀࡽࠊୡ⏺࡛ึࡵ࡚༢ཎᏊᒙ0Jࡢ᳨
ฟ࡟ᡂຌࡋࡓࠋ
ཧ⪃ᩥ⊩㸸6FL5HS   ᅗ㸯㸬㔠ᒓ࣭ࢭ࣑ࣛࢵࢡ᥋ྜ⏺㠃ࡢඖ⣲࣐ࢵࣆࣥࢢ࡜ᵓ㐀ࣔࢹࣝࠋ⏺㠃௜㏆࡛ࡣࣂࣝࢡᵓ㐀࡜ࡣ␗࡞ࡿᒙ≧ࡢ㑄⛣ᵓ㐀ࢆᙧᡂࡋ࡚࠸ࡿࠋ

஦౛䠖 ήᚑ‫↝ۥ‬ನᡯᚸ̖䛆┠ⓗ䛇 Ỉ⣲⏕ᡂ⏝ගゐ፹࡜ࡋ࡚/D5Kࢆῧຍࡋࡓ

6U7L2࡜ࠊ㓟⣲⏕ᡂ⏝ගゐ፹࡛࠶ࡿ0Rῧຍ%L92࡜ࡢ✀ࡢගゐ፹ࢆ$Xᒙ࡛᥋ྜࡋࡓගゐ፹ࢩ࣮ࢺࢆస〇ࡋࠊ6(0࡟ࡼࡾศᩓ≧ែࢆ☜ㄆࡋࠊỈศゎάᛶࡢホ౯ࢆ⾜ࡗࡓࠋ䛆ᡂᯝ䛇 ගゐ፹ࢩ࣮ࢺࡢ6(0ീ࠾ࡼࡧ(';ඖ⣲࣐ࢵࣆࣥࢢീࢆᅗ࡟♧ࡍࠋ6U7L2/Dࠊ5K⢏Ꮚ࠾ࡼࡧ%L920R⢏Ꮚࡀΰྜࡋ࡚$Xᒙୖ࡟ሁ✚ࡋ࡚࠸ࡿࡇ࡜ࡀ☜ㄆࡉࢀࡓࠋගゐ፹ࢩ࣮
ࢺస〇ᚋ࡟㐺ษ࡞ຍ⇕ฎ⌮ࢆ⾜࠺ࡇ࡜࡛ࠊỈศゎάᛶࡀྥୖ
ࡋࠊࡉࡽ࡟ගゐ፹ࢩ࣮ࢺ⾲㠃࡬ࡢಟ㣭ࢆ᳨ウࡍࡿࡇ࡜࡟ࡼࡗ
࡚ࠊᅗ࡟♧ࡍࡼ࠺࡟ኴ㝧䜶䝛䝹䜼䞊ኚ᥮ຠ⋡䛜㻝㻚㻝 㻑࡟㐩ࡍࡿࡇ࡜ࡀ☜ㄆࡉࢀࡓࠋ

Dᮾி኱Ꮫ Eேᕤගྜᡂ໬Ꮫࣉࣟࢭࢫᢏ⾡◊✲⤌ྜ
F7272∦ᒣṇኈD 4LDQ:DQJDஂᐩ㝯ྐD୰ᯘ㯞⨾ᏊD
ᚨ␃ᘯඃEFᇽච୍ᡂD䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇᩿㠃ࢲ࣓࣮ࢪࢆ᭱ᑠ㝈࡟ࡍࡿࡓࡵࠊໟ⌮࡜◊☻᮲௳ࢆ᳨ウࡋࠊ┠ⓗࡢ࣐ࢵࣆࣥࢢ⏬ീࡀᚓࡽࢀࡓࠋཧ⪃ᩥ⊩㸸1DW0DWHU  ᅗ ගゐ፹ࢩ࣮ࢺࡢ᩿㠃ᅗ㸦ୖ㸧ࠊ6(0ീ࠾ࡼࡧ(';࣐ࢵࣆ
ࣥࢢീ㸦ୗ㸧ࠋᅗ ගゐ፹ࢩ࣮ࢺࢆ⏝࠸ࡓỈศゎ཯ᛂࡢ⤒᫬ኚ໬ࠋ‫཯ࡢۑ‬ᛂ᮲௳ࡣ .ࠊ
 N3Dࠊ‫཯ࡢە‬ᛂ᮲௳ࡣ .ࠊ N3Dࠋ஦౛䠖 ᱅ᑥᣠ҄ȁǿȳƷȊȎࣇቩ‫҄܇‬ƴ᧙Ƣǔᄂᆮ䛆┠ⓗ䛇 ͆⵳⇕䝉䝷䝭䝑䜽䝇͇࡜࠸࠺᪂ᴫᛕࡢ≀㉁࣭ࢫࢺ

ࣛ࢖ࣉᆺȢ7L2ࢆ㛤Ⓨࡋࡓࠋ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾࡟ࡼࡿࣔࣝࣇ࢛ࣟࢪ࣮ほᐹࡸ;⥺ᵓ㐀ゎᯒ࡟ࡼࡾࠊ㧗࠸⵳⇕ᛶ⬟ࡢཎᅉࡸᅽຊ࡟
ࡼࡿᨺ⇕ᶵᵓࢆㄪ࡭ࡓࠋ

䛆ᡂᯝ䛇Dᮾி኱Ꮫ E⟃Ἴ኱Ꮫ Fᰴᘧ఍♫⳻໬ࢩࢫࢸ࣒

ᡤ⿱ᏊDE ྜྷΎࡲࡾ࠼D ஭ඖ೺ኴD⏕஭㣕㫽Dዉ㡲⩏⥲D୰ᕝᖾ♸D༓ⴥ㈉἞F኱㉺ៅ୍Dຍ⇕ࢫࢺࣛ࢖ࣉᆺȢ7L2ࡣຍᅽ࡟ࡼࡾș7L2࡬࡜ᅛయᅛయ┦㌿⛣ࢆ♧ࡍࠋ㌿⛣࡟ᚲせ࡞ᅽຊࡣᴟࡵ࡚ᑠࡉࡃ
㸦03D㸧ࠊ⵳✚ࡉࢀࡿ⇕࢚ࢿࣝࢠ࣮ࡣ኱ࡁ࠸㸦⣙N-/㸧ࠋຍᅽ࡟ࡼࡗ࡚⏕ᡂࡋࡓș7L 2 ࡣࠊ⇕ࠊගࡲࡓࡣ㟁ὶ࡟ ࡼࡗ࡚෌ࡧȢ7L2࡟㌿⛣࡛ࡁࠊྍ㏫ⓗ࡞┦㌿⛣ࢆ♧ࡍࠋࡇࡢᮦᩱࡣࠊ⵳⇕ࡢ࡯࠿࡟ࠊࢭࣥࢧ࣮ࡸࢫ࢖ࢵࢳࣥࢢ࣓࣮ࣔࣜࢹࣂ 䠄༙ᑟయ䠅࢖ࢫ࡬ࡢᛂ⏝ࡢྍ⬟ᛶࢆ⛎ࡵ࡚࠸ࡿࠋ

ɴ

㟁ὶ

ග

ʄͲdŝϯKϱɴͲdŝϯKϱʄ䠄㔠ᒓ䠅䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇ᨭᣢ⭷ࡢぶỈ໬ฎ⌮ࡸศᩓ᪉ἲࢆᕤኵࡋࠊⰋዲ࡞ほᐹヨᩱࢆᚓࡿࡇ࡜ࡀ࡛ࡁࡓࠋ
ཧ⪃ᩥ⊩㸸1DW&RPPXQ   ϱϬŶŵᅗ ⵳⇕ࢭ࣑ࣛࢵࢡࢫࡢ
⇕྾཰࡜ᅽຊ࡟ࡼࡿᨺฟᅗ ᅽຊ࡟ࡼࡿ⤖ᬗᵓ㐀ࡢኚ໬ᅗ ⤖ᬗࡢ
7(0ീ問い合わせ：微細構造解析プラットフォーム 東京大学・コーディネート室 中村 一彦
E-mail: info@lcnet.t.u-tokyo.ac.jp，Phone: 03-5841-6372
ホームページ http://lcnet.t.u-tokyo.ac.jp74

解析 PF-6 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォームྡྂᒇ኱Ꮫ ㉸㧗ᅽ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾᪋タ ᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒࣉࣛࢵࢺࣇ࢛࣮࣒
㧗ᛶ⬟㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾࡟ࡼࡿ཯ᛂ⛉Ꮫ࣭ࢼࣀᮦᩱ⛉Ꮫ◊✲ᨭ᥼ᣐⅬ
஦౛-1䠖ឬ᭗јྙ൦እᙌᡯήᚑ‫ۥ‬ǛܱྵƠƨૼ‫ڈ‬ᕓᐏನᡯƷႆᙸƱƦƷನᡯᚐௌ

䛆┠㻌 㻌 ⓗ䛇 Ỉ䛛䜙Ỉ⣲䜢ྲྀ䜚ฟ䛩䛯䜑䛾᪂ወගゐ፹ⷧ⭷ᮦ ᮾி኱Ꮫ ≀ᛶ◊✲ᡤᩱ䛸䛧䛶䚸ᚑ᮶ẚ䠐ಸ䛾⬟ຊ䜢᭷䛩䜛Ir-Doped SrTiO3ⷧ⭷䛾㛤Ⓨ䛻ᡂຌ䛧䛯䚹ᙜึ䚸AFM ᐃ䛛䜙䚸ⷧ⭷⾲㠃䛻ᩘnm⛬ᗘ䛾䝗䝑䝖≧ᵓ ᕝᓮ ⪷἞ࠊ㧗ᶫ ❳ኴࠊ/LSSPDD0LNN㐀䛜☜ㄆ䛥䜜䛶䛔䛯䛜䚸䛣䛾⾲㠃䝗䝑䝖䛷䛿䚸㧗䛔ゐ፹ຠ⋡䜢ㄝ᫂ (a)a))ᖹ㠃᪉ྥ䛩䜛䛣䛸䛜䛷䛝䛺䛛䛳䛯䚹
Ir-Doped SrTiO ⷧ⭷䛭䛣䛷䚸TEM䚸STEM䜢⏝䛔䛯䝘䝜ᵓ㐀ゎᯒ䜢ᐇ᪋䛧䚸ⷧ⭷䝘䝜ᵓ᩿㠃᪉ྥ㐀ゎᯒ䛛䜙㧗䛔ゐ፹ຠ⋡䛾ᶵᵓ䜢᫂䜙䛛䛻䛩䜛䛣䛸䛸䛺䛳䛯䚹
SrTiO ᇶᯈ33

䛆ᡂ㻌 㻌 ᯝ䛇஧᪉ྥ࠿ࡽ+$$')67(0ほᐹࡍࡿࡇ࡜࡛ࠊ᪂ወගゐ፹ⷧ⭷ᵓ㐀యࡢ❧యᵓ㐀ࢆ᫂ࡽ࠿࡟ࡋࡓࠋࡑࡢ⤖ᯝࠊ㔠ᒓ,Uࢼࣀࣆ࣮ࣛࡀⷧ⭷୰࡟⮬ᚊᡂ㛗ࡋ࡚࠸ࡿ⊂≉ࡢᵓ㐀࡛࠶ࡿࡇ࡜ࡀศ࠿ࡗࡓࠋࡇࡢᵓ㐀ỴᐃࡀỴࡵᡭ࡜࡞ࡾࠊ㧗࠸ゐ፹ຠ⋡ࡢᶵᵓࡀ᫂ࡽ࠿࡜࡞ࡗࡓࠋ
࣭1$785(&20081,&$7,216'2,QFRPPV  ࣭᪥⤒ࢸࢡࣀࣟࢪ࣮௚⣬䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇ࡇࡢᵓ㐀ࡣᙜึ⾜ࡗ࡚࠸ࡓ$)0ほᐹ࠿ࡽࡣ᝿ീࡶ࡛ࡁ࡞࠿ࡗࡓᵓ㐀࡛࠶ࡾࠊࢼࣀᵓ㐀ゎᯒࡢ㔜せᛶࢆᨵࡵ࡚ㄆ㆑ࡋࡓࠋ㸦ᨭ᥼ᐇ᪋⪅㸸ᒣᮏ๛ஂ㸪୰ᑿ▱௦㸪ᴮᮏ᪩ᕼᏊࠊⲨ஭㔜ຬ㸧

஦౛-2䠖

D ⷧ⭷⭷᩿㠃7(0ീ㸦ྑᅗࡣᶍᘧᅗ㸧E ,Uࣆ࣮ࣛࡢ E ᩿㠃ࠊ F ᖹ㠃ࡢ+$$')67(0ീ᣿‫ޓ‬ÛȗȩǹȁȃǯƷ੗ӳမ᩿ᚸ̖䛆┠㻌 㻌 ⓗ䛇䝡䝇䜔᥋╔๣䜢⏝䛔䛪䛻㔠ᒓ䛸ᶞ⬡䛺䛹䛾␗✀ᮦᩱ䜢┤᥋⼥ྜ᥋╔䛥䛫䜛᪉ἲ䛜䛒䜛䛜䚸⾲㠃䛰䛡䛷䛿䛺䛟῝㒊䜎䛷ᐦ╔䛷䛝䜛ᢏ⾡㛤Ⓨ䛜㔜せ䛷䛒䜛䚹ᮏㄢ㢟䛷䛿㻲㻵㻮㻙㻿㻱㻹䜢⏝䛔᥋ྜ⏺㠃䛾ෆ㒊ᵓ㐀䜢ヲ⣽䛻ほᐹ䛩䜛䚹㍤๰ᰴᘧ఍♫๓⏣▱ᏹ䛆ᡂ㻌 㻌 ᯝ䛇 ),%6(0࡛᥋ྜ⏺㠃ࡢෆ㒊ࡢ㐃⥆᩿㠃ࢆほᐹࡋࡓ⤖ᯝࠊᚑ᮶ࡢ᥋ྜ᪉ἲ࡛ࡣࠊ⏺㠃࡟ከᩘࡢ࣎࢖ࢻ
ࡀṧࡾࠊ༑ศ࡟⁐⼥ࣉࣛࢫࢳࢵࢡࡀᾐ㏱ࡋ࡚࠸࡞࠿ࡗࡓ ᅗ ࠋ᪂ࡋࡃ㛤Ⓨࡋࡓ࣏ࢪࢸ࢕ࣈ࢔࣮ࣥ࢝㸦㔠ᒓࡢᇶᮦ⾲㠃࡟㔠ᒓΰྜ⢊య 306 ࢆ⏝࠸࡚ᚤ⣽ᵓ㐀ᙧᡂࡉࡏࠊࡑࡢᚋ࡟ᶞ⬡ࢆ⁐╔㸧ฎ⌮ࡋࡓ᥋ྜ⏺㠃ࢆࠊྠᵝ࡟),%6(0࡛ほᐹࡋࡓ࡜ࡇࢁࠊ⏺㠃㛫࡟ࡣ✵ஈᒙࡀ࡞ࡃ⦓ᐦ࡟᥋ྜࡋ࡚࠸ࡿࡇ࡜ࡀุ᫂ࡋࠊ᭷ຠᛶࢆド࡛᫂ࡁࡓ㸦ᅗ㸧ࠋほᐹ⤖ᯝࢆཷࡅ≉チࢆྲྀᚓࡋࠊ
ᖺ᭶࡟ࡣ306๣ࡢၟရ໬ࡶ⾜࠺ࡇ࡜ࡀ࡛ࡁࡓࠋ   ≉チ➨ྕ
䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇 ;⥺ࡸ㉸㡢Ἴࢆ౑ࡗࡓ᳨ᰝᶵჾ࡛ࡣࠊ␗✀ᮦᩱ⏺㠃ࡢෆ㒊࡟Ꮡᅾࡍࡿᚤ⣽࡞࣎࢖ࢻࡢᏑᅾࢆᤊ࠼ࡿࡇ࡜ࡣᅔ㞴࡛࠶ࡿࠋ),%6(0ࡣ㐃⥆ⓗ࡟ヨᩱࢆษ๐ࡋ࡞ࡀࡽ6(0ほᐹࡍࡿࡓࡵࠊヨᩱෆ㒊࡟ᏑᅾࡍࡿᩘQPࡢ✵ஈᒙࡶᤊ࠼ࡿࡇ
࡜ࡀฟ᮶ࡿࠋᮏᨭ᥼࡛ࡣ᪂ᪧᡭἲ࡛ࡢࣉࣛࢫࢳࢵࢡ
࡜㔠ᒓࡢ᥋ྜࡢ㐪࠸ࢆ᫂░࡟♧ࡍࡇ࡜ࡀฟ᮶ࡓࠋ

ᅗ㸯㸸ᚑ᮶ࡢ᥋ྜ᪉ἲ࡟ࡼࡿ
࢔࣑ࣝࢽ࣒࢘࡜ࣉࣛࢫࢳࢵࢡ
ᯈࡢ᥋ྜ⏺㠃ࡢ6(0ീᅗ㸰㸸࣏ࢪࢸ࢕ࣈ࢔࣮ࣥ࢝࡟ࡼࡾ
᥋ྜࡉࡏࡓ࢔࣑ࣝࢽ࣒࢘࡜ࣉࣛࢫ
ࢳࢵࢡᯈࡢ᥋ྜ⏺㠃ࡢ6(0ീ㸦ᨭ᥼ᐇ᪋⪅㸸ᴮᮏ᪩ᕼᏊࠊ୰ᑿ▱௦ࠊ୰㔝⨾ᜨᏊࠊⲨ஭㔜ຬࠊᒣᮏ๛ஂ㸧
問い合わせ：名古屋大学 微細構造解析プラットフォーム 超高圧電子顕微鏡施設（荒井重勇）
E-mail: innovation@esi.nagoya-u.ac.jp，Phone: 052-789-3632
ホームページ http://nanoplat.nagoya-microscopy.jp/75

解析 PF-7 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォームி㒔኱Ꮫ ி኱ᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䠉᭱ඛ➃ᵓ㐀ほᐹ䞉ィ ඹ⏝ᣐⅬ䠉ӳ঺ǯȭȭȕǣȫᐯࠁᨼᆢ˳ƷឬЎ‫܇‬ȊȎನᡯ$❧࿨㤋኱Ꮫ኱Ꮫ㝔

䛆┠

ⓗ䛇

ᗉྖ

⏕࿨⛉Ꮫ◊✲⛉῟$Ẹ⛅ᆒ$⥳Ⰽගྜᡂ⣽⳦ࡢ⭷እ࢔ࣥࢸࢼ㒊 ࢡࣟࣟࢰ࣮࣒ ࡛ගᤕ㞟ᶵ⬟ࢆ᭷ࡍࡿࣂࢡࢸࣜ࢜ࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝFGHIศᏊࡢ⮬ᕫ఍ྜయࢆᶍೌࡍࡿࡓࡵࠊࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝDศᏊ࠿ࡽ⮬ᕫ㞟✚యࢆᙧᡂࡋ࠺ࡿࣔࢹࣝศᏊ>ࢡࣟࣟࣇ࢕
ࣝ㔠ᒓ =Qࠊ0Jࠊ&G 㘒య@ࢆྜᡂࡋࠊᵝࠎ࡞⎔ቃୗ࡛ࡑࡢᕧ኱-఍ྜయࢆᵓ⠏ࡍࡿࠋྜᡂࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ࡟ࡼࡿ
⮬ᕫ఍ྜయࢆࢡࣛ࢖࢜㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ほᐹࡸศග ᐃ࡟ࡼࡾࠊ㉸ศᏊࢼࣀᵓ㐀ࢆ᫂ࡽ࠿࡟ࡍࡿࡇ࡜ࢆ┠ⓗ࡜ࡋࡓࠋ䛆ᡂᯝ䛇௒ᅇྜᡂࡋࡓࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ&G㘒యࡢ⮬ᕫ㞟✚యࡣࠊཎᏊ㛫ຊ㢧ᚤ㙾 $)0 ࡟ࡼࡿほᐹ࡛ࠊ┤ᚄQP࡜QP
ࡢࣟࢵࢻᵓ㐀ࢆᙧᡂࡍࡿࡇ࡜ࡀ᫂ࡽ࠿࡜࡞ࡗࡓࠋࡲࡓࠊࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ0J㘒యࡢ⮬ᕫ఍ྜయࡣࠊ$)0ほᐹ࠿ࡽ┤ᚄQPࡢࣟࢵࢻᵓ㐀࡜㧗ࡉࡀQP௨ୗࡸࠥ QPࡢ⧄⥔≧ࡢᵓ㐀ࡀ☜ㄆࡉࢀࡓࠋ୍᪉ࠊFU\R7(0࡛ほᐹࡋࡓ⤖ᯝࠊ&Gࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ⮬ᕫ㞟✚య࡛ᙧᡂࡉࢀࡓ┤ᚄQPࡢࣟࢵࢻࡣࠊෆ㒊ࡀ✵Ὕ࡜࡞ࡗࡓࢳ࣮ࣗࣈ≧ᵓ㐀࡛࠶ࡿࡇ࡜ࡀ᫂ࡽ࠿࡜࡞ࡗࡓࠋࡑࡢእᚄࡣQPࠊෆᚄࡀQP࡜࡞ࡾࠊ㐣ཤ࡟ほᐹࡋࡓ=Qࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ⮬ᕫ㞟✚యࡢࡶࡢ࡜୍⮴ࡋࡓࠋࡲࡓࠊ┤ᚄQPࡢࣟࢵࢻ≧&Gࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ⮬ᕫ㞟✚యࡣࠊእᚄQPࠊෆᚄQPࡢ
ࢳ࣮ࣗࣈᵓ㐀࡛࠶ࡿࡇ࡜ࡶ᫂ࡽ࠿࡜࡞ࡗࡓࠋ0Jࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ⮬ᕫ㞟✚య࡟ࡘ࠸࡚ࡣࠊࢳ࣮ࣗࣈᵓ㐀ࡀ&U\R
7(0ീ࡛☜ㄆࡉࢀ࡞࠿ࡗࡓࡀࠊ0Jࡀ㍍ඖ⣲࡛࠶ࡿࡓࡵ࡟ほᐹࡀᅔ㞴࡜࡞ࡗࡓࡢࡀ୍ᅉ࡛࠶ࡿ࡜⪃࠼ࡽࢀࡿࠋࡋ
࠿ࡋ࡞ࡀࡽࠊ┤ᚄQPࡢࣟࢵࢻ≧0Jࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ⮬ᕫ㞟✚యࡶ=Qࡸ&Gࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ⮬ᕫ㞟✚య࡜ྠᵝࡢࢳ࣮ࣗࣈᵓ㐀࡛࠶ࡿ࡜⪃࠼ࡽࢀࡿࠋᮏ◊✲࡟ࡼࡾࠊ✀㢮ࡢࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ㔠ᒓ㘒య =Q 0J &G ࢆ⏝࠸࡚ࠊ┤
ᚄQPࡢࢼࣀࢳ࣮ࣗࣈ࡟ㄪ〇࡟ᡂຌࡋࡓࠋᮏᡂᯝࡣࠊ1DQR /HWW  Ѹ࡟බ⾲ࡉࢀࡓࠋ

Figure 1 ࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ⮬ᕫ㞟✚యࢼࣀࢳ࣮ࣗࣈࡢᵓ㐀㸦ୖ㸧 Figure 2 Znࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ⮬ᕫ㞟✚య(a)࡜Cdࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ
Cdࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝ⮬ᕫ㞟✚యࡢTEMീ㸦ᐊ 㸧㸦ୗ㸧 ⮬ᕫ㞟✚య(b)ࡢࢡࣛ࢖࢜㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ീ䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇ㄢ㢟⏦ㄳ⪅ࡣࠊගᤕ㞟ᶵ⬟ࢆ᭷ࡍࡿࣂࢡࢸࣜ࢜ࢡࣟࣟࣇ࢕ࣝศᏊࡢ⮬ᕫ㞟✚యࢆᶍೌࡍࡿࡓࡵࠊࢡࣟࣟ
ࣇ࢕ࣝ㔠ᒓ㘒యࢆྜᡂࡋࠊࡑࡢᕧ኱-఍ྜయࡢ㉸ศᏊࢼࣀᵓ㐀ࢆ᫂ࡽ࠿࡟ࡍࡿࡇ࡜ࢆ┠ⓗ࡜ࡋ࡚ࠊࢡࣛ࢖࢜㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ほᐹࢆ⾜ࡗࡓࠋࡑࡢ⤖ᯝࠊ㉸ศᏊࡣࢼࣀࢳ࣮ࣗࣈᵓ㐀࡛࠶ࡿࡇ࡜ࢆ᫂ࡽ࠿࡟ࡋࡓ䚹䜽䝷䜲䜸㟁㢧䛻䜘䜛㟁Ꮚ⥺ᦆയపῶほᐹ䛻䜘䜚ึ䜑䛶ྍ⬟䛻䛺䛳䛯ᡂᯝ䛷䚸ᴟ䜑䛶᭷ຠ䛺ᨭ᥼䛜ᐇ᪋䛷䛝䛯䚹㸦ᨭ᥼ᐇ᪋⪅㸸ᑠᕝဴஓ 㸧
問い合わせ：京大微細構造解析プラットフォーム 事務局
E-mail: nanoplat@eels.kuicr.kyoto-u.ac.jp Phone: 0774-38-3051
ホームページ http://tem.nanoplat.cpier.kyoto-u.ac.jp76

解析 PF-8 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム኱㜰኱Ꮫ -䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊タഛ౪⏝ᣐⅬ਼ੀਈৈਸசਗ਼ಓਐ嵄嵓崰தৈಓਗ਼৕ႀ๶
ྰ峼রੱ峒峃峵්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ峕峲峵ଢ଼஢੍ର峼઀୹岮峉峁峨峃岞
崘嵒嵤嵛岴峲峝嵑崌崽崌崶嵁嵤崟嵏嵛峕ঢ়৴峃峵੟ସ嵣౫મ峮ে੟嵣ে৬峘්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ৷૥મ峘੿ଲ峔峳峝峕්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ峕峲峵崲崶嵉嵤崰嵓岵峳嵆崌崗嵕嵉嵤崰嵓崡崙嵤嵓峘๶಍ੌ௶峘ଡୗ௴௄岝੪ಞীෲ峕ঢ়৴峃峵ଢ଼஢୩ୠ峼੍ର岮峉峁峨峃岞଻‫ر‬峘ਹ৷঻峕ৌ峁峐ਖ਻ੰৠ峢峘ਈಢ崊崿嵕嵤崩峼઀୹岮峉峁峨峃岞⚕ȞȆȪǢȫƴƓƚǔࣇኬನᡯᚐௌ৖ඥƷನሰ⚕ǽȕȈ᳸ȏȸȉȞȆȪǢȫƷ‫ޅ‬৑᪸؏ᚐௌ
⚕ȇȐǤǹ᧏ႆƴ᝻Ƣǔȗȭǻǹᚸ̖ƴႺኽƢǔࣇኬನᡯᚐௌ

◊✲タഛ

฼⏝஦౛

ୡ⏺᭱㧗ຍ㏿㟁ᅽ
3000kV 䛾㉸㧗ᅽ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ྛ✀䛾㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾 䛸 ヨᩱస〇⿦⨨ᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟဃཋኵጢ↝Џ༾↚‫↺ↈݣ‬ᣖᣠ⇌∏∙↚ˊ↾↺ૼᙹ᣻᣿‫ޓ‬д↝௨ᑥјௐ↝౨ᚰᅕৎ‫⁝⁤⁓⁂ ⁠⁧⁫⁡⁫⁂ ܖٻ‬≋᧵‫≝ٻ‬ʟɥь‫≌܇ډ‬⏕≀ヨᩱ䛾㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ほᐹ⤌⧊ษ∦ࢆᨺᑕάᛶࡢ࠶ࡿ㓑㓟࡛࢘ࣛࣥᰁⰍࡍࡿࡀ⟶⌮࡜౑⏝ࡀไ㝈᪂つ௦᭰㠀ᨺᑕᛶ㔜㔠ᒓᰁⰍ๣㛤Ⓨࡀ⣽⬊Ꮫⓗ◊✲ࡢ㔜せ࡞ㄢ㢟䜰䜽䝏䝜䜲䝗⣔㔜㔠ᒓ⁐ᾮ䛻䜘䜛⤌⧊ᰁⰍᛶ䛸ᶞ⬡ᾐ㏱ᛶ䛾ホ౯
HfCl4, SmCl3, GdAc3࡟ࡼࡿࣛࢵࢺ⫢⣽⬊ࡢ㞄᥋㉸ⷧษ∦ᰁⰍ

ᾐ㏱ᛶ࣭ᰁⰍᛶホ౯䝷䝑䝖⫢⣽⬊㉸ⷧษ∦䛻ᑐ䛩䜛ሷ໬䝝䝣䝙䜴䝮䛸ሷ໬䝃䝬䝸䜴䝮䛸㓑㓟䜺䝗䝸䝙䜴䝮䛾ᰁⰍᛶホ౯㓑㓟䜴䝷䞁ሷ໬䝝䝣䝙䜴䝮
䝣 䜴䝮
ℤ ሷ໬

1ȝm

㉮ᰝ㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻔㻶㻱㻹㻙㻭㻾㻹㻞㻜㻜㻲㻕㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻔㼀㼕㼠㼍㼚㻌㻷㼞㼕㼛㼟㻕

㓑㓟䜴䝷䞁

1ȝm

1ȝm

ሷ໬䝝䝣䝙䜴䝮ᰁⰍ䛧䛯㻞P㼙ཌ⭷ษ∦䛾᩿ᒙീษ∦⾲ᒙℤ ษ∦୰ᚰ ℤ ษ∦⿬⾲ᒙ

1ȝm

1ȝm

ℤ ሷ໬䝃䝬䝸䜴䝮1ȝm㓑㓟䜺䝗䝸䝙䜴䝮
䜴䝮
ℤ 㓑㓟䜺䝗䝸

㓑㓟䜴䝷䞁

1ȝm

1ȝm

1ȝm

‫ݱ‬HfCl4,SmCl3,GdAc3 䛜⏕≀ヨᩱ䛾ษ∦䛷㓑㓟࢘ษ∦ 㓑ࣛࣥ࡜ྠ➼ࡢᾐ㏱ᛶ࣭ᰁⰍᛶ䜢᭷䛩䜛䛣䛸☜ㄆ‫ݱ‬㓑㓟䜴䝷䞁䛷䛿ᰁⰍ䛥䜜䛻䛟䛔ከ⢾㢮䜢ዲᰁⰍ䛷䛝䜛௦᭰ᰁⰍ๣㛤Ⓨ䜒ᮇᚅ䛥䜜䚸⏕≀ヨᩱ䛾ᰁⰍほᐹ䛻䜲䝜䝧䞊䝅䝵䞁䜢䜒䛯䜙䛩ᡂᯝ䛷䛒䜛䚹ࣇኬൢණ↝ൢණࢲⅹ↷↢ൢණૠ↝ᚐௌ⁓‚ఇ‛⁂†‶†‵†″„‒ ⁔⇝⇖∄⇬⇕⇴∓⇞∞‚ஊ‛൨ဋ ദࠁ⁓„‒೜ ᑣଯ⁔≋᧵‫̬≝ٻ‬ဋᒍබ⅚చҾᱺʰ≌ҚҞҠҦһ఍
㓟໬ಁ㐍䚸⏕⌮άᛶ䚸⾲㠃䞉⏺㠃άᛶ➼䜢ᛂ⏝䛩䜛ศ㔝䜈䛾฼⏝᳜≀䛾⏕⫱ಁ㐍䚸ᮦᩱ⾲㠃䛾Ὑί䚸ษ๐᫬䛾₶⁥➼䛾⏬ᮇⓗ䛺ᢏ⾡ᨵၿ㉸㧗ᅽ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻔㻴㻙㻟㻜㻜㻜㻕

㻲㻱㻳௜㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻔㻴㻲㻙㻞㻜㻜㻜㻕㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻔㻴㻙㻣㻡㻜㻜㻕

㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㻔㻴㻙㻤㻜㻜㻕

ҚҞҠҦһ఍ආрҠҦһ҅ѴҊрྒ‫࠷ܣ‬ଽр‫ގ‬ᅓ䜰䝰䝹䝣䜯䝇ị୰䛻䝞䝤䝹䜢෾⤖䜽䝷䜲䜸㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ほᐹ䝃䜲䝈䞉⃰ᗘィ㓟⣲䝘䝜䝞䝤䝹
ศᩓᆺ

B

C

㙐≧ᆺ

A

䝕䜱䞁䝥䝹䜾䝷䜲䞁䝎䞊䝭䜽䝻䝖䞊䝮

䝖䝷䜲䝫䝑䝗䞉䝫䝸䝑䝅䝱䞊ᛴ෭䛻䜘䜚䜰䝰䝹䝣䜯䝇ị୰䛻෾⤖䛧䛯䝘䝜䝞䝤䝹䛾స〇䜽䝷䜲䜸TEM䛻䜘䜛ప㟁Ꮚ⥺㔞᧜ᙳ

50 nm‫ࡢࣝࣈࣂࣀࢼݱ‬ศᕸᙧែࢆࡣࡌࡵ࡚ྍど໬‫ݱ‬ᚑ᮶ࡢගᩓ஘➼࡟ࡼࡿ㛫᥋ⓗ࡞ィ ᪉ἲ࡜ẚ㍑࣭ᑐᛂࡉࡏࡿࡇ࡜࡛ࠊ௒ᚋࠊィ ᡭἲࢆ᪂ࡓ࡟㛤ᣅࡍࡿࡓࡵ࡟
኱ࡁࡃ㈉⊩ࡍࡿᡂᯝ࡜ࡋ࡚ࠊᴟࡵ࡚㈗㔜࡛࠶ࡿࠋໟᇙᶞ⬡㔜ྜ⿦⨨䜲䜸䞁䝭䝸䞁䜾⿦⨨㻌㻔㻼㻵㻼㻿㻕䜹䞊䝪䞁⵨╔⿦⨨ᶵᲔ◊☻⿦⨨

ᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟ↚↷↺᣿‫ޓ‬ᣠ҄ཋ∇⇣ኽ୒↝ನᡯᚐௌᅕৎ‫ܖٻ‬ীథಎ઼੡ ஑ૄ தৈಓਗ਼৕ႀ๶ྰ

঩য়ଲதৈಓਗ਼৕ႀ๶ྰ + ਸசਗ਼ಓ‫ۚ؟‬9)(,ଲ්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ 7LWDQ.ULRV ਸசਗ਼ಓ‫؟‬N9岝૥મഐేਃચ
঩মਗ਼৕ଲ௒ਪ්ૌਗ਼৕ႀ๶ྰ
-(0$50) ਸசਗ਼ಓ‫؟‬N9岝ীෲਃચ‫'(؟‬6((/6්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ

঩য়ଲ්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ + ਸசਗ਼ಓ‫ۚ؟‬9嵇崗嵕崰嵤嵈

5HLFKHUW-XQJ8OWUDFXW(崌崒嵛嵇嵒嵛崘ಎ઼*DWDQ3,360RGHOৈী৕嵣ে੟௺ਗ਼৕ႀ๶ྰ৷
૥મ੿ଲಎ઼ණ

ෆඇ౴࿫੎়ಎ઼
崓嵤嵄嵛Ⴊାಎ઼

౫મ௺ਗ਼৕ႀ๶ྰ৷
૥મ੿ଲಎ઼ණ

ਃ༊ଢ଼༂ಎ઼
7ULSRG崯崋嵛崿嵓崘嵑崌嵛崨嵤ᇌ߷ ᝮٟ≋᧵‫ק≝ٻ‬ဋܑ‫≌پ‬

ұҍणஇ

฼⏝ᙧែ
ᶵჾ฼⏝

฼⏝⪅⮬䜙䛜ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᢏ⾡ᨭ᥼ᢏ⾡⿵ຓᨭ᥼⪅䛜⿵ຓ䚸᧯స᪉ἲ䜢ᣦᑟ䛧䛺䛜䜙฼⏝⪅䛜ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᢏ⾡ᨭ᥼

ᢏ⾡௦⾜
ඹྠ◊✲

ᨭ᥼⪅䛜฼⏝⪅䛻௦⾜䛧䛶タഛ䜢᧯స䛩䜛ᢏ⾡ᨭ᥼ዎ⣙䛻ᇶ䛵䛝Ⓩ㘓タഛ䜢⏝䛔䛶฼⏝⪅䛸ᨭ᥼⪅䛜ඹྠ䛷ᐇ᪋䛩䜛ᡂᯝබ㛤ᆺඹྠ◊✲ᢏ⾡┦ㄯ฼⏝⪅┦ㄯ䛻ᑓ㛛ᐙ䛸䛧䛶ᛂ䛘䜎䛩ከᏍᛶ䛸ᵓ㐀つ๎ᛶ䜢ഛ䛘䛯䝘䝜⢏Ꮚ䛾㞟ྜయගゐ፹䛺䛹䛾ග䜶䝛䝹䜼䞊ኚ᥮⣔䜈䛾ᛂ⏝঱೦кࠝ໕кр೎߶р⁆‷‿‫ౕݔ‬ྍどගᛂ⟅ᆺගゐ፹䠖㻮㼕㼂㻻㻠⤖ᬗ

ගゐ፹཯ᛂ䛸ᵓ㐀ⓗ≉ᚩ䛾┦㛵㻝㻜㠃యᵓ㐀

঩য়ଲ)(*હ්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ +) ਸசਗ਼ಓۚ9岝ীෲਃચQDQREHDP('6঩য়ଲ්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ + ਸசਗ਼ಓ‫ۚ؟‬9岝ীෲਃચ‫'(؟‬6䜽䝷䝇䝍䞊ᆺ

(010)

฼⏝ᩱ㔠*
ਹ৷஄ଙ

ਹ৷঻ਃঢ়

ਹ৷଀૿স
ਹ৷଀૿স‫ق‬ணடୖ਻൐‫ك‬੯঩
੯ফ 

ਃஓਹ৷
ૼ୒ଓஃ
ૼ୒৻ষ
ુ৊ଢ଼஢
ૼ୒ৼ୥

প৾嵣ਁ৓
ଢ଼஢ਃঢ়

৞

৞

ড়৑੫঵ಉ৞

৞ 崿嵑崫崰崽崑嵤嵈峕峲峵੻౏হ঵峙੍ର৔ઍ峮ਛટ峘ਁ৫岶૖੯峑峃岞ਹ৷৫઩া岶ফ২ಥর峘ৃ়岝ਹ৷଀૿স峘াસ峴峬峑岷峨峃岞

(010)

(001)

㼧㻝㻜㻜㼩㠃䠖㑏ඖάᛶ㼧㻝㻝㻜㼩㠃䠖㓟໬άᛶ‫ݱ‬%L92⤖ᬗࡣ㠃యᵓ㐀࡛࠶ࡿ࡜ྠᐃ
‫ݱ‬ගゐ፹άᛶࡀ⤖ᬗ㠃᪉఩࡟౫Ꮡࡍࡿࡓࡵࠊゐ፹⤖ᬗ⾲㠃✚ࡢィ ࡟ࡼࡾ㑏ඖάᛶ࡜㓟໬άᛶࡢẚ⋡➼ࢆ㆟ㄽࡍࡿୖ࡛ᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒࡀᴟࡵ࡚㔜せ問い合わせ：大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター ナノテクノロジープラットフォーム事務室（幕田奈々）
E-mail： info-nanoplat@uhvem.osaka-u.ac.jp，Phone：06-6879-7941
ホームページ
http://www.uhvem.osaka-u.ac.jp/nanoplatform-kouzoukaiseki/index.html

77解析 PF-9 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム㻌㻌᪥ᮏཎᏊຊ◊✲㛤Ⓨᶵᵓ JAEAᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮

஦౛-1䠖ȈȝȭǸǫȫዌጂ˳ƕᄬჽƴƳǔȡǫȋǺȠǛᚐଢ䛆┠㻌 㻌 ⓗ䛇㏆ᖺࠊࢺ࣏ࣟࢪ࢝ࣝ⤯⦕యࡀୡ⏺୰࡛ὀ┠ࡉࢀࠊࡈࡃ᭱㏆ࠊࡇࡢ୍✀(Sb,Bi)2Te3࡟☢ᛶඖ⣲Crࢆᚤ㔞ῧຍࡍࡿࡇ࡜࡟ࡼࡾࠊ㔞Ꮚ␗ᖖ࣮࣍ࣝຠᯝࡀほ ࡉࢀࡓࠋᮏ⌧㇟ࡣࠊᴟప ࡛ࡋ࠿㉳ࡇࡽ࡞࠸ࡓࡵࠊᐊ ௨ୖࡢᙉ☢ᛶ㌿⛣ ᗘࢆᣢࡘࢺ࣏ࣟࢪ࢝ࣝ⤯⦕యࡢ㛤Ⓨࡀษᮃࡉࢀ࡚࠸ࡿࠋᮏ◊✲࡛ࡣࠊྠ⣔ࡢᙉ☢ᛶⓎ⌧ᶵᵓࢆඖ⣲㑅ᢥⓗ࡟᥈ࡿ࡭ࡃࠊ኱ᆺᨺᑕග᪋タSPring-8ࡢ
BL23SU࡟࠾࠸࡚ࠊ㌾㹖⥺ෆẆ྾཰☢Ẽ෇஧Ⰽᛶ (XMCD) ᐇ㦂ࢆ⾜ࡗࡓࠋDᗈᓥ኱ᏛE୰ᅜ⛉Ꮫ㝔ୖᾏᚤ⣔⤫◊✲ᡤ

ᮌᮧ᫛ኵDྔⱱE㸪ႛᒣE䛆ᡂ㻌 㻌 ᯝ䛇 
 Cr 2pĺ3d྾཰➃ࡔࡅ࡛࡞ࡃࠊTe ࠾ࡼࡧSb 3dĺ5p྾཰➃࡟࠾࠸࡚ࡶᚤᑠ࡞
ࡀࡽ᫂☜࡞XMCDࢆほ ࠋ
 ほ ࡉࢀࡓXMCDࡢ➢ྕࡢ㛵ಀ࠿ࡽࠊTe 5pࠊSb 5p㟁Ꮚࡢ☢Ẽ࣮࣓ࣔࣥࢺࡣ
Cr 3dࡢࡑࢀ࡟ᑐࡋࡑࢀࡒࢀ཯ᖹ⾜ࠊᖹ⾜࡟⤖ྜࡋ࡚࠸ࡿࡇ࡜ࢆゎ᫂ࠋᮏ◊✲࡛ࠊTeࡸSbࡢ5p㟁ᏊࡀCrࡢࢫࣆࣥྠኈࢆࡘ࡞ࡆࡿࠕࡢࡾࠖࡢᙺ๭ࢆ
ࡋࠊ☢ᛶࢺ࣏ࣟࢪ࢝ࣝ⤯⦕యCrx(Sb1-yBiy)2-xTe3 ࡢ☢▼࡟࡞ࡿཎᅉ࡜࡞ࡗ࡚࠸ࡿ
ࡇ࡜ࢆึࡵ࡚᫂ࡽ࠿࡟ࡋࡓࠋᮏ◊✲ࡣࠊእ㒊☢ሙࢆᚲせ࡜ࡋ࡞࠸ࠊᐊ ࡟࠾ࡅࡿ␗ᖖ㔞Ꮚ࣮࣍ࣝຠᯝࡢⓎ⌧࡟ྥࡅࡓ᪂ࡋ࠸≀㉁タィ࡬ࡢ᫂☜࡞ᣦ㔪ࢆ୚࠼ࡿ࡜ඹ࡟ࠊࢺ࣏ࣟࢪ࢝ࣝ⤯⦕యࢆ฼⏝ࡋࡓḟୡ௦ࡢ㉸పᾘ㈝㟁ຊࢫࣆ࣭ࣥࢹࣂ࢖
ࢫࡸࠊ㉸㧗㏿ࡢ㟁Ꮚࢆ฼⏝ࡋࡓḟୡ௦ᆺࡢࢫ࣮ࣃ࣮ࢥࣥࣆ࣮ࣗࢱ࣮ࡢ㛤Ⓨ࡟ࡘ࡞ࡀࡗ࡚࠸ࡃࡶࡢ࡜ᮇᚅࡉࢀࡿࠋ

)LJ;0&'ࡢᴫᛕᅗ

)LJ &U[ 6E\%L\ [7H ࡢ 7H dЍp྾཰➃࡛ࡢ D ;$6 E ;0&'ࢫ࣌ࢡࢺࣝ

䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇ᮏ◊✲ࡣࠊୡ⏺᭱㧗ࣞ࣋ࣝࡢ⢭ᗘࢆ᭷ࡍࡿ;0&' ᐃࢩࢫࢸ࣒ࢆά⏝ࡋࠊୡ⏺ⓗ࡟ὀ┠ࡉࢀ࡚࠸ࡿ☢ᛶࢺ࣏ࣟࢪ࢝ࣝ⤯⦕యࡢᙉ☢ᛶⓎ⌧ᶵᵓࢆ᫂ࡽ࠿࡟ࡋ ࡓ ࠋ Ꮫ ⾡ 㠃 ࠊ ୪ ࡧ ࡟ ᛂ ⏝ 㠃 ࡟ ࠾ ࠸ ࡚ ࡶ ኱ ࡁ ࡞ ព ⩏ ࡀ ᭷ ࡾ ࠊ 1DWXUH&RPPXQLFDWLRQVㄅ࡟ᥖ㍕ࡉࢀࡓࠋ⥅⥆ⓗ࡞ᨭ᥼ࢆᚲせ࡜ࡍࡿࠋ         )LJ7Hࡸ6Ep㟁Ꮚࡀ㐲ࡃ㞳ࢀࡓ&Uࡢࢫࣆࣥࢆࡘ࡞ࡆࡿ
ࠕࡢࡾࠖࡢᙺ๭ࢆᢸ࠺ࠋ

㸦ᨭ᥼ᐇ᪋⪅㸸ᩪ⸨♸ඣ㸪➉⏣ᖾ἞㸧

஦౛-2䠖

0Dኒᣠ҄ཋƷ᩼ᄬࣱƷᜋƴƤǇǔDᒸᒣ኱ᏛE኱㜰኱ᏛFཎᏊຊᶵᵓ䛆┠㻌 㻌 ⓗ䛇ⰼဏᚨுDE㫽㉺⚽ᖹDE㔝ୖ⏤ኵD⡿⏣ᏳᏹF

ཎᏊኚ఩࡟ࡼࡿࠊࢲ࢖࣏࣮ࣝ࢔࢖ࢫ≧ែࡸࡇࢀ࡟㢮ఝࡋࡓ≧ែ(Fig.1(b)-(d))ࢆ᥈⣴ࡋ࡚࠸ࡿࠋࣃ࢖ࣟࢡࣟ࢔ᆺ㓟໬≀
࡛ࡣNbཎᏊࡀᅄ㠃యࡢ୰ᚰ᪉ྥ࡟ෆഃ࠿እഃ࡬ኚ఩ࡍࡿ஦
(Fig.1(a))ࡀᣦ᦬ࡉࢀ࡚࠸ࡓࠋᒁᡤ࣭ᖹᆒᵓ㐀ࢆゎᯒ࡛ࡁࡿᐇ
㦂ࢆ」ᩘά⏝ࡋ࡚ࠊཎᏊࡢኚ఩≧ែࢆỴᐃࡋࠊ㠀☢ᛶ≧ែ࡜ཎᏊኚ఩ࡢ㛵ಀࢆ⢭ᰝࡋࡓࠋ

ྜྷ஭㈼ḟFᶞ⚄ඞ᫂F䛆ᡂ㻌 㻌 ᯝ䛇
୰ᛶᏊPDF(J-PARC BL21, Fig.2(a))࡜X⥺྾཰ࢫ࣌ࢡࢺࣝࡢ
EXAFS(SPring-8 BL14B1, Fig.2(b))ࢆ ᐃࡋ࡚ࠊNbཎᏊࡢᒁᡤ
ⓗ࡞ኚ఩ᵓ㐀ࡀ୺࡟all-inᆺ࡛࠶ࡿࡇ࡜ࢆⓎぢࡋࡓ(Fig.2(c)ࡢ
㉥୸)ࠋᚓࡽࢀࡓall-inᆺኚ఩ࡣ㌶㐨ΰᡂ࡟ࡼࡿ࢚ࢿࣝࢠ࣮Ᏻ
ᐃ໬࡟⏤᮶ࡋࠊ͆ศᏊ͇ᙧᡂ࡟ࡼࡾ㠀☢ᛶ≧ែ࡟࡞ࡗࡓ࡜⪃࠼ࡽࢀࡿࠋ

Fig.1 (a) ඛ ⾜ ◊ ✲ ࡀ ᣦ ᦬ ࡋ ࡓ Nb ཎ Ꮚ ࡢ ኚ ఩ ᪉ ྥ ( ㉥ ▮ ༳ ).
(b),(c),(d) ⪃࠼ࡽࢀࡿཎᏊኚ఩ࢱ࢖ࣉ࡜ᅄ㠃య. 㟷୸ࡣኚ఩๓
ࠊ⥳୸ࡣኚ఩ᚋ.

(S. Torigoe, et al., Phys. Rev. B, 93, 085109 (2016).)䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇
ᨺᑕගX⥺ࢆ฼⏝ࡋࡓX⥺྾཰ᚤ⣽ᵓ㐀 ᐃ࡜୰ᛶᏊࢆ฼⏝ࡋࡓཎᏊ2య┦㛵ศᕸ㛵ᩘࢆే⏝ࡋཎᏊຊᶵᵓࡢࣜࢯ࣮ࢫࢆ༑
ศ࡟฼⏝ࡍࡿࡇ࡜࡛ࠊ⤖ᬗᵓ㐀࡟ࡣ཯ᫎࡉࢀ࡟ࡃ࠸ศᏊෆࡢᒁ
ᡤᵓ㐀ࢆゎࡁ᫂࠿ࡋࡓ◊✲࡛࠶ࡿࠋ㸦ᨭ᥼ᐇ᪋⪅㸸ྜྷ஭㈼㈨㸪⡿⏣Ᏻᏹ㸪ᶞ⚄ඞ᫂㸧

Fig.2 (a)ࣃ࢖ࣟࢡࣟ࢔ᆺࢽ࢜ࣈ㓟໬≀ࡢ஧య┦㛵㛵ᩘ(PDF)ࡢ
ᐇ㦂⤖ᯝ(ⓑ୸)࡜ྛ✵㛫⩌࡛ࡢࢩ࣑࣮ࣗࣞࢩࣙࣥ⤖ᯝ(㉥,⥳,㟷).(b) EXAFSࡢᐇ㦂⤖ᯝ(ⓑ୸)࡜ࢩ࣑࣮ࣗࣞࢩࣙࣥ⤖ᯝ(㟷).(c)Ỵ
ᐃࡉࢀࡓNbࡢᵓ㐀ࠊ㉥୸ෆࡣall-inᆺ࡛ኚ఩ࡋࡓNbᅄ㠃య.

問い合わせ：JAEA微細構造解析プラットフォーム事務局 研究推進室（毛利 梓）
E-mail: nanopla-oﬃce@ml.jaea.go.jp，Phone: 0791-58-2716
ホームページ http://sangaku.jaea.go.jp/facilities.html

78解析 PF-10 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム㻌 㻌 㻌 㔞Ꮚ⛉Ꮫᢏ⾡◊✲㛤Ⓨᶵᵓ QSTᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮ǯȭȠᣠᤲưžᩓᒵǬȩǹſǛႆᙸ 䇲ᲯᲪ࠰ஹƷᜋǛᚐଢ䇲ᮾிᕤᴗ኱Ꮫࣇࣟࣥࢸ࢕࢔ᮦᩱ◊✲ᡤ䛆┠ᮾ ṇᶞன ₶⃝ⓗ䛇㖄⣔࣌ࣟࣈࢫ࢝࢖ࢺ㓟໬≀ࡢࢡ࣒ࣟ㓟㖄 3E&U2 ࡣ᫇࠿ࡽ▱ࡽࢀ࡚࠸ࡿ༝㏆࡞≀㉁࡛࠶ࡿࠋࡋ࠿ࡋࠊࡑࡢ
୍᪉࡛ࠊ⤖ᬗࡢ᱁Ꮚయ✚ࡀఱᨾ࠿኱ࡁ࠸࡜࠸࠺㸳㸮ᖺ᮶ࡢㅦࡀ࠶ࡗࡓࠋ᭱㏆ࠊࢡ࣒ࣟ㓟㖄ࡀ㈇ࡢ⇕⭾ᙇᮦᩱࡢẕ≀㉁ೃ⿵࡜࡞ࡾࠊᮦᩱ㛤Ⓨࡢ࠺࠼࡛ࡶㅦࡢゎ᫂ࡀᛴົ࡜࡞ࡗࡓࠋࡑࡇ࡛ࠊᡃࠎࡣࠊᚑ᮶ࡢ⤖ᬗゎᯒ࡛ࡣ▱ࡾᚓ࡞࠸≉␗࡞ᵓ㐀ࡀࢼࣀࢫࢣ࣮ࣝ㡿ᇦ࡛Ⓨ⏕ࡋ࡚࠸ࡿ࡜⪃࠼ࡓࠋࡑࡢࡓࡵࠊᒁᡤᵓ㐀ࡢゎ᫂ࢆ┠ⓗ࡜ࡋ࡚ࠊᨺᑕග;⥺ࢆ⏝࠸ࡓཎᏊయศᕸ㛵ᩘゎᯒࢆ⾜ࡗࡓࠋ䛆ᡂᯝ䛇ࢡ࣒ࣟ㓟㖄࡟࠾࠸࡚ࠕ㟁Ⲵ࢞ࣛࢫࠖ࡜࠸࠺≉␗࡞≧ែࡀᙧᡂࡉࢀ࡚࠸ࡿࡇ࡜ࢆぢฟࡋࡓࠋ㖄࢖࢜ࣥࡣ౯
࡜౯࡜࡟㟁Ⲵศ㞳ࢆ㉳ࡇࡋ࡚࠾ࡾࠊ౯ᩘࡢ␗࡞ࡿ✀㢮ࡢ㖄࢖࢜ࣥࡀ஘ࢀࡓ㓄ิࢆ࡜ࡿࡇ࡜࡟ࡼࡾࠊ㟁Ⲵ㓄ิࡢ஘ࢀࡓࠕ㟁Ⲵ࢞ࣛࢫࠖ≧ែࡀᙧᡂࡉࢀ࡚࠸ࡓࠋࡇࢀࡲ࡛ࠊࢡ࣒ࣟ㓟㖄ࡢཎᏊ㓄ิᵓ㐀ࡣ⤖ᬗゎᯒ࡟ࡼࡗ࡚ㄪ࡭ࡽࢀ࡚࠾ࡾࠊ࣌ࣟࣈࢫ࢝࢖ࢺ໬ྜ≀࡜ࡋ࡚᭱ࡶࢩࣥࣉࣝ࡞༢⣧❧᪉ᬗ࡛࠶ࡿ࡜ࡉࢀ࡚࠸ࡓࠋࡋ࠿ࡋࠊ
ཎᏊయศᕸ㛵ᩘゎᯒ࡟ࡼࡗ࡚ࠊࢼࣀࢫࢣ࣮ࣝ㡿ᇦࡢᵓ㐀ほᐹࢆ⾜ࡗࡓ࡜ࡇࢁࠊ౯࡜౯ࡢ㖄࢖࢜ࣥࡀᒁᡤⓗ࡟ࡣ஺஫㓄ิࡋ࡚࠾ࡾࠊࡑࢀࡒࢀࡀ⦪Ἴኚㄪᆺࡢ఩⨨ࢩࣇࢺࢆ㉳ࡇࡋ࡚࠸ࡿࡇ࡜ࡀ᫂ࡽ࠿࡜࡞ࡗࡓࠋࡇࡢࡼ
࠺࡞ᵓ㐀ࡣύ⛬ᗘ௨ୗࡢ㡿ᇦ࡟࠾࠸࡚▷㊥㞳⛛ᗎࢆᙧᡂࡋ࡚࠸ࡓࠋࡋ࠿ࡋ࡞ࡀࡽࠊ኱ᇦⓗ࡟ࡣ⛛ᗎࢆᣢࡘࡇ࡜ࡀ࡞ࡃ㟁Ⲵ࢞ࣛࢫࡀᙧᡂࡉࢀ࡚࠸ࡓࠋ኱ࡁ࡞᱁Ꮚయ✚ࡢᵓ㐀ࡣࠊ㖄࢖࢜ࣥࡢ」㞧࡞఩⨨ࢩࣇࢺ࡟ࡼࡗ࡚
ᨭ࠼ࡽࢀ࡚࠸ࡿࡇ࡜ࡶ⌮ゎࡉࢀࠊ㸳㸮ᖺ᮶ࡢㅦࡣࠕ㟁Ⲵ࢞ࣛࢫࠖ࡜࠸࠺ពእ࡞஦ᐇ࡟ࡼࡗ࡚ゎ᫂ࡉࢀࡓࠋ

䜽䝻䝮㓟㖄PbCrO3

Cr

Pb2+
O2-

Pb2+
/Pb4+

Cr4+
Fig. 2 㟁Ⲵ࢞ࣛࢫᵓ㐀ࣔࢹࣝ㸦㉥⥺㸧࡛ࡢཎᏊ2యศᕸ㛵ᩘゎᯒ⤖ᯝࠋ㯮⥺ࡣཎᏊ2యศᕸ㛵ᩘࡢ ᐃ⤖ᯝࠋ50ᖺ䜆䜚䛻᭦᪂b) 㟁Ⲵ䜺䝷䝇ᵓ㐀a) ᚑ᮶䛾ᵓ㐀䝰䝕䝹

Fig. 1 ᚑ᮶ࡢᵓ㐀ࣔࢹࣝa)࡜᪂つゎ᫂ࡉࢀࡓ㟁Ⲵ࢞ࣛࢫᵓ㐀b)ࠋ
b)࡛ࡣࠊ20ύ⛬ᗘࡢ㡿ᇦ࡛␗࡞ࡿ౯ᩘࡢ㖄࢖࢜ࣥࡀ▷㊥㞳⛛ᗎᵓ㐀ࢆᙧᡂࡋ࡚࠸ࡿࠋ
R. Yu, H. Hojo, T. Watanuki, M. Mizumaki, M. Azuma, et al.,J. Am. Chem. Soc. 137, 12719 (2015).

Fig. 3 ㏻ᖖࡢ⤖ᬗゎᯒ⤖ᯝ࡛࠶ࡿᚑ᮶ࡢᵓ㐀ࣔࢹࣝ㸦㉥⥺㸧࡜ᐇ㝿ࡢཎᏊ2యศᕸ㛵ᩘ㸦㟷⥺㸧࡜ࡢẚ㍑ࠋ▷㊥㞳⛛ᗎࢆᙧᡂࡍࡿ20ύ⛬ᗘ௨ୗ࡛୙୍⮴ࡀ㢧ⴭ࡟࡞ࡗ࡚࠸ࡿࠋ

䛆ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇ࢼࣀࢫࢣ࣮ࣝ㡿ᇦࡢᒁᡤᵓ㐀ࢆほᐹࡍࡿࡇ࡜࡟ࡼࡗ࡚ࠊ㸳㸮ᖺ᮶ࡢㅦࢆゎỴࡋࡓᡂᯝ࡛࠶ࡾࠊᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒࣉࣛࢵࢺࣇ࢛࣮࣒࡟┦ᛂࡋ࠸◊✲ㄢ㢟࡛࠶ࡿ࡜࡜ࡶ࡟ࠊࢼࣀࢫࢣ࣮ࣝ㡿ᇦࡢほᐹࡢ㔜せᛶࢆ෌ㄆ㆑ࡉࡏࡿ
ࡶࡢ࡛࠶ࡿࠋ௒ᅇࡢⓎぢࡣᇶ♏⛉Ꮫⓗෆᐜ࡛࠶ࡿࡀࠊᒁᡤᵓ㐀ࡢ▱ぢࡣ௒ᚋࡢ㈇ࡢ⇕⭾ᙇᮦᩱࡢ㛤Ⓨ࡟ࡍࡄ࡟ᙺ❧ࡘࡶࡢ࡛࠶ࡾࠊྠᵝࡢ◊✲ࢆᘬࡁ⥆ࡁᨭ᥼ࡋࡓ࠸ࠋ                 㸦ᨭ᥼ᐇ᪋⪅㸸⥥㈏ᚭ㸪⏫⏣᫭ᙪ㸧

問い合わせ：QST微細構造解析プラットフォーム事務局（宮本 依理子）
E-mail: ml-qst-nanoinfo@qst.go.jp，Phone: 0791-58-2640
ホームページ http://www.kansai.qst.go.jp/nano/79

解析 PF-11 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細構造解析プラットフォーム஑ᕞ኱Ꮫ ᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䡚 䝘䝜䝬䝔䝸䜰䝹㛤Ⓨ䛾䛯䜑䛾㉸㢧ᚤゎᯒඹ⏝ᣐⅬ 䡚 ႸႎἜἠἘἁἠἿἊὊử෇ဇẲẺέᡶ஬૰ὉἙἢỶἋЎ᣼ỆấẬỦ‫ܖ‬բႎὉ২ᘐႎᛢ᫆ᚐൿỆợỦἰἘἼỴἽỶἠἫὊἉἹὅỆ݃ɨẴỦểểờỆẆ঻ầ‫׎‬ỉἜἠἘἁἠἿἊὊỉ୼ễỦႆ‫ޒ‬ẆᇤʗщӼɥẆʴ஬Ꮛ঺Ệᝡྂ ᄂᆮૅੲϋܾऴ‫إ‬੩̓

ެஇૼᥘỉӲᆔᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟύᚾ૰˺ᙌᘺፗễỄử᧏્ẲộẴώެ‫ٶ‬ಮễཋឋὉ஬૰ỉἜἠನᡯᚐௌὉཞ७ᚐௌỆếẟềᄂᆮỉᚘဒểܱ଀ửẆᆢಊႎẦếоᡯႎỆૅੲẲộẴώެᇹɟዴỂ෇៫ẲềẟỦ‫ܖ‬ϋᄂᆮᎍầႻᛩỆࣖẳộẴώ ɼᙲƳᄂᆮᚨͳƱཎࣉ

২ᘐᙀя

২ᘐႻᛩ
ჷỉᨼኖ҄
ἜἠἘἁἠἿἊὊỉႆ‫ޒ‬ೞ֥Мဇ䖃ୡ⏺၏୍䛒䜛䛔䛿ୡ⏺᭱㧗ᛶ⬟䜢㄂䜛㛤ᨺタഛ⩌ỼἳỾ‫׹‬ᩓ‫܇‬Ўήᘺፗ˄Ẩឬ᭗‫ן‬ᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟίᵏᵑᵎᵎᴾᶉᵴὸ

ӓࠀᙀദឥ௹ᵍᡢᢅᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟ

㻶㻱㻹㻙㻝㻟㻜㻜㻺㻱㻲࠼ᩓ‫ן‬ឬ᭗ज़ࡇҾ‫܇‬ЎᚐᏡᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟ

㻶㻱㻹㻙㻭㻾㻹㻞㻜㻜㻲
R: N-KD, G: Si-KD, B: O-KD
30 mm2㻔ᚑ᮶ᆺ㻕

100 mm2㻯㼛㼘㼐㻙㻲㻱㻳

㻔㧗ຠ⋡ᆺ㻕

˯ьᡮᩓ‫ן‬ᵆᵑᵎᴾᶉᵴ῍ᵇẦỤỉ᭗ЎᚐᏡᚇ‫ݑ‬ầӧᏡ᭗јྙᵶዴ౨Ј֥ửἒἨἽ઀᠍

TEM-BFCrack
rac
0.5 Pm㧗ຠ⋡㼄⥺᳨ฟჾ㻝㻜㻜 㼙㼙㻞㻘 㻜㻚㻤 㼟㼞2 ȝm౨Јज़ࡇỉ᫠៫ႎӼɥὲ
ὺӓࠀᙀദᵱᵲᵣᵫ
᭗ЎᚐᏡ

㼀㻱㻿
㻿㻰㻰

᪂ᆺ཰ᕪ⿵ṇჾ″⁅‵⁁⁄઀᠍

㧗ຠ⋡㼄⥺᳨ฟჾ㻝㻜㻜 㼙㼙㻞 㼤 㻞㻘 㻝㻚㻣 㼟㼞ᵏᵑᵎᵎᶉᵴឬ᭗‫ן‬ᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟ ίᵨᵣᵫᵋᵏᵑᵎᵎᵬᵣᵤὸᵏᵑᵎᵎᴾᶉᵴ ᵦᶇᶅᶆᴾᵴᶍᶊᶒᵿᶅᶃᴾᵣᶊᶃᶁᶒᶐᶍᶌᴾᵫᶇᶁᶐᶍᶑᶁᶍᶎᶃ

with an omega-type EELS

ᵐᴾ

ӓࠀᙀദឥ௹ᵍᡢᢅᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟ ίᵨᵣᵫᵋᵟᵰᵫᵐᵎᵎᵤὸᵡᶑᴾᶁᶍᶐᶐᶃᶁᶒᶃᶂᴾᵿᶒᶍᶋᶇᶁᴾᶐᶃᶑᶍᶊᶓᶒᶇᶍᶌᴾᶃᶊᶃᶁᶒᶐᶍᶌᴾᶋᶇᶁᶐᶍᶑᶁᶍᶎᶃ

with dual Cs correctors
and highly-Ğĸcient XEDS Мဇ̊㻝㻝㻘㻟㻜㻜 ෇┠ⓗ㻥㻘㻝㻜㻜 ෇㻥㻘㻠㻜㻜 ෇ᾂഏΨᚇ‫ݑ‬ᩓ‫܇‬Ўή‫׹‬ᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟ ίᵨᵣᵫᵋᵑᵐᵎᵎᵤᵱᵩὸ
ᵒᴾ
ᵑᵎᵎᴾᶉᵴᴾᵿᶌᵿᶊᶗᶒᶇᶁᵿᶊᴾᶃᶊᶃᶁᶒᶐᶍᶌᴾᶋᶇᶁᶐᶍᶑᶁᶍᶎᶃ

㻝㻜㻘㻜㻜㻜 ෇ἿὊἾὅ἖ᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟᾉᵟᶌᵿᶊᶗᶒᶇᶁᵿᶊᴾᵪᶍᶐᶃᶌᶒᶘᴾᶃᶊᶃᶁᶒᶐᶍᶌᴾᶋᶇᶁᶐᶍᶑᶁᶍᶎᶃ ίᵲᵣᵡᵬᵟᵧᴾᵥᵐᵋᵤᵐᵎὸ㻤㻘㻢㻜㻜 ෇ᵔᴾ

ἙἊἑἽЎௌᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟᾉᵴᶃᶐᶑᵿᶒᶇᶊᶃᴾᵿᶌᵿᶊᶗᶒᶇᶁᵿᶊᴾᶃᶊᶃᶁᶒᶐᶍᶌᴾᶋᶇᶁᶐᶍᶑᶁᶍᶎᶃ ίᵲᵣᵡᵬᵟᵧᴾᵥᵐᵋᵐᵎὸ㻤㻘㻟㻜㻜 ෇ᚾ૰˺ᙌᘺፗᾉᵱᵿᶋᶎᶊᶃᴾᶎᶐᶃᶎᵿᶐᵿᶒᶇᶍᶌᴾᶄᵿᶁᶇᶊᶇᶒᶇᶃᶑὉᵤᶍᶁᶓᶑᶃᶂᴾᵥᵿᴾᶇᶍᶌᴾᶀᶃᵿᶋ ᶋᶇᶊᶊᶇᶌᶅᴾᶕᶇᶒᶆᴾᵱᵣᵫ ίᵤᵣᵧᴾᵯᶓᵿᶌᶒᵿᴾᵑᵢᴾᵐᵎᵎᶇὸὉᵟᶐ ᶇᶍᶌᴾᶀᶃᵿᶋ ᶋᶇᶊᶊᶇᶌᶅ ίᵥᵿᶒᵿᶌᴾᵮᵧᵮᵱḪ ᵫᴾᵔᵗᵓὸὉᵟᶐ ᶇᶍᶌᴾᶀᶃᵿᶋ ᶋᶇᶊᶊᶇᶌᶅ ᵲᵣᵫᵋᵫᶇᶊᶊ ίᵤᶇᶑᶁᶆᶇᶍᶌᶃᴾᵫᴾᵏᵎᵓᵎὸ ᵍᴾᵬᵿᶌᶍᵋᵫᶇᶊᶊᴾίᵤᶇᶑᶁᶆᶇᶍᶌᶃᴾᵫᴾᵏᵎᵒᵎὸ㻨㻌ඹྠ◊✲฼⏝䠖ி㒔኱Ꮫ㻔໭ᕝ䚸ⲡ⏣䠅䚸኱ศ኱Ꮫ䠄Ọᒸ䚸బ⸨䠅䚸㻶㻿㼀㻙㻯㻾㻱㻿㼀㻌㻪㈗㔠ᒓ䛾୍✀䛷䛒䜛䝻䝆䜴䝮(Rh)䛿䚸⮬ື㌴䛾᤼䜺䝇ί໬ゐ፹䛻䛭䛾⏕⏘㔞䛾80%௨ୖ䛜౑⏝䛥䜜䛶䛚䜚ᇙⶶ㔞䛜ᕼᑡ䛺Rh䜢⨨䛝᥮䛘䜛䛣䛸䛾䛷䛝䜛᪂≀㉁䛾㛤Ⓨ䛜ồ䜑䜙䜜䛶䛔䜛䚹䝟䝷䝆䜴䝮(Pd)䛸䝹䝔䝙䜴䝮(Ru)䛿Rh䜘䜚㈨※㔞䛜㇏ᐩ䛷䛒䜛䛜⤖ᬗᵓ㐀䛜␗䛺䜚䝞䝹䜽≧ែ䛷䛿஫䛔䛻ᅛ⁐䛧䛺䛔䚹ᮏ◊✲䜾䝹䞊䝥䛿䝘䝜䝃䜲䝈໬䛸໬Ꮫⓗ㑏ඖᡭἲ䛻䜘䜚Pd䛸Ru䜢ཎᏊ䝺䝧䝹䛷ΰྜ䛧䛯PdRuᅛ⁐ᆺྜ㔠䝘䝜⢏Ꮚ䠄PdRu-NPs䠅䛾ྜᡂ䛻ᡂຌ䛧䛯䚹䛣䛾PdRu-NPs䛻䜘䜛ᢸᣢᆺゐ፹䜢㛤Ⓨ䛧䚸᤼䜺䝇ί໬ゐ፹䛸䛧䛶䛾ྍ⬟ᛶ䜢᳨ウ䛩䜛䚹ཎᏊศゎ⬟ศᯒ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄JEM-ARM200F ACCELARM䠅䜢⏝䛔䛶䚸ヨᩱෆ䛾⢏Ꮚ≧ែ䜢ほᐹ䞉ศᯒ䛩䜛䚹䞉ヨᩱ䠖g-Al2O3⢊య䛻PdRu-NPs䜢ᢸᣢ䛧䛯ゐ፹䞉ほᐹ/ศᯒ䠖HAADF-STEM䛻䜘䜛⢏Ꮚ䛾ศᩓ≧ែほᐹ䚸XEDSศᯒ䛻䜘䜛ඖ⣲䝬䝑䝢䞁䜾䜢ᐇ᪋⤖ᯝ

ᵓᴾwith a TrĂŶƐŝƟŽŶ Edge
Sensor XEDS䖃 ᅛ⁐ᆺ䝘䝜ྜ㔠ཬ䜃䛭䛾ᢸᣢゐ፹䛾≧ែศᯒホ౯ほᐹ䞉ศᯒ࠼ᩓ‫ן‬ឬ᭗ज़ࡇҾ‫܇‬ЎᚐᏡᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟ ίᵨᵣᵫᵋᵟᵰᵫᵐᵎᵎᵤᴾᵟᵡᵡᵣᵪᵟᵰᵫὸ with cold-FEG, dual Cs correctorsᵑᴾᵑᵎᵋᵐᵎᵎᴾᶉᵴ ᵟᶒᶍᶋᶇᶁᴾᶐᶃᶑᶍᶊᶓᶒᶇᶍᶌᴾᵿᶌᵿᶊᶗᶒᶇᶁᵿᶊᴾᶃᶊᶃᶁᶒᶐᶍᶌᴾᶋᶇᶁᶐᶍᶑᶁᶍᶎᶃ and dual highly-eĸcient XEDSἰỶἁἿỽἿἼὊἳὊἑὊЎௌᵱᵣᵫ ίᵸᶃᶇᶑᶑᵋᵳᵪᵲᵰᵟᵓᵓᴾὺᴾᵦᶇᶒᵿᶁᶆᶇᵋᵲᵣᵱὸᵕᴾ
ᵦᶇᶅᶆᴾᶐᶃᶑᶍᶊᶓᶒᶇᶍᶌᴾᵱᵣᵫᴾᶕᶇᶒᶆᴾᶆᶇᶅᶆᵋᶃᶌᶃᶐᶅᶗᵋᶐᶃᶑᶍᶊᶓᶒᶇᶍᶌᴾᵲᵣᵱᴾᵶᵣᵢᵱᵱᶐᵲᶇᵭᵑኽ୒ỉҾ‫܇‬ЎᚐᏡᵟᵢᵤ΂ểᵶᵣᵢᵱἰἕἦὅἂ

ίᵏ௒ᾉᵒ଺᧓ὸ

̅ဇ૰ᵏᴾ㻢㻘㻤㻜㻜 ෇䠇ᾮయ㻴㼑ᐇ㈝㻲㻵㻮 䞉䞉䞉 㻢㻘㻞㻜㻜 ෇ほᐹ䞉ศᯒ䛾⤖ᯝ䞉ᅗ1䛿g-Al2O3⢊య䛻PdRu-NPs䜢ᢸᣢ䛧䛯
ゐ፹䜢HAADF-STEMほᐹ䛧䛯⤖ᯝ(a),(b)䛷䚸┤ᚄ10 nm⛬ᗘ䛾䝘䝜⢏Ꮚ䛜ᢸయୖ䛻ศᩓ䛧䛶䛔䜛䚹
䞉ྛ䝘䝜⢏Ꮚ䛾ඖ⣲䝬䝑䝢䞁䜾(c),(d),(e)䛷䛿⢏Ꮚ୰䛻Pd䛸Ru䛜䜋䜌ᆒ୍䛻ྵ䜎䜜䛶䛚䜚䠎䛴䛾ඖ⣲䛜ཎᏊ䝺䝧䝹䛷ΰ䛨䜚ྜ䛳䛯ᅛ⁐≧ែ䛻䛒䜛䚹䞉䛥䜙䛻⢏Ꮚෆ㒊䜢ヲ⣽䛻ほᐹ䛩䜛䛸䚸ಶ䚻䛾⢏Ꮚ䛿⤖ᬗᵓ㐀䛜fcc䛸hcp䛾ᑠ䛥䛺㡿ᇦ䛾㞟ྜయ䛸䛺䛳䛶䛔䜛䛣䛸䛜᫂䜙䛛䛸䛺䛳䛯䚹

ᅗ1䠖HAADF-STEMほᐹീ(a),(b)䛸XEDS䝬䝑䝢䞁䜾(c),(d),(e)ί໬ᛶ⬟ホ౯䛾⤖ᯝ
ᅗ2䛿䛣䛾ゐ፹䜢⏝䛔䛯⮬ື㌴᤼䜺䝇ゐ፹䛾ί໬ᛶ⬟䛾ホ౯⤖ᯝ䛷䛒䜛䚹PdRu-NPs䛾❅⣲㓟໬≀䠄NOx䠅䛾㑏ඖ཯ᛂ⋡䛜 ᗘୖ᪼䛸䛸䜒䛻䛔䛱᪩䛟ୖ᪼䛧䛶䛚䜚䚸Rh䛸ྠ➼䛛䛭䜜௨ୖ䛾㧗䛔ゐ፹ᛶ⬟䜢♧䛩䛣䛸䜢ぢฟ䛧䛯䚹䛣䜜䜙䛾⤖ᯝ䛿PdRuྜ㔠䛿༢⣧䛺Pd䛸Ru䛾㊊䛧ྜ䛫䛷䛿䛺䛟䚸䛭䜜䜙䛜ཎᏊ䝺䝧䝹䛷ΰྜ䛧䛯ᅛ⁐య䜢స䜛䛣䛸䛷Rh䛸㢮ఝ䛧䛯㟁Ꮚᵓ㐀䜢ഛ䛘䜛䛣䛸䛸䛺䜚䚸ඃ䜜䛯NOxί໬ゐ፹ᶵ⬟䜢Ⓨ⌧䛧䛶䛔䜛䛣䛸䜢♧䛧䛶䛔䜛䚹
ㄽᩥⓎ⾲䠖K. Sato, et al., Scientific Reports, 6, #28265, (2016). doi:10.1038/srep28265㻚㻌 ᄂᆮȷૅੲϋܾƷཎࣉλᧉὉИኢἅὊἋ
ɶኢἅὊἋίᾆᆔ᫏ὸ
ɥኢἅὊἋἜἠἩἻ‫ܖ‬ဃᄂ̲ἜἠἩἻ২ᘐᎍʩ්

㼀㻱㻿ᆺ䝬䜲䜽䝻
䜹䝻䝸䞊䝯䞊䝍
㼄㻱㻰㻿ᵥᵿᵟᶑҞ‫˳ݰ‬ỉҾ‫܇‬ỽἻἲἰἕἩ
˳‫܇‬ҽỚỉẝỦᚾ૰ཞ७ỂଢღỆᚇ‫ݑ‬ӧᏡὲṼᘍẨ‫ފ‬ẟẺ২ᘐᄂ̲Сࡇ㼀㻱㻿㻛㼄㻱㻰㻿䠇㻿㻱㻹㻔㼁㻸㼀㻾㻭㻡㻡㻕ឬˡ‫׹ݰ‬౨Ј֥ίᵲᵣᵱὸỆợỦ᭗ẟỺ἟ἽἀὊЎᚐᏡ

1 frame (~1 min)᧏્ẴỦᘺፗ

ᵖᴾ

ἰỶἁἿỽἿἼἳὊἑ᭗Ỻ἟ἽἀὊ
ЎᚐᏡᵶዴΨእЎௌᘺፗᵱᵣᵫ㻶㻱㻹㻙㻭㻾㻹㻞㻜㻜㻲 㻭㻯㻯㻱㻸㻭㻾㻹ᵢᵰᵟᵫἙἢỶἋỉᵶዴἰἕἦὅἂ

ᵱᶇኽ୒ ҽỚᵐᵌᵖᵓ ᷈ᶋἁἻἕἁέᇢỉ᠃ˮዡ

䃈䝣䜱䝹䝍

σӷᄂᆮ

ᵬᵭᶖᢩΨ

ᅗ2: ᵝ䚻䛺䝘䝜⢏Ꮚ䜢ᢸᣢ䛧䛯ゐ፹
䛾NOx㑏ඖ㌿᥮⋡䛾 ᗘ౫Ꮡᛶ䠊 ʋ߸‫˙ ܖٻ‬ᣃǭȣȳȑǹ
ṼᇹɟዴỂ෇៫ẴỦ૙੉Ẇϱ૙੉Ẇя૙ầἇἯὊἚܱᘍ‫ۀ‬Ճᵏᵔʴᛢ᫆ỆЎਃᎍểẲềңщṼᐯɼʙಅểỉᡲઃᵚឬ᭗‫ן‬ᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟἧỻὊἻἲᵜᴾឬ᫋ࣇᚐௌᄂᆮἍὅἑὊ

˟ՃСỉૅੲἇὊἥἋ
䞉᝟ሗ䝃䞊䝡䝇
䞉䝁䞁䝃䝹䝔䜱䞁䜾䞉ᩍ⫱㻛◊ಟᨭ᥼
䞉◊✲㻛ᢏ⾡ᨭ᥼

問い合わせ：九州大学 超顕微解析研究センター 微細構造解析プラットフォーム事務局
E-mail: nano̲hvem@hvem.kyushu-u.ac.jp ，Phone: 092-802-3489
ホームページ http://nanoplat.hvem.kyushu-u.ac.jp/

80

微細加工プラットフォーム

微細加工プラットフォーム

加工 PF- 代表機関（1）
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム

大学や研究機関の最先端微細加工設備＆保有技術が活用できます‫ٴ‬ಎ઼峼੅峉峔岮ଢ଼஢঻峮੫঵岶岝ਈ੔ഈ峘ਸੵ崿嵕崣崡岝௬੼ಎ઼峼ઞ峍峐崊崌崯崊峼఻ਠ৲੍ର৬਑‫ ٴ‬৸ ব    প ৾ ٔ  ଢ଼ ஢ ਃ ঢ় ऋ‫ؚ‬  ଓ౥৓‫়੆ؚ‬৓ऩ਄ॉੌाद‫ؚ‬  ਌ਏૼ୒୩ୠ॑ढ़ং‫ش‬‫ ٴ‬॥‫ॹش‬ॕॿ‫ॱش‬ऋਈిऩ੍ରਃঢ়॑ງஂ  ‫ق‬ডথ५ॺॵউ१‫ش‬অ५‫ك‬岾ਹ৷峑岷峵ಎ઼‫ٴ‬઎ਰ঱峘ಎ઼岶ਹ৷峑岷峨峃‫ٴ‬૚প৾岝ଢ଼஢ਃঢ়峘௧୅崡崧崫崽岶崝嵅嵤崰峁峨峃‫ٴ‬ളਯ峘ਃঢ়峒峘৴௚峑岝ਈి峔ಎ઼峼岾઀୹峁峨峃঳৴भ๶಍ਸੵউট७५भৰষ‫٭‬௬੼ੰෲऋ૭ચदघ
䜶䝑䝏䞁䜾䝸䝋䜾䝷䝣䜱
ί
薄膜形成
Thin film deposition

Etching

Lithography

ホ౯
Evaluation

10μm੗੪५ঃॵॱ
Sputteringsystemਉ৕ಽᇊ஋ಎ઼
Atomic layer
deposition
systemதৈಖ২ਗ਼৕অ‫ش‬঒๜઺ಎ઼High precision
EB lithographysystemঐ५ॡঞ५
່୾ಎ઼
Mask-lesslithographysystem५ॸॵঃ
Stepperॻছॖग़ॵॳথॢ
Dry etchingsystemঞ‫ش‬२ਸੵಎ઼
Laser systemॼঀউট‫ش‬ং
Nano-prober

தৈীੰચ
ਗ਼ੀଣল஄
௒ਪਗ਼৕ႀ๶ྰ
)LHOGHPLVVLRQ6(0問い合わせ：微細加工プラットフォーム 代表機関
E-mail: nanoplat@t.kyoto-u.ac.jp，Phone: 075- 753-5656
ホームページ http://nsn.Kyoto-u.ac.jp

82

加工 PF- 代表機関（2）
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォームਹ৷૾ய‫ق‬ৰౚ‫ك‬‫ ٴ‬ফ৑੯峼த岲峵ଢ଼஢৫৅ୖ਻峼੍ର‫ ٴ‬੫঵峘ਹ৷峙٫‫ુق‬৊ଢ଼஢峼அ峫峵峒٫‫ك‬‫ٴ‬5 ' 峘 ઁ 岮 ୩ ୠ 峼 ੍ ରἴἙἼὅἂᵄἉἱἷἾὊ
ἉἹὅᵊᴾᵏ฼⏝௳ᩘ
0H24㸦7㹼3᭶䠅

200

248

400

82

600

292

800

1,000

382

66

1,200

1,400

1,600

Ỻ἟ἽἀὊ᧙ᡲ২ᘐᵊᵔᵏ௻ᴗ੯

੯
੯

302

86

342

416

77

ἰἘἼỴἽἇỶỺὅἋᵊ
ᵐᵓᵕ

䛭䛾௚௻ᴗ

੯҄‫ܖ‬ᵄЎ‫܇‬ἘἁἠἿἊὊᵊᴾᵗᵏ࿢‫ؾ‬২ᘐᵊᴾᵏ

௻ᴗ
H25㸦4㹼3᭶䠅

1322௳

ᖺᗘ

௚኱Ꮫ
H26㸦4㹼3᭶)

283

157

392

451

74

੯

ᵣᵱᵦᴾᵆỺ἟ἽἀὊẆ‫ܤ‬μẆͤࡍᵇᵊᴾᵕ
ᵹЎ᫏Ӹᵻᵊᴾᴾ
ᵹ͌ᵻ

Ꮫෆ௚㒊ᒁ

ᵬᵄᵫᵣᵫᵱᵊᴾᵑᵎᵕ

℔䘬䞼䨞㨇敊
H27㸦4㹼3᭶䠅

254

121

441

੫঵峘ਹ৷‫؟‬৺‫ڬگ‬٫

404

78

੯

੫঵峒峘ુ৊ଢ଼஢

ἜἠỺἾἁἚἿἝἁἋᵊ
ᵐᵑᵑἧỻἚἝἁἋᵊᴾᵏᵗᵓ䛭䛾௚‫ ܒ‬৸৬峘৺‫ڬڰ‬٫਴ਛ‫ڮ‬ফ২峘ૼ୒ী৙શਹ৷੯ਯ

ૼ୒峒ੲਾ峘৅ਦ‫ ٴ‬崟嵛嵅崠崎嵈ಉ ઐ૴ણ৿‫ ٴ‬崡崗嵤嵓‫ق‬൥ಆভ峮ৰಆ‫ك‬ਝ૟峼ਹ৷峁峉岽峒峘峔岮嵎嵤崞஘峬๶಍ਸੵૼ୒峼ఊ੭峑岷峨峃Ń Ń 崿嵑崫崰崽崑嵤嵈峘ਹ৷峕峲峴嵎嵤崞஘峘ૼ୒ୖ਻岶峓峘峲岰峕ੰৠ岿島峉岵岝Ń Ń 峔峓峘ੲਾ峼৅ਦ峁峨峃‫ق‬൐ফŖা‫ك‬ᵐᵎᵏᵕ࠰ᵑஉᵖଐί൦ὸỆἉὅἯἊỸἲử᧏͵ẲộẴᾏி‫ ٻ‬നဋέᇢჷἥἽᴾ ᴾ
ẒἍὅἇὉᵫᵣᵫᵱܱោἍἱἜὊẓἍὅἇࣖဇởᵫᵣᵫᵱἩἿἍἋỉஇૼѣӼửኰʼ ίᵐᵎᵏᵔᵌᵗᴾᵞி‫ٻ‬ὶᵔਗໜ἟ἕἚ੗
ዓỆềᜒࡈ᧏ᜒ ὸẒᵑഏΨᡯ࢟ᴾᵄ ᕓᐏܱោἍἱἜὊẓἰἋἁἾἋᩧήᘺፗẆҾ‫ؚޖ܇‬ᆢᘺፗẆẸỉ˂ᕓᐏ࢟঺ᘺፗửኰʼίᵐᵎᵏᵒᵌᵗᴾᵞி߻‫ٻ‬ὸἉὅἯἊỸἲẒσဇ଀ᚨẦỤဃộủỦỶἠἫὊἉἹὅẓ῍ἜἠἘἁầਏẪசஹ῍ίᵐᵎᵏᵔᵌᵑᴾᵞி‫ٻ‬ὸ๶಍ਸੵহ୻‫ ٴ‬崲崶ਸੵ岵峳嵆崌崗嵕ਸੵ峨峑  ‫ٴ‬崟嵒崛嵛岵峳崓嵤嵄嵛崲崶౫મ峨峑ઙ 崲崶崟崡崮嵈崥嵒嵍嵤崟嵏嵛崢஘ϱŶŵ়৊ভ঺崘嵓嵤崒嵛嵑嵄஘

QP崖嵋崫崿ஜস 3W ਗ਼ாপଚপ৾ 

ϮϬϬŶŵதৈఢణ崰嵑嵛崠崡崧৷7஑崚嵤崰ূ਎ੵ঵প৾ 

100 ʅŵ
崘嵔嵤崡崙嵤嵓່୾੟ସ嵣౫મଢ଼஢ਃଡ‫ك‬0293(ਛশ峒崐崫崩嵛崘峕峲峵୤৕಍଍    ূ਎ੵ঵প৾ ృପੵ঵প৾஌௖ଢ଼஢஼
2.47 mm

2.5
5m
m

ϭʅŵ
ϭϬʅŵ
‫ۘۈ‬஥໧峴崰嵔嵛崩ଡୗূ਎প৾ 

嵉崫崕峕峲峵๶಍1L崹崧嵤嵛ଫഏিপ৾ 2.66 mm௹িੵ঵প৾୺੨ઇ౸

崹嵓崡ฌ৿ਜ਼ৼஷ৿৕৚ଡ଼
‫ق‬ਨృପਓ঵৾୒௓ਤਃଡ‫ ك‬পએ஋崘嵑崽崏嵛ਛჍ ௹িੵ঵প৾ 

問い合わせ：微細加工プラットフォーム 代表機関
E-mail: nanoplat@t.kyoto-u.ac.jp，Phone: 075- 753-5656
ホームページ http://nsn.Kyoto-u.ac.jp

83

加工 PF-1 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム

北海道大学 微細加工プラットフォーム㞟⣙䛥䜜䛯ඛ➃䝘䝜ຍᕤ⿦⨨⩌䛸⵳✚䛧䛯ຍᕤ䝜䜴䝝䜴䛻䜘䜛ᚤ⣽ຍᕤస〇ᨭ᥼ᅜ❧኱Ꮫἲே໭ᾏ㐨኱Ꮫ䛷䛿䚸Ꮫෆ2䜹ᡤ䛾䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮䜢㛤ᨺ䛧䛶ᖜᗈ䛔䝴䞊䝄䞊䜈䛾◊✲㛤Ⓨᨭ᥼䜢⾜䛔䜎䛩䚹ᨭ᥼⿦⨨䛸䛧䛶䛿䚸ຍ㏿㟁ᅽ130kV䛾㉸㧗㏿䝇䜻䝱䞁㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䜢ྵ䜐5
ྎ䛾EBᥥ⏬⿦⨨䚸䝺䞊䝄䞊┤᥋ᥥ⏬⿦⨨䚸FIBຍᕤ⿦⨨䚸୧㠃䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘䞊䛸䛔䛳䛯ᚤ⣽䝟䝍䞊䞁ᙧᡂ⿦⨨⩌䚸㔠ᒓ䚸☢ᛶయ䚸㓟໬≀䜎䛷䜢㧗⢭ᗘ䛻ᡂ⭷ྍ⬟䛺䝇䝟䝑䝍䞉⵨╔⿦⨨⩌䚸ຍᕤ⣲ᮦ䛸⢭ᗘ䛻ྜ䜟䛫䛶㑅ᢥ䛷䛝䜛䝗䝷䜲䜶䝑䝏䞁䜾䞉䜲䜸䞁䝭䝸䞁䜾⿦⨨䚸స〇䛧䛯䝕䝞䜲䝇䜢ホ౯䛩䜛䛯䜑䛾FE-SEM䜔ኴ㝧ග䝅䝭䝳䝺䞊䝍䞊➼䜢ᩚഛ䛧䛶䛔䜎䛩䚹䛣䜜䜙䛾⿦⨨⩌䛻ຍ䛘䚸ከ䛟䛾◊✲⪅䛜䜒䛴᭱ඛ➃䛾ຍᕤ䝜䜴䝝䜴䛸ᢏ⾡⫋ဨ䛜✚䜏ୖ䛢䛯䝕䞊䝍䜢᭷ຠ䛻ά⏝䛧䚸䝴䞊䝄䞊䛾◊✲䚸ᢏ⾡䞉〇ရ㛤Ⓨ䛜ຍ㏿䛥䜜䜛䜘䛖䛺䝕䝞䜲䝇๰ฟ䜈䛾✚ᴟⓗ䛺䝃䝫䞊䝖䜢᥎㐍䛧䜎䛩䚹ᡂ⭷⿦⨨䝸䝋䜾䝷䝣䜱䞊
⿦⨨ຍᕤ䝜䜴䝝䜴䛸
඘ᐇ䛧䛯ᨭ᥼యไ䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨᭱㐺䛺䝕䝞䜲䝇స〇䝴䞊䝄䞊䛾ᢏ⾡ㄢ㢟䜈䛾㐺ษ䛺ᑐᛂ䞉໭ᾏ㐨኱Ꮫ䛜ᣢ䛴≉ᚩⓗ䛺ᢏ⾡䛷䛒䜛䝣䜷䝖䝙䝑䜽⤖ᬗ䝕䝞䜲䝇䚸䝥䝷䝈䝰䝙䝑䜽䝕䝞䜲䝇䚸䝯䝍䝬䝔䝸䜰䝹䛺䛹䛾䝣䜷䝖䝙䜽䝇䝘䝜䝕䝞䜲䝇㛤Ⓨ䛾ᨭ᥼䞉䝞䜲䜸䞉䝷䜲䝣䝃䜲䜶䞁䝇䝕䝞䜲䝇䛾స〇ᨭ᥼䞉㇏ᐩ䛺ຍᕤ䝜䜴䝝䜴䜢ά䛛䛧䚸䝇䝢䞊䝕䜱䞊䛺ᨭ᥼䛷ᢏ⾡ⓗㄢ㢟ゎỴ䜈䞉⏘ᴗ⏺䛾◊✲⪅䛜᭷䛩䜛ᢏ⾡ⓗㄢ㢟䜢ゎỴ䛧䚸䜲䝜䝧䞊䝅䝵䞁๰ฟ䜢ຍ㏿䞉⏘Ꮫᐁ㐃ᦠ䛻䜘䜛␗ศ㔝⼥ྜ䛸ⱝᡭேᮦ䛾✚ᴟⓗ䛺⫱ᡂ⏘ᴗ⏺䜈䛾◊✲㛤Ⓨᨭ᥼ⱝᡭேᮦ䛾⫱ᡂ㧗ᗘ䛛䛴ᖜᗈ䛔ศ㔝䜈䛾᭱ඛ➃◊✲䜔⏘ᴗ⏺䜈䛾䝙䞊䝈䛻ᑐᛂ䛧䛯ᨭ᥼ᚤ⣽ຍᕤ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮඲య䛾Ⓨᒎ䚸ᡃ䛜ᅜ䛾᪂䛧䛔ᢏ⾡䞉⏘ᴗ๰ฟ䜈

研究設備
ຍᕤ㡿ᇦ

䞉ຍ㏿㟁ᅽ125kV㉸㧗⢭ᗘ㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䚸䝺䞊䝄䞊┤᥋ᥥ⏬⿦⨨䜢ྵ䜑䛯ከᵝ䛺ᥥ⏬
⿦⨨⩌䞉䝦䝸䝁䞁䝇䝟䝑䝍䚸┿✵⵨╔䚸ཎᏊᒙయ✚⿦⨨䚸䜲䜸䞁䝡䞊䝮䝇䝟䝑䝍䛺䛹䛾ᡂ⭷⿦⨨⩌
䞉ICP䝗䝷䜲䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䚸RIE䚸NLD䝗䝷䜲䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䚸䜲䜸䞁䝭䝸䞁䜾⿦⨨䛺䛹䛾䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨⩌䝸䝋䜾䝷䝣䜱䞊ᢏ⾡䝺䞊䝄䞊┤᥋ᥥ⏬⿦⨨ᡂ⭷ᢏ⾡୧㠃䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮

䠄1䠅䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮ෆ䛻㞟✚䛧䛯ᚤ⣽ຍᕤ⿦⨨⩌䠄2䠅ᩍဨ䚸ᢏ⾡⫋ဨ䚸ᨭ᥼ဨ䛜ᣢ䛴ຍᕤ䝜䜴䝝䜴䛾ᥦ౪
㉸㧗⢭ᗘ㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨(125kV)

䠄3䠅ㄢ㢟ゎỴ䛻ྥ䛡䛯ᢏ⾡┦ㄯ䞉䝃䝫䞊䝖䜶䝑䝏䞁䜾ᢏ⾡᪂つ䝕䝞䜲䝇๰〇䜔◊✲ㄢ㢟䞉ᢏ⾡ㄢ㢟ゎỴ䜈ཎᏊᒙయ✚⿦⨨཯ᛂᛶ䜲䜸䞁䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䝦䝸䝁䞁䝇䝟䝑䝍䝸䞁䜾⿦⨨ホ౯ᢏ⾡䛭䛾௚ຍᕤᢏ⾡䜲䜸䞁䝡䞊䝮䝇䝟䝑䝍⿦⨨

FE-SEM㞟᮰䜲䜸䞁䝡䞊䝮ຍᕤ⿦⨨㉸㧗⢭ᗘ㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨(100kV)㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨(30kV)

ICP䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨

利用事例⿦⨨ྡ(ᆺᘧ)㉸㧗㏿䝇䜻䝱䞁㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖ELS-F130䠅㉸㧗⢭ᗘ㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖ELS-F125䠅㉸㧗⢭ᗘ㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖ELS-7000HM䠅㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖ELS-3700䠅
㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖ELS-7300䠅
䝺䞊䝄䞊┤᥋ᥥ⏬⿦⨨䠄䝛䜸䜰䞊䜽:DDB-201䠅୧㠃䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘䠄䝈䞊䝇䝬䜲䜽䝻䝔䝑䜽䠖MA-6䠅
䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘䠄䝭䜹䝃䠖MA-20䠅
┿✵⵨╔⿦⨨ (䝃䞁䝞䝑䜽䠖ED-1500R)
䝥䝷䝈䝬CVD⿦⨨(䝃䝮䝁䠖PD-220ESN)ᾮయ䝋䞊䝇䝥䝷䝈䝬㻯㼂㻰⿦⨨䠄䝃䝮䝁䠖PD-10C1䠅
䝦䝸䝁䞁䝇䝟䝑䝍䝸䞁䜾⿦⨨(䜰䝹䝞䝑䜽䠖MPS-4000C1/HC1)
䜲䜸䞁䝡䞊䝮䝇䝟䝑䝍⿦⨨(䜰䝹䝞䝑䜽䠖IBS-6000)
ཎᏊᒙయ✚⿦⨨(䝢䝁䝃䞁♫〇䠖SUNALE-R)
㻭㻸㻰〇⭷⿦⨨䠄Cambride NanoTech䠖Savannah 100䠅㉸㧗┿✵5※䝦䝸䝁䞁䝇䝟䝑䝍䠄Ⳣ〇సᡤ䠖Av028㸧
䝟䝹䝇䝺䞊䝄䞊ሁ✚⿦⨨䠄䝟䝇䜹䝹䠖PAC-LMBE䠅㻱㻮ຍ⇕䞉᢬ᢠຍ⇕⵨╔⿦⨨䠄䜰䝹䝞䝑䜽䠖EBX-8C䠅
ICP㧗ᐦᗘ䝥䝷䝈䝬䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䠄䝃䝮䝁䠖RIE-101iPH䠅
ICP䝗䝷䜲䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䠄ఫ཭⢭ᐦ䠖SPM-200䠅
ICPຍᕤ⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖EIS-700䠅䝗䝷䜲䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䠄䜰䝹䝞䝑䜽䠖NLD-500䠅
཯ᛂᛶ䜲䜸䞁䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䠄䝃䝮䝁䠖RIE-10NRV䠅䜲䜸䞁䝭䝸䞁䜾⿦⨨䠄䜰䝹䝞䝑䜽䠖IBE-6000S䠅ECRຍᕤ⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖EIS-200ER䠅㧗ศゎ⬟㟁⏺ᨺᑕᆺ㉮ᰝᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄᪥ᮏ㟁Ꮚ♫〇䠖JSM-6700FT䠅⎔ቃヨ㦂ჾ䠄䜶䝇䝨䝑䜽䠖SH-221䠅䝕䝆䝍䝹㢧ᚤ㙾䠄䝝䜲䝻䝑䜽䝇䠖KH-7700䠅
ኴ㝧㟁ụホ౯䝅䝇䝔䝮䠄䝽䝁䝮㟁๰䠖WXS-156S-L2,AM1.5GMM䠅
FIBຍᕤ⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠖EIP-3300F䠅
┿✵⣸እ㟢ග⿦⨨炷䜶䝚ᕤᡣ䠖䝣䜷䝖䜽䝸䜶䞊䝍䞊PC-01-H炸ୖグ⿦⨨䜢Ꮫෆ2䞄ᡤ䛾䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮䠄䜽䝷䝇100䚸䜽䝷䝇10000䠅䛻タ⨨䚹䝗䝷䝣䝖タഛ䛺䛹䜒᏶ഛ䚹

利用形態と利用料金
䜾䝷䝣䜵䞁䝘䝜䝕䜱䝇䜽స〇䝥䝻䝉䝇䛾㛤Ⓨ䛸ගᏛホ౯༢୍ᾋ㐟⣽⬊䛾䝝䞁䝗䝸䞁䜾䚸ᅛᐃྍ⬟䛺䝬䜲䜽䝻ὶ㊰䝕䝞䜲䝇䛾స〇໭ᾏ㐨኱Ꮫ኱Ꮫ㝔ಖ೺⛉Ꮫ㝔 ⦾ᐩ䠄ᰩᯘ䠅㤶⧊㻌㻌໭ᾏ㐨኱Ꮫ ▼⏣ ࿘ኴ㑻㻘 ⏣୰ 㝯௓㻘 ࿴⏣ ᓫ㻘 ➉஭ ᾴ㻌㻌䕔 ฼⏝ㄢ㢟䛾┠ⓗ䠖 ⣽⬊䛛䜙⬡⫫⁲䜢ྲྀ䜚ฟ䛧ศᯒ䛩䜛䛣䛸䛷䚸⢾ᒀ⑓䛺䛹䛾᪩ᮇⓎぢ䛻䛴䛺䛜䜛䚹ᾋ㐟䛧䛶䛔䜛⣽⬊䛛䜙ᚤ㔞䛺⬡⫫⁲䜢᦬ฟ䛩䜛䛯䜑䛻䝬䜲䜽䝻ὶ㊰䛸ᚤ⣽Ꮝ䜢䜒䛴༢୍ᾋ㐟⣽⬊䛾ᅛᐃ໬䝕䝞䜲䝇
䛾㛤Ⓨ䜢⾜䛳䛯䚹䕔 ᨭ᥼䛧䛯ෆᐜ䠖 ᚤ⣽ຍᕤ䛾⤒㦂䛜䛒䛳䛯䛣䛸䛛䜙䚸ᮏᏛ䛷䛾䝣䜷䝖䝸䝋䚸䜶䝑䝏䞁䜾䛻㛵䛩䜛ㅮ⩦䜢ᐇ᪋䚹䕔 ᚓ䜙䜜䛯ᡂᯝ䠖 ┠ⓗ䛸䛩䜛ᾋ㐟⣽⬊䜢ᅛᐃ໬䛩䜛䝕䝞䜲䝇స〇䛻฿㐩䛧䚸᪂䛧䛔◊✲άື䜈䛾㊊䛜䛛䜚䛜䛷䛝䛯䚹䕔 ฼⏝ㄢ㢟䛾┠ⓗ䠖 ᙧ≧䚸㓄⨨䚸ᒙᩘ䜢ไᚚ䛧䛯䜾䝷䝣䜵䞁䝘䝜ᵓ㐀స〇䝥䝻䝉䝇䜢㛤Ⓨ䛧䚸స〇䛧䛯䜾䝷䝣䜵䞁䝘䝜ᵓ㐀䛾ᙧ≧ホ౯ᡭἲ䛾☜❧䛸ඹ䛻ගᏛ≉ᛶ䛾ホ౯䜢⾜䛖䚹䕔 ᨭ᥼䛧䛯ෆᐜ䠖 㟁Ꮚ⥺䝸䝋䜾䝷䝣䜱䞊ᢏ⾡䛻㛵䛧䛶䛾ᨭ᥼䚹䕔 ᚓ䜙䜜䛯ᡂᯝ䠖 䜾䝷䝣䜵䞁䛾Ḟ㝗⏤᮶䛾D䝞䞁䝗䛸2ḟඖᵓ㐀⏤᮶䛾G䝞䞁䝗䛾ಙྕᙉᗘẚ䛸䝕䝞䜲䝇䝃䜲䝈䛸䛾┦㛵ホ౯䛻ᡂຌ
㻯㼞䝬䝇䜽䜢฼⏝䛧䛯ᚤ⣽ຍᕤᚋ䛾䜾䝷䝣䜵䞁䝘䝜䝅䞊䝖䛾䝷䝬䞁ᐃヨ⾜ⓗ฼⏝䛷
⏘⥲◊䜈ᾋ㐟⣽⬊ᅛᐃ໬䝕䝞䜲䝇䛾ᶍᘧᅗ䚹⣽⬊ᅛᐃ໬ᚋ䛻⬡⫫⁲䜢ྲྀ䜚ฟ䛩䚹ᾋ㐟⣽⬊䛾ᅛᐃ໬䛻ᡂຌタィ䝃䜲䝈䛻ᛂ䛨䛯䝷䝬䞁䝇䝨䜽䝖䝹䝅䝣䝖䛜ほᐹ䛥䜜䛯㉸㧗㏿䝇䜻䝱䞁㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䛻䜘䜛䝺䞁䝈䝕䝞䜲䝇స〇䡚᭤㠃ᥥ⏬䜔኱㠃✚ᥥ⏬䜈䛾ྲྀ䜚⤌䜏䡚฼⏝⪅⮬䜙䛜ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᨭ᥼ᢏ⾡௦⾜⿦⨨⟶⌮⪅䞉ᨭ᥼⪅䛜⿦⨨䛾᧯స䞉ゎᯒ䜢௦⾜ඹྠ◊✲ᨭ᥼஦ᴗཧ⏬ᩍဨ䛸฼⏝⪅䛻䜘䜛ᡂᯝබ㛤ᆺඹྠᢏ⾡┦ㄯຍᕤᢏ⾡඲⯡䜈䛾䝁䞁䝃䝹䝍䞁䝖䛸䛧䛶䛾ᨭ᥼ከᵝ䛺ⷧ⭷ᙧᡂᨭ᥼
䡚㧗ᶵ⬟䞉㧗⢭ᗘ㉸ⷧ⭷స〇䡚ཎᏊᒙሁ✚⿦⨨䠄䝢䝁䝃䞁〇 SUNALE䠅௙ᵝ⿦⨨䠖㉸㧗㏿䝇䜻䝱䞁㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇〇 ELS-F130HM䠅ຍ㏿㟁ᅽ䠖㻝㻟㻜㼗㼂
ヨᩱ䝃䜲䝈䠖㻤䜲䞁䝏ゅᑐᛂ㧗䜽䝻䝑䜽໬䚸᭤㠃ᥥ⏬ᶵ⬟㻿㻱㻹ほᐹ䛷䜾䝷䝣䜵䞁䜢ྍど໬ගᏛ≉ᛶ䛾䝃䜲䝈౫Ꮡᛶ䛜᫂☜䛻䟿ᶵჾ฼⏝1mmゅ䛾200nm෇ᙧᥥ⏬
䛜20ศ䛷᏶஢

ᡂ⭷ྍ⬟ᮦᩱ䠖㼀㼕㻻㻞䚸㻭㼘㻞㻻㻟䚸㻿㼕㻻㻞䛺䛹
ヨᩱ䝃䜲䝈䠖㻢䜲䞁䝏䃅ᑐᛂຍ⇕ᶵᵓ䠄㻢㻜㻜ᗘ䠅᭷䜚䚸䜸䝌䞁฼⏝ྍ⬟䝟䝹䝇䝺䞊䝄䞊ሁ✚⿦⨨䠄䝟䝇䜹䝹〇䠅฼⏝ᩱ㔠ᕤኵḟ➨䛷5ศ䛷᏶஢ᮏᏛつ⛬䛾ᶵჾ฼⏝ᩱ㔠䜢⿦⨨䛾౑⏝᫬㛫䛻ᛂ䛨䛶ㄢ㔠㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䛷䛣䛾䜘䛖䛺」㞧䛺ᙧ≧䛾ຍᕤ䜒ྍ⬟䛷䛩䟿」㞧䛺ᙧ≧䜈䜒ᆒ୍䛺ᡂ⭷䛜ྍ⬟䝟䝹䝇䝺䞊䝄䞊ሁ✚⿦⨨㻱㻮䝸䝋䜾䝷䝣䜱䞊䠇㼃㻿㼕䜶䝑䝏䞁䜾
䝺䞁䝈᭤㠃䛻䜒ᥥ⏬ྍ⬟!

㻞㼏㼙ゅᇶᯈ䜈䛾㧗ရ㉁ⷧ⭷స〇㻾㻴㻱㻱㻰⿦ഛ
㻤㻜㻜ᗘ䜎䛷䛾ᇶᯈຍ⇕ᶵᵓ᭷䜚䛣䛾㎶䜚䛾⥺ᖜ
14 nm㻭㼘䠇㼀㼕䠇㻿㼕

䛣䛾௚䛻䜒ྜィ4ྎ䛾㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䛜฼⏝ྍ⬟⿦⨨฼⏝ᙧែ䚸ᢏ⾡┦ㄯ䚸฼⏝ᩱ㔠䛺䛹䚸ୗグ䛻䛚ၥ䛔ྜ䜟䛫ୗ䛥䛔䚹ᡂ⭷ᮦᩱ䛻䛴䛔䛶䛿せ┦ㄯ␗䛺䜛✀㢮䛾㓟໬⭷䛾✚ᒙᵓ㐀䜒స〇䛷䛝䜎䛩䚹䝘䝜䝯䞊䝖䝹䜸䞊䝎䞊䛾㧗ရ㉁㓟໬⭷䛾ᙧᡂ䛜ྍ⬟

問い合わせ：北海道大学創成科学研究機構 ナノテクノロジー連携研究推進室（松尾保孝）
E-mail: nanoplat@cris.hokudai.ac.jp，Phone: 011-706-9340
ホームページ http://www.cris.hokudai.ac.jp/cris/nanoplat/84

加工 PF-2 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォームᮾ໭኱Ꮫ䝘䝜䝔䜽⼥ྜᢏ⾡ᨭ᥼䝉䞁䝍䞊ᚤ⣽ຍᕤ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮
1,800m2 䛾 䜽 䝸 䞊 䞁 䝹 䞊 䝮 䛻 䛚 䛔 䛶 䚸
MEMS䜢୰ᚰ䛸䛧䛯༙ᑟయヨస㛤Ⓨ䝷䜲䞁䜢㛤ᨺ䛧䛶䛔䜎䛩䚹ᑠ∦䛛䜙6䜲䞁䝏䠄୍㒊8䜲䞁䝏䠅䜎䛷ᑐᛂ
䛩䜛100ྎ䜢㉸䛘䜛ඹ⏝䛾タഛ䛷䚸ᚲせ䛺⿦⨨䜢ᚲせ䛺᫬䛻฼⏝ྍ⬟䛷䛩䚹ᮾ໭኱Ꮫ䛻⵳✚䛥䜜䛯䝜䜴䝝䜴䜢䜒䛸䛻䚸䝕䝞䜲䝇䠋䝥䝻䝉䝇タィ䚸 ᐃ䚸⿦⨨᧯సᣦᑟ䛺䛹⤒㦂㇏ᐩ䛺䝇䝍䝑䝣䛜᭱኱㝈ᨭ᥼䛧䜎䛩䚹ேᮦ䛾⫱ᡂ䛻䜒ᙺ❧䛱䜎䛩䚹ᐇ᪋ሙᡤ䠖ᮾ໭኱Ꮫす⃝₶୍グᛕ◊✲䝉䞁䝍䞊 ヨస䝁䜲䞁䝷䞁䝗䝸୺䛺タഛ㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌䝺䞊䝄ᥥ⏬⿦⨨EBᥥ⏬⿦⨨LPCVD䠄SiN, Poly-Si, SiO2, SiON䠅PECVD 4ྎ䠄SiN, SiO2, TEOS-SiO2, a-Si, W䠅

Deep RIE䠄4ྎ䠅ከ⏝㏵RIE䞉NE-550䠄᪂つ䠅䝬䜲䜽䝻䝣䜷䞊䜹䝇X⥺CT㉸㡢Ἴ㢧ᚤ㙾

䝇䝔䝑䝟୧㠃䜰䝷䜲䝘

㓟໬ᣑᩓ⅔䠄7䝏䝳䞊䝤䠅୰㟁ὶ䜲䜸䞁ὀධ⿦⨨Si, Poly-Si 䜶䝢⅔䝇䝟䝑䝍⿦⨨䠄5ྎ䠅䜑䛳䛝⿦⨨ከ⏝㏵RIE䜲䜸䞁䝭䝸䞁䜾

UV䜲䞁䝥䝸䞁䝖

䜴䜵䝝᥋ྜ⿦⨨䠄2ྎ䠅䝺䞊䝄/ⓑⰍඹ↔Ⅼ㢧ᚤ㙾

SEM䠄2ྎ䠅TOF-SIMS䜿䝭䜹䝹䝗䝷䜲䜶䝑䝏䝱䞊䠄᪂つ䠅኱ཱྀᚄᑐᛂAFM฼⏝஦౛㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 ฼⏝ᩱ㔠㻌㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌㻌 㻌㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌ヨస䝕䝞䜲䝇䛾౛ຍ㏿ᗘ䝉䞁䝃䚸ゅ㏿ᗘ䝉䞁䝃䚸ᅽ䝉䞁䝃䚸☢Ẽ䝉䞁䝃䚸䝣䜷䝖䝎䜲䜸䞊䝗䚸ᨺᑕ⥺䝉䞁䝃䚸䜺䝇䝉䞁䝃䚸᣺ືⓎ㟁䝕䝞䜲䝇䚸ኴ㝧㟁ụ䚸ᅽ㟁䝕䝞䜲䝇䚸Ỉᬗ䝕䝞䜲䝇䚸Si䜑䛳䛝ᆺ䚸䝬䜲䜽䝻䝩䞁䛺䛹
༢ᕤ⛬䠄ᡂ⭷䚸䜶䝑䝏䞁䜾䛺䛹䠅䛾䜏䛾䛤฼⏝䜒኱Ḽ㏄䛷䛩䚹
䝅䝸䝁䞁䛾ᚤ⣽ຍᕤ䠄⛉Ꮫᢏ⾡᣺⯆ᶵᵓ䠅タഛ䚸ᢏ⾡ᨭ᥼䛻䛴䛔䛶䚸฼⏝᫬㛫䛻ᛂ䛨䛶ㄢ㔠䛔䛯䛧䜎䛩䚹䞉᪋タ౑⏝ᩱ : ¥610/h䠄Ꮫෆ¥420 /h䠅䞉ᢏ⾡ᨭ᥼ᩱ : ¥5,565 /h㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 䠄䝘䝜䝔䜽䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮฼⏝䛾ሙྜ䚸¥3,150 /h䠅䞉⿦⨨౑⏝ᩱ : ¥300䡚14,000 /h 䠄⿦⨨ẖ䛻タᐃ䠅䞉ᮦᩱ㈝䠖ᐇ㈝䠄⸆ရ䚸㈗㔠ᒓ䝍䞊䝀䝑䝖ᮦ䛺䛹౑䜟䜜䛯ሙྜ䠅฼⏝䛾䛤᱌ෆ㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 ㈝⏝䛸ᡤせ᫬㛫䛾౛㻌㻌㻌㻌㻌㻌㻌㻌㻌㻌㻌㻌㻌฼⏝⪅䛾᪉䛻┤᥋⿦⨨䜢᧯స䛧䛶䛔䛯䛰䛝䜎䛩䛜䚸䝇䝍䝑䝣䛜႐䜣䛷ᨭ᥼䛧䜎䛩䚹䛣䛾ศ㔝䛾௙஦䛜ึ䜑䛶䛾᪉䜒ከ䛟฼⏝䛥䜜䛶䛔䜎䛩䚹䛤┦ㄯ䚸ぢᏛ➼䚸኱Ḽ㏄䛷䛩䛾䛷䚸ୗグ䜎䛷Ẽ㍍䛻䛚ၥྜ䛫䛟䛰䛥䛔䚹

MEMSᅽຊ䝉䞁䝃 䠖 ᭱▷䛷3㐌㛫䚸㈝⏝⣙30୓෇䝅䝸䝁䞁䜴䜵䝝䛾ᚤᑠ✰సᡂ 䠖 ᭱▷䛷3᪥㛫䚸㈝⏝⣙5୓෇㔠ᒓⷧ⭷ᡂ⭷ 䠖 ᭱▷䛷༙᪥䚸㈝⏝⣙1୓෇䛤฼⏝䜢䛚ᚅ䛱䛧䛶䛚䜚䜎䛩䟿

問い合わせ：東北大学試作コインランドリ
問い合わせ：ナノテクノロジープラットフォーム（東北大学西澤潤一記念研究センター内）
××××室（氏名）戸津 健太郎E-mail: totsu@mems.mech.tohoku.ac.jp，Phone:
E-mail: xxx@nims.go.jp，Phone:022-229-4113
xxx-xxx-xxx
ホームページ
ホームページ http://cints-tohoku.jp/
http://www.xxxxxxxx

85

加工 PF-3 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム

 450m2䛾䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮䛻40ྎ௨ୖ䛾⿦⨨⩌䜢㞟⣙ 䝘䝜䡚䝭䝸䝇䜿䞊䝹䛻䜟䛯䜛ᚤ⣽ຍᕤ䞉⣲Ꮚస〇䜢ᨭ᥼ ከ✀ከᵝ䛺ᮦᩱຍᕤ䛻ᑐᛂྍ⬟ ᶵჾ฼⏝䞉ᢏ⾡⿵ຓ䞉ᢏ⾡௦⾜䛷䛾฼⏝䛜ྍ⬟ ᚤ⣽ຍᕤ䝇䝨䝅䝱䝸䝇䝖䛻䜘䜛඘ᐇ䛧䛯䝃䝫䞊䝖⎔ቃ ኱Ꮫ䛛䜙Ẹ㛫௻ᴗ䜎䛷ᖜᗈ䛔ᨭ᥼䞉ேᮦ⫱ᡂ䜢✚ᴟⓗ䛻᥎㐍 ௚ᶵ㛵䚸௚䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䛸䛾㐃ᦠ฼⏝䜒䝃䝫䞊䝖

NIMSᚤ⣽ຍᕤ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮 ᥦ౪᪋タ䞉⿦⨨䝅䝸䝁䞁㓟໬䞉⇕ฎ⌮⅔䝎䜲䝅䞁䜾䝋䞊

UV䜸䝌䞁
䜽䝸䞊䝘䞊

RTA

125kV㟁Ꮚ䝡䞊䝮ᥥ⏬⿦⨨᭷ᶵ䝗䝷䝣䝖
㓟໬⭷RIE⿦⨨Si῝᥀RIE⿦⨨㓟⣲䝥䝷䝈䝬
䜰䝑䝅䝱䞊

䜴䜶䝝RTA䜶䜻䝅䝬䜽䝸䞊䝘䞊䜽䝸䞊䞁䝧䞁䝏䝺䞊䝄䞊㟢ග⿦⨨䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘䞊
UHV⵨╔⿦⨨㧗㏿䝬䝇䜽䝺
䝇㟢ග⿦⨨䝘䝜䜲䞁䝥䝸䞁䝖⿦⨨᭷ᶵ䝗䝷䝣䝖
UHV䝇䝟䝑䝍⿦⨨

100kV㟁Ꮚ䝡䞊䝮ᥥ⏬⿦⨨㓟䞉䜰䝹䜹䝸
䝗䝷䝣䝖䜽䝸䞊䞁䝧䞁䝏

ᡭື䝇䜽䝷䜲䝞䞊

ཎᏊᒙሁ✚⿦⨨PECVD
䜶䝸䝥䝋䝯䞊䝍
FE-SEM

FIB-SEM᭷ᶵ䝗䝷䝣䝖
໬ྜ≀RIE⿦⨨

3D䝺䞊䝄䞊㢧ᚤ㙾䜸䝇䝭䜴䝮䝁䞊䝍
ከ┠ⓗRIE⿦⨨஧Ἴ㛗䛷ᶵ⬟䛩䜛ᅇᢡ䝡䞊䝮䝇䝥䝸䝑䝍䛾◊✲ᮾὒ኱Ꮫ㻌 㻌 ⠛ᓮ ඃ䚸ᑽᏊ ῟㧗㏿䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨䜢⏝䛔䛶䚸▼ⱥᇶᯈୖ䜈ሬᕸ䛧䛯䝺䝆䝇䝖䛻䜾䝺䞊䝇䜿䞊䝹㟢ග䜢⾜䛔䚸ᅇᢡ䝡䞊䝮䝇䝥䝸䝑䝍䠄DBS: DiīrĂĐƟve BeamSpliƩer䠅䝟䝍䞊䞁䜢స〇䛧䛯䚹ᅗ䠎䛿⌧ീᚋ䛾䝺䝆䝇䝖䝟䝍䞊䞁䛾䠏ḟඖ䝺䞊䝄䞊㢧ᚤ㙾䛷䛒䜛䚹พฝ䛾᭱኱῝䛥䛿6.2Pm䛷䛒䜛䚹Ἴ㛗䛾␗䛺䜛
CW䝺䞊䝄䞊䜢⏝䛔䛶DBS䛾䝡䞊䝮ศᒱᛶ⬟䜢ᅗ䠏䛻♧䛧䛶䛔䜛䚹Ἴ㛗
1064nm䛷䛿0, 㼼1, 㼼2ḟ䜈䚸Ἴ㛗532nm䛷䛿0, 㼼2, 㼼4ḟ䜈ග䜶䝛䝹䜼䞊䛜㞟୰䛧䛶䛚䜚䚸ᮏ⣲Ꮚ䛻䜘䛳䛶஧Ἴ㛗DBS䛾ཎ⌮䜢᳨ド䛷䛝䛯䚹AFM඲⮬ື䝇䝟䝑䝍⿦⨨

12㐃㟁Ꮚ㖠ᆺ⵨╔⿦⨨

NIMSᚤ⣽ຍᕤPF ฼⏝஦౛

NIMSᚤ⣽ຍᕤPF ฼⏝ᐇ⦼䠄௳䠅฼⏝䛾ὶ䜜䠋฼⏝ᩱ㔠฼⏝௳ᩘ䛸฼⏝ᩱ཰ධ䛾᥎⛣150

H28ᖺᗘ䛿4-12᭶ᐇ⦼

120

18

90

56

23
14

18

66

57

௻ᴗ

STEP3
ㄢ㢟ᑂᰝ

STEP4
ᨭ᥼ᐇ᪋
᪋

STEP5
ᩱ㔠ㄳồ
ồ

STEP6
ሗ࿌᭩ᥦฟ

20,000฼⏝ᩱ㔠༢౯ 䠄᫬㛫ㄢ㔠ᚑ㔞ไ䠅㻌 㻌 ͤ⛯ᢤ
10,0000H26኱Ꮫᶵჾ฼⏝ ᢏ⾡⿵ຓ

39

17

H25

STEP2
ㄢ㢟⏦ㄳ
ㄳ

30,000

58
41

H24

STEP1
฼⏝┦ㄯ
ㄯ

40,000

63

30
15

䠄༓෇䠅

50,000

13

60

60

0

䜲䜸䞁䝁䞊䝍

H27

H28

බⓗᶵ
බⓗᶵ㛵

ᡤᒓ䜢ၥ䜟䛪䚸฼⏝䜢ཷ䛡ධ䜜䛶䛔䜎䛩

125kV㟁Ꮚ䝡䞊䝮ᥥ⏬⿦⨨

6,300
෇䠋᫬

100kV㟁Ꮚ䝡䞊䝮ᥥ⏬⿦⨨FIB-SEM䝎䝤䝹䝡䞊䝮⿦⨨

4,300
෇䠋᫬

㧗㏿䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨㓟໬⭷䝗䝷䜲䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨

3,300
෇䠋᫬

ୖグ௨እ䛾⿦⨨

2,300
෇䠋᫬

ᶵჾ฼⏝
+1,500
෇䠋᫬

ᢏ⾡௦⾜

ᶵჾ฼⏝
+2,250䡚
4,500෇䠋᫬ͤୖグ㔠㢠䛿኱Ꮫ䞉බⓗ◊✲ᶵ㛵ᡤᒓ฼⏝⪅䛾༢౯୰ᑠ௻ᴗ฼⏝⪅䛿ୖグ㽢䠎䚸኱௻ᴗ฼⏝⪅䛿ୖグ㽢䠏

問い合わせ：NIMS微細加工プラットフォーム （津谷 大樹）
E-mail: TSUYA.Daiju@nims.go.jp，Phone: 029-859-2349
ホームページ http://www.nims.go.jp/nfp/

86

加工 PF-4 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム

微細加工プラットフォーム
国立研究開発法人産業技術総合研究所
ᴾ ᴾ ငಅ২ᘐዮӳᄂᆮ৑ỂỊಮẉễЎ᣼ỆấẟềẆ
ؕᄽẦỤࣖဇộỂࠢ࠼ẟᄂᆮ᧏ႆầᘍỪủềấụẆ
ẮủộỂؔẾềẨẺἠỸἡỸểểờỆσဇ଀ᚨử࠼Ẫᅈ˟Ệπ᧏ẴỦẮểỆợụẆỶἠἫὊἉἹὅỉоЈửਖ਼ᡶẲềẟộẴẇ
ᴾ ᴾ ἜἠἩἿἍἉὅἂσဇ଀ᚨίᵬᵮᵤᵇỂỊẆ‫ݱ‬༾ẦỤᾂ῍ᾇỶὅἓؕெộỂỉಮẉễ஬૰ỉࣇኬь߻ẆᚘยὉᚸ̖ẆἙἢỶἋᚾ˺ửӧᏡỆẴỦέᇢೞ֥ᘺፗ፭ửૢͳẲềấụẆ‫ܼᧉݦ‬ỆợỦ২ᘐႻᛩẆᘺፗМဇἚἾὊἝὅἂẆ২ᘐૅੲἇὊἥἋử੩̓ẴỦểểờỆẆᒉ৖ᄂᆮᎍở᭗ࡇ২ᘐᎍỉʴ஬Ꮛ঺ửᘍẾềẟộẴẇငዮᄂỉσဇ଀ᚨửắᐯ៲ỉᄂᆮὉ᧏ႆỆ଱᩼ắ෇ဇɦẰẟẇ

ナノプロセシング施設ᐇ⩦㢼ᬒ䠢䠥䠞ᐇ㊶䝉䝭䝘䞊

研究設備、及び利用事例i ⥺䝇䝔䝑䝟䞊䛻䜘䜛ᅇ㊰䝟䝍䞊䞁ᙧᡂ䠢䠥䠞䛻䜘䜛䝘䝜ຍᕤ

Al2O3
Al
Al2O3
ங㓟⳦
㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䛻䜘䜛䠍䠍㼚㼙 ᚤ⣽䝟䝍䞊䞁䝘䝜䝥䝻䞊䝞䞊䛻䜘䜛䠟䠪䠰䛾㟁Ẽᐃ㉮ᰝ䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾㻭㼘㻞㻻㻟㻘㻌㻿㼕㻻㻞㻘㻌㻭㼘㻺㻘㻌㻿㼕㻺㻘㻌㼀㼕㻻㻞㻘㼀㼍㻞㻻㻡㻘㻌㼆㼚㻻㻘㻌㻴㼒㻻㻞㻘㻌㻾㼡SiཎᏊᒙሁ✚⿦⨨䠄䠝䠨䠠䠅ங㓟⳦䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨䛻䜘䜛䠏ḟඖ❧య㟢ග஧ḟ䜲䜸䞁㉁㔞ศᯒ⿦⨨䠄䠯䠥䠩䠯䠅

共用施設等利用制度ኖഘỆؕỀẟẺσဇ଀ᚨМဇ‫ڎ‬ኖỆợỦắМဇ૾ඥửắဇॖẲềấụộẴẇᛇኬỆếẟềỊẆỶὅἑὊ἟ἕἚ౨ኧἇỶἚỂẒσဇ଀ᚨሁМဇኖഘẓỂ౨ኧẪẻẰẟẇ ኖഘСࡇỆỊഏỉợạễཎᧈầắằẟộẴẇ
ᴾ ᴾ ᾀώМဇኖഘỆؕỀẟẺဎᛪὉ‫ׅ‬ሉἫὊἋỂᡶỜộẴỉỂẆМဇ৖ዓẨầቇҥỂẴẇ
ᴾ ᴾ ᾁώМဇỆợụႆဃẲẺჷႎᝠငೌỊҾЩểẲềМဇᎍỆ࠙‫ޓ‬ẲộẴẇᴾ ᴾ ᾂώଢღễᅼ݅ऴ‫إ‬ሥྸỉἽὊἽửஊẲềẟộẴẇ
ᴾ ᴾ ᾃώҥ̖ᘙἫὊἋỆợỦМဇ૰᣿ỂẆМဇἅἋἚỉᙸᡫẲầᇌềởẴẟСࡇểễẾềẟộẴẇ
ᛇኬỆếẨộẲềỊɦᚡỉσဇἋἘὊἉἹὅỆấբẟӳỪẶẪẻẰẟẇ

問い合わせ: ＴＩＡ推進センター 共用施設ステーション
E-mail: tia-kyoyo-ml@aist.go.jp, Phone: 029-861-3210
ホームページ https://ssl.open-innovation.jp/npf/

87

加工 PF-5 概要ᩥ㒊⛉Ꮫ┬ࢼࣀࢸࢡࣀࣟࢪ࣮ࣉࣛࢵࢺࣇ࢛࣮࣒஦ᴗ

ᚤ⣽ຍᕤࣉࣛࢵࢺࣇ࢛࣮࣒
ಒᙲ Outline ሇඬ‫ࣇܖٻ‬ኬь߻ἩἻἕἚἧỻὊἲỊẆἜἠỺἾἁἚἿἝἁἋЎ᣼ỆấẬỦἙἢỶἋὉ஬૰ỉᚨᚘẦỤ˺঺Ẇᚸ̖ộỂỉዮӳႎễ২ᘐૅੲử੩̓ẲộẴώཎỆẆἙἢỶἋἉἱἷἾὊἑỆợỦእ‫܇‬ನᡯỉᚨᚘẆἣἑὊὅ৲ࢨἼἏἂἻἧỵὊ২ᘐẆᵤᵧᵠỆợỦ᭗ችࡇឬࣇኬь߻২ᘐሁửဇẟễầỤ᭗ࡇễἙἢỶἋ˺঺২ᘐửૅੲẲộẴώộẺẆ҅᧙ி‫؏ע‬ỉπႎᄂᆮೞ᧙ởൟ᧓˖ಅồỉ২ᘐૅੲửᆢಊႎỆᘍẾềẟộẴώWe provide total technical support in the nano-electronics field through device design, fabrication,
testing, and analysis. We support advanced device research and development throughfundamental technology components, such as device structure design and simulation using the
SILVACO CAD tools, pattern projection lithography system using digital mirror, and nanomachining
and/or deposition with our FIB-SEM system. We also promote technical support for industries andresearch institutes around the northern Kanto area.

ɟᝦẲẺᄂᆮૅੲửӧᏡểẴỦࣇኬь߻ᘺፗ፭
Fine processing facilities for total research assistanceᮏ஦ᴗ䛾ඹ⏝タഛ䞉䝥䝻䝉䝇䠋䝕䝞䜲䝇䝅䝭䝳䝺䞊䝍䞊 㻔ATHENA/ATLAS 䛭䛾௚, SILVACO㻕䞉䝇䝟䝑䝍䝸䞁䜾⿦⨨ 㻔CFS-4EP-LL/i-miller, Ⱚᾆ䝯䜹䝖䝻䝙䜽䝇㻕䞉ከඖ㟁Ꮚ䝡䞊䝮⵨╔⿦⨨ 㻔EB-350T, 䜶䜲䝁䞊㻕䝕䝞䜲䝇䝅䝭䝳䝺䞊䝍䞉䝺䞊䝄䞊ᥥ⏬⿦⨨ 㻔DWL 66, Heidelberg instruments㻕䞉㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨ 㻔ELS-7500EX, ELIONIX♫㻕ᵓ᝿䞉タィ䞉
䞉䝟䝍䞊䞁ᢞᙳ䝸䝋䜾䝷䝣䜱䝅䝇䝔䝮 㻔ȝ3*+HLGHOEHUJinstruments㻕䝅䝭䝳䝺䞊䝅䝵䞁
䞉䜲䞁䜽䝆䜵䝑䝖䝟䝍䞊䞁⏕ᡂ⿦⨨ (SDO50, SIJ䝔䜽䝜䝻䝆♫㻕䞉䝬䝇䜽䜰䜰䜲䝘䞊 䠄Q2001CT, Neutronix-Quintel䠅
䞉䜴䜵䞊䝝䝎䜲䝅䞁䜾䝬䝅䞁 㻔DAD322, DISCO㻕ᡂ⭷䞉཯ᛂᛶ䜲䜸䞁䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨ 㻔RIE-10NR, 䝃䝮䝁㻕
䞉᥋ゐᆺᙧ≧ ᐃჾ 㻔Dektak3ST, Ulvac㻕
䞉FIB-SEM 㻔Helios NanoLab600i, FEI㻕㟁Ꮚ⥺⵨╔⿦⨨ 䝇䝟䝑䝍䝸䞁䜾⿦⨨䞉FE-SEM 㻔㻌SU-8020, ᪥❧䝝䜲䝔䜽㻕
䞉AFM 㻔Multimode8/Dimension Icon, Bruker㻕䞉༙ᑟయ≉ᛶホ౯⿦⨨ 㻔B1500A, Agilent㻕
Shared facilities
䞉Process / device simulator (ATHENA, ATLAS, and others, SILVACO)
䞉Sputtering equipment (CFS-4EP-LL/i-Miller, Shibaura Mechatronics)
䞉Multiple electron beam evaporation equipment (EB-350T, Eiko)䞉Laser patterning equipment (DWL 66, Heidelberg instruments)
䞉Electron beam lithography equipment (ELS-7500EX, ELIONIX)
䞉3DWWHUQSURMHFWLRQOLWKRJUDSK\V\VWHP ȝ3*+HLGHOEHUJLQVWUXPHQWV䞉Inkjet pattern generation equipment (SDO50, SIJ Technology)
䞉Mask aligner (Q2001CT, Neutronix-Quintel)
䞉Wafer dicing machine (DAD322, DISCO)
䞉Reactive Ion Etching System (RIE-10NR, Samco)
䞉Stylus Profile meter (Dektak3ST, Ulvac)
䞉FIB-SEM (Helios NanoLab600i, FEI)
䞉FE-SEM (SU-8020, Hitachi High-Tech)䞉AFM (Multimode 8 and Dimension Icon, Bruker)
䞉Semiconductor Measurement System (B1500A, Agilent)ૅੲʙ̊ Case䠖⤌❧䛶䞉䝟䝑䜿䞊䝆䜴䜵䝝䞊䝎䜲䝅䞁䜾䝬䝅䞁ศᯒ䞉ほᐹ䞉ホ౯㟁⏺ᨺฟᆺ㻿㻱㻹
䝺䞊䝄䞊ᥥ⏬⿦⨨㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨㻲㻵㻮㻌㻿㻱㻹

䜲䞁䜽䝆䜵䝑䝖
䝟䝍䞊䞁⏕ᡂ⿦⨨

䜶䝑䝏䞁䜾
ຍᕤホ౯

᧯సᆺ䢈䢛䢗䡬䢈䢚㢧ᚤ㙾䝟䝍䞊䞁ᢞᙳ
䝸䝋䜾䝷䝣䜱䞊
䝅䝇䝔䝮䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘䞊㻾㻵㻱ゐ㔪ᘧ⾲㠃ᙧ≧Мဇ૰᣿ί

FIB-6(0REVHUYDWLRQRIEHHWOHV¶PLFURVWUXFWXUHV;ϭͿ

㟁Ẽ≉ᛶ ᐃ䡡ᶵ⬟ホ౯䝸䝋䜾䝷䝣䜱

ỆợỦဍᖓỉࣇኬನᡯᚇ‫ݑ‬䛆◊✲┠ⓗ䛇 䝍䝬䝮䝅䜢ጞ䜑䛸䛧䛶ከ䛟䛾᪻⹸䛿ග䛾Ἴ㛗䝃䜲䝈䛾ᚤ⣽ᵓ㐀䜢฼⏝䛧䛶䚸㩭䜔䛛䛺Ⰽ䜢⏕䜏ฟ䛧䛶䛔䜛䚹ᮏ◊✲䛷䛿ᵓ㐀Ⰽ䜢ᣢ䛴⏥⹸䛻ὀ┠䛧䚸Ⰽ䛾ཎᅉ䛸䛺䜛ᚤ⣽ᵓ㐀䜢㻲㻵㻮㻙㻿㻱㻹㻌㻔㻲㼕㼓㻚㻌㻝㻕䜢฼⏝䛧䛶ほᐹ䛩䜛䛣䛸䜢ヨ䜏䛯䚹༙ᑟయ≉ᛶホ౯䡸䡹䡿䢍;ϮͿ䛆ᡂ ᯝ䛇 ᑐ㇟䛸䛧䛯⏥⹸䛿䝌䜴䝮䝅䛾୍✀䛷䛒䜛䚹䛣䛾䝌䜴䝮䝅 㻔㻲㼕㼓㻚㻌㻞㻕䛾య⾲䛻䛿㫣∦䛸࿧䜀䜜䜛኱䛝䛥ᩘ༑䝬䜲䜽䝻䝯䞊䝍䞊⛬ᗘ䛾୸䛟
;ϯͿ;ϰͿ䛶ⷧ䛔ᯈ䛜䜃䛳䛧䜚䛸୪䜣䛷䛚䜚䚸䛭䛾୍ᯛ୍ᯛ䛜㩭䜔䛛䛺Ⰽ䜢ᣢ䛳䛶䛔䜛䠄㻲㼕㼓㻚㻌㻟䠅䚹䜎䛪䚸㫣∦⾲㠃䛻䛒䜛䜽䝏䜽䝷ᒙ䜢㻲㻵㻮㻙㻿㻱㻹䛾䜺䝸䜴䝮䜲䜸䞁䝡䞊䝮䛻䜘䛳䛶ྲྀ䜚㝖䛝䚸㻿㻱㻹ほᐹ䛻䜘䜚ᚤ⣽ᵓ㐀䜢ほᐹ䛧䛯䚹
ほᐹ䛾⤖ᯝ䚸㻲㼕㼓㻚㻌㻠㻌䛻♧䛩䜘䛖䛺」㞧䛺⥙䛾┠ᵓ㐀䛜㫣∦䛾ෆ㒊䛻ほᐹ䛥䜜䛯䚹⥙䛾┠䛾㛫㝸䛿㻝㻜㻜㼚㼙䛾䜸䞊䝎䞊䛷ග䛾Ἴ㛗䛷ᖸ΅䜢
;ϭͿ&/Ͳ^D;&/♫〇Ϳ䛾෗┿ ;ϮͿ୍⯡ⓗ䛺䝌䜴䝮䝅䛾෗┿㉳䛣䛩䛻䛿䛱䜗䛖䛹䜘䛔䝃䜲䝈䛷䛒䜛䚹䛣䛾⥙䛾┠ᵓ㐀䛜䝣䜷䝖䝙䝑䜽;ϯͿ㫣∦䛾^Dീ ;ϰͿ&/࡟ࡼࡿࢡࢳࢡࣛᒙ㸦㫣∦⾲㠃㸧⤖ᬗ䛸䛧䛶ാ䛝䚸ᵓ㐀Ⰽ䛾ཎᅉ䛷䛒䜛䛸⪃䛘䜙䜜䜛䚹⥙䛾┠䛾ලయⓗ㝖ཤᚋࡢ㫣∦ෆ㒊ࡢ^Dീ䛺ᵓ㐀䝰䝕䝹䜔⤖ᬗ㓄ྥ䛻㛵䛧䛶⌧ᅾヲ䛧䛔ゎᯒ䜢⾜䛳䛶䛔䜛䚹

ᐃჾ

Ў᧓ҥˮὸ

⿦⨨ྡ

฼⏝ᩱ㔠䠄Ꮫእ䠅䝕䝞䜲䝇䝅䝭䝳䝺䞊䝍䞊

680෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 2,660෇)䝇䝟䝑䝍䝸䞁䜾⿦⨨940෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 3,520෇)䝺䞊䝄䞊ᥥ⏬⿦⨨1,240෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 3,810෇)

FIB-SEM

5,680෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 10,190෇)㟁Ꮚ⥺⵨╔⿦⨨960෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 3,540෇)㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨2,680෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 5,260෇)㉮ᰝᆺ䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾

1,520෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 4,090෇)䜴䜵䝝䞊䝎䜲䝅䞁䜾䝬䝅䞁

600෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 3,180෇)

㟁⏺ᨺฟᆺ㉮ᰝ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾

1,380෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 3,960෇)䝟䝍䞊䞁ᢞᙳ䝸䝋䜾䝷䝣䜱䝅䝇䝔䝮480෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 3,060෇)䜲䞁䜽䝆䜵䝑䝖䝟䝍䞊䞁ᙧᡂ⿦⨨

1,420෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 3,990෇)཯ᛂᛶ䜲䜸䞁䜶䝑䝏䞁䜾

840෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 3,420෇)䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘䞊

200෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 2,780෇)

ゐ㔪ᘧ⾲㠃ᙧ≧ᐃჾ

160෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 2,140෇)༙ᑟయ≉ᛶホ౯䝅䝇䝔䝮

190෇ (ᢏ⾡௦⾜䞉ᢏ⾡⿵ຓ㎸ 4,150෇)ၥ࠸ྜࢃࡏ㸸⟃Ἴ኱Ꮫᚤ⣽ຍᕤࣉࣛࢵࢺࣇ࢛࣮࣒஦ົᒁ
(PDLOVWDII#XWVXNXEDQDQRWHFKMS3KRQH
࣮࣒࣮࣍࣌ࢪ KWWSZZZXWVXNXEDQDQRWHFKMS88

加工 PF-6 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォームἁἻἋᾀ䝇䞊䝟䞊䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮ểɟ්ỉᘺፗ፭ầʻἋἂẝễẺỉờỉỆὲிʮ‫ܖٻ‬

ឬࣇኬȪǽǰȩȕǣȸȷȊȎᚘยਗໜᲢ‫ᙹٻ‬೉ᨼᆢǷǹȆȠᚨᚘ૙ᏋᄂᆮǻȳǿȸᲣ

Nano Lithography and Measurement Platform/VLSI Design and Education Center, the University of Tokyo䝫䜲䞁䝖

3䝍䜲䝥䛾฼⏝ᙧែ䐟ሙᡤ䛸⿦⨨䛾ྲྀᚓ䠄㉸኱ᆺண⟬䠅䐠⎔ቃ䛾❧䛱ୖ䛢ㄪᩚ䐡⥔ᣢ⟶⌮䠄ᩍ⫱䞉䝷䞁䝙䞁䜾䝁䝇䝖䠅኱ᆺண⟬䛜௜䛔䛯䛸䛧䛶䜒䚸㌶㐨䛻஌䜛䛻䛿㍍䛟㻌 㻌
4䠈5ᖺ䛛䛛䜛䚹⥔ᣢ䛻䛿ẖᖺ൨䜢㉸䛘䜛㈝⏝䛜ᚲせ䚹฼⏝౛䐟᭱᪂䛾⿦⨨䜢౑䛘䜛ሙᡤ䛜බ㛤䛥䜜䐠⿦⨨䛿Ⰻ䛟⥔ᣢ⟶⌮ㄪᩚ䛥䜜䐡ᗮ౯䛻฼⏝䛷䛝䜛◊✲㛤Ⓨ䛾㎿㏿䛺❧䛱ୖ䛢䛜ྍ⬟䛸䛺䛳䛶䛔䜎䛩䝘䝜䝸䝋䜾䝷䝣䜱䛻䜘䜛㧗ឤᗘ㻼㼕㼑㼦㼛㼑㼘㼑㼏㼠㼞㼕㼏㻌㻹㼁㼀䛾㛤Ⓨ㻌 㻌 㻌 䝁䝙䜹䝭䝜䝹䝍ᰴᘧ఍♫䛆◊✲┠ⓗ䛇་⒪⏬ീデ᩿⏝㉸㡢Ἴ䝥䝻䞊䝤䛻䝘䝜䝸䝋䜾䝷䝣ᢏ⾡䜢⏝䛔䛯㻹㼁㼀㻔㻹㼕㼏㼞㼛㻙㼙㼍㼏㼔㼕㼚㼑㼐㻌㼁㼘㼠㼞㼍㼟㼛㼚㼕㼏㻌㼀㼞㼍㼚㼟㼐㼡㼏㼑㼞㼟㻕䜢౑䛖஦䛷䚸䝞䝹䜽ᅽ㟁ᮦ䜢⏝䛔䛯ᚑ᮶ᢏ⾡䛸ẚ䜉䚸㧗ឤᗘ䞉㧗ศゎ⬟໬䛜ᐇ⌧ྍ⬟䛛䛹䛖䛛䜢᳨ウ䛩䜛䚹ᮏᖺᗘ䛿ຍᕤୖ䛾ㄢ㢟ᢳฟ䛚䜘䜃Ỉ୰㈇Ⲵୗ䛷䛾ཎ⌮ືస䛾᳨ド䜢⾜䛳䛯䚹
Fig.1

Diaphragm Cross-ƐĞĐƟŽŶ Fig.2

䛆ᡂ㻌 㻌㻌㻌ᯝ䛇ᮾ኱䝘䝜䝔䜽䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮ᥦ౪䛾ᶵᮦ䜢౑⏝䛧䚸䝣䜷䝖䝸䝋䜾䝷䝣䜢౑⏝䛧䛯㟁ᴟ⵨╔䛸䜶䝑䝏䞁䜾䛻䜘䜛䝎䜲䜰䝣䝷䝮䛾ᙧᡂ䛧䚸ᇶᮏືస䜢☜ㄆ䚸♫䛷Ỉ୰㡢㡪ᛶ⬟䜢 ᐃ䚸䝖䝷䞁䝕䝳䞊䝃䛸䛧䛶ືసྍ⬟䛛䛹䛖䛛☜ㄆ䛧䛯䚹⾲㠃㟁ᴟ䛾సᡂ䛻䛴䛔䛶䚸㻿㻻㻵ᇶᯈୖ䛻㻼㼕㼑㼦㼛⭷䜢ᙧᡂ䛧䛯䝃䞁䝥䝹䜢⏝ព䛧䚸䝺䝆䝇䝖ሬᕸᚋ㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨㻔㻱㻮㻕䛻䛶䝟䝍䞊䞁䜢ᥥ⏬䚸⾲㠃㟁ᴟ䜢⵨╔䝸䝣䝖䜸䝣䛻䜘䜚ᙧᡂ䛧䛯䚹⿬㠃䛿㻱㻮ᥥ⏬䛻䜘䜚䜺䝷䝇䝬䝇䜽䜢సᡂ䚸⾲㠃㟁ᴟ䝟䝍䞊䞁䛸䚸䝞䝑䜽䝃䜲䝗䜰䝷䜲䝯䞁䝖䛻䜘䜛ྜ䜟䛫㟢ග䜢⿬㠃䛻⾜䛔䚸䝣䜷䝖䝺䝆䝇䝖䜢䝬䝇䜽䛻㻵㻯㻼㻙㻰㻾㻵㻱䛷䝃䝤䝇䝖䝺䞊䝖䜢῝ᇼ䛧䚸䝎䜲䜰䝣䝷䝮䜢ᣢ䛳䛯ヨస䝖䝷䞁䝕䝳䞊䝃䜢సᡂ䛧䛯䚹ホ౯⏝䛻䝖䝷䞁䝕䝳䞊䝃䜢䝽䜲䝲䞊䝪䞁䝕䜱䞁䜾䛷㓄⥺ᚋ䚸㜵Ỉ⏝䛾䝟䝸䝺䞁⭷䜢ᡂ⭷䚸Ỉ୰䛻䛚䛔䛯ヨస䝖䝷䞁䝕䝳䞊䝃⾲㠃䜢䝺䞊䝄䞊ᖸ΅ィ䛷 ᐃ䛧䛯䚹䝎䜲䜰䝣䝷䝮䛜Ỉ㈇Ⲵୗ䛻䛚䛔䛶ບ᣺䛧䚸㻹㻴㼦ᖏ䛷䛾ኚ఩䜢ほ 䛧䛯䚹䜎䛯ྠ䝃䞁䝥䝹䜢⏝䛔䛶䚸ᇶ‽㡢※䛸䝝䜲䝗䝻䝣䜷䞁䛻䜘䜚Ỉ୰ୗ䛷䛾㏦ཷಙឤᗘ䜢ᐃ㔞ホ౯䛧䛯䚹㻌 㻿㻱㻹ษ᩿ീ䛻䜘䜚䚸䝎䜲䜰䝣䝷䝮ཌ㻞䃛㼙ᚄ㻝㻜㻜䃛㼙䛾䝎䜲䜰䝣䝷䝮䛜ᙧᡂ䛷䛝䛶䛔䜛஦䜢☜ㄆ䚹㻔㻲㼕㼓㻚㻌㻝㻕䝎䜲䜰䝣䝷䝮䛾᣺ື≧ἣ䜢⾲㠃䝺䞊䝄䞊ᖸ΅ィ䛻䜘䜚䚸☜ㄆ䚸㻤㻡㻜㻌㻷㻴㼦䛷᣺ື䛩䜛䛣䛸䜢☜ㄆ䛧䛯䚹㻔㻲㼕㼓㻚㻌㻞㻕㏦Ἴ㡢㡪Ἴ䜢☜ㄆ䛩䜛Ⅽ䚸ヨస䝖䝷䞁䝇䝕䝳䞊䝃䜢እ㒊ಙྕ※䛷㥑ື䛧䚸Ⓨ⏕䛧䛯㡢Ἴ䜢䝝䜲䝗䝻䝣䜷䞁䛷ཷಙ䚸㡢㡪Ἴ䛜ฟ䛶䛔䜛䛣䛸䜢☜ㄆ䛧䛯䚹㻔㻲㼕㼓㻚㻌㻟㻕㡢㡪Ἴཷಙ☜ㄆ䛻䚸䝝䜲䝗䝻䝇䝢䞊䜹䛜Ⓨ䛧䛯㡢Ἴ䜢ヨస䝖䝷䞁䝇䝕䝳䞊䝃䛷ཷಙ䛧䚸ཷಙಙྕ䜢☜ㄆ䛧䛯㻔㻲㼕㼓㻚㻌㻠㻕௨ୖ䛛䜙䚸௒ᅇヨస䛧䛯䝖䝷䞁䝇䝕䝳䞊䝃䛾ᵓ㐀䚸䛚䜘䜃ຍᕤ᪉ἲ䛻䜘䛳䛶㡢㡪䝖䝷䞁䝇䝕䝳䞊䝃䜢ᙧᡂ䛩䜛䛣䛸䛜ྍ⬟䛷䛒䜚䚸Ỉ୰㈇Ⲵ䛻䛚䛔䛶ືసྍ⬟䛺䛣䛸䜢☜ㄆ䛧䛯䚹

DisplacemeŶt MeasuremeŶt

Fig.3

TrĂŶƐŵŝƚ ƐŽƵŶĚ waveform

Fig.4

Receive ƐŽƵŶĚ waveform䛆ᨭ᥼ᐇ᪋ᶵ㛵䛛䜙䛾䝁䝯䞁䝖䛇᥈⣴ⓗ◊✲䜢䛥䜜䛶䛔䛯௻ᴗ䛾◊✲䝏䞊䝮䛜䚸ᮾி኱Ꮫ䛾ᣢ䛴▷㼀㻭㼀ヨస⎔ቃ䛸䚸῝᥀䜚䝅䝸䝁䞁䜶䝑䝏䞁䜾䛻㛵䛩䜛῝䛔Ꮫ⾡▱䜢฼⏝䛩䜛䛣䛸䛻䜘䜚䚸▷ᮇ㛫䛻኱䛝䛺ᡂᯝ䜢ᚓ䛯ዲ౛䛷䛩䚹᭱㏆䛾ഴྥ䠖௚㒊ᒁ䞉Ꮫእ䞉௻ᴗ䛾Ⓩ㘓䛜ቑຍ䠄≉䛻௻ᴗ䠅

ඹ⏝஦ᴗ㻝㻣ᖺ䛾ᡂᯝ䠖 ◊✲ᐊ㽢㻝㻜ಸ

Ⓩ㘓◊✲ᐊ䛾᥎⛣50

௚኱Ꮫ(ᅜබ❧䠅Ꮫෆ䠄ᕤᏛ⣔䠅

45
40

኱௻ᴗ
Ꮫෆ௚㒊ᒁ

◊✲ᐊᩘ

35
30
25
20

୰ᑠ௻ᴗ
௚኱Ꮫ(⚾❧䠅
බⓗᶵ㛵

15
10

2012-2016䠖Ꮫෆ81◊✲ᐊᏛእ132◊✲ᐊ

5
0
1
10
19
28
37
46
55
64
73
82
91
100
109
118
127
136
145
154
163
172
181
190
199
208
217

2000-2004䠖Ꮫෆ21◊✲ᐊ฼⏝䛾ὶ䜜䠖䛂⯪㛗චチไ䛃䝁䞁䝉䝥䝖䛻䜘䜚䚸䜰䝔䞁䝗䛜䛒䜜䜀ᙜ᪥䛛䜙฼⏝䜒ྍ⬟䐟䜎䛪䛿䝁䞁䝍䜽䝖䐠ᡴྜ䛫䐡ᨭ᥼⏦䛧㎸䜏䐢CR฼⏝ㅮ⩦䐣฼⏝㛤ጞ䐤ㄳồ䞉ሗ࿌᭩

ͤWEB䞉䝯䞊䝹䛺䛹ͤᨭ᥼ᙧែㄝ᫂䞉Ỵᚰ

ͤ㈐௵⪅䞉ㄳồඛ䛾☜ㄆ㻌 㻌 ͤ᭶1ᅇ⛬ᗘ㛤ദ㻌 㻌 ͤᢏ⾡⿵ຓ᭷㻌 㻌 ͤᐃᮇ䜎䛯䛿㝶᫬

ClassA:䕿䕿䛾⿦⨨䜢౑䛔䛯䛔
ClassB:䕿䕿䛾ᵓ㐀䞉⣲Ꮚ䜢స䜚䛯䛔
ClassC:䕿䕿䛺ᐇ㦂䜢䛧䛯䛔㻌㻌㻌㻌 㻌 ͤ඲య఍䠖ᖺ1ᅇ㻌 㻌ͤ⸆ရ฼⏝䛾ሙྜ䚸ᑓ⏝ㅮ⩦㏣ຍ㻌 㻌 ͤᖺᗘᮎሗ࿌

䛹䛾䜘䛖䛺┦ㄯ䛻䜒஌䜚䜎䛩

ᙜᣐⅬ䛷䛿䚸䠄⮬䜙䜒฼⏝⪅䛷䛒䜛䠅䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䝬䝛䞊䝆䝱䛜ぶ㌟䛻䛺䛳䛶┦ㄯ䛻஌䜚䚸䝧䝇䝖䛺฼⏝᪉ἲ䜢᥈䛧䜎䛩䚹

問い合わせ： 東京大学超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点 ナノテクノロジー・プラットフォーム事務局（受付 渡邊かをる 拠点マネージャ：三田吉郎）

E-mail: nanotech@sogo.t.u-tokyo.ac.jp，Phone: 03-5841-1506
ホームページ http://nanotechnet.t.u-tokyo.ac.jp/

89

加工 PF-7 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム᪩✄⏣኱Ꮫ䝘䝜䞉䝷䜲䝣๰᪂◊✲ᶵᵓ ᚤ⣽ຍᕤ䝘䝜䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䝁䞁䝋䞊䝅䜰䝮-- ከᵝ䛺ᇶᯈ⣲ᮦ䛸ᇶᯈ䝃䜲䝈䛻ᑐᛂྍ⬟䛺ᚤ⣽ຍᕤᣐⅬ -᪩✄⏣኱Ꮫᚤ⣽ຍᕤ䝘䝜䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䝁䞁䝋䞊䝅䜰䝮ᣐⅬయไᅗᗉᏊ ⩦୍䠄ᐇ᪋㈐௵⪅䠅ᶵᵓ㐠Ⴀጤဨ఍ᮏ㛫 ᩗஅ 䠄ᖿ஦䠅ᕝཎ⏣ ὒ䠄 ᖿ஦䠅஦ົ㛗 䠄 ᖿ஦䠅

⥲
᪩
㛗
✄
⏣
㙊
኱
⏣
Ꮫ
⸅

NTRC

⤒⌮ᢸᙜ䠄 ⤒⌮඲⯡䠅⌮ᕤᏛ⾡㝔ᩍဨ

(䕿ᚤ⣽ຍᕤᨭ᥼䕿ᚤ⣽䞉ᐇᐇ ᪋ ㈐ ௵ ⪅ 䠖 ᗉᏊ ⩦୍䞉◊ ✲ ဨ 䠄 䠏 ྡ 䠅 䠖 㛵ཱྀ ဴᚿ㰻⸨ ⨾⣖ᏊỈ㔝 ₶䞉ᢏ⾡ᨭ᥼ဨ䠄䠓ྡ䠅䠖 ➉ෆ ㍤᫂
⏤ẚ⸨ ຬ
ຍ⸨ 㑥⏨
㔝ᓮ ⩏ே
బ䚻ᮌ ᩄኵ
⏣୰ ኱ჾ
Ἑ㔝 ᩄᘯ

)

᪩✄⏣኱Ꮫ䛷䛿ᖹᡂ㻝㻟 ᖺ௨᮶ ྛ✀බⓗ㈨㔠➼䜢⏝䛔䛶ᚤ⣽ຍᕤ䛾䛯䜑䛾᪋タ䞉タഛ䜢ᩚഛ䛧䚸䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊◊✲䞉ᩍ⫱䛾ᣐⅬ໬䜢㐍䜑䛶䛝䜎䛧䛯䚹䜎䛯䚸䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊ศ㔝䛻䛚䛡䜛ඹ⏝◊✲ᣐⅬ䛸䛧䛶Ꮫෆ䛿䜒䛸䜘䜚እ㒊௻ᴗ䞉බⓗᶵ㛵➼䛻ᑐ䛧䛶タഛ䜢ゎᨺ䛧䚸ᢏ⾡ᨭ᥼䜢⾜䛳䛶䛝䜎䛧䛯䚹䛣䜜䜙䛾㐠⏝ᐇ⦼䛷ᇵ䜟䜜䛯䝜䜴䝝䜴䜢䛂ᚤ⣽ຍᕤ䝘䝜䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䝁䞁䝋䞊䝅䜰䝮䛃䛷䝣䝹䛻ά⏝䛧䚸䛂ከᵝ䛺⣲ᮦ䛻ᑐᛂྍ⬟䛛䛴ᇶᯈ䝃䜲䝈䜢㑅䜀䛺䛔䝘䝜䝬䜲䜽䝻୕ḟඖຍᕤᢏ⾡䛃䜢ᇶ㍈䛸䛧䛶䛂㟁Ẽ໬Ꮫ཯ᛂ䜢฼⏝䛧䛯ຍᕤᨭ᥼䛃䛚䜘䜃䛂䜾䝸䞊䞁䝥䝻䝉䝇䜢฼⏝䛧䛯ຍᕤ䛸䛭䜜䜢ᛂ⏝䛧䛯䝕䝞䜲䝇ᶵ⬟ィ ᨭ᥼䛃䜢⾜
䛔䜎䛩䚹

஦ົᒁ
䠄ᢏ⾡┦ㄯ❆ཱྀ䠅䠄᝟ሗⓎಙ❆ཱྀ䠅䠄⤒⌮❆ཱྀ䠅
䠄䝛䝑䝖䝽䞊䜽㛫㐃⤡❆ཱྀ䠅䠄ྛ✀ྲྀ䜚䜎䛸䜑஦ົ䠅◊✲タഛ䞉㧗ရ㉁〇⭷⿦⨨䞉㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾
䞉ᚤ⣽䝟䝍䞊䞁
㟢ගᥥ⏬⿦⨨
䞉䝗䝷䜲䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䞉⾲㠃ほᐹ䞉ศᯒ⿦⨨䞉ඖ⣲ศᯒ⿦⨨䞉ᑓ ௵ ஦ ົ ဨ 䠖 ஦ົဨ㻭⿦⨨ศ㔝
㧗ရ㉁〇⭷⿦⨨㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ᚤ⣽䝟䝍䞊䞁
㟢ගᥥ⏬⿦⨨

䞉⾲㠃ฎ⌮䞉᥋ྜ⿦⨨⾲ ฎ⌮ ᥋ྜ⿦⨨⾲㠃䞉䝕䝞䜲䝇㟁Ẽ≉ᛶᐃ⿦⨨䞉䜑䛳䛝⿦⨨
䞉䝎䜲䝲䝰䞁䝗ᇶᯈᑓ⏝≉Ṧᡂ⭷⿦⨨䝗䝷䜲䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨⾲㠃ほᐹ䞉ศᯒ⿦⨨ඖ⣲ศᯒ⿦⨨฼⏝஦౛⿦⨨ྡ䠄ᆺᘧ䠅䜰䝛䝹䝞♫〇䝇䝟䝑䝍⿦⨨㻿㻼㻲㻙㻠㻟㻜㻴䜰䝹䝞䝑䜽♫〇 㟁Ꮚ䝡䞊䝮⵨╔⿦⨨㻱㻮㼄㻙㻢㻰఑ᮾ♫〇䝕䝳䜰䝹䜲䜸䞁䝡䞊䝮䝇䝟䝑䝍⿦⨨᪥❧䝝䜲䝔䜽♫〇㻺㻮㻙㻡㻜㻜㻜᪥❧䝝䜲䝔䜽♫〇㻿㼁㻤㻞㻠㻜᪥❧䝝䜲䝔䜽♫〇㻿㻙㻠㻤㻜㻜䜻䞊䜶䞁䝇♫〇㼂㻱㻙㻣㻤㻜㻜䜶䝸䜸䝙䜽䝇♫〇㻣㻣㻜㻜䝈䞊䝇䝬䜲䜽䝻䝔䝑䜽♫〇㻹㻭㻢㻿㻭㻹㻯㻻♫〇㻵㻯㻼㻙㻾㻵㻱⿦⨨ 㻾㻵㻱㻙㻝㻜㻝㼕㻼㻴㻿㻭㻹㻯㻻♫〇㻯㻯㻼㻙㻾㻵㻱⿦⨨ 㻾㻵㻱㻙㻝㻜㻺㻾㻿㻭㻹㻯㻻♫〇䡿䢚䡤䡬䢈䢛䡰䡫䡽䢙䡴䢚⿦⨨㻾㻵㻱㻙㻠㻜㻜㼕㻼㻮ᮾி䜲䞁䝇䝒䝹䝯䞁䝒♫〇 㢧ᚤ䝷䝬䞁ศග⿦⨨㼚㼍㼚㼛㼒㼕㼚㼐㼑㼞 㻟㻜䝔䞁䝁䞊䝹♫〇⾲㠃ᴟᚤ⣽ᵓ㐀 ᐃ⿦⨨䝥䝻䝣䜯䜲䝷䞊㻼㻙㻝㻡᪥❧䝝䜲䝔䜽♫〇 䜾䝻䞊ᨺ㟁ศගศᯒ⿦⨨㻳㻰㻻㻱㻿⾲㠃ฎ⌮䞉᥋ྜ⿦⨨䝈䞊䝇䝬䜲䜽䝻䝔䝑䜽♫〇㻿㻮㻢㻱䝈䞊䝇䝬䜲䜽䝻䝔䝑䜽♫〇㻼㻸㻤䝈䞊䝇䝬䜲䜽䝻䝔䝑䜽♫〇㻮㻭㻤㻳㼑㼚㻟䝕䜱䝇䝁♫〇䝎䜲䝅䞁䜾䝋䞊㻰㻭㻰㻟㻞㻝䝕䝞䜲䝇㟁Ẽ≉ᛶᐃ⿦⨨㛗℩⏘ᴗ♫〇㧗⪏ᅽ䝥䝻䞊䝞䠄≉ὀရ䠅䜰䝆䝺䞁䝖♫〇㧗࿘Ἴ䝕䝞䜲䝇 ᐃ⿦⨨㻝㻡㻜㻝㻮䜑䛳䛝⿦⨨⢭ᐦ䜑䛳䛝⿦⨨䠄≉ὀရ䠅㽢㻟ྎ⎔ቃ⥔ᣢ⿦⨨

ᮾᶓ໬Ꮫ♫〇⎔ቃ⥔ᣢ䞉ไᚚ⿦⨨ 䠄≉ὀရ䠅᪥❧䝥䝷䞁䝖ᘓタ♫〇䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮㽢㻞䠄≉ὀရ䠅䝎䜲䝲䝰䞁䝗ᇶᯈᑓ⏝≉Ṧᡂ⭷⿦⨨

䜰䝸䜸䝇♫〇䝎䜲䝲䝰䞁䝗〇⭷⿦⨨ 䠄≉ὀရ䠅㻼㼕㼏㼛㼟㼡㼚♫〇䜰䝖䝭䝑䜽䝺䜲䝲䝕䝫䝆䝅䝵䞁㻔㻭㻸㻰㻕⿦⨨฼⏝ᙧែ䛸฼⏝ᩱ㔠౛䜰䝖䝭䝑䜽䝺䜲䝲䞊䝕䝫䝆䝅䝵䞁⿦⨨(ALD)
50000ಸ

50000ಸ
1500ಸ

Si

Si
Si
Al2O3⭷ALD 䛿䚸༢୍ཎᏊᒙ䜎䛯䛿‽༢୍ཎᏊᒙ䛾⭷ᡂ㛗䛾䝁䞁䝖䝻䞊䝹䜢⾜䛖䛯䜑䝅䞊䜿䞁䝅䝱䝹䛺⮬ᕫไᚚ⾲㠃཯ᛂ䜢⏝䛔䛶䛔䜎䛩䚹䜎䛯䚸䝘䝜䝯䞊䝖䝹䜎䛯䛿䝃䝤䝘䝜䝯䞊䝖䝹䝇䜿䞊䝹䛾ᵓ㐀䛻ᑐ䛧䛶ᆒ୍䛺ᡂ⭷䝁䞁䝖䝻䞊䝹䛜ྍ⬟䛷䛒䜛䛸䛔䛖Ⅼ䛷䜒㛵ᚰ䜢㞟䜑䛶䛔䜎䛩䚹ALD 䛿䚸㧗ᗘ䛺㧗ㄏ㟁⋡䝀䞊䝖㓟໬≀䚸䜻䝱䝟䝅䝍ㄏ㟁య䚸㖡ᣑᩓ䝞䝸䜰➼䛾㟁Ꮚᶵჾ⏝ඛ㐍ⓗ㟁Ꮚ㒊ရ䜈䛾ᛂ⏝㠃䛷ᮇᚅ䛥䜜䛶䛔䜎䛩䚹ᙜᣐⅬ䛷䛿䜸䝌䞁ཪ䛿Ỉ⵨Ẽ䜢฼⏝䛧䛯Al2O3⭷䛾ᡂ⭷䛜ྍ⬟䛷䛩䚹཰᮰䜲䜸䞁䝡䞊䝮⿦⨨䠄FIB䠅
㻲㻵㻮䛿䚸཰᮰䛧䛯㻳㼍䛾䜲䜸䞁䝡䞊䝮䜢㉮ᰝ䛧䛶ヨᩱ⾲㠃䜢ຍᕤ䞉ほᐹ䛩䜛⿦⨨䛷䛩䚹ຍᕤ䛿䚸㻳㼍䜲䜸䞁䛜↷ᑕ䛥䜜䛯㒊ศ䛰䛡䜢䜶䝑䝏䞁䜾䛩䜛䝬䝇䜽䝺䝇䛺䜒䛾䛷䛒䜛䛯䜑䚸ᑡ㔞䛾ຍᕤ䛻㐺䛧䛶䛔䜎䛩䚹ୗᅗ䛿䚸ᚤᑠἜ⁲ᙧᡂ䝏䝑䝥䛾䝏䝱䝛䝹䜢ຍᕤ䛧䛯౛䛷䚸ୗ㒊䛛䜙ධ䛳䛶䛝䛯䝅䝸䝁 䞊䞁䜸䜲䝹䛜ୖ㒊䛷䛫䜣᩿䛥䜜䚸┤ᚄ3Ǎm䛾Ἔ⁲䛜ᙧᡂ䛥䜜䜎䛩䚹

Al2O3⭷

฼⏝᪉ᘧ

ᐃ⩏

฼⏝ᩱ

฼⏝䛻㛵䛩䜛ၥ䛔ྜ䜟䛫䜔┦ㄯ䠎 ᢏ⾡┦ㄯ

฼⏝⪅䛛䜙䛾┦ㄯ䛻ᑓ㛛ᐙ䛸䛧䛶ᛂ䛘䜛ᢏ⾡䝁䞁䝃䝹䝍䞁䝖䛸䛧䛶䛾ᨭ᥼↓ᩱ䛒䜚ᴫせ䜎䛷グ㍕䠏 ᢏ⾡௦⾜ᨭ᥼⪅䛜฼⏝⪅䛻௦⾜䛧䛶タഛ䜢᧯స䛩䜛ᢏ⾡ᨭ᥼䠐 ᢏ⾡⿵ຓ

ᨭ᥼⪅䛜⿵ຓ䛧䚸᧯స᪉ἲ䜢ᣦᑟ䛧䛺䛜䜙䚸฼⏝⪅䛜ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᢏ⾡ᨭ᥼䠑 ᶵჾ฼⏝

฼⏝⪅䛜⮬❧䛧䛶䚸⮬䜙ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᢏ⾡ᨭ᥼䠒 ඹྠ◊✲

฼⏝⪅䛸ᨭ᥼⪅䛜ඹྠ䛷ᐇ᪋䛩䜛ᡂᯝබ㛤ᆺ◊✲䠄Ẹ㛫௻ᴗ➼䛸䛾ᡂᯝ㠀බ㛤ᆺඹྠ◊✲䜈⛣⾜䛧䛯ሙྜ䚸⮬୺஦ᴗ䛸䛩䜛䠅

᭷ᩱ

᭷ᩱ

᭷ᩱ

784 nP

Depth
562 nP

䛺䛧

᭷ᩱ

10 ȝP

4.96 ȝPᡂᯝሗ࿌᭩䠍 ฼⏝┦ㄯ

᭷ᩱ

䛒䜚

䛒䜚

䛒䜚

䛒䜚

318 nP฼⏝ᩱ㔠䛾୍౛
฼⏝ᩱ㔠䛾୍౛౛
1 ȝP䜰䝖䝭䝑䜽䝺䜲䝲䞊䝕䝫䝆䝅䝵䞁⿦⨨(ALD)㻝㻥㻘㻤㻜㻜㻌 ෇㻛㼔㼞㻌཰᮰䜲䜸䞁䝡䞊䝮⿦⨨䠄FIB䠅

㻞㻠㻘㻢㻜㻜㻌 ෇㻛㼔㼞㻌ၥ䛔ྜ䜟䛫䠖᪩✄⏣኱Ꮫ䢁䢅䡿䡴䢅䢗䡸䢚䡬䢈䢛䢓䡫䢀䢈䡧䡬䢍஦ົᒁE-mail䠖ntrc-oĸce@list.waseda.jp Phone䠖03-5286-9067
䝩䞊䝮䝨䞊䝆 hƩps://www.waseda.jp/inst/nanolife/project/nanotechnologyplaƞorm/90

加工 PF-8 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム
㻙電子ビーム露光を中心とした微細構造技術支援㻙
東京工業大学சஹငಅ২ᘐᄂᆮ৑
ᮾிᕤᴗ኱Ꮫ䛻䛚䛔䛶ᨭ᥼䛩䜛◊✲㡿ᇦ䛿䚸䝖䝑䝥䝎䜴䞁ᘧ䛾䝘䝜ᵓ㐀ᵓ⠏䛾ᇶ┙⿦⨨䛷䛒䜛㟁Ꮚ䝡䞊䝮㟢ග䜢୰ᚰ䛸䛧䛯ᚤ⣽ᵓ㐀ᵓ⠏ᢏ⾡䛷䛩䚹
20nm䜽䝷䝇䛾ᚤ⣽䝟䝍䞊䞁ᙧᡂᢏ⾡䜢ᇶ┙䛸䛧䛶䠈฼⏝⪅䛾ᚲせ䛻ᛂ䛨䛶༙ᑟయ/㔠ᒓ/⤯⦕య䛺䛹䛾䝕䝞䜲䝇ᵓ㐀䛻㔜せ䛺ⷧ⭷䜈䛾㌿෗䜎䛷䜢ྵ䜐3ḟඖ䝘䝜ᵓ㐀䜢ᵓ⠏䛩䜛⥲ྜⓗ䛺ᢏ⾡䜢ᥦ౪䛧䜎䛩䠊㟁Ꮚ䝡䞊䝮㟢ග䛻㔜䛽ྜ䜟䛫㟢ග➼䜢⾜䛳䛯ሙྜ䛻䛿䚸ᵓ⠏ྍ⬟䛺ᵓ㐀䛿㠀ᖖ䛻ᖜᗈ䛟䛺䜚䜎䛩䚹໬ྜ≀༙ᑟయ䜢୰ᚰ䛸䛧䛶 ග䞉㟁Ꮚ䝕䝞䜲䝇స〇䛾Ⅽ䛾ᗈ䛔䝜䜴䝝䜴䜢ᣢ䛱䚸䝕䝞䜲䝇≀⌮䜎䛷㋃䜏㎸䜣䛰䜰䝗䝞䜲䝇䛜ྍ⬟䛷䛩䚹฼⏝⏦ㄳ⪅䛾䜰䜲䝕䜰䛻ᇶ䛵䛔䛯◊✲䜢⾜䛖Ⅽ䛻䚸▱ⓗ㈈⏘ᶒ䛜⏦㎸⪅䛻ᖐᒓ䛷䛝䜛ᢏ⾡௦⾜䜢୺䛸䛧䛯฼⏝ᙧែ䛸䛧䛶䛔䜎䛩䚹䜎䛯䠈㔜䛽ྜ䜟䛫㟢ග䜢ྵ䜐㧗ᗘ䛺㟁Ꮚ䝡䞊䝮㟢ගᢏ⾡䜢୰ᚰ䛻䛧䛶䚸㟁Ꮚ䝡䞊䝮㟢ග⿦⨨䜢ᣢ䛳䛯୺せ኱Ꮫ䠈◊✲ᶵ㛵➼䛾䛭䜜䛮䜜䛾㟢ග⿦⨨䜢㧗䛔ά⏝ᗘ䛻䛩䜛యไᵓ⠏䜢┠ᣦ䛧䛯ᨭ᥼䛸䛧䛶䠈㛵ᮾᆅ༊䛷䛾⏘⥲◊䛸ඹྠ㛤ദ䛷䛾EBL䝇䜽䞊䝹䚸䛚䜘䜃㤳㒔ᅪእ䛷䛾ฟᙇᢏ⾡ᣦᑟ䞉ฟᙇ䝇䜽䞊䝹➼䜒㛤ദ䛧䜎䛩䠊䠄2012 -2016 ᖺᗘ䛷䛾㛤ദᐇ⦼䛿 ྡ኱䚸໭኱䚸 㤶ᕝ኱, ໭஑ᕞ⏘ᴗᏛ⾡᥎㐍ᶵᵓ䠄FAIS)䚸ி኱䛷䛩䚹䠅

࿘ᮇ80nm䛾ᚤ⣽㟁ᴟ౛

EBL䝇䜽䞊䝹䛷ᐇ⩦䛩䜛㔜䛽ྜ䜟䛫䜢ྵ䜣䛰
T䝀䞊䝖⏝୕ᒙ䝺䝆䝇䝖䝟䝍䞊䞁䛾
᩿㠃ᅗ

฼⏝ᙧែ

⿦⨨⤂௓
㟁Ꮚ䝡䞊䝮㟢ග⿦⨨ ᪥ᮏ㟁Ꮚ〇 JBX-6300 䝘䝜䝥䝷䝑䝖䛷䛾฼⏝ᩱ 䢠11,900/1㟢ග䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨ ኱᪥ᮏ⛉◊〇 MX-1204 䝘䝜䝥䝷䝑䝖䛷䛾฼⏝ᩱ 䢠3,900/1㟢ග 䠄H25ᖺᗘ㉎ධ䠅䝁䞁䝍䜽䝖ගᏛ㟢ග⿦⨨(Suss MA -8䠅㻌 㻌 䝘䝜䝥䝷䝑䝖䛷䛾฼⏝ᩱ 䢠4,900/1㟢ග䝻䞊䝗䝻䝑䜽䝏䝱䞁䝞௜䛝6㐃Ꮚ㖠⵨╔ჾ 䜶䜲䝁䞊䜶䞁䝆䝙䜰䝸䞁䜾〇 䝘䝜䝥䝷䝑䝖䛷䛾฼⏝ᩱ 䢠10,400/1⵨╔᭷ᶵ㔠ᒓẼ┦ᡂ㛗⿦⨨ ᪥ᮏ㓟⣲〇 HR3246 䝘䝜䝥䝷䝑䝖䛷䛾฼⏝ᩱ 䢠33,300/1ᡂ⭷䝸䜰䜽䝔䝤䜲䜸䞁䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨ 䝃䝮䝁䜲䞁䝍䞊䝘䝅䝵䝘䝹RIE-10NR 3ྎ㻌 㻌 䝘䝜䝥䝷䝑䝖䛷䛾฼⏝ᩱ 䢠7,200/1䜶䝑䝏䞁䜾
ICR-101RF 䝘䝜䝥䝷䝑䝖䛷䛾฼⏝ᩱ㻌 㻌 䢠7,300/1䜶䝑䝏䞁䜾㉮ᰝᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾 ᪥❧〇సᡤ〇 S-5200 䝘䝜䝥䝷䝑䝖䛷䛾฼⏝ᩱ 䢠4,100/1ほᐹ
FIB/SEM 䝕䝳䜰䝹䝡䞊䝮ຍᕤ⿦⨨ ᪥ᮏ㟁Ꮚ〇 JIB-4501 䠄H25ᖺᗘ㉎ධ䠅 䝘䝜䝥䝷䝑䝖䛷䛾฼⏝ᩱ 䢠2,600/᫬㛫䝥䝷䝈䝬ཎᏊᒙሁ✚⿦⨨ Ultratech〇 Fiji F200 䝘䝜䝥䝷䝑䝖䛷䛾฼⏝ᩱ 䠄H25ᖺᗘ㉎ධ䠅䢠5,700/1ᡂ⭷ ➼䛜䛒䜚䜎䛩䚹䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䛻䛚䛡䜛㻌 㻌 㻌 බ㛤䛾ཎ๎䛻䜘䜛ሙྜ㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 ᢏ⾡௦⾜㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 ⿦⨨฼⏝㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 ඹྠ◊✲㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 ᢏ⾡┦ㄯ䛺䛹䛾฼⏝ᙧែ䛜䛒䜚䜎䛩䚹ぬ᭩䛾஺᥮䛻䜘䜚▱㈈䛾ಖㆤ䛜ྍ⬟䛷䛩䚹䠄ඹྠ◊✲䛿䚸ู䛾ዎ⣙᭩䛜ᚲせ䛷䛩䚹䠅฼⏝ᩱ䛿䛂⿦⨨⤂௓䛃䛷♧䛧䛯㏻䜚䛷䛩䚹⮬୺஦ᴗ䠄බ㛤⩏ົ䛺䛧䠅㟁Ꮚ䝡䞊䝮㟢ග䜢ྵ䜐୍㐃䛾䝥䝻䝉䝇䛷䛿1㟢ග䛒䛯䜚 110,000෇䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨1㟢ග41,800෇
➼㻌 㻌 㻌 ௚ヲ⣽䛿web䝨䞊䝆䛻䛶බ㛤୰䛷䛩䚹ᨭ᥼஦౛Წᆔ᫏ƷႺࢲǛǋƭ᣿‫ޓ‬ό௵ƷȗȩǺȢȋȃǯኽ୒஑ᕞ኱Ꮫ ୰ኸศᯒ䝉䞁䝍䞊 ᩧ⸨ ග䝥䝷䝈䝰䝙䝑䜽⤖ᬗ䛾䝞䞁䝗䜼䝱䝑䝥䛾฼⏝䛿ᖹ㠃ᆺ䝕䝞䜲䝇䛻䛚䛡䜛⾲㠃䝥䝷䝈䝰䞁䝫䝷䝸䝖䞁(SPP)䛾Ⓨග䞉ఏ᧛䞉㛢䛨㎸䜑䛾ไᚚ䜢ྍ⬟䛻䛩䜛䚹᪤䛻䜻䝱䝡䝔䜱ᵓ㐀䛻䜘䜛ගᏛ≉ᛶ䛾ไᚚ䛻䛴䛔䛶䛿ሗ࿌䛥䜜䛶䛔䜛䛜䚸2✀㢮䛾෇ᰕ┤ᚄ䜢⏝䛔䛯䝦䝔䝻ᵓ㐀䛿䜘䜚㧗䛔⮬⏤ᗘ䛾䝕䝞䜲䝇タィ䜢ྍ⬟䛻䛩䜛䚹䛭䛣䛷䚸ᮾிᕤᴗ኱Ꮫ䛾㟁Ꮚ䝡䞊䝮㟢ග⿦⨨䜢฼⏝䛧䚸ୖグ䝦䝔䝻ᵓ㐀䜢స〇䛧䚸䜹䝋䞊䝗䝹䝭䝛䝑䝉䞁䝇⿦⨨䛻䜘䜛ᒁᡤບ㉳Ⓨග᳨ฟ䛷SPP≧ែ䜢ศᯒ䛧䛯䚹
࿘ᮇ600nm䚸෇ᰕ┤ᚄ250nm䛾䝬䝖䝸䝑䜽䝇䛾୍㒊䛜┤ᚄ500nm䛾෇ᰕ䛷⨨᥮䛥䜜䛯䝦䝔䝻ᵓ㐀䜢స〇䛧䛯䚹䜹䝋䞊䝗䝹䝭䝛䝑䝉䞁䝇(CL)䜢ᦚ㍕䛧䛯㉮ᰝᆺ㏱㐣㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾(STEM)䛻䜘䜚SPP䜢ᒁᡤບ㉳䛧䛺䛜䜙䝞䞁䝗ᵓ㐀 ᐃ䜢⾜䛳䛯䛸䛣䜝䚸䝦䝔䝻ᵓ㐀㏆ഐ䛛䜙䛿䝬䝖䝸䝑䜽䝇䛻䛿ぢ䜙䜜䛺䛔᪂䛯䛺䜶䝛䝹䜼䞊‽఩䛜䝞䞁䝗䜼䝱䝑䝥୰䛻ᙧᡂ䛥䜜䜛䛣䛸䛜☜ㄆ䛥䜜䛯䚹䝦䝔䝻ᵓ㐀䛻ᒁᅾ䛧䛯䝥䝷䝈䝰䞁䝰䞊䝗䛾Ⓨගゅᗘศᕸ䛸✵㛫ศᕸ䛾ศᯒ⤖ᯝ䛛䜙䚸䝬䝖䝸䝑䜽䝇䛾䝞䞁䝗➃䝰䞊䝗(A䝰䞊䝗䛸E䝰䞊䝗: N. Yamamoto et al, Opt. Express 22, 5155-5165 (2014).)䛜෇ᰕ䝃䜲䝈ኚ໬䛻䜘䜛ኚㄪ䜢ཷ䛡䛶䝦䝔䝻ᵓ㐀㏆ഐ䛾ᒁᅾ䝰䞊䝗(A’䝰䞊䝗䛸E’䝰䞊䝗)䛜ᙧᡂ䛥䜜䜛䛣䛸䛜᫂䜙䛛䛻䛺䛳䛯䚹䝦䝔䝻ᵓ㐀䜢฼⏝䛩䜛䛣䛸䛷䚸䝥䝷䝈䝰䝙䝑䜽⤖ᬗ୰䛾௵ព䛾⟠ᡤ䛻䚸᱁Ꮚ䜢஘䛩䛣䛸䛺䛟ᐜ᫆䛻ᒁᅾ䝰䞊䝗䜢ᙧᡂ䛷䛝䜛䛣䛸䛜ᮏ◊✲䛻䜘䜚♧䛥䜜䛯䚹

E

E’

A’

A

ᵱᵮᵮỉᾁഏΨ᧍ẳᡂỜầܱᚰẰủẺ
H. Saito et al. Nano Lett. 15, 6789-6793 (2015).

問い合わせ：事業責任者 宮本恭幸
E-mail: miya@ee.e.titech.ac.jp，Phone: 03-5734-2572
ホームページ http://www.pe.titech.ac.jp/qnerc/nano̲support/index-j.html

91

加工 PF-9 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォームᚤ⣽ຍᕤ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮 ྡྂᒇ኱Ꮫ
ⷧ⭷ᙧᡂ䛛䜙MEMS䝕䝞䜲䝇䜎䛷ᖜᗈ䛔ᨭ᥼ྡྂᒇ኱Ꮫ タഛ࣭ᶵჾඹ⏝᥎㐍ᐊྡྂᒇ኱Ꮫࡣ㸪ࢼࣀࢸࢡࣀࣟࢪ࣮࡟㛵㐃ࡍࡿᗈ⠊࡞ᢏ⾡㡿ᇦ࠾ࡼࡧࡑࢀࡽ࡟ᚲせ࡜࡞ࡿྛ✀ᮦᩱ⩌࡟ᑐࡋ࡚㸪᭱ඛ➃ࡢⷧ⭷ᙧᡂᢏ⾡㸪ࣜࢯࢢࣛࣇ࢕࣮ᢏ⾡㸪ࣉࣛࢬ࣐࢚ࢵࢳࣥࢢᢏ⾡ࢆಖᮍ᮶ᮦᩱ࣭ࢩࢫࢸ࣒◊✲ᡤ඲Ꮫᢏ⾡ࢭࣥࢱ࣮

ᕤᏛ◊✲⛉᭷ࡋ࡚࠾ࡾ㸪ࢼࣀᮦᩱᙧᡂ㸪ࢼࣀࢹࣂ࢖ࢫᙧᡂ࡞࡝ࡉࡲࡊࡲ࡞ᚤ⣽ຍᕤᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ

ศᏊ࣭≀㉁ྜᡂ

ඛ➃ᢏ⾡ඹྠ◊✲᪋タ࣋ࣥࢳ࣮ࣕࣅࢪࢿࢫ
ࣛ࣎ࣛࢺ࣮ࣜ

ࣉࣛࢬ࣐ࢼࣀᕤᏛ
◊✲ࢭࣥࢱ࣮᪋タෆ࡟ࡣ㸪ࡘ࡟༊ษࡽࢀࡓࢡ࣮ࣜࣥࣝ
࣮࣒ࡀ࠶ࡿ㸬ࢹࣂ࢖ࢫࣉࣟࢭࢫᐊ࡟ࡣྛ✀ࡢᡂ⭷⿦⨨㸪࢖࢜ࣥὀධ⿦⨨㸪㟁Ẽ⅔㸪
5,(⿦⨨࡞࡝㸪ⷧ⭷ࣉࣟࢭࢫࡸࢹࣂ࢖ࢫస
〇ࣉࣟࢭࢫ࡟ᚲせ࡞ᶵჾࡀഛ࠼ࡽࢀ࡚࠸ࡿ
㸬ᚤ⣽ຍᕤᐊ࡟ࡣ㸪ࣞࢪࢫࢺሬᕸ⏝ࢫࣆࢼ࣮㸪࣮࣋ࢡ⅔㸪ࢻࣛࣇࢺ㸪࣐ࢫࢡ࢔ࣛ࢖ࢼ
࡞࡝㸪ࣇ࢛ࢺࣜࢯࢢࣛࣇ࢕࡟ᚲせ࡞ᶵჾࡀ㸪࣐ࢫࢡᐊ࡟ࡣ㟁Ꮚࣅ࣮࣒ᥥ⏬⿦⨨ࡀタ⨨ࡉࢀ࡚࠸ࡿ㸬

ࣇࣟࣥࢸ࢕࢔ࢹࣂ࢖ࢫᐊ㸦ࢡࣛࢫ㸧࡜ࢼࣀࣉࣟࢭࢫᐊ㸦ࢡࣛࢫ㸧ࡢ㸰ࡘ࡟༊ษࡽࢀࡓࢡ࣮࣮࣒ࣜࣥࣝ࡟㸪0%(⿦⨨㸪┿✵⵨╔⿦⨨㸪,&3࢚ࢵࢳࣥࢢ⿦⨨㸪㓟⏝࡜᭷ᶵ⏝ࡢࢡ࣮ࣜࣥࢻࣛࣇࢺ㸪ගᏛ㢧ᚤ㙾㸪ᐇయ㢧ᚤ㙾㸪࣮࣋ࢡ⅔㸪࣍ࢵࢺࣉ࣮ࣞ
ࢺ㸪89ࢻࣛ࢖ࢡ࣮ࣜࢼ࣮㸪ࣉࣛࢬ࣐࢔ࢵࢩ
࣮ࣕ࡞࡝ࡢタഛࡀഛ࠼ࡽࢀ࠾ࡾ㸪ࢼࣀᮦᩱ㸪ࢼࣀࢹࣂ࢖ࢫࡢ㛤Ⓨ⎔ቃࡀᩚ࠼ࡽࢀ࡚࠸ࡿ㸬ࢳ࢘ ࣁ࡟ᑐᛂࡋࡓ8/6,〇㐀ࣉ〇㐀ࣉ࢖ࣥࢳ࢙࢘ࣁ࡟ᑐᛂࡋࡓ8/6,〇㐀ࣉࣟࢭࢫࣞ࣋ࣝࡢࢧࣈQPᖜ࣭㧗࢔ࢫ࣌ࢡࢺࢺ
ࣞࣥࢳຍᕤࡀྍ⬟࡞ࣉࣛࢬ࣐࢚ࢵࢳࣥࢢ⿦
⨨ࢆࡣࡌࡵ㸪ࣛࢪ࢝ࣝὀධᆺࣉࣛࢬ࣐ᨭ᥼
໬Ꮫ✚⿦⨨㸪㉸㧗ᐦᗘ኱Ẽᅽ࣭ᾮ୰ࣉࣛࢬ
࣐⿦⨨࡞࡝ከᵝ࡞ࣉࣛࢬ࣐⿦⨨࡜ඹ࡟㸪࣮ࣞࢨ࣮ᥥ⏬⿦⨨࡞࡝㸪ࢹࣂ࢖ࢫస〇࡟ᚲせ࡞タഛࢆᥞ࠼࡚࠾ࡾ㸪ୡ⏺᭱㧗ᓠࡢ᭱ඛ➃ࣉࣛࢬ࣐ࣉࣟࢭࢫ࡟㛵ࡍࡿ◊✲࣭㛤Ⓨࡀྍ⬟࡛࠶ࡿ㸬ᨭ᥼ࢆ⾜࠺ࡇ࡜ࡀ࡛ࡁࡲࡍ㸬ᮏ஦ᴗ࡛ࡣ㸪ୗグࡢᢏ⾡࠾ࡼࡧᨭ᥼ࢆ⾜࠸ࡲࡍ㸬‫࣮ࣝࢣࢫࣀࢼۑ‬㸭࣐࢖ࢡࣟࢫࢣ࣮ࣝᚤ⣽ࣃࢱ࣮ࣥᙧᡂᢏ⾡‫ࣀࢼۑ‬㓄⥺࣭ࢼࣀ㟁ᴟᙧᡂᢏ⾡‫ࣀࢼ࣭ࢺࢵࢻࣀࢼۑ‬ᵓ㐀➼ࡢ㓄ิᢏ⾡‫✀ྛࡓ࠸⏝ࢆ࣐ࢬࣛࣉۑ‬ᮦᩱࡢ࢚ࢵࢳࣥࢢ࠾ࡼࡧ⾲㠃ฎ⌮ᢏ⾡‫✀ྛۑ‬㟁Ꮚ࣭ගࢹࣂ࢖ࢫᵓ㐀సᡂᢏ⾡‫ۑ‬0(06࣭1(06ᵓ㐀సᡂᢏ⾡‫✀ྛۑ‬ᮦᩱ㸦༙ᑟయᮦᩱ㸪☢ᛶయᮦᩱ㸪㔠ᒓᮦᩱ㸪᭷ᶵᮦᩱ㸪↓ᶵᮦᩱ࡞࡝㸧ࡢⷧ⭷ᙧᡂᢏ⾡

◊✲タഛ

⿦⨨ศ㔝

⿦ ⨨ ྡ

ᡂ⭷⿦⨨

8ඖ䝬䜾䝛䝖䝻䞁䝇䝟䝑䝍⿦⨨
3ඖ䝬䜾䝛䝖䝻䞁䝇䝟䝑䝍⿦⨨
8ඖMBE⿦⨨㟁Ꮚ䝡䞊䝮⵨╔⿦⨨䝇䝟䝑䝍⤯⦕⭷స〇⿦⨨㟢ග䞉ᥥ⏬⿦⨨8ඖ䝇䝟䝑䝍

8ඖMBE

㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬

䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘

䝣䜵䝮䝖⛊䝺䞊䝄
ຍᕤศᯒ䝘䝜䜲䞁䝥䝸䞁䝖

䝺䞊䝄䞊ᥥ⏬

AFM

SEM

䜲䜸䞁ὀධ

䝥䝷䝈䝬䝥䝻䝉䝇䞉 ཯ᛂᛶ䜲䜸䞁䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨ ECR-SIMS䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䛺䛹
ICP䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨㉸㧗ᐦᗘ኱Ẽᅽ䝥䝷䝈䝬⿦⨨
኱ẼᅽIAMS (䜲䜸䞁௜╔㉁㔞ศᯒჾ)┿✵⣸እ྾཰ศගィ㻌 㻌 㻌 (ཎᏊ≧䝷䝆䜹䝹䝰䝙䝍䞊䠅஧࿘Ἴບ㉳䝥䝷䝈䝬䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨
60 MHz ບ㉳䝥䝷䝈䝬CVD⿦⨨䝷䝆䜹䝹ィ ௜ከ┠ⓗ䝥䝷䝈䝬䝥䝻䝉䝇⿦⨨䜲䜸䞁ὀධ⿦⨨ᛴ㏿ຍ⇕ฎ⌮⿦⨨䝘䝜䜲䞁䝥䝸䞁䝖⿦⨨䝣䜵䝮䝖⛊䝺䞊䝄ຍᕤศᯒ䝅䝇䝔䝮ィ஧࿘Ἴບ㉳䝥䝷䝈䝬䜶䝑䝏䞁䜾

60MHzບ㉳䝥䝷䝈䝬CVD

ECR-SIMS

䞉ศᯒ⿦⨨

ⷧ⭷XRD

XPS

฼⏝஦౛

㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘
䝺䞊䝄䞊ᥥ⏬⿦⨨X⥺ග㟁Ꮚศග⿦⨨㉮ᰝᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾
㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾
ⷧ⭷X⥺ᅇᢡ⿦⨨ཎᏊ㛫ຊ㢧ᚤ㙾ẁᕪィ㟁Ꮚ䝇䝢䞁ඹ㬆⿦⨨☢Ẽ≉ᛶホ౯⿦⨨฼⏝ᙧែ䛸฼⏝ᩱ㔠౛䛜䜣⣽⬊ศ㞳䞉⃰⦰䝞䜲䜸䝕䝞䜲䝇䛾ᢏ⾡㛤Ⓨ䜰䝰䝹䝣䜯䝇䜹䞊䝪䞁ⷧ⭷୰䛾Ỉ⣲ྵ᭷㔞䛾ホ౯ᶵჾ฼⏝฼⏝⪅⮬䜙䛜ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᢏ⾡ᨭ᥼ᨭ᥼ඛ䠖ྡྂᒇ኱Ꮫ

ᨭ᥼ඛ䠖ྡᇛ኱Ꮫᢏ⾡௦⾜ᨭ᥼⪅䛜ᶵჾ䛾᧯స䜢௦⾜䛩䜛ᢏ⾡ᨭ᥼㻵㻯㻼䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䜢฼⏝䛧䛶䜰䝇䝨䜽䝖ẚ䛾㧗䛔䝬䜲䜽䝻䝢䝷䞊⩌䜢సᡂ䛧䚸䛣䜜䜢䝰䞊䝹䝗䛸䛧䛶సᡂ䛧䛯䝬䜲䜽䝻ὶయ䝏䝑䝥䛻䜘䜚䚸㻥㻜㻑䛾⾑୰ᚠ⎔䛜䜣⣽⬊䜢䝎䝯䞊䝆䝺䝇䛻ศ㞳䞉ᅇ཰䛩䜛䛣䛸䛻ᡂຌ䠊

䝷䝆䜹䝹ὀධᆺ䝥䝷䝈䝬ບ㉳㻯㼂㻰⿦⨨䠄ྡ኱䜸䝸䝆䝘䝹䠅䛷䜰䝰䝹䝣䜯䝇䜹䞊䝪䞁䠄㼍㻙㻯䠅⭷䜢స〇䛧䚸⭷୰Ỉ⣲ྵ᭷㔞䜢୍ᐃ䛻ಖ䛴䛣䛸䛻ᡂຌ䛧䚸㼍㻙㻯⭷䛾ගᏛ䝞䞁䝗䜼䝱䝑䝥䠄㻱㻜㻠䠅䜢㻝㻚㻠㼑㼂䡚㻜㻚㻤㼑㼂䛾㛫䛷ไᚚ䛩䜛䛣䛸䛻ᡂຌ䠊Total flow rate (sccm)

ඹྠ◊✲ྡྂᒇ኱Ꮫ䛸䛾ዎ⣙䛻ᇶ䛵䛝Ⓩ㘓ᶵჾ䜢฼⏝䛧䛶฼⏝⪅䛸ᨭ᥼⪅䛜ඹྠ䛷ᐇ᪋䛩䜛ᡂᯝබ㛤ᆺ◊✲䠄Ẹ㛫௻ᴗ➼䛸䛾ᡂᯝ㠀බ㛤ᆺඹྠ◊✲䛻⛣⾜䛧䛯ሙྜ䛿䠈⮬୺஦ᴗ䠅ᢏ⾡┦ㄯ฼⏝⪅䛾┦ㄯ䛻ᑓ㛛ᐙ䛸䛧䛶ᛂ䛘䜛ィ ᢏ⾡䝁䞁䝃䝹䝍䞁䝖䛸䛧䛶䛾ᨭ᥼

1.4

Energy gap (eV)

10 mm

ICP䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨

E04

1.2
1.0

Eg

75

50
0.8~1.4eV䛾
⠊ᅖ䛾ไᚚ
䛻ᡂຌ

฼⏝ᩱ㔠䛻䛴䛔䛶

0.8
0.6

20 μm

䛜䜣⣽⬊ศ㞳⏝䝬䜲䜽䝻ὶయ䝏䝑䝥

400300 150

In-situ䝥䝷䝈䝬↷ᑕ⾲㠃ศᯒ⿦⨨

0

5
10
15
Residence time (ms)20

a-C⭷䛾䝞䞁䝗䜼䝱䝑䝥኱Ꮫ䛺䛹䛾බⓗᶵ㛵䛸Ẹ㛫௻ᴗ䛷฼⏝ᩱ㔠䛿␗䛺䜚䜎䛩䠊ྛ⿦⨨䛾ᩱ㔠䛻䛴䛔䛶䛿䠈ୗグ䛾URL䜢䛤ぴୗ䛥䛔䠊h p://nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp/equipment.html
䠆䜎䛪䛿㟁ヰ䠈䝯䞊䝹䛻䛶䛤┦ㄯୗ䛥䛔䠊฼⏝┦ㄯ䛿↓ᩱ䛷䛩䠊

問い合わせ：ナノテクノロジープラットフォーム 名古屋大学 微細加工プラットフォーム事務局（岩田 聡）
E-mail: info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp，Phone: 052-789-3639
ホームページ http://nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp/

92

加工 PF-10 概要

実施機関
実
施機関
ロゴ
ロ
ゴ

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム䝅䝸䝁䞁䛸ྛ✀≀㉁䛾䝘䝜ᚤ⣽ຍᕤ䛻䜘䜛䝝䜲䝤䝸䝑䝗໬䜒䛾䛵䛟䜚㇏⏣ᕤᴗ኱Ꮫ

㻌㻌

ᨭ᥼Ⓩ㘓⿦⨨

㻰㼑㼑㼜㻌㻾㼑㼍㼏㼠㼕㼢㼑㻌㻵㼛㼚㻌㻱㼠㼏㼔㼕㼚㼓⿦⨨ఫ཭⢭ᐦᕤᴗ㻹㼡㼘㼠㼕㼜㼘㼑㼤㻙㻭㻿㻱㻙㻿㻾㻱㻙㻿㻱䞉䃥㻟䜲䞁䝏 䝅䝸䝁䞁⏝䠄㔠ᒓ๤䛝ฟ䛧䝃䞁䝥䝹䛿⚗Ṇ䠅㠀᥋ゐ䠏ḟඖ⾲㠃ᙧ≧䞉⢒䛥ᐃᶵ㻌㼆㼥㼓㼛♫㻌㻺㼑㼣㼂㼕㼑㼣㻌㻣㻟㻜㻜 䝅䝇䝔䝮䠄ྵ䠖䝣䜱䝹䝮䚸ືⓗ䜸䝥䝅䝵䞁䠅 ⓑⰍᖸ΅ィ䚸䞉ᮦᩱ䛿୙ၥ㻌 㻌 㻌 䞉䝃䜲䝈䛿䝇䝔䞊䝆䛻㍕䜜䜀ྍ⬟䜽䝺䝇䝔䝑䜽㻯㻭㻮㻸㻙㻤㻞㻜㻜㼀㻲㻱㻌 㻌 㻯㻭㻮㻸㻙㻞㻜㻜㻜䞉䠯䡅䚸䜺䝷䝇➼ྛ✀ᇶᯈ䝇䝟䝑䝍䠄㔠ᒓ䚸⤯⦕య䠅⵨╔⿦⨨䝸䜺䜽㻌㻾㻵㻺㼀㻌㼀㼀㻾㻙㻟䚸㻾㻙㻭㼄㻵㻿䚸㻺㼍㼚㼛㼢㼕㼑㼣㼑㼞䚸㻾㻙㻭㼄㻵㻿㻌㼂㻵㻵䚸䝬䝑䜽䝃䜲䜶䞁䝇㻌㻰㻵㻼㻝㻜㻜㻜䞉ᮦᩱไ㝈䛿ᑡ䛺䛔䠄せ┦ㄯ䠅䚸䞉㼙㼙䝃䜲䝈䛛䜙ィ ྍ⬟㻌㻌䛆ᇶ┙ᢏ⾡䛇

䝅䝸䝁䞁⣔䝥䝻䝉䝇䠄䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮䠖ᢏ⾡ᨭ᥼ဨ䠅

䠄ᨭ᥼Ⓩ㘓⿦⨨䠏䠎ྎ䚹䛭䛾௚䛾኱Ꮫಖ᭷⿦⨨䜒฼⏝ྍ⬟䚹䠅ከ┠ⓗ㼄⥺ᅇᢡ⿦⨨ ୍ᘧ㻌㻌䠄◊✲ᐊ⩌䠖ඛ➃◊✲⪅䠅◊✲タഛ㟁Ꮚ䝡䞊䝮ᥥ⏬⿦⨨

㻌㻌㻌㻌

㻌㻌

䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮䜢ഛ䛘䚸㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬䜔㓟໬䞉ᣑᩓ⅔䛺䛹䚸ᚤ⣽ຍᕤ䛻ᚲせ䛺ᶆ‽タഛ䛸䝅䝸䝁䞁⣔䠄㻟䡚㻠䜲䞁䝏ᑐᛂ䠅⣲Ꮚ䛾༙ᑟయ䝥䝻䝉䝇タഛ䜢ഛ䛘䛶䛚䜚䚸௻ᴗ䛷ᐇົ⤒㦂䛾䛒䜛ᢏ⾡⫋ဨ䛜ᢏ⾡ᣦᑟ䞉ጤクຍᕤ䛻ᑐᛂ䛩䜛䚹䜎䛯䚸䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨䜢ᑟධ䛧䚸᭱᪂タഛ➼䛾඘ᐇ䜒ᅗ䜚䛴䛴䛒䜛䚹୍᪉䚸ከ✀ከᵝ䛺䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䜢ᣢ䛴◊✲ᐊ⩌䜒㐃ᦠ䛧䛶ᨭ᥼άື䜢ᐇ᪋䛩䜛䚹◊✲ᐊ⩌䛷䛿䚸䊢㻙䊤᪘䚸䜹䞊䝪䞁䚸☢Ẽᮦᩱ➼䜢⏝䛔䛯䝘䝜ᵓ㐀䛾ຍᕤ䞉ᙧᡂ䞉ホ౯⏝䛾≉␗ⓗ䛺タഛ䞉⿦⨨⩌䜢᭷䛧䛶䛚䜚䚸ඛ➃◊✲䜢᥎㐍䛩䜛◊✲⪅䛜ᨭ᥼༠ຊ䛩䜛䚹䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾䜔㼄⥺ィ ➼䛻䜘䜛ᵓ㐀ホ౯䜒㎿㏿䛻⾜䛘䜛䚹䝅䝸䝁䞁ᚤ⣽ຍᕤᢏ⾡䛸ᵝ䚻䛺ᮦᩱ䛾䝘䝜ᵓ㐀య䛸䛾䝝䜲䝤䝸䝑䝗໬䛜ྍ⬟䛷䚸ຍᕤ䞉ᙧᡂ䞉ホ౯➼䛾୍㐃䛾ᨭ᥼άື䛜୍䛛ᡤ䛷⾜䛘䜛䛣䛸䜢≉ᚩ䛸䛩䜛䚹Ⱚᾆ䜶䝺䝔䝑䜽㻯㻲㻿㻙㻠㻱㻿䠄ᖹ⾜ᖹᯈᆺ䠅䞉ᡤ᭷䝍䞊䝀䝑䝖䠄㼀㼕㻘㻌㻭㼘㻘㻌㻭㼓㻘㻼㼐㻘㻌㻿㼕㻻㻞㻘㻭㼘㻞㻻㻟㻘㻌㻿㼕㻺㻘 䠝䡑䠅䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨኱᪥ᮏ⛉◊㻹㼄㻙㻝㻞㻜㻠䞉㻡䡉䡉ゅ䡚㻝㻡㻜䡉䡉ゅᇶᯈᑐᛂ䞉䃥㻠䜲䞁䝏ෆ䛾㻞䃛䡉㻌 㻸㻒㻿 ඲㠃ᥥ⏬᫬㛫㻟㻜ศ⛬ᗘㅮ⩦఍ 䛾ᵝᏊ

฼⏝஦౛
500Pm

normalresistUV-curedresist

10Pm

10mm

䛆ᡂ⭷䛇
㻌 㻌 䞉䝇䝟䝑䝍䠄㔠ᒓ䠈⤯⦕య䠅⵨╔⿦⨨㻌 㻌 䞉㟁Ꮚ䝡䞊䝮䠄㔠ᒓ䠅⵨╔⿦⨨㻌 㻌 䞉ศᏊ⥺䜶䝢䝍䜻䝅䞊⿦⨨㻌 㻌 䞉䜹䞊䝪䞁⏝䝥䝷䝈䝬ᡂ⭷⿦⨨㻌 㻌 䞉ཎᏊᒙሁ✚⿦⨨䛆䝸䝋䜾䝷䝣䜱䛇㻌 㻌 䞉㟁Ꮚ䝡䞊䝮ᥥ⏬⿦⨨㻌 㻌 䞉䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘⿦⨨㻌 㻌 䞉䝺䝆䝇䝖ฎ⌮⿦⨨䠄㼁㼂䜻䝳䜰䠈䜰䝑䝅䞁䜾䠅㻌 㻌 䞉䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨䛆Ὑί䛇㻌 㻌 䞉Ὑί䝗䝷䝣䝖୍ᘧ䛆⇕ฎ⌮䞉୙⣧≀ฎ⌮䛇㻌 㻌 䞉䝅䝸䝁䞁ᑓ⏝䛾ྛ✀⇕ฎ⌮䠄㓟໬䠈ᣑᩓ䠅⿦⨨୍ᘧ㻌 㻌 䞉䜲䜸䞁ᡴ䛱㎸䜏⿦⨨䛆䜶䝑䝏䞁䜾䛇㻌 㻌 䞉㻾㼑㼍㼏㼠㼕㼢㼑㻌㻵㼛㼚㻌㻱㼠㼏㼔㼕㼚㼓㻌⿦⨨䠄㠀㻮㼛㼟㼏㼔䝥䝻䝉䝇䠅㻌 㻌 䞉㻰㼑㼑㼜㻌㻾㼑㼍㼏㼠㼕㼢㼑㻌㻵㼛㼚㻌㻱㼠㼏㼔㼕㼚㼓⿦⨨䠄㻮㼛㼟㼏㼔䝥䝻䝉䝇䠅㻌 㻌 䞉Ẽ┦䝣䝑㓟䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䛆䛭䛾௚䚸ᚋᕤ⛬䛇㻌 㻌 䞉䝎䜲䝅䞁䜾⿦⨨䛆ィ 䞉ศᯒ䛇㻌 㻌 䞉㟁⏺ᨺฟᙧ㉮ᰝ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄㻲㻱㻙㻿㻱㻹䠅㻌 㻌 㻌 䠄㟁Ꮚ⥺ᚋ᪉ᩓ஘ᅇᢡ㻔㻱㻮㻿㻰㻕௜ᒓ䠅㻌 㻌 䞉䝕䝆䝍䝹䝬䜲䜽䝻䝇䝁䞊䝥㻌 㻌 䞉䜶䝸䝥䝋䝯䞊䝍䞊㻌 㻌 䞉⾲㠃ᙧ≧ ᐃჾ䠄ẁᕪィ䠅㻌 㻌 䞉㠀᥋ゐ䠏ḟඖ⾲㠃ᙧ≧䞉⢒䛥 ᐃᶵ㻌 㻌 䞉䝅䞊䝖᢬ᢠ ᐃჾ㻌 㻌 䞉䝷䜲䝣䝍䜲䝮 ᐃ⿦⨨㻌 㻌 䞉㉮ᰝᆺ䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾㻌 㻌 䞉ከ┠ⓗ㼄⥺ᅇᢡ⿦⨨ ୍ᘧ㻌 㻌 䞉䝣䞊䝸䜶ኚ᥮ᆺ㉥እศගගᗘィ ୍ᘧ㻌 㻌 䞉䝷䝬䞁ศග⿦⨨ ୍ᘧ㻌 㻌 䞉㟷Ⰽ䝺䞊䝄೫ග㢧ᚤ㙾฼⏝ᙧែ䛸฼⏝ᩱ㔠䠄ヲ⣽䛻䛴䛔䛶䛿ၥྜ䛫ୗ䛥䛔䚹䠅䞉฼⏝ᙧែ䠖
AFM / STM probe䝢䜶䝌᢬ᢠ䝉䞁䝃௜䛝䝥䝻䞊䝤䛾ඛ➃䛻䠟䠪䠰䜢ᡂ㛗䛧䛯䚹
Patterned Ni NPs To be resonator㻝㻚㻌ᢏ⾡┦ㄯ䚸㻞㻚㻌ᢏ⾡௦⾜䚸㻟㻚㻌ᢏ⾡⿵ຓ䚸㻠㻚㻌ᶵჾ฼⏝䚸㻡㻚㻌ඹྠ◊✲

CNT on䝣䜷䝖䝸䝋䜾䝷䝣䜱䠄䝬䝇䜽2ᯛ䠅䛻䛶䝘䝜䜼䝱䝑䝥㟁ᴟ䜰䝺䜲䜢〇స䛧䛯䚹䞉ᩱ㔠⾲䠄┠Ᏻ䠅䠖⾲䠍䛾ᑐ㇟㈝┠䛻ᑐ䛧䚸⾲䠎䛾⟬ฟ᪉ἲ䛷ᐃ䜎䜛㢠䜢䛤㈇ᢸ㡬䛝䜎䛩䚹

Cantileverᖹᡂ24ᖺᗘ䛄⚽䛔䛷䛯฼⏝䠒኱ᡂᯝ䛅ཷ㈹Gaussian03
B3LYP/6-31 G +(d)

a-Si
SiO2
Si

⾲䠍

䐟 ⿦⨨฼⏝ᩱ
7HPSHUDWXUH7 >qC@

SEMീ

EBSDീ
Ⓨᒎ◊✲䛜
䛄2013ᖺᛂ⏝≀⌮Ꮫ఍⛅ᏘᏛ⾡ㅮ₇఍䛅
Poster Awardཷ㈹

B䝗䞊䝥
Si ⷧ⭷

103.9kHz  

(WFKUDWH>ȝPPLQ@䜹䞁䝏䝺䝞䞊ᆺ᣺ືᏊస〇䝥䝻䝉䝇









7 >.@

基板温度によりエッチレート、形状、表面化学
組成が大幅に変化する性質があ
る。

P䝗䞊䝥
Si ⷧ⭷
111

MEMS᣺ືᏊ䛾⤖ᬗ໬≧ែ
001 101᣺ືᏊ䛾ඹ᣺≉ᛶ䜰䝰䝹䝣䜯䝇䠯䡅ⷧ⭷ሁ✚ᚋ䚸⤖ᬗ໬ಁ㐍ฎ⌮䜢⾜䛔䚸䜹䞁䝏䝺䝞䞊ᆺMEMS᣺ືᏊ䜢ヨస䛧䛯䚹䛭䛾⤖ᬗ໬ᵓ㐀䛸᣺ືᏊ䛾ඹ᣺≉ᛶ䛸䛾┦㛵䜢ホ౯䛧䛯䚹኱Ꮫ䞉බⓗᶵ㛵䡴䢔䡬䢙䢕䡬䢍䚸◊✲ᐊᡤ᭷⿦⨨➼䛾฼⏝

MEMS䛾Si≛≅ᒙ䜶䝑䝏䞁䜾⏝䛻ᚑ᮶䛿䚸㍺ධ䛻㢗䜚㧗౯䛺
XeF2䜢౑䛳䛶䛔䜛䚹ᅜෆ⏕⏘ྍ⬟䛺NO䛸F2䜢⏝䛔䚸F2 + NO
䊻 F + FNO䛾䝥䝷䝈䝬䜢౑⏝䛧䛺䛔Ⓨ⇕཯ᛂ䛻䜘䜚䚸┬䜶䝛䝹䜼䞊䛛䛴ప䝁䝇䝖䛾䜶䝑䝏䞁䜾䜢ᐇ⌧䛩䜛䚹



䐠 ௦⾜㈝

సᴗㄳ㈇

䐡 䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮㻌 㻌 ᇶᮏධᐊᩱᮏᏛつᐃ䛾ᇶᮏධᐊᩱ

௻ᴗᐇ㈝ᨺ෇䠋᫬㛫    

Vertical etch rate, Ev
Lateral etch rate, EL






฼⏝⪅

ᑐ㇟㈝┠

⏣ᔱ⪽⨾䚸ᯘಇ㞝䠄ྡྂᒇ኱Ꮫ䠅ᨺ
෇䠋᫬㛫

ᐇ㈝

䞉䛭䛾௚䚸ฟᙇ᪑㈝䚸ᐟἩ㈝䚸㣗㈝➼䛿䚸฼⏝⪅䛾㈇ᢸ䛸䛩䜛䚹⾲䠎฼⏝⪅኱Ꮫ䞉බⓗᶵ㛵௻ᴗ䐟㻗䐠䛜䠌䡚䠒䠌୓෇௨ୗ䠄䐟㻗䐠䠅㽢㻜㻚㻡㻌㻗䐡䠄䐟㻗䐠䠅㽢㻜㻚㻣㻡㻌㻗䐡䐟㻗䐠䛜䠒䠌୓䠍෇௨ୖ䠄䐟㻗䐠䠅㻌㻙㻟㻜୓෇㻌㻗䐡䠄䐟㻗䐠䠅㻌㻙㻝㻡୓෇㻌㻗䐡⥲㈝⏝㢠䛭䛾௚䠖 䠎䡚䠍䠌୓෇䛾ᐃ㢠ఏ⚊ᡶ䛔᪉ᘧ䠄㻞୓෇䛾ᩚᩘಸ䚹฼⏝⪅㻌 㻌㻌 㻌 㻌 㻌 ㈇ᢸ㢠䛜ᐃ㢠䜢㉸䛘䜛ሙྜ䛿㏣ຍ㈝⏝䛜Ⓨ⏕䠅䜒䛒䜚䜎䛩䚹㻌 㻌 㻌 㻌 ᨭᡶ᪉ἲ䛸㈝⏝ㄆᐃ䛿┦ㄯ䛻ᛂ䛨䚸ᰂ㌾䛻ᑐᛂ䛧䜎䛩䚹㻌㻌

問い合わせ：ナノテクノロジープラットフォーム 研究支援室（安田美智枝）
E-mail: nanoplatform̲oﬃce@toyota-ti.ac.jp，Phone: 052-809-1723
ホームページ http://www.toyota-ti.ac.jp/kenkyu/nanoplatform/index.html

93

加工 PF-11 概要ᩥ㒊⛉Ꮫ┬䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮஦ᴗᚤ⣽ຍᕤ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮਎੃প৾ 崲崶崮崗崶嵕崠嵤崷崾ುਡ੗ர੗஘峔ਸੵಎ઼岝௬੼ಎ઼岵峳岾ൌ஦峘ਸੵ峕়岰ಎ઼峼৭උ峑岷峨峃ુ৷峃 ಎ઼ණ
ુ৷峃峵ಎ઼ණ

਎੃প৾崲崶崮崗崶嵕崠嵤崷崾ುਡ峙岝 ઎ਰ঱峘ਈৗོ๶಍ਸੵಎ઼ණ峒 ੡峘௧୅ૼ୒૙৩峼ཕ峁岝ଢ଼஢৫৅୭୆峒য৓ઐ૴୭୆峼઀୹峁峨峃‫؝‬崲崶嵒崥崘嵑崽崋嵤੗ர੗஘峔੦ഝ嵣ුჍ౫મ峼‫ڰ‬岝‫ڲ‬崌嵛崩峘崎崐崷嵔嵁嵓峑ਸੵ嵣௬੼峃峵岽峒岶峑岷峵崲崶嵆崌崗嵕૥੿嵑崌嵛峼઀୹峃峵岝৫岵島峉઱ਝ峒峁峐ઈ৷峁峨峃‫؝‬ৈச嵆崡崗嵔崡່୾ಎ઼૏એ嵆崡崗崊嵑崌崲嵤ௐჍ嵔崠崡崰崛嵤崧 ಉੑপએ஋தৈசਗ਼৕଍
๜઺ಎ઼崲崶౫મਸੵ嵣൉ଲ

崡崮崫崹嵤

ಎ઼

嵔嵤崞嵤ઉம๜઺ಎ઼

崲崶౫મীෲ嵣௬੼჌ਞরਙ଍ଣਗ਼崱嵑崌崐崫崩嵛崘ಎ઼

৸ખೝཫକዓ୾崌嵉嵤崠嵛崘崟崡崮嵈

໱ཇಽ崱嵑崌崐崫崩嵛崘ಎ઼஥൘峴崱嵑崌崐崫崩崌崒嵛崻嵤嵈
ਸੵಎ઼嵛崘ಎ઼ী୾崐嵒崿崥嵉嵤崧䇷
଍৚ീಎ઼

ಎ઼

崿嵑崢嵆

ૐ൶崌崒嵛崻嵤嵈
௒ਪਗ਼৕ႀ๶ྰ

ਗ਼৕଍Ⴊାಎ઼

੗੪崡崹崫崧
ಎ઼嵔嵤崞嵤崨崌崟嵛崘ಎ઼ ಉ
ੑ

ীෲ௒ਪ
ਗ਼৕ႀ๶ྰ

ৈசัরਉ৕
৑ৡႀ๶ྰઌ૬崿嵕嵤崸䇷 ಉ
ੑ

ಎ઼

ಎ઼

ਹ৷হ୻
൉ఇ崡崗嵒嵤崳嵛崘峼৯৓峒峁峉嵆崌崗嵕૴ଡ଼崯崸崌崡ৈச嵆崡崗嵔崡່୾ಎ઼ಉ峼ਹ৷峁嵆崌崗嵕૴৬崯崸崌崡ଲ峁峉‫؝‬
૴ଡ଼峕ੱ൙岝ຩට಍ཝ峼଑ো峁岝嵆崌崗嵕嵅嵛崿峕峲峵൷嵓嵤崿࿯୭᪶૴௺峑ಿ岶峽ද
峘ౢ੿৷峼௬੼峁峉‫ৢ؝‬ଞ峘嵆崌崗嵕崿嵔嵤崰峑峙௬੼峑岷峔岮ಿ岶峽ද峘ౢ੿৷峼਼ੀ峑ੂ峫峐৥ᐱ峕௬੼峑岷峉‫؝‬೘੟峘ਛশ嵊崳崧嵒嵛崘৷崣嵛崝峘৫৅ଲ峼੿೘੟உ峘ਛশ嵉崓崳崢嵈ੰ৥峘峉峫岝 崎崏崷঱峕ଲ嵆崌崗嵕崼嵑嵤崊嵔崌崯崸崌崡岵峳ଡਛ岿島峵๶৵崽崑嵤崡崣嵛崝嵤঳৬஑嵆崌崗嵕૴ଡ଼崯崸崌崡峼੿ଲ峁岝உ峘ਛশ଱৿峼ੑ೾峁峉‫؝‬崼嵑嵤ৈ岿‫؟‬ઉྫྷ‫؟‬ȝ崼嵑嵤৑࿒‫؟‬

୼ઌ

ȝ

ಿ岶峽ද

峘௬੼੥ટ

‫ك‬

લஶ੦ഝ঱峕崸崌崲嵒嵤崹崧嵤嵛峼஄ਛஉ岶ਛশ峁峉
૥੿崯崸崌崡୼ઌ

੫঵

ఢ਋ਙ

嵑嵛崨嵈ਙ

‫گ‬峎峘ਹ৷஄ଙ岶岬峴峨峃ૼ୒ৼ୥‫؟‬௧ભ峘ૼ୒૙৩岶岝ਹ৷঻峘ൌ஦峃峵๶಍ਸੵ岝௬੼峕峎岮峐ৼ୥峼അ峴岝峇峘ৰਠ্১峼岾঳ค峕અ岲峨峃‫؝‬ਹ৷મস峙 ঩岬峉峴岝 ৎ৑岬峉峴峑ৠ峨峍峐岮峨峃ਃஓਹ৷ ૼ୒ଓஃ‫؟‬௧ભ峘ૼ୒૙৩岶岝ಎ઼峘ඝ੿崰嵔嵤崳嵛崘峼ষ岮峨峃岞崰嵔嵤崳嵛崘৏峙ਹ৷঻ঽ峳岶ಎ઼峼ඝ੿岮峉峊岷岝ૼ୒૙৩岶ి࿤ૼ୒੍ର峼ষ岮峨峃‫؝‬‫ڭ‬঩મস
৞৞஥൘峴崱嵑崌崐崫崩嵛崘ಎ઼

崝嵈崛 ઙ

৞

৞

崨崌崟嵛崘崥嵤ઙ 崯崋崡崛

৞৞ඡଉૄ஺୷ੑઙ 崊嵓崸崫崗

৞৞嵔嵤崞嵤ઉம๜઺ಎ઼

୾਄ল峁஍૨੝ఒ岝嵈嵑峘଩੖峼୸ਛ崻崖崲嵤岵峳௧୅ੇ峨峑岝র৵੫঵岵峳প৾峨峑੍ର峁峨峃৻਀୻‫ق‬ถ峁岹峙嵃嵤嵈嵂嵤崠峼岾༮岹峊岿岮‫ك‬‫ڭ‬ৎ৑મস

ස৥

඲཯ᑕ

̭P

ਛટਁ৫嵣嵣嵣嵣嵣ල౐峔ਹ৷ਾઔછ峼઀ল岮峉峊岷峨峃ਹ৷ਾઔછ峙ਁ৫岿島峨峃岶岝ਹ৷મস岶ર๴岿島峨峃
ਛટశਁ৫嵣嵣嵣ਹ৷৯৓岝৔ઍ峼அ峫঳જਁ৫峃峵૑ਏ峙
岬峴峨峅峽

嵉嵤崓嵤

થਃ

᩿㠃ᅗ

嵣
ഓ
嵣ਈ૘࿡১ ̭P

ਛટਁ৫岝శਁ৫峘 ர峘ਹ৷崛嵤崡峼৷ਔ峁峐岮峨峃

ਃஓ੡

‫ك ق‬

‫ك ق‬

崯崸崌崡৔峑峘உ峘ਛশ峘ெૄ௕

ઋপ୾ణ਑౪ଡୗ峕峲峴୾৚ീਠ଴峼崛嵛崰嵕嵤嵓峃峵岽峒峑৅୾崯崸崌崡峘ਙચ਱঱岶૭ચ峒峔峍峉‫؝‬ଡୗ崹崧嵤嵛峕峲峴岝৸ખೝ峑൷੢峫峳島峉୾峼଩੖峁岝岵峎嵑嵛崨嵈ਙ峼હଖȝ崲崢崲峘਌உ峘௓ਤৡ峙ਯ崒嵤崨嵤峑
岬峵岽峒岶ਖ਼৥峁峉‫؝‬਎প‫ق‬ӓҶҼӟӐӣӞҴӈ峒ૼ୒৻ষ‫؟‬ಎ઼峘ઞ৷৽ୡ岶࿅峁岹岾ঽମ峑峘ਸੵ峮௬੼峕ঽਦ峘峔岮岾ਹ৷঻岝೫্峘岾ਹ৷঻峘峉峫峕岝ૼ୒૙৩岶ਸੵ峮௬੼峘৻ষ峼岮峉峁峨峃‫৻୒ૼق؝‬ষ峙ਛટਁ৫஑ਹ৷峕଒峴峨
峃‫ك‬



94

୾ణ਑౪ଡୗ峕峲峵৅୾崯崸崌崡峘ਙચ਱঱ၥ䛔ྜ䜟䛫䠖ி㒔኱Ꮫ 䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝝䝤ᣐⅬ䠈䝩䞊䝮䝨䞊䝆

加工 PF-12 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォームপଚপ৾崲崶崮崗崶嵕崠嵤ਝ૟୹৷ುਡ
๶಍ਸੵ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈পଚপ৾崲崶崮崗崶嵕崠嵤ਝ૟୹৷ುਡ峑峙岝ਓ঵‫ط‬ଢ଼஢崌崶嵁嵤崟嵏嵛峘੦ೕૼ୒峒峔峵૚ர୤৕崻嵤嵈峼৷岮峉崲崶崽崉崾嵒崙嵤崟嵏嵛ૼ୒峘৫৅峮ઃ਼৻峘່୾ૼ୒峑岬峵(89嵒崥崘嵑崽崋嵤ৰਠ峘ჶ峒峔峵嵔崠崡崰৫৅峒௬੼岝થਃ‫ط‬૮ਃ‫ط‬෷৲੟ಉ峘૚ரಞ౫岵峳ਛ峵ா๶崯崸崌崡੿ਛ嵣௬੼峮્౮৓峔崲崶ଡୗ৬峘੿ਛಉ峕๾൴峁峨峃岞岿峳峕岝ਊುਡ৔ਝ઼峃峵๶಍ଡୗੰෲ‫ط‬ী৕嵣੟ସ়ਛ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈峮৾৔峘ਓ৾৴௚ম৖峒৴௚嵣ੈৡ峃峵岽峒峑੫঵峮ଢ଼஢ਃঢ়峒峘થਃ৓峔৴௚ಉ峼஥峫峎峎岝੦ຊ੦ೕૼ୒峼નয়峁岝ৗਓ঵൉ল峘ຊ峼ണ岷峨峃岞ম৾岶峬峎|ඈ|峒ਊುਡਹ৷঻峘੆়峼峙岵峵峊岻峑峔岹岝峎峘崿嵑崫崰崽崑嵤嵈峼ৢ峁峐ਗ峕৫岵島峉崒嵤嵓崠嵋崹嵛৬਑峘崚嵤崰崎崏崌峒峔峵岽峒峑岝য౫୘ਛ峮崌崶嵁嵤崟嵏嵛峘ற峒峔峵ੴৄ嵣ૼ୒峼൉ল峃峵ಡ৷ುਡ峒峁峐੕়৓峔ଢ଼஢੍ର峼ষ岮峨峃岞ଢ଼஢ਝ૟‫ٹ‬ਸசਗ਼ಓ峘౮峔峵઎峘(%嵒崥崘嵑崽崋嵤ಎ઼‫گٹ‬઎峘),%ಎ઼
‫ٹ‬૚ர崱嵑崌崐崫崩嵛崘ಎ઼‫ٹ‬૚ரਛჍಎ઼

䣅䣮䣣䣵䣵䢢䢳䢲䢲䢲 儓兎兠兗兏兠兄䢳䢴䢷䣭䣧䣘䢢䣇䣄䢢䣎䣫䣶䣪䣱䣩䣴䣣䣲䣪䣻䢢䢵䢲䣭䣧䣘䢢䣇䣄䢢䣎䣫䣶䣪䣱䣩䣴䣣䣲䣪䣻䢢䣎䣇䣆䢢䣏䣣䣵䣭䣮䣧䣵䣵䢢䣎䣫䣶䣪䣱䣩䣴䣣䣲䣪䣻䢢

(%๜઺

),%

ુ৷ਝ૟੡

嵉嵤崓嵤嵣஑୞

தৈಖ಍ਗ਼৕崻嵤嵈嵒崥崘嵑崽崋嵤ಎ઼崐嵒崒崳崗崡 (/67%ৈಖ಍ਗ਼৕଍嵒崥崘嵑崽崋嵤ಎ઼崐嵒崒崳崗崡 (/67&ਗ਼৕崻嵤嵈嵒崥崘嵑崽崋嵤ಎ઼঩মਗ਼৕ -60)ZLWK%HDP'UDZ&ૐ൶崌崒嵛崻嵤嵈ಎ઼঩য়崷崌崮崗崝崌崐嵛崡 60,

&ઽ൶崌崒嵛崻嵤嵈ාକ৲৾Ⴊାಎ઼

=HLVV1YLVLRQ'ZLWK139(%ৈಖ಍ૐ൶崌崒嵛崻嵤嵈ಎ઼=HLVV25,211DQR)DE$/('๜઺崟崡崮嵈崼嵤崐嵈崮崋嵤 3/6

&嵆崡崗崊嵑崌崲嵤

嵇崓崝 0$

&
%

୾๜઺

䣈䣋䣄䢢䢪䣉䣣䢫䢢䢭䢢䣈䣇䢯䣕䣇䣏䢢䣐䣣䣰䣱䣫䣯䣲䣴䣫䣰䣶䢢䣈䣋䣄䢢䢪䣊䣧䢱䣐䣧䢫䢢崐崫崩嵛崘஥໧峴崐崫崩嵛崘ಎ઼崝嵈崛 5,(L3%

嵒崊崗崮崋崾崌崒嵛崐崫崩嵛崘ಎ઼崝嵈崛 5,(15%嵒崊崗崮崋崾崌崒嵛崐崫崩嵛崘ಎ઼崝嵈崛 5,(128&ਛჍ崌崒嵛崟嵋嵗嵤崐崫崩嵛崘ಎ઼崐嵒崒崳崗崡  (,6(5&5)崡崹崫崧ਛჍಎ઼崝嵛嵎嵤ਗ਼৕ 69&/5)

%

੗੪'&5)崡崹崫崧ಎ઼崕嵌崶嵛崊崵嵓崸 (%

$崲崶ුჍ஄ਛ崟崡崮嵈崊嵓崸崫崗 8(327+&&崲崶崌嵛崿嵒嵛崰ಎ઼

2EGXFDW (LWUH&崌嵛崿嵒嵛崰

䣔䣈儝儵儧儣⿦⨨䣇䣄⵨╔⿦⨨῝᥀僰儌儧儥兗儔⿦⨨ਹ৷஄ଙ峒ਹ৷મস

਴ਛ‫ڳ‬ফ২ ਛટহ୻㧗䣓್儮儲ග儹儅儈儴ඹ᣺ჾ僔స〇㧗ᓥ⚽⪽䣣䢮䢢኱ỤᗣᏊ䣣䢮䢢⚟⏣⣧䣣䢮䢢୸㇂ᾈỌ䣣䢮䢢➉ෆ⦾ᶞ䣣䢢ி㒔኱Ꮫ኱Ꮫ㝔ᕤᏛ◊✲⛉䝘䝜䝣䜯䜲䝞䝤䝷䝑䜾ඹ᣺ჾ䠄NFBC䠅䛾ຍᕤ䛻䛿㞟᮰䜲䜸䞁䝡䞊䝮䠄FIB䠅⿦⨨(᪥❧䝝䜲䝔䜽䝃䜲䜶䞁䝇䚸
SMI2050)䜢⏝䛔䛯䚹
㧗䛥100 nm䚸ᖜ5 ʅŵ䛾㛗᪉ᙧ䜢䚸300 nm㛫㝸䛷80ಶసᅗ䛧䛯䚹䛭䛧䛶䚸450 nm䛾㛫㝸䜢䛒䛡䛶ྠᵝ䛾ᵓ㐀䜢సᅗ䛧ຍᕤ㡿ᇦ䛸䛧䛶タᐃ䛧䛯(ᅗ1)䚹

ᅗ1䠖NFBC䛾SIMീ

స〇䛧䛯NFBC䛾Q್䜢ホ౯䛩䜛䛯䜑䚸ග※䛻ⓑⰍග※䜢⏝䛔䚸ศගჾ䜢⏝䛔䛶㏱㐣䝇䝨䜽䝖䝹䜢 ᐃ䛧䛯(ᅗ2)䚹
NFBC䛾Ḟ㝗㡿ᇦ䛻௜╔䛥䛫䛯㔞Ꮚ䝗䝑䝖(CdSe/ZnS)䜢䚸ᑐ≀䝺䞁䝈䜢⏝䛔䝣䜯䜲䝞䛾እഃ䛛䜙ບ㉳䛧䚸
NFBC䜢⤒⏤䛧䛶㔞Ꮚ䝗䝑䝖䛛䜙䛾Ⓨග䜢䚸ศගჾ䜢⏝䛔䛶 ᐃ䛧䛯(ᅗ3)䚹

ਃஓਹ৷ਹ৷঻ঽ峳岶ਃஓ峼ඝ੿峃峵ૼ୒੍ର‫঻ੱੂق‬峢峘ਃஓඝ੿੐଑峼அ峪‫ك‬ૼ୒ଓஃುਡ崡崧崫崽岶ଓஃ岝ඝ੿্১峼੐଑峁峔岶峳ਹ৷঻岶ਃஓ峼ඝ੿峃峵ૼ୒੍ରૼ୒৻ষುਡ崡崧崫崽岶ਹ৷঻峕৻峹峍峐ਃஓ峼ඝ੿峃峵ૼ୒੍ରુ৊ଢ଼஢ುਡ崡崧崫崽峒ਹ৷঻岶ଢ଼஢峼ુ৊峑ৰ઱ૼ୒ৼ୥ುਡ崡崧崫崽峒ૼ୒৓৔ઍ峕峎岮峐ৼ୥

฼⏝ᩱ㔠
⿦⨨⩌

A

ᅗ䠎䠖NFBC䛾㏱㐣䝇䝨䜽䝖䝹ᅗ3䠖PL䝇䝨䜽䝖䝹

BCඹ᣺ჾ䛾ඹ㬆Ἴ㛗䛻୍⮴䛩䜛Ἴ㛗䛷ቑᙉ䛥䜜䛯Ⓨග䝢䞊䜽䛜ほ 䛥䜜䛯䚹

ಎ઼ණ

ᩱ㔠ไ
ᚑ㔞ไ(෇䠋4᫬㛫)᭶ᴟ(෇䠋᭶)ᖺᴟ(෇䠋ᖺ)ᚑ㔞ไ(෇䠋4᫬㛫䠅᭶ᴟ(෇䠋᭶)ᖺᴟ(෇䠋ᖺ)ᚑ㔞ไ(෇䠋4᫬㛫䠅᭶ᴟ(෇䠋᭶)ᖺᴟ(෇䠋ᖺ)኱Ꮫ䞉බⓗ◊✲ᶵ㛵Ẹ㛫௻ᴗ➼㻌 㻌 12,000
120,000
1,200,000
8,000
80,000800,000
6,000
60,000600,000

18,000180,000
1,800,000
12,000120,000
1,200,000
9,000
90,000900,000峨峄峙ৣ੶峘হਜଂ峢৴൪峁岝ਹ৷ৼ୥ ૮મ 岵峳崡崧嵤崰峁峐ৣ岿岮岞崶 嵒 崞 嵗ਖ岮়峹峅‫؟‬পଚপ৾崲崶崮崗崶嵕崠嵤ਝ૟୹৷ುਡ ๶಍ਸੵ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈‫ق‬১᫖ਁབ‫ ك‬
HPDLOLQIRQDQRSODW#VDQNHQRVDNDXDFMS‫؜‬3KRQH
嵃嵤嵈嵂嵤崠 KWWSQDQRSODWIRUPRVDNDXDFMS

95

加工 PF-13 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム

香川大学

社会連携・知的財産センター

ナノテクノロジー支援室

事業概要
四国唯一のナノテクノロジープラットフォーム拠点として、MEMS、
NEMSを核とした支援を行っています。
様々な材料を不定形〜4インチに対応する試作ラインを提供致します。
・ナノマイクロリソグラフィ装置
・ナノマイクロ成膜/エッチング装置
・ナノマイクロ材料分析/評価装置
単一装置のみの利用から、複数装置の組み合わせ利用まで、幅広くご対応致します。

微細加工設備⿦⨨ྡ䠄ᆺᘧ䠅ᥥ⏬⿦⨨㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨(䜶䝸䜸䝙䜽䝇♫〇 ELS-7500EX)
䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨ (኱᪥ᮏ⛉◊♫〇 MX-1204)
䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨∦㠃䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘(䝭䜹䝃♫〇 MA-10ᆺ)䝇䝢䞁䝁䞊䝍(䝭䜹䝃♫〇 1H-DX2)ຍᕤ⿦⨨┿✵⵨╔⿦⨨(䠱䠨䠲䠝䠟♫〇 VPC-1100)
䜲䜸䞁䝅䝱䝽䞊(䜶䝸䜸䝙䜽䝇♫〇 EIS-200ER)
䝕䝳䜰䝹䜲䜸䞁䝡䞊䝮䝇䝟䝑䝍⿦⨨(䝝䝅䝜䝔䝑䜽♫〇 10W-IBS)䝎䜲䝅䞁䜾䝬䝅䞁(䠠䠥䠯䠟䠫♫〇 DAD3220)

䝬䝇䜽䜰䝷䜲䝘

┿✵⵨╔⿦⨨

䝇䝢䞁䝁䞊䝍

䜲䜸䞁䝅䝱䝽䞊ⓑⰍᖸ΅ᘧ୕ḟඖᙧ≧ ᐃჾ(䝤䝹䜹䞊䞉䜶䜲䜶䝑䜽䝇䜶䝇♫〇 NT91001A-in mothion)䝕䝳䜰䝹䜲䜸䞁䝡䞊䝮䝇䝟䝑䝍⿦⨨

䝎䜲䝅䞁䜾䝬䝅䞁

䜴䜶䝝䝥䝻䞊䝞(䜹䞊䝹䞉䝈䞊䝇♫〇 PM5)㧗ಸ⋡䝕䝆䝍䝹䝬䜲䜽䝻䝇䝁䞊䝥(䝝䜲䝻䝑䜽䝇♫〇 KH-7700)䝺䞊䝄䞊ᘧ୕ḟඖᙧ≧ホ౯⿦⨨ᐃჾ(୕㮚ගჾ♫〇 NH-3N)

䜶䝸䝥䝋䝯䞊䝍(⁁ᑼගᏛ♫〇 DHA-XA/M8)ⓑⰍᖸ΅ᘧ୕ḟඖᙧ≧ ᐃჾ䠐᥈㔪ᆺⷧ⭷᢬ᢠ⋡ィ(䜶䝚䝢䜲䜶䝇♫〇 KS-TC-40-SB-VR)䜲䜸䞁䝁䞊䝍(䠦䠡䠫䠨♫〇 JFC-1600)
ᐃჾ(䜰䝹䝞䝑䜽♫〇 DekTak8)㧗ಸ⋡䝕䝆䝍䝹
䝬䜲䜽䝻䝇䝁䞊䝥䝺䞊䝄䞊ᘧ୕ḟඖᙧ≧ィ ჾ䜶䝸䝥䝋䝯䞊䝍

利用形態㉮ᰝ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄䠡䠠䠯௜䛝䠅(䠦䠡䠫䠨♫〇 JSM-6060-EDS)ゐ㔪ᘧ⾲㠃ᙧ≧䜴䜶䝝䝥䝻䞊䝞

下記5種類の利用形態があります䜲䜸䞁䝁䞊䝍
㉮ᰝ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄䠡䠠䠯௜䛝䠅䠐῝㔪ᆺⷧ⭷᢬ᢠ⋡ィ

利用事例ゐ㔪ᘧ⾲㠃ᙧ≧ᐃჾDekTak8

利用形態◆◆デバイス作製事例
平成27年度F-15-GA-0004
香川大学工学部
材料創造工学科＜＜主な利用装置＞
・・デュアルイオンビームスパッタ
・・触針式表面形状測定器

多層膜メタマテリアルの断面SEM像
上記装置を利用し、金属（Au）- 誘電体（SiO2）多層膜構造をSi基板上に作製し、試料の断面像をFESEMにより撮影した。
Au層、SiO2層の平均膜厚が16nm, 23nmと得られ、膜厚比が0.7であることが分かった。これにより論理計算との比較が可能となり、定量的な議論が出来た。

共同研究

利用者と支援者が共同で実施する成果公開
型研究

機器利用

利用者が自立して、自ら機器を操作する

技術代行

支援者が利用者に代行して設備を操作する

技術相談

利用者からの相談に専門家として応える技
術コンサルタントとしての支援

技術補助

操作方法を自ら機器を操作することができるように使用法を指導する

お問い合わせは、下記のメールアドレス or 電話にてお受け致します。
ホームページに今までの活動実績などを掲載していますので、
是非一度ご覧ください。

問い合わせ：香川大学 社会連携・知的財産センター ナノテクノロジー支援室（鈴木 勝順）
E-mail: nanoplatform@ao.kagawa-u.ac.jp，Phone: 087-887-1873
ホームページ http://www.kagawa-u.ac.jp/nanoplatform/

96

加工 PF-14 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム࠼޽‫ܖٻ‬ἜἠἙἢỶἋὉἢỶỼᗡӳᅹ‫ܖ‬ᄂᆮ৑ ࣇኬь߻ૅੲܴᗈᓥ኱Ꮫ䛷䛿䚸䝘䝜䝕䝞䜲䝇䞉䝞䜲䜸⼥ྜ⛉Ꮫ◊✲ᡤ䛾䝇䞊䝟䞊䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮䛻タ⨨䛥䜜䛯㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䜢ጞ䜑䛸䛩䜛䝕䝞䜲䝇ヨస䝷䜲䞁䜢⏝䛔䛶䚸䝅䝸䝁䞁䝧䞊䝇䛾ᚤ⣽ຍᕤ䛚䜘䜃ᚤ⣽䝕䝞䜲䝇స〇ᨭ᥼䜢ᐇ᪋䛧䜎䛩䚹䝅䝸䝁䞁௨እ䛾ᮦᩱ䛻ᢏᑐ䛧䛶䜒ྍ⬟䛺㝈䜚ᑐᛂ䛧䜎䛩䚹䛥䜙䛻⾡䚸䝞䜲䜸㛵㐃䝕䝞䜲䝇䛻㛵䛧䛶䜒␗ศ㔝⼥ྜ䜢᥎㐍䛧䚸㧗ᗘ䛷ከᵝ䛺ᨭ᥼䜢ᥦ౪䛧䜎䛩䚹୰ᅜ䞉ᅄᅜᆅ༊୰᰾ᶵ㛵
ᗈᓥ኱Ꮫ

㐃ᦠᶵ㛵
ᒣཱྀ኱Ꮫ

䕿୺䛺ᨭ᥼ᶵ⬟ᢸᙜศ㔝䠖䝘䝜䜶䝺䜽䝖䝻䝙䜽䝇䠄䝅䝸䝁䞁⣔䠅䕿୺䛺ᨭ᥼ᶵ⬟ᢸᙜศ㔝䠖䝘䝜䜶䝺䜽䝖䝻䝙䜽䝇䠄㠀䝅䝸䝁䞁⣔䠅䝘䝜䝕䝞䜲䝇䞉䝞䜲䜸⼥ྜ⛉Ꮫ◊✲ᡤ

㐃ᦠᶵ㛵
㤶ᕝ኱Ꮫ

஑ᕞᆅ༊㐃ᦠᶵ㛵໭஑ᕞ⏘ᴗᏛ⾡᥎㐍ᶵᵓ䠄䠅䕿୺䛺ᨭ᥼ᶵ⬟ᢸᙜศ㔝䠖
N&MEMS䕿୺䛺ᨭ᥼ᶵ⬟ᢸᙜศ㔝䠖
CMOS䠃MEMS䝇䞊䝟䞊䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮ෆ㢼ᬒᄂᆮᚨͳᗈᓥ኱Ꮫ䛿ᒣཱྀ኱䚸㤶ᕝ኱䚸䛸㐃ᦠ䛧䛶ᚤ⣽ຍᕤᨭ᥼䜢⾜䛔䜎䛩䚹䝸䝋䜾䝷䝣䜱䞊⿦⨨⩌ᗈᓥ኱Ꮫ䝘䝜䝕䝞䜲䝇䞉䝞䜲䜸⼥ྜ⛉Ꮫ◊✲ᡤ䛿䜽䝷䝇㻝㻜䛾䝇䞊䝟䞊䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮䚸ཬ䜃㟁Ꮚ⥺ᥥ⏬⿦⨨䚸ⷧ⭷ሁ✚⿦⨨䚸䝗䝷䜲䜶䝑䝏䞁䜾⿦ ྍኚᡂᙧ᪉ᘧ㟁Ꮚ䝡䞊䝮ᥥ⏬⿦⨨䠄᪥❧㻴㻸㻣㻜㻜䠅⨨➼䛾䝘䝜䝕䝞䜲䝇ヨస䝷䜲䞁䜢᭷䛧䛶䛚䜚䚸༙ᑟయ䝕䝞䜲䝇䜢タィ䛛䜙ⷧ⭷ᙧᡂ⿦⨨⩌
㛤ጞ䛧䛶䝅䝸䝁䞁䜴䜵䝝ୖ䜈ヨస䛩䜛䜎䛷୍㈏䛧䛶⾜䛘䜛䛣䛸䛜≉ᚩ䛷䛩䚹䝫䜲䞁䝖䝡䞊䝮᪉ᘧ㟁Ꮚ䝡䞊䝮ᥥ⏬⿦⨨䠄䜶䝸䜸䝙䜽䝇 㻱㻸㻿㻙㻳㻝㻜㻜䠅䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨䠄䝘䝜䝅䝇䝔䝮䝋䝸䝳䞊䝅䝵䞁䝈㻰㻸㻙㻝㻜㻜㻜䠅㻿㼕㻺ཬ䜃㻿㼕㻻㻞 ሁ✚⏝ᖹ⾜ᖹᯈᆺ䝥䝷䝈䝬㻯㼂㻰⿦⨨ 㻔䜰䝹䝞䝑䜽㻕㔠ᒓ㓄⥺⏝䝇䝟䝑䝍䝸䞁䜾⿦⨨㻔䜶䜲䝁䞊㻕

Мဇ࢟७㻿㼕㻻㻞ሁ✚⏝኱Ẽᅽ㻯㼂㻰⿦⨨㻔ኳ㇂〇సᡤ㻕ඹྠ◊✲฼⏝⪅䛸ᨭ᥼⪅䛜ඹྠ䛷ᐇ᪋䛩䜛◊✲ᶵჾ฼⏝฼⏝⪅䛜⮬❧䛧䛶䚸⮬䜙ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᢏ⾡ᨭ᥼ᢏ⾡௦⾜ᨭ᥼⪅䛜฼⏝⪅䛻௦⾜䛧䛶タഛ䜢᧯స䛩䜛ᢏ⾡ᨭ᥼ 䠄ᢏ⾡௦⾜ᩱ䛜⏕䛨䜎䛩䠅ᢏ⾡┦ㄯ฼⏝⪅䛛䜙䛾┦ㄯ䛻ᑓ㛛ᐙ䛸䛧䛶ᛂ䛘䜛ᢏ⾡䝁䞁䝃䝹䝍䞁䝖䛸䛧䛶䛾ᨭ᥼ᢏ⾡⿵ຓᨭ᥼⪅䛜⿵ຓ䛧䚸᧯స᪉ἲ䜢ᣦᑟ䛧䛺䛜䜙䚸฼⏝⪅䛜ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᢏ⾡ᨭ᥼䝥䝷䝈䝬䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨⩌㻭㼘⏝㻵㻯㻼䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䠄䝴䞊䝔䝑䜽䠅

㻿㼕⏝㻵㻯㻼䠄ㄏᑟ⤖ྜ䝥䝷䝈䝬䠅䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䠄䝴䞊䝔䝑䜽䠅

䝅䝸䝁䞁⏝῝᥀䜚䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨㻔ఫ཭⢭ᐦᕤᴗ䠈㻹㼁㻯㻙㻞㻝㻕㓟໬䚸䜰䝙䞊䝹䚸୙⣧≀ὀධ⿦⨨⩌฼⏝ᩱ㔠౛ 䠄ᖹᡂ㻞㻤ᖺ㻝㻞᭶⌧ᅾ䠅ᨭ᥼㈇ᢸ㔠䠄෇㻛᫬㛫䠅

⿦⨨➼ྡᑐᛂྍ⬟䛺ヨᩱ䝃䜲䝈㉸㧗⢭ᗘ㟁Ꮚ䝡䞊䝮ᥥ⏬⿦⨨ 㻔䜶䝸䜸䝙䜽䝇䠈㻱㻸㻿㻙㻳㻝㻜㻜㻕㻞䡚㻢䜲䞁䝏䠈䜹䝑䝖䜴䜵䝝㻞㻜㻘㻜㻜㻜

䝬䝇䜽䝺䝇㟢ග⿦⨨䠄䝘䝜䝅䝇䝔䝮䝋䝸䝳䞊䝅䝵䞁䝈 㻰㻙㼘㼕㼓㼔㼠㻌㻰㻸㻙㻝㻜㻜㻜䠅㻞㻘 㻠䜲䞁䝏䠈䜹䝑䝖䜴䜵䝝㻡㻘㻡㻜㻜㻞䜲䞁䝏䠈䜹䝑䝖䜴䜵䝝㻝㻘㻢㻜㻜ῶᅽ㻯㼂㻰⿦⨨ 㻔㼜㼛㼘㼥㻙㻿㼕䠈㻿㼕㻻㻞䠈㻿㼕㻺ሁ✚⏝㻕䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨䠄㻿㼕῝᥀䜚⏝䠅䜲䜸䞁ὀධ⿦⨨䝷䝄䝣䜷䞊䝗ᚋ᪉ᩓ஘ ᐃ⿦⨨㻠䜲䞁䝏㻔௚䛾䝃䜲䝈䛿㻠䜲
䞁䝏䛻㈞䜚௜䛡䛶ᑐᛂྍ㻕㻞䜲䞁䝏䠈䜹䝑䝖䜴䜵䝝㻙䜲䜸䞁ὀධ⿦⨨㻔䜰䝹䝞䝑䜽㻕䝸䞁ᣑᩓ⅔
㻔⚄ ⢭ᶵ㻕

㻞ḟ䜲䜸䞁㉁㔞ศᯒ⿦⨨㻔䜰䝹䝞䝑䜽㻙䝣䜯䜲 㻼㻴㻵㻙㻢㻢㻡㻜㻕ཎᏊ㛫ຊ㢧ᚤ㙾䠄䝉䜲䝁䞊䜲䞁䝇䝒䝹䝯䞁䝒 㻿㻼㻵㻟㻤㻜㻜䠅㼄⥺ග㟁Ꮚศගศᯒ⿦⨨㻔㻷㻾㻭㼀㻻㻿 㻱㻿㻯㻭㻙㻟㻠㻜㻜㻕ศග䜶䝸䝥䝋䝯䞊䝍䞊䠄䝆䜵䞊䞉䜶䞊䞉䜴䞊䝷䝮䞉䝆䝱䝟䞁 㻹㻙㻞㻜㻜㻜㻰䠅䝩䞊䝹ຠᯝ ᐃ⿦⨨㻔㻭㻯㻯㻱㻺㼀 㻴㻸㻡㻡㻜㻜㻼㻯㻕㟁⏺ᨺฟᆺ㉮ᰝ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄᪥❧ 㻿㻠㻣㻜㻜䠅㓟໬䞉ᣑᩓ⅔㻔ᮾி䜶䝺䜽䝖䝻䞁㻕ⷧ⭷≀ᛶホ౯⿦⨨⩌㻝㻞㻘㻝㻜㻜㻥㻘㻜㻜㻜㻡㻘㻝㻜㻜䕔䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮฼⏝ᩱ䛿ู㏵㻥㻜㻜෇㻛᫬㛫䛷䛩䚹 䕔ᢏ⾡௦⾜䛾ሙྜ䛿௦⾜ᩱ㻞㻣㻜㻜෇㻛᫬㛫䛜⏕䛨䜎䛩䚹

Мဇʙ̊

ૅੲ২ᘐ̊
䕔 ᚤ⣽ຍᕤPFᨭ᥼䛾䛯䜑䛾▷⣡CMOSస〇ᢏ⾡㉸㧗⢭ᗘ㟁Ꮚ䝡䞊䝮ᥥ⏬⿦⨨䜶䝸䜸䝙䜽䝇

ῶᅽᘧ໬ᏛⓗẼ┦ᡂ㛗⿦⨨䠄䠅䝷䝄䝣䜷䞊䝗ᚋ᪉ᩓ஘ᐃ⿦⨨᭱ᑠ⥺ᖜ6nm䛾ᴟᚤ⣽䝟䝍䞊䞁䛜ᥥ⏬ྍ⬟䛺䝫䜲䞁䝖䝡䞊䝮᪉ᘧ䛾㟁Ꮚ䝡䞊䝮㟢ග⿦⨨䛷䛩䚹ῶᅽ䛥䜜䛯཯ᛂ⅔䛷䝅䝸䝁䞁❅໬⭷䚸䝫䝸䝅䝸䝁⭷䜢ᇶᯈୖ䛻ᙧᡂ䛧䜎䛩䚹䞁⭷䚸ཪ䛿䝷䝄䝣䜷䞊䝗ᚋ᪉ᩓ஘ศᯒἲ(RBS)䛿䚸䜲䜸䞁䜢㧗㏿䛻ຍ㏿䛧䛶ᅛయ⾲㠃䛻↷ᑕ䛧䚸ヨᩱ୰䛾ཎᏊ᰾䛸䛾ᙎᛶᩓ஘䛻䜘䛳䛶ᚋ᪉䛻㊴
䛽㏉䛥䜜䛯䜲䜸䞁䛾䜶䝛䝹䜼䞊䛸ᙉᗘ䜢 ᐃ䛩䜛ศᯒᡭἲ䛷䛩䚹㠀◚ቯ䛷䚸⾲㠃㏆ഐ䛾⤌ᡂ䛸䛭䛾῝䛥᪉ྥ䛾ኚ໬䜢ㄪ䜉䜛䛣䛸䛜䛷䛝䜎䛩䚹䞉ຍ㏿㟁ᅽ䠖 25, 50, 75, 100 kV䞉ヨᩱ䝃䜲䝈䠖 2䡚6䜲䞁䝏ཬ䜃䜹䝑䝖䜴䜵䝝䛻ᑐᛂ

⏝䠖
䛾⇕ศゎ䚹
䉝
⏝䠖 䝆䜽䝻䝻䝅䝷䞁䛸䜰䞁䝰䝙䜰䛾཯ᛂ䉝⏝䠖䛸ΰྜ䝰䞊䝗䚸
䜸䝌䞁䛾䠎䛴䛾
䝰䞊䝗ྍ⬟䚹᭱㧗 ᗘ䉝ᑐᛂྍ⬟ヨᩱ䝃䜲䝈䠖䜲䞁䝏ཬ䜃䜹䝑䝖䜴䜵䝝ᗈᓥ኱Ꮫ䛷䛿䛥䜙䛺䜛ᨭ᥼ຊᙉ໬䛻ྥ䛡䛶䚸CMOS䜢ྵ䜐䝕䝞
䜲䝇㛤Ⓨᨭ᥼䜢┠ⓗ䛸䛧䛯䚸▷⣡ᮇCMOSస〇ᢏ⾡䛾㛤Ⓨ䛻ྲྀ䜚⤌䜣䛷䛔䜎䛩䚹
pMOSFETnMOSFET
Al 㟁ᴟ
SiO2

n+

n+

SiO2

p+

VOUT

᭱▷4᪥䛷స〇W/L = 50/10 um
Vg = 0 to 3 V in 0.2 V step

Vth = - 0.9 V

1 ȝm

100 nm༢㟁Ꮚ䝖䝷䞁䝆䝇䝍ᙧᡂ⏝䛾䝺䝆䝇䝖䝟䝍䞊䞁⭷䜢䜶䝑䝏䞁䜾䛧䛶ᙧ
ᡂ䛧䛯ගᑟἼ
㊰ཬ䜃᪉ྥᛶ
⤖ྜჾᐃ⿦⨨Vth = 0.72 V

1.5E-03
1.0E-035.0E-04
0.0E+00-3䝷䝄䝣䜷䞊䝗ᚋ᪉ᩓ஘nMOSFET

W/L = 100/10 um
Vg = 0 to -3 V in -0.2 V step

2.0E-03-2-101
䝗䝺䜲䞁㟁ᅽ Vd (V)23

CMOS䜲䞁䝞䞊䝍ෆ䛾nMOSཬ䜃pMOS䝖䝷䞁䝆䝇䝍
䛾Id-Vd ≉ᛶ

䝭䝇䝖
〇䛧䛯
ⷧ⭷䛾
䝖䝹

ἲ䛷స
䝇䝨䜽

GND

ヨస䛧䛯CMOS䜲䞁䝞䞊䝍ฟຊ㟁ᅽ VOUT (V)䝗䝺䜲䞁㟁ὶ |Id| (A)pMOSFET
2.5E-03

nMOS
FET

SiO2

p+

n-䜴䜵䝹

Al 㟁ᴟ

p-ᆺ Si ᇶᯈ

VIN

VDD
pMOS
FET

Al 㟁ᴟ

Al 䝀䞊䝖㟁ᴟAl 䝀䞊䝖㟁ᴟ

3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0

VDD (V)
3
2
1
0

0.5

1 1.5 2 2.5ධຊ㟁ᅽ VIN (V)3స〇䛧䛯CMOS 䜲䞁䝞䞊䝍䛾ධฟຊ≉ᛶ

ご利用・ご相談については下記のEメール
アドレスへお問い合わせ下さい。

問い合わせ：広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 ナノテクノロジープラットフォーム微細加工支援室（田部井 哲夫）
E-mail: nanotech@hiroshima-u.ac.jp, Phone: 082-424-6265
ホームページ http://www.nanofab.hiroshima-u.ac.jp

97

加工 PF-15 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォーム৛ઠপ৾ ๶಍ਸੵউছॵॺইज़‫ش‬঒Support Laboratory of Nanofabrication, Yamaguchi University‫ٹ‬ງஂ৛ઠপ৾भ੍ରभ્ඉ
৛ઠপ৾भ
भ੍ର
भ੍ର

੍ରಎ઼঳༮

‫ٹ‬੪தৈઌ૬५ঃॵॱಎ઼‫ؚ‬ਗ਼৕଍๜઺ಎ઼ऩन‫ؚ‬ৈષସුჍଲୗृ
๶಍ਸੵ৷भ્ඉँॊಎ઼ණ॑৳થ

தৈҩாৈઌ૬फ़५ীෲಎ઼
தৈாৈઌ૬फ़५ীෲಎ઼

๶಍ਸੵಎ઼

‫ුٹ‬Ⴭ஄ਛृ๶಍ਸੵभ੦ೕधखथாৈઌ૬୭୆दभா๶୤फ़५ীෲಎ઼ණ॑  ਗ਼৕଍๜઺ಎ઼‫ق‬ਸசਗ਼ಓN9 ৳થਗ਼৕଍๜઺ಎ઼‫ق‬ਸசਗ਼ಓN9 

PickUp!

फ़५ଣলச২೾৒ಎ઼
ಊആ൓௞फ़५ীෲಎ઼‫ق‬ৈ૎২஑‫ك‬

PickUp!

‫ٹ‬ාਗ਼৬‫؞‬჌ਙ৬‫؞‬த஫଑৬ऩन‫ؚ‬઄଑৬ਰਗभ౫મ॑ৌ଴धखञ੍ରभৰ઱

ঐ५ॡ॔ছॖॼ‫ش‬ಊആ൓௞फ़५ীෲಎ઼‫ॲق‬ॖॼ঑ॵॡ஑‫ك‬‫ٹ‬ਓ঵যभয౫୘ਛ ‫ق‬৛ઠপ৾ਁ৫൥ౠ َઌ૬ૼ୒भ੦ຊधૢ৷ُ‫ ك‬ध৴௚஥໧ॉग़ॵॳথॢಎ઼

தৈઌ૬ীಓ೾৒ಎ઼

‫ٹ‬঩মઌ૬ੵ঵ভऩन‫ؚ‬ਓ঵੮৬धभੈৡ

๶৵௴௄೾৒ಎ઼

(&5ग़ॵॳথॢಎ઼

ුჍ஄ਛಎ઼

‫ٹ‬র஛বృପ৴௚पेॊ੍ର৔ઍभౄৰ

PickUp!

೫࿒൥ଝ়৊३থএ४क़঒

ସઑ‫؞‬
ਔৄઐఌ

ધ৖ఐ৾੄ ॼঀॸॡঀট४‫ش‬উছॵॺইज़‫ش‬঒হ঵ॼঀॸॡঀট४‫ش‬উছॵॺইज़‫ش‬঒হ঵ ๶಍ਸੵউছॵॺইज़‫ش‬঒

)$,6

র
ಲ

র
ಲ

௒ਪ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ‫ق‬6(0 ੪ঐॢॿॺটথ5)५ঃॵॱಎ઼

ग़জউ९ও‫قॱش‬ী୾஑‫ك‬

ସઑ‫؞‬
ਔৄઐఌ

PickUp!

PickUp!

‫୼ق‬ઌ઀୹
‫؟‬ಘਆপ৾஘‫ك‬

র
ಲ

ಘਆপ৾

=U2:೸ਗ਼ੀଣೝ஑ਗ਼
৕ฯधਈৈN9भਸசਗ਼ಓभ఼৷पेॉਈ৵অ
‫ش‬঒ྫྷQP̗भா಍଍৷
অ‫ش‬঒॑শৎ৑਍৒खथ
ઞ৷दऌॊ‫؛‬ঞ‫ش‬२๝௱ஓ࿌ൗ५ॸ‫ش‬४હऌ‫؛‬

ସઑ‫؞‬
ਔৄઐఌ

‫ق‬৛ઠপ৾‫ك‬ਸ਼৚‫؟‬਴ਛফা঩ভৃ ઁਣপ৾
૞ਸ঻ ੡

ਸ਼৚‫؟‬਴ਛফা঩

ਸ਼৚‫؟‬਴ਛফা঩ভৃ ৛ઠপ৾
૞ਸ঻ ੡

ਸ਼৚‫؟‬਴ਛফা঩َઌ૬भ਼ੀُ

૥મஷ৿஑჌ৡੑ‫ق‬960 ॡজ‫ش‬থঝ‫ش‬঒‫ق‬ॡছ५ ઁਣপ৾঍५ॺ‫؟‬
৛ઠপ৾ඡଉૄ਀એ஄૾೾৒ಎ઼

8+9੪५ঃॵॱಎ઼

َઌ૬भ੦ຊ‫؞‬ઌ૬এথউभ਄ඞःُ
൥ప‫؟‬๹༰൤ม ৛ઠপ‫ك‬ਭ൥঻‫؟‬੡਴ਛফ২༎௮৫઩
‫؛‬ਗ਼৕৖ષ‫؞‬ਗ਼৕ॹংॖ५‫؞‬ຆૃ৖ષऩनऊ
ैभ৅েफ़५॑‫ৢؚ‬ਗ਼‫؞‬ฌ৿૾ଙद೾৒ऋ૭
ચ‫؛‬ओਹ৷फ़ॖॻ ถखऎमउਖ়चऎटऔः‫ك‬D ુ৊ଢ଼஢

G ૼ୒৻ষ
ૼ୒৻ষ

E ਃஓਹ৷

H ૼ୒ৼ୥

ঘ‫ش‬२‫ش‬ध৛ઠপ৾धऋુ৊दଢ଼஢॑ষःऽघ‫؛‬൥ప‫؟‬๹༰൤ม ৛ઠপ‫ك‬ਭ൥঻‫؟‬੡ ৾ਗ‫؟‬੡‫ك‬ঘ‫ش‬२‫ش‬ঽैਃஓ॑ඝ੿घॊऒधऋदऌऽघ‫؛‬जभ౎ফਯ৚‫ؚ‬ਃঢ়6N\SHভ৮‫ঀॼؚ‬੓৕ভ‫ق‬੓ਙ੍ର঻৴൪ভ‫॑ك‬ষः‫ؚ‬੍ରभ்भఁপ‫୒ૼ؞‬ৡभ਱঱॑৯੐खथःॊ

F ૼ୒ଓஃ

੍ର৩ऋଓஃ॑ষःऩऋै‫ؚ‬ঘ‫ش‬२‫ش‬ऋਃஓ॑ਹ৷
घॊऒधऋदऌऽघ‫؛‬ঘ‫ش‬२‫ش‬भओൂ౅पेॉ‫৻ؚ‬ষद੍ରःञखऽघ‫؛‬๶಍ਸੵૼ୒‫؞‬ઌ૬ૼ୒भৼ୥प௧୅ੇधखथउૢइ ःञखऽघ‫؛‬I য౫୘ਛ

঺ভয਱ऐभਁ৫൥ౠृল৐൥ౠ॑৫൥खथःऽघ‫؛‬‫ ٹ‬ਹ৷হ୻
Мဇʙ̊Ĭ )<$
෩˳ƴǑǔࣇ᣽๨Ǖ౨Ј২ᘐƷ᧏ႆْ৯৓ٓั৬दुਞ৬ध৊஘प๶୤๫ोऋગਠदऌ‫ؚ‬๫ोਫ਼লऋ
૭ચऩऒध॑ৰ઒‫؛‬ْਛટٓ
)LJपั৬Ҵਞ৬๫ो૴୤ૻຎਫ਼઒ಎ઼भெૄ௕॑ંघ‫؛‬)LJप̗¡P¼Pभ়ਛલஶ಍ଵ॑๫ोሠधखञৃ
়भ‫ؚ‬ग़ॱঀ‫ش‬ঝ‫كٴق‬ध+Hफ़५‫كٸق‬भ๫ो૴୤भ଑
োಓৡൂோਙभৰୡ੥ટ॑ંघ‫؛‬ั৬भ๫ो૴୤म଑োಓৡभଭपజः‫ؚ‬ਞ৬भ๫ो૴୤
म଑োಓৡभଭपజअधःअੰෲ੥ટध঳ಱखञ‫؛‬Мဇʙ̊ĭ )<$
‫ݱٻ‬ฆ‫נ‬ȑǿȸȳƴ‫ࣖݣ‬ӧᏡƳ
/'/5ӼƚȬǸǹȈƱȗȭǻǹƷ᧏ႆْ৯৓ٓਗ਼৕଍জ९ॢছইॕभৈীੰਙध୾জ९ॢছইॕभৈ५
ঝ‫ش‬উॵॺਙ॑ણऊखञঞ४५ॺधजभਠ൸উট७५भ
৫৅‫؛‬
ْਛટٓ
Process)LJप(%່୾৏‫ؚ‬J଍॔ছॖॼ‫ش‬दResist Preparation່୾॑ষः‫ؚ‬ਠ൸खञছॖথभ஄૾॑
ંघ‫(؛‬%່୾ध୾່୾भம়৖ऋீ
Spin-coatingऽॊऩन஄૾पୖ਻म੗ःऋ‫ؚ‬঳ฐਠ൸पेॊঃॱ‫ش‬থ஄ਛपਛ඘खञ‫؛‬Мဇʙ̊ĮࣇኬನᡯƴǑǔ຤Ǖࣱᚸ̖¡P३জ॥থक़ग़ঁ঱भ๶಍ଡ
ୗ఺लक़ग़ঁরఙपᅙৣऔ
ोञႪ೏਷Мဇʙ̊įᆔŷƷȕǩȈȞǹǯ˺ᙌৈச๜઺ऋ૭ચऩ
N9भ(%दॖথॳঐ५ॡभ੿
ଲऋ૭ચ‫؛‬PrebakingTemperature : 115 Υ
Time : 2 min

Calibrated
Leak
Probe
Liquid / Gas

Leak Rate䠄Pam3/sec䠅

10-3

QMS

VacuumChamberLeak Sample

He Leak
Detector

Fig. 1 Experimental set up.

EB:1Pm space

EB:500 nm spaceМဇʙ̊(%3KRWR*DOOHU\ 

10-4

EB Exposure
10-5

Accelerating voltage : 50 kV
Beam current : 100 pA

10-6
䖃: ETOH Ex.
ʊ: ETOH Cal.
䕕: He Gas Ex.
: He Gas Cal.

10-7

10-8
10-2

10-1

100

101

g-Line Exposure
Wave Length: 405nm
102

Pressure 䠄MPa䠅Fig. 2 Pressure changes of leak rates forethanol and He gas through the leak pathmade of fused silica tube (f10mm㽢2 m).

Development
Developer : 1% KOH
Solution
Rinse: Pure WaterϭϬʅŵ

EB:100 nm space
g-LineResistRESIST
Electronl
BeamResistRESIST
Electron BeamResistRESISTFig.1 SEM image of resist pattern developed by
KOH1% for 30 seconds after photolithographic(56 mJ/cm2) and electron beam (220 μC/cm2)
exposures.

&+(&.(5'3$77(51500nm/6 QPϭʅŵ

'273$77(51+(55,1*%21(

200nm

ϭʅŵ

+,*+ $63(&7 5$7,2

300nm%/$=('&,5&/(उਖः়ॎच੔‫؟‬৛ઠপ৾ প৾ଢ଼஢௓ਤਃଡ ๶಍ਸੵ੍ର஼ ษઠ૿ਊ‫؟‬਽੨ ඤౘ‫ك‬(PDLO‫؟‬QDQRWHFK#\DPDJXFKLXDFMS 3KRQH‫؟‬85/‫ ؟‬KWWSZZZQDQRWHFKVDQJDNX\DPDJXFKLXDFMS

98

加工 PF-16 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

微細加工プラットフォームਁஇଃ੮১যਨృପਓ঵৾୒௓ਤਃଡ 岧)$,6岨ુ৊ଢ଼஢৫৅崣嵛崧嵤ృପ৉ય๶಍ਸੵ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈ುਡਨృପ৾୒ଢ଼஢੃৘

‫ق‬ਨృପ৘଄ૈય峜峝岷峘‫ك‬ುਡງஂ 岧)$,6岨ુ৊ଢ଼஢৫৅崣嵛崧嵤岧)$,6岨ુ৊ଢ଼஢৫৅崣嵛崧嵤峕峙మ峕,&嵣0(06ঢ়৴崯崸崌崡ଢ଼஢৫৅਱岻峘崗嵒嵤嵛嵓嵤嵈峼ਝ઼峁峐岴峴‫؜‬௧ભ峘ૼ୒崡崧崫崽岶঩‫ر‬ಎ઼嵉嵛崮崲嵛崡峮଎ራષଵ৶ಉ峼ৰ઱峁峐岮峨峃岞
మ峕峙೵ଢ଼஢஼
岶৖ો岬峴‫؜‬崗嵒嵤嵛嵓嵤嵈峼ਹ৷峃峵ଢ଼஢঻峘೜஼峒峁峐ણ৷峃峵岽峒೵ଢ଼஢஼‫ق‬㠃✚䠖42.21m2‫ك‬岶૭ચ峑峃岞

岧)$,6岨ુ৊ଢ଼஢৫৅崣嵛崧嵤ਨృପ৾୒ଢ଼஢੃৘৔峘ુ৊ଢ଼஢৫৅崣嵛崧嵤峙‫؜‬,&嵣0(06ঢ়৴崯崸崌崡ଢ଼஢৫৅਱岻峘૚ர๶಍ਸੵਝ૟
峼થ峁‫ઁ؜‬岹੫঵嵣প৾ଢ଼஢ਃঢ়ಉ峕৫ଣ峁峐岮峨峃岞
岽島峳ਝ૟఺峝๶಍ਸੵૼ୒峙‫؜‬崸崌崒‫٭‬嵑崌崽崝崌崐嵛崡‫؜‬୭୆ૼ୒ী৙
峢峘ણ৷峬਋ୄ岿島峐岴峴‫؜‬੫঵嵣প৾峕岴岻峵๶಍ਸੵঢ়৴峘ଢ଼஢঻峘峩峔峳峄‫؜‬౮ী৙峘ଢ଼஢঻‫ق‬崸崌崒嵣ୢ௜௺ಉ‫ك‬峕峬ਹ৷峁峮峃岮୭୆峏岹峴峼৯੐峁峐਄峴ੌ峽峑岮峨峃岞ણ৷୻峇峘 岧&026崿嵕崣崡ષ঳ฮ৫৅੍ର岨ુ৊ଢ଼஢৫৅崣嵛崧嵤ஆঽ峘&026XP崿嵕崣崡峕੦岮峉ਝੑ嵓嵤嵓峼৷岮峐‫؜‬৚ଡ଼ਝੑ岵峳崽崑崰嵆崡崗੿ଲ‫؜‬৐ੵங‫؜‬৏ੵங‫્؜‬ਙ௬੼఺峝ਂଐੰෲ峨峑঳ਞৢฮ峘ଢ଼஢৫৅峼੍ର峁峨峃岞ਝੑ岵峳૥੿嵣௬੼峨峑峘঳ฮ峁峉ଢ଼஢৫৅੍ର

&026,&૥੿୻‫&ق‬KLS峕嵎嵤崞嵤岶ৼଭ峴峁峉୻‫ك‬ણ৷୻峇峘 岧0(06๶಍ਸੵૼ୒੍ର岨崙嵇崓嵓崿嵕崣崡஼崌崐嵕嵤嵓嵤嵈嵔崌崊崎崰ਝੑ஼

ੌয়೾৒஼嵆崌崗嵕崿嵕崣崡஼ 6L௺౫મ峼਌৬峒峁峉ਕઃ੪ଡୗ৬‫ق‬嵆崌崗嵕崾嵒崫崠嵣崓嵛崩嵔崸嵤嵣6L1ঽয়Ⴭಉ‫ك‬峮‫؜‬嵆崌崗嵕૗ਜ਼崣嵛崝峘ଲ੿峔峓‫؜‬ਯ‫ر‬峘6L崿嵕崣崡峘౎‫؜‬਷အ‫؜‬લஶ‫؜‬崝崽崉崌崊੦ഝ峔峓峼ઞ峍峉஘‫ر‬峔0(06崯崸崌崡峘ଢ଼஢৫৅峼੍ର峁峨峃岞

ٙਹ৷峨峑峘૴島ٙٙਹ৷મস਀ٙ

6L੦ഝ঱峘ਕઃ੪ଡୗ৬崊嵔崌嵆崌崗嵕崾嵒崫崠૥੿୻崾嵒崫崠৖ఁপ୼ઌ

嵆崌崗嵕૗ਜ਼崣嵛崝૥੿୻ણ৷୻峇峘 岧য౫୘ਛ岨਍৸ઇ୘峮崒嵂嵔嵤崟嵏嵛崰嵔嵤崳嵛崘峔峓‫؜‬઱ਝ峼਍৸峕ਹ৷峃峵峉峫峘੦ຊઇ୘峼ষ岰峒ુ峕‫؜‬๶಍ਸੵૼ
୒峼ૢ৷峁峉ৰ৷ਙ峘ৈ岮崊崿嵒崙嵤崟嵏嵛൉ল岶૭ચ峔য౫峼୘ਛ峃峵岽峒峼৯৓峒峁峉ઇ୘峼‫؜‬,&嵣0(06ঢ়৴峘ৰಆ஑崣嵇崲嵤峼ৢ峁峐ৰ઱峁峨峃岞

੍ରਛટ୻
੍ରਛ
୻ 岧஫೸
岧஫೸એ峘ਃચ৲峕峲峵஫೸യਤ峕ঢ়峃峵ଢ଼஢岨ਃચ৲ 峲
੺ফ峘0(06ૼ୒峘৅ன峕峲峍峐‫؜‬岮峹峰峵ৈ೸૴൶崯崸崌崡峘೸ଵ৶ਖ਻ੰৠ岶஦峨島峐岮峨峃岞ৈ೸ୟଛચৡ
峼ৰਠ峃峵峉峫峕峙ৼ૗৲஫೸峼ણ৷峃峵হ岶૑ਏ峑岬峴‫؜‬岽岽峑峙崛嵛崯嵛崝嵤峕ା৯峁‫؜‬峇峘ᅼೠ஫೸യਤ峼৯৓峒峁峐岮峨峃岞ᅼೠ஫೸യਤ峘峉峫峕峙‫؜‬๶৵ัᅙ峼ણ৷峃峵岽峒岶੎ਏ峑岬峴‫؜‬ਛশ峁峉ัᅙ峼஋ா৓峕ൾ௾峃峵૑ਏ岶岬峴峨峃岞峇岽峑‫؜‬嵆崌崗嵕崡崙嵤嵓峘ᣦ਷એ঱峘ัᅙ峕峲峵஫೸യਤ峼ৰਠ峃峵ቨ島ਙ岽岰ଦ峼થ峁峉ਃચਙ஫೸
એ峼ଲ੿峁峨峃岞ቨ島ਙ岽岰ଦ峒峙ᣦ਷એ岵峳஡਷એ峢峒એ஋ૻ岶ဉ‫ر‬峕૗৲峃峵஄૾峑岬峴‫؜‬峇島峕峲峍峐ัᅙ৐৏峕மඡഓ২୷岶ে峨島‫ั؜‬ᅙ岶஡਷એ峢峒ୟଛ岿島峵峬峘峑峃岞嵆崌崗嵕嵣崲崶崡崙嵤嵓峕岴岮峐峙੎ৡ峮Ⴊਞ峘峅峽૵ৡ峕峲峵ัᅙ峘ൾ௾峙਋ୄ峑岷峄‫؜‬ਛশ峁峉ัᅙ峕峲峵૴ଡ଼൷ኋ峘૭ચਙ峬અ岲峳島峨峃岞峇岽峑‫؜‬岽峘ቨ島ਙ岽岰ଦ峕峲峍峐ัᅙൾ௾஍ટ峼ৈ峫峵峒峒峬峕‫؜‬๶৵ัᅙ峕峲峵஫೸യਤ峼ৰਠ峁峨峃岞ਏಞૼ୒崣嵇崲嵤

,&૥੿崣嵇崲嵤

崽崑崰嵒崥崘嵑崽崋ৰಆᅼೠ೸૴൶峘യਤଲ੿崿嵕崣崡

ቨ島ਙᐉଦ঱峘ัᅙ峘୎৿

問い合わせ：公益財団法人北九州産業学術推進機構 共同研究開発センター（上野・安藤・竹内）
E-mail: nano01@hibikino.ne.jp Phone: 093-695-3007
ホームページ http://www.ksrp.or.jp/fais/sec/nano/index.html

99

分子・物質合成プラットフォーム

分子・物質合成プラットフォーム

合成 PF- 代表機関（1）
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォームਃચਙથਃ‫؞‬૮ਃ౫મ‫ঀॼ؞‬౫મ‫؞‬ে৬ী৕ಉभ়ਛ‫ؚ‬ী৕੟ସਝੑ੍॑ରखऽघ‫؛‬੔ഈਃஓ॑৷ःञଡୗ‫؞‬ਃચ્ਙभ௬੼ಉ੍॑ରखऽघ‫؛‬ੂੱ঻दु‫ؚ‬౫મ়ਛ‫ع‬ಎ઼भඝ੿্১ऽद‫ؚ‬ഛႠपઇइऽघ

்ઁःী৙भ੍ର

ਈ੔ഈभಎ઼भਹ৷

়ਛ嵣峬峘峏岹峴岵峳岝௬੼嵣ীෲ峨峑峼੕়৓峕崝嵅嵤崰峁岝ৗૠ౫મ峘ଢ଼஢৫৅峼ૢର峁峨峃岞 峇島峈島峘ৰ઱ਃঢ়峘્ඉ峼ে岵峁峉ଢ଼஢ਝ૟峬ౄৰ峁峐岴峴岝ਈ੔ഈ峘প஑ਝ૟岵峳岝崒嵒崠崲嵓峔્໰ಎ઼岝঳ಹ৓峔ಎ઼峨峑੗ர੗஘峕⑫岲峐岮峨峃岞தৈ჌ৃ‫ۇۂۃ‬峮ாഈྏਗ୾઱ਝ岝૚ரਗ਼৕ႀ๶ྰ岝崸崌崒崌嵉嵤崠嵛崘岝૚ரী୾ಎ઼峔峓岝਍੼峕ਹ৷লਟ峨峃岞ৗૠ৲়੟峘થਃ়ਛ岝ৗྜྷ崓嵤嵄嵛౫મ峘়ਛ岝崲崶၄৕岝ে৬ী৕৹ଲ峔峓岝峬峘峏岹峴嵣়ਛ峬੍ର峁峐岮峨峃岞Supports of nanofabrications and material synthesis䜹䞊䝪䞁䝘䝜䝏䝳䞊䝤䠄䠟䠪䠰䠅」ྜᮦ䛾㛤Ⓨ䜢⾜䛳䛶䛔䜎䛩䚹䝘䝜䝣䝻䞁䝔䜱䜰䝔䜽䝜䝻䝆䞊ᰴᘧ఍♫㻌 㻌 䠄ὠ⏣⸅ ᵝ䠅䠄฼⏝ᶵ㛵䠖஑ᕞ኱Ꮫ䠅䠟䠪䠰䜢⏝䛔䛯ኴ㝧⇕྾཰య䜔⇞ᩱ㟁ụ䛾䝉䝟䝺䞊䝍䞊➼䛾◊✲䜢㐍䜑䛶䛔䜎䛩䚹㞟⇕య䛿ኴ㝧⇕Ⓨ㟁䛾ᮦᩱ䛸䛧䛶䛾฼⏝䛜ᮇᚅ䛥䜜䛶䛔䜎䛩䚹஑኱䛻䛿䚸䠟䠪䠰䛻≉໬䛧䛯⿦⨨䛜ἑᒣ䛒䜛䛣䛸䜒㨩ຊ䛷䛩䛜䚸ఱ䜘䜚䝕䞊䝍䛾⪃ᐹ䛺䛹䜰䝗䝞䜲䝇㡬䛡䜛஦䛜୍␒䛾㨩ຊ䛰䛸ᛮ䛔䛔䜎䛩䚹䜎䛯฼⏝ᩱ䜒Ᏻ౯䛷䛩䛾䛷䚸ఱ䝃䞁䝥䝹䜒 ᐃ䛧䛺䛔䛸䛔䛡䛺䛔஦䛜ከ䛔䛾䛷䚸ᛮ䛖Ꮡศ䝕䞊䝍䛜ྲྀ䜜䜛䛾䛿ᮏᙜ䛻ຓ䛛䛳䛶䛔䜎䛩䚹䝍䝞䝁ᇵ㣴⣽⬊䜢⏝䛔䛶䚸௒䜎䛷䛷䛝䛺䛛䛳䛯䝍䞁䝟䜽㉁䜢
స䜛䛣䛸䛜䛷䛝䜎䛩䚹▼ᕝ┴❧኱Ꮫ㻌 㻌 䠄᳃ṇஅ෸ᩍᤵ䠅䠄฼⏝ᶵ㛵䠖䠦䠝䠥䠯䠰䠅䝍䝞䝁ᇵ㣴⣽⬊䜢⏝䛔䜜䜀䚸௒䜎䛷స䜛䛣䛸䛜䛷䛝䛺䛛䛳䛯䝍䞁䝟䜽㉁䜢䛴䛟䜛䛣䛸䛜䛷䛝䜎䛩䚹䛣䜜䛿㠀ᖖ䛻⏬ᮇⓗ䛺䛣䛸䛷䛩䚹䛹䜣䛺䝍䞁䝟䜽㉁䜒స䜜䜛䛸䛔䛖䛾䛿㧗䛔㟂せ䛜䛒䜚䚸䛧䛛䜒኱㔞䛻స䜛䛣䛸䛜䛷䛝䜎䛩䚹་⸆䜔䝞䜲䜸䛾◊✲⪅䛿ఱ䜢䛩䜛䛻䜒ᚲ䛪䝍䞁
䝟䜽㉁䛜ᚲせ䛸䛺䜚䜎䛩䚹ᡃ䚻䛾䜘䛖䛺ᑠ䛥䛺ᆅ᪉኱䛷኱ᆺ䛾䠪䠩䠮䛜㈙䛘䜛䛿䛪䛜䛒䜚䜎䛫䜣䚹䛷䛩䛜䚸䝘䝜䝥䝷䛿㠀ᖖ䛻Ᏻ౯䛻䚸䛭䛧䛶ᢏ⾡⫋ဨ䛾䝃䝫䞊䝖௜䛷⿦⨨䛜౑䛘䜎䛩䚹
ṇ┤䛒䜎䜚࿘䜚䛻ᩍ䛘䛯䛟䛺䛔䛷䛩䛽䚹

問い合わせ：分子・物質合成プラットフォーム 代表機関（分子科学研究所）
E-mail: nanoplat@ims.ac.jp，Phone:0564-55-7431
ホームページ http://mms-platform.com/

102

合成 PF- 代表機関（2）
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム
62৲ૼ୒॑ਹ৷खञ৲ဲષभ৫৅

୫ષभ๶಍ଡୗभੰෲ
୫ષप੎ਏऩ໚৲੟भଡୗ॑ઉமનੳ

6ROLGLQRLO（62）調製方法

అৼ
水相（親水性薬物）

油中分散਷ৼ‫ق‬஡਷ਙఇ੟‫ك‬
ఇ੟
੟‫ك‬

凍結乾燥

高速撹拌

油相
（界面活性剤）

界面活性剤薬物複合体
6ROLGLQ2LO（62）製剤:DWHULQ2LO（:2）
エマルションથ஍ਛী॑ੀએણਙදभ॥॔द
ෆा‫ؚ‬అৼपॼঀীങ৲औचॊ
‫॑୒ૼۄۈ‬৷ः‫ؚ‬ৗञऩ৲ဲષभ৫৅पਛ඘खञ‫؛‬

マルバーン社製

প໼੗ႇథ໚৲੟भ௓৒ঔॹঝ

(VWLPDWHGPRGHORIVR\EHDQSRO\VDFFKDULGHHPXOVLRQዓ୾ఏ௙खञপ໼੗ႇథदঔॹঝ॑નੳ

‫؞‬প໼੗ႇథभ໚৲੟
॑ુඳਡႀ๶ྰदઉம
௴௄ख‫ؚ‬௓৒ঔॹঝऋ
ਠৰभुभप੺ःऒध
॑નੳखञ‫؛‬

ゼータサイザーナノ =6ঽேभ଎ႝৡ॑ఐ৾दੰ৥᥿॑ছঐথद‫ؚ‬ছॱথ॑‫ۂںۈ‬द௴௄ऱभऌಖఅਛীप੗஘ऩী৕ऋஅऽोॊऒध॑105दનੳ‫؛‬ઃपছঐথ५ঌॡॺঝীෲद‫ؚ‬பႝदँॊॖ९୺ൃ෷ऋ‫ؚ‬ऱभऌಖఅਛীपेढथভ়જ૵औोथःॊऒधऋॎऊढञ‫؛‬⁽႞䛾ᡂศ䚸ᵓ㐀䛾ศᯒ䛻䠯䠡䠩䜢฼⏝䛧䜎䛧䛯䚹ᰴᘧ఍♫⁽႞஑୍
䠄⚟⏣ṇఙ ᵝ䠅䠄฼⏝ᶵ㛵䠖ྡྂᒇᕤᴗ኱Ꮫ䠅⁽႞䛾᪋ᕤ䡚㛤Ⓨ䜢⾜䛳䛶䛔䜎䛩䚹ᐇ㝿䛻䠯䠡䠩䜔ᡂศศᯒ䜢䛥䜜䛯⤖ᯝ䜢ぢ䛶䛸䛶䜒㦫䛝䜎䛧䛯䚹ᮡ䛾⢊䜢ΰྜ䛧䛯⁽႞䛿ᵓ㐀䛻㐪䛔䛜ぢ䜙䜜䛶䚸⁽႞䛾ᛶ㉁䛸䜒┦㛵䛜䛒䛳䛯䛾䛷䚸䛚ᐈ䛥䜣䛻ㄝ᫂䛩䜛䛸䛝䛻䜒䛸䛶䜒ᙺ❧䛳䛶䛔䜎䛩䚹኱Ꮫ䛸䛾ඹྠ◊✲䛷⣲ᮦ䜢ᥦ౪䛩䜛䛺䛹䚸⛉Ꮫⓗ䛺◊✲䛸䜒⧅䛜䜚䛜ฟ᮶䛿䛨䜑䛶䛔䜎䛩䚹ྡᕤ኱䛷䛾᭱ඛ➃䛾⿦⨨฼⏝
䜢㏻䛨䛶䚸ྂ䛝䜘䛝䜒䛾䜢⛉Ꮫ䛾
どⅬ䛷ゎ᫂䛧䛶䚸ᬑཬ䛧䛯䛔䛸䛔䛖䛾䛸䚸స䜚ᡭ䛸䛚ᐈ䛥䜣䛜ᚰ䜢
㏻䜟䛫䜙䜜䜛䜘䛖䛺௙஦䛜䛧䛯䛔䛸ᛮ䛳䛶䛔䜎䛩䚹᳐৔৖भ๶಍ଡୗधॱং॥भ໛ऋลାऔोॊ஘৕॑௒
ਪ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ॑৷ःथ௴௄ख‫ؚ‬᳐भৈৢਞਙଡୗऋ
໛भลାपથ஍प௮ःथःॊऒधुীऊढञ‫؛‬Ⱚ䛾ⴥ䛾⾲㠃䜢
ඹ↔Ⅼ䝺䞊䝄䞊㢧ᚤ㙾䜔༟ୖᆺ䠯䠡䠩䜢⏝䛔䛶ほᐹ䛧䜎䛧䛯䚹ᰴᘧ఍♫䜰䜽䝅䝵䞁䝁䞊䝫䝺䞊䝅䝵䞁䜰䜽䝅䝵䞁᳜≀⛉Ꮫ◊✲ᡤ㻌㻌㻌㻌㻌㻌㻌
䠄Ᏹᇛṇ࿴ ᵝ䠅㻌 㻌䠄฼⏝ᶵ㛵䠖䠪䠥䠩䠯䠅䠪䠥䠩䠯䛻䛶䚸᭱ඛ➃䛾ᵝ䚻䛺⿦⨨䜢฼⏝䛩䜛ᶵ఍䜢㡬䛝䜎䛧䛯䚹ᑠ䛥䛺఍♫䛷䜒ୡ⏺䛸ᡓ䛔䛯䛔䚹䛭䜜䜢ᨭ䛘䛶䛟䜜䜛䛾䛿䠪䠥䠩䠯䛾ⓙᵝ䜔⿦⨨䜢౑䛘䜛⎔ቃ䛾䛚ⶱ䛷䛩䚹ᅜ㝿ⰪⲡᏛ఍䛷䝕䞊䝍䛸䛧䛶ඹ↔Ⅼ䝺䞊䝄䞊㢧ᚤ㙾ീ䛻䜘䜛ほᐹ⤖ᯝ䜢Ⓨ⾲䛧䛯䛸䛣䜝䚸Ⓨ⾲ᚋ䛩䛠䛻ᾏእ䛾኱Ꮫ䛛䜙┤᥋㉁ၥ䜢ཷ䛡䜛䛺䛹䚸㧗䛔⯆࿡䜢ᣢ䛳䛶㡬䛡䜎䛧䛯䚹Ꮫ఍Ⓨ⾲䜔ㄽᩥᢞ✏䜒䝁䞁䝇䝍䞁䝖䛻䛷䛝䜛䜘䛖䛻䛺䜚䚸఍♫ᮏయ䛾ྲྀᘬ䛻䜒Ⰻ䛔ᙳ㡪䛜ฟ䛶䛔䜎䛩䚹௚䛾௦⌮ᗑ䛛䜙䜒䚸䛥䜙䛺䜛◊✲ᡂᯝ䛾ᮇᚅ䜢ᐇឤ䛧䛶䛔䜎䛩䚹

問い合わせ：分子・物質合成プラットフォーム 代表機関 (分子科学研究所)
E-mail: nanoplat@ims.ac.jp，Phone: 0564-55-7431
ホームページ http://mms-platform.com/

103

合成 PF-1 概要ᩥ㒊⛉Ꮫ┬䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮஦ᴗศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮༓ṓ⛉Ꮫᢏ⾡኱Ꮫ ศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮– ໭ᾏ㐨䝞䜲䜸䡡ᮦᩱ䜲䝜䜉䞊䝅䝵䞁 –ලయⓗ䛺ᨭ᥼ෆᐜ䛸䛧䛶䛿䚸ศᏊ䡡≀㉁ྜᡂ䛻ᚲ
せ䛺NMR䜔໬Ꮫ⣔ศගჾ䜢⏝䛔䛯ྜᡂ㐣⛬䛾 ᐃ䚸
TEM䜔EDX 䚸㧗ศᏊィ ⿦⨨䜔⾲㠃≀ᛶ ᐃ⿦⨨䜢⏝䛔䛯ᮦᩱ䛾ホ౯䚸FZ⅔䜔ⷧ⭷ᙧᡂᨭ᥼⿦⨨䜢⏝䛔䛯ᵓ㐀యస〇䛺䛹䜢⾜䛔䜎䛩䚹䛣䜜䜙䜢᭷ᶵⓗ䛻㐃ᦠ䛥䛫䜛䛣䛸䛷䚸ᮦᩱ䛾ྜᡂ◊✲䜔฼⏝⪅䛾䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊▱㆑䛾⫱ᡂ䛛䜙᭱⤊〇ရ䛾ホ౯䜎䛷䛾୍㈏䛧䛯䝃䝫䞊䝖䜢⾜䛖䛣䛸䜢┠ᣦ䛧䛶䛔䜎䛩䚹༓ṓ⛉Ꮫᢏ⾡኱Ꮫ䛷䛿䚸ග䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䛻㛵䛩䜛◊✲䜢ά䛛䛧䚸㟁Ꮚ䞉ග䜢ไᚚ䛩䜛᪂つ䝘䝜䝕䝞䜲䝇䛾๰〇䞉ホ౯䚸᭷ᶵศᏊ䞉↓ᶵ䝉䝷䝭䝑䜽䝇䛾ྜᡂ䞉ศᯒ䜈䛾◊✲ᨭ᥼䜢⾜䛔䜎䛩䚹䝞䜲䜸ศ㔝䛾㣗ရ䞉⎔ቃศᯒ䞉ᮦᩱ䛾ά⏝䛺䛹
䜢㏻䛧䚸⏘ᴗ䛜άᛶ໬䛩䜛஦䜢┠ⓗ䛸䛧䛯䛂䝞䜲䜸䈄ᮦᩱ䜲䝜䝧䞊䝅䝵䞁䛃䜢ᨭ᥼䛧䜎䛩䚹

⿦⨨⩌

◊✲タഛ
ਲ࿽෗भ૭ଳ઺൸

Intensity

FilmTek

20 μm෗भছঐথॖও‫ش‬४㢧ᚤศගଓਫ੒઴ಎ઼‫؟‬ছঐথॖও‫ش‬४থॢ

250

750

1250

1750

Raman shift / cm-1

๕஑৓ऩ෗भছঐথ५ঌॡॺঝ

㢧ᚤ㙾⩌ᐃ䝺䞊䝄䞊㢧ᚤ㙾 䜸䝸䞁䝟䝇⺯ග㢧ᚤ㙾 䜸䝸䞁䝟䝇㉮ᰝᆺ䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾 ᪥ᮏ㟁Ꮚ㉮ᰝᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾 䜻䞊䜶䞁䝇㟁⏺ᨺฟᙧ㉮ᰝ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾 ᪥ᮏ㟁Ꮚ㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾 ᪥❧䜽䝷䜲䜸䝭䜽䝻䝖䞊䝮 䝷䜲䜹䜽䝻䝇䝉䜽䝅䝵䞁䝫䝸䝑䝅䝱䠄᪥ᮏ㟁Ꮚ

⾲㠃≀ᛶ
ᐃ⿦⨨⩌

㉮ᰝᆺ㏆᥋ሙගᏛ㢧ᚤศග䝅䝇䝔䝮䛆᪥ᮏศගศග䜶䝸䝥䝋䝯䞊䝍䞊 ᪥ᮏศග⥺ゎᯒ⿦⨨ 䝸䜺䜽⥺ᑠゅᩓ஘⿦⨨ 䝸䜺䜽⾲㠃ศᯒ⿦⨨ ⌮◊ィჾゐ㔪ᘧ⾲㠃ᙧ≧ ᐃჾ 䜰䝹䝞䝑䜽㠀᥋ゐගᏛᘧⷧ⭷ィ 䝅䝇䝔䝮᥋ゐゅィ ༠࿴⏺㠃⛉Ꮫ

FZ⅔

㢧ᚤ䠥R
䜽䝷䜲䜸䝭䜽䝻䝖䞊䝮 X⥺ᑠゅ Nano Viewer෇೫ග஧Ⰽᛶ(CD)

┿✵⵨╔

NMR
ヨᩱྎ䛻ᅛᐃ

TEM㟁Ꮚ⥺↷ᑕଓਫ੒઴ಎ઼‫؟‬ীෲਗ਼৕ႀ๶ྰ

䝘䝜䝇䞊䝒ᙧᡂ
ほᐹྍ⬟ৗૼ୒‫ঀॼ ؟‬५‫ॶش‬䝲䝬䝖䝅䝻䜰䝸䛾஝⇱ᶆᮏ䝘䝜䝇䞊䝒ἲ

3D䝺䞊䝄䞊㢧ᚤ㙾
Dewe ng䛆ᅜ❧⛉Ꮫ༤≀㤋 㔝ᮧ࿘ᖹඛ⏕䛇฼⏝஦౛䝡䞊䝹䛾䝁䜽ᐃ㔞䛻⏝䛔䜛䠭䠟䠩䝉䞁䝃䛻ሬᕸ䛧䛯⬡㉁⭷㧗ᗘᆒ㉁໬
Ỉᬗ∦
䝇䝢䞁䝁䞊
䝍䞊䛻䜘䜛
ᆒ㉁໬䛾
ග㢧ほᐹ

㔠㟁ᴟ

᪂ᡭἲ䛻䜘䜛ᆒ㉁໬䛾FE-SEMほᐹ䠄ᕥ䠖䝇䝢䞁䝁䞊䝖ྑ䠖᪂ᡭἲ䠅

䜰䜹䜶䝌䝬䝒᪂ⱆⰾ㤶Ỉ䞉⢭Ἔ䛾ᢠ⭘⒆άᛶ≀㉁ྠᐃ
GC-MS
NMR

㓑㓟䝪䝹䝙䝹
䛆䝅䞁䝀䞁䝯䝕䜱䜹䝹 㧗ᶫᘏ᫛ඛ⏕䛇⾲㠃ᚤ⣽ᵓ㐀
䠄䝢䝷䞊ᵓ㐀䠅
ୖ䛷䛾௜╔⌛
⸴䛾FE-SEMീ䠄ᕥ䠖5䝬䜲䜽䝻
䝯䞊䝖䝹䚸ྑ䠖
15䝬䜲䜽䝻䝯䞊
䝖䝹䠅䛆᪫ᕝ་኱ ᐊᓮႛஅඛ⏕䛇

䠅

㧗ศᏊィ
⿦⨨⩌

䜸䞊䝖䜾䝷䝣 ᓥὠ〇సᡤ⇕㔜㔞 ᐃ⿦⨨ ᓥὠ〇సᡤ♧ᕪ㉮ᰝ⇕㔞ィ䠄ᓥὠ〇సᡤ䠅᭷ᶵྜᡂ䠄⺯ගᛶศᏊ䚸ᾮᬗศᏊ䠅䚸㧗ศᏊྜᡂ䝗䝷䝣䝖 ᓥὠ〇సᡤ䜾䝻䞊䝤䝪䝑䜽䝇 ⨾࿴〇సᡤᶵ⬟ᛶศᏊ䞉 䝃䜲䝈᤼㝖䜽䝻䝬䝖䜾䝷䝣䜱䞊 ᓥὠ〇సᡤ㧗ศᏊྜᡂ 䜻䝱䝢䝷䝸䞊䜺䝇䜽䝻䝬䝖䜾䝷䝣 ᓥὠ〇సᡤ┿✵䝭䜻䝃䞊䠄Ἳ䛸䜚⦎ኴ㑻䚸䝅䞁䜻䞊♫䠅䠅䠢䠶⅔䠄䜻䝱䝜䞁䝬䝅䝘䝸䞊‵ᘧᚤ⢏໬⿦⨨䠄䝆䜵䝑䝖䝭䝹䚸ᖖග 䠦䠪฼⏝ᙧែ䛸฼⏝ᩱ㔠䛆᪥ᮏ㟁Ἴᕤᴗ ᚸ࿴ḷᏊ䚸ᰗ⃝♸ᕼᵝ䛇㜵ởᛶ⾲㠃ᚤ⣽ᵓ㐀㛤Ⓨ䛻ྥ䛡䛯ᾏὒ௜╔⏕≀䛾௜╔ᶵᵓ䛾ゎ᫂䠅䛇ᨵ⮬ᕫ⤌⧊໬ᵓ㐀సᡂ⿦⨨䝇䝟䝑䝍⿦⨨
䜰䝹䝞䝑䜽ⷧ⭷ᙧᡂᨭ 䜰䝛䝹䝞䜰䝹䝞䝑䜽᥼⿦⨨⩌ ᾮᬗ㓄ྥ⭷䝷䝡䞁䜾⿦⨨ ᪥ᮏᩥ໬⢭ᕤ䠅䝸䜰䜽䝔䜱䝤䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨ 䝃䝮䝁䝇䝢䞁䝁䞊䝍䞊 䝭䜹䝃 䠍
ඹ࿴⌮◊

1 um

েऌञऽऽभে੟ृक़ख़ॵॺ
ऩ౫મ॑ਗ਼ႀ௴௄‫آ‬⿦⨨ྡ 〇㐀ᴗ⪅䚸ᆺ␒䠅ඖ⣲ศᯒ⿦⨨⣸እ㏆㉥እศග⿦⨨ ᪥ᮏศග㢧ᚤศග䝅䝇䝔䝮
♫㉥እศග⿦⨨ ᓥὠ〇సᡤ໬Ꮫ⣔ศග㢧ᚤ 䠄ᓥὠ〇సᡤ䠅ᐃ⿦⨨⩌♫㢧ᚤ䝷䝬䞁ศග
䝷䝬䞁䜲䝯䞊䝆䞁䜾♫⺯ගศග⿦⨨ ᓥὠ〇సᡤ᪥ᮏ㟁Ꮚ᭱᪂㗦FE-SEM䛻䜘䜛⾲㠃ᵓ㐀䛸ඖ⣲䝬䝑䝢䞁䜾

㔠⢏Ꮚྵ᭷䝝䝙䜹䝮⭷ຍ⇕ฎ⌮ᚋ䛾㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ീ䠄ྑᅗ䠅䛸ീ䠄୰ᅗ䚸 䝬䝑䝢䞁䜾䠅䚹ᕥᅗ䛿䜰䝟䝍䜲䝖⾲㠃䛾෌▼⅊໬䜢♧䛩

1.䛂฼⏝┦ㄯ䛃䠆 2.䛂ᢏ⾡┦ㄯ䛃
3.䛂ᢏ⾡௦⾜䛃 4.䛂ᢏ⾡⿵ຓ䛃
5.䛂ᶵჾ฼⏝䛃 6.䛂ඹྠ◊✲䛃
䠆1.䛂฼⏝┦ㄯ䛃䛻㝈䜚↓ᩱ

ᚑ㔞ไ
ᡂᯝබ㛤ᆺ
Ꮫ䠑,䠌䠌䠌෇/᪥䚸௻䠑䠈䠌䠌䠌෇/᪥1ᡂᯝ㠀බ㛤ᆺ
䠍䠌,䠌䠌䠌෇/᪥2ᐃ㢠ไ(ᡂᯝබ㛤ᆺ䛾䜏䠅䠑䠌,䠌䠌䠌෇/ᖺ 䠏䠌,䠌䠌䠌෇/䠒䞄᭶ 䠍䠑,䠌䠌䠌෇/䠍䞄᭶1䠐᭶䛛䜙௻䠍䠌䠈䠌䠌䠌෇/᪥ 2䠍䠑䠈䠌䠌䠌෇/᪥ (ணᐃ)

䛆໭ᾏ㐨་⒪኱ṑᏛ㒊 ಴㔜ᆂྐඛ⏕䛇ၥ䛔ྜ䜟䛫ඛ䠖༓ṓ⛉Ꮫᢏ⾡኱Ꮫ䝣䜷䝖䝙䜽䝇◊✲ᡤ䠈䝩䞊䝮䝨䞊䝆

104

合成 PF-2 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォームி҅‫ ܖٻ‬Ў‫܇‬Ὁཋឋӳ঺ἩἻἕἚἧỻὊἲ
Ḙᴾி҅‫ܖٻ‬ᗡӳ২ᘐૅੲἍὅἑὊᴾḘᴾೞᏡࣱЎ‫܇‬ởဃྸ෇ࣱஊೞ҄ӳཋễỄἜἠἘἁἠἿἊ
ὊᄂᆮỆ࣏ᙲễಮẉễ҄ӳཋỉӳ঺Ẇನᡯᚐௌởཋࣱᚸ̖ửɼễૅੲϋܾểẲộẴẇᴾộẺẆҞ‫˳ݰ‬ᄂᆮဇỉᕓᐏὉҥኽ୒Ὁᩓಊ˺ᙌᘺፗởೞᏡࣱᚸ̖ဇ
ᘺፗỆợụẆ҄ӳཋỉἙἢỶἋ҄ỉૅੲửᘍẟộẴẇᴾ

ஊೞӳ঺

ᕓᐏὉኽ୒
Ὁᩓಊ˺ᙌ

ἜἠἘἁἠἿἊὊ
஬૰᧏ႆỉዮӳ

ನᡯᚐௌ

ૅੲ

ཋࣱᚸ̖

ᚨͳ
Ҟ‫˳ݰ‬ἙἢỶἋ˺ᙌἉἋἘἲᴾ
ίἂἿὊἨἮἕἁἋẆሥཞ໐Ẇᔕბᘺፗὸᴾ

Ў‫܇‬ӳ঺ᘺፗ፭ᴾ

ఋᄬൢσᯚᘺፗᴾ ᵧᵡᵮႆήЎௌᘺፗᴾ

ዌ‫ݣ‬ᵮᵪ᣽‫܇‬ӓྙย‫ܭ‬ᘺፗ

ᐏҽย‫ܭ‬ᘺፗᴾ ‫ٶ‬Ⴘႎᵶዴ‫ׅ‬৵ᘺፗ‫ٻ‬ൢɶήᩓ‫܇‬ЎήᴾᘺፗήѕឪỿἵἼỴତѣࡇย‫ܭ‬ᘺፗ

ἩἿὊἨἋἘὊἉἹὅᴾ

༏Ўௌᘺፗᴾ
Ҟ‫˳ݰ‬ᴾ
ἙἢỶἋ
ỴἜἻỶἈ

Мဇʙ̊

Мဇ࢟७ểМဇ૰᣿ఋᄬൢσᯚᘺፗ
ᵨᵬᵫᵋᵣᵡᵟᴾᵖᵎᵎᴾᵫᵦᶘᴾᵬᵫᵰ
ɭမஇ᭗ᡮỉᵖᵎ ᾺᾗΈỂἰἊἕἁᚌ‫᠃ׅ‬ầӧᏡễᚾ૰ሥ‫ࢲٳ‬ᾀἱἼỉย‫ܭ‬ἉἋἘἲử઀᠍ẲẺᾝᾜᾡỂẆಊࣇ᣽ỉ‫˳׍‬ίᵎᵌᵖᴾ ᷈ᵪὸấợỎ๋෩ίᵎᵌᵎᵕ ᶋᵪὸἇὅἩἽỉឬ᭗ज़ࡇย‫ܭ‬ầӧᏡỂẴẇᴾ
CaO-SiO2-Al2O3-K2O 䜺䝷䝇

7.0 T

0

–50

–100

o

cyclohexane, 80 C, 16h
68%

Bpin
PyBpin

+ Br

S

Br
n

২ᘐ ૅੲᎍỉᙀяὉਦ‫ݰ‬ỉɦẆМဇᙀя ᎍầย‫ܭ‬ὉᚐௌửᘍẟộẴẇᴾ

Pd2(dba)3 (5 mol%)
XPhos (20 mol%)
K2PO4 (7 eq)

S

DMF, 120oC, 24h

BPynTn = 1; BPyT, 86% yield
2; BPy2T, 56% yieldnஊೞҞ‫˳ݰ‬ỉӳ঺
Au

Ca

100

50

0

27Al ҄‫ܖ‬ἉἧἚᴾ(ppm)27Al ҄‫ܖ‬ἉἧἚᴾ(ppm)ᵡᵟᵱ Ỿ Ἳ Ἃ ỉ ᵐᵕᵟᶊ ‫׍‬˳ᵬᵫᵰἋἬἁἚἽ

ᣠ҄ỽἼỸἲชьỉࢨ᪪ᵐᵕᵟᶊỉợạễׄಊ‫܇‬ఋỂờᵏᵖᵌᵖᴾᵲỉ᭗ᄬ‫ئ‬ỆợụẆ᭗ẟЎᩉᏡầࢽỤủộẴẇᴾ

ஊೞҥኽ୒ἚἻὅ
ἊἋἑỉ˺ᙌ২ᘐ ૅੲՃầย‫ܭ‬ὉᚐௌửᘍẟẆኽˊᘍ ௐửМဇᎍỆ੩̓ẲộẴẇᴾМဇ૰᣿̊

p++-Si (gate)

18.8 T
50[Ir(P-OMe)cod]2 (5 mol%)B2pin2 (1.2 eq)
dtbpy(10 mol%)ೞ֥ Мဇᎍầஹ৑ẲẆᐯỤย‫ܭ‬ὉᚐМဇ ௌửᘍẟộẴẇᴾ

BPy2T
SiO2

ἋἦἝὅἂᴾἇỶἛἢὅἛ

100Ў‫܇‬ӳ঺ᘺፗ፭Ҟ‫˳ݰ‬ἙἢỶἋ˺ᙌἉἋἘἲ
ἩἿὊἨἋἘὊἉἹὅ
Ҟ‫˳ݰ‬ἙἢỶἋỴἜἻỶἈἚἻὅἊἋἑỉɲಊࣱѣ˺ểϐኽӳႆήἂἿὊἨἮἕἁἋႺኽỉᔕბᘺፗểย‫ܭ‬ᘺፗỆợụẆ‫ٻ‬ൢỆẰỤẰẵỆእ‫˺܇‬ᙌẦỤย‫ܭ‬ộỂầӧᏡỂẴẇᴾ

ఋᄬൢσᯚᘺፗ Ẕ঺ௐπ᧏ẕᵔᵊᵑᵎᵎόᵍ଺᧓ẆẔ঺ௐ᩼π᧏ẕᵑᵓᵊᵐᵗᵔόᵍ଺᧓ᴾዌ‫ݣ‬ᵮᵪ᣽‫܇‬ӓྙย‫ܭ‬ᘺፗ Ẕ঺ௐπ᧏ẕೞ֥Мဇᵑᵑᵒόᵍ଺᧓Ẇ২ᘐᙀяᵏᵊᵑᵐᵕόᵍ଺᧓Ẇ২ᘐˊᘍᵏᵊᵖᵐᵒόᵍ଺᧓ẆᴾẔ঺ௐ᩼π᧏ẕೞ֥Мဇᵏᵊᵎᵕᵗόᵍ଺᧓Ẇ২ᘐᙀяᵏᵊᵓᵕᵔόᵍ଺᧓Ẇ২ᘐˊᘍᵐᵊᵖᵏᵖόᵍ଺᧓

問い合わせ：東北大学 原子分子材料科学高等研究機構（谷垣勝己）
E-mail: tanigaki@m.tohoku.ac.jp，Phone: 022-217-6166
ホームページ http://cints-tohoku.jp/105

合成 PF-3 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム≀㉁䞉ᮦᩱ◊✲ᶵᵓ NIMSศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊⼥ྜ䝇䝔䞊䝅䝵䞁 䝘䝜䝞䜲䜸䜾䝹䞊䝥タഛ䛾ඹྠ฼⏝⣽⬊ᇵ㣴䜶䝸䜰

䠑䛴䛾ᶵ⬟䛻䜟䛛䜜䛯ᐇ㦂ᐊ⣽⬊ᇵ㣴䜶䝸䜰

ᢏ⾡ⓗㄢ㢟䛾ゎỴ䝞䜲䜸䜲䝯䞊䝆䞁䜾䜶䝸䜰⏘Ꮫᐁ㐃ᦠ䞉␗ศ㔝⼥ྜ⏕యศᏊㄪ〇䜶䝸䜰ᶵჾศᯒ䜶䝸䜰

䝞䜲䜸䜲䝯䞊䝆䞁䜾䜶䝸䜰ᶵჾศᯒ䜶䝸䜰

୺䛺◊✲タഛ
᭷ᶵ䞉㧗ศᏊᮦᩱ๰〇䜶䝸䜰
NMRᐊ⏕యศᏊㄪ〇䜶䝸䜰᭷ᶵ䞉㧗ศᏊ䜶䝸䜰༟ୖ㟁㢧ඹ↔Ⅼ⺯ග㢧ᚤ㙾䝉䝹䜰䝘䝷䜲䝄䞊

㻸㻹㻰㻌㻌㻸㻯㻛㻹㻿㻛㻹㻿

䝘䝜䝃䞊䝏㢧ᚤ㙾㻹㻭㻸㻿䛸㻳㻼㻯

㻺㻹㻾䝺䞊䝄䞊䝷䝬䞁㢧ᚤ㙾฼⏝౛䜾䝷䝣䜵䞁䛾㟁Ꮚ䝕䝞䜲䝇ᛂ⏝䛻ྥ䛡䛯ᇶ♏ఏᑟ≉ᛶ䛾ゎ᫂䛸 ไᚚ⟃Ἴ኱Ꮫ ⚄⏣ ᬗ⏦ ᵝ䝷䝬䞁ศග䛻䜘䜛⬡⫫䛾⤖ᬗ≧ែ䜲䝯䞊䝆䞁䜾ᢏ⾡䛾㛤Ⓨ⊂ ㎰◊ᶵᵓ␆⏘ⲡᆅ◊✲ᡤ ᮏᒣ୕▱௦ᵝᅗ㻌 㻌෭ⶶᮇ㛫䜢ኚ䛘䛯㇜⫗⬡⫫䛻䛚䛡䜛䚸⬡⫫䛾⤖ᬗ≧ែ䛾䝷䝬䞁䜲䝯䞊䝆䞁䜾㻯㼠㼞㼍㼚㼟䠖⤖ᬗ໬ᗘ䜢⾲䛩䝷䝬䞁ศගᣦᶆ㻌 㻌䃐䃑䇻䠖䃑䇻ᆺ⤖ᬗከᙧ䛾㔞䜢⾲䛩䝷䝬䞁ศගᣦᶆ

⮫ᗋ䝥䝻䝔䜸䝭䜽䝇䛻䜘䜛᪂つ䝞䜲䜸䝬䞊䜹䞊᥈⣴㣗ရ䛾ᚤ⣽ᵓ㐀䛾ほᐹ䡚኱㇋⏤᮶Ỉ⁐ᛶከ⢾㢮䛾ங໬స⏝䛻㛵䛧䛶䡚୙஧〇Ἔᰴᘧ఍♫  ୰ᮧᙲᏹᵝᅗ䠎䠖⺯ගᶆ㆑䛧䛯኱㇋ከ⢾㢮䛜Ἔ⁲⾲㠃䜢そ䛳䛶䛔䜛ᅗ䠏䠖 䜶䝬䝹䝆䝵䞁䛾᩿ᒙീᮾ໭኱Ꮫ་Ꮫ㒊 㧗⯓ 㐩அ ᵝOil

ᅗ䠍䠖 ኱㇋ከ⢾㢮ங໬≀䛾᥎ᐃ䝰䝕䝹

㻸㻯㻙㻹㻿㻛㻹㻿䛻䜘䜛䝥䝻䝔䜸䞊䝮ゎᯒ㻸㻹㻰䛻䜘䜛⒴⤌⧊䛾䝎䜲䝉䜽䝅䝵䞁

฼⏝ᙧែ
ᶵჾ฼⏝

ᢏ⾡⿵ຓ

ᢏ⾡௦⾜

฼⏝⪅䛜᪋タ䜢ゼ䜜⮬ศ䛷ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛䚹

฼⏝⪅䛜᪋タ䜢ゼ䜜⮬ศ䛷ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛㝿䛻ᨭ᥼䝇䝍䝑䝣䛜ᢏ⾡ᣦᑟ䚸⿵ຓ䜢⾜䛖䚹฼⏝⪅䛸䝇䝍䝑䝣䛜ᡴ䛱ྜ䜟䛫䜢㔜䛽䛺䛜䜙䛩䛩䜑䜛䚹౛䠅䝬䜲䜽䝻䜰䝺䜲ゎᯒ㻌 㻌 䝥䝻䝔䜸䞊䝮ゎᯒ฼⏝ᩱ㔠኱Ꮫ䞉බⓗ◊✲ᶵ㛵ᡤᒓ䝴䞊䝄䞊

⿦⨨

ᶵჾ฼⏝

ᢏ⾡⿵ຓ

LC/MS/MS䛚䜘䜃SP5¥1,000¥1,750ୖグ௨እ䛾⿦⨨¥500¥1,250୰ᑠ௻ᴗᡤᒓ䝴䞊䝄䞊⿦⨨⿦⨨኱௻ᴗᡤᒓ䝴䞊䝄䞊

ᶵჾ฼⏝

ᢏ⾡⿵ຓ

ᶵჾ฼⏝

LC/MS/MS䛚䜘䜃SP5¥2,000¥3,500

LC/MS/MS䛚䜘䜃SP5¥3,000ᢏ⾡⿵ຓ¥5,250ୖグ௨እ䛾⿦⨨¥1,000¥2,500ୖグ௨እ䛾⿦⨨¥1,500¥3,750䠆ᩱ㔠䛿䛩䜉䛶1᫬㛫ᙜ䛯䜚䚸ᾘ㈝⛯ู᪋タぢᏛ䛿㝶᫬䛻ཷ䛡௜䛡䜎䛩䚹஦๓䛻䛤㐃⤡ୗ䛥䛔䚹

106

問い合わせ：物質・材料研究機構 分子・物質合成プラットフォーム
E-mail: SML-oﬃce@nims.go.jp
Phone: 029-859-2399
ホームページ http://www.nims.go.jp/mmsp/

合成 PF-4 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォームಙᕞ኱Ꮫ䞉䜹䞊䝪䞁⛉Ꮫ◊✲ᡤ ศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䠉᪂ወ䝘䝜䜹䞊䝪䞁ᮦᩱ䞉ྜᡂ䛸ホ౯ᣐⅬ䞊䜹䞊䝪䞁䝘䝜䝏䝳䞊䝤Ⓨ⚈䛾ᆅ䠖ಙᕞ኱Ꮫ䛷䛿䝘䝜䜹䞊䝪䞁䛾ከᵝ໬䜢┠ᣦ䛧䛶࿨ྡ䛧䛯᪂ወ䝘䝜䜹䞊䝪䞁䛾ྜᡂ䛛䜙ᵓ㐀ホ౯䞉≉ᛶホ౯䛥䜙䛻䛿䝘䝜」ྜ໬
䛻䜘䛳䛶ᚓ䜙䜜䜛᪂つᶵ⬟๰ฟ䜎䛷䜢୍㈏䛧䛶ᨭ᥼䛷䛝䜛ែໃ䜢‽ഛ䛧䛶䛚䜚䜎䛩䚹␗✀ඖ⣲ῧຍ䝘䝜䜹䞊䝪䞁䚸㔠ᒓෆໟPeapods䛺䛹᪂ወ䝘䝜䜹䞊䝪䞁䜢㏻
䛨䛶௒䜎䛷䛻⤒㦂䛥䜜䛯䛣䛸䛾䛺䛔᪂つᶵ⬟䞉≉ᛶⓎ⌧䜢ᨭ᥼䛔䛯䛧䜎䛩䚹ඹ⏝◊✲タഛ
䐟䝘䝜䜹䞊䝪䞁ྜᡂ

⦪ᆺCVD⿦⨨ᶓᆺCVD⿦⨨䐣䛭䛾௚ඹ⏝ᶵჾ䐠㧗ಸ⋡ほᐹ⇕ฎ⌮⿦⨨㧗 ⇕ฎ⌮⿦⨨Hydroshot䠎㍈ᢲ䛧ฟ䛧ΰ⦎⿦⨨䝷䝪䝥䝷䝇䝖䝭䝹≉ᛶ➼ホ౯⏝๓ฎ⌮䛿䛤┦ㄯ䛟䛰䛥䛔䚹CsTEM

FE-SEM

STEM䐡ྜᡂ䞉䛭䛾ሙほᐹ⎔ቃTEMゐ፹ไᚚ䝘䝜䜹䞊䝪䞁ྜᡂゎᯒ⿦⨨䐢≉ᛶホ౯䝎䜲䝲䝰䞁䝗㟁ᴟྜᡂ⿦⨨฼⏝䛻䛴䛔䛶
ᣐⅬ฼⏝䜢䛤ᕼᮃ䛾ሙྜ䛿௨ୗ䛾ᡭ㡰䛷㐍䜑䜎䛩䛾䛷䛤┦ㄯ䛟䛰䛥䛔

PPMSTri䝷䝬䞁

฼⏝஦౛䠍

XPS

฼⏝஦౛2

฼⏝ᡭ㡰
䐟஦๓☜ㄆ 䛤฼⏝䛾ྍ⬟ᛶ☜ㄆ䐠⏦ㄳ ྍ⬟ᛶ䛒䜚䛾ሙྜ䚸⏦ㄳ᭩ᥦฟ䐡ᑂᰝ ⏦ㄳෆᐜ䜢ᑂᰝ䚸ྍྰሗ࿌䐢タഛ฼⏝ ྍ䛾᫬䚸ᢸᙜ◊✲⪅䛸฼⏝༠㆟䐣ሗ࿌ ฼⏝ᚋᡂᯝሗ࿌᭩సᡂ
䐤ᡂᯝබ㛤 ཎ๎බ㛤䠄⊰ணつᐃ䛒䜚䠅฼⏝ᙧែ䠄ඹྠ◊✲ᆺ᥎ዡ䠅䐟ඹྠ◊✲ᆺ ᢸᙜ◊✲⪅䛸༠㆟䞉ᐇ㦂䞉ゎᯒ䐠ᶵჾ฼⏝ᆺ ฼⏝⪅䛻䛶ᐇ㦂䞉ゎᯒ

Cu-TiO2(Ti:32-Cu:24-O:44)

฼⏝ᩱ䞉ㄢ㔠 䠄ᖹᡂ28ᖺᗘ䜘䜚䠅
JRⲈᮌ㥐䛻᪋ᕤ䛥䜜䛯䝏䝍䝙䜰ᇶ㜵ở⭷䝏䝍䝙䜰ᇶ⭷䛾TEM᫂ど㔝ീ䛸㟁Ꮚ⥺ᅇᢡീ
䝃䝇䝔䝘䝤䝹䝔䜽䝜䝻䝆䞊䞞Sn-TiO2(Ti:44-Sn:12-O:44䠅

SPT䛥䜜䛯CNTᡂ㛗⏝Feゐ፹䛾䜰䝙䞊䝹᫬䛾ྜయ䜢㧗┿✵
STM䛷☜ㄆ᪂ග㟁Ẽ䞞ඹྠ◊✲ᆺ฼⏝ 䠒䛛᭶䛾฼⏝ᩱ䠖50,000෇ᶵჾ฼⏝䠍᪥ᙜ䛯䜚10,000෇䡚20,000෇䠄᪥ᩘຍ⟬➼䛒䜚䚸ヲ⣽䛿䛤┦ㄯ㢪䛔䜎䛩䠅उਖः়ॎच
ಙᕞ኱Ꮫ 䜹䞊䝪䞁⛉Ꮫ◊✲ᡤ
E-mail: icst@shinshu-u.ac.jp䠈 Phone: 026-269-5230䠄ᶫᮏ䠅䠈 026-269-5670䠄஦ົ ಴⏣䠅
ホームページ: hƩp://www.shinshu-u.ac.jp/insƟtuƟon/icst/nano/107

合成 PF-5 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム໭㝣ඛ➃⛉Ꮫᢏ⾡኱Ꮫ㝔኱Ꮫ䞊඲Ꮫయไ䛷⤌⧊ⓗ䛻ศᏊ≀㉁ྜᡂ䜢ᨭ᥼䞊
JAISTᮏᕞ᪥ᮏᾏഃ၏୍䛾䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮ཧ⏬ᶵ㛵䛸䛧䛶䚸ᆅᇦ䜢୰ᚰ䛻඲ᅜ䛛䜙䛾౫㢗䜢ᗈ䛟ཷ䛡௜䛡䜎䛩䚹ඹ
㏻฼⏝ᶵჾ䞉タഛ䜢୍ඖ⟶⌮䛧䛶䛔䜛䝘䝜䝬䝔䝸䜰䝹䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝉䞁䝍䞊䚸඲䛶䛾ᢏ⾡⫋ဨ䛜ᡤᒓ䛩䜛඲Ꮫ⤌⧊䛾ᢏ⾡䝃䞊䝡䝇㒊䚸ᑓ㛛▱㆑䜢ᣢ䛴ᩍဨ䛜ᡤᒓ䛩䜛䝬䝔䝸䜰䝹䝃䜲䜶䞁䝇◊✲⛉䛜༠ຊ䛧䛶䚸ᮏ஦ᴗ䜢᥎㐍䛧䜎䛩䚹Ꮫእ䛾◊✲⪅䞉ᢏ⾡⪅䛛䜙䛾౫㢗䛻ᛂ䛘䛶䚸᪂⏘ᴗ๰ฟ䜔᪂Ꮫ⾡㡿ᇦ㛤ᣅ䛻䛴䛺䛜䜛᪂䛧䛔ศᏊ䞉≀㉁䛾ྜᡂ䛸䛭䛾ᛶ≧ホ౯䜢ᨭ᥼䛧䜎䛩䚹䝘䝜䝬䝔䝸䜰䝹䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝉䞁䝍䞊ᢏ⾡䝃䞊䝡䝇㒊

ᨭ᥼௻ᴗ䞉኱Ꮫ䞉බⓗᶵ㛵
ⓗᶵ㛵

䝬䝔䝸䜰䝹
䝃䜲䜶䞁䝇◊✲⛉

ᆅᇦ䛾ၟᕤ఍㆟ᡤ䚸௻ᴗཧຍ䛾ຮᙉ఍䚸㖟⾜䛺䛹䛷ᨭ᥼஦ᴗ䜢⤂௓ᒎ㛤င‫ܫܖ‬ᡲઃƷȊȎȆǯƴǑǔǤȎșȸǷȧȳᛢ᫆ᚐൿȷૼငಅƷоЈȷૼ‫ܖ‬ᘐ᪸؏Ʒ᧏ਏ◊✲タഛ

400MHz-NMR

800MHz-NMRᴟప㉁㔞ศᯒ⿦⨨

ࠥྜᡂ䛾ᨭ᥼ࠥ
JAIST䛾䝗䝷䝣䝖௜䛝ᐇ㦂ᐊ䜔䜽䝸䞊䞁
䝹䞊䝮䜢฼⏝䛩䜛䛣䛸䜒ྍ⬟䛷䛩䚹䜎
䛯䚸3D-CAD䜔ᕤసᶵჾ䜢ά⏝䛧䛶⿦⨨㒊ရ䛾ヨస䞉ᨵⰋ䜒䝃䝫䞊䝖䛧䜎䛩

TEM H-7650≀ᛶホ౯⿦⨨

᰾☢Ẽඹ㬆⿦⨨⩌Bruker Biospin AVANCE III 800MHz䠄㉸㧗ឤᗘ᳨ฟჾ௜
䛝䠅䚸400MH䡖䠄⮬ື䝃䞁䝥䝹䝏䜵䞁䝆䝱䞊௜䛝䠅㉁㔞ศᯒ⿦⨨

Bruker Daltonics FT-ICR MS Solarix
Bruker Daltonics MALDI-TOF/TOF MS UltraŇeXtremeᴟప

Quantum design MPMS-XL7SK (㉸ఏᑟ㔞Ꮚᖸ΅ほ☢᮰ィ SQUID)≀ᛶホ౯⿦⨨㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾⩌᪥❧䝝䜲䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝈 TEM H-7650, H-9000᪥ᮏ㟁Ꮚ STEM ARM-200F

ከᶵ⬟㢧ᚤ㙾⩌᪥❧䝝䜲䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝈 SEM S-5200
᪥ᮏ㟁Ꮚ EPMA JXA-8900
䜰䝹䝞䝑䜽䝣䜯䜲 SAM 670
SII SPI-3800N/SPA-400 (AFM)䝩䝸䝞 JY T64000 䠄䝷䝬䞁䠅
SII FIB SMI 3050

AFM

HORIBA-JY T64000

SAM 670

STEM ARM-200F

TEM H-9000⿦⨨ྡ䚸௙ᵝSQUID

FT-ICR-MS᰾☢Ẽඹ㬆⿦⨨⩌タഛྡ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ほᐹヨᩱస〇⿦⨨㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾⩌X⥺䞉䜲䜸䞁ゎᯒ⿦⨨⩌
SII FIB SMI 3050

EPMA㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾ほᐹヨᩱసᡂ⿦⨨

AC-2

SEM
ከᶵ⬟㢧ᚤ㙾⩌XPS AXIS-ULTRA DLDX’Pert Pro MRD Epi

䡿䡫䡴䡷䡮䡰䢙䡹 PYS-200+IPES

䢔䡲䢚䡴XRD SmartLab䝘䝜ᮦᩱ䛾タィ䞉ヨస䞉ホ౯䞉ᶵᲔຍᕤ 䡡䜶䝺䜽䝖䝻䝙䜽䝇(ᐇ㦂ᐊ䠅䡡ไᚚ䝥䝻䜾䝷䝮

ศᏊ䞉≀㉁ྜᡂᨭ᥼

X⥺䡡䜲䜸䞁ゎᯒ⿦⨨⩌

PPM^оTTO

3ḟඖCADᶵ⬟௜䝽䜲䝲䞊ᨺ㟁ຍᕤ䝅䝇䝔䝮

䝟䝘䝸䝔䜱䜹䝹 X’Pert PRO MRD Epi⌮Ꮫ XRD SmartLabᓥὠ䜽䝺䞊䝖䝇 XPS AXIS-ULTRA DLD⌮◊ィჾ UPS AC-2⿦⨨䞉タഛ䛾ヲ䛧䛔⤂௓䠄ື⏬䛒䜚䠅䜢ୗグ䛾䝃䜲䝖䛷බ㛤䛧䛶䛔䜎䛩䚹
hƩp://www.jaist.ac.jp/ms/equipments/index.html

฼⏝஦౛ᢩΨƠƨᣠ҄ǰȩȕǧȳ᭗ኽ୒ࣱᕓᐏƷನᡯᚐௌ

㓟⣲
Ⅳ⣲

ᚑ᮶ἲ
䞉໬Ꮫ㑏ඖ
䞉୙άᛶ䜺䝇ຍ⇕㑏ඖḞ㝗ᵓ㐀ప⤖ᬗᛶ䜾䝷䝣䜵䞁䝩䝑䝢䞁䜾 ఏᑟ䠄ప⛣ືᗘ䠅ᮏᡭἲ㻝㻝㻜㻜 䉝௨ୖ䛾䜶䝍䝜䞊䝹Ẽ┦㞺ᅖẼຍ⇕㑏ඖฎ⌮㧗⤖ᬗᛶ䜾䝷䝣䜵䞁ૼƨƳᣠ҄ǰȩȕǧȳᢩΨϼྸƷЭࢸƴƓƚǔ҄‫ܖ‬ኽӳನᡯǛ:25ƴǑǓᚐௌƢǔƜƱư᭗ኽ୒҄ǛܱᚰƠŴૼ৖ඥƷ᧏ႆƴᝡྂƠƨŵᲢ‫ܖٻ᧵ٻ‬Უ
5EKGPVKHKE4GRQTVU  
&1+UTGR䝞䞁䝗 ఏᑟ
䠄㧗⛣ືᗘ䠖䝩䝑䝢䞁䜾ఏᑟ䛾 ᩘⓒಸ䟿 䠅᫖ᖺᗘ䠄H27ᖺᗘ䠅䛾ᨭ᥼ᐇ⦼䛿䚸௻ᴗ13௳䚸኱Ꮫ䞉බⓗᶵ㛵45௳䚹◊✲䛾ᡂᯝ䜢ᡂᯝሗ࿌᭩䠄A4䛷2
䝨䞊䝆⛬ᗘ䠅䛸䛧䛶䛤ᥦฟ㡬䛝䚸䛭
䜜䜢WEBබ㛤䛧䜎䛩䠄බ㛤⊰ண䠄᭱኱2ᖺ䠅ไᗘ䛒䜚䠅䚹ϐྵƞǕƨ࠶Ʒ᱅ᑥ᫊૰Ʒᚇ‫ݑ‬
ɭኔǇư‫נ܍‬ƠƯƍƨƱƍǘǕƯƍǔȯǤȳƷຕǛ໗҄ƞƤƯ˺ƬƨƀȉǤȄƷ᱅ƁǇƨƸƀȕȩȳǯȕȫȈȖȩȃ
ǯƁƸŴɭኔƴ୿ƔǕƨǢȖȩǢȠȷȜǹƷƀᏵᗒ᤾༿ဒ
২ඥƁƴᚡƞǕƯƍǔŵƜƷ࠶Ʒ᱅ᑥ᫊૰ǛϐྵƠƨᚾ૰Ǜ
5'/ưᚇ‫ݑ‬ƠƨŵᲢ᣿එ፦‫ٻ‬Უᣠ҄ǰȩȕǧȳ
ǛᢩΨƠƨ᭗ኽ
୒ࣱᕓᐏǛМဇƠƯȐǤǪǻȳǵȸǛ˺ᙌ฼⏝ᙧែᢏ⾡௦⾜䠖JAIST䝇䝍䝑䝣䛜ᶵჾ䜢౑⏝䛧䛶㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 ౫㢗ヨᩱ䜢 ᐃ⿦⨨฼⏝䠖฼⏝⪅䛜⮬ศ䛷ᶵჾ䜢᧯స฼⏝ᩱ㔠
1᪥䠄1⿦⨨䠅฼⏝༙ᖺ䝟䝇䠄᭱኱20᪥฼⏝䠅ᖺ㛫䝟䝇䠄᭱኱40᪥฼⏝䠅኱Ꮫ䞉බⓗ◊✲ᶵ㛵
10,000100,000
200,000

௻ᴗ
20,000200,000
400,000䠆䛹䛱䜙䛾฼⏝ᙧែ䛷䜒ྠ୍ᩱ㔠䛷䛩䚹⛎ᐦಖᣢዎ⣙䞉ໟᣓዎ⣙䜢⤖䜉䜛⮬୺஦ᴗ䜒⾜䛳䛶䛔䜎䛩䚹䛚Ẽ㍍䛻ୗグ䜎䛷䛤┦ㄯ䛟䛰䛥䛔䚹߼ᲵࠊᝤԼᲢȞȫǹȖȩȃǯᲣŴɶ‫ځ‬ᲵຕǛȐȸȊȸư໲ƍƨǋƷŴӫᲵຕǛ໗໲Ɩᇁư໲ƍƨǋƷ

問い合わせ：北陸先端科学技術大学院大学 分子物質合成プラットフォーム 運営委員会
E-mail: nano-net@jaist.ac.jp Phone: 0761-51-1449
ホームページ：KWWSZZZMDLVWDFMS1DQR3ODWLQGH[KWPO

108

合成 PF-6 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム

分子科学研究所
最先端の設備から、有機・無機合成のものづくりまで幅広く支援

3次元プロファイラー 有機太陽電池・デバイス作製 有機合成、無機合成
走査型電子顕微鏡

ESR

レーザー装置
ザ 装置

NMR

UVSOR

大型計算機、分子ｼｭﾐﾚｰｼｮﾝ

利用事例
神経変性疾患の発症に関わるタンパク質ミスフォールディングa慶應義塾大学理工学部, b分子科学研究所協奏分子システム研究センター
古川 良明a,安齋 樹a,向山 厚b,秋山 修志b

示差走査熱量計
MicroCaL製
型式：VP-DSC
セル容量：500μｌ
スキャン速度Upscan mode :0〜90℃/ｈｒ
Downscan mode: 0〜-60℃/ｈｒ

S

S

S

Ｘ線溶液散乱計測システム
リガク社製
型式：NANO-Viewer
検出器：PILATUS 200K
（DECTRIS社製）

S

SH
ジスルフィド結合の切ジ
断変異型（G37R）

野生型

I(Q) (a.u.)

Cp x 10-3 (cal mol-1 oC)

ミスフォールド構
造

ジスルフィド結合型SOD1

ジスルフィド切断型SOD1

HS

Temperature (oC)

Q (Å-1)

スーパーオキシドディスムターゼ１（SOD1）の構造の熱安定性が低下し、体温付近では二次構造を失った
ミスフォールド状態となるのではないかと推測された。

SOD1のジスルフィド結合が切断され、ループ構造が大幅に揺らぐ姿を捉えることに成功し、SOD1が凝集する機構を明らかにできた。

問い合わせ：分子科学研究所 機器センター （横山 利彦）
E-mail: nanoplat@ims.ac.jp，Phone:0564-55-7431
ホームページ http://nanoims.ims.ac.jp/ims/109

合成 PF-7 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム

Nagoya UniversityӸӞ‫ ܖٻދ‬Ў‫܇‬ȷཋឋӳ঺ȗȩȃȈȕǩȸȠྡྂᒇ኱Ꮫ䛂ศᏊ≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䛃஦ᴗ䛷䛿䚸䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䛻㛵䜟䜛᭱ඛ➃䛾◊✲タഛ䛸䛭䛾ά⏝䛾䝜䜴䝝䜴䜢ᥦ౪䛩䜛䛣䛸䛻䜘䜚䚸⏘Ꮫᐁ䛾ከᵝ䛺฼⏝⪅䛻䜘䜛ඹྠ฼⏝䜢ಁ㐍䛧䚸ಶ䚻䛾฼⏝⪅䛻ᑐ䛧䛶ၥ㢟ゎỴ䜈䛾᭱▷䜰䝥䝻䞊䝏䜢ᥦ౪䛩䜛䛸䛸䜒䛻䚸⏘Ꮫᐁ㐃ᦠ䜔␗ศ㔝⼥ྜ䜢᥎㐍䛩䜛䛣䛸䜢┠ⓗ䛸䛧䛶䛔䜎䛩䚹ᙜ஦ᴗ䛷䛿䚸䛜䜣䜔⏕ά⩦័⑓デ᩿䞉἞⒪䞉ண㜵䞉๰⸆䛾䛯䜑䛾ḟୡ௦䝘䝜䝞䜲䜸ศᏊ≀㉁ྜᡂ䜔๓⮫ᗋ◊✲ᨭ᥼䛻ຍ䛘䚸ᶵ⬟ᛶ䜻䝷䝹ศᏊ䚸㧗ศᏊ䝘䝜ⷧ⭷➼䛾᭷ᶵ䞉㧗ศᏊศᏊ≀㉁ྜᡂᨭ᥼䛺䛹䚸໬Ꮫࠥ⏕య䜎䛷ከᒱ䛻䜟䛯䜛ྜᡂ䞉ศᯒᶵჾ䜢ᥦ౪䛧䜎䛩䚹

(65

䝺䞊䝄䞊䝷䝬䞁ᅛయNMR
NMR䠄500MHz)௒ਪ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ

ከගᏊඹ↔Ⅼ䝺䞊䝄䞊㢧ᚤ㙾኱ẼᅽSEMதੰ൸ႀ๶ྰ

)7,5
੪ಞীෲ

0$/',72)06

ৈী৕ॼঀුჍभჍௐ೾৒‫਀؞‬એ௴௄਀એখথॢ૨೾৒‫ق‬$)0‫ك‬ਗ਼৕৞੸౦ਙ

ग़ঞॡॺট५উঞॖସ୤ীෲ

ลઽী୾୾২ੑ
ዓ୾ী୾୾২ੑ
८‫ॱش‬ਗ਼ਜ਼‫؞‬၄ྫྷ೾৒३५ॸ঒

๶৵౐੥အ;଍ଡୗੰෲಎ઼ ;଍໨ଜ৚ീಎ઼

৸ખೝዓ୾ႀ๶ྰ

ఁങખೝ৞੸౦ਙ

ॳॵউਗ਼ਞ็৿
ढ़५ॱঐॖ६;5'ಎ઼࿿োೝ *, ೾৒‫؞‬ਸ೸ഐే‫୾؞‬සೝ 

ዓ୾;଍ীෲಎ઼

89‫؞‬,5ী୾‫؞୾ုق‬ਸ೸ഐే‫ك‬மඡഓੑ䖪᭗ภưǋ̅ƑǔŴήưеƕƤǔ੗ბ஬૰Ʒ᧏ႆƴ঺ы㻔ி㒔኱䚸ྡྂᒇ኱䠅ග䜢ᙜ䛶䛶๤䛜䛩䛣䛸䛜䛷䛝䜛௬ᅛᐃ⏝᥋╔๣䛸䛧䛶䚸ගᛂ⟅ᛶᾮᬗ໬ྜ≀䛾㛤Ⓨ䛻ᡂຌ䛧䜎䛧䛯䚹䛣䛾᥋╔๣䛿䚸䐟㧗 ⎔ቃୗ䛷䜒㧗᥋╔ຊ䜢⥔ᣢ䚸䐠⣸እග↷ᑕ䛷㎿㏿䛺๤㞳䛜ྍ⬟䛸䛔䛖᪂䛧䛔ᶵ⬟䜢ᣢ䛳䛶䛔䜎䛩䚹㻵㼚㻙㻿㼕㼠㼡㼄⥺ᅇᢡ䛻䜘䜚䚸䛣䛾ᾮᬗᵓ㐀䜢ྠᐃ䛩䜛䛸ඹ䛻䚸ග䛻䜘䜚᥋╔๣䛜⁐䛡䜛䝯䜹䝙䝈䝮䜢ゎ᫂䛧䜎䛧䛯䚹䠄ᮏᡂᯝ䛿䚸㻺㼍㼠㼡㼞㼑㻌㻌㻯㼛㼙㼙㼡㼚㼕㼏㼍㼠㼕㼛㼚㼟㻘㻌㻞㻜㻝㻢㻘㻌㻣㻘㻌㻌㻝㻞㻜㻥㻠䛻ᥖ㍕䛥䜜䜎䛧䛯䠅ዓ୾ႀ๶ྰਗ਼ਞ็৿३५ॸ঒
ั৬ॡটঐॺॢছইॕ‫ش‬

'6&

7*$

ખૢ೸‫؞‬ఁങ३঑গঞ‫ش‬३ঙথ䖪ᢟᆆ᣿‫ޓ‬൦ᣠ҄ཋ㻙ȗȫǷǢȳȖȫȸȊȎቩ‫܇‬ᙐӳ˳ƷನᡯƱǻǷǦȠԈბཎࣱƷᚐଢ䠄୕㔜୰ኸ㛤Ⓨ㻔ᰴ㻕䠅ᨺᑕᛶ䝉䝅䜴䝮ởᰁỈ䛾ฎ⌮๣䛸䛧䛶䚸䝥䝹䝅䜰䞁䝤䝹䞊䠄㻼㻮㻕䛾⁐ฟ䜢ᢚไ䛧䚸䝉䝅䜴䝮྾╔⬟ຊ䜒㧗䛔㑄⛣㔠ᒓỈ㓟໬≀䛸䛾」ྜయ䠄㻼㻮㻙㼄㻕䜢㛤Ⓨ䛧䜎䛧䛯䚹㻼㻮㻙㼄䛾㼄⥺ᅇᢡ䚸㻿㻱㻹ほᐹ䛻䜘䜚䚸㑄⛣㔠ᒓ䠄౛䠖㻯㼡㻕䛜㻼㻮䛻ᙉᅛ䛻⤖ྜ䛩䜛䛸ඹ䛻஧ḟ⢏Ꮚ䜢኱䛝䛟䛩䜛䛣䛸䛷⁐ฟ䜢ᢚไ䛩䜛䛣䛸䚸ᚤ⣽䛺୍ḟ⢏Ꮚ䛻䜘䜚䝉䝅䜴䝮྾╔ᛶ⬟䛜㧗䛔䛣䛸䜢᫂䜙䛛䛻䛧䜎䛧䛯䚹

ᅗ䠎㻚㻌㻼㻮ᕷ㈍ရ䠄ᕥ䠅䛸㻌㻼㻮㻙㼄䠄ྑ䠅䛾୍ḟ⢏Ꮚ㻿㻱㻹ീᅗ䠍㻚㻌㻼㻮㻙㼄䛸㻼㻮ᕷ㈍ရ䚸ྜᡂရ䛾㼄⥺ᅇᢡබⓗᶵ㛵䛺䜙䛷䛿䛾పᩱ㔠タᐃᩱ㔠⾲䛾ヲ⣽䛿䚸ୗグWeb䝨䞊䝆䜢䛤ぴ䛟䛰䛥䛔䚹
問い合わせ：名古屋大学分子・物質合成プラットフォーム事務局
E-mail: nano-platform@apchem.nagoya-u.ac.jp, Phone: 052-789-4609
ホームページ http://nano-platform.apchem.nagoya-u.ac.jp110

合成 PF-8 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム

名古屋工業大学

スマートマテリアル創成支援

ナノ粒子、カーボンナノファイバー、グラフェン、生体関連の機能性分子の合成と、メスバウアー分光、電子顕微鏡などの試料評価を実施してます」ྜ䝘䝜⢏Ꮚ䛾Ẽ┦ྜᡂᨭ᥼ਞৼ়ਛ১॑ঋ‫ش‬५धखञ‫ঀॼؚ‬१ॖ६भৈෞ২সരउेल෷৲
੟၄৕भ়ਛ‫਀ؚ‬એ॑଺ངखञَ॥॔३ख़ঝ
၄৕ُृ౮ர੪ಞभॼ
ঀ၄৕ऋம়खञَং
ॖওॱঝ၄৕ُभ૥મ
੿ଲ੍॑ରखऽघ‫؛‬উছ६ঐ‫؞‬फ़५ᅼೠ১

⏕≀ศᏊ㛵㐃䛾᪂つ໬ྜ≀ྜᡂᨭ᥼䝘䝜䜹䞊䝪䞁䛾⎔ቃ䛻ඃ䛧䛔ྜᡂ䛸ホ౯ᨭ᥼ர‫ر‬भ੦ഝ਀એषभ
ढ़‫ش‬঎থॼঀই॓ॖং‫ش‬‫كڻۃڸق‬भ஼ആ஄ਛ‫ؚ‬ॢছইख़থभ৲৾ਞৼ়
ਛ‫ؚ‬થਃ઄଑৬धभ੆়
ॹংॖ५भ৫৅ध௬੼‫ؚ‬उेलਗ਼৕ႀ๶ྰ‫ںۉق‬‫كۂںۈؚۂ‬धউট‫ش‬ঈૼ୒॑ੌा়ॎचञॼঀ
౫મभಖഡ௬੼ಉभ૚ர
੍ର॑ষःऽघ‫؛‬রૠெ‫ڻۃڸ‬஼ആ়ਛಎ઼

‫ۂںۉ‬রਗ਼ਞ્ਙ௬੼୻
‫ۂںۈ‬রਃ༊્ਙ௬੼୻

ศᏊྜᡂ䝔䞁䝥䝺䞊䝖๰ᡂ䛸ホ౯ᨭ᥼फ़ছ५‫ؚ‬७ছ঑ॡ५‫ؚ‬সരಉभ૚ர੦ഝ౫
મ঱पத਴ෟએ॑஄
ਛख‫ؚ‬ী৕়ਛ৷དྷଡୗ ঐॖॡটছ঎
॑൉ਛखऽघ‫؛‬ऽञ‫ؚ‬དྷଡୗরदभী৕়
ਛ଱৿௬੼੍ର॑ষ
ःऽघ‫؛‬

३ॹটইज़॔भள఑ኇਃચ
॑ਹ৷ख‫ؚ‬๶ে੟ಉभ಍ཝभ
ੳ௙‫؞‬௙શ‫؞‬ଡୗੰෲऋ૭ચ
ऩॼঀଡୗੰෲಎ઼पेॉ‫ؚ‬ৗૠ৲়੟भ়ਛधে੟ী৕
धभৼ൩੿৷ಉ॑मगी‫ؚ‬৲়੟भถ಍ऩੰෲपणःथ੍
ରखऽघ‫؛‬๶ে੟ਫ਼ল३५ॸ঒

䝯䝇䝞䜴䜰䞊ศගᨭ᥼฼⏝஦౛ҥኽ୒໗҄ᴑᴊእǛЌέƱƢǔች݅ь߻ဇЌཋ᧏ႆਉ৕றपेॊफ़থঐ଍भુ๥ลઽ
५ঌॡॺঝऊैଂਚ৓ऩ੼ਯ૾ଙृ
੥အଡୗृ჌ਙ॑௬੼घॊऒधऋद
ऌॊও५ংक़॔‫ش‬ী୾১॑ৢगथ‫ؚ‬ॼঀ५ॣ‫ش‬ঝभ๶၄৕‫ؚ‬ෲল੟‫ුؚ‬Ⴭऩनभଂਚ੟ਙ௬੼॑ষः‫ؚ‬ঘ‫ش‬२‫ش‬भী৕੟ସ়ਛ੍॑ରखऽघ‫؛‬䝴䞊䝄䞊䠖䝡䞊䝔䜱䞊䝔䜱䞊䠄ᰴ䠅 㟷ᮌ ΅ᐇ᪋ᢸᙜ⪅䠖Ụ㱟ᩍᤵṧ␃ᛂຊࡢᑡ࡞࠸ษࡾᒌࢆ┠ᣦࡋࡓ㗦฼࡞
6L&ษ๐ᕤලࡢ㛤Ⓨࠊ᭱⤊ⓗ࡟ࡣࠊ་⒪ศ㔝࡟࠾ࡅࡿேయ⣽⬊ࡢⷧ⭷໬࡟ᑐᛂ࡛ࡁࡿ6L&
༢⤖ᬗࡢ་⒪⏝ࢼ࢖ࣇཬࡧࣉࣛࢫࢸ࢕ࢵࢡࣞ
ࣥࢬࡢ㉸⢭ᐦຍᕤ⏝6L&༢⤖ᬗᕤලࡢ㛤Ⓨࢆ┠ᣦࡋᐇ᪋ࡋࡓࠋ

57Fe 䝯䝇䝞䜴䜰䞊䝇䝨䜽䝖䝹䛾౛䠦㻾 䝏䜿䝑䝖

୍୓෇ᮐCounts౑䛔ᤞ䛶䜹䜲䝻
䠄౑⏝๓䠅଩ആ৿੿ങೊ১೾৒ಎ઼

౑䛔ᤞ䛶䜹䜲䝻䠄౑⏝ᚋ䠅䜽䝺䝆䝑䝖䜹䞊䝗
☢Ẽ䝇䝖䝷䜲䝥

-10 -50

5ᅗ䠍䠊ษ๐ᚋ䛾⿕๐ᮦ䛻ኚᙧ䛜ぢ䜙䜜䛺䛔஦䛷ṧ␃ᛂຊ䛜Ⓨ⏕䛧䛶䛔䛺䛔䛣䛸䛜☜ㄆ䛷䛝䛯䚹䠄㔠ᒓ䞉༙ᑟయ䛾᥋ゐ䠅ษ๐⌧ሙ䛷኱䛝䛺ၥ㢟䛸䛺䛳䛶䛔䛯ษ䜚ᒌ䛾㣕ᩓ䛻䜘䜛⿕ᐖ䜢ᢚไ䛷䛝䚸኱ᖜ䛺⎔ቃᨵၿ䛜ᮃ䜑䜛䚹᪂つ࡟㛤Ⓨࡋࡓ6L&ࢻࣜࣝࡣࠊ&)53ᮦࡢ✸Ꮝᐇ㦂࡛ࠊษ๐ᛶ࡜ຍᕤ⢭ᗘࡀ㣕㌍ⓗ࡟ᨵၿࡉࢀࠊ&)53ෆ㒊ࡢຍᕤኚ㉁ࢆᢚไ࡛ࡁࡓࠋྑ
ᅗࡣ⣧ࢳࢱࣥຍᕤࡢ஦౛࡛࠶ࡿࠋษ๐⌧ሙ࡛኱ࡁ࡞ၥ㢟࡜࡞ࡗ࡚࠸ࡓษࡾᒌࡢ㣕ᩓ࡟ࡼࡿ⿕ᐖࢆᢚไ࡛ࡁࠊ኱ᖜ࡞⎔ቃᨵၿࡀᮃࡵࡿࠋ
ࡲࡓࠊ᪂ࢻ࣮ࣆࣥࢢ6L&༢⤖ᬗࡢ&03ຍᕤ࡟ࡼࡾࠊลඛ୸ࡳࢆQP௨ୗ࡟㗦฼໬ࡋࡓษ๐ᕤ
ලࡢ㛤Ⓨ࡟ᡂຌࡋࡓࠋ⌧ᅾࠊ6L&༢⤖ᬗࡢ་⒪⏝ࢼ࢖ࣇཬࡧࣉࣛࢫࢸ࢕ࢵࢡࣞࣥࢬࡢ㉸⢭ᐦຍᕤ⏝ᕤලࢆ㛤Ⓨ୰࡛࠶ࡿࠋ

10

Velocity (mm/s)

ᴢᴶᴊᴍᴤᴀᴱᴩƴ‫ݣ‬Ƣǔ᭗Ў‫܇‬ᴝᴡቩ‫܇‬Ʒ৴ᓏ˺ဇƷࣇᙻႎᚸ̖
䝴䞊䝄䞊䠖ឡ▱Ꮫ㝔኱Ꮫ 㧗ᶫ▱㔛ᖹᡂ䠎䠓ᖺᗘᐇ⦼

฼⏝ᙧែ䛸฼⏝ᐇ⦼䞉ཷクヨ㦂እ㒊◊✲⪅䞉ᢏ⾡⪅䛛䜙䛾౫㢗䜢ཷ䛡䛶䚸ᮦᩱ䛾ヨ㦂䜔ヨᩱస〇䜢⾜䛔䜎䛩䚹஦๓ᡴ䛱ྜ䜟䛫ᚋ䚸౫㢗⪅❧䛱఍䛔䛷⾜䛔䜎䛩䚹ヨᩱ䜢䛚㡸䛛䜚䛧䚸 ᐃ⤖ᯝ䜢㒑㏦䛩䜛䛣䛸䜒ྍ⬟䛷䛩䚹ᶵჾ฼⏝䠖฼⏝⪅⮬䜙ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᢏ⾡௦⾜䠖ᨭ᥼⪅䛜฼⏝⪅䛻௦⾜䛧䛶ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛

䞉ඹྠ◊✲እ㒊◊✲⪅䛜ᮏᨭ᥼䛷⾜䛖◊✲ศ㔝䛾ᢏ⾡䞉▱㆑䜢᭷䛧䛶䛔䛺䛔ሙྜ䚸䛒䜛䛔䛿ヨᩱ䛜ከᩘ䛒䜚䚸୍㐃䛾ヨ㦂䜢ᕼᮃ䛥䜜䜛ሙྜ䛿䚸ඹྠ◊✲䛾ᙧែ䛜౽฼䛷䛩䚹ᨭ᥼ෆᐜ䞉฼⏝ᙧែ䛾ヲ⣽䜔⏦ㄳ᭩㢮䛻䛴䛔䛶䛿䚸䛂䛚ၥ䛔ྜ䜟䛫䛃ඛ䜎䛷䛤㐃⤡ୗ䛥䛔䚹฼⏝タഛ䛾౛
䞉㧗ศゎ⬟㏱㐣㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䞉᣺ືヨᩱᆺ☢ຊィ䠄VSM)
䞉䝯䝇䝞䜴䜰䞊ศග⿦⨨䠄⥺※Fe, Sn䠅䞉༢⤖ᬗ䠴⥺ᵓ㐀ゎᯒ⿦⨨
䞉㉁㔞ศᯒ⿦⨨䠄ESI-MS䠅Ẹ㛫௻ᴗ䠕௳኱Ꮫ䠄እ㒊䠅䠍䠕௳䠄ෆ㒊䠅䠍䠒௳බⓗ◊✲ᶵ㛵
䠑௳
䛭䛾௚
䠌௳
䠐䠕௳
ྜィ
୺䛺฼⏝ᙧែෆヂඹྠ◊✲ 䠑䠏%䚸ᶵჾ฼⏝ 䠎䠎%䞉PL䝇䝨䜽䝖䝹䞉PLᑑ࿨ ᐃ⿦⨨
䞉UV/VIS/NIRศගගᗘィ䞉䜾䝷䝣䜵䞁䞉䜹䞊䝪䞁䝘䝜䝏䝳䞊䝤ྜᡂ⿦⨨䞉≉ᆺ⾲㠃䝘䝜ᵓ㐀ᙧᡂ⿦⨨䞉㉸⢭ᐦ㟁Ꮚᮦᩱᇶᯈᖹᆠ໬⿦⨨䞉ཎᏊศゎ⬟ศᯒ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄ARM200F䠅

ᐇ᪋ᢸᙜ⪅䠖✀ᮧᩍᤵ࢝ࢸ࣮ࢸࣝࡸ࣮࣌ࢫ࣓࣮࣮࢝ࠊேᕤ㛵⠇࡞࡝ࡀ἞⒪࡟኱ࡁࡃ㈉⊩ࡋ࡚࠸ࡿࡀࠊࣂ࢖࢜ࣇ࢕࣒ࣝᙧᡂࡢ ᗋ࡜࡞ࡿ࡞࡝ࠊ㝔ෆឤᰁ⑕ࡢឤᰁ※ࡢ୍ࡘ࡜ࡋ࡚ၥ㢟࡜࡞ࡗ࡚࠸ࡿࠋࡑࡇ࡛ࠊࣂ࢖࢜ࣇ࢕࣒ࣝ
࡟ᑐࡍࡿ㧗ศᏊࢼࣀ࢟ࣕࣜ࢔ࡢᢠ⳦స⏝ࢆྍど໬ࡋࠊࡑࡢ᝟ሗࢆᇶ࡟ࣂ࢖࢜ࣇ࢕࣒ࣝࡢᙧᡂࢆ㜼ᐖྍ⬟࡞ࢻࣛࢵࢢࢹࣜࣂ࣮ࣜࢩࢫࢸ࣒〇๣ࡢタィࢆ
ヨࡳࡓࠋ㧗ศᏊᇶ๣ࡸ⾲㠃ಟ㣭≀㉁ࠊᑒධ⸆๣ࡢ␗࡞ࡿ㧗ศᏊࢼࣀ⢏Ꮚࢆㄪ〇ࡋࠊࣂ࢖࢜ࣇ࢕࣒ࣝ࡟ᑐࡍࡿ
௜╔࣭౵ධᣲືࡢ㐪࠸ࢆᤊ࠼ࡿࡇ࡜ࡀ࡛ࡁࡓ㸦ᅗ㸧ࠋ௒ᅇࡢᐇ㦂࡛ࠊヨᩱస〇ࡢ㝿ࡢ࢖࢜ࣥᾮయ
ฎ⌮࡜ヨᩱ෭༷࡟ࡼࡿ㉮ᰝ㏱㐣㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾㸦67(0㸧ほᐹࡢ⤌ࡳྜࢃࡏ࡟ࡼࡾࠊࢲ࣓࣮ࢪࢆཷ
ࡅࡸࡍ࠸᭷ᶵᮦᩱࡢほᐹࡀྍ⬟࡛࠶ࡿࡇ࡜ࡀࢃ
࠿ࡗࡓࠋᚑ᮶ࡢᐃ㔞ⓗホ౯࡜ࡇࢀࡽࡢᙧែᏛⓗホ౯ࢆᇶ࡟ࠊࣂ࢖࢜ࣇ࢕࣒ࣝࡢᙧᡂ࠾ࡼࡧ⳦ࡢቑṪࢆ┤᥋㜼ᐖࡍࡿࢼࣀ⢏Ꮚ࢟ࣕࣜ࢔ࡢタィࢆࡍࡿࡇ࡜ࡀ࡛ࡁࡓࠋ

௕ D ਒ॼঀ၄৕॑ຆোखञ3/*$ॼঀ၄৕ध E ਒ॼঀ၄৕॑ຆোखञ3/*$ॼঀ၄৕॑਺ଖखञংॖड़ইॕঝ঒भ67(0൸௕ D ॡছজ५টঐॖ३থ॑ຆোखञ3/*$ॼঀ၄৕ध E ॡছজ५টঐॖ३থ॑ຆোखञ3/*$ॼঀ၄৕॑਺ଖखञংॖड़ইॕঝ঒भ67(0൸問い合わせ：名古屋工業大学 分子・物質合成プラットフォーム（日原岳彦）
E-mail: hihara@nitech.ac.jp，Phone: 052-735-5298
ホームページ http://nano.web.nitech.ac.jp/111

合成 PF-9 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォームዉⰋඛ➃⛉Ꮫᢏ⾡኱Ꮫ㝔኱Ꮫ ศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮᭱ඛ➃䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊◊✲᪋タ䛾ඹ⏝໬䛸㧗ᗘᢏ⾡ᨭ᥼඲ᩍဨཧຍ䛻䜘䜛༠ຊ◊✲ไᗘ䚸㧗ᗘ䛺ᑓ㛛ᢏ⾡䜢ᣢ䛴ᢏ⾡⫋ဨ䞉ᢏ⾡⿵బဨ䚸㐃ᦠ䞉ᢏ⾡ㄪᰝ䜢ᑓ㛛䛸䛩䜛㐃ᦠ䝬䝛䞊䝆䝱䞊䚸䛚䜘䜃䝸䞊䝈䝘䝤䝹䛺฼⏝ᩱ㔠䛻䜘䜚䚸᪂ᮦᩱ๰ᡂ䛸䜒䛾䛵䛟䜚䛻㈉⊩䛧䚸䜰䜹䝕䝭䜰䛰䛡䛷䛿䛺䛟䚸⏘ᴗ⏺䚸≉䛻䚸୰ᑠ䞉䝧䞁䝏䝱䞊௻ᴗ䛻䛤ά⏝䛔䛯䛰䛔䛶䛔䜎䛩䚹 㻌 㻌 㻌 㻌୺䛺ᨭ᥼ᶵჾ
㏱㐣ᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾 ᪥ᮏ㟁Ꮚ䠈JEM-3100FEF⢊ᮎ㼄⥺ᅇᢡ⿦⨨ 䝸䜺䜽䠈 RINT-TTRIII/NM༢⤖ᬗ㼄⥺ᅇᢡ⿦⨨ 䝸䜺䜽䠈VariMax RAPID RA-Micro7
㼄⥺ᩓ஘ ᐃ⿦⨨ 䝸䜺䜽䠈Micro/Max-007HF
MALDI-TOF㉁㔞ศᯒ⿦⨨ Bruker Daltonics 䠈 AutŽŇex IIከᶵ⬟㉮ᰝᆺ䠴⥺ග㟁Ꮚศගศᯒ⿦⨨ 䜰䝹䝞䝑䜽䞉㏱㐣㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾⇕㟁≉ᛶホ౯⿦⨨༢⤖ᬗX⥺ᅇᢡ⿦⨨኱Ẽ୰ග㟁Ꮚศග⿦⨨䠴⥺ග㟁Ꮚศගศᯒ⿦⨨㉁㔞ศᯒ⿦⨨

䝣䜯䜲䠈 PHI5000Versa Probe ϩศගឤᗘ䞉ෆ㒊㔞Ꮚຠ⋡ ᐃ⿦⨨ ศගィჾ,CEP-2000RP኱Ẽ୰ග㟁Ꮚศග⿦⨨ ⌮◊ィჾ䠈 AC-3⇕㟁≉ᛶホ౯⿦⨨ カンタム・デザイン䠈 PPMS EverCool IIศගឤᗘ䞉ෆ㒊㔞Ꮚຠ⋡ᐃ⿦⨨ᨭ᥼ヨ⾜ᶵჾ 䠄ୗグ䛾ᶵჾ䜒㐺ᐅ䛤฼⏝䛔䛯䛰䛡䜎䛩䚸ヲ⣽䛿㐃ᦠ䝬䝛䞊䝆䝱䞊䛻䛤┦ㄯ䛟䛰䛥䛔䚹䠅㟁Ꮚ⥺䝬䜽䝻䜰䝘䝷䜲䝄䠄EPMA䠅 ᓥὠ䠈EPMA1610
஧ḟ䜲䜸䞁㉁㔞ศᯒ䠄SIMS䠅⿦⨨ ULVAC-PHI䠈ADEPT-1010
600MHz㉸ఏᑟNMR JEOL䠈JNM-ECA600
400MHzᅛయ㉸ఏᑟNMR JEOL䠈JNM-ECX400඲⮬ືඖ⣲ศᯒ⿦⨨ Perkin Elmer䠈2400ϩCHNS/O஧㔜཰᮰ᆺ㉁㔞ศᯒィ䠄EI䠈CI䠈 FAB䠅 JEOL䠈JMS-700
ESIᑓ⏝㣕⾜᫬㛫ᆺ㉁㔞ศᯒィ䠄TOF-MS䠅 JEOL䠈JMS-T100LC
MALDI-Spiral-TOF㉁㔞ศᯒ⿦⨨ JEOL䠈JMS-S3000♧ᕪ㉮ᰝ⇕㔞ィ䞉♧ᕪ⇕⇕㔜㔞ྠ᫬ ᐃ⿦⨨㻌㻌㻌 㻌 ᪥❧䝝䜲䝔䜽䝃䜲䜶䞁䝇 DSC/TG-DTA 6200
」ྜᆺ⾲㠃⤌ᡂศᯒ⿦⨨䠄XPS/AES䠅ᓥὠ䠈KRATOS AXIS-165

㟁⏺ᨺᑕᆺ㉮ᰝ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䠄FE-SEM䠅 JEOL䠈JMS-7400F䠈JED-2200㉮ᰝᆺ䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾䠄SPM䠅 ᪥❧䝝䜲䝔䜽䝃䜲䜶䞁䝇䠈SPA400䠈SPI-3800N
ᚤ⣽ᙧ≧ ᐃᶵ ᑠᆏ◊✲ᡤ䠈ET200
ศග䜶䝸䝥䝋䝯䞊䝍䞊 HORIBA JOBIN YVON䠈 UVISEL ER AGMS-NSD㢧ᚤ䝺䞊䝄䞊䝷䝬䞁ศගගᗘィ ᪥ᮏศග䠈NRS-4100-30
෇஧Ⰽᛶศᩓィ䠄CD䠅 ᪥ᮏศග䠈J-725
䝣䜵䝮䝖⛊䠈䝃䝤䝘䝜⛊䝟䝹䝇䝺䞊䝄䞊䞉⺯ගᑑ࿨ ᐃ⿦⨨
Coherent Mira䠈Ᏹ⩧KEC-160䠈὾ᯇ䝩䝖䝙䜽䝇C4780
䝎䜲䝘䝭䝑䜽ගᩓ஘ගᗘィ ኱ሯ㟁Ꮚ䠈DLS-6000㟁Ꮚ䝇䝢䞁ඹ㬆䠄ESR䠅⿦⨨ JEOL䠈JES-FA100

ᨭ᥼௳ᩘ䛸฼⏝ᩱ㔠

ᶵ㛵
኱Ꮫ




ᖺᗘู௳ᩘ
    




௻ᴗ











ྜィ









฼⏝஦౛䠄௻ᴗ䠅 㻌 㻌 㻌

㻌㻌㻌

฼⏝ᙧែ

฼⏝༊ศ

኱Ꮫ฼⏝ᩱ

௻ᴗ฼⏝ᩱ

ᢏ⾡┦ㄯ

୍⯡฼⏝

↓ᩱ

↓ᩱ

༠ຊ◊✲

ᅄ༙ᮇ

円円ᨭ᥼ᮇ㛫䠖䠐䠉䠍䠎᭶䚸༠ຊ◊✲䠖ᅄ༙ᮇ༢఩䚸䠐䠉䠒䚸䠓䠉䠕䚸䠍䠌䠉䠍䠎᭶ᢏ⾡௦⾜㻛ᶵჾ฼⏝ 䠍᪥฼⏝円円᮶ᖺᗘᩱ㔠ᨵゞணᐃ

㻌㻌㻌

㻌㻌㻌

㻌㻌㻌

䛂X⥺ᅇᢡ⏝䝫䝸䜲䝭䝗䜻䝱䝢䝷䝸䛾㛤Ⓨ䛃 䜿䜲䝛䝑䜽䝇ᰴᘧ఍♫䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䜢㏻䛨䚸ዉⰋඛ➃⛉Ꮫᢏ⾡኱Ꮫ㝔኱Ꮫ䛸ඹྠ◊✲䜢⾜䛖஦䛷䝫䝸䜲䝭䝗ᮦᩱ䛾᭱㐺໬䜢㐍䜑䚸⤖ᬗᵓ㐀ゎᯒ᫬䛻ၥ㢟䛸䛺䜛
BKG䜢䜋䜌0䛻䛩䜛஦䛻ᡂຌ䛧䛯䚹ᅜෆእ䜈䛾䝴䞊䝄䞊䜈䝃䞁䝥䝹ᥦ౪䜢ጞ䜑䚸䝴䞊䝄䞊䛛䜙㧗䛔ホ౯䜢ᚓ䛶䛔䜛䚹ᵝ䚻䛺⏝㏵䛻ྜ䜟䛫䛯ᙧ≧䚸⭷ཌ䛷䛾䝃䞁䝥䝹䜢స〇䛧䛶䛔䛟‽ഛ䜢㐍䜑䛶䛚䜚䚸㔞⏘䛻ྥ䛡䛶䛾⏕⏘タഛ䜢‽ഛ୰䛷䛒䜛䚹฼⏝஦౛䠄኱Ꮫ䠅 㻌 㻌 㻌

㻌㻌㻌

㻌㻌㻌

㻌㻌㻌

㻌㻌㻌

䛂㠉᪂ⓗሬᕸᆺᮦᩱ䛻䜘䜛᭷ᶵⷧ⭷ኴ㝧㟁ụ䛾ᵓ⠏䛃㻌㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌୰ᒣ೺୍䠄኱㜰኱Ꮫ䠅,▮㈅ྐᶞ䠄༓ⴥ኱Ꮫ䠅,ቑᑿ㈆ᘯ䠄㛵すᏛ㝔኱Ꮫ䠅,ᒣ⏣ᐜᏊ䠄ዉⰋඛ➃⛉Ꮫᢏ⾡኱Ꮫ㝔኱Ꮫ䠅ගኚ᥮๓㥑యἲ䛿䚸䠍䚹ྍ⁐䛺๓㥑య䛛䜙㞴⁐䛺ᶵ⬟ᛶᮦᩱ䜈䚸⁐ᾮ䚸ⷧ⭷䚸ᅛయ୰䛷ᐃ㔞ⓗ䛻ኚ᥮䚸䠎䠊⁐ᾮἲ䛻䜘䜚䚸ከ⤖ᬗ⭷䛾స〇䜔ⷧ⭷ᵓ㐀ไᚚ䛜ྍ⬟䚹䠏䠊⁐ᾮἲ䛻䜘䜛㼜㻙㼕㻙㼚ᵓ㐀䛻㐺䛧䛯ከᒙ⭷䛾స〇䚸䠐䠊ప 䛷䛾ኚ᥮䜔ග↷ᑕ᮲௳䛻䜘䜛ⷧ⭷ᵓ㐀ไᚚ䛜ྍ⬟䚸䛸䛔䛖䛩䛠䜜䛯≉ᚩ䜢ᣢ䛴䚹ᮏ◊✲䛷䛿䚸䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䜢฼⏝䛧䛶䚸኱Ẽ୰ග㟁Ꮚศග⿦⨨䚸ศගឤᗘ䞉ෆ㒊㔞Ꮚຠ⋡ ᐃ⿦⨨䚸༢⤖ᬗ䠴⥺ゎᯒ⿦⨨䚸⢊ᮎ䠴⥺ゎᯒ⿦⨨䚸㉁㔞ศᯒ⿦⨨䛺䛹䚸ከ䛟䛾⿦⨨䜢⏝䛔䛯ᨭ᥼䜢ཷ䛡䚸㠉᪂ⓗሬᕸᆺᮦᩱ䛻䜘䜛᭷ᶵⷧ⭷ኴ㝧㟁ụ䛾ຠ⋡ⓗ䛺◊✲䞉㛤Ⓨ䜢㐍䜑䜛䛣䛸䛜䛷䛝䛯䚹

問い合わせ：奈良先端科学技術大学院大学 物質科学教育研究センター NAIST ナノテクノロジープラットフォーム事務局
E-mail: nano-net@ms.naist.jp Phone: 0743-72-6185
ホームページ http://mswebs.naist.jp/nanopla/112

合成 PF-10 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム኱㜰኱Ꮫ ศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊タഛ౪⏝ᣐⅬ⏘ᴗ⛉Ꮫ◊✲ᡤ኱㜰኱Ꮫ䝘䝜䝔䜽䝜䝻䝆䞊タഛ౪⏝ᣐⅬศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䛿䚸᭱ඛ➃ࡢࢼࣀࢸࢡࣀࣟࢪ࣮◊✲タഛࢆ⏘Ꮫᐁࡢ฼⏝⪅࡟ᑐࡋ࡚ࠊ㧗ᗘ࡞ᢏ⾡ᨭ᥼࡜࡜ࡶ
࡟ᥦ౪ࡋࡲࡍࠋࡲࡓࠊᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䜔ᚤ⣽ຍᕤ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮䛸䜒㐃ᦠ䛩䜛䛣䛸䛷䚸⏘ᴗ䠋◊✲䜲䝜䝧䞊䝅䝵䞁䛾ᇶ┙ᢏ⾡䛸䛺䜛䝘䝜䝬䝔䝸䜰䝹䡡ⷧ⭷≀㉁
䛾㛤Ⓨ䜔䝘䝜✵㛫ไᚚ䛻䜘䜛᪂ወ䛺㉸᱁Ꮚ⣲ᮦ䛾๰〇䚸᭷ᶵ䠋㓟໬≀䝘䝜䝽䜲䝲䛾ྜᡂ䞉ゎᯒ➼䛾ᨭ᥼䜢⾜䛔䜎䛩䚹䝘䝜䝬䝔䝸䜰䝹䛾ྜᡂᨭ᥼䛸ホ౯ᨭ᥼䛸䜢ే⏝䛧䛶䚸䝥䝻䝖䝍䜲䝥䝘䝜䝕䝞䜲䝇䛾సᡂᨭ᥼䜢⾜䛔䜎䛩䚹࢖ࣀ࣮࣋ࢩࣙࣥᆅᇦ㐃ᦠேᮦ⫱ᡂႾȷоǨȍȫǮȸȊȎȞȆȪǢȫӳ঺zȑȫǹȬȸǶȸ/$'ᘺፗzஊೞᕓᐏ࢟঺ᘺፗ
z4(ǹȑȃǿᘺፗzឥ௹‫׹‬ᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟzȬȸǶȸȩȞȳ᫋ࣇᦟz੗ᚑࡸᐏҽᚘzǤǪȳ҄ȝȆȳǷȣȫย‫ܭ‬ᘺፗzឥ௹‫׹‬ȗȭȸȖ᫋ࣇᦟzʚഏǤǪȳឋ᣽ЎௌȊȎȇȐǤǹь߻ᘺፗzӒࣱࣖǤǪȳǨȃȁȳǰᘺፗᚤ⣽ᵓ㐀ゎᯒPFศᏊ䞉≀㉁ྜᡂPFᚤ⣽ຍᕤPFࢼࣀࢸࢡࣀࣟࢪ࣮タഛ౪⏝ᣐⅬ
䜰䜲䝕䜰

௻ᴗ
኱Ꮫ
◊✲ᡤ

ȗȭȈǿǤȗ
ȇȐǤǹ҄ૅੲ
㉸㧗ᅽ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾䝉䞁䝍䞊ඹ⏝タഛタഛ㸦タഛ⩌㸧ྡ࣓࣮࣮࣭࢝ᆺ␒

ேᕤ㉸᱁Ꮚⷧ⭷ᙧᡂࢩࢫࢸ࣒ 3/' ㄔ༡ᕤᴗᰴᘧ఍♫

3/25᭷ᶵⷧ⭷ᙧᡂ⿦⨨ㄔ༡ᕤᴗᰴᘧ఍♫

9&+5≀㉁ྜᡂ
ᡂ⭷ ⿦⨨ 㧗࿘Ἴࣉࣛࢬ࣐ࢫࣃࢵࢱࣜࣥࢢ
ⷧ⭷ᙧᡂ⿦⨨

5)ࢫࣃࢵࢱ⿦⨨ேᕤ㉸᱁Ꮚⷧ⭷ᙧᡂ䝅䝇䝔䝮䠄㻼㻸㻰㻕᭷ᶵⷧ⭷ᙧᡂ⿦⨨ㄏᑟ⤖ྜᆺ㻾㻲䝥䝷䝈䝬ᨭ᥼㓟໬≀䝇䝟䝑䝍⿦⨨㻾㻲䝇䝟䝑䝍⿦⨨㧗 ⇕ฎ⌮⿦⨨䠄䝉䝷䝭䝑䜽䝇㟁Ẽ⟶≧⅔䠅

ᰴᘧ఍♫᪥❧ࣁ࢖ࢸࢡࣀࣟࢪ࣮ࢬ
68
%858.(5'HNWDN;7࣮ࣞࢨ࣮࣐ࣛࣥ㢧ᚤ㙾ࢼࣀࣇ࢛ࢺࣥᰴᘧ఍♫

5$0$1WRXFKࢩࢫ࣓ࢵࢡࢫᰴᘧ఍♫

1$12=6ᰴᘧ఍♫ᇼሙ〇సᡤ

89,6(//71,511*⣸እྍどศගගᗘィ᪥ᮏศගᰴᘧ఍♫

9

ⷧ⭷;⥺ᅇᢡ⿦⨨ᰴᘧ఍♫ࣜ࢞ࢡ

8OWLPDϫ㉥እ࣭ࢸࣛ࣊ࣝࢶ᫬㛫ศゎศග⿦⨨᪥㑥ࣉࣞࢩࢪࣙࣥᰴᘧ఍♫ 3XOVH,56RV఩┦ኚㄪᆺศග࢚ࣜࣉࢯ࣓࣮ࢱ࣮

㉮ᰝᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾᥋ゐᘧ⭷ཌィ

䝺䞊䝄䞊䝷䝬䞁㢧ᚤ㙾
ࢹࣂ࢖ࢫ
ᵓ㐀
ᙧᡂ ຍᕤ
⿦⨨

ⷧ⭷㼄⥺ᅇᢡ⿦⨨఩┦ኚㄪᆺศග
䜶䝸䝥䝋䝯䞊䝍䞊

䝣䞊䝸䜶ኚ᥮
㉥እศගගᗘィ

ࢹࣂ࢖ࢫ
ᶵ⬟ホ౯
⿦⨨

䜲䜸䞁໬䝫䝔䞁䝅䝱䝹ᐃ⿦⨨㉮ᰝᆺ䝥䝻䞊䝤㢧ᚤ㙾69&/5)

᥋ゐᘧ⭷ཌィ

ࢼࣀ⢏Ꮚゎᯒ⿦⨨཯ᛂᛶ䜲䜸䞁
䜶䝑䝏䞁䜾⿦⨨0%

ࢧ࣮ࣥࣘ㟁Ꮚᰴᘧ఍♫㉮ᰝᆺ㟁Ꮚ㢧ᚤ㙾≀㉁ ⭷  㸦ࢮ࣮ࢱ㸫ࢧ࢖ࢨ࣮㸧ホ౯⿦⨨஧ḟ䜲䜸䞁㉁㔞ศᯒ䝘䝜䝕䝞䜲䝇ຍᕤ䝅䝇䝔䝮ᰴᘧ఍♫࢔ࣝࣂࢵࢡ㧗 ⇕ฎ⌮⿦⨨㸦ࢭ࣑ࣛࢵࢡࢫ㟁Ẽ⟶≧⅔㸧

ㄔ༡ᕤᴗᰴᘧ఍♫$5).

཯ᛂᛶ࢖࢚࢜ࣥࢵࢳࣥࢢ⿦⨨ࢧ࣒ࢥᰴᘧ఍♫5,(15஧ḟ࢖࢜ࣥ㉁㔞ศᯒࢼࣀࢹࣂ࢖ࢫ
ຍᕤࢩࢫࢸ࣒

఑ᮾᰴᘧ఍♫,%(.'&(3'287$

⎔ቃไᚚᆺ㉮ᰝᆺࣉ࣮ࣟࣈ
㢧ᚤ㙾ࢩࢫࢸ࣒

ᰴᘧ఍♫᪥❧ࣁ࢖ࢸࢡࢧ࢖࢚ࣥࢫ
1DQRQDYL,,63$+9㉮ᰝᆺࣉ࣮ࣟࣈ㢧ᚤ㙾ᰴᘧ఍♫᪥❧ࣁ࢖ࢸࢡࢧ࢖࢚ࣥࢫ
1DQRQDYL5HDO(VZHHS

࢖࢜ࣥ໬࢚ࢿࣝࢠ࣮

ศගィჾᰴᘧ఍♫%,3.9*'ศගィჾᰴᘧ఍♫%,3.9.

㟁ὶᐦᗘศᕸホ౯

ᐃ⿦⨨

ᐃ⿦⨨

ᨭ᥼஦౛

PLD䛻䜘䜛Pb䝣䝸䞊ᙉㄏ㟁య((K,Na)NbO3)⭷䛾స〇ගᏛᘧ䝞䜲䜸䝉䞁䝃䛾◊✲኱㜰ᗓ❧኱ᏛᕤᏛ◊✲⛉ 㰺⸨୔㷍䚸㧘⏣⍱Ꮚ

Si

KNN(200)

KNN(100)

Secondar
y
phase

Pt

2Pa

Si

Pt

,QWHQVLW\>DX@䖩ᇶᯈ ᗘ䞉㓟⣲ᅽ䛾ᙳ㡪䜢ㄪᰝ
PLD䠖ᙉㄏ㟁య䛾⤌ᡂ䜢ไᚚ䛧䜔䛩䛔≉ᚩ䜢᭷䛩䜛

20Pa

ᇶᯈ







˥˶ >GHJ@

ᗘ500r&䛻䛚䛡䜛XRD 䛾ᡂ⭷O2ᅽຊ౫Ꮡ㓟⣲ᅽ䜢ୖ䛢䜛䛸KNN䛾୙⣧≀┦䛾䝢䞊䜽䛜ῶᑡ

25
ศᴟ್ [μC/cm2]

ᙉㄏ㟁య
(K,Na)NbO3

0.2Pa



ప䝁䝇䝖䞉㧗ᛶ⬟䛺䝞䜲䜸䝉䞁䝃䛾ᐇ⌧䜢┠ᣦ䛧䛶䚸⾲㠃䛻㧗ᐦᗘ䛷ᆒ୍䛻⺮ⓑ㉁䛾ᅛᐃ໬䛷䛝䜛ගᑟἼ㊰䜢సᡂ䖩Ⰻዲ䛺⤖ᬗᛶ䛜ᚓ䜙䜜䜛PLD䜢⏝䛔䛶Ptୗ㒊㟁ᴟ䛾㓄ྥᛶ䛾ᙳ㡪䜢ㄪᰝPtୗ㒊㟁ᴟ

ྂ㔝㟁Ẽᰴᘧ఍♫ ከ⏣ၨ஧䚸ᒣᯘ₶ୖ㒊㟁ᴟᚑ᮶䛾ᮦᩱPLZT䠄᭷ᐖ䠅䛻௦䜟䜛㠀㖄⣔ᮦᩱ(K,Na)NbO3

15

(b)

(䠽)

5

(c)

-5

20Pa600°C-15

20Pa500°C(a)ᑟἼ㊰䛾ගᏛ㢧ᚤ㙾ീ (b)䜾䝺䞊䝔䜱䞁䜾䛾ගᏛ㢧ᚤ㙾ീ(c)䜾䝺䞊䝔䜱䞁䜾䛾AFMീ

20Pa400°C

-25
-3

-2

-1
0
1
༳ຍ㟁ᅽ [V]23

O2ᅽຊ20Pa䛻䛚䛡䜛ᙉㄏ㟁≉ᛶ䛾ᇶᯈ ᗘ౫Ꮡ
(䠽)

䖩600Υ䛷䝠䝇䝔䝸䝅䝇䜢☜ㄆ
䠄2Pr = 17.4 μC/cm2)(b)(a)⺮ⓑ㉁ᅛᐃ໬ᚋ⾲㠃⛒ᗘ(b)AFMീ䛾䝠䝇䝖䜾䝷䝮฼⏝᱌ෆ฼⏝ᙧែ䠄ᡂᯝබ㛤஦ᴗ䠅฼⏝ᩱ㔠䠄ᖹᡂ28ᖺᗘ ᡂᯝබ㛤஦ᴗ䠅ᶵჾ฼⏝฼⏝⪅⮬䜙䛜ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᨭ᥼䠄ึᚰ⪅䜈䛾ᶵჾ᧯సᣦᑟ䜢ྵ䜐䠅ᶵჾ฼⏝ᩱ኱Ꮫ䞉බⓗᶵ㛵

Ẹ㛫௻ᴗ

ᢏ⾡⿵ຓ

ᣐⅬ䝇䝍䝑䝣䛜᧯స᪉ἲ䜢⿵ຓ䞉ᣦᑟ䛧䛺䛜䜙฼⏝⪅⮬䜙䛜ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᨭ᥼

ᚑ㔞ไ

4,500 ෇/4h

6,000 ෇/4hᢏ⾡௦⾜ᣐⅬ䝇䝍䝑䝣䛜฼⏝⪅䛻௦䜟䛳䛶ᶵჾ䜢᧯స䛩䜛ᨭ᥼᭶ᴟ

27,000 ෇/᭶

36,000 ෇/᭶ඹྠ◊✲ᣐⅬ䝇䝍䝑䝣䛸฼⏝⪅䛜◊✲䜢ඹྠ䛷ᐇ᪋ᖺᴟ

270,000 ෇/ᖺ

360,000 ෇/ᖺᢏ⾡┦ㄯᣐⅬ䝇䝍䝑䝣䛜ᢏ⾡ⓗෆᐜ䛻䛴䛔䛶┦ㄯ䛣䛾䜋䛛䚸ᡂᯝ㠀බ㛤䛷฼⏝䛩䜛䛣䛸䜒䛷䛝䜎䛩䚹ᨭ᥼ᕼᮃ䛾᪉䛿ㄢ㢟⏦ㄳ๓䛻฼⏝┦ㄯ䠄↓ᩱ䠅䜢䛤฼⏝䛟䛰䛥䛔䚹






䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮౑⏝᫬䛿䜽䝸䞊䞁䝹䞊䝮ධᐊᩱ䠄1,000෇/ே䞉᭶䠅䛜ᚲせ䛷䛩䚹ᚑ㔞ไ䛾ሙྜ䚸᭶ᴟ㢠䜢ୖ㝈䛸䛧䜎䛩䚹ᚑ㔞ไ䚸᭶ᴟ䛾ሙྜ䚸ᖺᴟ㢠䜢ୖ㝈䛸䛧䜎䛩䚹ᢏ⾡௦⾜ᩱ䛿኱Ꮫ䞉බⓗᶵ㛵㻞㻘㻜㻜㻜෇㻛㼔䚸Ẹ㛫௻ᴗ㻟㻘㻜㻜㻜෇㻛㼔䠄ఱ䜜䜒ୖ㝈↓䛧䠅䛷䛩䚹ᡂᯝ㠀බ㛤஦ᴗ༊ศ䛷䛾฼⏝ᩱ㔠䛿ᡂᯝබ㛤஦ᴗ䛾3ಸ㢠䛷䛩䚹

お問い合わせ：大阪大学ナノテクノロジー設備供用拠点 分子・物質合成プラットフォーム 拠点事務室
E-mail: kitajima@sanken.osaka-u.ac.jp, Phone: 06-6879-4309
ホームページ hƩp://nanoplaƞorm.osaka-u.ac.jp/syn/113

合成 PF-11 概要
文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業

分子・物質合成プラットフォーム஑ᕞ኱Ꮫ ศᏊ䞉≀㉁ྜᡂ䝥䝷䝑䝖䝣䜷䞊䝮ਈ੔ഈॼঀॸॡঀট४‫ش‬ଢ଼஢઱ਝಉभુ৷৲धৈ২ૼ୒੍ର
ਈ੔ഈॼ
ਈ੔
ഈॼঀॸ
ഈॼ
ঀॸॡঀ
ঀॸ
ॡঀট४
ॡঀ
ট४‫ش‬ଢ଼
‫ش‬ଢ଼஢઱
ଢ଼஢઱
஢઱ਝಉ
ਝಉभુ
ਝಉ
भુ৷৲
भુ
৷৲धৈ
৷৲
धৈ২ૼ
धৈ
২ૼ୒੍
২ૼ
୒੍ର
୒੍
ର

੍ର৔ઍ
੍ର
੍
৔ઍ
ઍ

‫ٴ‬ਓ઻৾भଢ଼஢঻‫঻୒ૼ؞‬भਏடपૢगथ‫ؚ‬ృପপ৾ऋਚથघॊਈ
੔ഈ઱ਝ‫؞‬ਝ૟उेलੰෲૼ୒॑ણ৷खथ‫ؚ‬ਹ৷঻भ்ઁःॽ‫ش‬६पૢइॊऌीभ಍ऊः੍ର॑ன৫ख‫ؚ‬೑ऋবभॼঀॸॡঀট४‫ش‬भ৅ன੍॑इॊञीभଢ଼஢੦ೕଡണ॑৯৓धखथःऽघ‫؛‬ऽञ‫ؚ‬উছॵॺইज़‫ش‬঒৑भੈৡ‫ৼ؞‬൩ଓ౥पेॉਹ৷঻पৌखथਖ਻ੰৠ
षभਈಢ॔উট‫୹઀॑ॳش‬खऽघ‫ق؛‬ఃஈಎ઼઎ +ਠ૔‫ك‬ী৕‫؞‬੟ସ়ਛੰෲ੍ର
‫ঀॼٴ‬ী৕౫મ఺लजोै॑৷ःञॼঀী৕
ॹংॖ५ଡണभञीभ়ਛ‫ؚ‬ଡୗ‫؞‬ਃચੰෲध௬੼पঢ়खथ੕়৓ऩૼ୒੍ର॑ষः‫ؚ‬ॖঀঋ‫ش‬३ঙথपणऩऋॊଢ଼஢ਛટभ൉ল॑৯
੐खऽघ‫؛‬

௴ॊ

൉ॊ

೾ॊ

ੰෲ‫؞‬௬੼घॊ

਌ऩ੍ରಎ઼‫؞‬ਹ৷१থউঝ
਌ऩ੍ରಎ઼
ਹ৷१থউঝ
ঝ‫ٹ‬ী୾೾৒ಎ઼

‫਀ٹ‬એॼঀ஄૾ীෲಎ઼

N1s

P1p

405

400

395

Pt4d

140

135

130

80

75

‫੺ٲ‬஧ਗዓ୾ী୾ಎ઼

‫ٲ‬௒ਪ஑উট‫ش‬ঈႀ๶ྰ३५ॸ঒ ‫ٲ‬ઃ੪6(0઺൸೾৒ੰෲ३५ॸ঒
ਉ৕৑ৡႀ๶ྰ‫؞‬௒ਪ஑ॺথॿঝ
ႀ๶ྰ‫਀؛‬એभ๶಍ଡୗ‫؞‬๶಍ਗ਼৕ଡୗ௴௄ऋ૭ચ‫؛‬ཫକణশQPዓ୾QP੺஧ਗ୩ୠभዓ୾ী୾્ਙ௬੼‫ؚ‬ढ़‫ش‬঎থॼঀॳগ‫ش‬ঈभढ़ॖছজॸॕ೾৒ऋ૭ચ‫؛‬଩ਸசਗ਼ಓ௴௄ৌૢद‫ؚ‬శ଑ਗ਼ਙ૥મदुశႪାद௴௄૭ચ‫؛‬ऽञਗ਼৕অ‫ش‬঒भग़ॿঝॠ‫ش‬ऋ଩ःञी‫ؚ‬૥મਈ਀એभ๶಍ऩଡୗ
ऽद௉৥प௴௄૭ચ‫؛‬

ExcitaƟon Wavelength (nm)সരॼঀ၄৕भসര჻৬भੌਛীෲ‫ؚ‬ঽഞੌ௶৲౐ী৕Ⴭभੌਛীෲ‫ؚ‬ৈী৕ಕ৬਀એभ੪ಞীෲऋ૭ચ‫؛‬70

Binding Energy /eVἼὅԃஊ᭗Ў‫܇‬ᆢ‫ޖ‬Эࢸỉᵶዴήᩓ‫܇‬ЎήἋἬἁἚἽ

Intensity

experimental
Au (0)Au (0)Au (I)Au (I)Au (III)
Au (III)92Ҟ‫˳ݰ‬ἿἕἛỉᡈហ‫ٳ‬ᖩή600
5501000 1100 1200 1300
Emission Wavelength (nm)

0.8

0.4

0
400

500

600

700

800

900

ἯἼἊἳἓἽἉἿ
ỿἇὅᙌἴὊἽἛ
ỉᾂഏΨᵱᵣᵫϙჇ

90 88 86 84
Binding energy / eV

1 Pm

82

‫ٲ‬தৈীੰચ௒ਪ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ

ᲬǵǤǯȫႸ

䐢䐡䐟䐠50ᲭǵǤǯȫႸ

ᲮǵǤǯȫႸ

ᲯǵǤǯȫႸ

੺஧ਗዓ୾ী୾ಎ઼‫ق‬ం‫؟‬ছথউཫକ‫ؚ‬క‫؟‬ঞ‫ش‬२‫ཫش‬କહ‫ك‬30 ǍmᵡᵬᵲỉᵟᵤᵫϙჇ‫ٲ‬ৈசঞ‫ش‬२‫ش‬ছঐথႀ๶ྰ

৊ଳ৙भ්ૌ൸धખೝ൸भ৊ৎ਄੭
ृৈীੰચ(';ঐॵআথॢऋ૭ચ‫؛‬
STEM NiAg Overlay‫گ‬ణশ QP ཫକपेॊী୾೾৒‫؛‬ৈীੰચঐॵআথॢ
ध੺஧ਗ৊ଳ৙ঐॵআথॢऋ૭ચ‫؛‬㔠ᒓ ༙ᑟయ
ᢳฟᚋ

䐣
䐡䐢
䐠
䐟

䐣
䐠
䐟

100
150
Retention Time / min

䐡
䐟

䐠

䐡

200

ᢳฟ๓
250

Ҟ‫ࣱ˳ݰ‬ҥ‫ޖ‬ᵡᵬᵲỉਁЈᚸ̖ᵬᶇᵋᵟᶅἢὊἅὊἛἜἠἿἕἛỉᵣᵢᵶᴾἰἕἦὅἂ΂ЎӕᵦᵮᵪᵡỆợỦἁἿἰἚἂἻἲ

‫ٲ‬ী਄‫ڸہۅڽ‬३५ॸ঒‫ٲ‬ী௞৷৵஑த೫ੱਃ

ী৕॑१ॖ६दऴॊःীऐ‫؛‬ॢছ঒ड़‫شॲش‬भী਄ऋ૭ચ

ਈৈ৚ૡਯۡ۟ۜ‫؜‬ਈপ೫ੱਸச২[ۖ‫ঀॼٹ‬ংॖड़೾৒ಎ઼

‫৿ٲ‬৓୾ೊೝ೾৒ಎ઼
၄ྫྷীഘ‫ؚ‬८‫ॱش‬এॸথ३কঝ‫ؚ‬ী৕୤೾৒ऋ૭ચ‫؛‬‫ٲ‬ঐॖॡটढ़টজওॺজ‫ش‬૥મभಕ৒৲ृఊ෪॑घॊऒधऩऎ‫ัؚྃ‬রधःअଠேप੺ः૖੯भ
ऽऽ೾৒॑ষइऽघ‫؛‬೸भ৅েऽञमลઽमघसथभ৲৾ખૢप൤቞
৓ऩਠ଴दँॊञी‫ॅैँؚ‬ॊী৕भৼ൩੿৷॑೾৒घॊऒधऋ૭ચ‫؛‬‫ঀॼٹ‬ଡୗੰෲಎ઼

‫්ٲ‬ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ३५ॸ঒

+3/&ध(6,भ৴৿पेॉड़থছ
ॖী௞ীෲऋ૭ચ‫ڮ؛‬ઃ੪ਫ਼লஓदड़থছॖথ५ঌॡॺঝ೾৒
ु૭ચ‫؛‬
॥‫ش‬ঝॻ५উঞ‫ش‬पेॉ଩ആद
भ(6,೾৒ऋ૭ચद‫ؚ‬ശोृघः჻৬भ৊৒पਈి‫؛‬প஑‫ॲۀڰ‬ॖঞॡॺॖও‫ش‬४থॢ‫ڹڸڸ‬ਫ਼লஓ࿌ൗप
ेॉ‫ؚ‬ളහऩ჻৬ಉभથਃ
৲়੟भଡୗ॑ৈ૎২‫ؚ‬ৈಖ২दாीथಢৎ৑भअठ
पੰෲ૭ચ‫؛‬ਣஸଲ੿ਚ1H[HUD; %UXNHUPLFU272)4,,,ছॸॵॡ५‫ؚ‬ग़ঐঝ४ঙথ‫ؚ‬঑७ঝ‫ؚ‬।ঝ‫ؚ‬॰ঝ‫ॱؚ‬থঃॡ‫ؚ‬ற෷‫ؚ‬क़ॕঝ५‫ ؚ‬੗ႇ‫ؚ‬জএ९‫ش‬঒‫     ؚ‬ঋ३ॡঝ‫ؚ‬಍ཝ૮ਃৈী৕‫ؚ‬७ছ঑ॵॡ५‫ؚ‬჌ਙ৬‫ؚ‬সര ॥টॖॻभ஄ଙ௴௄‫؛‬ႉ᣿ửਃਤẲẺỽὊἮὅἜἠ
්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ३५ॸ঒
ἓἷὊἨỉᡢᢅ‫׹‬ᩓ‫܇‬᫋ࣇᦟ΂ढ़ॳड़থऋลାख‫ؚ‬সॼঀটॵॻमউছ५भ८‫ॱش‬ਗ਼ਜ਼॑ંघ‫؛‬মଢ଼஢दम‫ؚ‬সॼঀটॵॻध৊ग਀એ૾ଙ॑થघॊૉ૾সॼঀ၄৕॑৹ଲखञ‫؛‬মଢ଼஢द੭ैोॊ&7$ढ़ॳड़থఊ෪ૉ૾၄৕मসॼঀটॵॻभ౮্৓ऩਙସऋਃચ৅ਠपनभेअपఞଖखथःॊऊ॑৥નपदऌॊ૞ස૥મदँ
ॉ‫ؚ‬সॼঀটॵॻ॑৷ःञ૚ரଢ଼஢৫৅प૑೼भुभदँॊ‫؛‬䛆ᡂ㻌 㻌 ᯝ䛇㻌 㻌 ੀએણਙදदँॊ
௕‫ڮ‬प૚৹ଲ஺ਯदभ৿৓୾ങೊ '/6 ೾৒प+H[DGHF\OWULPHWK\ODPPRQLXP &7$ ٌ௕‫े ٍڭ‬ॊ၄ྫྷীഘ॑ંघ‫ڭ؛‬஺৯भ၄৕म਴಑၄ྫྷEURPLGH &7$% प ਸ इ थ ‫& ؚ‬7$
ऋ QPங২दँॉ‫ؚ‬஺ਯऋੜइॊपజढथ‫ؚ‬&KORULGH &7$& ॑ॼঀ၄৕भীങ਍৒
਴಑၄ྫྷभপऌः၄৕ऋেਛखञऒधऋॎऊॊ‫؛‬දधखथ৷ःञ‫؛‬ૻຎ৓၄ྫྷীഘऋ໭ऎ‫౐ؚ‬ஆभআ‫ش‬ॡ॑થघॊ
৹ଲम੗஺भ३‫ॹش‬ॕথॢ১‫ق‬௕‫كڭ‬दऒधऊै಑঳ਙपરोञসॼঀ၄৕॑੭ॊऒध
ँॊ‫ڭ؛‬஺৯म P0भসॖड़থ॑அ
पਛ඘खञ‫؛‬সॼঀ၄৕भ਀એউছ६ঔথ
ि P0 &7$& &7$% ྃัরद6RGLXP
63 ংথॻमਸ਼‫ڭ‬஺पमऺध॒न௴௄औोङ‫ؚ‬%RURK\GUDWHेढथস॑൬੪खञ‫ڮ؛‬஺‫ڮ‬஺৯ਰఋमದ୞पশణশડप३ইॺखञ‫؛‬ী৯ਰఋदम‫ؚ‬৐஺भॼঀ၄৕॑ர၄৕ྃ
୾્ਙु၄৕भਛশ਑౪॑ৰਠदऌञऒध॑ંั  ¡/ धखथ‫ ؚ‬P0সॖड़থྃ ३‫ॸش‬ॕথॢपेॊসॼঀ၄৕৹ଲ
भெૄ௕ खञ‫؛‬মু১ऋढ़ॳड़থਙૉ૾সॼঀ၄৕॑ગ
ั P/ध P0 &7$%ྃั  P/भ೴ਠਙेऎ੿ਛघॊञीपથ৷ऩ্১दँॊऒध
‫ڭ‬஺৯‫؟‬ව৲স෷भ1D%+൬੪়ྃัরद॔५॥ঝঅথ෷॑൬੪දधघ
‫ڮ‬஺৯ਰఋ‫॔؟‬५॥ঝঅথ෷॑৷  ऋॎऊढञ‫؛‬                ॊਛশખૢ॑ষढञ‫؛‬পౖਗ਼৕'/6'/঩মী୾-ਹ৷फ़ॖॻ䛆┠㻌 㻌 ⓗ䛇㻌 㻌 㻌 সॼঀটॵॻमढ़ॳड़থਙੀએણਙද+H[DGHF\OWULPHWK\ODPPRQLXP%URPLGH &7$% ྃัরद৹ଲऔोॊ‫؛‬जभ਀એपम&7$ःञ੥အਛশખૢ

‫ٲ‬தৈச+3/&ী௞‫؞‬ী৕ଡୗীෲ३५ॸ঒

‫౐ٲ‬੥အৈச‫ۍ‬଍ଡୗੰෲಎ઼

ઞ৷হ୻  َসരॼঀ၄৕भ਀એఊ෪धংॖड़ਃચ৲ُ

ٌ௕‫ٍڮ‬

ਃஓਹ৷‫ુ؞‬৊ଢ଼஢‫৻୒ૼ؞‬ষ॑ਭऐહऐऽघ
৵ী৵ী৕‫؞‬ड़জ०ঐ‫؞ش‬এজঐ‫ش‬भীী৕ ड़জ०
ী৕
०ঐ
ঐ
এজঐ
ঐ भী
भ
৕ଡୗ‫ؚ‬ਗ਼৕૾ଙपঢ়घॊী৕ੑ઴
ী৕ੑ઴৲
৾पঢ়घॊ
ૼ୒ৼ୥
ુ৊ଢ଼஢॑
ষःञः

'/6पेॊ
সॼঀ၄৕भ၄ྫྷীഘ ট‫ش‬ঐਯஊम၄৕৹ଲभ
૚५ॸॵউ॑ંघ

ऽङममओৼ୥ৣऔः
ः੟ਙ‫؞‬ਃચभ
੒೾पঢ়घॊ
ੲਾർด੔ഈਃஓ॑ઞढथ
ଡୗੰෲखञः

‫پ‬ถ಍म঍‫ش‬঒ঌ‫ش‬४॑ओ༮ৣऔः
KWWSQDQRN\XVKXXDFMS

問い合わせ：ృପপَ৾ী৕‫؞‬੟ସ়ਛউছॵॺইज़‫ش‬঒ُহਜଂ
E-mail： QDQRBRîFH#PDLOFVWPN\XVKXXDFMS Phone： 092-802-2845
ホームページ KWWSQDQRN\XVKXXDFMS

114

1000

27.23

‫ঀॼٹ‬੟ସ়ਛ‫؞‬ಖଲ੍ରಎ઼

0

700
0
650

ৈ૎২୾ਗ਼৕ী୾೾৒‫؛‬ৈীੰચ੪ಞঐॵআথॢऋ૭ચ‫؛‬᣿‫ޓ‬Ἔἠቩ‫܇‬ỉᩓ‫܇‬ཞ७ᚐௌ

䐡 䐢䐣
䐠
䐟

᣿‫ޓ‬ἜἠἿἕἛ
ỉԈӓย‫ܭ‬

1.2

750
0

Wavelength 㻌㻛㻌㼚㼙‫ٲ‬ਗ਼৕૾ଙ೾৒३५ॸ঒

ᲫǵǤǯȫႸ

800

Extinction‫਀ٹ‬એ੟ਙীෲಎ઼

‫;ٲ‬଍୾ਗ਼৕ী୾ীෲಎ઼

Battery Reserch Platform / 文部科学省蓄電池基盤プラットフォーム

Battery Reserch Platforme
文部科学省蓄電池基盤プラットフォーム

蓄電池基盤プラットフォーム実施概要（1）-67੔ഈ৓଩ຍಞ৲ૼ୒৫৅‫ق‬$/&$‫ك‬્શ੎ਡૼ୒୩ୠ ઃ਼৻໮ਗ਼౱ଢ଼஢ਸச崿嵕崠崏崗崰‫ق‬635,1*‫ك‬ 

໮ਗ਼౱੦ೕ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈+ফ২ଓਫ੒઴峑ਝ૟଑ো岿島峉岝岣ઃ਼৻໮ਗ਼౱岤ଢ଼஢峘峉峫峘崿嵑崫崰崽崑嵤嵈峑峃岞
+
+
ফ২
ফ২ଓਫ
ଓਫ੒઴
੒઴峑ਝ
઴峑ਝ૟଑
૟଑ো岿
଑ো岿
ো 島峉岝岣
岝岣ઃ਼ઃ਼৻໮ਗ਼౱
ઃ਼৻໮
ਗ਼౱岤ଢ଼
౱岤ଢ଼
岤ଢ଼஢峘
஢ 峉峫峘崿
஢峘
崿嵑崫
嵑崫崰崽
嵑崫崰崽
崰崽崑
崑嵤嵈峑
崑嵤
嵈峑峃
峃岞
峃岞
z ੟ସ嵣౫મଢ଼஢ਃଡ峼রற峒峃峵崊嵛崨嵤嵗嵛嵓嵤崽峕峲峵ଢ଼஢௓ਤ峼຺峒峁峨峃岞੟ସ嵣౫મଢ଼
౫મଢ଼஢ਃ
஢ਃଡ峼
ଡ峼রற
রற峒峃
峒峃峵崊
峵崊嵛崨
嵛崨嵤嵗嵛嵓
嵗嵛嵓嵤崽峕峲
崽峕峲峵ଢ଼
峵ଢ଼஢௓
஢௓ਤ峼
ਤ峼຺峒
຺峒峁峨
峁峨峃
峃
z 岣੔ഈ৓଩ຍಞ৲ૼ୒৫৅‫ق‬$/&$‫ك‬岤峕岴岻峵岣ઃ਼৻໮ਗ਼౱ଢ଼஢ਸச崿嵕崠崏崗崰岤峒৴௚峁岝৊崿嵕崠崏崗崰峑ৰ઱岿島峵ઃ਼৻໮ਗ਼౱峘ଢ଼஢৫৅峕ৌ峁峐ર੔৓峕੍ର峁峐岮岷峨峃岞‫ق‬૞અ‫ك‬ઃ਼৻໮ਗ਼౱ଢ଼஢ਸச崿嵕崠崏崗崰ੌ௶௕ 峇峘峉峫峕岝ਰৣ峘ਡ峕ৌૢ峁峨峃岞໮ਗ਼౱੦ೕ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈 ੟ਙীෲ峮ਗ਼ਞ৲৾৓峔ীෲ峔峓峕峲峴岝ઃ਼৻ਗ਼౱౫મ峘੦ຊ્ਙ峼೾৒峃峵岞ৰ઱ிભ঻‫؟‬ຂ૊ข਴‫ق‬1,06崽崏嵕嵤‫ك‬ ઃ਼৻໮ਗ਼౱峘ਙચ峘નੳ峘峉峫岝ীෲ嵣ੰෲ岝ලಔ峔໮ਗ਼౱峘ੌ峩য়峐峼ষ峔岰岞੟ସ嵣౫મଢ଼஢ਃଡ ੀએ峑峘ਠ଴௴೾峮༄৲ਃଡಉઃ਼৻໮ਗ਼౱৔
৖峘ਠ଴ੰෲ峼ষ峔岰岞

1,06໮ਗ਼౱੦ೕ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈ਗ਼౱૥੿岵峳ਈ੔ഈ౫મ௬੼峨峑 ઃ਼৻໮ਗ਼౱峼ੰ৬峁岝౫મ峘਀એ峮৔৖ଡୗಉ
峼ীෲ嵣ੰෲ峁岝ઃ਼৻໮ਗ਼౱峒峁峐峘ਛয়峕਱岻峉௬੼峼ষ峔岰岞

ਓ੕ଢ଼‫ق‬ঢ়ਧ‫ك‬ ৰ৷৲峕਱岻峉ଶந峁岶஍ટ৓峕ষ峹島峵峲岰岝ਊჾುਡ峒ঢ়બਃঢ়৑峑য৓ઐ૴峮ੲਾઐఌ峼৞ෟ峕
ৰ઱峃峵岞

ଫഏিপ৾

র஑ਗ਼౱峘௬੼ੰෲ

崌嵛崼嵤崨嵛崡ੰෲਓ঵ૼ୒੕়ଢ଼஢ਚ‫ق‬ঢ়ਧ‫ٕ  ك‬র஑ਗ਼౱峘௬੼ੰෲٕ
ઃ਼৻໮ਗ਼౱峕峎岮峐岝র஑峘ਗ਼౱崹崫崗岝嵊崠嵍嵤嵓峼峇峘峨峨峘૾ଙ峑岝৔৖峘ଡୗ峼௴௄峁岝ਗ਼౱౫મ峮ଡୗ௬੼ু১峼৫৅峁峨峃岞峨峉岝୓ৗ஑໮ਗ਼౱峘ਗ਼ா౫મ岝ਗ਼ੰସ౫મ峘ਃચ਱঱峘峉峫峘๣ਸ౫મಉ峘୾৾৓岝೸৓੟ਙ峼ੑ೾௬੼峁峨峃岞র஑ਗ਼౱శ୊ശ௴௄ಎ઼

র஑ਗ਼౱੟ਙੰෲಎ઼

嵣;଍লৡ‫؟‬ਈপN9嵣૥મ‫̷؟‬PP¼+PPNJ嵣崽嵑崫崰崹崵嵓ਫ਼লஓ峼఼৷৚峘崡崕嵋嵛峑ਈপ崡嵑崌崡峘๡୶૭ચ

嵣嵔嵤崞嵤‫؟‬QP岴峲峝QP
嵣૬৑ীੰચ‫؟‬
 ; ̭P < ̭P = ̭P
嵣嵑崌嵛ස৥峕峲峵ৈச崌嵉嵤崠嵛崘崓嵓嵁ૄ೸୤ੑ

೸ীෲಎ઼嵔嵤崞嵤嵑嵆嵛ႀ๶ྰ‫ق‬5$0$1WRXFK9,61,5/7‫ك‬嵣ਈ৵ඳਡ࿡১‫؟‬PP岴峲峝PP‫ق‬6(7$5$0&‫ك‬

嵣'6&SOXV‫؟‬஼ആ‫ع‬٦嵣஼ആ‫ع‬٦嵣ಉആ岝ಊആ嵊嵤崱嵣‫ع‬٦PLQ

嵣'7*‫؟‬஼ആ‫ع‬٦
嵣70$‫؟‬஼ആ‫ع‬٦

প஑;଍&7ಎ઼ ‫ق‬726&$1(5)'‫ك‬嵣૥੿ਗ਼౱‫ق‬৬஋৺POங২‫ك‬峼峇峘峨峨೾৒峃峵岽峒岶૭ચଫഏিপ৾  ٕ崌嵛崼嵤崨嵛崡ੰෲٕਗ਼౱峼ੰ৬峃峵岽峒峔岹༄৲ੰෲ岶૭ચ峔岣ઐ૴崌嵛崼嵤崨嵛崡೾৒岤峼৷岮峐岝ઃ਼৻໮ਗ਼౱峘ੰෲ峼ষ岮峨峃岞ਗ਼౱ੰෲ崦嵤嵛
ເആဓ఺峝ౄଣਗ਼૥ୡਃ

ਗ਼ாੰෲ崦嵤嵛

崌嵛崼嵤崨嵛崡ੰෲಎ઼崘嵑崽崉崌崰଀ா௺峘/,%峊岻峑峔岹ਗ਼౱ଡਛ౫મ‫ق‬/72௺‫ك‬峘౮峔峵峒峁峐৘୿崣嵓峕岴岮峐峬岝崌嵛崼嵤崨嵛崡ੰෲ岶૭ચ峑岬峵岞਌峕ਫா峕କ౤峃峵༄৲峕峲峵৔৖૾ଙ峘૗৲峼ৄল峁峉岞&HOOWHVWಉ੼৚ଡ଼903

崘嵕嵤崾嵄崫崗崡൨ઉ੥崌嵛崼嵤崨嵛崡ੰෲಎ઼পઍ୤ౄଣਗ਼ಎ઼

໮ਗ਼౱峘અ岲峳島峵༄৲ਏ౤଎ౌಎ઼હ岷ເആဓଣਗ਼ઍ୤峘૗৲

崌嵛崼嵤崨嵛崡ੰෲಎ઼ණ

༄৲崣嵓峘崌嵛崼嵤崨嵛崡ੰෲ崹嵑嵉嵤崧峘૗৲

৘୿/,%峘崌嵛崼嵤崨嵛崡ੰෲ୻ਖ岮়峹峅‫؟‬੟ସ౫મଢ଼஢ਃଡ ໮ਗ਼౱੦ೕ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈হਜଂ‫ق‬പ৛ ઉ౓‫ك‬(PDLO %DWWHU\3)#QLPVJRMS‫؜‬3KRQH
嵃嵤嵈嵂嵤崠 KWWSZZZQLPVJRMSEUSQLPV

116

蓄電池基盤プラットフォーム実施概要（2）-67੔ഈ৓଩ຍಞ৲ૼ୒৫৅‫ق‬$/&$‫ك‬્શ੎ਡૼ୒୩ୠ ઃ਼৻໮ਗ਼౱ଢ଼஢ਸச崿嵕崠崏崗崰‫ق‬635,1*‫ك‬ 

໮ਗ਼౱੦ೕ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈੟ସ嵣౫મଢ଼஢ਃଡ  ٕਗ਼౱૥੿岵峳প஑ীෲಎ઼峕峲峵ীෲ峨峑峼ිၨٕ
1,06໮ਗ਼౱੦ೕ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈‫ق‬3)‫ك‬峙岝೑岶ব峘ઃ਼৻໮ਗ਼౱峘ଢ଼஢৫৅峘ਸச峼৯৓峕岝1,06岝ਓ੕ଢ଼‫ق‬ঢ়ਧ‫ك‬岝ଫഏিপ৾峕ਝ઼岿島峉໮ਗ਼౱੦ೕ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈峕岴岻峵রறਃঢ়峑峃岞
‫ٷ‬ઃ਼৻໮ਗ਼౱౫મੰෲ਱岻峕્৲峁峐ତ૟岿島峉岝્ඉ岬峵ਈৗಎ઼ණ峼岝岾ঽମ峑ඝ੿峁峐ຘ岹岽峒岶૭ચ峑峃岞    ‫؟୻ڀ‬ໞ;଍ী୾ಎ઼‫ق‬6;(6‫ك‬峼૟岲峵)(6(0 嵣 ৰୡ஼஑ໂ;଍୾ਗ਼৕ী୾ಎ઼峔峓‫ٷ‬৸峐峘ಎ઼岶岝໮ਗ਼౱౫મੰෲ峕૑೼峘পਞశച່ৌૢ峒峔峍峐岮峨峃岞峨峉岝ਗ਼৕崻嵤嵈嵣崌崒嵛崻嵤嵈峼৷岮峵ੰෲಎ઼峕峎岮峐峙岝සೝ崨嵉嵤崠峼଩੖峃峵峉峫峕଩ആ峑峘೾৒峬ৌૢ૭ચ峒峔峍峐岮峨峃岞‫ٷ‬డત峕່ਡଵ৶岿島峉崡嵤崹嵤崱嵑崌嵓嵤嵈峑峘৵஑໮ਗ਼౱峘૥੿‫ੰع‬ෲ峨峑岝嵗嵛崡崰崫崿峑ৰ઱峃峵岽峒岶૭ચ峑峃岞‫ٷ‬ীෲু১峕ঢ়峃峵崛嵛崝嵓崧嵛崰岵峳೾৒ඝ੿ଓஃ峨峑岝৽ୡ௹୕峔崡崧崫崽岶岴ু஫岮岮峉峁峨峃岞

ଢ଼஢ਝ૟
ઉઐଦ઼஑
),%6(0 ‫ٴ‬

5DPDQ

්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ
‫ق‬7(067(0‫ٴ ك‬೸੎୤೾৒ସ୤ীෲ
7*06 )7,5

崗嵕崡崣崗崟嵏嵛嵅嵒崫崟嵋‫&ق‬3‫ٴ ك‬;଍୾ਗ਼৕ী୾
‫&*ق‬,%;36‫ٴٴك‬

ໂ;଍୾ਗ਼৕ী୾ಎ઼
‫ق‬+$;3(6‫ك‬崡嵤崹嵤崱嵑崌嵓嵤嵈ఄষৎ৑஑੸ઃ崌崒嵛ସ୤ীෲ‫&*ق‬,%72)6,06‫ٴٴ ك‬

ໞ;଍ী୾ஓહ岷௒ਪ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ
‫()ق‬6(0‫ط‬6;(6‫ٴك‬崒嵤崠崏ਗ਼৕ী୾‫ق‬$(6 ‫ٴ‬৵஑ਗ਼౱૥੿ಎ઼థ
ઌ૬࿺ᄩਃ

ঽ৿࿗ੵਃ

嵕嵤嵓崿嵔崡ਃ嵇崕崝嵤ઌ૬崟嵤嵑嵤

தఠణྃமਃ

崘嵕嵤崾嵄崫崗崡
‫ٴ‬ഐే崡崮嵤崠 ಎ૟  ‫ٴ‬$U*DV&OXVWHU,RQ%HDPಎ૟ਹ৷হ୻ઉઐଦ઼஑ ),%6(0්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ

ઉઐଦ઼஑),%6(0峕峲峵ৈಖ২6(0崰嵊崘嵑崽崋ੰෲ崩崧嵛෷৲੟଀ா౫મ峘ৈীੰચ+$$')67(0൸6(0ਗ਼৕଍峒崌崒嵛崻嵤嵈峼ઉઐଦ઼‫ڀ‬:'峼৵岿岹峁峐岝
ৈীੰચ6(0൸਄੭),%ໂ;଍୾ਗ਼৕ী୾ಎ઼

6(,峕ඇ峬島峉6L଀ா峘+$;3(6ੰෲ

/L/D7L2

6(,‫ق‬ಕ৬ਗ਼ੰସੀએ‫ك‬ಽ峕ඇ峬島峉6L଀ா峘$O.D
岴峲峝&U.Dཫକ;36崡嵂崗
崰嵓岞&U.Dཫକ崡嵂崗崰嵓峑峙$U崌崒嵛崐崫崩嵛崘峼峅峄峒峬岝
H9岴峲峝H9峘஥岮୩ୠ峘ਛী岶௴௄岿島峉岞

ಗਜ਼ৼ୆ੀ

6DPSOH
3LWFK‫؟‬QP‫ق‬0LQ‫ك‬1G*D2  
VXEVWUDWH

ໞ;଍ী୾ஓહ岷 ௒ਪ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ

崗嵕崡崣崗崟嵏嵛嵅嵒崫崟嵋

6L౐੥အ੦ഝ峕ਗ਼ਞ৲৾৓峕/L峼ዠো峁峉6L/L়স峘૵એ
6(0岴峲峝6;(崡嵂崗崰嵓/Lᔋ峘&3ਸੵ৏૵એ6(0૵એ6(0൸‫()ق‬6(0 

஼ആਸੵ

/Lᔋ
̭P
૚ಽ岵峳੭峳島峉ໞ;଍崡嵂崗崰嵓/DULFKOD\HU

৴ਢ6(0൸

ఄষৎ৑஑੸ઃ崌崒嵛ସ୤ীෲഐేਸੵ‫ق‬٦‫ك‬/L૬ਞਗ਼౱଀ா峘਀એীෲ/DSRRUOD\HUଣਗ਼৏岴峲峝ౄਗ਼৏଀ா峘ઃ崌崒嵛൸‫̭ق‬P‫كٸ‬$VSUHSDUHG

ઃ੪ગଡਛ
嵔嵛崨嵒嵛崘ઃ੪6(0൸/D岶崒嵤崨嵤峁峉ଡୗ峼੅峎岝
/L /D 7L2 峕岴岮峐岝ૉએઽ୷ଓਫಎ઼峼৷岮峉ৈীੰચ௴௄峲峴岝ઉம峇峘崱嵉崌嵛ଡୗ峮岝ಗਜ਼ৼ୆ੀ
‫ق‬$3%‫ك‬峘஘৕峼ੴ峵岽峒岶লਟ峵岞

5HG &)62 1$IWHU*&,%
VSXWWHULQJ

*UHHQ/L崔崡崗嵑崡崧嵤崌崒嵛崻嵤嵈‫&*ق‬,%‫ك‬峼৷岮峵岽峒峑岝થਃ੟峕ৌ峃峵஥岿্਱ীෲ岶૭ચ峕峔峵岞਀એ峕હା峁峉峙ਗ਼ੰัਛী峼岝*&,%峕峲峴
ဉ‫ر‬峕崡崹崫崧嵒嵛崘峃峵岽峒峑岝ਗ਼ੰସ‫଀ط‬ாੀએ‫ق‬6(,‫ك‬峑峘ਛীীഘ௬੼岶૭ચ峕峔峵岞

/Lᔋ̭P

ໞ;଍‫ق‬fH9‫ك‬峙岝峇峘崐崵嵓崖嵤岶ೄ੪ಞ峘ลઽഈ峕ৼਊ峃峵岽峒岵峳岝岽島峼ਹ৷峁峐岝/L峘ਫ਼ল岶૭ચ峕峔峵岞峨峉岝崽崏嵓嵇૆ਜ਼੺ວ峑૎২岶ৈ岮岽峒岵峳岝ਗ਼৕૾ଙ峘ੰෲ岶૭ચ峕峔峵岞
ం௕峑峙岝়স峘ੌਛ‫ق‬੥အଡୗ‫ك‬峘୷౮峕କ౤峁峉ਗ਼৕૾ଙ峘୷౮峼ਫ਼ল峁峐岮峵岞଩ആ峑ਸੵ峃峵岽峒峑岝崗嵑崫崗峮Ⴭ峘กဋ峼೪਑峁岝౫મমਟ峘஄ଙ岶৳੅峁峉峨峨岝௴௄峑岷峵岽峒岶ী岵峵岞%OXH&2ਖ岮়峹峅‫؟‬੟ସ౫મଢ଼஢ਃଡ ໮ਗ਼౱੦ೕ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈হਜଂ‫ق‬শᄼ Ⴟ৕‫ك‬(PDLO%DWWHU\3)#QLPVJRMS‫؜‬3KRQH
嵃嵤嵈嵂嵤崠 KWWSZZZQLPVJRMSEUSQLPV

117

Organazing Committee
Tetsuji Noda (Chair)

National Institute for Materials Science

Hidetoshi Kotera
Hitoshi Saito

Kyoto University
Japan Science and Technology Agency

Daisuke Fujita
Toshihiko Yokoyama

National Institute for Materials Science
National Institutes of Natural Science

Program Committee
Tetsuji Noda (Chair)
Yoshinori Katayama
Yasuo Koide

National Institute for Materials Science
National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology
National Institute for Materials Science

Naotoshi Nakashima
Yoshinobu Baba

Kyushu University
Nagoya University

Kazuo Furuya
Yasuhiro Horiike

National Institute for Materials Science
National Institute for Materials Science

Hiroaki Misawa
Takahisa Yamamoto

Hokkaido University
Nagoya University

Cooperating Organizations
IEEE Tokyo Section,
The Japan Society of Applied Physics
The Society of Polymer Science, Japan,
The Institute of Electrical Engineers of Japan,
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers,
The Society of Nano Science and Technology,
Nanotechnology Business Creation Initiative,
The Materials Research Society of Japan,
The Chemical Society of Japan,
The Japan Institute of Metals and Materials,
The Japanese Society of Microscopy,
The Society of Materials Science, Japan,
Japanese Society for Artificial Organs,
Japanese Society for Medical and Biological Engineering,
The Ceramic Society of japan,
The Japan Society of Drug Delivery System,
Japanese Society for Biomaterials,
The Surface Science Society of Japan,
The Physical Society of Japan118

一禁無断掲載一Copyright (c)文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム
第 15 回ナノテクノロジー総合シンポジウム
JAPAN NANO 2017発行 2017年（平成29年）2月
編集・発行 国立研究開発法人 物質・材料研究機構
ナノテクノロジープラットフォームセンター〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1
電話：029-859-2777

2017