2107年7月2日
台湾 国立交通大学理学院

SC102 at SBIII

増原塾

講義３

「研究のリアリティー、研究することは生き抜くこと」
増原 宏
masuhara@masuhara.jp, http://www.masuhara.jp/

臺灣

国立交通大學 理学院応用化学系講座教授

リアリティーは、自分の感性を信じ、自分のDNAを信じることからDNA研究もまた、誰かをモデルに真似ることから始まる。
幼少時の記憶、教育、育てられ方、両親、おじさん、先生、近所の・・
DNAの発現はさまざま、人の成長もさまざま、増原は奥手、受験に強かった人は早熟。

阪大学長は同じ研究室から生まれる、東大理学研究科長は同じ研究室から生まれる

まずは自分の状況を客観的に理解、真摯に把握細川陽一郎氏には研究者として生きていく、それを支配するDNAがある（例）学位を取って、ポスドクとしてどういう研究をするか

アブレーションダイナミクスの高速分光（増原）アブレーションによる生細胞操作（細川）次に何をするべきかというロジックスとしては、増原が勝つ
細川には数十年生きていかねばならない、そのためにはというDNAが働く

Laser Ablation = Laser-induced Morphological Change
Dynamics of Molecular Materials

Laser Pulse？
Time Evolution from Electronic Excitation to Morphological Changes

Photoexcitation(Generation of Electronically Excited States)

1 ps

1 ns

•Relaxation of Electronically
Excited States•Generation of Vibrationally
Excited states

Time Resolved
Absorption Spectroscopy

Time Resolved
Surface Scattering Imaging•Surface Roughing•Fragmentation
Time Resolved
Shadowgraphy
Ejection

1 ms
1s

EtchingandFragments

Chemical Analysis
Microphotography
andDepth Profiler

Cu-Phthalocyanine Samples
PelletUltrathin Film
19.9 Å 44.8 º
4.8 Å

12.6 Å

N
N
N

N
Cu

N

N
N

N

KCl substrateb-type microcrystals

Amorphous Film

Vapor Deposited Film
23.9 Å

a-typemicrocrystals

3.4 Å

10.9 nm63.5 º3.8 ÅAmorphous
solid
100～300 nm

200～600 nm

High Intense Femtosecond Laser System
Ar+ Laser

Nd3+: YAG Laser
Charped-Pulse Amplification
Laser System

Ti: Sapphire Laser(Oscillator)

Pulse
Ti: Sapphire Laser
Stretcher (Regenerative Amplifier)

Pulse
Compressor

Shutter
Picosecond Laser Pulses (780 nm, 250 ps, 10 Hz)
or
Nanosecond Laser Pulses (780 nm, 100 ns , 10 Hz)
Femtosecond laser Pulses (780 nm, 150 fs , 10 Hz)0500
Time [fs]Intensity [a. u.]

Intensity [a. u.]

Nanosecond Laser Pulse-200

0 200 400
Time [ns]Picosecond Laser Pulse
Intensity [a. u.]-500

FWHM: 150 fs
Power: 3 mJ/pulse

Intensity [a. u.]

Intensity [a. u.]

Intensity [a. u.]

Femtosecond Laser Pulse Wavelength: 780 nm-200 0 200
Time [ps]Wavelength: 780 nm
FWHM: 250 ps
Wavelength: 780 nm
Power: 5 mJ/pulse
FWHM: 100 ns
Power: 1 mJ/pulse

Microphotographs (Cu-Phthalocyanine Deposited Film)
Femtosecond Laser
Ablation
FWHM: 150 fs
63 mJ/cm2

156 mJ/cm2

253 mJ/cm2

70 mJ/cm2

134 mJ/cm2

204 mJ/cm2

84 mJ/cm2

143 mJ/cm2

214 mJ/cm2

Picosecond Laser
Ablation
FWHM: 250 ps

Nanosecond Laser
Ablation
FWHM: 100 ns

Etching Profiles (Cu-Phthalocyanine Deposited Film)
Femtosecond Laser
Ablation
FWHM: 150 fs

Depth [nm]2000Surface
Film Thickness(240 nm)-2000Depth [nm]53 mJ/cm2
134 mJ/cm2
204 mJ/cm2

-100
-200
-300

Nanosecond Laser
Ablation
FWHM: 100 ns

600

0Depth [nm]Picosecond Laser
Ablation
FWHM: 250 ps

200
400
Position [m]

0

200
400
Position [m]600

084 mJ/cm2
117 mJ/cm2
276 mJ/cm2

-100
-200
-300

0

200
400
Position [m]600

53 mJ/cm2
194 mJ/cm2
253 mJ/cm2

Femtosecond Laser
Ablation
FWHM: 150 fs

Depth [nm]Etch Depth vs. Fluence (Cu-Phthalocyanine Deposited Film)
200

Discrete Etching100

0

100 200 300 400
2
Fluence [mJ/cm ]

500

0

100

500

200
100

Nanosecond Laser
Ablation
FWHM: 100 ns

Depth [nm]0200 300 400
2
Fluence [mJ/cm ]Etching Behavior

Picosecond Laser
Ablation
FWHM: 250 ps

Depth [nm]0200Gradual Etching

100
0
0

100 200 300 400
2
Fluence [mJ/cm ]500

Photoexcitation(Generation of Electronically Excited States)

1 ps

1 ns

•Relaxation of Electronically
Excited States•Generation of Vibrationally
Excited states

Time Resolved
Absorption Spectroscopy

Time Resolved
Surface Scattering Imaging•Surface Roughing•Fragmentation
Time Resolved
Shadowgraphy
Ejection

1 ms
1s

EtchingandFragments

Chemical Analysis
Microphotography
andDepth Profiler

Principle of Femtosecond Absorption Spectroscopy

150 fsPolychromator

Probe Light(Femtosecond White Light Continuum)
Delay Time

Transient Absorption Spectraof Cu-Phthalocyanine Deposited Film
0 ps
0.2 ps

2 ps
5 ps
50 ps
500 ps
6 ns

Transient Absorption ofElectronically Excited States

Interpretation of Transient Absorption Spectra AbsorbanceTransient Absorption Spectrum at 0.2 ps Observed Absorption
after Excitation of CuPc Deposited Film Spectrum: (b) - (a)
0.2

+

0.0
-0.2

－

0.2 ps400

1.0
AbsorbanceExcited States

500
600
700
Wavelength [nm]Ground States
800(a) Electronic Transition
before Excitation

Excited States

Ground States(b) Electronic Transition
at 0.2 ps after Excitation
Excited States

0.5

0.0
400

Relaxation

500
600
700
Wavelength [nm]800

Relaxation
Ground States

Femtosecond

Nanosecond Transient Absorption Spectra
Hot BandElectronically Excited States

 Absorbance [0.1 / div.]

0 ps→Absorption band due to vibrationallyexcited states of electronically ground states

2 ps
5 ps
50 ps
500 ps6 ns

400 500 600 700 800
Wavelength [nm]Fluence: 108 mJ/cm2(leading to Ablation)

Absorbance

0.2 ps

0.02
0.00
-0.02
400

500
600
700
Wavelength [nm]Abs.(40 ºC)-Abs.(30 ºC)
Abs.(50 ºC)- Abs.(30ºC)
Abs.(60 ºC)- Abs.(30ºC)
Abs.(70 ºC)- Abs.(30Decay Profiles of Electronically Excited States
 Absorbance

0.15

108 mJ/cm2 (leading to Ablation)
9.2 mJ/cm2

520 nmOne Dimensional Diffusion-Controlled Annihilation

0.10

23.9 Å

3.8 Å
N

0.05
N
N

0.00

N
Cu

N

0

20

40 60 80 100
Time [ps]NN

N

2T + 2T → 2S + 2S1
10n
→ 2S0 + 2T1 + vibrational energy

Excited State

Ground StatedN−1 / 22= −k0 N − 0t N
dt

dN-1/2 N 2
=
-k
N
G
t
0
0
dt
19.9 Å 44.8 º
4.8 ÅPellet (b-type Microcrystal)
Fluence[mJ/cm2]

4.5
1.3

1/N(0)G0 N(0)G0[ps1/2] [mol/L] [x 10-16 cm3s-1/2 ]

3.5
14

1.8
0.5

1.7
2.3

Ultrathin Film
Fluence1/N(0)G0 N(0)G0[mJ/cm2][ps1/2] [mol/L] [x 10-16 cm3s-1/2 ]

2.2
0.9

12.6 Å

2.3
2.9
1.0
2.1
Vapor Deposited Film (a-type Microcrystal)
Fluence[mJ/cm2]

108
9.2

2.5
3.0

KCl substrate
23.9 Å

1/N(0)G0 N(0)G0[ps1/2] [mol/L] [x 10-16 cm3s-1/2 ]

0.24
3.9

2.8
1.4

25
2.7

3.4 Å

109 Å

Ablation

63.5 º3.8 Å Absorbance0.15

at 520 nm

0.10
0.05

 AbsorbanceTime Evolution of Transient Absorption Spectra
0.08
0.04
0.00

at 660 nm

-0.04

0.00
0

20

40 60 80 100
Time [ps]dN= −k0 N − 0t −1/ 2 N 2
dt

0

20

40 60 80 100
Time [ps]108 mJ/cm2 (leading to Ablation)

9.2 mJ/cm2

2T + 2T → 2S + 2T + vibrational energy
1101Temperature elevates immediately after relaxation of excited states.

Photothermal Conversion Processes
Femtosecond Laser Excitation
Increase in Intermolecular<10 ps Vibrational Energy

150 fs<10 psPicosecond Laser ExcitationTime

250 ps

250 ps

250 psEtching Behavior

Generation and Relaxationof Excited States

Discrete
EtchingTime
Nanosecond Laser Excitation

100 ns

100 nsGradualEtching

100 nsTime

Photoexcitation(Generation of Electronically Excited States)

1 ps

1 ns

•Relaxation of Electronically
Excited States•Generation of Vibrationally
Excited states

Time Resolved
Absorption Spectroscopy

Time Resolved
Surface Scattering Imaging•Surface Roughing•Fragmentation
Time Resolved
Shadowgraphy
Ejection

1 ms
1s

EtchingandFragments

Chemical Analysis
Microphotography
andDepth Profiler

Surface Light Scattering Imaging Setup
Scattering Image Before Excitation

Femtosecond WhiteLight Continuum

Signal(TB)

Excitation Laser Pulse Sample
Filterprobe

Reference(RB)Scattering Image at t s after Excitation
TS (t)

Reference
CCD Camera

RB TS (t)I (t) 

RS TB

I(t)

RS

Relative Change ofScattering Intensity:
I(t)Nanosecond Surface Light Scattering Images
Excited Area-100 ps

0 ps

1 ns

2 ns

3 ns

4 ns

5 ns

6 ns
1 mm

Fluence: 62 mJ/cm2

Time Evolution of Surface Roughness
50
30

30
20

20

RRMS [nm]I [a. u.]40

Upon laser ablation
giving etch depth of 150 nm
probe Pulse

Detector

10
10
0

0
10

1

10

2

3

10
10
Time [ps]

4

10

5

Sample Surface

Rrms (t )  L  f ( x, t ) dx
−1

L

0

= Rrms (0) I (t )

2

f(x,
ｔ)

0

L

x

Photothermal Conversion Processes and Morphological Changes
Femtosecond Laser Excitation
Increase in Intermolecular<10 ps Vibrational Energy

150 fs<10 psDiscrete
Etching>10 nsPicosecond Laser Excitation

Morphological ChangeTime

250 ps

250 ps

250 ps>10 nsEtching Behavior

Generation and Relaxationof Excited States

Time
Nanosecond Laser Excitation

100 ns

100 ns

100 ns

100 nsTime

GradualEtching

過渡圧力による飛散、光力学的効果、比熱的 ！！

Femtosecond Laser Ablation Mechanism
Femtosecond Laser

レーザー照射(1) Laser Excitation(3)(2) Generation of
Excited States

10 ns after Excitation

Depth [nm](1)

10 ps after Excitation

Relaxation andUltrafast Stress Increase

200

100

0
(4) Mechanical Disruption(Brittle Fracture)(5) Fragmentation
and Discrete Etching0

50 100 150 200
2
Fluence [mJ/cm ]光熱的！！

Nanosecond Laser Ablation Mechanism
Nanosecond Laser(3)(2) Generation of
Excited States

Depth [nm](1) Laser Excitation

Relaxation andTemperature Elevation

200

100

0

(4) Explosive Sublimation(5) Etching

0

200
400
2
Fluence [mJ/cm ]Summary of time-resolved experiments
Pulse duration effects on etching behavior of CuPc amorphous films
were successfully demonstrated by tuning laser pulse of Ti: sapphirelaser (780 nm) to 150 fs, 250 ps, or 100 ns.
Discrete Etching Behavior ( The Femtosecond and Picosecond Laser Ablation)• The temperature elevation without the volume change will result in ultrafast
stress increase.
• The etching behavior can be interpreted in an ablation model that the stressbrings about mechanical disruption.
Gradual Etching Behavior ( The Nanosecond Laser Ablation)• The stress increase will be negligible, when the temperature elevates withthe volume change.
• The etching behavior can be interpreted in an ablation model due toexplosive sublimation with the condition that the intermolecular vibrationalenergy exceeds cohesion energy between the molecules.

Femtosecond Laser Ablation

Ultrafast Stress Increase

10 ps after excitation

Time
Nanosecond Laser Ablation

Explosive Sublimation

10 ns after excitationTime
Y. Hosokawa et al. J. Photochem. Photobio. A 142, 197, 2001.

100 ns after excitation

Pulse duration dependence reproduced by computer simulation

150 ps
Laser

15 ps
Laser

31 J/m2

Laser

Ultra short pulse laser（Femtosecond laser）

Pulse laser（Nanosecond laser）

Mechanical disruption
due to stress confinement

Explosive sublimation
due to thermal motion

Photomechanicalablation

Photothermal
ablation
34 J/m2

55 J/m2

L. V. Zhigilei and B. J. Garrison, Appl. Phys. A 69 (1999) S75.

Pulse width effect on firework ablation
Femtosecond laser

Nanosecond laser

Ablation without sparkling

Ablation with sparkling

Mechanical disruption
due to stress confinement

Explosive sublimation
due to thermal confinement 
Intense femtosecond irradiation
120 fs, 800 nm,

Focusing
into
water

Multiphoton absorption
Laser ablation of water

Water flow

Shock wave
Cavitation
bubbleA vy g ll p h fl pASER M/NSUNAMI !!!

Mechanical force

Laser power dependent phenomena
Laser energy

0.01 mJ/pulse

0.1 mJ/pulse

1 mJ/pulse

Peak intensity(Dt=120 fs)

0.1 MW

1 MW

10 MW

Fluence(Spot~1 mm)

1 J/cm2

10 J/cm2

100 J/cm2

2

3

4 5 6 7 89

23

4 5 6 7 89

Shockwave
Emission
Cavitation bubble
Shockwave generation due to ultrafast
heat generation

Plasma generation due to laser
induced break down

Y. Hosokawa et al. Proc. SPIE, 4274, 78 (2001)
A. Vogel et. al. J. Appl. Phys., 83, 7488 (1998).
R. Birngruber et. al. Appl. Phys. B, 53, 237 (1991).
Y. Hosokawa et al. レーザー研究、29, 710 (2001).
L. V. Zhigilei. et al. J. J. phys. Chem. B., 102, 2853 (1998).

Shockwave-

Shockwave-

CCD camera

Model Experiment Showing the Force due to Laser-Induced Shockwave

Dichroic mirror
Polarizer

Microscope

2/l plate

Objective (100x NA 1.25)
Sample solution(0.32 mJ/pulse, 1 Hz, 150 fs)

ランプ

fs laser

Mechanical shutter (Gate time: 50 ms)
Femtosecond Ti: Sapphire laser(150 fs, 800 nm, 20 Hz, 10 mW)

0.9 sec.
1 sec.

Laser irradiation

1.9 sec.
2 sec.

Laser irradiation

2.9 sec.
3 sec.
Laser irradiation
Polystyrene particles (1 mm) in water under Brownian motion

Theoretical calculation of motions of microparticles
fs laser
Microparticle

The effective force for particle:
p r2
f = F0 (t )
4p R02R

The equation of particle motion:
d 2R
dR
m 2 = −6ph r
+f
dt
dt

R0

Viscosity of water ：hAssumption
・ The force of shockwave, F0, propagates uniformly

in all directions.
・ The shockwave is generated impulsively.
・ Radius of the particle: r<< Distance between particle and focal spot: R0

・ The motion of particle is stopped by viscous drag.

The total shift of particle：
L = R(t =  ) − R0
F r 1
 L= 0  2
24π η R0
PositionRfrom Ofs

f

30
25
20
15
10
5

L
0

1

2

R0

3 4 5 6
Time
Time[s][s]78

Estimation of the Force induced by the Shockwave
Over 1000 times bigger than the forceof the laser trapping

Force by femtosecond-induced
shockwave ~ 100 nN

F: Enforced force [nN]

Laser trapping:
Force for mm particle ~ 10 pN

F0 = 16 mN

200

Laser

150

-Δp
Objective

p1

100
Δp

50

Particle

0
0

5

10

15

20

h: Distance between cell and laser focal point[mm]p2−lv ObvA

A. Shockwave emission andcavitation bubble generation

B

Generating cavitation bubble
ShockwaveC
Beads
Laser focal point

B. Cavitation bubble collapse
Collapsing cavitation bubble

A B

C

C. Jet formation
Jet flowMpl f  gl b by h g f pl
Shockwave emission,
Cavitation bubble generation and collapse,
and Jet formation

Polymer beads

Motorized microscope stage

Scanning femtoscond laser beamN pl j by 
 f f pll
B

NIH ll
l
M
b l B h−I Shkwv

 l pl(1) Ij f l B l M.
l B (MllPb)・Yllw−(505/515)
・bxyl−f Plyy・200 
(Wg f 0 .)(2) I f h 
 Pl  h l M.

U   O2: 5 %zExpl Sp・:Spph  (Sp Phy
H)・Mp (Olyp IX−1)・Ib f Mp (Olyp MI−IB)・fl U (Olyp V00)h

M

M

 2
B
P
l
 1yxIb (  O2: 5 %)Objv  （100× N.A.=1.25）

Ex  （4 ）flAp
h(150  ) N. . lMhl Sh
N. . lll
:Spph 

(800  150 f 125 Hz)
M


lv
M

Ex
h M 1: fl l Ig blw 50  2: fl l Ig bv 50  :  Sg  IgA M NIH ll (S Mb)

10 μm

5000
Ch. 1
Ch. 2

Intensity / a. u.

4000
3000
2000

10 μm

1000
0

0

10
Z position /μm

06030707dsp

20 = +1.5  l b  jp  h ll.

−g f h ll Ij l Bby h Shkwv (10 J/pl)

(a)

(b)

Confocal fluorescence
images under 570 nm(green) and over 570 nm(red).

l
fl
p

(a) +2.0μm, (b) +4.0μm,(c)(c) +6.0μm, and (d)+8.0μm.

(d)l b wj f  .

10  

Nondestructive Separation of Single Animal Cells
Femtosecond
Laser irradiation

10 mm

10 mm
Femtosecond laser

Collagen substrateSampleSide view
Cover glass (0.15mm) Silicon rubber (0.2mm)

20mm

A mouse body cell, NIH3T3
Cells are cultivated on a collagencoated substrate in CO2 incubatorwith the temperature of 36.5
degree.
•The cells live only when they areattached on the substrate.
•The cells stretch their legs andconnects with another cells.

Top view
A collagen disk cultivating cells
Slide glass (0.9mm)

We observed their growing process
after affecting the shockwave.

How to separate single cells from substrate
Laser

Shockwave

Laser

20 mm

Cut their legs by irradiating
the laser directly
Laser
Cell
Substrate

Separate the cell from substrateby the laser induced shockwave
Shockwave

Laser

Growing process of the separated cell

Before separation

2 hrs.

20mm After separation

3 hrs.

1 hrs.

4 hrs.

•Laser intensity
when their legs are cut: 0.26mJ/pulse
when they are separated by the shockwave: 0.51mJ/pulse

Micropattering of Cells by Femtosecond Laser Ablation of Water
Intense Femtosecond Pulse

Multiphoton Absorption
Femtosecond Ablation of Water

Shockwave
Cavitation Bubble

Generationof Local Force

Liquid Flow

Preparation of Source Substrate
Source Substrate

１．Removal of cells from the substrateby the local force

Adhesionof Biomaterials

２．Spontaneous fall by gravity
Target Substrate

A

B
Cell-detached area

Source substrate

Shock wave
ECM layer
Living cell

Shock wave

Femtosecond laser

Target substrate

Radius / mbubble40 m

A

Source substrate
Cavitation

Living cell

bubbleCavitation

MediumMediumCytophobic surface
Time / psC

Laser irradiation

C-2

D

B

30 minSourcesubstrate



b

250

C-4

Diameter d / m

C-3 30 min

Target substrate withcytophilic domains

Cytophilic domain

Cell-dispersed area
C-1

Femtosecond laser

2 daysTargetsubstrate

Cell-appeared area
on target substrate

200




Cells-detached area
on source substrate



f



b











f

f

Cytophobic surface
Cytophilic domain

50
Bubble

0
0

40

80

120

Pulse energy / nJ
50 m

b



150
100



160

Femtosecond laser

50 mImmature cells

A

Filopodia
Differentiation(+ NGF)

NeuriteAC
Source substrate

Dedifferentiation(- NGF)

Multi-electrode array

Immature cells

C

Culture medium
50 mImmature cells

Mature cells

Source substrate

Targetsubstrate

Femtosecond
laser pulses
Separation

Differentiated cells

Undifferentiated cells

Time-lapse imaging of all cells

Fraction of mature cells / %B

Mature cell

10080

Differentiatedsample60

B

Trypsinization

40

20
0
Initial 0

Undifferentiatedsample20 40 60 80 100

Incubation time / h

100 m

A

B

MPC polymer surface

Live cell culture chamber
Halogenlamp

CO2 & temp. controller

Laser ablated
path

5% CO2CO2

XY driverObjective (20, NA. 0.46)

50 m

A

CCD camera

ND filter

ECM molecule

PC

Keratinocyte

Sutter operation
Proteinphilic domain
laser
Protein-phobic surface

D
Relative fluorescence intensity

MPC
surface160

Laser ablated
domains

laser

B

MPC
surface

Keratinocyte

Keratinocyte

Keratinocyte

E
Laser-ablated domain after
absorbing fluorescence-collagen

Amino Q-dot

140

1st domain
50 m

PEG Q-dot
100
Carboxyl Q-dot
80
20

40

60

Position / μm

80

2nd domain

HeLa

HeLa
50 m

120

0

HeLa

MediumStage
operationTi-sapphire laser
l: 800 nm
Pulse width:130 fs
Frequency: 1 kHz

0.90.1 m

C100
MPC polymer surface

50 m

A
NeuronAblated debris

ECM molecule

NeuriteMedium(pH 7.4)

+ NGF

Glass
Cytophobic
layer

B

C

B

Cytophilic
channelFemtosecond laser

Cytophobic surface
Intact
0s
2s

C
4s

6s

8s

4d
+NGF
Ne
Neurite

PC12

Channel% of cells

A

Cytophilic
domainCytophilic domain

D
Neurite length / m

50 m

Laser-formed
channelGuide channel

Cytophilic domain

Cytophobic
surface50 mリアリティーは、自分の感性を信じ、自分のDNAを信じることからDNA研究もまた、誰かをモデルに真似ることから始まる。
幼少時の記憶、教育、育てられ方、両親、おじさん、先生、近所の・・
DNAの発現はさまざま、人の成長もさまざま、増原は奥手、受験に強かった人は早熟。

阪大学長は同じ研究室から生まれる、東大理学研究科長は同じ研究室から生まれる

まずは自分の状況を客観的に理解、真摯に把握

増原スタイル： 先輩、仲間、院生から学ぶ (1)
あの先生がそうなら、わたしは？？と考える
又賀曻（元阪大教授、故人）「好きなことをやればいいんだ」、「理屈は忘れた、研究はやり続けることだ」
本多健一（元東大教授、故人）「研究はロマン」
田中

郁三（元東工大学長、故人）「僕はこれでいいんだろうかね」
田附重夫（元東工大教授、故人）「研究者の数だけ真実はあるや」、「エベレストに登る時は一つ一つの荷物の重さを削るんや」

伊藤 光男 （元分子研所長、故人）「若い人に責任を持ってもらうために、僕は実験室には入らない」、「レーザーアブレーションも物理化学」

増原スタイル： 先輩、仲間、院生から学ぶ（２）
あのひとがそうなら、わたしは？？と考える
細川陽一郎（奈良先端教授）「研究者の家には何もない」
細川千絵（産総研主任研究員）

話を切らないでつなぐのがうまい、「今日は三味線を弾く日」

伊都荘司 （阪大准教授）
自分の工具を持って実験する
吉川洋史（埼玉大准教授）

腰に大きな鎖をつけている理由をきかれて、「鳥が光る鎖を見て落ちてくる」、ユーモアあり
坪井泰之（大阪市大教授）

目下にやさしい増原スタイル： 深謀遠慮
研究成果は人生の全積分
情勢分析は必要不可欠
Pimentel Report （1970年代）
レーザー、コンピューター、シンクロトロン
又賀コメント （1968年）「あらゆる光はレーザーに取って代わられる」
物理化学者は方法論で、有機化学者は合成で、理論化学者は数学（計算機ではない）で勝負。
レーザー、光学顕微鏡・・・・・・・光と物質の相互作用
STM, AFM, SEM・・・・・・・・・電子と物質の相互作用
これらの間を乗り換えてはいけない増原スタイル：いかにやるか（１）
自分と似た人を雇わない
自分と似てない、苦手な人を同僚にする
ポジティブな人と話をする

研究の成果を毎日話せない、雑用は毎日話せる
人といつも適当な距離を調整する

Discussion よりDebateを問題点がすっきりする
相手を傷つけない大阪弁

増原スタイル：いかにやるか（２）
日本を越えて居場所を探す

研究者も技術者も、需要と供給で決まる
命を懸ける責任者のいる組織、企画に協力、貢献する

日本からアジアへ、世界へ、グローバル化

自動車、携帯電話、野球、サッカー、相撲、IF、・・・数値で測れる仕事
研究、科学は、文化、習慣、言語、社会と不可分・・・数値で測れない仕事
日本人を日本文化を相対化
まずは台湾から

国立台湾交通大学
教授 増原先生
大変ご無沙汰を致しております。
ジョブハッチ株式会社 清水でございます。
※先生のご記憶通り、一昨年１２月に名刺を交換させて頂いた、
大阪大学法学部卒の人間がわたくしでございます。
昨日まで北京に出張しており、会社のメール（グーグル）が使用できませんでしたため、お返事が遅くなりまして誠に申し訳ございませんでした。
ロート製薬様の件につきましては、
大変お世話になりました。
おかげさまで、御校の優秀な人材がインターンシップにご参加く
ださり、
最終的にはご入社頂いた方もおられます。
ひとえに、増原先生をはじめ、諸先生方のお力添えあったればこ
そと、
遅ればせながらではございますが、伏して御礼申し上げる次第です。

最近、クライアント企業様からは、「日本語N２レベル以上の人材」というニーズが数多く聞こえて参ります。
グローバル化というキャッチフレーズのもとに、英語を中心とした多言語化を進めてきた企業様も多いのですが、ここにきて、日本国内での理系学生の採用競争が激化し、かつまた、各企業様自身がグローバル化（多言語化）に対応し切れておらず
若干疲れを感じておられるようで、「日本語で（ある程度）コミュニケーションできる人材」に
原点回帰の兆候が見られます。
このようなクライアント企業様のニーズを受け、弊社としましても、台湾を主軸とした人材の継続的な確保をスタートさせるところでございます。
日本国内の採用がようやく一段落致しましたので、まさに始めんとす、という段階ではございますが、
今後とも、先生のご指導を仰ぐことが叶いますれば、幸甚でございます。

以上、引き続き、ご指導ご鞭撻のほど、何卒宜しくお願い申し上げます。

弊社と致しましては、引き続き、台湾の優秀な学生の皆さんと日本の優良企業との橋渡し活動を続けておるとことでございます。
ジョブハッチ（株）※ロート製薬様はご担当者が退職されましたので、
拝会社方針が変更になり、継続案件とならず忸怩たる思いでござ 清水興一

増原スタイル：新しいことは自前で藤嶋昭先生のマンション
玉井尚登先生のポスドク

皆が合意する科学的好奇心は、すでに新しくない
新しいことは常に反対される
新しいことにお金はつかない
国際交流、国際共同研究、交換留学、Dual Degree Program,
Doube Appointment, Cross Appointment, Double Funding

研究と人は紙の表裏
Schroedinger Equationは確立しているので、Schroedingerさんの人格、個性とは独立に理解できる
新しい研究はまだ確立していないので、それを担う研究者の人格、個性とは、一枚の紙の表裏と同じ関係

新しい研究は、人を選ぶ
人と区別化を図る

レーザーバイオナノ化学研究室（増原研）

国立清華大学
NTHU

国立交通大学NCTU

同步輻射研究中心
NSRRC

儀器科技研究中心
ITRC
台積電
TSMC

奈米元件實驗室
NDL

物理化学とは？？（１９６７年ごろ、修士時代）
構造、反応、物性、（機能）に関する研究
構造研究は絶対的な真理に繋がる研究
反応もそうであるけれど・・・？
反応の研究室は具体的な対象をもっている➔分子高次系は大変複雑な系であるから、具東北大小泉正夫、光反応 体的な系と目標を持つことが大切！私にとっ東大田丸謙二、触媒てはレーザーアブレー
阪大叉賀昇、電子移動ション、レーザーマニ
ピュレーション
・・・・・・
阪大広田鋼蔵、同位体

江戸時代における日本の私塾[編集]日本の江戸時代における教育機関は、「昌平黌」、「藩校」、「郷校」、「教諭所」、「心学舎」、「私塾」、「家塾」、「寺子屋」などがあった。「私塾」は、幕府や藩が設置した教育機関とは異なり、一定の枠にはまらず、塾主の個性と、有志者の自発性を基盤として発展した教育機関である。特に、江戸時代後期に活発な活動が見られ、多くの有能な人材を世に送り出している。

「私塾」には、咸宜園（大分・廣瀬淡窓）、鳴滝塾（長崎・シーボルト）、松下村塾（山口・吉田松陰）、適塾（大阪・緒方洪庵）、洗心洞塾（大阪・大塩平八郎）、梅花塾（大阪・篠崎小竹）等があり、世に知られている。また、江戸・京・大坂を中心に、無名ながらも高度な教育内容を誇った個性的な私塾が数多く存在した。

塾名と設立者
漢学塾
懐徳堂（大坂） - 中井甃庵・中井竹山ほか
松下村塾（長門国萩） - 吉田松陰・玉木文之進
・・・・・
国学塾
鈴屋塾（伊勢国松坂） - 本居宣長
・・・・・
西洋医学の塾
鳴滝塾（長崎県・長崎） - シーボルト
・・・・・
東洋医学塾
啓迪院（京都）-曲直瀬道三
・・・・・

蘭学塾
鳩居堂（江戸）-大村益次郎
慶應義塾（江戸）-福澤諭吉（中津藩）
適塾（大阪） - 緒方洪庵
・・・・・

和算塾
音羽塾（江戸）-本多利明
真空館（大坂）-武田真元
瑪得瑪第加塾（江戸）-内田五観
天文学塾
斉政館（京都）-土御門家
先事館（大坂）-麻田剛立
書道塾
楽群堂（江戸） - 亀田鵬斎
蕭遠堂 （江戸）- 巻菱湖
小山林堂 （江戸）- 市河米庵
須静堂（京都） - 貫名菘翁
画塾
勝川塾（江戸）-狩野雅信
春暢学舎（茨城県・古河）-奥原晴湖
写山楼 （江戸）- 谷文晁