北海道大学
電子科学研究所

装置開発・機械加工グループ

担当連絡先

利用可能機器一覧

kikai_order@es.hokudai.ac.jp

装置名称

メーカー、機種

NCフライス盤

静岡鐵鋼

マシニングセンタ

HAAS TM-1P

汎用フライス盤

静岡鐵鋼

NC旋盤

滝澤鉄工所 TAC-510

汎用旋盤

池貝

ワイヤーカット放電加工機

Fanuc α-0c

CO2レーザー加工機

Oh-Laser HAJIME

コンターマシンニコテック NCC-400A

TIG溶接機Panasonic YC-300BZ3〃

Panasonic WX300

Heリークディテクター

adixen ASN142

3DプリンタFormlabs Form3

サンドブラスト

HOZAN SG-106

URL

https://tech.es.hokudai.ac.jp/kikai/

学外利用

https://www.shisaku.com/hokudai/

電子科学研究所
概要

電子科学研究所

システム開発・データ解析グループ

担当連絡先

AN-SRN
VHR-A

ED-18

system@es.hokudai.ac.jp

広報・情報・ネットワーク・研究所のWebサイト管理運営・IoT技術を駆使したシステム開発などを行う。

電子科学研究所

電子顕微鏡解析グループ

各装置連絡先収差補正走査型透過電子顕微鏡

nano-support@es.hokudai.ac.jp
日本電子製: JEM-ARM200F
加速電圧: 80kV、200kV
分析機能: EDS、ELLS
STEM 収差補正機能

超薄膜評価装置(走査型透過電子顕微鏡)

日立ハイテク製 HD-2000
加速電圧: 200kV
分析機能: EDS

集束イオンビーム加工装置

日立ハイテク製 FB-2100
加速電圧: 10kV～40kV
マイクロサンプリング機構あり

イオン研磨装置

Gatan 製 PIPSII
加速電圧 0.1kV～6kV
試料冷却ステージ

X線光電子分光装置

日本電子製 JPS-9200
標準X線源 Mg/Al ツインアノード
モノクロX線源
分解能 0.65eV(モノクロX線源)

紫外可視近赤外分光光度計

パーキンエルマー製 Lambda900
反射測定ユニットあり

赤外分光光度計(FT-IR)

日本分光 FT-IR660
真空ユニット、多重反射 ATR、RAS ユニット、液体セル装備

超高分解能走査型電子顕微鏡

日立ハイテク製 SU-8230
加速電圧: 0.1～30 kV
分析機能: EDS
冷陰極電界放射型電子銃(ColdFE)

電子科学研所

微細加工グループ

各装置連絡先超高精度電子ビーム描画装置

nano-support@es.hokudai.ac.jp
エリオニクス社製 ELS-F125-U
加速電圧: 125kV
試料サイズ: 最大 6インチ

超高精度電子ビーム描画装置

エリオニクス社製 ELS-7000HM
加速電圧: 100kV
試料サイズ: 最大 6インチ

超高速スキャン電子線描画装置

エリオニクス社製 ELS-F130HM
加速電圧: 130kV
試料サイズ: 最大 8インチ

レーザー描画装置

ハイデルベルグ社製 DWL66+
光源波長：405nm
最大描画エリア：200x200mm2

基板厚み：0-12mm
最小線幅：0.8μm（ライトモードⅡ)
描画速度：40mm2 /min（ライトモードⅡ）
255階調グレースケール露光機能あり
レーザー直接描画装置

ネオアーク社製 DDB-201
光源: 375nm 半導体レーザー
描画エリア: 最大 50mm
試料サイズ: 最大５インチ

マスクアライナ

ミカサ社製 MA-20
コンタクト露光
試料サイズ: 最大 4インチ
マスクサイズ: 最大 5インチ

真空紫外露光装置

エヌ工房 フォトクリエーターPC-01-H
試料サイズ: 最大１インチ

原子層堆積装置

ピコサン社製 SUNALE-R
試料種類: SiO2、 TiO2、 Al2O3、 Nb2O5 他
試料サイズ: 最大 6インチ

原子層堆積装置（粉末対応型）

ピコサン社製 R-200 advanced
成膜材料：アルミナ、チタニア（酸化剤は水のみ）
対応基板：8インチまで粉末材料用ユニット（サンプルカードリッジ、超音波分散システム）
多孔質材料成膜モード有り

プラズマCVD装置

サムコ社製 PD-220ESN
試料種類:SiO2、SiNx
試料サイズ: 最大 4インチ

液体ソースプラズマCVD装置

サムコ社製 PD-10C1
試料種類: SiO2 他
キャリアガス: N2、 He、 Ar、 H2
試料サイズ: 最大 3インチ

真空蒸着装置サンバック社製 ED-1500R
蒸着源: 抵抗加熱3元、EB3元
基板加熱可電子ビーム蒸着装置

エイコーエンジニアリング社製 EB-580S
蒸着源：Au、Ti、Al、Cu、Nb
基板加熱可（600℃まで）
水晶振動式膜厚計

ヘリコンスパッタリング装置

アルバック社製 MPS-4000C1/HC1
試料種類: 3元、Au、Ag、Cr、 Ti、 SiO2 他
試料サイズ:最大 4インチ

コンパクトスパッタ装置

アルバック社製 ACS-4000-C3-HS
試料種類: SiO2、Au、Cr等
基板サイズ: 10mm～4インチ(リフトオフ仕様では25mm角まで)
基板加熱機構有り(～550°C)

多元スパッタ装置

アルバック社製 QAM-4-ST
試料種類：４元（DC３元まで、RF２元まで）Au、Cr、Ag、Cu、SiO2他
試料サイズ：斜入射Φ4インチ、対向：25mm角
逆スパッタ、Coスパッタ可能

イオンビームスパッタ装置

アルバック社製 IBS-6000
試料種類: ４元、Ni、 Cr、SiO2、W-Si 他
試料サイズ: Φ50mm、半導体薄膜堆積装置

厚さ最大20mm

パスカル製 パルスレーザー堆積装置
レーザー光源: 248nm
基板サイズ: 最大 2インチ
成膜材料: TiO2、STO など
RHEED 装備

反応性イオンエッチング装置

サムコ社製 RIE-101iPH
使用ガス: SF6、C4F8、 CF4、 Ar、 O2、 CHF3、 C3F8
試料サイズ: 最大4インチ

ICP高密度プラズマエッチング装置

サムコ社製 RIE-101iHS
使用ガス: Ar、 O2、 Cl2、 BCl3

試料サイズ: 最大4インチ
反応性イオンエッチング装置

サムコ社製 RIE-10NRV
使用ガス: CF4、Ar、O2、CHF3
試料サイズ: 最大 8インチ

シリコン深堀りエッチング装置

SPPテクノロジーズ社製 APX-ASE-Pegasus-Polestar
使用ガス：SF6、C4F8
試料サイズ：小片～Φ4インチ

ドライエッチング装置

アルバック社製: NLD-500
使用ガス: SF6、 C4F8、 CHF3、 Ar、 O2
試料サイズ: 最大 4インチ

イオンミリング装置

アルバック社製 IBE-6000S使用ガス: Ar
試料サイズ: 最大 4インチ

光学干渉式膜厚計

フィルメトリクス社製 F20-UV
測定波長範囲：190 – 1100nm
膜厚測定範囲：1nm – 40μm（正確性は膜厚の±0.2%）
測定スポット径 ：1.5mm もしくは0.5mm
光源 ：重水素・ハロゲンレーザー顕微鏡

キーエンス社製 VK-9700/9710
対物レンズ：x10、ｘ20、ｘ50、ｘ150
レーザー波長：408nm

UV-オゾンクリーナー

サムコ社製 UV-1
サンプルステージ：φ200mm(Al製)
最大サンプル厚さ：10mm
ステージ温度：室温～Max.300℃(抵抗加熱方式)
紫外線ランプ：低圧水銀ランプ１本(110W)，波長：254nm(～85%) および185nm(～15%)高分解能電界放射型走査型電子顕微鏡

日本電子社製 JSM-6700FT
EDS 機能、2 探針マイクロプローブ装備
試料サイズ:X 48mm、 Y 38mm、 厚さ 10mm以下

太陽電池評価システム

ワコム電創社製 WXS-156S-L2、AM1.5GMM
JIS、IEC規格準拠 CLASS AAA
照射強度: 1(sun)
基板サイズ: 最大 6インチ

電子科学研究所

光学顕微鏡解析グループ

各装置連絡先共焦点顕微鏡nic@es.hokudai.ac.jp
ニコン

共焦点レーザー顕微鏡システム

ニコン

倒立顕微鏡

東海ヒット
蛍光顕微鏡

ニコン

Ti-E

顕微鏡ステージインキュベーター

倒立顕微鏡

Ti-E

Andor sCMOSカメラ
東海ヒット
全反射蛍光顕微鏡/リアルタイム共焦点顕微鏡

ニコン

倒立顕微鏡

横河電機

Ti-E

EM-CCDカメラ

顕微鏡ステージインキュベーター

ニコン

超解像顕微鏡ニコン

倒立顕微鏡

浜松ホトニクス

N-SIM
Ti-E

sCMOSカメラ

ソリューションシステムズ
ニコン

ImagEM

スピニングディスク走査型共焦点ユニット

東海ヒット

解析ソフトウエア

Zyla-5.5

顕微鏡ステージインキュベーター

浜松ホトニクス

超解像顕微鏡A1Rsi

NIS-Elements

Orca-Flash v.4.3

Huygens

CSU-10