静電気学会誌，37, 3（2013）138-143

論文

水素マイクロ波プラズマ処理による可視光応答化酸素欠損型光触媒の製作
矢澤 翔大 ，工藤 祐輔 ，中西 哲也 ，竹内 智彦 ，＊＊＊＊＊＊
荒木 翔太 ,片山 昇 , 小越 澄雄
＊, 1

＊

＊

＊＊

（2013年2月27日受付；2013年4月24日受理）

Fabrication of the Slightly Reduced TiO2 Photocatalyst Reacted Visible Light by theMicrowave-H2-plasma Processing
＊, 1

＊

＊

＊＊

Shota YAZAWA , Yusuke KUDO , Tetsuya NAKANISHI , Tomohiko TAKEUCHI ,＊＊＊＊＊＊Shota ARAKI , Noboru KATAYAMA and Sumio KOGOSHI(Received February 27, 2013; Accepted April 24, 2013)
A photocatalyst is attracting widespread attention because it works semipermanently under light irradiation. A photocatalyst
has useful characteristics such as an oxidative decomposition and a super-hydrophilicity. However, TiO2 photocatalysts which
are often used can be activated only by ultraviolet rays. The ultraviolet rays for photoactivation of TiO2 are included nearlyzero in indoor lights. If a photocatalyst can be activated with visible light as well as ultraviolet light, a photocatalyst can beused not only outdoors but also indoors. A slightly reduced TiO2 is one of visible light responsible photocatalysts. A slightly
reduced TiO2 can be produced with H2-plasma surface processing. However, it is not so clear that the dependence of theperformance on the processing parameters. In this study, we have focused on a H2-plasma processing time. The performanceof a slightly reduced TiO2 under visible light irradiation is estimated from a decomposition rate of formaldehyde. It is foundthat the performance of the slightly reduced TiO2 improves as the plasma processing time become shorter although the amountof the visible light absorption becomes smaller. The performance of a slightly reduced TiO2 under visible light irradiation is
also compared with that of a N-doped TiO2, which is the most popular visible light responsible photocatalyst. The result showsthat the decomposition rate of formaldehyde by the slightly reduced TiO2 is three times or more than that by the N-doped TiO2.

1．はじめに

水質浄化，防曇などの効果があることがわかってきた

現在，地球環境問題が騒がれている．その対応策としこれらの効果を用いて空気清浄器内のフィルターや家て光のみを必要とし半永久的に使用することができる材

屋・高層ビルの外壁，ガードレール，高速道路の防音壁料である光触媒が注目を浴びている．光触媒の研究は本のセルフクリーニング多・藤島らによる 1972 年の酸化チタン（ TiO2）を用いたに含まれているホルムアルデヒドの分解

人工光合成（光を照射することにより水から水素，酸素

クハウス症候群の抑制などいろいろな場所に使用されてが発生する）の発見 を契機として盛んに行われるよういる．しかし，酸化チタンは紫外線にしか反応しない ．

になった．その後研究が進み，光触媒の代表とされる酸

酸化チタンの光活性に用いられる紫外線は屋内光にはほ化チタンは酸化分解作用と超親水性作用という作用をもとんど含まれていないので，このままでは太陽光が届くっているということがわかり

屋外でしか使用することができない．光触媒の光活性領

1），大気浄化，防汚 , 殺菌，

2, 3）

．

3, 4）

，建造物の建材などの接着剤

3-7）

8, 9）

によるシッ
4）

域を可視光の波長までを有効利用できる領域に拡張する
キーワード：水素マイクロ波プラズマ，可視光応答化，
酸素欠損型，酸化チタン光触媒，流通方式＊
日本大学大学院生産工学研究科電気電子工学専攻（275-8575 千葉県習志野市泉町 1-2-1）
Department of Electrical and Electronic Engineering,
College of Industrial Techology, Nihon University,
Narasino-si Izumi-cho 1-2-1, Chiba 275-8575, Japan＊＊
東京理科大学理工学部電気電子工学部（278-8510 千葉県野田市山崎 2641）
Department of Electrical Engineering, Faculty of Science& Technology, Tokyo University of Sience,, Noda-si
Yamazaki 2641, Chiba 278-8510, Japanことができれば，屋外ではより有効に，そして屋内でも使用することができるようになり，使用できる範囲が大幅に増えることが予想されるので , 光触媒の可視光応答化の研究が盛んに行われている

4, 5, 10, 11）.

酸化チタンの可視光応答化技術として多く用いられているのは，酸化チタンに不純物をドープし不純物準位をつくることである．銅ドープ

や硫黄ドープ12, 13）など様々な光14）触媒があるが，中でも窒素をドープした窒素ドープ型酸化チタン光触媒という可視光応答型光触媒があり，現在

15-21）

市場に非常に多く出回っている．しかし，窒素ドープ型酸

水素マイクロ波プラズマ処理による可視光応答化酸素欠損型光触媒の製作（矢澤 翔大ら）

139（29）化チタン光触媒は可視光応答化処理をする前の元の紫外媒基板の反射率特性を紫外可視分光光度計（ UV － 2450,

線照射時の酸化チタンよりも紫外光を照射した際の光触媒

島津製作所）を用いて測定した結果を Fig.1 に示す．この

性能が低くなってしまうと言われている ．そこで，著者

反射率の測定は紫外可視分光光度計に入っている積分球

らは水素マイクロ波プラズマ処理を行った酸素欠損型

により，光触媒表面で反射される光，拡散される光など試に注目した．従来，酸素欠損型光触媒は触媒料が吸収しなかった光すべてを検出しているため実質吸性能がないと言われていたが ，本研究で作製した酸素欠収率を測定していることになる．酸化チタン光触媒基板と損型光触媒は可視光照射時に光触媒性能を発揮すること

窒素ドープ型光触媒基板との反射率を比べると，窒素ドーが分かった．JIS で定められている流通方式に基づき，プ型光触媒基板では可視光の反射率が低くなっており窒作製した酸素欠損型光触媒に可視光を照射した場合のホ素ドープ型光触媒が可視光を吸収していることがわかる．

4）

光触媒

22）

23-29）

4）30）

ルムアルデヒド気体の分解測定を行い，窒素ドープ型光触媒との性能比較を行った．従来の可視光応答型光触媒の3．水素マイクロ波プラズマ処理

可視光での光触媒の反応効率は非常に低く，それは紫外作製した酸化チタン光触媒基板に水素マイクロ波プラ

線領域でのそれより，1 桁ほど低いと言われている ．本

ズマ処理を行い酸素欠損処理した．処理装置図を Fig.2 に研究では可視光照射時の酸素欠損型光触媒の反応効率を示す．今回の実験にはマイクロ波プラズマ生成で用いられ紫外線領域の光を利用した性能に近づける検討も行った．

ることの多いスロットアンテナ方式の装置を用いた．周波4）数 2.45 GHz のマイクロ波源を，プランジャーを終端とし2．光触媒基板の作製た導波管（ WJR-2）をつなげ，導波管底面に設けられた

使用した光触媒粉末は二酸化チタン光触媒 ST-01（石原スロットアンテナよりアルミ製の枠を外壁とする空隙部

産業）を用いた．その光触媒粉末 2 g と脱水エタノール分，天板誘電体（石英ガラス）を介してチャンバー内へと

18 g を重量比 10 % で混合した溶液 0.1 ml を 25 mm × 25

照射する構成となっている．酸化チタンの水素マイクロ波

mm × 1 mmt のパイレックスガラス基板に塗布した．そのプラズマ処理条件を Table 1 に示す．処理後の光触媒基板後，電気炉にて 450 °C で 2 時間焼成を行った後に電気炉

表面にはプラズマ処理によるキズは見受けられなかった．

内で自然冷却を行い，酸化チタン基板の完成とした．

Fig.3 に酸素欠損処理前と処理後の個別に作製した酸

窒素ドープ型光触媒基板の作製方法を以下に示す . チタ化チタン光触媒の反射率特性をプラズマ処理時間をパラ

ニウムテトライソプロポキシド（TTIP）6.8 ml ，エタノール

メータとして示す．酸素欠損処理前後で光触媒基板の反40 ml と濃硝酸 10 ml を混合して溶液を調整した．調整した溶液をスターラーにて 10 分間攪拌した後，35 °C で 30 日間，
TTIP の加水分解と縮重合反応を進行させた . その後，300 °C で 3 時間焼成し淡黄色の窒素ドープ型酸化チタン粉末を調製した ．調整した窒素ドープ型酸化チタン粉末も同様
20）に脱水エタノールと混合しパイレックス基板に塗布をした．
作製した酸化チタン基板および窒素ドープ型光触媒の膜厚は 10 ± 2 μm である．基板の表面形状は拡散表面である．
作製した二酸化チタン光触媒基板と窒素ドープ型光触図 2 水素マイクロ波プラズマ装置
Fig.2 The schematic of the microwave-plasma source.
表 1 プラズマ処理条件
Table 1 Plasma processing condition.

Frequency［ GHz ］
Processing time［ min ］

図 1 酸化チタンと窒素ドープ型酸化チタンの反射率特性
Fig.1 Reflectivity characteristic of TiO2 and N-doped TiO2.

2.45
2, 5, 10, 15

Intrinsic pressure of chamber［ Pa ］

100

Flow rate of gas mixed
with hydrogen and argon［ ccm ］

27.6

Input power［ W ］

150

Distance L［ cm ］

2

140（30）

静電気学会誌 第37巻 第 3 号（2013）
表 2 ホルムアルデヒド分解実験条件
Table 2 Experiment condition of HCHO degradation.

HCHO concentration［ ppm ］

1

Sample area［ mm ］

25 × 100

2

Irradiance of light source［ W/m ］

10Internal temperature of reactor［°
C］

25

Humidity of HCHO gas［ % ］

50

HCHO gas flow rate［ L/min ］

0.52

図 3 プラズマ処理後の酸素欠損型光触媒の反射率
Fig.3 Reflectivity from before and after plasma treatment of TiO2.

ルムアルデヒド濃度を測定する部分で構成されている．気体発生部に送り込む気体は乾燥空気を用いた．純水の入ったガス洗浄瓶に乾燥空気を送り込みバブリングを行って水射率を比較すると，酸素欠損前と比べ処理後の光触媒基蒸気を含む空気を送り出し相対湿度の調整を行った．また，板は可視光領域の光を吸収していることがわかる．そしガス洗浄瓶にホルムアルデヒド溶液を入れホルムアルデヒて，プラズマの処理時間を長くしていくと可視光領域のド気体で満たされた状態にして乾燥空気を流すことで容器

光の反射率が下がっていること，すなわち吸収が増加し内のホルムアルデヒド濃度を調整した ．ホルムアルデヒていることがわかる．

ド溶液は一般的に使用されている安定剤としてメタノール32）が含まれているホルムアルデヒド溶液でなく，パラホルムア

4．実験方法

ルデヒドを用いた ．Fig.5 に示すようにリアクターは光触JIS R 1701-4 の光触媒材料の空気浄化性能試験方法であ媒基板に直接気体が吹き付けられることを防ぐために，気るホルムアルデヒドの除去性能に基づく流通方式でのホル体が迂回するようになっている．光触媒試料を窓板から 5

ムアルデヒド気体の分解実験を行った．Fig.4 にホルム

mm 以内の高さに設置するために台を設置した．その台にアルデヒド分解装置概要図，Fig.5 にリアクターを示す．

溝を掘りそこに光触媒基板をはめ込むことで流れている気Table 2 に実験条件を示す．ホルムアルデヒド分解装置はホ体で光触媒基板が動かないようにしている．光触媒基板はルムアルデヒド気体を発生させるための気体発生部とホル4 枚設置した．光源は可視光を照射する場合は蛍光灯

ムアルデヒド気体を分解するためのリアクター，そして，ホ（FL6D，パナソニック）を用い，紫外線を照射する場合は

33）

30-35）

ブラックライト（FL6BL ，東芝）を用いた．ホルムアルデヒ
ドの濃度の測定にはホルムテクター（C-XP-308B，新コスモス電機）を用いた．光源である蛍光灯およびのブラックライ
ト分光分布

は web ページに掲載されており，蛍光灯は36, 37）

一般的な蛍光灯として広く用いられているタイプの直管蛍光灯である．ブラックライトは可視光をごく微量含んでいる．

5．実験結果流通方式ホルムアルデヒド分解の実験結果の様子を Fig.6に示す．横軸に時間，縦軸にホルムアルデヒド濃度を示し
図 4 ホルムアルデヒド分解装置概要図
Fig.4 Device configuration of Formaldehyde degradation.

ている．光触媒は光照射時にしか光活性をしないため，光を当てていない状態でホルムアルデヒドが安定するまで気体を流し続ける．その時のホルムアルデヒド濃度を F0 とする．その後，光を照射するとホルムアルデヒドがある一定の濃度 F1 で安定する．光照射を止め光照射前のホルムア
ルデヒド濃度に戻れば測定を終了としている．以上の測定からホルムアルデヒドの分解率 R は以下の式で算出できる．

図 5 ホルムアルデヒド分解装置のリアクター
Fig.5 Reactor for degradation of HCHO.

R=

F0 - F1
× 100［ % ］
F0（1）

R ：試験片によるホルムアルデヒドの分解率［ % ］

水素マイクロ波プラズマ処理による可視光応答化酸素欠損型光触媒の製作（矢澤 翔大ら）

図 6 ホルムアルデヒド分解実験結果
Fig.6 Experimental result of formaldehyde degradation.

141（31）

図 8 紫外線照射時の TiO2 と可視光照射時の TiO2-x の性能比較
Fig.8 Performance comparison between TiO2 when ultraviolet
rays irradiation and TiO2-x when visible light irradiation.

F0：光照射前のホルムアルデヒド濃度［ ppm ］

プラズマ処理をしていない酸化チタンに紫外線を照射

F1：光照射時のホルムアルデヒド濃度［ ppm ］

した場合と水素マイクロ波プラズマ処理を 2 分間行った
作製した中で最も性能の高かった酸素欠損型酸化チタン

Fig.7 に作製した光触媒試料のそれぞれのホルムアルデに可視光を照射した場合のホルムアルデヒド分解率の比

ヒド分解率を示す．分解率が高くなるほど光触媒の分解較も行った．結果を Fig.8 に示す．1 章でも述べたよう性能が高いことを示している．通常の蛍光灯を用いて実に従来の可視光応答型光触媒の可視光での光触媒の反応験を行っているので，可視光応答化処理をされていない

効率は非常に低く，それは紫外線領域でのそれより，1

酸化チタン TiO2 はホルムアルデヒドを分解できていない

桁ほど低いと言われていたが，本研究で作製した酸素欠ことがわかる．使用した光触媒は光触媒全体で生成した損型酸化チタンは 70 % 以上の分解性能を発揮している

電子とホールが反応に寄与していると考えられる．使用ので，屋内での利用も可能ではないかと考えている．

した蛍光灯には可視光も含まれていたが，ごく微量だったため分解性性能を発揮しなかったと考えられる．一方，

6．考察

可視光応答型の光触媒である窒素ドープ型酸化チタンと酸化チタンは水素マイクロ波プラズマなどの還元処理に

酸素欠損型酸化チタンはホルムアルデヒドを分解していよって可視光領域の波長の吸収を示すようになる

ることがわかる．酸素欠損型酸化チタンの分解率を見て一般に酸素欠損準位は電子と正孔の再結合の原因

みると水素マイクロ波プラズマ処理時間を短くしていくになるため，光触媒反応の効率を低下させるが，低温プほど分解率が高くなり，分解性能が向上していることがラズマ処理で形成された酸素欠損酸化チタン（ TiO2-x ）は，わかる．作製した酸素欠損型光触媒の中で一番性能が低紫外光領域での光触媒活性を損なうことなく可視光でもいプラズマ処理を 15 分行った試料の分解性能でも窒素

光触媒活性を示すことができるとの報告

ドープ型光触媒の約 3 倍以上あることがわかった．

．

25-27, 29）

5, 23, 29）

がある．

23）

水素マイクロ波プラズマ処理をした場合 Fig.9（ b ）に示すように水素ラジカルが酸化チタンを還元させ酸素欠損が生じる．伝導帯直下に酸素欠損による準位が形

25-27）成されバンドギャップが狭くなり，紫外光線よりも長波長の光を吸収するようになるために光触媒が可視光応答
化する

23）

と考えられている．Fig.9（ b ）より，水素マイ

クロ波プラズマ処理を酸化チタンに行うと酸素欠損準位が伝導帯の約 1 eV 下部分にでき酸化チタンのもつバンドギャップ 3.2 eV よりも小さなバンドギャップが形成され，紫外線よりもエネルギーが弱い可視光にも反応し分解性能を発揮することができたと考えられる．酸素欠損処理を長時間行ってしまうと酸素欠損が進み，Fig.9
図 7 光触媒基板ごとのホルムアルデヒド分解率
Fig.7 Comparison of HCHO decomposition rates of
produced photocatalyst layers.

（ c ）のようにはじめに形成された酸素欠損準位付近に準位が複数・時には帯状にできてしまう．可視光を酸23, 29）素欠損型 TiO2 に照射すると，酸素欠損準位の電子がそ142（32）

静電気学会誌 第37巻 第 3 号（2013）（2） 酸素欠損型光触媒のホルムアルデヒド分解試験を行い，性能評価を行った．酸素欠損型光触媒は通常の蛍光灯照射下でホルムアルデヒドを分解できることがわかった．
今回の実験の範囲では酸素欠損型光触媒は水素マイク
ロ波プラズマ処理時間を短くするほど分解性能が高くなることがわかった．可視光照射時の酸素欠損型光触媒
は窒素ドープ型光触媒よりも 3 倍以上の光触媒性能があることがわかった．
（3） 可視光照射時の酸素欠損型光触媒の分解性能は，紫外線照射時の酸化チタンの分解性能の７割以上の性能を発揮した．

以上のことから，適した条件で水素マイクロ波プラズ
マ処理を行い作製した酸素欠損型酸化チタンは可視光を吸収し可視光照射下で光触媒性能を発揮するということが明らかになった．
図 9 TiO2 と酸素欠損型 TiO2 のバンド構造
Fig.9 The energy band of TiO2 with oxygen vacancies.

今後の課題
本研究にて用いた酸素欠損型光触媒は表面にマイクロの光を吸収し伝導帯に電子が励起され，酸素欠損準位に

波水素プラズマ処理を行うことにより酸化チタンから酸ホールが生成されると考えられる．このホールの酸化力

素を引く抜くことにより酸素欠損処理を行っている．こは価電子帯に生成されるホールと比較して弱いと考えらの酸素欠損型光触媒は酸素含有雰囲気にて使用および保れる．加えて，このホールは不純物準位にトラップされ管をすると酸素を取り込むと考えられる．現段階では作表面へ移動して酸化作用ができにくいと考えられる．こ製後 2 週間ほど経ると性能が安定するという傾向を示しうした理由から，酸素欠損量が大きい酸素欠損 TiO2 は光ている

触媒作用が弱くなると考えている．一方，酸素欠損量がある．今後，性能の経年変化を計測していく予定である．

38）

が，長期間安定していることを調べる必要が少ない場合は，一部のフォトンが同様な作用で酸素欠損
準位の電子をほとんど励起してしまうと，残りのフォト

参考文献

ンはそこの電子を励起できず，価電子帯の電子を励起す

1） Fujishima, Honda: Electrochemical Photolysis of Water at a

ることになる．その結果生成された価電子帯のホールは十分な酸化作用を行えた，と考えている．こうした考え方が正しいかどうかはさらなる研究で確認が必要である．

7．まとめ
本研究では，酸化チタン光触媒に水素プラズマ処理を行うことにより酸素欠損型光触媒とし，可視光応答化することを試みた．作製した酸素欠損型光触媒と従来から使用されている窒素ドープ型光触媒に通常の蛍光灯を照射し，ホルムアルデヒド分解実験を行うことによりその性能を実験

Semiconductor Electrode. Nature（1972）37-38
2） 橋本和仁，入江寛：酸化チタン表面の光誘起親水化反応．表面科学，25［5］（2004）252-259
3） 藤島昭，橋本和仁，渡部俊也：入門ビジュアルサイエ

ンス 光触媒のしくみ，日本実業出版社（2000）
4） 橋本和仁，坂井伸行，入江 寛，高見和之，砂田香矢乃：
光触媒応用技術，pp.18-19, 60-82，東京図書株式会社（2007）5） 多賀康訓：可視光応答型光触媒の実用化技術，pp.14-16,
44-50, 株式会社シーエムシー出版（2005）
6） 田村智明，矢澤翔大，工藤祐輔，中根偕夫：静電噴霧法
を用いて作製した光触媒のセルフクリーニング効果，静電気学会講演論文集 2010，pp.283-284（2010）

的に検証した．本研究により以下のことが明らかになった．

7） 田村智明，矢澤翔大，工藤祐輔，大塚哲郎 : 電極間隔を（1） 酸化チタンの基板を作製し，反射率特性を測定した結価，静電気学会講演論文集 2011，pp.259-260（2011）

変えて作製した光触媒のセルフクリーニング効果の評
果，水素マイクロ波プラズマ処理前後を比較すると，処理後の酸素欠損型光触媒は可視光領域の反射率が小さくなっていることがわかった．

8） 小野陽平，工藤祐輔，中根偕夫：可視光応答化した TiO2
光触媒によるホルムアルデヒド分解の光波長依存性，静電気学会講演論文集 2010 ，pp.5-6（2010）

水素マイクロ波プラズマ処理による可視光応答化酸素欠損型光触媒の製作（矢澤 翔大ら）

143（33）9） 小野陽平，木村俊貴，田村智明，矢澤翔大，工藤祐輔，Takeuchi: Role of oxygen vacancy in the plasma-treated TiO2

大塚哲郎：TiO2 光触媒に照射する照射光の波長と発振周

photocatalyst with visible light activity for NO removal.

波数の検討，電気学会全国大会講演論文集，Vol.2012
No.1，p.172（2012）10）飯村修志，佐藤 賢，鴨志田武 ，長谷川良雄 : 光触媒のプラズマ処理による可視光活性化，電気学会プラズマ研究会資料 Vol.PST-06 No.19.21-34，pp.49-52（2006）11） 田島政弘，井上淳史，塩村隆信：可視光応答型光触媒の開発，島根県産業技術センター研究報告 第 47 号 pp.1-7（2011）12）XIA X.h., GAO Y. , WANG Z., JIA Z.j.: Structure andphotocatalytic properties of copper-doped rutile TiO2 preparedby a low-temperature process. J Phys Chem Solids, 69［11］（2008）2888-2893
13）Qiu X., Miyauchi M., Sunada K., Minoshima M., Liu M., Lu
Y., Li D., Shimodaira Y., Hosogi Y., Kuroda Y., Hashimoto K.:
Hybrid Cu（x）O/TiO₂ nanocomposites as risk-reduction
materials in indoor environments. ACS Nano, 6［2］（2012）
1609-1618
14）吉永勝己，松田 実，佐藤修彰，村松淳司：PLD 法による
硫黄ドープチタン酸化物薄膜の合成と評価．J MMIJ, 124
［10］
,［11］
（2008）653-658
15）大脇健史，森川健志，青木恒勇，旭良司，多賀康訓，

磯村典武： 窒素ドープ型酸化チタン可視光応答光触媒の解析．表面科学，24［1］（2003）25-30
16）Lei Zhu, Jianshe Xie, Xiaoli Cui, Jie Shen, Xiliang Yang,
Zhuangjian Zhang：Photoelectrochemical and opticalproperties of N-doped TiO2 thin films prepared by oxidation of
sputtered TiNx films. Vacuum 84（2010）797-80217）Fanming Menga, Xueping Songa, Zhaoqi Sun： Photocatalytic
activity of TiO 2 thin films deposited by RF magnetron
sputtering. Vacuum 83（2009）1147-1151
18）CHIU Sung-mao, GAN Dershin, CHIU Sung-mao, CHEN
Zhi-sheng, YANG Kuo-yuanway, HSU Yu-lung: Photocatalytic
activity of doped TiO 2 coatings prepared by sputtering
deposition. J Mater Process Technol., 192-193（2007）60-67
19）KANG In-Cheol, ZHANG Qiwu, YIN Shu, SATO Tsugio,
SAITO Fumio： Improvement in Photocatalytic Activity of
TiO2 under Visible Irradiation through Addition of N-TiO2.
Environ Sci Technol., 42［10］（2008）3622-3626
20）横須賀勇太，錦織広昌，巽

勇吉，沖恭一，田中伸明，

藤井恒男 : 窒素ドープ酸化チタン光触媒の簡易調整と可視光活性，信州大学環境科学年報 29 号，pp.1-4（2007）21）村上祥教，小早川紘一，佐藤祐一：尿素を用いて作製した窒素ドープ酸化チタン光触媒の可視光応答，第 11 回
光触媒シンポジウム，pp.123-124
22）S. Kogoshi, Y. Yoshioka, N. Katayama, Y. Kudo: Dependenceof Plasma Density on Air Gap Length of Resonant Cavity with
Bottom Plate Replaced by High-Density Plasma. Japanese
Journal of Applied Physics., 48（2009）08HB01-08HB01-4
23）I. Nakamura, N. Negishi, S. Kutsuna, T. Ihara, S.Sugihara, K.

Journal of Molecular Catalysis A, Chemical 161（2000）
205-21224）M. Kitano, M. Takeuchi, M. Matsuoka, J.M. Thomas, M.
Anpo: Preparation of Visible Light-responsive TiO2 Thin Film
Photocatalysts by an RF Magnetron Sputtering Deposition
Method and Their Photocatalytic Reactivity. Chemistry Letters34［4］（2005）
25）金子朋矢，荒木翔太，渡来梢，小越澄雄：酸素欠損型

TiO2 光触媒の光吸収特性と光触媒効果の関係，電気学会
全国大会講演論文集，Vol.2012 No.2，p.117（2012）26）荒木翔太，渡来 梢，片山 昇，小越澄雄： 酸素欠損型
光触媒作成におけるプラズマ処理，電気関係学会関西連合
大会講演論文集，Vol.2011（CD-ROM），Page.ROMBUNNO.
30P3-1（2011）27）S. Araki, K. Watarai, S. Yazawa, N. Katayama, Y. Kudo, S.
Kogoshi: Optimization of microwave-H2-plasma processing
parameters for making slightly reduced TiO2 photocatalysts,
ICEE2012CD-ROM
28）桑畑周司 ：光触媒反応における酸化チタン薄膜表面の酸49［2］素欠損の影響に関する研究 . 東海大学紀要 工学部，
（2010）129-13029）Z. Lin, A. Orlov, R.M. Lambert, M.C. Payne: New Insights
into the Origin of Visible Light Photocatalytic Activity of
Nitrogen-Doped and Oxygen-Deficient Anatase TiO2. J Phys
Chem B, 109［44］（2005）20948-20952
30）日本規格協会 : JIS R 1701-4 光触媒材料の空気浄化性能
試験方法 - 第４部 : ホルムアルデヒドの除去性能（2008）31）杉本賢一：ホルムアルデヒドガスの簡易発生法について，愛産研ニュース，p.3（2009）32）K. Sugimoto, K. Yamada: 光触媒性能評価試験のための簡易ホルムアルデヒド発生法
33）田中義身，杉本賢一，清水彰子，峠田博史：連続ガス流通方式による光触媒材料のホルムアルデヒド除去性能評
価試験 愛知県産業技術研究所報告，Vol3, pp.10-13（2004）
34）村松紀久：KAST 高度計測センター 光触媒性能評価 光
触媒 JIS 試験，光触媒材料の JIS 試験の現状と問題点（2012）, h t t p : / / w w w. n e w k a s t . o r. j p / k o u d o / p d f / H20_
presentarion_3.pdf（2013-1-10）35）村松紀久：KAST 高度計測センター 光触媒性能評価 光
触媒 JIS 試験，光触媒材料の JIS 試験の現状と問題点（2012）, h t t p : / / w w w. n e w k a s t . o r. j p / k o u d o / p d f / H21_
presentarion_3.pdf,（2013-1-10）36）パ ナ ソ ニ ッ ク：2007 ラ ン プ 総 合 カ タ ロ グ hi-light.pdf,（2008）, http://www.taroto.jp/site/pdf/lump/03/hi-light.pdf,（2013-4-3）37）東芝：hotyuu.pdf（2009）, http://www.taroto.jp/site/toshiba_
lamp/keikou/hotyuu.pdf,（2013-4-3）38）竹内智彦，荒木翔太：マイクロ波プラズマ処理により作製した酸素欠損型 TiO2 光触媒性能の経日変化，平成 25
年電気学会全国大会講演論文集 CD-ROM