RV-3028-C7

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<RV-3028-C7>
I2C-Bus インターフェース
超低消費電流
リアルタイムクロックモジュール<アプリケーションマニュアル><日本語訳版>
原本発行元： Microcrystal AG
原本：『RV-3028-C7 Application Manual Rev. 1.4 』 （英語）
原本発行日：2021年11月
日本語訳発行：株式会社多摩デバイス 営業技術部（2023年11月01日）※日本語版作成に当たって原本英語版から追記や変更・削除を行っている部分があります。作製作成に際しては細心の注意を払っていますが、万一内容につきまして疑問点がございましたら、
上記連絡先まで直接お問合せ頂きます様、お願い申し上げます。

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超低超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール

RV-3028-C7

目次
1.

概要 ................................................................................................................................................................ 6
1.1.製品の特徴 ................................................................................................................................................ 6
1.2.アプリケーション.......................................................................................................................................... 7
1.3. 型番指定方法 ......................................................................................................................................... 72.

ブロックダイアグラム ................................................................................................................................... 8
2.1. 端子レイアウト.......................................................................................................................................... 92.2. 端子機能詳細 ......................................................................................................................................... 92.3. 機能概要.................................................................................................................................................. 10
2.4. 保護回路ブロックダイアグラム .............................................................................................................. 10

3.

レジスタ構成 ................................................................................................................................................ 11
3.1. レジスタ記号の記載方法 ........................................................................................................................ 11
3.2. レジスタテーブル ..................................................................................................................................... 123.3. 時刻設定レジスタ（ 秒・分・時間）............................................................................................................ 14
3.4. カレンダ（曜日・日・月・年）設定レジスタ ................................................................................................ 16
3.5. アラーム設定レジスタ ............................................................................................................................. 18
3.6. 繰り返しカウントダウンタイマ設定レジスタ............................................................................................. 20
3.7. 状態確認（ステータス）及び設定（コントロール）レジスタ...................................................................... 22
3.8. イベント制御レジスタ................................................................................................................................. 26
3.9. タイムスタンプ設定レジスタ...................................................................................................................... 27
3.10. UNIXタイムレジスタ.................................................................................................................................. 30
3.11. RAMメモリ レジスタ .................................................................................................................................. 31
3.12. パスワード レジスタ ................................................................................................................................. 32
3.13. EEPROM コントロールレジスタ ................................................................................................................ 33
3.14. IDレジスタ ............................................................................................................................................... 35
3.15. RAMミラーレジスタを備えた EEPROMレジスタ...................................................................................... 35
3.15.1. 予備EEPROM レジスタ ...................................................................................................................... 35
3.15.2. EEPROM パスワード有効化レジスタ ................................................................................................... 35
3.15.3. EEPROM パスワードレジスタ .............................................................................................................. 36
3.15.4. EEPROM クロック設定レジスタ ............................................................................................................ 37
3.15.5. EEPROM オフセットレジスタ................................................................................................................ 38
3.15.6. EEPROM バックアップ電源切替え設定レジスタ...................................................................................... 39

3.16. ユーザーEEPROM ................................................................................................................................... 40
3.17. 予備 EEPROM ......................................................................................................................................... 40
3.18. レジスタリセット初期値 ............................................................................................................................ 41
4.

機能詳細 ...................................................................................................................................................... 44
4.1. パワーオンリセット (POR) ........................................................................................................................ 44
4.2. 自動バックアップ電源切替え機能........................................................................................................... 45
4.2.1. 電源切替機能ディセーブル ................................................................................................................. 46

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4.2.2. ダイレクト電源切替モード (DSM) ......................................................................................................... 46
4.2.3. レベル電源切替モード (LSM) .............................................................................................................. 47
4.3. トリクルチャージ機能 .............................................................................................................................. 48
4.4. プログラマブルクロック出力 ................................................................................................................... 48
4.4.1. クロック出力周波数の選択.................................................................................................................. 49
4.4.2. 通常のクロック出力 ............................................................................................................................. 49
4.4.3. クロック出力を割り込み信号として使用する場合 .................................................................................. 49
4.4.4. 内部クロックに同期したCLKOUT出力のENABLE/DISABLE.................................................................. 50
4.4.5. クロック出力の内部シーケンス............................................................................................................. 51
4.5. 時刻の書込み 及び 読み込み ............................................................................................................... 52
4.5.1. 時刻の書き込み .................................................................................................................................. 53
4.5.2. 時刻の読み込み ................................................................................................................................. 53
4.6. EEPROM の 読み込み ・ 書込み .......................................................................................................... 54
4.6.1. パワーオンリセット (POR) リフレッシュ (全ての設定をEEPROM  RAMへ)............................................54
4.6.2. オートリフレッシュ (全ての設定を EEPROM  RAMへ) ....................................................................... 54

4.6.3. EEPROM の更新 (全てのミラーRAM 設定値を EEPROMへ) ............................................................. 54
4.6.4. リフレッシュ (全てのEEPROM設定値  ミラーRAMへ) ......................................................................... 54
4.6.5. 1バイトのみのEEPROMのへの書込み (EEDATA (RAM)  EEPROM) .................................................. 55
4.6.6. EEPROM の1バイトのみの読み込み (EEPROM  EEDATA (RAM)...................................................... 55
4.6.7. EEBUSYビットについて....................................................................................................................... 56
4.6.8. EEPROM の読み込み・書込み条件..................................................................................................... 57
4.6.9. 『設定レジスタ』の使い方 ................................................................................................................... 57
4.7. 割込み信号出力 ..................................................................................................................................... 58
4.7.1. 割込み信号出力について .................................................................................................................. 58

4.7.2. 割込み信号出力の仕組み .................................................................................................................. 59
4.8. 繰り返しカウントダウンタイマ割り込み信号 ........................................................................................... 61
4.8.1. 繰り返しカウントダウンタイマのダイアグラム........................................................................................ 62
4.8.2. 繰り返しカウントダウンタイマ割り込み信号の使い方 ........................................................................... 63
4.8.3. 1回目ののカウントダウンの間隔について............................................................................................ 65
4.8.4. シングルモード (TRPT = 0) ................................................................................................................. 65
4.8.5. 繰り返しモード (TRPT = 1) .................................................................................................................. 65
4.9. 定期時刻更新割込み信号...................................................................................................................... 66
4.9.1. 定期時刻更新割込み信号のダイアグラム ........................................................................................... 66
4.9.2. 定期時刻更新割込み信号の使い方 .................................................................................................... 67
4.10. アラーム割り込み信号............................................................................................................................ 68
4.10.1. アラームのダイアグラム ..................................................................................................................... 68
4.10.2. アラーム割り込み信号の使い方.......................................................................................................... 69
4.11. 外部イベント入力割り込み信号 ............................................................................................................ 70
4.11.1. 外部イベント入力のダイアグラム........................................................................................................ 71
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4.11.2. 外部イベント入力割り込み信号の使い方 ........................................................................................... 72
4.11.3. 外部イベント入力信号のエッジの検出 (ET = 00) .................................................................................. 73
4.11.4. フィルタ機能を使用したエッジの検出(ET ≠ 00) . .................................................................................73
4.12. 自動バックアップ電源切替え割り込み信号 .................................................................................................. 74
4.12.1. 自動バックアップ電源切替えのダイアグラム ......................................................................................... 75
4.12.2. 自動バックアップ電源切替え割り込み信号の使い方 ............................................................................ 76
4.13. パワーオンリセット(POR)割込み信号 .......................................................................................................... 77
4.13.1. パワーオンリセット(POR)のダイアグラム .............................................................................................. 77
4.13.2. パワーオンリセット(POR)割込み信号の使い方 ..................................................................................... 78
4.14. タイムスタンプ機能 ..................................................................................................................................... 79
4.15. オフセット補正 ............................................................................................................................................ 81
4.15.1. オフセット設定値の決め方................................................................................................................... 81
4.15.2. オフセット設定後の時刻精度の確認方法.............................................................................................. 81
4.16. UNIX TIME カウンタ...................................................................................................................................... 82
4.16.1. UNIX TIME の設定 ............................................................................................................................ 82

4.16.2. UNIX TIME の読込み ........................................................................................................................ 84
4.17. RESET ビットの機能 ................................................................................................................................. 85
4.18. ユーザー設定による パスワード............................................................................................................. 87

4.18.1. 書込み保護の ENABLE/DISABLE ...................................................................................................... 87
4.18.2. パスワードの変更 ............................................................................................................................. 88
4.18.3. パスワード機能のフローチャート ........................................................................................................... 89
5.

2

I C インターフェース.................................................................................................................................... 90
5.1. ビット送信 .................................................................................................................................................. 90
5.2. スタートコンディション及びストップコンディション .......................................................................................... 90

5.3. データの有効性 .......................................................................................................................................... 91
5.4. システム接続構成....................................................................................................................................... 91
5.5. アクノリッジ ................................................................................................................................................. 92
5.6. スレーブアドレス ......................................................................................................................................... 93
5.7. 書込み動作 ............................................................................................................................................... 93
5.8. 特定のレジスタアドレスからの読込み.......................................................................................................... 94
5.9. 読込み動作 ............................................................................................................................................... 94
5.10. バックアップ電源切り替わり時の I2Cバス の動作........................................................................................ 956.

電気的特性 .................................................................................................................................................. 96
6.1. 絶対最大定格 ........................................................................................................................................... 96
6.2. DC特性 .................................................................................................................................................... 97
6.2.1. 諸条件での消費電流の Typical値 ...................................................................................................... 99
6.3. 内部発振器仕様 ...................................................................................................................................... 100
6.3.1. 内部32.768kHz発振器の周波数温度特性 ......................................................................................... 100
6.4. 起動時のAC特性 ..................................................................................................................................... 101

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6.5. I C-BUS 仕様 ......................................................................................................................................... 1027.

回路接続例 ................................................................................................................................................. 103
7.1. バックアップ電源切替を使用しない／ベント入力を使用しない場合の回路接続例 ....................................... 103
7.2. バックアップに一次電池を使用／外部イベント入力を使用 （アクティブ： High) する場合の回路接続例 ......... 104
7.3. バックアップに二次電池を使用／イベント入力を使用 (アクティブ： Low) する場合の回路接続例 ...................105
7.4. バックアップ電源切替を使用しない／イベント入力を使用する場合の回路接続例 ...................................... 106（ウェイクアップ & パワースイッチ）

8.

パッケージ .................................................................................................................................................... 107
8.1. 外形寸法 及び 推奨ランドパターン ........................................................................................................... 107
8.1.1. サーマルレリーフの推奨 ................................................................................................................... 107
8.2. マーキング 及び PIN #1 インデックス ........................................................................................................ 108

9.

構成材料物質 及び 環境情報 ................................................................................................................ 109
9.1. 各構成部位と材料物質 ............................................................................................................................ 109
9.2. 材料物質分析結果 .................................................................................................................................. 110
9.3. 材料リサイクル情報 ................................................................................................................................. 111
9.4. 保管条件 (保存温度・ MSLレベル) ........................................................................................................... 112

10.リフローはんだ付け条件 ............................................................................................................................ 113
11. 水晶振動子内蔵モジュールのお取り扱い上の注意 ............................................................................ 114
12.梱包仕様（リール及びテーピング寸法） ................................................................................................... 115
13.コンプライアンス情報 .................................................................................................................................. 116
14. 改訂履歴 ....................................................................................................................................................... 116

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RV-3028-C7
I2Cインターフェース／超低消費電流リアルタイムクロックモジュール

1.0 機能概要● 32.768KHz水晶振動子を内蔵しているRTCモジュールです。
● 秒・分・時間・日・月・年及び曜日の時刻情報を提供します。
● 32ビットの UNIX TIME カウンタを搭載しています。
● 西暦2000年から2099年までのうるう年を自動補正します。
● 不揮発性メモリを使用したエージング補正機能 （常温偏差のプログラマブル補正／工場調整値から再調整可能）。
● カウントダウンタイマー割り込み信号機能搭載 （バックアップ電源時も割り込み信号出力）● 定期割り込み信号出力機能（毎秒・毎分） （バックアップ電源時も割り込み信号出力）● アラーム機能（分・時間・日または曜日）（バックアップ電源時も割り込み信号出力）● 外部イベント信号入力端子およびタイムスタンプ機能搭載（バックアップ電源時も割り込み信号出力）● 工場出荷時の時刻精度は ±1.0ppm以内（＠+25℃）に設定済み● 工場出荷時の内部32.768kHz水晶振動子の周波数精度は ±5.0ppm以内（＠+25℃）に調整済み● 43バイトのユーザーメモリを搭載（不揮発性メモリ）● レジスタ設定は EEPROM 及び ミラーRAM に書き込まれます。
● 時刻及び設定情報の書き込みを制限出来るユーザー設定のパスワード機能を搭載● I2Cインターフェース (通信速度：400kHzまで）● CLKOUT端子／プログラマブルクロック出力機能を搭載
・イネーブル／ディセーブルを CLKOE ビットで設定可能
・CLKOUT端子に定期カウントダウンタイマの割り込み信号機能を持たすことも可能です・32.768kHz, 8.192kHz, 1.024kHz, 64Hz, 32Hz, 1Hz のクロック出力または割り込み信号・同期したイネーブル／ディセーブルを設定可能（選択可能）● 自動バックアップバッテリ切替機能動作時に割り込み信号出力及びタイムスタンプ機能を設定可能● パワーオンリセット発生時に割り込み信号出力を設定可能● トリクルチャージ機能 (3kΩ/5kΩ/9kΩ/15ｋΩの2重層コンデンサの充電保護抵抗を設定可能）● +1.2V～+5.5V までの幅広い動作電圧 （ I2C通信速度= 100kHzの場合、400kHzの場合は +2.0～+5.5V )● +1.1V～+5.5V までの幅広いTimekeeping 動作電圧
● バックアップ電源切替を使用しない場合、45nA Typical の消費電流 （Vdd=+3.0V, TA = 25℃ )● バックアップ電源切替を使用する場合、95nA Typical● 動作温度範囲：­40～+85℃● 超小型の C7パッケージ ( 3.2x1.5x0.8mm )または 105nA Typ. の消費電流 （Vdd=+3.0V, TA = 25℃ )RoHS2対応済み

・ 100%鉛フリー対応● 車載規格の AEC­Q200 への対応も可能です。

1.1. 概要
RV­3028­C7は、バックアップ電源自動切換え機能を備えたCMOSベースのリアルタイムクロック・カレンダーモジュールで、極めて低い消費電力向けに最適化されています。 プログラマブルなカウントダウンタイマ、アラーム、選択可能な多様な割り込み信号、およびクロック出力機能を備えた完全な RTCの機能と、32ビット UNIX TIMEカウンタも提供します。
内部EEPROMメモリはすべての設定を保持することができ、また追加のユーザー メモリとしても使用できます。またEEOffset設
定 により 32.768 kHzクロックの周波数偏差を補正できます。 ホスト コントローラーとの通信は I2Cバス インターフェイスを介して行われます。アドレスポインタはデータ バイトの書き込みまたは読み取りが行われるたびに自動的にインクリメントされます。
この超小型 RTCモジュールは、小型でコスト重視の大量アプリケーション向けに特別に設計されています。

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1.2. アプリケーション例
RV­3028­C7 はキーとなる多数の機能を超小型セラミックパッケージに納めたXTAL内蔵のRTCモジュールです。


非常に低い消費電流
XTAL搭載で最も小さい形状 ( 3.2 x 1.5 x 0.8 mm ) 鉛フリーパッケージ

この優れた機能・特長により様々なアプリケーションに使用することが出来ます。



通信機器:
車載機器:








メーター機器:
屋外機器:
医療機器:
セキュリティ:民生用途:
FA機器等:

IoT / ウエアラブル / ワイヤレスセンサー及びタグ / 端末機器
M2M / ナビ・トラッキング / ダッシュボード/ タコメーター / エンジン制御
オーディオ・AV機器システム
電力メータ / ガス温度メータ / スマートメータ / ソーラーインバータ/ メータ機器ATM &POSシステム / 安全監視システム / 券売機
血糖値メータ / 各種ヘルスケアモニタリングシステム
防犯カメラ/セキュリティシステム / 電子ドアロック・アクセス / 各種不正防止装置テレビ・セットトップボックス / 白物家電 / スロットマシーン
PLC機器 / データロガ / 一般家庭用及び工場用電気製品

1.3. オーダー情報
例:

RV-3028-C7 TA QC

コード
TA (Standard)

動作温度範囲
­40 ～ +85 ℃

コード
QC (Quality Commertial)
QA (Quality Automotive)

用途区分
一般産業機器用途
車載用途 ( AEC­Q200 )November 2021

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2. ブロックダイヤグラム

VBACKUP
VDD
VSS

SCL

SDA

6

電源
ｺﾝﾄﾛｰﾙ

7

秒
分
時間
曜日
日
月
年
分 ｱﾗｰﾑ時間 ｱﾗｰﾑ
曜日 ｱﾗｰﾑ
日 ｱﾗｰﾑ
ﾀｲﾏｰ値 0
ﾀｲﾏｰ値 1
ﾀｲﾏｰｽﾃｰﾀｽ 0
ﾀｲﾏｰｽﾃｰﾀｽ 1
ｽﾃｰﾀｽ
制御 1
制御 2
汎用ﾋﾞｯﾄ
ｸﾛｯｸ割込みﾏｽｸ
外部ｲﾍﾞﾝﾄ 制御
ｶｳﾝﾄ ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
秒 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
分 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
時間 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
日 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
月ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
年 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
UNIX 時刻 0
UNIX 時刻 1
UNIX 時刻 2
UNIX 時刻 3
ﾕｰｻﾞｰRAM 1

5

3

4

I2C-BUS
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ

周波数
オフセット
補正
分周器

ｼｽﾃﾑ
制御
ﾛｼﾞｯｸ

XTAL
発振器

CLKOUT

INT
EVI

1

2

RAMレジスタ

RAMレジスタ

入出力
制御

8

00

ﾕｰｻﾞｰRAM 2
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
ﾊﾟｽﾜｰﾄ 1
ﾊﾟｽﾜｰﾄ 2
ﾊﾟｽﾜｰﾄ 3
EE ｱﾄﾞﾚｽ
EE ﾃﾞｰﾀ
EE ｺﾏﾝﾄﾞ
ID

20

28

機能設定 EEPROM（ミラーRAMを伴う）

0F
10

EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞｲﾈｰﾌﾞﾙ
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
EEﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
EEPROM ｸﾛｯｸ
EEPROM ｵﾌｾｯﾄ
EEPROM ﾊﾞｯｸｱｯﾌﾟ

30

37

ユーザー EEPROM

43 バイト
ユーザーEEPROM(00h – 2Ah)
1F

RESETﾋﾞｯﾄ★ ミラーRAMを伴う機能設定EEPROMレジスタは直接レジスタへの書込み・読込みは出来ません。アクセスにはEEコマンドでの操作が必要です。
（機能設定後には以下の書込み操作を必ず行って下さい）＜ミラーRAMから EEPROMへ書き込む場合＞
・EEコマンドレジスタ (27h) に "00" を書き込んだ後に "11"と書き込む

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2.1. 端子レイアウト
RV-3028-C7 パッケージ: (TOP VIEW)

#8

#5

3028
#1

#4

#1

CLKOUT

#2

INT

#3

SCL

#4

SDA

#5

VSS

#6

VBACKUP

#7

VDD

#8

EVI

2.2. 端子機能詳細
記号

Pin #

機能詳細
クロック出力： 1. ノーマル（プッシュプル）、または 2.割り込み信号出力 を設定可能.
1. ノーマルクロック出力は CLKOE ビット (EEPROM 35h)で設定します。CLKOEが"1"(初期値)に設定された場
合、CLKOUT端子から矩形波クロックが出力されます。CLKOEが"0"に設定された場合は CLKOUT端子はLOW になります。
2.

CLKOUT

1

割込み信号出力の場合は割り込みイベントにより制御されます。CLKIEビット (10h) が"1"に設定されている
場合、クロック割込みマスクレジスタ(12h) で設定された割り込みイベンが発生するとCLKOUT端子から矩形波クロックが出力されます。CLKIE ビットに"0"と書き込むと新しいク
ロック割り込み信号は出力しなくなります。 CLKFフラグをクリアすると CLKOUT端子はLOW になります。

FDフィールド (EEPROM 35h)の設定に従って, CLKOUT端子は 32.768 kHz (default), 8192 Hz, 1024 Hz, 64 Hz, 32Hz, 1
Hzの矩形波クロックを出力するか, または事前に設定されたカウントダウンタイマの割り込み信号を出力します。 FDフィールドが"111"に設定された場合はCLKOUT端子は Low になります。
CLKSYビット(EEPROM 35h) を "1" に設定すると、クロック出力のイネーブル・ディセーブルのタイミングが同期します。 CLKSYビットの動作はタイマ割り込み信号には影響しません。
バックアップ電源での動作時には CLKOUT端子は Low になります。
̅̅̅̅̅
INT

2

割り込み信号出力; オープンドレイン ; アクティブ=Low, 外部にプルアップ抵抗が必要です。カウントダウンタイマ／アラー
ム／時刻更新／外部イベント／バックアップ電源切替／パワーオンリセットの各割り込み信号の出力に使用されます。
バックアップ電源での動作時でも割り込み信号を出力します。

SCL

3

SCL端子(入力）: プルアップ抵抗が必要。バックアップ電源での動作時にはディセーブルなります。

SDA

4

SDA端子(入出力)：オープンドレイン ; プルアップ抵抗が必要です。
バックアップ電源での動作時にはディセーブル (ハインピーダンス)になります。

VSS

5

グランド端子。

VBACKUP

6

バックアップ電源入接続端子。
バックアップ電源自動切り替えを行わない場合は 10kΩ抵抗でGNDへプルダウン接続して下さい。

VDD

7

VDD電源入力端子。

EVI

8

外部イベント入力端子：外部イベント割り込み信号出力及びタイムスタンプ機能に使用されます。
バックアップ電源での動作時でも動作します。 未使用の場合でもフロートにはしないでください。

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低2.3. 機能概要
RV­3028­C7 は、32.768kHz の水晶発振器が組み込まれた超低電流CMOS ベースのリアルタイムクロックモジュー
ルです。トリクル充電機能を備えた自動バックアップ電源切替え機能が含まれており、割り込み出力端子INTもバッ
クアップ電源動作時にも動作します。CLKOUT端子のクロック出力は、通常のクロック出力として使用する以外に、割り込み信号出力としても使用することができ、またクロック出力のイネーブル/ディセーブルの同期も設定できます。制御レジスタはミラーRAMを伴うEEPROMに保存することが出来ため、電源を切った後でもRTCモジュールが正しく設定させることが可能です。不注意による時間の上書きを防ぐために、制御レジスタと設定レジスタをユーザプ
ログラマブルのパスワードで保護することも出来ます。さらにエージングによる周波数変化の補正のためのユーザー設定可能なEEPROM オフセット機能もあります。
RV­3028­C7 は、秒、分、時間（12 時間制または24 時間制）、曜日、日、月、年（うるう年補正あり）を含む標準の時計・カレンダー機能を提供します。また、繰返しカウントダウンタイマ／時間更新／アラーム／外部イベント入力／自動バックアップ電源切替え／パワーオンリセット の各割り込み機能を提供します。内部レジスタへは I2C バス（2 線式インターフェース）を介してアクセスできます。割り込み機能と外部イベント入力機能のタイムスタンプ
もバックアップ電源動作時にも機能します。標準的なRTCの機能に加えて、32 ビットのUNIX­TIMEカウンタと、43
バイトのユーザメモリEEPROM、及び2バイトのユーザRAMが提供されます。繰返しカウントダウンタイマを使用しない場合（タイマ値レジスタ0Ah）には、さらに1バイトをユーザRAMとして使用できます。またアラーム機能を使用しない場合（アラームレジスタ07h）にさらに1バイトを使用できます。
レジスタへのアクセスは、レジスタアドレスを選択してから、読み込みまたは書き込み操作を実行します。1回のアクセスで複数の読み込みまたは書き込みを実行でき、アドレスは各バイトの後にアドレスポインタによって自動的にインクリメントされます。アドレスが自動的にインクリメントされる時に アドレス3Fhからアドレス00hへのラッ
プアラウンドが発生します（下図を参照）。 すべてのレジスタとビットが実装されているわけではありませんが（一部未使用レジスタ・未使用ビットがあります）、すべてのレジスタはアドレス指定可能な8ビットレジスタとして設計されています。

レジスタアドレスのオートインクリメント：
レジスタアドレス00h
ラップアラウンド

01h
オート
インクリメント

02h
03h
:
3Dh
3Eh
3Fh

2.4. デバイス保護ブロックダイアグラム

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CLKOUT

1

8

EVI

INT

2

7

VDD

SCL

3

6

VBACKUP

SDA

4

5

VSS

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低RV-3028-C7

3. レジスタ構成
アドレス 00h～28h のRAMレジスタは、レジスタアドレスを選択し、読み込みまたは書き込み操作を実行することでクセス出来ます。1回のアクセスで複数の読み込みまたは書き込みを実行でき、アドレスは各バイトの後に自動的にンクリメントされます。

アドレス 30h～37h の構成レジスタは、EEPROM に記憶され、RAMにミラーリングされます。
RAMミラーの場合、1回のクセスで複数の読み込みまたは書き込みを実行でき、アドレスは各バイトの後に自動的にインクリントされます。



汎用ビットとしてEEPROMアドレスの 00h～2Ah に43バイトのユーザメモリ EEPROM があります。

以下の表は、各レジスタの機能をまとめたものです。

3.1. レジスタ記号の記載方法
この表は、このマニュアル内のレジスタの機能の記載方法を示しています。
記載方法(Conv.)

機能詳細

R
W
R/WP
WP

読み込み専用。このレジスタへの書き込みは効果がありません。
書き込み専用。読み込むとき0を返します。
読み込み：常に読み取り可能。書き込み：パスワードで書き込み保護できます。
書き込み専用。読み込むとき0を返します。パスワードで書き込み保護できます。

*WP

EEPWレジスタ：RAMミラーは書き込み専用です。読み込むと0を返します。
ロック解除するとEEPROMを読み込むことができます。

Prot.

保護されています。このレジスタへの書き込みは無効です。

November 2021

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RV-3028-C7

超低超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール

3.2. レジスタテーブル
パワーオンリセット(POR) 後、全てのレジスタは「レジスタリセット値」の項の表の値にセットされます。

レジスタ定義： RAMレジスタ ／ アドレス00h～3Fh：
Address
00h
01h
02h
03h
04h
05h
06h
07h
08h
09h
0Ah
0Bh
0Ch
0Dh
0Eh
0Fh
10h
11h
12h
13h
14h
15h
16h
17h

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

秒
分
時間 (24h) *時間 (12h) *曜日
日月
年分 ｱﾗｰﾑ時間 ｱﾗｰﾑ (24h) *時間ｱﾗｰﾑ （12h）*
曜日ｱﾗｰﾑ日ｱﾗｰﾑ
ﾀｲﾏｰ値 0
ﾀｲﾏｰ値 1
ﾀｲﾏｰｽﾃｰﾀｽ 0
ﾀｲﾏｰｽﾃｰﾀｽ 1（読込みのみ）ｽﾃｰﾀｽ（ﾌﾗｸﾞ）
制御 1
制御 2
汎用ﾋﾞｯﾄ
ｸﾛｯｸ割り込みﾏｽｸ
外部ｲﾍﾞﾝﾄ制御
ｶｳﾝﾄ ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
秒 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
分 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
時間ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ (24h)*
時間ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ(12h)*

R/WP
R/WP

○
○

40
40

R/WP

○

○

R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP

○
○
○
80
AE_M

○
○
○
40
40

R/WP

AE_H

○

R/WP

AE_WD

○

R/WP
R/WP
R

128
○
128

64
○
64

20
20
20
AMPM
○
20
○
20
20
20
AMPM
○
20
32
○
32

10
10
10
10
○
10
10
10
10
10
10
○
10
16
○
16

8
8
8
8
○
8
8
8
8
8
8
○
8
8
2048
8

4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
1024
4

2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
512
2

1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
256
1

R

○

○

○

○

2048

1024

512

256

R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R
R
R

EEbusy
TRPT
TSE
○
128
○
○

CLKF
CLKIE
GP6
EHL
64
40
40

BSF
WADA
UIE
GP5
-

UF
USEL
TIE
GP4
-

○

○

○
○
80

○
○
40

AF
TE
EIE
GP2
CAIE
TSR
4
4
4
4
4
4
4
4

EVF

R

TF
EERD
AIE
GP3
CEIE
ET
○
32
16
8
20
10
8
20
10
8
20
10
8
AMPM
10
8
20
10
8
○
10
8
20
10
8
UNIX 0 [7:0]UNIX 1 [15:8]
UNIX 2 [23:16]
UNIX 3 [31:24]
RAM 1 data
RAM 2 data
PW 0 [7:0]
PW 1 [15:8]
PW 2 [23:16]
PW 3 [31:24]
EEADDR
EEDATA
EECMD

18h
R
日 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ19h
R
月 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
1Ah
R
年 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
1Bh
R/WP
UNIX 時刻 0
1Ch
R/WP
UNIX 時刻 1
1Dh
R/WP
UNIX 時刻 2
1Eh
R/WP
UNIX 時刻 3
1Fh
R/WP
ﾕｰｻﾞｰRAM 1
20h
R/WP
ﾕｰｻﾞｰRAM 2
21h
W
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
22hW
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ1
23h
W
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
24hW
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
25h
R/WP
EE ｱﾄﾞﾚｽ
26h
R/WP
EE ﾃﾞｰﾀ
27h
WP
EE ｺﾏﾝﾄﾞ28hRID29h and 2Ah
Prot.
予備ﾚｼﾞｽﾀ
2Ch to 2FhProt.
予備ﾚｼﾞｽﾀ
38h to 3Fh
Prot.
予備ﾚｼﾞｽﾀ○ 読込みのみ。常に 0。
­機能のないビット。読み込むと0を返します。
November 2021

※ アドレスをクリックするとレジスタの説明頁に移動します

HID

PORF
TD

12_24
GP1
CTIE
TSOW
2
2
2
2
2
2
2
2

RESET
GP0
CUIE
TSS
1
1
1
1
1
1
1
1

VID
RESERVEDRESERVEDRESERVED*24h = 24時間制／ 12h = 12時間制

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低※ アドレスをクリックするとレジスタの説明頁に移動します

レジスタ定義 ： (ミラーRAMを伴う) 機能設定EEPROMレジスタ ／ アドレス： 2Bh 及び 30h ～ 37h:
Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

EEPROM
R/WP
RESERVED (予備レジスタ／上書き禁止)
予備ﾚｼﾞｽﾀ
EEPROM
30h
R/WP
EEPWE
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ有効化
EEPROM*WP
EEPW 0 [7:0]31hﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
EEPROM*WP
EEPW 1 [15:8]
32h
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
EEPROM*WP
EEPW 2 [23:16]
33h
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
EEPROM*WP
EEPW 3 [31:24]
34h
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
EEPROM
35h
R/WP
CLKOE
CLKSY
PORIE
FD
ｸﾛｯｸ出力EEPROM
R/WP
EEOffset [8:1]
36h
ｵﾌｾｯﾄ
EEOffset
EEPROM
R/WP
37h
BSIE
TCE
FEDE
BSM
TCR
ﾊﾞｯｸｱｯﾌﾟ電源切替[0]- 機能のないビット。読み込むと0を返します。
* EEPW レジスタ: RAMミラーは書き込み専用です。読み込むとき0を返します。ロック解除すると、EEPROMを読み込むことができます。
2Bh

レジスタ定義： ユーザーEEPROMレジスタ ／ アドレス：00h ～ 2Ah:
Address

FunctionConv.

00h ～ 2Ah

ﾕｰｻﾞｰEEPROM(43 ﾊﾞｲﾄ)

R/WP

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

Bit 1

Bit 0

43バイト／不揮発性ユーザー EEPROMメモリ

レジスタ定義： 予備EEPROMレジスタ ／ アドレス ：2Ch ～ 2Fh 及び 38h ～ 3Fh:
Address

Function

Conv.

2Ch to 2Fh

予備
EEPROM
予備
EEPROMProt.

予備レジスタ（使用不可）

Prot.

予備レジスタ（使用不可）

38h to 3Fh

November 2021

Bit 7

Bit 6

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Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.3. 時計レジスタ
00h – 秒レジスタ『秒』情報のレジスタです。 BCDフォーマット。値は 00～59。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address00hFunction

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

秒
初期値

R/WP

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

7

○

6:0

Value
0

Seconds

00～59

Description
読込みのみ。常に0 。
秒の情報を保持します。 BCDフォーマット。
秒情報を書き込むと秒更新のタイミングがリセットされます。また秒情報を生成するタイミングプリスケーラの 8.192kHz～1Hz の部分がリセットされます。
( RESET ビットの機能と同様)。
RESETビット (10h) に "1" と書き込みしても秒情報は変更されません。

01h – 分レジスタ『分』情報のレジスタです。 BCDフォーマット。値は 00～59。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address01h

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

分
初期値

R/WP

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7
6:0

○
Minutes

000～59

November 2021

Description
読込みのみ。常に0 。
分の情報を保持します。 BCDフォーマット。

14/116

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RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低

02h – 時間レジスタ『時間』情報のレジスタです。 BCDフォーマット。 『12_24ビット』(10h)がクリアされている場合（初期値=0の場合） (ステータス及びコントロールレジスタの項を参照下さい） は値は 0～23 になります。『12_24ビット』が設定されている場合 （1の場合）は1～12になり、AM/PMビットがAMの場合は 0, PMの場合は 1 になります。
時間レジスタ値は 『12_24ビット』 が変更されると自動で変更されますが、 『アラーム時間レジスタ』(08h) の値は再度設定が必要になります。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function
時間(24時間モード）– 初期値
時間(12時間モード）
初期値

02h

Conv.

Bit 7

Bit 6

R/WP

○

○

0

『時間』 情報 (24時間モード), 12_24 = 0 – 初期値
Bit
Symbol
7:6○
Hours (24時間モード)
– 初期値

5:0

7:6

○

5

AMPM

4:0

Hours (12時間モード)

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

20

10

8

4

2

1

AMPM

10

8

4

2

1

0

0

0

0

0

0

Value
0
0 to 23『時間』 情報 (12時間モード), 12_24 = 1 とした場合
Bit
Symbol0

Bit 5

Description
読込みのみ。常に0 。
時間の情報を保持します。 BCDフォーマット。

Value

Description

0
0
1
1 to 12

読込みのみ。常に0 。
AM の時間PM の時間
時間の情報を保持します。 BCDフォーマット。

時間レジスタの値 ；24時間モード
00
01
02
:
10
11

November 2021

12時間モード
12 (AM 12)
01 (AM 1)
02 (AM 2):
10 (AM 10)
11 (AM 11)

15/116

24時間モード

12時間モード

12
13
14
:
22
23

32 (PM 12)
21 (PM 1)
22 (PM 2):
30 (PM 10)
31 (PM 11)

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.4. カレンダーレジスタ
03h – 曜日レジスタ『曜日』 情報のレジスタです。 どの曜日をどの値にするかはユーザーで指定します。 値は0～6。
曜日カウンタはシンプルな 3­bit カウンタで毎日カウントアップし、6 の後は 0 に戻ります。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

03h

曜日
初期値

R/WP

○
0

○
0

○
0

○
0

○
0

4
0

2
0

1
0

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0
0
0
0
1
1
1

0
0
1
1
0
0
1

0
1
0
1
0
1
0

Bit

Symbol

Value

7:3
2:0

○
Weekday0
0 to 6

Weekday
Weekday 1 –Weekday 2
Weekday 3
Weekday 4
Weekday 5
Weekday 6
Weekday 7

Bit 7

Description
読込みのみ。常に0 。
曜日カウンタの値を保持します。
Bit 6

Bit 5

Bit 4

初期値

0

0

0

0

04h – 日レジスタ『日』情報のレジスタです（年月日の『日』) 。 BCDフォーマット。 値は 01～31。
2000～2099.年までのうるう年情報は自動で補正されます。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address04h

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

日
初期値

R/WP

○
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
1

Bit

Symbol

7:6

○

5:0

Date

November 2021

Value
001 to 31

Description
読込みのみ。常に0 。
年月日の 『日』 の値を保持します。 BCDフォーマット。 （ 初期値：01 ）16/116

Rev. 1.4

Micro Crystal
RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低

05h – 月レジスタ『月』情報のレジスタです 。 BCDフォーマット。 値は 01～12。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

05h

月
初期値

R/WP

○
0

○
0

○
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
1

Bit

Symbol

Value

7:5
4:0

○
Month

0
01 to 12

読込みのみ。常に0 。
月の情報を保持します。 BCDフォーマット。

Bit 7

Bit 6

Months
1月 – 初期値
2月
3月
4月
5月
6月
7月
8月
9月
10月
11月
12月

0

Description

0

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1

0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0

0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0

0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
0
1

1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0

06h – 年レジスタ『年』情報のレジスタです 。 BCDフォーマット。 値は 00～99。
2000～2099.年までのうるう年情報は自動で補正されます。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

06h

年
初期値

R/WP

80
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

Value

7:0

Year

00 to 99

November 2021

Description
西暦年 の値を保持します。 BCDフォーマット。 （ 初期値：01 ）17/116

Rev. 1.4

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RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.5. アラームレジスタ
07h – 分 アラーム
このレジスタは 『分』アラーム有効ビット AE_M と『分』のアラーム値を BCDフォーマットで保持します。 値の範囲は 00 ～ 59 です。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

07h

分アラーム
初期値

R/WP

AE_M
1

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

7

AE_M

6:0

Minutes Alarm

Value
Description『分』アラーム有効ビット。 AE_H および AE_WD と合わせてアラームを有効にします。
( 「アラーム割り込み使用方法」を参照 )『分』 アラームがイネーブル
0『分』 アラームがディセーブル – 初期値
100 to 59 『分』 アラーム値。 BCDフォーマット。

08h - 時間アラーム
このレジスタは 『時間』アラーム有効ビット AE_H と時間のアラーム値を BCDフォーマットで保持します。
12_24 ビットがクリアされている場合 (デフォルト値) (ステータスおよび制御レジスタ／10h ‒ 制御 2 を参照) は
値の範囲は 0～23 になります。 12_24 ビットがセットされている場合は時間の値は 1～12 になり、AMPM
ビットは午前の場合は 0、午後の場合は 1 になります。12_24 時間モード ビットが変更された場合には
時間アラーム レジスタの値を再初期化する必要があります。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address08h

Function
時間アラーム(24時間モード）– 初期値
時間アラーム（12時間モード）
初期値

Conv.

Bit 7

Bit 6

R/WP

AE_H

○

時間アラーム (24時間モード) 12_24ビット = 0 – 初期値
Bit
Symbol

1

0

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

20

10

8

4

2

1

AMPM

10

8

4

2

1

0

0

0

0

0

0

Value

Description
時間アラーム有効ビット 。 (「アラーム割り込み使用方法」を参照)

7

AE_H

6

○
時間アラーム値(24時間モード）－ 初期値

5:0

0
1
0
0 to 23

有効
無効– 初期値
読み込みのみ。常に "0"。
『時間』 アラーム値。 BCDフォーマット。

時間アラーム (12時間モード) 12_24ビット = 1
Bit

Symbol

7

AE_H

6

○

5

AMPM

4:0

時間アラーム値（121時間モード）

November 2021

Value
0
1
0
0
1
1 to 12

Description
時間アラーム有効ビット。 (「アラーム割り込み使用方法」を参照)
イネーブル
ディセーブル – 初期値
読み込みのみ。常に "0"。
午前中
午後『時間』 アラーム値。 BCDフォーマット。

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Rev. 1.4

Micro Crystal
RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール超低

09h – 日・曜日アラーム
このレジスタは、曜日/日付アラーム有効ビット AE_WD を保持します。
WADA ビットが 0 (レジスタ 0Fh のビット 5) の場合、曜日 (ユーザーが割り当てた曜日) のアラーム値
が BCDフォーマットで保持されます。 値の範囲は 0 ～ 6 です。
WADA ビットが 1 の場合、日付のアラーム値が 2 進数 10 進数 (BCD) 桁で保持されます。
値の範囲は 01 ～ 31 です。うるう年は 2000 から 2099 まで正しく処理されます。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address09h

Function
曜日アラーム– 初期値
日 アラーム初期値

曜日アラーム, WADA = 0 – 初期値
Bit
Symbol
7

AE_WD

6:3
2:0

○
Weekday Alarm

日アラーム, WADA = 1
Bit
Symbol
7

AE_WD

6

○

5:0

Date Alarm

November 2021

Conv.

Bit 7

Bit 6

R/WP

AE_WD

○

1

0

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

○

○

○

4

2

1

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Value
Description
曜日／日アラームイネーブルビット. AE_M および AE_H とともにアラームを有効にします。
(「アラーム割り込み使用方法」を参照)
0
イネーブル
ディセーブル－初期値1
読み込みのみ。常に "0"。
0
曜日アラームの値。BCDフォーマット。
0 to 6
Value
Description
曜日／日アラームイネーブルビット. AE_M および AE_H とともにアラームを有効にします。
(「アラーム割り込み使用方法」を参照)
0
イネーブル
ディセーブル－初期値1
読み込みのみ。常に "0"。
0日アラームの値。BCDフォーマット。
01 to 31
POR 後のリセット値 00 は、有効な値 (01 ～ 31) に置き換える必要があります。

19/116

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超低超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
3.6. 繰返しカウントダウンタイマ設定レジスタ
0Ah – タイマー値0

このレジスタは 周期カウントダウンタイマの 12 ビットタイマ値 (プリセット値) の下位 8 ビットを設定するために使用します。 TRPTビットが 1 の場合、この値はゼロに達すると自動的にカウントダウンタイマ にリロードされます。これにより一定周期のタイマー割り込みが可能になります (以下の計算を参照)。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0Ah

タイマー値 0
初期値

R/WP

128
0

64
0

32
0

16
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

SymbolValue

7:0

Timer Value 000h toFFh

Description
バイナリ形式 (下位 8 ビット) の繰返しカウントダウンタイマのタイマー値 (繰返しカウントダウン タイマの使用方法を参照)。 読込みの場合プリセット値のみが返され、実際の値は返されません。
繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能を使用しない場合には、レジスタ 0Ah
を RAM バイトとして使用できます。

0Bh – タイマー値 1
このレジスタは 周期カウントダウン タイマの 12 ビット タイマ値 (プリセット値) の上位 4 ビットを設定するために使用します。 TRPT ビットが 1 の場合、この値はゼロに達すると自動的にカウントダウン タイマにリロードされます。これにより一定周期のタイマー割り込みが可能になります (以下の計算を参照)。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address0BhFunction

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

タイマー値 1
初期値

R/WP

○
0

○
0

○
0

○
0

2048
0

1024
0

512
0

256
0

Bit

Symbol

7:4

○

3:0

Timer Value 1

Value00h to Fh

Description
読み込みのみ。常に "0"。
バイナリ形式の繰返しカウントダウンタイマのタイマー値 (上位 4 ビット) (繰返しカウントダウンタイマの使用方法を参照)。 読み取ると、プリセット値のみが返され、実際の値は返されません。

カウントダウンタイマの周期の計算（秒）：タイマ・カウントダウン周期 =November 2021

タイマ設定値
タイマ基準周波数20/116

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低
0Ch – タイマ・ステータス 0
このレジスタは繰返しカウントダウンタイマの現在の 12 ビット値の下位 8 ビットを返します。

（読込みのみ。書込みは無効）
Address

Function

0Ch

ﾀｰﾏｰｽﾃｰﾀｽ 0
初期値

Bit

Symbol7:0Timer Status 0

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

128
0

64
0

32
0

16
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Value
00h toFFh

Description
バイナリ形式 (下位 8 ビット) での繰返しカウントダウン タイマーの現在値 。
(繰返しカウントダウン タイマーの使用方法を参照)。

0Dh – タイマ・ステータス 1 （シャドウ）
このレジスタは繰返しカウントダウンタイマ の現在の 12 ビット値の上位 4 ビットを返します。
（読込みのみ。書込みは無効）
Address

Function

0Dh

ﾀｲﾏｰｽﾃｰﾀｽ 1
初期値

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

○
0

○
0

○
0

○
0

2048
0

1024
0

512
0

256
0

Bit

Symbol

Value

7:4

○

3:0

Timer Status 1

0
0h to
Fh

Description
読込みのみ。常に"0"。
バイナリ形式の繰返しカウントダウン タイマ の現在値 (上位 4 ビット)。
(繰返しカウントダウン タイマの使用方法を参照)。

TE ビット (0Fh) が 1 に設定されると、タイマ・ステータス 0 およびタイマ・ステータス 1 (シャドウ) レジスタは
現在のカウントダウン値を保持します。
TE ビットに 0 が書き込まれると、タイマ・ステータス 0 およびタイマ・ステータス 1 レジスタには最後に更新された値が保存されます。
タイマ・ステータス 0 の値を読み取ると、タイマ・ステータス 1 (シャドウ) レジスタが更新されます。
タイマ・ステータス 1 (シャドウ) レジスタのみを読み取ると、タイマ・ステータス 0 の読み取り中に記憶された"更新されていない" タイマ・ステータス 1 (シャドウ) レジスタ値が返されます。

November 2021

21/116

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.7. ステータス及び制御レジスタ
0Eh – ステータス レジスタ

このレジスタは様々な割り込みイベントの発生や内部のEEPROMの状態を検出するために使用されます。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0Eh

ステータス
初期値

R/WP

EEbusy
10

CLKF
0

BSF
0

UF
01

TF
0

AF
0

EVF
0

PORF
1

Bit

SymbolValue

0

Description
EEPROMメモリ・ビジーステータス ビット – (読込みのみ) ( EEPROM の読込み／書き込み を参照)
データ転送は終了しています。
IEEPROM が現在読み取りまたは書き込みリクエストを処理中であり、現在のコ
マンドが終了するまでそれ以降のコマンドは無視されることを示します。 電源投入時 (POR)、リフレッシュが自動的に行われます。 この最初のリフレッシュの時間は tPREFR = ~66 ミリ秒です。
リフレッシュの終了後、 EEbusy は自動的に 0 にクリアされます。
クロック出力割り込みフラグ (プログラマブル・クロック出力 を参照)
イベントは検出されていません。 0 にクリアされると、CLKSY および CLKOUTの設定に応じて周波数出力が停止します。

1

事前に 0 に設定していた場合は CLKOUT ピンでの割り込み信号クロック出力の発生を示します。 値 1 は 0 を書き込む（クリアされる）まで保持されます。

0
7

EEbusy
1

6

CLKF

0
5

BSF
1

4

UF

0
1

3

2

TF

AF

0

バックアップ切り替えフラグ (自動バックアップ切り替え機能を参照)
バックアップ切り替えは検出されていません。 電源投入 (POR) 時に、このフラグは自動的に 0 にクリアされます。バックアップ切り替え機能が無効な場合(BSM フィールド = 00 または 10)には、BSF は常に 0 です。
事前に 0 に設定されている場合は、主電源 VDD から VBACKUP への切り替えが発生したことを示します。 RTC モジュールが VDD 電源状態にある場合、値 1
はビットに 0 を書き込むことでクリアできます。
注意: EVF フラグは、TSS (13h) ビットと TSE (10h) ビットが 1 にセットされている
場合、バックアップ 切り替え機能のイベントによってもセットされます。
時刻更新フラグ(「時刻更新割り込み機能」を参照)
イベントは検出されていません。
あらかじめ 0 に設定していた場合は、定期時刻更新割り込みイベントの発生を示します。 値 1 は 0を書き込む（クリアされる）まで保持されます。 電源投入 (POR)
直後は 秒の時刻更新に設定されているため、1 秒以内に UF フラグが 1 に設定されます。
繰返しカウントダウンタイマ・フラグ(「繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能」を参照)
イベントは検出されていません。
カウントダウンタイマ・イベントにより INT ピンと CLKOUTがLOWの場合、TF フラグが 0 にクリアされると 割込み信号はすぐにクリアされます。

1

あらかじめ 0 に設定していた場合は、繰返しカウントダウンタイマの割り込み
イベントの発生を示します。 値1は0を書き込む（クリアされる）まで保持されます。

0

アラームフラグ (アラーム割り込み機能を参照)
イベントは検出されていません。
あらかじめ 0 をに設定されていた場合は、アラーム割り込みイベントの発生を示します。 値 1 は 0 を書き込む（クリアされる）まで保持されます。

1

外部イベントフラグ (「外部イベント割り込み機能」を参照)
0
1

EVF
1

0
0

PORF
1

November 2021

イベントは検出されていません。
事前に 0 に設定されている場合は、外部イベントまたはバックアップ電源切替
えの発生を示します。 値 1 は 0 を書き込む（クリアされる）まで保持されます。
※EVF フラグは以下の場合に 1 に設定されます :① 外部イベントが発生／TSS = 0 及び (EIE = 1 または TSE = 1)。
②バックアップ電源切替が発生／TSS = 1 及び (EIE = 1 または TSE = 1)
パワーオンリセット(POR) フラグ
イベントは検出されていません。
事前に 0 に設定されている場合は、VPOR を下回る電圧降下の発生を示します。 RTC内部のデータが無効になっているため、すべてのレジスタを初期化する必要があります。 値 1 は 0 を書き込む（クリアされる）まで保持されます。 電源投入時 (POR)はこの値は 1 に設定されます。このフラグを有効に使用するためには、起動直後に 0 を書き込む必要があります。
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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低
0Fh – 制御（コントロール) (1) レジスタ

このレジスタでは、アラーム割り込み機能、時刻更新割り込み機能の選択、繰返しカウントダウンタイマの
動作選択・設定を行います。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

0Fh

制御（ｺﾝﾄﾛｰﾙ) 1
初期値

R/WP

TRPT
0

0

WADA
0

USEL
0

EERD
0

TE
0

Bit

Symbol

7

TRPT

6

-

5

WADA

4

USEL

3

EERD

2

TE

1:0

TD

TD value
00
01
10
11

November 2021

タイマ基準クロック周波数
4096 Hz – 初期値
64 Hz
1 Hz
1/60 Hz

Bit 1

Bit 0
TD

0

0

Value
Description
タイマーリピートビット。 カウントダウンタイマーり込み機能のシングルモードまたはリピートモードを指定します(「繰返しカウントダウンタイマー割り込み機能」を参照)。
シングルモードが選択されています。 カウントダウン タイマ が有効になっている場合 (TE = 1)、カウントダウン タイマーはゼロに達すると停止し、TE は自0
動的にクリアされます。 – 初期値
リピートモードが選択されています。 カウントダウン タイマ が有効になっている
1
場合 (TE = 1)、0 に達するとタイマー値レジスタから値が自動的にリロードされ、カウントが継続されます。
使用されていないビット。読み込むと 0 を返します。
0
曜日アラーム/日付アラーム選択ビット。 このビットは、アラーム割り込み機能のソースとして曜日または日付のいずれかを指定するために使用されます。
(「アラーム割り込み機能」を参照)。
曜日がアラーム割り込み機能のソースになります。 – 初期値
0
日付がアラーム割り込み機能のソースになります。
1
時刻更新割り込み信号を設定するビット。 時刻更新割り込み機能の秒更新または分更新を指定します (「時刻更新割り込み機能」を参照)。
RESET ビットに 1 を書き込むか、秒レジスタに書き込むと、現在の更新期間の長さに影響があります。 (「リセット ビット機能」を参照)
秒更新 に設定(自動リセット時間 tRTN2 = 500 ms)。 – 初期値0
分更新に設定 (自動リセット時間 tRTN2 = 7.813 ms)。
1
EEPROMメモリ リフレッシュ ディセーブル ビット。 1 の場合、EEPROM メモリからのコン
フィギュレーション レジスタのオートリフレッシュが無効になります。
(「オートリフレッシュ (すべての構成 EEPROM → RAM)」を参照)。
リフレッシュが有効になっています。 設定レジスタ内のすべてのデータは、
EEPROM に保存されているデータによって 24 時間ごとに日付更新時(午前 0 時前の最後の 1 秒の始まり) に更新されます。 このオートリフレッシュ0の時間は tAREFR = ～3.5 ミリ秒です。 オートリフレッシュは、RTC がVBACKUP
モードでない場合にのみアクティブになります。 – 初期値
オートリフレッシュをディセーブル
1繰返しカウントダウンタイマ・イネーブル ビット。 このビットは、カウントダウン タイマ・
割り込み機能の開始/停止設定を設定します。
(「繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能」を参照)。
カウントダウンタイマ割り込み機能を停止します。 TE は、シングル モードが選択されている場合 (TRPT = 0)、およびカウントダウン タイマーがゼロに達した
0
場合にも自動的にクリアされます。 – デフォルト値
カウントダウンタイマ割り込み機能を開始します (タイマー値レジスタに設定され1
たプリセット値からカウントダウンが開始されます)。
タイマークロック周波数の選択。 繰返しカウントダウンタイマー割り込み機能のカウントダウンソースクロックを設定します。 この設定で自動リセット時間 tRTN1も定義されます。
クロックソースが秒更新(1Hz)または分更新(1/60Hz)に設定されている場合、カ00 to 11 ウントダウンと割り込みのタイミングは両方ともクロック更新のタイミングに合わせられます。 以下の表を参照してください (「繰返しカウントダウン タイマー割り込み機能」も参照)。
RESET ビットに 1 を書き込むか、秒レジスタに書き込むと、現在のカウントダウ
ン期間の長さに影響します (「リセット ビット機能」を参照)。

タイマ間隔
244.14 μs
15.625 ms
1s
60 s

割り込み信号出力時間= tRTN1RESET ビットに 1 を書き込む場合、または秒レジス
タに書き込む場合の影響

122 μs
7.813 ms

23/116

現在のタイマ時間に影響する

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低10h – 制御（コントロール) (2) レジスタ

このレジスタでは、INT端子 の割り込みイベント出力、クロックおよびカレンダー動作の停止/開始ステータス、
CLKOUTピンの割り込み制御クロック出力、時間モードおよびタイムスタンプのイネーブルを設定します。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address10h
BitFunction

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

制御（ｺﾝﾄﾛｰﾙ) 2

R/WP

初期値

TSE
0

CLKIE
0

UIE
0

TIE
0

AIE
0

EIE
0

12_24
0

RESET
0

Symbol

Value

7

TSE

6

CLKIE

5

UIE

4

TIE

3

AIE

2

EIE

1

12_24

0
1
0

0

RESET
1

November 2021

Description

タイムスタンプ有効化ビット (タイムスタンプ機能を参照)
タイムスタンプ機能を無効に設定 – 初期値0
タイムスタンプ機能を有効に設定
1
割り込み制御クロック出力イネーブルビット。
有効にすると、クロック周波数を出力して外部システムをウェイクアップすることができます。 (「プログラマブル クロック出力」を参照)
無効に設定 － 初期値01 に設定すると、クロック割り込みマスク レジスタ (12h) および FD フィールドで定義されたクロック設定に従って、割り込みが発生すると CLKOUT ピンの
1
クロック出力が自動的にイネーブルになります。
この機能は、VBACKUP 電源状態では無効になります。
定期時刻更新割り込みイネーブルビット(「定期時刻更新割り込み機能」を参照)
時刻更新イベントが発生しても割り込み信号を出力しません。また1→0にすると
0
tRTN2 のINT端子からの出力信号を停止することが出来ます。 – 初期値
周期的時間更新イベントが発生すると、INT端子に割り込み信号が生成されます。
ローレベル出力信号は、tRTN2=500ms (秒更新) または tRTN2=7.813ms (分更新)後
1に自動的にクリアされます。
繰返しカウントダウンタイマー割り込みイネーブルビット(「繰返しカウントダウンタイマー割り込み機能」を参照)
タイマ・イベントが発生しても割り込み信号を出力しません。また1→0にすると
0
tRTN1 のINT端子からの出力信号を停止することが出来ます。 – 初期値
繰返しカウントダウンタイマ・イベントが発生すると、INT端子に割り込み信号が生成されます。ローレベル出力信号は、tRTN1=122µs(TD=00)、または
1
tRTN1=7.813ms(TD=01、10、11) 後に自動的にクリアされます。
アラーム割り込み有効化ビット (「アラーム割り込み機能」を参照)
アラーム・イベントが発生しても割り込み信号を出力しません。また1→0にす
0
ると tRTN1 のINT端子からの出力信号を停止することが出来ます。 – 初期値
アラーム イベントが発生すると、INT端子に割り込み信号が生成されます。
1
この設定はAFフラグが0になる（Ｌクリアされる）まで保持されます。
（自動解除なし）
イベント割り込みイネーブルビット(「外部イベント割り込み関数と割り込みスキーム」を参照)
外部イベント、または電源バックアップ切替が発生しても割り込み信号を出力し0ません。また EVFフラグ、またはBSFフラグがクリアされるとINT端子からの出力信号が停止します。 – 初期値
EVI端子で外部イベントが発生しTSS=0になったとき、または自動バックアップ
電源切り替えが発生してTSS=1になったときに、INT端子で割り込み信号が生1
成されます。 INT端子の信号は、EVF フラグが 0 にクリアされるまで保持されます (自動解除無し）。
12 時間または 24 時間モード (クロック レジスタとアラーム レジスタを参照)。
12_24 ビットが変更されると、時間レジスタの値は 12 時間モードと 24 時間モードの間で自動的に変更されます。 ただし時間アラーム レジスタ (08h) の値は書き換えが必要です。
24 時間モード (0 ～ 23) – デフォルト値
24 時間モード (1 ～ 12)
リセットビット。 このビットはソフトウェアベースの時刻調整 (同期) に使用されます。 (「リセットビット機能」を参照)。
リセット無し – 初期値
クロックプリスケーラ周波数の 8192 Hz から 1Hz をリセットします (秒レジスタへの書き込みも同じ効果があります)。 このビットは読み出すと常に 0 が返されます。 一時的にメモリされた1Hzの更新もリセットされます。 プリスケーラの上段はリセットされません(16.384 kHz)。I2C インターフェイスは非同期であるため、リセット後の最初の 1Hz出力は 1 秒より短い 0 ～ 244 μs になります。
プリスケーラーをリセットすると、後続のすべての機能 (クロックとカレンダー、
CLKOUT、タイマー クロック、更新タイマー クロック、UNIX クロック、EVI入力フィルター) の現在のクロック周期長さに影響します。
24/116

Rev. 1.4

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低11h – 汎用ビット
このレジスタは汎用ビット (7 ビット) を保持します。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

11h

汎用ﾋﾞｯﾄ
初期値

R/WP

0

GP6
0

GP5
0

GP4
0

GP3
0

GP2
0

GP1
0

GP0
0

Bit

Symbol

Value

7
6:0

GPx

0
0 or 1

Description
ビットは実装されていません。 読み出すと 0 を返します。
汎用レジスタビット（7ビット）。

12h – クロック割り込み信号マスク
このレジスタは、自動クロック割り込み信号を選択するために使用されます。 ビットを 1 に設定することで、対応する割り込み信号が選択されます（複数選択可）。 電源投入後は、いずれの割り込み信号も選択されません(「クロック出力スキーム」を参照)。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

12h

ｸﾛｯｸ割り込み信号
ﾏｽｸ
初期値

R/WP

-

-

-

-

CEIE

CAIE

CTIE

CUIE

0

0

0

0

0

0

0

0

Bit

Symbol

7:4

-

3

CEIE

2

CAIE

0
1

1

CTIE

0
1

0

CUIE

0
1

November 2021

Value

Description0

ビットは実装されていません。 読み出すと 0 を返します。
イベント割り込みビット時のクロック割込み出力。
イベント割り込みのソースは、EVI ピンからの外部イベントまたは自動バックアップ
スイッチオーバーです (「割り込みスキーム」を参照)。
無効 － 初期値0
有効。 内部信号 EI が選択されます。
1
アラーム割り込みビット時のクロック出力。
無効 － 初期値
有効。 内部信号 AI が選択されます。
繰返しカウントダウンタイマ割り込みビット時のクロック出力。
無効 － 初期値
有効。 内部信号 TI が選択されます。
周期的時刻更新割り込みビット時のクロック出力。
無効 － 初期値
有効。 内部信号 UI が選択されます。

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Rev. 1.4

Micro Crystal
RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.8. イベント制御レジスタ
13h – イベント制御

このレジスタでは①EVI ピンのイベント検出の設定を行います。 EHLビットにてハイレベルまたはローレベル (または立ち上りエッジまたは立ち下りエッジ) での検出を設定します。 また②ET フィールドでサンプリング期間
tSP を選択することにより チャタリング制御を EVI 信号に適用できます。 さらに③タイムスタンプデータの制御機能を設定します。 また④VBACKUP 電源への切り替わりをイベントのソースとして選択することもできます。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

13h

外部ｲﾍﾞﾝﾄ制御
初期値

R/WP

○
0

EHL
0

0

Bit

Symbol

7

○

0

6

EHL

0

Value

1

5:4

ET

3

○

00
01
10
11
0

2

TSR

0
1

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

○
0

TSR
0

TSOW
0

TSS
0

ET

Description
読込みのみ。常に0。
イベント検出の設定。 High/Low レベル (立ち上り/立ち下りエッジ) の選択(外部イベント割り込み機能を参照)
立ち下りエッジ (ET = 00) またはロー レベル (ET ≠ 00) を
EVI ピンの外部イベント入力に設定。 －初期値
立ち上りエッジ (ET = 00) またはハイ レベル (ET ≠ 00) を
EVI ピンの外部イベント入力に設定。
イベントフィルタリング時間の設定。EVI 信号をサンプリングすることにより、
EVI ピンにデジタル フィルタリングを適用します。
(「外部イベント割り込み機能」を参照)。
フィルタリング設定なしエッジを検出。 －初期値
サンプリング周期 tSP = 3.9 ms (256 Hz) にてレベル検出。
サンプリング周期 tSP = 15.6 ms (64 Hz) にてレベル検出。
サンプリング周期 tSP = 125 ms (8 Hz) にてレベル検出。
読込みのみ。常に0。
タイムスタンプリセットビット (「タイムスタンプ機能」を参照)
タイムスタンプのリセットは無効。 －初期値
7 つのタイムスタンプレジスタ (カウントTS から年TS) をすべて 00h にリセットします。 このビットは読み取られると常に 0 を返します。

タイムスタンプ上書きビット。 TSレジスタの上書き機能を制御します (秒 TS から年 TS)。
カウンタ Count TS は、上書きビット TSOW の設定とは関係なく、常に動作しています。
(タイムスタンプ機能を参照)
1

TSOW

0
1

0

TSS

0
1

November 2021

最初に発生したイベントのタイムスタンプが記録され、TS レジスタに残ります。
最初のイベント検出機能を初期化または再初期化するには、EVF をクリアする必要があります。 – 初期値
最後に発生したイベントのタイムスタンプが記録され、TS レジスタが上書きされます。 EVF フラグをクリアする必要はありません。
タイムスタンプソース選択ビット (タイムスタンプ機能を参照)
外部イベントをタイムスタンプ ソースとして選択。
EVI ピンで外部イベントが発生した時に、タイムスタンプが生成され(TSE=1時)、
割り込みが出力されます(EIE = 1 の場合) – 初期値
自動バックアップ電源切替をタイム スタンプ ソースとして選択。 電源がVBACKUP 電源に切り替わると、タイムスタンプが生成され (TSE = 1 の場合)、割り込みが出力されます (BSIE = 1 の場合)。

26/116

Rev. 1.4

Micro Crystal
RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.9. タイムスタンプ・レジスタ
7 つのタイム スタンプ レジスタ (カウント TS から年 TS) (タイム スタンプ機能を参照)。
14h – カウントTS

このレジスタには対応するイベントの発生数が標準バイナリ形式で残ります。 値の範囲は 0 ～ 255 です。
（読込みのみ。書き込みは無効）
Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

R

128
0

64
0

32
0

16
0

8
0

4
0

2
0

1
0

14h

ｶｳﾝﾄ ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
初期値

Bit

SymbolValue

7:0

Count TS0 to 255

Description
タイムスタンプイベントの発生数。バイナリでコード化されます。
オーバーフローが発生した場合、カウンターは再び 00h から始まります。
TSE = 0 の場合、カウンタはイベントのカウントを停止します。
TSE = 1 の場合、イベントが発生するとカウンタが増加します。
Count TSレジスタのカウンタ は、上書きビット TSOW の設定とは関係なく常に動作しています。
タイムスタンプ リセット ビット TSR に 1 が書き込まれると、カウント TS レジス
タは 00h にリセットされます (タイムスタンプ機能を参照)。

15h – 秒 タイムスタンプ
このレジスタは タイムスタンプの『秒』情報を BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 59 です。
（読込みのみ。書き込みは無効）
Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

15h

秒 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
初期値

R

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

7

○

6:0

Value
0

Seconds TS

00 to 59

Description
読込みのみ。常に0。
BCDフォーマットにて、秒レジスタのタイム スタンプを保持します。
有効（ビット TSE = 1）の場合、TSOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが保存されています。 タイムスタンプ・リセット
ビット TSR に 1 が書き込まれると、秒 TS レジスタは 00h にリセットされます。

16h – 分 タイムスタンプ
このレジスタは タイムスタンプの『分』情報を BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 59 です。
（読込みのみ。書き込みは無効）
Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

16h

分 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
初期値

R

○
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol7○

6:0

November 2021

Minutes TS

Value
000 to 59

Description
読込みのみ。常に0。
BCDフォーマットにて、分レジスタのタイム スタンプを保持します。
有効（ビット TSE = 1）の場合、TSOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが保存されています。 タイムスタンプ・リセット
ビット TSR に 1 が書き込まれると、秒 TS レジスタは 00h にリセットされます。

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超低超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
17h – 時間 タイムスタンプ

このレジスタは、タイムスタンプの『時間』情報を BCDフォーマットで保持します。 12_24 ビットがクリアされている場合 (初期値) (ステータスおよび制御レジスタ／10h – 制御 2 を参照) の値は 0 ～ 23 になります。 12_24
ビットがセットされている場合、時間の値は 1 ～ 12 の範囲になり、AMPM ビットは 午前の場合は 0、午後の場合は 1 になります。
（読込みのみ。書き込みは無効）
Address17hFunction
時間 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ(24時間ﾓｰﾄﾞ)– 初期値
時間 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ(12時間ﾓｰﾄﾞ)
初期値

Conv.

Bit 7

Bit 6

R

○

○

0

0

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

20

10

8

4

2

1

AMPM

10

8

4

2

1

0

0

0

0

0

0

Hours TS (24 hour mode) – default value
Bit

Symbol

7:6

○

Value

5:0

Hours TS (24 hour mode)– default value

0
0 to 23

Description
読込みのみ。常に0。
BCDフォーマットにて、時間レジスタのタイムスタンプ情報を保持します。
有効（ビット TSE = 1）の場合、TSOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが保存されています。 タイムスタンプ・
リセットビット TSR に 1 が書き込まれると 00h にリセットされます。

Hours TS (12 hour mode)
Bit

Symbol

7:6

○

5

AMPM

4:0

Value
0
0
1

Hours TS (12 hour mode)

1 to 12

Description
読込みのみ。常に0。
午前 (記録されているタイムスタンプの時間情報から）
午後 (〃）BCDフォーマットにて、時間レジスタのタイムスタンプ情報を保持します。
有効（ビット TSE = 1）の場合、TSOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが保存されています。 タイムスタンプ・
リセットビット TSR に 1 が書き込まれると 00h にリセットされます。

18h – 日付 タイムスタンプ
このレジスタは タイムスタンプの『日付』情報を BCDフォーマットで保持します。 値は 01 ～ 31 です。

（読込みのみ。書き込みは無効）
Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

18h

日 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
初期値

R

○
0

○
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

7:6

○

5:0

Date TS

November 2021

Value

Description0

読込みのみ。常に0。
BCDフォーマットにて日付レジスタの記録されたタイムスタンプを保持します。
有効（ビット TSE = 1）の場合、TSOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが含まれます。
タイムスタンプ・リセットビット TSR に 1 が書き込まれると、日付 TS レジスタは00h にリセットされます。
POR後、または TSR ビットでリセットされます。タイムスタンプが記録されると、
値 00 は有効な値 (01 ～ 31) に置き換えられます。

01 to 31

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低19h – 月 タイムスタンプ

このレジスタは タイムスタンプの『月』情報を BCDフォーマットで保持します。 値は 01 ～ 12 です。
（読込みのみ。書き込みは無効）
Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

19h

月 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
初期値

R

○
0

○
0

○
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

Symbol

7:5

○

4:0

Month TS

Value

Description0

読込みのみ。常に0。
BCDフォーマットにて記録された月レジスタのタイムスタンプ情報を保持します。
有効（ビット TSE = 1）の場合、TSOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが含まれます。
タイムスタンプリセットビット TSR に 1 を書き込むと、月 TS レジスタは 00h にリセットされます。
POR後、または TSR ビットでリセットされ、タイムスタンプが記録されると、
値 00 は有効な値 (01 ～ 12) に置き換えられます。

01 to 12

1Ah – 年 タイムスタンプ
このレジスタは タイムスタンプの『年』情報を BCDフォーマットで保持します。 値は 00 ～ 99 です。

（読込みのみ。書き込みは無効）
Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

1Ah

年 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
初期値

R

80
0

40
0

20
0

10
0

8
0

4
0

2
0

1
0

Bit

SymbolValue

7:0

Year TS

00 to 99

November 2021

Description
BCD ォーマットにて、記録された年レジスタのタイムスタンプを保持します。
有効（ビット TSE = 1）の場合、TSOW ビットの設定に応じて、最初または最後に発生したイベントのタイムスタンプが含まれます。
タイムスタンプリセットビット TSR に 1 が書き込まれると、年 TS レジスタは00h にリセットされます。

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.10. UNIX TIME レジスタ

UNIX 時間カウンタは、バイナリ形式の 32 ビット カウンタです。 カウンタは FFFFFFFFh に到達すると00000000h にロールオーバーします。 4 つのUNIX TIME カウンタレジスタは読み取りおよび書き込み可能です。
カウンタのソースクロックはデジタルオフセット補償された 1 Hz クロック周波数です。
4つのレジスタ読み取り値の一貫性を保つために、I2C アクセス時は、UNIX 時間カウンタのインクリメントは停止します。
(「UNIX 時刻カウンター」および「時刻の設定と読み取り」を参照)（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）1Bh – UNIX Time 0
0～7ビット （32ビットUNIX TIMEカウンタ中）
Address

Function

Conv.

1Bh

UNIX TIME 0
初期値

R/WP

Bit

Symbol7:0UNIX 0 [7:0]

Bit 7
0
Value
00h to
FFh

Bit 6
0

Bit 5
0

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

UNIX 0 [7:0]00Description

0～7 ビット （32ビットUNIX TIMEカウンタ内）

1Ch – UNIX Time 1
8～15ビット （32ビットUNIX TIMEカウンタ中）
Address1Ch

Function

Conv.

UNIX TIME 1

R/WP

Bit 7

初期値

0

Bit

Symbol7:0UNIX 1 [15:8]

Value
00h to
FFh

Bit 6
0

Bit 5
0

Bit 4

Bit 3

UNIX 1 [15:8]
00
Description

8～15 ビット （32ビットUNIX TIMEカウンタ内）

1Dh – UNIX Time 2
16～23ビット （32ビットUNIX TIMEカウンタ中）
Address

Function

Conv.

1Dh

UNIX TIME 2
初期値

R/WP

Bit

Symbol7:0UNIX 2 [23:16]

Bit 7
0
Value
00h to
FFh

Bit 6
0

Bit 5
0

Bit 4

Bit 3

UNIX 2 [23:16]
00
Description

16～23 ビット （32ビットUNIX TIMEカウンタ内）

1Eh – UNIX Time 3
24～32ビット （32ビットUNIX TIMEカウンタ中）
Address

Function

Conv.

1Eh

UNIX TIME 3
初期値

R/WP

Bit

Symbol7:0UNIX 3 [31:24]

November 2021

Bit 7
0
Value
00h to
FFh

Bit 6
0

Bit 5
0

Bit 4

Bit 3

UNIX 3 [31:24]
00
Description

24～31 ビット （32ビットUNIX TIMEカウンタ内）

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.11. RAM レジスタ
2 つのフリーRAM レジスタです。システムのステータス バイトなど、あらゆる目的に使用できます。

1Fh – User RAM 1
このレジスタはユーザー使用可能な汎用目的のフリーRAMレジスタです。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

1Fh

ﾕｰｻﾞｰRAM 1
初期値

R/WP

Bit

Symbol

7:0

RAM 1

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

0

0

0

0

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

RAM 1
Value
00h toFFh0
Description

RAM 1 データ

20h – User RAM 2
このレジスタはユーザー使用可能な汎用目的のフリーRAMレジスタです。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

20h

ﾕｰｻﾞｰRAM 2
初期値

R/WP

Bit

Symbol

7:0

RAM 2

November 2021

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

0

0

0

0

Bit 3

RAM 2
Value
00h toFFh0
Description

RAM 2 データ

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.12. パスワード レジスタ

電源投入直後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ~66 ms が経過すると、パスワード PW レジスタは 00h にリセットされます。 EEPROM パスワード イネーブル レジスタ EEPWE (EEPROM 30h) に 255 を書き込んで有効にすると、パスワード PW レジスタは、パスワードの設定に使用することが出来ます。このパスワードにより、時刻情報、制御、ユーザー RAM、コンフィギュレーション EEPROM、およびユーザー EEPROM の各レジスタのパスワードロッ
クを行えます。。 32 ビット パスワード PW は、EEPROM パスワード EEPW の RAM ミラーに格納されている32ビットと比較されます (EEPROM パスワード レジスタを参照)。).

21h – Password 0
0～7ビット （32ビットのパスワードレジスタ内の）（書込みのみ。読み込むと0を返します）
Address

Function

Conv.

21h

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
初期値

W

Bit

Symbol

7:0

PW 0 [7:0]

Bit 7

Bit 6

0
Value
00h to
FFh

0

Bit 5
0

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

PW 0 [7:0]00Description

0～7ビット （32ビットのパスワードレジスタ内）

22h – Password 1
8～16ビット （32ビットのパスワードレジスタ内の）（書込みのみ。読み込むと0を返します）
Address

Function

Conv.

22h

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
初期値

W

Bit

Symbol

7:0

PW 1 [15:8]

Bit 7

Bit 6

Bit 5

0

0

0

Value
00h to
FFh

Bit 4

Bit 3

PW 1 [15:8]
00
Description

8～16ビット （32ビットのパスワードレジスタ内）

23h – Password 2
17～23ビット （32ビットのパスワードレジスタ内の）（書込みのみ。読み込むと0を返します）
Address

Function

Conv.

23h

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ2
初期値

W

Bit

Symbol

7:0

PW 2 [23:16]

Bit 7

Bit 6

Bit 5

0

0

0

Value
00h to
FFh

Bit 4

Bit 3

PW 2 [23:16]
00
Description

17～23ビット （32ビットのパスワードレジスタ内）

24h – Password 3
24～32ビット （32ビットのパスワードレジスタ内の）（書込みのみ。読み込むと0を返します）
Address

Function

Conv.

24h

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
初期値

W

Bit

Symbol

7:0

PW 3 [31:24]

November 2021

Bit 7
0
Value
00h to
FFh

Bit 6
0

Bit 5
0

Bit 4

Bit 3

PW 3 [31:24]
00
Description

24～31ビット （32ビットのパスワードレジスタ内）
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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.13. EEPROM メモリ コントロールレジスタ
EEPROMの読込み／書き込みについてもご参照下さい。

25h – EE アドレス
このレジスタは、単一の EEPROMメモリバイトへの読込み、または書込みに使用されるアドレスを保持します。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

初期値

0

0

0

0

Bit

Symbol7:0

EEADDRValue
00h toFFh25hFunctionConv.

EE ｱﾄﾞﾚｽ

R/WP

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEADDR
0
Description

直接読込みまたは書込みする EEPROMメモリの1バイトのアドレス。

26h – EE データ
このレジスタは、単一の EEPROMメモリバイトへの読込み、または書込みに使用されるデータを保持します。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

初期値

X

X

X

X

Bit

Symbol

7:0

EEDATAValue
00h toFFh

26h

November 2021

FunctionConv.

EE ﾃﾞｰﾀ

R/WP

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

X

X

X

EEDATAX
Description

直接読込みまたは書込みする EEPROMメモリの1バイトのデータ。

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超低超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
27h – EE コマンド レジスタ

すべての ( 読み込み ／書込きみ可能な) 『機能設定 EEPROM レジスタ』を更新またはリフレッシュしたり、単一の EEPROM メモリバイトから読込み／書込みを行ったりする場合には、このレジスタに特定の値を書き込む必要があります。
このコマンドを使用する場合は ①オートリフレッシュ機能を無効にし (EERD 1) ②ビジーステータスビット
EEbusy が最後の転送が完了していることを確認する必要があります (EEbusy=0)。③また下表のコマンド 11h／12h／21h／ 22h を入力する前に EECMD に 00h を書き込む必要があります。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address27h
BitFunctionConv.

EE ｺﾏﾝﾄﾞ

WP

Bit 7

初期値

0

Symbol

Value

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

0

0

0

0

Description
EEPROM メモリ用のコマンド (EEPROM 読み取り/書き込みを参照)
開始時の値は 00h である必要があります。 – 初期値

11h

全更新コマンド(全ての設定ミラーRAMレジスタ  設定EEPROMへ書込み)。
11h の値を書き込むと、すべての設定ミラーRAM レジスタ (アドレス 30h～37h)のデータが、対応する設定 EEPROMレジスタに書き込まれます (保存されます)。
「設定レジスタの使用方法」も参照してください。

12h

リフレッシュ・コマンド (すべての設定 EEPROM → 設定ミラーRAM)。
12h の値を書き込むと、すべての設定EEPROMレジスタからデータが読み取られ、対応する 設定ミラーRAM レジスタ (アドレス 30h ～ 37h) に値がコピーされます。 各機能は RAMバイトが書き込まれるとすぐにアクティブになります。

EECMD

21h

22h

November 2021

Bit 5

EECMD

00h

7:0

Bit 6

1バイト書込みコマンド (設定ミラーRAMレジスタ  EEPROMへ書込み)。
21h の値を書き込むと、EEDATA (RAM) バイトのデータが、EEADDR バイトで指定されたアドレスの EEPROM バイトに書き込まれます (保存されます)。
設定EEPROM (アドレス 30h ～ 37h) およびユーザー EEPROM (アドレス 00h～ 2Ah) の範囲にて。
1バイト読込みコマンド (EEPROM  EEDATA (RAM)).
22h の値を書き込むと、EEADDR バイトで指定されたアドレスを持つ EEPROM
レジスタからのデータが読み取られ、EEDATA (RAM) バイトにコピーされます。
設定EEPROM (アドレス 30h ～ 37h) およびユーザー EEPROM (アドレス 00h～ 2Ah) の範囲にて。

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Rev. 1.4

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超低超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
3.14. ID レジスタ
28h – ID レジスタ

このレジスタは、4 ビットのハードウェア識別番号 (HID) と 4 ビットのバージョン識別番号 (VID) を保持しています。
この ID にて生産ラインでのハードウェアの変更とバージョンを確認できます。
（読込みのみ。書き込みは無効）
Address28hFunction
ID

Conv.

Bit 7

Bit 6

R

工場出荷初期値

Bit

Symbol

Value

7:4
3:0

HID
VID

0 to 15
0 to 15

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

HID

VID

工場出荷時設定値

工場出荷時設定値

Bit 0

Description
ハードウェア識別番号。
バージョン識別番号。

3.15. ミラーRAMを伴う 『 機能設定 EEPROM レジスタ 』
アドレス 2Bh および 30h ～ 37h のすべての機能設定 EEPROM レジスタ は EEPROM にメモリされ、RAM に
ミラーリングされます。各機能はミラーRAM に書き込まれるとすぐにアクティブになります。 「設定レジスタの使用方法」も参照してください。

3.15.1. EEPROM リザーブレジスタ
2Bh – EEPROM リザーブレジスタ

このレジスタに事前設定された (工場出荷時に校正された) 値は上書きしないでください。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

2Bh

EEPROM
予備ﾚｼﾞｽﾀ
工場出荷初期値

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

R/WP

Bit

SymbolValue

7:0

RESERVED

事前設定済みレジスタ (工場設定値) – 上書き禁止

Bit 2

Bit 1

Bit 0

リザーブ (上書き禁止)
事前設定済みレジスタ (工場設定値)
Description

3.15.2. EEPROM パスワード有効化レジスタ
電源投入後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ~66 ms の経過後に、パスワード・イネーブル値 EEPWE がEEPROM から対応する ミラーRAM コピーされます。 出荷時のデフォルト値は 00h に設定されています。

30h – EEPROM パスワード有効化（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

30h

EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ有効化
工場出荷初期値

R/WP

Bit

Symbol

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

0

0

0

0

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEPWE

Value

0
Description

EEPROMパスワードの有効化
7:0

EEPWE

0 to 254
255

November 2021

パスワード機能は無効。
255 以外の値を書き込むと、パスワード機能は無効になります。
– 出荷時（初期値）は、 00h（無効）にプリセットされています
パスワード機能が有効。
値 255 を書き込むと、パスワード・レジスタ (21h ～ 24h) へ 32 ビット のパスワードを入力できます。

35/116

Rev. 1.4

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.15.3. EEPROM パスワードレジスタ

電源投入後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ~66 ms が経過すると、32ビットのEEPROMパスワードを持つ
EEPROM パスワードレジスタ 0 ～ 3 が EEPROM から対応する ミラーRAM にコピーされます。 出荷時のデフォ
ルト値は 00h に設定されています。

31h – EEPROM パスワード： 0
0～7ビット （ 32ビットの EEPROMパスワード内の）（ミラーRAMは書込みのみ。読み込むと0を返します。ロックされていないときは EEPROMを読み込めます）
Address

Function

Conv.

31h

EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
工場出荷初期値*WP

Bit

Symbol

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEPW 0 [7:0]
0

0

0

0

0

Value
Description
00h to
7:0
EEPW 0 [7:0]
0 ～ 7 ビット （32ビットのEEPROMパスワード内の）FFh* EEPW レジスタ: RAM ミラーは書き込み専用です。 読み出すと0を返します。 ロックを解除するとEEPROMの読み取りが可能になります。

32h – EEPROM パスワード： 1
8～15ビット （ 32ビットの EEPROMパスワード内の）（ミラーRAMは書込みのみ。読み込むと0を返します。ロックされていないときは EEPROMを読み込めます）
Address

Function

Conv.

32h

EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
工場出荷初期値*WP

Bit

Symbol

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEPW 1 [15:8]
0

0

0

0

0

Value
Description
00h to
7:0
EEPW 1 [15:8]
8 ～ 15 ビット （32ビットのEEPROMパスワード内の）FFh* EEPW レジスタ: RAM ミラーは書き込み専用です。 読み出すと0を返します。 ロックを解除するとEEPROMの読み取りが可能になります。

33h – EEPROM パスワード：2
16～23ビット （ 32ビットの EEPROMパスワード内の）（ミラーRAMは書込みのみ。読み込むと0を返します。ロックされていないときは EEPROMを読み込めます）
Address

Function

Conv.

33h

EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
工場出荷初期値*WP

Bit

Symbol

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEPW 2 [23:16]
0

0

0

0

0

Value
Description
00h to
7:0
EEPW 2 [23:16]
16 ～ 23 ビット （32ビットのEEPROMパスワード内の）FFh* EEPW レジスタ: RAM ミラーは書き込み専用です。 読み出すと0を返します。 ロックを解除するとEEPROMの読み取りが可能になります。

34h – EEPROM パスワード： 3
24～31ビット （ 32ビットの EEPROMパスワード内の）（ミラーRAMは書込みのみ。読み込むと0を返します。ロックされていないときは EEPROMを読み込めます）
Address

Function

Conv.

34h

EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
工場出荷初期値*WP

Bit

Symbol

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

0

0

EEPW 3 [31:24]
0

0

0

0

0

Value
Description
00h to
7:0
EEPW 3 [31:24]
24 ～ 31 ビット （32ビットのEEPROMパスワード内の）FFh* EEPW レジスタ: RAM ミラーは書き込み専用です。 読み出すと0を返します。 ロックを解除するとEEPROMの読み取りが可能になります。
November 2021

36/116

Rev. 1.4

Micro Crystal
RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.15.4. EEPROMクロック出力設定 レジスタ35h – EEPROM クロック出力設定

プログラム可能なクロック出力をCLKOUT端子から出力させることが出来ます。
クロック出力は CLKOE ビット (または CLKF フラグ) によって制御できます (プログラマブル・クロック出力を参照) 。 電源投入後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ~66 ms の経過後に、EEPROM Clkout ／CLKOE／
CLKSY／PORIE／FD の値が EEPROM から対応するミラーRAM にコピーされます。
出荷時にプリセットされているデフォルト値は、CLKOUT = 有効、同期有効、F = 32.768 kHz です。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

35h

EEPROM ｸﾛｯｸ出力
工場出荷初期値

R/WP

CLKOE
1

CLKSY
1

0

0

PORIE
0

Bit 2

Bit 1

Bit 0

0

FD
0

0

Bit

Symbol

Value

7

CLKOE

0

CLKOUT端子 ＝ Lowレベル 。 (CLKF フラグが 0 の場合)

1

CLKOUT端子のクロック出力信号が有効。 – 初期値

Description

CLKOUT イネーブル ビット (プログラマブル クロック出力を参照)

6

CLKSY

5:4

-

3

PORIE

2:0

FD

FD value
000
001
010
011
100
101
110
111

CLKOUT 同期イネーブル/ディセーブル (「SYNCHRONIZED ENABLE/DISABLE」を参照)
同期ディセーブル。
0
CLKOUT周波数の同期の設定(CLKOEビットまたはCLKFフラグによる)を有効1にします。 – 初期値
未使用ビット。読み込むと0を返します。
0
パワーオン リセット割り込みイネーブル ビット(パワーオンリセット割り込み機能を参照)
パワーオン リセットが発生した場合、または信号がINT端子でキャンセルされた
0
場合、IINT端子から割り込み信号は生成されません。 – 初期値
パワーオンリセットが発生したときに、IINT端子から割り込み信号が生成されます。
この設定はPORFフラグが0にクリアされるまで保持されます。
1（自動解除なし）
000 to
CLKOUT 周波数の選択 (「CLKOUT 周波数の選択」を参照)
111
RESET ビットに 1 を書き込む場合、
または秒レジスタに書き込む場合の影響

CLKOUT周波数の選択
32.768 kHz – 初期値

8192 Hz (1)1024 Hz (1)64 Hz (1)32 Hz (1)1 Hz (1)
設定されている繰返しカウントダウン タイマ割り込み (1) (2)
CLKOUT = LOW （出力停止）

影響なし
現在の値が影響を受けます
現在の値が影響を受けます
現在の値が影響を受けます
現在の値が影響を受けます
現在の値が影響を受けます
現在の値が影響を受けます
影響なし(1) 8192 Hz ～ 1 Hz のクロックパルス と、タイマー割り込みパルスは、オフセットパルスの影響を受ける可能性があります。

(「周波数オフセット補正」を参照).
(2) CLKSY bit の影響はありません

November 2021

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RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.15.5. EEPROM オフセット レジスタ

EEPROM Offset レジスタと EEPROM Backup レジスタは、32.768 kHz発振器の初期周波数偏差をデジタル的に補正したり、経時変化を調整したりするための EEOffset 値を保持します。 EEOffset は補正パルスを段階的に設定出来ます。オフセットの分解能は 約0.9537 ppm で、最大範囲は +243.2 ppm ～ -244.1 ppm です。 0.9537 ppm の値
は、公称 32.768 kHz クロックに基づいています (「周波数オフセット補正」を参照)。 予め設定された (工場で校正された) EEOffset 値は、ユーザーが変更することも出来ます。
36h – EEPROM オフセットレジスタ
このレジスタは、EEOffset 値の上位 8 ビットを保持します。予め設定された (工場で校正された) EEOffset 値は、ユーザーでの変更も可能です。 EEOffset 値の最下位ビット (LSB) は、EEPROM バックアップレジスタ (37h) にあります (「EEPROM バックアップ レジスタ」も参照) 。
電源投入後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ~66 ms が経過すると、EEPROM オフセット値が EEPROM から対応する ミラーRAM にコピーされます。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function

Conv.

36h

EEPROM ｵﾌｾｯﾄ
工場出荷初期値

R/WP

Bit

Symbol

7:0

EEOffset [8:1]

Address
37h

Bit 7

Conv.

ﾊﾞｯｸｱｯﾌﾟ電源切替
工場出荷初期値

R/WP

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

Bit 1

Bit 0

EEOffset [8:1]
事前設定済み (工場出荷時に校正済み)
Value
00h toFFhFunction
EEPROM

Bit 6

Bit 7
EEOffset[0]
Preconfigured

Bit

SymbolValue

7

EEOffset [0]0 or 1

Description
EEOffset 値の上位 8 ビット。 以下の表を参照してください。

Bit 6

Bit 5

Bit 4

BSIE

TCE

FEDE

0

0

1

Bit 3

Bit 2
BSM

0

TCR
0

0

0

Description
EEOffset 値の LSB。 以下の表を参照してください。

EEOffset (9 bits):
EEOffset [8:0]

EEOffset補正値（10進数）

補正パルスのステップ

CLKOUT周波数補正（ppm単位）(*)

011111111
011111110:
000000001
000000000

255
254
:
1
0

255
254
:
1
0

243.187242.233
:
0.954
0.000

111111111
111111110:
100000001
100000000

511
510
:
257
256

-1
-2
:
-255
-256

-0.954-1.907:-243.187-244.141(*) 各補正パルスは 1 / (16384 × 64) = 0.9537 ppm に相当します。
CLKOUT ピンで測定された周波数偏差を元に補正値 EEOffset を計算し、それを EEPROM オフセット レジスタと EEPROM バックアップ
レジスタに書き込むことによって補正することができます (「周波数オフセット補正」を参照)。

November 2021

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RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.15.6. EEPROM バックアップ電源切替設定 レジスタ
37h – EEPROM バックアップ電源切替設定

このレジスタでは、電源切り替え機能とトリクルチャージを設定します。またEEOffset のビット 0 (LSB) の値を保持します。予め工場出荷時に設定されているEEOffset 値はユーザーで変更もできます。
電源投入後、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ~66 ms の経過後に、EEPROM バックアップ電源切替の設定値が対応するミラーRAM にコピーされます（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

Function
EEPROM37h

ﾊﾞｯｸｱｯﾌﾟ 電源
工場出荷初期値

Conv.
R/WP

Bit 7
EEOffset[0]
Preconfigured

Bit

SymbolValue

7

EEOffset [0]0 to 1

Bit 6

Bit 5

Bit 4

BSIE

TCE

FEDE

0

0

1

Bit 3

Bit 2

Bit 1

BSM
0

Bit 0
TCR

0

0

0

Description
EEOffset 値の LSB (EEPROM オフセット レジスタを参照)。
バックアップス電源切替え割り込み信号 イネーブルビット(「バックアップ自動切替機能」「バックアップ自動切替割り込み機能」を参照)

6

BSIE

0
1

5

TCE

0
1

バックアップ電源切り替えが発生した時に、INT端子から割り込み信号を発生ししない、またはINT端子ピンからの割り込み信号をキャンセルします。
– 初期値
自動バックアップ切り替えが発生すると、INT端子から割り込み信号を出力します。 この設定はBSFフラグが0になる（クリアされる）まで保持されます。
（自動解除なし）
トリクルチャージ有効化ビット (「トリクルチャージ」を参照)
トリクルチャージが『無効』 – 初期値
トリクルチャージが『有効』
高速エッジ検出 有効化ビット(「自動バックアップ切替機能」「自動バックアップ切替割り込み機能」を参照)

0
4

FEDE
1

『無効』
FEDE は常に 1 に設定する必要があります。
FEDE ビットが 1 の場合、バックアップ電源自動切り替え機能の高速エッジ検出が有効になります。 この場合、VDD 電源ピンの上昇または下降エッジを通常7
V/ms 以上のスルー レートでも正しく検出できるため、バックアップ電源自動切換え機能が速い電圧変化にも適応することが出来ます。 – 初期値

バックアップスイッチオーバーモード(「バックアップ電源自動切換え機能」と「バックアップ電源自動切替え割り込み機能)
EEPROM への読み取り/書き込みを行うには、BSM フィールドを 00 または
10 に設定してバックアップ電源切替え機能を無効にする必要があります 。
(EEPROM 読み込み/書き込み条件のルーチンを参照)
3:2

BSM

00
01
10
11

1:0

TCR

00
01
10
11

バックアップ電源切替機能が『無効』– 初期値
ダイレクト電源切替モード(DSM) が 『有効』 。
VDD < VBACKUP の時に電源切替え。
バックアップ電源切替機能が『無効』
レベル電源切替モード(LSM) が『有効』 。
VDD < VTH:LSM (2.0 V) かつ VBACKUP > VTH:LSM (2.0 V) の時に電源切替え
トリクルチャージの直列抵抗 設定 (トリクルチャージを参照)
トリクルチャージ抵抗 = 3 kΩ – 初期値
トリクルチャージ抵抗 = 5 kΩ
トリクルチャージ抵抗 = 9 kΩ
トリクルチャージ抵抗 = 15 kΩ＜オフセット・ビットの値を書き換えてしまわない様にご注意下さい＞※ 37hレジスタの Bit:7 は、36h／オフセットレジスタの続きのオフセット末尾1ビットの値が書き込まれています（工場出荷時に設定）。
この値が書き換わってしまうとオフセット設定値がずれてしまい時刻誤差が劣化してしまため、 37hアドレスの書き込みを行う際には、
事前に値の読み込みを行い 『37h／7bit』 の値は変えないように 書き込みを行って下さい。

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RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.16. ユーザーEEPROM
00h – 2Ah – ユーザーEEPROM
汎用用途の 43 バイトのユーザー使用可能な EEPROM です。
（ 読込み：常に読込み可能／書込み：パスワードによるロック可能 ）Address

FunctionConv.

00h to 2Ah

ﾕｰｻﾞｰEEPROM

R/WP

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

Bit 1

Bit 0

3 バイトのユーザー使用可能な EEPROM

3.17. リザーブ EEPROM
2Ch – 2Fh and 38h – 3Fh – リザーブ EEPROM( このレジスタはプロテクトされています。このレジスタへの書き込みは無効になります）
Address

Function

Conv.

2Ch to 2Fh

予備
EEPROM
予備
EEPROM

Prot.

リザーブ

Prot.

リザーブ

38h to 3Fh

November 2021

Bit 7

Bit 6

40/116

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Rev. 1.4

Micro Crystal
RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低3.18. レジスタリセット値
リセット値 ; RAM, Address 00h to 3Fh:
アドレス
00h
01h
02h
03h
04h
05h
06h
07h
08h
09h
0Ah
0Bh
0Ch
0Dh
0Eh
0Fh
10h
11h
12h
13h
14h
15h
16h
17h
18h
19h
1Ah
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
27h
28h
29h and 2Ah
2Ch to 2Fh
38h to 3Fh
X = 特定の値無し

November 2021

機能

属性

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

秒
分
時間 (24h / 12h)
曜日
日
月
年
分ｱﾗｰﾑ
時間ｱﾗｰﾑ(24h / 12h)
曜日ｱﾗｰﾑ / 日付
ｱﾗｰﾑ
ﾀｲﾏｰ値 0
ﾀｲﾏｰ値1
ﾀｲﾏｰｽﾃｰﾀｽ 0
ﾀｲﾏｰｽﾃｰﾀｽ1

R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP

0
0
0
0
0
0
0
1

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
1
1
0
0

R/WP

1

0

0

0

0

0

0

0

R/WP

1

0

0

0

0

0

0

0

R/WP
R/WP
R

0
0
0

0
0
0

0
0
0

0
0
0

0
0
0

0
0
0

0
0
0

0
0
0

R

0

0

0

0

0

0

0

0

R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R
R
R

10
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0

01
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0

1
0
0
0
0
0
0
0
0

R

0

0

0

0

0

0

0

0

R
R
R
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
R/WP
W
W
W
W
R/WP
R/WP
WP
R
Prot.
Prot.
Prot.

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
0

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
X
0
0
工場設定値

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
0

（読み込みのみ）

ｽﾃｰﾀｽ（ﾌﾗｸﾞ)
制御 1
制御 2
汎用ﾋﾞｯﾄ
ｸﾛｯｸ割り込みﾏｽｸ
外部ｲﾍﾞﾝﾄ制
ｶｳﾝﾄ ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
秒 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
分 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
時間 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ(24h / 12h)
日 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
月 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
年 ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ
UNIX TIME 0
UNIX TIME 1
UNIX TIME 2
UNIX TIME 3
ﾕｰｻﾞｰRAM 1
ﾕｰｻﾞｰRAM 2
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
EE ｱﾄﾞﾚｽ
EE ﾃﾞｰﾀ
EE ｺﾏﾝﾄﾞID
予備ﾚｼﾞｽﾀ
予備ﾚｼﾞｽﾀ
予備ﾚｼﾞｽﾀ

工場設定値
XXh
XXh
XXh

41/116

Rev. 1.4

Micro Crystal
RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低※ アドレスをクリックするとレジスタの説明頁に移動します

工場出荷 初期値; 機能設定 EEPROMレジスタ (ミラーRAMを伴う）,
Address
2Bh
30h
31h
32h
33h
34h
35h
36h
37h

Function

Conv.

EEPROM
予備ﾚｼﾞｽﾀ
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ有効化
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 0
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 1
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 2
EEPROM
ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ 3
EEPROM
ｸﾛｯｸ出力EEPROM
ｵﾌｾｯﾄ
EEPROM
ﾊﾞｯｸｱｯﾌﾟ電源切替

R/WP

Bit 7

Bit 6

アドレス 2Bh 及び 30h to 37h:
Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

Preconfigured (Factory Calibrated) – Must not be overwritten.

R/WP

0

0

0

0

0

0

0

0

WP

0

0

0

0

0

0

0

0

WP

0

0

0

0

0

0

0

0

WP

0

0

0

0

0

0

0

0

WP

0

0

0

0

0

0

0

0

R/WP

1

1

0

0

0

0

0

0

R/WP

0

0

0

0

0

0

0

0

R/WP

0

0

0

1

0

0

0

0

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

工場出荷 初期値; ユーザーEEPROM, アドレス 00h to 2Ah:
Address

FunctionConv.

00h to 2Ah

ﾕｰｻﾞｰEEPROM(43バイト)

R/WP

Bit 7

Bit 6

00h

工場出荷 初期値; リザーブ EEPROM, アドレス 2Ch to 2Fh 及び 38h to 3Fh:
Address

Function

Conv.

2Ch to 2Fh

予備
EEPROM
予備
EEPROM

Prot.

XXh

Prot.

XXh

38h to 3Fh

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

X = 特定の値無し

November 2021

42/116

Rev. 1.4

Micro Crystal

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低RV-3028-C7

RV-3028-C7 の電源投入後のリセット値 (RAM) と出荷時のデフォルト値 (EEPROM):
RAMレジスタ、 リセット初期値:
時刻 (hh:mm:ss)
日付 (YY-MM-DD)
曜日
時刻モード
タイムスタンプ・カウンタ
タイムスタンプ・時刻
タイムスタンプ・日付
UNIX Timeカウンタ
アラーム機能
カウントダウンタイマ機能
時刻更新割り込み機能
外部イベント入力機能
タイムスタンプ機能

=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=

EEPROM オートフレッシュ=
割り込み信号出力=
EEbusy ステータスビット=
UF（時刻更新割込みフラグ） =EVF （外部イベントフラグ） =PORF （PORフラグ）=
CLKOUT端子 割込み設定
=
パスワード
=
EE アドレス (25h)=
EE データ (26h)=
EE コマンド (27h)
=
ID
(28h)
=
汎用レジスタビット (11h)=
ユーザーRAM 1, 2 (1Fh,20h) =00:00:00
00-01-01
0
24時間モード (0 to 23)0(読込みのみ)00:00:00 (読込みのみ)
00-00-00 (読込みのみ)
00000000h
ディセーブル, 曜日選択
ディセーブル、タイマ基準周波数 = 4096 Hz, シングルモード『秒』時刻更新（割り込み信号出力はディセーブル）
立下りエッジ検出（EVI端子への外部イベント入力信号）
最初のイベント発生を記録
ディセーブル, 外部イベント入力をトリガとする,タイムスタンプ値上書きディセーブル , タイムスタンプリセットディセーブル
イネーブル
ディセーブル1  0 ( tPREFR = ~66 ms まで 1、その後自動で 0 になります）
0  1 (秒の時刻更新が選択されています)0
1 ( 0 を書き込むとクリアされます)
ディセーブル、全ての割り込み信号は設定されていません
00000000h (書込みのみ)00h
XXh
00h (27hの最初の書込み値) (書込みのみ)
工場出荷時設定
0(7 ビット)00h(2 バイト)ミラーRAMを伴う機能設定 EEPROM 、 工場出荷初期値 :EEPROM リザーブ (2Bh)= 工場設定値 – 上書き禁止
EEPROM パスワード有効化 = ディセーブルEEPROM パスワード= 00000000h (書込みのみ)
CLKOUT= イネーブル, 同期イネーブル, F = 32.768 kHz 出力
POR割り込み信号= ディセーブル
EEオフセット値= 工場出荷設定値 (9 ビット) (ユーザーで変更可)
バックアップ電源自動切換え = ディセーブル, 電源切替割込みディセーブル, 高速エッジ検出イネーブル
トリクルチャージ機能= ディセーブル, トリクルチャージ抵抗＝ 3 kΩ を選択
ユーザー EEPROM、 工場出荷初期値 :ユーザーEEPROM (43 バイト) = 00h
リザーブ EEPROM、 アドレス 2Ch to 2Fh 及び 38h to 3Fh, 工場出荷初期値 :リザーブEEPROM= XXh (保護されています)

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4. 機能詳細の説明
4.1. パワーオンリセット (POR)
パワーオン リセット (POR) は起動時に実行されます (「パワーオン時の AC 電気的特性」を参照)。
カウンタ レジスタを含む全ての RAM レジスタはリセット値に初期化され、ミラーRAMを伴った機能設定 EEPROM
レジスタはプリセットされたデフォルト値に設定されます。
電源投入時に、機能設定 EEPROM の値による ミラーRAM レジスタのリフレッシュが自動的に実行されます。
この最初のリフレッシュの時間は tPREFR = ~66 ミリ秒です。ステータス(フラグ)レジスタの EEbusy ビット (0Eh) にて リフレッシュの状態を監視出来ます。
(「レジスタ リセット値の概要」を参照)
パワーオンリセットフラグ PORF は、デバイスのPOR の生成を引き起こすために必要な VPOR 閾値を下回る内部電源電圧の降下の発生を示しています。 PORF 値 1 となっている場合は、電圧が閾値レベル VPOR を下回っており、時間情報が正しくない状態になっていることを示します。 この値 1 はユーザーが 0 を書き込みクリアするまで保持されます。
PORIEビット (EEPROM 35h) がセットされていて PORF フラグが事前にクリアされている場合は、パワーオン
リセットの発生時に INT端子に割り込み信号を発生させることが出来ます 。
( パワーオン リセット割り込み機能を参照 )November 2021

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4.2. バックアップ電源自動切り替え機能
基本的なハードウェアの定義:•

The RV-3028-C7 は2つの電源供給端子があります
o VDD
・・メインの電源供給端子
o VBACKUP ・・バックアップ電源供給端子••

VTH:LSM (2.0 V Typ.) は レベル切替えモードのバックアップ切替えの電圧しきい値です。
デバウンス ロジックは、122 μs ～ 183 μs のデバウンス時間 tDEB を提供します。これは、バックアップ 電源切替
が VBACKUP から VDD に戻る時のVDD電圧の揺らぎをフィルタリングします。 I2C アクセスは、デバウンス時間
tDEB 後の VDD 電源状態で可能になります。
高速エッジ検出 (≥ 7 V/ms) が常に有効になるように、FEDE ビット (EEPROM 37h) は常に 1 に設定する必要があります。 – 初期値•

電源切替モード：
RV-3028-C7 には 3 つのバックアップ電源切替えモードがあります。モードの設定は機能設定 EEPROM レジスタのBSM フィールドで選択できます。EEPROM BACKUP REGISTER を参照してください。
• BSM = 00 電源切替が無効 (出荷時の初期値)。 「電源切替無効」 を参照してください。
• BSM = 01 ダイレクト切替えモード (DSM): VDD < VBACKUP の場合、VDD を VTH:LSM (2.0 V) 以下に下げる必要なく 即座にVDD から VBACKUP への電源切替えが発生します。
•
ダイレクト切替えモード (DSM) を参照してください。
• BSM = 10 電源切替が無効 (出荷時の初期値)。 「電源切替無効」 を参照してください。
• BSM = 11 レベル 切替えモード (LSM): VDD < VTH:LSM (2.0 V) および VBACKUP > VTH:LSM (2.0 V) の場合
VDD から VBACKUP への電源切替えが発生します。レベル切替えモード (LSM) を参照してください。

機能概要：
電源切替モード (ダイレクト切替えモードまたはレベル切替えモード) がイネーブルの状態で電源切替えの発生条件になり、内部電源が VBACKUP 電圧 (VBACKUP 電源状態) に切り替わると、次のシーケンスが適用されます。
• バックアップ電源切替フラグ BSF がセットされ、BSIE ビットが 1 (EEPROM 37h) の場合、割り込み信号がは INT端子から生成され、BSF が 0 にクリアされるまで出力し続けます。BSIE が 0 の場合には割り込み信号は発生しません。
( 自動バックアップ切り替え割り込み機能を参照)• I2C バス インターフェイスは自動的に無効 (高インピーダンス)になり、リセットされます。
• EVI 端子入力は、割り込み信号の生成、割り込み信号クロック出力、およびタイムスタンプ機能のためにアクティブのま
まになります。
• CLKOUT ピンは、VBACKUP 電源状態の間は出力停止になります（LOW に保持）。
• 割り込み信号出力 INT端子 は、事前に設定された割り込み発生条件にて、VBACKUP 電源状態でもアクティブのままです。
• VBACKUP 電源状態への移行は、タイムスタンプ記録条件として使用できます (タイムスタンプ機能を参照)。
• バックアップ電源切替えの状態を利用して、再び VDD 電源状態になったときに CLKOUT ピンのクロック出力を自動的に有効にすることもできます (「自動バックアップ スイッチオーバー割り込み機能」を参照)。
バックアップ電源切替えフラグ BSF は、回路が VBACKUP 電源状態から再開して VDD に戻り次第、すぐに I2C バス・イン
ターフェイスからの書込みでクリアできます。

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4.2.1. 電源切替のディセーブル（無効）BSM フィールド (EEPROM 37h) が 00 または 10 に設定されている場合は、スイッチオーバー機能はディセーブル（無効）になります (BSM = 00 が出荷時のデフォルト値です)。
1. バックアップ電源を用いない場合に使用されます (デバイスは常に VDD 電源状態です)。 電源は VDD ピンに供給し、VBACKUP ピンは 10 kΩ の抵抗で VSS にプルダウン接続して下さい。 バックアップ スイッチ フラグ BSF
は常に 0 です。
2. VDD がオフで VBACKUP がまだ存在しており、デバイスがバックアップ ソース から電流を引き込むことができな
い(IBACKUP = 0 nA) 場合に使用されます。 VBACKUP ピンのバックアップ ソースは、デバイスが主電源 VDD から再び電源投入され、スイッチオーバー モードが選択されるまで、スタンバイ モードになります (「代表特性」も参照下さい)。
デバイスが最初にバックアップ電源 (VBACKUP) から起動されてメイン電源 (VDD) がない場合、スイッチオーバーも無効になり、バックアップ ソースは自動的にスタンバイ モード (IBACKUP = 0 nA) になります。

4.2.2. ダイレクト切替えモード (DSM)
このモードはBSM = 01 (EEPROM 37h) で選択されます。
••

VDD > VBACKUP の場合、 内部電源は VDD で動作します
VDD < VBACKUP の場合、 内部電源は VBACKUP で動作します。

ダイレクト スイッチング モードは、VDD が通常 VBACKUP よりも高いシステム (たとえば、VDD = 5.0 V、VBACKUP = 3.5
V) で有用です。 VDD と VBACKUP の値が近い場合 (たとえば、VDD = 3.3 V、VBACKUP ≥ 3.0 V)、不要な電源切り替わりが発生する可能性があるため、その場合はダイレクト切替えモードは推奨されません。
ダイレクト スイッチング モードでは、VDD が監視されず、しきい値電圧 VTH:LSM = 2.0 V (標準 IDD:DSM = 95 nA) と比較されないため、レベル スイッチング モード (LSM) と比較して消費電力が削減されます。 「動作パラメータと代表特性」も参照してください。
電源切替ディセーブル（無効）から DSM に切り替える場合、回路の反応時間が最大 2 ミリ秒が必要になりますのでご注意ください。
下図：ダイレクト切替えモードでの電源切替えが有効、および電源切替割り込みが有効 (BSIE = 1 (EEPROM 37h) ）の場合

VDD
VBACKUP0V

BSF ﾌﾗｸﾞ

INT 端子I2C ｱｸｾｽ

ｱｸｾｽ可能

ｱｸｾｽ負荷ｱｸｾｽ可能

電源状態

VDD電源

VBACKUP電源

VDD電源
tDEB

書込み動作
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超低4.2.3. レベル切替えモード (LSM)

このモードはBSM = 11 (EEPROM 37h)で選択されます。
• VDD > VTH:LSM (2.0 V) の場合、内部電源は VDD で動作します。
• VDD < VTH:LSM (2.0 V) かつ VBACKUP > VTH:LSM (2.0 V) の場合、内部電源は VBACKUP で動作します。
レベル切替えモード (LSM) では、VDD を監視して、しきい値電圧 (VTH:LSM = 2.0 V) と常に比較するため、消費電力はダイレ
クト スイッチング モード (DSM) と比較してわずかに増加します ( IDD:LSM = 115 nA Typ.) 。
「動作パラメータと代表特性」も参照してください。
電源切替えディセーブルから レベル切替えモード (LSM) に設定を変更する場合、回路の反応速度が最大で15.625 ミリ秒かかることに注意してください。
下図：レベル切替えモードでの電源切替えが有効、および電源切替割り込みが有効 (BSIE = 1 (EEPROM 37h))の場合

Example 1: VBACKUP > VDD

VBACKUP
VDD

Example 2: VBACKUP < VDD

VBACKUP
VTH:LSM = 2.0 V

0V
BSF ﾌﾗｸﾞ

INT 端子I2C ｱｸｾｽ

ｱｸｾｽ可能ｱｸｾｽ不可

ｱｸｾｽ可能電源状態

VDD 電源VBACKUP 電源

VDD 電源tDEB

書込み動作

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超低4.3. トリクルチャージ機能VBACKUP端子が用意されているデバイスには、VBACKUP ピンに接続されたバッテリまたはスーパーキャパシタを
VDD端子に接続された電源から充電できるトリクル充電回路が含まれています。 以下の図を参照してください。
レジスタ EEPROM 37h では、トリクルチャージ機能 はビット TCE でイネーブルに設定できます (出荷時の初期はディセーブル)、直列の電流制限抵抗は TCR フィールドによって選択します (出荷時の初期値は 3 kΩ)。 電圧降下
が 0.25 V Typ. のショットキー ダイオードが充電経路に挿入されます。

トリクルチャージ機能：
TCR
00

TCE

VDD

7

0

Schottky
diode

01

1

10
11

3 kΩ
5 kΩ
9 kΩ

6

VBACKUP

15 kΩ

トリクルチャージ電圧はショットキダイオードの順方向電圧降下により 『VDD-0.25V Typ』 になります。

* バックアップ電源モードの間はトリクルチャージ機能は無効になります。

4.4. プログラマブルクロック出力
6通りの分周周波数のクロック信号、または繰返しカウントダウンタイマ割り込み信号を CLKOUT端子から出力できます。クロック信号の周波数選択は FD フィールド (EEPROM 35h) で行われます。
•

32.768 kHz の場合は 内部Xtal 発振器から直接出力されるため、オフセット補償されていません。

•

8192 Hz, 1024 Hz, 64 Hz, 32 Hz, 1 Hz; は分周された周波数です。これらの周波数は EEOffset(EEPROMレジスタ／36h・37h) の設定値にてオフセットされた値で出力します。
カウントダウンタイマ割り込みとして使用する場合は、カウントダウン タイマ制御レジスタと制御 1 レジスタによって設定されます。

•

元の 32,768 kHz クロック信号の立下りエッジは、後続の選択されたクロック信号をオンまたはオフにするために使用されます。立下りエッジは、フラグ CLKF、ビット CLKOE、および FD フィールドによってクロック信号を制御するためにも使用されます。
クロック信号が LOW の場合は VSS にプルダウンされます。
CLKOUT出力は、CLKOUT の出力設定に関係なく、VBACKUP 電源状態では VSS にプルダウンされます。
周波数出力は、I2C バス インターフェイス からのレジスタ書込み ( 通常VDD動作時 ) にて直接設定することも、クロックを供給して外部システムをウェイクアップできるように割り込み信号出力にすることも可能です。

POR（起動時）では、CLKSY ビットが 1 (初期値) に設定されているため、同期機能がアクティブになり、CLKOE ビットが 1 (初期値) に設定され、FD フィールドは 000 (初期値) に設定されているため、32.768 kHzの周波数が CLKOUT ピンから出力されます。
（ヒント）これらは工場出荷時の初期値であり、ミラーRAM を備えた 機能設定EEPROM に保存されています。
これらの POR 値は 機能設定 EEPROM 内の値を書き換えることで、変更可能です。

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4.4.1. CLKOUT周波数の選択

CLKOUT端子からプログラマブルクロック出力が出力することが出来ます。出力のオン／オフ、周波数の選択は
FD フィールド (EEPROM 35h) にて設定されます。 32.768 kHz (出荷時の初期値) から 1 Hz までのクロック出力と、繰り返しカウントダウンタイマ割込み信号を生成して、システムロック、マイクロクロック、チャージポンプ
への入力、または水晶発振器のキャリブレーションとして使用できます。
CLKOUT 端子は、電源投入時にはプッシュプルのクロック出力に設定されています (出荷時の初期値)。 CLKOUT
端子は、CLKOE ビットを 0 に設定するか (CLKF フラグが 0 の場合)、FD フィールドを 111 に設定することによって出力オフにできます。出力オフにすると、CLKOUT ピンは LOW になります。
『RESETビット機能』が、選択した周波数に応じて CLKOUT出力信号に影響を与える可能性があります。RESET
ビットに 1 を書き込むか、秒レジスタに書き込みを行って CLKOUT が有効になると、周波数 8192 Hz ～ 1 Hz の
現在のクロック周期が影響を受けます (詳細については「リセット ビット機能」を参照) 。

CLKOUT周波数の選択 ：FD value
000
001
010
011
100
101
110
111

CLKOUT周波数の選択"RESETビット"または "秒"書き込み時の影響
影響なし
現在のクロック周期が影響を受けます
現在のクロック周期が影響を受けます32.768 kHz – 工場出荷時の初期値
8192 Hz (1)1024 Hz (1)64 Hz (1)32 Hz (1)1 Hz (1)繰返しカウントダウンタイマの割り込み信号(1) (2)
CLKOUT = LOW

現在のクロック周期が影響を受けます period
現在のクロック周期が影響を受けます period
現在のクロック周期が影響を受けます period
現在のクロック周期が影響を受けます period
影響なし(1) 8192 Hz ～ 1 Hz のクロックパルスとカウントダウンタイマ割り込みパルスは、オフセット補正パルスの影響を受ける可能性があります (「周波数オフセット補正」を参照)。
(2) CLKSY ビットは影響はありません。

4.4.2. 通常のクロック出力 の場合
・前提条件 : CLKF フラグが 0 。
ビット CLKOE を 1 に設定すると、選択された周波数が CLKOUT で駆動され、CLKOE を 0 に設定すると、選択された周波数が CLKOUT でクリアされます。 「クロック出力スキーム」を参照してください。
4.4.3. カウントダウン割り込み信号としてのクロック出力 の場合
・前提条件: CLKOE ビットが 0 。
CLKIE = 1 にすると、選択した割り込み条件が発生したときに、CLKOUT から周波数出力を開始します。この機能に使用してクロックを出力することで外部システムをウェイクアップすることができます。
CLKIE = 0 にすると、CLKOUT端子からの新たなクロック割り込み信号の出力は停止しますが、既にアクティブな割り込み駆動周波数出力が存在する (CLKF フラグがセットされている) 場合は、このアクティブな周波数出力は
CLKIE = 0 としても停止しません。 この場合は CLKFフラグに0を書き込むとフラグがクリアされ、このアクティ
ブなクロック割り込み信号出力は停止します。 「クロック出力スキーム」を参照してください。

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超低4.4.4. クロック同期 (CLKSY)

クロック同期の機能 (CLKSY = 1) は 2 つのサブ機能で構成されます。
• クロック出力同期 (CLKSY) が イネーブル の場合は、 CLKOUT端子でのクロック出力を有効にするには、CLKF または CLKOE が設定された後、FDフィールドで設定されたクロックソース の内部の最初の立下りクロックエッジが検出されます。( tCKH)•

クロック同期 (CLKSY) が『無効』 の場合は、 CLKOUT端子からのクロック出力は、CLKF と CLKOE の両方がクリアされた後、および I2C バス インターフェイス通信終了後、設定されたクロック ソース (FD フィールド) の次の立下りのクロックエッジで無効になります。 ディセーブルの場合、CLKOUT は Lowになります。( tCKL)(CLKF 及び CLKOE = 0  ディセーブル設定  次の立下りエッジ  CLKOUT出力はLow となり停止)

ケロック出力のイネーブル・ディセーブルのタイミング （ tCKH ） (CLKSY = 1 の場合) ：Selected clock(FD field)
enable/disable
CLKOUT
tCKL

tCKH

Selected clock(FD field)
enable/disable
CLKOUT
tCKH

tCKL

Write operation

ヒント: CLKOUT出力でグリッチのない周波数変更を行うには、FD フィールドで新しいクロックが選択される前に、フラグ CLKF とビット CLKOE を 0 にクリアする必要があります。
( CLKF及びCLKOE = 0  ディセーブル設定  次の立下りエッジ  CLKOUTがLowに  FDフィールドの設定
 CLKF 及びまたは CLKOE = 1  イネーブル設定  次の立上りエッジ )November 2021

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4.4.5. クロック出力のスキーム
クロック周波数出力の構成 ：
CUIE

CLKIE

0

0

1

1

UI
(1)

CLOCK FLAG
CLKF
SET

from interface:clear CLKF

0
TI
(1)
CAIE

CLKOE

OR
1

1

CEIE
0
1

0
FD

0

1

OR
1

0
1
(2)

1 (2)

1

EI
(1)

CLKSY

CLEAR

CTIE

AI
(1)

to interface:read CLKF

ENABLE/DISABLESYNCHRONIZERDISABLE(2) 32.768 kHz
8192 Hz1024 Hz
64 Hz
32 Hz
1 Hz
(3) Timer interrupt TI
CLKOUT = LOW

0
1
2
3
4
5
6
7

I2C stop

VBACKUP (4)Power state

AND
&

(1)

「割込み信号スキーム』 も参照ください。
EIE = 1 でフラグ EVF が事前にクリアした場合、内部信号 EI が生成された場合には、EVI 端子で
外部イベントが発生してた場合はTSS = 0 となり、バックアップ電源切替えが発生した場合にはTSS = 1 となりますのでご注意下さい。

(2)

CLKOE および CLKSYビットと FD フィールド (EEPROM 35h) の工場出荷時の初期値 (32.768kHz)。

(3)

カウントダウンタイマ割り込み信号 TI は、 CLKSYビットの影響は受けません。

(4)

クロック周波数出力が設定されていても、RTC モジュールが VBACKUP 電源状態にある場合には、
CLKOUT端子出力は LOW になります。 再び VDD 電源状態になると、CLKOUT端子は周波数を出力します。

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CLKOUT

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超低4.5. 時刻の設定（書き込み） と 読み取り
1 Hz チック クロック から始まるデータ フローとデータの依存関係:
1 Hz チック クロック秒

分

12_24 時間モード

時間

うるう年計算

日

曜日

月

年

950 ミリ秒未満 の RTC レジスタへの I2C 読込み/書込みのアクセス中は、RV-3028-C7 のすべてのタイムカウンタ(クロックおよびカレンダー レジスタ 00h ～ 06h) がブロックされます。 この間は、クロック カウンターの増分 (1Hz チック) は、時刻情報の一貫性を保つために保留されます。 保留時間中に発生した 1 つのカウンタ増分 (最大 1Hz チック) はメモリされ、I2C ストップコンディションの後に実施されます。
例外：保留時間中に RESET ビットに 1 が書き込まれるか、秒レジスタに値が書き込まれると、最終的に現在記憶されている 1 Hz の更新がリセットされ、8192 Hz から 1 Hz までのプリスケーラー周波数がリセットされます。
プリスケーラがリセットされると、後続のすべてのペリフェラル (クロックとカレンダー、CLKOUT、タイマ・ク
ロック、時刻更新タイマ・クロック、UNIX クロック、EVI 入力フィルタ) の現在のクロック周期の長さに影響します (「リセット ビット機能」も参照)。
I2C 読み取り/書き込みアクセスが 950 ミリ秒 (t < 950 ms) 以内に終了すると、時間カウンターは I2C のストップコ
ンディションで保留が解除され、読み込みまたは書き込みアクセス中に発生した時間カウンターをインクリメント
するが正しく実行されます。 最大 1 つの 1 Hz ティックを保留します (次の図を参照)。
読み取り/書き込み操作のアクセス時間:
t < 950 ms
START

SLAVE ADDRESS

DATA

DATA

STOP

時刻情報の読み込み、または書き込みのアクセスは一度に行うことが非常に重要です。つまり、秒から年までの時
刻書き込み、または読み込みは 1 回のアクセスで完結する必要があります。そうしない場合には、時刻情報が破損する可能性があります。（分の切り替わりに重なると時刻情報が1分ずれてしまうなど）
ヒント: UNIX TIMEカウンタへの書込み・読込みについては「UNIX TIME カウンタ」を参照下さい。

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4.5.1. 時刻の設定（書き込み）
RTCレジスタへの I2C 読み取り/書き込みのアクセス時間が 950 ミリ秒未満の 場合はアクセス中は、タイムカウン
タはブロックされます。 I2C のストップコンディションの後、メモリ(保留)された 1Hz チックがある場合は時刻情報が1秒インクリメントされます。
レジスタブロックのメリット :•••I2C 書き込みアクセス中の時間レジスタとカレンダーレジスタへの誤った書き込みを防止します 。
(書き込みアクセス中に時間レジスタがインクリメントされません)。
書き込み後、メモリ(保留) された 1 Hz チックが 1 つ実行されます。 時計・カレンダ－情報が更新されます。
確認のための読み取りは必要ありません。 書き込まれたデータは一貫性があります。

I2C の書き込みアクセス時間が 950 ms より長くなった場合は、I2C バスインターフェイスは 内部のバスタイムア
ウト機能によってリセットされます。 この場合、前の時間カウンタ値が維持され、保留中の 1 Hz チックが実行され、クロック カウンタの増分 (1 Hz チック) は正常に動作し続けます。 I2C 通信は、再度 START コンディションを送ることで再開できます。
RTC内部の I2C 自動インクリメントアドレスポインタは、I2C ストップコンディション、及びタイムアウト機能によってリセットされることはありません。

時刻を設定するには 2 つの方法 （ 1.秒から設定する／ 2.秒以降から設定する） ：1. 秒レジスタを含む時間レジスタを設定します。秒レジスタに書き込むと最後にメモリ(保留)された 1 Hz チックの更新はリセットされ、プリスケーラ周波数が 8192 Hz から 1 Hz に同期リセットされます。
2. 秒レジスタを使用せずに時間レジスタを設定する場合。 書き込みアクセス中に1 Hz チックがメモリ(保留)された場合は、 アクセス終了後に1 Hz チックが実行されます。 もとの同期状態は持続します。
ヒント: タイムカウンターを同期させるために秒レジスタに書き込む代わりに、リセットビット機能を使用することも出来ます。RESET ビットに 1 を書き込むと、秒レジスタの値は変化しませんが、プリスケーラ周波数が 8192
Hz から 1 Hz にリセットされます (同期)。

4.5.2. 時刻の読み込み
RTC レジスタへの I2C 読み取り/書き込み時間がアクセス時間が 950 ミリ秒未満の 場合は、アクセス中、タイム
カウンタはブロックされます。 I2C ストップコンディションの後、アクセス中に1 Hz チックがメモリ(保留)された
場合は、 アクセス終了後に1 Hz チックが実行されます。

レジスタブロックのメリット :•I2C 読み見込みアクセス中の時間レジスタ、およびカレンダレジスタの誤った読み取りを防止します (読み取りアクセ
ス中に時間レジスタがインクリメントされません)。

•

読み込み後、メモリ(保留) された 1 Hz ティックが 1 つ実行されます。 時計・カレンダ－情報が更新されます。

•

確認のための 2 回目の読み取りは必要ありません。 読み込まれたデータは一貫性があります。

I2C の読み込みアクセス時間が 950 ms より長くなった場合は、I2C バスインターフェイスは 内部のバスタイムア
ウト機能によってリセットされます。 この場合、読み込みデータの値はすべて FFh であり、メモリ(保留)された 1
Hz ティックが実行され、ロック カウンタの増分 (1 Hz チック) は正常に動作し続けます。 再度 START コンディ
ションを送ることで再開できます。
RTC内部の I2C 自動インクリメントアドレスポインタは、I2C ストップコンディション、及びタイムアウト機能によってリセットされることはありません。

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4.6. EEPROM の読込み・書き込み
4.6.1. POR (パワーオンリセット) リフレッシュ (すべてのEEPROM  ミラーRAM)
POR(パワーオン リセット ) 時のすべての機能設定EEPROM レジスタ値 の自動読み取り :•••電源投入時に、機能設定EEPROM 内の値による 機能設定ミラーRAM 値のリフレッシュが自動的に行われます。(「レジスタ リセット値の概要」を参照)。
この最初のリフレッシュの時間は tPREFR = ~66 ミリ秒です。
ステータス レジスタの EEbusy ビット (0Eh) を使用して、リフレッシュのステータスを監視できます。

4.6.2. オート・リフレッシュ (すべてのEEPROM → ミラーRAM)
すべての機能設定EEPROM レジスタ値 の自動読み取り :•機能設定データの整合性を保つために、機能設定ミラーRAM のすべてのデータは、24 時間ごとに日付の変わり目(午前 0 時前の最後の 1 秒の始まり) で機能設定 EEPROM 内のデータによってリフレッシュされます•

このオート・リフレッシュの時間は tAREFR = ～3.5 ミリ秒です。

•

オート・リフレッシュは ① RV-3028-C7 が VBACKUP モードではなく ②EERD (EEPROMメモリリフレッシュ無効化)
ビット（初期値は有効=アクティブ）によって無効になっていない場合、にのみアクティブになります 。

•（ヒント）EEPROMレジスタへのアクセスの前にオート・リフレッシュをオフ (EERD = 1) にすることは、必ずしも必要ではありません。 例えば 現在の RTC 時間が午前 1 時間の場合など。

4.6.3. アップデート (すべての ミラーRAM  EEPROM)
すべての機能設定EEPROM レジスタへの書込み (「機能設定レジスタの使用」も参照)。
•
•

•
•

EEPROM に保存されている機能設定の変更を開始する前に、EERD制御ビットに 1 を書き込んで、EEPROM からのレジスタのオート・リフレッシュを無効にする必要があります。
その後、新しい設定を機能設定RAM レジスタに書き込むことができます。新しい設定がレジスタに書き込まれた状
態で、コマンド 00h をレジスタ EECMD (27h) に書き込み、次に 2 番目のコマンド 11h をレジスタ EECMD(27h)に書き込むと、機能設定ミラーRAM レジスタの設定が 全て EEPROMにコピーされます。
更新時間は tUPDATE = ～63 ミリ秒です。
書込み転送が終了すると (EEbusy = 0)、制御 1 レジスタの EERD ビットに 0 を書き込むことで、レジスタのオート・リ
フレッシュを再度有効にすることができます。

4.6.4. リフレッシュ (すべてのEEPROM  ミラーRAM)
すべての機能設定EEPROM レジスタ値 の読み取り :
•
•

•
•
•

EEPROM に保存されている機能設定値の読み取りを開始する前に、EERD 制御ビットに 1 を書き込んで、EEPROM
からのレジスタのオート・リフレッシュを無効にする必要があります。
その後、実際の設定値を 機能設定 EEPROM レジスタから読み取ることができ、コマンド 00h をレジスタ EECMD(27ｈ) に書き込み、次に 2 番目のコマンド 12h をレジスタ EECMD (27h)に書き込むと、機能設定ミラーRAM へ設定
値のコピーが開始されます。
このリフレッシュにかかる時間は tREFR = ～3.5 ミリ秒です。
設定した機能は、ミラーRAMバイトが書き込まれるとすぐにアクティブになります。
書込み転送が終了すると (EEbusy = 0)、制御 1 レジスタの EERD ビットに 0 を書き込むことで、レジスタのオート・リ
フレッシュを再度有効にすることができます。

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4.6.5. 1つの EEPROM バイトへの書き込み (EEDATAミラーRAM  EEPROM)
機能設定 EEPROMミラーRAM またはユーザー EEPROMミラーRAMの1つのレジスタから、 EEPROMへの書き込み ：••••EEPROM に保存されているデータの変更を開始する前に、EERD 制御ビットに 1 を書き込んで、EEPROM からのレ
ジスタのオート・リフレッシュを無効にする必要があります。
EEPROM に 1 バイトを書き込むには、データを書き込む必要があるアドレスを EEADDR レジスタに入力し、書き込むデータを EEDATA レジスタ（25ｈ）に入力してから、コマンド 00h を EECMD レジスタ(27h) に書き込みます。 次に2 番目のコマンド 21h を EECMD レジスタ(27h)に書き込むと、EEPROM への書き込みが開始されます。
EEPROM の 1 バイトに書き込む時間は、tWRITE = ～16 ミリ秒です。
書込み転送が終了すると (EEbusy = 0)、制御 1 レジスタの EERD ビットに 0 を書き込むことで、レジスタのオート・リ
フレッシュを再度有効にすることができます。

4.6.6. 1つの EEPROM バイトへの読込み (EEDATA  EEDATAミラーRAM )
機能設定EEPROM またはユーザー EEPROMの1つのレジスタから、ミラーRAM EEPROMバイトへの読込み：••••

EEPROM 内のバイトの読み取りを開始する前に、EERD 制御ビットに 1 を書き込んで、EEPROM からのレジスタのオート・リフレッシュを無効にする必要があります。
EEPROM から 1 バイトを読み取るには、読み取るアドレスを EEADDR レジスタ (25h) に入力し、次にコマンド 00h
を EECMD レジスタ (27h) に書き込み、次に 2 番目のコマンド 22h を EECMD レジスタ (27h) に書き込みむことでEEPROMのデータバイトが書き込まれ、 EEDATAレジスタ (26h) から読み取ることができます。
EEPROM の 1 バイトを読み取るのにかかる時間は、tREAD = ～1.4 ミリ秒です。
転送が終了すると (EEbusy = 0)、制御 1 レジスタの EERD ビットに 0 を書き込むことで、レジスタのオート・リフレッ
シュを再度有効にすることができます。

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超低4.6.7. EEBUSY ビット

EEbusyステータスビット (ステータスレジスタ0Ehのビット7) がセットされている ( EEbusy=1)と、EEPROM が現
在読み取りまたは書き込み要求を処理中であり、現在のコマンドが終了するまでそれ以降のコマンドを無視することを示します。電源投入時に行われる『PORリフレッシュ』のリフレッシュの時間はtPREFR=～66 ミリ秒です。 リフ
レッシュの終了後、EEbusyビットは自動的に0にクリアされます。クリアされたEEbusyステータスビット
は、EEPROM 転送が完了したことを示します。 オートリフレッシュ (EERD = 0の時に行われます＝初期値) と I2Cインターフェースを介しての外部からの EEPROM 読み取り/書き込みアクセスとののアクセス衝突を防ぐには、次の手順を適用する必要があります。
••••

EEPROM にアクセスする前に、EEPROM の自動リフレッシュを無効にする必要があります。
ビジーでない場合にのみ EEPROM にアクセスします。
読み取り/書き込みアクセスの終了時に EEPROM＝0 としてオート・ リフレッシュを有効にすることをお勧めします。
EPROM に書き込み → EEPROM レジスタに書き込むたびに 10 ミリ秒待ってから、EEbusy = 0 かどうかをチェッ
クして内部データ転送を許可します (EEPROM の読み取りの場合は 1 ミリ秒待ちます)。

EERD = 1 にします →EEbusy = 0 を確認 →EERD = 0 にクリア →EEbusy ビットのフローチャート:
EEPROMの読み取り またはオールリフレッシュ (1)オート・リフレッシュを
オフにする

YES

EEbusy=1
かの確認

NO
EEPROM の読み込み・
リフレッシュ

待ち時間
1 ms

YES

EEbusy=1
かの確認

NO
YES

EEPROMの書込み またはオール・アップデート(2)オート・リフレッシュをオフにする

EERD = 1

YES

EEbusy = 1?
*EEbusy=1 の場合は
再度 EEbusayを確認

NO

EEPROM*読み込み・リフレッシュの許可

EEPROM の書き込み・
アップデート

待ち時間：1 ms

待ち時間
10 ms

*内部 EEPROM 読み込み
の待ち時間

YES

EEbusy = 1?
*前回の読み込みサイクルが終了するまで待つ

EEbusy=1
かの確認NO*EEbusy=1 の場合は
再度 EEbusayを確認

YES

次の読み込み？

EEbusy = 1?
*EEbusy=1 の場合は
再度 EEbusayを確認

EEPROM*書き込み・アップデートの許可

待ち時間：10 ms*内部 EEPROM 書き込みの待ち時間

EEbusy = 1?
*前回の書き込みサイクルが終了するまで待つ*EEbusy=1 の場合は
再度 EEbusayを確認

次の書き込み？

NONO
オートリフレッシュを有効に戻すEEbusy=1
かの確認

EERD = 1

オートリフレッシュを有効に戻すEERD = 0(1) EEPROM1バイトの読込み (EEPROM  EEDATA (ミラーRAM))及びリフレッシュ (全ての機能設定EEPROM  RAM)を参照

EERD = 0(2) EEPROM 1バイトの書込み (EEDATA (ミラーRAM) EEPROM) 及びアップデート (全ての機能設定ミラーRAM  EEPROM)

注: EEPROM 書き込み手順全体で、最小電源電圧 VDD:WRITE = 1.5 V が必要です。 （EEbusy = 0になるまで）

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4.6.8. EEPROMの読み込み/書き込み の条件

EEPROM の読み取り/書き込み中に VDD 電源が低下した場合、デバイスは VBACKUP への切り替えが発生するまでは動作し通信を続けます (DSM または LSM モードの場合)。 この時間中の動作は推奨されず、VDD 障害が検出されたらすぐに全ての I2C 通信を停止する必要があります。
データが EEPROM に書き込まれている間、VDD は最小書き込み電圧 VDD:WRITE = 1.5 V 以上である必要があります。VDD がこの電圧を下回ると、デバイスに書き込まれたデータが破損します。
EEPROM に書き込むには、バックアップ 電源切替が主電源 VDD に戻る必要があります。 「バックアップ￥電源自動切替え機能」も参照してください。

4.6.9. EEPROM設定レジスタの使用方法
アドレス 30h ～ 37h の ミラーRAM で対応する『機能設定EEPROM』を活用するもっとも良い手順は、最初に ミラーRAM ですべての機能設定を行ってから、Update EEPROM コマンドで全ての『機能設定EEPROM』を更新することです。
* すべての機能設定 EEPROM を一括で更新する手順が推奨されます：
Configuration EEPROM
with RAM mirror

RAM mirror
EEPWE
EEPW 0EEPW 1EEPW 2EEPW 3
EEPROM Clkout
EEPROM Offset
EEPROM Backup

30

EEPROM
EEPWE
EEPW 0EEPW 1EEPW 2EEPW 3
EEPROM Clkout
EEPROM Offset
EEPROM Backup

30

37

37

書き込み保護を有効/無効にする方法、および参照パスワードを変更する方法については、「ユーザー プログラマ
ブルパスワード (構成レジスタ 30h ～ 34h)」を参照してください。

EEPRM設定レジスタ： 35h to 37h:
• EEPROM クロック出力設定レジスタ, 35h – EEPROM Clkout• EEPROM オフセットレジスタ, 36h – EEPROM Offset• EEPROM バックアップ設定レジスタ, 37h – EEPROM Backup
機能設定の編集の手順 (パスワードによる書き込み保護が有効な場合 (EEPWE = 255) の例 ）：
1.
2.
3.
4.
5.
6.

正しいパスワード PW (PW = EEPW) を入力して、書き込み保護のロックを解除します。
EERD = 1 に設定してオートリフレッシュを無効にします。
レジスタ 35h ～ 37h (RAM) の機能設定を編集します（ミラーRAMに書き込み）。
EECMD = 00h に続いて 11h を設定して、EEPROM をアップデートします (すべてのミラーRAM EEPROM) 。
EERD = 0 に設定して自動リフレッシュを有効に戻します。
間違ったパスワード PW (PW ≠ EEPW) を入力してデバイスをロックします。
※パスワード保護を使用していない場合は上記の 1. 及び 7. のプロセスは不要です。

注）機能設定レジスタの ミラーRAM がRTC動作のアクティブゾーンに定義されています。 EEPROM にのみに書き込むと、設定構成はアクティブになりません。機能設定はリフレッシュ(PORリフレッシュ、オートリフレッシュ、またはソフトウェアによるリフレッシュ) 後はすぐにアクティブ化されます。
注）特定のテストを実行するには、ミラーRAM 使用するだけで十分です。ただし、その場合は新しく変更された設定は、リフレッシュ (POR リフレッシュ、オートリフレッシュ、またはソフトウェアによるリフレッシュ) が発生するとすぐに失われますのでご注意下さい。
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4.7. 割り込み信号出力
INT端子 から出力される割込み信号は6種類あります。
•
•
•
•
•
•

繰返しカウントダウンタイマー 割込み機能
時刻更新 割込み機能
アラーム 割込み機能
外部イベント 割込み機能
自動バックアップ電源切替え 割込み機能
パワーオンリセット(POR) 割込み機能

4.7.1. 割り込み信号の出力
INT端子からは 6種類の割込みを出力することが出来ます。割込み信号が検出された場合 ( INT端子から Low信号が出力されるか、Lowレベルにある場合) は、TF, UF , AF , EVF , BSF , PORF フラグを読み取ることで、どの割り込みイベントが発生したかを判別できます。
INT端子から割込み信号が出力されないようにするには、TI , UI , AI , EI , BSIE (EEPROM 37h) および PORIE(EEPROM 35h) ビットをクリアします。￣
INT端子を介しての割り込みを出力せずにイベントが発生したかどうかを確認するには、ソフトウェアで TF , UF , AF , EVF , BSF , PORF 割り込みフラグを読み取ることができます (ポーリング処理)。
注記) EVF フラグは、TSS ビットとTSE ビットが 1 に設定されている場合には、バックアップ 電源切替え
機能のイベントによってもセットされます。

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超低4.7.2. 割り込み信号スキーム
割り込み信号のスキーム (Part 1) :ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:
TFを読込みTRPT, TE, TD 及び0Ah – 0Dh レジスタ

タイマーフラグTF
セット

タイマ－カウンタ

TD

クリア

パルス
ジェネレータ 1

TIE
tRTN1

0
1

トリガ

(3) TI

クリア

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:
TFをｸﾘｱｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:
秒 or 分を設定

USEL

UFを読込み時刻更新フラグUF
セット

時刻更新が発生

USEL

クリア

パルス
ジェネレータ 2

UIE
tRTN2

0
1

トリガ

(3) UI

クリア
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:
UFをｸﾘｱ

(2)

OR
1

INT

AE_M

現在の信号を確認

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:

1

分：アラーム=

AFを読込み

0

分：時刻

AIE

AE_H
1

時間：アラーム=アラーム(1)
コントロールアラームフラグ
AF
セット

0

時間：時刻

AE_WD

1

曜日：アラーム

=

クリア

0
1

(3) AI

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:
AF をｸﾘｱPart 2 に続く

0

曜日：カレンダー

WADA

日付：アラーム=
日付：カレンダー01(1)

有効になっているアラーム設定が全て一致している場合のみアラームフラグが経ちます。
条件一致した増加時にのみ、セットされます。

(2)

TIE、UIE、AIE、EIE、BSIE (EEPROM 37h) および PORIE (EEPROM 35h) ビットが無効になると、INT端子
はハイインピーダンスのままになります。

(3)「クロック出力スキーム」を参照下さい.

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超低割り込み信号のスキーム (Part 2) :ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:
EVFを読み込み

EIEPart 1 へ

EHL, ET

0
EVI

外部イベント入力

1
TSS

セット

0

1

1

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:
EVFをｸﾘｱタイムスタンプ
スキーム(4)

BSM, FEDE
バックアップ電源
自動切替

01(3) EI

クリア

TSE

0

(4)

イベントフラグ
EVF
セット

電源切替フラグ
BSF
セット

タイムスタンプ
スキーム

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:
BSFを読み込み
BSIE

(2)

0
1

OR
1

INT

クリア

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:
BSFをｸﾘｱ

ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:
PORFを読み込み

PORIE

パワーオンリセット
POR

PORフラグ
PORF
セット

0

1

クリア
ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ経由:
PORFをｸﾘｱ(2)

TIE、UIE、AIE、EIE、BSIE (EEPROM 37h) および PORIE (EEPROM 35h) ビットが無効になると、INT 端子はハイインピーダンスのままになります。

(3)「クロック出力スキーム」を参照下さい.
EIE = 1 で EVFフラグ がクリアされている場合、EVI ピンで外部イベントが発生して TSS = 0 になるか、バックアッ
プ電源切替えが発生して TSS = 1 になると、内部信号 EI が生成されることにご注意下さい。

(4)注) EVF フラグは、TSS = 1 および (EIE = 1 または TSE = 1) ビットがセットされている場合、バック
アップス電源切替え機能のイベントによってもセットされます。

「タイムスタンプ機能」のタイムスタンプスキームも参照下さい。

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4.8. 繰返しカウントダウンタイマ割り込み信号繰返しカウントダウン タイマ割り込み機能は、244.14 μs ～ 4095 分の範囲で設定された任意の周期にて、割り込
みイベントを 単発(シングル モード (TRPT = 0) を参照)、または繰返し (リピート モード (TRPT = 1) を参照) で生成します。
カウントダウンタイマーを開始した初回時、最初のタイマー時間のみタイマー間隔の誤差が生じます。最初のタイ
マー期間の誤差量は、選択したソースクロック周波数により異なります (「最初の期間期間」を参照)。
割り込みイベントが発生すると、INT端子がLowレベルになり、イベントが発生したことを示すTFフラグが1にセットされます。 INT端子の出力は、制御 2 レジスタの TIE ビットが 1 に設定されている場合にのみ有効です。INT
端子 (および TI信号によって駆動される場合は CLKOUT ピン) のLowレベル出力信号は、オートクリア時間後に自動的にクリアされます。（オートクリア時間 tRTN1後、または TFフラグが 0 にクリアされると解除されます）。
・カウントダウンタイマ割込み信号：オートクリア時間 tRTN1••

TD = 00 の時 , tRTN1 = 122 µs
TD = 01, 10 ,11 の時 tRTN1 = 7.813 ms

TIEビット が 1 ／CTIE ビットと CLKIE ビットが 1 ／CLKOE ビットが 0 にクリアされ／FD フィールドで 周波数が選択されている場合、内部のカウントダウンタイマ割り込みパルス (TI) を使用して CLKOUTピンのクロック出力を自動的にイネーブルにすることができます。FDフィールドで110を選択すると、割り込みパルス(TI)をCLKOUT周波数として使用することもできます (「クロック出力スキーム」を参照 )。

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超低4.8.1. 繰り返しカウントダウンタイマのダイアグラム
繰り返しカウントダウンタイマ割込みのダイアグラム :（この例の設定） タイマ・リピートモード (TRPT = 1)、
割り込み信号を INT端子から出力 (TIE = 1)、
カウントダウンタイマ信号をCLKOUT端子に出力 (CLKOE = 1, FD = 110).

8

TIE ﾋﾞｯﾄ
TE ﾋﾞｯﾄ(TRPT, TDﾋﾞｯﾄ)

9

1

INT端子

4

5

t RTN1t RTN1t RTN1t RTN1t RTN1t RTN1t RTN1t RTN1

CLKOEﾋﾞｯﾄ = 1
FDﾋﾞｯﾄ = 110
CLKOUT端子

TFﾌﾗｸﾞ

3

割込みｲﾍﾞﾝﾄ

2
1. タイマ間隔

6

タイマ間隔

7

タイマ間隔

タイマ間隔

タイマ間隔

書込み動作

① 繰返しカウントダウンタイマーは、TEビットに 1 を書き込むとレジスタ (0Ah、0Bh) に事前設定されたタイマー値から開始します
同時の書き込みプロセスで、TRPT を 1 に設定してリピート モードにすることができ、希望するタイマー ソース周波数をTD フィールドで選択できます。
② カウントダウン値が 000h に達すると、割り込みイベントが発生します。TRPT が 1 の場合は タイマカウンタは事前に設定されタイマー値で自動的にリロードされ、再びカウントダウンを開始します。

③ 繰返しカウントダウンタイマー割り込みが発生すると、TF フラグが 1 にセットされます④ TIE ビットと CLKOE ビットが 1 で、FD が 110 に設定され、繰返しカウントダウン タイマ割り込みが発生した場合
INT端子とCLKOUT端子は Low になります。
⑤ INT端子および CLKOUT端子は、自動リセット時間 RTN1 の間 LOW を保持し、その後自動的にクリアされます。
TDフィールドにより、タイマ クロック周波数と自動リセット時間 tRTN1 が決まります。
tRTN1 = 122 µs (TD = 00) または tRTN1 = 7.813 ms (TD = 01、10、11)。

⑥ TFフラグはソフトウェアにより 0 にクリアされるまで 1 を保持します⑦ INT端子と CLKOUT端子の出力が LOW の場合、TF フラグが 0 にクリアされるとすぐに出力信号はクリアされます⑧ INT端子と CLKOUT端子の出力が LOW の場合、TIE ビットが 0 にクリアされるとすぐに出力信号はクリアされます⑨ TEビットに 0 を書き込むと、繰返しカウントダウンタイマ機能が停止し、INT端子 および CLKOUT端子は自動リセット時間
tRTN1 の後にクリアされます。

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4.8.2. 繰り返しカウントダウンタイマの使い方

・関連するレジスタ、フィールド、およびビット：
•
•
•
•
•
•
•
•

タイマー値 0 レジスタ (0Ah) (繰返しカウントダウンタイマ設定レジスタを参照)
タイマー値 1 レジスタ (0Bh) (繰返しカウントダウンタイマ設定レジスタを参照)
タイマ・ステータス 0 レジスタ (0Ch) (繰返しカウントダウンタイマ設定レジスタを参照)
タイマ・ステータス 1 シャドウレジスタ (0Dh) (繰返しカウントダウンタイマ設定レジスタを参照)
TFフラグ (ステータス及び制御レジスタ, 0Eh ‒ ステータス・レジスタを参照)
TRPTビット, TE ビット and TD フィールド(ステータス及び制御レジスタ, 0Fh ‒ 制御1 レジスタを参照)
TIEビット(ステータス及び制御レジスタ, 10h ‒ 制御2レジスタを参照)
CTIEビット (ステータス及び制御レジスタ, 12h ‒ クロック割り込み信号マスクを参照)（ CLKOUT端子をカウントダウン タイマ信号の出力に設定する場合 (CLKOE = 1 および FD = 110) ）• CLKOEビット及び FDフィールド ( EEPROMクロック出力レジスタ, 35h ‒ EEPROM Clkout)繰返しカウントダウンタイマーり込みのタイマ設定を入力する際には、INT端子からの不用意な割り込み信号を防ぐために、先に TIE ビットとTE ビットに 0 を書き込むことをお勧めします。 RESET ビットに 1 を書き込むか、秒レジスタに値を書き込むと、現在のカウントダウン期間の長さに影響します(「リセットビット機
能」を参照)。繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能を使用しない場合には、1つのタイマ値レジスタ (0Ah)
をRAMバイトとして使用できます。タイマクロック周波数選択フィールド TD は、繰り返しカウントダウン
タイマ割り込み機能のクロックソース周波数を 設定するために使用されます (4つの周波数から選択できます)。
* 繰返しカウントダウンタイマ割り込み機能と自動クロック出力機能の開始手順：
1. ビット TE、TIE、TF を 0 に初期化します。この順序で INT端子での不用意な割り込みを防止します。
2. 繰返しのカウントダウンタイマが必要な場合は TRPT ビットを 1 に設定します (リピート モード)。
3. タイマークロック周波数を選択し、対応する値を TD フィールドに書き込みます。
4. タイマークロック周波数に基づいてカウントダウン時間を決定し、対応するタイマ・カウントダウン値をタイマー値0
レジスタ (0Ah) およびタイマー値 1 レジスタ (0Bh) に書き込みます（下表を参照ください）。
5. INT端子からハードウェア割り込み信号を出力させる場合は TIE ビットを 1 に設定します。
6. CTIEビットを 1 に設定すると、タイマ割り込み発生時のクロック出力が有効になります。
「クロック出力スキーム」も参照してください。
7. CLKOUT端子からタイマ割り込み信号を出力させる場合は TIE ビットと CLKOE ビットを 1 に設定しFD フィールドを110 に設定します。
8. TE ビットを 0 から 1 に設定すると、繰返しカウントダウン タイマーが開始されます。 カウントダウンは、アドレス
0Fh のビット 0 が転送された後の SCL信号の立ち上がりエッジで開始されます。 開始タイミングを示す次頁のチャート図を参照してください。

* タイマ間隔時間（秒） ＝

カウントダウンタイマ値
タイマ・クロックソース周波数

タイマ間隔時間：
カウントダウン値(0Ah and 0Bh)
0
1
2
:
41
205
410
2048
:
4095 (FFFh)

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タイマ間隔時間
TD = 00 (4096 Hz)

TD = 01 (64 Hz)

TD = 10 (1 Hz)

TD = 11 (1/60 Hz)

244.14 μs
488.28 μs:
10.010 ms
50.049 ms
100.10 ms
500.00 ms:
0.9998 s

15.625 ms
31.25 ms:
640.63 ms
3.203 s6.406 s32.000 s:
63.984 s

1s
2s
:
41 s
205 s
410 s
2048 s:4095 s

1 min
2 min
:
41 min
205 min
410 min
2048 min:4095 min

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超低
一般的な カウントダウンタイマ の動作:
タイマー値 0xx

03

タイマー値 1xx

00

ﾀｲﾏｰｽﾃｰﾀｽ0（読込みのみ）

xx

03

ﾀｲﾏｰｽﾃｰﾀｽ1（読込みのみ）

xx00

タイマークロック
02

01

03

02

01

03

02

01

03

TE ﾋﾞｯﾄ

TFﾌﾗｸﾞ
INT端子

period

書込み動作

period

1回目のタイマ－時間には誤差があります。
表「タイマー値 n の最初のタイマ－時間」を参照してください。

この例では、カウントダウンタイマ はリピートモード (TRPT = 1) であり、次のカウントダウン期間が終了する前にタイマー フラグ TF がソフトウェアによってクリアされる設定とされています。
繰返しカウントダウンタイマ の開始タイミング:
Address 0Fh

SCLｸﾛｯｸ

SDAﾃﾞｰﾀ

USEL

EERD

TE

TD1

TD0

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

ACK

内部ﾀｲﾏ
INT端子

割り込みｲﾍﾞﾝﾄ
1回のタイマー時間

SCL信号の立ち上りエッジ

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4.8.3. 一回目のタイマ時間間隔

TFフラグがセットされると、このモードが有効な場合に INT端子からの割り込み信号が生成されます。 割り込みの設定方法の詳細については、「割り込み出力」セクションを参照してください。
カウントダウンタイマを開始する場合、一回目のタイマー時間は誤差があります。この誤差は、タイマークロック
周波数に同期していない、I2Cインターフェイスクロックのコマンド送信により発生します。2回目以降のタイマー
時間にはそのような誤差はありません。最初のタイマー期間の誤差量は、選択したタイマークロック周波数によって異なります。以下の表を参照してください。
タイマー値 n の最初のタイマ－時間(1):TD 設定値

タイマクロック周波数

00
01
10
11

4096 Hz64 Hz
1 Hz
1/60 Hz

1回目のタイマ時間
最小値
最大値
n × 244 µs(n + 1) × 244 µs
n × 15.625 ms(n +1) × 15.625 ms
n×1s
n × 1 s + 15.625 ms
n × 60 s
n × 60 s + 15.625 ms

2回目以降のタイマ時間
n × 244 µs
n × 15.625 ms
n×1s
n × 60 s(1) 有効なタイマー値 n は 1～4095 です。 タイマー値が 0 に設定されている場合、カウントダウン タイマは開始されません。

各カウントダウンの終了時に、タイマーは繰返しカウントダウンタイマフラグ (ステータス・レジスタのビットTF) を設定します。 TFフラグはコマンドによってのみクリアできます。 有効に設定すると、INT端子から割込み信号が生成されます。
タイマー値 (タイマー値 0 およびタイマー値1) を読み取ると、現在のカウントダウン値ではなく、設定した値が返されます。 繰返しカウントダウンタイマの現在のカウントダウン値は、タイマー ステータス 0 およびタイマー ス
テータス 1 レジスターで読み取ることができます。

4.8.4. シングルモード (TRPT = 0)
TRPT ビットが 0 (初期値) に設定されている場合は シングル モードが選択されます。シングル モードでは、カ
ウントダウンタイマは 0 に達すると停止し、ビット TE は自動的にクリアされます。 TFフラグはソフトウェアにより0にクリアされるまで1を保持します。
ヒント: 進行中のカウントダウンは、TE ビットに 0 を書き込むことで停止できます。 割り込み信号は出力されません。 タイマステータス 0 およびタイマ ステータス 1 レジスタには、最後に更新された値が残ります。

4.8.5. リピートモード (TRPT = 1)
TRPT ビットが 1 に設定されている場合は リピートモードが選択されます。 リピート モードでは、カウントダウ
ンタイマは 繰返しカウントダウン モードになり、0 に達するとタイマー値 0 およびタイマー値 1 レジスタからタ
イマー値が自動的にリロードされます。これは、TE が 0 にクリアされるまで繰り返されます。 TE ビットに 0 と書き込まれると、タイマー ステータス 0 およびタイマー ステータス 1 レジスタに最後に更新された値が保存されます。 TFフラグはソフトウェアにより 0 にクリアされるまで 1 のままになります。
(注記)
カウントダウン中に TRPT のみを 1 から 0 に変更して機能を停止した場合には、同じレジスタの TE がまだ 1 のままであるため、事前に設定されたされたタイマー値で カウントダウンタイマ が即座に自動的にリロードされます。そのため最後のカウントダウンタイマ時間は意図的に長くなりますが、0 に到達すると正しく停止し、TEビットは自動的にクリアされます。
(注記)
RV-3028-C7 はカウントダウン値が 0 に達すると 64 Hz を出力するため、タイマー値に 0 を書き込んで実行中のカウントダウンを停止する方法は行わないでください。タイマー機能を停止するには、通常どおり TE ビットに 0 を書き込んで下さい。

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超低4.9. 時刻更新割り込み信号機能

時刻更新割り込み信号機能は、USELビットで選択したタイマー ソースて、1 秒または 1 分の更新時間で定期的に割り込みイベントを生成します。

割り込みイベントが発生すると、INT端子がLowレベルになり、UFフラグが1にセットされ、イベントが発生したことを示します。 INT端子の出力は、制御 2 レジスタの UIE ビットが 1 に設定されている場合にのみ有効です。INT
端子の Low レベル出力信号は、オート リセット時間 tRTN2 後に自動的にクリアされるか、UF フラグが 0 にクリアされるとキャンセルされます。
••

USEL = 0 の場合 (秒・更新割り込み), tRTN2 = 500 ms
USEL = 1 の場合 (分・更新割り込み), tRTN2 = 7.813 ms

UIEビット=1、CUIEビット及びCLKIEビット＝それぞれ1、CLKOEビット＝0、かつFDフィールドで CLKOUT周波数が選択されている場合、内部更新割り込みパルス (UI) を使用して CLKOUT ピンのクロック出力を自動で開始させることができます (「クロック出力スキーム」を参照)。

4.9.1. 時刻更新割り込み信号機能のダイアグラム
時刻更新割り込み信号機能のダイアグラム：

7

UIE ﾋﾞｯﾄ

INT端子

4UFﾌﾗｸﾞ

2

割り込みｲﾍﾞﾝﾄ発生

1

5t RTN23

更新間隔

t RTN2t RTN2t RTN2

6

更新間隔

更新間隔

更新間隔

書き込み動作① 内部時計の値が秒または分の更新時刻と一致すると時刻更新割り込みイベントが発生します。
USELビットにて秒更新か分更新が選択され、それぞれのオートリセット時間 tRTN2 は異なります。
秒更新の場合はtRTN2 = 500 ミリ秒 、分更新の場合は tRTN2 = 7.813 ミリ秒 です。

② 事前にUF フラグがクリアされている場合、時刻更新割り込みが発生すると、UF が 1 にセットされます。
③ UFフラグはソフトウェアにより 0 にクリアされるまで 1 を保持します。
④ UIE ビットが 1 にセットされていると、時刻更新割り込みが発生するとINTピンの出力は Lowになります。
⑤ INT端子出力はオートリセット時間 tRTN2 の間 Low を維持し、その後自動で 1 にクリアされます。
⑥ INTピンが Low の場合、UFフラグが 0 にクリアされるとすぐにステータスが変化します。
⑦ INTピンが Lowの場合、UIEビットが 0 にクリアされるとすぐにステータスが変化します。

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4.9.2. 時刻更新割り込み信号の使い方
時刻更新割り込み信号に関連するビット：• UFフラグ (ステータス及び制御レジスタ／0Eh ステータスレジスタ を参照)
• USELビット (ステータス及び制御レジスタ／0Fh – 制御 1 を参照)
• UIEビット (ステータス及び制御レジスタ／10h – 制御 2 を参照)
• CUIEビット (ステータス及び制御レジスタ／12h – クロック割り込み信号マスク を参照)
設定を行う前に、INT端子からの不用意な割り込み信号出力を防ぐために、UIE ビットに 0 を書き込むことをお勧めします。時刻更新割り込み機能は完全に停止することはできませんが、UIE ビットに 0 を書き込むことで、INT
端子でのハードウェア割り込み信号の発生を防ぐことが出来ます。
RESET ビットに 1 が書き込まれたとき、または秒レジスタに時刻書き込みが行われると、現在の時刻更新期間の長さに影響があります (「リセットビット機能」を参照)。

時刻更新割り込み信号と オー＾ト・クロック信号出力機能の使用手順：
1.
2.
3.
4.
5.
6.

UIE ビットと UF ビットを 0 に初期化します。
タイマのソースクロックを選択し、対応する値を USEL ビットに書き込みます。
3. INT端子からハードウェア割り込みを取得したい場合は、UIE ビットを 1 に設定します。
CUIE ビットを 1 に設定すると、時刻更新割り込み発生時のクロック出力が有効になります。
「クロック出力スキーム」も参照してください。
最初の割り込みは、次のイベント (秒または分のインクリメント) の後に発生します。

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超低4.10. アラーム割り込み信号機能

アラーム割り込み機能は、曜日・日付・時・分のアラーム設定に対して割り込みを発生させる機能です。
割り込みイベントが発生すると、INT端子がLowレベルになり、AFフラグが1にセットされ、イベントが発生したことを示します。 INT端子の出力は、制御 2 レジスタの AIE ビットが 1 に設定されている場合にのみ有効です。
ビットAIE が 1 に設定され、CAIE ビット・CLKIE ビットが それぞれ1 に設定され、CLKOE ビットが 0 にクリアされ、かつFDフィールドでCLKOUT周波数が選択されている場合、内部アラーム割り込み信号 ( AI ) を使用してCLKOUT端子のクロック出力を自動的にイネーブルにすることができます。（「クロック出力スキーム」を参照)。

4.10.1. アラームダイアグラム
アラーム割り込み信号のダイアグラム :AIE ﾋﾞｯﾄ
5

INT端子

4

AFﾌﾗｸﾞ

2

ｲﾍﾞﾝﾄ発生367

1
アラーム発生アラーム発生書込み動作① 選択されたすべてのアラーム レジスタ (AE_x ビット) がそれぞれのカウンタと一致すると、曜日/日付、時または分のアラーム割り込みイベントが発生します。 WADA ビットにて、曜日か日付かを指定します。
② アラーム割り込みイベントが発生すると、AF フラグが 1 に設定されます。
③ AF フラグはソフトウェアによって 0 にクリアされるまで 1 を保持します。
④ AIE ビットが 1 でアラーム割り込みが発生すると、INT端子の出力は LOW になります。
⑤ INT端子出力が LOW の状態でAIEの値を 1 から 0 に変更すると、INT端子の状態が即座に変化します。
AF フラグが 1 の間、INTステータスは AIEビットによって制御できます。
⑥ INT端子が LOW の場合、AFフラグが 1 から 0 にクリアされるとすぐに状態が変化します。
⑦ アラーム割り込み発生時にAIEビットの値が0の場合、INT端子の状態はLOWになりません。

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4.10.2. アラーム割り込み信号の使い方
アラーム割り込み信号及び自動クロック信号出力機能に関連するビット:
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•

分レジスタ (01h) ( 時刻レジスタ を参照 )時間レジスタr (02h) ( 時刻レジスタ を参照 )曜日レジスタ (03h) ( カレンダーレジスタ を参照 )日付レジスタ (04h) ( カレンダーレジスタ を参照 )分アラームレジスタ 及び AE_Mビット (07h) ( アラームレジスターを参照 )時間アラームレジスタ 及び AE_H ビット (08h) ( アラームレジスターを参照 )曜日／日付アラームレジスタ 及び AE_WDビット (09h) ( アラームレジスターを参照 )AFフラグ ( ステータス・制御レジスタ, 0Eh – ステータス を参照 )WADAビット (ステータス・制御レジスタ, 0Fh – 制御 1 を参照 )AIEビット、及び12_24ビット ( ステータス・制御レジスタ, 10h – 制御 2 を参照 )CAIEビット (ステータス・制御レジスタ, 12h – クロック割り込み信号マスク を参照 )アラーム割り込みの設定を入力する前に、INT端子からの不用意な割り込みを防ぐために、AIEビットに 0 を書き込むことをお勧めします。RESETビットに 1 を書き込むか、または秒レジスタに値を書き込むと次のアラーム割
り込みまでの時間に影響します (「リセット ビット機能」を参照 )。 アラーム割り込み機能を使用しない場合、アラームレジスタの 1 バイト (07h) を RAM バイトとして使用できます。 その場合は、必ず AIE ビットに 0 を書き込んでください ( AIEビットの値が 1 でアラームレジスタを RAMレジスタとして使用している場合、意図せず INT端子が Low レベルになる可能性があります)。

アラーム割り込み信号及び自動クロック信号出力機能の仕様手順：
1. AIE ビットと AF ビットを 0 に初期化します。
2. WADA ビットを設定して、曜日アラームまたは日付アラーム (曜日/日付) を選択します。曜日アラームの場合は WADA = 0、日付アラームの場合は WADA = 1。
3. アラームの設定値をレジスタ 07h ～ 09h に書き込みます。 3 つのアラームイネーブル ビット／
AE_M、AE_H、AE_WD にて、アラーム動作に有効なレジスタを選択します。 下表を参照してください。
4. CAIE ビットを 1 に設定すると、アラーム発生時の自動クロック出力が有効になります。 「クロック出力
スキーム」も参照してください。
5. INT端子からハードウェア割り込みを出力させる場合は、AIE ビットを 1 に設定します。

イラーム割り込み信号：
アラーム有効化ビット
AE_WD

AE_H

AE_M

0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
AE_x ビット ( x = WD, H または M)
AE_x = 0: アラームが有効
AE_x = 1: アラームが無効 – 初期値

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アラームイベント
分、時、曜日・日付が一致した場合（曜日・日付ごとに1回）
時間と曜日・日付が一致した場合（曜日・日付ごとに1回）
分と曜日・日付が一致した場合（曜日・日付ごとに1時間に1回）
曜日・日付一致した場合（曜日・日付ごとに1回）
時間と分が一致した場合（1日1回）
時間が一致した場合（1日1回）
分が一致した場合 (1 時間に 1 回)
すべて無効 - 初期値

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4.11. 外部イベント割り込み信号機能
外部イベント割り込みおよびタイムスタンプ機能は、制御ビットの TSS、TSE、および EIE によって有効になります。ETフィールドの設定で、EVI入力イベントをエッジ検出またはフィルタリングによるレベル検出のいずれかを選択できます。また EHLビットを使用してアクティブ エッジまたはレベルを設定できます。
外部イベント割り込みが有効 ( TSS=0、TS =1、EIE=1、およびEVフラグが事前に 0 にクリアされている) で、
EVI端子で外部イベントが検出された場合、時刻およびカレンダーレジスタがキャプチャされ、タイムスタンプ
レジスタにコピーされます。INT端子からは割込み信号が出力されます。また外部イベントが発生したことを示す
ために EVFフラグが 1 にセットされます。
TSSビット=0 および EIEビット=1としている場合は、CEIEビットとCLKIEビットをいずれも 1 に設定し、CLKOE
ビットを 0 にクリアし、かつFDフィールドで周波数選択を行う事で、自動クロック信号出力の機能が使用できます 。 (「クロック出力スキーム」を参照)。
注意 : EVF フラグは、TSS ビットと TSE ビットが 1 に設定されている場合、バックアップ電源切替え機能のイベントによってもセットされます。

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超低4.11.1. 外部イベント信号割り込みダイアグラム
外部イベント信号割り込みダイアグラム。 この例は EHL = 1 （ Highレベル / 立上りエッジの検出）の設定:。
TSE ﾋﾞｯﾄ

7

1

8

TSR ﾋﾞｯﾄ

10

9

EIE ﾋﾞｯﾄ

INT端子
tD EL AY

EVFﾌﾗｸﾞ

3

EVI端子

2

5

イベント発生

イベント発生

A+1

A+2

4

6

イベント
発生

イベント発生A+3

A+4

時刻・ｶﾚﾝﾀﾞｰ ﾚｼﾞｽﾀ

Aの値を設定

ｶｳﾝﾄ・ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ ﾚｼﾞｽﾀ

初期値= 00h

01h

02h

03h

00h

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ ﾚｼﾞｽﾀ

初期値= 00h

A+1

A+2

A+3

All 00h(TSOW=1の場合)

ﾀｲﾑｽﾀﾝﾌﾟ ﾚｼﾞｽﾀ(TSOW=0の場合, 初期値)

A+1

初期値= 00h

A+5

All 00h

書込み動作① 外部イベント割り込み機能からのタイムスタンプが必要な場合は、TSRビット (10h/Bit=7) に1を書き込んでタイムスタンプの時刻・カレンダー情報を初期化し、TSSビット= 0 および TSEビット= 1 と設し、TSOW (0 または 1) を選択します。 INT端子の割り込みが必要な場合は、EIEビットを1に設定します。 INT
端子をリセットしてイベント発生に備えて準備するには、EVFフラグをクリアする必要があります。上図の例は、EHL = 1 としてハイレベル/立ち上がりエッジ検出の場合です。 エッジ検出 (ET = 00) またはフィルタリング付きレベル検出 (ET ≠ 00) を選択します。
② EVI 端子の外部イベントが検出されます。フィルタリングを使用する場合(ET ≠ 00)はチャタリング時間に注意してください 。 値 (A+1) が TSレジスタにキャプチャ/コピーされ、Count TS レジスタの値が 1ずつ増加します。 カウンタ Count TS は、上書き設定のTSOWビットの値に関係なく常に動作します。
③ 外部イベント割り込みが発生すると、EIE=1 の場合、EVF フラグが 1 に設定され、INT端子の出力がLowになります。
④ EVFフラグはソフトウェアにより 0 にクリアされるまで 1 を保持します。
⑤ EVFフラグが 0 に戻されなかった場合は、INTピンでは割り込みは発生しません。ただしタイムスタンプ
上書きビットTSOW が 1 に設定されている場合は、新しい値 (A+2) が TSレジスタにキャプチャされます。

⑥ エッジ検出が有効 (ET = 00) の場合、EVI 入力が Highレベルであっても EVFフラグをクリアできます。
フィルタリングによるレベル検出が有効な場合 (ET ≠ 00)、EVF フラグは tDELAY 後に再びセットされます。
(tSP < tDELAY < 2 tSP)。 EVI 入力がLowレベルの場合も、EVF をクリアすることもできます。
⑦ TSE が 0 に設定されている場合はタイムスタンプはキャプチャされません。
⑧ EVI 入力が High レベルで TSEビットが 0 から 1 に設定されている場合、イベントは検出されません。
⑨ EVFフラグが 1 の間は、INT端子のステータスは EIEビットによって制御できます。
⑩ TSR ビットに 1 を書き込むと、7 つのタイムスタンプ レジスタ (カウント TS から年 TS) がすべて 00h にリセットされます。 ビット TSR は読み取られると常に 0 を返します。

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4.11.2. 外部イベント入力割り込みの使い方
外部イベント割り込み信号 及びタイムスタンプ、自動クロック信号出力 に関連するビット：
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•

秒レジスタ (00h) (時刻レジスタを参照)
分レジスタ (01h) (時刻レジスタを参照)
時間レジスタ (02h) (時刻レジスタを参照)
日付レジスタ (04h) (カレンダーレジスタを参照)
月レジスタ (05h) (カレンダーレジスタを参照)
年レジスタ(06h ) (カレンダーレジスタを参照)
カウントTS レジスタ (14h) (タイムスタンプレジスタを参照)
秒タイムスタンプ (15h) (タイムスタンプレジスタを参照)
分タイムスタンプ (16h) (タイムスタンプレジスタを参照 )時間タイムスタンプ(17h) (タイムスタンプレジスタを参照)
日付タイムスタンプ (18h) (タイムスタンプレジスタを参照)
月タイムスタンプ TS (19h) (タイムスタンプレジスタを参照)
年タイムスタンプ (1A) (タイムスタンプレジスタを参照)
EVFフラグ (ステータス・制御レジスタ, 0Eh – ステータスを参照)
TSE, EIE 及び12_24ビット (ステータス・制御レジスタ, 10h – 制御2を参照)
CEIEビット (ステータス・制御レジスタ, 12h – クロック割り込みマスクを参照)
EHLビット, ETフィールド, TSR ビット, TSOWビット, TSS ビット(イベント制御レジスタ, 13h – イベント制御を参照)

イベント割り込みのタイマー設定を入力する前に、INT端子からの不用意な割り込みを防ぐために、TSE およびEIEビットに 0 を書き込むことをお勧めします。
TSE および EIE をクリアする前に TSSビットの値を 1 から 0 に変更すると、( EHLビットの値によって、ただしETフィールドのステータスに関係なく) 不要な割り込みが発生する可能性があることに注意してください。

外部イベント割り込み信号 及びタイムスタンプ、自動クロック信号出力 の設定手順：
1. TSEビットとEIEビットを0に初期化します。
2. EVFを0にクリアします。

3. TSS ビットを 0 に設定して、EVI ピンの外部イベントをタイムスタンプおよび割り込みソースとして選択します。

4. EHL ビットを 1 または 0 に設定して、EVI ピンのハイまたはロー レベル (もしくは立ち上りエッジまたは立ち下がりエッジ) での検出を選択します。

5. エッジ検出 (ET = 00) またはフィルタリング付きレベル検出 (ET ≠ 00) を選択します。

6. 最後に発生したイベントを記録する必要があり、TS レジスタを上書きする場合は、TSOW ビットを 1 に設定します。
ヒント: カウンタ Count TS は、上書きビットTSOW の設定とは関係なく常に動作しています。

7. TSRビットに 1 を書き込み、すべてのタイムスタンプ レジスタを 00h にリセットします。 ビットTSR は読み取られると常に 0 を返します。
8. CEIE ビットを 1 に設定して、外部イベント発生時のクロック出力を有効にします。
「クロック出力スキーム」も参照してください。

9. タイムスタンプ機能を有効にする場合は、TSE ビットを 1 に設定します。

10. INT端子からハードウェア割り込みを出力する場合は、EIE ビットを 1 に設定します。

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4.11.3. エッジ検出モード (ET = 00)
エッジ検出モード：立上りエッジ検出と割り込み信号出力の例:

EVI 端子1

EVFﾌﾗｸﾞ

2

INT端子
書込み動作

（ 設定 : EHL = 1, ET = 00, TSS = 0, EIE = 1 )① EVI端子に立上りのエッジが検出されると, EVFフラグは1にセットされ、INT端子はLowレベルになります。
② INT端子からの割り込み信号出力は、 EVFフラグをクリアするとすぐにクリアされます。

4.11.4. フィルタリングによるレベル検出モード (ET ≠ 00)
レベル検出モード： ハイレベルでのレベル検出と割り込み信号の例 ：

EVI端子

1

ﾌｨﾙﾀ・ｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞ

1
tSP

1
tSP

4

2
tSP

tSP

tSP

3

EVFﾌﾗｸﾞ
INT端子
tSP < tD EL AY < 2 tSP

tSP < tD EL AY < 2 tSP

書込み動作( 設定: EHL = 1, ET ≠ 00, TSS = 0, EIE = 1 )フィルタリング時間 (tsp) の設定値 ：ET = 01, tSP = 3.9 ms
ET = 10, tSP = 15.6 ms
ET = 11, tSP = 125.0 ms① サンプルグ設定時間の幅の安定した ハイレベルの時間が続かないと EVIフラグはセットされません。
② サンプリング期間中に EVI ピンの安定した High レベルが検出されると、EVF フラグが 1 に設定され、INT出力端子が Low になります。 遅延時間 tDELAY は tSP と 2 tSP の間です。
③ INT端子からの割り込み信号出力は、 EVFフラグをクリアするとすぐにクリアされます。
④ EVI端子の High レベルが継続して安定すると、再び EVFフラグが 1 にセットされ、INT端子出力がLow になります。 遅延時間 tDELAY も tSP と 2 tSP の間になります。

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4.12. バックアップ電源自動切り替え割り込み機能
バックアップ電源自動切換え割り込み機能は、BSM フィールド (EEPROM37h) が 01 (DSM) または 11 (LSM) に設定されていてVDD 電源から VBACKUP 電源への自動切り替えが発生すると、割り込みイベントを生成します。
イネーブルになっている状態 (TSS = 1、TSE = 1、BSIE = 1、BSF フラグが以前に 0 にクリアされている) でバックアップ 電源切替えが検出された場合、時刻レジスタとカレンダー レジスタがキャプチャされてタイムスタ
ンプ レジスタにコピーされ、INT端子から割込み信号が出力され、 BSFフラグは 1 に設定されてバクアップ電源
切替えが発生したことを示します。
外部イベント割り込み機能と同様に、CLKOUT端子からのクロック出力はバックアップ電源自動切替え割り込み機能によって制御できます。 TSS ビットと EIE ビットを 1 に設定すると、バックアップ電源自動切替え機能によって生成される内部イベント割り込み信号 (EI) を使用して、CLKOUT端子からのクロック出力を自動的に
イネーブルにすることができます。
イネーブルになっている場合 (TSS、EIE、CEIE、CLKIE が 1 に設定され、CLKOE が 0 にクリアされ、FDフィールドで周波数が選択されている)、再び VDD 電源状態になると、CLKOUT ピンが周波数を出力します。
(「割り込みスキーム」および「クロック出力スキーム」を参照)
デバウンス ロジックにより、122 μs ～ 183 μs のデバウンス時間 tDEB が発生しますので注意してください。デバウンス ロジックは、バックアップ電源自動切替えが VBACKUP から VDD に戻るときに VDD動作をフィルタリングします (「バックアップ 電源切替え機能」を参照)。 I2C経由の通信は、デバウンス時間 tDEB 後の VDD 電源状態で可能になります。
高速エッジ検出 (≥ 7 V/ms) が有効になるように、FEDE ビット (EEPROM 37h) を常に 1 に設定する必要がありますのでご注意ください (EEPROM バックアップ レジスタを参照)。 FEDE = 1 が出荷時の初期値です。

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超低4.12.1. バックアップ電源自動切り替え割り込み機能のダイアグラム
バックアップ電源自動切り替え割り込み機能のダイアグラム:

TSE ﾋﾞｯﾄ

7

1

8

10

TSR ﾋﾞｯﾄ

9

BSIE ﾋﾞｯﾄ

INT端子

BSFﾌﾗｸﾞ

3

VBACKUP
電源の状態

2

5

イベント

イベント

イベント

A+1

A+2

A+3

時刻・ｶﾚﾝﾀﾞｰ
ﾚｼﾞｽﾀ

Set value to A

4

6

イベント
A+4

A+5

ｶｳﾝﾄTS ﾚｼﾞｽﾀ00h （ﾘｾｯﾄ値）

01h

02h

03h

00h

TS ﾚｼﾞｽﾀ
(TSOW = 1)
TS ﾚｼﾞｽﾀ
(TSOW = 0, default)

00h （ﾘｾｯﾄ値）

A+1

A+2

A+3

All 00h00h （ﾘｾｯﾄ値）

A+1

All 00h

書込み動作 ( I2C 通信は VDD電源での動作時のみ)① バックアップ電源切替え機能からのタイムスタンプが必要な場合は、時計とカレンダーを初期化し、 TSS
ビットとTSE ビットを 1 に設定し、TSOW (0 または 1) を選択します。INT端子からの割り込み信号が必要な場合は BSIE ビットを 1 に設定します。INT端子をリセットし、システムをイベント発生に備えてるためには、BSFフラグをクリアする必要があります。バックアップ電源切替え機能を有効にするには、 BSMフィー
ルド (EEPROM 37h) を 01 (DSM) または 11 (LSM) に設定します。
② VDD電源状態から VBACKUP電源状態へのバックアップ電源切り替えが発生します。 値 (A+1) がTS レジスタにキャプチャ/コピーされ、カウントTS レジスタの値が 1 ずつ増加します。
カウントTS は、上書きビット TSOW の設定に関係なく、常に動作します。
③ バックアップ自動切替えの割り込みイベントが発生すると、BSIT = 1 の時は、BSF フラグが 1 にセットされ、INT端子出力が Low になります。
④ BSFフラグはソフトウェアにより 0 にクリアされるまで 1 を保持します。
⑤ BSFフラグが 0 に戻されなかった場合は、INT端子からの割り込み信号は発生しません。ただし、タイム

スタンプ上書きビットTSOWが1に設定されている場合はTSレジスタには新しい値(A+2) が取り込まれます。
⑥ INT端子がLowの場合、BSFフラグが 0 にクリアされると即座に割込み信号はクリアされます。
⑦ TSEが 0 に設定されている場合はタイムスタンプは取得されません。
⑧ BSFが 1 の状態でTSEビットが 0 から 1 にセットされた場合にはイベントは検出されません。
⑨ BSFフラグが 1 のとき、BSIEビットによりINT端子割込み信号を制御できます。
⑩ TSRビットに 1 を書き込むと、7つのタイムスタンプレジスタ（カウントTS～年TS）がすべて00hにリセットされます。 ビットTSR は読み取られると常に 0 を返します。

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4.12.2. バックアップ電源自動切り替え割り込み機能の使い方
バックアップ電源自動切り替え割り込み機能、タイムスタンプ機能、自動クロック出力機能に関連するレジジスタ及びビット：
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•

秒レジスタ (00h) (時刻レジスタを参照)
分レジスタ (01h) (時刻レジスタを参照)
時間レジスタ (02h) (時刻レジスタを参照)
日付レジスタ (04h) (カレンダー・レジスタを参照)
月レジスタ(05h) (カレンダー・レジスタを参照)
年レジスタ (06h ) (カレンダー・レジスタを参照)
カウントTS (14h) (タイムスタンプ・レジスタを参照)
秒 TS (15h) (タイムスタンプ・レジスタを参照)
分 TS (16h) (タイムスタンプ・レジスタを参照)
時間 TS (17h) (タイムスタンプ・レジスタを参照)
日 TS (18h) (タイムスタンプ・レジスタを参照)
月 TS (19h) (タイムスタンプ・レジスタを参照)
年 TS (1A) (タイムスタンプ・レジスタを参照)
BSF フラグ (ステータス及び制御レジスタを参照, 0Eh – ステータス)
TSE, EIE 及び 12_24 ビット ( ステータス及び制御レジスタを参照, 10h – 制御 2)
CEIE ビット ( ステータス及び制御レジスタを参照, 12h – クロック割り込み信号マスク)
TSR , TSOW 及び TSS ビット (イベント制御レジスタを参照, 13h – 外イベント制御)
BSIE , FEDE ビット及び BSM フィールド (EEPROM バックアップ電源切替設定レジスタを参照,
37h – EEPROMバックアップ電源切替)

設定を行う前に、INT端子からの不用意な割り込み信号を防ぐために、TSEおよびBSIE ビットに 0 を書き込む様にして下さい。

バックアップ電源切替え割り込み、タイムスタンプ、自動クロック出力機能の使用手順：
1. TSEビットと BSIEビットを 0 に初期化します。
2. フラグBSFを0にクリアします。

3. TSSビットを 1 に設定して、タイムスタンプおよび割り込みソースとしてバックアップ電源切替えを選択します。
4. TSOWビットを 1 に設定するとTSレジスタが上書きされて最後に発生したイベントが記録されます。
(ヒント： カウントTS は上書きビット TSOW の設定とは関係なく常に動作しています)

5. TSRビットに 1 を書き込み、すべてのタイムスタンプ レジスタを 00h にリセットします。TSRビット は読込むと常に 0 を返します。

6. CEIE ビットを 1 に設定すると、バックアップ電源切替えが発生したときにクロック出力が有効になります。
( 注意：この機能は TSS ビットと TSE ビットが 1 に設定されている場合にバックアップ電源切替え機能とともに動作します。「クロック出力スキーム」も参照してください )7. タイムスタンプ機能を有効にする場合は、TSE ビットを 1 に設定します。

8. 高速エッジ検出 (≥ 7 V/ms) が有効になるように、FEDE ビットは常に 1 に設定する必要があります。
9. INT端子からハードウェア割り込みを出力する場合は、BSIE ビットを 1 に設定します。

10. バックアップ電源切替えモード (DSM または LSM) を選択し、BSM フィールドに対応する値を書き込みます。

EEPROM の読み込み・書き込み条件 も参照下さい。

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超低4.13. パワーオンリセット ( POR ）割り込み機能

パワーオンリセット割り込み機能は、PORIEビット (EEPROM 35h) にて設定します。 PORIEビットはRAM では
なく EEPROMレジスタ に事前に設定する必要があります (EEPROMレジスタの 読み取り/書き込みを参照)。
VPOR を下回る電圧降下が検出されると (VDD < VPOR)、PORF フラグが 1 に設定され、パワーオン リセットが発生したことを示します。PORIE ビットが 1 の場合、INT端子は Low レベルになります。
PORF が 1 になっている状態は、時刻情報がた正しくなくなっていることも示します。
また PORF の値 1 は、ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。

4.13.1. パワーオンリセット ( POR ）割り込み機能ダイアグラム
パワーオンリセット ( POR ）割り込み機能のダイアグラム ：2

PORIE ﾋﾞｯﾄ

7
5
3

INT端子

PORFﾌﾗｸﾞ

VDD

1

4

VPOR

6

VPOR

tREFR
tSTART状態

8

パワーオンリセット

tDELAYtREFRtSTART

通常動作

tDELAY

パワーオンリセット

通常動作

書込み動作

① VDD が VAPOR を下回ると フラグ PORF がセットされます。
② PORIE ビット (EEPROM 35h) が (EEPROM 内で) 1 に設定されている場合、RAM の PORIE ビットは最初のリフレッシュ時間： tPREFR = ～66 ms を含む 起動時間：tSTART = 0.2 秒後に 1 に設定されます。
③ PORIE ビットが 1 の間に パワーオンリセット(POR) イベントが発生すると、tDELAY = ～1 ms の遅延時間後にINT端子の出力が Low になります。
④ PORFフラグはソフトウェアにより0にクリアされるまで 1 を保持します。
⑤ PORFフラグが 1 の間は、INT端子割込み出力は PORIE ビットによって制御できます。
⑥ INT端子が Low の間に PORFフラグがクリアされるとすぐに出力は停止します。
⑦ PORIE ビット (EEPROM 35h) が (EEPROM 内で) 1 に設定されている場合、RAM の PORIE ビットは、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ~66 ms を含む起動時間：tSTART = 0.2 秒後に 1 に設定されます。
あるいは、PORIE ビット (EEPROM 35h) が (EEPROM 内で) 0 に設定されている場合、RAM の PORIE ビットは
起動時間： tSTART = 0.2 秒および最初のリフレッシュ時間： tPREFR = ~66 ms 後に 0 に設定されます。
⑧ PORIE ビットが 1 に設定されている間に パワーオン リセット イベントが発生した場合は 、tDELAY = ～1 ms の遅延時間後に IN端子 ピンの出力が LOW になります。
PORIE ビットが 0 に設定されている間にパワーオン リセット イベントが発生した場合は 、INT端子の出力は非アクティブ (HIGH) のままになります。

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4.13.2. パワーオンリセット ( POR ）割り込み機能 の使い方
パワーオン リセット割り込み機能 (EEPROM 処理を含む) に関連するレジスタ及びビット：
•
•
•
•
•
•

PORF, EEbusy ビット (ステータス及び制御レジスタ, 0Eh – ステータス)
EERD ビット (ステータス及び制御レジスタ, 0Fh – 制御1)
EE アドレスレジスタ (25h) ( EEPROM メモリ制御レジスタ )EE データレジスタ (26h) ( EEPROM メモリ 制御レジスタ )EE コマンドレジスタ (27h) (EEPROM メモリ制御レジスタ )PORIEビッチ ( EEPROM クロックレジスタ, 35h – EEPROM クロック出力 )PORIEビットは、RAM ではなく EEPROM に事前に設定する必要があります (EEPROM の読み取り/書き込みを参照)。
パワーオンリセット (POR) 割り込み機能を使用する手順：
1. 次のパワーオンリセット(POR) イベントで INT端子からハードウェア割り込みを出力させる場合
は、EEPROMレジスタ内の PORIE ビットを 1 に設定します。 「EEPROM の読み込み・書き込み」に準じた手順で行います。
2. 最初の割り込み信号 が 次の POR イベントの後に発生します。

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4.14. タイムスタンプ機能
タイムスタンプ機能は制御ビット TSE によって有効になります。 ソースは外部イベント割り込み機能 (TSS = 0)
またはバックアップ電源切替え割り込み機能 (TSS = 1) です。

ソースが有効になっている状態でイベントが検出されると、タイム スタンプ (TS) レジスタが記録されます。
TSOW ビットが 0 に設定され、EVF フラグが事前に 0 にクリアされている場合、1 つの (最初の) イベントのみが記録されます。 TSOW ビットが 1 に設定されると、最後のイベントが記録されます (EVF フラグをクリアする必要はありません)。 カウンタTS は、上書きビット TSOW の設定とは関係なく、常に動作しています。
•

TSR ビットに 1 を書き込むと、7 つのタイムスタンプ レジスタ (カウント TS ～ 年 TS) がすべて 00h にリセットされます。 ビット TSR は読み取られると常に 0 を返します。

•••

タイムスタンプ機能を開始する前に、TSE ビットに 0、TSR ビットに 1 を書き込むことを推奨します。

RESET ビットに 1 を書き込む時、または秒レジスタに書き込む時は、タイム スタンプのキャプチャ／コ
ピーは行われません。 RESETビット は読み取られると常に 0 を返します。

TSE をクリアする前に TSS ビットの値を 1 から 0 に変更すると、外部イベント割り込み機能からの不要なタイムスタンプのキャプチャ／コピーが発生してしまう可能性があることに注意してください (EHL
ビットによります。ET フィールドは関係ありません)。

タイムスタンプ機能を使用する手順：
1. TSEビットとEIEビットを 0 に初期化します。
2. TSOW (0 または 1) を選択し、EVF と BSF をクリアします。
3. TSR ビットに 1 を書き込み、すべてのタイムスタンプ レジスタを 00h にリセットします。 ビット TSR は読み込まれると常に 0 を返します。
4. タイムスタンプ ソースとして外部イベント割り込み機能 (TSS = 0) またはバックアップ電源切替え割り込み機能(TSS = 1) を選択し、必要な機能を初期化します ( 「外部イベント割り込み機能」 または 「バックアップ 電源自動切替割り込み機能」を参照)。
5. タイムスタンプ機能を有効にするには、TSE ビットを 1 に設定します。

チント: EIE (RAM) または BSIE (EEPROM 37h) ビットが 1 に設定されている場合は、INT端子から割り込み信号が出力されます。EVF または BSF フラグが 1 に設定されて、対応するイベントが発生したことを示します。
（注記）EVFフラグは最初のイベント検出を識別するために内部で使用されるため、外部イベント割り込み機能(TSS = 0、TSE =1 の時) からのイベント、またはバックアップ電源切替え割り込み機能 (TSS= 1, TSE= 0 の時)のイベントによってセットされます。 次頁のスキームも参照してください。

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超低タイムスタンプ機能のスキーム：
RESET 秒レジスタ (4)ビット

プリスケーラEHL, ET
EVI

1 Hz

リセット

TSS

バックアップ電源自動
切替機能
割込み
スキーム

1

1 最後のイベント

1

1

割込み
スキーム

ｷｬﾌﾟﾁｬ/ｺﾋﾟ-

0

0

1

BSM, FEDE

0 最初のイベント

秒
分
時間
日
月
年

TSE

0

EVF

1

1Hz ﾁｯｸ
auto

割込み
スキーム

外部イベント機能

TSOW (1)

0

0 自動
1

1

(2)
AND
&

OR
1

タイムスタンプ

自動

(3)

TSR

インターフェース:
読み込み／
書き込み

クリア

カウントTS
秒 TS
分 TS
時間 TS
日 TS
月 TS
年 TS

インターフェース:
（5）
読み込み
のみ

上書きイネーブル(1)

TSOW ビットが 1 にセットされると、TS レジスタ (秒 TS ～ 年 TS) が上書きされ、最後に発生したイベントが記録されます。 TSOW ビットが 0 に設定されると、TS レジスタは 1 回だけ上書きされます。 EVF をクリアすると最初のイベントの発生前の状態になります (TS レジスタは TSR ビットに 1 を書き込むことでクリアできます)。
カウント TS は、上書きビット TSOW の設定とは関係なく、常に動作しています。

(2)

EVF フラグが事前に 0 に設定されている場合、外部イベントまたはバックアップ電源切替えが発生すると値が 1 になります。値 1 は、ユーザーが 0 を書き込むまで保持されます。
・ EVF フラグが 1 になる条件：－ 外部イベントが発生した場合 ( 設定：TSS = 0 及び EIE = 1 または TSE = 1 のとき).
－ バックアップ電源切替えが発生した場合 (設定：TSS = 1 及び EIE = 1 または TSE = 1 のとき).

(3)

TSR ビットに 1 を書き込むと、7 つのタイムスタンプレジスタ ( カウントTS ～ 年TS) がすべて 00h にリセットされます。 ビット TSR は読み込まれると常に 0 を返します。

(4)

RESET ビットに 1 を書き込むか、秒レジスタに値を書き込んだ場合、追加の 1 Hz チックは生成されず、タイム
スタンプのキャプチャ/コピーは発生しません。 RESETビット は読み取られると常に 0 を返します。

(5)

TS レジスタへの I2C 読み取りアクセス中は、タイムスタンプ キャプチャ機能はブロックされます。

「割り込みスキーム」セクションの「割り込みスキーム (パート 2)」も参照してください。

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4.15. 周波数オフセット補正機能
EEOffset 値を使用して、エージング調整または精度調整を行うことができます。 補正は純粋にデジタルで行われ、時間対温度の曲線を垂直方向に上下にシフトする（周波数センター値のオフセット）効果のみがあります。
対温度特性の補正は出来ません（影響しません）。 EEOffset 値には、+ 255 ～ -256 の調整ステップの範囲の 2の補数が含まれます。 補正分解能 (1ステップ= 1 LSB) は ±1 / (16384 × 64) = ±0.9537 ppm で、最大補正範囲は+243.2 ppm ～ -244.1 ppm です。 補正間隔時間は 64 秒です。 オフセット値 EEOffset は、32.768kHz測定値からの補正値に相当します。オフセット値は工場出荷時に±1ppm／＠+25℃に設定されていますが、ユーザーサイ
ドでの上書き調整も可能です。
(注記) EEOffset 値の 8 ～ 1 ビットは、レジスタ 36h – EEPROM オフセットにあります (EEPROM オフセット
レジスタを参照)。 EEOffset 値のビット 0 (LSB) はレジスタ 37h – EEPROM バックアップレジスタ内にあります。 (EEPROM バックアップ レジスタを参照)

4.15.1. EEOFFSET値の計算
EEOffset 値の算出手順：
1. CLKOUT端子出力で 32.768 kHz の周波数を選択します。.
(32.768 kHz 以外の周波数を選択した場合は、未補正の周波数を測定できるように EEOffset 値を 0 に設定し、以降の計算を適用する必要があります。)
2. CLKOUT端子出力の周波数 Fmeas を Hz 単位で測定します。
3. 必要なオフセット値を ppm 単位で計算します  POffset = ( (Fmeas – 32768) ÷ 32768 ×1,000,000) (ppm)
4. オフセット値をステップ単位で計算します:
Offset = POffset ÷ (1 ÷ (16384 × 64) ppm) = POffset ÷ (0.9537 ppm = 1ステップのオフセット分解能 )5. オフセット値 > 256 の場合は周波数が高すぎて補正できません。
6. 1 ≤ Offset ≤ 256 ( 補正は -1 ≥ OffsetCorr. ≥ -256)  EEOffset = 「512 – オフセット」 を設定します。
7. -255 ≤ Offset ≤ 0 ( 補正は +255 ≤ OffsetCorr. ≤ 0)  EEOffset = 「- オフセット値 」 を設定します。
8. オフセット値 < -256 の場合は周波数が低過ぎて補正できません。
計算例 :• 周波数 32.768 kHz が選択されているときに、測定値が 『32768.48 Hz』 の場合、差分は 『+0.48 Hz』 になります。
+ 0.48 Hz÷32768 Hz×1,000,000 = +14.648 ppm。ステップ単位のオフセット値は次のように計算されます。
+ 14.648 ppm / 0.9537 ppm = +15.36 、四捨五入の整数部は 15 です(オフセット補正値は -15 ステップ)。 符号なし EEOffset 値は、512 – 15 = +497 となります。 バイナリでは EEOffset =111110001 です。
•

周波数32.768 kHz が選択されているときに 測定値が 『32767.52 Hz』の場合、差分は『 -0.48 Hz』 になります。
- 0.48 Hz÷32768 Hz×1,000,000 = -14.648 ppm。ステップ単位のオフセット値は次のように計算されます。
- 14.648 ppm ÷0.9537 ppm = -15.36 、四捨五入の整数部は -15です。 (オフセット補正は +15 ステップ)。
EEOffset 値は - (-15) = +15 となります。 バイナリでは EEOffset = 000001111 です。

4.15.2. オフセット後の時間精度の検証
オフセット補正は次のプロセスで確認できます。
1. 計算された EEOffset 値を入力します ( EEOffset 値の決定を参照 ) 。
2. CLKOUT端子 で 1 Hz の周波数を選択します 。
(別の周波数を選択した場合は、以降の計算を調整する必要があります)
3. CLKOUT 端子で 64 秒の補正間隔時間の間、出力周波数を測定しつづけます。
4. 平均周波数 Fmeas_aver を Hz で計算します。
5. オフセット設定後の偏差を ppm で計算します： POffset = ( (Fmeas_aver – 1) ÷1 × 1,000,000 )November 2021

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4.16. UNIX TIME カウンタ
UNIX TIMEカウンタ は 32 ビットカウンタ の符号なし整数で、値 FFFFFFFFh に達すると 00000000h にロールオーバーします。 4 バイトは完全に読み込み、及び書き込みが可能です。カウンタのソースクロックは、デジタル
オフセット補償された 1 Hz チックです。
4.16.1. UNIX TIME の設定
アクセス時間が 950 ミリ秒未満の I2C 書き込みアクセス中は、UNIX レジスタ (UNIX TIME 0 ～ UNIX TIME 3) はブロックされます。時刻およびカレンダーレジスタの設定とは異なり、I2C ストップコンディションの後、記憶されている可能性のある 1 Hz チックが失われる可能性があります。
レジスターブロックの利点:• I2C 書き込みアクセス中の UNIX レジスタへの誤った書き込みを防止します (書き込みアクセス中に UNIX
レジスタがインクリメントされません)。
• 制御のために読み取りは必要ありません。 書き込まれたデータは一貫性があります。
I2C 書き込みアクセスに 950 ms より長くかかった場合は、I2C バス インターフェイスは内部バス タイムアウト機
能によってリセットされます。この場合、以前の UNIX 値が維持され、UNIX 増分 (1 Hz チック) は正常に動作し続けます (保留中の 1 Hz ティックは失われる可能性があります)。 I2C通信は、再度スタートコンディションを送信することで再開できます。
4 つの UNIX レジスタに即座に書き込むと、記憶されている 1 Hz チックが失われる可能性があるため、UNIX 時間を設定する前に プリスケーラ をリセットすることをお勧めします (「リセット ビット機能」を参照)。 32 ビット
UNIXカウンタ値自体はリセット中に変化しません。UNIX 時間を書き込んだ後のリセットと I2C STOP の間の時間
は 950 ミリ秒以内である必要があります。 次頁の図を参照してください。
この方法のメリット ：••4 つの UNIX レジスタへの書き込みアクセス中に 1 Hz チック が失われることはありません。
秒レジスタと UNIX 時間の間の、望ましくない 1 秒の差異を防ぎます。

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RESET ビット の 機能を利用して UNIX TIME を設定する例 :1 Hz CLKOUT出力または INT端子出力1UNIX Time 0
UNIX Time 1
UNIX Time 2

UNIX Time 3
1s

RESET ﾋﾞｯﾄ /または 秒ﾚｼﾞｽﾀ書込み

1s – (0～244 µs)

1s

2I2C-bus3

書込み動作① 外部クロックソースに対する 1Hzチック の同期を監視するには、CLKOUT端子からの出力、または割り込み
出力のINT端子からの 1Hzクロックを有効にします。 どちらの場合も、立下りのエッジは時刻カウンタの増分の 1Hzチック に対応します (リセットからの負のエッジを除く)。
② RESET ビットに 1 を書き込むか、秒レジスタに書き込むことで一貫した高精度の時刻調整 (同期) を実現し、記憶されている可能性のある 1 Hz ティックを失うことなく 4 つの UNIX レジスタへの書き込みアクセスの準備を行います。 この時点では UNIX TIME 値は変更されていません。 リセット後の最初の 1 Hzの間隔は、
1 秒より短い 0 ～ 244 μs になります。 RESET ビットは読み取られると常に 0 を返します。
(「リセットビット機能」を参照)。
③ ここでUNIX Time カウンタレジスタ（UNIX Time 0 ～ UNIX Time 3）に新しい値が入力されます。 UNIX レジスタへの書き込みの場合は、RESETビットや秒レジスタへの書込みの場合とは異なり、書き込み後の I2C ストップ
コンディションによる1 Hzチックの同期は発生しないのでご注意下さい。

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4.16.2. UNIX TIME の読み込み
アクセス時間が 950 ミリ秒未満の I2C 読み取りアクセス中は、UNIX レジスタ (UNIX TIME 0 ～ UNIX TIME 3)
は完全に読み取り可能でブロックされません。時刻およびカレンダーレジスタの読み取りと同様に、
I2Cストップコンディションの後、記憶されている可能性のある 1 Hz ティックが実行されます。
1 Hz チックをメモリすることの利点:•

読み取り後にメモリされた 1 Hz チックが処理されて UNIX 時間が更新されます。

I2C 読み取りアクセスに 950 ms 以上かかる場合、I2C バス インターフェイスは内部のバスタイムアウト機能によってリセットされます。この場合には、読み取られるすべての UNIX データの値は FFh であり、保留中の 1 Hz
チックが実現され、UNIX インクリメント (1 Hz ティック) は正常に動作し続けます。 I2C通信は、再度スタートコ
ンディションを送信することで再開できます。
UNIX 時間の読み込みには、以下の2つの方法をお勧めします ：1. 4 つのUNIX TIMEレジスタ (UNIX Time0 ～ UNIX Time3) を 2 回読み取り、読み取り結果の一貫性を確認します。
2. 読み取り可能なタイミングに、時刻更新割り込み機能を使用して、MCU向けに INT端子から 1Hz 割り込みを生成します。 時刻更新の1Hzの割り込みイベントから、UNIX時間を読み取った後のI2C ストップコンディションまでの時間は950ミリ秒以内になるはずです。この場合は、二度目の読み込みは必要ありません。

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超低4.17. RESET ビットの機能

RESET ビットは ソフトウェアベースでのタイミング同期に使用されます。 秒レジスタへの書き込みも同じ効果があります。

RESETビットに 1 を書き込むか、秒レジスタに値を書き込むと、8192 Hz から 1 Hz までのクロックプリスケーラ
周波数がリセットされ、最終的に現在記憶される 1Hz の更新もリセットされます。 RESETビットは読み出すと常に 0 が返されます。 プリスケーラの上段はリセットされず (16.384 kHz)、I2C インターフェイスは 1Hz とは非同期であるため、リセット後の最初の 1 Hz の間隔は 1 秒より 0～244 μs ほど短い間隔になります。 プリスケー
ラーをリセットすると、後続のすべてのペリフェラル (時刻・カレンダー、CLKOUT クロック、タイマークロッ
ク、時刻更新クロック、UNIX クロック、EVI 入力フィルター) の現在のクロック周期の長さに影響します。
RESET ビットに 1 を書き込んだ場合、または秒レジスタに書き込んだ場合でも、32.768 kHz の CLKOUT出力 には影響しません (「CLKOUT 周波数選択」も参照)。

F13
リセット

リセット

F14

1 Hz

F1

2 Hz

F0

819 2 Hz発振器

16.384 kHz

内部32.768kHz

32.768 kHzRESETビットの機能のスキーム:

リセット

0

1 Hz チック

1
RESET ビット
秒レジスタ

1 Hz
32 Hz
64 Hz
1024 Hz8192 Hz32.768 kHz

(1)

書き込み

CLKOUT出力(1) RESETビットに 1 を書き込むのと、秒ジスタに値を書き込むのはプリスケーラに同じ効果があります。

RESETビット機能を使用して時刻・カレンダーの値を設定する手順：
1. 設定したい 時刻・カレンダーの値を 950 ミリ秒以内に各レジスタに書き込みます (秒、分、時、曜日、日、月、年) 。
2. 2. RESET ビットに 1 を書き込むか、秒レジスタに値を書き込むことで、上図のタイミング回路を同期して開始します (1Hz チック)。 RESET ビットは読み出すと常に 0 が返されます。
「時刻の設定」および「UNIX 時刻の設定」セクションも参照してください。

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超低タイミングリセット機能：
1 Hz CLKOUT出力または INT端子出力

1秒ﾚｼﾞｽﾀ(RESETﾋﾞｯﾄを使用)

A

秒ﾚｼﾞｽﾀ(秒の値を書き込み)

A
1s

A+1

A+1

A+2

B

B+1

1 s – 0 to 244 µs

1s

2

RESETﾋﾞｯﾄ /または

A+3

B+2

A+4

C

C+1

1 s – 0 to 244 µs

1s

3秒ﾚｼﾞｽﾀ書込み
書込み動作① 外部クロックソースに対する 1Hzチック の同期を監視するには、CLKOUT端子からの出力、または割り込み
出力のINT端子からの 1Hzクロックを有効にします。 どちらの場合も、立下りのエッジは時刻カウンタの増分の 1Hzチック に対応します (リセットからの負のエッジを除く)。
② RESET ビットに 1 を書き込むか、秒レジスタに書き込むと、CLKOUT端子 または INT端子の HIGH 信号から即座に立下りエッジが生成されます。 RESET ビットに 1 を書き込むと、秒レジスタの値はこの時点では変更されません。
RESET ビットは読み出すと常に 0 が返されます。
リセット後の最初の 1Hzの長さは、1 秒より 0～244μsほど短い間隔になります。
③ RESET ビットに 1 を書き込んだり、秒レジスタに書き込んでも、CLKOUT端子 または INT端子の Low信号は変化しません。 リセット後の最初の 1Hzの長さは、1 秒より 0～244μsほど短い間隔になります

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4.18. ユーザー設定可能なプログラマブルパスワード
電源が投入されて tPREFR = ~66 ms の最初のリフレッシュ時間の後に、パスワード PW レジスタ (RAM 21h ～ 24h) は 00hにリセットされ、また、EEPWE (EEPROM 30h) の値と EEPROM パスワード EEPW レジスタ
(EEPROM 31h ～ 34h) の値が EEPROM から対応する ミラーRAM にコピーされます。
このパスワードロック機能を使用する場合 (EEPROMパスワード有効化レジスタ の EEPWE に 255 を書き込むことで有効になります)、32ビットのパスワードを最初の 4つのパスワードレジスタ (PW) に設定します。 このパスワードはすべての WP( Write Protect=書き込み保護 ）機能を備えたレジスタ (時間、制御、ユーザー RAM、構成EEPROM、およびユーザー
EEPROM レジスタ) に書き込する際に必要になります。
32ビットパスワード：PW は、EEPROMパスワード(EEPW)の ミラーRAM に格納されている 32ビットと比較されます(パスワードレジスタ、EEPROM パスワード有効化レジスタ、 EEPROMパスワード レジスタを参照) 。
(注記 ) 使用可能なパスワードの数は、232 ≈ 4.3 × 109 = 43 億通りです。

4.18.1. 書き込み保護の有効化／無効化
EEPWE レジスタ (EEPROM 30h) に 255 を書き込んで書き込み保護機能を有効にしている場合でも、EEPROM
レジスタを除くすべてのレジスタは読み込むことが可能です。 EE アドレスおよび EE コマンド レジスタに書き込むことができないため、EEPROM レジスタは読み取ることはできません。 パスワードロック機能が有効になっていない場合は、対応するすべてのレジスタの読み込みと書き込みが可能になります。
パスワードロック機能が有効になっている場合は、RAM レジスタへの書き込みの前にロック解除する必要があります。
まず正しい32ビットパスワード PW (PW =EEPW) を書き込んでから、EEPROMレジスタの読み書きを行う必要があります。

書き込みアクセスを終了し、その後も書き込み保護を有効のままにするか、または (EEPROM レジスタ EEPWE に 255 を書き込むことによって) 再度有効にする場合には、一度間違ったパスワード (PW ≠ EEPW) をパスワード レジスタ PW0 ～
PW3 に書き込む必要があります。 レジスタを書き込み禁止（ロック）にするためです。 以下のプログラムシーケンスとフローチャートを参照して下さい。

レジスタへの書き込み保護を有効にする手順 :1. 初期状態 : WP（書き込み保護可能なレジスタ）は初期値では書き込み保護されていません (EEPWE ≠ 255)。
2.
3.
4.
5.

（リファレンスのパスワードが EEPROMパスワード EEPW0～4 に保存されているとします)
EERD = 1 に設定してオートリフレッシュ機能を無効にします。
EEPWE = 255 (RAM) と入力してパスワードロック機能を有効にします。
正しいパスワード PW (PW = EEPW) を入力して、書き込み保護のロックを解除します。
EECMDレジスタに 00h に続いて 11h を書き込んで、EEPROMを更新します。
( すべての機能設定 ミラーRAM  EEPROM へコピー )6. EERD = 0 に設定してオートリフレッシュ機能を有効にします。
7. 間違ったパスワード PW (PW ≠ EEPW) を入力してデバイスをロックします8. この状態で WP (書込み保護可能な)レジスタはパスワードロックされています (EEPWE = 255) 。

ロジスタへの書き込み保護を解除にする手順 :1. 初期状態: WP レジスタはパスワードによって書き込み保護されています (EEPWE = 255)。
2.
3.
4.
5.
6.
7.

（リファレンスのパスワードが EEPROMパスワード EEPW0～4 に保存されているとします)
正しいパスワードをパスワードレジスタ (21h:24h) に入力し、書き込み保護のロックを解除します。
EERD = 1 に設定してオートリフレッシュ機能を無効にします。
「EEPWE ≠ 255) (RAM)」と入力してパスワード機能を無効にします。
EECMDレジスタに 00h に続いて 11h を書き込んで、EEPROMを更新します。
( すべての機能設定ミラー RAM  EEPROM へコピー )EERD = 0 に設定してオートリフレッシュ機能を有効にします
この状態で WP (書込み保護可能な)レジスタはパスワードロックが解除されています (EEPWE ≠ 255) 。

（ヒント)
EEPROM パスワード EEPW レジスタ内のリファレンスパスワードの EEPROM値は、ロック解除状態（まだレジスタが書き込み保護されていない) の場合には、EEPROM 1 バイト読み取りコマンド (EECMD = 00h の後に 22h) を使用して読み取ることができます。
このオプションは、パスワードロック機能を有効にする前に EEPW にどのパスワードが書き込まれているかが不明な場合に利用できます。EEPWレジスタからは ミラーRAMレジスタ を読み取ることはできません。

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超低RV-3028-C7

4.18.2. パスワードの変更
新しいパスワードを定するには、WP(書き込み保護)レジスタがパスワードロックされている場合、ユーザーは
まず現在の (正しい) パスワード PW (PW = EEPW) をレジスタ 21h～24h に入力し、次にすべて 1 ではない値 (値≠255) を書き込む必要があります。

EEPWEレジスタ (EEPROM 30h) に 全て 1ではない値 (値 ≠ 255) を書き込んでパスワードロックを解除し、新しい リファレンスのパスワード EEPW を EEPROM レジスタ 31h ～ 34h に書き込みます。その次に EEPWEレジ
スタにすべて 1 (値 = 255) を書き込むことでパスワード機能を有効にします。 以下のプログラムシーケンスとフローチャートを参照してください。

パスワード機能が 『有効』 になっている場合 (EEPWE = 255) のパスワード変更手順 (EEPWE = 255) :1.

1. 初期状態: WP(書込み保護)レジスタは古い EEPROM パスワード EEPW によって書き込み保護されています。

2.
3.

古い（現在の）パスワード PW (PW = EEPW) を入力して、パスワードロックを解除します。
EERD = 1 に設定してオートリフレッシュを無効にします。

4.

EEPWE ≠ 255 (RAM) と入力してパスワード機能を無効にします。

5.

EEPW レジスタ (RAM) に新しい参照パスワードを定義します。

6.

EEPWE = 255 (RAM) と入力してパスワード機能を有効にします。

7.
8.

新しいパスワード PW (PW = EEPW) を入力して、パスワードロックを解除します。
EECMDレジスタに 00h に続いて 11h を書き込み、EEPROMを更新します。
(すべての 機能設定ミラー RAM  EEPROM へコピー )9. EERD = 0 に設定してオートリフレッシュを有効に戻します。
10. 間違ったパスワード PW (PW ≠ EEPW) を入力してデバイスをロックします
11. これでWP (書込み保護) レジスタは新しい EEPROM パスワード EEPW によって書き込み保護されています

パスワード機能が 『無効』 になっている場合 (EEPWE ≠ 255) のパスワード変更手順 (EEPWE = 255) :
1.
2.
3.
4.

初期状態: 古い（現在の）パスワードが EEPROM パスワード EEPW に保存されています。
2. EERD = 1 に設定してオートリフレッシュを無効にします。
EEPW レジスタ (RAM) に新しいパスワードを定義します。
EECMDレジスタに 00h に続いて 11h を書き込み、EEPROMを更新します。
(すべての 機能設定ミラー RAM  EEPROM へコピー )5. EERD = 0 に設定して自動リフレッシュを有効にします。
6. 新しい パスワードが EEPROM パスワード EEPW に保存されます。
パワーオンリセット (POR) 後の PWレジスタの値は 00000000h であるため、00000000h は有効なパスワードではないのでご注意下さい。パワーオンリセット (POR) 後に パスワード = 00000000h の状態で EEPW=255 としてパスワードロックを設定してもパスワードロックは有効にはなりません。

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超低4.18.3. パスワードロックのフローチャート

以下のフローチャートは、ユーザーパスワードによるレジスタ書き込み保護の有効化と無効化のプログラミン
グ、および書き込み保護が有効または無効になっている場合のユーザーパスワードとその他の機能設定EEPROM
レジスタ(35h～37h)の変更についての説明です。 この例では、EEPROM 更新コマンド (EECMD = 00h の後に 11hを書き込む) を適用して、すべての 機能設定ミラーRAMバイト (アドレス 30h～37h) から対応する 機能設定
EEPROMバイトにデータを書き込み (保存) します。「EEPROM設定レジスタの使用方法」も参照してください。
ユーザープログラマブルパスワードのフローチャート：

全てのRAMの編集が可能(00h - 28h)

POR

(1)
EEPWE ≠ 255

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸされていない状態

EERD = 0

ｵｰﾄﾘﾌﾚｯｼｭを有効にする

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸ
なし

EECMD = 00h & 11h(RAM  EEPROM)

EEPROMﾚｼﾞｽﾀへのｺﾋﾟｰ

その他のEEPROM
レジスタの編集(35h-37h)

ｵｰﾄﾘﾌﾚｯｼｭを無効にする

EERD = 1

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ機能を有効にする

EEPWE = 255
(RAM)

(RAM)
EEPWE ≠ 255(RAM)

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ機能を無効にする

新しいﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ
を設定
(RAM)

(3)

その他のEEPROM
レジスタの編集(35h-37h)(RAM)
EERD = 1

正しいﾊﾟｽﾜｰﾄﾞ
を入力(PW = EEPW)

ｵｰﾄﾘﾌﾚｯｼｭを無効にする

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸの解除

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸ
あり

POR

(3)
EEPROMﾚｼﾞｽﾀへのｺﾋﾟｰEECMD = 00h & 11h(RAM  EEPROM)

ｵｰﾄﾘﾌﾚｯｼｭを有効にする

EERD = 0

ﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸ(2)
EEPWE = 255

正しくないﾊﾟｽﾜｰﾄﾞを入力(PW ≠EEPW)

書込み保護ﾚｼﾞｽﾀのﾊﾟｽﾜｰﾄﾞﾛｯｸ(1) EEPWE ≠ 255 となっている場合のパワーオンリセット直後の状態(2) EEPWE = 255 となっている場合のパワーオンリセット直後の状態(3) 事前に EEPWレジスタ (RAM) にパスワードが設定されている場合, 新しい正しいパスワード

PW (PW = EEPW) をここで入力してパスワードロックを解除します。

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5. I2C インターフェース

I2C インターフェースは ICとモジュール間の双方向の2ワイヤ通信です。RV­3028­C7の I2C通信速度は、
Fast-Mode の 400kHz に対応しており, アドレスは A4h / A5h です。 I2C インターフェースは2つの信号線で構成されており, 双方向のデータライン(SDA)とクロックライン(SCL) からなります。2つの信号線はプルアップ抵
抗を介してして+電源に接続されて使用されます。データ転送はインターフェースラインが他で使われていない場
合のみ行えます。

5.1. ビット送信
1つのクロックパルスにつき1つのデータを送信できます。SDAデータラインはSCLクロックラインが、Highの間に一定であることで有効なデータと認識されます。SDAデータ は SCLクロック が Lowの間のみ変更できます。
( 下図を参照)

ビット送信図：SDA
SCL
ﾃﾞｰﾀﾗｲﾝが一定：
ﾃﾞｰﾀ が有効

ﾃﾞｰﾀの
変更が
可能

5.2. スタートコンディション・ストップコンディション
バスが非動作のときは、SDAラインと SCLラインは両方とも HIGH のままです。データラインが HIGH → LOW
へ遷移し、クロックが HIGH の場合、スタートコンディション (S) として定義されます。 SDAラインがLOW →HIGH へ遷移した時にクロックHIGH の状態がストップコンディション(P) として定義されます。
(下図を参照)スタートコンディション・ストップコンディションの定義:
SDA
SCL

SDA
S

P

ｽﾀｰﾄｺﾝﾃﾞｨｼｮﾝ

SCL

ｽﾄｯﾌﾟｺﾝﾃﾞｨｼｮﾝ

最初の スタートコンディションの後、ストップコンディションの前に再度発生する スタートコンディションは『リピート・スタートコンディション』と呼ばれ、通常のストップコンディションとそれに続く通常のスタートコ
ンディションとまったく同じように機能します。
注記 :RV-3028-C7 RTCモジュールと通信する場合、スタートコンディションの送信から ストップ コンディションの送信までの一連の通信 は 950ms 以内に行う必要があります。
この一連の通信に 950ms 以上の時間がかかると、RV-3028-C7 のバスタイムアウト機能により、I2C バスイン
ターフェースが自動的にクリアされスタンバイモードになります。 このオートクリア動作中およびオートクリア
動作後の通信は、書き込み／読み込みともに無効となりますのでご注意ください。 通信が無効の場合、書き込み
時はアクノリッジ が 発生せず、読込み込み時は 値 : FFh が読み出されます。

通信の再開は、再度 スタートコンディションの転送から始まります。
I2C 自動インクリメント アドレス ポインタは、I2C ストップコンディションによっても、タイムアウト後の強制的な内部停止によってもリセットされません。

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超低5.3. データの有効性

スタートコンディションの後、SDA は SCL が High の間は一定になります。 SDA データは、SCL が Low の間でのみに変更することが出来ます。 データの１ビットごとに 1 つのクロック パルスがあります。 各データ転送はス
タートコンディションで開始され、ストップコンディション で終了します。 スタートコンディションと ストップ
コンディション の間で転送されるデータ バイト数に制限はありません ( ただし転送時間は 950 ミリ秒を超えてはなりません) 。 データはバイト単位で送信され、レシーバ は 9 番目のビットで アクノリッジ 応答します。

5.4. システム構成
複数のデバイスを I2C バスに接続できるため、すべての I2C バス デバイスには、個別のアドレス指定を可能にする固定・固有のデバイス番号が組み込まれています。
I2C バスを制御するデバイスがマスターです。 マスターによって制御されるデバイスはスレーブです。 メッ
セージを生成するデバイスはトランスミッタです。 メッセージを受信するデバイスがレシーバです。 RV-3028C7 はスレーブ・レシーバ または スレーブ・トランスミッタとして機能します。

I2C バス上で データが送信される際には、レシーバのデバイス・アドレスが最初に指定されます。 アドレス指定
は常にスタートコンディションの後に送信される最初のバイトで送信されます。 SCLクロックは入力信号のみ、SDAデータ は双方向ラインです。
システム構成:
SDA
SCL

マスタ
トランスミッタ
レシーバ

November 2021

スレーブ
レシーバ

スレーブ
トランスミッタ レ
シーバ

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マスタ
トランスミッタ

マスタ
トランスミッタ
レシーバ

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超低5.5. アクノリッジ

スタートコンディションと ストップコンディションの間でトランスミッタからレシーバに転送されるデータバイ
ト数は無制限です (ただし転送時間は 950 ミリ秒を超えてはなりません)。 8ビットの各バイトの後にはアクノリッ
ジ が続きます。
••••

アドレス指定されたスレーブ・レシーバ は、各バイトの受信後にアクノリッジを生成する必要があります。
また、マスター・レシーバ もまた、スレーブ・トランスミッタ からの各バイトの受信後にアクノリッジ を生成する必要があります。
アクノリッジを行うデバイスは、アクノリッジに対応する SCLクロックパルスの HIGH の間 SDA ラインが LOW で一定になるようにSDAラインをプルダウンする必要があります (セットアップ時間とホールド時間を考慮する必要があります)。
マスタ・レシーバ はスレーブ・トランスミッタから送信されたデータの終わりにアクノリッジを返さないことでデータ転送を終了させます。 この時にスレーブ・トランスミッタはマスタ・レシーバがストップ・コンディションを生成出来るよう
SDAラインを High に保っておく必要があります。

I2C バス上のデータ転送とアクノリッジ応答 :トランスミッタ
からのデータ出力
ｱｸﾉﾘｯｼﾞ無し

レシーバ
からの
データ出力
マスタ
からの
SCLクロック

ｱｸﾉﾘｯｼﾞあり
S

1

2

ｽﾀｰﾄ・
ｺﾝﾃﾞｨｼｮﾝ

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8

9

ｱｸﾉﾘｯｼﾞに対応する
SCLｸﾛｯｸﾊﾟﾙｽ

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5.6. スレーブアドレス
RV­3028­C7の 7 ビットのスレーブ アドレスは 1010010b です。
（8バイト表示の場合は 0x52 です）
R/W

スレーブアドレス
Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

1

0

1

0

0

1

0

1(R)
0 (W )

データ送信
A5h (読み込み)
A4h (書き込み)

スタートコンディションの後、I2C スレーブ アドレスを RV-3028-C7 デバイスに送信する必要があります。 このビットは、次の 1 バイトまたは複数バイトのデータ転送の方向を決めます。 7 ビットのアドレスは MSBファーストで送信されます。 このアドレスならが 1010010b の場合、RV-3028-C7 が選択され、8 番目のビットは読み取り (= 1) または書き込み (= 0) 操作を示し (結果は A5h または A4h)、RV-3028-C7 は アクノリッジ を返します。 RV-3028-C7 は他のアドレス値の場合はデータ送信を無視しアクノリッジ応答しません。
書き込み動作の場合は、次のデータ転送の ストップコンディションまたは スタートコンディションを送信することでデータ転送が終了します。

5.7. 書込み動作
マスタはスレーブ・レシーバにアドレスの指定をします。レジスタアドレスは8ビットで指定されます。
1バイトのデータ書き込み後はレジスタアドレスは自動的にインクリメントされます。
RV-3028-C7 の任意のレジスタに書き込む場合 ：1) マスタからスタート・コンディションを生成します。
2) マスタからスレーブアドレスを送信します(RV­3028­C7のアドレス =A4h, R/W=0：書込み )。
3) RV­3028­C7 からアクノリッジを返します。
4) マスタから RV­3028­C7 のレジスタアドレスが送信されます。
5) RV­3028­C7 からアクノリッジを返します。
6) マスタは 4)で指定したレジスタに書き込むデータを送信します
7) RV­3028­C7 からアクノリッジを返します。
8) 6) , 7) は必要に応じて繰り返します。
RV­3028­C7のレジスタアドレスは自動でインクリメントされます。
9) マスタがストップ・コンディションを生成します。
2

3

4

5

6

7

8

S

スレーブアドレス

0 A

レジスタアドレス

A

データ

A

データ

R/W

1

November 2021

9
A

P

RV­3028­C7からのアクノリッジ

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超低5.8. 任意のアドレスからのデータの読み込み
マスタから RV-3028-C7 の任意のアドレスのデータを読み込む場合 ：
1)
2)
3)
4)
5)
6)
7)
8)
9)
10)
11)
12)

13)

マスタからスタート・コンディションを生成します。
マスタからスレーブアドレスを送信します(RV­3028­C7のアドレス =A5h, R/W= 0：書込み )。
RV­3028­C7 からアクノリッジを返します。
マスタから RV­3028­C7 のレジスタアドレスが送信されます。
RV­3028­C7 からアクノリッジを返します。
マスタからリピート・スタートコンディションを送信します。
( または一旦ストップ・コンディションを送信してからスタート・コンディションを送信します）
マスタからスレーブアドレスを送信します(RV­3028­C7のアドレス =A5h, R/W= 1：読込み )。
RV­3028­C7 からアクノリッジを返します。
この時点でマスタはレシーバとなり スレーブ ( RV­3028­C7 ) がトランスミッタになります。
スレーブ ( RV­3028­C7 ) は ステップ：4) で指定されたアドレスのデータを送信します。
マスタからアクノリッジを返します。
ステップ： 9) と 10) を 必要に応じて繰り返し行います。
RV­3028­C7 のレジスタアドレスは自動でインクリメントされます。
マスタ及びスレーブ はスレーブ・トランスミッタ(RV­3028­C7)から送信された最後のデータバイトに対してアクノリッジを返さないことでデータ通信を終了します。この時スレーブ・トランスミッタは, マスタがストップ・コンディションを生成できるように、SDAラインを HIGH に保っておく必要があります。
マスタがストップコンディションを生成してデータ通信を終了します。

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12 13

S

スレーブアドレス

0 A

レジスターアドレス

A

S

スレーブアドレス

1 A

データ

A

データ

A

リピート・
スタートコンディション

アクノリッジ（マスタから）

アクノリッジ(RV­3028­C7から)

P
ストップ・
コンディション

R/W

R/W

スタート・
コンディション

アクノリッジ無し（マスタから）

5.9. 読み込み動作
マスタからレジスタアドレスの指定をせずにデータを読み込む場合 ：1) マスタからスタート・コンディションを生成します。
2) マスタからスレーブアドレスを送信します ( RV-3028­C7のアドレス : A5h, R/W=1：読込み )。
3) RV­3028­C7 からアクノリッジを返します。
この時点でマスタはレシーバとなり スレーブ ( RV­3028­C7 ) がトランスミッタになります。
4) RV­3028­C7 は前回最後にアクセスされたレジスタアドレスの次のアドレスからのデータを送信します。
5) マスタからアクノリッジを返します。
6) ステップ： 4) と 5) を 必要に応じて繰り返し行います。
RV­3028­C7 のレジスタアドレスは自動でインクリメントされます。
7) マスタ・レシーバ は スレーブ・トランスミッタ ( RV­3028­C7 ) から送信された最後のデータバイトに対して
アクノリッジを返さないことでデータ通信を終了します。この時スレーブ・トランスミッタ ( RV­3028­C7 ) は,マスタがストップ・コンディションを生成できるように, SDAラインを Hiに保っておく必要があります。
8) マスタがストップコンディションを生成してデータ通信を終了します。
2

S

スレーブアドレススレーブアドレススタート・
コンディション

3

4

5

6

7

8

1 A

データ

A

データ

A

P

アクノリッジ(RV-3028-C7から )November 2021

ストップ・コンディション

R/W

1

アクノリッジ（マスタから）

94/116

アクノリッジ無し（マスタから）Rev. 1.4

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超低RV-3028-C7

5.10. バックアップ電源切り替わり時の I2Cバス の動作
RV-3028-C7がVBACKUP電源での動作状態にあるときは、電力を節約するために I2Cバスインターフェイスは自動的に無効になり（ハイインピーダンス）セットされます。そのため、I2Cインターフェイス通信は、電源がVDDから VBACKUP に切り替わる前に終了する必要があります。バス通信が正しく完了できなかった場合、I2C の読
み込み/書き込みデータの整合性は保証されません。
注記）I2C通信の途中で電源切り変えが発生してしまうなど制御されない方法で通信が終了した場合は、デバイス
がVBACKUP電源状態からVDD電源状態に戻った後、ストップ・コンディションとそれに続くスタート・コンディ
ションを送信して、I2Cバスインターフェイスを再初期化する必要があります。

November 2021

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超低超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール

6. 電気的特性
6.1. 絶対最大定格
下表に絶対最大定格を示します。
絶対最大最大定格 ( IEC 60134に基づく ) ：
記号

項目

VDD
VI
VO
II
IO

供給電圧
入力電圧
出力電圧
入力電流
出力電流

VESD

静電耐圧

ILU
TOPR
TSTO
TPEAK

ラッチアップ電流
動作温度範囲
保存温度範囲リフロー最大温度

条件

MIN
-0.3
-0.3
-0.3
-10
-10

入力端子
出力端子

HBM(1)
CDM(2)
Jedec(3)-40-55
JEDEC J-STD-020C

TYP

MAX

単位

6.0
VDD +0.3
VDD +0.3
10
10
±2000
±500
±100
85
125
265

V
V
V
mA
mA
V
V
mA
℃
℃
℃

(1) HBM: 人体モデル JS-001 に準拠。
(2) CDM: チャージデバイスモデル JEDEC JS-002-201X(3) ラッチアップテスト

November 2021に準拠。
JESD78., Class I (room temperature), level A (100 mA) に準拠

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超低6.2. DC特性

条件： 温度範囲= -40°C to +85°C (特に記載の無い場合 ), VDD = 1.2～5.5V, TYP 値は+ 25℃／V DD=+3.0V
動作特性表:
記号

項目

条件

MIN

TYP

MAX

単位

Supplies
時刻保持モード (1)VDD

VDD電源電圧VBACKUP

Vbackup電源電圧

IDD:I2C

IDD:DSM

IDD:LSMIBACKUP:DSM
IBACKUP:LSM

VDD = 1.1 V (2), TA = 25°C
VDD = 3.0 V (2), TA = 25°C
VDD = 5.0 V (2), TA = 25°C

VDD 動作時電流
I2C-bus：動作
クロック出力：ディセーブル
VDD 動作電流
ダイレクト切替モード
I2C-bus ：非動作,
クロック出力：ディセーブル
VDD 動作電流
レベル切替モード
I2C-bus：非動作,
クロック出力：ディセーブルVBACKUP電流ダイレクト切替モード
VBACKUP電流
レベル切替モード

ΔIDD:CK32
ΔIDD:CK1024
ΔIDD:CK1

最小時刻保持電圧 (1)I2C-bus (100 kHz)
I2C-bus (400 kHz)VDD 時刻保持モード電流
I2C-bus ：非動作,
クロック出力：ディセーブル
平均電流

IDD

クロック出力時のVDD追加電流 (4)

1.1

5.5
0.9

1.1

45
45
45

5.5
5.5
5.5
60
60
66

1.2
2.0
1.1

VDD = 1.1 V (2),TOPR = -40 to +85°C
VDD = 3.0 V(2),TOPR = -40 to +85°C
VDD = 5.0 V(2),TOPR = -40 to +85°C
VDD = 1.2 V, SCL = 100 kHz (3)VDD = 3.0 V, SCL = 400 kHz (3)

300

nA

400
15
40
60

VDD = 3.0 V, TA = 25°C,
VBACKUP < VDD

95

150

VDD = 3.0 V, TA = 25°C

115

180

95

150

115

180

VBACKUP = 3.0 V, TA = 25°C,
VDD < VBACKUPVBACKUP = 3.0 V, TA = 25°C,
VDD < VTH:LSM (2.0 V)
VDD = 3.0 V, FCLKOUT = 32.768
kHz, CL = 10 pF
VDD = 3.0 V, FCLKOUT = 1024 Hz,
CL = 10 pF
VDD = 3.0 V, FCLKOUT = 1 Hz,
CL = 10 pF

V

330

2
5
7

VDD = 5.0 V, SCL = 400 kHz (3)

V

1
30
0.03

µA

nA

µA
nA

(1) 時刻保持動作し、RAMレジスタの値が保持される電圧範囲。
(2) すべての入力端子および出力端子は 0 V または VDD にて。
(3) SCL/SDA は 2.2 kΩ プルアップ抵抗 にてVDDに接続 (外部周辺機器およびプルアップ抵抗電流を除く)。

SDA と SCL を除く、他のすべての入力 は 0 V または VDD にて。
テスト条件: 連続バースト読み取り/書き込み、『55h』 のデータパターン、各データバイト間は 25μs、各バスピンの負荷 = 20 pF 。
(4) CLKOUT が有効な場合、追加の VDD 供給電流 ΔIDD は以下で計算できます。

ΔIDD = CL x VDD x fOUT, （計算例） ΔIDD = 10 pF x 3.0 V x 32’768 Hz = 980 nA ≈ 1 µA

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超低超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール

条件： 温度範囲= -40°C to +85°C (特に記載の無い場合 ), VDD = 1.2～5.5V, TYP 値は+25℃／VDD=+3.0V
動作特性表 （つづき） ：記号

項目

入力電圧・入力電流
VIH
入力 High レベル
VIL
入力 Low レベル
IILEAK
入力リーク電流
CI

入力容量

条件

MIN

VDD = 1.1 V to 5.5 V
Pins: SCL, SDA, EVI

0.8 VDD

VSS ≤ VI ≤ VDD
VDD = 3.0 V, TA = 25°C
f = 1 MHz

-0.5

VDD = 1.1 V, IOH = -0.1 mA
VDD = 3.0 V, IOH = -1.0 mA
VDD = 5.0 V, IOH = -1.0 mA
VDD = 1.1 V, IOL = 0.1 mA
VDD = 3.0 V, IOL = 1.0 mA
VDD = 5.0 V, IOL = 1.0 mA
VDD = 1.2 V, IOL = 0.5 mA
VDD = 3.0 V, IOL = 3.0 mA
VDD = 5.0 V, IOL = 3.0 mA
VO = VDD or VSS
VDD = 3.0 V, TA = 25°C
f = 1 MHz

1.0
2.7
4.5

TYP

MAX

単位

0.2 VDD
0.5

V
V
µA

7

pF

出力電圧・出力電流
VOH:CLK

クロック出力／Highレベル

VOL:CLK

クロック出力／HighレベルVOL

SDA端子, INT端子
出力 Lowレベル

IOLEAK

出力リーク電流

COUT

出力容量

パワーオンリセット (POR)
VPOR
POR 検出閾値
トリクルチャ－ジャTCR 3 kΩTCR 5 kΩ
電流制限抵抗TCR 9 kΩTCR 15 kΩ
VFｼｮｯﾄｷｰﾀﾞｲｵｰﾄﾞ順方向電圧降下

VDD = 5.0 V, VBACKUP = 3.0 V(内部ｼｮｯﾄｷｰﾀﾞｲｵｰﾄﾞの抵抗も
含む）

V

-0.5

0.1
0.3
0.5
0.4
0.4
0.3
0.5

µA

7

pF

V

V

0.75

0.8

0.85

V

2
4.5
7.5
12.5

3
5.5
9.3
15.5
0.25

4
6.25
11.6
17.4

kΩ
V

バックアップ電源切替
VHYST:DSM

ダイレクト切替モード
切り替え電圧ヒステリシス

VBACKUP = 3.0 V,
VDD ｽﾙｰﾚｰﾄ = ±1 V/ms
TOPR = -40 to +85°C

VTH:LSM

レベル替モード
切り替え基準電圧

VDD が VTH:LSM 以下になった場合

VHYST:LSM

ダイレクト切替モード
切り替え電圧ヒステリシス

VBACKUP = 3.0 V,
VDD ｽﾙｰﾚｰﾄ = ±1 V/ms
TOPR = -40 to +85°C

EEPROM 仕様
VDD:READ
読み込み時 VDD 電圧
VDD:WRITE
書き込み時 VDD 電圧
tPREFR
POR リフレッシュ時間
tAREFR
オートリフレッシュ時間
tUPDATE
更新時間
tREFR
リフレッシュ時間
tWRITE
書き込み時間（1バイト）
tREAD
読み込み時間（1バイト）
nCYCLE

書き込みサイクル耐久性 (1)tRET

データ保持時間 (1)

60
1.8

2.0

mV
2.2

100

mV

1.1
1.5

VDD 電源動作
電源投入時
Each 24 hours, EERD = 0
EECMD = 11h
EECMD = 12h
EECMD = 21h
EECMD = 22h
VDD = 3.0 V, TA = 25°C
VDD = 5.5 V, TA = 85°C
TA = 55°C

4
10’000
100
10

V

V
66
3.5
63
3.5
16
1.4

ms
30

サイクル
年

(1) 間接テストによる保証。

November 2021

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低6.2.1. 代表特性
ダイレクト切替モード (DSM), レベル切替モード (LSM) 電源切替無しモードでの代表特性：
条件：I2Cバス非動作、クロック出力=ディセーブルIBACKUP電流 vs VBACKUP電圧／VDD = 0 V, TA = 25℃

IDD電流 vs VDD電圧／VBACKUP = 0 V, TA = 25 ℃

300

250

250

200

200

電源切替

150

LSM

*

100

IBACKUP [nA]

IDD [nA](VDDがオフに切替り後)
300

DSM

50

0

LSM

150
100

DSM

50
電源切替無し
0

1

2

4

3

5

0

6

電源切替無し
0

1

2

4

3

5

6

VBACKUP [V]

VDD [V]* LSM = レベル切替モード

IDD電流 vs TA 周囲温度／VDD = 3 V, VBACKUP = 0 V* DSM = ダイレクト切替モード

IBACKUP電流 vs TA 周囲温度／VBACKUP = 3 V, VDD = 0 V
300

250

250

200

200

150

LSM

100

DSM

50

0
-50

IBACKUP [nA]

IDD [nA](VDDがオフに切替り後)
300

0

50

25

75

LSM

100

DSM

50

電源切替無し
-25

150

0
-50

100

電源切替無し-25

November 2021

25

50

75

100

TA [°C]TA [°C]* LSM = レベル切替モード

0* DSM = ダイレクト切替モード

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低6.3. 発振器特性

条件： 温度範囲= -40°C to +85°C (特に記載の無い場合 ), VDD = 1.2～5.5V, TYP 値は+25℃／VDD=+3.0V
発振器特性表：
記号

項目

MIN

条件

TYP

内部水晶発振器の全般仕様
F
水晶振動子周波数

32.7680.2

TA = 25°C

tSTART

発振起動時間VDD = 3.0 V

VSTART

発振開始電圧Δf/V

周波数 vs 電源電圧変動

VDDR

VDD 電圧上昇スルーレート

VDDF

VDD 電圧降下スルーレート

δCLKOUT

クロック出力 Duty

ΔF/FTOPR

周波数温度特性

T0
ΔF/F

頂点温度

経年変化（初年度）※
デジタル周波数オフセット補正
EEOffset による補正:
Δt/tMin. = 最小補正ステップ (LSB)
Max.= 最大補正範囲
EEOffset. によりΔt/t設定可能な時刻精度
EEOffset. によるΔt/t
工場出荷時の時刻精度

s
V

0.5

1

ppm/V

2.5
3.8
2.2

V/ms

50 ±10TA = 25°C
TOPR = -40 to +85°C
VDD = 3.0 V

単位
kHz

1
3

1.3

VDD = 1.1 V t～5.5 V
TA = 25°C
VDD = 1.1 V to 3.6 V
VDD = 3.6 V to 5.5 V
VDD = 5.5 V to 1.1 V
VDD = 1.1 V to 5.5 V
FCLKOUT = 32.768 kHz

内部発振器の周波数特性
ΔF/F
常温周波数偏差

MAX

%
±5

ppm

-0.035ppm/°C2 (TOPR-T0)2 ±10%ppm

+25 ±5°C
ppm

TA = 25°C, VDD = 3.0 V±3TA = -40 to +85°C±0.954+243.2/-244.1ppm

初期温度・電圧で調整 済み

-0.48

+0.48

ppm

TA = 25°C, VDD = 3.0 V
にて工場出荷時調整±1ppm※経年変化（初年度）はリフロー変化を加えた値。

6.3.1. 内部水晶発振器の温度特性のグラフ （一般的な 32.768kHz水晶振動子の温度特性と同等 ）20

T0 = 25°C (± 5°C)0

周波数偏差 [ppm]

-20
-40
-60
-80
-0.035 * (T-T0)2 ppm (±10%)

-100
-120
-140
-160
-180
-50

-40

-30

-20

-10

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

周囲温度 [℃]November 2021

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低6.4. 起動時のAC特性

以下に CLKOUT端子の電源投入時の AC電気特性を示します。 CLKOUT端子のクロック出力信号は、主にCLKOE ビット (EEPROM 35h)、CLKF フラグ、および FDフィールド (EEPROM 35h) によって制御されます。
「クロック出力スキーム」および「EPROM設定レジスタの使用方法」も参照してください。
電源投入時のAC電気的特性:

VDD

PORF

VPOR

VDDR1

1

5

3

EEbusy2

4

CLKOUT端子tREFRtSTARTState

パワーオンリセット (POR)

通常動作

書込み動作

① VDD が VPOR 以下の電圧から開始すると、PORFフラグと EEbusy ステータスビットがセットされます。

② EEPROMレジスタ(3 5h) の設定に関係なく、最初のリフレッシュ時間 tPREFR = ~66 ms の間、CLKOUT端子は常に 32.768 kHz の周波数で駆動します。

③ ②の tPREFR 後、EEbusyビットは自動的に 0 にクリアされます。 標準的な起動時間 : tSTART は 0.2 秒です。
④ CLKOEビット (EEPROM 35h) および／または CLKFフラグと FDフィールド (EEPROM 35h) の設定に応じて、CLKOUT 端子 は以下の信号を駆動できます。
● 32.768 kHz (出荷時のデフォルト値)、8192 Hz、1024 Hz、64 Hz、32 Hz または 1 Hz の矩形波
● または、事前に設定された 繰返しカウントダウンタイマ割り込み (FD = 110)。 CLKOUT端子は直ちに HIGH
レベルに設定されます。 繰返しカウントダウン タイマ 自体はソフトウェアによって開始する必要があります。
● CLKOEビットと CLKF フラグが 0 の場合、またはFD フィールドが 111 の場合、またはデバイスが VBACKUP
電源状態になる場合には CLKOUT 信号は LOW レベルに設定されます。
⑤ PORF フラグは 書き込みで 0 にクリアされるまで 1 のままです（自動クリアはされません）。

下表条件： 温度範囲= -40°C to +85°C (特に記載の無い場合 ), VDD = 1.2～5 .5V, TYP 値は+ 25℃／VDD=+3.0V
電源投入時のAC電気的特性表：
記号VDDR1tSTARTVSTARTtPREFR

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項目
VDD立上りｽﾙｰﾚｰﾄ
ﾊﾟﾜｰｵﾝﾘｾｯﾄ (POR)
内部発振器起動時間
VDD = 3.0 V

条件

MIN

TYP

0.1
TA = 25°C

0.2
1.3

内部発振器起動開始電圧
起動時ﾘﾌﾚｯｼｭ時間

66

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MAX

単位

1

V/ms

1
3

s
V
ms

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低6.5. I2C-Busインターフェース 仕様
I2C AC特性の定義 :

SDA

t BUF
t LOW

t HD:DATt SU:DATSCLt HD:STAPSt RISEt FALLt HIGHt SU:STOt SU:STA

SDA

Sr

P

下表条件： 温度範囲= -40°C to +85°C

I2C-Bus AC特性表 :SYMBOLPARAMETER

VDD ≥ 1.2 V
MIN

fSCL
tLOW
tHIGH
tRISE
tFALL
tHD:STAtSU:STAtSU:DATtHD:DATtSU:STOtBUF

MAXSCL 入力周波数
0100
SCL Lowレベル時間
4.7
4.0
SCL Hiレベル時間
1000
SDA 及び SCL立上り時間
300
SDA 及び SCL立下り時間
4.0
スタート・コンディション保持時間
4.7
スタート・コンディション セットアップ時間
250
SDA セットアップ時間
0
SDA 保持時間
4.0
ストップ・コンディション保持時間
4.7
バスフリー時間S = スタートコンディション, Sr = リピート・スタートコンディション, P = ストップコンディション

VDD ≥ 2.0 V
MIN

MAX

0
1.3
0.6

400

300
300
0.6
0.6
100
0
0.6
1.3

UNIT
kHz
µs
µs
ns
ns
µs
µs
ns
µs
µs
µs

（注記）
RV-3028-C7 へのアクセスは、アクセス後のスタートコンディション送信からストップコンディション送信までの通信は 950ms 以内に完了する必要があります。
950msを超えた場合は、I2C バスインターフェイスはタイムアウト機能によってリセットされます。

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低7. 回路接続例 （ ケース別／4つの接続例）
7.1. 電源切り替え機能を使用しない／外部イベント入力を使用しない 場合：●●●バックアップ電源無し ／ 割り込み出力を使用しない
最小の消費電流 (45 nA typ.)
CLKOUTの設定をメモリに保存するために EEPROMレジスタへの書込み動作をします・レジスタの設定：↓ 以下のレジスタの設定を変更します。
CLKOE
X
1
0
0
0
X

FD
X

CLKOE → CLKOUT出力を選択します
FD → 周波数を選択します1.

35h レジスタ

2.

必ず CLKOUT設定(35h) の後で ミラーRAM → EEPROMレジスタへの書き込みを行って下さい (27h 0x00 の後に 27h 0x11 )。

X

100 nF

2

4
VDD

VDD

RV-3028-C7
VBACKUP

1

EVI

6

10 k

10 k

3

INT

MCU

SDA

SDA

SCL

SCL

5

CLKOUT

VSS

VSS

1

バックアップ電源切替え機能はデフォルトでは無効になっています。 電源切替えを使用しない場合
VBACKUP端子はフローティング状態のままにせず、10 kΩ抵抗を介して VSS に接続して下さい。

2

VDD端子のなるべく近いところに 0.1μF のパスコンを入れて下さい。

3

割り込みは初期値で無効になっています。

4

INT端子はオープンドレイン出力なので、使用しない場合はオープンのままにで問題ありません。
I2C ラインの SCL／SDA はオープンドレインです。VDD へのプルアップ抵抗が必要です。

5

周波数 32.768 kHz (*) の クロック出力 は初期値で有効になっています (工場出荷時の初期値)。
使用しない場合は、CLKOUT を無効にして消費電流を最小限に抑えます。
(CLKOE = 0 および CLKF = 0、または FD = 111)。

6

VDD

外部イベント機能は初期値では無効になっています。 EVI 入力端子はフローティング状態のままにしないでください。

(*) CLKOUT端子からは、設定により32.768 kHz (デフォルト)、8192 Hz、1024 Hz、64 Hz、32 Hz または 1 Hz の選択可能な周波数、または繰返しカウントダウン タイマの割り込み信号を出力することが出来ます。

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超低超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
7.2. 一次電池のバックアップ電源 / 外部イベント入力を使用 (アクティブ = Highの設定 )●●●●バックアップ電源が一次電池のためトリクルチャージャーは無効にします
レベル切替モード (LSM) に設定します。電源切り替わりの閾値電圧 は(VTH:LSM = 2.0 V)。
電源切替の設定をメモリに保存するために機能設定EEPROMレジスタへの書き込み動作をします。
EVI 端子への入力の、立ち上りエッジまたはハイレベル電圧により割り込みがトリガーされる設定です。

レジスタの設定 ：↓ 以下のレジスタの設定を変更します。
1 (EIE)
0
0
0
0
0
ET
EHL
0
1
X
X
0
0
TCE
BSM
0/1
0
0
1
1
1

10h レジスタ
1.

13h レジスタ
37h レジスタ

2.

0

0

0

0

0

0

EIE → 外部イベント割込み信号を有効にEHL → 外部イベントを Highレベルで検出
ET → 外部イベント入力フィルタリング設定
TCE → トリクルチャージャーを無効
BSM → レベル切替モード (LSM)

必ず バックアップ電源切替え設定 (37h)の後で ミラーRAM → EEPROMレジスタへの書き込みを行って下さい (27h 0x00 の後に 27h 0x11 )。

VBACKUP
100 nF

6
VBACKUP1

100 nF
Primary
Battery

1

2

4

VDD

VDD

RV-3028-C7MCU

VBACKUP

2

3

INT

INT

SDA

SDA

SCL

SCL

EVI

VDD

5

CLKOUT

VSS

VSS

10 k

実装エラーなどによる電源端子間のショートが発生した場合の損傷を防ぐために、100～1000Ω の保護抵抗を挿入してください。

2 VDD端子 および VBACKUP端子のなるべく近いところに 100 nF のバイパスコンデンサを配置して下さい。
3 INT端子割り込み信号は、デバイスが VBACKUP電源で動作している場合にも出力させることが出来ます。
その場合には、INT端子の信号プルアップ抵抗をVBACKUP側に接続します。

4 I2C ラインの SCL端子および SDA 端子はオープンドレインです。VDD へのプルアップ抵抗が必要です。
5 CLKOUT は VBACKUP 電源での動作時は無効になります。 VDD 電源状態で使用しない場合は

CLKOUT を無効にして消費電流を最小限に抑えます (CLKOE = 0 および CLKF = 0、または FD = 111)。

6

改ざん検出信号の立ち上りエッジまたはハイレベルを検出するようにEVI端子の外部イベント入力を接続します。
10 kΩ でGNDにプルダウン接続して EVI端子がフローティングにならないようにします。

November 2021

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低7.3. 二次電池または電気二重層コンデンサを使用 / 外部イベント入力を使用（アクティブ =Low) の設定●●●●

バックアップ電源として二次電池、電気二重層コンデンサ、またはMLCCを使用
電気二重層コンデンサまたはMLCCの場合はダイレクト切替モード (DSM) に設定(二次電池の場合は レベル切替モード=LSM に設定)
バックアップ電源はトリクルチャージャーにて充電する設定
電源切替の設定をメモリに保存するために機能設定EEPROMレジスタへの書き込み動作をします。

レジスタの設定 ：1.

↓ 以下のレジスタの設定を変更します。
1 (EIE)
0
0
0
0
0
EHL
ET
0
0
X
X
0
0
TCE
BSM

10h レジスタ
13h レジスタ
37h レジスタ

2.

0/1

0

1

1

0

1

0

0

0

0
TCR

X

X

EIE → 外部イベント割込み信号を有効にEHL → 外部イベントを Lowレベルで検出
ET → 外部イベント入力フィルタリング設定
TCE→トリクルチャージャーを有効
BSM → ダイレクト切替モード (DSM)
TCR → トリクルチャージ抵抗の設定

必ずバックアップ電源切替え設定(37h) の後で ミラーRAM → EEPROMレジスタへの書き込みを行って下さい (27h 0x00 の後に 27h 0x11 )。

VBACKUP
100 nF
10 k

VBACKUP

100 nF

1
電気二重層
コンデンサ

2

4

VDD

VDD

RV-3028-C7MCU

VBACKUP

2

3

INT

INT

SDA

SDA

SCL

SCL

EVI

6

VDD

5

CLKOUT

VSS

VSS

または

二次電池

1

低コストの MLCC (*) 、電気二重層コンデンサ (例: 1 ファラッド)、または二次リチウム電池(LMR)(充電電圧についてはバッテリーメーカーの仕様に従ってください)。
二次リチウム電池を使用する場合は、実装エラーなどによる電源端子間のショートが発生した場合の損傷を防ぐために100～1000Ωの保護抵抗を挿入して下さい。

2

VDD端子 および VBACKUP端子のなるべく近いところに 100 nF のバイパスコンデンサを配置して下さい。

3

INT端子割り込み信号は、デバイスが VBACKUP電源で動作している場合にも出力させることが出来ます。
その場合には、INT端子の信号プルアップ抵抗をVBACKUP側に接続します。

4

I2C ラインの SCL端子および SDA 端子ははオープンドレインです。VDD へのプルアップ抵抗が必要です。

5

CLKOUT は VBACKUP 電源での動作時は無効になります。 VDD 電源状態で使用しない場合は
CLKOUT を無効にして消費電流を最小限に抑えます (CLKOE = 0 および CLKF = 0、または FD = 111)。

6

外部イベント入力信号の立下りエッジまたはローレベルを検出するようにEVI端子の外部イベント入力を設定します。 EVI端子は 10kΩで GNDにプルダウン接続して フローティングにならないようにします。

(*)注記： 通常、低コストの MLCC はごく短期間 (数分) の電源バックアップに使用され、電気二重層コンデンサはより長期間 (数日から数週間) の電源バックアップに使用されます。
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超低超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
7.4. バックアップ電源無し / 外部イベント入力を使用 (ウエイクアップ及びパワースイッチ)●●●●

バックアップ電源無し／最小の消費電流 (45 nA typ.)
外部イベント入力を有効に設定しパワースイッチにウェイクアップ信号を送る
MCUはほとんどの期間アイドルモードで RTCからパワースイッチへの割込み信号でウェイクアップする
MCU はタスクが完了するまでは供給電圧を保持し、タスク終了後は自身の供給電圧を遮断します。

レジスタの設定 ：1.

0

10h レジスタ
13h レジスタ

0

0
EHL
1

0

0

0

1 (EIE)

0

0

X

0

0

0

0

EIE → 外部イベント割込み信号を有効にEHL → 外部イベントを Highレベルで検出
ET → 外部イベント入力フィルタリング設定

ET
X

Power Switch

VDD

VOUT

ON

GND

VIN

VOUT

GND

ON

Wake up !

100 nF

6

VIN

2

Hold !

3

VDD
Application
Wake up !

10 k

1

VDD
GPIO

INT

INT

SDA

SDA

SCL

SCL

VBACKUP CLKOUT
VSS

4

8

RV-3028-C7
EVI

HI
LO

5

MCU

7 UserWake up !

VSS

10 k

1

バックアップ電源切替え機能はデフォルトでは無効になっています。 電源切替えを使用しない場合、
VBACKUP端子はフローティング状態のままにせず、10 kΩ抵抗を介して VSS に接続して下さい。

2

VDD端子のなるべく近いところに 0.1μF のパスコンを入れて下さい。

3

INT端子はオープンドレインなのでプルアップ抵抗が必要です。

4

I2C ラインの SCL／SDA はオープンドレインです。VDD へのプルアップ抵抗が必要です。

5

CLKOUT を無効にして消費電流を最小限に抑えます (CLKOE = 0 および CLKF = 0、または FD = 111)。

6

外部イベント入力信号の立上りエッジまたはハイレベルを検出するようにEVI端子の外部イベント入力を設定します。 イベント検出時にアプリケーションへウェイクアップ信号を発出します。EVI端子は 10kΩで GNDにプルダウン接続して フローティングにならないようにします。

7

ユーザーまたは手動でのウェイクアップ。いつでも利用可能です。例えば RTC とシステムを設定するための最初のシステム電源投入用など。

8

RTC との I2Cインターフェイス通信を完了するために、MCUはGPIO経由で電力保持して電源を維持します。
MCU はタスクの最後に GPIO = Low に設定することで自身の電源電圧を遮断します。

November 2021

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RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低8. パッケージ
8.1. 外形寸法及び推奨ランドパターン （寸法単位：m/m )RV-3028-C7 Package:
推奨ランドパターン ：パッケージ寸法 (bottom view):
3,2

0,9

0,9

0,9
0,5

4

8

7

6

5

0,4
0,8

0,4

3,2

0,15

0,8 max

2,0

3

0,5

2

1,5

1

0,8

0,9

メタルリッドは VSS (pin #2) と導通があります。
寸法公差 : 指定なき場合は ±0.1mm
図面番号 : RV-3028-C7_Pack-drw_20180208

Max. 記載の無い寸法値は Typical値。

8.1.1.GND端子部のサーマルレリーフ設定の推奨
VSS端子を基板のGND層に接続する部分はサーマルレリーフを設定することを推奨します。
RV-C7 Package:
推奨のGNDパターン

良くない例

P
November 2021

107/116

O
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超低超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
8.2. マーキング 及び Pin 1 インデックスマーク
表示 = レーザーマーキング RV-3028-C7 Package: (top view)

製造デートコード#8#5

M039A13028#1

M039A1
M
Micro Crystal

0
Year

39
Week

A1
Batch

#4
型番表示

Pin1 インデックス

November 2021

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Rev. 1.4

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RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低9. 構成物質 と 環境資料情報
9.1. 構成部位 及び 構成物質リスト
IPC-1752 に基づく含有物質リスト ：構成部位 ／ RV-3028-C7:
4

5
2
1
8
3
6
7

( 概略図 )
No.
部位名称
1
2
3
4

振動子

内容
クオーツ

0.13

振動子電極

Cr, Au

0.01

ハウジング

セラミック

6.90

メタルリッドコバール
Ni めっきAu めっき5

シーリング

はんだフォーム

6電極

内部及び外部電極

接着剤

導電性接着剤

7

質量
(mg)
(%)
100%
6%
94%
100%
95%

CMOS IC

November 2021

SiO2
Cr
Au
Al2O3
Fe53Ni29Co18

2.67

0.54
0.38

4.95%
0.05%
80%
20%
80%
15%
5%
88%
12%

0.09
8

化学物質 名

シリコン
Auバンプ

0.64

部品質量

11.4

Ni
Au
Au80 / Sn20
Mo
Ni
Au 0.5 micron
Ag
Siloxanes andsilicones0%

Distillates, petroleumhydrotreated

90%
10%

Si
Au

109/116

CAS No.

Cr:
Au:
Fe:
Ni:
Co:
Ni:
Au:
Au:
Sn:
Mo:
Ni:
Au:
Ag:

14808-60-7
7440- 47--3
7440- 57--5
1344-28-1
7439-89-6
7440-02-0
7440-48-4
7440-02--0
7440-57-5
7440- 57--5
7440-31--5
7439-98-7
7440- 02--0
7440- 57--5
7440- 22--4

備考

メタルリッドNiメッキ
Auメッキ

モリブデン（下地）Niめっき（中間）Auめっき（表面）
ビニル末端ポリジメチ

68083-19-2 ルシロキサン

製品表面には表れSi:
Au:

64742-47-8 ない用途
7440- 21--3
7440- 57--5

Rev. 1.4

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低9.2. 環境負荷物質／含有調査結果
IPC­1752
standard に基づく環境負荷物質含有調査情報 ：RoHS

フタル酸エステル

部位名称

Pb

Cd

Hg

Cr+6

PBB

PBDE

F

CI

Br

I

BBP

DBP

DEHP

DINP

ハロゲン

No.

1

振動子

クオーツ

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

2

振動子電極

Cr, Au

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

3

ハウジング

セラミック

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

4

メタルリッドコバールリッド 及び めっき

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

5

シーリング

はんだフォーム

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

6

電極

内部及び外部電極

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

7

接着剤

導電性接着剤

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

8

CMOS IC

シリコン 及び Auバンプ

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

nd

MDL［ppm］

検出限界

内容

2

8

50

5

50

nd ( not detected = 未検出 ) = “検出限界” (MDL) 以下

試験方法 :RoHS• Pb, Cd
• Hg
• Cr(VI)• PBB / PBDE
ハロゲン
フタル酸エステル

November 2021

参照テスト方法：
IEC 62321-5:2013
IEC 62321-4:2013 + AMD1:2017
IEC 62321-7-2:2017
IEC 62321-6:2015
試験方法は BS EN 14582:2016 に準拠
試験方法は IEC 62321-8:2017 に準拠

110/116

MDL:
MDL:
MDL:
MDL:
MDL:
MDL:

2 ppm
2 ppm
8 ppm
5 ppm
50 ppm50 ppmRev. 1.4

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低9.3. 製品リサイクル情報
IPC-1752 に基づく生産リサイクル関連情報。
各構成部位の質量 は 製品質量： 11.4 mg をもとに計算された値です。
物質名

No.

部位名称

Quartz Crystal
Chromium
Ceramic
Gold

1
2
3
2
4
5
6
8
5
4
6
6
4

振動子
電極
ハウジング
振動子電極
メタルリッドシーリング
内部及び外部電極
CMOS IC
シーリング
メタルリッド内部及び外部電極
内部及び外部電極
メタルリッドTin
Nickel
Molybdenum
Kovar
SilverSiloxanes andsilicones
Distillates

7a7b

導電性接着剤
導電性接着剤

7c

導電性接着剤

物質質量CAS No.

化学物質名

(mg)

(%)

0.13
0.0006
6.90

1.14
0.005
60.74

SiO2
Cr
Al2O3

Cr:

14808-60-7
7440-47-3
1344-28-1

0.53

4.63

Au

Au:

7440-57-5

0.11

0.95

Sn

Sn:

7440-31-5

0.19

1.67

Ni

Ni:

7440-02-0

0.3

2.68

Mo

2.53

22.33

Fe53Ni29Co18

0.079

0.7

7439-98-7
7439-89-6
7440-02-0
7440-48-4
7440-22-4

0.011

0.10

Ag
Siloxanes andsilicones

Mo:
Fe:
Ni:
Co:
Ag:

備考

ビニル末端ポリジメチ

68083-19-2 ルシロキサン

水素化精製軽質留出

0064742-47-8 油, 製品表面には表Distillates

れない用途

SiliconNovember 2021

8

CMOS IC

0.58

5.07

合計製品質量

11.4

100

Si

111/116Si:

7440-21-3

Rev. 1.4

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低9.4. 環境耐性 及び 最大定格 及び 電極めっき詳細
パッケージ

内容

SON-8 (DFN-8)

小型リードレス (SON)

項目

規格・指令

製品質量
保存温度範囲保管湿度レベル (MSL)FIT 数/ MTBF

密閉セラミックパッケージ・メタルリッド

条件値

部品単体での保存にて
IPC/JEDEC J-STD-020D

11.4 mg-55 ～ +125 ℃
MSL1
お問合せ下さい電極メッキ仕上げ ：

モリブデン

5 µm

0.5 µm

セラミック

ニッケル
金

November 2021

112/116

Rev. 1.4

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RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低10. リフローはんだ付け条件
IPC/JEDEC J-STD-020C Pb-free規格 に 基づくはんだリフロー条件tP

TP

Critical Zone
TL to TP

Ramp-up

TL

tL

温 度

Tsmax

Tsmin
Ramp-downtsPreheat25

t 25°C to Peak

温度プロファイル
ランプアップ温度傾斜ランプダウン温度傾斜
室温からピーク温度までの時間
プリヒート
プリヒート温度下限
プリヒート温度上限
プリヒート時間
はんだ融解時間
はんだ融解温度
はんだ融解時間
ピーク温度
ピーク温度
ピーク温度時間（ピーク温度-5℃までの時間）

時 間
記号(Tsmax to TP)
Tcool
Tto-peak条件
3℃ / 秒 以下
6℃ / 秒 以下
8 分 以下

単位
℃/ 秒
℃/ 秒
分

Tsmin
Tsmax
ts

150
200
60 – 180

℃
℃
秒

TL
tL

217
60 – 150

℃
秒

Tp
tp

260
20 – 40℃秒

・リフロー実装は『温風リフロー』（または蒸気リフロー）が推奨されます。
・『赤外リフロー』はホットスポット発生によりデバイス故障の原因になる可能性があるため推奨されません。

November 2021

113/116

Rev. 1.4

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超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低RV-3028-C7

11. 水晶振動子を搭載した製品のお取り扱い上の注意点
内蔵されている水晶振動子は水晶結晶の二酸化珪素を母材とした薄い素板です。パッケージ内のキャビティは水晶振動子が空気抵抗、及び湿度、異物などの影響を受けないように真空状態に密閉されています。

振動及び衝撃について:
水晶デバイスに過度の衝撃や振動を与えないようご注意ください。マイクロクリスタルでは <5000g/0.3ms 以内>
でのご使用を推奨します。
特に実装時における以下の特別な場合にモジュールの故障を引き起こす衝撃や振動が発生する可能性がありますのでご注意下さい。

多面付け基板の場合、部品実装後に行う基板分割の工程で、ルーターによる振動が基本波または高調波で32.768KHzに近くなることがあり、その振動によりモジュール内部の水晶素板を破損する可能性があります。
基板分割加工の際には、振動が基本波または高調波で 32.768KHz近くにならない様にルーターの速度を調整す
るようご注意下さい。
超音波洗浄 につきましては、このモジュールに対しては行わないようにして下さい。
超音波振動により内部の水晶素板が破損する可能性があります。

過度の加熱、リワーク、高温放置：
過度にパッケージを加熱しないようご注意ください。モジュールのパッケージは 金すず合金 (80%:20%) でシーリングされています。この金すず合金の融点は『280℃』のため、パッケージの温度が『280℃』以上になるとメタ
ルシール部分が溶解して内部の真空気密がリークしてしまうため製品の故障につながります。
特にホットエアガンの設定温度が『280℃』以上の場合は故障しやすくなります。
リワークの場合は以下の方法を推奨します：

ホットエアガンを使用する場合は設定温度を 『270°C』 として下さい。
はんだ小手を2本使用し、小手先の温度を『270°C』に設定し、片側の端子をメッキ線などでブリッジさせて、全てのはんだが溶けたところを ピンセット で取り上げて下さい。

ただしリワーク時に故障は発生しやすく、かつ外観での故障は判断できないため、なるべく一度基板から取り外したものは製品に使用されないことをお勧めします。

November 2021

114/116

Rev. 1.4

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RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低12. テーピング ・ リール 図面
Reel : 7” = 178 mm

Ø 13min. 12.4

max. 17

キャリアテープ

5,5 ±0,05

2 ±0,05

0,315 ±0,05
0,254 ±0,015+0,3

12 -0,1

3,43 ±0,05

4 ±0,1

1,75 ±0,1・材質: 導電性ポリカーボネイト
・テープ幅: 12 mm
・先端部及び終端部 : 300 mm 以上の空テープ

3028

3028

4 ±0,1

1,73 ±0,05

0,061

0,83 ±0,05

Cover Tape
All dimensions are in mm
RV-3028-C7_Tape-drw_20180208

引き出し方向カバーテープ・テープ : ポリオレフィン, 3M™ Universal Cover Tape (UCT)
・接着剤タイプ ： 感圧接タイプ, Synthetic Polymer Thickness: 0.061 mm
・剥がれ方 : 中央部が剥がれて, 両側面はキャリアテープに残ります。

November 2021

115/116

Rev. 1.4

Micro Crystal
RV-3028-C7

超低消費電流・電源切替機能付きリアルタイムクロックモジュール
超低13. コンプライアンス情報
RV-3028-C7の標準品は “EU RoHS Directive” 及び “EU REACh Directives” に適合しています。
環境資料につきましてはマイクロクリスタルのウェブサイトでも掲載しています。
CoC_Environment_RV-Series.pdf

14. 改訂履歴
日付

Revision #変更履歴August 2018
August 2019

1.0
1.1

March 2021

1.2

September 2021

1.3

November 2021

1.4First release
Corrected typos and added sections
Corrected and added specifications and drawings
Added new disclaimer
Improved password description, 3.12., 3.15.3., 4.18.
Removed note about I2C interface re-initialization, 4.2.
Added "to any RTC register", 4.5., 4.5.1. and 4.5.2.
Corrected "VBAT" to "VBACKUP", 4.6.8.
Clarified text about I2C read/write data integrity and I2C re-initialization, 5.10.
Removed EEOffset calibrated Δt/t MAX value (±2 ppm), 6.3.
Removed older application circuit, 7.1.
Added four new application circuits, 7.1., 7.2., 7.3. and 7.4.
Adapted limit values and methods in accordance with the latest standards, 9.2.
Corrected package designation to SON-8 (DFN-8), 9.4.
Corrected text to "hot-air-gun set at temperatures >280°C.", 11.
Corrected location of designation "+ AMD1:2017", 9.2.

＜免責事項／原文＞
The information contained in this document is believed to be accurate and reliable. However, Micro Crystal
assumes no responsibility for any consequences resulting from the use of such information nor for any
infringement of patents or other rights of third parties, which may result from its use. In accordance with ourpolicy of continuous development and improvement, Micro Crystal reserves the right to modify
specifications mentioned in this publication without prior notice and as deemed necessary.
Any use of Products for the manufacture of arms is prohibited. Customer shall impose that same obligation
upon all third-party purchasers.
Without the express written approval of Micro Crystal, Products are not authorized for use as components
in safety and life supporting systems as well as in any implantable medical devices. The unauthorized useof Products in such systems / applications / equipment is solely at the risk of the customer and suchcustomer agrees to defend and hold Micro Crystal harmless from and against any and all claims, suits,
damages, cost, and expenses resulting from any unauthorized use of Products.
No licenses to patents or other intellectual property rights of Micro Crystal are granted in connection withthe sale of Micro Crystal products, neither expressly nor implicitly. In respect of the intended use of Micro
Crystal products by customer, customer is solely responsible for observing existing patents and otherintellectual property rights of third parties and for obtaining, as the case may be, the necessary licenses.

Micro Crystal AG
Muehlestrasse 14
CH-2540 Grenchen
Switzerland
November 2021

116/116

Phone +41 32 655 82 82
sales@microcrystal.com
www.microcrystal.com

Rev. 1.4

＜免責事項／訳文＞
この文書に含まれる情報は正確で信頼できるものであると考えられます。 ただし Microcrystal 社は、そのような情報の使用から生じるいかなる結果や、その使用から生じる可能性のある第三者の特許またはその他の権利の侵害についても責任を負いません。継続的な開発と改善により、Microcrystal社は必要に応じて予告なしにこの資料に記載されている仕様を変更する場合があります。
武器の製造のために製品を使用することは禁止されています。お客様は、すべての第三者購入者にも同じ義務を課すものとします。
Microcrystal社 の書面による明示的な承認がない限り、製品は、安全システムおよび生命維持システム、および埋め込み型医療機器のコンポーネントとして使用することは許可されていません。
Micro Crystal の承認の無しにこのようなシステム / アプリケーション / 機器に製品を使用された場合のあらゆ
る請求、訴訟、損害賠償、費用のリスクについて Microcrystal 社は一切の責任を負いかねます。
明示的にも黙示的にも、Micorocrystal社製品の販売に関連して、Microcrystal 社 の特許またはその他の知的財
産権のライセンスは付与されません。お客様によるマイクロクリスタル製品の使用目的に関しまして、お客様は第三者の既存の特許およびその他の知的財産権を遵守し、ライセンス取得が必要な場合にはお客様が単独で責任を負います。

原本発行元： Microcrystal AG
原本：『RV-3028-C7 Application Manual Rev. 1.4 』 （英語）
原本発行日：2021年11月
日本語訳発行：株式会社多摩デバイス 営業技術部〒214-0001 川崎市多摩区菅1-4-11 (TEL) 044-945-8028(URL) https://tamadevice.co.jp(E-Mail) info@tamadevice.co.jp
日本語訳発行日：2023年 11月01日 初版発行
（改訂・訂正履歴）(2024-02-22)
・97ページ備考欄記載訂正 （55時間→55h)
・101ページダイアグラム説明の体裁を修正(2024-04-26)
・39ページ 注記事項の追加 (37H/Bit:7の書き込み時の注意）※日本語版作成に当たって原本英語版から追記や変更・削除を行っている部分があります。作製作成に際しては細心の注意を払っていますが、万一内容につきまして疑問点がございましたら、
上記連絡先まで直接お問合せ頂きます様、お願い申し上げます。