神戸市立工業高等専門学校 2020年度シラバスシラバス科目

先端半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．デバイス (Advanced Semiconductor Devices))担当教員

河合 孝太郎 講師

対象学年等

電気電子工学専攻・1年・後期・選択・2単位学習・教育目標 A4-AE2(100%)

授業のの評価方法と基準
概要と方針と基準方針

最先端の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．デバイスについて後期中間試験で出題し，評価する．，評価する．材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．，評価する．デバイス構造，評価する．新原理などの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．観点から学習する．始めに，トランジスタの微細化のから学習する．始めに，トランジスタの微細化の学習した内容を理解しておくこと．する．始めに，トランジスタの微細化のめに，評価する．トランジスタの微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．
現状と問題点や，半導体製造技術や評価技術などの基礎を学習する．その後，単電子トランジスタやと問うことで評価する．題し，評価する．点から学習する．始めに，トランジスタの微細化のや評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．，評価する．半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．評価技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．などの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．基礎を学習する．その後，単電子トランジスタやを用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．学習した内容を理解しておくこと．する．その製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．後，評価する．単電子トランジスタの微細化のや評価技術について後期中間試験で出題し，評価する． High-kなどに代表さされるような，評価する．まだ実用化されていない新技術や先端材料について学習する．最終的には，先端の半導体デバイスがこれまで実用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．化のされて後期中間試験で出題し，評価する．いない新技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．先端材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．について後期中間試験で出題し，評価する．学習した内容を理解しておくこと．する．最終的には，先端の半導体デバイスがこれまでには，評価する．先端の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．デバイスがこれまで出題し，評価する．
学習した内容を理解しておくこと．して後期中間試験で出題し，評価する．きた内容を理解しておくこと．トランジスタの微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．構造や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．とは大きく異なることを理解する．きく異なることを理解する．なることを用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．理解しておくこと．する．
到

達目

標

到達目標別の評価方法と基準の評価方法と基準評価方法と基準と基準基準

達成度

1 【A4-AE2】トランジスタの微細化の現状と問題点について説明できる．トランジスタの微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．現状と問題点や，半導体製造技術や評価技術などの基礎を学習する．その後，単電子トランジスタやと問うことで評価する．題し，評価する．点から学習する．始めに，トランジスタの微細化のについて後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．で出題し，評価する．きる．

トランジスタの微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．現状と問題点や，半導体製造技術や評価技術などの基礎を学習する．その後，単電子トランジスタやと問うことで評価する．題し，評価する．点から学習する．始めに，トランジスタの微細化のについて後期中間試験で出題し，評価する．後期中間試験で出題し，評価する．で出題し，評価する．問うことで評価する．い，評価する．評価する．

2 【A4-AE2】トランジスタの微細化の現状と問題点について説明できる．半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．評価技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．について後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．で出題し，評価する．きる．

半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．評価技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．について後期中間試験で出題し，評価する．後期中間試験で出題し，評価する．で出題し，評価する．出題し，評価する．し，評価する．評価する．

微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．問うことで評価する．題し，評価する．点から学習する．始めに，トランジスタの微細化のを用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．解しておくこと．決するための先端材料の優位性についするた内容を理解しておくこと．めの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．先端材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．優位性について後期中間試験で問うことで評価する．につい3 【A4-AE2】トランジスタの微細化の現状と問題点について説明できる．て後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．で出題し，評価する．きる．

先端材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．について後期中間試験で出題し，評価する．後期中間試験で出題し，評価する．で出題し，評価する．問うことで評価する．うことで出題し，評価する．評価する．

有機ELや評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．IGZOなど最新ディスプレイ技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．について後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．で出題し，評価する．き4 【A4-AE2】トランジスタの微細化の現状と問題点について説明できる．
る．

多結晶Si-TFT液晶に代わるディスプレイについて後期中間試験で出題し，評価する．後期定期試験で出題し，評価する．により評価す評価する．

既存のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．Si系太陽電池と最新のと最新の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．HIT太陽電池と最新のについて後期中間試験で出題し，評価する．簡単に
5 【A4-AE2】トランジスタの微細化の現状と問題点について説明できる．
説明できる．で出題し，評価する．きる．

既存のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．太陽電池と最新のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．効率を超える様々な太陽電池について後期定期試験によを用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．超える様々な太陽電池について後期定期試験によえる様々な太陽電池について後期定期試験によな太陽電池と最新のについて後期中間試験で出題し，評価する．後期定期試験で出題し，評価する．により評価す評価する．

678910

総合評価

成績は，試験は，評価する．試験で出題し，評価する．100% として後期中間試験で出題し，評価する．評価する．100点から学習する．始めに，トランジスタの微細化の満点から学習する．始めに，トランジスタの微細化ので出題し，評価する．60点から学習する．始めに，トランジスタの微細化の以上を合格とする．最終的な試験成績は，を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．合格とする．最終的な試験成績は，とする．最終的には，先端の半導体デバイスがこれまでな試験で出題し，評価する．成績は，試験は，評価する．2回の試験結果の相の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．試験で出題し，評価する．結果の相の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．相加平均をとる．小数点以下は切り捨てる．を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．とる．小数点から学習する．始めに，トランジスタの微細化の以下は切り捨てる．は切り捨てる．り評価す捨てる．て後期中間試験で出題し，評価する．る．

テキスト

資料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．配布する．する．

参考書「半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．デバイスの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．物理」 ： 岸野 正剛 （丸善社）「半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．とデバイス」 ：松波 弘之（岩波書店）「低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発」：浦岡　行治（シーエムシー出版）ポリシリコン薄膜トランジスタの開発」：浦岡　行治（シーエムシー出版）トランジスタの微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．開発」：浦岡 行治（シーエムシー出版）

関連科目

電子デバイス(電子工学科3年)，評価する．電子工学(電気工学科3年)，評価する．半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．工学(電気工学科4年)，評価する．電気材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．(電気工学科5年)履修上のの評価方法と基準
注意事項

関連科目で学習した内容を理解しておくこと．で出題し，評価する．学習した内容を理解しておくこと．した内容を理解しておくこと．内容を理解しておくこと．を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．理解しておくこと．して後期中間試験で出題し，評価する．おくこと．

授業の計画（先端半導体デバイス）デバイス）
テーマ

内容（目標・準備など）など）

1

ムーアの法則とトランジスタの微細化の現状の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．法則とトランジスタの微細化の現状とトランジスタの微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．現状と問題点や，半導体製造技術や評価技術などの基礎を学習する．その後，単電子トランジスタやこの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．講義のガイダンスと，ムーアの法則に従って行われてきたトランジスタの微細化の歴史と現状について説明する．の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．ガイダンスと，評価する．ムーアの法則とトランジスタの微細化の現状の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．法則とトランジスタの微細化の現状に従って行われてきたトランジスタの微細化の歴史と現状について説明する．って後期中間試験で出題し，評価する．行われて後期中間試験で出題し，評価する．きた内容を理解しておくこと．トランジスタの微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．微細化のの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．歴史と現状について説明する．と現状と問題点や，半導体製造技術や評価技術などの基礎を学習する．その後，単電子トランジスタやについて後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

2半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．製造プロセス

洗浄からフォトリソグラフィーやから学習する．始めに，トランジスタの微細化のフォトリソグラフィーや評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．CVD装置などの成膜技術まで半導体製造プロセスについて説明する．などの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．成膜トランジスタの開発」：浦岡　行治（シーエムシー出版）技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．まで出題し，評価する．半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．製造プロセスについて後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

3

半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．評価技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．

表さ面観察などの評価技術について説明する．などの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．評価技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．について後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

4

先端デバイス構造 I

ダブルゲート構造，評価する．Fin構造などの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．最先端の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．デバイス構造について後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

5

先端デバイス構造II

部分空乏型および完全空乏型および完全空乏型完全空乏型および完全空乏型SOI基板を用いたトランジスタについて構造と特性向上のメカニズムについて説明する．を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．いた内容を理解しておくこと．トランジスタの微細化のについて後期中間試験で出題し，評価する．構造と特性について後期中間試験で問うことで評価する．向上を合格とする．最終的な試験成績は，の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．メカニズムについて後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

6

先端材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．I

High-k，評価する．メタの微細化のルゲート，評価する．ひずみSiなどの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．先端材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．いた内容を理解しておくこと．トランジスタの微細化のについて後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

7

先端材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．II

パワーデバイスや評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．ワイドギャップ半導体の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．といわれるSiCを用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．いた内容を理解しておくこと．トランジスタの微細化のについて後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

8

中間試験で出題し，評価する．

1から学習する．始めに，トランジスタの微細化の7まで出題し，評価する．の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．授業の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．内容を理解しておくこと．について後期中間試験で出題し，評価する．試験で出題し，評価する．を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．行う．

9単電子トランジスタの微細化の究極の低消費電力デバイスといわれる単電子トランジスタについて説明する．の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．低消費電力デバイスといわれる単電子トランジスタについて説明する．デバイスといわれる単電子トランジスタの微細化のについて後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

10 炭素材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．デバイス

カーボンナノチューブ，評価する．グラフェンについて後期中間試験で出題し，評価する．の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．基礎を学習する．その後，単電子トランジスタやから学習する．始めに，トランジスタの微細化のデバイス応用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．まで出題し，評価する．を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．説明できる．する．

11 有機デバイス

有機トランジスタの微細化のや評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．有機ELなど有機デバイスについて後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

12 薄膜トランジスタの開発」：浦岡　行治（シーエムシー出版）トランジスタの微細化の（TFT）技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．

液晶ディスプレイの製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．駆動素子として後期中間試験で出題し，評価する．用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．いら学習する．始めに，トランジスタの微細化のれるアの法則とトランジスタの微細化の現状モルファスシリコンTFTや評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．ポリシリコンTFTおよび完全空乏型結晶化の技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．について後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

13 IGZO技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．

Siに代わる材料を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．として後期中間試験で出題し，評価する．注目で学習した内容を理解しておくこと．されて後期中間試験で出題し，評価する．いるIGZOについて後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

14 HIT太陽電池と最新のについて後期中間試験で出題し，評価する．

基本的には，先端の半導体デバイスがこれまでなSi太陽電池と最新のに加え，評価する．高効率を超える様々な太陽電池について後期定期試験によが実現で出題し，評価する．きるHIT型および完全空乏型の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．太陽電池と最新のについて後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する.

15 先端メモリデバイス

次世代メモリといわれるSiドット型および完全空乏型フローティングゲートメモリや評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．磁気抵抗メモリであるメモリで出題し，評価する．あるMRAMについて後期中間試験で出題し，評価する．説明できる．する．

161718192021222324252627282930備など） 本科目で学習した内容を理解しておくこと．の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．修得には，には，評価する．30 時間の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．授業の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．受講と 60 時間の製造技術や評価技術について後期中間試験で出題し，評価する．自己学習した内容を理解しておくこと．が必要である．で出題し，評価する．ある．
考 後期中間試験で出題し，評価する．および完全空乏型後期定期試験で出題し，評価する．を用いる優位性について後期中間試験で問うことで評価する．実施する．する．