Single P-channel MOSFET
ELM6040P03A-S

http://www.elm-tech.com■General description■Features

ELM6040P03A-S uses advanced trench technology toprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate
threshold voltage.

• Vds=-30V• Id=-4A (Vgs=-10V)• Rds(on) = 42mΩ (Vgs=-10V)■Maximum absolute ratings
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Power dissipation
Linear derating factor
Junction and storage temperature range

Ta=25°C. Unless otherwise noted.

Ta=25°C
Ta=70°CSymbolVds
Vgs
IdIdm
PdKθTj, Tstg

Limit
-30±20-4.0-3.2-24
1.25
0.01-55 to +150

Unit
VVNoteA3AW
W/°C°C1, 2■Thermal characteristics
Parameter
Thermal resistance, junction-to-ambient (PCB mounted)
Thermal resistance, junction-to-caseSymbolRθjaRθjc

Typ.
-Max.
10045Unit

Note°C/W

3

NOTE : 1. Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Pulse width≤ 300μs, duty cycle≤2%.
3. Surface mounted on 1 in² copper pad of FR-4 board; 270°C/W when mounted on minimum copper pad.

■Pin configuration■Circuit

SOT-23(TOP VIEW)
312DPin No.
12

Pin nameGATESOURCE

3DRAINGS

Rev.1.0
1/7

Single P-channel MOSFET
ELM6040P03A-S■Electrical characteristics
Parameter

http://www.elm-tech.com
Ta=25°C. Unless otherwise noted.

SymbolCondition

Min.

Typ.

Max. Unit

Drain-source breakdown voltage

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

-30

--

Zero gate voltage drain current

Idss

Vds=-24V, Vgs=0V---1

Vds=-24V, Vgs=0V (Ta=70°C)---10Gate-body leakage currentIgss

Vds=0V, Vgs=±20V--±100nA

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Rds(on) Vgs=-10V, Id=-4A
Gfs Vds=-10V, Id=-3A-2-

42
3.4-453-

VmΩ
S-

-0.78

-1.20

V-

482-

pF

-

65-

pF

-

50-

pF

-

10.3
2.5
2.8

-

nCnCnCSTATIC PARAMETERS

Gate threshold voltage
Static drain-source on-resistance *Forward transconductance *Diode forward voltage *Vsd

Is=-1A, Vgs=0VVμA

DYNAMIC PARAMETERS
Input capacitance

Ciss

Output capacitanceCossReverse transfer capacitance
SWITCHING PARAMETERS
Total gate charge *Gate-source charge *Gate-drain charge *CrssTurn-on delay time *Turn-on rise time *Turn-off delay time *td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V-

7.6
15.8-

nsns

td(off) Id=-4A, Rgen=1Ω
tf-

34.8
12.6-

nsns-

8.2-

3.3

Turn-off fall time *Qg
Qgs
Qgd

Body diode reverse recovery timetrr

Body diode reverse recovery charge

Qrr

Vgs=0V, Vds=-25V, f=1MHz

Vgs=-10V, Vds=-24V
Id=-4A

Vgs=0V, If=-1A
dIf/dt=100A/μs

ns-nC* Pulse Test : Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2%.

■Reference land pattern
Recommended Soldering Footprint

Rev.1.02/7

Single P-channel MOSFET
CYStech Electronics Corp.

Spec. No. : C058N3
Issued Date : 2016.09.13
Revised Date : 2017.03.09
Page No. : 4/9
http://www.elm-tech.com

ELM6040P03A-S■Typicalelectrical and thermal characteristics
Typical Characteristics���������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������� ��� ������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������ ��������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������� ������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������� ������ ��������������������������������������������������������������������������� �� �� �� ��� ��� ��� �������������������������������C ��������������������������������������������������������� ��������������������������������������� �������������������������

��

MTE040P03N3

��� ��� ��� � �� �� �� ��� ��� ��� �������������������������������

CYStek Product Specification

Rev.1.0
3/7

Single P-channel MOSFET
CYStech Electronics Corp.

Spec. No. : C058N3
Issued Date : 2016.09.13
Revised Date : 2017.03.09
Page No. : 5/9

ELM6040P03A-S

http://www.elm-tech.com

Typical Characteristics(Cont.)��������������������������������������������������������������������������������������������������������������� ������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������� ��� ����������������������������������������������������������������������������������������������������������������� �����������������������������������������������������������������
��JA�������������������������������������������������������������������������������������������������������

�������������������������������������������������

����������������

�������������

�������������������������

����������������������������������������������� ����������������������������������� �� �� ��� ��� ��� �������������������������������

����������������������������������

��������
�������������

����������� ������
�������
���������������������

��

MTE040P03N3

�����������������������������

���

CYStek Product Specification

Rev.1.0
4/7

Single P-channel MOSFET
CYStech Electronics Corp.
ELM6040P03A-S

Spec. No. : C058N3
Issued Date : 2016.09.13
Revised Date : 2017.03.09
Page No. : 6/9

http://www.elm-tech.com

Typical Characteristics(Cont.)��������������������
���������������������������

������
���������������

��

��
��
���
���
���
��������������������������

������������������������������������
�������������������������������������
������������������

�����

���

���

���

�����������������JA����������������������
������������������������JA=100°C/W

����

����

����

����

������������

�����������

������

������

������
������
���������������������������������

MTE040P03N3������

������

������

CYStek Product Specification

Rev.1.0
5/7

Single P-channel MOSFET
ELM6040P03A-S■SOT-23 dimension

http://www.elm-tech.com

SOT-23 Dimension

InchesMin.
Max.
0.11020.12040.0472
0.06690.03350.05120.01180.0197
0.06690.09100.00000.0040

DIMA
B
CDGH

Millimeters
Min.
Max.
2.80
3.04
1.20
1.70
0.89
1.30
0.30
0.50
1.70
2.30
0.00
0.10

DIM

JK
L
S
V
L1

Inches
Min.
Max.
0.00320.00790.01180.0266
0.03350.04530.08300.11610.00980.02560.01180.0197

Millimeters
Min.
Max.
0.08
0.20
0.30
0.67
0.85
1.15
2.10
2.95
0.25
0.65
0.30
0.50

Notes: 1.Controlling dimension: millimeters.

2.Maximum lead thickness includes lead finish thickness, and minimum lead thickness is the minimum thickness of base material.

Material:• Lead: Pure tin plated.
• Mold Compound: Epoxy resin family, flammability solid burning class: UL94V-0.

Rev.1.0
6/7

Single P-channel MOSFET
ELM6040P03A-S■Reel & carrier tape dimension

http://www.elm-tech.com•Reel
Reel Dimension

Tape Dimension•Carrier
Carrier tape

Rev.1.0
7/7