令和元年度 研究報告 大分県産業科学技術センター

機能性表面処理技術と評価に関する研究(第 3 報)
宮城友昭・髙橋芳朗・園田正樹・秋本恭喜 ※金属担当・ ※ 企画連携担当

Research of Functional Surface Treatments and Evaluating Methods (3rd Report)
Tomoaki MIYAGI・Yoshiro TAKAHASHI・Masaki SONODA・ ※ Yasuki AKIMOTO
Metallurgy Section※

要Planning and Coordination Section

旨センターの要素技術として機能性表面処理技術や評価技術を蓄積し，県内企業の技術支援や技術力向上，センターの試験高度化を目指すため，本研究に取り組んだ．表面処理の一手法として光触媒に着目し，スパッタリン
グ法で多層膜・混晶膜を作製および評価することで，課題となっている均一な薄膜の作製や密着性，弱光環境下での触媒活性の向上を目指している．本年度は，①TiO 2 と WOx の 2 層膜の作製および光触媒活性の評価，②TiO2薄膜作製時のスパッタ電力の影響，③TiO2 と WOx と SiO2 の 3 層膜の作製および光触媒活性の評価，④TiO2 と WOxと WOx-SiO2 混合薄膜の 3 層膜の作製および光触媒活性の評価，さらに比較目的で⑤可視光源を用いた光触媒活性の評価を行った．その結果，①TiO2 薄膜の上に WOx 薄膜を堆積した 2 層膜において，TiO2 薄膜よりも WOx 薄膜の膜厚が小さいほど光触媒活性は向上すること，②TiO2 薄膜はスパッタ電力が低いほどアナターゼ型結晶の比率が高くなり，光触媒活性は向上すること，③SiO2 薄膜を最表面に堆積することで親水性は向上するが，膜厚が 4nmの時に光触媒活性は最大となり，膜厚が 10nm 以上になると光触媒活性は低下すること，④WOx-SiO 2 混合薄膜を最表面に堆積すると，高い光触媒活性と超親水性を同時に示すこと，⑤TiO2 薄膜は可視光源下で光触媒活性を示さないものの，その上に WOx 薄膜さらに SiO2 薄膜や WOx-SiO2 混合薄膜を堆積すると光触媒活性を示すことが分かった．

1． はじめに知見を県内企業の技術支援や技術力向上，センターの試材料の表面に膜を塗布したり，電気的または化学的に験高度化に広く活用する．本年度は，昨年度までに判明めっきを施したり，蒸着や熱処理を行うことで，母材にした TiO2 薄膜，WOx 薄膜，SiO2 薄膜の光触媒活性評価のはない機能を付加させる機能性表面処理技術への期待は結果(2)をもとに，①TiO2 と WOx の 2 層膜の作製および光非常に大きい．近年 IoT や EV 車などが注目を浴び，電子触媒活性の評価，②TiO2 薄膜作製時のスパッタ電力の影デバイスの重要性がより高まっていることもあり，表面響，③TiO2 と WOx と SiO2 の 3 層膜の作製および光触媒活処理技術とその評価技術を向上させることは必要不可欠性の評価，④TiO2 と WOx と WOx-SiO2 混合薄膜の 3 層膜のとなっている．大分県には自動車や半導体，医療をはじ作製および光触媒活性の評価，さらに比較目的で⑤可視め様々な分野の産業が集積しているが，製品の表面処理光源を用いた光触媒活性の評価を行ったので，以下に報やその評価に関する技術相談は多く，かつ内容も多岐に告する．

渡っている．

2． 実験方法

一方，防汚・抗菌作用を持つ光触媒技術は，建材に利用されているだけでなく，半導体や食品，医療機器メーカが抱える技術的課題

(1)

2.1

基板の解決に応用が期待されてい各薄膜を作製する基板として，ホウケイ酸ガラスる．しかし，基材への均一な薄膜作製や弱光環境下での7059(ガラス基板:φ2inch×t1mm)を用いた．ブロワーで触媒活性が課題となっている(1)．そこで，スパッタリン表面の付着物を除去して，実験に供した．

グ法による光触媒多層膜・混晶膜の作製および評価によ2.2

りこれらの課題解決を目指すとともに，得られた技術やスパッタリング装置として，アルバック社製ヘリコン

1スパッタリング装置

令和元年度 研究報告 大分県産業科学技術センター

スパッタ MUE-201C-HC3 を使用した．装置全体の写真を

2.7

光触媒活性評価のための光源

Fig.1 に示す．成膜室には RF カソードが 3 個あり，試料光触媒活性を評価するための光源として，紫外線光源

ホルダーはそれらの上方にセットする．また，チャンバ(波長：365nm)および LED 光源(波長：400～750nm)を使用

ー外部よりスパッタガスであるアルゴンガスや酸素ガスした．試料の上方 50mm の位置にランプを固定し，試料表を導入できるようになっている．ガス流量はマスフロー面に向けて光を照射した．

メータで調整する．

2.8

メチレンブルー溶液による光触媒活性評価

スパッタリング法によって作製した薄膜の光触媒活性を評価するために，25μmol/L に希釈した 15mL のメチレンブルー溶液を用意した．この中に試料を浸し，紫外線もしくは可視光を照射して，3 および 6 時間経過後のメチレンブルー溶液を採取した．そして分光光度計により吸光度を測定し，初期のメチレンブルー溶液の濃度と吸光度の比から各経過時間後のメチレンブルー溶液の濃度を算出して濃度‐時間プロットを作成した．プロットのFig.1

スパッタリング装置の写真

傾きは単位時間当たりに減少するメチレンブルー溶液の濃度を示しており，この絶対値が大きいほど光触媒活性2.3

成膜条件は高いことを意味する．本研究では，この傾きの値の絶スパッタリング装置で成膜する時の各パラメータを対値を反応速度 k： mol/L/h とし，光触媒活性の大きさTable 1 に示す．成膜条件は昨年の結果(2)を参考に定めを示す数値として以降の図中に表記する．ており,今回は比較する TiO2 の RF 電力のみ変化させてい2.9

水滴下による接触角測定

る．

スパッタリング法によって作製した各薄膜と水との濡れ性を評価するために，20μL の蒸留水を薄膜表面に滴Table 1チャンバ

成膜条件

下し，その接触角をカメラ撮影した画像より測定した．

TiO2WOx

SiO20.1 Pa

0.1 Pa

0.1 Pa3． 実験結果および考察

ー圧力3.1

スパッタ

Fig.2 にガラス基板上に作製した TiO2 と WOx の 2 層膜

Ar のみ

Ar:O2 = 7:1

Ar のみ

TiO2 ,WOx の 2 層膜の作製および光触媒活性評価

ガスの光触媒活性評価結果(TiO2 薄膜：200nm)を示す．昨年度

ターゲッの研究では，TiO2 薄膜の上に WOx 薄膜という順に堆積し

ト―試料

150 mm

150 mmた 2 層膜の方が光触媒活性は高いことが分かった(2)．そ150 mm

こで本年度は TiO2 薄膜の膜厚を固定し，WOx 薄膜の膜厚間の距離
RF 電力

50,100,200 W

100 W

100 Wを変化させて 2 層膜を作製し，光触媒活性が最大となる

基板温度

300℃

室温

室温条件を定めた．その結果，WOx 薄膜の膜厚が 100nm の時に最大の光触媒活性を示し，TiO2 薄膜よりも WOx 薄膜が2.4小さい時ほど光触媒活性は高くなることが分かった．

分光光度計による光学特性評価

分光光度計(島津製作所 SolidSpec-3700)を使用して，次に Fig.3 にガラス基板上に作製した TiO2 と WOx の 2作製した薄膜の光学特性(透過率および反射率)を測定し層膜の光触媒活性評価結果(TiO2 薄膜：400nm)を示す.そた．の結果，WOx 薄膜の膜厚が 200nm の時に最大の光触媒活2.5性を示し，TiO2 薄膜よりも WOx 薄膜が小さい時ほど光触X 線回折による結晶構造解析

100nm 以下の薄膜や微小部解析も可能な X 線回折装置媒活性は高くなることが同様に分かった．さらに,Fig.2(リガク Smartlab)を使用して，作製した薄膜の結晶性やと Fig.3 を比較すると，下層の TiO2 薄膜の膜厚が大きく結晶構造を調べた．

なると光触媒活性は高くなること分かった．昨年度の研走査プローブ顕微鏡による微細構造観察

究(2)から TiO2 薄膜の膜厚が大きくなると表面粗さが増加

走査プローブ顕微鏡(島津製作所 SPM-9600)を使用しして実表面積は大きくなり，光触媒活性は高くなること

2.6が分かっているが，下地の TiO2 薄膜の膜厚が大きいほどて，作製した薄膜表面の微細構造を観察した．

その上に堆積する WOx 薄膜の表面粗さも影響を受けて大2令和元年度 研究報告 大分県産業科学技術センター

きくなり，それが今回の結果にも影響していると考えら[μmol/L]

30れる．また，TiO2 薄膜よりも WOx 薄膜が小さい時ほど光メチレンブルー溶液の濃度触媒活性が高くなる理由として，WOx 薄膜中の酸素欠陥の密度が影響していると考えられる．酸素欠陥は励起電子と正孔が再結合する部分であり，酸素欠陥の密度が大(3)

きいと光触媒活性は低下することが田島らの報告 からも分かっている．本研究では，WOx 薄膜を Ar リッチのスパッタガス条件下(Ar:O2=7:1)で作製しているため，酸素T400W100 k=3.40
T400W200 k=3.72
T400W300 k=3.33
T400W400 k=2.73
T400W600 k=1.802520151050

欠陥の密度は TiO2 薄膜よりも高く,WOx 薄膜の膜厚が大01

きいと酸素欠陥の数が増加して励起電子と正孔が再結合2345UV照射時間 [時間]6する確率が増加し，その結果として光触媒活性は低下す

Fig.3ると考えられる．一方で，TiO2 薄膜が 400nm，WOx 薄膜が膜の光触媒活性評価結果(TiO2 薄膜：400nm)

7

ガラス基板上に作製した TiO2 と WOx の 2 層100nm の時に光触媒活性はやや低下しているが，これはれる(5)．すなわち，必要以上に高いスパッタ電力を印加が現れることが影響しているのではないかと考えられすると，ターゲットから飛び出した酸素原子がイオン化る．

し，高い運動エネルギーを持った状態で基板まで到達しメチレンブルー溶液の濃度[μmol/L]TiO2 薄膜よりも WOx 薄膜が小さすぎると，未被覆の部分

Fig.2て，ブラスト効果によって粗い表面が平坦化したのでは30ないかと考えられる．

25

Table 2 TiO2 薄膜の膜厚とスパッタ電力および表面粗さ20の関係

15

スパッタ電力(W)

10T200W100 k=2.09
T200W200 k=1.78
T200W300 k=1.16

50012345
UV照射時間 [時間]67

膜厚(nm)

表面粗さ(nm)

50200

3.85

100

200

4.19

50400

4.99

100

400

14.98

200

400

1.74

ガラス基板上に作製した TiO2 と WOx の 2 層膜の光触媒活性評価結果(TiO2 薄膜：200nm)

Fig.5 に，ガラス基板の温度を 300℃に固定して，スパッタ電力を 50, 100, 200W に変化させて作製した TiO2 薄3.2

TiO2 薄膜作製時のスパッタ電力の影響

膜の光触媒活性評価結果を示す．この結果より，同じスFig.4 に，ガラス基板の温度を 300℃に固定して，スパパッタ電力同士では膜厚が大きくなると光触媒活性は向ッタ電力を 50, 100, 200W に変化させて作製した TiO2 薄上し,同じ膜厚同士ではスパッタ電力が低い時ほど光触膜の X 線回折結果を示す．膜厚が 200nm のものはスパッ媒活性は高くなることが分かった．スパッタ電力が低い

タ 電 力 を 50W,100W に ， 膜 厚 が 400nm の も の は時ほどアナターゼ型結晶の比率が高くなることが Fig.4

50W,100W,200W に調整した．この結果より，同じ膜厚同から分かっており，これが光触媒活性を向上させる理由

士で比較すると，スパッタ電力が低い時ほど光触媒活性として考えられる．したがって，光触媒活性を向上させが高いアナターゼ型(101)のピークがルチル型(101)のるには，ベース材料である TiO2 薄膜の作製は表面粗さをピークより相対的に大きくなっており,結晶中に占める大きくして実表面積を増加させ，光触媒反応を起こす面アナターゼ型結晶の比率が高いことが分かった(4)．

積を広くするとともに，スパッタ電力を低くして，光触TiO2 薄膜の膜厚とスパッタ電力および表面粗さの関係媒活性の高いアナターゼ型結晶を多く含む TiO2 薄膜をを Table 2 に示す．この結果より，同じスパッタ電力同作製することが重要なポイントとなる．

士では膜厚が大きくなると表面粗さが増加し,同じ膜厚同士ではスパッタ電力が高い時ほど表面粗さが大きくなることが分かった．ただし，200W で 400nm の膜厚の TiO2薄膜では，表面粗さが小さくなっている．この理由は，酸素イオンによるイオン衝撃が原因ではないかと考えら

3令和元年度 研究報告 大分県産業科学技術センター

アナターゼ型

膜を堆積することで水滴下における接触角が低下し，親ルチル型(101)水性が向上していることが分かった．TiO2 と WOx の 2 層

50W 200nm
100W 200nm
50W 400nm
100W 400nm
200W 400nm

膜の時(SiO2 の膜厚は 0 nm)，薄膜表面に滴下した水が半球状になって接触角が 60°を示したのに対し，SiO2 の膜Intensity

厚を 2nm，4nm と堆積すると，滴下した水が表面に広がっていく傾向を示し，接触角が 10°未満の超親水性表面となった.10nm 以上の時に接触角が 15°に上昇して親水性は低下したが，これは表面粗さの低下で実表面積が低下したことが理由として考えられる．
15Fig.425352θ45[deg]55これらの結果から，SiO2 薄膜の膜厚が 4nm の時に光触65

媒活性が最大になった理由として，SiO2 薄膜は光触媒作ガラス基板の温度を 300℃に固定して，スパッタ用を示さないため，TiO2 と WOx の 2 層膜の上に SiO2 薄膜電力を変化させて作製した TiO2 薄膜の X 線回折結果を堆積することで光触媒活性は低下する一方で，水酸基(-OH)が安定に存在するために親水性が向上し，表面だけでなく表面近傍層の光触媒層にもメチレンブルー溶液がメチレンブルー溶液の濃度[μmol/L]30浸透し，接触面積が増加することが考えられる．TiO2 薄25

膜は基板に対して垂直方向に結晶が伸びた柱状結晶で構20成され，表面から見ると個々の柱状結晶界面に多数の溝15や細孔が存在している(6)．そして，WOx 薄膜と SiO2 薄膜

10はアモルファスであることから，TiO2 薄膜の表面形態に

50W 200nm k=1.86
100W 200nm k=1.35
50W 400nm k=3.21100W 400nm k=2.38200W 400nm k=1.5750012345UV照射時間 [時間]沿って，等方的に堆積していくと考えられる．Table 3に示したように，TiO2 と WOx の 2 層膜の上に SiO2 薄膜を6堆積していく過程で，表面粗さが減少する．これは TiO27と WOx の 2 層膜の上に SiO2 薄膜を堆積することで，微小Fig.5 ガラス基板の温度を 300℃に固定して，スパッタな溝や細孔が埋められていることを示している．したが電力を変化させて作製した TiO2 薄膜の光触媒活性評価って，SiO2 薄膜なしでは浸透しなかった部分にもメチレ

結果ンブルー溶液が浸透し，表面だけでなく表面近傍層の光触媒層でも光触媒反応が起こる．SiO2 薄膜の膜厚を 2nm

3.3

TiO2 と WOx と SiO2 の 3 層膜の作製および光触媒にした時，微小な溝や細孔に SiO2 薄膜は十分に形成され活性の評価ず光触媒活性は低下したが，さらに堆積して 4nm にした

TiO2 と WOx の 2 層膜の光触媒活性評価の結果をもとに，時，これらのバランスが保たれ，光触媒活性が最大にな最表面に親水性を向上させるための SiO2 薄膜を堆積し，ると考えられる．

TiO2 と WOx と SiO2 の 3 層膜を作製して光触媒活性を評価30[μmol/L]した．
Fig.6 に，ガラス基板上に作製した TiO2 と WOx と SiO2メチレンブルー溶液濃度の 3 層膜の光触媒活性評価結果を示す.ただし，ベースとなる TiO2 と WOx の 2 層膜は，TiO2 200nm，WOx 100nm とする．この結果より，TiO2 と WOx の 2 層膜に SiO2 薄膜を堆積することで光触媒活性は低下することが分かった．
特に，SiO2 薄膜の膜厚が 10nm 以上になると光触媒活性は大幅に低下する一方，膜厚が 4nm の時に光触媒活性は最25201510

TiO2-WOx k=2.09+SiO2 2nm k=1.19+SiO2 4nm k=2.18+SiO2 10nm k=0.55+SiO2 30nm k=0.36500大となり，TiO2 と WOx の 2 層膜の時と同程度の光触媒活12345UV照射時間 [時間]67性を示した．
また，ガラス基板上に作製した TiO2 と WOx と SiO2 の 3Fig.6 ガラス基板上に作製した TiO2 と WOx と SiO2 の 3層膜の水滴下における接触角と表面粗さの関係を Table

層膜の光触媒活性評価結果

3 に示す．この結果より，TiO2 と WOx の 2 層膜に SiO2 薄4(a)令和元年度 研究報告 大分県産業科学技術センター

Table 3 ガラス基板上に作製した TiO2 と WOx と SiO2 の 3
表面粗さ（nm）

0601.542＜10-4＜101.4310151.333030-[μmol/L]

水の接触角(deg)

メチレンブルー溶液の濃度

SiO2 膜厚(nm)TiO2-WOx k=2.09+混合薄膜 4nm k=1.08+混合薄膜 10nm k=2.76+混合薄膜 20nm k=4.16+混合薄膜 30nm k=4.1730

層膜の水滴下における接触角と表面粗さの関係

25201510503.40

TiO2 と WOx と WOx-SiO2 混合薄膜の 3 層膜の作製

1234567

UV照射時間 [時間]および光触媒活性の評価

Fig.7 ガラス基板上に作製した TiO2 と WOx と WOx-SiO2

TiO2 と WOx の 2 層膜の表面に WO3 ターゲットと SiO2 タ混合薄膜の 3 層膜の光触媒活性評価結果

ーゲットを同時スパッタすることで WOx-SiO2 混合薄膜を作製し，光触媒活性を評価した．
Fig.7 に，ガラス基板上に作製した TiO2 と WOx とTable 4 ガラス基板上に作製した TiO2 と WOx と WOx-SiO2

WOx-SiO2 混合薄膜の 3 層膜の光触媒活性評価結果を示

混合薄膜の 3 層膜の水滴下における接触角と表面粗さのす.混合薄膜を作製した時の WOx と SiO2 のスパッタ電力

関係

はともに 100W に調整したので，成膜速度(2)から混合比を混合薄膜膜厚(nm)

水の接触角(deg)

表面粗さ（nm）

見積もると，WOx と SiO2 の体積比は 2:1 の混合薄膜であ0601.54ると考えられる．この結果より，SiO2 薄膜の時とは異な445-り，堆積した混合薄膜の膜厚に比例して光触媒活性は大10301.71幅に向上し，20nm 以上では 6 時間経過時点でメチレンブ20＜103.87

ルー溶液は完全に分解されて透明になった.

30＜105.31

また，ガラス基板上に作製した TiO2 と WOx と WOx-SiO2の混合薄膜の 3 層膜の水滴下における接触角と表面粗さ

3.5可視光源を用いた光触媒活性の評価の関係を Table 4 に示す．混合薄膜の膜厚が 20nm 以上でここまでの結果は紫外線光源を使用した実験によるもは接触角が 10°未満の超親水性表面であった．この理由のであるが，Fig.8 に可視光源として LED 光源を使用し，として，WOx-SiO2 混合薄膜は，アモルファスの WOx と SiO2光触媒活性評価を行った結果を示す.ただし，LED 光源かの微粒子が交互に 3 次元的に混在するナノポーラス構造

ら出る光の波長の範囲は 400～750nm であり，紫外線は含になっており，SiO2 の親水性によってメチレンブルー溶まれていない．この結果より，紫外線のみ吸収する TiO2液が混合薄膜の内部に浸透することが考えられる．した薄膜単体では光触媒活性を全く示さなかったが，それ以がって，混合薄膜の表面だけでなく内部でも光触媒反応外の薄膜は可視光も吸収する WOx 薄膜を含むため，光触が起こり，結果的に光触媒反応が起こる実表面積が増大媒活性を示した．また，SiO2 薄膜を堆積した場合は膜厚する．それ故に，混合薄膜の膜厚が大きくなるにつれて，が 4nm の時に最大の光触媒活性を示し，WOx-SiO2 混合薄光触媒活性は大幅に向上したと考えられる．今後，WOx

膜を堆積した場合は膜厚に比例して光触媒活性が向上す

薄膜および SiO2 薄膜の各々のスパッタ電力を調整してる点については，紫外線光源の時と同様の傾向を示した．

混合薄膜を作製し，混合比と光触媒活性との相関関係を全体的に紫外線光源の時よりも光触媒活性は低下してい調べる他，紫外線を照射した時の表面電位分布，W と Siるが，その理由として可視光源の時は WOx が含まれる薄と O の結合状態や元素成分比など，WOx-SiO2 混合薄膜の膜でのみ電子が励起されるので，表面に拡散する電子の物理的特性や化学的特性を調べた上で，更なる考察を進数も相対的に減少することが考えられる．

めていく必要があるだろう．

Fig.9 に，ガラス基板上に作製した TiO2 薄膜，TiO2 とWOx の 2 層膜、TiO2 と WOx と SiO2 の 3 層膜、TiO2 と WOxと WOx-SiO2 混合薄膜の 3 層膜の透過率測定結果を示す．
この結果より，WOx-SiO2 混合薄膜の膜厚が 20nm の時、吸収端が可視光側にシフトしていることが分かった．WOxのバンドギャップは 2.5eV，SiO2 は 8.8eV であるため,WOx5令和元年度 研究報告 大分県産業科学技術センター

部分では光励起が起こり，かつ下層薄膜からの電子の通③TiO2 と WOx と SiO2 の 3 層膜の作製および光触媒活り道となる一方で，SiO2 部分は高いバンドギャップが障性の評価壁となり，電子の励起は起こらない．それ故に，光触媒・SiO2 薄膜を最表面に堆積することで親水性は向上する反応に寄与する電子が表面に到達する過程で SiO2 部分が，膜厚が 4nm の時に光触媒活性は最大となり，膜厚で分極が起こり，バンド構造が変化することで，WOx 部が 10nm 以上になると親水性の低下が影響して光触媒分ではより低い光エネルギーで励起するようになって光活性は低下した．

触媒活性が向上したり，SiO2 部分の表面自由エネルギー④TiO2 と WOx と WOx-SiO2 混合薄膜の 3 層膜の作製およメチレンブルー溶液の濃度[μmol/L]が増加して超親水性表面になると考えられる．

び光触媒活性の評価
・WOx-SiO2 混合薄膜を最表面に堆積すると，混合薄膜の30膜厚に比例して光触媒活性は向上し，同時に超親水性25も示すことが分かった．

20⑤可視光源を用いた光触媒活性の評価

15・TiO2 薄膜は可視光源下で光触媒活性を示さなかったが，TiO2+WOx k=0.81+WOx+SiO2 4nm k=0.44+WOx+混合薄膜 4nm k=0.4+WOx+混合薄膜 20nm k=2.26105

その上に WOx 薄膜，さらに SiO2 薄膜や WOx-SiO2 混合薄膜を堆積すると光触媒活性を示し，紫外光光源を使用した実験の時と同じ傾向となった．ただし，紫外線光

0012345UV照射時間 [h]6源に比べて全体的に光触媒活性は低下した．

75.

Fig．8 ガラス基板上に作製した各薄膜の可視光による光触媒活性評価結果

参考文献(1) 橋本和仁，藤嶋昭：図解 光触媒のすべて，オーム社，
p75-77(2) 宮城友昭，高橋芳朗，園田正樹，秋本恭喜：機能性透過率

[％]

100

表面処理技術および評価に関する研究(第 2 報)，平80

成 30 年度大分県産業科学技術センター研究報告，

60

p7-1140(3) 田島政弘，井上淳，塩村隆信：可視光応答型光触媒

TiO2+WOx+WOx+SiO2 4nm+WOx+混合薄膜 4nm+WOx+混合薄膜 20nm

200300350400
波長 [nm]450の開発，島根県工業技術センター研究報告第 47 号
(2010)，p57（4) 水越克彰，正橋直哉：陽極酸化による二酸化チタン

500

光触媒の創製，まてりあ第 49 巻第 2 号(2003)，p668(5) 星陽一：TiO2 膜の高速低温スパッタ成膜法，日本真Fig.9 ガラス基板上に作製した TiO2 薄膜，TiO2 と WOx の会誌(2014)，Vol57，No.1，p13

2 層膜、
TiO2 と WOx と SiO2 の 3 層膜、TiO2 と WOx と WOx-SiO2(6) 高林外広：反応性スパッタリング法による低反射光混合薄膜の 3 層膜の透過率測定結果

4.

触媒膜の低温生成，まてりあ第 24 巻第 9 号(2003)

まとめ

本研究の結果を以下にまとめる．
①TiO2 と WOx の 2 層膜の作製および光触媒活性の評価
・TiO2 薄膜の上に WOx 薄膜を堆積した 2 層膜において，は 向上し，その効果は TiO2 薄膜が厚いほど大きいことが分かった．
TiO2 薄膜よりも WOx 薄膜の膜厚が小さいほど光触媒活②TiO2 薄膜作製時のスパッタ電力の影響
・TiO2 薄膜は，スパッタ電力が低いほどアナターゼ型結晶の比率が高くなり，光触媒活性は向した．また，表面粗さが粗いほど光触媒活性は向上した.

6