先進パワー半導体分科会 第 4 回講演会
The 4th Meeting on Advanced Power Semiconductors

主催：（公社）応用物理学会 先進パワー半導体分科会
会場：名古屋国際会議場（〒456-0036 愛知県名古屋市熱田区熱田西町 1 番 1 号）

プログラム（Technical Program）

11 月 1 日（水）
時間

白鳥ホール

イベントホール

9:00-

受付開始

9:55-10:00

開会の辞

10:00-11:30

基調講演

11:35-13:00

昼食

13:00-13:40

奨励賞受賞記念講演

13:40-14:00

休憩

企業展示

14:00-15:15

ポスターセッション IA

15:15-16:30

ポスターセッション IB

16:30-17:40

インダストリアルセッション I

レセプションホール

インダストリアルセッション II

18:00-20:00

懇親会

11 月 2 日（木）時間

9:00-11:30
11:30-12:45

白鳥ホール北白鳥ホール南マテリアル

プロセス，デバイス&&

キャラクタリゼーション

実装

イベントホール

企業展示

昼食

12:45-14:00

ポスターセッション IIA

14:00-15:15

ポスターセッション IIB

15:15-15:30

休憩

15:30-16:05

特別講演

16:05-16:25

閉会の辞

i

レセプションホール

11 月 1 日（水） （Wednesday 1 November）
オープニング 9:55-10:00【白鳥ホール】
9:55-10:00

開会の辞（Opening address）
幹事長 土田 秀一 （電力中央研究所）

基調講演 10:00-11:30【白鳥ホール】
10:00-10:45

Power semiconductor devices at Infineon – offering the best out silicon【基調講演】

and wide band gap optionsPeter Friedrichs （Infineon）

10:45-11:30

SiC デバイスを採用した N700S 新幹線電車駆動システムの開発【基調講演】The development of traction system based on SiC power devices for N700S
Shinkansen-train
福島 隆文（東海旅客鉄道）（昼食 Lunch： 11:30-13:00）
奨励賞受賞記念講演 13:00-13:40【白鳥ホール】
13:00-13:20

価電子帯の異方性を考慮した p 型 4H-SiC における Hall 因子・正孔密度移動【依頼講演】

度の理論解析
Theoretical analysis of Hall factor and hole mobility in p-type 4H-SiC
considering anisotropic valence band structure
田中 一，浅田 聡志，木本 恒暢，須田 淳（京都大学）

13:20-13:40

パンチスルー型およびノンパンチスルー型 3 kV 4H-SiC 逆阻止 MOSFET の作【依頼講演】

製と性能比較
Fabrication and performance comparisons of punch-through and nonpunch-through 3 kV 4H-SiC reverse-blocking MOSFETs
森 誠悟 1，明田 正俊 1，坂口 拓生 1，浅原 浩和 1，中村 孝 1，木本 恒暢 2
（ローム 1，京都大学 2）
ii

（休憩 Coffee Break： 13:40-14:00）
ポスターセッションⅠ 14:00-16:30【イベントホール】
14:00-15:15

前半（IA）

15:15-16:30

後半（IB）（休憩 Coffee Break： 16:30-16:40）
インダストリアルセッション 16:40-17:30【白鳥ホール】
16:40-17:30

インダストリアルセッション

懇親会 18:00-20:00【レセプションホール】
18:00-20:00

懇親会

iii

11 月 2 日（木） （Thursday 2 November）
マテリアル&キャラクタリゼーション 9:00-11:30【白鳥ホール北】
9:00-9:30

高速・低材料損失を実現する SiC レーザスライシング ：KABRA プロセス

【招待講演】

SiC laser slicing realizing high-speed and low material loss : KABRA
process
平田 和也（ディスコ）

9:30-10:00

酸化ガリウム材料・デバイスの最近の進展と展望【招待講演】

Recent evolution and prospects of gallium oxide materials and devices
藤田 静雄（京都大学）、四戸 孝、人羅 俊実（FLOSFIA）

10:00-10:30

再結合促進層の適用による 4H-SiC PiN ダイオードの積層欠陥の拡大抑制【招待講演】

Suppression of the stacking faults expansion in 4H-SiC PiN diode byemploying a recombination enhancing layer
俵 武志 1,2，宮澤 哲哉 3，呂 民雅 2，宮里 真樹 1,2，藤本 卓巳 2，
竹中 研介 1,2，松永 慎一郎 1,2，宮島 將昭 1,2，大月 章弘 2，米澤 喜幸 1，
加藤 智久 1，奥村 元 1，木本 恒暢 4，土田 秀一 3
（産総研 1，富士電機 2，電中研 3，京都大学 4）

10:30-11:00

高耐圧ダイヤモンド FET の縦型、ノーマリオフ、低オン抵抗への検討【招待講演】High voltage diamond FET for vertical structure, normally-off and low on
resistance川原田 洋 1,2, 大井信敬 1, 岩瀧雅幸 1, 工藤拓也 1, 畢 特 1, 平岩 篤 1（1 早稲田大学理工学術院、2 材料技術研究所）

11:00-11:30

4H-SiC PiN ダイオードの順方向通電劣化における積層欠陥拡張起点解析【招待講演】

Analysis of stacking fault expansion origin in forward current
degradation of 4H-SiC PiN diodes
林 将平 1,2, 山下 任 1,3, 先崎 純寿 1, 宮里 真樹 1,4, 宮島 將昭 1,4, 加藤 智
久 1, 米澤 喜幸 1, 児島 一聡 1, 奥村 元 1（産業技術総合研究所 1，東レリサーチセンター2，昭和電工 3，富士電機 4）iv

プロセス，デバイス&実装 9:00-11:30【白鳥ホール南】
9:00-9:30

GaN－MOS デバイス開発に向けたゲート絶縁膜及び 界面の光電子分光分析【招待講演】

Photoemission study of gate dielectrics and dielectric/GaN interfaces fordevelopment of GaN-MOS devices
宮崎 誠一（名古屋大学）

9:30-10:00

Si 面 SiC MOSFET における反転層移動度の低下機構【招待講演】

Reduction of inversion layer mobility in Si-face SiC MOSFETs
野口宗隆 1, 岩松俊明 1, 網城啓之 1, 渡邊寛 １,喜多浩之 2, 山川聡 1（1 三菱電機、2 東京大学）

10:00-10:30

SiC スーパージャンクション（SJ）素子開発の現状【招待講演】

Current status of SiC super-junction (SJ) device development
小杉亮治，紀世陽，望月和浩，足立亘平，藤澤広幸，河田泰之，米澤善幸，奥村元（産業技術総合研究所）

10:30-11:00

自立 GaN 基板および高耐圧 p-n 接合ダイオードの開発【招待講演】Development of freestanding GaN substrates and high breakdown
voltage p-n junction diodes
三島 友義（法政大学）

11:00-11:30

無加圧接合可能な焼結 Cu 接合材【招待講演】

Sintering Cu bonding paste
中子 偉夫，川名 祐貴，根岸 征央，石川 大，須鎌 千絵，江尻 芳則（日立化成）（昼食休憩 Lunch： 11:30-12:45）
ポスターセッションⅡ 12:45-15:15【イベントホール】
12:45-14:00

前半（IIA）

14:00-15:15

後半（IIB）

v

（休憩 Coffee Break： 15:15-15:30）
特別講演 15:30-16:05【白鳥ホール】
15:30-16:05

トランスフォーマティブエレクトロニクスによる持続可能なスマート社会【特別講演】

Sustainable smart society via transformative electronics
天野 浩（名古屋大学）

クロージング 16:05-16:25【白鳥ホール】
16:05-16:25

授賞式
閉会の辞（Closing address）
幹事長 土田 秀一 （電力中央研究所）

vi

ポスター講演（講演者の前に記載の▲は、奨励賞申請講演であることを示す。）[ IA ] （11/1 前半）
IA-1

溶液法低抵抗率 p 型 SiC 基板上へのエピタキシャル成長のオフ方向依存性
Off-direction dependence of epitaxial growth on low-resistivity p-type SiC substrates
grown by solution method▲升本恵子，三谷武志，江藤数馬，齊藤新吾，児島一聡，加藤智久，奥村元 （産業技術総合研
究所）

IA-2

p 型 4H-SiC 再結合促進層に向けた Al、Al+B ドープによる短少数キャリア寿命化
Short minority carrier lifetimes in Al- and (Al+B)-doped p-type epilayers for p-type 4HSiC recombination enhancing layer
村田 晃一 1，○俵 武志 2,3，楊 安麗 1, 宮澤 哲哉 1, 土田 秀一 1 （1 電力中央研究所、2 産総研、3 富士電機）

IA-3

n 型 4H-SiC 溶液成長における添加剤の表面平坦化効果
Effect of additives on surface smoothness in solution growth of n-type 4H-SiC
小松直佳，三谷武志，林雄一郎，加藤智久，奥村元 （産業技術総合研究所）

IA-4

SiC エピタキシャル成長におけるサセプタポケット材質および形状の影響
Influence of pocket materials and shapes of susceptors for SiC epitaxial growth
坂口卓也，篠原正人，鳥見聡，野上暁，北畠真 （東洋炭素株式会社）IA-5

ビニルシランを用いた熱 CVD 法による金属電極表面コーティング用 SiC 薄膜の低温形成
Low-temperature formation of SiC thin film for metal-electrode surface coating bychemical vapor deposition method with vinylsilane precursor▲土井拓馬 1、竹内和歌奈 1、金勇 2、國分宏 2、安原重雄 2、中塚理 1,3、財満鎭明 3 （1 名古屋
大院工、2 株式会社ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ、3 名古屋大未来研）

IA-6

異種元素導入(La, N)による 4H-SiC 上の SiO(N)成長速度と元素分布の変化
Change of SiO(N) thermal growth kinetics and element distribution on 4H-SiC
foreign elements (La and N) introduction▲作田 良太、平井 悠久*、喜多 浩之 （東京大学大学院工学系研究科）

vii

by

IA-7

Ba 導入 nMOSFETs に対する BTS 試験およびガンマ線照射
Bias-temperature stress and Gamma-Ray irradiation for Ba-introduced gate SiO2nMOSFETs▲村岡幸輔 1，瀬崎洋 1, 2，石川誠治 1, 2，前田知徳 1, 2，牧野高紘 3，大島武 3，黒木伸一郎 1 （1広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所、2 フェニテックセミコンダクター株式会社、3 量子科学技術研究開発機構(QST)）

IA-8

Si 雰囲気アニールによるウェハ反り挙動評価とトレンチの側壁平坦性の改善
Application of Si-vapor ambient anneal for post ion implantation anneal andsimultaneous improvement of trench sidewall smoothnes▲矢吹紀人 1，鳥見聡 1，野上暁 1，北畠真 1，金子忠昭 2 （1 東洋炭素株式会社 東洋炭素生産
技術センター、2 関西学院大学）

IA-9

ニッケル触媒を利用した純水ベースの触媒表面基準エッチング法の開発
Development of Catalyst referred etching using nickel catalyst and pure water▲藤大雪，中平雄太，木田英香，大櫛貴久，松山智至，佐野泰久，山内和人 （大阪大学大学
院）

IA-10

紫外光照射とアニール処理による SiC MOS キャパシタの電気特性改善
Improved Electrical Properties of SiC MOS Capacitor with UV Irradiation and
Subsequent Annealing▲大迫 桃恵，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司 （大阪大学大学院）

IA-11

4H-SiC MOS 界面における NIT 密度分布の膜厚依存性
Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with differentoxide thicknesses
Xufang Zhang1, Dai Okamoto1, Tetsuo Hatakeyama2, Mitsuru Sometani2, Shinsuke
Harada2, Noriyuki Iwamuro1, and Hiroshi Yano1 （ 1University of Tsukuba, 2AISTADPERC）

IA-12

NO ポストアニールによる 4H-SiC (0001) MOS ゲート酸化膜信頼性特性の影響
Reliability of 4H-SiC (0001) MOS Gate Oxide by NO Post-oxide-annealing
万 彩萍，何 在田，金 智，劉 新宇，許 恒宇 （中国科学院微電子研究所）

IA-13

第一原理計算による触媒表面基準エッチング法の SiC の加工メカニズムの解明
The Mechanism of Catalyst-Referred Etching Method for SiC: A First-Principles Study
Pho Van Bui，籐大雪，稲垣耕司, 佐野泰久, 山内和人, 森川良忠 （大阪大学）

viii

IA-14

窒素ドープ、窒素・アルミニウムコドープされた n 型 4H-SiC におけるダブルショックレー型積
層欠陥の拡大速度
Expansion velocity of double Shockley type stacking faults in highly nitrogen-doped andnitrogen-aluminum co-doped n-type 4H-SiC crystals▲周防裕政 1, 2，江藤数馬 1，伊勢立彦 1, 3，徳田雄一郎 1, 4，大澤弘 2，土田秀一 5，加藤智久 1，
奥村元 1 （1 国立研究開発法人産業技術総合研究所、2 昭和電工株式会社、3 旭ダイヤモンド工業株式会社、4 株式会社デンソー、5 一般財団法人電力中央研究所）

IA-15

熱酸化された 4H-SiC（0001）表面に局在する格子歪み
Lattice Distortion Existing Locally on the Surface of Thermally Oxidized 4H-SiC (0001)▲Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita （The University of Tokyo）

IA-16

バイアス印加による SiC ダイオード中の発光中心の発光強度変化
Luminescence intensity variation of color centers in SiC diode by bias application▲本多 智也 1,2，常見 大貴 1,2，小野田 忍 2，牧野 高紘 2，佐藤 真一郎 2，土方 泰斗 1，大島 武 2 （1 埼大院理工、2 量研）

IA-17

逆バイアス電圧印加 GaN ショットキーダイオードおよび p-n 接合ダイオードにおける FranzKeldysh 効果に起因した光電流の電圧依存性・波長依存性・温度依存性
Voltage, wavelength, and temperature dependence of photocurrents induced by FranzKeldysh effect in GaN Schottky barrier diodes and p-n junction diodes under highreverse bias voltage▲前田拓也 1, 岡田政也 2, 上野昌紀 2, 山本喜之 2, 成田哲生 3, 兼近将一 3, 上杉勉 3, 加
地徹 4， 木本恒暢 1, 堀田昌宏 1, 須田淳 1, 4, 5 （1 京都大学大学院, 2 住友電気工業株式会社,
3 豊田中央研究所, 4 名古屋大学

IA-18

未来材料システム研究所, 5 名古屋大学大学院）

4H-SiC 中の積層欠陥が単一光子光源の発光波長に及ぼす影響の理論的分析
Theoretical analysis of the effects of stacking faults on the luminescence of singlephoton sources in 4H-SiC▲古川頼誉 1，土方泰斗 2，大島武 3，松下雄一郎 1 （1 東京大学、2 埼玉大学、3 量子科学技術
研究開発機構）IA-19

ジャンクションレス 4H-SiC(0001) MOSFET を用いた高濃度 n+層の電子移動度評価
Evaluation of electron mobility in highly doped n+ layer using 4H-SiC(0001)
junctionless MOSFET▲武田 紘典、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司 （大阪大学大学院）ix

IA-20ナノインデント法で形成した SiC ウェハ結晶ダメージのミラー電子顕微鏡による観察
Mirror electron microscope observation of crystal damage region on SiC substrateformed by nano-indentation
長谷川正樹 1，兼岡則幸 1，小林健二 1，上東秀幸 2，長屋正武 2 （1 株式会社日立ハイテクノロ
ジーズ、2 株式会社デンソー先端技術研究所）

IA-21

非線形誘電率顕微鏡を用いたトレンチ埋め込み p 型 SiC エピ膜中の不純物濃度分布評価
Evaluation of dopant concentration of p-type SiC trench-filling epitaxial film using
Scanning Non-linear Dielectric Microscope
山田 敬一 1，河田 泰之 1, 2，紀 世陽 1，先崎 純寿 1， 小杉 亮治 1， 米澤 喜幸 1， 児島 一
聡 1， 奥村 元 1 （1(国研)産業技術総合研究所、2 富士電機㈱）IA-22

テラヘルツエリプソメトリーによるイオン注入 4H-SiC の電気特性評価
Evaluation of electrical property of implanted 4H-SiC using terahertz ellipsometry
石地耕太朗 1, 川戸清爾 1, 平井康晴 1, 長町信治 2 （1 九州シンクロトロン光研究センター, 2㈱長町サイエンスラボ）

IA-23

歪みによる SiC バンドギャップ変化の結晶多型及び面依存性
Polytypes and Surface dependence of SiC Bandgap modulation induced by strain
長川健太 1，白石賢二 1, 2 （1Nagoya Univ.， 2 IMaSS, Nagoya Univ.）

IA-24

3C-SiC nMOSFETs へのガンマ線曝露効果
Gamma-ray radiation effects on 3C-SiC nMOSFETs
永野耕平 1，目黒達也 1，武山昭憲 2, 牧野高紘 2, 大島武 2, 田中保宣 3, 黒木伸一郎 1（1 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 2 量子科学技術研究開発機構, 3 産業技術総
合研究所）

IA-25

溶液法 SiC 基板を用いて作製した MOS キャパシタの評価
Characterization of MOS capacitors using SiC substrates grown by the solution method
古庄智明 1，川畑直之 1，古橋壮之 1，渡辺友勝 1，渡邊寛 1、山川聡 1、 村山健太 2、原田俊太
2、宇治原徹 2

IA-26（1 三菱電機 先端総研、2 名古屋大学 未来研）

SiC C 面上に Wet 酸化過程で作製した SiO2 膜界面欠陥の電気的解析
Electrical analysis on the interface defects of SiO2 films fabricated by wet oxidation
process on SiC (000-1)
飯塚 望，蓮沼 隆 （筑波大学）

x

IA-271030 V, 0.94 mΩcm2 SiC トレンチ MOSFET の開発
1030 V, 0.94 mΩcm2 SiC Trench MOSFET▲一村愛子, 海老原康裕, 箕谷周平, 登尾正人, 竹内有一, 水野祥司, 山本敏雅, 鶴田和弘
（株式会社デンソー）

IA-28

1200V, 50A Full-SiC モジュールの 1MHz スイッチング駆動
1MHz Switching Operation of 1200V, 50A Full SiC Power Module▲林 慧 1，舟木 剛 1，杉原 英治 1，道越 久人 2，福田憲司 2 （1 大阪大学、2 国立研究開発法
人 産業技術総合研究所）

IA-29

ケース型 200℃耐熱次世代パワーモジュールのためのシリコーン樹脂封止Silicone Gel Encapsulation for Case Type Power Module operable at Tj = 200℃
谷本 智 1,2, 原 綾音 1, 山下 真理 1, 鈴木 達広 1, 荒木 祥和 1, 赤津 観 2 （1 日産アーク・
パワーエレクトロニクス解析室, 2 芝浦工大・RCGI&RCPE）

IA-30

低キャリアライフタイム層を適用した低損失 4H-SiC PiN ダイオード
Low Loss 4H-SiC PiN Diode with Local Low Carrier Lifetime Region
中山浩二 1，畠山哲夫 1，米澤喜幸 1，奥村元 1，土田秀一 2 （1 国立研究開発法人産業技術総合研究所、2 一般財団法人 電力中央研究所）xi

[ IB ] （11/1 後半）
IB-1

擬似選択エピ成長モードによる高アスペクト比の 4H-SiC トレンチ埋戻し成長
Filling high aspect ratio 4H-SiC trenches via a quasi-selective epitaxial growth mode
紀世陽, 小杉亮治, 児島一聡, 望月和浩, 足立亘平, 長田晃代, 齊藤新吾, 松川康子, 米澤
喜幸, 吉田貞史, 奥村元 （国立研究開発法人 産業技術総合研究所）

IB-2

4H-SiC(0001)メサ加工基板 TSD フリー領域を用いた近接昇華法における多形評価
Evaluation of SiC-polytype grown on TSD-free restricted area of 4H-SiC (0001) by closed
space sublimation epitaxy
井原知也 1，吉田奈都紀 1，青木一史 1，堂島大地 1，芦田晃嗣 1，金子忠昭 1, 2 （1 関西学院大
学 理工学研究科, 2 関西学院大学 SiC 材料・プロセス研究開発センター）

IB-3

SiAl 溶媒を用いた p 型 4H-SiC の溶液成長におけるメルトバック条件の最適化
Development of a melt back condition of p-type 4H-SiC solution growth with SiAl
solvent 林雄一郎，三谷武志，小松直佳，加藤智久，奥村元 （国立研究開発法人産業技術総合
研究所）

IB-4

ワイドバンドギャップ半導体ウエハの低コスト化に向けて： 焼結法炭化タンタル被覆カーボンル
ツボによる昇華法 AlN, SiC バルク単結晶成長
Sublimation growth of AlN and SiC bulk crystals using novel TaC-coated carbon
crucibles
中村大輔，重藤啓輔，鈴村彰敏 （㈱豊田中央研究所）

IB-5

極限環境応用に向けた 4H-SiC 上の Ni/Nb オーミック接触の熱的安定性の研究
Research on 400°C Thermal Stability of Ni/Nb Ohmic Contacts on 4H-SiC For Harsh
Environment Applications▲Vuong Van Cuong1, Milantha De Silva1, Seiji Ishikawa1,2, Hiroshi Sezaki1, 2, Tomonori
Maeda1, 2, Takahiro Makino3, Takeshi Ohshima3, Yasunori Tanaka4, and Shin-Ichiro
Kuroki1 （1 Hiroshima University, 2 Phenitec Semiconductor Corp., 3 QST, 4 AIST）

IB-6

4H-SiC/SiO2 界面における欠陥終端構造の温度依存性
First Principles Study on Temperature Dependence of Defect Termination Structures at
4HSiC/SiO2 Interface▲長川健太 1，白石賢二 1, 2 （1Nagoya Univ.， 2 IMaSS, Nagoya Univ.）

IB-7

SiC MOSFET における短チャネル効果発現と臨界チャネル長の検討
Determination of critical channel length in short channel SiC MOSFETs▲立木馨大，小野貴央，小林拓真, 木本恒暢 （京都大学大学院工学研究科）

xii

IB-8

光電気化学反応を援用した触媒表面基準エッチング法による SiC 基板の高能率平坦化加工
High-efficiency planarization of SiC by catalyst-referred etching with photoelectrochemical oxidation▲木田英香，稻田辰昭，礒橋藍，藤大雪，中平雄太，松山智至，佐野泰久，山内和人 （大阪大
学大学院）

IB-9

プラズマ発生領域制限マスクを用いた PCVM (Plasma Chemical Vaporization Machining)による 2 インチ SiC 基板の切断加工
Dicing of SiC wafer by PCVM with a shadow mask
▲井上 裕貴,向井 莉紗,松山 智至,山内 和人,佐野 泰久 （大阪大学大学院）

IB-10

プラズマ CVD 成膜した SiO2/AlGaN 界面特性の成膜電力依存性と堆積後熱処理の検討
Influence of deposition power and post deposition annealing on SiO2/AlGaN interface
property formed by PECVD▲寺島 大貴 1，渡邉 健太 1，山田 高寛 1，野﨑 幹人 1，施 泓安 2，中澤 敏志 2， 按田 義治
2，上田

哲三 2，吉越 章隆 3，細井 卓治 1，志村 考功 1，渡部 平司 1 （1. 阪大院工、2. パナソ

ニック、3. 日本原子力研究開発機構）
IB-11

TEOS-CVD-SiO2 膜の熱処理に伴う界面酸化量の評価
Evaluation of amount of Interfacial Oxidation during Thermal Annealing of TEOS CVD - SiO2 Film
川村 浩晃，蓮沼 隆 （筑波大学）

IB-12

Impact of ultrahigh-temperature gate oxidation and hydrogen annealing on theperformance of 4H-SiC(0001) p-channel MOSFETs
Kidist Moges, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe （Osaka University）

IB-13

Si 蒸気圧エッチングによる表面加工ダメージフリー4H-SiC ウェハを用いた pn ダイオードの作製と特性評価
Characterization of pn-diode fabricated from surface damage-free 4H-SiC wafer using
Si-vapor etching
鳥見 聡 1，矢吹紀人 1，坂口卓也 1，篠原正人 1，寺元陽次 1，野上 暁 1，北畠 真 1，先崎純寿
2（1 東洋炭素株式会社, 2 国立研究開発法人 産業技術総合研究所）

xiii

IB-14

X 線トポグラフィーその場観察による 4H-SiC 積層欠陥挙動の窒素濃度依存性評価
Evaluation of nitrogen concentration dependence of stacking faults behavior in 4H-SiC
by in-situ X-ray topography▲藤榮文博 1，原田俊太 1, 2，周防裕政 3, 4，加藤智久 4，田川美穂 1, 2，宇治原徹 1, 2, 5 （1 名古屋大学大学院工学研究科、2 名古屋大学 未来材料・システム研究所、3 昭和電工株式会社、4 産業
技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター、5 産業技術総合研究所 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ）

IB-15

トレンチゲート型 SiC-MOSFET における放射線誘起破壊現象の物理過程探索と耐性評価
Mechanisms of Radiation Induced Destructive Damages and Radiation Tolerance inTrench Gate Type SiC-MOSFETs▲高野 修平 1,2, 牧野 高紘 2, 原田 信介 3, 土方 泰斗 1, 大島 武 2 （1 埼大院理工、2 量研、
3 産総研）

IB-16

SiC 内の非破壊キャリアライフタイム分布測定
Nondestructive carrier distribution measurement in SiC▲前 伸一 1, 俵 武志 2,3, 土田 秀一 4, 加藤 正史 1 （1 名工大、2 産総研、3 富士電機、4 電中
研）

IB-17

ラマン分光法による GaN 単結晶における貫通転位の刃状成分の解析
Edge Component Analysis of Threading Dislocations in GaN Single Crystal Using
Raman Spectroscopy▲小久保信彦 1, 2，角岡洋介 1, 2 ，藤榮文博 1，大原淳士 3，原一都 4，恩田正一 3，山田永 2，
清水三聡 2，原田俊太 1, 3，田川美穂 1, 3，宇治原徹 1, 2, 3 （1 名古屋大学大学院工学研究科、2
産業技術総合研究所 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ、3 名古屋大
学 未来材料・システム研究所、4 株式会社デンソー先端技術研究所、）

IB-18

サブバンドギャップ光を用いた光 ICTS 法による ホモエピタキシャル成長 n 型 GaN 層中の正孔トラップの評価
Characterization of hole traps in n-type GaN homoepitaxial layers by optical ICTS using
sub-bandgap light excitation▲鐘ヶ江一孝 1, 堀田 昌宏 1, 木本 恒暢 1, 須田 淳 1,2,3 （1 京都大学大学院、2 名古屋大学大学院、3 名古屋大学 未来材料システム研究所）

xivIB-194H-SiC エピタキシャルウェーハ中に形成された、 500nm 以上の長波長域で発光を示す積層
欠陥の構造解析
Structure analysis of stacking faults with emission wavelengths of over 500nm formedin 4H-SiC epitaxial wafers
山下任 1, 2，林将平 1, 3，内城貴則 1, 3，百瀬賢治 1,2，大澤弘 1,2， 先崎純寿 1，児島一聡 1，加藤智久 1，奥村元 1 （1（国）産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター、 2
昭和電工(株)、3(株)東レリサーチセンター）

IB-20

CMP 加工 4H-SiC ウエハ上に形成された 潜傷の電子顕微鏡法を用いた結晶欠陥解析
Crystal defect analysis of latent scratch induced during CMP process on 4H-SiC wafer
using electron microscopy
佐藤高広 1,3，松本弘昭 1，相澤由花 1，鈴木清一 2，一色俊之 3，中村邦康 1 （1 株式会社日立
ハイテクノロジーズ、2 株式会社 TSL ソリューションズ、3 京都工芸繊維大学）

IB-21

4H-SiC 中 1SSF・PD 起因フォトルミネッセンス時間分解測定
Time-resolved measurements for photoluminescence from 1SSF and PD in 4H-SiC
片平 真哉 1，市川 義人 1 ，原田 俊太 2 ，木本 恒暢 3，加藤 正史 1（ 1 名古屋工業大学大学
院、
2 名古屋大学大学院、3 京都大学大学院）

IB-22

Nb ドープ TiO2 単結晶におけるキャリアライフタイムが光電極性能に及ぼす影響
Impact of carrier lifetime on photoelectrode performance of Nb-doped TiO2 single
crystals.
小澤 貴也, 名嶋 駿, 加藤 正史 （名工大）IB-23

ダイヤモンド低抵抗ｐ＋基板の結晶性と欠陥
Crystallinity and dislocation analysis of low resistivity p+ diamond substrate
鹿田真一，亀井栄一，松下晁生，土田有記，山口浩司，明石直也， 堂島大地，芦田晃嗣，金子忠昭，大谷昇 （関西学院大学）

IB-24

AlON 絶縁膜中の窒素結合状態が 4H-SiC MOS キャパシタの電気特性に与える影響
Effect of N Bonding Structure in AlON Insulator Layers on Electrical Properties of
4H-SiC MOS Capacitor
竹内 和歌奈 1，山本 建策 2，坂下 満男 1 ，中塚 理 1,3，財満 鎭明 3 （1 名古屋大学大学院
工学研究科, 2 株式会社デンソー, 3 名古屋大学 未来材料・システム研究所）

IB-25

SiC MOSFET 内ドーパント分布の高コントラスト観察と三次元構築
High Contrast SEM Observation and 3D Reconstruction of Dopant Profile in a SiC
xv

MOSFET
相澤由花 1，佐藤高広 1，砂押毅志 1，揚村寿英 1，清原正寛 2 （1 株式会社日立ハイテクノロジ
ーズ，2 株式会社日立ハイテクサイエンス）
IB-26

ウェハ研削起因ダメージ層の歪み分布および欠陥解析（その２）Characterization of grinding-induced damage structure and strain distribution in SiC
wafer by combining TEM and EBSD-Wilkinson techniques
着本 享 1,2, 伊勢立彦 1,3, 瀬川悟志 1,3, 丸山玄太 2, 橋本 哲 2, 櫻田委大 2, 先崎純寿 1,
加藤智久 1, 児島一聡 1, 奥村 元 1 （1 産業技術総合研究所, 2ＪＦＥテクノリサーチ株式会社, 3
旭ダイヤモンド工業株式会社）

IB-27

SiC バイポーラトランジスタにおける オン電圧増加の要因およびその抑制指針
Design criterion to avoid on-characteristics degradation in SiC BJTs
▲浅田聡志, 木本恒暢, 須田淳 （京大院工）IB-28

4H-SiC 横型 JFET の試作と特性の評価
Fabrication and characterizations of 4H-SiC lateral JFET▲清水奎吾 1,2，田中保宣 1，黒木伸一郎 3，牧野高紘 4，武山昭憲 4，大島武 4 （1 産業技術総合研究所、2 山梨大学、3 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所、4 量子科学技術研究開発
機構）

IB-29

高密度パワーモジュールのための高信頼絶縁基板/ベースプレート構造
High reliability metallized-ceramic substrate/baseplate structure for high density
power module
荒木 祥和 1，山下 真理 1，原 綾音 1 鈴木 達広 1，谷本 智 1,2，赤津 観 2 （ 1（株）日産アーク、2 芝浦工業大学）

IB-30

ヘテロ界面平坦性改善による InAlN/AlGaN HFET 構造の移動度向上
Improved mobility in InAlN/AlGaN HFET structures with a smooth heterointerface
細見 大樹 1，宮地 祐太 1，江川 孝志 1,2，三好 実人 1,2 （1 名古屋工業大学 極微デバイス次
世代材料研究センター、2 名古屋工業大学 窒化物半導体マルチビジネス創生センター）xvi

[ IIA ] （11/2 前半）
IIA-1

昇華法による Al 高濃度ドープ p 型 4H-SiC の結晶成長と評価
Characterization of highly Al-doped p-type 4H-SiC grown by PVT
江藤数馬 1，周防 裕政 1, 2, 加藤智久 1, 奥村 元 1 （1 産総研 先進パワーエレクトロニクス研
究センター、2 昭和電工株式会社）

IIA-2

SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価Evaluation of the distribution and relative ratio for polytype of SiC grown using solventswith various Cr compositions
鈴木皓己 1，高橋大 1，土本直道 1，玄光龍 1，太子敏則 1，村山健太 2，原田俊太 2,3，宇治原徹
2,3（1 信州大学 工学部、2 名古屋大学 未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研

究センター、3 名古屋大学大学院 工学研究科）
IIA-3

SiC 溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成
長Execution of crystal growth under the condition comprehensively optimized by highspeed prediction model for solution temperature and flow in SiC solution growth
村井良多 1，○村山健太 2，原田俊太 1, 2，畑佐豪記 1，角岡洋介 1，林宏益 1，朱燦 2，田川美穂
1,2，宇治原徹 1,2,3（1 名古屋大学大学院工学研究科、2 名古屋大学未来材料・システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センター、3 産業技術総合研究所中部センター窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ）
IIA-4

熱分解炭素被覆サセプタを用いた SiC エピリアクタークリーニング
SiC Epitaxial Reactor Cleaning Using ClF3 Gas and Pyrolytic Carbon-Coated Susceptor
倉島圭祐 1 , 塩田耕平 1 , 川崎稜平 1 , 羽深等 1 , 伊藤英樹 2 , 三谷慎一 2 , 高橋至直 3 （1 横
国大院工、2 ニューフレアテクノロジー、3 関東電化工業）

IIA-5

AFM を利用した SiC 単結晶の極微小除去加工（第 2 報）
Minimal small removal processing of the SiC single crystal by using AFM (the 2ndreport)河田研治 1，平野真也 1，芦田極 2，加藤智久 1 （1 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニ
クス研究センター, 2 産業技術総合研究所 製造技術研究部門）

IIA-6

フェムト秒レーザーによるサファイア基板への構造形成
Structure formation on sapphire substrate by femtosecond laser
後藤 兼三、宮川 鈴衣奈、江龍 修 （名古屋工業大学）

xvii

IIA-7

レーザーアニールによるＳｉＣデバイスのオーミック電極の形成 －Ｎｉ－Ｐめっき膜による裏面電極の形成－
Formation of ohmic electrode of SiC device by Laser anneal －Formation of back side
electrode with Ni-P plating film－
河合 潤，杉浦 和彦 （株式会社デンソー）

IIA-8

SiC デバイス作製プロセスに向けた 大気圧熱プラズマジェットの磁場偏向による大面積熱処理技術の研究
Large Area Annealing Method by Magnetic Field Deflection Thermal-Plasma-Jet for
Application to SiC Annealing
寺本 憲司，花房 宏明，東 清一郎 （広島大学）

IIA-9

ICP エッチング表面のプラズマ酸化処理による SiO2/GaN 界面欠陥の低減
Reduction of SiO2/GaN interface defects by plasma oxidation of ICP-etched GaN surface
山田 高寛 1，渡邉 健太 1，野崎 幹人 1，高橋 言諸 2，山田 永 2，清水 三聡 2，施 泓安 3，中澤 敏志 3，按田 義治 3，上田 哲三 3，吉越 章隆 4，細井 卓治 1，志村 考功 1，渡部 平司 1
（1 阪大院工，2 産業技術総合研究所，3 パナソニック，4 日本原子力研究開発機構）

IIA-10リモート酸素プラズマによって酸化した GaN の表面構造
Structure of GaN Surface Oxidized by Remote Oxygen Plasma
山本 泰史 1,2, 田岡 紀之 2, 大田 晃生 1, グェンスァン チュン 1,2, 山田 永 2, 高橋 言緒 2,
池田 弥央 1, 牧原 克典 1, 清水 三聡 2, 宮崎 誠一 1 （1 名古屋大学大学院工学研究科、2 産業技術総合研究所 GaN-OIL）

IIA-11

窒化 SiO2/SiC 界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
The Effect of Crystal Faces on the Trap Density in Nitrided SiO2/ SiC Interfaces Closeto the Conduction Band Edge
畠山哲夫 1，木内祐治 1，染谷満 1，岡本大 2，原田信介 1，矢野裕司 2，米澤喜幸 1,奥村 元 1（1 産総研，2 筑波大学）

IIA-12サブ大気圧プラズマを用いた 4 インチ SiC 基板の高能率裏面薄化加工
Thinning of 4inch SiC wafer by sub-atmospheric-pressure plasma etching
向井 莉紗， 井上 裕貴， 松山 智至， 山内 和人， 佐野 泰久 （大阪大学大学院）

IIA-13

AlGaN/GaN MOS デバイス向け ALD-AlON ゲート絶縁膜に対する窒素添加効果
Effects of nitrogen incorporation in ALD-AlON gate dielectrics for AlGaN/GaN MOS
devices
野崎 幹人 1，渡邉 健太 1，山田 高寛 1，施 泓安 2，中澤 敏志 2，按田 義治 2， 上田 哲三
2，吉越章隆 3，細井 卓治 1，志村 考功 1，渡部 平司 1 （1 大阪大学大学院、2 パナソニック株
xviii

式会社、3 日本原子力研究開発機構）
IIA-14

前方透過配置多波回折による 4H –SiC 結晶の解析
Investigation of 4H-SiC by X-ray Topography using the forward transmitted beam
under multiple-beam diffraction conditions
鎌田 功穂 1，津坂佳幸 2，松井純爾 3 （1 一般財団法人 電力中央研究所、2 兵庫県立大学大学
院物質理学研究科、3 兵庫県立大学放射光ナノテクセンター）

IIA-15XAFS による SiC 中における窒素の配位環境評価
Coordination environmental analysis of nitrogen atom in SiC using XAFS
森田直威 国須正洋 鮫島純一郎 吉川正信 （（株）東レリサーチセンター）

IIA-16

DPC-STEM 法を用いた SiC p-n 接合における界面電界の可視化
Visualization of Electric Field in a SiC p-n Junction by Differential Phase Contrast
Scanning Transmission Electron Microscopy
迫秀樹 1，小山司 1，大塚祐二 1，柴田直哉 2，木本恒暢 3 （1 東レリサーチセンター、2 東京大学 大学院工学科、3 京都大学 工学研究科）

IIA-17

低転位密度 GaN 単結晶の放射光 X 線トポグラフィ観察
Synchrotron X-ray topography observation of GaN single crystal with low dislocation
density
姚永昭 1，石川由加里 1，菅原義弘 1，高橋由美子 2，平野馨一 2 （1 ファインセラミックスセンター、
2 高エネルギー加速器研究機構）

IIA-18位相シフト電子線ホログラフィーによる n 型 GaN 半導体内部のドーパント濃度分布の高感度観察High Sensitivity Observation of Dopant Concentration in n-type GaN semiconductor by
Phase-Shifting Electron Holography
仲野 靖孝１，松本実子１，穴田智史１，山本 和生 1，安藤 悠人 2，小倉 昌也 2，田中 敦之 2，
本田 善央 2，石川 由加里 1，天野 浩 2，平山 司 1 （1 ファインセラミックスセンター，2 名古屋大学）

IIA-19レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いた 4H-SiC ウエハ/熱酸化膜の特性評価
Characterization of 4H-SiC wafer and thermal oxide using a Laser Terahertz Emission
Microscope
西村辰彦 1 ，中西英俊 1 ，川山巌 2 ，斗内政吉 2 ，細井卓治 3 ，志村考功 3 ，渡部平司 3（1(株)SCREEN ホールディングス、2 大阪大学レーザー科学研究所、3 大阪大学大学院工学研究科）

IIA-20サブミクロン厚 SiC における極性面に依存したラマンスペクトルxix

The surface polarity dependent Raman spectrum in submicron thick SiC substrate
竹中 一将 1, 板東 洋太 1, 滝谷 悠介 1, 山口 誠 2, 田中 康弘 3, 中島
1,

IIA-21

富田

卓朗 1

信一 1,

岡田達也

（1 徳島大工，2 秋田大理工，3 香川大工）N+B ドープ n 型 4H-SiC エピ層中のキャリア捕獲と再結合過Carrier Capture and Recombination Processes in Intentionally N+B-doped n-type 4HSiC Epilayers
楊 安麗 1，宮澤 哲哉 1, 俵 武志 2,3, 村田 晃一 1, 土田 秀一 1 （1 電中研、2 産総研、3 富士電機）

IIA-22

CVD により作製されたモザイクダイヤモンド結晶内の転位構造
Structures of Dislocations in Mosaic Diamond Crystal Fabricated by CVD
菅原義弘 1, 姚永昭 1, 石川由加里 1, 山田英明 2, 茶谷原昭義 2, 杢野由明 2 （1(一財)ファイ
ンセラミックスセンター, 2(独)産業技術総合研究所）

IIA-23

負ゲートバイアス印加による SiC MOSFET のガンマ線照射劣化挙動
Degradation of electrical properties of negative biased SiC MOSFET due to gamma-rays
irradiation
武山 昭憲 1，牧野 高紘 1，大久保 秀一 3，田中 雄季 3，神取 幹郎 3，吉江 徹 3， 土方 泰
斗 2，大島 武 1 （1 量子科学技術研究開発機構、2 埼玉大学、3 サンケン電気）

IIA-24トレンチ SiC-MOSFET におけるトレンチ側壁表面形状が電気特性に及ぼす影響
Effect of Surface Morphology of Trench Sidewalls on Electrical Properties in SiC Trench
MOSFETs
朽木克博 1,2，村上雄紀 2，渡辺行彦 1，大西徹 2，山本建策 3，藤原広和 2，伊藤孝浩 2 （1 株式会社豊田中央研究所、2 トヨタ自動車株式会社、3 株式会社デンソー）

IIA-25

CC-DLTS 法による SiC-MOS 界面/酸化膜欠陥準位の分離評価
Individual evaluation for SiC-MOS interface/oxide defects with CC-DLTS measurement
岡田 廣 （セラミックフォーラム株式会社）

IIA-26Si 蒸気圧エッチング法を用いた 4H-SiC 基板表面が及ぼすエピタキシャル膜中の基底面転位低減効果解明に向けた転位構造の評価
Evaluation of dislocation structure for elucidation of basal plane dislocation reduction
effect in epitaxial layer by 4H-SiC using Si Vapor Etching
須藤悠介 1，芦田晃嗣 2，鳥見聡 1，坂口卓也 1，金子忠昭 2，野上暁,1 北畠真,1 （1 東洋炭素株
式会社、2 関西学院大学）

IIA-27n および p チャネル JFET の同一 SiC 基板上への作製
Fabrication of n- and p-channel JFETs on a common SiC substrate
金子 光顕, 木本 恒暢 （京都大学大学院）xx

IIA-28

トランスファーモールド樹脂封止高耐熱パワーモジュールの課題と信頼性評価
Packaging Challenge and Assessment for SiC Power Module molded with Thermoset
EMC
山下 真理 1, 原 綾音 1, 鈴木 達広 1, 荒木 祥和 1, 谷本 智 1,3, 薬丸 尚志 2, 赤津 観 3（1 日産アーク, 2 日立パワーソリューションズ, 3 芝浦工大）

IIA-29TO パッケージダイオードのリアルタイムモニタリング評価
Failure analysis of TO package diode by using real-time monitoring system
諸岡 幸一郎 1，渡邊 晃彦 2，大村 一郎 2 （1 (株)住化分析センター、2 九州工業大学）xxi

[ IIB ] （11/2 後半）
IIB-1

p 型 4H-SiC 基板上 n 型厚膜エピタキシャル成長の検討
Growth of n-type 4H-SiC Thick Epilayers on p-type Substrates
宮坂 晶 1，児島一聡 1，江藤数馬 1, 周防裕政 1, 百瀬賢治 2，大澤 弘 2，奥村 元 1 （1 産業技術総合研究所、2 昭和電工株式会社）

IIB-2

貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法
Method for polytype stabilization in solution growth of 4H-SiC

with low density of

threading screw dislocation
村山健太 1，原田俊太 1, 2，藤栄文博 2，劉欣博 2，村井良多 2，朱燦 1， 花田賢志 3，田川美穂
1, 2，宇治原徹 1, 2, 4 （1 名古屋大学未来材料・システム研究所未来エレクトロニクス集積研究セン

ター、2 名古屋大学大学院工学研究科、3 あいちシンクロトロン光センター、4 産業技術総合研究
所 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ）
IIB-3

8 インチ SiC 溶液成長における数値シミュレーション
Numerical simulation of solution growth of 8-inch SiC crystal
朱燦 1，原田俊太 1, 2，村井良多 2，村山健太 1，田川美穂 1, 2，宇治原徹 1, 2, 3 （1 名古屋大学未
来材料・システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センター、2 名古屋大学大学院工学研究科、3 産業技術総合研究所 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ）

IIB-4

チャネリングイオン注入による 4H-SiC<0001>方向 Al イオン電子阻止断面積の評価
Estimation of electronic stopping cross section along the 4H-SiC <0001> orientation for
Al ions using channeling ion implantation
望月 和浩, 小杉 亮治, 米澤 喜幸, 奥村 元 （国立研究開発法人 産業技術総合研究所）

IIB-5

埋戻しエピ成長による SiC スーパージャンクション（SJ）構造ウェハの高精度加工
High precision machining of SiC super-junction(SJ) wafer by trench filling epitaxial
growth
瀬川悟志 1，2，伊勢立彦 2，小杉亮治 1，加藤智久 1，奥村元 1 （1 国立研究開発法人産業技術研究所、2 旭ダイヤモンド工業株式会社）

IIB-6

三フッ化塩素ガスによる 4H-SiC 鏡面ウエハエッチング
4H-SiC mirror wafer etching using ClF3 gas
奥山 将吾 1、倉島圭祐 1、中込健 1、羽深等 1、高橋至直 2、加藤智久 3 （1 横国大院工、2 関東電化、3 産総研）

IIB-7

シリコンキャップアニールによる n 型 4H-SiC のシリサイドレスオーミックコンタクト形成法の研究Silicidation-less Ohmic Contact formation on n-type 4H-SiC with Silicon Cap Annealing
花房 宏明，東 清一郎 （広島大学大学院先端物質科学研究科）
xxii

IIB-8SiC と金属の界面におけるフェムト秒レーザー照射支援アニール
Femtosecond laser irradiation assisted anneal on SiC/metal interface
川上博貴，直井美貴，富田卓朗 （徳島大理工）

IIB-9

高窒素ドープ 4H-SiC 結晶中のダブルショックレー型積層欠陥の熱処理による不動化現象
Immobilization of partials surrounding double Shockley stacking faults in heavily
nitrogen-doped 4H-SiC crystal with thermal annealing
杉山尚宏 1, 2，周防裕政 1, 3，江藤数馬 1，徳田雄一郎 2，鎌田功穂 4，星乃紀博 4， 加藤智久
1，土田秀一 4，奥村元 1（1 産業技術総合研究所、2 株式会社デンソー、3 昭和電工株式会社、

4 電力中央研究所）

IIB-10

4H-SiC 熱酸化に伴う基板表面領域における酸素原子侵入とそれに対する酸化条件の影響
Impacts of oxidation conditions on the oxygen atom invasion into substrate surface
region caused by thermal oxidation of 4H-SiC
平井悠久，喜多浩之 （東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻）

IIB-11

ドリフト拡散シミュレータを用いた SiC-MOSFET 電気特性の 高精度モデル化のための基礎検
討
A study for high precision modeling of electrical characteristics of SiC-MOSFET usinga drift diffusion simulator
桶田修平，西村正，鎌倉良成，森伸也 （大阪大学大学院）

IIB-12

低ダメージ評価のための薄ウエハ加工技術の検討
Consideration of thin wafer slicing technology for damage evaluation
植村奈保樹 1,2，杉山尚宏 1,3，米田竜也 2，加藤智久 1，奥村元 1 （1 産業技術総合研究所、2 株
式会社 タカトリ、3 株式会社 デンソー）

IIB-13エピに貫通または界面で変換された基底面転位による順方向劣化への寄与
Contribution for forward voltage degradation due to propagating and converted basal
plane dislocations
西原 禎孝，亀井 宏二，百瀬 賢治，大澤 弘 （昭和電工株式会社）

IIB-14

4H-SiC A 面電子線励起による基底面転位の拡張挙動
Expansion behavior of basal plane dislocations by electron beam excitation on A-planeof 4H-SiC
石川由加里 1,2，須藤正喜 2，姚永昭 1，菅原義弘 1，加藤正史 2 （1 一財）ファインセラミックス
センター、2 名古屋工業大学）

IIB-15

4H-SiC (10-10)m 面及び(11-20)a 面の表面再結合速度
Surface recombination velocity for the m-face and a-face of 4H-SiC
xxiii

Xinchi Zhang，加藤 正史，小濱 公洋，市村 正也 （名工大）IIB-16

キャリアライフタイム測定による GaN 基板上 GaN エピ層の結晶欠陥評価
Crystal defect evaluation of GaN epilayers grown on GaN substrates

by carrier

lifetime measurement
浅田 貴斗 1, 伊藤 健治 2, 冨田 一義 2, 成田 哲生 2, 加地 徹 3, 加藤 正史 1,3 （1 名工大, 2
豊田中研, 3 名大）IIB-17高温でイオン注入された GaN 基板の TEM による欠陥評価
Defect characterization of GaN substrate with hot implant process by TEM
前川 順子 1, 川野輪 仁１, 青木 正彦 1, 高廣 克己 2, 一色 俊之 2 （1 (株)イオンテクノセンタ
ー、2 京都工芸繊維大学）

IIB-184H-SiC 中の Al 準位の Poole-Frenkel 効果定量化の試み
Attempt of Poole-Frenkel effect quantification to Al level in 4H-SiC
大河内 優太朗，加藤 正史，市村 正也 （名古屋工業大学大学院）

IIB-19

CMP 加工 SiC ウェハーの潜傷のミラー電子顕微鏡による検出と SEM, AFM，FIB-STEM 連
携による構造評価
Detection of latent scratches on CMP-processed SiC wafer by mirror electron projection
microscopy and linkage analyses of their structures by of SEM, AFM, and FIB-STEM
一色俊之 1，佐藤高広 1,2，長谷川正樹 2，大平健太郎 2，小林健二 2，宮木充史 2， 伊与木誠人
2，山岡武博 2，小貫勝則 2

IIB-20（1 京都工芸繊維大学，2(株)日立ハイテクノロジーズ）

長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響
Impact of measurement methods on threshold voltage shift under long term gate bias
stress
木内 祐治 1,2，染谷 満 1，岡本 大 3，岡本 光央 1，畠山 哲夫 1， 原田 信介 1，矢野 裕司
3，米澤

喜幸 1，奥村 元 1 （1 国立研究開発法人 産業技術総合研究所、2 新日本無線株式会

社、3 国立大学法人

IIB-21筑波大学）

4H-SiC エピタキシャル膜中の基底面転位・貫通転位の発光スペクトル解析
Photoluminescence investigation of basal plane and threading dislocations in 4H-SiC
epitaxial layer
三谷武志，矢口明日香，先崎純寿，児島一聡，奥村元 （産業技術総合研究所）

IIB-22

放射光 X 線トポグラフィ、X 線回折およびラマンを用いた EFG 法β-酸化ガリウム単結晶の評
価
Characterization of EFG-grown β-Ga2O3 single crystal by using Synchrotron X-ray
topography, X-ray diffraction and Ramanxxiv

姚永昭 1，石川由加里 1，菅原義弘 1，高橋由美子 2，平野馨一 2 （1 ファインセラミックスセンター、
2 高エネルギー加速器研究機構）

IIB-23

4H-SiC pMOSFETs の高温特性及びガンマ線曝露効果
Effect of gamma-ray radiation and characterization in high-temperature of 4H-SiC
pMOSFETs
梶原純 1, 黒木伸一郎 1, 瀬崎洋 1,2, 石川誠治 1,2 ，前田知徳 1,2, 牧野高紘 3, 大島武 3,
Mikael Östling 4, and Carl-Mikael Zetterling 4 （1 広島大学 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 2 フェニテックセミコンダクター株式会社, 3 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機
構, 4 KTH Royal Institute of Technology）

IIB-24コンダクタンス法による p 型 SiC MOS 界面の高速及び低速応答準位の解析
Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors byconductance method
唐本 祐樹 1，張 旭芳 1, 岡本 大 1, 染谷 満 2, 畠山 哲夫 2, 原田 信介 2, 岩室 憲幸 1, 矢野
裕司 1 （1 筑波大学、2 産総研）

IIB-25SiC/SiO2 界面における積層構造が引き起こす界面準位
Interface states caused by stacking sequences at SiC/SiO2 interfaces
松下 雄一郎，押山 淳 （東京大学）

IIB-26

SiC p+nn+ダイオード表面に形成される単一光子源の発光特性
Luminescence properties of single photon sources formed at surface region of SiC p+nn+
diodes
常見 大貴 1,2，本多 智也 1, 2，佐藤 真一郎 2，小野田 忍 2，牧野 高紘 2，土方 泰斗 1，大島 武
2

IIB-27（1 埼玉院理工, 2 量研）

SiC バイポーラトランジスタの 1 MHz スイッチング特性
Switching characteristics of SiC bipolar junction transistors at 1 MHz
奥田貴史，引原隆士 （京都大学大学院工学研究科）

IIB-28

SiC-MOSFET のパワーサイクル試験における温度パラメータ安定性の検証
Validation of temperature sensitive parameter during power cycling test of SiCMOSFETs
鈴木 達広，原 綾音，山下 真理，荒木 祥和，谷本 智 （日産アーク）

IIB-29熱反射率光学プローブ法を用いたパワーデバイスの熱挙動解析 The thermal behavior
analysis for power devices with optical probed thermo-reflectance method
遠藤 幸一 2,3，○越川 一成 1，中村 共則 1，松本 徹 1，中前幸治 3 （1 浜松ホトニクス株式会
社、2 東芝デバイス&ストレージ株式会社、3 大阪大学）
xxv

インダストリアルセッション
11 月 1 日(水) 16:30-17:40

白鳥ホール[インダストリアルセッション I ] （白鳥ホール北）ISI-1

株式会社日産アーク

16:30-16:35

ISI-2

神津精機株式会社

16:35-16:40

ISI-3

株式会社シルバコ・ジャパン

16:40-16:45

ISI-4

株式会社ニューメタルスエンドケミカルスコーポレーション

16:45-16:50

ISI-5

株式会社東レリサーチセンター

16:50-16:55

ISI-6

一般財団法人16:55-17:00

ISI-7

ナノサイエンス株式会社

17:00-17:05

ISI-8

株式会社ニューフレアテクノロジー

17:05-17:10

ISI-9

セラミックフォーラム株式会社

17:10-17:15

ISI-10

株式会社ニデック

17:15-17:20

ISI-11

株式会社 住化分析センター

17:20-17:25

ISI-12

株式会社リガク

17:25-17:30

ISI-13

株式会社ノリタケカンパニーリミテド

17:30-17:35

ISI-14

STR Japan 株式会社

17:35-17:40

材料科学技術振興財団[インダストリアルセッション II ] （白鳥ホール南）
ISII-1

日新技研株式会社

16:30-16:35

ISII-2

株式会社日立ハイテクノロジーズ

16:35-16:40

ISII-3

LPE S.p.A.

16:40-16:45

ISII-4

丸文株式会社

16:45-16:50

ISII-5六甲電子株式会社

16:50-16:55

ISII-6

株式会社クオルテック

16:55-17:00

ISII-7

メンター・グラフィックス・ジャパン株式会社

17:00-17:05

ISII-8

株式会社コベルコ科研

17:05-17:10

ISII-9

株式会社カノマックスコーポレーション

17:10-17:15

ISII-10

株式会社東陽テクニカ

17:15-17:20

ISII-11

大陽日酸株式会社

17:20-17:25

ISII-12

ケーエルエー・テンコール株式会社

17:25-17:30

ISII-13

レーザーテック株式会社

17:30-17:35

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