先進パワー半導体分科会 第6回講演会

プログラム

The 6th Meeting on Advanced Power Semiconductors
主催：公益社団法人応用物理学会 先進パワー半導体分科会
会場：広島国際会議場(広島市中区中島町1番5号(平和記念公園内))

プログラム(Technical Program)
12月3日(火)時間

第1会場(フェニックスホール)

9:55-10:00

開会挨拶

10:00-11:30

セッションⅠ（基調講演）

13:40-15:00

ポスター会場
(ダリア)

展示会場
(ダリア)

昼食休憩

11:30-12:40
12:40-13:40

第2会場(ヒマワリ)

セッションⅡ（招待講演）

セッションⅢ
（招待講演）

企業展示

インダストリアルセッション
休憩

15:00-15:10
15:10-16:25

ポスターセッションIA

16:25-17:40

ポスターセッションIB

18:00-20:00

懇親会

12月4日(水)時間

第1会場(フェニックスホール)

9:00-10:00

セッションⅣ（特別講演）

ポスター会場
(ダリア)

展示会場
(ダリア)

休憩

10:00-10:15
10:15-12:15

第2会場(ヒマワリ)

セッションⅤ
（招待講演）

セッションⅥ（招待講演）

企業展示

昼食休憩

12:15-13:30
13:30-14:45

ポスターセッションIIA

14:45-16:00

ポスターセッションIIB
休憩

16:00-16:10
16:10-16:50

セッションⅦ
（昨年度奨励賞
受賞記念講演）16:50-17:10

奨励賞授賞式
クロージング

プログラム12月3日(火) (Tuesday 3 December)
オープニング 9:55～10:00【フェニックスホール】
開会挨拶
9:55～10:00
幹事長 大谷 昇(関西学院大学)
セッションI：基調講演 10:00～11:30【フェニックスホール】
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの発展と展望
10:00～10:45【基調講演】
Progress and Future Prospects of Wide Bandgap Semiconductor Power Devices
木本 恒暢（京都大学）
10:45～11:30【基調講演】Si IPMの開発経緯とパワーデバイスの今後の動向
Development history of Si IPM and future trends of power devices
マジュムダール ゴーラブ（三菱電機株式会社）(昼食休憩： 11:30～12:40)
セッションII：招待講演 12:40～13:40【フェニックスホール】
SiC-MOSFETの負荷短絡耐量特性の解析
12:40～13:10【招待講演】
Investigation of short-circuit capability for SiC-MOSFETs
岩室 憲幸（筑波大学）
13:10～13:40【招待講演】

パワーデバイス性能向上に伴う自己発熱の影響とその対策
Influence of the self-heating with the power device improvement and its measures
寺島 知秀（三菱電機株式会社）

セッションIII：招待講演 12:40～13:40【ヒマワリ】
高電圧パワーデバイスに向けた4H-SiC CVD成長技術の進展
12:40～13:10【招待講演】
Recent progress in 4H-SiC CVD growth for high-voltage power devices
土田 秀一，村田 晃一，宮澤 哲哉，鎌田 功穂，星乃 紀博(電力中央研究所)
13:10～13:40【招待講演】

ダイヤモンド単結晶基板の作製技術開発の現状
Current status of research and development to fabricate single crystalline diamondwafers
山田 英明（産業技術総合研究所）

インダストリアルセッション 13:40～15:00【フェニックスホール】
インダストリアルセッション
13:40～15:00(休憩： 15:00～15:10)
ポスターセッションI 15:10～17:40【ポスター会場(ダリア)】
前半(IA)
15:10～16:25
後半(IB)
16:25～17:40
懇親会 18:00～20:00【ヒマワリ】
懇親会
18:00～20:00

プログラム12月4日(水) (Wednesday 4 December)セッションIV：特別講演 9:00～10:00【フェニックスホール】
車載用パワーデバイスおよびパワーエレクトロニクスの進展
9:00～9:30【特別講演】
Progress of the power device and the power electronics for the vehicles
伊藤 孝浩（トヨタ自動車株式会社）
9:30～10:00【特別講演】

福島第一原子力発電所廃炉を支える基礎基盤研究開発
Basic R&D supporting Fukushima Dai-ichi NPS decommissioning
小川 徹（JAEA廃炉国際共同研究センター）(休憩： 10:00～10:15)
セッションV：招待講演 10:15～12:15【フェニックスホール】
SiCを用いた超高電圧機器開発と医療分野への応用
10:15～10:45
Development of ultra-high voltage equipment using SiC and its application to the【招待講演】
medical field
中村 孝（大阪大学/福島SiC応用技研）
10:45～11:15【招待講演】

SiCによる耐放射線エレクトロニクス技術開発
Radiation Hardened Electronics Technology by SiC semiconductor
田中 保宣（産業技術総合研究所）

11:15～11:45【招待講演】

ダイヤモンド放射線検出器とダイヤモンドFETを用いた前置増幅器の開発
Development of diamond radiation detector and charge sensitive preamplifier basedon diamond FET金子 純一（北海道大学）

11:45～12:15【招待講演】

極限環境IoTに向けたSiC集積回路の研究
Research of SiC integrated circuit for IoT in severe environment
島 明生（株式会社日立製作所）

セッションVI：招待講演 10:15～12:15【ヒマワリ】GaNパワーデバイスの技術開発・市場動向
10:15～10:45【招待講演】
Discussion on technology and market trends for GaN Power Devices
吉持 賢一（ローム株式会社）
10:45～11:15【招待講演】

β型Ga2O3のエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
Epitaxial growth of β-Ga2O3 and its power device application○佐々木 公平，倉又 朗人（ノベルクリスタルテクノロジー）

11:15～11:45【招待講演】WBGパワーデバイスのための耐熱実装技術
Heat-resistant Interconnection Technology for WBG power devices
菅沼 克昭，陳 伝トウ，菅原 徹，長尾 至成（大阪大学）

11:45～12:15【招待講演】

4H-SiCの水蒸気酸化反応の特徴とそのMOS界面特性に与える効果の理解
Consideration on H2O-Oxidation Reactions of 4H-SiC and Impacts on Its MOS
Interface Characteristics
喜多 浩之（東京大学）

プログラム(昼食休憩： 12:15～13:30)
ポスターセッションII 13:30～16:00【ポスター会場(ダリア)】
前半(IIA)
13:30～14:45
後半(IIB)
14:45～16:00(休憩： 16:00～16:10)
セッションVII：昨年度奨励賞受賞記念講演 16:10～16:50【フェニックスホール】
光過渡容量分光法によるn型GaN中の正孔トラップ密度の高速かつ精密定量手法
16:10～16:30
Quick and accurate measurement methods of hole trap density in n-type【依頼講演】
GaN layers by optical isothermal capacitance transient spectroscopy○鐘ヶ江 一孝1,4, 成田 哲生2, 冨田 一義2, 加地 徹3, 堀田 昌宏1,4, 木本 恒暢1, 須田 淳1,3,4（1 京都大学，2 豊田中央研究所，3 名古屋大学）
16:30～16:50【依頼講演】

高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製
Fabrication of normally-off p- and n-JFETs on a SiC common substrate for hightemperature IC operation○中島 誠志，金 祺民，金子 光顕，木本 恒暢（京都大学）

奨励賞授賞式・クロージング 16:50～17:10【フェニックスホール】
奨励賞授賞式
16:50～17:10
クロージングポスター講演
ポスター講演(講演者の前に記載の▲は、奨励賞申請講演であることを示す．)[IA]（12/3前半 15：10～16：25）
IA-1 顕微 FCA 装置による 4H-SiC 深さ方向高空間分解能ライフタイム測定
Lifetime measurement with high spatial resolution in the depth direction of 4H-SiC by
microscopic FCA system
1
1
2，3
4
4
5
3
3
▲長屋圭祐 ，平山貴史 ，俵武志 ，村田晃一 ，土田秀一 ，宮坂晶 ，児島一聡 ，加藤智久 ，奥村
3
1
元 ，加藤正史 (1.名古屋工業大学大学院， 2.富士電機株式会社， 3.国立研究開発法人産業技術総合研究所， 4.一般財団法人電力中央研究所， 5.昭和電工株式会社)
IA-2

4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価
Electrically Detected Magnetic Resonance study on interface defects at Si-face, a-face and m-face
4H-SiC/SiO2 interfaces▲比嘉栄斗1，染谷満2，原田信介2，矢野裕司1，梅田享英1(1.筑波大学，2.産業技術総合研究所)

IA-3

4H-SiC厚膜エピにおける非破壊・高空間分解能ライフタイム深さ分布測定
Nondestructive and highly spatially resolved depth distribution measurements of carrier lifetimein 4H-SiC thick epitaxial layers▲平山貴史1，長屋圭祐1，宮坂晶2，児島一聡3，加藤智久3，奥村元3，加藤正史1(1.名古屋工業大学大学院， 2.昭和電工株式会社， 3.国立研究開発法人産業技術総合研究所)

IA-4

積層欠陥がn型SiCのユニポーラ動作に与える影響のTCADによる評価
Effects of Stacking Faults on unipolar operation in n-type SiC evaluated by TCAD simulation▲浅田聡志，宮澤哲哉，土田秀一(電力中央研究所)

IA-5

高温アニール処理および熱酸化処理が高純度半絶縁性4H-SiC基板の抵抗率に与える影響
Impacts of high-temperature annealing and thermal oxidation on resistivity of high-purity semiinsulating 4H-SiC substrates▲具燦淳，金子光顕，木本恒暢(京都大学大学院工学研究科)

IA-6

高圧力プラズマを用いたSiCウエハの高速裏面エッチングにおけるエッチピット形成に関する検討
Investigation on etch pit formation in high-speed backside thinning of SiC wafer by highpressure plasma etching▲中西悠真，向井莉紗，松山智至，山内和人，佐野泰久(大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻)IA-7

SiC-NMOSFETsにおけるガンマ線誘起移動度増加現象とその増加機構
Anomalous Mobility Enhancement of SiC-NMOSFETs by Gamma-ray Irradiation and its
Mechanism
1
1，2
1，2
1，2
3
3
1
▲村岡幸輔 ，瀬崎洋 ，石川誠治 ，前田知徳 ，牧野高紘 ，大島武 ，黒木伸一郎 (1.広島大学
ナノデバイス，2.フェニテックセミコンダクター，3.量研機構)

IA-8

高温N2アニールによる4H-SiC/SiO2構造における伝導帯および価電子帯端近傍の界面準位の低減
Reduction of Dit near the Ec and Ev at 4H-SiC/SiO2 by high-temperature N2 annealing▲立木馨大，木本恒暢(京都大学大学院)

IA-9

SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響
Effect of quantum confinement on the defect-induced localized levels in SiC MOS interfaces▲伊藤滉二，小林拓真，木本恒暢(京都大学)

IA-10 NO-POAによるSiO2/4H-SiC MOSキャパシタの異常なバンドアライメント変化とその起源
Anomalous band alignment changes of SiO2/4H-SiC MOS capacitors induced by NO-POA and its
possible origin▲Tae-Hyeon Kil，Koji Kita(Department of Materials Engineering，The University of Tokyo)
IA-11 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
Analysis of Three-Level Charge Pumping Characteristics of 4H-SiC MOSFETs Considering
Near-Interface Traps▲松谷優汰，張旭芳，岡本大，岩室憲幸，矢野裕司(筑波大学)

ポスター講演IA-12 pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
Analysis of conduction mechanism of hole leakage current in thermally grown oxide on p-channel
4H-SiC MOSFETs
1
1
1
2
2
2
2
1
▲根本宏樹 ，岡本大 ，張旭芳 ，染谷満 ，岡本光央 ，畠山哲夫 ，原田信介 ，岩室憲幸 ，矢野裕司
1(1.筑波大学，2.産業技術総合研究所)
IA-13 ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
Channel Drift Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
1
1
1
2
2
2
2
1
▲周星炎 ，岡本大 ，張旭芳 ，染谷満 ，岡本光央 ，畠山哲夫 ，原田信介 ，岩室憲幸 ，矢野裕司
1(1.筑波大学，2.産業技術総合研究所)
IA-14 短チャネルSiC nMOSFETの温度特性評価
Temperature Dependence of Short Channel 4H-SiC nMOSFETs▲石井友康1，瀬崎洋2，石川誠治2，前田智徳2，牧野高紘3，大島武3，黒木伸一郎1(1.広島大学ナノデ
バイス・バイオ融合科学研究所，2.フェニテックセミコンダクター株式会社，3.量子科学技術研究開発機構)
IA-15 耐放射線UVイメージセンサのためのフル4H-SiC画素デバイス
Full 4H-SiC Pixel Devices for Radiation-Hardened UV Image Sensors▲西垣内健汰1，目黒達也1，武山昭憲2，大島武2，田中保宣3，黒木伸一郎1(1.広島大学ナノデバイ
ス・バイオ融合科学研究所，2.量子科学技術研究開発機構，3.産業技術総合研究所)
IA-16 耐圧13kV級SiC-MOSFETの電気的特性評価
Evaluation of Electrical Characteristics of 13 kV Class SiC-MOSFET
1
1
1，2
1，2
3
3
▲齊藤凌 ，小野寺太一郎 ，高橋克幸 ，高木浩一 ，北井秀憲 ，坂本邦博 (1.岩手大学理工学部，2.岩手大学次世代アグリイノベーションセンター，3.産業総合技術研究所)
IA-17 耐圧3.3 kV/13 kV級SiC-MOSFETを用いた誘導性パルスパワー電源の開発
Development of Inductive Energy Storage Pulsed Power Generator Driven by 3.3 kV/13 kV Class
SiC-MOSFETs▲小野寺太一郎1，高橋克幸1，2，高木浩一1，2，北井秀憲3，坂本邦博3(1.岩手大学，2.岩手大学次世
代アグリイノベーションセンター，3.産業技術総合研究所)
IA-18 ハライド気相成長法を用いた高純度GaN成長
Growth of high-purity GaN layers by halide vapor phase epitaxy
1

1

2

2

2

2，3，4

▲大西一生 ，天野裕己 ，藤元直樹 ，新田州吾 ，本田善央 ，天野浩
(1.名古屋大学大学院工学研究科，2.名古屋大学未来材料・システム研究所，3.名古屋大学赤崎記念研究センター，4.名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー)
IA-19 SiO2中へのGa拡散がSiO2/GaN MOS特性に与える影響の評価
Evaluation of the Effect of Ga Diffusion into SiO2 on SiO2/GaN MOS Characteristics▲和田悠平，野崎幹人，細井卓治，志村考功，渡部平司(大阪大学)
IA-20 PMA処理を行ったAl2O3/n-GaN MOSダイオードにおいてガンマ線照射により形成されるAl2O3膜中及び界面トラップ
Interface Traps and Oxide Traps Formed by Gamma-ray Irradiation in Al2O3/n-GaN MOS
Diodes with Post-metallization Annealing
1
1，2
3
1，2
3
▲青島慶人 ，堀田昌宏 ，金木奨太 ，須田淳 ，橋詰保 (1.名古屋大学大学院，2.名古屋大学未
来材料・システム研究所，3.北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター)
IA-21 Al2O3/p-GaN MOS構造の電気的特性に対する熱処理の効果
Effect of heat-treatment on electrical properties of Al2O3/p-GaN MOS structures
1
1
2
2
2
1
▲古川暢昭 ，上沼睦典 ，Simon Kotzea ，Arne Debald ，Holger Kalisch ，石河泰明 ，Andrei
Vescan2，浦岡行治1(1.奈良先端科学技術大学院大学，2.RWTH Aachen University)
IA-22 ゲート電極形成プロセスがAl2O3/GaN界面およびチャネル特性に与える影響
Impacts of gate electrode formation process on interface and channel properties for Al2O3/GaN
gate stack structure
1，6
2
2
1
2，3
2
1
▲安藤悠人 ，中村徹 ，出来真斗 ，田岡紀之 ，田中敦之 ，渡邉浩崇 ，久志本真希 ，新田州吾
2
2
6
2，6
2，3，4，5，本田善央 ，山田永 ，清水三聡 ，天野浩
(1.名大院工，2.名大未来材料・システム研究
所，3.物質・材料研究機構，4.名大赤﨑記念研究センター，5.名大VBL，6.産総研GaN-OIL)

ポスター講演[IB]（12/3後半 16：25～17：40）
IB-1 衝突イオン化係数にバンド構造が与える影響の理論解析
Theoretical Analysis of Band-structure Effects on Impact Ionization Coefficients
1，2
1
2○田中一 ，木本恒暢 ，森伸也 (1.京都大学，2.大阪大学)
IB-2

2段階温度シーケンスでon-axis 4H-SiC基板上へエピ成長した3C-SiC結晶
3C-SiC crystal epitaxially grown onto on-axis 4H-SiC substrates using two step temperature
sequence○佐沢洋幸，山口博隆，児島一聡，奥村元(産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究セ
ンター)

IB-3

低加速SEMを用いた4H-SiC(0001)エピ/バルク界面ステップ形状の観察
Direct observation of step structures at epitaxial/bulk interface of SiC using SEM〇垣内信城，青木一史，堂島大地，金子忠昭(関西学院大学)

IB-4

4H-SiCの表面再結合速度の注入フォトン数依存性
Injected photon density dependence of the surface recombination velocity of 4H-SiC○Lei HAN，加藤正史(名古屋工業大学)

IB-5

SiC on-axisエピタキシャル層を用いた自立基板の作製と3Cインクルージョン発生原因の評価
Fabrication of free-standing substrates using SiC on-axis epitaxial layer and investigation of thecauses of 3C-inclusion○升本恵子，児島一聡，奥村元(産業技術総合研究所)

IB-6

高濃度エピタキシャル層によるバイポーラ劣化抑制効果の基底面転位密度依存性
Evaluation of suppressing bipolar degradation due to highly N-doped epilayer depending on thebasal plane dislocation density○西原禎孝，亀井宏二，百瀬賢治，大澤弘(昭和電工株式会社)

IB-7

4H-SiCエピウェハ内に形成された2種類のキャロット欠陥におけるプリズム面積層欠陥の構造解析
Structural Characterization of Prismatic Stacking Faults of Two Types of Carrot Defects in 4HSiC Epi Wafers○迫秀樹1，3，大平健太郎2，小林健二2，一色俊之3(1.株式会社東レリサーチセンター，2.株式会社日立ハイテクノロジーズ，3.京都工芸繊維大学)

IB-8

SiCエピタキシャルウェハ欠陥検査システムの高精度化技術開発
Development in advanced inspection system for detecting defects in SiC epitaxial wafers〇先﨑純寿1，前田篤志2，藤木翔太2，関寛和2，森川恵一3，上ヱ地義徳3，表和彦3(1.産総研，2.レーザーテック，3.リガク)

IB-9

4H-SiC窒化MOS界面において支配的な外的散乱因子の面方位間比較
Comparison of dominant extrinsic scatterings on nitrided 4H-SiC MOS interfaces between
crystal faces○平井悠久，畠山哲夫，染谷満，岡本光央，原田信介，奥村元(産総研先進パワーエレクトロニクス
研究センター)

IB-10 異なる結晶面上の4H-SiC/SiO2窒化界面からのArアニールによるN原子脱離過程
Nitrogen atom desorption process during Ar annealing from 4H-SiC/SiO2 nitrided interface onvarious crystal faces○佐俣勇祐，喜多浩之(東京大学)
IB-11 H2/N2処理を用いた4H-SiC(0001) 表面の窒化条件の検討
Nitridation conditions for 4H-SiC (0001) surface using H2/N2 treatment○村田晃一1，辻英徳2，森大輔2，瀧川亜樹2，土田秀一1(1.電中研，2.富士電機株式会社)
IB-12 CO2アニールによるSiO2/SiC界面窒素量制御とSiC MOSFET信頼性向上
Design of nitrogen profile at SiO2/SiC interface and reliability improvement by CO2 annealing
1

1

2

1

2

1

○細井卓治 ，大迫桃恵 ，伊藤滉二 ，志村考功 ，木本恒暢 ，渡部平司 (1.大阪大学，2.京都大学)

ポスター講演
IB-13 レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiC MOS界面の表面ポテンシャル評価
Evaluation of the surface potential of silicon carbide at MOS interface using a Laser Terahertz
Emission Microscope
西村辰彦1，〇中西英俊1，川山巌2，3，斗内政吉2，細井卓治4，志村考功4，渡部平司4(1.株式会社
SCREENホールディングス，2.大阪大学レーザー科学研究所，3.京都大学大学院エネルギー科学研究科，4.大阪大学大学院工学研究科)
IB-14 パルスUVレーザー照射が4H-SiC MOSゲート熱酸化膜に対する影響
Effect of Pulsed UV laser Irradiation on 4H-SiC MOS with Thermal Gate Oxide
許恒宇，万彩萍，罗志鹏，金智(中国科学院微電子研究所)
IB-15 高濃度Alドープp型4H-SiCのAl濃度1019cm-3台前半で見られる未知の伝導
Anomalous conduction in Heavily Al-doped p-type 4H-SiC with Al concentration of first half of1019 cm-3
1
1
1
1
1
1
1
2
日高淳輝 ，竹下明伸 ，小川晃平 ，今村辰哉 ，高野晃大 ，奥田和也 ，松浦秀治 ，紀世陽 ，江藤数
馬2，三谷武志2，児島一聡2，加藤智久2，吉田貞史2，奥村元2(1.大阪電気通信大学，2.産業技術総合研究所)
IB-16 高濃度Alドープp型4H-SiCの可変領域ホッピング伝導の温度範囲でのHall係数の温度依存性及び符号反転
Temperature Dependence of Hall Coefficient and Sign Inversion for Heavily Al-doped 4H-SiC
Epilayers in Variable-Range Hopping Region
1
1
1
1
1
1
1
2
○近藤佑樹 ，竹下明伸 ，今村辰哉 ，高野晃大 ，奥田和也 ，日高淳輝 ，松浦秀治 ，紀世陽 ，江藤
2
222
数馬2，児島一聡 ，加藤智久 ，吉田貞史 ，奥村元 (1.大阪電気通信大学，2.産総研)
IB-17 イオン注入角制御による 4H-SiC Trench MOSFETs のしきい値制御
Threshold Voltage control of 4H-SiC Trench MOSFETs by ion-implantation angle control
1

1

1

1，2

1

〇岡田智徳 ，井上純 ，西山文隆 ，瀬崎洋 ，黒木伸一郎 (1.広島大学ナノデバイス・バイオ融合
科学研究所，2.フェニテックセミコンダクター株式会社)
IB-18 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by High-speed Nonrelaxation Method
1
1
2
2
2
2
1
1
○坂田大輝 ，岡本大 ，染谷満 ，岡本光央 ，原田信介 ，畠山哲夫 ，根本宏樹 ，張旭芳 ，岩室憲幸
1，矢野裕司1(1.筑波大学2.産業技術総合研究所)
IB-19 接合型ダイヤモンド単結晶基板の配向性
Crystalline orientation of diamond mosaic wafer
松下晁生1，藤森直治2，土田有記1，大谷昇1，堂島大地1，小出和典1，金子忠昭1，○鹿田真一1(1.関西学院大学理工学部，2.EDP株式会社)
IB-20 X線トポグラフィによるPVT窒化アルミニウム単結晶の転位列観察
Observation of dislocation arrays in PVT AlN single crystal using X-ray topography○姚永昭1，菅原義弘1，石川由加里1，岡田成仁2，只友一行2(1.ファインセラミックスセンター，2.
山口大院)
IB-21 CVD ダイヤモンド基板上に成長したダイヤモンド薄膜の結晶性
Crystalline quality of homoepitaxial film grown on CVD substrate○寺地徳之，渡邊賢司，嶋岡毅紘，市川公善，小泉聡(物質・材料研究機構)
IB-22 二光子励起フォトルミネッセンス法によるダイヤモンド貫通転位の三次元イメージング
Three-dimensional imaging of threading dislocation in diamond using two-photon-excited
photoluminescence○大曲新矢，坪内信輝，小林篤史，山田英明(産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター)

ポスター講演[IIA]（12/4前半 13：30～14：45）
IIA-1 4H-SiC における高濃度 Al イオン注入による p++領域の深い準位の評価
Evaluation of deep levels by high-concentration Al ion implantation in the p ++ region for 4H-SiC
12
21○深谷周平 ，米澤喜幸 ，加藤智久 ，加藤正史 (1.名古屋工業大学，2.産業技術総合研究所)
IIA-2

ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発段階における発光解析
The photon emission analysis in the wideband gap semiconductor power device development
stage○越川一成，松本徹，内角哲人(浜松ホトニクス株式会社システム事業部)

IIA-3

SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性
Optical properties of silicon vacancies in SiC pn device under simultaneous optically andelectrically excitation
1
1，2
1
1
1
1
2
○山﨑雄一 ，千葉陽史 ，佐藤真一郎 ，牧野高紘 ，山田尚人 ，佐藤隆博 ，土方泰斗 ，児嶋一聡
3
4
4
1，土田秀一 ，星乃紀博 ，大島武 (1.量研，2.埼大院理工，3.産総研，4.電中研)

IIA-4

4H-SiC PiNダイオードにおいて三角形状に拡張した単一ショックレー型積層欠陥の解析
Analyses of 1SSFs on 4H-SiC PiN Diodes expanded in triangular shape〇西尾譲司，岡田葵，太田千春，櫛部光弘，飯島良介(株式会社東芝研究開発センター)

IIA-5

ミラー電子顕微鏡による4H-SiCエピ膜中の積層欠陥の観察と分類
Review and detail classification of stacking faults in 4H-SiC epitaxial layer by mirror projection
microscope○大平健太郎1，一色俊之2，迫秀樹2，3，長谷川正樹1，小林健二1，小貫勝則1(1.株式会社日立ハイテ
クノロジーズ，2.京都工芸繊維大学，3.株式会社東レリサーチセンター)

IIA-6

4H-SiC p-i-nダイオードの順方向通電劣化における積層欠陥拡大起点の深さ解析
Depth Analysis of Stacking Fault Expansion Origin in Forward Current Degradation of 4H-SiC
p-i-n diodes
1
1
2〇林将平 ，迫秀樹 ，先崎純寿 (1.株式会社東レリサーチセンター，2.産業技術総合研究所)

IIA-7

SiC-MOSFETの再結合促進層内の基底面転位(BPD)数の推定
Estimation of the number of BPD in recombination enhancing layer in SiC-MOSFET〇鈴木優，不破弘雅，岩月雅幸，伊藤孝浩(トヨタ自動車株式会社EHV電子設計部第31電子設計室)

IIA-8

三フッ化塩素ガスを用いた炭化珪素クリーニングにおける反応熱の影響
Influence of Reaction Heat on SiC Epitaxial Reactor Cleaning Using ClF3 Gas〇林優也1，倉島圭祐2，羽深等3，伊藤英樹4，三谷慎一5，水島一郎6，高橋至直7(1.横浜国立大学，2.
ニューフレアテクノロジー，3.関東電化工業)

IIA-9

三フッ化塩素ガスを用いた直径200 mm炭化ケイ素ウェハエッチング装置の設計
Dry etcher design for 200 mm-diameter SiC wafer by using ClF3 gas○川崎稜平1，羽深等1，高橋至直2，加藤智久3(1.横浜国立大学，2.関東電化工業，3.産総研)

IIA-10 RFマグネトロンプラズマを用いたSiC基板のエッチング特性
Etching characteristics of SiC-substrate with RF magnetron plasmas〇山田浩(株式会社ハイシック)
IIA-11 SiCへのイオン注入による注入層の結晶反りと膨張との関係
Relationship between crystal warpage and volume expansion of implanted layer by implantationin SiC122223○石地耕太朗 ，佐藤希一 ，藤井高志 ，毛利真一郎 ，荒木努 ，杉江隆一 (1.九州シンクロトロン光
研究センター，2.立命館大学，3.東レリサーチセンター)
IIA-12 耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC画素集積化プロセス
SOI-Si/4H-SiC pixel array fabrication process for radiation hardened image sensors○目黒達也1，長谷部史明1，武山昭憲2，大島武2，田中保宣3，黒木伸一郎1(1.広島大学ナノデバイ
ス・バイオ融合科学研究所，2.量子科学技術研究開発機構量子ビーム科学部門高崎量子応用研究所，
3.産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター)

ポスター講演
IIA-13 耐放射線イメージセンサのための4H-SiC/SOI基板貼り合わせ技術
4H-SiC/SOI substrate bonding technology for radiation-hardened image sensor○長谷部史明1，目黒達也1，武山昭憲2，大島武2，田中保宣3，黒木伸一郎1(1.広島大学ナノデバイ
ス・バイオ融合科学研究所，2.量子科学技術研究開発機構量子ビーム科学部門高崎量子応用研究所，
3.産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター)
IIA-14 低コストな貼り合わせSiC基板を用いたSBDデバイス特性評価
Device Characteristics of SBD with Low Cost Direct Bonding Method SiC Wafer
1
1
2
3
1
1
1
○石川誠治 ，木坂方直 ，栗原俊介 ，八木邦明 ，原田信介 ，児島一聡 ，奥村元 (1.産業技術総合研究所，2.フェニテックセミコンダクター株式会社，3.株式会社サイコックス)
IIA-15 4H-SiC SJ-VMOSFETに適した終端構造(Double RESURF JTE)の設計
Design of a Double RESURF JTE structure for 4H SiC SJ VMOSFETs
1
2
1
1〇増田健良 ，斎藤雄 ，畑山智亮 ，原田信介 (1.産業技術総合研究所，2.住友電気工業株式会社)
IIA-16 4H-SiC CMOSの電気特性に与える寄生抵抗の影響
Impacts of the parasitic resistances on electrical properties in 4H-SiC CMOS
○岡本光央，原田信介，奥村元(産業技術総合研究所)
IIA-17 4H-SiC MOSFETを用いたアナログ回路の温度特性評価
4H-SiC MOSFET based analog circuit characterizations with temperature variation
1
1，2
1，2
1，2
Vuong Van Cuong ，Seiji Ishikawa ，Tomonori Maeda ，Hiroshi Sezaki ，Kousuke
111
Muraoka ，Tetsuya Meguro ，Shin-Ichiro Kuroki (1.Research Institute for Nanodevice sand Bi
oSystems，Hiroshima University，2.Phenitec Semiconductor Corp.)
IIA-18 実装デバイスの諸特性に与える環境温度の影響
Effect of Ambient Temperature on Major Characteristics of Packaged Power Device
1
1
1
1
2
1，3
○山下真理 ，柳漢爀 ，児嶋伸夫 ，鈴木達広 ，薬丸尚志 ，谷本智 (1.日産アーク，2.日立パワー
ソリューションズ，3.芝浦工大・SIT総研)
IIA-19 接合クラック発生パワーモジュールの過渡熱解析
Transient Heat Transfer Analysis of Power Module including Joint Crack○柳漢爀(ユハンヒョク)1，山下真理1，児嶋伸夫1，鈴木達広1，谷本智1，2(1.日産アーク・解析プ
ラットフォーム開発部・パワーエレクトロニクス解析室，2.芝浦工大・SIT総研)
IIA-20 AlGaN/GaNヘテロ構造の低バイアス電力ICPエッチングによる低損傷加工
Reduction of Reactive Ion Etching-induced Damage of AlGaN/GaN structure with Low-bias ICPRIE
1
1
2
1
1
1
○野崎幹人 ，寺島大貴 ，吉越章隆 ，細井卓治 ，志村考功 ，渡部平司 (1.大阪大学，2.原子力機
IIA-21 HVPE-GaN基板に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造の観察
Observation of dislocation structure around a Vickers indentation on HVPE-GaN○石川由加里，横江大作，菅原義弘，姚永昭(ファインセラミックスセンター)
IIA-22 Al2O3/GaN界面におけるAl原子の局所構造
Atomic structure of Al atom at Al2O3/GaN interface○上沼睦典，浦岡行治(奈良先端大)ポスター講演[IIB]（12/4後半 14：45～16：00）
IIB-1 SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響
The effect of annealing temperature for optically detected magnetic resonance signals of siliconvacancies in SiC crystal
1，2
2
2
2
2
2
1
○千葉陽史 ，山﨑雄一 ，牧野高紘 ，佐藤真一郎 ，山田尚人 ，佐藤隆博 ，土方泰斗 ，大島武
2
(1.埼玉大学，2.量研)
IIB-2

4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係
Relationships between the nitrogen impurity concentration and the dose of nitrogen-vacancy
center in 4H-SiC
1，2
2
3
2
1
2
○楢原拓真 ，佐藤真一郎 ，児島一聡 ，山﨑雄一 ，土方泰斗 ，大島武 (1.埼玉大学，2.量研，3.

IIB-3

直径150 mm SiCエピタキシャルウェーハのZ1/2, キャリア寿命面内均一性評価
Evaluation of intra-wafer uniformities of Z1/2 and carrier lifetime on 150 mmφ SiC epitaxial
wafers
1
2
2
2
2
1
2
1
○村田晃一 ，深田啓介 ，梅田喜一 ，石橋直人 ，宮坂晶 ，鎌田功穂 ，大澤弘 ，土田秀一 (1.電中研，2.昭和電工株式会社)

IIB-4

断面PLによるSSFが拡張した基底面の可視化
Visualization of expanded SSFs on Basal Planes by Cross-section PL○高野和美，山下勝(アイテス)

IIB-5

4H-SiC p-i-n ダイオードにおける表面起点積層欠陥のEL観察と起点解析
EL observation and starting point analysis about Shockley stacking fault expanding from surface
side in 4H-SiC p-i-n diodes
岡田葵，〇太田千春，西尾譲司，飯島良介(株式会社東芝研究開発センター)

IIB-6

高温ガス成長法により作製したSiCウエハのPLイメージングによる結晶欠陥評価
PL Imaging of SiC Substrate Grown by High Temperature Chemical Vapor Deposition Method〇堀合慧祥1，徳田雄一郎1，上東秀幸1，星乃紀博2，鎌田功穂2，土田秀一2(1.株式会社デンソー，2.
電力中央研究所)

IIB-7

PLイメージング法による異なるオフカット角を有する4H-SiC基板中の酸化誘起積層欠陥の観測
Observation of oxidation-induced stacking faults in 4H-SiC substrates with different off-cut
angles by PL imaging〇新田翔司，土方泰斗(埼玉大院理工学研)

IIB-8

三フッ化塩素ガスによる4H-SiCウエハエッチング速度分布におけるガス流量の効果
Effect of total gas flow rate on etching rate uniformity improvement over 4H-SiC wafer using
ClF3 gas○入倉健太1，奥山将吾1，羽深等1，高橋至直2，加藤智久3(1.横国大院工，2.関東電化，3.産総研)

IIB-9

塩化水素添加CVDにおける原料の分圧増加による4H-SiC埋戻成長の高速化

A high source partial pressure enhanced refill rate on 4H-SiC trench filling by HCl assisted CVD○紀世陽，小杉亮治，児島一聡，米澤喜幸，吉田貞史，奥村元(産業技術総合研究所)

IIB-10 窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた高温急速熱処理と4H-SiC中不純物の高速活性化
High-temperature Rapid Thermal Annealing and High-speed Activation of Impurity in 4H-SiC
by Nitrogen-boosted Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation○河崎星輝，花房宏明，東清一郎(広島大学大学院先端物質科学研究科)
IIB-11 Wet酸化プロセスによる4H-SiC a面MOS界面の散乱低減
Reduction of Scattering on 4H-SiC a-face MOS Interface by Wet Oxidation process〇染谷満1，平井悠久1，岡本光央1，畠山哲夫1，2，原田信介1，奥村元1(1.産業技術総合研究所先進パ
ワーエレクトロニクス研究センター，2.富山県立大学)

ポスター講演
IIB-12 良質なAl2O3/4H-SiC MOS界面形成における4H-SiC表面構造の重要性
Importance of 4H-SiC surface structure to form superior Al2O3/4H-SiC MOS interface〇土井拓馬1，2，柴山茂久1，竹内和歌奈1，3，坂下満男1，田岡紀之1，清水三聡2，中塚理1(1.名大院
工，2.産総研・名大GaN-OIL，3.愛知工大)
IIB-13 水蒸気アニールがp型SiC MOSキャパシタのDitとVFB安定性に与える効果の雰囲気中の酸素分圧による違い
Difference of effect for Dit and VFB stability of SiC MOS capacitor by partial O2 pressure of H2O
annealing○小柳潤，喜多浩之(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
IIB-14 ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線耐性
Radiation hardness of normally-off 4H-SiC JFETs in MGy dose region○武山昭憲1，清水奎吾2，牧野高紘1，山﨑雄一1，大島武1，黒木伸一郎3，田中保宣2(1.量研，2.産総研，3.広島大学ナノデバイス)
IIB-15 量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価
Estimation of High Energy Ion Induced Destructive Damage Tolerance for Commercial SiCMOSFETs
1
2
1○牧野高紘 ，原田信介 ，大島武 (1.量子科学技術研究開発機構，2.産業技術総合研究所)
IIB-16 低濃度および高濃度ドープn型SiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さとキャリア輸送機構の解析
Characterization of barrier height and analysis of carrier transport mechanism in n-type SiC
Schottky barrier diodes with various doping concentrations○原征大，浅田聡志，前田拓也，木本恒暢(京都大学)
IIB-17 シリコンキャップアニールを行ったn型4H-SiCのオーミックコンタクト形成要因の調査
Investigation on the Factor of Ohmic Contact Formation by Silicon-Cap-Annealing〇東堂大地，花房宏明，東清一郎(広島大学大学院先端物質科学研究科)
IIB-18 SiCモジュールのパワーサイクル寿命に及ぼす熱処理の効果
Effect of annealing treatment for power cycling lifetime of SiC power module○鈴木達広，柳漢爀，山下真理，児嶋伸夫，白井幹夫(日産アークパワーエレクトロニクス解析室)
IIB-19 SiCパワーモジュールのリアルタイムモニタリング評価
Failure analysis of SiC Power MOSFET Module by using real-time monitoring system
122〇諸岡幸一郎 ，渡邊晃彦 ，大村一郎 (1.株式会社住化分析センター，2.九州工業大学)
IIB-20 Au/Ni/p-GaNオーミックコンタクトの熱処理温度依存性とバンドアライメント評価
Characterization of band alignment in Au/Ni Ohmic Contact on p-GaN under various anneal
temperature
1
2
1
2○安野聡 ，畔柳壮 ，小金澤智之 ，岩田直高 (1.(公財）高輝度光科学研究センター，2.豊田工業大IIB-21 TR-PL・EL測定によるGaN縦型pnダイオードの評価
Evaluation of GaN vertical pn diode by TR-PL・EL measurement
1
2
2
2
1，2
○安田優斗 ，宇佐美茂佳 ，田中敦之 ，天野浩 ，加藤正史 (1.名古屋工業大学，2.名古屋大学)
IIB-22 p-GaNエピ層中にSiイオン注入により形成したn-GaNの電気特性評価
Electrical properties of n-GaN formed in p-GaN epitaxial layer by Si ion implantation
1
1
1
2
2，3
2
1
○三浦史也 ，安藤悠人 ，高橋昌大 ，出来真斗 ，田中敦之 ，渡邉浩崇 ，久志本真希 ，新田州吾222，3，4，5，本田善央 ，天野浩
(1.名古屋大学工学研究科，2.名古屋大学未来材料・システム研究所，
3.物質・材料研究機構，4.赤崎研究センター，5.名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリ)

インダストリアルセッション
12月3日(火) 13:40～15:00 フェニックスホール【発表時間：1社 3分】[第1部

13:40～14:10]

IS-1

株式会社日産アーク

IS-2

株式会社ニデック

IS-3

株式会社ニューメタルスエンドケミカルスコーポレーション

IS-4

株式会社東レリサーチセンター

IS-5

株式会社イオンテクノセンター

IS-6

株式会社リガク

IS-7

STR Japan 株式会社IS-8

株式会社ニューフレアテクノロジー

IS-9

巴工業株式会社IS-10

株式会社シルバコ・ジャパン

IS-11

株式会社アイテス(休憩

14:10～14:15)[第2部

14:15～15:00]

IS-12

日本シノプシス合同会社

IS-13

神津精機株式会社

IS-14

株式会社 日本技術センター

IS-15

レーザーテック株式会社

IS-16

東機通商株式会社

IS-17

大陽日酸株式会社

IS-18

株式会社 住化分析センター

IS-19

株式会社日立ハイテクノロジーズ

IS-20

丸文株式会社IS-21

深セン基本半導体有限公司

IS-22

キーサイト・テクノロジー株式会社

IS-23

ナノメトリクス・ジャパン株式会社