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高次π空間形成を利用した高性能有機デバイスの構築

Author(s)村田, 英幸Citation

科学研究費助成事業研究成果報告書: 1‑6

Issue Date

2013‑06‑03

TypeResearch Paper

Text version

publisher

URL

http://hdl.handle.net/10119/11390

RightsDescription

研究種目：新学術領域研究（研究領域提案型）, 研究
期間：2008〜2012, 課題番号：20108012, 研究者番号：10345663, 研究分野：有機エレクトロニクス, 科研
費の分科・細目：材料化学、機能材料・デバイス

Japan Advanced Institute of Science and Technology

様式Ｃ－１９
科学研究費助成事業（科学研究費補助金）研究成果報告書
平成２５年 ６月

３日現在

機関番号：13302
研究種目：新学術領域研究（研究領域提案型）
研究期間：2008～2012
課題番号：２０１０８０１２
研究課題名（和文） 高次π空間形成を利用した高性能有機デバイスの構築
研究課題名（英文） Fabrication of high performance organic devices based on -spaceformation
研究代表者
村田 英幸（MURATA HIDEYUKI）
北陸先端科学技術大学院大学・マテリアルサイエンス研究科・教授
研究者番号：１０３４５６６３
研究成果の概要（和文）：π共役系分子(P3HT)と汎用高分子(ポリスチレン)の示す分子間相互作用に起因した相分離現象を用いて P3HT 薄膜にナノポーラス界面構造を自己組織的に形成させることに成功した。さらに P3HT 表面をラビング処理した後に PCBM 層をスピンコート法で製膜した 2 層積層構造では太陽電池にとって理想的な濃度傾斜構造が誘起されることが分かった。
これらを有機薄膜太陽電池の活性層に組み込むことで素子特性を大きく向上させることに成功した。
研究成果の概要（英文）：In this study, we have developed a simple method based on
self-organized phase segregation between two polymers, namely P3HT and polystyrene (PS),to produce nanoporous P3HT thin films. We also have found that rubbing the P3HT layer
prior to PCBM deposition induces major morphological changes in the active layer andresults in the formation of an ideal vertical donor-acceptor concentration gradient. The
combination of these two major morphological changes leads to the fabrication of highperformances solar cells which exhibit, to date, the record efficiencies for spin coatedgraded bilayers solar cells.

交付決定額（金額単位：円）2008 年度
2009 年度2010 年度
2011 年度
2012 年度
総 計

直接経費
3,800,000
5,100,000
5,100,000
5,100,000
5,100,000
24,200,000

間接経費
1,140,000
1,530,000
1,530,000
1,530,000
1,530,000
7,260,000

合計4,940,000
6,630,000
6,630,000
6,630,000
6,630,000
31,460,000

研究分野：有機エレクトロニクス
科研費の分科・細目：材料化学、機能材料・デバイス
キーワード：有機薄膜太陽電池、有機 EL 素子、光誘起誘電率変化、エレクトロスピンニング、トランジスタ型不揮発性メモリ、濃度傾斜構造、エネルギー分散型 X 線分析

１．研究開始当初の背景
世界規模で急激に拡大するエネルギー需要に対して、将来にわたって安定なエネルギー供給源を確保することは極めて重要な課題の一つである。特に、温暖化ガスを排出しないクリーンなエネルギーである太陽光発電に対する期待は極めて大きい。有機太陽電池の変換効率は、2012 年 5 月時点で 10.6%まで向上しており、アモルファスシリコン太陽電池に匹敵しつつある。有機太陽電池の効率向上には、優れた活性層材料の開発に加えて励起子の生成から電荷の移動にいたる各素過程を円滑に実現させる有機薄膜中のモルフォロジー制御が不可欠である。
有機薄膜太陽電池は、(1)光吸収による励起子生成、(2)励起子の拡散、(3)電荷分離界面における励起子の解離、(4)電極への電荷移動と電極での集電という過程を経て動作する。高効率の有機太陽電池を得るには、各素過程の効率を同時に高めた素子構造を実現することが必要となる。例えば、二層接合型素子の構造で励起子生成量を増加させるためには、膜厚を増加させて光吸収量を増やすことが考えられる。しかし、有機層内の励起子拡散長は数 10nm 程度と短いため、光照射電極側で発生した励起子は電荷分離の生じるドナー/アクセプター接合界面まで到達できず光電流の発生には寄与しない。むしろ膜厚増加による直列抵抗値(Rs)が増加し、電荷移動が阻害されることで素子の変換効率は低下してしまう。
これに対して、ドナー材料とアクセプター材料を混合したバルクヘテロ接合型太陽電池では、励起子拡散長の制限は受け難くなり変換効率の大幅な向上がもたらされる。ドナー材料として共役系高分子（P3HT）、アクセプター材料としてフラーレン誘導体（PCBM）を用いたバルクヘテロ接合素子で約 6%の変換効率が報告されている。バルクヘテロ接合構造で高い変換効率が得られた理由として、接合界面の増加による電荷分離効率の向上に加えて P3HT/PCBM 混合薄膜を加熱処理する過程で P3HT と PCBM が自己組織的に相分離を起こしそれぞれの電極まで電荷の移動経路を確保したネットワーク構造を形成していることが明らかにされた。しかしながら、相互侵入型ネットワーク構造と連続的な電荷移動経路の形成を熱処理条件や溶媒への暴露といったプロセス条件だけで制御することは必ずしも容易ではない。また生成した電荷が電極へ移動する過程に関しては、ネットワーク構造よりも二層積層構造の方が好ましい。そこで本研究では、バルクヘテロ型太陽電池では実現困難な素子構造(図 1)を自己組織的に形成しうる手法を探索することとする。
２．研究の目的
当該新学術領域研究では、以下の二つの研究戦略が提案されている。
(1)明確な目的と方向性を持ったストラテジ
ック・リサーチ(2)自立的な要素が多数集まる事で初めて起きる創発的研究。
第一の研究戦略に対しては研究背景で述べた理由から有機薄膜太陽電池をターゲットに選定した。ここでの具体的な研究目的は、π共役系分子の示す分子間相互作用を利用して形成した高次π空間構造を有機デバイスへと実際に導入し、高性能な有機デバイスを実現することにある。一方、第二の研究戦略に関しては、領域内の他の研究グループとの連携を行うことで、領域内で初出されている新材料に関して新機能の発現やデバイスへの用途展開を目指す。具体的には以下の 3つのテーマを設定した。
①電荷分離分子の電気特性評価と光トランジスタメモリへの応用、②導電性高分子ナノファイバーの配向制御と移動度評価③金ナノ微粒子-フタロシアニン水溶性インクの電気伝導性評価
３．研究の方法(1) ナノ界面構造を有する有機薄膜太陽電池
相溶性に乏しい二種類の高分子材料を混合した溶液スピンコート法によって薄膜化すると特定の条件下で様々なナノ構造が自己組織的相分離によって形成されることを利用して P3HT 薄膜中にナノ構造の形成を試みる。
(2) 濃度傾斜構造を有する有機薄膜太陽電池
P3HT 表面をラビング処理した後に、PCBM層をスピンコートすることでドナー材料とアクセプター材料が基板に対して垂直方向に濃度傾斜構造を形成させる。さらにこの濃度傾斜構造を有機薄膜太陽電池の電荷分離層として導入し太陽電池の変換効率に与える影響を評価する。

ナノ界面構造図1

濃度傾斜構造目的とする有機薄膜太陽電池の素子構造(3)創発的研究
領域内で合成された特徴のある材料を用いて各種の有機デバイスを作製・評価し、それぞれの材料に適した応用を探索する。評価対象としては、光トランジスタメモリ、エレクトロスピニング法を用いたナノファイバーの作製とデバイスへの応用、金ナノ微粒子フタロシアニン水溶性インクの電気伝導性評価と有機薄膜太陽電池の電極としての評価などを行う。
４．研究成果
本成果報告書では、研究の目的で述べた二つの戦略のうち(1)のストラテジック・リサーチに関して得られた研究成果を報告する。
(1) ナノ界面構造を有する有機薄膜太陽電池

P3HT とポリスチレン(PS) を混合した系を各種の溶媒に溶解してスピンコート法によって薄膜化すると、特定の条件下で様々なナノ構造が自己組織的相分離によって形成されることが分かった。さらに P3HT にナノ構造を形成した後、PS のみを選択的に溶解する溶媒（アセトン）によって取り除くことで、均一なポアサイズを有するナノポーラス構造の P3HT 薄膜を作製することに成功した。図に P3HT：PS ブレンド系ポリマーで作製した
P3HT のナノ構造を示す。P3HT と PS の混合比やスピンコート条件を変える事で、ポーラス構造や島状構造を作り分ける事も可能である。

(2) 濃度傾斜構造を有する有機薄膜太陽電池
P3HT 表面をラビング処理した後に n 型材料(PCBM)をスピンコートして作製した有機薄膜太陽電池ではラビング処理によって変換効率が向上することが分かった。図 4 に示したようにラビング回数を最適化した太陽電池では変換効率の平均値が 3.81% (最大変換効率 3.99%)を示し、同一の材料系(P3HT：PCBM)を混合して形成したバルクヘテロ型太陽電池の変換効率(2.44%)を大幅に超える素子特性が得られた。

図 2 P3HT：PS ブレンドポリマーの相分離を利用して作製したナノポーラス構造とナノアイランド構造を有する P3HT 薄膜の AFM 像 (20m×20m)

次にナノ構造 P3HT を電荷分離層に用いた太陽電池を作製し素子特性を評価した。サイズ制御した P3HT ナノポーラス薄膜を有する素子の評価結果を図 3 に示した。単純な二層接合素子の変換効率が 2.5%であったのに対して、ナノ構造 P3HT を導入した素子は 3.25%に向上した。興味深いことにこの素子では、空孔形成に伴って P3HT の吸収強度が約 74.5%程度に減少しているにも関わらず、短絡電流値(Jsc)にはほとんど変化が見られなかった。
この結果は、ナノ構造の導入に伴う電荷分離効率の向上によって光吸収量の減少が補償されていることを示すものである。フィルフ
ァクター(FF)は二層接合構造よりも向上しており、電荷分離後の電荷の移動が促進されていることが分かった。

図 4 ラビング処理して作製した有機薄膜太陽電池の素子特性

次にラビングによる素子特性の向上するメカニズムを明らかにするために評価後の太陽電池の活性層中の P3HT 濃度分布をエネ
ルギー分散型 X 線分析(EDS)によって評価した。その結果、ラビングによって薄膜内に最適な濃度傾斜構造が自己組織的に形成されたことが分かった。小角 X 線回折法による解析の結果、P3HT 分子の配向性が Edge-on 構造から Face-on 構造へと変化したことも明らかとなった。

ラビング処理無ラビング処理有

図 5 膜厚方向に P3HT の濃度勾配を有する二層型有機薄膜太陽電池の EDS 分析結果

図 3 サイズ制御されたナノポーラス P3HT 層のAFM 像(10m×10m)と吸収スペクトル及びナノポーラス層を電荷分離層として用いた二層接合太陽電池の素子特性

図 6 微小角 X 線回折法(GI-XRD)で明らかになったラビング処理によって誘起された P3HT 分子鎖の配向状態

５．主な発表論文等（研究代表者、研究分担者及び連携研究者には下線）〔雑誌論文〕（計 31 件）
1. T. Matsushima, H. Murata, (Molecularorientation induced by high-speed substratetransfer during vacuum vapor deposition oforganic films) Organic Electronics, 13,
222-229 (2012). 査読有
2. Y. Ishii, H. Murata, (True photoluminescence spectra revealed in electrospun
light-emitting single nanofibers) J. Mater.
Chem. 22, 4695-4703 (2012). 査読有
3. Y. Wang, T. Matsushima, H. Murata, A.
Fleurence, Y. Yamada-Takamura, R.
Friedlein(Molecular order, charge injection
efficiency and the role of intramolecular polarbonds at organic/organic heterointerfaces),
Organic Electronics, 13, 1853–1858 (2012).
査読有
4. T. Matsushima, H. Murata (Enhancement ofhole injection and electroluminescencecharacteristics by a rubbing-induced lying
orientation of alpha-sexithiophene), J. Appl.
Phys. 112, 024503 (9 pages) (2012). 査読有
5. V. Vohra, G. Arrighetti, L. Barba, K.
Higashimine, W. Porzio, H. Murata,(Enhanced Vertical Concentration Gradientin Rubbed P3HT:PCBM Graded Bilayer SolarCells), J. Phys. Chem. Lett, 3,1820–1823(2012). 査読有
6. Y. Sakurada, Y. Ota, H. Watanabe, H.
Murata, K. Nishioka, (Evaluation of OrganicThin Film Solar Cells Using 3-Diode
Equivalent Circuit Model with Inverted
Diode), Materials Science Forum, 725,179-182, (2012). 査読有
7. V. Vohra, M. Campoy-Quiles, M. Garriga ,H. Murata, (Organic Solar Cells Based on
Nanoporous P3HT Obtained from Self
Assembled P3HT:PS Templates), J. Mater.
Chem. 22, 20017-20025 (2012). 査読有
8. T. T. Dao, T. Matsushima, H. Murata(Highly stable fullerene memory transistors
with an electron-trapping polymer), OrganicElectronics, 13, 2709–2715 (2012). 査読有
9. M. Kanehara, J. Takeya, T. Uemura, H.
Murata, K. Takimiya, H. Sekine, T. Teranishi,(Electroconductive・-Junction
Au
Nanoparticles), Bull. Chem. Soc. Jpn, 85,957-961 (2012). 査読有
10. V. Vohra, K. Higashimine, T. Murakami, H.
Murata, (Addition of Regiorandom P3HT toSolution Processed P3HT:PCBM Graded
Bilayers to Tune the Vertical ConcentrationGradient), Appl. Phys. Lett., 101, 173301 (4pages) (2012). 査読有
11. T. Matsushima, K. Shiomura, S. Naka, H.
Murata (Optical, morphological, electrical &electroluminescencecharacteristics
oforganic semiconductor films prepared atvarious deposition rates) Thin Solid Films,520, 2283-2288 (2011). 査読有
12. H. Yamamoto, J. Brooks, M. S. Weaver, J. J.
Brown, T. Murakami, H. Murata (Improved
initial drop in operational lifetime of bluephosphorescent organic light emitting device
fabricated under ultra high vacuum condition)
Appl. Phys. Lett, 99, 033301 (3 pages)(2011). 査読有
13. V. Vohra, U. Giovanella, R. Tubino, H.
Murata, C. Botta (Electroluminescence from
Conjugated Polymer Electrospun Nanofibers
in solution processable OLEDs) ACS Nano, 5,5572–5578 (2011).査読有
14. T. Matsushima, H. Murata (Enhanced
charge−carrier injection caused by molecularorientation), Appl. Phys. Lett.98, 253307 (3pages) (2011). 査読有
15. Y. Ishii, H. Sakai, H. Murata (Fabrication ofa submicron-channel organic field-effecttransistor using a controllable electrospun
single fiber as a shadow mask),
Nanotechnology, 22, 205202-205207 (2011)
査読有.
16. T. Matsushima, G.-H. Jin, Y. Kanai, T.
Yokota, S. Kitada, T. Kishi, H. Murata(Interfacial charge transfer and charge
generation in organic electronic devices),
Organic Electronics, 12, 520-528 (2011). 査
読有
17. T. Matsushima, M. Takamori, Y. Miyashita,
Y. Honma, T. Tanaka,H. Aihara, H. Murata,(High electron mobility layers of triazines for
improving driving voltages,power conversion
efficiencies, operational stability of organic
light-emitting diodes) Organic Electronics,
11, 16-22 (2010) 査読有
18. T. Nishimura, A. Itabashi, A. Sasahara, H.
Murata, T. Arai, M. Tomitori (Adsorption
state of 4,4”-diamino-p-terphenyl throughan amino group bound to Si(111)-7×7
surface examined by X-ray photoelectron
spectroscopy and scanning tunnelingmicroscopy), J. Phys. Chem. C, 114,11109-11114 (2010). 査読有
19. V. Ervithayasuporn, J. Abe, X. Wang, T.
Matsushima, H. Murata, Y. Kawakami(Synthesis, characterization, and OLED
applicationofoligo(p-phenyleneethynylene)s with polyhedral oligomericsilsesquioxanes (POSS) as pendant groups),
Tetrahedron, 66, 9348-9355 (2010). 査読有20. A. B. EL Basaty, Y. Miyauchi, G. Mizutani,
T. Matsushima, H. Murata, (Optical second
harmonic generation at heterojunction
interfaces of a molybdenum trioxide layer andan organic layer) Appl. Phys. Lett.97,193302 (2010) 査読有
21. H. Sakai, H. Murata, M. Murakami K.
Ohkubo, S. Fukuzumi, (Photoinduced changeof dielectric permittivity in molecular doped
polymer layer), Appl. Phys. Lett., 95, 252901(2009) 査読有
22. T. Matsushima, H. Murata, (Observation ofspace-charge-limited current due to charge
generation at interface of molybdenum
dioxide and organic layer), Appl. Phys. Lett.,
95, 203306 (3 pages) (2009). 査読有
23. Y. Honda, T. Matsushima, H. Murata,(Enhanced performance of organic lightemitting diodes by inserting wide-energy-gap
interlayer between hole-transport layer andlight-emitting layer), Thin Solid Films, 518,545-547 (2009) 査読有
24. K. Konno, H. Sakai, T. Matsushima, H.
Murata, (An organic nonvolatile memory
using space charge polarization of a gatedielectric), Thin Solid Films, 518, 534-536(2009) 査読有
25. H. Sakai, K. Konno, H. Murata, (Control ofthreshold voltage of organic field-effecttransistors by space charge Polarization),Thin Solid Films, 518, 510-513 (2009) 査読
有
26. Y. Ishii, H. Sakai, H. Murata, (Fabrication ofsubmicron patterned electrodes using asingle electrospun fiber as a shadow-mask),
Thin Solid Films, 518, 647-650 (2009) 査読
有
27. M. Campoy-Quiles, Y. Kanai, A. El-Basaty,
H. Sakai, H. Murata, (Ternary mixing: Asimple method to tailor the morphology oforganic solar cells) Organic Electronics, 10,1120-1132 (2009) 査読有
28. J. J. Benson-Smith, J. Wilson, C.
Dyer-Smith, K. Mouri, S. Yamaguchi, H.
Murata, J. Nelson, (Long-lived exciplex
formation and delayed exciton emission inbulkheterojunction blends of silole derivativeand polyfluorene copolymer: The role ofmorphology on exciplex formation and charge
separation), J. Phys. Chem. B, 113,7794-7799 9(2009). 査読有
29. H. Sakai, K. Konno, H. Murata, (Tuning ofthreshold voltage of organic field-effecttransistors by space charge polarization),
Appl. Phys. Lett., 94, 073304 (3 pages)(2009). 査読有
30. T. Nakayama, T. Matsushima, H. Murata(Immobilization of aromatic aldehyde
molecules on indium tin oxide surface using
acetalization reaction) Thin Solid Films, 518,739-742 (2009). 査読有
31. Y. Kanai, T. Matsushima, H. Murata(Improvement of stability for organic solar
cells by using molybdenum trioxide bufferlayer) Thin Solid Films, 518, 537-540 (2009).
査読有〔学会発表〕（計 114 件）
1. N. T. Razali, V. Vohra, K. Higashimine, N.
Otsuka and H. Murata, (Observation of
Vertical Phase Segregation in Bulk
Heterojunction Organic Solar Cells by Using
Electron Dispersive X-ray Spectroscopy(EDS)), 第 60 回 応用物理学会春季学術講演会、2013 年 3 月 27 日~30 日、神奈川
2. V. Vohra, H. Murata, K. Higashimine,
M.Campoy-Quiles, M. Garriga, W. Porzio, M.
Arrighetti, L. Barba, (Graded Bilayer
Organic Solar Cells:An opportunity toprocess P3HT independently of PCBM), TheSixth
AdvancedMaterials
andNanotechnology Conference (AMN6), 2013年 2 月 11 日-15 日 Auckland, New Zealand
3. V. Vohra, K. Higashimine, H. Murata,(Tuning the Vertical Concentration Gradientin P3HT:PCBM Graded Bilayer Solar Cells
by Adding Regiorandom P3HT) The 10th
International Conference on Nano-molecularElectronics,2012 年 12 月 12 日-14 日、兵庫
4. V. Vohra, K. Higashimine, H. Murata, M.
Campoy-Quiles, M. Garriga, G. Arrighetti, L.
Barba, W. Porzio (Enhanced Efficiency ofGraded Bilayer P3HT/PCBM Solar Cells byMorphological Control of Intermixed Layer)( 招 待 講 演 ) The 10th International
Conference on Nano-molecular Electronics,
2012 年 12 月 12 日-14 日、兵庫
5. Y. Ishii, H. Murata, M. Fukuda (Truephotoluminescence spectra revealed inelectrospun light-emitting single nanofibers
and their evaluation), Material ResearchSociety 2012 Fall Meeting, 2012 年 11 月 25
日-30 日 Boston, USA
6. H. Murata, (Enhanced Power Conversion
Efficiency
byTuningtheVerticalConcentration Gradient in P3HT:PCBM
Bilayer Solar Cells) ( 招 待 講 演 ), OISTInternational Symposium on Organic
Electronics 2012 年 10 月 5 日沖縄
7. 村田英幸，松島敏則，Varun Vohra (分子配向制御による有機薄膜太陽電池の性能向上) (招待講演)、有機・無機エレクトロニクス
シンポジウム、2012 年 6 月 29 日、富山
8. V. Vohra, M. Campoy-Quiles, M. Garriga, H.

Murata (Enhancement of Photovoltaic
Performances
inPhaseSeparated
Nanostructured
OrganicDevices),
International Conference on Surfaces,Coatings and Nanostructured Materials(NANOSMAT-USA), 2012 年 3 月 27 日-30
日、Florida, USA
9. H. Murata, (Enhanced carrier injection andstability of OLED due to molecularorientation at organic/organic interface )(招待講演) International Workshop on Organic
Electronics 2011 年 8 月 30 日, Seoul, Korea
10. 村田英幸、矢島覚、今野広大、酒井平祐(機能性ゲート絶縁層を用いた不揮発性有機メモリー) (招待講演) 第 75 回半導体・集積回路技術シンポジウム、2011 年 7 月 8 日、
東京
11. H. Murata, J. Abe (Highly Efficient Polymer
Light-Emitting
DiodesRealizedby
Triplet-Triplet Annihilation) (招待講演) The
219th ECS Meeting,2011 年 5 月 1 日-6 日
Montreal, Canada
12. H. Murata, and J. Abe, (Highly Efficient
Polymer Light-Emitting Diodes Using
Polymer Blend Emission Layers) (招待講演)
The 3rd Annual CNSI-JAIST Workshop
2011,2011 年 1 月 13 日-14 日 Los Angels,USA
13. H. Murata, (Highly Oriented π-ConjugatedPolymer Chains in Electrospun Nanofiber)(招待 講 演 ) International Symposium on
Advanced Soft Materials、2010 年 11 月 26
日-27 日、熊本
14. H. Murata (Highly Efficient Polymer
Light-EmittingDiodes
realizedbyTriplet-Triplet Annihilation) (基調講演) The
Asian Conference on Organic Electronics(A-COE 2010) & the Asian Symposium on
Organic Materials for Electronics andPhotonics (ASOMEP 2010) 、2010 年 11 月 3
日- 5 日、Seoul、 Korea
15. H. Murata,J. Abe (Highly Efficient Polymer
Light－Emitting Diodes Realized by Tripletannihilation) ( 招 待 講 演 ) The 7thInternational Symposium on Advanced
Materials in Asia-Pacific, JAIST International
Symposium on Nano Technology 2010, 2010
年 9 月 30 日-10 月 1 日、石川
16. 村田英幸 (空間電荷分極を利用した不揮発性有機メモリー)(招待講演) 電子情報通信学会 有機エレクトロニクス研究会 2010 年
7 月 12 日、東京
17. H. Murata, Y. Kinoshita, T. Matsushima,(Enhancing Open-Circuit Voltage in Organic
Solar Cells by Interface Engineering) (招待講演) Material Research Society 2010 Spring
Meeting, 2010 年 4 月 4 日-10 日、SanFrancisco、 USA
18. H. Murata (Highly Oriented MEH-PPV/Polyethyleneoxide Nanofibers Fabricated byElectrospinning Method) (招待講演) The 1stInternational Symposium on Emergence ofHighly Elaborated ・-space and its Function,2009 年 12 月 18 日-19 日 Osaka
19. H. Murata (Impact of Interface Engineeringon Device Performance in Organic ElectronicDevices) ( 招 待 講 演 ) Workshop on
Molecular/OrganicDevices
includingElectronic Devices, OPVs, and Sensors,
2009 年 9 月 22 日-25 日, Amritsar、India〔図書〕（計 2 件）
1. 村田英幸、シーエムシー出版、「高次π空間の創発と機能開発」第 3 章 10 節 自己組
織的高次π空間を利用した高効率有機薄膜太陽電池、2013 年、pp.183-186
2. 村田英幸、グローバルネット、「有機 EL技術体系」 第 1 章 有機 EL の基礎、2012年 pp.10-25〔産業財産権〕○出願状況（計 2 件）
名称：光照射によって誘電率が変化する膜およびそれを用いた電子デバイス
発明者：村田英幸、酒井平祐、福住俊一、大久保敬、村上元信
権利者：国立大学法人北陸先端科学技術大
学院大学、国立大学法人大阪大学
種類：特許権番号：特願 2009-205923
出願年月日：2009 年 9 月 7 日
国内外の別：国内
名称：光電変換装置を生産する方法、光電変換装置及び光電変換装置の製造装置
発明者：村田英幸、松島敏則
権利者：国立大学法人北陸先端科学技術大
学院大学
種類：特許権番号：特願 2012－041906
出願年月日：2012 年 2 月 28 日
国内外の別：国内〔その他〕
ホームページ等
６．研究組織(1)研究代表者
村田 英幸（MURATA HIDEYUKI）
北陸先端科学技術大学院大学・マテリアル
サイエンス研究科・教授
研究者番号：１０３４５６６３