プログラム

先進パワー半導体分科会 第5回講演会
The 5th Meeting on Advanced Power Semiconductors
主催：公益社団法人応用物理学会 先進パワー半導体分科会
会場：京都テルサ(京都市南区東九条下殿田町７０番地（新町通九条下ル）)

プログラム(Technical Program)
11月6日(火)時間

テルサホール

9:55-10:00

開会挨拶

10:00-11:30

セッションⅠ（基調講演）

大会議室

ポスター会場

昼食休憩

11:30-12:40
12:40-13:40

セッションⅡ（招待講演）

13:40-15:00

インダストリアルセッション

セッションⅢ
（招待講演）

企業展示

休憩

15:00-15:10
15:10-16:25

ポスターセッションIA

16:25-17:40

ポスターセッションIB

18:00-20:00

展示会場

懇親会

11月7日(水)時間

テルサホール9:00-10:00

セッションⅣ（特別講演）

ポスター会場

展示会場

休憩

10:00-10:15
10:15-12:15

大会議室

セッションⅤ
（招待講演）

セッションⅥ（招待講演）

企業展示

昼食休憩

12:15-13:30
13:30-14:45

ポスターセッションIIA

14:45-16:00

ポスターセッションIIB
休憩

16:00-16:10
16:10-16:50

セッションⅦ
（昨年度奨励賞
受賞記念講演）16:50-17:10

奨励賞授賞式
クロージング

プログラム11月6日(火) (Tuesday 6 November)
オープニング 9:55～10:00【テルサホール】
開会挨拶
9:55～10:00
幹事長 大谷 昇(関西学院大学)
セッションI：基調講演 10:00～11:30【テルサホール】
パワー半導体SiCの発展経緯―これまでとこれから―
10:00～10:45【基調講演】
Progress in Power Semiconductor – Before and After –松波 弘之（京都大学名誉教授）
10:45～11:30【基調講演】HEMTの開発経緯
The early history of the HEMT R&D
三村 髙志（株式会社富士通研究所 名誉フェロー）(昼食休憩： 11:30～12:40)
セッションII：招待講演 12:40～13:40【テルサホール】
パワー半導体の市場予測と車載分野の可能性
12:40～13:10【招待講演】
Market forecast of power semiconductors and possibility of automotive field
池山 智也（矢野経済研究所）
13:10～13:40【招待講演】

GaN縦型パワーデバイスのためのエピ・デバイスプロセス技術
Epitaxial Growth and Device Process Technologies for GaN Vertical Power Devices
須田 淳（名古屋大学）

セッションIII：招待講演 12:40～13:40【大会議室】
Naフラックス法とOVPE法によるGaN結晶育成技術の新展開
12:40～13:10【招待講演】New trend of GaN crystal growth: Na flux and OVPE methods
森勇介，今西正幸，北本啓，吉村政志（大阪大学）
13:10～13:40【招待講演】

パワー半導体用SiCウェハ開発の動向～国プロでの次世代SiCウェハ開発について～Development of next generation SiC wafers at national project
加藤 智久（産業技術総合研究所）

インダストリアルセッション 13:40～15:00【テルサホール】
インダストリアルセッション
13:40～15:00(休憩： 15:00～15:10)
ポスターセッションI 15:10～17:40【ポスター会場】
前半(IA)
15:10～16:25
後半(IB)
16:25～17:40
懇親会 18:00～20:00【テルサホール】
懇親会
18:00～20:00

プログラム11月7日(水) (Wednesday 7 November)セッションIV：特別講演 9:00～10:00【テルサホール】
SiCパワーデバイス/パワーエレクトロニクス技術の進展
9:00～9:30【特別講演】
Progress of SiC Power Semiconductor Device / Power Electronics Technology
奥村 元（産業技術総合研究所）
9:30～10:00【特別講演】

電動化が切り拓く航空の未来
The future of aviation driven by electrification
西沢 啓（宇宙航空研究開発機構）(休憩： 10:00～10:15)
セッションV：招待講演 10:15～12:15【テルサホール】
ワイドギャップ半導体デバイスの特長を活かすためのアプリケーション研究
10:15～10:45
Power application research to utilize the full potential of wide band-gap power【招待講演】
semiconductor devices
中原 健（ローム株式会社）
10:45～11:15【招待講演】

酸化ガリウムパワーデバイスの進展と展望
Evolution and Prospects of Gallium Oxide Power Devices
四戸 孝（株式会社FLOSFIA）

11:15～11:45【招待講演】

要素評価とメカニズム理解に基づくSiC-MOSFETの設計・実用化・今後
Development of SiC-MOSFET based on fundamental understanding of its property.
日野 史郎，渡辺 友勝，濱田 憲治（三菱電機株式会社）

11:45～12:15【招待講演】

縦型GaNパワーMOSFET, SBDの開発
Vertical GaN power MOSFET, SBD
西井潤弥，伊奈務，上野幸久，田中成明，黒崎潤一郎，鈴木智行，長谷川一也，安西孝太，
西尾剛，村上信吾，村上倫章，岡徹（豊田合成株式会社）

セッションVI：招待講演 10:15～12:15【大会議室】
SiCウェハ欠陥と解析評価技術開発
10:15～10:45【招待講演】Development of analytical evaluation technology for defects in SiC wafers
先崎 純寿（産業技術総合研究所）
10:45～11:15【招待講演】

SiC-MOS界面欠陥の起源：電子スピン共鳴分光の最新の結果より
A microscopic origin of SiC-MOS interface defects determined by electron-spinresonance spectroscopy
梅田 享英（筑波大学）

11:15～11:45【招待講演】

メタライズ放熱基板の信頼性評価とその特性向上
Reliability Evaluation of Metalized Ceramic Substrates and Improvement in theirDurability
平尾 喜代司，宮崎 広行（産業技術総合研究所）

11:45～12:15【招待講演】

化合物パワー半導体の信頼性試験標準化動向
The trend of reliability test standardization for compound power semiconductor
山口 浩二（富士電機株式会社）

プログラム(昼食休憩： 12:15～13:30)
ポスターセッションII 13:30～16:00【ポスター会場】
前半(IIA)
13:30～14:45
後半(IIB)
14:45～16:00(休憩： 16:00～16:10)
セッションVII：昨年度奨励賞受賞記念講演 16:10～16:50【テルサホール】
直交Deep-P構造を有する超低損失SiC-MOSFETの開発
16:10～16:30【依頼講演】Development of Deep-P encapsulated SiC-MOSFET with ultra-low loss
一村愛子，海老原康裕，箕谷周平，登尾正人，竹内有一，片山理，鶴田和弘（株式会社デンソー）
16:30～16:50【依頼講演】

ラマン分光法と機械学習によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析
Edge Component Analysis of Threading Dislocations in GaN Single Crystal Using
Raman Spectroscopy and Machine Learning
1,2

1,2

1

3

3

2

2

小久保信彦 ，角岡洋介 ，藤榮文博 ，大原淳士 ，恩田正一 ，山田永 ，清水三聡 ，原田俊
太1,3，田川美穂1,3，宇治原徹1,2,3（1.名古屋大学大学院工学研究科，2.産業技術総合研究所，3.
名古屋大学未来材料・システム研究所）
奨励賞授賞式・クロージング 16:50～17:10【テルサホール】
奨励賞授賞式
16:50～17:10
クロージングポスター講演
ポスター講演(講演者の前に記載の▲は、奨励賞申請講演であることを示す．)[IA]（11/6前半 15：10～16：25）
IA-1 高濃度窒素ドーピングされた4H-SiC基板上のエピタキシャル成長における多層ショックレー型積層欠陥形成
Formation of multilayer Shockley-type stacking fault during epitaxial growth on highly nitrogendoped 4H-SiC substrate
1,2,3

▲周防裕政
3.筑波大学)

1,2

, 山下任

1

2

1

, 江藤数馬 , 大澤弘 , 加藤智久 , 奥村元

1,3(1.産総研, 2.昭和電工,

IA-2

SiC溶液成長における機械学習を用いた成長条件の最適化
Optimization of growth condition by machine learning in SiC solution growth▲角岡 洋介1,2，鳴海大翔1，安藤圭理1，沓掛健太朗3，朱燦1,4，林宏益1，原田俊太1,4, 田川美穂1,4，
宇治原徹1,2,4(1.名古屋大学大学院工学研究科，2.産業技術総合研究所，3.理化学研究所，4.名古屋大学 未来材料・システム研究所)

IA-3

SiCエピタキシャル層の少数キャリア寿命の測定手法の提案
Minority Carrier Lifetime Measurement for SiC Epitaxial Layer
1

1

1

1

1

1,2

▲佐々木杏民 , 宋禛漢 , 星井拓也 ,若林整 ,筒井一生 ,水島一郎
業大学,2.株式会社ニューフレアテクノロジー),依田孝1,2,角嶋邦之1(1.東京工IA-4

トレンチ埋戻しエピタキシャル成長法で形成したSiC pnカラム層の結晶評価
Crystalline quality evaluation of SiC p/n column layers formed by trench-filling epitaxial growth▲足立亘平，小杉亮治，紀世陽，望月和浩，米澤喜幸，奥村元(産業技術総合研究所)

IA-5

GaN 基板上GaNエピ層の遅いキャリア再結合測定による結晶欠陥評価
Crystal defect evaluation by slow carrier recombination measurement in a GaN epilayer on a
GaN substrate▲浅田貴斗1, 伊藤健治2, 冨田一義2, 成田哲生2 ,加地徹3, 加藤正史1,3(1.名工大 ,2.豊田中研 ,
3.名大)

IA-6

レート方程式を用いたSiCにおけるキャリア寿命の理論解析
Theoretical Analysis of Carrier Lifetimes in SiC by Using Rate Equations▲山下昇真1, 奥田貴史1, 木本恒暢1(1.京都大学)

IA-7

4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性
Formation of Nitrogen-Vacancy Centers in 4H-SiC and the Photoluminescence Properties▲楢原拓真1,2, 佐藤真一郎2, 土方泰斗1, 大島武2(1.埼玉大学, 2.量子科学研究開発機構(QST))

IA-8

第一原理計算に基づく4H-SiCの格子歪みによる電子・正孔の有効質量への影響の解明
Effect by lattice distortions on effective masses of electron and hole in 4H-SiC based on firstprinciples calculations▲黒岩祐一郎1,松下雄一郎2,大場史康3(1.東京工業大学フロンティア材料研究所,2.東京工業大学フロ
ンティア材料研究所,3.東京工業大学フロンティア材料研究所)

IA-9

n型GaN中の正孔トラップ密度の定量評価
Accurate method for estimating hole trap concentration in n-type GaN▲鐘ヶ江一孝1, 成田哲生2, 冨田一義2, 加地徹3, 堀田昌宏1,4, 木本恒暢1, 須田淳1,3,4(1.京都大学大学院，2.豊田中央研究所，3.名古屋大学 未来材料システム研究所，4.名古屋大学大学院)

ポスター講演
IA-10 4H-SiC PiNダイオード中に様々なイオン注入により発生させた炭素格子間原子拡散プロセス効果
Effects of Carbon Interstitials Diffusion Process Generated by Various Ion Implantation in 4HSiC PiN Diode▲小山皓洋, 木内祐治, 米澤喜幸, 奥村元(産業技術総合研究所)
IA-11 SiC MOS界面特性改善に向けた高温CO2熱処理の検討
High-temperature CO2 treatment for improvement of SiC MOS interface properties▲大迫桃恵, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司(大阪大学大学院工学研究科)
IA-12 Ga面へMgイオン注入を行ったGaNへのフラッシュランプアニール効果
Effect of Flash Lamp Anneal in Mg ion implanted layers form on Ga-face of GaN▲厳瑾1，高橋昌大1，出来真斗2，田中敦之2,3，久志本真希1，新田州吾2，本田善央2，永山勉4，天野浩2,3,5,6 (1.名大院工，2.名大未来材料・システム研，3.NIMS，4.日新イオン機器株式会社，5.名大ARC，6.名大VBL)
IA-13 メタルマスクを用いたPCVM (Plasma Chemical Vaporization Machining) による2インチSiC基板のダ
イシング加工Dicing of SiC wafer by PCVM with a metal mask
▲向井莉紗, 井上裕貴, 中西悠真, 松山智至, 山内和人, 佐野泰久(大阪大学大学院工学研究科)
IA-14 積層欠陥が成長したSiC-MOSFETの動的信頼性評価
Switching Reliability of SiC-MOSFETs Containing Expanded Stacking Faults▲藤田隆誠, 谷和樹, 小西くみこ, 島明生(株式会社日立製作所)
IA-15 4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察
Insight into channel conduction mechanism based on temperature dependence of free channel
electron density in 4H-SiC(0001) MOSFET▲武田紘典1，染谷満2，細井卓治1，志村考功1，矢野裕司3，渡部平司1(1.大阪大学大学院工学研究科, 2.産業技術総合研究所, 3.筑波大学大学院数理物質科学研究科)
IA-16 SiC MOSFETのゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価
Estimation of interface-state-density distribution of SiC MOS structures near the conduction
band edge extracted from gate characteristics of MOSFETs▲伊藤滉二, 小林拓真, 堀田昌宏, 須田淳, 木本恒暢(京都大学)
IA-17 Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effectmeasurements▲周星炎1，岡本大1，畠山哲夫2，染谷満2，原田信介2，岡本光央2，張旭芳1，岩室憲幸1，
矢野裕司1(1.筑波大学, 2.産業技術総合研究所)
IA-18 SiC MOSFETにおける高密度界面準位がロールオフ特性に及ぼす影響の解析
Influence of high density of interface states on roll-off characteristics of SiC MOSFET▲立木馨大, 小野貴央, 小林拓真, 木本恒暢(京都大学)
IA-19 pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4HSiC MOSFETs▲根本宏樹1，岡本大1，染谷満2，木内祐治2，岡本光央2，畠山哲夫2，原田信介2，岩室憲幸1，矢野裕司1(1.筑波大学，2.産業技術総合研究所)

ポスター講演
IA-20 NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面における窒素原子分布の高精度評価
Precise evaluation of N distribution near SiO2/SiC interface in NO-annealed SiC MOS structures
1

2

1

1

2

1

▲Kidist Moges ，染谷満 ，細井卓治 ，志村考功 ，原田信介 ，渡部平司 (1.大阪大学, 2.産業技術総合研究所)
IA-21 熱酸化により4H-SiC（0001）表面に誘起される格子歪みの原因に関する動力学的な考察
Consideration on Possible Origins of Thermal-oxidation-induced Lattice Distortion at the Surfaceof 4H-SiC (0001) through its Kinetic Study▲Adhi Dwi Hatmanto, Koji Kita(The University of Tokyo)
IA-22 高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型 p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製
Fabrication of normally-off p- and n-JFETs on a SiC common substrate for high-temperature IC
operation▲中島誠志，金子光顕，木本恒暢(京都大学)
IA-23 SiC pnダイオードの電流-電圧特性より導出した表面再結合速度
Derivation of surface recombination velocity from current-voltage characteristics in SiC p-n
diodes▲浅田聡志, 須田淳, 木本恒暢(京都大学)
IA-24 表面電位に基づくSiC MOSFETのデバイスモデル作成と高周波スイッチング回路への応用
Modeling of SiC MOSFET based on Surface Potential for High Switching Frequency Circuits▲前田凌佑，奥田貴史，引原隆士(京都大学大学院工学研究科)
IA-25 高いドーピング密度を有する4H-SiC pnダイオードの逆方向特性の解析
Analysis of reverse characteristics of highly-doped 4H-SiC p-n junction diodes▲Xilun Chi, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto(京都大学)
IA-26 GaN基板上横型MISFETにおける移動度の面方位依存性
The plane orientation dependence of mobility in lateral MISFET fabricated on GaN substrate.
▲安藤悠人1, 中村徹2, 出来真斗2, 田中敦之2,3, 宇佐美茂佳1, Ousmane 1 Barry1,久志本真希1, 新田州吾2, 本田善央2, 天野浩2,3,4,5 (1.名大院工, 2.名大未来材料・システム研究所, 3.物質・材料研究機構，4.名大赤﨑記念研究センター, 5.名大VBL)
IA-27 耐放射線用4H-SiC横型JFETのしきい値制御
Precise control of threshold voltage of 4H-SiC lateral JFET for radiation hardened uses
1,2

1

3

4

4

4

▲清水奎吾 , 田中保宣 , 黒木伸一郎 , 牧野高紘 , 武山昭憲 , 大島武 (1.産業技術総合研究所,
2.山梨大学, 3.広島大学, 4.量子科学技術研究開発機構)

ポスター講演[IB]（11/6後半 16：25～17：40）
IB-1 ガス成長法によるφ4インチ4H-SiC結晶の高速成長
High-Speed Growth of φ4 inch 4H-SiC Crystals by High-Temperature Gas Source Method
1

1

1

1

2

2

2

○徳田雄一郎 ，久野裕也 ，上東秀幸 ，大矢信之 ，星乃紀博 ，鎌田功穂 ，土田秀一 (1.株式会社デンソー，2.一般財団法人電力中央研究所)
IB-2

溶液法C面4度オフTSD変換層の昇華再結晶法への適用による低TSDバルク成長
Application of TSD conversion layer by solution growth for reduction of TSDs in 4H-SiC bulk
crystals by PVT growth○小松直佳1，三谷武志1，林雄一郎1，周防裕政1,2，加藤智久1，奥村元1(1.産業技術総合研究所,
2.昭和電工株式会社)

IB-3

多層TaCコート黒鉛材によるバルク・エピ成長用耐高温・耐腐食性部材の多機能化：表面粗さ・多孔率制御されたエピ成長サセプタ・GaNバルク結晶成長用部材
Multi-functional reactor components of multi-layer TaC-coated graphite: surface-roughnesscontrolled susceptors for epitaxial growth and porosity-controlled components for GaN bulk
growth○中村大輔，木村大至，重藤啓輔，鈴村彰敏(株式会社豊田中央研究所)

IB-4

Si溶媒を用いたp型4H-SiCの溶液成長技術開発
Development of solution growth technique for p-type 4H-SiC bulk crystals with Si solvent○三谷武志，小松直佳，林雄一郎，加藤智久，奥村元(産業技術総合研究所)

IB-5

高濃度窒素ドープエピタキシャル層で変換された基底面転位の観察
Observation of basal plane dislocations converted in highly N-doped 4H-epilayers○西原禎孝，亀井宏二，百瀬賢治，大澤弘(昭和電工株式会社)

IB-6

On-axis SiCにおける3C/4H界面での欠陥構造
Defect structure at 3C/4H-interface in On-axis SiC○石地耕太朗(九州シンクロトロン光研究センター)

IB-7

4H-SiC PiNダイオードプロセス中に形成された界面転位および順方向通電によるシングルショック
レー型積層欠陥拡大起点の構造解析
Structural analysis of interfacial dislocations by fabrication process of 4H-SiC p-i-n diodes andorigin of expanded single Shockley-type stacking faults by forward-current operation
1,2

1,3

4

4

1

1

1

1

○林将平 , 山下任 , 宮里真樹 , 宮島將昭 , 先崎純寿 , 加藤智久 , 米澤喜幸 , 児島一聡 , 奥
村元1(1.産業技術総合研究所，2.株式会社東レリサーチセンター，3.昭和電工株式会社，4.富士電機
株式会社)
IB-8

Single Shockley 型積層欠陥形成を伴う積層欠陥複合体の構造解析
Structure analysis of a stacking fault complex with formation of a single Shockley-type stacking
fault in 4H-SiC epitaxial wafers
1,2

1,3

1,2

1,2

1

1

1

1

○山下任 ，林将平 ，百瀬賢治 ，大澤弘 ，先崎純寿 ，児島一聡 ，加藤智久 ，奥村元 (1.産業技術総合研究所，2.昭和電工株式会社，3.株式会社東レリサーチセンター)
IB-9

ミラー電子式検査装置を用いた4H-SiCバルクウェハ品質非破壊検査技術
Non-destructive inspection technique of 4H-SiC bulk wafer quality by using mirror electron
microscope-based inspection system○長谷川正樹1，大平健太郎1，兼岡則次1，小貫勝則1，小林健二1，小山内努2，升本恵子2，
先崎純寿2(1.日立ハイテクノロジーズ，2.産業技術総合研究所)

ポスター講演
IB-10 ミラー電子式検査装置を用いたSiCエピタキシャル膜のデバイスキラー欠陥の検出
Detection of device-killer defects in SiC epitaxial layers by using mirror electron inspection
system○升本恵子1，先崎純寿1，長谷川正樹2，大平健太郎2，児島一聡1，小林健二2，奥村元1(1.産業技術総合研究所, 2.日立ハイテクノロジーズ)
IB-11 高窒素濃度4H-SiC結晶におけるナノインデンテーションダメージを起因としたダブルショックレー型
積層欠陥の評価
Evaluation of double Shockley stacking faults originated from nano-indentation damage inheavily nitrogen-doped 4H-SiC crystal
1,2
1,3
1
4
1
4
1
○杉山尚宏 ，周防裕政 ，三谷武志 ，鎌田功穂 ，加藤智久 ，土田秀一 ，奥村元 (1.産業技術総合研究所, 2.株式会社デンソー, 3.昭和電工株式会社, 4.電力中央研究所)

IB-12 ミラー電子顕微鏡による基板およびエピタキシャル膜表面の観察
Monitoring of Substrate and Epilayer Surfaces by Mirror Projection Electron Microscope○鎌田功穂1，大平健太郎2，小林健二2，長谷川正樹2，宮田充康2，野口直人3，高見信一郎3，土田秀
1
一 (1.一般財団法人電力中央研究所，2.日立ハイテクノロジーズ，3.フジミインコーポレーテッド)
IB-13 Direct Determination of Physical Crystallography of Threading Dislocations in 4H-SiC Using
Large Angle Convergent Beam Electron Diffraction○Hadorn Jason Paul，田沼良平，鎌田功穂，土田秀一(電力中央研究所)
IB-14 表面自由エネルギーの面方位依存性を考慮した4H-SiCトレンチ埋込シミュレーション
Inclusion of an orientation-dependent surface free energy in topography simulation of 4H-SiCchemical-vapor-deposition trench filling○望月和浩, 紀世陽, 小杉亮治, 米澤喜幸, 奥村元(産業技術総合研究所)
IB-15 ClF3ガスを利用したSiCクリーニングにおける反応熱の影響
Influence of Reaction Heat for SiC Epitaxial Reactor Cleaning Using ClF3 Gas
1

1

2

2

3

○倉島圭祐 , 羽深等 , 伊藤英樹 , 三谷慎一 , 高橋至直 (1.横国大院工, 2.ニューフレアテクノロ
ジー, 3.関東電化工業)
IB-16 三フッ化塩素を用いたSiCエピリアクタクリーニングにおける酸化イットリウム膜による石英ガラス
保護効果
Quartz surface coating by Y2O3 film for SiC epitaxial reactor cleaning using ClF3 gas
1

2

1

1

1

1

○川﨑稜平 , 梅津康浩 , 倉島圭祐 , 塩田耕平 , 廣岡亜純 , 羽深等 (1.横浜国立大学, 2.テクノク
オーツ)
IB-17 低濃度4H-SiC半導体におけるAlイオン注入の活性化による影響
Impact of activation anneal of implanted Al in 4H-SiC substrate at low concentrations○木内祐治1，小山皓洋1，水島智教1,2，松永慎一郎1,2，米澤喜幸1，奥村元1(1.産業技術総合研究所,
2.富士電機株式会社)
IB-18 遊離砥粒を用いた極細線ワイヤーでの高線速切断の可能性
Capability of high speed wire for ultra-fine slicing with free abrasive○植村奈保樹1,2，米田竜也2，加藤智久1，奥村元1(1.産業技術総合研究所，2.タカトリ)
IB-19 炭化珪素エッチング条件における三フッ化塩素ガスに対するAlNの腐食性
Corrosion resistance of AlN to chlorine trifluoride gas for SiC etching○春口瞳夕1，川崎稜平1，羽深等1，高橋至直2(1.横国大院工，2.関東電化)

ポスター講演
IB-20 溶液成長基板上に作製したMOSキャパシタのTDDB寿命評価
Time Dependent Dielectric Breakdown lifetime of MOS capacitors fabricated on SiC substrategrown by solution method○川畑直之1，古庄智明1，渡辺友勝1，渡邊寛1，三浦成久1，加渡幹尚2，旦野克典2，関章憲2，斎藤広
2明 (1.三菱電機株式会社先端技術総合研究所，2.トヨタ自動車株式会社)
IB-21 ホッピング伝導を含む極低温ID-VG特性から評価したSiO2/SiC界面準位とチャネル移動度
SiO2/SiC interface states and channel mobility evaluated from cryogenic ID-VG characteristics
including hopping conduction○吉岡裕典1，平田和人2(1.産業技術総合研究所, 2.物質・材料研究機構)
IB-22 SiO2中における炭素関連欠陥の安定性とその電子準位
Ab initio calculations on carbon related defects in SiO2
1

2

○松下雄一郎 ，押山淳 (1.東京工業大学, 2.名古屋大学)
IB-23 パラメータ推定を用いたNear Interface Trap分布の同定
Identification of Near Interface Trap Distribution by Parameter Estimation○山下侑佑(豊田中央研究所)
IB-24 ピット状欠陥がPlanar-MOSFETの初期特性に与える影響
Impact of Pit Defects on the Initial Electrical Characteristics of Planar-MOSFET Devices○郭玲，亀井宏二，百瀬賢治，大澤弘(昭和電工株式会社)
IB-25 4H-SiC p-i-n diodeにおける積層欠陥の拡張開始に温度・電流密度が及ぼす影響
Initiation of Shockley stacking fault expansion in 4H-SiC p-i-n diodes○岡田葵1，太田千春1，西尾譲司1，牛流章弘1，飯島良介1，中山浩二2，加藤智久2，米澤喜幸2，奥村
元2(1.株式会社東芝 研究開発センター，2.産総研)
IB-26 SiCトレンチMOSFETデバイス製造における高温イオン注入プロセスのドレイン電流リークに対する影響の検証
Investigation of the Influence of High Temperature Ion Implantation Process on Drain-Source
Current Leakage in SiC Trench MOSFET Device Fabrication.
1,2

1

2

2

2

3

1

1

○川本一成 ，小林勇介 , 藤原健典 ，岡沢徹 ，早坂惇 ，大瀬直之 ，原田信介 ，奥村元 (1.産業技術総合研究所, 2.東レ株式会社, 3.富士電機株式会社)
IB-27 SiC-MOSFETの高温動作特性に与える界面準位密度の影響
Impact of Interface Trap Density of SiC-MOSFET in High-Temperature Environment○佐藤慎太郎，増永昌弘，毛利友紀，杉井信之，島明生(株式会社日立製作所 研究開発グループ)
IB-28 四元混晶AlGaInNバリア層を有するAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
Device characteristics of AlGaN-channel HFETs with quaternary AlGaInN barrier layers○細見大樹1，古岡啓太1，Chen Heng1，久保俊晴1,2，江川孝志1,2，三好実人1,2(1.名古屋工業大学 極微デバイス次世代材料研究センター，2.名古屋工業大学 窒化物半導体マルチビジネス創生センター)
IB-29 キャリア注入制御を用いた27.5kV 4H-SiC PiNダイオード
27.5 kV 4H-SiC PiN Diode with Carrier Injection Control○中山浩二1，水島智教1,2，竹中研介1,2，小山皓洋1，木内祐治1,3，松永慎一郎1,2，藤澤広幸1,2，畠山
哲夫1，武井学1,2，米澤喜幸1，木本恒暢4，奥村元1(1.産業技術総合研究所，2.富士電機株式会社，3.
新日本無線株式会社，4.京都大学)
IB-30 トランスファーモールド起立端子ハーフブリッジSiCパワーモジュール
Transfer-molded SiC Half-Bridge Power Module having Upstanding Terminal Connection○谷本智1,3, 山下真理1, 児嶋伸夫1, 鈴木達広1, 荒木祥和1, 佐藤伸二2, 赤津観3(1.日産アーク,
2.産業技術総合研究所, 3.芝浦工業大学)

ポスター講演[IIA]（11/7前半 13：30～14：45）
IIA-1 ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長での転位発生
Dislocations generation in homoepitaxial diamond film growth1
1
2
松山悠夏 , 鹿田真一 , ○寺地徳之 (1.関西学院大学, 2.物質・材料研究機構)
IIA-2

SiC溶液成長層／基板界面のTEM観察
TEM observation of the interface between grown layer and substrate in SiC solution growth○高橋惇郎1, 川口浩太郎2, 上山友幸1, 亀井一人1, 楠一彦2(1.日鉄住金テクノロジー株式会社，
2.東北大学大学院)

IIA-3

4H-SiC基板上n型厚膜エピタキシャル成長の検討
Growth of n-type 4H-SiC Thick Epilayers○宮坂晶1,2，櫛部光弘3，児島一聡1，百瀬賢治2，大澤弘2，奥村元1(1.産業技術総合研究所，2.昭和
電工株式会社，3.株式会社東芝)

IIA-4

ガス法によるp型4H-SiCの高速結晶成長
Fast Crystal Growth of p-type 4H-SiC by Gas Source Method○星乃紀博1, 鎌田功穂1, 杉山尚宏2,3, 徳田雄一郎3, 神田貴裕3, 土田秀一1(1.電力中央研究所,
2. 産業技術総合研究所, 3.株式会社デンソー)

IIA-5

高温でイオン注入されたGaN基板の欠陥評価
Damage characterization of GaN substrate with hot implant process○前川順子1, 川野輪仁1, 青木正彦1, 高廣克己2, 一色俊之2(1.株式会社イオンテクノセンター,
2.京都工芸繊維大学)

IIA-6

4H-SiC厚膜エピにおけるライフタイム深さ分布の測定
Depth distribution of lifetime measurements in 4H-SiC thick epitaxial layers○平山貴史1, 櫛部光弘2, 宮坂晶3,4, 児島一聡4, 加藤智久4, 奥村元4, 加藤正史1(1.名工大, 2.株式会社東芝, 3.昭和電工株式会社, 4.産業技術総合研究所)

IIA-7

4H-SiCウェハ表面におけるライフタイムの二次元マッピング
Lifetime two-dimensional mapping on 4H-SiC wafer surface○長屋圭祐, 平山貴史, 加藤正史(名古屋工業大学)

IIA-8

AFMを用いた極微小除去加工によるSiC単結晶の潜傷発生限界荷重の調査
Investigation of the latent scratch occurrence limit load of the SiC single crystal by the minimal
small removal processing using AFM○河田研治，平野真也，着本享，加藤智久，奥村元(産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニク
ス研究センター)

IIA-9

キャリアライフタイム測定によるGaN基板上n型およびp型エピ層の比較
Comparison of n-type and p-type epitaxial layers on GaN substrate by carrier lifetime
measurement○(M1)朱帥1,(M2)浅田貴斗1,伊藤健治2,冨田一義2,成田哲生2,加地徹3,加藤正史1,3(1.名古屋工業大学,
2.豊田中央研究所,3.名古屋大学)

IIA-10 プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定
Optically Detected Magnetic Resonance Measurements of Silicon Vacancy Created in SiC pn
Diode by Proton Beam Writing○千葉陽史1,2，山﨑雄一2，牧野高紘2，佐藤真一郎2，山田尚人2，佐藤隆博2，加田渉3，児島一聡4，
土方泰斗1，大島武2(1.埼大院理工，2.量研，3.群馬大理工，4.産総研)

ポスター講演
IIA-11 ウェハ研削起因ダメージ層の歪み分布および欠陥解析（その３）Characterization of grinding-induced defect structure and strain distribution in SiC wafer by
combining TEM and EBSD-Wilkinson techniques○着本享1,2, 升本恵子1, 瀬川悟志1,3, 先崎純寿1, 加藤智久1, 児島一聡1, 奥村元1(1.産業技術総合研究所, 2.JFEテクノリサーチ株式会社, 3.旭ダイヤモンド工業株式会社)
IIA-12 第一原理計算による4H-SiC中のC欠陥の安定構造の同定
Stable Configurations of C-Related Defects in 4H-SiC Predicted by First-Principles Calculations○小林拓真1, 原田航1, 熊谷悠2, 大場史康1, 松下雄一郎1(1.東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所, 2.東京工業大学元素戦略研究センター)
IIA-13 ALD装置を用いたSiO2/SiC界面へのB導入
Introduction of B to SiO2/SiC interface using ALD system
吉岡裕典(産業技術総合研究所)
IIA-14 レーザーアニールによるSiCデバイスのオーミック電極の形成成（第2報）－－Ni-Pめっき膜による裏面電極の形

Formation of ohmic electrode of SiC device by Laser anneal －Formation of back side electrodewith Ni-P plating film (2nd report)－○河合潤, 杉浦和彦(株式会社デンソー先端技術研究所)
IIA-15 4H-SiCウェハにおける研削加工性およびダメージ層形成の極性面依存性
Dependence of surface polarity on machinability and damage formation in 4H-SiC wafer
grinding
1,2

1,3

1

1,4

2

1

1

○瀬川悟志 , 着本享 , 升本恵子 , 周防裕政 , 伊勢立彦 , 加藤智久 , 奥村元 (1.産業技術総合研究所 2.旭ダイヤモンド工業株式会社 3.JFEテクノリサーチ 4.昭和電工株式会社)
IIA-16 SiC-CMPの高品位化に向けたCMP面質評価
Evaluation of surface quality for high-quality SiC-CMP process○平野真也1,2, 山田敬一1,3, 着本享1,4, 宮坂晶1,5, 小山内努1, 升本恵子1, 先崎純寿1, 河田研治1,
児島一聡1, 加藤智久1, 奥村元1(1.国立研究開発法人 産業技術総合研究所,2.株式会社フジミイン
コーポレーテッド, 3.株式会社東レリサーチセンター,4.JFEテクノリサーチ株式会社, 5.昭和電工株
式会社)
IIA-17 Si雰囲気アニールを用いた活性化アニールプロセスにおけるSiCウェハ表面荒れの抑制
Suppression of Surface Roughness in Activation Annealing Process Using Si-Vapor ambient
Anneal○矢吹紀人1，須藤悠介1，神野明香1，鳥見聡1，野上暁1，北畠真1，金子忠昭2(1.東洋炭素株式会社
東洋炭素生産技術センター, 2.関西学院大学理工学部)
IIA-18 平均表面粗さ増加による3C-SiC光電極の性能向上
Performance improvement of 3C-SiC photoelectrodes by increasing average roughness○安部友裕, 加藤正史(名古屋工業大学)
IIA-19 4H-SiC(000-1)MOSFETにおける過渡Vthシフトと界面準位正孔トラップ速度
Transient threshold voltage shift and hole trapping speed of interface traps in 4H-SiC (000-1)
MOSFET1

1

1

2○熊谷直樹 ,大西泰彦 ,木村浩 ,武井学 (1.富士電機株式会社, 2.産業技術研究所)

ポスター講演
IIA-20 GaN導電型がSiO2/GaN構造のGaOx界面層形成に及ぼす影響
Influence of GaN Conduction Type on Formation of GaOx Interlayer in SiO2/GaN Structure
1

1

1

2

2

2

3

1

○山田高寛 , 寺島大貴 , 野崎幹人 , 山田永 , 高橋言諸 , 清水三聡 , 吉越章隆 , 細井卓治 , 志村考功1, 渡部平司1(1.大阪大学, 2.産業技術総合研究所, 3.原子力研究開発機構)
IIA-21 4H-SiC a面およびm面上の窒化n-MOSチャネルにおける Hall効果移動度の温度依存性とそれに基づく
キャリア散乱機構に対する考察
Temperature dependence of Hall-effect mobility in 4H-SiC n-MOS channels on nitrided a- and mfaces and consideration on the carrier scattering mechanisms○平井悠久，畠山哲夫，染谷満，岡本光央，原田信介，奥村元(産総研先進パワエレ)
IIA-22 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因
Scattering Origins of Inversion Channel Electron on 4H-SiC MOSFET Investigated by Ultralow
Net Concentration P-type Epitaxial Wafers
1

2

1

1

1

3

2

2

○染谷満 , 細井卓治 , 平井悠久 , 畠山哲夫 , 原田信介 , 矢野裕司 , 志村考功 , 渡部平司 , 米澤喜幸1, 奥村元1(1.産総研先進パワエレ, 2.阪大院工, 3.筑波大数理)
IIA-23 SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
The Effect of Crystal Faces on the mobility and the Trap Density in SiO2/ SiC Interfaces
1

1

1

2

1

2

1

1

○畠山哲夫 ,*，増田健良 ，染谷満 ，岡本大 ，原田信介 ，矢野裕司 ，米澤喜幸 ,奥村元 (1.産総研，2.筑波大学,*現所属 富山県立大学)
IIA-24 n型Si面4H-SiC MOSFETの閾値電圧とHall移動度の温度特性
Temperature dependence of threshold voltage and Hall mobility of Si-face 4H-SiC MOSFET○本田達也，矢野裕司(筑波大学)
IIA-25 エッチピット形成によるダイオード漏れ電流欠陥の検出
Detection of leakage-current-inducing defects of diamond diodes
嶋岡毅紘, 市川公善，渡邊賢司, 小泉聡, ○寺地徳之(物質・材料研究機構)
IIA-26 VF劣化現象に対する擬フェルミ準位/ホール密度の関連性解析
Analysis of relationship between quasi Fermi level and hole density for VF degradation○太田千春1，岡田葵1，西尾譲司1，清水達雄1，飯島良介1，加藤智久2，米澤喜幸2，奥村元2(1.株式会社東芝, 2.産業技術総合研究所)
IIA-27 4H-SiC-PiNダイオードの積層欠陥拡張に対する機械的応力の影響評価
Evaluation of mechanical stress effect for stacking fault expansion in 4H-SiC p-i-n diode○牛流章弘1，加納明1，加藤光章1，太田千春1，岡田葵1，西尾譲司1，泉聡志2，廣畑賢治1(1.株式会社東芝，2.東京大学)
IIA-28 SiC-MOSFETのパワーサイクル試験における各種ジャンクション温度測定方法の比較
Comparison study of Tj measurement method during power cycling test of SiC-MOSFETs○鈴木達広1，山下真理1，児嶋伸夫1，谷本智1，赤津観2(1.日産アーク，2.芝浦工業大学)
IIA-29 熱硬化エポキシ封止樹脂の電極密着信頼性に与える電極表面金属の影響
Effect of surface finish metal on electrode attachment reliability for thermoset EMC
1

1

1

1

1,2

2

○山下真理 , 児嶋伸夫 , 鈴木達広 , 荒木祥和 , 谷本智 , 赤津観 (1.日産アーク・デバイス解析
部・パワーエレクトロニクス解析室, 2.芝浦工大・SIT総研)
IIA-30 a面およびm面4H-SiC MOSFETにおける単一光子源の探索
Exploring Shingle Photon Sources on a-face and m-face 4H-SiC MOSFETs○阿部裕太1,2, 梅田享英1, 岡本光央3, 原田信介3, 佐藤真一郎2, 山﨑雄一2, 大島武2(1.筑波大数物, 2.量研機構, 3.産総研先進パワエレ)

ポスター講演[IIB]（11/7後半 14：45～16：00）
IIB-1 SiAl溶媒を用いた上向き成長によるボイドの無いp型4H-SiC溶液成長
Development of p-type 4H-SiC solution growth with SiAl solvent preventing voids formation by
upward growth○林雄一郎，三谷武志，小松直佳，加藤智久，奥村元(産業技術総合研究所)
IIB-2

MOVPE成長による高濃度Mg添加GaNの正孔濃度減少とピラミッド欠陥の関係
Relation between hole reduction and pyramidal defects in highly Mg-doped GaN grown by
MOVPE
1

1

2

1

2

○冨田一義 ，成田哲生 ，五十嵐信行 ，片岡恵太 ，加地徹 (1.株式会社豊田中央研究所，2.名古屋
大学)
IIB-3

昇華法成長用SiC原料のブレーン比表面積と昇華速度との関係
Relationship between the Sublimation Rate of SiC Powders and Their Blaine Air Permeability○江藤数馬1，一坪幸輝2，野中潔2，加藤智久1，増田賢太2，奥村元1(1.産総研 先進パワーエレクト
ロニクス研究センター，2.太平洋セメント株式会社)

IIB-4

昇華法によるAlドープp型4H-SiC結晶成長および作製したウェハ品質評価
Crystal growth and Characterization of Al-doped p-type 4H-SiC grown by PVT○江藤数馬1, 周防裕政1,2, 加藤智久1, 奥村元1(1.産総研 先進パワーエレクトロニクス研究セン
ター, 2.昭和電工株式会社)

IIB-5

プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究
Investigation of the degradation factor for optical properties of silicon vacancy introduced byproton beam writing○山﨑雄一1, 千葉陽史1,2, 牧野高紘1, 佐藤真一郎1, 山田尚人1, 佐藤隆博1, 加田渉3, 土方泰斗2,
児島一聡4, S.-Y.Lee5, 大島武1(1.量研, 2.埼大院理工, 3.群馬大理工, 4.産総研, 5.韓国科学技術
研究院(KIST))

IIB-6

チャネリングRBSによるSiC格子位置不純物の定量評価
Quantitative analysis of substitutional impurities in SiC by channeling RBS○須山篤志, 川野輪仁(株式会社イオンテクノセンター)

IIB-7

オペランドX線トポグラフィー法を用いた動作中SiC MOSFET内における積層欠陥拡張の観察
Operando X-ray topography method in 4H-SiC MOSFETs to investigate stacking fault expansion○小西くみこ，藤田隆誠，米山明男，島明生(株式会社日立製作所 研究開発グループ)

IIB-8

走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた4H-SiC p/n接合界面における空間分解能の考察
Investigation of spatial resolution at p/n junction interface using SNDM measurement○山田敬一, 先崎純寿, 小杉亮治, 児島一聡, 奥村元(産業技術総合研究所)

IIB-9

Cイオン注入エンハンスメントを行った4H-SiCエピタキシャル膜のキャリアライフタイムの温度依存性

Temperature dependence of carrier lifetime in 4H-SiC epitaxial layers enhanced by C Ion
implantation
1
1
2,3
1
1
2
2
2
櫛部光弘 ，西尾譲司 ，宮坂晶 ，太田千春 ，飯島良介 ，○児島一聡 ，加藤智久 ，奥村元 (1.株式会社東芝 研究開発センター，2.産業技術研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター，3.昭和
電工株式会社)

IIB-10 XRTによるダイヤモンドp+ HPHT 結晶中の転位と積層欠陥
Dislocation and stacking fault in diamond p+ HPHT crystal by XRT○明石直也, 鹿田 真一(関西学院大学)

ポスター講演
IIB-11 4H-SiC極性面及び非極性面における表面再結合速度の解析
Analysis on Surface recombination velocity for the polar face and non-polar face of 4H-SiC○Zhang Xinchi，加藤正史，小濱公洋，市村正也(名古屋工業大学)
IIB-12 PVT法AlN単結晶基板の転位検出と分類
Revelation and classification of dislocations in PVT-grown AlN single crystal substrate
1

1

1

2

2

2

3

4

○姚永昭 ，菅原義弘 ，石川由加里 ，岡田成仁 ，井本良 ，只友一行 ，高橋由美子 ，平野馨一(1.ファインセラミックスセンター, 2.山口大学, 3.日本大学, 4.高エネルギー加速器研究機構)
IIB-13 Si蒸気圧エッチング平坦化処理後の4H-SiC基板表面において確認されるBPD→TED変換
BPD→TED conversion on the surface of 4H-SiC substrate after flatting process by Si Vapor
Etching
1

1

1

1

1

1

2

○須藤悠介 , 坂口卓也 , 矢吹紀人 , 鳥見聡 , 野上暁 , 北畠真 , 金子忠昭 (1.東洋炭素株式会社,
2.関西学院大学)
IIB-14 三フッ化塩素ガスによる4H-SiCウェハエッチング分布の均一化
Etching rate uniformity improvement over 4H-SiC wafer using ClF3 gas
1

1

1

1

1

2

3

○入倉健太 , 川崎稜平 , 奥山将吾 , 倉島圭祐 , 羽深等 , 高橋至直 , 加藤智久 (1.横国大院工，2.関東電化工業，3.産総研)
IIB-15 放射光光電子分光法によるGaN及びAlGaN上のGaOx層の熱脱離過程の比較
Comparative study of thermal decomposition of thin Ga oxide layer on GaN and AlGaN surfaces○野崎幹人1, 寺島大貴1, 山田高寛1, 吉越章隆2, 細井卓治1, 志村考功1, 渡部平司1(1.大阪大学大学
院工学研究科，2.日本原子力研究開発機構)
IIB-16 4H-SiCトレンチの側壁におけるファセット面方位の考察
A survey on the crystallographic plane of sidewall facet in 4H-SiC trench filling○紀世陽，小杉亮治，児島一聡，足立亘平，河田泰之，望月和浩，米澤喜幸，吉田貞史，奥村元(産業技術総合研究所)
IIB-17 Dual-beam TOF-SIMSを用いたSiO2/SiC界面のデプスプロファイル測定における深さ分解能の最適化
Optimization of depth resolution on profiling of SiO2/SiC interface by dual-beam TOF-SIMS
combined with etching○鮫島純一郎，武中彩，村司雄一，小川慎吾，吉川正信(株式会社東レリサーチセンター)
IIB-18 レーザードーピング法による4H-SiC低抵抗コンタクトの形成とレーザー照射損傷のパルス幅依存性
Low-contact resistance formation of 4H-SiC by laser doping and pulse width dependence on
laser irradiation damages
1,2

1,2

3

1

1

1,2

○菊地俊文 ，妹川要 ，池田晃裕 ，中村大輔 ，浅野種正 ，池上浩 (1.九州大学 システム情報科学研究院，2.九州大学 ギガフォトンNext GLP共同研究部門，3.崇城大学)
IIB-19 4H-SiC MOS 反転層における電子移動度の理論的検討
Theoretical Investigation of Electron Mobility in 4H-SiC MOS Inversion Layers○田中一, 森伸也(大阪大学)
IIB-20 4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性を引き起こす酸化膜トラップの空間分布
Spatial distribution of oxide traps causing threshold voltage instability for 4H-SiC MOSFETs○岡本光央1，染谷満1，原田信介1，矢野裕司2，奥村元1(1.産総研，2.筑波大学)
IIB-21 SiC上酸化膜の電気的ストレス耐性へのNOアニール効果
The Effect of NO Annealing on Electrical Stress Tolerance of SiO2 on SiC○吉川元気，蓮沼隆(筑波大学大学院数理物質科学研究科)

ポスター講演
IIB-22 酸化膜形成後のBa導入による表面荒れ抑制と電界効果移動度向上の両立
Coexistence of small surface roughness and high field effect mobility by introduction of Ba
following gate oxide formation.
○芹澤直也1，岡本光央2，蓮沼隆1，原田信介2，奥村元2(1.筑波大学大学院数理物質科学研究科,
2.産業技術総合研究所)
IIB-23 4H-SiC (0001)熱酸化膜の赤外スペクトルに対する曲率誘起応力と信頼性への影響
Influence on curvature induced stress to the infrared spectra and the reliability of 4H-SiC (0001)
thermally grown SiO2 Gate Oxide○許恒宇，万彩萍，王世海(中国科学院微電子研究所)
IIB-24 SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性
Oxide thickness dependence of single photon sources formed at the surface of SiC○常見大貴1,2，佐藤真一郎2，山﨑雄一2，牧野高紘2，土方泰斗1，大島武2(1.埼大院理工,2.量研)
IIB-25 タンデム構造でTiO2とSiCを用いて水分解による水素生成
Hydrogen generation by water Splitting using TiO2 and SiC in tandem structure○LIU Zhenhang, Masashi Kato(Nagoya Institute of Technology)
IIB-26 パワーデバイスの宇宙線起因中性子バーンアウトの温度依存信頼性評価
Temperature Dependence of Terrestrial Neutron-Induced Single-Event Burnout○浅井弘彰，緑川正彦，飯出芳弥，坂出保雄，千葉正，石丸泰央，梨山勇，大園勝博，谷幸一，横瀬保(HIREC株式会社)
IIB-27 4H-SiC JFETのガンマ線耐性評価
Evaluation of radiation hardness of 4H-SiC JFET
○武山昭憲1，清水奎吾2，牧野高紘1, 山﨑雄一1，大島武1，黒木伸一郎3，田中保宣2(1.量研，2.産総研，3.広島大学ナノデバイス)
IIB-28 SiC半導体を用いた非接触給電装置の耐放射線性評価
Evaluation of radiation resistance of wireless power supply using SiC semiconductors○赤川拓1，川原藤樹1，金子裕良1，武山昭憲2，大島武2，土方泰斗1(1.埼玉大院，2.量研)
IIB-29 β型酸化ガリウムトレンチMOS型ショットキーバリアーダイオードの高速逆回復特性
Fast Recovery Performance of β-Ga2O3 Trench MOS-type Schottky Barrier Diodes
1
1
1,2
1
1,2
3
○高塚章夫 ，佐々木公平 ，脇本大樹 ，ティユ クァン トゥ ，小石川結樹 ，有馬潤 ，井ノ口大輔3，平林潤3，福光由章3，倉又朗人1，山腰茂伸1,2(1.ノベルクリスタルテクノロジー，2.タムラ製作
所，3.TDK)

インダストリアルセッション
11月6日(火) 13:40～15:00 テルサホール【発表時間：1社 3分30秒】[第1部

13:40～14:15]

IS-1

株式会社東レリサーチセンター

IS-2

神津精機株式会社

IS-3

株式会社日産アーク

IS-4

巴工業株式会社

IS-5

株式会社 ニューメタルス エンド ケミカルス コーポレーション

IS-6

ナノサイエンス株式会社

IS-7

株式会社シルバコ・ジャパン

IS-8

株式会社リガク

IS-9

六甲電子株式会社

IS-10

株式会社 住化分析センター(休憩

14:15～14:20)[第2部

14:20～15:00]

IS-11

STR Japan 株式会社IS-12

ケーエルエー・テンコール株式会社

IS-13

丸文株式会社

IS-14

セラミックフォーラム株式会社

IS-15

株式会社日立ハイテクノロジーズ

IS-16

株式会社ニデック

IS-17

日本シノプシス合同会社

IS-18

レーザーテック株式会社

IS-19

大陽日酸株式会社

IS-20

株式会社カノマックスコーポレーション

IS-21

東機通商株式会社