TRIAC(Through Hole / Isolated)

TMG5D80F( Sensitive Gate)

Triac TMG5D80F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
3.2±0.3

TO-220F
10.5±0.3

4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, MicroWave Ovens, Hair Dryers, other control applications● Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other controlapplications●39.7±0.3

16.0±0.3

1φ3.2±0.2

2.6±0.2

Features21.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

0.60±0.15
1.1±0.2

1 T1
2 T2
3 Gate0.6±0.15

IT(RMS)=5A● High Surge Current● Low Voltage Drop
● Lead-Free Package●

13

2.54±0.25
5.08±0.5

Identifying Code：T5D8F■Maximum Ratings
SymbolVDRM
IT（RMS）
ITSM
I2t
PGM
PG（AV）IGM
VGM
VISO
TjTstg2Unit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I2t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
MassReference
Tc＝100℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive

A.C. 1minuteRatings
800
550/55
12.6
30.3
2
10
1500
−40〜＋125−40〜＋150
2Unit
VA
A
A2SW
W
A
V
V℃℃g

■Electrical Characteristics
Symbol

Item

IDRM
VTM＋
I GT1−I GT1＋I GT3−I GT3＋V GT1−V GT1＋V GT3−V GT3
VGD

Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
12Gate Trigger Current
3412Gate Trigger Voltage
34Non-Trigger Gate Voltage〔dv/dt〕c

Critical Rate of Rise of Off-StateVoltage at Commutation

Tj＝125℃，〔di/dt〕
c＝−2.5A/ms，VD＝400V

Holding Current
Thermal ResistanceJunction to case

IHRth     1（  ）＋Reference
VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃
IT＝7A, Inst. measurement

VD＝6V，RL＝10Ω

Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM

Ratings
Min. Typ. Max.
11.4
1010―
101.5
1.5―
1.50.2−4.0 3（ III ）＋mA
VmAV

V
V/μs

510

 2（  ）Unit 4（ III ）−mA℃/WTMG5D80F

Gate Characteristics

１００

On-State Peak Current（A）

Gate Voltage（V）

100

VGM（10V）

１０PGM（3W）

VGD（0.2V）

１０100

1000

５０２０
１０５２１

Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１２５℃

０．
５０．
２
０．
５

10000

１．
０

１．
５RMS On-State vs
Allowable Case Temperature

π０

Allowable Case Temperature（℃）

RMS On-State Current vsMaximum Power Dissipation
2πθ３６０゜

１１５θ＝６０゜

θ＝30゜１１０θ＝３０゜３

θ＝60゜

１０５２１２３４６５π０θ＝90゜θ３６０゜θ：Conduction Angle

９５０１２

Surge On-State Current（A）

Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

５０４０６０HZ
５０HZ

２０１００１２５１０２０５０１００１０４５Transient Thermal Impedance

１０.０１

０.１

Time（Cycles）

１１０

１００

１００

１５０

Time（Sec.）

IGT −Tj（Typical）

１０００

５００

５００

VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

１０００

VGT −Tj（Typical）

２００２００１００

I＋GT１（ 1＋ ）I GT１（1 ）−−５０
I−GT３（3−）

２０１０−５０３RMS On-State Current（A）

Transient Thermal Impedance（℃/W）

RMS On-State Current（A）

３０

θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜2π

θ１００１００３．
５１２０

θ＝９０゜

４

３．
０１２５

θ＝１８０゜
θ＝１５０゜
θ＝１２０゜θθ：Conduction Angle

IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）２．
５

On-State Voltage（V）

５６０２．
０

Gate Current（mA）

６

Power Dissipation（W）

IGM（2A）

I+GT1
I-GT1
I-GT3０．
１１７

PG（AV）（0.3W）

25℃

１On-State Characteristics（MAX）

０５０１００Junction Temp. Tj（℃）

１５０V−GT３（3−）

１００

V＋GT１
（ 1＋ ）
V−GT１（1−）

５０２０
１０−５００５０Junction Temp. Tj（℃）