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組織・運営体制・協力連携関係

SA

AU

NIVERSITY

BL13佐賀大学ビームラインの現状G

プロジェクト研究
文部科学省連携融合事業「シンクロトロン光を利用した佐賀県等との一体化による先導的工学的基盤研究」（H17-19年度）
文部科学省連携融合事業「広域連携融合によるシンクロトロン光を利用したバイオ･ナノ･環境イノベーション技術の研究開発」（H20-24年度）「シンクロトロン光活用の広域連携を用いた次世代イノベーション技術開発と人材育成」（H25年度-）
文部科学省先端研究施設共用イノベーション創出事業「ナノテクノロジー･ネットワーク」（H19-23年度）
九州地区ナノテクノロジー拠点ネットワーク 〜シンクロトロン放射光を用いたナノ計測・分析支援〜「超顕微科学研究拠点事業 (大阪大学、九州大学、生理学研究所、佐賀大学)」(H28-33年度(予定))など、各種競争的研究資金を活用したプロジェクト研究・研究支援を実施

佐賀大学シンクロトロン光応用研究センターは、佐賀県知事から佐賀大学長への佐賀県シンクロトロン光応用施設整備事業への支援協力要請に応えて、シンクロトロン光を利用する研究開発の促進、人材育成ならびに地域活性化などに学術的立場から支援協力するとともに、九州地域の大学や国内外の研究教育機関との連携によるシンクロトロン光応用研究および関連する研究教育活動などを行うために発足した。
これまでに、佐賀大学シンクロトロン光応用研究センターの整備、学術研究用ビームラインの共同開発、シンクロトロン光応用研究に関わる教育の充実、その他のシンクロトロン光応用研究の促進のために、九州地域の大学を中心に国内外の研究機関と協力・連携を進めてきた。

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組織・運営体制

協力連携関係о⇎⇳∑⇔∞⇭⇶⇊⇟஬૰᧏ႆ↝᪃ૼႎ২ᘐ
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シンクロトロン光活用の広域連携を用いた次世代イノベーション技術開発と人材育成

12

Photon Flux (photons/sec/300 mA)

10G1M30
1110G1M31
1010

G1M32
G2M34

910G1M33

810020

BL13 PGM
Slit 100mm
July, 2010

40 60 80 100 120 140 160
Photon Energy (eV)

BL13 PGM
Au 36K
8.0 eV (G2M34)
May 2015'Etotal22±1 meV

3.70

3.75
3.80
3.85
Kinetic Energy (eV)3.90⁆⁛‬⁅⁓⁢⁢⁚⁛⁗⁤‾⁓⁥⁗⁤‒⁅⁫⁥⁦⁗⁡⁤⁡⁕⁚⁤⁡ ⁓⁦‾⁓⁥⁗⁤

BL13ナノスケール表面界面ダイナミクスビームラインは平成14年度補正予算により建設された。本ビームラインは、
アンジュレータ光を利用するＶＬＳステーションと偏向部からのシンクロトロン光を利用するＰＧＭステーションから構成されている。平成22年12月には平面型アンジュレータ装置および同制御装置などを更新した。現在、約34〜850eVと2〜150eVのエネルギー範囲のシンクロトロン光とレーザを用いた光電子分光法、吸収、蛍光測定などを主な手法として、各種機能性物質の表面界面の電子状態分析を行うとともに、光誘起現象の解明や光機能材料の計測分析が可能となっている。

Photoemission Intensity (a.u.)

ビームライン⁦⁛⁠⁙‒‿⁡⁠⁂⁞⁓⁠⁗‒‹⁤⁓⁂⁞⁓⁠⁓⁤‟⁦⁫⁢⁗⁇⁠⁖⁧⁞⁓⁦⁡⁤

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RFMS2⁈⁓⁤⁛⁗⁖‒‾⁛⁠⁗‒⁅⁢⁓⁕⁛⁠⁙⁂⁞⁓⁠⁗‒‹⁤⁓⁦⁛⁠⁙‒‿⁡⁠⁡⁕⁚⁤⁡ ⁓⁦⁡⁤⁂⁚⁡⁦⁡⁗⁞⁗⁕⁦⁤⁡⁠⁅⁢⁗⁕⁦⁤⁡ ⁗⁦⁗⁤‒࠯᩿‫׹‬ǢȳǸȥȬȸǿ

109508BL13 VLSPGM
Gap 50.0mm(K=1.71053)
M23G2

S1,S2=15Pm
S2 Y'=4017.94mm

90.01eV
90.00eV089.99eV-50

107

Gap 65mm'hQCalc.
=7.1meV

SHADOW
VUI 1.0E4.1

FWHM
6.7Pm

y-f(x) Photoemission Intensity (a.u.)

10M21G1
Z Position [Pm]Number of periods: 24
Period: 85 mm
Total length: 2016 mm
Magnet size: 20t×20h×126w
Remnant Field: 1.2TDeflection parameter K: 3.6 - 0.54
(gap 31 - 80 mm, hQ1st 29 - 207eV)

100

M22G1

1015PmFlux (phs/sec/100mA)

10

BL13 VLS-PGM
S1=S2=20Pm
Jan.12, 2011

M23G2

11

Intensity

54

10'Etotal
8.0 meVAu 10K
Gap 49.2 mm
60 eV M23G2
S1=S2=30Pm
Epass 2eV
Jan. 2011ࢸፗᨼήᦟήᩓ‫܇‬ǨȍȫǮȸ
Ўௌ֥
ᚾ૰แͳܴ

Ўௌܴ
ȭȸȉȭȃǯܴ

-100

0200
400
600
Photon Energy (eV)800-4.0-2.002.0
X Position [mm]4.0Intensity

56.08

56.10
56.12
56.14
Kinetic Energy (eV)

56.16

8.5ǹȆȸǷȧȳ

最近の成果から
ミスフィット層状Co酸化物の層間電子結合

CrドープV2O3ナノ結晶の１次相転移[Bi2M2O4]pCoO2 (M=Ca, Sr, Ba)

歯科合金上L-システインの電子状態およびAg表面におけるL-システイン分子のS2p準位
レーザー誘起価数変化

SiC上グラフェンへのPdインターカレーション

300K
Lícysteine
hv = 40 eV
Normalized Intensity (arb. units)

20K

Thick film
(60 Å)
Thin films(3 Å) on
K14
Type 3Type 1
Au
Simulated

Total
O
S (x3)

18 16 14 12 10 8 6 4 2
Binding Energy (eV)Y. Ishiwata et al. Adv. Mater. Interfaces 2, 1500132 (2015).

S.-i. Takakura et al. Phys. Rev. B 95, 195166 (2017).

E-Ga2O3/Si
3Z pump

0.05E-Ga2O3(201)3Z pump

7374757677
Kinetic Energy (eV)(b)

24GaAsGa 3d20 16 128Binding Energy (eV)78K. Yagyu et al.
Appl. Phys. Lett. 110, 131602 (2017).

Ge(001)表面非占有バンド内の超高速電子緩和

２次元ARPESマッピング用電子レンズへの高度化
Epass=20eV, KE=0-200eV, DefX=±10°

VBM : 0.53 eV

6420-2Binding Energy (eV)8246420Binding Energy (eV)(b)-2ZnTeZn 3d

20 16 128Binding Energy (eV)Zn 3d0OFFON72

VBM: 0.16 eV

8K. Ogawa et al. J. Appl. Phys. 110, 103718 (2011).
T. Tsujibayashi et al. Appl. Phys. Lett. 106, 173702 (2015).

ZnTe(a)Intensity (arb. units)

0.10

Ga 3d100eV
RT100kHzIntensity (arb. units)ON

E-Ga2O3/Si
1Z pumpE-Ga2O3(201)3Z pump-0.05
02

E-Ga2O3/Si
3Z pump4
6
Delay (Ps)Intensity (arb. units)

OFF

Shift (eV)Photoemission Intensity (arb. units)

0.15

Ga 3d100eV
RT100kHz

GaAs

(a)

Intensity (arb. units)

ZnTe/GaAs界面のバンドオフセット評価
Intensity (arb. units)

E-Ga2O3/Si(100)ヘテロ構造の光起電力

0 í28(a)Ga 3d(b)(c)

24

20 16 128
Binding Energy (eV)Q. Guo et al. Appl. Phys. Lett. 102, 092107 (2013).

J. Kanasaki et al. Phys. Rev. B 96, 115301 (2017).