TRIAC(Through Hole / Isolated)

TMG8D60F( Sensitive Gate)

Triac TMG8D60F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
3.2±0.3

TO-220F
10.5±0.3

4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, MicroWave Ovens, Hair Dryers, other control applications● Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other controlapplications●39.7±0.3

16.0±0.3

1φ3.2±0.2

2.6±0.2Features

21.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

0.60±0.15
1.1±0.2

1 T1
2 T2
3 Gate0.6±0.15

IT(RMS)=8A● High Surge Current● Low Voltage Drop
● Lead-Free Package

Nofo t
R
rN ec
ew om
D mes enig dn●132.54±0.25

5.08±0.5

Identifying Code：T8D6F■Maximum Ratings
SymbolVDRM
IT（RMS）
ITSM
I2t
PGM
PG（AV）IGM
VGM
VISO
TjTstg2Unit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I2t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass

Reference

Tc＝89℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive

A.C. 1minuteRatings
600
880/8832
50.5
210
1500−40〜＋125−40〜＋150
2Unit
VA
A
A2SW
W
A
V
V℃℃g

■Electrical Characteristics
SymbolItem

IDRM
VTM＋I GT1−
I GT1＋I GT3−I GT3＋V GT1−V GT1＋V GT3−V GT3
VGD

Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
12Gate Trigger Current
3412Gate Trigger Voltage
34Non-Trigger Gate Voltage

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃
IT＝12A, Inst. measurement

Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM

Ratings
Min. Typ. Max.
2
1.4
1010―
101.5
1.5―
1.5
0.2

〔dv/dt〕c

Critical Rate of Rise of Off-StateVoltage at Commutation

Tj＝125℃，〔di/dt〕
c＝−4A/ms，VD＝2／3VDRM

10Holding Current
Thermal ResistanceJunction to case

IHRth     1（  ）＋Reference

VD＝6V，RL＝10Ω

−

3.7

 3（ III ）
＋mA
VmAVV
V/μs

15

 2（  ）Unit 4（ III ）−mA℃/W

TMG8D60F

100

Gate Characteristics

２００

On-State Characteristics（MAX）

On-State Peak Current（A）

Gate Voltage（V）

１００

VGM（10V）

１０

PGM（5W）

IGM（2A）

PG（AV）（0.5W）
25℃

１２０１０５２１Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１２５℃

０．
５

Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn

I+GT1
I-GT1
I-GT3５０

VGD（0.2V）０．
１１1001000

θ＝１８０゜
θ＝１５０゜
θ＝１２０゜

π０７θ

θ＝９０゜2πθθ＝６０゜３６０゜θ：Conduction Angle

５

θ＝３０゜

３．
０

３２００１２３４５６７８１２０１１５１１０

θ＝30゜１０５

θ＝60゜

９

９５
９０
８５６０６０HZ５０HZ

２０５１０２０

５０１００

Transient Thermal Impedance（℃/W）

８０２

θ＝90゜θ

θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜2π

θ３６０゜θ：Conduction Angle

８００１２

３１０

５６７８

Transient Thermal Impedance

１０.１
０.０１０.１

１１０１００１００１５０Time（Sec.）Time（Cycles）

VGT −Tj（Typical）

IGT −Tj（Typical）

１０００

VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

５００５００２００２００１００

I＋GT１（ 1＋ ）I GT１（1 ）−−５０
I−GT３（3−）

V＋GT１（ 1＋ ）（1−）
V−GT１−V GT３（3−）

１００５０２０２０１０−５０４

RMS On-State Current（A）

Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

０１π０

RMS On-State Current（A）

４０

３．
５１２５１００４

IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

２．
５

RMS On-State vsAllowable Case Temperature

６１０００２．
０RMS On-State vsMaximum Power Dissipation

1Surge On-State Current（A）

１．
５On-State Voltage（V）

８１００

１．
０Gate Current（mA）

９Power Dissipation（W）

０．
２０．
５10000Allowable Case Temperature（℃）

1０１００５０１００

Junction Temp. Tj（℃）

１５０１０−５００５０Junction Temp. Tj（℃）