島田理化技報
SPC Technical Report
特集● 半導体アンプ技術（SSPA）● 自動車関連の熱処理技術

No.24（2014）

島田理化技報
No.24

目

次

■巻頭言
製品開発の転換点………………………………………………………………………………………………………………………1

齋藤 淳

■寄稿
高周波SSPAの技術動向とシステム展開 ………………………………………………………………………………………………2
三菱電機株式会社■特集論文

電子システム事業本部

浅利 哲

宮﨑 守泰

半導体アンプ技術（SSPA）

高周波ソリッドステートアンプの設計技術
小川 二良

技師長

稗田 忠晴

宮﨑 慎也

四分一 浩二黒川 孝……………………………………………………………………………………………9

會見 春樹

田添 晃

■開発品紹介・製品紹介
ミリ波帯広帯域ミクサ ………………………………………………………………………………………………………………… 21
Ka帯E/O変換器, 光ロータリージョイント ………………………………………………………………………………………… 22
広帯域（2〜8GHz）
ダブルリッジホーンアンテナ …………………………………………………………………………………… 23
広帯域（2〜8GHz）高出力AMP …………………………………………………………………………………………………… 24
広帯域（8〜12GHz）Low Noise Amp …………………………………………………………………………………………… 25
800MHz帯送受信増幅装置（送受ダイバーシティ対応） ………………………………………………………………………… 26■特集論文 自動車関連の熱処理技術
自動車関連の熱処理技術への取組み………………………………………………………………………………………………… 29
谷口 直純
鋼管焼入れ用高周波電源……………………………………………………………………………………………………………… 33
守上 浩市

篠塚 保志

片岡 辰雄

■製品紹介
切り板プレス前誘導加熱装置……………………………………………………………………………………………………… 39■特許紹介
リミッタ装置, レーダシステム 特許第5235031号 …………………………………………………………………………… 40
金型の加熱・冷却構造

特許第5243362号 …………………………………………………………………………………… 41■特許登録紹介 …………………………………………………………………………………………………………………… 43

■巻頭言
製品開発の転換点

代表取締役社長

齋藤
Jun

淳

SAITO

創業の 1946 年以来，当社は多くのお客様にマイクロ波・ミリ波技術，高周波誘導加熱技術（IH）を軸とした製品を提供させて頂き成長して参りました。この間，国内の通信インフラ構築，官公庁向けレーダ，電子応用機器の開発等に参加させていただき，売上規模の確保を図ってきておりましたが，通信インフラの一巡と官公庁の予算の縮減の影響もあり規模の確保は年々厳しくなってきております。また，産業機械分野では，国内景気の回復傾向があるものの，生産の海外移転が進み，国内の新規設備投資や更新需要は回復の兆しが見えてきません。これらの状況を踏まえ，既存分野の売上確保と新規事業の拡大を目指し，製品開発の方針も見直す時期に来ております。
当社の保有技術の中で「強い技術をより強く」，「強い技術を核とした新規分野の事業創出」を念
頭にメリハリのある，技術の応用分野を広げた開発に注力したいと考えております。
「強い技術をより強く」ではマイクロ波・ミリ波のこれまで培ってきた技術を更に磨き，超軽量の導波管部品の通信衛星への提供，高性能・高耐電力マイクロ波コンポーネントの加速器分野への提供等，差別化のポイントを明確にした開発に取り組んでおります。
「強い技術を核とした新規分野の事業創出」では高周波誘導加熱の技術を核にした客先の新規ニーズへのソリューション提供を念頭に，薄板の誘導加熱，塗装の乾燥・剥離，高温加熱，非接触給電等の製品化に取り組んでおります。この際，お客様のニーズを的確に理解し保有技術を如何に組み合わせるか検討できるシステムエンジニアの育成にも取り組んでおります。
また，開発にあたってはスピード感を持って，QCD（品質・価格・納期）の観点でご満足いた
だける完成度の高い製品作りに取り組むため，当社独自での開発や改善とともに，親会社である
三菱電機の研究・開発部門や生産技術部門と連携して取り組みます。
この技報では，「強い技術をより強く」の観点で高周波 SSPA の技術を取り上げ，技術動向とシステム展開について寄稿頂くとともに，高周波 SSPA の設計技術について高性能化，高出力化，広帯域化，高効率化，実装技術の観点での取り組み状況を報告致します。
また，「強い技術を核とした新規分野の事業創出」では，高周波誘導加熱の省エネ・低炭素社
会への新たな取組みとして自動車関連の熱処理技術への取組みと，当社で開発した鋼管焼入れ用
高周波電源について紹介致します。
これまでの技術へのこだわりと品質への取り組みに加え，生産効率化による短納期化・低価格化を進め，お客様のニーズに的確に応えられる魅力的な会社を目指して取り組んで参りますので，
今後ともご愛顧たまわりますよう宜しくお願い申し上げます。

1

島田理化技報No.24（2014）■寄稿

高周波 SSPA の技術動向とシステム展開

三菱電機株式会社
電子システム事業本部
技師長

宮﨑

守泰

Moriyasu MIYAZAKI

1．まえがき電圧も数十 V 以下と扱い易い。加えて，GaN の台頭

高周波技術は，携帯電話をはじめとする地上の無線通信や衛星通信，放送，種々のレーダ，無線
電力伝送，さらには医療・科学応用向け電子線加速器やマイクロ波加熱など，様々な分野のシステ
ムへと広がりをみせている。高周波の高出力増幅器は，これらシステムの正に心臓部であり最重要
構成要素の一つに位置づけられる。
高 周 波 の 高 出 力 増 幅 器 は，1940 年 頃 発 明 さ れた Klystron，TWTA（Traveling-Wave-Tube
Amplifier）などの電子管により実用化が始まった。

など FET の進化と，インピーダンス整合や歪み補償などの回路技術の進歩により，性能面でも電子管に近づきつつある。しかしながら，1 台の単位 SSPA で実現できる出力電力は数十〜数百 W に留まり，必要な総出力が高まるにつれて合成数が多く必要となる。
本稿では，SSPA の適用拡大を図る上で要となる高出力化，高効率化，および低歪み化の各技術について歴史的な進化を俯瞰的に示す。さらに，適用システムの要求条件を鑑みつつ，今後の SSPA
技術の方向性について見解を述べる。

一方，1952 年に W. Shockley により電界効果トラ

2．SSPA 技術の進展

ンジスタ（FET（1） : Field Effect Transistor）の理論が提唱され，高出力増幅器の半導体化すなわち

2.1

高出力化技術

SSPA（Solid State Power Amplifier）化の可能性

図 1 に SSPA の基本構成例を示す。SSPA の高が芽生えた。当初，試作に用いられた Ge や Si は出力化を図る上で重要な構成要素は，電力増幅を

電子移動度が高周波用としては遅すぎたが，1966

司る高周波 FET，FET とインピーダンス整合回

（2）

が提唱され

路からなる増幅器デバイス，FET で生じる信号

状況は一変した。GaAs の電子移動度が Si の数倍歪みを補償する歪み補償回路，これらを含む単位に 及 ぶ こ と か ら，GaAs FET を 適 用 し た 高 周 波

SSPA，複数の単位 SSPA の出力を合成する電力合SSPA が実現された。さらに，1990 年代前半から成器，更には図には示していないが FET で生じる

は，GaAs に比べてバンドギャップが 2.5 倍程度広熱を逃がす放熱構造などが上げられる。

年，C. A. Mead により GaAs FET

く，且つ，飽和電子速度が速い GaN の研究が盛んになり，GaAs に比べて数倍高い出力電力密度と電力効率を有する高周波 GaN SSPA が実現され，近年，実用化の時期を迎えている。
高出力増幅器の草分けである電子管と近年の発展が著しい SSPA とは，適用システムによっては相互に競合する場面も見られる。電子管は数百 W 〜数
MW といった高電力を高効率に出力できる特長があり，中でも TWTA は，出力こそ Klystron に及ばないものの広帯域性に優れており適用範囲は広い。しかしながら，比較的短寿命な上，高電圧バイアスが必要で装置が大掛かりになるなど，保守や取扱いの面で課題がある。一方 SSPA は，長寿命でバイアス2

図1

SSPA の基本構成例

高周波 SSPA の技術動向とシステム展開

FET の高出力化は主に，FET を構成する半導体の物性に依存する。図 2 に，種々の半導体および電子管の適用可能周波数領域と出力電力を示す。図中，半導体に対しての縦軸は SSPA としての出力電力を表す。現状，これまでの SSPA には，VHF 帯〜
UHF 帯の比較的低い周波数帯では Si-LDMOS，マイ
クロ波帯〜ミリ波帯では GaAs が主に用いられてきた。加えて，1990 年代前半から台頭し始めた GaN

図3が，2010 年前後から実用段階を迎えた。図 3 に Ku

Ku 帯 100 GaN FET 増幅器デバイス

帯 GaN FET 増幅器デバイス（3） の例を示す。GaNを適用することにより GaAs を適用した従来に比べ
2

2.2

高効率化技術5 倍以上の高出力化が図られ，15 × 20mm 程度の

SSPA の高効率化にとっても，FET 自体の性能

パッケージサイズで Ku 帯出力 100W を実現していが重要である。前節と同様に GaN の効果は大きく，る。この他にも，C 帯で出力 250W，X 帯で 120W

Si-LDMOS や GaAs を 適 用 す る 従 来 か ら 10 〜 30の GaN FET 増幅器デバイスが報告されている（3,4）。

ポイント程度の大幅な高効率化が図れている。

このように，GaN の働きにより高周波 SSPA の大幅な大電力化が進み，複数の SSPA を合成することでkW 以上の出力を比較的小形に実現可能となってきた。このため，図 2 に示す半導体領域と電子管領域の境界，すなわち Ku 帯以下の周波数帯において出力電力が数百 W 〜数 kW 程度の領域であれば電子管から SSPA への置き換えが可能となってきている。
図4

FET 動作モード毎の適用上限周波数と電力効率の比較イメージ

高効率化に特有の技術として，FET の能力を最大限に引き出す動作モードの設定技術がある。図 4に，FET 動作モード毎の適用上限周波数と電力効率の比較イメージを示す。歴史的には先ず，半導体
FET のバイアス動作点を制御する A 級〜 C 級動作がある。これらは動作モードの設定が容易で，FET
図 2 半導体および電子管の適用可能周波数領域と出力電力（出力電力は SSPA としての値）の理論効率は A 級が 50%，B 級が 75.8%，C 級は B
級以上となる。ただし，C 級動作は線形性と出力電力が大きく低下する。続いて，FET から出力される信号波や高調波のインピーダンスを制御する D

次に，SSPA 高出力化のもう一つの要である電力

級〜 F 級動作（6-8）がある。これらは FET 内部での合成器について触れる。電力合成器の損失は SSPA

電圧と電流の時間波形の重なりを原理上ゼロにできの出力電力低下に直結し発熱の要因にもなるため，（スイッチング動作），
理論効率は 100% となる。近年，徹底的な低損失化が求められる。また，合成出力がこれらとの組合せで効力を発揮する S 級動作（9）も報高まるにつれ，耐電力性能の確保も重要となる。こ告されている。S 級動作は予め入力信号を飽和疑似の他，複数の SSPA を合成する点をメリットとすべ

パルス列に変換してから FET にて飽和増幅する方

く，合成時に一部の SSPA が停止しても総合出力の式で，近年の FET とディジタル回路の高速化技術

低下を極小化する設計が求められる。トーナメントの向上により高効率化と高周波数化の両立が図られ形電力合成回路での実現例（5）が報告されている。

つつある。ただし，どの動作級においても，FET

3島田理化技報No.24（2014）

内部の損失や電圧と電流の完全分離が難しいなどの路の高速化と小形化が進むにつれて，複雑な歪み補要因から，実際の効率は理論値から劣化する。F 級

償回路の大幅な小形化が進むと考えられる。

（10）

動作の例として，C 帯 GaN FET 増幅器デバイス

一方，もう少し簡単な構成で歪み補償効果を発揮の試作結果を図 5 に示す。C 帯において，出力はできるダイオードリニアライザが考案されている。

7W ながら効率 70% を達成している。

リニアライザはプリディストーション形の一つである。FET と逆の歪特性を有し，増幅器デバイスの入力側に設置される。これにより，SSPA 全体として歪み特性が相殺され直線性が高まる。図 6 に，一例
として仮想接地形 Ku 帯ダイオードリニアライザ（18）を示す。本リニアライザが，GaN FET を用いた Ku
帯 SSPA に適用された結果，3 次高調波歪み -26dBc
を満足する出力電力が 5dB 以上高められている。

図5

C 帯 F 級動作 GaN FET 増幅器デバイス

この他，入力電力に応じて複数の動作級を切り換えるドハティ増幅（11），入力信号の振幅レベルに応じてバイアス電圧を制御するなどして常に FETを飽和動作させる EER（12）（Envelope Elimination
and Restoration），ET（13）（Envelope Tracking），（Linear Amplification using Nonlinear
および LINC（14）図6

Component）動作など，理論は比較的古くから在るが，近年の FET やディジタル回路技術の進化と

3．システムへの展開と今後への期待相まって高周波数化と高度化が図られている。高効率化の研究は，世界中で暇がない。
2.3

歪み補償技術衛星通信や携帯電話などの通信分野では，電力増
幅器の入出力特性に直線性が要求される場合が多い。
しかしながら，FET の入出力特性は飽和点付近で直仮想接地形 Ku 帯ダイオードリニアライザ（グラフは SSPA としての特性）

3.1

システムへの展開

SSPA や電子管を搭載したシステムは，無線通信やレーダなどを中心に安心・安全・防災を支える
分野や快適な暮らしを支える分野，さらには医療・科学応用分野などに幅広く適用されている。

線性が劣化するため，最大出力・効率で動作させられず，出力・効率が低下する。このため，SSPA として直線性を向上すべく歪み補償技術の研究開発が数多く行われている。歪み補償技術は主に次の 2 種類に分類される。すなわち，FET を含む増幅器デバ
イスの歪成分を周辺回路で抽出して増幅器デバイスの出力端で出力信号から歪成分を引き去るフィード
フォワード形（15）と，同じく歪成分を抽出して SSPA

図7

安心・安全・防災関連システムイメージの入力信号を予め逆方向に歪ませるプリディストー
ション形（16）に分類される。いずれもディジタル回

図 7 に，安心・安全・防災関連システムイメージ

路やメモリと組み合わせたりフィードバック系を用を示す。これらに対応して図 8 に示すような SSPAいるなど，複雑な構成がとられ（17），リアルタイムにが開発され適用が始まっている。しかしながら，周歪補償が必要な，多値・多重変調を扱う携帯電話基

波数が高まるにつれて，また数百 W 以上の出力や地局などで進化が進んでいる。今後，ディジタル回

広帯域性が求められる場合には，現状では TWTA

4

高周波 SSPA の技術動向とシステム展開の適用が多い。一方，多値・多重変調を扱う携帯電話基地局では，信号周波数付近のスプリアス成分の発生が少ない SSPA の適用が必須となっている。

図8
3.2

安心・安全・防災関連 SSPA の例

今後への期待高周波 SSPA を高出力分野に広めるには，FET自体の出力電力密度の更なる向上は元より，電力合成器の小形・低損失化，および放熱性の飛躍的向上が重要である。加えて，一層の高効率化と低歪み化を図るために，これまで述べてきた FET の動作モー
ドや回路方式に関する優れたアイデアと，これから益々高速化が進む FET やディジタル回路との融合が，極めて有用と考える。例えば，FET を飽和領域で動作させる S 級動作技術や EER 技術などは，上述の技術融合による大きな効果が期待される。

4．むすび
本稿では，高周波 SSPA を支える要素技術の進展を示し，今後の SSPA 適用拡大への期待を述べた。
大電力性に優れる電子管との住み分けは今後も続くと考えられるが，寿命や扱い易さの面で優位な
SSPA が，身近な適用分野から浸透拡大して行くことを期待したい。

参考文献（1） W. Shockley, “A unipolar” field-effect“transistor”,”Proc. IRE, vol.40, pp.13651376, Nov. 1952.
（2） C. A. Mead,“Schottky barrier gate field
effect transistor,”Proc. IEEE, vol.54, No.2,
pp.307-308, Feb. 1966.
（3） H. Noto et al,“X- and Ku-band Internally
Matched GaN Amplifiers with more than

100 W out pu t po w er ,” 2 01 2 Eu r opean
Microwave Integrated Circuits Conf. Dig.,
pp.695-698, Oct. 2012.
（4） H. Maehara et al,“Internally Matched GaN
FET at C-band with 220W Output Power and
56% Power Added Efficiency,”2012 Asia PacificMicrowave Conf. Dig., pp.358-360, Dec. 2012.
（5） 廣田，田原，大和田，安永，酒井，宮崎，“入
力数変更可能な S 帯導波管電力合成回路”，
信学技報，2013.
（6） P. J. Baxandall, “Transistor sinewave
oscillators,”Proc. IEE（London）, vol.106,
Part B, Suppl. 16, pp.748-758, May 1959.
（7） N. O. Sokal and A. D. Sokal,“Class E, a
new class of high-efficiency tuned singleended power amplifiers,”IEEE J. Solid State
Circuits, vol.SC-10, pp.168-176, June 1975.
（8） F. H. Raab,“FET power amplifier boosts
transmitter efficiency,”Electron., pp.122-126,
June 1976.
（9） A. Wentzel, C. Meliani, and W. Heinrich, "RFClass-S Power Amplifiers: State-of-the-Art
Results and Potential,”IEEE MTT-S Dig.,
pp.812-815, 2010.
（10） K. Yamanaka et al,“Internally-matched GaN
HEMT High Efficiency Power Amplifier forSpace Solar Power Stations”, 2010 Asia PacificMicrowave Conf. Dig., WE3A-1, Dec. 2010.
（11） R. J. McMorrow, D. M. Upton, P. M. Maloney,“The microwave Doherty Amplifier,”IEEE
MTT-S Dig., pp.1653-1656, 1994.
（12） L. R. Karn,“Single sideband transmission by
envelope elimination and restoration,”Proc.
IRE, vol.40 no7, pp.803-806, July 1952.
（13） F. H. Raab,“High efficiency amplification
techniques,”IEEE Circuits and Systems
Journal, No.7, pp.3-11, 1975.
（14） D. C. Cox, “Linear amplification withnonlinear components,” IEEE Trans. on
Commun. vol.COM-22, pp.1942-1945, 1974.
（15） H. Seidel, “A microwave feed-forward
experiment,” Bell Syst. Tech. J., vol.50,
pp.2879-2916, 1971.
（16） 野島，楢橋“移動体通信用超低歪周波共通増幅器”，信学技報 , RCS-90-4, pp.21-27, 1990.
（17） K. Horiguchi, N. Matsunaga, K. Yamauchi, R.
Hayashi, M. Miyazaki, and T. Nojima, “A
wideband digital predistorter for a Doherty
power amplifier Using a direct learning
memory effect filter,” IEICE Trans. Electron.,
vol.E93-C, no.7, pp.975-982, July 2010.
（18） 能登，安藤，安永，川上，“周波数制御型ダイオードリニアライザ”，信学ソ，C-2-33, 2013.

5

【特集論文】
半導体アンプ技術（SSPA）

〈特集論文〉

高周波ソリッドステートアンプの設計技術
Development of Solid State Power Amplifier Design Techniques
小川

二良

稗田

Tsuguyoshi   OGAWA

田添晃

Akira   TAZOE

忠晴

宮﨑

Tadaharu   HIEDA

浅利

哲

四分一

Satoshi   ASARI慎也

會見Shinya   MIYAZAKI

浩二

Koji   SHIBUICHI春樹

Haruki   AIMI黒川孝

Takashi   KUROKAWA

高周波技術の活用分野は，医療・基礎物理学にる。なお，その場合，TWTA の高い出力を一つのおける加速器，マイクロ波加熱，無線通信および半導体では実現出来ないため，複数の半導体の出防衛・宇宙用の各種レーダなど多岐に亘っている。

力を合成することによって高出力化を図る必要が高出力増幅器は，それらシステムにおけるマイクある。

ロ波の増幅部としてシステムの機能・性能を決定する重要な位置づけを占めている。

以上述べたように，SSPA は今後のマイクロ波器
材にとって非常に重要なものであり，継続的に性一 方， 従 来， 高 出 力 増 幅 器， 特 に 数 百 ワ ッ ト

能向上のための技術開発を行うことが不可欠であ

以 上 の 高 出 力 増 幅 器 に は，TWTA（Traveling

る。一方，SSPA の所要機能・性能はマイクロ波器

Wave-Tube Amplifier）やクライストロンが用い材それぞれで異なっており，求められる技術課題られてきた。これは，高出力・高効率を得やすいも多岐に亘っている。

などの長所によるものであるが，逆に上記器材にそ の た め， 本 稿 で は SSPA の 設 計 に 当 た っ ては，信頼性が低い，維持・整備性が悪いおよび小の共通的な課題と考えられる以下の 5 つの要素型化が図り難いという短所があった。そのため，技術を取り上げ，当社が開発した各種システム

上記短所を解決する手段として，近年の半導体技を用いて各技術に対する具体的な設計結果を報術の進展を背景に，Solid State Power Amplifier

告する。

（以下 SSPA）の活用が図られるようになり，加えてその活用範囲は徐々に高出力領域・高周波領①

高性能化技術（詳細を 1 項に示す）

域へと拡大している。

②

高出力化技術（詳細を 2 項に示す）

TWTA から SSPA への置き換えが進められた③

広帯域化技術（詳細を 3 項に示す）

システムの代表例としては，レーダを挙げること④

高効率化技術（詳細を 4 項に示す）ができる。従来，高出力の TWTA を増幅器とし⑤実装（冷却）技術（詳細を 5 項に示す）て用いていた各種レーダが，低出力の SSPA をア

1

ンテナ面に複数配置した APAR（Active Phased

高性能化技術

Array Radar）へと更新された。この背景には，APAR 化によるレーダの高性能化と共に信頼性お

1.1

概要

よび維持・整備性の向上要求があるものと考えら

本項では，線形加速器のドライブ信号に使用れる。APAR では，電力増幅部を高電圧の電子管

した SSPA 方式の S 帯マイクロ波発振器（以下，から信頼性の高い半導体に切り換えるとともに，「RF DRIVER」と記す。）の出力パルスの高性能

単一の増幅器から複数の増幅器を使用（出力を空化技術を報告する。

間合成）するようにしたことで，信頼性および維持・整備性を飛躍的に向上させている。

ラ イ ナ ッ ク（LINAC：Linear Accelerator）と 呼 ば れ る 線 形 加 速 器 で は，RF DRIVER の パ

また，近年では，高出力の TWTA そのものをルス信号をドライブ信号としたクライストロン

SSPA に置き換えたいという要求も生じてきていで発生させた強力な電場を用いて，粒子を光速

9島田理化技報No.24（2014）

近くまで加速し，タングステンなどのターゲッ
トに当てることにより放射線を発生させている。ドライブ信号である RF DRIVER のパルス信号の電力が変動すると，そのエネルギーに対応して電子の加速率が変わり，線形加速器から得られる放射線エネルギーが変動することにな
る。安定した放射線エネルギーを発生させる為に，線形加速器に入射する高周波パルス信号には， 高 安 定 な 電 力（ 振 幅 ） 特 性 が 求 め ら れ る。
具 体 的 に は，RF DRIVER の 出 力 電 力（ 振 幅 ）の変動幅（揺らぎ）を最小限にする必要がある。

図1

振幅変動の規定は，高周波パルス繰返し周期毎の電力誤差により発生する短期出力変動とパル
ス内振幅平坦度がある。短期出力変動は，ALC（Auto Level Control） 回 路［1］ の 最 適 化 に よ り
設計目標の 0.25％以下の性能を得られている。
本項では，特にパルス内振幅平坦度に注目し，その変動を減じるために工夫した内容について
報告する。
1.2

RF DRIVER の概要

まず始めに，RF DRIVER の機能について説明する。RF DRIVER の主要機能は以下の 4 点である。
①

高周波パルスの生成②

高周波パルスの高電力増幅③

高周波パルス信号の制御④

監視制御インターフェース

次に，RF DRIVER の構成について説明する。
RF DRIVER は， 高 出 力 パ ル ス 信 号 を 発 生 す る
高周波部，制御回路，ALC 回路，表示部および交流電源を直流に変換する電源部から構成される。RF DRIVER の ブ ロ ッ ク ダ イ ヤ グ ラ ム を 図
1 に 示 す。 回 路 構 成 の 特 徴 は， 高 周 波 部 の 出 力に可変減衰器および結合器を配置している点である。可変減衰器は，出力レベル制御のために，
主に高電力のマイクロ波信号を減衰させることを目的としている。結合器は，出力電力検出用に配置し，検波器，および Sample/Hold 回路と積分アンプにて ALC 回路を構成している。

10

1.3

ブロックダイヤグラム

回路構成技術高周波部と制御回路部の構成において，マイクロ波信号を減衰させる減衰器を高周波部の後段に配置する利点について述べる。減衰器の配置場所には二つの構成例が考えられる。一つは，増 幅 器 の 前 段 に 減 衰 器 を 配 置 す る 場 合 で あ る。
この場合は，高周波部の増幅器には入出力特性の 直 線 性 が 必 要 で あ り， 効 率 面 か ら も AB 級 バ
イアスを選択する事が多い。AB 級動作の場合は，
直流バイアス電流による自己発熱や，出力電力毎に変化する発熱および整合状態の変化も含めて，パルス内の振幅平坦度を満足する必要がある。
一方，増幅器の出力側に減衰器を配置する場
合は，高周波部の増幅器の出力電力は固定で良く，マイクロ波信号が出力されている期間のみ
増 幅 す れ ば 良 い 事 か ら，C 級 バ イ ア ス が 考 え られ る。C 級 バ イ ア ス は， 入 出 力 特 性 の リ ニ ア リ
ティは必要なく，入力電力が小さいときは増幅しないので，トランジスタの平均的な自己発熱が抑えられる［２］。また，出力電力を固定しているため，パルス内の振幅平坦度を特定の電力でトランジスタの整合回路を最適化できる効果も期 待 で き る。AB 級 と C 級 動 作 の バ イ ア ス ポ イ
ントの違いを図 2 に示す。

高周波ソリッドステートアンプの設計技術

図4

パルス信号波形（+25℃時）

22.1

高出力化技術概要

本項では，64 合成による SSPA の高出力化（C
図2

AB 級および C 級バイアスポイント

帯 1.6kW 出力）技術を報告する。
SSPA は，半導体技術の進歩とともに高出力と高1.4

パルス内振幅性能

パルス内振幅平坦特性は，温度に依存した特性を持っている増幅素子もあるため，評価試験を実施し確認した。これにより，パルス内振幅平坦度を満足するために，高周波部の温度変化を 15℃以下に抑えることが必要であるという結果を得た。
本 RF DRIVER では，ヒータ等の発熱体と温度センサを用いた制御回路で高周波部を所定の温度範
囲に保つ制御を実施し，また、高周波部の発熱も効率化により温度上昇を 12℃に抑えた。1.3 項に示した回路構成の利点も含め、周囲温度 +15℃〜+50℃においてもパルス内振幅平坦度 0.2dB 以下の目標性能を実現した。
図 3 にパルス内振幅平坦度の温度変化グラフ，
図 4 に常温（+25℃）での代表的なマイクロ波パル
ス信号波形をそれぞれ示す。

周波化が進んでいる。当社の SSPA 製造実績を図 5に示す。
SSPA は， 装 置 の 高 出 力 を 得 る た め に 多 数 のFET（Field Effect Transistor）を用いた電力合成を行う。電力合成の基本回路は，Wilkinson 方式が良く知られ，各 FET ならびに合成回路をトーナメ
ント状に構成することで電力合成を実現する。その場合重要となるのは，以下の二点である。
①

合成による電力損失の最小化②

通過位相（電気長）の均一化①は，装置の出力電力と使用する FET 単体の飽和電力から合成数を決める。
例えば 800W 出力を得たい場合，100W 出力のFET を 8 合 成 す る か， ま た は 50W 出 力 の FET
を 16 合成するかは，FET の出力特性，温度特性の性能比較とそれら性能のバラツキ，発熱によるジャンクション温度の制約および実装条件から決定する。
また，合成による電力損失すなわち，合成器の損失と合成器間を接続する損失を極力小さくすることが重要である。
②は合成する複数の FET の通過位相（電気長）の均一化である。FET 単体での通過位相のバラツ
キが少ないものを選定もしくは選別するか，あるいは位相調整機能を追加して均一にする。但し，

図3

パルス内振幅平坦度の温度変化位相調整機能を追加すると周波数帯域が狭くなるので注意が必要である。

11

島田理化技報No.24（2014）

図5

SSPA 製品マップ

なお，FET の通過位相のバラツキを抑えるためには各反射特性についても管理する必要がある。
近年，FET 単体の飽和電力が上がり，そのため合成数も少なくすることが可能になってきたが，それでも従来装置への置き換えとしては，2 〜数十合成が必要である。
2.2

C 帯 1.6kW 出力 SSPA の製作

上記重要点を考慮して当社では各周波数，各出力電力の置き換え装置を設計，製作してきたが，
ここでは 1 例として周波数帯が C 帯，出力 1.6kWの SSPA（以下，本機）を製作したので以下に記載する。本機は出力電力幅 10dB 以上のリニア動作が可能な高出力マイクロ波発振装置である。本機の外観を図 6 に示す。
2.3

図6

合成による電力損失の最小化

本機は，合成方法の最適化を行った結果，8 合

C 帯 1.6kW 出力 SSPA 外観
表1

成器出力の後段に 8 合成器を配置し，総合成数を合成器の特性64 とした。本機は 19 インチラック内に 8 合成器をSN

重ねて収納出来るような構造とした。合成による

NO.1

通過損失［dB］（合成損を除く）
0.34

NO.2

0.31

NO.3

0.33

体の通過損失は目標値 0.5dB 以下に対し，0.31dB

NO.4

0.29

Typical であった。

NO.5

0.35

NO.6

0.27

NO.7

0.35

NO.8

0.26

NO.9

0.33

電力損失の最小化に最も重要である 8 合成器の通過損失と通過位相を表 1 に記載する。8 合成器単0.31dB Typ.  0.35dB Max.

12

高周波ソリッドステートアンプの設計技術

2.43

通過位相の均一広帯域化技術8 合成器の単体の位相ばらつきを表 2 に示す。本
機の FET と合成器を組み合わせた位相の総ばらつ

3.1

概要

きを表 3 に示す。合成器のポート間位相ばらつき

本項では，SSPA とハイブリッドカプラとを使と FET の位相ばらつきの加算において，位相調整用した S/C 帯（2 〜 8GHz）用の高出力・広帯域を行い，本機の目標である位相ばらつき± 5°以内

化技術を報告する。

を満足した。

アレイアンテナ等のシステムに組み込まれる高表2周波増幅装置には，広帯域，高直線性，高出力，合成器の通過位相特性

高利得といった特性が要求される。加えて，設置

ポート間位相ばらつき [ ° ]

NO.1

± 1.3

NO.2

± 0.8

一 般 的 に， 高 利 得， 小 型 な 増 幅 装 置 を 設 計 す

NO.3

± 1.1

る場合，増幅素子として Monolithic Microwave

NO.4

± 0.9

NO.5

± 0.7

Integrated Circuit（ 以 下，MMIC） を 選 択 す る

NO.6

± 1.4

NO.7

± 0.6

NO.8

± 1.2

NO.9

± 1.4

要（または最小限）で，1 素子で十分な利得を得ることができる。ただし，増幅素子に，FET を使用した場合と比べて消費電力や飽和電力の面でMMIC は劣るため，MMIC を使用して高い飽和電力（高出力）を得るためには，ハイブリッドカ

組み合わせ後の通過位相特性（位相調整有）表3

ポート NO.

ポート間位相ばらつき [ ° ]NO.1

1 〜 8 ポート

± 1.0

NO.2

9 〜 16 ポート

± 0.5

NO.3

17 〜 24 ポート

± 0.4

NO.4

25 〜 32 ポート

± 0.2

NO.5

33 〜 40 ポート

± 0.7

NO.6

41 〜 48 ポート

± 0.1

NO.7

49 〜 56 ポート

± 0.1

NO.8

57 〜 64 ポート± 0.6

プラを用いた電力合成という手法をとる。このとき，増幅装置の周波数特性はハイブリッドカプラの周波数特性で決定されるため，広帯域増幅装置の実現には，ハイブリッドカプラの広帯域化が必
要である。
3.2

S/C 帯用ハイブリッドカプラ

S/C 帯用ハイブリッドカプラ（図 7）は，ガラ
スエポキシ基板に，ブロードサイド結合形とブ
ロードサイドの上下の面を少しずつずらして結合± 0.5°Typ.  ± 1.0°Max.

を調整したオフセット形を組み合わせた対称形多段方向性結合器により実現した。図 8 にシミュレー

C 帯 SSPA 出力電力

ション結果，図 9 に測定結果を示す。

本機の出力電力の結果を表 4 に示す。
表4る。

のが容易である。MMIC であれば，整合回路が不± 1.1°Typ.  ± 1.4°Max.

2.5

環境の制約によって小型化が要求されることがあSN

出力電力の結果

項目

目標値

結果

備考

出力電力［kW］

1.6 以上2.0―

出力可変範囲［dB］

10 以上

12.6

109W 〜 2,000W

図7

ハイブリッドカプラ外観

13島田理化技報No.24（2014）

実際の S/C 帯用高出力増幅装置の外観を図 11，利得の周波数特性を図 12，利得直線性を図 13 にそれぞれ示す。利得における周波数帯域内偏差は
2 〜 8GHz で 約 3.7dBp-p で あ る。 使 用 し て い る
MMIC は単体で P1dB=+29.1dBm である。図 12，
13 より，電力合成することで高出力，高直線性を実現したことが確認できる。

図8

ハイブリッドカプラ分配損失（シミュレーション値）

図 11
ハイブリッドカプラ分配損失（実測値）

図93.3

S/C 帯用高出力増幅装置外観

S/C 帯用高出力増幅装置

S/C 帯用高出力増幅装置の構成を図 10 に示す。

図 10

図 12

S/C 帯用高出力増幅装置周波数特性

図 13

S/C 帯用高出力増幅装置利得直線性

S/C 帯用高出力増幅装置構成

増幅素子 1，増幅素子 2 には MMIC を使用する。
入力されたマイクロ波は増幅素子 1 で増幅後，ハイブリッドカプラ 1 で 2 分配される。分配されたマイクロ波は，それぞれ増幅素子 2-1，増幅素子2-2 で増幅され，ハイブリッドカプラ 2 で合成される。以上の構成により，増幅装置としては，増幅素子 2 の飽和出力の約 3dB 増の出力電力が期待
できる。

14

高周波ソリッドステートアンプの設計技術

4

高効率化技術これは前述のように PAPR が低いときは CA のみ で 動 作 し，PAPR が 高 い と き に CA・PA 両 方

4.1

概要

の増幅器が並列動作するため，高効率動作が実現

本 項 で は ド ハ テ ィ 回 路 を 使 用 し た 1.5GHz 帯
SSPA の高効率化技術を報告する。

できるという特徴を持っている。
ドハティ増幅器の PA は，C 級バイアスで動作

移動体通信用基地局に使用される送信電力増

さ せ る こ と で PAPR が 低 い と き に OFF 状 態 と幅器には，小型・低歪・低消費電力（高効率）といっすることができ，合成端から見た出力インピー

た 性 能 が 主 に 求 め ら れ る。 特 に 近 年 で は，CO 2

ダンスはオープンとなる。そして PAPR が高く

排出量削減に努めるため省エネルギーが求めらな る に つ れ PA が ON 状 態 へ 移 行 す る た め， 出

れており，より低消費電力な送信電力増幅器が

力 イ ン ピ ー ダ ン ス を 変 化 さ せ る こ と が で き る。

求められている。しかしながら歪と消費電力は

PAPR が 低 い と き は 効 率 負 荷，PAPR が 高 い と一般的に相反する性能であり，低歪と低消費電きに飽和出力負荷となるように設計することで，力を両立させることは大きな技術的課題となっPA の動作状態によって CA の負荷インピーダンている。

スを変化させ，より高効率なドハティ増幅器を

今日では，低歪を得るために適切なバックオ実現させている。

フで動作させ，これに加えフィードフォワード
やプリディストーションといった歪補償技術を

4.3

1.5GHz 帯ドハティ増幅器用いるが，これらの歪補償回路を搭載すること

今 回 1.5GHz 帯 移 動 体 通 信 基 地 局 用 送 信 増 幅

で消費電力は増大してしまう。それを解決する

装 置 と し て，100W ク ラ ス の FET を CA，PAためにドハティ増幅器，エンベロープトラッキに用いたドハティ増幅器を有する多段増幅器

ングおよびアウトフェージングといった高効率を 開 発 し た。FET は， 高 い 効 率 性 能 を 持 つ化技術が提案されており，歪補償技術と併用す

GaN-HEMT（Gallium Nitride-High Electron

ることで低歪・低消費電力を両立させている。

Mobility Transistor）を採用している。
また単体増幅器として高効率化を実現するため

4.2

ドハティ増幅器

ド ハ テ ィ 増 幅 器 は，PAPR（Peak to Average
Power Ratio）の高い変調信号を用いる場合において高効率を実現する技術として実用化されている。
図 14 にドハティ増幅器の構成図を示す。

図 14

ドハティ増幅器 構成図に，基本波の効率整合回路に加えて高調波処理を施すことで，飽和出力電力時に 73% 以上となる高い効率が得られている。
表 5 に単体増幅器の主要性能を示す。
表5

単体増幅器 主要性能

項目

性能

周波数

1.5GHz 帯

利得18.5dB 以上

飽和電力+50dBm 以上

効率（飽和電力出力時）

73％以上

この単体増幅器を用いてドハティ増幅器を構成した。これによりバックオフ 7.6dB 動作時に 48.4%以上となる高い効率が得られている。

ド ハ テ ィ 増 幅 器 は， 常 に 動 作 す る キ ャ リア増
幅器（以下 CA）と PAPR が高い時に動作するピー

図 15 に開発したドハティ増幅器の外観図を示し，
表 6 にドハティ増幅器の主要性能を示す。

ク増幅器（以下 PA）という異なる動作を持つ増幅器を並列に接続し，さらに CA の出力側と PAの入力側それぞれに l /4 線路を接続して構成される。

15

島田理化技報No.24（2014）

ドハティ増幅器

図 15
表6

図 17

外観

ドハティ増幅器 主要性能

5

スペクトラム性能

実装（冷却）技術

項目

性能

周波数

1.5GHz 帯

利得

16dB 以上

本項では，当社における実装（冷却）技術として，

飽和電力+52.3dBm 以上

各種冷却方式と小型化・軽量化の設計例を報告する。

48.4％以上

SSPA においては，出力電力の増大に伴う発熱お効率（※）（※）バックオフは 7.6dB

図 16 に，本ドハティ増幅器を用いた多段増幅器の回路構成を示す。利得が 73dB 以上，バック
オ フ 7.6dB 動 作 時 の 効 率 が 22.2% と い う 性 能 を得ることが出来た。
またディジタルプリディストーション（DPD）
による歪補償回路を組み合わせることで，3GPPの規格を十分満足する歪性能を得ることができた。図 17 にスペクトラム性能を示す。

5.1

概要

よび発熱密度の増加が生じているが，同時に小型・軽量化も求められている。また，運用環境については，環境温度や冷却液供給の可否などシステム
により異なっている。そのため，SSPA の実装設計に当たっては，①最適な冷却方式を選択する技術，②冷却性能を向上する技術，③実装密度を高める技術が必要となっている。
5.2

冷却方式

当社における冷却方式の開発実績を以下に示す。
外部への放熱方式としては，空冷および液冷却方式の実績を有しており，SSPA 内の熱拡散および移送については伝導の他ヒートパイプ活用技術を有している。
（1）空冷技術
当社における空冷方式の SSPA 開発例を

図 16

多段増幅器 構成図

図 18 および図 19 に示す。図 18 は従来品であり，図 19 は冷却性能を改善すると共に小型・軽量化を図った装置である。図 18 に示す従来品では，トランジスタを実装した
SSPA ケースをヒートシンクに固定する構造を採用していたため，SSPA ケースとヒー
トシンク間の熱抵抗により冷却性能を低下させると共に寸法・質量面でも見直す余地
があった。

16

高周波ソリッドステートアンプの設計技術

そのため，図 19 に示す改善版ではヒート（3）ヒートパイプの活用技術

シンクと SSPA ケースを一体化し，①冷却ヒートパイプは，蒸発と凝縮の潜熱を利性能の改善，②寸法・質量の低減を図った。

用した熱輸送素子であり，当社では，SSPA
およびヒートシンク内での熱拡散および熱移送用に使用している。当社でのヒートパイプを使用した SSPA 開発例（ヒートパイ
プをヒートシンク内に埋め込み）を図 21 に
示す。

図 18

空冷方式 SSPA 例（従来品）

図 21
図 19

ヒートパイプを使用した SSPA 開発例

空冷方式 SSPA 例（改善版）（特開 2003-218562（P2003-218562A）

本装置は，ヒートシンク上にトランジスタを内蔵した 2 台の SSPA を実装したものである。この（2）液冷技術
当社における液冷方式の SSPA 開発例を
図 20 に示す。液冷方式においては冷却性能確保の他，液漏れに配慮し，トランジスタが組み込まれた金属製 SSPA ケースに金属性の液冷管を組み込む構造としている。また，SSPA 内の冷却管配置については，熱シミュレーションを行い最適化している。

内 1 台は予備機であり，現用機に何らかのトラブルが発生した場合に，現用機の電源を OFF し，代わりに予備機の電源を ON にする。このため発熱
面はヒートシンク面のいずれか半分となる。このような装置特性から，本装置では 2 台の SSPA 取
付面間を結ぶようにヒートパイプをヒートシンク
内に配設し，運用中の SSPA で発生した熱を，使用してない SSPA 側に輸送することで，効率的な放熱構造を実現した。
5.3

冷却性能改善への取組

当社における冷却性能（放熱）改善への取組みを以下に示す。図 22 および図 23 に冷却性能の改善を図りつつ小型・軽量化を達成した昨年度に開発した SSPA の外観およびその内部配置を示す。

図 20

液冷方式 SSPA 例

17

島田理化技報No.24（2014）

7

参考文献

［１］岡 村 廸 夫 著，“ 解 析 ノ イ ズ・ メ カ ニ ズ ム ”，
CQ 出版，pp.214-220，（1987）［２］谷全祥市

新原盛太郎

著，“高周波回路

設計実務講座”，工学研究社，pp.86-92，［３］中山正敏，高木直，三菱電機情報技術総合研
究所“電力増幅器の低歪み・高効率化の手法”
MWE 2005［４］Frederick H. Raab，Peter Asbeck，Steve
図 22

開発品外観

（W290mm × D190mm × H450mm）

Cripps，Peter B. Kenington，Zoya B. Popovic，Nick Pothecary，John F. Sevic，Nathan O.
Sokal，“Power Amplifiers and Transmitters
for RF and Microwave，” IEEE Trans.
Microwave Theory Tech.，vol. 50，no. 3，
pp.814-826，MARCH 2002
［５］小川二良，丸山弘志，茂野大作，早川達也，岩“IMT2000 基地局送信電力
倉章次，池田幸夫，
増幅器の高性能化に向けた基本技術開発”島田理化技報，No.17，pp.16-20，2006

開発品内部配置

図 23

本装置においては，ヒートシンクと筐体の一体化，筐体と SSPA ケースとの一体化および筐体と空洞共振器との一体化を行うことで，従来品と比較して大幅な装置の小型・軽量化を達成した。具
体的には，従来品に比して SSPA の出力は 3 倍に高出力化したにもかかわらず，質量および容積を，それぞれ，50％および 35％に低減した。

6

まとめ

本稿で紹介した各技術は，いずれも当社製品の中核部分をなす SSPA に関するキー技術である。
一方，半導体の高性能化が進展していることも含
め，SSPA には継続した低消費電力化を含む各種高性能化および小型・軽量化が要求されている。そのため，当社としては，お客様の各種ご要求にお応えできるよう，お客様との連携を密にしご要求を適切に把握した上で必要な SSPA の開発を継続して行っていく。

18

高周波ソリッドステートアンプの設計技術

筆者紹介
事業統括部
技術部

小川 二良

事業統括部
技術部

稗田 忠晴

事業統括部
技術部

宮﨑 慎也

事業統括部
技術部

會見 春樹

事業統括部
技術部

田添

晃

事業統括部
技術部

浅利

哲

事業統括部
技術部

四分一 浩二事業統括部
通信・電子統括黒川孝

19

開発品紹介

ミリ波帯広帯域ミクサ■概要

本製品は，ミリ波帯超高速無線通信規格である IEEE802.11ad 用として開発した広帯域ミクサです。
IEEE802.11ad で規定される 4 つの周波数帯域（チャネル 1 〜 4）に対応し，本製品一つで全 4 チャネルに対
応します。
■特

長

・ミリ波帯無線 LAN 通信 IEEE802.11ad 用に最適です。
・IEEE802.11ad の 4 つの帯域（チャネル 1 〜 4）に対応，約 9GHz 幅の広帯域特性を実現します。
■主要性能
項目

性能
RF ： 57.22 〜 65.9GHz

周波数

LO ： 44.24 〜 50.72GHz

変換損失
チャネル内振幅偏差
LO 入力電力
RF インターフェース
LO インターフェース
IF インターフェース

IF ： 12.98 〜 15.18GHz-14dB 以下
4dB 以下+10dBm 以上
WR-15
WR-19
SMA（f）

注

表はアップコンバータとしての性能

ミクサ外観

ミクサ寸法
チャネル 2（60.48 ± 1.1GHz）振幅偏差（代表値）
問い合わせ先事業管理部

TEL 042-481-8573

21

開発品紹介Ka 帯 E/O 変換器 , 光ロータリージョイント■概要

ROF（Radio on Fiber）方式用の光コンポーネントを提供します。Ka 帯 RF 信号用 E/O 変換器は，光源と外部変調器で構成し，RF 信号を IF 信号にダウンコンバージョンすることなく
Ka 帯 RF 信号を光伝送します。光ロータリージョイントは，光伝送区間に回転機構を有することを可能とし，End to End で伝送システムの ROF 化を実現します。
■特長・E/O 変換器は，ペルチェ冷却型の LD（Laser Diode）にAPC（Automatic Power Control）機能を付加し，高精度・高安定なアナログ光伝送を実現しました。
・光ロータリージョイントは，低挿入損失，非接触による高信
頼性，電磁障害の影響を受けない等の特長を有します。
■主要性能
Ka 帯 RF 信号 E/O 変換器
項目
RF 出力レベルRF リップル
波長
コネクタ

主要性能
Max 1.0 dB
2.0dBp-p（ 33GHz 〜 34GHz ）7.0dBp-p（ 1GHz 〜 34GHz ）1550.12nm ± 0.1nm
FC/SPC

光源

外部変調器

Ka 帯 RF 信号 E/O 変換器外観

光ロータリージョイント
項目
挿入損失
回転変動
波長
ファイバ
コネクタ
外形寸法

主要性能
Max 1.0 dB
Max 0.5 dBp-p
1.31 mm 又は 1.55mm
Single-Mode（9 mm/125 mm）
2 mm ケーブル
SC/SPC Connector  
W 102.7 × H 100.2 × D 30mm
（突起物含まず）

光ロータリージョイント外観

問い合わせ先事業管理部

TEL 042-481-8573

22

製品紹介

広帯域（2 〜 8GHz）ダブルリッジホーンアンテナ■概

要

2 〜 8GHz まで広帯域にわたって使用可能なダブルリッジホーンアンテナです。全長 120mm 以下と小型のため，小スペースに設置できます。全帯域において VSWR2.0 以下を実現しました。
インターフェースは SMA コネクタ接続になります。
■特長・広帯域で低 VSWR（Voltage Standing Wave Radio）を実現。
・小型形状のため狭い設置スペースでも採用可能。
・アルミニウム製のため軽量。
■主要性能
項目

アンテナ 1

周波数範囲

2.0 〜 8.0GHz

6dBi 以上（2GHz において）10.5dBi 以上（8GHz において）

利得
VSWR
RF インターフェース
寸法

仕様

アンテナ 25dBi 以上（2GHz において）
11dBi 以上（8GHz において）2.0 以下SMA コネクタ
開口面 幅，高さ：120mm 以下
開口面 幅，高さ：85mm 以下
全長：90mm 以下
全長：120mm 以下

アンテナ 1 外観

アンテナ 2 外観

問い合わせ先事業管理部

TEL 042-481-8573

23

製品紹介

広帯域（2 〜 8GHz）高出力 AMP■概要

高性能なハイブリッドカップラを採用した，広帯域（2 〜 8GHz），高出力な増幅器です。通信・レーダ等
各種 RF 信号の増幅用途に適しています。
■特長・広帯域（2 〜 8GHz）で高出力（+32dBm 以上）な増幅器です。
・出力電力に対して利得，通過位相偏差が少なく直線性に優れた増幅器です。
■主要性能
項目
仕様
周波数
2.0 〜 8.0GHz+3.5
利得
25.0     dB−0（利得偏差） ± 1.0dB 以内（+30.0dBm 以下）
直線性（位相偏差） ± 3.0deg 以内（+30.0dBm 以下）
P1dB+32.0dBm 以上
NF
5.5dB 以下（@+25℃）
入出力 VSWR
2.0 以下+15V, 1.5A 以下
消費電流-15V, 0.05A 以下
102.7 × 100.2 × 30.0mm
外形寸法（突起物含まず）

広帯域高出力 AMP 特性

問い合わせ先事業管理部

TEL 042-481-8573

24

製品紹介

広帯域（8 〜 12GHz）Low Noise Amp■概要

GaAs FET を採用した，X 帯の広帯域（8 〜 12GHz）LNA です。全周波数帯域において NF 特性が 3.5dB
以下という低雑音特性を有しており，通信・レーダ等の各種 RF 信号の受信用途に適しています。
■特長・広帯域（8 〜 12GHz）で低雑音（NF：3.5dB 以下）な増幅器です。
・出力電力に対して利得，通過位相偏差が少なく直線性に優れた増幅器です。
■主要性能

利得
［dB］

項目
仕様
周波数
8.0 〜 12.0GHz
利得
21.0 ± 2.0 dB（利得偏差） ± 1.0dB 以内（+22.0dBm 以下）
直線性（位相偏差） ± 3.0deg 以内（+22.0dBm 以下）
P1dB+23.0dBm 以上
NF
3.5dB 以下（@+25℃）
入出力 VSWR
2.0 以下+15V, 0.8A 以下
消費電流-15V, 0.05A 以下
42.7 × 80.0 × 27.0mm
外形寸法（突起物含まず）

利得偏差
［dB］

位相偏差
［deg］

周波数
［GHz］

出力電力
［dBm］

広帯域 Low Noise Amp 特性
問い合わせ先事業管理部

TEL 042-481-8573

25

製品紹介

800MHz 帯送受信増幅装置（送受ダイバーシティ対応）
■概

要

■特

本製品は 800MHz 帯携帯電話基地局に用いるアンテナ分岐による合成分配損失を補償する送受信増幅装置です。

長①送信・受信個別に利得を設定することが可能です。
②日光の直射や風雨を考慮した屋外設置可能な本製品を使用することにより，給電線損失によるエリア縮小を防ぐことができます。

構造となっています。
③各増幅器及び送受共用器を筐体と一体化構造

無線構成としては，送受ダイバーシティに対応した送受 2 系統を有しています。

とし，かつ送信増幅器の高効率化により小型・軽量化を実現しています。
④送受共用器は，構成部材の最適化により温度変動の少ない特性を実現しています。
⑤送信増幅器の歪補償方式には，APD（Analog
Pre-Distortion）方式を採用し，高効率ドハティ
アンプとの組合せにより従来機種に比較し大幅な効率改善を行っています。
⑥無線性能は 3GPP の規格に準拠しています。

■主要性能
内容

項目
最大送信出力電力
利得（送信・受信）隣接チャネル漏洩電力
雑音指数
消費電力
使用環境条件
外形寸法
質量
構造

送信（下り）
受信（上り）
30W × 2 系統－
2 〜 12dB
10 〜 20dB－
3GPP 準拠－
3dB 以下350W 以下（DC-48V）-10 〜 +50℃，65％± 30％ RH
高さ 290mm ×幅 450mm ×奥行 190mm
19kg 以下
防まつ筺体・自然空冷

備考
0.5dB STEP 可変

製品外観
ブロック図

問い合わせ先

通信営業部

TEL 042-481-8519

26

【特集論文】
自動車関連の熱処理技術

〈特集論文〉

自動車関連の熱処理技術への取組み

Efforts to automobile-related heat treatment technology
谷口直純

Naozumi   TANIGUCHI

1．まえがきい用途に使用され，国内はもとより，東南アジアを中心に 広く海外へも製品展開されている。

リーマンショックのあと長きに渡り景気の低迷

IH の特長である短時間加熱の特性を活用し，省が続き，設備投資も抑えられてきたが，昨今アベ

エネ・低炭素社会への新たな取り組みとして，図 2

ノミクスや円安の効果から，市況は緩やかな回復に示すように，非磁性材・磁性材薄板の均一加熱，傾向にあり，特に産業の下支えとなる自動車部品，

塗装乾燥，塗装剥がし，シリコン溶解，エピタキシャ

電気機器，精密機器を中心に，製造業は全体で 9％ル成長装置など，電気炉やガス炉と IH を組み合わ程度の増益となり，設備投資も徐々にではあるがせたハイブリット炉方式（炉から IH）や，超高温増えてきている。

加熱用途などにも積極的に取り組んでいる。

このような市場環境の中，当社の産業用誘導加我国の製造業の中で，自動車及びその部品は，経熱（IH）ビジネスは，1946 年の創業以来 60 年以上

済を支える中核であり，世界に誇れる産業である。

の歴史をもち，出力で数 kW から MW クラス，周

物づくりの中心を担う自動車業界では，今後も波数で 1kHz から 2MHz の幅広い周波数帯の電源

多くの用途で IH が使われていくと考えられるが，を取り揃え，応用分野として図 1 に示す通り，焼鋼管材料に対しても同様で，焼入れ，焼鈍，予熱，入れ，焼戻し，ろう付け，はんだ付け，予熱，乾燥，乾燥，鍛造，ろう付けなど，広い用途での展開がシール，焼嵌，焼鈍，溶解，蒸着，鍛造など，広期待される。［１］図1

IH 応用分野

29

島田理化技報No.24（2014）

図2

IH による省エネ・低炭素社会への取り組み

2．自動車業界への取組み

能向上と，燃料消費削減に直結している車体の軽量化に対して，炭素繊維などは一部の高級車種に

自動車には約 4,000 種類，約 30,000 点を超えるよ使用され始めているものの，現状は従来使用されうな，他の製品に比べ非常に多くの部品が使われている鋼板が主流となっている。鋼板での対応とており，人命に関わるところでもある事から，高しては，肉厚を薄くすることが必須となるが，単い品質が求められる。このため精度の高い，高信

純に素材の肉厚を薄くするだけでは強度が失われ頼性の加熱方法として、IH による熱処理が多くのてしまう。そのため，強度を確保するにあたっては，製造工程で利用されている。

弱い部位へ局部的に当て板などで補強する方法は当社の製品も，図 3 に示すように，エンジン周あるものの，車体重量が増加するという問題が発辺や駆動部，タイヤやホイールを含む足回り，エ

生してしまう。その解決策として，高張力鋼板（ハアコンや各種モータなどの電装品，素材を含むボイテン鋼）の焼入技術が用いられている。

ディーや内装品などを中心に，各種用途と目的で多数使われており、自動車業界へは IH 関連製品の平均売上に対して，約 30％以上の納入実績を有している。
中でも，焼入れ，焼戻しの技術は，自動車用機
械部品に対して不可欠な熱処理であり，表面焼入
れや部分焼入れなどは，誘導加熱でしか処理できない技術として広く使われている。

3．鋼管焼入れ用高周波電源
自動車業界では，近年，環境に配慮した低公害化を目指す動きが相次いでいるが，さまざまな性30

図3

IH の自動車用部品への使用例

自動車関連の熱処理技術への取組み

この素材は，薄肉材料でも必要な強度を保つこ

筆者紹介とが可能であり，剛性と軽量化という相反する課

事業統括部

題を解決し，自動車用材料として多くの部位に使われている。
また，ハイテン鋼などを使った，自動車の軽量

産業 IH 営業部

谷口 直純

化技術が進むにつれ，正面からの衝突安全性はもとより，側面衝突に対しての安全性についても要求レベルが引上げられており，補強材の一つとして鋼管が広く使われている。
この特集では，エンジン周辺や足回り，駆動系などのシャフト関連部品に，広く使われている焼入れ技術を応用し，他の熱源と比較して，短時間加熱，局所加熱の特長を活かした，鋼管焼入れ用
高周波電源を紹介する。また，IH を活用する上で，複雑なワーク形状に対して，加熱コイル形状や加熱時間，冷却条件や温度バランスなど，焼入れ技術の主要な条件を正確に数値化できる最新の 3D シ
ミュレーション技術を駆使することで，条件出しが短時間で可能となった。
更に，3DCAD とデータをリンクさせることで設計を効率化し，立体的に構造検討を行うことで，加熱コイル部の設計時間を大幅に短縮することが
できた。

4．むすび
2020 年の東京オリンピックに向け，さまざまなかたちで新技術への取り組みがなされており，自動車業界も EV 車や燃料電池車など，新たな開発が進んでいる。当社も，自動車関連分野やそれに関わる素材分野への取り組みを行うなか，従来技術や従来用途に加え，今回紹介した鋼管焼入れ技術の展開や，更に自動車業界のニーズに合わせた新技術への取組みを行っていく。
また，今まで培ってきた技術を応用し，地球環
境への保全やエネルギー削減に積極的に取組み貢献していく。

参考文献［１］経済産業省

2014 年度ものづくり白書

我が国ものづくり産業が直面する課題と展望

31

〈特集論文〉

鋼管焼入れ用高周波電源

The High-Frequency Power Supply For Steel Pipe Quenching
守上浩市

Koichi   MORIGAMI

1

篠塚

保志

片岡

Yasushi   SHINOZUKA

まえがき

辰雄

Tatsuo   KATAOKA

代表金属の浸透深さ

表1

浸透深さ（mm）

自動車や産業機器等の駆動部に使用される鉄鋼

金属名

部品は，耐摩耗性を向上させるために，表面焼入

10kHz

30kHz

200kHza 鉄（25℃）

0.16

0.09

0.04

れが施されている。表面焼入れには浸炭焼入れや火炎焼入れ，高周波焼入れ等の方法がある。特に

g 鉄（800℃）

5.62

3.25

1.26

SUS430（磁性）

0.71

0.41

0.16

誘導加熱を用いた「高周波焼入れ」は，安定した

SUS304（非磁性）

4.43

2.56

0.99

焼入れ特性が得られることに加え，生産性向上・

アルミニウム

0.95

0.55

0.21

省エネルギー・環境性など，近年の業界の要求を満足できることから広く利用されている。
本稿では，当社が開発した鋼管焼入れ用高周波誘導加熱の加熱効率に関して，管状ワークの厚みと浸透深さの関係を述べる。一般的には，ワー
ク厚に対して浸透深さが浅ければ加熱効率がよい。

電源を紹介する。

逆にワーク厚に対して浸透深さが深ければ加熱効2

高速加熱型高周波電源率は下がる。しかし，図 1 のような管状ワークの場合には，ワーク厚に対して浸透深さが深い方が，当社では，位相制御方式を用いた高速加熱型高加熱効率が高くなることが知られている。誘導加周波電源「SBT-E（S）シリーズ」で出力容量が 10

熱ではワークの材質，形状，厚みによって最適な〜 1000kW のものまで製品化している。

浸透深さを選ぶことで，最適な加熱効率を得るこ

誘導加熱は，コイルが作り出す磁束に対し直角とができる。

の方向に誘導電流が発生し，加熱対象物（以下，ワーク）を直接加熱する。また，誘導電流は高周波電流であるためワークの表面に集中して流れる。これを表皮効果といい，深さに対し指数関数的に減衰し，1/e 倍となる深さを浸透深さと呼ぶ。浸透深
さ d は式（1）によって表される［1］。表 1 に代表金属の浸透深さを示す。
････････････（1）
ここで r：ワークの電気抵抗率［W･m］
mr：ワークの比透磁率

図1

加熱コイルと誘導電流

ƒ：周波数［Hz］
工業加熱の高速加熱，高速冷却を繰り返す量産処理工程では，生産性を更に向上させるために，
高周波電源からの投入電力の立上りが高速かつ高33

島田理化技報No.24（2014）

表2
型式

SBT-E シリーズ仕様

SBT-E100定格出力
周波数

SBT-E200

SBT-E300

100kW

200kW

300kW

H：10 〜 30kHz

H：10 〜 30kHz

H：10 〜 30kHz

L：3 〜 10kHz

L：3 〜 10kHz

L：3 〜 10kHz

立上り特性

50ms 以下

50ms 以下

50ms 以下

電源入力

3f AC440V ± 10% 50/60Hz

3f AC440V ± 10% 50/60Hz

3f AC440V ± 10% 50/60Hz

冷却方式

水冷

水冷

水冷

外形寸法（mm）

W800 × D700 × H1500

W1200 × D850 × H1850

W2200 × D1200 × H2000

重量

350kg

650kg

1050kg

出力であることが重要となる。

下の利点がある。

当社では，出力の高速応答の用途に，50ms 以下の高速立上りが可能な SBT-E（S）シリーズを製品

3.1

高速立上り（出力立上り時間 50ms 以下）化している。本電源は，鋼管の移動焼入れや段付

サ イ リ ス タ 制 御 方 式 は， 商 用 周 波 数（50 ／きシャフトの局部的な加熱，短期間サイクルの加60Hz）の点弧角を可変するフィードバック制御で，熱等の高速加熱用途に最適である。表 2 に SBT-E

通常，出力立上り時間が 200ms 以上であり，高速シリーズの中から大出力高速焼入れに使用する化回路を追加しても約 100ms が限界であった。位100kW，200kW，300kW の 仕 様 を 示 す。 図 2 に相制御方式では，インバータ部のスイッチング電

200kW 高周波電源の外観を示す。

圧と電流の位相差を変化させる高周波でのフィードバック制御であり，出力立上り時間は 50ms 以下（従来比約 1 ／ 5）と，大幅に高速化した。図 3 に出力立上り特性の測定データを示す。

図2200kW 高周波電源（SBT-E200）外観

3（a）SBT-E（S）シリーズ（位相制御方式）

SBT-E シリーズ特長［2］従来型電源では，三相交流電源を整流するためにサイリスタスタックを使用していた。商用電源
電圧の正弦波を途中で点弧し，その点弧角を変えてインバータ部の入力電圧を可変させ，高周波電
源の出力電力を制御している。SBT-E（S）シリーズ（高速型）では，整流部にはダイオードスタックを使用し，インバータ部で高周波電圧と電流位相を制御する位相制御方式を採用している。位相制御方式は従来型のサイリスタ制御方式と比べ以34（b）従来型（サイリスタ制御方式）
図3

従来型との出力立上り時間比較

鋼管焼入れ用高周波電源

3.2信頼性向上，低コスト化

表3

従来型のサイリスタスタックによる整流は，大きなリップル電圧分を平滑するために，大容量の電解コンデンサが必要であり，充放電の繰り返し
大電流による部品の性能劣化が避けられない。ダイオードによる整流では，リップル電圧成分は少なく平滑コンデンサが不要のため，定期的なメン

高調波電流発生比率（基本波との比率）

高調波電流
従来型電源
SBT-E（S）
シリーズ
SBT-E（S）シリーズ
12 パルス方式

5次

7 次 11 次 13 次 17 次

30.0% 13.0% 8.4% 5.0% 4.7%
17.5% 11.0% 4.5% 3.0% 0.5%
2.0% 1.5% 4.5% 3.0% 0.2%

テナンスおよび部品寿命による交換作業性が格段

4に少なくなり，製品レベルでの信頼性が大幅に向回路構成および動作原理［2］［3］上すると共に，従来型と比較して部品点数が大幅に削減されている。

図 5 に SBT-E（S）シリーズの系統図を示す。以下，動作原理について概要を説明する。

3.3

電源力率 95% 以上

サイリスタ制御方式は，三相交流電源の電圧・電流の位相ずれの発生により力率が悪化する。特に定格出力に対して，低出力設定時はその傾向が

4.1

主回路系

主回路は，電源部，インバータ部，共振部で構成される。

顕著であった。SBT-E（S）シリーズでは整流器に三相電源からの交流電力は，6 個のダイオードでダイオードスタックを使用しているため，定格出

構成した三相全波整流器で直流電力に変換される。

力の 50％でも力率 90％以上を維持し，定格出力時

次に，この直流電力をインバータ部の高周波スイッでは理論値上限に近い力率 95％以上となっている。

チングにより高周波電力に変換し，共振部の出力

図 4 に従来型との力率比較を示す。

トランス 1 次側に供給する。出力トランスはインバータ部と出力負荷側との絶縁，およびインピー
ダンスマッチングの機能があり，出力トランス 2
次側へ高周波電力を供給する。
4.2

制御系

制御部では，主にスイッチング周波数の制御と，高周波電流検出器からの高周波電流位相（フィードバック信号）による出力指令信号との比較による定電流制御を行う。
出力負荷は，電源に内蔵されている共振コンデ
ンサ（C）と電源外部に接続される加熱コイル（L）
図4

従来型との力率比較［ 新型：SBT-E（S）シリーズ ］

からなる直列共振回路である。焼入れ用途のようにコイルインダクタンス値が小さい場合には，CT（カレントトランス）をコイル近くで接続してイン3.4

電源高調波の低減

ピーダンス変換して電源出力に接続する。出力電従来型インバータと比較し，SBT-E（S）シリー

流位相と出力電圧位相が同位相のとき出力電力がズは電源入力電流の高調波成分（ひずみ）を大幅最大（フルマッチング）となる。また，出力電流に低減している。また，高調波抑制対策ガイドラ

位相が出力電圧位相よりも遅れる領域では出力電インに適合する 12 パルス方式のオプション構成が力が減少する。位相制御方式は以上の原理により，容易に対応可能である。表 3 に従来型と SBT-E（S）

共振回路における高周波電流の位相を操作し，出シリーズの高調波電流の発生比率を示す。

力電力を可変する。実際には，インバータ部のスイッチング周波数は出力負荷の共振周波数よりも若干高い領域で 10% 程度偏移する。この偏移分は，誘導電流の浸透深さが周波数の 1/2 乗に反比例す35島田理化技報No.24（2014）

図5

SBT-E（S）シリーズ系統図ることを考えると，焼入れ特性への影響は実際上

まず，キュリー点以上の温度での周波数と加熱

ほとんどない。特に，薄板鋼管のキュリー点以上

効率の関係を求めた（図 7）。先に述べたように，の場合は，浸透深さは板厚より数倍深くなってお管状ワークでは浸透深さの浅くなる高い周波数域

り，影響は無視できる。

での加熱効率は低くなり，比較的低い周波数である 30kHz 付近が最も高くなっている。この結果よ5

移動加熱温度分布と立上り速度

り，次の移動加熱温度分布解析は，周波数 30kHzで行った。

弊社では，測定が困難な現象の把握や，加熱コ
イル，および電源の最適設計にシミュレーションを用いている。ここでは，出力立上り時間による温度分布の違いを誘導加熱 3D シミュレーションを用いて可視化した。
図 6 に解析モデルを示す。ワーク（被加熱物）
は，内径 60mm，厚さ 1mm の管状ワークとし，加熱コイルは銅製角パイプ 1 ターン（幅 10mm），内径62mmとした。
軸回転方向1/8モデルで解析を行った。

図7

周波数と加熱効率の関係（800℃時）

従来型電源と新型電源で，搬送される管状ワー
クを加熱した場合の温度分布解析結果を図 8 に示す。 コ イ ル 電 流 は 7500A と し た。 従 来 型 電 源 の
立上り時間を 200ms，新型電源の立上がり時間を
図6

36

解析モデル

50ms とし，出力 ON から 500ms 後の温度分布を比鋼管焼入れ用高周波電源較した。ワークの移動速度は 100mm/s とした。

筆者紹介
事業統括部
産業 IH 製造部

守上 浩市

事業統括部
技術部

篠塚 保志

事業統括部

図8

立上り時間と温度分布（加熱後 500ms 後）産業 IH 製造部

片岡 辰雄

立上り時間が短い高速立上り電源を使用すると，
温度遷移部が狭くなるため，局部的な加熱や短期間サイクル加熱など高速加熱用途に適していることがわかる。

6

むすび

今後もエネルギーコストの高騰や環境問題の観点から，機械部品や自動車部品の軽量化がますます必要とされていく中，鋼管材の高周波熱処理の適用はさらに拡大していくと想定される。それらを踏まえ，顧客のニーズに根ざした高周波電源の開発をしていくと共に，加熱コイル製作ではシミュレーションを積極的に活用することで，試験及び設計の効率化を図っていきたい。

7
［１］松原

参考文献

裕輔，田内

良男：“カーボンファイバの誘導加熱技術”，島田理化技報，No23, 2013
［２］村 松護， 椛 田学， 冨 田始：“ 焼 入 れ用高周波高速インバータ”，島田理化技報，
No17, 2006．
［３］寺川

誠一，木村

隆一：“新型高周波発振器

SBT-E200”，島田理化技報，No11, 1999．

37

製品紹介切り板プレス前誘導加熱装置■概要

本装置は，鋼鈑などの切り板をプレスする前に約 900℃に誘導加熱（IH）するもので，構成は，電源部，加熱部，操作部になります。従来は，作業者が切り板を工具で挟んで直火（ガス）で加熱していた作業を，IH 方式に変えることで，高温になっていた作業場の環境が改善され，加工品質の向上を図ることができます。
■特長①加熱コイル内での磁界による切り板自身の自己発熱のため，装置周辺温度が上がらず，ク

装置外観（HFH-SFT100）

リーンな作業環境を確保できます。
②切り板のセットと取り出しは，オプションのスライド機構を取り付けることで簡単に対応ができます。
③左右の加熱コイルの運転は，タッチパネルから選択が可能で，片方の加熱中にもう一方に切り板をセットすることができ，作業効率が上がります。
④加熱時間は，約 20 秒／個程度であり，運転条件（処理時間，
加熱出力，温度保持出力）をタッ

操作手順

チパネルからプログラム設定できるので，繰
り返し加熱に対して，高い温度精度を実現で
■用途例

きます。
⑤ロボットや自動搬送装置を使うことで，無人・鋼鈑の切り板プレス前加熱・切り板の連続送り加熱（加熱部改造有り）

化対応も可能であります。

・切り板の材質は，鋼材の他，非磁性ステンレスなど対応可能■主要仕様
型名
HFH-SBTES30
HFH-SBTES75
HFH-SFT50
HFH-SFT100

周波数

板厚

（kHz）

（mm）

25
25
100
100

6 〜 10
6 〜 103 〜 103 〜 10

加熱部
入力電力
（kW）
30
75
50
100

加熱温度

冷却水

MAX（℃）（L/min）
900
900
900
900

30
50
40
50

加熱部

装置

外形寸法

全質量

W × H × D（mm）
1000 × 1300 × 1250
1000 × 1300 × 1250
1000 × 1300 × 1250
1000 × 1300 × 1250

（kg）
800
1000
800
1000

問い合わせ先事業管理部

TEL 042-481-8573

39特 許 紹 介
リミッタ装置，レーダシステム
出願 2011 年 3 月

■概

発明者

要

マイクロ波帯やミリ波帯を用いたレーダシステ
ムにおいて，過大な電力が受信端に入力された場
合，レーダシステムの受信部を保護するために，
マイクロ波リミッタ装置が用いられる。
本発明は，マイクロ波リミッタ装置の特性の均一化と，アンテナ側への不要放射抑制方法に関す

日下

特許第 5235031 号
洋，槇敏夫

から，PIN ダイオードの特性のバラツキや，イン
ピーダンス不整合により生じる従来の問題を解決することが可能である。
また，LNA 制御部を備えており，抑制器で抑制できない程度の大電力の受信波を受信した場合でも，LNA の動作を停止させることで，LNA 以降の受信部を保護することも可能である。

るものである。
■従来技術の課題

従来のマイクロ波リミッタ装置には，受信部を保護する抑制器として PIN ダイオードを用いているが，その動作原理から，自己バイアス電流の閾
値のバラツキがマイクロ波減衰量のバラツキに繋がる。その結果マイクロ波リミッタ装置の特性が不均一になる。また，PIN ダイオードのインピー
ダンス不整合による基本波の反射に加え，PIN ダ
イオードの非線形性に起因する高調波成分までもがアンテナに返される。このような反射成分が，アンテナから副次的に発射されて電波法の規制に抵触することがある。
これらの問題に対して従来では，例えば PIN ダ
イオードの特性の選別と電気的な調整が要求されるが，コスト及び時間が増大して実現が非常に困難であった。
■発明の手段と効果

本発明のマイクロ波リミッタ装置の構成を図 1に示す。まず，アンテナより受信した受信波を受信電力計測部にて計測する。その電力値に応じて，伝送する受信波を減衰，遮断する制御信号を，制御部から生成する。また，抑制器は可変減衰器，又は吸収型 SPDT スイッチで構成され，前述の制
御信号の指示に応じて，受信波を減衰，遮断し，後段の受信部への影響を抑制する。これによってアンテナ側への反射波も抑制される。いずれの構成の抑制器でも受信波の減衰に PIN ダイオードを用いずに，受信波を減衰，あるいは遮断すること

40

図1

本発明を適用したマイクロ波リミッタ装置

特 許 紹 介
金型の加熱・冷却構造 特許第 5243362 号
出願 2009 年 7 月

■概

発明者

石間

勉 （株式会社ホンダロック殿と共同出願）■発明の手段と効果

要

本発明は，プラスチック成型などに使用される

誘導加熱用の銅パイプコイルには金型から接触金型の加熱分野で使われるものであり，誘導加熱しないように隙間を開けている。これは，絶縁を（IH）を利用して金型を急速加熱し，直後に冷却水確保するとともに，加熱時にコイルの内側を流れを加熱コイルの回りの隙間に流して，急速冷却する冷却水からの金型への冷却を防止している。本

ることにより，加熱と冷却を短時間に行うことの発明では，図 1 に示すように，誘導加熱時にはこできる構造を特徴としている。

の隙間にエアーを流しておき，加熱が終了した直後には，切換により冷却水を流し込む構造として■従来技術の課題いる。次の加熱時には，エアーで冷却水を排水し樹脂の金型には製品の表面転写性から急速加熱，た後に誘導加熱を開始する。

急速冷却が求められている。誘導加熱を利用した

さらに，図 2 に示すように，金型ブロック部と急速加熱は従来から行われているが，加熱後の冷の間に配置した絶縁材で周囲の構造体（母型）か

却に時間がかかってしまうことが課題となっていら熱絶縁させる構造とし，金型の加熱，冷却を加た。

速させている。

図1

図2

本発明の構成本発明の金型側面図41

特許登録紹介

特許登録紹介（2013年4月〜2014年3月登録分）

登録番号534112153411205335835

発明の名称
共振器

共振器

共振器

発明の概要
発明の
利用分野

共振棒により励振された高周波信号を導体からなる線路を介して伝播することが可能な共振器。

従来技術の
課題

共振器をダイキャストの工法により一体成型する場合には，治具による線路の配設作業を行わなければならず，作業性が悪かった。

発明の
手段と効果

高周波信号を線路を介して伝播することが可能な共振器において，ハンダ付け作業を行うことなく線路を配設することができ，また簡単な構成により共振棒と短絡していない状態で線路を所定の位置に配設することができる。

発明の
利用分野

高周波信号を伝播し，共振棒のみを備えた複数の共振器と組み合わされてフィルタ装置を構成する共振器。

従来技術の課題

ハンダ付け処理によって結合線 路を接続する際に，ハンダごての熱が筐体から放熱されてしまい，
ハンダ付け処理の作業性が悪化する問題があった。さらにダイキャストの工法上，共振棒の側面にそれぞれ結合線路を接続するための穴を設けることが困難な場合もあり，容易に筐体および共振棒を一体成型することができなかった。

発明の
手段と効果

高周波信号を結合線路を介して伝播する構成の共振器において，ハンダ付け処理を行うことな
く結合線路を配設することができる。

発明の
利用分野

高周波信号を伝播し，共振棒のみを備えた複数の共振器と組み合わされてフィルタ装置を構成する共振器。

従来技術の課題

アンテナ方式の入出力機構を備えた共振器において，アンテナをそれぞれ共振器内に接触しないように配設する必要があり，同共振器を製作する際には，アンテナを最適な結合度に位置決めするために専用の治具を使用するか，結合度を調整するためのネジを別途設ける必要があり，同共振器を簡単に製作することができな
かった。

発明の
手段と効果

アンテナ方式の入出力機構を備えた同共振器において，アンテナの位置決めによる結合度最適化が容易であるとともに結合度を調整するネジを設ける必要がなくなる。

備考43島田理化技報No.24（2014）

登録番号

発明の名称

5269943

誘導加熱装置53072675342921

誘導加熱コイル

金属板の誘導加
熱装置

発明の概要
発明の
利用分野

非磁性材および磁性材よりなる薄板状の被加熱
物を加熱する際に用いる誘導加熱装置。

従来技術の
課題

トランスバース型誘導加熱装置を薄板状被加熱物の搬送路状に複数設けて，同複数の誘導加熱装置を用いて段階的な昇温パターンにより加熱を行うようにしていたが，複数の誘導加熱装置を配置するスペースが必要になることや，複数の誘導加熱装置を用いるためにコストが高かった。
このため，トランスバース型誘導加熱装置の搬送方向において薄板状被加熱物を保温するための長さを確保することができず，薄板状被加熱
物を保温することができなかった。

発明の
手段と効果

トランスバース型の誘導加熱装置であって，ス
ペースと効率の良い，段階加熱や保温を行うことができる。

発明の利用分野

平面加熱を行う誘導加熱コイル。

従来技術の
課題

銅パイプ内を循環する冷却水による方式では，以下の問題があった。①銅パイプとフェライト
コアとの接触面積が小さいため十分な冷却効果が得られない。②フェライトコアは，輻射熱による加熱や度重なる使用により除々に劣化する。③フェライトコア交換時に，銅パイプからフェライトコアを取り外す際に，銅パイプに力がかかり銅パイプの形状が変形し修正が必要となるため，フェライトの交換において，本作業が作業者にとって負担となっていた。

発明の
手段と効果

フェライトコアを効率よく冷却することができ，かつフェライトコアを容易に交換すること
ができる。

発明の
利用分野

連続焼鈍工程などにおいて，搬送中の金属板を加熱するためのトランスバース型構造を備えた誘導加熱装置。

従来技術の課題

各鉄心の磁極間の漏洩磁束が増加して，金属板を貫通する加熱用磁束が急激に減少してしまう
ため，充分な加熱効率が得られない。このため，金属板を充分に加熱できるように誘導コイルを増加したり，また誘導加熱電源の出力を高めたりする必要があり，設備コストやランニングコ
ストが増大していた。

発明の
手段と効果

磁極間の漏洩磁束を減少させることにより，設備コストやランニングコストの増大を招くことなく金属板の加熱効率の向上が図れる。また，
雰囲気ガスのシール及び各誘導コイルの保護を行った状態で，金属板を不活性ガス雰囲気内で加熱することができる。

5243362

金型の加熱・
冷却構造

5235031

リ ミ ッ タ 装 置， 別掲
レーダシステム

44

別掲

備考

新日鉄住金
エンジニア
リング株式
会社殿との
共同出願

株式会社
ホンダロック殿との共 同出願

営業分野及び主要製品【電子機器】
同軸・導波管コンポーネント
・通信用／レーダ用／エネルギー応用マイクロ波コンポーネント
通信機器
・移動体通信基地局用送受信増幅装置
・移動体通信用エリア拡張装置
・移動体通信基地局周辺機器
・移動体通信基地局用収容箱
・ミリ波／マイクロ波モジュール
・VSAT用機器
電子機器
・航法装置試験用シミュレータ
・レーダ機器試験用シミュレータ
・放射線治療装置用マイクロ波コンポーネント及び発振器【産業機器】
高周波誘導加熱（IH）方式による各種加熱装置及び付帯設備
・高周波溶解装置
・高周波焼入装置
・高周波焼バメ装置
・高周波ろう付，半田付装置
・薄板加熱装置（磁性・非磁性材対応）
・塗装乾燥装置
・各種高周波インバータ

島田理化技報編集委員会
委員長

石間

勉

副委員長

黒川

孝

大竹

康紀

浅利

哲

高木

聖二

渡邉

信行

委

員

島田理化技報 No.24（無断転載を禁ず）
2014年12月22日 発行
発

行

所

四分一浩二
田内
事務局

良男

吉岡 善信
野田幹一朗
堀米

義嗣

大和田達郎

東京都調布市柴崎2丁目1番地3
島田理化工業株式会社
TEL（042）481-8510（代表）FAX（042）481-8596（代表）
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編集兼発行人島田理化技報編集委員会

印

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刷所