In situ 軟 X 線吸収分光法を用いた極紫外線用多層膜ミラーのコンタミネーション防止機構の研究
新部正人1，古井田啓吾1，角谷幸信1,2，松成秀一2，青木貴史2，寺島茂2，高瀬博光21 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所
2 研究組合要旨〒6781205 兵庫県赤穂郡上郡町光都 312

極端紫外線露光システム技術開発機構（EUVA） 〒2100007 神奈川県川崎市川崎区駅前本町111

次世代の半導体パタン露光技術の候補である極紫外線リソグラフィー（EUVL）装置では，投影光学系に用いられる多層膜ミラーの表面汚染が装置処理能力を低下させる原因となる。この表面汚染を防止する技術を開発するため，アンジュレータを光源とするコンタミネーション評価装置を開発し，研究を進めている。この装置は，種々の真空環境を制御し，高照度の極紫外線照射と in situ での反射率評価ができるほか，軟 X 線吸収分光法を用いた in situ での表面分析ができるのが特徴である。露光装置で想定される真空環境の水分に対して，さらにイソプロパノールガスを導入した照射実験を行い，多層膜ミラーの表面汚染の要因となる炭素膜の堆積と表面酸化の両方の反応を抑制するための重要な知見を得ることができた。

1. はじめにている。この酸化を防ぐために，最上層に酸化防止を目的としたキャッピングレイヤを堆積することが考案され，各次世代の半導体露光装置として，波長13.5 nm の極紫外種の材料が検討されてきた8,9) 。現在もっとも有望なキャ線（ extreme ultraviolet, EUV ）を用いたリソグラフィー

ッピングレイヤのひとつとして，金属ルテニウム Ru が挙技術（EUVL）が注目され，その技術開発が活発である1)。

げられ，これを表面に 2 nm 程度堆積した多層膜を Ru-

この露光装置は EUV 光を用いるため，投影光学系は複数

cap Mo / Si 多層膜と呼ぶ。また，何も堆積していない最枚の Mo /Si 多層膜ミラーより成る直入射光学系で構成さ上層が Si の多層膜を Si-cap 多層膜と呼ぶことがある。現れ，またマスクパタンの転写露光は真空環境下で行われ状では Ru-cap 多層膜を用いても酸化は完全には防ぐことる。このため，真空槽内に残留する水分や炭化水素のガスができず，露光機環境で使われた場合，ミラーの寿命は 3に EUV 光が当たり，ミラー表面に炭素膜が沈着したり，か月程度と見積もられた6)。

多層膜表面が酸化し，ミラーの反射率を低下させる，いわコンタミネーション防止機構の研究には，まず加速試験

ゆるコンタミネーション（表面汚染）が生じ，装置の処理ができる高照度の EUV 光源が必要であり，また EUV 領能力を低下させることが問題となる24)。投影光学系のミ域の反射率を測定できる精密反射率計が必要である。さらラーは非常に精密な非球面加工や多層膜コートが必要であにコンタミネーションによるミラー表面の状態変化を知る

り，また精密なアライメントも必要なため5)，製造に時間ためには，各種の表面分析手段が必要である。特に，そのとコストがかかり，簡単には交換できない。このことから

場観察（in situ）のできる分析手段は，コンタミネーショ

ミラーの反射率低下に対する要求仕様は大変きびしく，例ン現象を理解するための重要な情報を与えてくれる。以上

えば米国 VNL (Virtual National Labotarory) の試算によより，我々は兵庫県立大学の放射光施設ニュースバル10)

れば，数年間の使用に対して 1 枚あたり1.6 以下が要求に，アンジュレータを光源とし，EUV 照射と in situ でのされている6)。

反射率測定ができ，かつ軟 X 線吸収分光法を用いて表面多層膜ミラーのコンタミネーションの形態としては，放状態のその場観察ができるコンタミネーション評価装置を

射光を利用する読者には良く知られている炭素様膜のミ開発し，これを用いた多層膜ミラーの汚染防止技術を研究

ラー表面への堆積（沈着）のほかに，多層膜の表面酸化がしている。

ある。 Mo /Si 多層膜は通常，酸化の少ない Si 層を最上層となるように作製するが7)，水や酸素が残留する真空雰囲
気下で EUV 照射されると，Si 層が酸化することが知られ26 ● 放射光 Jan. 2008 Vol.21 No.1
(C) 2008 The Japanese Society for Synchrotron Radiation Research

トピックス ■ In situ 軟 X 線吸収分光法を用いた極紫外線用多層膜ミラーのコンタミネーション防止機構の研究

2. コンタミネーション評価装置ルギー）側の分光光をメインチェンバーに通した12)。
メインチェンバーの中心には試料台ステージがあり，コンタミネーション評価装置は，ニュースバルの長尺アロードロック機構を使ってチェンバーの真空を破らずに多ンジュレータ（ 11 m ）を光源とし，高分解能軟 X 線分光層膜試料の交換ができる。チェンバー内には 2 個のフォ器を有するビームライン，BL911)のエンドステーションのトダイオード検出器（IRD 社，Zr/Si コート SXUV）が設ひとつとして設置された。 Fig. 1 に，この装置の模式図を置され，それぞれ直射光と反射光の強度測定から，in situ示す。本装置はミラーチェンバーとメインチェンバーの主で反射率を測定できる。試料の上流には，直径50 mm のピに二つの真空槽から成る。両チェンバーの間には差動排気ンホールを挿入してプローブ光ビーム径を小さくでき，試系が設置され，メインチェンバーの真空圧力を10－2 Pa ま

料ステージの移動により，照度の異なる部分の反射率変化で高めた場合にも，ミラーチェンバーの真空度を約 5 桁を一回の照射で測定できる。これらの試料台，検出器およ低い10－7 Pa 台に保つことができる。ミラーチェンバーでびピンホールは真空ベローを介して，真空槽の外に置かれのカーボン（C）コートミラーを 2 枚用い，は斜入射角10°た自動ステージにより位置制御されるため，非常に脱ガス2 回反射後に，EUV 光をメインチェンバーに導く。 Fig. 2の少ない装置となっている。これらの工夫は，照射領域のにアンジュレータ光を C ミラーで反射させた場合と反射真空雰囲気を清浄にかつ一定に保つために非常に重要であさせず直接通した場合のスペクトルを示す。これより，Cる。メインチェンバーは500 L /s のターボ分子ポンプによミラーで反射させることにより，波長10 nm 以下のアンジり排気され，到達真空度は 2×10－7 Pa であった。

ュレータ高次光をカットし，13.5 nm 付近の 1 次光のみをメインチェンバーには 2 種類のガス導入系が備えてあ試料に照射できることが分かる。高照度の EUV 光を照射

り， 1 系統は水蒸気ガスを導入でき，他の 1 系統はアルするときは，分光器より 0 次光が出射するように設定し，コール等の炭化水素（HC）ガスを導入できる。水およびC ミラーをローパスフィルタとして使って，試料に照射しアルコール類は，導入前に液体窒素による固化と TMP 排た。また後に述べる表面分析の際には，C ミラーを斜入射気による脱気をくりかえし，不純物ガスを取り除いた。導の 2 枚の Ni コートミラーに交換し，短波長（高エネ角 4°

入ガスの圧力は，いずれも手動のニードルバルブで調整した。メインチェンバーには 4 重極質量分析計が装備してあり，2 種類のガスを同時に導入する時は，導入ガス圧の全圧のほかに，特定質量数の成分分圧が一定となるようにニードルバルブを調整した。
試料ホルダーは真空槽から電気的に絶縁されていて，リード線とフィードスルーを通して， EUV 照射による光電子放出電流を測定できる。これを用いて，ビームラインの分光器で分光した軟 X 線を試料の照射領域に当て， insitu で全電子収量法による表面分析ができる12) 。この場
合，光量不足を補うため50 mm のピンホールの代わりに水平方向に200 mm のスリットを用い，また鉛直方向はビー
Fig. 1

Schematic diagram of the contamination evaluation systeminstalled in the Long Undulator beamline (BL9) at theNewSUBARU SR facility.

ムが集光されるため，試料上でのビームサイズは 450 mm程度であった。吸収測定は主に炭素および酸素（O）の K吸収端付近のエネルギーについて行った。試料台ステージを X および Z 方向にスキャンすることにより，吸収分光による元素濃度のマッピングができる。

Fig. 3 に EUV 照射ビームの形状を示す。ビームサイズ
は約 2 mm 角で，強度分布は水平方向がガウス型，鉛直方向は周辺部を除きほぼ平坦な分布であった。ニュースバルの 1.0 GeV 運転時，蓄積電流200 mA のとき，照射中心のEUV フラックス密度は 200 mW / mm2 程度あり，この値は EUVL 投影光学系のもっとも照度の高い多層膜ミラーの約1000倍という値である。

Fig. 4 に，水分圧 1.3 × 10－3 Pa で EUV 照射したときのFig. 2

Spectra of undulator radiation re‰ected and nonre‰ected bycarboncoated mirrors. The light intensity was measured bya photodiode detector placed in the main chamber.

Ru-cap Mo/Si 多層膜の反射率変化の一例を示す。反射率
測定には C ミラーで高次光をカットしたアンジュレータ光をそのまま用い，50 mm のピンホールでビームサイズを放射光 Jan. 2008 Vol.21 No.1 ● 27

制限して，照射領域の各部分を測定した。アンジュレータ抽出した。

1 次光のバンド幅は，多層膜の反射バンド幅（ Dl ＝ 0.5nm ）のほぼ半分程度であった。反射率計測は PC で制御

3.

して，10～15分の時間間隔で自動的に EUV 照射と反射率

軟 X 線 吸収 分光 法を 用い た in situ での表面分析測定ができる。反射率は未照射時の反射率値で規格化した相対反射率で示す。ドーズ量はフォトダイオード感度のカ全電子収量（ TEY ）モードによる軟 X 線の吸収分光タログ値をもとに校正した。 Fig. 5 に同じ試料の EUV 照（XAS ）法は，装置が比較的簡便であり，in situ での表面射後の反射率分布マップの一例を示す。用いた多層膜試料

分析 に適した 手段である 。一方，一般 に多くの場 合，には，もともと周期長の分布等に由来する試料面内の反射XAS は定量的な議論をするのは不向きであると言われ率分布があったため， EUV 照射の前後で反射率マップをる。それは，軟 X 線領域での光電子放出量が表面状態に測定し，両者の差を取って， EUV 照射による影響のみをより敏感に変化し，試料間の吸収強度を比較しにくいためである。しかし我々は，同一試料（基板）内のコンタミネーションの増減を観察する場合には，ある程度の半定量的な議論ができるのではないかと考えた。そこでまず，コンタミネーションを模擬した標準試料を作製し，その吸収強度の変化を測定してみた。標準試料の断面模式図を Fig. 6 に示す。試料は Ru-cap および Si-cap の Mo / Si 多層膜（ 50層対）の表面にさらに C 膜を 1 ～ 5 nm の厚さで堆積したもの( a ），および Si-cap 多層膜上に 0.5 nm ずつ厚みを変え，金属 Ru と RuO2 を全厚で1.7 nm になるように連続堆積したもの(b )である。標準試料の cap 層はスパッタリン

Fig. 3

EUV irradiation beam proˆle at the sample holder forstorage current of 100 mA.

グ法で作製し，膜厚はあらかじめ求めた堆積レートをもとに，堆積時間で制御した。

Fig. 7 に C 膜の厚みの違う Ru-cap の多層膜標準試料のCK 吸収端近傍の XAS スペクトルを示す。スペクトルは標準的な非晶質カーボンに類似し，285 eV 付近のするどい p共鳴吸収と 295 eV 付近の幅広の s共鳴吸収が見られる。吸収強度は C の厚みにより変化し，厚い試料ほど吸収強度が大きい傾向であった。

285 eV における pと 295 eV における sの吸収強度をC の厚みに対してプロットしたものを Fig. 8 に示す。C 厚
みと吸収強度は 4 nm まで直線的な関係があり，コンタミネーションの厚みに対するある程度の定量的議論ができそうであることがわかった。C 厚み 5 nm では直線関係からFig. 4

Relative re‰ectivity change of a Ru-cap Mo/Si multilayer
mirrors as a function of EUV dose. The measurements werecarried out sequentially at several diŠerent irradiation intensity points by PC controlled program.

Fig. 5An example of re‰ectivity map at the EUV irradiation areaof Ru-capped Mo/Si multilayer obtained, in situ, after theirradiation.のずれが見られる。これは光電子の脱出深さに由来する吸Fig. 628 ● 放射光 Jan. 2008 Vol.21 No.1

Schematic diagram of the Ru-capped Mo/Si multilayer standard samples for carbon deposition (a) and surface oxidation (b). The number of layer pairs in the Mo/Si multilayer
was 50.

トピックス ■ In situ 軟 X 線吸収分光法を用いた極紫外線用多層膜ミラーのコンタミネーション防止機構の研究

Fig. 7Carbon K-edge XAS spectra of the standard carbon ˆlms
deposited on the Ru-capped Mo/Si multilayer. The thicknessof C is denoted in the legend.

Fig. 9Distribution of the XAS intensity near the EUV-irradiatedarea, in which the intensity was measured in the lower energy(282 eV) and the upper energy (292 eV) of C-K absorption
edge of the Si-capped multilayer.

Fig. 8Calibration curves of carbon K-edge absorption intensity vs.
thickness of standard carbon layers deposited on Ru-capped
Mo/Si multilayer samples.

Fig. 10XAS spectra at OK edge of RuO2 and SiO2 thin ˆlm obtained by the present system.

ングを行う場合，例えば C 吸収端のあるひとつのエネル収強度の飽和が起きているためと考えられる。同じ試料をギーのみに注目して強度を測定したのでは，表面で C 堆

外部で XPS 分析したところ， C 厚みに対する強度の直線積が進んでいるのか，酸化が進んでいるのか分からなくな

性 は 2 nm 程 度 で あ っ た 。 こ の 差 は XPS が 電 子 エ ネ ルる。

ギー分析器により，試料表面から放出される光電子のうFig. 9 にその例と解決策を示す。これは，表面酸化しやち，膜内部での散乱をほとんど受けていない電子のみを検すい Si-cap 多層膜に水分導入雰囲気下で EUV 照射したあ出しているのに対し， TEY モードの XAS は，膜内部でとの， C K 吸収端における吸収強度分布を測定したもの

散乱されエネルギーの低くなった，より深い場所から放出である。吸収端より高エネルギー側の 292 eV の強度は照される電子も含めて検出していることによる。

射中心付近で増加しており，一見，C の堆積量が増えてい多層膜のコンタミネーションを定量的に議論する場合るように見える。しかし，吸収端より低エネルギー側のに，実験的にもうひとつ問題があることが分かった。後で282 eV での強度も照射中心で増加しており，これは酸化述べるようにコンタミネーションの要因である C 膜の堆が起こって基板からの放出電流が増えたことが要因として積と表面酸化は競合し，かつ拮抗して起こることが分かっ解釈できる。そこで両者の比を取ってプロットすると，そてきた。一般に表面酸化が起こると，光電子放出しやすくの値は照射中心で減少していることが分かった。すなわなることが知られている13) 。このため元素濃度のマッピ

ち，この例の場合，EUV 照射により酸化が進行し，照射放射光 Jan. 2008 Vol.21 No.1 ● 29

Fig. 11Fig. 12

Relative re‰ectivity change of the multilayer as a function of
the EUV dose irradiated under various IPA vapor pressure.

Fig. 13

Concentration map of carbon element at the EUV-irradiation area of the IPA introduction experiment.

Calibration curve of oxygen K-edge absorption intensity vs.
thickness of standard oxide layers deposited on Ru-cappedMo/Si multilayer samples.

中心付近の炭素量は減少したと考えられる。同じ試料を外部で XPS 分析したところ，炭素濃度の減少が確認された。これより本報告での C および酸素 O の濃度分布の測定には，吸収端の高エネルギー側および低エネルギー側での強度を測定し，その比を求めてプロットすることとした。

Fig. 10 に，BL9 で測定した酸化ルテニウム RuO2 と酸化珪素 SiO2 の OK 吸収端における吸収スペクトルを示す。

RuO2 の吸収は 533 eV 付近にピークがあり， SiO2 の吸収は 539 eV に吸収ピークがあり，わずかにずれている。こさらに IPA を1.3×10－7～1.3×10－4 Pa の範囲で変化させれより Ru-cap 多層膜上の Ru 膜の酸化のようすを調べるて導入し，EUV 照射したときの反射率および表面状態のためには， 533 eV の吸収強度に注目して測定すればよい変化を測定した。試料は Ru-cap Mo/Si 多層膜である。

ことが分かる。このようにして測定した RuO2/Ru コート

Fig. 12 は，反射率の逐次変化である。反射率はピンホー

標準試料の O K 吸収端における吸収強度を RuO2 の厚みルを用いて測定するため，多少バラつきが大きく，測定誤に対してプロットしたものを Fig. 11 に示す。RuO2 厚みと差は0.5 程度である。H2O のみを導入した場合，ドーズ吸収強度の間にもほぼ直線的な関係が見られ，酸化膜の厚量1200 J/mm2 の EUV 照射により相対反射率は約1.2減みに対しても，ある程度の定量的な議論のできることが分少した。これにさらに IPA を同時に導入すると1.3×10－7かった。

Pa より反射率の低下は見られなくなり，未照射時の反射率がほぼ維持された。 IPA を導入した場合に，反射率が4. イソプロパノールの導入による表面酸化の抑制初期値よりやや増加しているように見える。これはその後詳細に検討した結果，Ru 層が照射実験前に自然酸化し，多層膜の反射率が作製直後に比べてわずかに低下している

以上の準備をもとに，ここでは露光装置環境を模した真ことが分かった。また， IPA などの炭化水素雰囲気下で空雰囲気において，イソプロパノール（IPA）を導入する

EUV 照射すると，その自然酸化膜が還元され，反射率のことにより多層膜の表面酸化を抑制できた実験例を紹介す

低下が回復することが分かってきた14)。

る。

Fig. 13 に，照射試料の C K 吸収端の吸収強度分布，す露光装置真空度は，コンタミネーション防止の観点からなわち C の濃度分布を示す。H2O ガスのみまたは IPA をは，できるだけ高真空を実現することが望ましい。しか1.3 × 10－7 Pa だけ導入した場合は照射中心で， C の濃度し，実際は O リングを用いた真空シールが必要であり，が未照射部（周辺）と比較して減少していることが分かる。

また精密機器の温度上昇を伴うベーキング等ができないこ

一方，IPA 濃度の高い1.3× 10－5～1.3× 10－4 Pa の条件でとから10－5 Pa 台の真空度になると想定さる。また残留ガは， 逆に C の濃度が 周辺に比べて 増加している 。そしスの主成分は H2O であると想定される。これより，メイて，中間的な 1.3 × 10－6 Pa の条件においては， C 濃度のンチェンバーに水蒸気ガスを 1.3 × 10－5 Pa まで導入し，顕著な増加も減少も見られないことが分かった。 Fig. 1430 ● 放射光 Jan. 2008 Vol.21 No.1

トピックス ■ In situ 軟 X 線吸収分光法を用いた極紫外線用多層膜ミラーのコンタミネーション防止機構の研究置および in situ での軟 X 線吸収による表面分析手法は，コンタミネーション現象を理解するための非常に有用な情報を与えることが分かった。今後はこの装置を用いて，EUV の光量や H2O 分圧，CH 分圧とコンタミネーションとの量的関係等について，さらに詳しく調べていく予定である。
謝辞
本研究は，次世代半導体デバイスプロセス等基盤技術プ
Fig. 14

Concentration map of oxygen element at the EUV-irradiation area of the IPA introduction experiment.

ログラムの一環として，新エネルギー産業技術開発機構（NEDO）からの委託により行われた。

参考文献に，上と同じ試料の OK 吸収端の吸収強度分布，すなわ
ち O の濃度分布を示す。 H2O ガスのみの場合は照射中心

1)で，O の濃度が未照射部（周辺）と比較して増加していることが分かる。一方， IPA を導入した 1.3 × 10－7 ～ 1.3 ×2)

10－6 Pa の条件では，O の濃度が周辺と比較してやや減少している。また 1.3 × 10－5 ～ 1.3 × 10－4 Pa の条件では， O3)濃度は未照射部分とほぼ同等になった。 IPA ガス導入圧に対する O 濃度の依存性には C 濃度ほどの直線的な関係

4)は見られなかった。これについて，ここでは紹介しないが同様の HC ガス導入実験をエタノールについてもやってみた。エタノールの方は O 濃度にもエタノール導入ガス圧5)6)に依存した直線的な関係が見られ， C 濃度と O 濃度のエタノール導入圧に対する逆転現象が見られた15)。
以上の実験より，これまで多層膜の反射率を低下させる要因として知られていた炭素膜の堆積と表面酸化の反応は，7)8)H2O と HC が残留する真空雰囲気では，実は競合して起こる反応であり，かつ拮抗することが分かってきた。すな

9)

わち，HC ガス濃度の低い真空雰囲気では，おもに表面に吸着した H2O 分子に EUV 光が当たり，酸素を含んだ活性化学種が生成されて，これが多層膜表面から拡散して表10 )

面酸化を引き起こすものと考えられる。しかし，HC ガスの濃度が高くなると，EUV 照射に伴い C を含む活性化学

11)種も多く生成し，これが酸素を含んだ活性化学種とすみやかに反応するため，表面の酸化が抑制されるようになる。

12)

さらに HC ガスの濃度が高い真空雰囲気においては，C を含む化学種が多く生成され，C 同士の化学結合も多く形成13)されるようになり，C 膜の堆積が起こる。このようなメカニズムが，本実験を説明するのに妥当なモデルと考えられ

14 )る。またこのことから，露光装置雰囲気におけるコンタミネーションを抑制するためには， H2O 分圧と CH 分圧をうまくバランスさせ，酸化も炭素膜の堆積も起こらないよ
うに雰囲気を管理すればよいことが分かってきた。

15)

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以上より，本研究で開発したコンタミネーション評価装放射光 Jan. 2008 Vol.21 No.1 ● 31

● 著者紹介 ●
新部正人

松成秀一

兵庫県立大学高度産業科学技術研究所
准教授
E-mail: niibe＠lasti.u-hyogo.ac.jp
専門X 線光学［略歴］
1984 年 3 月，北海道大学大学院理学研
究科化学第二専攻博士課程修了，理学博株 勤務。
士。 1984 年 4 月よりキヤノン
研究開発本部中央研究主任研究員を経て，1994 年 10 月より姫路工業大学高度産業科学技術研究所，助教授。 2004 年 4 月
兵庫県立大学の統合により現職。

極端紫外線露光システム技術開発機構（EUVA）相模原開発センタ研究員
E-mail: matsunari.shuichi＠nikonoa.net
専門リソグラフィー装置開発

古井田啓吾
兵庫県立大学大学院工学研究科物質系工学専攻博士前期課程在学中
E-mail: tb03z022＠lasti.u-hyogo.ac.jp
専門材料工学青木貴史
極端紫外線露光システム技術開発機構（EUVA）相模原開発センタ研究員
E-mail: taoki＠nikongw.nikon.co.jp
専門リソグラフィー装置開発

寺島茂

極端紫外線露光システム技術開発機構（EUVA）宇都宮開発センタ研究員
E-mail: terashima.shigeru＠canon.co.jp
専門リソグラフィー装置開発

高瀬博光
極端紫外線露光システム技術開発機構（EUVA）宇都宮開発センタ研究員
E-mail: takase.hiromitsu＠canon.co.jp
専門リソグラフィー装置開発

角谷幸信
極端紫外線露光システム技術開発機構（EUVA）相模原開発センタ研究員
E-mail: kakutani.yukinobu＠nikonoa.net
専門物性物理学［略歴］
2003 年姫路工業大学大学院理学研究科物質科学専攻博士課程修了，理学博士。
2003 年姫路工業大学大学院理学研究科客員研究員，高度産業科学技術研究所非常勤研究員を経て2004 2007年兵庫県立大学高度産業研究所非常勤研究員。
株 に入社し，現職。
2007年 4 月ニコン

32 ● 放射光 Jan. 2008 Vol.21 No.1

トピックス ■ In situ 軟 X 線吸収分光法を用いた極紫外線用多層膜ミラーのコンタミネーション防止機構の研究

Study on Contamination Inhibition Mechanism for
Extreme Ultraviolet Multilayer Mirrors Usingin situ XAS Analysis
Masahito NIIBE1,
Keigo KOIDA1, Yukinobu KAKUTANI1,2,
2
Shuichi MATSUNARI , Takashi AOKI2, Shigeru TERASHIMA2,Hiromitsu TAKASE2
1Laboratory of Advanced Science and Technology for Industry, University of Hyogo
312 Kouto, Kamigoori, Ako-gun Hyogo 6781205, Japan
2Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association (EUVA)
111 Ekimae-honcho, Kawasaki-ku Kawasaki-City, Kanagawa, 2100007, Japan

Abstract A contamination evaluation system that can irradiate high-‰ux extreme ultraviolet (EUV) andmeasure, in situ , the re‰ectivity of multilayer mirrors for lithography optics was constructed to develop a contamination inhibition mechanism. The system can also be used to measure and map soft X-ray absorption
spectra in the irradiation area, which is very important for the in situ evaluation of contamination mechanism.
The lifetime evaluation of Ru-capped Mo/Si multilayer and elemental concentration mapping were carried out
in the EUV irradiated area under the iso-propanol (IPA) introduced vacuum atmosphere. The result gave us
very important information to inhibit both surface oxidation and carbonaceous ˆlm deposition on the EUV multilayer mirrors.

放射光 Jan. 2008 Vol.21 No.1 ● 33