次世代通信システムに向けた「圧電層／高音速層／基板」からなる SAW フィルタの開発
研究代表者

鈴木雅視

山梨大学

大学院総合研究部工学域

助教

1 研究背景逆圧電効果を利用して弾性表面波を励振する SAW デバイス(図 1(a))は，携帯電話等の周波数フィルタとして利用され，移動体通信産業を支える極めて重要な役割を果たしている。現在の移動通信システムの周波数域は 2.2 GHz 以下であるが，膨大な情報通信量を必要とするスマートフォン，タブレット等の急速な発達・普及に伴い，さらなる通信大容量化や高速化が求められ，3 GHz 以上を周波数帯域とした次世代移動通信システムへの移行が検討されている。現在実用化されている圧電単結晶基板単体からなる SAW デバイス(図1(a))を次世代通信帯 3 GHz 以上で動作させる場合，SAW の位相速度が 4,000 m/s 程度の SAW モードを利用しているため，櫛型電極幅を 0.3 m 以下とする必要がある。しかし電極幅 0.5 m 以下であると電気抵抗や耐電力等が劣化するため，このデバイス構造では 3 GHz 以上への対応は不可能であった。そのため SAW フィルタは今後の高周波帯域移行に対応できず，AlN 薄膜共振子を用いたフィルタへ置き換わるとされている。
(b) 従来：2層構造⇒低結合係数 or 高作成難易度

図1 (a)従来：圧電単結晶基板単体構造⇒低位相速度（高周波動作不可)

高音速膜 or 圧電薄板

くし型電極(IDT)

交流電界

弾性表面波
圧電単結晶 or 高音速基板

圧電単結晶(c) 本研究：
他元素ドープAlN圧電層/高音速層/高い温度安定性基板
これまでの研究・ 他元素ドープAlN薄膜での巨大圧電性

他元素ドープAlN圧電層（ScAlN, YbAlN, CrAlN）

・スパッタ法での結晶方位制御技術
・ScＡlN/圧電基板
構造ＳＡＷデバイス
での高結合化高音速層（アモルファスAlN,BAlN,Al 2O3等）
高い温度安定性基板（水晶，サファイア等）

次世代SAWフィルタへの要求
・高いSAW位相速度・高い結合係数・低い伝搬減衰・高い温度安定性
・容易な形成図 1 本研究の概要
3GHZ 以上動作を実現する周波数フィルタ用 SAW デバイスには以下の両立が求められる。
・高い SAW 位相速度⇒高周波動作
・高い電気機械結合係数⇒広帯域幅・低い SAW 伝搬減衰⇒高 Q 値
・高い温度安定性⇒環境変動に対応可能
高 SAW 位相速度，高結合係数をもつ SAW モードとして，漏洩弾性表面波(LSAW)および縦型漏洩弾性表面波（LLSAW）モードがあり，次世代 SAW 周波数フィルタ応用のための伝搬モードとして有望視されている。但し，従来の SAW デバイスの構造（図 1(a)）において，LLSAW は基板内部に横波バルク波を放射しながら伝搬するため，SAW 伝搬減衰が大きくなり，高 Q 値が得られないという欠点をもつ。
このような背景の基，「アモルファス AlN 薄膜/圧電単結晶[1]」，「ScAlN 膜/圧電単結晶[2]」，「圧電薄板と高音速基板の異種材料接合[3,4]」等の図 1(b)のような層状構造を用いた高周波化に対応可能な SAW デバイスが報告されている。各構造での特徴は表 1 に示す。層構造基板を用いることで従来の単層構造では達成しえない低伝搬減衰，高結合係数は得られているが各性能が両立できない，また熱膨張率が異なる異種基板同士の接合，圧電基板を数 100 nm まで薄板化する研磨による基板の割れや界面の剥離など様々な問題が発生しているのが現状である。

1
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表 1 報告されている SAW デバイス構造と本研究の性能比較
構造

圧電層基板

圧電層/高音速層/高温度安定性基板

ScAlN,
YbAlN,CrAlN

高音速層 /高温度安定基板

圧電単結晶基板のみ
高音速層/圧電単結晶基板
圧電薄板/高音速基板なし
アモルファスAlN

LiNbO3, LiTaO3

状況
本課題
実用化

LiNbO3, LiTaO3 論文レベル

伝搬モード

位相速度

結合係数

LLSAW

7000 m/s~ ?

◎?

LLSAWでの温度安定性
伝搬減衰
○?

○?

リーキSAW~4000 m/s○☓

SiO2装荷により◎

LLSAW

7000 m/s~☓◎△

c軸平行ScAlN

LiNbO3論文レベル

LLSAW

7000 m/s~◎☓☓

LiNbO3, LiTaO3水晶論文レベル

LLSAW

6000 m/s~○○○

LiNbO3, LiTaO3 音響ミラー層基板 論文レベル

LLSAW

6000 m/s~○○○

2 本研究の目的・特色
本研究では次世代通信システム（3 GHz 以上）に対応可能な高周波フィルタに向け，「高 SAW 位相速度，高結合係数，低 SAW 伝搬減衰，高い温度安定性」をすべてを満たし，かつ広く産業応用が進んでいるスパッタ法で形成可能な新たな層構造基板「他元素ドープ AlN 圧電層/高音速層/高温度安定性基板 (図 1(c))」の創成とその基板を用いた SAW フィルタの開発を目的とする。そこで高位相速度をもつ LSAW，LLSAW モードに対して，①圧電層，②高音速層，③基板の材料，材料特性，結晶方位等を最適化することで上述した要求の両立を目指す。圧電層，高音速層がスパッタ法で形成可能であれば大口径化も可能であり，かつ各層の材料選択の幅も広がる。
①圧電層： 結合係数は主に圧電層の圧電性の大きさに左右される。そこで申請者がこれまでの研究で発見した結合係数が最大 17%かつスパッタ法で形成可能な「巨大圧電性他元素ドープ AlN 膜 (ScAlN,YbAlN, CrAlN)」を圧電層として用いる。
②高音速層： 弾性波には位相速度が遅い層にエネルギーが集中するという特徴があり，圧電層と基板間への高音速層挿入により圧電層に SAW のエネルギーを集中させることで，伝搬減衰の低減が可能となる。この層挿入により基板選択の自由度も確保できる。また申請者はこれまでに高音速層装荷による LLSAW 伝搬減衰の低減を実現している[1,2]。そこで本課題では他元素ドープ AlN 膜より音速が速いと予想されるアモルファス AlN, Al2O3, SiO2 膜を高音速層の候補とし，伝搬特性に影響を及ぼす膜厚の最適化も行う。
③基板： 圧電層より温度特性が優れた水晶を基板として用いる。水晶は周波数温度係数が圧電層とは正負号が異なるため，打ち消しあいにより高い温度安定性が確保できると予想される。また基板の結晶方位も結合係数，伝搬減衰に影響を及ぼすため，カット角の検討も行う。

3 SAW 伝搬理論解析および FEM 解析による最適な層構造基板の探索
まずは LSAW および LLSAW 伝搬に最適な ScAlN 圧電層，水晶基板の膜厚，オイラー角を決定するために，
図 2(a)に示すような「空気/ScAlN 圧電層/水晶基板」構造を伝搬する RSAW，LSAW，LLSAW の薄膜表面が電気的に自由，電気的に短絡した場合での位相速度，伝搬減衰を Farnell と Adler の SAW 伝搬解析法により計算した。結合係数 K2 は K2=200*(vf-vm)/vf (vf:自由表面時の位相速度，vｍ:電気的短絡時の位相速度)から求めた。水晶基板の材料定数には，櫛引らの定数を用いた。ScxAl1-xN 内 Sc 濃度は最も圧電性増幅する x=0.4 とした。Sc0.4Al0.6N 圧電層の弾性定数，圧電定数には，caro らの第一原理計算から算出された値を用い，密度は3,601 kg/m3，誘電率は AlN 単結晶の値とした。伝搬減衰を持つ LSAW および LLSAW では，山之内らの方法を Farnell と Adler の SAW 伝搬解析法に組み込むことで解析を行った。また IDT/ScAlN 圧電層/水晶基板構造
SAW 共振子の周波数特性を有限要素法(FEM)により解析した(解析ソフトウェア：Femtet，ムラタソフトウェ
ア)。図 2(b)に解析モデルを示す。モデルの両側は周期境界条件，底面は完全整合層(PML)，周期 IDT(Al:1000Å)の波長，交叉幅，基板厚はそれぞれ 8m, 25, 10とした。ScAlN の膜厚，オイラー角，水晶基板のオイラー角は SAW 伝搬理論解析の結果から決定した最適条件をそれぞれ設定した。また，各材料の機械損および誘電損は考慮していない。

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(a)

(b)

λ=8m
IDTh/λScAlNx3

Airx2

Sc 0.4Al0.6N
x1

SAWh
Quartz
10λQuartz

PMLPeriodic
boundaryzyx

図 2 解析モデル
3-1 ScAlN 圧電層/水晶基板上を伝搬する LSAW 特性
図 3 に ScAlN 単板上を伝搬する LSAW での結合係数を示す。
(0º 90º 60º)の時， K2(=6.3%)は最大となった。一方で，(0º 90º 60º)ScAlN での LSAW伝搬減衰は 0.13 dB/と大きいため，水晶基板との層構造により伝搬減衰改善を目指す。
次に(0º 90º 60º)ScAlN 層/((0º  0º)水晶基板構造での理論解析から，回転 Y カット X 伝搬水晶基板のカット角が LSAW の結合係数および伝搬減衰に及ぼす影響を評価した。図 4(a)に示すように，伝搬減衰は=129.5ºにおいて，極小値を示した。またこの水晶基板オイラー角での K2 は 4.5%以上を示している(図 4(b))。よって ScAlN 層/回転 Y カット X 伝搬水晶
図3
基板上を伝搬する LSAW にて低伝搬減衰，高結合係数を得るためには，水晶基板オイラー角は，ºººが最適であると考えられる。

ScAlN 単層上を伝搬する
LSAW の結合係数と c 軸傾斜角度との関係(a)(b)

図4(0º 90º 60º)ScAlN/(0º  0º)水晶構造上 LSAW の(a)伝搬減衰，(b)結合係数の水晶基板オイラー角依存性

各 hScAlN/における(0º 90º 60-72º)ScAlN/(0º 129.5º 0º)水晶構造上 LSAW の位相速度，伝搬減衰，結合係数の理論解析を行った。図 4(a)に示す位相速度は，hScAlN/増加伴い，(0º 129.5º 0º)水晶基板の LSAW 位相速度(=5,100 m/s)から減少した。図 4(b)に示す LSAW 伝搬減衰では，極小値を示す hScAlN/が存在する。この極小値は ScAlN 単層の LSAW 伝搬減衰よりも一桁以上小さいため，ScAlN/水晶基板構造においても圧電薄板/水晶基板構造と同様に LSAW の低伝搬減衰化が得られることがわかった。図 4(c)に示す結合係数は hScAlN/＝付近で最大値を示し，この値は ScAlN 単層より高結合化している。一方，ScAlN 層/X カット水晶，Z カット水晶では LSAW での高結合化，低伝搬減衰は得られなかった。

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Attenuation [dB/λ]

(a)

(b)

(c)

図5(0º 90º 60-72º)ScAlN/(0º 129.5º 0º)水晶構造上 LSAW の(a)位相速度，(b)伝搬減衰 (短絡表面)，(c)結合係数

図 6 に FEM 解析により計算した IDT/(0º 90º66º <<72º)ScAlN/(0º 129.5º 0º)水晶基板でのアドミッタンス特性 を示 す。hScAlN/ は 短絡表 面での伝 搬減 衰が極小値 付近と なる hScAlN/=0.33 (=66º) ，0.28 (=69º)，(=72º)とした。=66º では帯域幅=2.9%，アドミタンス比=93 dB，共振 Q=3,570，反共振 Q=4,060，=69º
では帯域幅=2.9%，アドミタンス比=100 dB，共振 Q=5,210，反共振=5,620，=72º では帯域幅=2.7%，アドミタンス比=93 dB，共振 Q=3,910，反共振=4,013 となった。よって LSAW 伝搬においては，高結合係数と高 Q値を両立する(0º 90º 69º)ScAlN 層/(0º 129.5º 0º)水晶が最適構造であると考えられる。

図 6 FEM 解析による IDT/ScAlN/水晶構造 LSAW 共振子のアドミタンス周波数特性4
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3-2 ScAlN 圧電層/水晶基板上を伝搬する LLSAW 特性
図 7 に ScAlN 単板上を伝搬する LLSAW での結合係数を示す。
(0º 90º 90º)の時， K2(=12.5%)は最大となった。一方で，(0º 90º 90º)ScAlN での LLSAW伝搬減衰は 9 dB/と大きいため，LSAW と同様に水晶基板との層構造により伝搬減衰改善を試みる。回転 Y カット 45º X 伝搬水晶基板のカット角がLLSAW の結合係数および伝搬減衰に及ぼす影響を(0º 90º 90º)ScAlN 層/((0º  45º)水晶基板構造での理論解析から評価した。図 8(a)に示すように，
=125º において伝搬減衰が極小値を示した。また図 8(b)に示すように
=125º での K2 は 7%以上を示している。よって ScAlN 層/回転 Y カット
45ºX 伝搬水晶基板上を伝搬する LLSAW にて低伝搬減衰，高結合係数を 図 7得るためには，AT カットが最適であることがわかった。

ScAlN 単層上を伝搬するLLSAW の結合係数と c軸傾斜角度との関係(a)(b)

図8(0º 90º 90º)ScAlN/(0º  45º)水晶構造上 LLSAW の(a)伝搬減衰，(b)結合係数と水晶基板第 2 オイラー
角依存性

次に，各 hScAlN/における(0º 90º 90º)ScAlN/AT カット 30-55ºX 伝搬水晶基板上を伝搬する LLSAW の位相速度，伝搬減衰，結合係数の理論解析を行った。図 9(a)に示す位相速度はすべての構造で hScAlN/増加伴い，ATカット水晶基板の LLSAW 位相速度(=6,700-7,000 m/s)から減少した。図 9(b)に示す伝搬減衰は hScAlN/=0.1 付近で極小値を示した。この伝搬減衰極小値の大きさは水晶の SAW 伝搬方向に依存し，35ºX 伝搬時に最小値(=0.003 dB/)となった。図 9(c)に示す結合係数は hScAlN/＝付近で最も大きな K2=11%となった。この値は(0º 90º 90º)ScAlN 単層よりやや小さい値となり，LLSAW では高結合化は見られなかった。次に図 13 に各hScAlN/における(0º 90º 90º)ScAlN/X カット 30-55ºY 水晶構造上 LLSAW の位相速度，伝搬減衰，結合係数の理論解析を示す。位相速度(図 10(a))および結合係数(図 10(c))は AT カット水晶基板の場合とほぼ同様の傾向となった。LLSAW 伝搬減衰はすべての構造で hScAlN/=0.09 付近で極小値を示した(図 10(b))。AT カット水晶を基板とした時と同様に，伝搬減衰極小値の大きさは水晶の SAW 伝搬方向に依存し，30 ºY 伝搬時に最小値(=0.0003 dB/)となった。以上の結果から，ScAlN/水晶基板構造では，LSAW と同様に LLSAW 伝搬モードにおいても低伝搬減衰が得られることがわかった。一方で ScAlN 単板を超えるような高結合化はみられなかった。

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Phase velocity [m/s](a)(a)(b)(b)

(c)

(c)

図 9 (0º 90º 90º)ScAlN/(0º 125º )水晶構
造上 LLSAW の(a)位相速度，(b)伝搬減衰，(c)結合係数

図 10(0º 90º 90º)ScAlN/(90º 90º )水晶
構造上 LLSAW の(a)位相速度，(b)伝搬減衰，(c)結合係数

図 11 に FEM 解析により計算した IDT/(0º 90º 90º)ScAlN 層/AT35ºX および X30ºY 水晶基板でのアドミッタンス特性を示す。hScAlN/は短絡表面での伝搬減衰が極小値となる hScAlN/= 0.1(AT35ºX 水晶)，0.09(X30ºY 水晶)とそれぞれ設定した。両構造とも 800 MHz 付近に共振特性が観測された。AT35ºX 水晶基板の場合は帯域幅=3.5%，アドミタンス比=86 dB，共振 Q=1,990，反共振 Q=2,040，X30ºY 水晶基板では帯域幅=3.5%，アドミタンス比=87 dB，共振 Q=2,480，反共振=2,780 であった。よって LLSAW 伝搬においては，より高 Q 値となった(0º 90º 90º)ScAlN 層/X30ºY 水晶が最適構造であると考えられる。

図 11 FEM 解析による IDT/ScAlN/水晶構造 LLSAW 共振子のアドミタンス周波数特性6
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図 12 に FEM 解析による共振周波数での x,y,z 方向の粒子変位分布 ux,uy,ux を示す。低 Q 値(=約 8)となる Xカット 36ºY 伝搬 LN(図 12(a))では，すべての粒子変位が基板内深い部分でも大きい。一方で，ScAlN/水晶構造(図 12(b,c))では，粒子変位が 1 波長以下の深さに集中しており，LLSAW は ScAlN 層に集中，かつ横波バルク波放射が抑制されるために，低伝搬減衰および高 Q 値が得られたと考えられる。

図 12 FEM 解析による共振周波数における(a)X36ºYLiNbO3 単体，(b)ScAlN/AT35ºX 水晶, (c)ScAlN/X30Y 水晶での粒子変位
3-3 ScAlN 圧電層/中間層/水晶基板構造上の LLSAW 伝搬特性解析
図 13 に FEM 解析により計算した IDT/(0º 90º 90º)ScAlN 層(hScAlN/==0.09)/中間層/X30ºY 水晶基板でのアドミッタンス特性を示す。中間層には材料定数が既知のアモルファス Al2O3(図 9(a)), AlN(図 9(b)), SiO2(図 9(c))
を選択し，アモルファス層の規格化膜厚 ha/は 0.001-0.1 と変化させ，中間層挿入が LLSAW 特性に及ぼす影響を調査した。a-Al2O3 膜および a-AlN 膜を挿入した場合，ha/が増加するに従い，LLSAW 共振が高周波側にシフトした。また，ha/＝の時，共振 Q 値が最大（a-Al2O3 挿入:9500, a-AlN 挿入:6000）となった。但し帯域幅は ha/増加により減少した。一方で，a-SiO2 を挿入した場合，ha/が増加するに従い，LLSAW 共振が低周波側にシフトしたが，ha/＝の時，共振 Q 値(=6300)，帯域幅(=3.65%)がともに増加した。以上の結果より，IDT/(0º 90º 90º)ScAlN 層(hScAlN/=0.09)/X30ºY 水晶基板にアモルファス SiO2 層を ha/=0.01 程度挿

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研究調査助成報告書 第35号 2020年度入することで SAW デバイスの高性能化が実現できることを確認した。

101010(b)ha/λ=0.001ha/λ=0.1-110-3-51010-7750800
850
Frequency [MHz]900

10a-AlNha/λ=0ha/λ=0.01(c)ha/λ=0.001
ha/λ=0.1-110-3Y [S]Y [S]10a-Al2O3ha/λ=0ha/λ=0.01

Y [S]

(a)

-510-7750

10800
850
Frequency [MHz]90010a-SiO2ha/λ=0ha/λ=0.01ha/λ=0.001
ha/λ=0.1-1-3-5-7750800
850
Frequency [MHz]900

図FEM 解析による IDT/ScAlN/中間層/水晶構造 LLSAW 共振子のアドミタンス周波数特性

4 層構造基板形成のための ScAlN 膜の結晶配向性制御技術
SAW 伝搬理論解析による最適構造探索の結果から，結合係数が大きくとるためには他元素ドープ AlN 膜内の c 軸方向制御が必要となることがわかった。そこで，c 軸方向制御が可能な「スパッタ粒子斜入射成膜法」，または「イオンビームアシスト成膜法[5]」による成膜をおこなうため，研究室に既存の成膜装置の改造を行った。図 14 に改造後の成膜装置概略図と外観写真を示す。

図 14 成膜装置の概略図と外観写真
まずは，スパッタ粒子入射角度 α を 20～90º とし，結晶方位(c 軸傾斜角度)制御した ScAlN 膜を形成し，イオンビームなしで成膜可能なｃ軸傾斜角度の調査を行った。スパッタ粒子を基板に対して斜入射させることで，ｃ軸が傾斜する。図 15 に各試料での(0002)極点図を示す。基板台傾斜角度の増加に伴い薄膜内の c 軸傾斜角度も増加していることがわかる。また，基板台傾斜角度を 60°とすると，c 軸の傾斜角は 50°弱となった。
基板台傾斜角度を 90°とした時は，面内，面外とも結晶配向性が著しく低下した。これは，スパッタ粒子の入射角度が基板に平行になったことで堆積しにくい，かつ，自己陰影効果による膜のポーラス化が発生したためと考えられる。このことから，基板台の傾斜のみで作製できる c 軸傾斜膜は 50°程度までということがわかった。
次に，低加速電圧 300V で加速したイオンビームを成膜中に照射した ScAlN 膜の形成も行った。成膜中のイオンビーム照射に対してウルツ鉱型 AlN の各結晶面はスパッタ率異方性をもつ。ビーム照射によりスパッタ率の高い(0001)粒は成長が阻害，c 軸が基板に対して平行となる(11-20)や(10-10)結晶粒が優先的に成長し，c 軸平行膜が形成される。しかし，(0002)極点図から作製した ScAlN 膜の配向性評価を行ったところ，低加速度イオンビーム照射では c 軸傾斜角度制御は実現できず，LSAW, LLSAW デバイス応用に最適とされる c軸平行膜（オイラー角(0º 90º )）の形成には至らなかった。これは，装置不良によりイオン加速電圧 300Vまでに制限され，AlN で c 軸角度制御に成功した高加速度ビーム(数 1000V)が照射できなかったことが主な

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要因であると考えられる。
図 16 に本研究で作製した ScAlN 膜の電気機械結合係数 k152 の c 軸傾斜角度依存性を示す。実曲線は AlN，ScAlN の材料定数を用いて計算した単結晶の理論曲線である。高濃度 Sc ドープ(Sc:35%付近) 試料では，AlN単結晶を超える k152 値が得られており，Sc ドープによる k152 値の増幅を確認した。c 軸傾斜角度に注目すると，理論計算通り c 軸傾斜角度 35–40°の間で k152 値は最大となり，c 軸傾斜角度 40°かつ Sc 濃度 31%の薄膜で k152= 9.9%となった．一方でイオンビーム照射した ScAlN 薄膜では，同じｃ軸傾斜角度をもつイオンビー
ム照射なし試料と比較すると，k152 値が約 2 倍程度に増幅するサンプルもあり，イオンビーム照射によるScAlN 薄膜のさらなる圧電性改善の可能性を示した。

図 16 作製した ScAlN 膜の電気機械結合係数 k152 の c 軸傾斜角度依存性

図 15 (0002)極点図

5 まとめ
ScAlN 圧電層/水晶基板構造上の LSAW，LLSAW の伝搬特性，共振特性について理論解析を行った。以下の構造において圧電薄板と水晶の異種接合構造と同様に，高結合化と LSAW, LLSAW の低伝搬減衰化が観測された。
LSAW： (0º 90º 69º)ScAlN/(0º 129.5º 0º)水晶
LLSAW： (0º 90º 90º)ScAlN/(0º 125º 35º)水晶(0º 90º 90º)ScAlN/(90º 90º 30º)水晶
特に位相速度=約 6500m/s，伝搬減衰=0.003dB/以下, 結合係数=約 7%を示す ScAlN 圧電層(hScAlN/=約 0.1)/水晶基板構造を用いた LLSAW デバイスは，高周波化，高 Q 値，広帯域幅の両立が期待できる。FEM 解析による IDT/ScAlN 圧電層/水晶基板での LLSAW 共振特性でも上述した高性能化を示唆する結果が得られている。
さらに，中間層としてアモルファス SiO2 膜挿入によりさらなる高結合係数化と高 Q 値化も確認した。一方で，LSAW・LLSAW に最適な層構造基板の作成には成膜装置不良（高加速イオンビームが引き出せない）により至らなかった。今後は成膜装置の再整備・改造，層構造基板およびデバイス作製を行い，実験的な評価を行う予定である。

【参考文献】[1] F. Matsukura and S. Kakio, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 07KD04 (2014)[2] M. Suzuki, M. Gomi, and S. Kakio, Jpn. J. Appl. Phys. 57, 07LD06 (2018).
[3] J. Hayashi, K. Yamaya, M. Suzuki, S. Kakio, H. Suzaki, T. Yonai, K. Kishida, and J. Mizuno, Jpn. J. Appl.
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[5] M. Suzuki and T. Yanagitani, in Proc. IEEE Ultrason. Symp. 2011, p. 312.

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〈発題名Analysis of longitudinal leaky surface acoustic
wave
propagation
characteristics
onpiezoelectric ScAlN layer/ sapphire or quartz
substrate
Analysis of leaky surface acoustic wave
characteristic propagating on high piezoelectric
ScAlN film / high velocity quartz substrate
ScAlN 圧電層/水晶基板上を伝搬する SAW
特性理論解析
Theoretical Analysis of Leaky SAW
Propagation
Characteristics
on
ScAlN
film/Quartz
Analysis of leaky surface acoustic wave
propagation characteristics on piezoelectric
ScAlN layer / quartz substrate

表資料〉

掲載誌・学会名等

発表年月

Jpn. J. Appl. Phys., vol. 58,pp. SGGC082019 年 6 月

Jpn. J. Appl. Phys., vol. 59,
pp. SKKC07

2020 年 4 月

第 48 回 EM シンポジウム

2019 年 6 月

The 40th Symposium on UltrasonicElectronics

2019 年 11 月

2020 IEEE Ultrasonics Symposium

2020 年 9 月予定

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公益財団法人電気通信普及財団
研究調査助成報告書 第35号 2020年度