第34回日本放射光学会年会
放射光科学合同シンポジウム(JSR2021)学生発表賞審査結果について
第34回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム（JSR2021）
組織委員長

小嗣真人（東京理科大学）

日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム（年会合同シンポ）学生発表賞では，将来性独創性のある優れた発表を行った学生を顕彰し，賞状を贈呈してまいりました。年会合同シンポジウムの精神に則り「学生による全ての発表」を対象としています。第 34回年会合同シンポ（ JSR2021）では，組織委員長，実行委員長，副実行委員長，プ
ログラム委員長，副プログラム委員長の 6 名で学生発表賞選考委員会を組織し，55名の審査員によるのべ280件（発表件
数70件，発表あたり 4 人の審査員で審査）の審査結果に基づき選考が行われました。審査にご協力いただいた先生方には，この場をお借りして厚く御礼申し上げます。
第34回年会合同シンポ（JSR2021）では学生発表賞対象講演の申込数が71件ありましたが，1 件の発表キャンセルがあり，最終的な対象講演数は70件となりました。今年度はオンライン化に伴って，ショートプレゼンと個別のディスカッションを組合わせた研究発表に対して審査を行いました。分野別の内訳は以下の通りです。
第 1 分野X 線領域の回折散乱分光など

口頭発表16件，ポスター発表9 件
第 2 分野VSX 領域の固体原子分子など

口頭発表11件，ポスター発表11件
第 3 分野加速器装置イメージングなど

口頭発表11件，ポスター発表12件
合計件数

JSR2021 70件（JSR202099件，JSR2019108件，JSR2018123件，JSR2017126件，JSR2016109件，

JSR2015113件，JSR14124件，JSR13104件，JSR12111件，JSR11124件，JSR1096件）

学生発表賞選考委員会では上記発表を対象に，審査員による採点の結果を評点および T スコアにより評価し，以下の8 名の方々に学生発表賞を授与することに決定しました。受賞者の皆様が，これを契機に今後も放射光分野において益々ご活躍されることを期待しております。
【JSR2021学生発表賞受賞者（各分野，五十音順）】
第 1 分野X 線領域の回折散乱分光など

発表番号10P021
氏名（所属）清水啓史（慶應義塾大学）
演題極端軟 X 線転換電子収量大気圧 XAFS 測定セルの開発
発表番号5E002
氏名（所属）鈴木雄太（総合研究大学院大学）
演題ブラックボックス最適化を用いたリートベルト解析の自動化
第 2 分野VSX 領域の固体原子分子など

発表番号2C002
氏名（所属）河野嵩（広島大学大学院理学研究科）

演題軟 X 線 ARPES による Co2MnGe のハーフメタル電子状態とワイル交差の直接観測
発表番号2C003
氏名（所属）志賀大亮（東北大学多元研）
演題VO2 極薄膜における電子結晶構造の膜厚依存性

80 ● 放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2
(C) 2021 The Japanese Society for Synchrotron Radiation Research発表番号1C005
氏名（所属）柴田友里亜（大阪大学大学院理学研究科）
演題光励起価数転移を示す SmS の時間分解 X 線吸収分光
第 3 分野加速器装置イメージングなど

発表番号7D003
氏名（所属）島村勇+（東京大学大学院工学系研究科）
演題軟 X 線による超小型 Kirkpatrick-Baez ミラーの特性評価
発表番号3D002
氏名（所属）高澤駿太郎（東北大学大学院工学研究科）
演題三角形開口を用いたシングルフレームコヒーレント X 線回折イメージング
発表番号8C002
氏名（所属）山口豪太（東京大学大学院工学系研究科）
演題銅電鋳製回転楕円ミラーによる軟 X 線 FEL のサブミクロン集光
なお，次ページ以降に各受賞者の研究要旨が本人の紹介と受賞コメントと合わせて掲載されております。ぜひご覧ください。

放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2 ●81JSR2021学生発表賞

第 1 分野

受賞者清水啓史（発表番号10P021）
目極端軟 X 線転換電子収量大気圧 XAFS 測定セル

題の開発
講演者清水啓史1，伊勢川和久1，市川理世1，豊島武安光太郎2，中村潤児2，間瀬一彦3，近藤

遼 1，
寛1

属1慶大理工，2筑波大数理物質，3KEK 物構研放射光

所

1.

緒言

X 線吸収微細構造（XAFS）法は測定環境の制約が少ない化学分析手法であり，様々な分野で活用されている。中でも転換電子収量（ CEY ） XAFS は表面敏感な測定手法

Fig. 1

大気圧 CEY XAFS 測定セルである。 CEY 法では試料を He 雰囲気下に置いて X 線を照射し，オージェ電子が He ガスを電離して発生した二次電子を収集する1)。しかし，軽元素の測定に用いられる極
端軟 X 線領域では環境中のガスによる減衰が著しく，大気圧で動作する触媒の表面分析例は限られている2)。そこで本研究では，極端軟 X 線を使用し，大気圧ガス存在下で触媒表面のその場分析が可能な CEY XAFS 測定セルの開発を目的とした。

2.

測定装置

我 々 の 開 発 し た 測 定 セ ル （ Fig. 1 ） は 3 枚 の フ ラ ン ジ（ ICF70 規格）で構成されている。上流側のフランジに取Fig. 2

り付けた X 線窓（200 nm 厚，Si3N4）で He パス（大気圧）ステンレス FeL 端
XAFS

Fig. 3

時間経過後のスペク
トルと真空領域を仕切っている。真ん中のフランジには X 線
窓（ 100 nm 厚， SiC ）が設置されており，膜の周囲に集

4.

今後の課題

電電極用の Au が蒸着されている。下流側のフランジに試

今後は，酸化/還元の原因解明と試料への影響低減方法

料を乗せ，3 枚のフランジを組み合わせることで，試料とを検討する。また，非 Pt 系燃料電池触媒として注目され電極を約 1 mm まで近づけることができる。電極にバイアる窒素ドープグラフェンの NK 端オペランド計測を目指

ス電圧をかけ，捕集した二次電子をピコアンメータで計測し，検出感度向上のための装置改良を行っていく。

参考文献する。得られた信号のバックグラウンド処理は上流の真空
領 域 に あ る Au ミ ラ ー の 電 流 値 で 行 っ た 。 測 定 は 全 て
KEKPF BL13A で行った。

3.

実験結果考察

開発したセルを用いて，0.1 MPa He 中でステンレスのFeL 端 XAFS 測定を行った（Fig. 2）。真空中で X 線を照射して試料電流を測定した場合（ a）と比較し，バイアス
電圧が負の場合（ b ，電離した He＋ イオンを捕集）及び正の場合（c，電子を捕集）で同一形状のスペクトルを得た。このことから，我々の開発した装置を用いて極端軟X 線大気圧 CEY XAFS 測定が可能であることが確かめられた。また， Fig. 3 に示した通り，バイアス電圧が負の場
合（ b ）は測定開始から時間が経過すると Fe2＋ 成分の酸化が，正の場合（ c ）は Fe3＋ 成分の還元が確認された。
こうした変化は真空中（a）では観測されなかった。原因として，電子及び He＋ イオンが電荷キャリアーとなり，
電気化学的な酸化/還元が起きていた可能性が考えられる。

82 ● 放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2

1)

A. Knop-Gericke et al.: Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., A
Accel. Spectrom. Detect. Assoc. Equip. 406, 311 (1998).
2) S. K. Beaumont: Phys. Chem. Chem. Phys. 22, 18747 (2020).

清水啓史
慶應義塾大学大学院理工学研究科基礎理工学専攻修士課程 1 年［略歴］
2020 年慶應義塾大学理工学部化学科卒
業。 2020 年より慶應義塾大学大学院理工学研究科基礎理工学専攻修士課程在籍。
［受賞のコメント］
この度は，栄誉ある JSR2021 学生発表賞に選出して頂き大変光栄に存じます。日頃よりご指導頂いている近藤寛教授，豊島遼助教をはじめ，試料をご提供頂いた筑波大学中村潤児教授，武安光太郎助教， KEK PF BL 13A での実験に際しお力添え頂いた KEK 間瀬一彦准教授に，この場を借りて改めて御礼申し上げます。また，これまで研究に協力して下さった方々，当日発表を聞きにお越し頂いた方々にも，厚く御礼申し上げます。今回の受賞を励みに，より一層研究活動に邁進して参ります。

JSR2021学生発表賞

第 1 分野

受賞者鈴木雄太（発表番号5E002）
題目ブラックボックス最適化を用いたリートベルト解
析の自動化

講演者鈴木雄太1,2，尾崎嘉彦3,4，羽合孝文1，
斉藤耕太郎2,5，大西正輝3，小野寛太1,2
属1総 研 大 ，2 高 エ ネ 研 ，3 産 総 研 ，4 GREE, Inc. ，所

5Medley, Inc.

1.

緒言

粉末 X 線回折（ XRD ）パターンから結晶構造の情報を得るために，初期結晶構造と装置パラメータ等の情報を用いてフィッティングを行い，結晶構造の精密化を行う手法
Fig. 1（リートベルト解析）が普及している。リートベルト解析

Y2O3 の最適化履歴

は長い歴史をもち信頼のおける手法である一方で，例としてバックグラウンド関数の選択や，どの変数をフィットあ
るいは固定するかの選択など，解析において材料の性質とは独立に多数のパラメータの設定が必要である。この設定
は結果に大きく影響するため，適切な解析結果を得るためには 試行錯 誤と 熟練が 必要 とされ 時間を 要す る。 粉末
XRD 測定が高度に自動化高速化されていることから，

リートベルト解析の工数が研究のボトルネックの一つとなっていた。我々は，この状況が機械学習モデルのハイパーパラメータ最適化（ HPO ）の問題と類似していることに気づき，リートベルト解析の試行錯誤を，フィッティング
結果の指標 Rwp を最小化するリートベルト解析の設定を探すブラックボックス最適化（ BBO ）の問題として定式化した1)。

2.

実験

Fig. 2

多次元尺度構成法を用いた DSMO の結晶構造の可視化

変えて100回実験した平均と中央値のプロットも合わせてBBO で最適化する対象として，バックグラウンド関数示した。TPE による最適化の進行に伴って Rwp が減少し，と次数，フィットする変数の指定等の 13 個を選び，ベイY2O3 と DSMO 両方で，平均して100回程度の試行で熟練

ズ最適化に基づくアルゴリズムの一種である Tree-struc-

者および AutoFP（既存手法）より Rwp が小さい結果を得

tured Parzen Estimator ( TPE )2,3) を用いてこの最適化問ることができた。各実験で，100回の試行に要する計算時題を解いた。すなわち，ある設定でリートベルト解析を行間は並列化無しで 30 分程度であった。また，乱数を変えって得られた Rwp をもとに，さらに小さい Rwp を与える

た100回の実験において，Y2O3 と DSMO でそれぞれ90回，と思われる設定を TPE で生成して再度リートベルト解析

99 回は熟練者による結果よりも小さい Rwp を得ることがを行うという試行を200回繰り返した。リートベルト解析できた。以上より， BBO に基づく提案手法により，少な

ソフトウェアには GSASII4)を用いた。エキスパートシス

くとも今回のケースでは熟練者と同等以上の性能で自動テムに基づく自動リートベルト解析法である AutoFP5) とリートベルト解析が実現できることが示された。

比 較 す る た め ， 同 文 献 よ り Y2O3 お よ び Dy0.5Sr0.5MnO3DSMO について， TPE の乱数を変えて 100 回実験し，（DSMO）の粉末 XRD パターン（Cu 管球を用いて一般的得られた Rwp 最小の結晶構造について，多次元尺度構成

な粉末 X 線回折装置で測定）を用いて，提案手法の性能法を用いて結晶構造の類似度を可視化した（Fig. 2）。各点を 検 証し た 。 実 験 に は 18 コ ア 2.3 GHz CPU ， RAM 256

が 1 つの結晶構造に対応し，図中の距離が構造の類似度

GB の計算機を用いた。

に対応する。右下には熟練者による結果に近い結晶構造が緩いクラスターを形成しており，熟練者による手動解析と

3.

結果と考察

同等の構造を自動で得ることができたことが確認された。

Y2O3 の最適化履歴を Fig. 1 に示す。図中の TPE が提案

また，図の左上には外れ値の構造が確認できる。この構造手法による結果であり， TPE の初期設定に用いる乱数をは 2 つの酸素原子間で熱振動因子の値が大きく異なるな

放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2 ●83

ど，物理的には不適切な結果であったが，Rwp は熟練者に鈴木雄太

よる手動解析の結果よりも小さく，実験結果を十分によく説明している構造の候補と考えられる。このように全く異なる構造の候補も提案できる点から，自動解析により解析者のクセや先入観といったバイアスを取り除き，これまでは見逃されてきた新たな発見を導く可能性が示唆される。
本研究で開発したソフトウェアは Python で実装されており，オープンソースソフトウェアとして GitHub 上で公
開 し て い る 。 https: // github.com / quantumbeam / BBORietveld

参考文献
Y. Ozaki et al.: npj Comput. Mater. 6, 75 (2020).
J. Bergstra, R. Bardenet, Y. Bengio and B. K áegl: Advances in
Neural Information Processing Systems, 25462554 (2011).
3) J. Bergstra, D. Yamins and D. Cox : International Conference
on Machine Learning, 115123 (2013).
4) B. H. Toby and R. B.VonDreele: J. Appl. Crystallogr. 46, 544(2013).
5) X. Cui et al.: J. Appl. Crystallogr. 48, 1581 (2015).

1)
2)

JSR2021学生発表賞
受賞者河野第 2 分野嵩（発表番号2C002）

目軟 X 線 ARPES に よ る Co2MnGe の ハ ー フ メ タ

題

ル電子状態とワイル交差の直接観測
講演者河野嵩1，鹿子木雅明1，吉川智己1，

Xiaoxiao Wang1，後藤一希2，室隆桂之3，

梅津理恵4，木村昭夫1,5
属1 広大院理，2 物質材料研究機構，3 高輝度光科

所

学研究センター，4東北大金研，5広大院先進理工
系科学

1.

緒言

Co2MnGe などのホイスラー合金は，伝導電子が 100 

総合研究大学院大学高エネルギー加速器科学研究科物質構造科学専攻 5 年制博士課程 4 年次
［略歴］
2019 年 3 月東京理科大学基礎工学研究科修士課程修了。同年 4 月より総合研
究大学院大学に在籍。 JST ACT I 研究者（『情報と未来』領域）および，日本学術振興会特別研究員。
［受賞のコメント］
この度は権威ある賞をいただき光栄に存じます。共同研究者であり長年の友人でもある GREE/産総研の尾崎くん，指導教員の小野先生，研究室の先輩である斉藤さん，羽合さんをはじめ，研究の遂行にあたってご協力いただきました皆様に，この場を借りてお礼を申し上げます。引き続き， AI-assisted な物
質材料の理解という目標の実現に向け研究に取り組んでまいります。

だが， Co 基ホイスラー合金に対する ARPES を用いたバ
ルクの 3 次元的なバンド構造の観測例は皆無である。

2.

実験

本研究では，ホイスラー合金 Co2MnGe に対して軟 X
線 ARPES 実験を行った。 SPring 8 BL25SU にて，バルク単結晶と10 mm×10 mm 程度まで絞られた空間分解能の高い放射光ビームを用いて ARPES 測定を行い，単一ドメ
インのバンド構造を得ることに成功した［Fig. 1(c)］。

3.

結果と考察

Fig. 1(a )に，観測された APRES 像を示す。励起光エネ

ルギー hn ＝ 435 eV では， kx ＝ 0 Å－1 を頂点とする上に凸

スピ ン偏極 する ハーフ メタ ル強磁 性体で ある こと が，の放物線バンドが見られる一方で， hn ＝ 535 eV では， kx

1990 年代から理論的に予測されており，トンネル磁気抵＝± 1.5 Å－1 を頂点とした同様のバンドが観測されてい抗（TMR）素子に代表されるスピントロニクスデバイス

る。ここで，これらの放物線バンドはフェルミ準位を横切の理想的な材料として注目を集めている。しかし，実際にっていないという特徴がある。一方で， hn ＝ 535 eV の kx

これらのホイスラー合金を用いた TMR 素子には，低温で＝±0.4 Å－1 においてフェルミ準位を横切るバンドも存在は比較的高い性能が得られているのに対し室温で性能が急することも分かる。このように励起光エネルギーの違いに激に減少するという問題があり，実用化に対する障害とな

よって，異なる波数空間でのバンドが観測されている。第っている。これには TMR 素子の絶縁層との界面に原因が一原理計算による等エネルギー面［Fig. 1(b)］より，観測あると考えられており1)，この問題にアプローチするためされた放物線バンドがブリルアンゾーン中央の円形の少数には，界面状態とバルク状態の両方の実験的な評価が必要

スピンバンド，フェルミ準位を横切るバンドがブリルアンである。さらに，最近になって Co2MnGa が高い横熱電効

ゾーン境界にまたがる多数スピンバンドに帰属される。さ果を示すことが分かり，バルクのトポロジカルなバンド構らに， hn ＝ 535 eV で観測された等エネルギー面マッピン造を起源とする内因性機構が理論的に提唱されている2)。

グ結果［ Fig. 1 ( d)上段］を見ると， 4 つの楕円形の構造とこれらの機構解明性能向上のためには，まずバルクの電点状の構造が観測されている（図中破線）。ここで，点状子状態を調べることが必要不可欠である。角度分解光電子の構造は第一原理計算結果の少数スピン成分に帰属され，分光（ ARPES）はこれらのバンド構造の直接観測が可能

楕円形の構造を含めたその他の構造は多数スピンバンドに

84 ● 放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2

Fig. 1

( a )励起光エネルギー hn ＝ 435, 535 eV で観測された ARPES 結果( b )第一原理計算による kx － kz 等エネル
ギー面（EB＝0.2 eV）及び ARPES で観測された波数線（破線）(c)ARPES 実験配置(d)hn＝535 eV で観測された等エネルギー面走査測定結果（上段）及び第一原理計算結果（下段）（b, d）の第一原理計算結果は，kx＜0（kx＞0）領域に多数（少数）スピンバンドを表示している。

帰属される。ここで少数スピン成分に帰属された点状の構
造はフェルミ面に現れておらず，フェルミ準位に多数スピンバンドのみが寄与していることが分かる。以上より，
Co2MnGe のバルクのハーフメタル性を実証することができた。本研究成果は今後のより高い機能性を持つ材料開発への指針を与える3)。

参考文献
1)
2)
3)

S. Tsunegi et al.: Phys. Rev. B 85, 180408(R) (2012).
A. Sakai et al.: Nat. Phys. 14, 1119 (2018).
T. Kono et al.: Phys. Rev. Lett. 125, 216403 (2020).

河野嵩

広島大学大学院理学研究科物理科学専攻
博士課程前期 2 年［略歴］
2019 年 3 月広島大学理学部物理科学科卒業。 2019 年 4 月より，同大学院理学研究科物理科学専攻博士過程前期在籍。
［受賞のコメント］
この度は，JSR2021学生発表賞にご選出
いただきありがとうございます。本会にて本研究の発表をご覧頂いた皆様に感謝申し上げます。また，日頃からご指導いただ
いております木村昭夫教授，ならびに共同研究者の方々に厚く御礼を申し上げます。本賞を励みとし，より一層精進して参りたいと思います。

放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2 ●85

JSR2021学生発表賞

第 2 分野置」を用いて，TiO2(001)基板上に表面界面を原子レベルで制御した VO2 エピタキシャル極薄膜を作製し，その受賞者志賀大亮（発表番号2C003）
目VO2 極薄膜における電子結晶構造の膜厚依存題性
講演者志賀大亮1,2，楊で試料を搬送することで，試料表面を一度も大気に曝すこ

以理1，長谷川直人1，

神田龍彦1，徳永凌祐1，吉松公平1，湯川龍2 ，

北村未歩2，堀場弘司2，組頭広志1,2
所

属1東北大多元研，2KEK 物構研

1.

はじめに

場で放射光光電子分光及び X 線吸収分光（ XAS）を行った。一連の実験は，超高真空下で接続されたチャンバー間となく行った。

3.

結果と考察

Fig. 2(a )に， 320 及び 250 K で測定した VO2 極薄膜における価電子帯スペクトルの膜厚依存性を示す。 t ＝ 10 nm

強相関酸化物である VO2 は，室温付近で V イオンの二の厚膜（MIT 温度 TMIT～295 K）では，ルチル型金属単量化による構造相転移（ Fig. 1 の挿入図参照）とともに抵

斜晶系絶縁体相転移に特徴的なスペクトル変化が観測され

抗 率 の 巨 大 か つ 急 激 な 変 化 を 伴 っ た 金 属 絶 縁 体 転 移ており2,4) ，これらのスペクトル形状は t  2 nm でほぼ一

（MIT）を示す。そのため，超低消費電力で高速にオン致している。このことは，VO2 が 2 nm まではその物性をオフ動作するモットトランジスタのチャネル材料候補1)と維持していることを示している。一方， t ＜ 2 nm では，

して現在最も盛んに研究されている。この VO2 の特徴的

320 K で測定したスペクトル（実線）におけるフェルミ準な MIT は，パイエルス転移（VV 二量化）とモット転移位（ EF ）上の状態密度が急激に減少し， 0.5 nm では完全（強相関効果）とが協調的に作用した結果であると考えらに消失する様子が観測されている。ここで，フェルミ端のれている2)。しかしながら，両者がデバイス動作時におけ有無に注目すると， VO2 の金属状態は 1.5 nm 程度まで維るチャネル層（界面数ナノメートル領域）の挙動にどのよ持されることが分かる。これらの結果から， VO2 は 1.0 

うに関わっているのかについては未だよく分かっていな

1.5 nm の臨界膜厚で膜厚（次元性）に依存した MIT を示い。また，強相関酸化物を用いたデバイスでは，ナノメー

すことが明らかになった。一方，この臨界膜厚以下のスペ

トルサイズの領域で特性が大きく変化することが知られてクトル形状に注目すると，t2 nm で見られる特徴的なスいる3) 。そのため，精密な VO2 薄膜デバイスの設計にはペクトルの温度変化がかなり抑制されている。このことは，その特性のサイズ依存性に関する知見が不可欠となっていVO2 の 2 次元極限において安定化する絶縁体状態が，厚る。

膜の単斜晶系絶縁体相とは異なる新たな電子相である可能以上の様に，サイズ制御による VO2 ナノ構造の電子相変化について調べることは，デバイス応用のみならず，基礎研究の側面でも大きな意義がある。そこで我々は，原子レベルで膜厚（次元性）を制御した VO2 極薄膜を作製し，その電子結晶構変化（ V V 二量化）をその場放射光電
子分光により直接決定した。

2.

実験

Photon Factory の BL 2A MUSAHI に設置された「その場放射光光電子分光レーザー分子線エピタキシ複合装

Fig. 2
Fig. 1

本研究で決定した VO2( 001)極薄膜の電子相図。丸印は輸送特性評価6)から決定した TMIT を示す。挿入図はルチル型及び単斜晶系 VO2 における結晶構造の模式図。

86 ● 放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2

320及び250 K で測定した VO2/Nb:TiO2(001)薄膜における(a)価電子帯スペクトル及び(b)酸素 K 端 XAS スペクトルの膜厚依存性。XAS スペクトルは偏光ベクトル E が cR 軸に並行な配置で測定した。

性を示唆している。このことを結晶構造の観点から検証す

ト絶 縁体 相」 といっ た新 たな電 子相で ある と結論 づけるために，偏光依存 XAS 測定を行った。

た6)。今後，この知見に基づいて最適なデバイス構造を設

Fig. 2( b)に， 320及び 250 K で測定した VO2 極薄膜における酸素 K 端 XAS スペクトルの膜厚依存性を示す。ここ計することで，次世代のモットトランジスタの実現が期待される。

で VO2 の MIT においては，ルチル型金属相における非結

参考文献

合性 d// 軌道が，VV 二量化により単斜晶系絶縁体相では5)結合性 d// 軌道と反結合性 d // 軌道に分裂する 。この新たに非占有状態に形成される d // 状態は，酸素 K 端の偏光依
存 XAS スペクトルで観測されることが知られている2) 。
つまり，偏光依存 XAS 測定により，VO2 極薄膜の構造相転移に関する検証が可能となる。実際，10 nm の厚膜では，M. Nakano et al.: Nature (London) 487, 459 (2012).
T. C. Koethe et al.: Phys. Rev. Lett. 97, 116402 (2006).
K. Yoshimatsu et al.: Phys. Rev. Lett. 104, 147601 (2010).
D. Shiga et al.: Phys. Rev. B 99, 125120 (2019).
J. B. Goodenough: J. Solid State Chem. 3, 490 (1971).
D. Shiga et al.: Phys. Rev. B 102, 115114 (2020).

1)
2)
3)
4)
5)
6)

d
// 状態に由来するピーク構造が明確に観測されている。

この d 
// 状態に由来するピーク強度は，膜厚の減少ととも

志賀大亮に徐々に弱くなり，臨界膜厚以下（ t ＜ 1.5 nm ）では完全

東北大学大学院理学研究科博士課程 3 年［略歴］
2016 年兵庫県立大学理学部物質科学科卒業。 2018 年東北大学大学院理学研究科修士課程（物理学専攻）修了。 2021
年同研究科博士課程（化学専攻）修了。
同年 4 月から東北大学多元物質科学研究所助教。

に消 失して いる 。この こと は，絶 縁体的 な挙 動を 示す
VO2 の 2 次元極限［ Fig. 2 ( a )］では，もはや V V 二量体は形成されていないことを示している。
以上の結果から， VO2 の 2 次元極限においては，これまで知られていない VV 二量化を伴わない絶縁体相が発現することを見いだした。さらに，以上の放射光電子分光解析の結果を輸送特性評価6)に基づいて作成した電子相図（Fig. 1）と比較することで，2 次元極限時の VO2 における絶縁体相は，低次元化によりモット転移不安定性がパイエ［受賞のコメント］
本賞にご選出いただき光栄です。本研究を遂行する上でご指導を賜りました組頭広志教授，堀場弘司准教授，吉松公平講師，
北村未歩助教，湯川龍助教，並びに放射光実験にご協力いただ
きました皆様に心より感謝申し上げます。

ルス転移不安定性に打ち勝つことで生じる「ルチル型モッJSR2021学生発表賞

第 2 分野

受賞者柴田友里亜（発表番号1C005）
題目光励起価数転移を示す SmS の時間分解 X 線吸収
分光

講演者柴田友里亜1，中村拓人1，渡邊浩2,1，

山神光平3，平田靖透4，池田啓祐3，
Yujun Zhang5，和達大樹5，井村敬一郎6，

鈴木博之3，佐藤憲昭6，木村真一2,1,7
属1阪大理，2阪大生命機能，3東大物性研，

所

4防衛大応物，5兵県大理，6名大理，7分子研

1.

緒言

硫化サマリウム（ SmS ）は，圧力印加によって価数が傍に，エキシトン準位からの遷移を示唆するピーク成分を観測し，エキシトンが BG 転移に関与することを示唆する結果を得ている3)。
一方，エキシトン状態は光励起で作られる。光照射によってエキシトン状態を人工的に作り出すことができれば，エキシトン密度の増加に起因した BG 転移が起こせることが期待される。そこで本研究では，光照射によって SmS
が BG 転移するのか，そして光誘起相がどのようなものかを解明することを目的とした。この目標を達成するために，光照射前後での価数変化を時間分解 X 線吸収分光（trXAS）を用いて直接観測し，さらにレーザー照射によるバンドギャップ近傍の電子状態の変化を赤外分光で調べた。

変化する物質として知られている。常圧では Sm の価数は2 価の黒色絶縁体であるが，圧力を加えることで， Black-

2.

実験

Golden （ BG ）転移が起き， 3 価の金色金属へと変化す

試料は名古屋大学理学研究科物質理学専攻磁性物理学研

る1)。この BG 転移の詳細なメカニズムはこれまで明らか

究室から提供された，ブリッジマン法により作製された，にされていなかったが，最近ではエキシトンの不安定性が

SmS の バ ル ク 結 晶 を 用 い た4) 。 tr XAS は SPring 8

BG 転移の起源の一つとして提案されている2) 。過去に我BL07LSU5)にて行った。ポンプ光は， 1.55 eV，パルス幅々のグループで行った SmS の反射率測定では，圧力印加

50 fs，繰り返し周波数 1 kHz の Ti: Sapphire laser を使用

により，フリーキャリアに由来したドルーデ成分の強度がし， Sm 3d5/2 吸収端（～ 1100 eV ）の XAS を全電子収量増加して反射率が全体的に100に近づく様子が観測され（TEY）法で測定した。また，レーザー照射下の赤外スペた。それに加えて，間接ギャップに対応するエネルギー近

クトルは，顕微赤外装置に Ti: Sapphire laser からのポン

放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2 ●87これらの結果をもとに， SmS の光誘起状態について考察を行った。光照射前の SmS では，ほとんどの Sm イオ
ンは 2 価の状態になっている。光照射後は， Sm の 4f 電子が伝導帯 5d バンドに励起されることで Sm の価数が 2
価から 3 価へと価数が変化する。しかし，赤外分光の結果において，フリーキャリアに由来した，ドルーデ成分が観測されなかったことから，励起されたキャリアはフリー
キャリアにならず，また，基底状態に緩和もせずに，エキ
シトン状態にトラップされたと考えられる。以上の結果から，光励起で価数転移およびエキシトン生成は確認できたが，本研究の目的である光励起による BG 転移の実現までには，至っていないことがわかった。
Fig. 1

光照射前後における Sm 3d5/2 吸収端の X 線吸収スペクト
ル。 1077 eV 付近のピークが主に Sm2＋ ， 1080 eV 付近のピークが主に Sm3＋ からの寄与を示している。光照射によって Sm3＋ の成分が増えている。

今後の展望として，励起光エネルギーを制御することで励起密度を高め，光による BG転移を起こすことを目標と
している。

参考文献
プ光を入射可能な光学系を構築して測定した。

3.

結果と考察

Fig. 1 に， 5 分間（ 3 × 105 パルス）の光照射前後における SmS の Sm 3d5/2 内殻の XAS スペクトルを示す。光照

1) K. Matsubayashi et al.: J. Phys. Soc. Jpn. 76, 064601 (2007).
2) T. Mizuno et al.: J. Phys. Soc. Jpn. 77, 113704 (2008).
（2016)．
3) Y. Takeno et al.大阪大学大学院理学研究科修士論文
4) K. Matsubayashi et al.: Physica B 359, 151 (2005).
5) Y. Senba et al.: Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 649, 58(2011).

射前のスペクトルでは，Sm2＋（1077 eV）と Sm3＋（1080eV）のピークが観測されており，Sm2＋ だけではなく，わずかに Sm3＋ が混在した中間価数状態であった。光照射後には，Sm3＋ ピークが Sm2＋ のピークに比べて相対的に大きくなった。以上の結果は，光照射によって，Sm イオンの価数が増加し，BG 転移の兆候が表れていることを示している。
レーザー照射赤外分光測定では，圧力印加下の赤外反射率測定についての先行研究で観測されていたドルーデ構
造2)は現れなかった一方で，直接バンドギャップ近傍にエキシトン準位からの遷移を示唆する鋭いピーク構造が観測

柴田友里亜
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻木村研究室博士前期課程 2 年［略歴］
2019 年 3 月奈良女子大学理学部数物科
学科数物連携コース卒業。 2019 年 4 月
より大阪大学大学院理学研究科物理学専
攻在学。
［受賞のコメント］
この度は名誉ある JSR2021 学生発表賞に選出いただきありがとうございます。日頃よりご指導いただいております渡邊浩助
教，木村真一教授，並びに共同研究者の皆様に心より感謝申し上げます。今回の受賞を励みに今後も精進して参ります。

された。

JSR2021学生発表賞

第 3 分野

受賞者島村勇+（発表番号7D003）
題目軟 X 線による超小型 Kirkpatrick-Baez ミラーの特性評価

講演者島村勇+1,2，竹尾陽子1,2，木村隆志3,4，
仙波泰徳2，岸本輝2，大橋治彦2，三村秀和1

属1東大院工，2高輝度光科学研究センター，

所

3科学技術振興機構さきがけ，4東大物性研

1.

緒言と研究目的縮小してきた。代表的な反射型素子である KirkpatrickBaez ミラー（ KB ミラー）は鉛直水平方向に 2 枚のミ

ラーで集光し2) ，反射面の多層膜化による 7 nm 集光3) ，
高 精 度 多 層 膜 ミ ラ ー に よ る XFEL 9.1 keV の 5.8 nm 集光4,5) ，結像性能を持つ AKB ミラーの開発6,7) 等で盛んに研究されている。
本研究ではこの KB ミラーについて，焦点距離が長大化する点に着目した。KB ミラーは最大数百 mm 長で作製される8)が，斜入射光学系では焦点距離がミラー長の半分以上となるため，従来のミラー設計では短い焦点距離を実現

X 線顕微鏡には X 線光源 X 線検知器集光素子といできない9,10) 。そこで， Fig. 2 のようにミラー長と焦点距

う 3 つの要素が不可欠である1) 。 Fig. 1 に示すように，近離が各々 2 mm と極端に短い超小型 KB ミラーを開発し年は集光素子の作製精度向上によって X 線集光サイズがた。作動距離が短い反面，高 NA高縮小倍率を実現し，

88 ● 放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2

振動や集光点ドリフトに強い。短いミラー長によって設置

2.

超小型ミラーの作製

角度誤差も大幅に許容され，顕微観察での利点が多L 字型の凹シリンドリカルレンズ表面を楕円形状に修正い11) 。多層膜化によって X 線極限集光にも応用可能だと加工して12)Fig. 3 に示す超小型ミラーを作製した13)。この期待できる。

差分成膜法には DC マグネトロンスパッタリング装置と白本実験では軟 X 線を使用し，提案している全反射型超色干渉計を使用した。 Fig. 4 に作製した各超小型ミラーの

小型 KB ミラーの集光特性を実験的に評価した。ミラー作

形状誤差と，修正加工量のプロファイルを示す。2 mm 長

製は東京大学，評価は SPring8 BL25SUA にて行った。

 1.5 mm 厚の加工量に対して，形状精度 PV 値 15 nm 以
内で作製した例は過去に無く，高精度なミラーが作製された。

3.

軟 X 線を用いた超小型ミラーの評価実験

設置角度誤差の許容値を計算し， 15 軸のピエゾステー
ジで構成されるマニピュレータ（ H 250 × W 138 × L 133mm）とチャンバーを開発した。作製したミラーと試料はマニピュレーター上に設置した。

Fig. 1

Fig. 2

過去80年で報告された集光サイズ。

提案している超小型 Kirkpatrick-Baez ミラーの光学配置。

Fig. 4

Fig. 5

Fig. 3作製された 2 mm 長と3.3 mm 長の L 字形ミラー。

差分成膜した目標成膜量と形状誤差。(a)2 mm 長，(b)3.3 mm 長。

500 eV 軟 X 線での集光例。(a)鉛直100 nm，(b)水平330 nm（FWHM）。

放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2 ●89

で行われた。

参考文献
1)
2)

SP8 文字列の観察（スケールバーは 2 mm ）。( a )軟 X 線
500 eV を用いたタイコグラフィー結果，(b)走査型電子顕微鏡による観察像。

Fig. 6

まず，ナイフエッジスキャンによって，集光サイズを測定した。500 eV 軟 X 線を用いた際の集光プロファイル例

3)
4)
5)
6)
7)
8)
9)
10)
11)
12)
13)
14)

青木光学，42, 280 (2013).
P. Kirkpatrick, and A. V. Baez: J. Opt. Soc. Am. A. 38, 766(1948).
H. Mimura et al.: Nat. Photonics. 6, 122 (2010).
S. Matsuyama et al.: Sci. Rep. 8, 1 (2018).
T. Inoue et al.: J. Synchrotron Rad. 27, 883 (2020).
S. Matsuyama et al.: Opt. Express. 27, 18318 (2019).
J. Yamada et al.: Optica. 7, 367 (2020).
H. Yumoto et al.: Sci. Rep. 7, 1 (2017).
L. Wenjun et al.: Rev. Sci. Instrum. 76, 1 (2005).
L. Wenjun et al.: J. Synchrotron Rad. 18, 575 (2011).
T. Shimamura et al.: Proc. SPIE. 114920P (2020).
G. Ice et al.: Rev. Sci. Instrum. 71, 2635 (2000).
島村，橋爪，三村特願202021012.
F. Seiboth et al.: Nat. Commun. 8, 14623 (2017).

を Fig. 5 に示す。次に，この集光ビームを用いてタイコグ
ラフィー計測を行った。反復計算によって回復した強度像を Fig. 6 に示す。約縦 2 mm 横 3 mm 程度の「 SP8」の文
字中に，文字線を跨ぐように作られた 150 nm 幅のブリッジが判別できる。本計測を以って，正しく波面情報が回復されたと判断した。タイコグラフィー法ではオブジェクトと同時に入射ビームの波面情報も回復され，その波面誤差
は 集 光素 子 に 起 因す る と 考 え ら れる14) 。 波 面誤 差 を ミ
ラー形状誤差に変換した結果は，白色干渉計で観測したミラーの形状誤差と概ね一致した。本結果は作製プロセスの妥当性を立証すると共に，超小型 KB ミラーの設置が適切に行われたことを示している。最後に，意図的に姿勢誤差を与えることで，シミュレーション通り 100 mrad 程度の姿勢誤差に耐えられることを実証した。

謝辞
本研究は科研費20J21562及び19H05523の助成を受けたものである。また，本光学系を用いた集光実験は大型放射

島村勇
東京大学大学院工学系研究科精密工学専
攻博士課程 1 年
［略歴］
2014 年 3 月東京大学工学部精密工学科卒業（工学部長賞，学修最優秀）。 2018
年 3 月同大学大学院工学系研究科精密工学専攻修士課程修了（工学系研究科長
賞 ，研究 ）。 現在，同 専攻博士 課程在籍。東京大学国際卓越大学院 WINGS CFS 生。日本学術振興会特別研究員。高輝度光科学研究センター研究生。
［受賞のコメント］
栄えある JSR2021 学生発表賞に本研究を代表して選出いただ
いたことを光栄に存じますと共に，日頃ご指導ご支援いただ
く皆様への感謝の念に堪えません。まずは三村秀和准教授，木村隆志准教授に心からお礼を申し上げます。また，大橋治彦主
席研究員，仙波泰徳主幹研究員，岸本輝様，竹尾陽子博士のご協力ご指南あって初めて放射光実験を完遂できました。夏目光学株式会社には本実験に不可欠なガラス製基板を作製いただ
きました。ここに記して深甚の謝意を表します。今後も本研究を発展させていく所存ですので，ご指導ご鞭撻を賜りたく何卒
お願い申し上げます。

光施設 SPring8 にて課題 2020A1694 及び 2019B1628 の下

JSR2021学生発表賞

第 3 分野

受賞者高澤駿太郎（発表者番号3D002）
題目三角形開口を用いたシングルフレームコヒーレン
ト X 線回折イメージング

講演者高澤駿太郎1,2，姜
上松英司1,2，石黒正敏2,3,4，阿部真樹1,2，
志2,3,4，高橋幸生2,3,4

属1東北大学大学院工学研究科，2理化学研究所放射所

光科学研究センター，3 東北大学国際放射光イノ
ベーションスマート研究センター，4 東北大学
多元物質科学研究所

1.

緒言

コヒーレント X 線回折イメージング（ Coherent X-ray

90 ● 放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2

DiŠraction Imaging: CXDI ）は，試料にコヒーレント X

線を照射し，遠方で取得される回折強度パターンに対して，位相回復計算を実行し，試料像を再構成する顕微法である。CXDI はその光学系によっていくつかに分類されるが，その一手法である走査型 CXDI（通称，X 線タイコグ
ラフィ）は位相回復計算の収束性が良く，拡がった物体を観察できるという実用性の観点から，放射光施設で盛んに研究されている。しかしながら， X 線タイコグラフィでは，回折強度パターンを複数枚取得する必要があるため，計測に時間を要し，動的試料の観察には不向きであるという問題がある。これを解決するため，これまで，1 枚の回
折強 度パ ター ンから 拡が った物 体の像 を再 構成で きる
CXDI と し て ， い く つ か の 方 法 が 提 案  実 証 さ れ て きた13) 。しかしながら，これらは，複雑な光学系とその高の回折強度パターンに対して，新たに開発した位相回復計

い位置安定性を必要するため，実用化には至っていない。

算を実行して得られた再構成像を示す。なお，どちらも位

最近，我々は三角形開口を用いるシングルフレーム

相回復計算において 1 点あたりの露光時間 10 秒で取得しCXDI を提案し，計算機シミュレーションによりその実現た回折強度パターンを使用した。2 つの再構成像を比較す

可能性を検討した4) 。本研究では， SPring 8 BL29XUL

ると， X 線照射領域について，本手法は X 線タイコグラ

において，このシングルフレーム CXDI の実証実験を行フィと同等の質で像の再構成が可能であると分かる。そしった。

て，露光時間の異なる再構成像から，空間分解能をそれぞれ算出し，本手法の時空間分解能を評価した。その結果，

2.

回折強度パターンの測定

Fig. 1 に実証実験における光学系の模式図を示す。厚さ

露光時間0.1秒以上において，FZP の最外輪帯幅である50
nm より優れた空間分解能を達成した。

20 mm の白金箔に集束イオンビーム加工を施すことによって， 1 辺約10 mm の三角形開口を作製した。 5 keV に単色

4.

まとめと展望化された X 線を三角形開口に照射し，その下流に最外輪

SPring 8 BL29XUL にて，三角形開口を用いたシング

帯幅50 nm のフレネルゾーンプレート（FZP）を配置する

ルフレーム CXDI の実証実験を行った。その結果，1 枚のことで， 1 辺約 5 mm の三角形に縮小結像した。試料に回折強度パターンから拡がった物体を再構成することに成は，厚さ 200 nm のタンタルテストチャートを用いた。結功し， 0.1 秒以上の露光時間で 50 nm より優れた空間分解

像面に試料を配置し，遠方に設置した画像検出器によって能を達成することができた。近年，結像型顕微鏡において回折強度パターンを取得した。

も優れた時空間分解能が達成されているが5,6) ， CXDI は
入射 X 線強度を高めることで，結像型顕微鏡では難しい，

3.

試料像の再構成と時空間分解能の評価

10 nm 程度まで空間分解能を向上させることができる。しFig. 2 に，複数枚の回折強度パターンに対してタイコグ

たがって，本手法は結像型顕微鏡を超える高い時空間分解

ラフィ位相回復計算を実行して得られた再構成像と，1 枚能を実現する手法として有望である。今後， X 線タイコ
グラフィでは困難であった動的試料の観察への展開が期待
される。

参考文献

Fig. 1三角形開口を用いたシングルフレーム CXDI 光学系の模式図と三角形開口の SIM 像

1)
2)
3)
4)
5)
6)

B. Abbey et al.: Nat. Phys. 4, 394 (2008).
K. P. Khakurel et al.: Opt. Express 23, 28182 (2015).
F. Zhang et al.: Nat. Commun. 7, 1 (2016).
J. Kang et al.: Opt. Express 29, 1441 (2021).
M. Ge et al.: Appl. Phys. Lett. 113, 083109 (2018).
S. Flenner et al.: J. Synchrotron Radiat. 27, 1339 (2020).

高澤駿太郎

Fig. 2(a)X 線タイコグラフィによる再構成像，スキャン数15 ×
15 ，スキャン間隔 500 nm ( b )シングルフレーム CXDI による再構成像東北大学大学院工学研究科金属フロンテ
ィア工学専攻博士前期課程 1 年［略歴］
2020 年 3 月東北大学工学部材料科学総合学科卒業 2020 年 4 月同大学大学院工学研究科金属フロンティア工学専攻入学［受賞のコメント］
JSR2021学生発表賞という栄誉ある賞に選出していただき，大変光栄に思っております。日々ご指導い
ただいております高橋幸生教授，石黒志助教，姜正敏助教に厚く御礼申し上げます。また，共に放射光実験を行っていただいた阿部真樹氏，上松英司氏にも感謝申し上げます。この受賞を励みに，今後も研究活動に精進していきたいと思います。

放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2 ●91

JSR2021学生発表賞

第 3 分野

受賞者山口豪太（発表番号8C002）
目銅電鋳製回転楕円ミラーによる軟 X 線 FEL のサ

題

ブミクロン集光
講演者山口豪太1，本山央人2，大和田成起3,4，
久保田雄也4，江川悟4，竹尾陽子1,3，

矢橋牧名3,4，三村秀和1
Fig. 1属1東京大学工学系研究科，2東京大学理学系研究科，所

銅電鋳プロセスの概要

3JASRI，4理研

1.

緒言

回転楕円ミラーは，楕円プロファイルを光軸に関して一回転させた中空形状をもつ集光ミラーである。中空形状ゆえに大開口であるため，軟 X 線のサブミクロン集光が理論的に可能である。反射を用いるため，集光性能が波長に依存せず，利用効率も高い。これらの特長をもつ回転楕円ミラーを利用することで，軟 X 線をプローブとする多様Fig. 2な分析技術の精度向上が可能となる。
中空形状の回転楕円ミラーを高精度に作製するため，ニ( a )回転楕円ミラーとその作製に使用したマンドレル。
(b)ミラーとマンドレルの典型的な周方向形状プロファイル。両者はよく一致し，その差は RMS 10 nm 前後。

ッケル電鋳を用いたプロセスが開発され，RMS 10 nm 程
度の高い精度が達成されている1)。さらに，電鋳製回転楕
円ミラーを用いて軟 X 線のサブミクロン集光が可能であ3.

SACLA BL1 での銅電鋳製回転楕円ミラーの評価ることが既に実証されている2,3) 。しかし，ミラーの材質

本実験では，本山らが開発したハイブリッド型集光シスが強磁性体のニッケルに限定され，さらにミラーと集光点

テム3) を用いた。集光システムの概要を Fig. 3 に示す。本との距離が短いため，強磁場下での試料への軟 X 線照射システムでは， 1 度 FEL を KB ミラーで集光した後，再や，光電子分光（ XPS ）装置への電鋳製回転楕円ミラー

び広がり始めたところに回転楕円ミラーを設置し，再度集の導入は難しいとされてきた。非磁性な金属を用いた電鋳光する。ナイフエッジスキャン法を用いて回転楕円ミラーを採用することで，この課題を解決できる。しかし，電鋳の集光点におけるビームプロファイルを測定した結果をの高精度化に関する従来の研究では，ほとんどが機械的性

Fig. 4 に示す。ビームサイズは水平 370 nm ，鉛直 400 nm

質耐食性ともに優れたニッケルの電鋳を対象としてき（ FWHM ）であり，銅電鋳製回転楕円ミラーを用いて軟た。そこで我々は，非磁性体である銅の電鋳を用いた高精X 線のサブミクロン集光が可能であることが実証された。

度なミラー作製プロセスを開発した。作製した回転楕円ミラーの 100 eV での集光性能を SACLA BL1 において評価

4.

した。

今後の展望

電鋳製回転楕円ミラーは，その集光性能の高さにも関わらず，ニッケルのもつ磁性のために STXM 等に応用が限

2.

銅電鋳製回転楕円ミラーの作製られているのが現状である。今回我々が開発した銅電鋳プ

回転楕円ミラー作製のために開発したプロセスの概要を

ロセスを作製に用いることで，磁性研究分野や XPS でのFig. 1 に示す。高精度かつ平滑に加工されたガラス製マン

回転楕円ミラーを利用した研究を開拓できると期待する。

ドレルの表面を転写することで，ミラーを得る。マンドレ

すでに SACLA BL1 の基本波を用いた高空間分解能な磁ル表面に電子ビーム蒸着により厚さ数百 nm の銅シード層性測定への応用が始まっている4)。今後，銅電鋳製集光ミを形成した後，シード層上に，硫酸銅めっきを用いて厚さラーの応用範囲を 1 keV まで拡大することで，放射光を数 mm の銅製シェルを成長させる。最後に，熱膨張率の含めた広範な軟 X 線サイエンスの分解能スループット

差を利用して，マンドレルとミラーを分離する。作製したを向上できると期待する。

銅製回転楕円ミラーの外観を Fig. 2a に示す。マンドレル

参考文献とミラーの典型的な周方向形状プロファイルを Fig. 2b に示す。両者はよく一致し，その差は RMS 10 nm 前後であった。軟 X 線ミラーとして実用に供し得る転写精度をニッケル以外の電鋳により達成した例は過去にない。

92 ● 放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2

1)
2)
3)
4)

H. Mimura et al.: Rev. Sci. Instrum. 89, 093104 (2018).
Y. Takeo et al.: Appl. Phys. Lett. 116, 121102 (2020).
H. Motoyama et al.: J. Synchrotron Rad. 26, 1406 (2019).
Y. Kubota et al.: Appl. Phys. Lett. 117, 042405 (2020).

山口豪太
東京大学大学院工学系研究科精密工学専
攻三村研究室博士課程 3 年［略歴］
2016 年 3 月東京大学工学部精密工学科卒業。 2018 年 3 月東京大学大学院工学系研究科精密工学専攻修士課程修了。現
在，同博士課程に在籍。日本学術振興会
特別研究員。理化学研究所放射光科学研

Fig. 3Fig. 4

回転楕円ミラーの集光性能評価実験における光学系。

究センター研修生。
［受賞のコメント］
この度は，尊敬する先輩方が受賞されてきた栄誉ある賞にご選出いただき，大変嬉しく思います。東京大学の三村秀和准教授
本山央人助教，理化学研究所の矢橋牧名博士久保田雄也博
士， JASRI の大和田成起博士をはじめとする，ご指導くださいました共同研究者の皆様に，この場を借りて厚くお礼申し上げます。今回の受賞を励みに，今後も日々努力する所存です。

回転楕円ミラーの集光点におけるビームプロファイル。
(a)水平370 nm，(b)鉛直400 nm（FWHM）。

放射光 Mar. 2021 Vol.34 No.2 ●93