EUVリソグラフィの現状と今後の展開～ニュースバル放射光施設におけるEUVL基盤技術開発～
兵庫県立大学
学長特別補佐（先端科学技術・異分野融合研究推進担当）
高度産業科学技術研究所長特別補佐
極端紫外線リソグラフィー研究開発センター長
教授
渡邊健夫
Email: takeo@lasti.u-hyogo.ac.jp
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JASRI 第84回SPring-8先端利用技術ワークショップ

1

概要
1. 世界の半導体市場の現状および今後の予測
2. EUVLの効果・必要性
3. EUVLの技術課題
4. 技術課題の解決に向けた取り組み
5. BEUVL（Beyond EUVL）の可能性
6. 日本の半導体復興に向けて
7. まとめ推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/
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世界半導体市場統計
1000 B$ @ 2030

微細加工の効果
1) 大容量2) 高速処理3) 低消費電力➔ 脱カーボン社会
4) 製造コストの低減➔ 持続可能な社会推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/
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世界半導体市場統計

Memory
IC
Logic
Micro

Sensor
Opto
Discrete推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/
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Analog4

約40年にわたり二けた小さい寸法で微細加工を実現
by working on Wavelength, NA and k1
1000

Slide 10EUVL workshop '21

𝜆𝜆𝑅 = 𝑘1= 𝑘1
𝑁𝐴𝑛 sin 𝜃Wavelength, nm
436 g-line
365 i-line
248 KrF
193 ArF and Immersion= k1 x Wavelength / NA

Resolution, nm

i-line (365nm)
XT:1400

KrF (248nm)

100

NA+45%
NXT:1950i

ArF (193nm)
NXE:3400

High-NA

ArF Immersion (193nm)

10

NA+67%
13.5 EUV

EUV (13.5nm)
High-NA (13.5nm)

1985

1990

1995

2000

2005

2010

2015

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2020

5

Courtesy of ASML

PublicEUV lithography ( 𝑛 ≈ 1)
1 mm
Rayleigh equation
Visible𝜆𝑅𝑒𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑖𝑜𝑛 = 𝑘1𝑁𝐴𝑹≈𝝀100 nm10 nm

UV・g-ray 436 nm ( 2.85eV ) EUV・i-ray 365 nm ( 3 eV )・KrF 248 nm ( 5.0 eV )Shortening
the wavelength

1 nm

X-ray

・ArF 193 nm( 6.5 eV )・EUV 13.5 nm( 91.8 eV )Multi-exposure is complicated,
and isn’t high cost efficient.

𝜃𝑵𝑨 = 𝐬𝐢𝐧 𝜽

Six asphericalmirrors(Mo/Si multilayer)

Single exposure is necessary for NGL.
EUVL is a promisinglithographic technology.
6

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IRDS(International Roadmap for Devices and Systems) 2022

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7

IRDS(International Roadmap for Devices and Systems) 2022

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8

IRDS(International Roadmap for Devices and Systems) 2022

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9

EUVLのプロセスが適用されているスマートフォン用MPU

10
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EUVリソグラフィー用半導体回路写真焼き付け装置
半導体回路原版

シリコンウエハ

31台出荷（2020）

ASML社 40台出荷予定（2021）

1996年より開発に着手

半導体回路
半導体チップ推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/JASRI 第84回SPring-8先端利用技術ワークショップ

11

Technical Issues on EUV Lithography
2020

2015 / 16hp

2016 / 16hp

1. Reliable source operation with >85% availability

1. Reliable source operation with >85% availability– Expectation of 1500
average wafers per
day in 2016

2. Resist resolution, sensitivity &LER met simultaneously– Increased focus needed on
manufacturingperformance (defectivity,
pattern collapse,...)

3. Mask yield & defectinspection/review infrastructure– Sustainability of mask tool
supply chain remains critical

4. Keeping mask defect free (byEUV pellicle)- Pellicle demonstration in thefield(on 3300) required in2016– 1500 wafers per
day withconsistency in
2017

2.

Resist resolution, sensitivity &LER met simultaneously– Sensitivity and LER/LCDU
are far from targets.
– Stochastic variation needs
to be addressed for current
andfuture materials

3. Keeping mask defect free2017 / 16hp
1. Resist resolution, sensitivity &LER met simultaneously

2018 / 16hp

2019 / 10hp

2020～ / <10hp

1. .Resist resolution, sensitivity &LER met simultaneously

1. .Resist resolution, sensitivity &LER met simultaneously

1. .Resist resolution, sensitivity &LER met simultaneously– Sensitivity and LER/LCDU
are far from targets.

– Sensitivity and LER/LCDU
are far from targets.

– Sensitivity and LER/LCDU
are far from targets.

– Sensitivity and LER/LCDU
are far from targets.

– Stochastic variation needs
to be addressed for current
andfuture materials– Stochastic variation needs
to be addressed for current
andfuture materials– Stochastic variation needs
to be addressed for current
andfuture materials– Stochastic variation needs
to be addressed for current
andfuture materials

2. Reliable source operation with >85% availability

2. Reliable source operation with >85% availability– 1500 wafers per
day withconsistency in2017– 1500 wafers per
day withconsistency in2018

3. Keeping mask defect free

3. Keeping mask defect free

– Good progress but very far
to go for HVM readiness– Good progress but very far
to go for HVM readiness– Good progress but very far
to go for HVM readiness– Need industry focus to bring all
the required components
together– Need industry focus to bring all
the required components
together– Need industry focus to bring all
the required components
together

2. Keeping mask defect free

2. Keeping mask defect free

– Good progress but very far
to go for HVM readiness– Good progress but very far
to go for HVM readiness– Need industry focus to bring all
the required components
together– Need industry focus to bring all
the required components
together

3. High power and stable EUV sourceis required.

4. 4.
Mask
yieldyield& defectMask& defect
inspection/review
infrastructure
inspection/review

infrastructure– Infrastructure
gap for patternmask inspection remains– Infrastructure gap for
pattern mask
inspection remains

4. Mask yield & defectinspection/review infrastructure

4. Mask yield & defectinspection/review infrastructure

4. Mask yield & defectinspection/review infrastructure

4. Mask yield & defectinspection/review infrastructure– Infrastructure gap for patternmask inspection remains– Infrastructure gap for patternmask inspection remains– Infrastructure gap for patternmask inspection remains– Infrastructure gap for patternmask inspection remains

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Resist4. Mask yield & defect
3. High
power and stable
EUV source
inspection/review
infrastructure
is required.
– Infrastructure gap for patternmask inspection remains

Defectfree mask
Mask yield& defect
EUV light
source12

デバイス構造のトレンド

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By imec Technology Forum

13

EUV Source - Principle of operation
DropletGenerator

PublicSlide 17

VesselBeamTransport

Intermediate
Focus Unit

ScannerCollector

metrology forsource to scanneralignment

z
x
Vanes
Tin catch

Scanner Pedestal

Source Pedestal
Fab Floor
CO2 system

Power Amplifiers

PP&MP Seed unit

Sub-fab Floor

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14

EUV光源EUV Power (Laser Poduced Plasma; LPP):
250 W @IF stable
420 W @IF undergoing
LPP for HVM exposure tools < 500 W @IF
DPP (Discharge Produced Plasma) for mask
metrology tools
EUV free electron laser < 2 kW
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15

High-NA >0.5NA 4x/8x anamorphic magnification
Chief Ray Angle at Mask can be maintained
PublicSlide 12October 2016

• Anamorphic optics → half field:
8x Magnification in scan
4x Magnification in other direction• Chief ray angle ok → Imaging ok

reticlescan

Pupil-in Pupil-out

scan

The pattern at the mask
will be 2x larger →

pupil
scan

Scanner prints half fields
wafer
scan

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8 nmのパタン形成用のEUV露光工学系の高NAについて

𝜆𝑅𝑒𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑖𝑜𝑛 = 𝑘1
𝑁𝐴

𝜆𝐷𝑂𝐹 = 𝑘2(𝑁𝐴)2

短波長および高NAにより微細加工を実現

𝑁𝐴 = 0.33, 𝐷𝑂𝐹 =124（𝑘2 =1.0）

𝑁𝐴 = 0.55, 𝐷𝑂𝐹 = 45（𝑘2 = 1.0）

高NAの焦点深度（DOF）は従来の約１/3であるため、レジスト膜厚の薄膜化が必要薄膜化でLWRが増大
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17

高NAのEUVリソグラフィーの技術課題
Resist
レジストの薄膜化により、LWRの増大が課題

Mask

水平方向と垂直方向でNAが異なるため、吸収体の膜厚を薄くする必要があり、High-k 吸収材が必須

Absorber
Mo/Si MLULE Substrate

Finished mask
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18

ニュースバル放射光施設New SUBARU

NewSUBARU synchrotron
light facility

新1.0 GeVの入射器

Klystron gallery

国内大学の最大の放射光施設
19

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新入射器（c-band）

20

ニュースバルにおけるEUVL専用ビームライン群
・これまでに４つの国家プロジェクに参加・先導
・現在、国内外21社との共同研究
・EUVマスク、レジスト、光学素子、光学系等の開発・基礎研究BL03
Bending BL
Resist, mask, optics

BL0910.8-m-long UD-BL
Resist, mask & pellicle,
opticsBL09
PEEM with CIBE

BL10
Bending BL
Resist, mask & pellicle, optics

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21

EUV Resist開発の技術課題
Specification of 22 nm nodeSensitivity

Sensitivity ≦ 10 mJ/cm2
LWR ≦ 2 nm (3s)Total Outgas ≦ 5×1013
molecules/cm2/s

Shot
noise

Acid
diffusion

Resolution

Acid
diffusion

LER

Development of LER reduction
and high sensitive resist
is most significant issue.
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22

Historical Trends of resist Materials
ー What materials are benefit for EUV for the pattering 10 nm and beyond？ーLightsourceg-line/i-line

KrF

ArF

EUV
EUV

EB

Wave
length365 nm

248 nm

193 nm13.5 nm－??

Similar to KrF
resist

OH

OH

m

n

l

O

Base
polymer

O
R1

R2 n

m

OH

OR

Poly(p-hydroxystyrene)
derivatives

Novolak resin

m

O

n

O
O

O

R1
R2
R3
Poly(meth)acrylate
derivatives

Similar to KrF
resistFigure. Examples of resist base polymer compatible with various exposure light sources.
=193 nm120lOTransmittance(%)

100
80

m

O
O

=248 nm

n

O
O

O

R1
R2
R3
(c) Poly(meth)acrylate derivatives(for ArF resist)

OH

OH

60
m

n

R1

m

R2 n

(a) Novolak resin(for g/i-line resist)

40
OH

OR

(b) Poly(p-hydroxystyrene)
derivatives(for KrF resist)

20
0

130

150

170

190

210

230

250

270

290

Wavelength(nm)推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/
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C. K. Ober et.al, EUV Symposium 2004.

23

Benefit of PAG Bounded Resist Comparison to the Conventional one
High Sensitivity ・Optimization of the absorption
coefficient of PAG
・Acheivement of the uniform chemical reaction
density
LWR Reduction・Optimization of the molecular size
・Small dispersitymll
・Uniform density of PAG

OH

R

PAG blended
polymer

PAG boundedpolymer

OH

m

R

n

R'
PAG

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24

Calixarene系低分子レジスト（Cornell Univ.）（TOK）（三菱化学）（Georgia Tech. Univ）

Noria（神奈川大）
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25

Atomic Absorption Cross Sectionµm (×10-22 m2/g)

Achievement of high sensitivity EUV resist
30

Te

Xe

25

20

Zn

15

10

Ｃ

Ｆ
Ｏ

Si Ｓ

Hf
Zr

1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 51 53 55 57

5

Atomic Number
Atomic Absorption Cross Section for EUV light0

Since the EUV absorption of EUV resist increased,
the secondary electron yield can increase.
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26

Nano Particle Resist for EUVLSPIE News Room
New oxide nanoparticle extremeUV photoresists achieve highsensitivity
Christopher Ober and Emmanuel
Giannelis
Cornell University
15 September 2014, SPIE Newsroom.
DOI: 10.1117/2.1201409.005552

Figure 1. Schematic of the extreme-UV (EUV) nanoparticle photoresist with its core metal oxide
and the organic ligand surrounding the core. ZrO2: Zirconium dioxide. HfO2: Hafnium oxide.
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27

Candidates for the tomorrow resist materials
on EUV lithography
Resist type

Resolution

Sensitivity

Chemically
amplified resist(PAG blended)
Chemically
amplified resist(PAG bounded)

〇

〇

△

◎

〇

〇

〇

◎

Molecule Resist

〇
〇

〇
◎

△
△

◎
×

Metal resist

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LWR Stability

28

Stochasticによる影響
１） レジスト構成材（ベースレジン、感光材等）の空間濃度分布
２） Prebakeプロセスに伴う残留溶媒とレジスト薄膜中の自由空間体積
３）EUV光によるショットノイズ
４）EUV光照射による２次電子生成の空間的な広がり（2ndry electron blur）
５）Prebakeプロセスに伴う残留溶媒の影響によるPEB時の酸の拡散６）現像やリンス時の効果
膨張等による影響
７）レジスト薄膜中の欠陥
パタン倒れ、パタンの欠け、マイクロブリッジ
８） EUV光以外の波長の光による影響
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推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/
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線幅バラツキの評価

𝑍-𝑓𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 = 𝑅𝑒𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑖𝑜𝑛3 × 𝐿𝐸𝑅 2 × 𝑆𝑒𝑛𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑖𝑡𝑦

LER: Line edge roughness 𝐿𝐸𝑅 = 3𝜎
LWR: Line width rougness𝐿𝑊𝑅 = 2 × 𝐿𝐸𝑅

1𝜎: 標準偏差Standard deviation

𝑛

𝜎=

1
෍ 𝑥𝑖 − 𝑥ҧ 2𝑛𝑛=199.73%

30

Aggregation and Segregation of Chemical Contents in Resist Film
Resonant soft X-ray scattering (RSoXS)) in transmission mode・ In RSoXS of transmission method,
identify the scattering energy by theabsorption peak measurement using Xray absorption spectroscopy (XAS)
method.
・ The scattering at the absorption
peaks indicates the distribution of eachchemical bonding structure.
XAS result.

Scattering

CAR

Soft X-ray

SampleScattering image captured by the CCD
camera推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/
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31

Scattering intensity (a.u.)

散乱プロファイルと散乱ベクトル

化学構成要素の大きさ
大Scatteringangle
小Scattering
intensity
高

小

大

低

Scattering intensity (a.u.)

Scattering vector (nm-1)

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Scattering vector (nm-1)
32

化学マッピングの直接
観察
Photo emission
electron microscopein soft X-ray region

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Cluster Ion
Gun
PEEM

Loadlockchamber

Granitepedestalachieves low
vibration(Alignment:
Hovercraftmechanism)

Samplepreparationchamber

33

推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/
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34

Setup of GI-RSoXS Method
BL-10 beamline at NewSUBARU synchrotron light facility
Light source … Bending magnet
Photon energy region … 60 ~ 950 eV
Beam size … 0.9 mm (V)× 2.7 mm (H)
CMOS
CameraCMOS
cameraSampleStage

2nd mask reflectometer chamber

Scattering

Sampleon stage

Soft X-ray

Quadrojaws slit

2nd mask reflectometerchamber

Pinhole（f = 400 mm）

1st mask reflectometerchamber35

推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/JASRI 第84回SPring-8先端利用技術ワークショップGI-RSoXS Geometry𝒒𝒛

Scattering vector
𝟐𝝅𝒒𝒚 =𝐬𝐢𝐧 𝜽 𝐜𝐨𝐬 𝜶𝒇𝝀

𝜆 : incident light wavelength
𝜃: scattering angle in thehorizonrtal (𝑞𝑦 ) direction
𝛼𝑓 : scattering angle in thevertical (𝑞𝑧 ) direction𝒒𝒙
𝒒𝒚

Detected CMOS
image

Scatteredlight

Incident light
Grazing angle :5°𝜶𝒇 θ• Scattering vector is
Reflected
expressed by above equation.
light
𝜶𝒊• Scattering vector corresponds
Sampleto a spatial frequency of the Schematic drawing of the geometry of GI-RSoXS
sample.
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36

RSoXS result at 280 eV
Scattering• The scattering intensity of CAR islarger than that of ZEP in thecorresponding film thickness.

This shows the difference between
the components of ZEP (only polymer)
and CAR (polymer and PAG). And
aggregation of CAR is lager that of
ZEP because of the existence of PAG.
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Scattering

Scattering profile at the 280 eV.
37

OoB & EUV exposure and reflectivity measurement
・EUV ( : 10～80 nm)
・OoB ( : 100～200 nm)

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38

BL09 Beamline
1. H2-exp tool in high EUV power

・Maximum EUV Power : 30 W/cm2
・Two Photodiode used for the
Reflectance Measurement
・Maximum Hydrogen Pressure : 70 Pa
・Differential Pumping by Two Orifices(Φ 3 mm × 25 mm)+ One Orifice (Φ 3 mm × 50 mm)
・Incident Angle : 3 ～ 90 °Cleaning

Optical microscope images at irradiation position

ContaminatedDamaged#3, 20 Pa, damaged
推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/JASRI 第84回SPring-8先端利用技術ワークショップ#4, 20 Pa, NO damage
39

Hydrogen Damage to Generate the Blister
Hydrogen plasma might damage Mo/Si multilayer.
Plasma irradiation experiments reported “blister”
generation inside the Mo/Si multilayer.
Hydrogen plasma

Blister
TEM cross sectional image of Mo/Si multilayer
after hydrogen plasma irradiation.
RAJM van den Bos

et al., Proc. J. phys. D, 50,4(2017)

Hydrogen damage is not allowed
at EUV optics and EUV mask.
We have developed an EUV irradiation tool.
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40

EUV Chemistry

How do we know all electron generation paths? How do we know what
chemistry can/do these electrons do? Not just a question of how manyelectrons are generated – but rather how to do the right chemistry with them.
We need active collaborations between spectroscopists and resist chemists
and to pursue answers to these questions.
IEUVI TWG 2017, Hiroshima, Anna Lio, Intel Corporation
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41

EB Exposure Toolfor the reaction
analysis of EUV
resists
E=1 - 200 eV

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E-gun

Main
chamber

Loadlockchamber42

Procedure of Actual Defect Mask Observation
EUV Blank Mask

SampleBlank EUV mask withNO ABSORBER layer

AFM Review

150 mm×150 mm×t6.35 mm

L-Trace II
Hitachi High-Tech
Surface
Structure

Inspection

EIDEC
ABI Inspection

Micro-CSM Review

Review

ABI HVM
EUV inspection with dark fieldMarking around Actual Defects

Lensless microscope with focused illumination
EUV intensity & EUV PHASE
43

推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/JASRI 第84回SPring-8先端利用技術ワークショップConfiguration of mCSM System@NewSUBARU BL-10
NA: 0.27• Characterization of defects on blank.
• Illumination size: f140 nm• Synchrotron source (NewSUBARU, 2 pW, 11 mW/cm2 on mask)•Exposure time: 500 s (5 s×(10×10 steps))推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/JASRI 第84回SPring-8先端利用技術ワークショップ

44

Observation Result of Actual Defect
AFM
70×34×+2.1 nm3Phase-0.42 radBump-typeoval-shape
Phase defect

AFM
33×28×+1.7 nm3

Bump-type
Phase defectPhase-0.13 rad推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/
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Smallest size
45

半導体材料および半導体製造装置は世界でも優位に立っている。
Beyond EUVL (= 6.X nm)
2030年の実用化を目標 1 nm世代以降
今後の日本の半導体戦略のポイント
１）半導体デバイスの内需拡大に向けた
新たなマーケットの開拓
２） 10兆円投資の覚悟
先端半導体工場の誘致
３）学校教育改革
・詰め込み教育から、考える、個々の個性を伸ばす教育へ・世界のクロバール化に中で、日本の経済発展
および国家安全保障に対峙
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第84回SPring-8先端利用技術ワークショップ46

EUVおよびBEUV用多層膜の反射率の比較
Reflectivity of LaB Multilayer

Reflectivity of Mo/Si Multilayer

Reflectivity

0.8

0.7

0.7

0.6

0.6

200
200周期
periods

0.5

0.5

100
100周期
periods

0.4

0.4

50
50周期
periods

0.3

0.3

0.2

0.2

0.1

0.1

0
12

13
14
Wavelength (nm)

4% bandwidth

15

0
6.5

6.6
6.7
Wavelength (nm)

<1% bandwidth

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6.8

47

BEUVレジスト用材料の検討
2
sectioncross
Atomic(m^2) (m )sectionabsorption crossAtomicabsorption

Atomic absorption cross section @ = 6.7 nm
Ge6x10-22

Zn

-22

5x10

Se
Br

Ga

4x10-22

Si

Nd

S

Al
-22

3x10

2x10-221x10-22

C
0

O
10

20

30

40

50

60

Mass Number
AtomicnumberSince the BEUV absorption of BEUV resist increased,
the secondary electron yield can increase.
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FEL for EUV Light Source

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Recent study about the power and spectrum at BEUV
The spectrum isnarrow enough tomatch the optics~0.04nm

FEL power with 2% tapering:
12.7/25.4 kW @ 9.75/19.5 mA (162.5/325 MHz)D/ = 6 x 10-3

Accelerator Parameters: Eacc = 1131 MeV (800 × √2),
The other conditions are almost same to these of EUV-FEL
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5-7/November/2018, HILASE, Prague, Czech Republic 50

日本の半導体装置産業
半導体製造装置
EUV光源、エッチング装置、洗浄装置、マスク原版検査装置、
シリコンウェハ、レジスト塗布現像装置等

日本の半導体用材料
半導体用材料各種ガス、EUV光源用各種材料、
各種有機材料（レジスト材料を含む）、各種無機材料推進協 第10回SPring-8次世代先端デバイス研究会/JASRI
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成長が期待される半導体産業分野、サービス分野• データセンターに利活用• マイナンバーカードの利活用
マイナポイント、リカバリーキャンペーン等による
COVID-19の経済対策支援• 行政サービス• 今後の成長領域
医療、保険（自動車保険、医療保険等の顧客へのサービス展開）
・自動車の自動運転の利活用
・ドローンを用いた宅配サービス、過疎地への生活支援対策
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ニュースバル放射光施設での半導体微細加工の研究
１）近未來への展開：

EUVからBEUVへの展開

・自動車の自動運転
・安全・安心なロボット社会
医療ロボット（失敗しない手術）等

センサー、メモリ、演算素子（CPU）は全て半導体デバイスであるが、未來では人間の脳、目、間隔を有するデバイス開発が可能になり、これらの革新的なデバイスを用いた安心安全なロ
ボット社会を実現することにより、人間の生活にゆとりと幸福をもたらし、人間らしい生き方ができる社会へと変革を遂げる。

２）2030年以降の次世代半導体微細加工技術として、Beyond EUV技術開発を展開へ
1 nm世代以降の半導体、量子デバイスへの展開を進める。

３）未来社会：ヒトに近いデバイスへ

人間の脳、目、感覚認知が可能なデバイス開発により、脱炭素社会および持続可能な社会実装に備える。
半導体＝＝＝＞量子デバイス（量子力学）＝＝＝＞疑似生体デバイス（量子生物学）
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今後の日本の半導体戦略• 日本の経済および安全保障の観点で、半導体技術の発展は不可欠• 日本が再度世界に於ける技術覇権の課題克服には、世界に通じる半導体のファン
ドリを日本の力のみで設立をすることが肝要• 産学が共同で取り組み、国、産業界から出資金を募り、民間主導のプロジェクトを立ち上げることが必要• 半導体の各現場を理解した上でのプロジェクト• 日本はこれまで、幕末の頃から欧米からの干渉を受け、日清戦争、日露戦争、大東亜戦争、そして、高度経済成長でのドルショック、石油ショック、繊維産業の衰退、沖縄返還にから化学繊維産業の衰退、日米半導体協定に起因した半導体の衰退、そして、次は自動車産業がターゲット• 日本の企業・大学が一丸になって、出口側の戦略を含めて議論を継続し、純日本の半導体ファンドリを設立・運営• プロジェクトの企業、大学、国研の役割は、それぞれ「経営・技術戦略」、「企業の課題に対するサイエンス」、「国とのかかわり方」を明確に
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今後の日本の半導体戦略のポイント
１）半導体デバイスの内需拡大に向けた新たなマーケットの開拓
２） 10兆円投資の覚悟

先端半導体工場の誘致

３）学校教育改革
・詰め込み教育から、考える、個々の個性を伸ばす教育へ
・世界のクロバール化に中で、日本の経済発展および国家安全保障に対峙

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まとめ
1)

CELはEUVL技術開発の加速促進を目的に2010年10月に当研究所に設置、これまでに約20年間に亘り国家プロジェクトを先導・参画、現在国内外の企業と共同研究を通じてEUVLの実用化・課
題解決に貢献2)

EUVLが7 nm (2019) and 5 nm (2020) node logic devicesの量産に適用

3)High NA EUVLは2025～2026年に市場投入予定

4)

さらなる微細化のEUVLの技術課題はレジスト、ペリクル、マスク、EUV光源

5)

ニュースバルのc-bandの新入射器整備を2016年より進め、2021年4月20日から運転を開始

6)

最近のEUVLの基礎研究の内容は以下のとおり• 低LWRを目的にレジスト中の化学構成材の濃度分布の評価（透過および反射によるRSoXS法）• レジストのパタン倒れ回避を目的にした薄膜レジストの深さ方向の構造解析（反射による
RSoXR法の小角散乱）• ペリクルやマスク材料の水素脆性評価• レジストやマスクの基礎研究に必要な他の特徴的な評価装置開発

7) 2031年の0.7 nm node logicデバイスの量産に向けたBeyond EUVL開発
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ご静聴を頂きありがとうございました。

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