vol.35 No.3, 2016

九州大学中央分析センター

Center of Advanced Instrumental Analysis, Kyushu University

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Center News 133
センターニュース
vol.35

No.3, 2016

九州大学中央分析センター

分析機器解説シリーズ（133）

迅速深さ方向分析装置 (GD-OES) 〜原理と水素分析への応用〜. ....... 1
Center of Advanced Instrumental Analysis, Kyushu University
九州大学中央分析センター
中村龍人、山田紘子
株式会社堀場製作所

科学営業統括室

センターニュース

分析機器解説シリーズ（133）

薄膜機械的特性評価装置（ナノインデンター）. ........................................ 4
株式会社東陽テクニカ 分析システム営業部

多賀瞬

Center of Advanced Instrumental Analysis, Kyushu University

分析機器解説シリーズ（133）

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迅速深さ方向分析装置 (GD-OES)〜原理と水素分析への応用〜
センターニュース
株式会社堀場製作所 科学営業統括室中村龍人、山田紘子
1

はじめに速く測定する”表面分析のスクリーニング手法として拡がっ
九州大学中央分析センターている。

GD-OES（ 高 周 波 グ ロ ー 放 電 発 光 分 析：Glow

図１に堀場製作所製 GD-OES：GD-Profiler ２の外観写

Discharge Optical Emission Spectroscopy）は、グ

真、図２に試料取付部とその断面構造図を示す。試料取付部

ロー放電領域のカソードスパッタリングを用いて、導電性・は、中空状（筒状）の電極（アノード）が絶縁体で覆われて非導電性皮膜をスパッタリングし、スパッタされた原子のいるような構造になっており、試料を取り付けることで、中心Ar プラズマ内における発光を分光測定する過程を、連続的部分の穴をふさぎ、真空を保つ。試料室全体を真空引きするに行うことで試料の深さ方向における元素分析を行う手法でのではなく、試料取付部だけを真空引きするので、真空引きある。古くは µm オーダーの厚膜の深さ方向分析手法としてに要する時間が非常に短い。試料を取り付けた状態で、試料活用されてきたが、高周波スパッタの活用により非導電性試の背面側に高周波印加用の電極（発振子）を付ける。アノー料の測定が可能になり、またパルススパッタリングの適用にド内部に Ar ガスを導入し、試料の背面側から13.56MHzより深さ分解能が向上したため、最近は nm オーダーの薄膜の高周波を印加すると、試料表面に自己的なマイナスのバイの深さ方向分析手法として活用されてきている。GD-OES

アス電圧が生成され、試料表面とアノード間の電位差により、は、SIMS・AES・XPS（ESCA）などの他の表面分析装プラズマ中の Ar 陽イオンが試料表面に衝突することで、試置と比較し、スパッタ速度が速いため、１µm 程度の皮膜の料表面がスパッタリングされる。このスパッタリングにより、分析であれば、１分程度の短時間で行える。また、超高真空試料表面に存在するものが原子化され、原子化されたものがを用いていないため、試料の交換に要する時間も１分程度とAr プラズマ中の電子と衝突することで、基底状態から励起短く、数多くの試料を測定することができ、かつ再現性もあ状態になり、励起状態から基底状態に戻るときにエネルギーる結果を得ることができる。よって、光学顕微鏡や走査型電を放出する。これが元素固有の原子発光となり、110nm ～子顕微鏡などのように、“とりあえず分析してみよう”と思900nm 付近に光が放たれることになる。試料が深さ方向うことができる表面分析装置・深さ方向分析手法である[ １]に変化を有する場合、元素の様子が変化するに従い、光源か表面処理・めっき・成膜／コーティング等、産業における生らの発光が連続的に変化する。この連続的な変化をパッシェ産技術・品質管理の用途で使用されるケースも多く、“沢山ン・ルンゲ型の分光器で分光・検出すれば、図３のような横。

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分析機器解説シリーズ（133）

簡単かつ迅速に、nm オーダーの深さ方向分析を行えるのがGD-OES の特長である。

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データ解釈時の注意点と定量化

図３で示したように、GD-OES では横軸：スパッタ時間（sec）、縦軸：信号強度（volt）の形式で深さ方向のプロファイルが得られる。GD-OES はスパッタにより掘られた痕を測定する AES・XPS（ESCA）とは異なり、スパッタにより掘られた物を測定する原理であるため、縦軸はスパッ
図１ GD-Profiler2の外観写真タされた物の重量に比例する。よって、スパッタレートが速くなる材料では信号強度が高くなり、スパッタレートが低くなる材料では信号強度が低くなる。図３で示した試料はFeNi合金基板上の SnCu めっき膜であるため、基板のスパッタレートが遅く、膜のスパッタレートが速い。この場合、膜と基板の界面付近で Fe、Ni のプロファイルの立ち上がりが緩やかになるという現象が見られているが、これは決して界面付近に Fe、Ni が少ないということを示しているわけではない。これは界面付近でスパッタレートが低下したために見られる現象であり、信号強度と重量の相関関係を示した検量線を作成し、定量化を行えば、図４のように横軸：深さ（μ図２ 試料取付部とその断面構造m）、縦軸：信号強度（%）に変換・換算できる。このように GD-OES のデータを見るときは試料のスパッタレートの軸：スパッタ時間（sec）、縦軸：信号強度（volt）という変化を加味して考える必要があるが、GD-OES の定量化でグラフになり、深さ方向における元素のプロファイルを得る

はスパッタレートを加味した検量線を作成するため、定量化ことができる [ ２]。

2

測定手順

GD-OES 分析の測定手順は、以下の通りである。
①10mm φもしくは10mm 角以上の試料を準備する。
②試料をセットし、測定に必要な真空が保持されたことを確認する。
③理想的なクレータ形状を得る測定条件を探索する。
④試料ダメージが大きい場合や深さ分解能が不十分な場合は、パルススパッタを適用する。
⑤試料の最表面数 nm 領域の分析を行う場合は、プレスパッタを適用し、吸着等の影響を軽減する。

図３ GD-OES のデータ

GD-OES の測定面積は一般的に４mm φであるが、アノードを試料でふさぎ、真空を保つ構造から、試料はアノードの外周にある O リングと接しなければならないので、10mmφ以上の平面形状である必要となる。また、測定（スパッタ）を安定に行うためには、真空を正確に保持することが重要なため、試料のセットには細心の注意を払う。もし、試料が小さく、測定に必要な真空を保持できない場合は、インジウム金属に試料を埋め込むような治具があるので、これを用いる。同様に、試料がポーラスな構造や湾曲した構造で、真空を保持できない場合は、それらに適した専用のアタッチメントがあるので、それらを用いる。また、パルススパッタリ
ングを適用すれば、スパッタ時の試料への熱影響を軽減す

図４ GD-OES の定量化したデータることもできるし、深さ分解能を向上させることもできる。
2

分析機器解説シリーズ（133）

後、膜のスパッタレートを求めることができ、また膜厚を算出することも可能である [ ３][ ４]。

4GD-OES による水素分析例

GD-OES 法の特長を纏めると、以下のようになる。
①測定元素：H ～ U②検出下限：数10ppm（ただし、元素・材料に依存）③深さ分解能：数 nm（ただし、試料形状に依存）④測定面積：１mm ～７mm
⑤スパッタ速度：１～10μ m/min（ただし、材料に依存）
測定元素として水素を測定できることが非常に興味深い。

図６ GD-OES による重水素測定例

一般的に材料中における水素の挙動・濃度を捉えることは簡単でないことから、GD-OES 法においても同様に水素の評価は簡単ではない。ただ、近年 GD-OES のユーザーが増5えるにつれ、いくつかのユーザーにより精力的に評価・検まとめ

GD-OES はまだまだ認知されていない表面分析・深さ方討がなされており、GD-OES による水素測定は認知されつ向分析装置である。ただ、水素だけでなく、リチウム Li も分つある。ここでは、いくつかの測定事例を紹介する。一つ析できるなど、他の表面分析では簡単ではない元素も測定で目は、めっき中の水素のベーキング前後での挙動評価である。図５は、ステンレス上に施された NiP めっきであるが、ベーキング前後で水素の挙動に差が生じている。ベーキング

き、また測定できる深さも nm オーダーから最大100µm までと非常に広範囲である。また、スパッタガスに Ar+O ２混合ガスを用いると、有機材料の分析ができたり、また GD-前は NiP めっき中に多くの水素 H の存在が確認されている

OES のスパッタを走査型電子顕微鏡や EBSD 測定の前処理が、ベーキング後はそれが少なっていることがわかる。このように、GD-OES を用いれば、水素の評価ができる。また、
GD-OES は重水素 D の測定も可能である。図６は、ステンレス表面の重水素 D の深さ方向分析の例である。このように、用に用いる用途なども出ており、アプリケーション・用途が広がっている。ぜひとも、皆様の研究・開発に役立てて頂きたい。

軽水素 H と重水素 D を分けて測定できることで、より正確に材料中の水素挙動評価が可能である。ただ、GD-OES による水素分析の定量化については、標準試料等の問題があり、まだまだ課題がある。ただ、DLC 皮膜中の水素量の定量化[１] 清 水健一 , rf-GD-OES によるナノ薄膜の高分解能デプ
スプロファイル分析 , エレクトロニクス実装学会誌 ,（社）や水素吸蔵合金を用いた GD-OES 用水素標準試料の作製など、水素の定量化に向けた動きもある

引用文献

エレクトロニクス実装学会 , 13（７）, pp.569-574,。

[ ５][ ６][ ７]2010.
[２] R.Payling and T.Nelis, Glow Discharge OpticalEmission Spectroscopy : A Practical Guide,（JOHN WILEY&SONS）, p78, 2003.
[３] 柿田和俊 , グロー放電発光分光分析法の国際標準化 , 表面技術 ,（社）表面技術協会 , 52（10）, pp674-678,
2001.
[４] R.Payling, Glow Discharge Optical Emission
Spectrometry, Spectroscopy, An Advanstar
Publication, 13（１）, pp.36-44,1998.

図5[５] 齋 藤 秀 俊 , New Diamond, Vol.28, No.3, p.27,

ベーキング前後での水素測定例
左）ベーキング前、右）ベーキング後

2012.
[６] 大 竹 尚 澄 , 平 塚 傑 工 , 齋 藤 秀 俊 , New Diamond,
Vol.28, No.3, p.12, 2012.
[７] 丸岡智樹 , 門野純一郎 , 菊池康正 , 京都市産業技術研究所研究報告 , No.3, p.17, 2013.

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分析機器解説シリーズ（133）

薄膜機械的特性評価装置（ナノインデンター）
株式会社東陽テクニカ

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分析システム営業部 多賀瞬

さらに経験則として薄膜の押し込み試験の場合、膜厚の５はじめに～10%以上押し込むと薄膜の下にある基材の影響を受ける

あらゆる工業製品の研究開発並びに製造現場において、製ことが知られている。例として１µmの薄膜の場合、100nm品の壊れ難さ、割れ難さ、傷つき難さといった観点から材料以下の非常に浅い押し込み深さで試験を行わなくてはならな強度信頼性評価は必要不可欠である。その中でも硬さは様々い。従い、当然のことながら光学顕微鏡ではこうした微小なな機械特性と相関関係があることから、材料の信頼性を評価圧痕を観察することは非常に困難である。

する指標の一つとして広く用いられている。

ナノインデンテーション法では、負荷及び除荷時の押し込硬さを測定する手法としてはビッカースやロックウェルをみ深さを計測することにより得られる荷重 - 変位曲線（図１）代表とする様々な試験法（表１）があり JIS 規格として制定から圧痕観察をせずに硬さ・ヤング率を測定することが可能されており、工業界で古くから利用されている。一方、近年である。ナノインデンテーション法では Oliver ＆ Pharr[ １]の微小化技術の発展に伴い、微細構造や機能性薄膜の活用がの手法を用いて、測定器から得られる、荷重 P と変位 h、か増え、高性能かつ小型・軽量化が進んでいる。製品の小型・ら硬さ H と弾性率 E を求めることが可能である。

軽量化が進む一方で、各部品に利用される材料の破損のしや数 十 nm と い う 極 表 面 の 押 し 込 み 試 験 を 可 能 と す るすさが問題になっている。先述したビッカースやロックウェ

Nanomechanics 社ナノインデンターシステム（図２）は、ルといった硬度計では、測定時の印加荷重が大きく、基材も非常に精度の高いアクチュエータ（図３）が搭載されている。

変形させてしまうため、微細構造や薄膜の硬さを測定するこアクチュエータ部にはボイスコイル式の応力発生機構が搭載とが困難である。

されており、試料に対して極めて高精度かつ線形性の高い荷今回紹介するナノインデンテーション法は、従来の硬さ試重印加を実現する。またコイルに流れる電流による電磁力に験機では困難であった数百 nm ～数μ m 厚の薄膜や微小部より、インデンターシャフトは試料側に駆動し、同時に静電の硬さやヤング率等といった機械的特性評価を簡便に行うこ容量方式のセンサーにより変位を高精度に計測する。インデとが可能な手法である。

ンターシャフトは、独立した２枚のリーフスプリング（板バ

本稿ではナノインデンテーション法による硬さとヤング率ネ）に搭載されており、試料に対して垂直方向に動き、水平の測定手法と、その応用例について紹介する。

方向への移動が起きない構造になっている。
この非常に精密なアクチュエータ機構により、荷重、変位

表１ 代表的な硬度測定手法を物理量として読み取ることで薄膜材料における硬度やヤング率といった機械的特性評価が可能なのである。
現在ナノインデンテーション法は ISO14577計装化押し込み試験法として規格化されており、工業会においても普及してきている。次項にその測定原理を記す。

2

ナノインデンターの必要性

表１に挙げる従来法に代表される硬さ試験では、圧子の押し込みによる塑性変形により、試料に形成される圧痕の寸法もしくは変位を計測し、その計測結果から接触面積を算出する。試験荷重を得られた接触面積で割ることで硬度を算出する方法が一般的である。このとき圧痕の寸法を計測するため

図１ 荷重 - 変位曲線の例に光学顕微鏡が用いられる。試料がバルク材料の場合、深い押し込み試験が可能なことから、圧痕の形状は可能であるが、試験対象が薄膜の場合、観察できる圧痕の大きさには限界がある。
4

分析機器解説シリーズ（133）

このときεは圧子幾何形状による定数を示しており、バーコビッチ圧子の場合ε =0.75である。また接触剛性 S は荷重 - 変位曲線における除荷曲線の初期点における除荷勾配に相当し、（２）式で表される。
（２）式
P

次に圧子と試料間の接触投影面積 A を算出する。理想的な

図２ Nanomechanics 社製ナノインデンター iMicro の外観

バーコビッチ型圧子であれば、接触投影面積はであるが、実際にインデンテーション試験時に利用される圧子は完全な理想形ではない。（３）式で表される第２項目をNanomechanics 社製ナノインデンターシステムでは測定に使用する圧子１本毎に下記数式を用いて補正をしている。
（３）式

なお、（１）式で記述できる変形モデルの考案者の一人がDr.Warren Oliver（現米国 Nanomechanics 社社長）であり、当社で取扱いをしているナノインデンターは彼が基本設計を行った装置である。

図３ Nanomechanics 社製ナノインデンターのアクチュエータ部の模式図[ インデンテーション硬さの求め方 ]前述した接触投影面積及び荷重により硬度は（４）式で記3載される。

ナノインデンターの測定原理/

ナノインデンターシステムは、先端形状がダイヤモンド（４）式チップから成る正三角錐（バーコビッチ型）の圧子（図４）

面積計算で表面の弾性へこみの影響を考慮されているため、を使用する。圧子を材料表面に押し込み、その時の圧子にか算出された硬度は塑性特性のみを反映しているものである。

かる荷重 P と圧子と試料間の接触剛性 S 及び圧子と試料間の接触投影面積 A から硬度・ヤング率を測定する。

[ ヤング率の求め方 ]次にヤング率（モジュラス）であるが、荷重−変位曲線から決定されるモジュラスは圧子と試料との間の複合弾性率（ E r）であり、下記の（５）式で決定される。

図４ バーコビッチ型圧子の形状（５）式[ 接触投影面積の求め方 ]そして、試料のモジュラスは Es は（６）式で算出できま

nm オーダーの浅い領域の押し込み試験では、押し込みにす。

より発生する変形は弾性・塑性変形の両方が存在する。図５に示す通り弾性・塑性変形が混在する変形では、圧子の全変位と塑性変形に寄与した接触変位は同じではない。

（６）式

圧子の全変位（ h t ）から塑性変形に寄与した接触変位（hc ）のみを算出する為にナノインデンターでは、印加荷重を除荷する際の勾配を利用する。

ここで、Ei は圧子のモジュラス、υi は圧子のポアソン、υs

接触変位 hc は（１）式で表される。

は試料のポアソン比、βは圧子定数である。

（１）式

5分析機器解説シリーズ（133）

測定例として自動車などの摺動部品に利用される DLC 薄4膜の荷重－変位曲線及び測定結果を示す。測定試料は SUJ

ダイナミック試験

２基板上に堆積させた１μm 厚の DLC 薄膜であり、異なる

前述した通り薄膜の硬度とヤング率評価が難しいとされてプロセス（CVD プロセスと水素フリープロセス）で作製しきた最大の要因は、膜の特性を評価しようとしても基板の特た薄膜の測定結果である。

性が混入し、切り分けが困難な点にある。

試験時の押込み荷重は10mN であり、押込み深さは100

そこで装置の開発者である Dr.Warren Oliver は、一回〜 200nm で測定を行った。の押し込み試験で連続的に硬度・ヤング率の深さ方向に対すこのカーブを ISO 14577 に従い解析することで、CVDるプロファイルが得られる測定手法 [ ２] を開発した。

プロセスと水素フリープロセスの薄膜のみの硬度とヤング率

この測定手法はダイナミック試験と呼ばれ、ダイナミックを測定すること可能である。

試験で得られたデータでは、各押し込み深さのデータが基板の影響を受けているかどうか一目瞭然であり、従来の困難な問題を解決する手法である。
ダイナミック試験ではインデンテーションの際に、圧子を微小振動させる。振動に対する応答振幅、位相を解析することにより、試験中のすべての深さポイントにおいて荷重データ、変位データと共に剛性データを記録できる。従来は、単一インデンテーションの除荷曲線の一点でしか得られなかった硬度とヤング率のデータを一度の押し込み試験によって連

図５ 弾性・塑性変形を含む場合の接触深さ続的に、しかも深さの関数として決定することが可能である。

h t は計測される押し込み深さを表しており、h c は実際の接触深さ（荷重を支える領域）を表している。理想的に弾性表２と同様の試料をダイナミック試験手法で測定した硬変形が起きない場合h t = hc となるが、ナノインデンテー度・ヤング率の結果を示す（図７及び図８）。ISO 準拠の試

ション試験の場合弾性変形を含むため、h t ＞ hc となる。

験法ときちんとデータの相関が取れていることがわかる。それだけではなく ISO 試験における水素フリープロセスのヤング率のデータは基材の影響を受けてしまってヤング率が低下している状態での測定を行っていることがわかる。ここからわかるように浅い領域での押し込み試験であっても、基材の影響を受けているかどうかについては細心の注意を図る必要がある。このように、測定した値が基材の影響を受けているかどうか判別できることが、ダイナミック試験の大きなメリットの一つである。

図６ SUJ２ 基板上に堆積させた１μm 厚のDLC 薄膜の荷重−変位曲線

表２ 図６の荷重−変位曲線から解析した、
硬度・ヤング率測定結果

図７ CVDプロセス及び水素フリープロセスで作製した
DLC 膜のダイナミック試験による硬度測定結果

図８ CVDプロセス及び水素フリープロセスで作製した
DLC 膜のダイナミック試験によるヤング率測定結果
6分析機器解説シリーズ（133）5

測定例と応用範囲

ナノインデンターによる機械的特性評価の応用範囲は非常に多岐に渡っており、下記にその応用例を示す。
ーDLC 膜などの硬質膜ーエレクトロニクス部品

ー

樹脂部品

ー

塗膜

ー

複合材料

ー

粘着剤ー

バイオマテリアル

ナノインデンターを用いた
図９-2 スクラッチ試験のプロファイル

スクラッチ試験では、荷重と変位を正確に制御しているため、また近年では通常の押し込み試験による硬度・ヤング率の膜の破砕や剥離現象を捕えるだけでなく、臨界点の評価も行評価だけでなく、下記に示すような応用もなされている。
ー

ナノスクラッチ試験（図９）

ー

摺動試験

ー

破壊靱性試験

ー

動的粘弾性特性試験

ー

粒子やピラーの圧壊試験

ー

粘着力試験

える。

さらにナノインデンターにおける硬度・ヤング率測定時の図10 ポプラの木の細胞の測定結果
110µm ×110µm を22500点測定したマッピングデータ
左：硬度のマッピングデータ 右：ヤング率のマッピングデータ

課題であった測定時間を従来の１/60～１/300もの短縮を行う手法も出来ており、１点の測定を１秒以内で実行する多点測定手法も確立している。多点測定手法から得られるデータから硬度・ヤング率のマッピング（図10）や統計手法に

6より測定精度のさらなる向上が期待できる。

終わりに

本稿ではナノインデンターによる薄膜の機械的特性評価手法を紹介した。ナノインデンターは圧痕観察が不要であるた
め、従来のビッカースやロックウェルといった硬度計とは異なり、薄膜材料の評価が可能である。
当社で取扱いをしているNanomechanics 社では時間応答性のあるサンプルに対する動的粘弾性評価や電子顕微鏡などの観察装置と組み合わせた、in-situ 試験装置や800℃を超える高温加熱環境下でのインデンテーション試験など様々な材料の機械的特性評価装置の開発も行っており、今後より

図９-1 DLC 膜のナノスクラッチ試験の測定例
スクラッチ試験後の CCD 画像

多くの材料への応用が期待される。
参考論文[ １] W.C. Oliver and G.M.Pharr JMR

７ , 1564（1992）[ ２] W.C. Oliver and J.B. Pethica U.S. Patent No.４848 141, July, 1989.

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