生産と技術

第62巻第３号（2010）

錫ウィスカ抑制技術
金技術解説

＊

＊＊

槿 銖 ，菅 沼 克 昭

Mitigation methods of Sn whisker growth
Key Words：whisker, Sn plating, mitigation, surface coating

１．はじめにはんだの鉛フリー化と共に電子部品の外部電極（端子材）めっきの鉛フリー化が進む中、従来の錫‐鉛めっきの代替材として、純錫や錫リッチな合金が候補とされていますが、これらの候補めっきから発生する錫ウィスカは長いものになると数百μ m まで成長するため、電子機器の信頼性を低下させる大きな問題として浮上しています。錫ウィスカは錫系めっきから生えるひげ状のもので、様々な環境下で突発的に発生し、一部のみが長く成長するくせものです（図 1）。電子機器故障が多発した 1950 年から

図1

様々な環境下で成長した錫ウィスカの様子

1960 年代にかけて、多くのウィスカに関する基礎研究がなされました。錫ウィスカは鉄やセラミックってめっきやはんだから鉛が除去され、ファインピ

スなどで成長するウィスカと異なり、根元で成長すッチコネクターの市場故障が頻発し、同時に時計やることが知られています。50 年前に対策として挙衛星、原子炉に至るまでウィスカによる故障が発生げられたのが鉛を微量合金化することでした。とこし、再び大きな問題として注目を集めています。
錫ウィスカは、室温、酸化・腐食環境、温度変化、ろが近年、エレクトロニクス実装の鉛フリー化によ外圧下など様々な環境下で発生します。その駆動力＊Keun-soo KIM

1970年7月生
大阪大学大学院工学研究科知能機能創成
工学専攻 博士後期課程修了（2003 年）
現在、大阪大学産業科学研究所 先端実装材料部門助教 工学博士 金属物性、エレクトロニクス実装材料・プロセス開発、金属拡散
TEL：06-6879-8521
FAX：06-6879-8522
E-mail：kskimm12@sanken.osaka-u.ac.jp

は、めっき中の内部応力の変化と外部からの応力であると知られています。室温ではめっきと端子材の界面に形成される金属間化合物による圧縮応力が、高湿雰囲気下では酸化腐食の生成物による圧縮応力が、温度変化環境ではめっきと端子材などの熱膨張の差による応力が内部応力になります。コネクタなどでは、外的な圧縮荷重がウィスカ発生の駆動応力になります。本稿では、内部応力型ウィスカで特に室温で発生するウィスカについて発生メカニズムと＊＊Katsuaki SUGANUMA

1955年1月生
東北大学工学系大学院原子核専攻修了（1982年）
現在、大阪大学産業科学研究所 教授
工学博士 材料工学
TEL：06-6879-8520
FAX：06-6879-8522
E-mail：suganuma@sanken.osaka-u.ac.jp

抑制策を紹介します。
２．室温ウィスカの発生と成長
実際室温で純錫めっきから発生したウィスカの様子を図 2 に示しました。右側の写真はノジュール型と呼ばれるウィスカの形状と断面組織です。室温放置時間と共に成長しますが、ノジュールの上部の形− 16 −

生産と技術

図3

図2第62巻

第３号（2010）

室温近傍のウィスカ成長過程

ウィスカ発生部の表面と断面組織態は変化がなく同じであり、下部のみが隆起します。
さらに長時間放置しても形態の変化がなく成長が止まります。下段には、ノジュールの断面組織を示し

図4

めっきの断面構造ましたが、根元部の結晶粒は逆円錐台のようにめっき表面に向け結晶粒幅が広くなり、表面からノジュ三つの方法を用いた抑制法を検討し、有効な方法をールのトップに向けては、円錐台の形になっている開発してきました。その内容を次に紹介します。

ことがわかります。また、界面化合物は錫の粒界に沿って大きく成長する様子がわかります。一方、左

３．めっき表面コート法 [5-6]側に示したフィラメント型ウィスカは、根元が結晶表面コートは錫めっき直後に金属ナノめっきを行粒界の重点になり、根元部の結晶粒界には比較的大い、錫めっきの表面上に数十 nm 以上の膜を形成さきい界面化合物が粒界に沿って成長していることがせるものです。金、パラジウム、ニッケルなどを用わかります。先端までウィスカの直径の変化が殆どいて連続工程で表面ナノめっき処理を行うことで、なく、一定の直径で成長します。このようなフィラめっき表面の酸化抑制、ウィスカ核生成抑制が期待

メント型ウィスカは、時間の経過と共に長く成長しできます。

ます。
錫は融点が 232℃であり、室温でも拡散が早いので、銅を端子材として使用する場合、錫との間に金属間化合物が形成されます（図 3）。界面の金属間化合物は、室温でも主に錫めっきに粒界に沿って成長するため、錫めっきに局部的圧縮応力が発生します。この応力を緩和するため、めっき表面から錫ウィスカが成長すると理解されています [1-2]。また、
純錫めっきは、図 4 に示すように、結晶粒が端子材から一方向に並ぶ柱状晶の形態を持ち、一部等軸晶である錫‐鉛めっきに比べて錫の拡散ルートが単純図5になるため、錫ウィスカが発生しやすくなります。

表面ナノコート錫めっきの断面組織

このような発生・成長挙動に着目した錫ウィスカの抑制方法としては、有機膜や金属膜、ナノ粒子を図 5 に表面ナノめっき処理した純錫めっきの断面錫めっき表面にコートする方法 [3-6]、錫めっきの組織を示しました。ナノコート層が均一に錫めっき構造を工夫する方法 [7-9]、基板材の選択による方表面を覆っています。この試料を室温で 1 年以上放法 [10-11] などがありますが、著者らは、これらの置した後の表面状態を図 6 に示します。純錫めっ− 17 −

生産と技術第62巻第３号（2010）き（左）は、1 週間程度でウィスカが発生し、時間の経過と共に徐々に成長しますが、表面ナノコート試料からはウィスカが発生してないことがわかります。表面ナノコート層は錫めっき表面のウィスカの核生成を防ぎ、また、表面の金、パラジウム、ニッケルは室温においても錫との界面で反応拡散による金属間化合物を形成しますので錫拡散のバリア層の図7役割をすることが期待でき、錫ウィスカの形成が抑各めっきの構造に成長し、4000 時間で約 60 μm まで成長しました

制されると予測しています。

が、粒径小試料からはウィスカが観察されませんでした（図 8）。純錫めっきから発生するウィスカは、錫の粒径が小さいほど発生しやすいと知られているが、本研究で用いた試料は粒径を小さくし断面構造を 1 層の柱状晶ではなく、2 層構造にすることにより、室温で成長するウィスカを抑制させることができ、
図6

室温放置後のウィスカ発生状況（左：純錫めっき、右：パラジウムナノコートめっき）

めっき構造がウィスカ発生に重要な要因の一つであることがわかりました。今後、さらに多層化した構造のめっきを検討し、各種雰囲気下での詳細な評価

錫めっき表面全体を覆うような表面ナノコート処を行う予定です。

理試料は、めっき形態、端子材、前処理条件など諸要因に関わらず、1 年以上の室温放置後も錫ウィスカを完全に抑制します。また、高湿環境、温度変化、外部応力を負荷した場合でもウィスカ抑制に非常に効果的であることを確認しました。特に金ナノコー
トは最もウィスカ抑制に効果的であり、今後、実用図8化のための最適化が必要になります。

30℃/ 60 % RH 放置中のウィスカ発生状況

５．基板材の選択による方法 [11]４．錫めっき構造を工夫する方法 [9]従来の錫めっきの柱状晶構造と結晶粒径を制御し前述したように界面化合物の状態とウィスカ成長た新たな錫めっきを作製し、ウィスカ抑制に効果的は、深く関連しています。そこで、錫との界面で銅な要因について検討を行いました。銅端子材上に添とは異なる界面反応を起こすことが予測される黄銅加剤の異なる 2 種類の錫めっき液を使用し、図 7 にを用いて、錫めっきとの間に形成する界面化合物の示すような粒径大と粒径小のめっき試料を作製しま形成状況を調べ、端子材質が錫ウィスカの発生や成した。粒径大試料が、直径 4 〜 7 μ m 程度の結晶長に及ぼす影響を検討しました。

粒が大半を占めることに対し、粒径小試料は、1 〜銅端子材試料の場合、放置時間の経過と共に徐々3 μ m 程度であります。また、粒径大試料は典型的に成長し、10000 時間で 10 μm を超えるウィスカが、な柱状晶でありますが、粒径小試料は錫合金めっき

50℃で500 時間保持後の室温放置試料からは 30μmや錫 - 鉛めっきに見られる 2 層構造になっているこを超えるウィスカが発生しました（図 9）。一方、とがわかります。

黄銅端子を用いた場合は、室温でも、50℃で 500 時

これらのめっきを室温に近い 30℃/60％RH 雰囲間保持後の室温放置でも比較的に短いウィスカが確気で 4000 時間放置しながらウィスカ発生状況を調認されましたが、その数は非常に少ないものでした。

べた結果、粒径大試料からは、1000 時間で長さ 20銅端子試料では、めっき直後から界面に Cu6 Sn5 のμm 程度のウィスカが観察され、時間の経過と共金属間化合物が観察され、主に錫の結晶粒界に沿っ− 18 −生産と技術

第62巻第３号（2010）した。日本でも JEITA（電子情報技術産業協会）を中心にウィスカ対策活動が 2006 年から開始され、ウィスカ発生メカニズムやウィスカ抑制用鉛フリーめっき技術などを発信しています。詳細は JEITAの資料をご参照いただきたいです。
図950℃/500 時間放置後、室温で 36000 時間放置した
試料ウィスカ発生状況（左：銅、右：黄銅端子材）

謝辞
本研究の一部は、上村工業（株）と JEITA の補て大きく成長しました。また、50℃、500 時間保持助のもとで行いました。記して謝意を示します。

した場合は同様に粒界を中心に成長しますが（図 10）、その後の室温放置では大きな変化は現れませんでし

参考文献

た。一方、黄銅端子試料は銅端子試料に比べて金属

1) W. J. Boettinger, C. E. Johnson, L. A. Bendersky,間化合物が明らかに小さく、室温放置 670 時間後に

K. -W. Moon, M. E. Williams, and G. R. Stafford,も大きな成長は見られませんでした。また、50℃

Acta Mater., 53, 5033 (2005).

で 500 時間保持後も銅端子試料に比べ金属間化合物

2) K. N. Tu and J. C. M. Li, Mater. Sci. Eng. A, 409,
131 (2005).の成長が穏やかであります（図 10）。黄銅端子を用いた場合に得られたウィスカ抑制効果は、錫めっき

3)

T.

A.

Woodrow,/ 黄銅端子界面の金属間化合物の成長が極めて穏やICP/JEDEC 8かになるため、錫めっき内部に圧縮応力が生じ難く

Lead - Free

E.

A.

Ledbury,Proc.

International Conference on

Electronic

Components

andAssemblies (San Jose, CA, April 18-20 2005).

なり、錫ウィスカが抑制されると考えられます。めっき / 端子界面の金属間化合物が選択的に大きく成th4)

A.T. Wu, Y.C. Ding, Microelectron. Reliab., 48,1737 (2009).

長しない端子材を使うことで、室温で発生する錫ウ

5) 寄門雄飛，金槿銖，菅沼克昭，辻本雅宣，梁ィスカの抑制が可能になります。

田勇：

Sn ウィスカ発生に及ぼすめっき形態

及び端子材質の影響 ，第 20 回 JIEP 講演大会
論文集，東京，pp.213-214, 2006.
6) 辻本雅宣， 梁田勇，菅沼克昭，金槿銖、特開2007-100148 (2007).
7) M. Takeuchi, K. Kamiyama, K. Suganuma, J.
図 10Electron. Mater., 35, 1918 (2006).

50℃/500 時間放置後、室温で 500 時間放置した試料の界面組織（左：銅、右：黄銅端子材）

8)

J.P. Winterstein, M.G. Norton, J. Mater. Res.,21, 2971 (2006).

9) 金槿銖 , 濱崎恭子，李奇柱，アローハン，菅沼

６．おわりに
本稿では、民生デジタル機器を想定したウィスカ

克昭， 辻本雅宣， MES2009, 福岡大学 , 65

抑制法について著者らの研究結果を簡単に紹介しま(2009).

した。現在、宇宙・航空用など高信頼性が要求され

10) T. Kato, H. Akahoshi, M. Nakamura, T.

る機器を想定した過酷な環境下でのウィスカ対策に

Hashimoto, A. Nishima, IEEE Trans. Electron.

取り組んで研究を進めています。錫ウィスカの研究

Packag, Manuf., 30, 258 (2007).

は、1990 年代後半からエレクトロニクス実装の鉛11) 金槿銖，李奇柱，アローハン，濱崎恭子，菅沼

フリー化と共に問題が再認識され、世界的に多数の克昭，辻本雅宣，寄門雄飛，第 49 回銅及び銅研究者が基礎から取り組むことになりました。これ

合金技術研究会講演大会，京都テルサ，81

によって、錫ウィスカの発生メカニズムに関する多(2009).

くの情報が得られ、いくつかの抑制策も提案されま− 19 −