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Mn 置換したアパタイト型ランタンシリケートにおける結晶相と電気伝導度
Microstructure and Electrical Conductivity of Mn‑doped Apatite‑type
Lanthanum Silicate
丸山

拓＊１、引間和浩＊２、岸本治夫＊３、堀田照久＊３、山地克彦＊３、山﨑淳司＊１

Hiraku Maruyama ＊１, Kazuhiro Hikima ＊２, Haruo Kishimoto ＊３, Teruhisa Horita ＊３, Katsuhiko Yamaji ＊３, Atsushi Yamazaki ＊１＊１

早稲田大学大学院創造理工学研究科

Graduate school of Creative Science and Engineering, Waseda University＊２

東京工業大学大学院総合理工学研究科

Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology＊３

産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門

Energy Technology Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology（AIST）
概要：アパタイト型ランタンシリケート（La10Si ６O27）の La の一部を Mn で置換した際の結晶相と電気伝導度への影響を評価した。Mn を置換することで粒界に存在する La２SiO５の生成が抑制された。交流インピーダンス法によりバルクと粒界の抵抗を切り分けて評価したところ、Mn 置換によりバルク伝導度はランタンシリケート相に比較して約1/2 に低下したが、粒界伝導度への影響は見られなかった。粒界抵抗が全抵抗を占める割合がバルク抵抗よりも２倍以上大きいことから、アパタイト型ランタンシリケートの全伝導度はほぼ粒界伝導度に支配されていた。
Abstract: The inﬂuence on crystal phases and electrical conductivities of Mn‑substituted into La site of apatite‑typelanthanum silicates（La10Si６ O27）was evaluated. The production of La２ SiO５ at the grain boundaries was inhibitedby Mn substitution. The resistances of bulk and grain boundary were separated by AC impedance method. The
substitution of Mn into La site reduced the bulk conductivity almost by half as compared to the apatite‑phase. On
the other hand, the inﬂuence of the conductivity at the grain boundary was not conﬁrmed. The resistances of thegrain boundary were more than twice larger than bulk. Therefore, the conductivities at the grain boundaries weredominant in total conductivities of apatite‑type lanthanum silicates.

Key Words : Apatite‑type lanthanum silicates, Substitution of Mn into La site, Bulk conductivity, Conductivity ofgrain boundary

は六方晶を有し、500−700 ℃での中温域作動型 SOFC の１．緒言

電解質材料として期待される材料の一つである。活性化エ固体酸化物形燃料電池（SOFC：Solid Oxide Fuel Cell）

ネルギーが 0. 7 eV 程度と小さく、x= 0. 67 のとき 700 ℃

は発電効率が高く、高温排熱も利用できることから、新しで 1. 0 × 10 ‑２ S/cm 以上の伝導度を示す１）。また、P(O２）いエネルギー供給システムとして注目されている。SOFC= 10 ‑ 21 ‑ 105 Pa で ほ ぼ 純 粋 な 酸 化 物 イ オ ン 伝 導 体 で あの運転温度は用いる電解質材料によって決まる。一般的なり２），３）、二酸化炭素や水素雰囲気下での化学的安定性が高電解質材料としては酸化物イオン伝導体であるジルコニアく４）、SOFC の電解質として利用できる要件を満たしてい系電解質が用いられており、運転温度は十分なイオン伝導る。ランタンシリケート系の電解質は、アパタイト構造の度が得られる 700 ‑ 900 ℃となる。一方、金属材料の積極

c 軸方向に一次元の高速イオン伝導パスを持つ５）。x ＞０的な利用や起動停止性能の向上を目的として、より低温での組成では格子間に過剰酸素が導入され、 x = 0 . 67 まで使用できる電解質材料の開発が進められている。アパタイ（アパタイトとしての定比組成）La 添加量の増加に伴い電ト型ランタンシリケート（La 9. 33 +x Si６O 26 + 1. 5 x ）系電解質

気伝導度が上昇する６)〜８）。また、Si の一部を Al や Mg で燃料電池 VOL.14 NO.1 201479投稿論文

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置換することで、電気伝導度がさらに向上し、900 ℃以下（㈱キーエンス製 VE − 7800）により、試料の微構造の観ではイットリア安定化ジルコニア（YSZ）よりも優れた酸察を行った。また、FE‑SEM（㈱日本電子 JSM‑ 7001 F）

化物イオン伝導度を示すことが報告されている９），10）。

お よ び EDS（Oxford instruments Inca）、WDS（Oxford

x ＞０のランタンシリケートは電解質材料として十分instruments Inca）にて試料表面の観察および元素分析を高いイオン伝導度を示す一方で、La 量が増加していく行った。交流２端子法によるインピーダンス測定から電気と、粒界にアパタイト相の他に La２O３ や La２SiO５ を生成

抵抗を読み取り、その抵抗値と試料の面積と厚みから電気11）伝導度を算出した。まず、厚さ１mm、直径８−９mm のを引き起こすことが報告され円板型のペレットを作製し、ペレット試料表面には Pt メッている。これに対し、最近嶺重らは、Fe や Cr などの遷シュを Pt ペーストを塗って焼き付けた。電極の焼き付け

移金属を微量添加することで焼結体の崩壊や La２SiO５ のは 1, 000 ℃、２h で行った。電極面積は 50−60 mm２であっ生成が抑えられ、電気伝導度が向上することを報告していた。 電 気 化 学 測 定（Princeton Applied Research, Versa

し、水蒸気や二酸化炭素との反応による焼結体の崩壊や、電気伝導度の低下

る

６），７）

11），12）。このことは、LSO 系電解質では、粒界の状態が材料の安定性や電気伝導度に大きく寄与していることをSTAT 4）は、乾燥空気中、測定周波数帯 10 ‑２−10 ６Hz、印加電圧 100−800 mV の条件で行った。

示している。本研究では、遷移金属を添加したランタンシリケートにおけるバルクおよび粒界に生成する各結晶相と、イオン伝導度の関連について評価した。中でもとくに、

３．結果

La 10 Si６O 27 の La の 一 部 を Mn に 置 換 し た 材 料 に つ い

図１に作製した LSO および LMSO の粉末 X 線回折結て、粉末 X 線回折装置（XRD）および走査型電子顕微鏡

果を示す。図中、無印のピークはランタンシリケートの回（SEM）、電解放出型走査電子顕微鏡（FE‑SEM）、エネ折線、▼印を付けたピークは La２SiO５ による回折線であルギー分散型 X 線分光法（EDS）、波長分散型 X 線分光る。LSO の XRD パターンでは、La２SiO５が生成している法（WDS）から結晶相の評価を、交流２端子法を用いたことがわかる。一方、La の約１ % を Mn に置換した試料

電気化学測定によりイオン伝導度を評価した。特に 250−（LMSO）では、La２SiO５の回折線が認められなくなった。

400 ℃の低温域では、粒界とバルクの電気伝導度を切り分X 線回折結果から導出された LSO の格子定数は a= 9. 721

けて評価し、粒界およびバルクの状態と電気伝導度の相関(1)Å、c= 7. 192(4)Å で あ っ た。LMSO の 格 子 定 数 もについて明らかにした。

a= 9. 722(1)Å、c= 7. 201(3)Å であり、LSO とほぼ一致した。この結果から、Mn の添加によりランタンシリケート相の結晶格子に大きな変化は起こらないが、La２SiO５の生２．実験方法成が抑制されることが明らかとなった。

本 研究では、従来の報告でランタンシリケートの中でも最も高い電気伝導度を示す一方、粒界に La２O３ やLa２SiO５の生成が報告されている La 10 Si６O 27（LSO）組成を選択した。LSO および La の１mol % を Mn で置換した
La 9. 9 Mn 0. 1 Si６O 26 + δ（LMSO）は、固相反応法を用いて作製した。La２O３（キシダ化学株式会社製、純度 99. 99 %）、SiO２（キシダ化学株式会社製、純度 99 %）、MnO２（和光純薬工業株式会社製、純度 99. 5 %）を所定量秤量し、遊星ボールミル（部分安定化ジルコニアポットおよびボールを使用）にて 250 rpm、30 分間混合した。乾燥後、1, 400 ℃、10 h で仮焼し、再度遊星ボールミルにて粉砕した。一軸成形および冷間等方圧プレス（CIP、390 MPa）を用いてディスク状に成形後、1, 700 ℃、10 h で本焼成を行った。焼結後の LSO、LMSO の相対密度はそれぞれ 91. 1 %、96. 1 %Fig. 1

図１ LSOとLMSOのXRDパターン
XRD patterns of La10Si６O27 and La9.9Mn0.1Si６O26+δ.

であった（理論密度は LSO が 5. 61 g/cm 3、LMSO が 5. 58 g/cm３）。作製した試料の結晶相は、XRD（㈱リガク RINT‑

図２に 1, 700 ℃で焼結した試料の表面 SEM 画像を示ULTIMA Ⅲ、X 線源：CuK α）を用いて評価した。SEMす。粒子径は LSO、LMSO どちらも５〜10μm 程度であ80

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るが、LMSO でより成長した粒子が比較的多く観察された。また、LSO の表面の粒界部分には１μm 程度の粒子径を持つ粒子が多数析出していた。図 3、4 に示した EDS
分析の結果から、これらの粒子の主成分は La と Si であり、La 成分が多く含まれている相であることが示唆された。
このことから、少なくとも LSO 焼結体表面近傍の粒界に
図２ 反射電子像（a）LSO（b）LMSO
Fig. 2 Back scattered electron images of（a）La10Si６O27,（b）
La9.9Mn0.1Si６O26+δ.

は、過剰な La 成分を含んだ粒子が密集して存在していることが推察された。また、Pengfei らの透過型電子顕微鏡
測定に関する報告では LSO の粒界において La２SiO５が生成していた 13）ことから、本研究で使用した LSO においても、結晶粒界に La２SiO５が生成していると推測できる。
図５、６にはそれぞれ 350 ℃、600 ℃における LSO お
よび LMSO のインピーダンス測定結果を示した。250−
400 ℃の域では３つの円弧が現れた。高周波域の円弧がバルク伝導に、中周波域の円弧が粒界伝導に、低周波域の大きな円弧が電極反応に対応しているとして解析を行った。
電解質の全伝導度はバルク伝導と粒界伝導のインピーダンスの和を用いて算出した。500−800 ℃の温度領域では高周波域と中周波域の円弧が分離できなくなり、低周波域の円弧のみが現れた。この測定温度域では、Cole‑cole プロッ
トに現れるオーミック抵抗部分（円弧とオーミック抵抗部分の交点の x 軸切片）を電解質抵抗として、電気伝導度を求めた。

図３ LSOの元素マッピング画像（a)反射電子像（b）La（c）Si
Fig. 3 Element mapping images of La10Si６O27（a）back scattered image（b）La（c）
Si.

図４

LMSOの元素マッピング画像（a)反射電子像（b）La（c）
Si（d）
Mn（WDS使用）
Fig. 4 Element mapping images of La9.9Mn0.1Si６O26+δ（a）back
scattered image（b）La（c）Si（d）Mn（used by WDS）.

図５ 350 ℃でのCole‑Coleプロット図（a）LSO（b）
LMSO
Fig. 5 Cole‑Cole plot diagram at a temperature of 350 ℃（a）
La10Si６O27（b）La9.9Mn0.1Si６O26+δ.

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図７には LSO、LMSO の電気伝導度の 250−800 ℃におけるアレニウスプロットを示した。全伝導度は高温側と低温側で同じ直線で表されることから、インピーダンススペ
クトルから高周波域及び中周波域の抵抗をバルクおよび粒界の抵抗と同定したことが妥当であることがわかる。また、活性化エネルギーは 0. 78 〜0. 79 eV 程度と、報告されているランタンシリケート系電解質の値２），３）に近い値を示した。LSO および LMSO の伝導度は 800 ℃でそれぞれ2. 5 × 10 ‑２ S/cm、2. 5 × 10 ‑２ S/cm、600 ℃でそれぞれ 5. 6× 10 ‑３ S/cm、4. 2 × 10 ‑３ S/cm とほぼ同じ値であった。
さらにこれらの値は、報告されている La 10 Si６O 27 の伝導度１），２），６），12）とほぼ同等であった。500−800 ℃における全伝導度において、顕著な Mn 置換の影響は見られなかった。
図８は 250−400 ℃で測定したバルク伝導度、粒界伝導度のアレニウスプロットである。比較のため、図５で示した全伝導度を直線で示した。LSO と LMSO のバルク伝導度を比較すると、LMSO の伝導度は LSO の約 1/2 に低下し、活性化エネルギーの値は LSO が 0. 73 eV、LMSO が0. 78 eV を示した。一方、LSO と LMSO の粒界伝導度はほぼ同じ値を示し、活性化エネルギーは LSO が 0. 87 eV、

図６ 600 ℃でのCole‑Coleプロット図（a）LSO（b）LMSO
Fig. 6 Cole‑Cole plot diagram at a temperature of 600 ℃（a）
La10Si６O27（b）La9.9Mn0.1Si６O26+δ.

図８Fig. 782

図７ 250−800 ℃における電気伝導度
Electrical conductivities in the temperature range from
250 to 800 ℃.

250−400 ℃におけるLSOとLMSOの伝導度(□：LSOのバルクの電気伝導度 △：LSOの粒界の電気伝導度 ■：LMSOのバルクの電気伝導度 ▲：LMSOの粒界の電気伝導度 破線：LSOの全伝導度、実線：LMSOの全伝導度)
Fig. 8 Electrical conductivities of La10Si6O27 and La9.9Mn0.1Si6O26+δ
in the temperature range from 250 to 400 ℃.
(□：electrical conductivity of bulk of La10Si6O27 △：electrical conductivity of grain boundary of La10Si6O27■：electrical conductivity of bulk of La9.9Mn0.1Si6O26+δ
▲：electrical conductivity of grain boundary ofLa 9.9 Mn 0.1 Si 6 O 26+δ dashed line：total conductivityo f L a 10S i 6O 27, s o l i d l i n e ： t o t a l c o n d u c t i v i t y o f
La9.9Mn0.1Si6O26+δ).

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LMSO が 0. 81 eV であった。LSO、LMSO のどちらにおしており、実際の相対密度を考慮すると LSO の伝導度はいても、バルク伝導度は粒界伝導度に比べて高く、これら

1. 10 倍、LMSO の伝導度は 1. 04 倍になる。これより、相材料の全伝導度は主に粒界伝導度が支配的であることが明

対密度を考慮しても、LMSO は LSO よりも相対的にバルらかとなった。

クと粒界の伝導度が小さくなる。これは La２SiO５ の消失が粒界伝導度の向上に寄与していないという結論に影響を与えない。

４．考察

今後、粒界の状態をより詳しく分析することで、低い粒XRD 結果（図１）と SEM 結果（図２）から、Mn 置換による結晶相への主な効果は、粒界における La２SiO５の生界伝導度をもたらす要因や、焼結体崩壊の原因を追究する予定である。

成の抑制であることがわかった。報告されている La２O３‑
SiO２ 系状態図 14） や La２O３‑SiO２‑MO 系状態図（M=Mg，Al）15），16）から、La２SiO５の消失は、相対的な La 濃度、す５．結言

なわち、アパタイト相における La サイトを占める陽イオ固相反応法を用いて 1, 700 ℃、10 h の条件で本焼成を行ン濃度の低下を意味し、それに伴い格子間酸化物イオン濃い、La 10 Si６O 27（LSO）と La 9. 9 Mn 0. 1 Si６O 26 + δ（LMSO）度が減少したことになる。また、添加した Mn が構成元素を作製した。XRD および SEM/EDS の結果から、LSO でとなるような異なる第２相の生成、例えば LaMnO３ の生はアパタイト相に加えて粒界に La２SiO５ が生成している成も確認されなかったことから、Mn はアパタイト相中にが、LMSO では粒界の La２SiO５の生成が抑制されていた。

均一に分散していることが示唆された。これらのことから、

Mn 置換による La サイト占有陽イオン濃度の低下はバルLa 10 Si６O 27 の La の一部を Mn に置換した場合、Mn は主ク伝導度の低下をもたらした。一方、粒界での La２SiO５に Si サイトに導入されたと考えられる。

生成の抑制は、粒界伝導度の改善には寄与しないことがわ

アパタイト型ランタンシリケート（La 9. 33 +x Si６O 26 + 1. 5 x ）かった。LSO および LMSO における全伝導度は粒界伝導電解質の電気伝導度は、La 濃度、x 、が増加するとともに度がほぼ支配していることが明らかになった。今回作製し上昇する６)〜８）。この時、第２相である La２SiO５ の生成をたアパタイト型ランタンシリケートの粒界伝導度が低い原伴ったとしても、x =０から x = 0. 67 の定比組成までその因は、粒界での La２SiO５ だけでなく、アパタイト型ラン効果が見られる。これは、アパタイト相中の格子間酸化物タンシリケート相における粒界の本質的な特性が影響してイオン濃度の上昇と密接に関係していることを示す。本研いることが示唆された。

究で、LSO と LMSO の電気伝導度を比較したとき、バルク伝導度は Mn 置換により約 1/2 に低下した。これより、

参考文献

La の一部を Mn に置換することで、La サイトを占める陽

１）Susumu

Nakayama and Masatomi

Sakamoto

イオン濃度が減少したと同時に格子間酸化物イオン濃度：Electrical Properties of New Type High Oxideが減少したことが示唆された。また、La サイトの占有率

Ionic Conductor RE10Si ６O27（RE = La, Pr, Nd, Sm,が減少すると活性化エネルギーは増加する 17）。Mn を置換Gd, Dy）, Journal of the European Ceramic Society ,したことでバルクの活性化エネルギーが増加したことから

18, 1413‑1418（1998）

も、La サイトを占める陽イオン濃度が低下したことが裏付けられる。

２）M.Yu.Gorshkov, A.D.Neuimin, N.M.Bogdanovich,
Yu.V.Danilov, and L.A. Dunyushkina, ：Electro-

一方、粒界伝導度について、Pengfei らは、粒界に存在

physical Characteristics and Stability of Solid13）。

Apatite‑like Electrolytes Lax Si６O12+1.5x and Lax Ge６

しかしながら本研究においては、Mn 置換により粒界でのO12+1.5x , Russian Journal of Electrochemistry , 43,

La２SiO５ の生成が抑制された LMSO における粒界伝導度

721‑728（2007）

する La２SiO５が低い伝導度をもたらす要因としているが、粒界に La２SiO５が生成していると思われる LSO の値

３）Hiroshi Arikawa, Hiroyasu Nishiguchi, Tatsumiと変わらなかったことから、アパタイト型ランタンシリ

Ishihara, and Yusaku Takita：Oxide ion conduc-

ケートにおける低い粒界伝導度は、粒界での La２SiO５ のtivity in Sr‑doped La10Ge６O27 apatite oxide, Solid

生成だけが原因ではなく、粒界伝導度が低下する本質的なState Ionics , 136‑137, 31‑37（2000）

要因がほかに存在することになる。

４）Takayuki Nakao, Atsushi Mineshige, Masafumi

また、電気伝導度はすべて相対密度 100 % として計算

Kobune, Tetsuo Yazawa, and Hideki Yoshioka ：燃料電池 VOL.14 NO.1 2014

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Paper

Chemical stability of La10Si６O27 and its application
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1701（2010）12）Atsushi Mineshige, Yoshiki Ohnishi, Ryuta Sakamoto, Yusuke Daiko, Masafumi Kobune, Tetsuo５）Susumu Nakayama, Masatomi Sakamoto, Mikio Hi-Yazawa, Hideki Yoshioka, Takayuki Nakao, Tomo-guchi, Kohei Kodaira, Mineo Sato, Shinichi Kakita,kazu Fukutsuka, and Yoshiharu Uchimoto：EﬀectToshihisa Suzukie, and Katsuhiko Itohe, ：Oxideof cation doping on ionic and electronic properties

Ionic Conductivity of Apatite Type Nd9.33(SiO4）6O2

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