NDT フラッシュ Vol.62 No.3 1/4

１．JIS Z 2305 2012 年秋期資格試験結果
2012 年秋期資格試験の結果が発表された。新規試験結果（再試験を含む）の合格率は，レベル 1 が 45.5%，レベル 2が 29.2%，レベル 3 が 12.7%であった。なお，レベル 3 基礎試験では申請者数 659 件，合格率 25.5%であった。再認証試
験結果は，レベル 1 が 65.8%，レベル 2 が 63.9%，レベル 3 が 68.6%であった。受験申請数は，新規試験，再試験，再認証試験を合わせて計 15,155 件であった。登録してから 10 年目の有効期限で受験する再認証試験は 2011 年秋から徐々に増加している。
各表の合格率は［合格者数／（申請者数－欠席者数）］で算出した値である。新規試験結果（レベル 3 基礎試験結果を除く）を表１に，再認証試験結果を表２に示す。
表１JIS

新規試験結果（再試験を含む）

レベル1＊1NDT方法

レベル2＊1

レベル3＊1

略称
申請者数 合格者数 合格率 % 申請者数 合格者数 合格率 % 申請者数 合格者数 合格率 %RT

1014646.5780

12317.0194

超音波探傷試験

UT598

24444.2

1764562

UM

252

14763.1

387―

24.2

超音波厚さ測定
磁粉探傷試験

MT

228

9040.7

1682

424

27.2

極間法磁粉探傷検査

MY843749.3160

2718.1

通電法磁粉探傷検査

ME34620.0―ｺｲﾙ法磁粉探傷検査

MC8685.7―

浸透探傷試験

PT

476

167

37.6

182862736.9

溶剤除去性浸透探傷検査

PD

154

7955.658838.9

水洗性浸透探傷検査

PW

00

渦流探傷試験

ET

6927－39.7

213―

400

13435.9

ひずみ測定SM

211058.8

84312,025859

45.5

7,286

1,966

放射線透過試験

合計

2816.7336.73420.63615.6701016.4

39.7

203

16.7

29.2

1,309

144

12.7―
194―
――
269――

注＊1：各部門の申請者数は一次（新規, 再試験）と 二次のみ（新規,再試験）の合計数
表２

JIS

再認証試験結果

レベル1

NDT方法

＊2

レベル2

レベル3

略称
申請者数 合格者数 合格率% 申請者数 合格者数 合格率% 申請者数 合格者数 合格率%

放射線透過試験

RT

8

787.5

365

27684.4

133

10887.8

超音波探傷試験

UT

25013661.0

1082

383―

39.0

236

110―

49.8

3926―

70.3

超音波厚さ測定

UM1238070.2磁粉探傷試験

MT

5120.068439663.1

極間法磁粉探傷検査

MY352062.52160.0

通電法磁粉探傷検査

ME5250.012―

ｺｲﾙ法磁粉探傷検査

MC32100.0―

浸透探傷試験

PT

11770.096777484.1

溶剤除去性浸透探傷検査

PD

104

6971.98075.0水洗性浸透探傷検査

PW

44100.0

57―

―
―
4741―

89.1

―

渦流探傷試験

ET

6350.0216

12563.1

332890.3

ひずみ測定

SM42100.057

2143.8171275.0

558

333

65.8

3472

2,044

63.9505

325

68.6

合計

注＊2：レベル 3 クレジット申請は除く

２．NDIS 0604/0605 2012 年秋期資格試験結果
NDIS 0605（漏れ試験）による認証制度が 2012 年秋期より開始された。NDIS 0604（赤外線サーモグラフィ試験）と併せて申請件数 148 件のうち合格者数は 97 件，平均合格率は 69.8%であった。新規試験結果を表３に示す。
表３ NDIS 新規試験結果

レベル1＊1

NDT方法

レベル3＊1

申請者数 合格者数 合格率 % 申請者数 合格者数 合格率 % 申請者数 合格者数 合格率 %赤外線サーモグラフィ試験
漏れ試験

合レベル2＊1

略称計TT
LT7870
148

46
51
97

63.0
77.2
69.8

――――――

注＊1：各部門の申請者数は一次（新規, 再試験）と 二次のみ（新規,再試験）の合計数

NDT フラッシュ Vol.62 No.3
No.

2/4

非破壊試験技術者
非破壊試験技術者資格登録
資格登録件数（201資格登録件
2012 年 10 月 1 日現在）
日現在）
2012 年 10 月時点での資格登録
資格登録件数をを表１にまとめたまとめた。JISJIS Z 2305 に加えて，新しい資格としてとして赤外線サーモグラフィサーモグラフィ試験が NDIS 0604 として立立ち上がり，レベルレベル 1 で 73 件の登録があったがあった。集計のの結果，資格登録件数資格登録件数は，JISJIS Z 2305 資格と NDIS 資格資格の総数で 86,500 件となったとなった。NDT 方法別方法別比率を図１１に示す。また，2003 年以降年以降の JIS 資格者と資格者 NDIS 資格者の資格登録
資格登録件数の推移をを図２に示す。
。JIS Z 2305 資格登録
資格登録件数にはには，新規試験によるによる資格者と資格者と NDIS 0601 資格からの移移行者の両方をを含んでいる。
。資格登録者のの内訳は，従来従来と同様におおよそレベル
おおよそレベル 1 が 20%，レベルレベル 2 が 70%，レベル70%
3が10%である。資格登録
資格登録件数はは，JIS Z 2305 の認証制度開始開始時点と比較比較して年々漸次増加年々漸次増加しておりしており，現在は約 1.4 倍である。
。

単位：件
単位

JIS Z 2305

表１ 非破壊試験技術者資格登録件数
非破壊試験技術者資格登録

ＮＤＴ
ＮＤＴ方法

略称

放射線透過試験

RT

超音波探傷試験

UT

超音波厚ささ測定UM

磁粉探傷試験

MT

極間法磁粉探傷検査

MY

通電法磁粉探傷検査

ME

ｺｲﾙ法磁粉探傷検査
法磁粉探傷検査

MC

浸透探傷試験

PT

溶剤除去性浸透探傷検査

PD

水洗性浸透探傷検査

PW

渦流探傷試験

ET

ひずみ測定
測定

SM

NDIS 赤外線ｻｰﾓｸﾞﾗﾌｨｻｰﾓｸﾞﾗﾌｨ試験

TT

総計

ﾚﾍﾞﾙ
ﾚﾍﾞﾙ1

ﾚﾍﾞﾙ2
2

ﾚﾍﾞﾙ3計

432

6,089

1,977

8,498

6,342

15,4383,140

24,9203,024―

―

3,024

599

10,138574

11,311893632

1,52579―
――
―
―

2,008

20,856

1,224

2,761

3,61260―

―
―

208

3,866

570

4,644

205

1,299

266

1,77073――73

16,81961,9307,751

86,5001351357924,088
6,37360―：該当資格
該当資格なし

図２

非破壊試験技術者登録件数推移

図１

ＮＤＴ方法別比率
方法別比率

NDT フラッシュ Vol.62 No.3

ＳＭレベル３

3/4

二次Ｃ２（適用）試験のポイント

衝撃は非常に速い動的現象である。データロガ及びアナログ式静ひずみ測定器はいずれも静的あるいは準静的ひずみ測定（SM）技術者の二次 C2 試験では，主に電なひずみの測定器なので，衝撃のひずみ測定には適用で気抵抗ひずみ測定法の広い領域への適用に関する内容のきない。また，動ひずみ測定器には交流式と直流式とが問題が出題される。なお，すでに非破壊検査第 53 巻 12あるが，交流式は応答周波数がブリッジ電源の周波数に号（2004），第 58 巻 1 号（2009），第 60 巻 1 号（2011）

よって制限されてしまう。一方，直流式は応答周波数をの NDT フラッシュ欄でこの試験の概要並びに幾つかの高くとれるので，衝撃のような速い現象の測定には適し例題が紹介されているので参考にしてもらいたい。ここている。したがって，ここでは（ｄ）が正答になる。

では，まだ紹介されていないと思われる例題を取り上げ，解答に当たっての解説をする。

問３

構造物表面にゲージ率 2.00 のひずみゲージを接着し，１アクティブゲージ法の結線をして衝撃ひずみ
問１

電気抵抗ひずみ測定法による動ひずみ測定で，きの測定をした。ブリッジ回路の電源電圧を 10V にし，わめて速い現象なので波動が伝ぱすることを考慮しな出力電圧をブラウン管オシロスコープに入れて記録しければならない場合がある。このような場合の測定をたところ下図のような波形が得られた。ゲージが接着次のうちから一つ選び，記号で答えよ。

されている位置の最大ひずみを次のうちから一つ選び，（ａ）クリープ変形のひずみ測定

記号で答えよ。

（ｂ）低次固有振動のひずみ測定（ｃ）衝撃によるひずみ測定（ｄ）高速回転体のひずみ測定

正答

（ｃ）

金属材料が高温域で荷重を受けたときなどに生じるク
リープ変形は動的ではあるが，かなり遅い現象で波動の伝ぱを考慮する必要はない。また，構造物の低次固有振動や高速回転体でも動ひずみを測定するが，これらの現象も波動の伝ぱまで考慮するほど速い現象ではない。し（ａ）800×10－６（ｂ）600×10－６

かし，衝撃はきわめて速い現象で，この場合のひずみ測（ｃ）400×10－６（ｄ）100×10－６定では波動の伝ぱまで考慮する必要がある。したがって，ここでは（ｃ）が正答である。

正答

（ａ）

ひずみゲージのゲージ率を K，ブリッジ回路の電源電
問２

電気抵抗ひずみ測定法により衝撃ひずみを測定する場合の測定器に関する記述である。次のうちから正圧を E，出力電圧を e とすると，１アクティブゲージ法のひずみ ε とはつぎのような関係になる。
ε＝（4／K）・（e／E）

しいものを一つ選び，記号で答えよ。
（ａ）衝撃ひずみの測定には，データロガの使用が適している。

図より，ひずみゲージが接着された位置の最大の出力
電圧 e は 4mV であるので，この場合のひずみ ε は，
ε＝（4／2.00）・（4／10×10３）＝800×10－６（ｂ）衝撃ひずみの測定には，交流式動ひずみ測定器が適している。になり，（ａ）が正答になる。

（ｃ）衝撃ひずみの測定には，アナログ式静ひずみ測定器が適している（ｄ）衝撃ひずみの測定には，直流式動ひずみ測定器が適している

問４

半導体ひずみゲージは衝撃ひずみの測定にも適用されている。次はこの半導体ひずみゲージの特性に関する記述である。このうちから，正しいものを一つ選び，記号で答えよ。

正答

（ｄ）

（ａ）広く使用されているはくひずみゲージよりも温度

NDT フラッシュ Vol.62 No.34/4による抵抗値変化が小さい。
（ｂ）ゲージ率は 100 から 225 にすることができ，さらに正負 2 種類のものができる。
（ｃ）ひずみ限界が大きいので，大きなひずみの測定にも適用することができる。
（ｄ）ゲージの受感素子が軟らかいので，破損し難く取は主に溶接あるいは溶射で測定物に取り付けられる。このようなゲージは 200℃以上の温度でも十分適用可能である。とくに，ニッケル合金をゲージベースに使用したものは最も高い温度まで適用可能である。しかし，この場合でも 800℃ぐらいが限度である。このようなことから，ここでは（ｄ）が正答になる。

り扱い易い利点がある。
問６
正答

（ｂ）

半導体ひずみゲージはピエゾ抵抗効果を利用したもので，次のような特性がある。抵抗温度係数は大きい。この磁気抵抗効果の影響についての記述である。次のうちから正しいものを一つ選び，記号で答えよ。
（ａ）低温領域よりも高温領域のひずみ測定で磁気抵抗のため，温度に対する影響は大きくなり，はくひずみゲージよりも温度による抵抗値の変化は大きくなる。一方，効果の影響は大きくなる。
（ｂ）絶縁材料であるゲージベースはかなり大きな磁気ピエゾ抵抗係数は正，負の極性をもち，この係数を大きくすることができるので，ゲージ率が±100 から±225 の電気抵抗ひずみ測定法を高磁界中で適用する場合抵抗効果の影響を受ける。
（ｃ）磁気抵抗効果の影響はアクティブ・ダミー法で理ものができる。しかし，一般にこのゲージのひずみ限界論的には補償することができる。

は小さいので微小ひずみの測定には適用できるが大きな（ｄ）ひずみゲージの軸が磁界の方向に直角よりも平行ひずみの測定はできない。また，このゲージの受感素子な場合のほうが磁気抵抗効果が大きくなる。

は非常にもろく破損し易いので，取り扱いには注意が必要である。したがって，ここでは（ｂ）が正答になる。

正答

（ｃ）

ひずみゲージが磁界中におかれている場合には磁気抵
問５

電気抵抗ひずみ測定法で高温環境下の測定をする

抗効果の影響，すなわちゲージの抵抗値が磁界の強さに場合，市販されているひずみゲージで高温用のものはよって変化し，見かけのひずみが発生してしまう。とくどの程度の温度まで適用することができるか。次のうに，この影響は高温領域よりも低温領域での測定で著しちから正しい記述を一つ選び，記号で答えよ。

く大きくなる。また，一般のひずみゲージの抵抗体に用（ａ）ひずみゲージを溶接で取り付ければ 1200℃以上いられている銅・ニッケル合金などは磁気抵抗効果の影の場合でも適用できる。
（ｂ）ひずみゲージを溶射で取り付けた場合でも適用できるのは 200℃が限度である。
（ｃ）ひずみゲージを高温用接着剤で取り付けた場合には 500℃ぐらいまで適用できる。
（ｄ）ひずみゲージを溶接で取り付ければ 800℃ぐらいまでひずみ測定に適用できる。

響が大きく，高磁界中の測定には注意が必要になる。しかし，高分子材料のゲージベースには全く影響しない。
なお，アクティブゲージとダミーゲージを全く同一の磁場状態にするのは困難なので完全な補償をすることはできないが，理論的にはアクティブ・ダミー法でこの効果の影響を補償することは可能である。また，この効果による見かけのひずみは，磁界の方向がゲージの軸に平行な場合よりも直角な場合のほうが大きくなってくる。

正答

（ｄ）

したがって，ここでは（ｃ）が正答になる。

高温環境下におけるひずみ測定には，高温用ひずみゲージを使用する必要がある。現在，市販されている高温

今回はとくに電気抵抗ひずみ測定法による衝撃のひず

用ひずみゲージにはゲージベースにポリイミドなどの耐み測定，高温領域あるいは高磁界中のひずみ測定に関す熱高分子材料を用いたものと金属材料を用いたものがある例題を取り上げた。これらの例題も，解答に当たってる。前者の高分子材料をベースに用いたゲージは主に高は参考書『ひずみ測定Ⅰ』，『ひずみ測定Ⅱ』に記載され温用接着剤で測定物に取り付けられるが，これが適用でている測定法の基礎知識が必要になる。C２の試験ではこきるのは 300℃ぐらいまでである。のことを心得ておいてもらいたい。

一方，後者の金属材料をゲージベースに用いているもの