電気・電子工学専攻■電気・電子工学専攻 業績一覧 2016年〔査読付学術原著論文〕 24件
題目
Cooperative Control by System Voltage Control
Equipments in Consideration of Reducing Capacity of
STATCOM

著者
Kawasaki, Shoji;Kurokawa, Naohiro;Taoka,
Hisao;Nakashima, Yuya

掲載誌,巻,号(出版年月)頁
ELECTRICAL ENGINEERING IN JAPAN,194,1 (2016)1-9

住宅用太陽光発電システム群による配電系統の電力品質
川﨑 章司;寺田 直弘;田岡 久雄;小山 真明
向上

電気学会論文誌. B,136,2 (2016)145-153

PVへのFRT，DVS機能の付与による系統安定度向上効果 田岡 久雄;大中 奎佑;木村 涼;佐野 元希;谷川 知也

電気学会論文誌. B,136,4 (2016)424-431

Electrical characteristics of N-polar <000-1> p-type GaN Toshichika Aoki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama,
Schottky contacts
Takashi Matsuoka and Kenji Shiojima

Japanese Journal of Applied Physics,55 (2016.03)04EJ091-04EJ09-5

Electrical characteristics of Au/Ni Schottky diodes oncleaved m-plane surfaces of free-standing n-GaN
substrates

Japanese Journal of Applied Physics,55(2016.03)04EG06-1-04EG06-4

Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Tomoyoshi Mishima andKenji Shiojima

Two-dimensional characterization of ion-implantation
Kenji Shiojima, Shingo Murase, Shingo Yamamoto,damage in GaN Schottky contacts using scanning internal
Tomoyoshi Mishima, and Tohru Nakamura
photoemission microscopy

Japanese Journal of Applied Physics, 55, pp. 04EG05-1 -4(2016)

Mapping of Si/SiC p－n heterojunctions using scanninginternal photoemission microscopy

Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Japanese Journal of Applied Physics, 55, pp.04ER15-1 -4
Arai, and Kenji Shiojima(2016)

Deep-level transient spectroscopy of low-free-carrierconcentration n-GaN layers grown on freestanding GaN
substrates: Dependence on carbon compensation ratio

Takeshi Tanaka, Tomoyoshi Mishima, Kenji Shiojima, andYutaka Tokuda

Japanese Journal of Applied Physics 55, pp. 061101-1-4(2016)

Highly reduced current collapse in AlGaN/GaN highelectron-mobility transistors by combined application ofoxygen plasma treatment and field plate structures

J. T. Asubar, S. Yoshida, H. Tokuda, and M. Kuzuhara

Jpn. J. Appl. Phys.,55,4 (2016.04)04EG07-(5)A study on electric power management for power
producer-suppliers utilizing output of megawattsolar
power plants

H. Takano, Y. Nagaki, J. Murata, T. Iizaka, N. Ishibashi and
T. Katsuno

Journal of International Council on ElectricalEngineering,6,1 (2016.05)102-109

Low-temperature growth of InN by metalorganic vapor
phase epitaxy using an NH3 decomposition catalyst

A. Yamamoto, K. Kodama, N. Shigekawa, T. Matsuoka, and
M. Kuzuhara

Jpn. J. Appl. Phys.,55,5 (2016.05)05FD04-(5)太陽光発電の不確実性を考慮した電気事業者の電力取引 高野浩貴, 田岡久雄, 村田純一, 永木雄也, 飯坂達也, 石橋
電気学会論文誌C,136,6 (2016.06)811-820
に関する検討直人, 勝野徹
Generic Construction of Audit Logging Schemes with
Forward Privacy and Authenticity

Shoichi Hirose

IPSI BgD Transactions on Internet Research,12,2(2016.07)1-8

Phase noise of multiphase CMOS LC oscillators coupledby mutual inductors

T. Imanishi and S. Moro

J. Signal Processing,20,6 (2016.11)245-251

AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron
mobility transistors with high on/off current ratio of overH. Tokuda, J. T. Asubar, and M. Kuzuhara
5x1010 achieved by ozone pre treatment and using ozone
oxidant for Al2O3 gate insulator

Jpn. J. Appl. Phys.,55,12 (2016.12)120305-(5)Mapping of Au/a-IGZO Schottky contacts by using
scanning internal photoemission microscopy

Kenji Shiojima and Masato Shingo

physica status solidi B,254,2 (2016.12)1600587-1600591

CH3NH3PbI3, CH3NH3Pb(Cl,I)3の室温時間分解分光

山崎裕斗、伊藤省吾、牧野哲征

光物性研究会論文集,27,1 (2016.12)50-53

共振器内に非線形媒質を挿入したモード同期レーザーの出力パルスに対する高次分散の影響

佐藤 徹 , 稲吉 真一 , 森岡 元希 , 角谷 宏樹 , 林 啓
佑 , 王 猛 , 金武 知樹 , 杉木 史弘 , 中島 直哉 , 川 電気学会論文誌C, (2017.01)
戸栄

家庭向けデマンドレスポンスに関する実証結果の分析と電河村清紀, 土器勉, 大野祐司, 高野浩貴, 村田純一
力ピーク抑制持続手法の提案

電気学会論文誌C,137,1 (2017.01)96-105

Two-dimensional characterization of 3C-SiC layers using
scanning internal photoemission microscopy: Mapping of
Kenji Shiojima, Masato Shingo, Naoto Ichikawa, andelectrical characteristics and crystal quality in domain
Masashi Katoboundary regions

Japanese Journal of Applied Physics,56,4S(2017.02)04CR06-1-04CR06-4

青色半導体レーザ励起連続波Ti:sapphireレーザの高効率 森岡元希, 林啓佑, 角谷宏樹, 稲吉真一, 佐藤徹, 金武知化に関する理論解析
樹, 杉木史弘, 中島直哉, 王猛, 川戸栄

電気学会論文誌C,Vol.J100-C,No.3 (2017.03)pp.149pp.150

Fossil fuel cost saving maximization: Optimal allocationand sizing of Renewable-Energy Distributed Generation
units considering uncertainty via Clonal Differential
Evolution
Clinical and microarray analysis of breast cancers of all
subtypes from two prospective preoperative
chemotherapy studies
Reproducible detection of disease-associated markers
from gene expression data

Madihah Md Rasid, Murata Junichi and Takano Hirotaka

Applied Thermal Engineering,113 (2017.03)1424-1432

Okuma, H., Koizumi, F., Hirakawa, A., Nakatochi, M., Komori,O., Hashimoto, J., Kodaira, M., Yunokawa, M., Yamamoto,British Journal of Cancer,115 (2016.7)411-419
H.,Yonemori, K., Shimizu, C., Fujiwara, Y. and Tamura, K.
Omae, K., Komori, O. and Eguchi, S.

〔査読付国際会議論文〕 24件
題目

著者

BMC Medical Genomics,9,53 (2016.8)1-9

掲載誌,巻,号(出版年月)頁
Proc. of RISP International Workshop on Nonlinear
Circuits, Communications and Signal Processing(NCSP2016) (2016.03)299-302

﻿ffect of coupling coefficient on phase noise in multiEphase CMOS LC oscillators coupled by mutual inductors

T. Imanishi, S. Moro

Characterization of GaN-Based Trench-Gate MOSFET
with Implanted Source Region

A. Sasakura, N. Takashima, H. Tokuda, M. Edo, K. Ueno,
M. KuzuharaInternational Workshop on Nitride Semiconductors (IWN
2016), (2016.10)

High on/off current ratio AlGaN/GaN MIS-HEMTs with
ALD deposited Al2O3 gate dielectric using ozone asoxidant

H. Tokuda, J. T. Asubar, M. Kuzuhara

2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals andApplications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016), (2016.07)

Impact of Drain Electrode Shape Irregularities on
Breakdown Voltage of AlGaN/GaN HEMTs

S. Ohi, S. Makino, T. Yamazaki, H. Tokuda, J. T. Asubar,
M. Kuzuhara

43rd International Symp. on Compound Semiconductors(ISCS 2016), (2016.06)

ページ 1

電気・電子工学専攻
AlGaN/GaN HEMTs on Free-standing GaN substrate with
Breakdown Voltage of 5 kV and Effective Lateral Critical J. H. Ng, J. T. Asubar, H. Tokuda, M. Kuzuhara
Field of 1 MV/cm

2016 International Conf. on Compound Semiconductor
Manufacturing Technology (CS-MANTECH 2016)(2016.05)215-218

Effect of Metal Electrode Edge Irregularities on
Breakdown Voltages of AlGaN/GaN HEMTs

S. Makino, S. Ohi, J. T. Asubar, H. Tokuda, M. Kuzuhara

IEEE IMFEDK 2016 (2016.06)94-95

Breakdown degradation of AlGaN/GaN HEMTs with multi- T. Yamazaki, Y. Suzuki, S. Ohi, J. T. Asubar, H. Tokuda,
finger gate pattersand M. Kuzuhara

IEEE IMFEDK 2016 (2016.06)96-97

A Study of Impact on Power System Stability by
Motoki Sano, Ryo Kimura, Hisao Taoka, Hirotaka Takano,
Frequency Feedback Function in New Islanding Detection
Kensuke Tsutsumi
MethodProc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2016, (2016.07)

Application of Synchronization Inverter to Wind Turbine
SystemYuta Sakai, Hirotaka Takano, Hisao Taoka, Masaki Kawai,
Shunya Tanaka

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2016, (2016.07)

A Study on Supply-Demand Balancing Operation in LowCarbon Facility Considering Fuel Consumption ofGenerator

Minmin Zhu, Naoki Akiyama, Hirotaka Takano, Hisao Taoka

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2016, (2016.07)

Optimal Allocation and Sizing of Renewable-Energy
Distributed Generation Units for System Reliability
Improvement and Benefit of Fuel Cost Saving Using
Clonal Differential Evolution

Madihah Md Rasid, Murata Junichi and Takano Hirotaka

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2016,90303, (2016.07)

A Study of Impact on Power System Stability by
M. Sano, R. Kimura, H. Taoka, H. Takano, K. Tsutsumi, T.
Frequency Feedback Function in New Islanding Detection
SakataMethodProc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2016,90101, (2016.07)

A Study on Operation of UPS in Power Source Switching K. Mitamura, H. Takano, H. Taoka, A. Katayama, K.
Inspection of Electrical Facilities
Taniguchi, H. morita

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2016,90102, (2016.07)

Output Masking of Tweakable Even-Mansour can be
Eliminated for Message Authentication Code

Shoichi Hirose, Yusuke Naito and Takeshi Sugawara

SAC 2016, Lecture Notes in Computer Science,10532(2016.08)341-359

A Study on Effective Demand Response Program inElectric Power System Based on Results ofDemonstrative Field Test

K. Kawamura, T. Doki, Y. Oono, H. Takano, J. Murata

Proc. of SICE Annual Conference 2016,288, (2016.09)

Analysis of unstable periodic solution of nonlinear circuits
K. Takamatsu, T. Nakabayashi, S. Morousing Haar wavelet transform

Proc. of International Symposium on Intelligent Signal
Processing and Communication Systems (ISPACS2016)(2016.10)259-264

Theoretical Investigation of Laser-diode-pumped High
Efficiency CW Ti:sapphire Laser

Motoki Morioka, Keisuke Hayashi, Sinichi Inayoshi, Hiroki
Kadoya, Toru Sato, Tomoki, Kanetake, Humihiro Sugiki,
Naoya Nakajima, Meng Wang, Sakae Kawato

Theoretical Analysis on Fast Saturable-Absorber effects
in a Mode-locked Laser with an Intra-Cavity Nonlinear
MediumToru Sato, Sinichi Inayoshi, Motoki Morioka, Keisuke
Hayashi, Hiroki Kadoya, Tomoki, Kanetake, Humihiro Sugiki, Frontiers in Optics / Laser Science, (2016.10)
Naoya Nakajima, Meng Wang, Sakae Kawato

Efficiency improvement of ultra-short pulse lasers

Sakae Kawato, S. Inayoshi, T. Sato, M. Morioka, H. Kadoya,
EMN Ultrafast 2016, (2016.10)
K. Hayashi, T. Kanetake, F. Sugiki, N. Nakajima, M. Wang

May-Ozerov Algorithm for Nearest-Neighbor Problem
over Fq and Its Application to Information Set Decoding

Shoichi Hirose

SECITC 2016, Lecture Notes in Computer Science,10006(2016.10)115-126

A Tweak for a PRF Mode of a Compression Function and
Its Applications

Shoichi Hirose and Atsushi Yabumoto

SECITC 2016, Lecture Notes in Computer Science,10006(2016.10)103-114

Sequential Hashing with Minimum Padding

Shoichi Hirose

NIST Lightweight Cryptography Workshop 2016, (2016.10)

Frontiers in optics + laser science, (2016.10)

A Pseudorandom-Function Mode Based on Lesamnta-LW
Shoichi Hirose, Hidenori Kuwakado and Hirotaka Yoshida
and the MDP Domain Extension and Its Application

NIST Lightweight Cryptography Workshop 2016, (2016.10)

Lightweight Hashing Using Lesamnta-LW Compression
Function Mode and MDP Domain Extension

WICS '16, (2016.11)〔論文（その他）〕

Asraf Akhimullah and Shoichi Hirose

0件
題目

著者

Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー
接触の評価

塩島 謙次、重宗 翼、小泉 淳、児島 貴徳、柏木 行康、斎藤 大志、松川 公洋、藤原 康文〔講 演〕

掲載誌,巻,号(出版年月)頁
エレクトロニクス実装学会秋季大会第26回マイクロエレクト
ロニクスシンポジウム論文集（Mate2016）, pp. 2263-2266(2016)

79件
題目

発表者

会議名,発表番号記号,開催地,抄録集等名（開催年月）

強制振動子法によるSub2次元グラフェン・ナノ構造の格子
橋本明弘
振動解析

第8回九大グラフェン研究会,福岡市 (2016.01)

スモールワールド化された蜂の巣状発振器ネットワークにおける振動現象石部 裕介、茂呂 征一郎

2016年電子情報通信学会総合大会,N-1-8,福岡市,2016年
電子情報通信学会総合大会講演論文集 (2016.03)

RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上単一ドメインエ
ピタキシャルグラフェンの欠陥密度制御

道幸雄真、和田拓也、今井宏友、橋本明弘

第63回応用物理学会春季学術講演会,20a-P4-25,横浜市(2016.03)

4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いた
MOVPE法InNエピタキシャル成長

戸松侑輝、道幸雄真、石丸大樹、橋本明弘

第63回応用物理学会春季学術講演会,横浜市 (2016.03)

強制振動子法を用いたサブ2次元ナノカーボンの格子振動
大八木晋、Md. Sherajul Islam、南部卓也、橋本明弘
解析（II)

第63回応用物理学会春季学術講演会,20a-P4-42,横浜市(2016.03)

強制振動子法による窒化物混晶の格子振動解析 (II)

南部卓也、大八木晋、ムハマド・シラジュル・イスラム、橋本 第63回応用物理学会秋季学術講演会,22a-P6-2,横浜市
明弘(2016.03)

アモルファス窒化炭素薄膜の作製Ⅱ

内島 一哉、佐竹 聖樹、澤畠 淳二、中村 重之、財部 健
一、福井 一俊、池田 和聡、伊藤 國雄、山本 伸一

第63回応用物理学会春季学術講演会,21p-P3-15(2016.03)

下地層上に堆積させたアモルファス窒化炭素膜の発光特性磯川 裕哉、佐竹 聖樹、澤畠 淳二、中村 重之、財部 健
一、福井 一俊、池田 和聡、伊藤 國雄、山本 伸一

第63回応用物理学会春季学術講演会,21p-P3-20(2016.03)

MgO上に堆積させたアモルファス窒化炭素膜の発光特性

磯川 裕哉、佐竹 聖樹、澤畠 淳二、中村 重之、財部 健
一、福井 一俊、池田 和聡、伊藤 國雄、山本 伸一

第63回応用物理学会春季学術講演会,21p-P3-17(2016.03)

RFスパッタリング法によって作製したBCN薄膜の発光特性

内島 一哉、佐竹 聖樹、澤畠 淳二、中村 重之、財部 健
一、福井 一俊、池田 和聡、伊藤 國雄、山本 伸一

第63回応用物理学会春季学術講演会,21p-P3-21(2016.03)

ページ 2

電気・電子工学専攻
共振器内部に非線形材料を挿入した超短パルスレーザーの出力パルス及びスペクトルに対する高速可飽和吸収帯 佐藤徹、川戸栄の影響

レーザー研シンポジウム2016-平成27年度共同研究成果
報告会- (2016.04)

第二高調波Ndレーザー励起チタンサファイアレーザーの高林啓佑、川戸栄
効率化

レーザー研シンポジウム2016-平成27年度共同研究成果
報告会- (2016.04)

レーザーダイオード励起連続波Yb:YAGレーザーの光-光変角谷 宏樹、川戸 栄
換効率に対する励起光のビーム品質の影響

レーザー研シンポジウム2016-平成27年度共同研究成果
報告会- (2016.04)

Displacement current of Au/p-type diamond Schottky
contacts

Toshichika Aoki, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, and Kenji
Shiojima

7th International Symposium on Control of Semiconductor
Interfaces (ISCSI-IIV),WP3-B-2,Nagoya, Japan (2016.06)

Mapping of ICP-Etching Induced Damages on GaN
Surfaces Using Scanning Internal Photoemission
Microscopy

Hiroyoshi Imadate, Akihisa Terano, and Kenji Shiojima

7th International Symposium on Control of Semiconductor
Interfaces (ISCSI-IIV),TP3-B-2,Nagoya, Japan (2016.06)

Deep Level Transient Spectroscopy of Low-Carrier
Kenji Shiojima, Takeshi Tanaka, Tomoyoshi Mishima, andConcentration n-GaN Layers Grown on Freestanding GaN
Yutaka Tokuda
Substrates

th International Symposium on Control of Semiconductor
Interfaces (ISCSI-IIV),TP3-B-3,Nagoya, Japan (2016.06)

Mapping of Ion-Implanted n-SiC Schottky Contacts Using Shingo Murase, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura, and
FE-PB-14,Nagoya, Japan (2016.06)
Scanning Internal Photoemission Microscopy
Kenji Shiojima
A simple mixture model for probability density estimation
based on a quasi divergence

Osamu Komori and Shinto Eguchi.

Information Geometry and its Applications IV, Czech
Republic (2016.06)

Role of C Doping in Low-Carrier n-GaN Epitaxial Layersfor High-Power Schottky Diode Development

Kenji Shiojima

2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals andApplications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2016),A5-2,Hakodate, Japan (2016.07)

ICPエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価

今立 宏美、寺野 昭久、塩島 謙次

平成２８年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会,5,大阪府堺市（大阪府立大学） (2016.07)

Numerical Study of Phonon Properties for Sub 2dimensional Nano-carbon system by Force Vibrational
Method

大八木晋、Md. Sheraju Islam、南部卓也、橋本明弘

The 18th International Conference on Crystal Growth andEpitaxy (ICCGE-18),ThP-T03-11,名古屋市 (2016.08)

次世代電力システムエンジニアの養成に関わるリスク

高野 浩貴

これからの電力システムのリスクとその対策（平成28年電気学会電力・エネルギー部門大会） (2016.09)

エネルギー分野のデータ利用技術の最新動向

高野 浩貴

関西スマートエネルギーイニシアティブビジネスマッチング
会 (2016.09)

二重頑健性を持った非対称ロジスティックモデルによる水産資源評価

小森理，江口真透

統計関連学会連合大会 ,金沢大学, (2016.09)

実機特性に基づくUPSモデルの構築

片山 明彦、三田村 和也、高野 浩貴、田岡 久雄、本堂 義2016年電気設備学会全国大会,G-4,岡山市 (2016.09)
記、谷口 和彦、森田 祐志

Comparative Study of Initial Growth Stage of InN on
Epitaxial Graphene by MBE and MOVPE

D. Ishimaru, Y. Tomatsu, A. Hashimoto

The 19th International Conference on Molecular Beam
Epitaxy (MBE 2016),Tu-P-13,モンペリエ （フランス）(2016.09)

同期化力インバータを搭載した風力発電機の周波数調整
能力の評価

田中 駿也、酒井 悠太、高野 浩貴、田岡 久雄

平成28年電気学会電力・エネルギー部門大会,208,北九州
市 (2016.09)

新型単独運転検出方式とDVS 機能の併用方法に関する一検討

堤 謙介、佐野 元希、高野 浩貴、田岡 久雄、小松 宏旭

平成28年電気学会電力・エネルギー部門大会,138,北九州
市 (2016.09)

Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー
接触の評価

塩島 謙次、重宗 翼、小泉 淳、児島 貴徳、柏木 行康、斎藤 大志、松川 公洋、藤原 康文

エレクトロニクス実装学会秋季大会第26回マイクロエレクト
ロニクスシンポジウム（MES2016）,名古屋市 (2016.09)

PV大量導入により新型単独運転検出方式が過渡安定度に与える影響の定性的検討

佐野 元希、堤 謙介、小松 宏旭、高野 浩貴、田岡 久雄

平成28年度電気関係学会北陸支部連合大会,A2-7,福井市(2016.09)

4H-SiC上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法
石丸 大樹、戸松 侑輝、橋本 明弘
InNエピタキシャル成長初期過程

第77回応用物理学会秋季学術講演会,16a-P5-20,新潟市(2016.09)

塩酸エッチングしたSiC上エピタキシャルグラフェンの表面解析

栗本 逸清、橋本 明弘

第77回応用物理学会秋季学術講演会,13p-P5-34,新潟市(2016.09)

RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上エピタキシャル
グラフェン形成の昇温プロファイル依存性

和田 拓也、道幸 雄真、今井 宏友、橋本 明弘

第77回応用物理学会秋季学術講演会,13p-P5-31,新潟市(2016.09)

強制振動手法を用いたサブ2次元ナノカーボンのエッジフォ
大八木 晋、Md. Sherajul Islam、南部卓也、橋本 明弘
ノン解析

第77回応用物理学会秋季学術講演会,13p-P5-17,新潟市(2016.09)

フォトリフレクタンス分光における光強度規格化マイコン制
小林英一、牧野哲征、橋本明弘
御システムの構築

応用物理学会第77回秋季学術講演会,14a-P2-8,新潟市(2016.09)

自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評
今立 宏美、青木 俊周、三島 友義、塩島 謙次
価 (3)－－電流-電圧特性の温度依存性－－

応用物理学会秋季学術講演会,14a-P6-7,新潟市(2016.09)

界面顕微光応答法によるNi/n-SiCの界面反応の２次元評
橋爪孝典, 畑祐介, 加藤正史, 塩島謙次
価

応用物理学会秋季学術講演会,14p-P9-5,新潟市(2016.09)

Ni/N極性p-GaNショットキー電極界面の電流-電圧特性の青木俊周, 谷川智之, 松岡隆志, 塩島謙次
温度依存性

応用物理学会秋季学術講演会,14a-P6-8,新潟市(2016.09)

界面顕微光応答法を用いたAu/p形ダイヤモンドショット
キー接触の2次元評価

青木 俊周、寺地 徳之、小出 康夫、塩島 謙次

応用物理学会秋季学術講演会,14p-A26-7,新潟市(2016.09)

CH3NH3PbI3の時間分解分光

山崎裕斗、伊藤竜一、牧野哲征

日本物理学会2016年秋季大会,15pPSA-14,金沢市,日本物理学会秋季大会概要集 (2016.09)

超高速レーザーによる非同期光サンプリングのためのデジ
岡部大輝, 小林英一, 牧野哲征
タル信号処理日本物理学会2016秋季大会,15pPSA-13,金沢市,日本物理学会秋季大会概要集 (2016.09)

CH3NH3PbI3へのCl添加によるペロブスカイト太陽電池への影響

日本物理学会2016年秋季大会,15pPSA-12,金沢市,日本物理学会概要集 (2016.09)

吉田清孝, 伊藤省吾, 牧野哲征

レーザ照射処理をしたアモルファス窒化炭素の発光スペク 中村 圭祐、福井 一俊、山本 晃司、財部 健一、中村 重
トルの温度依存性之、伊藤 國雄、山本 伸一、澤畠 淳二、佐竹 聖樹

第77回応用物理学会秋季学術講演会,15a-A26-4,新潟市(2016.09)

複焦点界面顕微光応答法による3C-SiC層の2次元評価

応用物理学会秋季学術講演会,15p-C302-5,新潟市(2016.09)

塩島 謙次、市川 尚澄、加藤 正史

ページ 3

電気・電子工学専攻
界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モ
フォロジーの2次元評価

塩島謙次, 橋爪孝典, 堀切文正, 田中丈士, 三島友義

応用物理学会秋季学術講演会,15a-B1-10,新潟市(2016.09)

新型単独運転検出方式が系統安定度に与える影響の検討

佐野 元希、堤 謙介、高野 浩貴、田岡 久雄、小松 宏旭

電気学会電力技術／電力系統技術合同研究会,PE-16095, PSE-16-115,福井市 (2016.09)

新型単独運転検出方式とDVS機能を搭載したPVが系統安
堤 謙介、佐野 元希、高野 浩貴、田岡 久雄、小松 宏旭
定度に与える影響の検討

電気学会電力技術／電力系統技術合同研究会,PE-16096, PSE-16-116,福井市 (2016.09)

自家用電気設備を構成する機器の試作モデル設計

三田村 和也、片山 明彦、高野 浩貴、田岡 久雄、本堂 義 電気学会電力技術／電力系統技術合同研究会,PE-16記、矢渡 遼、谷口 和彦、森田 祐志
085, PSE-16-105,福井市 (2016.09)

周波数変動抑制に貢献する同期化力インバータを搭載した風力発電機の一考察

酒井 悠太、田中 駿也、高野 浩貴、田岡 久雄

電気学会電力技術／電力系統技術合同研究会,PE-16106, PSE-16-126,福井市 (2016.09)

Temperature Dependence of Current-Voltage of Ni
Schottky Diodes on Cleaved m-plane n-GaN Surfaces

Hiroyoshi Imadate, Toshichika Aoki, Tomoyoshi Mishima
and Kenji Shiojima

International conference on Solid State Devices andMaterials 2016 (SSDM2016),N-2-04,つくば市 (2016.09)

2-Dimentional Characterization of 3C-SiC Layers Using
Scanning Internal Photoemission Microscopy

Kenji Shiojima, Masato Shingo, Naoto Ichikawa, Masashi
Kato

International conference on Solid State Devices andMaterials 2016 (SSDM2016),N-2-06,つくば市 (2016.09)

Effect of Surface Treatment in Au/Ni Schottky Diodes
Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing
n-GaN Substrates

Kenji Shiojima, Moe Naganawa, and Tomoyoshi Mishima

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN
2016),PS2. 137,Orland (USA) (2016.10)

Observation of Initial Stage of Degradation in Ni/n-GaN
Schottky Diodes Using Scanning Internal Photoemission
Microscopy

Kenji Shiojima, Shingo Murase, Masataka Maeda, andTomoyoshi Mishima

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN
2016),PS2. 137,Orland (USA) (2016.10)

非対称ロジスティックモデルによる水産資源評価

小森理，江口真透

大規模複雑データの理論と方法論の総合的研究 ,久留米大学, (2016.11)

スマートシティを支える 電源，蓄電池の最適マネジメント

高野 浩貴

フラッグシッププロジェクト創出に向けた研究会 (2016.12)

CH3NH3PbI3, CH3NH3Pb(Cl,I)3の室温時間分解分光

山崎裕斗、伊藤省吾、牧野哲征

第27回光物性研究会,神戸市 (2016.12)

VUV分光エリプソメトリーの改良とAlNウェハの複素屈折率 藤居 佑輔、那須 勇樹、福井 一俊、山本 晃司、齋藤 輝
測定文、堀米 利夫

平成28年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会,E14(2016.12)

AlGaN混晶半導体における局在励起子発光減衰曲線の温渡邉 一輝、平田 駿、福井 一俊、山本 晃司
度依存性

平成28年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会,E13(2016.12)

自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評塩島謙次、永縄萌、三島友義
価 ～ 表面処理の影響 ～電子情報通信学会電子デバイス研究会,ED2016-60,京都
市 (2016.12)

界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の塩島謙次、村瀬真悟、前田昌嵩、三島友義
電圧印加劣化の2次元評価

電子情報通信学会電子デバイス研究会,ED2016-58,京都
市 (2016.12)

Asymmetric logistic regression model

Osamu Komori and Shinto Eguchi.

The International Conference on Bioinformatics andBiostatistics for Agriculture Health and Environment,
Bangladesh, (2017.01)

金属／GaNショットキー接触の評価－黎明期からの振り返
塩島 謙次
り－

電子情報通信学会電子デバイス研究会,ED2016-101,東京
都 (2017.01)

Robustified asymmetric logistic regression model for
global fish stock assessment

Osamu Komori

International Conference on Fisheries and Aquatic
Sciences, Thailand, (2017.03)

界面顕微光応答法によるSi基板上Ni/AlGaN/GaNショット
キー接触の２次元評価

小西 宏明、今立 宏美、山岡 優哉、松本 功、江川 孝志、
塩島 謙次

応用物理学会春季学術講演会,14p-315-4,横浜市(2017.03)

自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評
今立 宏美、三島 友義、塩島 謙次
価 (4)－－金属仕事関数依存性－－

応用物理学会春季学術講演会,14p-315-5,横浜市(2017.03)

需要抑制に対する需要家余剰の変化に基づくインセンティ
奥村 明日香, 高野 浩貴, 田岡 久雄, 小原 敦美
ブの設定方法に関する基礎検討

平成29年電気学会全国大会,6-271,富山市 (2017.03)

不確実な状況に対応した配電ネットワーク事故復旧問題に
菅原 明徳，高野 浩貴，田岡 久雄，村田 純一
関する研究

平成29年電気学会全国大会,6-175,富山市 (2017.03)

界面顕微光応答法による6H-SiC基板上Ni/p-3C-SiCショッ
塩島 謙次、三品 直樹、市川 尚澄、加藤 正史
トキー接触の2次元評価

応用物理学会春季学術講演会,15p-F204-9,横浜市(2017.03)

水素イオン注入n-GaNの熱処理

伊豫田 健、高林 洸太、徳田 豊、塩島 謙次、伊藤 成志、
八木 孝秀

応用物理学会春季学術講演会,16a-P4-1,横浜市(2017.03)

界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN MIS HEMTの劣化
村瀬 真悟、渡村 遥、末光 哲也、塩島 謙次
過程の2次元評価

応用物理学会春季学術講演会,16a-P4-6,横浜市(2017.03)

界面顕微光応答法によるNi/n-GaNの界面反応の二次元評価

応用物理学会春季学術講演会,16a-P4-5,横浜市(2017.03)

纐纈 悠貴、塩島 謙次

自家用電気設備モデルの設計と電源切替模擬による妥当 矢渡 遼, 三田村 和也, 片山 明彦, 高野 浩貴, 田岡 久雄,
性検証
本堂 義記，谷口 和彦, 森田 祐志

平成29年電気学会全国大会,6-320,富山市 (2017.03)

小規模グリッド向け需給運用計画の最適化に関する研究

6-274,富山市 (2017.03)

塩見 竜平，高野 浩貴，田岡 久雄，村田 純一

新型単独運転検出機能付きPVを対象としたFRTの解列判 小松 宏旭，佐野 元希，堤 謙介，高野 浩貴，田岡 久雄，
定時間の違いが過渡安定度に与える影響
坂田 知昭

平成29年電気学会全国大会,6-068,富山市 (2017.03)

デラフォサイト型酸化物CuCrO2における励起子物性

渡辺貴洋, 牧野哲征

日本物理学会第72回年次大会(2017),19pC-PS-2,大阪市,
日本物理学会年次大会概要集 (2017.03)

Effect of Passivation on breakdown voltage and dynamic
on-resistance in AlGaN/GaN HEMTs

M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda

European MRS, Warsaw, Poland (2016.09)

Reduced current collapse in AlGaN/GaN HEMTs for lowM. Kuzuhara
loss power switching operation

3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride
Semiconductors (IDGN), Sendai, Japan (2017.01)

High Breakdown Voltage AlGaN/GaN HEMTs Fabricatedon Semi-insulating GaN Substrates

M. Kuzuhara

Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials
and Devices, Mallorca, Mo-2, Mallorca, Spain (2017.03)

分布の異質性を考慮したゲノムデータ判別解析

小森理

第８回生物統計ネットワークシンポジウム ,福岡, (2017.03)

ページ 4

電気・電子工学専攻
〔著 書〕

5件
題目

著者

出版社(出版年月)

正定値行列の情報幾何 (1),(2),(3) 岩波データサイエンス
vol.2, 3, 4

小原敦美，土谷隆

岩波書店 (2016)

電気電子材料

門進三、尾崎雅則、鷲尾勝由、塩島謙次、斗内政吉

オーム社 (2016.01)

Smart Grid Handbook, 3 Volume Set

H. Takano, K. Kawamura, T. Iizaka

Wiley (2016.07)

行列不等式アプローチによる制御系設計

小原 敦美

コロナ社 (2016.3)

Computational Information Geometry: For Image andSignal Processing

Eguchi, S., Notsu, A. and Komori, O

Springer (2016.1)

〔作 品〕

1件
題目

〔資料・解説等〕

著者
Shoichi Hirose, Kota Ideguchi, Hidenori Kuwakado, Toru
Owada, Bart Preneel and Hirotaka Yoshida

Lesamnta-LW

掲載誌,巻,号,頁(発表開始年月)(2016.08)

8件
題目

著者

掲載誌,巻,号,頁(出版年月)

電力システム技術の課題

田岡 久雄

電気設備学会誌,36,5,258-258 (2016)

共振器内に非線形媒質を挿入したモード同期レーザーの高速可飽和吸収体の影響に関する理論解析

稲吉 真一, 吉田 武志, 佐藤 徹, 奥西 弘旭, 加唐 賢人, 京
元 敬介, 嶋林 恭輔, 森岡 元希, 角谷 宏樹, 林 啓佑, 川戸 IEICE Technical Report (2016.05)
栄

LD励起CW Ti:sapphireレーザーの高効率化に関する理論
解析

森岡元希、林啓佑、稲吉真一、角谷宏樹、佐藤徹、川戸栄 IEICE Technical Report (2016.05)

AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor technology
for high-voltage and low-on-resistance operation

M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda

Jpn. J. Appl. Phys.,55,7,070101-(12) (2016.06)

FRT機能，DVS機能併載型太陽光発電システムの普及が電力系統の安定度に及ぼす影響に関する一考察

田岡久雄，高野浩貴

電気評論 2016年08月号 (2016.08)

偏光板を使って虹を見てみよう

稲吉真一，森岡元希，林啓佑，角谷宏樹，佐藤徹，王猛，
杉木史弘，中島直哉，金武知樹，中川剛志，川戸栄

青少年のための科学の祭典2016福井大会実験解説集(2016.11)

国際学会の学生支部による創成活動

川戸 栄

第14回ものづくり・創造性教育に関するシンポジウム(2016.11)

ハールウェーブレット変換を用いた非線形回路の不安定周髙松 航平，中林 達哉，茂呂 征一郎
期解の一解法〔学会等の開催〕

電子情報通信学会技術研究報告（非線形問題），
NLP2016-100,116,423,19-24 (2017.01)

4件
名称（社）レーザー学会研究会「固体・半導体レーザー」

担当者
川戸 栄

開催地(期間始)
福井市 (2016)

7th International Symposium on Control of Semiconductor
Kenji Shiojima(Vice chair of the Steering Committee)
Interfaces (ISCSI-VII)

名古屋市 (2016.06)

電気学会電力技術・電力系統技術合同研究会

田岡久雄，高野浩貴

福井市 (2016.09)

電気学会全国大会

田岡久雄，高野浩貴

富山市 (2017.03)

ページ 5