SuperKEKB 入射器コミッショニングの現状
PRESENT STATUS OF SUPERKEKB INJECTOR LINAC COMMISSIONING
佐藤政則#, A), 明本光生 A)，荒木田是夫 A)，荒川大 A)，岩瀬広 A)，榎本收志 A)，福田茂樹 A)，古川和朗 A)，肥後寿泰 A)，本間博幸 A)，池田光男 A)，柿原和久 A)，風間慎吾 A)，片桐広明 A)，紙谷琢哉 A)，倉品美帆 A)，松下英樹 A)，松本修二 A)，松本利広 A)，道園真一郎 A)，三川勝彦 A)，三浦孝子 A)，宮原房史 A)，中島啓光 A)，
中尾克巳 A)，夏井拓也 A)，大沢哲 A)，小川雄二郎 A)，設楽哲夫 A)，白川明広 A)，諏訪田剛 A)，竹中たてる A)，
田中窓香 A)，矢野喜治 A)，横山和枝 A)，吉田光宏 A)，臧磊 A)，張叡 A)，周翔宇 A)，菊池光男 A)，多和田正文
A)，三増俊弘 A)，飯田直子 A)，森隆志 A)，杉本寛 A)，小磯晴代 A)，船越義裕 A)，梶裕志 A)，森田昭夫 A)，大西
幸喜 A)，末武聖明 A), 佐藤大輔 B)#, A)
A)
Masanori Satoh, Mitsuo Akemoto , Yoshio ArakidaA), Dai ArakawaA), Hiroshi IwaseA), Atsushi EnomotoA),
Shigeki FukudaA), Kazuro FurukawaA), Toshiyasu HigoA), Hiroyuki HonmaA), Mitsuo IkedaA), Kazuhisa KakiharaA),
Shingo KazamaA), Hiroaki KatagiriA), Takuya KamitaniA), Miho KurashinaA), Hideki MatsushitaA), Shuji MatsumotoA),
Toshihiro MatsumotoA), Shinichiro MichizonoA), Katsuhiko MikawaA), Takako MiuraA), Fusashi MiyaharaA), Hiromitsu
NakajimaA), Katsumi NakaoA), Takuya NatsuiA), Satoshi OhsawaA), Yujiro OgawaA), Tetsuo ShidaraA), Akihiro
ShirakawaA), Tsuyoshi SuwadaA), Tateru TakenakaA), Tanaka MadokaA), Yoshiharu YanoA), Kazue YokoyamaA),
Mitsuhiro YoshidaA), Lei ZangA), Rui ZhangA), Xiangyu ZhouA), Mitsuo KikuchiA), Masafumi TawadaA), Toshihiro
MimashiA), Naoko IidaA), Takashi MoriA), Hiroshi SugimotoA), Haruyo KoisoA), Yoshihiro FunakoshiA), Hiroshi KajiA),
Akio MoritaA), Yukiyoshi OhnishiA), Masaaki SuetakeA), and Daisuke SatohB)
A)
High Energy Accelerator Organization (KEK/SOKENDAI), Accelerator Laboratory
B)
Tokyo Institute of Technology (TITECH)

Abstract
The SuperKEKB project is aiming at the peak luminosity of 40 times higher than that by the KEKB project. Toward
SuperKEKB based on the nano-beam scheme, the electron/positron injector linac is now under upgrade for achieving ahigh intensity and a small emittance beam. For the low emittance and high intensity electron beam generation, we havedeveloped the new rf gun based on the noble scheme of quasi-travelling wave side-coupled rf cavity and the new laser
system. To increase the positron capture efficiency, the flux concentrator and large aperture S-band accelerating
structure have been manufactured and installed into the beam line. For the stable and fine beam control, many new
devices are now under development like the high precision BPM readout, fast rf monitor, rf deflector, and so on. The
linac beam commissioning started in the last October. The obtained maximum electron and positron bunched charges
were 5.6 nC and 0.18 nC, respectively, before summer shutdown. We report the injector linac commissioning status andfuture plan together with the upgrade outline.
mm⋅mrad 以下であることが要求される。とりわけ電子ビームについては，ダンピングリングを用いずに
現在 KEK では，KEKB 加速器[1-4]で達成した約 40 低エミッタンスビーム入射を実現する必要があるた[7-10]
を開発し，現在，倍のルミノシティーを目指し，SuperKEKB 加速器[5, め，新方式の光陰極 RF 電子銃
6]
精力的に種々のビーム試験をおこなっている。また，の建設を進めている。このため，KEKB 加速器と比較して，蓄積電流値を約 2 倍にし，なおかつ衝突 陽電子ビームの収量増大を目指して，フラックスコ[11, 12]および大口径 S バンド加速管[13]点でのビームサイズを約 20 分の 1 に絞る必要があ ンセントレータ
る。SuperKEKB の電子陽電子入射器（以下，入射器） の開発・試験を進めてきた。これらと並行して，低には，大バンチ電荷量かつ低エミッタンスビームの エミッタンス陽電子ビーム実現のため，陽電子用ダ安定供給が求められている。電子（陽電子）ビーム ンピングリングの建設も進められている。この他，に要求されるバンチ電荷量は 5 nC (4 nC)であり， 安定なビーム入射を実現するために，ビーム位置モ[14]，高速 RF 制御[15]およKEKB 入射器と比較して約 5 倍のバンチ電荷量が求 ニタ用高精度データ収集系[16]
められている。一方，ナノビーム方式を採用した主 びモニタシステム ，バケットセレクションを含む[17]
リングの低エミッタンス化にともない，入射器ビー 新タイミングシステム ，パルス四極電磁石，安全ムの垂直方向規格化射影 rms エミッタンスは 20 系システムの更新など，多数の技術開発をおこなっている。これらの機器開発・試験と並行して，昨年___________________________________________
秋より，SuperKEKB へのビーム入射に備えた入射器#
masanori.satoh@kek.jp

1.

はじめに

ビームコミッショニンググを開始したた。本稿では
は，入射器アップ
プグレードのの概要とあわわせて，ビー ムコ
ミッショニングに関するる現状および
び今後の展望望について報告する。

2.

SuperrKEKB 入射
射器

2.1

概要

入射器は，
，100 m およ
よび 500 m の長直線部かのから構成される。これら 2 つのの直線部は 180
1 度偏向ビビーム
ライン(J-ARRC 部)により接続され，JJ 型の形状をを示している。Figgure 1 は，入入射器のレイ
イアウトを表表している。また，，Table 1 に KEKB および SuperKEK
KB 入
射器の主要パパラメータをを示した。Su
uperKEKB へへ向けた入射器アップグレード
ドの主要開発発項目として ，RF
電子銃，陽電子生成部，および陽電
電子用ダンピピング
リングの建設が上げられれる。また，ビーム運転
転上の最重要課題は，大電荷ビビームの低エエミッタンス
ス保存および安定供供給である。

Figure 11: Layout of SuperKEKB
S
innjector linac.
Table 1: M
Main parametters of KEKB
B and SuperK
KEKB
injector linacc.
KEKB

SuperKEKB
B

e-

e+

e-

e+
+

Beam enerrgy
(GeV)

8

3.5

7

4

Bunch chargee (nC)1

1 (10*)

5

4 (110*)Normalized veerticalemittancee(mm⋅mradd)

100

2100

20

220

Normalizeedhorizontaal
emittancee(mm⋅mradd)

100

2100

50

1000

Energy spreadd (%)

0.05

0.125

0.08

0.007

Bunch length (mm)

1.3

2.6

1.3

0..7

*

# of buncch

2

Maximum beam
repetition (H
Hz)

0
50

: Primary eleectron beam forf positron prroduction.

2.2

電子源
源

KEKB へへのビーム入射射で使用してていた熱陰極極電子

銃にに変えて，大大バンチ電荷荷量かつ低エエミッタンスビー
ームを生成するための光陰
陰極 RF 電子子銃を開発しした。これは，疑似似進行波管型型空洞[7]，Yb
b 系レーザーー[8]，および Ir5Cee 陰極[9]を用いいた先駆的な
なシステムでであるる。
疑似進行波管疑型空洞は，通通常の空洞とと比較して電電極間間距離を短くすることによより，強い収収束電場を発発生ささせることが可能である。
。これによりり，高バンチ
チ
電荷荷電子ビームからの強い空空間電荷力をを打ち消し，
生成
成電子ビームのの低エミッタ
タンス化が期期待できる。
また，Yb
ま系レ
レーザーシスステムは，広広い周波数帯帯域特特性を持つため，時間方向向でのパルス
ス波形整形がが可能能である。Tab
ble 1 に示す
すとおり，SuperKEKB 入
射器
器では 0.1%以以下のビームエエネルギー広広がりが要求求されれている。このため，縦方方向のバンチチ内粒子分布布形状状を，一般的なガウス分布
布ではなく，一様な矩形形型分分布にすることが望ましいい。この様なな操作は，従従来のの Nd 系レーーザーシステムムでは実現がが困難であった。
さらに，陰極さに採用した Ir5Ce は，一
一般的に使用用されれる LaB6 など
どに比べて高いい量子効率(QQe ∼ 10-4)をを持つつ。また，低真空環境下ににおいても表表面状態が劣劣化ししづらく，長寿命が期待さされる。これれらの特性は
は，
長期
期安定運転が要求される SuperKEKB 入射器に，最適適な選択であるといえる。
1 次電子ビー
陽電子生成用陽ームとしてはは，従来と同同様にに 10 nC のバ
バンチ電荷量量が必要であある。一方，
SupeerKEKB 入射
射用低エミッタ
タンス電子ビビームおよびび
PF 入射用電子ビ
入ビームには， それぞれ，5
5 nC および
び
0.3 nC のバンチ
チ電荷量が要求求される。こ
これらの電荷荷量ををパルス毎に制御するため
め，異なるパ
パワーに最適
適化ししたレーザーシステムを独独立に構築しし，必要電荷荷
量にに応じて打ち分
分ける予定で
である。
2.3

陽電子源

陽電子生成標陽
的は，KEKB
B 入射に使用用していたものとと同様，タングステン標的的を使用する
る。これは，
直径
径 3 mm，長さ
さ 14 mm の タングステン
ンを銅に HIP
P
処理
理を用いて埋め込んだもののである。電電子ビームおおよび
び陽電子ビームをパルス毎毎に切り替ええるため，標標的部
部の横に直径 2 mm の孔をを設けているる。入射用電電子ビ
ビームはこの孔孔を通過させせ，陽電子生生成用 1 次電電子ビ
ビームは標的に衝突させるる。ビーム軌
軌道の高速制制
御にには，標的上流部のパルス
スステアリン
ング電磁石をを使用用する。このような運転方
方式は，KEKKB 運転時ににすででに確立した。
。KEKB 運転
転時との大ききな違いは，
電子
子ビーム通過用の孔をビーームライン中中心に設けたたこととである。これは，低エミ
ミッタンス電電子ビームがが要求求される SuperKEKB 入射射を考慮し，横方向ウェ
イク
ク場によるエミッタンス増増大を極力避避けるためでであるる。
また，過度に絞ま絞られた大電電荷量の 1 次電子ビーム
次
ムが標標的に照射され，標的が破破壊されるこことを避けるためめ，標的上流部にビームス
スポイラーをを設置した。
これ
れは，酸化アルミのスクリ
リーンおよびび純アルミののフォォイルからなるものでありり，標的上ででのビームスポッ
ットサイズを意図的に広げげるものであある。また，

スポイラー
ー中心部におおいても，標標的と同様に 電子
ビーム通過用用の孔を設けけている。
標的直後で陽電子を収収集するため
めに，フラッ クス
コンセントレータ[11, 12]と呼ばれるパ
パルスソレノ イド
を設置し，約
約 3.5 T の強強磁場を生成成する。またた，フラックスコンセントレーータ下流に位位置する陽電電子捕獲部には，大大口径 S-bannd 加速管を 6 本設置したた。大口径管の開口直径は S-bband 加速管のの 1.5 倍の 300 mm
である。これらの組み合
合わせにより，KEKB 運
運転時の 4 倍に相相当する陽電子子ビームを主主リングへの
の入射
に供する。
2.4

低エミ
ミッタンス保存存

低エミッ タンス電子 ビーム生成 のためには，，2.2
節で述べたとおり，新規規に開発したた RF 電子銃
銃を用いる。一方，陽電子ビー
ームは重金属
属標的に電子子ビー
ムを照射して生成する 2 次粒子でああり，低エミ ッタ
ンス陽電子入射のためにには現在建設設中のダンピピング
リングが不可可欠である。SuperKEKB
B の電子ビーーム入
射にはダンピングリング
グを用いないいため，低エエミッタンス電子源とともに，高精度な機機器のプレアアライ
メントが重要要である。
要求されるエミッタンンスに対してて，機器のミ スア
ライメントがどの程度許許容されるかかについて， 計算
機シミュレ ーションをおおこなった。RF 電子銃
銃から生成されるババンチ電荷量量を 5 nC，ままた，初期エエミッ
タンスが 6 mm⋅mrad であると仮定しし，加速管おおよび四極電磁石がランダムににミスアライ
イメントしてている場合を想定した。SuperKKEKB では，20 mm⋅mraad 以
下の垂直方向規格化エミ
ミッタンスがが要求される 。このエミッタンスを満足すするためには
は，機器のミ スア
ライメントは標準偏差 0.1 mm 以下
下であること が要求される。しかしながらら，全長 600 m に渡る入入射器において，00.1 mm 以下のアライメン
ントは実現困困難である。また ，ミスアライ
イメントの標標準偏差 0.33 mmを仮定した場合，入射器
器終端部でののエミッタン
ンスは50 mm⋅mradm程度度であると見積積もられた。この結果はは，100 種類の異なるミスアライ
イメントの種
種に対する平平
均値値であり，最大
大値は 100 m
mm⋅mrad 程度
度の値を示すすが，最小値は 10
0 mm⋅mrad 程
程度の値を保保っている。
これ
れは，入射器終端でのエミ
ミッタンス増増大が，ミスアラ
ライメントの種に強く依存存することをを示している。
10
00 種類の異なるミスアラ
ライメント姿
姿態についてて，
ビー
ーム軌道を制御することににより，入射射器終端部ででのエ
エミッタンス
ス保存が可能
能であるかをを検討した。
Figu
ure 2 に，SAAD コード[18]をを用いておここなった計算算機シシミュレーションの結果をを示す。機器器のミスアライメントとしては，標準偏差差 0.3 mm を仮定した。
を
本図
図は，エミッタンス増大をを避けるよううなビーム軌
軌
道補
補正をおこなう前（赤）おおよび後（青青）についてて，
入射
射器終端での規格化エミッ
ッタンスをプ
プロットしたたもののである。また，要求されれるエミッタタンスを緑色色の点点線で示した。
。軌道補正にには，J-ARC 部下流のス
テア
アリング電磁石
石 4 台を用い
い，垂直およよび水平方向向ビーーム位置・角度度を独立に制制御した。
本シミュレー
本
ション結果よより，機器ののミスアライメン
ントが標準偏偏差 0.3 mm 程度であれ
れば，適切なな
ビーーム軌道を選ぶことによりり，要求エミミッタンスをを満足
足する解が存在することがが示された。これは，エエミッ
ッタンス増大大はエラー種
種に強く依存存しており，
ビーーム軌道を意図的に変えるることによりり，エミッタンス
ス増大を緩和するようなエ
エラー種に変変えることがが可能能であることを意味していいる。
ビーム軌道補ビ
正による低エエミッタンス
ス保存の可能能性がが確認できたとはいえ，機機器のプレアアライメントは依依然として重要要である。20011 年の東日
日本大震災以以降，機器の再アライメントをを徐々に進めめており，今今
夏期
期メンテナンス中にも精力力的に進めてている[19]。また，大震災によって多くの加加速管架台がが被災，変形
形
した
たため，その復旧とあわせせて耐震性をを増強させるためめの工夫を施している[20]。
。さらに，ト
トンネル床面面の変変動測定もおこない，多く
くの知見が得得られつつあある[211]。特に，建屋の継ぎ目近近傍においてて，傾斜計ややダイ
イヤルゲージななどを用いたた測定結果かから，最大 200μm 程度の日周期
期変動，およよび半月に渡
渡るドリフト
変動動が見られた。さらに長期期間のドリフフトについてても測測定を継続してている。
ライメントの
現在，ミスア
現の実測結果をを考慮した計計算機
機シミュレーションも進めめている[22]。また，長期期
安定定な低エミッタンスビーム
ム供給を実現現するためにに，
ビー
ームラインが変動した場合合を考慮した
た，動的なエエミッ
ッタンス保存の方法に関すする補正アルルゴリズムのの開発
発および計算機機シミュレーーションを進進める計画でであるる。
2.5

Figure 2: Em
mittance preserrvation with anda withoutbeam orbit mmanipulation for
fo SuperKEK
KB injector linaac.
The green coolored dotted lines
lshow thee required
normalized eemittance.

4 リング同時トップアッ
ップ入射

入射器は
入
2009
9 年 4 月，K
KEKB 電子・・陽電子，おおよびび PF リングへ
への 3 リング
グ同時トッププ入射を実現
現した
た。これにより，KEKB お
および PF リングの蓄積
リ積
電流
流値安定性は，それぞれ ，0.05%およよび 0.01%をを達成
成し，物理実験効率が飛躍
躍的に向上しした。一方，PF-A
AR リングは 1 日 2 回の定定時刻入射ををおこなってており，入射器パラメータの切切り替え時間間を含めると，

約 20 分間 入射器を占有有することにになる。これれは，
ビーム輸送路路を KEKB と共有していいること，ままた，
輸送路の電磁磁石システムムが 6.5 GeV
V に対応してていないことなどから，PF-AR
R を含めた同同時トップアアップ
入射ができないことに起起因する。
SuperKEKKB のナノビ
ビーム方式運運転において は，
ビーム寿命 が約 10 分程程度しか見込込めないため
め，20分間のトップアップ入射
射中断でさええも運転効率率を大きく減少させることにななる。このよような事態をを避けるため，現在
在，PF-AR 専用のビーム専
ム輸送路を新新たに建設中である。トンネル
ル工事は既にに完了し，機
機器のインストールおよびビーームライン構構築作業の準準備を進めている[[23]。

3.

コミッ
ッショニン
ング

3.1

電子ビ
ビームコミッショニングFiggure 5: Electro
on beam profille measured byb the screenmoonitor installedd at the centerr of J-ARC. Leeft and rightfigu
ures show the result withouut and with bu
unchcom
mpression at chicane,crespecctively.

2013 年 10 月より，SSuperKEKB へ向けた入射
へ
射器の
電子ビーム
ムコミッショ ニングを開 始した。コ ミッショニングは，年末年始
始および 2014 年 3 月のの保守期間を挟み ，今年の 7 月 1 日までで続けられたた。コ
ミッショニング開始後ももビームライ
イン建設作業
業が継続したため，ビームコミ
ミッショニンングは，主にに夕方
か ら 夜 間 に か け て お こ な わ れ た 。
空間電荷効果を緩和すするため，低低エネルギー
ー部ではバンチ長を比較的長くくすることがが望ましい。 このFigu
ure 6: Examplle of quadrupoole scan meassurement for
ため，入射部にバンチ圧圧縮用のシケ
ケインを構築築した。 elecctron beam em
mittance evaluuation. Squaredd horizontal
Figure 3 に，入射部のレレイアウトをを示す。シケケイン
beam size as the function of exxcitation curreent to theは，4 台の偏向電磁石かから構成され
れ，中央部ににスク
quaadrupole magn
net is plotted ((red) together with fitted
リーンモニタ，下流部ににストリーク
クカメラを設
設置し， curvve (green).
ビームプロファイルおよ
よびバンチ長長の診断を可可能とスト
トリークカメラによるバンンチ長計測ををおこなったた。
した。シケインによるバ
バンチ圧縮をを評価するたため，
Figu
ure 4 の左（右）図は，ババンチ圧縮無無し（有り）の測測定結果を示している。こ
この結果よりり，バンチ長長が 30 ps から 10 ps 程度にまでで圧縮されたたことが見てて取れれる。また，バンチ圧縮のの有無によるるエネルギーー
広ががりの変化を，，J-ARC 部中中央のスクリリーンモニタによより観測した。
。Figure 5 のの結果より，バンチ圧縮
縮有りの場合，スポットサイズ
ズが小さくな
なっていることががわかる。これは，バンチ
チ長を圧縮すすることにより，エネルギー広がりが抑制制されたこととを意味してているる。
また，入射部までのエミッタタンスを評価価するためにに，
Q スキャン法にス
による測定をおおこなった。これは，四四Figure 3: Layyout of the new rf gun, laseer hut, and
極電電磁石の磁場を変化させた
たときのビー
ームプロファ
chicane at the injector secttion.
イル
ル変化から，エミッタンス
スを算出する
るものである。
プロ
ロファイルの計測には入射射部中央に設設置したスクリーーンモニタを用い，画像解解析によりビビームサイズズを算算出した。Fig
gure 6 に，QQ スキャン法
法による水平平方向
向エミッタンス
ス測定の 1 例
例を示す。本本測定方式ででは，パルス毎のビーム変動がが測定結果にに影響するたため，平均的な結果を表していいる。典型的的な結果としして， 水平（垂直直）方向規格
格化エミッタ ンス 20 (7))
Figure 4: Bunnch length meeasured by thee streak camerramm⋅mrad が得られた。
downstream of chicane. Leeft and right figures
fshow ththe
Fiigure 7 に，コミッショ ニング開始
始以降の電子子
results withoout and with buunch compresssion,
ビーームバンチ電荷量履歴を示示した。電荷荷量計測には
はrespectively.
BPM
M を用い，異異なる 4 つの場
場所における
る測定結果をを

プロットしたものである
る。これらは
は，入射器最最上流 標値
値 5 nC)の電子ビームを観観測し，入射射器最下流でで（黒），J-A
ARC 入口（赤赤），J-ARC
C 出口（黄緑緑）， は 0.58
0nC の電電子ビーム輸送送を達成したた。また，新新および入射器器終端部（青青）の測定結結果を示してている。 規にに構築した陽電子生成部をを用いて，最
最大 0.18 nC
C
これまでに得られた最大
大バンチ電荷荷量は，最上上流部 の陽陽電子ビームを観測した。
で 5.6 nC，入射器終端ででは 0.58 nC
C である。真
真空焼
今秋
今10 月から再開する次次期コミッシショニングでできだしや機器器の健全性確確認を目的とした SuperKKEKB は，電荷量およびび安定度向上上を目指したた RF 電子銃
銃
立ち上げ運転転時には，1 nC 程度のババンチ電荷量
量が求 用レ
レーザーシステムの改善ををおこなう。また，バンン
められている。まずは，1 nC の電子子ビームを安安定し プ軌
軌道などを用いた入射器終終端での低エエミッタンスて入射器終端端まで導くこことが，最優優先課題であるる。
保存
存スタディーにに本格的に取取り組む予定
定である。

参考
考文献
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子ビー[14] R.
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ム位置および角度の最適
適パラメータタ探索をおここなっLinac
L
BPM reaadout system ttowards the Su
uperKEKB”, inn
た。これらのビーム調整
整を継続してておこなったた結果，
theset
proceedin
ngs.
陽電子生成標標的に照射すする 1 次電子子ビーム 0.6 nnC に [15] Y.
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CONTROL SYYSTEM FOR
R
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C の陽電子ビビーム
H Katagiri ete al., “RF M
MONITOR SYYSTEM FORRを観測した。また，入射射器の主ビー
ームラインかからダ [16] H.
SuperKEKBSINNJECTOR LINA
AC”, in these proceedings.
ンピングリ ングへの分岐
岐点においてては，0.12 n C の [17] H.
H Kaji et al., “Construction and Commissio
oning of Eventt
陽電子ビームを観測した
た。
TimingT
Systemm at SuperK
KEKB”, in Proceedings
Poff
本コミッショニングででは，電力系
系・冷却水系
系の能IPAC’14,I
Dressden, Germanyy, June 2014, pp.1829-18322(2014).
(
力から，フラックスコン
ンセントレーータおよび D C ソ
SAccelerator Desiggn (SAD). (Available(at::
レノイドの励磁電流値はは運転値の半
半分に制限さ れて [18] Strategic
http://acc-physihics.kek.jp/SAD//. last accessed August 2014).
いた。今夏の保守期間中中にこれらのの増強をおここなう [19] S.
S Ushimoto et al., “Present sttatus of the aliggnment of KEK
K
ため，秋から再開するコ
コミッショニ
ニングにおいいては，
LINAC
L
for SupperKEKB”, in thhese proceeding
gs.
さらに高い磁場を用いたたビーム試験
験を予定してている。 [20] K.
K Kakihara et al., “Supportts of Acceleraator Section off
KEKK
Injector Linac”,
Lin these proceedings.
陽電子ビームコミッショ
ョニングにつついては，他
他稿に[21] M.
M Tanaka et al.,a “Measurem
ment of floor moovement in thee
詳細な報告があるのでそそちらを参照照されたい[24]。
KEKB
K
injector LINAC tunnel””, in these procceedings.
[22] S.
S Kazama et al., “EMITTA
ANCE PRESERVATION IN
N
4. まとめ
めと今後のの課題
SUPERKEKBSINJECTOR”,
I
inn these proceed
dings.
m2013 年 10 月より，SSuperKEKB メインリング
メ
グ入射 [23] H. Takaki et al., “Construcction project of a new beamtransporttline foor PF-AR”, in thhese proceedings.
へ向けた，入射器ビーム
ムコミッショ
ョニングを開開始し[24] T.
T Kamitani et al., “Initial coommissioning ofo SuperKEKB
B
た。新規開発発の RF 電子子銃を用いて，最大 5.6 nnC(目positronpsource”, in these procceedings.