本日 15 時に公表させていただきました、4 月 1 日付の弊社役員人事につきまして、簡単にご説明させていただきます。
今回の趣旨は、上場の完了を受け、この先 10 年をめざして一貫した経営体制を構築することです。ぜひご理解をいただけますようお願いいたします。
なお、執行役員を退任いたします神谷と小川につきましても、それぞれ取締役、取締役 エグゼクティブ・フ
ェローとして、継続して弊社の経営に関与してまいります。

4 ページはハイライトです。具体的な内容は、次のページ以降でご説明します。

5 ページをご覧ください。ここでは、第 3 四半期と第 3 四半期累計の損益を示しています。
当社では、調整後の利益を重要な経営指標と位置付けているため、調整後の利益で説明します。なお、当社製品の輸出売上は、ほとんどが円建てで行われるため、利益に対する為替影響は軽微です。
第 3 四半期は、売上収益が前年同期比で 17%減、調整後営業利益は 28%減となりました。
市場変化に比べて減少幅が大きいのは、当社のメモリー売上構成比が大きく、メモリー市場低迷の影響が色濃く表れたためです。
一方、第 2 四半期との比較では、売上収益が 20%増、調整後営業利益が 12%増となり、Quarter onQuarter ではさらに回復しました。想定通り、第 1 四半期で底を打ち、第 2 四半期、第 3 四半期と回復基調が顕著に表れました。案件構成の変化により、売上総利益率は第 1 四半期、第 2 四半期より低下していますが、40%以上を維持しています。
第 3 四半期累計では、売上収益が前年同期比で 29%減と当初の想定通りとなりました。調整後営業利益は 42%減と引き続き当初の想定を上回って推移しています。
研究開発費、設備投資額、減価償却費は当初の想定通りに進捗しています。

6 ページは、第 3 四半期の売上収益と調整後営業利益の前年同期比での増減要因です。
第 1 四半期、第 2 四半期と同様、NAND に対する投資抑制を受けて、第 3 四半期も装置売上が大きく減少しました。この販売減少に伴って売上総利益が減少し、調整後営業利益が減少しました。
第 3 四半期は、中国での成熟ノードへの活発な投資に加え、中国以外での DRAM、Logic/Foundry も回復に転じています。
第 3 四半期累計での装置・サービスを合わせた中国向け売上比率は全体の 44%となりましたが、今後は中国以外での売上回復に合わせて、本来の水準である 30%程度に近づいていく見通しです。
また、第 3 四半期累計での装置売上に占める主力装置の売上は、バッチ ALD が約 5 割、トリートメントが約 1 割でした。

7 ページは、ビジネス別売上収益の推移です。
23 年 3 月期通期は、装置が 7 割、サービスが 3 割でした。
24 年 3 月期に入って装置売上が減少する中、サービスは前年同期並みの売上収益を持続していることから、サービスの売上構成比が増加していますが、第 3 四半期は装置売上が回復し、本来の売上構成比に戻りました。

8 ページは、アプリケーション別売上収益の推移です。
23 年 3 月期通期では NAND が 43%、DRAM が 20%、Logic その他が 37%でした。
24 年 3 月期に入って、NAND が減少する中、第 2 四半期から中国での成熟ノードへの活発な投資が業績の下支えとなっていますが、第 3 四半期からは中国以外での DRAM、Logic/Foundry も回復に転じています。NAND についても、デバイスメーカー各社は先端開発を継続しており、開発用装置売上は一定の規模を保っています。
なお、その他は、ウェーハ用途、Si パワーデバイス用途などで構成されており、ウェーハサイズ 150～200mm の SiC パワーデバイス用途はサービスビジネスに含んでいます。

9 ページは、受注残高の推移です。
第 3 四半期末の受注残高は 1,637 億円と、第 2 四半期末と同等の水準となりました。受注高は当初の想定通り第 2 四半期で底を打ち、第 3 四半期から回復しています。また、22 年 3 月期後半のサプライチェーン問題を受けて長納期案件が増加し、受注残高が高止まりしていましたが、当初の想定通り、長納期案件が売上に転換されはじめました。
これらにより、第 3 四半期は受注高と売上収益が同水準となり、受注残高は平常化へ向かっています。
第 3 四半期末の受注残高の約 3 割が当期、約 6 割が来期、残り 1 割がそれ以降に売上計上される予定です。

10 ページはバランスシートです。
資産合計は、現金及び現金同等物、営業債権及びその他の債権が減少したものの、大型設備投資に伴う有形固定資産の増加、需要回復を見据えた棚卸資産の増加により、23 年 3 月期末と概ね同水準となりました。
負債合計は、主に営業債務及びその他の負債の減少により、23 年 3 月期末比で 185 億円減少しました。

11 ページはバランスシートの主な経営指標の推移です。
自己資本比率は前期末から約 5 ポイント上昇し、48.6%となりました。
キャッシュとデットの関係については、24 年 3 月期の営業キャッシュ・フローが悪化している影響で、ネットキャッシュが一時的にマイナスになっていますが、売上収益の回復とともに営業キャッシュ・フローは良化し、来期以降、ネットキャッシュはプラスに転じる見込みです。

12 ページは四半期ごとのキャッシュ・フローの推移です。
営業キャッシュ・フローは売上収益の減少に伴って減少していますが、第 3 四半期の営業キャッシュ・フローはプラスに転じました。
現金及び現金同等物残高は運転資金として十分な水準を維持しています。

13 ページは、四半期ごとの研究開発費、設備投資額、減価償却費の推移です。
当社では、今後の需要回復と中長期的な需要拡大を見据えて、研究開発投資、設備投資を継続している
ため、足元での売上減少により売上収益に占める研究開発費、設備投資額の比率は一時的に上昇しています。
研究開発費については従来、売上収益の 4～5%で推移していましたが、中長期的には 6%程度へ引き上げます。また、設備投資については、従来年間 20～30 億円で推移していましたが、今後は年間 40～60億円に引き上げます。
第 3 四半期の設備投資については、富山県に建設している新工場関連の投資、韓国でのデモルーム拡張など大型設備投資が計上され、一時的に大きな金額になっています。また、韓国でのデモルーム拡張に伴って評価装置を設置するなど、通常設備投資も一時的に増加しています。

続いて、通期業績予想と今後の見通しです。
15 ページはハイライトです。具体的な内容は、次のページ以降でご説明します。

16 ページをご覧ください。
上場時に公表した 24 年 3 月期業績予想に変更はありません。
第 3 四半期までの利益は当初予想を上回っていますが、通期予想は据え置いており、通期業績予想の各利益はミニマムの水準と捉えています。
なお、当社グループは富山県内に富山事業所とグループ会社拠点を有していますが、今年 1 月 1 日に発生した令和 6 年能登半島地震による甚大な被害はなく、1 月 9 日より通常業務を順次開始しています。そのため、当社業績への影響は軽微です。
配当予想にも変更はなく、上場時期が下半期であることを踏まえて半期分の金額とし、全額期末配当による支払いを予定しています。
配当性向は調整前の当期利益をベースにした数値を記載していますが、調整後当期利益をベースに算出
すると 10%となり、年間では 20%に相当する水準となります。

17 ページでは、通期業績予想を前期実績と比較した場合の増減要因を示しています。
第 4 四半期も、第 2 四半期から続いている中国での成熟ノードへの活発な投資が持続することに加えて、第 3 四半期から回復に転じている中国以外での DRAM、Logic/Foundry への投資が当社業績をけん引する見通しです。NAND についても、開発用装置売上を含めて一定の規模を保つ見通しです。

18 ページは、通期でのビジネス別売上構成の推移です。
24 年 3 月期は装置売上の減少により、サービスビジネスの比率が一時的に拡大するものと見込んでいますが、装置売上の回復に伴い、従来のバランスに戻ると見込んでいます。
中長期的には、装置、サービスのそれぞれを成長させることにより、装置売上 70～75％、サービス売上25～30%のバランスをめざします。

19 ページは、通期での装置売上のアプリケーション別売上構成の推移です。
24 年 3 月期は NAND への投資抑制により、DRAM、Logic/Foundry 比率が一時的に上昇するものと見込んでいますが、中長期的には、それぞれを拡大し、NAND30%、DRAM30%、Logic/Foundry とその他で 40%のバランスをめざします。

20 ページからは今後の見通しになります。

常務執行役員の塚田です。ここからは私が説明いたします。
半導体デバイス市場は、データセンターの拡充や環境負荷低減への投資、いわゆる GX 等により、中長期的に大きな成長が見込まれています。WFE 市場は、24 年こそ 23 年並みを見込むものの、今後数年で1,100 から 1,200 億ドル程度の規模まで成長すると見ています。
当社の 24/3 期の装置売上は、前期から大きく減少する見通しですが、25 年 3 月期は 24 年 3 月期比でWFE を上回る、20%程度の成長を想定しています。中国の成熟ノードへの活発な投資は今後も持続するものの、当社では 25/3 期下期以降、慎重な見方をしています。
続いてアプリケーション別の見通しです。
DRAM は、最も安定した受注・売上を想定しており、中国向け成熟ノードの需要増加に加え、グローバルでの先端デバイスの需要増加を見込んでいます。生成 AI の普及による HBM 需要拡大の後押しもあり、DRAM の需要拡大が期待されます。
Logic/Foundry は、足元では中国向け成熟ノードが牽引し、その後はグローバル市場での先端デバイス向けの量産立ち上がりを見込んでいます。GAA の開発用途 POR の獲得がさらに進み、すべての大手メーカーから POR を獲得しました。現時点での GAA 関連の受注見込みは 100 億円に手が届く規模になっており、25 年 3 月期から売上貢献しはじめ、その後の需要拡大が期待されます。
NAND は、25 年 3 月期後半から市況が回復に転じ、26 年 3 月期での本格的な量産回復が期待されます。
SiC パワーデバイスは、既存製品の需要増加により 24 年 3 月期に前期比 8 倍前後の成長を見込んでいます。25 年 3 月期は高温活性化アニール新製品を評価用に納入し、24 年 3 月期比で 20%以上の売上拡大を見込んでいます。さらに、26 年 3 月期以降は新製品の量産による急成長が期待されます。

21 ページでは、バッチ ALD 市場の見通しをまとめています。
左側の図をご覧ください。バッチと枚葉は別々のアプリケーションで使用されており、両者の領域はほとんど重複していません。半導体デバイスがより複雑になるにつれて、生産性の課題が顕著になり、バッチALD に対するニーズは拡大しています。これにより、バッチ ALD 市場は右上の方向に拡大しています。
右上の図は当社のバッチ ALD プロセスの特徴を示しています。当社のバッチ ALD はサーマルを用い、サイクリックにガスを供給することにより、高い生産性で、縦方向だけでなく横方向にもステップカバレッジに優れた成膜を行うことができます。 次世代 Logic GAA では、縦方向にも横方向にも均一に質の高い成膜を行う必要があり、当社のバッチ ALD が最適なソリューションになると考えています。
右下の図は、Logic GAA で、Low-k に加え、当社のバッチ ALD を生かすことができる Inner Spacer、Hard Mask を示したものです。いずれも非常に複雑な構造ですが、当社のバッチ ALD 技術の優位性を生かし、ステップカバレッジに優れた成膜を行うことができます。GAA から CFET へ移行すれば、バッチ ALDが優位となる工程がさらに増えるものと期待しています。

22 ページには、当社の開発ロードマップとともに、当社の今後の成長を支えるドライバーをまとめました。
当社では、半導体デバイスの多層化、複雑化、三次元化が進むにつれ、NAND、DRAM、Logic のそれぞれで、当社が得意とするバッチ ALD とトリートメントが生かせる機会が増加していくと考えています。
短期では、成熟ノードを含む DRAM、Logic/Foundry の需要増加、それに続く NAND の市況回復。中期
では、Logic GAA での量産 POR 獲得による売上拡大、HBM 増産に伴う先端 DRAM の需要増加、SiCパワーデバイス向けの新製品投入による急成長。そして長期では、3D DRAM や Logic CFET への移行などの変曲点が存在しており、それぞれで需要に見合う製品・サービスを提供することにより、バランスのとれたポートフォリオを実現し、中長期的な成長をめざしていきます。

説明は以上となります。