まず、通期決算の概要です。4 ページはハイライトです。
具体的な内容は、次のページ以降でご説明いたします。

5 ページをご覧ください。ここでは、第 4 四半期と通期の損益を示しております。
当社では、調整後の利益を重要な経営指標と位置付けているため、調整後の利益でご説明いたします。
当社製品の輸出売上は、ほとんどが円建てで行われているため、利益に対する為替影響は軽微です。第4 四半期は、売上収益が前年同期比で 18%減、調整後営業利益は 39%減となりました。減収幅が大きいのは、前年同期の NAND 向け売上構成比が多く、NAND 市場低迷の影響が色濃く表れたことによるものです。
第 3 四半期との比較で売上利益が減少しているのは、サービス売上の減少によるもので、第 2 四半期以降の装置売上の回復傾向は持続しております。一方、通期では前期比で売上収益が 26%減、調整後営業利益が 41%減となりましたが、従来予想に対して、調整後営業利益は 15 億円上回って着地することができました。
なお、当社は富山県内に富山事業所とグループ会社拠点を有していますが、今年 1 月 1 日に発生した令和 6 年能登半島地震による甚大な被害はなく、当社業績への影響は軽微でした。
研究開発費、設備投資額、減価償却費はおおむね当初の想定どおりとなりました。配当については、従来予想のとおり、上場時期が下半期であることを踏まえて、半期分の金額として、期末配当 11 円を予定しております。

6 ページは、通期の売上収益と調整後営業利益の前期比での増減要因です。
第 4 四半期は、デバイスメーカーの NAND に対する投資抑制が影響し、売上収益は前年同期に比べて減少しました。
一方で、中国での成熟ノード向けの活発な投資に加え、世界各国での DRAM、Logic 向け装置需要の回復により、減収幅は縮小傾向にあります。
調整後営業利益は、販売減少に伴う売上総利益の減少により減少しました。売上総利益率の低下は、一部の部材について、慎重な姿勢で評価を実施したことによるもので、一過性のものです。評価減を除いた売上総利益率は、第 3 四半期を上回る水準となりました。

7 ページは、通期の増減要因です。
24 年 3 月期は 1 年を通じて、デバイスメーカーの NAND に対する投資抑制が影響し、前期比で減収減益となりました。ただし、売上収益が大きく減少する中でも、売上総利益率は前期より改善しております。

8 ページは、四半期ごとのビジネス別売上構成です。
第 4 四半期は装置売上の回復傾向が続き、第 3 四半期と同様に従来のバランスとなりました。装置売上に占める主力装置の売上はバッチ ALD が約 5 割、トリートメントが約 1 割でした。

9 ページは、通期でのビジネス別売上構成です。
24 年 3 月期は装置売上の減少が影響し、サービスビジネスの比率が一時的に大きくなっております。
24 年 3 月期の装置売上に占める主力装置の売上は、バッチ ALD が約 5 割、トリートメントが約 1 割でした。

10 ページは、四半期ごとの装置売上のアプリケーション別売上構成です。
第 4 四半期は NAND への投資抑制が大きく影響し、DRAM、Logic 向けの比率が大きくなりました。
DRAM、Logic 向けは、第 2 四半期から顕著になっている中国での成熟ノード向けの活発な投資に加え、第 3 四半期からは、世界各国での装置需要も回復に転じたことから、それぞれ 24 年 3 月期で最も大きな売上計上を行いました。

11 ページは、通期でのアプリケーション別売上構成です。
2014 年 3 月期に入って NAND 向けが大きく減少する中、DRAM、Logic 向けが堅調だったことから、DRAM、Logic 向けの比率が大きくなりました。
NAND 向けについても、デバイスメーカー各社は先端開発を継続しており、開発用途の装置の売上は一定の規模を保っております。
そのほかはウェーハ用途、Si パワーデバイス用途などで構成されております。なお、SiC パワーデバイス用等を含むウェーハサイズ 150 から 200 ミリの装置は、サービスビジネスに含んでおります。

12 ページは、通期での仕向地別売上構成です。
24 年 3 月期の装置、サービスを合わせた中国向け売上比率は全体の 46%となりました。NAND 向けが大きく減少する中、第 2 四半期以降、中国での DRAM と Logic を中心とする成熟ノード向けの活発な投資の影響で、中国向け売上比率が大きくなったものです。
今後、世界各国での先端品向け投資が本格的に回復するのに合わせて、従来の 30%程度に戻ると見込んでおります。中長期的には、さらに世界各国での売上を拡大させることにより、中国比率は 20%台に向かっていくと考えております。

13 ページは、受注残高の推移です。
24 年 3 月期末の受注残高は 1,497 億円となりました。22 年 3 月期後半のサプライチェーン問題を受けて、長納期案件が増加し、受注残高が高止まりしておりましたが、当初の想定どおり、長納期案件の売上への転換が進んでおります。24 年 3 月末の受注残高の約 9 割が 25 年 3 月期、残り 1 割が 26 年 3 月期以降に売上計上される予定です。
地域別には約 6 割が中国向けですが、これには長納期案件の売上転換分を含んでおります。
受注高については、期をまたぐ長納期案件と同率四半期内での売上計上される短納期案件が混在し、また、その構成比も四半期ごとに異なることから、ミスリードを避けるために資料での開示は控えておりますが、当初の想定どおり第 2 四半期で底を打ち、第 3 四半期から回復傾向が続いております。

14 ページは、四半期ごとのバランスシートです。
24 年 3 月末の資産合計は前期末に比べて、現金および現金同等物、営業債権およびその他の債権が減少したものの、大型設備投資に伴う有形固定資産の増加、需要回復を見据えた棚卸資産の増加により、前期末から 19 億円増加しました。
負債合計は、営業債務等の減少、計画的な借入金返済により、前期末比で 246 億円減少しました。
資本合計は利益剰余金の増加により、前期末比で 265 億円増加しました。

15 ページは、バランスシートの主な経営指標です。
24 年 3 月期末の自己資本比率は前期末から 7 ポイント上昇し、50%となりました。
キャッシュとデットの関係については、24 年 3 月期前半の営業キャッシュ・フローが低調だった影響で、ネットキャッシュがわずかながらマイナスになりました。今後、売上収益の回復とともに営業キャッシュ・フローが良化し、ネットキャッシュはプラスに転じる見込みです。

16 ページは、四半期ごとのキャッシュ・フローです。
24 年 3 月期に入って売上収益の減少に伴い、フリーキャッシュ・フローは前期比で減少していましたが、第 3 四半期から回復に転じ、第 4 四半期のフリーキャッシュ・フローはプラスに転じました。
現金および現金同等物残高は、運転資金として十分な水準を維持しております。

17 ページは、通期でのキャッシュ・フローです。
24 年 3 月期のフリーキャッシュ・フローは営業キャッシュ・フローの減少、投資キャッシュ・フローの増加によって、前期に比べて減少しました。
25 年 3 月期は営業キャッシュ・フローの回復により、フリーキャッシュ・フローも大きく改善する見込みです。

18 ページは、通期での研究開発費/設備投資額/減価償却費です。
当社では、今後の需要回復と中長期的な需要拡大を見据えて、研究開発投資、設備投資を継続しております。
研究開発費については、足元での売上減少により、売上収益に占める比率が一時的に大きくなっておりま
すが、従来、売上収益の 4%から 5%であったものを、中長期的には 6%程度へ引き上げる計画です。
また、設備投資については、従来、年間 20 億から 30 億円で推移していましたが、今後は大型設備投資を除いて、年間 40 億から 60 億円に引き上げる計画です。
24 年 3 月期の研究開発費は 127 億円となり、おおむね前期と同じ水準となりました。25 年 3 月期の研究開発費は、前期比で 2 割程度増加する見込みです。
設備投資は、富山に建設している総額 240 億円の新工場建設、総額 90 億円の韓国でのデモルーム拡張など、大型設備投資が計上され、また、韓国でのデモルーム拡張に伴って、評価装置などの通常設備投資も増加しました。
そのため、通期での設備投資額は総額 205 億円となり、前期の 3.1 倍に増加しました。25 年 3 月期も新工場建設に対する投資の半分程度を計上するため、設備投資総額は引き続き、大きくなりますが、26 年 3月期以降は平常化する見込みです。

続いて、25 年 3 月期の業績予想です。20 ページは、ハイライトです。
具体的な内容は、次のページ以降でご説明いたします。

21 ページをご覧ください。
25 年 3 月期の売上収益は 24 年 3 月期に比べ、20%の増加、売上総利益、調整後営業利益、調整後当期利益は、それぞれ 24%、35%、30%の増加を見込んでおります。
配当予想は株主還元方針に沿って、調整後当期利益をベースとした配当性向 20%強に相当する年間 32円としました。表に記載の配当性向は、調整前の当期利益をベースにしたものです。

22 ページは、25 年 3 月期業績予想の上期・下期別売上収益です。
25 年 3 月期の上期は、中国向け、世界各国向けともに、24 年 3 月期の下期並みを見込んでおり、サービスビジネスに含まれるレガシー装置販売が売上収益を押し上げると見込んでおります。
下期は、サービスビジネスのレガシー装置販売が落ち着き、また、中国での成熟ノード向け装置の需要を慎重に見る一方で、世界各国の先端品向け装置の需要が回復し始めると見ております。そのため、下期には中国を除く世界各国向けの売上が伸びるものと想定しております。
ご参考まで、装置ビジネスの売上収益に占める中国向け売上比率は、上期が 50%から 60%、下期が40%から 50%程度となる見込みです。

23 ページでは、25 年 3 月期業績予想を 24 年 3 月期実績と比較した場合の増減要因を示しております。
DRAM、Logic 向けを中心に売上が回復し、全体の売上収益は 20%の増加を見込んでおります。
調整後営業利益は、売上回復による売上総利益の増加と、売上総利益率の上昇により、35%の増加を見込んでおります。

24 ページは、通期でのビジネス別売上構成です。
25 年 3 月期は、24 年 3 月期に比べて装置売上が 26%増加、サービス売上が 10%増加し、従来のバランスに近づくと見込んでおります。
中長期的には装置、サービスのそれぞれを成長させることにより、装置売上 70%から 75%、サービス売上 25%から 30%のバランスをめざします。

25 ページでは、通期での装置売上のアプリケーション別売上構成です。
DRAM、Logic 向けは第 3 四半期から本格的に回復し始めると見込んでおり、DRAM、Logic 比率が高い状態が続くと予想しております。
一方、NAND 向け売上の本格的な回復は 25 年 3 月期終盤からと見ており、25 年 3 月期業績への寄与は限定的であるため、引き続き低い水準になると予想しております。
中長期的には、それぞれのアプリケーションを拡大し、NAND30%、DRAM30%、Logic/Foundry とその他で 40%のバランスをめざします。
私からの説明は以上です。

27 ページはハイライトです。具体的な内容は次のページ以降でご説明いたします。

28 ページは、事業環境の見通しです。
半導体デバイス市場では在庫調整が進んでおり、メモリデバイス単価の上昇が見られ始めたことから、2023 年に市況が底を打ったとの見方をしています。世界各国で先端品開発に対する投資は継続されており、2024 年後半から先端品への設備投資が回復し始めると見ております。
一方、中国ではパワーデバイスを含む成熟ノード向けの設備投資が活発化しており、今後数年は活況が持続するものと見ています。
中長期的には、スマートフォンや PC など電子機器の需要拡大や、データセンターの拡充、環境負荷低減への投資、いわゆる GX により、半導体関連市場は大きな成長が期待されています。
これを踏まえて、当社は 25 年 3 月期について、後半から世界各国で先端品向け装置の需要が回復し始めると想定しています。
また、中国向け売上については、25 年 3 月期半ば以降を慎重に見て計画を策定しています。
WFE 市場の 2024 年の規模は、2023 年並みか微増と見ていますが、今後、数年で 1,100 億ドルから1,200 億ドルに達し、2027 年には 1,300 億ドル程度まで成長するものと予想しております。

29 ページは、装置ビジネスの戦略です。
当社はバッチ成膜装置やトリートメント装置に注力しており、主力であるバッチ ALD 対応装置では、世界マーケットシェアが約 70%、枚葉トリートメント装置では約 20%まで伸長しております。今後、想定される半導体デバイスの進化に対しても、技術優位性を生かした研究開発、新規 POR 獲得、販売拡大に注力し、WFE 市場成長を上回る売上成長をめざしてまいります。

30 ページでは、あらためて当社のバッチ ALD 対応装置の優位性をご紹介しています。
詳細は省略しますが、バッチ ALD 対応装置は、単にバッチ成膜技術と ALD 技術を組み合わせたものではなく、複雑な技術と長年のノウハウを融合して、初めて性能を発揮するものであり、世界各国のデバイスメーカー様にも、その高い付加価値を認めていただいております。
このバッチ ALD 対応装置の販売を伸ばしていくことが、当社の第 1 の成長戦略でございます。

31 ページでは、あらためてトリートメント装置の優位性についてご紹介しています。
詳細は省略しますが、すでに NAND と DRAM の領域で展開が進んでおり、Logic への展開を次の変曲点として、トリートメント装置の販売を伸ばすことが、当社の第 2 の成長戦略です。

32 ページでは、アプリケーション別に当社の取り組みをまとめています。
DRAM 向けでは、先端 DRAM の高難易度成膜プロセスで新規 POR を獲得していますが、デバイスの進化に伴って TAM が拡大するものと期待しており、さらなる新規 POR 獲得をめざしてまいります。さらに、中長期的には 3D DRAM でのデバイス構造複雑化に伴い、3D NAND と同様にシェア拡大をめざしてまいります。
Logic 向けでは、すでに GAA で開発 POR を獲得しており、25 年 3 月期の GAA 世代の売上は 100 億円を超え、26 年 3 月期以降も拡大していく見通しです。中長期的には CFET でのパッチ製膜プロセスはFinFET の 1.4 倍になると試算しており、シェア拡大をめざしてまいります。
NAND 向けについては、ラージバッチ成膜装置と、より高度な成膜に対応したミニバッチ成膜装置のラインナップにより、3D NAND の成膜プロセスで圧倒的シェアを獲得していますので、市況回復とデバイスの多層化が進むにつれて、需要が回復、拡大するものと期待しています。
最後に、サービスビジネスのカテゴリーである SiC パワーデバイス向けについてです。25 年 3 月期は高温活性化アニール新製品導入を進めつつ、既存製品の販売拡大により、前期比で 2 割程度の売上伸長を見込んでいます。26 年 3 月期より、高温活性化アニール新製品での売上拡大を見込み、柱の一つへの成長をめざしてまいります。

33 ページでは、サービスビジネスの戦略をまとめています。
比較的、安定した需要の見込める部品販売、保守サービスでは、近年、大きく増加したインストールベースを生かし、Design for Service Business のコンセプトに基づいて、高付加価値サービスを提供してまいります。
右下の表は、Design for Service Business の効果の一例を示しています。高付加価値製品の販売台数の増加と、部品販売、保守メンテナンスの 1 台当たり売上の増加が相まって、部品、保守メンテナンスの売上拡大と収益性向上に寄与しています。
また、グループ会社の販売ネットワークを活用して、シリコン SiC パワーデバイス向けを含むウェーハサイ
ズ 200 ミリ以下の装置販売にも注力してまいります。

34 ページは、生産・開発・販売・サービス体制の拡充について整理しています。
現在、今年秋の操業開始をめざして、富山県砺波市に新工場を建設しています。富山事業所では、製造機能の一部を新工場へシフトし、開発機能を拡充します。これらにより、26 年 3 月期の製造キャパシティは、21 年 3 月期に比べて 2 倍、開発キャパシティは 1.5 倍に拡大し、2030 年ごろまでの需要拡大に対応できる体制を構築いたします。
また、第 2 四半期にはシンガポールに設立した現地法人でのオペレーションを開始し、シンガポール、マレーシア、インドを含むアジアビジネスの拡大とサービスサポート体制の強化を図ってまいります。

35 ページは、ESG の取り組みです。
当社は企業理念のもと、グループ全体でサステナビリティ経営レベルを高度化していくフェーズに移行しており、よりいっそう、企業の社会的責任を自覚しながら、事業と ESG の両側面での取り組みを強化してまいります。

最後に、36 ページに、当社の開発ロードマップとともに、今後の成長を支えるドライバーをまとめました。
当社では半導体デバイスの多層化、3 次元化が進むにつれ、当社が得意とするバッチ ALD とトリートメントを活かせる機会が増加していくと考えています。
短期では、成熟ノードを含む DRAM、Logic 向けの需要増加、それに続く NAND 向けの市況回復。
中期では、Logic GAA 世代向けの売上拡大、先端 DRAM 向けの需要増加、SiC パワーデバイス向け新製品投入による成長。
そして、長期では 3D DRAM や Logic CFET への移行などの変曲点が存在しており、それぞれでニーズに見合う製品、サービスを提供することにより、バランスの取れたポートフォリオを実現し、中長期的な成長をめざしてまいります。
なお、中長期的な取り組みにつきましては、6 月 18 日火曜日、午前に当社として初めてとなる IR Day を開催し、丁寧に説明したいと考えております。Applied Materials からもゲストスピーカーをお招きする予定です。詳細は追ってご案内いたしますので、ご参加いただけますと幸いです。
以上です。ご清聴ありがとうございました。