2402Xe
2402XeExpR推定Xe用

ビームライン常設物 ref) params
9.74
Au
24.91
Kapton0.60
IC1.Al14.54
IC1.mylar
25.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧23.2
1023.0厚さ9.74 μm
24.91 μm0.60 μm14.54 μm
25.0 μm
10.20 μm
0.40 μm
145.0 mm ED出口迄
200.0 mm ED出口～試料表面23.2 ℃

Ebm公称

35.68

δEbm補正 [%]3.070

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim129Xe_Si

129Xe

Beam

EDeg出口まで

srim129Xe_Epoxy
srim129Xe_SiO2
srim129Xe_Si

1023.0 hPa
0.9987

ThkStdWSnam
srim129Xe_Au
srim129Xe_Kapton
srim129Xe_Mylar
srim129Xe_EJ212
srim129Xe_Al
srim129Xe_Si
srim129Xe_Air

A=129 Z=54
35.680
ExpR:実測
3.070 %⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
36.775 31.213 460.9
34.06432.690 413.5
32.99333.337 395.7
32.95233.362 395.0
32.32533.740 384.5
31.48434.249 370.5
31.04534.514 363.2
31.01834.531 362.7
25.536 38.667 279.3

246 <-実測0.0
R Al
R air Zslide
μm
mm
mm
406.5
791.6
364.6
709.7
348.8
678.9
348.2
677.7
339.0
659.7
326.6
635.5
320.1
622.8
319.7
622.0
246.04 477.0

LET
in air
34.82
36.52
37.27
37.30
37.73
38.32
38.63
38.65
42.57

145.1153.68

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

16.71448.061

164.9

277.0

⑥累積_scnEDssd

3

scnEDssd01

2402Xe150替-2000,300替-2000: SSDテスト
for SSDchk, Clm=Φ7,Φ7, Trg=AND, 90-400,110-380V

R inSi =165um @ Air2 だが、
1層目 150um でも2層目に届かなかった

sA1 x20x7 ( 1,8 ) コリΦ7

sA2 x20x7 ( 0 ) コリΦ7

1層目 300um なので、2層目には届かない

150 um # 23321929 代替品 90 V 定格( 2.06 uA)
2000 um # 20-195E 旧品 400 V( 4.10 uA)

sB1 x20x8 ( 0 ) コリΦ7sB2 x20x7 ( 0 ) コリΦ7

sA1: 〇 まあ１山OK

2023/02/17 rev

代替品 150,300um テスト
Trig(cps)= PL1( 6.0 k ) & Sor( 350 )ED= ０～ 135 um 9 点 x 120s

300 um # 23321928 代替品 110 V 定格 ( 5.31 uA)
2000 um # 23-573D 旧品 380 V( 4.58 uA)

sB1: 〇 まあ１山OK⑥累積_scnEDssd

4

2402Kr
2402Kr
ExpR測定結果
ビームライン常設物 ref) params
45.8
Au
51.2
Kapton0.60
IC1.Al14.54
IC1.mylar
100.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧厚さ45.8 μm51.2 μm0.60 μm14.54 μm
100.0 μm10.2 μm
0.4 μm145.0 mm200.0 mm23.9
1026.023.9 ℃
1026.0 hPa

Beam

84Kr

84Kr

Ebm:加速器G実測値

68.660-0.220EDeg出口まで

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim84Kr_Epoxy
srim84Kr_SiO2
srim84Kr_Cu

0.9993ThkStdδEbm補正 [%]WSnam
srim84Kr_Au
srim84Kr_Kapton
srim84Kr_Mylar
srim84Kr_EJ212
srim84Kr_Al
srim84Kr_Si
srim84Kr_Air

srim84Kr_Si

A=84 Z=36
68.660
ExpR:実測-0.220 %
⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
68.51
9.62 1587
62.15010.29 1353
61.09910.41 1316
61.07910.42 1315
60.79110.45 1305
59.20810.64 1250
58.991
10.67 1243
58.97810.67 1243
56.44111.01 1162

1028 <-実測値
0.0
R Al
R air
μm
mm
1402 2751
1199 2345
1168 2280
1167 2278
1158 2260
1111 2163
1104 2151
1104 2150
1028.0 2005

LET
in air
10.62
11.38
11.52
11.52
11.56
11.77
11.80
11.81
12.19

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

52.881

11.51

1049

923.8 1805 12.75⑥累積_scnEDssd

5

scnEDssd01

2402Kr

150替-2000,300替-2000: SSDテスト
for SSDchk, Clm=Φ7,Φ7, Trg=AND, 90-400,110-380V

sB1 の２山は、折返し付近のみで、まあ綺麗3山 になったのは、
sA2 も 2山化 したため

sA1 x20x7 ( 1,8 ) コリΦ7

sA2 x20x7 ( 0 ) コリΦ7

150 um # 23321929 代替品 90 V 定格( 1.89 uA)
2000 um # 20-195E 旧品 400 V( 4.02 uA)

sB1 x20x8 ( 0 ) コリΦ7sB2 x20x7 ( 0 ) コリΦ7

sA1: △ まだ２山が見えるが、まあOK
sA2: 〇 ２山化した。折返し付近で「２山が曲がる？」

2023/02/17 rev

代替品 150,300um テスト
Trig(cps)= PL1( 15 k ) & Sor( 400 )ED= ０～ 923 um 22 点 x 90s

300 um # 23321928 代替品 110 V 定格 ( 5.10 uA)2000 um # 23-573D 旧品 380 V( 4.41 uA)

sB1: 〇 折返し付近で2山になるが、まあOK
sB2: 〇 綺麗⑥累積_scnEDssd

6

2401Ar
2401Ar
ExpR測定結果
ビームライン常設物 ref) params
73.0
Au
51.2
Kapton0.6
IC1.Al14.54
IC1.mylar
500.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧厚さ
73.0 μm51.2 μm0.60 μm14.54 μm500.0 μm
10.20 μm
0.40 μm
145.0 mm200.0 mm24.8
1012.824.8 ℃
1012.8 hPa

Beam

40Ar

40Ar

Ebm:加速器G実測値

93.535
3.616

EDeg出口まで

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim40Ar_Epoxy
srim40Ar_SiO2
srim40Ar_Cu

0.9835

ThkStdδEbm補正 [%]WSnam
srim40Ar_Au
srim40Ar_Kapton
srim40Ar_Mylar
srim40Ar_EJ212
srim40Ar_Al
srim40Ar_Si
srim40Ar_Air

srim40Ar_Si

A=40 Z=1893.535
ExpR:実測
3.616 %⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
96.9172.01 4834
92.5322.07
4461
92.0872.08
4424
92.0792.08
4424
91.9552.08
4413
88.5942.14
4139
88.5072.14
4132
88.5022.14
4132
87.5002.16 4050

3580 <-実測値
0.0
R Al
R air LET
μm
mm in air4273 8548 2.21
3942 7887 2.28
3910 7823 2.29
3910 7821 2.29
3901 7803 2.29
3659 7317 2.36
3653 7304 2.36
3652 7303 2.36
3580.0 7158 2.38

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

86.0542.19

3939

3480.5 6958

2.41

⑥累積_scnEDssd

7

scnEDssd01

2401Ar

150替-2000,300替-2000: SSDテスト
for SSDchk, Clm=Φ7,Φ7, Trg=AND, 90-400,110-380V

sB1 綺麗sB2 綺麗sA1 綺麗sA2 折返し付近で 2山化

sA1 x50x7 ( 0 ) コリΦ7

sA2 x20x7 ( 0 ) コリΦ7

150 um # 23321929 代替品 90 V 定格( 1.97 uA)
2000 um # 20-195E 旧品 400 V( 4.16 uA)

sB1 x50x9 ( 0 ) コリΦ7sB2 x20x7 ( 0 ) コリΦ7

sA1: 〇 綺麗 １山
sA2: △ 折返し付近で「２山が曲がる？」

2023/02/17 rev

代替品 150,300um テスト
Trig(cps)= PL1( 20 k ) & Sor( 800 )ED= ０～ 3477 um 20 点 x 120s

300 um # 23321928 代替品 110 V 定格 ( 5.12 uA)2000 um # 23-573D 旧品 380 V( 4.42 uA)

sB1: 〇 綺麗
sB2: 〇 綺麗⑥累積_scnEDssd

8

2305Ar
2305Ar
ExpR測定結果
ビームライン常設物 ref) params
73.0
Au
51.2
Kapton0.6
IC1.Al14.54
IC1.mylar
500.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧厚さ
73.0 μm51.2 μm0.60 μm14.54 μm500.0 μm
10.20 μm
0.40 μm
145.0 mm200.0 mm24.9
1006.024.9 ℃
1006.0 hPa

Beam

40Ar

40Ar

Ebm:加速器G実測値

93.370EDeg出口まで

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim40Ar_Epoxy
srim40Ar_SiO2
srim40Ar_Cu

0.9765

ThkStdδEbm補正 [%]WSnam
srim40Ar_Au
srim40Ar_Kapton
srim40Ar_Mylar
srim40Ar_EJ212
srim40Ar_Al
srim40Ar_Si
srim40Ar_Air

3.345

srim40Ar_Si

A=40 Z=18
93.370
ExpR:実測
3.345 %⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
96.4932.01 4797
92.0812.08
4424
91.6362.09
4388
91.6282.09
4387
91.5032.09
4377
88.1432.15
4102
88.0562.15
4095
88.0502.15
4095
87.0352.17 4014

3548 <-実測値
0.0
R Al
R air
μm
mm
4241 8543
3910 7877
3878 7812
3877 7811
3868 7793
3626 7303
3620 7290
3620 7289
3548.0 7144

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

85.5992.20

39043449.2 6944

⑥累積_scnEDssd

9

scnEDssd11

2305Ar

新規購入品 200, 500um テスト
Trig(cps)= PL1( 4 k ) & Sor( 200 )ED= ０～ 3410 um 19 点 x 60s

200-2000,500-2000:C,Ar-set 60s
for SSDchk, Clm=Φ5, Trg=AND, 130-400,230-400V

新品 200um まあ１山！

新品 500um
少し２山あるけど３山に見えるのは
2000um側の影響か？

200umにPH高いモノあり
HV高いのか？

sA1 x50x7 ( 2,4 ) コリΦ5sA2 x20x7 ( 0 ) コリΦ5

200 um # 23004516 新規購入 180->130 V( 1.77 uA)
2000 um # 20-195D 旧品 400 V( 3.91 uA)sB1 x50x7 ( 0 ) コリΦ5sB2 x20x7 ( 0 ) コリΦ5

sA1: 〇 まあ１山OK
sA2: 〇 まあOK

2023/02/17 rev

500 um # 23010089 新規購入 230 V( 5.01 uA)
2000 um # 20-195E 旧品 400 V( 5.91 uA)

sB1: 〇 少し２山まあOK
sB2: ？ ３山になる？

⑥累積_scnEDssd

10

scnEDssd12

2305Ar代替品 700um テスト
Trig(cps)= PL1( 8 k ) & Sor( 400 )ED= ０～ 3410 um 26 点 x 60s

700-2000,100-100:C,Ar-set 60s
for SSDchk, Clm=Φ7,5, Trg=AND, 120-380,40-40V

代替品 700um 1山で綺麗

sA1 x20x7 ( 0 ) コリΦ5sA2 x20x7 ( 0 ) コリΦ5

700 um # 22152551 代替品 120 V( 1.73 uA)
2000 um # 23-573D 旧品 380 V( 2.88 uA)

sB1 x100x7 ( 0 ) コリΦ5sB2 x100x7 ( 0 ) コリΦ5

sA1: 〇 綺麗OK
sA2: 〇 まあOK

2023/02/17 rev

100 um # 27-054F 旧品 40 V( 4.95 uA)
100 um # 27-054G 旧品 40 V( 3.23 uA)

sB1: 〇 まあOK
sB2: 〇 まあOK

⑥累積_scnEDssd

11

scnEDssd13

2305Ar300-300-500-500:4連 外φ32 300mm2,外φ35 400mm2 テスト 30s
for SSDchk, Clm=Φ15, Trg=AND, 100-100-150-150V

sA2 HVかかるけど信号無し

4連 外φ32φ35 テスト
Trig(cps)= PL1( 8 k ) & Sor( 400 )ED= ０～ 3404 um 19 点 x 30s

sB1 HVかかるけど信号無し

2500umでｓB2まで届かない

sA1 x50x7 ( 0 ) コリΦ15 300 um Φ32 # B494 旧品 100 V( 1.71 uA)sA2 x50x7 ( 0 ) コリΦ15 300 um Φ32 # B951 旧品 100 V( 1.73 uA) BL揺れる

sB1 x50x7 ( 0 ) コリΦ15 500 um Φ35 # 28-228C 旧品 150 V( 5.85 uA)
sB2 x50x7 ( 0 ) コリΦ15 500 um Φ35 # 28-239C 旧品 150 V( 3.56 uA)

sA1: △ 太い
sA2: ✕ 信号無し

2023/02/17 rev

sB1: ✕ 信号無し
sB2: △ 太い⑥累積_scnEDssd

12

scnEDssd15

2305Ar

4連 外φ25 ねじ止式 テスト
Trig(cps)= PL1( 7 k ) & Sor( 200 )ED= ０～ 3404 um 19 点 x 30s

10-15-20-2000:4連 外φ25 50mm2 ねじ止式 テスト 30s
for SSDchk, Clm=Φ10, Trg=AND, 15-15-20-400V

sA2 PH高コレ何？軽粒子？

sB2 連続２山？
スペーサー
ずれていた？

sA1 OVFsA1 x500x7 ( 0 ) コリΦ10 10 um Φ25ネジ # 8-535A 旧品 15 V( 2.33 uA)

sB1 x500x7 ( 4 ) コリΦ10

20 um Φ25ネジ # 9-104A 旧品 20 V( 6.05 uA)sA2 x500x7 ( 0 ) コリΦ10 15 um Φ25ネジ # 8-879A 旧品 15 V( 1.74 uA) OVVolt sB2 x500x7 ( 0 ) コリΦ10 2000 um Φ25ネジ # 9-486B 旧品 400 V( 4.39 uA)

sA1: 〇 まあOK
sA2: 〇 まあOK

2023/02/17 rev

sB1: △ 巾広かもsB2: △ 巾広かも⑥累積_scnEDssd

13

scnEDssd16

2305Ar50-50-300-500:4連 外φ25 50mm2 ねじ止式 テスト 30s
for SSDchk, Clm=Φ10, Trg=AND, 20-35-70-100V

4連 外φ25 ねじ止式 テスト
Trig(cps)= PL1( 7 k ) & Sor( 200 )ED= ０～ 3404 um 19 点 x 30s

sA1 太い, OVF

sA1 x200x7 ( 0 ) コリΦ10 50 um Φ25ネジ # 7-251 旧品 20 V( 1.91 uA)sA2 x200x7 ( 0 ) コリΦ10 50 um Φ25ネジ # 9-786B 旧品 35 V( 2.35 uA)

sB1 x50x7 ( 4 ) コリΦ10 300 um Φ25ネジ # 385-01 旧品 70 V( 4.91 uA)sB2 x50x7 ( 0 ) コリΦ10 500 um Φ25ネジ # 385-02 旧品 100 Vまで( 3.47 uA)

sA1: ✕ 太い
sA2: 〇 まあOK

2023/02/17 rev

sB1: ✕ 信号無し
sB2: ✕ 太い⑥累積_scnEDssd

14

2305Kr
2305Kr
ExpR測定結果
ビームライン常設物 ref) params
45.8
Au
51.2
Kapton0.60
IC1.Al14.54
IC1.mylar
100.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧厚さ45.8 μm51.2 μm0.60 μm14.54 μm
100.0 μm10.2 μm
0.4 μm145.0 mm200.0 mm24.5
1021.024.5 ℃
1021.0 hPa

Beam

84Kr

84Kr

Ebm:加速器G実測値

69.160EDeg出口まで

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim84Kr_Epoxy
srim84Kr_SiO2
srim84Kr_Cu

0.9924

ThkStdδEbm補正 [%]WSnam
srim84Kr_Au
srim84Kr_Kapton
srim84Kr_Mylar
srim84Kr_EJ212
srim84Kr_Al
srim84Kr_Si
srim84Kr_Air-0.660srim84Kr_Si

A=84 Z=36
69.16
ExpR:実測-0.660 %
⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
68.70
9.60 1595
62.35610.27
1360
61.30510.39
1323
61.28610.39
1322
60.99710.43
1312
59.42610.61
1257
59.20910.64
1250
59.19510.64
1250
56.67610.98 1169

1035 <-実測値
0.0
R Al
R air
μm
mm
1408 2783
1206 2374
1174 2308
1173 2307
1165 2289
1117 2191
1111 2179
1110 2178
1035.0 2033

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

53.165

11.46

1057

931.5 1833

⑥累積_scnEDssd

15

scnEDssd12

2305Kr

新品 500um ２山ひどい！

新品 200umでも 少し２山！
sA2: Emodeで２山多い

新規購入品 200, 500um テスト
Trig(cps)= PL1( 10 k ) & Sor( 500 )ED= ０～ 946 um 19 点 x 60s

200-2000,500-2000:ArKr-set 60s
for SSDchk, Clm=Φ7, Trg=AND, 130-400,230-400V

sA2 ずっと２山３山に見えるのは
2000um側の影響か？

200umにPH高いモノあり
HV高いのか？

sA1 x20x7 ( 8 ) コリΦ7

sA2 x20x7 ( 8 ) コリΦ7

200 um # 23004516 新規購入 180->130 V( 1.63 uA)
2000 um # 20-195D 旧品 400 V( 3.65 uA)

sB1 x20x7 ( 2 ) コリΦ7sB2 x20x7 ( 2 ) コリΦ7

sA1: 〇 少し２山あるけど
sA2: 〇 まあOK

2023/02/17 rev

500 um # 23010089 新規購入 230 V( 4.94 uA)
2000 um # 20-195E 旧品 400 V( 5.63 uA)

sB1: △ ２山ひどい
sB2: ？ ３山になる？

⑥累積_scnEDssd

16

scnEDssd13

2305Kr代替品 700um テスト
Trig(cps)= PL1( 10 k ) & Sor( 500 )ED= ０～ 753 um 27 点 x 60s

700-2000,100-100:ArKr-set 60s
for SSDchk, Clm=Φ7,5, Trg=AND, 120-380,40-40V

代替品 700um ２山は少し良くなった⊿E(ｓB1)太め#16 745umでsB2 に届かない
ｓB1の厚さが変？

sA1 x20x7 ( 16 ) コリΦ7

sA2 x20x7 ( 2 ) コリΦ7

700 um # 22152551 代替品 120 V( 1.68 uA)
2000 um # 23-573D 旧品 380 V( 2.51 uA)sB1 x20x7 ( 0 ) コリΦ5sB2 x20x7 ( 0 ) コリΦ5

sA1: 〇 少し２山あるけど
sA2: 〇 まあOK

2023/02/17 rev

100 um # 27-054F 旧品 40 V( 4.88 uA)
100 um # 27-054G 旧品 40 V( 3.13 uA)

sB1: △ 太め
sB2: 〇 まあOK

⑥累積_scnEDssd

17

scnEDssd14

2305Kr50-50-50-30 ４連: 外φ32 200mm2 テスト
for SSDchk, Clm=Φ10, Trg=AND, 20-20-20-20V

外φ32 200mm2 テスト
Trig(cps)= PL1( 10 k ) & Sor( 500 )ED= ０～ 944 um 14 点 x 60s

sB2 HVかかっていない 太め

ｓA1 OVF だった

sA1 x100x7 ( 0 ) コリΦ10 50 um # 19-625A 旧品 20 V( 3.28 uA)sA2 x100x7 ( 0 ) コリΦ10 50 um # 19-568B 旧品 20 V( 1.83 uA)

sB1 x100x7 ( 0 ) コリΦ10 50 um # 19-613B 旧品 20 V( 5.42 uA)sB2 x200x7 ( 0 ) コリΦ10 50 um # 21-554A 旧品 5 Vでも放電? 38Vになる

sA1: 〇 まあOK
sA2: 〇 まあOK

2023/02/17 rev

sB1: 〇 まあOK
sB2: △ HVかからない⑥累積_scnEDssd

18

scnEDssd16

2305Kr50-50-50-30 ４連: 外φ32 200mm2 テスト 同#14 ｓA1 Att調整
for SSDchk, Clm=Φ10, Trg=AND, 20-20-20-20V

４連 外φ32 200mm2 テスト
Trig(cps)= PL1( 10 k ) & Sor( 500 )ED= ０～ 944 um 14 点 x 20s

sB2 HVかかっていない 太め

sA1 x100x7 ( 8 ) コリΦ10 50 um # 19-625A 旧品 20 V( 3.28 uA)sA2 x100x7 ( 0 ) コリΦ10 50 um # 19-568B 旧品 20 V( 1.83 uA)

sB1 x100x7 ( 0 ) コリΦ10 50 um # 19-613B 旧品 20 V( 5.42 uA)sB2 x200x7 ( 0 ) コリΦ10 50 um # 21-554A 旧品 5 Vでも放電? 38Vになる

sA1: 〇 まあOK
sA2: 〇 まあOK

2023/02/17 rev

sB1: 〇 まあOK
sB2: △ HVかからない⑥累積_scnEDssd

19

2302C
2302C
ExpR推定ビームライン常設物 ref) params
112.50Au
51.20
Kapton0.6
IC1.Al14.5
IC1.mylar
3000.0PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧241017.0厚さ
112.50 μm
51.20 μm0.60 μm IC1無し
14.54 μm
3000.0 μm Φ35,500um
10.2 μm
0.4 μm145.0 mm PL1出口迄
200.0 mm PL1出口～試料表面24.0 ℃

Ebm公称

EDeg出口まで

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim12C_Si

12C

Beam
δEbm補正 [%]srim12C_Epoxy
srim12C_SiO2
srim12C_Si

1017.0 hPa
0.9902ThkStdWSnam
srim12C_Au
srim12C_Kapton
srim12C_Mylar
srim12C_EJ212
srim12C_Al
srim12C_Si
srim12C_Air

133.0
1.818

A=12
Z=6
132.98
ExpR:実測
1.818 %⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
135.394
0.166 24200.2
133.5190.167 23608.4
133.4050.167 23572.5
133.4030.167 23571.9
133.3700.167 23561.7
127.949
0.172 21921.8
127.9250.172 21914.6
127.924
0.172 21914.2
127.6530.173 21832.3

0.0
R Al
R air
μm
mm
21393.6 42701.1
20871.6 41651.3
20839.9 41587.6
20839.3 41586.4
20830.3 41568.3
19379.2 38663.5
19372.8 38650.8
19372.4 38650.0
19300.0 38505.0

0.173 21719.4

19200.1 38305.0

19300 <-実測

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

127.280⑥累積_scnEDssd

20

ED厚cal コリΦ10t25
Trig(cps)= PL1( 30k ) & Sor( 2k )ED= ０～ 175 um 23 点 x 30s

50-2000,2000-2000:C,Ar-set 30s

2302C

scnEDssd01

for EDthcal, Clm=Φ5, Trg=AND, 20-400,400-400V

採用： 2山比較

採用： 2山比較

点少ないけど : ED厚cal

2000umでも２山になる！？

sA1 x50x5 ( 4 )50 um # 20-638A 旧品 20V (1.71uA)

sB1 x100x8 ( 0 )sA2 x50x6 ( 2 )2000 um # 20-195D 旧品 400V(3.18uA)

sB2 x50x8 ( 8)2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

2000 um # 20-195E 旧品 400V (6.92uA)2000 um # 20-573D 旧品 400V (4.11uA)

21

2301Kr
2301Kr
ExpR推定ビームライン常設物 ref) params
45.80
Au
51.20
Kapton0.6
IC1.Al14.5
IC1.mylar
100.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧ThkStdBeam

23.7
1011.0厚さ
45.80 μm51.20 μm0.60 μm IC1無し
14.54 μm
100.0 μm Φ35,500um
10.2 μm
0.4 μm145.0 mm PL1出口迄
200.0 mm PL1出口～試料表面23.7 ℃

srim84Kr_Epoxy
srim84Kr_SiO2
srim84Kr_Si

1011.0 hPa
0.9853srim84Kr_Si

84Kr

A=84 Z=36
69.6
Ebm公称
69.29
ExpR:実測-0.66 -0.660 %δEbm補正 [%]
⊿ExpR
E
LET
Rin Si
EDeg出口まで
MeV/u
in Si
μm
in Vacc
68.8339.588 1599.7
aft Au62.49310.255 1364.8
aft Kap
61.44210.375 1327.7
aft IC1-Al
61.42210.378 1327.0
aft IC1-Mylar
61.13410.410 1316.8
aft PL-EJ212
59.56810.589 1261.5
aft PL-Mylar
59.35410.617 1254.6
aft PL-Al(Mylar)
59.34010.619 1254.1
aft Air1
56.839 10.955 1174.3
照射物位置でaft Air2
53.371 11.427 1063.8

2023/02/17 rev

WSnam
srim84Kr_Au
srim84Kr_Kapton
srim84Kr_Mylar
srim84Kr_EJ212
srim84Kr_Al
srim84Kr_Si
srim84Kr_Air

1050 <-実測
-10.1
R Al
R air
μm
mm
1412.8 2811.1
1209.8 2399.7
1178.0 2333.5
1177.4 2332.2
1168.7 2314.0
1121.3 2215.2
1114.9 2202.6
1114.5 2201.8
1039.9 2056.8

937.0 1856.8⑥累積_scnEDssd

22

20-700,150-300:ArKr-set 30s

2301KrscnEDssd11

for Ecal, Clm=Φ5, Trg=AND, 20-120,90-140V

採用： 2山比較

Ecal コリΦ５
Trig(cps)= PL1( 30k ) & Sor( 500 )ED= ０～ 957 um 52 点 x 30s
採用： 2山比較

20umでも２山になる！？

sA1 x100x9 ( 0 )20 um # 18-958G 旧品 20 V ( 1.83 uA)

sB1 x20x10 ( 0 )sA2 x20x6 ( 0 )700 um # 21365113 購入 120 V定格 ( 1.77 uA)

sB2 x20x10 ( 8 )2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

150 um # 21365111 購入 90 V低め ( 5.17 uA)
300 um # 21365112 購入 140 V定格 ( 3.39 uA)23

30-30,50-300:Test1-set 30s

scnEDssd12

2301Kr300mm2 4連 test

for SSDchk 4連, Trg=AND, 20-20,40-110V

Test-1 コリΦ10
Trig(cps)= PL1( 30k ) & Sor( 500 )ED= ０～ 805 um 28 点 x 30s

Uni BP では？
→ 30,30 なので正しいかもsA1 x50x7 ( 0 )30 um # 300_26-263C 旧品 20 V( 2.05 uA)

sB1 x50x10 ( 0 )50 um # 300_22-021A 旧品 40 V( 7.45 uA)sA2 x100x9 ( 0 )30 um # 300_26-263E 旧品 20 V( 1.91 uA) HV不安定 sB2 x20x8 ( 0 )300 um # 300_22-645B 旧品 110 V( 4.05 uA)

sA1: ○らしい tail有sA2: ○らしい tail有 HV不安定

2023/02/17 rev

sB1: ○ 2301ArでもOK
sB2: ○ 2301ArでもOK⑥累積_scnEDssd

24

50-50,50-50:Test2-set 30s

scnEDssd13

2301Kr300mm2 4連 test

for SSDchk 4連, Trg=AND, 40-40,40-40V

Test-2 コリΦ10
Trig(cps)= PL1( 30k ) & Sor( 500 )ED= ０～ 1004 um 10 点 x 30s

同じ 50-50um なのに、落ち方が異なる。
厚さが違うかもsA1 x50x7 ( 0 )50 um # 300_20-249B 旧品 40 V( 2.08 uA)

sB1 x50x10 ( 0 )50 um # 300_21-488D 旧品 40 V( 5.44 uA)sA2 x100x9 ( 0 )50 um # 300_21-448C 旧品 40 V( 2.08 uA)

sB2 x20x8 ( 0 )50 um # 300_21-090D 旧品 40 V( 4.31 uA)

sB1: ○ OKらしい
sB2: ○ OKらしい

sA1: ○ OKらしい
sA2: ○ OKらしい

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

25

2301Ar
2301Ar
ExpR推定ビームライン常設物 ref) params
73.00
Au
51.20
Kapton0.60
IC1.Al14.54
IC1.mylar
500.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧23.1
1010.9厚さ
73.00 μm51.20 μm0.60 μm14.54 μm500.0 μm
10.20 μm
0.40 μm
145.0 mm PL1出口迄
200.0 mm PL1出口～試料表面23.1 ℃

Ebm公称

EDeg出口まで

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim40Ar_Si

40Ar

Beam
δEbm補正 [%]srim40Ar_Epoxy
srim40Ar_SiO2
srim40Ar_Si

1010.9 hPa
0.9872ThkStdWSnam
srim40Ar_Au
srim40Ar_Kapton
srim40Ar_Mylar
srim40Ar_EJ212
srim40Ar_Al
srim40Ar_Si
srim40Ar_Air

93.21
3.074

A=40 Z=18
93.208
ExpR:実測
3.074 %⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
96.0732.018 4760.7
91.6332.090 4387.3
91.1892.098 4351.0
91.1812.098 4350.3
91.0562.100 4340.2
87.696
2.157 4066.0
87.6092.159 4058.9
87.603
2.159 4058.4
86.5552.179 3977.5

0.0
R Al
R air
μm
mm
4208.4 8386.4
3877.6 7727.2
3845.6 7663.1
3845.0 7661.9
3836.0 7643.9
3594.1 7159.3
3587.8 7146.7
3587.4 7145.9
3515.0 7000.9

2.208 3866.0

3415.1 6800.93515 <-実測

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

85.104⑥累積_scnEDssd

26

Ecal タメ コリΦ７t5
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.2k )ED= ０～ 3204 um 15 点 x 300s

50-2000,2000-2000:C,Ar-set 300s

2301ArscnEDssd11

for Ecal, Trg=AND, 20-400,400-400V

採用： 2山比較

採用： 2山比較

sA1 x100x8 ( 0 )50 um # 20-638A 旧品 20V (1.76uA)

sB1 x20x8 ( 2 )sA2 x20x8 ( 0 )2000 um # 20-195D 旧品 400V(3.17uA)

sB2 x20x8 ( 0 )★ ナナメに降る雨は？

★ see-> ED薄 ⊿E大の2成分有？

2023/02/17 rev

2000 um # 20-195E 旧品 400V (6.91uA)2000 um # 20-573D 旧品 400V (4.16uA)⑥累積_scnEDssd

27

50-2000,2000-2000:C,Ar-set 300s

2301ArscnEDssd13

for EDthk cal, Trg=AND, 20-400,400-400V

ED厚cal コリΦ７t5
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.2k )ED= ０～ 3353 um 134 点 x 300s

good : ED厚calsA1 x100x8 ( 0 )50 um # 20-638A 旧品 20V (1.76uA)

sB1 x20x8 ( 2 )sA2 x20x8 ( 0 )2000 um # 20-195D 旧品 400V(3.17uA)

sB2 x20x8 ( 0 )2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

2000 um # 20-195E 旧品 400V (6.91uA)2000 um # 20-573D 旧品 400V (4.16uA)

28

20-700,150-300:ArKr-set 30s

2301ArscnEDssd14

for Ecal, Trg=AND, 20-120,90-140V

採用： 2山比較

Ecal 2山問題 コリΦ5t5
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.2k )ED= ０～ 3599 um 42 点 x 30s
採用： 2山比較

sA1 x200x12 ( 0 )20 um # 18-958G 旧品 20 V ( 1.82 uA)

sB1 x100x7 ( 0 )sA2 x50x6 ( 2 )700 um # 21365113 購入 120 V定格 ( 2.73 uA)sB2 x50x10 ( 0 )150 um # 21365111 購入 90 V低め ( 5.23 uA)
300 um # 21365112 購入 140 V定格 ( 3.45 uA)@@

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

29

30-50,300?-500:Test1-set 30s

scnEDssd15

2301Ar300mm2 4連 test

for SSDtest, Trg=AND, 20-40,110-150V

Test-1 コリΦ10t5
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.2k )ED= ０～ 3400 um 19 点 x 30s

未決：Uni BP だった！

sA1 x200x8 ( 0 )sA2 x200x6 ( 0 )sB1 x100x7 ( 0 )50 um # 300_22-021A 旧品 40 V( 4.02 uA)sB2 x1000x10 ( 0 ) PH低 500 um # 300_28-228C 旧品 150 V( 3.75 uA)

sA1: ○ まあOK
sA2: ○ まあOK

2023/02/17 rev

300?? um # 300_B494 旧品 110 V( 5.04 uA) BL不安定

30 um # 300_26-263E 旧品 20 V( 1.90 uA)

sB1: 未決誤結線 厚さ不明、BL不安定
sB2: 未決誤結線 PHが低い⑥累積_scnEDssd30

150-300,300?-500:Test2-set 30s

scnEDssd16

2301Ar300mm2 4連 test

for SSDtest, Trg=AND, 100-110,110-150V

Test-2 コリΦ10t5
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.2k )ED= ０～ 3400 um 19 点 x 30s

未決：Uni BP だった！

sA1 x200x8 ( 4,16 )sA2 x200x6 ( 2,16 )150 um # 300_4173-1 旧品 100 V( 1.91 uA)
300 um # 300_22-645B 旧品 110 V( 2.35 uA)

sB1 x100x7 ( 0 )300?? um # B951 旧品 110 V( 6.01 uA)sB2 x1000x10 ( 0 )500 um # 28-239C 旧品 150 V( 3.76 uA)

sA1: △ Tail大sA2: ○ まあOK

2023/02/17 rev

sB1: 未決誤結線 厚さ不明
sB2: 未決誤結線⑥累積_scnEDssd

31

2301Xe_MS2
2301Xe35MS2
ExpR推定ビームライン常設物 ref) params
9.74
Au
24.91
Kapton0.60
IC1.Al14.54
IC1.mylar
25.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
100.0
Air1
150.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧23.1
1015.0厚さ9.74 μm
24.91 μm0.60 μm14.54 μm
25.0 μm
10.20 μm
0.40 μm
100.0 mm PL1出口迄
150.0 mm PL1出口～試料表面23.1 ℃

Ebm公称

EDeg出口まで

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim129Xe_Si

129Xe

Beam
δEbm補正 [%]srim129Xe_Epoxy
srim129Xe_SiO2
srim129Xe_Si

1015.0 hPa
0.9912ThkStdWSnam
srim129Xe_Au
srim129Xe_Kapton
srim129Xe_Mylar
srim129Xe_EJ212
srim129Xe_Al
srim129Xe_Si
srim129Xe_Air

35.58
2.07

A=129 Z=54
35.580
ExpR:実測
2.070 %⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
36.317 31.451 452.7
33.57832.984 405.4
32.50633.631 387.5
32.46533.656 386.9
31.83934.034 376.4
30.99734.544 362.4
30.53234.866 355.0
30.50334.886 354.6
26.779 37.640 297.4

262 <-実測
0.0
R Al
R air
μm
mm
399.2
783.3
357.4
700.9
341.7
669.9
341.1
668.7
331.8
650.5
319.4
626.1
313.0
613.4
312.6
612.6
262.03 512.6

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

20.61843.406212.5

187.08362.6⑥累積_scnEDssd

32

Ecal コリΦ５
Trig(cps)= PL1( 6k ) & Sor( 600 )ED= ０～ 217 um 22 点 x 30s

150-300,20-700um:Xe-set 30s

2301Xe_MS2 scnEDssd01

Ecal用 HVnrm:110,140,20,120V, Shp=0.5us 遮光膜有採用： 2山比較
ED= 0～18 um
24 um
39
50

ED= 0～14 um

24 um

sA1 x20x5 ( 0 )139 um

150 um Sel# 21365111 購入 110 V定格 ( 1.90 uA)
300 um Sel# 21365112 購入 140 V定格 ( 1.76 uA)sA2 x100x6 ( 0 )sB1 x100x8 ( 0 )20 um Sel# 18-958G 旧品 20 V ( 1.59 uA)

sB2 x20x8 ( 0 )700 um Sel# 21365113 購入 120 V定格 ( 3.08 uA)

sA2 300um は 、Eモードで、ずっと１山だった。
sA1 150um では、ビームのE幅が広いためか⊿Eモードで、幅広の１山で遷移し、Eモードになると、幅狭の１山だった。
2023/02/17 rev

んん？？ 旧品20um でも２山？？
PreAmpが原因？？
Xeだと20umでも分離が良くなるから？

⑥累積_scnEDssd

33

150-300,20-700um:Xe-set 30s

2301Xe_MS2

scnEDssd02 ED厚cal, HVnrm:110,140,20,120V, Shp=0.5us 遮光膜有ED厚cal コリΦ５
Trig(cps)= PL1( 6k ) & Sor( 600 )ED= ０～ 175 um 30s x 23 点

点少ないけど : ED厚calsA1 x20x5 ( 0 )sA2 x100x6 ( 0 )2023/02/17 rev

150 um Sel# 21365111 購入 110 V定格 ( 1.90 uA)
300 um Sel# 21365112 購入 140 V定格 ( 1.76 uA)

sB1 x100x8 ( 0 )20 um Sel# 18-958G 旧品 20 V ( 1.59 uA)

sB2 x20x8 ( 0 )700 um Sel# 21365113 購入 120 V定格 ( 3.08 uA)⑥累積_scnEDssd

34

2212Kr
2212Kr
ExpR推定ビームライン常設物 ref) params
45.80
Au
51.20
Kapton14.0
IC1.Al25.6
IC1.mylar
100.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧30.2
1018.0厚さ21.40 μm51.20 μm
14.0 μm IC1無し
25.6 μm
25.0 μm Φ35,500um
10.2 μm
0.4 μm145.0 mm PL1出口迄
200.0 mm PL1出口～試料表面30.2 ℃

Ebm公称

EDeg出口まで

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim84Kr_Si

84Kr

Beam
δEbm補正 [%]srim84Kr_Epoxy
srim84Kr_SiO2
srim84Kr_Si

1018.0 hPa
0.9709ThkStdWSnam
srim84Kr_Au
srim84Kr_Kapton
srim84Kr_Mylar
srim84Kr_EJ212
srim84Kr_Al
srim84Kr_Si
srim84Kr_Air

69.4
0.195

A=84 Z=36
69.44
ExpR:実測
0.195 %⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
69.5759.515 1628.4
66.6929.796 1517.0
65.7399.889 1480.2
65.3059.934 1464.0
64.7979.992 1446.1
64.40610.037 1432.2
64.20310.060 1425.1
64.19010.062 1424.6
61.925 10.320 1344.7

147.6
R Al
R air
μm
mm
1437.7 2903.0
1340.8 2708.4
1308.8 2644.2
1294.8 2615.5
1279.5 2583.0
1267.6 2557.9
1261.5 2544.9
1261.1 2544.1
1192.6 2399.1

10.700 1234.9

1096.6 2199.1

1045 <-実測

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

58.738⑥累積_scnEDssd

35

300-700,150-1000um:Kr-set 30s

2212KrsA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6 ( 2 )scnEDssd02

300 um # 21365112 購入 110 V -20% ( 1.67 uA)
700 um # 21365113 購入 90 V -20% ( 1.64 uA)

HV定格(ssd11)と比べ、sA2 の PH が下がった。
ｓA1 の 2山 分離が悪くなった？

2023/02/17 rev

正順, Gain調整, HVnom -20%, Shp=0.5us 遮光膜無sB1 x50x8 ( 8 )sB2 x20x8 ( 8 )2山問題

2山問題 コリ無 遮光無 HV-20%
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.5k )ED= ０～ 883 um 20 点 x 30s

150 um # 21365111 購入 80 V -20% ( 5.08 uA)
1000 um # 18-1029B 旧品 160 V -20% ( 3.69 uA)

HV定格(ssd11)と比べ、sB2 の PH は殆ど変化なし。 少し幅広になる。
ｓB1 の 2山 分離が悪くなった？

⑥累積_scnEDssd

36

300-700,150-1000um:Kr-set 60s

2212KrsA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6 ( 2 )scnEDssd11

2山問題

正順, HVnom, Shp=0.5us 遮光膜無300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.71 uA)
700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.69 uA)

sB1 x50x8 ( 8 )sB2 x20x8 ( 8 )2山問題 コリ無 遮光無 HV定格
Trig(cps)= PL1( 25 k ) & Sor( 1.0 k )ED= ０～ 908 um 21 点 x 60s

150 um # 21365111 購入 110 V 定格 ( 5.30 uA)1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.73 uA)(比較基準) コリ無し、遮光膜無し HV定格
ｓB1 150uは、⊿Emodeで２山sB2 1000uは、Emodeのみなので、１山に見える

ｓA1 300uは、⊿Emodeで２山sA2 700uは、Emodeのみなので、１山に見える

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

37

300-700,150-1000um:Kr-set 60s

2212KrsA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6 ( 2 )scnEDssd12

2山問題

コリ有 Φ5t2, HVnom, Shp=0.5us

300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.71 uA)
700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.69 uA)

sB1 x50x8 ( 8 )sB2 x20x8 ( 8 )150 um # 21365111 購入 110 V 定格 ( 5.30 uA)1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.73 uA)

自作コリΦ5t2有で、カウントレートが半分になり、
sA1,sA2は、下と左に降る雨が減少
sB1の“右に”降る雨が減少。
2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

2山問題 自作コリΦ5t2 遮光無 HV定格
Trig(cps)= PL1( 25 k ) & Sor( 0.5 k )ED= ０～ 908 um 21 点 x 60s★ sB2 ⊿E->E 付近で、４山になる？ 別粒子か？
38300-700,150-1000um:Kr-set 60s

2212KrsA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6 ( 2 )scnEDssd13

裏返し AL面上流, HVnom, Shp=0.5us

300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.71 uA)
700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.69 uA)

sB1 x50x8 ( 8 )sB2 x20x8 ( 8 )2山問題

2山問題 コリ無 遮光無 HV定格 裏返し
Trig(cps)= PL1( 25 k ) & Sor( 1.0 k )ED= ０～ 908 um 21 点 x 60s

150 um # 21365111 購入 110 V 定格 ( 5.30 uA)1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.73 uA)(基準 ssd11)と比べて、上流面が Au → Alumi 電極になったので、エネルギーが少し上がった (PH がズレた）。
他は大きな変化なし。
2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

39

150-300,700-1000u_30s

scnEDssd15

2212KrsA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6 ( 2 )2023/02/17 rev

組換, HVnom, Shp=0.5us

150 um # 21365111 購入 110 V 定格 ( 2.44 uA)
300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.70 uA)ｓA1-sA2 の⊿E-⊿Emodeで、２点 → ４点になった！

2山問題

2山問題 コリ無 遮光無 HV定格 組換え
Trig(cps)= PL1( 25 k ) & Sor( 1.0 k )ED= ０～ 975 um 32 点 x 30s

sB1 x20x8 ( 8 ) Gain変更 700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 5.12 uA)sB2 x20x8 ( 8 )1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.85 uA)ｓB1 700uも ⊿Emodeで、２点になった！

⑥累積_scnEDssd★ PAを変えると HV cur が変わる
PA内の HV抵抗値の違いらしい40

Ecalタメ コリ無 遮光有 C,Ar-setでTrig(cps)= PL1( 25 k ) & Sor( 1.1 k )ED= ０～ 975 um 19 点 x 20s

50-2000,2000-2000u:C,Ar-set_20s

2212KrscnEDssd16

Gain変更, HVnorm, Shp=0.5us

採用： 2山比較

sA1 x100x5 ( 8 )sA2 x20x6 ( 8 )50 um # 20-638A 旧品 20V (1.65uA)
2000 um # 20-195A 旧品 400V(3.27uA)★ sA2 2000um Emode で 下側に２山 あり。
混じり？ Or sA1 50um で reactionか？

2023/02/17 revsB1 x20x8 ( 4,8 )sB2 x50x8 ( 0 ) 来ない筈

2000 um # 20-195I 旧品 400V (6.75uA)2000 um # 20-195E 旧品 400V (3.95uA)★ sB1 Emode は、高E領域で 綺麗な１山
低E領域で、 2山になって行く。

⑥累積_scnEDssd

41

2212Ar
2212Ar
ExpR測定結果
ビームライン常設物 ref) params
73.0
Au
51.2
Kapton14.0
IC1.Al25.6
IC1.mylar
500.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧厚さ
73.0 μm51.2 μm
14.0 μm25.6 μm500.0 μm10.2 μm
0.4 μm145.0 mm200.0 mm23.7
1003.023.7 ℃
1003.0 hPa

Beam

40Ar

40Ar

Ebm:加速器G実測値

93.128EDeg出口まで

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim40Ar_Epoxy
srim40Ar_SiO2
srim40Ar_Cu

0.9775

ThkStdδEbm補正 [%]WSnam
srim40Ar_Au
srim40Ar_Kapton
srim40Ar_Mylar
srim40Ar_EJ212
srim40Ar_Al
srim40Ar_Si
srim40Ar_Air

4.276

srim40Ar_Si

A=40 Z=1893.128
ExpR:実測
4.276 %⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
97.11
2.00 4850
92.7372.07
4477
92.2932.08
4441
92.0982.08
4425
91.8792.09
4407
88.5192.144133
88.4322.144126
88.4262.14
4126
87.4272.16 4044

3575 <-実測値
0.0
R Al
R air
μm
mm
4288 8629
3957 7965
3925 7900
3911 7872
3895 7840
3653 7350
3647 7337
3647 7337
3575.0 7192

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

85.9902.19

3934

3476.1 6992

⑥累積_scnEDssd

42

700-300,1000-150u:Kr-set_30s

scnEDssd112212Ar

逆順(Lay1厚→Lay2薄), Shp=0.5us, Gain変更, Trg=AND

2山問題 コリ無 遮光有 HV定格 厚薄順
Trig(cps)= PL1( 25 k ) & Sor( 1k )ED= ０～ 3400 um 34 点 x 30s

ｓA2 300um⊿Emode ２山sA1 x20x5 ( 0 )700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.64 uA)
300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.59 uA)sA2 x20x6 ( 2 )sB1 x20x8 ( 1,4 )sB2 x20x8 ( 8 )ｓB2 150um はずっと 1山ｓA1 700um は 1山

2023/02/17 rev

1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 5.31 uA)
150 um # 21365111 購入 90 V 低め ( 3.32 uA)⑥累積_scnEDssd

43

20-2000,100-2000u:Test_30s

scnEDssd122212ArsA1 x20x5 ( 0 )ダメ=sA2,sB2

sB1 x20x8 ( 1,4 )20 um # 18-958G 旧品 20 V (1.59 uA)sA2 x20x6 ( 2 )2000 um # 20-195A 旧品 500 V( 4.52 uA) HV高すぎ

sB2 x20x8 ( 8 )sA1: ○ まあOK
sA2: ？△ HV高すぎでtail有2023/02/17 rev

50mm2 2連 test

Test-1 コリ無Trig(cps)= PL1( 30k ) & Sor( 500 )ED= ０～ 3400 um 34 点 x 30s

100 um 25_# 27-054F 旧品 50 V ( 4.96 uA)
2000 um 25_# 20-195I 旧品 100 V ( 5.17 uA) HV掛らない

sB1: ○ まあOK
sB2: ？☓ HVかかっていない⑥累積_scnEDssd

44

100-100,15-1000u:Test_30s

scnEDssd13

2212Ar

25mm2 2連 test

sB2=BAD?

sA1 x50x5 ( 0 ) 100 um 25_# 27-054G 旧品 50 V (1.57 uA)sA2 x50x5 ( 0 ) 100 um 25_# 27-054E 旧品 50 V( 1.57 uA)

sB1 x500x8 ( 1,4 )sB2 x50x8 ( 8 )sA1: ○ まあOK
sA2: ○ まあOK

2023/02/17 rev

Test-2 コリ無Trig(cps)= PL1( 30k ) & Sor( 500 )ED= ０～ 3400 um 34 点 x 30s

15 um 25_# 13-134F 旧品 10 V ( 4.95 uA)
1000 um# 18-621B 旧品 300 V ( 3.62 uA)

sB1: ○ まあOK
sB2: △ ダメそう。上にtail⑥累積_scnEDssd45

50-2000,2000-2000u:C,Ar-set_120s

2212ArscnEDssd14

2山問題

貯め, Shp=0.5us

採用： 2山比較

sA1 x200x5 ( 4 )sA2 x50x6 ( 2,8 )2023/02/17 rev

採用： 2山比較

50 um # 20-638A 旧品 20V (1.63uA)

sB1 x20x8 ( 0 )2000 um # 20-195D 旧品 400V(3.35uA)

sB2 x20x8 ( 0 )★ sA1, sA2 共に全領域で１山。綺麗なデータ。
★ Ar 停止後の２次粒子も綺麗。

2山問題 コリ無 C,Ar用：旧品
Trig(cps)= PL1( 25 k ) & Sor( 1.0 k )ED= ０～ 3564 um 35 点 x 120sタメ

2000 um # 20-195I 旧品 400V (6.78uA)
2000 um # 20-195E 旧品 400V (3.89uA)★ sB1, sB2 共に全領域で１山。綺麗なデータ。
★ Ar 停止後の２次粒子も綺麗。

⑥累積_scnEDssd

46

SSDキャップ100um付いていた

2212ArsA1 x50x5 ( 4 )sA2 x50x6 ( 2 )2023/02/17 rev

scnEDssd15

2山問題

300-700,150-1000u:Kr-set_30s
ゴミ) 正順 EDset=BAD

300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.64 uA)
700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.60 uA)

途中で ED停止 ゴミ

sB1 x100x8 ( 0 )sB2 x50x8 ( 8 )⑥累積_scnEDssd

2山問題 コリ無 HV定格
Trig(cps)= PL1( 25 k ) & Sor( 1.0 k )ED= ０～ 3287 um 23 点で停止 x 30s

150 um # 21365111 購入 110 V 定格 ( 5.07 uA)
1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.72 uA)

47

SSDキャップ100um付いていた

2212ArscnEDssd16

2山問題

300-700,150-1000u:Kr-set_30s
HVnorm, 正順 EDset変更, Shp=0.5us

採用： 2山比較

sA1 x50x5 ( 4 )sA2 x50x6 ( 2 )採用： 2山比較

sB1 x100x8 ( 0 )300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.64 uA)
700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.60 uA)

sB2 x50x8 ( 8 )★ sA1:300um が ⊿E->E になってから1山->４山に成長し、
sA2:700um が Emode でも 広い２山 あり。
Arより E大側の２山が多くなってゆく。何故だろう？

2023/02/17 rev

2山問題 コリ無 HV定格
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.5 k )ED= ０～ 3564 um 47 点 x 30s

150 um # 21365111 購入 110 V 定格 ( 5.07 uA)
1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.72 uA)★ 挙動は sA1,sA2 と同じだが、E分解能が悪い。

⑥累積_scnEDssd

48

SSDキャップ100um付いていた

2212ArscnEDssd17

2山問題

300-700,150-1000u:Kr-set_30s
HV= +20%, 正順, Shp=0.5us

採用： 2山比較

sA1 x50x5 ( 4 )sA2 x50x6 ( 2 )採用： 2山比較

sB1 x100x8 ( 0 )300 um # 21365112 購入 170 V +20% ( 1.68 uA)
700 um # 21365113 購入 150 V +20% ( 1.62 uA)sB2 x50x8 ( 8 )★ Run#16: HV 正規 と比べ、４山の傾向は同じだが、E大側２山の”分離が良く”なった。

2023/02/17 rev

2山問題 コリ無 HV +20%
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.5 k )ED= ０～ 3564 um 47 点 x 30s

150 um # 21365111 購入 140 V +20% ( 5.51 uA)
1000 um # 18-1029B 旧品 260 V +20% ( 3.67 uA)★ 同左 sA1,sA2 と同じ兆候が見える。

⑥累積_scnEDssd

49

SSDキャップ100um付いていた

2212ArscnEDssd18

300-700,150-1000u:Kr-set_30s
HV= -20%, 正順, Shp=0.5us

採用： 2山比較

sA1 x50x5 ( 4 )sA2 x50x6 ( 2 )2山問題

2山問題 コリ無 HV -20%
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.5 k )ED= ０～ 3564 um 47 点 x 30s

採用： 2山比較

sB1 x100x8 ( 0 )300 um # 21365112 購入 110 V -20% ( 1.65 uA)
700 um # 21365113 購入 90 V -20% ( 1.62 uA)sB2 x50x8 ( 8 )★ Run#16: HV 正規 と比べ、４山の傾向は同じだが、E大側２山の”分離が悪く”なった。

150 um # 21365111 購入 80 V -20% ( 5.02 uA)
1000 um # 18-1029B 旧品 160 V -20% ( 3.61 uA)★ 同左 sA1,sA2 と同じ兆候が見える。
★★ HV掛け過ぎ -> PreAmpサチル？

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

50

SSDキャップ100um付いていた

2212ArscnEDssd19

2山問題

300-700,150-1000u:Kr-set_30s
SAmp Shaping 変更=0.5->2us, 正順 HV= -20%

採用： 2山比較

sA1 x50x5 ( 4 )sA2 x50x6 ( 2 )300 um # 21365112 購入 110 V -20% ( 1.65 uA)
700 um # 21365113 購入 90 V -20% ( 1.62 uA)★ Run#16: HV 正規 と比べ、
sA1,sA2 共に Gain が大きくなった。
その他は同じ傾向。

2023/02/17 rev

2山問題 コリ無 HV -20% Shaping2μ
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.5 k )ED= ０～ 3252 um 30 点まで x 30s

採用： 2山比較

sB1 x100x8 ( 0 )sB2 x50x8 ( 8 )150 um # 21365111 購入 80 V -20% ( 5.02 uA)
1000 um # 18-1029B 旧品 160 V -20% ( 3.61 uA)★ Run#16: HV 正規 と比べ、sB2 厚い の Gain が大きくなり、上に降る雨が顕著になった。
sB1 薄い の Gain 変動は少ない。

⑥累積_scnEDssd

51

SSDキャップ100um付いていた

2212ArscnEDssd20

300-700,150-1000u:Kr-set_30s

2山問題

SAmp Shaping変更= 0.5->6us, 正順 HV= -20%

採用： 2山比較

sA1 x50x5 ( 4 )sA2 x50x6 ( 2 )300 um # 21365112 購入 110 V -20% ( 1.65 uA)
700 um # 21365113 購入 90 V -20% ( 1.62 uA)★ Run#16: HV 正規 と比べ、
sA1,sA2 共に Gain が大きくなった。
その他は同じ傾向。

2023/02/17 rev

2山問題 コリ無 HV -20% Shaping6μ
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.5 k )ED= ０～ 3252 um 30 点まで x 30s

採用： 2山比較

sB1 x100x8 ( 0 )sB2 x50x8 ( 8 )150 um # 21365111 購入 80 V -20% ( 5.02 uA)
1000 um # 18-1029B 旧品 160 V -20% ( 3.61 uA)★ Run#16: HV 正規 と比べ、sB2 厚い の Gain が大きくなり、上に降る雨が顕著になった。
sB1 薄い の Gain 変動は少ない。

⑥累積_scnEDssd

52

300-700,150-1000u:Kr-set_30s

SSDキャップ除去

2212ArscnEDssd21

2山問題 2山問題 コリ無 遮光無 HV-20% Shaping0.5μ
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1.5 k )ED= ０～ 3287 um 33 点まで x 30s

遮光膜破る, SAmp Shaping戻す=0.5us, HV= -20%

採用： 2山比較

採用： 2山比較Ar のキレイなRun
sA1 x50x5 ( 4 )sA2 x50x6 ( 2 )300 um # 21365112 購入 110 V -20% ( 1.65 uA)
700 um # 21365113 購入 90 V -20% ( 1.62 uA)★ Run#16: HV 正規 キャップ有 と比べ、EDeg 約100um分だけ、各店がズレた。
⊿E-⊿E 領域の、４山やStp-E 領域の、２山が消えた。
E-⊿E領域は、２山のママ。
2023/02/17 revsB1 x100x8 ( 0 )sB2 x50x8 ( 8 )150 um # 21365111 購入 80 V -20% ( 5.02 uA)
1000 um # 18-1029B 旧品 160 V -20% ( 3.61 uA)★ ｓA1,A2と同じ傾向。
Stp-E 領域の測定点なし。残念。

⑥累積_scnEDssd

53

2210Ar
2210Ar
ExpR測定結果
ビームライン常設物 ref) params
73.0
Au
51.2
Kapton14.0
IC1.Al25.6
IC1.mylar
500.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧厚さ
73.0 μm51.2 μm
14.0 μm25.6 μm500.0 μm10.2 μm
0.4 μm145.0 mm200.0 mm29.4
1016.029.4 ℃
1016.0 hPa

Beam

40Ar

40Ar

Ebm:加速器G実測値

93.000EDeg出口まで

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim40Ar_Epoxy
srim40Ar_SiO2
srim40Ar_Cu

0.9716

ThkStdδEbm補正 [%]WSnam
srim40Ar_Au
srim40Ar_Kapton
srim40Ar_Mylar
srim40Ar_EJ212
srim40Ar_Al
srim40Ar_Si
srim40Ar_Air

3.895

srim40Ar_Si

A=40 Z=1893.000
ExpR:実測
0.000 %⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
93.00
2.07 4499
88.4102.15
4124
87.9662.15
4088
87.7722.16
4072
87.5522.16
4054
84.0042.23
3782
83.9102.23
3774
83.9052.23
3774
82.8692.25 3694

3538 <-実測値-276.6R Al
R air LET
μm
mm in air3976 8052 2.27
3646 7380 2.363614 7314 2.37
3600 7286 2.37
3584 7254 2.38
3339 6757 2.463333 6744 2.463333 6743 2.46
3261.4 6598 2.48

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

81.4402.28

3585

3163.1 6398

2.51

⑥累積_scnEDssd

541)300-700,150-1000u:Kr-set_30s

2210ArsA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6.5 ( 4 )2023/02/17 rev

scnEDssd01

2210Kr-gainのママ

300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.88 uA)
700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.87 uA)

sB1 x20x8 ( 0 )sB2 x5x6 ( 1,2,4,8 )⑥累積_scnEDssd

2山問題

2山問題 コリ無 HV定格
Trig(cps)= PL1( 12 k ) & Sor( 600 )ED= ０～ 3297 um 13 点 x 30s

150 um # 21365111 購入 100 V 低め ( 4.70 uA)1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.60 uA)

55

2山問題

2)300-700,150-1000u:Kr-set_60s

2210ArsA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6.5 ( 4 )scnEDssd112210Kr-gainのママ タメ

300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.93 uA)
700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.93 uA)

sB1 x20x8 ( 0 )sB2 x5x6 ( 1,2,4,8 )150 um # 21365111 購入 100 V 低め ( 4.70 uA)1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.61 uA)★ ｓA1,A2と同じ傾向。
但し、150umが ２山になり始め(ED=3009) るのが、
300um (ED=2689)より遅い(～300um)厚くなってから)★ ⊿E-E modeの時だけ２山
他は１山

2023/02/17 rev

2山問題 コリ無 HV定格
Trig(cps)= PL1( 11 k ) & Sor( 600 )ED= ０～ 3400 um 21 点 x 60s⑥累積_scnEDssd

563)300-700,150-1000u:Kr-set_30s

2210ArsA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6.5 ( 4 )scnEDssd12

Beam 1/10

300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.93 uA)
700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.93 uA)

sB1 x20x8 ( 0 )sB2 x5x6 ( 1,2,4,8 )

2山問題

2山問題 コリ無 HV定格 Beam1/10
Trig(cps)= PL1( 1.2 k ) & Sor( 60 )ED= ０～ 3400 um 21 点 x 30s

150 um # 21365111 購入 100 V 低め ( 4.70 uA)1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.61 uA)★ Beam 1/10 にしても、２山は変化なし。
sA1やsB1の tail の引き方も変化なし。

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

57

2山問題

4)300-700,150-1000u:Kr-set_30s

2210ArscnEDssd13

sA1 Gain change

採用： 2山比較

sA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6.5 ( 4 )300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.93 uA)
700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.93 uA)

2山問題 コリ無 HV定格
Trig(cps)= PL1( 11 k ) & Sor( 600 )ED= ０～ 3400 um 21 点 x 30s

採用： 2山比較

sB1 x20x8 ( 0 )sB2 x5x6 ( 1,2,4,8 )150 um # 21365111 購入 100 V 低め ( 4.70 uA)1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.61 uA)★ sA1 のみ SAmp gain 調整
以下 ssd16～18と比較

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

58

2210ArsA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6.5 ( 4 )scnEDssd145)50-2000,2000-2000u:C,Ar-set_30s
C,Ar-set で Ar SAmp gainは ssd13のママで50 um # 20-638A 旧品 20 V ( 1.96 uA)
2000 um # 20-195A 旧品 400 V ( 6.80 uA)

sB1 x20x8 ( 0 )sB2 x5x6 ( 1,2,4,8 )2山問題 コリ無 C,Ar-set
Trig(cps)= PL1( 11 k ) & Sor( 600 )ED= ０～ 3400 um 21 点 x 30s

2000 um # 20-195I 旧品 400 V ( 10.42 uA 流過ぎ)2000 um # 20-195E 旧品 400 V ( 6.05 uA)★ sB1 左に降る雨
HV 流れ過ぎが原因か？

★ sA2 下に降る雨
HV 流れ過ぎか？

2023/02/17 rev

2山問題⑥累積_scnEDssd

596)20-2000,1000-2000u:Test1-set_30s

scnEDssd15

2210ArsA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6.5 ( 4 )Sel#15-380F 23-573D 18-621B 20-195D

20 um # 15-380F 旧品 20 V ( 2.24 uA)
2000 um # 23-573D 旧品 400 V ( 2.92 uA)

コリ無 Test1 SAgain同じママ
Trig(cps)= PL1( 11 k ) & Sor( 600 )ED= ０～ 3400 um 21 点 x 60s

sB1 x20x8 ( 0 )1000 um # 18-621B 旧品 200 V ( 5.45 uA)

sB2 x5x6 ( 1,2,4,8 )2000 um # 20-195D 旧品 400 V ( 5.79 uA)

sA1: ☓△ 左に数山あり
sA2: ○ まあOK

2023/02/17 rev

50mm2 2連 test

sB1: ☓ ダメそう 左端にも山あり
sB2: ○ まあOK

⑥累積_scnEDssd

607)50-50,S15-S100u:Test2-set_30s

scnEDssd16

2210ArsA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6.5 ( 4 )50mm2 2連 test
Sel#18-958G 21-506G 25mm2:13-134F 25:27-054E

50 um # 18-958G 旧品 25 V ( 2.06 uA)
50 um # 21-088G 旧品 25 V ( HV掛らない)

sB1 x20x8 ( 0 )25- 15 um # 13-134F 旧品 20 V ( 4.59 uA)

sB2 x5x6 ( 1,2,4,8 )25-100 um # 27-054E 旧品 50 V ( 2.86 uA)

sA1: ○？ まあOKかもsA2: ☓？ HV掛らないけど見えている

2023/02/17 rev

コリ無 Test2 SAgain同じママ
Trig(cps)= PL1( 11 k ) & Sor( 600 )ED= ０～ 3400 um 21 点 x 60s

sB1: ○？ まあOKかも gain低すぎた
sB2: ○？ まあOKかも gain低すぎた⑥累積_scnEDssd

61

2山問題

8)300-700,150-1000u:Kr-set_30s

2210ArscnEDssd17

裏返し AL面上流側

採用： 2山比較

sA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6.5 ( 4 )2023/02/17 rev

採用： 2山比較

300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.83 uA)
700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.96 uA)★ sA1 ２山がの分離が良くなる
PH位置は、Arでは、
Au層->AL層になっても殆ど変化なし

2山問題 コリ無 HV定格 裏返し
Trig(cps)= PL1( 11 k ) & Sor( 600 )ED= ０～ 3400 um 21 点 x 30s

sB1 x20x8 ( 0 )sB2 x5x6 ( 1,2,4,8 )★ ssd13と比較して・・・⑥累積_scnEDssd

150 um # 21365111 購入 100 V 低め ( 4.62 uA)
1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.57 uA)★ sB1 ２山がの分離が良くなる
sA1と同じ傾向

62

2山問題

9)300-700,150-1000u:Kr-set_30s

2210ArscnEDssd18

裏返し, PAmp交換( sA1,2 → sB1,2) それ以降の回路は同じママ

採用： 2山比較

sB1 x20x5 ( 2,4 )sB2 x20x6.5 ( 4 )2023/02/17 rev

採用： 2山比較

300 um # 21365112 購入 140 V 定格 ( 1.83 uA)
700 um # 21365113 購入 120 V 定格 ( 1.96 uA)★ sA1 ２山がの分離が悪くなる？
ch vs E 較正で比較しないとわからない。

2山問題 コリ無 HV定格 裏返し PA交換
Trig(cps)= PL1( 11 k ) & Sor( 600 )ED= ０～ 3400 um 21 点 x 30s

sA1 x20x8 ( 0 )sA2 x5x6 ( 1,2,4,8 )★ ssd17と比較して・・・
Gainが変わるので、見た目でしか比較できないが⑥累積_scnEDssd

150 um # 21365111 購入 100 V 低め ( 4.62 uA)
1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.57 uA)★ sB1 ２山がの分離が悪くなる？
sA1と同じ傾向63

2210Kr
2210Kr
ExpR測定結果
ビームライン常設物 ref) params
45.8
Au
51.2
Kapton14.0
IC1.Al25.6
IC1.mylar
100.0
PL.EJ212
10.2
PL.mylar
0.4
PL.Al(mylar)
145.0
Air1
200.0
Air2

AirT 気温AirP 気圧厚さ45.8 μm51.2 μm
14.0 μm25.6 μm
100.0 μm10.2 μm
0.4 μm145.0 mm200.0 mm30.2
1018.030.2 ℃
1018.0 hPa

Beam

84Kr

84Kr

Ebm:加速器G実測値

69.400EDeg出口まで

in Vaccaft Auaft Kap
aft IC1-Al
aft IC1-Mylar
aft PL-EJ212
aft PL-Mylar
aft PL-Al(Mylar)
aft Air1

srim84Kr_Epoxy
srim84Kr_SiO2
srim84Kr_Cu

0.9709ThkStdδEbm補正 [%]WSnam
srim84Kr_Au
srim84Kr_Kapton
srim84Kr_Mylar
srim84Kr_EJ212
srim84Kr_Al
srim84Kr_Si
srim84Kr_Air

0.255

srim84Kr_Si

A=84 Z=36
69.40
ExpR:実測
0.255 %⊿ExpR
E
LET
Rin Si
MeV/u
in Si
μm
69.58
9.52 1628
63.28210.17
1393
62.23110.29
1356
61.76810.34
1339
61.26010.40
132159.693
10.57
1266
59.48910.60
1259
59.47510.60
1258
57.01110.93 1180

1045 <-実測値
0.0
R Al
R air
μm
mm
1438 2903
1234 2486
1202 2419
1188 2389
1172 2356
1125 2256
1119 2243
1119 2242
1045.0 2097

照射物位置でaft Air2

2023/02/17 rev

53.611

11.39

1071

943.6 1897

⑥累積_scnEDssd

64

2山問題

1)300-700,150-1000u:Kr-set_30s

2210KrscnEDssd01

HV 100,100,100,200V

採用： 2山比較

sA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6 ( 4 )2山問題 コリ無 HV適当
Trig(cps)= PL1( 8 k ) & Sor( 1k )ED= ０～ 835 um 32 点 x 30s

採用： 2山比較

300 um # 21365112 購入 100 V -10% ( 1.68 uA)
700 um # 21365113 購入 100 V -20% ( 1.90 uA)

sB1 x20x8 ( 0 )sB2 x5x6 ( 1,2,4,8 )150 um # 21365111 購入 100 V -10% ( 4.65 uA)
1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.49 uA)★ stopまでED振っている

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

652)300-700,150-1000u:Kr-set_30s

2210KrscnEDssd02

slitΦ5, HV=少高め 150,130,120,200

採用： 2山比較

sA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6 ( 4 )2023/02/17 rev

2山問題 コリΦ5t1mm HV高め
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1k )ED= ０～ 1000 um 43 点 x 30s

採用： 2山比較

300 um # 21365112 購入 150 +7% ( 2.12 uA)
700 um # 21365113 購入 130 +8% ( 2.14 uA)★ ｓA1 HV up で gain 少し増。
コリΦ5で 各山のE広がりが減少

2山問題

sB1 x20x8 ( 0 )sB2 x5x6 ( 1,2,4,8 )★ stopまでED振っているssd01と比較して・・・⑥累積_scnEDssd

150 um # 21365111 購入 120 110V +9% ( 4.80 uA)1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.65 uA)★ ｓB1 HV up で 右に降る雨が減少。
コリΦ5で 各山のE広がりが減少⊿E-E 領域で暑くなると ４山に見える

66

2山問題

2)300-700,150-1000u:Kr-set_300s タメ

2210KrscnEDssd03

slitΦ5, HV=少高め 150,130,120,200 PZ再調整後

採用： 2山比較

sA1 x20x5 ( 2,4 )sA2 x20x6 ( 4 )2山問題 コリΦ5t1mm HV高め
Trig(cps)= PL1( 30 k ) & Sor( 1k )ED= ０～ 748 um 11 点 x 300s タメ

採用： 2山比較

300 um # 21365112 購入 150 +7% ( 2.12 uA)
700 um # 21365113 購入 130 +8% ( 2.14 uA)

sB1 x20x8 ( 0 )sB2 x5x6 ( 1,2,4,8 )150 um # 21365111 購入 120 110V +9% ( 4.80 uA)1000 um # 18-1029B 旧品 200 V ( 3.65 uA)★ stopまでED無い。間引いた。
ssd02と比較して・・・
sA1,2 sB1,2 それぞれは同じ傾向

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

67

これ以前は、２山問題についてあまり参考にならない
2206Kr から NewSSD を使用。

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

68

以下は削除してもいいです。

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

69

測定結果(XX) Arビーム： set1( Lay1,2 = 300, 700um ) set2( Lay1,2 = 150, 1000um )SSD 組み換え

2212Ar scnEDssd21 300-700,150-1000u:Kr-set_30s

遮光膜破る, Shp戻=0.5us, HV= -20%

Ar
Ar

Y : Layer2= 700um

Y : Layer2= 1000um

Ar

X : Layer1= 300um

X : Layer1=150um

2301 Ar 95 MeV/u Run: ssd14
Trig= PL1 (30 kcps) & SSDor (1.2k cps)
Lay1: sA1 20 um Sel# 18-958G 旧品 20V
Lay2: sA2 700 um Sel# 21365113 購入品 120V定格

2023/02/17 rev

Lay1: sB1 150 um Sel# 21365111 購入品 90V低め
Lay2: sB2 300 um Sel# 21365112 購入品 140V定格⑥累積_scnEDssd

70測定結果(XX) Arビーム： set1( Lay1,2 = 700, 300um ) set2( Lay1,2 = 1000, 150um )2212Ar scnEDssd11 700-300,1000-150u:Kr-set_30s

逆順, Shp=0.5us, Gain変更, Trg=AND

Ar

Y : Layer2= 150um

Y : Layer2= 300um

Ar

300u 1点→2点

X : Layer1= 700um

X : Layer1= 1000um

2212 Ar 95 MeV/u Run: ssd11 厚→薄の順
Trig= PL1 (25 kcps) & SSDor (1 k cps) 30s/点
Lay1: sA1 700 um Sel# 21365113 購入品 120V(1.64uA)
Lay2: sA2 300 um Sel# 21365112 購入品 140V(1.59uA)

2023/02/17 rev

Lay1: sB1 1000 um Sel# 18-1029B 旧品 200V(5.31uA)
Lay2: sB2 150 um Sel# 21365111 購入品 90V(3.32uA)⑥累積_scnEDssd

71

測定結果(XX) Arビーム： set1( Lay1,2 = 50, 2000um ) set2( Lay1,2 = 2000, 2000um )2212Ar scnEDssd14 50-2000,2000-2000u:C,Ar-set_120s

貯め, Shp=0.5us

Ar

Y : Layer2= 2000um

Y : Layer2= 2000um

Ar

ナナメに降る雨！？

X : Layer1= 50um

X : Layer1= 2000um

2212 Aｒ 95 MeV/u Run: ssd14 コリ無し
Trig= PL1 (25k cps) & SSDor (1k cps) 120sec/点Lay1: sA1 50 um Sel# 20-638A 旧品 20V(1.76uA)
Lay2: sA2 2000 um Sel# 20-195A 旧品 400V(3.17uA)

2023/02/17 rev

Lay1: sB1 2000 um Sel# 20-195I 旧品 400V(6.91uA)
Lay2: sB2 2000 um Sel# 20-195E 旧品 400V(4.16uA)⑥累積_scnEDssd

72

測定結果(XX) Arビーム： set1( Lay1,2 = 300, 700um ) set2( Lay1,2 = 150, 1000um )SSD 組み換え

2212Ar scnEDssd21 300-700,150-1000u:Kr-set_30s

遮光膜破る, Shp戻=0.5us, HV= -20%

Ar
Ar

Y : Layer2= 700um

Y : Layer2= 1000um

Ar

X : Layer1= 300um

X : Layer1=150um

2301 Ar 95 MeV/u Run: ssd14
Trig= PL1 (30 kcps) & SSDor (1.2k cps)
Lay1: sA1 20 um Sel# 18-958G 旧品 20V
Lay2: sA2 700 um Sel# 21365113 購入品 120V定格

2023/02/17 rev

Lay1: sB1 150 um Sel# 21365111 購入品 90V低め
Lay2: sB2 300 um Sel# 21365112 購入品 140V定格⑥累積_scnEDssd73

測定結果(XX) Krビーム： set1( Lay1,2 = 300, 700um ) set2( Lay1,2 = 150, 1000um )2212Kr scnEDssd02 300-700,150-1000um:Kr-set 30s

正順, Gain調整, HVnom -20%, Shp=0.5us 遮光膜無Kr

Y : Layer2= 700um

Y : Layer2= 1000um

Kr

X : Layer1= 300um

X : Layer1=150um

2212 Kr 70 MeV/u Run: ssd02 コリ無Φ7 遮光膜無し HV-20%
Trig= PL1 (30k cps) & SSDor (1.5k cps) 30sec/点Lay1: sB1 150 um Sel# 21365111 購入品 80V -20%(5.08uA)
Lay1: sB2 1000 um Sel# 18-1029B 旧品 160V -20%(3.69uA)

Lay1: sA1 300 um Sel# 21365112 購入品 110V -20%(1.67uA)
Lay2: sA2 700 um Sel# 21365113 購入品 90V -20%(1.64uA)

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

74

測定結果(XX) Krビーム： set1( Lay1,2 = 300, 700um ) set2( Lay1,2 = 150, 1000um )2212Kr scnEDssd11 300-700,150-1000um:Kr-set 60s

正順, HVnom, Shp=0.5us 遮光膜無Kr

Y : Layer2= 700um

Y : Layer2= 1000um

Kr

X : Layer1= 300um

X : Layer1=150um

2212 Kr 70 MeV/u Run: ssd02 コリ無Φ7 遮光膜無し
Trig= PL1 (30k cps) & SSDor (1.5k cps) 60sec/点Lay1: sB1 150 um Sel# 21365111 購入品 110V(5.30uA)
Lay1: sB2 1000 um Sel# 18-1029B 旧品 200V(3.73uA)

Lay1: sA1 300 um Sel# 21365112 購入品 140V(1.71uA)
Lay2: sA2 700 um Sel# 21365113 購入品 120V(1.69uA)

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

75

測定結果(XX) Krビーム： set1( Lay1,2 = 300, 700um ) set2( Lay1,2 = 150, 1000um )2212Kr scnEDssd12 300-700,150-1000um:Kr-set 60s

自作コリ有 Φ5t2, HVnom,遮光膜無 Shp=0.5us

Kr

Y : Layer2= 700um

Y : Layer2= 1000um

Kr

X : Layer1= 300um

X : Layer1=150um

2212 Kr 70 MeV/u Run: ssd12 自作コリ有 Φ5t2 遮光膜無し
Trig= PL1 (30k cps) & SSDor (1.5k cps) 60sec/点 Φ5で減った
Lay1: sB1 150 um Sel# 21365111 購入品 110V(5.30uA)
Lay1: sB2 1000 um Sel# 18-1029B 旧品 200V(3.73uA)

Lay1: sA1 300 um Sel# 21365112 購入品 140V(1.71uA)
Lay2: sA2 700 um Sel# 21365113 購入品 120V(1.69uA)

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

76測定結果(XX) Krビーム： set1( Lay1,2 = 300, 700um ) set2( Lay1,2 = 150, 1000um )2212Kr scnEDssd13 300-700,150-1000um:Kr-set 60s

裏返し AL面上流, HVnom, Shp=0.5us

Kr

Y : Layer2= 700um

Y : Layer2= 1000um

Kr

X : Layer1= 300um

X : Layer1=150um

裏返し で PH ちょっと変化 → 比ssd112212 Kr 70 MeV/u Run: ssd13 コリ無 Φ７遮光膜無し 裏返し AL面上流
Trig= PL1 (25k cps) & SSDor (0.5k cps) 60sec/点Lay1: sB1 150 um Sel# 21365111 購入品 110V(5.30uA)
Lay1: sB2 1000 um Sel# 18-1029B 旧品 200V(3.73uA)

Lay1: sA1 300 um Sel# 21365112 購入品 140V(1.71uA)
Lay2: sA2 700 um Sel# 21365113 購入品 120V(1.69uA)

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

77

測定結果(XX) Krビーム： set1( Lay1,2 = 150, 300um ) set2( Lay1,2 = 700, 1000um )2212Kr scnEDssd15 150-300,700-1000u_30s

組換, HVnom, Shp=0.5us

KrKr

Y : Layer2= 300um

Y : Layer2= 1000um

4点になったX : Layer1= 150um

700umも２山になった

X : Layer1=700um

2212 Kr 70 MeV/u Run: ssd15 コリ無 Φ７遮光膜無し 組み換え
Trig= PL1 (25k cps) & SSDor (0.5k cps) 30sec/点Lay1: sB1 700 um Sel# 21365113 購入品 120V(5.12uA増えた)
Lay2: sB2 1000 um Sel# 18-1029B 旧品 200V(3.85uA)

Lay1: sA1 150 um Sel# 21365111 購入品 110V(2.44uA)
Lay2: sA2 300 um Sel# 21365112 購入品 140V(1.70uA)

2023/02/17 rev⑥累積_scnEDssd

78

測定結果(XX) Krビーム： set1( Lay1,2 = 50, 2000um ) set2( Lay1,2 = 2000, 2000um )2212Kr scnEDssd16 50-2000,2000-2000u:C,Ar-set_120s

Gain変更, HVnorm, Shp=0.5us

Kr

Y : Layer2= 2000um

Y : Layer2= 2000um

Kr

2点→1点

ｓB1 E小に２山みえる

X : Layer1= 50um

X : Layer1= 2000um

2212 Kr 70 MeV/u Run: ssd16 コリ無 Φ７遮光膜有Trig= PL1 (25k cps) & SSDor (0.5k cps) 120sec/点Lay1: sA1 50 um Sel# 20-638A 旧品 20V(1.65uA)
Lay2: sA2 2000 um Sel# 20-195A 旧品 400V(3.27uA)

2023/02/17 rev

Lay1: sB1 2000 um Sel# 20-195I 旧品 400V(6.75uA)
Lay2: sB2 2000 um Sel# 20-195E 旧品 400V(3.95uA)⑥累積_scnEDssd

79測定結果(XX) Arビーム： set1( Lay1,2 = 50, 2000um ) set2( Lay1,2 = 2000, 2000um )2301Ar scnEDssd11 50-2000,2000-2000:C,Ar-set 300s

for Ecal, Trg=AND, 20-400,400-400VAr

Y : Layer2= 2000um

Y : Layer2= 2000um

Ar

ナナメに降る雨！？

X : Layer1= 50um

X : Layer1= 2000um

2301 Aｒ 95 MeV/u Run: ssd11 コリΦ７
Trig= PL1 (15k cps) & SSDor (600 cps) 300sec
Lay1: sA1 50 um Sel# 20-638A 旧品 20V(1.76uA)
Lay2: sA2 2000 um Sel# 20-195A 旧品 400V(3.17uA)

2023/02/17 rev

Lay1: sB1 2000 um Sel# 20-195I 旧品 400V(6.91uA)
Lay2: sB2 2000 um Sel# 20-195E 旧品 400V(4.16uA)⑥累積_scnEDssd

80測定結果(XX) Arビーム： set1( Lay1,2 = 20, 700um ) set2( Lay1,2 = 150, 300um )2301Ar scnEDssd14 20-700,150-300:ArKr-set 30s

for Ecal, Trg=AND, 20-120,90-140V

2301 Ar 95 MeV/u Run: ssd14 コリΦ５
Trig= PL1 (30 kcps) & SSDor (1.2k cps)

2689

2399

2885 um3078
3203

ED= 0 umAr

Y : Layer2=300um

Y : Layer2= 700um

Ar

3310

2885

3078 um

2689
2399
3203
ED= 0 um

3387 um

X : Layer1= 20um

X : Layer1=150um

Lay1: sA1 20 um Sel# 18-958G 旧品 20V(1.82uA)
Lay2: sA2 700 um Sel# 21365113 購入品 120V定格(1.73uA)

2023/02/17 rev

Lay1: sB1 150 um Sel# 21365111 購入品 90V低め(5.23uA)
Lay2: sB2 300 um Sel# 21365112 購入品 140V定格(3.45uA)⑥累積_scnEDssd

81