③整理_RunLog_2401Ar_240116.xlsx1_RunLog

2401Ar

40Ar17+ 95MeV/u AVF_18G max 1pnA

Run Summary Sheet : CAMAC & LabView
AttFname

start

stopHeader

Ender / LogNote
Elapsepg.
LogNote: E5exp(11)_実験前
24/01/11
bef無し
実験中：Beam調整時
24/01/11
p.143
ZnSスポット調整
05:00※SW31,51 電源 bit飛び？ スポット調整困難
Cap
105:25Cap01_ZnS_Zsld
2
Cap02_Qdef
3
Cap03_WobR 30
4Cap04_Au73
MaxBeam
Gaf:: EBT3 □85x85mm @ Ysld
p.143
Gaf焼き(1)Gaf
106:11
Au 73 R=0(WobOFF)
2
Au 73 R=38
3
同上 で IC1 x 2倍p.143
PL回路調整6:30:00
PL1=500u 23#01 (2310Arママ)

PL2=500u:23#02 (2310Arママ)

PL HV： 利用「前」p.144
6:50:14 plhv01-01 PL1,2=23#01,02=800,700V
6:51:30 plhv01-02 900,800V
6:52:50 plhv01-03 1000,900V
6:54:18 plhv01-04 1100,1000V
plhv026:59:13 plhv02-01 IC2=OUT PL1,2=1000,1000V
7:00:16 plhv02-02 1100,1000V
7:01:12 plhv02-03 1200,1000V
7:02:26 plhv02-04 1300,1000V
p.144
scnEDic： ExpR (1)
07:10
手動でラフscan 3424um付近で落ち
scnEDssdic01_202401110722
本番 30s x 53/55点で終了
07:22
08:02
plhv01-12
34123
46:49:37
6:50:52
6:52:02
6:53:21
6:58:38
6:59:43
7:00:32
7:01:32

mpg
mpg
mpg
mpg

コメント

100 10 532Trig

Wob AuF Kap IC1 PL1 ED

イオン源= 18G50uΦ50

1 1 0 1 1

PL2
IC2 Air1 Air2SSD

145 200

Ar 95MeV/u paramで
1 1 0 0 0⃣

RRCout = 未確認
IC1[A]

4.3-8A
40sec
60sec
60sec IC1=7.9-8A

有り ×0 3 1 0 20 3 1 0 1
2 2 1 0 2 PorS(0) R38

PL=3kcps（決定） HV PL1=1100V PL2=900V（決定） Thr PL1= 200mV(CFD値), PL1peak= 300～400mV
PL1low = -1500mV(CFD値) < 1/2 peak
0:00:37
PL2peak= 300～600mV PL2Thr=200mV
0:00:38
0:00:48 ※ IC2=IN だった
0:00:57
0:00:35 ※ IC2=Out にして PL2が太いので0:00:33 -> でも PL2は太いママ 位置依存が原因か？
0:00:40
0:00:54
IC1= 1.5-7A IC2=1.2-7A 0 3 0 0 20u

IC2@Xclmt

73.0 〇〇

500 0uPL2@Air2〇〇〇〇〇var

IC2@Air2〇〇〇〇〇0u

PL1= 3.5kcps 2 2 1 0 2 PorS(0) R38 73.0 〇0:00:29 PL1 のみ
0:00:43
0:00:59 PL1 500u23#01 1100Vで50ch低下、少し太くなった
0:00:46 --> PL1: 500uは、次回もまだどうにか利用可
0:00:44
IC1= 1.3-7A IC2=1.0-7A 0 3 0 0 2 10uSv/h 〇 〇 〇〇500 アリ〇〇var

IC2@Air2〇〇〇var

SSD@Air273.0 〇〇500 アリ(決定) ExpR= 3580um 24.8 ℃ 1012.8 hPa
0:40:00 （前回）2312Ar 3570um より 10um 深い

scnAtt： IC1 vs PL130sec x 22点まで

scnAtt01_202401110808

08:08
08:29
scnAtt01- camac run
1 無し08:08
08:08 Step = 1/2,3,4,5,6,8,10～
camac run 有り
21 8:28:42 0.35363
24/01/11
8:31
ビーム調整終了
24/01/11
10:05(S08) 24h 利用スタート
24/01/12
24/01/12
24/01/12
24/01/12
24/01/13
24/01/13
24/01/13

7:30
10:15
20:30
23:00
8:25
10:10
21:00
利用終了後測定

p.145

12345

22:46:27
22:47:19
22:48:31
22:49:55
22:51:07

1 1 0 0 0 ～1 3 0 0 3

(決定) PL[cps]= 1.504E+14 * IC1[A], 実測/予想=0.78
0:00:32 （前回）2312Ar 1.505E+14 0.77
Vacc= 5.3-7Torr

DownTime

利用終了(R05) 12h 利用スタート
利用終了(Mk04) 12h 利用スタート
利用終了(T01) 12h 利用スタート
利用終了

PL HV： 利用「後」24/01/13
plhv11-IC1= 4.7-7A PL1>8Mでへたり
0:21:000:00:31

p.145
～5min

間違って E5-E6トビラの鍵を抜いた

p.146
p.146
p.146

p.154

22:46:56 plhv11-01 aft PL1only 900V
22:48:02 plhv11-02 1000V
22:49:30 plhv11-03 1100V
22:50:41 plhv11-04 1200V
22:51:51 plhv11-05 1300V

p.154
scnEDic： ExpR (2) 遮光Boxのみ
scnEDic11_202401132318
20s x 間引き 45/51点で終了
23:18
23:44
24/01/14
scnEDssd： 代替品 150u, 300u テスト
scnEDssd11_202401140030
p.155
0:30:00 1:15:00 120s x 20点
scnEDssd112305Ar,Kr のママで Ecal 用
1 0:30:18 0:32:12 scanED001 0.0 um 0000000000000～20 1:13:07 1:15:07 scanED020 3476.7 um 0111001101111

0:26:00 ※ 2312Ar をほぼ再現している
PL 20K, Sor 800 cps, Trig=AND
0:45:00 ２連ｘ２：コリΦ7,Φ7 遮光 AyMy 2.5um

2 2 0 0 2 PandS〇〇150替-2000, 300替-2000um
0:01:54 Sel# 23321929替, 20-195E, 23321928替, 23-573D

HV(uA): 定格90(1.97) 400(4.16), 110定格(5.12), 380(4.42)
0:02:00 TFA: all x6x50% Int,Dif=20,20SA(Att) all 0.5u; x50x7.0(0), x20x7.0(0), x50x9.0(0), x20x7.0(0)scnXYpl： 12月用PL各種について
scnXYpl11Gomi_202401140203
scnXYpl12_202401140227
scnXYpl111 2:27:53
上側 ～26 2:41:49

ゴミ、Edegたくさん入っていた

20sec x 26点: 12.5mmStep □50x50まで
2:28:13 Ar用 PL1=500um:23#01 今回使用 1100V

11,14
12,15
13,16
212223313233343536

24/01/14
aft無し

PL1= 1.5kcps 2 2 0 0 1 PL1
0:00:20 cf) 500um:23#02 は、2312Ar で測定済み

2:42:1102:45

EBT3 vs EBT4, IC1変化

p.156

Au 73 R=38 で上流:EBT3 下流:EBT4 ２枚重ね有り ×60sec IC1= 2.6-8A かなり濃い
60sec IC1= 4.6-8A 更にx2
60sec IC1= 9.1-9A x1/2で 薄い60sec IC1= 3.7-9A 更にx1/3
60sec IC1= 8.4-8A 真っ黒
60sec IC1= 7.7-8A 真っ黒
45sec IC1= 7.2-8A
45sec IC1= 1.2-7A
45sec IC1= 3.5-8A
45sec IC1= 2.5-8A
45sec IC1= 9.1-9A
45sec IC1= 5.7-9A

EBT3のみで、IC1変化 60sec
EBT3のみで、IC1変化 45sec

4:35

0:00:22
IC1[A]

MT終了

加速器E測定：24/01/11
以上。

21:11

2 2 1 0 2 PorS(0) R38--> PH場所依存 500u23#02よりは少なめ

Gaf焼き(2)Gaf

PL1= 4.5kcpsSA(Att) all 0.5u; x50x7.0(0), x20x7.0(0), x50x9.0(0), x20x7.0(0)p.155

E(Ar) = 93.53 MeV/u

p.152

Bm調整後 S08の途中で測定

1 / 1 ページ

001100000000332233333333000101
1000111111100111113233
100023230u

IC2@Xclmt