バイポーラトランジスターアンプと検出器の発振
岡山大学 谷口敬	• 目的。
• 回路の基本。
• 各種アンプの特徴。
• アンプの発振。
• 検出器の発振。
• 様々な発振例。	

セミナーの目的１	
• Bipolar junction transistor（BJT)を使用したプリアンプの回路について最近記事が少なくなっている。
• 世界的にもすでに注目の対象ではなくなって来ている。
– 1980年代までに回路形式とその等価雑音電圧（ENC)の理論が確立し、研究者の興味がなくなった。
– モノリシックICが中心となり、プリアンプに付随した信号処理に興味が、一時移ったことがある（現在はすでにない）。
– 回路形式やパラメーター、波形整形法にもあまり拠らず、大きな性能の差はないこと。

• 結果としてBJTプリアンプは高エネルギー、原子核実験領域では動作して当たり前のように思われている(現実とは無関係に）。
– このことがいわゆる技術屋の仕事のように思われる原因かも？
– 検出器の発振がプリアンプのせいになってきた？

• プリアンプ単体で発振がなければ、プリアンプが原因で検出器が発振する可能性は非常に低いという認識がされていない。	

セミナーの目的２	
• 今回のセミナーではBJTプリアンプを少しでも理解してもらい、いろいろな検出器にどのようなプリアンプを使用すべきかの情報にしてもらう。
• プリアンプのインパルス反応と周波数特性との関係を理解してもらい、プリアンプの信号処理の理解のひとつにしてもらう。
• 実際に発振しないプリアンプが、いとも簡単に検出器につなぐと発振を起こす場合がある。原因はほとんどいつも同じ。
– 時代とともに使用する部品が変化し、それにより発振の原因が新たに開発された高速、高ゲインプリアンプのせいにされてきた事もある。
– 信号線も同軸からツイストケーブルへそしてシールドツイストケーブル。
• そのたびに発振しにくくなってきた。

• 例を挙げることによって誰でも発振の原因追及が出来るようになってもらう。

R-C積分回路	

• R-C積分回路は、周波数領域ではロウパスフィルター。
• インパルス反応は指数関数。
• 以後ステップ関数、線形波形に対しては数学的積分により得られる。

マルチポール積分	

• 一般的にアンプにはたくさんの積分回路が入っている。
• 一例として3個積分回路が入った場合の波形を示す。
• τ1≫τ2≫τ3を仮定。	

トランジスターの特性	• 普通実験に使用するプリアンプパラメーターの範囲内
ではVBE≒0.7V 。
• 各端子間に接合容量、および浮遊容量が存在する。
• 電流増幅率も周波数とともに変化する。
• DC電流増幅率から減少し始める点をβカットオフ、増幅率が1になる点をαカットオ
フ周波数という。
• αカットオフ周波数をトランジション周波数（ｆT）とも言う。
• ｆＴはコレクター電流（ic)によって変化する量。	

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トランジスターの基本回路			• エミッター接地はフィードバックを掛けて、ゲインをフィードバック抵抗やキャパシターで決まるようにして使用する。
• ベース接地は検出器の電流を直接コレクターに流し、コレクターに取り付けた大きな抵抗やキャパシターで電圧変換を行うことが多い。
• エミッターフォロワーはベースに大きな抵抗を取り付け、検出器に直結することにより検出器の容量で電荷を電圧に変換して信号として取り出す。

ベース接地アンプの場合	

ベース接地のポール	

• ドミナントポール
はRLとトランジスターの接合容量によって決まる。
• 2次ポールはエミッターフォロ
ワーの入力インピーダンス変化によるもの。
• 3次ポールは初段のトランジス
ターのエミッター
抵抗と入力容量によるもの。	

ベース接地の実際例	

実際例	

• 初段のトランジスターを交換してインパルス波形を調べたもの。
• すべてのトランジスターがおなじ種類のものにした。
• BFT25では2Cre＋Co≒1.1pF
2SC3356では2pF程度であった。
• 2次ポールがきれいに見えている。
• 3次ポールははっきりしない。	

実際例２	

• 一段アンプにおなじ形の高速ベース接地アンプを追加した。
• PZCは入っていない。
• 明らかに高次ポールがはっきりしてきた。	

エミッター接地
アンプの場合	• ゲインループ内に1ポール入れて計算すると非常に厄介。
– τ2程度の時定数程度の時間領域になって初めて影響がでる。
– 単純にτ2が2次ポールにはならない。	

エミッター接地アンプの伝達関数	

• オープンループゲインがｇｍ、RL、C0によっている。
• τ2を2次ポールとして計算することが出来る。
• 直接τ2が2次ポールとはならない（より高周波に移る）。	

各種エミッター接地アンプ	
• CE-EFは簡単、Creの小さなアンプ用。超高速アンプに最適。
ゲインを取れないので小容量検出器読み出し。
• CE-CC-EFは比較的大きなCreを持つトランジスター用。
大容量検出器の高速読み出しなど。
• CE-PCC-EFも比較的大きなCreを持つトランジスター用。
大容量検出器の低速読み出し。	

ENC（ベース接地）	

• 入力信号電流に対してIB1とIB2は誤差になる（Parallel noise)。
• RE、RCの熱雑音もParallel noise源。
• ベース接地のreとｒｂｂ‘（ベース広がり抵抗）がSeries noise源。	
ZIN = re＋rbb’/ｈfe

ENC（エミッター接地）	

• ベース電流の揺らぎとRfの熱雑音がParallel noise源。
• Series noise源はベース接地と同じ。	

ZIN = re・CO/Cf

ディスクリートアンプ（例１）	

ディスクリートアンプ	• インパルス反応〜
1.43nS(FWTM)。
• 入力等価雑音電荷：1080等価電子＠0pF。
• 消費電力• +5V：20mA• -5V：2mA• DC再生機能。
– 検出器電流再生。

• 製作目的– ASIC版のための予備テスト。
– 小さなシステム用。	

プリアンプ回路（例2）	

• 性能– 55ｍV/fC– 0.8nS FWHM
• 電流出力– 5V/mA• DCカップルである– 本質的にレートでレベルシフトはしない。
– 出力を特定の電圧に固定したい。
– そのためには入力電流測定が必要。	

•••
•
•

エミッター接地、エミッターフォロワー型三段アンプ。
初段の出力から電流測定出力を取る。
レファレンスアンプの出力との差をとって電流測定を行なう。
二段目の入力が出力オフセット調整をする。
最終段は二段目のフォロワーを使用した電流帰還型出力段。

アンプの反応	• 上トレース– 入力容量0pF。

• 下トレース– 入力容量5pF。

エミッターフォロワー	

Vout = Q／CD

• 出力電圧とドミナントポールがCDに依存する。
• 同じ条件で他のアンプと比較は出来ない。
• 非常に低容量で（<pF）、容量がそろった検出器には能力を発揮するアンプ。

– たとえばピクセル検出器。
SOI Pixel検出器ではノイズの式に関してはエミッター接地と同MOSFETのソースフォロじであるが、Cinの増加によりVout自身がワーをプリアンプとして使小さくなる（他のアンプではありえない）の用している。	
積分時定数＝ CD×RBで高CDで特に不利。	

BJTプリアンプの現状	
• ASICについては– 以前は積分時定数（τ）＜10nSでは明らかにFETよりもBJTがノイズ、速度の両面で優れていた。
– 現在ではD-rangeを除けばMOSプリアンプがτ≒10nSでも同じくらいになってきた。
– 将来的に検出器が高いGranularityを持てばMOSプリアンプのほうが有利になる可能性がある。
– BJTプリアンプの生き残る道は低消費電力でかつ低ノイズ領域と超高速領域のみか？？？

BJTプリアンプの現状	
• ASICについては– SiGe HJBT（超高周波プロセス）がひとつの方向。

• ディスクリートでは– ディスクリートでは当分は代わりがない。
– 回路教育の導入口としては非常に優れているが…。

• ASIC、ディスクリートともに– いまだに理論と合わないことはたくさんある。これを説明することは必要である。
• ヒステリシスもその内の一つ。	

課題	
• 新しいSiGe BJT の特性が、従来のBJTと比較して同じなのかそうでないのかをちゃんと調べるべき。
• これまでのノイズ理論と合うのかどうかを調べるべきである。
• PNPトランジスターがなくても充分な性能が出せる回路形式を考え出さねばならない（一時期の古い回路にそれが見られる）。	

BJTプリアンプのまとめ１	
• ノイズ理論との差は多く認められる。
– 定性的でも説明がほしい。

• CMOSの領域が重なってきたことも事実。
– ノイズの点で必ずしも有利でない。

• いまだに作りやすく性能を出しやすい。特にシミュレーションとの差がCMOSよりはるかに小さい。
• 超高速、低ノイズ分野ではCMOSをはるかに上回っている。	

BJTプリアンプのまとめ2• ベース接地アンプの有益性が現在あまり認められない。
• エミッター接地・カスコード接続の有効性が少ない（高いD-rangeのときのみ）。
• エミッター接地・エミッターフォロワー、あるいはダーリントン接続が現代のトランジスターにもっとも向いた回路形式（私見）であるといえる。	

マルチポールアンプ	• このアンプのオープンループ波形はどのようになるであろうか？
• クローズドループ波形はどのようになるであろうか？	

マルチポールアンプ波形	

• 多ポールアンプはまるで入力波形が遅延したような波形になる。
• 一段目の積分を低周波とし（ドミナントポール）、あとを高周波とおいて（2nd ポール、高次ポール）考える。	

発振とリンギング	

• Δｔを単位として、ゲインステージ波形とフィードバック波形。
• Δｔの間に2倍以上ゲインがあると発振する。
• フィードバック信号が遅延して入力、その遅延時間内に信号が大きく増幅されることによってアンプ系の発振が始まる。	

検出器の発振	• 発振の原理はアンプとまったく同じ。
• ドリフトチェンバーやMWPCの発振が多い。
すべての電線 • ワイヤーはアンテナのような物。
はインダクタン• いったん増幅した信号が再度ワスを持っているので電圧変イヤーに入力され発振にいたる。
化が起こる。	
• ケーブルシールドは静電遮蔽をするが、すべてのノイズをシールドするわけではない。
信号が出れ • パルス電流や磁気的ノイズに対ば必ずリターしてはケーブルシールドの効果ン電流が流れは少ない。	
る。	

検出器の発振	• プリアンプの信号がチェンバーの芯線引き出し用基板などを通して信号が帰り結局発振する。
• PMTはチェンバーよりも遙かにゲインが高いはずなのに発振しない。
• PMTもプリアンプを取り付けた物は発振を起こすこともある。
• 理由はなぜか？	

色々な発振事例他	検出器の発振など身近に起こりうる失敗事例を挙げて、説明のつくものは解説を行う。	

一点アース	• プリアンプの信号ケーブルを図のようにケーブルでつなぎプリアンプとチェンバーグラウンドを一点でつないでしまった。
• 結果として発振、ノイズが多くのってしまった。
• 原因：一点アースの意味を取り違えていた。	

一点アース：対処法	
• 出力ケーブルの根元でグラウンドを取り、チェンバー全体を包むようにシールドする。
• 実際はチェンバー表面にアルミナイズドマイラーシートを張りプリアンプのシールドケースに接続する。	

チェンバーの発振	• この例もグラウンドループを避けるためにプリアンプのグラウンドをチェンバーに接続しなかったことによるミス。
• 同軸のシールドでも空中から信号線が見えてしまっては発振の恐れがあるので、全体をシールドすべき問題である。
– 小信号時でのグラウンドループよりもまずは電磁シールドをきちんとすべきである。
– ループに誘起される電圧＝‐dφ/dｔ。	

BESS CDCの発振	
• 端板はＧ１０であった。そこからワイヤー固定用のピンがたくさんでていた。
• プリアンプには充分なシールドがなされて、端板の奥に埋め込むように固定する予定であった。
• チェンバーとプリアンプの間には薄いBRASSの小さなシールドが細切れに入っているだけであった。
• プリアンプの出力信号はシールド板の横を通っていくらでもスルーピンやワイヤーに入ることができた。
• 2mm厚のアルミ板をプリアンプと端板の間に入れ、ワイヤーをプリアンプ出力から見えなくした。
• アルミナイズドマイラーシートでチェンバー本体を囲ってシールドした。	

バランスドライブ	• 数100チャンネルのSi(Li)検出器をすべて同軸ケーブルで数10ｍ伝送していた。
– 数多くのグラウンドループが生じた。
– その結果発振。
• シェーピング時定数がおよそ１µS。
– 同軸ケーブルの必要はない。
• ツイストペアーケーブルで差動ドライブすることによって解決。
• 実はグラウンドループによる発振のメカニズムは私自身よく理解しているわけではない。しかし少なくとも高圧電源のリターン側に抵抗を直列に挿入することによって防げる発振もあると思う。	

プリアンプのテスト	

• プリアンプに直接パルスジェネレーターからの信号を入力。
• 入力したプリアンプはバイアスが狂って反応せず、隣のチャンネルが反応した。
• これが配線間違いと指摘された。
• 少なくとも全チャンネルACカップルすべき。	

クロストーク	• バランスドライブ出力をシングルエンドで、オシロスコープで観察した。
• バランスドライブのためリターン電流によって観測がわのグラウンドとプリアンプのグラウンドがずれる。
• 全チャンネルに同じようにクロストークがのる。	

プリアンプの発振	• チェンバーのアンプが発振しているという訴えであった。
• プリアンプ単体での発振はないとのことであった。
– プリアンプが原因ではない可能性が高い。

• ドリフトチェンバーはアルミ製でありワイヤーへのノイズ侵入の心配はまったくない。
• プリアンプも充分にシールドされていた。
• にもかかわらず信号引き出し基板は空中にさらされており、いくらでもノイズが入る状況であった。
• 信号引き出し基板のシールドを指示して以降発振は無いとのことであった。	

TOPカウンターCFDの発振	• PMTベース内に電圧分配とCFDボードが4枚収まる。
• 下図がCFDボード。
• 後ろにはふたはない。
• ベースの左側にPMTが取り付く。	

TOPカウンターCFDの発振	• ひとつのチャンネルが信号を出力する。
• グラウンドにリターン電流が流れる。
• これがバックプレーンを通して電源に帰るので、プリアンプカード自体のグラウンドも、ともにゆれる。
• 一枚のカードのグラウンドがゆれるとそれが隣のチャンネルのアンプにチャージインジェクションという形で入力され、隣のチャンネルが出力する。
• それがまた自分のプリアンプを動作させる。	

ひとつの検出器に二つのプリアンプ	
• 検出器のダイナミックレンジを大きくしたいとの希望。
• 検出器からの信号をACカップル用のキャパシタンスを変えることによりOUT1とOUT2のゲインを変える。
• これによる問題はないだろうか。	

ひとつの検出器に二つのプリアンプ	
• 二つのプリアンプはACカップル用キャパシターによってお互いのシリーズのイズが増える。
• ひとつのプリアンプ
出力を二つに分け、ゲインの違うシェーパーアンプにつなぐべき。	

最後に最近の私の失敗	
• 500MHzディスクリミネーターモジュール。
• 共通インピーダンスによるグラウンドポテンシャルの上昇。
• 結果としてダブルパルス、あるいは発振。
• マザーボードからＧＮＤを含• NIM 一幅にむすべての電源をもらって8チャンネル。 いたことが原因。
• 試作機	
– 共通インピーダンスは特に高周波においては厳しい。

最後に最近の私の失敗	• グラウンドのインピーダンスをあまり重要に考えていなかった。
• 入力信号によって少なくとも数mVグラウンドレベルがずれることは、後でわかった。
• スレショールドレベルはケースGNDから作っているのでダブルパルスが観測された。
• 作り直し。

検出器の発振についてのまとめ	
• すべての場合に、出力電圧が何がしかの形で入力に入り込み、その信号の位相がフィードバック信号とずれているので発振にいたっている。
• ほとんどの場合には入力部分をシールドすることで問題解決している。
• グラウンドの共通インピーダンスでの発振は高周波発振が多い。	

まとめ	
• ディスクリート素子による回路開発はやはり回路教育の点において重要である。
– 繰り返し時間がASICよりも短いので経験数が上げられる。

• シミュレーションのみで教育をするのには色々な意味で問題が多い(実際と違うことと、明らかな原因を求める必要がある）。
• 発振の原因は出力信号が色々なパスを通じて入力に（位相が変わって）帰ること。
– 外界から充分にシールドをすること。

• グラウンドがゆれることによっても発振やリンギングが起きる。
– 信号リターンと電源グラウンドとの間に差はないか？

• 発振が起きたときには必ず考えうるモデルを立て、一つづつ、つぶしてゆく事。
• 敵は常に違ったスタイルでおなじことの別の側面を見せてくれる。