13:30Jul. 10, 2014
測定器開発室セミナー

LSI製造技術の基礎

先端加速器推進部
倉知 郁生

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Contents

１．自己紹介 職務履歴から
２．導入
３．過去30年でのプロセス開発 DRAMを例にとり
４．プロセスフローの詳細説明 0.18-0.25um LOGICプロセスの例
５．工程管理の課題
６．今後のLSI開発の方向性
７．まとめ

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職務経歴 （１）1983.04
1983.08-1991.11

1991.12-1993.06

1993.07-1996.09

沖電気工業（株） 入社
DRAMのプロセスインテグレーション
1.8/1.6/1.4/1.2/0.8/0.6um DRAM（64Kb/256Kb/1Mb/4Mb）開発
DRAMのセル設計・評価
MOSFETの設計・評価（特にホットキャリア/ESD耐性）
WSix成膜プロセス導入とW-Polycideプロセス構築
TiN(Ti)成膜プロセス導入とTiNバリアプロセス構築
台湾系米国DRAM設計会社、ファンダリ立ち上げ
オレゴン州立大学 E&CE (Special Graduate Student)酸化膜トラップ・MOSFETホットキャリア劣化・寿命予測
測定セットアップ構築
アナログ・デジタル回路設計単位修得
3 Full Paper + 1 Letter
DRAMプロセス技術課 係長
0.4um DRAM(16Mb)開発
DRAMのセル設計・評価
Self-Align Contact Processの導入・他新規プロセス導入
0.55um DRAM Process 台湾への技術トランスファ
MVI（後のPromos）の工場立ち上げ
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職務経歴 （２）1996.10-1998.03

1998.04-2001.04

2001.05-2002.03

2002.04-2003.09

2003.10-2005.03

DRAMプロセス技術課 課長
0.40-0.36um DRAM(16Mb)開発
工場への移管・量産立ち上げ
NANYA（台湾）への技術移管・工場立ち上げ
0.36um DRAM混載プロセス開発
MASK-ROM/SRAMセル設計
Flash混載プロセス技術課 課長
0.5/0.35/0.25um Flash混載プロセス開発(ECU/民生)
Flashセルのデータリテンション解析
工場への移管・量産立ち上げ
宮城沖電気（株）開発部 出向・課長
0.22um Logicプロセス開発
0.25um Flashプロセス開発（米国SSTからの技術導入）
中国GSMC創設のための技術移管開始
沖電気工業（株） プロセス開発部 課長・担当部長
0.22um LOGIC, Emb.-Flash, 0.25um Flashプロセス開発
GSMC Fab（上海）スタートアップ（Pj-Leader)、技術移管
P-FAB部 部長
Foundry-out全般の業務（開発・生産維持・購入戦略・在庫管理）
日本：1、台湾：2、中国：2、その他：1工場
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職務経歴 （３）2005.04-2008.03

2008.04-2008.09
2008.10-2011.03

2011.04-2014.02

2014.03-Current

宮城沖電気（株） 開発部 出向・部長
工場プロセス開発業務のマネージメント
要素（ホトリソ・エッチング・成膜）技術
0.15-0.13um NVM、0.22-0.18um LCD Driver
0.22-0.15um LOGIC、0.35-0.15um SOI LOGIC
エッチングダメージモニタリング NEDO （Pj-Leader)
沖電気工業（株） WP生産本部 開発統括部長
新プロセス開発のプランニング・マネージメント
OKIセミコンダクタ（株） デバイス開発部 部長
OKIセミ プロセス開発全般のマネージメント
NVM、LCD Driver、SOI、Sensor、HV、TSV
コスト削減の推進
TCAD, パラメータ抽出(SPICE)
Powerchip Technology Corp.（台湾・新竹）
VP Office Program Director
30nm LP-DRAMプロセスの開発
KEK 先端加速器推進部 特別教授

30年に及ぶデバイスプロセス開発経験、DRAMで始まりDRAMで終わる、3umから30nm、64Kbから4Gb
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導入
開発されている測定器はLSI特性に左右される面が多い。
ある特性を得るためにLSIをデザインされている方も多い。
パターンレイアウトしているが、それぞれのパターンがどのようにLSIになっていくかわかりにくい。
書かれたレイアウトがどのようにLSIになっていき、製造工程でどのように管理されているかを考える一助の提供。
VDDpMOSVIN

VOUTnMOSGND

LSIの高機能化・低コスト化を求めると。。。 → 素子微細化
チップ当たり素子数の増大：高ファンクション
素子間距離・容量低減：高スピード
チップサイズ縮小によるコストダウン
微細化の変遷、プロセスフローを解説

LSI製造へのさらなる理解へつなげていただければ。。。

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この30年でDRAMはどう変わった？ （自らの経験から）

メモリ容量

1983年

2012年

64Kb

4Gb

3um

30nm

セル構造

プレーナセル

スタックセル（シリンダ）

キャパシタ絶縁膜

シリコン熱酸化膜

デザインルール

通常MOS

リセスゲート周辺トランジスタ

SD NMOSLDD CMOS

素子分離

LOCOS

STI

PSG & Reflow

CMP

メタル層数

1 (Al-Si)

3 (Al-Cu)

マスク数

6～30

露光機
ウエハ径

反射プロジェクション（１：１）
4インチ（1/100）32768

High-K絶縁膜

セルトランジスタ

平坦化（62500倍）

ArF液浸スキャナ（４：１）
ダブルパターニング
12インチ

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リソグラフィー技術の変遷
露光装置の短波長化と装置精度（アライメント）により、微細化がすすめられた。
基になるマスクは縮小露光により見かけ上の寸法精度向上できた。
解像度を上げるため高NA化、DOFマージン低下→ウエハ表面平坦化必須
マスクでの解像度改善：ハーフトーンマスク、フェイズシフター
パターン依存によるパターン寸法変動：OPC処理必須
テクノロジーノード[um]

マスク

露光装置

32

1

1:1
マスター

反射プロ
ジェクション
アライナー

0.8

0.6

0.5

0.35

0.25

0.18

5:1
レティクル

ステッパー
g-lineステッパー
i-line

0.09

0.065

0.045

…

4:1
レティクル

ステッパー
KrF

スキャ
ナ
KrF

スキャナ
ArF (Dry)

スキャナ
ArF (Wet)

今まで微細化を進めてきたが、先端では露光装置の高額化（うん10億）、マスクセットの高額化（億円単位）が生産できる製品を限定している。

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30年前のDRAM構造と微細化技術
メタル配線：低抵抗化・マイグレーション
Al系(Cuダマシン)

DRAMセルは30年前から1T1Cで変わっていない。究極のセル。

Poly配線：低抵抗化
Poly SiW-Polycide(Salicide)Metal Gate

BLCP

WL

その他にもセルフアラインコンタクト
W-Plugスタック＆シリンダキャパシタ
High-Kキャパシタ膜
Low-K層間膜等新技術あり。

平坦化：パターニング
リフローSOGエッチバックCMP

Word Line (Al-Si)

Transfer Gate (Poly Si)

Cell Plate (Poly Si)

Bit Line (n+)
Transfer
Gate

Capacitor

拡散層：むだ排除、低抵抗化
炉拡散→RTA→Flash Anneal(Salicide化)

Tｒ：Leff縮小
パンチスルー：チャネル高濃度化→ ゲート薄膜化
ドレイン電界緩和：LDD

素子分離：分離特性維持
寸法むだ排除LOCOS→STI

微細化に伴う特性劣化の改善と更なる縮小化（無駄取り）を進めてきた。
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DRAMプロセス技術の変遷
テクノロジーノード[um]デバイス構造32

10.80.60.5

0.35

NMOS

0.25

0.18

0.09

0.065

0.045

…

CMOS
Twin Well

Well in Well

ウエル構造

Thermal Diffusion

MeV Impl.

LOCOS

素子分離

Planer

STI
Stack

Cylinder-Stack

ONO/NO

High-K

セルキャパシタ

Pure Oxide
ワード線構造
平坦化
熱拡散
コンタクト

Poly Si

W-Polycide
Reflow

SOG/Etch-backMetal Gate(WN)
CMP

Furnace
Conv.

RTA
SAC

新構造（セルキャパシタ構造）、新材料導入で特性の維持を行ってきた。
でも基本となるプロセスシーケンスはそんなにかわっていない。

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基本となるプロセスシーケンス

成膜

エッチング

イオン注入

レジスト
パターニングこのサイクル回数は増加したが、結局はこれが元。
パターン化された層を重ねて構造を作るのがプロセスインテグレーションのお仕事（プロセスフローの設計）。

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プロセスフロー例 (0.18-0.25um LOGIC Process)PolyimideSiN

Via1（W-Plug)Via1（W-Plug)

USG

配線工程
（メタル配線層分繰り返し）

N+BPSG

トランジスタ工程

Gate

Gate
Oxide(STI)

USG

Contact（W-Plug)Contact（W-Plug)
N+Oxide(STI)

P+

Back-end
Process

P+

Pwell

Nwell

NMOSFETPMOSFET

Oxide
(STI)

素子分離工程Front-end
Process

Si Substrate（P-Type)この断面構造をつくるための先ほどのループを作ればプロセスフローは出来上がり。

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Isolation Process (STI) (1)○ Si Wafer
CZ P (100) ～10ohmcm
diam. major 300mm (200mm/150mm)○ (Pre-clean)○ Pad Oxidation (Furnace Oxidation)
Thickness Measurement○ Nitride Deposition (LP-CVD)
Thickness Measurement○ STI Photo. (Critical Layer)
ADI CD Measurement

Si Wafer

Photo ResistSiN
SiO2○ Nitride Etching (Dry Etcher) EPD○ Oxide Etching (Dry Etcher) EPD○ Resist Removal○Ashing○ H2SO4/H2O2 Dip○ CD Measurement (SEM)
Residual Oxide Thickness Measurement

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Isolation Process (STI) (2)○ Si Trench Etching (Dry Etcher)
Ashing+H2SO4/H2O2 dip.
○ AEI CD Measurement (SEM)○ Pre-clean○ Liner Oxidation (Furnace)
Thickness Measurement○ HDP SiO2 Depo. (HDP-CVD)
Thickness Measurement○ Oxide CMP (CMP) EPD
Thickness Measurement○ Nitride Removal (Hot H3PO4)○ Oxide Removal (Dil. HF)

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Well Formation & Channel Doping○ Pre-clean○ Sacrificial Oxidation (Furnace)
Thickness Measurement
11B+ / 49BF2+○ Pwell Photo.(Rough Layer)(CD Measurement)(Overlay Measurement)○ High Energy Boron Implant○ Middle Energy Boron Implant○ Vt Adjust Shallow Boron Implant○ Resist Removal○ Nwell Photo.(Rough Layer)(CD Measurement)(Overlay Measurement)○ High Energy Phos. Implant○ Middle Energy Phos. Implant○ Vt Adjust Shallow As Implant○ Resist Removal

Pwell

31P+ / 75As+Nwell

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Gate Formation○ Sac. Oxide Removal (dil. HF dip)
○ Pre-clean○ Gate Oxidation (Furnace)
Thickness Measurement○ Pre-clean○ Poly-Si Deposition (LP-CVD)
Thickness Measurement○ Gate Photo.(Critical Layer)
ADI CD Measurement
Overlay Measurement○ Gate Etching (Dry Etcher) EPD○ Resist Removal
Ashing + H2SO4/H2O2○ Post-clean
AEI CD Measurement
Residual SiO2 Thickness Measurement

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LDD Formation○ Nch LDD Photo. (Rough Layer)(ADI CD Measurement)(Overlay Measurement)○ Pocket Boron Implant (Mid. Current)○ Nch LDD P/As Implant (Mid. Current)○ Resist Removal(Ashing) + H2SO4/H2O2

75As+ / (31P+)
49BF2+

49BF2+○ Pch LDD Photo. (Rough Layer)(ADI CD Measurement)(Overlay Measurement)○ Pocket As Implant (Mid. Current)○ Pch LDD B/BF2 Implant (Mid. Current)○ Resist Removal(Ashing) + H2SO4/H2O2○ Pre-clean○ Oxide CVD (LP-TEOS)
Thickness Measurement○ Nitride CVD (LP-CVD)
Thickness Measurement○ Sidewall Etching (RIE) EPD○ Post-clean
AEI CD Measurement
Residual SiO2 Thickness Measurement

75As+n-p-17/36

S/D Formation○ Pre-clean○ Mask Oxide CVD (LP-TEOS)
Thickness Measurement○ N+ S/D Photo.
(ADI CD Measurement)(Overlay Measurement)○ N+ S/D As Implant (High Current)

75As+○ Resist Removal(Ashing) + APM○ Pre-clean○ N+ S/D Anneal (RTA) 1000-1050C○ P+ S/D Photo.
(ADI CD Measurement)(Overlay Measurement)○ P+ S/D B/BF2 Implant

11B+ / 49BF2+n+○ Resist Removal(Ashing) + APM○ Pre-clean○ P+ S/D Anneal (RTA) 900-950C

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Salicide Process○ Pre-clean○ Oxide CVD (LP-TEOS)
Thickness Measurement○ SAB Photo. (Rough Layer)(ADI CD Measurement)(Overlay Measurement)○ SAB Etch (Wet/Dry)○ Pre-clean○ Co Sputter
RF Etch / Co / …
Thickness Measurement○ 1st RTA

○ Selective Etch (Wet)○ 2nd RTA

Salicide : Self-align Silicide

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PMD/Contact Process○ Nitride Deposition
Thickness Measurement○ Pre-clean○ BPSG Deposition (AP(SA)-CVD)
Thickness Measurement
B/P Concentration Measurement○ Pre-clean○ BPSG Flow (Furnace)○ BPSG CMPThickness Measurement○ Cap Oxide CVD (p-TEOS CVD)
Thickness Measurement○ Contact Photo. (Critical Layer)
ADI CD Measurement
Overlay Measurement○ Contact Etch (Dry Etcher)○ Resist Removal
Ashing + H2SO4/H2O2
ADI CD Measurement

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Contact/Metal 1 Process○ Ti/TiN Depo. (MO-CVD/Sputter)
RF/Ti/TiN
Thickness Measurement○ W-CVD (p-CVD)○ W-CMP EPD
Thickness Measurement○ Ti/TiN Sputter
RF/Ti/TiN
Thickness Measurement○ Al-Cu Sputter
Thickness Measurement○ Ti/TiN Sputter(Ti)/TiN
Thickness Measurement○ Metal 1 Photo. (Critical Layer)
ADI CD Measurement
Overlay Measurement○ Metal 1 Etch (Dry Etcher) EPD○ Resist Removal
Ashing + Organic Stripper
ADI CD Measurement

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IMD/Via 2 Process○ Oxide CVD (PE-TEOS)
Thickness Measurement○ HDP Oxide Deposition (HDP-CVD)
Thickness Measurement○ Oxide-CMP
Thickness Measurement○ Via 1 Photo. (Critical Layer)
ADI CD Measurement
Overlay Measurement○ Via 1 Etch (Dry Etcher)○ Resist Removal
Ashing + Organic Stripper
ADI CD Measurement

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Via 1/Metal 2 Process○ Ti/TiN Depo. (MO-CVD/Sputter)
RF/Ti/TiN
Thickness Measurement○ W-CVD (p-CVD)○ W-CMP EPD
Thickness Measurement○ Ti/TiN Sputter
RF/Ti/TiN
Thickness Measurement○ Al-Cu Sputter
Thickness Measurement○ Ti/TiN Sputter(Ti)/TiN
Thickness Measurement○ Metal 2 Photo. (Critical Layer)
ADI CD Measurement
Overlay Measurement○ Metal 2 Etch (Dry Etcher) EPD○ Resist Removal
Ashing + Organic Stripper
ADI CD Measurement○ Sintering
H2 Furnace Annealing

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Passivation Process○ Passivation Nitride Deposition (PE-CVD)
Thickness Measurement○ Passivation Photo. (Rough Layer)○ Passivation Etch (Dry Etcher) EPD○ Resist Removal
Ashing + Organic Stripper
ADI CD Measurement

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Polyimide Process & Final Test

○ Polyimide Photo. (Rough Layer)○ Polyimide Cure (Furnace)○ Ashing○ WAT Measurement○ CP Test

Assembly Process
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どんな製造装置があるか？
拡散・成膜・注入装置編
処理ロットでの管理項目

熱拡散装置
ファーネス（炉）拡散 -1200C 分～時間
RTA
-1200C 秒
FLA、LSA-1200C mSオーダー

成膜装置
酸化 ファーネス（炉）酸化枚葉酸化
CVD

Dry/Wet酸化ISSG(In situ Steam Generation)

膜厚、n/k
膜厚、n/k(ガスの熱分解)AP-CVD
SA-CVD
LP-CVD(MO-CVD)

BPSG, USG
BPSG
USG, SiN, (doped) Poly Si
Ti/TiN

膜厚、n/k、不純物濃度
膜厚、n/k、不純物濃度
膜厚、n/k、（不純物濃度）(膜厚・抵抗)(熱＋プラズマ)
PE-CVDHDP

P-TEOS, P-SiN, P-SiON, W (Wsix)
USG

膜厚、n/k、（抵抗）膜厚、n/kCo, Ti/TiN, Al-Cu

膜厚、スパッタ
DC Magnetron

注入装置
High Energy
Medium Current
High Current～MeV
X00KeV～100KeV

1E14cm-2?
1E14cm-2
1E16cm-2

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どんな製造装置があるか？
ウェット・CMP・エッチャー編
処理ロットでの管理項目

ウェット装置Pre-clean
APM/DHF/HPM、SPM、Spin/IPA-Dry
Oxide Remove
DHF、BHF
Nitride Remove
熱リン酸
Co Selective Removal SPM?
Organic Stripper
EKC-XXX（スクラバ）

CMP酸化膜CMP
W-CMP

前後の膜厚前後の膜厚

エッチャー
Active/STI
Gate
SidewallContact
Metal
Via
Pad

SiN/SiO2, Si
Poly Si
SiN
BPSG/USG/SiN
Ti/TiN, Al-Cu
USG
SiN, SiON

CD-SEM, OCD
CD-SEM, 残膜厚CD-SEM, 残膜厚CD-SEM
CD-SEM
CD-SEM

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LSI製造プロセスでの問題点（１）各工程でばらつきを持っている。
同じレシピを使っても同じ結果ではない（膜厚・CD等）（２）工程が長い
前フローM2まででマスク15層、実際はM5（MIM）で約30層1層2日とすれば60日のリードタイム（３）再処理できない工程がほとんど
ホトリソは再処理可能だが、他はほとんど再処理できない。
洗浄でさえ回数制限あるものがある。

各工程での結果管理と細かなフィードバックが重要
どのパラメータ（CD、膜厚等）がどれだけの許容値なのか定義
各工程の管理項目（装置・出来栄え）と適切な管理値の設定（SPC管理）

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不良工程発見の遅延による仕損の見積
量産では定常的にウエハが流れており、最終のテストで不具合がわかっても既に遅い。
中程度の生産量・低コスト品でもウエハ仕損費用は億円単位。
さらにリードタイムが長いので、納期の問題発生、ビジネス損も大きい。

[参考]
8インチ工場1棟の標準キャパ：35-40K/month
8インチ0.13-0.18umロジックウエハ価格：$700-1000？

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LSI製造における工程管理例
工場内イントラネット
露光時間・
エネルギー
DOF…

不良を出さない・作らない!!

不良発生時に解析可能なレベルの Data Server
データベース

CD
形状
膜厚…

圧力
温度
ガス流量
パワー
時間…

CD
生産設備だけでなく検査設備の充実
Photo…

が重要

露光機

温度
ガス流量
時間…

OCD・膜厚計
欠陥マップ

CD SEM
エッチャー
インターロック
日常点検
条件だし…
未然防止

成膜装置

生産設備群

測定結果
SPC管理
管理限界
廃棄限界
出来栄え管理と未然防止

工程内測定器群

欠陥検査装置30/36

LSI製造プロセスの今後はどうなるか？
（１）さらなる微細化がMooreの法則に従って進むのか
微細化は止まらないが、スピードは鈍化する
微細パターニング EUVだが開発遅れ、高額 / ナノインプリント
MOSFETの限界 Bulk CMOD  SOI / Multi-gate
配線系 ？

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LSI製造プロセスの今後はどうなるか？
（２）3D化の加速
チップレベルの3D化 ： 3D-NAND （実用化）

青地他 東芝レビュー 66 pp.16-19, 2011

TSVを用いたチップ積層 ： 話題あるが普及せず。MCPコスト差？
新規ライン必要で、コスト高コスト問題解決できれば、進むTSVもメモリ先行で設備の償却を狙う。
Wide I/Oが適正アプリもWide I/Oに動かず、TSV技術停滞

2009.08

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LSI製造プロセスの今後はどうなるか？
（３）more than Mooreへ
微細化を必要としない、もしくは微細化が技術の中心でないデバイス開発
MEMS系、センサ系
Analog、Power系信頼性が必要なアプリでは最先端を望まない。
自動車・航空機、産業機器、医療

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最後に ITRS2013から．．．
ITRSは某社の陰謀で半導体各社は踊らされていると蔭では言われているが結局はどこまでも微細化を追っていかなければならないか？

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まとめ
 過去30年、LSI微細化をプロセス開発としてどのように改良してきたか、実体験をもとに簡単にご紹介した。
 0.18-0.25um LOGICプロセスフローをもとにどのようにLSIができていくか詳細に解説した。
 製造工程での管理の重要性を示すとともに、工場での管理例を解説した。
 将来のプロセスの方向性について、コメントした。

LSIプロセスは非常に長く複雑で、さらに特別な知識も必要とするため敬遠されがちであるが、プロセスを理解し、デバイスが工場でどのように管理されてできているか知ることは、より性能の良いデバイスの実現には重要である。今回のご紹介が何か考えるヒントの一部にでもなっていただければと願う。

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ご清聴、ありがとうございました。

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